【事件の表示】
　特願２０１２−１５２９３３「ネスト化複合スイッチ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月２１日出願公開、特開２０１３−　３８４０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２４年７月６日（パリ条約による優先権主張２０１１年７月１１日、米国、２０１２年７月５日、米国）の出願であって、平成２４年８月２８日付けで翻訳文提出書及び手続補正書の提出がなされ、平成２６年１月８日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年６月１３日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年８月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月１６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ、平成２７年１月１６日付けで前置報告がなされ、同年５月８日付けで上申書の提出がなされたものである。
第２　補正の却下の決定　　
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１２月１６日付けの手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］　　　
１　補正の内容 について
　平成２６年１２月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１乃至２０を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１乃至２０とするものであり、補正前後の請求項１は、各々次のとおりである。
　　
（補正前）
「複合スイッチに結合されたノーマリオン・プライマリ・トランジスタを具えたネスト化複合スイッチであって、
　前記複合スイッチは、中間型トランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）トランジスタを含み、前記中間型トランジスタは、前記ＬＶトランジスタよりは大きく、かつ前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有し、
　前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタのゲートは、前記ＬＶトランジスタのソースに接続されていることを特徴とするネスト化複合スイッチ。」
　
（補正後）　
「複合スイッチに結合されたノーマリオン・プライマリ・トランジスタを具えたネスト化複合スイッチであって、
　前記複合スイッチは、ノーマリオン中間型トランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）トランジスタを含み、前記ノーマリオン中間型トランジスタは、前記ＬＶトランジスタよりは大きく、かつ前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有し、
　前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタのゲートは、前記ＬＶトランジスタのソースに接続されていることを特徴とするネスト化複合スイッチ。」
　
　本件補正では、本件補正前の請求項１は本件補正後の請求項１に対応し、本件補正前の請求項１と本件補正後の請求項１を比較すると、本件補正後の請求項１に係る本件補正には、以下の補正事項が含まれる。
　　
［補正事項］
　補正前の請求項１の「中間型トランジスタ」を「ノーマリオン中間型トランジスタ」とする補正。
　　            　
２　補正の適否について
　補正事項により補正された部分は、本願において、特許法第３６条の２第６項の規定により明細書、特許請求の範囲及び図面とみなされた、平成２４年８月２８日に提出された外国語書面の翻訳文（以下「当初明細書等」という）の段落【００１４】に記載されているものと認められるから、補正事項は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項は、補正前の請求項１における「中間型トランジスタ」を「ノーマリオン」の「中間型トランジスタ」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そうすると，補正事項は，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項、第４項、及び、第５項に規定する要件を満たす。
３　独立特許要件について
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
３．１　補正後の発明
　本願の請求項１乃至２０に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明(以下、「本件補正発明」という。）は、上記１．の「(補正後)」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　　
「複合スイッチに結合されたノーマリオン・プライマリ・トランジスタを具えたネスト化複合スイッチであって、
　前記複合スイッチは、ノーマリオン中間型トランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）トランジスタを含み、前記ノーマリオン中間型トランジスタは、前記ＬＶトランジスタよりは大きく、かつ前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有し、
　前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタのゲートは、前記ＬＶトランジスタのソースに接続されていることを特徴とするネスト化複合スイッチ。」
　　　　 　　　
３．２　引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−２４７４９６号公報（以下、「引用文献」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
Ａ　「【００４１】
図１と図２に示す炭化珪素半導体装置１００においては、ＪＦＥＴ２のドレインＤ２は、ＪＦＥＴ１のソースＳ１に接続されている。また、前記のように、ＪＦＥＴ１とＪＦＥＴ２は、共通のｐ＋型不純物拡散領域４をそれぞれのゲートＧ１／Ｇ２としている。従って、図２の等価回路図では、ＪＦＥＴ２とＪＦＥＴ１におけるそれぞれのゲートＧ１／Ｇ２同士が接続されている。
【００４２】
図１と図２に示す炭化珪素半導体装置１００は、ＪＦＥＴ２とＪＦＥＴ１を組み合わせて、同じＳｉＣからなる半導体基板１０に集積化したものである。ＪＦＥＴ２のドレインＤ２をＪＦＥＴ１のソースＳ１に接続し、それぞれのゲートＧ１／Ｇ２同士を接続することで、この炭化珪素半導体装置１００を、三端子の半導体装置としている。」
Ｂ　「【００４７】
図２の等価回路図からわかるように、炭化珪素半導体装置１００では、横型のＪＦＥＴ２が、縦型のＪＦＥＴ１と較べて、低電圧で動作する。言い換えれば、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００では、高耐圧で低オン抵抗の縦型のＪＦＥＴ１を、低電圧で動作する横型のＪＦＥＴ２で制御することになる。従って、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００は、全体として、高耐圧で制御が容易な高性能の半導体装置となっている。
【００４８】
図３（ａ），（ｂ）は、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性のシミュレーション結果である。図３（ａ）はオン状態でのＩ−Ｖ特性であり、図１，２に示すゲートＧ１／Ｇ２の電圧ＶＧ＝１．０Ｖ，１．５Ｖ，２．０Ｖ，２．５Ｖの時の特性を示す。また、図３（ｂ）はオフ状態でのＩ−Ｖ特性であり、ＶＧ＝−７．０Ｖの時の特性を示す。図３（ａ），（ｂ）に見られるように、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００は、ゲートＧ１／Ｇ２に負の電位を与えた時に初めてオフ状態となる。従って、図１，２の炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオンで動作する三端子の半導体装置ということができる。」
　
Ｃ　「【００５０】
図５は、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００において、トータル電圧Ｖｄｄに対して、ＪＦＥＴ１とＪＦＥＴ２の各々のドレインＤ１，Ｄ２にかかる電圧ＶＤを示したグラフである。図に見られるように、トータル電圧Ｖｄｄを大きくしていくと、ＪＦＥＴ１には高電圧がかかっていくが、ＪＦＥＴ２は低い電圧のままである。従って、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００では、ＪＦＥＴ２は低電圧で動作させることができる。
【００５１】
図１，２の炭化珪素半導体装置１００は、別チップで構成された珪素（Ｓｉ）からなるＭＯＳ型電界効果トランジスタ（Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ）を接続して、制御してもよい。
【００５２】
図６は、その接続例を示す等価回路図である。一点差線で囲った部分が図１，２の炭化珪素半導体装置１００で、ＳｉからなるＭＯＳ型電界効果トランジスタ（Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３）のドレインＤ３が、ＪＦＥＴ２のソースＳ２に接続されている。また、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のソースＳ３が、炭化珪素半導体装置１００のゲートＧ１／Ｇ２に接続されて、ゲートＧ１／Ｇ２が逆バイアスされ、炭化珪素半導体装置１００がＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３により制御される。図６の等価回路図の接続により、互いに接続されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３と炭化珪素半導体装置１００を、全体として、ノーマリオフで動作する三端子の半導体装置とすることができる。
【００５３】
図６の等価回路図では、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３が炭化珪素半導体装置１００に接続されているため、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３を用いない場合に較べて、炭化珪素半導体装置１００をより低電圧で制御することができる。言い換えれば、炭化珪素半導体装置１００をより高耐圧の半導体装置として用いることができる。特に、図６のＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３として、５ボルト以上、１０ボルト以下のゲート電圧により、オン状態となるものを用いれば、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３を介して、ロジック回路の電圧レベルで炭化珪素半導体装置１００を制御することができ、回路全体が簡略化される。また、図６のＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３には、別チップで構成された安価なＳｉ−ＭＯＳＦＥＴを利用することができるので、図６のＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３の接続によるコストアップは抑制される。」
　　
　ここで、上記引用文献の記載事項について検討する。
Ｄ　トランジスタの接続構成について
　上記Ａには、「炭化珪素半導体装置１００」の構成として、「ＪＦＥＴ２のドレインＤ２は、ＪＦＥＴ１のソースＳ１に接続」され、「ＪＦＥＴ２とＪＦＥＴ１におけるそれぞれのゲートＧ１／Ｇ２同士が接続」されていることが記載されている。
　また、「炭化珪素半導体装置１００」と「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」との接続構成については、「ＳｉからなるＭＯＳ型電界効果トランジスタ（Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３）のドレインＤ３が、ＪＦＥＴ２のソースＳ２に接続」され、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のソースＳ３が、炭化珪素半導体装置１００のゲートＧ１／Ｇ２に接続」されていることが、上記Ｃに記載されている。
　よって、引用文献には、「ＪＦＥＴ２のドレインＤ２がＪＦＥＴ１のソースＳ１に接続され、前記ＪＦＥＴ２と前記ＪＦＥＴ１のそれぞれのゲートＧ１／Ｇ２同士が接続された炭化珪素半導体装置１００と、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のドレインＤ３が前記ＪＦＥＴ２のソースＳ２に接続され、前記Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のソースＳ３が、前記ＪＦＥＴ２と前記ＪＦＥＴ１のゲートＧ１／Ｇ２に接続された半導体装置」の構成が記載されている。
Ｅ　ＪＦＥＴ１及びＪＦＥＴ２の特性について
　上記Ｂには、「図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００は、ゲートＧ１／Ｇ２に負の電位を与えた時に初めてオフ状態となる。従って、図１，２の炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオンで動作する」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「炭化珪素半導体装置１００は、ゲートＧ１／Ｇ２に負の電位を与えた時に初めてオフ状態となり、全体としてノーマリオンで動作する」ことが記載されている。
Ｆ　Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３の炭化珪素半導体装置１００の制御について
　上記Ｃには、「互いに接続されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３と炭化珪素半導体装置１００を、全体として、ノーマリオフで動作」すること、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３として、５ボルト以上、１０ボルト以下のゲート電圧により、オン状態となるものを用いれば、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３を介して、ロジック回路の電圧レベルで炭化珪素半導体装置１００を制御することができ」ることが記載されている。
　よって、引用文献には、「互いに接続されたＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３と炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオフで動作し、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３は、５ボルト以上、１０ボルト以下のゲート電圧により、オン状態となるものを用いれば、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３を介して、ロジック回路の電圧レベルで炭化珪素半導体装置１００を制御することができ」ることが記載されている。
　よって、上記Ａ乃至Ｆ及び関連図面の記載から、引用文献には、下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「ＪＦＥＴ２のドレインＤ２がＪＦＥＴ１のソースＳ１に接続され、前記ＪＦＥＴ２と前記ＪＦＥＴ１のそれぞれのゲートＧ１／Ｇ２同士が接続された炭化珪素半導体装置１００と、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のドレインＤ３が前記ＪＦＥＴ２のソースＳ２に接続され、前記Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のソースＳ３が、前記ＪＦＥＴ２と前記ＪＦＥＴ１のゲートＧ１／Ｇ２に接続された半導体装置であって、
　前記炭化珪素半導体装置１００は、ゲートＧ１／Ｇ２に負の電位を与えた時に初めてオフ状態となり、全体としてノーマリオンで動作するものであり、　
　互いに接続された前記Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３と前記炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオフで動作し、前記Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３は、５ボルト以上、１０ボルト以下のゲート電圧により、オン状態となるものを用いれば、前記Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３を介して、ロジック回路の電圧レベルで前記炭化珪素半導体装置１００を制御することができる半導体装置。」
　
３．３　対比 
（１）本件補正発明と引用発明との対応関係について
ア　本件補正発明と引用発明のトランジスタの対応関係について
　本件補正発明では、「低電圧（ＬＶ）トランジスタ」は、「ノーマリオン中間型トランジスタとカスコード接続された」ものであり、「ノーマリオン・プライマリ・トランジスタのゲートは、前記ＬＶトランジスタのソースに接続され」たものである。
　これに対し、引用発明の「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、「ドレインＤ３が前記ＪＦＥＴ２のソースＳ２に接続」されることでカスコード接続がなされ、また、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のソースＳ３が、前記ＪＦＥＴ２と前記ＪＦＥＴ１のゲートＧ１／Ｇ２に接続」されることで、ＪＦＥＴ１のゲートＧ１はＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のソースＳ３に接続されたものとなる。
　よって、引用発明の「ＪＦＥＴ１」、「ＪＦＥＴ２」、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、本件補正発明の「ノーマリオン・プライマリ・トランジスタ」、「ノーマリオン中間型トランジスタ」、「低電圧（ＬＶ）トランジスタ」に対応したものといえる。
　
イ　引用発明のＪＦＥＴ１の制御について
　ＪＦＥＴ１とＪＦＥＴ２の関係についてみると、引用文献に「図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００では、高耐圧で低オン抵抗の縦型のＪＦＥＴ１を、低電圧で動作する横型のＪＦＥＴ２で制御することになる。」（上記Ｂの段落【００４７】）と記載されていることから、「ＪＦＥＴ１」は「ＪＦＥＴ２」に制御されたものである。
　また、ＪＦＥＴ１とＪＦＥＴ２を接続した「炭化珪素半導体装置１００」と「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」の関係についてみると、引用発明では、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、「ロジック回路の電圧レベルで前記炭化珪素半導体装置１００を制御する」ものであるから、「ＪＦＥＴ１」は「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」にも制御されたものである。
　以上から、「ＪＦＥＴ１」は、「ＪＦＥＴ２」及び「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」に制御されたものであるといえる。
　そして、「ＪＦＥＴ１」を制御する「ＪＦＥＴ２」及び「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、複数のＦＥＴで構成された複合素子であり、かつ、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」のゲート電圧に応じてオン又はオフ状態となるスイッチとして機能するものであることを踏まえれば、「ＪＦＥＴ２」及び「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」からなる構成は、「複合スイッチ」と呼び得るものである。
ウ　引用発明の「ＪＦＥＴ１」、「ＪＦＥＴ２」のノーマリオン特性について
　引用発明の「ＪＦＥＴ１」及び「ＪＦＥＴ２」は、「それぞれのゲートＧ１／Ｇ２同士が接続され」、「ゲートＧ１／Ｇ２に負の電位を与えた時に初めてオフ状態となり、全体としてノーマリオンで動作するもの」であり、「ＪＦＥＴ１」及び「ＪＦＥＴ２」の一方が「ノーマリオフ」の場合には「全体としてノーマリオンで動作する」ことはないことを踏まえると、「ＪＦＥＴ１」及び「ＪＦＥＴ２」は、それぞれ「ノーマリオン」の特性を有するものと認められる。
　
エ　本件補正発明と引用発明の高耐圧のトランジスタについて
　本願明細書の段落【０００５】には、「中間型トランジスタ」とは、「標準的な降伏電圧がＬＶデバイスよりは大きく、『プライマリ・デバイス』よりは小さいデバイスを称する」と記載されていることから、本件補正発明の「ノーマリオン・プライマリ・トランジスタ」は、降伏電圧が一番大きな、高耐圧のトランジスタから構成されているといえる。
　また、引用文献の段落【００４７】には、「ＪＦＥＴ１」について、「高耐圧で低オン抵抗の縦型のＪＦＥＴ１」と記載されている。
　よって、上記ウの事項を踏まえると、本件補正発明の「ノーマリオン・プライマリ・トランジスタ」と引用発明の「ＪＦＥＴ１」は、「ノーマリオン高耐圧トランジスタ」である点で共通している。
オ　「ネスト化」の接続構成について
　本願明細書の段落【０００８】には、「ネスト（入れ子）化複合スイッチ」と記載され、本願の図面【図３】には、「ネスト化複合スイッチの好適な実現を示す図」として、中間型トランジスタ３２２のドレインがプライマリトランジスタ３１０のソースに接続され、中間型トランジスタ３２２とプライマリトランジスタ３１０のそれぞれのゲート同士が接続され、ＬＶトランジスタ３２４のドレインが中間型トランジスタ３２２のソースに接続され、ＬＶトランジスタ３２４のソースが、中間型トランジスタ３２２とプライマリトランジスタ３１０のゲートに接続された構成が記載されている。
　そして、上記アから、引用発明の「ＪＦＥＴ１」、「ＪＦＥＴ２」、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、本件補正発明の「ノーマリオン・プライマリ・トランジスタ」、「ノーマリオン中間型トランジスタ」、「低電圧（ＬＶ）トランジスタ」にそれぞれ対応したものであるところ、引用発明の「ＪＦＥＴ１」、「ＪＦＥＴ２」、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、上記本願の図面【図３】の接続構成になっており、上記イから、引用発明も「複合スイッチ」を含んだ構成であることを踏まえると、引用発明の「半導体装置」は、下記の相違点を除いて「ネスト化複合スイッチ」と呼び得るものである。
　　　　
（２）本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点について
　上記の対応関係から本件補正発明と引用発明は、下記の点で一致し、また相違する。　
（一致点）
「複合スイッチに結合されたノーマリオン高耐圧トランジスタを具えたネスト化複合スイッチであって、
　前記複合スイッチは、ノーマリオントランジスタとカスコード接続されたトランジスタを含み、
　前記ノーマリオン高耐圧トランジスタのゲートは、前記トランジスタのソースに接続されていることを特徴とするネスト化複合スイッチ。」
　　
（相違点）
　本件補正発明は、「前記ノーマリオン中間型トランジスタは、前記ＬＶトランジスタよりは大きく、かつ前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有」することで、トランジスタが「プライマリ」、「中間型」、「低電圧（ＬＶ）」に区別されているのに対し、引用発明の「ＪＦＥＴ１」、「ＪＦＥＴ２」、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」は、それぞれの降伏電圧が定かではない点。
３．４　当審の判断 
（１）相違点の判断
（１−１）ＪＦＥＴ２とＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３の降伏電圧について
　引用文献には、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」が、「炭化珪素半導体装置１００をより低電圧で制御することができる」こと（上記Ｃの段落【００５３】）、及び、高電圧がＪＦＥＴ１のドレインに印加されたとしても、ＪＦＥＴ２のドレインにはそのような高電圧が印加されないこと（上記Ｃの段落【００５０】）が記載されているので、ＪＦＥＴ２のソースに接続されるＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３のドレインには、更に低下した電圧が印加されるものと認められる。
　また、炭化珪素（ＳｉＣ）は、珪素（Ｓｉ）よりもバンドギャップが広く、絶縁破壊電界が大きいため耐圧が高いことは、本願の優先権主張の日前、当該技術分野では技術常識であったと認められる。
　してみると、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３は低電圧で動作するものであり大きな耐圧が求められていないこと、及び、ＪＦＥＴ２が炭化珪素（ＳｉＣ）から形成され、Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３は珪素（Ｓｉ）で形成されていることを踏まえれば、引用発明において、ＪＦＥＴ２の方がＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３より耐圧が高い、即ち、降伏電圧が大きい構造であると認められる。また、仮にそうでないとしても、ＪＦＥＴ２の方がＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３より大きい降伏電圧を有するように構成することは、引用文献の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。
（１−２）ＪＦＥＴ１とＪＦＥＴ２の降伏電圧について
　引用文献には、「炭化珪素半導体装置１００では、横型のＪＦＥＴ２が、縦型のＪＦＥＴ１と較べて、低電圧で動作する。言い換えれば、図１，２に示す炭化珪素半導体装置１００では、高耐圧で低オン抵抗の縦型のＪＦＥＴ１を、低電圧で動作する横型のＪＦＥＴ２で制御することになる。」（上記Ｂの段落【００４７】）ことが記載され、さらに、上記（１−１）に記載したように、引用文献には、高電圧がＪＦＥＴ１のドレインに印加されたとしても、ＪＦＥＴ２のドレインにはそのような高電圧が印加されないこと（上記Ｃの段落【００５０】）が記載されている。　
　また、数１００Ｖの高電圧が印加されるパワー半導体の分野において、一般的に縦型構造の方が横型構造よりも高耐圧・大電流の特性を有していることは、当業者には周知の事項と認められる。
　してみると、ＪＦＥＴ１がＪＦＥＴ２より高耐圧が必要であること、ＪＦＥＴ１の縦構造がＪＦＥＴ２の横構造より高耐圧に有利であることを踏まえれば、引用発明において、ＪＦＥＴ２の方がＪＦＥＴ１より耐圧が低い、即ち、ＪＦＥＴ２の降伏電圧がＪＦＥＴ１の降伏電圧より小さい構造であると認められる。また、仮にそうでないとしても、ＪＦＥＴ２の方がＪＦＥＴ１より小さい降伏電圧を有するように構成することは、引用文献の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。
（１−３）まとめ
　以上から、引用文献には、「ＪＦＥＴ１」、「ＪＦＥＴ２」、「Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴ３」のそれぞれの降伏電圧については記載されていないものの、引用発明においては、ＪＦＥＴ２の方がＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３より降伏電圧が大きく、ＪＦＥＴ２の方がＪＦＥＴ１より降伏電圧が小さい構造であると認められる。
　また、仮にそうでないとしても、ＪＦＥＴ２の方がＳｉ−ＭＯＳＦＥＴ３より大きい降伏電圧を有するように構成し、ＪＦＥＴ２の方がＪＦＥＴ１より小さい降伏電圧を有するように構成することは、引用文献の記載に接した当業者が普通に行い得ることである。
　よって、本件補正発明と引用発明との相違点は、いずれも実質的な相違点であるとはいえず、仮にそうでないとしても、当業者が容易になし得たものであるから、本件補正発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定、又は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
（２）審判請求人の主張について
　なお、審判請求人は、平成２７年５月８日付けで上申書において、
　引用文献の段落０００５に、「・・・この炭化珪素半導体装置は、ノーマリオフで動作する縦型のＪＦＥＴとノーマリオンで動作する縦型のＪＦＥＴを組み合わせたもので、全体としてノーマリオフで動作させることができる。」ことが記載されていること、引用文献の図３（ａ）および図３（ｂ）には、炭化珪素半導体装置１００のオン状態のＩ−Ｖ特性と、オフ状態のＩ−Ｖ特性から、「ゲート電圧ＶＧが０になると、少なくとも横型のＪＦＥＴ２はオフになるため、炭化珪素半導体装置１００もオフ状態になると結論づけることはリーズナブル」であり、引用文献の段落００４８に、「『図１，２の炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオンで動作する三端子の半導体装置ということができる』で記載されているとしても、これは誤記であり、炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオフで動作するものである」と思料すると、主張している。
　しかしながら、引用文献の段落【０００５】に記載された構成は、引用発明の構成に係るものではなく、また、図３（ａ）および図３（ｂ）には、ゲート電圧ＶＧが０［Ｖ］の場合の特性は記載されていないことから、引用発明の「炭化珪素半導体装置１００」のゲート電圧ＶＧを０［Ｖ］にした場合にオフ状態になると結論づけることはできない。
　よって、引用文献の段落【００４８】の、「図１，２の炭化珪素半導体装置１００は、全体としてノーマリオンで動作する三端子の半導体装置ということができる」の記載が誤記であるとは認められないことから、上記審判請求人の主張を採用することはできない。
　そして、本件補正発明の作用効果も、引用発明、引用文献の記載事項から当業者が予測できる範囲のものである。　
　
３．５　むすび 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
　
１　本願発明
　平成２６年１２月１６日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成２６年６月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明(以下「本願発明」という。）は、上記「第２」「１」の「(補正前)」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
「複合スイッチに結合されたノーマリオン・プライマリ・トランジスタを具えたネスト化複合スイッチであって、
　前記複合スイッチは、中間型トランジスタとカスコード接続された低電圧（ＬＶ）トランジスタを含み、前記中間型トランジスタは、前記ＬＶトランジスタよりは大きく、かつ前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタよりは小さい降伏電圧を有し、
　前記ノーマリオン・プライマリ・トランジスタのゲートは、前記ＬＶトランジスタのソースに接続されていることを特徴とするネスト化複合スイッチ。」
　
　
２　引用文献
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献の記載事項及び引用発明は、上記「第２」「３」「３．２」に記載したとおりである。
　
　　
３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２」「２」で検討した本件補正発明における限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに特定の点に限定を施したものに相当する本件補正発明が、上記「第２」「３」「３．４」に記載したとおり、引用文献に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、本件補正発明は、引用発明、引用文献の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用文献に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、引用発明、引用文献の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と実質的に同一であるから、引用文献に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないか、仮にそうでないとしても、本願発明は、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、特許法第４９条第２号の規定に該当するから、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。