【事件の表示】
　特願２０１２−５２１１２４「半導体発光デバイスのための反射性コンタクト」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２７日国際公開、ＷＯ２０１１／０１０２３６、平成２４年１２月２７日国内公表、特表２０１２−５３３９０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、２０１０年６月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年７月２１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年６月２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２日に特許請求の範囲の補正がなされたが、平成２７年１月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである。
　
　
II．平成２７年４月２４日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年４月２４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「ｎ型領域とｐ型領域との間に配された発光層を含む半導体構造と、
　前記ｐ型領域上に配されたｐ側電極と
を含むデバイスであって、
　前記ｐ側電極が、
− 前記ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料と、
− 前記第１の部分に隣接する前記ｐ型領域の第２の部分と直接接触する
、前記第１の材料に隣接する
　前記第１の材料および前記第２の材料が、同一の厚さのプラナー状の層として形成されていることを特徴とするデバイス。」
に補正し、補正前の請求項１における「（ｐ型領域の第２の部分と直接接触する）第２の材料」が、「前記第１の材料に隣接する」との限定を行って、補正後の請求項１とすることを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００７−３３５７９３号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は、光反射金属層の金属のマイグレーションが抑制された半導体発光素子及びその製造方法に関する。」
　
　イ　「【００１０】
  図１に示す本発明の実施例１に従う半導体発光素子としての発光ダイオードは、大別して発光半導体領域１と、導電性を有する支持基板２と、光反射金属層３と、第１及び第２の貼合せ金属層４、５と、本発明に従うマイグレーション抑制層６と、第１の電極７と、第２の電極８とから成る。
【００１１】
  発光半導体領域１は、ダブルへテロ接合構造の発光ダイオードを構成するために、一般にｐ型クラッド層と呼ばれているｐ型半導体層９と、活性層１０と、一般にｎ型クラッド層と呼ばれているｎ型半導体層１１とを有している。」
　
　ウ　「【００１３】
  発光半導体領域１は、一方の主面１２と、この一方の主面１２に対向する他方の主面１３と、両主面１２，１３間の側面１４とを有し、例えば四角形の平板状に形成されている。」
　
　エ　「【００１４】
  平坦性及び結晶性が良い発光半導体領域１を厚く形成することは困難である。従って、発光半導体領域１は比較的薄くて機械的強度が小さいので、支持基板２によって支持されている。支持基板２は、一方の主面１５と他方の主面１６とを有する導電性シリコン半導体から成り、５×１０１８ｃｍ−３〜５×１０１９ｃｍ−３のｎ型不純物濃度を有し、且つ0.0001〜0.01Ω・ｃｍの抵抗率を有し、第１及び第２の電極７、８間の電流通路として機能する。また、支持基板２は、発光半導体領域１及び光反射金属層３を機械的に支持することが可能な厚み、好ましくは200〜1000μｍ、を有する。なお、支持基板２を、ｐ型不純物を含むシリコン半導体、又は別の導電性を有する半導体、又は金属で形成することもできる。
【００１５】
  光反射金属層３は、発光半導体領域１の他方の主面１３の内側部分１３ａのみに設けられ、他方の主面１３の外縁を含む外周部分１３ｂには設けられていない。この光反射金属層３は、活性層１０から他方の主面１３側に放射された光を
一方
【００１６】
  マイグレーション抑制層６は、例えば金（Au）から成り、発光半導体領域１の他方の主面１３の外周部分１３bに設けられ、光反射金属層３と同一の厚みを有する。マイグレーション抑制層６が設けられている他方の主面１３の外周部分１３bは、光反射金属層３が設けられている内側部分１３aを環状に囲む平面パターンを有する。」
　
　オ　「【００１９】
  第１の貼合せ金属層４は、光反射金属層３とマイグレーション抑制層６とを覆うように配置され且つこれ等に対して電気的及び機械的に結合されている。この実施例の第１の貼合せ金属層４は既に説明したように金から成るが、これに限ることなく、光反射金属層３よりもマイグレーションの少ない別の材料で形成することもできる。この第１の貼合せ金属層４の好ましい厚みは５０〜1000nmである。
【００２０】
  第２の貼合せ金属層５は支持基板２と第１の貼合せ金属層４との間に配置され、これ等に対して電気的及び機械的に結合されている。」
　
　カ　上記「発光半導体領域１」は、【００１１】に記載されるように「ｐ型半導体層９」と「ｎ型半導体層１１」を有し、また、【００１３】に記載されるように「一方の主面１２」と「他方の主面１３」を有するものであるところ、図１によれば、「ｎ型半導体層１１」側が「一方の主面１２」であり、「ｐ型半導体層９」側が「他方の主面１３」であると認められる。
　
　上記によれば、引用例には、
「発光半導体領域１と、導電性を有する支持基板２と、光反射金属層３と、第１及び第２の貼合せ金属層４、５と、マイグレーション抑制層６と、第１の電極７と、第２の電極８とから成る発光ダイオードであって、
　発光半導体領域１は、ｐ型半導体層９と、活性層１０と、ｎ型半導体層１１とを有しており、
　発光半導体領域１は、一方の主面１２と、この一方の主面１２に対向する他方の主面１３とを有しており、ｎ型半導体層１１側が一方の主面１２であり、ｐ型半導体層９側が他方の主面１３であり、
　支持基板２は、第１及び第２の電極７、８間の電流通路として機能するものであり、
　光反射金属層３は、発光半導体領域１の他方の主面１３の内側部分１３ａのみに設けられ、他方の主面１３の外縁を含む外周部分１３ｂには設けられておらず、
　マイグレーション抑制層６は、例えば金（Au）から成り、発光半導体領域１の他方の主面１３の外周部分１３bに設けられ、光反射金属層３と同一の厚みを有しており、　
　第１の貼合せ金属層４は、光反射金属層３とマイグレーション抑制層６とを覆うように配置され且つこれ等に対して電気的及び機械的に結合されており、
　第２の貼合せ金属層５は支持基板２と第１の貼合せ金属層４との間に配置され、これ等に対して電気的及び機械的に結合されている発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　
３．対比・判断
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ｎ型半導体層１１」、「ｐ型半導体層９」及び「活性層１０」が、それぞれ、本願補正発明の「ｎ型領域」、「ｐ型領域」及び「発光層」に相当するところであり、引用発明の「発光半導体領域１」は、本願補正発明の「ｎ型領域とｐ型領域との間に配された発光層を含む半導体構造」に相当する。
（２）引用発明において、「光反射金属層３」と「マイグレーション抑制層６」は、「発光半導体領域１の他方の主面１３」の「内側部分１３ａ」と「外周部分１３ｂ」にそれぞれ設けられているところ、「発光半導体領域１の他方の主面１３」は、「ｐ型半導体層９側」の面である。
　そして、引用発明において、「支持基板２は、第１及び第２の電極７、８間の電流通路として機能するものであり」、「第２の貼合せ金属層５は支持基板２と第１の貼合せ金属層４との間に配置され、これ等に対して電気的及び機械的に結合されて」おり、「第１の貼合せ金属層４は、光反射金属層３とマイグレーション抑制層６とを覆うように配置され且つこれ等に対して電気的及び機械的に結合されて」いることに鑑みれば、引用発明の「光反射金属層３」と「マイグレーション抑制層６」は、ともに、「ｐ型半導体層９」に電流を供給する電極であると認められるところであり、本願補正発明の「前記ｐ型領域上に配されたｐ側電極」に相当する。
（３）引用発明の「発光半導体領域１の他方の主面１３の内側部分１３ａ」が、本願補正発明の「前記ｐ型領域の第１の部分」に相当するところであり、引用発明の「光反射金属層３」は、本願補正発明の「前記ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料」に相当する。
（４）引用発明の「発光半導体領域１の他方の主面１３の外周部分１３b」が、本願補正発明の「前記第１の部分に隣接する前記ｐ型領域の第２の部分」に相当するところであり、引用発明の「マイグレーション抑制層６」は、「発光半導体領域１の他方の主面１３の外周部分１３b」に設けられており、「光反射金属層３」に隣接しているものと認められるから、本願補正発明の「前記第１の部分に隣接する前記ｐ型領域の第２の部分と直接接触する、前記第１の材料に隣接する第２の材料」に相当する。
（５）引用発明の「マイグレーション抑制層６」は、「光反射金属層３と同一の厚みを有して」いるから、引用発明の「光反射金属層３」と「マイグレーション抑制層６」は、「同一の厚さのプラナー状の層として形成されている」ものと認められるところであり、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記第１の材料および前記第２の材料が、同一の厚さのプラナー状の層として形成されている」ものといえる。
（６）引用発明の「発光ダイオード」は、本願補正発明のように「デバイス」といえる。
（７）よって、本願補正発明と引用発明とは、
「ｎ型領域とｐ型領域との間に配された発光層を含む半導体構造と、
　前記ｐ型領域上に配されたｐ側電極と
を含むデバイスであって、
　前記ｐ側電極が、
− 前記ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料と、
− 前記第１の部分に隣接する前記ｐ型領域の第２の部分と直接接触する、前記第１の材料に隣接する第２の材料とを含み、
　前記第１の材料および前記第２の材料が、同一の厚さのプラナー状の層として形成されているデバイス。」
である点で一致し、両発明の間には差異はないから、本願発明は引用例に記載された発明である。
　
４．むすび
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は却下されたので、本願請求項に係る発明は、平成２６年１２月２日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載される事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項によって特定されるものである。
　
「ｎ型領域とｐ型領域との間に配された発光層を含む半導体構造と、
　前記ｐ型領域上に配されたｐ側電極と
を含むデバイスであって、
　前記ｐ側電極が、
− 前記ｐ型領域の第１の部分と直接接触する反射性の第１の材料と、
− 前記第１の部分に隣接する前記ｐ型領域の第２の部分と直接接触する第２の材料とを含み、
　前記第１の材料および前記第２の材料が、同一の厚さのプラナー状の層として形成されていることを特徴とするデバイス。」
　　
２．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から第２の材料に関する「前記第１の材料に隣接する」との事項を省いたものであるから、上記II．［理由］２．及び３．における検討からみて、引用例に記載された発明であると認められる。
　　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。