【事件の表示】
　特願２００９−５１７０３１「ＯＬＥＤアプリケーション用の、三重項発光体としての、イソニトリル−金属錯体のオリゴマー」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１０日国際公開，ＷＯ２００８／００３４６４，平成２１年１１月２６日国内公表，特表２００９−５４２０２３，請求項の数（２３）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，２００７年７月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年７月４日，ドイツ）を国際出願日とする出願であって，平成２１年３月４日に翻訳文が提出され，平成２４年１０月３１日付けで拒絶理由が通知され，平成２５年２月４日に意見書及び手続補正書が提出され，同年１１月２８日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年３月３日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年６月２５日付けで，平成２６年３月３日提出の手続補正書でした補正が却下されるとともに，同日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がなされた。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，平成２６年１１月１０日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２８年１月１３日付けで拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，同年５月１９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１ないし２３に係る発明は，平成２８年５月１９日提出の手続補正書によって補正された請求項１ないし２３に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ，請求項１ないし２３のうち独立形式で記載された請求項は請求項１及び請求項２３であって，当該請求項１及び請求項２３の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　（ｉ）アノードと，
　（ｉｉ）カソードと，
　（ｉｉｉ）上記アノードと上記カソードとの間に配置され，上記アノードと上記カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備え，
　上記発光層は，一般式（Ｉ）
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍ
で表される少なくとも１つの錯体を含み，
　Ｍは，Ｐｔ（ＩＩ），または，Ｐｄ（ＩＩ）を示し，
　Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，
　ｎ＋ｍ＝４であり，
　ｎ＝ｍ＝２であり，
　上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は，上記発光層の全重量に対して１０重量％よりも多く，
　気体が周囲から上記発光層の中に侵入しないように，周囲に対して遮断されている，有機発光素子（ＯＬＥＤ）であることを特徴とする，発光素子。」（以下，「本願第１発明」という。）
「【請求項２３】
　一般式（Ｉａ）
（ＮＣ）ｎＰｄ（ＣＮＲ）ｍ
で表される錯体であって，
　Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，
　ｎ＋ｍ＝４であり，
　ｎ＝ｍ＝２である，錯体。」（以下，「本願第２発明」という。）
第３　原査定の拒絶の理由について
１　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は，概略，次のとおりである。
　本願の請求項１ないし３４（平成２５年２月４日提出の手続補正書による補正後の請求項１ないし３４）に係る発明は，その優先権主張の日より前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１：特開２００２−２４１７５１号公報
引用例２：米国特許第６１３７１１８号明細書
引用例３：特開２００４−２８１２７４号公報
　発光効率の向上のため，錯体ドーパントの発光層に占める割合を増加させる手段は，引用例３等に記載されたように従来から知られており，この手法を引用例１の錯体ドーパント又は引用例２の錯体ドーパントを用いた有機ＥＬ素子において採用する程度のことは当業者であれば容易に適宜なす程度の事項である。
　また，ＥＬ発光素子は，通常素子劣化を防ぐため外気に触れないように封止することは当業者であれば当然なす程度の従来周知の処置である（例えば特開２００５−２７６５８１号公報の段落【００３０】の記載等を参照，他の手段も多数存在することも周知である。）から，引用例１及び引用例２の発光層（引用例２の発光層を単なるＥＬ発光層（材料）として使用可能なことも当業者にとって自明）においても，同様の封止処置を採ることは，当業者にとって単なる設計的事項にすぎない。
２　原査定の拒絶の理由に対する判断
（１）引用例
　ア　引用例１
（ア）引用例１の記載
　引用例１は，本願の優先権主張の日（以下，「優先日」という。）より前に頒布された刊行物であって，当該引用例１には次の記載がある。（下線は，後述する引用例１装置発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
　ａ　「【請求項１】　　下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物からなることを特徴とする発光素子用材料。
【化１】
一般式（１）中，Ｘ１１は酸素原子又はＮ−Ｒ１１基を表す。ここでＲ１１は置換基を表す。
・・・（中略）・・・
【請求項３】　　請求項１に記載の発光素子用材料において，前記化合物が下記一般式（３）で表されることを特徴とする発光素子用材料。
【化３】
一般式（３）中，Ｌ３１は配位子を表し，Ｙ３１は対イオンを表す。ｎ３１は１〜５の整数を表し，ｎ３２は１〜５の整数を表し，ｎ３３は０〜５の整数を表す。Ｒ３１は置換基を表す。」
　ｂ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気エネルギーを光に変換して発光する発光素子に関し
本発明はその発光素子に用いる発光素子用材料に関する
【０００２】
【従来の技術】今日，種々の表示素子に関する研究開発が活発に行われており，中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は低電圧で高輝度の発光が可能であるため注目されている。例えば，有機化合物の蒸着により形成した有機薄膜を有する発光素子が知られている（アプライド　フィジックス　レターズ，５１巻，９１３頁，１９８７年）。この発光素子は，電子輸送材料（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ））と正孔輸送材料（アミン化合物）を積層した構造を有し，従来の単層型素子に比べて大幅に向上した発光特性を示す。
【０００３】また，りん光性白金錯体（Ｐｔ（ｐｐｙ）２：Ｂｉｓ−Ｏｒｔｈｏ−Ｍｅｔａｌａｔｅｄ　Ｃｏｍｐｌｅｘ　ｏｆ　Ｐｔ（ＩＩ）　ｗｉｔｈ　２−Ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）からの発光を利用することにより，発光特性を改善した発光素子が報告されている（ＷＯ　００／０５７６７６）。この発光素子はりん光性発光材料を用いているが，発光輝度及び耐久性が低く改良が求められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は，高輝度発光が可能で耐久性に優れた発光素子を得るために使用する発光素子用材料，及びそれを用いた発光素子を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的に鑑み鋭意研究の結果，本発明者は，特定の構造を有する白金錯体を発光素子用材料として使用した発光素子は高輝度発光が可能であり，且つ耐久性に優れていることを発見し，本発明に想到した。
【０００６】本発明の発光素子用材料は，下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物からなることを特徴とする。
【化４】
一般式（１）中，Ｘ１１は酸素原子又はＮ−Ｒ１１基を表す。ここでＲ１１は置換基を表す。
【０００７】上記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物は，下記一般式（２）又は（３）で表されるのが好ましい。
【化５】
・・・（中略）・・・
【化６】
一般式（２）中，Ｌ２１は配位子を表し，Ｙ２１は対イオンを表す。ｎ２１は１〜５の整数を表し，ｎ２２は１〜５の整数を表し，ｎ２３は０〜５の整数を表す。一般式（３）中，Ｌ３１は配位子を表し，Ｙ３１は対イオンを表す。ｎ３１は１〜５の整数を表し，ｎ３２は１〜５の整数を表し，ｎ３３は０〜５の整数を表す。Ｒ３１は置換基を表す。
【０００８】本発明の発光素子は一対の電極間に，発光層又は発光層を含む複数の有機化合物層を有し，この発光層又は複数の有機化合物層のうち少なくとも一層が上記本発明の発光素子用材料を含有することを特徴とする。発光素子用材料を含有する層は塗布プロセスで成膜するのが特に好ましい。」
　ｃ　「【０００９】
【発明の実施の形態】［１］発光素子用材料
本発明の発光素子用材料は，下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物からなる。以下本発明では，「一般式（１）で表される部分構造を有する化合物」を「化合物（１）」と称する。
【化７】
【００１０】一般式（１）中，Ｘ１１は酸素原子又はＮ−Ｒ１１基を表す。ここで
Ｒ
１１
は置換基を表し，
アルキル基
，アルケニル基
，アルキニル基
，アリール基
，アシル基
，アルコキシカルボニル基
，アリールオキシカルボニル基
，スルホニル基
，スルフィニル基
，ヘテロ環基
・・・（中略）・・・
【００１４】化合物（１）は中性錯体であっても，対イオンを有するイオン性錯体であってもよい。対イオンは特に限定されず，好ましくはアルカリ金属イオン，アルカリ土類金属イオン，ハロゲンイオン，パークロレートイオン，ＰＦ６イオン，アンモニウムイオン（テトラメチルアンモニウムイオン等），ボレートイオン又はホスホニウムイオンであり，より好ましくはパークロレートイオン又はＰＦ６イオンである。
化合物（１）は中性金属錯体であることが好ましい
【００１５】化合物（１）は，下記一般式（２）又は（３）で表されるのが好ましい。
【００１６】
【化８】
【００１７】
【化９】
【００１８】以下一般式（２）について説明する。一般式（２）中，Ｌ２１は配位子を表し，その例としては上記「他の配位子」として例示したもの等が挙げられる。
配位子Ｌ
２１
は，
ハロゲン配位子，含窒素ヘテロ環配位子，ジケトン配位子，シアノ配位子，ＣＯ配位子，イソニトリル配位子，リン配位子又はカルボン酸配位子
より好ましくは含窒素へテロ環配位子（ビピリジル配位子，フェニルピリジン配位子，２−（ベンゾイミダゾ−２−イル）−ピリジン配位子，２−フェニルベンゾチアゾール配位子
【００１９】
Ｙ
２１
は対イオンを表し，
【００２０】
ｎ２１は
１又は２
ｎ２２は
１又は２
ｎ２３は０〜５の整数を表す
ｎ２１が複数のとき，複数のＬ
２１
は同じであっても異なっていてもよい。ｎ２３が複数のとき，複数のＹ
２１
は同じであっても異なっていてもよい。ｎ２１及びｎ２２は化合物（１）が中性錯体になる組み合わせであるのが好ましい。また，化合物（１）が４配位錯体になる組み合わせが好ましい。
【００２１】
一般式（３）中のＬ
３１
，Ｙ
３１
，ｎ３１，ｎ３２，ｎ３３及びＲ
３１
はそれぞれ上記Ｌ
２１
，Ｙ
２１
，ｎ２１，ｎ２２，ｎ２３及びＲ
１１
と同義であり，好ましい範囲も同じである
・・・（中略）・・・
【００３１】化合物（１）からなる本発明の発光素子用材料は正孔注入材料，正孔輸送材料，発光材料，電子輸送材料，電子注入材料等として機能するものであってよく，複数の機能を併せ持っていてもよい。
本発明の発光素子用材料は発光材料
として使用するのが好ましい
【００３２】
【化１２】
【００３３】
【化１３】
【００３４】
【化１４】
」
　ｄ　「【００３８】［２］発光素子
本発明の発光素子は，一対の電極（
陽極及び陰極
間に，発光層又は発光層を含む複数の有機化合物層を有する
有機ＥＬ
素子
・・・（中略）・・・
【００４０】本発明の発光素子は，発光層に加えて正孔注入層，正孔輸送層，電子注入層，電子輸送層，保護層等を含んでいてよく，これらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。前述の通り，
本発明の発光素子用材料は
好ましくは発光層
に含まれる
・・・（中略）・・・
【００４８】（Ｄ）発光層
発光素子に電界を印加すると，発光層において陽極，正孔注入層又は正孔輸送層から注入された正孔と，陰極，電子注入層又は電子輸送層から注入された電子とが再結合し，光を発する。
発光層をなす材料
本発明の発光素子用材料
が使用できる
・・・（中略）・・・
【００５２】(F)保護層
保護層は水分，酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有する
　ｅ　「【００５４】
【実施例】以下，実施例により本発明をさらに詳細に説明するが，本発明はそれらに限定されるものではない。
【００５５】比較例１
４０ｍｇのポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール），１２ｍｇの２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）及び１ｍｇの下記化合物Ａ（ＷＯ　００／０５７６７６に記載）を２．５ｍｌのジクロロエタンに溶解し，得られた溶液を洗浄した基板上にスピンコート（１５００ｒｐｍ，２０ｓｅｃ）して有機層を形成した。得られた有機層の膜厚は９８ｎｍであった。次に得られた有機層上に発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるようにパターニングしたマスクを設置し，蒸着装置内でマグネシウム及び銀（マグネシウム：銀＝１０：１（質量比））を５０ｎｍ共蒸着（１×１０−３Ｐａ）し，更に銀を５０ｎｍ蒸着し，比較例１の発光素子を作成した。得られた発光素子に，東陽テクニカ製「ソースメジャーユニット２４００型」を用いて直流定電圧を印加して発光させ，その発光輝度をトプコン社製「輝度計ＢＭ−８」を用いて測定した。その結果，微弱な青緑色発光が得られ，最高輝度は１００ｃｄ／ｍ２であった。また発光素子を１日大気下に放置し再度測定したところ，最高輝度は１０ｃｄ／ｍ２以下であった。
【００５６】
【化１６】
【００５７】実施例１
化合物Ａの代わりに化合物（１−１）を用いて比較例１と同様に素子作成すると，比較例１に比べ，高輝度発光可能かつ高い耐久性を有する素子を作成することができた。
【００５８】実施例２
化合物Ａの代わりに化合物（１−１１）を用いて比較例１と同様に素子作成すると，比較例１に比べ，高輝度発光可能かつ高い耐久性を有する素子を作成することができた。同様に，使用する化合物（１）を適宜選択することにより，種々の発光色を示す高輝度・高耐久発光素子を作成することが可能である。」
（イ）　引用例１に記載された発明
　前記（ア）ａないしｅの記載から，引用例１に，次の発明が記載されていると認められる。
「陽極及び陰極間に，発光層又は発光層を含む複数の有機化合物層を有し，水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有する保護層を形成した有機ＥＬ素子であって，
　前記発光層に含まれる発光材料として，下記一般式（３）で表される化合物を用いた，
　有機ＥＬ素子。
一般式（３）中，Ｌ３１はハロゲン配位子，含窒素ヘテロ環配位子，ジケトン配位子，シアノ配位子，ＣＯ配位子，イソニトリル配位子，リン配位子又はカルボン酸配位子を表し，Ｙ３１は対イオンを表す。ｎ３１は１又は２を表し，ｎ３２は１又は２を表し，ｎ３３は０〜５の整数を表す。Ｒ３１はアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アリール基，アシル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，スルホニル基，スルフィニル基又はヘテロ環基を表す。ｎ３１が複数のとき，複数のＬ３１は同じであっても異なっていてもよく，ｎ３３が複数のとき，複数のＹ３１は同じであっても異なっていてもよい。ｎ３１及びｎ３２は，一般式（３）で表される化合物が中性錯体になる組み合わせであり，４配位錯体になる組み合わせであることが好ましい。」（以下，「引用例１装置発明」という。）
　イ　引用例２
（ア）　引用例２の記載
　引用例２は，本願の優先日より前に頒布された刊行物であって，当該引用例２には次の記載がある。（下線は，後述する引用例２装置発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
　ａ　「TECHNICAL FIELD
　The present invention relates generally to molecular electronics, and, more particularly, to vapor-sensitive, molecular photodiodes based on thin films of certain platinum complexes.
　　　　BACKGROUND ART
・・・（中略）・・・
　However, to the best of the present inventors' knowledge, a photodiode which can detect the arrival of organic vapors has not been described. Such a device would be of interest in detecting the presence of organic vapors by a change in photocurrent.
　　　　DISCLOSURE OF INVENTION
　In accordance with the present invention, a molecular photodiode is provided. The molecular photodiode employs an organic complex that acts as both a sensor to certain organic molecules, or analyte vapors, and as an active light emitter. The molecular photodiode of the present invention comprises:
　(a) a first electrode;
　(b) a first molecular layer formed on the first electrode, capable of at least transporting charge;
　(c) a sensing/emitting layer formed on the first electrode, the sensing/emitting layer comprising a material that changes color upon exposure to the analyte vapors and that forms a rectifying junction with the first molecular layer; and
　(d) a second electrode formed on the sensing/emitting layer, wherein at least the first electrode comprises an optically transparent material. The device is preferably formed on a transparent dielectric substrate, on which the first electrode is formed.」（１欄１２行ないし２欄３３行）
［日本語訳］
「技術分野
　本発明は一般に分子電子工学に関し，特に特定の白金錯体の薄膜の蒸気に敏感な分子フォトダイオードに関する。
　　　　背景技術
・・・（中略）・・・
　しかしながら，本発明者の知る限りでは，
有機蒸気の出現を検出できるフォトダイオード
　　　　発明の開示
　本発明に従って分子フォトダイオードは提供される。
分子フォトダイオードには，特定の有機分子や蒸気分析物に対するセンサ，アクティブな発光体の両方の機能をする有機化合物を使用する
（ａ）第１電極；
（ｂ）少なくとも電荷を輸送できる第１電極上に形成される第１分子層；
（ｃ）第１電極上に形成される検出／発光層，蒸気分析物にさらされると変色し，第１分子層との整流接合を形成する材料を構成する検出／発光層；および
（ｄ）少なくとも第１電極が光透過性材料を構成する，検出／発光層上に形成される第２電極。デバイスは好ましくは，第１電極が形成される透明誘電体基板上に形成される。」
　ｂ　「BEST MODES FOR CARRYING OUT THE INVENTION
・・・（中略）・・・
　Herein is described a vapochromic photodiode based on chemical and electrical effects related to those involved in the LED disclosed and claimed in the related application, Ser. No. 09/225,758.
　To the knowledge of the present inventors, a photodiode which can detect the arrival of organic vapors has not been heretofore described. In accordance with the present invention, such a photodiode comprises an electrode transparent to the incident light, a second molecular layer that forms a rectifying junction with an emitter layer, a third layer of an appropriate vapochromic material that functions as the emitter layer, and a second electrode that permits vapor to reach the molecular materials.
　Bis(cyanide)-bis(p-dodecylphenylisocyanide) platinum (II) (Compound 2, FIG. 1b) was chosen as the stacked platinum complex because it forms good films by spin casting and it exhibits a large color change in response to organic vapors. This complex was disclosed by C. L. Exstrom, Ph.D. Dissertation, University of Minnesota (1995). Compound 2 was prepared by a melt method, as disclosed by Exstrom, supra. Tetrakis(p-decylphenylisocyano)platinum tetracyanoplatinate, from C. A. Daws et al, supra, (1.785 g, 1.20 mmoles) was placed in a flask and left under an argon atmosphere. As the deep blue sample was slowly heated to 165℃., the solid melted forming a reddish brown liquid. Upon cooling, the liquid solidified. The resulting solid was extracted from the flask with dichloromethane and purified by column chromatography with 17:3 dichloromethane:ethyl acetate (1.526 g, 2.08 mmoles, 87% yield). The purified product gave appropriate combustion analysis and spectroscopic data, as listed by Exstrom, supra.
　The color of the film cast from chloroform solution was yellow (λmax : 400 nm); see Curve 10 in FIG. 2. Exposure of the film to acetone vapor changed the color to reddish-purple λmax : 560 nm); see Curve 12 in FIG. 2. This reddish-purple color was 10 stable for several months under ambient laboratory conditions, but could be switched back to yellow by exposure to chloroform or dichloromethane vapor. Devices were prepared by spin casting Compound 2 from chloroform solution onto electrically-conducting indium-tin oxide (ITO) coated glass, followed by vapor deposition of aluminum. These devices, like single layer devices formed from Compound 1 (FIG. 1a) and reported by Y. Kunugi et al, supra, were very resistive, unstable, and did not show rectification.
　Recently, the inventors have shown that electrochemical oligomerized tris(4(2-thienyl)phenyl)amine (Compound 3, FIG. 1c) can be used as a hole transport layer to make a two-layer device; see, Y. Kunugi et al, supra. Because the layer of Compound 3 is insoluble in solvents such as chloroform or acetone, it was possible to spin cast a layer of Compound 2 on top of Compound 3 without layer interdiffusion. The two-layer device ITO/3/2/Al was, therefore, prepared by anodically oxidizing tris(p-thienylphenyl)amine (Compound 4, FIG. 1d) in acetonitrile, lithium perchlorate providing the oxidized form of Compound 3, and then electrochemically reducing it to form the neutral Compound 3 (film thickness=200 nm). The absorption spectrum of Compound 3 as a function of wavelength is depicted in FIG. 2, Curve 14. After drying, a layer of Compound 2 (film thickness=250 nm) was spin-cast from chloroform on top of Compound 3, and then aluminum (150 nm thick) was vapor deposited through a mask onto Compound 2. To insure a quick response to the vapor, the aluminum electrode was fabricated as fingers spaced apart by 0.1 mm (FIGS. 3a-3b).
　FIGS. 3a-3b depict one embodiment of the vapochromic photodiode 16 of the present invention. The transparent indium tin oxide (ITO) layer 18 is formed on a transparent substrate 20. A layer 22 of Compound 3 is formed on the ITO layer 18. A layer 24 of Compound 2 is formed on the layer 22. An aluminum electrode 26 is formed on the top of the layer 24.
　The transparent electrode 18 may comprise indium tin oxide or polyaniline, while the second electrode 26 may comprise aluminum, magnesium, calcium, or silver.
　The molecular layers 22 and 24 are typically less than 1,000 nm thick.
　The device ITO/3/2/Al gave rectification (rectification ratio 100 at.±5 V) of the current favoring electron flow from Al 26 through the molecular layers 24, 22 to ITO 18. For photocurrent action spectra, a 450 W Xe lamp was used, and the photo-current was normalized to account for the variation of lamp output with wavelength. A calibrated silicon photodiode was used to measure light intensities. The photocurrent action spectrum of the device ITO/3/2/Al has a broad peak between 400 and 500 nm (Curve 28 of FIG. 4). Exposure to argon saturated with acetone vapor gave a shifted action spectrum (Curve 30 of FIG. 4) (λmax : 560 run), corresponding to the shifted absorption spectrum of Compound 2 (Curve 12 of FIG. 2). This spectrum was stable in air in the absence of acetone vapor. Exposure of the device to chloroform vapor in argon (or air) caused the spectrum to revert to the original. The shapes of these spectra are independent of light intensity. Illuminated through ITO with 560 nm light (1.0 mW cm-2), the quantum efficiency (electron/photon of absorbed light) of the device 16 was 0.03% at 0 V and 16.5% at 20 V reverse bias. It is noted that Compound 2 is visibly photoluminescent and so at low bias voltages, emission of light can effectively compete with charge separation and photocurrent generation.」（３欄２６行ないし５欄３行）
［日本語訳］
「本発明を実施する最良の態様
・・・（中略）・・・
　本明細書に記述されているのは，関連する出願第０９／２２５，７５８号で開示および請求されているＬＥＤに必要なものに関連する化学的ならびに電気的効果に基づく蒸気発色性フォトダイオードである。
　本発明者の知る限りでは，有機蒸気の出現を検出できるフォトダイオードはこれまで記述されてこなかった。本発明に従って，そのようなフォトダイオードは，入射光には透明な電極，エミッタ層との整流接合を形成する第２分光層，エミッタ層として機能する適切な蒸気発色性材料の第３層，および蒸気が分子材料に到達できるようにする第２電極からなる。
　
ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）
化合物２
有機蒸気に応じて大幅な変色を示す
　クロロホルム溶液からのフィルムキャストの色は黄色（λｍａｘ：４００ｎｍ）であった。図２の曲線１０を参照のこと。膜をアセトン蒸気へさらすと色が赤紫色に変わった（λｍａｘ：５６０ｎｍ）。図２の曲線１２を参照すること。この赤紫は実験室の周囲条件下で，何カ月も１０の状態で安定していたが，クロロホルムまたはジクロロメタン蒸気にさらすと黄色に戻る場合があった。デバイスは，クロロホルム溶液からの回転成形化合物２により導電性インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）でコーティングされたガラス上へ作成され，その後にルミニウムの蒸着が続いた。化合物１（図１ａ）から形成される単一層デバイスで前記のＹ．Ｋｕｎｕｇｉらによって報告されたこれらのデバイスは，抵抗性が高く不安定であり，また，整流作用を示さなかった。
　発明者は近年，２層デバイスを作るために電気化学的に
オリゴマー形成されたトリス（４（２−チエニル）フェニル）アミン
化合物３
化合物３の上に化合物２の層を回転成形する
２層デバイスＩＴＯ／３／２／Ａｌ
化合物２（膜厚＝２５０ｎｍ）は化合物３の上の
成形された後，アルミニウム（１５０ｎｍ厚）はマスクを通して化合物上へ蒸着
　図３ａ〜３ｂは，
本発明の蒸気発色性フォトダイオード１６に
透明なインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層１８は，透明基板２０上に形成される。化合物３の層２２は，ＩＴＯ層１８上に形成される。化合物２の層２４は，層２２上に形成される。アルミニウム電極２６は，層２４の上に形成される。
　透明電極１８がインジウムスズ酸化物またはポリアニリンからなる場合があるのに対し，第２電極２６はアルミニウム，マグネシウム，カルシウム，または銀からなる場合がある。
　分子層２２および２４の厚さは通常，１，０００ｎｍ未満である。
　デバイスＩＴＯ／３／２／Ａｌは，Ａｌ２６から分子層２４，２２からＩＴＯ１８までの電子流に好都合な電流を整流（±５Ｖで整流率１００）する。光電流作用スペクトルの場合，４５０ＷのＸｅランプが使用されて，波長に伴うランプ出力の変動の原因を説明するために光電流は正規化された。較正されたシリコンフォトダイオードは，光度を測定するために使用された。デバイスＩＴＯ／３／２／Ａｌの光電流作用スペクトルには，４００〜５００　ｎｍの間に広いピークがある（図４の曲線２８）。アセトン蒸気で飽和したアルゴンにさらされると，作用スペクトルは，化合物２のシフトされた吸収スペクトル（図４の曲線３０）（λｍａｘ：５６０ｎｍ）に対応してシフトした（図２の曲線１２）。このスペクトルは，アセトン蒸気がない場合は空中で安定していた。デバイスをアルゴン（空気）中のクロロホルム蒸気にさらすと，スペクトルは元に戻った。これらのスペクトルの形状は，光度と無関係である。５６０ｎｍの光（１．０ｍＷｃｍ−２）によりＩＴＯを通して照射された場合，デバイス１６の量子効率（吸収光の電子／光子）　は０　Ｖの逆バイアスで０．０３％，２０Ｖの逆バイアスで１６．５％であった。化合物２は明らかに光輝性であるため，低バイアス電圧で，発光は電荷分離および光電流生成と効果的に競合することができる。」
　ｃ　「What is claimed is;
 1. A molecular photodiode that changes colors as a function of analyte vapors comprising:
(a) a first electrode;
(b) a first molecular layer formed on the first electrode capable of at least transporting charge;
(c) a sensing/emitting layer formed on the first electrode, the sensing/emitting layer comprising a material that changes color upon exposure to the analyte vapors and that forms a rectifying junction with the first molecular layer; and
(d) a second electrode formed on the sensing/emitting layer, wherein at least the first electrode comprises an optically transparent material and wherein an application of voltage to both electrodes and exposure of said photodiode to light results in a change in photocurrent in the presence of an organic vapor.」（６欄１０ないし２６行）
［日本語訳］
「請求の範囲
１．　
蒸気分析物に応じて変色する分子フォトダイオードであって，
（ａ）
第１電極；
（ｂ）少なくとも
電荷を輸送できる
第１分子層；
（ｃ）第１電極上に形成され，
蒸気分析物にさらされると変色し，第１分子層との整流接合を形成する材料を構成する検出／発光層；及び
（ｄ）検出／発光層上に形成される
第２電極，
を備え，第１電極が少なくとも光透過性材料で形成され，両電極間への電圧印加及び前記フォトダイオードの光照射によって，有機蒸気の存在下で光電流が変化するよう構成された分子フォトダイオード。
（イ）引用例２に記載された発明
　前記（ア）ｂの記載中の「蒸気発色性フォトダイオード１６」，「ＩＴＯ層１８」，「化合物３の層２２」，「化合物２の層２４」及び「アルミニウム電極２６」が，前記（ア）ｃに記載された「分子フォトダイオード」，「第１電極」，「第１分子層」，「検出／発光層」及び「第２電極」に相当することが明らかであり，前記（ア）ｃの「蒸気分析物」と「有機蒸気」が同じ物（有機蒸気）を指していることが明らかであるから，前記（ア）ａないしｃの記載から，引用例２に，次の発明が記載されていると認められる（なお，混乱を避けるため，「化合物３の層２２」及び「化合物２の層２４」をそれぞれ「第１分子層２２」及び「検出／発光層２６」と表現した。）。
「透明基板２０と，
　前記透明基板２０上に形成されたＩＴＯ層１８と，
　前記ＩＴＯ層１８上に形成され，オリゴマー形成されたトリス（４（２−チエニル）フェニル）アミンからなり，電荷を輸送できる第１分子層２２と，
　前記第１分子層２２上に形成され，ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）からなり，有機蒸気にさらされると変色する検出／発光層２４と，
　前記検出／発光層２４上に形成されたアルミニウム電極２６と，
を備えた蒸気発色性フォトダイオード１６であって，
　両電極間への電圧印加及び蒸気発色性フォトダイオード１６の光照射によって，有機蒸気の存在下で光電流が変化するよう構成された，
　有機蒸気の出現を検出するための蒸気発色性フォトダイオード１６。」（以下，「引用例２装置発明」という。）
　ウ　引用例３
（ア）引用例３の記載
　引用例３は，本願の優先日より前に頒布された刊行物であって，当該引用例３には次の記載がある。（下線は，後述する引用例３記載の技術的事項の認定に特に関係する箇所を示す。）
　ａ　「【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は，陽極と，陰極と，電界を加えることで発光が得られる有機化合物を含む層（以下，「電界発光層」と記す）と，を有する有機発光素子，およびそれを用いた発光装置に関する。また特に，白色発光を呈する有機発光素子，およびそれを用いたフルカラーの発光装置に関する。」
　ｂ　「【００３８】
まず，本発明の基本的概念は，青色発光を呈する第一発光層と，
燐光発光とエキシマー発光の両方を同時に発する燐光材料を用いた第二発光層
・・・（中略）・・・
【００４１】
ところで，本発明を完成するには，
燐光材料から燐光発光とエキシマー発光の両方を取り出す必要がある。その具体的な方法としては，例えば，白金錯体のように平面性の高い構造を持つ燐光材料をゲスト材料として用い，なおかつ，そのドープ濃度を高くする（より具体的には１０ｗｔ％以上にする）手法がある
１０ｗｔ％以上の高濃度にドープすることにより，燐光材料同士の相互作用が大きくなり，その結果エキシマー発光が導出される
　ｃ　「【００６３】
一方，第二発光層における発光体としては，白金を中心金属とする有機金属錯体が有効である。具体的には，
下記構造式（１）〜（４）で示される物質を高濃度にホスト材料に分散すれば，燐光発光とそのエキシマー発光の両方を導出することができる。
燐光発光とエキシマー発光の両方を同時に発する燐光材料
【００６４】
【化１】
【化２】
【化３】
【化４】
」
　ｄ　「【００７４】
［実施例１］
本実施例では，本発明の有機発光素子の素子構造および作製方法について，図５を用いて説明する。
・・・（中略）・・・
【００７９】
さらに，第二発光層５１３を形成する。なお，本実施例では，ホスト材料としてＣＢＰを用い，
ゲスト材料として上記構造式（１）で表されるＰｔ（ｐｐｙ）ａｃａｃを用い，その濃度が１５ｗｔ％となるように調整し，共蒸着法により２０ｎｍの膜厚で形成した
（イ）引用例３に記載された技術的事項
　前記（ア）ａないしｄの記載から，引用例３に，次の技術的事項が記載されていると認められる。
「ゲスト材料として，例えば，
等の白金錯体のような，平面性の高い構造を持つ燐光材料を，１０ｗｔ％以上の高濃度にドープして有機発光素子の発光層を形成することにより，前記燐光材料同士の相互作用が大きくなり，その結果エキシマー発光が導出されるので，燐光発光ばかりでなくエキシマー発光をも取り出すことができること。」（以下，「引用例３記載の技術」という。）
（２）引用例１に記載された発明を主引例とする拒絶の理由について
　ア　本願第１発明について
（ア）対比
　ａ　引用例１装置発明の「『陽極』及び『陰極』」，「発光層」及び「有機ＥＬ素子」は，本願第１発明の「『アノード』及び『カソード』」，「発光層」及び「『有機発光素子（ＯＬＥＤ）』である『発光素子』」に，それぞれ相当する。
　ｂ　引用例１装置発明の「陽極及び陰極間に，発光層又は発光層を含む複数の有機化合物層を有する」という構成は，本願第１発明の「（ｉ）アノードと，（ｉｉ）カソードと，（ｉｉｉ）上記アノードと上記カソードとの間に配置され，上記アノードと上記カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備え」るという発明特定事項に相当する。
　ｃ　引用例１装置発明の「一般式（３）で表される化合物」と，本願第１発明の「『一般式（Ｉ）』で表される『錯体』」は，いずれも「金属錯体」であるから，引用例１装置発明と本願第１発明は「発光層が金属錯体を含む」点で共通する。
　ｄ　引用例１装置発明は，水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有する保護層を有しているところ，当該「保護層」によって「水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止」されることが，本願第１発明の「気体が周囲から上記発光層の中に侵入しないように，周囲に対して遮断されている」に相当する。
　ｅ　前記ａないしｄに照らせば，引用例１装置発明と本願第１発明は，
「（ｉ）アノードと，
　（ｉｉ）カソードと，
　（ｉｉｉ）上記アノードと上記カソードとの間に配置され，上記アノードと上記カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備え，
　上記発光層が金属錯体を含み，
　気体が周囲から上記発光層の中に侵入しないように，周囲に対して遮断されている，有機発光素子（ＯＬＥＤ）である発光素子。」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点１：
　本願第１発明では，発光層が，一般式（Ｉ）
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍ
で表される少なくとも一つの錯体（Ｍは，Ｐｔ（ＩＩ），または，Ｐｄ（ＩＩ）を示し，Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，ｎ＋ｍ＝４であり，ｎ＝ｍ＝２である。）を，発光層の全重量に対して１０重量％よりも多く含んでいるのに対して，
　引用例１装置発明では，発光層が，
で表される化合物（Ｌ３１はハロゲン配位子，含窒素ヘテロ環配位子，ジケトン配位子，シアノ配位子，ＣＯ配位子，イソニトリル配位子，リン配位子又はカルボン酸配位子を表し，Ｙ３１は対イオンを表す。ｎ３１は１又は２を表し，ｎ３２は１又は２を表し，ｎ３３は０〜５の整数を表す。Ｒ３１はアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アリール基，アシル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，スルホニル基，スルフィニル基又はヘテロ環基を表す。ｎ３１が複数のとき，複数のＬ３１は同じであっても異なっていてもよく，ｎ３３が複数のとき，複数のＹ３１は同じであっても異なっていてもよい。ｎ３１及びｎ３２は，一般式（３）で表される化合物が中性錯体になる組み合わせであり，４配位錯体になる組み合わせであることが好ましい。）を含んでおり，当該化合物の含有割合は特定されていない点。
（イ）　判断
　ａ　引用例１装置発明において，発光層に含まれる発光材料として用いている一般式（３）で表される化合物のうち，Ｌ３１としてその選択肢中から「シアノ配位子」を選択し，ｎ３１及びｎ３２として「２」を選択し（当該選択をしたものは配位子の数が４であるから，４配位錯体である。），ｎ３３として「０」を選択したもの（当該選択は化合物として中性錯体を選択することに他ならない。）は，本願第１発明の一般式（Ｉ）で表される錯体のうち，Ｍとして「Ｐｔ（ＩＩ）」を選択したものに該当する。
　しかしながら，そもそも，引用例１には，引用発明におけるＬ３１の選択肢として多数の配位子（ハロゲン配位子，含窒素ヘテロ環配位子，ジケトン配位子，シアノ配位子，ＣＯ配位子，イソニトリル配位子，リン配位子，カルボン酸配位子）が記載されているのであって，「シアノ配位子」は当該多数の例示された配位子のうちの一つにすぎない。
　また，引用例１の【００１８】に「より好ましい」配位子として例示された配位子（含窒素へテロ環配位子（ビピリジル配位子，フェニルピリジン配位子，２−（ベンゾイミダゾ−２−イル）−ピリジン配位子，２−フェニルベンゾチアゾール配位子）中に「シアノ配位子」は存在しない。
　さらに，引用例１の【００３１】ないし【００３４】に「具体例」として例示された化合物や，引用例１の【００５７】及び【００５８】に記載された実施例１及び実施例２で用いている化合物中にも，Ｌ３１として「シアノ配位子」を選択した化合物は存在しない。
　そうすると，引用例１装置発明において，発光材料として用いる一般式（３）で表される化合物について，Ｌ３１として「シアノ配位子」を選択し，ｎ３１及びｎ３２として「２」を選択し，ｎ３３として「０」を選択した化合物を用いることが，引用例１に実質的に開示されているとはいえず，かつ，たとえ当業者といえども，そのような選択をした化合物を用いることが容易に想到し得たともいえない。
　ｂ　また，引用例３記載の技術は，前記（１）ウ（イ）で認定したように，ゲスト材料として，例えば，
等の白金錯体のような，平面性の高い構造を持つ燐光材料を，１０ｗｔ％以上の高濃度にドープして有機発光素子の発光層を形成することにより，燐光発光ばかりでなくエキシマー発光をも取り出すことができるようにする技術であるから，引用例１装置発明において，燐光発光ばかりでなくエキシマー発光をも取り出すために，当該引用例３記載の技術を適用して，発光材料として，一般式（３）で表される化合物の中でも，特に平面性の高い構造を持つ化合物を用いることは当業者にとって，容易に想到し得たことであるといえる。
　しかしながら，引用例３には，前記平面性の高い構造を持つ燐光材料を１０重量％以上の高濃度にドープして有機発光素子の発光層を形成することは開示されてはいるものの，当該平面性の高い構造を持つ燐光材料として，本願第１発明に係る，２つのシアノ配位子と，２つのイソシアニド配位子とを有する白金又はパラジウムの４配位錯体は開示されていないから，たとえ引用例１装置発明に引用例３記載の技術を適用したとしても，本願第１発明の構成には至らない。
　ｃ　前記ａ及びｂのとおりであるから，本願第１発明は，引用例１装置発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　イ　本願第２発明について
（ア）対比
　引用例１の記載から，引用例１装置発明で，発光材料として用いている一般式（３）で表される化合物についての発明（以下，「引用例１化合物発明」という。）をも把握できるところ，本願第２発明と引用例１化合物発明は，「錯体。」である点でのみ一致し，次の点で相違する。
相違点２：
　本願第２発明が，「一般式（Ｉａ）（ＮＣ）ｎＰｄ（ＣＮＲ）ｍで表される錯体であって，Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，ｎ＋ｍ＝４であり，ｎ＝ｍ＝２である，錯体」であるのに対して，
　引用例１化合物発明が，「下記一般式（３）で表される化合物。
一般式（３）中，Ｌ３１はハロゲン配位子，含窒素ヘテロ環配位子，ジケトン配位子，シアノ配位子，ＣＯ配位子，イソニトリル配位子，リン配位子又はカルボン酸配位子を表し，Ｙ３１は対イオンを表す。ｎ３１は１又は２を表し，ｎ３２は１又は２を表し，ｎ３３は０〜５の整数を表す。Ｒ３１はアルキル基，アルケニル基，アルキニル基，アリール基，アシル基，アルコキシカルボニル基，アリールオキシカルボニル基，スルホニル基，スルフィニル基又はヘテロ環基を表す。ｎ３１が複数のとき，複数のＬ３１は同じであっても異なっていてもよく，ｎ３３が複数のとき，複数のＹ３１は同じであっても異なっていてもよい。ｎ３１及びｎ３２は，一般式（３）で表される化合物が中性錯体になる組み合わせであり，４配位錯体になる組み合わせであることが好ましい。」である点。
（イ）判断
　引用例１及び引用例３のいずれにも，パラジウム錯体は記載も示唆もされていないから，引用例１化合物発明の白金錯体を，相違点２に係る本願第２発明のパラジウム錯体として構成することは，たとえ当業者といえども，容易に想到し得たことでない。
　したがって，本願第２発明は，引用例１化合物発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　ウ　本願の請求項２ないし２２に係る発明について
　請求項２ないし２２は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているから，請求項２ないし２２に係る発明は，いずれも，本願第１発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当する。
　そして，前記アで述べたとおり，本願第１発明は，引用例１装置発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，請求項２ないし２２に係る発明も同様の理由により，引用例１装置発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）引用例２に記載された発明を主引例とする拒絶の理由について
　ア　本願第１発明について
（ア）対比
　ａ　引用例２装置発明の「『ＩＴＯ層１８』及び『アルミニウム電極２６』」及び「検出／発光層２４」は，本願第１発明の「『アノード』及び『カソード』」及び「発光層」に，それぞれ相当する。
　ｂ　引用例２装置発明のＩＴＯ層１８上に第１分子層２２が形成され，第１分子層２２上に検出／発光層２４が形成され，検出／発光層２４上にアルミニウム電極２６が形成されるという構成は，本願第１発明の「（ｉ）アノードと，（ｉｉ）カソードと，（ｉｉｉ）上記アノードと上記カソードとの間に配置され，上記アノードと上記カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備え」るという発明特定事項に相当する。
　ｃ　引用例２装置発明の「検出／発光層２４」は，オリゴマー形成された「トリス（４（２−チエニル）フェニル）アミン」からなるところ，当該「ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）」は，本願第１発明の「『一般式（Ｉ）』で表される『錯体』」に該当し，引用例２装置発明の「検出／発光層２４」（本願第１発明の「発光層」に相当。以下，「（ア）対比」欄中で，引用例２装置発明の構成に付したカッコ内の記載は，当該構成に相当する本願第１発明の構成を表す。）中での「ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）」（「一般式（Ｉ）」で表される「錯体」）の割合は１００重量％であるから，引用例２装置発明は，本願第１発明の「一般式（Ｉ）（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍで表される少なくとも１つの錯体を含み，Ｍは，Ｐｔ（ＩＩ），または，Ｐｄ（ＩＩ）を示し，Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，ｎ＋ｍ＝４であり，ｎ＝ｍ＝２であり，上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は，上記発光層の全重量に対して１０重量％よりも多」いという本願第１発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
　ｄ　引用例２装置発明は「蒸気発色性フォトダイオード１６」であるところ，ＩＴＯ層１８及びアルミニウム電極２６への電圧印加により「検出／発光層２４」が発光するよう構成され，かつ，当該「検出／発光層２４」は「ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）」という有機物で形成されているから，引用例２装置発明は，「有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）である発光素子」であるといえる。
　したがって，引用例２装置発明と本願第１発明は，「有機発光素子（ＯＬＥＤ）である発光素子」である点で一致する。
　ｅ　前記ａないしｄに照らせば，引用例２装置発明と本願第１発明は，
「（ｉ）アノードと，
　（ｉｉ）カソードと，
　（ｉｉｉ）上記アノードと上記カソードとの間に配置され，上記アノードと上記カソードとに直接的または間接的に接触した発光層とを備え，
　上記発光層は，一般式（Ｉ）
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍ
で表される少なくとも１つの錯体を含み，
　Ｍは，Ｐｔ（ＩＩ），または，Ｐｄ（ＩＩ）を示し，
　Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，
　ｎ＋ｍ＝４であり，
　ｎ＝ｍ＝２であり，
　上記発光層における一般式（Ｉ）の錯体の割合は，上記発光層の全重量に対して１０重量％よりも多い，
　有機発光素子（ＯＬＥＤ）である発光素子。」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点３：
　本願第１発明では，気体が周囲から発光層の中に侵入しないように，周囲に対して遮断されているのに対して，
　引用例２装置発明では，そのような構成を有していない点。
（イ）判断
　引用例２装置発明は，有機蒸気にさらされると「検出／発光層２４」の発光が変色するよう構成されているのだから，「検出／発光層２４」が有機蒸気と接触するよう構成されたものである。
　しかるに，引用例２装置発明では，前記「検出／発光層２４」の発光の変色によって，有機蒸気の出現を検出するものであるところ，当該引用例２装置発明において，「気体が周囲から発光層の中に侵入しないように，周囲に対して遮断されている」という相違点３に係る本願第１発明の構成を採用したのでは，「検出／発光層２４」が有機蒸気と接触することができなくなり，その結果，有機蒸気の出現を検出できなくなるのであるから，引用例２装置発明において，相違点３に係る本願第１発明の構成を採用することには，阻害要因が存在するといわざるを得ない。
　したがって，本願第１発明は，引用例２装置発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　イ　本願第２発明について
（ア）対比
　引用例２の記載から，引用例２装置発明で，発光材料として用いている「ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）」についての発明（以下，「引用例２化合物発明」という。）をも把握できるところ，本願第２発明の「一般式（Ｉａ）（ＮＣ）ｎＰｄ（ＣＮＲ）ｍ
で表される錯体であって，Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，ｎ＋ｍ＝４であり，ｎ＝ｍ＝２である，錯体」と，引用例２化合物発明「ビス（シアニド）−ビス（ｐ−ドデシルフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ）」は，どちらも，「一般式（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍで表される錯体であって，Ｍは，白金属元素を示し，Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，ｎ＋ｍ＝４であり，ｎ＝ｍ＝２である，錯体。」に該当するから，両者は，
「一般式
（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍ
で表される錯体であって，
　Ｍは，白金属元素を示し，
　Ｒは，ヘテロ原子を含有し得る炭化水素基を示し，
　ｎ＋ｍ＝４であり，
　ｎ＝ｍ＝２である，錯体。」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点４：
　本願第２発明では，一般式（Ｉ）中の「Ｍ」が「Ｐｄ」である，すなわち，パラジウム錯体であるのに対して，
　引用例２化合物発明が，一般式（Ｉ）中の「Ｍ」が「Ｐｔ」である，すなわち，白金錯体である点。
（イ）判断
　引用例２及び引用例３のいずれにも，パラジウム錯体は記載も示唆もされていない。
　そもそも，引用例２化合物発明は，有機蒸気の存在下で光電流が変化するという特性から，有機蒸気の出現を検出するための分子フォトダイオードにおける検出／発光層の材質として採用されるものであって，一般式（ＮＣ）ｎＭ（ＣＮＲ）ｍで表される錯体のうち，「Ｍ」を「Ｐｄ」としたものが，当該特性と同じ特性を有していると理解することは，引用例２及び引用例３の記載からは不可能といわざるを得ない。
　したがって，引用例２化合物発明の白金錯体を，相違点４に係る本願第２発明のパラジウム錯体として構成することは，たとえ当業者といえども，容易に想到し得たことでない。
　したがって，本願第２発明は，引用例２化合物発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　ウ　本願の請求項２ないし２２に係る発明について
　請求項２ないし２２は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているから，請求項２ないし２２に係る発明は，いずれも，本願第１発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当する。
　そして，前記アで述べたとおり，本願第１発明は，引用例２装置発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，請求項２ないし２２に係る発明も同様の理由により，引用例２装置発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）小括
　前記（２）及び（３）のとおりであって，本願の請求項１ないし２３に係る発明は，いずれも，引用例１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，かつ，引用例２に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものでもないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　当審において平成２８年１月１３日付けで通知した拒絶理由の概要は，次のとおりである。
理由１：この出願は，請求項１（平成２６年１１月１０日提出の手続補正書による補正後の請求項１。以下，「１　当審拒絶理由の概要」欄における請求項は，当該補正後の請求項を表す。）の一般式（Ｉ）中の「Ｍ」が表す中心原子に関する記載が，特許法３６条６項１号に規定する要件（サポート要件）を満たしていない。
理由２：この出願は，請求項４の「特にガラス基板上に」という記載，請求項２０の「柱状構造内」という記載，請求項２２の「一般式（Ｉ）の錯体」という記載，請求項２６の「請求項１に記載の通りに定義される」という記載，請求項２７の「ジシアノビス（４−クロロフェノルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ４ＣＩＮＣ）２」，「ジシアノビス（４−ブロムフェニルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（Ｃ６Ｈ４ＣＩＮＣ）２」，及び「ジシアノビス（２，６−ジクロロベンジルイソシアニド）白金（ＩＩ），Ｐｔ（ＣＮ）２（ＣＮＣＨ２Ｃ６Ｈ３Ｃｌ３）２」という記載，請求項２８の「電荷キャリア移動度が有利となるか，または，望ましいものであるアプリケーションのための，請求項１に定義した一般式（Ｉ）の錯体を含有する，オリゴマー層，または／および，結晶層または準結晶層の電荷キャリア移動度の使用。」という記載，請求項３０の「太陽電池における，請求項１に定義した一般式（Ｉ）の錯体の使用。」という記載に関して，特許法３６条６項２号に規定する要件（明確性要件）を満たしていない。 
理由３：この出願の請求項２２及び２７に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないか，又は，当該発明に基づいて，その優先権主張の日より前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，同法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１：米国特許第６１３７１１８号明細書
引用例２：米国特許第５７６６９５２号明細書
引用例３：Phillip J. Martellaro et al.，Multinuclear nuclear magnetic resonance and X-ray crystallographic investigation of some mixed ligand alkylisocyanide platinum(II) complexes，Inorganica Chimica Acta，358(2005)，p3377-3383
２　当審拒絶理由に対する判断
（１）理由１について
　平成２８年５月１９日提出の手続補正書によって補正された請求項１では，一般式（Ｉ）中の「Ｍ」が表す中心原子について，「Ｐｔ（ＩＩ），または，Ｐｄ（ＩＩ）」に限定されており，サポート要件に違反するとはもはやいえなくなった。
（２）理由２について
　平成２８年５月１９日提出の手続補正書による補正によって，請求項４，２０，２２，２７，２８及び３０は削除され，かつ，請求項２６（補正後の請求項２３）の記載は，独立形式の記載に補正されており，明確性要件に違反するとはもはやいえなくなった。
（３）理由３について
　平成２８年５月１９日提出の手続補正書による補正によって，理由３の対象とされた請求項２２及び２７が削除されており，新規性又は進歩性を欠如する請求項に係る発明は，存在しなくなった。
３　小括
　以上のとおりであるから，当審拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。