Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月3日(2020.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の遺伝子をコードする組み換え配列部分を含み、前記組み換え配列部分が、前記複数の遺伝子の発現を可能にするために制御配列に操作可能にカップリングされるウイルスゲノム
を含む組み換え核酸ベクターであって；
前記複数の遺伝子が、免疫チェックポイント受容体に対する４個の別個の刺激型分子および阻害性リガンドをコードし；
前記ウイルスゲノムが、前記ウイルスゲノムによりコードされるウイルスの免疫原性を低下させるために少なくとも１個の突然変異または欠失タンパク質コード配列を有する、
組み換え核酸ベクター。
【請求項２】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記４個の別個の刺激型分子のうち少なくとも１個が、ＣＤ８０（Ｂ７．１）、ＣＤ８６（Ｂ７．２）、ＣＤ５４（ＩＣＡＭ−１／ＢＢ２）およびＣＤ１１（ＬＦＡ−１）からなる群から選択される、組み換え核酸ベクター。
【請求項３】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記４個の別個の刺激型分子のうち少なくとも２個が、ＣＤ８０（Ｂ７．１）、ＣＤ８６（Ｂ７．２）、ＣＤ５４（ＩＣＡＭ−１／ＢＢ２）およびＣＤ１１（ＬＦＡ−１）からなる群から選択される、組み換え核酸ベクター。
【請求項４】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記４個の別個の刺激型分子のうち少なくとも３個が、ＣＤ８０（Ｂ７．１）、ＣＤ８６（Ｂ７．２）、ＣＤ５４（ＩＣＡＭ−１／ＢＢ２）およびＣＤ１１（ＬＦＡ−１）からなる群から選択される、組み換え核酸ベクター。
【請求項５】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記４個の別個の刺激型分子が、ＣＤ８０（Ｂ７．１）、ＣＤ８６（Ｂ７．２）、ＣＤ５４（ＩＣＡＭ−１／ＢＢ２）およびＣＤ１１（ＬＦＡ−１）である、組み換え核酸ベクター。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記免疫チェックポイント受容体がＣＴＬＡ−４またはＰＤ−１であり、場合によっては前記阻害性リガンドが、細胞膜に前記リガンドを係留する膜貫通ドメインを含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記組み換え配列部分が、ヒト癌関連配列をさらに含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項８】
請求項７に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ヒト癌関連配列が、前記組み換え核酸ベクターの宿主となる細胞の細胞質区画へと、癌関連配列によりコードされる遺伝子産物を優先的に向ける輸送配列をさらに含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項９】
請求項７に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ヒト癌関連配列が、前記組み換え核酸ベクターの宿主となる細胞のリソソームまたはエンドソーム区画へと、前記癌関連配列によりコードされる遺伝子産物を優先的に向ける輸送配列をさらに含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項１０】
請求項７に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ヒト癌関連配列が、癌関連抗原、癌特異的抗原および患者および腫瘍特異的なネオアンチゲンからなる群から選択されるタンパク質をコードする、組み換え核酸ベクター。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ウイルスがアデノウイルスである、組み換え核酸ベクター。
【請求項１２】
請求項１１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記少なくとも１個の突然変異または欠失タンパク質コード配列が、Ｅ１、Ｅ２ｂおよびＥ３からなる群から選択される、組み換え核酸ベクター。
【請求項１３】
請求項１〜１２の何れか１項に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ウイルスが複製欠損型である、組み換え核酸ベクター。
【請求項１４】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記免疫チェックポイント受容体がＣＴＬＡ−４またはＰＤ−１であり、場合によっては前記阻害性リガンドが、細胞膜に前記リガンドを係留する膜貫通ドメインを含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項１５】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記組み換え配列部分が、ヒト癌関連配列をさらに含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項１６】
請求項１５に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ヒト癌関連配列が、前記組み換え核酸ベクターの宿主となる細胞の細胞質区画へと、前記癌関連配列によりコードされる遺伝子産物を優先的に向ける輸送配列をさらに含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項１７】
請求項１５に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ヒト癌関連配列が、前記組み換え核酸ベクターの宿主となる細胞のリソソームまたはエンドソーム区画へと、前記癌関連配列によりコードされる遺伝子産物を優先的に向ける輸送配列をさらに含む、組み換え核酸ベクター。
【請求項１８】
請求項１５に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ヒト癌関連配列が、癌関連抗原、癌特異的抗原および患者および腫瘍特異的なネオアンチゲンからなる群から選択されるタンパク質をコードする、組み換え核酸ベクター。
【請求項１９】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ウイルスがアデノウイルスである、組み換え核酸ベクター。
【請求項２０】
請求項１９に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記少なくとも１個の突然変異または欠失タンパク質コード配列がＥ１、Ｅ２ｂおよびＥ３からなる群から選択される、組み換え核酸ベクター。
【請求項２１】
請求項１に記載の組み換え核酸ベクターであって、前記ウイルスが複製欠損型である、組み換え核酸ベクター。
【請求項２２】
請求項１〜１３の何れか１項に記載の組み換え核酸ベクターを含む、ウイルス。
【請求項２３】
請求項２２に記載のウイルスであって、前記Ｅ２ｂ遺伝子を欠く組み換え欠損型アデノウイルスである、ウイルス。
【請求項２４】
請求項２３に記載のウイルスであって、前記４個の別個の刺激型分子が、ＣＤ８０（Ｂ７．１）、ＣＤ８６（Ｂ７．２）、ＣＤ５４（ＩＣＡＭ−１／ＢＢ２）およびＣＤ１１（ＬＦＡ−１）であり、前記免疫チェックポイント受容体がＣＴＬＡ−４であり、前記組み換え配列部分がヒト癌関連配列をさらに含む、ウイルス。
【請求項２５】
請求項１４〜２１の何れか１項に記載の組み換え核酸ベクターを含む、ウイルス。
【請求項２６】
請求項２５に記載のウイルスであって、Ｅ２ｂ遺伝子を欠く組み換え欠損型アデノウイルスである、ウイルス。
【請求項２７】
請求項２６に記載のウイルスであって、前記４個の別個の刺激型分子がＣＤ８０（Ｂ７．１）、ＣＤ８６（Ｂ７．２）、ＣＤ５４（ＩＣＡＭ−１／ＢＢ２）およびＣＤ１１（ＬＦＡ−１）であり、前記免疫チェックポイント受容体がＣＴＬＡ−４であり、前記組み換え配列部分がヒト癌関連配列をさらに含む、ウイルス。
【請求項２８】
抗原提示細胞に感染させて、それにより前記抗原提示細胞と接触するＴ細胞においてＴ細胞活性化を刺激するための、請求項２２〜２４の何れか１項に記載のウイルスの使用。
【請求項２９】
請求項２８に記載の使用であって、皮膚層で前記抗原提示細胞に感染させる、使用。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月10日(2019.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８〜７６アミノ酸残基のペプチドまたはペプチドアナログ（Ｐ１）であって、前記８〜７６アミノ酸残基が、配列Ｘ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６Ｅ（配列番号９）を含むかまたはそれからなり、
（ｉ）Ｘ１はスレオニン（Ｔ）またはイソロイシン（Ｉ）であり、
（ｉｉ）Ｘ２はホスホセリン（Ｊ）、アスパラギン酸（Ｄ）、グルタミン酸（Ｅ）、アラニン（Ａ）、及びセリン（Ｓ）からなる群より選択され、
（ｉｉｉ）Ｘ３はプロリン（Ｐ）であり、
（ｉｖ）Ｘ４はホスホセリン（Ｊ）、アスパラギン酸（Ｄ）、グルタミン酸（Ｅ）、アラニン（Ａ）、及びセリン（Ｓ）からなる群より選択され、
（ｖ）Ｘ５はヒスチジン（Ｈ）またはグルタミン（Ｑ）であり、
（ｖｉ）Ｘ６はホスホセリン（Ｊ）、アスパラギン酸（Ｄ）、グルタミン酸（Ｅ）、アラニン（Ａ）、及びセリン（Ｓ）からなる群より選択される、
前記ペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項２】
Ｐ１は、配列ＫＥＱＥＭＸ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６Ｅ（配列番号１０）を含むかまたはそれからなる、請求項１に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項３】
Ｐ１は、配列Ｘ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６ＥＸ７Ｘ８Ｘ９Ｘ１０Ｘ１１Ｘ１２Ｘ１３Ｘ１４（配列番号１１）を含むかまたはそれからなり、
（ｉ）Ｘ７はアスパラギン酸（Ｄ）、アスパラギン（Ｎ）、セリン（Ｓ）から選択され、
（ｉｉ）Ｘ８はバリン（Ｖ）、アルギニン（Ｒ）、アラニン（Ａ）から選択され、
（ｉｉｉ）Ｘ９はプロリン（Ｐ）またはグルタミン（Ｑ）であり、
（ｉｖ）Ｘ１０はグリシン（Ｇ）、リジン（Ｋ）、アスパラギン（Ｎ）から選択され、
（ｖ）Ｘ１１はアラニン（Ａ）、イソロイシン（Ｉ）、バリン（Ｖ）から選択され、
（ｖｉ）Ｘ１２はバリン（Ｖ）、スレオニン（Ｔ）、プロリン（Ｐ）から選択され、
（ｖｉｉ）Ｘ１３はグルタミン（Ｑ）またはロイシン（Ｌ）であり、
（ｖｉｉｉ）Ｘ１４はグリシン（Ｇ）、スレオニン（Ｔ）、セリン（Ｓ）から選択される、
請求項１に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項４】
Ｐ１は、配列ＫＥＱＥＭＸ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６ＥＸ７Ｘ８Ｘ９Ｘ１０Ｘ１１Ｘ１２Ｘ１３Ｘ１４（配列番号１２）を含むかまたはそれからなる、請求項１に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項５】
Ｐ１は、配列Ｘ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６Ｅ（配列番号９）からなり、Ｘ１はスレオニン（Ｔ）であり、Ｘ３はプロリン（Ｐ）であり、Ｘ５はヒスチジン（Ｈ）であり、このようなＰ１は配列番号１３である、請求項１に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項６】
Ｐ１は、配列ＫＥＱＥＭＸ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６Ｅ（配列番号１０）からなり、Ｘ１はスレオニン（Ｔ）であり、Ｘ３はプロリン（Ｐ）であり、Ｘ５はヒスチジン（Ｈ）であり、このようなＰ１は配列番号１６である、請求項２に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項７】
Ｐ１は、配列ＫＥＱＥＭＸ１Ｘ２Ｘ３ＶＸ４Ｘ５Ｘ６ＥＸ７Ｘ８Ｘ９Ｘ１０Ｘ１１Ｘ１２Ｘ１３Ｘ１４（配列番号１２）からなり、Ｘ１はスレオニン（Ｔ）であり、Ｘ３はプロリン（Ｐ）であり、Ｘ５はヒスチジン（Ｈ）であり、Ｘ７はアスパラギン酸（Ｄ）であり、Ｘ８はバリン（Ｖ）であり、Ｘ９はグルタミン（Ｑ）であり、Ｘ１０はグリシン（Ｇ）であり、Ｘ１１はアラニン（Ａ）であり、Ｘ１２はバリン（Ｖ）であり、Ｘ１３はグルタミン（Ｑ）であり、Ｘ１４はグリシン（Ｇ）であり、このようなＰ１は配列番号２２である、請求項４に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項８】
Ｐ１は、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ６のうちの少なくとも１つを含み、
（ｉ）Ｘ２はアスパラギン酸（Ｄ）、グルタミン酸（Ｅ）、ホスホセリン（Ｊ）からなる群より選択され、
（ｉｉ）Ｘ４はアスパラギン酸（Ｄ）、グルタミン酸（Ｅ）、ホスホセリン（Ｊ）からなる群より選択され、または
（ｉｉｉ）Ｘ６はアスパラギン酸（Ｄ）、グルタミン酸（Ｅ）、ホスホセリン（Ｊ）からなる群より選択される、
請求項１〜７のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項９】
Ｐ１は、配列番号２５〜７４のいずれかから選択される配列を含むかまたはそれからなる、請求項８に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項１０】
Ｐ１は、配列番号３７または配列番号６２を含むかまたはそれからなる、請求項８に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項１１】
Ｐ１は、Ｘ２、Ｘ４、Ｘ６のうちの少なくとも１つを含み、Ｘ２、Ｘ４、及び／またはＸ６はアラニン（Ａ）である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項１２】
Ｐ１は、細胞透過性ペプチド（ＣＰＰ）、アルブミン結合部分（ＡＢＭ）、及び検出可能部分（Ｚ）からなる群より選択される少なくとも１つの部分に結合されている、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログ。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のペプチドもしくはペプチドアナログを含む組成物、当該ペプチドをコードするポリヌクレオチド、当該ポリヌクレオチドを含むベクター、または当該ポリヌクレオチドを含む宿主細胞。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログを含む、医薬組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログを含む、疾患の治療及び／または予防用組成物であって、
前記疾患が、
神経系疾患；
精神及び行動障害；
先天性神経発達異常及び染色体異常；
脳血管疾患の脳血管症候群を含む心血管疾患：
代謝及び摂食障害；及び
腫瘍性疾患
からなる群より選択される、前記疾患の治療及び／または予防用組成物。
【請求項１６】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログを含む、神経系疾患の治療及び／または予防用組成物であって、
前記神経系疾患が、突発性及び発作性疾患、神経系の錐体外路及び運動障害、または神経障害性疼痛である、前記神経系疾患の治療及び／または予防用組成物。
【請求項１７】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のペプチドまたはペプチドアナログを含む、神経系疾患の治療及び／または予防用組成物であって、
前記神経系疾患が、ハンチントン病またはアルツハイマー病である、前記神経系疾患の治療及び／または予防用組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月19日(2019.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁担体と、
前記電気絶縁担体の外面の周りに巻き付けられる導電体の巻回と、
を含み、
前記電気絶縁担体の前記外面は、各導電体の巻回の一方の側に沿って配置される開口を含む、磁場勾配コイル。
【請求項２】
前記電気絶縁担体の前記外面は、各導電体の巻回の他方の側に沿って開口を含まない、請求項１に記載の磁場勾配コイル。
【請求項３】
前記導電体の巻回は、前記電気絶縁担体の前記外面の溝内に配置されない、請求項１又は２に記載の磁場勾配コイル。
【請求項４】
少なくとも１つの導電体の巻回は、隣接する導電体の巻回から１．０ミリメートル以下の非ゼロ間隙だけ離間されている、請求項１から３の何れか一項に記載の磁場勾配コイル。
【請求項５】
磁場勾配コイルのコイルセクションの巻線パターンを画定するキーイング特徴部を含むモールドと、
電気絶縁背板と、
前記電気絶縁背板上に配置される導電体と、
を含み、
前記導電体の、前記電気絶縁背板とは反対側の表面は、前記導電体の長さに沿って延在するキーイング特徴部を含み、前記導電体のキーイング特徴部は、縦溝、縦隆起部、又は、前記導電体に沿って離間された一連の個別の突起部を含み、前記導電体のキーイング特徴部は、前記モールドのキーイング特徴部とはめ合わさっている、磁場勾配コイル。
【請求項６】
前記キーイング特徴部は、縦溝、縦隆起部、又は、前記導電体に沿って離間された一連の個別の突起部である、請求項５に記載の磁場勾配コイル。
【請求項７】
前記導電体は、前記導電体の少なくとも一部の隣接する部分が、１．０ミリメートル以下の非ゼロ間隙だけ離間された巻線パターンに配置される、請求項５又は６に記載の磁場勾配コイル。
【請求項８】
磁場勾配コイル製造方法であって、
（ｉ）電気絶縁担体の外面の開口に要素を挿入するステップと、
（ｉｉ）前記電気絶縁担体の前記外面の周りに導電体の巻回を、巻き付けられた前記導電体の一方の側が前記電気絶縁担体の前記外面の開口に挿入された要素と並んだ状態で巻き付けるステップと、
（ｉｉｉ）巻き付けられた前記導電体の前記一方の側と並んだ前記要素を、前記開口から取り外すステップと、
（ｉｖ）前記電気絶縁担体の前記外面の周りに磁場勾配コイルの前記導電体の巻回を巻き付けるために、ステップ（ｉｉ）及びステップ（ｉｉｉ）を繰り返すステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記ステップ（ｉｉ）は、
前記電気絶縁担体の前記外面の周りに前記導電体の巻回を、巻き付けられた前記導電体の前記一方の側が前記電気絶縁担体の前記外面の開口に挿入された要素と並んだ状態で、且つ、巻き付けられた前記導電体の他方の側が前記電気絶縁担体の前記外面の開口に挿入された要素と並ばない状態で巻き付けるステップを含む、請求項８に記載の磁場勾配コイル製造方法。
【請求項１０】
前記要素は、ピン又はペグであり、前記開口は、貫通孔又は止まり穴である、請求項８又は９に記載の磁場勾配コイル製造方法。
【請求項１１】
前記電気絶縁担体は、中空円筒電気絶縁担体であり、
ステップ（ｉ）は、円周リングを画定する前記中空円筒電気絶縁担体の前記外面の開口に、前記要素を挿入し、
ステップ（ｉｉ）は、前記中空円筒電気絶縁担体の外側円筒面の周りに前記導電体の巻回を円周方向に巻き付け、
ステップ（ｉｖ）は、前記中空円筒電気絶縁担体の前記外側円筒面の周りに縦磁場勾配コイルの前記導電体の巻回を巻き付けるように、ステップ（ｉｉ）及びステップ（ｉｉｉ）を繰り返す、請求項８から１０の何れか一項に記載の磁場勾配コイル製造方法。
【請求項１２】
前記ステップ（ｉ）は、
（Ｉ）ステップ（ｉｉ）の１回目の反復を行う前に行われる単一のステップとして行われるか、又は、
（ＩＩ）繰り返されるステップとして行われ、前記ステップ（ｉ）の各反復は、前記ステップ（ｉｉ）の次の反復において巻き付けられる前記導電体の巻回の経路と並んだ開口に要素を挿入する、請求項８から１１の何れか一項に記載の磁場勾配コイル製造方法。
【請求項１３】
（ｉ）導電体の長さに沿って延在する前記導電体のキーイング特徴部が、モールドの合わせキーイング特徴部と係合した状態で前記導電体を前記モールド上に置くステップであって、前記モールドの前記キーイング特徴部は磁場勾配コイルのコイルセクションの巻線パターンを画定し、置かれた前記導電体は前記コイルセクションを形成する、前記ステップと、
（ｉｉ）電気絶縁背板を、前記コイルセクションの前記モールドとは反対側の面に取り付けるステップと、
（ｉｉｉ）前記モールドを前記コイルセクションから取り外すステップと、
を含む、磁場勾配コイル製造方法。
【請求項１４】
（Ａ）前記導電体の長さに沿って延在する前記キーイング特徴部は、溝であり、且つ、前記モールドの前記合わせキーイング特徴部は、前記コイルセクションの巻線パターンを画定する隆起部若しくは一連の離間された個別の突起部であるか、又は、
（Ｂ）前記導電体の長さに沿って延在する前記キーイング特徴部は、隆起部若しくは前記導電体に沿って離間された一連の個別の突起部であり、且つ、前記モールドの前記合わせキーイング特徴部は、前記コイルセクションの前記巻線パターンを画定する溝であるか、
のうちの１つである、請求項１３に記載の磁場勾配コイル製造方法。
【請求項１５】
（ｉｖ）前記モールドを取り外した後、前記コイルセクションを形成する置かれた前記導電体から前記キーイング特徴部を機械加工して除去するステップを更に含む、請求項１４に記載の磁場勾配コイル製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月11日(2019.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゼオライト物質組み合わせを備える揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物を含む密封内部空間を備えるＬＥＤシステムであって、前記ゼオライト物質組み合わせの一成分がＭＦＩ（モルデナイトフレームワークインバーテッド）とフォージャサイト１３Ｘとモルデナイトとのうち一種以上から選択され、前記ゼオライト物質組み合わせが４質量％から２５質量％の量のＬＴＡ（リンデタイプＡ）ゼオライトを含み、前記揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物に加えて酸素放出組成物である揮発性有機化合物の酸化化合物が前記密封内部空間内に存在することを特徴とするＬＥＤシステム。
【請求項２】
前記揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物中の複数種のゼオライトの量が式
（ＭＦＩ）ｘ＋（フォージャサイト１３Ｘ）ｙ＋（モルデナイト）ｚ＋（ＬＴＡ）ｄ
によって与えられ、
ｘ、ｙ、ｚ、ｄが前記揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物中のゼオライト種の質量％であり、
ｘが０から８０であり、
ｙが０から９０であり、
ｚが０から６０であり、
ｄが４から２５であり、
ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｄが１００である、請求項１に記載のＬＥＤシステム。
【請求項３】
単位自由内部空間当たりの前記揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物の量が０．０４ｍｇ／ｃｍ３から０．６０ｍｇ／ｃｍ３、好ましくは０．０６ｍｇ／ｃｍ３から０．４０ｍｇ／ｃｍ３である、請求項１又は２に記載のＬＥＤシステム。
【請求項４】
前記酸素放出組成物が、ＭｇＯ２、ＭｇｘＺｎｙＯ２（ｘ＋ｙの和＝１）、ＣａＯ２、ＺｎＯ２、Ｌｉ２Ｏ２、Ｎａ２ＣＯ３：１．５Ｈ２Ｏ２、ＮａＢＯ３：ｎＨ２Ｏ、ＫＭｎＯ４、及びＣａ（ＭｎＯ４）２のうち一種以上から選択されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のＬＥＤシステム。
【請求項５】
単位自由内部空間当たりの前記酸素放出組成物の量が０．０５ｍｇ／ｃｍ３から２．０ｍｇ／ｃｍ３、好ましくは０．１５ｍｇ／ｃｍ３から１．５０ｍｇ／ｃｍ３である、請求項１から４のいずれか一項に記載のＬＥＤシステム。
【請求項６】
単位自由内部空間当たり０．０３ｍｇ／ｃｍ３から１．５ｍｇ／ｃｍ３の量のＣａＯが更に存在する、請求項１から５のいずれか一項に記載のＬＥＤシステム。
【請求項７】
前記揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物が粉末であり、
前記粉末が容器内に圧縮され、該容器が２０質量％から８０質量％の量の保持無機助剤を任意選択的に含み、該保持無機助剤が好ましくはＣｕ合金、Ｓｎ合金、カオリナイト粘土、及びモンモリロナイト粘土のうち一種以上から選択され、又は、
前記粉末が独立型ピル又はタブレットに圧縮され、該独立型ピル又はタブレットが２０質量％から８０質量％の量の保持無機助剤を任意選択的に含み、該保持無機助剤が好ましくはＣｕ合金、Ｓｎ合金、カオリナイト粘土、及びモンモリロナイト粘土のうち一種以上から選択され、又は、
前記粉末が無機マトリクスによって保持され、前記無機マトリクスの量が５０質量％よりも高く、好ましくは６０質量％から９０質量％であり、前記無機マトリクスが好ましくはＣｕ合金、Ｓｎ合金、カオリナイト粘土、及びモンモリロナイト粘土のうち一種以上から選択され、又は、
前記粉末がガス透過性ポリマーエンベロープ内に含まれ、前記ガス透過性ポリマーエンベロープが好ましくは高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、及びポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）のうち一種以上で作製され、又は、
前記粉末が有機マトリクス中に分散し、該有機マトリクスが好ましくはポリエステルエポキシ樹脂、エポキシアクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、シロキサンマトリクス、シリコーングリース、ポリイミド、ポリアミド樹脂、及びシリコーン系樹脂から選択されている、請求項１から６のいずれか一項に記載のＬＥＤシステム。
【請求項８】
前記揮発性有機化合物除去用ゲッター組成物が請求項４または５に記載の酸素放出組成物と混合されている、請求項７に記載のＬＥＤシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月13日(2020.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面積Ａｅを有する第１の主面、反対側を向いた第２の主面、及び複数の空隙を有する多孔質電極と、
前記第１の主面上に配置され、前記第１の主面と実質的に平行な断面積Ａｐを有する、不連続輸送保護層であって、親水性ポリマーを含み、非導電性である不連続輸送保護層と、
前記複数の空隙のうちの少なくとも一部に埋め込まれた前記ポリマーの一部、前記ポリマーの一部に埋め込まれた前記多孔質電極の一部、又はそれらの組み合せを含む界面領域と、
を含み、０．０２Ａｅ≦Ａｐ≦０．８５Ａｅであり、
前記多孔質電極及び前記不連続輸送保護層は一体構造を形成し、
前記不連続輸送保護層の厚さはＴｐであり、前記界面領域の厚さはＴｉであり、比Ｔｉ／Ｔｐは約０．００５〜約０．８である、電極アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月7日(2020.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記任意の２つの分類されるアプリケーション間の前記相関係数は、以下の式
【数１】
2019508814.tif 000001
を使用することにより計算され、
式中、ｗ（ａ，ｂ）は、分類されるアプリケーションａとｂとの間の相関係数であり、
ｎは既知の分類システムの数であり、
ｓｈｏｒｔｅｓｔ＿ｐａｔｈ（ａ，ｂ）は、既知の分類システムにおける前記分類されるアプリケーションａとｂとの間の最短路である、請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記任意の２つの分類されるアプリケーション間の前記相関係数は、以下の式
【数３】
2019508814.tif 000002
を使用することにより計算され、
式中、ｗ（ａ，ｂ）は、分類されるアプリケーションａとｂとの間の相関係数であり、
ｎは既知の分類システムの数であり、
ｓｈｏｒｔｅｓｔ＿ｐａｔｈ（ａ，ｂ）は、既知の分類システムにおける前記分類されるアプリケーションａとｂとの間の最短路である、請求項１１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月10日(2020.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上にゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極の上にゲート誘電体層を堆積することと、
前記ゲート誘電体層の上に金属酸化物の半導体層を堆積することと、次に、
前記金属酸化物の半導体層をアニールすることと、次に、
第１のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することと、次に、
前記金属酸化物の半導体層の上に導電層を堆積することと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のフッ素ラジカルが、第１の遠隔プラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物の半導体層が配置されたチャンバの内部で点火された第１のプラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属酸化物の半導体層をアニールする前に、第２のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、第２の遠隔プラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記金属酸化物の半導体層をアニールする前に、第２のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物の半導体層が配置されたチャンバの内部で点火された第２のプラズマ内で生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基板の上に金属酸化物層を堆積することと、
第１のフッ素ラジカル又は第１のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理することと、
前記金属酸化物層にゲート誘電体層を堆積することと、
前記金属酸化物層の上に層間誘電体層を堆積することと、
前記層間誘電体層に金属層を堆積することと
を含む方法。
【請求項７】
前記第１のフッ素ラジカルが、第１の遠隔プラズマ内で生成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物層が配置されたチャンバの内部で点火された第１のプラズマ内で生成される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のフッ素ラジカル又は前記第１のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理した後に、前記金属酸化物層をエッチングすることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属酸化物層をエッチングした後に、第２のフッ素ラジカル又は第２のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、第２の遠隔プラズマ内で生成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物層をエッチングした後に、第２のフッ素ラジカル又は第２のフッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物層を処理することをさらに含み、前記第２のフッ素ラジカルが、前記金属酸化物層が配置されたチャンバの内部で点火された第２のプラズマ内で生成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
基板の上にゲート電極を形成することと、
前記ゲート電極の上にゲート誘電体層を堆積することと、
前記ゲート誘電体層の上に金属酸化物の半導体層を堆積することと、次に、
前記金属酸化物の半導体層をアニールすることと、次に、
フッ素含有ガスを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することと、次に、
前記金属酸化物の半導体層の上に導電層を堆積することと
を含む方法。
【請求項１３】
前記フッ素含有ガスが、ＮＦ３、ＣＦ４、又はＦ２を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第１のフッ素ラジカルを用いて前記金属酸化物の半導体層を処理することが、
約２０００立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約６０００ｓｃｃｍの範囲内の流量のフッ素含有ガスを遠隔プラズマ源内に流し込むことと、
約０．２Ｗ／ｃｍ２から約０．６Ｗ／ｃｍ２の範囲内の電力密度を有する前記遠隔プラズマ源内で、酸素もシリコンも含有しないフッ素含有プラズマを形成することと、
前記フッ素含有プラズマを処理領域内に流し込むことと
を含み、前記基板が約摂氏約１５０度から摂氏約３５０度の範囲内の温度である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属酸化物の半導体層を処理することが、プラズマ化学気相堆積チャンバで行われ、前記プラズマ化学気相堆積チャンバ内部の圧力が約２００ｍＴから約９００ｍＴの範囲内である、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月17日(2020.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）内側表面および外側表面を含む管状フィルムを成形するステップであり、成形中に前記管状フィルムの中にマイクロフィルタ濾過空気および／またはその他の気体を吹き込むなどして送り込むステップと、
（ｉｉ）前記成形された管状フィルムを平坦化するステップと、
（ｉｉｉ）前記平坦化された管状フィルムを複数の離間した位置で封止し、前記フィルムを切断し、少なくとも１つの空のパウチを形成するステップと、
（ｉｖ）前記空のパウチに取付け具をオーバモールドし、前記取付け具と前記パウチの間に液密シールを形成するステップと、
（ｖ）前記パウチの前記内側表面上に粒子または発熱性物質のうちの１種類以上が集まること、およびステップ（ｉ）から（ｉｖ）を通じて前記内側表面が周囲雰囲気に曝されることを防止するステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）パラジウム（０）および／または白金（０）ベースの触媒の存在下にて、かつ酸の存在下にて、式（ＩＩＩ）
【化１】
2019508387.tif 000001
のＡＺＤ９２９１ニトロジアミンまたはその塩を水素と反応させて、式（Ｉ）
【化２】
2019508387.tif 000002
のＡＺＤ９２９１アニリンまたはその塩を形成する工程であって、前記反応が、水の存在下にて、または水と水混和性溶媒との混合物の存在下にて行われる、工程；
ｂ）その結果得られたＡＺＤ９２９１アニリンまたはその塩を活性化アクリル酸誘導体または前駆物質と反応させ、必要な場合には、塩基で処理して式（ＩＩ）：
【化３】
2019508387.tif 000003
のＡＺＤ９２９１を形成する工程；および
ｃ）薬剤として許容されるその塩を任意選択的に形成する工程；
を含む、ＡＺＤ９２９１または薬剤として許容されるその塩を製造するプロセス。
【請求項２】
請求項１に記載のプロセスの工程ａ）を含む、ＡＺＤ９２９１アニリンまたはその塩を製造するプロセス。
【請求項３】
前記酸が、カルボン酸、スルホン酸および無機酸から選択される酸を含む、請求項１または２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記カルボン酸が、（Ｃ１〜７ヒドロカルビル）ＣＯＯＨ、ギ酸、トリクロロ酢酸およびトリフルオロ酢酸から選択される酸を含む、請求項３に記載のプロセス。
【請求項５】
前記スルホン酸が、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸およびｐ−トルエンスルホン酸から選択される酸を含む、請求項３に記載のプロセス。
【請求項６】
前記無機酸が、塩酸、硫酸およびリン酸から選択される酸を含む、請求項３に記載のプロセス。
【請求項７】
少なくとも１．０モル当量の酸が使用される、請求項１から６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
１．０〜２．０モル当量の酸が使用される、請求項１から７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
１．５モル当量の酸が使用される、請求項１から８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記パラジウム（０）および／または白金（０）ベースの触媒が、パラジウム（０）ベースの触媒を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記パラジウム（０）および／または白金（０）ベースの触媒が、少なくとも０．０００５モル当量のパラジウム（０）を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記パラジウム（０）および／または白金（０）ベースの触媒が、白金（０）ベースの触媒を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記パラジウム（０）および／または白金（０）ベースの触媒が、少なくとも０．０００１モル当量の白金（０）を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記水混和性溶媒が、アルコール、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチルピロリジン−２−オンから選択される、請求項１から１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記水混和性溶媒が、メタノール、イソプロパノール、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシドおよびＮ−メチルピロリジン−２−オンから選択される、請求項１から１４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１６】
式（ＩＩＩ）のＡＺＤ９２９１ニトロジアミンまたはその塩の前記反応が水の存在下にて行われる、請求項１から１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記活性化アクリル酸誘導体または前駆物質が、アクリロイルクロリドまたは３−クロロプロパノイルクロリドである、請求項１または請求項３から１６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記活性化アクリル酸誘導体または前駆物質が、アクリロイルクロリドである、請求項１または請求項３から１７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記活性化アクリル酸誘導体または前駆物質が、３−クロロプロパノイルクロリドである、請求項１または請求項３から１７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか一項に記載のプロセス工程ａ）〜ｃ）によって製造される、ＡＺＤ９２９１化合物または薬剤として許容されるその塩を含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月16日(2020.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物におけるアレルギー反応を阻害又は予防するための医薬の製造における、ＩＬ−３３阻害剤の使用。
【請求項２】
前記アレルギー反応が食物アレルギーである、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記アレルギー反応が喘息、アトピー性皮膚炎又はそれらの組合せである、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記食物アレルギーが、ナッツアレルギー、ピーナッツアレルギー、貝アレルギー、魚アレルギー、ミルクアレルギー、卵アレルギー、小麦アレルギー又は大豆アレルギーである、請求項２に記載の使用。
【請求項５】
前記ＩＬ−３３阻害剤が抗ＩＬ−３３抗体又は抗体フラグメントである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
前記抗ＩＬ−３３抗体又は抗体フラグメントが、（ａ）配列番号１、配列番号２、配列番号５〜５０、配列番号６７〜１４０、配列番号１７６、配列番号１７７、配列番号１７８〜１８８及び配列番号２０６〜２１７のいずれか1つのアミノ酸配列、（ｂ）配列番号１、配列番号２、配列番号５〜５０、配列番号６７〜１４０、配列番号１７６、配列番号１７７、配列番号１７８〜１８８及び配列番号２０６〜２１７のいずれか1つに対して少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、単離された免疫グロブリン重鎖ポリペプチド；又は（ｃ）（ａ）若しくは（ｂ）の免疫グロブリン重鎖ポリペプチドが結合するのと同じＩＬ−３３エピトープに結合する免疫グロブリン重鎖ポリペプチドを含む、請求項５に記載の使用。
【請求項７】
前記抗ＩＬ−３３抗体又は抗体フラグメントが、（ｄ）配列番号３、配列番号４、配列番号５１〜６６、配列番号１４１〜１７５、配列番号１８９〜２０５及び配列番号２１８〜２３１のいずれか１つのアミノ酸配列、（ｅ）配列番号３、配列番号４、配列番号５１〜６６、配列番号１４１〜１７５、配列番号１８９〜２０５及び配列番号２１８〜２３１のいずれか１つと少なくとも９０％同一であるアミノ酸配列を含む、単離された免疫グロブリン軽鎖ポリペプチド；又は（ｆ）（ｄ）若しくは（ｅ）の免疫グロブリン重鎖ポリペプチドが結合するのと同じＩＬ−３３エピトープに結合する免疫グロブリン重鎖ポリペプチドを含む、請求項５又は６に記載の使用。
【請求項８】
前記ＩＬ−３３阻害剤がＦ（ａｂ’）２、Ｆａｂ’、Ｆａｂ、Ｆｖ、ｓｃＦｖ、ｄｓＦｖ、ｄＡｂ又は一本鎖結合ポリペプチドである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号１３６の免疫グロブリン重鎖ポリペプチド及び配列番号１７１の免疫グロブリン軽鎖ポリペプチドを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
前記単離されたＩＬ−３３阻害剤が、配列番号１、配列番号２、配列番号５〜５０、配列番号６７〜１４０、配列番号１７６、配列番号１７７、配列番号１７８〜１８８及び配列番号２０６〜２１７のいずれか１つを含む免疫グロブリン重鎖可変領域の少なくとも１つの相補性決定領域（ＣＤＲ）を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１１】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号１、配列番号２、配列番号５〜５０、配列番号６７〜１４０、配列番号１７６、配列番号１７７、配列番号１７８〜１８８及び配列番号２０６〜２１７のいずれか１つを含む免疫グロブリン重鎖可変領域の１つのＣＤＲを含む、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号１、配列番号２、配列番号５〜５０、配列番号６７〜１４０、配列番号１７６、配列番号１７７、配列番号１７８〜１８８及び配列番号２０６〜２１７のいずれか１つを含む免疫グロブリン重鎖可変領域の２つのＣＤＲを含む、請求項１０に記載の使用。
【請求項１３】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号１、配列番号２、配列番号５〜５０、配列番号６７〜１４０、配列番号１７６、配列番号１７７、配列番号１７８〜１８８及び配列番号２０６〜２１７のいずれか１つを含む免疫グロブリン重鎖可変領域の３つのＣＤＲを含む、請求項１０に記載の使用。
【請求項１４】
前記単離されたＩＬ−３３阻害剤が、配列番号３、配列番号４、配列番号５１〜６６、配列番号１４１〜１７５、配列番号１８９〜２０５及び配列番号２１８〜２３１のいずれか１つを含む免疫グロブリン軽鎖可変領域の少なくとも１つのＣＤＲを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１５】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号３、配列番号４、配列番号５１〜６６、配列番号１４１〜１７５、配列番号１８９〜２０５及び配列番号２１８〜２３１のいずれか１つを含む免疫グロブリン軽鎖可変領域の１つのＣＤＲを含む、請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号３、配列番号４、配列番号５１〜６６、配列番号１４１〜１７５、配列番号１８９〜２０５及び配列番号２１８〜２３１のいずれか１つを含む免疫グロブリン軽鎖可変領域の２つのＣＤＲを含む、請求項１４に記載の使用。
【請求項１７】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、配列番号３、配列番号４、配列番号５１〜６６、配列番号１４１〜１７５、配列番号１８９〜２０５及び配列番号２１８〜２３１のいずれか１つを含む免疫グロブリン軽鎖可変領域の３つのＣＤＲを含む、請求項１０に記載の使用。
【請求項１８】
前記哺乳動物におけるＩＬ−３３阻害剤の半減期が３０分と４５日の間である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１９】
前記ＩＬ−３３阻害剤が、約１フェムトモーラー（ｆＭ）と約１００マイクロモーラー（μＭ）の間のＫＤでＩＬ−３３に結合する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２０】
哺乳動物が、ＩＬ−３３発現又はシグナル伝達を増大する変異を有する、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２１】
前記哺乳動物が、予防的治療として、抗ＩＬ−３３阻害剤で定期的に治療される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２２】
前記哺乳動物が、アレルゲンに対して曝露されているか、又は曝露されていると疑われる場合に、抗ＩＬ−３３阻害剤で治療される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の使用。
【請求項２３】
ＩＬ−３３阻害剤を含む、アレルギー反応の治療用の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月6日(2020.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インストルメントパネル及び防汚システムのアセンブリであって、前記インストルメントパネルは、海中構造物、特に、遠隔操作水中ビークルによって水中で検査及び／又は操作される少なくとも１つの器具を備える海中ツリーに取り付けられるものであり、前記防汚システムは、前記インストルメントパネルの外面の少なくとも一部に対して防汚アクションを実行するための少なくとも１つの防汚装置を備え、前記防汚装置は、
前記インストルメントパネルに対して外部に配置され、前記防汚装置の少なくとも一部は前記インストルメントパネルに支持され、及び／若しくは前記海中構造物に他の態様で配置されるか、
前記インストルメントパネルの前記外面上に配置されるか、並びに／又は
前記インストルメントパネルの内部に配置され、
前記防汚装置は、動作中に防汚エネルギーを放出し、
前記インストルメントパネルの少なくとも一部は、前記防汚エネルギーに対して透過性であり、また、前記インストルメントパネルの前記外面の少なくとも一部を含む、アセンブリ。
【請求項２】
前記防汚装置は、前記インストルメントパネル全体が前記防汚エネルギーに対して透過性である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記インストルメントパネルは、前記防汚エネルギーに対して非透過性である基本フレームシートを備え、前記インストルメントパネルはさらに、少なくとも部分的に前記防汚エネルギーに対して透過性である少なくとも１つのアドオンを備える、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項４】
前記インストルメントパネルは、読み取り可能な表示を実現する少なくとも１つのタグ要素を備え、前記防汚装置は、少なくとも前記タグ要素に対して防汚アクションを実行する、請求項１から３のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記タグ要素は、少なくとも部分的に前記防汚エネルギーに対して透過性である器具アドオンに関連付けられ、前記器具アドオンは、器具の少なくとも１つの要素を収容し、前記防汚システムは、前記器具アドオン及び該器具アドオンに関連付けられた前記タグ要素の両方に防汚エネルギーを放射する防汚装置を備え、任意選択的に、前記防汚装置は、少なくとも部分的に前記器具アドオンに組み込まれ、及び／又は、前記器具アドオンの位置において、前記インストルメントパネルの前記外面上に配置される、請求項３に従属する請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記タグ要素は、前記インストルメントパネルのアドオンである、請求項４又は５に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記防汚装置は、防汚エネルギーと、タグの読み取りを可能にするのに適したエネルギーとを交互に放出する、請求項４から６のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記防汚装置は、少なくとも部分的に前記インストルメントパネルの内部に配置され、任意選択的に、前記防汚装置は、動作中に防汚エネルギーを放出する少なくとも１つの防汚エネルギー源を備え、前記少なくとも１つの防汚エネルギー源は、前記インストルメントパネルに組み込まれている、請求項１から７のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記防汚装置は、動作中に防汚エネルギーを放出する少なくとも１つの防汚エネルギー源を、前記インストルメントパネルから離れた外部位置に備え、さらに、前記エネルギー源の動作中に前記エネルギー源からの防汚エネルギーを受け取り、防汚エネルギーを前記インストルメントパネルへガイドするためのエネルギーガイドを備える、請求項１から８のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記防汚装置は、動作中に防汚エネルギーを放出し、前記防汚システムは、前記防汚エネルギーを、前記インストルメントパネルの前記外面の少なくとも一部に向けさせるための反射手段を備える、請求項１から９のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
前記防汚システムは、前記防汚装置の少なくとも一部を、前記インストルメントパネルから距離を置いた位置に保持する構造を備え、任意選択的に、前記構造は、遠隔操作水中ビークルによってアクセス可能な前記インストルメントパネルの面から見て、前記インストルメントパネルの背後に位置する、請求項１から１０のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
前記防汚装置は、動作中に防汚エネルギーを放出する少なくとも１つのエネルギー源を備え、前記防汚エネルギーは紫外線である、請求項１から１１のいずれか一項に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
インストルメントパネルの外面の少なくとも一部に対して防汚アクションを実行するための少なくとも１つの防汚装置を備える防汚システムであって、前記防汚システムは、請求項１から１２のいずれか一項に記載のアセンブリにおいて使用するためのものである、防汚システム。
【請求項１４】
海中構造物、特に、遠隔操作水中ビークルによって水中で検査及び／又は操作される少なくとも１つの器具を備える海中ツリーに取り付けられるインストルメントパネルであって、前記インストルメントパネルは、請求項１から１２のいずれか一項に記載のアセンブリにおいて使用するためのものである、インストルメントパネル。
【請求項１５】
海中構造物、特に、遠隔操作水中ビークルによって水中で検査及び／又は操作される少なくとも１つの器具を備える海中ツリーを備える海洋システムであって、前記海洋システムはさらに、請求項１から１２のいずれか一項に記載のアセンブリを少なくとも１つ備え、前記アセンブリの前記インストルメントパネルは、前記少なくとも１つの器具の少なくとも要素へのアクセスを可能にする、海洋システム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月11日(2019.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動力システムにおける可変挙動制御機構であって、前記機構が、
少なくとも１つの一次システムを備え、前記一次システムが、前記一次システムに変化が加えられたときに従動的な運動学的関係に従って運動するように構成されており、前記一次システムが、
（ａ）前記運動学的関係に従う前記少なくとも１つの一次システムの少なくとも２つの運動特性を測定する、前記少なくとも１つの一次システムと従動的な運動学的関係にある少なくとも１つのセンサ、または
（ｂ）少なくとも２つのセンサであって、これらのセンサが各々、前記運動学的関係に従う前記少なくとも１つの一次システムの少なくとも１つの運動特性を測定する、前記少なくとも１つの一次システムと従動的な運動学的関係にある少なくとも２つのセンサ
を有し、
感知された前記運動特性の組合せが閾値に達したとき、前記少なくとも１つの一次システムと少なくとも１つの二次システムとの間において作動状態を生じさせる、
可変挙動制御機構。
【請求項２】
前記機構が、前記機構またはその一部に配置された、少なくとも１つの運動特性を感知する少なくとも１つのセンサを備えて構成されている場合、前記機構が、直接的な感知および作動を利用し、前記閾値に達したとき、前記少なくとも１つのセンサが、前記機構、前記システム、またはその一部分に直接作動を引き起こす、請求項１に記載の可変挙動制御機構。
【請求項３】
少なくとも２つの前記運動特性が、変位、力の程度および／または方向、速度、加速度、減速度、移動方向、ジャーク、およびこれらの組合せから、絶対的または相対的指標として選択される、請求項１に記載の可変挙動制御機構。
【請求項４】
作動が、前記少なくとも１つの一次システムと前記少なくとも１つの二次システムまたはその一部との間に少なくとも部分的な係合を引き起こす、請求項１に記載の可変挙動制御機構。
【請求項５】
前記少なくとも部分的な係合が、機械的な係合である、請求項４に記載の可変挙動制御機構。
【請求項６】
前記少なくとも部分的な係合の結果、前記少なくとも１つの一次システムと前記少なくとも１つの二次システムとの間に同期運動が生じる、請求項４に記載の可変挙動制御機構。
【請求項７】
前記少なくとも部分的な係合により、前記少なくとも１つの二次システムが、前記少なくとも１つの一次システムの動きに抵抗する、請求項４に記載の可変挙動制御機構。
【請求項８】
前記少なくとも部分的な係合により、前記少なくとも１つの一次システムが、前記少なくとも１つの二次システムの動きに抵抗する、請求項４に記載の可変挙動制御機構。
【請求項９】
前記少なくとも部分的な係合が、前記少なくとも１つの一次システムおよび前記少なくとも１つの二次システムの運動を停止させる、請求項４に記載の可変挙動制御機構。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの二次システムが、前記一次システムまたはその一部が係合する機械的機構である、請求項１に記載の可変挙動制御機構。