【事件の表示】
　特願２００６−３２０３５４「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月１２日出願公開、特開２００８−１３４１４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月２８日に出願された特許出願であって、平成２４年３月２１日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年７月３１日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに平成２５年１月８日付けで最後の拒絶の理由が通知され、これに対して、平成２５年５月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月３日付けで同手続補正書による補正について却下の決定がなされた上で、同日付けで拒絶の査定がなされ、同拒絶査定の謄本は、同月１０日に請求人に送達された。
　これに対し、平成２６年１月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、それと同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１月１０日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１月１０日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　１　本件補正について
　本件補正は、特許請求の範囲を全文にわたって補正をするとともに、合わせて明細書の記載について全文にわたって補正をするものであり、本件補正は、特許請求の範囲及び明細書の記載を次のとおり変更する補正事項を含むものである。
　（１）本件補正後の特許請求の範囲について
　ア　本件補正により特許請求の範囲の請求項１はその全文が補正されたが、当該補正された請求項１には次の事項が記載されている。
　（ア）「堆積速度の誤差が０．０１から０．５ｎｍに介し、反射高速電子線回折、或いは水晶振動子周波数測定を使用し、各層に対して堆積速度の校正を行う、材料堆積速度の校正ユニット」　
　（イ）「上端高ドーピング層と下端高ドーピング層の極性とドーピング濃度に対する校正を行い、その極性判断率とドープ濃度校正誤差が98％から５００％（0.5E1）に介し、CV測定、低温ホール効果測定或いは二次イオン質量解析装置を使用する、電子と正孔のドーピング濃度校正ユニット」
　（ウ）「該材料堆積速度校正ユニット、該周期構造の整合性検査測定ユニット、該結晶の品質検査測定ユニット及び該電子と正孔のドーピング濃度校正ユニットは、該赤外線熱影像アレーモジュールに対して該エピタキシャル成長の検査を行い」
　（エ）「エピタキシャル装置にある赤外線熱影像アレーモジュールの検査モジュール」
　イ　請求項２
「請求項１記載の
検査モジュール
該検査モジュールは、該赤外線熱影像アレーモジュールの各層に対してエピタキシャル成長の検査を行ない、該各層は、該エピタキシャル成長法と高温拡散設備を採用し、
形成される
検査モジュール
　（２）本件補正後の明細書について
　ア　段落【０００５】「本発明の主要な目的は、
エピタキシャル装置にある
の検査モジュールを
探知
　イ　段落【０００６】「本発明の別の目的は、
エピタキシャル装置にある
検査モジュールを
　ウ　段落【０００７】「すなわちその
エピタキシャル装置にある
検査モジュールは
の
成長
検査
検査
結晶成長
検査
結晶に
行い
により
検査
検査
の
成長
検査
検査
検査
検査
い
成長
検査
検査
検査
検査
検査
検査
検査
検査
検査
検査
赤外線熱影像アレー
検査
エピタキシャル装置にある
検査モジュール
    （下線は補正箇所を示す。）
　２　上記１の各補正事項が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面の記載された事項の範囲内でされたものであるか否かについて検討する。
　なお、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面について、それぞれ「当初明細書」、「当初請求の範囲」、「当初図面」といい、これら全体について「当初明細書等」という。　
　（１）上記補正事項１（１）ア（ア）について
　ア　当初請求の範囲には、「【請求項７】　請求項１記載の検証構造において、前記光学物性検証は以下を含み、材料積層率校正は、高反射能量電子焼射法、或いは石英オシレート頻度テスト法を利用し、積層率誤差を0.01〜0.05nmにし、サイクル構造完璧性検査測定は低角度双晶格Xレイ焼渉器、光激蛍光テスト或いは貫通式電子顕微鏡テストを利用し、数値回帰計算後、サイクル構造の均一度は95%で、構造結晶品質検査測定は低角度双晶格Xレイ焼渉器を利用し、構造結晶、単結晶と多結晶均一度は90%で、極性とドーピング濃度校正はキャパシタ電圧検証法、低温モール測定と二次イオンマススペクトロメーター法を利用し、極性判断とドーピング濃度構成（当審注「構成」は校正の誤記）誤差はそれぞれ98%と0.5E1倍であることを特徴とする検証構造。」との記載があり、そこには、「光学物性検証」において、「材料積層率校正」が「積層率誤差を０．０１〜０．０５ｎｍ」とすることが記載されているのみであり、当該記載からは、「材料積層率誤差」が、「堆積速度の誤差」であることやその誤差が「０．０１から０．５ｎｍ」であることは読み取れず、各層に対して、堆積速度の校正を行うことについても読み取れない。
　当初請求の範囲の請求項３４の記載も請求項７と同様であって、そこにおいても、「光学物性検証」において「材料積層率校正」が「積層率誤差を０．０１〜０．０５ｎｍ」とすることが記載されているのみであり、当該記載からは、「材料積層率誤差」が、「堆積速度の誤差」であることやその誤差が「０．０１から０．５ｎｍ」であることは読み取れず、各層に対して、堆積速度の校正を行うことについても読み取れない。
　イ　また、当初明細書の段落【０００８】には、上記アの当初請求の範囲の請求項７と同様の記載が、また、同段落【００１２】には、上記イの当初請求の範囲の請求項３４と同様の記載が存在し、同段落【００２２】には「分子ビームエピタキシャル法、金属有機CVD法、或いは高温拡散炉(HTDO)エピタキシャル拡散機台により設計感知部品構造を成長させる前においては、先ず材料積層率、サイクル構造完全性、構造結晶品質、極性とドーピング濃度などのエピタキシャルパラメーター校正を行う必要がある。上記は感知部品モジュール構造のエピタキシャル構造設計のプロセス、エピタキシャルパラメーター検証と感知部品構造である。」と記載されているのみであり、同段落【００２２】においても、それらの記載から、各層に対して積層速度の校正を行うことや、その「積層速度誤差が０．０１〜０．５ｎｍ」とすることは読み取れない。また同段落【００２２】においては、「材料積層率」がエピタキシャルパラメータであってその校正を行うことが記載されているだけであって、材料積層率を校正するユニットについても記載されていない。
　ウ　してみると、本願の当初明細書等には、「堆積速度の誤差が０．０１から０．５ｎｍ」に介し、「各層に対して堆積速度の校正を行う」、「材料堆積速度の校正ユニット」については記載も示唆もされておらず、またそれらが当初明細書等の記載から自明なものともいえない。
　（２）上記補正事項１（１）ア（イ）について
　ア　当初請求の範囲の請求項７には、「極性とドーピング濃度校正はキャパシタ電圧検証法、低温モール測定と二次イオンマススペクトロメーター法を利用し、極性判断とドーピング濃度構成誤差はそれぞれ98%と0.5E1倍である」と記載がされているところ、当該記載は、「極性とドーピング濃度校正」について、「極性判断」が「９８％よりも大きい」こと、「ドーピング濃度校正誤差」が「０．５Ｅ１倍より小さい」すなわち「５倍より小さい」ことが記載されているものと解することができるものの、当該記載が「９８％〜５００％」の範囲に「極性判断率」及び「ドープ濃度校正誤差」があることを意味するものと解することはできない。
　また、これらの記載から、「極性とドーピング濃度校正」が、「上端高ドーピング層と下端高ドーピング層の極性とドーピング濃度に対する校正を行」なうことであることや、その校正を「CV測定、低温ホール効果測定或いは二次イオン質量解析装置」を使用して行うことや、その校正を実行する「電子と正孔のドーピング濃度校正ユニット」が「CV測定、低温ホール効果測定或いは二次イオン質量解析装置」を備えることが読み取れるものでもない。
　そして、これらのことは、当初請求の範囲の請求項３４の記載を勘案しても同様である。
　イ　当初明細書等の段落【０００８】及び【００１２】には、それぞれ当初請求の範囲の請求項７又は３４と同様の記載があるものの、これらについては上記アの判断と同様である。
　その他、当初明細書等の段落【００２２】には、「極性」と「ドーピング濃度」がエピタキシャルパラメータであってその校正を行なうことが記載されているだけであり、ここでの「極性」と「ドーピング濃度」が具体的にどのようなパラメータであって、その校正をどのように行うものであるのかなどについては当該記載からは不明であり、また、当該記載からは、「極性判断率とドープ濃度校正誤差」が「９８％〜５００％」の範囲であることが読み取れるわけではないし、当該校正を実行するユニットや、「極性とドーピング濃度校正」が「上端高ドーピング層と下端高ドーピング層の極性とドーピング濃度」に対して行われることについても読み取ることはできない。
　ウ　してみると、本願の当初明細書等には、「極性判断率とドープ濃度校正誤差」が「９８％〜５００％」であることについては記載も示唆もされていない。
　また、本願の当初明細書等には、「極性とドーピング濃度校正」が、「上端高ドーピング層と下端高ドーピング層の極性とドーピング濃度に対して」行われるものであることや、その校正を「CV測定、低温ホール効果測定或いは二次イオン質量解析装置」を使用して行う「電子と正孔のドーピング濃度校正ユニット」は記載も示唆もされていない。
　（３）上記補正事項１（１）ア（ウ）について
　ア　当初請求の範囲において、赤外線熱影像アレーモジュールに対して該エピタキシャル成長の検査を「材料堆積速度校正ユニット」、「周期構造の整合性検査測定ユニット」、「結晶の品質検査測定ユニット」及び「電子と正孔のドーピング濃度校正ユニット」により行うことについては記載されておらず、また、当初請求の範囲の各請求項の記載から、その点が自明なものとして読み取れるものでもない。
　イ　当初明細書等においても、エピタキシャル成長の検査をこれらのユニットにより実行することについては記載されておらず、それらのユニットの具体的な構成についても記載も示唆もされていない。
　ウ　してみると、本願の当初明細書等には、赤外線熱影像アレーモジュールに対して該エピタキシャル成長の検査を「材料堆積速度校正ユニット」、「周期構造の整合性検査測定ユニット」、「結晶の品質検査測定ユニット」及び「電子と正孔のドーピング濃度校正ユニット」により行うことについては記載も示唆もされていない。
　（４）上記補正事項１（１）ア（エ）について
　ア　当初請求の範囲の各請求項の記載において、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「検証構造」が、「エピタキシャル装置」にある「赤外線熱影像アレーモジュール」を検証するものであることについて、また、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「赤外線熱影像アレーモジュールの検証モジュール」が「エキタキシャル装置」にあることについて、いずれも記載されておらず、また、当初請求の範囲の記載からそれらが自明なものとして読み取れるものでもないし、当初明細書等にも、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「検証構造」が、「エピタキシャル装置」にある「赤外線熱影像アレーモジュール」を検証するものであることについて、また、「赤外線熱影像アレーモジュールの検証モジュール」が「エキタキシャル装置」にあることについては記載されておらず、それらが自明なものとして読み取れるものでもない。
　イ　してみると、当初明細書等には、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「検証構造」が、「エピタキシャル装置」にある「赤外線熱影像アレーモジュール」を検証するものであることについて、また、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「赤外線熱影像アレーモジュールの検証モジュール」が「エキタキシャル装置」にあることについては、記載も示唆もされていない。
　（５）上記補正事項１（１）イについて
　ア　当初請求の範囲の各請求項には、「検査モジュール」が「該赤外線熱影像アレーモジュールの各層に対してエピタキシャル成長の検査を行な」うことについては、記載も示唆もされておらず、それらの点が自明なものとして読み取れるものでもないし、それらの点について本願の当初明細書等においても記載されていない。
　（６）上記補正事項１（２）アないしウについて
　当初明細書等には、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「検証構造」が、「エピタキシャル装置」にある「赤外線熱影像アレーモジュール」を検証するものであることについて、また、「エピタキシャル及び光学物性検証」を行う「赤外線熱影像アレーモジュールの検証モジュール」が「エキタキシャル装置」にあることについては、記載も示唆もされていないことは上記（４）のとおりである。
　（７）上記補正事項１（２）ウについて
　当初明細書の段落【０００７】には、「先ずエピタキシャルパラメータの校正」を行ない、検証合格後「単乙型感知部品製造工程と変温光電流測定検証」を行い・・・不合格であれば「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証に戻る」ことについて記載されているものの「結晶成長パラメータ」については記載されておらず、上記補正事項１（２）ウの「先ず、結晶成長パラメータの校正を行い」、「検査合格後、単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電流測定検査を行・・・不合格であれば、熱影像モジュールのエピタキシャル成長と光学物性検査に戻り」と記載されていることから明らかな、エピタキシャル成長検査のパラメータとは異なる「結晶成長パラメータの校正」を行うことについては、記載も示唆もされていない。
　（８）小括
　上記（１）ないし（７）において検討したように、本件補正により特許請求の範囲及び明細書には、当初明細書等に記載も示唆もされておらず、また、当初明細書等の記載から自明な事項といえない事項が追加されるものとなっており、これらの事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえないから、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものではない。
　３　補正の却下の決定についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
　上記第２の補正の却下の決定のとおり、本件補正は却下され、また、上記第１の手続の経緯において摘示したように、平成２５年５月１４日に提出された手続補正書も原審において却下されていることから、本審決において判断する対象となる本願の特許請求の範囲は、平成２４年７月３１日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８であり、本願の明細書は、同補正書により補正された明細書である。
第４　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、平成２５年１月８日付けの拒絶理由通知書により通知された理由であり、その概要はつぎのとおりである。（なお、原査定の理由３（特許法第２９条第２項違反）の理由は省略した。）
　１　理由１：特許法第１７条の２第３項違反について
  平成２４年７月３１日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないとするものであって、その概要は以下のとおりである。
　（１）補正後の請求項１には「…赤外線の吸収波長帯を検証する」と記載されているが、当初明細書等によれば、「吸収波長帯」に関連すると考えられる箇所を見ても「感知ウェーブバンドにおいて短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収し」（[0014]）「感知ウェーブバンドは短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収」（[0015]）と記載されるにとどまっており、「検証」される対象が「赤外線の吸収波長帯」であることは記載も示唆もされていない。
　（２）補正後の請求項１には「活性化エネルギー」なる物理量が記載されているが、当初明細書等には当該物理量は開示されていない。
　
　２　理由２：特許法第３６条第６項第２号違反について
　この出願は、特許請求の範囲の請求項１ないし８に係る発明が明確でないことから、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとするものであって、その概要は以下のとおりである。（なお、請求項８についての指摘は省略した。）
　（１）請求項１について
　ア　「赤外線熱影像アレーモジュール」と「導電金属」「ボトムヘビーコンタクト層」「アクティブ層」「空乏層」「赤外線センサ」「エネルギーバリヤブロッキング層」「トップヘビードープコンタクト層」とは関係ないから、「検証の内容は…を包含する」がなぜ「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置」と関連するのか明確でない。
　イ　「モジュール」と「検証の内容」とが関連しているのか否か不明である。すなわち「検証する」という動作の主体が「モジュール」なのか否か明確でない
　ウ　「該検証の内容」の「該」は「検証装置」「エピタキシャル検証」「光学物性検証」のいずれの「検証」を示しているのか不明である。
　エ　「エピタキシャル検証」という技術用語は一般に存在せず、また明細書でも意味内容が定義されていないから、どのような意味を示しているのか明確でない。
　オ　「本質層」なる技術用語は一般に存在しない。
　カ　「高注入光電流効率」とは何の光電変換効率について言及したものか明確でなく、「エネルギーバリヤブロッキング層」がどの注入光電流効率を該「高注入光電流効率」に符合させる（すなわち一致又は相応させる）のか明確でない。
　キ　どの暗電流値と活性化エネルギーとを「赤外線センサの暗電流値…活性化エネルギー」に符合させる（すなわち一致又は相応させる）のか明確でない。
　ク　２箇所に記載された「導電金属」の異同が不明である。
　（２）請求項２について
　ア　「エピタキシャル層」は「製造する」なる動作の主体とはなり得ない。
　イ　請求項１には「エピタキシャル層」が規定されていない。
　（３）請求項３について
　「検証装置」は「製造する」なる動作の主体とはなり得ない。
　（４）請求項４〜７について
　請求項１の記載によれば「赤外線吸収層」「赤外線透過基板」「本質層」は「エピタキシャル検証」の対象ではない。
　（５）請求項７について
　「ヒ素化亜鉛化合物、亜鉛、カドミウム」が選択肢なのか全て同時含有することを示しているのか明確でない。
第５　請求人の応答内容について
　請求人は、上記拒絶理由についての応答において、平成２５年５月１４日付けの意見書において次のように主張している。
   （１）拒絶理由に関して、補正後の請求項１には「…赤外線の吸収波長帯を検証する」と記載されているが、当初明細書等によれば、「吸収波長帯」に関連すると考えられる箇所を見ても「感知ウェーブバンドにおいて短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収し」（[0014]）「感知ウェーブバンドは短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収」（[0015]）と記載されるにとどまっており、「検証」される対象が「赤外線の吸収波長帯」であることは記載も示唆もされていない。また、他の例として、補正後の請求項１には「活性化エネルギー」なる物理量が記載されているが、当初明細書等には当該物理量は開示されていない。
　したがって、前記手続補正は、当初明細書等の開示から、当業者にとって自明でないものを含んでいると指摘された。
　上記御指摘に対して、「…赤外線の吸収波長帯を検証する」との記載が不明確であるとの御指摘に対して、該検査装置が、該赤外線熱影像アレーモジュールの検出波長帯を検査することを明確にした。
　（２）また、「活性化エネルギー」は、一般に半導体材料の分子或いは原子が運動するときに必要な最低エネルギーであり、それはJP2000-174215の要約及びその明細書中、およびインターネットのウィキペディアの記載を参照されたい。
　（３）エキタキシャルとの用語は、「結晶成長」と補正した。
　（４）原請求項８の「数値回帰計算後」は、一般に述べられる数値分析の回帰分析演算である。
　（５）また、「検証」は「検査」と補正した。
　（６）その他の御指摘に対応するため、本願の特許請求の範囲を補正した。
第６　当審の判断
　１　原査定の理由１（特許法第１７条の２第３項違反）について
　（１）「…赤外線の吸収波長帯を検証する」について
　ア　平成２４年７月３１日提出の手続補正書により特許請求の範囲の請求項１の記載は、「【請求項１】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証に用いられるモジュールを包含し、該検証の内容は、近、中、遠赤外線の吸収波長帯を検証する検出波長帯検証、赤外線熱影像アレーモジュールの品質の優劣を決定し、吸収赤外線波長帯の透過率に影響を与える赤外線熱影像アレーモジュールの赤外線透過基板の検証、導電金属とのオームコンタクトの品質に影響を与えるボトムヘビードープコンタクト層の検証、周期性構造であり、そのサイクル数が光導電利得、量子効率に影響を与え活性層とも称される赤外線吸収層すなわちアクティブ層の検証、その厚さとキャリア濃度が量子効率と赤外線センサの暗電流値に影響を与える空乏層すなわち本質層の検証、赤外線センサのインピーダンスに影響を与えて、高注入光電流効率、赤外線センサの暗電流値、操作温度下の活性化エネルギーに符合させるエネルギーバリヤブロッキング層の検証、導電金属とのオームコンタクト特性と光電流出力効率に影響を与えるトップヘビードープコンタクト層の検証、を包含することを特徴とする赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置。」と補正され、その補正後の請求項１の記載においては、「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証」の内容に「近、中、遠赤外線の吸収波長帯を検証する検出波長帯検出」が含まれることが理解できる。
　イ　これに対して当初明細書等には、赤外線を用いた検証、検査等については、当初請求の範囲の請求項１において「ウェーブバンド感知は短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収し、感知モジュール赤外線貫通基板は感知モジュール品質の優劣を選択し、ウェーブバンド受け取りの赤外線貫通率に影響を与え、底端高ドーピング接触層は半導体と導電金属オーム接触品質に影響を与え、赤外線吸収層は主動層とも別称し、そのサイクル数は光導増値、量子効率に影響を与え、本質層或いは空乏層の厚さと本質濃度の大きさは量子効率と感知部品暗電流値に影響を与え、能障阻害層は感知部品本質の抵抗に影響を与え、高注入光電流効率、感知部品暗電流値、操作温度下の活化能値に符合させ、頂端高雑質ドーピング接触層はオーム接触特性と光電子流出力効率に影響を与えることを特徴とする赤外線熱影像アレーモジュール検証構造の熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証。」と記載されていることから、「赤外線熱影像アレーモジュール検証構造の熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証」において、「ウェーブバンド感知は短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収」するものであること、すなわち、当該検証において「赤外線熱影像アレーモジュール」が「近、中、遠赤外線の波長帯を吸収する」ことについて不明確ながらも記載されているものとはいえるものの、当該記載から、「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証」において「近、中、遠赤外線の吸収波長帯を検証する検出波長帯検出」を行うことが記載されているとまではいうことはできない。
　ウ　当初明細書の段落【００１４】に「本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの検証構造と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証を含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行う。感知ウェーブバンドにおいて短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収し・・・」，同段落【００１５】に「本発明の赤外線熱影像アレーモジュールのフローチャートである図１に示すように、本発明は熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証１０を含み、先にエピタキシャルパラメーターの校正を行い、感知ウェーブバンドは短、中、長赤外線を利用しウェーブバンドを吸収する。感知モジュール赤外線貫通基板１０２は感知モジュールの品質の優劣を選択し、即ウェーブバンドを受け取る赤外線の貫通率に影響を及ぼす。底端高ドーピング接触層１０４において、赤外線は半導体と導電金属オームの接触品質に影響を及ぼす。赤外線吸収層１０６(主動層の周期数と別称)は、赤外線の影響光導増値、量子効率を吸収する。本質層１０８(空乏層と別称)は、赤外線の厚みと本質濃度の大きさを吸収し、量子効率と感知部品の暗電流値に影響を及ぼす。能障阻害層１１０は、感知部品本質抵抗に影響を及ぼし、高注入光電流効率、感知部品暗電流値、操作温度下活性化能値に符号させる。頂端高雑質ドーピング接触層１１２は、オームの接触特性と光電子流出力の効率に影響を及ぼす。」との記載からも、「赤外線熱影像アレーモジュール」が「近、中、遠赤外線の波長帯を吸収する」ことについて不明確ながらも記載されているといえるものの、これらの記載から、「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証」の内容として「近、中、遠赤外線の吸収波長帯を検証する検出波長帯検出」を行うものであることが読み取れるものでもないし、これら記載から、そのような検出波長帯検出を行うことが当業者にとって自明であるともいえない。
　（２）「活性化エネルギー」について
　ア　平成２４年７月３１日提出の手続補正書による補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載においては、「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証」の内容に「赤外線センサのインピーダンスに影響を与えて、高注入光電流効率、赤外線センサの暗電流値、操作温度下の活性化エネルギーに符合させるエネルギーバリヤブロッキング層の検証」が含まれることが理解できる。
　イ　これに対して、当初請求の範囲の請求項１には、「活性化エネルギー」については記載されておらず、「能障阻害層は感知部品本質の抵抗に影響を与え、高注入光電流効率、感知部品暗電流値、操作温度下の活化能値に符合させ」るとの記載から、ここでの「操作温度下の活可能値」が「活性化エネルギー」を意味するものであるか否かは不明であり、当初明細書においても、段落【００１５】に同様の記載があるのみである。
　また、当初請求の範囲の請求項１の記載によれば、そこには不明確ながら「赤外線熱影像アレーモジュール」の「能障阻害層」が「感知部品本質の抵抗に影響を与え、高注入光電流効率、感知部品暗電流値、操作温度下の活化能値に符合させ」ることについて記載されているとはいえるものの、当該記載から、「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証」の内容に「赤外線センサのインピーダンスに影響を与えて、高注入光電流効率、赤外線センサの暗電流値、操作温度下の活性化エネルギーに符合させるエネルギーバリヤブロッキング層の検証」を行うことが記載されているとまでいうことはできないし、そのような検証を行うことについては、当初明細書にも記載も示唆もされていないし、その点が自明であるということもできない。
　ウ　なお、原審の平成２４年３月２１日付けの拒絶理由において、「（７）「活化能値」は日本語でない（正しくは「活性化エネルギー」である）。またどの部材の物性値として挙げられているのか明確でない。」との指摘がされてはいるが、請求人は、当該補正に関して、当初明細書等に記載の「活化能値」が活性化エネルギーを意味するものと主張するわけではなく、上記第５の（２）のように、活性化エネルギーが一般的な技術用語である旨を説明するのみであるから、これらの主張を勘案しても、当初明細書等の記載から、「活可能値」が、「活性化エネルギー」を意味するものであると解することはできない。
　（３）小括
　以上のとおりであるから、平成２４年７月３１日提出の手続補正書による補正は、上記（１）及び（２）の点で、当初明細書等に記載も示唆もされておらず、また、当初明細書等の記載から自明な事項といえない事項が追加されるものとなっており、これらの事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえないから、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものではない。
　したがって、平成２４年７月３１日提出の手続補正書による補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものではないから、本願は同法第４９条第１号の規定により特許を受けることができないものである。
　２　原査定の理由２（特許法第３６条第６項第２号違反）について
　（１）請求項１についての検討
　ア　平成２４年７月３１日提出の手続補正書により補正された請求項１は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証に用いられるモジュールを包含し、
該検証
　近、中、遠赤外線の吸収波長帯を検証する検出波長帯検証、
　赤外線熱影像アレーモジュールの品質の優劣を決定し、吸収赤外線波長帯の透過率に影響を与える赤外線熱影像アレーモジュールの赤外線透過基板の検証、
　導電金属とのオームコンタクトの品質に影響を与えるボトムヘビードープコンタクト層の検証、
　周期性構造であり、そのサイクル数が光導電利得、量子効率に影響を与え活性層とも称される赤外線吸収層すなわちアクティブ層の検証、
　その厚さとキャリア濃度が量子効率と赤外線センサの暗電流値に影響を与える空乏層すなわち本質層の検証、
　赤外線センサのインピーダンスに影響を与えて、高注入光電流効率、赤外線センサの暗電流値、操作温度下の活性化エネルギーに符合させるエネルギーバリヤブロッキング層の検証、
　導電金属とのオームコンタクト特性と光電流出力効率に影響を与えるトップヘビードープコンタクト層の検証、
　を包含することを特徴とする赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置。」
　イ　検討
　（ア）請求項１に係る発明は、その末尾から「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置」の発明であることが理解でき、
　ａ　「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置」が「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証に用いられるモジュール」を包含するものであること、
　ｂ　「該検証」の内容に次の検証が包含されること
　　・近、中、遠赤外線の吸収波長帯を検証する検出波長帯検証、
　　・赤外線熱影像アレーモジュールの品質の優劣を決定し、吸収赤外線波長帯の透過率に影響を与える赤外線熱影像アレーモジュールの赤外線透過基板の検証、
　　・導電金属とのオームコンタクトの品質に影響を与えるボトムヘビードープコンタクト層の検証、
　　・周期性構造であり、そのサイクル数が光導電利得、量子効率に影響を与え活性層とも称される赤外線吸収層すなわちアクティブ層の検証、
　　・その厚さとキャリア濃度が量子効率と赤外線センサの暗電流値に影響を与える空乏層すなわち本質層の検証、
　　・赤外線センサのインピーダンスに影響を与えて、高注入光電流効率、赤外線センサの暗電流値、操作温度下の活性化エネルギーに符合させるエネルギーバリヤブロッキング層の検証、
　　・導電金属とのオームコンタクト特性と光電流出力効率に影響を与えるトップヘビードープコンタクト層の検証、
　については理解できる。
　（イ）しかしながら、上記記載において次の点が明確でない。
　ａ　「該検証」がそれより前に記載されている「検証装置」の「検証」、「エピタキシャル検証」及び「光学物性検証」のうちのどの「検証」であるのかが特定できない。
　ｂ　「該検証」が「エピタキシャル検証」及び「光学物性検証」の両方であるとした場合には、それらの検証に含まれるとされる各検証が、いずれの検証に含まれるものであるのかが特定できない。
　ｃ　上記記載中「本質層」、「高注入光電流効率」、「操作温度下の活性化エネルギー」は技術用語として一般的なものではないから、これらの語句により何を特定しようとするのかが明確でない。
　ｄ　「赤外線センサのインピーダンスに影響を与えて、高注入光電流効率、赤外線センサの暗電流値、操作温度下の活性化エネルギーに符合させるエネルギーバリヤブロッキング層の検証」において、「何を符合させる」のかが不明で有り、この検証は、「・・・符合させる」ものである「エネルギーバリヤブロッキング層」を検証することを特定しようとするものであるのか、あるいは、「・・・符合させる」ことより「エネルギーバリヤブロッキング層」を検証することを特定しようとするものであるのかも不明である。
　ウ　以上のとおりであるから、請求項１の記載は、少なくとも上記原査定の理由の概要において摘示した上記２（１）のウ、オ、カ及びキで指摘するように明確であるとはいえない。　
　（２）請求項２についての検討　
　ア　平成２４年７月３１日提出の手続補正書により補正された請求項２は、次のとおりのものである。　
  「 【請求項２】
　請求項１記載の検証装置において、前記エピタキシャル検証されるエピタキシャル層は分子ビームエピタキシャル法、金属有機CVD法のいずれかで、赤外線熱影像アレーモジュールの構造部品を製造することを特徴とする検証装置。」
　イ　検討
　上記請求項２は、請求項１記載の検証装置において「エピタキシャル検証されるエピタキシャル層」を 「分子ビームエピタキシャル法、金属有機CVD法のいずれかで、赤外線熱影像アレーモジュールの構造部品を製造する」ものに特定するものと解される。
　しかしながら、請求項１においては、「エピタキシャル層」が規定されていないから、請求項２において特定される「エピタキシャル層」が、請求項１のどの特定事項を限定するものであるのかを理解することができないから、請求項２に係る発明は明確でない。
　さらに、請求項２の記載によれば、「前記エピタキシャル検証されるエピタキシャル層」は、「・・・赤外線影像アレーモジュールの構造部品を製造する」ものとして特定されているが、「検証される対象であるエピタキシャル層」が、検証対象であると考えられる「赤外線熱影像アレーモジュール」の「構成部品を製造する」とすることは技術的にありえない特定であって、この点においても請求項２に係る発明は明確でない。
　ウ  以上のとおりであるから、請求項２の記載は、上記原査定の概要で摘示した上記２（２）ア及びイで指摘するとおり、明確でない。
　（３）請求項３について
　ア　平成２４年７月３１日提出の手続補正書により補正された請求項３は、次のとおりのものである。　
　「【請求項３】
　請求項１記載の検証装置において、高温拡散炉を選択し赤外線熱影像アレーモジュールの構造部品を製造することを特徴とする検証装置。」
　イ　検討
　請求項１に係る発明は、上記（１）イ（ア）で検討したように、「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置」の発明であって、「熱影像モジュール規格設計、エピタキシャル検証及び光学物性検証に用いられるモジュールを包含する」ものであることが特定されており、当該検証装置が、検証対象である「赤外線熱影像アレーモジュールの構造部品を製造する」ものとしての特定は、技術的にありえない特定であって、この点において請求項３に係る発明は明確でない。
　ウ　以上のとおりであるから、請求項３の記載は、上記原査定の概要で摘示した上記２（３）で指摘するとおり、明確でない。
　（４）請求項４ないし７について
   ア　平成２４年７月３１日提出の手続補正書により補正された請求項４ないし７は、次のとおりのものである。　
「【請求項４】
　請求項１記載の検証装置において、前記エピタキシャル検証される赤外線吸収層は、量子閉じ込め構造であることを特徴とする検証装置。
　　【請求項５】
　請求項１記載の検証装置において、前記エピタキシャル検証される該赤外線熱影像アレーモジュールの赤外線透過基板の材料はヒ素化ガリウム、リン化インジウム、三酸化二クロム、シリコン、炭化シリコンから選択し、ドーピング形態は半絶縁或いはn型であることを特徴とする検証装置。
　　【請求項６】
　請求項１記載の検証装置において、前記エピタキシャル検証される該赤外線透過基板はシリコン、ヒ素化ガリウム、リン化インジウムのいずれかで形成され、該赤外線吸収層の材料はアンチモン化インジウム、水銀カドミウムテルル、リン化インジウムのいずれかであることを特徴とする検証装置。
　　【請求項７】
　請求項１記載の検証装置において、前記エピタキシャル検証される本質層はP-I-N構造とされ、P層は高温拡散炉拡散方式を利用し形成し、P層拡散材料はヒ素化亜鉛化合物、亜鉛、カドミウムであることを特徴とする検証装置。」
　イ　検討
　上記の記載によれば、請求項４ないし７においては、いずれも請求項１の検証装置において、「赤外線透過基板」、「赤外線吸収層」、「本質層」が「エピタキシャル検証」されるものであることを特定するものであるところ、上記（１）において検討したように、請求項１の記載において、「該検証」が、「検証装置」の「検証」、「エピタキシャル検証」の「検証」、「光学物性検証」の検証のいずれの「検証」に含まれるものであるのかが特定されず、その結果、「エピタキシャル検証」、「光学物性検証」と、「赤外線透過基板の検証」、「赤外線吸収層すなわちアクティブ層の検証」、「本質層の検証」が、どのような関係にあるのかも不明であることから、請求項４ないし７において「赤外線透過基板」、「赤外線吸収層」、「本質層」が「エピタキシャル検証」されるものであることを特定したとしても、「エピタキシャル検証」、「光学物性検証」と、「赤外線透過基板の検証」、「赤外線吸収層すなわちアクティブ層の検証」、「本質層の検証」の関係が不明である以上、請求項４ないし７に係る発明が明確であるということはできない。
　ウ　以上のとおりであるから、請求項４ないし７の記載は、上記原査定の概要で摘示した上記２（４）で指摘するとおり、明確でない。
　（３）小括
  以上のとおりであるから、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載の発明は、原査定の理由で指摘したとおり明確でなく、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし７の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本願は同法第４９条第４号の規定により特許を受けることができないものである。
第７　まとめ
　上記のとおり、本願は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲についてした補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、同法４９条第１号に該当し拒絶すべきものであり、また、特許請求の範囲の記載が同法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、同法４９条第４号に該当し拒絶すべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。