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　特願２０１１−　５０１６６「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月２２日出願公開、特開２０１１−１８７９６１、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月８日（パリ条約による優先権主張２０１０年３月９日、大韓民国）の出願であって、平成２６年１２月４日付けで拒絶理由通知が通知され、平成２７年３月２日に意見書及び手続補正書が提出されたところ、同年５月１日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年８月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された。
第２　平成２７年８月２８日に提出された手続補正書による補正の適否
１　補正の内容
　平成２７年８月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１２と補正するものであり、補正前後の請求項１は、それぞれ次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　第１半導体層、活性層及び第２半導体層を含む発光構造物と、
　前記発光構造物の上に形成され、炭素ナノチューブを含むナノチューブ層と、
　前記第１及び第２半導体層の何れか一つの層上に形成された第１電極と、
　前記第１及び第２半導体層の何れか一つの層上に形成された第２電極と、
　を含み、
　前記第２電極は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の上に配置され、
　前記第２電極の下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層に接する発光素子。」
（補正後）
「【請求項１】
　第１半導体層、活性層及び第２半導体層を含む発光構造物と、
　前記発光構造物の上に形成され、炭素ナノチューブを含むナノチューブ層と、
　前記第１半導体層上に形成された第１電極と、
　前記第２半導体層上に形成された第２電極と、
　を含み、
　前記第２電極は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の上に配置され、
　前記第２電極は、前記ナノチューブ層を貫通して前記第２半導体層と接し、
　前記第２電極は、前記ナノチューブ層の一部領域とオーバーラップするように前記ナノチューブ層の前記一部領域上に形成され、
　前記第２電極の下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の前記一部領域に直接接し、
　前記第２半導体層は、上面に凹凸構造を含み、
　前記ナノチューブ層は、前記第２電極と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有し、
　前記第２電極は、前記ナノチューブ層と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有することを特徴とする発光素子。」
２　本件補正についての検討
（１）補正の目的の適否及び新規事項の追加について
ア　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１に記載された「前記第１及び第２半導体層の何れか一つの層上に形成された第１電極と、前記第１及び第２半導体層の何れか一つの層上に形成された第２電極と」を、「前記第１半導体層上に形成された第１電極と、前記第２半導体層上に形成された第２電極と」とすること。
［補正事項２］
　補正前の請求項１に、「前記第２電極は、前記ナノチューブ層を貫通して前記第２半導体層と接し、前記第２電極は、前記ナノチューブ層の一部領域とオーバーラップするように前記ナノチューブ層の前記一部領域上に形成され、」との記載を付加するとともに、補正前の請求項１に記載された「前記第２電極の下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層に接する」を、「前記第２電極の下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の前記一部領域に直接接し」とすること。
［補正事項３］
　補正前の請求項１に、「前記第２半導体層は、上面に凹凸構造を含み、　前記ナノチューブ層は、前記第２電極と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有し、　前記第２電極は、前記ナノチューブ層と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有することを特徴とする」との記載を付加すること。
［補正事項４］
　補正前の請求項６〜８を削除し、当該削除に対応して補正前の請求項９〜１５の請求項番号を繰り上げ、それぞれ補正後の請求項６〜１２とするとともに、それぞれ引用請求項の請求項番号を繰り上げること。
イ　以下、補正事項１〜４について検討する。
（ア）補正事項１について
　補正事項１は、「第１電極」及び「第２電極」について、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項１により追加された構成は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）に記載されており、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（イ）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１における「前記第２電極」について、「前記第２電極は、前記ナノチューブ層を貫通して前記第２半導体層と接し、前記第２電極は、前記ナノチューブ層の一部領域とオーバーラップするように前記ナノチューブ層の前記一部領域上に形成され、」との限定を付加するとともに、「前記第２電極の下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層に接する」を、「前記第２電極の下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の前記一部領域に直接接し」として、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
　
　また、補正事項２により追加された構成は、当初明細書等に記載されており、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（ウ）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項１における「前記第２半導体層」、「前記ナノチューブ層」、及び「前記第２電極」について、「前記第２半導体層は、上面に凹凸構造を含み、　前記ナノチューブ層は、前記第２電極と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有し、　前記第２電極は、前記ナノチューブ層と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有することを特徴とする」との限定を付加して、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
　
　また、補正事項３により追加された構成は、当初明細書等に記載されており、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
（エ）補正事項４について
　補正事項４は、請求項の削除を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項４が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
（オ）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たすものである。
　また、補正事項１〜４は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下において検討する。 
　
（２）独立特許要件について
ア　本件補正後の発明
  本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明１」という。また、本件補正後の請求項２〜１２に係る発明をそれぞれ「補正発明２」〜「補正発明１２」という。）は、上記「１　補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 
イ　引用例の記載事項と引用発明
（ア）引用例１：特表２００７−５２３４９５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００７−５２３４９５号公報（以下「引用例１」という。）には、「ナノチューブ・コンタクトを用いた半導体デバイスおよび方法」（発明の名称）に関して、図１〜４とともに以下の記載がある（下線は当審において付加した。以下同じ。）。
ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
１つ以上の半導体層に対して接触抵抗を低下させるコンタクト層を備えたナノチューブを含む電子および光電半導体デバイス
【背景技術】
【０００２】
　異なる材料間の接合部における電子輸送は、それぞれの材料間のバンド構造整列およびそれらの相対的化学ポテンシャルによって支配される。バンド間に不整合があると、電気的ポテンシャル・バリアが生ずるが、キャリア輸送を行うためにはこれを克服しなければならない。更に、材料を接触させるときに化学的ポテンシャルの平衡が生じ、その結果空間電荷層が形成される。この層には自由キャリアが枯渇しているため、輸送に対する障壁が増大し、全体的なデバイス性能を低下させる原因となる。
【０００３】
　適性なデバイス動作のためには、一般に、ｎおよびｐ型半導体双方に対する低抵抗オーミック・コンタクトが必要である。接触抵抗が高いと、コンタクトにおける電圧降下が著しくなり、スイッチング速度および電圧振幅というような、交流および直流それぞれの性能双方の低下に至る可能性がある。」
ｂ　「【課題を解決するための手段】
【０００９】
　半導体デバイスは、少なくとも１つの半導体層と、半導体層と電気的に接触する金属層と、
金属層と半導体層との間に介在するカーボン・ナノチューブ・コンタクト層
ｃ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　本発明ならびにその特徴および利点については、以下の詳細な説明を添付図面と共に検討することにより、一層深い理解が得られる。
　…（略）…
【００１６】
　ワタナベらとは対照的に、ここに記載する本発明は、金属電極と半導体材料を構成するアクティブ層との間における電荷の転移を改善するために、
コンタクト領域にナノチューブを用いる
金属層と半導体層との間に介在するコンタクト層を備えているカーボン・ナノチューブ
低い比接触抵抗を有する半導体コンタクト
【００１７】
　前述の電子回路へのナノチューブの応用のために半導体を金属ナノチューブから分離しようとするのではなく、本発明者は、密接に混合されたナノチューブ材料の特性は、
金属を半導体に電気的に結合するための大きな利点を保有する中間層として用いる
【００１８】
　特許請求する発明を実施するためには必要でないが、出願人は、理論に拘束されることを嫌い、本発明による層を備えた
ナノチューブによって得られる低抵抗コンタクト
…（略）…
【００２０】
　ナノチューブと電荷移動錯体を形成する元素および化合物の膨大な一群の内、１つ以上を用いると、ハロゲンまたはアルカリ金属のような、ナノチューブを化学的荷電転移ドープするために用いることができる。このような材料を用いると、ナノチューブのナノチューブ・フェルミ・レベルを容易にそして制御可能に調整することができ、ｎ型またはｐ型のいずれにすることもできる。結晶格子を含む原子の希釈置換を伴う典型的な半導体ドーピングとは異なり、ナノチューブ格子の原子を除去する必要はない。代わりに、ドーパント種とナノチューブとの間に、本質的に自発的に、しかるべき化学物質（複数の化学物質）に露出したときに、単純な電荷転移が発生する。このため、電荷転送ドーピングを用いると、
ナノチューブ層と、接触させる半導体層との間のバンド整合を改善する
ナノチューブ層のフェルミ・レベルを、接触させる半導体層のフェルミ・レベルに対して約０．１ボルト（以内）に近づけることができる
…（略）…
【００２２】
　厚さ１００から４００ｎｍというような、約１μｍ以下の薄いＳＷＮＴ膜を用いることにより、ナノチューブ層は、可視光および／または赤外線範囲において、実質的に光透過性となることができる。…（略）…」
ｄ　「【００２９】
　…（略）…
（実施例）
　以下の具体例によって、本発明を更に例示する。これらの例は、如何様にしても本発明の範囲または内容を限定するように解釈すべきではない。
【００３０】
　図１に示した
ＧａＮ量子井戸ＬＥＤ１００
ｐ−ＧａＮ層１１５
ｎ−ＧａＮ層１１０
接合領域を参照番号１１８
Ｐ＋ナノチューブ層１２０
【００３１】
　ナノチューブ膜を転移するために、未だ濡れているメンブレーンをナノチューブ膜側のｐ−ＧａＮ層１１５上に配置した。続いて、この構造体を多孔質濾紙で覆い、４ｋｇの質量で負荷をかけて一晩乾燥平坦化し(dry flat)、ｐ−ＧａＮ層１１５に接着したナノチューブ膜（未だメンブレーンがくっついたままである）を残した。通例、接着は、ナノチューブを傷つけずに連続アセトン槽において、次いで最後のメタノール槽においてメンブレーンの溶解を続けて行うことを可能にするには適当である（連続槽は、ナノチューブ膜内に取り込んだ溶解セルロース・エステルを最少に抑えるために用いる）。一旦乾燥したなら、
ナノチューブ１２０／ｐ−ＧａＮ１１５／ｎ−ＧａＮ１１０／基板１０５の構造体
ｎ−ＧａＮ１１０への金属コンタクト１１２
金属コンタクト１２２をナノチューブ層１２０上に形成
【００３２】
　加えて、ＣＮＴ膜もサファイア上の単一層ｐ−ＧａＮ上に堆積し、ＣＮＴ膜をパターニングしてまたはパターニングせずに金属層とｐ−ＧａＮ層との間に介在させた構造において、伝送線路法（ＴＬＭ）を用いて、比接触抵抗（ｒｃ）を測定した。各場合における比接触抵抗（ｒｃ）は、関係ｒｃ＝（Ｒｃ２／Ｒｓ）Ｗ２によって、構造Ｒ＝２Ｒ＋Ｒｓ（Ｌ／Ｗ）の全測定抵抗から得た。ここで、Ｒｃは測定した接触抵抗、Ｒｓ／Ｗは抵抗対パッド間隔のグラフの傾きであり、Ｗはパッドの幅、Ｌはパッドの間隔である。
【００３３】
　図２は、本発明によるｐ−ＧａＮ層上のＣＮＴ膜の上に種々の金属を配したＬＥＤの接合電流−電圧（Ｖ−Ｉ）特性を示す。各場合において、接合部は、優れた整流特性を呈している。このように、ＳＷＮＴコンタクト層は、ｐ−ＧａＮ層のホール濃度が比較的低い（約１×１０１７ｃｍ−３）にも拘わらず、優れたオーミック・コンタクトを備えている。ＴＬＭ測定から得た接触抵抗データを図３に示す。ＣＮＴ膜自体は、非常に導電性が高く、電流が主にＣＮＴ膜を通過する場合のこれらの膜の上に堆積した際の接触抵抗、５．４×１０−３Ωｃｍ２が、７００℃、１分間のＮ２アニールの後に１．３×１０−４Ωｃｍ２となる。ＣＮＴをパターニングして、電流がｐ−ＧａＮを通過するようにさせる場合、この構造の接触抵抗は、７００℃アニール後には１．１×１０−２Ωｃｍ２となることがわかったが、ＣＮＴは堆積した状態においても、オーミック挙動を生ずる。これは、堆積すると非オーミックであった、同一層上の標準的なＮｉ／Ａｕコンタクトの場合（中間ナノチューブ層がない）とは全く対照的である。」
ｅ　図１は、「本発明の一実施形態による、金属とｐ−ＧａＮ層との間に配置した
カーボン・ナノチューブ・コンタクト層
　また、ｐ−ＧａＮ層１１５とｎ−ＧａＮ層１１０との間に接合領域１１８が見てとれる。
　ナノチューブ層１２０はｐ−ＧａＮ層１１５の上に形成されていること、及び、金属コンタクト１２２は、ナノチューブ層１２０の一部領域上に、直接接するように形成されていることが見てとれる。
　
【図１】
（イ）引用発明
　上記「（ア）ｂ」の段落【０００９】、「（ア）ｃ」の【００１６】等の記載から、引用例１の（実施例）に記載の「ナノチューブ層」は、金属層と半導体層との間に介在するカーボン・ナノチューブ・コンタクト層であるといえ、当該「金属層」と「半導体層」は、それぞれ図１の「金属コンタクト１２２」と「ｐ−ＧａＮ層１１５」が対応することは明らかである。
　したがって、図１を参酌してまとめると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「Ｐ＋ナノチューブ層１２０／ｐ−ＧａＮ層１１５／ｎ−ＧａＮ層１１０／基板１０５の構造体を含み、
　前記構造体は、ｐ−ＧａＮ層１１５とｎ−ＧａＮ層１１０との間に接合領域１１８を有し、
　ナノチューブ層１２０はｐ−ＧａＮ層１１５の上に形成され、
　ｎ−ＧａＮ１１０への金属コンタクト１１２が、ｎ−ＧａＮ１１０上に形成され、
　金属コンタクト１２２は、ナノチューブ層１２０の一部領域上に、直接接するように形成され、
　ナノチューブ層１２０は、金属コンタクト１２２とｐ−ＧａＮ層１１５との間に介在するカーボン・ナノチューブ・コンタクト層である、
ＧａＮ量子井戸ＬＥＤ１００。」
（ウ）引用例２：特開平１０−２４２５１６号公報
　原査定で周知技術を示す文献として提示され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−２４２５１６号公報（以下「引用例２」という。）には、「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、以下の記載がある。
ａ　「【００１４】本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであり、信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。」
ｂ　「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される構造
ｃ　「【００２９】（実施形態１）図１〜図４は本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す。まず、図１及び図２に基づき本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の概略構造について説明する。
【００３０】この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、絶縁性基板であるサファイヤ基板６上に、バッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層して形成されている。加えて、
Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上
には、ショットキー電極２ａが形成され、その上にＰ型ボンディング用電極２ｂが形成されている
これらは透光性電極１によって覆われている
…（略）…
【００３８】このような電極構造によれば、ＴｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してショットキー特性を有するため、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９のＰ型ボンディング用電極２ｂの直下に位置する領域に電流が注入されるのを阻止できる。
【００３９】また、透光性電極１はＡｕ及びＮｉの積層構造とし、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上にＮｉを３〜１５ｎｍ（例えば、３ｎｍ）形成し、その上にＡｕを３〜１５ｎｍ（例えば、４ｎｍ）形成した。ここで、ＮｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してオーミックコンタクトを示す。このため、図４に示すように、透光性電極（オーミック電極）１のＮｉとＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９が接触している領域のみに電流を流すことができる。
【００４０】それ故、本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子によれば、この
オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を
効率よく外部に取り出すことができる
ｄ　「【００４４】（実施形態２）図５〜図７は本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す。本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、電極構造のみが実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と異なっている。即ち、図５及び図６に示すように、本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、
透光性電極１の隅部を切り欠いた部分のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上
にショットキー電極２ａとＰ型ボンディング用電極２ｂからなる積層構造を形成している
【００４５】次に、図７に基づきこの窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
【００４６】まず、同図（ａ）に示すように、サファイヤ基板６上にバッファ層７、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこのエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上に隅部を切り欠いた透光性電極１を形成する。
【００４７】次に、同図（ｂ）に示すように、
透光性電極１の隅部を切り欠いた部分のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上にショットキー電極２ａを形成し、続いてその上にＰ型ボンディング用電極２ｂ
【００４８】次に、同図（ｃ）に示すように、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディング用電極４を形成する。以上の工程によって、図５及び図６に示す本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が作製される。
【００４９】ここで、本実施形態２においても、ショットキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形態１と同様である。また、Ｐ型ボンディング用電極２ｂの材質、厚みも同様である。更に、透光性電極１も同様のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であり、その厚みも同様である。
【００５０】このため、本実施形態２においても、実施形態１同様に、
オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を効率よく外部に取り出すことができる
ｅ　「【００６１】
【発明の効果】以上の本発明によれば、
Ｐ型ボンディング用電極の直下での電流注入を阻止し、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流を注入することができるので、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度と発光密度を高くできる
発生光を効率よく外部に取り出すことができる
（エ）引用例３：特開２００６−２３７５７４号公報
　原査定で周知技術を示す文献として提示され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−２３７５７４号公報（以下「引用例３」という。）には、「ＧａＮ系発光ダイオード」（発明の名称）に関して、以下の記載がある。
ａ　「【請求項１】
ＧａＮ系半導体からなる発光層に積層して形成されたｐ型ＧａＮ系半導体層と、該ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に形成されたｐ型オーミック電極と、該ｐ型オーミック電極に電気的に接続されたｐ側パッド電極と、を備えたＧａＮ系発光ダイオードであって、
前記ｐ型オーミック電極は、前記発光層で生じる光が通過し得る窓部を有するパターンに形成された部分と、開口部が設けられた部分と、からなり、
前記ｐ側パッド電極は、前記開口部の内側で前記ｐ型ＧａＮ系半導体層と接するとともに、その外周部が前記ｐ型オーミック電極の上に重なるように形成され、それによって、該ｐ側パッド電極と該ｐ型オーミック電極とが重なった領域が、該ｐ側パッド電極の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域となっており
前記ｐ側パッド電極と前記ｐ型ＧａＮ系半導体層との接触が非オーミック性とされるか、または、前記ｐ側パッド電極が接する前記ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面が高抵抗化されることにより、前記ｐ側パッド電極から前記ｐ型ＧａＮ系半導体層に直接電流が流れないようにされている、ＧａＮ系発光ダイオード。」
ｂ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ＧａＮ系発光ダイオードに関する。更に詳しくは、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に形成されるｐ型オーミック電極が、窓部を有するパターンに形成され、該窓部を通して光を取り出すことができるように構成されたＧａＮ系発光ダイオードに関する。」
ｃ　「【００１１】
　以下、図面を参照して本発明を具体的に説明する。
　図１は、本発明の実施形態（審決注：【図面の簡単な説明】から、「実施」は誤記と認定した。）に係るＧａＮ系ＬＥＤの構造を示す模式図であり、図１（ａ）は上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のｘ−ｙ線における断面図である。
　図１において、１はサファイア基板、２はＳｉ（ケイ素）がドープされた膜厚３μｍのｎ型ＧａＮクラッド層、３はＩｎＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ井戸層とＩｎＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ（０≦Ｘ２＜Ｘ１）障壁層が交互に積層されてなる量子井戸構造の発光層、４はＭｇ（マグネシウム）がドープされた膜厚３０ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、５はＭｇがドープされた膜厚２００ｎｍのｐ型ＧａＮコンタクト層、Ｐ１は膜厚２０ｎｍのＴｉ（チタン）層の上に膜厚１０００ｎｍのＡｌ（アルミニウム）層を積層し、熱処理してなるｎ型オーミック電極、Ｐ２は膜厚２０ｎｍのＮｉ（ニッケル）層の上に膜厚２００ｎｍのＡｕ（金）層を積層し、熱処理してなるｐ型オーミック電極、Ｐ３は膜厚３０ｎｍのＴｉ層の上に膜厚１０００ｎｍのＡｕ層を積層し、熱処理してなるｐ側パッド電極である。サファイア基板１とｎ型ＧａＮクラッド層２との間には、ＡｌＧａＮからなるバッファ層（図示せず）が形成されている。
【００１２】
　ｐ型ＧａＮコンタクト層５の表面には、ｐ側パッド電極Ｐ３が形成される領域を除いて、該表面のほぼ全域を覆うように、ｐ型オーミック電極Ｐ２が格子状パターンに形成されている。この格子状パターンは、電極膜の中に、一辺１５μｍの正方形状の窓部Ｗが、直交する二方向に、共に間隔３μｍで正方行列状に規則配列されてなるもので、窓部Ｗにはｐ型ＧａＮコンタクト層５の表面が露出している。窓部を有するパターンにおける電極部分の面積比を、電極部分の面積と窓部の面積の合計に対する、電極部分の面積の比率と定義すると、この格子状パターンにおける電極部分の面積比は、図９に示すように、約３１％と計算される。
　図３（ａ）は、図１のＧａＮ系ＬＥＤに含まれるｐ型オーミック電極Ｐ２のみを図示したもので、格子状パターンに形成された部分と、開口部Ｑが設けられた部分と、からなっている。
【００１３】
　素子の上面には、一辺１００μｍの正方形状の
ｐ側パッド電極Ｐ３が、ｐ型ＧａＮコンタクト層５の表面とｐ型オーミック電極Ｐ２の両方に接するように形成されている
　図１（ａ）にて斜線で示した領域は、
ｐ側パッド電極Ｐ３がｐ型オーミック電極Ｐ２の上に重ねられる
領域Ｓの内側（＝ｐ型オーミック電極Ｐ２の開口部の内側）では、ｐ側パッド電極Ｐ３がｐ型ＧａＮコンタクト層５の表面に接している
【００１４】
　図１のＧａＮ系ＬＥＤにワイヤボンディングを行い通電すると、ｐ型オーミック電極Ｐ２の下方の発光層３で発光が生じ、窓部Ｗを通して、素子上方に出射される。一方、
ｐ側パッド電極Ｐ３は、ｐ型ＧａＮコンタクト層５と接する部分がＴｉからなる
Ｔｉとｐ型ＧａＮとの接触はショットキー接触
ｐ側パッド電極Ｐ３からｐ型ＧａＮコンタクト層５には直接電流が流れない
【００１５】
　図２は、本発明者等が、
比較のために検討を行ったＧａＮ系ＬＥＤ
ｐ側パッド電極がｐ型オーミック電極の上に積層された領域と、ｐ側パッド電極がｐ型層に接する領域とが、当該ｐ側パッド電極の輪郭線に沿って交互に並ぶ
【００１６】
　本発明者等による検討の結果、図２のＧａＮ系ＬＥＤは特性が極めて不安定であることが分かった。具体的には、このＧａＮ系ＬＥＤは順方向電圧のバラツキが大きく、それに伴い、１枚のウェハから得られる素子の平均的な順方向電圧の値も大きくなった。また、それだけでなく、不良品として、素子を上から見たときに、ｐ側パッド電極Ｐ１３の近傍でしか発光しない素子、即ち、電流がｐ側パッド電極Ｐ１３からｐ型オーミック電極Ｐ１２に正常に流れない素子が、多数発生した。これらの問題は、図１のＧａＮ系ＬＥＤでは生じなかったものであり、図１のＧａＮ系ＬＥＤの方が、図２のＧａＮ系ＬＥＤよりも、
ｐ型オーミック電極とｐ側パッド電極との電気的な接続状態が良好となる
　このように、図１に示すＧａＮ系ＬＥＤと図２に示すＧａＮ系ＬＥＤの対比から、本発明のＧａＮ系ＬＥＤにおいて、
ｐ側パッド電極がｐ型オーミック電極の上に重なった領域を、ｐ側パッド電極の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域とすることが、重要な意義を持つ
ｄ　「【００３６】
　本発明に係るＧａＮ系ＬＥＤでは、
ｐ側パッド電極がｐ型オーミック電極の上に重なった領域を、ｐ側パッド電極の輪郭線に沿った帯状の領域とする
帯状の領域を、ｐ側パッド電極の輪郭線の全周に沿った環状とすることにより、ｐ側パッド電極とｐ型オーミック電極との接触状態を安定なものとすることができる
ウ　対比
　補正発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ＧａＮ量子井戸ＬＥＤ１００」、「Ｐ＋ナノチューブ層１２０」、「ｐ−ＧａＮ層１１５」、「ｎ−ＧａＮ層１１０」、「金属コンタクト１１２」、「金属コンタクト１２２」、及び「カーボン・ナノチューブ」は、それぞれ補正発明１の「発光素子」、「ナノチューブ層」、「第２半導体層」、「第１半導体層」、「第１電極」、「第２電極」、及び「炭素ナノチューブ」に相当する。
（イ）引用発明において、「ｐ−ＧａＮ層１１５とｎ−ＧａＮ層１０５との間」の「接合領域１１８」は、ＬＥＤ１００におけるｐ層とｎ層との間の領域であるから、活性層であることは明らかである。
　したがって、引用発明において、「構造体」の「『ｐ−ＧａＮ層１１５／ｎ−ＧａＮ層１１０』及び『ｐ−ＧａＮ層１１５とｎ−ＧａＮ層１０５との間』の『接合領域１１８』」からなる構造物は、補正発明１の「第１半導体層、活性層及び第２半導体層を含む発光構造物」に相当する。
　さらに、引用発明は、「ナノチューブ層１２０はｐ−ＧａＮ層１１５の上に形成され」るものであるから、補正発明１と引用発明は、「前記発光構造物の上に形成されたナノチューブ層」を含む点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「金属コンタクト１２２は、ナノチューブ層１２０の一部領域上に、直接接するように形成され」、「ナノチューブ層１２０は、金属コンタクト１２２とｐ−ＧａＮ層１１５との間に介在する」ものであるから、引用発明において、「金属コンタクト１２２の下面は、ナノチューブ層１２０の一部領域とオーバーラップするようにナノチューブ層１２０の前記一部領域上に形成され、金属コンタクト１２２の下面は、ナノチューブ層の前記一部領域に直接接」するものであるといえる。
　したがって、補正発明１と引用発明は、「前記第２電極は、前記ナノチューブ層の一部領域とオーバーラップするように前記ナノチューブ層の前記一部領域上に形成され、前記第２電極の下面は、前記ナノチューブ層の前記一部領域に直接接し」たものである点で一致する。
　さらに、引用発明において、「ナノチューブ層１２０はｐ−ＧａＮ層１１５の上に形成され」たものであるから、「金属コンタクト１２２」（第２電極）は、「ｐ−ＧａＮ層１１５（第２半導体層）上に形成され」たものであり、「ｐ−ＧａＮ層１１５とナノチューブ層１２０の上に配置され」たものであるといえる。
　したがって、補正発明１と引用発明は、「前記第２半導体層上に形成された第２電極」を含み、「前記第２電極は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の上に配置され」たものである点で一致する。
（エ）以上をまとめると、補正発明１と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
　第１半導体層、活性層及び第２半導体層を含む発光構造物と、
　前記発光構造物の上に形成され、炭素ナノチューブを含むナノチューブ層と、
　前記第１半導体層上に形成された第１電極と、
　前記第２半導体層上に形成された第２電極と、
　を含み、
　前記第２電極は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の上に配置され、
　前記第２電極は、前記ナノチューブ層の一部領域とオーバーラップするように前記ナノチューブ層の前記一部領域上に形成され、
　前記第２電極の下面は、前記ナノチューブ層の前記一部領域に直接接する、
発光素子。」
＜相違点１＞
　第２電極について、補正発明１では、「前記第２電極は、
前記ナノチューブ層を貫通して前記第２半導体層と接し
下面は、前記第２半導体層と前記ナノチューブ層の前記一部領域に直接接
＜相違点２＞
　補正発明１は、「前記第２半導体層は、上面に凹凸構造を含み、前記ナノチューブ層は、前記第２電極と接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有し、前記第２電極は、前記ナノチューブと接する領域に前記凹凸構造に対応する凹凸形状を有する」のに対し、引用発明では、「ｐ−ＧａＮ層１１５」（第２半導体層）、「ナノチューブ層１２０」及び「金属コンタクト１２２」（第２電極）について、そのような特定はなされていない点。
　
エ　判断
（ア）補正発明１についての判断
　上記相違点１及び相違点２について検討する。
ａ　相違点１について
（ａ）上記「イ」の「（ア）引用例１」の摘記事項「ａ」の段落【０００１】、「ｂ」の段落【０００９】、「ｃ」の段落【００１６】〜【００２０】等を参照すると、引用例１には、１つ以上の
半導体層に対して接触抵抗を低下させるコンタクト層
金属層と半導体層との間に介在する
　他方、引用発明において、「金属コンタクト１２２」（第２電極）を、「ナノチューブ層１２０を貫通してｐ−ＧａＮ層１１５と接」するものとし、「金属コンタクト１２２」の下面を、「
ｐ−ＧａＮ層１１５
ナノチューブ層１２０の一部領域
金属層と半導体層との間に介在する
接触抵抗を低下させる
（ｂ）次に、引用発明と引用例２に記載の技術との組合せについて検討する。
　上記のように、引用例１には、半導体層に対して接触抵抗を低下させるために、金属層と半導体層との間にナノチューブを介在させる発明が記載されている。
　
　他方、上記「イ」の「（ウ）引用例２」の摘記事項「ｄ」及び図５を参照すると、引用例２には、「実施形態２」において、「ショットキー電極２ａ」は、「透光性電極１の一部領域とオーバーラップするように透光性電極１の前記一部領域上に形成され、ショットキー電極２ａの下面は、Ｐ型チッ化ガリウム系化合物半導体層９と透光性電極１の前記一部領域に直接接する」構成が開示されているといえる。
　しかしながら、引用例２に記載された技術は、摘記事項「ｂ」の段落【００１５】、摘記事項「ｃ」の段落【００４０】、摘記事項「ｄ」の段落【００５０】、摘記事項「ｅ」の段落【００６１】を参照すると、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される構造を有しているので、発生光を効率良く外部に取り出すことができるものである。
　また、同「（ウ）引用例２」の摘記事項「ｃ」を参照すると、「実施形態１」においては、「ショットキー電極２ａ」は、その下面がＰ型チッ化ガリウム系化合物半導体層９にのみ直接接しており、透光性電極１には直接接しておらず、「透光性電極１の一部領域とオーバーラップするように透光性電極１の前記一部領域上に形成され、ショットキー電極２ａの下面は、Ｐ型チッ化ガリウム系化合物半導体層９と透光性電極１の前記一部領域に直接接する」構成ではない。
　したがって、引用例１に開示の「接触抵抗を低下させる」との課題と引用例２に記載の技術の課題とは異なり、しかも、引用発明において、「金属コンタクト１２２」の構成として、引用例２の記載に基づき、「実施形態２」として開示の上記の構成を採用しようとすること、すなわち、接触抵抗を低下させるために用いた「ナノチューブ層１２０」を貫通させてｐ−ＧａＮ層１１５と接するようにし、その下面を、「ｐ−ＧａＮ層１１５とナノチューブ層１２０の一部領域に直接接する」構成を採用しようとすることは、接触抵抗を低下させることとは逆行し、動機付けもない。
　よって、引用発明において、金属コンタクト１２２の構成として、引用例２に記載された「実施形態２」の「ショットキー電極２ａ」の構成を採用することは、当業者において動機付けもなく、論理に飛躍があり、引用発明において、引用例２を参照したとしても、相違点１に係る補正発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たとはいえない。
（ｃ）次に、引用発明と引用例３に記載の技術との組合せについて検討する。
　上記「イ」の「（エ）引用例３」の摘記事項「ｃ」及び図１を参照すると、引用例３には、図１に示された「本発明の実施形態に係るＧａＮ系ＬＥＤの構造」において、「ｐ側パッド電極Ｐ３」が、「ｐ型ＧａＮコンタクト層５の表面とｐ型オーミック電極Ｐ２の両方に接するように形成されている」構成が開示されている。
　しかしながら、引用例３において、図２に示された「比較例」のＬＥＤも、ｐ側パッド電極Ｐ１３がｐ型オーミック電極Ｐ１２の上に積層された領域と、ｐ側パッド電極Ｐ１３がｐ型層に接する領域とが形成されたものであり、引用例３に記載された技術は、摘記事項「ａ」の請求項１、摘記事項「ｃ」の段落【００１６】、摘記事項「ｄ」の段落【００３６】に記載されているように、「該ｐ側パッド電極と該ｐ型オーミック電極とが重なった領域」を、「ｐ側パッド電極の輪郭線に沿った帯状かつ環状の領域」とすることにより、ｐ型オーミック電極とｐ側パッド電極との接触状態を安定なものとすることで、電気的な接続状態が良好となるＬＥＤを得ることである。
　したがって、引用例１に開示の「接触抵抗を低下させる」との課題と引用例３に記載の技術の課題とは異なり、しかも、引用発明において、「金属コンタクト１２２」の構成として、引用例３の記載に基づき、図１に示された実施形態に係るＬＥＤ及び図２に示された比較例のＬＥＤの両者が備える構成を採用しようとすること、すなわち、接触抵抗を低下させるために用いた「ナノチューブ層１２０」を貫通させてｐ−ＧａＮ層１１５と接するものとし、その下面を、「ｐ−ＧａＮ層１１５とナノチューブ層１２０の一部領域に直接接する」ようにする構成を採用しようとすることは、接触抵抗を低下させることとは逆行するし、動機付けもない。
　よって、引用発明において、金属コンタクト１２２の構成として、引用例３に記載された「ｐ側パッド電極Ｐ３とＰ１３」の構成を採用することは、当業者において動機付けもなく、論理に飛躍があり、引用発明において、引用例３を参照したとしても、相違点１に係る補正発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たとはいえない。
（ｄ）以上のとおりであるから、引用例２及び引用例３を参照したとしても、引用発明において、相違点１に係る補正発明１の構成を採用することが、当業者であれば容易になし得たとはいえない。
ｂ　補正発明１についての判断のまとめ、
　したがって、相違点２について検討するまでもなく、補正発明１は、引用発明並びに引用例２及び引用例３の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（イ）補正発明２〜補正発明１２についての判断
　補正発明２〜補正発明１２は、補正発明１の発明特定事項に加えてさらなる発明特定事項を追加して限定を付したものであるから、上記「（ア）補正発明１についての判断」と同様の理由により、引用発明並びに引用例２及び引用例３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（ウ）判断についてのまとめ
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項〜第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項〜第６項の規定に適合するから、本願の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。