【事件の表示】
　特願２０１２−２５６１９７「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月１０日出願公開、特開２０１３−１１５４３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年１１月２２日（パリ条約による優先権主張２０１１年１１月２５日、中国）の出願であって、 平成２５年１０月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２６年３月１４日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年６月１９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年７月２５日付けで平成２６年６月１９日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２６年１１月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１１月１９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１１月１９日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　補正後の請求項に記載された発明
　平成２６年１１月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。（下線は、請求人が付したものである。）
「複数の電池預形成体ユニットを提供し、各々の電池預形成体ユニットは、順に配列し且つ接触されて設置された第一電極基材と、Ｐ型シリコン層基材と、Ｎ型シリコン層基材と、第二電極基材と、を含む第一ステップと、
　前記複数の電池預形成体ユニットを第一方向に沿って順に配列し且つ互いに接着させる第二ステップと、
　前記第一方向に平行な方向に沿って、前記複数の電池預形成体ユニットをいくつかに切断し、複数の電池預形成体を形成する第三ステップと、
　各々の電池預形成体の一つの切断面に反射素子を形成する第四ステップと、
　を含み、
　
前記電池預形成体の厚さは、５０μｍ〜３００μｍであり、
　前記反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からな
り、また、反射層及び透明絶縁層を有し、透明絶縁層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍである
　なお、上記の内の、「前記反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からなり、また、反射層及び透明絶縁層を有し、透明絶縁層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍである」は、「反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からなり、」「また、」さらに、「反射層及び透明絶縁層を有し、透明絶縁層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍである」、すなわち、「反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からなり、」かつ、「反射層及び透明絶縁層を有し、透明絶縁層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍである」構成を示すと認める。
　そこで、上記本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
２　引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、米国特許第３４２２５２７号明細書（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳は、当審が作成した。また、日本語訳の下線は、当審が付した。）
　
ア　「This invention relates to a novel method of manufacture for high voltage solar cells, and more specifically relates to the method of manufacture for a high voltage output photogenerating cell having a relatively low current output which is composed of the direct series connection of a large number of individual photogenerating cells assembled into a stack.
　As is well known, photogenerating cells of silicon, commonly known as solar cells, consist of a single large area junction in a wafer monocrystalline material such as silicon. These individual cells will generate from 0.3 to 0.6 volt, and in order to obtain higher output voltages, many cells must be connected in series.
　Where large output current of the order of 70 milliamperes or more are required, this direct series connection for of individual cells provides an adequate device. There are, however, many applications where a particular electrical circuit requires relatively high voltages where, however, lower currents than 70 milliamperes are adequate.
　The principle of the present invention is to pre-form a large number of individual solar cells, and thereafter stack these cells with interposed solder wafers or the like, for securing the individual wafers together face to face with the forward and blocking directions of each of the cells being oriented in the same direction. These cells are then placed into a suitable soldering furnace, and the temperature increased so that the complete assemblage is soldered together. Thereafter, and in accordance with the invention, the assemblage is sliced into thin parallel slabs which are perpendicular to the flat surfaces of the wafers so that each of the slabs is composed of sections of the series connected wafers. Thereafter, these slabs are appropriately etched to remove saw damage from the sliced surfaces, and to remove shorted areas from the ends.
　Thus, the resulting cell will define a large number of series connected junctions, the edges of the junctions being exposable to incident radiation.
　In a typical example, 164 junctions can be connected in series with the sliced slabs being approximately 1 by 2 centimeters in dimension with the entire cell producing approximately 66 volts at 100 microamperes in average sunlight.
　Accordingly, a primary object of this invention is to provide a novel method for the manufacture of a high voltage photogenerating cell.
　Another object of this invention is to form a novel high voltage solar cell which is comprised of a large number of series connected junctions, the edges of which are exposed to incident radiation.
　These and other objects of this invention will become apparent from the following description when taken in connection with the drawings, in which:
　FIGURE 1 is a top view of a typical wafer or individual solar cell which is preformed to be assembled in a stack in accordance with the invention.
　FIGURE 2 is a cross-sectional view of FIGURE 1 taken across the line 2―2 in FIGURE 1.
　FIGURE 3 is a cross-sectional view of a completely assembled stack which has been assembled with interposed soldering wafers between the slack of wafers of the type shown in FIGURES 1 and 2.
　FIGURE 4 is a perspective view of the stack of FIGURE 3 with a few perpendicular slices made through the stack to form the high voltage cell of the invention.
　FIGURE 5 is a perspective view of one of the slabs of FIGURE 4 which defines a solar cell in accordance with the invention,
　Referring first to FIGURES 1 and 2, I have illustrated therein a typical individual solar cell which is to be assembled into a stack in accordance with the method of the invention. Thus, in FIGURES 1 and 2, the individual cell 10 is formed of a large area wafer of semiconductor material such as silicon which has a thickness of the order of 0.01 cm., and a diameter of the order of 3 cms. Note that square wafers could also be used.
　The wafer of FIGURES 1 and 2 is formed to have photogenerating characteristics by any standard well known manner, and can, for example, be comprised of a normally N-type material which has an upper P+ region 11 and a lower N+ region 12 diffused therein. The active junction 13 is then defined between the P+ and N regions, while the N+ region forms an area which will readily accept an intimately bound electrode.
　Thereafter, the wafer is nickel-plated on both its surfaces, sintered and then renickel-plated in the standard and well-known manner (for the case of the rear surface only in the prior art), thereby to define conductive electrodes 14 and 15 on the upper and lower surfaces of the silicon wafer.
　Thereafter, and as shown in FIGURE 3, a large number of wafers of the type shown in FIGURES 1 and 2, such as 164 of these wafers, are assembled into a stack with interposed soldering wafers such as the pure tin wafers 20, 21, 22 and 23, shown in FIGURE 3, with the end terminal wafers 24 and 25 on the opposite ends of the stack.
　In FIGURE 3, it will be noted that the electrodes 14 and 15 of each of the wafers of FIGURES 1 and 2 have been eliminated for purposes of clarity. The individual solder wafers such as wafers 20 through 23 may be approximately 0.001 inch in thickness.
　Thereafter, the assemblage is placed in a furnace which is brought to a suitable temperature to cause soldering of the complete assemblage wherein the interposed solder wafers are soldered to the opposing nickel-plated electrode surfaces of the adjacent wafers.
　In the next step, and as best shown in FIGURE 4, the assembled stack shown as the assembled stack 30, which is formed of the intimately bound silicon wafers and interposed solder wafers, is sliced into a plurality of parallel slabs which are perpendicular to the plane of the individual wafers. Thus, in FIGURE 4, three such slabs 31, 32 and 33 have been cut from the body 30. Clearly, the entire body 30 will be sliced in this manner.
　This slicing operation is performed with a normal diamond cutting wheel commonly used for slicing wafers from an ingot of semiconductor material with techniques well known to those skilled in the art.
　Each of the slabs will have a thickness of the order of 0.014 inch. With the example given in the invention, the total width of the slab will be approximately 1 cm., which corresponds to the height of the stack of FIGURE 3, while the length of the stab will depend upon the section from which the cut is made and will be 3 cms. long for the slab taken from the full diameter of the stack 30.
　Clearly, if square wafers were used instead of the circular wafers shown in FIGURE 1, each of the slabs would have the identical dimension.
　Thereafter, the slabs are immersed in a suitable etching medium to remove saw damage from the surfaces of the slabs and to remove shorted areas from the ends of the slabs. Thus, the slabs are etched to a thickness of approximately 0.012 inch. During this etching process, the outer surfaces of the end wafer sections, which come from solder wafers 24 and 25, are masked to protect these end metal contacts.
　Thereafter, and as shown in FIGURE 5, the individual slab such as slab 33, which may have a length of the order of 2 cms., has lead wires 40 and 41 attached to wafer sections 25 and 24, respectively, thereby to define a completed cell. The entire cell may then be immersed in any suitable protective layer in any desired manner.
　The cell of FIGURE 5 will then be a device wherein the individual junctions of the wafer sections are exposed on the surface of the slab. Thus, each individual junction will generate approximately 0.4 volt at 100 microamperes in sunlight. The entire cell then produces approximately 66 volts at 100 microamperes under the same illumination conditions.
　Although this invention has been described with respect to its preferred embodiments, it should be understood that many variations and modifications will now be obvious to those skilled in the art, and it is preferred, therefore, that the scope of the invention be limited not by the specific disclosure herein, but only by the appended claims.」（第１欄第２５行〜第４欄第３行）
（日本語訳）
「本発明は、高電圧太陽電池製造のための新規な方法に関し、より具体的には、多数の直列接続で構成され、比較的低い出力電流を有する高電圧出力光起電セルのための製造方法に関するものであって、高電圧太陽電池は、個別光起電セルを多数直列接続した積層体からなる。
　よく知られているように、一般に太陽電池として知られているシリコンの光起電セルに、シリコンのような単結晶材料のウエハに単一の大きな面積の接合部を含む。これらの個別セルは、０．３〜０．６ボルトを生成し、より高い出力電圧を得るために、多くのセルが直列に接続されなければならない。
　７０ミリアンペア以上のオーダーの大きな出力電流が要求される場合、この個別セルの直列接続は、適切なデバイスを提供する。しかし、比較的高い電圧を必要とするが、しかし、７０ミリアンペアより低い電流が適切な特定の電気回路を有する多くのアプリケーションが存在する。
　本発明の原理は、多数の個別太陽電池セルをあらかじめ形成し、その後、前方に順次個別ウエハを固定し、同じ方向に配向された個別セルの配向をブロックするために、ハンダウエハ等を間に挟んでこれらのセルを積層する。それから、これらのセルは、適切なハンダ付け炉内に配置され、そして、温度を上昇させて、完全な組立体が一緒に半田付けされる。その後、本発明にしたがって、組立体は、ウエハの平坦な表面に垂直に、薄い平行平板にスライスされ、平板のそれぞれは、直列接続されたウエハの切片で構成される。その後、これらの平板は、スライスされた表面から切断損傷を除去するために、また、端部から短絡部分を除去するために、適切にエッチングされる。　このようにして、得られたセルは、多くの直列接続された接合部、入射光に暴露可能である接合部の端部を規定する。
　典型的な例では、１６４枚の接合部が直列に接続され、スライスされた平板は、約１×２センチメートルの面積で、セル全体が平均的な日光の下で１００マイクロアンペアで約６６ボルトを生成することができる。
　したがって、本発明の主要な目的は、高電圧光起電セルを製造するための新規な方法を提供することにある。
　本発明の別の目的は、多くの直列接続された接合部から構成され、接合の端部が入射光に暴露される、新規な高電圧の太陽電池を形成することである。
　本発明のこれら及び他の目的は、図面を伴う、以下の説明から明らかになるであろう：
　図１は、本発明にしたがって、積層体に組み立てられるように予め形成された典型的なウエハ又は個別太陽電池セルの上面図。
　図２は、図１の線２−２での断面図。
　図３は、図１および２に示したタイプのウェハの積層体に介在するハンダウエハで組み立てられた完全に組み立てられた積層体の断面図。
　図４は、本発明の高電圧セルを形成するために積層体に形成されたいくつかの垂直スライスを有する、図３の積層体の斜視図。
　図５は、本発明にしたがって、太陽電池を規定する図４の平板の１つの斜視図。
　
図１および２を最初に参照すると、本発明の方法にしたがって、積層体に組み立てられる典型的な個別太陽電池セルが図示されている。このように、図１及び２に、個別セル１０が、０．０１ｃｍのオーダーの厚さ、３ｃｍのオーダーの直径を有するシリコンのような半導体材料の大面積のウエハで形成されている。
　図１および２の
ウエハは、任意の標準的な周知の方法によって光起電特性を有するように形成され、例えば、その中に拡散された、上部Ｐ＋領域１１と下部Ｎ＋領域１２を有する、普通のＮ型材料から構成することができる。
　
その後、ウエハは、両面にニッケルメッキされ、焼結された後、標準的で周知な（従来技術では裏面のみの場合の）方法で再ニッケルメッキされ、それにより、シリコンウエハの上面及び下面に導電性電極１４および１５が画定される。
　その後、図３に示すように、図１および２に示したタイプの多くのウエハが、例えば、
１６４枚のウエハが、図３に示される純粋な錫ウエハ２０，２１，２２及び２３のようなハンダウエハを介在させて、積層体の両端の終端ウエハ２４及び２５とともに、積層体に組み立てられる。
　図３において、図１および２の各々のウエハの電極１４及び１５は、明瞭にするために省略されていることに留意されたい。このようなウェハ２０〜２３のような個別ハンダウエハは、厚さ約０．０００１インチである。 　　その後、組立体は加熱炉内に配置され、ハンダ付けに適切な温度にされ、介在ハンダウェハが隣接するウエハの対向するニッケルメッキされた電極の表面にハンダ付けされ、完全な組立体となる。
　次のステップでは、図４にもっともよく示されるように、
シリコンウエハと介在ハンダウェーハが密着されて形成された、組立積層体３０として示される組立積層体は、個別ウエハの面に垂直な複数の平行平板にスライスされる。
　
平板のそれぞれは、０．０１４インチ程度の厚さを持つことになる。
　図１に示される円形ウエハの代わりに、正方形のウエハが使用された場合、明らかに、スラブの各々は、同一の寸法を有する。
　
その後、平板は、その表面から切断損傷を除去し、平板の端部から短絡部分を除去するために適切なエッチング剤に浸漬される。すると、平板は、約０．０１２インチの厚さにエッチングされる。
　その後、図５に示されるように、２センチ程度の長さを有する平板３３のような個々の平板は、ウエハの部分２５と２４にリード線４０および４１が取り付けられ、それによって、完成したセルが画定される。セル全体は、任意の所望の方法で任意の適切な保護層で覆われてもよい。
　図５のセルは、ウエハ切片の個々の接合部が平板の表面上に露出される装置である。このように、各個々の接合部は日光の下で１００マイクロアンペアで約０．４ボルトを生成する。セル全体は、同じ照明条件の下で１００マイクロアンペアで約６６ボルトを生成する。
　本発明を、その好ましい実施形態に関して説明してきたが、多くの変形及び変更が今や当業者には明らかであり、また、それが好ましいこと、それゆえ、本発明の範囲が、この特定の開示によって制限されず、添付の特許請求の範囲によってのみ制限されることが理解されるべきである。」
イ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「個別セル１０を、０．０１ｃｍのオーダーの厚さ、３ｃｍのオーダーの直径を有するシリコンのような半導体材料の大面積のウエハで形成し、このウエハは、その中に拡散された、上部Ｐ＋領域１１と下部Ｎ＋領域１２を有する、普通のＮ型材料から構成され、その後、ウエハを、両面にニッケルメッキして、焼結した後、標準的で周知な方法で再ニッケルメッキし、それにより、シリコンウエハの上面及び下面に導電性電極１４および１５を画定し、
　１６４枚のウエハを、純粋な錫ウエハ２０，２１，２２及び２３のようなハンダウエハを介在させて、積層体の両端の終端ウエハ２４及び２５とともに、積層体に組み立て、その後、組立体を加熱炉内に配置して、ハンダ付けに適切な温度にし、介在ハンダウェハを隣接するウエハの対向するニッケルメッキされた電極の表面にハンダ付けして、完全な組立体となし、
　組立積層体３０として示される組立積層体を、個別ウエハの面に垂直な複数の平行平板にスライスして、０．０１４インチ程度の厚さを持つ平板とし、その後、平板を、その表面から切断損傷を除去し、平板の端部から短絡部分を除去するために適切なエッチング剤に浸漬して、約０．０１２インチの厚さにエッチングする、太陽電池の製造方法。」
（２）平成２６年７月２５日付けの補正の却下の決定に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２８１７５８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、テクスチャ表面を有するシリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、微細かつ均一な凹凸からなるテクスチャ表面を有し、テクスチャ表面における太陽光の反射を効率的に低減する機能を有する、シリコン系半導体基板を備える太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】
さらに、本発明は、上記の太陽電池の製造方法により得られる、太陽光の反射を効率的に低減する機能を有し、発電効率に優れる太陽電池に関する。
【０００３】
【従来の技術】
＜
従来の太陽電池の光閉込め構造
一般に、単結晶シリコン太陽電池では、発電効率を向上させるために、光閉込め構造
を形成する場合が多い。
【０００４】
ここで、
光閉込め構造の代表例としては、表面反射防止膜、テクスチャ構造、裏面反射膜などが挙げられる。
【０００５】
ここで、かかる表面反射防止膜の厚みを均一にして、後述するシリコン基板表面のテクスチャ構造と併せて、太陽光の反射率を低減しようという試みもなされている（たとえば、特許文献１参照。）。しかし、かかる表面反射防止膜の厚みを均一にしたとしても、微細かつ均一なテクスチャ構造を形成できなければ、さらなる太陽光の反射率の低減は実現できないという問題がある。
【０００６】
また、
裏面反射膜を形成する場合には、半導体基板の裏面にアルミニウムなどの金属からなる反射膜を形成して、光閉込め構造を形成することが多い。
【０００７】
上記の表面反射防止膜および裏面反射膜の形成により、ある程度の光閉込め効果は得ることができる。しかし、太陽電池の受光面が平坦な鏡面である場合には、表面反射防止膜を形成しても、幾分かの反射は避けることができない。そこで、一般に、単結晶シリコン太陽電池では、単結晶シリコン基板の受光面側においてアルカリ溶液などを用いた異方性エッチングを行い、単結晶シリコン基板の表面に微細なピラミッドまたは逆ピラミッド構造を形成して、単結晶シリコン基板表面における太陽光の反射を低減している。上記の異方性エッチングでは、単結晶シリコンのエッチング速度が、Ｓｉ（１００）結晶方位面とＳｉ（１１１）結晶方位面とで異なることを利用している。
【０００８】
上記テクスチャ構造を形成した場合、あるピラミッドの面で下方に反射した光が他のピラミッドに入っていく多重反射が活用できるので、全体として反射が低減する。さらに、シリコン内に入射する光は屈折を受け、長い距離を進むので、等価的に、吸収係数が増加（拡散距離の増加に相当）する利点もある。なお、
受光面側だけでなく、受光面と反対の裏面側にもテクスチャ構造を形成することにより、より一層優れた光閉込め効果を得ることができる。
イ　「【０１０８】
＜実施例１＞
図１は、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１における各ステップを示すための太陽電池の概略断面図である。ここで、図１は、図１（ａ）と図１（ｂ）とを含む。
【０１０９】
実施例１においては、まず、図１（ａ）に示すように、たとえば結晶方位がＳｉ（１００）のｐ型シリコン系半導体基板１００を用いる。
【０１１０】
次いで、図１（ｂ）に示すように、ｐ型シリコン系半導体基板１００上に、たとえばＴｉ（チタン）金属をスパッタ法あるいは蒸着法などにより３０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みで堆積させてシリサイド材料層１０１を形成する。
【０１１１】
この場合において、シリサイド材料層１０１に用いる金属は、加熱処理によりｐ型シリコン系半導体基板１００と反応してシリサイド層を形成できればよいため、ＩＶ−Ａ族、Ｖ−Ａ族、ＶＩ−Ａ族の高融点金属およびＶＩＩＩ−Ａ族金属からなる群より選ばれる一種以上の金属であれば問題なく、たとえばチタン以外の金属でも、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｚｒ（ジルコニウム）などを好適に用いることができる。
【０１１２】
図２は、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１における各ステップを示すための太陽電池の概略断面図である。ここで、図２は、図２（ａ）と図２（ｂ）とを含む。
【０１１３】
さらに図２（ａ）に示すように、たとえばＮ２（窒素）雰囲気中で６００℃〜６５０℃、１０秒〜３０秒程度のＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ−Ｔｈｅｒｍａｌ−Ａｎｎｅａｌ）加熱処理により、シリサイド材料層１０１に含まれるチタンとｐ型シリコン系半導体基板１００とを反応させ、ＴｉＳｉ２（チタンシリサイド）を含むシリサイド層１０２を５０ｎｍ〜７０ｎｍ程度の厚みで形成する。この場合、シリサイド材料層１０１に含まれる金属として選択する金属の種類により適切な加熱処理の条件を選択して、シリサイド層１０２を形成するほうが望ましい。また、必要であれば、さらに加熱処理を加え、たとえばシリサイド材料層１０１に含まれる金属としてＴｉを用いるのであれば、たとえばＮ２雰囲気中で８００℃〜１０００℃の温度範囲のＲＴＡ加熱処理を１０秒〜３０秒行うことが望ましい。
【０１１４】
続いて、図２（ｂ）に示すように、
シリサイド層１０２を有するｐ型シリコン系半導体基板１００を、イソプロピルアルコールを１〜１０％（ｗ／ｖ）の範囲で含有する、２〜１０％（ｗ／ｖ）の水酸化カリウム水溶液に、８０℃〜９０℃の温度条件下、２０分〜４０分の間浸漬して、異方性エッチング処理を行ってテクスチャ構造を形成する。
【０１１５】
この場合、テクスチャ構造が最適にできるよう、シリサイド層１０２およびｐ型シリコン系半導体基板１００の材質や形状に合わせて、水酸化カリウム水溶液の濃度、温度、時間などの条件を選択する。また、水酸化カリウムだけでなく、たとえば水酸化ナトリウムなどを含有するアルカリ水溶液をエッチング溶液として用いてもかまわない。
【０１１６】
図３は、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１における各ステップを示すための太陽電池の概略断面図である。ここで、図３は、図３（ａ）と図３（ｂ）とを含む。
【０１１７】
次いで、図３（ａ）に示すように、Ｐ２Ｏ５などのｎ型の拡散源およびシリコン酸化物やシリコン窒化物などを含むドーパント材料層１０３をスピンフローなどの方法によってｐ型シリコン系半導体基板１００の表面に塗布する。
【０１１８】
そして、図３（ｂ）において、上記ドーパント材料層１０３が塗布されたｐ型シリコン系半導体基板１００を拡散炉で、たとえば９００℃付近の温度で約２０分程度加熱処理を行い、ｐ型シリコン系半導体基板１００の受光面側にｎ＋層１０４を形成し、ｐｎ接合を形成する。また、このドーパント材料層１０３を加熱処理することにより、付随的に得られるシリコン酸化物やシリコン窒化物などを含む表面反射防止膜１１３をそのまま除去せずに用いることができる。
【０１１９】
この後、必要であれば表面反射防止膜１１３を除去して、表面反射防止膜として、たとえばシリコン酸化物やシリコン窒化物などの絶縁物を含む表面反射防止膜を、あらためて反射率が低減できる膜厚で形成してもよい。
【０１２０】
図４は、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１における各ステップを示すための太陽電池の概略断面図である。ここで、図４は、図４（ａ）と図４（ｂ）とを含む。
【０１２１】
次いで、図４（ａ）において、ｐ型シリコン系半導体基板１００の受光面側と反対側、すなわち裏面側に銀などを材質とする裏面電極材料層１０５を印刷などの方法により形成する。
【０１２２】
さらに、図４（ｂ）に示すように、
ｐ型シリコン系半導体基板１００の裏面の裏面電極材料層１０５が形成されていない部分にアルミニウムなどを材質とする裏面反射膜材料層１０６を印刷などの方法により形成して乾燥させる。
【０１２３】
図５は、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１における各ステップを示すための太陽電池の概略断面図である。ここで、図５は、図５（ａ）と図５（ｂ）とを含む。
【０１２４】
しかる後に、図５（ａ）に示すように、７００℃〜８００℃の温度範囲で加熱処理を施して裏面電極材料層１０５から裏面電極１１５を形成する。
【０１２５】
その際に、加熱処理によりアルミニウムを含有する裏面反射膜材料層１０６から、ｐ型ドーパントとしての機能を有するアルミニウム元素を拡散させてｐ型シリコン系半導体基板１００と合金化させ、ｐ型シリコン系半導体基板１００のｐ型不純物より濃度の高いｐ＋層１０７を形成する。これによりｐ型不純物とｐ＋層１０７によりポテンシャルバリアを設けるＢＳＦ構造を形成し、太陽電池のキャリア閉込め効果に関する性能を向上させる。
【０１２６】
なお、この際、加熱処理により裏面反射膜材料層１０６から裏面反射膜１１６が形成されるので、除去せずにそのまま用いる。この裏面反射膜１１６により、太陽電池の光閉込め効果に関する性能を向上させる。
【０１２７】
次に、図５（ｂ）に示すように、ｐ型シリコン系半導体基板１００の受光面側の表面反射防止膜１１３上に、銀を含む材質からなる表面電極材料層を印刷などにより形成し乾燥させた後、６００℃〜７００℃の加熱処理により表面電極材料層から表面電極１０８を形成する。
【０１２８】
図６は、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１における各ステップを示すための太陽電池の概略断面図である。
【０１２９】
さらに、図６において、上記の銀を含む材質からなる表面電極１０８と銀を含む材質からなる裏面電極１１５とを、半田１０９により被覆して、太陽電池を形成する。
【０１３０】
図７は、本発明の実施例１を用いて形成したテクスチャ表面と、従来の方法を用いて形成したテクスチャ表面とを撮影したＳＥＭ写真、およびＳＥＭ写真における本発明の実施例１を用いて形成したテクスチャ表面と従来の方法を用いて形成したテクスチャ表面の位置を示す概略図である。図７は、図７（ａ）と図７（ｂ）とを含む。
【０１３１】
上記の本発明の太陽電池の製造方法の実施例１を用いて形成した、太陽電池に用いられたテクスチャ表面を有する半導体基板の、受光面側の表面のテクスチャ構造のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真を図７（ａ）に示す。
【０１３２】
ここで、図７（ａ）には、シリサイド層を形成せずテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域１１１も併せて載せている。１１０がシリサイド層を形成してテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域、１１１がシリサイド層を形成せずテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域、１１２はその境界である。
【０１３３】
図７（ｂ）は、図７（ａ）における、シリサイド層を形成してテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域１１０、シリサイド層を形成せずテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域１１１の位置を示す概略図である。
【０１３４】
図７から明らかなように、シリサイド層を形成してテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域１１０におけるテクスチャ構造は、シリサイド層を形成せずテクスチャ構造形成のための異方性エッチング処理を行った領域１１１におけるテクスチャ構造に比べて、きわめて細かくテクスチャ構造の凹凸が形成されている。そのため、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１を用いて形成した太陽電池においては、入射光の反射率を低減することが可能となり、さらなる高効率、高性能の太陽電池を製造することが可能となる。
【０１３５】
なお、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１では、Ｔｉを含むシリサイド材料層の形成後にＲＴＡ加熱処理を用いてシリサイド層を形成したが、本発明の太陽電池の製造方法においては、上記の加熱処理方法を特にＲＴＡ加熱処理に限定するものではなく、たとえば炉アニールを用いて約６００℃、約５分間の条件による加熱処理でシリサイド層を形成した場合にも、テクスチャ構造が図７（ａ）に示すように、Ｔｉを含むシリサイド層を形成しない場合に比べて、微細かつ均一に形成できる場合には問題なく加熱処理をすることができる。
【０１３６】
なお、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１では、ｎ型のドーパント材料層として、Ｐ２Ｏ５を含む材質を拡散源に用いたが、本発明の太陽電池の製造方法においては、Ｖ族の元素を含むものであれば、どのようなドーパント材料層であってもよい。たとえば、Ｖ族の元素を含むドーパント液でも固相源でもかまわない。
【０１３７】
また、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１では、ｐ型のシリコン系半導体基板に、Ｖ族の元素を含むドーパント材料層を形成したが、本発明の太陽電池の製造方法においては、たとえばｎ型のシリコン系半導体基板に、ＩＩＩ族の元素を含むドーパント材料層を形成して、太陽電池を製造することもできる。
【０１３８】
また、本発明の太陽電池の製造方法の実施例１では、あらかじめｐ型シリコン系半導体基板を用いたが、本発明の太陽電池の製造方法においては、ｐ型ではないシリコン系半導体基板の表面にテクスチャ構造を形成後に、イオン注入などの手法を用いてＰなどのＶ族の元素を注入してｐ型シリコン系半導体基板を作製してもよい。その場合には、イオン注入の後は、拡散炉などでたとえば約９００℃で、５分〜１０分間の加熱処理を行うことが好ましい。」
ウ　「【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献２の記載事項から、引用文献２には、以下の技術事項（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されている。
「従来から、一般に、単結晶シリコン太陽電池では、発電効率を向上させるために、光閉込め構造を形成する場合が多いところ、光閉じ込め構造として、半導体基板の裏面にアルミニウムなどの金属からなる反射膜を形成し、かつ、受光面側だけでなく、受光面と反対の裏面側にもテクスチャ構造を形成することにより、より一層優れた光閉込め効果を得ることができること、そして、その具体的構成として、両面にテクスチャ構造を形成したｐ型シリコン系半導体基板の裏面にアルミニウムなどを材質とする裏面反射膜材料層を形成すること。」
（３）平成２６年７月２５日付けの補正の却下の決定に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平２−９１７６号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
ア　「〔課題を解決するための手段〕
　上記課題を解決するため、請求項１記載の光電変換装置では、光電変換層の受光面および反対面にそれぞれ透明電極を有する充電変換素子を備え、反対面の電極外側に透明絶縁層を介して光反射層が設けられていて、同光反射層が、いったん前記光電変換素子を透過してきた光を反射して再び同素子に入射させるようにしている。」
イ　「〔実　施　例〕
　以下、この発明にかかる光電変換装置および半導体装置を、その一例をあらわす図面を参照しながら説明する。
　第１図は、請求項１記載の光電変換装置の一例をあらわす。
　
この光電変換装置は、複数の光電変換素子（例えば、光起電力素子）ＰＤ・・・が透明基板１の裏面に設けられている。
　透明電極３、４は、例えば、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電材料で形成されている。もちろん、電極３、４は同じ材料で形成することができるが、電極４は電極３と比べてエツチングし易い膜が使われる。例えば、形成条件（温度）や形成法（ＥＢ蒸着法とスパッタリング法）を変えるとにより、同じ材料でも、エッチング特性に差をもたせることができる。
　
この光電変換装置では、ＡｌやＡｇからなる光反射層６が、例えばＳｉＯ
２
膜等の透明絶縁層５を介して形成されている。
　この光電変換装置は、透明電極３から始まって（図で見て下に向け）光反射層６まで順に積層形成されている。光反射層６の形成は最後になされるのであるが、
光反射層６は、例えばＡｌやＡｇを全面に蒸着形成するだけ簡単に設けることができる。透明絶縁層５が、その上に形成されていて、光電変換素子ＰＤ間を電気的に短絡してしまう恐れがないからである。
ウ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献３の記載事項から、引用文献３には、以下の技術事項（以下「引用文献３の技術事項」という。）が記載されている。
「複数の光電変換素子（例えば、光起電力素子）が透明基板１の裏面に設けられた光電変換装置において、ＡｌやＡｇからなる光反射層６を全面に形成する際に、ＳｉＯ２膜等の透明絶縁層５を介して光反射層６を形成すると、光電変換素子ＰＤ同士が短絡しないようにすることができる。」
３　対比
（１）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「個別セル１０」、「上部Ｐ＋領域１１」、「下部Ｎ＋領域１２」、「導電性電極１４」、「導電性電極１５」及び「平板」は、それぞれ、本願補正発明の「電池預形成体ユニット」、「Ｐ型シリコン層基材」、「Ｎ型シリコン層基材」、「第一電極基材」、「第二電極基材」及び「電池預形成体」に相当する。
イ　引用発明の「個別セル１０を、０．０１ｃｍのオーダーの厚さ、３ｃｍのオーダーの直径を有するシリコンのような半導体材料の大面積のウエハで形成し、このウエハは、その中に拡散された、上部Ｐ＋領域１１と下部Ｎ＋領域１２を有する、普通のＮ型材料から構成され、その後、ウエハを、両面にニッケルメッキして、焼結した後、標準的で周知な方法で再ニッケルメッキし、それにより、シリコンウエハの上面及び下面に導電性電極１４および１５を画定」することは、本願補正発明の「複数の電池預形成体ユニットを提供し、各々の電池預形成体ユニットは、順に配列し且つ接触されて設置された第一電極基材と、Ｐ型シリコン層基材と、Ｎ型シリコン層基材と、第二電極基材と、を含む第一ステップ」に相当する。
ウ　引用発明の「１６４枚のウエハを、純粋な錫ウエハ２０，２１，２２及び２３のようなハンダウエハを介在させて、積層体の両端の終端ウエハ２４及び２５とともに、積層体に組み立て、その後、組立体を加熱炉内に配置して、ハンダ付けに適切な温度にし、介在ハンダウェハを隣接するウエハの対向するニッケルメッキされた電極の表面にハンダ付けして、完全な組立体とな」すことは、本願補正発明の「前記複数の電池預形成体ユニットを第一方向に沿って順に配列し且つ互いに接着させる第二ステップ」に相当する。
エ　引用発明の「組立積層体３０として示される組立積層体を、個別ウエハの面に垂直な複数の平行平板にスライスして、０．０１４インチ程度の厚さを持つ平板と」することは、本願補正発明の「前記第一方向に平行な方向に沿って、前記複数の電池預形成体ユニットをいくつかに切断し、複数の電池預形成体を形成する第三ステップ」に相当する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「複数の電池預形成体ユニットを提供し、各々の電池預形成体ユニットは、順に配列し且つ接触されて設置された第一電極基材と、Ｐ型シリコン層基材と、Ｎ型シリコン層基材と、第二電極基材と、を含む第一ステップと、
　前記複数の電池預形成体ユニットを第一方向に沿って順に配列し且つ互いに接着させる第二ステップと、
　前記第一方向に平行な方向に沿って、前記複数の電池預形成体ユニットをいくつかに切断し、複数の電池預形成体を形成する第三ステップと、
　を含む太陽電池の製造方法。」
で一致し、次の各点で相違する。
（３）相違点
ア　本願補正発明は、「各々の電池預形成体の一つの切断面に反射素子を形成する第四ステップと、を含み、」「前記反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からなり、また、反射層及び透明絶縁層を有し、透明絶縁層の厚さは１０ｎｍ〜５０ｎｍである」のに対して、引用発明では、反射素子に関する構成を有さない点。（相違点ア）
イ　電池預形成体の厚さについて、本願補正発明では「５０μｍ〜３００μｍ」であるのに対して、引用発明では「約０．０１２インチ」（０．０１２インチ＝３０４．８μｍ）である点。（相違点イ）
４　判断
（１）相違点アについて
　引用文献２には、上述のとおり、発電効率を向上させるために、光閉じ込め構造として、両面にテクスチャ構造（本願補正発明の「複数の微構造」に相当する。）を形成したｐ型シリコン系半導体基板の裏面にアルミニウムなどを材質とする裏面反射膜材料層を形成することが記載されている。
　また、引用発明のようなＰＮ接合部が受光面に露出する構造の太陽電池においても、引用文献２に記載されるような最も一般的な構造の太陽電池と同様、受光面に入射した光の一部が、受光面とは反対側の裏面から透過して、発電に寄与しないことがあり得ることは、当業者には自明のことであるから、発電効率を向上させるという太陽電池の周知の課題を解決するために、引用発明に、引用文献２の技術事項を適用して、受光面とは反対側の裏面に、テクスチャ構造を形成し、さらに、アルミニウムなどを材質とする反射膜材料層を形成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、その際、「個別ウエハの面に垂直な」方向に「導電性電極１４および１５」を有する複数の「個別セル１０」が積層された「積層体」の受光面とは反対側の裏面に、アルミニウムなどを材質とする裏面反射膜材料層を形成すれば、「導電性電極１４および１５」が短絡されることは自明のことであるところ、電気回路一般において、短絡を防止するために絶縁膜を介在させることは慣用手段であって、太陽電池の反射膜においても、引用文献３の技術事項として引用文献３に示されるように、透明絶縁膜を介して反射層を形成することは当業者にはよく知られていることである。
　すると、引用発明に反射膜材料層を形成する際に、短絡を防止しつつ反射膜が形成できるように、透明絶縁膜を介在させることは、当業者であれば、適宜設計し得ることである。また、透明絶縁膜の厚さは、絶縁性や透明度を考慮して適宜設計し得ることであって、本願補正発明のように１０〜５０ｎｍとすることに、格別困難性は認められない。
（２）相違点イについて
　一般に、太陽電池の厚さは適宜設計し得るものであり、５０〜３００μｍという数値も普通に用いられるものにすぎず、このことは、引用発明のようなＰＮ接合部が受光面に露出する構造の太陽電池においても、同様に、（光入射方向の）厚さは適宜設計し得ることは当業者には自明のことであり、引用発明の３０４．８μｍに換えて、５０〜３００μｍ程度の数値を採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
（３）請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の【請求の理由】「〔３〕」「（１）」で、
「まず、引用文献１及び２では、「縦型構造」の太陽電池が開示されている。引用文献３、５及び６は、本願において従来技術として示される構造（本願の図１等に示す構造）の太陽電池に関する発明である。また、引用文献４は「光電池用シリコン結晶の製法」に関する発明であり、その光電池の具体的構造については開示されていない。従って、本願発明の特徴である「縦型構造」を有しない引用文献３〜６と引用文献１又は２とを組み合わせることは、当業者にとっても困難であるものと思料する。」（当審註：この記載中の引用文献２、５、６が、それぞれ、本審決中での引用文献１、２、３である。）
と主張している。
　しかし、引用発明、引用文献２の技術事項、引用文献３の技術事項との組み合わせは、上記「（１）」で説示したとおりであり、また、請求人は、「本願発明の特徴である「縦型構造」を有しない引用文献３〜６と引用文献１又は２とを組み合わせること」が、なぜ、困難であるのかの理由や根拠を説明していないことも併せて考慮すると、上記請求人の主張は到底採用し得るものではない。
（４）効果について
　本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献１に記載された事項及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　また、請求人は、審判請求書の【請求の理由】「〔３〕」「（１）」で、
「本願発明１の太陽電池は、「水平方向に順に設置された第一電極とＰ型シリコン層とＮ型シリコン層と第二電極とを備える構造（以下「縦型構造」と呼ぶ）」を有すること、そのうえで、「縦型構造の太陽電池の太陽光を直接的に吸収する光入射面に対向する表面に透明絶縁層及び反射層を設置し、且つ縦型構造の太陽電池及び透明絶縁層の厚さをそれぞれ５０μｍ〜３００μｍと１０ｎｍ〜５０ｎｍとに制御する」ことで、「ｐｎ接合が光入射面によって直接的に露出されるので、光子が何れの素子にも透過されないで、直接的にｐｎ接合に達することができる。従って、前記ｐｎ接合が光子に対する吸収率を高め、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。」及び「縦型構造の太陽電池及び透明絶縁層の厚さをそれぞれ５０μｍ〜３００μｍと１０ｎｍ〜５０ｎｍとに制御することにより、縦型構造の太陽電池の縦方向での光透損失率が零であることを保証できる」との有利な効果を有することができる（段落［００１１］、［００２７］及び［００３１］）。」
と主張している。
　しかし、「ｐｎ接合が光入射面によって直接的に露出されるので、光子が何れの素子にも透過されないで、直接的にｐｎ接合に達することができる。従って、前記ｐｎ接合が光子に対する吸収率を高め、太陽電池の光電変換効率を高めることができる。」と主張する効果は、引用発明が奏し得る効果である。
　また、「縦型構造の太陽電池及び透明絶縁層の厚さをそれぞれ５０μｍ〜３００μｍと１０ｎｍ〜５０ｎｍとに制御することにより、縦型構造の太陽電池の縦方向での光透損失率が零であることを保証できる」と主張する効果について、該効果は、そもそも、本願の明細書及び図面に記載されたものではないところ、単に「光透損失率が零である」という効果であれば、引用文献２の技術事項の「両面にテクスチャ構造を形成したｐ型シリコン系半導体基板の裏面にアルミニウムなどを材質とする裏面反射膜材料層を形成すること」が奏し得る効果である。なお、「縦型構造の太陽電池及び透明絶縁層の厚さをそれぞれ５０μｍ〜３００μｍと１０ｎｍ〜５０ｎｍとに制御すること」という構成と、「縦型構造の太陽電池の縦方向での光透損失率が零であることを保証できる」という効果との因果関係については、本願の明細書及び図面に記載されておらず、かつ、本願の明細書及び図面の記載から自明のものでもないから、該効果の主張は、本願の明細書及び図面の記載に基づくものではなく、採用し得るものではない。
（５）結論
　したがって、本願補正発明は、引用発明、引用文献２の技術事項、引用文献３の技術事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
５．小括
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年１１月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成２６年６月１９日付けの手続補正は、平成２６年７月２５日付けで補正の却下の決定がなされているので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１２月２６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「複数の電池預形成体ユニットを提供し、各々の電池預形成体ユニットは、順に配列し且つ接触されて設置された第一電極基材と、Ｐ型シリコン層基材と、Ｎ型シリコン層基材と、第二電極基材と、を含む第一ステップと、
　前記複数の電池預形成体ユニットを第一方向に沿って順に配列し且つ互いに接着させる第二ステップと、
　前記第一方向に平行な方向に沿って、前記複数の電池預形成体ユニットをいくつかに切断し、複数の電池預形成体を形成する第三ステップと、
　各々の電池預形成体の一つの切断面に反射素子を形成する第四ステップと、
　を含み、
　前記反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からなることを特徴とする太陽電池の製造方法。」
２　引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された引用文献１、その記載内容、引用発明は、上記「第２」「［理由］」「２」「（１）」に記載したとおりである。
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平１−１１１８８７号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
ア　「本発明は、光電池用シリコン結晶の製法に関わる。
　太陽電池または光電池は光を吸収し、吸収光のエネルギーの大部分を電気エネルギーに変換する半導体装置である。この種の電池は多くの場合シリコン結晶から成る。ところが、
太陽電池表面に入射する光が全部半導体材料に吸収されるわけではなく、
他の一部は半導体材料の全厚を透過する。
　実用的な設計の電池では、電池の照射面に反射防止コーティングを施すことによって反射光量を抑制している。
透過光も電池背面にアルミニウムのような高反射性金属を溶着することによって捕捉するように配慮している。背面に溶着してあるこの反射性金属からの反射光は再び電池内を通過して電池の光吸収量が増えることになる。
　太陽電池前面からの反射による損失を軽減することは電池の設計において常に重要である。また、電池の厚さが一般に約３００μｍ以下となっている現状では透過損失の軽減も重要性を増しつつある。理想的な状態としては、反射及び透過損失がゼロとなり、入射光が残らず有効に半導体材料中に”捕捉”吸収され、電荷キャリアに変換されねばならない。本発明の目的は最大量の入射光を捕捉し、これを電荷キャリアに変換することにある。」（公報第２頁左上欄第１６行〜同頁左下欄第４行）
イ　「
本発明は（１１１）面を含むあらゆる結晶方位のシリコン表面のための組織加工方法を提供する。（１１１）シリコン面を組織加工する問題は異方性エツチングではなくフォトリソグラフィと等方性の組み合わせによって解決される。
　第３図は本発明の利用により得られる
光電池用シリコン材料のモデル・プロフィルを示す。電池の背面は上述のような組織加工によって“鋸歯”状構造を与えられている。
　第３図から明らかなように、反射光の一部は電池前面のキャリア収集接合面付近で吸収される。その結果、効率的なキャリア収集を行なわせるための少数キャリア拡散距離に対する条件が緩和される。さらにまた、薄いシリコン・デンドライトウェブ電池（５０μｍ）の開路電圧（ＶＯＣ）は薄い電池内の再結合容積が小さいから標準的な厚さ（１５０μｍ）の電池に比較して著しく改善される。ＶＯＣの増大を実現するため、例えば熱成長酸化物により電池背面を充分不活性化する。」（公報第３頁左上欄第１１行〜同頁左下欄第１３行）
ウ　「
第３図に示した組織加工済み結晶面を高反射性金属で被覆しなくてもよい場合もある。多くの場合、反射性金属で被覆しなくても背面及び前面でほとんど完全な全内部反射が起こると考えられ、このことは背面が金属格子を有し、反射性金属で前面被覆されていない両面電池構成でも組織加工の成果を実現できることを意味する。
エ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献４の記載事項から、引用文献４には、以下の技術事項（以下「引用文献４の技術事項」という。）が記載されている。
「太陽電池表面に入射する光が全部半導体材料に吸収されるわけではなく、入射光の一部は電池の頂面で反射し、他の一部は半導体材料の全厚を透過するところ、透過光も捕捉するように、電池の背面にフォトリソグラフィと等方性の組み合わせによる組織加工によって“鋸歯”状構造を与えると、背面でほとんど完全な全内部反射が起こる。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明を対比すると、上記「第２」「［理由］」「３」「（１）」と同様であって、両者は、上記「第２」「［理由］」「３」「（２）」で挙げた一致点で一致し、次の点で相違する。
（２）相違点
　本願発明は、「各々の電池預形成体の一つの切断面に反射素子を形成する第四ステップと、を含み、前記反射素子は、前記各々の電池預形成体の一つの切断面に形成された複数の微構造からなる」のに対して、引用発明では、反射素子に関する構成を有さない点。（相違点ウ）
４　判断
　引用文献４には、上述のとおり、透過光も捕捉するように、電池の背面にフォトリソグラフィと等方性の組み合わせによる組織加工によって“鋸歯”状構造（本願発明の「複数の微構造」に相当する。）を与えて反射素子を形成することが記載されている。
　また、引用発明のようなＰＮ接合部が受光面に露出する構造の太陽電池においても、引用文献４に記載されるような最も一般的な構造の太陽電池と同様、受光面に入射した光の一部が、受光面とは反対側の裏面から透過して、発電に寄与しないことがあり得ることは、当業者には自明のことであるから、発電効率を向上させるという太陽電池の周知の課題を解決するために、引用発明に、引用文献４の技術事項を適用して、太陽電池の背面に、“鋸歯”状構造を与えて反射素子を形成するステップを設けて、上記相違点ウに係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　また、本願発明が奏し得る効果は、引用発明及び引用文献４の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　してみると、本願発明は、引用発明及び引用文献４の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。