(57)【要約】  この発明の撮像素子およびそれを用いた撮像装置は、互いに異なる複数のフォトダイオード間で複数の蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセルを相互に結合する切り換えゲートを備える。切り換えゲートのうち切り換えゲートによって、フォトダイオードによる計測に関わるフォトダイオードおよび上述した計測に関わらないフォトダイオード間で各フォトダイオードに対応する蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセルを相互に結合する。そして、フォトダイオードの信号電荷を、それに対応する蓄積用ＣＣＤセルおよびフォトダイオードに対応する蓄積用ＣＣＤセルに蓄積して記憶する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像を行う撮像素子であって、（１）入射光を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換手段と、（２）その光電変換手段から発生した信号電荷を蓄積して記憶する複数の電荷蓄積手段と、（３）互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合し、その結合によって、前記光電変換による計測に関わる光電変換手段および前記計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合し、前記計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および前記計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶する結合手段とを備えていることを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、（ａ）前記結合手段によって前記計測に関わる光電変換手段および前記計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合して、両者の電荷蓄積手段に計測に関わる光電変換手段の信号電荷を蓄積して記憶しながら計測を行う状態と、（ｂ）両者の電荷蓄積手段を結合せずに個々の光電変換手段の信号電荷をそれぞれに対応する各電荷蓄積手段に蓄積して記憶しながら計測を行う状態とを切り換えて計測を行うことを特徴とする撮像素子。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像素子において、（４）前記計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および前記計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶するように電荷の転送を制御し、その制御によって前記結合手段を操作する電荷転送制御手段を備えることを特徴とする撮像素子。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像素子において、前記光電変換手段はフォトダイオードであることを特徴とする撮像素子。
【請求項５】
請求項１に記載の撮像素子において、前記撮像素子は、複数の前記電荷蓄積手段がライン状に斜め方向に延びており、この斜め方向に延びたライン状の電荷蓄積手段によって水平および垂直方向に平行して各々の前記光電変換手段を並べて配設して構成された斜行ＣＣＤ型固体撮像素子であることを特徴とする撮像素子。
【請求項６】
請求項１に記載の撮像素子において、前記光電変換手段はフォトダイオードであるとともに、前記電荷蓄積手段はＣＣＤセルであって、前記結合手段は切り換えゲートであって、フォトダイオードから読み出された信号電荷を隣接したＣＣＤセルに書き込む書き込みゲートを各フォトダイオードの傍らにそれぞれ配設し、前記切り換えゲートを、結合の対象となる一方のフォトダイオード側のＣＣＤセルに接続して配設するとともに、結合の対象となる他方の隣接するフォトダイオード側の前記書きこみゲートに接続して配設することを特徴とする撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像素子において、（ａ´）前記切り換えゲートによって前記計測に関わるフォトダイオードおよび前記計測に関わらないフォトダイオード間で各フォトダイオードに対応するＣＣＤセルを相互に結合して、両者のＣＣＤセルに計測に関わるフォトダイオードの信号電荷を蓄積して記憶しながら計測を行う状態と、（ｂ´）両者のＣＣＤセルを結合せずに個々のフォトダイオードの信号電荷をそれぞれに対応する各ＣＣＤセルに蓄積して記憶しながら計測を行う状態とを、前記書きこみゲートに印加される電位によって切り換えて計測を行うことを特徴とする撮像素子。
【請求項８】
請求項１に記載の撮像素子において、各々の前記光電変換手段間で複数の前記電荷蓄積手段を前記結合手段が水平方向に結合することを特徴とする撮像素子。
【請求項９】
請求項１に記載の撮像素子において、各々の前記光電変換手段間で複数の前記電荷蓄積手段を前記結合手段が垂直方向に結合することを特徴とする撮像素子。
【請求項１０】
撮像素子を用いた撮像装置であって、その撮像素子は、（１）入射光を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換手段と、（２）その光電変換手段から発生した信号電荷を蓄積して記憶する複数の電荷蓄積手段と、（３）互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合し、その結合によって、前記光電変換による計測に関わる光電変換手段および前記計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合し、前記計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および前記計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶する結合手段とを備えていることを特徴とする撮像装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の撮像装置において、（ａ）前記結合手段によって前記計測に関わる光電変換手段および前記計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合して、両者の電荷蓄積手段に計測に関わる光電変換手段の信号電荷を蓄積して記憶しながら計測を行う状態と、（ｂ）両者の電荷蓄積手段を結合せずに個々の光電変換手段の信号電荷をそれぞれに対応する各電荷蓄積手段に蓄積して記憶しながら計測を行う状態とを切り換えて計測を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の撮像装置において、前記計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および前記計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶するように電荷の転送を制御し、その制御によって前記結合手段を操作する電荷転送制御手段を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の撮像装置において、前記光電変換手段はフォトダイオードであることを特徴とする撮像装置。
【請求項１４】
請求項１０に記載の撮像装置において、前記撮像素子は、複数の前記電荷蓄積手段がライン状に斜め方向に延びており、この斜め方向に延びたライン状の電荷蓄積手段によって水平および垂直方向に平行して各々の前記光電変換手段を並べて配設して構成された斜行ＣＣＤ型固体撮像素子であることを特徴とする撮像装置。
【請求項１５】
請求項１０に記載の撮像装置において、前記光電変換手段はフォトダイオードであるとともに、前記電荷蓄積手段はＣＣＤセルであって、前記結合手段は切り換えゲートであって、フォトダイオードから読み出された信号電荷を隣接したＣＣＤセルに書き込む書き込みゲートを各フォトダイオードの傍らにそれぞれ配設し、前記切り換えゲートを、結合の対象となる一方のフォトダイオード側のＣＣＤセルに接続して配設するとともに、結合の対象となる他方の隣接するフォトダイオード側の前記書きこみゲートに接続して配設することを特徴とする撮像装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の撮像装置において、（ａ´）前記切り換えゲートによって前記計測に関わるフォトダイオードおよび前記計測に関わらないフォトダイオード間で各フォトダイオードに対応するＣＣＤセルを相互に結合して、両者のＣＣＤセルに計測に関わるフォトダイオードの信号電荷を蓄積して記憶しながら計測を行う状態と、（ｂ´）両者のＣＣＤセルを結合せずに個々のフォトダイオードの信号電荷をそれぞれに対応する各ＣＣＤセルに蓄積して記憶しながら計測を行う状態とを、前記書きこみゲートに印加される電位によって切り換えて計測を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項１７】
請求項１０に記載の撮像装置において、各々の前記光電変換手段間で複数の前記電荷蓄積手段を前記結合手段が水平方向に結合することを特徴とする撮像装置。
【請求項１８】
請求項１０に記載の撮像装置において、各々の前記光電変換手段間で複数の前記電荷蓄積手段を前記結合手段が垂直方向に結合することを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、入射光を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させて撮像を行う撮像素子およびそれを用いた撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の撮像素子として、例えばＣＣＤ(Charge Coupled Device)型固体撮像素子がある。近年、かかるＣＣＤ型固体撮像素子（以下、『ＣＣＤ』と略記する）において、高速撮像を可能にするために、入射光を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させる光電変換部（例えばフォトダイオード）の傍らに、光電変換手段から発生した信号電荷を蓄積して記憶する複数の電荷蓄積部（例えば蓄積用ＣＣＤセル）を備える（例えば、特許文献１−３参照）。これらの光電変換部や電荷蓄積部をチップ上に配設している。【０００３】
特許文献１，２では、『斜行ＣＣＤ型固体撮像素子』と呼ばれるＣＣＤを採用している。この斜行ＣＣＤ型固体撮像素子について図７を参照して説明する。図７に示すように、ＣＣＤ５０は、上述したフォトダイオード５１と蓄積用ＣＣＤセル５２とを複数個備えるとともに、これら蓄積用ＣＣＤセル５２内の信号電荷を図７に示す垂直方向に転送する垂直転送用ＣＣＤセル５３を備えている。【０００４】
各フォトダイオード５１の傍らには書き込みゲート５４をそれぞれ配設しており、このフォトダイオード５１から読み出された信号電荷を各書き込みゲート５４はそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル５２に書き込む。【０００５】
各蓄積用ＣＣＤセル５２についてはそれぞれをライン状に接続して構成しており、ライン状の蓄積用ＣＣＤセル５２を複数本分配設している。ライン状の蓄積用ＣＣＤ５２の下流側において垂直転送用ＣＣＤセル５３に接続している。フォトダイオード５１から発生した信号電荷を、隣接する蓄積用ＣＣＤセル５２に順次に転送しながら各蓄積用ＣＣＤセル５２に蓄積する。そして、蓄積用ＣＣＤセル５２から順次に転送された信号電荷を垂直転送用ＣＣＤセル５３に合流させる。垂直転送用ＣＣＤセル５３から転送されたこの信号電荷を水平転送用ＣＣＤセル５７に転送する。【０００６】
この『斜行ＣＣＤ型固体撮像素子』では、ライン状の蓄積用ＣＣＤセル５２は斜め方向に延びている。このように斜め方向にすることで水平および垂直方向に平行して各フォトダイオード５１を並べて配設することができる。なお、ライン状の蓄積用ＣＣＤセル５２を垂直方向に延在するように構成すると、各フォトダイオードが斜め方向に配置されてしまう。この『斜行ＣＣＤ型固体撮像素子』では、各フォトダイオード５１が、かかる配置にならずに直方配列になる。
【特許文献１】特開２００１−３４５４４１号公報（第２，５−９頁、図２−４，１０−１２）
【特許文献２】特開２０００−１６５７５０号公報（第３，６−１４頁、図１，４，５）
【特許文献３】米国特許第５３５５１６５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、フォトダイオードに代表される光電変換部や蓄積用ＣＣＤセルなどに代表される電荷蓄積部を同一のチップ上に配設するので、光電変換部の個数を増やすと電荷蓄積部の個数が減り、逆に電荷蓄積部を増やすと光電変換部が減るという問題がある。具体的に説明すると、解像度を上げるために光電変換部を増やすと電荷蓄積部が減って撮影毎時間や撮影枚数が減ってしまう。逆に、撮影時間を伸ばすために撮影枚数を増やすべく電荷蓄積部を増やすと光電変換部が減って解像度が下がってしまう。光電変換部や電荷蓄積部の配設については設計段階で決まってしまうので、解像度または撮影時間・枚数のうちのいずれか一方を重視して設計することで、設計後において他方が犠牲になってしまうという問題がある。【０００８】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、撮影方法が異なる場合においても汎用性の高い撮像素子およびそれを用いた撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明の撮像素子は、撮像を行う撮像素子であって、（１）入射光を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換手段と、（２）その光電変換手段から発生した信号電荷を蓄積して記憶する複数の電荷蓄積手段と、（３）互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合し、その結合によって、前記光電変換による計測に関わる光電変換手段および前記計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合し、前記計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および前記計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶する結合手段とを備えていることを特徴とするものである。【００１０】
この発明の撮像素子によれば、互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合する結合手段を備えている。その結合手段によって、光電変換による計測に関わる光電変換手段および上述した計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合している。さらに、計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶している。したがって、電荷蓄積手段の数を重視した撮影を行う場合には、計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶することで、電荷蓄積手段の数を増やす。このように撮影方法が異なる場合においても汎用性の高い撮像素子を実現することができる。【００１１】
また、この発明の撮像装置は、撮像素子を用いた撮像装置であって、その撮像素子は、（１）入射光を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させる複数の光電変換手段と、（２）その光電変換手段から発生した信号電荷を蓄積して記憶する複数の電荷蓄積手段と、（３）互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合し、その結合によって、前記光電変換による計測に関わる光電変換手段および前記計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合し、前記計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および前記計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶する結合手段とを備えていることを特徴とするものである。【００１２】
この発明の撮像装置によれば、互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合する結合手段を備え、その結合手段によって、光電変換による計測に関わる光電変換手段および上述した計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合し、計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶するので、撮影方法が異なる場合においても汎用性の高い撮像装置を実現することができる。【００１３】
また、上述したこれらの発明において、（ａ）上述した結合手段によって上述した計測に関わる光電変換手段および計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合して、両者の電荷蓄積手段に計測に関わる光電変換手段の信号電荷を蓄積して記憶しながら計測を行う状態と、（ｂ）両者の電荷蓄積手段を結合せずに個々の光電変換手段の信号電荷をそれぞれに対応する各電荷蓄積手段に蓄積して記憶しながら計測を行う状態とを切り換えて計測を行うのが好ましい。【００１４】
電荷蓄積手段の数を重視した撮影を行う場合には、上述した（ａ）の状態に切り換えて計測を行うことで、すなわち計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶することで、電荷蓄積手段の数を増やす。逆に、通常の撮影のように光電変換手段の数を重視した撮影を行う場合には、上述した（ｂ）の状態に切り換えて計測を行うことで、すなわち両者の電荷蓄積手段を結合せずに個々の光電変換手段の信号電荷をそれぞれに対応する各電荷蓄積手段に蓄積して記憶しながら計測を行うことで、計測に関わる光電変換手段の数を増やす。このように切り換えて計測を行うことで、（ｂ）の状態に係る通常の撮影方法をも考慮した汎用性の高い撮像素子／撮像装置を実現することができる。【００１５】
上述したこれらの発明の一例として、（４）計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶するように電荷の転送を制御し、その制御によって結合手段を操作する電荷転送制御手段を備える。このように、電荷転送制御手段については撮像素子に備えてもよいし、撮像装置に備えてもよい。撮像装置に電荷転送制御手段を備える場合には、撮像素子内に備えてもよいし、それ以外に撮像素子外に備えてもよい。【００１６】
上述したこれらの発明において、光電変換手段の一例はフォトダイオードである。【００１７】
上述したこれらの発明において、撮像素子の一例は、複数の電荷蓄積手段がライン状に斜め方向に延びており、この斜め方向に延びたライン状の電荷蓄積手段によって水平および垂直方向に平行して各々の光電変換手段を並べて配設して構成された斜行ＣＣＤ型固体撮像素子である。もし、ライン状の電荷蓄積手段を垂直方向に延在するように構成すると、各光電変換手段が斜め方向に配置されてしまう。この斜行ＣＣＤ型固体撮像素子では、各光電変換手段が、かかる配置にならずに直方配列になる。【００１８】
上述したこれらの発明の一例として、光電変換手段はフォトダイオードであるとともに、電荷蓄積手段はＣＣＤセルであって、結合手段は切り換えゲートであって、フォトダイオードから読み出された信号電荷を隣接したＣＣＤセルに書き込む書き込みゲートを各フォトダイオードの傍らにそれぞれ配設し、切り換えゲートを、結合の対象となる一方のフォトダイオード側のＣＣＤセルに接続して配設するとともに、結合の対象となる他方の隣接するフォトダイオード側の書きこみゲートに接続して配設する。このような切り換えゲートを備えることで、結合の対象となる一方のフォトダイオードおよび他方のフォトダイオード間でＣＣＤセルを相互に結合する。【００１９】
かかる切り換えゲートを備えた発明において、（ａ´）上述した切り換えゲートによって上述した計測に関わるフォトダイオードおよび計測に関わらないフォトダイオード間で各フォトダイオードに対応するＣＣＤセルを相互に結合して、両者のＣＣＤセルに計測に関わるフォトダイオードの信号電荷を蓄積して記憶しながら計測を行う状態と、（ｂ´）両者のＣＣＤセルを結合せずに個々のフォトダイオードの信号電荷をそれぞれに対応する各ＣＣＤセルに蓄積して記憶しながら計測を行う状態とを、上述した書きこみゲートに印加される電位によって切り換えて計測を行うのが好ましい。このように書きこみゲートに印加される電位によって切り換えて計測を行うことで、（ｂ´）の状態に係る通常の撮影方法をも考慮した汎用性の高い撮像素子／撮像装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係る撮像素子およびそれを用いた撮像装置によれば、互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合する結合手段を備え、その結合手段によって、光電変換による計測に関わる光電変換手段および上述した計測に関わらない光電変換手段間で各光電変換手段に対応する電荷蓄積手段を相互に結合し、計測に関わる光電変換手段の信号電荷を、その光電変換手段に対応する電荷蓄積手段および計測に関わらない光電変換手段に対応する電荷蓄積手段に蓄積して記憶するので、撮影方法が異なる場合においても汎用性の高い撮像素子およびそれを用いた撮像装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は、実施例に係るＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）を用いた撮像装置の概略を示すブロック図、（ｂ）は、撮像装置内の電源部から印加される書き込みゲートの電位の電位状況とそれに対応する電荷蓄積部の状況を示す図である。
【図２】実施例に係るＣＣＤの構成を示すブロック図である。
【図３】各フォトダイオードを分離したときの蓄積状況を示した説明図である。
【図４】計測に関わるフォトダイオードおよび計測に関わらないフォトダイオード間で蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセルを結合したときの蓄積状況を示した説明図である。
【図５】変形例に係る各フォトダイオード間で蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセルを結合したときの蓄積状況を示した説明図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、さらなる変形例に係るＣＣＤの構成を示すブロック図である。
【図７】従来のＣＣＤの構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００２２】
１  …  ＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）
９ａ  …  電源部
９ｂ  …  タイミングジェネレータ
１１  …  フォトダイオード
１２  …  蓄積用ＣＣＤ
１３  …  垂直転送用ＣＣＤセル
１６  …  切り換えゲート
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
撮像素子およびそれを用いた撮像装置において、光電変換手段としてフォトダイオードを用いるとともに、電荷蓄積手段としてＣＣＤセルを用いるときに、互いに異なる複数の光電変換手段間で複数の電荷蓄積手段を相互に結合する結合手段として切り換えゲートを備える。フォトダイオードから読み出された信号電荷を隣接したＣＣＤセルに書き込む書き込みゲートを各フォトダイオードの傍らにそれぞれ配設し、上述した切り換えゲートを、結合の対象となる一方のフォトダイオード側のＣＣＤセルに接続して配設するとともに、結合の対象となる他方の隣接するフォトダイオード側の上述した書きこみゲートに接続して配設する。このように配設することで、結合の対象となる一方のフォトダイオードおよび他方のフォトダイオード間でＣＣＤセルを相互に結合して、計測に関わるフォトダイオードの信号電荷を、そのフォトダイオードに対応するＣＣＤセルおよび計測に関わらないフォトダイオードに対応するＣＣＤセルに蓄積して記憶するので、撮影方法が異なる場合においても汎用性が高くなるという目的を実現した。
【実施例】
【００２４】
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。図１（ａ）は、実施例に係るＣＣＤ型固体撮像素子（ＣＣＤ）を用いた撮像装置の概略を示すブロック図であり、図１（ｂ）は、撮像装置内の電源部から印加される書き込みゲートの電位の電位状況とそれに対応する電荷蓄積部の状況を示す図であり、図２は、ＣＣＤの構成を示すブロック図である。【００２５】
実施例に係る撮像装置は、被写体の光学像を取り込み、取り込まれた光学像を信号電荷に変換するとともに電気信号に変換して被写体を撮像するように構成されている。すなわち、撮像装置は、図１（ａ）に示すように、固体撮像素子（ＣＣＤ）１を備えるとともに、レンズ２と相関二重サンプリング部３とＡＤコンバータ４と画像処理演算部５とモニタ６と操作部７と制御部８とを備えている。さらに、撮像装置は、電源部９ａとタイミングジェネレータ９ｂとを備えている。固体撮像素子（ＣＣＤ）１は、この発明における撮像素子に相当する。【００２６】
レンズ２は、被写体の光学像を取り込む。相関二重サンプリング部３は、ＣＣＤ１からの信号電荷を低雑音に増幅して電気信号に変換して取り出す。ＡＤコンバータ４は、その電気信号をディジタル信号に変換する。画像処理演算部５は、ＡＤコンバータ４でディジタル化された電気信号に基づいて被写体の２次元画像を作成するために各種の演算処理を行う。モニタ６は、その２次元画像を画面に出力する。操作部７は、撮像の実行に必要な種々の操作を行う。制御部８は、操作部７により設定された撮影条件などの操作にしたがって装置全体を統括制御する。【００２７】
電源部９ａは、ＣＣＤ１内の信号電荷を転送する転送電極などに電圧を印加する。タイミングジェネレータ９ｂは、電圧の印加のタイミングや撮像のタイミングやクロックなどを生成する。本実施例では、タイミングジェネレータ９ｂは、図１（ｂ）のように後述する電荷蓄積部の分離・結合に同期するように制御して、電源部９ａは、そのタイミングジェネレータ９ｂに基づいて図１（ｂ）のように後述する書き込みゲートに電圧を印加する。電源部９ａおよびタイミングジェネレータ９ｂは、この発明における電荷転送制御手段に相当する。なお、電源部９ａおよびタイミングジェネレータ９ｂによる図１（ｂ）の具体的な説明については、図３および図４で後述する。【００２８】
次に、ＣＣＤ１の具体的な構成について、従来のＣＣＤの構成を示すブロック図である図７と比較しながら図２を参照して説明するとともに、より具体的な構成について図３、図４を参照して説明する。図３は、各フォトダイオードを分離したときの蓄積状況を示した説明図であり、図４は、計測に関わるフォトダイオードおよび計測に関わらないフォトダイオード間で蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセルを結合したときの蓄積状況を示した説明図である。【００２９】
ＣＣＤ１は、図２に示すように、入射光（被写体の光学像）を電荷に変換することでその光の強度に応じた信号電荷を発生させるフォトダイオード１１と、そのフォトダイオード１１から発生した信号電荷を蓄積して記憶する複数の蓄積用ＣＣＤセル１２と、これら蓄積用ＣＣＤセル１２内の信号電荷を図２に示す垂直方向に転送する垂直転送用ＣＣＤセル１３とを備えている。フォトダイオード１１は、この発明における光電変換手段に相当し、蓄積用ＣＣＤセル１２および垂直転送用ＣＣＤセル１３は、この発明における電荷蓄積手段に相当する。【００３０】
各フォトダイオード１１の傍らには書き込みゲート１４をそれぞれ配設しており、このフォトダイオード１１から読み出された信号電荷を各書き込みゲート１４はそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２に書き込む。【００３１】
各蓄積用ＣＣＤセル１２についてはそれぞれをライン状に接続して構成しており、ライン状の蓄積用ＣＣＤセル１２を複数本分配設している。ライン状の蓄積用ＣＣＤセル１２の下流側には、図３、図４に示すように、合流ゲート１５を接続して配設しており、この合流ゲート１５を垂直転送用ＣＣＤセル１３に接続している。フォトダイオード１１から発生した信号電荷を、隣接する蓄積用ＣＣＤセル１２に順次に転送しながら各蓄積用ＣＣＤセル１２に蓄積する。そして、合流ゲート１５によって、蓄積用ＣＣＤセル１２から順次に転送された信号電荷を垂直転送用ＣＣＤセル１３に合流させる。【００３２】
フォトダイオード１１を２次元状に配置しており、水平および垂直方向に平行して各フォトダイオード１１を並べて配設する関係上、ライン状の蓄積用ＣＣＤセル１２は斜め方向に延びている。本実施例に係るＣＣＤ１は、いわゆる『斜行ＣＣＤ型固体撮像素子』と呼ばれているものである。【００３３】
本実施例では、従来のＣＣＤ（図７を参照）との相違点は、図３、図４に示すように切り換えゲート１６を備えている点にある。図２〜図４では、従来との相違点を容易に区別するために、切り換えゲート１６の部分を左斜線のハッチングで示している。この切り換えゲート１６を垂直転送用ＣＣＤセル１３に接続して配設するとともに、隣接するフォトダイオード１１の書き込みゲート１４に接続して配設している。【００３４】
図３、図４では、図面の右上にあるフォトダイオード１１をフォトダイオード１１ａとするとともに、図面の左下にあるフォトダイオード１１をフォトダイオード１１ｂとする。また、フォトダイオード１１ａに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２、垂直転送用ＣＣＤセル１３、書き込みゲート１４、合流ゲート１５、切り換えゲート１６を、蓄積用ＣＣＤセル１２ａ、垂直転送用ＣＣＤセル１３ａ、書き込みゲート１４ａ、合流ゲート１５ａ、切り換えゲート１６ａとそれぞれするとともに、フォトダイオード１１ｂに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２、垂直転送用ＣＣＤセル１３、書き込みゲート１４、合流ゲート１５、切り換えゲート１６を、蓄積用ＣＣＤセル１２ｂ、垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂ、書き込みゲート１４ｂ、合流ゲート１５ｂ、切り換えゲート１６ｂとそれぞれする。【００３５】
上述した切り換えゲート１６ａを備えることで、フォトダイオード１１ａおよびそのフォトダイオード１１ａから見て図面の左下にあるフォトダイオード１１ｂ間で蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂを相互に結合する。なお、他のフォトダイオード１１についても、フォトダイオード１１およびそのフォトダイオード１１から見て図面の左下にあるフォトダイオード１１間で蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセル１２，１３を相互に結合する。切り換えゲート１６は、この発明における結合手段に相当する。【００３６】
蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂを分離することで各フォトダイオード１１ａ，１１ｂを分離する場合には、図１（ｂ）に示すように、電源部９ａ（図１（ａ）を参照）によって書き込みゲート１４ｂの電位を上げて（図１（ｂ）では『Ｈｉｇｈ』で記す）、フォトダイオード１１ｂからの信号電荷をそれに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに読み出して蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに蓄積して記憶する。このときには、フォトダイオード１１ａからの信号電荷を、それに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ａにのみに蓄積して記憶し、フォトダイオード１１ｂに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに信号電荷を書き込まない。この分離のときの蓄積状況は図３に示すとおりである。この状況は、この発明における（ｂ）の状態に相当する。また、この状況は、この発明における（ｂ´）の状態にも相当する。【００３７】
逆に、各フォトダイオード１１ａ，１１ｂ間で蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂを結合する場合には、図１（ｂ）に示すように、電源部９ａ（図１（ａ）を参照）によって書き込みゲート１４ｂの電位を下げて（図１（ｂ）では『Ｌｏｗ』で記す）、バリアゲートとして機能させる。これによって、フォトダイオード１１ｂからの信号電荷が蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに読み出されないようにして、フォトダイオード１１ａからの信号電荷を、それに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ａ、フォトダイオード１１ｂに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ｂの順に転送しながら蓄積して記憶する。この結合のときの蓄積状況は図４に示すとおりである。この状況は、この発明における（ａ）の状態に相当する。また、この状況は、この発明における（ａ´）の状態にも相当する。【００３８】
図３に示すように各フォトダイオード１１ａ，１１ｂを分離したときで、各フォトダイオード１１ａ，１１ｂから信号電荷を各蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂに蓄積する場合には、以下のようになる。先ず、フォトダイオード１１ａから読み出された信号電荷『１』を書き込みゲート１４ａはそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込む。次に、フォトダイオード１１ａから読み出された信号電荷『２』を書き込みゲート１４ａはそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込み、同時に信号電荷『１』を隣接する蓄積用ＣＣＤセル１２ａに転送して記憶する。【００３９】
以下、同じような手順を繰り返すことで、１６番目の信号電荷『１６』を書き込みゲート１６ａがそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込んだときには、図３に示すように、信号電荷『１』〜『１６』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積する。図３の蓄積用ＣＣＤセル１２ａおよび垂直転送用ＣＣＤセル１３ａ中の数字はそれぞれの信号電荷『１』〜『１６』を示す。フォトダイオード１１ｂも同様に信号電荷『１』〜『１６』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに順に蓄積する。【００４０】
そして、これらの信号電荷『１』〜『１６』について垂直転送用ＣＣＤセル１３ａを介して順次に転送を行う。垂直転送用ＣＣＤセル１３ａから転送された信号電荷『１』〜『１６』を、図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に転送する。【００４１】
図４に示すように各フォトダイオード１１ａ，１１ｂ間で蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂを結合したときで、フォトダイオード１１ａから信号電荷を各蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂに蓄積する場合には、以下のようになる。フォトダイオード１１ａから逐次に読み出された信号電荷『１』〜『１６』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積するまでは、図３と同じである。１７番目の信号電荷『１７』を書き込みゲート１６ａがそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込んだときには、最初の信号電荷『１』を切り換えゲート１６ａが、フォトダイオード１１ｂに対応し、かつ書き込みゲート１６ｂに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに書き込む。このとき、電源部９ａ（図１（ａ）を参照）によって書き込みゲート１４ｂの電位を下げて、バリアゲートとして機能させ、フォトダイオード１１ｂから信号電荷が蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに読み出されないようにする。次に、フォトダイオード１１ａから読み出された信号電荷『１８』を書き込みゲート１４ａはそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込み、同時に信号電荷『１７』〜『３』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積して、２番目の信号電荷『２』を切り換えゲート１６ａが、フォトダイオード１１ｂに対応し、かつ書き込みゲート１６ｂに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに書き込む。このとき、最初の信号電荷『１』を次に隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに転送して記憶する。【００４２】
以下、同じような手順を繰り返すことで、３２番目の信号電荷『３２』を書き込みゲート１６ａがそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込んだときには、図４に示すように、信号電荷『１７』〜『３２』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積するとともに、信号電荷『１』〜『１６』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに順に蓄積する。図４の蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂおよび垂直転送用ＣＣＤセル１３ａ，１３ｂ中の数字はそれぞれの信号電荷『１』〜『３２』を示す。【００４３】
そして、これらの信号電荷『１』〜『１６』について垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂを介して順次に転送を行う。垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂから転送された信号電荷『１』〜『１６』を、図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に転送する。信号電荷『１』〜『１６』を逐次に転送するたびに信号電荷『１７』〜『３２』についても垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに順に蓄積して、垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂを介して順次に転送を行う。垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂから転送された信号電荷『１７』〜『３２』も、図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に転送する。【００４４】
なお、フォトダイオード１１ｂからは信号電荷は蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに蓄積されない。つまり、フォトダイオード１１ａは、フォトダイオード１１ａ自身による計測に関わるフォトダイオードであって、フォトダイオード１１ｂは、その計測に関わらないフォトダイオードである。【００４５】
上述したＣＣＤ１およびそれを用いた撮像装置によれば、互いに異なる複数のフォトダイオード１１間で複数の蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセル１２，１３を相互に結合する切り換えゲート１６を備えている。その切り換えゲート１６のうち切り換えゲート１６ａによって、フォトダイオード１１による計測に関わるフォトダイオード１１ａおよび上述した計測に関わらないフォトダイオード１１ｂ間で各フォトダイオード１１ａ，１１ｂに対応する蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂを相互に結合している。さらに、計測に関わるフォトダイオード１１ａの信号電荷を、そのフォトダイオード１１ａに対応する（垂直転送用ＣＣＤセル１３ａを含む）蓄積用ＣＣＤセル１２ａおよび計測に関わらないフォトダイオード１１ｂに対応する（垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂを含む）蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに蓄積して記憶している。したがって、垂直転送用ＣＣＤセル１３を含む蓄積用ＣＣＤセル１２の数を重視した撮影を行う場合には、図４に示すように、計測に関わるフォトダイオード１１ａの信号電荷を、フォトダイオード１１ａに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ａおよび計測に関わらないフォトダイオード１１ｂに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに蓄積して記憶することで、垂直転送用ＣＣＤセル１３を含む蓄積用ＣＣＤセル１２の数を増やす。このように撮影方法が異なる場合においても汎用性の高いＣＣＤ１および撮像装置を実現することができる。【００４６】
なお、蓄積用ＣＣＤセル１２の数を重視した撮影を行う場合には、垂直転送用ＣＣＤセル１３を含む蓄積用ＣＣＤセル１２の数を増やすことで、撮影枚数や撮影時間を伸ばすことができる。なお、フォトダイオード１１ｂについては計測に関わらないので、その分だけ解像度は下がる。他のフォトダイオード１１についても、図２〜図４の図面の右側にあるフォトダイオード１１を計測に関わるフォトダイオード１１とし、図面の左側にあるフォトダイオード１１を計測に関わらないフォトダイオード１１として、それぞれを結合すると、左側にあるフォトダイオード１１の分だけ解像度が下がる。したがって、図面からみて垂直方向（縦方向）の解像度に変化はないが、水平方向（横方向）の解像度は１／２になる。【００４７】
また、通常の撮影のようにフォトダイオード１１の数を重視した撮影を行う場合には、図３に示すように、各フォトダイオード１１ａ，１１ｂを結合せずに分離して個々のフォトダイオード１１ａ，１１ｂの信号電荷をそれぞれに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂに蓄積して記憶することで、フォトダイオード１１の数を増やす。このように、図３および図４の状態に切り換えて計測を行うことで、図３の状態に係る通常の撮影方法をも考慮した汎用性の高いＣＣＤ１および撮像装置を実現することができる。【００４８】
通常の撮影のようにフォトダイオード１１の数を重視した撮影を行う場合には、各フォトダイオード１１ａ，１１ｂを結合せずに分離してフォトダイオード１１の数を増やすことで、解像度を重視することになる。【００４９】
本実施例に係る撮像装置は、計測に関わるフォトダイオード１１ａの信号電荷を、そのフォトダイオード１１ａに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ａおよび計測に関わらないフォトダイオード１１ｂに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに蓄積して記憶するように電荷の転送を制御する電源部９ａおよびタイミングジェネレータ９ｂ（電荷転送制御手段）を備えている。したがって、電源部９ａおよびタイミングジェネレータ９ｂをＣＣＤ１外に備えているが、電源部９ａおよびタイミングジェネレータ９ｂ（電荷転送制御手段）に相当する機能をＣＣＤ１内に備えてもよい。【００５０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。【００５１】
（１）上述した実施例では、光電変換手段としてフォトダイオードを例に採って説明したが、これに限定されない。例えば、フォトゲートを光電変換手段として用いてもよい。【００５２】
（２）上述した実施例では、２つのフォトダイオード間で各蓄積用ＣＣＤセルを相互に結合したが、３つ以上のフォトダイオード間で各蓄積用ＣＣＤセルを結合して、１つを計測に関わるフォトダイオードとして、残りを計測に関わらないフォトダイオードとしてもよい。フォトダイオード以外の光電変換手段についても同様である。【００５３】
（３）上述した実施例では、『斜行ＣＣＤ型固体撮像素子』を例に採って説明したが、ライン状の蓄積用ＣＣＤセルを垂直方向に延在するように構成した撮像素子にもこの発明は適用することができる。【００５４】
（４）上述した実施例では、図３、図４の図面の右上にあるフォトダイオード１１ａ、図面の左下にあるフォトダイオード１１ｂ間で各フォトダイオード１１ａ，１１ｂに対応する蓄積用／垂直転送用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂを相互に結合して、フォトダイオード１１ａを計測に関わるフォトダイオードとして、他方のフォトダイオード１１ｂを計測に関わらないフォトダイオードとしたが、フォトダイオード１１ａ，１１ｂの位置関係は図３、図４に示す関係に限定されない。【００５５】
例えば、図５に示すように、フォトダイオード１１ａから見て直下にあるフォトダイオード１１を計測に関わらないフォトダイオード１１ｂとしてもよい。このとき、フォトダイオード１１ｂに対応する蓄積用ＣＣＤセル１２ｂ、垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂ、書き込みゲート１４ｂ、合流ゲート１５ｂは、図５に示す位置になる。この場合には、合流ゲート１５ｂおよびそれに隣接した各蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂの電位を電源部９ａ（図１（ａ）を参照）が操作することで、信号電荷『１３』〜『２８』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積するとともに、信号電荷『１２』を合流ゲート１５ｂに書き込み、信号電荷『１』〜『１１』を垂直転送用ＣＣＤセル１３ｂも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ｂに順に蓄積する。この変形例のときには、合流ゲート１５ｂが、この発明における結合手段に相当することになる。図５の蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂおよび垂直転送用ＣＣＤセル１３ａ，１３ｂ中の数字はそれぞれの信号電荷『１』〜『２８』を示す。【００５６】
これらの信号電荷『１』〜『２８』を図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に転送する場合には、以下の手順で行う。すなわち、先ず、垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積された信号電荷『１２』〜『２８』について垂直転送用ＣＣＤセル１３ａを介して順次に転送を行う。垂直転送用ＣＣＤセル１３ａから転送された信号電荷『１２』〜『２８』を、図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に転送する。信号電荷『１２』〜『２８』を逐次に転送するたびに信号電荷『１』〜『１１』についても『１１』〜『１』の順に垂直転送用ＣＣＤセル１３ａも含めて各蓄積用ＣＣＤセル１２ａに順に蓄積して、垂直転送用ＣＣＤセル１３ａを介して順次に転送を行う。垂直転送用ＣＣＤセル１３ａから転送された信号電荷『１』〜『１１』も、図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に転送する。【００５７】
なお、書き込みゲート１４ｂに、図２に示す水平転送用ＣＣＤセル１７に接続される転送路を別に設けて、信号電荷『１』〜『１１』を、その転送路を介して水平転送用ＣＣＤセル１７に転送してもよい。【００５８】
以上のように、図５の場合には、他のフォトダイオード１１についても、上側にあるフォトダイオード１１を計測に関わるフォトダイオード１１とし、その直下にあるフォトダイオード１１を計測に関わらないフォトダイオード１１として、それぞれを結合すると、直下にあるフォトダイオード１１の分だけ解像度が下がる。したがって、図面からみて水平方向（横方向）の解像度に変化はないが、垂直方向（縦方向）の解像度は１／２になる。【００５９】
（５）この発明では、いずれの撮像方式においても適用することができる。撮像方式としては、主にＩＬ(Interline)方式、ＦＴ(Frame Transfer)方式、ＦＦＴ(Full Frame Transfer)方式、ＦＩＴ(Frame Interline Transfer)方式などがある。これらの方式に合わせて撮像素子の構造も変化する。【００６０】
例えば、図６（ａ）に示す構造の場合には、各フォトダイオード１１ごとに水平方向に複数個（図６（ａ）では４個）の蓄積用ＣＣＤセル１２を、垂直方向に複数個（図６（ａ）では６個）の蓄積用ＣＣＤセル１２を２次元状に配置している。通常の撮影の場合には、図６（ａ）に示すように、フォトダイオード１１ａから読み出された信号電荷『１』を書き込みゲート１４ａはそれに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込む。４番目の信号電荷『４』を書き込みゲート１４ａに隣接した蓄積用ＣＣＤセル１２ａに書き込むまでは、信号電荷『１』〜『３』を隣接する蓄積用ＣＣＤセル１２ａに水平方向に順に転送して記憶する。その後は、垂直方向に順に転送して記憶する。つまり、本実施例の場合には、１つのフォトダイオード１１に対応する蓄積用ＣＣＤセル１２に合計２４個の信号電荷『１』〜『２４』を蓄積する。新たに信号電荷を蓄積用ＣＣＤセル１２に信号電荷を書き込む場合には、古い方の信号電荷をフォトダイオード１１に設けられたドレイン１８に排出する。図６（ａ）の場合には、古い方の信号電荷『１』〜『４』をフォトダイオード１１ｂに設けられたドレイン１８ｂに排出する。図６（ａ）の蓄積用ＣＣＤセル１２ａ中の数字はそれぞれの信号電荷『１』〜『２４』を示す。【００６１】
上述した実施例と同様に、結合する場合には、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）のドレイン１８ｂの換わりに結合セル１９ａをフォトダイオード１１ｂに設け、書き込みゲート１４ｂに転送するように構成する。このように、構成することで、図６（ｂ）に示す各フォトダイオード１１ａ，１１ｂ間で蓄積用ＣＣＤセル１２ａ，１２ｂを結合することになる。この変形例のときには、結合セル１９ａが、この発明における結合手段に相当することになる。【００６２】
図６の構造においても、上述した変形例（４）のように、フォトダイオード１１ａ，１１ｂの位置関係は図６に示す関係に限定されない。図６の図面において、フォトダイオード１１ａから見て直下にあるフォトダイオード１１を計測に関わらないフォトダイオード１１ｂとしてもよい。また、図６の図面において、フォトダイオード１１ａから見て右あるいは左側にあるフォトダイオード１１を計測に関わらないフォトダイオード１１ｂとしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上のように、この発明は、光電変換手段や電荷蓄積手段などを同一のチップ上に配設した撮像素子に適している。
【図１】
2006033322.tif 000002
【図２】
2006033322.tif 000003
【図３】
2006033322.tif 000004
【図４】
2006033322.tif 000005
【図５】
2006033322.tif 000006
【図６】
2006033322.tif 000007
【図７】
2006033322.tif 000008
【国際調査報告】
2006033322.tif 000009
2006033322.tif 000010
2006033322.tif 000011