(57)【要約】【課題】ｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造を提供する。【解決手段】主として、ＴＳＯＰ実装構造であるメモリ１１のピン１２についてリードリフォームをすることにより、メモリと回路板との約０、１ｍｍ乃至０．２ｍｍの隙間を消去し、メモリを完全に回路板に密着させる。また、ｍｉｎｉＳＤカードの上端において、開口方式により、メモリの上端が直接ｍｉｎｉＳＤカードの表面から露出され、これにより、更に被覆厚さを低減できる。また、メモリの両側に位置するピン１２が補助側体１３によって覆われ、露出されず、補助側体とメモリのピンとの間が接着方式により接着され、密着度が向上される。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
主として、板体と、
対向する両側に複数のピンがあり、前記複数のピンにより前記板体の表面に半田付けされるメモリと、を含有し、
前記メモリは、前記板体の表面に密着し、また、前記ピンを有する対向する両側に前記メモリを挟み持ちながら前記ピンを被覆する補助側体が設けられ、前記補助側体の外層表面が前記メモリの上端と一致し、前記メモリの上端が直接、開口からｍｉｎｉＳＤカードの外層表面に露出する、ことを特徴とするｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造。
【請求項２】
前記補助側体の内面は、斜面であることを特徴とする請求項１に記載のｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造。
【請求項３】
前記メモリは、ＴＳＯＰ実装構造のメモリであることを特徴とする請求項１に記載のｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造。
【請求項４】
前記補助側体の内面は、斜面や階段形状或いは不規則形状であり、接着方式により、メモリのピンに接着されることを特徴とする請求項１に記載のｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造に関し、特に、ＴＳＯＰメモリの実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータを快適に駆動させるため、システム全体の高度化が要求されている。メモリは、その主役の一つであり、その製造技術が、メモリの性能に大きく影響する。パッケージ技術は、メモリの製造技術の流れにおいて、最も重要な要素の一つである。異なるパッケージ技術により製造されたメモリは、性能に大きな差異がある。ＤＩＰからＴＳＯＰそしてＢＧＡという流れのように、パッケージ技術は持続的に発展し、それによってメモリが高周波数・高速の方向へと進んでいる。また、ＣＳＰ等の新規技術の登場により、メモリのパッケージがＣＳＰ時代に入ると宣言されている。各メモリは、実際にはパッケージングされた数多い集積回路からなるが、当該集積回路がパッケージされなければ完成したとは言えない。集積回路をパッケージする技術は、いわゆるパッケージ技術である。また、パッケージは、半導体集積回路チップを実装するためのケースを指す時も有り、チップを収納、固定、密封及び保護し、伝熱性能を向上させる作用があるだけでなく、チップ内部の世界と外部の回路とのコミュニケーションの橋渡し役となっている。
【０００３】
チップの接点用リードは、パッケージケースのリードに連接され、また、前記リード、およびプリント基板のリードが、他のパーツに連接される。そのため、集積回路製品にとって、パッケージ技術は重要な一因である。同じように、コンピュータにとっても、高精密にＣＰＵをパッケージ化することが要求されており、また、メモリについても、それが厳しく要求されている。実際のメモリは、我々が認識している体積や外観を有するメモリではなく、多数整列して配列されたブロックからなるメモリチップをパッケージングしたものである。チップを主な構成とするメモリにとって、パッケージ技術は、チップと外部とを隔離することを確保できるだけでなく、空気中の不純物によってチップ回路が腐食され性能が低下するのを防止することができる。また、パッケージ技術の良し悪しは、直接、チップが連接されるプリント基板（ＰＣＢ）の設計や製造に影響を与え、チップ自身の性能にも大きく影響する。言いかえれば、パッケージ技術が、メモリの外装であり、メモリの性能は、外装が上等であればあるほど高品質である。
また、プロセッサのように、メモリの技術も常に更新されている。メモリの姿も変わり続けており、より小型化且つ微細化になっている。変化は表面だけでなく、新規のチップに適用される周波数や電気特性も大幅に進歩した。その結果は、新規のメモリチップのパッケージ技術によるものと言える。チップのパッケージ技術は、様々であり、例えば、ＤＩＰやＰＱＦＰ、ＴＳＯＰ、ＴＳＳＯＰ、ＰＧＡ、ＢＧＡ、ＱＦＰ、ＴＱＦＰ、ＱＳＯＰ、ＳＯＩＣ、ＳＯＪ、ＰＬＣＣ、ＷＡＦＥＲＳ…等があり、複雑に見えるが、チップのパッケージの発展の流れが分かれば、理解し易い。チップのパッケージ技術は、数世代を介して、技術レベルがより先端的になっている。例えば、チップ面積とパッケージ面積の比を縮めることや、適用できる周波数が高くなること、及び耐熱性が良くなることであり、そして、リード数の増大とリードの隙間の縮小、重量の低減、信頼度の向上及び使用便利性の改善等は、目に見える変化である。
２０世紀の７０年代、チップのパッケージは、主として、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  ｌｎ−ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）と称される対称ピンパッケージであった。ＤＩＰパッケージは、ＰＣＢのビアに半田付けで固定することができる特性を持ち、ＴＯ型パッケージと比較すると、ＰＣＢに対する配線や取り扱いが便利である。また、そのパッケージの構造形式は、例えば、多数層のセラミックＤＩＰや単層のセラミックＤＩＰ及びリードフレーム式ＤＩＰ等がある。チップパッケージ技術の先端性を評価するための重要な指標は、チップ面積とパッケージ面積との比であり、この比は、１に近いほど良い。例えば、４０本のＩ／０リードプラスチック両列直挿式パッケージ（ＰＤＩＰ）のチップであれば、そのチップ面積／パッケージ面積＝（３ｘ３）／（１５．２４ｘ５０）＝１：８６で、１から大いに離れている。以上から分かるように、このようなパッケージは、サイズがチップより遥かに大きくなるため、パッケージ効率が非常に低く、膨大の実装面積が必要である。８０年代に登場したメモリの２代目のパッケージ技術は、ＴＳＯＰを代表としており、前記ＴＳＯＰが登場してから、業界に幅広く採用され、今でもメモリパッケージの主流である。ＴＳＯＰは、Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅの略語で、小型化パッケージを意味する。ＴＳＯＰメモリパッケージ技術は、典型的な特長として、パッケージチップの周囲にリードが形成される。例えば、ＳＤＲＡＭメモリの集積回路の両側にリードが形成され、また、ＳＧＲＡＭメモリの集積回路の４面にリードが形成される。ＴＳＯＰは、ＳＭＴ技術でＰＣＢに配線を実装することに適合する。ＴＳＯＰパッケージの外形の場合、電流が大幅に変化しても出力電圧変動が比較小さいため、高周波数に適用され、また、操作が便利で信頼性が高い。また、改良されたＴＳＯＰ技術は、今でも、ＳＤＲＡＭメモリの製造に応用され、大手のメモリ製造メーカ、例えばサムスンやヒュンダイ及びＫｉｎｇｓｔｏｎ等は、今でも、当該技術でメモリパッケージを行っている。
【０００４】
ｍｉｎｉＳＤカードに応用する場合、メモリのパッケージ技術は、ｍｉｎｉＳＤカードのプロトコル仕様によって制限され、ＷＳＯＰやＵＴＯＰ、ＵＬＧＡ或いるベアチップ（ｄｉｅ）等の実装構造で、ｍｉｎｉＳＤカードの内部に収納されるためのメモリの実装厚さを低減することしかできない。上記の実装構造により、メモリの実装厚さを低減することができメモリが完全にｍｉｎｉＳＤカードの内部に収納されるが、実装工程が複雑でコストが高いだけでなく、実装過程において傷が発生してコストを更に向上させる恐れがあり、そのため、一般的にＳＤＲＡＭ内に利用されるＴＳＯＰ実装構造と比較すると、経済的ではない実装構造となっている。本考案は、ｍｉｎｉＳＤカードの製作コストを低下するため、メモリにＴＳＯＰ実装構造を採用するが、共通のｍｉｎｉＳＤカードの規格を変更することを必要としないため、実用的な提案である。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の主な目的は、既存の複雑且つ経済的でないメモリの実装構造の代わりに、自身においてＴＳＯＰにより実装されたメモリを利用し、リードリフォーム等の特殊加工工程を行うことにより、一般のｍｉｎｉＳＤカード内に収納でき、内部のメモリ素子のコストを低減することにより、既存のｍｉｎｉＳＤカードの生産コストを低下できるｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造を提供することにある。
【０００６】
本考案の他の目的は、ｍｉｎｉＳＤカード内のメモリにＴＳＯＰ実装構造を採用することにより、メモリ容量を増大させ、ｍｉｎｉＳＤカードのメモリ容量が増大されることにより、ｍｉｎｉＳＤカードのユーザが余計にメモリカードを買う必要がなくなり、市場における競争力を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本考案の主な技術手段は、ＴＳＯＰ実装構造であるメモリの両側のピンについて、リードリフォームを行うことにより、メモリと回路板との隙間を完全に解消し、メモリを完全に下層の回路板の表面に密着させる。また、メモリの上端に、該上端覆うことのない開口が形成されることで、ｍｉｎｉＳＤカードにおいてメモリの上端を密封するための補助側体の厚さを低減することができ、そして、メモリの両側にあるピンを、高さがメモリと一致するように被覆（密封）し、また、ピンと補助側体との間の隙間を接着することにより密着度が向上されて、メモリを補助固定する効果が得られる。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら、実施例を挙げて、本考案を詳しく説明する。これにより、当該技術を良く分かる熟練者であばれ、簡単に実施することができる。
【０００９】
図１ａは、ＴＳＯＰ実装構造であるメモリの側面図である。図１ａは、通常のＴＳＯＰのピンであり、ピン１２は、メモリ１１の両側から外へ延伸してから直角に下方へ折曲され、メモリ１１を浮かせるように、０．２ｍｍの隙間を開けて支持している。ｍｉｎｉＳＤカードの内部空間をうまく運用して、ＴＳＯＰ実装構造であるメモリ１１を、限られた空間である板体の内部に収納するために、メモリ１１のピンについて、リードリフォームすることにより、メモリを完全に底面に密着させ、図１ｂのピンのようにする。前記メモリは、ピン１２がリードリフォームされた後、メモリ１１の両側から仰角で上へ延伸してから下方へ折曲されるため、底面において、隙間が消去されて完全に密着できる。
【００１０】
図２は、ＴＳＯＰ実装構造であるｍｉｎｉＳＤカードの断面図である。本考案のより良い実施例は、板体２をｍｉｎｉＳＤカードの実装主体とし、前記板体の表面に、メモリ１１と、メモリ１１を固定するために両側に位置する補助側体１３とが設けられる。前記メモリ１１は、ＴＳＯＰ実装構造により実装され、ピン１２がリードリフォームされることによって板体２との間の隙間が消去され、完全に板体２に密着させられる。前記補助側体１３は、ピン１２に合わせて板体２の表面から、メモリ１１の上端に一致するまで、上へ延伸され、そして、挟み持ち方式により、メモリ２を両側の上端を固定する。前記補助側体１３の表面は、メモリ１１の表面に一致する。
【００１１】
更に、図２を参照しながら説明すると、本考案は、ＴＳＯＰ実装構造であるメモリをｍｉｎｉＳＤカードに応用するために、主な重要な手段として、メモリ１１を、開口方式によりその上端表面をｍｉｎｉＳＤカードの表面から露出させ、また、メモリ１１の両側において、補助側体１３によりピン１２を覆い、これにより、外力による衝撃を防止でき、また、メモリ１１を挟み持って固定できる。また、補助側体１３は接着方式によりピン１２に接着され、補助側体１３とピン１２との隙間２１は、前記接着方式により粘着強度が強化されて、補助側体１３のメモリ１ｌの両側に対する固定強度が向上される。ｍｉｎｉＳＤカードは、上記の構造によりパッケージされた後、その一辺の補助側体１３の表面に凹槽１４が設けられ、ｍｉｎｉＳＤカードが装置に挿入されている時、前記凹槽１４により力を入れて引き出すことができ、便利である。
【００１２】
図３は、このｍｉｎｉＳＤカードを説明するための平面図である。同図において、ＴＳＯＰ実装構造であるメモリ１１は、両側に位置するピン１２についてリードリフォームを行うことによりメモリ１１と板体２との間の隙間が消去され、それによって、前記板体２の表面に密着して固定される。
【００１３】
図４は、図３のｍｉｎｉＳＤカードの実施例の斜視図である。メモリ１１は、ピン１２についてリードリフォームを行うことで、前記板体２の表面に密着できる。この図において、メモリ１１の両側に位置するピン１２を覆うように補助側体１３が設けられる。また、補助側体１３とピン１２の間は接着方式により接着され、これにより粘着強度が強化され、丈夫な構造体が構成される（ピン＋補助側体＋熱接着）。
【００１４】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されず、本考案に係わる精神に従って行う等価の修正や変更は、全てが、本考案の実用新案登録請求の範囲内に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１ａ】ＴＳＯＰ実装構造であるメモリの側面図である。
【図１ｂ】ＴＳＯＰ実装構造であるメモリの側面図である。
【図２】本考案に係わるｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造の実施例の断面図である。
【図３】本考案に係わるｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造の実施例を説明するための平面図である。
【図４】図３のｍｉｎｉＳＤカードのメモリ実装構造の実施例の斜視図である。
【符号の説明】
【００１６】
１１  メモリ
１２  ピン
１３  補助側体
１４  凹槽
２  板体
２１  隙間 
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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