【事件の表示】
　特願２０１１−　４９２８７「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２０日出願公開、特開２０１１−２１０２４８、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月７日（優先権主張平成２２年３月１１日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　９月　１日：拒絶理由の通知　（起案日）
　平成２６年　９月１９日：意見書、手続補正書の提出
　平成２６年１１月１７日：拒絶理由（最後の拒絶理由）の通知（起案日）
　平成２６年１２月　８日：意見書、手続補正書の提出
　平成２７年　１月２６日：平成２６年１２月８日の手続補正についての
　　　　　　　　　　　　　補正却下の決定、拒絶査定　（起案日）
　平成２７年　２月１３日：審判請求書、手続補正書の提出
第２　平成２７年２月１３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「第１の基板と、
　前記第１の基板と対向して配置された、第２の基板と、
　前記第１の基板上の、第１のフォトセンサと、
　前記第１の基板上の、第２のフォトセンサと、
　前記第１の基板側の、第１の遮光膜と、
　前記第２の基板側の、第２の遮光膜と、を有し、
　前記第１のフォトセンサは、画素にあり、
　前記第２のフォトセンサは、前記画素の周辺にあり、
　前記第１の基板側に、バックライトを有し、
　前記第２の基板側に、被検出物があるとき、
　前記第２の遮光膜は、開口部を有し、
　前記第１のフォトセンサは、
　前記被検出物の影を検出する機能と、
　前記バックライトからの光が、前記被検出物によって反射された光を検出する機能と、
を有し、
　
前記第２のフォトセンサは、外光強度を取得する機能を有し、
　
輝度値に対する画素数のヒストグラムにおける、検出位置を示す第１のピークと、検出位置以外を示す第２のピークとが分離するように、前記取得された外光強度に基づいて、前記第１のフォトセンサが有するフォトダイオードに印加される電圧を変更して、前記第１のフォトセンサの感度を変更させる
とする補正である。
２．補正の適否
　本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である画素の周辺にある「第２のフォトセンサ」について、「
外光強度を取得する機能を有し
輝度値に対する画素数のヒストグラムにおける、検出位置を示す第１のピークと、検出位置以外を示す第２のピークとが分離するように、前記取得された外光強度に基づいて、前記第１のフォトセンサが有するフォトダイオードに印加される電圧を変更して、前記第１のフォトセンサの感度を変更させる
補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、
特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか）について以下に検討する。
（１）引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００９／０８１８１０号（以下、「引用文献１」という。）には、次の記載がある（下線は、本審決で特に着目した箇所を示す。）。
「［０００４］
　ところが、影像を検知する方法では、
外光の照度が低い（周囲が暗い）ときに、光センサで得られた画像内で影像と背景の区別が困難になり、タッチ位置を正しく検出できないことがある。
バックライトを備えた表示装置については、バックライト光が指に当たったときの反射像を光センサを用いて検知する方法
【特許文献１】日本国特開２００６−３１７６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
［０００５］
　しかしながら、反射像を検知する方法を用いた場合のバックライト制御については、これまでに具体的な方法は考案されていない。このため、従来と同様にバックライトの輝度を一定にする場合、輝度を低くするとタッチ位置の検出精度が低下し、輝度を高くするとバックライトの消費電力が増大するという問題がある。
［０００６］
　それ故に、本発明は、複数の光センサを備えた表示装置について、バックライトの消費電力を抑制しながら、タッチ位置の検出精度を高めることを目的とする。」
「［００３０］
　（第１の実施形態）
　
図１は、本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の構成を示すブロック図である
図１に示す液晶表示装置１０
センサ内蔵液晶パネル１１
照度センサ１７
「［００３４］
　
照度センサ１７は、外光の照度を検知し、検知した照度を示す照度データＬＸを出力する。照度センサ１７は、受光面にバックライト光が入射しないように配置される。
反射像モードでは、対象物の反射像だけを検知してもよく、対象物の影像と反射像の両方を検知してもよい。
「［００４１］
　
光センサ２は、コンデンサ５、フォトダイオード６およびセンサプリアンプ７を含み、画素ごとに設けられる。
「［００４８］
　
図３は、液晶パネル１１の断面とバックライト１４の配置位置を示す図である
液晶パネル１１は、２枚のガラス基板５１ａ、５１ｂの間に液晶層５２を挟み込んだ構造を有する
ガラス基板５１ａには３色のカラーフィルタ５３ｒ、５３ｇ、５３ｂ、遮光膜５４、対向電極５５などが設けられ、他方のガラス基板５１ｂには画素電極５６、データ信号線５７、光センサ２などが設けられる
光センサ２に含まれるフォトダイオード６は、青色カラーフィルタ５３ｂを設けた画素電極５６の近傍に設けられる
ガラス基板５１ａ側の面が表面になり、ガラス基板５１ｂ側の面が背面になる。バックライト１４は、液晶パネル１１の背面側に設けられる
［００４９］
　液晶表示装置１０は、液晶画面内のタッチ位置を検知するときに、影像を検知する方法と反射像（あるいは、影像と反射像の両方）を検知する方法を切り替えて使用する。図４Ａは影像を検知する方法の原理を示す図であり、図４Ｂは反射像を検知する方法の原理を示す図である。
影像を検知する方法（図４Ａ）では、フォトダイオード６を含む光センサ２は、ガラス基板５１ａや液晶層５２などを透過した外光６１を検知する。このときに指などの対象物６３が液晶パネル１１の表面付近にあると、光センサ２に入射すべき外光６１が対象物６３によって遮られる。したがって、光センサ２を用いて、外光６１による対象物６３の影像を検知することができる
［００５０］
　反射像を検知する方法（図４Ｂ）では、フォトダイオード６を含む光センサ２は、バックライト光６２の反射光を検知する。より詳細には、
バックライト１４から出射されたバックライト光６２は、液晶パネル１１を透過して液晶パネル１１の表面から外部に出る。このときに対象物６３が液晶パネル１１の表面付近にあると、バックライト光６２は対象物６３で反射する。例えば、人間の指の腹は光をよく反射する。バックライト光６２の反射光は、ガラス基板５１ａや液晶層５２などを透過して光センサ２に入射する。したがって、光センサ２を用いて、バックライト光６２による対象物６３の反射像を検知することができる
［００５１］
　また、
上記２つの方法を併用すれば、影像と反射像の両方を検知することができる。すなわち、光センサ２を用いて、外光６１による対象物６３の影像と、バックライト光６２による対象物６３の反射像とを同時に検知することができる
　そして、引用文献１の上記記載事項を関連図面である図１−４と技術常識に照らし、下線部に着目すれば、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
＜引用発明＞
「ガラス基板５１ｂと、
　ガラス基板５１ｂと対向して配置された、ガラス基板５１ａと、
　ガラス基板５１ｂ上の、光センサ２と、
　照度センサ１７と、
　ガラス基板５１ａ側の遮光膜５４と、を有し、
　光センサ２は、画素にあり、
　照度センサ１７は、受光面にバックライト光が入射しないように配置され、
　ガラス基板５１ｂ側に、バックライト１４を有し、
　ガラス基板５１ａ側に、対象物６３があるとき、
　遮光膜５４は、開口しており、
　光センサ２は、
　対象物６３の影像を検知する機能と、
　バックライト１４からの光が、対象物６３によって反射された反射光を検知する機能と、
を有し、
　照度センサ１７は、外光の照度を検知する機能を有する、
液晶表示装置１０。」
（２）対比
　補正発明と引用発明を対比すると、次のことがいえる。
　ａ．引用発明の「液晶表示装置１０」が有する「ガラス基板５１ｂ」は、補正発明の「半導体装置」が有する「第１の基板」に相当する。
　ｂ．引用発明の「ガラス基板５１ａ」は、補正発明の「第２の基板」に相当する。
　ｃ．引用発明の「光センサ２」は、補正発明の「第１のフォトセンサ」に相当する。
　ｄ．引用発明の「照度センサ１７」は、補正発明の「前記第１の基板上の、第２のフォトセンサ」と、「第２のフォトセンサ」である点で共通する。
　ｅ．引用発明のガラス基板５１ａ側の「遮光膜５４」は、補正発明の前記第２の基板側の「第２の遮光膜」に相当する。
　ｆ．引用発明の光センサ２が「画素にある」という構成は、補正発明の前記第１のフォトセンサが「画素にある」という構成に相当する。
　ｇ．引用発明の「バックライト１４」は、補正発明の「バックライト」に相当する。
　ｈ．引用発明の「対象物６３」は、補正発明の「被検出物」に相当する。
　ｉ．引用発明の遮光膜５４が「開口している」という構成は、補正発明の前記第２の遮光膜が「開口部を有する」という構成に相当する。
　ｊ．引用発明の「対象物６３の影像」、「対象物６３の影像を検知する機能」、「バックライト１４からの光」、「対象物６３によって反射された反射光」、「対象物６３によって反射された反射光を検知する機能」は、
それぞれ補正発明の「前記被検出物の影」、「前記被検出物の影を検出する機能」、「前記バックライトからの光」、「前記被検出物によって反射された光」、「前記被検出物によって反射された光を検出する機能」に相当し、
それを踏まえると、引用発明の「光センサ２」が「対象物６３の影像を検知する機能と、バックライト１４からの光が、対象物６３によって反射された反射光を検知する機能と、を有する」構成は、
補正発明の「前記第１のフォトセンサ」が「前記被検出物の影を検出する機能と、前記バックライトからの光が、前記被検出物によって反射された光を検出する機能と、を有する」構成に相当する。
　ｋ．引用発明の「外光の照度」は、補正発明の「外光強度」に相当し、
それを踏まえると、引用発明の「照度センサ１７」が有する「外光の照度を検知する機能」は、
補正発明の「前記第２のフォトセンサ」が有する「外光強度を取得する機能」に相当する。
　したがって、補正発明と引用発明の間には、次の一致点、相違点があるといえる。
＜一致点＞
「第１の基板と、
　前記第１の基板と対向して配置された、第２の基板と、
　前記第１の基板上の、第１のフォトセンサと、
　第２のフォトセンサと、
　前記第２の基板側の、第２の遮光膜と、を有し、
　前記第１のフォトセンサは、画素にあり、
　前記第１の基板側に、バックライトを有し、
　前記第２の基板側に、被検出物があるとき、
　前記第２の遮光膜は、開口部を有し、
　前記第１のフォトセンサは、
　前記被検出物の影を検出する機能と、
　前記バックライトからの光が、前記被検出物によって反射された光を検出する機能と、
を有し、
　前記第２のフォトセンサは、外光強度を取得する機能を有する、
半導体装置。」
＜相違点１＞
　補正発明の第２のフォトセンサは、「前記第１の基板上」のものであって「前記画素の周辺にある」のに対し、
引用発明の照度センサ１７（第２のフォトセンサ）の配置がそのようになっているかは不明である点。
＜相違点２＞
　補正発明は、「前記第１の基板側の、第１の遮光膜」を有しているのに対し、引用発明はその構成を有していない点。
＜相違点３＞
　補正発明は、「輝度値に対する画素数のヒストグラムにおける、検出位置を示す第１のピークと、検出位置以外を示す第２のピークとが分離するように、前記取得された外光強度に基づいて、前記第１のフォトセンサが有するフォトダイオードに印加される電圧を変更して、前記第１のフォトセンサの感度を変更させる」構成を有しているのに対し、
引用発明はその構成を有していない点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　ａ．＜相違点１＞について
　引用文献１（段落［００３４］参照）には、照度センサ１７（第２のフォトセンサ）は、「外光の照度を検知」するものであり、「受光面にバックライト光が入射しないように配置される」ものであることが記載されている。
　この記載に基づいて、照度センサ１７を画素の中ではなく画素の外である周辺部に配置することは、当業者であれば容易になし得る。
　またその際、照度センサ１７をどの基板の上に配置するかを決定することは実装における単なる設計的事項であり、他の回路部分である画素電極５６や光センサ２が配置されているガラス基板５１ｂ（第１の基板）上に設ける構成とすることも、当業者であれば容易になし得る。
　ｂ．＜相違点２＞について
　（ａ）　引用文献１（図３−４参照）には、光センサ２に含まれるフォトダイオード６に対して上方側（対象物６３である指がある方）に、開口している遮光膜５４を設けることが記載されている。加えて、光センサ２に含まれるフォトダイオード６によって、上方からの外光と反射光を検知することが記載されている。これに対して、光センサ２に下方からのバックライト１４の光が直接入射することにより、上述した外光と反射光の検知に悪い影響を及ぼすことは図３−４から明らかである。
　（ｂ）　また、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００８−２２４９３５号公報の段落【００６９】、【００７４】及び図８、並びに、段落【００８６】−【００８７】及び図９には、タッチパネルにおいて、バックライト２０６とは反対側の対向基板２０に遮光膜を設けると共に、バックライト２０６側のＴＦＴアレイ基板１０に下側遮光膜１１ａを設けることが記載されている。
　（ｃ）　よって、引用発明において、下方からの不要な光（バックライト１４からの光など）が入射しないように、引用文献２に倣って、ガラス基板５１ｂ側に下方遮光膜（本願の第１の遮光膜に相当）を設ける構成とすることは、当業者であれば容易になし得る。
　ｃ．＜相違点３＞について
　（ａ）　前置報告書において、相違点３に係る補正発明の構成の容易想到性を根拠付けるものとして引用された、特開２００９−１４６１７３号公報の段落【００１１】、【００２１】−【００２３】及び図１、９−１１には、静電容量式のセンシング回路において、検出信号のヒストグラムの中で最頻値を特定し、最頻値を照度に変換することにより外光の照度を求めることが記載されている。
　しかし、補正発明のように「輝度値に対する画素数のヒストグラムにおける、検出位置を示す第１のピークと、検出位置以外を示す第２のピークとが分離するように、前記取得された外光強度に基づいて」、「前記第１のフォトセンサの感度を変更させる」構成は記載されていない。
　（ｂ）　また、他に相違点３に係る補正発明の構成の容易想到性を根拠付ける証拠はなく、相違点３に係る構成を当業者が容易になし得たとはいえない。
　したがって、補正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　ほかに、補正発明を特許出願の際独立して特許を受けることができないものというべき理由を発見しない。
　よって、本件補正後の請求項１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法１２６条第７項の規定に適合する。
３．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１−３に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。