【事件の表示】
　特願２０１０−　８６８４２「半導体基板、半導体基板の製造方法、半導体基板の判定方法、および電子デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月１８日出願公開、特開２０１０−２６３１９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年４月５日（国内優先権主張　平成２１年４月６日）の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　３月　７日　審査請求
平成２６年　６月１１日　拒絶理由通知
平成２６年　８月　４日　意見書・手続補正
平成２７年　３月　２日　拒絶査定（以下，「原査定」という。）
平成２７年　６月　５日　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年６月５日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１１は本件補正後の請求項８へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１１の記載は次のとおりである。
「【請求項１１】
　２次元キャリアガスを生成する化合物半導体を形成する段階と，
　キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体を形成する段階と，
　前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体を形成する段階と
　を備える半導体基板の製造方法であって，
　前記化合物半導体，前記移動度低減半導体および前記キャリア供給半導体を，当該半導体基板の構成要素を支持するベース基板の上に，前記キャリア供給半導体，前記移動度低減半導体，前記化合物半導体，前記移動度低減半導体，前記キャリア供給半導体の順に形成する半導体基板の製造方法。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項８の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項８】
　２次元キャリアガスを生成する化合物半導体を形成する段階と，
　キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体を形成する段階と，
　前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体を形成する段階と
　を備える半導体基板の製造方法であって，
　前記化合物半導体，前記移動度低減半導体および前記キャリア供給半導体を，当該半導体基板の構成要素を支持するベース基板の上に，前記キャリア供給半導体，前記移動度低減半導体，前記化合物半導体，前記移動度低減半導体，前記キャリア供給半導体の順に形成
し，
　
前記化合物半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率が，励起状態にあるキャリアの存在確率より高いものであり，
　前記移動度低減半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率よりも第１励起準位の励起状態にあるキャリアの存在確率の方が高いものであり，
　前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを，前記電圧に対応し，−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上，＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ
３
＋ｂｘ
２
＋ｃｘで表した場合に，前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が，０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）
−２
］未満である
　半導体基板の製造方法。」
（３）補正事項１
　本件補正は，補正前請求項１１の「半導体基板」について「
前記化合物半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率が，励起状態にあるキャリアの存在確率より高いものであり，
　前記移動度低減半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率よりも第１励起準位の励起状態にあるキャリアの存在確率の方が高いものであり，
　前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを，前記電圧に対応し，−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上，＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ
３
＋ｂｘ
２
＋ｃｘで表した場合に，前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が，０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）
−２
］未満である
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００１８，００２４及び００２５の記載からみて，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項８に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項８に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「２次元キャリアガスを生成する化合物半導体を形成する段階と，
　キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体を形成する段階と，
　前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体を形成する段階と
　を備える半導体基板の製造方法であって，
　前記化合物半導体，前記移動度低減半導体および前記キャリア供給半導体を，当該半導体基板の構成要素を支持するベース基板の上に，前記キャリア供給半導体，前記移動度低減半導体，前記化合物半導体，前記移動度低減半導体，前記キャリア供給半導体の順に形成し，
　前記化合物半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率が，励起状態にあるキャリアの存在確率より高いものであり，
　前記移動度低減半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率よりも第１励起準位の励起状態にあるキャリアの存在確率の方が高いものであり，
　前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを，前記電圧に対応し，−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上，＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ３＋ｂｘ２＋ｃｘで表した場合に，前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が，０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満である
　半導体基板の製造方法。」
（２）引用文献の記載と引用発明
　ア　引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平４−１２９２３１号公報（以下，「引用文献」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注。下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は，
ヘテロ接合電界効果トランジスタ
（イ）「このようなヘテロ接合電界効果トランジスタとしては，例えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系へテロ接合電界効果トランジスタ，ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓヘテロ接合等を採用したスードモルフィック（ｐｓｅｕｄｏ−ｍｏｒｐｈｉｃ）電界効果トランジスタ等が知られている。
・・・
　次に動作について説明する。ｎ−ＡｌＧａＡｓ層（電子供給層）５に比べてＧａＡｓ層（チャネル層）７の方が電子親和力が大きいので，
ｎ−ＡｌＧａＡｓ層５中の電子はＧａＡｓ層７側へ引き寄せられ，ヘテロ界面のＧａＡｓ層７側にたまる。この電子は，ヘテロ界面に沿った方向にのみ自由度を持っているので，２次元電子ガスと呼ばれる。２次元電子ガスは，イオン化不純物による散乱が小さいので，高い移動度を持ち
（ウ）「文献（Ｙ，Ａｎｄｏ　ｅｔ　ａｌ，：ＩＥＥＥ　ｔｒａｎｓ．　ｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ＥＤ−３５（１９８８）２２９５）によると，
通常のへテロ接合電界効果トランジスタの場合，電子は室温において基底状態のみではなく，第１〜第５励起状態まで分布する。
例えば，文献（Ｆ．Ｓｔｅｒｎ：Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ　１５　Ｊｕｌｙ（１９８４））によると，
電子の基底状態と第１励起状態との間のエネルギ差は４０ｍｅＶ以上にならないので，室温において数十％ものキャリアが第１励起状態以上に分布する。このためバンド間散乱が大きくなってキャリアの移動度の低下が生じ，素子特性が悪化する。
（エ）「本願の第２発明にあっては，チャネル層より禁止帯幅が狭い半導体層，例えばＩｎＡｓ層をチャネル層内の所望位置に挿入する。
禁止帯幅が狭いこの半導体層の存在により，深いポテンシャル井戸が局所的に形成されるので，基底状態のキャリアはこの狭い半導体層の近傍に強く束縛されて
ヘテロ界面から離れた禁止帯幅が狭いこの半導体層近傍において基底状態にのみキャリアが分布する。この結果バンド間散乱が小さくなり，キャリアの移動度は大きい。
（オ）「次に，キャリアの存在確率が基底状態では高く第１励起状態では低い位置に，禁止帯幅が狭い半導体層を挿入する第２発明について説明する。第４図は，第２発明の一実施例（ＡｌＧａＡｓ層　ＧａＡｓ系へテロ接合電界効果トランジスタ）の素子の断面図であり，
図中１０は半絶縁性のＧａＡｓ基板である。基板１０上には，チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層９，チャネル層内に挿入された禁止帯幅が狭い半導体層である単分子のアンドープＩｎＡｓ層８，チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層７，スペーサ層となるアンドープＡｌＧａＡｓ層６，電子供給層５となるＳｉドープｎ−ＡｌＧａＡｓ層５，キャップ層となるＳｉドープｎ−ＧａＡｓ層４がこの順に積層形成されている。
禁止帯幅が狭いＩｎＡｓ層８が，チャネル層内であって電子の基底状態の存在確率が最大であり第１励起状態の存在確率が零となる位置近傍（ヘテロ界面から７０Åの深さ位置）に挿入されている。
　また，第５図は第４図に示す素子のエネルギバンド図であり，図中Ｅ０，Ｅ１は夫々基底状態，第１励起状態のエネルギ固有値を示し，ＥＦはフェルミ準位を示し，ΔＥＣはへテロ界面における伝導帯のバンド不連続値を示す，なお固有値は，ヘテロ界面における禁止帯幅が狭い半導体層（ＧａＡｓ層７）の伝導帯の底を零として表している。
　第４図に示すように，チャネル層内の所望の位置（ヘテロ界面から７０Åの深さ位置）にＩｎＡｓ層８を挿入すると，その位置に０．６ｅＶのポテンシャル井戸が形成され，第５図に示すようなエネルギバンドとなる。
ポテンシャル井戸層であるＩｎＡｓ層８は基底状態の電子（ψ
０
）を強く引きつける
一方，電子の第１励起状態（ψ
１
）は，ＩｎＡｓポテンシャルの影響を殆ど受けない
電子はほとんど基底状態に分布し，バンド間散乱は非常に小さい。また，電子の濃度にかかわらず，電子分布はＩｎＡｓ層８の近傍に限られるので，電子濃度の変化に対する移動度の変化は小さく，低電子濃度にあっても高い移動度を得ることができる。
（カ）第５図には，
ＩｎＡｓ層（８）において電子の基底状態の波動関数（ψ
０
）が最大となり，第１励起状態の波動関数（ψ
１
）が０となること，及びＧａＡｓ層（７，９）のポテンシャルエネルギがＩｎＡｓ（８）よりも高いこと
　イ　前記ア（オ）には，「積層形成されている」とあるから，引用文献には「積層形成」という「製造方法」が記載されているに等しく，前記アより，引用文献には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板１０上に，チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層９，チャネル層内に挿入された禁止帯幅が狭い半導体層である単分子のアンドープＩｎＡｓ層８，チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層７，スペーサ層となるアンドープＡｌＧａＡｓ層６，電子供給層５となるＳｉドープｎ−ＡｌＧａＡｓ層５，キャップ層となるＳｉドープｎ−ＧａＡｓ層４がこの順に積層形成された積層体の製造方法。」
（３）周知技術
　ア　周知例１
　原査定で引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−２０７４７３号公報（以下，「周知例１」という。）には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【０００３】
【従来の技術】
高周波通信機器の重要な構成部品として
高電子移動度電界効果型トランジスタ（High Electron Mobility Transistor 、以下ＨＥＭＴという）
（イ）「【００２５】
図１は，本発明によるｐ−ＨＥＭＴ構造エピタキシャル基板の実施の形態の一例を示す層構造図である。図１において，１はＧａＡｓ単結晶基板，２はＧａＡｓ単結晶基板１上に形成されたバッファ層である。
３はｎ−ＡｌＧａＡｓ層として形成され，ｎ型不純物をドープしたバック側電子供給層であり，バック側電子供給層３の上には，バック側スペーサ層（ＡｌＧａＡｓ層）４及びバック側スペーサ層（ＧａＡｓ層）５が形成されている。６は２次元電子を流すため２次元電子ガスが形成されるチャネル層であり，
【００２６】
チャネル層６の上には，ＧａＡｓ層から成るフロント側スペーサ層７，ＡｌＧａＡｓ層として形成されたフロント側スペーサ層８，ｎ−ＡｌＧａＡｓ層として形成されたフロント側電子供給層９，アンドープ層（ｉ−ＡｌＧａＡｓ層）１０，及び別のアンドープ層（ｉ−ＧａＡｓ層）１１がこの順序で形成されている。」
　イ　周知例２
　原査定で引用された，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−２２１３６３号公報には，図面とともに次の記載がある。
「【０００５】
また電子供給層の総数に注目すると，電子供給層がＩｎＧａＡｓチャネル上に一層のもの（単層ＨＥＭＴ）と，
チャネル下にも供給層を有したダブルヘテロタイプ（ここではＤ−ＨＥＭＴと呼ぶ）
【０００６】
一方，Ｄ−ＨＥＭＴはデジタル通信用高出力アンプとして，ここ数年盛んに研究・開発され，実用化も急速に進み，現在最も普及しているタイプである。この構造では，上下両方から電子が供給されることから，シートキャリア濃度の高いチャネルが実現できる。この薄型ウェハを使用すれば，
デジタル方式のトランジスタにおいて低ひずみで非常に高い電力が得られる。
　ウ　周知技術
　前記ア及びイより，本願の優先日前，下記の事項は周知技術と認められる。
「電子供給層とチャネル層とを異なる材料で構成した高移動度電界効果型トランジスタ（ＨＥＭＴ）において，チャネル層の上下両側に電子供給層を形成すること。」
（４）引用発明２
　ア　引用文献２
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−２６７３３２号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（なお，段落００４８の第２式の右辺中Ｖdsの係数ｂ1はｂ2の誤記であると認められるので，当審において修正した。）
「【００４８】トランスコンダクタンスｇｍ，
ドレインコンダクタンスｇｄ
ｇｍ＝ａ1＋ｂ1×Ｖds＋ｃ1×Ｖ2ds＋ｄ1×Ｖ3ds＋・　・　・
ｇｄ＝ａ
2
＋ｂ
2
×Ｖ
ds
＋ｃ
2
×Ｖ
2
ds
＋ｄ
2
×Ｖ
3
ds
＋・　・　・
近似的に表現される。
【００４９】上記の実施の形態に係わる
電界効果トランジスタによれば，
ｇｄは，Ｖ
ds
に対して良好な線形性を有する。
｜ｂ1／ｃ1｜≧１０
｜ｂ2／ｃ2｜≧５
を達成できる。一方，図６に示された従来の電界効果トランジスタでは，これらの比はそれぞれ２．９，０．２である。故に，本実施の形態に係わる電界効果トランジスタのｇｍ，ｇｄは，従来の電界効果トランジスタに比べて優れていることが理解される。
【００５０】
２次歪みは，｜Ｖ
ds
｜によるｇｍの２次微分係数の項が小さければよいので，｜ｃ
1
｜が小さい方がよい。
ｇｄの２次微分係数
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ドレインコンダクタンスｇｄをＶdsの多項式で近似的に表現すると，電界効果トランジスタのドレインコンダクタンスｇｄが良好な線形性を有する場合，２次歪みは，ドレインコンダクタンスｇｄの２次微分係数ｃ2が小さい方がよい。」
（５）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「チャネル層内に挿入された禁止帯幅が狭い半導体層である単分子のアンドープＩｎＡｓ層８」は，基底状態のキャリアを強く束縛し（前記（２）ア（エ）），キャリアはヘテロ界面に沿った方向にのみ自由度を持っているので，２次元電子ガスを発生させる（前記（２）ア（イ））ものでしかもＩｎＡｓという化合物半導体からなるから，本願補正発明の「２次元キャリアガスを生成する化合物半導体」に相当するものであり，引用発明は製造方法の発明であるから，これを形成する段階を含むものであり，この段階は，本願補正発明の「２次元キャリアガスを生成する化合物半導体を形成する段階」に相当すると認められる。
　イ　本願補正発明の「キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体」について、本願明細書の発明の詳細な説明には、「移動度低減半導体１１６が含む移動度低減因子は、例えば、不純物、結晶欠陥、低移動度材、およびバンド障壁材である。キャリアが電子である場合には、ドナー不純物が移動度低減因子として機能する。また、キャリアが正孔である場合には、アクセプタ不純物が移動度低減因子として機能する。バンド障壁材は、例えば、化合物半導体１１４に比べてバンドギャップが大きな半導体である。」（【００２１】）と記載されているから、当該記載を参酌すれば、本願補正発明の「移動度低減半導体」は、バンド障壁材、具体的には「化合物半導体」に比べてバンドギャップが大きな半導体を包含すると認められる。
　そして、引用発明の「チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層９，７」は、「ＩｎＡｓ層８」（本願補正発明の「化合物半導体」に相当。）に比べてバンドギャップが大きく、そのポテンシャルエネルギが「ＩｎＡｓ層８」よりも高い（前記（２）ア（カ））から、バンド障壁を構成し、移動度低減因子として機能していると認められる。
　そうすると、引用発明の「チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層９，７」は、本願補正発明の「キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体」に相当すると認められ、引用発明は製造方法の発明であるから，これを形成する段階を含むものであり，この段階は，本願補正発明の「キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体を形成する段階」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明の「電子供給層５となるＳｉドープｎ−ＡｌＧａＡｓ層５」は電子すなわちキャリアを供給するから，本願補正発明の「前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体」に相当し，引用発明は製造方法の発明であるから，これを形成する段階を含むものであり，この段階は，本願補正発明の「前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体を形成する段階」に相当すると認められる。
　エ　引用発明の「積層体」は，半導体からなる板状のものであるから，本願補正発明の「半導体基板」に相当し，引用発明の「積層体の製造方法」は，本願補正発明の「半導体基板の製造方法」に相当すると認められる。
　オ　引用発明の「基板１０」は，本願補正発明の「ベース基板」に相当し，前記アないしウのとおり，引用発明の「チャネル層となるアンドープＧａＡｓ層９，７」，「チャネル層内に挿入された禁止帯幅が狭い半導体層である単分子のアンドープＩｎＡｓ層８」及び「電子供給層５となるＳｉドープｎ−ＡｌＧａＡｓ層５」は，それぞれ本願補正発明の「前記移動度低減半導体」，「前記化合物半導体」及び「前記キャリア供給半導体」に相当すると認められる。すると，本願補正発明と引用発明とは，下記相違点１を除いて，「前記化合物半導体，前記移動度低減半導体および前記キャリア供給半導体を，当該半導体基板の構成要素を支持するベース基板の上に，前記移動度低減半導体，前記化合物半導体，前記移動度低減半導体，前記キャリア供給半導体の順に形成」する点で共通すると認められる。
　カ　してみると，本願補正発明と引用発明とは，下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違するものと認められる。
（ア）一致点
「２次元キャリアガスを生成する化合物半導体を形成する段階と，
　キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体を形成する段階と，
　前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体を形成する段階と
　を備える半導体基板の製造方法であって，
　前記化合物半導体，前記移動度低減半導体および前記キャリア供給半導体を，当該半導体基板の構成要素を支持するベース基板の上に，前記移動度低減半導体，前記化合物半導体，前記移動度低減半導体，前記キャリア供給半導体の順に形成する
　半導体基板の製造方法。
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願補正発明においては，最初の「前記移動度低減半導体」を形成する前に，「前記キャリア供給半導体」を形成するのに対し，引用発明においては，最初の「前記移動度低減半導体」を形成する前には，「前記キャリア供給半導体」を形成しない点。
　ｂ　相違点２
　本願補正発明においては，「前記化合物半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率が，励起状態にあるキャリアの存在確率より高いものであり，前記移動度低減半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率よりも第１励起準位の励起状態にあるキャリアの存在確率の方が高いものであ」るのに対し，引用発明においては，「前記化合物半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率が，励起状態にあるキャリアの存在確率より高いものであり，前記移動度低減半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率よりも第１励起準位の励起状態にあるキャリアの存在確率の方が高いものであ」ることが明示されていない点。
　ｃ　相違点３
　本願補正発明においては，「前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを，前記電圧に対応し，−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上，＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ３＋ｂｘ２＋ｃｘで表した場合に，前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が，０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満である」のに対し，引用発明においては，「前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを，前記電圧に対応し，−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上，＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ３＋ｂｘ２＋ｃｘで表した場合に，前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が，０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満である」ことが開示されていない点。
（６）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　引用発明が前提としているヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて，チャネル層の上下両側に電子供給層を形成することは，前記（３）ウのとおり，周知技術であって，この周知技術を採用して引用発明の製造方法をチャネル層の上下両側に電子供給層が形成されたダブルへテロ構造の製造方法とすることは当業者が容易になし得ることである。この際に半導体基板の製造ではベース基板から順に形成することは技術常識であるから，チャネル層の下に供給層を有するようにするには，引用発明においてチャネル層となっているＧａＡｓ層９を形成する前に電子供給層を形成すべきことは，当業者にとって自明のことである。
　イ　相違点２について
（ア）引用発明においては「禁止帯幅が狭いＩｎＡｓ層８が，チャネル層内であって電子の基底状態の存在確率が最大であり第１励起状態の存在確率が零となる位置近傍（ヘテロ界面から７０Åの深さ位置）に挿入されて」おり，「ＩｎＡｓ層８は基底状態の電子（ψ０）を強く引きつけ」，「一方，電子の第１励起状態（ψ１）は，ＩｎＡｓポテンシャルの影響を殆ど受けない」（前記（２）ア（オ））ので，引用文献の第５図に示されるように基底状態の電子の波動関数ψ０はＩｎＡｓ層８において最大になり，一方，励起状態の電子の波動関数ψ１はＩｎＡｓ層８で零となる（前記（２）ア（カ））。波動関数は電子（キャリア）の存在確率を表すので，これはすなわち，本願補正発明でいう「前記化合物半導体が，その内部では，基底状態にあるキャリアの存在確率が，励起状態にあるキャリアの存在確率より高いものである」ことを意味する。
（イ）また，量子力学上の定義により，波動関数が表す存在確率は全確率が１に等しいことから，各波動関数は規格化条件（関数の自乗の全空間積分値が１となること。）を満たしており，このことと引用文献の第５図及び前記（ア）から，引用発明のＩｎＡｓ層８を除いたチャネル層となるアンドープＧａＡｓ層７，９においては，基底状態にあるキャリアの存在確率よりも第１励起準位の励起状態にあるキャリアの存在確率の方が高いといえる。
（ウ）以上のとおりであるから，相違点２に係る本願補正発明の構成は引用発明においても満たされているものであり，相違点２は実質的には相違点ではない。
　ウ　相違点３について
　「通常のヘテロ接合電界効果トランジスタの場合」，電子が励起状態に分布し，「バンド間散乱が大きくなってキャリアの移動度の低下が生じ，素子特性が悪化する」（前記（２）ア（ウ））ところ，引用発明においては，「ポテンシャル井戸層であるＩｎＡｓ層８」（本願補正発明の「２次元キャリアガスを生成する化合物半導体」に相当。）を設けることにより「電子はほとんど基底状態に分布し，バンド間散乱は非常に小さい」（前記（２）ア（オ））ものとすることができるから，引用発明において，電圧対電流特性の線形性が向上することは，当業者が容易に予測できることである。そして，引用発明２において，電界効果トランジスタにおける良好な電圧対電流特性の線形性を定量的に表現するために，コンダクタンス（電流を電圧で除したもの）を多項式で近似しその２次微分係数（コンダクタンスの代わりに電流で表示すれば，３次項係数に相当する）の小ささを用いることが示されている。
　してみれば，引用発明において，引用発明２の表現形式を適用して，電圧対電流特性の線形性を定量的に表現することは当業者が容易になし得ることである。そして，この際に，３次項係数を１次項係数で正規化したり，線形性の程度を評価するための適宜の数値範囲を設定したりすることは，当業者が適宜行い得る事項にすぎない。
　　ところで、本願補正発明の「前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを、前記電圧に対応し、−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上、＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ３＋ｂｘ２＋ｃｘで表した場合に、前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が、０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満である」との発明特定事項は、本願明細書の発明の詳細な説明の記載（【００８３】ないし【００８６】）を参酌すれば、「絶対値|ａ／ｃ|」が、本願補正発明の「移動度低減半導体」にドーピングしない場合（すなわち不純物濃度が０（ｃｍ−３）の場合）の「絶対値|ａ／ｃ|」である０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満であるか否かによって、線形性が良好な電圧対電流特性を有するか否かを判定することを特定したものと解される。
　しかし、本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは、「絶対値|ａ／ｃ|」における０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］との値を基準に、上記近似多項式で表される電圧対電流特性の線形性が良好であるか否かを判断できる理由は不明であるし、また、「絶対値|ａ／ｃ|」が０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］を僅かに下回る場合と、「絶対値|ａ／ｃ|」が０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］又はこれを僅かに上回る場合とで、、上記近似多項式で表される電圧対電流特性の線形性に格別の相違が生じるとも認められない。
　そうすると、本願補正発明の上記の発明特定事項における「絶対値|ａ／ｃ|が、０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満である」との数値限定に、臨界的意義を有するとは認められない。
　以上から、引用発明において、引用発明２を適用し、電圧対電流特性の線形性を定量的に表現することは、当業者が容易になし得たものであり、その際に、本願補正発明のように、「前記化合物半導体上の異なる２点間に電圧が印加された場合に前記化合物半導体を流れる電流ｙを、前記電圧に対応し、−１．５［ｋＶ／ｃｍ］以上、＋１．５［ｋＶ／ｃｍ］以下の範囲内で変化する電界強度ｘを変数とする近似多項式ｙ＝ａｘ３＋ｂｘ２＋ｃｘで表した場合に、前記近似多項式における３次項係数ａの１次項係数ｃに対する比の絶対値|ａ／ｃ|が、０．０３７［（ｋＶ／ｃｍ）−２］未満」とすること（ 相違点３に係る構成とすること）は、当業者が適宜なし得たものと認める。
（７）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明の構成及び周知例１，２にみられるような周知技術から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
（８）まとめ
　本願補正発明は，引用文献に記載された発明及び周知技術並びに引用発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年６月５日にされた手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２６年８月４日付け手続補正による補正がされた特許請求の範囲の請求項１１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「２次元キャリアガスを生成する化合物半導体を形成する段階と，
　キャリアの移動度を前記化合物半導体における前記キャリアの移動度よりも小さくする移動度低減因子を有する移動度低減半導体を形成する段階と，
　前記化合物半導体に前記キャリアを供給するキャリア供給半導体を形成する段階と
　を備える半導体基板の製造方法であって，
　前記化合物半導体，前記移動度低減半導体および前記キャリア供給半導体を，当該半導体基板の構成要素を支持するベース基板の上に，前記キャリア供給半導体，前記移動度低減半導体，前記化合物半導体，前記移動度低減半導体，前記キャリア供給半導体の順に形成する半導体基板の製造方法。」
２　引用発明及び周知技術
　引用発明は，前記第２の２（２）で認定したとおりであり，周知技術は，前記第２の２（３）で認定したとおりである。
３　本願発明と引用発明との対比
　前記第２の１（３）のとおり，本願発明は，本願補正発明から補正事項１に係る限定を除いたものである。すると，前記第２の２（５）のとおり，補正事項１に係る限定すなわち相違点２及び３に係る構成は本願発明では除かれることになるから，本願発明と引用発明とを対比すると，相違点１で相違し，その余の点で一致するものと認められる。
４　判断
　相違点１については，前記第２の２（６）アのとおりである。そして，本願発明の効果は引用発明の構成及び周知例１，２にみられるような周知技術から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
５　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，引用文献に記載された発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。