Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月1日(2020.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）酢酸セルロース賦形剤を１−(４−フルオロ−フェニル)−４−((６ｂＲ,１０ａＳ)−３−メチル−２,３,６ｂ,９,１０,１０ａ−ヘキサヒドロ−１Ｈ,７Ｈ−ピリド[３',４'：４,５]ピロロ[１,２,３−ｄｅ]キノキサリン−８−イル)−ブタン−１−オン（ＩＴＩ−００７）遊離塩基対酢酸セルロースの比率５：９５〜５０：５０で；または
（ｂ）酢酸フタル酸セルロース賦形剤をＩＴＩ−００７遊離塩基対酢酸フタル酸セルロースの比率２５：７５〜７５：２５で；または
（ｃ）ＨＰＭＣ−Ｐ賦形剤をＩＴＩ−００７遊離塩基対ＨＰＭＣ−Ｐの比率２５：７５〜７５：２５で
含む、アモルファス固体分散体の形態の１−(４−フルオロ−フェニル)−４−((６ｂＲ,１０ａＳ)−３−メチル−２,３,６ｂ,９,１０,１０ａ−ヘキサヒドロ−１Ｈ,７Ｈ−ピリド[３',４'：４,５]ピロロ[１,２,３−ｄｅ]キノキサリン−８−イル)−ブタン−１−オン（ＩＴＩ−００７）遊離塩基。
【請求項２】
分散体が酢酸セルロース賦形剤をＩＴＩ−００７遊離塩基対酢酸セルロースの比率５：９５〜５０：５０で含む、請求項１記載の分散体。
【請求項３】
分散体がＩＴＩ−００７遊離塩基および酢酸セルロースを重量比５：９５〜５０：５０（比率５０：５０を除く）で含む、請求項１または２記載の分散体。
【請求項４】
分散体が酢酸フタル酸セルロース賦形剤をＩＴＩ−００７遊離塩基対酢酸フタル酸セルロースの比率２５：７５〜７５：２５で含む、請求項１記載の分散体。
【請求項５】
分散体がＩＴＩ−００７遊離塩基および酢酸フタル酸セルロースを重量比２５：７５〜７５：２５（比率２５：７５および７５：２５を除く）で含む、請求項１または４記載の分散体。
【請求項６】
分散体がＨＰＭＣ−Ｐ賦形剤をＩＴＩ−００７遊離塩基対ＨＰＭＣ−Ｐの比率２５：７５〜７５：２５で含む、請求項１記載の分散体。
【請求項７】
分散体がＩＴＩ−００７遊離塩基およびＨＰＭＣ−Ｐを重量比２５：７５〜７５：２５（比率２５：７５および７５：２５を除く）で含む、請求項１または６記載の分散体。
【請求項８】
分散体がＸ線アモルファスである、請求項１〜７いずれか１項記載の分散体。
【請求項９】
Ｘ線回折パターンが賦形剤に特徴的なピークを含まない、請求項１〜８いずれか１項記載の分散体。
【請求項１０】
分散体が７５℃以上の単一のガラス転移点（Ｔg）を示す、請求項１〜９いずれか１項記載の分散体。
【請求項１１】
分散体が１００℃の温度までに１０％未満の重量減少を示す、請求項１〜１０いずれか１項記載の分散体。
【請求項１２】
分散体が、４０℃にて相対湿度７５％で７日後に、外観またはテクスチャーの変化を示さない、請求項１〜１１いずれか１項記載の分散体。
【請求項１３】
分散体が、４０℃にて相対湿度７５％で７日後に、ＩＴＩ−００７の９０％を超える化学的安定性を示す、請求項１〜１２いずれか１項記載の分散体。
【請求項１４】
分散体が、ＩＴＩ−００７遊離塩基および選択された賦形剤を適切な溶媒または溶媒混合物に溶解し、該溶媒を除去してアモルファス固体分散体を得ることを含む方法によって製造される、請求項１〜１３いずれか１項記載の分散体。
【請求項１５】
溶媒または溶媒混合物がジオキサン、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、アセトンおよびそれらの混合物から選択される、請求項１４記載の分散体。
【請求項１６】
溶媒または溶媒混合物がジオキサン、メタノール、またはジオキサン／メタノール混合物から選択される、請求項１４または１５記載の分散体。
【請求項１７】
溶媒または溶媒混合物が、ジオキサン対メタノールの比率９０：１０〜９８：２、またはジオキサン対メタノールの比率９２：８〜９５：５、もしくは９３：７のジオキサンおよびメタノールである、請求項１４〜１６いずれか１項記載の分散体。
【請求項１８】
（ａ）適切な溶媒または溶媒混合物中にて１−(４−フルオロ−フェニル)−４−((６ｂＲ,１０ａＳ)−３−メチル−２,３,６ｂ,９,１０,１０ａ−ヘキサヒドロ−１Ｈ,７Ｈ−ピリド[３',４'：４,５]ピロロ[１,２,３−ｄｅ]キノキサリン−８−イル)−ブタン−１−オン（ＩＴＩ−００７）遊離塩基を選択された賦形剤と合わせる工程；および
（ｂ）溶媒を除去し、このようにして形成されたアモルファス固体分散体を回収する工程
を含む、請求項１〜１７いずれか１項記載の分散体の製造方法。
【請求項１９】
薬学的に許容される希釈剤または担体と組み合わせてまたはそれとともに（in combination or association with）請求項１〜１８いずれか１項記載の分散体を含む医薬組成物。
【請求項２０】
組成物が経口投与用の錠剤またはカプセル剤の剤形である、請求項１９記載の医薬組成物。
【請求項２１】
組成物が持効性注射剤（ＬＡＩ）として使用するためのデポ製剤の剤形である、請求項１９または２０記載の医薬組成物。
【請求項２２】
５−ＨＴ2A受容体、セロトニントランスポーター（ＳＥＲＴ）および／またはドーパミンＤ1／Ｄ2受容体シグナル伝達経路が関与しているかまたはこれらによって媒介される疾患または異常状態、例えば、肥満症、食欲不振症、過食症、うつ病、不安、精神病、統合失調症、片頭痛、強迫性障害、性障害、うつ病、統合失調症、片頭痛、注意欠陥障害、注意欠陥多動障害、強迫性障害、睡眠障害、頭部痛関連状態、社会恐怖症、または認知症から選択される障害の予防または治療に用いるための、請求項１９〜２１いずれか１項記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月7日(2020.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌免疫療法における使用のための、抗体−薬物コンジュゲート（ＡＤＣ）を含む医薬組成物であって、前記医薬組成物は、免疫療法（ＩＭＴ）薬と組み合わせて患者に投与され、並びに前記医薬組成物及び／又は前記ＩＭＴ薬は、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な前記ＡＤＣ及び／又は前記ＩＭＴ薬に関する各々の投与量と比較して少ない投与量で投与される、医薬組成物。
【請求項２】
癌免疫療法における使用のための、免疫介在性療法（ＩＭＴ）薬を含む医薬組成物であって、前記医薬組成物は、抗体−薬物コンジュゲート（ＡＤＣ）と組み合わせて患者に投与され、並びに前記医薬組成物及び／又は前記ＡＤＣは、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な前記ＩＭＴ薬及び／又は前記ＡＤＣに関する各々の投与量と比較して少ない投与量で投与される、医薬組成物。
【請求項３】
癌免疫療法における使用のための、抗体−薬物コンジュゲート（ＡＤＣ）及び免疫介在性療法（ＩＭＴ）薬を含む医薬組成物であって、前記ＡＤＣが前記ＩＭＴ薬と組み合わせて患者に投与され、
ａ．前記ＡＤＣが、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な投与量と比較して少ない投与量で投与され；又は
ｂ．前記ＩＭＴ薬が、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な投与量と比較して少ない投与量で投与され；又は
ｃ．前記ＩＭＴ薬及び前記ＡＤＣの両方が、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な前記ＩＭＴ薬又は前記ＡＤＣに関する各々の投与量と比較して少ない投与量で投与される、医薬組成物。
【請求項４】
前記ＡＤＣが、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な前記投与量よりも少なくとも９０％、少なくとも８０％、少なくとも７０％、少なくとも６０％、少なくとも５０％、少なくとも４０％、少なくとも３０％、少なくとも２０％、少なくとも１０％、少なくとも５％、少なくとも１％少ない投与量で投与される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記ＩＭＴ薬が、単剤療法として治療的に有効であるのに必要な前記投与量よりも少なくとも９０％、少なくとも８０％、少なくとも７０％、少なくとも６０％、少なくとも５０％、少なくとも４０％、少なくとも３０％、少なくとも２０％、少なくとも１０％、少なくとも５％、少なくとも１％少ない投与量で投与される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記ＡＤＣが、前記ＩＭＴ薬と組み合わせて患者に同時に、別々に又は連続して投与される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記ＡＤＣにコンジュゲートされた前記薬物が、ＰＢＤ又はツブリシンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記ＡＤＣが静脈内又は腫瘍内に投与される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記ＩＭＴ薬が静脈内、腹腔内又は腫瘍内に投与される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記ＩＭＴ薬がチェックポイント阻害剤である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記ＩＭＴ薬が、前記腫瘍壊死因子（ＴＮＦ）受容体スーパーファミリーの作動薬である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記ＩＭＴ薬が：ＰＤ１阻害剤、ＰＤ−Ｌ１阻害剤、ＯＸ４０作動薬及びＧＩＴＲＬ作動薬からなる群から選択される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記ＩＭＴ薬が：抗ＰＤ１抗体、抗ＰＤ−Ｌ１抗体及び抗ＯＸ４０抗体、ＯＸ４０リガンド融合タンパク質及びＧＩＴＲＬ融合タンパク質からなる群から選択される、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記ＡＤＣが、抗腫瘍抗体又はその抗原結合断片である抗体を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記抗体が、抗ＥｐｈＡ２抗体又はその抗原結合断片、抗Ｈｅｒ２抗体又はその抗原結合断片、抗ＧＰＣ３抗体又はその抗原結合断片、抗ＡＳＣＴ２抗体又はその抗原結合断片、及び抗Ｂ７Ｈ４抗体又はその抗原結合断片からなる群から選択される、請求項１４に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月12日(2020.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲティング抗体と、
前記ターゲティング抗体に結合しているセミテレケリックポリマーと、
前記セミテレケリックポリマーに結合している治療剤と、
を含む抗体−ポリマー−薬物コンジュゲート。
【請求項２】
前記ターゲティング抗体が、アブシキシマブ、アダリムマブ、アレムツズマブ、バシリキシマブ、ベリムマブ、ベバシズマブ、ブレンツキシマブ、カナキヌマブ、セツキシマブ、ダクリズマブ、エファリズマブ、ゲムツズマブ、ゴリムマブ、イブリツモマブ、インフリキシマブ、イピリムマブ、モタビズマブ、オビヌツズマブ、オファツムマブ、オマリズマブ、ＯＶ−ＴＬ−１６、パリビズマブ、ペルツズマブ、ラニビズマブ、ラキシバクマブ、リツキシマブ、トシリズマブ、トラスツズマブまたはウステキヌマブである、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項３】
前記ターゲティング抗体が抗ＣＤ２０モノクローナル抗体、抗ＯＡ−３モノクローナル抗体または抗ＨＥＲ２モノクローナル抗体であり、任意に前記抗ＣＤ２０モノクローナル抗体が、リツキシマブ、オファツムマブ、トシツモマブ、オビヌツズマブ、イブリツモマブまたはその生物活性バリアントである、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項４】
前記１つ以上の治療剤が、治療剤連結基を介して、前記１つ以上のセミテレケリックポリマーのそれぞれに連結しており、
任意に前記治療剤連結基が、Ｇｌｙ−Ｇｌｙ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｇｌｙ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ、Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ、Ｇｌｙ−Ｖａｌ−Ａｌａ、Ｇｌｙ−Ｖａｌ−Ｌｅｕ、Ｇｌｙ−Ｖａｌ−Ｐｈｅ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ａｌａ、Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｐｈｅ、Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ａｌａ、Ｇｌｙ−Ｉｌｅ−Ａｌａ、Ａｌａ−Ｖａｌ−Ａｌａ、Ａｌａ−Ｖａｌ−Ｐｈｅ、Ａｌａ−Ｐｈｅ−Ｖａｌ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｌｅｕ、Ｇｌｙ−Ｌｅｕ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｔｙｒ−Ａｌａ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ、Ａｌａ−Ｇｌｙ−Ｖａｌ−Ｐｈｅ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｇｌｙ、Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ、Ｇｌｙ−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ−Ｌｅｕ−Ｇｌｙ−Ｐｈｅ、Ｎ−アミノカプロイル−Ｖａｌ−シトルリンまたはこれらを組み合わせたものである、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項５】
前記１つ以上の治療剤が抗がん剤である、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項６】
前記１つ以上のセミテレケリックポリマーのそれぞれが、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）メタクリルアミド（ＨＰＭＡ）モノマーの残基、下記の式Ｉによる構造を有するモノマーの残基であって、
2019534889.tif 000001
式中、
Ｒ1が、水素またはメチルであり、
Ｘが、酸素またはＮＲ1’であり、
そのＲ1’が、水素またはアルキル基であり、
Ｌが、アルキル基またはアリール基であり、
Ｙが親水性基である残基、
またはＨＰＭＡの残基と、式Ｉによる構造を有するモノマーの残基を組み合わせたものを少なくとも４５モル％含む、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項７】
前記セミテレケリックポリマーのそれぞれが、Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）メタクリルアミド、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ジエチレングリコールモノメタクリレート、トリエチレングリコールモノメタクリレート、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド、メタクリル酸、アクリル酸、アクリル酸のエステル、メタクリル酸のエステル、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、ノルボルネン及びこれらを組み合わせたものから選択した構成要素であるモノマーの残基を含む、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項８】
前記１つ以上のセミテレケリックポリマーのそれぞれが、２つ以上の治療剤にコンジュゲーションされており、任意に前記１つ以上のセミテレケリックポリマーのそれぞれが、２〜１２個の治療剤にコンジュゲーションされている、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項９】
前記１つ以上のセミテレケリックポリマーのそれぞれがさらに、その官能性末端に抗体連結末端基を含み、任意に前記抗体連結末端基がマレイミドである、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項１０】
前記抗体連結末端基が、
2019534889.tif 000002
またはこれらを組み合わせたものであり、
式中、Ｒ2とＲ3が独立して、Ｈ、Ｉ、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｃ6Ｈ5Ｓ、ＣＨ3Ｃ6Ｈ5ＳまたはＴｓから選択されていることができ、
ＸとＹが独立して、ＮＨ、Ｏ、ＳまたはＳｅから選択されていることができ、
ＺがＮまたはＣを含むことができ、
「ポリマー」が、前記抗体連結末端基の結合先である前記セミテレケリックポリマーを表している、請求項８に記載のコンジュゲート。
【請求項１１】
前記抗体−ポリマー−薬物コンジュゲートの多分散性が、１．８以下である、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項１２】
請求項１に記載のコンジュゲートと、製薬学的に許容可能な担体とを含む医薬組成物。
【請求項１３】
前記ターゲティング抗体がリツキシマブ、ハーセプチンまたはＯＶ-ＴＬ１６であり、前記セミテレケリックポリマーがＮ−（２−ヒドロキシプロピル）メタクリルアミドであり、前記治療剤がエピルビシンである、請求項１に記載のコンジュゲート。
【請求項１４】
対象のがんの治療において使用するための請求項１２に記載の医薬組成物であって、
前記医薬組成物が前記対象に、治療有効量投与され、任意に前記がんが、原発腫瘍、二次性腫瘍、難治性腫瘍または再発腫瘍であり、任意に前記がんが、乳癌、卵巣癌、膀胱癌、胃癌、肺癌、子宮癌または胆嚢である、前記医薬組成物。
【請求項１５】
前記抗体の遊離チオールと、ポリマー−薬物コンジュゲートの求電子基とを反応させることによって、抗体−ポリマー−薬物コンジュゲートを形成する工程を含む、抗体−ポリマー−薬物コンジュゲートの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月8日(2020.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１０１、１０２、及び１０２のいずれかで表されるアミノ酸配列を含む又はからなる抗原性ペプチドを含むことを特徴とする免疫原性化合物。
【請求項２】
前記抗原性ペプチドが、担体タンパク質に結合される請求項１に記載の免疫原性化合物。
【請求項３】
以下の式（Ｉ）の抗原性ペプチドを含む又はからなる請求項１から２のいずれかに記載の免疫原性化合物：
ＰｅｐＮｔ−ＣＯＲＥ−ＰｅｐＣｔ  （Ｉ）    式中、
−「ＰｅｐＮｔ」は、０〜５００のアミノ酸残基のアミノ酸長を有するポリペプチドからなり、式（Ｉ）のポリペプチドのＮ末端に位置し；
−ＣＯＲＥは、配列番号１００〜１０２からなる群から選択されるアミノ酸配列を含む又はからなるポリペプチドからなり；及び
−「ＰｅｐＣｔ」は、０〜５００のアミノ酸残基のアミノ酸長を有するポリペプチドからなり、式（Ｉ）のポリペプチドのＣ末端に位置する。
【請求項４】
配列番号１００、１０１、及び１０２のいずれかで表されるアミノ酸配列を含む又はからなることを特徴とする抗原性ペプチド。
【請求項５】
−請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物の少なくとも１つ、又は
−請求項４に記載の抗原性ペプチドの少なくとも１つ；及び
任意にアジュバントがロードされたことを特徴とするナノ粒子。
【請求項６】
請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物、又は請求項４に記載の抗原性ペプチドがロードされたことを特徴とする細胞。
【請求項７】
以下をコードするポリヌクレオチドを含むことを特徴とする核酸：
−ペプチド又はタンパク質である、請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物；又は
−請求項４に記載の抗原性ペプチド。
【請求項８】
前記核酸が、ＤＮＡ分子又はＲＮＡ分子であり、好ましくは、ゲノムＤＮＡ；ｃＤＮＡ；ｓｉＲＮＡ；ｒＲＮＡ；ｍＲＮＡ；アンチセンスＤＮＡ；アンチセンスＲＮＡ；リボザイム；相補的ＲＮＡ及び／又はＤＮＡ配列；発現エレメント、調節エレメント、及び／又はプロモーターを含む又は含まないＲＮＡ及び／又はＤＮＡ配列；ベクター；それらの組合せから選択される請求項７に記載の核酸。
【請求項９】
請求項７から８のいずれかに記載の核酸を含む宿主細胞であって、前記核酸が、好ましくはベクターであることを特徴とする宿主細胞。
【請求項１０】
−請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物、
−請求項４に記載の抗原性ペプチド、
−請求項５に記載のナノ粒子、
−請求項６に記載の細胞、
−請求項７から８のいずれかに記載の核酸、又は
−請求項９に記載の宿主細胞、及び
１以上の薬学的に許容される賦形剤を含むことを特徴とする免疫原性組成物。
【請求項１１】
１以上の免疫刺激剤を更に含む請求項１０に記載の免疫原性組成物。
【請求項１２】
薬としての使用のための、請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物、請求項４に記載の抗原性ペプチド、請求項５に記載のナノ粒子、請求項６に記載の細胞、請求項７から８のいずれかに記載の核酸、請求項９に記載の宿主細胞、又は請求項１０から１１のいずれかに記載の免疫原性組成物。
【請求項１３】
癌の予防又は治療における使用のための、請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物、請求項４に記載の抗原性ペプチド、請求項５に記載のナノ粒子、請求項６に記載の細胞、請求項７から８のいずれかに記載の核酸、請求項９に記載の宿主細胞、又は請求項１０から１１のいずれかに記載の免疫原性組成物。
【請求項１４】
請求項４に記載の抗原性ペプチドを含む少なくとも２つの異なる抗原性ペプチドと、配列番号１から１０６のいずれかで表されるアミノ酸配列を含む又はからなる少なくとも１つの抗原性ペプチドとの組合せ。
【請求項１５】
−請求項１から３のいずれかに記載の免疫原性化合物、
−請求項４に記載の抗原性ペプチド、
−請求項５に記載のナノ粒子、
−請求項６に記載の細胞、
−請求項７から８のいずれかに記載の核酸、
−請求項９に記載の宿主細胞、又は
−請求項１０から１１のいずれかに記載の免疫原性組成物を含むことを特徴するキット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月5日(2020.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によって実行されるワイヤレス通信のための方法であって、
現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信のうちの少なくとも1つに対して基地局(BS)によって使用されるビーム管理方式のタイプの指示を前記BSから受信するステップであって、前記指示が、前記BSが、少なくとも前記現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信に対して、前の送信に対して使用されたビームとは異なるビームに切り替えているかどうかの指示を含む、ステップと、
前記指示に従って、前記BSからの前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つを復号するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つが、1次同期信号(PSS)、2次同期信号(SSS)、物理ブロードキャストチャネル(PBCH)、基準信号、システム情報ブロック(SIB)、またはブロードキャストチャネルのうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記指示されたビーム管理方式のタイプが、ビーム掃引モードまたはビーム反復モードを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ビーム反復モードが、前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つが、前の送信のように、繰り返されるビームを使用して送られることになることを指示し、
前記ビーム掃引モードが、前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つが、前記前の送信とは異なるビームを使用して送られることになることを指示する
請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つが、同期信号またはブロードキャストチャネルを含み、
前記指示されたビーム管理方式のタイプが、前記ビーム掃引モードを含む
請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記ビーム反復モードに対して使用されるビーム反復の数または前記ビーム掃引モードに対して使用される異なるビームの数の指示を受信するステップ
をさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項７】
前記指示が、既存の信号もしくはチャネル、マスタ情報ブロック(MIB)、または前記指示のシグナリング専用の別個のチャネルのうちの少なくとも1つを介して受信される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
基地局(BS)によって実行されるワイヤレス通信のための方法であって、
現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信のうちの少なくとも1つに対して前記BSによって使用されるビーム管理方式のタイプの指示をユーザ機器(UE)にシグナリングするステップであって、前記指示が、前記BSが、少なくとも前記現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信に対して、前の送信に対して使用されたビームとは異なるビームに切り替えているかどうかの指示を含む、ステップと、
前記指示に従って、前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つを前記UEに送るステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記指示を前記UEにシグナリングするステップが、
前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つが同期信号またはブロードキャストチャネルを含む場合、ビーム掃引モードの指示をシグナリングするステップ
を含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記指示に従って、前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つを前記UEに送るステップが、
N個のシンボルにわたってビーム掃引を使用して送信し、M個のサブフレームごとに前記ビーム掃引を繰り返すステップを含み、NおよびMが、送信の前記タイプまたは前記送信の頻度のうちの少なくとも1つに基づく、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記指示に従って、前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つを前記UEに送るステップが、
各後続の送信に対して異なるビームを使用するステップ、または
第1の複数の後続の送信に対して第1のビームを繰り返し、少なくとも第2の複数の後続の送信に対して少なくとも第2のビームを繰り返すステップ
を含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記BSが、現在のビームを使用する最小持続時間の後でのみ異なるビームに切り替えるように限定される、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
ワイヤレス通信のためのユーザ機器(UE)の装置であって、
現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信のうちの少なくとも1つに対して基地局(BS)によって使用されるビーム管理方式のタイプの指示を前記BSから受信するための手段であって、前記指示が、前記BSが、少なくとも前記現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信に対して、前の送信に対して使用されたビームとは異なるビームに切り替えているかどうかの指示を含む、手段と、
前記指示に従って、前記BSからの前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つを復号するための手段と
を含む、装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための基地局(BS)の装置であって、
現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信のうちの少なくとも1つに対して前記BSによって使用されるビーム管理方式のタイプの指示をユーザ機器(UE)にシグナリングするための手段であって、前記指示が、前記BSが、少なくとも前記現在の送信または1つもしくは複数の後続の送信に対して、前の送信に対して使用されたビームとは異なるビームに切り替えているかどうかの指示を含む、手段と、
前記指示に従って、前記現在の送信または前記1つもしくは複数の後続の送信のうちの前記少なくとも1つを前記UEに送るための手段と
を含む、装置。
【請求項１５】
実行時に、ユーザ機器(UE)のコンピュータに請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法を実行させる、あるいは基地局(BS)のコンピュータに請求項8〜12のいずれか一項に記載の方法を実行させるプログラムコードを備えたコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月13日(2020.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
典型的なリチウム−硫黄電池は、リチウム金属またはリチウム金属合金から形成されたアノード（負極）と、元素硫黄または他の電気活性硫黄材料から形成されたカソード（正極）とを有する。硫黄または他の電気活性硫黄含有材料は、その導電性を向上させるために、炭素などの導電性材料と混合することができる。その炭素および硫黄は粉砕され、次いで溶媒およびバインダーと混合されてスラリーを形成することができる。そのスラリーを集電体に塗布し、次いで乾燥させて溶媒を除去することができる。得られた構造体をカレンダー加工して複合構造体を形成し、これを所望の形状に切断してカソードを形成する。セパレータを前記カソード上に配置し、電解質を前記セパレータに塗布して当該カソードおよびセパレータを湿らすことができる。リチウムアノードを前記セパレータ上に配置してセルスタックを形成することができる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  韓国公開特許第２００４−００３３６７８号公報  
（特許文献２）  国際公開第２０１６／１６９３９８号
（特許文献３）  中国特許第１０３２５８９９０号明細書
（特許文献４）  中国特許出願公開第１０５２２６２８８号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２０１６／１４９２６１号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２０１４／０７２８７３号明細書
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月26日(2020.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の接触面、
第２の接触面、および
前記第１の接触面または第２の接触面の少なくとも一方に分散されたコーティングであって、硬化性組成物のＵＶ硬化生成物を含むコーティング、
を含む電気接点であり、前記硬化性組成物は、
メタクリレート官能基またはアクリレート官能基を含むテレケリックポリプロピレングリコール−−ポリエチレングリコールマルチブロックポリマーおよび
ＵＶ光開始材
を含み、
前記コーティングはゲルである電気接点。
【請求項２】
テレケリックポリプロピレングリコール−−ポリエチレングリコールマルチブロックポリマーが、ジアクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジメタクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジアクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、ジメタクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、ジアクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジメタクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジアクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジメタクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジアクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、ジメタクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の電気接点。
【請求項３】
前記テレケリックポリプロピレングリコール−−ポリエチレングリコールマルチブロックポリマーが、式：
【化１】
2019534530.tif 000001
（式中、各Ｒ1は水素またはメチル基であり、ｘは約５〜約３０であり、ｙは約５〜約３０であり、ｚは約５〜約３０である）によって定義される、請求項１に記載の電気接点。
【請求項４】
前記テレケリックポリプロピレングリコール−−ポリエチレングリコールマルチブロックポリマーが、式：
【化２】
2019534530.tif 000002
（式中、各Ｒ1は水素またはメチル基であり、ｘは約５〜約３０であり、ｙは約５〜約３０であり、ｚは約５〜約３０である）によって定義される、請求項１に記載の電気接点。
【請求項５】
前記コーティングが反応性希釈剤の前記硬化生成物をさらに含む、請求項１に記載の電気接点。
【請求項６】
前記反応性希釈剤がテレケリックポリエチレングリコールオリゴマーまたは単官能性ポリエチレングリコールオリゴマーである、請求項５に記載の電気接点。
【請求項７】
前記反応性希釈剤が、以下の式：
【化３】
2019534530.tif 000003
（式中、各Ｒ1は水素またはメチル基であり、ｎは約５〜約９である）によって定義されるポリ（エチレングリコール）ジアクリレートまたはポリ（エチレングリコール）ジメタクリレートである、請求項５に記載の電気接点。
【請求項８】
前記反応性希釈剤が、以下の式：
【化４】
2019534530.tif 000004
（式中、Ｒ1は、水素またはメチル基であり、ｎは、約５〜約９である）によって定義されるポリ（エチレングリコール）メチルエーテルアクリレートまたはポリ（エチレングリコール）メチルエーテルメタクリレートである、請求項５に記載の電気接点。
【請求項９】
前記コーティングが湿潤剤をさらに含む、請求項１に記載の電気接点。
【請求項１０】
前記テレケリックポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコールポリマーが、約２５００〜約３０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する、請求項１に記載の電気接点。
【請求項１１】
前記コーティングが、約１ｎｍ〜約３０００ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の電気接点。
【請求項１２】
前記コーティングが自己修復性である、請求項１に記載の電気接点。
【請求項１３】
前記第１の接触面および前記第２の接触面が、それぞれ独立して、金、銀、銅、およびこれらの組み合わせから選択される金属から作製されている、請求項１に記載の電気接点。
【請求項１４】
前記電気接点が、電気コネクタ、リレー、スイッチ、電位差計、およびフェーダから選択される、請求項１に記載の電気接点。
【請求項１５】
第１の接触面および第２の接触面を含む電気接点を提供することと、
前記第１の接触面および第２の接触面の少なくとも一方をメタクリレート官能基またはアクリレート官能基を含むテレケリックポリプロピレングリコール−−ポリエチレングリコールマルチブロックポリマー及びＵＶ光開始剤を含む硬化性コーティング組成物でコーティングすることと、
前記硬化性コーティング組成物をＵＶ光を照射することによりＵＶ硬化し、ゲルコーティングを形成することと、を含む、
電気接点を安定化させる方法。
【請求項１６】
前記テレケリックポリプロピレングリコール−−ポリエチレングリコールマルチブロックポリマーは、ジアクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジメタクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジアクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、ジメタクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、ジアクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジメタクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジアクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジメタクリレートポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール、ジアクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、ジメタクリレートポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール−ブロック−ポリエチレングリコール−ブロック−ポリプロピレングリコール、およびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記硬化性コーティング組成物が反応性希釈剤をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月12日(2020.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィン形電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦｅｔ）を形成するための方法であって、
基板上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）層を形成するステップと、
前記ＳＴＩ層上に第１および第２のダミーゲートを形成するステップと、
前記ＳＴＩ層上に、ゲートカット領域に対応しており前記第１および第２のダミーゲートを分離する層間絶縁膜（ＩＬＤ）層を形成するステップと、
前記第１および第２のダミーゲート上ならびに前記ＩＬＤ層上に第１のマスクを形成するステップであって、前記第１のマスクが、アイソレーションカット領域に対応しており、且つ前記第１および第２のダミーゲートならびに前記ＩＬＤ層を露出させるトレンチを有しており、前記アイソレーションカット領域がアイソレーションカットマスクの領域であり、前記ゲートカット領域が前記アイソレーションカット領域と交差する、ステップと、
前記第１のマスク上および前記トレンチによって露出された前記ＩＬＤ層上に第２のマスクを形成するステップと、
前記第１および第２のダミーゲートを除去するステップと、
前記ＩＬＤ層が前記ＳＴＩ層上に残るように、前記第１および第２のマスクを除去するステップと、
前記除去された第１および第２のダミーゲートによって残された領域を充填するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ゲートカット領域および前記アイソレーションカット領域が、実質的に互いに垂直である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２のマスクが、異なるエッチング選択性を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のマスクを形成するステップが、
前記第１および第２のダミーゲート上ならびに前記ＩＬＤ層上に第１のマスクを堆積するステップと、
前記第１のマスク上に第１のフォトレジストを堆積するステップであって、前記第１のフォトレジストが、前記アイソレーションカット領域に対応する開口を有しており、前記開口が前記第１のマスクの一部分を露出させている、ステップと、
前記トレンチを形成するために前記第１のマスクの前記露出された部分をエッチングするステップと、
前記第１のフォトレジストを除去するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１および前記第２のダミーゲートを除去するステップが、
前記ゲートカット領域の外側の前記第２のマスクの一部分が露出されるように、前記第２のマスク上に、前記ゲートカット領域に対応する第２のフォトレジストを堆積するステップと、
前記ゲートカット領域の外側の前記第１および第２のダミーゲートを露出させるために、前記第２のマスクの前記露出された部分を除去するステップと、
前記第２のフォトレジストを除去するステップと、
前記ゲートカット領域に対応する前記ＩＬＤ層がそのまま残るように、前記第１および第２のダミーゲートを除去するステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のマスクがハードマスクである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のマスクがソフトマスクである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記除去された第１および第２のダミーゲートによって残された前記領域を充填するステップが、前記領域をＳｉＮおよび／またはＳｉＯで充填するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
フィン形電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）を形成するための方法であって、
基板上にシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）層を形成するステップと、
前記ＳＴＩ層上に第１および第２のダミーゲートを形成するステップと、
前記ＳＴＩ層上に、ゲートカット領域に対応しており、且つ前記第１および第２のダミーゲートを分離する層間絶縁膜（ＩＬＤ）層を形成するステップと、
前記第１および第２のダミーゲート上ならびに前記ＩＬＤ層上に第１のマスクを形成するステップと、
前記ゲートカット領域の外側の前記第１のマスクの一部分が露出されるように、前記第１のマスク上に、前記ゲートカット領域に対応する第２のマスクを形成するステップと、
前記ゲートカット領域に対応する前記第１のマスクの一部分が前記ＩＬＤ層上に残るように、前記第１のマスクの前記露出された部分および前記第２のマスクを除去するステップと、
前記第１および第２のダミーゲートを除去するステップと、
前記ＩＬＤ層が前記ＳＴＩ層上に残るように、前記第１のマスクを除去するステップと、
前記除去された第１および第２のダミーゲートによって残された領域を充填するステップと
を含む、方法。
【請求項１０】
前記第１のマスク上に前記第２のマスクを形成するステップが、
前記第１のマスク上に前記第２のマスクを堆積するステップと、
前記ゲートカット領域外の前記第２のマスクの一部分が露出されるように、前記第２のマスクの上に、前記ゲートカット領域に対応する第１のフォトレジストを堆積するステップと、
前記ゲートカット領域の外側の前記第１のマスクの一部分を露出させるために、前記第２のマスクの前記露出された部分を除去するステップと、
前記第１のフォトレジストを除去するステップと
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のマスクの前記露出された部分および前記第２のマスクを除去するステップが、
前記第２のマスク上に第２のフォトレジストを堆積するステップであって、前記第２のフォトレジストが、前記ゲートカット領域に対応しており、前記ゲートカット領域とアイソレーションカット領域との交差部に対応する前記第２のマスクの一部を露出させる開口を有している、ステップと、
前記第２のマスクの下の前記ゲートカット領域に対応する前記第１のマスクの一部分が残り、前記第１のマスクの下の前記ＩＬＤ層もまた残るように、前記第１のマスクの前記露出された部分を選択的に除去するステップと、
前記第２のフォトレジストを除去するステップと、
前記ゲートカット領域に対応する前記第１のマスクが露出されるように、前記第２のマスクを除去するステップと
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲートカット領域および前記アイソレーションカット領域が、実質的に互いに垂直である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１および第２のマスクが、異なるエッチング選択性を有している、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のマスクが、ＳｉＮおよびＳｉＯ２のうちの一方であり、前記第２のマスクが、ＳｉＮおよびＳｉＯ２のうちの他方である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記除去された第１および第２のダミーゲートによって残された前記領域を充填するステップが、前記領域をＳｉＮおよび／またはＳｉＯで充填するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月12日(2020.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎドープ部と、
ｐドープ部と、
前記ｎドープ部とｐドープ部との間に位置する発光領域であって、それを横切る電気的バイアス下において、６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間のピーク波長で光を放射する発光窒化インジウムガリウム層を含む発光領域と、
を含む発光ダイオードであって、
前記発光ダイオードは、１００ミクロン以下の横方向寸法を有するマイクロ発光ダイオードを含み、
前記発光ダイオードは、少なくとも２％の外部量子効率を有する、それを横切る電気的バイアス下において６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間の前記ピーク波長の前記光を放射することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記発光領域が、
前記発光窒化インジウムガリウム層の上に位置するＩＩＩ族窒化物層と、
前記ＩＩＩ族窒化物層の上に位置するＧａＮバリア層と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記発光ダイオードが、２％から１０％の前記外部量子効率を有する、それを横切る電気的バイアス下において６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間の前記ピーク波長の前記光を放射することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記発光ダイオードが、１００ｎｍ以下の半値全幅を有する、それを横切る電気的バイアス下において６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間の前記ピーク波長の前記光を放射することを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記発光ダイオードが、ディスプレイデバイスに位置する赤色発光ダイオードを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
請求項５に記載の発光ダイオードを含むディスプレイデバイスであって、バックプレーンをさらに含むことを特徴とするディスプレイデバイス。
【請求項７】
前記赤色発光ダイオードが、前記バックプレーンの上に位置することを特徴とする請求項６に記載のディスプレイデバイス。
【請求項８】
前記バックプレーンの上に位置する緑色発光ダイオードと、前記バックプレーンの上に位置する青色発光ダイオードと、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項９】
請求項５に記載の発光ダイオードを含むディスプレイデバイスであって、前記ディスプレイデバイスが、単一の赤色サブピクセルとして前記発光ダイオードを含む眼内プロジェクションデバイスを含むことを特徴とするディスプレイデバイス。
【請求項１０】
請求項５に記載の発光ダイオードを含むディスプレイデバイスであって、前記ディスプレイデバイスが、モノカラーディスプレイデバイスを含むことを特徴とするディスプレイデバイス。
【請求項１１】
請求項５に記載の発光ダイオードを含むディスプレイデバイスであって、前記ディスプレイデバイスが、ＲＧＢモノリシックディスプレイデバイスを含むことを特徴とするディスプレイデバイス。
【請求項１２】
バックプレーンの上に位置する画素のアレイを含む直視型ディスプレイデバイスであって、前記直視型ディスプレイデバイスの前記画素のそれぞれは、赤色発光ダイオードであって、
ｎドープ部と、
ｐドープ部と、
前記ｎドープ部とｐドープ部との間に位置する発光領域であって、それを横切る電気的バイアス下において、６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間のピーク波長で光を放射する発光窒化インジウムガリウム層を含む発光領域と、
を含む赤色発光ダイオードを含み、前記赤色発光ダイオードは、１００ミクロン以下の横方向寸法を有するマイクロ発光ダイオードを含み、
前記赤色発光ダイオードは、少なくとも２％の外部量子効率を有する、それを横切る電気的バイアス下において６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間の前記ピーク波長の前記光を放射することを特徴とする直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１３】
前記バックプレーンの上に位置する緑色発光ダイオードと、前記バックプレーンの上に位置する青色発光ダイオードと、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１４】
前記直視型ディスプレイデバイスが、ＲＧＢモノリシックディスプレイデバイスを含むことを特徴とする請求項１３に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１５】
前記直視型ディスプレイデバイスが、単一の赤色サブピクセルとして前記赤色発光ダイオードを含む眼内プロジェクションデバイスを含むことを特徴とする請求項１２に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１６】
前記直視型ディスプレイデバイスが、モノカラーディスプレイデバイスを含むことを特徴とする請求項１２に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１７】
前記発光領域が、
前記発光窒化インジウムガリウム層の上に位置するＩＩＩ族窒化物層と、
前記ＩＩＩ族窒化物層の上に位置するＧａＮバリア層と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１８】
前記赤色発光ダイオードが、２％から１０％の前記外部量子効率を有する、それを横切る電気的バイアス下において６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間の前記ピーク波長の前記光を放射すること特徴とする請求項１２に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【請求項１９】
前記赤色発光ダイオードが、１００ｎｍ以下の半値全幅を有する、それを横切る電気的バイアス下において６１０ｎｍと６５０ｎｍとの間の前記ピーク波長の前記光を放射することを特徴とする請求項１２に記載の直視型ディスプレイデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード、ディスプレイデバイス、および、直視型ディスプレイデバイス
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月2日(2020.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するプラテンと、
該プラテンの前に配置され、その中に開口を有する基板平面構造と、
該基板平面構造の前記開口の中に配置され、前記プラテンの表面を露出する開口を有する取り外し可能な構造と、を備えるイオンビーム装置。
【請求項２】
前記取り外し可能な構造は、１つ以上の取り外し可能な固定器具部材を用いて、前記基板平面構造の背面に取り外し可能に取り付けられる、請求項１記載のイオンビーム装置。
【請求項３】
前記取り外し可能な構造は、前記基板平面構造の背面に接触するレッジを含む、請求項１記載のイオンビーム装置。
【請求項４】
前記レッジは、前記基板平面構造の前記背面の１つ以上のホールに同調する１つ以上のスルーホールを含み、少なくとも１つの取り外し可能な固定器具部材は、前記１つ以上のスルーホールの中に配置され、前記基板平面構造の前記背面の前記１つ以上のホールは、前記取り外し可能な構造を前記基板平面構造に取り外し可能に取り付ける、請求項３記載のイオンビーム装置。
【請求項５】
前記取り外し可能な構造は取り外し可能なリング構造である、請求項１記載のイオンビーム装置。
【請求項６】
基板を保持するプラテンと、
該プラテンの前に配置され、その中に開口を有する基板平面構造と、
該基板平面構造の前記開口の中に配置され、前記プラテンの表面を露出する開口を有する取り外し可能なリング構造と、を備えるイオンビーム装置。
【請求項７】
前記取り外し可能なリング構造は、内側エッジ表面及び外側エッジ表面を有し、前記内側エッジ表面は前記プラテンの円周より大きい円周を有する、請求項６記載のイオンビーム装置。
【請求項８】
前記取り外し可能なリング構造は、１つ以上の取り外し可能な固定器具部材を用いて、前記基板平面構造の背面に取り外し可能に取り付けられる、請求項６記載のイオンビーム装置。
【請求項９】
前記取り外し可能なリング構造は、さらに、前記取り外し可能なリング構造の円周の少なくとも一部の中に形成される溝を含む、請求項６記載のイオンビーム装置。
【請求項１０】
プラテンと、
該プラテンに連結される基板と、
前記プラテンの前に配置され、その中に開口を有し、前記基板の正面表面に同調する正面表面を有する基板平面構造と、
該基板平面構造の前記開口の中に配置され、その中に前記基板が配置される開口を有する取り外し可能なリング構造と、を備えるイオンビーム装置。
【請求項１１】
前記取り外し可能なリング構造は、内側エッジ表面及び外側エッジ表面を有し、前記内側エッジ表面は前記プラテンの円周より大きい円周を有する、請求項１０記載のイオンビーム装置。
【請求項１２】
前記取り外し可能なリング構造は、１つ以上の取り外し可能な固定器具部材を用いて、前記基板平面構造の背面に取り外し可能に取り付けられる、請求項１０記載のイオンビーム装置。
【請求項１３】
前記取り外し可能なリング構造は、前記基板平面構造の背面に接触するレッジを含む、請求項１０記載のイオンビーム装置。
【請求項１４】
前記レッジは、前記基板平面構造の前記背面の１つ以上のホールに同調する１つ以上のスルーホールを含み、少なくとも１つの取り外し可能な固定器具部材は、前記１つ以上のスルーホールの中に配置され、前記基板平面構造の前記背面の前記１つ以上のホールは、前記取り外し可能なリング構造を前記基板平面構造に取り外し可能に取り付ける、請求項１０記載のイオンビーム装置。
【請求項１５】
前記取り外し可能なリング構造に連結され、前記取り外し可能なリング構造に電圧を加える電圧源をさらに備える、請求項１０記載のイオンビーム装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオンビーム装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
コントローラ１０６は、また、レシピからのプロセスパラメータの値を用いて、イオンビーム発生器１０２により散布される原子種をエッチングプロセス中の基板１１０に当てることを決定し制御する。一実施形態において、イオンビーム発生器１０２により発生されるイオンビーム１０８は、化学的不活性種（Si+、Ar+、など）、又は、追加の化学エッチングコンポーネント（SiFx+、BF2、など）から成ることができる。別の実施形態において、イオンビーム発生器１０２は、また、基板の均一エッチングを達成するのに役立つために、反応種を導入することができる。代表的反応種は、HCL、Cl2、CO2、CO、O2、O3、CF4、NF3、NF2+イオン、BF2+イオン、Fイオン、F+イオン、Cl又はCl+イオンを含むことができる。反応種は、反応ガスを有するかそれとも有しないＵＶ光を含むこともできる。別の実施形態において、イオンビーム発生器１０２は、中性反応種又は反応低エネルギーイオンも導入することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019534568.tif 000001