(57)【要約】  上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状３の凹部を有する導電性基材２上にめっきにより金属を析出させる工程及び導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材１の製造方法。導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に析出した金属のうち、導電性基材の凸部の上面に析出した金属のみを選択的に別の基材に転写する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２】
上面を有する凸部の側面の傾斜角が３０°以上である導電性基材を使用する請求項１記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３】
導電性基材が、凹部の面積比率が全体の５０％以上９７％以下である領域Ａ、並びに、その外側に配され、凹部の面積比率が全体の０％又は９７％未満である領域Ｂを有し、領域Ａにおける凹部の面積比率が領域Ｂにおける凹部の面積比率よりも大きいものである請求項１又は２記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項４】
領域Ｂにおける凹部の面積比率が全体の４０％以上９７％未満である請求項３記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項５】
領域Ａの凸部の上面と領域Ｂの凸部の上面が、少なくとも１カ所で連続している請求項３に記載の導電層パターン付き基材の製造方法。
【請求項６】
上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に形成した金属層のうち、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層のみを選択的に別の基材に転写する請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項７】
凸部の表面粗さが十点平均粗さＲｚで２以下である導電性基材を使用する請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項８】
凹部の表面粗さが十点平均粗さＲｚで３以上である導電性基材を使用する請求項６又は７に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項９】
導電性基材が、少なくとも上記凸部の上面端部付近では薄膜になるように凹部を絶縁層で被覆したものである請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１０】
絶縁層の厚さが、凸部の高さの１／２以下である請求項９に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１１】
導電性基材が、その凹部を薄膜絶縁層で被覆されているものである請求項９又は１０に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１２】
導電性基材の凸部の上面の端部での薄膜絶縁層の厚さが１０μｍ以下である請求項１１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１３】
導電性基材の凹部を被覆する薄膜絶縁層が電着塗装により形成されたものである請求項１１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１４】
さらに、形成した金属層の転写前又は転写後に形成した金属層の表面を黒化処理する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の製造方法を行った後、基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする請求項１４記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１６】
黒化処理をＶＩＩＩ族元素を含む黒色合金金属を形成した金属層の表面に析出させて行う請求項１４又は１５に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１７】
黒化処理が黒色ニッケルめっきであって、硫酸ニッケルを６０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウムを３０〜５０ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛を２０〜４０ｇ／Ｌ、チオシアン化ナトリウムを１０〜２０ｇ／Ｌを含むめっき液を使った請求項１６に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１８】
黒化処理した層の厚みが０．５μｍ〜３μｍである請求項１４に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１９】
黒化処理した層が導電性基材の上に形成した金属層と密着が良く、導電層パターン以外の部分に粉落ちが無い請求項１４に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２０】
前記黒化処理後、防錆処理工程を有する請求項１４に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２１】
別の基材が接着性を有する請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２２】
別の基材が表面に接着剤層又は粘着剤層を有する請求項２１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２３】
別の基材が、９００ｎｍ〜１１００ｎｍの近赤外領域における平均透過率が１５％以下のものである請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２４】
上記導電性基材の凸部のパターンの高さが１μｍ〜１００μｍ、幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の上面間の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２５】
上記導電性基材上にめっきにより金属を析出させる工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように金属を析出させる請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２６】
めっきに用いる金属が、２０℃における体積抵抗率で２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むものである請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２７】
導電性基材が回転体（ロール）である請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２８】
導電性基材がフープ状である請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２９】
上記凸部に形成した金属層を基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を黒化処理する工程を含む請求項１に記載の導体層パターン付きプラスチック基材の製造方法。
【請求項３０】
請求項１に記載の製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３１】
請求項１に記載の製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属を粘着性フイルムを用いて除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項３２】
請求項１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法により製造された導体層パターン付き基材。
【請求項３３】
請求項３２に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項３４】
請求項３２に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項３５】
上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の５０％以上９７％以下である領域Ａ、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の４０％以上９７％未満である領域Ｂを有し、領域Ａにおける凹部の面積比率が領域Ｂにおける凹部の面積比率よりも大きく、しかも、上記の二つの領域における凹部が少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように絶縁層で被覆されてなるめっき用導電性基材。
【請求項３６】
前記凹部の面積比率が、任意の１ｃｍ２毎の数値である請求項３５に記載のめっき用導電性基材。
【請求項３７】
前記凹部が薄膜絶縁層で被覆されてなる請求項３５に記載のめっき用導電性基材。
【請求項３８】
領域Ａ及び領域Ｂにおいて凸部のパターンが網目模様からなり、また、凹部の深さが１μｍ〜１００μｍであり、領域Ａにおいて上面の幅（ライン幅）が１μｍ〜４０μｍ、凸部上面の中心間隔（ライン間隔）が１００μｍ〜１０００μｍであり、領域Ｂにおける凸部の上面の幅（ライン幅）が１μｍ〜５００μｍ、上面の中心間隔（ライン間隔）が３μｍ〜５０００μｍであり、しかも、領域Ｂにおいて、凸部の上面の中心間隔（ライン間隔）が、凸部の上面の幅（ライン幅）の３倍以上１０倍以下である幾何学図形を有する請求項３５に記載のめっき用導電性基材。
【請求項３９】
領域Ｂに形成される幾何学図形が下記（１）乃至（７）のうち少なくとも１つの模様を含む請求項３５に記載のめっき用導電性基材。
（１）メッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様
【請求項４０】
領域Ａの凸部の上面と領域Ｂの凸部の上面が、少なくとも１カ所で連続している請求項３５に記載のめっき用導電性基材。
【請求項４１】
導電性基材をフォトリソグラフ法でエッチングすることにより凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部が形成されている請求項３５に記載のめっき用導電性基材。
【請求項４２】
請求項３５に記載のめっき用導電性基材上に、めっきにより金属層を形成した後、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写して得られる導電層パターン付き基材。
【請求項４３】
めっきにより、上記めっき用導電性基材に析出する金属が、２０℃における体積抵抗率で２０μΩ／ｃｍ以下の金属である請求項４２に記載の導電層パターン付き基材。
【請求項４４】
転写された金属の表面又は裏面の少なくとも１面に黒化処理が施されている請求項４２に記載の導電層パターン付き基材。
【請求項４５】
導電性基材の表面に光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化樹脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程、導電性基材をエッチングすることにより上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を形成する工程、少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように凹部に絶縁層を形成する工程、上記光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化樹脂を剥離する工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
【請求項４６】
光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂がエッチングレジストである請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項４７】
導電性基材をエッチングするに際し、オーバーエッチングする請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項４８】
凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、その前の凸部の高さの１／２以上である請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項４９】
導電性基材の凸部の上面の端部での絶縁層の厚さが１０μｍ以下である請求項４７に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５０】
絶縁層が薄膜絶縁層である請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５１】
導電性基材に絶縁層を形成する工程において、絶縁層を電着塗装により形成する請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５２】
上記導電性基材の凸部の高さが１μｍ〜１００μｍ、凸部上面の幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の上面の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５３】
導電性基材が回転体（ロール）又は回転体（ロール）に巻き付けられるものである請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５４】
導電性基材がフープ状である請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５５】
光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程が、フォトリソグラフ法又は印刷法によって行われる請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５６】
絶縁層を導電性基材に定着させる際に不活性ガス雰囲気下で行う請求項４５に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項５７】
不活性ガスが窒素である請求項５６に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関し、特に導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材とめっき用導電性基材の製造法、導体層パターン付き基材とめっき用導電性基材並びにそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、樹脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。【０００３】
これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、ＣＲＴやＰＤＰなどのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合においては、電磁波遮蔽用部材がなるべく薄いことが要求されるとともに、光透過性（透明性）と、これに相反する電磁波遮蔽性とをバランスよく両立させることができる電磁波遮蔽用部材が要求されている。【０００４】
このような電磁波遮蔽用部材としては、透明性基材上に金属または金属酸化物を蒸着して薄膜導電層を形成したもの（特許文献１、特許文献２参照）、金属めっきされた良導電性繊維メッシュそのものや導電性が付与された繊維メッシュを透明基材に埋め込んだ電磁波遮蔽材（特許文献３、特許文献４参照）、金属粉末等を含む導電性樹脂を透明基板上に直接印刷した電磁波遮蔽材料（特許文献５、特許文献６参照）、平面基材上に無電解めっき触媒塗料をパターン印刷した後に無電解めっきで導電層を形成したもの（特許文献７、特許文献８参照）、基材上に貼り合わせた金属層をフォトリソグラフ法でメッシュ状にエッチングして電磁波シールド層形成したもの（特許文献９参照）などが提案されている。【０００５】
しかしながら、透明性基材上に金属または金属酸化物を蒸着して導電層を形成する方法は、透明性が達成できる程度の膜厚（数１００Å〜２、０００Å）にすると導電層の表面抵抗が大きくなりすぎるため、電磁波遮蔽性が不十分であった。【０００６】
金属めっきされた繊維メッシュからなる電磁波遮蔽材や導電性が付与された繊維メッシュを透明基材に埋め込んだ電磁波遮蔽材では、電磁波遮蔽効果は十分大きいが、電磁波漏れのないように導電性繊維を規則配置させるために必要な繊維径が太すぎるため、繊維が見えてしまい（以後視認性という）ディスプレイ用途には適したものではなかった。また、導電性が付与された繊維メッシュを透明基材に埋め込んだ電磁波遮蔽材においては、その製造工程の熱ラミネート時に、繊維メッシュと樹脂板との間で意図しない歪みが生じて透視画像がゆがんだり、熱ラミネートの際にめっき層にクラックが発生して電磁波遮蔽性能が低下したりするなどの問題が生じていた。また、その製法上、導電性を付与した繊維の太さは５０μｍ程度が限界であり、細径化が難しく、より透視性を向上させたり、電磁波遮蔽シート全体の厚さを薄くしたりすることが困難であるという問題があった。【０００７】
また、金属粉末等を含む導電性樹脂を透明基板上に直接印刷した電磁波遮蔽材料の場合も同様に、印刷精度の限界からライン幅は、１００μｍ前後となり視認性が発現するため適したものではなかった。【０００８】
前記した特許文献７には、厚さが２ｍｍ程度のポリカーボネート等の透明基板上に透明樹脂層を形成し、その上に無電解めっき法により銅のメッシュパターンを形成して遮蔽部材を作製する方法が記載されるが、無電解めっきの密着力を確保するために、透明基板の表面を粗化する必要がある。この粗化手段として、一般にクロム酸や過マンガン酸などの毒性の高い酸化剤を使用しなければならず、この方法は、ＡＢＳ以外の樹脂では、満足できる粗化を行うことは困難となる。この方法により、電磁波遮蔽性と透明性は達成できたとしても、透明基板の厚さを小さくすることは困難で、薄膜化（例えば、フィルム化）の方法としては適していなかった。さらに透明基板が厚いと、ディスプレイに密着させることができないため、そこから電磁波の漏洩が大きくなる。また製造面においては、遮蔽材料を巻物等にすることができないため嵩高くなることや自動化に適していないために製造コストがかさむという欠点もあった。【０００９】
また、無電解めっきで導電層を形成する方法が、例えば、前記特許文献８に記載されているが、形成された導電層の線幅に太りや滲み等があり、特に、透視性が要求される用途に使用される電磁波遮蔽用部材においては、外観が劣るという問題があった。また、無電解めっきはコストがかさむという問題もあった。さらに、電磁波遮蔽用部材の大きさはめっきラインの大きさに依存するので、幅２ｍ程度の大きな寸法からなる電磁波遮蔽シートを製造する場合には、めっきラインに供された電磁波遮蔽シート２〜３枚を繋ぎ合わせる必要があり、そのため、繋ぎ目から電磁波がもれて遮蔽を十分に行うことができないおそれもあった。【００１０】
さらに、特許文献９に記載されるようなフォトリソグラフ法を利用して製造された電磁波遮蔽用部材は、優れた電磁波遮蔽性と透明性をも付与することができるが、それを製造する方法として、電磁波遮蔽部材毎に、エッチング工程を含むフォトリソグラフ法を適用する必要があるため、全体として工程が多くなり、コスト面に問題が残る。【００１１】
また、メッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法が記載されている（特許文献１０参照）。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。電着部は溝上になっている。この絶縁膜として、フォトレジストを用いた場合、絶縁膜の耐久性に劣り数回〜数十回しか反復使用が可能ではなく、電磁波遮蔽板の量産性に劣る。そこで、耐久性のよい絶縁膜として、二酸化珪素の膜が示されるが、これの絶縁膜は、具体例としてはスパッタリングで形成されるように、その作製において、やはり、量産性に劣る。特許文献１０には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成して上記の電着基板とする方法が記載されるが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こることを、本発明者らは確認した。【００１２】
さらに、ディスプレイから放射される電磁波を効率よく遮蔽するためには、電磁波遮蔽部材をアース接続する必要がある。このアース接続の方法としては、アースされたディスプレイの筐体に電磁波遮蔽部材の導体層を接触させる方法が一般的であり、筐体部との接続抵抗を低減させるため透光性遮蔽部の外側にベタの導体層を額縁状に形成する方式が記載されている（特許文献１１）。【００１３】
また、ＰＤＰなどのディスプレイ表示面等を電磁波遮蔽する目的で使用する電磁波シールド性透明フィルムの製造には、プラズマ発光体及び外光の反射を抑えてディスプレイ画像のコントラストを向上させることを目的に、導体層を黒化処理する工程が含まれる。その方法の一つとして特許文献１２に示されている圧延銅箔または電解銅箔を酸化処理し、その後導体層を形成する方法などが挙げられる。
【特許文献１】特開平１−２７８８００号公報
【特許文献２】特開平５−３２３１０１号公報
【特許文献３】特開平５−３２７２７４号公報
【特許文献４】特開平５−２６９９１２号公報
【特許文献５】特開昭６２−５７２９７号公報
【特許文献６】特開平２−５２４９９号公報
【特許文献７】特開平５−２８３８８９号公報
【特許文献８】特開平１１−１７０４２０号公報
【特許文献９】特開平１０−４１６８２号公報
【特許文献１０】特開平１１−２６９８０号公報
【特許文献１１】特開平１０−２９３７０号公報
【特許文献１２】特開２０００−２９４９８１号公報
【非特許文献１】「現場技術者のための実用めっき」、日本プレーティング協会編（１９８６年槇書店発行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
前記特許文献１０に記載の転写法は、前記のコスト面の問題を解決するものとして期待できる。電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製されている。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。
また、特許文献１０には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されているが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こる。さらに、生産効率を上昇させるために、金属電着する際の電流密度を増大させると、絶縁層支持体上に形成された凸状の導電性メッシュ層の発熱により、絶縁層支持体が熱溶融もしくは発火する等の問題が発生し、特に、大面積で印加する電流値が大きいほど上記課題が顕著になることを本発明者らは確認した。【００１５】
さらに、特許文献１０に記載されている電磁波遮蔽部材の作製方法で、上記額縁部を有する電磁波遮蔽部材を作製しようとする場合、電着基板のメッシュパターンの外側周縁部（額縁部に対応）に、電着部を露出させておくことが必要である。このとき、電気めっきの工程において、電着基板のメッシュ部での金属の析出速度が速く、逆に、外側周縁部での金属の析出速度が遅くなることから、メッシュ部の導体層の厚みが十分であっても、額縁部の厚みが不十分でピンホールが多発し、結果的に額縁部の抵抗が高くなったり、逆に、額縁部を十分な厚みとした場合には、メッシュ部のライン幅が太くなるという問題点があることを確認した。
これは、電気めっきの場合、導電体の突出した先端部に電気力線が集中する性質があることから、内側の微細なメッシュに電気力線が集中するために起こる現象である。例えば、めっき浴内に邪魔板などを設置して、メッシュ部と外側周縁部の電流密度を均一になるよう調整して、外側周縁部とメッシュ部の厚みを均一に形成することは可能であるが、導電性基材にかかる電流密度が、邪魔板がない場合に比較すると低減するため、生産スピードが著しく低下する。【００１６】
さらに、特許文献１０に記載されている電磁波遮蔽板の作製方法で、上記額縁部を形成した場合、接着転写した後の額縁部が割れやすいという問題点があることを確認した。めっきした金属層を接着転写する際に、転写する金属層に曲げ応力がかかるため、特にベタの金属層である額縁部層は、曲げの応力に追随できず、非常にクラックが入りやすい。さらに、転写の効率を上げるために、転写層として粘着層を用いた場合、室温でかつ低い転写圧力で転写することが可能であるが、粘着層の変形量が大きいため、額縁部にクラックが入りやすいという問題があることを、本発明者らが確認した。【００１７】
また、前記特許文献１２に示されている黒化処理方法では導体層を８０℃以上の高温で処理する必要がある。また、銅と銅の上に形成された酸化皮膜の密着性が低いため、黒化処理中もしくは処理後に酸化皮膜が銅から剥離する、いわゆる粉落ち現象が見られる。粉落ち現象の結果、開口部に酸化皮膜が付着し、電磁波遮蔽板の透光性が低下する課題がある。さらに酸化処理の場合、銅を酸化させて形成するため、導体厚が小さくなり、表面抵抗が高くなることでシールド性が低下することを本発明者らは確認した。【００１８】
本発明は、導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターンパターン付き基材を生産性よく製造する方法、その方法による製造される導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供する。【００１９】
そして、本発明は、上記の問題点を鑑み、転写法において、電着基板が繰り返しの使用に耐え、量産性に優れた方法を提供すること、又、転写法において、電着析出した金属に対し、粉落ちが少なく、効率的な黒化処理を行う方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は転写法において電着析出した金属が転写に際し電着基板から容易に剥離する方法をも提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。【００２１】
そして、本発明は、上面を有する凸部であって凸部の側面の傾斜角が３０°以上である凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。【００２２】
更に、本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の５０％以上９７％以下である領域Ａ、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の０％又は９７％未満である領域Ｂを有し、領域Ａにおける凹部の面積比率が領域Ｂにおける凹部の面積比率よりも大きい導電性基材を用いて、前記の導体層パターン付き基材の製造方法である。本発明は、また、この製造方法において、上記の導電性基材のうち領域Ｂにおける凹部の面積比率が全体の０％又は９７％未満であるもの使用する方法である。【００２３】
更に、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、前記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に形成した金属層のうち、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層のみを選択的に別の基材に転写する方法である。【００２４】
更に、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、前記導電性基材が、凸部の表面粗さが十点平均粗さＲｚで２以下である導電性基材を使用する方法である。【００２５】
更に、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、前記導電性基材が、凹部の表面粗さが十点平均粗さＲｚで３以上である導電性基材を使用する方法である。【００２６】
また、本発明ｂは、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、少なくとも上記凸部の上面端部付近では薄膜になるように凹部を絶縁層で被覆した導電性基材にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。【００２７】
さらに、本発明は、前記の導体層パターン付き基材の製造方法において、さらに、導電性基材の凸部上面に析出させた金属の転写前又は転写後に形成した金属層の表面を黒化処理する工程を含む方法である。【００２８】
そして、本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材にめっきにより金属層を形成する工程、上記導電性基材の凸部上面に形成した金属層を別の基材に転写する工程、及び形成した金属層の転写前又は転写後に形成した金属層の表面にＶＩＩＩ族元素を含む黒色合金金属を表面に析出させて黒化処理する工程を含む導体層パターン付き基材の製造方法である。【００２９】
更に、本発明は、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の５０％以上９７％以下である領域Ａ、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の４０％以上９７％未満である領域Ｂを有し、領域Ａにおける凹部の面積比率が領域Ｂにおける凹部の面積比率よりも大きく、しかも、上記の二つの領域における凹部が少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように絶縁層で被覆されてなる導電性基材である。【００３０】
また、本発明は、導電性基材の表面に光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化樹脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程、導電性基材をエッチングすることにより上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を形成する工程、少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように凹部に絶縁層を形成する工程、上記光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化樹脂を剥離する工程を含むめっき用導電性基材の製造法である。
【発明の効果】
【００３１】
本発明において、導体層パターン付き基材は、パターン状に形成した金属層を基材に転写させて得ることができるため、生産効率がよく、そのパターン状に形成した金属層には、高い光透過性（特に、金属パターンの線幅が小さく高精細）で、良導電性（高シールド性）を兼ね備えさせることができので、導体層パターン付き基材の導体層パターンも同様に高い光透過性と良導電性を有するようにできる。特に、導電性基材の凸部の上面に形成した金属層を選択的に転写することにより、この効果を確実にすることができる。【００３２】
また、基材の表面が接着性を有することにより、転写を容易に確実に行うことができる。
また、金属パターンが転写される基材に、あらかじめ、近赤外線遮蔽性を付与することにより導体層パターン付き基材に、近赤外線遮蔽性を付与することも可能である。なお、基材を透明基材とすることができる。【００３３】
本発明において、導電性基材の素材を金属とすることにより、導電性基材の凸状パターンを長寿命にでき、また、繰り返し使用に関しては、数千回〜数万回の量産レベルに十分対応可能である。さらに、導電性基材の接触によってもめっき液を汚染することがない。
これにより、繰り返しの使用において、めっき不良を防ぐことができる。【００３４】
また、導電性基材として回転体もしくは、フープ状の導電性基材を用いることにより金属パターンの作製と剥離を連続して行うことができる。これによってさらに生産効率が良くなる。特に、フープ状の導電性基材を用いた場合には、使用する導電性基材の総延長を長くすることができるため、めっき、黒化処理、転写、残金属のエッチングによる除去等を、１つの工程で行うことが可能となることから、生産効率が非常に高くなる。【００３５】
本発明において、金属を黒化処理することができる。これにより、金属の色が反映されることなく、透視性が良くなる。【００３６】
また、導電性基材の凸部の金属を転写した後、導電性基材に残存した金属は、エッチング、粘着フィルムによる除去等を、１つの連続した工程で行うことが可能となることから、生産効率が非常に高くなり、また、粘着フィルムを利用した転写除去により、残存した金属を容易に除去することができる。これにより、導電性基材の再利用の効率がよくなる。【００３７】
上記導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面に、透明基板を貼り合わせたり、透明樹脂をコーティングすることで、導体層パターンを保護することができる。別の基材の導体層転写面に予め、接着剤層を形成していた場合は、この接着剤層への異物の付着の防止効果もある。また、このとき、透明基板の貼り合わせは、接着剤層に透明基板を直接又は別の接着剤を介して加圧して貼り合わせることにより行うができる。この場合、適度な圧力により、導体層パターンが接着剤層に埋設されるので、透明性や透明基板との密着性を向上させることが可能である。【００３８】
導体層パターン付き透明基材は、これを利用して、高い光透過性（特に、導体層パターンの線幅が小さく高精細）と良導電性（高シールド性）を兼ね備える電磁波遮蔽体を容易に得ることができる。このためＰＤＰ等のディスプレイの電磁波遮蔽体として使用した場合、その輝度を高めることなく通常の状態とほぼ同様の条件下で鮮明な画像を快適に鑑賞することができる。また、その電磁波遮蔽体は電磁波遮蔽性に優れているため、ディスプレイその他の電磁波を発生したり、あるいは電磁波から保護されるべき測定装置、測定機器、製造装置等の内部を覗く窓や筐体、特に透明性を要求される窓やディスプレイ表面のような部位に設けて使用すると効果が大きい。さらに、本発明における電磁波遮蔽体の製造法は、上記の導体層パターンの製造に於けると同様、生産効率が優れる。【００３９】
本発明おいて、導電性基材の凸部上面の表面粗さを小さくすることにより、その上面に形成した金属層の平滑性をより良くすることができる。また、凹部の表面粗さを特定の大きさにすることで、選択的な転写を確実に行うことができ、凸部上面の表面粗さを小さくし、凹部の表面粗さを大きくすることにより、選択的な転写がより確実になる。【００４０】
本発明において、導電性基材の凹部に絶縁層を形成することにより、凸部の上面に選択的に金属層を形成することが可能となる。さらに、絶縁層の厚さが凸部パターンの高さの１／２以下とすることで、形成した金属層を転写する際に、絶縁層が接着剤とほとんど接触することがなくなるため、従来から課題となっていた凸状パターンの寿命を長くすることができ、また、繰り返し使用に関しては、数百回〜数千回の量産レベルに十分対応可能である。また、電着塗装で絶縁層を形成すると、金属に対する密着性、耐めっき液性が高い絶縁層が得られ、さらに皮膜も均一に形成することができる。【００４１】
本発明では、導電性基材の凸部の側面が特定のテーパ角を有するので、特に、凸部の上面に形成した金属層を選択的に転写し、それ以外の不要部分の金属（凹部に出現した金属）の転写（金属が銅の場合、簡単に「銅ふり」という）を効果的に抑制することができる。その時に使用する導体層パターン付き基材のパターン形状を最適化させることによって、導体層パターン付き基材のライン幅、ラインピッチ、ライン厚や基材からの転写性、あるいは不要部分の金属の転写の抑制などを最適化させ、かつ容易に作製することが可能である。【００４２】
本発明において、特定の導電性基材を使用することにより、その導電性基材上にパターン状に形成した金属層を別の基材に転写して導体層パターン付き基材を作製することができるので、生産効率がよく、得られた導体層パターン付き基材は、高い光透過性（特に、金属パターンの線幅が小さく高精細）で、良導電性（高シールド性）を兼ね備えさせることができるので、電磁波遮蔽部材として有用である。
本発明では、導体層パターンを囲むように接地部を配置して導体層パターン付き基材を作製することが可能である。
特に、上記の導電性基材において、領域Ａの外側に領域Ｂを形成し、凹部の面積比率を領域Ｂにおいて領域Ａにおけるより小さくすることにより、得られる導体層パターン付き基材の額縁部には、ピンホールの発生、転写時やその後の使用において割れ等の発生を確実になくすことができ、これによって、領域Ｂに形成した金属層を接地部として使用するときは、筐体との接続抵抗の上昇を抑制することが可能となる。
前記の領域Ｂに形成される幾何学図形は、種々のものが可能である。【００４３】
また、導体層パターンが転写される別の基材の表面が接着性を有することにより、転写を容易に確実に行うことができる。また、この別の基材に、あらかじめ、近赤外線遮蔽性を付与することにより導体層パターン付き基材に、近赤外線遮蔽性を付与することも可能である。【００４４】
本発明において、導電性基材の凹部に絶縁層を形成することにより、凸部の上面のみに選択的に金属層を形成することが可能となる。また、繰り返し使用に関しては、数百回〜数千回の量産レベルに十分対応可能である。【００４５】
本発明の導電性支持体の領域Ａ及び領域Ｂにおける凸部の上面が少なくとも１カ所で連続していることにより、導体層パターン付き基材の導体層が導通し、接地の効果を効率よくする。また、本発明において、導体層パターン付き基材の導体層のうち少なくとも領域Ａに相当する部分を黒化処理すると、導体層（金属）の色が反映されることなく、透視性が良くなる。【００４６】
本発明によれば、導電性基材上に凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を形成する際に、レジストでパターンを形成した後にエッチングで導電性基材にパターンを形成させる工法を取ることが出来る。さらに、レジストを剥離する前に絶縁層を形成させ、次いでレジストを剥離する。これにより、凸部上を効率的に又精度良く露出させることができる。さらに言うと、レジストを剥離した後に絶縁層を導電性支持体表面全体に形成し、次いで、凸部上面の絶縁層のみの除去使用とすると、かなり高レベルの加工精度が要求されるが、本発明ではこのよう工程を省略することができるため、めっき用導電性基材を効率よく作製することができる。また、研磨の際に絶縁層を余計に剥離し、結果として導体層パターンのライン太りやライン幅のばらつきというという問題を起こすことがないないので、精度良くめっき用導電性基材を作製できる。【００４７】
本発明において、導電性基材の凹部に絶縁層を形成することにより、凸部の上面のみに選択的に金属層を形成することが可能となる。さらに、絶縁層の厚さが凸部パターンの高さの１／２以下とすることで、析出した金属を転写する際に、絶縁層が接着剤とほとんど接触することがなくなるため、従来から課題となっていた凸状パターンの寿命を長くすることができ、また、繰り返し使用に関しては、数百回〜数千回の量産レベルに十分対応可能である。また、電着塗装で絶縁層を形成すると、金属に対する密着性、耐めっき液性が高い絶縁層が得られ、さらに皮膜も均一に形成することができる。【００４８】
そして、絶縁層を導電性基材に定着させる際に、不活性ガス雰囲気下で行うことにより絶縁層を構成する樹脂の硬化時における副反応などによる変成を防ぐことができ、より強固な絶縁層を形成することができる。このことによりめっき用導電性基材の耐久性をさらに向上させることが出来る。【００４９】
本発明によれば、生産性よく導体層パターン付き基材を作製することができる。特に、導電性基材が凹部に絶縁層を有する場合は、不要な金属めっきがなく、又転写に際し、形成した金属層の剥離も円滑に行われ、転写工程が効率よく行われる。また、本発明において導電性基材の凸部上面に選択的に形成した金属層表面を細線部、広幅部を問わず均一に粉落ちなく黒化処理することができる。これにより、導体層パターンがプラズマ表示画面からの出射光や外光の反射を抑制し、透視性及び画像のコンストラストが良くなる。黒化処理法にはＶＩＩＩ族元素、その中でもニッケルを成分の一つとして含む黒色ニッケルめっきを選択することで、導電性基材の凹部に絶縁層が形成されている場合にはその絶縁層を侵すことなく、また金属導体の表面のみに、粉落ちが発生しない黒色皮膜を形成することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図1は凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。
【図２−ａ】図２−ａは領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の一例の斜視図である。
【図２−ｂ】図２−ｂは領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の別の一例の斜視図である。
【図３−ａ】図３−ａは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。
【図３−ｂ】図３−ｂは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。
【図３−ｃ】図３−ｃは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。
【図３−ｄ】図３−ｄは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。
【図３−ｅ】図３−ｅは凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例の断面図である。
【図４】図４は領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。
【図５】図５は領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。
【図６】図６は領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。
【図７】図７は領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。
【図８】図８は領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の一例の平面図の一部である。
【図９−ａ】図９−ａは本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図の一部である。
【図９−ｂ】図９−ｂは本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図の一部である。
【図９−ｃ】図９−ｃは本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図の一部である。
【図１０】図１０は本発明によりめっき用導電性基材を作製する工程を順に示した断面図である。
【図１１−ａ】図１１−ａは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。
【図１１−ｂ】図１１−ｂは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。
【図１１−ｃ】図１１−ｃは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。
【図１１−ｄ】図１１−ｄは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。
【図１１−ｅ】図１１−ｅは凸部上面のレジストパターンと絶縁膜の形成状態を示す断面図である。
【図１２−ａ】図１２−ａは上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。
【図１２−ｂ】図１２−ｂは上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。
【図１２−ｃ】図１２−ｃは上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。
【図１３】図１３は本発明に係るめっき用導電性基材の一例を示す断面図である。
【図１４】図１４は上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部を絶縁層で埋め尽くした状態の導電性基材、すなわちめっき転写用版の断面図である。
【図１５】図１５は上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。
【図１６】図１６は上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図である。
【図１７−ａ】図１７−ａは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。
【図１７−ｂ】図１７−ｂは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。
【図１７−ｃ】図１７−ｃは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。
【図１７−ｄ】図１７−ｄは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。
【図１７−ｅ】図１７−ｅは導電性基材上にめっきを析出させた状態の断面図である。
【図１８】図１８は導電性基材の凸部上面に析出させた金属面に、接着剤を塗布した透明基材をラミネートした状態を示す断面図である。
【図１９−ａ】図１９−ａは導体層パターン付基材と金属が残存している導電性基材の断面図である。
【図１９−ｂ】図１９−ｂは導体層パターン付基材と金属が残存している導電性基材の断面図である。
【図２０】図２０は導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図である。
【図２１】図２１は導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図である。
【図２２】図２２は導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図である。
【図２３】図２３は導体層パターン付き基材の作製方法の一例を示す断面図である。
【図２４】図２４は回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図である。
【図２５】図２５はフープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図である。
【図２６】図２６はフープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の別の例の概念断面図である。
【図２７】図２７は実施例ａの特性を示す図表である。
【図２８】図２８は実施例ｂの特性を示す図表である。
【図２９】図２９は実施例ｃの特性を示す図表である。
【図３０】図３０は実施例ｄの特性を示す図表である。
【図３１】図３１は実施例ｅの特性を示す図表である。
【図３２】図３２は実施例ｆの特性を示す第１の図表である。
【図３３】図３３は実施例ｆの特性を示す第２の図表である。
【符号の説明】
【００５１】
１：めっき用導電性基材
２：凹部
３：凸部
４：領域Ｂ
５：凹部
６：凸部
７：凸部の側面
８：凸部の上面
９：凹部の底面
１０：凹部（平面形状）
１１：凸部
１２：絶縁層
１３：光硬化性樹脂層
１４：凸部の上面に形成された金属層
１５：凹部の底面に出現した金属
１６：凸部の側面に出現した金属
１７：接着剤
１８：透明基材
１９：導体層パターン付き基材
２０：別の基材（透明基材）
２１：粘着層
２２：導体層パターン付き基材
２３：黒色層
２４：黒色層
２５：他の基材
２６：保護樹脂
２７：接着剤
２８：他の基材
２９：透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤
３０：保護フィルム
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：フィルム
１０８：圧着ロール
１０９：導体層パターン付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：プラスチックフィルム基材
１３７：圧着ロール
１３８：導電層パターン付き基材
１４０〜１４３：搬送ロール
１５０：めっき槽（電解浴）又は黒化処理槽
１５１：黒化処理槽又は防錆処理槽
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
本発明者らは、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を版として、めっきにより金属層を形成して転写することで導電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターンを生産性よく製造できることを発見した。本発明に係るめっき用導電性基材の製造法は、さらに、繰り返しめっきし、剥離して使用するためのパターニングされためっき用版として、微細なパターンであっても寸法精度に優れ、繰り返し使用可能な耐久性に優れた導電性基材を容易に作製することができる。
本発明において、凸部に対して幾何学図形状の凹部が形成されている導電性基材が用いられるが、この基材に用いられる導電性材料は、その表面に電気めっきで金属層を形成する場合には、そのために十分な導電性を有するものであり、また、導電性基材は、絶縁膜を電着塗装する場合に、そのために十分な導電性を有するものである。また、導電性基材は、その表面を陽極酸化する場合に、そのために十分な導電性を有するものである。導電性基材は、金属であることが特に好ましい。また、導電性基材は、その表面にめっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層が剥離しやすいものであることが好ましい。
このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどのめっき剥離性のよい材料からなることが特に好ましい。
上記の凸部が形成されている導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。【００５３】
上記導電性基材の凸部は、導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。この凸部に対する凹部の幾何学図形（凸部によって描かれる平面形状としての凹部の幾何学図形）としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などを組合せた模様であり、これらの単位は、単独で又は２種類以上組合せて繰り返されることが可能である。【００５４】
電磁波遮蔽性の観点からは三角形が最も有効であり、可視光透過性の点からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。可視光透過性の点から開口率は５０％以上が必要とされ、導体層パターンの開口率は６０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。【００５５】
上記の導体層パターンの周縁部を接地部とし、また、上記の導体層パターンの外側周囲に接地部を設けてもよい。上記の導電性基材において、接地部に対応する部分を領域Ｂとし、その内側を領域Ａとする。導電性基材の領域Ａは、前記の導体層パターンに対応した部分に相当し、領域Ａにおける凹部の面積比率（％）は、前記の開口率に相当する。領域Ｂは、領域Ａに対応した導体層パターンと同一の又は異なる導体層パターンに対応する部分であり、また、前記凸部３の上面と同じ高さの平面部であってもよい。【００５６】
接地部とは、導体層パターン付き基材を最終的に電磁波遮蔽材としたときに前記電磁波シールド層により集電された電気を接地するための層に対応するものである。
領域Ｂにおける凸部に対する凹部の幾何学図形（凸部によって描かれる平面形状としての凹部の幾何学図形）としては、領域Ａにおけるのと同様のものを採用することができる。特に例示すれば、
（１）全体としてメッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様
などがある。【００５７】
導電性基材上に凸部に対する凹部の幾何学図形を形成する方法としては、表面が滑らかな導電性基材に対して、上記の幾何学図形からなる凹部を形成するように加工する方法が最も簡便である。
図１は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図１で例示しているのは凹部２の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材１に凹部２の幾何学図形が正方形になるように凸部３が格子状に形成されている。【００５８】
図２は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図２−ａは、領域Ｂ（符号４）を具体的に示さず領域Ｂの全体の領域を示す。図２−ｂでは、領域Ｂが具体的な格子模様となっている様子を概念的に示す。図２で例示しているのは凹部２の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材１に凹部２の幾何学図形が正方形になるように凸部３が格子状に形成されている。
さらに、凹部２及び凸部３で形成される幾何学図形の外側に、領域Ｂ（符号４）が存在し、図２−ｂでは、凸部３で形成され凹部２に体現されている幾何学図形とは異なる形状の幾何学図形を有する凹部５が凸部６によって形成されている。【００５９】
図３は、図１又は図２−ａのＡ−Ａ断面の一部を示し、図３−ａ〜図３−ｅの５種を示す。図１に対応する断面図は図３−ａであり、図３−ｂ〜図３−ｅは図３−ａの変形である。凹部２及び凸部３の断面形状は適宜決定され、凸部３の側面７が、垂直面（図３−ａの場合）、斜面（図３−ｂ、図３−ｃの場合）、曲面（図３−ｄの場合）、段階的斜面（図３−ｅの場合）等任意である。凸部３は上面８を有し、凹部２の底面９も種々の形状がある。
導電性基材に形成した凸部３の高さを、凹部２の最も窪んだ部分から凸部３の上面４までの高さと規定する。凸部３の高さは１μｍ〜１００μｍが好ましい。凸部３の高さが低いと、透明基材に凸部３の上面８に形成された金属層を転写するときに、粘着剤が導電性基材の凹部２に出現した金属又は凹部２に形成した絶縁層に接触しやすくなるため、凹部２に出現した金属又は凹部２に形成した絶縁層も同時に、透明基材に付着する恐れがあることから、凸部３の高さは５μｍ以上であることが更に好ましい。また、凸部の高さを高くすると、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなることから、凸部の高さは５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
また、凸部３の上面８の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を５０％以上とするために、凸部３の上面８の幅（ライン幅）が１μｍ〜４０μｍ、凸部上面の中心間隔（ラインピッチ）が１００μｍ〜１０００μｍであることが好ましい。転写後に得られるム（導電層パターン付き基材の非視認性、透明性，電磁波シールド性を良好なものとするためには、凸部３の上面８の幅（ライン幅）が１μｍ〜２０μｍ、凸部の中心間隔（ラインピッチ）が２５０μｍ〜５００μｍであることがさらに好ましい。
本発明において、凸部上面の中心間隔（ラインピッチ）は、パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。【００６０】
図３と同様の断面図が、領域Ｂのものであってもよい。
領域Ｂにおいて、導電性基材に形成した凸部６の高さを、凹部５の最も窪んだ部分から凸部６の上面までの高さと規定する。凸部６の高さは１μｍ〜１００μｍが好ましい。凸部６の高さが低いと、別の基材に凸部６の上面に形成された金属層を転写するときに、粘着剤が導電性基材の凹部５に出現した金属又は凹部５に形成した絶縁層に接触しやすくなるため、凹部５に形成した絶縁層も同時に、透明基材に付着する恐れがあることから、凸部６の高さは５μｍ以上であることが更に好ましい。また、凸部の高さを高くすると、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなることから、凸部の高さは５０μｍ以下であることがさらに好ましい。【００６１】
図３において、αは、凸部の側面の傾斜角（テーパ角）を示す。このテーパ角は、上面を基準にして測定する。凸部のテーパ角が３０度以上である側面は、上面からの深さにして、５μｍ以上であることが好ましく、特に７μｍ以上であることが好ましい。テーパ角は、４５度以上であることが、銅ふりを確実に減らす上で好ましい。
さらに、本方式では凸部の上面に形成された金属層のみを、選択的に透明基材に転写する必要があることから、めっきにより形成された金属層の形状が、凸部の上面では連続膜で形成され、凹部内では、非連続膜で形成されることが好ましい。凸部の上面及び凹部内に析出する金属が全て連続膜で形成されると、別の基材（粘着フィルム等）に転写する際に、粘着剤が凸部の上面に形成された金属層にのみ接触した場合であっても、凸部の上面に形成された金属層だけではなく、凹部内に出現した金属も、追随して導電性基材から剥離するため、凸部の上面に形成された金属層のみを選択的に転写することは困難である。これに対し、凹部内に出現する金属が非連続膜である場合には、別の基材に転写する際に、凹部や側部に出現した金属が凸部の上面に形成された金属層に追随して剥離することがないため、凸部の上面に形成された金属層を選択的に別の基材に転写することが可能である。
さらに、導電性基材における凸部の上面の表面粗さが低く、逆に凹部内の表面粗さが粗いことは、凹部内に出現する金属が粒状となり、非連続的に析出する傾向があるため、別の基材により凸部の上面に形成された金属層のみを選択的に転写する上で好ましい。
具体的には、凸部の上面の表面粗さは、十点平均粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４に準拠して測定する）で２．０μｍ以下であることが好ましく、Ｒｚが１．０μｍ以下であることがさらに好ましい。また、凹部内の表面粗さは、Ｒｚが２．０μｍを超えることが好ましく、Ｒｚが３．０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、凸部の上面の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を６０％以上とするために、凸部上面の幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の中心間隔が１００μｍ〜１０００μｍであることが好ましい。導体層パターン付き基材のパターン形状を最適化させることによって、導体層パターン付き基材のライン幅、ラインピッチ、ライン厚や基材からの転写性、あるいは不要部分の金属の転写の抑制などを最適化させ、かつ容易に作製するためには、凸部上面の幅は、１〜２０μｍの範囲にすることが特に好ましい。【００６２】
導電性基材上に凸部を形成させる方法としては、次のような方法をあげることができる。
（１）導電性基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）に、直接レーザ光を照射し、凹部を形成し、導電層パターンに対応した凸部を形成する方法、
（２）フォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン（レジストパターン）を形成する工程を行なった後、導電性基材をエッチングする方法、
（３）彫刻により導電性基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）を掘削する方法などがある。
導電性基材の材質が硬い場合、直接加工するには上記（１）方法（レーザ加工法）又は（２）の方法（エッチング法）などを用いることが好ましいが、銅などの柔らかく加工性に優れた材料を用いる場合は、上記（３）の方法（彫刻法）により加工することができ、このとき、さらに、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。【００６３】
図４〜８を用いて主に領域Ｂについて説明する。図４〜８は領域Ａ及び領域Ｂを含む導電性基材の平面図の一部を示す。図２−ｂにおけるように凹部５と凸部６によって形成される領域Ｂの幾何学図形は、図４〜８の５種を示す。但し、凹部の平面形状１０を黒色で、凸部上面１１を白色で示し、領域Ａはバイアス角度４５°の格子模様のみを示す。領域Ｂに形成される幾何学図形は適宜選択され、領域Ａの端にある上面が領域Ｂの上面と連続している場合（図４）、領域Ａの端にあるラインの一部が領域Ｂのラインと連続している場合（図５）、領域Ｂに形成された幾何学図形の角が丸い場合（図６）、領域Ｂに形成された幾何学図形がストライプ状である場合（図７）、領域Ｂに形成された幾何学図形が大きな矩形状である場合（図８）等任意である。【００６４】
領域Ｂに形成される凸部の幅が細すぎると、形成される導体層の幅が小さくなり、接地面積が小さくなり、接続抵抗が上昇し、電磁波シールド性の低下をもたらす傾向がある。また、逆に、領域Ｂに形成される凸部の幅が太すぎると形成された導体層の幅が大きくなり、別の基材に転写された接地面積が大きくなるため、接続抵抗は安定するが、転写された導体層に割れや、ピンホールが発生しやすくなる。【００６５】
さらに、導電性基材の上面に形成された金属層を別の基材に転写するに際し、金属層に割れが生じる場合は、転写時（導電性基材からの剥離時）における別の基材の変形（又は場合により、別の基材に積層されている接着層の変形）に金属層が追随できずに発生するものと考えられるが、領域Ｂにおいて、凹部の表面粗さを大きくしたり、凹部に絶縁層を配して凹部に金属がめっきされないようにしたりして、凹部の上面に形成された金属層を選択的に転写するようにすると、導体層パターンにおいて上記の凹部の幾何学図形に対応する幾何学図形の開口部が転写の際に発生する応力を緩和するために、割れを防止することができるものと考えられる。
また、電気めっきの場合、導電体の突出した先端部に電気力線が集中する性質がある。従って、導電性基材の内側（領域Ａ）の凹部面積の比率の大きいパターンに対し、接地部に対応する外側（領域Ｂ）に凹部面積の比率の小さいパターンが存在すると、電気力線が内側の凸部に集中するために、内側の凸部上面での金属めっきの析出速度に比べて、外側の凸部上面での金属めっきの析出速度が遅くなり、ピンホールが多数発生しやすくなると考えられる。しかし、外側の幾何学図形状の凹部に絶縁層を配すると、内側の凸部への電気力線の集中が緩和されるため、外側でのピンホールの発生を防止することができるものと考えられる。めっき浴内に邪魔板などを設置して、導電性基材の内側と外側の電流密度を均一になるよう調整して、金属めっきの厚さを内側と外側で均一に形成することは可能であるが、導電性基材にかかる電流密度が、邪魔板がない場合に比較すると低減するため、めっきスピードが低下する。【００６６】
また、領域Ｂにおける凸部上面の幅（ライン幅）をｐ、凸部の上面の中心間隔（ラインピッチ）をｑとすると、ｐが小さく、ｑが大きいほど、転写時等における金属層の割れは低減される。ｐが小さいと、接地のための外周縁部のピンホールは低減するが、ｑも小さいと開口部による粘着剤の剥離応力の緩和が十分でないため、凸部の上面の中心間隔（ラインピッチ）ｑが領域Ｂにおける凸部上面の幅（ライン幅）ｐの３倍以上である（ｑ≧３ｐ）こと、換言すれば、凹部の幅は凸部正面の幅の２倍以上であることが好ましい。また、ｐに対してｑが大きすぎると、開口部が大きくなりすぎ、筐体アースとの接続抵抗が上昇するため、凸部の上面の間隔ｑはライン幅の１０倍以下である（ｑ≦１０ｐ）こと、すなわち、凹部の幅は凸部正面の幅の９倍以下であることが好ましい。以上のことから、領域Ａの凹部の面積比率は、５０％〜９７％以下であることが好ましく、領域Ｂの面積比率は４０％〜９７％未満が好ましい。さらに、金属めっき層を転写した別の基材（導体層パターン付き基材）のメッシュの視認性、透明性を良好なものとするために、領域Ａの凹部の面積比率は、７０％〜９５％であることがさらに好ましい。また、領域Ｂでは、耐割れ性と耐ピンホールの両立を確実なものとするために，領域Ｂの凹部の面積比率は、４５％〜７０％であることがさらに好ましい。また、特に、凸部を形成させる方法として、フォトリソグラフ法を用いた場合には、凸部の交点部が直角ではなく、丸みを帯びる傾向にある。角が直角の場合には、金属めっきの割れの起点となりやすいが、角に丸みを持たせる、あるいは、開口部を円形又は曲線とすることで、転写の際に金属めっきのラインにかかる応力をより均一化できるため、割れにくくなる。【００６７】
前記エッチング法のうち、印刷法を用いる場合には、レジストパターン形成するための印刷方法としては様々な方法を用いることが出来る。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることが出来る。また、フォトリソグラフ法を用いる場合には例えば、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光、現像した後にエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後に、同様の工程を経ることも出来る。光硬化性の樹脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール・トゥ・ロールで作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましく、めっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフィルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。【００６８】
上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部への絶縁層の形成は、導電性基材の全表面に絶縁層を形成した後、研磨により凸部の上面に積層された絶縁層を除去し、凸部上面の金属面を露出させる方法により行うことができる。研磨の方法は公知のいかなる方法で行ってもよいが、バフによる研磨、バフロールや研磨紙、ベルトサンダ等を使用した一般的な機械研磨等により行うことができる。研磨用のバフが荒いと，研磨後の凸部のライン幅が著しく太くなることがあるので，＃１５００以上の極めの細かい研磨用のバフを用いることが好ましい。
上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部への絶縁層の形成は、導電性基材の全表面に絶縁層を形成した後、により凸部の上面に積層された絶縁層を除去し、凸部上面の金属面を露出させる方法により行うことができる。
凸部の上面に積層された絶縁層の除去は、研磨以外にスキージやブレード等により掻き取る方法により行ってもよい。図９は、領域Ａについて、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凹部に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図の一部を示す。図９では、図３−ｄで示す断面形状を有する導電性基材を使用している。図９−ａでは、絶縁層１２は、上面８を有する凸部３のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部２を有する導電性基材１の凹部２に均一に形成されている。但し、絶縁層１２は凸部３の上面８の端から上面８と面一になるように形成されている。このように、導電性基材を水平にしたとき絶縁層１２が上面８より上に出ていないことが特に好ましい。図９−ｂに示すように、絶縁層１２が、凹部２の底部の部分が側面７の部分より厚く形成されてもよく、さらに、図９−ｃに示すように、凸部３の上面８の端近くにおいて徐々に絶縁層１２の厚さが小さくなり、上面８と同一平面の方向で絶縁層１２の厚みが０となっていてもよい。このようにするには、図９−ａや図９−ｂの絶縁層を形成後に、上記に示したような研磨方法により加工することによって得ることができる。【００６９】
上記のように凹部に絶縁層を形成した場合、絶縁層の寿命を長くするためには、凸部３の上面８に形成された金属層を別の基材に転写する際に、別の基材（又はその表面に積層されている粘着剤若しくは接着剤）と絶縁層１２の接触を低減することが好ましい。その接触を低減するために、凸部の側面７における絶縁層の厚さは、１０μｍ以下とすることが好ましく、上面８の端において、上面８と同一平面方向で厚みが０μｍであることが特に好ましい。【００７０】
凸部３の絶縁高さを、凹部２を絶縁層１２で被覆した時の最も窪んだ部分から凸部３の上面８までの高さと定義する（これは領域Ａにおける定義であるが、領域Ｂについても同様に定義する）。このとき、凸部３の絶縁高さが、前記した導電性基材の凸部３の高さの１／２以上になるように絶縁層１２を形成することが好ましい。絶縁層１２の厚さが薄いほど、絶縁層１２と別の基材（又はその表面に積層されている粘着剤若しくは接着剤）が接触する可能性が低くなるため、凸部の絶縁高さは、凸部の高さの３／４以上になるように絶縁層１２を形成することがさらに好ましい。凸部の絶縁高さが凸部の高さの１／２より小さくなると、転写時における粘着剤の変形により絶縁層と別の基材（又はその表面に積層されている粘着剤若しくは接着剤）が接触しやすくなるため、凸部パターンの寿命が短くなる。特に、図１０に示すように凸部３の上面８と絶縁層１２が同一面又はほぼ同一面に配置されると、導電性基材１との密着性が良好な絶縁材料を用いても、繰り返しの剥離応力により、容易に絶縁層１２が導電性基材１から剥離してしまう。凸部３の絶縁高さは凸部３の高さよりも１０μｍ以上低いことが好ましい。
また、絶縁層１２の厚みは、薄いとピンホール等が発生しやすくなり、めっきに際し、この部分にも金属が出現するため、１μｍ以上であることが好ましい。
絶縁層１２の形成は、均一である方が形成しやすいため、全体として薄膜絶縁層であることが好ましく、１〜１０μｍであることが好ましい。
以上の説明は、領域Ｂにおいても同様に成り立つ。【００７１】
図１１は、めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。図１１では図３−ｄで示す断面形状を有する導電性基材を用いて例示する。導電性基材１の表面に光硬化性樹脂層７を形成する（図１１−ａ）。フォトリソグラフ法を用いて光硬化性樹脂層１３をパターン化する（図１１−ｂ）。パターン化された光硬化性樹脂層１３をエッチングレジストとして導電性基材をエッチングすることにより、に示すエッチングされた導電性基材が得られる（図１１−ｃ）。その際、エッチングレジストとしての光硬化性樹脂層１３は剥離しないで残したままにしておく。次いで、この導電性基材１の凹部２に絶縁層８を形成させる（図１１−ｄ）。このとき、導電性基材の凸部上面８にはエッチングレジストとしての光硬化性樹脂層１３が残っているので絶縁層は形成されない。しかる後にエッチングレジストのみを選択的に剥離し、導電性基材の凸部上面８以外の部分、すなわち凹部に選択的に絶縁層１２を形成させることができる（図１１−ｅ）。場合によってはレジストとしての光硬化性樹脂層１３の残渣や表面の汚れを除去するために表面を軽く研磨することも可能である。この場合凸部の上面を研削してしまわないように、導電性基材の種類によってその力は異なるので一概には言えないが、弱い力で研磨することが好ましい。また、研磨のかわりに脱脂処理剤などで薬液による処理を施すことも可能である。この場合、絶縁層がおかされないような薬液を適宜選択することができる。【００７２】
本発明において絶縁層を形成するにあたり、エッチングレジストをより有効に活用するためにはエッチングレジストパターンの幅よりもエッチング後の凸部パターン上面の幅が狭くなる、いわゆるオーバーエッチング法を行うことが好ましい（図１１−ｃ参照）。このとき、エッチングレジストパターンの幅は、良好なパターン形成又は良好なパターンの形成を容易にするという観点からは、２０μｍ以上であることが好ましい。これよりも狭い幅のパターンを形成しようとすると、エッチングレジストパターンのにじみやかすれ、断線等が発生しやすくなるからである。このような点で安全のためには、エッチングレジストパターンの幅は、３０μｍ以上にしてもよい。そこで、オーバーエッチングすることにより断線がなく、しかも、良好なより微細な導電性基材の凸部パターンを形成することができる。エッチングレジストパターンの幅は、大きすぎるとオーバーエッチングの度合いが大きくなりすぎるため、１００μｍ以下、特に５０μｍ以下であることが好ましい。エッチングレジストパターンの幅が１００μｍを超えるとオーバーエッチング後の導電性基材の凸部上面の幅を４０μｍ以下にするのは困難となる傾向がある。【００７３】
エッチングによるライン幅は元のレジストの幅とエッチング時間により調整可能である。エッチング液としては導電性金属の材質によって様々な種類があり、それぞれの金属に対してエッチング液が市販されているのでそれらを使用することができる。例えば、導電性金属がステンレスであれば、塩化第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればふっ酸系のエッチング液がよく用いられる。【００７４】
図１２−ａ〜図１２−ｃは、絶縁層８を形成させた後、エッチングレジストパターン１３を剥離する前の凸部３上面部分を拡大した断面図である。図１２−ａは、オーバーエッチング法を適用しない場合の例であり、導電性基材の凸部３の上面よりも上方でレジストパターン１３の側面にまでに絶縁層１２が析出してしまう。この場合、エッチングレジスト１３を剥離しにくくなる可能性がある。また、絶縁層１２と転写用基材の粘着剤との接触が起こりやすくなり、絶縁層１２の部分的な破壊が起こりやすくなる傾向がある。
さらに、オーバーエッチング法を適用したとしても、オーバーエッチングの程度が小さすぎたり、絶縁層１２を厚く形成しすぎると、図１２−ｂに示すように、上記と同様の現象が起こる。
エッチングレジストパターン１３の幅をｘ、エッチングで得られた凸部３上面の幅をｙとした場合、オーバーエッチングされた幅ｚは次式（１）で求められる。【００７５】
【数１】
2006068175.tif 000002
絶縁層の凸部上面の端における水平方向の厚さ（凸部の上面の端から水平方向に測定した値）をｗとした場合、オーバーエッチングの幅ｚと上記ｗの間には、次の関係式（２）が成り立っていることが好ましい。【００７６】
【数２】
2006068175.tif 000003
ｗは、ｚと同じ大きさであるか、図１２−ｃに示すように、それよりも小さいことが好ましい。【００７７】
図１１−ｅに断面で示す導電性基材を作製しようとして、図１１−ｂに示す状態の後、エッチングレジストとしての光硬化性樹脂層１３を剥離してから、絶縁層１２を形成すると、図１３に示すように、凹部２だけでなく凸部上面８にも絶縁層１２が形成されることになり、凸部上面８を露出させるには、前記したように研磨等の加工で凸部上面８に形成させた絶縁層１２のみを除去すればよい。この絶縁層１２の除去に際し、凹部２（特に凸部側面７）に形成された絶縁層１２を除去しないように注意する。その加工をするには、それなりに加工精度が要るが、上記の方法によれば、この絶縁層１２の選択的な除去の工程が不要であるため、めっき用導電性基材の作製工程数がへり、また、その作製が容易になる。
今まで、エッチングレジストとして、フォトリソグラフ法を利用した光硬化性樹脂層１３で説明したが、これを印刷法で形成した熱硬化性樹脂層又は光硬化性樹脂層でも同様であることは、言うまでもない。
導電性基材の材質として、銅のような比較的柔らかい金属を使用した場合、上記工程において、最後に凸部上面をニッケル、クロム等の硬い金属でめっきすることが好ましい。
上記の図１１による説明では、図９−ａの絶縁層を有する導電性支持体が得られるが、図９−ｂのような絶縁層が得られるように調整しても良く、図９−ｃのような絶縁層が得られるように後で加工してもよい。【００７８】
本発明で用いられる絶縁層のための絶縁材料は、金属との密着性が高く、耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めっきもしくは無電解めっきの工程では、前処理液やめっき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強い材料がさらに好ましい。このような樹脂の中では、たとえば、熱硬化性樹脂が好ましく、このような樹脂としては、リグニン樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂（アルキルフェノール樹脂を含む）、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム等が用いられ、これらは自己硬化性のものである（硬化触媒を使用してもよい）。
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものが使用できる。このようなものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤であって上記樹脂の官能基と反応性の官能基を有するものとの組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。絶縁層の形成方法としては、例えば、刷毛塗りや、スプレー塗装、さらには、ディッピングした後にスキージやブレード等で樹脂を掻き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。【００７９】
さらに、絶縁材料としては、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少ないことから、電着塗料が好ましい。
電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びアニオン型のいずれでも使用できる。ここでは、使用できる電着塗料の一例を示す。【００８０】
カチオン型電着塗料には、塩基性アミノ基をもつ樹脂のペーストを作製し、これを酸で中和、水溶化（水分散化）してなる陰極析出型の熱硬化性電着塗料が包含される。カチオン型電着塗料は前記導電性基材（被塗物）を陰極にして塗装される。
塩基性アミノ基をもつ樹脂は、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹脂、エポキシ基（またはグリシジル基）含有アクリル樹脂、アルキレングリコールのグリシジルエーテル、エポキシ化ポリブタジエンならびにノボラツクフエノール樹脂のエポキシ化物などのエポキシ基含有樹脂のエポキシ基（オキシラン環）にアミン化合物を付加したもの、塩基性アミノ基をもつ不飽和化合物（例えば、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、Ｎ−ビニルピラゾール、Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレートなど）を重合させたもの、第３級アミノ基含有グリコール（例えば、Ｎ−メチルジエタノールアミン）をグリコールの一成分とするグリコール成分とポリイソシアネート化合物との反応物、さらに、酸無水物とジアミン化合物との反応でイミノアミンが生成することによって、樹脂へアミノ基を導入したものなどがある。ここで、上記したアミン化合物としては、塩基性アミン化合物であって、脂肪族、脂環式もしくは芳香脂肪族系の第１級もしくは第２級アミン、アルカノールアミン、第３級アミン、第４級アンモニウム塩等のアミン化合物が挙げられる。これらの塩基性アミノ基を有するアミン化合物の代表例としては次のものを挙げることができる。（１）
メチルアミン、エチルアミン、n-またはiso-プロピルアミン、モノエタノールアミン、n-またはiso-プロパノールアミンなどの第１級アミン；（２） ジエチルアミン、ジエタノールアミン、ジn-またはiso-プロパノールアミン、N-メチルエタノールアミン、N-エチルエタノールアミンなどの第２級アミン；（３） エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ヒドロキシエチルアミノエチルアミン、エチルアミノエチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノエチルアミン、ジメチルアミノプロピルアミンなどのポリアミン。これらの中で水酸基を有するアルカノールアミン類が好ましく、また第１級アミノ基は予めケトンと反応させてブロツクした後、残りの活性水素でエポキシ基と反応させてもよい。さらに、上記アミン化合物以外に、アンモニア、グアニジン、ヒドロキシルアミン、ヒドラジン、ヒドロキシエチルヒドラジンなどの塩基性化合物も同様に使用できる。これらの化合物を用いて形成される塩基性基は酸、特に好ましくはギ酸、酢酸、乳酸などの水溶性有機カルボン酸でプロトン化してカチオン性基とすることができる。さらに、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、N,N-ジメチルエタノールアミン、N-メチルジエタノールアミン、N,N-ジエチルエタノールアミン、N-エチルジエタノールアミンなどの第３級アミンも使用でき、これらは酸で予めプロトン化し、エポキシ基と共に４級塩化することができる。また、アミン化合物以外に、エポキシ基と反応してカチオン性基を生成する、ジエチルスルフイド、ジフエニルスルフイド、テトラメチレンスルフイド、チオジエタノールなどのスルフイド類とホウ酸、炭酸、有機モノカルボン酸との塩をエポキシ基と反応させて第３級スルホニウム塩としてもよい。さらに、トリエチルホスフイン、フエニルジメチルホスフイン、ジフエニルメチルホスフイン、トリフエニルホスフインなどのホスフイン類と上記の如き酸との塩をエポキシ基と反応させて、第４級ホスホニウム塩としてもまた、第２級スルフイド塩、第３級ホスフイン塩も使用できる。
上記塩基性アミノ基を有する樹脂を中和し、水溶化（水分散）するための中和剤である酸としては、例えば、酢酸、ヒドロキシル酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、グリシンなどの有機酸、硫酸、塩酸、リン酸等の無機酸が使用できる。中和剤の使用量は、上記樹脂の塩基価（約２０〜２００）に対し中和当量約０．１〜０．４の範囲が適当である。
また、カチオン電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ブロツク化したポリイソシアネート化合物がよく知られているが、塗膜を加熱（約１４０℃以上）するとブロツク剤が解離して、イソシアネート基が再生し、上記の如きカチオン性樹脂中の水酸基などのイソシアネート基と反応性の基に対し架橋反応し硬化する。
さらに、カチオン型電着塗料には、顔料（着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分１００重量部あたり４０重量部以下が好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。
カチオン型電着塗料は、その固形分濃度を約５〜４０重量％となるように脱イオン水などで希釈し、ｐＨを５．５〜８．０の範囲内に調整することが好ましい。このようにして調製されたカチオン型電着塗料を用いてのカチオン電着塗料は、通常、浴温１５〜３５℃、負荷電圧１００〜４００Ｖの条件で被塗物を陰極として行なうことができる。塗膜の焼付硬化温度は一般に１００〜２００℃の範囲が適している。【００８１】
アニオン型電着塗料は、カルボキシル基を持つ樹脂をベースとし、これを塩基性化合物で中和、水溶化（水分散化）してなる陽極析出型の電着塗料が好ましく、前記導電性基材（被塗物）を陽極として塗装される。
カルボキシル基を持つ樹脂としては、乾性油（あまに油、脱水ひまし油、桐油など）に無水マレイン酸を付加したマレイン化油樹脂、ポリブタジエン（１，２−型、１，４−型など）に無水マレイン酸を付加したマレイン化ポリブタジエン、エポキシ樹脂の不飽和脂肪酸エステルに無水マレイン酸を付加した樹脂、高分子量多価アルコール（分子量約１０００以上で、エポキシ樹脂の部分エステルおよびスチレン−アリルアルコール共重合体なども含まれる）に多塩基酸（無水トリメリツト酸、マレイン化脂肪酸、マレイン化油など）を付加して得られる樹脂、カルボキシル基含有ポリエステル樹脂（脂肪酸変性したものも含む）、カルボキシル基含有アクリル樹脂、グリシジル基もしくは水酸基を含有する重合性不飽和モノマーと不飽和脂肪酸との反応生成物を用いて形成された重合体もしくは共重合体に無水マレイン酸などを付加せしめた樹脂などがあげられ、カルボキシル基の含有量が、一般に、酸価で約３０〜２００の範囲のものが適している。
これらカルボキシル基含有樹脂を、中和し、水溶（分散）化するための中和剤である塩基性化合物としては、例えば、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルアミノエタノールなどのアルカノールアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミンなどのアルキルアミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの無機アルカリなどが使用できる。これら中和剤の使用量は、上記樹脂の酸価に対する理論中和当量の約０．１〜１．０倍当量（好ましくは０．４〜０．８倍当量）の範囲が適当である。
また、アニオン型電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ヘキサキスメトキシメチルメラミン、ブトキシ化メチルメラミン、エトキシ化メチルメラミンなどの低分子量メラミン樹脂を必要に応じて使用することができる。さらに、アニオン型電着塗料には顔料（着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分１００重量部あたり４０重量部以下とすることが好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。
アニオン型電着塗料には、固形分濃度を約５〜４０重量％に脱イオン水などで調整し、ｐＨ７〜９の範囲に保ってアニオン電着塗装に供することが好ましい。アニオン電着塗装は常法に従って行うことができ、例えば、浴温１５〜３５℃、負荷電圧１００〜３５０Ｖの条件で、被塗物を陽極として実施することができる。アニオン電着塗膜は原則として１００〜２００℃、好ましくは１４０〜２００℃の範囲に加熱して硬化せしめられるが、空気乾燥性の不飽和脂肪酸で変性した樹脂を用いた場合には室温で乾燥させることもできる。【００８２】
本発明で用いられる絶縁層の材料としては、耐久性の観点からセラミックなどの無機材料を用いることもできる。
無機材料としては、ウェットコーティング法を用いる場合にはアルカリ金属、オルガノポリ金属、オルガノアルコキシ金属、アルコキシ金属、変性アセチルアセトネート金属等からなる金属酸化物系ポリマーや、無機フィラーを含有した塗料を、アルコールや水などの溶剤を加えた状態でスプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。また、金属のフッ化物錯体を用いて液層析出法（ＬＰＤ法）などにより絶縁層を形成させることもできる。
また、無機材料としてドライコーティング法で各種金属の酸化物、窒化物、炭化物を形成させることも可能である。コーティングする方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングといったＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ，熱ＣＶＤといったＣＶＤ法の他、溶射などの方法を用いて作製することができる。
絶縁材料は単体で用いても良いが、上記方法を組み合わせて二層以上の膜を形成させて用いることが好ましい。ゾルゲルなどのウェットコーティング法単体で形成させた絶縁膜などは、下地の金属との膨張係数差が大きいため、クラック等が入りやすい。そこで中間層としてドライコーティング法により膨張係数差を緩和するように金属、酸化物、窒化物、炭化物などを一層あるいは二層以上形成させることが好ましい。最表面にコーティングする層が絶縁性を有していればその下層は必ずしも絶縁性を有している必要はない。ドライコーティングで形成する膜種としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒなどの純金属やそれらの合金の他、Ａｌ２Ｏ３、ＢａＴｉＯ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＩｎＯ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＴａＯ５、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２、インジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）、アンチモンチンオキサイド（ＡＴＯ）などの金属酸化物、ＡｌＮ、ＢＮ、ＣｒＮ、Ｓｉ２Ｎ３、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＣＮなどの窒化物、Ｂ４Ｃ、ＳｉＣ、ＴｉＣなどの炭化物を用いることが出来る。また、これらの金属、金属化合物を組み合わせて用いることもできる。導電性基材が鉄系の材料の場合、窒化物や炭化物が特に導電性基材との密着性がよく好ましい。
二層以上の膜を形成させてコーティングする場合にはドライコーティングの層を積層させて絶縁膜を形成させても良いし、ドライコーティングの上にウェットコーティングで膜を形成させても良い。
特に、絶縁層として高強度で高硬度の膜を形成させたい場合には少なくともその表面をダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣ薄膜とする）のうち、絶縁性を有するものにて形成させることが好ましい。
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上して、絶縁層の耐久性をさらに向上するためには、この両者の間に、ＳｉまたはＳｉＣの薄膜からなる中間層を介挿するのが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えばステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上する効果を有している。
ＳｉまたはＳｉＣ及びＤＬＣ薄膜は、上記に記載したドライコーティング法により形成させることができる。【００８３】
本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電気めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電気めっきについてさらに説明する。例えば、電気銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電気ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電気金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電気めっき法としては、例えば、非特許文献１第８７〜５０４頁を参照することができる。
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき、クロムめっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐH調整剤、ｐH緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（EDTA）が好んで用いられる。また、ｐHは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、O−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、EDTA等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記非特許文献１の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、前記した上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凸部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法がある。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、前記したように基材の凹部に絶縁層を電着により形成する場合には、基材は導電性である必要があり、また、無電解めっきの準備として、基材上にに析出した金属を容易に剥離するための処理として、基材の無電解めっきされるべき箇所を、陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。【００８４】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ／ｃｍ）、銅（１．７２μΩ／ｃｍ）、金（２．４μΩ／ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ／ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ／ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ／ｃｍ）、鉄（９．０μΩ／ｃｍ）、クロム（１７μΩ／ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ／ｃｍであることがより好ましく、５μΩ／ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ／ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
前記した凹部に絶縁層を有する導電性基材の凸部上面にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、十分な導電性を示す（このとき電磁波シールド性が十分に発現する）ためには、０．５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。【００８５】
導電層パターン付きプラスチック基材の形成方法を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部３を形成した場合を例に、図１４〜１６を用いて説明する。
先ず、凸部３が形成された導電性基材１上にめっきを施して金属層を形成する。図１４は、導電性基材１上に金属層を形成した状態の断面図である。導電性基材１上に形成された金属層は、金属層が形成された箇所により、凸部の上面に形成された金属層１４、凹部２の底面に出現した金属１５、凸部の側面に出現した金属１６に分類される。導電性基材１に出現する金属において、めっき浴の組成、添加剤の種類、導電性基材の表面形状、凸部の高さ、電流密度等の条件により、金属１４、１５、１６、それぞれの厚みや形状を変えることが可能である。例えば、電流密度が高い方が、表面粗さの大きい面の埋め込み性が悪く粒状に析出しやすく、また、凸部の高さが高い方が、凹部に出現する金属の膜厚は薄くなる。いづれにしても、前述のような条件で金属１４のみを選択的に透明基材に転写できる限り上記めっきの条件に制限はない。めっき厚みは、十分な電磁波シールド性を発現させるために、０．５μｍ以上であることが好ましい。さらに、めっき厚みが厚すぎると、凹部２の底面に出現した金属１５、側面に出現した金属１６も生長するため、転写の際に金属１５、１６も同時に転写され、凸部の上面に形成された金属層１４のみを選択的に転写すること（選択転写性）が困難となる恐れがあることから、凸部の上面に形成された金属層１４の厚さが２０μｍ以下となるようにすることが好ましい。さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。凸部の側面及び底面の表面粗さがあることは、金属１５、金属１６がそれらの面に一面に粒状に金属が出現し、しかも、粒状の金属は不連続体とすることができるので、この場合は、金属１４のみを選択的に別の基材に容易に転写することができる。【００８６】
図１５は、図１４に示すように導電性基材１の凸部上面に形成された金属層１４の面に、接着剤１７を塗布した透明基材１８をラミネートした状態を示す断面図である。
図１６は、接着剤１７を塗布した透明基材１８を剥離して、導電性基材１の凸部の上面８に形成された金属層１４のみを、透明基材１８に接着剤１７を介して転写して作製した導体層パターン付き基材１９と、凹部２の底面及び側面に金属１５、１６が残存している導電性基材１を示す断面図である。導電性基材１に形成された金属層を透明基材に転写する際には、透明基材に接着剤（粘着剤を含む）を塗布することが好ましく、転写が容易であることから、粘着剤を塗布することがさらに好ましい。また、接着剤１７を塗布した透明基材１８を、めっきを施した導電性基材１にラミネートする場合、金属１４のみを転写する限り、接着剤１７は導電性基材１のどの部分に接触していてもよいが、金属１５及び金属１６に接触すると、金属１５及び１６も金属１４と同時に透明基材に転写されることがあるため、接着剤１７は、凸部の上面８に形成された金属層１４のみに接触することが好ましい。また、接着剤の厚さが薄すぎると、金属１４との密着性が低下し転写不良を起こすことがあり、また接着剤の厚さが厚すぎると、接着剤の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、接着剤の変形量が多くなるため、金属１５、１６に接触しやすくなることから、接着剤の厚みは、凸部の高さよりも小さいことが好ましく、接着剤が底部の金属１５に接する機会が少なくなるため、凸部の高さの半分以下であることが更に好ましい。接着剤の厚さは、１〜５０μｍが好ましく、５〜３０μｍが好ましい。【００８７】
形成された金属層１４を接着剤１７を有する透明基材１８に転写後、導電性基材１に金属１５，１６及び場合により金属１４の一部を残存させたまま繰り返しめっきする場合、導電性基材１に残存するそれらの金属が生長するため、それ以後の転写の際に良好な状態で凸部３の上面８に形成された金属層１４を転写することが困難となる。必要に応じて、転写後に導電性基材１に残存する金属を除去することが好ましい。導電性基材１に残存する金属を除去するには、残存金属をエッチングする方法が好ましい。エッチング液は、残存金属を溶解しかつ導電性基材１を腐食しない液が好ましい。例えば、めっきで出現させた金属が銅の場合には、エッチング液は、塩化第二鉄溶液、塩化銅溶液、硫酸過水、過硫酸アンモニウム溶液等が好んで用いられる。上記エッチング液は、導電性基材１がチタンの場合には使用可能であるが、ステンレスの場合には、塩化第二鉄溶液、塩化銅溶液を用いると、ステンレスが腐食されるため、使用できず、過硫酸アンモニウム等のステンレスを腐食しないエッチング液が用いられる。このように、エッチング液は、残存金属と導電性基材１の材質により適宜選択される。
他に導電性基材に残存する金属を除去する方法としては、粘着フィルムに残存金属を転写させて除去する方法が挙げられる。この場合、残存金属を除去する粘着フィルムの粘着剤の厚みは、容易に凹部内に残存する金属に接触しやすくするために、粘着層の厚さが、凸部の高さ以上であることが好ましく、凸部の高さの２倍以上の厚みを有していることがさらに好ましい。転写後に導電性基材１に金属を除去した後、再度めっきを行うことができる。【００８８】
導電層パターン付きプラスチック基材の作製方法の一例を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部３（図３−ｂ参照）を形成した場合を例に、図１７を用いて説明する。
まず、図１７−ａは、上面８を有する凸部３のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材１の凸部を有する面の全面に薄膜絶縁層１２を形成した状態を示す断面図である。薄膜絶縁層１２は、前記したように電着塗装などにより形成できる。上記の薄膜絶縁層１２のうち、凸部３の上面８のものを凸部３の上面８が露出するまで研磨する。図１７−ｂは、この状態の断面図を示す。
次に、このように凹部２に薄膜絶縁層１２を有し、凸部３の上面８が露出している導電性基材１にめっきを施して、凸部３の上面８に金属層１４を形成する。図１７−ｃは、この状態の断面図を示す。
次いで、別の基材（透明基材）２０に粘着層２１を塗布したフィルムを、導電性基材１の金属層１４が形成されている面に貼り合わせる。図１７−１ｄはこの状態の断面図を示す。透明基材２０に粘着剤を塗布して形成した粘着層２１を有するフィルムを、金属１４が析出している面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要なら加熱される。
そして、上記の別の基材２０に粘着層２１を塗布したフィルムを剥離することにより、金属１４が粘着層２１に貼り付いて導電性基材１から剥離し、すなわち、別の基材２０に転写され、導体層パターン付き基材２２を得ることとなる。この状態の断面図を図１７−ｅに示す。【００８９】
前記した凹部に絶縁層を有する導電性基材の凸部上面にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、十分な導電性を示すようにする（このとき、導体層パターン付き基材は、電磁波シールド性が十分に発現するようなる）ためには、領域Ｂにおいて０．５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成される金属層は幅方向にも広がるため、転写する金属の幅が広くなり、領域Ａに形成される導体層パターン付き基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、形成される金属層の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。【００９０】
前記した別の基材（導体層パターンが転写される基材）としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。【００９１】
本発明における別の基材は、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が７０％以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムとして使用するためには、透明であるもの（すなわち、透明基材）が好ましい。【００９２】
上記の別の基材の導体層パターンが転写される面は、転写する際に粘着性を有していることが必要である。そのためには、基材自体が必要な粘着性を有していてもよいが、転写面に粘着層を積層しておくことが好ましい。
上記の粘着層は、転写時に粘着性を有しているもの又は加熱若しくは加圧下に粘着性を示すものが好ましい。粘着性を有しているものとしては、ガラス転移温度が２０℃以下の樹脂が好ましく、ガラス転移温度が０℃以下である樹脂を用いることが最も好ましい。粘着層に用いる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂等を使用することができる。加熱時に粘着性を示す場合、そのときの温度が高すぎると、透明基材にうねりやたるみ、カール等の変形が起こることがあるので、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂のガラス転移点は８０℃以下であることが好ましい。上記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線の照射で硬化する樹脂の重量平均分子量は、５００以上のものを使用することが好ましい。分子量が５００未満では樹脂の凝集力が低すぎるために金属との密着性が低下するおそれがある。【００９３】
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステルが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。【００９４】
活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基），メタクリル基（メタクリロイル基），ビニル基，アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。【００９５】
熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。【００９６】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。【００９７】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。【００９８】
本発明で粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（以下、これらを、「粘着剤」という）には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合してもよい。【００９９】
粘着層の厚さは、薄すぎると十分な強度を得られないため、めっきで形成された金属層を転写する際に、金属が粘着層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着層の厚みは、１μｍ以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることが更に好ましい。また、粘着層の厚さが厚いと、粘着層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着層の変形量が多くなるため、薄膜絶縁層に接触する機会が増えるため、粘着層の厚みは３０μｍ以下が好ましく、薄膜絶縁層と粘着層が接触する機会を低減させることから１０μｍ以下がさらに好ましい。
別の基材に粘着剤を塗布して形成した粘着層を有するフィルムを、金属層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要ならば加熱される。【０１００】
最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層パターン（金属パターンを黒化処理したときは黒化処理された導体層パターンを意味する）のライン幅は、４０μｍ以下、ライン間隔は１００μｍ以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターン（幾何学図形）の非視認性の観点からライン幅は２５μｍ以下、可視光透過率の点からライン間隔は１２０μｍ以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので１μｍ以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は５０％以上が必要であるが、６０％以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。【０１０１】
また、本発明によって得られる導体層パターン付き基材をディスプレイ前面用途に使用する場合、可視光透過率の点から、電磁波シールド機能を担わせる部分の開口率は５０％以上が必要であるが、６０％以上がさらに好ましい。開口率が大きすぎるとライン幅が小さくなりすぎるため、開口率は９７％以下であることが好ましい。ライン間隔という観点からは、ライン間隔は１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下する傾向がある。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、１００μｍ以上が好ましく、１２０μｍ以上がさらに好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。【０１０２】
また、導体層パターンのラインの厚みは１００μｍ以下が好ましく、ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので４０μｍ以下とすることがより好ましく、１８μｍ以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上がさらに好ましい。【０１０３】
また、接地機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みは、十分な電気抵抗を確保するために、同様に０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上がさらに好ましい。さらに、電磁波シールド機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みとの差が大きいと，転写する際に段差となるために、境目の部分が転写されなかったり、折れが発生しやすくなるため、電磁波シールド機能を担わせる部分の導体層パターンのラインの厚みとの差は１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がさらに好ましい。【０１０４】
本発明における導体層パターン付き基材において、導体層パターンの開口率を高くすることができ、これにより透光性を優良にできる。導体層として、銅、銀、ニッケル等の金属を使用すると導電性が特に優れている。本発明における導体層パターン付き基材は、透光性電磁波遮蔽部材として使用することができる。【０１０５】
本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材１に形成された金属層を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターン層に樹脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。【０１０６】
また、本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として、ディスプレイ等の前面に用いる場合には、反射防止等を含む視認性確保を図るために導電層パターンは、黒化処理したものであることが好ましい。電磁波遮蔽部材はその前面が黒色であることがハイコントラストの実現及びディスプレイの電源切断時に画面が黒いこと等の要求を満たすことから好ましいとされている。
上記黒化処理としては金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な方法を用いることができる。しかし、金属層表面を化成処理で酸化し、黒化すると導体層パターンライン部に微小な黒色粉末が発生し、電磁波遮蔽部材の透過光強度が低下し、かつ色むらが生ずる。また、例えばカーボンブラック等の黒色材料を混入させた塗料をスクリーン等で印刷する印刷法では金属層のみを黒化することが困難であり、やはり電磁波遮蔽部材の透光性を損じる。よって、導電性基材の凹部に形成した絶縁性皮膜を侵すことが無く、また、めっきプロセスにより金属層及びそれ以外の部分に黒色粉末を発生させること無く、金属層表面のみを黒化処理することができる黒色ニッケルめっきが最も有効である。黒色ニッケルめっきは硫化ニッケルを主成分とする黒色合金皮膜を電着で形成するめっき法であるが、ＶＩＩＩ族元素の鉄、コバルトもいずれも硫化物としたとき黒色を呈すので用いることができる。同じＶＩＩＩ族元素の中でも硫化ニッケルは目的にかなった黒色を呈し、さらに下地金属とも良好な密着性を有する。ＶＩＩＩ族元素以外の硫化物では銀、水銀、銅、鉛などを、用いることが可能である。またスズとニッケル、スズとコバルトなどの合金めっきや黒色クロムめっきを用いても粉落ちが無く、金属層のみに良好な密着性を有する黒化処理層（黒色層）を形成することができる。これら黒化処理層を形成する工程は、導電性基材の凸部上面に金属層を形成する前後で、また別の基材に転写する前に行うこともできるし、別の基材に転写した後に行うこともできる。【０１０７】
図１８〜２０は、導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付き基材の断面図である。図１８は、導電性基材からその凸部に形成された金属層１４を、接着剤１７を介して基材１８に転写した後、金属の表面を黒化処理して得た導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の断面図である。金属１４の側面及び上面に黒色層２３を形成させた導体層パターンが接着剤１７を介して基材である透明基材１８に貼着されている。また、図１９−ａ及び図１９−ｂは、導電性支持体の凸部に形成された金属層を、その金属を転写する前に（前述の図１４の状態や図１７−ｃの状態で）黒化処理し、この後、黒化処理した金属（導体層パターン）を、接着剤１７を介して基材１８に転写して得た導体層パターン付き基材の断面図である。金属１４と黒色層２４からなる導体層パターンは、黒色層２４が接着剤１７を介して基材である透明基材１８に貼着されている。図１９−ａでは、金属１４の側面も黒化処理されているが、図１９−ｂでは金属の側面は黒化処理されていない。
以上の電磁波遮蔽部材は、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。【０１０８】
黒色ニッケルめっき層を形成するに際しては、硫酸ニッケル６０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウム３０〜５０ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛２０〜４０ｇ／Ｌ、チオシアン酸ナトリウム１０〜２０ｇ／Ｌを含有するめっき液を用いることができる。このめっき浴を用い、ｐＨ：４〜７、温度：４５〜５５°Ｃ、電流密度０．５〜３．０Ａ／ｄｍ２の条件で、ステンレスアノード又はニッケルアノード、攪拌には循環ポンプ並びにエアー攪拌を使用することにより、プラズマディスプレーパネル用として好適な黒色ニッケルめっき層を形成することができる。黒色ニッケルめっきの前処理としては下地となる金属層との密着性を高めるために適切なアルカリ脱脂、酸洗浄を行うことがより好ましい。各成分の濃度範囲を超えたところでめっきを行うとめっき液が分解しやすく、良好な黒色を得ることが困難になる。また、温度に関しても５５℃を超える温度でめっきを行うとめっき液が分解しやすくなる。逆に４５℃未満では１．０Ａ／ｄｍ２以上のめっきを行うと、製品にざらつきが生じて粉落ちしやすくなり、やはりめっき液寿命が短くなる。４５℃未満で１．０Ａ／ｄｍ２以下の電流密度でめっきを行うことは可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となり、生産性を低下させてしまう。それゆえ、上の濃度組成のめっき液を使用して短時間で黒色ニッケルめっきを行う際の温度範囲は４５〜５５℃が最適である。また、電流密度に関しては温度範囲内で０．５Ａ／ｄｍ２以下でも可能であるが、望む黒色を得るのに長時間のめっきが必要となる。３．０Ａ／ｄｍ２以上でめっきを行うとめっき液が分解しやすく、粉落ちしやすい黒色皮膜が形成される。黒色ニッケルめっきではステンレスアノードを使用した場合、めっき液寿命が短くなるので、通常ニッケルアノードを使用するのが望ましい。【０１０９】
黒色処理層の厚さに関しては０．５μｍ以下のめっきでは完全な黒色にならず、表面に虹状の色むらが発生する傾向がある。また３μｍ以上の黒色処理層を形成すると生産性が低下する上に、ライン幅が大きくなるために透過率が低下し、かつ細線部に粉落ちが発生しやすくなる。よって黒化処理層の厚みは０．５μｍ〜３．０μｍであることが望ましい。【０１１０】
黒化処理の後、さらに、防錆処理を行うことができる。防錆処理としては公知の手段としてクロメート処理、ベンゾトリアゾールなどを使用することができる。また、市販されている防錆剤を使用することもできる。また、黒化処理層つき導体層パターンを別の基材に転写した後に再度同じ方法で黒化処理層を形成する場合も同様に防錆処理を行うことが望ましい。【０１１１】
黒化処理層の色合いに関しては市販の測色計を用いてＣＩＥ標準表色系に準じて検討を行った。明度Ｌ＊が４０．００未満では、表面の金属光沢により外光及び迷光の反射率が大きくなり、画像のコンストラストが低下する。また、黒化処理層の色度｜ａ＊｜、｜ｂ＊｜が５．００以上では導体層パターンの着色が強く、色の再現性が低下する。よって黒化処理層を有する導体層パターン付きプラスチック基材の明度、色度は上の範囲を満たすことが望ましいが、例えばＬ＊＜３５．００、｜ａ＊｜＜１．００、｜ｂ＊｜＜４．００であることがより望ましい。【０１１２】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
図２０に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図２０において、基材（別の基材）２０に積層されている粘着層２１に金属１４からなる導体層パターンが埋設され、粘着層２１及び金属１４が他の基材２５により覆われている。これは、基材（別の基材）２０に粘着剤２１を介して接着されている金属１４からなる導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面を、適度な圧力で他の基材２５に圧着する方法により作製することができる。この場合、粘着層２１が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより金属１４を粘着層２１に埋設する。この電磁波遮蔽体では、粘着層２１と他の基材２５が直接接触し、良好な密着性が得られる。また、基材（別の基材）２０や基材（他の基材）２５は、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性も高い電磁波遮蔽体を得ることができる。
図２１に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。
基材（別の基材）２０に積層されている粘着層２１上に金属１４からなる導体層パターンが貼り付いており、この上を透明な保護樹脂２６で被覆している。【０１１３】
図２２は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図２１の電磁波遮蔽部材が、基材（別の基材）２０の導体層パターンがある面とは反対の面で、接着剤２７を介して他の基材２８に貼り合わされたものである。
図２３は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図２３において、基材（別の基材）２０に粘着層２１を介して金属１４からなる導体層パターンが接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤２９により被覆され、さらにその上に保護フィルム３０が積層されている。基材２０のもう一方の面には接着層２７を介してガラス板等の他の基材２８が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材（別の基材）２０に粘着剤２１を介して接着されている導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面を、透明樹脂２９によりコーティングし、さらに保護フィルム３０を積層し、ついで、得られた積層物の基材２０のもう一方の面（何も積層されていない面）に接着剤を塗布して接着層２７を形成し、これを他の基材２８に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂２９としては、前記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。【０１１４】
また、本発明で用いられる導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。【０１１５】
回転体を用いて、電気めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図２４を用いて説明する。図２４は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電気めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。【０１１６】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の凸部の上面に析出した金属１０６に、粘着層を形成したフィルム１０７の粘着層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属１０６を剥離しつつ粘着層を形成したフィルム１０７にその金属１０６を転写し、導体層パターン付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材１０８を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凸部とそれにより描かれている幾何学図形状の凹部が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凸部の上面に析出した金属１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。【０１１７】
さらに、本発明で用いられる導電性基材として、フープ状の導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に凸部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。
フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。【０１１８】
フープ状の導電性基材を用いて、電気めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図２５を用いて説明する。図２５は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電気めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。【０１１９】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂処理、酸処理、エッチング処理等による導電性基材に残存していた金属を取り除くための処理を行う。その後、めっき槽（電解浴）１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前になんらかの前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６を導電性基材１１０の凸部の上面に析出した金属が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写して、導電層パターン付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる導電層パターン付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材１３６を圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。【０１２０】
フープ状の導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を製造する別の例を図２６を用いて説明する。図２６は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電気めっきにより析出させながら剥離する別の例を示す装置の概念図である。【０１２１】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１１６、１４０〜１４３、１２７及び１２８を通して設置する。まず、前処理槽１２９（例えば、転写後に導電性基材１１０に残存金属がある場合その残存金属を除去するためのエッチング槽）を通過させ、さらに必要に応じて水洗する（図示省略）。その後、２個のめっき槽（電解浴）１３０、１５０で、導電性基材上に金属を析出させる。この後に、黒化処理槽１５１を設置して、析出した金属の表面を黒化してもよい。さらに、防錆処理槽等を設けても良い（図示せず）。
これらの槽は、１個のめっき槽（電解浴）１３０、黒化処理槽１５０、防錆処理槽１５１としてもよい。
これらの各槽の間には、水洗槽や前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６、圧着ロール１３７を利用して、導電性基材１１０の凸部の上面に析出した金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写し、導電層パターン付き基材１３８を連続的に製造する点は前記図２５におけると同様である。【０１２２】
本発明における導体層パターン付き基材を遮蔽体として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材１に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターン層に樹脂をコーティングする際に用いられるカバーフィルムに、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。【０１２３】
また、本発明は、上記のようなめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。【０１２４】
本発明において絶縁層を導電性基材に定着させるとは、絶縁層にあたる樹脂を硬化させることを指す。この工程は一般に硬化あるいは焼き付け工程と呼ばれている。
また、本発明において不活性ガスとは薄膜絶縁層を形成する樹脂成分と反応しないガスのことを指す。一般に不活性ガスとはネオンやアルゴンといった反応性のない気体を指すことが多いが、本発明においてはそれらに限定することなく、薄膜絶縁層と反応性のない気体、例えば窒素などを含むものとする。入手のしやすさ、価格、環境への配慮などの点から窒素を用いることが好ましい。
電着塗料を例に挙げて説明する。電着塗料を導電性基材に塗布した後に、表面に付着した水分や溶剤等を低温で乾燥させる仮硬化あるいは仮乾燥と呼ばれる工程がある。この時点では水分や溶剤を乾燥させるだけなので樹脂は完全に硬化されず、このときの雰囲気は不活性ガス雰囲気下でなくても良い。次に樹脂を完全に硬化させる目的で高温にて樹脂を反応させる。紫外線硬化型の電着塗料であれば高温で焼き付けるかわりに紫外線を照射する。このとき、電着塗料は樹脂中の反応活性な官能基が反応するため、反応性に富み副反応などが起きやすい。代表的な例が空気中の酸素との反応による酸化反応であり、特に高温で長時間処理して完全に樹脂を硬化させようとしたときに酸化反応により樹脂が劣化しやすい傾向にある。このような副反応を防ぐため不活性ガス雰囲気下で硬化あるいは焼き付けをすることが重要である。
これら不活性ガスの濃度は、硬化炉の大きさと硬化する絶縁層の面積の比によって多少変わることがあるが、一般的には全体の雰囲気に対して体積比で９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることがさらに好ましく、９９％以上であることが最も好ましい。【０１２５】
下記の実施例及び比較例において、ライン幅、ピッチ、開口率は顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚み及び銅箔部厚みは得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。可視光透過率はダブルビーム分光光度計（２００−１０型、株式会社日立製作所製）を用いて、４００〜７００ｎｍの透過率を測定し、その平均値を求めた。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。電磁波遮蔽性（シールド性）はアドバンテスト法を用い、周波数３００ＭＨｚで測定した。導電性基材の耐久性はめっき及び剥離を繰り返した後の導電性基材を直接拡大鏡で観察して確認した。８５０〜１１００ｎｍ平均透過率は、ダブルビーム分光光度計（２００−１０型、株式会社日立製作所製）を用いて、８５０〜１１００ｎｍの透過率を測定し、その平均値を求めた。
【実施例１】
【０１２６】
［実施例ａ１］
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が３０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストフィルムを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が２０μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム溶液を用いて、ＳＵＳ板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅２０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さ（十点平均粗さ、以下同じ）Ｒｚ＝０．３μｍであったのに対し、凹部内の表面粗さＲｚ＝４．２μｍであった。
次いで、格子模様状のパターンが形成されたステンレス板（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、ステンレス板の凸部の上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部内には粒径３μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。【０１２７】
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマ（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック製）を厚さ１０μｍに順次塗布して粘着フィルムを作製した。【０１２８】
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記ステンレス板の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。この時、ＳＵＳ板の凸部上面に形成された銅層が、粘着フィルムの粘着剤層に０．５μｍ程度だけ埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅２０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍの金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。【０１２９】
上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムをアルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック）を５倍希釈した水溶液に室温で３分間浸漬した。次いで、水洗後、１０％硝酸水溶液に室温で２分間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液に浸漬し、金属パターンを黒化処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。【０１３０】
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、その上からポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた。【０１３１】
粘着フィルムに銅を転写した後、凸部パターンを形成したステンレス板を、４０℃に加熱した１００ｇ／リットルの過硫酸アンモニウム溶液中に浸漬し、凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する銅を溶解した。
【実施例２】
【０１３２】
［実施例ａ２］
ＳＵＳ板に形成される凸部のライン幅が１０μｍになるまでエッチングしたこと以外は、実施例１と同様にして、ＳＵＳ板上に格子模様状のパターン（ライン幅１０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ３０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．３μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝５．５μｍであった。
次いで、格子模様状にエッチングされたステンレス板（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１５０ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）５０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきした。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径１μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。【０１３３】
次いで、銅めっきを析出させたＳＵＳ板を、８０℃に加温した下記組成の黒化処理液ａ１に３分間浸漬して、ステンレス板に析出した銅めっきを黒化処理した。
（黒化処理液ａ１）
亜塩素酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び三リン酸ナトリウム５ｇ／Ｌが溶解された水溶液。【０１３４】
厚さ１００μｍのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライトＦＳ−１３００、住友ベークライト株式会社製）の表面にプライマ（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を乾燥塗布厚が１μｍになるように塗布し、ついで、接着層としてポリエステル樹脂（バイロンＵＲ−１４００（Ｔｇ＝約８０℃）、東洋紡績株式会社製）を乾燥塗布厚が１０μｍとなるように順次塗布して接着性フィルムを作製した。
上記接着フィルムの接着剤面と、上記ステンレス板の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。接着剤のＴｇを超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。上記のラミネート後、ＳＵＳ板の凸部上面に形成された黒化処理された銅層は、接着フィルムの接着剤層に１μｍ程度だけ埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた接着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写した。これに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅１０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚３μｍで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。【０１３５】
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ａ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂を介してでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する銅の溶解は、実施例ａ１と同様に行った。
【実施例３】
【０１３６】
［実施例ａ３］
ＳＵＳ３０４箔（竹内金属箔粉（株）製、厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡績（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製した接着フィルムをプレスで貼り合わせた。プレス条件は、１３０℃のホットプレスで、圧力４ＭＰａとし、３０分間プレスした。なお、圧力をかけたまま２５℃まで冷却した後、サンプルを取り出した。上記で得られたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を、実施例ａ１と同様の条件で、凸部の幅が１５μｍとなるまでエッチングし、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。
ＳＵＳ箔に形成された凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．４μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝５．１μｍであった。
次いで、格子模様状のパターンが形成されたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきした。
ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径０．３μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。【０１３７】
次いで、銅めっきを析出させたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を、アルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック）を５倍希釈した水溶液に室温で３分間浸漬した。次いで、水洗後、１０％硝酸水溶液に室温で１０秒間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液に１分間浸漬し、ＰＥＴ付きＳＵＳ箔に析出した銅めっきを黒化処理した。【０１３８】
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着面に樹脂組成物１を乾燥塗布厚が５μｍとなるように塗布して、粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ａ１）
ＡＳ−４０６（一方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ）１００重量部、及びテトラドＸ（三菱ガス化学株式会社製、硬化剤）２重量部を含む組成物。【０１３９】
この粘着フィルムと黒化処理された銅メッキが積層された上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔とを前者の粘着剤面と後者の黒化処理された銅メッキが施された面があわさるように、実施例１と同様にして貼り合わせた。この時、ＳＵＳ箔の凸部上面に形成された黒化処理された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に０．５μｍ程度だけ埋没した。次いで、ステンレス箔に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅１５μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１μｍで、黒化処理の施された金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成したＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凹部と側部に残存する銅の溶解除去は、実施例ａ１と同様に行った。【０１４０】
上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面（銅めっきを転写した面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
【実施例４】
【０１４１】
［実施例ａ４］
ＳＵＳ３０４箔の代わりに電解Ｎｉ箔（福田金属（株）製、厚さ３５μｍ）を用いたこと以外は実施例ａ３と同様に行って、ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔を作製し、Ｎｉ箔に格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。
Ｎｉ箔に形成された凸部の上面の表面粗さＲｚ＝１．４μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝３．９μｍであった。まず、転写時におけるＮｉ箔と電気銅めっきの剥離性を向上するため、Ｎｉの陽極酸化によってＮｉ表面に酸化皮膜を形成した。陽極酸化は、１０％水酸化ナトリウム水溶液中で、Ｎｉ箔を陽極に、ＳＵＳ板を陰極として、両極に１Ｖの電圧をかけて３０秒間処理した。
次いで、格子模様状にエッチングされたＰＥＴフィルム付きＮｉ箔（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１０μｍになるまでめっきした。
ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径０．８μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。【０１４２】
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する樹脂組成物ａ２を乾燥後の厚みが２０μｍになるように塗布して接着性フィルムを作製した。
（樹脂組成物ａ２）
ＢＲ−８０（三菱レーヨン株式会社製、ＰＭＭＡ）１００重量部、及びＩＲＧ−０２２（日本化薬株式会社製、ジイモニウム塩系赤外線吸収剤）３．３重量部を、トルエン６０重量部とメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３００重量部の混合溶媒に溶解した組成物。【０１４３】
次いで、離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン（株）製）の離型処理面に樹脂組成物ａ３を、乾燥塗布厚が８μｍとなるように塗布した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムの樹脂組成物ａ２を塗布した面に、樹脂組成物ａ３を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ａ３）
ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（長瀬ケムテック株式会社製、アクリルポリマ）１００重量部、及びコロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）３重量部をトルエン１００重量部と酢酸エチル３００重量部の混合溶媒に溶解した組成物。【０１４４】
近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの粘着剤面と、上記ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の銅メッキを施した面を、実施例ａ１と同様にして貼り合わせた。この時、Ｎｉ箔の凸部上面に形成された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に０．１μｍ程度だけ埋没した。次いで、Ｎｉ箔に貼り合わせた近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを剥離すると、上記ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、Ｎｉ箔に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。
このようにして、ライン幅１５μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１０μｍの金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成したＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の凹部内に残存する銅の溶解除去は、実施例ａ１と同様に行った。【０１４５】
次いで、得られた導体層パターン付き粘着フィルムを実施例ａ１と同様にして、黒化処理した。さらに、黒化処理後、上記の導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、紫外線硬化型樹脂（ヒタロイド７８５１、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）をラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、導体層パターンを樹脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、３ｍｍ厚のＰＭＭＡ板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例５】
【０１４６】
［実施例ａ５］
実施例ａ３と同様にして、銅めっき及び黒化処理を施したＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。さらに、厚さ１００μｍのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライトＦＳ−１３００、住友ベークライト株式会社製）の表面に下記の樹脂組成物ａ４を乾燥後の厚みが１３μｍとなるように塗布して接着フィルムを得た。乾燥条件は、９０℃で５分間とした。
（樹脂組成物ａ４）
ＹＤ−８１２５（東都化成株式会社製、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂）１００重量部、及びＩＰＤＩ（日立化成工業株式会社製、マスクイソホロンジイソシアネート）１０重量部が、メチルエチルケトン３３０重量部及びシクロヘキサノン１５重量部の混合溶媒に溶解させられた樹脂溶液。【０１４７】
得られた接着フィルムと実施例ａ３で得た凸部上に黒化処理した金属パターンを有するＰＥＴフィルム付きステンレス箔を、ラミネータで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、圧力３ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。空冷後剥離すると、接着剤表面に、ステンレス板の凸部の上面に存在する黒化処理された金属が選択的に転写され、ライン幅１５μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚１μｍの導体層パターンが接着フィルム上に形成された。
転写後のステンレス板は実施例ａ１と同様にされ、その表面に残存する銅が除去された。【０１４８】
上記得られた導体層パターンを有する接着フィルムを１５０℃で６０分間処理して接着剤を硬化させ、導体層パターン付き基材を得た。上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ａ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する銅の溶解は、実施例ａ１と同様に行った。これに、離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）の離型処理面に、樹脂組成物ａ３を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布したフィルムを、上記導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面とは反対の面に貼り合わせた。離型ＰＥＴを剥離してから、３ｍｍ厚のＰＭＭＡ板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例６】
【０１４９】
［実施例ａ６］
レジストフィルム（フォテックＬＦ−１５１５、日立化成工業株式会社製）１０ｃｍ□の銅板（厚さ２ｍｍ）に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が３０μｍ、ラインピッチが２００μｍ、バイアス角度が３０°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせた銅板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、銅板の上にライン幅３０μｍ、ラインピッチ２００μｍ、バイアス角度３０°のレジストフィルムを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液を用いて、銅板をエッチングした。エッチングは、銅板のライン幅が２５μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム溶液を用いて、銅板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅２５μｍ、ラインピッチ２００μｍ、凸部の高さ１１μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．５μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝３．５μｍであった。【０１５０】
次いで、格子模様状のパターンが形成された銅板の表面に０．３μｍの厚さとなるように、クロム層をスパッタリングで形成させた。クロム層を設けることにより、その上に施した銅めっきが剥離しやすくなる。このクロムをスパッタリングした銅板を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、トップルチナＨ−３８０（奥野製薬工業株式会社製、添加剤）２．５ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、上記のクロム層が形成された銅板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、クロム層を形成した銅板の凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきした。クロム層を形成した銅板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径１μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。さらに、銅がめっきされたクロム層が形成されている銅板を黒化処理液１に浸漬し、８０℃１分間処理して、銅を黒化処理した。粘着層の厚みを５μｍとしたこと以外は実施例ａ１と同様の粘着フィルムに黒化処理された銅を転写し、ライン幅２５μｍ、ラインピッチ２００μｍ、導体厚３μｍの導体層パターン付き基材を作製した。さらに、転写後のクロム層が形成されている銅板は実施例ａ１と同様にされ、その表面に残存する銅が除去された。【０１５１】
上記で得られた導体層パターン付き基材と厚さ２ｍｍのガラス板を、その基材の導体層パターンが形成されている面がそのガラス板に接触するようにして、温度３０℃、圧力２．０ＭＰａでラミネートし、貼り合わせた。導体層パターンが粘着剤に埋まりこみ、透明性の高い電磁波遮蔽部材が得られた。
【実施例７】
【０１５２】
［実施例ａ７］
直径１５０ｍｍのステンレスロールに、実施例ａ１と同様の方法で格子模様状のパターン（ライン幅２０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．３μｍであったのに対し、凹部内の表面粗さＲｚ＝４．２μｍであった。次いで、加工したステンレスロールを陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。電流密度を４０Ａ／ｄｍ２として、両極に電圧をかけて凸部の上面に析出する金属の厚みが５μｍ厚になるまでめっきした。ステンレスロールの凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部内には粒径３μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。【０１５３】
実施例ａ１で用いた粘着フィルムをロール状で作製し、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅と粘着フィルムの粘着剤面を実施例ａ１と同様のラミネート条件で貼り合わせた。この時、ステンレスロールの凸部上面に形成された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に０．５μｍ程度だけ埋没した。次いで、ステンレスロールに貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部内に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅２０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍの導体層パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。さらに、導体層パターンを転写した粘着フィルム（導体層パターン付き基材）に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら、ロール状に巻き取った。さらに、転写後、同一ラインで実施例ａ１と同様に、ステンレスロールの凹部内に残存する銅をエッチング除去してから、再びステンレスロールに銅めっきを施した。このようにして、銅めっき、粘着剤への転写、残存銅のエッチングの３つの工程をロールからロールへ連続的に行った。【０１５４】
上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムを実施例ａ１と同様に黒化処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
【実施例８】
【０１５５】
［実施例ａ８］
ロール状のＳＵＳ３０４箔（厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡績（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。次いで、実施例ａ７と同様にロールからロールへ連続的に行ったこと以外は、実施例ａ３と同様にして、上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をエッチングし、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を長尺で形成した。ＳＵＳ箔に形成された凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．４μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝５．１μｍであった。さらに、上記で得られたロールに巻き取られている、格子模様状のパターンが形成されたＳＵＳ箔を用いて、図２６に示すような装置に通紙した。つなぎ目は、マイラーテープで貼り合わせて、フープ状導電性基材とした。【０１５６】
まず初めに、上記で得られたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（フープ状導電性基材）にエッチング槽（図２６−１２９）通過させた後、フープ状導電性基材を陰極として、それを電解銅めっき用の電解浴（（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）に続けて２個（図２６−１３０、１５０）通し、それぞれ含燐銅を陽極として電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきした。ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径０．３μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。水洗後、実施例ａ１と同様の黒化処理を黒化処理槽（図２６−１５１）で行った後、黒化処理された金属は、接着槽を有するＰＥＴフィルム１３６に連続的に転写された。転写後、ＳＵＳ箔の凹部、側部に残存する銅を、エッチング槽（図２６−１２９）（１００ｇ／ｌ過硫酸アンモニウム水溶液、液温４０℃）で除去した。ロール状の状態から巻きだした実施例ａ３で用いた粘着フィルム（図２６−１３６）に連続的に導体層が転写され、ライン幅１５μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１μｍで、黒化処理の施された導体層パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された導体層パターン付き粘着フィルム（図２６−１３８）が得られた。上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、銅めっき、黒化処理、転写、残銅除去の工程を、１ラインで行うことができた。【０１５７】
上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面（銅めっきを転写した面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。【０１５８】
［比較例ａ１］
ステンレス（ＳＵＳ３０４）板にドライフィルムフォトレジスト（ＨＹ−９２０（日立化成工業（株）製、厚み２０μｍ）をロール温度１００℃、線圧０．３ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで貼り合わせた。次に、光不透過部のライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍのネガパターンを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板上に静置し、１００ｍＪ／ｃｍ２の条件でネガパターンの上からＵＶ照射した。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像して、ＳＵＳ板の上に幅３０μｍの溝を有するレジストフィルムを形成した。次いで、１５０℃で１時間の条件で加熱硬化させた。【０１５９】
次に、上記レジストを形成したＳＵＳ板を陰極として電解銅めっき用の電解浴〔硫酸銅（５水塩）１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、トップルチナＨ−３８０（奥野製薬工業株式会社製、添加剤）（これは何ですか？）２．５ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃〕中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を３Ａ／ｄｍ２として、レジストの溝が完全に埋まるように、２０μｍ厚でめっきした。
次いで、実施例ａ１と同様にして、めっきされた金属を粘着フィルムに転写した。【０１６０】
上記のめっきと転写の操作を３回行ったところ、粘着フィルムへの転写不良が発生した。顕微鏡で観察したところ、レジストが一部ＳＵＳから剥離しており、剥離したレジストの下に金属が析出しているため、金属が溝から抜けずに転写不良が発生していることを確認した。【０１６１】
以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（３００ＭＨｚ）、パターンを有する導電性基材の３０回めっき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図２７に示す。【０１６２】
導電性基材上に樹脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、パターン状にめっきされた金属を、例えば粘着フィルムに転写する際に、粘着層がパターンを形成する絶縁物と接するため、金属パターンを転写した粘着フィルムを剥離する度に、絶縁物に剥離応力がかかる。さらに、パターン状に絶縁物が形成されているため、絶縁物のＳＵＳへの接触面積が非常に微小であるため、パターン状にめっき→転写の工程を、数回〜数百回程度繰り返し使用することは可能であるが、数千回〜数万回の量産レベルでは、絶縁物が導電性基材から剥離してしまい転写不良が発生するなど、パターンの寿命が短い。
さらに、導電性基材上に樹脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、パターンを形成する樹脂や、導体層を導電性基材から剥離するために用いる粘着フィルムの剥離残渣等の有機物が、めっき液を汚染するため、めっき液の寿命が短くなり、めっきの析出不良が発生しやすくなる。
【実施例９】
【０１６３】
［実施例ｂ１］
以下、実施例９（以下「実施例ｂ１」ともいう。実施例１５まで同様。）を説明する。
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が３０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が２０μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム溶液を用いて、ＳＵＳ板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅２０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成し、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。【０１６４】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、１９０℃２５分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．５μｍであった。
さらに、電着塗装したステンレス板を、研磨粉（アルミナ液Ｂ０．０５μｍ、リファインテック（株）製）と研磨布（ＣＯＮＳＵＭＡＢＬＥＳ、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＧＭＢＨ製）を用いて凸部の上面部分を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは２．５μｍ（ただし、上面の平面方向に測る）、凹部にける電着塗膜の厚さは２．５μｍであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。【０１６５】
（銅めっき）
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。【０１６６】
（粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマ（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック製）を厚さ１０μｍに順次塗布して粘着フィルムを作製した。【０１６７】
（転写）
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅２８μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚さ５μｍの金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後の導電性基材を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はなかった。【０１６８】
（黒化処理）
上記で得られた導体層パターン付き基材をアルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック）を５倍希釈した水溶液に室温で３分間浸漬し、次いで、水洗後、１０％硝酸水溶液に室温で２分間浸漬し、さらに、水洗後、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液に浸漬して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を得た。【０１６９】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。【０１７０】
（繰り返し使用）
次いで、上記の導電性基材を用いて、（銅めっき）の工程、（転写）の工程及び（黒化処理）の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例１０】
【０１７１】
［実施例ｂ２］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ＳＵＳ板に形成される凸部のライン幅が７μｍになるまでエッチングしたこと以外は、実施例ｂ１と同様にして、ＳＵＳ板上に格子模様状のパターン（ライン幅７μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ３０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成して、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。【０１７２】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製）中で、１０Ｖ６０秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、１８０℃３０分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．６μｍであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（Ｔｙｐｅ０．１Ｒ、Ｂａｉｋａｌｏｘ者製）と研磨布（ＣＯＮＳＵＭＡＢＬＥＳ、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＧＭＢＨ製）を用いて凸部の上面部分を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは２．６μｍであった。ただし、凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは０．２μｍ（上面の平面方向に測る）であった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであったこの導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。【０１７３】
（銅めっき−黒化処理）
さらに、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１５０ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）５０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきした。
次いで、導電性基材の凸部上面に析出させた銅めっきに、実施例ｂ１と同様の条件で黒化処理を施した。【０１７４】
（接着フィルムの作製）
次いで、厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）に下記樹脂組成物ｂ１を乾燥塗布厚が５μｍとなるように塗布して、接着フィルムを作製した。
樹脂組成物ｂ１の組成
バイロンＵＲ−１３５０（東洋紡績株式会社製、ポリエステル樹脂）    １００重量部
コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）      ３重量部【０１７５】
（転写−黒化処理）
次いで、上記で得た接着フィルムの接着剤面と、上記導電性基材の銅めっき及び黒化処理を施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．３ｍ／ｍｉｎとした。接着剤のガラス転移点（Ｔｇ）を超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。次いで、導電性基材から接着フィルムを剥離すると、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が接着剤表面に転写された。このようにして、ライン幅１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚３μｍで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。【０１７６】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ｂ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。【０１７７】
（繰り返し使用）
上記の導電性基材を用いて、（銅めっき−黒化処理）の工程及び（転写−黒化処理）の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例１１】
【０１７８】
［実施例ｂ３］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ステンレス（ＳＵＳ３０４  仕上げＨ  竹内金属箔粉（株）製、厚さ１００μｍ）を用いて、凸部のライン幅が１５μｍとなるまでエッチングした以外は、実施例ｂ１と同様の条件で行い、格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成して、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。【０１７９】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料（ＵＣ−２０００、（株）シミズ製）中で、３０Ｖ６０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、３Ｊ／ｃｍ２の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、３．９μｍであった。さらに電着塗装したステンレス板を、＃４０００の研磨紙で研磨し、この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは３．９μｍであった。ただし、凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは０．５μｍ（上面の平面方向に測る）であった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。【０１８０】
（銅めっき−黒化処理）
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきした。
めっき後、実施例ｂ１と同様の工程で銅めっき上に黒化処理を行った。【０１８１】
（粘着フィルムの作製）
次いで、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着面に下記の樹脂組成物２を乾燥塗布厚が１５μｍとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｂ２の組成）
ＡＳ−４０６（一方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ）    １００重量部
テトラドＸ（三菱ガス化学株式会社製、硬化剤）                    ２重量部【０１８２】
（転写−黒化処理）
上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材に銅めっき及び黒化処理した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅（黒化処理されたもの）が粘着フィルムの接着剤表面に転写されていた。このようにして、ライン幅１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚１μｍで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。【０１８３】
（電磁波遮蔽体の作製）
上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面（導体層パターンを有する面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。【０１８４】
（繰り返し使用）
上記の導電性基材を用いて、（銅めっき−黒化処理）の工程、（転写−黒化処理）の工程を上記と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例１２】
【０１８５】
［実施例ｂ４］
（近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する樹脂組成物３を乾燥後の厚みが１０μｍになるように塗布して、近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｂ３の組成）
ＢＲ−８０（三菱レーヨン株式会社製、ＰＭＭＡ）                    １００重量部
ＩＲＧ−０２２（日本化薬株式会社製、ジイモニウム塩系赤外線吸収剤）３．３重量部
ＩＲ−１２（日本触媒株式会社製、フタロシアニン系赤外線吸収剤）    １．５重量部
トルエン                                                            ６０重量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                      ３００重量部
次いで、離型ＰＥＴフィルム（Ｓ−３２、帝人デュポン（株）製）の離型処理面に樹脂組成物４を、乾燥塗布厚が８μｍとなるように塗布した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムの樹脂を塗布した面に、樹脂組成物４を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｂ４の組成）
ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（長瀬ケムテック株式会社製、アクリルポリマ）  １００重量部
コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）      ３重量部
トルエン                                                          １００重量部
酢酸エチル                                                        ３００重量部【０１８６】
（導体層パターン付き基材等の作製）
粘着フィルムとして、上記で得た近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルム（ただし、離型ＰＥＴフィルムを剥がして使用）を用いたこと以外は、全て実施例ｂ１と同様にして、導体層パターン付き基材及び導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を製造した。【０１８７】
（電磁波遮蔽体の作製）
上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に紫外線硬化型樹脂（ヒタロイド７８５１、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）をラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、導体層パターンを樹脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、３ｍｍ厚のＰＭＭＡ板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。【０１８８】
（繰り返し使用）
上記の導体層パターン付き基材を作製するときに使用した絶縁膜を有する導電性基材を用いて、（銅めっき−黒化処理）の工程、（転写−黒化処理）の工程を実施例ｂ２と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例１３】
【０１８９】
［実施例ｂ５］
前記実施例ｂ２の（接着フィルムの作製）において、樹脂組成物ｂ１の乾燥塗布厚を１０μｍとしたこと以外は、実施例ｂ２と同様に行い、導体層パターン付き基材を製造した。
さらに、この導体層パターン付き基材を、８０℃に加温した下記の黒化処理液に３分間浸漬して、導体層を黒化処理して表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を製造した。
（黒化処理液の組成）
亜塩素酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び三リン酸ナトリウム５ｇ／Ｌが溶解された水溶液。
上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を用いて、実施例ｂ４の（電磁波遮蔽体の作製）と同様にして電磁波遮蔽部材を得た。
さらに、前記の導体層パターン付き基材を作製するときに使用した絶縁膜を有する導電性基材を用いて、（銅めっき）の工程、（転写）の工程及び（黒化処理）の工程を実施例ｂ２と同様にして１００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例１４】
【０１９０】
［実施例ｂ６］
ロール・トゥ・ロールでの連続生産を目的として、直径１５０ｍｍ、幅２００ｍｍのステンレス製ロールの表面に、実施例ｂ１と同様の方法を適用して格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅２０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。次いで、上記のステンレス製のロールを陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス製のロールに電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、１９０℃２５分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．５μｍであった。
さらに、上記で電着塗装を施したステンレス製のロールの表面を、やはり実施例ｂ１と同様の方法を適用して表面研磨して、凸部の上面を露出させた。このようにして作製された凹部が絶縁層で覆われたステンレス製のロールを用いて、図２４に示した装置構成で電気銅めっきした。陽極１０２には酸化イリジウムでコーティングしたチタン製の不溶性電極を用い、陰極には上記ステンレス製のロール１０３をドラム電極とした。電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、図２４に示すように、ステンレス製ロール１０３の半分を浸した。電流密度を４０Ａ／ｄｍ２として、両極に電圧をかけて凸部の上面に析出する銅の厚みが５μｍ厚になるまでめっきした。このとき。上記のステンレスロールを１ｍ／分の速度で回転させるようにした。【０１９１】
実施例ｂ１で用いた粘着フィルムをロール状に巻き取り使用した。上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅と粘着フィルム（１０７）の粘着剤面を実施例ｂ１と同様のラミネート条件で、図２４に示すように粘着フィルムを上記のステンレスロール１０３と圧着ロール１０８の間を通して連続的に貼り合わせた。次いで、ステンレスロール１０３から粘着フィルム（１０７）を剥離しながら、導体層パターン（銅層）が転写された粘着フィルム、すなわち、導体層パターン付き基材（１０９）をロールに巻き取った。ステンレスロールから粘着フィルムを剥離すると、ライン幅２８μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍの導体層パターンが粘着フィルム上に転写されていた。導体層パターン付き基材（１０９）の導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら巻き取ることにより、巻取り時のブロッキングを防止した。このようにして、粘着フィルムについては、ロールから押し出し、導体層パターンを転写後はロールに巻き取る、いわゆる、ロール・トゥ・ロールで連続的に行った。銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。【０１９２】
上記で得られた導体層パターンが転写されたロール状の粘着フィルムの離型ＰＥＴを剥離しながら、実施例ｂ１で用いた前処理液及び黒化処理液にロール・トゥ・ロールで浸漬し黒化処理して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を製造した。なお、巻取り時には、再度離型ＰＥＴを粘着剤面にラミネートした。得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、保護膜を形成した。
【実施例１５】
【０１９３】
［実施例ｂ７］
ロール状に巻いたＳＵＳ３０４箔（日新製鋼（株）製、仕上げ３／４Ｈ、幅２００ｍｍ、厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡績（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。次いで、ロールｔｏロールで行うこと以外は、実施例ｂ３と同様の条件にして、上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をエッチングし、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。次いで、エッチングしたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を長さ１ｍで切断した後、上記のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料（ＵＣ−２０００、（株）シミズ製）中で、３０Ｖ６０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、３Ｊ／ｃｍ２の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、３．９μｍであった。さらに電着塗装したステンレス板を、＃４０００の研磨紙で研磨し凸部の上面のみ、導電性基材を露出させた。同様の作業でＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を１０枚電着塗装し、研磨した。次いで、幅２００ｍｍ、長さ１０ｍの粘着フィルム（ＳＧＡ、日立化成工業（株）製）の粘着剤面に、上記で作製した１０枚のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔のＰＥＴフィルム面を、隙間無く貼り合わせて、長さ１０ｍの格子模様パターンを有するＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を得た。次いで、図２６に示すような装置に、表面研磨した上記格子模様パターンを有するＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を通紙した。つなぎ目は、市販のガムテープを用いて貼り合わせて、フープ状の導電性支持体とした。【０１９４】
まず初めに、上記で得られたロール状の格子模様パターンを陰極として電解銅めっき用の１個の電解浴（（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）（図２６−１３０）で、含燐銅を陽極として電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきした。水洗後、実施例ｂ１と同様の黒化処理を黒化処理層（図２６−１５０；この例では黒化処理槽とした）で行い、さらに、防錆処理槽（図２６−１５１；この例では防錆処理槽とした）を通した後、ロール状の状態から巻きだした実施例ｂ３で用いた粘着フィルム（プラスチック基材、図２６−１３６）にロール１３７を用いて、ライン幅１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１μｍで、黒化処理の施された導体層パターンが粘着フィルム上に連続的に転写され、導体層パターン付き基材１３８が得られた。なお、導体層パターン付き基材１３８をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。このようにして、銅めっき、黒化処理及び転写の工程を、１ラインで行うことができた。上記導体層パターン付き基材３３を５０ｍ巻き取った後も、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
上記において、本例では、エッチング槽１２９は省略した。【０１９５】
上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面（銅めっきを転写した面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。【０１９６】
［比較例ｂ１］
ステンレス（ＳＵＳ３０４）板にドライフィルムフォトレジスト（ＨＹ−９２０（日立化成工業（株）製、厚み２０μｍ）をロール温度１００℃、線圧０．３ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで貼り合わせた。次に、光不透過部のライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍのネガパターンを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板上に静置し、１００ｍＪ／ｃｍ２の条件でネガパターンの上からＵＶ照射した。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像して、ＳＵＳ板の上に幅３０μｍの溝を有するレジストフィルムを形成した。次いで、１５０℃で１時間の条件で加熱硬化させた。【０１９７】
次に、上記レジストを形成したＳＵＳ板を陰極として電解銅めっき用の電解浴〔硫酸銅（５水塩）１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、トップルチナＨ−３８０（奥野製薬工業株式会社製、添加剤）２．５ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃〕中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を３Ａ／ｄｍ２として、レジストの溝が完全に埋まるようにめっきした。
一方、粘着フィルムとしては、実施例ｂ１で作製したものを使用した。
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記ＳＵＳ板の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記ＳＵＳ板のレジストの溝に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。
上記のメッキと転写の操作を３回繰り返したところで、粘着フィルムへの転写不良が発生した。転写不良の部分に対応するＳＵＳ板の部分を顕微鏡で観察したところ、レジストが一部ＳＵＳから剥離しており、剥離したレジストの下に金属が析出しているため、金属が溝から抜けずに転写不良が発生していることを確認した。【０１９８】
［比較例ｂ２］
実施例ｂ１で、電着塗装の条件を１５０Ｖ１０秒としたこと以外は、実施例ｂ１と同様に行った。電着塗料の厚みは、２５μｍであった。凸部の上面の導電性金属を露出させるまで電着塗装の表面を研磨した結果、図１０に示すように、凸部パターンの凹部が絶縁層で完全に埋まった形状をしていた。次いで実施例ｂ１と同様にして銅めっきを行い、粘着フィルム上に銅めっきを転写した。（銅めっき−黒化処理）の工程と（転写−黒化処理）の工程を７回繰り返すと、絶縁膜の一部が剥離しており、８回目のめっきを行うと、絶縁膜が剥離した箇所に銅が析出した。粘着フィルムに銅めっきを転写した結果、絶縁膜が剥離した箇所の銅めっきが転写しなかった。【０１９９】
以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（３００ＭＨｚ）、パターンを有する導電性基材の３０回めっき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図２８に示す。
【実施例１６】
【０２００】
［実施例ｃ１］
以下、実施例１６（以下「実施例ｃ１」ともいう。実施例２３まで同様。）を説明する。
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ□のステンレス（ＳＵＳ３０４）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が３０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストフィルムを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が２０μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム溶液を用いて、ＳＵＳ板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅２０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、テーパ角６０°凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．３μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝４．２μｍであった。
次いで、格子模様状のパターンが形成されたステンレス板（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、ステンレス板の凸部の上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は３０μｍとなった。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。【０２０１】
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマ（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック製）を厚さ１０μｍに順次塗布して粘着フィルムを作製した。【０２０２】
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記ステンレス板の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。この時、ＳＵＳ板の凸部上面の銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写した。このようにして、ライン幅２０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍの金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。【０２０３】
上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムをアルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック）を５倍希釈した水溶液に室温で３分間浸漬した。次いで、水洗後、１０％硝酸水溶液に室温で２分間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液に浸漬し、金属パターンを黒化処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。【０２０４】
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、その上からポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた。【０２０５】
一方、凸部パターンを形成したステンレス板は、粘着フィルムに銅を転写した後、４０℃に加熱した１００ｇ／リットルの過硫酸アンモニウム溶液中に浸漬し、凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に少量残存した銅を溶解した。
【実施例１７】
【０２０６】
［実施例ｃ２］
ＳＵＳ板に形成される凸部のライン幅１０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ３０μｍ、テーパ角が３５°になるまでエッチングしたこと以外は、実施例ｃ１と同様にして、ＳＵＳ板上に格子模様状のパターン（凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。
凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．３μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝５．５μｍであった。
次いで、格子模様状にエッチングされたステンレス板（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１５０ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）５０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は１６μｍとなった。ステンレス板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。【０２０７】
次いで、銅めっきを析出させたＳＵＳ板を、８０℃に加温した下記組成の黒化処理液に３分間浸漬して、ステンレス板に析出した銅めっきを黒化処理した。
（黒化処理液ｃ１）
亜塩素酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び三リン酸ナトリウム５ｇ／Ｌが溶解された水溶液。【０２０８】
厚さ１００μｍのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライトＦＳ−１３００、住友ベークライト株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を乾燥塗布厚が１μｍになるように塗布し、ついで、接着層としてポリエステル樹脂（バイロンＵＲ−１４００（Ｔｇ＝約８０℃）、東洋紡績株式会社製）を乾燥塗布厚が１０μｍとなるように順次塗布して接着性フィルムを作製した。
上記接着フィルムの接着剤面と、上記ステンレス板の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。接着剤のＴｇを超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。上記のラミネート後、ＳＵＳ板の凸部上面の黒化処理された銅層は、接着フィルムの接着剤層に一部分埋没した。次いで、ステンレス板に貼り合わせた接着フィルムを剥離すると、上記ステンレス板の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写した。これに対し、凹部及び側部に析出した少量の銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、ライン幅１６μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚３μｍで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。【０２０９】
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ｃ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂を介してでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する少量の銅は、実施例ｃ１と同様にして溶解した。
【実施例１８】
【０２１０】
［実施例ｃ３］
ＳＵＳ３０４箔（竹内金属箔粉（株）製、厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡績（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製した接着フィルムをプレスで貼り合わせた。プレス条件は、１３０℃のホットプレスで、圧力４ＭＰａとし、３０分間プレスした。なお、圧力をかけたまま２５℃まで冷却した後、サンプルを取り出した。上記で得られたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を、実施例ｃ１と同様にして、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、テーパ角７０°凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。
ＳＵＳ箔に形成された凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．４μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝５．１μｍであった。
次いで、格子模様状のパターンが形成されたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は１７μｍとなった。
ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。【０２１１】
次いで、銅めっきを析出させたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を、アルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック）を５倍希釈した水溶液に室温で３分間浸漬した。次いで、水洗後、１０％硝酸水溶液に室温で１０秒間浸漬した。さらに、水洗後、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液に１分間浸漬し、ＰＥＴ付きＳＵＳ箔に析出した銅めっきを黒化処理した。【０２１２】
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着面に樹脂組成物１を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して、粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｃ１）
ＡＳ−４０６（一方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ）  １００重量部
テトラドＸ（三菱ガス化学株式会社製、硬化剤）                    ２重量部
を含む組成物。【０２１３】
この粘着フィルムと黒化処理された銅メッキが積層された上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔とを前者の粘着剤面と後者の黒化処理された銅メッキが施された面があわさるように、実施例ｃ１と同様にして貼り合わせた。この時、ＳＵＳ箔の凸部上面に形成された黒化処理された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分だけ埋没した。次いで、ステンレス箔に貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。このようにして、ライン幅１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１μｍで、黒化処理の施された金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成したＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凹部と側部に残存する銅の溶解除去は、実施例ｃ１と同様に行った。【０２１４】
上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面（銅めっきを転写した面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
【実施例１９】
【０２１５】
［実施例ｃ４］
ＳＵＳ箔３０４の代わりに電解Ｎｉ箔（福田金属（株）製、厚さ３５μｍ）を用いたこと以外は実施例ｃ３と同様に行って、Ｎｉ箔に格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、テーパ角６０°凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。
Ｎｉ箔に形成された凸部の上面の表面粗さＲｚ＝１．４μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝３．９μｍであった。まず、転写時におけるＮｉ箔と電気銅めっきの剥離性を向上するため、Ｎｉの陽極酸化によってＮｉ表面に酸化皮膜を形成した。陽極酸化は、１０％水酸化ナトリウム水溶液中で、Ｎｉ箔を陽極に、ＳＵＳ板を陰極として、両極に１Ｖの電圧をかけて３０秒間処理した。
次いで、格子模様状のパターンが形成されたＰＥＴフィルム付きＮｉ箔（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材）を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１０μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は３５μｍとなった。
ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部にも少量の粒子状の銅が析出した。【０２１６】
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する樹脂組成物２を乾燥後の厚みが２０μｍになるように塗布して接着性フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｃ２）
ＢＲ−８０（三菱レーヨン株式会社製、ＰＭＭＡ）                    １００重量部
ＩＲＧ−０２２（日本化薬株式会社製、ジイモニウム塩系赤外線吸収剤）  ３．３重量部
トルエン                                                              ６０重量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                        ３００重量部【０２１７】
次いで、離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン（株）製）の離型処理面に樹脂組成物ｃ３を、乾燥塗布厚が８μｍとなるように塗布した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムの樹脂組成物ｃ２を塗布した面に、樹脂組成物３を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｃ３）
ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（長瀬ケムテック株式会社製、アクリルポリマ）１００重量部
コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）    ３重量部
トルエン                                                        １００重量部
酢酸エチル                                                      ３００重量部【０２１８】
近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの粘着剤面と、上記ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の銅メッキを施した面を、実施例ｃ１と同様にして貼り合わせた。この時、Ｎｉ箔の凸部上面の銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分だけ埋没した。次いで、Ｎｉ箔に貼り合わせた近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを剥離すると、上記ＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、ごく少量の非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、Ｎｉ箔に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。
このようにして、ライン幅３５μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１０μｍ金属パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。凸部パターンを形成したＰＥＴフィルム付きＮｉ箔の凹部と側部に残存する銅の溶解除去は、実施例ｃ１と同様に行った。【０２１９】
次いで、得られた導体層パターン付き粘着フィルムを実施例ｃ１と同様にして、黒化処理した。さらに、黒化処理後、上記の導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、紫外線硬化型樹脂（ヒタロイド７８５１、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）をラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、導体層パターンを樹脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、３ｍｍ厚のＰＭＭＡ板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例２０】
【０２２０】
［実施例ｃ５］
実施例ｃ３と同様にして、銅めっき及び黒化処理を施したＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、テーパ角６０°凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。金属の厚さが１μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は１７μｍとなった。さらに、厚さ１００μｍのポリエーテルサルフォンフィルム（スミライトＦＳ−１３００、住友ベークライト株式会社製）の表面に下記の樹脂組成物ｃ４を乾燥後の厚みが１３μｍとなるように塗布して接着フィルムを得た。乾燥条件は、９０℃５分とした。
（樹脂組成物ｃ４）
ＹＤ−８１２５（東都化成株式会社製、ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂）１００重量部、及びＩＰＤＩ（日立化成工業株式会社製、マスクイソホロンジイソシアネート）１０重量部が、メチルエチルケトン３３０重量部及びシクロヘキサノン１５重量部の混合溶媒に溶解させられた樹脂溶液。【０２２１】
得られた接着フィルムと実施例ｃ３で得た凸部上に黒化処理した金属パターンを有するＰＥＴフィルム付きステンレス箔を、ラミネータで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、圧力３ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。空冷後剥離すると、接着剤表面に、ステンレス板の凸部の上面に存在する黒化処理された金属が選択的に転写され、ライン幅１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚１μｍの導体層パターンが接着フィルム上に形成された。
転写後のステンレス板は実施例ｃ１と同様にされ、その表面に少量残存する銅が除去された。【０２２２】
上記得られた導体層パターンを有する接着フィルムを１５０℃で６０分間処理して接着剤を硬化させ、導体層パターン付き基材を得た。上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ｃ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離した。凸部パターンを形成したステンレス板の凹部と側部に残存する少量の銅の溶解は、実施例ｃ１と同様に行った。これに、離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）の離型処理面に、樹脂組成物３を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布したフィルムを、上記導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面とは反対の面に貼り合わせた。離型ＰＥＴを剥離してから、３ｍｍ厚のＰＭＭＡ板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例２１】
【０２２３】
［実施例ｃ６］
レジストフィルム（フォテックＬＦ−１５１５、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ□の銅板（厚さ２ｍｍ）に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が３０μｍ、ラインピッチが２００μｍ、バイアス角度が３０°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせた銅板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、銅板の上にライン幅３０μｍ、ラインピッチ２００μｍ、バイアス角度３０°のレジストフィルムを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液を用いて、銅板をエッチングした。エッチングは、銅板のライン幅が２５μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム溶液を用いて、銅板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅２５μｍ、ラインピッチ２００μｍ、凸部の高さ１１μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．５μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝３．５μｍであった。
次いで、格子模様状のパターンが形成された銅板の表面に０．３μｍの厚さとなるように、クロム層をスパッタリングで形成させた。クロム層を設けることにより、その上に施した銅めっきが剥離しやすくなる。このクロムをスパッタリングした銅板を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、トップルチナＨ−３８０（奥野製薬工業株式会社製、添加剤）２．５ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、上記のクロムをスパッタリングされた銅板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、クロムをスパッタリングした銅板の凸部の上面に析出した銅の厚さが３μｍになるまでめっきした。クロムをスパッタリングした銅板の凸部の上面には連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径１μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。さらに、銅がめっきされたクロムそうが形成されている銅板を黒化処理液１に浸漬し、８０℃１分間処理して、銅めっきを黒化処理した。
粘着層の厚みを５μｍとしたこと以外は実施例ｃ１と同様の粘着フィルムに黒化処理された銅を転写し、ライン幅３１μｍ、ラインピッチ２００μｍ、導体厚３μｍの導体層パターン付き基材を作製した。銅の厚さが３μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は３１μｍとなった。さらに、転写後のクロムをスパッタリングした銅板は実施例ｃ１と同様にされ、その表面に残存する銅が除去された。【０２２４】
上記得られた導体層パターン付き基材と厚さ２ｍｍのガラス板を、その基材の導体層パターンが形成されている面がそのガラス板に接触するようにしてラミネート（３０℃、２．０ＭＰａ）し貼り合わせた。導体層パターンが粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽部材が得られた。
【実施例２２】
【０２２５】
［実施例ｃ７］
ロールｔｏロールでの連続生産を目的として、直径１５０ｍｍのステンレスロールに、実施例ｃ１と同様の方法で格子模様状のパターン（ライン幅２０μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、テーパ角６０°の凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成した。凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．３μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝４．２μｍであった。次いで、加工したステンレスロールを陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。電流密度を４０Ａ／ｄｍ２として、両極に電圧をかけて凸部の上面に析出する金属の厚さが５μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は３０μｍとなった。ステンレスロールの凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径３μｍ程度の粒状の銅が非連続的に析出した。【０２２６】
実施例ｃ１で用いた粘着フィルムをロール状で作製し、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅と粘着フィルムの粘着剤面を実施例ｃ１と同様のラミネート条件で貼り合わせた。この時、ステンレスロールの凸部上面に形成された銅層は、粘着フィルムの粘着剤層に一部分だけ埋没した。次いで、ステンレスロールに貼り合わせた粘着フィルムを剥離すると、上記ステンレスロールの凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写するのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、微量で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存した。このようにして、ライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍの導体層パターンが粘着フィルム上に選択的に転写された。さらに、導体層パターンを転写した粘着フィルム（導体層パターン付き基材）を離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら、ロール状に巻き取った。さらに、転写後、同一ラインで実施例ｃ４と同様に、ステンレスロールの凹部と側部に少量残存する銅をエッチング除去してから、再びステンレスロールに銅めっきを施した。このようにして、銅めっき、粘着剤への転写、残存銅のエッチングの３つの工程をロール・トゥ・ロールで連続的に行った。【０２２７】
上記で得られた金属パターンが転写された粘着フィルムを実施例ｃ１と同様に黒化処理して、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射した。
【実施例２３】
【０２２８】
［実施例ｃ８］
ロール状のＳＵＳ３０４箔（厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。次いで、ロールｔｏロールで行うこと以外は、実施例ｃ７と同様にして、上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をエッチングし、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ、テーパ角６０°、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を長尺で形成した。ＳＵＳ箔に形成された凸部の上面の表面粗さＲｚ＝０．４μｍであったのに対し、凹部の表面粗さＲｚ＝５．１μｍであった。さらに、上記で得られたロール・トウ・ロールのＳＵＳ箔を用いて、図２６に示すような装置に通紙した。
つなぎ目は、マイラーテープで貼り合わせて、フープ状導電性基材とした。【０２２９】
まず初めに、上記で得られたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（フープ状導電性基材）にエッチング槽（図２６の１２９）を通過させ、適当に洗浄した後、そのフープ状導電性基材を陰極として、電解銅めっき用の電解浴（（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）（図２６の１３０）で、含燐銅を陽極として電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、フープ状導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきしたところ、めっき金属が両サイドにも析出したため、ライン幅は１７μｍとなった。ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面は連続膜として銅が析出したが、凹部及び側部には粒径０．３μｍ程度の粒状の銅がわずかに析出した。水洗後、実施例ｃ１と同様の黒化処理を黒化処理槽（図２６の１５０）で行い、防錆処理槽（図２６の１５１）を通過させた後、連続的に転写した。転写後、ＳＵＳ箔の凹部、側部に残存する銅を、エッチング槽（図２６の１２９）（１００ｇ／ｌ過硫酸アンモニウム水溶液、液温４０℃）で除去した。
この後転写ロール１３７を利用して、ロール状の実施例ｃ３で用いた粘着フィルム（図２６の１３６）に連続的に導体層が転写され、ライン幅１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、厚さ１μｍで、黒化処理の施された導体層パターン（図２６の１３８）が粘着フィルム上に選択的に転写された導体層パターン付き粘着フィルムが得られた。上記ＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔の凸部の上面に析出した銅は、連続膜であるため、粘着フィルムに転写されるのに対し、凹部及び側部に析出した銅は、粒状で非連続膜であるため、凸部の上面に析出した銅に追随することなく、ＳＵＳ板に残存し、粘着フィルムに転写されることはなかった。このようにして、銅めっき、黒化処理、転写、残銅除去の工程を、１ラインで行うことができた。【０２３０】
上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面（銅めっきを転写した面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。【０２３１】
以上の実施例において、導電性基材において、凸部側面のうち、テーパー角（α）が各実施例において表示した角度を有する部分の上面からの深さは垂直距離にして、凸部の高さの少なくとも半分はあった。【０２３２】
以上の実施例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（３００ＭＨｚ）、パターンを有する導電性基材の３０回めっき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図２９に示す。【０２３３】
導電性基材上に樹脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、パターン状にめっきされた金属を、例えば粘着フィルムに転写する際に、粘着層がパターンを形成する絶縁物と接するため、金属パターンを転写した粘着フィルムを剥離する度に、絶縁物に剥離応力がかかる。さらに、パターン状に絶縁物が形成されているため、絶縁物のＳＵＳへの接触面積が非常に微小であるため、パターン状にめっき→転写の工程を、数回〜数百回程度繰り返し使用することは可能であるが、数千回〜数万回の量産レベルでは、絶縁物が導電性基材から剥離してしまい転写不良が発生するなど、パターンの寿命が短い。
さらに、導電性基材上に樹脂等の絶縁物でパターンを形成して作製した導体層パターンでは、パターンを形成する樹脂や、導体層を導電性基材から剥離するために用いる粘着フィルムの剥離残渣等の有機物が、めっき液を汚染するため、めっき液の寿命が短くなり、めっきの析出不良が発生しやすくなる。
【実施例２４】
【０２３４】
［実施例ｄ１］
以下、実施例２４（以下「実施例ｄ１」ともいう。実施例３０まで同様。）を説明する。
（ネガフィルムの仕様１）
パターン描画部のサイズが、３００ｍｍ角で、パターン描画部の最外周から内側３０ｍｍの４辺（領域Ｂに対応）に光透過部のライン幅１００μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）の格子状パターンを形成し、さらにその内側全面（領域Ａに対応）に、光透過部のライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°の格子状パターンを形成した。内側のラインはいずれも、内側と外側の境界で、外側のラインと繋がっている。このネガフィルムのパターンは図３−ｄに示すパターンに対応するものである。【０２３５】
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、日立化成工業株式会社製）を３００ｍｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板の両面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、上記ネガフィルムの仕様１を、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の一方の面上に、重なるように静置した。紫外線照射装置を用いて、１００ｍｍＨｇ以下の真空下において、これらの積層体の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。次いで、１重量％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上に外側に形成されたレジストパターンのライン幅１００μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°、内側に形成されたレジストパターンのライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストパターンを形成した。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている。
次いで、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、領域Ａにおける凸部上面の幅（ライン幅）が２０μｍになるまで行った。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった。
次いで、５重量％水酸化ナトリウム溶液を用いて、ＳＵＳ板の上に形成されたレジストフィルム（裏面のレジストフィルムも含む）を剥離して、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。この導電性基材は、領域Ａにおいて凸部上面の幅（ライン幅）２０μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３００μｍ、凸部の高さ１５μｍであり、領域Ｂにおいて凸部上面の幅（ライン幅）９０μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３００μｍ、凸部の高さ１５μｍであり、領域Ａのパターンと領域Ｂのパターンの平面形状は、図６と同様であった。また、領域Ａ及びＢにおける凹部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様）であった。【０２３６】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中、１５Ｖで１０秒間電圧を印加して、格子模様状にエッチングされたステンレス板全面（エッチングされていない裏面も含む）に電着塗装した。水洗後１００℃で１０分間乾燥した後、１９０℃で２５分間の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．５μｍであった。
さらに、電着塗装したステンレス板の凸部の上面部分を、研磨粉（アルミナ液Ｂ０．０５μｍ、リファインテック（株）製）と研磨布（ＣＯＮＳＵＭＡＢＬＥＳ、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＧＭＢＨ製）を用いて研磨し、ＳＵＳ面からなる上面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは２．５μｍであった。凸部の上面の端における電着塗膜は上面と面一になっていた。この導電性基材は、領域Ａ及び領域Ｂ共に凹部が薄膜絶縁膜で覆われたものであった。また、凸部凹部が存在する面と反対の面全体にも薄膜絶縁層が形成されていた。【０２３７】
（銅めっき）
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、絶縁膜を有する導電性基材を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。この時、領域Ｂの凸部の上面に析出した金属（接地部）の厚さは４μｍであり、ピンホールは、ほとんど存在しなかった。なお、パターンが形成された面の反対面には、その面の全体が薄膜絶縁層で覆われているため、銅めっきは析出しなかった。【０２３８】
（粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマ（ＨＴＲ−２８０、ナガセケムテックス株式会社製）を厚さ１０μｍに順次塗布して粘着フィルムを作製した。【０２３９】
（転写）
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の導体層パターンが存在する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピードを１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されており、転写残りもなかった。
粘着フィルムに転写された銅めっきのパターンは、領域Ａに対応する部分がライン幅２８μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍであり、領域Ｂに対応する部分（接地部）がライン幅９７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚４μｍであった。転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、領域Ａ及び領域Ｂに対応する部分のすべてで、ラインの割れは無かった。【０２４０】
（黒化処理）
上記で得られた導体層パターン付き基材をアルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック）を５倍希釈した水溶液に室温で３分間浸漬し、次いで、水洗後、１０重量％硝酸水溶液に室温で２分間浸漬し、さらに、水洗後、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液に浸漬して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を得た。【０２４１】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターン（接地部を除く）が存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）を導体層パターンを完全に覆うようにコーティングし、その上にポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）をラミネートして、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、厚さ２０μｍの保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【実施例２５】
【０２４２】
［実施例ｄ２］
（ネガフィルムの仕様２）
パターン描画部のサイズが、３００ｍｍ角で、パターン描画部の最外周から内側３０ｍｍの４辺に光透過部のライン幅７０μｍ、ラインピッチ３５０μｍ、バイアス角度４５°の格子状パターンを形成し、さらにその内側全面に、光透過部のライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°の格子状パターンを形成した。内側のラインと外側のラインは、ラインピッチが異なっているので、一部繋がっていない箇所がある。このネガフィルムのパターンは図５に示すパターンに対応するものである。【０２４３】
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ネガフィルムの仕様２で作製したネガフィルムを用い、領域Ａにおける凸部上面の幅（ライン幅）が７μｍになるまでエッチングしたこと以外は、実施例ｄ１と同様にして、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。この導電性基材は、領域Ａにおいて凸部上面の幅（ライン幅）７μｍ、凸部上面の間隔３００μｍ、凸部の高さ１９μｍであり、領域Ｂにおいて凸部上面の幅（ライン幅）５７μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３５０μｍ、凸部の高さ１９μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、レジスト膜が全面に形成されていたため、エッチングされず、また、エッチング後、このレジストが除去されたことは前記と同様である。パターンの形状は、図５の様であり、領域Ａの凸部と領域Ｂの凸部が連続していない部分もある。領域Ａ及び領域Ｂにおける凹部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））であった。【０２４４】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製）中で、１０Ｖで６０秒間電圧を印加して、上記導電性基材の格子模様状にエッチングされたステンレス板全面（エッチングされていない裏面も含む）に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、１８０℃３０分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．６μｍであった。
さらに、電着塗装した導電性基材の凸部の上面部分を、研磨粉（Ｔｙｐｅ０．１Ｒ、Ｂａｉｋａｌｏｘ者製）と研磨布（ＣＯＮＳＵＭＡＢＬＥＳ、Ｂｕｅｈｌｅｒ  ＧＭＢＨ製）を用いて研磨し、上面（ＳＵＳ面）を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凹部にける電着塗膜の厚さは２．６μｍであるが、凸部の上面の端付近における電着塗膜の厚さは０．２μｍであった。また、凸部の上面の端における電着塗膜は上面と面一になっていた。この導電性基材は、領域Ａ及び領域Ｂ共に凹部が薄膜絶縁膜で覆われたものであった。【０２４５】
（銅めっき−黒化処理）
さらに、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１５０ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）５０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を１５Ａ／ｄｍ２として、導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきした。この時、領域Ｂの凸部の上面に析出した金属（接地部）の厚さは２．８μｍであり、ピンホールは、ほとんど存在しなかった。なお、パターンが形成された面の反対面には、その面の全体が薄膜絶縁層で覆われているため、銅めっきは析出しなかった。次いで、導電性基材の凸部上面に析出させた銅めっきに、実施例ｄ１と同様の条件で黒化処理を施した。【０２４６】
（接着フィルムの作製）
次いで、厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡株式会社製）に下記樹脂組成物１ｄを乾燥塗布厚が５μｍとなるように塗布して、接着フィルムを作製した。
樹脂組成物１ｄの組成
バイロンＵＲ−１３５０  （東洋紡績株式会社製、ポリエステル樹脂）  １００重量部
コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）      ３重量部【０２４７】
（転写）
次いで、上記で得た接着フィルムの接着剤面と、上記導電性基材の黒化処理した銅めっきが存在する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．３ｍ／ｍｉｎとした。接着剤のガラス転移点（Ｔｇ）を超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。次いで、導電性基材から接着フィルムを剥離すると、上記導電性基材の凸部の上面の黒化処理された銅が接着剤表面に転写され、転写残りも無かった。導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出した銅めっきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚３μｍであり、領域Ｂの凸部の上面に析出した銅めっき（接地部）を、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅６３μｍ、ラインピッチ３５０μｍ、導体厚２．８μｍであった。接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面において、ラインの割れは無かった。このようにして、黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。【０２４８】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ｄ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、その上からＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面をラミネートした。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製、７５μｍ）を剥離して、厚さ２０μｍの保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【実施例２６】
【０２４９】
［実施例ｄ３］
（ネガフィルムの仕様３）
パターン描画部のサイズが、３００ｍｍ角で、パターン描画部の最外周から内側３０ｍｍの４辺に光透過部のライン幅２５０μｍ、ラインピッチ７５０μｍ、のストライプ状のパターンを、内側の描画部に対して垂直に形成した。さらに、内側全面に、光透過部のライン幅２０μｍ、ラインピッチ２５０μｍ、バイアス角度３０°の格子状パターンを形成した。外側のラインが、ストライプ状であるため、内側のラインと外側のラインで一部繋がっていない箇所がある。このネガフィルムのパターンは、図７に対応するものである。【０２５０】
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ネガフィルムの仕様３で作製したネガフィルムを用い、ステンレス（ＳＵＳ３０４  仕上げＨ  竹内金属箔粉（株）製、厚さ１００μｍ）を用いて、領域Ａの凸部の幅（ライン幅）が１５μｍとなるまでエッチングしたこと以外は、実施例ｄ１と同様の条件で行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。この導電性基材の領域Ａの凸部上面の幅（ライン幅）１５μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）２５０μｍ、凸部の高さ１３μｍであり、領域Ｂに形成されたストライプ状の凸部パターンの幅（ライン幅）２４５μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）７５０μｍ、凸部の高さ１３μｍであった。領域Ａのパターンと領域Ｂのパターンの平面形状は、図７で示すものと同様であった。領域Ａ及び領域Ｂにおける凹部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様）であった。【０２５１】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料（ＵＣ−２０００、（株）シミズ製）中で、３０Ｖで６０秒間電圧を印加して、格子模様状にエッチングされたステンレス板全面（エッチングされていない裏面も含む）に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、３Ｊ／ｃｍ２の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、３．９μｍであった。さらに電着塗装した導電性基材の凸部の上面部分を＃４０００の研磨紙で研磨し、凸部の上面を露出させた。このとき、この導電性基材の凸部の上面の端における電着塗膜の厚さは０．５μｍであった。【０２５２】
（銅めっき−黒化処理）
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出した銅の厚さが６μｍになるまでめっきした。この時、領域Ｂの凸部の上面に析出した金属（接地部）の厚さは３．５μｍであり、ピンホールは、ほとんど存在しなかった。なお、パターンが形成された面の反対面には、その面の全体が薄膜絶縁層で覆われているため、銅めっきは析出しなかった。次いで、導電性基材の凸部上面に析出させた銅めっきに、実施例ｄ１と同様の条件で黒化処理を施した。【０２５３】
（粘着フィルムの作製）
次いで、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着面に下記の樹脂組成物２を乾燥塗布厚が１５μｍとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。
樹脂組成物ｄ２の組成
ＡＳ−４０６（一方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ）          １００重量部
テトラドＸ（三菱ガス化学株式会社製、硬化剤）                          ２重量部【０２５４】
（転写−黒化処理）
上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の黒化処理した銅が存在する面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅（黒化処理されたもの）が粘着フィルムの接着剤表面に転写され、転写残りもなかった。導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出した銅めっきを、粘着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅２５μｍ、ラインピッチ２５０μｍ、導体厚６μｍであり、領域Ｂの凸部の上面に析出した銅めっきを、接着フィルムに転写して形成されたストライプ状のパターンは、ライン幅２５５μｍ、ラインピッチ７５０μｍ、導体厚３．５μｍであった。接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面において、ラインの割れは無かった。このようにして、黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。【０２５５】
（電磁波遮蔽体の作製）
上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面（導体層パターンを有する面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。なお、貼り合わせは、領域Ａの全面のみであり、領域Ｂの全面は、ガラスからはみ出すようにした。ガラスに貼り合わせた時のラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ６μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
【実施例２７】
【０２５６】
［実施例ｄ４］
（近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製）の表面に下記赤外線吸収剤を含有する樹脂組成物３を乾燥後の厚みが１０μｍになるように塗布乾燥して、近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｄ３の組成）
ＢＲ−８０（三菱レーヨン株式会社製、ＰＭＭＡ）                    １００重量部
ＩＲＧ−０２２（日本化薬株式会社製、ジイモニウム塩系赤外線吸収剤）３．３重量部
ＩＲ−１２（日本触媒株式会社製、フタロシアニン系赤外線吸収剤）    １．５重量部
トルエン                                                            ６０重量部
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）                                      ３００重量部
次いで、離型ＰＥＴフィルム（Ｓ−３２、帝人デュポン（株）製）の離型処理面に樹脂組成物ｄ４を、乾燥塗布厚が８μｍとなるように塗布・乾燥した。近赤外線吸収剤を含有する接着性フィルムの樹脂を塗布した面に、樹脂組成物ｄ４を塗布したフィルムを貼り合わせ、近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルムを作製した。
（樹脂組成物ｄ４の組成）
ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（長瀬ケムテック株式会社製、アクリルポリマ）  １００重量部
コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）      ３重量部
トルエン                                                          １００重量部
酢酸エチル                                                        ３００重量部【０２５７】
（導体層パターン付き基材等の作製）
粘着フィルムとして、上記で得た近赤外線遮蔽性を有する粘着フィルム（ただし、離型ＰＥＴフィルムを剥がして使用）を用いたこと以外は、全て実施例ｄ１と同様にして、導体層パターン付き基材及び導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材を製造した。【０２５８】
（電磁波遮蔽体の作製）
上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面の領域Ａの存在する面にのみ紫外線硬化型樹脂（ヒタロイド７８５１、日立化成工業株式会社製）をコーティングし、さらに、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）をラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、導体層パターンを樹脂で被覆した。次いで、上記で得られたフィルムの導体層パターンが形成されている面とは反対の面に粘着層を形成し、３ｍｍ厚のＰＭＭＡ板（コモグラス）に貼りあわせて、電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例２８】
【０２５９】
［実施例ｄ５］
前記実施例ｄ２の（接着フィルムの作製）において、樹脂組成物ｄ１の乾燥塗布厚を１０μｍとしたこと以外は、実施例ｄ２と同様に行い、導体層パターン付き基材を製造した。
さらに、この導体層パターン付き基材を、８０℃に加温した下記の黒化処理液に３分間浸漬して、導体層を黒化処理して表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を製造した。
（黒化処理液の組成）
亜塩素酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び三リン酸ナトリウム５ｇ／Ｌが溶解された水溶液。
上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を用いて、実施例ｄ４の（電磁波遮蔽体の作製）と同様にして電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例２９】
【０２６０】
［実施例ｄ６］
（ネガフィルムの仕様４）
パターン描画部のサイズが、４５０ｍｍ×１９０ｍｍで、パターン描画部の最外周から内側３０ｍｍの４辺に光透過部のライン幅１００μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°の格子状パターンを形成し、さらにその内側全面に、光透過部のライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°の格子状パターンを形成した。内側のラインと外側のラインは、全て繋がっている。このネガフィルムのパターンは図６に示すパターンに対応するものである。【０２６１】
ＳＵＳ板のサイズを４７０ｍｍ×２００ｍｍとしたこと以外は、実施例ｄ１と同様にして、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の領域Ａでは、凸部上面の幅（ライン幅）２０μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３００μｍ、凸部の高さ１５μであり、領域Ｂでは、凸部上面の幅（ライン幅）９０μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３００μｍ、凸部の高さ１５μｍであり、領域Ａと領域Ｂの凸部凹部のパターンの平面形状は、図６と同様であった。また、領域Ａ及び領域Ｂにおいて凹部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様）であった。なお、パターンが形成された面の反対面は、レジスト膜が全面に形成されていたため、エッチングされず、また、エッチング後、このレジストが除去されたことは前記と同様である。
さらに、実施例ｄ１の（絶縁膜を有する導電性基材の作製）において、パターンが形成された面の反対面に、市販の粘着フィルムを貼り合わせてから、電着塗装を行ったこと以外は、実施例ｄ１と同様にして、電着塗装、焼付け及び凸部上面の研磨を行い、領域Ａ及び領域Ｂともに凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材を得た。
次に、図２４に示すような装置を用いて導電層パターン付き基材を連続生産した。すなわち、回転体１０３としては、直径１５０ｍｍ、幅２００ｍｍの鉄製の回転体（ロール）の表面に、上記で作製した領域Ａ及び領域Ｂともに凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材を巻きつけ、つなぎ目をテープで貼り合わせたドラム電極を用いた。なお、導電性基材を回転体に巻きつける際には、回転体と導電性基材の電気的な接続を確保するために、パターンが形成された面の反対面に貼り合わされた粘着フィルムを剥離して、ＳＵＳ表面と回転体表面が接触するように、巻きつけた。このようにして作製された回転体１０３を用いて、図２４に示したような装置構成で回転体１０３に電気銅めっきした。陽極１０２には酸化イリジウムでコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極は上記ドラム電極である。電解銅めっき用の電解浴１００には、硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液で２５℃の電荷液１０１が収容され配管１０４を通じてポンプ１０５により、陽極１０２と回転体１０３の間に送られ、満たされている。回転体１０３の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を４０Ａ／ｄｍ２となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出する金属の厚みが５μｍ厚になるまでめっきした。このとき。上記のステンレスロールを１ｍ／分の速度で回転させるようにした。【０２６２】
実施例ｄ１で作製した粘着フィルムを一旦ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム１０７を巻き出し、その粘着剤層の面を上記回転体の凸部の上面に析出した金属（銅）１０６に圧着ロール１０８により実施例ｄ１と同様のラミネート条件で、連続的に貼り合わせるとともに剥離することにより、金属１０６を粘着フィルムの粘着剤層に転写して、導体層パターン付き基材１０９を連続的に作製した。得られる導体層パターン付き基材１０９はロール状に巻き取った。このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら巻き取ることにより、巻取り時のブロッキングを防止した。粘着フィルムに転写されたパターンのうち、内側に形成された凸部の上面に析出した銅めっきを、粘着フィルムに転写して形成された導体層パターンは、導電性基材の領域Ａの対応する部分がライン幅２８μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍであり、領域Ｂに対応する部分（接地部）がライン幅９７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚４μｍであった。ロール状に巻き取られた導体層パターン付き基材を切断し，幅方向で等間隔に３カ所サンプリングして導体層パターンを顕微鏡で観察した結果、ラインの割れは無かった。【０２６３】
（黒化処理）
上記で得られた導体層パターン付き基材を、離型ＰＥＴを剥離しながら巻きだして、連続的に黒化処理を施した。まず、アルカリ脱脂液デグリースＡ（（株）オーデック製）を５倍希釈した水溶液、次いで、水洗槽、１０重量％硝酸水溶液槽、さらに、水洗槽、黒化処理液コパール（（株）オーデック）の４倍希釈水溶液の槽を通して、導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材をロール状に巻き取った。
黒化処理後の巻き取り時には、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら巻き取ることにより、巻取り時のブロッキングを防止した。このようにして、粘着フィルムについては、ロールから巻き出し、導体層パターンを転写後はロールに巻き取る、いわゆる、ロール・トゥ・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）で連続的に行った。銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。さらに、外側に形成されたパターンに析出した銅めっきを転写した部分にも、割れはなく、ピンホールもほとんど発生しなかった。【０２６４】
上記で得られた導体層パターン付き粘着フィルムの粘着剤面（銅めっきを転写した面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
【実施例３０】
【０２６５】
［実施例ｄ７］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ロール状に巻いたＳＵＳ３０４箔〔日新製鋼（株）製、仕上げ３／４Ｈ、幅３５０ｍｍ、厚さ１００μｍ〕と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製）にバイロンＵＲ−１３５０〔接着剤、東洋紡績（株）製〕を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を導電性基材（未加工）として作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。
次いで、上記未加工のロール状の導電性基材の一方の面に、レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、日立化成工業株式会社製）をロールラミネータで連続的に貼り合わせ、ロール状に巻き取った。貼り付け条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。さらに、実施例ｄ２で使用したネガフィルムを用いて、一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンの間隔が１０ｍｍとなるように、導電性基材に形成したレジストフィルム上に、一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを断続的に、３０回露光した。露光は、各回、パターン形成部のみにおこなった。紫外線は、１００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。次いで、ロールの巻き出し部と巻取り部を有する現像機に、上記パターンを露光した導電性基材をセットして、ラインスピード２ｍ／ｍｉｎで流し、現像、水洗、乾燥後、ロール状に巻き取った。現像はシャワーリングで行い、現像槽の長さは２ｍ、現像液は１重量％炭酸ナトリウム水溶液を用いた。
さらに、ロールの巻き出し部と巻取り部を有するエッチング装置に、上記で得たレジストパターンを有する導電性基材をセットし、ラインスピード１．５ｍ／ｍｉｎで流し、エッチング、水洗、乾燥後、ロール状に巻き取った。エッチングはシャワーリングで行い、エッチング槽の長さは４ｍ、エッチング液は、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いた。このようにして、一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを一定間隔で配置した導電性基材を作製した。
この結果、ＳＵＳ箔に領域Ｂとして凸部上面の幅（ライン幅）５７μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３５０μｍ、凸部の高さ１９μｍのパターンが、また、領域Ａとして凸部上面の幅（ライン幅）７μｍ、凸部上面の間隔（ラインピッチ）３００μｍ、凸部の高さ１９μｍのパターンが形成された。領域Ｂと領域Ａの凸部上面は、図５の様に一部連続していない部分があり、さらに、開口部の形状は図６で示すものと同様であった。
一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンのサイズは、３００ｍｍ角で、パターン描画部の最外周から内側３０ｍｍの４辺を領域Ｂとし、その内側を領域Ａとした。この一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを１０ｍｍの間隔をあけて３０個作製した。
次いで、一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを間欠的に配置した導電性基材を、一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンが入るサイズで、切断して、一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを有する導電性基材３０枚を作製した。【０２６６】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
上記の一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを有する導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料（ＵＣ−２０００、（株）シミズ製）中で、３０Ｖで６０秒間電圧を印加して、導電性基材のＳＵＳ箔表面を電着塗装した。水洗後１００℃で１０分間乾燥した後、３Ｊ／ｃｍ２の照射条件で紫外線を電着塗料に照射し、硬化させた。電着塗料の塗布厚は、３．９μｍであった。さらに電着塗装したステンレス板を、＃４０００の研磨紙で研磨し、凸部の上面のみを露出させ、凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材を作製した。以上の操作を他の２９枚の上記の一組の領域Ａ及び領域Ｂからなるパターンを有する導電性基材に対しても行った。
凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材３０枚について、おのおのを不要部分を切断してパターンが形成されている３００ｍｍ角の大きさとした。【０２６７】
（フープ状導電性基材の作製）
幅３００ｍｍ、長さ１０ｍの粘着フィルム（ＳＧＡ、日立化成工業（株）製）の粘着剤面に、上記で作製した凹部が絶縁膜で被覆された導電性基材（３００ｍｍ角）１０枚を、導電性機基材の凸部を形成した面とは反対の面を、隙間無く貼り合わせて、長さ１０ｍの格子模様パターンを有するＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を得た。次いで、この格子模様パターンを有するＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔を図２５に示すような装置のロール１１１〜１２８に対し、図２５に示すようにフープ上となるように通した。粘着フィルムで貼り合わされた導電性基材をフープ状に形成する際のつなぎ目は、市販のガムテープを用いて貼り合わせた。【０２６８】
（導体層パターン付き基材の作製）
上記で得られたフープ状導電性基材を用い、図２５に示す装置により導体層パターン付き基材を作製した。この装置については、を用いて説明する。
まず初めに、上記で得られたフープ状導電性基材１１０はロール１１１〜１２８により、前処理槽１２９、電解浴槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を通って周回するように構成されている。
前処理槽１２９には、５％硫酸水溶液が収容されており、電解浴槽１３０には、硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ及びカパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液からなり温度が３０℃に調整された電解液が収容されている。黒化処理槽１３２には、コパール（株式会社オーデック製）の４倍希釈液が収容されている。また、防錆処理槽１３４には０．５％のベンゾトリアゾール水溶液が収容されている。
電解浴槽１３０では、フープ状導電性基材１１０を陰極とし、含燐銅を陽極として電流密度を３０Ａ／ｄｍ２で電解銅めっきされるように構成されている。本例では、領域Ａの凸部の上面に析出する金属の厚さが３μｍになるまでめっきして、導電性基材上に導体層パターン作製した。
水洗槽１３１における水洗後、導電性基材上の導体層パターンは、コパール液（株式会社オーデック製）を用いて実施例ｄ１と同様に黒化処理が黒化処理層１３２で行われ、水洗槽１３２における水洗後、防錆処理槽１３４で防錆処理され、さらに、水洗槽１３５で水洗した後、ロール状にした実施例ｄ３で用いた接着フィルム１３６を用いて、実施例ｄ３と同様の条件で、圧着ロール１３７を用い、導体層パターンを接着フィルム１３６上に連続的に転写して、導体層パターン付き基材１３８を連続的に得、これはロール状に巻き取られた。
領域Ａの凸部の上面に析出した銅めっきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚３μｍであり、領域Ｂの凸部の上面に析出した銅めっきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅６３μｍ、ラインピッチ３５０μｍ、導体厚２．８μｍであった。
接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面で、ラインの割れは無かった。なお、導体層パターン付き基材１３８をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。上記導体層パターン付き基材を５０ｍ巻き取った後も、導電性基材上に析出した銅めっきの転写性に変化が無く、導電性基材の凹部に形成された絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。さらに、得られた導体層パターン付き基材の領域Ｂに対応する部分（接地部）のラインに、割れは無く、ピンホールもほとんど存在しなかった。【０２６９】
次いで、離型ＰＥＴを剥離しながら、得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、接地部は除いてＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、その上からＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）をラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、いわゆるロール・トゥ・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）で連続的に保護膜を形成して、保護槽を有する導体層パターン付き基材を得た。【０２７０】
［比較例ｄ１］
ステンレス（ＳＵＳ３０４）板にドライフィルムフォトレジスト（ＨＹ−９２０（日立化成工業（株）製、厚み２０μｍ）をロール温度１００℃、線圧０．３ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで貼り合わせた。次に、光不透過部のライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍで、外周に光不透過の額縁部（接地部に対応）を形成したネガパターンを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板上に静置し、１００ｍＪ／ｃｍ２の条件でネガパターンの上からＵＶ照射した。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像して、ＳＵＳ板の上に幅３０μｍの溝を有するレジストフィルムを形成した。次いで、１５０℃で１時間の条件で加熱硬化させた。【０２７１】
次に、上記レジストを形成したＳＵＳ板を陰極として電解銅めっき用の電解浴〔硫酸銅（５水塩）１００ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、トップルチナＨ−３８０（奥野製薬工業株式会社製、添加剤）２．５ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃〕中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を３Ａ／ｄｍ２として、レジストで形成したライン部の溝が完全に埋まるようにめっきした。
一方、粘着フィルムとしては、実施例ｄ１で作製したものを使用した。
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記ＳＵＳ板の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記ＳＵＳ板のレジストの溝に析出した銅が粘着フィルムに転写されていたが、額縁部に形成した銅（接地部）は一部、転写されずに導電性基材に残ってしまう箇所が発生した。さらに、正常に転写した部分の接地部を観察した結果、銅の皮膜に割れが発生していた。【０２７２】
［比較例ｄ２］
実施例ｄ１で、ネガフィルムで領域Ｂに対応する部分をパターン化せずに光不透過部とし、導電性基材の上記領域Ｂに対応する部分の全面をめっきして得られる導体層パターン付き基材の接地部を形成したこと以外は、全て実施例ｄ１と同様にして、黒化処理を施した導体層パターン付き基材を作製した結果、接地部の銅にピンホールが多数発生しており、さらに、その接地部には、全面にわたって、割れが発生していることを確認した。【０２７３】
以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターンの異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（３００ＭＨｚ）、パターンを有する導電性基材の３０回めっき、剥離を繰り返した後の導電性基材の耐久性を評価した結果を図３０に示す。
【実施例３１】
【０２７４】
［実施例ｅ１］
以下、実施例３１（以下「実施例ｅ１」ともいう。実施例３５まで同様。）を説明する。
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板の両面に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の一方の面上に静置した。
紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている。
次いで、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅（凸部上面の幅）が約７μｍになるまで行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材（中間品）を作製した。レジストマスクの上から顕微鏡で観察したところ、ラインの幅（凸部上面の幅）は５〜８μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった。【０２７５】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材（中間品）を陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離し、次いで、窒素気流下、２３０℃で４０分間電着塗膜を焼付けした。炉内の酸素濃度は１％であった。電着塗料の塗膜厚は、２．５μｍであった。このようにして得られた凹部が絶縁膜で覆われためっき用導電性基材は、その断面が図１１−ｅに示すように凹部に選択的に絶縁膜が形成されたものであった。【０２７６】
（銅めっき）
次いで、上記で得られためっき用導電性基材の凹凸のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）２３０ｇ／Ｌ、硫酸５５ｇ／Ｌ、キューブライト＃１ＡＨＨ（荏原ユージライト株式会社、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、上記めっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極としてに浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を５Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。【０２７７】
（転写用粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマ（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。【０２７８】
（転写）
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅１１〜１８μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚さ５μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はなかった。【０２７９】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。【０２８０】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして２５０回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。また、得られた導体層パターン付き基材（保護膜付き）の可視光透過率は８０％以上であった。
【実施例３２】
【０２８１】
［実施例ｅ２］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）に４００メッシュのポリエステル製スクリーン版にライン幅が４０μｍ、ラインピッチが２２５μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状のパターンを形成した版を用い、アルカリ除去型エッチングレジストインク（２２６Ｂｌａｃｋ、Ｎａｚｄａｒ  Ｃｏｍｐａｎｙ製）を塗布した後、スキージで余分なレジストインクを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度でかき取った。また、もう一方の面には、上記レジストインクを全体に塗布した。乾燥炉を用いて１２０℃で５分乾燥させ、ＳＵＳ板の一方の面上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ２２５μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成し、他方の面全体にレジスト膜を形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板に形成される凸部の上面の幅（ライン幅）が３０μｍになるまで行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材（中間体）を作製した。レジストマスクの上から顕微鏡で観察したところ、ラインの幅は２９〜３２μｍであった。【０２８２】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製）中で、１０Ｖ６０秒の条件で、上記めっき用導電性基材（中間体）に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離し、次いで、１８０℃３０分の条件で窒素気流下電着塗膜を焼付けた。炉内の酸素濃度は０．５％であった。電着塗料の塗布厚は、３．１μｍであった。このようにして得られた凹部が絶縁膜で覆われためっき用導電性基材は、その断面が図１１−ｅに示すように凹部に選択的に絶縁膜が形成されたものであった。【０２８３】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材の凹凸のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を２０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきした。【０２８４】
（転写）
次いで、実施例ｅ１で得たのと同一の転写用粘着フィルムをその粘着層が、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面に接するように、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材から粘着フィルムを剥離すると、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着層表面に転写された。このようにして、ライン幅３４〜３８μｍ、ラインピッチ２２５μｍ、導体厚３μｍの格子状金属パターンが接着フィルム上に転写され、導体層パターン付き基材を得た。【０２８５】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ｅ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製、７５μｍ）を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。【０２８６】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして２５０回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。また、得られた導体層パターン付き基材（保護膜付き）の可視光透過率は８０％以上であった。
【実施例３３】
【０２８７】
［実施例ｅ３］
直径１５０ｍｍ、幅２００ｍｍのステンレス製ロールの表面に、レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を巻き付けて、室温でハンドロールを用い圧力をかけて貼り合わせた。次いで、光透過部のライン幅が３５μｍ、ラインピッチが２７５μｍ、バイアス角が４５°で、格子状に形成されたネガフィルムを、レジストフィルムの上から巻き付け、平行露光機の下で手で回しながら露光した。さらに１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することによってステンレス製ロールの表面にライン幅６０μｍ、ラインピッチ２７５μｍのレジストマスクを形成した。曲面上にネガフィルムを巻き付けている部分に平行露光機で露光したためネガフィルムのライン幅よりもレジストマスクのライン幅は太くなった。さらに、４０℃に加熱した塩化第二鉄溶液を用いて、ステンレス製のロールをエッチングし、ステンレス製ロールの表面に格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅２０〜２７μｍ、ピッチ２７５μｍ、凸部の高さ３０μｍ）を形成した。この段階で凸部上面上にレジストマスクはまだ残存している。
次いで、上記のステンレス製のロールを陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス製のロールに電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離した。２３０℃４０分の条件でアルゴン雰囲気下で焼付けした。その時の酸素濃度は２％であった。電着塗料の塗布厚は、２．６μｍであった。
図２４に示すような装置構成で回転体１０３に電気銅めっきした。陽極１０２には白金でコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極には上記ステンレス製のロールをドラム電極とした。電解銅めっき用の電解浴１００には、硫酸銅（５水塩）７０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液で２５℃の電解液１０１が収容され配管１０４を通じてポンプ１０５により、陽極１０２と回転体１０３の間に送られ、満たされている。回転体１０３の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を７Ａ／ｄｍ２となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出する金属の厚みが２μｍ厚になるまでめっきした。このとき。上記のステンレスロールを１ｍ／分の速度で回転させるようにした。【０２８８】
実施例ｅ１で作製した粘着フィルムを一旦ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム１０７を巻き出し、その粘着剤層の面を上記回転体（ステンレスロール）の凸部の上面に析出した金属（銅）１０６に圧着ロール１０８により実施例ｅ１と同様のラミネート条件で、連続的に貼り合わせるとともに剥離することにより、金属１０６を粘着フィルムの粘着剤層に転写して、導体層パターン付き基材１０９を連続的に作製した。導体層パターン付き基材１０９はロール状に巻き取られた（図示せず）。また、このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら巻き取ることにより、巻取り時のブロッキングを防止した。導体層パターンは、ライン幅２２〜３１μｍ、ラインピッチ２７５μｍ、導体厚２μｍであった。銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
得られた導体層パターン付き基材の一部を切り取り、導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）をアプリケータ（ヨシミツ精機株式会社製、ＹＢＡ型）を用いて１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）をハンドロールを用いて気泡が入らないように静かにラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、保護膜を形成した。
得られた導体層パターン付き基材（保護膜付き）の可視光透過率は８０％以上であった。
【実施例３４】
【０２８９】
［実施例ｅ４］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ロール状に巻いたＳＵＳ３０４箔（日新製鋼（株）製、仕上げ３／４Ｈ、幅２００ｍｍ、厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（未加工）を作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。
次いで、上記で作製したロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（未加工）及びロール状のレジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）をそれぞれ巻きだして、ＳＵＳ３０４箔が露出している方の面にレジストフィルムをロールラミネータで連続的に貼り合わせ、ロール状に巻き取った。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。
次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが４００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレスを一部巻出し、その上に静置した。紫外線照射装置を用いてネガフィルムの上から紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。露光した部分を巻取り、露光していないレジストフィルムを貼り合わせた部分を巻きだして上と同様の条件でネガフィルムを静置して紫外線を照射した。
この工程を１０回繰り返してＳＵＳ３０４箔上に１０パターンを露光した。これを１％炭酸ナトリウムを使用して現像機を通して現像することでＳＵＳ箔の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチが４００μｍのレジストマスクが一定間隔で配置されたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ３０４箔を形成した。次いで、このＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をエッチングラインに通し、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅９〜１４μｍ、ピッチ４００μｍ、凸部の高さ２０μｍ）を一定間隔に配置した導電性基材を作製した。【０２９０】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、エッチングしたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をパターン毎に切断した後、個々のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔毎に、それを陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製）中で、２０Ｖ６０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１５分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウムでレジストマスクを剥離し、電着塗膜を２００℃で３０分の条件で窒素雰囲気下で焼付けし、凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材を得た。その時の酸素濃度は０．５％であった。電着塗料の塗布厚は、５μｍであった。同様の作業で凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材を合計で１０枚製造した。【０２９１】
（フープ状導電性基材の作製）
次いで、幅２００ｍｍ、長さ１０ｍの粘着フィルム（ＳＧＡ、日立化成工業（株）製）の粘着剤面に、上記で作製した１０枚の凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材のＰＥＴフィルム面を、隙間無く貼り合わせて、長さ１０ｍの凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材（以下、長尺のめっき用導電性基材という）を得た。次いで、図２５に示すような装置に、上記長尺のめっき用導電性基材を通紙し、フープ状導電性基材を得た。つなぎ目は、市販のガムテープを用いて繋ぎ目の裏側から貼り合わせ、表側は銅テープ（ＣＨＯ−ＦＯＩＬ、５０ｍｍ幅、太陽金網株式会社製）で貼り合わせた。【０２９２】
（導体層パターン付き基材の作製）
上記で得られたフープ状導電性基材を用い、図２５に示す装置を用い、実施例ｄ７に準じて、導体層パターン付き基材を作製した。
得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンは、ライン幅１１〜１６μｍ、ラインピッチ４００μｍ、厚さ１μｍであった。
上記導体層パターンのラインを顕微鏡で観察した結果、全面で、ラインの割れは無かった。なお、導体層パターン付き基材１３８をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。上記導体層パターン付き基材を５０ｍ巻き取った後も、導電性基材上に析出した銅めっきの転写性に変化が無く、導電性基材の凹部に形成された絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。【０２９３】
次いで、離型ＰＥＴを剥離しながら、得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、いわゆるロール・トゥ・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）で連続的に保護膜を形成して、保護槽を有する導体層パターン付き基材を得た。
この保護槽を有する導体層パターン付き基材（保護膜付き）の可視光透過率は８０％以上であった。
【実施例３５】
【０２９４】
［実施例ｅ５］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が７μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ＳＵＳ版の上に形成されたレジストマスクを剥離して、格子模様上のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅５〜８μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ）を形成し、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン系電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後１１０℃１０分間乾燥した後、２３０℃４０分の条件で窒素気流下で焼付けした。炉内の酸素濃度は０．１％であった。
電着塗料の塗布厚は、２．６μｍであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（Ｔｙｐｅ０．１Ｒ、Ｂａｉｋａｌｏｘ社製）と研磨布（マイクロクロス、ＢＵＥＨＬＥＲ社製）を用いて凸部の上面を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。このめっき用導電性基材の凹部における電着塗膜の厚さは２．６μｍであった。ただし、凸部上面の端部における電着塗膜の厚さは０．２μｍ（上面の平面方向に測る）であった。研磨後のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は５〜１５μｍであった。このめっき用導電性基材は、凹部は絶縁膜で覆われたものであった。
（銅めっき）
さらに、絶縁膜を有するめっき転写用版を陰極として、電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、キューブライト＃１Ａ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を７Ａ／ｄｍ２として、凸部上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。
（転写）
実施例ｅ１で作製したのと同様の粘着フィルムの粘着剤面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき転写用版の凸部の上面に析出した銅が粘着剤表面に転写された。このようにしてライン幅（凸部上面の幅）１１〜３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚５μｍの金属パターンが粘着フィルム上に転写された。本発明によって作製しためっき転写用版と比較して、研磨により作製しためっき転写用版はライン幅のばらつきがあり、一部ラインのガタつきがみられた。それによって得られた導体層パターンもライン幅のばらつきがみられたが、得られた導体層パターン付き基材の可視光透過率は８０％以上であった。
（繰り返し使用）
上記のめっき−転写の工程を２５０回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化がなく、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。【０２９５】
［比較例ｅ３］
（凹部が絶縁材料で完全に埋まった例）
実施例ｅ１と同様にして上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材（中間体）を作製した。得られた導電性基材のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は１４〜１９μｍ、ラインピッチは３５０μｍ、凸部の高さは２０μｍであった。
次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１２０Ｖ１０秒の条件で導電性基材に電着塗装した。水洗後１１０℃で１０分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離した。次いで、２３０℃４０分条件で窒素気流下で焼付けした。電着塗料の厚みは２０μｍであった。レジストマスクの幅が４０μｍであったため計算上は電着塗料がレジストマスクの幅を超えて電着されたことになるが、焼付の際に樹脂が流動して平坦化したため、樹脂は凸部パターンの上面より上にはほとんどはみ出していなかった。このめっき用導電性基材は、凹部は絶縁膜で覆われたものであった。得られためっき転写用版は図１０に示すように、凸部パターンの凹部が絶縁層で完全に埋まった形状をしていた。
次いで上記めっき転写用版を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。
両極に電圧をかけて電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、凸部上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。
さらに、実施例ｅ１で得られた粘着フィルム上に銅めっきを転写した。銅めっき−転写の工程を１１回繰り返すと、絶縁膜の一部が剥離しており、１２回目のめっきを行うと、絶縁膜が剥離した箇所に銅が析出した。粘着フィルムに銅めっきを転写した結果、絶縁膜が剥離した箇所の銅めっきが転写しなかった。【０２９６】
以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンのライン厚み、ライン幅、導電性基材からの剥離性、パターンの異常の有無、パターンを有するめっき転写用から銅めっきの剥離を繰り返した後のめっき転写用版の耐久性を評価した結果を図３１に示す。
なお、ライン幅、ピッチは顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚みは得られた導体層パターンを一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。導電性基材からの剥離性は粘着フィルムに転写した銅のパターンを拡大鏡で観察し、転写不良のない場合を良好、転写不良が発生した場合を不良とした。ただし、比較例ｅ２及びｅ３に関しては、電着塗料の剥離が発生する前までの転写不良の有無を記載した。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。めっき転写用版の耐久性はめっき及び剥離を繰り返した後のめっき転写用版を直接拡大鏡で観察して確認した。
【実施例３６】
【０２９７】
［実施例ｆ１］
以下、実施例３６（以下「実施例ｆ１」ともいう。実施例４２まで同様。）を説明する。
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が３０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅３０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が２０μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム溶液を用いて、ＳＵＳ板の上に形成されたレジストフィルムを剥離して、格子模様状のパターン（ライン幅、すなわち、凸部上面の幅２０μｍ、ラインピッチすなわち、凸部上面の間隔３００μｍ、凸部の高さ１５μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様）を形成し、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。【０２９８】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をチタン板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒、の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、１９０℃２５分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．５μｍであった。
さらに、電着塗装したステンレス板を、研磨粉（アルミナ液Ｂ０．０５μｍ、リファインテック（株）製）と研磨布（ＣＯＮＳＵＭＡＢＬＥＳ、ビューラー社（ＢＵＥＨＬＥＲ）製）を用いて凸部の上面部分を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは２．５μｍ、凹部における電着塗膜の厚さは２．５μｍであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。【０２９９】
（銅めっき）
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）８０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、キューブライトＶＦ１（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、格子模様状にエッチングされたステンレス板を浸し、含燐銅を陽極として同電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。【０３００】
（黒化処理―防錆処理）
上記で得られた導電性基材上の導体層パターンをアルカリ脱脂、水洗、酸洗、水洗の順で処理した後に硫酸ニッケル７５ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウム４５ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛３８ｇ／Ｌ、チオシアン酸ナトリウム１５ｇ／Ｌを含有するめっき液を使い、５０℃、２．５Ａ／ｄｍ２の条件で黒化処理層の厚さが０．６μｍになるように黒色ニッケルめっきを行った。めっき後純水で水洗し、水溶性防錆剤エバフィンＧ８００（荏原ユージライト（株）製）２０ｍＬ／Ｌ水溶液に４０℃で３０秒間浸漬し、次いで、５０℃で乾燥させた。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しなかった。【０３０１】
（粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマ（ＨＴＲ−２８０、ナガセケムテックス株式会社製）を厚さ１０μｍに順次塗布して粘着フィルムを作製した。【０３０２】
（転写）
この粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅２８μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚さ５μｍの金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後の導電性基材を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はなかった。【０３０３】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターンが黒化処理された導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【実施例３７】
【０３０４】
［実施例ｆ２］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ＳＵＳ板に形成される凸部のライン幅が７μｍになるまでエッチングしたこと以外は、実施例ｆ１と同様にして、ＳＵＳ板上に格子模様状のパターン（ライン幅７μｍ、ピッチ３００μｍ、凸部の高さ３０μｍ、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成して、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。【０３０５】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製）中で、１０Ｖ６０秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、１８０℃３０分の条件で焼付けした。電着塗料の塗布厚は、２．６μｍであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（Ｔｙｐｅ０．１Ｒ、Ｂａｉｋａｌｏｘ社製）と研磨布（ＣＯＮＳＵＭＡＢＬＥＳ、ＢＵＥＨＬＥＲ社製）を用いて凸部の上面部分を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。この導電性基材の凸部上面端部における電着塗膜の厚さは０．２μm、凹部にける電着塗膜の厚さは２．６μｍであった。この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであったこの導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。【０３０６】
（銅めっき）
さらに、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１５０ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）５０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として電解銅めっき浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが３μｍになるまでめっきした。【０３０７】
（黒化処理―防錆処理）
上記で得られた導電性基材上の導体層パターンをアルカリ脱脂、水洗、酸洗、水洗の順で処理した後に硫酸ニッケル６２ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウム４０ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛２３ｇ／Ｌ、チオシアン酸ナトリウム２０ｇ／Ｌを含有するめっき液を使い、５０℃、２．５Ａ／ｄｍ２の条件で黒化処理層の厚さが０．６μｍになるように黒色ニッケルめっきを行った。めっき後純水で水洗し、水溶性防錆剤エバフィンＧ８００（荏原ユージライト（株）製）２０ｍＬ／Ｌ水溶液に４０℃で３０秒間浸漬し、次いで、５０℃で乾燥させた。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しなかった。【０３０８】
（接着フィルムの作製）
次いで、厚さ１２５μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）に下記樹脂組成物ｆ１を乾燥塗布厚が５μｍとなるように塗布して、接着フィルムを作製した。
樹脂組成物ｆ１の組成
バイロンＵＲ−１３５０（東洋紡績株式会社製、ポリエステル樹脂）  １００重量部
コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製、イソシアネート化合物）    ３重量部【０３０９】
（転写）
次いで、上記で得た接着フィルムの接着剤面と、上記導電性基材の銅めっき及び黒化処理を施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．３ｍ／ｍｉｎとした。接着剤のガラス転移点（Ｔｇ）を超える温度でラミネートされたため、接着剤表面にタック性が発現した。次いで、導電性基材から接着フィルムを剥離すると、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅が接着剤表面に転写された。このようにして、ライン幅１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚３μｍで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を得た。【０３１０】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例ｆ１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績（株）製、７５μｍ）を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【実施例３８】
【０３１１】
［実施例ｆ３］
（上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ステンレス（ＳＵＳ３０４  仕上げＨ  竹内金属箔粉（株）製、厚さ１００μｍ）を用いて、凸部のライン幅が１５μｍとなるまでエッチングした以外は、実施例ｆ１と同様の条件で行い、格子模様状のパターン（ライン幅１５μｍ、ラインピッチ３００μｍ、凸部の高さ２０μｍ）、凸部の断面形状は曲面（図３−ｄと同様））を形成して、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を得た。【０３１２】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材を陽極にして、陰極をチタン板として、カチオン型電着塗料（ＵＣ−２０００、（株）シミズ製）中で、３０Ｖ６０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した後、３Ｊ／ｃｍ２の照射条件で硬化した。電着塗料の塗布厚は、３．９μｍであった。さらに電着塗装したステンレス板を、＃４０００の研磨紙で研磨し、この導電性基材の凸部の上面の端部における電着塗膜の厚さは０．５μm、凹部にける電着塗膜の厚さは３．９μmであった。
この導電性基材は、凸部上面以外は絶縁膜で覆われたものであった。【０３１３】
（銅めっき）
次いで、絶縁膜を有する導電性基材を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を３０Ａ／ｄｍ２として、凸部の上面に析出した金属の厚さが１μｍになるまでめっきした。【０３１４】
（黒化処理―防錆処理）
上記で得られた導電性基材上の導体層パターンをアルカリ脱脂、水洗、酸洗、水洗の順で処理した後に硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウム３０ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛１５ｇ／Ｌ、チオシアン酸ナトリウム１０ｇ／Ｌを含有するめっき液を使い、５０℃、２．５Ａ／ｄｍ２の条件で黒化処理層の厚さが０．６μｍになるように黒色ニッケルめっきを行った。めっき後純水で水洗し、水溶性防錆剤エバフィンＧ８００（荏原ユージライト（株）製）２０ｍＬ／Ｌ水溶液に４０℃で３０秒間浸漬し、次いで、５０℃で乾燥させた。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しなかった。【０３１５】
（粘着フィルムの作製）
次いで、厚さ１００μｍのＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着面に下記の樹脂組成物２を乾燥塗布厚が１５μｍとなるように塗布して粘着フィルムを作製した。
樹脂組成物ｆ２の組成
ＡＳ−４０６（一方社油脂工業株式会社製、アクリルポリマ）        １００重量部
テトラドＸ（三菱ガス化学株式会社製、硬化剤）                        ２重量部【０３１６】
（転写）
上記で得られた粘着フィルムの粘着剤面と、上記導電性基材に銅めっき及び黒化処理した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、導電性基材から粘着フィルムを剥離したところ、上記導電性基材の凸部の上面に析出した銅（黒化処理されたもの）が粘着フィルムの接着剤表面に転写されていた。このようにして、ライン幅１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、導体厚１μｍで、さらに黒化処理が施された金属パターンが接着フィルム上に選択的に転写され、本発明の導体層パターン付き基材を製造した。【０３１７】
（電磁波遮蔽体の作製）
上記で得られた導体層パターン付き基材の粘着剤面（導体層パターンを有する面）を厚さ２ｍｍのガラスに当ててラミネートして貼り合わせた。ラミネート条件は、温度２５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。ロールラミネートによって、厚さ１μｍの導体層パターンは粘着剤に埋設され、透明性の高い電磁波遮蔽体が得られた。
【実施例３９】
【０３１８】
［実施例ｆ４］
前記実施例ｆ２の（接着フィルムの作製）において、樹脂組成物１の乾燥塗布厚を１０μｍとしたこと以外は、実施例ｆ２と同様に行い、導体層パターン付き基材を製造した。【０３１９】
（黒化処理―電磁波遮蔽体の作製）
さらに、この導体層パターン付き基材の導体層を、実施例ｆ２における黒化処理と同様の条件で黒化処理して表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を製造した。黒色処理層の色むら、粉落ちは発生しなかった。上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を用いて、実施例ｆ３の（電磁波遮蔽体の作製）と同様にして電磁波遮蔽部材を得た。
【実施例４０】
【０３２０】
［実施例ｆ５］
前記実施例ｆ１の（黒化処理―防錆）において、導体層パターン付き基材を、８０℃に加温した下記の黒化処理液に３分間浸漬して、導体層表面を酸化して黒化処理された導体層パターンを有する基材を製造したこと以外は同様の導体層パターン付き基材を作製した。
（黒化処理液の組成）
亜塩素酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、水酸化ナトリウム１０ｇ／Ｌ、及び三リン酸ナトリウム５ｇ／Ｌが溶解された水溶液。
上記で得られた表面が黒化処理された導体層パターンを有する基材を用いて、実施例ｆ１と同様にして保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。その結果、導体層パターン付近に黒色粉末の粉落ちが発生し、その結果として電磁波遮蔽板としての投下光強度が図３３に示すようにＬ＊にして約１０％損なわれ、かつ導体層外観に色むらが発生した。しかしながら、電磁波シールド性をアドバンテスト法で評価した結果、４８ｄＢであり、電磁波シールド性の低下はなかった。
【実施例４１】
【０３２１】
［実施例ｆ６］
前記実施例１の（黒化処理―防錆）において、導体層パターン付き基材を、８０℃に加温したメルテックス株式会社エボノールＣスペシャル水溶液に３分間浸漬して、導体層表面を酸化して黒化処理された導体層パターンを有する基材を製造した以外は同様の導体層パターン付き基材を作製した。表面が黒化処理された導体層パターンを有する基材を用いて、実施例ｆ１と同様にして保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。その結果、導体層パターン付近に黒色粉末の粉落ちが発生し、その結果として電磁波遮蔽板としての投下光強度が図３３に示すようにＬ＊にして約１０％損なわれ、かつ導体層外観に色むらが発生した。しかしながら、電磁波シールド性をアドバンテスト法で評価した結果、４７ｄＢであり、電磁波シールド性の低下はなかった。
【実施例４２】
【０３２２】
［実施例ｆ７］
前記実施例ｆ１の（黒化処理―防錆）において、導体層パターン付き基材を、常温で株式会社アイソレート化学研究所コパーブラックＮｏ．６５水溶液に１分間浸漬して、導体層表面を酸化して黒化処理された導体層パターンを有する基材を製造した以外は同様の導体層パターン付き基材を作製した。表面が黒化処理された導体層パターンを有する基材を用いて、実施例ｆ１と同様にして保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
その結果、実施例ｆ６と同様に導体層パターン付近に黒色粉末の粉落ちが発生し、その結果として電磁波遮蔽板としての透過光強度が図３３に示すようにＬ＊にして約１０％低下し、かつ導体層外観に色むらが発生した。しかしながら、電磁波シールド性をアドバンテスト法で評価した結果、４６ｄＢであり、電磁波シールド性の低下はなかった。【０３２３】
以上の実施例で得られた導体層パターンの開口率、可視光透過率、パターン異常の有無、視認性、電磁波遮蔽性（３００ＭＨｚ）、色むら、粉落ち、及び反射光、透過光強度、色度の結果を図３２及び図３３に示す。【０３２４】
上記において、色むらは導体層パターン付き基材の黒色処理面の色むらを目視で確認した。粉落ちは実施例の黒化処理及び防錆処理を行った後に次の試験を行った。導体層パターン付き基材の黒色処理面を上にして平らな台の上に置き、水でぬらした濾紙（アドバンテスト東洋（株）製、定性濾紙Ｎｏ．２）を乗せ、その上に１００ｇの重りを置き、濾紙を１０ｃｍ移動させた後、濾紙への黒色粉末の付着の有無を観察した。反射光、透過光の色度は導体層パターン付き基材の黒色処理面を測定側にしてミノルタ株式会社製分光測色計ＣＭ−５０８ｄにより測定した。測定にはＤ６５光源を用い、１０°視野で行った。【０３２５】
以上実施例で説明したが、本発明の実施形態１は、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３２６】
本発明の実施形態２は、上面を有する凸部の側面の傾斜角が３０°以上である導電性基材を使用する実施形態１の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３２７】
本発明の実施形態３は、導電性基材が、凹部の面積比率が全体の５０％以上９７％以下である領域Ａ、並びに、その外側に配され、凹部の面積比率が全体の０％又は９７％未満である領域Ｂを有し、領域Ａにおける凹部の面積比率が領域Ｂにおける凹部の面積比率よりも大きいものである実施形態１又は２の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３２８】
本発明の実施形態４は、領域Ｂにおける凹部の面積比率が全体の４０％以上９７％未満である実施形態３の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３２９】
本発明の実施形態５は、領域Ａの凸部の上面と領域Ｂの凸部の上面が、少なくとも１カ所で連続している実施形態３又は４の導電層パターン付き基材の製造方法である。【０３３０】
本発明の実施形態６は、上記導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程において、導電性基材上に析出した金属のうち、導電性基材の凸部の上面に形成された金属層のみを選択的に別の基材に転写する実施形態１〜５のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３１】
本発明の実施形態７は、凸部の表面粗さが十点平均粗さＲｚで２以下である導電性基材を使用する実施形態１〜６のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３２】
本発明の実施形態８は、凹部の表面粗さが十点平均粗さＲｚで３以上である導電性基材を使用する実施形態６又は７の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３３】
本発明の実施形態９は、導電性基材が、少なくとも上記凸部の上面端部付近では薄膜になるように凹部を絶縁層で被覆したものである実施形態１〜８のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３４】
本発明の実施形態１０は、絶縁層の厚さが、凸部の高さの１／２以下である実施形態９の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３５】
本発明の実施形態１１は、導電性基材が、その凹部を薄膜絶縁層で被覆されているものである実施形態９又は１０の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３６】
本発明の実施形態１２は、導電性基材の凸部の上面の端部での薄膜絶縁層の厚さが１０μｍ以下である実施形態１１の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３７】
本発明の実施形態１３は、導電性基材の凹部を被覆する薄膜絶縁層が電着塗装により形成されたものである実施形態１１又は１２の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３８】
本発明の実施形態１４は、さらに、形成された金属層の転写前又は転写後に析出した金属の表面を黒化処理する工程を含むことを特徴とする実施形態１〜１３のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３３９】
本発明の実施形態１５は、実施形態１〜１３のいずれか１つの製造方法を行った後、基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする実施形態１４の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４０】
本発明の実施形態１６は、黒化処理をＶＩＩＩ族元素を含む黒色合金金属を形成された金属層の表面に析出させて行う実施形態１４又は１５の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４１】
本発明の実施形態１７は、黒化処理が黒色ニッケルめっきであって、硫酸ニッケルを６０〜１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルアンモニウムを３０〜５０ｇ／Ｌ、硫酸亜鉛を２０〜４０ｇ／Ｌ、チオシアン化ナトリウムを１０〜２０ｇ／Ｌを含むめっき液を使った実施形態１６の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４２】
本発明の実施形態１８は、黒化処理した層の厚みが０．５μｍ〜３μｍである実施形態１４〜１７のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４３】
本発明の実施形態１９は、黒化処理した層が導電性基材の上に析出した金属と密着が良く、導電層パターン以外の部分に粉落ちが無い実施形態１４〜１８のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４４】
本発明の実施形態２０は、前記黒化処理後、防錆処理工程を有する実施形態１４〜１９のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４５】
本発明の実施形態２１は、別の基材が接着性を有する実施形態１〜２０のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４６】
本発明の実施形態２２は、別の基材が表面に接着剤層又は粘着剤層を有する実施形態２１の導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４７】
本発明の実施形態２３は、別の基材が、９００ｎｍ〜１１００ｎｍの近赤外領域における平均透過率が１５％以下のものである実施形態１〜２２のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４８】
本発明の実施形態２４は、上記導電性基材の凸部のパターンの高さが１μｍ〜１００μｍ、幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の上面間の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである実施形態１〜２３のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３４９】
本発明の実施形態２５は、上記導電性基材上にめっきにより金属層を形成する工程において、導電性基材の凸部の上面において金属の厚さが０．１〜２０μｍになるように金属を析出させる実施形態１〜２４のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３５０】
本発明の実施形態２６は、めっきに用いる金属が、２０℃における体積抵抗率で２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むものである実施形態１〜２５のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３５１】
本発明の実施形態２７は、導電性基材が回転体（ロール）である実施形態１〜２６のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３５２】
本発明の実施形態２８は、導電性基材がフープ状である実施形態１〜２６のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３５３】
本発明の実施形態２９は、上記凸部に形成された金属層を基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を黒化処理する工程を含む実施形態１〜２８のいずれか１つの導体層パターン付きプラスチック基材の製造方法である。【０３５４】
本発明の実施形態３０は、実施形態１〜２９のいずれか１つの製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属をエッチング除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３５５】
本発明の実施形態３１は、実施形態１〜２９のいずれか１つの製造方法を行った後、導電性基材に残存する金属を粘着性フィルムを用いて除去する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３５６】
本発明の実施形態３２は、実施形態１〜３１のいずれか１つの導体層パターン付き基材の製造方法により製造された導体層パターン付き基材である。【０３５７】
本発明の実施形態１は、実施形態３２の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材である。【０３５８】
本発明の実施形態３４は、実施形態３２の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材である。【０３５９】
本発明の実施形態３５は、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の５０％以上９７％以下である領域Ａ、並びに、その外側に配され、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部の面積比率が全体の４０％以上９７％未満である領域Ｂを有し、領域Ａにおける凹部の面積比率が領域Ｂにおける凹部の面積比率よりも大きく、しかも、上記の二つの領域における凹部が少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように絶縁層で被覆されてなるめっき用導電性基材である。【０３６０】
本発明の実施形態３６は、前記凹部の面積比率が、任意の１ｃｍ２毎の数値である実施形態３５のめっき用導電性基材である。【０３６１】
本発明の実施形態３７は、前記凹部が薄膜絶縁層で被覆されてなる実施形態３５のめっき用導電性基材である。【０３６２】
本発明の実施形態３８は、領域Ａ及び領域Ｂにおいて凸部のパターンが網目模様からなり、また、凹部の深さが１μｍ〜１００μｍであり、領域Ａにおいて上面の幅（ライン幅）が１μｍ〜４０μｍ、凸部上面の中心間隔（ライン間隔）が１００μｍ〜１０００μｍであり、領域Ｂにおける凸部の上面の幅（ライン幅）が１μｍ〜５００μｍ、上面の中心間隔（ライン間隔）が３μｍ〜５０００μｍであり、しかも、領域Ｂにおいて、凸部の上面の中心間隔（ライン間隔）が、凸部の上面の幅（ライン幅）の３倍以上１０倍以下である幾何学図形を有する実施形態３５のめっき用導電性基材である。【０３６３】
本発明の実施形態３９は、領域Ｂに形成される幾何学図形が下記（１）乃至（７）のうち少なくとも１つの模様を含む実施形態３５のめっき用導電性基材である。
（１）メッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様【０３６４】
本発明の実施形態４０は、領域Ａの凸部の上面と領域Ｂの凸部の上面が、少なくとも１カ所で連続している実施形態３５のめっき用導電性基材である。【０３６５】
本発明の実施形態４１は、導電性基材をフォトリソグラフ法でエッチングすることにより凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部が形成されている実施形態３５のめっき用導電性基材である。【０３６６】
本発明の実施形態４２は、実施形態３５のめっき用導電性基材上に、めっきにより金属層を形成した後、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を別の基材に転写して得られる導電層パターン付き基材である。【０３６７】
本発明の実施形態４３は、めっきにより、上記めっき用導電性基材に形成される金属層が、２０℃における体積抵抗率で２０μΩ／ｃｍ以下の金属である実施形態４２の導電層パターン付き基材である。【０３６８】
本発明の実施形態４４は、転写された金属の表面又は裏面の少なくとも１面に黒化処理が施されている実施形態４２の導電層パターン付き基材である。【０３６９】
本発明の実施形態４５は、導電性基材の表面に光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化樹脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程、導電性基材をエッチングすることにより上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を形成する工程、少なくとも上記凸部の上面の端付近では薄膜になるように凹部に絶縁層を形成する工程、上記光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の硬化樹脂を剥離する工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法である。【０３７０】
本発明の実施形態４６は、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂がエッチングレジストである実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７１】
本発明の実施形態４７は、導電性基材をエッチングするに際し、オーバーエッチングする実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７２】
本発明の実施形態４８は、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、その前の凸部の高さの１／２以上である実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７３】
本発明の実施形態４９は、導電性基材の凸部の上面の端部での絶縁層の厚さが１０μｍ以下である実施形態４７のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７４】
本発明の実施形態５０は、絶縁層が薄膜絶縁層である実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７５】
本発明の実施形態５１は、導電性基材に絶縁層を形成する工程において、絶縁層を電着塗装により形成する実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７６】
本発明の実施形態５２は、上記導電性基材の凸部の高さが１μｍ〜１００μｍ、凸部上面の幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の上面の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７７】
本発明の実施形態５３は、導電性基材が回転体（ロール）又は回転体（ロール）に巻き付けられるものである実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７８】
本発明の実施形態５４は、導電性基材がフープ状である実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３７９】
本発明の実施形態５５は、光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターンを形成する工程が、フォトリソグラフ法又は印刷法によって行われる実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３８０】
本発明の実施形態５６は、絶縁層を導電性基材に定着させる際に不活性ガス雰囲気下で行う実施形態４５のめっき用導電性基材の製造法である。【０３８１】
本発明の実施形態５７は、不活性ガスが窒素である実施形態５６のめっき用導電性基材の製造法である。【０３８２】
本発明の実施形態５８は、実施形態３５の導電性基材の凸部の上面に、めっきにより金属層を形成する工程及び上記導電性基材の凸部の上面に形成された金属層を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法である。【０３８３】
本発明の実施形態５９は、実施形態４２の導体層パターン付き基材を含む透光性電磁波遮蔽部材である。【０３８４】
本発明の実施形態６０は、導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる実施形態５９の透光性電磁波遮蔽部材である。【０３８５】
本発明の実施形態６１は、導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を樹脂で被覆してなる実施形態５９の透光性電磁波遮蔽部材である。
【図１】
2006068175.tif 000004
【図２−ａ】
2006068175.tif 000005
【図２−ｂ】
2006068175.tif 000006
【図３−ａ】
2006068175.tif 000007
【図３−ｂ】
2006068175.tif 000008
【図３−ｃ】
2006068175.tif 000009
【図３−ｄ】
2006068175.tif 000010
【図３−ｅ】
2006068175.tif 000011
【図４】
2006068175.tif 000012
【図５】
2006068175.tif 000013
【図６】
2006068175.tif 000014
【図７】
2006068175.tif 000015
【図８】
2006068175.tif 000016
【図９−ａ】
2006068175.tif 000017
【図９−ｂ】
2006068175.tif 000018
【図９−ｃ】
2006068175.tif 000019
【図１０】
2006068175.tif 000020
【図１１−ａ】
2006068175.tif 000021
【図１１−ｂ】
2006068175.tif 000022
【図１１−ｃ】
2006068175.tif 000023
【図１１−ｄ】
2006068175.tif 000024
【図１１−ｅ】
2006068175.tif 000025
【図１２−ａ】
2006068175.tif 000026
【図１２−ｂ】
2006068175.tif 000027
【図１２−ｃ】
2006068175.tif 000028
【図１３】
2006068175.tif 000029
【図１４】
2006068175.tif 000030
【図１５】
2006068175.tif 000031
【図１６】
2006068175.tif 000032
【図１７−ａ】
2006068175.tif 000033
【図１７−ｂ】
2006068175.tif 000034
【図１７−ｃ】
2006068175.tif 000035
【図１７−ｄ】
2006068175.tif 000036
【図１７−ｅ】
2006068175.tif 000037
【図１８】
2006068175.tif 000038
【図１９−ａ】
2006068175.tif 000039
【図１９−ｂ】
2006068175.tif 000040
【図２０】
2006068175.tif 000041
【図２１】
2006068175.tif 000042
【図２２】
2006068175.tif 000043
【図２３】
2006068175.tif 000044
【図２４】
2006068175.tif 000045
【図２５】
2006068175.tif 000046
【図２６】
2006068175.tif 000047
【図２７】
2006068175.tif 000048
【図２８】
2006068175.tif 000049
【図２９】
2006068175.tif 000050
【図３０】
2006068175.tif 000051
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【国際調査報告】
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