【手続補正書】
【提出日】令和2年7月30日(2020.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明の別の実施形態において、成分（１）の反応物質（ｉｉ）である、置換または非置換ヒドロキシスチレンおよびアクリレート、メタクリレートまたはアクリレートとメタクリレートとの混合物を含むポリマーであって、アクリレートおよび／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定基により保護されているポリマーは、式（ＶＩ）を有するものから選択され、式中、Ｒ７は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ８は、脱ブロックに高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定基であり、ｘ’およびｚ’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’は、約５５〜約６５モル％に等しく、ｚは、約３５〜約４５モル％に等しく、ｘ’およびｚ’の合計は、１００モル％に等しい。本発明のこの態様の別の実施形態において、式（ＶＩ）中、Ｒ７は、メチルであり、Ｒ８は、ｔｅｒｔ−ブチルである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
したがって、酸触媒の使用は、著しいＰＧＭＥＡ不溶性ゲルの形成によって、また依然としてＰＧＭＥＡに可溶性である材料中であっても、脱保護反応を示すＦＴ−ＩＲスペクトルの変化によって共に証明されるように、ｔｅｒｔ−ブチルエステルの著しい脱保護を引き起こした。具体的には、ＰＧＭＥＡ中のＣＺ６の未反応溶液と比較してｔｅｒｔ−ブチルエステルに起因する１１４９ｃｍ−１および１３９３、１３９６ｃｍ−１のバンドの強度の著しい低下があることが観察された（図９）。ＣＮ６の調製にはＣＺ６の使用が関与することから、これは、その反応物質の１つであるＣＺ６が酸不安定なｔｅｒｔ−ブチルエステルを含有し、これがそのような酸触媒の存在下で開裂して遊離カルボン酸を放出し、得られる最終生成物の性質を変化させるため、ＣＮ６を調製するプロセスが、任意の酸触媒を使用して行うことができないことを示していた。
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１．
酸触媒の非存在下で、（ｉ）ノボラックポリマーと、（ｉｉ）置換または非置換ヒドロキシスチレンおよびアクリレート、メタクリレートまたはアクリレートとメタクリレートとの混合物を含むポリマーであって、前記アクリレートおよび／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定基により保護されている、ポリマーと、（ｉｉｉ）ビニルエーテルおよび非置換または置換不飽和へテロ脂環式化合物から選択される化合物との間で形成された反応生成物を含む成分（１）と、
一般式：
【化１７】
2019530903.tif 000001
から選択される環構造を含む少なくとも１種のヘテロ環式チオール化合物またはその互変異性体を含む成分（２）であって、前記環構造は、４〜８個の原子を有する単一環構造、または５〜２０個の原子を有する複数環構造であり、単一環構造または複数環構造は、芳香族、非芳香族、またはヘテロ芳香族環を含み、Ｘは、単結合により環内に結合し、ＣＲａＲｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびＮＲｃからなる群から選択され、または、Ｘは、二重結合により環内に結合し、ＣＲａおよびＮからなる群から選択され、Ｙは、ＣＲａおよびＮからなる群から選択され、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃは、Ｈ、１〜８個の炭素原子を有する置換アルキル基、１〜８個の炭素原子を有する非置換アルキル基、１〜８個の炭素原子を有する置換アルケニル基、１〜８個の炭素原子を有する非置換アルケニル基、１〜８個の炭素原子を有する置換アルキニル基、１〜８個の炭素原子を有する非置換アルキニル基、１〜２０個の炭素原子を有する置換芳香族基、１〜２０個の炭素原子を有する置換ヘテロ芳香族基、１〜２０個の炭素原子を有する非置換芳香族基、および１〜２０個の炭素原子を有する非置換へテロ芳香族基からなる群から独立して選択される、成分（２）と、式：
【化１８】
2019530903.tif 000002
で構成される少なくとも１種のポリマーを含む成分（３）であって、式中、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはＣ２〜Ｃ４アルキレンヒドロキシ部分であり、Ｒ４は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ５は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは、各種の反復単位のモル％であり、ｘは、約３０〜約４０モル％に等しく、ｙは、約６０〜約７０モル％に等しく、ｚは、約０〜約１０モル％に等しく、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗの合計は、１００モル％に等しく、ｚおよびｗの合計は、約１０モル％を超えない、成分（３）と、
約３６５．４ｎｍ〜約５７８．２ｎｍの間の波長を有する放射線の照射下で−１以下のｐＫａを有する強酸を放出する少なくとも１種の光酸発生剤添加剤を含む成分（４）と、  少なくとも１種の塩基添加剤を含む成分（５）と、
ノボラックポリマー、またはポリビニルアルキルエーテルポリマーから選択される任意選択の接着促進剤を含む成分（６）と、
溶媒を含む成分（７）と
を含むフォトレジスト組成物。
２．
成分（１）が、３０Å／秒未満の０．２６Ｎ  ＴＭＡＨへの溶解速度を有する、上記１に記載のフォトレジスト組成物。
３．
成分（１）が、式：
【化１９】
2019530903.tif 000003
を有するビニルエーテルとの反応により形成され、式中、Ｒ６は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルである、上記１または２に記載のフォトレジスト組成物。
４．
ビニルエーテルが、エチルビニルエーテルである、上記３に記載のフォトレジスト組成物。
５．
成分（１）の反応生成物が、非置換または置換不飽和ヘテロ脂環式化合物との反応により形成される、上記１または２に記載のフォトレジスト組成物。
６．
非置換不飽和ヘテロ脂環式化合物が、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランである、上記５に記載のフォトレジスト組成物。
７．
成分（１）が、式：
【化２０】
2019530903.tif 000004
で構成されるポリマーとの反応により形成され、式中、Ｒ７は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ８は、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定基であり、ｘ’およびｚ’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’は、約５５〜約６５モル％に等しく、ｚは、約３５〜約４５モル％に等しく、ｘ’およびｚ’の合計は、１００モル％に等しい、上記１〜６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
８．
Ｒ７が、メチルであり、Ｒ８が、ｔｅｒｔ−ブチルである、上記７に記載のフォトレジスト組成物。
９．
ｘ’が、約６０モル％であり、ｚ’が、約４０モル％である、上記８に記載のフォトレジスト組成物。
１０．
成分（２）において、ヘテロ環式チオール化合物が、非置換トリアゾールチオール、置換トリアゾールチオール、非置換イミダゾールチオール、置換イミダゾールチオール、置換トリアジンチオール、非置換トリアジンチオール、置換メルカプトピリミジン、非置換メルカプトピリミジン、置換チアジアゾール−チオール、非置換チアジアゾール−チオール、置換インダゾールチオール、非置換インダゾールチオール、それらの互変異性体、およびそれらの組合せからなる群から選択される、上記１〜９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１１．
成分（２）において、ヘテロ環式チオール化合物が、１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール、２−メルカプト−６−メチルピリミジン−４−オール、３−メルカプト−６−メチル−１，２，４−トリアジン−５−オール、２−メルカプトピリミジン−４，６−ジオール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−チオール、１Ｈ−イミダゾール−２−チオール、１Ｈ−イミダゾール−５−チオール、１Ｈ−イミダゾール−４−チオール、２−アザビシクロ［３．２．１］オクタ−２−エン−３−チオール、２−アザビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン−３−チオール、１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール−２−チオール、２−メルカプト−６−メチルピリミジン−４−オール、２−メルカプトピリミジン−４−オール、１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−２−チオール、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジチオール、１Ｈ−インダゾール−３−チオール、それらの互変異性体およびそれらの組合せからなる群から選択される、上記１〜１０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１２．
成分（３）において、ポリマーが、式：
【化２１】
2019530903.tif 000005
を含み、式中、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、ｘ’’およびｙ’’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’’は、約３０〜約４０モル％に等しく、ｙ’’は、約６０〜約７０モル％に等しく、ｘ’’およびｙ’’の合計は、１００モルである、上記１〜１１のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１３．
Ｒ１が、メチルである、上記１２に記載のフォトレジスト組成物。
１４．
成分（３）において、ポリマーが、式：
【化２２】
2019530903.tif 000006
を含み、シクロアルキル、Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはＣ２〜Ｃ４アルキレンヒドロキシ部分であり、ｘ’’’、ｙ’’’、およびｚ’’’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’’’は、約３０〜約４０モル％に等しく、ｙ’’’は、約６０〜約７０モル％に等しく、ｚ’’’は、約２〜約１０モル％に等しく、ｘ’’’、ｙ’’’およびｚ’’’の合計は、１００モル％に等しく、ｚ’’’は、約１０モル％を超えない、上記１〜１３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１５．
Ｒ１およびＲ２が、メチルであり、Ｒ３が、Ｃ１〜Ｃ４アルキルである、上記１４に記載のフォトレジスト組成物。
１６．
成分（３）において、ポリマーが、式：
【化２３】
2019530903.tif 000007
を含み、式中、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ４は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ５は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、ｘ’’’’、ｙ’’’’、およびｗ’’’’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘは、約３０〜約４０モル％に等しく、ｙ’’’’は、約６０〜約７０モル％に等しく、ｗは、約１〜約１０モル％に等しく、ｘ’’’’、ｙ’’’’およびｗ’’’’の合計は、１００モル％に等しく、ｗ’’’’は、約１０モル％を超えない、上記１〜１５のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１７．
成分（７）において、溶媒が、フォトレジスト組成物の総重量の約５０ｗｔ％〜約８０ｗｔ％の範囲であり、成分（１）の量が、全固体の約１５〜約８０ｗｔ％の範囲であり、成分（２）の量が、全固体の約０．０２〜約１ｗｔ％の範囲であり、成分（３）の量が、全固体の約２０〜約８５ｗｔ％の範囲であり、成分（４）の量が、全固体の約０．４〜約２．５ｗｔ％の範囲であり、成分（５）の量が、全固体の約０．０５〜約０．４ｗｔ％の範囲であり、成分（６）が、固体の約０〜約１５ｗｔ％の範囲であり、さらに、固体成分（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、および（６）の全ｗｔ％が、１００ｗｔ％に等しい、上記１〜１６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１８．
成分（４）において、光酸発生剤が、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ジアゾスルホニル化合物、スルホニルオキシイミド、ニトロベンジルスルホン酸エステル、およびイミドスルホネートからなる群から選択される、上記１〜１７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
１９．
成分（４）において、光酸発生剤が、式：
【化２４】
2019530903.tif 000008
を有するものから選択されるスルホニルオキシイミドであり、式中、Ｒ９は、パーフルオロアルキル、部分フッ素化アルキル、パーフルオロ（アルキルオキシアルキレン）、パーフルオロ（アルキル）アルキレン、部分フッ素化（アルキル）アルキレン、部分フッ素化（アルキレンオキシアルキレン）、アルキル、アルキルアルキレン、置換アルキルアルキレン、アリール、パーフルオロアリール、および部分フッ素化アリールからなる群から選択され、Ｒ１０〜Ｒ１５は、水素、アルキル、パーフルオロアルキル、部分フッ素化アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキレン（−アルキレン−Ｏ−アルキル）、アルコキシアルキレンオキシ（−Ｏ−アルキレン−Ｏ−アルキル）、チオアルコキシ、およびアルケニル（−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒｐ）からなる群から独立して選択され、Ｒｐ基は、アルキル、カルボニルオキシアルキル（−Ｃ＝Ｏ−Ｏ−アルキル）、およびアリールからなる群から選択される、上記１〜１８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
２０．
上記１〜１９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を上に有する基材を備えるコーティングされた基材。
２１．
基材上にフォトレジストレリーフ像を形成するための方法であって、（ａ）上記１〜１９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物の層を基材上に塗布するステップと、（ｂ）フォトレジスト層を活性化放射線に露光し、露光されたフォトレジスト層を現像するステップとを含む、方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸触媒の非存在下で、（ｉ）ノボラックポリマーと、（ｉｉ）置換または非置換ヒドロキシスチレンおよびアクリレート、メタクリレートまたはアクリレートとメタクリレートとの混合物を含むポリマーであって、前記アクリレートおよび／またはメタクリレートは、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定基により保護されている、ポリマーと、（ｉｉｉ）ビニルエーテルおよび非置換または置換不飽和へテロ脂環式化合物から選択される化合物との間で形成された反応生成物を含む成分（１）と、
一般式：
【化１】
2019530903.tif 000009
から選択される環構造を含む少なくとも１種のヘテロ環式チオール化合物またはその互変異性体を含む成分（２）であって、前記環構造は、４〜８個の原子を有する単一環構造、または５〜２０個の原子を有する複数環構造であり、単一環構造または複数環構造は、芳香族、非芳香族、またはヘテロ芳香族環を含み、Ｘは、単結合により環内に結合し、ＣＲａＲｂ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびＮＲｃからなる群から選択され、または、Ｘは、二重結合により環内に結合し、ＣＲａおよびＮからなる群から選択され、Ｙは、ＣＲａおよびＮからなる群から選択され、Ｒａ、Ｒｂ、およびＲｃは、Ｈ、１〜８個の炭素原子を有する置換アルキル基、１〜８個の炭素原子を有する非置換アルキル基、１〜８個の炭素原子を有する置換アルケニル基、１〜８個の炭素原子を有する非置換アルケニル基、１〜８個の炭素原子を有する置換アルキニル基、１〜８個の炭素原子を有する非置換アルキニル基、１〜２０個の炭素原子を有する置換芳香族基、１〜２０個の炭素原子を有する置換ヘテロ芳香族基、１〜２０個の炭素原子を有する非置換芳香族基、および１〜２０個の炭素原子を有する非置換へテロ芳香族基からなる群から独立して選択される、成分（２）と、  式：
【化２】
2019530903.tif 000010
で構成される少なくとも１種のポリマーを含む成分（３）であって、式中、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはＣ２〜Ｃ４アルキレンヒドロキシ部分であり、Ｒ４は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ５は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗは、各種の反復単位のモル％であり、ｘは、３０〜４０モル％に等しく、ｙは、６０〜７０モル％に等しく、ｚは、０〜１０モル％に等しく、ｘ、ｙ、ｚ、およびｗの合計は、１００モル％に等しく、ｚおよびｗの合計は、１０モル％を超えない、成分（３）と、
３６５．４ｎｍ〜５７８．２ｎｍの間の波長を有する放射線が照射されると−１以下のｐＫａを有する強酸を放出する少なくとも１種の光酸発生剤添加剤を含む成分（４）と、
少なくとも１種の塩基添加剤を含む成分（５）と、
ノボラックポリマー、またはポリビニルアルキルエーテルポリマーから選択される任意選択の接着促進剤を含む成分（６）と、
溶媒を含む成分（７）と
を含むフォトレジスト組成物。
【請求項２】
成分（１）が、３０Å／秒未満の０．２６Ｎ  ＴＭＡＨへの溶解速度を有する、請求項１に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
成分（１）が、式：
【化３】
2019530903.tif 000011
を有するビニルエーテルとの反応により形成され、式中、Ｒ６は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、ここで前記ビニルエーテルは好ましくはエチルビニルエーテルである、請求項１または２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
成分（１）において、反応生成物が、非置換または置換不飽和ヘテロ脂環式化合物との反応により形成され、ここで前記非置換不飽和ヘテロ脂環式化合物は、好ましくは３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランである、請求項１または２に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
成分（１）が、式：
【化４】
2019530903.tif 000012
で構成されるポリマーとの反応により形成され、式中、Ｒ７は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ８は、脱ブロック化に高い活性化エネルギーを必要とする酸不安定基であり、ｘ’およびｚ’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’は、５５〜６５モル％に等しく、ｚ’は、３５〜４５モル％に等しく、ｘ’およびｚ’の合計は、１００モル％に等しい、請求項１〜４のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
Ｒ７が、メチルであり、Ｒ８が、ｔｅｒｔ−ブチルであり、およびｘ’が好ましくは６０モル％であり、ｚ’が好ましくは４０モル％である、請求項５に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
成分（２）において、ヘテロ環式チオール化合物が、非置換トリアゾールチオール、置換トリアゾールチオール、非置換イミダゾールチオール、置換イミダゾールチオール、置換トリアジンチオール、非置換トリアジンチオール、置換メルカプトピリミジン、非置換メルカプトピリミジン、置換チアジアゾール−チオール、非置換チアジアゾール−チオール、置換インダゾールチオール、非置換インダゾールチオール、それらの互変異性体、およびそれらの組合せからなる群から選択され、ここでヘテロ環式チオール化合物は、好ましくは１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリチオール、２−メルカプト−６−メチルピリミジン−４−オール、３−メルカプト−６−メチル−１，２，４−トリアジン−５−オール、２−メルカプトピリミジン−４，６−ジオール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−チオール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−チオール、１Ｈ−イミダゾール−２−チオール、１Ｈ−イミダゾール−５−チオール、１Ｈ−イミダゾール−４−チオール、２−アザビシクロ［３．２．１］オクタ−２−エン−３−チオール、２−アザビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−エン−３−チオール、１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール−２−チオール、２−メルカプト−６−メチルピリミジン−４−オール、２−メルカプトピリミジン−４−オール、１−メチル−１Ｈ−イミダゾール−２−チオール、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジチオール、１Ｈ−インダゾール−３−チオール、それらの互変異性体およびそれらの組合せからなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
成分（３）において、ポリマーが、式：
【化５】
2019530903.tif 000013
を含み、式中、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、ｘ’’およびｙ’’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’’は、３０〜４０モル％に等しく、ｙ’’は、６０〜７０モル％に等しく、ｘ’’およびｙ’’の合計は、１００モル％であり、ここでＲ１は好ましくはメチルである、請求項１〜７のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
成分（３）において、ポリマーが、式：
【化６】
2019530903.tif 000014
を含み、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ３は、Ｃ１〜Ｃ４アルキルまたはＣ２〜Ｃ４アルキレンヒドロキシ部分であり、ｘ’’’、ｙ’’’、およびｚ’’’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’’’は、３０〜４０モル％に等しく、ｙ’’’は、６０〜７０モル％に等しく、ｚ’’’は、２〜１０モル％に等しく、ｘ’’’、ｙ’’’およびｚ’’’の合計は、１００モル％に等しく、ｚ’’’は、１０モル％を超えず、ここでＲ１およびＲ２は好ましくはメチルであり、Ｒ３は好ましくはＣ１〜Ｃ４アルキルである、請求項１〜８のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
成分（３）において、ポリマーが、式：
【化７】
2019530903.tif 000015
を含み、式中、Ｒ１は、非置換もしくは置換アルキルまたは非置換もしくは置換シクロアルキルであり、Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ４は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、Ｒ５は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、ｘ’’’’、ｙ’’’’、およびｗ’’’’は、各種の反復単位のモル％であり、ｘ’’’’は、３０〜４０モル％に等しく、ｙ’’’’は、６０〜７０モル％に等しく、ｗ’’’’は、１〜１０モル％に等しく、ｘ’’’’、ｙ’’’’およびｗ’’’’の合計は、１００モル％に等しく、ｗ’’’’は、１０モル％を超えない、請求項１〜９のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
成分（７）において、溶媒が、フォトレジスト組成物の総重量の５０ｗｔ％〜８０ｗｔ％の範囲であり、成分（１）の量が、全固体の１５〜８０ｗｔ％の範囲であり、成分（２）の量が、全固体の０．０２〜１ｗｔ％の範囲であり、成分（３）の量が、全固体の２０〜８５ｗｔ％の範囲であり、成分（４）の量が、全固体の０．４〜２．５ｗｔ％の範囲であり、成分（５）の量が、全固体の０．０５〜０．４ｗｔ％の範囲であり、成分（６）が、固体の０〜１５ｗｔ％の範囲であり、さらに、固体成分（１）、（２）、（３）、（４）、（５）、および（６）の全ｗｔ％が、１００ｗｔ％に等しい、請求項１〜１０のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１２】
成分（４）において、光酸発生剤が、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ジアゾスルホニル化合物、スルホニルオキシイミド、ニトロベンジルスルホン酸エステル、およびイミドスルホネートからなる群から選択される、請求項１〜１１のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１３】
成分（４）において、光酸発生剤が、式：
【化８】
2019530903.tif 000016
を有するものから選択されるスルホニルオキシイミドであり、式中、Ｒ９は、パーフルオロアルキル、部分フッ素化アルキル、パーフルオロ（アルキルオキシアルキレン）、パーフルオロ（アルキル）アルキレン、部分フッ素化（アルキル）アルキレン、部分フッ素化（アルキレンオキシアルキレン）、アルキル、アルキルアルキレン、置換アルキルアルキレン、アリール、パーフルオロアリール、および部分フッ素化アリールからなる群から選択され、Ｒ１０〜Ｒ１５は、水素、アルキル、パーフルオロアルキル、部分フッ素化アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキレン（−アルキレン−Ｏ−アルキル）、アルコキシアルキレンオキシ（−Ｏ−アルキレン−Ｏ−アルキル）、チオアルコキシ、およびアルケニル（−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒｐ）からなる群から独立して選択され、Ｒｐ基は、アルキル、カルボニルオキシアルキル（−Ｃ＝Ｏ−Ｏ−アルキル）、およびアリールからなる群から選択される、請求項１〜１２のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物のコーティング層を上に有する基材を備えるコーティングされた基材。
【請求項１５】
基材上にフォトレジストレリーフ像を形成するための方法であって、（ａ）請求項１〜１３のいずれか一つに記載のフォトレジスト組成物の層を基材上に塗布するステップと、（ｂ）フォトレジスト層を活性化放射線に露光し、露光されたフォトレジスト層を現像するステップとを含む、方法。