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　特願２０１２−　２２８０８「インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造窒化物レーザダイオード構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月１０日出願公開、特開２０１２−　８９８９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年９月２２日（パリ条約による優先権主張１９９９年９月２９日、アメリカ合衆国）に出願した特願２０００−２８７８１２号の一部を平成２４年２月６日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年７月１１日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月１６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２７年２月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３日に審判請求がされ、同年８月１０日に手続補正書（方式）が提出され、請求の理由が補正されたものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　窒化物光放出ダイオード構造であって、
　上面及びエッチングされた側面を有するリッジ構造（１１１）であって、当該リッジ構造（１１１）は、１〜５ミクロンの幅を有する、当該リッジ構造（１１１）と、
　活性領域（１４５）と、
　前記活性領域（１４５）上の上側クラッド層（１２５）と、
　前記リッジ構造（１１１）中でありかつ前記上側クラッド層（１２５）上のキャップ層（１８５）と、　
　前記リッジ構造（１１１）を囲む埋め込み層（１５５、２５５）と、
　を備え、
　前記キャップ層（１８５）は、＜１１００＞面を有する六角形の結晶を有し、
　前記リッジ構造（１１１）の長さ方向の軸は、前記キャップ層（１８５）の前記結晶の前記＜１１００＞面に垂直な方向に配向された
　窒化物光放出ダイオード構造。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１：特開平１１−７４６０５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−７４６０５号公報（公開日：平成１１年３月１６日。以下「引用例１」という。）には、「窒化物系化合物半導体レーザ」（発明の名称）に関して、図４とともに以下の記載がある。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体材料を用いた半導体素子に係わり、特にＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＧａＮなど窒素を含む化合物半導体からなる窒化物系化合物半導体レーザに関する。」
イ　「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、ＧａＮ系材料を用いた横モード制御レーザにおいては、メサ幅を極めて狭くする必要があり、プロセスが非常に困難であるという問題点があった。また、メサ幅を広くするために、埋め込み層として発振光に対して損失を持つ材料を用いると、しきい値が上昇する問題があった。
【０００９】本発明は、上記の事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、
メサ幅を極端に狭くすることなく特性の優れた横モード制御を実現することができ、かつしきい値の低減をはかり得る窒化物系化合物半導体レーザ
ウ　「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施形態によつて説明する。
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。
【００１９】各窒化物層は全てＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により成長を行った。成長条件に関して、圧力は常圧、バッファ層以外のＧａＮ，ＡｌＧａＮ層の成長は、基本的には窒素，水素，アンモニアを混合した雰囲気で１０００℃から１１００℃の範囲、活性層を含む成長は、窒素とアンモニア雰囲気で７００℃から８５０℃の範囲とした。
【００２０】図中
１１はサファイア基板
１６は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）と光ガイド層を含む活性層部であり
井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ
0.20
Ｇａ
0.80
Ｎの５層からなり、バリヤ層は厚さ６ｎｍのＩｎ
0.03
Ｇａ
0.97
Ｎから構成される
【００２１】
１７はｐ−Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎクラッド層
１８はｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層
サファイア基板１１には（０００１）ｃ面を用いており、レーザミラーはへき開により形成している
【００２２】本構造を実現するには、図中１２から１８までの結晶成長後、光リソグラフィ技術と
ドライエッチング技術を用いて図中１６〜１８が示すような第１のメサを形成
【００２３】ここで、接合面と平行な方向において、第１及び第２のメサ、即ち
第１のメサと埋め込みコンタクト層１９で第１の導波構造が形成
エ　「【００３５】（第４の実施形態）図４は、本発明の第４の実施形態に係わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図である。なお、
図１と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する
【００３６】本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、
第１のメサの埋め込みを
ｐ−Ａｌ
0.07
Ｇａ
0.93
Ｎ層２４
で行った
【００３７】また、ｐ−ＡｌＧａＮ埋め込み層２４を形成したことにより、ｐ−ＧａＮコンタクト層１９の厚さは０．５μｍと第１の実施形態よりも薄くした。さらに、
第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層１６の幅は１．５μｍ
【００３８】本実施形態では、活性層部分のクラッドを含む実効屈折率は第１のメサの埋め込み層であるＡｌＧａＮよりも大きい、導波構造となっている。そしてこの場合、しきい値２５ｍＡで室温連続発振した。発振波長は４１５ｎｍ、動作電圧は５．５Ｖであった。ビーム特性は単峰であり、非点隔差は３μｍと十分小さな値が得られた。最高光出力は連続発振で１０ｍＷまで得られ、信頼性に関しても室温で１０００時間以上安定に動作した。
【００３９】これらの特性は、基板は下のままヒートシンクにボンディングした構造で得られた。本実施形態では、埋め込み層をｐ−ＡｌＧａＮとしたためｎ−ＡｌＧａＮとの接合でのビルトインポテンシャルが大きくなり、活性層外側でのリーク電流を低減できる。また、埋め込み層のＡｌＧａＮはＺｎなどをドープした高抵抗層としても良い。」
オ　図４の「第４の実施形態に関わる青色半導体レーザの概略構成を示す断面図」には、活性層部１６、活性層部１６上のｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層１７、及びｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層１７上のｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８が示されており、青色半導体レーザは、サファイア基板１１上に形成されている。
　
（２）引用発明
　上記摘記事項「ウ」の段落【００２２】、「エ」の段落【００３５】の記載及び「カ」を勘案すると、図４には、ドライエッチング技術を用いて形成された図中１６〜１８が示すような第１のメサであって、活性層部１６、ｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層１７、及びｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８を備える第１のメサが示されているといえ、また、図４を参照すると、当該第１のメサは、上面及び側面を有し、かつｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８は、第１のメサ中の層であることは明らかである。
　そうすると、引用例１には、図４に示される「第４の実施形態」として、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
  
「メサ幅を極端に狭くすることなく特性の優れた横モード制御を実現することができ、かつしきい値の低減をはかり得る窒化物系化合物半導体レーザであって、
　上面及び側面を有し、ドライエッチング技術を用いて形成された第１のメサであって、第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層１６の幅は１．５μｍである、第１のメサと、
　多重量子井戸構造（ＭＱＷ）と光ガイド層を含む活性層部であり、井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ0.20Ｇａ0.80Ｎの５層からなり、バリヤ層は厚さ６ｎｍのＩｎ0.03Ｇａ0.97Ｎから構成される活性層部１６、
　活性層部１６上のｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層１７、
　及び第１のメサ中でありかつｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層１７上のｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８と、
　第１のメサの埋め込みを行うｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層２４と、
　を備え、
　サファイア基板１１上に形成され、サファイア基板１１には（０００１）ｃ面を用いており、レーザミラーはへき開により形成している、
　窒化物系化合物半導体レーザ。」
（３）引用例２：特開平９−１８６４０４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−１８６４０４号公報（以下「引用例２」という。）には、「ＧａＮ堆積ウエーハ及び光半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜３とともに以下の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＡｌＮ基板上にＧａＮ又はその混晶からなる薄膜が堆積されたＧａＮ堆積ウエーハ，及びＡｌＮ基板上に堆積されたＧａＮ又はその混晶からなる薄膜を有する光半導体装置に関する。
【０００２】基板上に堆積されたＧａＮ又はＧａＮの混晶系薄膜は，短波長の光素子，例えば青色光から紫外光に至る光の発光素子及び受光素子に使用されている。しかし，ＧａＮ系薄膜を光素子として利用するには，優れた結晶性を有する薄膜が堆積され，かつダイシング又は光学的平面を形成するに便利な劈開を利用できる基板上に堆積することが好ましい。
【０００３】このため，優れた結晶性を有しかつ劈開による加工ができるＧａＮ堆積ウエーハが，並びに結晶性が良いＧａＮ薄膜を用いることで光素子特性のばらつきが少ない光半導体装置，加えて劈開による加工を利用することで製造容易な光半導体装置が要望されている。」
イ　「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように，従来のＧａＮ堆積ウエーハでは，劈開性を有しないサファイア基板又は多結晶ＡｌＮ基板を用いるため，劈開による精密な加工を利用することができず，素子特性がばらつくという問題がある。また，ＳｉＣ基板又はＧａＮ基板を用いるものは，基板の化学的研磨が難しいため，基板上に堆積したＧａＮ薄膜の表面に溝が発生して素子特性が大きくばらつくという問題がある。
【００１０】本発明は，ＧａＮ系薄膜を堆積する基板として劈開を有しかつ化学的研磨も容易であるＡｌＮ単結晶基板を用いることにより，優れた結晶性を有するＧａＮ系薄膜が堆積されたＧａＮ堆積ウエーハの提供，及び優れた結晶性を有するＧａＮ系薄膜が堆積されかつ劈開による加工ができるＧａＮ堆積ウエーハの提供，並びに素子特性のばらつきが小さくかつ製造容易な光半導体装置の提供を目的としている。」
ウ　「【００１１】
【課題を解決するための手段】図２は本発明の実施例ＧａＮ堆積ウエーハ使用説明図であり，図２（ａ）は斜視図によりＧａＮ堆積ウエーハを使用した半導体レーザの製造工程におけるダイシング及び劈開の方向を表しており，また図２（ｂ）はＡＢ断面図によりＧａＮ堆積ウエーハの積層構造を表している。図３は，本発明の実施例半導体レーザ斜視図であり，ＧａＮ堆積ウエーハ上に作製され，劈開面を利用して製造された半導体レーザを表している。
【００１２】上記課題を解決するために本発明の第一の構成は，図２を参照して，ＡｌＮ単結晶からなる基板１と，該基板１上に堆積された，ＧａＮ又はＧａＮ混晶からなる薄膜２とを有するＧａＮ堆積ウエーハ３として構成し，及び，第二の構成は，第一の構成のＧａＮ堆積ウエーハ３において，該基板１の堆積面は，（０００１）面又は（１１２０）面に垂直な面からなることを特徴として構成し，及び，第三の構成は，図３を参照して，ＡｌＮ単結晶の（０００１）面又は（１１２０）面を堆積面とする基板１と，該堆積面上に堆積されたＧａＮ又はＧａＮ混晶からなる薄膜２と，該堆積面に垂直に劈開された該薄膜の劈開面４ａとを有する光半導体装置として構成し，及び，第四の構成は，第三の構成の光半導体装置において，
該薄膜の劈開面４ａからなる光学的平面
【００１３】…（略）…
【００１４】本発明の第二の構成に係るＧａＮ堆積ウエーハは，第一の構成に係るＡｌＮ基板の主面を（０００１）面又は（１１２０）面に垂直な面とし，この主面上に
ＧａＮ系薄膜が堆積
【００１５】図１は，ＡｌＮ結晶の劈開面を表す図であり，ＡｌＮ単結晶の主要な劈開面を表している。図１（ａ）を参照して，ＡｌＮの最も容易に劈開する
劈開面４ａは（１１００）面
【００１６】本発明の第三の構成に係る光半導体装置では，（０００１）面又は（１１２０）面を主面とする
ＡｌＮ単結晶基板上に堆積されたＧａＮ薄膜
劈開面は
光学面として利用
【００１７】本発明の第四の構成では，第三の構成に係る光半導体装置の
劈開面を光学的平面とする面
光共振器の反射面とした面を有する
エ　「【００１８】
【発明の実施の形態】本発明を，半導体レーザに適用した実施例を参照して説明する。本発明の第一実施形態は，
ＡｌＮ単結晶基板上にＧａＮ系薄膜が堆積されたＧａＮウエーハ
【００１９】図２を参照して，ＡｌＮ単結晶からなるＡｌＮ基板１の（０００１）面からなる主面を，機械的研磨により平坦面とする。…（略）…
【００２１】…（略）…なお，本実施形態に係るＧａＮ堆積ウエーハは，ウエーハ表面に垂直な
（１１００）面
で劈開することができる
【００２２】上述した本発明の第一実施形態において，（０００１）を主面とするＡｌＮ基板に代えて，（１１２０）面を主面とすることもできる。この場合にも主面に垂直な劈開面が存在するため，ウエーハの分割又は加工が容易である。
【００２３】なお，第一実施形態では主面を（０００１）としたが，ウエーハの劈開が問題とされない用途では他の結晶面を主面とすることもでき，この場合にも結晶性が優れたＧａＮ系薄膜が堆積されたＧａＮ堆積ウエーハが製造される。
【００２４】本発明の第二実施形態は，劈開面を光学的平面として利用する光半導体装置に関し，
光共振器の反射面を劈開面とする半導体レーザ
＜１１００＞方向に延在ずるストライプ電極６
＜１１００＞方向のダイシングライン１１
（１１００）劈開面に沿って劈開し
この劈開面４ａを反射面とするストライプ半導体レーザ
オ　
【図１】
【図３】
（４）引用例３：特開平１０−９３１９８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−９３１９８号公報（以下「引用例３」という。）には、「窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１、１０とともに以下の記載がある。
ア　「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施形態によって説明する。
（第１の実施形態）図１は、本発明の第１の実施形態に係わる窒化ガリウム系化合物半導体レーザの素子構造を示す断面図である。
【００２０】サファイア基板１０１上に、ＧａＮバッファ層１０２を介してｎ型ＧａＮコンタクト層１０３が形成されている。コンタクト層１０３上には、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４，ｎ型ＧａＮガイド層１０５，多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層１０６，ｐ型ＧａＮガイド層１０７，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０８からなるメサ型構造が形成され、こ
のメサ型構造の両側には活性層１０６よりも屈折率の小さい高抵抗ＧａＮ電流ブロック層１１０が埋め込み形成されている
【００２１】また、電流ブロック層１１０はコンタクト層１０３上の全面に形成されるのではなく、コンタクト層１０３の一部が露出するように形成されている。そして、コンタクト層１０３の露出部上には、ｎ側電極１１１が形成されている。さらに、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０９上にはｐ側電極１１２が形成されている。
【００２２】なお、
メサ型構造は紙面表裏方向にストライプ状
ストライプ幅は０．５〜３μｍ
【００２３】製造工程としては、周知の有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）を用い、サファイア基板１０１上に厚さ５０ｎｍのＧａＮバッファ層１０２を成長し、その上に厚さ４μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層１０３，厚さ１μｍのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１０４，厚さ０．５μｍのｎ型ＧａＮガイド層１０５，厚さ０．３μｍのＭＱＷ活性層１０６，厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＮガイド層１０７，厚さ１μｍのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０８までを順次成長形成する。
【００２４】次いで、上記の積層膜をｎ型ＧａＮコンタクト層１０３が露出するまで
メサ状に選択エッチングし、メサ型構造を形成する
メサ型構造の下地となるＧａＮ層１０３の表面は（０００１）面であり、メサの側面は
（１１2'０）面
【００２５】このようにして作成されたメサ型構造について、メサ部を保護し、高抵抗ＧａＮブロック層１１０を選択成長させる。高抵抗ＧａＮ層１１０の作成は、亜鉛を添加することによって行うことができる。ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０８と高抵抗ＧａＮ層１１０とをほぼ同一平面内になるように調整した後、厚さ０．３μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１０９を成長する。このコンタクト層１０９には、横方向に電流を広げるために不純物が高濃度（１×１０19ｃｍ-3程度）にドープされている。」
イ　「【００６６】（第５の実施形態）図１０は、本発明の
第５の実施形態に係わる窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
基本構造は図１に示した第１の実施形態と同じ
【００６７】図中３０１はサファイア基板であり、この基板３０１上にＧａＮバッファ層３０２，ｎ型ＧａＮコンタクト層３０３，ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３０４，ｎ型ＧａＮ導波層３０５，ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ活性層３０６，ｐ型ＧａＮ導波層３０７，ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０８，ＡｌＧａＮ電流ブロック層３１０，ｐ型ＧａＮコンタクト層３０９が形成されている。これらの結晶成長は、ＭＯＣＶＤ法或いはＭＢＥ法によって行われる。
【００６８】
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０８からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３０４まではメサ部を除いてエッチング除去され、この両側に高抵抗のＡｌＧａＮ電流ブロック層３１０が形成される
【００６９】このレーザの活性層部は、Ｉｎc Ｇａ1-c Ｎ井戸層／Ｉｎd Ｇａ1-d Ｎ障壁層（ｃ＞ｄ）からなる多重量子井戸、及びＧａＮ導波層を設けたＳＣＨ構造となっている。
【００７０】具体的な組成及び各層の膜厚の例を示すと、多重量子井戸はＩｎ0.2 Ｇａ0.8Ｎ井戸層（２ｎｍ）／Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層（４ｎｍ）の５対からなり、ＧａＮ導波層の厚さはそれぞれ０．１μｍである。また、両クラッド層は、ｎ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ｎ（０．３μｍ）、ｐ型Ｇａ0.85Ａｌ0.15Ｎ（０．３μｍ）からなる。
【００７１】ここで重要なのは、安定な基本横モード発振を得るためのメサ幅と活性層部／埋込み層の屈折率差ΔＮである。活性層部の構造が決まれば、ΔＮは埋込み層の組成で決まる。本実施形態の例では、
埋込み層をＧａ
0.94
Ａｌ
0.06
Ｎ
ストライプ幅を１μｍ
３　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「窒化物系化合物半導体レーザ」、「活性層部１６」、「ｐ−Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層１７」、及び「ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８」は、それぞれ本願発明の「窒化物光放出ダイオード構造」、「活性領域」、「上側クラッド層」、及び「キャップ層」に相当する。 
　
イ　引用発明の「第１のメサ」は「上面及び側面を有し、ドライエッチング技術を用いて形成された」ものであるから、「上面及びエッチングされた側面を有する」ものであるといえる。また、引用発明の「第１のメサ」と本願発明の「リッジ構造」とは、いずれも凸状構造である。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「上面及びエッチングされた側面を有する凸状構造」を備える点で一致するものであるといえる。
　さらにまた、引用発明の「ｐ−Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎ層２４」は、「『第１のメサの埋め込みを行う』層」であるから、「第１のメサを囲む埋め込み層」であるといえる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「凸状構造を囲む埋め込み層」を備える点で一致する。
　
　以上をまとめると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「窒化物光放出ダイオード構造であって、
　上面及びエッチングされた側面を有する凸状構造と、
　活性領域と、
　前記活性領域上の上側クラッド層と、
　前記凸状構造中でありかつ前記上側クラッド層上のキャップ層と、　
　前記凸状構造を囲む埋め込み層と、
　を備える、
　窒化物光放出ダイオード構造。」 
　
＜相違点１＞
　リッジ構造について、本願発明では、「上面及びエッチングされた側面を有するリッジ構造（１１１）であって、当該リッジ構造（１１１）は、１〜５ミクロンの幅を有する」のに対し、引用発明では、「第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層１６の幅は１．５μｍである」ものの、「第１のメサ」が、「リッジ構造」であるとの特定はなされていない点。
＜相違点２＞
　キャップ層について、本願発明は、「＜１１００＞面を有する六角形の結晶を有」するのに対し、引用発明では、「ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８」について、そのような特定はなされていない点。
　相違点３＞
　リッジ構造について、本願発明は、「前記リッジ構造（１１１）の長さ方向の軸は、前記キャップ層（１８５）の前記結晶の前記＜１１００＞面に垂直な方向に配向された」ものであるのに対し、引用発明では、「第１のメサ」について、そのような特定はなされていない点。
　
４　相違点についての当審の判断
（１）相違点１について
　引用発明の窒化物系化合物半導体レーザは、「メサ幅を極端に狭くすることなく特性の優れた横モード制御を実現することができ」る半導体レーザであり、引用発明は、「第１の導波構造における第１のメサの幅、即ち残した活性層１６の幅」を発明特定事項とし、かつ、引用発明において、「レーザミラーはへき開により形成して」いるので、上記「２（１）引用例１」の「ウ」の段落【００２３】の「
第１のメサと埋め込みコンタクト層１９で第１の導波構造が形成
　したがって、引用発明の「第１のメサ」は、実質的には「リッジ構造」（尾根構造）であるといえ、引用発明においても、本願発明の「上面及びエッチングされた側面を有するリッジ構造（１１１）」を備えるという構成を実質的に備えているといえる。
　また、仮に、引用発明において、本願発明の「上面及びエッチングされた側面を有するリッジ構造（１１１）」を備えるという構成を実質的に備えているといえないとしても、リッジ構造の半導体レーザは、文献を示すまでもなく、一般によく知られた構成であるから、引用発明において、第１のメサをリッジ構造とすることは、当業者であれば格別困難なことではない。
　　
　よって、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点２について
ア　本願の明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願明細書等」という。）において、本願発明の「前記キャップ層（１８５）は、＜１１００＞面を有する六角形の結晶を有し」、または「リッジ構造」の結晶構造に関連して、以下のように記載されている。
「【００１１】
…（略）…層１８５はオーミック接触を容易にするためのキャップ層として働く。一般的に
ＧａＮ：Ｍｇであるキャップ層１８５
「【００２３】
…（略）…フォトレジストのストライプは、
ＧａＮ層１８５の＜１１００＞結晶方向
リッジ構造１１１の長さ方向の軸が｛１１００｝平面の組に対して垂直に配向され、＜１１００＞結晶方向に沿って揃っている
この向きは表面のピッチング（点食）を低減する
「【００２８】
自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造ＡｌＧａＩｎＮレーザダイオード構造３００（図３参照）及び５００（図５参照）のプロセシングは、レーザダイオード構造１００及び２００のプロセシングと類似している。自己整合インデックスガイド型埋め込みヘテロ構造ＡｌＧａＩｎＮレーザダイオード構造３００及び５００の主な違いは、蒸着されたｐ型ドープ層３２５及び５２５が、ｐ型クラッド層及び埋め込み層の両方として働くことである。レーザダイオード３００及び５００の自己整合構造に起因して、個々の埋め込み層３２５及び５２５を貫通するエッチングもない。
表面のピッチングを低減するために、リッジ構造３１１（図３参照）及びリッジ構造５１１（図５参照）の両方の長さ方向の軸が＜１１００＞結晶方向に沿って揃うようにプロセシングが行われる
　その他、本願明細書等全般を精査しても、「キャップ層」または「リッジ構造」の結晶構造に関連して、上記以外に、「＜１１００＞面」または「六角形の結晶」との記載は見出せない。
　
イ　引用発明において、「ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８」は、「『ＧａＮ』キャップ層」であり、また、半導体レーザに用いられる「ＧａＮ」は、ウルツ鉱型結晶構造、すなわち、六角形のｃ面（（０００１）面）を底面とし、ｍ面（｛１１００｝面）からなる６つの側面を有する結晶構造であることは技術常識である。
ウ　上記のように、引用発明の「ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８」は、本願の明細書の上記段落【００１１】に記載の「キャップ層１８５」と同じようにＧａＮキャップ層であること、及び上記技術常識を勘案すると、本願発明と同様に、「＜１１００＞面を有する六角形の結晶」を有するものであるといえる。
エ　念のため、本願発明の「前記キャップ層（１８５）は、＜１１００＞面を有する六角形の結晶を有し」について、さらに検討する。
　本願発明における「前記キャップ層（１８５）は、＜１１００＞面を有する六角形の結晶を有」することについて、審判請求人は、平成２６年９月１６日に提出された意見書において、次のように説明している。
「１．理由２
「＜１１００＞
面を有する六角形の
（１）　明細書段落００２３（審決注：「段落００２１」は誤記と認定した。以下同様。）における「ＧａＮ層１８５の＜１１００＞結晶」及び「｛１１００｝平面」に基づきます。
　ここで、記号＜１１００＞が割り当てられるものは、六角形の結晶の側面の内のｍ面であることは本願発明の属する技術分野では一般的であるので、上記明細書段落００２３には、「＜１１００＞面を有する六角形の結晶」が開示されています。
（２）上記補正により、キャップ層（１８５）は、＜１１００＞面を有する六角形の結晶を有することが明確になりました。」
　さらに、審判請求人は、平成２７年８月１０日に提出された「手続補正書（方式）」において、次のように説明している。
「次に、＜１１００＞面について説明する。
　＜１１００＞面は、以下の参考図１（Ｆｉｇ．３）に示されているように、１つの六角形の結晶の６つのｍ−平面（垂直側面）（９１）〜（９６）の内の１つを意味する。（１つの六角形の結晶は、１つの結晶を形成するようにエピタキシャルを介して共に積み重なる多くのクリスタルユニットの１つである。）」
　
　したがって、「意見書」及び上記「手続補正書（方式）」における審判請求人の説明を勘案したとしても、引用発明の「ｐ−ＧａＮ再成長用キャップ層１８」は、「ＧａＮ層」であるから、本願発明と同様に、「＜１１００＞面を有する六角形の結晶」を有するものであるといえる。
オ　以上のとおりであるから、相違点２は、実質的なものではない。
（３）相違点３について
ア　上記「（２）相違点２について」の「エ」で検討したように、審判請求人は、上記「手続補正書（方式）」において、＜１１００＞面は、「六角形の結晶」の「６つのｍ−平面」の内の１つを意味する旨説明している。
　当該説明から、本願発明の「前記リッジ構造（１１１）の長さ方向の軸は、『前記キャップ層（１８５）の前記結晶の前記＜１１００＞面に垂直な方向』に配向された」における「前記キャップ層（１８５）の前記結晶の前記＜１１００＞面に垂直な方向」は、「ｍ面（｛１１００｝面）に垂直な方向」のことであると認められる。
　
イ　一方、引用発明の窒化物系化合物半導体レーザは、「サファイア基板１１上に形成され、サファイア基板１１には（０００１）ｃ面を用いており、レーザミラーはへき開により形成している」ものである。
　ここにおいて、「サファイア基板１１には（０００１）ｃ面を用いて」いるものの、「へき開により形成」した「レーザミラー」面に垂直な方向は不明である。
　ところで、一般に、劈開面をレーザミラーとする端面発光半導体レーザは、レーザミラーを、活性層部（発光層）の延在方向に垂直な端面を少なくとも含む面に形成することが技術常識であり、かつ、引用発明において、活性層部が含む井戸層及びバリヤ層は、ＧａＮ系化合物半導体から構成されていることから、引用例１には、レーザミラーは、ＧａＮ系化合物半導体がへき開されることにより形成されたものであることが示唆されているといえる。
ウ　次に、引用例２及び引用例３に記載された事項について検討する。
　上記「２（３）引用例２」の「ウ」、「エ」に記載した内容を参照すると、引用例２には、ＡｌＮ基板１上にＧａＮ系薄膜２を堆積してなるＧａＮ堆積ウエーハ３を用い、＜１１００＞方向に延在するストライプ電極６を形成し、（１１００）劈開面に沿って劈開し、この劈開面４ａを反射面とするストライプ半導体レーザが開示されている。
　したがって、引用例２には、劈開面をレーザミラーとする端面発光半導体レーザであって、レーザミラーに垂直な方向、すなわち、ストライプの方向が、＜１１００＞方向であるストライプ半導体レーザが開示されているといえる。
　
　上記「２（４）引用例３」の「ア」、「イ」に記載した内容及び引用例３の図１０を参照すると、引用例３に記載の第５の実施形態の窒化ガリウム系化合物半導体レーザでは、段落【００６７】の記載から、「メサ型構造」は窒化ガリウム系化合物半導体からなることが明らかであるとともに、第１の実施形態の記載を勘案すると、引用例３には、第５の実施形態として、メサ型構造の下地となるＧａＮ層３０３の表面は（０００１）面であり、メサの側面は（１１2'０）面となっており、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層３０８からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３０４まではメサ部を除いてエッチング除去され、この両側に高抵抗のＡｌＧａＮ電流ブロック層３１０が形成される窒化ガリウム系化合物半導体レーザが開示されているといえる。
　ここで、半導体レーザに用いられる「窒化ガリウム系化合物半導体」は、ウルツ鉱型結晶構造であること、及び、第５の実施形態のように、メサの側面が（１１2'０）面である場合、半導体レーザのストライプの方向は、＜１１００＞方向であることは技術常識である（必要であれば、引用例２の図１（ｂ）を参照のこと。）。
　したがって、引用例３には、端面発光半導体レーザであって、レーザミラーに垂直な方向、すなわち、ストライプの方向が、＜１１００＞方向であり、かつ、メサ型構造をエッチングによって形成したストライプ半導体レーザが開示されているといえる。
エ　上記「イ」で検討したように、引用例１には、レーザミラーは、ＧａＮ系化合物半導体がへき開されることにより形成されたものであることが示唆されているといえ、かつ、上記「ウ」における検討を勘案すると、引用例２には、ＧａＮ系薄膜２の（１１００）劈開面４ａをレーザミラーとし、この（１１００）面に垂直な方向である＜１１００＞方向をストライプの方向とするストライプ半導体レーザが開示されているといえ、引用例３には、端面発光半導体レーザであって、レーザミラーに垂直な方向、すなわち、ストライプの方向が、＜１１００＞方向であり、かつ、メサ型構造をエッチングによって形成したストライプ半導体レーザが開示されているといえるから、引用発明において、引用例１、引用例２、及び引用例３に記載された技術に基づき、「『へき開により形成』した『レーザミラー』面」として、へき開面である（１１００）面を選択すること、すなわち、レーザミラーに垂直な方向として、＜１１００＞方向を選択することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、引用例１、引用例２、及び引用例３に記載された技術に基づき、「第１のメサの長さ方向の軸」が配向された方向として、ｍ面（｛１１００｝面）に垂直な方向を選択することは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、引用発明において、引用例１、引用例２、及び引用例３に記載された技術に基づき、相違点３に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願発明が奏する作用効果について、本願の明細書の段落【００２３】、【００２８】（上記「（２）相違点２について」の「ア」を参照のこと。）には、表面のピッチングを低減するために、リッジ構造の長さ方向の軸が＜１１００＞結晶方向に沿って揃うようにプロセシングが行われる旨が記載されているものの、引用例３に記載の半導体レーザは、メサ型構造をエッチングによって形成し、かつストライプの方向が＜１１００＞方向であるものであるから、本願発明が奏する作用効果についても、引用発明、並びに、引用例１、引用例２、及び引用例３に記載の技術から当業者が予測できる範囲のものであり、格別顕著なものとは認められない。
（４）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、引用発明において、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことであり、相違点２は、実質的なものではなく、また、引用発明において、引用例１、引用例２、及び引用例３に記載された技術に基づき、相違点３に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明並びに引用例１、引用例２、及び引用例３に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。