Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月10日(2020.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮蔽体でシールドされたインダクタにおいて、
導電コイルを取り囲むコア本体が在って、このコア本体が、上面とこの上面に対向する底面、第１側面とこの第１側面に対向する第２側面及び正面とこの正面に対向する背面、を設けた外面を有し、
前記導電コイルと電気的に導通する第１リード部および第２リード部が在り、この第１リード部および第２リード部のそれぞれが少なくとも前記外面の少なくとも一部に沿って延在する部分を有しており、これら第１リード部および第２リード部のうちの少なくとも一つが、少なくとも前記外面の前記正面または前記背面の少なくとも一部に沿って延在する部分を有し、
導電材料で形成された一体の遮蔽体を有し、
この遮蔽体は、上部カバー部が前記コア本体の前記上面の少なくとも一部分および前記コア本体のセンター部分を含んで被覆しており、
前記コア本体の前記第１側面に沿って前記上部カバー部の第１側面側に延在する第１の側面カバーを有し、この第１の側面カバーの少なくとも一部が前記コア本体の前記上面から前記底面へ延在し、前記第１の側面カバーが第１タブを有し、この第１タブが前記コア本体の前記底面の少なくとも一部の下側に延在し、
そして、前記コア本体と直接接触する位置に絶縁層が設層され、この絶縁層を前記遮蔽体の内面に直接接触して位置決めされた前記遮蔽体が前記コア本体に取り付けられており、
さらに、回路基板に実装するための構成を有していることを特徴とするシールドされたインダクタ。
【請求項２】
前記遮蔽体が、さらに前記上部カバー部の第２側面側から前記コア本体の前記第２側面に沿って延在する第２の側面カバーを有し、この第２の側面カバーの少なくとも一部が前記コア本体の前記上面から前記底面まで延在し、前記第２の側面カバーが、前記コア本体の前記底面の少なくとも一部の下側に延在する第２タブを有する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項３】
前記絶縁層が、前記遮蔽体の前記内面に被覆層で構成された請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項４】
前記絶縁層が、前記遮蔽体の前記内面の少なくとも一部に配置した絶縁テープで構成された請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項５】
前記絶縁層が、前記コア本体の前記外面の少なくとも一部を被覆した請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項６】
前記遮蔽体で静電場干渉を抑制する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項７】
前記遮蔽体は、前記第１および第２リード部の少なくとも一つを通すことができる少なくとも一つの開口を有する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項８】
前記第１および第２リード部が前記コア本体の両側に位置する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項９】
前記第１および第２リード部が前記コア本体の同じ側に位置する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項１０】
前記遮蔽体の構成で耐衝撃性および耐振動性を改良する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項１１】
前記遮蔽体で前記のシールドされたインダクタの最大動作電圧を高くした請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項１２】
前記上部カバー部の大きさは、前記コア本体の前記上面の全体より小さく被覆する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項１３】
前記上部カバー部の大きさは、前記コア本体の前記上面の少なくとも一つの縁部を超えて延在するように設定した請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項１４】
前記遮蔽体が前記上部カバー部から延在する第３延在部および前記上部カバー部から延在する第４延在部を有し、これら第３延在部および第４延在部がそれぞれ前記コア本体の前記正面および前記背面に沿って延在し、前記第３延在部および前記第４延在部は、前記正面および前記背面に設けた前記第１リード部および前記第２リード部の配置領域を被覆しない請求項２のシールドされたインダクタ。
【請求項１５】
前記第１リード部の一部が前記コア本体の前記底面の少なくとも一部の下側に延在し、前記第２リード部の一部が前記コア本体の前記底面の少なくとも一部の下側に延在する請求項２のシールドされたインダクタ。
【請求項１６】
前記第１側面および前記第２側面の外面に沿って延在する前記第１および第２の側面カバーが、前記正面および前記背面の外面に沿って延在する前記延在部とは長さが異なる請求項１４のシールドされたインダクタ。
【請求項１７】
前記遮蔽体が銅で構成された請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項１８】
前記遮蔽体が前記コア本体の外面に密嵌めするように前記遮蔽体の大きさおよび形状を設定した請求項２のシールドされたインダクタ。
【請求項１９】
前記絶縁層が前記遮蔽体の内側面全体を被覆する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項２０】
前記絶縁層が前記遮蔽体を前記コア本体から電気的に絶縁する請求項１９のシールドされたインダクタ。
【請求項２１】
前記コア本体を被覆する前記遮蔽体の下地として前記絶縁層が前記遮蔽体の内側面に適用されている請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項２２】
遮蔽体でシールドされたインダクタにおいて、
導電コイルを取り囲むコア本体が在って、このコア本体が、上面とこの上面に対向する底面、第１側面とこの第１側面に対向する第２側面及び正面とこの正面に対向する背面、を設けた外面を有し、
前記導電コイルと電気的に導通する第１リード部および第２リード部が在り、この第１リード部および第２リード部のそれぞれが少なくとも前記外面の少なくとも一部に沿って延在する部分を有しており、これら第１リード部および第２リード部のうちの少なくとも一つが、少なくとも前記外面の前記正面または前記背面の少なくとも一部に沿って延在する部分を有し、
導電材料で形成された一体の遮蔽体を有し、
この遮蔽体は、上部カバー部が前記コア本体の前記上面の少なくとも一部分および前記コア本体のセンター部分を含んで被覆しており、
前記コア本体の前記第１側面に沿って前記上部カバー部の第１側面側に延在する第１の側面カバーを有し、この第１の側面カバーの少なくとも一部が前記コア本体の前記上面から前記底面へ延在し、前記第１の側面カバーが第１タブを有し、この第１タブが前記コア本体の前記底面の少なくとも一部の下側に延在し、
そして、前記コア本体と直接接触する位置に絶縁層が設層され、この絶縁層を前記遮蔽体の内面に直接接触して位置決めされた前記遮蔽体が前記コア本体に取り付けられており、さらに、前記絶縁層の少なくとも一部が前記コア本体の前記上面の前記センター部分に接しており、
そしてさらに、回路基板に実装するための構成を有していることを特徴とするシールドされたインダクタ。
【請求項２３】
前記絶縁層が接着剤を有し、この接着剤で前記遮蔽体の内面を前記コア本体に接着する請求項１のシールドされたインダクタ。
【請求項２４】
前記絶縁層が接着剤を有し、この接着剤で前記遮蔽体の内面を前記コア本体に接着する請求項２２のシールドされたインダクタ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月12日(2020.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧レベル変換の方法であって、
通常モードでは、電圧レベルトランスレータにおいて、第１の電圧領域における入力信号を第２の電圧領域における出力信号に変換することと、ここにおいて、前記第１の電圧領域の第１の供給電圧は、前記第２の電圧領域の第２の供給電圧とは異なる、
バイパスモードでは、前記電圧レベルトランスレータをバイパスし、前記入力信号を前記第１の電圧領域における前記出力信号として供給することと、ここにおいて、前記第１の供給電圧と前記第２の供給電圧は、実質的に同じである、
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンするが、前記通常モードではパワーダウンしないことと、前記バイパスモードでは、出力ノードが前記バイパスモードでフロートすることを防ぐために、前記電圧レベルトランスレータの前記出力ノードを前記第２の供給電圧に接続するか、または前記電圧レベルトランスレータの前記出力ノードをグラウンドに接続することと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンすることは、前記バイパスモードではグラウンド接続から前記電圧レベルトランスレータをゲートオフするために第１のプルダウントランジスタをオフにすることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バイパスモードでは、前記電圧レベルトランスレータの出力ノードを前記第２の供給電圧に接続するために第１のプルアップトランジスタをオンにすることをさらに備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンすることは、前記バイパスモードでは前記第２の供給電圧と前記電圧レベルトランスレータとの間の接続をゲートオフするように構成された第２のプルアップトランジスタをオフにすることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータの出力ノードをグラウンドに接続するために第２のプルダウントランジスタをオンにすることをさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータとグラウンドとの間の接続をゲートオフするために第３のプルダウントランジスタをオフにすることをさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータの出力ノードをグラウンドに接続するために第４のプルダウントランジスタをオンにすること、または
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータの出力ノードを前記第２の供給電圧に接続するために第４のプルアップトランジスタをオンにすること、
をさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
装置であって、
通常モードでは、第１の電圧領域における入力信号を第２の電圧領域における出力信号に変換するための手段と、ここにおいて、前記第１の電圧領域の第１の供給電圧は、前記第２の電圧領域の第２の供給電圧とは異なる、
バイパスモードでは、変換するための前記手段をバイパスし、前記第１の電圧領域における前記出力信号を供給するための手段と、ここにおいて、前記第１の供給電圧と前記第２の供給電圧は、実質的に同じである、
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンするが、前記通常モードではパワーダウンしないための手段と、前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンするための前記手段は、前記バイパスモードでは、出力ノードが前記バイパスモードでフロートすることを防ぐために、前記電圧レベルトランスレータの前記出力ノードを前記第２の供給電圧に接続するようにか、または前記電圧レベルトランスレータの前記出力ノードをグラウンドに接続するようにかのいずれかで構成される、
を備える、装置。
【請求項９】
前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンするための前記手段は、前記バイパスモードではグラウンド接続から前記電圧レベルトランスレータをゲートオフするための手段を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記バイパスモードでは前記電圧レベルトランスレータの出力ノードを前記第２の供給電圧に接続するための手段をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記電圧レベルトランスレータをパワーダウンするための前記手段は、前記バイパスモードでは前記第２の供給電圧と前記電圧レベルトランスレータとの間の接続をゲートオフするための手段を備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記バイパスモードでは前記第１の電圧領域における前記入力信号を選択し、前記通常モードでは前記第２の電圧領域における前記電圧レベルトランスレータの出力を選択するための手段をさらに備える、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記入力信号を変換するための手段は、電圧レベルトランスレータであり、
前記バイパスするための手段は、バイパス回路であり、
前記パワーダウンするための手段は、パワーダウン回路である、
請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の電圧領域は、論理セルを備える論理電圧領域に対応し、前記第２の電圧領域は、メモリセルを備えるメモリ電圧領域に対応し、前記バイパスモードは、ターボモードに対応する、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
セットトップボックス、ミュージックプレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、サーバ、モバイルフォン、およびコンピュータからなるグループから選択されたデバイスに一体化される、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月17日(2020.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を構成するための方法であって、
前記集積回路によって、第1の当事者からフィーチャベクトルメッセージを受け取るステップであって、前記フィーチャベクトルメッセージが、前記第1の当事者から第2の当事者へのフィーチャセット要求に対する応答に含まれる、受け取るステップと、
前記集積回路によって、前記フィーチャベクトルメッセージ内のフィーチャベクトルに基づいて前記集積回路の少なくとも1つのフィーチャを構成するステップと、
前記集積回路によって、前記集積回路の前記少なくとも1つの構成されたフィーチャに基づいて、前記集積回路にセキュアに記憶されており前記第2の当事者に知られ前記第1の当事者に知られていない鍵を使用して、証明結果を生成するステップと、
前記証明結果を前記第1の当事者に転送するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記集積回路が、システムオンチップ(SOC)デバイスである、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1の当事者が、相手先ブランド製造会社であり、前記第2の当事者が、前記集積回路の供給業者である、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャベクトルメッセージが、前記第2の当事者によって署名され、前記方法が、
前記集積回路によって、前記フィーチャベクトルメッセージの署名を使用して前記フィーチャベクトルメッセージを検証するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記集積回路が、一意の識別子によって識別され、前記鍵が、前記集積回路に固有である、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記フィーチャセット要求のフィーチャセットが、ストック・キーピング・ユニット(SKU)に対応する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記集積回路によって、ワンタイムプログラマブル(OTP)メモリにおいて少なくとも1つのフラグを設定するステップであって、設定された各フラグが前記集積回路のフィーチャに関連付けられる、設定するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記OTPメモリ内の設定されたフラグが、無効化されたフィーチャにまたは有効化されたフィーチャに対応する、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
集積回路であって、
第1の当事者からフィーチャベクトルメッセージを受け取るための手段であって、前記フィーチャベクトルメッセージが、前記第1の当事者から第2の当事者へのフィーチャセット要求に対する応答に含まれる、受け取るための手段と、
前記フィーチャベクトルメッセージ内のフィーチャベクトルに基づいて前記集積回路の少なくとも1つのフィーチャを構成するための手段と、
前記集積回路の前記少なくとも1つの構成されたフィーチャに基づいて、前記集積回路にセキュアに記憶されており前記第2の当事者に知られ前記第1の当事者に知られていない鍵を使用して、証明結果を生成するための手段と、
前記証明結果を前記第1の当事者に転送するための手段と
を備える、集積回路。
【請求項１０】
前記集積回路が、システムオンチップ(SOC)デバイスである、請求項9に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記フィーチャベクトルメッセージが、前記第2の当事者によって署名され、前記集積回路が、
前記フィーチャベクトルメッセージの署名を使用して前記フィーチャベクトルメッセージを検証するための手段
をさらに備える、請求項9に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記集積回路が、一意の識別子によって識別され、前記鍵が、前記集積回路に固有である、請求項9に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記フィーチャセット要求のフィーチャセットが、ストック・キーピング・ユニット(SKU)に対応する、請求項9に記載の集積回路。
【請求項１４】
ワンタイムプログラマブル(OTP)メモリにおいて少なくとも1つのフラグを設定するための手段であって、設定された各フラグが前記集積回路のフィーチャに関連付けられる、設定するための手段
をさらに備える、請求項9に記載の集積回路。
【請求項１５】
請求項9から14のいずれか一項に記載の集積回路を備える、ステーション。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月28日(2020.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所与のエンティティにおいてユーザ機器（ＵＥ）のための時間較正値を推定する方法であって、
第１の同期ワイヤレス送信ネットワーク（ＳＷＴＮ）の少なくとも１つの地上波送信局のロケーションを取得することと、
前記少なくとも１つの地上波送信局に関連する送信局較正情報を決定することと、
前記少なくとも１つの地上波送信局とのワイヤレス通信範囲内にある前記ＵＥのロケーションを決定することと、
前記取得された送信局ロケーションと、前記決定された送信局較正情報と、前記ＵＥの前記決定されたロケーションとに基づいて、前記ＵＥのための前記時間較正値を推定することと
を備え、
前記時間較正値が、前記ＵＥの受信機における無線周波数（ＲＦ）処理による到着時間における時間オフセットである、
方法。
【請求項２】
前記ＵＥの前記ロケーションが、少なくとも１つのＳＷＴＮの少なくとも１つの送信局からの信号に基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのＳＷＴＮが、グローバルナビゲーション衛星システム（ＧＮＳＳ）を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記送信局較正情報が、前記少なくとも１つの地上波送信局からの前記ＵＥにおいて受信された１つまたは複数の信号に関係する、少なくとも１つの順方向リンク較正（ＦＬＣ）値と少なくとも１つの到着時間（ＴＯＡ）値とを含む、および／または
前記時間較正値を前記推定することは、前記取得された送信局ロケーションが、少なくとも１つの送信局ロケーションを含むことを必要とする、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＳＷＴＮが、さらに、前記第１のＳＷＴＮおよび／または１つまたは複数の地上波送信局を含む第２のＳＷＴＮを含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項６】
前記送信局較正情報が、前記少なくとも１つの地上波送信局からの前記ＵＥにおいて受信された信号に関係する、順方向リンク較正（ＦＬＣ）値のセットと到着時間（ＴＯＡ）値のセットとを含む、および／または
前記第１のＳＷＴＮおよび／または前記第２のＳＷＴＮは、セルラーネットワーク、同期ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）、またはそれらの任意の組合せである、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのＳＷＴＮが周波数同期されるか、または
前記少なくとも１つのＳＷＴＮは、周波数同期と時間同期の両方が行われる、
請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記ＵＥの前記ロケーションが、グローバルナビゲーション衛星システム（ＧＮＳＳ）または前記第１のＳＷＴＮの少なくとも１つの送信局からの信号とは無関係に決定され、前記時間較正値を前記推定することは、好ましくは、前記取得された送信局ロケーションが、少なくとも３つの送信局ロケーションを含むことを必要とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記所与のエンティティがサーバに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＵＥの前記ロケーションを前記決定することは、
前記ＵＥから、（ｉ）前記サーバが前記ＵＥの前記ロケーションを導出することができる、少なくとも１つのＳＷＴＮの少なくとも１つの送信局からの信号のＵＥベース測定値、および／または（ｉｉ）前記ＵＥのＵＥ導出ロケーションを受信すること
を含む、および／または
前記推定された時間較正値に関連する信頼性レベルを改善するために、更新された送信局較正情報と前記ＵＥに関連する更新されたロケーション決定とに基づいて、前記推定することを何回か繰り返すことによって、前記推定された時間較正値を改良することと、
前記信頼性レベルがしきい値を上回って上昇したことに応答して、前記改良された推定された時間較正値を前記ＵＥのための代表時間較正値として確立することと
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記所与のエンティティが前記ＵＥに対応し、前記方法は、
前記推定された時間較正値をサーバに報告すること
をさらに備え、
ここにおいて、前記報告することは、好ましくは、前記推定することが実施されるたびに実施されるか、または
ここにおいて、前記報告することは、
前記推定された時間較正値に関連する信頼性レベルを改善するために、更新された送信局較正情報と前記ＵＥに関連する更新されたロケーション決定とに基づいて、前記推定することを何回か繰り返すことによって、前記推定された時間較正値を改良することと、前記信頼性レベルがしきい値を上回って上昇したことに応答して、前記改良された推定された時間較正値を前記サーバに報告することと
を含む、および／または、前記方法は、
前記サーバから、同じデバイスモデルおよび／またはデバイス動作モードを共有するＵＥのセットからの１つまたは複数の報告された時間較正値に基づく、代表時間較正値の指示を受信することと、
前記代表時間較正値に基づいて、前記ＵＥの新しいロケーションを推定することと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ユーザ機器（ＵＥ）のための時間較正値を推定するように構成された所与のエンティティであって、
第１の同期ワイヤレス送信ネットワーク（ＳＷＴＮ）の少なくとも１つの地上波送信局のロケーションを取得するための手段と、
前記少なくとも１つの地上波送信局に関連する送信局較正情報を決定するための手段と、
前記少なくとも１つの地上波送信局とのワイヤレス通信範囲内にある前記ＵＥのロケーションを決定するための手段と、
前記取得された送信局ロケーションと、前記決定された送信局較正情報と、前記ＵＥの前記決定されたロケーションとに基づいて、前記ＵＥのための前記時間較正値を推定するための手段と
を備え、
前記時間較正値が、前記ＵＥの受信機における無線周波数（ＲＦ）処理による到着時間における時間オフセットである、
所与のエンティティ。
【請求項１３】
前記所与のエンティティがサーバに対応するか、または
前記所与のエンティティが前記ＵＥに対応する、
請求項１２に記載の所与のエンティティ。
【請求項１４】
前記推定された時間較正値をサーバに報告するための手段
をさらに備える、請求項１２に記載の所与のエンティティ。
【請求項１５】
ユーザ機器（ＵＥ）のための時間較正値を推定するように構成された所与のエンティティによって実行されたとき、前記所与のエンティティに動作を実施させる、その上に記憶された命令を含んでいる非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記命令が、前記所与のエンティティに、請求項１ないし１１のいずれかに記載のステップを行わせるための命令を備える、非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月13日(2020.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によって実施されるワイヤレス通信の方法であって、
強化型マルチキャストブロードキャストサービス(eMBMS)スタンドアロンセルに関連するセル捕捉情報を受信するステップであって、前記セル捕捉情報は、ユニキャストモードで受信される発見サブフレームに含まれ、前記セル捕捉情報は、基地局によって送信される、ステップと、
前記セル捕捉情報に関連する特性に基づいてUE回避方式を検出するステップと、
前記特性に基づいて前記eMBMSスタンドアロンセルに対するセル捕捉を実行するステップと
を含み、
前記UE回避方式が、レガシーUEの前記特性を認識しないことに基づいて、前記レガシーUEに、前記eMBMSスタンドアロンセルの前記セル捕捉を実行することを省略させるように構成される、方法。
【請求項２】
前記UEは非レガシーUEである、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記特性は、前記非レガシーUEによって認識可能に構成される変更された特性を含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記発見サブフレームは、1次同期信号(PSS)、2次同期信号(SSS)、物理ブロードキャストチャネル(PBCH)、セル固有基準信号(CRS)、システム情報ブロック(SIB)、またはマスタ情報ブロック(MIB)のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記特性は変更されたPBCHスクランブリングシーケンスを含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
ワイヤレス通信のための装置であって、
メモリと、
前記メモリに結合される少なくとも1つのプロセッサであって、
強化型マルチキャストブロードキャストサービス(eMBMS)スタンドアロンセルに関連するセル捕捉情報を受信することであって、前記セル捕捉情報は、ユニキャストモードで受信される発見サブフレームに含まれ、前記セル捕捉情報は、基地局によって送信される、受信することと、
前記セル捕捉情報に関連する特性に基づいてUE回避方式を検出することと、
前記特性に基づいて前記eMBMSスタンドアロンセルに対するセル捕捉を実行することと
を行うように構成される少なくとも1つのプロセッサと
を備え、
前記UE回避方式が、レガシーUEの前記特性を認識しないことに基づいて、前記レガシーUEに、前記eMBMSスタンドアロンセルの前記セル捕捉を実行することを省略させるように構成される、装置。
【請求項７】
前記UEは非レガシーUEである、請求項6に記載の装置。
【請求項８】
前記特性は、前記非レガシーUEによって認識可能に構成される変更された特性を含む、請求項7に記載の装置。
【請求項９】
前記発見サブフレームは、1次同期信号(PSS)、2次同期信号(SSS)、物理ブロードキャストチャネル(PBCH)、セル固有基準信号(CRS)、システム情報ブロック(SIB)、またはマスタ情報ブロック(MIB)のうちの少なくとも1つを含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
前記特性は変更されたPBCHスクランブリングシーケンスを含む、請求項9に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを保持するよう構成されたステージと、
そのステージ上のウェハの正面、正面の逆側にある背面並びにそれら正面・背面間にあるエッジに少なくとも１本のビームを差し向けるよう構成された少なくとも１個の光源と、
それら正面、背面及びエッジにて反射された少なくとも１つのビームを受光してイメージデータを生成するよう構成された少なくとも３個の検出器と、
それら３個の検出器と電子通信するコントローラであり、それら正面、背面及びエッジについて前記イメージデータを用いて計量を実行するよう構成されているコントローラと、
を備え、
上記コントローラがプロセッサを備え、上記ウェハの背面に発する明視野光のグレイスケール像と参照ウェハとの比をハードウェアモデル、第１膜スタックモデル及び第２膜スタックモデルを用い計測することでそのウェハの背面上にある膜の厚みを求めるよう、そのプロセッサがプログラミングされており、そのハードウェアモデルは数学的に表現されて入射角、光の波長、偏光コンディショニング要素の少なくともいずれかのパラメータを含むシステムのハードウェアパラメータが組み込まれ、テストされるサンプルから取得されたグレイレベルデータから生成され、上記第１膜スタックモデルは数学的に表現されて参照ウェハに対応しており、且つ上記第２膜スタックモデルは数学的に表現されて上記ウェハに対応し、上記第１膜スタックモデルと上記第２膜スタックモデルのそれぞれは、膜の厚みと膜及びウェハの光学的特性を計算するために用いられるパラメータを含むシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、上記光源を３個備えるシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、上記光源が少なくとも１個の有色発光ダイオードを有するシステム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、上記３個の検出器を用い求めた検査結果に基づき計量を実行するよう上記コントローラが構成されているシステム。
【請求項５】
システムのハードウェアパラメータが組み込まれ、数学的に表現されたハードウェアモデルを準備するステップであり、前記ハードウェアパラメータは入射角、光の波長、偏光コンディショニング要素の少なくともいずれかを含み、前記ハードウェアモデルはテストされるサンプルから取得されたグレイレベルデータから生成される、ステップと、
少なくとも第１膜スタックモデル及び第２膜スタックモデルを準備するステップであり、上記第１膜スタックモデルは数学的に表現されて参照ウェハに対応し且つ上記第２膜スタックモデルは数学的に表現されて背面上に膜があるウェハに対応し、上記第１膜スタックモデルと上記第２膜スタックモデルはそれぞれ膜の厚みと膜及びウェハの光学的特性を計算するために用いられるパラメータを含む、ステップと、
その背面上に膜がある上記ウェハを照明するステップと、
膜を有する上記ウェハの背面に発する明視野光のグレイスケール像を、センサを用い検出するステップと、
そのグレイスケール像をプロセッサに送るステップと、
上記ウェハの背面に発する明視野光のグレイスケール像につきハードウェアモデルを用い計測された比と、そのグレイスケール像につき上記第１膜スタックモデル及び上記第２膜スタックモデルを用いシミュレートされた比とをマッチングすることで、上記プロセッサを用いそのウェハの背面上にある膜の厚みを導出するステップと、
を有する方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、更に、ベアウェハを用い上記システムを校正するステップを有する方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、更に、既知厚の膜を有するウェハを用い上記システムを校正するステップを有する方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、上記明視野光が赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード及び青色発光ダイオードからの光を含む方法。
【請求項９】
請求項５に記載の方法であって、上記明視野光が１個又は複数個のダイオードレーザからの光を含む方法。
【請求項１０】
請求項５に記載の方法であって、更に、上記プロセッサを用い上記膜の光学的特性を導出するステップを有する方法。
【請求項１１】
請求項５に記載の方法であって、膜素材及びその膜の光学的特性が上記導出に先立ち判明している方法。
【請求項１２】
請求項１に記載のシステムであって、上記３個の検出器は、光電子増倍管、ＣＭＯＳデバイス、電荷結合デバイス、時間遅延積分カメラのいずれかである、システム。
【請求項１３】
請求項１に記載のシステムであって、上記コントローラは、更に、上記イメージデータを用いてウェハ検査を実行するように構成され、上記検査は計量と同時に実行される、システム。
【請求項１４】
請求項５に記載の方法であって、更に、上記プロセッサを用い、厚みの導出と同時にウェハを検査するステップを含む、方法。
【請求項１５】
請求項５に記載の方法であって、更に、背面、正面、及び上記ウェハの正面と背面の間のエッジについての計量を実行するステップを含む、方法。
【請求項１６】
請求項５に記載の方法であって、上記照明するステップは、背面、上記背面の逆側にある正面、及び上記ウェハの正面と背面の間のエッジのそれぞれにビームを向けることを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月10日(2020.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器筐体内に摺動可能に収容されるモジュールであって、
対向する前部および後部と、対向する第１側部および第２側部と、内部とを含むシャーシと、
前記シャーシの前記内部に設けられ、前記前部から前記後部に延在している軸に沿って前記シャーシの前記第１側部と第２側部との間に摺動可能なプリント回路基板（ＰＣＢ）と、
前記シャーシの前記後部に隣接する前記ＰＣＢに電気的に接続された少なくとも第１コネクタと、
前記シャーシと前記ＰＣＢとの間に接続され、前記シャーシを前記電子機器筐体のソケットに挿入するときに、前記第１コネクタと前記電子機器筐体内に固定された対応する第２コネクタとの間の係合を形成するときに撓むように構成された付勢装置とを含む、モジュール。
【請求項２】
前記シャーシは、底部をさらに含み、
前記ＰＣＢは、前記軸に沿って前記シャーシの前記底部上で摺動可能である、請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記軸に沿って摺動するように、前記シャーシの前記底部に摺動可能に取り付けられたフレームをさらに含み、
前記ＰＣＢは、前記軸に沿って前記フレームと共に移動するように、前記フレームに強固に取り付けられている、請求項２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記フレームおよび前記シャーシの一方は、複数の突起を含み、
前記フレームおよび前記シャーシの他方は、前記複数の突起を受容することによって、前記フレームおよび前記ＰＣＢの摺動を案内するように構成された複数のスロットを含む、請求項３に記載のモジュール。
【請求項５】
前記付勢装置は、少なくとも第１部分および第２部分を含み、
前記第１部分は、前記シャーシに強固に固定され、前記シャーシに対して移動不能であり、
前記第２部分は、前記フレームに接触している、請求項３に記載のモジュール。
【請求項６】
前記第２部分は、前記フレームに対して強固に固定され、前記フレームに対して移動不能であり、
前記付勢装置は、前記第１部分と前記第２部分との間に設けられ、前記シャーシを前記電子機器筐体の前記ソケットに挿入するときに、前記第１コネクタと前記第２コネクタとの間の係合を形成するときに撓むように構成された第３部分を含む、請求項５に記載のモジュール。
【請求項７】
前記付勢装置は、前記シャーシの底部に平行な平面内で撓むように構成されたビームバネである、請求項１〜６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項８】
前記シャーシに旋回可能に取り付けられ、前記電子機器筐体内に固定された前記第２コネクタに向かって前記シャーシを押すためのレバーアームをさらに含む、請求項１〜７のいずれかに記載のモジュール。
【請求項９】
前記少なくとも１つのコネクタは、前記ＰＣＢに電気的に取り付けられた複数のコネクタであり、
前記モジュールは、
前記複数のコネクタを接続するための補強プレートと、
前記補強プレートを前記ＰＣＢに接続するための複数の補強部材とをさらに含み、
前記補強プレートと前記複数の補強部材とは、前記モジュールを前記電子機器筐体の前記ソケットに挿入するときに、前記複数のコネクタに引き起こした曲げモーメントに抵抗するように構成されている、請求項１〜８のいずれかに記載のモジュール。
【請求項１０】
サーバであって、
ハウジングと前記ハウジング内の内部空間とを含む筐体を含み、前記内部空間は、複数のソケットを規定し、
前記複数のソケットの後部に隣接する前記内部空間内で前記ハウジングに固定されたバックプレーンを含み、前記バックプレーンは、前記複数のソケットの各ソケットの前記後部に隣接する少なくとも１つのバックプレーンコネクタを含み、
前記複数のソケットのうち、第１ソケットに収容可能なコンピューティングモジュールを含み、
前記コンピューティングモジュールは、
第１軸に沿って前記第１ソケット内に摺動可能なシャーシと、
前記第１軸と共線または平行である第２軸に沿って前記シャーシに対して摺動可能なプリント回路基板（ＰＣＢ）と、
前記第１ソケットの前記バックプレーンコネクタと電気的に接続するように、前記ＰＣＢに取り付けられた少なくとも１つのＰＣＢコネクタとを含む、サーバ。
【請求項１１】
前記コンピューティングモジュールは、付勢装置をさらに含み、
前記付勢装置は、前記シャーシと前記ＰＣＢとの間に接続され、前記第１軸に沿って前記シャーシを前記第１ソケットに挿入するときに、前記ＰＣＢを前記第２軸に沿って摺動させるように構成されている、請求項１０に記載のサーバ。
【請求項１２】
前記コンピューティングモジュールは、前記シャーシに旋回可能に取り付けられたレバーアームをさらに含み、
前記シャーシは、前記レバーアームが閉合位置に旋回することによって前記シャーシを前記バックプレーンに向かって前記第１ソケットに押すときに、前記筺体の一部に接触するように構成される、請求項１１に記載のサーバ。
【請求項１３】
前記コンピューティングモジュールは、前記第２軸に沿って移動するように、前記シャーシに摺動可能に取り付けられたフレームをさらに含み、
前記ＰＣＢは、前記第２軸に沿って前記フレームと共に移動するように、前記フレームに強固に取り付けられている、請求項１１に記載のサーバ。
【請求項１４】
前記コンピューティングモジュールは、前記シャーシに旋回可能に取り付けられたレバーアームをさらに含み、
前記シャーシは、前記レバーアームが閉合位置に旋回することによって前記シャーシを前記バックプレーンに向かって前記第１ソケットに押すときに、前記筺体の一部に接触するように構成される、請求項１０〜１３のいずれかに記載のサーバ。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのＰＣＢコネクタは、前記ＰＣＢに電気的に取り付けられた複数のＰＣＢコネクタであり、
前記コンピューティングモジュールは、
前記複数のＰＣＢコネクタを接続するための補強プレートと、
前記補強プレートを前記ＰＣＢに接続するための複数の補強部材とをさらに含み、
前記補強プレートと前記複数の補強部材とは、前記コンピューティングモジュールを前記筐体の前記第１ソケットに挿入するときに、前記複数のＰＣＢコネクタに引き起こした曲げモーメントに抵抗するように構成されている、請求項１０〜１４のいずれかに記載のサーバ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
半導体基板であって、第１のレベルにおいて回路要素を含む表側表面と、前記表側表面と反対の裏側表面とを有する、前記半導体基板と、
第２のレベルに形成される金属導体スタックであって、前記第２のレベルが、前記第１のレベルの上に重なり、複数のサブレベルを含む、前記金属導体スタックと、
前記裏側表面においてエッチングされて前記半導体基板内に延在する少なくとも１つのキャビティ開口であって、少なくとも前記第２のレベルが前記キャビティ開口の上に重なる、前記キャビティ開口と、
前記裏側表面における前記キャビティ開口を介して信号を放射するように前記金属導体スタックの一部において形成される構造であって、前記第２のレベルのサブレベルの少なくとも１つにおいて形成される、前記構造と、
前記第２のレベルの上に重なり前記第２のレベルに近接する反射性表面であって、前記第２のレベルのサブレベルの少なくとも１つによって前記構造から離間され、前記裏側表面における前記キャビティ開口に向かって前記放射された信号を反射するように構成される、前記反射性表面と、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記反射性表面が電気的リフレクタである、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記反射性表面が、１８０度の位相シフトで前記放射された信号を反射するように構成される、装置。
【請求項４】
請求項２に記載の装置であって、
前記反射性表面が、前記反射された信号の波長の１／１００〜１／２の間の波長の分数である距離だけ前記構造から離間される、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記反射性表面が磁気リフレクタである、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記反射性表面が、０度の位相シフトで前記放射された信号を反射するように構成される、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記放射された信号が０．１ＴＨｚ〜３０ＴＨｚの周波数を有する、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記キャビティ開口が傾斜した側壁を有する、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記キャビティ開口が前記放射された信号のための導波路を形成する、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、
前記キャビティ開口が垂直の側壁を有する、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、
前記キャビティ開口が導電性材料コーティングを有する、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記導電性材料コーティングが、前記キャビティ開口を越えて前記裏側表面上に延在しない、装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置であって、
前記構造がアンテナを形成する、装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置であって、
前記構造が放射構造である、装置。
【請求項１５】
方法であって、
第１のレベルにおいて金属導体スタックを形成することであって、前記第１のレベルが半導体基板の表側表面の上に重なって複数のサブレベルを含み、前記表側表面が第２のレベルにおける回路要素を含み、前記第２のレベルが前記第１のレベルの上に重なる、前記金属導体スタックを形成することと、
前記半導体基板の裏側表面において裏側キャビティ開口を形成することであって、前記裏側キャビティ開口が前記半導体基板内に延在し、少なくとも前記第１のレベルが前記裏側キャビティ開口の上に重なる、前記裏側キャビティ開口を形成することと、
前記裏側キャビティ開口を介して信号を放射するための構造を前記金属導体スタックの一部において形成することであって、前記構造が前記第１のレベルのサブレベルの少なくとも１つにおいて形成される、前記構造を形成することと、
前記第１のレベルの上に重なり前記第１のレベルに近接する反射性表面を形成することであって、前記反射性表面が、前記第１のレベルのサブレベルの少なくとも１つによって前記構造から離間され、前記裏側表面における前記裏側キャビティ開口に向けて前記放射された信号を反射するように構成される、前記反射性表面を形成することと、
を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記裏側キャビティ開口を形成することが、前記半導体基板を所定の厚みまで薄くするために前記半導体基板をバックグラインドすることを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、
前記裏側キャビティ開口を形成することが、傾斜した側壁を備える開口を形成するためにウェットエッチを実施することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
前記裏側キャビティ開口を形成することが、本質的にＫＯＨウェットエッチとＴＭＡＨエッチとディープ反応性イオンエッチとで構成されるグループから選択される１つであるエッチングを実施することを含む、方法。
【請求項１９】
システムであって、
第１の集積回路であって、
ＴＨｚ周波数信号を放射する第１のアンテナであって、前記第１のアンテナが第１のレベルにおける第１の金属導体スタックに形成され、前記第１のレベルが第１の半導体基板の表側表面の上に重なって複数のサブレベルを含み、前記第１のアンテナが前記第１のレベルのサブレベルの少なくとも１つにおいて形成される、前記第１のアンテナと、
前記第１の半導体基板の裏側表面において形成され、前記第１のアンテナに対応する箇所において前記第１の半導体基板内に延在する第１の開口であって、前記第１のレベルが前記第１の開口の上に重なる、前記第１の開口と、
前記第１のレベルの上に重なって前記第１のレベルに近接する第１の反射性表面であって、前記第１のレベルのサブレベルの少なくとも１つにより前記第１のアンテナから離間され、前記第１の半導体基板の裏側表面における前記第１の開口に向けて前記放射されたＴＨｚ周波数信号を反射するように構成される、前記第１の反射性表面と、
を含む、前記第１の集積回路と、
第２の集積回路であって、
前記ＴＨｚ周波数信号を受信する第２のアンテナであって、前記第２のアンテナが第２のレベルにおける第２の金属導体スタックに形成され、前記第２のレベルが第２の半導体基板の表側表面の上に重なって複数のサブレベルを含み、第２のアンテナが前記第２のレベルのサブレベルの少なくとも１つに形成される、前記第２のアンテナと、
前記第２の半導体基板の裏側表面において形成され、前記第２のアンテナに対応する箇所において前記第２の半導体基板内に延在する第２の開口であって、前記第２のレベルが前記第２の開口の上に重なる、前記第２の開口と、
を含む、前記第２の集積回路と、
を含み、
前記第１及び第２の開口が、互いに面しており、前記第１の集積回路から前記第２の集積回路への前記ＴＨｚ信号の伝送を促進するために一方から他方へ整合されている、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側導体と、外側導体とを有する同軸の伝達ラインに接続するためのらせん形のアンテナ構造体であって、
誘電性の支持体と、
前記誘電性の支持体の上に共に配置され、互いから電気的に隔離された第１のらせん形の電極及び第２のらせん形の電極と、
前記第１のらせん形の電極を同軸の伝達ラインの前記内側導体に接続するための第１の接続手段と、
前記第２のらせん形の電極を同軸の伝達ラインの前記外側導体に接続するための第２の接続手段とを有し、
前記第１のらせん形の電極及び前記第２のらせん形の電極の少なくとも一方は、マイクロ波／ＲＦ場を外に向かって放出するための放射アンテナ構造体として作用することが可能であり、かつ
前記第１のらせん形の電極及び前記第２のらせん形の電極は、それらの間のらせん形の領域内で電場を維持するように構成されている、前記らせん形のアンテナ構造体。
【請求項２】
前記第１のらせん形の電極及び前記第２のらせん形は同一のピッチを有する、請求項１に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項３】
前記第１のらせん形の電極は、前記第２のらせん形の電極と正反対に配置される、請求項２に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項４】
前記誘電性の支持体は、円筒形またはほぼ円筒形である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項５】
前記誘電性の支持体は、丸みがつけられた遠位端、またはその遠位端における半球形状の部分を有する、請求項４に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項６】
前記らせん形のアンテナ構造体の近位端から遠位端までマイクロ波／ＲＦエネルギーを伝えるために導波路構造体または伝達ライン構造体をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項７】
前記導波路構造体または伝達ライン構造体は、前記誘電性の支持体の表面の真下に配置された、またはその中に埋め込まれた第３のらせん形の電極の形態である、請求項６に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項８】
前記第３のらせん形の電極は、前記第１のらせん形の電極と同一のらせん形の経路をたどり、そこから半径方向内向きに配置される、請求項７に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項９】
前記第１のらせん形の電極及び前記第３のらせん形の電極は、導電材料から作製されるため、前記第１のらせん形の電極及び前記第３のらせん形の電極はマイクロストリップラインを形成する、請求項８に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１０】
前記第１のらせん形の電極は、前記第３のらせん形の電極より少なくとも３倍幅が広い、請求項９に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１１】
前記第２のらせん形の電極の遠位端は、導電部材によって、前記第３のらせん形の電極の遠位端に電気的に接続される、請求項７〜１０のいずれか一項に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１２】
前記誘電性の支持体は、前記同軸の伝達ラインを収容するためのチャネルまたはチャンバを含むことで、前記同軸の伝達ラインの遠位端は、前記誘電性の支持体の前記遠位端に、またはその付近に配置される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１３】
前記同軸の伝達ラインの前記遠位端は、前記誘電性の支持体内に埋め込まれ、前記第１の接続手段及び前記第２の接続手段は、前記誘電性の支持体の中を通る孔の中に配置され、前記孔は、前記第１のらせん形の電極を前記内側導体に、前記第２のらせん形の電極を前記外側導体にそれぞれ接続するように配置される、請求項１２に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１４】
前記同軸の伝達ラインの遠位端面は、前記誘電性の支持体の前記遠位端のところに配置され、開口によって露出されており、
前記第１の接続手段は、前記開口を介して前記第１のらせん形の電極を前記内側導体に接続し、
前記第２の接続手段は、前記開口を介して前記第２のらせん形の電極を前記外側導体に接続する、請求項１２に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１５】
前記開口のタブ部分のみが、前記外側導体の一部を露出させる、請求項１４に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１６】
前記誘電性の支持体は、その中を貫通して、前記近位端から前記遠位端まで伸びるチャネルを有し、前記チャネルは開口内で終端している、請求項１〜１５のいずれかに記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１７】
前記チャネル内に摺動可能に設置された格納式の針をさらに含む、請求項１６に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１８】
前記誘電性の支持体は、前記チャネルと、その外側面との間に複数の穴を備え、前記穴は、前記電極の間をガスが流れることを可能にするように配置されている、請求項１６または１７に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【請求項１９】
前記チャネルは、アドレナリンなどの液体を運ぶように配置される、請求項１６または１７に記載のらせん形のアンテナ構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【図１】図１Ａは、本発明の一実施形態による内側のらせん形の電極と、第１の外側のらせん形の電極との配置を示す。図１Ｂは、本発明の一実施形態による、誘電性の支持体を含むらせん形のアンテナの一実施例を示す。
【図２】本発明の一実施形態のシミュレーションを行うのに使用されるらせん形のアンテナと、肝臓の負荷の配置を示す。
【図３Ａ】図２に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図３Ｂ】図２に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図３Ｃ】図２に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図３Ｄ】図２に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図４】本発明の一実施形態による代替のシミュレーションを行うのに使用される肝臓の負荷と、らせん形のアンテナの別の配置を示す。
【図５Ａ】図４に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図５Ｂ】図４に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図５Ｃ】図４に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図５Ｄ】図４に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図６】図６Ａは、本発明の別の実施形態の斜視図を示す。図６Ｂは、本発明の別の実施形態の端面図を示す。図６Ｃは、本発明の別の実施形態の斜視図を示す。
【図７】その実施形態のシミュレーションを行うのに使用される、図６Ａ及び図６Ｂに示されるらせん形のアンテナと、血液負荷の配置を示す。
【図８】図１０に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図９】図９Ａは、図１０に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。図９Ｂは、図１０に示されるシミュレーションの様々な結果を示す。
【図１０】同軸の伝達ラインが第１及び第２のらせん形の電極に接続され得る方法の代替の構成を示す。
【図１１】同軸の伝達ラインが第１及び第２のらせん形の電極に接続され得る方法の代替の構成を示す。
【図１２】同軸の伝達ラインが第１及び第２のらせん形の電極に接続され得る方法の代替の構成を示す。