【事件の表示】
　特願２０１１−　　３１９９「有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月　４日出願公開、特開２０１１−１５１０１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２３年１月１１日（パリ条約による優先権主張　平成２２年１月２１日，韓国）に出願した特願２０１１−３１９９号であり，その手続の経緯は，概略，以下のとおりである。 
 平成２６年　９月２５日：拒絶理由通知（同年同月３０日発送） 
 平成２７年　１月　５日：意見書 
 平成２７年　１月　５日：手続補正書 
 平成２７年　２月　９日：拒絶査定（同年同月１７日送達） 
 平成２７年　６月１７日：手続補正書（以下「本件補正」という。） 
 平成２７年　６月１７日：審判請求 
　
第２　補正の却下の決定 
［結論］ 
　本件補正を却下する。 
　
［理由］ 
１　補正の内容 
(1) 本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載は，以下のとおりである（以下，この記載に係る発明を，「本願発明」という。）。 
「基板の上部に形成された薄膜トランジスタと，
前記薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に画素ごとに形成される第１電極と，
前記第１電極の間に設けられ，前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜と，
前記第１画素定義膜のエッジが露出するように，前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜と，
前記第１電極の上部に形成され，発光層を含む中間層と，
前記中間層の上部に形成され，前記第１電極に対向する第２電極と，を備え，
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成されることを特徴とする有機発光ディスプレイ装置。」 
　
(2) 本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は，以下のとおりである（以下，この記載に係る発明を，「本件補正後発明」という。）。なお，下線は当合議体が付したものである（以下同じ。）。 
 「基板の上部に形成された薄膜トランジスタと，
前記薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に画素ごとに形成される第１電極と，
前記第１電極の間に設けられ，前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜と，
前記第１画素定義膜のエッジが露出するように，前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜と，
前記第１電極の上部に形成され，発光層を含む中間層と，
前記中間層の上部に形成され，前記第１電極に対向する第２電極と，を備え，
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚く形成され，
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成され，
前記第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間の間隔は１μｍ以下であ
２　特許法第１７条の２第３項について
(1) 本件補正について 
　本件補正は，特許請求の範囲の請求項１に，「前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成され」とあるのを，「
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚く形成され，
　そこで，上記補正事項１が，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてしたものであるかについて，以下，検討する。
(2) 補正事項１について
ア　当初明細書等に記載された事項
　当初明細書等には，次の事項が記載されている。
（ア）「【００１３】
　また，
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成されてもよい。
（イ）「【００１９】
　図１及び図２を参照すれば，本発明のＯＬＥＤディスプレイ装置は，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の画素が反復して配されたディスプレイ部を備える。本実施形態では，赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の画素が列及び行方向に反復して配されたストライプパターンを図示する。しかし，これらの画素の構成は必ずしもこれに限定されるものではなく，各列の画素が交互に配されるジグザグ型，マトリックス型など多様なパターンに配列されうる。本実施形態では，説明の便宜のためにディスプレイ部の一部のみを図示し，
Ａ−Ａ’方向にＲ，Ｇ，Ｂの相異なる画素が反復して配列され，Ｂ−Ｂ’方向に同じ画素が反復して配列される場合を説明する
（ウ）「【図１】
」
（エ）「【００３２】
　
前記第２画素定義膜８１ｂの厚さは，図１のＡ−Ａ’方向（左右方向）の場合，
約０．１μｍ〜２μｍに設定し，Ｂ−Ｂ’方向（上下方向）の場合，
約０．１μｍ〜１μｍに設定することが望ましい。
（オ）「【００６０】
　
前記第２画素定義膜８１ｂの厚さは，左右方向の場合，
約０．１μｍ〜２μｍに設定し，上下方向の場合，
約０．１μｍ〜１μｍに設定することが望ましい
　上記（ア）乃至（オ）から，当初明細書等には，第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに，それぞれ形成されることが記載されている。
イ　補正の適否
　当初明細書等には，第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，画素間の混色を防止するために，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに，同じ画素が配列される方向では，有機発光層の膜厚段差を低減するために，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに，それぞれ形成することが記載されているが，両者の厚さの関係を定めることについては一切記載されていない。すなわち，当初明細書等に記載された事項は，「隣接するＲ，Ｇ，Ｂ画素間の混色を防止する」ために適切な第２画素定義膜の厚さが「約０．１μｍ〜２μｍ」であるという技術的事項と，「有機発光層の膜厚段差を低減する」ために適切な第２画素定義膜の厚さが「約０．１μｍ〜１μｍ」であるという技術的事項であり，また，両者の数値範囲を比較すると，上限値では相違するとしても下限値では一致しているから，当初明細書等に記載された事項から，「相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚く形成され」という技術的事項を導き出すことはできない。例えば，上記補正事項１により，「０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され」る「相異なる画素が配列されている方向の厚さ」を０．５μｍとした場合には，「０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成される」「同じ画素が配列される方向の厚さ」は，０．５μｍよりも小さい厚さとする必要が生じることとなったが，このような技術的事項は，当初明細書等に記載も示唆もされていない。また，例えば，上記補正事項１により，相異なる画素が配列される方向の第２画素定義膜の厚さから，０．１μｍが除かれることとなったが，このような技術的事項は，当初明細書等に記載も示唆もされていない。
　したがって，上記補正事項１を含む本件補正は，当初明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるということができない。
(3) 結論
　よって，本件補正は，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでなく，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
３　独立特許要件違反 
(1) 本件補正について 
　上記補正事項１は，第２画素定義膜の構成を限定するものであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものである。そこで，念のために，本件補正後発明が，特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて，以下検討する。 
(2) 引用例の記載 
　本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物であり，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２００９−７０８５９号公報（以下「引用例」という。）には，以下の事項が記載されている。 
 ア　「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は，有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は，例えば特許文献１に開示されるように，基板上に設けられ，バンク層に囲まれた複数の第１電極に有機ＥＬ材料をインクジェット法によって塗布し，その有機ＥＬ材料の上に第２電極を設けて製造される。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら，インクジェット法による成膜では，個々の画素ごとに成膜しているので画素数の著しく多い高精細な表示装置を製造するにあたっては，生産性が低いといった問題があった。
【０００５】
　本発明は，このような課題に鑑みてなされたものであり，有機ＥＬ材料を迅速且つ適切に塗布することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　上記目的を達成するため，この発明の第１の観点に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は，
　基板と，
　前記基板上に配置された複数の第１電極と，
　前記第１電極を囲む第1の部位及び第２の部位を有し，前記第２の部位の高さが前記第１の部位の高さよりも低いバンクと，
　前記複数の第１電極のそれぞれの上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と，
　前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された第２電極と，を有することを特徴とする。
【０００７】
　また，前記複数の第１電極は，第１方向及び前記第１方向に直交する第２方向に沿ってマトリクス状に配置され，
　前記第１方向に沿って配列された複数の第１電極上には，同一の発光色の前記有機エレクトロルミネッセンス層が形成され，前記第２方向に沿って前記バンクを介して互いに隣接して配置される複数の第１電極上には，互いに異なる発光色の前記有機エレクトロルミネッセンス層が形成され，
　前記バンクは，前記第１の部位が前記第１の方向に沿って設けられ，前記第２の部位が前記第２の方向に沿って設けられている，ことも可能である。
【０００８】
　また，前記バンクは，前記第１の部位が互いに対向して設けられ，前記第２の部位が互いに対向して設けられた矩形の開口部を有する，ことも可能である。
【０００９】
　また，前記第２の部位は，頭頂部から下に傾斜している傾斜部分を有する，ことも可能である。
【００１０】
　また，前記バンクの前記第２の部位の高さは，前記バンクの前記第１の部位の高さの０．６倍から０．８倍である，ことも可能である。」
イ　「【発明の効果】
【００１７】
　本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置によれば，有機エレクトロルミネッセンス材料を迅速且つ適切に塗布することができる有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
〔有機エレクトロルミネッセンス表示装置〕
　以下，本発明の実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置について，説明する。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置は，図１に平面で，及び，図１のＸ−Ｘにおける矢視断面図である図２に断面で示されるように，
基板１１０上に設けられた複数の画素ごとに有機ＥＬ素子を備えており，各有機ＥＬ素子は，画素電極１４０と，下地絶縁膜１３０及びバンク１２０に囲まれた有機ＥＬ層１６０と，対向電極１５０と，を有している。
【００１９】
　画素電極１４０は，図１に示すように，基板１１０の上にマトリクス状に複数配置されている。個々の画素電極１４０は，厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍで長方形の透明電極であり，有機ＥＬ素子のアノードとして機能する。画素電極１４０は，有機ＥＬ表示装置が後述する有機ＥＬ層１６０で発する光を基板１１０側から外に出射する，いわゆるボトムエミッション型であれば，例えば，ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ），亜鉛ドープ酸化インジウム，酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）等の透明導電材料から形成されることが好ましく，有機ＥＬ表示装置が後述する有機ＥＬ層１６０で発する光を封止基板１１３側から外に出射する，いわゆるトップエミッション型であれば，有機ＥＬ層１６０からの光を反射する導電性材料を少なくとも含むことが好ましい。
【００２０】
　
下地絶縁膜１３０は，
画素電極１４０の周縁部を覆うことにより画素電極１４０の露出部分を規定している。
【００２１】
　
バンク１２０は，下地絶縁膜１３０の上に設けられ，下地絶縁膜１３０よりやや幅狭の壁として感光性樹脂等によって形成されている。具体的には，バンク１２０は，平面視して下地絶縁膜１３０と略同一形状となるように複数の開口部を囲むことで規定する壁であり，対向する長手方向の縦壁１２０ａと，縦壁１２０ａと一体的に形成され，対向する短手方向の横壁１２０ｂとを有している。
【００２２】
　図３（ａ）のＤ−Ｄ線での断面図である図３（ｄ）に示すように，縦壁１２０ａの高さ１２０ａｈは横壁１２０ｂの高さ１２０ｂｈより高く形成されている。
　横壁１２０ｂの高さ１２０ｂｈは，縦壁１２０ａの高さ１２０ａｈの０．６〜０．８倍とするのが好ましい。なぜなら，１２０ｂｈが１２０ａｈの０．６倍よりも小さいと，横壁の高さが低くなりすぎて，隣接する一方の発光層からの光が他方の発光層へ漏洩することを防止することが困難となるおそれがあるからである。また，１２０ｂｈが１２０ａｈの０．８倍よりも大きいと，縦壁１２０ａの上面の高さと横壁１０２ｂの上面の高さとの差が少なくなり，横壁１２０ｂの上に有機ＥＬ材料を含有する有機ＥＬ材料含有液が塗布した場合，後述するように有機ＥＬ材料含有液が縦壁１２０ａの上面を越えて，隣接する画素領域に浸入することを防止することが困難となるからである。
【００２３】
　
有機ＥＬ層１６０は，縦壁１２０ａと横壁１２０ｂとが構成する直方体形状の容器内に，画素電極１４０を覆うように形成されている。
　
有機ＥＬ層１６０は，正孔輸送層，電子輸送層等の複数の電荷輸送層を有する積層構造であり，これらの電荷輸送層のうち，発光する層には有機ＥＬ化合物が含まれている。
　有機ＥＬ材料は，電流が流れることによって例えばＲ，Ｇ，Ｂの何れかに発光する材料であって，
縦壁１２０ａで区画された領域内の複数の画素電極１４０上には同一色の有機ＥＬ材料がストライプ状に配置され，横壁１２０ｂで互いに異なる発光色の有機ＥＬ材料が仕切られている。
【００２４】
　有機ＥＬ層１６０のうちの正孔輸送層を構成する材料としては，例えば，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン等のアミン化合物等の有機材料や高抵抗の無機化合物を用いることができる。
【００２５】
　さらに，有機ＥＬ層１６０の上には，対向電極１５０がストライプ状に設けられている。
各対向電極１５０は，縦壁１２０ａで区画された列に配置された複数の画素電極１４０に対向しており，
【００２６】
　対向電極１５０は，厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの，好ましくは仕事関数が４．５ｅｖ以下の金属から構成され，有機ＥＬ表示装置がボトムエミッション型であれば，有機ＥＬ層１６０で発光する光を反射する反射板としても機能する。
　対向電極１５０は，電子注入をしやすくするため，例えば，Ｌｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ等の金属を単体であるいは合金で用いることができる。また，これら低仕事関数の金属薄膜とＡｌ，Ｃｒなどの安定な比較的高仕事関数の金属薄膜とを２層以上積層して構成される多層構造であることが好ましく，低仕事関数金属と高仕事関数金属との合金を含んでいてもよい。また，有機ＥＬ表示装置がトップエミッション型であれば，可視光波長域よりも十分薄い１〜２０ｎｍの厚さの上述した低仕事関数金属薄膜と，その上にインジウム酸化物，亜鉛酸化物，錫酸化物などの透明導電性酸化物の薄膜を堆積した透明電極として用いることもできる。
【００２７】
　画素電極１４０と対向電極１５０とが有機ＥＬ層１６０を挟持し，発光層を形成している。バンク１２０は，隣接する一方の発光層からの光が他方の発光層へ漏洩することを防止する。そのため，バンク１２０を形成する縦壁１２０ａと横壁１２０ｂとは隙間無く連結して，画素電極１４０を囲んでいる。」
ウ　「【図１】
」
エ　「【図２】
」
オ　「【図３】
」
カ　「【００３０】
　なお，上記構成の
有機ＥＬ表示装置は，各画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の画素回路を有していてもよい
【００３１】
〔有機ＥＬ表示装置の製造方法〕
　次に，上記構成を有する
有機ＥＬ表示装置の製造方法
　まず，
基板１１０上に，
マトリクス状に複数の画素が配列するよう各画素ごとにＴＦＴ等の画素回路を形成する。
　そして，
基板１１０の上に，画素回路にそれぞれ接続された画素電極１４０をマトリクス状に複数形成する。
【００３２】
　次に，
基板１１０の上に，窒化シリコン等の画素ごとに開口部を有する下地絶縁膜１３０を設ける。
下地絶縁膜１３０の網目の開口部からは画素電極１４０が露出する
【００３３】
　次に，バンク１２０を下地絶縁膜１３０の上に形成する。バンク１２０の形成は，図４（ａ）に示すフォトマスクを用い，ポジ型の感光性樹脂にフォトマスクを介して光を照射することで形成される。
【００３４】
　フォトマスクは，縦壁１２０ａに対応する縦方向に延在する複数の遮光部３２０と，遮光部３２０，３２０間に配置する複数の開口部３１０と，横壁１２０ｂに対応する横方向に延在するハーフ現像可能なハーフ開口部３３０と，を有し，ハーフ開口部３３０では，全体的に，開口部３１０よりも単位面積あたりの光透過量が少なく，遮光部３２０よりも単位面積あたりの光透過量が多い。ここでハーフ現像とは，完全な現像（完全硬化パターニング）から未現像（一部未硬化パターニング）までの間の状態の現像をいう。
　図４（ａ）に示すように，ハーフ開口部３３０は，遮光する遮光部３２０と同一部材で形成され，遮光部３２０よりも微細な寸法の複数の矩形遮光パターン（図中黒地部分）と，各矩形遮光パターンと略同一形状で矩形遮光パターンと縦横方向に互い違いに配列された複数の開口パターン（図中白地部分）と，の組合せによってなされているチェッカー型であってもよい。
【００３５】
　また，ハーフ開口部３３０は，図４（ｂ）に示されるような遮光部３２０の延在方向に沿って伸びる複数のストライプ形遮光パターン（図中黒地部分）と，遮光部３２０の延在方向に沿って伸びるストライプ形開口パターン（図中白地部分）と，の組合せによってなされているストライプ型であってもよい。この場合，複数のストライプ形遮光パターンは，複数のストライプ形遮光パターンの各端部において，横壁１２０ｂの延在方向に沿って伸びる支持部分によって支持され，この支持部分は，その各端部を遮光部３２０によって支持されている。
【００３６】
　ポジ型の感光性樹脂としては，例えばポリイミドやポリアクリル等を用いることが可能であり，その具体的な商品としては，東レ株式会社製のフォトニースＰＷ−１０３０やフォトニースＤＬ−１０００等を用いることができる。
【００３７】
　一般的に感光性樹脂の加工は，塗布膜厚とフォトマスクの開口幅の比が１：１程度が限界である。また，フォトマスクの開口幅を細くするほど感光性樹脂の加工断面は，エッジがまるまった状態になる。フォトマスクの開口パターンをＥＢ（エレクトロンビーム）で形成する場合，最小加工単位は０．５μｍ程度なので，例えば約１．５μｍの膜厚の未硬化状態の感光性樹脂をバンク１２０形成領域に塗布し，図４（ａ）や図４（ｂ）に示すハーフ開口の短手方向の開口幅が０．５μｍのフォトマスクを用いて励起光を感光性樹脂に照射すると，現像後のハーフ開口部は０．５μｍ程度の深さ分だけ現像され，ハーフ開口部での現像後の感光性樹脂の膜厚は１μｍ程度となる。感光性樹脂にポリイミドを用いた場合，焼成時に収縮するため膜厚が減少するので，
フォトマスクの遮光部３２０におけるプリベーク，露光，現像，焼成後の感光性樹脂が硬化してなるバンク１２０の厚さが約１．０μｍとなるのに対して，透過光量が遮光部３２０よりの多いフォトマスクのハーフ開口部３３０におけるプリベーク，露光，現像，焼成後の感光性樹脂が硬化してなるバンク１２０の厚さが約０．５μｍとなる。
【００３８】
　最終的に形成されたバンク１２０を図４（ｃ）に示す。
遮光部３２０に対応する部分とハーフ開口部３３０に対応する部分とに，バンク１２０が形成されている。
　
遮光部３２０に対応する部分は長手方向の縦壁１２０ａとして形成される。一方，ハーフ開口部３３０に対応する部分は短手方向の横壁１２０ｂとして形成される。
　なお，図４（ｃ）では，図面の理解促進のため，横壁１２０ｂ及び縦壁１２０ａにはそれぞれハッチングが施してある。
【００３９】
　有機ＥＬ層１６０の成膜工程では，まず酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理により画素電極１４０の親液化を行う。この酸素プラズマ処理若しくはＵＶオゾン処理をすることで，画素電極１４０の濡れ性を向上し塗布した有機ＥＬ材料を含有する有機ＥＬ材料含有液が画素電極１４０全体に広がりやすくする。このとき，レジストは画素電極１４０ほど濡れ性は向上せず，ある程度有機ＥＬ材料含有液をはじくことができる。
【００４０】
　その後は，導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントとなるＰＰＳ（ポリスチレンスルホン酸）を分散した水を主成分とする正孔輸送材料含有液を調製し，ノズルプリント法で隣接する
縦壁１２０ａ，１２０ａ間に縦方向に沿って配列された複数の画素電極１４０上及びこれら画素電極１４０を囲む複数の横壁１２０ｂ上に連続した一筋に正孔輸送材料含有液を塗布する。
　ここで，バンク１２０の横壁１２０ｂの高さ１２０ｂｈが，縦壁１２０ａの高さ１２０ａｈよりも低く構成してあるから，縦壁１２０ａ，１２０ａ間に縦方向に沿って配列された複数の画素電極１４０上及びこれら画素電極１４０を囲む複数の横壁１２０ｂに連続して一筋の正孔輸送材料含有液を塗布すると，正孔輸送材料含有液は，バンク１２０，下地絶縁膜１３０及び画素電極１４０によって略直方体形状の容器の中でより低いバンク１２０の横壁１２０ｂから流出することになるので，より高いバンク１２０の縦壁１２０ａ上に正孔輸送材料含有液上にあまり残らない。このため，縦壁１２０ａの上面の面積は横壁１２０ｂの上面の面積より広いので画素電極１４０上に堆積されない正孔輸送材料含有液の無駄を起こりにくくすることができる。
【００４１】
　
正孔輸送材料含有液を塗布後は，所定の温度に加熱して乾燥を行い，正孔輸送層が形成される。
【００４２】
　その後，ノズルプリント法で
バンク１２０の縦壁１２０ａ，１２０ａ間に縦方向に沿って配列された複数の画素電極１４０上の正孔輸送層上及びこれら正孔輸送層を囲む複数の横壁１２０ｂ上に連続した一筋に電子輸送性発光層材料を含有する電子輸送性発光層材料含有液を塗布する。
　電子輸送性発光層材料は，赤・緑・青色のポリオレフィン系の発光材料である。溶媒は，キシレン，メシチレン，テトラリン等の有機溶媒を用いることが可能である。緑色発光のための材料は，例えば，ＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン）の前駆体用液をＤＭＦ，グリセリン，ジエチレングリコールの混合液で希釈してインク化したものを用いてもよい。赤色発光のための材料は，このＰＰＶを用いた緑色インクに赤色色素ローダミン１０１をＰＰＶに対して１．５ｗｔ％加えたインクを用いてもよい。青色発光のための材料は，ポリジオクチルスルフルオレンをキシレンに溶解したものをインクとして用いてもよい。
【００４３】
　図５は，図１におけるＺ−Ｚ矢視断面に沿って矢印２００の方向に有機ＥＬ材料含有液１７０を連続的に塗布するようすを説明するものである。
【００４４】
　塗布装置１９０は，画素電極１４０と対向電極１５０との間に積層される有機ＥＬ層１６０を形成する正孔輸送材料含有液や電子輸送性発光層材料含有液等の有機ＥＬ材料含有液１７０を塗布する装置である。塗布装置１９０は，有機ＥＬ材料含有液１７０を吐出口１８０から連続して吐き出すノズルコータである。
【００４５】
　電子輸送性発光層材料含有液を塗布する塗布装置１９０は，赤色発光層，緑色発光層，青色発光層の各層の材料ごとに異なる複数の吐出口１８０を有しており，各電子輸送性発光層材料含有液１７０がそれぞれ独立したタンクに充填されている。赤色発光層を設ける場合は赤色吐出口１８０から赤色有機ＥＬ材料含有液を吐き出す。緑色発光層を設ける場合は緑色吐出口１８０から緑色有機ＥＬ材料含有液を吐き出す。青色発光層を設ける場合は青色吐出口１８０から青色有機ＥＬ材料含有液を吐き出す。
【００４６】
　塗布装置１９０は，有機ＥＬ材料含有液１７０をバンク内の画素電極１４０に長手方向（図１において，長方形の画素電極１４０の長辺の方向）に連続的に塗布する。
　ある列に配列する画素電極１４０の上には赤色発光用の有機ＥＬ材料含有液１７０が塗布される。その列に隣接する一方の列に配列する画素電極１４０の上には緑色発光用の有機ＥＬ材料含有液１７０が塗布される。さらにその列に隣接する他方の列の上に配列する画素電極１４０の上には青色発光用の有機ＥＬ材料含有液１７０が塗布される。このように，赤色発光用，緑色発光用，青色発光用の有機ＥＬ材料含有液１７０がその順に個別にバンク１２０内の画素電極１４０の上に塗布される。バンク１２０は，赤，緑，青の各色の有機ＥＬ材料含有液１７０がバンク１２０で囲まれた領域内で混合することを防止する役割を有する。
【００４７】
　有機ＥＬ材料は酸素や水蒸気等に接触すると特性変化を生じる場合があるので，有機ＥＬ材料含有液１７０を塗布する場合は，窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中で塗布することが望ましい。
【００４８】
　図６（ａ）及び図６（ｂ）は有機ＥＬ材料含有液の塗布状況を模式的に表した斜視図である。図６（ａ）に示すように，本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では，バンク１２０の横壁１２０ｂの高さ１２０ｂｈが，縦壁１２０ａの高さ１２０ａｈよりも低く構成してある。即ち，横壁１２０ｂの両端部は上下の縦壁１２０ａに挟持されている。そのため，横壁１２０ｂの上に，塗布装置１９０から矢印２００に沿って，有機ＥＬ材料を溶媒に溶解させた有機ＥＬ材料含有液１７０を塗布したとしても，該横壁１２０ｂの上下に位置する縦壁１２０ａに流れ出す可能性が少ない。だから隣の列に位置する隣接する電極に塗布された有機ＥＬ材料どうしの混色を防止しうる。
　一方で，図６（ｂ）に示すように，バンク１２０の横壁の高さと縦壁の高さとが同一である場合は，横壁の上に有機ＥＬ材料含有液１７０が塗布された場合，該横壁の上下に位置する縦壁にも有機ＥＬ材料含有液１７０が流れ出すことがある。該縦壁に流れ出した有機ＥＬ材料含有液１７０は，隣の列に位置する電極に塗布された有機ＥＬ材料と混色するおそれがある。
【００４９】
　なお，有機ＥＬ材料含有液１７０は，第１表示基板１４０の上に全体的に広がる程度の粘性を有していることが望ましい。そして，有機ＥＬ材料含有液１７０がある程度の粘性を有していても，バンク１２０の横壁１２０ｂの高さ１２０ｂｈが，縦壁１２０ａの高さ１２０ａｈよりも低く構成してあるから，横壁１２０ｂの上に，有機ＥＬ材料含有液１７０が塗布したとしても，上面が該横壁１２０ｂの上面より高い位置にある縦壁１２０ａに流れ出す可能性が少ない。
【００５０】
　有機ＥＬ材料含有液１７０が塗布された後は，窒素等の不活性ガス雰囲気中で所定の温度に加熱して乾燥を行い，残留溶媒の除去をすることで，有機ＥＬ材料含有液１７０は有機ＥＬ層１６０となる。
【００５１】
　その後は，
有機ＥＬ層１６０の上に，対向電極１５０が設けられる。
　最後は，封止基板１１３を貼り合わせることで有機ＥＬ表示装置が製造される。」 
キ　「【図４】
」
(3) 引用発明 
　そうすると，引用例には，段落【００３１】〜【００５１】に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施形態により製造された有機ＥＬ表示装置に関する以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。（段落番号を併記する。）
 「【００１８】基板１１０上に設けられた複数の画素ごとに有機ＥＬ素子を備えており，各有機ＥＬ素子は，画素電極１４０と，下地絶縁膜１３０及びバンク１２０に囲まれた有機ＥＬ層１６０と，対向電極１５０と，を有しており，
【００３０】各画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の画素回路を有し，【００３１】基板１１０上に，マトリクス状に複数の画素が配列するよう各画素ごとにＴＦＴ等の画素回路を形成し，
【００３１】基板１１０の上に，画素回路にそれぞれ接続された画素電極１４０をマトリクス状に複数形成し，
【００３２】基板１１０の上に，画素ごとに開口部を有する下地絶縁膜１３０を設け，下地絶縁膜１３０の網目の開口部からは画素電極１４０が露出し，【００２０】下地絶縁膜１３０は，画素電極１４０の周縁部を覆うことにより画素電極１４０の露出部分を規定し，
【００２１】バンク１２０は，下地絶縁膜１３０の上に設けられ，下地絶縁膜１３０よりやや幅狭の壁として形成され，具体的には，バンク１２０は，平面視して下地絶縁膜１３０と略同一形状となるように複数の開口部を囲むことで規定する壁であり，対向する長手方向の縦壁１２０ａと，縦壁１２０ａと一体的に形成され，対向する短手方向の横壁１２０ｂとを有し，
【００２３】有機ＥＬ層１６０は，縦壁１２０ａと横壁１２０ｂとが構成する直方体形状の容器内に，画素電極１４０を覆うように形成されていて，【００２３】縦壁１２０ａで区画された領域内の複数の画素電極１４０上には同一色の有機ＥＬ材料がストライプ状に配置され，横壁１２０ｂで互いに異なる発光色の有機ＥＬ材料が仕切られていて，
【００４０】縦壁１２０ａ，１２０ａ間に縦方向に沿って配列された複数の画素電極１４０上及びこれら画素電極１４０を囲む複数の横壁１２０ｂ上に連続した一筋に正孔輸送材料含有液を塗布して【００４１】正孔輸送層が形成され，
【００４２】正孔輸送層上及びこれら正孔輸送層を囲む複数の横壁１２０ｂ上に連続した一筋に電子輸送性発光層材料を含有する電子輸送性発光層材料含有液を塗布し，【００２３】有機ＥＬ層１６０は，正孔輸送層，電子輸送層等の複数の電荷輸送層を有する積層構造であり，これらの電荷輸送層のうち，発光する層には有機ＥＬ化合物が含まれ，
【００５１】有機ＥＬ層１６０の上に，対向電極１５０が設けられ，【００２５】各対向電極１５０は，縦壁１２０ａで区画された列に配置された複数の画素電極１４０に対向しており，
【００３７】フォトマスクの遮光部３２０におけるプリベーク，露光，現像，焼成後の感光性樹脂が硬化してなるバンク１２０の厚さが約１．０μｍとなるのに対して，透過光量が遮光部３２０より多いフォトマスクのハーフ開口部３３０におけるプリベーク，露光，現像，焼成後の感光性樹脂が硬化してなるバンク１２０の厚さが約０．５μｍとなり，【００３８】遮光部３２０に対応する部分とハーフ開口部３３０に対応する部分とに，バンク１２０が形成され，遮光部３２０に対応する部分は長手方向の縦壁１２０ａとして形成され，ハーフ開口部３３０に対応する部分は短手方向の横壁１２０ｂとして形成される
【００３１】有機ＥＬ表示装置。」 
　
(4) 対比 
ア　薄膜トランジスタ
　引用発明は，「各画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の画素回路を有し」，「基板１１０上に，マトリクス状に複数の画素が配列するよう各画素ごとにＴＦＴ等の画素回路を形成」している。
　ここで，引用発明の「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」及び「基板１１０」は，それぞれ，本件補正後発明の「薄膜トランジスタ」及び「基板」に相当する。引用発明は，「基板１１０上に」，「ＴＦＴ等の画素回路を形成」しており，引用発明の「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」は，本件補正後発明の「基板の上部に形成された薄膜トランジスタ」の要件を満たす。 
　
イ　第１電極
　引用発明は，「基板１１０上に設けられた複数の画素ごとに有機ＥＬ素子を備えており，各有機ＥＬ素子は，画素電極１４０と，下地絶縁膜１３０及びバンク１２０に囲まれた有機ＥＬ層１６０と，対向電極１５０と，を有しており」，「基板１１０の上に，画素回路にそれぞれ接続された画素電極１４０をマトリクス状に複数形成し」ている。 
　ここで，引用発明の「画素」及び「画素電極１４０」は，それぞれ，本件補正後発明の「画素」及び「第１電極」に相当する。引用発明は，「基板１１０上に設けられた複数の画素ごとに有機ＥＬ素子を備え」，「各有機ＥＬ素子は，画素電極１４０」「を有して」いるから，「画素ごと」に「画素電極１４０」が形成されている。
　したがって，引用発明の「画素電極１４０」と本件補正後発明の「第１電極」は，「画素ごとに形成される」点で共通する。 
ウ　第１画素定義膜
　引用発明は，「基板１１０の上に，画素ごとに開口部を有する下地絶縁膜１３０を設け，下地絶縁膜１３０の網目の開口部からは画素電極１４０が露出し」，引用発明の「下地絶縁膜１３０は，画素電極１４０の周縁部を覆うことにより画素電極１４０の露出部分を規定し」ている。
　引用発明の「下地絶縁膜１３０」及び「画素電極１４０の周縁部」は，それぞれ，本件補正後発明の「第１画素定義膜」及び「第１電極の外郭部」に相当する。
　引用発明では「画素ごとに開口部を有する下地絶縁膜１３０を設け」，「下地絶縁膜１３０の網目の開口部からは画素電極１４０が露出」しているのであるから，引用発明の「下地絶縁膜１３０」は，「開口部から」「露出」される「画素電極１４０」の間に網状に設けられており，「下地絶縁膜１３０」は，「第１電極の間」に設けられている。また，「下地絶縁膜１３０」は，「画素電極１４０の周縁部を覆」っており，「下地絶縁膜１３０」は，「第１電極の外郭部を覆」っている。
　したがって，引用発明の「下地絶縁膜１３０」は，本件補正後発明の「前記第１電極の間に設けられ，前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜」との要件を満たす。
　
エ　第２画素定義膜の配置及び第１画素定義膜とのエッジ間の間隔
　引用発明の「バンク１２０は，下地絶縁膜１３０の上に設けられ，下地絶縁膜１３０よりやや幅狭の壁として形成され，具体的には，バンク１２０は，平面視して下地絶縁膜１３０と略同一形状となるように複数の開口部を囲むことで規定する壁」としている。
　そうしてみると、引用発明の「バンク１２０」は，本件補正後発明の「第２画素定義膜」に相当する。また、引用発明では「バンク１２０は，下地絶縁膜１３０の上に設けられ，下地絶縁膜１３０よりやや幅狭の壁として形成され」ているのであるから，「幅狭の壁として形成され」る「バンク１２０」は，より幅広の「下地絶縁膜１３０」のエッジまで覆うことはないため，引用発明の「バンク１２０」は，「第１画素定義膜のエッジが露出するように」しており，「第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間」には間隔がある。また，引用発明の「バンク１２０」は，「下地絶縁膜１３０の上に設けられ」ているから，「第１画素定義膜を覆」っている。
　したがって，引用発明の「バンク１２０」は，本件補正後発明の「前記第１画素定義膜のエッジが露出するように，前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜」との要件を満たす。
オ　中間層
　引用発明は，「縦壁１２０ａ，１２０ａ間に縦方向に沿って配列された複数の画素電極１４０上及びこれら画素電極１４０を囲む複数の横壁１２０ｂ上に連続した一筋に正孔輸送材料含有液を塗布して」「正孔輸送層が形成」され，「正孔輸送層上及びこれら正孔輸送層を囲む複数の横壁１２０ｂ上に連続した一筋に電子輸送性発光層材料を含有する電子輸送性発光層材料含有液を塗布」し，引用発明の「有機ＥＬ層１６０は，正孔輸送層，電子輸送層等の複数の電荷輸送層を有する積層構造であり，これらの電荷輸送層のうち，発光する層には有機ＥＬ化合物が含まれ」ている。
　引用発明の「有機ＥＬ層１６０」及び「発光する層」は，それぞれ，本件補正後発明の「中間層」及び「発光層」に相当する。引用発明は，「正孔輸送層」，「電子輸送層」などを「画素電極１４０上」に形成しており，また，引用発明の「有機ＥＬ層１６０」は，「正孔輸送層，電子輸送層等」から構成され，「電荷輸送層」は「発光する層」を含むため，引用発明の「有機ＥＬ層１６０」は，本件補正後発明の「前記第１電極の上部に形成され，発光層を含む中間層」という要件を満たす。
カ　第２電極
　引用発明においては，「有機ＥＬ層１６０の上に，対向電極１５０が設けられ」，「各対向電極１５０は，縦壁１２０ａで区画された列に配置された複数の画素電極１４０に対向して」いる。
　引用発明の「対向電極１５０」は，本件補正後発明の「第２電極」に相当する。引用発明において，「対向電極１５０」は「有機ＥＬ層１６０の上に」「設けられ」ており，「中間層の上部に形成され」ている。また，引用発明の「対向電極１５０」は，「画素電極１４０に対向して」いる。
　したがって，引用発明の「対向電極１５０」は，本件補正後発明の「前記中間層の上部に形成され，前記第１電極に対向する第２電極」という要件を満たす。
キ　第２画素定義膜の厚さ
　引用発明の「バンク１２０は，平面視して下地絶縁膜１３０と略同一形状となるように複数の開口部を囲むことで規定する壁であり，対向する長手方向の縦壁１２０ａと，縦壁１２０ａと一体的に形成され，対向する短手方向の横壁１２０ｂとを有し」，「有機ＥＬ層１６０は，縦壁１２０ａと横壁１２０ｂとが構成する直方体形状の容器内に，画素電極１４０を覆うように形成されていて」，「縦壁１２０ａで区画された領域内の複数の画素電極１４０上には同一色の有機ＥＬ材料がストライプ状に配置され，横壁１２０ｂで互いに異なる発光色の有機ＥＬ材料が仕切られていて，」「フォトマスクの遮光部３２０におけるプリベーク，露光，現像，焼成後の感光性樹脂が硬化してなるバンク１２０の厚さが約１．０μｍとなるのに対して，透過光量が遮光部３２０より多いフォトマスクのハーフ開口部３３０におけるプリベーク，露光，現像，焼成後の感光性樹脂が硬化してなるバンク１２０の厚さが約０．５μｍとなり，」「遮光部３２０に対応する部分とハーフ開口部３３０に対応する部分とに，バンク１２０が形成され，遮光部３２０に対応する部分は長手方向の縦壁１２０ａとして形成され，ハーフ開口部３３０に対応する部分は短手方向の横壁１２０ｂとして形成される」。
　引用発明の「バンク１２０」は，「縦壁１２０ａ」と「横壁１２０ｂ」を有し，「縦壁１２０ａで区画された領域内の複数の画素電極１４０上には同一色の有機ＥＬ材料がストライプ状に配置され」るため，引用発明の「縦壁１２０ａ」は，相異なる画素の間に形成され，引用発明の「縦壁１２０ａ」の厚さは，本件補正後発明の「相異なる画素が配列されている方向の厚さ」に相当する。また，引用発明の「横壁１２０ｂ」は，「縦壁１２０ａ」とともに「直方体形状の容器」を構成して，「縦壁１２０ａで区画された領域内の複数の」「同一色の有機ＥＬ材料」を「横壁１２０ｂ」によって仕切っており，引用発明の「横壁１２０ｂ」の厚さは，本件補正後発明の「同じ画素が配列される方向の厚さ」に相当する。
　引用発明において，「遮光部３２０に対応する部分は長手方向の縦壁１２０ａとして形成され」るところ，「遮光部３２０における」「バンク１２０の厚さ」は「約１．０μｍ」であるから，「縦壁１２０ａ」の「バンク１２０の厚さ」は「約１．０μｍ」となる。また，引用発明において，「ハーフ開口部３３０に対応する部分は短手方向の横壁１２０ｂとして形成され」るところ，「ハーフ開口部３３０における」「バンク１２０の厚さ」は「約０．５μｍ」であるから，「横壁１２０ｂ」の「バンク１２０の厚さ」は「約０．５μｍ」となる。
　したがって，引用発明においては，「相異なる画素が配列される方向の厚さ」である「縦壁１２０ａ」の「厚さが約１．０μｍ」であり，「同じ画素が配列される方向の厚さ」である「横壁１２０ｂ」の「厚さが約０．５μｍ」である。
　したがって，引用発明の「バンク１２０」は，本件補正後発明の「前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚く形成され」及び「前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成され」るとする要件を満たす。
ク　有機発光ディスプレイ装置
　以上，ア乃至キを踏まえると，引用発明の「有機ＥＬ表示装置」は，本件補正後発明の「有機発光ディスプレイ装置」に相当する。
(5) 一致点 
　本件補正後発明と引用発明は，以下の構成において一致する。 
「基板の上部に形成された薄膜トランジスタと，
画素ごとに形成される第１電極と，
前記第１電極の間に設けられ，前記第１電極の外郭部を覆う第１画素定義膜と，
前記第１画素定義膜のエッジが露出するように，前記第１画素定義膜を覆う第２画素定義膜と，
前記第１電極の上部に形成され，発光層を含む中間層と，
前記中間層の上部に形成され，前記第１電極に対向する第２電極と，を備え，
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚く形成され，
前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列される方向では，０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さに形成され，同じ画素が配列される方向では，０．１μｍ〜１μｍの範囲の厚さに形成される
有機発光ディスプレイ装置。」 
　
(6) 相違点 
　本件補正後発明と引用発明は，以下の点で相違する。 
ア　相違点１ 
　本件補正後発明の「第１電極」は，「前記薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に」形成されるのに対して，引用発明は，「各画素ごとにＴＦＴ等の画素回路を形成し」，「画素回路にそれぞれ接続された画素電極１４０を」形成しているが，「薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に」形成するか否か，不明である点。 
　
イ　相違点２ 
　本件補正後発明の「前記第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間の間隔は１μｍ以下で」あるのに対して，引用発明は，「バンク１２０は」，「下地絶縁膜１３０よりやや幅狭の壁として形成され」るが，「バンク１２０」と「下地絶縁膜１３０」の「エッジ間の間隔」が「１μｍ以下」であるか否か，不明である点。 
　
(7) 判断 
ア　相違点１について 
　当該「有機発光ディスプレイ装置」の技術分野において，「薄膜トランジスタ」を「平坦化膜」によって覆うことは，本願の優先日前において例示するまでもなく一般的に行われている事項である（以下「周知慣用技術」という。なお，本願の背景技術（段落【０００３】）にも記載されている。）。ここで，引用例においては，ＴＦＴ等の画素回路は図示しないとして，平坦化膜については明示的に記載はされてないが，形成される「薄膜トランジスタ」は，「平坦化膜」によって当然覆われているものと解され，「画素電極１４０」は「薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に」形成されることは，記載されているに等しい事項である。したがって，相違点１は，実質的な相違点ではない。
　あるいは，引用発明において「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」を形成するに際して，本願の優先日前における周知慣用技術である「薄膜トランジスタ」を「平坦化膜」によって覆う構成を採用して，引用発明の「画素電極１４０」を「薄膜トランジスタを覆う平坦化膜の上部に」形成することは，当業者が容易にできたことである。
　
イ　相違点２について 
　引用例には，下地絶縁膜とバンクとのエッジの間隔の上限値を１μｍとすることは明記されていないが，引用発明においては，「バンク１２０は，下地絶縁膜１３０の上に設けられ，下地絶縁膜１３０よりやや幅狭の壁として形成され」ており，「第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間」には間隔を設けている。さらに，引用発明は「バンク１２０は，」「下地絶縁膜１３０」より「やや幅狭」であり，「具体的には，バンク１２０は，平面視して下地絶縁膜１３０と略同一形状」としており，下地絶縁膜とバンクとのエッジの間隔をそれほど大きくしすぎないことが示唆されている。
　したがって，引用発明に基づいて，下地絶縁膜とバンクとのエッジの間隔の上限値を１μｍとすることは，所望の画素の寸法や各パターン形成上の制約などに応じて，当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
(8) 効果について 
　発明の効果に関して，本願の発明の詳細な説明には，「本発明は，無機絶縁膜及び有機絶縁膜で形成された画素定義膜を形成することによって発光部（すなわち中間層）の膜厚を均一にし，下部ＴＦＴ部を平坦化することによって素子の寿命を向上させることができる。」（段落【００１４】）と記載されている。
　しかしながら，上記（7）アで述べたとおり，薄膜トランジスタを平坦化膜で覆うことは周知慣用技術である。また，本件補正後発明の第１画素定義膜は「無機膜で形成されてもよく，ＳｉＯ２，ＳｉＮｘ・・・からなる群から選択される一つで形成され」（段落【００１０】）てもよく，また，本件補正後発明の第２画素定義膜は「有機膜で形成されてもよく，前記第２画素定義膜は，ポリアクリル，ポリイミド，ポリアミドＰＡ，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）及びフェノール樹脂からなる群から選択される一つで形成されてもよい」（段落【００１２】）ところ，引用発明の下地絶縁膜１３０は「例えば窒化珪素または酸化珪素等の無機化合物から形成される」（段落【００２０】）ものであり，また，引用発明のバンク１２０は「感光性樹脂等によって形成され」（段落【００２１】），材料は「例えばポリイミドやポリアクリル等を用いる」（段落【００３６】）。
　そうしてみると，本件補正後発明が奏する効果は，引用発明が奏する効果であるか，あるいは，引用発明において周知慣用技術を採用した当業者が期待する効果の範囲内のものである。なお，特開２００７−３５４８４号公報（平成２６年９月２５日付け拒絶理由通知の引用文献１）の段落【００６５】には，「有機バンク１５０を形成するに際しては，有機バンク１５０の開口部１５１の壁面を，無機バンク１４９の開口部１４９ｂから若干外側へ後退させて形成するのがよい。このように有機バンク１５０の開口部１５１内に無機バンク１４９を一部露出させておくことで，有機バンク１５０内での液体材料の濡れ広がりを良好なものとすることができる。」などの記載もあり，下層のバンクを一部露出させておくことで，バンク内での液体材料の濡れ広がりを良好なものとすることも知られたことに過ぎない。
(9）請求人の主張について 
　請求人は，審判請求書において「補正した請求項１，８に係る，「第２画素定義膜の厚さは，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚い，」という構成，及び「前記第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間の間隔は１μｍ以下である」という構成は，引用文献２には開示も示唆もされておらず，当該構成は他の引用文献１，３，４にも何ら開示又は示唆されていない。」， 「そして，補正した新請求項１，８に係る発明によれば，「第２画素定義膜の厚さは，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚い，」という構成を備えることにより，本願明細書の段落［００３２］に記載されているように，相異なる画素が配列される方向では隣接するＲ，Ｇ，Ｂ画素間の混色を防止することが可能となり，同じ画素が配列される方向では有機発光層の膜厚段差を低減することが可能とになるという特有の効果が得られる。」と主張する。
　しかしながら，請求人の主張の点については，上記（2）乃至（7）のとおりである。
(10) 小括 
　本件補正後発明は，引用発明及び周知慣用技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際に独立して特許を受けることができない。 
 
４　補正却下のまとめ 
　本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　あるいは、本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　本件補正は上記の通り却下されたので，本件出願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（本願発明）は，上記「第２」１(1)に記載のとおりのものである。 
　
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は，概略，本願発明は，本願の優先日前に日本国又は外国において頒布された刊行物に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない，及び，本願発明は，本願の優先日前に日本国又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
３　引用例に記載の事項及び引用発明について 
　引用例に記載の事項及び引用発明については，前記「第２」３(2)及び(3)に記載したとおりである。 
　
４　対比及び判断 
　本願発明は，本件補正後発明から，「前記第２画素定義膜は，相異なる画素が配列されている方向の厚さが同じ画素が配列される方向の厚さよりも厚く形成され，」との構成と「前記第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間の間隔は１μｍ以下であ」るという構成を除いたものである。 
　本願補正発明の「前記第１画素定義膜と前記第２画素定義膜とのエッジ間の間隔は１μｍ以下であ」るという構成は，前記「第２」３(4)〜(10)の対比及び判断における相違点２に対応するものである。したがって，本願発明と引用発明は，前記「第２」３(4)〜(10)の対比及び判断における相違点１についてのみ相違する。
　相違点１については，前記「第２」３(7)アで述べたとおり，実質的な相違点ではない，あるいは，引用発明に周知の技術を適用して，当業者が容易にできたことに過ぎない。
　したがって，本願発明は，引用発明と実質的な相違点がない，又は，引用発明及び周知技術に基づいて，本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　まとめ 
　以上のとおり，本願発明は，本願の優先日前に日本国又は外国において頒布された刊行物に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない，あるいは，本願発明は，本願の優先日前に日本国又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて本願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　したがって，他の請求項に係る発明について審究するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。