【事件の表示】
　特願２０１２−５１８２７３「電極箔および有機デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月　８日国際公開、ＷＯ２０１１／１５２０９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　事案の概要
１　手続の経緯
　本願は，特許法１８４条の３第１項の規定により，２０１１年（平成２３年）３月１日にされたとみなされる特許出願であって（優先権主張　平成２２年６月４日），その後の手続の概要は，以下のとおりである。
平成２６年　１月２１日：手続補正書
平成２６年１１月２５日：拒絶理由通知（同年同月２８日発送） 
平成２７年　１月２２日：意見書 
平成２７年　１月２２日：手続補正書 
平成２７年　６月２６日：拒絶査定（同年同月３０日送達） 
平成２７年　９月１７日：手続補正書（以下「本件補正」という。） 
平成２７年　９月１７日：審判請求 
２　本件補正について
(1)　本件補正の内容
ア　平成２７年１月２２日提出の手続補正書による手続補正によって補正された（以下「本件補正前」という。）特許請求の範囲の請求項１，４，５及び８は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　少なくとも金属箔を備えてなり，１〜１５０μｍの厚さを有する電極箔であって，
　前記電極箔の少なくとも一方の最表面が，ＪＩＳ　Ｂ　０６０１−２００１に準拠して測定される，０．５ｎｍ以上７．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する超平坦面である，電極箔。」
「【請求項４】
　フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる，請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極箔。
【請求項５】
　少なくとも前記超平坦面側に絶縁層を有しない，請求項１〜４のいずれか一項に記載の電極箔。」
「【請求項８】
　前記金属箔が，銅箔である，請求項１〜７のいずれか一項に記載の電極箔。」
イ　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである。（下線は，当審が付した。）
「【請求項１】
　少なくとも
銅箔
　前記電極箔の少なくとも一方の最表面が，ＪＩＳ　Ｂ　０６０１−２００１に準拠して測定される，０．５ｎｍ以上７．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する超平坦面であ
り，かつ，前記電極箔が少なくとも前記超平坦面側に絶縁層を有しない，フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる
(2)　補正について
　本件補正は，本件補正前の特許請求の範囲について補正しようとするものであるところ，本件補正前の請求項８は，請求項１〜７の記載を選択的に引用して記載されたものである。そして，本件補正前の請求項５は，請求項１〜４の記載を選択的に引用して記載され，本件補正前の請求項４は，請求項１〜３の記載を選択的に引用して記載されたものである。したがって，本件補正前の請求項１の記載を引用して記載された本件補正前の請求項４の記載を引用して記載された本件補正前の請求項５の記載を引用して記載された本件補正前の請求項８に係る発明と，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正後発明」という。）は，発明として相違するところがないから，本件補正後の請求項１は，本件補正前の請求項８を，独立形式に書き改めて記載したものである。そうしてみると，本件補正は，本件補正前の請求項１を削除して，本件補正前の請求項８を本件補正後の請求項１にしたものであるから，本件補正前の請求項１の補正という観点からみれば，本件補正は，特許法１７条の２第５項１号に掲げる，特許法３６条５項に規定する請求項の削除を目的とする補正である。
　したがって，請求項１に係る本件補正は適法になされたものである。
３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，概略，この出願の請求項８に係る発明は，本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において，頒布されたまたは電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用例１．特開２００６−３３１６９４号公報
引用例６．特開２００２−１５８５９号公報
引用例７．国際公開第２０１０／０００２２６号
引用例８．特開２００８−２４３７７２号公報
第２　当審判体の判断
１　引用例の記載及び引用発明
(1)　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−３３１６９４号公報（以下，「引用例１」という）には，以下の事項が記載されている。 
ア　「【請求項１】
　
一対の電極間に設けられる発光層を基板に積層して形成される有機発光素子
イ　「【請求項７】
　
少なくとも一部が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有し，且つ発光層側の表面の平均表面荒さが５０ｎｍ以下であり
基板の発光層側の表面が，７０％以上の全光線反射率を有することを特徴とする有機発光素子用基板
ウ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，有機発光素子及びこの有機発光素子に使用される基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）は，フラットパネルディスプレイ，液晶表示機用バックライトや照明用光源等に用いられている。この有機発光素子は，一対の電極間に有機発光層，および必要に応じてその他の機能を有する層を積層した構造を有し，これを基板の上に設けて形成されているものであり，一対の電極のうち少なくとも一方の電極を光透過性とすることで，当該電極を通して有機発光層で発生した光を素子外に取り出すことが可能である。そして，基板が光透過性である場合には，基板上の電極を光透過性のものとすることで基板を通して光を取り出し，基板が不透明である場合には，基板上の電極と対向する電極を光透過性のものとして基板と反対側に光を取り出す構造が一般に用いられている。また基板上に形成された有機発光素子は，形成後に雰囲気中の水分および酸素等の影響を受けて特性が低下するため，通常，ガラスや金属による封止缶を不活性ガス充填状態で貼付することで雰囲気バリアを形成し，これらの悪影響から素子を保護するようにしている。
【０００３】
　しかし，この雰囲気バリアを，封止缶を用いて形成した場合には，封止缶と基板の間に気体層が形成されることになり，通電時に有機発光素子に生じた熱を十分に放散させることができなくなる。有機発光素子の高輝度発光時，特に大面積発光の有機発光素子の高輝度発光時には，熱の発生も相当量のものとなり，その結果，発光ムラ，熱による寿命の短縮，また，最悪の場合には有機発光素子自体の破壊にまでつながるおそれがある。最近の材料進化により，有機発光素子の発光効率は向上しているが，たとえ蛍光灯並みの１００ｌｍ／Ｗに到達した場合にも依然として投入電力の半分以上は熱に変換されてしまうために，発熱の影響を完全に回避することは実質的に不可能である。また複数の有機発光素子を導電層や絶縁層からなる中間層を介して積層した新規デバイス構造により，一定輝度を得るための通電電流を数分の一に低減し，寿命を延ばした例も報告されているが，この場合にも発熱による寿命の短縮や，素子破壊の可能性は原理的に完全には回避できないのが事実である。」
エ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり，発光時に発生する熱の悪影響を抑えることができ，発光ムラのない均一発光を実現することができる共に，かつ寿命の短縮や素子破壊の可能性を低減することができる有機発光素子及び有機発光素子用基板を提供することを目的とするものである。」
オ　「【発明の効果】
【００１４】
　本発明によれば，基板は１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有するので，通電・発光時に発生する熱は基板を通して放熱することができ，熱の悪影響を抑えて，発光ムラのない均一発光を実現することができると共に，かつ寿命の短縮や素子破壊の可能性を低減することができるものである。また基板は発光層側の表面の平均表面荒さが５０ｎｍ以下であり，さらに，基板の表面に電極が形成されているときには電極の発光層側の表面が，あるいは基板の表面に電極が形成されていないときには基板の発光層側の表面が，７０％以上の全光線反射率を有するので，発光層で発光した光を高効率で反射させて素子外に出射させることできるものである。」
カ　「【００１６】
　図１は一対の電極１，２の間に有機発光層３を積層して形成される有機発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）の構造の一例を示すものであり，一対の電極１，２のうち一方の電極（陰極）１を基板４の表面に積層し，電極１の表面上に電子注入・輸送層５を介して発光層３を積層すると共に，さらにこの発光層３の上にホール注入・輸送層６を介して他方の電極（陽極）２が積層してある。また基板４の表面に積層されるこれらの積層物を封止部材７で覆うことによって，封止するようにしてある。そしてこのものでは，発光層３で発光した光は，透明電極として形成される電極２を通し，さらに透明体で形成される封止部材７を通して放射されるようになっている。勿論，この構造はあくまでも一例であり，本発明の趣旨に反しない限り図１の構造に限定されるものではない。
【００１７】
　そして本発明は，基板４として１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有するものを用いるものである。基板４の全体が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する素材で形成されることが好ましいが，基材４の少なくとも一部（半分以上であることが望ましい）が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する素材で形成されていればよい。このように基板４として１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有するものを用いることによって，有機発光素子に通電して発光させる際に発生する熱を基板４を通して放熱することができるものであり，大面積の有機発光素子に対して高い電流密度で通電した場合にも，熱の悪影響を抑えることができ，発光ムラのない均一発光を実現することができると共に，寿命の短縮や素子破壊の可能性を低減することができるものである。熱伝導率が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満である場合には，このような効果を十分に得ることができない。また基板４の熱伝導率は高い程好ましく，従って，基板４の熱伝導率の上限は特に設定されない。
【００１８】
　１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有し，かつ導電性の基板４としては，特に限定されるものではないが，銅，アルミニウム，ステンレス，銀，鉄，ニッケル，ニッケル鉄合金などの金属や，シリコン等を挙げることができるものであり，板，箔，その他の形状の構造体で使用することができる。
【００１９】
　また，１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有し，かつ電気絶縁性の基板４としては，窒化アルミニウム，炭化シリコン，アルミナ等のセラミックなどを挙げることができるものであり，板，その他の形状の構造体で使用することができる。また，高熱伝導率の粒子や繊維などを母材に混合することで１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を得ることができるものであれば，例えば金属粒子練り込みフィルム，カーボン練り込み樹脂シート等も基板４として使用可能である。
【００２０】
　本発明において基板４の発光層３を積層する側の表面が平均荒さ５０ｎｍ以下の平滑面であることも必要である。基板４の表面をこのように平均荒さ５０ｎｍ以下の平滑面に形成することによって，発光層３で発光した光を高効率で反射させて，透明電極として形成される電極２から外部に出射させることできるものであり，光の取出し効率を高めることができるものである。基板４の表面が平均荒さ５０ｎｍを超える面であると，このような効果を十分に得ることができない。また基板４の表面の平均荒さは小さいほど好ましく，理想的には０である。基板４の表面を平滑化する手段は特に限定されないが，例えば電解研磨，機械的研磨，電気化学的研磨，化学的機械的研磨，化学研磨その他任意の研磨方法を用いることができる。あるいは，圧延その他の成型時に表面平滑性を確保する方法，平面転写による平滑化，平滑化膜の挿入など任意の手段を使用することも可能である。ここで，本発明において
平均面荒さとは，３００ｎｍ□（一辺が３００ｎｍの正方形）の小領域において，その領域の荒さ中心線Ｌ（図４に示すように凹凸の高さの中心線Ｌ）に対する値で評価した値である
【００２１】
　基板４が電気絶縁性である場合には，図１の実施の形態のように，一対の電極１，２のうち一方の電極１が基板４の表面に形成されるが，
基板４が導電性で
一対の電極１，２のうち一方の電極１をこの基板４で兼用する
基板４の表面に電極１を形成する必要がなく
キ　「図２（ａ）
」
ク　「【００２７】
　また，本発明の有機発光素子に用いる基板４は，発光層３を積層する側の表面に凹凸形状を有していてもよい。凹凸形状の大きさは，図５（ａ）のように，隣合う凹部１０の平均ピッチＰが１００ｎｍ〜３００μｍで，凹部１０の平均深さＤがこの平均ピッチＰの２分の１以下になるように形成するのが好ましい。このように基板４の表面に凹凸を付与することによって，基板４の表面積が増大し，また基板４の表面での乱反射によって，光の取出し効率の向上が実現できるものである。凹部１０の平均ピッチＰが１００ｎｍ未満であると，光の取出し効率を向上させる効果が小さく，平均ピッチＰが３００μｍを超えると，光の散乱効果が小さくなって，結果として光の取り出し効率を向上させる効果が小さくなる。また凹部１０の平均深さＤが平均ピッチＰの２分の１を超えると，基板４に積層する発光層３など有機発光素子を構成する有機膜が十分に追随することができなくなって欠陥の原因となるため好ましくない。光の取出し効率を向上させる効果を十分に得るためには，凹部１０の平均深さＤは５０ｎｍ以上，もしくは平均ピッチＰの１０分の１以上であることが望ましい。
【００２８】
　上記の凹凸を基板４に形成するにあたっては，例えば，基板４の表面もしくは基板４の表面に加工層として形成した層に対して，サンドブラスト加工，フロスト加工，スタンプ加工，エッチング加工，エンボス加工等によって形成する方法や，有機系樹脂，ガラス等の母材に，樹脂ビーズ，ガラス，中空ガラスビーズ，シリカ，酸化バリウム，酸化チタン，樹脂ビーズ等の各種粒子を散在させたものを，塗布，ゾルゲル法等によって成膜し，表面凹凸を有する膜を設ける方法，フォトレジスト等を用いて凹凸パターンを設ける方法，マスクを用いて所定の厚みの構造体を形成する方法，等を用いて行なうことができる。また基板４の表面に直接凹凸を形成せず，他の基材上に凹凸を形成したものを転写，貼付等各種の方法によって行なうことも可能である。凹凸のパターンは，ランダムなものでも良いし，必要に応じてそのサイズが規定された回折格子，ゾーンプレートなどでも構わない。また，所望の発光波長に応じて，サイズ，パターン，向きを任意に選択し，基板４上の所定の位置にそれぞれ形成してもかまわない。
【００２９】
　ここで，基板４の表面に付与する凹凸と，基板４の表面の平均表面荒さの関係について説明する。すなわち請求項１において，基板４の平均表面荒さを５０ｎｍ以下に規定したが，これは３００ｎｍ□というミクロの領域において，局所的な凹凸がない状態を意味している。一方，請求項５の凹凸はいわゆる表面のうねりであり，そのうねりを有する表面は表面平均荒さ５０ｎｍ以下の平滑な面に形成されているということを意味するものである。つまり基板４の表面は，図５（ｂ）のようにミクロの領域では表面平均荒さ５０ｎｍ以下の微細な凹凸はあるが，図５（ａ）のようにマクロ的には平滑な表面に形成されているものである。この状態の表面形状は，有機発光素子の短絡，欠陥の原因となる膜厚方向の突起もしくは凹みではなく，基板４の表面に曲面を有するととらえることが可能である。」
ケ　「【実施例】
【００３７】
　次に，本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００３８】
　（基板Ａの作製）
　１００ｍｍ□，厚み０．３ｍｍの銅板の表面を研磨し，基板Ａとした。セイコーインスツル株式会社製プローブ顕微鏡「ＳＰＩ３８００Ｎ」を用いて，この基板Ａの表面の３００ｎｍ□エリアでの平均面荒さ（Ｒａ）を測定したところ，３８ｎｍであった。また，この基板Ａの熱伝導率は４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。」
コ　「【００４４】
　（実施例１）
　基板Ａを真空蒸着装置にセットし，基板Ａの全面にアルミニウムを１０００Å厚に蒸着した。形成したアルミニウム膜の全光線反射率は約９０％であった。次いで，基板Ａの表面に９ｃｍ□の開口部を有するマスクを重ね，バソクプロインとセシウムを１：１のモル比で２００Å，トリス（８−ヒドロキシキノリナ−ト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を１００Åの厚みで成膜し，電子注入・輸送層を形成した。次いで緑色発光層として，Ａｌｑ３にクマリンを１質量％ドープした層を５００Å厚で積層することによって，有機発光層を設けた。さらに，４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を４００Å厚で，α−ＮＰＤと酸化バナジウムを２：１のモル比で共蒸着した層を２００Åで設け，ホール輸送・注入層を形成した。続いて，８ｃｍの開口部を有するマスクを用いて，ＩＴＯを１０００Å厚にスパッタリングによって成膜し，陽極の透明電極を形成し，有機発光素子を得た。」
(2)　引用発明
　上記(1)からみて，引用例１には，請求項７に記載の有機発光素子用基板において，段落【００２１】に記載のように基板が導電性で電極をこの基板で兼用する場合として，以下の発明が記載されている。（以下，「引用発明」という。）
「【請求項１】一対の電極間に設けられる発光層を基板に積層して形成される有機発光素子の【請求項７】有機発光素子用基板であって，
【請求項７】少なくとも一部が１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有し，且つ発光層側の表面の平均表面荒さが５０ｎｍ以下であり，
【００２０】平均面荒さとは，３００ｎｍ□（一辺が３００ｎｍの正方形）の小領域において，その領域の荒さ中心線Ｌ（図４に示すように凹凸の高さの中心線Ｌ）に対する値で評価した値であり，
【００２１】基板４が導電性で，一対の電極１，２のうち一方の電極１をこの基板４で兼用し，基板４の表面に電極１を形成する必要がなく
【請求項７】基板４の発光層側の表面が，７０％以上の全光線反射率を有する有機発光素子用基板。」
２　対比 
　本件補正後発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
（1）　電子デバイス，支持基材
　引用発明の「有機発光素子用基板」は，「一対の電極間に設けられる発光層」が積層されて「有機発光素子」が形成されるものである。ここで，引用発明の「有機発光素子」は，本件補正後発明の「電子デバイス」に相当する。したがって，引用発明の「有機発光素子用基板」は，本件補正後発明の「電子デバイス用の支持基材」に相当する。
（2）　アノード，カソード
　引用発明の「有機発光素子用基板」は，「導電性で，一対の電極１，２のうち一方の電極１を」「兼用し，基板４の表面に電極１を形成する必要がな」い。ここで，引用発明の「一対の電極１，２」は，本願補正後発明の「アノード」及び「カソード」に相当する。したがって，引用発明の「有機発光素子用基板」は，本願補正後発明の「電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる」との要件を満たす。
（3）　最表面，超平坦面
　引用発明の「有機発光素子用基板」の「発光層側の表面」は，「平均表面荒さが５０ｎｍ以下」であり，所定の「平坦面」を有する。したがって，引用発明の「有機発光素子用基板」の「発光層側の表面」は，本件補正後発明の「少なくとも一方の最表面」に相当し，「平坦面」を有する点で共通する。
（4）　絶縁層
　引用発明の「有機発光素子用基板」は，「導電性で，一対の電極１，２のうち一方の電極１をこの基板４で兼用」している。「有機発光素子」において，「電極」と「発光層」は，電気的に接続する必要があるから，その間に「絶縁層」は設けられない。上記（3）のとおり，引用発明の「有機発光素子用基板」の「発光層側の表面」は，所定の「平坦面」を有する。したがって，引用発明の「有機発光素子用基板」は，本願補正後発明の「少なくとも前記」「平坦面側に絶縁層を有しない」との要件を満たす。この点は，引用例１の図２（ａ）からも見て取れる事項である。
（5）　電極箔
　したがって，引用発明の「基板４」は，本願補正後発明の「電極箔」と，「電極」という点で共通し，上記(1)〜（4）の範囲で本願補正後発明の「電極箔」についての要件を満たす。
３　一致点 
　本件補正後発明と引用発明は，以下の構成において一致する。 
「電極であって，
　電極の少なくとも一方の表面が平坦面であり，かつ，電極が少なくとも平坦面側に絶縁層を有しない，電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる，電極。」
　
４　相違点 
　本件補正後発明と引用発明は，以下の点で相違する。
（1）　相違点１ 
　本件補正後発明の「電極箔」は，「少なくとも銅箔を備えて」いるのに対して，引用発明の「有機発光素子用基板」は，銅箔を備えているか，必ずしも明確ではない点。 
　
（2）　相違点２ 
　本件補正後発明の「電極箔」は，「１〜１５０μｍの厚さを有する」「箔」であり，「フレキシブル電子デバイス用の支持基材」であるのに対して，引用発明の「有機発光素子用基板」の厚さがそのような厚さの「箔」であるか，引用発明の「有機発光素子用基板」が，「フレキシブル電子デバイス」用の支持基材であるか，必ずしも明確ではない点。
（3）　相違点３
　本件補正後発明の「電極箔」は，「電極箔の少なくとも一方の最表面が，ＪＩＳ　Ｂ　０６０１−２００１に準拠して測定される，０．５ｎｍ以上７．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する超平坦面」であるのに対して，引用発明の「有機発光素子用基板」の「発光層側の表面」は，「平均表面荒さが５０ｎｍ以下」であるが，本件補正後発明の粗さの要件を満たすのか否か，必ずしも明確ではない点。
５　判断 
（1）　相違点１，２について 
ア　基材の材料として銅を用いることについて
　引用例１には，「１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有し，かつ導電性の基板４として」「銅，アルミニウム，ステンレス，銀，鉄，ニッケル，ニッケル鉄合金などの金属」（段落【００１８】）が挙げられており，実施例においても，基板に銅を用いている（段落【００３８】，【００４４】）。このような引用例１の記載に基づいて引用発明を具体的に把握した当業者において，引用発明の基材の材質が銅であることは，記載されているに等しい事項である。よって，基材の材料として銅を用いることは，実質的な相違点ではない。
　あるいは，引用発明において「基材」を形成するに際して，引用例１の段落【００１８】や実施例などの記載や示唆に基づいて，引用発明の「基材」を「銅」で形成することは，当業者が容易にできたことである。
イ　基材を「１〜１５０μｍの厚さを有する」「箔」とすることについて
　引用例１には，「１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有し，かつ導電性の基板４として」「板，箔，その他の形状の構造体で使用することができる」（段落【００１８】）と記載されている。引用例１の実施例においては「厚み０．３ｍｍの銅板」（段落【００３８】）を用いている。
　引用例１には，「箔」の形状の構造体で使用することが記載されており，その厚さは明確ではないが，板の「厚み０．３ｍｍ」よりは薄いものと考えられる。さらに，引用例１には，「金属箔を用いた」とする「特許文献４」（特開２００２−１５８５９号公報：原査定における引用文献６）が示されており（段落【０００５】），特開２００２−１５８５９号公報においては基板の厚みを一例として５０μｍとしている（段落【００５９】）。
　さらに，有機発光素子の分野において，基板の厚みを５０μｍなどとすること，基材が薄いほど軽量化や可撓性が高まることなどは，広く知られ，当業者が当然考慮する事項である。（例えば，特開２００２−１５８５９号公報の段落【００２７】，国際公開第２０１０／０００２２６号（原査定における引用文献７）の８頁１０〜２６行目参照。）
　したがって，引用発明において，引用例１の基材を「箔」とするなどの記載や示唆に基づいて，有機発光素子の軽量化や可撓性を高めることを目的として，「厚み０．３ｍｍ」よりも薄くして，「１〜１５０μｍの厚さ」の「箔」とすることは，当業者が容易にできたことである。
ウ　「フレキシブル電子デバイス用」の基板とすることについて
　本件補正後発明は，フレキシブル電子デバイス用の支持基材として用いられる「電極箔」に関するものであり，その他の構造が電極箔上に形成されて構成される最終的な電子デバイスがフレキシブルとなるか否かは，他の構造にも依存する。フレキシブル電子デバイス用の支持基材の厚みは所定の薄さが求められるが，厚み以外には「電極箔」の構造を特定するものではない。引用発明において，基材の厚みを本願補正後発明の「１〜１５０μｍの厚さ」とすることは上記イのとおりであり，「フレキシブル電子デバイス用」という構成はそれ以外の相違点を生じるものではない。
　あるいは，薄い基板を用いて可撓性を備えた有機発光装置を形成することも，当該分野において広く知られたことである。（例えば，特開２００２−１５８５９号公報の段落【０００４】など参照。）
　したがって，引用発明における有機発光素子用基板をフレキシブルな有機発光素子の基板に用いることは，当業者が容易にできたことである。
エ　まとめ
　したがって，上記ア〜ウのとおり，引用発明において，「基材」を「１〜１５０μｍの厚さを有する」「銅箔」として，「フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ね」る「電極箔」とすることは，当業者が容易にできたことである。
（2）　相違点３について 
　引用発明は，「有機発光素子用基板」の「表面の平均表面荒さが５０ｎｍ以下」としており，引用例１には，「基板４の表面の平均荒さは小さいほど好ましく，理想的には０である。」（段落【００２０】）と記載されている。したがって，引用発明において，より有機発光素子用基板の表面の平滑化をすることは，引用例１の記載に接した当業者が当然行うべき事項である。そして，引用例１の段落【００２０】には，基板４の表面を平滑化する手段として化学的機械的研磨などが挙げられているところ，化学的機械的研磨において表面粗さを数ｎｍのオーダーとすることは，現実的な範囲内で可能である。一方で，上記引用例１の段落【００２０】にも「理想的には」とあるように，原子のサイズなど様々な制約条件から平坦化には限界があり，例えば，０．６ｎｍ（銅原子半径の５倍）より小さいオーダーで表面の粗さを平坦化することは，現実的な範囲では当業者は行わないものと考えられる。よって結果的には，表面の平均荒さは本願補正後発明の数値範囲に含まれることとなり，相違点３については実質的な相違点ではない。
　なお，例えば，特開２００７−１４２３７７号公報には，ＣＭＰによる銅研磨により表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を２．７ｎｍなどとすることが（段落【００４０】など），特開２００４−３２０００６号公報には，銅で形成されるゲート電極の表面の粗さＲａをＣＭＰ研磨で３．８ｎｍなどとすることが（【実施例１】など）記載されている。
　あるいは，有機発光素子の分野において，電極の表面粗さを本願補正後発明の程度の極めて小さい値とすることは一般的に行われている事項である。例えば，特開２００４−６２２１号公報（原査定における引用文献２）の【００５７】，各表，特開２００４−８７４５１号公報（原査定における引用文献３）の各表，特開２００６−２６９２２４号公報（原査定における引用文献４）の【００３４】などには，電極の表面粗さＲａ（中心線平均粗さ。なお，中心線平均粗さは，算術平均粗さＲａと実質的に同程度の値を示す。特開２００７−１６９５３７号公報の段落【００５３】を参照。）を１．５ｎｍ以下などの極めて小さい値とすることが記載されている。
　上記のとおり，引用例１には，「基板４の表面の平均荒さは小さいほど好ましく，理想的には０である。」（段落【００２０】）と記載されている。したがって，引用発明において，表面の粗さを本願補正後発明の範囲内とすることは，引用例１の示唆に従い，現実的な範囲で理想を追求した当業者が当然なしうる事項である。
　なお，引用発明は，「平均面荒さ」を「３００ｎｍ□（一辺が３００ｎｍの正方形）の小領域において」評価しており，「ＪＩＳ　Ｂ　０６０１−２００１」における８０μｍなどの基準長さと必ずしも一致しない。本願補正後発明には，「ＪＩＳ　Ｂ　０６０１−２００１に準拠して測定される」と記載されている。しかし，本願の明細書の実施例では，粗さの「測定は，１０μｍ平方の範囲について」行っており（段落【００５２】など），「ＪＩＳ　Ｂ　０６０１−２００１」の基準長さと必ずしも一致するものではなく，本願補正後発明の「準拠」は，必ずしも完全に沿うことを意味するものではない。「算術平均粗さＲａ」は，その計算方法からみて，測定領域を多少変更しても大差ない値が得られることは明らかであるから，評価領域の大小等の測定条件の相違に関わらず引用発明において，表面の粗さを本願補正後発明の範囲内とすることは，引用例１の示唆に従い，現実的な範囲で理想を追求した当業者が当然なしうる事項といえる。
６　効果について 
　発明の効果に関して，本願の発明の詳細な説明には，「本発明者は，今般，金属箔の少なくとも一方の表面を極度に平坦化することで，支持基材，電極および反射層としての機能を兼ね備え，かつ，熱伝導性に優れた，フレキシブル電子デバイスに有用な電極箔が得られるとの知見を得た。」（段落【００１１】），「したがって，本発明の目的は，支持基材，電極および反射層としての機能を兼ね備え，かつ，熱伝導性に優れた，フレキシブル電子デバイスに有用な電極箔を提供することにある。」（段落【００１２】）と記載されている。
　しかしながら，本件補正後発明が奏する効果は，引用発明が奏する効果であるか，あるいは，引用発明において周知慣用技術を採用した当業者が期待する効果の範囲内のものである。
７　請求人の主張について 
　請求人は，審判請求書の「（５−１０）Ｒａ限定と短絡防止の効果について」において「ところで，原審審査官殿は，拒絶査定に示される３種類の見解（すなわち上述した見解ｉ）〜ｉｉｉ））のいずれにおいても，表面の算術平均粗さＲａを０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下とすることは周知例を参考にして「当業者であれば適宜設定し得る事項である」と一蹴されておりますが，このご見解は，本願発明の銅箔ベースの電極箔の厚さが１〜１５０μｍであるという点と，Ｒａを０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下とする点とを完全に切り離して別個に検討されている点で，明らかに妥当性を欠くものといわざるを得ません。」，「前述のとおり，本願発明において，短絡防止という効果は単に基板の算術平均粗さＲａのみによって決まるものではなく，基板の厚みとＲａとの相互関係に依存して決まるものであるからです。このことは，基板表面のＲａを開示する引用文献１及び本願明細書の教示から明らかです。すなわち，引用文献１の段落［００３８］及び［００５４］には，実施例において厚さ０．３ｍｍ（３００μｍ）でＲａ：３８ｎｍの銅板（基板Ａ）を用いて作製された有機発光素子（実施例１）について，比較的均一に発光したことが教示されており，この実施例の銅板は短絡防止の効果を有するものと考えられます。一方，本願明細書段落［００６７］には厚さ６４μｍでＲａ：１２．２０ｎｍの銅箔を用いて有機ＥＬ素子を作製したところ，電極間で短絡が起きてしまうことが教示されております（厚さについては本願明細書段落［００５２］を参照）。このように，厚さ３００μｍの銅板では大きなＲａ（３８ｎｍ）でも短絡が生じないのに対し，厚さ６４μｍの銅箔ではそれよりも小さなＲａ（１２．２０ｎｍ）で短絡が生じています。これは厚さ６４μｍの銅箔は，板よりも薄い低応力で屈曲が容易な銅箔であるため，表面凹凸由来の欠陥等が増幅されやすいためではないかと解されます。このことから分かるように，短絡防止の効果は単に基板の算術平均粗さＲａのみによって決まるのではなく，基板の厚みとＲａとの相互関係に依存して決まるものです。そして，補正後の本願発明は薄い（厚さ１〜１５０μｍ）電極箔と０．５ｎｍ以上７．０ｎｍ以下の算術平均粗さＲａを有する超平坦面に限定することにより，フレキシブル電子デバイスに有用な電極箔においても短絡防止の効果を得るという技術的特徴を有しているのであり，かかる技術的特徴及び効果は引用文献のいずれにも開示も示唆も無い以上，進歩性を肯定するに足る事項として大いに考慮されるべきものと請求人は考えます。」と主張する。
　しかしながら，上記のとおり引用例１には「基板４の表面の平均荒さは小さいほど好ましく，理想的には０である」こと（段落【００２０】），基板の膜厚方向の突起もしくは凹みは，有機発光素子の短絡，欠陥の原因となること（段落【００２９】）が記載されており，出願人が主張する短絡防止の効果は当業者の予想を超える格別の効果ともいえない。引用発明において基板の厚みを本願補正後発明の範囲とすることは，上記５（1）の通り当業者が容易にできた事項であり，基板の厚みとＲａとの相互関係による短絡防止についても，当業者が容易にできた構成による効果の主張に過ぎない。
第３　まとめ 
　以上のとおり，本件出願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明及び周知慣用技術に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について審究するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。