【事件の表示】
　特願２００８−２６２１１８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月２２日出願公開、特開２０１０−　９３０８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２０年１０月８日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　２月１４日　審査請求
　平成２５年　２月１９日　拒絶理由通知
　平成２５年　４月２６日　意見書・手続補正書
　平成２５年１１月２７日　拒絶理由通知
　平成２６年　１月３０日　意見書・手続補正書
　平成２６年　６月１７日　拒絶査定
　平成２６年　９月１８日　審判請求
　平成２７年　８月２４日　拒絶理由通知
　平成２７年１０月２６日　意見書・手続補正書
２　当審による拒絶理由通知の概要
　当審が平成２７年８月２４日付けで通知した拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）の概要は、以下のとおりである。
（理由１）　この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
（理由２）　この出願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（理由３）　この出願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
（理由４）　平成２６年１月３０日付け手続補正書により補正された、本願の請求項１、２に係る発明は、特開２００４−３４９６３４号公報（以下「引用文献１」という。）及び特開２００６−０４９４５５号公報（以下「引用文献２」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３　発明の詳細な説明の記載要件（理由３）について
（１）　委任省令要件について
（１−１）　本願明細書の発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題として 、以下のような記載がされている。
「【００１３】
　しかしながら、発明者らが鋭意調査した結果、例えば活性領域において、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域がある場合、フローティングｐ領域を囲むトレンチの端部と、最も活性領域に近いＦＬＲと同時に作り込まれた遷移領域内の深いＰｗｅｌｌとなる深い拡散層との距離が長すぎると、素子の耐圧が低下し、短すぎるとハードスイッチングとなることがわかった。
　【００１４】
　その理由は、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と上記深い拡散層とが、空間電荷領域によってつながるからである。すなわち、トレンチの端部と上記深い拡散層との距離が短い場合、エミッタ電位となる上記深い拡散層がフローティングｐ領域に影響を及ぼし、フローティングｐ領域の電位を低い電位に固定するため、素子の耐圧を高くすることができる。しかしながら、半導体装置がターンオンする際に、上記深い拡散層がフローティングｐ領域に影響を及ぼし、半導体装置の活性領域の電流が、エミッタに接続された上記深い拡散層に流れ込む。このため、本来の活性領域のみの特性を得ることができず、ハードスイッチングとなるという問題がある。
　【００１５】
　また、トレンチの端部と上記深い拡散層との距離が長い場合、半導体装置がターンオンする際に、上記深い拡散層がフローティングｐ領域に影響を及ぼさないため、本来の活性領域のみの特性を得ることができる。しかしながら、エミッタ電位となる上記深い拡散層の影響がフローティングｐ領域に及ばず、フローティングｐ領域の電位が高い電位に固定されるため、素子の耐圧が低くなるという問題がある。」
（１−２）　また、平成２７年１０月２６日付けの意見書（以下、単に「意見書」という。）において請求人は、以下のような説明をしている。
「（２−７）理由３（５）について
　図３において、ＦＬＲは３ｅのことであり、３ｃは、ＦＬＲと同時に作り込まれた遷移領域の深いＰｗｅｌｌであり、厳密には、３ｃはＦＬＲではありません。その点については、新請求項１にかかる発明の記載および発明の詳細な説明を修正しました。この３ｃである深いＰｗｅｌｌとトレンチ端部との距離が短い場合、エミッタ電位となる深いＰｗｅｌｌがフローティングｐ領域に影響を及ぼし、フローティングｐ領域の電位を、距離が長い場合と比べて、低くするため、素子の耐圧を高くすることができます。トレンチに囲まれたフローティングｐ領域の周辺は、エミッタ領域に接続されていますが、トレンチゲートで分離されたいるため、同じ電位にはなりません。深いＰｗｅｌｌが近くに存在すると、トレンチで分離されている場合よりも低い電位でフローティングｐ領域とＰｗｅｌｌ領域が空間電荷領域によってつながることになります。
　このように、本願の発明の詳細な説明の該当部分の記載は明確になりましたので、これにより、本理由については、解消したものと思量します。」
（１−３）　上記（１−１）の記載や上記（１−２）の説明のように、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と、深い拡散層とは、空間電荷領域によってつながるものと認められる。
　しかしながら、空間電荷領域とは、キャリアがほとんどない空乏化された領域のことであるので、当該技術分野における技術常識を参酌しても、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と、深い拡散層とが、容量結合することは想定できるものの、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と、深い拡散層とが、導電領域により導電状態となり、低い電位に固定されるものとは認められない。
（１−４）　また、仮に、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と、深い拡散層とが、空間電荷領域によってつながることにより、フローティングｐ領域の電位が低い電位に固定されると認めた場合には、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と、ｐ型ベース領域３ａとも空間電荷領域によってつながり、フローティングｐ領域の電位が低い電位に固定されるものと認められる。そうすると、トレンチの端部と深い拡散層との距離に関係なく、フローティングｐ領域の電位は低い電位に固定されるから、上記（１−１）の本願明細書の発明の詳細な説明の記載と矛盾する。
（１−５）　さらに、上記（１−２）の「トレンチに囲まれたフローティングｐ領域の周辺は、エミッタ領域に接続されていますが、トレンチゲートで分離されたいるため、同じ電位にはなりません。」との意見書における説明のように、トレンチに囲まれたフローティングｐ領域と、当該フローティングｐ領域の周辺の領域とが、トレンチゲートで分離されているために、両者が同じ電位にならないとすると、上記フローティングｐ領域はトレンチに囲まれているから、上記フローティングｐ領域の電位は、深い拡散層の電位に固定されるとは認められない。
（１−６）　したがって、上記（１−２）の意見書の説明を考慮しても、上記（１−１）の本願明細書の発明の詳細な説明の、トレンチの端部と深い拡散層との距離が短い場合、エミッタ電位となる上記深い拡散層がフローティングｐ領域に影響を及ぼし、フローティングｐ領域の電位を低い電位に固定し、トレンチの端部と深い拡散層との距離が長い場合、深い拡散層がフローティングｐ領域に影響を及ぼさない旨の記載は不明確である。
（１−７）　よって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえず、経済産業省令で定めるところによる記載がされているものとはいえない。
（２）　実施可能要件について
（２−１）　本願明細書の発明の詳細な説明には、以下のような記載がされている。
「【００３５】
　図５は、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘと、アバランシェ耐圧との関係を示す特性図である。図５においては、縦軸がアバランシェ耐圧（Ｖ）であり、横軸がＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ（μｍ）である。ここで、図５においては、ジャンクション温度Ｔｊが２５℃の時のアバランシェ耐圧を測定した。
　【００３６】
図５に示すように、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘが３２μｍまでは、アバランシェ耐圧が１４４０Ｖを維持している。その理由は、遷移領域に設けられた深い拡散層３ｃの影響によって、活性領域に設けられたフローティングｐ領域の電位が低い電位に固定されるためである。そして、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘが３２μｍから３６μｍまで増加する間に、徐々にアバランシェ耐圧が低下していき、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘが３６μｍを超えると、アバランシェ耐圧が１３６０Ｖ程度まで急激に低下する。したがって、素子が高い耐圧を維持するためには、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘを３６μｍ以下、好ましくは３２μｍ以下とすることが望ましい。
【００３７】
　図６は、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘと、ゲート抵抗との関係を示す特性図である。図６においては、縦軸がゲート抵抗（Ω）であり、横軸がＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ（μｍ）である。また、図６において、ターンオン特性は、コレクタ電極／エミッタ電極間電圧が６５０Ｖであり、コレクタ電流が２００Ａである。また、ジャンクション温度Ｔｊが１５０℃で、ターンオンの際に、対抗アーム側逆回復（−ｄｉ／ｄｔ）が２５００Ａ／μｓになる時のゲート抵抗を測定した。なお、−ｄｉ／ｄｔ＝２５００Ａ／μｓは、ソフトスイッチング化の指標である。
　【００３８】
　図６に示すように、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘが１５μｍ以上の場合、−ｄｉ／ｄｔ＝２５００Ａ／μｓとするために必要なゲート抵抗が１８Ω程度である。そして、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘが１５μｍから１２μｍまで低下する間に、徐々にゲート抵抗が増加して、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘが１２μｍより小さくなると、ゲート抵抗が急激に増加する。したがって、ゲート抵抗を低くして、ソフトスイッチング化を実現するためには、ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘを１２μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上とすることが望ましい。」
「【００４０】
　上述した実施の形態によれば、エミッタ電極から絶縁され、トレンチに囲まれたフローティング領域を有する活性領域の周囲に、遷移領域の設けられた半導体装置において、遷移領域に設けられたＦＬＲとなる深い拡散層の影響によって、フローティング領域の電位が低い電位に固定され、かつ半導体装置がターンオンする際に、ＦＬＲがフローティング領域に影響を及ぼさないため、本来の活性領域のみの特性を得ることができる。従って、素子の耐圧を向上し、かつソフトスイッチング化することができるという効果を奏する。」
（２−２）　また、意見書において請求人は、以下のような説明をしている。
「（２−８）理由３（６）について
　アバランシェ耐圧の低下は、フローティングｐ領域に起因しています。フローティングｐ領域と上記深いＰｗｅｌｌ領域の間隔によって変化する、フローティングｐ領域の電位によって耐圧が変動します。フローティングｐ領域の電位が低い方が高い場合と比べて、耐圧が高くなります。その理由は、トレンチ溝底部で等圧電位面が編曲し、電界が高くなり、耐圧低下となるためです。
　このように、本願の発明の詳細な説明は、当業者が新請求項１にかかる発明を実施することができる程度の明確かつ十分に記載されたものであると思量します。これにより、本理由については、解消したものと思量します。」
（２−３）　上記（２−１）によれば、本願明細書の発明の詳細な説明には、ソフトスイッチング化の指標である「対抗アーム側逆回復（−ｄｉ／ｄｔ）」を２５００Ａ／μｓとするためのゲート抵抗より、「活性領域に設けられたフローティングｐ領域３ｂを囲むトレンチ５の外端部（ＴＲＮ）」と、「遷移領域に設けられたＦＬＲとなる深い拡散層３ｃを形成する際のマスクの開口端の最も活性領域に近い部分（ＰＰＷ）」との距離である、「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」を、１２μｍ以上とすることで、ゲート抵抗を低くして、ソフトスイッチング化を実現することができる旨の記載がある。
　しかし、本願明細書の発明の詳細な説明には、「ターンオンの際」の「対抗アーム側逆回復（−ｄｉ／ｄｔ）」について、ソフトスイッチング化の指標となる値が記載されているにとどまり、「対抗アーム側逆回復（−ｄｉ／ｄｔ）」の内容を具体的に説明した記載はなく、また、「対抗アーム側逆回復（−ｄｉ／ｄｔ）」と「半導体装置がターンオンする際に、ＦＬＲがフローティング領域に影響を及ぼさないこと」との因果関係について具体的に説明した記載もないから、「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」を１２μｍ以上とすることにより、ソフトスイッチング化できる素子が得られることは、上記（２−２）の意見書における説明を考慮しても、本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは不明である。
　さらに、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願に係る発明である「半導体装置」について、構成要件の配置と「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」が記載されているにとどまり、「遷移領域に設けられた深い拡散層３ｃ」、「活性領域に設けられたフローティングｐ領域３ｄ」、及び「ｐ型ベース領域３ａ」それぞれの不純物濃度等の具体的な構成を説明した記載もない。
　そうすると、当業者が、本願明細書の発明の詳細な説明の記載から、どのようにすれば、本願に係る発明である「半導体装置」を実施できるかを見いだすためには、当該技術分野における技術常識を参酌しても、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を要するといわざるを得ない。
（２−４）　以上から、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえない。
（３）　まとめ
　以上検討したとおり、この出願は、本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
４　サポート要件（理由２）について
（１）　平成２７年１０月２６日付け手続補正書により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　第１導電型の半導体基板に設けられた活性領域と、当該活性領域を囲むように当該半導体基板に設けられた遷移領域と、更に当該遷移領域を囲むように当該半導体基板に設けられた耐圧構造領域と、を有する半導体装置において、
　前記活性領域は、１２００ＶクラスのＩＧＢＴが設けられ、
　前記半導体基板のおもて面側の表面に設けられた、不純物濃度が低い第２導電型の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の前記半導体基板側とは反対側の表面に設けられた、当該第１半導体層よりも不純物濃度が高い第１導電型の第２半導体層と、
　前記第２半導体層の前記第１半導体層側とは反対側の表面に選択的に設けられた、前記第１半導体層よりも不純物濃度が高い第２導電型の第３半導体層と、
　前記第２半導体層の表面において当該第２半導体層を貫通して、前記第１半導体層に達する複数のトレンチと、
　前記トレンチに囲まれる、前記第３半導体層が形成されていない前記第２半導体層のフローティング領域と、
　前記トレンチの内側にゲート酸化膜を介して設けられた第１電極と、
　前記第１電極の表面と、前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれた前記第２半導体層のフローティング領域を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
　前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれていない領域と前記第３半導体層とに、接するように設けられた第２電極と、
　前記半導体基板の裏面側の表面に設けられた第３電極と、
　を備え、
　前記遷移領域は、
　前記第１半導体層の表面に、第１導電型の第４半導体層を備え、当該第４半導体層は、前記遷移領域に設けられた第１導電型のベース領域に接し、かつ当該第１導電型のベース領域よりも高不純物濃度で深い領域であり、かつ、前記第２電極に接続されており、
　前記耐圧構造領域は、
　前記第４半導体層を囲み、かつ当該第４半導体層と分離したフィールドリミッティングリングとなる第１導電型の第５半導体層を備えることを特徴とする半導体装置。」
（２）　また、意見書において請求人は、以下のような説明をしている。
「（２−９）理由２（７）について
　新請求項１にかかる発明において、「フィールドリミッティングリングとなる第１導電型の第４半導体層」が「第２電極」と接続される構成について追加する補正をしました。
　また、上述のように、新請求項１にかかる発明において、旧請求項１にかかる発明の「前記フローティング領域に対向する前記トレンチの外側と、前記第４半導体層を形成する開口端との距離」に関する記載を削除しました。これにより、本理由については、解消したものと思量します。」
（３）　本願明細書の発明の詳細な説明には、本願に係る発明は、「素子の耐圧を向上し、かつソフトスイッチング化することができる半導体装置を提供することを目的とする」（【００１７】）ものであることが記載されている。
　そして、上記３（２−１）のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明には、「活性領域に設けられたフローティングｐ領域３ｂを囲むトレンチ５の外端部（ＴＲＮ）」と、「遷移領域に設けられたＦＬＲとなる深い拡散層３ｃを形成する際のマスクの開口端の最も活性領域に近い部分（ＰＰＷ）」との距離である、「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」が３６μｍ以下の場合、高いアバランシェ耐圧が維持され、「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」が３６μｍを超えると、アバランシェ耐圧が低下すること（【００３５】、【００３６】）、及び上記「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」が１２μｍ以上の場合、ゲート抵抗を低くして、ソフトスイッチング化を実現することができ、上記「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」が１２μｍより小さくなると、ゲート抵抗を低くして、ソフトスイッチング化を実現することができないこと（【００３７】、【００３８】）が記載されている。
　さらに、上記３（２−１）より、本願明細書の発明の詳細な説明には、上記「ＰＰＷ／ＴＲＮ間距離Ｘ」を１２μｍ以上３６μｍ以下とすることで、「素子の耐圧を向上し、かつソフトスイッチング化することができるという効果を奏する」（【００４０】）ことが記載されていると認められる。
　他方、上記（１）によれば、本願の特許請求の範囲の請求項１では、「活性領域に設けられたフローティングｐ領域３ｂを囲むトレンチ５の外端部（ＴＲＮ）」と、「遷移領域に設けられたＦＬＲとなる深い拡散層３ｃを形成する際のマスクの開口端の最も活性領域に近い部分（ＰＰＷ）」との距離は特定されていないから、本願の請求項１に係る発明は、上記ＰＰＷと上記ＴＲＮとの距離が任意の半導体装置を含み得ると認められる。
　そうすると、本願の請求項１に係る発明は、本願に係る発明が達成しようとする上記の目的及び効果である、「素子の耐圧を向上し、かつソフトスイッチング化する」ことを実現できない構成を含んでいると認められ、本願に係る発明における課題を解決するための手段が反映されているとはいうことはできない。
（４）　よって、本願の請求項１に係る発明は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものであることから、本願明細書の発明の詳細な説明に記載したものとはいえない。
（５）　まとめ
　以上検討したとおり、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
５　本願発明の容易想到性（理由４）について
（１）　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２７年１０月２６日付け手続補正書により補正された、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（再掲。）
 
「　【請求項１】
　第１導電型の半導体基板に設けられた活性領域と、当該活性領域を囲むように当該半導体基板に設けられた遷移領域と、更に当該遷移領域を囲むように当該半導体基板に設けられた耐圧構造領域と、を有する半導体装置において、
　前記活性領域は、１２００ＶクラスのＩＧＢＴが設けられ、
　前記半導体基板のおもて面側の表面に設けられた、不純物濃度が低い第２導電型の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の前記半導体基板側とは反対側の表面に設けられた、当該第１半導体層よりも不純物濃度が高い第１導電型の第２半導体層と、
　前記第２半導体層の前記第１半導体層側とは反対側の表面に選択的に設けられた、前記第１半導体層よりも不純物濃度が高い第２導電型の第３半導体層と、
　前記第２半導体層の表面において当該第２半導体層を貫通して、前記第１半導体層に達する複数のトレンチと、
　前記トレンチに囲まれる、前記第３半導体層が形成されていない前記第２半導体層のフローティング領域と、
　前記トレンチの内側にゲート酸化膜を介して設けられた第１電極と、
　前記第１電極の表面と、前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれた前記第２半導体層のフローティング領域を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
　前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれていない領域と前記第３半導体層とに、接するように設けられた第２電極と、
　前記半導体基板の裏面側の表面に設けられた第３電極と、
　を備え、
　前記遷移領域は、
　前記第１半導体層の表面に、第１導電型の第４半導体層を備え、当該第４半導体層は、前記遷移領域に設けられた第１導電型のベース領域に接し、かつ当該第１導電型のベース領域よりも高不純物濃度で深い領域であり、かつ、前記第２電極に接続されており、
　前記耐圧構造領域は、
　前記第４半導体層を囲み、かつ当該第４半導体層と分離したフィールドリミッティングリングとなる第１導電型の第５半導体層を備えることを特徴とする半導体装置。」
（２）　引用文献に記載された発明
（２−１）　当審拒絶理由通知に引用された、本願の出願の日前である平成１６年１２月９日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−３４９６３４号公報（以下「引用文献１」という。）には、図１、２とともに、以下の事項が記載されている。（下線は、当審において付加した。）
「【００１９】
 （第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電力用半導体装置（ＩＥＧＴのチップ）の平面レイアウトを示す図である。図２は、図１図示のＩＥＧＴのチップの周辺部を示す図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
図１及び図２図示の如く、この装置は、半導体基板（活性層）Ｓｕｂの中央部に配設された動作領域Ｒ１と、基板Ｓｕｂの周辺部に配設されて動作領域Ｒ１を包囲する接合終端領域Ｒ２とを有する。半導体基板Ｓｕｂは高抵抗のｎ型であり、これ自体が動作領域Ｒ１及び接合終端領域Ｒ２に亘るｎ型ベース層１として使用される。
【００２０】
図２図示の如く、半導体基板Ｓｕｂの下面側には、動作領域Ｒ１及び接合終端領域Ｒ２に亘って、高抵抗のｎ型ベース層１上に高不純物濃度のｐ型コレクタ層３が配設される
一方、半導体基板Ｓｕｂの上面側には、動作領域Ｒ１内において、メインセルＭＲとダミーセルＤＲとを交互に区画するように間隔をおいて複数のトレンチ４が形成される。トレンチ４は基板Ｓｕｂからｎ型ベース層１に至る深さを有する
【００２１】
メインセルＭＲ内でｎ型ベース層１上にはトレンチ４より浅いｐ型ベース層７が配設される。ｐ型ベース層７の表面内にはｎ型エミッタ層８が形成される。ダミーセルＤＲ内でｎ型ベース層１上にはトレンチ４より浅いｐ型バッファ層９が配設される。更に、メインセルＭＲ及びダミーセルＤＲを包囲するように、トレンチ４より浅いｐ型包囲バッファ層９ａが配設される
【００２２】
ｐ型コレクタ層３とコンタクトするようにこの上にコレクタ電極１１が配設される。ｐ型ベース層７及びｎ型エミッタ層８とコンタクトするようにこれ等の上にエミッタ電極１２が配設される。エミッタ電極１２とダミーセルＤＲのｐ型バッファ層９との間には、絶縁層２が配設される
【００２３】
各トレンチ４内に、ゲート絶縁膜５で包まれた状態でゲート電極６が埋め込まれる
【００２４】
動作領域Ｒ１と接合終端領域Ｒ２との間の境界部分において、半導体基板Ｓｕｂの上面内に高不純物濃度のｐ型ガードリング層１３が配設される。ｐ型ガードリング層１３はトレンチ４よりも深く、動作領域Ｒ１を包囲するように形成される。ｐ型ガードリング層１３は、その内側でメインセルＭＲ及びダミーセルＤＲを包囲する浅いｐ型包囲バッファ層９ａに電気的に接続される
【００２５】
接合終端領域Ｒ２のチップの周縁に沿って、半導体基板Ｓｕｂの上面内に高不純物濃度のｎ型外側リング層１４が配設される。ｎ型外側リング層１４とコンタクトするようにこの上にリング状のストッパ電極１５が配設される。ｎ型外側リング層１４及びストッパ電極１５は、基板Ｓｕｂの側面を介してコレクタ電極１１に導通する。ｐ型ガードリング層１３及びｎ型外側リング層１４の組み合わせにより、基板Ｓｕｂの上面側の耐圧が維持される。
【００２６】
ｐ型ガードリング層１３及びｎ型外側リング層１４との間で、半導体基板Ｓｕｂの上面内に複数の高不純物濃度のｐ型フィールドリミットリング層１６が配設される。ｐ型フィールドリミットリング層１６はトレンチ４よりも深く、動作領域Ｒ１を包囲するように形成される
【００２７】
本実施の形態において、ｐ型ガードリング層１３及びｐ型フィールドリミットリング層１６は、同一工程で形成され且つ同じ不純物濃度及び同じ深さを有する。しかし、これらの層１３、１６の不純物濃度や深さは異なっていてもよい。また、ｐ型フィールドリミットリング層１６に代え、基板Ｓｕｂの上面内に配設されたｐ型リサーフ層を使用することもできる。
【００２８】
ダミーセルＤＲのｐ型バッファ層９の上面は、絶縁層２によってエミッタ電極１２から電気的に絶縁される
【００２９】
本実施の形態において、第１及び第２隔離部は共通の壁（仕切り壁）によって形成され、これは、ダミーセルＤＲの両側でトレンチ４の端部間を橋渡し、トレンチ４と協働してダミーセルＤＲを包囲するダミーセル端部壁（仕切り壁）を具備する。このダミーセル端部壁は、半導体基板Ｓｕｂの上面内に、トレンチ４と同一工程で形成され且つ同じ深さを有するダミーセル端部トレンチ（仕切りトレンチ）２１からなる
　また、引用文献１の図１には、３つのメインセルＭＲと２つのダミーセルＤＲとが交互に配置されている様子が記載されている。
　また、引用文献１の図２には、絶縁層２がゲート電極６の上にも設けられている様子が記載されている。
（２−２）　そうすると、引用文献１には、第１の実施の形態として以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「下面側にｐ型コレクタ層３が配設された半導体基板（活性層）Ｓｕｂの中央部に配設された動作領域Ｒ１と、基板Ｓｕｂの周辺部に配設されて動作領域Ｒ１を包囲する接合終端領域Ｒ２と、動作領域Ｒ１と接合終端領域Ｒ２との間の境界部分とを有し、
　動作領域Ｒ１及び接合終端領域Ｒ２に亘るｎ型ベース層１として使用される高抵抗のｎ型の基板Ｓｕｂと、
　動作領域Ｒ１のメインセルＭＲ内においてｎ型ベース層１上に配設されたｐ型ベース層７と、
　ｐ型ベース層７の表面内に形成されたｎ型エミッタ層８と、
　動作領域Ｒ１内のｎ型ベース層１の上面側に形成され、ｎ型ベース層１に至る深さを有するトレンチ４と、トレンチ４と協働してダミーセルＤＲを包囲する、ダミーセル端部トレンチ（仕切りトレンチ）２１からなるダミーセル端部壁と、
　動作領域Ｒ１のダミーセルＤＲ内でｎ型ベース層１上に配設されたｐ型バファ層９と、
　各トレンチ４内に、ゲート絶縁膜５で包まれた状態で埋め込まれたゲート電極６と、
　ゲート電極６の上と、動作領域Ｒ１のダミーセルＤＲのｐ型バッファ層９の上面に配設された絶縁層２と、
　ｐ型ベース層７及びｎ型エミッタ層８とコンタクトするエミッタ電極１２と、
　ｎ型ベース層１の下面側に、動作領域Ｒ１及び接合終端領域Ｒ２に亘って配設されたｐ型コレクタ層３とコンタクトするようにこの上に配設されたコレクタ電極１１と、
　動作領域Ｒ１と接合終端領域Ｒ２との間の境界部分において、半導体基板Ｓｕｂの上面内に、メインセルＭＲ及びダミーセルＤＲを包囲する浅いｐ型包囲バッファ層９ａに電気的に接続され、基板Ｓｕｂからｎ型ベース層１に至る深さを有するトレンチ４よりも深く形成されたｐ型ガードリング層１３と、
　ｐ型ガードリング層１３及び動作領域Ｒ１を包囲するように配設されたｐ型フィールドリミットリング層１６と
を有し、
　３つのメインセルＭＲと２つのダミーセルＤＲとが交互に配置されている電力用半導体装置。」
（２−３）　当審拒絶理由通知に引用された、本願の出願の日前である平成１８年２月１６日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−０４９４５５号公報（以下「引用文献２」という。）には、図１ないし８とともに、以下の事項が記載されている。（下線は、当審において付加した。）
「【００１３】
　図３は、従来と本発明について、
１２００Ｖ耐圧クラスのトレンチ型絶縁ゲート半導体装置
　同様な耐圧向上の効果は、当初、第二のトレンチ構造内部の導電体をエミッタ電極に導電接続することで得られると考えた。しかしながら、この方法ではゲート−エミッタ間容量の増大に伴う、スイッチング速度の鈍化が判明した。そこで、第二のトレンチ構造内部の導電体をエミッタ電極に接続しない構造としたところ、速いスイッチング特性を保ちつつ、高い耐圧を得ることのできるトレンチ型絶縁ゲート半導体装置が得られることが分かったので発明とした。」
（３）　本願発明と引用発明との対比
（３−１）　引用発明の「ｐ型」は、本願発明の「第１導電型」に相当し、引用発明の「ｎ型」は、本願発明の「第２導電型」に相当する。
（３−２）　引用発明の「半導体基板（活性層）Ｓｕｂ」の下面側に配設されている「ｐ型コレクタ層３」は、本願発明の「第１導電型の半導体基板」に相当する。
（３−３）　引用発明の「動作領域Ｒ１」は、本願発明の「活性領域」に相当し、引用発明の「接合終端領域Ｒ２」は、本願発明の「耐圧構造領域」に相当し、引用発明の「動作領域Ｒ１と接合終端領域Ｒ２との間の境界部分」は、本願発明の「遷移領域」に相当する。
（３−４）　引用発明の「ｎ型ベース層１」は、高抵抗のｎ型の基板Ｓｕｂの一部であり、その下面側に「ｐ型コレクタ層３」が配設されていることから、本願発明の「前記半導体基板のおもて面側の表面に設けられた、不純物濃度が低い第２導電型の第１半導体層」に相当する。
（３−５）　引用発明の「動作領域Ｒ１のメインセルＭＲ内においてｎ型ベース層１上に配設されたｐ型ベース層７」は、本願発明の「前記第１半導体層の前記半導体基板側とは反対側の表面に設けられた、当該第１半導体層よりも不純物濃度が高い第１導電型の第２半導体層」と、「前記第１半導体層の前記半導体基板側とは反対側の表面に設けられた」「第１導電型の第２半導体層」である点で共通する。
（３−６）　引用発明の「ｐ型ベース層７の表面内に形成されたｎ型エミッタ層８」は、本願発明の「前記第２半導体層の前記第１半導体層側とは反対側の表面に選択的に設けられた、前記第１半導体層よりも不純物濃度が高い第２導電型の第３半導体層」と、「前記第２半導体層の前記第１半導体層側とは反対側の表面に選択的に設けられた」「第２導電型の第３半導体層」である点で共通する。
（３−７）　引用発明の「動作領域Ｒ１内のｎ型ベース層１の上面側に形成され、ｎ型ベース層１に至る深さを有するトレンチ４と、トレンチ４と協働してダミーセルＤＲを包囲する、ダミーセル端部トレンチ（仕切りトレンチ）２１からなるダミーセル端部壁」は、ダミーセルＤＲを包囲するものである。また、引用発明は、「３つのメインセルＭＲと２つのダミーセルＤＲとが交互に配置されている」ものである。
　よって、引用発明の「動作領域Ｒ１内のｎ型ベース層１の上面側に形成され、ｎ型ベース層１に至る深さを有するトレンチ４と、トレンチ４と協働してダミーセルＤＲを包囲する、ダミーセル端部トレンチ（仕切りトレンチ）２１からなるダミーセル端部壁」は、２つ存在しているものと認められることから、本願発明の「前記第２半導体層の表面において当該第２半導体層を貫通して、前記第１半導体層に達する複数のトレンチ」に相当する。
（３−８）　引用発明の「動作領域Ｒ１のダミーセルＤＲ内でｎ型ベース層１上に配設されたｐ型バッファ層９」は、下面の「ｎ型ベース層１」と、側面の「動作領域Ｒ１内のｎ型ベース層１の上面側に形成され、ｎ型ベース層１に至る深さを有するトレンチ４と、トレンチ４と協働してダミーセルＤＲを包囲する、ダミーセル端部トレンチ（仕切りトレンチ）２１からなるダミーセル端部壁」と、上面の「絶縁層２」により包囲されていることから、フローティングであると認められる。
　よって、引用発明の「動作領域Ｒ１のダミーセルＤＲ内でｎ型ベース層１上に配設されたｐ型バッファ層９」は、本願発明の「前記トレンチに囲まれる、前記第３半導体層が形成されていない前記第２半導体層のフローティング領域」に相当する。
（３−９）　引用発明の「各トレンチ４内に、ゲート絶縁膜５で包まれた状態で埋め込まれたゲート電極６」は、本願発明の「前記トレンチの内側にゲート酸化膜を介して設けられた第１電極」に相当する。
（３−１０）　引用発明の「ゲート電極６の上と、動作領域Ｒ１のダミーセルＤＲのｐ型バッファ層９の上面に配設された絶縁層２」は、本願発明の「前記第１電極の表面と、前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれた前記第２半導体層のフローティング領域を覆うように設けられた層間絶縁膜」に相当する。
（３−１１）　引用発明の「ｐ型ベース層７及びｎ型エミッタ層８とコンタクトするエミッタ電極１２」は、本願発明の「前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれていない領域と前記第３半導体層とに、接するように設けられた第２電極」に相当する。
（３−１２）　引用発明の「ｎ型ベース層１の下面側に、動作領域Ｒ１及び接合終端領域Ｒ２に亘って配設されたｐ型コレクタ層３とコンタクトするようにこの上に配設されたコレクタ電極１１」は、本願発明の「前記半導体基板の裏面側の表面に設けられた第３電極」に相当する。
（３−１３）　引用発明の「動作領域Ｒ１と接合終端領域Ｒ２との間の境界部分において、半導体基板Ｓｕｂの上面内に、メインセルＭＲ及びダミーセルＤＲを包囲する浅いｐ型包囲バッファ層９ａ」は、本願発明の「前記遷移領域に設けられた第１導電型のベース領域」に相当する。また、引用発明の「トレンチ４」は、「基板Ｓｕｂからｎ型ベース層１に至る深さを有する」ものであり、引用発明の「ｐ型ガードリング層１３」は、「トレンチ４よりも深く形成された」ものであることから、引用発明の「ｐ型ガードリング層１３」は、「ｐ型ベース層７」や「ｐ型包囲バッファ層９ａ」よりも深い構成であるといえる。よって、引用発明の「動作領域Ｒ１と接合終端領域Ｒ２との間の境界部分において、半導体基板Ｓｕｂの上面内に、メインセルＭＲ及びダミーセルＤＲを包囲する浅いｐ型包囲バッファ層９ａに電気的に接続され、基板Ｓｕｂからｎ型ベース層１に至る深さを有するトレンチ４よりも深く形成されたｐ型ガードリング層１３」は、本願発明の「前記遷移領域に設けられた第１導電型のベース領域に接し、かつ当該第１導電型のベース領域よりも高不純物濃度で深い領域であり、かつ、前記第２電極に接続されて」いる「前記第１半導体層の表面に」「備え」られている「第１導電型の第４半導体層」に相当する。
（３−１４）　引用発明の「ｐ型ガードリング層１３及び動作領域Ｒ１を包囲するように配設されたｐ型フィールドリミットリング層１６」は、本願発明の「前記第４半導体層を囲み、かつ当該第４半導体層と分離したフィールドリミッティングリングとなる第１導電型の第５半導体層」に相当する。
（３−１５）　そうすると、本願発明と引用発明とは、
 「第１導電型の半導体基板に設けられた活性領域と、当該活性領域を囲むように当該半導体基板に設けられた遷移領域と、更に当該遷移領域を囲むように当該半導体基板に設けられた耐圧構造領域と、を有する半導体装置において、
　前記活性領域は、
　前記半導体基板のおもて面側の表面に設けられた、不純物濃度が低い第２導電型の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の前記半導体基板側とは反対側の表面に設けられた第１導電型の第２半導体層と、
　前記第２半導体層の前記第１半導体層側とは反対側の表面に選択的に設けられた第２導電型の第３半導体層と、
　前記第２半導体層の表面において当該第２半導体層を貫通して、前記第１半導体層に達する複数のトレンチと、
　前記トレンチに囲まれる、前記第３半導体層が形成されていない前記第２半導体層のフローティング領域と、
　前記トレンチの内側にゲート酸化膜を介して設けられた第１電極と、
　前記第１電極の表面と、前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれた前記第２半導体層のフローティング領域を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
　前記第２半導体層の前記トレンチに囲まれていない領域と前記第３半導体層とに、接するように設けられた第２電極と、
　前記半導体基板の裏面側の表面に設けられた第３電極と、
　を備え、
　前記遷移領域は、
　前記第１半導体層の表面に、第１導電型の第４半導体層を備え、当該第４半導体層は、前記遷移領域に設けられた第１導電型のベース領域に接し、かつ当該第１導電型のベース領域よりも高不純物濃度で深い領域であり、かつ、前記第２電極に接続されており、
　前記耐圧構造領域は、
　前記第４半導体層を囲み、かつ当該第４半導体層と分離したフィールドリミッティングリングとなる第１導電型の第５半導体層を備えることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、以下の２点で相違する。
（相違点１）
　本願発明は、「活性領域」に、「１２００ＶクラスのＩＧＢＴが設けられ」ているのに対して、引用発明は、そのような規定がない点。
（相違点２）
　本願発明は、「第２半導体層」の不純物濃度及び「第３半導体層」の不純物濃度が「第１半導体層」の不純物濃度より高いのに対して、引用発明は、そのような規定がない点。
（４）　判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（４−１）　相違点１について
　１２００Ｖの素子耐圧を有するように、半導体装置を設計することは、引用文献２に記載されているように、本願の出願前より行われていたことである。
　よって、引用発明において、電力用半導体装置を１２００Ｖ耐圧クラスのものとすることは、当業者が適宜決定し得る設計事項である。
（４−２）　相違点２について
　一般に、ＩＧＢＴにおけるドリフト層（引用発明の「ｎ型ベース層１として使用される基板Ｓｕｂ」）は、高抵抗のｎ型であり、ボディ領域（引用発明の「ｐ型ベース層７」）やエミッタ領域（引用発明の「ｎ型エミッタ層８」）は、ドリフト層の不純物濃度よりも高い。
　よって、引用発明の「ｐ型ベース層７」の不純物濃度や「ｎ型エミッタ層８」の不純物濃度は、「ｎ型ベース層１」の不純物濃度より高いものと認められることから、当該相違点は実質的なものではない。また仮にそうでないとしても、引用発明において、「ｐ型ベース層７」の不純物濃度や「ｎ型エミッタ層８」の不純物濃度を、「ｎ型ベース層１」の不純物濃度より高いものとすることは、当業者であれば容易になし得たことである。
（４−３）　まとめ 
　以上検討したとおり、本願発明と引用発明との相違点は、引用文献１及び２に記載された技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の拒絶理由について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。