【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年2月20日(2020.2.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
散乱防止構成成分およびレジスト構成成分を含むレジスト組成物であって、前記散乱防止構成成分は、多金属ケージおよび／または多金属環系を含み、前記レジスト構成成分は、任意により、前記散乱防止構成成分の一部分であり（例えば、一緒になって、散乱防止−レジストハイブリッド構成成分を形成する）、前記レジスト組成物はフォトレジスト組成物である、レジスト組成物。
【請求項２】
前記レジスト組成物は、ネガティブ型レジスト組成物である、請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
前記散乱防止構成成分は、１つ以上のレジスト構成成分と会合し、これによりそれらが一緒に散乱防止−レジストハイブリッド構成成分を形成する、請求項１または２のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
前記散乱防止構成成分は、一次金属錯体（ＰＭＣ）を含み、前記一次金属錯体は、１つ以上の橋架け配位子を介して相互連結された少なくとも１種類の金属イオンを複数含む多金属性金属ケージ錯体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項５】
前記一次金属錯体は、少なくとも２種類の金属イオンを含み、前記少なくとも２種類の金属イオンは、同じ金属または異なる金属を含む、請求項４に記載のレジスト組成物。
【請求項６】
前記少なくとも２種類の金属イオンは、異なる酸化状態を有する、請求項５に記載のレジスト組成物。
【請求項７】
前記金属イオンのうちの一方は三価であり、前記金属イオンのうちのもう一方は二価である、請求項６に記載のレジスト組成物。
【請求項８】
前記三価の金属イオンが、ＣｒＩＩＩ、ＦｅＩＩＩ、ＶＩＩＩ、ＧａＩＩＩ、ＡｌＩＩＩまたはＩｎＩＩＩ、またはこれらの混合物からなる群から選択され、前記二価の金属イオンがＮｉＩＩ、ＣｏＩＩ、ＺｎＩＩ、ＣｄＩＩ、ＭｎＩＩ、ＭｇＩＩ、ＣａＩＩ、ＳｒＩＩ、ＢａＩＩ、ＣｕＩＩまたはＦｅＩＩ、またはこれらの混合物からなる群から選択される、請求項７に記載のレジスト組成物。
【請求項９】
前記三価の金属イオンはＣｒＩＩＩであり、前記二価の金属イオンはＮｉＩＩである、請求項８に記載のレジスト組成物。
【請求項１０】
前記一次金属錯体は、式ＩＩｇ
［Ｃｒ７Ｎｉ（Ｏ２ＣＲＢ１）ｒ］；
（式中、ＲＢ１は、π系を含む、任意により置換された（１〜２０Ｃ）ヒドロカルビル基であり、ｒは１以上（好適には１〜１６）の値を有する整数であり、式ＩＩｇの前記単位は、任意により、１つ以上の他の会合した配位子を含む）によって定義される単位によって定義されるか、またはその単位を含む、請求項９に記載のレジスト組成物。
【請求項１１】
前記一次金属錯体は、前記多金属錯体の金属イオンに供与結合した１つ以上のレジスト配位子を含み、各レジスト配位子は架橋可能部分を有する、請求項４〜１０のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項１２】
各レジスト配位子は、架橋可能なπ系および１つ以上の配位供与原子または基を含み、
前記π系は、炭素−炭素二重結合または三重結合、炭素−ヘテロ原子二重結合または三重結合、芳香族またはヘテロ芳香族環系、炭素および任意によりヘテロ原子（複数可）を伴う共役π系、またはこれらの混合物を含む群から選択され、
前記１つ以上の配位供与原子または基は、１つ以上の孤立電子対担持ヘテロ原子を含む、請求項１１に記載のレジスト組成物。
【請求項１３】
各レジスト配位子は、任意により置換されたアルケノエート、アルケン酸、アルケン酸エステル、アルケン酸アミド、アルキノエート、アルキン酸、アルキン酸エステル、アルキン酸アミド、またはこれらの混合物からなる群から独立して選択される、請求項１２に記載のレジスト組成物。
【請求項１４】
各レジスト配位子は、独立して、（１〜２０Ｃ）アルケノエート、（１〜２０Ｃ）アルケン酸、（１〜２０Ｃ）アルケン酸エステル、または（１〜２０Ｃ）アルケン酸アミドであり、これにより前記レジスト配位子は、少なくとも１つの末端アルケン部分を含むようになる、請求項１３に記載のレジスト組成物。
【請求項１５】
前記一次金属錯体は、式ＩＩｉ
［Ｃｒ７ＮｉＦ８（Ｏ２ＣＲＢ１）ｒ］；
（式中、ＲＢ１は、末端アルケン部分を含む、任意により置換された（１〜６Ｃ）ヒドロカルビル基であり、ｒは１以上（好適には１〜１６）の値を有する整数であり、式ＩＩｉの前記単位は、任意に、１つ以上の他の会合配位子（すなわち、前記錯体内に供与結合している）を含む）によって定義される単位によって定義されるか、またはその単位を含む、請求項１４に記載のレジスト組成物。
【請求項１６】
前記レジスト組成物は、二次電子発生剤に共有結合によりまたは供与結合により結合された散乱防止化合物を含み、前記散乱防止化合物は、前記二次電子発生剤と供与結合を形成する１つ以上の孤立電子対担持配位子と会合した多金属ケージであり、前記二次電子発生剤は、金属化合物、金属含有基もしくは断片、または２５以上のＺｅｆｆを有する金属種である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項１７】
前記レジスト組成物は、感光性構成成分をさらに含み、前記感光性構成成分は任意により光開始剤、光酸または光増感剤である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項１８】
前記レジスト組成物は、レジスト架橋剤をさらに含む、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のレジスト組成物。
【請求項１９】
リソグラフィを実施する方法であって、
ｉ）基板にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）前記レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
ｉｉｉ）前記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、前記レジストパターン層は、前記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と前記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）前記レジストパターン層の下にある前記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変する任意的ステップと、
ｖ）前記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供する任意的ステップと、
ｖｉ）前記改変された基板において、ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すこと（任意により、前記レジストコーティングの代わりに標準的なフォトレジストなどの代替的レジストコーティングを用いて、および任意により露光中に代替的放射線を使用すること）と、を含み、
この方法のステップ（ｉ）より前に、レジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、および露光中に電磁放射線または代替的放射線のいずれかを用いて、ステップ（ｉ）〜（ｖｉ）（すなわち、前工程（ｉ）〜（ｖｉ））を実施することが、任意により１回以上繰り返され、
前記レジストコーティングは、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の、任意により乾燥および／または硬化されたレジスト組成物を含む、方法。
【請求項２０】
集積回路ダイ、または複数の集積回路ダイを含む集積回路ウェハを作る方法であって、前記ダイまたは各ダイが、複数の電子部品を含み、前記方法は、
ｉ）基板にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）前記レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線（例えば、ＵＶ）に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
ｉｉｉ）前記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、前記レジストパターン層は、前記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と前記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）前記レジストパターン層の下にある前記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変するステップ（これには、前記ダイまたは前記各ダイの前記電子部品を導体（複数可）に導電的に相互接続することを伴い得る）と、
ｖ）前記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供するステップと、
ｖｉ）前記改変された基板上で、ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すことと（本発明のレジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、かつ露光中に代替的放射線を任意により使用すること）と、
ｖｉｉ）外部接触端子を集積回路に提供するために、（１つ以上の基板／基板表面改変ステップ中にまだ実施されていない場合）、前記ダイまたは前記各ダイの前記電子部品を導体（複数可）に任意により導電的に相互接続するステップと、
ｖｉｉｉ）任意により１つ以上の更なる仕上げステップを実施するステップと、
ｉｘ）集積回路ダイを複数の集積回路ダイを含むウェハから任意により分離させるステップと、を含み、
前記方法のステップ（ｉ）より前に、本発明のレジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを使用して、前記方法のステップ（ｉ）〜（ｖｉ）（すなわち前ステップ（ｉ）〜（ｖｉ）、任意により２つのステップ（ｉ）／（ｉｉ）の組み合わせのいずれかを用いて）を実施すること、および／または、リソグラフィを実施する前記方法のステップ（ｉ）〜（ｖｉ）を実施することを任意により先に行い、任意により、１回以上繰り返すステップと、を含み、
前記レジストコーティングは、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の任意により乾燥および／または硬化されたレジスト組成物を含む、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載のように集積回路ダイまたは集積回路ウェハを作る前記方法によって得ることができるか、それによって得られたか、またはそれによって直接得られた、集積回路ダイまたは、複数の集積回路ダイを含む集積回路ウェハ。
【請求項２２】
集積回路パッケージを製造する方法であって、前記集積回路パッケージは、複数のピンおよび対応する複数のピンに導電的に接続された外部接触端子を有する集積回路ダイを備え、前記方法は、
ｉ）請求項２１に記載の集積回路ダイを提供するステップ、または請求項２０に記載の方法によって集積回路ダイを作るステップと、
ｉｉ）前記集積回路ダイをパッケージ基板に取り付けるステップであって、前記パッケージ基板は電気接点を含み、前記電気接点の各々は、対応するピンに任意により、接続されるかまたは接続可能である、ステップと、
ｉｉｉ）前記集積回路ダイの前記外部接触端子の各々を前記パッケージ基板の対応する電気接点に導電的に接続するステップと、
ｉｖ）前記パッケージ基板の前記電気接点を対応するピンに任意により（必要に応じて）接続するステップと、
ｖ）前記集積回路ダイをカプセル封入するステップと、を含む、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法によって得ることができるか、得られたか、または直接得られた集積回路パッケージ。
【請求項２４】
複数のピンを含む集積回路パッケージを含む回路基板の製造方法であって、
ｉ）請求項２３に記載の集積回路パッケージを提供するステップまたは請求項２２に記載の方法によって集積回路パッケージを製造するステップと、
ｉｉ）前記集積回路パッケージを回路基板に導電的に接続するステップと、を含む、方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法によって得ることができるか、得られたか、または直接得られた回路基板。
【請求項２６】
電子デバイスまたはシステムを製造する方法であって、前記電子デバイスもしくはシステムは、電源を備えるか、または電源に接続可能であって、かつ電源に導電的に接続された、または接続可能である回路基板を備え、
ｉ）請求項２５に記載の回路基板を提供するステップか、または請求項２４の方法によって回路基板を製造するステップと、
ｉｉ）前記電子デバイスまたはシステム内に前記回路基板を組み込むステップと、を含む、方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法によって得ることができるか、得られたか、または直接得られた電子デバイスまたはシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィを実施する方法が提供され、この方法は、
ｉ）本明細書で定義されるレジストコーティング基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
ｉｉｉ）上記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、上記レジストパターン層は、上記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と上記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）上記レジストパターン層の下にある上記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変する任意的ステップと、
ｖ）上記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供する任意的ステップと、
ｖｉ）上記改変された基板において、ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すこと（任意により、上記レジストコーティングの代わりに標準的なフォトレジストなどの代替的レジストコーティングを用いて、および任意により露光中に代替的放射線を使用すること）と、を含み、
この方法のステップ（ｉ）より前に、レジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、および露光中に電磁放射線または代替的放射線のいずれかを用いて、ステップ（ｉ）〜（ｖｉ）（すなわち、前工程（ｉ）〜（ｖｉ））を実施することが、任意により１回以上繰り返され、
上記レジストコーティングは、本明細書で定義される、任意により乾燥および／または硬化されたレジスト組成物を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィマスク（例えば、フォトマスク）を製造する方法が提供され、この方法は、
ｉ）本明細書で定義されるレジストコーティング基板を提供するステップ、または基板（好適にはリソグラフィにおける使用に適した基板）にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）レジストコーティングの一部分（複数可）を電磁放射線に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
ｉｉｉ）上記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、上記レジストパターン層は、上記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と上記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）（好適には、基板または基板表面の改変された部分（複数可）が所定のタイプの放射線（例えば、元の基板または基板または基板表面の未改変の部分（複数可）に対するフォトリソグラフィで使用される放射線）に対して透明度が増加または減少するように）上記レジストパターン層の下にある上記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を選択的に改変する任意的ステップと、
ｖ）上記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供する任意的ステップと、を含み、
上記レジストコーティングは、本明細書で定義される、任意により乾燥および／または硬化されたレジスト組成物を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明のさらなる態様によれば、リソグラフィを実施する方法が提供され、この方法は、
ｉ）レジストコーティングされた基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップ（レジストコーティングは、リソグラフィマスク、例えばフォトレジストを介して露光するのに適した任意のレジストコーティングであり得る）と、
ｉｉ）露光されたレジストコーティングをもたらすために、本明細書で定義されるリソグラフィマスク（例えば、フォトマスク）を通って（または本明細書で定義される方法によって得ることができる）レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線（例えばＵＶまたは可視光線）に露光させるステップと、
ｉｉｉ）上記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、上記レジストパターン層は、上記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と上記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）上記レジストパターン層の下にある上記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変する任意的ステップと、
ｖ）上記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供する任意的ステップと、
ｖｉ）上記改変された基板において、（本発明のレジストコーティングまたは標準的なフォトレジストなどの代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、および露光中にリソグラフィマスクまたは代替的放射線の有無にかかわらず任意により電磁放射線を使用して）ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すことと、を含み、
この方法のステップ（ｉ）より前に、レジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、および露光中に電磁放射線または代替的放射線のいずれかを用いて、この方法のステップ（ｉ）〜（ｖｉ）（すなわち、前工程（ｉ）〜（ｖｉ））を実施することがおよび／またはフォトリソグラフィの実施方法が、任意により１回以上繰り返される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明のさらなる態様によれば、集積回路ダイ、または複数の集積回路ダイを含む集積回路ウェハを作る方法が提供され、上記集積回路ダイまたは上記複数の集積回路ダイの各ダイは複数の電子部品を含み、この方法は、
ｉ）本明細書で定義されるレジストコーティング基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）上記レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線（例えば、ＵＶ）に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
または
ｉ）レジストコーティングされた基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップ（レジストコーティングは、リソグラフィマスク、例えばフォトレジストを介して露光するのに適した任意のレジストコーティングであり得る）と、
ｉｉ）露光されたレジストコーティングをもたらすために、本明細書で定義されるリソグラフィマスク（例えば、フォトマスク）を通って（または本明細書で定義される方法によって得ることができる）レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線（例えばＵＶまたは可視光線）に露光させるステップと、
および
ｉｉｉ）上記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、上記レジストパターン層は、上記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と上記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）上記レジストパターン層の下にある上記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変するステップ（これには、上記ダイまたは上記各ダイの電子部品を導体（複数可）に導電的に相互接続することを伴い得る）と、
ｖ）上記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供するステップと、
ｖｉ）上記改変された基板上で、ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すことと（本発明のレジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、かつ露光中に代替的放射線を任意により使用すること）と、
ｖｉｉ）外部接触端子を集積回路に提供するために、（１つ以上の基板／基板表面改変ステップ中にまだ実施されていない場合）、上記ダイまたは上記各ダイの上記電子部品を導体（複数可）に任意により導電的に相互接続するステップと、
ｖｉｉｉ）任意により１つ以上の更なる仕上げステップを実施するステップと、
ｉｘ）集積回路ダイを複数の集積回路ダイを含むウェハから任意により分離させるステップと、を含み、
この方法のステップ（ｉ）より前に、本発明のレジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを使用して、この方法のステップ（ｉ）〜（ｖｉ）（すなわち前ステップ（ｉ）〜（ｖｉ）、任意により２つのステップ（ｉ）／（ｉｉ）の組み合わせのいずれかを用いて）を実施すること、および／または、リソグラフィを実施する上記方法のステップ（ｉ）〜（ｖｉ）を実施することを任意により先に行い、任意により、１回以上繰り返すステップと、を含み、
上記レジストコーティングは、本明細書で定義される、任意により乾燥および／または硬化されたレジスト組成物を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本発明のさらなる態様によれば、本明細書で定義される集積回路ダイを作る上記方法によって得られることができるか、それによって得られたか、またはそれによって直接得られた集積回路ダイが提供される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明のさらなる態様によれば、複数の集積回路ダイを含む集積回路ウェハが提供され、集積回路ウェハは、本明細書で定義される集積回路ウェハを作る方法によって得ることができるか、それによって得られたか、またはそれによって直接得られる。このような集積回路およびウェハは、非常に高い抵抗性、高いドライエッチング選択性（典型的には２０：１を超える、すなわち、レジストが下地のシリコン基板より２０倍以上遅くエッチングされる）を有する。これにより、高いアスペクト比が得られる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明の他の態様によれば、集積回路パッケージを製造する方法が提供され、上記集積回路パッケージは、複数のピンおよび対応する複数のピンに導電的に接続された外部接触端子を有する集積回路ダイを備え、この方法は、
ｉ）本明細書で定義される集積回路ダイを提供するステップ、または本明細書で定義される集積回路ダイを作る方法によって集積回路ダイを作るステップと、
ｉｉ）上記集積回路ダイをパッケージ基板に取り付けるステップであって、上記パッケージ基板は電気接点を含み、上記電気接点の各々は、対応するピンに任意により、接続されるかまたは接続可能である、ステップと、
ｉｉｉ）上記集積回路ダイの上記外部接触端子の各々を上記パッケージ基板の対応する電気接点に導電的に接続するステップと、
ｉｖ）上記パッケージ基板の上記電気接点を対応するピンに任意により（必要に応じて）接続するステップと、
ｖ）上記集積回路ダイをカプセル封入するステップと、を含む。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本発明のさらなる態様によれば、レジストコーティングで基板をコーティングするため、基板をパターニングするため、イメージングするため、リソグラフィにおけるレジストコーティングとして、基板の表面を選択的に改変するため、リソグラフィマスク（リソグラフィの実施または集積回路の製造に使用されるマスクなど）を製造するため、多層基板を製造するため、集積回路ダイを作るため、集積回路ウェハを作るため、集積回路パッケージを製造するため、回路基板を製造するため、または電子デバイスまたはシステムを製造するため、のレジスト組成物の使用が提供される。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３４】
特定の実施形態では、一次金属錯体は、架橋可能部分（例えば、レジスト配位子）、例えば、π系を含む部分、を担持する１つ以上の配位子を含む多金属ケージ錯体である。特定の実施形態では、多金属ケージ錯体は、クロムイオンおよびニッケルイオンを含む。特定の実施形態では、架橋可能部分を有する配位子（複数可）は、好適には１つ以上の孤立電子対担持ヘテロ原子を介して、最も好適にはカルボキシレート、カルボン酸、カルボン酸エステル、または前述の配位子（複数可）のカルボン酸−アミド部分を介して多金属錯体の金属イオンに供与結合される。好適には、問題になっている架橋可能部分はアルケンまたはアルキン部分、最も好適にはアルケン部分、最も好適には末端アルケン部分である。好適には、隣接する一次金属錯体の架橋可能部分は、直接的に（例えば、１つの一次金属錯体の配位子のアルケンが隣接する一次金属錯体の配位子のアルケンと結合する場合）、または、例えば介在するレジスト架橋剤を介して間接的に（例えば、２つの隣接する一次金属錯体の配位子のアルケンが、好適なジ−エンなどの共通のレジスト架橋剤と結合する場合）のいずれかで（例えば、光分解または光分解誘導反応（ｐｈｏｔｏｌｙｉｃａｌｌｙ−ｉｎｄｕｃｅｄ  ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）を介して、任意により光開始剤または光酸などの中間種を介して）架橋され得る。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３５】
特定の実施形態では、一次金属錯体は、式ＩＩｆによって定義されるか、または式ＩＩｆによって定義される単位を含む：
［Ｍ１ｘＭ２ｙ（Ｏ２ＣＲＢ１）ｒ］；
式中、Ｍ１は第１の金属種であり、ｘは一次金属錯体１モル当たりのＭ１のモル数であり（好適にはｘは４〜１０の数である）、Ｍ２は第２の金属種であり、ｙは一次金属錯体１モル当たりのＭ２のモル数であり（好適にはｙは０〜２の数である）、ＲＢ１は、π系、好適には末端π系を含む、任意により置換された（１〜２０Ｃ）ヒドロカルビル基であり、ｒは１以上（好適には１〜１６）の値を有する整数であり、式ＩＩｆの単位は、任意により、１つ以上の他の会合した配位子（すなわち、錯体内に供与結合している）を含む。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３１６】
本発明は、リソグラフィを実施する方法を提供し、この方法は、
ｉ）本明細書で定義されるレジストコーティング基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
ｉｉｉ）上記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、上記レジストパターン層は、上記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と上記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）上記レジストパターン層の下にある上記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変する任意的ステップと、
ｖ）任意によりレジストパターン層を除去して改変された基板を提供するステップと、
ｖｉ）上記改変された基板において、ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すこと（任意により、上記レジストコーティングの代わりに標準的なフォトレジストなどの代替的レジストコーティングを用いて、および任意により露光中に代替的放射線を使用すること）と、を含み、
この方法のステップ（ｉ）より前に、レジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、および露光中に電磁放射線または代替的放射線のいずれかを用いて、ステップ（ｉ）〜（ｖｉ）（すなわち、前工程（ｉ）〜（ｖｉ））を実施することが、任意により１回以上繰り返され、
上記レジストコーティングは、本明細書で定義される、任意により乾燥および／または硬化されたレジスト組成物を含む。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３２１】
このような方法は、イメージングのために、パターン形成された基板を調製するため、基板の表面を選択的に改変するために、および多層基板（例えば、集積回路）を製造するために、好適には本明細書で定義されているとおり使用されてもよい。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３２５】
本発明の方法によれば、特定の処理ステップは、（例えば、「基板」を指すステップを含む）「繰り返す」ことができるので、「基板」は、最初の「投入基板」（すなわち、本発明の任意の方法ステップが実施される前に）または「改変された基板」（特定の方法ステップの後）を指すことができる。このように、原理的には、「基板」は、リソグラフィによる処理に好適な任意の基板（部分的に作られた製品または集積回路など）であってもよい。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３２６】
基板（投入基板または改変された基板のいずれか）は、好適には、予め形成されたレジストコーティング基板の一部分であるか、または本明細書で開示される多くの方法（例えば、ステップｉ）のレジストコーティングが塗布される基板である。このように、基板は、レジストコーティング自体に言及することなく（その性質、パラメータ、材料の形態などに関して）定義されてもよい。基板または改変された基板は、レジストコーティングでコーティングする前に平坦化されてもよい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３３１】
基板（またはその一部）が最終（印刷された）製品（例えば、集積回路）に組み込まれず、むしろ、ツール（例えばリソグラフィマスク）に組み込まれる場合には、好適には、基板の基部材料は問題になっているツールに適した材料である。好適には、基板の基部材料は、（潜在的に、１つ以上の材料の１つ以上の層を含む）リソグラフィプレートである。ツールがリソグラフィマスク（例えばフォトマスク）である場合、基板の基部材料は、最終的なマスクの性質に応じて、関連する放射線（例えば、フォトマスクの場合はＵＶまたは可視光）に対して（実質的に）透明または（実質的に）非透明であってもよい。例えば、マスク製造プロセス中に基板の基部材料上に不透明領域を生成することによってリソグラフィマスクが形成される場合には、関連する放射線に対して（実質的に）透明な基板の基部材料を使用することができる（例えば、除去されないレジストコーティングは不透明領域を提供してもよく、または不透明領域は、慎重な表面改変によって生成され得る）。あるいは、マスク製造プロセスの間に基板の基部材料上に透明領域を生成することによってリソグラフィマスクが形成される場合、関連する放射線に対して（実質的に）不透明または非透明である基板の基部材料を使用してもよい（例えば、このプロセスは、例えば、エッチングを介して基板の基部材料の一部分を除去する表面改変を伴う）。他の実施形態では、基板の基部材料は、関連する放射線に対して（実質的に）透明である材料（例えば、ガラス、透明プラスチック）の少なくとも１つの層と、関連する放射線に対して（実質的に）不透明である材料の少なくとも１つの層を含む、積層複合材であってもよく、このような状況下で、リソグラフィマスクを製造するプロセスは、透明部分を残すために不透明材料領域を除去することを伴ってもよい。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３３４】
基板は、（例えば、投入基板が表面酸化、リソグラフィおよび／または他の基板改変ステップ（複数可）を介して、まだ改変されていない場合などの）基板の基部材料から本質的に構成されてもよい。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３３５】
しかし、代替的に、基板（投入基板を含み得る）は、好適には、改変にさらされた基板の基部材料（好適には、基板の基部材料から本質的になる）（例えば、改変された基板）を含む。このような改変された基板は、本発明の方法（複数可）に基板が供される前に、前処理ステップまたは事前コーティングステップ（例えば、レジストコーティングでコーティングする前に酸化シリコン絶縁層を製造するためなどの表面の熱酸化）によって改変されているか、本発明の方法（複数可）に供される前に別の方法で改変されている（例えば、フォトリソグラフィなどの代替技術を使用して、形成された部分的に形成された集積回路）か、または本発明の方法（複数可）（もしくはそれらのいくつかのステップ（複数可））に基板が供されている間、もしくはその後に改変されている、基板の基部材料を含むことができる。各さらなる基板層は、好適には、さらなる基板材料を含むかまたは本質的にそれからなり、これらは基板の基部材料と同一であっても、または異なっていてもよい。特定の実施形態では、１つ以上のさらなる基板層は、基板の基部材料を含むかまたは本質的にそれらからなるが、必ずしも基板の基部層の一部分ではない。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３４３】
投入基板をコーティングすることは、好適には、レジスト組成物を投入基板の表面（複数可）に塗布することを伴って、当業者に周知の任意の数の方法によって行われてもよい。好適には、基板（基板の基部材料、多層基板、投入基板または改変された基板の単一体である）にレジストコーティングを塗布することは、レジスト組成物をその表面（または表面の一部分）に塗布すること（好適には、本発明のレジスト組成物が本発明の方法（複数可）において少なくとも１回は使用される限り本明細書で定義されるようにであるが、加えて本発明の範囲外の代替的レジスト組成物を使用してもよい）、ならびに任意によりその後に、塗布したレジスト組成物を硬化および／または乾燥させて、レジストコーティングを形成することを含む。レジスト組成物は、レジスト組成物は任意の好適な方法で塗布してもよいが、最も好適には、レジスト組成物は浸漬、噴霧、はけ塗り、ローラーコーティング、および／またはスピンコーティングによって塗布される。最も好ましくは、レジスト組成物は、集積回路の組み立て中に特に好適であるスピンコーティングによって基板に塗布される。特定の実施形態では、レジスト組成物は、スピンコーティング（例えば、スピナーを使用）を介してベース基板または投入基板に塗布され、好適には、これによりレジストスピンコーティングされた投入基板が形成される。最も好適には、塗布されたレジスト組成物は、硬化および／または乾燥される（好適にはベークによって）。レジストコーティングは、好適には、（実質的に）均一な厚さを有する。当業者は、リソグラフィの前に基板にレジストコーティングを塗布する方法について精通している。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７０】
露光されたレジストコーティングを現像した後、特許対象層の下にある基板の表面は、いくつかの方法のうちの任意の１つ以上で選択的に改変され得る。基板、基板表面、またはそれらの一部分（複数可）を選択的に改変するステップは、無期限に（残留レジストパターン層を除去する前または後、および任意により更なるリソグラフィ段階後に）繰り返し得ることから、１つ以上の連続的な選択的基板／表面の改変ステップを続いて行ってもよい。これは、任意により本明細書に詳述されたもののいずれか、またはこれらの組み合わせから選択され得る。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７１】
好適には、このような選択的改変の間に改変された基板／表面の部分（複数可）は、パターン層内の溝によってまたはそれらの溝の下にある露光された部分（複数可）である（すなわち、改変される下にある表面は、露光されても／可視化されてもよく、またはその上に残存しているレジストの比較的薄い層のみを有してもよい）。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７２】
基板／表面を選択的に改変することは、基板／基板表面の一部分（複数可）を除去すること、基板／基板表面に（上に）材料を追加もしくは堆積すること、ならびに／または基板／基板表面の一部分（複数可）を変更すること、を伴ってもよい。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７３】
基板／表面を改変することは、基板／基板表面の一部分（複数可）を除去することによって、例えば、基板／表面をエッチングすることを伴ってもよい。集積回路の組み立ての文脈において、典型的には、このようなエッチングは、絶縁材料（例えば、酸化シリコン／二酸化シリコン層、好適には、これにより下にある導電材料を保護する）を除去し、好適には、これにより下にある導電性材料（例えばシリコン）が露わになるように行われる。代替的にまたは付加的に、エッチングは、導電性材料（例えば、シリコン）をエッチングすることを伴ってもよく、例えば、シリコン表面の深部にエッチングされたトレンチを介してキャパシタを生成することができる。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７６】
基板／基板表面の部分（複数可）を変更することによって基板／表面を改変することは、例えば、（例えば、リソグラフィマスクの製造において）基板／表面の透明性を変えること、または（例えば、集積回路を製造する場合）基板／表面（またはその関連部分（複数可））の電気的特性を変えることを伴ってもよい。基板／表面の電気的特性を変えることは、改変される（例えば、溝によって露光される）下にある基板／表面が半導体（例えばシリコン）である場合に特に適用可能である。基板／表面（複数可）の電気的特性を変えることは、基板／表面の関連する部分（複数可）を「ドープすること」を伴うことができる。ドープすることは、半導体技術の分野において周知の現象であり、集積回路内の電子部品（例えば、ダイオード、論理ゲート、トランジスタなど）の作製が容易になる。このようなドープすることは、拡散（例えば、ドーパントが基板に拡散し、これにより基板内に埋め込まれるように）、イオン注入（例えば、イオンビームにより基板にイオンを注入する）など、当技術分野で周知の技術を用いて行うことができる。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７８】
基板／表面の一部分（複数可）を変えることによって基板／表面を改変することは、代替的にまたは追加的に、好適には基板／表面の一部分（複数可）を変換させることによって、例えば、熱酸化（例えば、シリコンなどの導体の熱酸化により、絶縁体の二酸化シリコンを生成すること）を介して、絶縁層（または分離層）またはゲートを形成することを伴ってもよい。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３７９】
基板／基板表面に（またはその上に）材料を追加または堆積することによって基板／表面を改変することは、例えば、電子部品または導電性素子を絶縁するために、例えば、絶縁材料を堆積することを伴うことができる。あるいは、導電性材料（例えば、金属めっきなど）を堆積することを伴ってもよい。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３８０】
前述の表面改変ステップのいずれか、いくつか、または全てを展開させて、（好適には、連続して、任意により、例えば、再コーティング、再露光、再現像などのリソグラフィステップにより分散させることにより）集積回路（例えば、ダイまたはウェハ）などの多層基板を形成することができる。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３８１】
好適には、ある段階（例えば、１つ以上の表面改変後）で、１つ以上のレジストパターン層（レジストパターン層であってもなくてもよい）が除去される。このような除去（例えば、化学的除去、物理的除去、熱処理、放射線除去またはプラズマ灰化、または組み合わせ）のために、当技術分野で公知の様々な技術を展開することができるが、集積回路の組み立ての文脈においてプラズマ灰化が用いられ得る。あるいは、残留レジストパターン層（複数可）は、溶媒を用いて（例えば、溶解によって）または選択的エッチングプロセスを介して除去することができる。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３８２】
いくつかの実施形態では、一旦レジストパターン層が除去されると、改変された表面全体が全体として処理／改変されてもよい。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３８３】
ステップ（ｖｉ）は、（パターン層の除去の前および／または後の）連続的な表面改変ステップが実施され得るように、表面改変ステップを繰り返し行うことが可能になる。さらに、ステップ（ｖｉ）は、全てのリソグラフィステップ（ステップｉ）〜ｉｉｉ））、さらなる表面改変ステップ（ステップｉｖ））および任意のパターン層の除去（ステップｖ））ステップを任意の回数繰り返し行うことができる。この方法が、本発明のレジスト組成物／コーティングを伴う少なくとも１つのステップ、または本発明のツール（例えば、リソグラフィマスク）を伴う少なくとも１つのステップを含む限り、繰り返されるステップのいずれかまたは全てにおいて、（露光中）本発明のレジストコーティングの代わりに代替的レジストコーティングを用いてもよい。あるいは、繰り返されるステップのいずれかまたは全てにおいて、本発明のレジストコーティングを使用することができる。したがって、繰り返すステップは限定されるものではなく、本発明の範囲外で、好適には集積回路などの製造において、多数の方法ステップが可能であることは明らかであるべきである。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３８４】
集積回路を作る文脈においては、基板／表面（またはその一部分（複数可））を選択的に改変することは、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）処理（例えば、トランジスタなどの電子部品を直接的に基板、すなわちシリコンに形成すること）を伴ってもよい。実際には、ステップ（ｉ）〜（ｖｉ）は、フロントエンドオブライン（ＦＥＯＬ）処理をまとめて構成してもよい。多層基板（その一例として集積回路）は、複数の繰返しステップおよび任意により前段階によっても作り上げることができることは理解されよう。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３８８】
本発明は、集積回路ダイ、または複数の集積回路ダイを含む集積回路ウェハを作る方法であって、上記集積回路ダイまたは上記複数の集積回路ダイの各ダイが、複数の電子部品を含む方法を提供し、この方法は、
ｉ）本明細書で定義されるレジストコーティング基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップと、
ｉｉ）レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線に露光させて、露光されたレジストコーティングをもたらすステップと、
または
ｉ）レジストコーティングされた基板を提供するステップ、または基板にレジストコーティングを塗布するステップ（レジストコーティングは、リソグラフィマスク、例えばフォトレジストを介して露光させるのに適した任意のレジストコーティングであり得る）と、
ｉｉ）露光されたレジストコーティングをもたらすために、本明細書で定義されるリソグラフィマスク（例えば、フォトマスク）を通って（または本明細書で定義される方法によって得ることができる）レジストコーティングの一部分（複数可）を放射線（例えばＵＶまたは可視光線）に露光させるステップと、
および
ｉｉｉ）上記露光されたレジストコーティングを現像してレジストパターン層を生成するステップであって、上記レジストパターン層は、上記レジストコーティングの現像液不溶性コーティング部分（すなわち隆起）と上記レジストパターン層を通って延在する溝の列と、を含む、ステップと、
ｉｖ）上記レジストパターン層の下にある上記基板、基板表面またはその一部分（複数可）を改変するステップ（これには、上記ダイまたは上記各ダイの上記電子部品を導体（複数可）に導電的に相互接続することを伴い得る）と、
ｖ）上記レジストパターン層を除去して改変された基板を提供するステップと、
ｖｉ）上記改変された基板上で（本発明のレジストコーティングまたは代替的レジストコーティングのいずれかを用いて、リソグラフィマスクの有無にかかわらず、本発明のレジストコーティングに適用可能な放射線または代替的放射線のいずれかを用いて）ステップｉｖ）および／またはステップｉ）〜ｖ）を任意的に１回以上繰り返すことと、
ｖｉｉ）外部接触端子を集積回路に提供するために、（１つ以上の基板／基板表面改変ステップ中にまだ実施されていない場合）、上記ダイまたは上記各ダイの上記電子部品を導体（複数可）に任意により導電的に相互接続するステップと、
ｖｉｉｉ）任意により１つ以上の更なる仕上げステップを実施するステップと、
ｉｘ）集積回路ダイを複数の集積回路ダイを含むウェハから任意により分離させるステップと、を含む。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３９２】
集積回路ダイ、または複数の集積回路ダイを含む集積回路ウェハを作るこの方法に関する特徴（任意の、好適な、好ましい特徴を含む）は、前述のリソグラフィを実施する方法に関連して説明される。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３９５】
ウェハ処理は当該技術分野において十分に理解されているが、ある実施形態では、ウェハ処理はウェットクリーニング；フォトリソグラフィ；イオン注入；ドライエッチングおよび／もしくはウェットエッチング；プラズマ灰化；熱処理（例えば、アニールまたは熱酸化）；化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、および／もしくは電気化学的堆積（ＥＣＤ）；ウェハ試験（例えば、電気的性能を検証するため）、およびウェハ裏面研削（ウェハの厚さを減少させ、結果として得られるダイおよびチップ）を含むことは注目に値する。本発明の方法、レジスト組成物／コーティングおよびリソグラフィマスクは、好適には、ウェハ処理中に少なくとも１回使用される。ウェハ処理中にレジストコーティングが使用される場合、好適には、少なくとも１回のリソグラフィ操作（基板レジストコーティング、露光および現像を組み合わせたもの）が、通常のレジストの代わりに本発明のレジストコーティングを使用するリソグラフィ操作に置き換えられる。本発明のレジストコーティングを使用して製造されたリソグラフィマスクがウェハ処理中に使用される場合、好適には少なくとも１回のフォトリソグラフィ操作は、露光中リソグラフィマスクを利用するリソグラフィ操作（それ自体がフォトリソグラフィまたはｅＢｅａｍを含む他のタイプのリソグラフィを伴ってもよいが、もっとも好ましくはフォトリソグラフィを伴ってもよい）によって置き換えられる。しかし、本発明のレジストコーティングまたはリソグラフィマスクが１回のみ使用されても（または単一の層または単一の電子部品または単一の組の電子部品のみを製造するために）本発明の利点が実現されてもよく、および任意のさらなるリソグラフィ操作（例えば、フォトリソグラフィ）は、集積回路を作る技術分野において公知の標準的な技術を使用することができることが理解されよう。したがって、本発明の方法は、本発明のコーティングまたはリソグラフィマスクなく実施される任意のまたは全ての繰り返しステップ（および任意のまたは全ての任意のプレステップでも）についての選択肢を提供する。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３９８】
金属化は、銅線またはアルミニウム線などの金属線網を生成することを伴ってもよい。このようなプロセスは、好適には、ａ）改変された基板を金属（例えば、銅またはアルミニウム）でブランケットコーティングするステップと、パターニングするステップ（例えばリソグラフィを用いてレジストパターン層を生成するステップ）と、レジストパターン層の下にある金属をエッチングするステップ（すなわち別個の金属ワイヤを製造するために）、金属ワイヤの上に絶縁材料を形成または堆積するステップと、を伴ってもよい。例えば、実施可能な集積回路を作製するために金属ワイヤの複数の層が必要とされる場合、このような金属ワイヤ層のいくつかまたは全てが、代わりに、表面改変ステップの間に形成され得ることが理解されよう。これらは、同じ手順を伴い得る。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４０１】
集積回路分野における当業者は、標準的なワークショップ技術を使用して、集積回路ダイから集積回路パッケージを製造することが適切にできる。しかし、本発明は、集積回路パッケージを製造する方法を提供し、上記集積回路パッケージは、複数のピンおよび対応する複数のピンに導電的に接続された外部接触端子を有する集積回路ダイを備え、この方法は、
ｉ）本明細書で定義される集積回路ダイを提供するステップ、または本明細書で定義される集積回路ダイを作る方法によって集積回路ダイを作るステップと、
ｉｉ）上記集積回路ダイをパッケージ基板に取り付けるステップであって、上記パッケージ基板は電気接点を含み、上記電気接点の各々は、対応するピンに任意により、接続されるかまたは接続可能である、ステップと、
ｉｉｉ）上記集積回路ダイの上記外部接触端子の各々を上記パッケージ基板の対応する電気接点に導電的に接続するステップと、
ｉｖ）上記パッケージ基板の上記電気接点を対応するピンに任意により（必要に応じて）接続するステップと、
ｖ）上記集積回路ダイをカプセル封入するステップと、を含む。
ダイとパッケージ基板との導電的接続
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４０３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４０３】
ピンを接続することにより、ＩＣを実用化し、かつ簡単に回路基板に組み込ませる。したがって、この方法は、好適には、適した接点を介してＩＣパッケージピンをダイに電気的に接続することを伴う。典型的には、接続ピンはカプセル封入デバイスの一部であり、このため、このステップはカプセル封入ステップと組み合わせてもよい。
【誤訳訂正３８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４０４】
ダイは空気／水分に敏感であり得るため、通常はカプセル封入されている。好適にはカプセル封入されたＩＣパッケージは、ベーク、メッキ化、ラスターマーク、およびトリミングが行われる。最後に、好適には、ＩＣパッケージは、品質保証のために電子的試験が行われる。