【事件の表示】
　特願２０１２−５１６５１２「電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月　６日国際公開、ＷＯ２０１１／０００３６０、平成２４年１２月１０日国内公表、特表２０１２−５３１７２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２２年６月２９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００９年７月２日　ドイツ（ＤＥ））を国際出願日とする出願であって、手続の概要は以下のとおりである。
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２５年１０月２３日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２６年　４月　３日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２６年　４月　３日
　拒絶査定　　　　　　　　　：平成２６年１２月１１日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　　　：平成２７年　５月　１日
　拒絶査定不服審判の請求と同時に明細書、特許請求の範囲又は図面について補正はされなかった。
２．本願発明
　平成２６年４月３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１は、次のとおりのものである。（なお、理解を容易にするために、改行を加えた。）
「　【請求項１】
　電子装置であって、
　少なくとも１つの、少なくとも絶縁層（３）および少なくとも１つの、前記絶縁層（３）表面側の第一のメタライゼーション（４）から成る金属絶縁層基板（２）を備え、該金属絶縁層基板の第一のメタライゼーション（４）がメタライゼーションエリア（４．１、４．２）を形成するために構造化されており、並びに少なくとも１つの、損失熱を発生させる電気または電子コンポーネント（７）が第一のメタライゼーション（４）の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）に直接固定され、
　その際前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、前記コンポーネント（７）と少なくとも熱的に接続されている部分エリア（４．２．１）のところに、層の厚さ（Ｄ）を備え、該層の厚さ（Ｄ）が前記第一の部分エリア（４．２．１）の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の層の厚さ（ｄ）より大幅に厚い装置において、
　前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の差（ｂ）が少なくとも前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の前記層の厚さ（ｄ）の半分と同じかまたはより大きく、および前記第一の部分エリア（４．２．１）の縁の前記コンポーネント（７）が備えている間隔（ａ１）が前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の前記差（ｂ）と同じまたはより大きく、
　少なくとも１つの前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、階段状に変化した層の厚さを備え、しかもより厚い前記層の厚さ（Ｄ）を備えた前記第一の部分エリア（４．２．１）が、より薄い前記層の厚さ（ｄ）を備えた前記部分エリア（４．２．２）に完全に取り囲まれていることを特徴とする、装置。」
　明細書及び図面の記載より、請求項１の「層の厚さ（ｄ）」について、第３段落の「前記第一の部分エリア（４．２．１）の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の層の厚さ（ｄ）」との記載は誤りであり、第４段落の「前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の前記層の厚さ（ｄ）」との記載が正しいと認める。
　したがって、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。（なお、補った部分に下線を付与した。）
「電子装置であって、
　少なくとも１つの、少なくとも絶縁層（３）および少なくとも１つの、前記絶縁層（３）表面側の第一のメタライゼーション（４）から成る金属絶縁層基板（２）を備え、該金属絶縁層基板の第一のメタライゼーション（４）がメタライゼーションエリア（４．１、４．２）を形成するために構造化されており、並びに少なくとも１つの、損失熱を発生させる電気または電子コンポーネント（７）が第一のメタライゼーション（４）の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）に直接固定され、
　その際前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、前記コンポーネント（７）と少なくとも熱的に接続されている部分エリア（４．２．１）のところに、層の厚さ（Ｄ）を備え、該層の厚さ（Ｄ）が前記第一の部分エリア（４．２．１）
の外側
　前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の差（ｂ）が少なくとも前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の前記層の厚さ（ｄ）の半分と同じかまたはより大きく、および前記第一の部分エリア（４．２．１）の縁の前記コンポーネント（７）が備えている間隔（ａ１）が前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の前記差（ｂ）と同じまたはより大きく、
　少なくとも１つの前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、階段状に変化した層の厚さを備え、しかもより厚い前記層の厚さ（Ｄ）を備えた前記第一の部分エリア（４．２．１）が、より薄い前記層の厚さ（ｄ）を備えた前記部分エリア（４．２．２）に完全に取り囲まれていることを特徴とする、装置。」
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−３１９１４６号公報（平成１８年１１月２４日公開、以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【０００１】
  本発明は配線基板に関し、特に
放熱性に優れ、産業用の電源機器にも適用できる配線基板
（２）「【０００９】
  
セラミックス配線基板は、セラミックス絶縁板１０４の両側に回路パターン１０３が張り合わせられることによって構成されている。
（３）「【００１３】
  本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、
少ない工数で製造が可能で安価かつ放熱性に優れた配線基板
（４）「【００１４】
  本発明では上記問題を解決するために、
絶縁板に金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して回路パターンを形成した配線基板において、回路パターンの上部に上積み回路パターンを備えた
その上積み回路パターンは、回路パターンの上部に金属材料をコールドスプレー法により積層して厚みを上積みすることによって形成する
【００１５】
  このような配線基板によれば、金属箔の回路パターンの上にさらに厚い上積み金属パターンが形成されている。これにより、この厚肉の
上積み回路パターン上にパワー半導体を搭載すれ
【００１６】
  また、本発明によれば、上積み回路パターンを備えた配線基板は、絶縁板が金属板に接合された無機フィラー充填樹脂とした金属ベース配線基板であることを特徴とする。
  さらに、本発明によれば、
上積み回路パターンを備えた配線基板は、絶縁板が両側に金属箔を張り合わせたセラミックス絶縁板としたセラミックス配線基板であり
（５）「【００１８】
  以下、本発明の実施の形態として、絶縁層に金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して所定の回路パターンを形成した
金属ベースのプリント配線板に適用した場合を例に図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
  図１は本発明の配線基板の製造工程および完成した
パワー半導体モジュール
（６）「【００２２】
  以上のように形成された金属ベース配線基板は、従来の金属ベース配線基板と同じであるが、本発明による配線基板では、
回路パターン３の中で、放熱性を向上させたい領域のみ部分的に厚みを増す
【００２３】
  ここで、コールドスプレー法について説明する。
コールドスプレー法は、溶射技術の１つとしてとらえられており
（７）「【００３０】
  また、コールドスプレーにより積層された銅材もしくはその他の金属材料でも、その材料が本来持っている熱伝導率を得ることができる。
  さらに、ここでは、配線基板の一実施の形態として、金属ベース配線基板の場合について説明したが、図４に示した
セラミックス配線基板でも、パワー半導体が搭載される側の回路パターン１０３の上に同様の製造方法にて上積み回路パターンを形成することができる。
（８）「【００３２】
  
パワー半導体６から発生する熱流は、通常、斜め４５度の角度で拡散し広がるという性質を有している。
パワー半導体６のチップ端部から上積み回路パターン５の端部までの距離ａは、回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂと等しければ、ヒートスプレッダ効果が最大に発揮され、熱抵抗を大幅に低減することができる。
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
（ａ）引用例１には、「パワー半導体モジュール」が記載されている（摘示事項（５））。
（ｂ）「パワー半導体モジュール」は、絶縁板に金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して回路パターンを形成した配線基板を備える（摘示事項（４）、（５））。
（ｃ）配線基板は、回路パターンの上部に上積み回路パターンを備える（摘示事項（４））。
（ｄ）上積み回路パターンは、回路パターンの上部に金属材料をコールドスプレー法により積層して厚みを上積みすることによって形成する（摘示事項（４））。
（ｅ）上積み回路パターン上にパワー半導体を搭載する（摘示事項（４））。
（ｆ）上積み回路パターンを備えた配線基板は、絶縁板が両側に金属箔を張り合わせたセラミックス絶縁板としたセラミックス配線基板である（摘示事項（４））。
（ｇ）パワー半導体６のチップ端部から上積み回路パターン５の端部までの距離ａは、回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂと等しい（摘示事項（８））。
　以上を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「パワー半導体モジュールであって、
　絶縁板に金属箔を張り合わせ、その金属箔を加工して回路パターンを形成した配線基板を備え、
　配線基板は、回路パターンの上部に上積み回路パターンを備え、
　上積み回路パターンは、回路パターンの上部に金属材料をコールドスプレー法により積層して厚みを上積みすることによって形成し、
　上積み回路パターン上にパワー半導体を搭載し、
　上積み回路パターンを備えた配線基板は、絶縁板が両側に金属箔を張り合わせたセラミックス絶縁板としたセラミックス配線基板であり、
　パワー半導体のチップ端部から上積み回路パターンの端部までの距離ａは、回路パターンおよび上積み回路パターンの合計の厚みｂと等しいパワー半導体モジュール。」
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−２８６７５４号公報（平成１８年１０月１９日公開、以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（９）「【０００１】
  本発明は、金属−セラミックス接合基板に関し、特に、
セラミックス基板の両面に金属板が接合された金属−セラミックス接合基板
（１０）「【０００３】
  また、
ヒートサイクル後に金属−セラミックス接合基板のセラミックス基板にクラックが生じるのを防止するために、金属板の周縁部に薄肉部や段差を設けた金属−セラミックス接合基板
（１１）「【０００６】
  したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、
金属−セラミックス接合基板に金属ベース板を固定した後に、セラミックス基板にクラックが生じるのを防止することができる、金属−セラミックス接合基板
（１２）「【０００７】
  本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、セラミックス基板の一方の面に、接合面の面積が８０ｍｍ２以上の大きい金属板と、各々の接合面の面積が８０ｍｍ２未満であり且つ互いに１ｍｍ以下の間隔で離間して配置された複数の小さい金属板とを接合するとともに、
大きい金属板の周縁部に段差を設けて薄肉部を形成
することにより、金属−セラミックス接合基板に金属ベース板を固定した後に、セラミックス基板にクラックが生じるのを防止する
（１３）「【００２１】
  次に、図１Ｆに示すように、接合体の両側の銅板１４の表面に、スクリーン印刷法よってエッチングレジスト１６と同様の紫外線硬化型のエッチングレジスト１８を印刷した。このとき、窒化アルミニウム基板１０の表面側（図中上側）に接合した所定のパターン形状の銅板１４のうち、パワー半導体素子搭載用の比較的大きいパターンの銅板１４（図中右側の銅板１４で）の表面には、銅板１４の外周から０．５ｍｍだけ小さいエッチングレジスト１８を印刷し、細い制御回路部搭載用の比較的小さいパターンの銅板１４（図中左側の銅板１４で）の表面には、その全面にエッチングレジスト１８を印刷した（この全面に印刷するエッチングレジスト１８の大きさは、銅板１４と同程度またはそれ以上の大きさであればよい）。また、窒化アルミニウム基板１０の裏面側（図中下側）に接合した銅板１４の表面には、銅板１４の外周から０．５ｍｍだけ小さいエッチングレジスト１８を印刷した。その後、図１Ｇに示すように、塩化第二銅を主成分とするエッチング液で
銅板１４
が約半分の厚さ（０．１５ｍｍ）になるように
パワー半導体素子搭載用の比較的大きい銅板１４の周縁部に段差を設けて薄肉部を形成した。
　上記摘示事項及び図面の記載を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されているものと認める。
「ヒートサイクル後に金属−セラミックス接合基板のセラミックス基板にクラックが生じるのを防止するために、金属板が約半分の厚さになるように、パワー半導体素子搭載用の比較的大きい金属板の周縁部に段差を設けて薄肉部を形成する。」
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）電子装置
　引用発明の「パワー半導体モジュール」は、「電子装置」といえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「電子装置」である点で一致する。
（２）金属絶縁層基板
　引用発明の「セラミックス配線基板」は、絶縁板が両側に金属箔を張り合わせたセラミックス絶縁板としたものであるから、「金属絶縁層基板」といえる。また、「セラミックス絶縁板」は、「絶縁層」といえ、セラミックス絶縁板に張り合わせた「金属箔」、及び、該金属箔を加工して形成した回路パターンの上部に金属材料を積層して形成した「上積み回路パターン」は、「絶縁層表面側の第一のメタライゼーション」といえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「少なくとも１つの、少なくとも絶縁層（３）および少なくとも１つの、前記絶縁層（３）表面側の第一のメタライゼーション（４）から成る金属絶縁層基板（２）を備え」る点で一致する。
（３）第一のメタライゼーションの構造化
　引用発明の金属箔を加工して形成した「回路パターン」、及び、回路パターンの上部に金属材料を積層して形成した「上積み回路パターン」は、「メタライゼーションエリア」といえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「該金属絶縁層基板の第一のメタライゼーション（４）がメタライゼーションエリア（４．１、４．２）を形成するために構造化されて」いる点で一致する。
　なお、本願の明細書【００３０】には、メタライゼーションエリア４．２のために必要な造形について、箔エリア４ｂ’上に溶射によって追加の金属層４ｂ”が施される例示があり、引用発明の「上積み回路パターンは、回路パターンの上部に金属材料をコールドスプレー法により積層して厚みを上積みすることによって形成」する構成は、これと変わるところがない（摘示事項（６））。
（４）コンポーネントの固定
　引用発明の「パワー半導体」は、「損失熱を発生させる電気または電子コンポーネント」といえ、上積み回路パターン上に搭載される。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「少なくとも１つの、損失熱を発生させる電気または電子コンポーネント（７）が第一のメタライゼーション（４）の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）に直接固定され」る点で一致する。
（５）第一のメタライゼーションエリアの形状及び寸法
　本願発明は、
「その際前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、前記コンポーネント（７）と少なくとも熱的に接続されている部分エリア（４．２．１）のところに、層の厚さ（Ｄ）を備え、該層の厚さ（Ｄ）が前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の層の厚さ（ｄ）より大幅に厚」く、
「前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の差（ｂ）が少なくとも前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の前記層の厚さ（ｄ）の半分と同じかまたはより大きく、および前記第一の部分エリア（４．２．１）の縁の前記コンポーネント（７）が備えている間隔（ａ１）が前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の前記差（ｂ）と同じまたはより大きく、
　少なくとも１つの前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、階段状に変化した層の厚さを備え、しかもより厚い前記層の厚さ（Ｄ）を備えた前記第一の部分エリア（４．２．１）が、より薄い前記層の厚さ（ｄ）を備えた前記部分エリア（４．２．２）に完全に取り囲まれている」
のに対し、引用発明の金属箔を加工して形成した「回路パターン」、及び、回路パターンの上部に金属材料を積層して形成した「上積み回路パターン」は、階段状に変化した層の厚さを備えておらず、「パワー半導体６のチップ端部から上積み回路パターン５の端部までの距離ａは、回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂと等しい」点で相違する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「電子装置であって、
　少なくとも１つの、少なくとも絶縁層（３）および少なくとも１つの、前記絶縁層（３）表面側の第一のメタライゼーション（４）から成る金属絶縁層基板（２）を備え、該金属絶縁層基板の第一のメタライゼーション（４）がメタライゼーションエリア（４．１、４．２）を形成するために構造化されており、並びに少なくとも１つの、損失熱を発生させる電気または電子コンポーネント（７）が第一のメタライゼーション（４）の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）に直接固定された装置。」の点。
　そして、次の点で相違する。
＜相違点＞
　本願発明は、
「その際前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、前記コンポーネント（７）と少なくとも熱的に接続されている部分エリア（４．２．１）のところに、層の厚さ（Ｄ）を備え、該層の厚さ（Ｄ）が前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の層の厚さ（ｄ）より大幅に厚」く、
「前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の差（ｂ）が少なくとも前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の前記層の厚さ（ｄ）の半分と同じかまたはより大きく、および前記第一の部分エリア（４．２．１）の縁の前記コンポーネント（７）が備えている間隔（ａ１）が前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の前記差（ｂ）と同じまたはより大きく、
　少なくとも１つの前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、階段状に変化した層の厚さを備え、しかもより厚い前記層の厚さ（Ｄ）を備えた前記第一の部分エリア（４．２．１）が、より薄い前記層の厚さ（ｄ）を備えた前記部分エリア（４．２．２）に完全に取り囲まれている」
のに対し、引用発明の金属箔を加工して形成した「回路パターン」、及び、回路パターンの上部に金属材料を積層して形成した「上積み回路パターン」は、階段状に変化した層の厚さを備えておらず、「パワー半導体６のチップ端部から上積み回路パターン５の端部までの距離ａは、回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂと等しい」点。
５．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
　引用例１の【００３２】（摘示事項（８））の記載より、図２における回路パターン３及び上積み回路パターン５のうち、破線より外側の部分がパワー半導体６から発生する熱流の拡散に寄与しないことは、容易に理解し得る。そして、ヒートサイクル後に金属−セラミックス接合基板のセラミックス基板にクラックが生じるのを防止することは、金属−セラミックス接合基板を用いたパワーモジュールに共通の課題であるから、引用発明に、引用例２に記載された技術事項を適用して、図２における回路パターン３及び上積み回路パターン５のうち、破線より外側の部分の一部を除去するようにして、もしくは、形成しないようにして、「回路パターン３および上積み回路パターン５の合計の厚みｂ」の約半分の厚さになるように、回路パターン３の上部に上積み回路パターン５を積層したものの周縁部に段差を設けて薄肉部を形成するようにすることは、当業者が容易に想到し得る。
　そのように構成を変更すると、
「その際前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、前記コンポーネント（７）と少なくとも熱的に接続されている部分エリア（４．２．１）のところに、層の厚さ（Ｄ）を備え、該層の厚さ（Ｄ）が前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の層の厚さ（ｄ）より大幅に厚」く、
「前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の差（ｂ）が少なくとも前記第一の部分エリア（４．２．１）の外側の前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）の前記層の厚さ（ｄ）の半分と同じかまたはより大きく、および前記第一の部分エリア（４．２．１）の縁の前記コンポーネント（７）が備えている間隔（ａ１）が前記層の厚さ（Ｄ、ｄ）の前記差（ｂ）と同じまたはより大きく、
　少なくとも１つの前記第一のメタライゼーションエリア（４．２）が、階段状に変化した層の厚さを備え、しかもより厚い前記層の厚さ（Ｄ）を備えた前記第一の部分エリア（４．２．１）が、より薄い前記層の厚さ（ｄ）を備えた前記部分エリア（４．２．２）に完全に取り囲まれている」
ようになる。
　また、効果についてみても、上記構成の変更に伴って当然に予測される程度のことに過ぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。