【事件の表示】
　特願２０１１−２１８０４３「太陽電池用導電性ペースト組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月２５日出願公開、特開２０１３−　７７７７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年９月３０日の出願であって、平成２６年２月２６日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、同年４月２８日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年６月３０日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、同年１０月７日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年１０月７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１０月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、そのうち本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を限定的に減縮することを目的として下記のとおりに補正したものである。
「【請求項１】
　受光面電極が半導体基板のリン拡散によるｎ層側の受光面に設けられた反射防止膜を通して該ｎ層とオーミックコンタクトが形成される太陽電池の、該受光面電極を形成するために該半導体基板の受光面上に塗布される太陽電池用導電性ペースト組成物であって、
　前記太陽電池用導電性ペースト組成物は、77〜88wt%の導電性粉末と、1〜10wt%のガラスフリットと、8〜14wt%のベヒクルと、2〜5wt%の溶剤とを含み、
　前記ガラスフリットは、酸化物換算で32〜65(mol%)のPbOと、3〜18(mol%)のB2O3と、12〜50(mol%)のSiO2と、0.6〜30(mol%)のAl2O3と、0.6〜21(mol%)のLi2Oと、1〜6(mol%)のP2O5とを含み、且つPb/(Si＋Al)(mol比)が0.6〜2.6の範囲内にあるガラスから成ることを特徴とする太陽電池用導電性ペースト組成物。」
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
３　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前である平成２３年３月３１日に頒布された「特開２０１１−６６３５４号公報」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
ア　明細書の記載
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ファイヤースルー法で形成する
太陽電池電極用に好適なペースト組成物
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　ところで、上述した太陽電池において、受光面電極は入射する太陽光を遮るので、太陽電池セルに入るエネルギー量はその受光面電極の占める面積に応じて減少する。これに対して、受光面電極の線幅を細くして受光面積を増大することが考えられるが、線幅を細くするほど良好なオーミックコンタクトが得られ難くなって接触抵抗が高くなり、延いては電流密度の低下が起こるため、変換効率は却って低下する。
【０００９】
　また、受光面電極の線幅を細くすると電極断面積が小さくなることからライン抵抗が増大する。ガラス量を少なくして導体成分割合を大きくすることで抵抗の増大を抑制することが考えられるが、ガラス量が少なくなるほど反射防止膜との反応性が低下し、延いてはファイヤースルー性が低下するから、オーミックコンタクトが一層悪くなる。
【００１０】
　本発明は、以上の事情を背景として為されたもので、その目的は、オーミックコンタクトやライン抵抗の悪化を伴うことなく受光面電極の細線化が可能な太陽電池電極用ペースト組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　斯かる目的を達成するため、本発明の要旨とするところは、導電性粉末と、ガラスフリットと、ベヒクルとを含む太陽電池電極用ペースト組成物であって、前記ガラスフリットが酸化物換算でLi2O 0.6〜18(mol%)、PbO 20〜65(mol%)、B2O3 1〜18(mol%)、SiO2 20〜65(mol%)の範囲内の割合で含むガラスから成ることにある。
【発明の効果】
【００１２】
　このようにすれば、太陽電池電極用ペースト組成物は、これを構成するガラスフリットがLi2O 0.6〜18(mol%)、PbO 20〜65(mol%)、B2O3 1〜18(mol%)、SiO2 20〜65(mol%)の範囲内の割合で含むガラスから成ることから、反射防止膜上に塗布して受光面電極を形成するに際して優れたファイヤースルー性が得られるため、線幅を細くしても良好なオーミックコンタクトが得られる。しかも、本発明のペースト組成物は、優れたファイヤースルー性を有することから、良好なオーミックコンタクトを保ったままガラス量を減じることができるので、受光面電極のライン抵抗を一層低くできる利点がある。したがって、本発明の太陽電池電極用ペースト組成物によれば、オーミックコンタクトやライン抵抗の悪化を伴うことなく受光面電極の細線化が可能になる。この結果、細線化して受光面積を大きくしても十分に接触抵抗が低いことから曲線因子が低下しないので、光電変換効率の高い太陽電池セルが得られる。」
「【発明を実施するための形態】
【００３２】
　以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の実施例において図は適宜簡略化或いは変形されており、各部の寸法比および形状等は必ずしも正確に描かれていない。
【００３３】
　図１は、本発明の一実施例の導電性組成物が適用されたシリコン系太陽電池１０の断面構造を模式的に示す図である。図１において、太陽電池１０は、例えば
ｐ型多結晶半導体であるシリコン基板１２
【００３４】
　上記のｎ層１４およびｐ+層１６は、シリコン基板１２の上下面に不純物濃度の高い層を形成することで設けられたもので、その高濃度層の厚さ寸法はｎ層１４が例えば70〜100(nm)程度、ｐ+層１６が例えば500(nm)程度である。ｎ層１４は、一般的なシリコン系太陽電池では100〜200(nm)程度であるが、本実施例ではそれよりも薄くなっており、シャローエミッタと称される構造を成している。なお、
ｎ層１４に含まれる不純物は、ｎ型のドーパント、例えば燐(P)
【００３５】
　また、前記の反射防止膜１８は、例えば、窒化珪素 Si3N4等から成る薄膜で、例えば可視光波長の１／４程度の光学的厚さ、例えば80(nm)程度で設けられることによって10(％)以下、例えば2(％)程度の極めて低い反射率に構成されている。
【００３６】
　また、前記の受光面電極２０は、例えば一様な厚さ寸法の厚膜導体から成るもので、図２に示されるように、受光面２４の略全面に、多数本の細線部を有する櫛状を成す平面形状で設けられている。上記の厚膜導体は、Agを67〜98(wt%)の範囲内、例えば94.3(wt%)程度、およびガラスを2〜33(wt%)の範囲内、例えば5.7(wt%)程度を含む厚膜銀から成るもので、そのガラスは酸化物換算した値で、PbOを20〜65(mol%)の範囲内、例えば39(mol%)程度、B2O3を1〜18(mol%)の範囲内、例えば12.0(mol%)程度、SiO2を20〜65(mol%)の範囲内、例えば31.0(mol%)程度、Li2Oを0.6〜18(mol%)の範囲内、例えば6.0(mol%)程度、Al2O3を0〜6(mol%)の範囲内、例えば3(mol%)程度、TiO2を0〜6(mol%)の範囲内、例えば3(mol%)程度、ZnOを0〜30(mol%)の範囲内、例えば6(mol%)程度の割合でそれぞれ含む鉛ガラスである。また、上記の導体層の厚さ寸法は例えば20〜30(μm)の範囲内、例えば25(μm)程度で、細線部の各々の幅寸法は例えば80〜130(μm)の範囲内、例えば100(μm)程度で、十分に高い導電性を備えている。」
「【００３８】
　本実施例の太陽電池１０は、受光面電極２０が前述したようにPbOを20〜65(mol%)の範囲内、B2O3を1〜18(mol%)の範囲内、SiO2を20〜65(mol%)の範囲内、Li2Oを0.6〜18(mol%)の範囲内、Al2O3を0〜6(mol%)の範囲内、TiO2を0〜6(mol%)の範囲内、ZnOを0〜30(mol%)の範囲内の割合でそれぞれ含む鉛ガラス組成の鉛ガラスを2〜33(wt%)の範囲で含む厚膜銀で構成されていることから、線幅が100(μm)程度に細くされているにも拘わらず、ｎ層１４との間で良好なオーミックコンタクトが得られ、接触抵抗が低くなっている。
【００３９】
　しかも、本実施例の受光面電極２０は、前述したようにガラス量が5.7(wt%)程度と少量にされていることから高い導電性を有しているため、膜厚および線幅が何れも小さくされているにも拘わらずライン抵抗が低いので、接触抵抗が低いことと相俟って太陽電池１０の光電変換効率が高められている。
【００４０】
　上記のような受光面電極２０は、例えば、導体粉末と、ガラスフリットと、ベヒクルと、溶剤とから成る電極用ペーストを用いて良く知られたファイヤースルー法によって形成されたものである。その受光面電極形成を含む太陽電池１０の製造方法の一例を以下に説明する。
【００４１】
　まず、上記ガラスフリットを作製する。Li源として炭酸リチウム Li2CO3を、Si源として二酸化珪素 SiO2を、B源として硼酸 B2O3を、Pb源として鉛丹 Pb3O4を、Al源として酸化アルミニウム Al2O3を、Ti源として酸化チタン TiO2を、Zn源として酸化亜鉛 ZnOをそれぞれ用意し、前述した範囲内の適宜の組成となるように秤量して調合する。これを坩堝に投入して組成に応じた900〜1200(℃)の範囲内の温度で、30分〜1時間程度溶融し、急冷することでガラス化させる。このガラスを遊星ミルやボールミル等の適宜の粉砕装置を用いて粉砕する。粉砕後の平均粒径(D50)は例えば0.3〜3.0(μm)程度である。
【００４２】
　一方、導体粉末として、例えば、平均粒径(D50)が0.3〜3.0(μm)の範囲内の市販の球状の銀粉末を用意する。このような平均粒径が十分に小さい銀粉末を用いることにより、塗布膜における銀粉末の充填率を高め延いては導体の導電率を高めることができる。また、前記ベヒクルは、有機溶剤に有機結合剤を溶解させて調製したもので、有機溶剤としては、例えばブチルカルビトールアセテートが、有機結合剤としては、例えばエチルセルロースが用いられる。ベヒクル中のエチルセルロースの割合は例えば15(wt%)程度である。また、ベヒクルとは別に添加する溶剤は、例えばブチルカルビトールアセテートである。すなわち、これに限定されるものではないが、ベヒクルに用いたものと同じ溶剤でよい。この溶剤は、ペーストの粘度調整の目的で添加される。
【００４３】
　以上のペースト原料をそれぞれ用意して、例えば
導体粉末を77〜88(wt%)、ガラスフリットを1〜10(wt%)、ベヒクルを7〜14(wt%)、溶剤を3〜5(wt%)の割合で
混合した後、
分散処理を行う
これにより、前記電極用ペーストが得られる
【００４４】
　上記のようにして電極用ペーストを調製する一方、
適宜のシリコン基板に
不純物を拡散し或いは注入して前記ｎ層１４
を形成
次いで、これに
窒化珪素薄膜を形成し、前記反射防止膜１８を設け
【００４５】
　
次いで、上記の反射防止膜１８上に
電極用ペーストをスクリーン印刷する
焼成処理を施す
これにより、
シリコン基板１２と受光面電極２０とのオーミックコンタクトが得られる
受光面電極２０は、このようにして形成される
【００４６】
　なお、前記裏面電極２２は、上記工程の後に形成してもよいが、受光面電極２０と同時に焼成して形成することもできる。裏面電極２２を形成するに際しては、上記シリコン基板１２の裏面全面に、例えばアルミニウムペーストをスクリーン印刷法等で塗布し、焼成処理を施すことによってアルミニウム厚膜から成る前記全面電極２６を形成する。更に、その全面電極２６の表面に前記電極用ペーストをスクリーン印刷法等を用いて帯状に塗布して焼成処理を施すことによって、前記帯状電極２８を形成する。これにより、裏面全面を覆う全面電極２６と、その表面の一部に帯状に設けられた帯状電極２８とから成る裏面電極２２が形成され、前記の太陽電池１０が得られる。上記工程において、同時焼成で製造する場合には、受光面電極２０の焼成前に印刷処理を施すことになる。
【００４７】
　ガラス組成を種々変更して、上記の製造工程に従って太陽電池１０を製造し、市販のソーラーシミュレータを用いてその出力を測定して曲線因子ＦＦ値を評価した結果を、ガラス組成と併せて表１に示す。表１において、No.1〜4、6〜24、26〜29、32〜38、41、42、44、45、47〜50、53〜56、58〜63、65〜72、74〜91、93〜97、99、100が実施例で、その他が比較例である。一般に、太陽電池はＦＦ値が７０以上であれば使用可能とされているが、高いほど好ましいのはもちろんであり、本実施例においては、ＦＦ値が７５より大きいものを合格とした。
【００４８】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
イ　図面の記載
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ウ　上記アの記載事項の考察
　上記アの記載事項の【００１１】及び【００３６】には、ガラスの組成について「酸化物換算」で記載されており、引用例に「酸化物換算」以外で記載する根拠もないことから、同【００４８】の【表１】に記載された組成についても「酸化物換算」で記載されているといえる。
エ　引用例記載の発明
　上記ア及びイの記載事項並びに上記ウの考察によると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　ただし、ガラスフリット組成については、上記アの記載事項の【表１】のNo.67を採用した。
「ｐ型多結晶半導体であるシリコン基板１２に燐(P)を拡散し或いは注入してｎ層１４を形成し、
　次いで、これに窒化珪素薄膜を形成し、反射防止膜１８を設け、
　次いで、上記の反射防止膜１８上にスクリーン印刷して焼成処理を施すことにより受光面電極２０を形成して、シリコン基板１２と受光面電極２０とのオーミックコンタクトが得られる太陽電池電極用ペースト組成物であって、
　太陽電池電極用ペースト組成物は、導体粉末を77〜88(wt%)、ガラスフリットを1〜10(wt%)、ベヒクルを7〜14(wt%)、溶剤を3〜5(wt%)の割合で混合した後、分散処理を行い得られるものであり、
　ガラスフリットは、酸化物換算で42.3(mol%)のPbOと、6.0(mol%)のB2O3と、33.7(mol%)のSiO2と、3.0(mol%)のAl2O3と、6.0(mol%)のLi2Oと、3.0(mol%)のTiO2と、6.0(mol%)のZnOからなる、太陽電池電極用ペースト組成物。」
４　対比 
　ここで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ｐ型多結晶半導体であるシリコン基板１２」、「ｎ層１４」、「反射防止膜１８」、「受光面電極２０」及び「太陽電池電極用ペースト組成物」は、本件補正発明の「半導体基板」、「ｎ層」、「反射防止膜」、「受光面電極」及び「太陽電池用導電性ペースト組成物」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明の「ｐ型多結晶半導体であるシリコン基板１２に燐(P)を拡散し或いは注入してｎ層１４を形成し、次いで、これに窒化珪素薄膜を形成し、反射防止膜１８を設け、次いで、上記の反射防止膜１８上にスクリーン印刷して焼成処理を施すことにより受光面電極２０を形成して、シリコン基板１２と受光面電極２０とのオーミックコンタクトが得られる太陽電池電極用ペースト組成物」は、本件補正発明の「受光面電極が半導体基板のリン拡散によるｎ層側の受光面に設けられた反射防止膜を通して該ｎ層とオーミックコンタクトが形成される太陽電池の、該受光面電極を形成するために該半導体基板の受光面上に塗布される太陽電池用導電性ペースト組成物」に相当する。
（３）引用発明の「太陽電池電極用ペースト組成物は、導体粉末を77〜88(wt%)、ガラスフリットを1〜10(wt%)、ベヒクルを7〜14(wt%)、溶剤を3〜5(wt%)の割合で混合した後、分散処理を行い得られるものであ」る構成は、本件補正発明の「太陽電池用導電性ペースト組成物は、77〜88wt%の導電性粉末と、1〜10wt%のガラスフリットと、8〜14wt%のベヒクルと、2〜5wt%の溶剤とを含」む構成に相当する。
（４）引用発明の「太陽電池電極用ペースト組成物」の「ガラスフリットは、酸化物換算で42.3(mol%)のPbOと、」「33.7(mol%)のSiO2と、3.0(mol%)のAl2O3と」「を含む」から、これらの数値からPb/(Si＋Al)(mol比)が約1.15となる。
　そうすると、引用発明の「ガラスフリットは、酸化物換算で42.3(mol%)のPbOと、6.0(mol%)のB2O3と、33.7(mol%)のSiO2と、3.0(mol%)のAl2O3と、6.0(mol%)のLi2Oと、3.0(mol%)のTiO2と、6.0(mol%)のZnOからなる」構成と、本件補正発明の「ガラスフリットは、酸化物換算で32〜65(mol%)のPbOと、3〜18(mol%)のB2O3と、12〜50(mol%)のSiO2と、0.6〜30(mol%)のAl2O3と、0.6〜21(mol%)のLi2Oと、1〜6(mol%)のP2O5とを含み、且つPb/(Si＋Al)(mol比)が0.6〜2.6の範囲内にあるガラスから成る」構成とは、「ガラスフリットは、酸化物換算で32〜65(mol%)のPbOと、3〜18(mol%)のB2O3と、12〜50(mol%)のSiO2と、0.6〜30(mol%)のAl2O3と、0.6〜21(mol%)のLi2Oと」「を含み、且つPb/(Si＋Al)(mol比)が0.6〜2.6の範囲内にあるガラスから成る」構成で共通する。
　
　上記（１）ないし（４）の点から、本件補正発明と引用発明は、 
「受光面電極が半導体基板のリン拡散によるｎ層側の受光面に設けられた反射防止膜を通して該ｎ層とオーミックコンタクトが形成される太陽電池の、該受光面電極を形成するために該半導体基板の受光面上に塗布される太陽電池用導電性ペースト組成物であって、
　前記太陽電池用導電性ペースト組成物は、77〜88wt%の導電性粉末と、1〜10wt%のガラスフリットと、8〜14wt%のベヒクルと、2〜5wt%の溶剤とを含み、
　前記ガラスフリットは、酸化物換算で32〜65(mol%)のPbOと、3〜18(mol%)のB2O3と、12〜50(mol%)のSiO2と、0.6〜30(mol%)のAl2O3と、0.6〜21(mol%)のLi2Oとを含み、且つPb/(Si＋Al)(mol比)が0.6〜2.6の範囲内にあるガラスから成ることを特徴とする太陽電池用導電性ペースト組成物。」で一致し、以下の点で相違する。
 　 
（相違点）
　「ガラスフリット」の「ガラス」の「P2O5」の量が「酸化物換算で」、本件補正発明は、「1〜6(mol%)」であるのに対し、引用発明は、P2O5を含まない点。
 　 
５　当審の判断 
（１）上記相違点について
　燐を含むｎ層に接続する受光面電極を形成するためのガラスフリットを含む太陽電池電極形成用導電性ペースト組成物において、電極形成用導電性ペースト組成物にガラスフリットを含め、該ガラスフリットにP2O5を添加すること、及び、太陽電池の電極形成用導電性ペーストにリン成分を添加することにより、接触抵抗を低減させることは、いずれも周知技術（前者は、特表２００８−５２００９４号公報の【０００２】、【０００８】〜【００１０】、【００１６】、【表１】、【表２】、国際公開第２０１０／１４８３８２号の第１頁第５〜８行、第２頁第２９行〜第３頁第２５行、第４頁第６行〜第７頁第１５行、第１１頁第２０行〜第１２頁第３行、TableＩ、FIG.1A〜FIG.1F、国際公開第２０１０／１４７１６０号の［００１７］、［００３０］、［００５６］、［図２］、特開２０１１−３５０３４号公報の【００１２】、【００２０】、【００３１】〜【００３９】、【図１】参照。後者は、特表２００８−５２００９４号公報の【０００２】、【０００６】、【００１６】、【００１８】、【表１】、【表２】、特開昭５９−１６８６６７号公報の第２頁右上欄第１行〜同右下欄第１８行参照。）である。
　そして、引用発明の「太陽電池用導電性ペースト組成物」においても、電極形成時に接触抵抗を低減させることは当然求められる課題であるから、引用発明の「太陽電池電極用ペースト組成物」において、接触抵抗を低減させるためにリン成分を添加することは、当業者が容易に想到し得たことであり、その添加手段として、「太陽電池電極用ペースト組成物」の「ガラスフリット」にP2O5を添加する手段を採用することに、格別の困難性も阻害要因もない。
　また、本願明細書に記載された「受光面電極のオーミックコンタクトの確保」（【００２１】）、「曲線因子ＦＦ値およびリーク電流Id」（【００５７】）は、太陽電池の形成時には当然考慮する課題であるから、上記した、引用発明の「太陽電池電極用ペースト組成物」の「ガラスフリット」にP2O5を添加する際に、受光面電極のオーミックコンタクトの確保、曲線因子ＦＦ値、リーク電流Id等を考慮しながら、その添加量を酸化物換算で1〜6(mol%)とすることは、当業者が適宜設計できたことである。
　 
（２）効果について
　上記相違点については以上のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　なお、本願明細書には、実施例の記載として「Ti、Zn、Zr、Pが含まれていなくとも高い特性が得られることはNo.5、17等からも明らかである」（【００６３】）と記載され、また、【表１】に示されたデータでは、例えば、TiO2とZnOを含みP2O5を含まないNo.40〜43は、TiO2とZnOを含まずP2O5を含むNo.45〜56と同等の良好な結果が得られていることからすれば、本件補正発明の「1〜6(mol%)のP2O5」「を含」む構成によって格別の効果を奏するとは認められない。
（３）結論
　よって、本件補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
６　本件補正についての補正の却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成２６年１０月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年４月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　導電性粉末と、ガラスフリットと、ベヒクルとを含む太陽電池用導電性ペースト組成物であって、
　前記ガラスフリットが酸化物換算で32〜65(mol%)のPbOと、3〜18(mol%)のB2O3と、12〜50(mol%)のSiO2と、0.6〜30(mol%)のAl2O3と、0.6〜21(mol%)のLi2Oと、0(但し、0を除く)〜6(mol%)のP2O5とを含み、且つPb/(Si＋Al)(mol比)が0.6〜2.6の範囲内にあるガラスから成ることを特徴とする太陽電池用導電性ペースト組成物。」
 　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された引用刊行物及びその記載事項、並びに引用発明は、上記「第２」［理由］「３」に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、本件補正発明の「太陽電池用導電性ペースト組成物」が「受光面電極が半導体基板のリン拡散によるｎ層側の受光面に設けられた反射防止膜を通して該ｎ層とオーミックコンタクトが形成される太陽電池の、該受光面電極を形成するために該半導体基板の受光面上に塗布される」ものである事項、及び、「2〜5wt%の溶剤」「を含」む事項を省き、本件補正発明の発明特定事項である「導電性粉末」、「ガラスフリット」及び「ベヒクル」に関し、その含有量がそれぞれ「77〜88wt%」、「1〜10wt%」及び「8〜14wt%」である事項を省き、本件補正発明の発明特定事項である「ガラスフリット」の「ガラス」に含まれる「P2O5」の量を「1〜6(mol%)」から「0(但し、0を除く)〜6(mol%)」と拡張したものである。
　ここで、本願発明の発明特定事項を全て含み、上記構成を限定した本件補正発明が、上記「第２」［理由］「４」及び「５」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。