【手続補正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の部分から陥凹したトレンチ領域を有する表面と、
前記トレンチ領域に設けられたサンプル・ウェル・アレイであって、前記サンプル・ウェル・アレイのうちのサンプル・ウェルが、サンプルを受け取るべく形成された、サンプル・ウェル・アレイと、
前記アレイ中の少なくとも１つのサンプル・ウェルに対して励起エネルギを結合すべく形成され、及び、前記トレンチ領域の表面から第１の距離をもって、かつ前記トレンチ領域とは別個の領域中の前記表面から第２の距離をもって配置された導波路であって、前記第１の距離が前記第２の距離よりも小さい、導波路と
を備える集積デバイス。
【請求項２】
前記第１の距離は１５０ｎｍ〜６００ｎｍである、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記第２の距離は２５０ｎｍ〜２０００ｎｍである、請求項１又は２に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記サンプル・ウェルは、前記導波路から３００ｎｍよりも小さい距離にて表面を有する、請求項１乃至３のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記集積デバイスは、前記集積デバイスとは別個の励起源から励起エネルギを受け取り、前記導波路に対して励起エネルギを向けるように構成された少なくとも１つの格子結合器をさらに備える、請求項１乃至４のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記集積デバイスは、前記少なくとも１つの格子結合器の方へ励起エネルギを反射するように構成された反射体をさらに備える、請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記集積デバイスは、前記少なくとも１つの格子結合器から励起エネルギを受け取り、複数の導波路に対して励起エネルギを向けるように構成されたスプリッタ構造をさらに備える、請求項５又は６に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記スプリッタ構造は、少なくとも１つのマルチモード干渉スプリッタを含む、請求項７に記載の集積デバイス。
【請求項９】
前記スプリッタ構造はスター結合器を含む、請求項７又は８に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
前記スプリッタ構造は、スライスされた格子結合器を含む、請求項７乃至９のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項１１】
前記導波路は、遠位の位置におけるよりも前記格子結合器に近接した位置において寸法が大きくなるように、前記導波路に沿って光伝搬の方向に対して直角な方向においてテーパ付けされた寸法を有する、請求項１乃至１０のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項１２】
前記サンプル・ウェルは、前記サンプル・ウェルの側壁の少なくとも部分上に形成された側壁スペーサを含む、請求項１乃至１１のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項１３】
前記導波路に近接した前記サンプル・ウェルの表面は、前記側壁スペーサとは異なる様式で前記サンプルと相互作用するように構成された、請求項１２に記載の集積デバイス。
【請求項１４】
前記集積デバイスは、前記アレイのサンプル・ウェルのアパーチャと重複する開口を金属スタックが有するように、前記トレンチ領域のボトム表面上に形成された金属スタックをさらに備える、請求項１乃至１３のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項１５】
前記金属スタックはアルミニウム層及び窒化チタン層を含み、前記アルミニウム層は前記導波路に近接している、請求項１４に記載の集積デバイス。
【請求項１６】
前記導波路は窒化ケイ素を含む、請求項１乃至１５のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項１７】
前記集積デバイスは、前記サンプル・ウェル中に配置された前記サンプルによって放出された放出エネルギを受け取るように構成されたセンサをさらに備える、請求項１乃至１６のいずれかに記載の集積デバイス。
【請求項１８】
基板と、
前記基板に対向している第１の側、及び前記第１の側の反対側の第２の側を有する導波路と、
複数の電気信号をサポートするように構成された複数の金属層であって、前記複数の金属層のうちの第１の金属層が、前記導波路の前記第１の側よりも前記基板に対してより近い距離において配置された、複数の金属層と
を備える集積デバイス。
【請求項１９】
前記導波路は、前記複数の金属層のうちの第２の金属層よりも前記基板に対してより近い距離において配置された、請求項１８に記載の集積デバイス。
【請求項２０】
表面の部分から陥凹したトレンチ領域を有する表面と、
前記トレンチ領域中に配設された、サンプル・ウェル・アレイであって、前記サンプル・ウェル・アレイのうちのサンプル・ウェルが、サンプルを受け取るべく形成された、サンプル・ウェル・アレイと
をさらに備え、
前記導波路は、前記トレンチ領域の表面から第１の距離をもって、かつ前記トレンチ領域とは別個の領域中の前記表面から第２の距離をもって配置され、前記第１の距離は前記第２の距離よりも小さい、
請求項１８又は１９に記載の集積デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第１の態様によると、表面の部分から陥凹したトレンチ領域を有する表面と、  前記トレンチ領域に設けられたサンプル・ウェル・アレイであって、前記サンプル・ウェル・アレイのうちのサンプル・ウェルが、サンプルを受け取るべく形成された、サンプル・ウェル・アレイと、  前記アレイ中の少なくとも１つのサンプル・ウェルに対して励起エネルギを結合すべく形成され、及び、前記トレンチ領域の表面から第１の距離をもって、かつ前記トレンチ領域とは別個の領域中の前記表面から第２の距離をもって配置された導波路であって、前記第１の距離が前記第２の距離よりも小さい、導波路とを備える集積デバイスを要旨とする。
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記第１の距離は１５０ｎｍ〜６００ｎｍであることを要旨とする。
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様において、前記第２の距離は２５０ｎｍ〜２０００ｎｍであることを要旨とする。
本発明の第４の態様は、第１〜３の態様のいずれか１つにおいて、前記サンプル・ウェルは、前記導波路から３００ｎｍよりも小さい距離にて表面を有することを要旨とする。
本発明の第５の態様は、第１〜４の態様のいずれか１つにおいて、前記集積デバイスは、前記集積デバイスとは別個の励起源から励起エネルギを受け取り、前記導波路に対して励起エネルギを向けるように構成された少なくとも１つの格子結合器をさらに備えることを要旨とする。
本発明の第６の態様は、第５の態様において、前記集積デバイスは、前記少なくとも１つの格子結合器の方へ励起エネルギを反射するように構成された反射体をさらに備えることを要旨とする。
本発明の第７の態様は、第５〜６の態様のいずれか１つにおいて、前記集積デバイスは、前記少なくとも１つの格子結合器から励起エネルギを受け取り、複数の導波路に対して励起エネルギを向けるように構成されたスプリッタ構造をさらに備えることを要旨とする。
本発明の第８の態様は、第７の態様において、前記スプリッタ構造は、少なくとも１つのマルチモード干渉スプリッタを含むことを要旨とする。
本発明の第９の態様は、第７〜８の態様のいずれか１つにおいて、前記スプリッタ構造はスター結合器を含むことを要旨とする。
本発明の第１０の態様は、第７〜９の態様のいずれか１つにおいて、前記スプリッタ構造は、スライスされた格子結合器を含むことを要旨とする。
本発明の第１１の態様は、第１〜１０の態様のいずれか１つにおいて、前記導波路は、遠位の位置におけるよりも前記格子結合器に近接した位置において寸法が大きくなるように、前記導波路に沿って光伝搬の方向に対して直角な方向においてテーパ付けされた寸法を有することを要旨とする。
本発明の第１２の態様は、第１〜１１の態様のいずれか１つにおいて、前記サンプル・ウェルは、前記サンプル・ウェルの側壁の少なくとも部分上に形成された側壁スペーサを含むことを要旨とする。
本発明の第１３の態様は、第１２の態様において、前記導波路に近接した前記サンプル・ウェルの表面は、前記側壁スペーサとは異なる様式で前記サンプルと相互作用するように構成されたことを要旨とする。
本発明の第１４の態様は、第１〜１３の態様のいずれか１つにおいて、前記集積デバイスは、前記アレイのサンプル・ウェルのアパーチャと重複する開口を金属スタックが有するように、前記トレンチ領域のボトム表面上に形成された金属スタックをさらに備えることを要旨とする。
本発明の第１５の態様は、第１４の態様において、前記金属スタックはアルミニウム層及び窒化チタン層を含み、前記アルミニウム層は前記導波路に近接していることを要旨とする。
本発明の第１６の態様は、第１〜１５の態様のいずれか１つにおいて、前記導波路は窒化ケイ素を含むことを要旨とする。
本発明の第１７の態様は、第１〜１６の態様のいずれか１つにおいて、前記集積デバイスは、前記サンプル・ウェル中に配置された前記サンプルによって放出された放出エネルギを受け取るように構成されたセンサをさらに備えることを要旨とする。
本発明の第１８の態様は、基板と、  前記基板に対向している第１の側、及び前記第１の側の反対側の第２の側を有する導波路と、  複数の電気信号をサポートするように構成された複数の金属層であって、前記複数の金属層のうちの第１の金属層が、前記導波路の前記第１の側よりも前記基板に対してより近い距離において配置された、複数の金属層とを備える集積デバイスを要旨とする。
ことを要旨とする。
本発明の第１９の態様は、第１８の態様において、前記導波路は、前記複数の金属層のうちの第２の金属層よりも前記基板に対してより近い距離において配置されたことを要旨とする。
本発明の第２０の態様は、第１８〜１９の態様のいずれか１つにおいて、表面の部分から陥凹したトレンチ領域を有する表面と、  前記トレンチ領域中に配設された、サンプル・ウェル・アレイであって、前記サンプル・ウェル・アレイのうちのサンプル・ウェルが、サンプルを受け取るべく形成された、サンプル・ウェル・アレイとをさらに備え、  前記導波路は、前記トレンチ領域の表面から第１の距離をもって、かつ前記トレンチ領域とは別個の領域中の前記表面から第２の距離をもって配置され、前記第１の距離は前記第２の距離よりも小さいことを要旨とする。
本発明の第２１の態様は、基板にわたって導波路を形成する工程と、  前記導波路にわたってトップ・クラッディングを形成する工程と、  前記トップ・クラッディング中にトレンチ領域を形成する工程と、  前記トップ・クラッディングの表面上に金属スタックを形成する工程と、  前記導波路に近接した前記トレンチ領域の表面において少なくとも１つのサンプル・ウェルを形成する工程とを備える、集積デバイスを形成する方法を要旨とする。
本発明の第２２の態様は、第２１の態様において、前記トップ・クラッディングの表面から前記導波路までの距離に対して前記トップ・クラッディングを平坦化する工程をさらに備えることを要旨とする。
本発明の第２３の態様は、第２２の態様において、前記トレンチ領域内の一定の位置における前記導波路に対するトップ・クラッディングの表面との間の前記距離は、１５０ｎｍ〜６００ｎｍにあることを要旨とする。
本発明の第２４の態様は、第２１〜２３の態様のいずれか１つにおいて、前記少なくとも１つのサンプル・ウェルを形成する工程は、前記トップ・クラッディング層に対して延在する開口を形成するために前記金属層を選択的にエッチングする工程を備えることを要旨とする。
本発明の第２５の態様は、第２４の態様において、前記金属層を選択的にエッチングする工程は、  フォトレジスト・マスクを使用して前記金属層を選択的にエッチングする工程と、  フォトレジスト・マスク又はハード・マスクを使用して前記トップ・クラッディングを選択的にエッチングする工程とを備えることを要旨とする。
本発明の第２６の態様は、第２１〜２５の態様のいずれか１つにおいて、前記少なくとも１つのサンプル・ウェルを形成する工程は、前記トップ・クラッディングの時間調節エッチングを実施する工程を備えることを要旨とする。
本発明の第２７の態様は、第２１〜２６の態様のいずれか１つにおいて、前記少なくとも１つのサンプル・ウェルを形成する工程は、  前記トップ・クラッディング上に少なくとも１つのエッチング・ストップ層を形成する工程と、  前記トップ・クラッディング及び前記エッチング・ストップ層にわたって誘電体層を形成する工程と、  前記エッチング・ストップ層を露出するために前記少なくとも１つのエッチング・ストップ層と重複するロケーションにおいて前記誘電体層を除去する工程とを備えることを要旨とする。
本発明の第２８の態様は、第２１〜２７の態様のいずれか１つにおいて、前記少なくとも１つのサンプル・ウェルのうちのサンプル・ウェルの側壁の少なくとも部分上にスペーサを形成する工程をさらに備えることを要旨とする。
本発明の第２９の態様は、第２８の態様において、前記スペーサを形成する工程は、原子層堆積（ＡＬＤ）処理を用いて実施されることを要旨とする。
本発明の第３０の態様は、第２８〜２９の態様のいずれか１つにおいて、ことを要旨とする。
本出願の様々な態様及び実施形態について、以下の図を参照しながら説明される。図は必ずしも一定の縮尺で描かれているわけではないことを諒解されたい。多数の図の中に現れている項目は、それらの項目が中に現れるすべての図において同じ参照番号によって示される。