【事件の表示】
　特願２０１１−５２４２１０「ＥＵＶリソグラフィ装置およびＥＵＶリソグラフィ装置における汚染物質の検出方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月　４日国際公開、ＷＯ２０１０／０２２８１５、平成２４年　１月１２日国内公表、特表２０１２−５０１０７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年７月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年８月２７日、ドイツ、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年２月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年９月５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２６年７月８日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月２７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで誤訳訂正書が提出されたが、同年３月１１日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２７年８月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２７年８月２７日付けの誤訳訂正書（以下、単に「誤訳訂正書」という。）により訂正した特許請求の範囲の請求項１２に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。（なお、誤訳訂正書では、特許請求の範囲の請求項１２は訂正されておらず、平成２５年９月５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１２と同じものである。）
「少なくとも一つの反射光学素子（５、６、８、９、１０、１４．１〜１４．６）が配置される内部空間（１５）を有する筐体（１ａ）を備えるＥＵＶリソグラフィ装置の残留ガス雰囲気の残留ガス分析により少なくとも一つの汚染物質の検出方法であって、
　前記残留ガス分析を実行するために、イオントラップである貯蔵デバイス（２１、２１ａ；３１、３１ａ、３１ｂ）に前記汚染物質（１７ａ）を貯蔵する
　ことを特徴とする方法。」
２　引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された文献である、国際公開第２００８／０３４５８２号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳は、ファミリー文献である特表２０１０−５０３９８０号公報を参考にして、当審が作成した。また、日本語訳における下線は、当審が付した。）
（１）「
Background to the Invention
 
The invention relates to an optical arrangement, in particular a projection exposure apparatus for EUV lithography, comprising a housing that encloses an interior space, at least one, in particular reflective, optical element that is arranged in the housing, and at least one vacuum generating unit for generating a vacuum in the interior space of the housing. The invention further relates to a reflective optical element with a substrate and an electrically conductive multilayer system which on one of the sides facing the substrate comprises a reflective optical surface.」（第１頁第１９〜２８行）
（日本語訳）
「発明の背景
  本発明は、光学装置に関するものであり、とりわけ、内部空間を密閉するハウジングと、ハウジング内に配置された少なくとも１つのとりわけ反射光学素子と、ハウジングの内部空間に真空を発生するための少なくとも１つの真空発生ユニットが含まれるＥＵＶリソグラフィ用の投影露光装置に関するものである。本発明は、さらに、基板、及び、反射光学表面を構成する側の基板面上に導電性多層膜を備える反射光学素子に関するものである。」
（２）「In a preferred embodiment of the optical arrangements described above a residual gas analyser for determining the partial pressure of the contaminating  substances is provided. The residual gas analyser is used for determining the partial pressure of the contaminating substances in the interior space. In the context of this application the term residual gas analyser refers to a mass spectrometer (e.g. a Quadrupol spectrometer) which is used for measuring the partial pressure distribution of mass or of a mass spectrum of the gas particles in an experimental volume under vacuum conditions, in the present case in the interior space of the housing. Such mass spectrometers basically comprise an ion source which ionises parts of the gas mixture to be investigated, an analyser system for separating the various gas ions according to their mass- charge ratio, as well as an ion detection system for measuring the ions or ion flows relating to the mass-charge ratios to be detected. By means of the residual gas analyser it is possible to check whether the partial pressures of contaminating substances, in particular of water and hydrocarbons, are within the specified range, i.e. in the case of p(H2O)=10-7  mbar and p(CxHy)=10-9  mbar or lower for a typical EUV projection exposure apparatus.」（第１９頁第３０行〜第２０頁第１５行）
（日本語訳）
「上述の光学装置の望ましい実施形態の１つには、汚染物質の分圧を測定するための残留ガス分析器が設けられている。残留ガス分析器は、内部空間における汚染物質の分圧を測定するために用いられる。本出願に関して、
「残留ガス分析器」という用語は、本事例の場合にはハウジングの内部空間である、真空条件下の実験容積内におけるガス分子の質量または質量スペクトルの分圧分布を測定するために用いられる質量分析計（例えば四重極質量分析計）を表わしている。
（３）「
Short Description of the Drawings
 
The exemplary embodiments are shown in the diagrammatic drawing and are explained in the description below. The following are shown:
 
Fig. 1 a diagrammatic view of a first embodiment of an EUV projection exposure apparatus according to the invention, comprising a  vacuum housing that in a partial region encloses the beam path in a cylindrical manner;
 
Fig. 2 an analogous diagrammatic view of a second embodiment of an EUV projection exposure apparatus with a plurality of vacuum housings that completely shield the beam path of the apparatus;」（第２６頁第２５行〜第２７頁第６行）
（日本語訳）
「図面の簡単な説明
典型的な実施形態が線図で示され、下記で説明される。以下の通りである。
図１　部分領域において円筒形にビーム光路を密閉する真空ハウジングを含む、本発明によるＥＵＶ投影露光装置の第１の実施形態の線図；
図２　ビーム光路を完全にシールドする複数の真空ハウジングを備えたＥＵＶ投影露光装置の第２の実施形態に関する同様の線図
（４）「
Detailed Description of Preferred Embodiments
 
Fig. 1 shows a diagrammatic view of a projection exposure apparatus 1 for EUV lithography, comprising a housing 2 which is associated with a vacuum generating unit 3. The housing 2 is divided into three housing parts (not shown in Fig. 1 ) according to the optical functions of the components arranged in said housing 2, namely firstly a first housing part with a light generating unit 4 which for example comprises a plasma light source and an EUV collector mirror for focusing the illumination radiation.
In a subsequent second housing part the illumination system is arranged which, following the path of the beam, comprises a mirror with field raster elements 5 and a mirror with pupil raster elements 6. A group of three mirrors, arranged downstream and acting as a telescopic lens 7 comprises a first and a second mirror 8, 9 which are operated under normal incidence, as well as a third mirror 10 with negative refractive power, onto which mirror the light impinges at glancing incidence. The illumination system generates as homogeneous an image field as possible in an object plane 11 in which a reticle 12 with a structure (not shown) that is to be imaged at reduced size is arranged.
The structure arranged on the reticle 12 in the object plane 1 1 is imaged on an image plane 13, by a projection system, arranged downstream, which is arranged in a third housing part, in which image plane 13 a wafer with a photosensitive layer (not shown) is arranged. For reduced-size imaging the  projection system 3 comprises six further mirrors 14.1 to 14.6 as reflective optical elements.
In the housing 2 the vacuum generating unit 3 generates a vacuum at a partial water pressure of approximately 10-7  mbar and a partial pressure of hydrocarbon of approximately 10-9  mbar. However, this vacuum is insufficient to effectively prevent the deposit of water and hydrocarbons and further contaminating substances on the surface of the mirrors 4 to 10 or 14.1 to 14.6 and of the reticle 12. The contaminating substances are generated by several components which outgas said contaminating substances into an interior space 15 of the housing 2. Such a component 16 arranged on a partial region of the wall of the housing 2 is shown by way of an example in Fig. 1. Arranging such outgassing components in the housing 2 cannot be completely prevented, because many materials used in EUV projection exposure apparatuses are not bakeable.
The vacuum attainable in the housing 2 is thus downward limited by outgassing of contaminating substances, among other things from the component 16. While it may be possible to improve the vacuum in the housing if extremely high-performance pumps were to be provided, however, in order to avoid incurring additional expenditure and in order to reduce the technical effort it is significantly more advantageous to generate a high vacuum only in close proximity to the optical surface 17 of the collector mirror of the light generating unit 4, which for the sake of simplicity is shown as a planar surface.
This is achieved in that first the optical surface 17 is shielded or separated from the interior volume 15 by means of a vacuum housing 18. In this arrangement the vacuum vessel 18 encloses, in a jacket-like manner, a beam path 19 which emanates from the optical surface 17, with said vacuum vessel 18 being made from a material that is suitable for vacuum conditions, e.g. stainless steel with a low rate of outgassing. By means of the vacuum vessel 18 a partial volume is  separated from the interior space 15 of the housing 2 which communicates with the remaining interior space 15 only by way of an opening 20 in the vacuum vessel 18. For example a thin-film filter for vacuum separation and/or for filtering the inward radiated EUV light can be arranged in the opening 20. In this arrangement the vacuum vessel 18 is selected to be of adequate length so that the opening 20 is arranged in a region of the beam path 19, in which region the diameter of said beam path 19 is particularly small. Consequently the beam path 19 can lead through the opening 20 without a large number of contaminating particles being able to enter the partial volume formed by the vacuum vessel 18.
On the cylindrical wall of the vacuum vessel 18 a suction unit 21 , indicated by two arrows in Fig. 1 , is provided as a contamination reduction unit that moves contaminating particles by pumping action from the partial volume delimited by the vacuum housing 18 into the remaining interior space 15 of the housing 2. It is understood that the suction unit 21 can also be used for removing contaminating particles entirely from the interior space 15, and to this effect if necessary is connected to the vacuum generating unit 3. In either case the suction unit 21 is arranged on the vacuum housing 18 in close proximity to the optical surface 17, i.e. at a distance of approximately 1 to 3 cm from the latter, and is used for generating a pressure gradient essentially parallel in relation to the optical surface 17 such that contaminating particles, starting from the centre of the cylindrical vacuum housing 18, are moved in a radial direction to the suction unit 21.
As a result of the above, in close proximity to the optical surface 17, i.e. at a distance of less than approximately 1 cm, preferably of less than 0.5 cm from the optical surface 17, a high vacuum arises with a partial pressure which for example in the case of water is less than approximately 10-7  mbar, and in the case of hydrocarbons is below approximately 10-9  mbar. Contamination of the optical surface 17 with these substances can therefore essentially be  prevented. If necessary the partial pressure of the contaminating substances can be still further reduced, for example to less than 10-13  mbar.
In addition to the suction unit 21 , Fig. 1 also provides for a cooling unit 22 which cools the vacuum housing 18 at least in the partial region shown in Fig. 1 with cooling water, liquid nitrogen or liquid helium to temperatures of less than 290 K, 80 K or 20 K, as a result of which additional particles condense on an inside 23 of the vacuum housing 18. In order to increase the surface the inside 23 of the vacuum housing 18 can be coated with a suitable material or it can be provided with a rough surface structure.
Furthermore, a purge unit 24 for purging with an inert gas, preferably He, Ne, Ar, Kr, Xe or H2 , N2 or mixtures thereof, is provided as a contamination reduction unit, which outside the region of the free molecular movement carries along the contamination in a partial pressure range of between 10-3  mbar to 10 mbar. Inert gas purging generates a flow away from the optical surface 17 towards the opening 20 through which contaminating particles transported by the inert gas are moved to the interior space 15 of the housing 2 from where they are removed by suction. Furthermore, by suction removal using the suction unit 21 (indicated by two arrows) on the cylindrical wall of the vacuum vessel 18, contaminating substances or gas particles are moved into the region outside the partial volume delimited by the vacuum housing 18, i.e. into the remaining interior space 15 of the housing 2 or ideally into the region outside the housing 2.
Moreover, in order to improve the vacuum in the interior space 15 of the housing 2 a further suction unit 25a is provided for removal by suction, from the interior space 15 of the housing 2, of contaminating particles that are outgassed by a further component 16a. In this arrangement the further suction unit 25a is connected to a further vacuum pump 3a, but as an alternative it could also be  connected to the vacuum pump 3. Of course the suction unit 21 arranged on the vacuum housing 18 is also connected to a vacuum pump (not shown).
The further component 16a outgasses a large quantity of contaminating substances and is shielded by the further suction unit 25a such that the contaminating particles cannot enter the interior space 15 of the housing 2.
Removal by suction on the further component 16a is sensible because it releases a larger quantity of contaminating substances than is the case with component 16 which consequently does not mandatorily have to be separated from the interior space 15 of the housing 2. As an alternative to removal by suction the further component 16a can also be separated by an encapsulation from the interior space 15 of the housing 2.
Of course such contaminating components can also be arranged on the mirrors 4 to 10 and 14.1 to 14.6 as shown in Fig. 4 in relation to the first mirror 5 of the illumination system. Apart from the optical surface 26 arranged in the beam path 19 two further components 16b, 16c are arranged on the mirror 5, which further components 16b, 16c release further contaminating substances that are collected by associated further suction units 25b, 25c. Of course in this way removal by suction can also take place on components that are located on the holding devices of the mirrors, or if need be on the mirror holding devices themselves. By suitable encapsulation or removal by suction not only the optical surface 17 itself but also the entire optical element 4 can be integrated in the vacuum housing 18 and can be enclosed by said vacuum housing 18.
While in Fig. 1 a mini environment with particularly good vacuum conditions is generated only on the optical surface 17 of the collector mirror of the light generating unit 4, i.e. on a single optical element, in Fig. 2 such an environment is generated on all mirrors 4 to 10, 14.1 to 14.6 as well as on the reticle 12 of the projection illumination instrument 1 , i.e. the entire beam path 19 of the projection illumination instrument is separated from the remaining interior space  15 of the housing 2, and on each optical surface of the mirrors 5 to 10, 14.1 to 14.6 and on the reticle 12, resectively, a high vacuum is generated by means of suitable suction units 21 that are indicated by arrows as described in more detail in the context of Fig. 1. For this purpose a plurality of vacuum housings 18.1 to 18.10 are provided in the housing 2, in which vacuum housings 18.1 to 18.10, except for the first and last one in the beam path 19, in each case at least two optical elements are arranged. Hereinafter, for the sake of brevity, the term optical elements refers to both the mirrors 5 to 10, 14.1 to 14.6 and the reticle 12.
In each case two vacuum housings 18.1 to 18.10 arranged in succession in the beam path 19 are interconnected, e.g. flanged to each other, such that the beam path 19 can pass through a shared opening. Usually in each case two of the mirrors 5, 6 with their optical surfaces 17.1 , 17.2 are arranged on opposite walls of the vacuum housing, as is the case e.g. with the second vacuum housing 18.2. In regions in which several optical elements are arranged directly adjacent to each other, e.g. in close proximity to the reticle 12, more than two optical elements can be arranged in a shared vacuum housing.
Optionally all the vacuum housings 18.1 to 18.10 can comprise the cooling devices 22 shown in Fig. 1 and/or in at least one partial region of the inside 23 they can comprise a gas-binding material, in particular titanium, tantalum, niobium, zircon, thorium, barium, magnesium, aluminum, ruthenium, ytterbium or cerium. In this way an additional reduction in the number of contaminating particles in the vacuum housings 18.1 to 18. 10 can be achieved by means of condensation or adsorption.
In the first vacuum housing 18.1 with the light generating unit 4 a purge unit 24 is arranged which, as described in Fig. 1 , generates an inert gas flow that carries contaminating substances along into the adjacent vacuum housing 18.2 from where they are moved by way of a suction unit 21 into the interior space  15. In this case there is no need to provide a suction unit in the internal volume of the first vacuum housing 18.1 because said first vacuum housing 18.1 is connected, so as to be gas-proof, to the light generating unit 4 by way of a flexible vacuum element, thus to an adequate extent keeping substances that contaminate the purge unit 24 away from the optical surface 17.
As a result of the essentially complete encapsulation of the beam path 19 from the remaining interior space 15 of the housing 2 it is possible in those cases to select less favourable vacuum conditions that is normally the case, i.e. the vacuum generating unit 3 can operate at reduced pumping output, more strongly outgassing components can be used, and generally speaking less attention needs to be paid to the outgassing of components. In the most favourable case the vacuum generating unit 3 need no longer be used for generating a vacuum in the interior space of the housing 2 but instead it can merely be used as a pump for the suction units 21. In this case atmospheric pressure prevails in the remaining interior space 15 of the housing 2.
Between the cases shown in Fig. 1 and Fig. 2 respectively, in which cases one optical element or all the optical elements are operated under improved vacuum conditions, any other gradations are of course possible in which for example two, three etc. of the optical elements and their optical surfaces, respectively, are arranged in a high vacuum. In all these cases it is favourable if the partial pressure of the contaminating substances in the interior space 15 or on the optical surfaces 17, 17.1 , 17.2 can be measured.
For the purpose of measuring the partial pressures of the contaminating substances in the interior space 15 of the housing 2, a residual gas analyser 27 is provided by means of which a mass spectrum of the partial pressures can be determined. In order to calibrate the residual gas analyser 27 a gas container 29 with xenon as an inert gas communicates with the interior space 15 of the housing 2 by way of a calibration leakage 28. The calibration leakage 28  ensures that there is a constant inflow of inert gas into the interior space 15. The residual gas analyser 27 can be calibrated and its function can be monitored relative to the leakage rate of the calibration leakage 28. In this way it is possible, in particular during the switching-on process, i.e. when generating the vacuum in the housing 2 by means of the vacuum generating unit 3, to monitor whether the desired partial pressures of contaminating substances have already been reached and whether the projection exposure apparatus 1 can commence exposure operation.」（第２８頁第８行〜第３６頁第９行）
（日本語訳）
「好ましい実施形態の詳細な説明
図１には、
真空発生ユニット３に関連したハウジング２を含むＥＵＶリソグラフィ用の投影露光装置１
ハウジング２は、前記ハウジング２に配置される構成部品の光学機能にしたがって、３つのハウジング部分（図１には示されていない）に分割される、すなわち、まず第１に、例えばプラズマ光源と照明放射線の焦点を合せるためのＥＵＶ集光ミラーを含む発光ユニット４を備えた第１のハウジング部分に分割される。
後続の第２のハウジング部分には、ビーム光路に沿って、フィールドラスタ素子５を備えたミラーと瞳ラスタ素子６を備えたミラーを含む照明系が配置される。下流に配置されて、望遠レンズ７の働きをするグループをなす３つのミラーには、垂直入射下において機能する第１及び第２のミラー８、９、並びに、光がすれすれ入射で当たる負の屈折力を備えた第３のミラー１０が含まれる。こ
物体面１１のレチクル１２に配置された構造は、第３のハウジング部分に配置され、下流に位置する投影系によって像面１３に結像するが、この像面１３には、感光層（不図示）を備えるウェーハが配置されている。縮小サイズの結像のため、投影系３には、反射光学素子としてさらに６つのミラー１４．１〜１４．６が含まれている。
ハウジング２内において、真空発生ユニット３が、約１０−７ｍｂａｒの水の分圧及び約１０−９ｍｂａｒの炭化水素の分圧で真空を発生する。しかしながら、この真空では、ミラー４〜１０または１４．１〜１４．６及びレチクル１２の表面に対する水及び炭化水素、及びその他の汚染物質の付着を有効に阻止するには不十分である。汚染物質は、ハウジング２の内部空間１５に前記汚染物質をガス放出するいくつかの構成部品によって発生する。図１には、一例として、ハウジング２の壁面の部分領域に配置されたこうした構成部品１６が示されている。ＥＵＶ投影露光装置に用いられる多くの材料はベーキング処理可能ではないので、ハウジング２内へのこうしたガス放出構成部品の配置を完全に回避することは不可能である。
ハウジング２内で実現可能な真空は、とりわけ構成部品１６からの汚染物質のガス放出によって下方に制限される。極めて高性能のポンプが設けられる場合にはハウジング内の真空を改善することが可能であるが、追加費用の負担を回避し、技術的努力を軽減するためには、簡略化のため平面として示された、発光ユニット４の集光ミラーの光学表面１７のすぐ近くにおいてのみ高真空を発生するほうがはるかに有利である。
これは、第１の光学表面１７が真空ハウジング１８によって内部容積１５からシールドまたは分離されることで実現される。この構成では、真空容器１８によって、光学表面１７から生じる光路１９がジャケットのような形で密閉され、前記真空容器１８は、ガス放出率の低い、例えばステンレス鋼のような真空条件に適した材料から製作されている。真空容器１８を用いることにより、真空容器１８の開口部２０によってのみ残りの内部空間１５と通じている部分容積が、ハウジング２の内部空間１５から分離される。例えば、開口部２０には、真空分離及び／または内側に放射されるＥＵＶ光のフィルタリングのための薄膜フィルタを配置することが可能である。この構成では、真空容器１８は、ビーム光路１９の領域内に開口部２０を配置するのに十分な長さになるように選択されるが、この領域における前記ビーム光路１９の直径はとりわけ小さい。したがって、多数の汚染分子が真空容器１８によって形成される部分容積に侵入できないようにして、開口部２０にビーム光路１９を通すことが可能である。
真空容器１８の円筒形壁面には、図１に２つの矢印で表示された吸込みユニット２１が、真空ハウジング１８によって画定された部分容積からハウジング２の残りの内部空間１５にポンプ作用によって汚染分子を移動させる汚れ抑制ユニットとして設けられている。もちろん、吸込みユニット２１は、内部空間１５から汚染粒子を完全に除去するために利用することも可能であり、この趣旨で、必要があれば真空発生ユニット３に接続される。いずれにせよ、吸込みユニット２１は、真空ハウジング１８における光学表面１７のすぐ近くに、すなわち、後者から約１〜３ｃｍの距離に配置されており、汚染粒子を、円筒形真空ハウジング１８の中心から吸込みユニット２１に向けて半径方向に移動させるように、光学表面１７に対してほぼ平行な圧力勾配を発生するために用いられる。
上記結果として、光学表面１７のすぐ近くに、すなわち、光学表面１７から約１ｃｍ未満、好ましくは０．５ｃｍ未満の距離をあけて、例えば水の場合には約１０−７ｍｂａｒ未満、炭化水素の場合には約１０−９ｍｂａｒ未満の分圧で、高真空が生じることになる。したがって、これらの物質による光学表面１７の汚れはほとんど阻止することが可能になる。必要があれば、汚染物質の分圧は、さらに、例えば１０−１３ｍｂａｒ未満まで低下させることが可能である。
図１では、吸込みユニット２１に加えて、少なくとも図１に示す部分領域において冷却水、液体窒素、または、液体ヘリウムによって真空ハウジング１８を２９０Ｋ、８０Ｋ、または、２０Ｋ未満の温度まで冷却する冷却ユニット２２も設けられているが、その結果として、追加分子が真空ハウジング１８の内側２３に凝縮することになる。表面積を増すため、真空ハウジング１８の内側２３は、適当な材料でコーティングすることもできるし、あるいは、粗面構造を施すことも可能である。
さらに、好ましくはＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、または、Ｈ２、Ｎ２、または、それらの混合物といった不活性ガスでパージするためのパージユニット２４が、汚れ抑制ユニットとして設けられるが、このユニットは、１０−３ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒの分圧範囲内で汚染物を自由分子の移動領域外に運び去る。パージされた不活性ガスによるパージングによって、光学表面１７から開口部２０に向かう流れが発生し、不活性ガスによって、運ばれる汚染物質は、この開口部を通ってハウジング２の内部空間１５に移動し、吸込みによって除去される。さらに、真空容器１８の円筒形壁面の（２つの矢印で表示された）吸込みユニット２１を用いた吸込み除去によって、汚染物質またはガス分子が、真空ハウジング１８によって画定された部分容積の外部の領域に、すなわち、ハウジング２の残りの内部空間１５に、または、理想的にはハウジング２の外部の領域に送り出される。
さらに、ハウジング２の内部空間１５における真空の改善を目的として、もう１つの構成部品１６ａがガス放出する汚染分子を、ハウジング２の内部空間１５から吸込みによって除去するために、もう１つの吸込みユニット２５ａが設けられる。この構成では、もう１つの吸込みユニット２５ａがもう１つの真空ポンプ３ａに接続されるが、代替案として、真空ポンプ３に接続することも可能である。もちろん、真空ハウジング１８に配置された吸込みユニット２１も真空ポンプ（不図示）に接続される。
もう１つの構成部品１６ａは、大量の汚染物質をガス放出するが、汚染粒子がハウジング２の内部空間１５に侵入できないようにもう１つの吸込みユニット２５ａによってシールドされる。結果としてハウジング２の内部空間１５から強制的に分離しなくてもすむ構成部品１６の場合より大量の汚染物質を放出することから、もう１つの構成部品１６ａ上での吸込みによる除去が賢明である。吸込みによる除去の代替案として、ハウジング２の内部空間１５から封入によってもう１つの構成部品１６ａを分離することも可能である。
もちろん、こうした汚染構成部品は、照明系の第１のミラー５に関連して、図４に示すようにミラー４〜１０及び１４．１〜１４．６に配置することも可能である。ビーム光路１９内に配置された光学表面２６は別として、ミラー５にはさらに２つの構成部品１６ｂ、１６ｃが配置されており、このさらなる構成部品１６ｂ、１６ｃは関連するさらなる吸込みユニット２５ｂ、２５ｃによって収集されるさらなる汚染物質を放出する。もちろん、このようにして、ミラー保持装置に配置された構成部品に対して、あるいは、必要であればミラー保持装置自体に対して吸込みによる除去を行うことが可能である。適切な封入または吸込みによる除去によれば、光学表面１７自体だけではなく光学素子４全体も真空ハウジング１８内に組み込まれ、前記真空ハウジング１８によって密閉することが可能になる。
図１では、とりわけ良好な真空状態のミニ環境が、発光ユニット４の集光ミラーの光学表面１７、すなわち、単一光学素子においてのみ生じるが、図２では、投影照明機器１の全てのミラー４〜１０、１４．１〜１４．６並びにレチクル１２、すなわち、投影露光機器のビーム光路１９全体に作られるこうした環境が、ハウジング２の残りの内部空間１５から分離され、ミラー５〜１０、１４．１〜１４．６の各光学表面及びレチクル１２に、それぞれ、図１においてより詳細に記述される矢印によって表示された適当な吸込みユニット２１によって高真空が生じることになる。このため、ハウジング２内には、複数の真空ハウジング１８．１〜１８．１０が設けられており、この真空ハウジング１８．１〜１８．１０には、ビーム光路１９における最初と最後のものを除いて、いずれの場合にも少なくとも２つの光学素子が配置されている。今後は、簡略化のため、「光学素子」という用語はミラー５〜１０、１４．１〜１４．６とレチクル１２の両方を表わすものとする。
いずれの場合も、ビーム光路１９内に連続して配置された２つの真空ハウジング１８．１〜１８．１０は、ビーム光路１９が共用開口部を通ることができるように例えばフランジで相互連結されている。通常、いずれの場合も、例えば第２の真空ハウジング１８．２の場合のように、光学表面１７．１、１７．２を備えたミラー５、６の２つが真空ハウジングの向かい合った壁面に配置されている。いくつかの光学素子が、例えばレチクル１２のすぐ近くといったように、互いにすぐ隣接して配置されている領域には、共用真空ハウジング内に２つ以上の光学素子を配置することが可能である。
オプションとして、真空ハウジング１８．１〜１８．１０は、図１に示す冷却装置２２を具備し、及び／又は、内部２３の少なくとも１つの部分領域に、ガス結合材料、とりわけ、チタン、タンタル、ニオブ、ジルコン、トリウム、バリウム、マグネシウム、アルミニウム、ルテニウム、イッテルビウム、または、セリウムを含むことができる。こうして、凝結または吸収によって、真空ハウジング１８．１〜１８．１０内のいくつかの汚染分子の数をさらに減少させることが可能である。
発光ユニット４を備える第１の真空ハウジング１８．１には、図１に示すように、隣接する真空ハウジング１８．２に汚染物質を運び込む不活性ガス流を発生するパージユニット２４が配置されており、汚染物質はその真空ハウジング１８．２から吸込みユニット２１によって内部空間１５に排出される。この場合、パージユニット２４を汚す物質が光学表面１７から十分に隔離されるように、前記第１の真空ハウジング１８．１は、耐ガス性になるように、フレキシブル真空素子を用いて発光ユニット４に接続され、第１の真空ハウジング１８．１の内部容積に吸込みユニットを設ける必要がない。
ハウジング２の残りの内部空間１５からビーム光路１９をほぼ完全に封止する結果として、それらの場合には、通常はそうであるより好ましくない真空状態を選択することが可能になる、すなわち、真空発生ユニット３は、低下した吸込み吐出し出力で動作させることが可能になり、より激しくガス放出する構成部品を利用することが可能になり、概して云えば、構成部品のガス放出により注意を払う必要がなくなる。最も好ましい事例において、もはやハウジング２の内部空間に真空を発生させるために真空発生ユニット３を用いる必要がなくなり、代わりに、ただ単に吸込みユニット２１のためのポンプとして利用することが可能になる。この場合、ハウジング２の残りの内部空間１５は大気圧が支配的になる。
それぞれ改善された真空状態下において１つの光学素子または全ての光学素子が動作する図１に示す事例と図２に示す事例の間には、例えば、２つ、３つ等の光学素子及びその光学表面がそれぞれ高真空内に配置されるといった、他の任意の中間的段階ももちろん可能である。これら全ての事例において、内部空間１５内または光学表面１７、１７．１、１７．２上の汚染物質の分圧を測定可能であることが望ましい。
ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧を測定するため、分圧の質量スペクトルを求めることが可能な残留ガス分析器２７が設けられる。
（５）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
・上記記載事項（４）の
「図１には、真空発生ユニット３に関連したハウジング２を含むＥＵＶリソグラフィ用の投影露光装置１の線図が示されている。ハウジング２は、前記ハウジング２に配置される構成部品の光学機能にしたがって、３つのハウジング部分（図１には示されていない）に分割される、すなわち、まず第１に、例えばプラズマ光源と照明放射線の焦点を合せるためのＥＵＶ集光ミラーを含む発光ユニット４を備えた第１のハウジング部分に分割される。
後続の第２のハウジング部分には、ビーム光路に沿って、フィールドラスタ素子５を備えたミラーと瞳ラスタ素子６を備えたミラーを含む照明系が配置される。下流に配置されて、望遠レンズ７の働きをするグループをなす３つのミラーには、垂直入射下において機能する第１及び第２のミラー８、９、並びに、光がすれすれ入射で当たる負の屈折力を備えた第３のミラー１０が含まれる。この照明系は、縮小サイズで結像すべき構造（不図示）を備えたレチクル１２が配置された物体面１１にできる限り均一な像を生じさせる。
物体面１１のレチクル１２に配置された構造は、第３のハウジング部分に配置され、下流に位置する投影系によって像面１３に結像するが、この像面１３には、感光層（不図示）を備えるウェーハが配置されている。縮小サイズの結像のため、投影系３には、反射光学素子としてさらに６つのミラー１４．１〜１４．６が含まれている。」
から、「ハウジング２」には、「ＥＵＶ集光ミラーを含む発光ユニット４」、「フィールドラスタ素子５を備えたミラーと瞳ラスタ素子６を備えたミラー」、「望遠レンズ７の働きをする」「第１及び第２のミラー８、９」並びに「負の屈折力を備えた第３のミラー１０」「を含む照明系」及び「反射光学素子としてさらに６つのミラー１４．１〜１４．６」「が含まれている」「投影系３」が配置されていることは明らかである。
・上記記載事項、特に、（４）の「ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧を測定するため、分圧の質量スペクトルを求めることが可能な残留ガス分析器２７が設けられる。」という記載から、「残留ガス分析器２７」により、「ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の」「分圧の質量スペクトルを求める」方法が記載されていると認められる。
・上記記載事項（４）の「それぞれ改善された真空状態下において１つの光学素子または全ての光学素子が動作する図１に示す事例と図２に示す事例の間には、例えば、２つ、３つ等の光学素子及びその光学表面がそれぞれ高真空内に配置されるといった、他の任意の中間的段階ももちろん可能である。これら全ての事例において、内部空間１５内または光学表面１７、１７．１、１７．２上の汚染物質の分圧を測定可能であることが望ましい。」という記載から、「改善された真空状態下において１つの光学素子」「が動作する図１に示す事例」においても、「残留ガス分析器２７」により、「ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の」「分圧の質量スペクトルを求める」方法が記載されていると認められる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「真空発生ユニット３に関連したハウジング２を含むＥＵＶリソグラフィ用の投影露光装置１のハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧の質量スペクトルを求める方法であって、
　ハウジング２には、ＥＵＶ集光ミラーを含む発光ユニット４、フィールドラスタ素子５を備えたミラーと瞳ラスタ素子６を備えたミラー、望遠レンズ７の働きをする第１及び第２のミラー８、９並びに負の屈折力を備えた第３のミラー１０を含む照明系、及び、反射光学素子としてさらに６つのミラー１４．１〜１４．６が含まれている投影系３が配置されており、
　四重極質量分析計である残留ガス分析器２７により、ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧の質量スペクトルを求める方法。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「汚染物質の分圧の質量スペクトルを求める方法」では、汚染物質を検出していることは明らかであるから、引用発明の「真空発生ユニット３に関連したハウジング２を含むＥＵＶリソグラフィ用の投影露光装置１のハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧の質量スペクトルを求める方法であって、」「四重極質量分析計である残留ガス分析器２７により、ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧の質量スペクトルを求める方法」と、本願発明の「内部空間（１５）を有する筐体（１ａ）を備えるＥＵＶリソグラフィ装置の残留ガス雰囲気の残留ガス分析により少なくとも一つの汚染物質の検出方法であって、前記残留ガス分析を実行するために、イオントラップである貯蔵デバイス（２１、２１ａ；３１、３１ａ、３１ｂ）に前記汚染物質（１７ａ）を貯蔵すること」は、「内部空間（１５）を有する筐体（１ａ）を備えるＥＵＶリソグラフィ装置の残留ガス雰囲気の残留ガス分析により少なくとも一つの汚染物質の検出方法」で一致する。
イ　引用発明の「ハウジング２には、ＥＵＶ集光ミラーを含む発光ユニット４、フィールドラスタ素子５を備えたミラーと瞳ラスタ素子６を備えたミラー、望遠レンズ７の働きをする第１及び第２のミラー８、９並びに負の屈折力を備えた第３のミラー１０を含む照明系、及び、反射光学素子としてさらに６つのミラー１４．１〜１４．６が含まれている投影系３が配置されて」いることは、本願発明の「少なくとも一つの反射光学素子（５、６、８、９、１０、１４．１〜１４．６）が配置される内部空間（１５）を有する筐体（１ａ）」に相当する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「少なくとも一つの反射光学素子（５、６、８、９、１０、１４．１〜１４．６）が配置される内部空間（１５）を有する筐体（１ａ）を備えるＥＵＶリソグラフィ装置の残留ガス雰囲気の残留ガス分析により少なくとも一つの汚染物質の検出方法。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　汚染物質の検出のための残留ガス分析について、本願発明では、「前記残留ガス分析を実行するために、イオントラップである貯蔵デバイス（２１、２１ａ；３１、３１ａ、３１ｂ）に前記汚染物質（１７ａ）を貯蔵する」のに対して、引用発明では、「四重極質量分析計である残留ガス分析器２７により、ハウジング２の内部空間１５における汚染物質の分圧の質量スペクトルを求める」点。
４　判断
（１）相違点について
　本願発明の「前記残留ガス分析を実行するために、イオントラップである貯蔵デバイス（２１、２１ａ；３１、３１ａ、３１ｂ）に前記汚染物質（１７ａ）を貯蔵する」は、本願の明細書及び図面の記載を参照すれば、イオントラップを有する質量分析器により、残留ガス分析を行う方法を含むことは明らかである。
　また、引用発明の「四重極質量分析計」がイオントラップを有さない質量分析器であることは技術常識である。
　すると、上記相違点は、残留ガス分析を、本願発明では、イオントラップを有する質量分析器により行うのに対して、引用発明では、イオントラップを有さない質量分析器である「四重極質量分析計」により行うことであると言い換えることができる。
　しかし、質量分析器において、イオントラップを有する質量分析器は、例えば、ＦＴ−ＩＣＲが、米国特許出願公開第２００３／０２１１６２８号明細書、内藤康秀,井上雅夫，「フーリエ変換法を利用した質量分析」，Journal of the Mass Spectrometry Society of Japan，1994年，Vol.42, No.6，pp291-313（それぞれ、平成２６年７月８日付けの拒絶理由通知書で挙げられた引用文献４、５である。）等に示されるように周知であり、また、質量分析器は、「四重極質量分析計」やＦＴ−ＩＣＲを含む種々の周知ないしは公知の質量分析器の中から、どのようなイオンを、どのような試料から、どのように分析するか等を考慮して適宜選択し得るものであるから、引用発明の「残留ガス分析器２７」として、周知の「四重極質量分析器」に換えて、イオントラップを有する質量分析器であるＦＴ−ＩＣＲを採用することは、当業者が適宜選択し得ることである。
（２）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
（３）結論
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。