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　特願２０１３−　　６０６９「フォトダイオードの製造方法及びフォトダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月１１日出願公開、特開２０１３−　６５９１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年９月２５日に出願した特願２００９−２２１０９８号（優先権主張　平成２１年２月２４日、同年６月５日）の一部を平成２５年１月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年１月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年４月２８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年７月２３日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同時に手続補正がされ、平成２７年７月９日付けで当審による拒絶理由が通知され、同年９月９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項８に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年９月９日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項８に記載された次のとおりのものと認める。
「第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面及び第２主面を有すると共に前記第１主面側に第２導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板を備え、
　前記シリコン基板には、前記第２主面側に前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層が形成されていると共に、前記第２主面における少なくとも第２導電型の前記半導体領域に対向する領域に不規則な凹凸が形成されており、
　前記シリコン基板の前記第２主面における第２導電型の前記半導体領域に対向し、かつ、不規則な前記凹凸が形成された前記領域は、前記アキュムレーション層の表面に含まれていると共に、光学的に露出し、
　少なくとも第２導電型の前記半導体領域に対向する前記領域に不規則な凹凸が形成された前記第２主面が光入射面とされて、前記第２主面から入射した光が前記シリコン基板内を進む、裏面入射型であることを特徴とするフォトダイオード。」
　
３．引用例
（１）引用例の記載事項
　ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開２００５−４５０７３号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審が付与した。以下、同じ。）。
（ア）　「【０００１】
　本発明は、裏面入射型光検出素子に関するものである。」
（イ）　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
　以下、図面とともに本発明による裏面入射型光検出素子の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１９】
　図１は、本発明による裏面入射型光検出素子の第１実施形態を示す断面図である。
裏面入射型ホトダイオード１は、裏面側から被検出光を入射し、
裏面入射型ホトダイオード１は、Ｎ型半導体基板１０、Ｐ
＋
型不純物半導体領域１１、凹部１２、及び被覆層１３を備えている。
【００２０】
　
Ｎ型半導体基板１０の表面（第１面）Ｓ１側における表層の一部には、Ｐ
＋
型不純物半導体領域１１が形成されている。
【００２１】
　
Ｎ型半導体基板１０の裏面（第２面）Ｓ２におけるＰ
＋
型不純物半導体領域１１に対向する領域には、凹部１２が形成されている。凹部１２は、被検出光の入射部となる。
【００２２】
　
Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２上には、被覆層１３が設けられている。
この被覆層１３は、裏面Ｓ２を保護する保護層、及び凹部１２へと入射する被検出光を透過させる透過窓材として機能する。
【００２３】
　また、
裏面入射型ホトダイオード１は、Ｎ
＋
型高濃度不純物層２１、Ｎ
＋
型高濃度不純物半導体領域２２、絶縁膜２３，２４、アノード電極２５、及びカソード電極２６を備えている。
【００２４】
　Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２は、Ｎ型半導体基板１０の表面Ｓ１側における表層に、Ｐ＋型不純物半導体領域１１と所定の距離を隔てて形成されている。Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２は、Ｎ＋型高濃度不純物層２１と同様にＮ型不純物が高濃度に添加されており、後述するカソード電極２６とのコンタクト層であるとともに、表面Ｓ１における表面リーク電流を抑制する機能をもつ。Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２の不純物濃度は、例えば１０１５〜１０２０／ｃｍ３である。また、Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２の深さは、例えば０．１〜３０μｍである。
【００２５】
　
絶縁膜２３及び絶縁膜２４は、それぞれＮ型半導体基板１０の表面Ｓ１及び裏面Ｓ２上に形成されている。絶縁膜２３，２４は、例えばＳｉＯ
２
からなる。
【００２６】
　
絶縁膜２３上の開口２３ａ，２３ｂを含む領域には、それぞれアノード電極２５及びカソード電極２６が形成されている。
【００２７】
　さらに、
裏面入射型ホトダイオード１は、パッシベーション膜３１、支持膜３２、充填電極３３ａ，３３ｂ、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ）３４ａ，３４ｂ、及びバンプ３５ａ，３５ｂを備えている。パッシベーション膜３１は、Ｎ型半導体基板１０の表面Ｓ１上において、絶縁膜２３、アノード電極２５及びカソード電極２６を覆うように設けられている。また、パッシベーション膜３１のうちアノード電極２５及びカソード電極２６上に設けられた部分に、後述する充填電極３３ａ，３３ｂが充填される貫通孔３１ａが形成されている。
【００２８】
　
パッシベーション膜３１上には、支持膜３２が形成されている。
【００２９】
　
充填電極３３ａ，３３ｂは、貫通孔３１ａ，３２ａに充填されるとともに、一端がそれぞれアノード電極２５及びカソード電極２６に接することにより、Ｐ
＋
型不純物半導体領域１１及びＮ
＋
型高濃度不純物半導体領域２２と電気的に接続されている。
充填電極３３ａ，３３ｂの他端は、ともに支持膜３２の表面に露出している。
【００３０】
　
充填電極３３ａ，３３ｂの支持膜３２表面に露出する部分には、ＵＢＭ３４ａ，３４ｂが形成されている。
【００３１】
　
ＵＢＭ３４ａ，３４ｂの充填電極３３ａ，３３ｂと反対側の面上には、バンプ３５ａ，３５ｂが形成されている。
（ウ）　「【００３９】
　Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２側の表層全体にＮ＋型高濃度不純物層２１が形成されている。
裏面Ｓ２表層のうち凹部１２の底面Ｓ３に設けられたＮ
＋
型高濃度不純物層２１は、アキュームレーション層として機能する。
より高感度な裏面入射型ホトダイオード１が実現されている
（エ）　「【００４１】
　図３〜図８を参照しつつ、図１に示す裏面入射型ホトダイオード１の製造方法の一例を説明する。まず、表面Ｓ１及び裏面Ｓ２が（１００）面であるＮ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０を準備する。このＮ型半導体基板１０に熱酸化を施すことにより、Ｎ型半導体基板１０の表面Ｓ１にＳｉＯ２からなる絶縁膜を形成する。また、絶縁膜の所定部分を開口し、開口部からＮ型半導体基板１０にリンをドープすることによりＮ＋型高濃度不純物半導体領域２２を形成する。その後、Ｎ型半導体基板１０を酸化させて、表面Ｓ１に絶縁膜を形成する。また、絶縁膜の所定部分を開口し、開口部からＮ型半導体基板１０にボロンをドープすることによりＰ＋型不純物半導体領域１１を形成する。その後、Ｎ型半導体基板１０を酸化させて、表面Ｓ１に絶縁膜２３を形成する（図３（ａ））。
【００４２】
　次に、Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２を研磨して、Ｎ型半導体基板１０の裏面Ｓ２上に、ＬＰ−ＣＶＤによりＳｉＮ８２を堆積させる（図３（ｂ））。また、凹部１２を形成するために、裏面Ｓ２上のＳｉＮ８２に開口８５を形成する（図４（ａ））。そして、開口８５からＫＯＨ等によるエッチングを行うことにより凹部１２を形成する（図４（ｂ））。
【００４３】
　次に、ＳｉＮ８２を除去した後、
凹部１２が形成されたＮ型半導体基板１０の裏面Ｓ２側に対しイオン注入等を用いてＮ型不純物をドープすることにより、裏面Ｓ２側における表層全体にＮ
+
型高濃度不純物層２１を形成する
その後、熱酸化を施すことにより裏面Ｓ２側における表層全体に絶縁膜２４を形成する
（オ）　図１「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　イ　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開２００８−６６５８４号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
　本発明は、半導体基板の裏面から導入された光を電圧信号に変換する光センサに関し、より詳細には、長波長の赤外線を電圧信号に変換するのに適した光センサに関する。」
（イ）「【００１５】
　本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、被検出光を最大に効率良く利用し、高いＳ／Ｎ比を有した超小型かつ低消費電力で、長波長の赤外線を電圧信号に変換するのに適した光センサを提供することにある。」
（ウ）「【００２９】
　図１及び図２は、本発明の光センサの一実施例を説明するための断面図である。
　本発明の光センサ１は、半導体基板１０の表面に少なくとも第１導電型の半導体層２０を含む第１メサ２１と、少なくとも第２導電型の半導体層４０を含む第２メサ４１とが積層されたＰＮ又はＰＩＮフォトダイオードからなる光を吸収する部分２を有し、半導体基板１０の裏面から入射した光の輝度に応じた信号を電圧で出力するものである。
【００３０】
　そして、第２導電型の半導体層４０の表面の面積が、第１導電型の半導体層２０と半導体基板１０との接触面の面積よりも小さくなるような順メサ形状を備えている。
【００３１】
　なお、符号３０はＩ層、５０は保護層、６１は第１導電型の半導体層の電極、６２は第２導電型の半導体層の電極、７０は絶縁層、８０は反射層を示している。
【００３２】
　まず、半導体基板１０上に第１メサ２１及び第２メサ４１が形成される。この第１メサ２１は、第１導電型の半導体層２０を含むと同時に、この第１導電型の半導体層２０の電極６１が形成される部分を含んでいる。第２メサ４１は、第１メサ２１上に形成され、ＰＩＮフォトダイオードの場合、少なくともＩ層３０及び第２導電型の半導体層４０を含むが、ＰＮフォトダイオードの場合、少なくとも第２導電型の半導体層４０を含んでいる。また、両方の場合でも、第２メサ４１が第１導電型の半導体層２０の一部を含んでも良い。
【００３３】
　半導体基板１０上に、第１導電型の半導体層２０が形成されて、その上に光を吸収するＩ層３０が形成される。更にその上、第２導電型の半導体層４０が形成される。被検出光が半導体基板１０の裏面から入射し、Ｉ層３０まで進入した場合には、光はＩ層３０で吸収されて電子とホールが発生し、光センサの出力電圧が発生する。なお、符号１１は半導体基板１０の裏面の粗面を示している。」
（エ）「【００５５】
　
本発明の光センサでは、その使用時、光が入射する裏面は粗面１１であることが好ましい。
基板の裏面を粗面とすることで、基板へ入射する散乱光分（前方散乱分）を増すことが出来、光の損失が抑制される。
その裏面の粗度をコントロールすることで、大気と基板１０との界面で発生する光の反射を抑制することができ、ＰＮ又はＰＩＮ構造へ進入する光強度を高めることができる。
【００５６】
　更に、光が斜めに裏面に入射した場合、裏面が鏡面処理されていれば、光の大部分が外界へ反射され、光電変換されなくなるが、粗面の場合、斜めに入射した光が散乱されながら基板内部へ進むから、ＰＮ又はＰＩＮメサ部分まで進入することが可能となり、光の吸収が高められる。粗面のもう一つの効果は、図６を利用して説明する。図６に示した垂直光Ｐが基板１０の裏面に入射した場合、その光が基板１０の裏面に入射すると、一部が直進に進むが、一部の光線が散乱されて、他方向に進む。
直進に進んだ光はフォトダイオードに吸収されないが、散乱された光の一部がフォトダイオードに入り、光の吸収効率が高められる。これによって、センサの感度が改善される。
（オ）図１「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（カ）図６「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　ウ　周知例
　本願の優先日前に頒布された特開２００５−５６８７５号公報（以下、「周知例」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【００６７】
（太陽電池の製造方法）
以下、本発明にかかる太陽電池の製造方法における実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、ここで説明する製造方法は一例である。本発明の特質は、大きな凹凸を持つシリコン基板にパッシベーション膜を形成し、研削やエッチングにより凸部パッシベーション膜に開口部を設けることで裏面パッシベーション効果と印刷適合化を図ることにあり、太陽電池製造方法としてはここで説明する方法に限定されるものではない。
【００６８】
（太陽電池の製造方法における実施形態１）
本発明にかかる太陽電池の一の製造方法について、図１を参照しながら説明する。
まず、
シート状シリコン基板２の受光面（表面）側に反射防止のための微小な凹凸（シート状シリコン基板２の凹凸面上の凹部２ａおよび凸部２ｂ、２ｃと区別するためテクスチュア４と呼ぶ）をつけるために、
異方性エッチングを行なう
次に、
ｎ
＋
型層５を形成する。
ＰＳＧからシート状シリコン基板２中にリンが拡散されることで、受光面（表面）側にｎ＋型層５が形成される。
【００６９】
その後、
熱酸化法により
受光面（表面）側にパッシベーション膜６として酸化シリコン膜を形成する。
【００７０】
次に、図１（ｅ）に示すように、図１（ｄ）におけるパッシベーション膜６の凸部６ｂ，６ｃに開口部７を設けると同時に凹凸を緩和する。パッシベーション膜６の凸部６ｂ，６ｃの開口法については後述する。
【００７１】
次に、図１（ｆ）に示すように、受光面（表面）側に反射防止膜８として窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により２００ｎｍ堆積させる。反射防止膜の材料は窒化シリコンに制限されるものではなく、プラズマＣＶＤ法で形成した酸化シリコン膜、常温ＣＶＤ法で形成した酸化チタン膜、真空蒸着法で形成した酸化アルミニウム膜などを用いることができる。次に、図１（ｇ）に示すように、凹凸面側にアルミニウムペーストを印刷法により印刷し、焼成を行ない、凹凸面側開口部においてｐ＋型層１１を形成すると同時に裏面電極１０を形成する。その後、受光面（表面）側にＡｇペーストをグリッド状に印刷し、焼成を行ない、反射防止膜８とパッシベーション膜６をファイアスルーすることで受光面電極９を形成する。最後に、はんだディップを行ない、太陽電池を完成させる。」
（イ）図１「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（２）引用発明の認定
　ア　引用例１に記載された「Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２」、「Ｐ＋型不純物半導体領域１１」及び「絶縁膜２３」のそれぞれの構造について検討する。
　【００４１】の記載によれば、Ｎ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０を、まず、熱酸化して「表面Ｓ１」に「絶縁膜」を形成し、次に、該絶縁膜の所定部分を開口して、開口部からＮ型半導体基板１０にリンをドープすることにより「Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２」を形成し、次に、Ｎ型半導体基板１０を酸化させて、「表面Ｓ１」に「絶縁膜」を形成し、次に、該「絶縁膜」の所定部分を開口して、開口部からＮ型半導体基板１０にボロンをドープすることにより「Ｐ＋型不純物半導体領域１１」を形成し、次に、Ｎ型半導体基板１０を酸化させることで、「表面Ｓ１」の「絶縁膜２３」を形成していることから、「Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２」及び「Ｐ＋型不純物半導体領域１１」は、いずれも「Ｎ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０」にリン又はボロンをドープすることによって形成され、「絶縁膜２３」は、「Ｎ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０」、「Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２」又は「Ｐ＋型不純物半導体領域１１」を酸化して形成されたものと認められる。
　そして、「絶縁膜２３」は、「Ｎ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０」を酸化して得られるものであるから、その材質は「ＳｉＯ２」であることは明らかである。
　
　イ　引用例１に記載された「Ｎ+型高濃度不純物層２１」及び「絶縁膜２４」のそれぞれの構造について検討する。　
　【００４２】、【００４３】の記載によれば、凹部１２が形成されたＮ型半導体基板１０に、Ｎ型不純物をドープすることによって、まず、「Ｎ+型高濃度不純物層」が形成され、次に、該「Ｎ+型高濃度不純物層」を熱酸化することによって、「絶縁膜２４」が形成されたものであるから、イオン注入等を用いてＮ型不純物をドープして形成された「Ｎ+型高濃度不純物層」の表層の一部が熱酸化によって「絶縁膜２４」に改質され、該「Ｎ+型高濃度不純物層」の熱酸化によって改質されない残りの部分が、「Ｎ+型高濃度不純物層２１」となったものということができる。
　そして、「絶縁膜２４」は、「Ｎ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０」を熱酸化して得られるものであるから、その材質は「ＳｉＯ２」であることは明らかである。
　
　ウ　引用例１に記載された「Ｎ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０」の「表面（第１面）Ｓ１」と「裏面（第２面）Ｓ２」とは、シリコンウエハの表面と裏面であるから、互いに対向していることは明らかである。
　
　エ　引用例１に記載された「Ｎ型半導体基板１０に、Ｎ型不純物をドープすることによって」形成された「Ｎ+型高濃度不純物層」は、「Ｎ型半導体基板１０」よりも高い不純物濃度を有することは明らかである。
　
　オ　引用例１の記載及び上記のア〜エを総合勘案すると、引用例には、
　「互いに対向する表面（第１面）Ｓ１（以下、「表面Ｓ１」という。）及び裏面（第２面）Ｓ２（以下、「裏面Ｓ２」という。）を有するＮ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０において、
　表面Ｓ１に、Ｐ＋型不純物半導体領域１１と、Ｐ＋型不純物半導体領域１１と所定の距離を隔てて、Ｎ＋型高濃度不純物半導体領域２２と、ＳｉＯ２からなる絶縁膜２３とが形成され、
　裏面Ｓ２に、表面Ｓ１のＰ＋型不純物半導体領域１１に対向する領域には、被検出光の入射部となる凹部１２が形成され、
　裏面Ｓ２全体に、アキュムレーション層として機能する、Ｎ型半導体基板１０よりも高い不純物濃度を有するＮ＋型高濃度不純物層２１と、該Ｎ＋型高濃度不純物層２１上に、Ｎ＋型高濃度不純物層２１を熱酸化することによって形成されたＳｉＯ２からなる絶縁膜２４が形成され、
　裏面Ｓ２上には、裏面Ｓ２を保護する保護層及び凹部１２へと入射する被検出光を透過させる透過窓材として機能する被覆層１３が設けられ、
　絶縁膜２３上の開口２３ａ，２３ｂを含む領域には、それぞれアノード電極２５及びカソード電極２６が形成され、
　Ｎ型半導体基板１０の表面Ｓ１の絶縁膜２３、アノード電極２５及びカソード電極２６を覆うように設けられたパッシベーション膜３１が形成され、
　該パッシベーション膜３１上に支持膜３２が形成され、
　該パッシベーション膜３１のうちアノード電極２５及びカソード電極２６上に設けられた部分に、貫通孔３１ａが形成され、貫通孔３１ａには、充填電極３３ａ，３３ｂが充填され、
　充填電極３３ａ，３３ｂは、Ｐ＋型不純物半導体領域１１及びＮ＋型高濃度不純物半導体領域２２と電気的に接続され、
　充填電極３３ａ，３３ｂの他端は、ともに支持膜３２の表面に露出し、
　充填電極３３ａ，３３ｂの支持膜３２表面に露出する部分には、ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ）３４ａ，３４ｂが形成され、
　ＵＢＭ３４ａ，３４ｂの充填電極３３ａ，３３ｂと反対側の面上には、バンプ３５ａ，３５ｂが形成された裏面入射型ホトダイオード１。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）引用例２、周知例の記載事項
　ア　引用例２について
　引用例２には、光センサの感度を改善するために、光センサの半導体基板に入射する散乱光分（前方散乱分）を増し、光の損失を抑制し、半導体基板のＰＮ又はＰＩＮ構造へ進入する光強度を高め、光の吸収効率を高めるために、光が入射する半導体基板の面を粗面とすることが開示されていると認められる。
　また、上記粗面とは、散乱光分を増すものであるから、不規則な凹凸が形成されたものであることは明らかである。
　
　イ　周知例について
　周知例には、受光面に反射防止のための凹凸（テクスチュア４）を備えた太陽電池のシート状シリコン基板２が記載され、その形成は、
　まず、太陽電池のシート状シリコン基板２を異方性エッチングして、その受光面に反射防止のための微小な凹凸（テクスチュア４）を付け、
　次に、該微小な凹凸（テクスチュア４）にリンを拡散させて、ｎ＋型層を形成し、
　次に、該ｎ＋型層を熱酸化してｎ＋型層に酸化シリコン膜を形成することによって行われる、
　微小な凹凸（テクスチュア４）を備えた、ｎ＋型層及び酸化シリコン膜を有するシート状シリコン基板２が開示されていると認められる。
　また、技術常識によれば、「ｎ＋型層」は、「シリコン基板２」よりも高濃度不純物層であることは明らかであり、「酸化シリコン膜」は、絶縁層であって、「微小な凹凸（テクスチュア４）」は、「ｎ＋型層」及び「酸化シリコン膜」及び「シート状シリコン基板２」の全てに形成されていることも明らかである。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「Ｎ型」、「Ｎ型半導体」、「Ｐ型」、「表面（第１面）Ｓ１（表面Ｓ１）」、「裏面（第２面）Ｓ２（裏面Ｓ２）」、「被検出光」、「裏面入射型ホトダイオード」は、本願発明の「第１導電型」、「第１導電型の半導体」、「第２導電型」、「第１主面」、「第２主面」、「光」、「フォトダイオード」にそれぞれ相当する。
　イ　引用発明の「表面Ｓ１」に形成された「Ｐ＋型不純物半導体領域１１」は、本願発明の「第１主面側」の「第２導電型の半導体領域」に相当する。
　ウ　引用発明の「互いに対向する表面（第１面）Ｓ１及び裏面（第２面）Ｓ２を有するＮ型シリコンウエハからなるＮ型半導体基板１０」は、本願発明の「第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面及び第２主面を有する」「シリコン基板」に相当する。
　エ　引用発明の「Ｎ型半導体基板１０」の「裏面Ｓ２全体に、アキュムレーション層として機能する、Ｎ型半導体基板１０よりも高い不純物濃度を有するＮ＋型高濃度不純物層２１」が「形成され」ていることは、本願発明の「シリコン基板には、第２主面側に前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層が形成されている」ことに相当し、引用発明の「アキュムレーション層として機能する、Ｎ型半導体基板１０よりも高い不純物濃度を有するＮ＋型高濃度不純物層２１」は、本願発明の「第１導電型のアキュムレーション層」に相当する。
　オ　引用発明の「裏面Ｓ２」には、「被検出光の入射部となる凹部１２が形成され」ており、裏面Ｓ２から入射する被検出光が、Ｎ型半導体基板を進むことで、被検出光を検出するものであることは明らかであるから、引用発明の「裏面Ｓ２」は、本願発明の「第２主面が光入射面とされ」る構成に相当し、引用発明の「裏面入射型光検出素子」は、本願発明の「第２主面から入射した光がシリコン基板内を進む、裏面入射型である」点で共通する。
　カ　引用発明の「裏面Ｓ２」に形成された「ＳｉＯ２からなる絶縁膜２４」は、光を透過するものであることは明らかであるから、引用発明の「裏面Ｓ２」に形成された「Ｎ＋型高濃度不純物層２１」と本願発明の「第２導電型の前記半導体領域に対向する領域」の「不規則な凹凸が形成された領域」とは、光学的に露出している点で共通する。
　キ　引用発明は、「Ｎ＋型高濃度不純物層２１」上にＮ＋型高濃度不純物層２１を熱酸化することによって形成されたＳｉＯ２からなる「絶縁膜２４」を備えているところ、本願発明は、「シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層」上に、絶縁膜を設けることを排除するものではなく、しかも、技術常識によれば、「シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する」層の表面は、空気中の酸素によって容易に酸化されて、ＳｉＯ２からなる絶縁層を形成することは明らかであるから、引用発明が「絶縁膜２４」を備えることは、本願発明との相違点にはならない。
　ク　引用発明は、「アノード電極２５」、「カソード電極２６」、「パッシベーション膜３１」、「支持膜３２」、「貫通孔３１ａ」、「充填電極３３ａ、３３ｂ」、「ＵＢＭ３４ａ、３４ｂ」及び「バンプ３５ａ、３５ｂ」を備えているところ、本願発明は、これらの構成を備えることを排除するものではない。
　
　ケ　そうすると、上記ア〜クから、本願発明と引用発明とは、
「第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面及び第２主面を有すると共に前記第１主面側に第２導電型の半導体領域が形成されたシリコン基板を備え、
　前記シリコン基板には、前記第２主面側に前記シリコン基板よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層が形成され、
　前記アキュムレーション層は光学的に露出し、
　前記第２主面が光入射面とされて、前記第２主面から入射した光が前記シリコン基板内を進む、裏面入射型であるフォトダイオード。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　「アキュムレーション層」の「第２導電型の半導体領域に対向する領域」の「表面」について、本願発明は、「不規則な凹凸が形成されて」いるのに対し、引用発明の「Ｎ＋型高濃度不純物層２１」に不規則な凹凸が形成されることは規定されていない点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　引用例１には、「より高感度な裏面入射型ホトダイオード１が実現されている。」（（ウ）【００３９】）と記載されているように、引用発明の「裏面入射型光ホトダイオード」は、より高感度に構成するという課題を有することは明らかである。
　そうすると、光センサの感度を改善するために、光センサの半導体基板へ入射する散乱光分（前方散乱分）を増し、光の損失を抑制するために、光が入射する半導体基板の面を不規則な凹凸を形成することが開示された引用例２に接した当業者は、引用発明において、「裏面入射型光ホトダイオード」の感度を改善するために、「Ｎ型半導体基板１０」へ入射する散乱光分（前方散乱分）を増すように構成すること、すなわち、引用発明の「裏面入射型光ホトダイオード」の「Ｎ型半導体基板１０」の被検出光が入射する面に、不規則な凹凸を形成することが望ましいと理解するというべきである。
　そして、引用発明の「裏面入射型光ホトダイオード」の「Ｎ型半導体基板１０」の被検出光が入射する面に凹凸を形成するに際して、引用発明のような、高濃度不純物層及び高濃度不純物層の熱酸化によって形成された絶縁体層を有する半導体基板においては、凹凸が、半導体基板、高濃度不純物層及び絶縁体層の全てに形成されることは周知例に示されるように周知であるから、引用発明の「裏面Ｓ２」の「アキュムレーション層として機能する」「Ｎ＋型高濃度不純物層２１」の光の入射面、すなわち、「Ｐ＋型不純物半導体領域１１」に対向する「Ｎ＋型高濃度不純物層２１」の領域の表面に不規則な凹凸を形成することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
５．当審の拒絶理由通知とそれに対する請求人の応答について
　平成２６年７月２３日付けの手続補正書の請求項８の「前記第２主面における少なくとも第２導電型の前記半導体領域に対向する領域に不規則な凹凸がパルスレーザ光の照射により形成されており」という記載は、「不規則な凹凸」について、「パルスレーザ光の照射により」という製造に関して技術的な特徴や条件が付されたものであり、「不規則な凹凸」の構成が不明確といえるものであったために、平成２７年７月９日付けで当審において特許法第３６条第６項第２号違反の拒絶理由を通知した。
　これに対し、平成２７年９月９日付けの手続補正書によって、上記「パルスレーザ光の照射により形成されており」という発明特定事項を削除する補正がされたことで、該「不規則な凹凸」はその形成方法は特定されないものとなったことから、原審の拒絶査定を維持せざるを得なくなり、本審決をするに至った。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。