【手続補正書】
【提出日】令和2年9月2日(2020.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスを製造する方法であって、
前記電子デバイスの作成のためにウェハを露光するために前記マスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成することであって、前記ビームレット制御データが、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データであって、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する前記選択データと、
前記設計レイアウトデータに定義される前記構造の場所を指定するロケーションメタデータと、
に基づいて生成されることを含み、
前記方法が、前記ロケーションメタデータ及び前記選択データに基づいてワイプアウトマスクデータを生成することをさらに含み、
前記ビームレット制御データを前記生成することが、前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの派生物と前記ワイプアウトマスクデータをマージし、それによって、前記選択データに基づいて決定される非選択構造を前記設計レイアウトデータから削除することを含み、
前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより、前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を有するパターンを露光することになる、方法。
【請求項２】
前記設計レイアウトデータが、
前記電子デバイスのすべてに対して適用可能な構造を定義する共通設計レイアウトデータと、
前記構造の前記異なる集合が前記選択データに従ってそこから選択可能である前記電子デバイスの内の特定の電子デバイスに適用可能な構造を定義する非共通設計レイアウトデータと、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワイプアウトマスクデータが、ビットマップフォーマットである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ワイプアウトマスクデータとマージされる前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの前記派生物が、マルチレベルグレイスケールビットマップである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記マルチレベルグレイスケールビットマップが、４ｂｐｐグレイレベルビットマップである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの前記派生物と前記ワイプアウトマスクデータを前記マージすることにより、前記マルチレベルグレイスケールビットマップにおいてビアを消去することになる、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記ワイプアウトマスクデータが、前記マルチレベルグレイスケールビットマップよりも低い解像度を有し、その結果、前記マージすることにより、前記マルチレベルグレイスケールビットマップのものでより大きい面積を消去する、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記ワイプアウトマスクデータが、１ｂｐｐビットマップである、請求項３乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記マルチレベルグレイスケールビットマップが４ｂｐｐグレイスケールビットマップであり、前記ワイプアウトマスクデータが４ｂｐｐスパースビットマップであり、それによって、前記マージすることにより、前記ワイプアウトビットマップによって画定された正確な場所でピクセルを消去する、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子デバイスが半導体チップであり、前記マスクレスパターンライターが荷電粒子マルチビームレットリソグラフィー機械である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記構造が、
ビアとしても知られる金属層の間の接続と、
金属層と、接触層のゲートとの間の接続と、
ローカル相互接続層での接続と、
トランジスタ又はダイオードの特定の部分のＰインプラント又はＮインプラントと、
の内の少なくも１つを含む、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記非共通構造が、前記電子デバイスの半導体チップの１つの層上に形成される、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電子デバイスを製造する方法を使用し、作成される電子デバイス。
【請求項１４】
マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスの作成のためにウェハを露光するためにマスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成するためのコンピュータ実装方法であって、これにより前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより前記電子デバイスの異なる部分集合のために構造の異なる集合を有するパターンを露光することになり、前記方法が、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータを受信することと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データを受信することであって、前記選択データが前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、選択データを受信することと、
前記設計レイアウトデータに定義される前記構造の場所を指定するロケーションメタデータを受信することと、
前記ロケーションメタデータ及び前記選択データに基づいてワイプアウトマスクデータを生成することと、
前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの派生物と前記ワイプアウトマスクデータをマージし、それによって前記設計レイアウトデータから非選択構造を削除することにより、前記ビームレット制御データを生成することと、
を含む、コンピュータ実装方法。
【請求項１５】
マスクレスパターンライターを使用するマスクレスリソグラフィー露光システムを使用し、電子デバイスの作成のためにウェハを露光するためにマスクレスパターンライターを制御するためのビームレット制御データを生成するためのコンピュータ実装方法を実行するように構成されるプロセッサを備えるデータ処理システムであって、これにより前記ビームレット制御データに従って前記ウェハを露光することにより前記電子デバイスの異なる部分集合のために構造の異なる集合を有するパターンを露光することになり、前記方法が、
前記ウェハから製造される前記電子デバイスのために複数の構造を定義する設計レイアウトデータを受信することと、
前記設計レイアウトデータの前記構造のどれが前記ウェハから製造される各電子デバイスに対して適用可能であるのかを定義する選択データを受信することであって、前記選択データが前記電子デバイスの異なる部分集合のために前記構造の異なる集合を定義する、選択データを受信することと、
前記設計レイアウトデータに定義される前記構造の場所を指定するロケーションメタデータを受信することと、
前記ロケーションメタデータ及び前記選択データに基づいてワイプアウトマスクデータを生成することと、
前記設計レイアウトデータ又は前記設計レイアウトデータの派生物と前記ワイプアウトマスクデータをマージし、それによって前記設計レイアウトデータから非選択構造を削除することにより、前記ビームレット制御データを生成することと、
を含む、データ処理システム。