【事件の表示】
　特願２０１１−２７４５３０「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月２４日出願公開，特開２０１２−　９９８３２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００３年（平成１５年）８月２２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００２年８月３０日，スウェーデン）を国際出願日とする特願２００４−５３２４９３号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２３年１２月１５日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年１２月１５日　上申書・審査請求
　平成２５年　８月１４日　拒絶理由通知
　平成２６年　２月１９日　意見書・手続補正書
　平成２６年　９月　８日　拒絶査定
　平成２７年　１月１６日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　２月２５日　手続補正書
　　　　　　　　　　　（審判請求書「請求の理由」を補正。）
　平成２７年　２月２６日　上申書
　平成２７年　３月　３日　手続補正書
　　　　　　　　　　　（審判請求書「提出物件の目録」を補正。）
　
第２　審判請求時の補正の適否
１　本件補正の内容
　平成２７年１月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲を補正するものであって，特許請求の範囲の記載は，本件補正の前後で以下のとおりである。  
　・補正前
　「【請求項１】
　前面及び裏面を有する基板層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域，
　ドリフト領域の前面に配された第一コンタクト電極，
　前面に配され，かつ少なくとも第一伝導性タイプのキャリアのドリフト領域への入射を制御する制御領域，及び
　ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する，ドリフト領域が第一コンタクト電極と第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された半導体装置において，
　ドリフト領域が，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハから成り，
　炭化ケイ素ウェーハがドリフト領域の裏面又は前面を形成する表面であって，１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　制御領域が，
　ドリフト領域内の前面の表面に配され，スペースで分離されている，所定の深さを有する第二伝導性タイプの少なくとも二つのベース領域；
　前面の表面に位置し，第二伝導性タイプのベース領域内にある第一伝導性タイプのソース領域；
　ソース領域を有するベース領域内の前面の表面に配され，ソース領域とベース領域の端の間に配されたチャネル領域；
　チャネル領域を制御するためのゲート電極；及び
　ゲート電極をチャネル領域から電気的に分離するためのゲート絶縁領域
を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項３】
　ゲート絶縁領域が，ソース領域の上に重なったチャネル領域の上に位置し，ベース領域の間のスペースに完全に重なっていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
　　【請求項４】
　第一電極が，ソース領域とベース領域に共通するオーミックコンタクトを備えたエミッタ電極であり，ゲート電極から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
　　【請求項５】
　第一電極が，ドリフト領域の前面全体にわたって延びたエミッタ電極であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項６】
　第二コンタクト電極がドリフト領域の裏側の表面に配された層を形成するコレクタ電極であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項７】
　コレクタ領域がドリフト領域内の裏側表面に位置していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項８】
　コレクタ領域が第二電極とオーミックコンタクトを形成していることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項９】
　コレクタ領域が第二伝導性タイプであることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項１０】
　コレクタ領域がドリフト領域の裏面全体にわたって延び，フィールドストップ領域を備えていることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項１１】
　コレクタ領域が小さい領域で区切られた幾つかのユニットに分けられ，第二コンタクト電極がそれぞれのコレクタユニット及びドリフト領域又はドリフト領域内のフィールドストップ領域と共通のオーミックコンタクトを形成していることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項１２】
　ドリフト領域の裏面が逆阻止のために接合終端エクステンションを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１３】
　ドリフト領域の前面が順方向阻止のために接合終端エクステンションを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１４】
　ドリフト領域の裏面に設けられた構造と前面における構造を一直線に並べるために，ドリフト領域の前面が位置合わせマークを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１５】
　デバイスがＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１６】
　炭化ケイ素ウェーハの表面がオンアクシスの配向を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。」
　・補正後
　「【請求項１】
　前面及び裏面を有する基板層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域，
　前記ドリフト領域の前面に配された第一コンタクト電極，
　前面に配され，かつ少なくとも前記第一伝導性タイプのキャリアの前記ドリフト領域への入射を制御する制御領域，及び
　前記ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する，前記ドリフト領域が前記第一コンタクト電極と前記第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された半導体装置において，
　前記ドリフト領域が，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハから成り，
　前記炭化ケイ素ウェーハが前記ドリフト領域の裏面又は前面を形成する表面であって，１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記制御領域が，
　前記ドリフト領域内の前面の表面に配され，スペースで分離されている，所定の深さを有する第二伝導性タイプの少なくとも二つのベース領域；
　前記前面の表面に位置し，前記第二伝導性タイプの前記ベース領域内にある前記第一伝導性タイプのソース領域；
　前記ソース領域を有する前記ベース領域内の前面の表面に配され，前記ソース領域と前記ベース領域の端の間に配されたチャネル領域；
　前記チャネル領域を制御するためのゲート電極；及び
　前記ゲート電極を前記チャネル領域から電気的に分離するためのゲート絶縁領域
を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項３】
　前記ゲート絶縁領域が，前記ソース領域の上に重なった前記チャネル領域の上に位置し，前記ベース領域の間のスペースに完全に重なっていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
　　【請求項４】
　前記第一コンタクト電極が，前記ソース領域と前記ベース領域に共通するオーミックコンタクトを備えたエミッタ電極であり，前記ゲート電極から電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
　　【請求項５】
　前記第一コンタクト電極が，前記ドリフト領域の前面全体にわたって延びたエミッタ電極であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項６】
　前記第二コンタクト電極が前記ドリフト領域の裏側の表面に配された層を形成するコレクタ電極であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項７】
　コレクタ領域が前記ドリフト領域内の裏側表面に位置していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項８】
　前記コレクタ領域が前記第二コンタクト電極とオーミックコンタクトを形成していることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項９】
　前記コレクタ領域が第二伝導性タイプであることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項１０】
　前記コレクタ領域が前記ドリフト領域の裏面全体にわたって延び，フィールドストップ領域を備えていることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項１１】
　前記コレクタ領域が小さい領域で区切られた幾つかのユニットに分けられ，前記第二コンタクト電極がそれぞれのコレクタユニット及び前記ドリフト領域又は前記ドリフト領域内のフィールドストップ領域と共通のオーミックコンタクトを形成していることを特徴とする請求項７に記載の装置。
　　【請求項１２】
　前記ドリフト領域の裏面が逆阻止のために接合終端エクステンションを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１３】
　前記ドリフト領域の前面が順方向阻止のために接合終端エクステンションを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１４】
　前記ドリフト領域の裏面に設けられた構造と前面における構造を一直線に並べるために，前記ドリフト領域の前面が位置合わせマークを備えていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１５】
　前記半導体装置がＩＧＢＴであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
　　【請求項１６】
　前記炭化ケイ素ウェーハの表面がオンアクシスの配向を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による特許請求の範囲についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
　・補正事項１
　補正前の請求項１の「前面及び裏面を有する基板層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域，ドリフト領域の前面に配された第一コンタクト電極，前面に配され，かつ少なくとも第一伝導性タイプのキャリアのドリフト領域への入射を制御する制御領域，及び　ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する，ドリフト領域が第一コンタクト電極と第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された半導体装置において，ドリフト領域が，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハから成り，炭化ケイ素ウェーハがドリフト領域の裏面又は前面を形成する表面であって，１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面を有する」を，「前面及び裏面を有する基板層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域，
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
　・補正事項２
　補正前の請求項２の「制御領域が，ドリフト領域内の前面の表面に配され，スペースで分離されている，所定の深さを有する第二伝導性タイプの少なくとも二つのベース領域；前面の表面に位置し，第二伝導性タイプのベース領域内にある第一伝導性タイプのソース領域；ソース領域を有するベース領域内の前面の表面に配され，ソース領域とベース領域の端の間に配されたチャネル領域；チャネル領域を制御するためのゲート電極；及びゲート電極をチャネル領域から電気的に分離するためのゲート絶縁領域を有する」を，「
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
　・補正事項３
　補正前の請求項３の「ゲート絶縁領域が，ソース領域の上に重なったチャネル領域の上に位置し，ベース領域の間のスペースに完全に重なっている」を，「
前記
前記
前記
前記
　・補正事項４
　補正前の請求項４の「第一電極が，ソース領域とベース領域に共通するオーミックコンタクトを備えたエミッタ電極であり，ゲート電極から電気的に絶縁されている」を，「
前記
コンタクト
前記
前記
前記
　・補正事項５
　補正前の請求項５の「第一電極が，ドリフト領域の前面全体にわたって延びたエミッタ電極である」を，「
前記
コンタクト
前記
　・補正事項６
　補正前の請求項６の「第二コンタクト電極がドリフト領域の裏側の表面に配された層を形成するコレクタ電極である」を，「
前記
前記
　・補正事項７
　補正前の請求項７の「コレクタ領域がドリフト領域内の裏側表面に位置している」を，「コレクタ領域が
前記
　・補正事項８
　補正前の請求項８の「コレクタ領域が第二電極とオーミックコンタクトを形成している」を，「
前記
前記
コンタクト
　・補正事項９
　補正前の請求項９の「コレクタ領域が第二伝導性タイプである」を，「
前記
　・補正事項１０
　補正前の請求項１０の「コレクタ領域がドリフト領域の裏面全体にわたって延び，フィールドストップ領域を備えている」を，「
前記
前記
　・補正事項１１
　補正前の請求項１１の「コレクタ領域が小さい領域で区切られた幾つかのユニットに分けられ，第二コンタクト電極がそれぞれのコレクタユニット及びドリフト領域又はドリフト領域内のフィールドストップ領域と共通のオーミックコンタクトを形成している」を，「
前記
前記
前記
前記
　・補正事項１２
　補正前の請求項１２の「ドリフト領域の裏面が逆阻止のために接合終端エクステンションを備えている」を，「
前記
　・補正事項１３
　補正前の請求項１３の「ドリフト領域の前面が順方向阻止のために接合終端エクステンションを備えている」を，「
前記
　・補正事項１４
　補正前の請求項１４の「ドリフト領域の裏面に設けられた構造と前面における構造を一直線に並べるために，ドリフト領域の前面が位置合わせマークを備えている」を，「
前記
前記
　・補正事項１５
　補正前の請求項１５の「デバイスがＩＧＢＴである」を，「
前記半導体装置
　・補正事項１６
　補正前の請求項１６の「炭化ケイ素ウェーハの表面がオンアクシスの配向を有する」を，「
前記
　
３　補正の適否について
（１）補正事項１について
　補正事項１は，補正前の請求項１に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項１は，誤記の訂正を目的とするものと認められるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２及び３について
　補正事項２及び３は，それぞれ，補正前の請求項２及び３に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項２及び３は，いずれも，補正事項１と同様，特許法第１７条の２第３項，及び第４項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項４について
　補正事項４は，補正前の請求項４に記載の「第一電極」を，当該請求項で引用する請求項２において引用される請求項１に記載の「第一コンタクト電極」とするとともに，補正前の請求項４に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項４は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項４は，誤記の訂正を目的とするものと認められるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（４）補正事項５について
　補正事項５は，補正前の請求項５に記載の「第一電極」を，当該請求項で引用する請求項１に記載の「第一コンタクト電極」とするとともに，補正前の請求項５に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項５は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項５は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項５は，誤記の訂正を目的とするものと認められるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（５）補正事項６及び７について
　補正事項６及び７は，それぞれ，補正前の請求項６及び７に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項６及び７は，いずれも，補正事項１と同様，特許法第１７条の２第３項，及び第４項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（６）補正事項８について
　補正事項８は，補正前の請求項４に記載の「第二電極」を，当該請求項で引用する請求項７において引用される請求項１に記載の「第二コンタクト電極」とするとともに，補正前の請求項８に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項８は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項８は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項８は，誤記の訂正を目的とするものと認められるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（７）補正事項９ないし１４について
　補正事項９ないし１４は，それぞれ，補正前の請求項９ないし１４に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項９ないし１４は，いずれも，補正事項１と同様，特許法第１７条の２第３項，及び第４項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（８）補正事項１５について
　補正事項１５は，補正前の請求項１５に記載の「デバイス」を，当該請求項で引用する請求項１に記載の「半導体装置」とするとともに，これに「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項１５は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１５は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，補正事項１５は，誤記の訂正を目的とするものと認められるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（９）補正事項１６について
　補正事項１６は，補正前の請求項１６に記載の既出の用語に「前記」を付すものである。
　そうすると，補正事項１６は，補正事項１と同様，特許法第１７条の２第３項，及び第４項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
４　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項，及び第４項の規定に適合し，また，同法第１７条の２第５項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　 
第３　本願発明の容易想到性について
１　検討の前提
　前記第２で検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる，誤記の訂正を目的とするものに該当するから，本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明が，平成２６年９月８日付け拒絶査定（以下「原査定」という。）に記載した理由により，特許を受けることができないものであるか否かについて検討する。
　
２　本願発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものと認める。（再掲）
　「【請求項１】
　前面及び裏面を有する基板層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域，
　前記ドリフト領域の前面に配された第一コンタクト電極，
　前面に配され，かつ少なくとも前記第一伝導性タイプのキャリアの前記ドリフト領域への入射を制御する制御領域，及び
　前記ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する，前記ドリフト領域が前記第一コンタクト電極と前記第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された半導体装置において，
　前記ドリフト領域が，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハから成り，
　前記炭化ケイ素ウェーハが前記ドリフト領域の裏面又は前面を形成する表面であって，１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面を有することを特徴とする半導体装置。」
　
３　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先権主張日（以下「原出願の優先日」という。）前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−３０７４６９号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。） 
　ア「【０００５】
図２０のＩＧＢＴ１０３のチップを製造するには，まず，図２１（ａ）に示すように予め用意されたｎ
−
ベース層となるｎ
−
基板１３１の裏面側にｐ
＋
アノード層１３２を裏面からボロン（Ｂ）等を拡散して形成する
図２１（ｂ）に示すようにｎ
−
基板１３１の表面側にゲート酸化膜となるＳｉＯ
２　
膜１３３およびゲート酸化膜の上の絶縁ゲート電極となるポリシリコン層１３９を成膜して，ｎ
−
基板１３１の表面側ポリシリコン層１３９の中央部の窓を通してｎ
−
基板１３１の表面側の中にボロン（Ｂ）等の拡散を行ってｐ型ベース層１３４を形成する
図２１（ｃ）に示すようにゲート電極１３６となる部分のポリシリコン層を残して，新たにＳｉＯ
２　
膜１３３をｎ
−
基板１３１の表面上に成膜した後，このＳｉＯ
２　
膜１３３の中央部分の２つの窓を通してｐ型ベース層１３４の中に砒素（Ａｓ）等の拡散を行ってｎ
＋
エミッタ層１３５を形成する
図２１（ｄ）に示すように
ｎ
−
基板１３１の表面中央部にエミッタ電極１３７を形成し，またチップ裏面側のｐ
＋
アノード層１３２にコレクタ電極１３８を形成すれば，図２０に用いるＩＧＢＴ１０３のチップが得られる
【０００６】
次にＩＧＢＴの動作原理について説明する
ゲート電極１３６に正電圧が印加されると，ＭＯＳＦＥＴ同様ｐ型ベース層１３４の表面に反転チャンネルが形成されｎ
＋
エミッタ層１３５から反転チャンネル層を通してｎ
−
ベース層１３１内に電子が注入されｐ
＋
アノード層に到達する。これに対し，ｐ
＋
アノード層１３２からｎ
−
ベース層１３１内にホールの注入が起こり，ｐ
＋
アノード層１３２とｎ
−
ベース層１３１との間に形成されるｐｎ接合は順バイアス状態となり，ｎ
−
ベース層１３１が伝導度変調を起こし，素子を導通状態に導く
　イ「【００２８】図３は，本発明の第１または第２実施例の半導体スイッチの構成要素であるＩＧＢＴ１，２の各チップを高耐圧化するための構造を示したものである。
図３に示すように本発明の第１または第２の実施例のＩＧＢＴチップは不純物密度５×１０
１２
〜２×１０
１４
ｃｍ
−３
のｎ
−
基板１１を有し，そのｎ
−
基板１１の裏面全面には不純物密度５×１０
１８
〜２×１０
１９
ｃｍ
−３
のｐ
＋
拡散層（ｐ
＋
型アノード層）１２が形成され
ｎ
−
基板１１内のチップ表面側には不純物密度５×１０
１５
〜２×１０
１７
ｃｍ
−３
のｐ型ベース層１３が形成され，ｐ型ベース層１３内のチップ表面側には一対の不純物密度５×１０
１８
〜２×１０
２１
ｃｍ
−３
のｎ
＋
エミッタ層１４が形成されている
チップ表面の両サイドに各々現れたｐ
＋
拡散層１２，ｎ
−
基板１１，ｐ型ベース層１３，及びｎ
＋
エミッタ層１４に亘るチップ表面上にＳｉＯ
２　
膜１５がそれぞれ形成されており，該各ＳｉＯ
２　
膜１５内にはそれぞれポリシリコン膜からなるゲート電極１６が形成されている
ゲート電極１６は，ｐ型ベース層１３に対応するチップ表面上に設けられ，その周囲をゲート酸化膜等のＳｉＯ
２　
膜１５によってチップ表面側から絶縁した状態の絶縁ゲート構造を成している
　ウ「【００３８】
図１２は本発明の第７の実施例に係り，双方向性半導体スイッチを構成するＩＧＢＴ１，２，を同一チップ上に集積化した，いわゆるワンチップ双方向性半導体スイッチの断面構造の一部を示す
ｎチャンネルＩＧＢＴ９１とｐチャンネルＩＧＢＴ９２
図１２においてｎ
＋
エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，ｉ層２１１，ｐ
＋
アノード層１２によりｎチャンネルＩＧＢＴ９１が構成され
ｎチャンネルＩＧＢＴ９１とｐチャンネルＩＧＢＴ９２の共通ベース領域となるｉ層２１１は不純物密度１×１０
１１
〜２×１０
１３
ｃｍ
−３
程度のｐ
−−
層又はｎ
−−
層でもよい。この領域は注入された電子又は正孔が高電界で加速されていわゆるドリフト走行する領域であるのでｎ
−−
層，ｐ
−−
層，ｉ層のいずれであっても同様な動作となる。つまり，ｎ
−−
層，ｐ
−−
層，ｉ層はほぼ完全に空乏化した領域としておけばよい。ｐ型ベース層１３の表面の一部にはゲート酸化膜を介してポリシリコンゲート電極１６がｎチャンネルＩＧＢＴ９１のゲート電極として形成され
各ＩＧＢＴ９１，９２は共通のエミッタ電極１７１，コレクタ電極１８１を有している
　エ「【００４８】なお，本発明の第１〜第６，第９〜第１３の実施例ではｎチャンネル型ＩＧＢＴについて主に説明したが，導電型を逆にしｐチャンネル型としてもよいことはもちろんである。  またＳｉデバイスに限定する必要はなく，
ＳｉＣで双方向性半導体スイッチを構成すれば，特に６００℃以上での高温においても高効率で，交流，直流が共にスイッチ可能なパワーデバイスが実現される
　オ　本願の図１２には，
ｉ層（又はｐ
−−
層又はｎ
−−
層）２１１の一方の面に，ｎ
＋
エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜（ＳｉＯ
２　
膜１５）を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６
並びにｎ
＋　
エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，ｐ
＋
エミッタ層１４１，及びｎ型ベース層２３１それぞれの表面の一部に接するエミッタ電極１７１がそれぞれ配され，上記ｉ層（又はｐ
−−
層又はｎ
−−
層）２１１の他方の面に，ｐ
＋
アノード層１２
並びにｐ
＋
アノード層１２
の表面に接するコレクタ電極１８１がそれぞれ配された
　
（２）引用発明 
　ア　上記（１）ウより，引用文献１には，ｎチャンネルＩＧＢＴ９１とｐチャンネルＩＧＢＴ９２とを同一チップ上に集積化した，ワンチップ双方向性半導体スイッチにおいて，上記ｎチャンネルＩＧＢＴ９１が，注入された電子が高電界で加速されていわゆるドリフト走行する領域である，不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度のｎ−−層２１１，ｎ＋エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，該ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６，ｐ＋アノード層１２，エミッタ電極１７１，及びコレクタ電極１８１により構成されることが記載されていると認められる。
　そして，上記（１）ウ及びオより，上記ｎチャンネルＩＧＢＴ９１は，上記ｎ−−層２１１の一方の面に，ｎ＋エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，該ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６，並びにｎ＋エミッタ層１４，及びｐ型ベース層１３それぞれの表面の一部に接する及びエミッタ電極１７１が配され，上記ｎ−−　層２１１の他方の面に，ｐ＋アノード層１２，及びｐ＋アノード層１２の表面に接するコレクタ電極１８１が配された構成を備えると認められる。
　イ　上記（１）アより，ＩＧＢＴの動作原理（【０００６】）に照らせば，ｎチャンネルＩＧＢＴ９１において，ポリシリコンゲート電極１６に正電圧が印加されると，ｐ型ベース層１３の表面に反転チャンネルが形成されｎ＋エミッタ層１４から反転チャンネル層を通してｎ−−　層２１１内に電子が注入されｐ＋アノード層１２に到達し，ｐ＋アノード層１２からｎ−−層２１１内にホールの注入が起こり，ｐ＋アノード層１２とｎ−−層２１１との間に形成されるｐｎ接合は順バイアス状態となり，ｎ−−層２１１が伝導度変調を起こし，素子を導通状態に導くと認められる。
　そうすると，上記ｎチャンネルＩＧＢＴ９１において，上記ｎ＋エミッタ層１４，上記ｐ型ベース層１３，上記ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６は，ｎ−−　層２１１内への電子の注入を制御するものということができ，また，上記ｎチャンネルＩＧＢＴ９１は，上記ｎ＋エミッタ層１４の表面の一部に接するエミッタ電極１７１と，上記ｐ＋アノード層１２に接するコレクタ電極１８１の間で，上記ｎ−−層２１１内に電子及びホールを注入し素子を導通状態に導くものということができる。
　ウ　上記（１）エによれば，引用文献１には，ＳｉＣで双方向性半導体スイッチを構成することが記載されているから，引用文献１には，上記（１）ウに記載されたワンチップ双方向性半導体スイッチにおけるｎ−−層２１１を，ＳｉＣで構成することが記載されていると認められる。
　エ　上記アないしウより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「注入された電子が高電界で加速されていわゆるドリフト走行する領域である，不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度のｎ−−層２１１，
　上記ｎ−−　層２１１の一方の面に，ｎ＋エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，該ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６，並びにｎ＋エミッタ層１４及びｐ型ベース層１３それぞれの表面の一部に接する及びエミッタ電極１７１が配され，
　上記ｎ＋エミッタ層１４，上記ｐ型ベース層１３，上記ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６は，上記ｎ−−層２１１内への電子の注入を制御するものであり，
　上記ｎ−−層２１１の他方の面に，ｐ＋アノード層１２及び当該ｐ＋アノード層１２の表面に接するコレクタ電極１８１が配され，
　上記エミッタ電極１７１と，上記コレクタ電極１８１の間で，上記ｎ−−層２１１内に電子及びホールを注入し素子を導通状態に導くｎチャンネルＩＧＢＴ９１であって，
　ｎ−−層２１１がＳｉＣで構成された
　ｎチャンネルＩＧＢＴ９１。」
　
４　その他の引用文献及び周知例の記載
（１）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表２００１−５１１３１５号公報（以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。 
　「発明の背景
  本発明は，パワー半導体デバイスに関し，特に，シリコン・カーバイド中に形成されたパワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化半導体電界効果トランジスタ）に関する。
・・・
  ＳｉＣは，本来の酸化物がシリコンの酸化物と同一であるＳｉＯである複合半導体のグループの中でユニークなものである。これは，パワーＭＯＳＦＥＴ，
絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(ＩＧＢＴ)
のシリコンに使用されるワークホース・パワー・デバイスがＳｉＣにすべて形成することができることを意味している
  しかしながら，技術的な相違により，ＳｉＣにおけるパワー・デバイスは，シリコン・デバイスと大きく異なっており，シリコンの概念をＳｉＣに直接適用することは必ずしも可能ではない。ＳｉＣは，シリコンと比べて，ブレークダウン電界が７倍大きく，また，ＳｉＣデバイスは，シリコン中の同様な機能デバイスと対比して，１／１００〜１／２００小さい抵抗となる特徴を有することができる。それにも拘わらず，このようなデバイスを実現する前に，幾つかの実際的な問題を解消しなければならない。
ＳｉＣ中のバイポーラ・デバイス（例えば，ＩＧＢＴ及びＭＣＴ）は少数キャリア・ライフタイムが短く，通常，４０〜４００ナノセカンド（ｎｓ）の範囲である
　
（２）周知例
　ア　周知例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に日本国内及び外国において頒布された刊行物である，国際公開第２０００／７９５７０号（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．訳は，対応する日本出願の公表公報（特表２００３−５０２８５７号公報）による。）
　「While we do not wish to be bound by a theory as regards the mechanism or basis of the improvement in doping character realized in the practice of the present invention, it is possible that the higher doping level in this offcut orientation may be explained by the surface bonding configuration. Figure 8 shows the bonding configuration of the 1-100 surface. 
In previous work by Burk et al, SiC epilayers were grown on on-axis 11-20 and 1-100 SiC substrates
（訳：本発明を実施することにより実現されるドーピング特性の改良の機構や基礎原理に関して理論により束縛されることを望むものではないが，このオフカット方位でのより高いドーピングレベルは，表面の結合配置によって説明できると考えられる。図８には，＜１−１００＞面の結合配置が示されている。
Ｂｕｒｋらによる以前の研究では，オンアクシス＜１１−２０＞および＜１−１００＞ＳｉＣ基板上でＳｉＣエピ層を成長させた
　イ　周知例２
　原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１１−２７４１７３号公報（以下「周知例２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【０００２】
【従来の技術】炭化珪素を用いたＭＯＳＦＥＴの製造に関する従来の技術として，セルフアラインによりチャネルを形成するための二重拡散技術が使えないという欠点を回避する製造方法が，特開平６−１５１８６０号公報に提案されている。・・・
【０００３】・・・また，本出願人は，縦型ＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を向上させてオン抵抗を低減させる構造として，特願平９−２５９０７６号で出願している。この縦型ＭＯＳＦＥＴのうち，プレーナ型ＭＯＳＦＥＴを例として，その断面図を図２０に示し，この図に基づいてプレーナ型縦型ＭＯＳＦＥＴの構造について説明する。
【０００４】ｎ＋ 型炭化珪素半導体基板１は上面を主表面１ａとし，主表面の反対面である下面を裏面１ｂとしている。このｎ＋ 型炭化珪素半導体基板１の主表面１ａ上には，基板１よりも低いドーパント濃度を有するｎ− 型炭化珪素エピタキシャル層（以下，ｎ− 型炭化珪素エピ層という）２が積層されている。このとき，
ｎ
＋ 
型炭化珪素半導体基板１およびｎ
− 
型炭化珪素エピ層２の上面を（０００１）Ｓｉ面としているが，ｎ
＋ 
型炭化珪素半導体基板１およびｎ
− 
型炭化珪素エピ層２の上面を（１１２−０）ａ面としてもよい
（０００１）Ｓｉ面を用いると低い表面状態密度が得られ，（１１２−０）ａ面を用いると，低い表面状態密度で，かつ完全にらせん転位の無い結晶が得られる
　ウ　周知例３
　原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−２３７５９２号公報（以下「周知例３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００４０】〔実施例  １〕
基板ウエハとして六方晶ＳｉＣ単結晶ウエハを用いた，縦型電界効果トランジスタ
・・・
【００４３】図１の縦型電界効果型トランジスタにおいて，電極と接するために抵抗率を小さくしたｎ＋型層で形成されたｎ＋型低抵抗ドレイン領域１（基板ウエハであり低抵抗基板と呼ばれる）と，チャンネル形成領域３と，これに接したドレイン側ドリフト領域２（ＯＮ状態においてはドレイン領域として作用する）と，複数個のｐ型領域とｎ型領域で構成されている。
【００４４】さらに，ｎ型ソース領域４，ゲート絶縁膜５，電流の流路となるチャネル６，ゲート溝７，ゲート溝７の壁面であるチャネル形成面８と，ドレイン電極９，ソース電極１０，および，ゲート電極１１を有する。
【００４５】さらに，
半導体装置主表面１３は，ＳｉＣ単結晶基板１２の主表面であって｛１１００｝結晶面である
　・・・
【００５９】〔実施例  ２〕図３（ａ）は，本実施例の縦型電界効果型トランジスタの他の構成例を示す斜視図，図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’線部分から見た模式断面図である。
【００６０】図３に示す縦型電界効果型トランジスタの構成は図１と同じなので，その説明は省略する。
【００６１】本実施例においては，
素子を形成する六方晶ＳｉＣ単結晶基板１２の主表面が｛１１２０｝結晶面であり
　
５　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明における「注入された電子が高電界で加速されていわゆるドリフト走行する領域である，不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度のｎ−−層２１１」は，ｎ型の「ドリフト走行する領域」ということができ，ｎ型は，本願発明の「第一伝導性タイプ」に相当するといえる。
　そして，引用発明における「ｎ−−層２１１」は，「ｎ＋エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，該ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６，並びにｎ＋エミッタ層１４，及びｐ型ベース層１３それぞれの表面の一部に接する及びエミッタ電極１７１」が配される「一方の面」と，「ｐ＋アノード層１２，及びｐ＋アノード層１２の表面に接するコレクタ電極１８１」が配される「他方の面」とを有する層として働くと認められ，引用発明における「一方の面」及び「他方の面」は，それぞれ，本願発明の「前面」及び「裏面」に相当するといえる。
　そうすると，本願発明の「前面及び裏面を有する基板層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域」と，引用発明における「注入された電子が高電界で加速されていわゆるドリフト走行する領域である，不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度のｎ−−層２１１」とは，「前面及び裏面を有する層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域」である点で共通するということができる。
　
（２）引用発明における「ｎ−−層２１１」の一方の面に，「ｎ＋エミッタ層１４及びｐ型ベース層１３それぞれの表面の一部に接する及びエミッタ電極１７１」が配されていることは，後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，本願発明の「前記ドリフト領域の前面に配された第一コンタクト電極」を備えることに相当するといえる。
　
（３）引用発明は，「ｎ−−層２１１」の一方の面に，「ｎ＋エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，該ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６」が配され，「ｎ−−層２１１内への電子の注入を制御する」ものであり，引用発明における「電子」は，本願発明の「第一伝導タイプのキャリア」に相当するといえるから，後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，引用発明における「ｎ−−層２１１内への電子の注入を制御する」ことは，本願発明の「少なくとも前記第一伝導性タイプのキャリアの前記ドリフト領域への入射を制御する」ことに相当するといえる。
　そうすると，後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，引用発明における，「ｎ−−層２１１」の一方の面に，「ｎ＋エミッタ層１４，ｐ型ベース層１３，該ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６」が配され，「上記ｎ＋エミッタ層１４，上記ｐ型ベース層１３，上記ｐ型ベース層１３の表面の一部にゲート酸化膜を介して形成されたポリシリコンゲート電極１６は，上記ｎ−−層２１１内への電子の注入を制御する」ことは，本願発明の「前面に配され，かつ少なくとも前記第一伝導性タイプのキャリアの前記ドリフト領域への入射を制御する制御領域」との構成を備えることに相当するといえる。
　
（４）後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，引用発明における「上記ｎ−−層２１１の他方の面に」，「当該ｐ+　アノード層１２の表面に接するコレクタ電極１８１」が配されることは，本願発明の「前記ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する」との構成を備えることに相当するといえる。
　そして，引用発明における「電子及びホール」，及び「電子及びホールを注入し素子を導通状態に導く」ことは，それぞれ，本願発明の「キャリア」，及び「キャリア流れを運ぶ」ことに相当するといえるから，後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，引用発明における「上記エミッタ電極１７１と，上記コレクタ電極１８１の間で，上記ｎ−−層２１１内に電子及びホールを注入し素子を導通状態に導く」ことは，本願発明の「前記ドリフト領域が前記第一コンタクト電極と前記第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された」との構成を備えることに相当するといえる。
　また，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，引用発明における「ｎチャンネルＩＧＢＴ９１」は，本願発明の「半導体装置」に相当するといえる。
　そうすると，後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，引用発明における「上記ｎ−−層２１１の他方の面に，ｐ＋アノード層１２及び当該ｐ＋アノード層１２の表面に接するコレクタ電極１８１が配され，上記エミッタ電極１７１と，上記コレクタ電極１８１の間で，上記ｎ−−　層２１１内に電子及びホールを注入し素子を導通状態に導くｎチャンネルＩＧＢＴ９１」は，本願発明の「前記ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する，前記ドリフト領域が前記第一コンタクト電極と前記第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された半導体装置」に相当するといえる。
　
（５）本願発明の「前記ドリフト領域が，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハから成」ることと，引用発明における「ｎ−−層２１１がＳｉＣで構成された」こととは，後述する，本願発明の「ドリフト領域」に関する相違点の構成を除き，「ドリフト領域」が，「炭化ケイ素」から成る点で共通するといえる。
　
（６）以上から，本願補正発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　ア　一致点
「前面及び裏面を有する層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域 ，
　前記ドリフト領域の前面に配された第一コンタクト電極，
　前面に配され，かつ少なくとも前記第一伝導性タイプのキャリアの前記ドリフト領域への入射を制御する制御領域，及び
　前記ドリフト領域の裏面に第二コンタクト電極を有する，前記ドリフト領域が前記第一コンタクト電極と前記第二コンタクト電極の間でキャリア流れを運ぶように配された半導体装置において，
　前記ドリフト領域が，炭化ケイ素から成る，
　半導体装置。」
　イ　相違点
　・相違点１
　一致点における「前面及び裏面を有する層として働く第一伝導性タイプのドリフト領域」との構成について，本願発明の「ドリフト領域」は「基板層」であるのに対し，引用発明における「ｎ−−層２１１」が「基板層」であるか否かは不明である点。
　・相違点２
　一致点における「前記ドリフト領域が，炭化ケイ素から成る」との構成について，本願発明は，「前記ドリフト領域が，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハ」から成るのに対し，引用発明における「ｎ−−層２１１」が「炭化ケイ素ウェーハ」から成るか否かは不明であり，また，「ｎ−−層２１１」の不純物密度が「１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度」であることは記載されているものの「正味のキャリア濃度」は明示されておらず，また，「ｎ−−層２１１」の「キャリア寿命」は不明である点。
　・相違点３
　一致点における「前記ドリフト領域が，炭化ケイ素から成る」との構成について，本願発明は，「前記炭化ケイ素ウェーハが前記ドリフト領域の裏面又は前面を形成する表面であって，１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面を有する」のに対し，引用発明における「ｎ−−層２１１」が「炭化ケイ素ウェーハ」から成るか否かは不明であり，また，「ｎ−−層２１１」が「１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面」を有するか否かも不明である点。
　
６　相違点についての検討
（１）相違点１について
　上記３（１）ア及びイによれば，引用文献１には，従来技術及び引用文献１記載の発明の別の実施例として，縦型のｎチャンネルＩＧＢＴを形成する際，電子及びホールが注入され，伝導度変調を起こし，素子を導通状態に導くｎ−ベース層を，不純物密度５×１０１２〜２×１０１４ｃｍ−３のｎ−基板で構成することが記載され，また，上記３（１）エによれば，引用文献１には，ＳｉＣで双方向性半導体スイッチを構成することが記載されているから，引用発明における「ｎ−−層２１１」が，不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度の炭化ケイ素基板からなることは，引用文献１に記載されているに等しい事項であり，引用発明が実質的に備えるものといえる。
　そうすると，引用文献１の上記の記載から，引用発明における「ｎ−−層２１１」は，実質的に本願発明の「基板層」と認められる。
　また，仮にそうでないとしても，引用発明における「ｎ−−層２１１」を不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度の炭化ケイ素基板で構成すること，すなわち本願発明の「基板層」とすることは，引用文献１の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。
　以上から，相違点１は，本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえず，仮にそうでないとしても，引用文献１の記載から，当業者が普通に行い得るものである。
　
（２）相違点２について
　ア　上記（１）のとおり，引用発明において，「ｎ−−層２１１」を不純物密度１×１０１１〜２×１０１３ｃｍ−３程度の炭化ケイ素基板で構成することは，引用発明が実質的に備えているか，仮にそうでないとしても，当業者が普通に行い得るものである。
　そして，その際に，炭化ケイ素基板として，１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度の炭化ケイ素ウェーハを用いることは，「ｎ−−層２１１」に求められる不純物密度から，当業者が当然に採用し得るものであり，このことは，引用文献１における「ｎ−−層２１１」に関する，「この領域は注入された電子又は正孔が高電界で加速されていわゆるドリフト走行する領域であるのでｎ−−層，ｐ−−層，ｉ層のいずれであっても同様な動作となる。つまり，ｎ−−層，ｐ−−層，ｉ層はほぼ完全に空乏化した領域としておけばよい。」（【００３８】，上記３（１）ウ参照。）との記載によっても裏付けられる。
　イ　上記４（１）のとおり，引用文献２の記載より，「ＳｉＣ中のバイポーラ・デバイス（例えば，ＩＧＢＴ及びＭＣＴ）は少数キャリア・ライフタイムが短く，通常，４０〜４００ナノセカンド（ｎｓ）の範囲である」ことは，原出願の優先日前，当該技術分野では公知又は周知の事項と認められ，引用発明における「ｎ−−層２１１」もＳｉＣで構成されているから，そのキャリア寿命は，４０〜４００ナノセカンド（ｎｓ）の範囲と推認できる。
　そして，引用発明の「ｎチャンネルＩＧＢＴ９１」において，キャリア寿命が長い方が望ましいことは，当該技術分野では技術常識であり，また，本願明細書の記載より，本願発明において，キャリア寿命が５０ｎｓの場合と，これを僅かに下回る場合とで，半導体装置における作用効果の点で格別の相違があるとは認められず，キャリア寿命の下限値を５０ｎｓとした点に臨界的意義があるとは認められない。
　そうすると，引用文献２に記載されている上記の公知又は周知の事項に鑑みれば，引用発明において，ＳｉＣで構成される「ｎ−−層２１１」のキャリア寿命を少なくとも５０ｎｓとすることは，当業者が普通に行い得るものといえるから，引用発明において，「ｎ−−層２１１」を炭化ケイ素基板で構成する際に，少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハを用いることも，当業者が普通に行い得るものといえる。
　ウ　以上から，引用発明において，「ｎ−−層２１１」を，「１０１５ｃｍ−３より低い正味のキャリア濃度と少なくとも５０ｎｓのキャリア寿命を有する炭化ケイ素ウェーハ」で構成すること，すなわち，相違点２に係る構成とすることは，引用文献２の記載に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。
　
（３）相違点３について
　ア　はじめに，本願請求項１の「前記炭化ケイ素ウェーハが前記ドリフト領域の裏面又は前面を形成する表面であって，１°より小さいオフアクシス角度でミラー指数の方向にオフ配向されている表面を有する」との記載の意味内容について検討する。
　本願明細書には，本願請求項１の上記の記載に関して次の記載がある。
「原子のステップの十分な密度をもたらすために８°までオフされた高不純物基板を用いる従来のＣＶＤ法と比べて，ＨＴＣＶＤ法は，
オンアクシスの又は僅かに間違って方向付けられた（１°以下）種結晶を用いて，種に実質的に低めのステップ密度を有するＳｉＣ結晶を成長させることが可能である。軸上のウェーハと少し間違って方向付けされたウェーハの両方ともこのような結晶からスライスされ，研磨される
　本願明細書の上記の記載より，本願に係る発明では，表面が軸上すなわちオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハ，又は表面が僅かに間違って方向付けられた（１°以下）配向を有する炭化ケイ素ウェーハが用いられると解される。
　そうすると，本願明細書の記載に照らせば，本願請求項１の上記の記載は，オフアクシス角度が０°の場合，すなわち，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハをも含むと解するのが相当と認められ，このことは，本願請求項１６に「前記炭化ケイ素ウェーハの表面がオンアクシスの配向を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。」と記載されていることによっても裏付けられる。
　イ　上記４（２）より，炭化珪素を用いた，縦型ＭＯＳＦＥＴのような縦型の絶縁ゲート型半導体装置において，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハを用いることは，周知例１ないし３にみられるように，当該技術分野では周知の技術である。
　そして，（０００１）Ｓｉ面の表面を有する炭化ケイ素ウェーハを用いると低い表面状態密度が得られることや，（１１２−０）ａ面の表面を有する炭化ケイ素ウェーハを用いると，低い表面状態密度で，かつ完全にらせん転位の無い結晶が得られることも，周知例２にみられるように，当該技術分野ではよく知られた事項である。
　そうすると，引用発明において，引用発明において，「ｎ−−層２１１」を炭化ケイ素基板で構成する際に，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハを用いることは，当業者が普通に行い得るものであり，それによって表面状態密度やらせん転位が低減できるとの効果も自明のもので，格別のものとはいえない。
　ウ　上記アより，本願発明における相違点３に係る構成には，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハをも含むと解されるところ，上記イより，引用発明において，「ｎ−−層２１１」を炭化ケイ素基板で構成する際に，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハを用いることは，当業者が普通に行い得るものと認められる。
　以上から，引用発明において，相違点３に係る構成とすることは，周知例１ないし３にみられるような周知技術に接した当業者が，普通に行い得るものと認める。
　
７　審判請求人の主張について
　審判請求人は，本願発明では，なるべく低い底面の転位密度を得るために低いオフアクシスを使用するものである旨，主張する。
　しかし，審判請求人の上記の主張は採用できない。その理由は以下のとおりである。
　上記６（３）で検討したとおり，本願発明は，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハをも含むと解されるところ，引用発明において，「ｎ−−層２１１」を炭化ケイ素基板で構成する際に，表面がオンアクシスの配向を有する炭化ケイ素ウェーハを用いることは，当業者が普通に行い得るものと認められ，また，それによって表面状態密度やらせん転位が低減できるとの効果も自明のもので，格別のものとはいえない。
　そうすると，審判請求人が主張する，本願発明の作用効果は，格別のものということはできない。
　
８　まとめ 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用文献１記載の発明（引用発明），引用文献２に記載の事項，及び周知例１ないし３にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　結言 
　 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。