【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物から形成された、５０〜４００マイクロメートルの厚さを有するボンドプライ層において、前記組成物は、
ポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくとも一方と、さらに、アリル基を有する窒素含有化合物とを含んでなる２５〜４５体積パーセントの液体樹脂であって、前記窒素含有化合物は、全組成物に基づいて、５〜１５体積パーセントの量で存在し、ポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくとも一方は、全前記樹脂に基づいて、１５〜６０体積パーセント未満の量で存在する、液体樹脂；
少なくとも約２６０℃のピーク融点を有する、１０〜４０重量パーセントの臭素含有又はリン含有芳香族化合物；ならびに
５〜５０体積パーセントの無機充填剤
を含み、すべてのパーセントは、溶媒非存在下で前記ボンドプライ組成物に基づいて計算されており、
前記ボンドプライは、少なくともＶ−１のＵＬ−９４等級、１０ＧＨｚで０．００６未満のＤｆ及び１０ＧＨｚで２〜１０のＤｋを有する、ボンドプライ層。
【請求項２】
１〜２５体積パーセントのポリ（アリーレンエーテル）をさらに含む、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項３】
前記臭素含有化合物が、５０〜８０％の（理論的）臭素重量％、５００〜２５００の分子量を有し、２〜４つの臭素化芳香族環を含む、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項４】
前記リン含有芳香族化合物が、以下の構造：
【化１】
2019504124.tif 000001
（それぞれのＲ１及びＲ２は、水素又はＣ１〜Ｃ６ヒドロカルビル基を独立して表し、それぞれのｍは、１〜４の整数を独立して表し得、ｎは、平均で２〜４であり、Ｑは、Ｃ２〜Ｃ２４の二価又は三価ヒドロカルビル基である）
で表されるオキサホスホリンオキシド含有化合物である、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項５】
前記臭素含有化合物が、エチレンビステトラブロモフタリド、テトラブロモジフェノキシベンゼン、デカブロモジフェノキシオキシド、及びエタン−１，２−ビス（ペンタブロモフェニル）からなる群から選択される、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項６】
前記オキサホスホリンオキシド含有芳香族化合物が、６Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｅ］［１，２］オキサホスホリン，６，６’−（１，４−エタンジイル）ビス−，６，６’−ジオキシド；６Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｅ］［１，２］オキサホスホリン，６，６’−（１，４−ブタンジイル）ビス−，６，６’−ジオキシド；６Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｅ］［１，２］オキサホスホリン，６，６’−（ｐ−キシレンジイル）ビス−，６，６’−ジオキシド、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項４に記載のボンドプライ層。
【請求項７】
前記窒素含有化合物が、トリアジン環、及び前記組成物の樹脂成分と反応性であるアリル基を有する、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項８】
前記ボンドプライ層の前記組成物が、４〜２５重量パーセントのポリ（アリーレンエーテル）及び４〜２５重量パーセントのエラストマー性ポリマーを、両方とも固体形態で含む、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項９】
前記組成物が、
前記組成物の重量に基づいて、４〜２０重量パーセントのポリ（アリーレンエーテル）及び４〜２０重量パーセントのエラストマー；
２０〜５０体積の前記無機充填剤；ならびに
２５体積パーセント〜３７体積パーセント未満の前記液体樹脂であって、
全樹脂に基づいて、１５〜４０体積パーセントのポリブタジエン又はポリイソプレン；及び
アリル基を有する５〜１０体積パーセントの窒素含有化合物
を含む液体樹脂
を含む、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項１０】
前記液体樹脂が、５〜１５体積パーセントのジエン反応性モノマーをさらに含む、請求項１に記載のボンドプライ層。
【請求項１１】
少なくとも２つの回路積層体であって、それぞれが、
熱硬化性組成物から形成された誘電体基材層；
前記誘電体基材層のそれぞれの側面に接合された導電性金属層であって、それぞれの回路積層体の前記導電性金属層の少なくとも１つは、回路を形成するようにパターン化されている、導電性金属層
を備える回路積層体；
前記２つの回路積層体のそれぞれの回路の間に配置されたボンドプライ層であって、前記ボンドプライの２つの側面のそれぞれは、前記２つの回路積層体の一方の回路と直接接触しており、前記ボンドプライ層は、前記ボンドプライが流れて、パターン化導電性金属層により形成された回路によって覆われていない前記誘電体基材層の領域を充填する、積層のプロセスの生成物であり、前記ボンドプライ層は、溶媒の非存在下にて
ポリブタジエン及びポリイソプレンの少なくとも一方と、さらに、アリル基を有する窒素含有化合物とを含んでなる２５〜４５体積パーセントの液体樹脂であって、前記窒素含有化合物は、全組成物に基づいて、５〜１５体積パーセントの量で存在し、前記ポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくともは、全前記樹脂に基づいて、１５〜６０体積パーセント未満の量で存在する、液体樹脂；
少なくとも２６０℃のピーク融点を有する、１０〜４０重量パーセントの臭素含有又はリン含有芳香族化合物；ならびに
２０〜５０体積パーセントの無機充填剤
を含む組成物から形成されている、ボンドプライ層
を備える回路サブアセンブリであって、
前記回路サブアセンブリは、少なくともＶ−０のＵＬ−９４等級、１０ＧＨｚで０．００６未満のＤｆ及び１０ＧＨｚで２未満〜１０のＤｋを有する、回路サブアセンブリ。
【請求項１２】
前記組成物が、
前記熱硬化性組成物の重量に基づいて、５〜２０重量パーセントのポリ（アリーレンエーテル）及びエラストマー；
前記熱硬化性組成物の重量に基づいて、１０〜４０重量パーセントの２６０℃〜５００℃のピーク融点を有する臭素含有又はリン含有芳香族化合物；
２０〜５０体積パーセントの無機充填剤
を含む、請求項１１に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１３】
前記液体樹脂が、反応性モノマーをさらに含む、請求項１２に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１４】
前記窒素含有化合物が、トリアジン環を有し、前記ボンドプライ層中のポリブタジエン樹脂及びポリイソプレン樹脂のうちの少なくとも一方と反応性であるアリル基を有する、請求項１１に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１５】
前記無機充填剤が、シリカ、二酸化チタン、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１６】
前記臭素含有芳香族化合物が、理論的に５０〜８０％の臭素重量％、５００〜２０００の分子量を有し、２、３又は４つまでの臭素化芳香族環を含む、請求項１１に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１７】
前記熱硬化性樹脂が、１，２−ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリブタジエン−ポリイソプレンコポリマー、ポリ（フェニレンエーテル）樹脂、硬化性環式オレフィン又はそれらのコポリマー、及びそれらの組み合わせからなる群から選択され、かつ前記オキサホスホリンオキシド含有芳香族化合物は、以下の構造：
【化２】
2019504124.tif 000002
（それぞれのＲ１及びＲ２は、水素又はＣ１〜Ｃ６ヒドロカルビル基を独立して表し、それぞれのｍは、１〜４の整数を独立して表し得、ｎは、平均で２〜４であり、Ｑは、Ｃ２〜Ｃ２４の二価又は三価ヒドロカルビル基である）
で表される、請求項１１に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１８】
前記誘電体基材が、５０〜１０００マイクロメートルの厚さを有し、前記ボンドプライ層が、５０〜４００マイクロメートルの厚さを有し、前記誘電体基材とそれぞれの導電性金属層との間の、任意選択の接着層は、前記誘電体基材層の厚さの１０パーセント未満である厚さを有する、請求項１１に記載の回路サブアセンブリ。
【請求項１９】
（ａ）少なくとも２つの回路積層体であって、それぞれが、
（ｉ）熱硬化性組成物から形成された誘電体基材層であって、前記熱硬化性組成物は、前記熱硬化性組成物の全重量に基づいて、
１０〜３５重量％のポリブタジエン樹脂及びポリイソプレン樹脂のうちの少なくとも一方と、
３０〜７０重量パーセントの無機充填剤と、
少なくとも２６０℃〜５００℃のピーク融点を有する１０〜３５重量％の臭素含有又はリン含有芳香族化合物とを含んでなる、誘電体基材層と、
（ｉｉ）前記誘電体基材層のそれぞれの側面に接合された導電性金属層であって、それぞれの回路積層体の前記導電性金属層の少なくとも１つは、回路を形成するようにパターン化されている、導電性金属層と
を備える回路積層体、及び、
（ｂ）前記少なくとも２つの回路積層体間に配置されたボンドプライ層であって、少なくとも２つの回路積層体の少なくとも１つにおいて少なくとも１つの回路又は導電性層と直接接触しており、前記ボンドプライ層の前記組成物は、
全前記樹脂に基づいて、２０〜６５体積パーセント未満の量の、そのすべて又は一部が液体樹脂の形態であるポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくとも一方と、
ポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくとも一方と、さらに、アリル基を有する窒素含有化合物とを含んでなる２５〜４５体積パーセントの液体樹脂であって、前記窒素含有化合物は、全組成物に基づいて、５〜１５体積パーセントの量で存在し、ポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくとも一方は、全前記樹脂に基づいて、１５〜６５体積パーセント未満の量で存在する、液体樹脂と、
少なくとも２６０℃のピーク融点を有する１０〜４０重量パーセントの臭素含有又はリン含有芳香族化合物と、
５〜５０体積パーセントの無機充填剤と
を含む組成物から形成されている、ボンドプライ層
を備える、回路サブアセンブリであって、
前記回路サブアセンブリは、少なくともＶ−１のＵＬ−９４等級、１０ＧＨｚで０．００６未満のＤｆ及び１０ＧＨｚで３．８未満のＤｋを有する、回路サブアセンブリ。
【請求項２０】
前記誘電体基材層の前記熱硬化性組成物中に存在する充填剤の体積パーセントならびにポリブタジエン及びポリイソプレンのうちの少なくとも一方の体積パーセントが、前記ボンドプライの組成物におけるよりも少なくとも５体積パーセント大きい、請求項１８に記載の組成物。