【事件の表示】
　特願２０１２−１７０２９８「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月１４日出願公開、特開２０１３−　３３０４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月２８日に出願された特願２００６−３２０３５４号の一部を平成２４年７月３１日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年８月２０日に手続補正書が提出され、平成２５年４月３０日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年８月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１２月１１日付けで拒絶の査定がなされ、同拒絶査定の謄本は、同月１７日に請求人に送達された。
　これに対し、平成２６年４月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、それと同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年４月１７日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年４月１７日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
　１　本件補正について
　本件補正は、特許請求の範囲を全文にわたって補正をするとともに、合わせて明細書の記載について全文にわたって補正をするものであり、本件補正は、特許請求の範囲及び明細書の記載を次のとおり変更する補正事項を含むものである。
　（１）特許請求の範囲の請求項１
　「【請求項１】
　赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、赤外線熱影像アレーモジュール
の赤
温度差の
　
該赤
温度差
作動温度の誤り率
」
  （２）特許請求の範囲の請求項３
 「 【請求項３】
　請求項１記載の検証装置において、
該赤
階層構造
電子−正孔対間
さ
　（３）明細書段落【０００７】
　　「すなわちその赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性の検証に用いられる検証モジュールを含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行い、検証合格後、赤外線センサ製造工程と
温度差
　（４）明細書段落【０００８】
　「請求項１の発明は、赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、赤外線熱影像アレーモジュールの赤外線センサ製造工程と
温度差
温度差の
作動温度の誤り率
　（５）明細書段落【００１８】
　「分子ビームエピタキシャル法、金属有機CVD法、或いは高温拡散炉(HTDO)エピタキシャル拡散機台により設計赤外線センサ構造を成長させる前においては、先ず材料積層率、サイクル構造完全性、構造結晶品質、極性とドーピング濃度などのエピタキシャルパラメーター校正を行う必要がある。上記は赤外線センサモジュール構造のエピタキシャル構造設計のプロセス、エピタキシャルパラメーター検証と赤外線センサ構造である。
　この後、同一片の赤外線センサエピタキシャル片の一部分(約チップ総面積の1/4〜1/5)を切り取り
、
温度差の
　（６）明細書段落【００１９】
　「
赤
温度差の
階層構造の
おいて
真性層
　（７）明細書段落【００２９】
　「・・・２０　
赤
温度差の
（下線は補正箇所を示す。）
　２　上記１の各補正事項が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内でされたものであるか否かについて検討する。
　なお、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲について、それぞれ「当初明細書」、「当初請求の範囲」といい、これら全体について「当初明細書等」という。　
　（１）本件補正により追加された「温度差の測定検証」について
　ア　上記１（１）、（３）ないし（７）の補正事項中において補正された「温度差の測定検証」は、本件補正前の平成２５年８月１４日提出の手続補正書による補正後の特許請求の範囲及び明細書並びに当初明細書及び当初請求の範囲に記載されていた「変温光電測定検証」及び「変温光電量測定検証」を「温度差の測定検証」としたものであるところ、当初明細書及び当初請求の範囲には、「温度差の測定検証」について何らの記載もない。
　そして、当初請求の範囲及び当初明細書における「変温光電測定検証」及び「変温光電流測定検証」の記載については、次のとおりである。
　（ア）当初請求の範囲の記載　
　当初請求の範囲には、【請求項１】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証に用いられるモジュールを包含し、該モジュールの検証内容は、単乙型赤外線センサ製造工程のフォトマスクと実体部品製造工程の線幅誤差が10%より小さいか、変温光電測定検証時は10〜300Kでの操作温度誤差率は15%より小さいか、得られるスペクトル形態均一度が80%より大きいかの検証を包含することを特徴とする、赤外線熱影像アレーモジュール検証装置。」との記載があり、そこには、「変温光電測定検証」について記載されている。
　そして、この「変温光電測定検証」が具体的にどのような検証であるものかは、請求項１の記載からは明らかではないものの、これらの記載からみて、請求項１において特定される「変温光電測定検証」が、少なくとも、「温度を変化させて」、「光電」に関する「測定」を行う「検証」を意味するものと一応解することができる。
　（イ）当初明細書の記載
　当初明細書の「変温光電測定検証」に関する記載は、その段落【０００７】に「すなわちその赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置と検証方法は、熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性の検証に用いられる検証モジュールを含み、先ずエピタキシャルパラメーターの校正を行い、検証合格後、単乙型赤外線センサ製造工程と
変温光電量測定検証
変温光電測定検証
変温光電測定検証を行う時には、10〜300Kにおける操作温度誤差は15%で
以上光電物理パラメーター測定と検証を経た後
　そして、これらの記載を参酌しても、「変温光電測定検証」が具体的にどのような検証であるのかを明確に理解することができないが、上記段落【０００７】の記載からは「変温光電量測定検証」に「実際にエピタキシャルは導熱接着絶縁テストを完成し、金線により同軸導線或いは低ノイズ信号線を導出し、低温変温と変圧を経て、暗電流、暗電気抵抗、反応スペクトル、探知検査度校正を測定」する内容が含まれるであろうことが推認され、その他の段落【０００８】、【００１２】、【００１８】、【００１９】及び【００２２】の記載から「変温光電測定検証」が、少なくとも、「温度」を変化させて、「光電」に関する測定を行うことを含む検証であることが理解できる。
　そして、この理解は、段落【０００７】における記載と矛盾するものではない。
　なお、その他、温度に関する記載として、当初明細書の段落【００２６】に「温度を検証を待つ赤外線熱影像アレーモジュールの適当温度操作範囲に設定する。この操作温度は絶対カスパリアン温度40〜300Kである。温度がこの設定温度に安定し、少なくとも15分後、偏圧確立モジュール５１２により、外付けモジュール操作偏圧の調整を行い、赤外線センサに跨ぎ接続する偏圧絶対値、10MV〜4V間に転換する。調整信号読み出し集積回路内積分時間を10μsecから32msec間に対応調整する。信号転換阻害拡大と補償５０４及び緩衝増益機能５０６の機能端は、後級拡大と補偏回路に基づき定める。以上の重要調整パラメーターはすべて影像検知モジュール感知単調中段温区背景に調整され、元の影像信号は表示モニタにおいてグレーレベルである。」と記載され、段落【００２８】には、「・・・低温操作の焦平面アレー環境制冷器制御温度は40〜150K±0.5Ｋで、封入内部真空圧力は10E-5〜5E-2torrである。両点均一度影像品質補償後のその影像画面均一度は98%で、EPAモジュール探知検査ユニット操作率は95%で、最後に一組の影像モジュール雛形６０を完成する。」と記載されているものの、当該記載も、上記の解釈を左右するものでもない。
　イ　本件補正後の「温度差の測定検証」の技術的意義について
　「温度差の測定検証」は、本件補正後の請求項１の記載（上記１（１）参照）からは、少なくとも何かの「温度差」を「測定」することが含まれる「検証」を意味するものと一応解される。
　なお、本件補正後の段落【０００７】の「赤外線センサ製造工程と
温度差
　そして、その他の段落【０００８】、【００１２】、【００１８】及び【００１９】の記載によっても、上記の請求項１の記載及び段落【０００７】の記載による解釈以上の具体的な内容を見出すことはできない。
　以上によれば、本件補正により追加された「温度差の測定検証」は、少なくとも「温度差」を「測定」することが含まれる「検証」を意味するものと一応解されるものである。
　ウ　本件補正により追加された「温度差の測定検証」が当初明細書及び当初請求の範囲に記載されたものか否かについて
　上記アで説示したように、当初明細書及び当初請求の範囲には、「温度差の測定検証」については何ら記載されていない。
　そして、本件補正は「変温光電測定検証」及び「変温光電量測定検証」を「温度差の測定検証」とするものであるところ、上記アで説示したように、当初明細書及び当初請求の範囲の「変温光電測定検証」及び「変温光電量測定検証」には、少なくとも「温度を変化」させて「光電」に関する測定をすることが含まれるものと解されるのに対して、本件補正後の特許請求の範囲及び明細書に記載の「温度差の測定検証」は、上記イで説示したように、少なくとも「温度差」を測定することが含まれものと解されるのであるから、本件補正後の「温度差の測定検証」が、当初明細書及び当初請求の範囲に記載の「変温光電測定検証」と同じ検証を意味するものと解することはできないし、「温度差の測定検証」が、「変温光電測定検証」及び「変温光電測定量検証」から自明なものであるということもできない。
　エ　小括
　以上のとおりであるから、「温度差の測定検証」を追加する本件補正は、当初明細書及び当初請求の範囲に記載された事項の範囲内においてするものとはいえない。
　（２）本件補正により追加された「
温度差
作動温度の誤り率
　ア　「温度差の測定検証時」について
　上記（１）において説示したように、「温度差の測定検証」は、当初明細書及び当初請求の範囲の記載されたものとはいえないから、「温度差の測定検証時は絶対温度10〜300Kでの
作動温度の誤り率
　イ　「作動温度の誤り率」について
　（ア）上記１（１）、（４）の補正事項中において補正された「作動温度の誤り率」は、本件補正前の平成２５年８月１４日提出の手続補正書による補正後の特許請求の範囲及び明細書並びに当初明細書及び当初請求の範囲に記載されていた「操作温度誤差」を補正したものであるところ、当初明細書及び当初請求の範囲には、「作動温度の誤り率」について何らの記載もない。
　そして、当初請求の範囲及び当初明細書における「操作温度誤差」の記載については、次のとおりである。
　当初請求の範囲には、【請求項１】赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証に用いられるモジュールを包含し、該モジュールの検証内容は、単乙型赤外線センサ製造工程のフォトマスクと実体部品製造工程の線幅誤差が10%より小さいか、変温光電測定検証時は10〜300Kでの操作温度誤差率は15%より小さいか、得られるスペクトル形態均一度が80%より大きいかの検証を包含することを特徴とする、赤外線熱影像アレーモジュール検証装置。」との記載があり、そこには、「操作温度誤差率」について記載されているものの、この「操作温度誤差率」が、何の「操作温度」であるのかや、ここでの「１０〜３００Ｋ」が何についての温度を特定するものであるかが明確でないことから、「変温光電測定検証時は10〜300Kでの操作温度誤差率は15%より小さい」が具体的にどのような条件を特定しようとするものであるのかは明確でないものの、ここでの「操作温度誤差率」は、何らかの温度を操作した際の誤差の割合を意味する程度のものとして理解すべきである。
　なお、この点につき当初明細書の記載を参酌しても、段落【００１９】に「単乙型赤外線センサ製造工程中において、フォトマスク実体部品製造工程ライン幅は誤差＜10%で、
変温光電測定検証を行う時には、10〜300Kにおける操作温度誤差は15%で
　また、「操作温度」に関する記載としては、当初明細書の段落【００２６】に「温度を検証を待つ赤外線熱影像アレーモジュールの適当温度操作範囲に設定する。この操作温度は絶対カスパリアン温度40〜300Kである。温度がこの設定温度に安定し、少なくとも15分後、偏圧確立モジュール５１２により、外付けモジュール操作偏圧の調整を行い、赤外線センサに跨ぎ接続する偏圧絶対値、10MV〜4V間に転換する。調整信号読み出し集積回路内積分時間を10μsecから32msec間に対応調整する。信号転換阻害拡大と補償５０４及び緩衝増益機能５０６の機能端は、後級拡大と補偏回路に基づき定める。以上の重要調整パラメーターはすべて影像検知モジュール感知単調中段温区背景に調整され、元の影像信号は表示モニタにおいてグレーレベルである。」と記載され、段落【００２８】には、「・・・低温操作の焦平面アレー環境制冷器制御温度は40〜150K±0.5Ｋで、封入内部真空圧力は10E-5〜5E-2torrである。両点均一度影像品質補償後のその影像画面均一度は98%で、EPAモジュール探知検査ユニット操作率は95%で、最後に一組の影像モジュール雛形６０を完成する。」と記載されているものの、当該記載も「操作温度誤差率」の上記の解釈を左右するものでもなく、かえって「操作温度」が、操作される温度のことであることを意味することを裏付けるものともいえる。
　（イ）これに対して、本件補正後の請求項１に記載の「作動温度の誤り率」は、段落【００１９】の記載を参酌しても、それが何の作動温度であるのかや「誤り率」の「誤り」がどのような誤りであるのかなどが理解できないから、ここでの「作動温度の誤り率」が具体的にどのような誤りの割合を特定するものであるのかは明確でない。
　そして、「作動」という語句が、一般には、「機械や装置の運動部分が働くこと」を意味するものであることからすれば、ここでの「作動温度」は、何らかのものが動く温度を意味するものと解され、また、誤り率とは、「何かを誤る割合」を意味するものと解されるから、「作動温度の誤り率」は、何らかのものが動く温度を誤る割合を意味する程度のものと解されるべきものである。
　（ウ）してみると、「操作温度誤差率」が、何からの温度を操作する際の誤差の割合と解されるものであるのに対して、「作動温度の誤り率」は、何らかのものが動く温度を誤る割合を意味するものと解されるのであるから、両者が同じものではなく、また、前者が後者を意味することが自明であるといえないことは、明らかである。
　ウ　小括
　以上のとおりであるから、 「
温度差
作動温度の誤り率
　（３）請求項３についての補正について
　本件補正後の請求項３は、上記１（２）のとおりであり、当該記載においては、「赤外線センサ製造工程中に使用されるエッチング深度」が「階層構造から電子−正孔対の高さ」であるという技術的事項（以下、「補正後請求項３の技術的事項」という。）が特定されているものと認められるところ、この技術的事項が当初明細書及び当初請求の範囲に記載されているものといえるか否かについて検討する。
　ア　当初請求の範囲の請求項３
　当初請求の範囲の請求項３の記載は、「請求項１の検証装置において、単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電量測定検証では、エッチング深度が部品層構造上層から発生する電子−電洞層の高度であることを検証することを特徴とする」ものであるところ、当該記載からは「エッチング深度」が「部品層構造上層から発生する電子−電洞層の高度である」ことを「単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電量測定検証」において「検証」することが規定されていたものと認められるから、当初請求の範囲の請求項３の記載から、補正後請求項３の技術的事項が記載されていたものともそれが自明なものとも認めることができない。
　イ　当初明細書の記載
　当初明細書の段落【０００８】には、当初請求の範囲の請求項３と同様の記載があるほかは、「エッチング深度」及び「エッチング深度の検証」については、段落【００１９】に「単乙型赤外線センサ製造工程中において、フォトマスク実体部品製造工程ライン幅は誤差＜10%で、変温光電測定検証を行う時には、10〜300Kにおける操作温度誤差は15%で、得られるスペクトラム形態の均一度は80%で、調整される適当なエッチング水溶剤(弱PH値酸液を含む:過酸化水素:消イオン水=2〜5：1〜2：5〜20)である。
エッチング示（当審注：そのまま）度は部品層構造層上層においＴ（当審注：記載のまま）生じる電子-電ホール層間の厚み(約1〜10μm)で、目的は側向漏電流を防止することである。
　そして、当初明細書には、「赤外線センサ製造工程」において、「エッチング深度」は、「部品層構造上層において生じる電子−ホール層間の厚み」であることが記載されているところ、そこではあくまで、エッチング深度が、電子−ホール層間という「層の厚み」であることが記載されているにとどまり、「エッチング深度」が、「階層構造から電子−正孔対の高さ」であることが記載されているとはいえない。
　ウ　本件補正後の「階層構造」と「電子−正孔対の高さ」の技術的意義について
　「電子−正孔対」とは、「電子と正孔が１個ずつ生成される」ことを意味する技術用語であり、そのような電子−正孔対の高さがどのような高さを技術的に意味するものであるのかは明確ではないが、電子と正孔とを隔てる高さであると仮に解されるものとし、また、本件補正後の「階層構造」が何の階層構造であるのかが明確でないところ、これを「赤外線センサの製造工程」において製作される「半導体基板の層構造」であると仮に解されるものとしても、本件補正後の請求項３における「階層構造から電子−正孔対の高さ」が意味するものについては、階層構造におけるどの部分から電子−正孔対の高さであるのかが特定できず依然としてその特定されるものは明確でないことからすれば、そのような「階層構造から電子−正孔対の高さ」と当初請求の範囲の請求項３及び段落【００１９】において記載されている「部品層構造上層において生じる電子−ホール層間の厚み」と同じものであるとか、それから自明な事項であるということもできない。
　エ　小括
　以上のとおりであるから、本件補正による請求項３の補正は、当初明細書及び当初請求の範囲に記載した事項の範囲内においてするものではない。
　（４）本件補正事項についての判断のまとめ
　上記（１）ないし（３）において検討したように、本件補正により請求の範囲及び明細書には、当初明細書等に記載されておらず、また、当初明細書等の記載から自明な事項といえない事項が追加されるものとなっており、これらの事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえないから、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものではない。
　３　補正の却下の決定についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
　上記第２の補正の却下の決定のとおり、本件補正は却下されことから、本審決において判断する対象となる本願の特許請求の範囲は、平成２５年８月１４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０であり、本願の明細書は、同補正書により補正された明細書である。
  また、平成２４年８月２０日に提出された手続補正書により、第１図ないし第６図の図面が追加されている。
第４　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、平成２５年４月３０日付けの拒絶理由通知書により通知された理由であり、そのうちの理由２及び理由５の概要は次のとおりである。（なお、原査定の理由１（特許法第３７条違反）、理由３（特許法第２９条第１項第３号違反）及び理由４（特許法第２９条第２項違反）は省略した。）
　１　原査定の理由２（特許法第３６条第６項第２号違反）
　原査定の拒絶の理由２は、本願は、特許請求の範囲の記載が次の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないということであり、その指摘事項のうち主なものは次のとおりである。
（１）特許請求の範囲全体について
　以下の語句は、日本語として妥当でない技術用語か、または誤記であるから、その意味内容が不明である。
　「単乙型」「変温光電測定」「操作温度誤差率」「水溶剤」「変温光電量測定」「電洞層」「部品層構造」「高度」「上と下電極区」「Ｉ−本質層」「側向拡散電流」「Ｐ−極高温」「Ｐ−極区域」「ボトムへビードープ極性区厚み」「高温拡散Ｐ−極拡散深度」「表面研磨方式１〜５μｍ粒子直径」「量子井」「サイクル性光柵構造」「光柵間距離」
（２）請求項１について
　・「赤外線熱影像アレーモジュール」と「単乙型赤外線センサ製造工程」と「実体部品製造工程」との関係が不明である。
　・「モジュール」は「検証に用いられる」のであって検証するという動作の主体ではないから、「モジュールの検証内容」を定義することはできない。また、「モジュール」自体の機能が明確でない。
　・「フォトマスクと」何とが並列しているのか明確でない。
　・「スペクトル形態均一度」は得られていないから、「得られるスペクトル形態均一度」は定義できない。また、「均一」とは“ある物のどの部分も、様子、性質、種類などがひと通りであるさま”を示す概念であるところ、「スペクトル形態均一度」の「均一」における“部分”とは何であるのか明確でない。
　・「１０〜３００Ｋ」が何の温度について言及しているのか不明である。
（３）請求項２
　・「弱ＰＨ値酸液」とは、ＰＨ値の低い強酸を意味しているのか、弱酸を意味しているのか明確でない（発明の詳細な説明を見ても、過酸化水素と混合される酸が何なのか具体的に示されていないため、弱酸なのか強酸なのか同定することができない）。
　・「過酸化水素」と「消イオン水」との比と、３つの数値の比とを等号で結ぶことは不可能である。
　・請求項１によれば、「単乙型赤外線センサ製造」で「エッチング水溶剤」は使用されていない。
・・・
　よって、請求項１〜１０に係る発明は明確でない。（請求項３ないし１０についての指摘は省略した。）
　２　原査定の理由５（特許法第１７条の２第３項違反）
　原査定の拒絶の理由の理由５は、平成２４年８月２０日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないというものであって、その指摘事項は、次のとおりである。
（１）前記手続補正によって追加された図１〜図６は、いずれも本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載から、当業者にとって自明なものでない。
第５　請求人の応答内容について
　請求人は、上記拒絶理由についての応答において、平成２５年８月１４日に提出の意見書で次のように主張している。
　１　原査定の理由２（特許法第３６条第６項第２号違反）について
　　（１）請求項１中の、「赤外線熱影像アレーモジュール」と「単乙型赤外線センサ製造工程」と「実体部品製造工程」が不明であるとされている。また、「モジュール」自体の機能が明確でないと指摘されている。さらに、「フォトマスク」と何とが並列しているのか明確でないとされている。また「スペクトル形態均一度」の「均一度」が不明確であるとされている。これらのご指摘に対して、出願人は請求項１を以下のように補正した。
「赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、赤外線熱影像アレーモジュールの単一型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証に用いられるモジュールを包含し、該モジュールの検証内容は、該単一型赤外線センサ製造工程の全てのフォトマスクと該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差が10%より小さいか、変温光電測定検証時は絶対温度10〜300Kでの操作温度誤差率は15%より小さいか、得られるスペクトル形態の分布均一度が80%より大きいかの検証を包含することを特徴とする、赤外線熱影像アレーモジュール検証装置。」
　（２）請求項１中の、「10〜300K」がどのような温度であるのか不明であるとされているが、これについて説明する。
　「Ｋ」の単位は、ケルビンであり、温度の計測単位である。それは国際単位制（ＳＩ）の７個の基本単位の一つであり、記号はＫとされる。ケルビンは一種の絶対熱力学温度標準であり、ゼロ点が絶対零度とされる。
　この温度単位はケルビン（Ｋ）であり、その零度は絶対零度で表示は０Ｋ或いは零Ｋとされ、摂氏−２７３．１５度、或いは華氏−４５９．６７度に等しく、水が１標準大気圧で氷となるときの温度は、２７３．１５Ｋ、０℃、或いは華氏３２度であり、換算公式は、Ｋ＝℃＋２７３．１５　或いは　℃＝Ｋ−２７３．１５である。
　（３）請求項２中の、「弱ＰＨ値酸液」が明確でないと指摘されているが、これについて説明する。
　本願の請求項２中のエッチング水溶剤は、弱PH値酸液:過酸化水素:消イオン水=2〜5：1〜2：5〜20である。
　そのうち、エッチング水溶剤が包含する弱PH値酸液について説明すると、ＰＨ値とは、また水素イオン濃度指数、酸アルカリ値と称され、溶液中の水素イオンの活性の一種の指標であり、すなわち、通常の意義上、酸性・アルカリ性の程度を表す言葉で、液中の水素イオン濃度の逆数の常用対数で表す。通常状況では（２５℃、２９８Ｋ程度）で、ＰＨが７より小さいとき、溶液は酸性を呈し、ＰＨが７より大きければ、溶液はアルカリ性を呈し、ＰＨが７のときは、溶液は中性を呈する。過酸化水素は、オゾン水と称され、分子式はＨ2Ｏ2であり、水を除くもう一種類の水素の酸化物である。粘性は水より僅かに高く、化学性質は不安定であり、一般に、３０％或いは６０％の水溶液形式で保存される。過酸化水素は非常に強い酸化性を有し、且つ弱酸性を有する。消イオン水（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ　ｗａｔｅｒ，ＤＩ　ｗａｔｅｒ，ｄｅ−ｉｏｎｉｚｅｄ　ｗａｔｅｒ　或いはｄｅｉｏｎｉｓｅｄ　ｗａｔｅｒ）は、自然界の水よりナトリウム、カルシウム、鉄、銅等の元素の陽イオン及び塩素、臭素等の元素の陰イオンを除去した後の水である。この表示は、Ｈ3Ｏ+とＯＨ-のほか、消イオン水中にその他の任意のイオン成分を含有しない。ゆえに、消イオン水のＰＨは７より小さい。
　（４）請求項２中の、「過酸化水素」と「消イオン水」との比と、３つの数値の比とを等号で結ぶことは不可能であると指摘されたので、これに対しては、請求項２を以下のように改めた。なお、「〜」は範囲（ｒａｎｇｅ）を代表する。
　「請求項１記載の検証装置において、該単一型赤外線センサ製造工程中に、弱PH値酸液、過酸化水素及び消イオン水を、2〜5：1〜2：5〜20の割合で含有するエッチング水溶剤を調合することを特徴とする検証装置。」
　（５）請求項２に対して、請求項１によれば、「単乙型赤外線センサ製造」で「エッチング水溶剤」は使用されていないことを指摘されているが、これについて説明する。本願の明細書の段落【００１９】には、「単一型赤外線センサ製造工程中において、フォトマスク実体部品製造工程ライン幅は誤差＜10%で、変温光電測定検証を行う時には、10〜300Kにおける操作温度誤差は15%で、得られるスペクトラム形態の均一度は80%で、調整される適当なエッチング水溶剤(弱PH値酸液を含む:過酸化水素:消イオン水=2〜5：1〜2：5〜20)である。エッチング示度は部品層構造層上層においＴ生じる電子-電ホール層間の厚み(約1〜10μm)で、・・・」と記載されている。
　２　原査定の理由５（特許法第１７条の２第３項違反）について　
　審査官殿は本願の２０１２年８月２０日付けでした手続補正で追加された図１〜図６は、いずれも本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面の記載から、当業者にとって自明なものでないとされている。
　Ｉ．符号の補正：
　本願の図２の記載によると、インジウム柱に接続された部品は焦平面アレーとされ、該焦平面アレーにおける、許可出力P-MOSFETトランジスター１０１２、出力及びリセット切り換えP-MOSFETトランジスター１０１４、赤外線センサ偏圧調整P-MOSFETトランジスター１０１６、許可リセットP-MOSFETトランジスター１０１８及び積分キャパシタ１０２０の接続関係について明確にするため、図２を補正した。
　図３についても、焦平面アレーの包含するものを、許可出力P-MOSFETトランジスター１０１２、出力及びリセット切り換えP-MOSFETトランジスター１０１４、赤外線センサ偏圧調整P-MOSFETトランジスター１０１６、許可リセットP-MOSFETトランジスター１０１８及び積分キャパシタ１０２０と補正した。
　図２、３、５のブロック図は並びに明細書の文字に対応していないため、対応する補正を行なった。
第６　当審の判断
　１　原査定の理由２（特許法第３６条第６項第２号違反）について
　（１）請求項１についての検討
　ア　請求項１の記載
　平成２５年８月１４日提出の手続補正書により補正された請求項１は、次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置において、赤外線熱影像アレーモジュールの単一型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証に用いられるモジュールを包含し、該モジュールの検証内容は、該単一型赤外線センサ製造工程の全てのフォトマスクと該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差が10%より小さいか、変温光電測定検証時は絶対温度10〜300Kでの操作温度誤差率は15%より小さいか、得られるスペクトル形態の分布均一度が80%より大きいかの検証を包含することを特徴とする、赤外線熱影像アレーモジュール検証装置。」
　イ　検討
　請求項１の記載において、次の点が明確でない。
　（ア）「赤外線熱影像アレーモジュール」と「単乙型赤外線センサ製造工程」と「実体部品製造工程」との関係が不明であることについて
　ａ　請求項１には、赤外線熱影像アレーモジュールの検証装置に包含される「赤外線熱影像アレーモジュールの単一型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証に用いられるモジュール」の検証内容に包含されるものとして「単一型赤外線センサ製造工程の全てのフォトマスクと該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差が１０％より小さいか」の検証が規定されているものと認められるところ、ここでの「単一型赤外線センサ製造工程」と「該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程」とは、文言上異なる製造工程であるし、そもそも請求項１に規定されている「モジュール」は、「単一型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証に用いられるモジュール」であることからすれば、その検証内容を規定するものとして「該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程」が存在することの意味が不明である。
　また、ここでの「該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程」が、「単一型赤外線センサ製造工程」とどのような関係にあるのかも理解できない。
　ｂ　この点につき、発明の詳細な説明（平成２５年８月１４日提出の手続補正書による補正後のもの）の記載を参酌するとしても、発明の詳細な説明には、「赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差」を検証することについては何ら記載されていない。
　また、明細書の段落【００１９】には、「単一型赤外線センサ製造工程中において、フォトマスク実体部品製造工程ライン幅は誤差＜１０％で、変温光電測定検証を行う時には、１０〜３００Ｋにおける操作温度誤差＜１５％で、得られるスペクトラム形態の均一度は＞８０％で・・・」との記載があるのみであり、当該記載を参酌しても「実体部品製造工程ライン」が単一型赤外線センサ製造工程のことであることは推察できるが、そのように理解したとしても、請求項１においては、「実体部品製造工程」は「赤外線熱影像アレーモジュール」についてのものとして規定されているのであるから、「該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程」が、「単一型赤外線センサ製造工程」とどのような関係にあるのかも理解できない。
　ｃ　以上のとおりであるから、請求項１の記載において、「赤外線熱影像アレーモジュール」と「単乙型赤外線センサ製造工程」と「実体部品製造工程」との関係が不明であるというほかなく、その結果請求項１に係る発明は明確でない。
　（イ）「単一型赤外線センサ製造工程の全てのフォトマスクと該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差が１０％より小さいか」の「フォトマスクが何と並列するのかが明確でない」ことについて
  ａ　請求項１の「単一型赤外線センサ製造工程の全てのフォトマスクと該赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差が１０％より小さいか」という記載は、そのままその意味内容を理解するとすれば、「単一型赤外線センサ製造工程の全てのフォトマスク」と「赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差」が、「１０％より小さいか」と規定されていると解されることとなる。
　なお、そのように解した場合に「全てのフォトマスク」が「１０％より小さい」は、その意味が不明である。
　また、明細書の段落【００１９】の記載を参酌して、ここでの線幅誤差が「フォトマスク実体部品製造工程ライン幅」の誤差のことであると解し得るようにも思われるが、当該記載においては「赤外線熱影像アレーモジュールの実体部品製造工程の線幅誤差」と規定されているから、そのように解することが相当であるともいえない。
　ｂ  以上のことからすると、請求項１の記載において、フォトマスクが何と並列するのかが理解できないことから、請求項１に係る発明は明確でないというほかない。
　（ウ）「スペクトル形態均一度」が明確でないことについて
　請求項１における「得られるスペクトル形態の分布均一度が80%より大きいか」については、ここでの得られるスペクトルが、具体的に何のスペクトルであるのかや、どのような測定により得られるものであるのかが特定されておらず、不明である。
　なお、一般にスペクトルとは、「複雑な情報や信号をその成分に分解し、成分ごとの大小に従って配列したもののことであり、 2次元以上で図示されることが多く、その図自体のことをスペクトルと呼ぶこともある」ものであって、光であれば波長成分ごとの強度分布等を表す際に用いられるものであると解することができる。
　しかしながら、ここでの「スペクトル形態」とは、スペクトルのどのような形態ことを意味するものであるのかが理解できず、また、「分布均一度」についても、「スペクトル分布」が一般に各成分の強度の分布を意味することからすれば、得られるスペクトル波形の各成分の強度の均一度を意味するものと解されることとなるが、その場合の均一度が８０％よりも大きいということがどのようなスペクトル波形となる状態を意味するのかを理解することができない。
　また、明細書（平成２５年８月１４日提出の手続補正書による補正後のもの）の発明の詳細な説明の段落【００２２】の「単乙型赤外線センサ構造を完成後、導熱接着剤によりテスト絶縁ベース(酸化アルミニウムキャリアベースなど)上に接着し、金線上下信号端を引き出し、循環式液体ヘリウム低温変温真空チャンバー中に入れ、さらに端子pin信号線をフィードスルー(feedthrough)インターフェースより同軸導線或いは低ノイズ信号線を通して導出し、低温変温と変圧測定を経由し、暗電流、暗電気抵抗、反応スペクトラル(FTIRスペクトル分析器により、入射光源、フーリエスペクトル転換を行い、吸収スペクトル分布を得る。低ノイズ電流拡大器：電圧を設定、信号感知度と増益拡大を行う)、探知検査度校正(黒体放射源、FTIR光源強度の校正、フェーズロック拡大器、シンクロ調変光電流転換制御電圧信号読み取り)を行い、以上光電物理パラメーター測定と検証を経た後、もし信号ノイズ比、光反応ウェーブバンド、反応度、探知検査度、暗電流、暗微分電気抵抗などの定めた赤外線センサ規格に符合するなら、同片感知エピタキシャルの3/4〜4/5のチップ面積はアレー型を使用するフォトマスクである。」の記載から、「スペクトル形態均一度」に関しては、単一型赤外線センサ構造の赤外線吸収スペクトル分布のことであると一応は解されるとしても、均一度の８０％よりも大きいということがどのようなスペクトル波形となる状態を意味するのかを理解できないことに変わりはない
　したがって、「得られるスペクトル形態均一度」は、その意味内容が明確でないというほかない。
　（エ）「絶対温度１０〜３００Ｋ」が何の温度について言及するかが不明であることについて
　請求項１の「変温光電測定検証時は絶対温度10〜300Kでの操作温度誤差率は15%より小さいか」の記載からは、「絶対温度10〜300K」が何の温度であるのかは特定できないし、また、「操作温度誤差率」についても何の操作温度についてであるのかが特定できない。
　この点について、明細書（平成２５年８月１４日提出の手続補正書による補正後のもの）の発明の詳細な説明を参酌しても、段落【００１９】において「【００１９】単一型赤外線センサ製造工程中において、フォトマスク実体部品製造工程ライン幅は誤差＜10%で、変温光電測定検証を行う時には、10〜300Kにおける操作温度誤差は15%で、得られるスペクトラム形態の均一度は80%で、」と記載されているのみであるから、ここでの絶対温度10〜300Kが何の温度であるのかは依然として不明である。
　なお、段落【００２６】や【００２７】においても操作温度範囲が「４０〜３００Ｋ」であることが言及されているが、これらはいずれも「単一型赤外線センサ製造工程」やその工程中若しくは単一型赤外線センサの「変温光電測定検証」について言及するものではないから、これらの記載は上記の理解を左右するものではない。
　したがって、「絶対温度１０〜３００Ｋ」が何の温度であるのかは明確でない。
　ウ　小括
　請求項１の記載には、上記（ア）ないし（エ）において指摘した不備がある結果、請求項１に係る発明は、明確でない。
　（２）請求項２についての検討　
　ア　請求項２の記載
   平成２５年８月１４日提出の手続補正書により補正された請求項２は、次のとおりのものである。　
  「【請求項２】
　請求項１記載の検証装置において、該単一型赤外線センサ製造工程中に、弱PH値酸液、過酸化水素及び消イオン水を、2〜5：1〜2：5〜20の割合で含有するエッチング水溶剤を調合することを特徴とする検証装置。」
　イ　検討
　請求項２の記載において、「弱ＰＨ値酸液」とは、ＰＨ値の低い強酸を意味しているのか、弱酸を意味しているのかが明確でなく、発明の詳細な説明を参酌しても、過酸化水素と混合される酸が何なのかが具体的に示されていないため、それが弱酸なのか強酸なのかも同定することができないから、当該記載は明確でないから、請求項２に係る発明は明確でない。
　（３）その他
　本願の特許請求の範囲の請求項１においては、「変温光電測定検証」、「操作温度誤差率」など、技術用語として一般的でなく、また、発明の詳細な説明を参酌してもその具体的内容が理解できない用語が用いられていることから、請求項１及び２に係る発明は明確でない。（これらの用語が明確でないことについては、上記第２の２（１）ア（ア）及び（イ）、同（２）イ（ア）で既に検討したとおりである。）
　（４）原査定の理由１についての検討の小括
  以上のとおりであるから、本願の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、原査定の理由で指摘したとおり明確でなく、本願の特許請求の範囲の請求項１及び２の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本願は特許を受けることができないものである。
　２　原査定の理由５（特許法第１７条の２第３項違反）について
　（１）平成２４年８月２０日に提出された手続補正書による手続補正について
　平成２４年８月２０日に提出された手続補正書による補正の内容は、図１ないし図６を追加するものであり、当該追加された図面のうち、図２及び図３は以下のとおりである。
　ア　図２
　イ　図３
　（２）平成２５年８月１４日に提出された手続補正書による手続補正について
　平成２５年８月１４日に提出された手続補正書による補正の内容は、図２，図３及び図５を変更するとともに、明細書の段落【００２９】の記載中の「１０１２　可能をP-MOSFETトランジスターに出力　１０１４　P-MOSFETトランジスター切り換えを出力及び再び設置　１０１６　赤外線センサを調整しP-MOSFETトランジスターを偏圧　１０１８　可能をP-MOSFETトランジスターに再び設置」との記載を「１０１２　許可出力Ｐ−ＭＯＳＦＥＴトランジスタ　１０２４　出力及びリセット切り換えＰ−ＭＯＳＦＥＴトランジスタ　１０１６　赤外線センサ偏圧調整Ｐ-ＭＯＳＦＥＴトランジスタ　１０１８　許可リセットＰ−ＭＯＳＦＥＴトランジスタ」にする補正事項をその一部に含むものであり、当該変更された図面のうち図２及び図３は以下のとおりである。
　ア　図２
  
　イ　図３
　（３）検討
　ア　本件当初明細書及び当初請求の範囲の記載された事項
　本件当初明細書にはつぎの記載がある。
　（ア）「【図面の簡単な説明】
　【００１０】
　　【図１】本発明の赤外線熱影像アレーモジュールのフローチャートである。
　　【図２】本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの構造図である。
　　【図３】本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの構造図である。
　　【図４】本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの平面図である。
　　【図５】本発明の赤外線熱影像アレーモジュールのブロックチャートである。
　　【図６】本発明の赤外線熱影像アレーモジュールの立体図である。」　
　 （イ）「 【発明を実施するための形態】
　【００１１】
　本発明の赤外線熱影像アレーモジュールのフローチャートである図１に示すように、本発明は熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証１０を含み、先にエピタキシャルパラメーターの校正を行い、感知波長帯は近、中、遠赤外線を利用し波長帯を吸収する。
　検知モジュール赤外線貫通基板１０２は検知モジュールの品質の優劣を選択し、即波長帯を受け取る赤外線の貫通率に影響を及ぼす。
　ボトムヘビードープコンタクト層１０４において、赤外線は半導体と導電金属オームの接触品質に影響を及ぼす。
　赤外線吸収層１０６(活性層）は、赤外線の影響光導電利得、量子効率を吸収する。本質層１０８(空乏層）は、赤外線の厚みと真性濃度を吸収し、量子効率と赤外線センサの暗電流値に影響を及ぼす。
　エネルギーバリヤブロッキング層１１０は、赤外線センサのインピーダンスに影響を及ぼし、高注入光電流効率、赤外線センサ暗電流値、操作温度下活性化能値に符号させる。
　トップヘビードープコンタクト層１１２は、オームコンタクト特性と光電子流出力の効率に影響を及ぼす。」
  （ウ）「【００１３】
　合格後は、該焦平面アレーと信号読み出し集積回路接着と研磨製造工程検証４０を行い、感知アレーモジュールが光電信号の転換を行う便のため平面検知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接合を行う。
　行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大４１８し、積分キャパシタ１０２０に保存し、感知した信号/ノイズ比(Ｓ/Ｎ比)を注入ユニット４１２に入力する。
　該注入ユニット４１２は積分キャパシタ１０２０に電荷信号を注入し、出力端に出力する。
　アンプモジュールユニット、信号増益拡大。
　行４１４と列４１６多重選択器ユニットは感知ユニット一順序をピックアップする。
　クロック生成制御ユニット４２０は、主クロック４２６により読み取りと信号積分時間を制御し、該検証に合格後は、影像統合テスト(光機システムを含む)検証５０を行う。不合格の場合には焦平面アレー製造工程及びその光電均一度検証３０に戻り再び検証を行う。」
　（エ）「【００１６】
　本発明の構造図である図１、２に示すように、本発明の熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証１０は、設計のパラメーターに基づき、必要な熱影像アレーモジュール中の赤外線赤外線センサ構造を規格定義する。そのエピタキシャルと高温拡散設備は、分子ビームエピタキシャル法(Molecular Beam Epitaxy, MBE)、金属有機CVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)、或いは高温拡散炉(HTDO)を最適部品構造の製造方式とする。もし赤外線吸収層１０６を量子井(Quantum Well)、量子ドット( Quantum Dot)感知構造操作などの量子閉じ込め構造として設計するなら、分子ビームエピタキシャル法或いは金属有機CVD法の方式のエピタキシャルに偏る。」
　（オ）「【００１７】
　反対に、もし基体型(Bulk Type)P-N、P-I-N形態を主とする感知構造であるなら、常に分子ビームエピタキシャル法或いは金属有機CVD法によりMをNとI層に成長させた後、さらに高温拡散炉を利用しP層を拡散する。使用基板はシリコン(Si)などの四族、GaAs、Inpなどの三五族で、その感知材料、サイクル構造と厚みはそれぞれSi/SizGel-z(z=0.1〜0.5,10〜40nm/1〜10nm,10〜50サイクル)、AlxGal-xAs/GaAs(x=0.1〜0.5,10〜40nm/1〜10nm,10〜50サイクル)、AlxGal- xAs/InyGal-yAs/GaAs(x=0.1〜0.5,y=0.1〜0.3,10〜40nm/1〜5nm/1〜10nm,10〜50サイクル)で、基体型感知材料はInSb、MCT、Inpで、I-本質層(厚み：0〜5μm)のP-I-N構造を有し、P極はHTDO拡散方式を利用し形成し、P極拡散材料はZnAs化合物、Zn、Cdで、深度：1〜3μmである。」
　（カ）「【００１８】
　分子ビームエピタキシャル法、金属有機CVD法、或いは高温拡散炉(HTDO)エピタキシャル拡散機台により設計赤外線センサ構造を成長させる前においては、先ず材料積層率、サイクル構造完全性、構造結晶品質、極性とドーピング濃度などのエピタキシャルパラメーター校正を行う必要がある。上記は赤外線センサモジュール構造のエピタキシャル構造設計のプロセス、エピタキシャルパラメーター検証と赤外線センサ構造である。
　この後、同一片の赤外線センサエピタキシャル片の一部分(約チップ総面積の1/4〜1/5)を切り取り、単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証２０を行い、主に実際エピタキシャル完成赤外線センサ構造と設計部品構造間の光電特性と品質の差異を確認する。」
　（キ）「【００１９】
　単乙型赤外線センサ製造工程中において、フォトマスク実体部品製造工程ライン幅は誤差＜10%で、変温光電測定検証を行う時には、10〜300Kにおける操作温度誤差は15%で、得られるスペクトラム形態の均一度は80%で、調整される適当なエッチング水溶剤(弱PH値酸液を含む:過酸化水素:消イオン水=2〜5：1〜2：5〜20)である。エッチング示度は部品層構造層上層においＴ生じる電子-電ホール層間の厚み(約1〜10μm)で、目的は側向漏電流を防止することである。もし平面式(Planar-type)定義部品区域製造工程であるなら、高温拡散P-極(拡散深度は0.5〜5μm)において用い、さらに表面研磨方式(1〜5μm粒径の酸化アルミニウム：消イオン水=1：2〜5)により、0.25〜2μmにまで研磨し、最適なP極区域を形成する。非部品区域はI-本質層可阻止側向溢散(Lateral Spreading)電流で、光電流局限を部品主構造層から接触電極区に流し、最大の量子効率を達成する。
　【００２０】
　続いて、プラズマCVD(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition,PECVD)法(基板温度は300〜500℃)、光化学積層法(Plasma Vapor Deposition,PVD)(基板温度は80〜200℃)、イオンスパッタリング(一般にHe、Arイオン鈍性気体を使用する)、或いは熱蒸着メッキ法を選択し、酸化シリコン(SiOx)或いは窒化シリコン(SiNx)を成長させる。赤外線センサの表面絶縁被覆層１１６とし、厚みは50〜300nmで、さらに化学イオン乾式法(Reactive Ion Etching,RIE)S類は湿式エッチング法(フッ化水素：消イオン水,Buffer HF：DI water=1〜5：20)により、半導体接触金属区を定義し、この類の赤外線センサ上１１４と下１０１０電極区が使用する接触金属材質が、もしN型ならパラジウム(Pd)1〜20nm/クロム(Cr)1〜20nm/金　ゲルマニウム合金(Au/Ge)50〜300nm/金(Au)50〜300nmで、P型ならパラジウム(Pd)1〜20nm/クロム(Cr)1〜20nm/金ベリリウム合金(Au/Be)或いは亜鉛(Zn)50〜300nm/金(Au)50〜300nmで、熱蒸着、電子銃加温蒸着、或いはイオンスパッタリングを使用し金属電極を製造する。
　【００２１】
　迅速退火(Rapid Thermal Annealing,RTA)製造工程は最適な半導体と金属間のオームコンタクトを形成する。加温安定温度と時間はそれぞれ350〜500℃、15〜60secで、加温温度斜率は100〜200℃/ secである。もしプラットフォーム式(Mesa)赤外線センサ区域製造工程により定義するなら、フォトマスクリソグラフを利用しエッチング区を定義する他に、エッチング区域深度はボトムヘビードープ極性区厚みの1/3〜1/2を超過しなければならない。その他の製造工程は平面式と同様である。
　量子井赤外線センサ構造製造工程においては、プラットフォーム式定義赤外線センサ区域製造工程の後にサイクル性光柵構造を追加しなければならない。その構造は1次元棒状或いは2次元方形或いは菱形形態で、光柵間距離と高度は1〜5μmと10〜500nm間のエッチング方法とプラットフォーム式感知定義区域製造工程方式と同様である。以上は単乙型赤外線センサ製造工程の主要なステップで、その目的はこの製造工程パラメーターを使用し作られた後、焦平面アレー構造製作の参考パラメーターとすることである。
　【００２２】
　単乙型赤外線センサ構造を完成後、導熱接着剤によりテスト絶縁ベース(酸化アルミニウムキャリアベースなど)上に接着し、金線上下信号端を引き出し、循環式液体ヘリウム低温変温真空チャンバー中に入れ、さらに端子pin信号線をフィードスルー(feedthrough)インターフェースより同軸導線或いは低ノイズ信号線を通して導出し、低温変温と変圧測定を経由し、暗電流、暗電気抵抗、反応スペクトラル(FTIRスペクトル分析器により、入射光源、フーリエスペクトル転換を行い、吸収スペクトル分布を得る。低ノイズ電流拡大器：電圧を設定、信号感知度と増益拡大を行う)、探知検査度校正(黒体放射源、FTIR光源強度の校正、フェーズロック拡大器、シンクロ調変光電流転換制御電圧信号読み取り)を行い、以上光電物理パラメーター測定と検証を経た後、もし信号ノイズ比、光反応ウェーブバンド、反応度、探知検査度、暗電流、暗微分電気抵抗などの定めた赤外線センサ規格に符合するなら、同片感知エピタキシャルの3/4〜4/5のチップ面積はアレー型を使用するフォトマスクである。」
　（ク）「【００２３】
　さらに、焦平面アレー製造工程を直接行い、各単位探知検査ユニットの均一度ライン幅誤差は10%で、スペクトル反応中の総光電流均一度は75%で、製造プロセス使用の原単乙型パラメーターは主にアレー製作を行う。最後に部品テスト区に暗電流均一度テスト１３を加え、もし低エネルギーギャップ感知材料を利用し製造する感知アレーが、アンチモン化インジウム、水銀カドミウムアンチモンであるなら、感知アレー表面において、プラズマ、紫外線補助VD、或いは過熱真空積層などの方式により酸化シリコン或いは窒化シリコンなどの鈍化膜(passivation layer)(厚みは50〜300nm)、或いは回転塗布方式皮膜重合物層(厚みは0.5〜3μm)をアレー層上に成長させる必要がある。主要な目的は表面が外界の湿気或いは汚染物の滲み出しを受け、表面の雑湿エネルギーステートが増加し側向暗電流を形成し、感知品質に影響を及ぼすことを防止することである。  」
　（ケ）「【００２４】
　次に本発明の構造図である図３に示すように、上下金属電極端上に成長したインジウム柱１１８(高度は3〜12μmで、底部面積は金属電極区より小さい)は、圧応力と平板加温方式(温度は90〜200℃)を利用し、インジウム柱１１８の溶融点に近く達する瞬間に、信号読み出し集積回路はインジウム接合(Indium bonding)を行う。続いて、接着剤注入固化工程(Polymer重合物質など)を行い、完璧な焦平面アレーと信号読み出し集積回路構造を完成する。図中において、一組のnxn画素数内の焦平面アレーと信号読み出し集積回路単乙構造ユニットを表示する。信号読み出し集積回路の主要な機能は、光電信号ピックアップ転換で、その構造は各画素ユニットが一組の緩衝、直接注入、ゲート極調変、キャパシタ抵抗転換拡大式注入ピックアップ信号積分ユニットに対応することである。よって、焦平面アレー感知ユニット構造と信号読み出し集積化井戸モジュール間のサポート度を利用し、研磨により起きたシェアストレス累積を適度に釈放する。」
　（コ）「【００２５】
　接着剤注入工程時には、先ず赤外線センサアレーと信号読み出し集積回路が結合した焦平面アレーモジュール間の接着剤を充填する必要のない部分をフォトマスクにより保護し、重合物(Polymer)を重合接着剤液中に入れる。気泡が赤外線センサアレーと信号読み出し集積回路チップの境界位置から出て来なくなればそれで良い。挟み取り出した後に、培養品中に入れ、防湿箱中で陰干しする。少なくとも8〜12時間後に、再びアセトンとトリクロルメタンなどの有機溶液により、元々は焦平面アレーモジュールチップ上に固着していた保護フォトマスクと残存接着剤を除去する。」
　（サ）「最後に、図４に合わせて示すように、単乙型感知チップに類似し、先ず導熱接着剤により68或いは84ピンのチップベース上に固着する。ベース上のボンディングピン連結方式は焦平面アレーと信号読み出し集積回路内のトンネル出力端点７０、偏圧と電源端点７２、クロック端点７４、チップ温度感知ダイオード出力端点７６と出力モジュール端点７８である。上記各端点はそれぞれ感知転換出力信号、電源信号、クロック及びシンクロ駆動入力出力I/O信号、テストダイオード信号と操作温度検査測定信号である。」
　（シ）「【００２６】
　本発明のブロックチャートである図５に示すように、完成後は低温真空冷却可能チャンバー５０２に入れ、先ずクロック生成モジュール５１０により、クロック駆動プロセスを行う。目的は焦平面アレーモジュール５０８に正常な作業状態を提供し、出力信号を正常な作業モードに維持することである。この時、デジタルスコープを利用し、センサー緩衝板モジュール(Sensor Buffer Board)５２４内の影像アナログ出力端を切り取り、その要求出力信号規格を確認する。この前に、室温下での焦平面アレーと信号読み出し集積回路接合抵抗値信号画面をテストし、初歩の接合状況を理解する。さらに、温度を検証を待つ赤外線熱影像アレーモジュールの適当温度操作範囲に設定する。この操作温度は絶対カスパリアン温度40〜300Kである。温度がこの設定温度に安定し、少なくとも15分後、偏圧確立モジュール５１２により、外付けモジュール操作偏圧の調整を行い、赤外線センサに跨ぎ接続する偏圧絶対値、10MV〜4V間に転換する。調整信号読み出し集積回路内積分時間を10μsecから32msec間に対応調整する。信号転換阻害拡大と補償５０４及び緩衝増益機能５０６の機能端は、後級拡大と補偏回路に基づき定める。以上の重要調整パラメーターはすべて影像検知モジュール感知単調中段温区背景に調整され、元の影像信号は表示モニタにおいてグレーレベルである。
　【００２７】
　同時に、スコープにより継続し影像出力端信号をモニタし、温度変化に対して比較的大きな動態値を表示する。この影像表示処理回路モジュール(Video Processing Module)５２６中には、アナログデジタル転換回路５１４、出力影像データ信号処理と制御回路５１６、プログラマブルクロック生成回路５１８、プログラマブルパワーサプライ回路５２０を設計し、主クロックもVME bus伝送キーを経てコンピュータに供給され、制御指令全体と影像信号出力構造もRS232インターフェースにより、ホストコンピュータ中の制御プロセッサー５２２のBit I/Fインターフェースカードに連結され指令(Command)とI/O機能を行う。続いて、さらに赤外線光学レンズを検知モジュール前焦距離位置(F#は1.5〜3.5)に装置し、熱影像統合テスト(光機システムを含む)５０はパラメーターの微調整を行う。最後に低温と高温区の２点の影像信号線性補償を行い、その動態影像の均一度を校正する。」
　（ス）「【００２８】
　次に本発明の立体図である図６に示すように、影像調整プロセスの完成後に、赤外線熱影像アレーモジュールの製作中において、焦平面感知アレーの焦平面アレーと信号読み出し集積回路モジュールが検知モジュール背面接光区８０４により赤外線光信号８０２を受け取ることができることを確認し、信号読み出し集積回路の読み取り回路チップ８０８は信号読み出し集積回路上の光電流入力端８０６により、インジウム柱接合方式と感知アレーの焦平面アレー接合により、各アレーユニット内の光電流が積分キャパシタ１０２０に保存する信号は、列８１０と行多重器８１２により、順番に信号出力端８１４を経てセンサー緩衝板モジュール５２４と影像表示処理回路モジュール５２６内に送られ、影像信号処理などのプロセスを行う。
　低温操作の焦平面アレー環境制冷器制御温度は40〜150K±0.5Ｋで、封入内部真空圧力は10E-5〜5E-2torrである。両点均一度影像品質補償後のその影像画面均一度は98%で、EPAモジュール探知検査ユニット操作率は95%で、最後に一組の影像モジュール雛形６０を完成する。」
　（セ）「【符号の説明】
　【００２９】
１０　熱影像モジュール規格設計、エピタキシャルと光学物性検証
２０　単乙型赤外線センサ製造工程と変温光電測定検証
３０　焦平面アレー製造工程及びその光電均一度検証
４０　焦平面アレーと信号読み出し集積回路接着と研磨製造工程検証
５０　影像統合テスト(光機システムを含む)検証
６０　熱影像アレーモジュール雛形完成
１０２　検知モジュール赤外線貫通基板
１０４　ボトムヘビードープコンタクト層
１０６　赤外線吸収層
１０８　本質層
１１０　エネルギーバリヤブロッキング層
１１２　トップヘビードープコンタクト層
１１４　上電極区
１１６　赤外線センサ表面絶縁被覆層
１１８　インジウム柱
１０１０　下電極区
１０１２　可能をP-MOSFETトランジスターに出力
１０１４　P-MOSFETトランジスター切り換えを出力及び再び設置
１０１６　赤外線センサを調整しP-MOSFETトランジスターを偏圧
１０１８　可能をP-MOSFETトランジスターに再び設置
１０２０　積分キャパシタ
１０２２　可能端点を選択
１０２４　偏圧を端点に注入
１０２６　端点を再び設置
１０２８　負端端点
１０３０　信号出力端
４１２　注入ユニット
４１４　行多重器
４１６　列多重器
４１８　行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大
４２０　クロック生成制御ユニット
４２４　線クロック
４２６　主クロック
４２８　行選択ポート
２１１０　列ポートを再び設置する
２１１１　列選択ポート
２１１２　列ポートを再び設置する
２１１３　Aトンネル出力端
２１１４　Bトンネル出力端
７０　トンネル出力端点
７２　偏圧と電源端点
７４　クロック端点
７６　チップ温度感知ダイオード出力端点
７８　出力モジュール端点
５０２　低温真空冷却可能チャンバー
５０４　信号転換阻害拡大と補償
５０６　緩衝増益機能
５０８　焦平面アレーモジュール
５１０　クロック生成モジュール
５１２　偏圧確立モジュール
５２６　影像表示処理回路モジュール
５１４　アナログデジタル転換回路
５１６　出力影像データ信号処理と制御回路
５１８　プログラマブルクロック生成回路
５２０　プログラマブルパワーサプライ回路
５２２　制御プロセッサー
５２４　センサー緩衝板モジュール
８０２　赤外線光信号
８０４　検知モジュール背面接光区
８０６　信号読み出し集積回路上の光電流入力端
８０８　信号読み出し集積回路の読み取り回路チップ
８１０　列多重器(多重通信装置)
８１２　行多重器
８１４　信号出力端   」
  イ　図２を追加し変更する補正についての検討
　（ア）図２について
　上記補正により追加し変更された図２からは、「インジウム柱（１１８）」に回路図で示されている読み出し回路が接続されている様が看取でき、インジウム柱（１１８）に接続されるＦＥＴ（１０１６）の他端にコンデンサ（１０２０）が接続されることや、それらとＦＥＴ（１０１６）、（１０１８）、（１０１４）、端子（１０２２）、（１０２４）、（１０２６）、（１０２８）とがそれぞれ図示のように接続されているものを特定することができる。
　また、当該図面からは、回路図に接続されているものの構造として「感知モジュール赤外線貫通基板（検知モジュール赤外線貫通基板」、「底端高ドーピング接触層（ボトムヘビーコンタクト層）」、「赤外線吸収層」、「本質層」、「能障阻害層（エネルギーバリヤブロッキング層）」、「上電極区」、「インジウム柱」の順番で積層されている構造を特定することができる。
　（イ）図２から看取できる回路図について
　当初明細書には、インジウム柱（１１８）に接続されている回路に関しては、上記ア（ウ）において「感知アレーモジュールが光電信号の転換を行う便のため平面検知モジュールと信号読み出し集積回路間にインジウム接合を行う」こと、「行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大４１８し、積分キャパシタ１０２０に保存し、感知した信号/ノイズ比(Ｓ/Ｎ比)を注入ユニット４１２に入力する」こと、「該注入ユニット４１２は積分キャパシタ１０２０に電荷信号を注入し、出力端に出力する」こと、「アンプモジュールユニット、信号増益拡大」、「行４１４と列４１６多重選択器ユニット」は「感知ユニット一順序をピックアップする」こと、が記載され、さらに、同ア（セ）には、「１０１２　可能をP-MOSFETトランジスターに出力　１０１４　P-MOSFETトランジスター切り換えを出力及び再び設置　１０１６　赤外線センサを調整しP-MOSFETトランジスターを偏圧　１０１８　可能をP-MOSFETトランジスターに再び設置　１０２０　積分キャパシタ　１０２２　可能端点を選択　１０２４　偏圧を端点に注入　１０２６　端点を再び設置　１０２８　負端端点　１０３０　信号出力端」と記載されているのみである。
　以上の記載から、
　ａ　回路が積分キャパシタ１０２０を有すること、当該積分キャパシタが感知した信号を保存するものであること
　ｂ　「積分キャパシタの信号」は「出力端から出力される」のであって、積分キャパシタが出力端に接続されているであろうこと
　ｃ　符合の説明から回路には、「４つのＰ−ＭＯＳＦＥＴ」と、端点が存在すること
　が読み取れる。
　しかしながら、上記ア（セ）の「１０１２」、「１０１４」、「１０１６」及び「１０１８」の符合の説明は、それぞれ動作を記載していることから、これらの符合で説明されているものが、回路要素、すなわちトランジスタのことであるのか、例えば制御フロー等を示すフローチャートを説明するものであるのかなどは判別できない。
　また、当初請求の範囲においても、「４つのＰ−ＭＯＳＦＥＴ」が図２に示されているような接続関係をもつことについては記載されていない。
　してみると、図２において看取できる回路図で示される回路は、当初明細書等に記載されているものとはいえず、また、当初明細書等の記載から自明な事項であるということもできない。
　（ウ）接続される「赤外線熱影像アレイモジュールの構造」について
　当初明細書において、上記ア（ケ）に「上下金属電極端」上に「成長したインジウム柱１１８」があること、その底部面積は「金属電極区より小さい」ことが記載されており、そのほかには、同ア（セ）において「１０２　検知モジュール赤外線貫通基板　１０４　ボトムヘビードープコンタクト層　１０６　赤外線吸収層　１０８　本質層　１１０　エネルギーバリヤブロッキング層　１１２　トップヘビードープコンタクト層　１１４　上電極区　１１６　赤外線センサ表面絶縁被覆層　１１８　インジウム柱　１０１０　下電極区」との符合の説明がされている。
　しかしながら、これらの記載から、「回路図に接続される赤外線熱影像アレイモジュールの構造」が、図２に示されるように「感知モジュール赤外線貫通基板（検知モジュール赤外線貫通基板」、「底端高ドーピング接触層（ボトムヘビーコンタクト層）」、「赤外線吸収層」、「本質層」、「能障阻害層（エネルギーバリヤブロッキング層）」、「上電極区」、「インジウム柱」の順番で積層された構造であることや、「感知部品表面絶縁被覆層」が、図２に示されるように「赤外線吸収層」、「本質層」、「能障阻害層（エネルギーバリヤブロッキング層）」、「上電極区」を覆う態様のものであることまでが記載されているということはできない。
　また、当初請求の範囲においてもそのような点は記載されていない。
　してみると、図２において看取できる「赤外線熱影像アレイモジュールの構造」は、当初明細書等に記載されているものとはいえず、また、当初明細書等の記載から自明な事項であるということもできない。
　（エ）小括
　以上のとおりであるから、図２を追加して変更する補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内でするものではない。
　ウ　図３を追加し変更する補正についての検討
　 （ア）上記補正により追加し変更された図３からは、「行多重器（４１４）」と「行サンプルを保持し回路ユニットを拡大（４１８）」と「列多重器（４１６）」と「クロック生成制御ユニット（４２０）」と「端子（４０１０）、（４０２２）、（４０３０）、ＦＥＴ（４０１２）、（４０１４）、（４０１６）、（４０１８）、ダイオード及びコンデンサ（４０２０）からなる回路であって、端子（４０１０）、ダイオード、ＦＥＴ（４０１６）及びコンデンサ（４０２０）が直列に接続されているほか、それらとその他のＦＥＴや端子がそれぞれ図示のように接続されている回路」（補正により変更された図３においては、端子（１０１０）、（１０２２）、（１０３０）、ＦＥＴ（１０１２）、（１０１４）、（１０１６）、（１０１８）、ダイオード及びコンデンサ（１０２０））とを備え、「クロック制御ユニット」には「影像画面クロック」、「線クロック（４２４）」及び「主クロック（４２６）」が接続され、「行多重器」と「行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大」が「行選択ポート（４２８）」及び「列ポートを再び設置する（２１１０）」で接続され、「行多重器」と「回路」が「Ａトンネル出力端（２１１３）」、「Ｂトンネル出力端（２１１４）」で接続されており、「列多重器」と「回路」が「列選択ポート（２１１１）」と「列ポートを再び設置する（２１１２）」で接続されている装置の構造を特定することができる。
　（イ）これに対して、当初明細書には、上記ア（ウ）における「行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大４１８し、積分キャパシタ１０２０に保存し、感知した信号/ノイズ比(Ｓ/Ｎ比)を注入ユニット４１２に入力する」こととの記載から、積分キャパシタの存在や注入ユニットの存在は読み取れるものの、「行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大４１８」との記載によって、そのような機能を実施する手段であって、図３の「回路」や「行多重器」に接続されているものが存在していることが記載されているとはいえない。
　そして、同ア（ウ）にさらに「該注入ユニット４１２は積分キャパシタ１０２０に電荷信号を注入し、出力端に出力する。アンプモジュールユニット、信号増益拡大。行４１４と列４１６多重選択器ユニットは感知ユニット一順序をピックアップする。クロック生成制御ユニット４２０は、主クロック４２６により読み取りと信号積分時間を制御し、該検証に合格後は、影像統合テスト(光機システムを含む)検証５０を行う。」との記載からは、「積分キャパシタ１０２０の電荷信号が出力端に出力されること」、「行４１４」と「列４１６」を選択する多重選択器ユニットが存在し、それが感知ユニットをピックアップすること、クロック生成制御ユニット４２０が存在することは読み取れるものの、「行４１４と列４１６多重選択器ユニット」が、図３に示されているような接続関係の「行多重器」と「列多重器」により構成されるものであることまでが記載されているということはできない。
　また、上記ア（ケ）に「信号読み出し集積回路の主要な機能は、光電信号ピックアップ転換で、その構造は各画素ユニットが一組の緩衝、直接注入、ゲート極調変、キャパシタ抵抗転換拡大式注入ピックアップ信号積分ユニットに対応することである」との記載はあるものの、それにより図３に示されている具体的構成が読み取れるものではない。
　そして、上記ア（セ）の符合の説明の「４１２　注入ユニット　４１４　行多重器　４１６　列多重器　４１８　行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大　４２０　クロック生成制御ユニット　４２４　線クロック　４２６　主クロック　４２８　行選択ポート　２１１０　列ポートを再び設置する　２１１１　列選択ポート　２１１２　列ポートを再び設置する　２１１３　Aトンネル出力端　２１１４　Bトンネル出力端」との記載を見ても、「行サンプルを保持し、回路ユニットを拡大４１８」との記載によって、「４１８」が、そのような機能を実施する手段であって、図３の「回路」や「行多重器」に接続されているものであることが直ちに理解できるものでもなく、同様に「２１１０　列ポートを再び設置する」や「２１１２　列ポートを再び設置する」は、作用を意味する語句であることから、これから、直ちに、図３で示されているように、回路との接続線で示されると理解できるものでもない。
　さらに、当初請求の範囲においてもこれらの点については記載されていない。
　なお、当初明細書等には、図３の「端子（４０１０）、（４０２２）、（４０３０）、ＦＥＴ（４０１２）、（４０１４）、（４０１６）、（４０１８）、ダイオード及びコンデンサ（４０２０）からなる回路であって、端子（４０１０）、ダイオード、ＦＥＴ（４０１６）及びコンデンサ（４０２０）が直列に接続されているほか、それらとその他のＦＥＴや端子がそれぞれ図示のように接続されている回路」（補正により変更された図３においては、端子（１０１０）、（１０２２）、（１０３０）、ＦＥＴ（１０１２）、（１０１４）、（１０１６）、（１０１８）、ダイオード及びコンデンサ（１０２０））についてはコンデンサを含め記載も示唆もされていない。
　（ウ）以上のとおりであるから、図３を追加し変更する補正は、当初明細書等に記載した範囲内でするものではない。
　　エ　平成２５年８月１４日提出の手続補正書による段落【００２９】に係る補正事項
　平成２５年８月１４日に提出された手続補正書により、明細書の段落【００２９】の「１０１２　可能をP-MOSFETトランジスターに出力　１０１４　P-MOSFETトランジスター切り換えを出力及び再び設置　１０１６　赤外線センサを調整しP-MOSFETトランジスターを偏圧　１０１８　可能をP-MOSFETトランジスターに再び設置」との記載を「１０１２　許可出力Ｐ−ＭＯＳＦＥＴトランジスタ　１０２４　出力及びリセット切り換えＰ−ＭＯＳＦＥＴトランジスタ　１０１６　赤外線センサ偏圧調整Ｐ-ＭＯＳＦＥＴトランジスタ　１０１８　許可リセットＰ−ＭＯＳＦＥＴトランジスタ」と補正しているが、当初明細書の記載のみから、それらの符合で示されるものが「回路要素」であるとは、直ちに理解することはできず、また、当初明細書等の記載において、本件出願に係る発明における「回路」が、補正により追加された図面を参酌することなく理解できるものではない。
　してみると、上記手続補正書による段落【００２９】の補正は、当初明細書等に記載した範囲内でするものではない。
  （４）原査定の理由５についての検討の小括
　以上のとおりであるから、平成２４年８月２０日提出の手続補正書及び平成２５年８月１４日提出の手続補正書による補正は、上記（３）で検討したように、当初明細書等に記載した範囲内でするものではなく、これらの事項は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものとはいえない。
　したがって、これらの補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
第７　まとめ
　以上のとおりであるから、本願は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面についてした補正が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、同法４９条第１号に該当し拒絶すべきものであり、また、特許請求の範囲の記載が同法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、同法４９条第４号に該当し拒絶すべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。