【手続補正書】
【提出日】令和2年3月23日(2020.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システムにおいて、生産基板のロットの処理中に実行されるウェハレスドライクリーニングプロセスをモニタリング及び制御するための方法であって、
前記プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバ内で前記ロットの第１の生産基板を処理するステップと、
前記プラズマ処理チャンバから前記第１の生産基板を除去した後に、ドライクリーニングガスを前記プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバ内に流すステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを点火して、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの第１のインスタンスを開始するステップと、
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記第１のインスタンス中に、前記プラズマ処理チャンバに取り付けられた発光分光法システムから発光スペクトルを取得するステップと、
前記プラズマ処理システムの前記プラズマ処理チャンバ内で前記ロットの第２の生産基板を処理するステップと、
前記プラズマ処理チャンバから前記第２の生産基板を除去した後に、前記ドライクリーニングガスを前記プラズマ処理システムの前記プラズマ処理チャンバ内に流すステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを点火して、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの第２のインスタンスを開始するステップと、
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記第２のインスタンス中に、前記プラズマ処理チャンバに取り付けられた前記発光分光法システムから発光スペクトルを取得するステップと、
生産基板のロットの処理中の前記プラズマ処理チャンバの一貫したクリーンレベルを提供するように、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記第１のインスタンスの取得された前記発光スペクトルに基づいて、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記第２のインスタンスの少なくとも１つのパラメータを調整するステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記プラズマ処理システムはプラズマエッチングシステムである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマ処理システムはプラズマ蒸着システムである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記発光スペクトルを取得するステップは、前記プラズマ処理チャンバ内に置かれる製品基板がない前記ウェハレスドライクリーニングプロセス中に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記発光スペクトルを取得するステップは、前記プラズマ処理チャンバ内に載置されたダミー基板を用いて実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータは、
前記プラズマ処理チャンバに供給される無線周波数（ＲＦ）又はマイクロ波電力と、
ＲＦ又はマイクロ波電力パルス周波数と、
ＲＦ又はマイクロ波パルスデューティサイクルと、
前記プラズマ処理チャンバ内の基板ホルダに供給されるＲＦ電力と、
前記基板ホルダに近接する１つ以上の磁石の磁場と、
前記基板ホルダの直流（ＤＣ）バイアスと、
前記基板ホルダに近接して配置された少なくとも１つの電極に供給されるＤＣバイアス電圧と、
ドライクリーニングガス流量と、
ドライクリーニングガス圧と、
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの継続時間と、
からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記調整するステップは、取得された前記発光スペクトルに基づいて前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを調整して、前記プラズマ処理チャンバのウェットクリーニング間の時間を最大にするステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記調整するステップは、取得された前記発光スペクトルに基づいて前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを調整して、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの持続時間を最小にするステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記調整するステップは、取得された前記発光スペクトルに基づいて前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを調整して、前記プラズマ処理チャンバの構成要素の寿命を最大にするステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記調整するステップは、取得された前記発光スペクトルに基づいて前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを調整して、前記プラズマ処理チャンバ内の粒子生成を最小にするステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記調整するステップは、取得された前記発光スペクトルに基づいて前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを調整して、その後に処理される生産基板又は生産基板のロットの限界寸法（ＣＤ）均一性を最大にするステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記調整するステップは、前記プラズマ処理チャンバ内に載置されたダミー基板で取得された発光スペクトルを使用して、取得された前記発光スペクトルに基づいて前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを調整する、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記少なくとも１つのパラメータを調整するステップは、エクスシチュで実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記少なくとも１つのパラメータを調整するステップは、インシチュで実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記少なくとも１つのパラメータを調整するステップは、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの持続時間を最小にするように実行される、請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
前記ドライクリーニングガスは、酸素、酸素含有ガス、ＨＣｌ、Ｆ２、Ｃｌ２、水素、窒素、アルゴン、ＳＦ６、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＣＦ４又はこれらの２つ以上の混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
取得された前記発光スペクトルが所定の目標発光スペクトルと実質的に一致するときに、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスを終了するステップをさらに含み、
前記目標発光スペクトルは、所定の許容可能なクリーン状態についてプラズマ処理チャンバに特有である、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
残留成分の含有量がＯＥＳエンドポイント分析に基づいて決定されたレベルに近づいたときに、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスを終了するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
プラズマ処理ツールにおけるウェハレスドライクリーニングプロセスをモニタリング及び制御するための、請求項１に記載の方法をデータ処理システムに実行させる命令を記憶した非一時的機械アクセス可能記憶媒体。
【請求項２０】
前記プラズマ処理ツールにおける前記ウェハレスドライクリーニングプロセスをモニタリング及び制御するための前記方法は、
取得された前記発光スペクトルが所定の目標発光スペクトルと実質的に一致するときに、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスを終了するステップをさらに含み、
前記目標発光スペクトルは、クリーンな状態についてプラズマ処理チャンバに特有である、請求項１９に記載の記憶媒体。
【請求項２１】
１つ以上のコントローラと、
プラズマ処理チャンバと、
前記１つ以上のコントローラによって制御され、前記プラズマ処理チャンバ内に流すプロセスガス供給システムと、
前記ウェハレスドライクリーニングプロセス中に発光スペクトルを取得する前記プラズマ処理チャンバに取り付けられている発光分光法システムと、を含み、
前記１つ以上のコントローラが、当該プラズマ処理システムに請求項１に記載の方法を実行させる、プラズマ処理システム。
【請求項２２】
プラズマ処理ツールにおいてウェハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）プロセスをモニタリング及び制御するインシチュでの方法であって、
ウェハロットのうちの複数の生産基板に対して実行される製造プロセスを開始するステップと、
前記複数の生産基板のうちの少なくとも１つに対して実行された前記製造プロセス中にインシチュのモニタリングデータを収集するステップと、
前記ウェハロットのインシチュのデータ分析を実行するステップと、
前記ウェハロットの前記製造プロセス中の前記プラズマ処理ツールの一貫したクリーンレベルを提供するように、前記インシチュのモニタリングデータに基づいて前記ＷＬＤＣプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップと、を含み、
最適化される前記少なくとも１つのパラメータは、
プラズマ処理チャンバに供給される無線周波数（ＲＦ）又はマイクロ波電力と、
ＲＦ又はマイクロ波電力パルス周波数と、
ＲＦ又はマイクロ波パルスデューティサイクルと、
前記プラズマ処理チャンバ内の基板ホルダに供給されるＲＦ電力と、
前記基板ホルダに近接する１つ以上の磁石の磁場と、
前記基板ホルダの直流（ＤＣ）バイアスと、
前記基板ホルダに近接して配置された少なくとも１つの電極に供給されるＤＣバイアス電圧と、
ドライクリーニングガス流量と、
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの継続時間と、
からなる群から選択される、方法。
【請求項２３】
前記ＷＬＤＣプロセスは、
ドライクリーニングガスを前記プラズマ処理ツールのプラズマ処理チャンバ内に流すステップと、
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを点火して、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスを開始するステップと、
モニタリングシステムを使用して、前記ウェハレスドライクリーニングプロセス中に前記プラズマ処理チャンバ内のプラズマをモニタリングするステップと、
を含み、
前記モニタリングシステムは、発光分光法システム、レーザ誘起蛍光法システム、レーザ干渉計、残留ガス分析器、質量分析計、又はフーリエ変換赤外（ＦＴＩＲ）システムを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記プラズマ処理ツールはプラズマエッチングシステムである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記プラズマ処理ツールはプラズマ蒸着システムである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記プラズマをモニタリングするステップは、前記プラズマ処理チャンバ内に置かれる製品基板がない前記ウェハレスドライクリーニングプロセス中に発光スペクトルを取得する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、前記プラズマ処理チャンバのウェットクリーニング間の時間を最大にするように実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの持続時間を最小にするように実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、前記プラズマ処理チャンバの構成要素の寿命を最大にするように実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、前記プラズマ処理チャンバ内の粒子生成を最小にするように実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、その後に処理される生産基板又は生産基板のロットの限界寸法（ＣＤ）均一性を最大にするように実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、前記プラズマ処理チャンバ内に載置されたダミー基板で取得された発光スペクトルを使用して実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３３】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、エクスシチュで実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３４】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、インシチュで実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３５】
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの前記少なくとも１つのパラメータを最適化するステップは、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの持続時間を最小にするように実行される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３６】
プラズマ処理ツールにおけるウェハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）プロセスをモニタリング及び制御するための方法をデータ処理システムに実行させる命令を記憶した非一時的機械アクセス可能記憶媒体であって、前記方法は、
ウェハロットのうちの複数の生産基板に対して実行される製造プロセスを開始するステップと、
前記複数の生産基板のうちの少なくとも１つに対して実行された前記製造プロセス中にインシチュのモニタリングデータを収集するステップと、
前記ウェハロットのインシチュのデータを分析するステップと、
前記ウェハロットの前記製造プロセス中の前記プラズマ処理ツールの一貫したクリーンレベルを提供するように、前記インシチュのモニタリングデータに基づいて前記ＷＬＤＣプロセスの少なくとも１つのパラメータを最適化するステップと、を含み、
最適化される前記少なくとも１つのパラメータは、
プラズマ処理チャンバに供給される無線周波数（ＲＦ）又はマイクロ波電力と、
ＲＦ又はマイクロ波電力パルス周波数と、
ＲＦ又はマイクロ波パルスデューティサイクルと、
前記プラズマ処理チャンバ内の基板ホルダに供給されるＲＦ電力と、
前記基板ホルダに近接する１つ以上の磁石の磁場と、
前記基板ホルダの直流（ＤＣ）バイアスと、
前記基板ホルダに近接して配置された少なくとも１つの電極に供給されるＤＣバイアス電圧と、
ドライクリーニングガス流量と、
前記ウェハレスドライクリーニングプロセスの継続時間と、
からなる群から選択される、記憶媒体。
【請求項３７】
前記プラズマ処理ツールにおける前記ウェハレスドライクリーニングプロセスをモニタリング及び制御するための前記方法は、
取得された発光スペクトルが所定の目標発光スペクトルと実質的に一致するときに、前記ウェハレスドライクリーニングプロセスを終了するステップをさらに含み、
前記目標発光スペクトルは、クリーンな状態についてプラズマ処理チャンバに特有である、請求項３６に記載の記憶媒体。