【事件の表示】
　特願２０１０−５３７６００「ＩＶ−ＶＩ族の半導体コア−シェルナノ結晶を備える光起電力セル」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　６月１８日国際公開、ＷＯ２００９／０７４９９３、平成２３年　６月２３日国内公表、特表２０１１−５１８４２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、２００８年１２月１４日（パリ条約に基づく優先権主張　２００７年１２月１３日　米国）を国際出願日として出願された特許出願であって、平成２５年５月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１４日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２６年３月６日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して平成２６年７月４日に審判請求がなされるとともに、請求と同時に手続補正がなされたものである。
第２　本願発明について
　本願請求項１ないし１２に係る発明は、平成２６年７月４日付け手続補正により、不明りょうな記載の釈明を目的として適正に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。 
「収集電極と、前記収集電極間に挟まれた光活性層とを備える光起電力セルであって、前記光活性層が、光活性成分として、ＩＶ−ＶＩ族の半導体ナノ結晶を備え、前記ナノ結晶が、
　（ｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルを備えるコア−シェル半導体ナノ結晶、あるいは、
　（ｉｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび前記第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料と第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆する合金シェルを備えるコア−合金シェル半導体ナノ結晶、
のいずれかであり、
　前記コアが、ＡＢの構造を有し、前記コアを被覆するシェルが、存在する場合には、ＡＣの構造を有し、前記コアを被覆する合金シェルが、存在する場合には、ＡＢｘＣ１−ｘ構造の合金から構成され、式中、ＡはＰｂであり、ＢはＳｅまたはＴｅであり、ＣはＳであり、ｘはＢのモル分率であり、１−ｘはＣのモル分率であり、ｘは式中ｘ＜１およびｘ＞０の範囲内で段階的に変化する、光起電力セル。」
第３　引用刊行物
１　引用刊行物に記載された事項
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、Maya Brumer 他，''PbSe/PbS and PbSe/PbSexS1-x Core/Shell Nanocrystals''，Advanced Functional Materials，米国，２００５年４月２０日，Vol.15，Issue 7，p.1111-1116（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（訳は当審にてなした。）。
（１）「1. Introduction
  Semiconductor nanocrystals (NCs) exhibit size-dependent electronic properties owing to a quantum-confinement effect. The IV-VI (e.g., PbSe, PbS) NCs are a focus of special interest owing to their unique intrinsic properties.[1］　・・・中略・・・These findings indicate the feasibility of using the PbSe and PbS NCs in telecommunication[9], eye-safe lasers[10], solar cell[6], electroluminescence devices[11], and biological markers[12,13].」（第１１１１頁左欄第１行から第２５行）
（当審仮訳）
　はじめに
  半導体ナノ結晶（ＮＣｓ）は量子閉じ込め効果によるサイズに依存する電子特性を示す。 ＩＶ−ＶＩ族（例えば、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ）のＮＣｓは、独特の特性のために格別の興味が示されている。 ・・・中略・・・これらの知見は、通信［９］、アイセーフレーザー［１０］、太陽電池セル［６］、電界発光素子［１１］及び生物学的マーカー［１２、１３］でのＰｂＳｅ、ＰｂＳのＮＣｓを使用する可能性を示している。
（２）「2. Results and Discussion
  The research work focused on a new synthesis of PbSe/PbS core/shell NCs, consisting of preliminary preparation of the PbSe core, followed by a post epitaxial coating of PbS shells (named hereon a two-injection process).  Furthermore, a distinctive technique for the growth of PbSe/PbSexS1-x core/alloyed-shell NCs by a single injection of Pb, Se, and S into a pre-heated mother solution was developed (named hereon a single-injection process).  As described in this paper, the single-injection process creates embryonic PbSe nuclei that induce the growth of PbSexS1-x alloyed shells that exhibit chemical robustness over a period of several months.  Detailed descriptions of the synthetic procedures are described in the Experimental section.（第１１１１頁右欄第３３行から第１１１２頁左欄第７行）
（当審仮訳）
　２．結果と考察
 本研究は、ＰｂＳｅコアの予備的な調整と続いてのＰｂＳシェルのポストエピタキシャルコーティング（ここでは２注入工程という）から成るＰｂＳｅ／ＰｂＳのコア／シェルＮＣｓの新しい合成に焦点を当てたものである。さらに、予め加熱した溶媒にＰｂ、Ｓｅ、Ｓを単一注入（ここでは単一注入工程という）することによるＰｂＳｅ／ＰｂＳｅｘＳ１−ｘのコア／合金シェルのＮＣｓの成長のための特有の技術が、展開された。本論文で記述されるように、単一注入工程は、数ヶ月間にわたって化学的な堅牢性を示すＰｂＳｅｘＳ１−ｘ合金シェルの成長を引き起こすための胎芽（出発物質）ともいえるＰｂＳｅ核を生み出す。合成手順の詳細な説明は、実験のセクションにて記述される。
（３）「The room-temperature absorption and PL spectra of PbSe/PbS core/shell NCs, prepared by a two-injection process and comprised of a 4.9nm PbSe core and n MLs(n=1,2,3) of a PbS shell, are represented by the top three curves in Figure 4B.  Those spectra are compared with the corresponding spectra of the 4.9nm core PbSe NCs (bottom curves in Fig. 4B).  It is interesting to note that the full width at half maximum(FWHM) of the PbSe/PbS core/shell NC 1S-emission bands is narrower by a factor 〜1.5 from that of the PbSe core.  Moreover, both absorption and PL bands of the PbSe/PbS core/shell NCs are red-shifted (up to 150 meV) with an increase of the PbS shell thickness, while the Stokes' shift decreases with an increase in shell thickness.  The measured 1S-exciton absorption energies versus core diameter and versus shell thickness are plotted in a three-dimensional figure in Figure 6, confirming a consistent red-shifted of the exciton emission upon an increase in the shell thickness.  This red-shift can be explained by the relatively small potential barrier (〜0.1eV) induced by the PbS shell forbidding a spread of the carrier's wavefunction over the entire core/shell structure, leading to a red-shift of the optical transitions with respect to the core samples.[22]  Alternatively, this red-shift can be explained by an anomalous sequence of the valence- and conduction-edge energies (Ev and Ec, respectively), when Ec(PbS)Ec(PbSe)Ev(PbS)≧Ev(PbSe), as reported in bulk IV-VI compounds,[23] which would lead to type-II optical transitions.  Since the effective masses of the electrons and holes are symmetric and nearly equal in PbSe and PbS, the type-II alignment maybe reserved upon confinement in the nanoscale regime, depending on the ratio between the core radius and the shell thickness.  It should be noted that the PbSe/PbS core/shell NCs showed robustness over periods of months, substantially better than the equivalent core samples, which showed variation in the absorption energies and efficiencies after storage for a few weeks.」（第１１１４頁左欄第１行から右欄第１５行）
（当審仮訳）
　ＰｂＳｅ／ＰｂＳのコア／シェルＮＣｓの室温での吸収及びフォトルミネセンススペクトルは、２注入工程により準備し、４．９ｎｍのＰｂＳｅコアとｎＭＬ（ｎ＝１，２，３）のＰｂＳシェルから構成され、図４Ｂの上３つの曲線で表される。これらのスペクトルは、４．９ｎｍのコアのＰｂＳｅのＮＣｓ（図４Ｂの一番下の曲線）の対応するスペクトルと比較される。ＰｂＳｅ／ＰｂＳのコア／シェルＮＣｓの１Ｓ発光帯域の半値幅（ＦＷＨＭ）は、ＰｂＳｅの半値幅より１．５倍狭くなっていることは特筆すべきことである。さらに、ＰｂＳｅ／ＰｂＳのコア／シェルＮＣｓの吸収とフォトルミネセンスの帯域の両方は、ＰｂＳシェルの厚さの増加に伴って赤方偏移（１５０ｍｅＶまで）している。一方で、ストークスシフトは、シェル厚さの増加に伴って減少する。コア直径及びシェル厚さに対する測定された１Ｓ励起子の吸収エネルギーは、図６の３次元図にプロットされており、シェル厚さの増加時において励起子発光の一貫した赤方偏移が確認される。この赤方偏移は、比較的小さなポテンシャル障壁（〜０．１ｅＶ）によって説明することができる。このポテンシャル障壁は、ＰｂＳシェルがキャリアの波動関数がコア／シェル構造全体に広がることを禁ずることによって誘引され、コアサンプルに関しての光学的遷移の赤方偏移を導くものである。［２２］あるいは、バルクＩＶ−ＶＩ族化合物で報告されている［２３］ように、タイプＩＩの光学遷移を導くものとなるであろうＥｃ（ＰｂＳ）＞Ｅｃ（ＰｂＳｅ）＞Ｅｖ（ＰｂＳ）≧Ｅｖ（ＰｂＳｅ）である場合に、この赤方偏移は、価電子端と伝導帯端のエネルギー（それぞれＥｖ、Ｅｃ）の変則的なシーケンスによって説明することができる。電子と正孔の有効質量がＰｂＳｅとＰｂＳにおいて対称的でほとんど等しいので、タイプＩＩの配置はおそらくコア半径とシェルの厚さとの比に応じて、ナノスケール形態での制限時に保たれる。ＰｂＳｅ／ＰｂＳのコア／シェルＮＣｓは数ヶ月にわたって堅牢性を示し、数週間保存した後に吸収エネルギーや効率の変動を示した同等のコア試料よりも実質的に良好なものであったことは、特筆すべきことである。
（４）「Procedure C: Synthesis of PbSexS1-x Core/Alloyed-Shell NCs via a Single-Injection Process: The preparation of PbSexS1-x Core/alloyed-Shell structures was nearly identical to that of the core PbSe NCs, described in procedure A, using a single injection of the precursors into a single round flask.  However, step 5 was altered by the use of an alternative chalcogen precursor stock solution.  A stock solution of Se and S was prepared by mixing 0.15 g of Se dissolved in 1.4 mL of TOP, with 0.03-0.10 g of S dissolved in 0.3 mL of TOP.  The amount of S in the new stock solution corresponded to a stoichiometric amount of 1-2 MLs of the PbS compound. Thus, the mole retio of the precursors Pb/Se/S ranged from 1:1:05 to 1:1:1.3.」（第１１１６頁左欄第１７行から第２７行）
（当審仮訳）
　手順Ｃ：ＰｂＳｅ／ＰｂＳｅｘＳ１−ｘのコア／合金シェルのＮＣｓの単一注入による合成：ＰｂＳｅ／ＰｂＳｅｘＳ１−ｘのコア／合金シェル構造の調整は、手順Ａで記述されたように、単一の丸底フラスコの中への前駆体の単一注入を用いたコアＰｂＳｅの調整とほぼ同一であった。しかしながら、ステップ５は、別のカルコゲン前駆体溶液の使用によって変えられた。ＳｅとＳの溶液は、１．４ｍＬのＴＯＰに溶解された０．１５ｇのＳｅと０．３ｍＬのＴＯＰに溶解された０．０３−０．１０ｇのＳとを混合することによって調整された。新たな溶液のＳの量は、ＰｂＳ成分の１−２分子層の化学量論比に一致した。それ故に、Ｐｂ／Ｓｅ／Ｓｎの前駆体のモル比は、１：１：０．５から１：１：１．３の範囲となった。
　上記（１）ないし（４）と、半導体材料がバンドギャップエネルギーを有することは自明であることと、コアをシェルが被覆することは自明であることにより、引用文献１には、
「それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有するＩＶ−ＶＩ族の半導体ナノ結晶であって、前記ナノ結晶が、
　ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアが、ＰｂＳｅの構造を有し、ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルが、ＰｂＳの構造を有する、コアーシェル半導体ナノ結晶、
　あるいは、それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有するＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアが、ＰｂＳｅの構造を有し、コアを被覆するシェルが、ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料の合金から構成されるシェルが、ＰｂＳｅｘＳ１−ｘの構造を有する、コア−合金シェルナノ結晶、
のいずれかである半導体ナノ結晶。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
第４　本願発明と引用発明との対比 
１　引用発明の「ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコア」、「ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェル」及び「コアを被覆するシェルが、ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料の合金から構成されるシェル」は、本願発明の「第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコア」、「第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェル」及び「第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料と第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆する合金シェル」に、それぞれ相当する。
２  引用発明の「コアが、ＰｂＳｅの構造を有」することは、本願発明の「コアが、ＡＢの構造を有し、」「式中、ＡはＰｂであり、ＢはＳｅ」「であ」ることに相当する。
３　引用発明の「シェルが、ＰｂＳの構造を有する」ことは、本願発明の「シェルが、存在する場合には、ＡＣの構造を有し、」「式中、ＡはＰｂであり、」「ＣはＳであ」ることに相当する。
４　引用発明の「合金から構成されるシェルが、ＰｂＳｅｘＳ１−ｘの構造を有する」ことは、本願発明の「合金シェルが、存在する場合には、ＡＢｘＣ１−ｘ構造の合金から構成され、式中、ＡはＰｂであり、ＢはＳｅ」「であり、ＣはＳであり、ｘはＢのモル分率であり、１−ｘはＣのモル分率であ」ることに相当する。
５　半導体ナノ結晶（ＮＣｓ）が光活性成分として機能することは技術常識であるので、引用発明の「ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアが、ＰｂＳｅの構造を有し、ＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルが、ＰｂＳの構造を有する」「コアーシェル半導体ナノ結晶」が本願発明の「光活性成分」として機能することは明らかである。
　上記１ないし５より、本願発明と引用発明とは、次の一致点で一致し、相違点で相違している。
＜一致点＞
 「光活性成分としての、ＩＶ−ＶＩ族の半導体ナノ結晶であって、前記ナノ結晶が、
　（ｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料から構成されるコアを被覆するシェルを備えるコア−シェル半導体ナノ結晶、あるいは、
　（ｉｉ）それぞれが、選択されたバンドギャップエネルギーを有する第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料のコアおよび前記第１のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料と第２のＩＶ−ＶＩ族の半導体材料との合金から構成されるコアを被覆する合金シェルを備えるコア−合金シェル半導体ナノ結晶、
のいずれかであり、
　前記コアが、ＡＢの構造を有し、前記コアを被覆するシェルが、存在する場合には、ＡＣの構造を有し、前記コアを被覆する合金シェルが、存在する場合には、ＡＢｘＣ１−ｘ構造の合金から構成され、式中、ＡはＰｂであり、ＢはＳｅまたはＴｅであり、ＣはＳであり、ｘはＢのモル分率であり、１−ｘはＣのモル分率である、
　半導体ナノ結晶。」である点。
＜相違点１＞
　本願発明では、「収集電極と、前記収集電極間に挟まれた光活性層とを備える光起電力セルであって、前記光活性層が、光活性成分としてＩＶ−ＶＩ族の半導体結晶を備え」る「光起電力セル」であるのに対して、引用発明は「光起電力セル」については明記されていない点。
＜相違点２＞
　「ＡＢｘＣ１−ｘ構造の合金」について、本願発明では、「ｘは式中ｘ＜１およびｘ＞０の範囲内で段階的に変化する」のに対して、引用発明では明記されていない点。
第５　当審の判断
１　相違点１についての検討
　コア−シェル半導体ナノ結晶が光起電力セルの光活性層として用いられることは、本願の優先日前に周知技術（米国特許出願公開第２００５／０１２６６２８号明細書の［０００３］、［００１１］、国際公開第２００７／９５０６１号の第３頁第１７行から第２０行）である。また、光起電力セルにおいては光活性層は収集電極と前記収集電極間に挟まれたものであることは自明のことである。
　そして、引用文献１には、「ＩＶ−ＶＩ族（例えば、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ）のＮＣｓは、」「太陽電池セル」「での」「使用することの実現可能性を示している」ことが記載されている（上記「第３」「１」「（１）」）ことと、半導体ナノ結晶（ＮＣｓ）が光活性成分として機能することは技術常識であるから、引用発明の「コア−シェル半導体ナノ結晶」を「光起電力セル」の「光活性層」に用いて上記相違点にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
２　相違点２についての検討
　引用文献１の第１１１６頁右欄第１７行から第２７行に記載される（上記「第３」「１」「（４）」）ような手法で、コアからシェルを形成する際、界面欠陥を防止するためにモル分率が段階的に変化することは技術常識であるので、「ＡＢｘＣ１−ｘ構造の合金」において「ｘ」を「式中ｘ＜１およびｘ＞０の範囲内で段階的に変化する」ように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
３　本願発明の奏する作用・効果に関する検討 
　本願発明によってもたらされる作用・効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測し得る程度のものであって、格別なものではない。 
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。