(57)【要約】  高周波に伴うデータロス及びクロストークトークを回避し、HDDの小型化・高容量化に対応可能なHDDサスペンション用積層体及びその製造方法を提供する。  厚さ10〜50μmのステンレス層と、厚さ0.1〜10μmかつ導電率10〜100%IACSの金属層からなる導体層aと、厚さ5〜20μmかつ線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなる絶縁層と、厚さ5〜50μmの導体層bとからなるHDDサスペンション用積層体であり、また、ステンレス層と導体層aとからなる積層部材の導体層ａの上に1層以上のポリイミド系前駆体溶液等を塗工し、乾燥及び250℃以上の温度で熱処理を行い厚さ5〜20μmかつ線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなる絶縁層を形成し、絶縁層の上に厚さ5〜50μmの導体層bを加熱圧着するHDDサスペンション用積層体の製造方法である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレス層、導体層a、絶縁層、導体層bからなるHDDサスペンション用積層体であって、導体層aが導電率10〜100%IACSの範囲の導電率を有する金属層からなり、ステンレス層の厚みが10〜50μm、導体層aの厚みが0.1〜10μm、絶縁層の厚みが5〜20μm、導体層bの厚みが5〜50μmで、かつ絶縁層が線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなることを特徴とするHDDサスペンション用積層体。
【請求項２】
絶縁層と導体層aの接着強度が0.5kN/m〜10.0kN/mの範囲であって、絶縁層と導体層bの接着強度が0.5kN/m〜10.0kN/mの範囲であることを特徴とする請求項1記載のHDDサスペンション用積層体。
【請求項３】
導体層aの絶縁層側の表面が、表面粗さRa 0.1μm〜1.0μmであることを特徴とする請求項1記載のHDDサスペンション用積層体。
【請求項４】
厚さ10〜50μmのステンレス層と厚さ0.1〜10μm の導体層aとからなる積層部材の導体層ａの上に1層以上のポリイミド系前駆体溶液又はポリイミド系樹脂溶液を塗工し、乾燥及び250℃以上の温度で熱処理を行って厚さ5〜20μmで線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなる絶縁層を形成した後、この絶縁層の上に厚さ5〜50μmの導体層bを重ねて加熱圧着することを特徴とするHDDサスペンション用積層体の製造方法。
【請求項５】
厚さ5〜50μmの導体層bの上に1層以上のポリイミド系前駆体溶液又はポリイミド系樹脂溶液を塗工し、乾燥及び250℃以上の温度で熱処理を行い厚さ5〜20μmで線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなる絶縁層を形成した後、厚さ10〜50μmのステンレス層と厚さ0.1〜10μmの導体層aとからなる積層部材の導体層ａ側を上記絶縁層に対向させて加熱圧着することを特徴とするHDDサスペンション用積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、HDDサスペンションに用いられる基板材料及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（以下、HDD）は、近年のパーソナルコンピュータの需要増加や家電、カーナビ等の各種アプリケーションへの新規搭載などに伴い、その生産量が軒並み増加している。またHDDは今後大容量化や小型化が進むと予想され、HDDにおいて磁気を読み取るフレクシャーブランクを構成するサスペンション（以下、HDDサスペンション）部分についてもまた、小型化及び配線の多線化、細線化が進んでいる。また、高容量化が進むに従い従来使用されてきたワイヤタイプのサスペンションから、記憶媒体であるディスクに対し浮力と位置精度が安定した配線一体型のサスペンションへと大半が置き換わっている。この配線一体型サスペンションの中で、ＴＳＡ（トレース サスペンション アッセンブリ）法と呼ばれるステンレス箔−ポリイミド樹脂−銅箔の積層体をエッチング加工により所定の形状に加工するタイプがある。【０００３】
ＴＳＡ方式サスペンションは高強度を有する合金銅箔を積層することによって、容易にフライングリードを形成させることが可能であり、形状加工での自由度が高いことや比較的安価で寸法精度が良いことから幅広く使用されている。ＷＯ98/08216には、ステンレス基体上にポリイミド系樹脂層及び導体層が逐次に形成されてなるHDDサスペンション用積層体が開示されている。【０００４】
しかしながら、高容量化によりデータを高密度化するため高周波化が進み、高周波信号のロスが大きくなるという問題が生じる。また、小型化による微細配線化に伴う配線間の狭幅化によってクロストークと呼ばれる配線間のレスポンスエラーを引き起こすおそれがある。特開平9-283930にはマイクロストリップ構造での隣接パターンのクロストークノイズによる誤作動を回避するための多層プリント配線板の構造および製造方法が開示されている。
【特許文献１】ＷＯ98/08216号パンフレット
【特許文献２】特開平9-283930号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来のサスペンション用基板材料のバネ材であるステンレス層にアース層として導体層を設けることで、高周波に伴うデータロスおよびクロストークトークを回避し、HDDの小型化・高容量化に対応可能なサスペンション用積層体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、かかる課題を解決すべく鋭意検討した結果、片面に導電性のメッキ処理を行ったステンレス層との積層体を製造することで、本発明を完成するに至った。【０００７】
すなわち、本発明は、ステンレス層、導体層a、絶縁層、導体層bからなるHDDサスペンション用積層体であって、導体層aが導電率10〜100%IACSの範囲の導電率を有する金属層からなり、ステンレス層の厚みが10〜50μm、導体層aの厚みが0.1〜10μm、絶縁層の厚みが5〜20μm、導体層bの厚みが5〜50μmで、かつ絶縁層が線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなることを特徴とするHDDサスペンション用積層体である。【０００８】
また、本発明は、厚さ10〜50μmのステンレス層と厚さ0.1〜10μm の導体層aとからなる積層部材の導体層ａの上に1層以上のポリイミド系前駆体溶液又はポリイミド系樹脂溶液を塗工し、乾燥及び250℃以上の温度で熱処理を行って厚さ5〜20μmで線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなる絶縁層を形成した後、この絶縁層の上に厚さ5〜50μmの導体層bを重ねて加熱圧着することを特徴とするHDDサスペンション用積層体の製造方法である。
更に、本発明は、厚さ5〜50μmの導体層bの上に1層以上のポリイミド系前駆体溶液又はポリイミド系樹脂溶液を塗工し、乾燥及び250℃以上の温度で熱処理を行い厚さ5〜20μmで線膨張係数1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂からなる絶縁層を形成した後、厚さ10〜50μmのステンレス層と厚さ0.1〜30μm の導体層aとからなる積層部材の導体層ａ側を上記絶縁層に対向させて加熱圧着することを特徴とするHDDサスペンション用積層体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のHDDサスペンション用積層体は、バネ材であるステンレス層にアース層として導体層ａを設けているため、高周波に伴うデータロスおよびクロストークを回避し、HDDの小型化・高容量化に対応可能なHDDサスペンション用積層体である。また、本発明のHDDサスペンション用積層体の製造方法によれば、HDDサスペンション用積層体における導体層aあるいは導体層bと絶縁層との接着力が良好で、かつ寸法精度にすぐれたHDDサスペンション用積層体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明における導体層aは、導電率10%IACS以上の導電性を有する金属層から形成され、特にCu及びCu合金から選定される導電性を有する層が望ましい。このときの導電率は10〜100%IACSの範囲であることが必要である。この範囲より小さいとクロストークを抑えきることができなくなり、誤動作の原因となる。反対に、100%IACS以上であっても材料コストが高くなるので好ましくない。なお、導電率（%IACS）は、万国標準軟銅（International Annnealed Copper Standard）を4探針法を用いて測定したときの導電率を100%としたときの各素材の導電率を%で表したものである。100%IACSは1.7241x10-8Ω・mに相当する。【００１１】
また、ステンレス層と導体層ａの剥離強度を確保するため、導体層aとステンレス層の間にCr、Mo、Ni、Si及びその混合物からなる層を設けることが望ましい。
導体層aはステンレス層にめっき処理を施すなどの方法で形成することが簡便で好ましい。その際に、めっき処理前のステンレス層の表面処理として前記Cr、Mo、Ni、Si及びその混合物からなる層を電解めっき又は蒸着などの手段で設けることが好ましい。これら表面処理されたステンレス層に電解めっき処理などの方法で導体層aを形成する。導体層aとしては、導電性に優れた銅又は銅合金が用いられ、その厚さは0.1〜10μmである。0.1μmより小さいとノイズ低減効果が発現しにくくなり、また10μmを超えると均一な厚さの層が得られにくくなり、品質のばらつきが発生する恐れがある。また、導体層aと絶縁層と接する面の表面粗さRaは0.1μm〜1.0μmにすることが望ましい。この範囲より小さいと絶縁層との接着力が低下し、またこの範囲より大きいと均一なノイズ低減効果が得られにくくなり好ましくない。尚、上記Raは、表面粗さにおける算術平均粗さ（JIS B 0601-1994）を示す。【００１２】
本発明におけるステンレス層は、特に制約はないが、ばね特性や寸法安定性の観点から、ステンレス箔、具体的にはＳＵＳ304が好ましく、300℃以上の温度でアニール処理されたＳＵＳ304が特に好ましい。用いられるステンレス層の厚さは10〜50μｍの範囲、好ましくは18〜30μｍの範囲である。ステンレス層の厚みが10μｍに満たないと、スライダの浮上量を十分抑えるバネ性を確保できないおそれがあり、一方、50μｍを超えると剛性が大きくなりすぎ、搭載されるスライダの低浮上化が困難となるおそれがある。【００１３】
また、本発明における絶縁層については、ポリイミド系樹脂からなるのが好ましく、この際、ポリイミド系樹脂としては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド等、その構造中にイミド結合を有するものであればよい。絶縁層の厚さについては5〜20μm、好ましくは7〜18μmである。絶縁層の厚さが5μmより小さいと電気的絶縁の信頼が低下すると同時に誘電特性が悪くなるという問題が発生し、20μmを超えると高精度の絶縁層のパターンニングが行い難いという問題が発生する。また、絶縁層の線膨張係数は1×10-5〜3×10-5/℃、好ましくは1.5×10-5〜2.5×10-5/℃である。絶縁層の線膨張係数が1×10-5/℃より小さくても、逆に3×10-5/℃より大きくても、積層体のステンレス層または導体層または導体層bをエッチング除去した際に反りが発生し易いという問題が発生する。【００１４】
また、本発明においては、絶縁層と導体層aとの間、及び絶縁層と導体層bとの間における接着力は、それぞれ0.5〜10kN/mの範囲であるのが好ましい。そのため、絶縁層がポリイミド系樹脂からなるポリイミド樹脂層の場合、このポリイミド系樹脂層はある程度の接着性能を有することが望ましい。ところで、一般的に線膨張係数が3×10-5/℃を超えるポリイミド系樹脂層は、金属からなる導体層と比較的良好な接着強度を示す傾向にあるものの、線膨張係数が1×10-5〜3×10-5/℃のポリイミド系樹脂層は、金属等と良好な接着強度を示さないという傾向がある。そのため、本発明におけるポリイミド系樹脂層の好ましい形態としては、線膨張係数2.5×10-5/℃以下の低熱膨張性ポリイミド系樹脂層と、線膨張係数3×10-5/℃以上の高熱膨張性ポリイミド系樹脂層との少なくとも2層を含む多層構造とするのがよい。【００１５】
更に好ましくは、線膨張係数3×10-5/℃以上の第１の高熱膨張性ポリイミド系樹脂層と、線膨張係数2.5×10-5/℃以下の低熱膨張性ポリイミド系樹脂層と、線膨張係数3×10-5/℃以上の第２の高熱膨張性ポリイミド系樹脂層とからなる3層構造であるのがよい。ここで、第1及び第2の高熱膨張性ポリイミド系樹脂層は同一のポリイミド系樹脂であっても、異なポリイミド系樹脂であってもよい。このようにポリイミド系樹脂層を低熱膨張性ポリイミド系樹脂層と高熱膨張性ポリイミド系樹脂層とを組み合わせて多層構造とすることで、低熱膨張性と高接着性の両方の条件を満足する絶縁層を形成することが可能となる。【００１６】
絶縁層を3層以上のポリイミド系樹脂層から形成する場合、両最外層のポリイミド系樹脂層の合計厚み（ｔa）と他の中間のポリイミド系樹脂層の厚み（ｔｂ）の比（ｔa／ｔｂ）が0.1〜0.5の範囲とするのが好ましい。【００１７】
本発明における導体層bは、合金銅箔から形成されることが好ましい。ここで、合金銅箔とは、銅を必須として含有し、クロム、ジルコニウム、ニッケル、シリコン、亜鉛、ベリリウム等の銅以外の少なくとも1種以上の異種の元素を含有する合金箔を指し、銅含有率90重量％以上のものを言う。
合金銅箔としては、銅含有率95重量％以上のものを使用することが好ましい。併せて、積層前の銅箔の引張強度が500MPa以上であり、かつ、導電率が65％以上であるのが好ましい。導体層ｂの引張強度が500MPaに満たないと、フライングリードを形成した場合に十分な銅箔強度が得られず断線などの問題が発生し易い。また、導電率が65％に満たないと、銅箔の抵抗体から発生するノイズが熱として発散され、インピーダンス制御が困難となり、送信速度も満足するものとならない。【００１８】
以下実施例等により本発明をさらに詳しく説明する。【００１９】
［接着強度の測定］
導体層aと絶縁層と間の接着力については、HDDサスペンション用積層体のステンレス層および導体層aに幅3.2mmの直線状のパターンニングを施し、導体層bはそのままにして測定用試験片を作成し、これを固定板に貼り付け、引張試験機(東洋精機株式会社製、ストログラフ-M1)を用いて、上記直線状パターンの90°引き剥がし強さを測定した。また、導体層bと絶縁層と間の接着力については、導体層bを幅3.2mmの直線状にパターンニングし、ステンレス層と導体層aはそのままにして測定用試験片を作成し、上記と同様にして導体層ｂと絶縁層との90°引き剥がし強さを測定した。【００２０】
［線膨張係数の測定］
HDDサスペンション用積層体のステンレス層、導体層aおよび導体層bをエッチング除去し得られた絶縁層を、サーモメカニカルアナライザー(セイコー電子株式会社製)を用いて250℃まで昇温し、更にその温度で20分保持した後、10℃/分の速度で冷却して240℃から100℃までの平均線膨張率を求めた。【００２１】
［クロストーク評価方法］
先ず、導体層ｂに写真蝕刻技術を用いて線幅、線間ともに25μm幅のリード線を作成し、HDD用基板の情報を読み書きする為の磁気書き込み用装置、磁気読み取り用装置を装着したHDD用フレクシャーを作成する。次に、上記磁気書き込み用回路に周波数を自由に変更できる発信機（東陽テクニカ製：周波数応答アナライザ1260型、エヌエフ回路設計ブロック：周波数特性分析器 FRA5096）を接続し、一方の端から1Hzから15MHzまで周波数を変えながら交流電圧を印加し、他方から出力される電圧を測定し、出力電圧印加電圧の比率を算出し、印加電圧の減衰が認められなかった場合をクロストーク無しとし、減衰が認められた場合をクロストーク有りとした。【００２２】
下記の合成例の説明において用いられる略号は、以下の通りである。
PMDA：無水ピロメリット酸
BTDA：ベンゾフェノン‐3,4,3',4'‐テトラカルボン酸ニ無水物
BPDA：3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
DA-NPG：1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）-2,2-ジメチルプロパン
MABA：4-アミノ-N-(4-アミノ-2-メトキシフェニル)-ベンゾアミド
DAPE：4,4'-ジアミノジフェニルエーテル        
APB：1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン
BAPP：2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
m-TB：2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル    
DMAc：N,N-ジメチルアセトアミド【００２３】
［合成例1］
10.0モルのDANPGを秤量し、40Lのプラネタリーミキサーの中で攪拌しながら溶媒DMAc35.2kgに溶解させた。次いで、4.0モルのPMDAと6.0モルのBTDAとを加え、室温にて3時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Aの溶液を得た。【００２４】
［合成例2］
8.0モルのMABAと5.0モルのDAPEを秤量し、40Lのプラネタリーミキサーの中で攪拌しながら溶媒DMAc34.3kgに溶解させた。次いで、13.0モルのPMDAを加え、室温にて3時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Bの溶液を得た。【００２５】
［合成例3］
1 0.0モルのAPBを秤量し、40Lのプラネタリーミキサーの中で攪拌しながら溶媒DMAc36.7kgに溶解させた。次いで、4.0モルのPMDAと6.0モルのBTDAとを加え、室温にて3時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Aの溶液を得た。【００２６】
［合成例4］
7.0モルのBAPPを秤量し、40Lのプラネタリーミキサーの中で攪拌しながら溶媒DMAc25.5kgに溶解させた。次いで、7.0モルのBPDAを加え、室温にて3時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Dの溶液を得た。【００２７】
［合成例5］
7.5モルのm-TBを秤量し、40Lのプラネタリーミキサーの中で攪拌しながら溶媒DMAc25.5kgに溶解させた。次いで、7.5モルのBPDAを加え、室温にて3時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Eの溶液を得た。【００２８】
［作製例1］
新日本製鐵株式会社製のステンレス箔（SUS304、テンションアニール処理品、ステンレス厚み20μm）の片面にレジストを張り、メッキ浴槽中に流し、片面に銅メッキ（導体層a：厚み０．１μm、導電率１００%IACS）が付いた銅メッキ付ステンレス箔Aを作製した。このときの銅メッキ面の表面粗度Raは0.05μmであった。なお、この表面粗度Raはメッキ時の電圧及び処理時間を変更することにより調整することができる。【００２９】
［作製例2］
新日本製鐵株式会社製のステンレス箔（SUS304、テンションアニール処理品、ステンレス厚み20μm）の片面にレジストを張り、メッキ浴槽中に流し、作製例1と同様に電圧及び処理時間を調整して銅メッキ面の表面粗度Raが0.50μmであって、片面に銅メッキ（導体層a：厚み１．０μm、導電率１００%IACS）が付いた銅メッキ付ステンレス箔Bを作製した。
【実施例１】
【００３０】
合成例1で得られたポリイミド前駆体Aの溶液を銅箔（日鉱マテリアルズ式会社製、NK-120、銅箔厚み12μm、強度556MPa、導電率79%）上に硬化後の厚みが1μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、その上に合成例2で得られたポリイミド前駆体Bの溶液を硬化後の厚さが7.5μmになるように塗布して110℃で10分乾燥し、更にその上に合成例1で得られたポリイミド前駆体Aの溶液を硬化後の厚みが1.5μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、更に130〜360℃の範囲で数段階、各3分間段階的な熱処理によりイミド化を完了させ、銅箔（導体層ｂ）上に厚さ10μmのポリイミド樹脂層（絶縁層）を有する積層部材を得た。なお、銅箔（導体層ｂ）に接する第1層目のポリイミド樹脂層と第3層目のポリイミド樹脂層は同じであって線膨張係数はいずれも58.5×10-5/℃であり、また、第2層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は1.46×10-5/℃であった。【００３１】
次に、作製例1で作製した銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ（導体層a）側を、上記で得られた積層部材のポリイミド面（絶縁層）と重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧7MPa、温度315℃、プレス時間80分の条件で加熱圧着してHDDサスペンション用積層体Aを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Aについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Aにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Aのクロストークの発生について評価した。結果を表1に示す。
【実施例２】
【００３２】
実施例1において銅メッキ付ステンレス箔Aの代わりに銅メッキ付ステンレス箔Bを用いた以外は実施例1と同様にしてHDDサスペンション用積層体Ｂを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Ｂについて接着強度を、またこのHDDサスペンション用積層体Ｂのポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Ｂのクロストークの発生について評価した。結果を表1に示す。
【実施例３】
【００３３】
合成例3で得られたポリイミド前駆体Cの溶液を銅箔（日鉱マテリアルズ式会社製、NK- 120、銅箔厚み12μm、強度556MPa、導電率79%）上に硬化後の厚みが1μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、その上に合成例2で得られたポリイミド前駆体Bの溶液を硬化後の厚さが7.5μmになるように塗布して110℃で10分乾燥し、更にその上に合成例1で得られたポリイミド前駆体Aの溶液をそれぞれ硬化後の厚みが1.5μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、更に130〜360℃の範囲で数段階、各3分間段階的な熱処理によりイミド化を完了させ、銅箔（導体層ｂ）上に厚さ10μmのポリイミド樹脂層（絶縁層）を有する積層部材を得た。なお、銅箔（導体層ｂ）に接する第1層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は43.4×10-5/℃、第2層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は1.46×10-5/℃、及び第3層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は58.5×10-5/℃であった。【００３４】
次に、作製例1で作製した銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ（導体層a）側を、上記で得られた積層部材のポリイミド面（絶縁層）と重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧7MPa、温度315℃、プレス時間80分の条件で加熱圧着してHDDサスペンション用積層体Cを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Cについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Cにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Cのクロストークの発生について評価した。結果を表1に示す。
【実施例４】
【００３５】
実施例3において銅メッキ付ステンレス箔Aの代わりに銅メッキ付ステンレス箔Bを用いた以外は実施例3と同様にしてHDDサスペンション用積層体Dを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Dについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Dにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Dのクロストークの発生について評価した。結果を表1に示す。
【実施例５】
【００３６】
合成例4で得られたポリイミド前駆体Dの溶液を銅箔（日鉱マテリアルズ式会社製、NK-120、銅箔厚み12μm、強度556MPa、導電率79%）上に硬化後の厚みが1μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、その上に合成例5で得られたポリイミド前駆体Eの溶液を硬化後の厚さが7.5μmになるように塗布して110℃で10分乾燥し、更にその上に合成例4で得られたポリイミド前駆体Dの溶液を硬化後の厚みが1.5μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、更に130〜360℃の範囲で数段階、各3分間段階的な熱処理によりイミド化を完了させ、銅箔（導体層ｂ）上に厚さ10μmのポリイミド樹脂層（絶縁層）を有する積層部材を得た。なお、銅箔（導体層ｂ）に接する第1層目のポリイミド樹脂層と第3層目のポリイミド樹脂層は同じであって線膨張係数はいずれも59.4×10-5/℃であり、また、第2層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は1.20×10-5/℃であった。【００３７】
次に、作製例1で作製した銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ（導体層a）側を、上記で得られた積層部材のポリイミド面（絶縁層）と重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧7MPa、温度315℃、プレス時間80分の条件で加熱圧着してHDDサスペンション用積層体Eを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Eについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Eにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、HDDサスペンション用積層体Eのクロストークの発生について評価した。結果を表1に示す。
【実施例６】
【００３８】
実施例5において銅メッキ付ステンレス箔Aの代わりに銅メッキ付ステンレス箔Bを用いた以外は実施例5と同様にしてHDDサスペンション用積層体Fを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Fについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Fにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、HDDサスペンション用積層体Fのクロストークの発生について評価した。結果を表1に示す。
【実施例７】
【００３９】
作製例1で作製した銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ側に、合成例1で得られたポリイミド前駆体Aの溶液を硬化後の厚みが1μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、その上に合成例1で得られたポリイミド前駆体Bの溶液を硬化後の厚さが7.5μmになるように塗布して110℃で10分乾燥し、更にその上に合成例1で得られたポリイミド前駆体Aの溶液を硬化後の厚みが1.5μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、更に130〜360℃の範囲で数段階、各3分間段階的な熱処理によりイミド化を完了させ、銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ（導体層a）上に厚さ10μmのポリイミド樹脂層（絶縁層）を有する積層部材を得た。なお、銅メッキに接する第1層目のポリイミド樹脂層と第3層目のポリイミド樹脂層は同じであって線膨張係数はいずれも58.5×10-5/℃であり、また、第2層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は1.46×10-5/℃であった。【００４０】
次に、導体層ｂとして銅箔（日鉱マテリアルズ式会社製、NK-120、銅箔厚み12μm、強度556MPa、導電率79%）を用意し、これを上記積層部材のポリイミド面（絶縁層）と重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧7MPa、温度315℃、プレス時間80分の条件で加熱圧着してHDDサスペンション用積層体Gを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Gについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Gにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Gのクロストークの発生について評価した。結果を表2に示す。
【実施例８】
【００４１】
実施例7において銅メッキ付ステンレス箔Aの代わりに銅メッキ付ステンレス箔Bを用いた以外は実施例7と同様にしてHDDサスペンション用積層体Hを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Hについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Hにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Hのクロストークの発生について評価した。結果を表2に示す。
【実施例９】
【００４２】
作製例1で作製した銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ側に、合成例1で得られたポリイミド前駆体Aの溶液を硬化後の厚みが1μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、その上に合成例2で得られたポリイミド前駆体Bの溶液を硬化後の厚さが7.5μmになるように塗布して110℃で10分乾燥し、更にその上に合成例3で得られたポリイミド前駆体Cの溶液を硬化後の厚みが1.5μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、更に130〜360℃の範囲で数段階、各3分間段階的な熱処理によりイミド化を完了させ、銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ（導体層a）上に厚さ10μmのポリイミド樹脂層（絶縁層）を有する積層部材を得た。なお、銅メッキに接する第1層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は58.5×10-5/℃、第2層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は1.46×10-5/℃、及び第3層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は43.4×10-5/℃であった。【００４３】
次に、導体層ｂとして銅箔（日鉱マテリアルズ式会社製、NK-120、銅箔厚み12μm、強度556MPa、導電率79%）を用意し、これを上記積層部材のポリイミド面（絶縁層）と重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧7MPa、温度315℃、プレス時間80分の条件で加熱圧着してHDDサスペンション用積層体Iを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Iについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Iにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Iのクロストークの発生について評価した。結果を表2に示す。
【実施例１０】
【００４４】
実施例9において銅メッキ付ステンレス箔Aの代わりに銅メッキ付ステンレス箔Bを用いた以外は実施例9と同様にしてHDDサスペンション用積層体Jを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Jについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Jにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Jのクロストークの発生について評価した。結果を表2に示す。
【実施例１１】
【００４５】
作製例1で作製した銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ側に、合成例4で得られたポリイミド前駆体Dの溶液を硬化後の厚みが1μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、その上に合成例5で得られたポリイミド前駆体Eの溶液を硬化後の厚さが7.5μmになるように塗布して110℃で10分乾燥し、更にその上に合成例4で得られたポリイミド前駆体Dの溶液を硬化後の厚みが1.5μmになるように塗布して110℃で3分乾燥した後、更に130〜360℃の範囲で数段階、各3分間段階的な熱処理によりイミド化を完了させ、銅メッキ付ステンレス箔Aの銅メッキ（導体層a）上に厚さ10μmのポリイミド樹脂層（絶縁層）を有する積層部材を得た。なお、銅メッキに接する第1層目のポリイミド樹脂層と第3層目のポリイミド樹脂層は同じであって線膨張係数はいずれも59.4×10-5/℃であり、また、第2層目のポリイミド樹脂層の線膨張係数は1.20×10-5/℃であった。【００４６】
次に、導体層ｂとして銅箔（日鉱マテリアルズ式会社製、NK-120、銅箔厚み12μm、強度556MPa、導電率79%）を用意し、これを上記積層部材のポリイミド面（絶縁層）と重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧7MPa、温度315℃、プレス時間80分の条件で加熱圧着してHDDサスペンション用積層体Kを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Kについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Kにおけるポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Kのクロストークの発生について評価した。結果を表2に示す。
【実施例１２】
【００４７】
実施例11において銅メッキ付ステンレス箔Aの代わりに銅メッキ付ステンレス箔Bを用いた以外は実施例11と同様にしてHDDサスペンション用積層体Lを得た。得られたHDDサスペンション用積層体Lについて接着強度を、また、このHDDサスペンション用積層体Lポリイミド（絶縁層）について線膨張係数を測定した。更に、このHDDサスペンション用積層体Lのクロストークの発生について評価した。結果を表2に示す。【００４８】
［比較例１〜６］
実施例１、３、５、７、９、及び１１で用いた銅メッキ付ステンレス箔の変わりに銅メッキ処理を行っていない新日本製鐵株式会社製のステンレス箔（SUS304、テンションアニール処理品、ステンレス厚み20μm）を用いてHDDサスペンション用積層体M〜Rを得た。得られたHDDサスペンション用積層体M〜Rについて、実施例１〜１２と同様にして測定・評価した接着強度、線膨張係数及びクロストーク発生の評価結果を表３に示す。【００４９】
【表１】
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【００５０】
【表２】
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【００５１】
【表３】
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【国際調査報告】
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