【事件の表示】
　特願２０１３−５３６６０７「傾斜ドーピングを有する希薄窒化物サブセルを備えた多接合型太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月　３日国際公開、ＷＯ２０１２／０５７８７４、平成２５年１１月　７日国内公表、特表２０１３−５４１２２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年５月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年１０月２８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年３月７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年９月１８日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２７年１月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年１月２６日付けの手続補正により、該手続補正前の（平成２６年６月１８日付けの手続補正で補正された）特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項１６が、新たな請求項１とされた。
　よって、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「複数のサブセルを備える多接合型太陽電池であって、
　前記複数のサブセルのそれぞれが、隣接するサブセルに格子整合され、
　前記複数のサブセルのうちの少なくとも１つが、エミッター、前記エミッターに隣接するＧａＩｎＮＡｓＳｂベース、および前記エミッターおよび前記ＧａＩｎＮＡｓＳｂベースの境界面に位置するエミッターベース接合を備え、
　前記ＧａＩｎＮＡｓＳｂベースは、前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるベース・ドーピングプロファイルを有し、
　前記エミッターは、ドーピングを有さないか、または前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるエミッター・ドーピングプロファイルを有することを特徴とする多接合型太陽電池。」
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００９−１８２３２５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（１）「【００２６】
 
 図２は、基板の上に３つのサブセルＡ、Ｂ及びＣをエピタキシャル成長させた後における本発明に係る倒置型メタモルフィック多接合（ＩＭＭ）ソーラーセル構造を示す。
【００２７】
  ソーラーセルのブルー応答の低下は、エミッタにおける及び窓／エミッタ界面における再結合電流に関連する。上部サブセルより下のサブセルのエミッタバンドギャップ、すなわち、中間及び底部サブセルのエミッタバンドギャップが、上部セルのバンドギャップ以上である場合には、エミッタに吸収される放射は存在しない。下部のバンドギャップサブセルに当たる全ての放射は、下部のドープされた良好に収集するベース領域に吸収され、これにより、ブルー応答を最大化する。加えて、光学的吸収により発生される再結合電流は、下部サブセルエミッタ及びエミッタ／窓領域から不存在となる。電流収集の改善及び増加したＶｏｃ値は、それが僅かだとしても、セルの性能を最適化する上で意義がある。
【００２８】
  問題は、各サブセルからの短絡電流密度（Ｊｓｃ）及び開回路電圧（Ｖｏｃ）を最大化することである。エミッタにおいて及び窓／エミッタ界面において光学的に発生する再結合電流は、Ｊｓｃ及びＶｏｃの両方に否定的に影響を与える。この問題は、（１）大きなヴァランス(valance)バンドギャップオフセットで非常に低欠陥の窓／エミッタ界面を成長させ、（２）エミッタにドリフト電界を組み込んで少数キャリアを接合に駆動させることにより、解決することが多い。本発明は、光学的に発生される実質的に全ての少数キャリアがベース領域に生成されるので、窓／エミッタ界面及びエミッタの光学的性質をサブセル性能から排除する。
【００２９】
  
図２に示すソーラーセル構造を参照すると、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
により構成することが可能な、基板１０１が示されている。
サブセルＡは、全体的に成長基板１０１に格子整合させられる。
【００３０】
  多接合ソーラーセル構造は、格子定数及びバンドギャップ要件を受けるべき周期律表にリストされたＩＩＩ族からＶ族の元素の適当な組み合わせによって形成することができる、ということに留意されたい。ここで、ＩＩＩ族は、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）及びタリウム（Ｔ）を含む。ＩＶ族は、炭素（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）及びスズ（Ｓｎ）を含む。Ｖ族は、窒素（Ｎ）、燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）及びビスマス（Ｂｉ）を含む。
【００３１】
  好ましい実施の形態では、エミッタ層１０６は、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐにより構成され、ベース層１０７は、ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐにより構成される。これら式におけるカッコ内のアルミニウムすなわちＡｌは、Ａｌが任意の（optional）成分であり、この場合、０％から３０％の範囲の量で使用されることを意味する。本発明に係るエミッタ層１０６及びベース層１０７のドーピングプロファイルは、後に図１６を参照して説明する。
【００３２】
  サブセルＡは、以下に述べる本発明にかかる処理ステップが完了した後、最終的に、倒置型メタモルフィック構造の「上部」サブセルとなる。
【００３３】
  ベース層１０７の上部には、背面フィールド（back surface field；ＢＳＦ）層１０８、好ましくはｐ＋ＡｌＧａＩｎＰが堆積され、これを使用して再結合ロスが減少させられる。
【００３４】
  ＢＳＦ層１０８は、再結合ロスの影響を最小化するためにベース／ＢＳＦ界面付近の領域から少数キャリアを駆動させる。換言すれば、ＢＳＦ層１０８は、ソーラーサブセルＡの背面における再結合ロスを減少させ、これにより、ベースにおける再結合を減少させる。
【００３５】
  ＢＳＦ層１０８の上部には、高濃度によりドープされた一連のｐ型及びｎ型層１０９が堆積され、これは、サブセルＡをサブセルＢに接続するための回路素子であるトンネルダイオードを形成する。これらの層は、好ましくは、ｐ＋＋ＡｌＧａＡｓ及びｎ＋＋ＩｎＧａＰにより構成される。
【００３６】
  トンネルダイオード層１０９の上部には、窓層１１０、好ましくは、ｎ＋ＩｎＡｌＰが堆積される。サブセルＢに使用される窓層１１０は、再結合ロスを減少させるようにも動作する。また、窓層１１０は、その下に横たわる接合のセル面の非活性化（passivation）を改善させる。本発明の範囲から逸脱することなく、付加的な層（１又は複数）を、セル構造に追加したりセル構造から除去したりできる、ということが当業者には明らかである。
【００３７】
  窓層１１０の上部には、
サブセルＢの層、すなわち、ｎ型エミッタ層１１１及びｐ型ベース層１１２が堆積される。これらの層は、
各々、
格子定数及びバンドギャップ要件に一致した
サブセルＢは、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＮエミッタ領域、及びＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＮベース領域により構成することができる。本発明に係る層１１１及び１１２のドーピングプロファイルは、後に図１６を参照して説明する。
【００３８】
  本発明の好ましい実施の形態では、中間サブセルのエミッタが、上部サブセルのエミッタのバンドギャップと等しいバンドギャップを有し、底部サブセルのエミッタが、中間サブセルのベースのバンドギャップより大きなバンドギャップを有する。したがって、ソーラーセルの製造、実装及び動作の後、中間サブセルＢのエミッタも底部サブセルＣのエミッタも、吸収可能な放射に露出されない。実質的に、放射は、エミッタより狭いバンドギャップを有するセルＢ及びＣのベースにおいて吸収される。よって、ヘテロ接合サブセルを使用することによる効果は、１）両サブセルに対する短い波長の応答が改善されること、２）エミッタ／窓界面における及びエミッタにおける再結合電流が減少すること、である。この結果、Ｊｓｃ及びＶｏｃが増加する。
【００３９】
  セルＢの上部には、ＢＳＦ層１０９と同一の機能を実行するＢＳＦ層１１３が堆積させられる。層１０９と同様に、ＢＳＦ層１１３の上にも、サブセルＢをサブセルＣに接続するための回路素子を形成するｐ＋＋／ｎ＋＋トンネルダイオード１１４が堆積させられる。これらの層１１４は、好ましくはｐ＋＋ＡｌＧａＡｓ及びｎ＋＋ＩｎＧａＰにより構成される。
【００４０】
  バリア層１１５、好ましくは、ｎ型ＩｎＧａ（Ａｌ）Ｐにより構成されたバリア層１１５が、トンネルダイオード１１４上に、約１．０ミクロンの厚さまで堆積させられる。かかるバリア層は、貫通転位(threading dislocation)が、中間サブセルＢ及び上部サブセルＣ内における成長方向とは逆に、又は、底部サブセルＡ内における成長方向に、伝播するのを防止することを意図したものであり、これは、２００７年９月２４日に出願された米国特許出願第１１／８６０,１８３号において具体的に説明されている。
【００４１】
  バリア層１１５の上に、メタモルフィック層（又はグレード付けされた[graded]中間層）１１６が堆積させられる。この層１１６は、貫通転位の発生を最小化しつつサブセルＢからサブセルＣに向かって半導体構造における格子定数を徐々に遷移させるために、好ましくは格子定数を単調に変化させて
【００４２】
  ソーラーセルが２つのサブセルしかもたず、「中間」セルＢが最終的なソーラーセルにおいて最上部すなわち上部サブセルとなり、この「上部」サブセルＢが典型的に１.８から１.９ｅＶのバンドギャップを有するような別の実施の形態では、中間層のバンドギャップが１.９ｅＶで一定のままとなる。
【００４３】
  上述したワンレス等の論文に説明された倒置型メタモルフィック構造では、メタモルフィック層が、９つの組成的にグレード付けされたＩｎＧａＰ段階により構成され、各段階層が０.２５ミクロンの厚さを有する。この結果、ワンレスの各層は、異なるバンドギャップを有する。本発明の好ましい実施の形態では、層１１６は、格子定数が単調に変化するＩｎＧａＡｌＡｓの複数の層により構成され、各層が約１.５ｅＶという同一のバンドギャップを有する。
【００４４】
  ＩｎＧａＡｌＡｓのような一定バンドギャップ材料を使用することによる効果は、砒素に基づいた半導体材料が標準的なＭＯＣＶＤリアクタにおいて処理するのが非常に容易である一方、少量のアルミニウムがメタモルフィック層の放射透過性（radiation transparency）を保証することである。本発明の好ましい実施の形態は、製造性及び放射透過性の理由からメタモルフィック層１１６に対してＩｎＧａＡｌＡｓの複数の層を使用するが、本発明の他の実施の形態は、異なる材料系を使用して、サブセルＢからサブセルＣに向かって格子定数を変化させることができる。よって、組成的にグレード付けされた中間層ＩｎＧａＰを使用するワンレスのシステムは、本発明の第２実施の形態である。本発明の他の実施の形態は、段階的なグレード付けとは対照的な、連続的にグレード付けされた材料を使用することができる。さらに一般的には、グレード付けされた中間層は、Ａｓ、Ｐ、Ｎ、Ｓｂに基づいたIII-Ｖ化合物半導体のいずれかにより構成されることができるが、平面内（in-plane）格子パラメータが第２のソーラーセル以上であって、第３のソーラーセル以下であり、第２のソーラーセルのバンドギャップより大きいバンドギャップを有するという制約を受ける。
【００４５】
  本発明の別の実施の形態では、ＩｎＧａＡｌＡｓメタモルフィック層１１６の上に任意の（optional）第２バリア層１１７を堆積させることができる。この第２バリア層１１７は、典型的に、バリア層１１５とは異なる組成を有し、貫通転位が伝播するのを防止するという本質的に同一の機能を遂行する。好ましい実施の形態では、バリア層１１７は、ｎ＋型のＧａＩｎＰである。
【００４６】
  次いで、バリア層１１７の上に（又は第２バリア層が存在しない場合は層１１６の上に直接的に）、好ましくはｎ＋型のＧａＩｎＰより成る窓層１１８が堆積される。この窓層は、サブセル「Ｃ」における再結合ロスを減少するように動作する。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱せずに、付加的な層をセル構造に追加したり又はセル構造から削除したりできることが明らかである。
【００４７】
  窓層１１８の上部には、セルＣの層、すなわち、ｎ型エミッタ層１１９及びｐ型ベース層１２０が堆積させられる。これらの層は、それぞれｎ型のＩｎＧａＡｓ及びｐ型のＩｎＧａＡｓにより構成されるか、又は、ヘテロ接合のサブセルの場合にはｎ型のＩｎＧａＰ及びｐ型のＩｎＧａＡｓにより構成されるが、格子定数及びバンドギャップ要件に一致する別の適当な材料を使用することもできる。層１１９及び１２０のドーピングプロファイルは、後に図１６を参照して説明する。
【００４８】
  この後、ＢＳＦ層１２１、好ましくはＧａＩｎＡｓＰにより構成されるＢＳＦ層１２１が、セルＣの上部に堆積され、このＢＳＦ層はＢＳＦ層１０８及び１１３と同一の機能を遂行する。
【００４９】
  最終的に、ＧａＩｎＡｓにより構成されるｐ＋＋コンタクト層１２２がＢＳＦ層１２１に堆積される。
【００５０】
  当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく、付加的な層（１又は複数）を、セル構造に追加したりセル構造から削除したりできることが、明らかである。」
（２）「【００６９】
 
 図１６は、本発明の倒置型メタモルフィック多接合ソーラーセルの１以上のサブセルにおけるエミッタ及びベース層のドーピングプロファイルを示すグラフである。
（３）「【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（４）「【図１６】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項（１）及び（３）から、「サブセルＡ」と「サブセルＢ」は隣接しており、「サブセルＢ」と「サブセルＣ」は、「メタモルフィック層１１６」を介して隣接している構成が読み取れる。
　また、上記記載事項（２）及び（４）から、エミッタ層及びベース層それぞれのドーピングプロファイルは、いずれもエミッタ層とベース層の接合部から離れるほどドーピング濃度が増えるものであることが読み取れる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「基板の上に３つのサブセルＡ、Ｂ及びＣをエピタキシャル成長させた倒置型メタモルフィック多接合（ＩＭＭ）ソーラーセル構造であって、
　サブセルＡとサブセルＢは隣接しており、サブセルＢとサブセルＣは、メタモルフィック層１１６を介して隣接しており、
　サブセルＡは、全体的に砒化ガリウム（ＧａＡｓ）により構成された成長基板１０１に格子整合させられ、
　サブセルＢの層、すなわち、堆積されたｎ型エミッタ層１１１及びｐ型ベース層１１２は、各々、格子定数及びバンドギャップ要件に一致した、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＮエミッタ領域、及びＧａＩｎＡｓＮベース領域により構成され、層１１１及び１１２それぞれのドーピングプロファイルは、いずれもエミッタ層１１１とベース層１１２の接合部から離れるほどドーピング濃度が増えるものであり、
　メタモルフィック層１１６は、貫通転位の発生を最小化しつつサブセルＢからサブセルＣに向かって半導体構造における格子定数を徐々に遷移させるために、格子定数を単調に変化させている、倒置型メタモルフィック多接合（ＩＭＭ）ソーラーセル構造。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「３つのサブセルＡ、Ｂ及びＣ」及び「多接合（ＩＭＭ）ソーラーセル構造」が、それぞれ、本願発明の「複数のサブセル」及び「多接合型太陽電池」に相当する。
イ　引用発明の「ＧａＩｎＡｓＮベース領域」の「ＧａＩｎＡｓＮ」における窒素はわずかな割合であることは技術常識である（特開平１０−１２９０５号公報（以下「引用文献２」という。）の段落【００１３】、特表２００１−５２４７６０号公報（以下「引用文献３」という。）の段落【００３１】参照）から、引用発明の「ＧａＩｎＡｓＮベース領域」と、本願発明の「ＧａＩｎＮＡｓＳｂベース」は、「第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベース」で一致する。
　また、引用発明の「サブセルＢ」の「ｎ型エミッタ層１１１」、「ｐ型ベース層１１２」が、それぞれ、本願発明の「複数のサブセルの内の少なくとも１つ」の「エミッター」、「ベース」に相当し、引用発明の「サブセルＢ」が「ｎ型エミッタ層１１１」、「ｐ型ベース層１１２」の境界面に接合部を有することは自明である。
　すると、引用発明の「サブセルＢの層、すなわち、堆積されたｎ型エミッタ層１１１及びｐ型ベース層１１２は、各々、」「ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＡｓＳｂ又はＧａＩｎＡｓＮエミッタ領域、及びＧａＩｎＡｓＮベース領域により構成され」た構成と、本願発明の「前記複数のサブセルのうちの少なくとも１つが、エミッター、前記エミッターに隣接するＧａＩｎＮＡｓＳｂベース、および前記エミッターおよび前記ＧａＩｎＮＡｓＳｂベースの境界面に位置するエミッターベース接合を備え」る構成は、「前記複数のサブセルのうちの少なくとも１つが、エミッター、前記エミッターに隣接する第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベース、および前記エミッターおよび前記第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベースの境界面に位置するエミッターベース接合を備え」る構成で一致する。
ウ　引用発明の「層１１１及び１１２それぞれのドーピングプロファイルは、いずれもエミッタ層１１１とベース層１１２の接合部から離れるほどドーピング濃度が増えるものであ」ることと、本願発明の「前記ＧａＩｎＮＡｓＳｂベースは、前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるベース・ドーピングプロファイルを有し、前記エミッターは、ドーピングを有さないか、または前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるエミッター・ドーピングプロファイルを有すること」は、「前記第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベースは、前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるベース・ドーピングプロファイルを有し、前記エミッターは、ドーピングを有さないか、または前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるエミッター・ドーピングプロファイルを有すること」で一致する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「複数のサブセルを備える多接合型太陽電池であって、
　前記複数のサブセルのうちの少なくとも１つが、エミッター、前記エミッターに隣接する第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベース、および前記エミッターおよび前記第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベースの境界面に位置するエミッターベース接合を備え、
　前記第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベースは、前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるベース・ドーピングプロファイルを有し、
　前記エミッターは、ドーピングを有さないか、または前記エミッター−ベース接合からの距離によって増大するドーパント濃度により特徴付けられるエミッター・ドーピングプロファイルを有する、多接合型太陽電池。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
ア　引用発明では、
「サブセルＡとサブセルＢは隣接しており、サブセルＢとサブセルＣは、メタモルフィック層１１６を介して隣接しており、
　サブセルＡは、全体的に砒化ガリウム（ＧａＡｓ）により構成された基成長基板１０１に格子整合させられ、
　サブセルＢの層、すなわち、堆積されたｎ型エミッタ層１１１及びｐ型ベース層１１２は、各々、格子定数及びバンドギャップ要件に一致した」構成、
「メタモルフィック層１１６は、貫通転位の発生を最小化しつつサブセルＢからサブセルＣに向かって半導体構造における格子定数を徐々に遷移させるために、格子定数を単調に変化させている」構成であることから、「隣接する」「サブセルＡ」及び「サブセルＢ」は格子整合しているが、「隣接する」「サブセルＢ」及び「サブセルＣ」は格子整合していないことが明らかである。
　すると、本願発明では、「前記複数のサブセルのそれぞれが、隣接するサブセルに格子整合され」るのに対して、引用発明では、「隣接する」「サブセルＡ」及び「サブセルＢ」は格子整合しているが、「隣接する」「サブセルＢ」及び「サブセルＣ」は格子整合していない点で相違する。（相違点ア）
イ　第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物ベースが、本願発明では、「ＧａＩｎＮＡｓＳｂベース」であるのに対して、引用発明では、「ＧａＩｎＡｓＮベース領域」である点で相違する。（相違点イ）
４　判断
（１）相違点アについて
　多接合型太陽電池において、すべてのセルが格子整合するように構成することは、引用文献２の段落【００２０】〜【００２８】（特に、【００２１】参照）、引用文献３の段落【００１８】〜【００４３】（特に、【００２６】参照）に示されるように、当業者には周知の技術事項であるから、引用発明において、「サブセルＢ」に格子整合していない「サブセルＣ」に換えて、「サブセルＢ」に格子整合した「サブセルＣ」を採用することは、当業者が適宜なし得ることである。
（２）相違点イについて
　特表２０１０−５１７３２０号公報（段落【００３８】）、国際公開第２０１０／１０７５２２号（第１１頁第３０行〜第１２頁第３行）に示されるように、第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物として、ＧａＩｎＡｓＮのほかに、ＧａＩｎＮＡｓＳｂは当業者には周知の材料であるから、引用発明において、「ＧａＩｎＡｓＮベース領域」に換えて、ＧａＩｎＮＡｓＳｂベースとすることは、当業者が適宜選択し得ることである。
（３）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
（４）請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の【請求の理由】「３．」「（４−１）」で、
「審査官殿は上記拒絶査定において、・・（ｉｉ）「また、引用文献１には、希薄窒化物ベースや希薄窒化物エミッタを用いることが記載され、かつ、傾斜するドーピングプロファイルが開示されている（特に、［００３７］、図１６を参照）。したがって、請求項１，１０に記載された構成が開示されている。・・と認定されました。 
・・
 　また、上記（ｉｉ）の認定についても、従来から希薄窒化物合金をドーピングすることは望ましくないとされており、引用文献１における００３７、００７５の記載は、そのような技術常識からみて、「希薄窒化物合金」を傾斜ドーピングすることを意図するものではないことは明らかであり、そのようは技術的背景を考慮しない審査官殿による上記（ｉｉ）の認定は、やはり到底承服することができません。その証拠として、引用文献１における図１６は他の実施例（段落００３１）によっても参照され、引用文献１には、本願発明の図１０、図１１のような、希薄窒化物をドーピングした場合の具体的な評価結果が開示されておりません。 」
と主張するが、引用文献２（段落【００２２】）、引用文献３（段落【００２９】）に示されるように、第３族と第５族の半導体合金の希薄窒化物をドーピングすることが、当業者には周知の技術事項であることを参酌すれば、引用文献１の段落【００３７】、図１６の記載は、希薄窒化物である「ＧａＩｎＡｓＮベース領域」を傾斜ドーピングすることを意図することは明らかであるから、上記請求人の主張は採用し得るものではない。
（５）結論
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。