【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧に連結された、イオンビームを発生させるイオン源と、
前記イオン源及び基板の位置の間に配置された停止エレメントと、
前記停止エレメントに連結された停止電圧源と、
前記停止電圧源に、停止電圧を前記停止エレメントに印加させ、前記停止電圧は、前記イオンビームが正イオンを含むと前記第１の電圧と等しいか、前記第１の電圧より高く正であり、前記イオンビームが負イオンを含むと前記第１の電圧と等しいか、前記第１の電圧より高く負である、制御コンポーネントと、を備え、
前記停止電圧が前記停止エレメントに印加されると、前記イオンビームの少なくとも一部は、偏向イオンとして初期の軌道から後方に偏向されることを特徴とする、イオンビーム装置内の汚染制御用の装置。
【請求項２】
前記停止エレメントは、第１の一対のロッドとして構成される電極を有し、前記電極は、静電フィルター内に配置され、前記静電フィルターは、第２の一対のロッドを有する少なくとも１つの追加の電極をさらに有して前記停止エレメントの上流に配置され、前記少なくとも１つの追加の電極は、前記イオンビームに露光されない影面領域を有し、前記影面領域は、前記偏向イオンを遮ることを特徴とする、請求項１に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用の装置。
【請求項３】
前記静電フィルターは、入口電極、及び前記入口電極の下流に配置された出口電極を備え、前記停止エレメントは、前記入口電極と前記出口電極の中間に配置されることを特徴とする、請求項２に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用の装置。
【請求項４】
前記イオンビームは正イオンを含み、第３の電極が前記停止エレメントに印加されると後方に偏向せず、前記第３の電極は、前記停止電圧より低く正であることを特徴とする、請求項１に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用の装置
【請求項５】
第１の電圧に連結した、イオンビームを発生させるイオン源と、
基板を収容する、前記イオン源の下流に配置された基板ステージと、
前記イオンビームを主イオンビームとして前記基板ステージの方に向ける少なくとも１つのビームラインコンポーネントと、
前記イオン源の下流に配置された停止エレメントと、
前記停止エレメントに連結した停止電圧源と、
前記停止電圧源に、停止電圧を前記停止エレメントに印加させ、前記停止電圧は、前記イオンビームが正イオンを含むと前記第１の電圧と等しいか、前記第１の電圧より高く正であり、前記イオンビームが負イオンを含むと前記第１の電圧と等しいか、前記第１の電圧より高く負である、制御コンポーネントと、を備え、
前記停止電圧が前記停止エレメントに印加されると、前記主イオンビームの少なくとも一部が偏向イオンとして前記基板から離れて後方に偏向されることを特徴とする、イオンビーム装置内の汚染制御用のシステム
【請求項６】
前記停止エレメントは、第１の一対のロッドとして構成される電極を有し、前記電極は、静電フィルター内に配置され、前記静電フィルターは、第２の一対のロッドを有する少なくとも１つの追加の電極をさらに有して前記停止エレメントの上流に配置され、前記少なくとも１つの追加の電極は、前記主イオンビームに露光されない影面領域を有し、前記影面領域は、前記偏向イオンを遮ることを特徴とする、請求項５に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用のシステム。
【請求項７】
前記静電フィルターは、入口電極、及び前記入口電極の下流に配置された出口電極を備え、前記停止エレメントは、前記入口電極と前記出口電極の中間に配置されることを特徴とする、請求項６に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用のシステム。
【請求項８】
前記停止エレメントと前記基板ステージの間に配置されたガス源をさらに備え、反応種が前記ガス源から前記影面領域に向けられることを特徴とする、請求項６に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用のシステム。
【請求項９】
前記停止エレメントと前記基板ステージの間に配置されたプラズマ源をさらに備え、前記制御コンポーネントは、前記停止電圧が前記停止エレメントに印加されると、前記プラズマ源内にプラズマを発生させるための信号を送るロジックを含み、前記停止電圧は前記停止エレメントに印加され、第２のイオンビームが前記プラズマ源から引き出され、前記静電フィルターに向けられることを特徴とする、請求項６に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用のシステム。
【請求項１０】
前記停止エレメントは、前記基板を保持する前記基板ステージ上に配置された基板ホルダーをさらに備えることを特徴とする、請求項５に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用のシステム。
【請求項１１】
前記イオンビームは、反応性イオンを含むことを特徴とする、請求項５に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用のシステム。
【請求項１２】
イオン源内でイオンを発生させるステップと、
前記イオン源に第１の電圧を印加するステップと、
前記イオン源からイオンを引き出し、前記イオンを主イオンビームとして基板の位置の方へ向けるステップと、
クリーニング期間中に、停止エレメントに停止電圧を印加するステップであって、前記停止エレメントは前記イオン源と基板の位置の間に配置される、ステップと、
前記停止電圧は、前記主イオンビームが正イオンを含むと前記第１の電圧と等しいか、前記第１の電圧より高く正であり、前記主イオンビームが負イオンを含むと前記第１の電圧と等しいか、前記第１の電圧より高く負であり、
前記主イオンビームの少なくとも一部が偏向イオンとして初期の軌道から後方に偏向されることを特徴とする、イオンビーム装置内の汚染制御用の方法。
【請求項１３】
前記停止エレメントは、第１の一対のロッドとして構成される電極を有し、前記電極は、静電フィルター内に配置され、前記静電フィルターは、第２の一対のロッドを有する少なくとも１つの追加の電極をさらに有して前記停止エレメントの上流に配置され、前記少なくとも１つの追加の電極は、前記主イオンビームに露光されない影面領域を有し、前記影面領域は、前記偏向イオンを遮ることを特徴とする、請求項１２に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの追加の電極は、第２の一対のロッドを有する第２の電極と、第３の一対のロッドを有する第３の電極とを備え、
前記方法は、
前記第２の電極に第２の電圧を印加するステップと、
前記第３の電極に第２の電圧とは異なる第３の電圧を印加するステップであって、前記第２の電圧及び前記第３の電圧は、前記停止電圧より低く正である、ステップと、をさらに含み、
前記第２の電極によって遮られる前記偏向イオンの第１のフラックスは、前記第３の電極によって遮られる前記偏向イオンの第２フラックスとは異なることを特徴とする、請求項１３に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用の方法。
【請求項１５】
前記静電フィルターは、入口電極、及び入口電極の下流に配置された出口電極を備え、前記停止エレメントは、前記入口電極と前記出口電極の中間に配置されたことを特徴とする、請求項１３に記載のイオンビーム装置内の汚染制御用の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオンビーム装置内の汚染制御用の装置、システム及び方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
方法は、イオン源内でイオンを発生させるステップと、イオン源に第１の電圧を印加するステップと、イオン源からイオンを引き出すステップと、イオンを主ビームとして基板の位置に向けるステップと、クリーニング期間に、イオン源と基板の位置の間に配置された停止エレメントに停止電圧を印加するステップとを含むことができ、停止電圧は、主イオンビームが正イオンを含むときに第１の電圧と同じか第１の電圧より正であり、主イオンビームが負イオンを含むときに第１の電圧と同じか第１の電圧より負であり、主イオンビームの少なくとも一部は、偏向イオンとして初期の軌道から後方に偏向する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで図２を参照するに、本開示によるシステム３０を説明する例示的な実施形態が示されている。システム３０は、他のコンポーネントの間に、イオンビーム６を製造するためのイオン源２と、ビームラインコンポーネントを収容するビームラインイオン注入システムとして構成することができる。イオン源２は、ガスのフローを受け、イオンを発生させるためのチャンバーを備えることができる。イオン源２は、電源、及びチャンバー（不図示）近傍に配置された引出し電極アセンブリも備えることができる。ビームラインコンポーネントは、例えば、質量分析器３４と、第１の加速又は減速ステージ３６と、コリメーター３８と、イオンビーム６を加速又は減速するための静電フィルター（ＥＦ）４０と、イオンビーム６を中性化するためのプラズマフラッド源４２とを含むことができる。ガス源１７、いくつかの実施形態では反応性ガス源は、ガスをプラズマフラッド源４２に供給することができる。加えて、制御コンポーネント２０は、停止電圧が停止エレメント１２に印加されると、プラズマフラッド源４２内でプラズマを発生させる信号を送信するためのロジックを含むことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上述したように、停止電圧源１４は、クリーニングモードにおいて、イオンビーム６の少なくとも一部を向け直すように停止コンポーネント（不図示）に電圧を印加するために用いることができ、この結果、選択したビームラインコンポーネントをその場でクリーニングする。停止コンポーネントは、例えば、位置Ｒに位置付けられると、位置Ｒの上流に位置付けられた、プラズマフラッド源４２又は静電フィルター４０などのコンポーネントの影面をクリーニングするのに有効である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
他の実施形態において、停止エレメントは、小型のイオンビームシステム内に配置することができる。図７は、イオンビームシステム３００が、プラズマ３０４を発生させるプラズマチャンバー３０２を用いる場合のイオンビームシステム３００の実施形態を表す。プラズマチャンバー３０２は、任意の公知の設計とすることができ、プラズマ３０４は、任意の公知のプラズマ装置によって発生することができる。図７に示すように、引き出しアセンブリ３０６は、プラズマチャンバー３０２に隣接して提供され、イオンビーム３０８を引き出すプラズマチャンバーに対して負にバイアスすることができる。一実施において、プラズマチャンバー３０２は、基板を処理する動作中に、接地（電圧源４によって０Ｖを印加）してもよい。加えて、停止エレメント３１８は、処理チャンバー３２０内に位置付けられてもよい。動作の処理モードにおいて、基板ホルダー（別々には示されていない）は、負にバイアスされ、プラズマ３０４から正イオンを引き付けることができる。動作のクリーニングモード下において、いくつかの実施形態では基板ホルダーと同じ停止エレメント３１８は、プラズマチャンバー３０２に対して正にバイアスすることができる。このバイアスは、イオンビーム３０８を止めることができ、偏向イオン３１０を発生させ、ゼロ電圧面３１２から引き出しアセンブリ３０６に向かう後方に向けることができる。このモードにおいて、通常はイオンビーム３０８に露光されない引き出しアセンブリ３０６及び他の部分は、スパッタエッチング、リアクティブエッチング、又は偏向イオン３１０によって生じる他のエッチングによってクリーニングすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2019503567.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４Ａ】
2019503567.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ａ】
2019503567.tif 000003
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ｂ】
2019503567.tif 000004