(57)【要約】  ８つの反射鏡を備え、第１面の縮小像を第２面上に形成する投影光学系。第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系（Ｇ１）と、中間像の像を第２面上に形成するための第２反射結像光学系（Ｇ２）とを備えている。第１反射結像光学系は、第１面側から光の入射順に、第１反射鏡（Ｍ１）と第２反射鏡（Ｍ２）と第３反射鏡（Ｍ３）と第４反射鏡（Ｍ４）とを有する。第２反射結像光学系は、第１面側から光の入射順に、第５反射鏡（Ｍ５）と第６反射鏡（Ｍ６）と第７反射鏡（Ｍ７）と第８反射鏡（Ｍ８）とを有する。８枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面で構成されている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
８枚の反射鏡を有し、第１面の縮小像を第２面上に形成する反射型投影光学系において、前記第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第２面上に形成するための第２反射結像光学系を備え、
前記第１反射結像光学系は、前記第１面側から光束の入射順に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４とを有し、
前記第２反射結像光学系は、前記第１面側から光束の入射順に、第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６と、第７反射鏡Ｍ７と第８反射鏡Ｍ８とを有し、８枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面で構成され、他の反射面は非球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項２】
請求項１に記載の反射型投影光学系において、
前記第４反射鏡Ｍ４または／および前記第５反射鏡Ｍ５の反射面は球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項３】
請求項１または２に記載の反射型投影光学系において、
前記８枚の反射鏡のうち、相対的に製造誤差の要求が高い反射鏡の反射面が球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の反射型投影光学系において、
前記８枚の反射鏡のうち、前記反射面に入射する光束の入射角が相対的に大きい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の反射型投影光学系において、
前記８枚の反射鏡のうち、結像に寄与する光束が前記反射面で反射する面積が相対的に小さい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項６】
前記第１反射結像光学系は、物体側より順に反射鏡、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡で構成されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項７】
前記第２反射結像光学系は、物体側より順に凹面鏡、反射鏡、凸面鏡、凹面鏡で構成されたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項８】
前記第１面から前記第１反射鏡Ｍ１までの距離をｄ１とするとき、
７００ｍｍ ≦ ｄ１
であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項９】
前記第１反射鏡Ｍ１から前記第２反射鏡Ｍ２までの距離をｄ２とするとき、
４５０ｍｍ ≦ ｄ２
であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１０】
記第２反射鏡Ｍ２から前記第３反射鏡Ｍ３までの距離をｄ３とするとき、
５７０ｍｍ ≦ ｄ３
であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の反射型投影光学系であって、
ｄ１：前記第１面から前記第１反射鏡Ｍ１までの距離
ｄ２：前記第１反射鏡Ｍ１から前記第２反射鏡Ｍ２までの距離
とするとき、前記第２反射鏡Ｍ２の位置が以下の条件を満足することを特徴とする反射型投影光学系。
１ ＜ ｄ１／ｄ２ ＜ １．９
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の反射型投影光学系であって、
ｄ２：前記第１反射鏡Ｍ１から前記第２反射鏡Ｍ２までの距離
ｄ３：前記第２反射鏡Ｍ２から前記第３反射鏡Ｍ３までの距離
とするとき、前記第３反射鏡Ｍ３の位置が以下の条件を満足することを特徴とする反射型投影光学系。
１．１ ＜ ｄ３／ｄ２ ＜ １．５
【請求項１３】
反射鏡の最大有効径をＭφとするとき、
４００ｍｍ＜ Ｍφ ＜  ６００ｍｍ
の条件を満足することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１４】
反射鏡の最大有効径をＭφ、前記第１面における最大物体高をＨ０とするとき、
２ ＜ Ｍφ／Ｈ０ ＜  ４
の条件を満足することを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１５】
前記第１面と前記第２面との間の軸上間隔をＴＴとするとき、
１３５０ｍｍ ＜ ＴＴ ＜  １８００ｍｍ
の条件を満足することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１６】
前記第１面と前記第２面との間の軸上間隔をＴＴ、前記第１面における最大物体高をＨ０とするとき、
８＜ＴＴ／Ｈ０＜１５
の条件を満足することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１７】
像側開口数ＮＡは、少なくとも０．２０以上であることを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の反射型投影光学系。
【請求項１８】
前記第１面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影露光するための請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の反射型投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１９】
前記照明系は、露光光としてＸ線を供給するための光源を有し、前記反射型投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に投影露光することを特徴とする請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
少なくとも８枚の反射鏡を有し、第１面の縮小像を第２面上に形成する反射型投影光学系において、
前記少なくとも８枚の反射鏡のうち、前記反射面に入射する光束の入射角が相対的に大きい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項２１】
少なくとも８枚の反射鏡を有し、第１面の縮小像を第２面上に形成する反射型投影光学系において、
前記少なくとも８枚の反射鏡のうち、結像に寄与する光束が前記反射面で反射する面積が相対的に小さい反射鏡が球面で構成されていることを特徴とする反射型投影光学系。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型投影光学系および該反射型投影光学系を備えた露光装置に関し、例えばＸ線（ＥＵＶ光）を用いてミラープロジェクション方式によりマスク上の回路パターンを感光性基板上に転写するＸ線投影露光装置に好適な反射型の投影光学系に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子などの製造に使用される露光装置では、マスク（レチクル）上に形成された回路パターンを、投影光学系を介して、ウェハのような感光性基板上に投影転写する。感光性基板にはレジストが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によりレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジストパターンが得られる。ここで、露光装置の解像力Ｗは、露光光の波長λと投影光学系の開口数ＮＡとに依存し、次の式（ａ）で表わされる。
Ｗ＝Ｋ・λ／ＮＡ    （Ｋ：定数）        （ａ）【０００３】
したがって、露光装置の解像力を向上させるためには、露光光の波長λを短くするか、あるいは投影光学系の開口数ＮＡを大きくすることが必要となる。一般に、投影光学系の開口数ＮＡを所定値以上に大きくすることは光学設計の観点から困難であるため、今後は露光光の短波長化が必要となる。たとえば、露光光として、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーを用いると０．２５μｍの解像力が得られ、波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーを用いると、例えば波長が１３ｎｍで０．１μｍ以下の解像力が得られる。【０００４】
ところで、露光光としてＸ線を用いる場合、使用可能な透過光学材料および屈折光学材料がなくなるため、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の投影光学系を用いることになる。従来、露光光としてＸ線を用いる露光装置に適用可能な投影光学系として、たとえば特開平９−２１１３３２号公報（米国特許第５，８１５，３１０号に対応する出願）、特開２００２−１３９６７２号公報（米国特許第６，７１０，９１７号に対応する出願）などには、種々の反射型投影光学系が提案されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、６枚の反射鏡で構成する反射型投影光学系の従来例として米国特許第５，８１５，３１０号に開示された反射型投影光学系では、６枚すべての反射鏡が非球面形状の反射面を有する構成となるので、通常の非球面加工（研削、研磨）および測定などの工程が必要で、多くの手間と時間とコストがかかる。【０００６】
また、８枚の反射鏡で構成する反射型投影光学系の従来例として米国特許第６，７１０，９１７号の第２実施例に開示された反射型投影光学系では、８枚の反射鏡のうち第６の反射鏡が球面として形成されている。かかる公報の実施例においては、第２及び第３の反射鏡の間、そして、第６及び第７の反射鏡の間に二つの中間像を有する光学系を採用しており、第６の反射鏡が、軸から最も離れた位置に使用領域（結像に寄与する光束が反射鏡で反射される領域であり、有効領域とも呼ぶ）を有した反射鏡となる。そこで、光軸から離れた使用領域を有している第６の反射鏡が球面として形成されることにより、干渉計を用いて第６の反射鏡を検査することを容易にしている。というのも、使用領域が光軸の外側の遠い位置になればなるほど、干渉計を用いて非球面度を検査することが困難になるからである。【０００７】
しかしながら、かかる反射型投影光学系では、第６反射鏡の有効径が８００ｍｍ近くまで大型化してしまうという問題を有する。また、できるだけ多くの反射鏡に対して、軸に近い使用領域を確保するために、二つの中間像Ｚ１、Ｚ２が設けられた３回結像光学系を採用している。そのために、物体から像までの距離（物像間距離）が、２ｍ近くまで長くなることは避けられず光学系全体が大型化してしまうという問題も有している。また、製造誤差の要求が厳しくなる反射鏡が非球面であるため、実際に投影光学系を製造した場合に製造誤差に起因した収差が発生しやすく、設計通りの投影光学系を製造するのが困難であるという問題もある。【０００８】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、８枚の反射鏡の表面の少なくとも一つが球面状に形成された反射鏡を備えた、２回結像光学系を採用することにより、反射鏡の小型化と共に光学系の全長の短縮化を行ないつつ製造に要する時間や費用を大幅に削減できる反射型の投影光学系を提供することを目的とする。また、本発明は、相対的に製造誤差の要求を緩和した投影光学系を提供することを他の目的とする。また、本発明の投影光学系を露光装置に適用することにより、たとえば露光光としてＸ線を用いて大きな解像力を確保することのできる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、８枚の反射鏡を有し、第１面の縮小像を第２面上に形成する反射型投影光学系において、前記第１面の中間像を形成するための第１反射結像光学系と、前記中間像の像を前記第２面上に形成するための第２反射結像光学系を備え、前記第１反射結像光学系は、前記第１面側から光束の入射順に、第１反射鏡Ｍ１と第２反射鏡Ｍ２と第３反射鏡Ｍ３と第４反射鏡Ｍ４とを有し、前記第２反射結像光学系は、前記第１面側から光束の入射順に、第５反射鏡Ｍ５と第６反射鏡Ｍ６と、第７反射鏡Ｍ７と第８反射鏡Ｍ８とを有し、８枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面で構成され、他の反射面は非球面で構成されたことを特徴とする反射型投影光学系を提供する。かかる投影光学系によれば、投影光学系を構成する反射鏡の最大有効径の小型化と共に光学系の全長の短縮化を行うことができ、装置の大型化を防止することができる。【００１０】
本発明の第２形態では、前記第１面に設定されたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターンを前記第２面に設定された感光性基板上へ投影露光するための第１形態の反射型投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。第２形態の好ましい態様によれば、前記照明系は、露光光としてＸ線を供給するための光源を有し、前記反射型投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を相対移動させて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に投影露光する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の反射型投影光学系では、８枚の反射鏡の表面の少なくとも一つが球面状に形成された反射鏡を備えた、２回結像光学系を採用することにより、反射鏡の小型化と共に光学系の全長の短縮化を行ないつつ反射鏡の表面の加工（研削、研磨）および測定や、組立調整が比較的容易にでき、製造に要する時間や費用を大幅に削減できる。また、本発明の反射型結像光学系では少なくとも８枚の反射鏡のうち、相対的に製造誤差の要求が高い反射鏡の表面を球面状に形成することにより、精度要求の高い反射光学系を相対的に容易に製造することが可能となる。【００１２】
また、本発明の反射型投影光学系を露光装置に適用することにより、露光光としてＸ線を使用することができる。この場合、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスクのパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】ウェハ上に形成される円弧状の露光領域（すなわち実効露光領域）と光軸との位置関係を示す図である。
【図３】本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図４】第１実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図５】本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図６】第２実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図７】本実施形態の第３実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図８】第３実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図９】本実施形態の第４実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１０】第４実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図１１】本実施形態の第５実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１２】第５実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図１３】本実施形態の第６実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１４】第６実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図１５】本実施形態の第７実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１６】第７実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図１７】本実施形態の第８実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図１８】第８実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図１９】本実施形態の第９実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図２０】第９実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。
【図２１】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の反射型投影光学系では、第１面（物体面）からの光が、第１反射結像光学系Ｇ１を介して、第１面の中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成された第１面の中間像からの光が、第２反射結像光学系Ｇ２を介して、中間像の像（第１面の縮小像）を第２面（像面）上に形成する。【００１５】
ここで、第１反射結像光学系Ｇ１は、第１面からの光を反射するための第１反射鏡Ｍ１と、第１反射鏡Ｍ１で反射された光を反射するための第２反射鏡Ｍ２と、第２反射鏡Ｍ２で反射された光を反射するための第３反射鏡Ｍ３と、第３反射鏡Ｍ３で反射された光を反射するための第４反射鏡Ｍ４とにより構成されている。また、第２反射結像光学系Ｇ２は、中間像からの光を反射するための第５反射鏡Ｍ５と、第５反射鏡Ｍ５で反射された光を反射するための第６反射鏡Ｍ６と、第６反射鏡Ｍ６で反射された光を反射するための第７反射鏡Ｍ７と、第７反射鏡Ｍ７で反射された光を反射するための第８反射鏡Ｍ８と、により構成されている。【００１６】
特に、第４反射鏡Ｍ４または第５反射鏡Ｍ５の反射面は球面で構成されることが好ましい。というのも、前記第４反射鏡Ｍ４または前記第５反射鏡Ｍ５は、光軸から最も離れた部分ミラーであり、形状も輪帯の一部のような形状をしており、研磨、検査、反射膜コート、組立のどの工程でも困難が付きまとうものであった。この反射面を球面で構成できれば、研磨、検査、組立て等の工程で非常に楽になり、大きなコストダウンをもたらすものである。【００１７】
また、８枚の反射鏡のうち製造誤差の要求が高い反射鏡の反射面を球面とする事は好ましい。例えば、反射鏡に入射する光束の入射角が大きい反射鏡や結像に寄与する光束が反射する領域（有効領域）の面積が小さい反射鏡は製造誤差の要求が厳しくなるため、このような反射鏡を球面で構成することは好ましい。というのも、製造誤差の要求が厳しい反射鏡は少しでも反射面形状が理想的な設計形状から外れると相対的に大きな収差を発生するため、最終的な結像性能が悪化するからである。球面形状の加工は非球面形状の加工に比べて高精度に加工を行うことができるため、高精度な投影光学系を比較的容易に製造することができる。従って、投影光学系を安価に精度よく製造することが可能となる。【００１８】
本発明では、第１面と第１反射鏡Ｍ１との距離ｄ１は、次の条件式（１）を満足することが望ましい。
７００ｍｍ ≦ ｄ１  （１）
条件式（１）の下限値を下回ると、反射面への光線入射角が大きくなり過ぎ、発生する収差を補正し難くなる。【００１９】
また、本発明では、前記第１反射鏡Ｍ１から前記第２反射鏡Ｍ２までの距離をｄ２とすると、次の条件式（２）を満足することが望ましい。
４５０ｍｍ ≦ ｄ２  （２）
条件式（２）の下限値を下回ると、反射面への光線入射角が大きくなり過ぎ、発生する収差を補正し難くなる。【００２０】
また、本発明では、記第２反射鏡Ｍ２から前記第３反射鏡Ｍ３までの距離をｄ３とすると、次の条件式（３）を満足することが望ましい。
５７０ｍｍ ≦ ｄ３  （３）
条件式（３）の下限値を下回ると、反射面への光線入射角が大きくなり過ぎ、発生する収差を補正し難くなる。【００２１】
以上のように構成することにより、第１反射鏡Ｍ１から第８反射鏡Ｍ８までの反射鏡のうち、任意の面の反射鏡を球面で構成しても、充分な光学性能を確保することが可能となったものである。【００２２】
第２反射鏡Ｍ２上に開口絞りＡＳを配置すると、光束の干渉を十分避けることが出来るため、第１結像光学系の反射鏡の有効径を小さくすることができるため好ましい。この場合、開口絞りの配置される位置が反射鏡の直前に限定されるので、上コマ及び下コマの収差のバランスが取り難くなる。【００２３】
このような場合、第１面と第１反射鏡Ｍ１との距離ｄ１および第１反射鏡と第２反射鏡Ｍ２との距離ｄ２及び第２反射鏡と第３反射鏡Ｍ３との距離ｄ３を、充分長くとることにより、各反射鏡への光線入射角を小さくすることが可能となり、収差の発生を低くすることができ、収差を良好に補正することができる。【００２４】
また、本発明では、前記ｄ１と前記ｄ２の比、ｄ１／ｄ２については、次の条件式（４）を満足することが望ましい。
１ ＜ ｄ１／ｄ２ ＜ １．９        （４）
条件式（４）の範囲を外れると、上下のコマのバランスが悪くなり、補正し難くなる。【００２５】
また、本発明では、前記ｄ３と前記ｄ２の比、ｄ３／ｄ２については、次の条件式（５）を満足することが望ましい。
１．１ ＜ ｄ３／ｄ２ ＜ １．５    （５）
条件式（５）の範囲を外れると、上下のコマのバランスが悪くなり、補正し難くなる。【００２６】
以上のように構成することにより、第６反射鏡Ｍ６を球面で構成しても、充分な光学性能を確保することが可能となったものである。【００２７】
また、本発明では、第１面の縮小像を第２面上に２回結像で形成する構成を採用することにより、歪曲収差（ディストーション）の補正を良好に行うことが出来る。第１反射鏡と第２反射鏡の両反射鏡からの光線の反射角や、さらに、その外側の反射鏡、例えば第３反射鏡からの光線の反射角を小さく抑えることが出来る。【００２８】
以上のような配置を採用することにより、反射鏡の最大径を抑えられると共に、各反射鏡や開口絞りの配置などを光束のケラレもなく適切に配置することが出来る。また、第３反射鏡Ｍ３への光線の入射角を小さく抑えることにより、有効径が大きくなりがちな第４反射鏡Ｍ４の有効径を小さく抑えることができる。【００２９】
以上のように、本発明では、Ｘ線に対しても良好な反射特性を有し、反射鏡の大型化を抑えつつ収差補正を良好に行うことのできる反射型の投影光学系を実現することができる。【００３０】
また、本発明では、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ８の有効径Ｍφは、各反射鏡Ｍ１〜Ｍ８において、次の条件式（６）を満足することが望ましい。
４００ｍｍ ≦ Ｍφ ≦ ６００ｍｍ    （６）
条件式（６）の上限値を上回ると、当該反射鏡の有効径が大きくなり過ぎて、光学系が大型化するので好ましくない。また下限値を下回ると、小型化し過ぎて光学性能の劣化を招き、望ましくない。【００３１】
また、反射鏡の最大有効径をＭφ、物体面における最大物体高をＨ０とするとき、次の条件式（７）を満足することが望ましい。
２ ＜ Ｍφ／Ｈ０ ＜  ４ （７）
条件式（７）の上限値を上回ると、当該反射鏡の有効径が大きくなり過ぎて、光学系が大型化するので好ましくない。また下限値を下回ると、小型化し過ぎて光学性能の劣化を招き、望ましくない。【００３２】
また、本発明では、物体（レチクル）から像（ウェハ）までの軸上間隔（物像間距離）ＴＴとするとき、次の条件式（８）を満足することが望ましい。
１３５０ｍｍ ＜ ＴＴ ＜ １８００ｍｍ （８）【００３３】
条件式（８）の下限より小さい場合、レチクルやウェハと反射鏡が機械的な干渉をおこし易くなり、また光学性能も悪くなるので好ましくない。また上限を超えると光学系が大型化し、これも好ましくない。ある程度の長さを持った方が、光学性能も良く、反射鏡への光線の入射角も小さく出来、好ましい。特にレチクルとレチクルに最も近い反射鏡までの距離や、ウェハとウェハに最も近い反射鏡までの距離は、各反射鏡の背面に設置しなければならない冷却装置の厚さなどのため、充分に大きくとる必要があり、そのためには、物像間距離ＴＴはある程度の長さが必要となるので、条件式（８）を満足することが望ましい。【００３４】
また、本発明では物体（レチクル）から像（ウェハ）までの軸上間隔（物像間距離）をＴＴ、物体面における最大物体高をＨ０とするとき、次の条件式（９）を満足することが好ましい。
８＜ＴＴ／Ｈ０＜１５    （９）【００３５】
条件式（９）の下限より小さい場合、レチクルやウェハと反射鏡が機械的な干渉をおこし易くなり、また光学性能も悪くなるので好ましくない。また上限を超えると光学系が大型化し、これも好ましくない。ある程度の長さを持った方が、光学性能も良く、反射鏡への光線の入射角も小さく出来、好ましい。特にレチクルとレチクルに最も近い反射鏡までの距離や、ウェハとウェハに最も近い反射鏡までの距離は、各反射鏡の背面に設置しなければならない冷却装置の厚さなどのため、充分に大きくとる必要があり、そのためには、物像間距離ＴＴはある程度の長さが必要となるので、条件式（９）を満足することが望ましい。【００３６】
また、本発明では、収差を良好に補正して光学性能を向上させるために、各反射鏡の反射面は光軸に関して回転対称な非球面状に形成され、各反射面を規定する非球面の最大次数は１０次以上であることが望ましい。また、本発明では、第２面側にほぼテレセントリックな光学系であることが望ましい。この構成により、たとえば露光装置に適用される場合、投影光学系の焦点深度内でウェハに凹凸があっても良好な結像が可能である。【００３７】
また、本発明の投影光学系を露光装置に適用することにより、露光光としてＸ線を使用することができる。この場合、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を相対移動させて、マスクのパターンを感光性基板上へ投影露光することになる。その結果、大きな解像力を有する走査型の露光装置を用いて、良好な露光条件のもとで、高精度なマイクロデバイスを製造することができる。【００３８】
また、本発明では、少なくとも８枚の反射鏡を有し、第１面の縮小像を第２面上に形成する反射型投影光学系において、相対的に製造誤差の要求が高い反射鏡の反射面を球面で構成することが好ましい。例えば、反射面に入射する光束の入射角が相対的に大きい反射鏡や結像に寄与する光束が反射面で反射する面積（有効領域）が相対的に小さい反射鏡が球面で構成されることが好ましい。というのも、製造誤差の要求が厳しい反射鏡は少しでも反射面形状が理想的な設計形状から外れると相対的に大きな収差を発生するため、最終的な結像性能が悪化するからである。球面形状の加工は非球面形状の加工に比べて高精度な加工を容易に行うことができるため、高精度な投影光学系を比較的容易に製造することができる。従って、投影光学系を安価に精度よく製造することが可能となる。【００３９】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図２は、ウェハ上に形成される円弧状の露光領域（すなわち有効結像領域）と光軸との位置関係を示す図である。図１において、投影光学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。【００４０】
図１の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマＸ線源１を備えている。Ｘ線源１から射出された光は、波長選択フィルタ２を介して、照明光学系３に入射する。ここで、波長選択フィルタ２は、Ｘ線源１が供給する光から、所定波長（１３．５ｎｍ）のＸ線だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。【００４１】
波長選択フィルタ２を透過したＸ線は、複数の反射鏡から構成された照明光学系３を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク４を照明する。マスク４は、そのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージ５によって保持されている。そして、マスクステージ５の移動は、図示を省略したレーザー干渉計により計測される。こうして、マスク４上には、Ｙ軸に関して対称な円弧状の照明領域が形成される。【００４２】
照明されたマスク４からの光は、反射型の投影光学系６を介して、感光性基板であるウェハ７上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハ７上には、図２に示すように、Ｙ軸に関して対称な円弧状の露光領域が形成される。図２を参照すると、光軸ＡＸを中心とした半径φを有する円形状の領域（イメージサークル）ＩＦ内において、このイメージサークルＩＦに接するようにＸ方向の長さがＬＸでＹ方向の長さがＬＹの円弧状の実効露光領域（有効結像領域）ＥＲが設定されている。【００４３】
ウェハ７は、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージ８によって保持されている。なお、ウェハステージ８の移動は、マスクステージ５と同様に、図示を省略したレーザー干渉計により計測される。こうして、マスクステージ５およびウェハステージ８をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系６に対してマスク４およびウェハ７をＹ方向に沿って相対移動させながらスキャン露光（走査露光）を行うことにより、ウェハ７の１つの露光領域にマスク４のパターンが転写される。【００４４】
このとき、投影光学系６の投影倍率（転写倍率）が１／４である場合、ウェハステージ８の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ８をＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハ７の各露光領域にマスク４のパターンが逐次転写される。以下、第１実施例〜第９実施例を参照して、投影光学系６の具体的な構成について説明する。【００４５】
各実施例において、投影光学系６は、マスク４のパターンの中間像を形成するための第１反射結像光学系Ｇ１と、マスクパターンの中間像の像（マスク４のパターンの二次像）をウェハ７上に形成するための第２反射結像光学系Ｇ２とから構成されている。ここで、第１反射結像光学系Ｇ１は４つの反射鏡Ｍ１〜Ｍ４から構成され、第２反射結像光学系Ｇ２は４つの反射鏡Ｍ５〜Ｍ８から構成されている。【００４６】
なお、各実施例において、８枚の前記反射鏡のうち少なくとも一つの反射面は球面状に形成されている。また、各実施例において、第２反射鏡Ｍ２の直前には、開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは反射鏡Ｍ２に接していても良いし、その近傍に配置されていてもよい。さらに、各実施例において、投影光学系６は、ウェハ側（像側）にテレセントリックな光学系である。【００４７】
また、各実施例では、第３反射鏡Ｍ３が第１反射鏡Ｍ１に向かって像面側の空間に配置されているが、これに限らず第３反射鏡Ｍ３が第１反射鏡Ｍ１に向かって物体側の空間に配置されても同様の作用を得ることもできる。【００４８】
各実施例において、非球面は、光軸に垂直な方向の高さをｙとし、非球面の頂点における接平面から高さｙにおける非球面上の位置までの光軸に沿った距離（サグ量）をｚとし、頂点曲率半径をｒとし、円錐係数をκとし、４次、６次、８次、１０次の非球面係数を、各々、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ・・・ としたとき、以下の数式（ｂ）で表される。
ｚ＝（ｙ2／ｒ）／｛１＋｛１−（１＋κ）・ｙ2／ｒ2｝1/2｝
＋Ａ・ｙ4＋Ｂ・ｙ6＋Ｃ・ｙ8＋Ｄ・ｙ10＋・・・    （ｂ）【００４９】
［実施例１］
図３は、本実施形態の第１実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図３を参照すると、第１実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凸面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。この第１実施例の投影光学系は凹面の第８反射鏡Ｍ８は球面で構成されている。【００５０】
次の表（１）に、第１実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。表（１）において、λは露光光の波長を、βは投影倍率を、ＮＡは像側（ウェハ側）開口数を、Ｈ０はマスク４上における最大物体高を、φはウェハ７上でのイメージサークルＩＦの半径（最大像高）を、ＬＸは実効露光領域ＥＲのＸ方向に沿った寸法を、ＬＹは実効露光領域ＥＲのＹ方向に沿った寸法をそれぞれ表している。また、Ｍφは最も大きい反射鏡の有効径を、ＴＴはマスク４とウェハ７との間の軸上間隔をそれぞれ表している。【００５１】
また、面番号は物体面であるマスク面から像面であるウェハ面への光線の進行する方向に沿ったマスク側からの反射面の順序を、ｒは各反射面の頂点曲率半径（ｍｍ）を、ｄは各反射面の軸上間隔すなわち面間隔（ｍｍ）をそれぞれ示している。なお、面間隔ｄは、反射される度にその符号を変えるものとする。また、マスク面から第１反射鏡Ｍ１までの距離をｄ１、第１反射鏡から第２反射鏡までの距離をｄ２、第２反射鏡から第３反射鏡までの間隔をｄ３とする。そして、光線の入射方向にかかわらずマスク側に向かって凸面の曲率半径を正とし、凹面の曲率半径を負としている。上述の表記は、以降の表（２）から表（９）においても同様である。【００５２】
表（１）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０   （マスク面）    853.78  
S１    19905.36      -674.34 （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1641.16       774.34 （第２反射鏡Ｍ２）
S３     2714.26      -643.96 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     2000.00      1132.02   （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -516.16      -100.00 （第５反射鏡Ｍ５）
S６     -669.72       200.10 （第６反射鏡Ｍ６）
S７      296.26      -354.43 （第７反射鏡Ｍ７）
S８      440.87       412.49 （第８反射鏡Ｍ８）球面
（ウェハ面）
（非球面データ）
S１面
κ=0.00
A=8.96915E-12 B=4.57005E-15 C=-1.83735E-19 D=8.60247E-24
E=-3.56869E-28 F=1.00209E-32 G=-1.20203E-37 H=0.00000E+00
S２面
κ=0.00 
A=3.18467E-12 B=3.26352E-16 C=3.38845E-21 D=-2.12437E-25
E=2.30692E-29 F=-1.32519E-33 G=3.17447E-38 H=0.00000E+00
S３面
κ=0.00 
A=-9.07468E-10 B=1.43591E-15 C=8.76013E-21 D=-3.72599E-25
E= 2.07244E-29 F=-6.63254E-34 G=8.79762E-39 H=0.00000E+00
S４面
κ=0.00 
A=-2.13729E-10 B=-8.32168E-16 C=1.22199E-20 D=-3.29219E-25
E=4.90034E-30 F=-4.07991E-35 G=1.47092E-40 H=0.00000E+00
S５面
κ=0.00 
A=2.51736E-10 B=-2.83431E-14 C=2.53784E-18 D=-1.25361E-22
E=3.60082E-27 F=-5.65216E-32 G=3.76339E-37 H=0.00000E+00
S６面
κ=0.00 
A=8.73334E-11 B=1.51075E-14 C=-1.38072E-18 D=1.13509E-22
E=-5.02784E-27 F=5.30624E-32 G=2.27212E-36 H= 0.00000E+00
S７面
κ=0.00 
A=1.11175E-08 B=-8.63766E-14 C=1.14445E-16 D=-3.30715E-20
E= 1.08345E-23 F=-2.19060E-27 G=1.81307E-31 H=0.00000E+00
S８面 球面
（条件式対応値）
Ｍφ＝４３５．３４ｍｍ  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１６００．０ｍｍ
Ｍφ／Ｈ０＝２．７９
ＴＴ／Ｈ０＝１０．２６
ｄ１＝８５３．７８ｍｍ
ｄ２＝６７４．３４ｍｍ
ｄ３＝７７４．３４ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．２７
ｄ３／ｄ２＝１．１５【００５３】
図４は、第１実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図４では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第１実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００５４】
［実施例２］
図５は、本実施形態の第２実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図５を参照すると、第２実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凹面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凸面の第７反射鏡を球面で構成している。次の表（２）に、第２実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００５５】
表（２）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０   （マスク面）    853.38  
S１    -4000.53      -482.41 （第１反射鏡Ｍ１）
S２     2026.25       582.41 （第２反射鏡Ｍ２）
S３     6778.35      -542.84 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     1879.97       938.17 （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -549.39      -100.00 （第５反射鏡Ｍ５）
S６     -900.99       200.00 （第６反射鏡Ｍ６）
S７      245.23      -345.33 （第７反射鏡Ｍ７） 球面
S８      438.06       427.54   （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
Ｓ１面
κ=0.00 
A=4.12013E-10 B=6.16521E-16 C=-2.33472E-20 D=7.81561E-25
E=-5.08210E-29 F=1.95820E-33 G=-3.29132E-38 H=0.00000E+00
Ｓ２面
κ=0.00 
A=-7.17094E-11 B=-2.37267E-15 C=-9.23185E-20 D=2.71631E-23
E=-5.80866E-27 F=6.58718E-31 G=-3.07733E-35 H=0.00000E+00
Ｓ３面
κ=0.00 
A=-9.08546E-10 B=1.93599E-15 C=1.54171E-21 D=-1.14433E-24
E= 7.25350E-29 F=-2.27698E-33 G=2.87734E-38 H=0.00000E+00
Ｓ４面
κ=0.00 
A=-3.26333E-10 B=-1.31852E-15 C=2.17785E-20 D=-6.99551E-25
E=1.20401E-29 F=-1.15499E-34 G=4.70578E-40 H=0.00000E+00
Ｓ５面
κ=0.00 
A=-4.06078E-10 B=-2.02618E-14 C=2.35353E-18 D=-1.18310E-22
E=3.19720E-27 F=-4.55065E-32 G=2.69146E-37 H=0.00000E+00
Ｓ６面
κ=0.00 
A=-2.15942E-09 B=1.02618E-13 C=-7.03971E-18 D=2.64439E-22
E=1.05365E-27 F=-3.98918E-31 G=9.07261E-36 H=0.00000E+00
S７面 球面
Ｓ８面
κ=0.00 
A=4.10687E-11 B=4.53532E-16 C=2.41040E-21 D=3.89228E-26
E=-1.67001E-31 F=-1.19286E-35 G=3.37603E-40 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４０４．７８  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１５３０．９
Ｍφ／Ｈ０＝２．５９
ＴＴ／Ｈ０＝９．８１
ｄ１＝８５３．３８ｍｍ
ｄ２＝４８２．４１ｍｍ
ｄ３＝５８２．４１ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．７７
ｄ３／ｄ２＝１．２１【００５６】
図６は、第２実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図６では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第２実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００５７】
[実施例３]
図７は、本実施形態の第３実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図７を参照すると、第３実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凸面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凸面の第６反射鏡を球面で構成している。次の表（３）に、第３実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００５８】
表（３）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０   （マスク面）    836.47
S１    16673.90      -695.19 （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1639.24       795.19 （第２反射鏡Ｍ２）
S３     2815.49      -648.41 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     2000.00      1066.92 （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -512.93      -100.00 （第５反射鏡Ｍ５）
S６     -643.25       200.03 （第６反射鏡Ｍ６） 球面
S７      301.55      -353.85 （第７反射鏡Ｍ７）
S８      441.40       414.82 （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面
κ=0.00 
A=4.14433E-12 B=3.61576E-15 C=-7.71811E-20 D=2.64652E-24
E=-1.43402E-28 F=5.56988E-33 G=-9.41512E-38 H=0.00000E+00
S2面
κ=0.00 
A=-2.84150E-11 B=3.70117E-17 C=4.22879E-22 D=-5.02449E-26
E=3.31104E-30 F=-8.90095E-35 G=-1.76692E-40 H=0.00000E+00
S3面
κ=0.00 
A=-7.82732E-10 B=9.89079E-16 C=-7.23616E-21 D=8.03932E-25
E=-3.45519E-29 F=8.18704E-34 G=-8.32530E-39 H=0.00000E+00
S4面
κ=0.00 
A=-2.25046E-10 B=-7.19387E-16 C=8.48834E-21 D=-2.83313E-25
E=4.73790E-30 F=-4.38195E-35 G=1.73302E-40 H=0.00000E+00
S5面
κ=0.00 
A=1.80833E-10 B=-2.77427E-14 C=2.58714E-18 D=-1.25119E-22
E=3.41819E-27 F=-5.03030E-32 G=3.11125E-37 H=0.00000E+00
S6面   球面
S7面
κ=0.00 
A=1.04479E-08 B=-4.88154E-14 C=3.76442E-17 D=-8.28206E-21
E=4.32265E-24 F=-1.17557E-27 G=1.26940E-31 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=3.98331E-11 B=2.83203E-16 C=1.97232E-21 D=-1.55350E-26
E=1.96749E-30 F=-6.13747E-35 G=7.82354E-40 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４３５．７４  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１５１６．０
Ｍφ／Ｈ０＝２．７９
ＴＴ／Ｈ０＝９．７２
ｄ１＝８３６．４７ｍｍ
ｄ２＝６９５．１９ｍｍ
ｄ３＝７９５．１９ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．２０
ｄ３／ｄ２＝１．１４【００５９】
図８は、第３実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図８では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第３実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００６０】
［実施例４］
図９は、本実施形態の第４実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図９を参照すると、第４実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凹面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウエハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凹面の第５反射鏡を球面で構成している。次の表（４）に、第４実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００６１】
表（４）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０    （マスク面）   781.95
S１   -28805.85      -661.95   （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1743.86       761.95 （第２反射鏡Ｍ２）
S３     3637.96      -631.50 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     2000.00      1158.09   （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -515.87      -100.00   （第５反射鏡Ｍ５）球面
S６     -647.38       203.27   （第６反射鏡Ｍ６）
S７      287.98      -350.33 （第７反射鏡Ｍ７）
S８      440.27       414.51   （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面
κ=0.00 
A=-1.01007E-10 B=3.95362E-15 C=-7.20224E-20 D=1.60201E-24
E=-4.75389E-29 F=7.32205E-34 G=2.71057E-39 H=0.00000E+00
S2面
κ=0.00 
A=-5.33007E-11 B=3.44289E-16 C=7.65850E-21 D=-7.52411E-25
E=1.09544E-28 F=-7.97740E-33 G=2.37891E-37 H=0.00000E+00
S3面
κ=0.00 
A=-7.60928E-10 B=4.95409E-16 C=-3.84238E-21 D=4.64869E-25
E=-1.44100E-29 F=2.13256E-34 G=-9.00528E-40 H=0.00000E+00
S4面
κ=0.00 
A=-2.06765E-10 B=-8.80308E-16 C=1.56045E-20 D=-4.41065E-25
E=6.77042E-30 F=-5.78228E-35 G=2.11007E-40 H=0.00000E+00
S5面   球面
S6面
κ=0.00 
A=-7.19381E-10 B=-1.88098E-14 C=3.70991E-18 D=-3.29939E-22
E=1.82185E-26 F=-5.71942E-31 G=7.75005E-36 H=0.00000E+00
S7面
κ=0.00 
A=1.06867E-08 B=1.17184E-13 C=3.48324E-17 D=-4.32361E-21
E=1.73807E-24 F=-2.77947E-28 G=1.07444E-32 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=4.94751E-11 B=2.43983E-16 C=8.33827E-22 D=1.62044E-26
E=-5.45757E-31 F=1.27492E-35 G=-1.18273E-40 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４４８．３４  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１５７６．０
Ｍφ／Ｈ０＝２．８７
ＴＴ／Ｈ０＝１０．１０
ｄ１＝７８１．９５ｍｍ
ｄ２＝６６１．９５ｍｍ
ｄ３＝７６１．９５ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．１８
ｄ３／ｄ２＝１．１５【００６２】
図１０は、第４実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図１０では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第４実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００６３】
［実施例５］
図１１は、本実施形態の第５実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１１を参照すると、第５実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凸面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凹面の第４反射鏡を球面で構成している。次の表（５）に、第５実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００６４】
表（５）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０    （マスク面）   855.76
S１     8877.90      -735.76   （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1582.90       879.63   （第２反射鏡Ｍ２）
S３     1755.49      -698.06 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     1761.63      1150.58 （第４反射鏡Ｍ４）球面
S５     -759.00      -100.00   （第５反射鏡Ｍ５）
S６    -2512.82       200.00 （第６反射鏡Ｍ６）
S７      271.11      -302.52   （第７反射鏡Ｍ７）
S８      482.40       450.37 （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面
κ=0.00 
A=4.86388E-10 B=3.69294E-14 C=-2.40380E-18 D=1.52251E-22
E=-7.12313E-27 F=2.04697E-31 G=-2.69984E-36 H=0.00000E+00
S2面
κ=0.00 
A=5.50594E-11 B=-2.04768E-16 C=3.01118E-20 D=-4.15366E-24
E=3.30674E-28 F=-1.42210E-32 G=2.54409E-37 H=0.00000E+00
S3面
κ=0.00 
A=3.18748E-11 B=-3.58792E-17 C=-7.44055E-20 D=5.26232E-24
E=-2.36267E-28 F=5.62019E-33 G=-5.28182E-38 H=0.00000E+00
S4 球面 
S5面
κ=0.00 
A=8.68542E-10 B=-7.07164E-14 C=2.77451E-18 D=-1.09193E-22
E=6.12882E-27 F=-1.98877E-31 G=2.47385E-36 H=0.00000E+00
S6面
κ=0.00 
A=1.43537E-09 B=-1.82807E-13 C=2.25287E-17 D=-7.06178E-22
E=-2.55617E-26 F=2.50370E-30 G=-5.05416E-35 H=0.00000E+00
S7面
κ=0.00 
A=1.50565E-08 B=-3.37130E-12 C=1.35006E-15 D=-5.19281E-19
E=1.51018E-22 F=-2.69433E-26 G=2.17856E-30 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=3.82947E-11 B=2.26337E-16 C=5.47822E-21 D=-3.00184E-25
E=1.26429E-29 F=-2.74528E-34 G=2.55201E-39 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝５１７．３５  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１６００．０
Ｍφ／Ｈ０＝３．３２
ＴＴ／Ｈ０＝１０．２６
ｄ１＝８５５．７６ｍｍ
ｄ２＝７３５．７６ｍｍ
ｄ３＝８７９．６３ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．１６
ｄ３／ｄ２＝１．２０【００６５】
図１２は、第５実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図１２では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第５実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００６６】
［実施例６］
図１３は、本実施形態の第６実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１３を参照すると、第６実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凸面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凸面の第３反射鏡を球面で構成している。次の表（６）に、第６実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００６７】
表（６）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０    （マスク面）   841.07
S１    11039.33      -721.07 （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1617.82       821.07   （第２反射鏡Ｍ２）
S３     2446.35      -681.65 （第３反射鏡Ｍ３）球面
S４     2000.00      1187.31 （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -482.49      -100.00   （第５反射鏡Ｍ５）
S６     -501.73       200.00   （第６反射鏡Ｍ６）
S７      340.68      -254.38 （第７反射鏡Ｍ７）
S８      443.92       407.65   （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面
κ=0.00 
A=5.52614E-11 B=1.38370E-15 C=-3.84269E-20 D=1.06804E-23
E=-6.53118E-28 F=2.16069E-32 G=-3.23974E-37 H=0.00000E+00
S2面
κ=0.00 
A=-1.30598E-10 B=-8.72576E-16 C=-9.80597E-21 D=9.76277E-25
E=-1.09433E-28 F=6.36889E-33 G=-1.51086E-37 H=0.00000E+00
S3面 球面
S4面
κ=0.00 
A=-1.01599E-10 B=6.19470E-16 C=-2.65958E-20 D=6.01905E-25
E=-8.31396E-30 F=6.43013E-35 G=-2.13455E-40 H=0.00000E+00
S5面
κ=0.00 
A=6.90424E-10 B=-7.80937E-15 C=2.02344E-18 D=-1.10078E-22
E=2.96968E-27 F=-4.05905E-32 G=2.25755E-37 H=0.00000E+00
S6面
κ=0.00 
A=4.38239E-09 B=2.61724E-13 C=-3.24417E-17 D=1.92286E-21
E=-5.33138E-26 F=2.86023E-31 G=1.03596E-35 H=0.00000E+00
S7面
κ=0.00 
A=1.21470E-08 B=-8.57463E-14 C=2.81447E-17 D=-5.11735E-20
E=1.93974E-23 F=-4.27193E-27 G=3.97324E-31 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=2.47598E-10 B=1.95136E-15 C=1.44504E-20 D=-1.20985E-25
E=1.74797E-29 F=-6.31416E-34 G=9.33844E-39 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４７４．７５  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１６００．０
Ｍφ／Ｈ０＝３．０４
ＴＴ／Ｈ０＝１０．２６
ｄ１＝８４１．０７ｍｍ
ｄ２＝７２１．０７ｍｍ
ｄ３＝８２１．０７ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．１７
ｄ３／ｄ２＝１．１４【００６８】
図１４は、第６実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図１４では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第６実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００６９】
［実施例７］
図１５は、本実施形態の第７実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１５を参照すると、第７実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凸面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凹面の第２反射鏡を球面で構成している。次の表（７）に、第７実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００７０】
表（７）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０   （マスク面）    849.69
S１    23309.04      -666.38 （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1631.89       766.38   （第２反射鏡Ｍ２）球面
S３     2687.92      -635.38 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     2000.00      1127.98   （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -489.20      -100.00   （第５反射鏡Ｍ５）
S６     -554.19       200.91   （第６反射鏡Ｍ６）
S７      313.83      -351.61   （第７反射鏡Ｍ７）
S８      438.63       408.42 （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面
κ=0.00 
A=1.50513E-10 B=3.02143E-15 C=-8.48835E-20 D=9.97470E-25
E=4.64062E-29 F=-2.41448E-33 G=4.01984E-38 H=0.00000E+00
S2面 球面
S3面
κ=0.00 
A=-8.67763E-10 B=2.06507E-15 C=-1.85462E-21 D=-1.38609E-25
E=4.28023E-30 F=-1.70964E-35 G=-1.08125E-39 H=0.00000E+00
S4面
κ=0.00 
A=-2.18287E-10 B=-4.29107E-16 C=-1.91874E-21 D=4.25004E-26
E=-9.81542E-31 F=1.08197E-35 G=-4.80117E-41 H=0.00000E+00
S5面
κ=0.00 
A=3.57160E-10 B=-2.19811E-14 C=2.36995E-18 D=-1.18488E-22
E=3.30479E-27 F=-4.93170E-32 G=3.07879E-37 H=0.00000E+00
S6面
κ=0.00 
A=1.33970E-09 B=6.28995E-14 C=-8.12425E-18 D=6.77538E-22
E=-3.39767E-26 F=8.85578E-31 G=-8.43710E-36 H=0.00000E+00
S7面
κ=0.00 
A=9.12402E-09 B=-3.91177E-14 C=3.59440E-17 D=1.60493E-21
E=-1.40212E-24 F=2.26670E-28 G=-1.47719E-32 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=1.33040E-11 B=2.74191E-16 C=1.69281E-21 D=2.77234E-26
E=-9.88835E-31 F=3.54065E-35 G=-4.92892E-40 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４３６．４３  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１６００．０
Ｍφ／Ｈ０＝３．０４
ＴＴ／Ｈ０＝１０．２６
ｄ１＝８４９．６９ｍｍ
ｄ２＝６６６．３８ｍｍ
ｄ３＝７６６．３８ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．２８
ｄ３／ｄ２＝１．１５【００７１】
図１６は、第７実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図１６では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第７実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００７２】
［実施例８］
図１７は、本実施形態の第８実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１７を参照すると、第８実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凸面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凸面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では第１反射鏡を球面で構成している。次の表（８）に、第８実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００７３】
表（８）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．２５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０   （マスク面）    849.86
S１    14647.57      -695.37 （第１反射鏡Ｍ１）球面
S２     1624.30       795.37 （第２反射鏡Ｍ２）
S３     2500.57      -648.57 （第３反射鏡Ｍ３）
S４     1959.70      1137.61 （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -518.59      -100.36 （第５反射鏡Ｍ５）
S６     -652.55       201.53 （第６反射鏡Ｍ６）
S７      305.01      -355.04 （第７反射鏡Ｍ７）
S８      443.86       414.98 （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面 球面
S2面
κ=0.00 
A=-6.19961E-11 B=-8.01064E-17 C=7.39785E-22 D=-1.63635E-25
E=1.61146E-29 F=-7.76550E-34 G=1.41983E-38 H=0.00000E+00
S3面
κ=0.00 
A=-6.12122E-10 B=-1.16001E-16 C=8.10748E-21 D=-5.70065E-25
E=2.95099E-29 F=-7.54162E-34 G=7.55756E-39 H=0.00000E+00
S4面
κ=0.00 
A=-1.76221E-10 B=-3.50361E-16 C=-1.35172E-21 D=3.31221E-26
E=-8.84773E-31 F=1.02240E-35 G=-4.59915E-41 H=0.00000E+00
S5面
κ=0.00 
A=2.45960E-10 B=-2.33020E-14 C=2.50729E-18 D=-1.26602E-22
E=3.52881E-27 F=-5.24219E-32 G=3.24672E-37 H=0.00000E+00
S6面
κ=0.00 
A=6.48337E-10 B=3.87553E-14 C=-3.35305E-18 D=6.90509E-23
E=7.76879E-27 F=-5.95487E-31 G=1.27029E-35 H=0.00000E+00
S7面
κ=0.00 
A=1.05474E-08 B=3.44948E-13 C=1.44739E-17 D=-3.88657E-21
E=2.06264E-24 F=-5.25423E-28 G=5.65376E-32 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=8.95479E-11 B=5.33820E-16 C=2.52317E-21 D=2.95882E-26
E=-7.88338E-32 F=-6.29084E-36 G=1.64811E-40 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４４８．２５  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１６００．０
Ｍφ／Ｈ０＝２．８７
ＴＴ／Ｈ０＝１０．２６
ｄ１＝８４９．８６ｍｍ
ｄ２＝６９５．３７ｍｍ
ｄ３＝７９５．３７ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．２２
ｄ３／ｄ２＝１．１４【００７４】
図１８は、第８実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図１８では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第８実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００７５】
［実施例９］
図１９は、本実施形態の第９実施例にかかる投影光学系の構成を示す図である。図１９を参照すると、第９実施例の投影光学系では、マスク４からの光は、凹面の第１反射鏡Ｍ１の反射面、凹面の第２反射鏡Ｍ２の反射面、凸面の第３反射鏡Ｍ３の反射面、及び凹面の第４反射鏡Ｍ４の反射面で順次反射された後、マスクパターンの中間像を形成する。そして、第１反射結像光学系Ｇ１を介して形成されたマスクパターンの中間像のからの光は、凹面の第５反射鏡Ｍ５の反射面、凹面の第６反射鏡の反射面、凸面の第７反射鏡の反射面、および凹面の第８反射鏡Ｍ８の反射面で順次反射された後、ウェハ７上にマスクパターンの縮小像（二次像）を形成する。第１実施例の投影光学系では第８反射鏡を球面で構成していたが、本実施例では凸面の第６反射鏡を球面で構成している。次の表（９）に、第９実施例にかかる投影光学系の諸元の値を掲げる。【００７６】
表（９）
（主要諸元）
λ＝１３．５ｎｍ
β＝１／４
ＮＡ＝０．３５
Ｈ０＝１５６ｍｍ
φ＝４０ｍｍ
ＬＸ＝２６ｍｍ
ＬＹ＝２ｍｍ
（光学部材諸元）
面番号      ｒ          ｄ      光学部材
S０   （マスク面）    709.93
S１    -4433.41      -589.93 （第１反射鏡Ｍ１）
S２     1327.91       689.93 （第２反射鏡Ｍ２）
S３      677.63      -268.10 （第３反射鏡Ｍ３）
S４      891.30       805.69 （第４反射鏡Ｍ４）
S５     -978.07      -123.10 （第５反射鏡Ｍ５）
S６    24591.30       235.57 （第６反射鏡Ｍ６）球面
S７      237.26      -335.57 （第７反射鏡Ｍ７）
S８      404.70       375.57 （第８反射鏡Ｍ８）
（ウェハ面）
（非球面データ）
S1面
κ=0.00 
A=1.37230E-09 B=-2.34495E-14 C=3.54540E-19 D=-4.91321E-24
E=1.12584E-28 F=-3.55914E-33 G=5.08482E-38 H=0.00000E+00
S2面
κ=0.00 
A=-7.38075E-11 B=-1.87124E-16 C=-5.25573E-20 D=9.80006E-24
E=-1.03334E-27 F=5.88491E-32 G=-1.37947E-36 H=0.00000E+00
S3面
κ=0.00 
A=-2.65468E-09 B=-2.02936E-15 C=1.51722E-19 D=-1.06845E-23
E=3.88202E-28 F=-9.62486E-33 G=1.13366E-37 H=0.00000E+00
S4面
κ=0.00 
A=-2.71226E-10 B=-3.34206E-15 C=8.03920E-20 D=-1.68936E-24
E=2.12370E-29 F=-1.50533E-34 G=4.47804E-40 H=0.00000E+00
S5面
κ=0.00 
A=3.78564E-10 B=-2.98239E-14 C=3.02836E-19 D=2.29877E-23
E=-9.76811E-28 F=1.56167E-32 G=-9.39373E-38 H=0.00000E+00
S6面  球面
S7面
κ=0.00 
A=-4.86887E-09 B=2.32977E-12 C=-2.42965E-17 D=1.78170E-20
E=-1.18048E-23 F=3.22917E-27 G=-3.03495E-31 H=0.00000E+00
S8面
κ=0.00 
A=9.65841E-11 B=7.68361E-16 C=3.95891E-21 D=2.59918E-26
E=2.07120E-30 F=-7.39442E-35 G=9.08142E-40 H=0.00000E+00
（条件式対応値）
Ｍφ＝４８８．４２  （第４反射鏡Ｍ４において最大）
ＴＴ＝１６００．０
Ｍφ／Ｈ０＝２．８７
ＴＴ／Ｈ０＝１０．２６
ｄ１＝７０９．９３ｍｍ
ｄ２＝５８９．９３ｍｍ
ｄ３＝６８９．９３ｍｍ
ｄ１／ｄ２＝１．２０
ｄ３／ｄ２＝１．１７【００７７】
図２０は、第９実施例の投影光学系におけるコマ収差を示す図である。図２０では、像高１００％、像高９８％、および像高９５％におけるメリディオナルコマ収差およびサジタルコマ収差を示している。収差図から明らかなように、第９実施例では、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差が良好に補正されていることがわかる。また、図示を省略したが、有効結像領域ＥＲに対応する領域において、コマ収差以外の他の収差、たとえば球面収差やディストーションなども良好に補正されていることが確認されている。【００７８】
以上のように、上述の各実施例では、波長が１３．５ｎｍのレーザプラズマＸ線に対して、０．２５〜０．３５の像側開口数を確保するとともに、ウェハ７上において諸収差が良好に補正された２６ｍｍ×２ｍｍの円弧状の実効露光領域を確保することができる。したがって、ウェハ７において、たとえば２６ｍｍ×６６ｍｍの大きさを有する各露光領域に、マスク４のパターンを走査露光により０．１μｍ以下の高解像で転写することができる。【００７９】
また、上述各実施例では最も大きい第４反射鏡Ｍ４の有効径が約４００〜約５２０ｍｍ程度であり、十分に小さく抑えられている。このように、各実施例において、反射鏡の大型化が抑えられ、光学系の小型化が図られている。また、本発明では、また、物体（レチクル）から像（ウェハ）までの距離（物像間距離）ＴＴが１３５０ｍｍ〜１８００ｍｍ
の範囲を満足しているので、光学系が大型化を抑えつつ、光学性能も良好に維持している。【００８０】
また、上述の実施形態にかかる露光装置では、相対的に有効領域の小さい反射鏡である第５反射鏡Ｍ５や第６反射鏡Ｍ６の面形状を球面形状とすることによって高精度な反射光学系を容易に製造することが可能となる。また、上述の実施形態にかかる露光装置では、相対的に光束の入射角が大きくなる第６反射鏡Ｍ６や第７反射鏡Ｍ７の面形状を球面形状とすることによって高精度な反射光学系を容易に製造することが可能となる。【００８１】
上述の実施形態にかかる露光装置では、照明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図２１のフローチャートを参照して説明する。【００８２】
先ず、図２１のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。【００８３】
その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。【００８４】
なお、上述の本実施形態では、Ｘ線を供給するための光源としてレーザプラズマＸ線源を用いているが、これに限定されることなく、Ｘ線としてたとえばシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光を用いることもできる。【００８５】
また、上述の本実施形態では、Ｘ線を供給するための光源を有する露光装置に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、Ｘ線以外の他の波長光を供給する光源を有する露光装置に対しても本発明を適用することができる。【００８６】
さらに、上述の本実施形態では、露光装置の投影光学系に本発明を適用しているが、これに限定されることなく、他の一般的な投影光学系に対しても本発明を適用することができる。
【図１】
2006049233.tif 000002
【図２】
2006049233.tif 000003
【図３】
2006049233.tif 000004
【図４】
2006049233.tif 000005
【図５】
2006049233.tif 000006
【図６】
2006049233.tif 000007
【図７】
2006049233.tif 000008
【図８】
2006049233.tif 000009
【図９】
2006049233.tif 000010
【図１０】
2006049233.tif 000011
【図１１】
2006049233.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
2006049233.tif 000019
【図１９】
2006049233.tif 000020
【図２０】
2006049233.tif 000021
【図２１】
2006049233.tif 000022
【国際調査報告】
2006049233.tif 000023
2006049233.tif 000024