【事件の表示】
　特願２０１１−２１９８６「洗浄液及び洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年８月３０日出願公開、特開２０１２−１６４７１３、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年２月３日の出願であって、平成２６年４月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２６日に手続補正がなされ、同年９月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２６年６月２６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１及び３に係る発明（以下「本願発明１」及び「本願発明２」という）は以下のとおりである。
「　【請求項１】
　被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、
（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩と、
　を含み、
　前記フッ化水素の濃度が０．００１〜５重量％であり、前記アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％であることを特徴とする洗浄液。」
「　【請求項３】
　酸化セリウムが付着した被洗浄物表面に洗浄液を接触させることにより、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去する洗浄方法において、
　前記洗浄液として、
（１）フッ化水素と、
（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩と、
　を含み、
　前記フッ化水素の濃度が０．００１〜５重量％であり、前記アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％であることを特徴とする洗浄方法。」
第３　原査定の理由の概要
　この出願の請求項１〜５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１．特開２００８−０７１７９９号公報
　　　　２．特開２００９−２３１３５０号公報
（なお、拒絶理由通知書では刊行物２の文献番号を「特開２００８−２３１３５０号公報」と記載していたが、拒絶理由通知書の当該番号は誤記である（平成２６年９月３日作成の応対記録を参照）。）
　刊行物１（特に、第１９、２５、４１、６３、７９−８２段落参照）には、ベース液に酸系薬液が添加された洗浄液において、酸系薬液は、フッ酸を含む（本願の「フッ化水素…を含む」に相当。）水溶液であり、ベース液は、塩酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、硫酸テトラメチルアンモニウムから選ばれた塩を含む（本願の「塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩…を含む」に相当。）水溶液であること、ベース液は好ましくは９９．５％以上が水であり、酸系薬液はベース液の１０分の１〜１０００分の１の流量であること、上記洗浄液をＣＭＰ後に基板表面に形成されるスラリー残を洗浄除去するために用い得ることが示されている。
　本願発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は下記の点で相違する。
（相違点１）
　本願発明にはさらに「洗浄液」が「被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する」ものであること、「洗浄方法」が「酸化セリウムが付着した被洗浄物表面に洗浄液を接触させることにより、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去する」工程であること、が記載されているのに対して、刊行物１にはその旨が記載されていない点。
（相違点２）
　本願発明にはさらに「アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」ことが記載されているのに対して、引用文献１にはその旨が記載されていない点。
　上記相違点について検討する。
（相違点１の検討）
　引用文献２（特に、第６、８段落参照）には、研磨砥粒として酸化セリウムを使用したＣＭＰ後にフッ化水素を含有させた洗浄液により酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解して除去する洗浄方法が示されており、引用文献１及び２はいずれも、フッ化水素を含有させた洗浄液を用いてＣＭＰ後にスラリー残を除去する洗浄技術という点で同一の技術分野に属するものであるから、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて、引用文献１の洗浄液を用いてＣＭＰ後に酸化セリウム残をセリウムイオンとして溶解除去する構成として上記相違点１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（相違点２の検討）
　引用文献１において、ベース液における水とアンモニウム塩との組成比を最適化することは当業者の通常の創作能力の発揮であって、様々な条件に応じて適宜アンモニウム塩の濃度を調整して上記相違点２の構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
（なお、本願発明には「アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」と記載されるが、発明の詳細な説明には、アンモニウム塩の濃度が１％以上であることによりどのような効果を有するのか、１％未満であることによりどのような問題が生じるのか等が記載されておらず、出願時の技術常識に照らしてもどのような意義を有するのかを理解することができないため、上記記載における数値限定の臨界的意義、特に下限の臨界的意義が不明である。）
　よって、本願発明は引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであるから、特許法第２９条第２項により、拒絶されるべきものである。
第４　当審の判断
１　刊行物の記載事項
（１）刊行物１には、「半導体基板の洗浄方法および洗浄装置」について、図１〜図１６とともに次の事項が記載されている。（下線は理解の便のため当審で付与）
ア　「【０００１】
　
本発明は、半導体基板の洗浄方法に関し
イ　「【００１５】
　
本発明は、ベース液を基本液とし、選択されたタイミングで異なる成分の薬液をベース液に添加もしくは混合することで、性質の異なる洗浄液を順次生成し、これを用いて半導体基板を洗浄する。
ウ　「【００１８】
　
ベース液は、
水を主成分とする
また、第１、第２、第３または第４の
薬液は、ベース液に対して、１／１０〜１／１０００の供給量である
【００１９】
　好ましくは、第１、第２、第３または第４の薬液は、酸を主成分とする液、アルカリを主成分とする液、酸化性物質を主成分とする液、還元性物質を主成分とする液のいずれかである。
酸を主成分とする液は、
フッ酸
を含む水溶液
エ　「【００２５】
　図１は、本発明の洗浄方法の概念を分かり易く示した図である。縦軸に成分、横軸に処理時間と採る。枚葉スピン洗浄装置の仕様に従い、好ましくは、洗浄液処理時間は、１枚のウエハ当り２分以下、処理温度は、室温（４０℃以下）である。半導体基板を搭載した後、時刻ｔ０〜ｔ１において洗浄用のベース液を基板に供給する。液量は、１００ミリリットル／分〜２リットル／分である。
ベース液は、好ましくは９９．５％以上が水であり、フッ素化合物を含んでいる。
オ　「【００４１】
　さらに
ベース液は、塩を含んだ水溶液であってもよい。溶解させる塩としては、硫酸アンモニウム、塩酸アンモニウム、
硝酸アンモニウム、
硫酸テトラメチルアンモニウム、塩酸テトラメチルアンモニウム、
硝酸テトラメチルアンモニウム、
から選ばれたもの
カ　「【００６３】
　次に、洗浄液制御部１１０は、制御信号Ｓ１を介して流量調整バルブ２１２を制御し、
ベース液の供給開始から１〜２０秒後に、
フッ酸
を含有する酸系薬液の供給を開始させる
酸系薬液は、ベース液の１０分の１〜１０００分の１の流量であり、酸系薬液がベース液に混合された洗浄液が基板表面に滴下される
キ　「【００７９】
　次に、図１５（ｇ）に示すように、レジスト層５１８の露光、現像を行い、レジスト層５１８をパターニングする。このとき、レジスト層５１８に形成される開口５１８ａは、ビアホール５１４の径よりも大きい。次に、同図（ｈ）に示すように、レジスト層５１８をマスクに用いてドライエッチングし、配線溝５２０を形成する。次に、同図（ｉ）に示すように、ビアホール５１４および配線溝５２０を覆うようにバリア層５２２、Ｃｕ層５２４を形成する。次いで、
同図（ｊ）に示すように、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）処理によりバリア層５２２およびＣｕ層５２４を除去し、基板表面を平坦化する。
【００８０】
　上記デュアルダマシン工程において、図１４（ｄ）に示すドライエッチング工程、図１５（ｈ）に示すドライエッチング工程および
図１５（ｊ）に示すＣＭＰ工程の後には、エッチング残渣等を除去するために洗浄工程が行われる
【００８１】
　図１６（ａ）に示すように、図１４（ｄ）に示すドライエッチング工程後に、ビアホール５１４の側壁または基板表面に、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｔｉ、レジスト等のサイドウォールポリマー５４０が形成される。洗浄液による洗浄後の状態は、図１６（ｂ）に示すように、サイドウォールポリマー５４０等のエッチング残渣が除去される。
【００８２】
　同様に、図１６（ｃ）に示すように、図１５（ｆ）による配線溝５２０を形成するドライエッチング後にもサイドウォールポリマー５４２等のエッチング残渣が形成される。このため、これを洗浄液により除去し、図１６（ｄ）の状態を得る。さらに、図１６（ｅ）に示すように、
図１５（ｊ）によるＣＭＰ後には、Ｃｕ層５２４表面にスラリー残５４４や金属汚染物質５４６が形成されることがあり、これを洗浄液により洗浄することで、図１６（ｆ）の状態を得る
　そして、上記摘記事項アないしキを総合すると、刊行物１には以下の２発明が記載されていると認められる。
「基板表面のスラリー残を除去する洗浄液において、
（１）フッ酸と、
（２）硫酸アンモニウム、塩酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸テトラメチルアンモニウム、塩酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウムから選ばれた塩と、
　を含む洗浄液。」（以下「引用発明１」という。）
「スラリー残が形成された基板表面に洗浄液を滴下することにより、スラリー残を除去する洗浄方法において、
　前記洗浄液として、
（１）フッ酸と、
（２）硫酸アンモニウム、塩酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸テトラメチルアンモニウム、塩酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウムから選ばれた塩と、
　を含む洗浄方法。」（以下「引用発明２」という。）
（２）刊行物２には、「洗浄液及び洗浄方法」について次の事項が記載されている。
ク　「【０００６】
　一方、ＣＭＰ工程では、研磨砥粒として酸化セリウムを使用した化学機械研磨も行われている。しかし、前記の洗浄剤では酸化セリウムの残渣を除去することは困難であるという問題がある。その結果、半導体装置の生産性が低下する要因となっている。
（中略）
【０００８】
　本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、洗浄液及びそれを用いた洗浄方法について検討した。その結果、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸とを含む洗浄液であると、酸化セリウムの洗浄除去が可能となることを見出して、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
　即ち、本発明に係る洗浄液は、前記の課題を解決する為に、酸化セリウムを除去する洗浄液であって、フッ化水素と、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、リン酸、ヨウ素酸及び臭化水素酸からなる群より選択される少なくとも何れか１種の酸と、水とが含み構成され、前記酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去することを特徴とする。」
２　対比
（１）本願発明１について
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「フッ酸」は、フッ化水素の水溶液のことであるから、本願発明１の「フッ化水素」は当然含まれている。
　また、引用発明１の「硫酸アンモニウム、塩酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸テトラメチルアンモニウム、塩酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウムから選ばれた塩」は、本願発明１の「塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩」に相当するものであることは、当業者には自明であるものと認められる。
　さらに、引用発明１の「基板」は洗浄液により洗浄されるものであるから、本願発明１の「被洗浄物」に相当する。そして、スラリーとは研磨材を含む溶液のことであるから、引用発明１の「基板表面のスラリー残」と本願発明１の「被洗浄物表面に残存する酸化セリウム」とは、「被洗浄物表面に残存する研磨材」である点で共通しているものと認められる。
　そうすると、両者は、
＜一致点＞
「被洗浄物表面に残存する研磨材を除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、
（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩と、
　を含む洗浄液。」
の点で一致し、以下の相違点１及び２について相違する。　
＜相違点１＞
　本願発明１の洗浄液が、被洗浄物表面に残存する「酸化セリウム」の除去を行うものであるのに対し、引用発明１の洗浄液は、残存する研磨材として「酸化セリウム」を対象とするかは不明である点。
＜相違点２＞
　本願発明１の洗浄液が、「フッ化水素の濃度が０．００１〜５重量％であり、アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」のに対して、引用発明１の洗浄液では、フッ酸やアンモニウム塩の濃度は明確になっていない点。
（２）本願発明２について
　本願発明２と引用発明２とを対比する。
　引用発明２の「フッ酸」、「硫酸アンモニウム、塩酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸テトラメチルアンモニウム、塩酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウムから選ばれた塩」及び「基板」が、本願発明２の「フッ化水素」、「塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩」及び「被洗浄物」に相当するものであることは、本願発明１と引用発明１の場合と同様である。
　また、引用発明２の「洗浄液を滴下する」ことが、本願発明２の「洗浄液を接触させる」ことに相当することも、当業者には自明である。そして、引用発明２の「スラリー残が形成された基板表面」と、本願発明２の「酸化セリウムが付着した被洗浄物表面」とは、「研磨材が付着した被洗浄物表面」である点で共通し、さらに、引用発明２の「スラリー残を除去する洗浄方法」と本願発明２の「酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去する洗浄方法」とは、「研磨材を除去する洗浄方法」である点を限度として共通しているものと認められる。
　そうすると、両者は、
＜一致点＞
「研磨材が付着した被洗浄物表面に洗浄液を接触させることにより、研磨材を除去する洗浄方法において、
　前記洗浄液として、
（１）フッ化水素と、
（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも１種のアンモニウム塩と、
　を含む洗浄方法。」
の点で一致し、以下の相違点３及び４について相違する。　
＜相違点３＞
　本願発明２の洗浄液が、被洗浄物表面に付着した「酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて除去する」ものであるのに対し、引用発明２の洗浄液は、「酸化セリウムを除去する」点については不明である点。
＜相違点４＞
　本願発明２の洗浄液が、「フッ化水素の濃度が０．００１〜５重量％であり、アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」のに対して、引用発明２の洗浄液では、フッ酸やアンモニウム塩の濃度は明確になっていない点。
３　判断
（１）本願発明１について
　事案に鑑み、最初に相違点２について検討する。
　相違点２のうち、本願発明１の洗浄液の「アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」点について検討すると、刊行物１の上記摘記事項オには、引用発明１の洗浄液の基本液となるベース液について、本願発明１の「アンモニウム塩」に相当する塩を含んだ水溶液にしてもよい旨が記載されている。しかし、刊行物１の上記摘記事項エには、「ベース液は、好ましくは９９．５％以上が水であり」とも記載されていることから、引用発明１の洗浄液において、ベース液のアンモニウム塩の濃度が１重量％以上になることはないものと認められる。また、ベース液に対して添加、混合する薬液についても、当該アンモニウム塩の濃度を高めるものは、刊行物１には示唆されておらず、例えば、刊行物１の上記摘記事項ウには、薬液のうちアルカリを主成分とする液について、「アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、または水酸化カリウムのうちいずれかを含む水溶液」であることが記載されているが、これらの成分は本願発明１の「アンモニウム塩」に相当するものではない。よって、引用発明１の洗浄液は、相違点２の「アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」ものは含まれないと認められる。
　さらに、刊行物１には、ベース液のアンモニウム塩の濃度を高めることを示唆する記載もなく、引用発明１のアンモニウム塩の濃度を「１〜２０重量％」とすることが単なる設計変更又は単なる数値の限定であるという根拠が特に示されているわけでもない。また、刊行物２にも洗浄液のアンモニウム塩についての記載は不明である上、刊行物１の洗浄液のアンモニウム塩の濃度を１〜２０重量％にすることが従来周知の事項であるという証拠も存在しない。
　してみると、本願発明１の洗浄液の「アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」点については、引用発明１、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項から当業者が容易に想到し得るものとはいえないから、相違点２のうち、本願発明１の洗浄液が「フッ化水素の濃度が０．００１〜５重量％である」点を検討するまでもなく、相違点２は引用発明１、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項から当業者が容易に想到し得るものではない。
　そうすると、相違点１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）本願発明２について
　事案に鑑み、最初に相違点４について検討すると、相違点４は、本願発明１における相違点２と同じである。そうすると、上記「（１）本願発明１について」で述べたのと同様に、相違点４のうち、本願発明２の洗浄液の「アンモニウム塩の濃度が１〜２０重量％である」点については、引用発明２、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項から当業者が容易に想到し得るものとはいえないから、相違点４は引用発明２、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項から当業者が容易に想到し得るものではない。
　したがって、相違点３について検討するまでもなく、本願発明２は、引用発明２、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）本願の請求項２、４及び５に係る発明について
　本願の請求項２に係る発明は、本願発明１の特定事項を全て備え、かつその一部の事項についてさらに限定したものであるので、本願発明１と同様に、引用発明１、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、本願の請求項４及び５に係る発明は、本願発明２の特定事項を全て備え、かつその一部の事項についてさらに限定したものであるので、本願発明２と同様に、引用発明２、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１ないし５に係る発明は、いずれも、引用発明１又は２、刊行物２に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。