【手続補正書】
【提出日】令和2年3月17日(2020.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅系材料に完全な溶接部を形成する方法であって、
ａ．銅系材料の第１部片を銅材料の第２部片と接触させて設置した被加工物をレーザーシステム内に設置する段階と
ｂ．青色レーザービームを前記被加工物に方向決めし、それにより前記銅系材料の第１部片と前記銅系材料の第２部片の間に、ＨＡＺ及び再凝固領域を有する溶接部が形成されるようにする段階と、
を備えており、
ｃ．前記銅系材料と前記ＨＡＺと前記再凝固領域との微細構造が同一である、
方法。
【請求項２】
前記再凝固領域の硬度の範囲が前記銅系材料の硬度の範囲内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
銅系材料に完全な溶接部を形成する方法であって、
ａ．銅系材料の第１部片を銅材料の第２部片と接触させて設置した被加工物をレーザーシステム内に設置する段階と
ｂ．青色レーザービームを前記被加工物に方向決めし、それにより前記銅系材料の第１部片と前記銅系材料の第２部片の間に、ＨＡＺ及び再凝固領域を有する溶接部が形成されるようにする段階と、
を備えており、
ｃ．前記ＨＡＺの硬度の範囲が前記銅系材料の硬度の範囲内にある、
方法。
【請求項４】
前記再凝固領域の硬度の範囲が前記銅系材料の硬度の範囲内にある、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記銅系材料と前記ＨＡＺと前記再凝固領域との微細構造が同一である、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記同一の微細構造は、前記溶接部の脆弱さを示唆することになる前記溶接部の判別可能な差異を示さない、請求項１、２、又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記同一の微細構造は同等サイズの結晶成長領域を備えている、請求項１、２、５、又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記溶接部は伝導モード溶接によって形成される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１部片及び前記第２部片は約１０μｍから約５００μｍの厚さを有している、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１部片は銅箔の複数の層を備えている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１部片は銅金属である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１部片は約１０重量パーセントから約９５重量パーセントの銅を有する銅合金である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記レーザービームは２０００ｋＷ／ｃｍ２より小さいパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記レーザービームは８００ｋＷ／ｃｍ２より小さいパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記レーザービームは５００ｋＷ／ｃｍ２より小さいパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記レーザービームは約１００ｋＷ／ｃｍ２から約４５００ｋＷ／ｃｍ２のパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれ一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記レーザービームは約１００ｋＷ／ｃｍ２から約３０００ｋＷ／ｃｍ２のパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記レーザービームは約１００ｋＷ／ｃｍ２から約８００ｋＷ／ｃｍ２のパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記レーザービームは約８００ｋＷ／ｃｍ２から約５ＭＷ／ｃｍ２のパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記レーザービームは１００ｋＷ／ｃｍ２より大きいパワー密度を有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記レーザービームは５００Ｗより小さいパワーを有している、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記レーザービームは２７５Ｗより小さいパワーを有している、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記レーザービームは１５０Ｗより小さいパワーを有している、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記レーザービームは１５０Ｗから約７５０Ｗの範囲のパワーを有している、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記レーザービームは約２００Ｗから約５００Ｗの範囲のパワーを有している、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記レーザービームは約５０μｍから約２５０μｍのスポットサイズを有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記レーザービームは約１００μｍから約５００μｍのスポットサイズを有する集束スポットとして前記被加工物へ方向決めされる、請求項１乃至２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記レーザービームは約４０５ｎｍから約５００ｎｍの波長を有している、請求項１乃至２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記溶接部はスパッター無しで形成される、請求項１乃至２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記レーザービームは前記被加工物を蒸発させない、請求項１乃至２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
銅系材料にキーホール溶接部を形成する方法であって、
ａ．銅系材料の第１部片を銅材料の第２部片と接触させて設置した被加工物をレーザーシステム内に設置する段階と
ｂ．青色レーザービームを前記被加工物に方向決めし、それにより銅系材料の第１部片と銅系材料の第２部片の間に、ＨＡＺ及び再凝固領域を有するキーホールモード溶接部が形成されるようにする段階と、
を備えている、方法。
【請求項３２】
前記レーザービームのパワーは１０００ｋＷより小さい、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記レーザービームのパワーは５００ｋＷより小さい、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記レーザービームのパワーは３００ｋＷより小さい、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
キーホールからのスパッターを抑制するように前記レーザービームを細長くする段階、を備えている請求項３１乃至３４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３６】
キーホールからのスパッターを抑制するように前記レーザービームのパワーを変調する段階、を備えている請求項３１乃至３５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３７】
キーホールモードの溶接中のスパッターを抑制するように前記レーザービームを高速走査する段階、を備えている請求項３１乃至３６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３８】
溶接が開始された後に前記レーザービームのパワーを急速に減少させる段階を備えており、前記減少させる段階は自動式又は手動式とすることができる、請求項３１乃至３７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３９】
溶接プロセス中のガス閉じ込め及びスパッターを低減するように低い気圧を使用する段階、を備えている、請求項１乃至３８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４０】
シールドガスを適用する段階、を備えている、請求項１乃至３９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４１】
前記シールドガスが、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ２から成る群より選択された、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記シールドガスが、Ａｒ−Ｈ２、Ｎ２、Ｎ２−Ｈ２から成る群より選択された混合シールドガスである、請求項４０に記載の方法。
【請求項４３】
酸化物層を除去して前記溶接部の湿潤を促すために、シールドガスを適用し且つ前記シールドガスへ水素を添加する段階を備えている、請求項１乃至３９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４４】
前記溶接部を形成するために前記レーザービームと同じ区域へ第２のレーザービームを方向決めする段階を備えている、請求項１乃至４３のいずれか一項に記載の方法。