【事件の表示】
　特願２００８−５５３５８７「発光デバイス表示器のための方法及びシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年８月１６日国際公開，ＷＯ２００７／０９０２８７，平成２１年７月１６日国内公表，特表２００９−５２６２４８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続の経緯
　本件出願は，特許法１８４条の３第１項の規定により，平成１９年２月９日（優先権主張　平成１８年２月１０日　カナダ）にされたとみなされる特許出願であって，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
平成２４年　３月２３日：拒絶理由通知（同年同月２７日発送）
平成２４年　８月３１日：意見書
平成２４年　８月３１日：手続補正書
平成２４年１２月２０日：拒絶理由通知（平成２５年　１月　４日発送）
平成２５年　６月１２日：意見書
平成２５年　６月１２日：手続補正書
平成２５年１２月２４日：補正の却下の決定
（平成２５年６月１２日の手続補正の却下）
平成２５年１２月２４日：拒絶査定（平成２６年　１月　６日送達）
平成２６年　４月３０日：手続補正書（以下「本件補正」という。）
平成２６年　４月３０日：審判請求
平成２７年　１月３０日：拒絶理由通知（同年２月３日発送）
平成２７年　５月２９日：意見書
　２　本願発明
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は，本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりの，以下のものである（以下，請求項１に係る発明を「本願発明」という。）。
「　　【請求項１】
　各ピクセルが，発光デバイス，該発光デバイスを駆動するための駆動トランジスタ及び当該ピクセルを選択するためのスイッチトランジスタを有するような，行および列のマトリクスに配置された複数のピクセルと，
　ピクセルの複数の行の各々についての電源ラインであって，前記ピクセルの各々において前記駆動トランジスタに連結された電源ラインと，
　前記マトリクスにおける前記ピクセルの前記行を選択する複数の選択ラインと，
　前記マトリクスにおけるピクセルの前記列に，電圧および表示データを供給する複数のデータラインと，
　前記電源ラインまたは前記データラインの一つを介して，選択されたピクセルの前記駆動トランジスタに電流を供給して，前記駆動トランジスタが電圧増幅器として機能して，ピクセルの経時変化とともに変化する前記選択されたピクセルの特性に対応する増幅された電圧を生成する電流源と，
　を備え，
　前記増幅された電圧が，前記選択されたピクセルの前記特性におけるどのようなずれも増幅し，
　さらに，前記増幅された電圧を検出し，当該検出された増幅された電圧を用いて，前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給された前記表示データの調整を決定する回路を備える表示システム。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の表示システムにおいて，
　前記回路が，前記電源ライン又は前記データラインを前記選択されたピクセルの特性の検出に使用する感知回路を有しているような表示システム。」
　３　当審判体の拒絶の理由
　当審判体の拒絶の理由は，概略，（理由１）本願発明は，その優先権主張の日前日本国内又は外国において頒布された下記の引用例１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて，その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，（理由２）本件出願は，発明の詳細な説明の記載が，下記の点で特許請求の範囲の請求項１〜１２に係る発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない，（理由３）本件出願は，特許請求の範囲の請求項１〜１２の記載が，特許法３６条６項１号及び２号に規定する要件を満たしていない（請求項１〜１２について，発明の詳細な説明には，「電圧」が「校正電圧」である発明しか記載されていない，請求項２〜９について，発明の詳細な説明には，「感知回路」として，「前記データラインを前記選択されたピクセルの特性の検出に使用する感知回路」しか記載されていない。），というものである。
　なお，電流源に関して，請求項１には，「前記電源ラインまたは前記データラインの一つを介して・・・電流源」というように，「前記電源ライン」と「前記データラインの一つ」が，「または」で接続された選択肢となっているところ，理由１は，選択肢が「前記電源ライン」の場合に対するものであり，理由２は，選択肢が「前記データライン」の場合に対するものである。
第２　当審判体の判断
　１　理由１について
　(1) 引用例１の記載
　本件出願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である，特開２００２−２２９５１３号（【公開日】平成１４年８月１６日，【発明の名称】有機ＥＬ表示パネルの駆動装置，【出願番号】特願２００１−２９２６３号，【出願日】平成１３年２月６日，【出願人】東北パイオニア株式会社，以下「引用例１」という。）には，図面とともに，以下の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は，有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を駆動する技術に関し，特にＥＬ素子の発光輝度を調整することができる有機ＥＬ表示パネルの駆動装置に関する。」
　イ　「【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置に代わる低消費電力および高表示品質，並びに薄型化が可能な表示装置として，ＥＬ表示装置が注目されている。これはＥＬ表示装置に用いられるＥＬ素子の発光層に，良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって，実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】有機ＥＬ素子は，電気的には図８のような等価回路で表すことができる。すなわち，有機ＥＬ素子は，寄生容量成分Ｃと，この容量成分に並列に結合するダイオード成分Ｅとによる構成に置き換えることができ，有機ＥＬ素子は容量性の発光素子であると考えられている。この有機ＥＬ素子は，発光駆動電圧が印加されると，先ず，当該素子の電気容量に相当する電荷が電極に変位電流として流れ込み蓄積される。続いて当該素子固有の一定の電圧（発光閾値電圧＝Ｖth）を越えると，電極（ダイオード成分Ｅのアノード側）から発光層を構成する有機層に電流が流れ初め，この電流に比例した強度で発光すると考えることができる。」
　ウ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで，前記した有機ＥＬ素子は，長期の使用によって素子の物性が変化し，素子自身の抵抗値が大きくなるという特性も有している。このために，有機ＥＬ素子は図９（Ｂ）に示したように実使用時間によって，Ｖ−Ｉ特性が矢印に示した方向（破線で示した特性）に変化し，したがって，輝度特性も低下することになる。これにより，入力映像信号に忠実な輝度階調を表現することが困難になる。
【０００６】例えば，有機ＥＬ素子によりフルカラーの表示画像を実現するための一つの手段として，赤（Ｒ），緑（Ｇ）および青（Ｂ）の発光をなすことのできる有機材料を，別々に成膜して配列させたパラレル型ＲＧＢ法が提案されている。このようなＲＧＢ法を利用したフルカラー表示装置においては，Ｒ，Ｇ，Ｂの各素子の累積発光時間が異なること，およびＲ，Ｇ，Ｂの各発光画素を構成する各有機ＥＬの発光材料によって，それぞれ輝度低下の速度が異なるために，結局使用時間の経過と共にカラーバランスがずれるという問題を抱えることになる。
【０００７】さらに，有機ＥＬ素子の輝度特性は，概ね温度によって図９（Ｃ）に破線で示すように変化することも知られている。すなわちＥＬ素子は，前記した発光閾値電圧より大なる発光可能領域においては，それに印加される電圧（Ｖ）の値が大きくなるほどその発光輝度（Ｌ）が大きくなる特性を有するが，高温になるほど発光閾値電圧が小さくなる。したがってＥＬ素子は，高温になるほど小さい印加電圧で発光可能な状態となり，同じ発光可能な印加電圧を与えても，高温時は明るく低温時は暗いといった輝度の温度依存性を有している。
【０００８】したがって，前記したパラレル型ＲＧＢ法によるフルカラーの表示画像を実現させた場合，環境温度の変化によっても，同様に各Ｒ，Ｇ，Ｂによるカラーバランスがずれるという問題を抱えることになる。
【０００９】本発明は，前記した技術的な課題に着目してなされたものであり，その目的とするところは，経時変化による輝度特性を一定に保つことができる有機ＥＬ表示パネルの駆動装置を提供することにある。また本発明は，これに加えて環境温度が変動しても実質的な発光輝度特性を一定に保つことのできる有機ＥＬ表示パネルの駆動装置を提供することにある。」
　エ　「【００３７】図１は本発明を
アクティブ駆動型表示パネルの駆動装置
【図１】
図１において，符号１はＡ／Ｄ変換回路であり，このＡ／Ｄ変換回路１は，アナログ映像信号の入力を受けてデジタル映像信号データに変換する。このＡ／Ｄ変換回路１によって変換されたデジタル映像信号データは，Ａ／Ｄ変換回路１からフレームメモリ２に供給され，発光制御回路３の制御により書き込まれ蓄積される。前記発光制御回路３は入力映像信号の水平および垂直同期信号に同期して，フレームメモリ２よりデジタル映像信号を読み出して，書き込み回路４に当該読み出し信号を送り出すように機能する。また，発光制御回路３は，走査回路５を制御して書き込み回路４に書き込まれた画像データに対応して，表示パネル６に配列された各有機ＥＬ素子の発光を制御するように機能する。
【００３８】前記
表示パネル６は，
多数の発光素子としての有機ＥＬ素子を，マトリックス状に配列して構成され
各有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用ＴＦＴ
と，駆動用ＴＦＴを制御するための制御用ＴＦＴがそれぞれの有機ＥＬ素子に対応して配置され
書き込み回路４には，表示パネル６に配列された多数のデータ電極線７が接続され
走査回路５にも，表示パネル６に配列された多数の走査電極線８が接続され
【００３９】一方，この実施の形態においては前記発光制御回路３からの指令により動作する輝度制御回路９が備えられており，後述するように好ましい実施の形態においては，輝度制御回路９より電源回路１０に対して輝度制御信号が送られるように構成されている。そして，電源回路１０には，表示パネル６に配列された多数の電源制御線１１が接続されている。また，後述するように輝度制御回路９より書き込み回路４に対して輝度制御信号が送られるように構成される場合もあり，さらに，輝度制御回路９より主走査回路５に対して輝度制御信号が送られるように構成される場合もある。」
　オ　「【００４０】図２はアクティブ駆動型表示パネルの基本構成の一部を示したものである。
【図２】
表示パネル６には，
多数のデータ電極線
が列方向に配列され
前記データ電極線に平行して多数の電源制御線
も配列され
多数の走査電極線
が行方向に配列され
単位発光画素に対応する有機ＥＬ素子を含む回路構成においては，制御用ＴＦＴ２１，駆動用ＴＦＴ２２，キャパシタＣ１，および有機ＥＬ素子Ｅ１が具備され
【００４１】すなわち，図２に示されたように制御用ＴＦＴ２１のゲートＧは，走査回路５からの行を走査するための走査信号が供給される走査電極線８-1に接続され，一方ＴＦＴ２１のソースＳは，書き込み回路４からの映像データに対応した信号が供給されるデータ電極線７-1に接続されている。さらに制御用ＴＦＴ２１のドレインＤは，駆動用ＴＦＴ２２の制御用電極子であるゲートＧに接続されると共に，キャパシタＣ１の一端に接続されている。また，駆動用ＴＦＴ２２のドレインＤは電源制御線１１-1に接続されており，前記キャパシタＣ１の他端も電源制御線１１-1に接続されている。さらに，駆動用ＴＦＴ２２の駆動用電極子であるソースＳは，有機ＥＬ素子Ｅ１のアノード電極端子に接続されている。そして，有機ＥＬ素子Ｅ１のカソード電極端子はアースに接続されている。以上の構成は，表示パネル６に配列された各有機ＥＬ素子に対応してそれぞれ同様に構成されている。
【００４２】このような回路が行および列方向に複数配列された表示パネル６の単位画素の発光制御動作は，制御用ＴＦＴ２１のゲートＧにオン電圧が供給されると，ＴＦＴ２１はソースＳに供給される映像データの電圧に対応した電流をソースＳからドレインＤへ流す。このＴＦＴ２１のゲートＧがオン電圧の期間に，ソースＳの電圧に基づいた電流でキャパシタＣ１が充電される。そして，その充電電圧が駆動用ＴＦＴ２２のゲートＧに供給されて，ＴＦＴ２２はそのゲート電圧と電源制御線１１-1からの電圧に基づいた電流を有機ＥＬ素子Ｅ１に流し，これにより有機ＥＬ素子Ｅ１は発光する。
【００４３】一方，制御用ＴＦＴ２１のゲートＧがオフ電圧となると，ＴＦＴ２１はいわゆるカットオフとなり，ＴＦＴ２１のドレインＤはオープン状態となる。したがって，駆動用ＴＦＴ２２はキャパシタＣ１に蓄積された電荷により，ゲートＧの電圧が保持される。そして，次の走査まで駆動用ＴＦＴ２２による有機ＥＬ素子Ｅ１への駆動電流を維持し，これにより有機ＥＬ素子Ｅ１の発光も維持される。
【００４４】なお，図２における符号Ｅｘは，表示パネル６の一部に形成され，表示機能として利用しない有機ＥＬ素子であり，これは，後述するように表示パネル６内に形成された多数の有機ＥＬ素子の動作温度を検出するために利用される。」
　カ　「【００４５】図３は図２に示したアクティブ駆動型有機ＥＬ素子の発光輝度を個々に制御できるように構成した駆動装置の第１の実施の形態を示したものである。
【図３】
なお，図３においては，有機ＥＬ素子Ｅ１を代表としてその駆動回路のみが示されている。ここで，有機ＥＬ素子は前記したように長期の使用によって素子の物性が変化し，素子自身の抵抗値が大きくなるという特性を有している。一方，有機ＥＬ素子は電流制御発光素子，すなわち前記したように電流値にほぼ比例した発光強度を示す特性を有している。
【００４６】このために，有機ＥＬ素子のアノード電極に終始同一の駆動電圧を供給した場合においては，経年変化により素子自身の抵抗値が大きくなるにしたがって，発光輝度が低下するという特性を呈する。したがって，以下に示す実施の形態においては，有機ＥＬ素子の抵抗値を測定し，この抵抗値の情報に基づいて，経年変化によるＥＬ素子の発光輝度の低下を補償するように構成されている。
【００４７】図３に示すように
駆動用ＴＦＴ２２のドレインが接続される電源制御線
には，切り換えスイッチ３１が接続され
【００４８】一方，
スイッチ３１を端子ｂ側に接続する場合は，各ＥＬ素子の抵抗値，換言すれば各ＥＬ素子の経年変化に基づく発光輝度の低下状態を測定するモードになされ
切り換えスイッチ３１の端子ｂ側には定電流回路３２が接続され
スイッチ３１が端子ｂ側に接続された状態で，駆動用ＴＦＴ２２がオン動作された場合には，ＥＬ素子Ｅ１には前記定電流回路３２より，所定の電流が流れ
測定モードを実行する場合においては，駆動用ＴＦＴ２２をオン動作させる際して，走査回路５からもたらされる制御用ＴＦＴ２１のゲートＧに供給される電圧，および書き込み回路４からもたらされるソースＳに供給される電圧は，常に一定の条件になされ，これにより制御用ＴＦＴ２１のソースＳからドレインＤへ流れる電流が一定となるように制御され
【００４９】前記
定電流回路３２の電流出力側，すなわち前記スイッチ３１の端子ｂ側には，Ａ／Ｄ変換回路３３が接続されており，したがって，Ａ／Ｄ変換回路３３には，ＥＬ素子Ｅ１のアノード側に対応した電圧が印加され
Ａ／Ｄ変換回路３３に入力される電圧値は，前記駆動用ＴＦＴ２２のオン抵抗，すなわち駆動用ＴＦＴ２２のドレイン・ソース間のインピーダンスと，ＥＬ素子Ｅ１のアノード・カソード間の抵抗値とが加算された合成インピーダンスに対応する電圧値となる
【００５０】ここで，
駆動用ＴＦＴ２２のドレイン・ソース間のインピーダンスは，予め判明しており
【００５１】以上のようにして，例えば
列に沿った各ＥＬ素子のアノード電圧値に関する情報がＡ／Ｄ変換回路３３によって順次測定され，それぞれのアドレスに対応してアノード電圧値に関する情報が前記輝度情報メモリ３５書き込まれ
【００５２】次に
表示パネル６を発光駆動させる場合には，
切り換えスイッチ３１は端子ａ側に接続され
各データ電極線
には，書き込み回路４からの映像データに対応した信号が供給され
走査電極線
には走査回路５からの行を走査するための走査信号が供給され
輝度補正回路３４は発光制御回路３からの映像信号の同期信号に基づいて，輝度情報メモリ３５より，各ＥＬ素子に対応したアノード電圧値に関する情報を読み出す
【００５３】
輝度補正回路３４によって読み出されたＥＬ素子に対応したアノード電圧値に関する情報は，電源回路１０を構成するＤ／Ａ変換器３６に供給されて，このＤ／Ａ変換器３６においてアナログ電圧値に変換され
【００５４】これにより，駆動用ＴＦＴ２２のドレインには，駆動用ＴＦＴ２２によって駆動されるＥＬ素子Ｅ１における前記アノード電圧に対応した電圧値が印加される。すなわち，ＥＬ素子Ｅ１における測定時におけるアノード電圧値が大きい場合には，経年変化により素子の抵抗値が大きくなり，発光輝度が低下するものの，アナログ増幅回路３７より供給される電圧値は，それに対応して大きくなるように制御され，この結果，ＥＬ素子Ｅ１に流れる駆動電流が増大されて発光輝度の低下が補償される。
【００５５】前記と同様に他のＥＬ素子に対しても，映像信号における同期信号に基づいて各ＥＬ素子のアノード電圧値に対応した電圧値が，アナログ増幅回路３７より供給されるので，それぞれのＥＬ素子も同様に発光輝度の低下が補償される。この結果，各ＥＬ素子はそれぞれにおいて発光輝度の低下が補償され，入力映像信号に忠実な輝度階調を表現することができる。また，前記したようなＲＧＢ法を利用したフルカラー表示装置においては，Ｒ，Ｇ，Ｂの各素子の累積発光時間に応じた輝度低下がそれぞれ補償されるので，使用時間の経過と共にカラーバランスがずれるという問題を回避することができる。」
　キ　「【００６１】次に図４は，図２に示したアクティブ駆動型有機ＥＬ素子の発光輝度を個々に制御できるように構成した駆動装置の第２の実施の形態を示したものである。
【図４】
なお，図４においては，図３で説明した構成におけるそれぞれ相当する部分を同一符号で示しており，したがって，重複する説明は省略する。この図４に示した構成における切替えスイッチ３１は，前記と同様に各ＥＬ素子の経年変化に基づく発光輝度の低下状態を測定するモードにおいて端子ｂ側に接続される。また，
表示パネル６を発光駆動させる場合においては，端子ａ側に接続されて電源回路１０からの定電圧Ｖ
COM
 が印加され
【００６２】一方，
Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値は，電圧制御増幅回路
４１に対して制御信号として供給され
電圧制御増幅回路４１には，被制御信号として書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号が供給され
書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号は，Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値に応じて出力レベルが可変され，データ電極線
を介して制御用ＴＦＴ２１のソースに供給され
【００６３】そして，
走査回路５の動作によって制御用ＴＦＴ２１のゲートＧにオン電圧が供給されると，可変増幅回路４１によって出力レベルが調整された映像データの電圧値に対応した電流を，ソースＳからドレインＤへ流す
ソースの電圧に基づいた電流でキャパシタＣ１が充電され，駆動用ＴＦＴ２２は，そのゲート電圧と電源制御線
からの定電圧Ｖ
COM
 に基づいた電流を，有機ＥＬ素子Ｅ１に流し，有機ＥＬ素子Ｅ１は発光輝度が調整される
【００６４】この図４に示した構成においても，輝度情報メモリ３５から読み出したデータにより各ＥＬ素子の経時変化による輝度特性の低下を補償することができる。また，これに加えてＥＬ素子Ｅｘにより得られる温度情報も利用することにより，ＥＬ素子における経時変化に基づく輝度特性および温度情報に基づく輝度特性が補償された発光制御を実現することができる。」
　(2) 引用発明
　引用例１には，図４に対応する発明として，以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。なお，段落番号は，引用発明の認定に活用した引用例１の記載箇所を示すために併記したものである。また，引用例１において「重複する説明は省略」（段落【００６１】）されているので，必要に応じて，図１〜３に関する記載等を参照する。）。
「　【００３８】表示パネル６は，多数の発光素子としての有機ＥＬ素子を，マトリックス状に配列して構成され，各有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用ＴＦＴと，駆動用ＴＦＴを制御するための制御用ＴＦＴがそれぞれの有機ＥＬ素子に対応して配置され，書き込み回路４には，表示パネル６に配列された多数のデータ電極線７が接続され，走査回路５には，表示パネル６に配列された多数の走査電極線８が接続され，
　【００４０】表示パネル６には，多数のデータ電極線が列方向に配列され，前記データ電極線に平行して多数の電源制御線が配列され，多数の走査電極線が行方向に配列され，単位発光画素に対応する有機ＥＬ素子を含む回路構成においては，制御用ＴＦＴ２１，駆動用ＴＦＴ２２，キャパシタＣ１，および有機ＥＬ素子Ｅ１が具備され，
　【００４７】駆動用ＴＦＴ２２のドレインが接続される電源制御線には，切り換えスイッチ３１が接続され，【００６１】表示パネル６を発光駆動させる場合においては，端子ａ側に接続されて電源回路１０からの定電圧ＶCOMが印加され，【００４８】スイッチ３１を端子ｂ側に接続する場合は，各ＥＬ素子の抵抗値，換言すれば各ＥＬ素子の経年変化に基づく発光輝度の低下状態を測定するモードになされ，切り換えスイッチ３１の端子ｂ側には定電流回路３２が接続されており，スイッチ３１が端子ｂ側に接続された状態で，駆動用ＴＦＴ２２がオン動作された場合には，ＥＬ素子Ｅ１には前記定電流回路３２より，所定の電流が流れ，測定モードを実行する場合においては，駆動用ＴＦＴ２２をオン動作させる際して，走査回路５からもたらされる制御用ＴＦＴ２１のゲートＧに供給される電圧，および書き込み回路４からもたらされるソースＳに供給される電圧は，常に一定の条件になされ，これにより制御用ＴＦＴ２１のソースＳからドレインＤへ流れる電流が一定となるように制御され，
　【００４９】定電流回路３２の電流出力側，すなわち前記スイッチ３１の端子ｂ側には，Ａ／Ｄ変換回路３３が接続されており，したがって，Ａ／Ｄ変換回路３３には，ＥＬ素子Ｅ１のアノード側に対応した電圧が印加され，Ａ／Ｄ変換回路３３に入力される電圧値は，前記駆動用ＴＦＴ２２のオン抵抗，すなわち駆動用ＴＦＴ２２のドレイン・ソース間のインピーダンスと，ＥＬ素子Ｅ１のアノード・カソード間の抵抗値とが加算された合成インピーダンスに対応する電圧値となり，【００５０】駆動用ＴＦＴ２２のドレイン・ソース間のインピーダンスは，予め判明しており，
　【００５１】列に沿った各ＥＬ素子のアノード電圧値に関する情報がＡ／Ｄ変換回路３３によって順次測定され，それぞれのアドレスに対応してアノード電圧値に関する情報が輝度情報メモリ３５書き込まれ，
　【００５２】表示パネル６を発光駆動させる場合には，切り換えスイッチ３１は端子ａ側に接続され，各データ電極線には，書き込み回路４からの映像データに対応した信号が供給され，走査電極線には走査回路５からの行を走査するための走査信号が供給され，輝度補正回路３４は発光制御回路３からの映像信号の同期信号に基づいて，輝度情報メモリ３５より，各ＥＬ素子に対応したアノード電圧値に関する情報を読み出し，【００５３】輝度補正回路３４によって読み出されたＥＬ素子に対応したアノード電圧値に関する情報は，電源回路１０を構成するＤ／Ａ変換器３６に供給されて，このＤ／Ａ変換器３６においてアナログ電圧値に変換され，【００６２】Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値は，電圧制御増幅回路４１に対して制御信号として供給され，電圧制御増幅回路４１には，被制御信号として書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号が供給され，書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号は，Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値に応じて出力レベルが可変され，データ電極線を介して制御用ＴＦＴ２１のソースに供給され，
　【００６３】走査回路５の動作によって制御用ＴＦＴ２１のゲートＧにオン電圧が供給されると，可変増幅回路４１によって出力レベルが調整された映像データの電圧値に対応した電流を，ソースＳからドレインＤへ流し，ソースの電圧に基づいた電流でキャパシタＣ１が充電され，駆動用ＴＦＴ２２は，そのゲート電圧と電源制御線からの定電圧ＶCOM に基づいた電流を，有機ＥＬ素子Ｅ１に流し，有機ＥＬ素子Ｅ１は発光輝度が調整される，
　【０００２】アクティブ駆動型表示パネルの駆動装置。」
　(3) 対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　複数のピクセル
　引用発明の「表示パネル６は，多数の発光素子としての有機ＥＬ素子を，マトリックス状に配列して構成され，各有機ＥＬ素子を駆動するための駆動用ＴＦＴと，駆動用ＴＦＴを制御するための制御用ＴＦＴがそれぞれの有機ＥＬ素子に対応して配置され」ているところ，「単位発光画素に対応する有機ＥＬ素子を含む回路構成においては，制御用ＴＦＴ２１，駆動用ＴＦＴ２２，キャパシタＣ１，および有機ＥＬ素子Ｅ１が具備され」，「走査回路５の動作によって制御用ＴＦＴ２１のゲートＧにオン電圧が供給されると，可変増幅回路４１によって出力レベルが調整された映像データの電圧値に対応した電流を，ソースＳからドレインＤへ流し，ソースの電圧に基づいた電流でキャパシタＣ１が充電され，駆動用ＴＦＴ２２は，そのゲート電圧と電源制御線からの定電圧ＶCOM に基づいた電流を，有機ＥＬ素子Ｅ１に流し，有機ＥＬ素子Ｅ１は発光輝度が調整される」。
　ここで，引用発明の「有機ＥＬ素子Ｅ１」，「駆動用ＴＦＴ２２」，「制御用ＴＦＴ２１」，「マトリックス」及び「単位発光画素」は，それぞれ，本願発明の「発光デバイス」，「該発光デバイスを駆動するための駆動トランジスタ」，「当該ピクセルを選択するためのスイッチトランジスタ」，「マトリクス」及び「ピクセル」に相当する。また，引用発明の「表示パネル６は，多数の発光素子としての有機ＥＬ素子を，マトリックス状に配列して構成され」ているから，引用発明の「単位発光画素」は複数であり，行および列のマトリクスに配置されたものである。
　したがって，引用発明の，複数の「単位発光画素」は，本願発明の「各ピクセルが，発光デバイス，該発光デバイスを駆動するための駆動トランジスタ及び当該ピクセルを選択するためのスイッチトランジスタを有するような，行および列のマトリクスに配置された複数のピクセル」に相当する。
　イ　電源ライン
　引用発明の「単位発光画素に対応する有機ＥＬ素子を含む回路構成においては，制御用ＴＦＴ２１，駆動用ＴＦＴ２２，キャパシタＣ１，および有機ＥＬ素子Ｅ１が具備され」るところ，引用発明は，「駆動用ＴＦＴ２２のドレインが接続される電源制御線」を具備する。
　したがって，引用発明の「電源制御線」と本願発明の「ピクセルの複数の行の各々についての電源ラインであって，前記ピクセルの各々において前記駆動トランジスタに連結された電源ライン」は，「前記ピクセルの各々において前記駆動トランジスタに連結された電源ライン」の点で共通する。
　ウ　選択ライン
　引用発明の「走査回路５には，表示パネル６に配列された多数の走査電極線８が接続され」，表示パネル６には，「多数の走査電極線が行方向に配列され」，「走査回路５の動作によって制御用ＴＦＴ２１のゲートＧにオン電圧が供給されると，可変増幅回路４１によって出力レベルが調整された映像データの電圧値に対応した電流を，ソースＳからドレインＤへ流し」ている。
　したがって，引用発明の「走査電極線８」は，本願発明の「前記マトリクスにおける前記ピクセルの前記行を選択する複数の選択ライン」に相当する。
　エ　データライン
　引用発明の「書き込み回路４には，表示パネル６に配列された多数のデータ電極線７が接続され」，「表示パネル６には，多数のデータ電極線が列方向に配列され」ているところ，「表示パネル６を発光駆動させる場合には，切り換えスイッチ３１は端子ａ側に接続され，各データ電極線には，書き込み回路４からの映像データに対応した信号が供給され」，また，「測定モードを実行する場合においては，駆動用ＴＦＴ２２をオン動作させるに際して，走査回路５からもたらされる制御用ＴＦＴ２１のゲートＧに供給される電圧，および書き込み回路４からもたらされるソースＳに供給される電圧は，常に一定の条件になされ，これにより制御用ＴＦＴ２１のソースＳからドレインＤへ流れる電流が一定となるように制御され」る。
　したがって，引用発明の「データ電極線７」は，本願発明の「前記マトリクスにおけるピクセルの前記列に，電圧および表示データを供給する複数のデータライン」に相当する。
　オ　電流源
　引用発明の「駆動用ＴＦＴ２２のドレインが接続される電源制御線には，切り換えスイッチ３１が接続され」ているところ，「スイッチ３１を端子ｂ側に接続する場合は，各ＥＬ素子の抵抗値，換言すれば各ＥＬ素子の経年変化に基づく発光輝度の低下状態を測定するモードになされ，切り換えスイッチ３１の端子ｂ側には定電流回路３２が接続されており，スイッチ３１が端子ｂ側に接続された状態で，駆動用ＴＦＴ２２がオン動作された場合には，ＥＬ素子Ｅ１には前記定電流回路３２より，所定の電流が流れ，測定モードを実行する場合においては，駆動用ＴＦＴ２２をオン動作させる際して，走査回路５からもたらされる制御用ＴＦＴ２１のゲートＧに供給される電圧，および書き込み回路４からもたらされるソースＳに供給される電圧は，常に一定の条件になされ，これにより制御用ＴＦＴ２１のソースＳからドレインＤへ流れる電流が一定となるように制御され」る。
　したがって，引用発明の「定電流回路３２」は，本願発明の「電流源」に相当する。そして，引用発明の「定電流回路３２」は，本願発明の「前記電源ラインまたは前記データラインの一つを介して，選択されたピクセルの前記駆動トランジスタに電流を供給して，前記駆動トランジスタが電圧増幅器として機能して，ピクセルの経時変化とともに変化する前記選択されたピクセルの特性に対応する増幅された電圧を生成する電流源」の構成のうち，「前記電源ラインまたは前記データラインの一つを介して，選択されたピクセルの前記駆動トランジスタに電流を供給して」，「ピクセルの経時変化とともに変化する前記選択されたピクセルの特性に対応する」「電圧を生成する電流源」の要件を満たす。
　カ　表示データの調整を決定する回路
　引用発明の「定電流回路３２の電流出力側，すなわち前記スイッチ３１の端子ｂ側には，Ａ／Ｄ変換回路３３が接続されており，したがって，Ａ／Ｄ変換回路３３には，ＥＬ素子Ｅ１のアノード側に対応した電圧が印加され」，「列に沿った各ＥＬ素子のアノード電圧値に関する情報がＡ／Ｄ変換回路３３によって順次測定され，それぞれのアドレスに対応してアノード電圧値に関する情報が輝度情報メモリ３５書き込まれ」る。そして，「表示パネル６を発光駆動させる場合には，切り換えスイッチ３１は端子ａ側に接続され，各データ電極線には，書き込み回路４からの映像データに対応した信号が供給され，走査電極線には走査回路５からの行を走査するための走査信号が供給され，輝度補正回路３４は発光制御回路３からの映像信号の同期信号に基づいて，輝度情報メモリ３５より，各ＥＬ素子に対応したアノード電圧値に関する情報を読み出し，輝度補正回路３４によって読み出されたＥＬ素子に対応したアノード電圧値に関する情報は，電源回路１０を構成するＤ／Ａ変換器３６に供給されて，このＤ／Ａ変換器３６においてアナログ電圧値に変換され，Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値は，電圧制御増幅回路４１に対して制御信号として供給され，電圧制御増幅回路４１には，被制御信号として書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号が供給され，書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号は，Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値に応じて出力レベルが可変され，データ電極線を介して制御用ＴＦＴ２１のソースに供給され」る。
　したがって，引用発明の「Ａ／Ｄ変換回路３３」，「輝度情報メモリ３５」，「輝度補正回路３４」，「Ｄ／Ａ変換器３６」及び「電圧制御増幅回路４１」を併せてなる構成（以下「輝度制御手段」と略称する。）は，本願発明の「表示データの調整を決定する回路」に相当する。そして，引用発明の「輝度制御手段」は，本願発明の「さらに，前記増幅された電圧を検出し，当該検出された増幅された電圧を用いて，前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給された前記表示データの調整を決定する回路」の構成のうち，「さらに，前記」「電圧を検出し，当該検出された」「電圧を用いて，前記選択されたピクセルに対して」「供給された前記表示データの調整を決定する回路」の要件を満たす。
　キ　表示システム
　以上の対比結果を考慮すると，引用発明の「アクティブ駆動型表示パネルの駆動装置」（表示パネル６を含めたもの）は，本願発明の「表示システム」に相当する。
　(4) 一致点
　本願発明と引用発明は，以下の構成において一致する。
「　各ピクセルが，発光デバイス，該発光デバイスを駆動するための駆動トランジスタ及び当該ピクセルを選択するためのスイッチトランジスタを有するような，行および列のマトリクスに配置された複数のピクセルと，
　前記ピクセルの各々において前記駆動トランジスタに連結された電源ラインと，
　前記マトリクスにおける前記ピクセルの前記行を選択する複数の選択ラインと，
　前記マトリクスにおけるピクセルの前記列に，電圧および表示データを供給する複数のデータラインと，
　前記電源ラインまたは前記データラインの一つを介して，選択されたピクセルの前記駆動トランジスタに電流を供給して，ピクセルの経時変化とともに変化する前記選択されたピクセルの特性に対応する電圧を生成する電流源と，
　を備え，
　さらに，前記電圧を検出し，当該検出された電圧を用いて，前記選択されたピクセルに対して供給された前記表示データの調整を決定する回路を備える表示システム。」
　(5) 相違点
　本願発明と引用発明の（一応の）相違点は，以下のとおりである。
　ア　相違点１
　本願発明の「電源ライン」は，「ピクセルの複数の行の各々についての電源ライン」であるのに対し，引用発明の「表示パネル６には，多数のデータ電極線が列方向に配列され，前記データ電極線に平行して多数の電源制御線が配列され」ているから，引用発明の「電源制御線」は，ピクセルの複数の列の各々についての電源ラインである点。
　イ　相違点２
　本願発明は，「前記駆動トランジスタが電圧増幅器として機能して」おり，したがって，本願発明の「電流源」は，前記電源ラインまたは前記データラインの一つを介して，選択されたピクセルの前記駆動トランジスタに電流を供給して，「前記駆動トランジスタが電圧増幅器として機能して，」ピクセルの経時変化とともに変化する前記選択されたピクセルの特性に対応する増幅された電圧を生成する電流源であって「前記増幅された電圧が，前記選択されたピクセルの前記特性におけるどのようなずれも増幅し」ており，これに伴い，本願発明の「表示データの調整を決定する回路」は，前記「増幅された」電圧を検出し，当該検出された「増幅された」電圧を用いて，前記表示データの調整を決定する回路であるのに対し，引用発明は，一応，これが明らかではない点。
　ウ　相違点３
　本願発明の「表示データの調整を決定する回路」は，前記選択されたピクセルに対して「前記データラインにより」供給された前記表示データの調整を決定する回路であるのに対して，引用発明の「書き込み回路４から供給される映像データに対応した信号は，Ｄ／Ａ変換回路３６から得られるアナログ電圧値に応じて出力レベルが可変され，データ電極線を介して制御用ＴＦＴ２１のソースに供給され」るから，前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給され「る」前記表示データの調整を決定する回路である点。
　(6) 判断
　ア　相違点１について
　有機ＥＬ表示装置において，電源ラインを，「ピクセルの複数の行の各々についての電源ライン」として構成することは，例示するまでもなく周知慣用されている。また，電源ラインを縦方向とするか横方向とするかは，当業者が，有機ＥＬ表示装置のピクセルレイアウトを設計するに際し，縦方向及び横方向のライン密度等の諸条件を勘案して，適宜選択しうる構成である。
　本願発明は，引用発明及び周知慣用技術に基づいて，当業者が容易に発明できたものである。
　イ　相違点２について
　引用発明の「駆動用ＴＦＴ２２」は薄膜トランジスタであるところ，定電流源や抵抗等の負荷が接続された薄膜トランジスタにおいてゲート電圧を変化させたとき，ゲート電圧の変化量を所定倍率で増幅した電圧の変化が負荷と薄膜トランジスタの接続点に検出されることは，技術常識である（通常，閾電圧近傍以下では所定倍率＜１であり，閾電圧近傍を超えた領域（線形領域等と呼ばれる領域）では所定倍率＞１である。また，駆動用ＴＦＴ２２の閾電圧が画素毎のずれや経年変化によるずれによって変化すれば，その変化量も所定倍率で増幅されてソース電圧の変化量として検出される。）。
　技術常識を考慮すると，相違点２に係る構成は，引用発明も具備する構成である。
　念のために，本件出願の発明の詳細な説明を参照すると，段落【００１６】には「図３Ａは，抽出動作の間において図１及び２のピクセル回路に供給される信号波形の一例を示している。」，「図３Ａにおいて，VDD(i)は図１のVDD(i)に対応する電源ライン／信号であり」，「“ＩＣ”は，校正されている位置(i,j)のピクセルのVDD(i)に供給される一定電流である。該電流ＩＣの結果としてVDD(i)上に発生される電圧は，（ＶCD＋ΔＶCD）となり，ここで，ＶCDは当該回路のＤＣバイアス点であり，ΔＶCDはＯＬＥＤ電圧及び駆動トランジスタ（図１の２０又は図２の４０）の閾電圧の増幅されたずれである。」と記載されている。ここで，図１の回路の接続関係からみて，ΔＶCDはＯＬＥＤ電圧の（増幅率１で）増幅されたずれと駆動トランジスタの閾電圧の（所定倍率で）増幅されたずれを加算したものである。
　ここで，引用発明においても，その回路の接続関係からみて，ＥＬ素子Ｅ１の発光閾値電圧の（増幅率１で）増幅されたずれと駆動用ＴＦＴ２２の閾電圧の（所定倍率で）増幅されたずれを加算したものが検出される。
　本件出願の発明の詳細な説明を参照しても，相違点２に係る構成は，引用発明も具備する構成である。
　なお，引用例１には，ＥＬ素子Ｅ１の発光閾値電圧のずれに関する記載は存在するものの，駆動用ＴＦＴ２２の閾電圧のずれに関する記載は存在しない。しかしながら，ずれに関して，請求項１には，「前記選択されたピクセルの前記特性におけるどのようなずれ」と記載され，例えば，「ＯＬＥＤ電圧のずれ及び駆動トランジスタの閾電圧のずれ」とは記載されていない。あるいは，引用発明の駆動用ＴＦＴ２２は薄膜トランジスタであるから，その閾電圧が画素間でずれること，経年変化によりずれることは技術常識であるところ，引用発明において，「駆動用ＴＦＴ２２のドレイン・ソース間のインピーダンスは，予め判明して」いるから，引用発明において駆動用ＴＦＴ２２の特性を取得し較正しておくプロセスを設けることは当業者が普通になし得る事項であり，少なくとも，引用発明に接した当業者ならば必要と理解する事項である。また，引用発明の構成を前提に駆動用ＴＦＴ２２の特性を取得し較正する場合は，引用発明の回路において駆動用ＴＦＴ２２のゲート電圧を変化させたときの定電流回路３２の電流出力側の電圧変化をＡ／Ｄ変換回路３３により検出するのが一般的であると認められるから，いずれにせよ，相違点２に係る構成は，引用発明において普通に採用し得る構成であるか，少なくとも，当業者ならば必要と理解し克服できる構成にすぎない。
　ウ　相違点３について
　本件の出願の発明の詳細な説明には，「前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給」する前の表示データの調整を決定する回路は記載されているけれども，「前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給された」後の表示データの調整を決定する回路は記載されていない。
　請求項１の「前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給された前記表示データの調整を決定する回路」の記載は，「前記選択されたピクセルに対して前記データラインにより供給される前記表示データの調整を決定する回路」の意味と解するのが妥当である（言葉遣いに関する軽微な誤記と思われる。）。
　相違点３に係る構成は，引用発明も具備する構成である。
　(7) 効果について
　本件出願の発明の詳細な説明には，以下のとおり記載されている。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】高い精度で一定の輝度を供給することができるような方法及びシステムを提供したいという要求が存在する。
【０００５】本発明の目的は，既存のシステムの欠点の少なくとも１つを除去又は軽減するような方法及びシステムを提供することにある。」
　引用発明は，高い精度で一定の輝度を供給することができるものであり，また，既存のシステムの欠点の少なくとも１つを除去又は軽減するものであるから，本願発明の効果は，引用発明も奏する効果であり，少なくとも，引用発明から予測し得ないような顕著な効果であるということはできない。
　(8) 請求人の主張について
　請求人は，意見書において，以下のとおり主張する。
「　引用文献１の図３を参照すると，ライン１１−１の電圧はピクセルの特性の変化を増幅したものではない。さらに，Ｅ１に印加されるＥＬ電圧は，トランジスタ２２がオンの間にライン１１−１に印加される。すなわち，トランジスタ２２は，Ｅ１に印加される電圧をライン１１−１に伝えるためのみに用いられ，Ｅ１に印加される電圧はライン１１−１に印加される電圧と同じとなる。事実，回路の右側では，参照ダイオードＥＸはほぼ同様の構成を備え，輝度補正回路３４においてＥ１の電圧と比較されるときに，ＥＸに印加される電圧は増幅されていない。もしトランジスタ２２が増幅器として機能しているとすると，ＥＸに印加される電圧は増幅されていないので，輝度補正回路３４での比較結果は意味を持たないものとなる。
　このように，本願請求項１では，とても小さな閾値電圧の変化を増幅することにより検出できるのに対して，引用文献１に記載の技術では，トランジスタ２２は増幅に利用されていないのでそのような効果は得られない。」
　しかしながら，前記(6)イで判断したとおり，請求人が主張する構成は，引用発明も具備する構成であり，あるいは，引用発明において普通に採用し得る構成か，少なくとも，当業者ならば必要と理解し克服できる構成に過ぎず，また，請求人の主張は，特許請求の範囲の記載に基づかない主張である。
　なお，請求人は，「トランジスタ２２は，Ｅ１に印加される電圧をライン１１−１に伝えるためのみに用いられ，Ｅ１に印加される電圧はライン１１−１に印加される電圧と同じとなる」と主張するが，引用発明は，「駆動用ＴＦＴ２２のドレイン・ソース間のインピーダンスは，予め判明して」いるとの構成からみて，引用発明において，「Ｅ１に印加される電圧」と「ライン１１−１に印加される電圧」は同じではない。引用発明において「スイッチ３１が端子ｂ側に接続された状態で，駆動用ＴＦＴ２２がオン動作された場合には，ＥＬ素子Ｅ１には前記定電流回路３２より，所定の電流が流れ，測定モードを実行する場合においては，駆動用ＴＦＴ２２をオン動作させる際して，走査回路５からもたらされる制御用ＴＦＴ２１のゲートＧに供給される電圧，および書き込み回路４からもたらされるソースＳに供給される電圧は，常に一定の条件になされ，これにより制御用ＴＦＴ２１のソースＳからドレインＤへ流れる電流が一定となるように制御され」ており，この構成に接した当業者ならば，測定モードを実行する場合には定電流回路３２の所定の電流に対応する一定の電流を流すよう，制御用ＴＦＴ２１のゲートＧに供給される電圧を制御する態様を，容易に想到しうるものである。
　(9) 小括
　以上のとおりであるから，本件出願の請求項１に係る発明は，その優先権主張の日前に日本国内または外国において頒布された引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　２　理由２について
　(1) 図１の実施例について
　図１の実施例に関して，発明の詳細な説明の段落【００１６】〜【００１８】には，以下のとおり記載されている。
「【００１６】図３Ａは，抽出動作の間において図１及び２のピクセル回路に供給される信号波形の一例を示している。図３Ｂは，通常動作の間において図１及び２のピクセル回路に供給される信号波形の一例を示している。図３Ａにおいて，VDD(i)は図１のVDD(i)に対応する電源ライン／信号であり，VSS(i)は図２のVSS(i)に対応する電源ライン／信号である。“ＩＣ”は，校正されている位置(i,j)のピクセルのVDD(i)に供給される一定電流である。該電流ＩＣの結果としてVDD(i)上に発生される電圧は，（ＶCD＋ΔＶCD）となり，ここで，ＶCDは当該回路のＤＣバイアス点であり，ΔＶCDはＯＬＥＤ電圧及び駆動トランジスタ（図１の２０又は図２の４０）の閾電圧の増幅されたずれである。
【００１７】図１，２及び３Ａを参照して，位置(i,j)におけるピクセルの経時変化（エージング）は，電源ラインの電圧（図１のVDD(i)又は図２のVSS(i)）を監視することにより抽出される。位置(i,j)のピクセルに関する図３Ａの動作は，第１及び第２抽出サイクル５０及び５２を含んでいる。第１抽出サイクル５０の間において，位置(i,j)のピクセルにおける駆動トランジスタ（図１の２０又は図２の４０）のゲート端子は，校正電圧ＶCGに充電される。この校正電圧ＶCGは，前のエージングデータに基づいて計算されたエージング予測及びバイアス電圧を含んでいる。また，第１抽出サイクルの間において当該ｉ番目の行における他のピクセル回路はゼロにプログラミングされる。
【００１８】第２抽出サイクル５２の間において，SEL(i)はゼロとなり，従って，位置(i,j)のピクセルにおける駆動トランジスタ（図１の２０又は図２の４０）のゲート電圧は，電荷注入及びクロックフィードスルー等の動的効果による影響を受ける。このサイクルの間において，該駆動トランジスタ（図１の２０又は図２の４０）は増幅器として作用する。何故なら，該トランジスタはｉ番目の行の電源ライン（図１のVDD(i)又は図２のVSS(i)）を介する一定電流によりバイアスされるからである。従って，位置(i,j)のピクセルにおける駆動トランジスタ（図１の２０又は図２の４０）の閾電圧（ＶＴ）のずれの影響は増幅され，それに応じて，電源ラインの電圧（図１のVDD(i)又は図２のVSS(i)）が変化する。従って，この方法は，非常に小さな量のＶＴのずれの抽出を可能にし，結果的に高精度の校正が得られる。VDD(i)又はVSS(i)の該変化が監視される。次いで，VDD(i)又VSS(i)の該変化（又は複数の変化）は，プログラミングデータの校正に使用される。」
　すなわち，図１に開示された回路においては，以下のようにしてプログラミングデータの校正が行われると考えられる。
　ア　抽出動作（図３Ａ）の期間５０において，選択ラインＳＥＬ（ｉ）がハイにされる。したがって，その行のすべてのスイッチングトランジスタＴ２（ｉ，ｋ）（ｋ＝１，２，・・・，ｍ）がオンする。
　イ　期間５０において，データラインＶＤＡＴＡ（ｋ）のうち，校正対象であるピクセル（ｉ，ｊ）に対応するデータラインＶＤＡＴＡ（ｊ）に対しては校正電圧ＶCGが印加され，他のデータラインＶＤＡＴＡ（ｋ），ただし，ｋ≠ｊに対してはゼロ電圧が印加される。
　ウ　期間５２において，選択ラインＳＥＬ（ｉ）がローにされる。ここで，校正対象であるピクセル（ｉ，ｊ）の記憶キャパシタＣＳには，校正電圧ＶCGが記憶されており，他のピクセル（ｉ，ｋ），ただしｋ≠ｊには，ゼロ電圧が記憶されている。
　エ　期間５２において，電源ラインＶＤＤ（ｉ）に対して一定電流ＩCが印加される。ここで，一定電流ＩCと校正電圧ＶCGは，「駆動トランジスタ及びＯＬＥＤの劣化状態が前回校正時と同じであるならば，電源ラインＶＤＤ（ｉ）の電位は，ＤＣバイアスＶCD，すなわち，通常動作（図３Ｂ）において電源ラインＶＤＤ（ｉ）に印加される電圧となる」関係にある。
　すなわち，発明の詳細な説明には記載がないが，期間５２においては，電源ラインＶＤＤに印加される電源が，電圧ＶCDの直流電源から一定電流ＩCの電流源に切り替えられるものと推察される。
　オ　期間５２において，電源ラインＶＤＤ（ｉ）の電圧を測定する。
　カ　ここで，測定電圧が，ＶCDであるならば，劣化状態に変化はなく，したがって，通常動作において校正対象のピクセル（ｉ，ｊ）に供給する表示データ（ＶＤＡＴＡ（ｊ）の電圧）は，再調整不要である。
　キ　また，測定電圧が，ＶCD＋ΔＶCD（ΔＶCD＞０）であるならば，劣化が進んだと考えられるから，通常動作において校正対象のピクセル（ｉ，ｊ）に供給する表示データ（ＶＤＡＴＡ（ｊ）の電圧）の調整を行う。
　図１の実施例については，以上のとおり理解可能であり，したがって，図１〜６及び段落【００１１】〜【００２４】の記載については，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである。
　(2) 図７等の実施例について
　図７の実施例に関して，発明の詳細な説明の段落【００３３】〜【００３５】には，以下のとおり記載されている。また，図２１の実施例については，段落【００７３】〜【００７５】に同様の記載があり，図２６の実施例についても，段落【００８９】〜【００９１】に同様の記載がある。
「【００３３】図９Ａは，抽出動作の間に図７及び８のピクセル回路に供給される信号波形の一例を示している。また，図９Ｂは，通常動作の間に図７及び８のピクセル回路に供給される信号波形の一例を示している。
【００３４】図７，８及び９Ａを参照して，位置(i,j)におけるピクセルに対する抽出動作は，第１及び第２の抽出サイクル１１０及び１１２を含んでいる。第１抽出サイクル１１０の間において，駆動トランジスタ（図７の７８又は図８の９８）のゲート端子は校正電圧ＶCGに充電される。この校正電圧ＶCGは，前のエージングデータに基づいて計算されたエージング予測を含んでいる。第２抽出サイクル１１２の間において，第１選択ラインＳＥＬ１はゼロとなり，従って，駆動トランジスタ（図７の７８又は図８の９８）のゲート電圧は，電荷注入及びクロックフィードスルーを含む動的効果により影響を受ける。第２抽出サイクル１１２の間において，駆動トランジスタ（図７の７８又は図８の９８）は増幅器として作用する。何故なら，該トランジスタはＶＯＵＴを介して一定電流によりバイアスされるからである。該トランジスタに供給される電流ＩＣの結果としてＶＯＵＴ上に発生される電圧は，（ＶCD＋ΔＶCD）である。かくして，当該ピクセルの経時変化は増幅され，ＶＯＵＴの電圧は，それに応じて変化する。従って，この方法は非常に少ない量の電圧閾値（ＶＴ）のずれの抽出を可能にし，結果として高精度の校正が得られる。ＶＯＵＴの変化は，監視される。次いで，ＶＯＵＴの変化（又は複数の変化）は，プログラミングデータの校正のために使用される。
【００３５】また，上記抽出サイクル中にＯＬＥＤに電流／電圧を供給して，ＯＬＥＤの電圧／電流を抽出することができ，当該システムは，該ＯＬＥＤの経時変化ファクタを決定し，該経時変化ファクタを一層正確な輝度データの校正のために使用することができる。」
　しかしながら，図７，２１及び２６に開示された回路は，その回路動作が不明であり，例えば，図７では，以下のとおりである（図２１及び２６についても同様である。）。
　ア　抽出動作（図９Ａ）の期間１１０において，選択ラインＳＥＬ１がハイにされる。
　イ　期間１１０において，データラインＶＤＡＴＡに対して校正電圧ＶCGが印加される。
　ウ　期間１１２において，選択ラインＳＥＬ１がローにされる。ここで，記憶キャパシタ７４には，校正電圧ＶCGが記憶されている。
　エ　期間１１２において，ＳＥＬ２がハイにされ，出力ラインＶＯＵＴ（隣接する列に対するデータラインＶＤＡＴＡ）に対して一定電流ＩCが印加される。
　ここで，期間１１２において一定電流ＩCの結果としてＶＯＵＴ上に発生される電圧は，（ＶCD＋ΔＶCD）であるとされている。
　しかしながら，ＶＯＵＴ上に発生される電圧をＤＣバイアス点の電圧ＶCD（＋ΔＶCD），すなわち，電源ラインＶＤＤに通常印加される電圧とするためには，例えば，駆動トランジスタ７８が導通し，かつ，駆動トランジスタ７８に流れる電流がゼロ（＋ΔＶCDが発生する電流）となる状態とすることが考えられるが，出力ラインＶＯＵＴには一定電流ＩCが印加され，また，駆動トランジスタ７８のソース端子にはＯＬＥＤ７２が接続されているから，このような状態に設定できない。
　また，駆動トランジスタ７８の劣化の程度を検出するためには，駆動トランジスタ７８を流れる電流値（並びにゲート及びソースの電圧）を知ることが必要と考えられるが，駆動トランジスタ７８を流れる電流は，ＯＬＥＤとＶＯＵＴへ分岐するから，ＶＯＵＴに印加する電流を一定電流ＩCとしても，駆動トランジスタ７８を流れる電流値を知ることができない。ＯＬＥＤ７２についても，同様である。
　以上のとおり，図７の実施例については，どのようにして高精度の校正が得られ，プログラミングデータの校正のために使用されて通常動作において供給する表示データの調整が行われるのかが不明である。また，図２１及び２６の実施例についても，同様である。
　したがって，図７〜２０及び段落【００２５】〜【００６４】の記載については，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。また，図２１〜２５及び段落【００６５】〜【００８０】，並びに，図２６〜３０及び段落【００８１】〜【００９７】についても同様である。
　さらに，図３１Ａ〜３５及び段落【００９８】〜【０１１５】についても，校正のための具体的回路構成及び動作が不明であるから，同様に，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　(3) 請求人の主張について
　請求人は，意見書において，以下のとおり主張する。
「ＯＬＥＤがオフ状態を維持するように電圧を調整することによって駆動トランジスタの劣化を測定することは可能である。当業者であれば，ＶCD＋ΔＶCDがＯＬＥＤのオン電圧より小さくなるように駆動トランジスタのゲート電圧をどのように選択すればよいかは理解できるものである。この場合，増幅された電圧は，駆動トランジスタの劣化を示すものとなる。」
　しかしながら，発明の詳細な説明には，「ＯＬＥＤがオフ状態を維持するように電圧を調整すること」について，記載がない。ＶＤＡＴＡに与えられる電圧は，校正電圧ＶCGとして記載されており，ＯＬＥＤのオフ電圧としては記載されていない。むしろ，発明の詳細な説明には，抽出サイクル中，すなわち，図９Ａの１１０，１１２の期間，図２３Ａの２３０の期間等にＯＬＥＤに電流／電圧を供給することが記載されており（段落【００３５】，【００７５】等），請求人の主張は，発明の詳細な説明の記載に反する。
　ＯＬＥＤをオフ状態に維持するという知見を前提とするならば，例えば，(A)駆動トランジスタがオフとなるようにゲート電圧を制御する，(B)ＯＬＥＤのアノード電位をＯＬＥＤの発光閾値電圧未満に制御する，(C)ＯＬＥＤのカソード電位をハイに制御する等の手段を設けることは，当業者が容易に想到しうる事項である。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，ＯＬＥＤをオフ状態に維持するという知見自体が記載されていない。また，(A)駆動トランジスタがオフとなるようにゲート電圧を制御したのでは一定電流ＩCを流すことができず，(B)ＯＬＥＤの発光閾値電圧は回路のＤＣバイアスＶCDとは異なる電位であるから発明の詳細な説明の記載に反することとなり，(C)ＯＬＥＤのカソード電位はグランドとして表記されておりこれをハイに制御することは記載されていない。
　請求人は，意見書において，「本願請求項１における「電源ラインを介して電流を供給する電流源」と「データラインを介して電流を供給する電流源」はそれぞれ分けて理解すべきである。前者の場合，駆動トランジスタ及びＯＬＥＤの劣化はＶＯＵＴにより示される。後者の場合，選択されたピクセルの駆動トランジスタの特性は増幅電圧により示される。」とも主張する。
　しかしながら，「電源ラインを介して電流を供給する電流源」の場合は，図１の実施例であるから，駆動トランジスタ及びＯＬＥＤの劣化はＶＯＵＴにより示されない。「データラインを介して電流を供給する電流源」の場合は，図７等の場合であるから，出力ラインＶＯＵＴの電圧を監視することにより抽出されると思われるが，その動作は不明である。
　(4) 小括
　以上のとおり，本件出願は，発明の詳細な説明の記載が，特許請求の範囲の請求項１〜１２に係る発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない。
　３　理由３について
　(1) 請求項１について
　データラインについて，請求項１には「前記マトリクスにおけるピクセルの前記列に，電圧および表示データを供給する複数のデータライン」と記載されている。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，「電圧」が「校正電圧」である発明しか記載されていない。
　したがって，「電圧」が「校正電圧」ではない「電圧」，例えば，「電圧」が記憶キャパシタをリセットする電圧やＯＬＥＤのオフ電圧であるような発明は，発明の詳細な説明に記載されていない。発明の詳細な説明に記載された発明は，ＯＬＥＤにも電流を供給してＯＬＥＤ電圧のずれを検出する発明である。
　請求人は，意見書において，「データラインの電圧は「校正電圧」のみであるという指摘ですが，検出時には確かに「校正電圧」となりますが，通常の動作時にはプログラミング電圧ＶCPがデータラインに印加されます。したがって，データラインの電圧は「校正電圧」に限定されるものではありません。」と主張する。
　しかしながら，請求項１には，単に「電圧」と記載されているから，「校正電圧」及び「プログラミング電圧」に限られない「電圧」をデータラインに供給する発明が含まれている。また，請求項１には，「前記マトリクスにおけるピクセルの前記列に，電圧および表示データを供給する複数のデータライン」と記載されており，通常の動作時にプログラミング電圧ＶCPをデータラインに印加することについては，「表示データを供給する」として，請求項１に既に記載されているから，この点からみても，請求人の主張は採用できない。
　(2) 請求項２について
　感知回路について，請求項２には「前記電源ライン又は前記データラインを前記選択されたピクセルの特性の検出に使用する感知回路」と記載されている。
　しかしながら，発明の詳細な説明には，「感知回路」として，図３１Ａのような，「前記データラインを前記選択されたピクセルの特性の検出に使用する感知回路」しか記載されていない。
　したがって，感知回路が「前記電源ラインを前記選択されたピクセルの特性の検出に使用する感知回路」の場合の発明は，発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　請求人は，意見書において，以下のとおり主張する。
「拒絶理由通知において，「期間５２において，電源ラインＶＤＤ（ｉ）に対して一定電流ＩCが印加される。ここで，一定電流ＩCと校正電圧ＶCGは，「駆動トランジスタ及びＯＬＥＤの劣化状態が前回校正時と同じであるならば，電源ラインＶＤＤ（ｉ）の電位は，ＤＣバイアスＶCD，すなわち，通常動作（図３Ｂ）において電源ラインＶＤＤ（ｉ）に印加される電圧となる」関係にある。」と指摘された。すなわち，一定電流ＩＣが電源ラインＶＤＤ（ｉ）に印加されたときに，当該ラインは選択されたピクセルの特性を検出するために使用されることになる。
　すなわち，本願請求項２において「前記電源ラインを前記選択されたピクセルの特性の検出に使用する感知回路」とすることは本願明細書に記載されたものである。」
　しかしながら，図１の実施例において電源ラインの電圧は，ＤＣバイアスＶCDすなわち，通常動作（図３Ｂ）において電源ラインＶＤＤ（ｉ）に印加される電圧と一致しているか否か監視されるものであり，感知回路として記載されていない。また，発明の詳細な説明に記載された感知回路は，その出力を読み出しラインに出力するものでもあるが，図１の実施例において，読み出しラインに相当するライン（例：出力ラインＶＯＵＴ）は存在しない。
　(3) 小括
　以上のとおり，本件出願は，特許請求の範囲の請求項１〜１２の記載が，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない。
第３　まとめ
　以上のとおりであるから，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。