【事件の表示】
　特願２００８−１５２３５０「半導体光電子増倍器及び、半導体光電子増倍器を備える検出器モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月２５日出願公開、特開２００８−３１１６５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２０年６月１１日（パリ条約による優先権主張２００７年６月１５日、米国）の出願であって、平成２４年１２月７日付けで拒絶の理由が通知され、これに対し、平成２５年１月１８日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年８月３０日付けで拒絶の理由（最後）が通知され、これに対し、同年１１月２２日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２６年２月２８日付けで平成２５年１１月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、平成２６年６月２４日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年６月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年６月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び発明の名称を補正するものであって、そのうち本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を限定的に減縮することを目的として下記のとおりに補正したものである。
「【請求項１】
基本サブストレート（８２）と、
前記基本サブストレート（８２）上に位置決めされたエピタキシャルダイオード層（８４）と、
前記エピタキシャルダイオード層（８４）上に製作された複数のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）（６２）と、
前記複数のＡＰＤの各々を隣接するＡＰＤから分離するために該複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの周りに位置決めされた、光吸収有機材料（８８）をその内部に被着して包含し、隣接するＡＰＤからの拡散電流を低減させる分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）と、
前記光吸収有機材料（８８）を包含した前記光学的分離構造（８６）と前記複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの上に被着され、前記複数のＡＰＤ（６２）を電気絶縁する二酸化ケイ素薄膜（８５）と、
を備え、
前記分離トレンチは、前記エピタキシャルダイオード層（８４）を貫通し、前記基本サブストレート（８２）内に延びる、
半導体光電子増倍器（５３）。」
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
３　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である２０１０年１月１３日に頒布された「欧州特許出願公開第２１４４２８７号明細書」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。ただし、日本語訳を記載する。なお、明細書及び図面の記載の翻訳文として、ファミリーである特表２００７−５３６７０３号公報の記載を採用する。また、原文に付されている下線以外の下線は当審で付した。
ア　明細書の記載
「
技術分野
［０００１］
　本発明は、半導体デバイスの分野に関し、より詳細には、原子核技術、レーザ技術分野や工業用及び医療用の断層撮影等で用いることが可能な、可視光領域を含む光を高効率で検出する検出器に関する。」
「［０００７］
  シリコン光電子増倍管及び光電子増倍管用セル構造体の２つの実施形態が検討される。
［０００８］
　第１の実施形態では、以下のようなシリコン光電子増倍管によって、技術効果が得られる。すなわち、
シリコン光電子増倍管は、
ｐ＋＋導電型基板を有し、前記増倍管は互いに独立した複数のセルからなり、各セルは、
基板上に成長させたｐ導電型エピタキシャル層と、
ｐ導電型層と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成し、
ｎ＋導電型層とを有し、前記各セルの酸化ケイ素層上にはポリシリコン抵抗部が設けられ、
セル間には分離部分が配置される
［０００９］
　第２の実施形態では、以下のようなシリコン光電子増倍管によって、技術効果が得られる。すなわち、シリコン光電子増倍管は、ｎ導電型基板と、１０18〜１０20ｃｍ-3のドーピング濃度を有し、前記ｎ導電型基板上に形成されたｐ＋＋導電型層とを備え、前記増倍管は互いに独立した同一の複数のセルからなり、各セルは、１０18〜１０14ｃｍ-3で傾斜して変化するドーピング濃度を有し、前記ｐ＋＋導電型層上に成長させたｐ導電型エピタキシャル層と、１０15〜１０17ｃｍ-3のドーピング濃度を有するｐ導電型層と、１０18〜１０20ｃｍ-3のドーピング濃度を有するｎ＋導電型層とを備え、ポリシリコン抵抗部は、前記各セルの酸化ケイ素層上に配置され、前記ｎ＋導電型層と電圧分配バスとを接続し、分離部分は、前記各セルの間に配置される。
［００１０］
　この第２の実施形態では、（第１の実施形態で用いられた基板１の代わりに）ｎ導電型基板が用いられ、このｎ導電型基板はセルのｐ−層に沿って、逆であるｎ−ｐ境界部分を形成する。」
「［００１１］
　第１実施形態に係るシリコン光電子増倍管は、ｐ＋＋導電型基板１と、基板１に成長したエピタキシャル層２（ＥＰＩ）と、ｐ導電型層３と、ｎ＋導電型層４と、層４と電圧分配バス６とを接続するポリシリコン抵抗部５と、酸化ケイ素層７と、分離部分１０とを備える。
［００１２］
　第２実施形態に係るシリコン光電子増倍管は、上述の構成要素及び接続部分以外に、ｐ＋＋導電型層８と、ｐ＋＋導電型基板１の代わりのｎ導電型基板９とを有する。
［００１３］
　
シリコン光電子増倍管用セルは、
ｐ導電型エピタキシャル層２と、
ｐ導電型層３と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成し、
ｎ＋層と、エピタキシャル層の光電面上に形成された酸化ケイ素層７の各セルに配置されたポリシリコン抵抗部５
［００１４］
　上述の構造体において、エピタキシャル層に特別に形成された濃度勾配のあるドーピングプロファイルによって生じる内部電場を生成することによって、動作電圧を低く抑え、電場を一様にし、広い波長領域（３００ｎｍ〜９００ｎｍ）において高い光検出効率が実現される。
［００１５］
　エピタキシャル層のドーピング濃度は、光電子増倍管の基板から光電面に向かって減少する。ここで、
光電面は、基板から遠い側のエピタキシャル層表面（エピタキシャル層の光電面）である
酸化ケイ素層７は、
エピタキシャル層の光電面上に形成される
［００１６］
　シリコン光電子増倍管の第２実施形態におけるエピタキシャル層は、ｎ導電型基板９（ドーピング濃度１０15〜１０17ｃｍ-3）に配置されたｐ＋＋導電型層８に成長される。
［００１７］
　ｐ導電型層３と基板９の間に第２の(逆方向)ｎ−ｐ境界部分が形成される。この境界部分によって、ガイガー放電における２次光子によって生じる光電子が近傍のセルの感度領域に侵入することを防ぐ。さらに、＜１００＞方向を有するシリコンの
異方性エッチングによってセル間に分離部分（光学的なバリア）（例えば、三角形状（Ｖ溝））を形成する
　この
シリコン光電子増倍管は、
降伏電圧より大きい同一のバイアス電圧がセルに印加され、ガイガーモードで動作する
［００１８］
　ガイガーモードにおける動作の特徴の一つとして、バイアス電圧からのセル増幅度の線形依存性が挙げられる。これにより、電源電圧の安定性及び熱安定性に対する要件が緩和される。共通バス６（陽極）には、正の電圧が供給される。供給する電圧としては、ガイガーモードになり（一般には＋２０Ｖ〜６０Ｖ）、また、１〜２マイクロメートルの必要となる空乏層の深さを与える値にする。光量子の吸収においては、生成される電荷担体は、空乏領域だけではなく、空乏になっていない通過する領域からも集まる。この空乏になっていない領域では、ドーピングの濃度勾配によって生じた内部電場が存在し、この電場によって、電子は陽極へと移動させられる。このように、電荷が、空乏領域の深さを大きく超えるような深さにまで達して集まるため、動作電圧が低くなる。固定のセル配置及び固定の動作電圧において最大の光検出効率を与える。
［００１９］
　ポリシリコン抵抗部５の値は、アバランシェ放電を停止させるために十分な条件の中から選択される。この抵抗部は、技術的に簡単に作製される。重要な特徴としては、活性領域をふさがずに、すなわち、光検出効率を低下させずに、抵抗部をセル周辺に形成することである。
［００２０］
　セル間の結合を防ぐために、シリコン光電子増倍管の構造体では、セル間に分離部分が配置される。例えば、この分離部分は三角形状（例えば、＜１００＞方向のシリコンをＫＯＨ溶液で異方性エッチングすることで形成される）を有している。」
イ　図面の記載
「Fig.1
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「Fig.2
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ウ　上記ア及びイの記載事項の考察
　上記イの記載事項のFig.2から、分離部分１０がエピタキシャル層の最下部まで形成されていることが読み取れる。
エ　引用例記載の発明
　上記ア及びイの記載事項並びに上記ウの考察によると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｐ＋＋導電型基板１を有し、
互いに独立した複数のセルからなり、
各セルは、ｐ＋＋導電型基板１上に成長させたｐ導電型エピタキシャル層２と、ｐ導電型層３と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成するｎ＋導電型層４と、シリコン光電子増倍管の光電面、すなわちエピタキシャル層の光電面上に形成される酸化ケイ素層７とを有し、
前記各セルの酸化ケイ素層７上にはポリシリコン抵抗部５が設けられ、
エピタキシャル層の最下部まで異方性エッチングすることで形成される三角形状（Ｖ溝）であって、光学バリアとして機能する分離部分１０がセル間に配置され、
光電面は、ｐ＋＋導電型基板１から遠い側のエピタキシャル層表面（エピタキシャル層の光電面）であり、
降伏電圧より大きい同一のバイアス電圧がセルに印加され、ガイガーモードで動作する、
シリコン光電子増倍管。」
（２）引用刊行物２
　また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１５年３月２０日に頒布された「特開２００３−８６８２６号公報」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ア　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホトダイオードアレイと、これを備えた固体撮像装置および放射線検出器に関する。」
「【００１５】図１は、本発明によるホトダイオードアレイの第１実施形態を示す断面図である。図２は、図１のホトダイオードアレイを光入射側から見た平面図であり、電極及び表面絶縁膜は省略してある。これらの図面に示すホトダイオードアレイ１は、光入射面側から電極や配線を排した、いわゆる裏面入射型のホトダイオードアレイであり、ｎ−型（第１導電型）Ｓｉ等からなる半導体基板２を有する。半導体基板２は、例えば、１．０×１０12／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、その厚さは、例えば、約２７０μｍとされる。半導体基板２の一面側、すなわち、半導体基板２の表面２ｓには、ｐ型（第２導電型）Ｓｉ等からなる第２導電型半導体層（ｐ型不純物拡散層）３がマトリックス状に複数（本実施形態では２×２＝４個）配設されることで、ホトダイオードアレイが構成される。各第２導電型半導体層３は、１．０×１０19／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、表面２ｓからの深さ（厚さ）は、例えば、約０．５μｍとされる。
【００１６】また、半導体基板２の表面２ｓ側（一面側）には、各第２導電型半導体層３それぞれの近傍に位置するように、半導体基板２よりも高い不純物濃度を有するｎ＋型（第１導電型）Ｓｉ等からなるチャンネルストッパ層４が設けられている。図２に示すように、本実施形態では、チャンネルストッパ層４は、各第２導電型半導体層３の周囲を取り囲むように、格子状に形成されている。チャンネルストッパ層４は、１．０×１０18／ｃｍ3程度の不純物濃度を有し、表面２ｓからの深さ（厚さ）は、例えば、約１．５μｍとされる。
【００１７】更に、半導体基板２の表面２ｓには、絶縁層５が積層され、ポリシリコン、Ａｕ、Ａｌ等からなるパターン配線が施されている。そして、各第２導電型半導体層３は、パターン配線のうち、アノードとなる電極Ｅａと接続され、各チャンネルストッパ層４は、パターン配線のうち、カソードとなる電極Ｅｃ（図２参照）と接続される。これにより、半導体基板２に対しては、図示しない電極パッドおよび電極Ｅｃから、ｎ＋型のチャンネルストッパ層４を介して電圧が加えられることになる。なお、絶縁層５を形成する素材としては、ＳｉＯ2やＳｉＮxを用いることができる。
【００１８】一方、光入射面となる半導体基板２の裏面２ｕには、半導体基板２内で発生するキャリアが裏面２ｕで再結合することを防止するためのアキュムレーション層６が形成されている。アキュムレーション層６は、ｎ型Ｓｉ等からなり、例えば、５．０×１０18／ｃｍ3程度の不純物濃度を有する。また、アキュムレーション層６の厚さは、例えば、約０．２μｍとされる。アキュムレーション層６上には、更に、保護層７が積層され、保護層７上には、ＰＤ接合領域に対応する開口部８ａを複数備えた遮光膜８が積層されている。これにより、ＰＤ間におけるクロストークを改善することができる。遮光膜８を形成する素材としては、例えば、ホトレジスト内に、黒色の染料や絶縁処理したカーボンブラック等の顔料を混入させた黒色ホトレジストや、遮光性金属等を用いることができる。
【００１９】上述したように、ホトダイオードアレイ１は、いわゆる裏面入射型として構成されるが、この場合、何ら対策を施さなければ、ホトダイオード間においてクロストークが発生しやすくなってしまう。この点に鑑みて、ホトダイオードアレイ１の半導体基板２の表面２ｓ側（一面側）には、図１および図２に示すように、トレンチ部１０が形成されている。
【００２０】トレンチ部１０は、図１および図２に示すように、格子状に形成されたチャンネルストッパ層４の中央部を貫通するように形成された格子状の溝（凹部）１１、溝１１の表面に積層された絶縁層１２、および、溝１１内に埋設された絶縁体１４とからなる。そして、図１に示すように、トレンチ部１０は、チャンネルストッパ層４よりも裏面２ｕ側に延びている。つまり、トレンチ部１０の表面２ｓからの深さは、各チャンネルストッパ層４の表面２ｓからの深さよりも大きい。
【００２１】なお、絶縁層１２を形成する素材としては、ＳｉＯ2やＳｉＮxを用いることができる。また、絶縁体１４としては、遮光膜８と同様に、例えば、ホトレジスト内に、黒色の染料や絶縁処理したカーボンブラック等の顔料を混入させた黒色ホトレジストを用いることができる。更に、絶縁体１４としては、ポリイミド等の樹脂やノンドープの絶縁性シリカ溶液等を用いることも可能である。この場合、ポリイミド等の樹脂やノンドープの絶縁性シリカ溶液をスピンコートにより溝１１内に導入し、ベーキングすることによって、溝１１内に絶縁体１４を埋設すればよい。また、パターン配線をトレンチ部１０（絶縁体１４）上に沿うように配置しても（這わせても）よい。
【００２２】ここで、図２に示すように、トレンチ部１０は、各第２導電型半導体層３、及び、チャンネルストッパ層４の各第２導電型半導体層３を取り囲む部位４ｃの周囲のほぼ全体を囲んでいるが、各第２導電型半導体層３および部位４ｃの周囲を完全には囲んでいない。すなわち、図２に示すように、各第２導電型半導体層３の互いに対向し合う２つの縁部に対しては、各１箇所ずつトレンチ部１０が存在しないトレンチ非存在部９が形成されている。そして、これら各トレンチ非存在部９を介して、チャンネルストッパ層４の互いに隣り合う第２導電型半導体層３に対応する部位４ｃ同士は電気的に連続している。
【００２３】このように、各第２導電型半導体層３の周囲の少なくとも一個所にトレンチ非存在部９を設ければ、チャンネルストッパ層４の互いに隣り合う第２導電型半導体層３に対応する部位４ｃ同士を連続させることができる。従って、各第２導電型半導体層３ごとに電極（カソード）Ｅｃを設ける必要はなくなり、図２に示すように、電極Ｅｃの個数を低減可能となる（本実施形態では、１体）。この結果、カソード用の配線を半導体基板２上で引き回す必要がなくなるので、開口率を高めることが可能となると共に、組立効率を向上させることができる。
【００２４】このように構成されたホトダイオードアレイ１において、半導体基板２の裏面２ｕ側から光が入射すると、入射光に感応してキャリア（電子・正孔）が発生する。そして、発生したキャリアは、半導体基板２内の電界に従って移動し、その一方は、ｎ＋型のチャンネルストッパ層４を介してカソードとなる電極Ｅｃから、他方は、第２導電型半導体層３と接続されたアノードとなる電極Ｅａから取り出され、電極パッドを介して外部に出力される。
【００２５】ここで、上述したように、このホトダイオードアレイ１では、トレンチ部１０が、チャンネルストッパ層４よりも他面側に延びており、各ホトダイオードの周囲は、トレンチ非存在部９を除いて、トレンチ部１０によって概略取り囲まれている。従って、トレンチ部１０によって、半導体基板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリアの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規制される。この結果、ホトダイオードアレイ１では、アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃを含むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロストークの発生を良好に抑制することが可能となる。」
イ　図面の記載
「【図１】
　　　　　　　　          　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ウ　上記記載事項アの考察
　一般に、クロストークには、光学的なものと電気的なものとが存在するが、引用例２の「アキュムレーション層６上には、更に、保護層７が積層され、保護層７上には、ＰＤ接合領域に対応する開口部８ａを複数備えた遮光膜８が積層されている。これにより、ＰＤ間におけるクロストークを改善することができる」（【００１８】）との記載、「このホトダイオードアレイ１では、トレンチ部１０が、チャンネルストッパ層４よりも他面側に延びており、各ホトダイオードの周囲は、トレンチ非存在部９を除いて、トレンチ部１０によって概略取り囲まれている。従って、トレンチ部１０によって、半導体基板２の裏面２ｕから入射した光によって発生したキャリアの互いに隣り合うホトダイオード間における移動が規制される。この結果、ホトダイオードアレイ１では、アノードとなる電極Ｅａやカソードとなる電極Ｅｃを含むパターン配線を表面２ｓ側に集めても、クロストークの発生を良好に抑制することが可能となる」（【００２５】との記載等からみて、引用例２に記載された「クロストーク」は、所謂光クロストークであると認められる。
（３）引用刊行物３
　さらに、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１８年７月６日に頒布された「特開２００６−１７９８２８号公報」（以下「引用例３」という。）の発明の詳細な説明の記載には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、ガイガーモードで動作させてフォトンカウンティングに利用されるホトダイオードアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
  例えば化学や医療などの分野において、アバランシェ（電子なだれ）増倍を利用したホトダイオードアレイをシンチレータに装着してフォトンカウンティングを行う技術がある。このようなホトダイオードアレイでは、同時に入射する複数のフォトンを弁別するため、複数に分割された受光チャンネルが共通基板上に形成されており、この受光チャンネルごとに増倍部が配置されている（例えば、非特許文献１及び非特許文献２参照）。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
  ところで、ホトダイオードアレイをフォトンカウンティングに用いる場合には、良好な検出結果を得る上で、被検出光に対する開口率を高めて量子効率を大きくすることや、ガイガーモードでの動作によって発生する受光チャンネル間のクロストークを抑制することが重要となっている。
【０００５】
  しかしながら、上述した従来のホトダイオードアレイでは、ガイガーモード動作時に発生する受光チャンネル間のクロストークを抑えるために各増倍部間をある程度離間させる必要が生じていた。その結果、被検出光に対する開口率の低下を招き、検出感度特性を向上させることが困難であった。
【０００６】
  本発明は上記課題の解決のためになされたもので、ガイガーモードで動作させる場合であっても、受光チャンネル間のクロストークの発生を抑制しつつ被検出光に対する開口率を十分に確保できるホトダイオードアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
  上記課題の解決のため、本発明に係るホトダイオードアレイは、被検出光を入射させる複数の受光チャンネルが半導体基板に形成されてなるホトダイオードアレイであって、半導体基板における被検出光の入射面側には、半導体基板よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層が形成され、半導体基板における入射面の反対面側には、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増倍させる増倍部と、増倍部と電気的に接続されると共に、互いに並列接続される抵抗と、が受光チャンネルごとに形成され、受光チャンネル同士は、各増倍部の周囲に形成される分離部によって互いに分離されていることを特徴としている。」
「【００１１】
  また、低屈折率物質は、ＳｉＯ２により形成されていることが好ましい。この場合、低屈折率物質と半導体基板との間に十分な屈折率差を持たせることができる。したがって、プラズマ発光を低屈折率物質でより確実に反射させることができ、光クロストークの発生をより効果的に抑制することが可能となる。さらに、ＳｉＯ２は高い絶縁性を有しているため、電気的クロストークの発生を効果的に抑制することも可能となる。
【００１２】
  また、トレンチ溝及び低屈折率物質は、半導体基板の入射面側から反対面側まで貫通して形成されていることが好ましい。これにより、隣接する受光チャンネル同士の分離がより確実化されるため、光クロストーク及び電気的クロストークの発生をより効果的に抑制することができる。」
　
４　対比 
　ここで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ｐ＋＋導電型基板１」、「エピタキシャル層」、「三角形状（Ｖ溝）であって、光学バリアとして機能する分離部分１０」、「酸化ケイ素層７」及び「シリコン光電子増倍管」は、本件補正発明の「基本サブストレート（８２）」、「エピタキシャルダイオード層（８４）」、「分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）」、「二酸化ケイ素薄膜（８５）」及び「半導体光電子増倍器（５３）」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明の「シリコン光電子増倍管」は、「各セルは、」「ｐ導電型層３と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成するｎ＋導電型層４と」「を有し、」「降伏電圧より大きい同一のバイアス電圧がセルに印加され、ガイガーモードで動作する」ものであるから、技術常識に照らせば、引用発明の「ｐ導電型層３と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成するｎ＋導電型層４」は、本件補正発明の「アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）」に相当するものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「各セルは、ｐ＋＋導電型基板１上に成長させたｐ導電型エピタキシャル層２と、ｐ導電型層３と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成するｎ＋導電型層４と」「を有し、」「光電面は、基板から遠い側のエピタキシャル層表面（エピタキシャル層の光電面）であり、降伏電圧より大きい同一のバイアス電圧がセルに印加され、ガイガーモードで動作する」構成は、本件補正発明の「基本サブストレート（８２）上に位置決めされたエピタキシャルダイオード層（８４）と、前記エピタキシャルダイオード層（８４）上に製作された複数のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）（６２）」「を備え」る構成に相当する。
（３）引用発明は、「光電面は、ｐ＋＋導電型基板１から遠い側のエピタキシャル層表面（エピタキシャル層の光電面）であ」って、引用発明の「セル間に配置され」る「分離部分１０」は、「エピタキシャル層の最下部まで異方性エッチングすることで形成される三角形状（Ｖ溝）であ」るから、引用発明の「分離部分１０がセル間に配置され」る構成は、本件補正発明の「複数のＡＰＤの各々を隣接するＡＰＤから分離するために該複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの周りに位置決めされ」、「隣接するＡＰＤからの拡散電流を低減させる分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）」「を備え」る構成に相当する。
　そうすると、引用発明の「エピタキシャル層の最下部まで異方性エッチングすることで形成される三角形状（Ｖ溝）であって、光学バリアとして機能する分離部分１０がセル間に配置され」る構成と、本件補正発明の「複数のＡＰＤの各々を隣接するＡＰＤから分離するために該複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの周りに位置決めされた、光吸収有機材料（８８）をその内部に被着して包含し、隣接するＡＰＤからの拡散電流を低減させる分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）」「を備え」る構成とは、「複数のＡＰＤの各々を隣接するＡＰＤから分離するために該複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの周りに位置決めされ、隣接するＡＰＤからの拡散電流を低減させる分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）を備える」構成で共通する。
（４）引用発明の「シリコン光電子増倍管の光電面、すなわちエピタキシャル層の光電面上に形成される酸化ケイ素層７」「を有」する構成と、本件補正発明の「光吸収有機材料（８８）を包含した前記光学的分離構造（８６）と前記複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの上に被着され、前記複数のＡＰＤ（６２）を電気絶縁する二酸化ケイ素薄膜（８５）」「を備え」る構成とは、「複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの上に被着された二酸化ケイ素薄膜（８５）」「を備え」る構成で共通する。
　
　上記（１）ないし（４）の点から、本件補正発明と引用発明は、 
「基本サブストレート（８２）と、
前記基本サブストレート（８２）上に位置決めされたエピタキシャルダイオード層（８４）と、
前記エピタキシャルダイオード層（８４）上に製作された複数のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）（６２）と、
前記複数のＡＰＤの各々を隣接するＡＰＤから分離するために該複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの周りに位置決めされ、隣接するＡＰＤからの拡散電流を低減させる分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）と、
前記複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの上に被着された二酸化ケイ素薄膜（８５）と、
を備えた、
半導体光電子増倍器（５３）。」 
で一致し、以下の点で相違する。
 　 
（相違点）
　本件補正発明は、「光学的分離構造（８６）」が「光吸収有機材料（８８）をその内部に被着して包含」するものであって、「光学的分離構造（８６）」の「分離トレンチは、前記エピタキシャルダイオード層（８４）を貫通し、前記基本サブストレート（８２）内に延び」、「二酸化ケイ素薄膜（８５）」が「光吸収有機材料（８８）を包含した前記光学的分離構造（８６）」「上に被着され、前記複数のＡＰＤ（６２）を電気絶縁する」ものであるのに対し、引用発明は、「光学バリアとして機能する分離部分１０」が「エピタキシャル層の最下部まで異方性エッチングすることで形成される三角形状であ」り、「酸化ケイ素層７」は、単に「エピタキシャル層２の光電面上に形成される」だけである点。
 　 
５　当審の判断 
　以下、上記相違点について検討する。
　ホトダイオードアレイの光クロストーク（「第２」［理由］「３」「（２）」「ウ」の考察参照。）を防ぐために、溝１１（本件補正発明の「分離トレンチ」がこれに相当。）内に絶縁体１４である黒色ホトレジスト（本件補正発明の「光吸収有機材料」がこれに相当。）を埋設したトレンチ部１０（本件補正発明の「光学的分離構造」に相当。）を形成すること、及び、ＳｉＯ2の絶縁体５（本件補正発明の「二酸化ケイ素薄膜（８５）」に相当。）を絶縁体１４である黒色ホトレジストを埋設したトレンチ部１０上、及び、ホトダイオード上に形成することが、いずれも引用例２（【００２０】、【００２１】、【００２５】、図１参照。）に記載されている。
　そして、引用例２に記載されたトレンチ部１０は、溝１１内に絶縁体１４を埋設したものであるから、電気的に分離することが可能なものであるといえる。
　また、アバランシェフォトダイオードアレイにおいて、光クロストーク及び電気クロストークの発生が抑制すべき課題であることは、引用例３に記載されているように既知の課題であって、引用発明においても同様の課題を内包することは自明といえる。
　そうすると、光クロストーク及び電気クロストークの発生を抑制するために、引用発明の「降伏電圧より大きい逆のバイアス電圧がセルに印加され、ガイガーモードで動作する、シリコン光電子増倍管」において、「ｐ導電型エピタキシャル層２の最下部まで異方性エッチングすることで形成される三角形状であって、光学バリアとして機能する分離部分１０」に換えて、引用例２に記載された、溝１１内に絶縁体１４である黒色ホトレジストを埋設したトレンチ部１０を採用することは、当業者が容易になし得たことであり、その際に、引用発明の「エピタキシャル層２の光電面上に形成される酸化ケイ素層７」を、引用例２に記載されている如く、トレンチ部１０上にも形成することにより、各セルの「ｐ導電型層３と、ｐ−ｎ境界部分のドナー部分を形成するｎ＋導電型層４」を電気絶縁することに、格別の困難性はない。
　そして、一般に、分離トレンチを深く形成すれば光学的分離がより確実となることは自明であるし、ホトダイオードアレイの分離トレンチを基板内に延びるように形成することは、周知技術（特開２００４−４７７３２号公報の図２、特開２００１−３５２０９４号公報の図２，７〜９、特開２００３−７９９３号公報の図１、２参照。）であるから、上記「トレンチ部１０を採用する」に際し、トレンチ部を引用発明の「ｐ＋＋導電型基板１」内に延びるまで形成し、上記相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　上記相違点については以上のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２，３記載の事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例２，３記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
 　 
６　本件補正についての補正の却下の決定のむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成２６年６月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成２５年１１月２２日付けの手続補正は、平成２６年２月２８日付けで補正の却下の決定がなされたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
基本サブストレート（８２）と、
前記基本サブストレート（８２）上に位置決めされたエピタキシャルダイオード層（８４）と、
前記エピタキシャルダイオード層（８４）上に製作された複数のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）（６２）と、
前記複数のＡＰＤの各々を隣接するＡＰＤから分離するために該複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの周りに位置決めされた、光吸収材料（８８）と光反射材料（８８）の少なくとも一方をその内部に被着して包含する分離トレンチとして構成された光学的分離構造（８６）と、
前記光学的分離構造（８６）と前記複数のＡＰＤ（６２）の各々の有効エリアの上に被着された二酸化ケイ素薄膜（８５）と、
を備え、
前記分離トレンチは、前記エピタキシャルダイオード層（８４）を貫通し、前記基本サブストレート（８２）内に延びる、
半導体光電子増倍器（５３）。」
 　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された引用刊行物１ないし３及びその記載事項、並びに引用発明は、上記「第２」［理由］「３」に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、本件補正発明の発明特定事項である「光吸収有機材料（８８）」を「光吸収材料（８８）と光反射材料（８８）の少なくとも一方」とし、同じく「分離トレンチ」に関し、「隣接するＡＰＤからの拡散電流を低減させる」事項を省き、同じく「二酸化ケイ素薄膜（８５）」に関し、「複数のＡＰＤ（６２）を電気絶縁する」事項を省いたものである。
　ここで、本願発明の発明特定事項を全て含み、上記構成を限定した本件補正発明が、上記「第２」［理由］「４」及び「５」に記載したとおり、引用発明、引用例２，３記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明、引用例２，３記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２，３記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。