【事件の表示】
　特願２０１０−２７０３４０「発光装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月１６日出願公開、特開２０１１−１１９７３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年１２月３日（パリ条約による優先権主張２００９年１２月３日、韓国、２０１０年３月８日、韓国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２２年１２月　３日　特許出願
　平成２６年　５月　７日　拒絶理由通知（平成２６年　５月１３日発送）
　平成２６年　８月　５日　意見書・手続補正書
　平成２６年１０月　１日　拒絶査定（平成２６年１０月　７日送達）
　平成２７年　２月　５日　本件審判請求・手続補正書
第２　平成２７年　２月　５日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年　２月　５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の概略
（１）　本件補正は、補正前の特許請求の範囲において、
「【請求項１】
　胴体と、
　前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子と、
　前記胴体の上において前記発光素子と電気的に連結される導電部材と、
　前記発光素子を囲む樹脂物と、
　前記樹脂物の上に設けられ、前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する無機酸化物層と、を含み、
　導電部材は、前記発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、
　前記第１導電部材及び第２導電部材は、前記胴体の外部に露出されることを特徴とする、発光装置。
・・・
　【請求項６】
　前記樹脂物の表面には不規則な凹部が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
・・・」
とあったものを、
「【請求項１】
　胴体と、
　前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子と、
　前記胴体の上において前記発光素子と電気的に連結される導電部材と、
　前記発光素子を囲む樹脂物と、
　前記樹脂物の上に設けられ、前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する無機酸化物層と、を含み、
　導電部材は、前記発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、
　前記第１導電部材及び第２導電部材は、前記胴体の外部に露出され、
　前記樹脂物の表面には不規則な凹部が形成され、
　前記無機酸化物層はコロイドシリカ粒子からなり、
　前記コロイドシリカ粒子は前記樹脂物の表面に形成されることを特徴とする、発光装置。
・・・」
とする補正を含むものである。
（２）　本件補正についての検討
　本件補正は、
ａ　補正前の請求項１を削除するとともに、請求項６を独立形式に書き改めて新たな請求項１とする補正事項、及び、
ｂ　新たな請求項１に「前記無機酸化物層はコロイドシリカ粒子からなり、前記コロイドシリカ粒子は前記樹脂物の表面に形成される」との発明特定事項を追加する補正事項、
からなる。
ア　上記補正事項ａについて
（ア）　上記補正事項ａは、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものである。
イ　上記補正事項ｂについて
（ア）　上記補正事項ｂは、補正前の「無機酸化物層」について、「前記無機酸化物層はコロイドシリカ粒子からなり、前記コロイドシリカ粒子は前記樹脂物の表面に形成される」との発明特定事項を付加する補正であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）　上記補正事項ｂは、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の【０１２３】、【０１２５】に記載されており、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであって、特許法第１７条の２第３項の要件を満たす。
ウ　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２００７／０８０８０３号（平成１９年７月１９日公開。以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「請求の範囲
［１］　
半導体発光素子と、前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆って形成された蛍光体層と、前記蛍光体層の少なくとも一部を覆って形成された外層とを含む半導体発光装置であって、
　
前記蛍光体層は、バインダーと前記バインダーに分散された蛍光体とを含み、
　
前記外層は、多孔質材を含むことを特徴とする半導体発光装置。
イ　「発明を実施するための最良の形態
［００１４］　本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子と、この半導体発光素子の少なくとも一部を覆って形成された蛍光体層と、この蛍光体層の少なくとも一部を覆って形成された外層とを含む。半導体発光素子は、例えば、最大ピーク波長が４９０ｎｍ以下の光を放出するＬＥＤが使用できる。特に、ＧａＮ系の化合物半導体からなるＬＥＤチップは、発光色が青色光（又は青色光よりも短波長の光）であり、かつ発光強度が大きいため好ましい。
［００１５］　上記蛍光体層は、バインダーと、このバインダーに分散された蛍光体とを含む。バインダーとしては、例えば、可視光を透過させるバインダー材を含むものが使用できる。上記バインダー材としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シクロオレフィン樹脂等の有機高分子からなる樹脂材料や、シリコーン樹脂等の無機高分子からなる樹脂材料等を用いることができる。また、低融点ガラスや低温で形成可能なゾルゲルガラス等の無機材料等を用いてもよい。上記蛍光体としては、半導体発光素子から放出された光の一部を吸収し、蛍光を発する蛍光体が使用できる。例えば、半導体発光素子として青色光を放出するＬＥＤを使用する場合、上記蛍光体としては、黄色光を発する黄色蛍光体や、緑色光を発する緑色蛍光体や、赤色光を発する赤色蛍光体等が使用できる。また、例えば、
半導体発光素子として紫外光を放出するＬＥＤを使用する
ウ　「［００３３］　（第１実施形態）
　まず、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置について説明する。図１Ａは、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置の断面図であり、図１Ｂは、図１Ａに示す半導体発光装置に含まれる外層の構成材料の模式図である。
［００３４］　図１Ａに示すように、半導体発光装置１は、半導体発光素子１０と、半導体発光素子１０を覆って形成された蛍光体層１１と、蛍光体層１１を覆って形成された外層１２とを含む。半導体発光素子１０は、第１リードフレーム１３ａの端部にカップ状に設けられた凹部の底面上に、Ａｇペースト等からなる固着用ペースト材１４によって固着されている。
［００３５］　
半導体発光素子１０の光取り出し面１０ａには、第１電極１５ａ及び第２電極１５ｂが形成されている。
［００３６］　蛍光体層１１は、バインダー１７と、バインダー１７に分散された蛍光体１８とを含む。この蛍光体層１１は、砲弾状に成型された外層１２によって封止されている。
［００３７］　外層１２は、図１Ｂに示す多孔質材１９からなる。これにより、外層１２の屈折率の低減が容易となる。よって、
半導体発光装置１の外部（例えば空気層）と蛍光体層１１との間に、屈折率が蛍光体層１１のバインダー１７より低い外層１２を配置することができる。そのため、半導体発光装置１の光取り出し効率を向上させることができる。
［００３８］　また、
多孔質材１９は、無機材料からなる粒子１９ａが網目状に連続的につながった連通構造の凝集多孔体からなる。
・・・
［００４１］　図２に、多孔質材１９の空孔率と屈折率との関係を示す。図２では、粒子１９ａを構成する材料として、酸化シリコン（屈折率１．４５）、フッ化カルシウム（屈折率１．４３）及びフッ化マグネシウム（屈折率１．３８）を用いた場合について示している。
［００４２］
　ここで、
バインダー１７
としてエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂材料を用いる
粒子１９ａを構成する材料として酸化シリコンを用いる
・・・
［００４５］　次に、多孔質材１９（外層１２）の好適な形成方法について説明する。
多孔質材１９は、
多孔質材１９の原料が溶液中に分散したゾル溶液を調製し、このゾル溶液を湿潤ゲル化し、これを乾燥して乾燥ゲルとすることによって形成することができる。
［００４６］　まず、
原料と触媒とを溶媒に分散させてゾル溶液を得る。
原料が溶解してシリカが形成されれば良く
・・・
［００５０］　なお、
ゾル溶液を湿潤ゲル化する際は、
蛍光体層１１上にゾル溶液を塗布した後、
放置（又は加熱）して湿潤ゲル化すればよい。
エ　「［００５２］　（第２実施形態）
　次に、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置について説明する。図３は、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置の断面図である。
［００５３］　図３に示すように、半導体発光装置２では、
半導体発光素子１０が基板２０上に実装されている。基板２０には第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂが設けられており、この第１及び第２配線２１ａ，２１ｂは、それぞれ第１及び第２ワイヤ１６ａ，１６ｂを介して第１及び及び第２電極１５ａ，１５ｂと電気的に接続されている。
［００５４］　また、蛍光体層１１のバインダー１７は、バインダー材１７ａと、バインダー材１７ａを透過する光の波長の４分の１以下の実効粒径を有する無機粒子１７ｂとを含むコンポジット材からなる。そして、無機粒子１７ｂは、バインダー材１７ａよりも屈折率が大きい。この構成によれば、無機粒子１７ｂを含むことによって、バインダー１７と半導体発光素子１０の光取り出し面１０ａを構成する材料との屈折率差が小さくなる。よって、光取り出し効率をより向上させることができる。更に、無機粒子１７ｂを含むことによって、バインダー１７の耐熱性や耐光性が向上するためバインダー１７の劣化を防止できる。また、無機粒子１７ｂの実効粒径がバインダー材１７ａを透過する光の波長の４分の１以下であるため、バインダー１７中の光の散乱はレイリー散乱のみとなる。よって、バインダー１７の透光性の劣化を防止できる。また、無機粒子１７ｂの大きさが光の波長よりも充分に小さいため、バインダー１７を屈折率のばらつきがない均一な媒体とみなすことができる。
その他の構成要素は、上述した第１実施形態に係る半導体発光装置１と同様である。
オ　本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置の断面図である図３は、次のものである。
（２）　引用発明１
ア　上記（１）エの［００５４］の記載によれば、第２実施形態に係る半導体発光装置は、その他の構成要素は、第１実施形態に係る半導体発光装置１と同様であるから、上記（１）ウの第１実施形態に係る半導体発光装置に関する記載を参酌して、第２実施形態に係る半導体発光装置について認定する。
イ　上記（１）によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「半導体発光素子と、前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆って形成された蛍光体層と、前記蛍光体層の少なくとも一部を覆って形成された外層とを含む半導体発光装置であって、
　前記蛍光体層は、バインダーと前記バインダーに分散された蛍光体とを含み、
　前記外層は、多孔質材を含み、
　半導体発光素子として紫外光を放出するＬＥＤを使用することができ、
　半導体発光素子１０の光取り出し面１０ａには、第１電極１５ａ及び第２電極１５ｂが形成され、
　半導体発光素子１０が基板２０上に実装され、
　基板２０には第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂが設けられており、この第１及び第２配線２１ａ，２１ｂは、それぞれ第１及び第２ワイヤ１６ａ，１６ｂを介して第１及び及び第２電極１５ａ，１５ｂと電気的に接続されており、
　バインダー１７としてエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂材料を用い、
　半導体発光装置１の外部（例えば空気層）と蛍光体層１１との間に、屈折率が蛍光体層１１のバインダー１７より低い外層１２を配置することによって、半導体発光装置１の光取り出し効率を向上させることができ、
　多孔質材１９は、無機材料からなる粒子１９ａが網目状に連続的につながった連通構造の凝集多孔体からなり、
　粒子１９ａを構成する材料として酸化シリコンを用い、
　多孔質材１９は、多孔質材１９の原料が溶液中に分散したゾル溶液を調製し、このゾル溶液を湿潤ゲル化し、これを乾燥して乾燥ゲルとすることによって形成することができ、
　原料と触媒とを溶媒に分散させてゾル溶液を得る際に、原料が溶解してシリカが形成され、
　ゾル溶液を湿潤ゲル化する際は、蛍光体層１１上にゾル溶液を塗布した後、放置（又は加熱）して湿潤ゲル化すればよい、
　半導体発光装置。」
３　引用文献２の記載事項
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−１２４１６８号公報（平成２０年５月２９日出願公開。以下「引用文献２」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【請求項１】
少なくともＵＶ光を発光する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の外側に配置され前記ＵＶ光を可視光に変換する蛍光体を含有する蛍光体層と、
前記蛍光体層の外側に配されるＵＶ光反射層とを有し、
前記蛍光体層の屈折率が前記ＵＶ光反射層の屈折率より大きいか若しくは等しい半導体発光装置。
イ　「【００１３】
　（実施の形態１）
　図１に本発明の半導体発光装置１０の構成を示す。本発明の
半導体発光装置１０は、カップ９と、半導体発光素子２０、蛍光体層４０、ＵＶ光反射層６０を含む。
【００１４】
　＜半導体発光素子＞
　
半導体発光素子２０は、
ＧａＮの基板上にＧａＮのｎ型層、ＩｎＧａＮの活性層及びＧａＮのｐ型層をこの順で積層し、ｎ型層およびｐ型層に電極を配したものである。
・・・
【００１７】
　＜電極＞
　半導体発光素子には、電極が施され、半導体発光装置１０の外部から電流が供給される。
電極は、ワイヤーボンディングや、バンプといった従来から知られている手段を用いることができる。
【００１８】
　＜カップ＞
　カップ９はハウジングとも呼ばれる。初めからカップ状のものでもよいし、側面部８を底部７に接着するなどして作製してもよい。また、側面部の高さの浅いカップに半導体発光素子を配し、砲弾型に樹脂等で封止してもよい。さらに、側面は高さがゼロであってもよい。この場合は、底部７に半導体発光素子が樹脂などで封止されているだけの外形となる。
・・・
【００２０】
　＜蛍光体層＞
　
蛍光体層４０は、半導体発光素子２０からの発光波長を可視光に変換する蛍光体を樹脂やガラスといった媒体に分散させた層である。
・・・
【００２４】
　＜ＵＶ光反射層＞
　ＵＶ光反射層６０は、ＵＶ光を反射する層であり、蛍光体層４０の外側に配置される。なお、本明細書において、「外側」は、半導体発光素子２０から遠くなる方向をいう。例えば図１においては、図面の上方向が「外側」にあたる。半導体発光素子２０が発したＵＶ光はこの層で反射され、カップ内に戻される。この層の存在によって、半導体発光装置１０からのＵＶ光の放出はゼロ若しくは極めて小さくなる。
【００２５】
　
ＵＶ光反射層としては、ガラスや樹脂に微小粒径の酸化チタン（ＴｉＯ
2
）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）といったＵＶ光反射材を媒体に分散させた層を用いる。
【００２６】
　また、ＵＶ光反射層には、数十ナノメートル程度の大きさの気泡を含ませてもよいし、ＵＶ光反射層をＤＢＲ多層膜で構成してもよい。
【００２７】
　＜媒体＞
　蛍光体層４０と
ＵＶ光反射層６０には、樹脂もしくはガラスなどの媒体を用いることができる。
ガラスとしては、ゾルゲル法で作製できるガラスがよい。
【００２８】
　
このガラスをより具体的に説明すると、有機金属化合物の一種である金属アルコキシドを出発物質とし、その溶液を加水分解、縮重合させゾルを形成した後、空気中の水分などによって更に反応を進めてゲル化させ、得られる固体の金属酸化物である。
【００２９】
　例えば、珪素の金属アルコキシドであるテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）でシリカガラスを作る場合、テトラエトキシシランをアルコール等の溶媒に溶解し、酸や塩基などの触媒と少量の水を加えて十分に混合することにより下記の反応式に従い液状のポリシロキサン・ゾルが形成される。
【００３０】
　　加水分解反応：Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4＋４Ｈ2Ｏ→Ｓｉ（ＯＨ）4＋４Ｃ2Ｈ5ＯＨ
　　脱水縮合反応：ｎＳｉ（ＯＨ）4→［ＳｉＯ2］n＋２ｎＨ2Ｏ
　このようなシリカガラスは耐湿性、耐候性を備えており、半導体発光装置としては好適な材料である。なお、媒体にＵＶ光反射材若しくは蛍光体を分散させた状態のものを充填材と呼ぶ。
【００３１】
　＜屈折率＞
　蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０の可視光領域での屈折率は、各層に分散させる粒子の濃度で調整することができ、これらの屈折率の関係を所定の関係にすることによって、半導体発光装置１０の光取出し効率が向上する。すなわち、半導体発光素子の屈折率をｎ20とし、蛍光体層４０の屈折率をｎ40とし、ＵＶ光反射層６０の屈折率をｎ60とすると、ｎ20＞ｎ40＞ｎ60とする。なお、不等号はそれぞれ等しい場合を含むものとする。
【００３２】
　このように
各層の屈折率を調整することで、半導体発光素子と蛍光体層、蛍光体層とＵＶ光反射層の界面での全反射による光取出し効率の低下を防ぐ事ができ、
【００３３】
　＜全反射防止処理＞
　
光取出し効果を向上させるために、蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０の間に全反射防止処理を行なっても良い。全反射防止処理とは、蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０との界面に使用する光の波長程度の大きさの凹凸を施す処理である。このような処理を施された界面では、鏡面状態で生じる全反射が起こりにくく、入射側から出射側へより多くの光を通過させることができる。
【００３４】
　具体的には次のようにして作製する。まず、カップの中に半導体発光素子を配置し、電極の接続処置を行なった後、蛍光体を媒体に分散した充填材を流し込み、蛍光体層４０とする。蛍光体層４０が硬化した後に、微小な凹凸を施した金型を蛍光体層４０の表面に押し付け、微小凹凸を形成する。
その後、ＵＶ光反射層６０となる充填材を流し込む。
【００３５】
　なお、
微小な凹凸を形成するのは
蛍光体層４０を形成した後に、ウエットエッチングといった化学処理を行なったり、イオンミリングといったドライエッチングの手法を用いることもできる。
微小凹凸は制御された均一の大きさである必要はなく、分布を有する平均的な大きさを有する凹凸の集合であってよい。
【００３６】
　本実施の形態の半導体発光装置１０は、外側にＵＶ光反射層６０を有しているので、放出するＵＶ光を非常に少なくすることができ、また、
ＵＶ光反射層６０の屈折率を蛍光体層４０の屈折率より小さくするので、可視光の光取出し効果は高くできる。
ウ　実施の形態１の半導体発光装置の構成を示す図１は、次のものである。
（２）　引用文献２に記載された技術事項
ア　上記（１）イの【００１８】の記載に照らして、上記（１）ウの図１を見ると、
カップ９の底部７に半導体発光素子２０が配置されている
イ　以上より、引用文献２には、次の技術事項が記載されている。
「少なくともＵＶ光を発光する半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子の外側に配置され前記ＵＶ光を可視光に変換する蛍光体を含有する蛍光体層と、
　前記蛍光体層の外側に配されるＵＶ光反射層とを有し、
　前記蛍光体層の屈折率が前記ＵＶ光反射層の屈折率より大きいか若しくは等しい半導体発光装置であって、
　半導体発光装置１０は、カップ９と、半導体発光素子２０、蛍光体層４０、ＵＶ光反射層６０を含み、
　半導体発光素子２０は、ＧａＮの基板上にＧａＮのｎ型層、ＩｎＧａＮの活性層及びＧａＮのｐ型層をこの順で積層し、ｎ型層およびｐ型層に電極を配したものであり、
　電極は、ワイヤーボンディングや、バンプといった従来から知られている手段を用いることができ、
　カップ９の底部７に半導体発光素子２０が配置され、
　蛍光体層４０は、半導体発光素子２０からの発光波長を可視光に変換する蛍光体を樹脂やガラスといった媒体に分散させた層であり、
　ＵＶ光反射層としては、ガラスや樹脂に微小粒径の酸化チタン（ＴｉＯ2）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）といったＵＶ光反射材を媒体に分散させた層を用い、
　ＵＶ光反射層６０には、樹脂もしくはガラスなどの媒体を用いることができ、
　ガラスとしては、ゾルゲル法で作製できるガラスがよく、
　このガラスは、有機金属化合物の一種である金属アルコキシドを出発物質とし、その溶液を加水分解、縮重合させゾルを形成した後、空気中の水分などによって更に反応を進めてゲル化させ、得られる固体の金属酸化物であり、
　ＵＶ光反射層６０の屈折率を蛍光体層４０の屈折率より小さくするので、可視光の光取出し効果は高くでき、
　各層の屈折率を調整することで、半導体発光素子と蛍光体層、蛍光体層とＵＶ光反射層の界面での全反射による光取出し効率の低下を防ぐ事ができ、
　光取出し効果を向上させるために、蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０の間に全反射防止処理を行なっても良く、全反射防止処理とは、蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０との界面に使用する光の波長程度の大きさの凹凸を施す処理であり、このような処理を施された界面では、鏡面状態で生じる全反射が起こりにくく、入射側から出射側へより多くの光を通過させることができ、
　微小な凹凸を形成するのは、蛍光体層４０を形成した後に、ウエットエッチングといった化学処理を行なったり、イオンミリングといったドライエッチングの手法を用いることもでき、微小凹凸は制御された均一の大きさである必要はなく、分布を有する平均的な大きさを有する凹凸の集合であってよく、
　その後、ＵＶ光反射層６０となる充填材を流し込む、
　半導体発光装置。」
４　対比
（１）　本願補正発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「基板２０」は、本願補正発明の「胴体」に相当する。
イ　引用発明１の「基板２０上に実装され」、「紫外光を放出するＬＥＤを使用することができ」る「半導体発光素子１０」は、本願補正発明の「前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子」に相当する。
ウ　引用発明１の「基板２０に・・・設けられ」、「それぞれ第１及び第２ワイヤ１６ａ，１６ｂを介して第１及び及び第２電極１５ａ，１５ｂと電気的に接続されて」いる「第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂ」と、
　本願補正発明の「前記胴体の上において前記発光素子と電気的に連結される導電部材」とを対比する。
　引用発明１の「第１電極１５ａ及び第２電極１５ｂ」は、「半導体発光素子１０の光取り出し面１０ａに」形成されている電極であるから、引用発明１の「第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂ」は、「半導体発光素子１０」と電気的に接続されており、両者は相当関係にある。
エ　引用発明１の「前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆って形成され」、「エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂材料を用い」た「バインダーと前記バインダーに分散された蛍光体とを含」む「蛍光体層」は、本願補正発明の「前記発光素子を囲む樹脂物」に相当する。
オ　引用発明１の「前記蛍光体層の少なくとも一部を覆って形成され」、「酸化シリコン」からなる「粒子１９ａが網目状に連続的につながった連通構造の凝集多孔体からな」る「多孔質材１９」を含む「外層」と、
　本願補正発明の「前記樹脂物の上に設けられ、前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する無機酸化物層」とを対比すると、
　両者は「前記樹脂物の上に設けられ」た「無機酸化物層」である点で一致する。
カ　引用発明１の「第１配線２１ａ及び第２配線２１ｂ」は、「第１配線２１ａ」と「第２ワイヤ・・・１６ｂを介して・・・第２電極・・・１５ｂと電気的に接続され」る「第２配線２１ｂ」とを含むことと、
　本願補正発明の「導電部材は、前記発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含」むこととを対比する。
　引用発明１の「第１配線２１ａ」及び「第２配線２１ｂ」は、本願補正発明の「第１導電部材」及び「第２導電部材」にそれぞれ相当する。
　してみれば、両者は「導電部材は、第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含」む点で一致する。
キ　引用発明１の「前記外層は、多孔質材を含み」、「多孔質材１９は、無機材料からなる粒子１９ａが網目状に連続的につながった連通構造の凝集多孔体からなり、粒子１９ａを構成する材料として酸化シリコンを用い、多孔質材１９は、多孔質材１９の原料が溶液中に分散したゾル溶液を調製し、このゾル溶液を湿潤ゲル化し、これを乾燥して乾燥ゲルとすることによって形成することができ、原料と触媒とを溶媒に分散させてゾル溶液を得る際に、原料が溶解してシリカが形成され、ゾル溶液を湿潤ゲル化する際は、蛍光体層１１上にゾル溶液を塗布した後、放置（又は加熱）して湿潤ゲル化す」ることと、
　本願補正発明の「前記無機酸化物層はコロイドシリカ粒子からなり、前記コロイドシリカ粒子は前記樹脂物の表面に形成される」こととを対比する。
　一般に、「ゾル」とは「固体を分散質とし、液体を分散媒とするコロイド」であるから、引用発明１の「ゾル溶液」においては「シリカ」が固体として分散しているといえる。
　それゆえ、当該引用発明１の「ゾル溶液」に分散していた「シリカ」により構成される「粒子１９ａ」は、本願補正発明の「コロイドシリカ粒子」に相当する。
　また、引用発明１の「粒子１９ａ」を、「蛍光体層１１上にゾル溶液を塗布した後、放置（又は加熱）して湿潤ゲル化」して形成することは、本願補正発明の「前記コロイドシリカ粒子は前記樹脂物の表面に形成される」ことに相当する。
　してみれば、両者は相当関係にある。
ク　引用発明１の「半導体発光装置」は、本願補正発明の「発光装置」に相当する。
（２）　以上より、本願補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「胴体と、
　前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子と、
　前記胴体の上において前記発光素子と電気的に連結される導電部材と、
　前記発光素子を囲む樹脂物と、
　前記樹脂物の上に設けられた無機酸化物層と、を含み、
　導電部材は、第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、
　前記無機酸化物層はコロイドシリカ粒子からなり、
　前記コロイドシリカ粒子は前記樹脂物の表面に形成される、発光装置。」
　相違点１：
　本願補正発明の「無機酸化物層」は、「前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する」ものであるのに対し、
　引用発明１の「外層１２」は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点２：
　本願補正発明では、「第１導電部材」に「前記発光素子がダイボンディングされ」、「前記第１導電部材及び第２導電部材は、前記胴体の外部に露出され」るのに対し、
　引用発明１の「第１配線２１ａ」、「第２配線２１ｂ」は、そのような特定がされていない点。
　相違点３：
　本願補正発明では、「前記樹脂物の表面には不規則な凹部が形成され」ているのに対し、
　引用発明１は、そのような構成を備えない点。
５　判断
　以下、相違点について検討する。
（１）　相違点１について検討する。
　引用発明１は、「前記蛍光体層は、バインダーと前記バインダーに分散された蛍光体とを含み」、「屈折率が蛍光体層１１のバインダー１７より低い外層１２を配置することによって、半導体発光装置１の光取り出し効率を向上させることができ」るものであるから、引用発明１の「外層１２」の「屈折率」は、「バインダー１７」を含む「蛍光体層１１」の「屈折率」より低く、発光素子に向かって反射する光を減らして、「光取り出し効率を向上させ」ていることは、明らかである。
　よって、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
（２）　相違点２について検討する。
　発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と、発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、前記第１導電部材及び第２導電部材が胴体の外部に露出される発光装置は、本願優先日時点で周知の技術（必要ならば、原査定の拒絶の理由で引用された特表２００９−５３７９９２号公報（特に【００１３】〜【００１４】、図２）、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００７−３２４２２０号公報（特に【００１３】、図２）参照。）である。
　してみれば、引用発明１の「半導体発光装置」を、そのようなものとして構成し、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに、何ら困難性はない。
（３）　相違点３について検討する。
　引用発明１は、「半導体発光素子と、前記半導体発光素子の少なくとも一部を覆って形成された蛍光体層と、前記蛍光体層の少なくとも一部を覆って形成された外層とを含」み、「半導体発光装置１の外部（例えば空気層）と蛍光体層１１との間に、屈折率が蛍光体層１１のバインダー１７より低い外層１２を配置することによって、半導体発光装置１の光取り出し効率を向上させることができ」る「半導体発光装置」である。
　しかるところ、上記３（２）イによれば、引用文献２には、「半導体発光素子と、前記半導体発光素子の外側に配置され・・・る蛍光体層と、前記蛍光体層の外側に配されるＵＶ光反射層とを有し」、「ＵＶ光反射層６０の屈折率を蛍光体層４０の屈折率より小さく」して、「光取出し効果」を「高く」した「半導体発光装置」において、さらに「光取出し効果を向上させるために」、「蛍光体層４０を形成した後に」、「制御された均一の大きさである必要はなく、分布を有する平均的な大きさを有する凹凸の集合」を形成し、「その後、ＵＶ光反射層６０となる充填材を流し込む」ことによって、「蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０との界面に使用する光の波長程度の大きさの凹凸を施」し、「鏡面状態で生じる全反射が起こりにくく、入射側から出射側へより多くの光を通過させる」ことが記載されている。
　してみれば、引用発明１において、さらに光取出し効果を向上させるために、「蛍光体層１１」に、引用文献２に記載された「分布を有する・・・凹凸の集合」を形成して、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
６　小括
　以上によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明１、引用文献２の記載事項及び上記周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
７　本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年２月５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年８月５日付けの手続補正による特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　胴体と、
　前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子と、
　前記胴体の上において前記発光素子と電気的に連結される導電部材と、
　前記発光素子を囲む樹脂物と、
　前記樹脂物の上に設けられ、前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する無機酸化物層と、を含み、
　導電部材は、前記発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、
　前記第１導電部材及び第２導電部材は、前記胴体の外部に露出されることを特徴とする、発光装置。」
２　引用文献２の記載事項、及び引用発明２
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献２の記載事項は、上記第２の［理由］３（１）に記載したとおりである。
（２）　引用発明２
ア　上記第２の［理由］３（１）イの【００１８】の記載に照らして、上記第２の［理由］３（１）ウの図１を見ると、
カップ９の底部７に半導体発光素子２０が配置されている
イ　以上より、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「少なくともＵＶ光を発光する半導体発光素子と、
　前記半導体発光素子の外側に配置され前記ＵＶ光を可視光に変換する蛍光体を含有する蛍光体層と、
　前記蛍光体層の外側に配されるＵＶ光反射層とを有し、
　前記蛍光体層の屈折率が前記ＵＶ光反射層の屈折率より大きいか若しくは等しい半導体発光装置であって、
　半導体発光装置１０は、カップ９と、半導体発光素子２０、蛍光体層４０、ＵＶ光反射層６０を含み、
　半導体発光素子２０は、ＧａＮの基板上にＧａＮのｎ型層、ＩｎＧａＮの活性層及びＧａＮのｐ型層をこの順で積層し、ｎ型層およびｐ型層に電極を配したものであり、
　電極は、ワイヤーボンディングや、バンプといった従来から知られている手段を用いることができ、
　カップ９の底部７に半導体発光素子２０が配置され、
　蛍光体層４０は、半導体発光素子２０からの発光波長を可視光に変換する蛍光体を樹脂やガラスといった媒体に分散させた層であり、
　ＵＶ光反射層としては、ガラスや樹脂に微小粒径の酸化チタン（ＴｉＯ2）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）といったＵＶ光反射材を媒体に分散させた層を用い、
　ＵＶ光反射層６０には、樹脂もしくはガラスなどの媒体を用いることができ、
　ガラスとしては、ゾルゲル法で作製できるガラスがよく、
　このガラスは、有機金属化合物の一種である金属アルコキシドを出発物質とし、その溶液を加水分解、縮重合させゾルを形成した後、空気中の水分などによって更に反応を進めてゲル化させ、得られる固体の金属酸化物であり、
　ＵＶ光反射層６０の屈折率を蛍光体層４０の屈折率より小さくするので、可視光の光取出し効果は高くでき、
　各層の屈折率を調整することで、半導体発光素子と蛍光体層、蛍光体層とＵＶ光反射層の界面での全反射による光取出し効率の低下を防ぐ事ができ、
　光取出し効果を向上させるために、蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０の間に全反射防止処理を行なっても良く、全反射防止処理とは、蛍光体層４０とＵＶ光反射層６０との界面に使用する光の波長程度の大きさの凹凸を施す処理であり、このような処理を施された界面では、鏡面状態で生じる全反射が起こりにくく、入射側から出射側へより多くの光を通過させることができ、
　微小な凹凸を形成するのは、蛍光体層４０を形成した後に、ウエットエッチングといった化学処理を行なったり、イオンミリングといったドライエッチングの手法を用いることもでき、微小凹凸は制御された均一の大きさである必要はなく、分布を有する平均的な大きさを有する凹凸の集合であってよく、
　その後、ＵＶ光反射層６０となる充填材を流し込む、
　半導体発光装置。」
３　対比
（１）　本願発明と引用発明２を対比する。
ア　引用発明２の「カップ９」は、本願発明の「胴体」に相当する。
イ　引用発明２の「カップ９の底部７に」配置され、「ＧａＮの基板上にＧａＮのｎ型層、ＩｎＧａＮの活性層及びＧａＮのｐ型層をこの順で積層し、ｎ型層およびｐ型層に電極を配した」「ＵＶ光を発光する半導体発光素子」は、本願発明の「前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子」に相当する。
ウ　引用発明２の「前記半導体発光素子の外側に配置され」、「半導体発光素子２０からの発光波長を可視光に変換する蛍光体を樹脂・・・に分散させた層であ」る「蛍光体層」は、本願発明の「前記発光素子を囲む樹脂物」に相当する。
エ　引用発明２の「前記蛍光体層の外側に配され」、「ゾルゲル法で」「得られる固体の金属酸化物」である「ガラス・・・に微小粒径の酸化チタン（ＴｉＯ2）や酸化亜鉛（ＺｎＯ）といったＵＶ光反射材を媒体に分散させた層を用い」た「ＵＶ光反射層」は、「ＵＶ光反射層６０の屈折率を蛍光体層４０の屈折率より小さく」して、「蛍光体層とＵＶ光反射層の界面での全反射による光取出し効率の低下を防ぐ」ものであるから、本願発明の「前記樹脂物の上に設けられ、前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する無機酸化物層」に相当する。
オ　引用発明２の「半導体発光装置」は、本願発明の「発光装置」に相当する。
（２）　以上より、本願発明と引用発明２との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「胴体と、
　前記胴体の上に設けられ、紫外線発光ダイオードを含む発光素子と、
　前記発光素子を囲む樹脂物と、
　前記樹脂物の上に設けられ、前記樹脂物より小さな屈折率を有し、前記発光素子に向かって反射する光を減らすように機能する無機酸化物層と、を含む、発光装置。」
　相違点４：
　本願発明は、「前記胴体の上において前記発光素子と電気的に連結される導電部材」を含み、「導電部材は、前記発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、前記第１導電部材及び第２導電部材は、前記胴体の外部に露出される」のに対し、
　引用発明２は、そのような導電部材を含むものであるのか否か明らかでない点。
４　判断
　相違点４について検討する。
　胴体の上において発光素子と電気的に連結される導電部材を含み、前記導電部材は、前記発光素子がダイボンディングされる第１導電部材と前記発光素子とワイヤを介して連結される第２導電部材とを含み、前記第１導電部材及び第２導電部材が、前記胴体の外部に露出される発光装置は、本願優先日時点で周知の技術（必要ならば、原査定の拒絶の理由で引用された前記特表２００９−５３７９９２号公報（特に【００１３】〜【００１４】、図２）、原査定の拒絶の理由で引用された前記特開２００７−３２４２２０号公報（特に【００１３】、図２）参照。）である。
　してみれば、引用発明２の「半導体発光装置」を、そのようなものとして構成し、上記相違点４に係る本願発明の発明特定事項となすことに、何ら困難性はない。
５　小括
　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明２及び上記周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
６　むすび
　本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。