【手続補正書】
【提出日】令和2年3月30日(2020.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造を形成する方法であって、窒化シリコンを含む層の前面を、（ｉ）ホウ素含有ガスまたはホウ素含有蒸気、および（ｉｉ）前記窒化シリコンを含む層の前記前面と界面接触して六方晶窒化ホウ素を含む層を直接堆積するのに十分な温度で窒素含有ガスまたは窒素含有蒸気と接触させて、それによって、前記窒化シリコンを含む層と界面接合した前記六方晶窒化ホウ素を含む層を含む前記多層構造を調製する、方法。
【請求項２】
前記窒化シリコンを含む層が、単結晶半導体ウエハの前面と界面接触する裏面であって、前記単結晶半導体ウエハが、２つの主にほぼ平行な表面を含み、その一方が、前記単結晶半導体ウエハの前記前面であり、他方が、前記単結晶半導体ウエハの裏面である、裏面、前記単結晶半導体ウエハの前記前面と裏面とを接合する周縁部、前記単結晶半導体ウエハの前記前面と裏面との間の中心面、ならびに前記単結晶半導体ウエハの前記前面と裏面との間のバルク領域をさらに含み、さらに、前記多層構造が、前記窒化シリコンを含む層と界面接合した前記六方晶窒化ホウ素を含む層、および前記単結晶半導体ウエハを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記単結晶半導体ウエハが、シリコン、炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、リン化インジウム、ヒ化インジウムガリウム、ゲルマニウム、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記単結晶半導体ウエハがシリコンを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記単結晶半導体ウエハが、ホウ素、ガリウム、リン、アンチモン、ヒ素、およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択されるドーパントを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記窒化シリコンを含む層が、誘電体層と界面接触する裏面をさらに含み、前記誘電体層が、二酸化シリコン層、酸窒化シリコン層、および窒化シリコン層、ならびにそれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含み、さらに、前記多層構造が、前記窒化シリコンを含む層と界面接合した前記六方晶窒化ホウ素を含む層、前記誘電体層、および前記単結晶半導体ウエハを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記六方晶窒化ホウ素を含む層が、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）を使用して堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ｉ）前記ホウ素含有ガスまたは前記ホウ素含有蒸気が、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、トリクロロボラン（ＢＣＩ３）、トリフルオロボラン（ＢＦ３）、およびボランを含むテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液（ＴＨＦ−ＢＨ３）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
（ｉｉ）前記窒素含有ガスが、窒素、ヒドラジン、およびアンモニアからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
（ｉ）前記ホウ素含有ガスまたは前記ホウ素含有蒸気および（ｉｉ）前記窒素含有ガスまたは窒素含有蒸気が、ホウ素および窒素の両方を含むガスまたは液体前駆体であり、さらに、前記ガスまたは液体前駆体が、ボラジン（Ｂ３Ｈ６Ｎ３）、トリクロロボラジン（例えば、２，４，６−トリクロロボラジン、Ｈ３Ｂ３ＣＩ３Ｎ３）、アミノボラン（ＢＨ２ＮＨ２）、アンモニアボラン（ＢＨ３−ＮＨ３）、アンモニアボラン錯体（Ｈ３Ｎ−ＢＨ３）、ボラジン（Ｂ３Ｎ３Ｈ６）、ジボランの二アンモニア化物［（ＮＨ３）２ＢＨ２］＋［ＢＨ４］−、およびＢＮポリマー錯体（ポリボラジレン）からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記六方晶窒化ホウ素を含む層上に金属膜を形成することをさらに含み、前記金属膜が、前面金属膜表面、裏面金属膜表面、および前記前面金属膜表面と前記裏面金属膜表面との間のバルク金属領域を含み、さらに、前記裏面金属膜表面が、前記六方晶窒化ホウ素を含む層と界面接触して、それによって前記金属膜、および前記窒化シリコンを含む層と界面接合した前記六方晶窒化ホウ素を含む層、を含む前記多層構造を調製する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属膜が、１０００℃で少なくとも約０．０５原子％の炭素溶解度を有する金属を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属膜が、１０００℃で約３原子％未満の炭素溶解度を有する金属を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属膜が、ニッケル、銅、鉄、白金、パラジウム、ルテニウム、アルミニウム、コバルト、およびそれらの合金からなる群から選択される金属を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属膜が、ニッケル、コバルト、またはニッケルおよびコバルトを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属膜が銅を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
還元性雰囲気中で少なくとも５００℃の温度で炭素含有ガスまたは炭素含有蒸気を前記前面金属膜表面と接触させて、前記金属膜の前記バルク金属領域に炭素原子を内部拡散させること；および、
炭素原子を析出させることによって、前記六方晶窒化ホウ素を含む層と前記裏面金属膜表面との間にグラフェンの層を形成し、それによって、前記金属膜、前記グラフェンの層、および前記窒化シリコンを含む層と界面接合した前記六方晶窒化ホウ素を含む層、を含む前記多層構造を調製すること；
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭素含有ガスが、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、プロピン、ブタン、イソブタン、ブチレン、ブチン、およびそれらの任意の組み合わせからなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記炭素含有蒸気が、ベンゼン、シクロヘキサン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、およびそれらの任意の組み合わせなどの液体前駆体からなる群から選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリブタジエン、ポリスチレン、ポリ（アクリロニトリル−コ−ブタジエン−コ−スチレン）（ＡＢＳ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ（４’−ビニルヘキサフェニルベンゼン）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるポリマーを含む層を、前記前面金属膜表面の上に堆積すること；
還元性雰囲気および前記ポリマー層を劣化させるのに十分な温度で、前記ポリマーおよび前記金属膜を含む層を含む構造を加熱すること；および、
炭素原子を析出させることによって、前記六方晶窒化ホウ素を含む層と前記裏面金属膜表面との間にグラフェンの層を形成し、それによって、前記金属膜、前記グラフェンの層、および前記窒化シリコンを含む層に界面接合した前記六方晶窒化ホウ素を含む層、を含む前記多層構造を調製すること；
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２１】
多層構造を形成する方法であって、窒化シリコンを含む層の前面を、（ｉ）ホウ素含有ガスまたはホウ素含有蒸気、および（ｉｉ）前記窒化シリコンを含む層の前記前面と界面接触する六方晶窒化ホウ素を含む層を直接堆積するのに十分な温度で窒素含有ガスまたは窒素含有蒸気と接触させることであって、前記窒化シリコンを含む層が、単結晶半導体ウエハの前面と界面接触する裏面であって、前記単結晶半導体ウエハが、２つの主にほぼ平行な表面を含み、その一方が、前記単結晶半導体ウエハの前記前面であり、他方が、前記単結晶半導体ウエハの裏面である、裏面、前記単結晶半導体ウエハの前記前面と裏面とを接合する周縁部、前記単結晶半導体ウエハの前記前面と裏面との間の中心面、および単結晶半導体ウエハの表面と裏面との間のバルク領域をさらに含む、接触させること；
前記六方晶窒化ホウ素を含む層上に金属膜を形成することであって、前記金属膜が、前面金属膜表面、裏面金属膜表面、および前記前面金属膜表面と裏面金属膜表面との間のバルク金属領域を含み、さらに、前記裏面金属膜表面が、前記六方晶窒化ホウ素を含む層と界面接触する、形成すること；
還元性雰囲気中で少なくとも５００℃の温度で炭素含有ガスまたは炭素含有蒸気を前記前面金属膜表面と接触させて、前記金属膜の前記バルク金属領域に炭素原子を内部拡散させること；および、
炭素原子を析出させることによって、前記六方晶窒化ホウ素を含む層と前記裏面金属膜表面との間にグラフェンの層を形成し、それによって、前記金属膜、前記グラフェンの層、前記六方晶窒化ホウ素を含む層、前記窒化シリコンを含む層、およびを前記単結晶半導体ウエハ含む前記多層構造を調製すること；
を含む、方法。
【請求項２２】
前記金属膜を除去することによって、前記グラフェンの層、前記六方晶窒化ホウ素を含む層、前記窒化シリコンを含む層、および前記単結晶半導体ウエハを含む前記多層構造を調製することをさらに含む、請求項２１に記載の方法。