【事件の表示】
　特願２０１１−５２５９８８「リードフレーム及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月１１日国際公開、ＷＯ２０１０／０２７２３１、平成２４年　１月２６日国内公表、特表２０１２−５０２４６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成２１年９月７日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２０年９月５日　韓国（ＫＲ））を国際出願日とする出願であって、平成２４年５月２９日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年８月３１日付けで手続補正がなされ、平成２５年５月９日付け最後の拒絶理由通知に対する応答時、同年１０月２１日付けで手続補正がなされたが、当該手続補正について、平成２６年５月１６日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２２日付けで拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
第２．審判請求の趣旨
　本件審判請求の趣旨は、平成２６年５月１６日付けでなされた、平成２５年１０月２１日付けの手続補正に対する補正の却下の決定を取り消すとともに、原査定を取り消し、本願は特許をすべきものであるとの審決を求めるものである。
第３．平成２６年５月１６日付けの補正の却下の決定の適否
１．補正の内容
　平成２５年１０月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、平成２４年８月３１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲、
「【請求項１】
　銅基板と、
　前記銅基板の表面に形成され、表面粗度が１１０ｎｍ〜３００ｎｍであるラフ銅層と、
　前記ラフ銅層の直上のニッケル層と、
　前記ニッケル層の上のパラジウム層と、
　前記パラジウム層の上の金層と、
　前記ラフ銅層の上に局部的に形成された銀メッキ層と、を含み、
　前記ラフ銅層は０．３μｍ〜０．６μｍの厚さを有し、
　前記銅基板は、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びシリコン（Ｓｉ）を含むことを特徴とする、リードフレーム。
　【請求項２】
　前記金層は、表面粗度が９０ｎｍ〜２７０ｎｍである、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項３】
　前記ニッケル層は前記パラジウム層より厚く、前記パラジウム層は前記金層より厚い、請求項１に記載のリードフレーム。」
（以下、上記引用の請求項各項を、「補正前の請求項」という）
を、
「【請求項１】
　銅基板と、
　前記銅基板の表面に形成され、表面粗度が１１０ｎｍ〜３００ｎｍであるラフ銅層と、
　前記ラフ銅層の上に局部的に形成された銀メッキ層と、を含み、
　前記ラフ銅層は０．３μｍ〜０．６μｍの厚さを有し、
　前記銅基板は、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びシリコン（Ｓｉ）を含むことを特徴とする、リードフレーム。
　【請求項２】
　前記金層は、表面粗度が９０ｎｍ〜２７０ｎｍである、請求項１に記載のリードフレーム。」
（以下、上記引用の請求項各項を、「補正後の請求項」という）
に補正された。
２．補正の却下の理由の概要
「補正により、補正前の発明に記載された発明を特定するために必要と認める事項の一部である『前記ラフ銅層の直上のニッケル層と、前記ニッケル層の上のパラジウム層と、前記パラジウム層の上の金層と、』を削除しており、この補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、特許法第１７条の２第５項の他の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しない。
　よって、この補正は同法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから、同法第５３条第１項の規定により上記結論のとおり決定する。」
３．当審の判断
　本件補正は、補正前の請求項１における発明特定事項である、「前記ラフ銅層の直上のニッケル層と、前記ニッケル層の上のパラジウム層と、前記パラジウム層の上の金層」との構成を削除するものであるから、請求項の限定的減縮を目的としたものとは認められない。
　また、原審において、補正前の請求項１における各層の配置等について明りょうではないとの指摘は行っていないので、本件補正は、拒絶の理由に示す事項についてする明りょうでない記載の釈明を目的としたものでもない。
　さらに、この補正が、請求項の削除、誤記の訂正を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　なお、審判請求人は、平成２６年９月２２日付け審判請求書において、「そして、上記構成を削除する補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、自明な誤りを明確にする補正であると考えます。」（第５ページ第１０〜１１行）と主張しているが、上記のとおり、特許請求の範囲の減縮を目的としたものとは認められないから、この主張を採用することはできない。
４．補正の却下の決定についてのむすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第４．本願発明について
　平成２５年１０月２１日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、これを「本願発明」という。）は、平成２４年８月３１日付け手続補正により補正された、上記「第３．平成２６年５月１６日付けの補正の却下の決定の適否」の「１．補正の内容」において、補正前の請求項１として記載した次のとおりのものである。
「銅基板と、
　前記銅基板の表面に形成され、表面粗度が１１０ｎｍ〜３００ｎｍであるラフ銅層と、
　前記ラフ銅層の直上のニッケル層と、
　前記ニッケル層の上のパラジウム層と、
　前記パラジウム層の上の金層と、
　前記ラフ銅層の上に局部的に形成された銀メッキ層と、を含み、
　前記ラフ銅層は０．３μｍ〜０．６μｍの厚さを有し、
　前記銅基板は、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びシリコン（Ｓｉ）を含むことを特徴とする、リードフレーム。」
１．原査定の理由の概要
　原査定の理由である平成２５年５月９日付け最後の拒絶理由通知書に記載した理由の概要は、以下のとおりである。
「平成２４年８月３１日付けでした手続補正は、下記の点で国際出願日における国際特許出願の明細書若しくは図面（図面の中の説明に限る。）の翻訳文、国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の翻訳文（特許協力条約第１９条（１）の規定に基づく補正後の請求の範囲の翻訳文が提出された場合にあっては、当該翻訳文）又は国際出願日における国際特許出願の図面（図面の中の説明を除く。）（以下、翻訳文等という。）（誤訳訂正書を提出して明細書、特許請求の範囲又は図面について補正をした場合にあっては、翻訳文等又は当該補正後の明細書、特許請求の範囲若しくは図面）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない（同法第１８４条の１２第２項参照）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項　　　１〜３
・備考
　請求項１の記載は、(a)ラフ銅層の直上のニッケル層と、ニッケル層の上のパラジウム層と、パラジウム層の上の金層と、金層の上に局部的に形成された銀メッキ層や、(b)ラフ銅層の直上のニッケル層と、ニッケル層の上のパラジウム層と、パラジウム層の上の金層と、パラジウム層と金層の間に局部的に形成された銀メッキ層や、(c)ラフ銅層の直上のニッケル層と、ニッケル層の上のパラジウム層と、パラジウム層の上の金層と、ラフ銅層の上であって、ニッケル層、パラジウム層及び金層とは別の場所に局部的に形成された銀メッキ層などを含む記載となっているが、これらは、当初翻訳文等に記載されておらず、また自明でもない。」
２．当審の判断
　本願の当初明細書の段落【００１６】〜【００２０】の記載は、以下のとおりである。
「【００１６】
  図１は、本発明の第１実施形態によるリードフレームを示す断面図である。
【００１７】
  図１を参照すると、第１実施形態によるリードフレームは、銅基板１０、及び上記銅基板１０の表面に形成されたラフ（Rough）銅層２０が含まれる。
【００１８】
  ラフ銅層２０の表面には局部的に銀メッキ層３０が形成される。
【００１９】
  銅基板１０は、銅（Ｃｕ）または銅を主成分とする合金で形成される。銅基板１０は銅材料の機械的、電気的な特性を改善するために多様な不純物が含まれる。例えば、銅基板１０は、銅（Ｃｕ）にニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びシリコン（Ｓｉ）のうち、少なくとも１つの不純物を含んで製作することができる。
【００２０】
  ラフ銅層２０は、０．３−０．６μｍの平均厚さと、１１０−３００ｎｍの表面粗度を有する。」
　したがって、段落【００１６】〜【００２０】には、
「銅基板と、
　前記銅基板の表面に形成され、表面粗度が１１０ｎｍ〜３００ｎｍであるラフ銅層と、
　前記ラフ銅層の上に局部的に形成された銀メッキ層と、を含み、
　前記ラフ銅層は０．３μｍ〜０．６μｍの厚さを有し、
　前記銅基板は、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びシリコン（Ｓｉ）を含むことを特徴とする、リードフレーム。」
　について記載されている。
　また、段落【００４８】〜【００５０】の記載は、以下のとおりである。
「【００４８】
  図５は、本発明の第２実施形態によるリードフレームを説明する図である。
【００４９】
  図５を参照すると、前述した第１実施形態ではラフ銅層２０の上に局部的に銀メッキ層３０を形成することが開示されているが、第２実施形態ではラフ銅層２０の上にニッケル（Ｎｉ）層４０、パラジウム（Ｐｄ）層５０、金（Ａｕ）層６０を順次にメッキすることもできる。
【００５０】
  即ち、ラフ銅層２０の上にニッケル層４０をメッキし、ニッケル層４０の上にパラジウム層５０をメッキし、パラジウム層５０の上に金層６０をメッキすることができる。」
　したがって、段落【００４８】〜【００５０】には、
「銅基板と、
　前記銅基板の表面に形成され、表面粗度が１１０ｎｍ〜３００ｎｍであるラフ銅層と、
　前記ラフ銅層の直上のニッケル層と、
　前記ニッケル層の上のパラジウム層と、
　前記パラジウム層の上の金層と、
　前記ラフ銅層は０．３μｍ〜０．６μｍの厚さを有し、
　前記銅基板は、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、及びシリコン（Ｓｉ）を含むことを特徴とする、リードフレーム。」
　について記載されている。
　しかしながら、出願当初明細書において、ラフ銅層上に「ニッケル層、パラジウム層及び金層」と「銀メッキ層」の
両方を設ける
両方を設ける
　よって、補正後の請求項１ないし３の各請求項は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲を超えた内容を含むものであって、新たな技術的事項を導入するものであり、平成２４年８月３１日付けでした手続補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではなく、特許法第１７の２第３項に規定する要件を満たしていない。
３．むすび
　以上のとおり、本件出願は、平成２４年８月３１日付けでした手続補正は特許法第１７の２第３項に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。