【手続補正書】
【提出日】令和2年6月26日(2020.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式(I)の錯体、
【化１】
2019536779.tif 000001
ここで、
Mはジルコニウム又はハフニウムであり；
各Xは独立して、シグマリガンドであり；
Lは、-R'2C-、-R'2C-CR'2-、-R'2Si-、-R'2Si-SiR'2-、-R'2Ge-から選択される２価の架橋基であり、ここで、各R'は独立して、水素原子又は、1以上のケイ素原子若しくは周期表の14〜16族のヘテロ原子若しくはフッ素原子を任意的に含んでいてもよいC1〜C20-ヒドロカルビル基であり、及び任意的に、2つのR’基が一緒になって環を形成することができ；
R2及びR2'はそれぞれ独立して、C1〜C20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；
R5は、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり、該R5基は1以上のハロ基によって任意的に置換されていてもよく；
R5'は、水素又はC1〜20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；該C1〜20ヒドロカルビル基は1以上のハロ基によって任意的に置換されていてもよく；
R6及びR6'はそれぞれ独立して、C1〜20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；
各R1及びR1’は独立して-CH2Rxであり、ここで、Rxは独立して、H又は、ヘテロ原子を任意的に含んでいてもよいC1〜20ヒドロカルビル基である。
【請求項２】
各Xは独立して、水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキル、フェニル又はベンジル基である、請求項１に記載の錯体。
【請求項３】
Lは、ジメチルシリル、メチルシクロヘキシルシリル(すなわち、Me-Si-シクロヘキシル)、エチレン又はメチレンである、請求項１又は２に記載の錯体。
【請求項４】
R2及びR2'はそれぞれ独立して、直鎖又は分岐のC1〜6アルキル基、特にメチル、エチル、イソブチル又はネオペンチル、である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項５】
R6及びR6'はそれぞれ独立して、直鎖又は分岐のC1〜10アルキル基である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項６】
R6は分岐のC3〜8アルキル、例えばtert-ブチル基、であり、及びR6'は直鎖のC1〜8アルキル基又は分岐のC3〜8アルキル基、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基又はtert-ブチル基、である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項７】
R5はZR3であり、及びR5'はH又はZ'R3であり；ここで、
Z及びZ'はそれぞれ、O又はS、好ましくはOであり；
R3は、C1〜6アルキル基、好ましくは直鎖のC1〜3アルキル基、特にメチル、であり；及び
R3'は、C1〜6アルキル基、好ましくは直鎖のC1〜3アルキル基、特にメチル、である、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項８】
各Rxは、H又はC1〜6アルキル、特にH又はC1〜2アルキルアルキル、である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項９】
下記の式(II)の請求項１〜８のいずれか一項に記載の錯体、
【化２】
2019536779.tif 000002
ここで、
Mは、ジルコニウム(Zr)又はハフニウム(Hf)であり；
各Xはシグマリガンドであり、好ましくは各Xは独立して、水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキル、フェニル又はベンジル基であり；
各R8はC1〜20ヒドロカルビル基であり、又は2つのR8基が一緒になって環を形成することができ；
各R2又はR2'はC1〜10アルキル基であり；
R6は、C1〜10アルキル基又はC6〜10アリール基であり；
R6'は、C1〜10アルキル基又はC6〜10アリール基であり；
R5’は、水素又はZR3’であり；
ZはO又はSであり；
R3及びR3’は同じであっても異なっていてもよく、1以上のハロ基で任意的に置換されていてもよい、C1〜10ヒドロカルビル基、例えばC1〜10直鎖又は分岐のアルキル、C2〜10アルケニル、C3〜10シクロアルキル若しくはC3〜10シクロアルケニル基、又はC6〜10アリール、C7〜10アルキルアリール若しくはC7〜10アリールアルキル基、であり；
各Rxは独立して、H又は、C1〜12ヒドロカルビル基、例えばC1〜10アルキル基、である。
【請求項１０】
下記の式(IIIa)又は式(IIIb)の請求項１〜９のいずれか一項に記載の錯体、
【化３】
2019536779.tif 000003
ここで、
各Xはシグマリガンドであり、好ましくは各Xは独立して、水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキル、フェニル又はベンジル基であり；
R8はC1〜6アルキル基又はC3-7シクロアルキル基であり；
R6はC1〜10アルキル基であり；
R6'はC1〜10アルキル基であり；
R5’は、水素又はOR3であり；
R2及びR2´は同じであっても異なっていてもよく、C1〜6アルキルであり；
R3及びR3’は同じであっても異なっていてもよく、1以上のハロ基で任意的に置換されていてもよい、C1〜10ヒドロカルビル基、例えばC1〜10直鎖又は分岐のアルキル、C2〜10アルケニル、C3〜10シクロアルキル若しくはC3〜10シクロアルケニル基、又はC6〜10アリール、C7〜10アルキルアリール若しくはC7〜10アリールアルキル基、であり；及び
各Rxは独立して、H又はC1〜10アルキル基である。
【請求項１１】
下記の式(IVa)又は式(IVb)の請求項１〜１０のいずれか一項に記載の錯体、
【化４】
2019536779.tif 000004
ここで、
各Xはシグマリガンドであり、好ましくは各Xは独立して、水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキル、フェニル又はベンジル基であり；
RxはH又はC1〜4アルキル基であり；
R3及びR3’は同じであっても異なっていてもよく、1以上のハロ基で任意的に置換されていてもよい、C1〜10ヒドロカルビル基、例えば直鎖又は分岐のC1〜10アルキル、C2〜10アルケニル、C3〜10シクロアルキル若しくはC3〜10シクロアルケニル基、又はC6〜10アリール、C7〜10アルキルアリール若しくはC7〜10アリールアルキル基、であり；及び
R2及びR2´は同じであっても異なっていてもよく、C1〜6アルキルである。
【請求項１２】
下記の式(V)の請求項１〜１１のいずれか一項に記載の錯体、
【化５】
2019536779.tif 000005
ここで、
各Xはシグマリガンドであり、好ましくは各Xは独立して、水素原子、ハロゲン原子、C1〜6アルコキシ基、C1〜6アルキル、フェニル又はベンジル基であり；
RxはH又はメチルであり；
R3は、1以上のハロ基で任意的に置換されていてもよい、C1〜10ヒドロカルビル基、例えば直鎖又は分岐のC1〜10アルキル、C2〜10アルケニル、C3〜10シクロアルキル若しくはC3〜10シクロアルケニル基、又はC6〜10アリール、C7〜10アルキルアリール若しくはC7〜10アリールアルキル基、であり；
R6’は、直鎖又は分岐のC1〜4ヒドロカルビル、例えばメチル、エチル、イソプロピル、イソブチル、である。
【請求項１３】
対称である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項１４】
【化６】
2019536779.tif 000006
又は、
【化７】
2019536779.tif 000007
である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の錯体。
【請求項１５】
(i)  請求項１〜１４のいずれか一項に記載の錯体；及び
(ii)  13族金属、例えばAl又はホウ素、の化合物を含む助触媒
を含む触媒。
【請求項１６】
(a)  液体／液体エマルジョン系が形成される、ここで、該液体／液体エマルジョン系は、分散された滴を形成するように溶媒中に分散された触媒成分(i)及び(ii)の溶液を含む；及び
(b)  該分散された滴を固化することにより固体粒子が形成される
ところの方法によって得られうる固体触媒である、請求項１５に記載の触媒。
【請求項１７】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載された錯体及び、13族金属、例えばAl又はホウ素、の化合物を含む助触媒を得ること、
分散された滴を形成するように溶媒中に分散された触媒成分(i)及び(ii)の溶液を含む液体／液体エマルジョン系を形成すること、及び該分散された滴を固化して固体粒子を形成すること
を含む、請求項１５に記載された触媒を製造する方法。
【請求項１８】
該触媒がシリカ上に担持されている、請求項１５に記載の触媒。
【請求項１９】
少なくとも１のオレフィンを、請求項１５、１６及び１８のいずれか１項に記載された触媒の下で反応させることを含む、該少なくとも１のオレフィンの重合の為の、特にポリプロピレンホモポリマー又はコポリマー、より特にはエチレンとのプロピレンコポリマー、例えばランダムプロピレンエチレンコポリマー又は4〜8個のC原子のα-オレフィンとのポリプロピレンコポリマー、の形成の為の、方法。
【請求項２０】
下記の式(A)の化合物
【化８】
2019536779.tif 000008
を3,5-ジ-R1-フェニルボロン酸と、触媒及び2-メチルテトラヒドロフランの存在下で反応させて、下記の化合物(B)
【化９】
2019536779.tif 000009
を形成すること；そして
化合物(B)を2-メチルテトラヒドロフランの存在下で、例えば還元剤、例えば水素化ホウ素ナトリウム、を用いて還元して、下記の化合物(C)を形成すること；
【化１０】
2019536779.tif 000010
ここで、R2は、C1〜C20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；
R5は、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり、該R5基は、1以上のハロ基によって置換されていてもよく；
R6は、C1〜20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；
各R1は-CH2Rxであり、ここでRxはそれぞれ独立して、H又は、ヘテロ原子を任意的に含んでいてもよいC1〜20ヒドロカルビル基である、
を含む、ワンポット方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ここで、
Mはジルコニウム又はハフニウムであり；
各Xは独立して、シグマリガンドであり；
Lは、-R'2C-、-R'2C-CR'2-、-R'2Si-、-R'2Si-SiR'2-、-R'2Ge-から選択される２価の架橋基であり、ここで、各R'は独立して、水素原子又は、1以上のケイ素原子若しくは周期表の14〜16族のヘテロ原子若しくはフッ素原子を含んでいてもよいC1〜C20-ヒドロカルビル基であり、及び任意的に、2つのR’基が一緒になって環を形成することができ；
R2及びR2’はそれぞれ独立して、C1〜C20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；
R5は、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり、該R5基は1以上のハロ基によって任意的に置換されていてもよく；
R5'は、水素又はC1〜20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；該C1〜20ヒドロカルビル基は1以上のハロ基によって任意的に置換されていてもよく；
R6及びR6'はそれぞれ独立して、C1〜20ヒドロカルビル基、-OC1〜20ヒドロカルビル基又は-SC1〜20ヒドロカルビル基であり；
各R1及びR1’は独立してCH2Rxであり、ここで、Rxは独立して、H又は、ヘテロ原子を任意的に含んでいてもよいC1〜20ヒドロカルビル基である。