【事件の表示】
　特願２０１２−２５５９１０「多層基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月１１日出願公開、特開２０１３−　６５８７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
 
　本願は、２００７年７月１２日を国際出願日とする特願２０１０−５１５３３２号（平成２１年１月１５日国際公開、ＷＯ２００９／００６７６１、平成２２年１０月１４日国内公表、特表２０１０−５３２９２３）の一部を平成２４年１１月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年９月２７日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１２月２７日付けで手続補正がなされ、平成２６年７月２８日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされ、これに対し、同年１２月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。 
第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正書による補正についての補正却　　下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２６年１２月２日付けの手続補正書による補正を却下する。  
 　  
［理由］
１．本件補正の内容
　平成２６年１２月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正するものであって、そのうち請求項１は、
本件補正前に、
「多層基板の製造方法であって、
平坦なキャリアの表面に少なくとも一つのパッド層を形成するステップと、
前記パッド層を覆う表面誘電層を形成して、前記パッド層が前記表面誘電層に埋め込まれるようにして、前記多層基板を形成するステップと、
基板表面の付着強度減少法により前記多層基板を前記キャリアの表面から分離するステップと、を含み、
前記パッド層を覆う前記表面誘電層を形成するステップは、前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの共通面を備える、
ことを特徴とする多層基板の製造方法。」
とあったところを、
本件補正後に、
 「【請求項１】
多層基板の製造方法であって、
平坦なキャリアの表面に少なくとも一つのパッド層を形成するステップと、
前記パッド層を覆う表面誘電層を形成して、前記パッド層が前記表面誘電層に埋め込まれるようにして、前記多層基板を形成するステップと、
基板表面の付着強度減少法により前記多層基板を前記キャリアの表面から分離するステップと、を含み、
前記パッド層を覆う前記表面誘電層を形成するステップは、前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの
平坦な
え、
前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面との間に段差がない、
ことを特徴とする多層基板の製造方法。」
とするものである。
２．補正の適否
　補正後の請求項１は、補正前の請求項１に記載された発明と特定するために必要な事項である「前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの共通面を備える」に関して、「平坦な」共通面を備え、「前記パッド層と前記表面誘電層との間に段差がない」ことを限定するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定の違反）について、以下に検討する。 
３．本件補正発明 
　本件補正発明は、上記「１．本件補正の内容」に記載したとおりのものである。 
 
 
４．引用文献の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由で引用された特開２００６−４９８１９号公報（以下、「引用文献１」という）には、「半導体搭載用配線基板、その製造方法、及び半導体パッケージ」について、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００２５】
  このように、電極パッドを金属板等の第１及び第２の支持基板上に形成し、更に、第１及び第２の支持基板上の電極パッド上に夫々第１及び第２絶縁膜を形成した後、前記第１及び第２絶縁膜同士を貼り合わせ、その後、前記第１及び第２支持基板を除去することにより、絶縁膜を形成することができる。この場合は、
平坦性が優れた第１及び第２支持基板上に電極パッドを形成する
イ．「【００５９】
  次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体搭載用配線基板について説明する。図５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。
図５（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板２９は、その表面に位置する第１の絶縁層２１
を少なくとも有する絶縁膜２４を設け、
更に絶縁膜２４の表裏面に、表面を露出して設けられ、かつ側面の少なくとも一部は絶縁膜２４に埋設された電極パッド２７を有し
電極パッド２７は、前述したように、図２（ａ）に示すように、絶縁膜２４に埋没された電極パッドの露出した面が、絶縁膜２４の表面
と同じ位置にあるもの、
とすることができる。
ウ．「【００７２】
  次に、本発明の半導体搭載用配線基板の製造方法の実施形態について説明する。
図７（ａ）乃至（ｅ）、図８（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。図７（ａ）に示すように、先ず支持基板６１上に電極パッド６２となる導電層を、例えば、めっき法などによって形成する。
【００７３】
  
次に、図７（ｄ）に示すように、上述の如くして形成された導電層６２、６４又は６６を有する支持基板６１上に絶縁層６７ａを形成し、更に絶縁層６７ａ内にビアホール６８ａを形成する。その後、図７（ｅ）に示すように、絶縁層６７ａ上に配線６９ａを形成する。これにより、ビアホール６８ａ内が導電材料で埋め込まれて上下の配線を接続するビア６８ｂが形成される。
【００７４】
  
なお、必要であれば、図８（ａ）に示すように、配線６９ａ上に絶縁層６７ｂを形成し、絶縁層６７ｂ内にビア６８ｃを形成すると共に、絶縁層６７ｂ上に配線６９ｂを形成することにより、多層化することができる。さらに、この工程を繰り返すことにより、必要な層数まで多層化することができる。
【００７５】
  次いで、図８（ｂ）に示すように、最上層の配線６９ｂを研磨して除去することにより、配線６９ａ上に絶縁層６７ｂとビア６８ｃが設けられた支持基板付き配線基板７３が形成される。なお、ビア６８ｃを形成する際に、配線６９ｂを形成して、その導体材料をビアホール内に埋め込むことにより形成することができるが、これに限らず、ビアホールのみを導体材料で埋め込むことによりビア６８ｃを形成することとしてもよい。
【００７６】
  次に、図８（ｃ）に示すように、この支持基板付き配線基板７３同士を、絶縁層６７ｂ同士が接触するように重ね、更に絶縁層６７ｂの表面に露出したビア６８ｃが相互に接触するように面合わせして、貼り付ける。
【００７７】
  
その後、両支持基板６１を全てエッチング等により除去すると、図９（ａ）に示すように、電極パッド６２が表裏両面で露出し、内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。
　上記から以下のことがいえる。
・上記ウの【００７２】の「図７（ａ）乃至（ｅ）、図８（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。」、及び、上記ウの【００７７】の「内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。」によれば、引用文献１には、内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板の製造方法が記載されている。
・上記アの【００２５】の「平坦性が優れた第１及び第２支持基板」という記載によれば、「支持基板」は平坦である。
・上記イの【００５９】の「本実施形態に係る半導体搭載用配線基板２９は、その表面に位置する第１の絶縁層２１と、その裏面に位置する第２の絶縁層２２と、その中間に位置する第３の絶縁層２３とを少なくとも有する絶縁膜２４を設け」及び「絶縁膜２４の表裏面に、表面を露出して設けられ、かつ側面の少なくとも一部は絶縁膜２４に埋設された電極パッド２７を有し」という記載、並びに、上記ウの【００５９】において参照されている図５（ａ）の記載によれば、「半導体搭載用配線基板２９」は、絶縁膜２４の表面に位置する第１の絶縁層２１に、埋設された電極パッド２７を有しているものである。
・上記ウの【００７３】〜【００７４】及び【００７７】の記載によれば、「絶縁層」を形成して「半導体搭載用配線基板７５」を得るものである。
・上記ウの【００７７】の「両支持基板６１を全てエッチング等により除去すると、図９（ａ）に示すように、電極パッド６２が表裏両面で露出し、内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。」によれば、支持基板６１を除去するものである。
・上記イの【００５９】の記載によれば、図５（ａ）に記載された「半導体搭載用配線基板２９」は、その表面に位置する第１の絶縁層２１を少なくとも有する絶縁膜２４を設け、更に絶縁膜２４の表裏面に、表面を露出して設けられ、かつ側面の少なくとも一部は絶縁膜２４に埋設された電極パッド２７を有し、かつ、電極パッド２７は、絶縁膜２４に埋没された電極パッドの露出した面が、絶縁膜２４の表面と同じ位置にあるものとすることができるから、この電極パッドの露出した面は、半導体搭載用配線基板２９の表面に位置する第１の絶縁層２１の表面と同じ位置にあるものである。
　そうすると、引用文献１には、次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という）。
「内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板の製造方法であって、
　平坦な支持基板上に電極パッドを形成し、
　電極バッドを有する支持基板上に絶縁層を形成して、電極パッドが半導体搭載用配線基板の表面に位置する絶縁層に埋め込まれ、半導体搭載用配線基板を形成し、
　半導体搭載用配線基板を支持基板から除去し、
　電極パッドの露出した面が、半導体搭載用配線基板の表面に位置する絶縁層の表面と同じ位置にある、     
　半導体搭載用配線基板の製造方法。」
（２）また、原査定で引用された特開２００４−２５９９８８号公報（以下、「引用文献２」という）には、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
エ．「【００５０】
最後に、図４（Ｃ）に示すように、
熱又は光を当てて離型膜５１の接着力を低下させて、キャパシタ素子２０を支持体２１から分離する。
　上記エによれば、引用文献２には「離型膜の接着力を低下させて、支持体を分離する」という技術事項が記載されている。 
（３）また、原査定で引用された特開２００７−６７３８２号公報（以下、「引用文献３」という）には、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
オ．「【００５９】
  目的とする単層あるいは多層配線基板、表面および／または内層に電子部品を実装した単層あるいは多層配線基板は、上記により作製した
配線基板形成用キャリア上の単層あるいは多層配線層、表面および／または内層に電子部品を実装した単層あるいは多層配線層から配線基板形成用キャリア部分を剥離する
この剥離を行う前に配線基板形成用キャリアにあるシリコーン樹脂層を有機溶剤にて膨潤させると
接着力が低下するので剥離が容易となる。
　上記オによれば、引用文献３には、「配線基板形成用キャリア部分の剥離を行う前に、配線基板形成用キャリアにあるシリコーン樹脂層を有機溶剤にて膨潤させることにより、接着力が低下するので剥離が容易となる」という技術事項が記載されている。 
（４）また、原査定で引用された特開２００４−６３６１５号公報（以下、「引用文献４」という）には、図面とともに、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
カ．「【００４７】
　前記本発明に用いる接着シート３０は、樹脂封止工程（４）が完了するまでは半導体素子１０や導電部４０を確実に固着し、かつ半導体装置９０から分離するときには容易に剥離できるものが好ましい。このような接着シート３０は、前述のように基材層３２と接着剤層３１を有する。
　　・・・（中略）・・・
【００４９】
　接着剤層３１を形成する接着剤としては、ゴム系、エチレン共重合体系、ポリイミド系等の熱可塑性接着剤、またはシリコーン系、アクリル系等の感圧性接着剤があげられる。これら接着剤は、適宜に選択可能であるが、耐熱性及び接着性の点でシリコーン系の感圧性接着剤が好適に用いられる。また前記接着剤層３１は、１５０℃での弾性率は、前述の通り、０．１ＭＰａ以上であるのが好ましい。また、接着剤層のシリコンミラーウエハに対する接着力は、０．２〜１０Ｎ／１０ｍｍが好ましい。
また、接着剤層３１は、工程（５）での分離が容易になるように、加熱、電子線、紫外線等により接着性が低下するものを用いることができる。
　上記カによれば、引用文献４には、「接着シートの接着剤層は、分離が容易になるように、加熱、電子線、紫外線等により接着性が低下するものを用いる」という技術事項が記載されている。 
５．対比・判断
　そこで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板」は、内部に多層配線構造を有するものであるから、本件補正発明の「多層基板」に相当する。よって、引用発明の「内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板の製造方法であって」という事項は、本件補正発明の「多層基板の製造方法であって」という事項に相当する。
（２）引用発明の「支持基板」は、該支持基板上に電極パッド及び絶縁層を形成した後に除去するものであるから、本件補正発明の「キャリア」に相当する。
　また、引用発明の「電極パッド」は、支持基板の表面に形成されるパッドの層であるから、本件補正発明の「パッド層」に相当する。
　したがって、引用発明の「平坦な支持基板上に電極パッドを形成し」という事項は、本件補正発明の「平坦なキャリアの表面に少なくとも一つのパッド層を形成するステップ」に相当する。
（３）引用発明の「半導体搭載用配線基板の表面に位置する絶縁層」は、半導体搭載用配線基板の表面に位置し、電極パッドとなる導電層が埋め込まれるものであるから、本件補正発明の「パッド層を覆う表面誘電層」に相当する。よって、引用発明の「電極パッドを有する支持基板上に絶縁層を形成して、電極パッドが半導体搭載用配線基板の表面に位置する絶縁層に埋め込まれ、半導体搭載用配線基板を形成し」という事項は、本件補正発明の「前記パッド層を覆う表面誘電層を形成して、前記パッド層が前記表面誘電層に埋め込まれるようにして、前記多層基板を形成するステップ」に相当する。
（４）引用発明の「半導体搭載用配線基板を支持基板から除去し」は、本件補正発明の「多層基板をキャリアの表面から分離するステップ」に相当する。但し、引用発明には分離する方法が「付着強度減少法」とは特定されていない。
（５）また、引用発明の「電極パッド」及び「絶縁層」は、いずれも支持基板上に形成されるから、本件補正発明の「キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面」という事項を満たすものである。
　また、引用発明の「電極パッド」および「絶縁層」は、電極パッドの露出した面が、絶縁層の表面と同じ位置にあり、支持基板の表面は平坦であるから、本件補正発明の「前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの平坦な共通面を備え、前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面との間に段差がない」という事項を満たすものである。
　よって、引用発明の「電極パッドを有する支持基板上に絶縁層を形成して、電極パッドが半導体搭載用配線基板の表面に位置する絶縁層に埋め込まれ、半導体搭載用配線基板を形成し」という事項、及び「電極パッドの露出した面が、半導体搭載用配線基板の表面に位置する絶縁層の表面と同じ位置にある」という事項は、本件引用発明の「前記パッド層を覆う前記表面誘電層を形成するステップは、前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの平坦な共通面を備え、前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面との間に段差がない」という事項に相当する。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、
「多層基板の製造方法であって、
平坦なキャリアの表面に少なくとも一つのパッド層を形成するステップと、
前記パッド層を覆う表面誘電層を形成して、前記パッド層が前記表面誘電層に埋め込まれるようにして、前記多層基板を形成するステップと、
前記多層基板を前記キャリアの表面から分離するステップと、を含み、
前記パッド層を覆う前記表面誘電層を形成するステップは、前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの平坦な共通面を備え、
前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面との間に段差がない、
多層基板の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点：
　本件補正発明は、基板表面の付着強度減少法により多層基板をキャリアの表面から分離するのに対して、引用発明は、付着強度減少法により分離することが特定されていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用文献２の「接着力」、引用文献３及び引用文献４の「接着性」は、本件補正発明の「付着強度」に相当する。また、引用文献２の「支持体」、引用文献３の「配線基板形成用キャリア」、引用文献４の「接着シート」は、本件補正発明の「キャリア」に相当する。
　すなわち、引用文献２〜４に示される技術事項によれば、「基板表面の付着強度減少法」は周知技術と認められる。
　してみると、引用発明において、キャリアを分離する具体的な方法として、周知技術である「基板表面の付着強度減少法」を採用し、相違点の構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　そして、本件補正発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
  この点について、審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１と２の何れもエッチング手法を利用しており、本願の分離するステップに比べ、エッチング手法では、パッド層４０２と表面誘電層４０４ともに良好な耐エッチング性が必要となりますが、本願の分離するステップにおいて、パッド層と表面誘電層ともに良好な耐エッチング性が必ずしも必要になるわけではなく、使用できる材料の種類が多くなると考えられます。」と主張しているが、エッチング手法も基板表面の付着強度減少法も当業者にとって周知である以上、それらの技術の置換による作用効果は、当業者であれば容易に予測し得る。よって、審判請求人の主張は採用できない。
　なお、審判請求人は、審判請求書において、「本願の段落【００１２】記載の「パッド層の一つの表面と表面誘電層の表面とは一つの共通面を備えて」は、本願がはんだマスク層を設けた後でもパッド層と表面誘電層の両方が表面にでている状態を表しています。（本願の図４Ｃからもパッド層と表面誘電層の両方が表面にでている事がわかります。）」、及び「このように、本願は『はんだマスク層を設けた後でもパッド層と表面誘電層の両方が表面にでている』ことにより、多層基板の表面がより平坦となり、パッケージの信頼性を高めることが可能です。」と主張している。しかしながら、本件補正発明は、「はんだマスク層」を設けることは特定されておらず、且つ「前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面」という発明特定事項によって、パッド層の表面と表面誘電層の表面とが、はんだマスク層を介さずにキャリアの表面に接触するものに限定されているから、本件補正発明の「前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの平坦な共通面を備え」という事項が、はんだマスク層を設けた後でもパッド層と表面誘電層の両方が表面にでている状態を表しているものとは認められない。よって、審判請求人の主張は、本件補正発明の記載に基づくものではなく採用できない。
６．むすび
　以上のとおり、本件補正発明は、引用文献１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
  したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第３　本願発明について 
１．本願発明 
 　平成２６年１２月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１２月２７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、次のとおりのものである。 
 「【請求項１】 
多層基板の製造方法であって、
平坦なキャリアの表面に少なくとも一つのパッド層を形成するステップと、
前記パッド層を覆う表面誘電層を形成して、前記パッド層が前記表面誘電層に埋め込まれるようにして、前記多層基板を形成するステップと、
基板表面の付着強度減少法により前記多層基板を前記キャリアの表面から分離するステップと、を含み、
前記パッド層を覆う前記表面誘電層を形成するステップは、前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの共通面を備える、
ことを特徴とする多層基板の製造方法。」 
２．引用文献の記載事項 
　原査定で引用された引用文献１〜４は、前記「第２．平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「４．引用文献の記載事項」に記載したとおりである。 
３．対比・判断 
　本願発明は、前記「第２．平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「３．本件補正発明」で検討した本件補正発明における「前記キャリアの表面に接触する前記パッド層の表面と前記表面誘電層の表面とが一つの共通面を備える」事項に関して、「平坦な」共通面を備え、「前記パッド層と前記表面誘電層との間に段差がない」の限定を省いたものに相当する。 
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、更に他の特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２．平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「５．対比・判断」に記載したとおり、引用文献１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用文献１及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
第４．まとめ 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。