【事件の表示】
　特願２０１２−５４３９３１「放射線量に基づく撮像検出器タイルのパラメタの補償」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月２３日国際公開、ＷＯ２０１１／０７３８１９、平成２５年　４月２２日国内公表、特表２０１３−５１３８１４、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、２０１０年１１月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年１２月１５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１０月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年４月２８日に意見書が提出されるとともに手続補正書が提出されたが、同年８月３１日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２７年１２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、平成２８年２月９日付けで前置報告がなされた。
　さらに、その後、当審において、平成２８年６月８日付けで拒絶理由（以下、「当審拒理」という。）が通知され、同年９月９日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜９に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明９」、といい、「本願発明１」〜「本願発明９」をまとめて「本願発明」という。）は、平成２８年９月９日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１〜９は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　シンチレータアレイ、光センサアレイ、電子機器、マッパー及びパラメタ補正器を有する撮像システムの放射線感受性の検出器タイルであって、
　前記電子機器は、少なくとも１つの放射線センサを含む線量決定器を含み、
　前記放射線センサは、ＭＯＳＦＥＴを含み、
　前記マッパーは、前記放射線センサが検知した放射線量及び測定された前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフトに基づいて、生涯沈着線量を示す値に放射線被ばくにより変化する前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフトをマッピングし、
　前記線量決定器は、測定された前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフト及び前記マッピングに基づいて、前記生涯沈着線量を決定し、
　前記パラメタ補正器は、前記決定された生涯沈着線量に基づいて、前記電子機器の動作パラメタを補正する、検出器タイル。
　　【請求項２】
　前記動作パラメタは、前記電子機器の利得又は熱係数の少なくとも１つを含んでいる、請求項１に記載の検出器タイル。
　　【請求項３】
　前記シフト及び前記生涯沈着線量を示す値は読み取り可能なレジスタに記憶される請求項１に記載の検出器タイル。
　　【請求項４】
　前記ＭＯＳＦＥＴは、放射線被ばくにより既知の又は測定可能な方法で変化する電気特性を持つ請求項１乃至３の何れか１項に記載の検出器タイル。
　　【請求項５】
　前記シンチレータアレイは、
　複数の検出器ピクセル、及び
　前記複数の検出器ピクセルの側面に隣接して置かれると共に、幅が零ではない隙間によってその側面から離間されている散乱線除去グリッドのラメラ
を有する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の検出器タイル。
　　【請求項６】
　前記少なくとも１つの放射線センサの第１のセンサは、前記隙間の下に置かれ、当該隙間を横断する放射線を検知する、請求項５に記載の検出器タイル。
　　【請求項７】
　前記少なくとも１つの放射線センサの第２のセンサは、前記検出器ピクセルを横断する放射線を検知する請求項５又は６に記載の検出器タイル。
　　【請求項８】
　請求項１に記載の検出器タイルの作動方法であって、
　前記放射線センサが、前記検出器タイルを照射する放射線を検知するステップ、
　前記マッパーが、前記放射線センサが検知した放射線の量及び測定された前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフトに基づいて、生涯沈着線量を示す値に放射線被ばくにより変化する前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフトをマッピングするステップ、
　前記線量決定器が、測定された前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフト及び前記マッピングに基づいて、前記生涯沈着線量を決定するステップ、及び
　前記パラメタ補正器が、前記決定された生涯沈着線量に基づいて、前記電子機器の動作パラメタを補正するステップ、
を有する作動方法。
　　【請求項９】
　前記動作パラメタは前記電子機器の利得又は熱係数の少なくとも１つを含んでいる請求項８に記載の作動方法。」
第３　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　引用文献１：特開平８−２６６５３２号公報
　引用文献２：特開２００９−３４４８４号公報
　引用文献３：特開２００８−１４２０９４号公報
　引用文献４：特開２００８−２２０９６５号公報
　引用文献５：特開平１−３１２６４４号公報
　引用文献６：特開２００２−２２８４２号公報
　引用文献７：特開２００８−１６７８４６号公報
　引用文献１〜７の記載に基づいて、本願発明とすることは当業者にとって容易である。
第４　原査定の理由の判断
１　引用文献の記載事項
（１）引用文献１
　引用文献１には、以下の事項が記載されている。
ア　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線ＣＴ装置に関し、特にＸ線ＣＴ装置におけるＸ線の検出に使われるアレイ型放射線検出器の各検出素子ごとの感度の劣化およびばらつきを補正する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】医療用のＸ線ＣＴ装置の検出器としては従来から放射線が入射することにより発光する蛍光素子とその蛍光素子からの光を電気信号に変換する光電変換素子を多数個並べたアレイ型の固体放射線検出器が用いられている。固体検出器を利用した場合、当たった放射線の量に応じて特に蛍光素子の発光強度が低下することにより検出器の出力が徐々に低下することが知られており、それを補正するために装置使用開始に当たってキャリブレーションを行い、場合によっては診断途中においてもしばしばキャリブレーションを行って検出器出力の大きさを補正し、各検出素子ごとのばらつきがなくなるようにしていた。
【０００３】また上記した検出器の感度劣化は、検出器に放射線が当たらないようにして検出器を休止状態にしておくとある程度回復することも知られているが、連続してＸ線ＣＴ装置を診断に利用している場合には感度の劣化を補償するためには診断を中断するなどしてキャリブレーションを行う他はなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】検出器感度の劣化は各検出素子に対する放射線の被曝量に応じて起こるので、また各チャンネルの放射線の被曝量は被写体による吸収量によって変わるので、検出器の感度は検出器素子の各チャンネルによってばらつきが生じ、それがひどくなると得られたＸ線ＣＴ画像に虚像が現れるという問題があった。一般的には従来技術のようにキャリブレーションによって各チャンネルの感度のばらつきを補正できるが、キャリブレーションを行うためには診断を中断することになり、非常に非効率的であった。
【０００５】本発明は上記した従来技術の問題点に鑑みて発明されたもので、本発明が解決しようとする課題は、各検出器素子の放射線の被曝量に応じた劣化を克服し、診察途中での余分なキャリブレーションを行わなくても常に良好な画像が得られるＸ線ＣＴ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明では、放射線が入射することにより発光する蛍光素子とその蛍光素子からの光を電気信号に変換する光電変換素子を多数チャンネル並べたアレイ型放射線検出器を備えたＸ線ＣＴ装置において、前記検出器の放射線積算被曝量に対する感度劣化特性関数を記憶した第１の記憶手段と、前記検出器の各チャンネル毎の放射線の被曝量を積算して記憶する第２の記憶手段とを設け、この第１と第２の記憶手段に記憶されたデータを利用して前記放射線検出器の出力を各チャンネル毎に補正演算するようにした。
【０００７】ここで検出器の被曝量とは、検出器出力は照射された放射線の強度に比例するものなので、例えば検出器出力で置き換えることができ、第２の記憶手段には検出器出力の大きさを積算した値を記憶する。第１の記憶手段に記憶するデータも検出器出力の積算量に対する同じ強さの放射線を受けたときの検出器出力という形で記憶することができる。
【０００８】
【作用】蛍光素子の発光量低下を主な原因とする検出器の感度低下の様子は、あらかじめ放射線の積算被曝量と検出器の出力低下の関係を測定して感度劣化を表す特性関数として第１の記憶手段に記憶しておく。アレイ型検出器の中の個々の検出素子の被曝量は毎日の使用始めに行われるキャリブレーションの実行直後から第２の記憶手段に積算して記憶しておく。その２つの記憶手段に記憶されたデータから、現在測定している検出器出力を補正計算するので、その計算された値は測定している放射線量を正しく表している。したがって放射線の被照射履歴によって個々の検出器素子の生じた感度のばらつきは正しく補正され、虚像などのない良好なＣＴ画像を得ることができる。
【０００９】
【実施例】図１に本発明のＸ線ＣＴ装置の一実施例を示す。Ｘ線管１から扇状に放射されたＸ線ビーム２は被写体３によって吸収などされたのちコリメータ７を通り、扇状に放射された範囲全体にわたってアレイ型固体検出器４によって同時に検出される。アレイ型固体検出器４はＣｄＷＯ４やＣｓＩ（Ｔｌ）などでできた蛍光素子５とシリコンフォトダイオードなどで作られた光電変換素子５を例えば１ｍｍピッチで１０００個ほど円弧状に並べた構造になっている。
【００１０】被写体３がないときには、アレイ型検出器４の各素子（チャンネル）の出力は各素子間で同じでなければならないので、通常Ｘ線ＣＴ装置では毎日装置を立ち上げたときにキャリブレーションと呼ばれる操作を行い各素子の出力を同じレベルに合わせるようにしておく。これは各素子の放射線に対する感度を合わせる操作であるといってもよい。このようにして毎朝各素子の感度は合わせられるが、当たった放射線の量に応じて特に蛍光素子の発光強度が低下することにより検出器の出力は徐々に低下する。すなわち測定の進行に応じて各素子の感度は徐々に劣化し、さらには放射線の被曝量は各素子によって一定ではないので感度の劣化の程度は各素子ごとに違ってくる。
【００１１】図２は放射線の被曝量に応じて検出器素子の出力の変化の様子を示した感度劣化特性の例である。検出器各素子の大きさや素材はどの素子も同じなのでひとつの感度劣化特性関数ですべての素子の特性を代表させることができる。放射線の被曝量をｘ、検出器出力をｙとし、キャリブレーション直後の検出器出力を１としてグラフを描くとキャリブレーションの後放射線の照射された量に応じて検出器出力は単調に低下してくる。その関数を仮にｙ＝ｆ（ｘ）とする。
【００１２】図１で、アレイ型検出器４からの信号はＡ／Ｄ変換器を含んだ信号処理回路１３によって各素子ごとの出力がデジタル信号として得られ、のちに説明する補正演算器１４を経て断層像データ処理器１５によってＸ線ＣＴ画像に構成され、ＣＲＴなどの表示器１６に表示される。１１は図２を用いて説明した検出器の感度劣化特性関数を記憶している第１のメモリであり、１２は検出器の各チャンネルごとの放射線積算被曝量を記憶している第２のメモリである。あるひとつのチャンネルの出力を補正するために、第２のメモリ１２に記憶されている積算被曝量データを第１のメモリ１１に記憶されている特性関数に当てはめることによりそのチャンネルの劣化の程度すなわちｆ（ｘ）を知ることができ、補正演算器１４において信号処理回路１３で得られたそのチャンネルの出力にｆ（ｘ）の逆数をかけることによって補正された検出器出力を得ることができる。
【００１３】各検出器素子の出力は照射されたＸ線の強さに比例しているから、１２に記憶されている積算被曝量は信号処理回路１３によって得られた各チャンネルの出力をそのチャンネルごとに積算することで得ることができる。より正しくは補正演算器１４で補正された各チャンネルの出力を積算して積算被曝量としてもよい。このときはＸ線ＣＴ画像をとるときのみならずＸ線を検出器で受けている間は常に補正演算器１４をはたらかせて積算被曝量を更新するようにしなければならない。１１に記憶している感度劣化特性関数はあらかじめ実験によって求めておき式や表の形などで記憶しておいたものである。そのときの横軸としては上記で説明した信号処理回路１３または補正演算回路１４の出力を積算したものとし、縦軸はそのときの生の検出器出力とする。
【００１４】
【発明の効果】検出器素子の感度劣化は積算被曝量のデータと劣化特性関数のデータにより個別に補正されるので、放射線の被照射履歴によって個々の検出器素子の生じた感度のばらつきは正しく補正され、虚像などのない良好なＸ線ＣＴ画像を得ることができる。したがって、診断途中のキャリブレーションをしなくても、例えば毎日の装置の立ち上げ時のキャリブレーションのみで、その日１日のあいだ良好なＸ線ＣＴ像をとり続けることができる。」
イ　「【図１】
【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ＣｄＷＯ４やＣｓＩ（Ｔｌ）などでできた蛍光素子５とシリコンフォトダイオードなどで作られた光電変換素子６を１０００個ほど円弧状に並べた構造になっている、Ｘ線ＣＴ装置のアレイ型固体検出器４。」
　また、上記引用文献１には、以下の技術事項（以下「引用文献１の技術事項」という。）が記載されている。
「Ｘ線ＣＴ装置では毎日装置を立ち上げたときにキャリブレーションと呼ばれる操作を行い各素子の出力を同じレベルに合わせ、アレイ型検出器の中の個々の検出素子の被曝量は毎日の使用始めに行われるキャリブレーションの実行直後から第２の記憶手段に積算して記憶しておく。
　あるひとつのチャンネル（検出素子）の出力を補正するために、第２のメモリ１２に記憶されている積算被曝量データを第１のメモリ１１に記憶されている特性関数に当てはめることによりそのチャンネルの劣化の程度すなわちｆ（ｘ）を知ることができ、補正演算器１４において信号処理回路１３で得られたそのチャンネルの出力にｆ（ｘ）の逆数をかけることによって補正された検出器出力を得ることができる。」
（２）引用文献２
　引用文献２には、以下の事項が記載されている。
ア　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影システム１０が設置された手術室１２の説明図である。手術室１２には、放射線画像撮影システム１０に加えて、患者１４が横臥する手術台１６が配置されるとともに、医師１８が手術に使用する各種器具が載置される器具台２０が手術台１６の側部に配置される。また、手術台１６の周りには、麻酔器、吸引器、心電計、血圧計等、手術に必要な様々な機器が配置される。
【００１４】
　放射線画像撮影システム１０は、撮影条件に従った線量からなる放射線Ｘを患者１４に照射するための撮影装置２２と、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器（後述）を内蔵した放射線検出カセッテ２４と、放射線検出器によって検出された放射線Ｘに基づく放射線画像を表示する表示装置２６と、撮影装置２２、放射線検出カセッテ２４及び表示装置２６を制御するコンソール２８とを備える。撮影装置２２、放射線検出カセッテ２４、表示装置２６及びコンソール２８間では、無線通信による信号の送受信が行われる。
【００１５】
　撮影装置２２は、自在アーム３０に連結され、患者１４の撮影部位に応じた所望の位置に移動可能であるとともに、医師１８による手術の邪魔とならない位置に待避可能である。同様に、表示装置２６は、自在アーム３２に連結され、撮影された放射線画像を医師１８が容易に確認できる位置に移動可能である。
【００１６】
　図２は、放射線検出カセッテ２４の内部構成図である。放射線検出カセッテ２４は、放射線Ｘを透過させる材料からなるケーシング３４を備える。ケーシング３４の内部には、放射線Ｘが照射されるケーシング３４の照射面３６側から、患者１４による放射線Ｘの散乱線を除去するグリッド３８、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器４０（放射線変換パネル）、及び、放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板４２が順に配設される。なお、ケーシング３４の照射面３６をグリッド３８として構成してもよい。
【００１７】
　また、ケーシング３４の内部には、放射線検出カセッテ２４の電源であるバッテリ４４と、バッテリ４４から供給される電力により放射線検出器４０を駆動制御するカセッテ制御部４６と、放射線検出器４０によって検出した放射線Ｘの情報を含む信号をコンソール２８との間で送受信する送受信機４８とが収容される。なお、カセッテ制御部４６及び送受信機４８には、放射線Ｘが照射されることによる損傷を回避するため、ケーシング３４の照射面３６側に鉛板等を配設しておくことが好ましい。
【００１８】
　図３は、放射線検出器４０の回路構成ブロック図である。放射線検出器４０は、放射線Ｘを感知して電荷を発生させるアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）等の物質からなる光電変換層５１を行列状の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）５２のアレイの上に配置した構造を有し、発生した電荷を蓄積容量５３に蓄積した後、各行毎にＴＦＴ５２を順次オンにして、電荷を画像信号として読み出す。図３では、光電変換層５１及び蓄積容量５３からなる１つの画素５０と１つのＴＦＴ５２との接続関係のみを示し、その他の画素５０の構成については省略している。なお、アモルファスセレンは、高温になると構造が変化して機能が低下してしまうため、所定の温度範囲内で使用する必要がある。従って、放射線検出カセッテ２４内に放射線検出器４０を冷却する手段を配設することが好ましい。
【００１９】
　各画素５０に接続されるＴＦＴ５２には、行方向と平行に延びるゲート線５４と、列方向と平行に延びる信号線５６とが接続される。各ゲート線５４は、ライン走査駆動部５８に接続され、各信号線５６は、読取回路を構成するマルチプレクサ６６に接続される。
【００２０】
　ゲート線５４には、行方向に配列されたＴＦＴ５２をオンオフ制御する制御信号Ｖｏｎ、Ｖｏｆｆがライン走査駆動部５８から供給される。この場合、ライン走査駆動部５８は、ゲート線５４を切り替える複数のスイッチＳＷ１と、スイッチＳＷ１の１つを選択する選択信号を出力するアドレスデコーダ６０とを備える。アドレスデコーダ６０には、カセッテ制御部４６からアドレス信号が供給される。
【００２１】
　また、信号線５６には、列方向に配列されたＴＦＴ５２を介して各画素５０の蓄積容量５３に保持されている電荷が流出する。この電荷は、増幅器６２によって増幅される。増幅器６２には、サンプルホールド回路６４を介してマルチプレクサ６６が接続される。マルチプレクサ６６は、信号線５６を切り替える複数のスイッチＳＷ２と、スイッチＳＷ２の１つを選択する選択信号を出力するアドレスデコーダ６８とを備える。アドレスデコーダ６８には、カセッテ制御部４６からアドレス信号が供給される。マルチプレクサ６６には、Ａ／Ｄ変換器７０が接続され、Ａ／Ｄ変換器７０によってデジタル信号に変換された放射線画像情報がカセッテ制御部４６に供給される。
【００２２】
　図４は、撮影装置２２、放射線検出カセッテ２４、表示装置２６及びコンソール２８からなる放射線画像撮影システム１０の構成ブロック図である。なお、コンソール２８には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像情報やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２９が接続され、また、ＲＩＳ２９には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）３１が接続される。
【００２３】
　撮影装置２２は、撮影スイッチ７２と、放射線Ｘを出力する放射線源７４と、コンソール２８から無線通信により撮影条件を受信する一方、コンソール２８に対して無線通信による撮影完了信号等を送信する送受信機７６と、撮影スイッチ７２から供給される撮影開始信号及び送受信機７６から供給される撮影条件に基づいて放射線源７４を制御する線源制御部７８とを備える。
【００２４】
　放射線検出カセッテ２４には、放射線検出器４０、バッテリ４４、カセッテ制御部４６及び送受信機４８（送信手段）が収容される。カセッテ制御部４６は、放射線検出器４０を構成するライン走査駆動部５８のアドレスデコーダ６０及びマルチプレクサ６６のアドレスデコーダ６８に対してアドレス信号を供給するアドレス信号発生部８０と、放射線検出器４０によって検出された放射線画像情報を記憶する画像メモリ８２と、当該放射線検出カセッテ２４を特定するためのカセッテＩＤ情報を記憶するカセッテＩＤメモリ８４と、画像メモリ８２に記憶された放射線画像情報に基づき、当該放射線検出カセッテ２４の累積被曝線量を算出する累積被曝線量算出部８６（累積被曝線量算出手段）と、算出された累積被曝線量を記憶する累積被曝線量メモリ８８とを備える。送受信機４８は、コンソール２８から無線通信により送信要求信号を受信する一方、コンソール２８に対して、カセッテＩＤメモリ８４に記憶されたカセッテＩＤ情報、画像メモリ８２に記憶された放射線画像情報、累積被曝線量メモリ８８に記憶された累積被曝線量を無線通信により送信する。
【００２５】
　表示装置２６は、コンソール２８から放射線画像情報を受信する受信機９０と、受信した放射線画像情報の表示制御を行う表示制御部９２と、表示制御部９２によって処理された放射線画像情報を表示する表示部９４（警告手段）とを備える。
【００２６】
　コンソール２８は、撮影装置２２、放射線検出カセッテ２４及び表示装置２６に対して、放射線画像情報を含む必要な情報を無線通信により送受信する送受信機９６と、撮影装置２２による撮影に必要な撮影条件を管理する撮影条件管理部９８と、放射線検出カセッテ２４から送信された放射線画像情報に対する画像処理を行う画像処理部１００（画像処理手段）と、処理した放射線画像情報を記憶する画像メモリ１０１と、撮影対象である患者１４の患者情報を管理する患者情報管理部１０２と、放射線検出カセッテ２４から送信された累積被曝線量を含むカセッテ情報を管理するカセッテ情報管理部１０４（管理手段）と、累積被曝線量を予め設定されている許容累積被曝線量と比較することで、当該放射線検出カセッテ２４の状態を判定する状態判定部１０６（判定手段）とを備える。コンソール２８は、撮影装置２２、放射線検出カセッテ２４及び表示装置２６に対して無線通信による信号の送受信を行うことができるのであれば、手術室１２の外に設置してもよい。
【００２７】
　なお、撮影条件とは、患者１４の撮影部位に対して、適切な線量からなる放射線Ｘを照射するための管電圧、管電流、照射時間等を決定するための条件であり、例えば、撮影部位、撮影方法等の条件を挙げることができる。患者情報とは、患者１４の氏名、性別、患者ＩＤ番号等、患者１４を特定するための情報である。これらの撮影条件及び患者情報を含む撮影のオーダリング情報は、コンソール２８で直接設定し、あるいは、ＲＩＳ２９を介してコンソール２８に外部から供給することができる。
【００２８】
　また、カセッテ情報とは、放射線検出カセッテ２４を特定するためのカセッテＩＤ情報及びその放射線検出カセッテ２４の累積被曝線量である。累積被曝線量は、例えば、放射線検出器４０の各画素５０によって検出した放射線Ｘの線量の最大値を撮影毎に累積した値、あるいは、放射線検出器４０の特定の画素５０が検出した放射線Ｘの線量を撮影毎に累積した値とすることができる。
【００２９】
  本実施形態の放射線画像撮影システム１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について説明する。
・・・中略・・・
【００４０】
　一方、放射線検出カセッテ２４のカセッテ制御部４６に搭載された累積被曝線量算出部８６は、放射線検出器４０の各画素５０によって検出され画像メモリ８２に記憶された放射線画像情報である放射線Ｘの線量の最大値を、当該放射線検出カセッテ２４に対する放射線画像情報の撮影毎に累積し、その累積被曝線量を累積被曝線量メモリ８８に記憶させる。
【００４１】
　なお、累積被曝線量は、例えば、放射線源７４と放射線検出カセッテ２４との間に患者１４が配置される確率が少ない特定の画素５０を指定し、その画素５０によって検出された放射線Ｘの線量を累積した値としてもよい。あるいは、放射線源７４から出力される放射線Ｘの線量に基づき、放射線検出器４０に照射される放射線Ｘの線量を推定し、その推定値を累積した値を累積被曝線量としてもよい。
【００４２】
　累積被曝線量メモリ８８に記憶された累積被曝線量は、カセッテＩＤメモリ８４に記憶された当該放射線検出カセッテ２４を特定するカセッテＩＤ情報とともにコンソール２８に送信される。なお、放射線検出カセッテ２４は、自らの累積被曝線量を保持しているため、累積被曝線量の送信先であるコンソール２８が異なる放射線画像撮影システムを構成するものであっても、当該放射線検出カセッテ２４の状態を判定するための情報を供給することができる。
【００４３】
　送受信機９６を介して累積被曝線量に係る情報を受信したカセッテ情報管理部１０４は、当該放射線検出カセッテ２４を特定するカセッテＩＤ情報と関連付けた状態で累積被曝線量を管理する。
【００４４】
　状態判定部１０６は、カセッテ情報管理部１０４で管理されている累積被曝線量を所定の許容累積被曝線量と比較し、当該放射線検出カセッテ２４の状態を判定する。例えば、今回の撮影によって累積被曝線量が許容累積被曝線量を超過した場合には、当該放射線検出カセッテ２４の感度低下による画質劣化が発生するおそれがあるとして、放射線検出カセッテ２４の交換やメンテナンスを促す警告を、コンソール２８、表示装置２６、あるいは、上位のＲＩＳ２９、ＨＩＳ３１等に対して行う。警告を認知した放射線技師等は、放射線検出カセッテ２４を交換し、あるいは、感度低下に対する補正処理を行う等により、不適切な放射線画像が撮影されてしまう事態を回避することができる。
【００４５】
　また、今回の撮影による累積被曝線量を許容累積被曝線量と比較するのではなく、撮影装置２２による撮影に先立ち、前回の撮影時における累積被曝線量を許容累積被曝線量と比較し、今回の撮影を行った場合に許容累積被曝線量を超過するおそれがあるか否かを判定し、その判定結果に従って放射線検出カセッテ２４の交換等を促すようにしてもよい。この場合、不適切な撮影が行われてしまうことを事前に回避することができる。
【００４６】
　さらに、累積被曝線量は、放射線検出カセッテ２４の累積被曝線量メモリ８８に記憶させる代わりに、コンソール２８のカセッテ情報管理部１０４に放射線検出カセッテ２４を特定するカセッテＩＤ情報とともに記憶させてもよい。この場合、撮影の対象とする放射線検出カセッテ２４のカセッテＩＤメモリ８４からカセッテＩＤ情報を読み込み、カセッテ情報管理部１０４において、該当する放射線検出カセッテ２４の累積被曝線量をカセッテＩＤ情報に基づいて検索し、状態判定部１０６で、検索された累積被曝線量を許容累積被曝線量と比較して状態を判定すればよい。」
イ　「【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献２には、以下の技術事項（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されている。
「放射線カセッテ２４は放射線検出器４０を内蔵し、
　放射線検出器４０は、放射線Ｘを感知して電荷を発生させるアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）等の物質からなる光電変換層５１を行列状の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）５２のアレイの上に配置した構造を有し、１つの画素が光電変換層５１及び蓄積容量５３からなり、
　放射線検出器４０の各画素５０によって検出した放射線Ｘの線量の最大値を撮影毎に累積した値、あるいは、放射線検出器４０の特定の画素５０が検出した放射線Ｘの線量を撮影毎に累積した値を累積被曝線量とする。
　累積被曝線量を所定の許容累積被曝線量と比較し、今回の撮影によって累積被曝線量が許容累積被曝線量を超過した場合には、放射線検出カセッテ２４の感度低下による画質劣化が発生するおそれがあるとして、放射線検出カセッテ２４の交換やメンテナンスを促す警告を、コンソール２８、表示装置２６、あるいは、上位のＲＩＳ２９、ＨＩＳ３１等に対して行う。警告を認知した放射線技師等は、放射線検出カセッテ２４を交換し、あるいは、感度低下に対する補正処理を行う等により、不適切な放射線画像が撮影されてしまう事態を回避することができる。」
（３）引用文献３
　引用文献３には、以下の事項が記載されている。
ア　「【００７２】
　図２にカセッテ５の概略構成を示す斜視図を、図３にパネル５４を中心としたカセッテ５の断面図を示す。
　なお、本実施形態では、図２及び図３に示した例を説明するが、これに限定されず、シンチレータの厚さや種類が異なるものや、撮像領域の面積であるパネルの面積が異なるものを用いることも適用可能である。シンチレータの厚さが厚いほど感度が高くなり、シンチレータの厚さが薄いほど空間分解能が高くなる。また、シンチレータの種類によって分光感度が異なる。
【００７３】
　パネル５４には、被写体を透過したＸ線を検出し、検出したＸ線を可視領域の蛍光（以下「可視光」と称す）に変換するシンチレータ５４１が層状に設けられている。
　シンチレータ５４１は、蛍光体を主たる成分としている。シンチレータ５４１は、照射されたＸ線により蛍光体の母体物質が励起（吸収）し、その再結合エネルギーにより可視光を発光する層である。この蛍光体としては、例えば、ＣａＷＯ４、ＣｄＷＯ４等の母体物質により蛍光を発光するものや、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＺｎＳ：Ａｇ等の母体物質内に付加された発光中心物質により蛍光を発光するものなどが挙げられる。
　シンチレータ５４１の上層に保護層が設けられていることが好ましい。保護層はシンチレータ５４１を保護するもので、シンチレータ５４１の上部および辺縁を完全に覆っている。保護層としては、シンチレータ５４１の防湿保護の効果を有するものであればいずれの材料を用いてもよい。そして、シンチレータ５４１として、吸湿性を有する蛍光体（特に、アルカリハライド、更に、アルカリハライドからなる柱状結晶蛍光体）が用いられる場合、例えばＵＳＰ　６４６９３０５号において開示された、ＣＶＤ法によって形成されたポリパラキシリレン製有機膜や、ポリシラザン、ポリシロキサザンなどのシラザン又はシロキサザンタイプのポリマー化合物を含むポリマーから形成される有機膜や、プラズマ重合法によって形成された有機膜などの防湿性有機膜を用いることが好ましい。
　シンチレータ５４１の下層には、アモルファスシリコンにより形成された光検出器５４２が積層して延在しており、この光検出器５４２によりシンチレータ５４１から発光する可視光が電気エネルギーに変換されて出力される。すなわち、シンチレータ５４１と光検出器５４２によりＸ線を検出する放射線検出器として機能する。
　　そして、パネル５４は、Ｘ線画像による診断の診断性の観点から、１０００×１０００画素以上（特に２０００×２０００画素以上）の画素で構成されていることが好ましい。
　また、パネル５４は、人の視認限界とＸ線画像の画像処理速度の観点から、１万×１万画素以下（特に６０００×６０００画素以下）の画素で構成されていることが好ましい。
　また、パネル５４の撮影領域のサイズは、Ｘ線画像による診断の診断性の観点から、１０ｃｍ×１０ｃｍ以上（特に、２０ｃｍ×２０ｃｍ以上）の面積であることが好ましい。
　また、パネル５４の撮影領域のサイズは、カセッテとしての取り扱いやすさの観点から、７０ｃｍ×７０ｃｍ以下（特に５０ｃｍ×５０ｃｍ以下）の面積が好ましい。
　また、パネル５４の一画素のサイズは、Ｘ線被爆量低減の観点から４０μｍ×４０μｍ以上（特に７０μｍ×７０μｍ以上）のサイズが好ましい。
　また、パネル５４の一画素のサイズは、Ｘ線画像による診断の診断性の観点から２００μｍ×２００μｍ以下（特に１６０μｍ×１６０μｍ以下）が好ましい。
　本実施形態では、パネル５４が４０９６×３０７２の画素から構成されており、撮影領域の面積が４３０ｍｍ×３２０ｍｍであり、１画素のサイズが１０５μｍ×１０５μｍとなっている。」
イ　「【００８１】
　データ変換部５４５には、メモリ５４６が接続されている。このメモリ５４６は、データ変換部５４５により生成されたＸ線画像データを保存する画像記憶手段として機能する。また、メモリ５４６には、予めゲイン補正用データが保存される。
メモリ５４６は、ＲＡＭ（Random Access Memory）及び不揮発性メモリにより構成される。このメモリ５４６は、データ変換部５４５により逐次生成されたＸ線画像データをＲＡＭに逐次書き込みをした後に不揮発性メモリに一括書き込みすることができる。不揮発性メモリは、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ等のメモリ部品２つ以上により構成されており、このメモリ部品の一方を消去している間に他方に書き込みをすることができる。
　このように、カセッテ５はＸ線画像データを一時的に保存するメモリ５４６を備えているので、取得したＸ線画像データを一旦メモリ５４６に保存でき、直ぐにカセッテ５をクレードルである無線中継器６に装着しなくても、この装着後、そのメモリ５４６に保存したＸ線画像データを、カセッテ５からコンソール１に送信することができる。なお、メモリ５４６の容量は、撮影の効率性の観点から、最大データサイズの画像の保存できる画像数で換算して、４以上（特に１０以上）が好ましい。また、メモリ５４６の容量は、低コスト化の観点から、最大データサイズの画像の保存できる画像数で換算して、１０００以下（特に１００以下）が好ましい。
光検出器５４２の下層には、ガラス基板により形成された平板上の支持体５４７が設けられ、支持体５４７によりシンチレータ５４１及び光検出器５４２の積層構造が支持されている。
　支持体５４７の下面に、Ｘ線量センサ５４８が設けられている。Ｘ線量センサ５４８は、光検出器５４２を透過したＸ線量を検出し、Ｘ線量が所定量に達すると、所定Ｘ線量信号をカセッテ制御部５３に送信する。また、本実施形態では、Ｘ線量センサ５４８として、アモルファスシリコン受光素子を用いている。だが、Ｘ線量センサは、これに限られず、結晶シリコンによる受光素子等を用いて直接Ｘ線を検出するＸ線センサや、シンチレータにより蛍光を検出するセンサを用いてもよい。
【００８２】
　支持体５４７及びＸ線量センサ５４８の下面には、Ｘ線遮蔽部材５４９が設けられている。Ｘ線遮蔽部材５４９は、例えば鉛、タングステン等の放射線を吸収する材料で形成されおり、このような材料は通常、導電性を有する。なお、Ｘ線遮蔽部材５４９を形成する材料はここに例示したものに限定されない。照射されたＸ線は、Ｘ線遮蔽部材５４９により吸収され、Ｘ線遮蔽部材５４９を透過しない。Ｘ線遮蔽部材５４９の下面には、内部電源５１及びカセッテ制御部５３が設けられている。内部電源５１及びカセッテ制御部５３は、Ｘ線遮蔽部材５４９によりＸ線が吸収されるので、内部電源５１及びカセッテ制御部５３によりＸ線が散乱してパネル５４に反射することがない。これにより、パネル５４は、良質なＸ線画像データを取得することができる。」
ウ　「【００９３】
　被写体を透過したＸ線は、カセッテ５に入射する。このカセッテ５に入射したＸ線は、シンチレータ５４１によって可視光に変換される。
【００９４】
　カセッテ５を照射したＸ線量は、Ｘ線量センサ５４８により検出される。そのＸ線照射量が所定量に達すると、Ｘ線量センサ５４８が所定Ｘ線量信号をカセッテ制御部５３に送信する。カセッテ制御部５３は所定Ｘ線量信号を受信すると、無線中継器６を介してコンソール通信部１４にＸ線終了信号を送信する。コンソール通信部１４は、このＸ線終了信号を受信すると、コンソール制御部１３にＸ線終了信号を伝達するとともに、Ｘ線源制御部４３にＸ線照射停止信号を送信する。Ｘ線源制御部４３は、このＸ線照射停止信号を受信すると、高圧発生源４１を駆動制御し、高圧発生源４１がＸ線管４２への高圧の印加を停止する。これによりＸ線の発生が停止する。
【００９５】
　カセッテ制御部５３は、電波通信部５６が無線中継器６を介してＸ線照射終了信号を送信すると、Ｘ線照射終了信号に基づいて走査駆動回路５４３と信号読取回路５４４とを駆動制御する。走査駆動回路５４３は、光検出器５４２が取得した電気エネルギーを読み出し、取得した電気エネルギーを信号読取回路５４４に入力する。信号読取回路５４４は、入力された電気エネルギーをデジタル信号に変換する。そして、データ変換部５４５は、デジタル信号をＸ線画像データに構成する。メモリ５４６は、データ変換部５４５により構成されたＸ線画像データを一時保存する。」
エ　「【図２】
【図３】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献３には、以下の技術事項（以下「引用文献３の技術事項」という。）が記載されている。
「カセッテ５はパネル５４を有し、
　パネル５４には、被写体を透過したＸ線を検出し、検出したＸ線を可視領域の蛍光（以下「可視光」と称す）に変換するシンチレータ５４１が層状に設けられ、シンチレータ５４１の下層には、アモルファスシリコンにより形成された光検出器５４２が積層して延在しており、この光検出器５４２によりシンチレータ５４１から発光する可視光が電気エネルギーに変換されて出力されて、シンチレータ５４１と光検出器５４２によりＸ線を検出する放射線検出器として機能する。
　パネル５４は、人の視認限界とＸ線画像の画像処理速度の観点から、１万×１万画素以下（特に６０００×６０００画素以下）の画素で構成されている。
　支持体５４７の下面に、アモルファスシリコン受光素子を用いたＸ線量センサ５４８が設けられており、Ｘ線量センサ５４８は、光検出器５４２を透過したＸ線量を検出し、Ｘ線量が所定量に達すると、所定Ｘ線量信号をカセッテ制御部５３に送信する。
　カセッテ５を照射したＸ線量は、Ｘ線量センサ５４８により検出され、そのＸ線照射量が所定量に達すると、Ｘ線量センサ５４８が所定Ｘ線量信号をカセッテ制御部５３に送信し、カセッテ制御部５３は所定Ｘ線量信号を受信すると、無線中継器６を介してコンソール通信部１４にＸ線終了信号を送信すると、Ｘ線の発生が停止する。
　Ｘ線照射終了信号を送信すると、光検出器５４２が取得した電気エネルギーを読み出し、入力された電気エネルギーをデジタル信号に変換して、デジタル信号をＸ線画像データに構成する。」
（４）引用文献４
　引用文献４には、以下の事項が記載されている。
ア　「【００２６】
　以下、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図５乃至図７と同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
　図１乃至図３は本発明に係るＸ線平面検出器２のパラメータ調整装置を用いたＸ線診断装置の構成図であって、図１は全体構成図、図２はＸ線平面検出器２の構成図、図３は積分アンプ１６−１〜１６−４及びアンプ１７−１〜１７−４の構成図である。
　システム制御手段３０は、Ｘ線平面検出器２における各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４の動作パラメータの調整時に、この動作パラメータの設定範囲と、Ｘ線平面検出器２から出力されるＸ線画像の期待される画素値の各基準レベルの上限値及び下限値と、Ｘ線画像の収集タイミング（Ｘ線の曝射タイミング）とを各収集モード（透視、撮影などでの低線量透視モード、通常線量透視モードなど）ごとに、Ｘ線検出器Ｉ／Ｆ５に設けられた後述する読み出し制御手段３１に与える機能を有する。
【００２７】
　このＸ線検出器Ｉ／Ｆ５には、上記図５に示すＸ線検出器Ｉ／Ｆ５の構成に加えて、図２に示すように読み出し制御手段３１の他に、後述する画素レベル判断手段３２、寿命判定手段３３、基準データメモリ３４及び動作パラメータ書込み／読み出し制御手段３５が備えられると共に、Ｘ線平面検出器２には図３に示すように動作パラメータ設定手段３６が設けられている。  
　上記システム制御手段３０は、オフセット補正処理及びゲイン補正処理においてそれぞれ期待される画素値の各基準レベルの上限値及び下限値と、Ｘ線の曝射タイミングとを各収集モード毎に、Ｘ線検出器Ｉ／Ｆ５に設けられた読み出し制御手段３１に与える機能を有する。
・・・中略・・・
【００３０】
　Ｘ線検出器Ｉ／Ｆ５に設けられた読み出し制御手段３１は、システム制御手段３０から与えられた各収集モード毎の各動作パラメータの設定範囲、期待される画素値の基準レベルの上限値及び下限値、及びＸ線画像の収集タイミングのうち動作パラメータの設定範囲で各積分アンプ１６−１〜１６−４の最適な容量値と各アンプ１７−１〜１７−４の最適なゲイン値とをセットし、Ｘ線画像の収集タイミングでＸ線を入射してそのＸ線画像を出力動作する機能を有する。
　読み出し制御手段３１は、システム制御手段３０から与えられた動作パラメータを図３に示す動作パラメータ設定手段３６に対して設定する機能を有する。
　又、読み出し制御手段３１は、後述する画素値レベル判断手段３２から画素値レベルの判断結果を受け、Ｘ線平面検出器２から出力されたＸ線画像の画素値が基準レベルの下限値に達していなければ、図３に示す動作パラメータ設定手段３６に対して各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４でのゲイン値を上げる設定指令を発してシステム制御手段３０にＸ線曝射の要求を行い、かつＸ線画像の画素値が基準レベルの上限値以上であれば、動作パラメータ設定手段３６に対して各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４でのゲイン値を下げる設定指令を発してシステム制御手段３０にＸ線曝射の要求を行なう機能を有する。
【００３１】
　又、読み出し制御手段３１は、システム制御手段３０から与えられたオフセット補正処理で期待される画素値の基準レベルの上限値及び下限値をオフセット補正係数計算手段２５に与え、次にゲイン補正処理で期待される画素値の基準レベルの上限値及び下限値をゲイン補正係数計算手段２７に与える機能を有する。
　画素値レベル判断手段３２は、Ｘ線平面検出器２から出力されたＸ線画像を加算器２１、乗算器２２及び欠陥点補正手段２３をバイパスして入力し、画素値が基準レベルの上限値及び下限値の範囲内にあるか否かを判断し、その判断結果を読み出し制御手段３１に与える機能を有する。
【００３２】
　又、画素値レベル判断手段３２は、Ｘ線平面検出器２から出力されたＸ線画像の画素値が動作パラメータの設定範囲内で要求される下限値に達していない場合、この旨をシステム制御手段３０に通知する機能を有する。
　寿命判定手段３３は、動作パラメータ設定手段３６により決定された前記動作パラメータとこの動作パラメータの調整時期の情報とを経時的変化データとして蓄積し、これら経時的変化データから経時的推移からＸ線平面検出器２の寿命を自動的に推し量り、例えば経時的推移値が予め設定された推移値の下限値に達すると、Ｘ線平面検出器２の寿命と判断してその旨を通知する機能を有する。
　又、寿命判定手段３３は、オフセット補正係数計算手段２５で計算されたオフセット補正係数と、ゲイン補正係数計算手段２７で計算されたゲイン補正係数と、欠陥点位置情報計算手段２９により求められた欠陥部の位置情報とをそれぞれ入力し、これら係数及び位置情報と予め基準データメモリ３４に記憶されている各基準データとをそれぞれ比較し、各係数及び位置情報と各基準データとの各差が予め設定された各レベル以上であれば、Ｘ線平面検出器２の寿命である旨をシステム制御手段３０に通知する機能を有する。
　なお、寿命を推し量る基準データは、オフセット補正係数であれば、例えばオフセット分布の平均値と標準偏差であり、ゲイン補正係数でも例えばゲイン分布の平均値と標準偏差である。欠陥点であれば、例えば欠陥点の数や各欠陥点の大きさなどである。これら基準データは、例えばＸ線平面検出器２の出荷時のデータを格納しておけばよい。」
イ　「【図１】
【図２】
【図３】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献４には、以下の技術事項（以下「引用文献４の技術事項」という。）が記載されている。
「Ｘ線平面検出器２から出力されたＸ線画像の画素値が基準レベルの下限値に達していなければ、動作パラメータ設定手段３６に対して各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４でのゲイン値を上げる設定指令を発してシステム制御手段３０にＸ線曝射の要求を行い、かつＸ線画像の画素値が基準レベルの上限値以上であれば、動作パラメータ設定手段３６に対して各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４でのゲイン値を下げる設定指令を発してシステム制御手段３０にＸ線曝射の要求を行なう機能を有する。」
（５）引用文献５
　引用文献５には、以下の事項が記載されている。
ア　「３．発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、放射線環境下で使用される制御装置、例えば放射線環境下で作業するロボットに搭載される制御装置に関するものであり、特に該制御装置の被曝した放射線量が許容線量に達したか否かを検知し得るようにした制御装置に関する。
〔従来の技術〕
　放射線環境、特に原子力プラントの中で作業するロボットは、作業内容の高度化のため、ロボット本体内に制御装置を搭載していることが多い。第３図はこのようなロボット３０を例示したもので、図中、３１はロボット本体内に搭載した制御装置である。制御装置３１はＩＣ（集積回路）を主とする電子回路から成るが、放射線被曝には弱く、被曝した集積線量が多くなると制御装置３１は故障を起す。制御装置３１が故障してロボットが放射線環境の中で停止すると、人間が修理のため近づくことができないという問題が生ずる。この問題を避けるために、故障が発生する前に、制御装置３１の修理や交換をすることが考えられている。このためには制御装置３１がどれ位の集積線量を浴びたかをモニタする必要があり、このため、従来、第３図に示す如く、ロボット３０に放射線センサ３２を取り付けたり、又は作業室内部に放射線モニタ３３を設置して放射線量をモニタし、モニタした線量を基に故障発生時期を予測して制御装置３１の交換や修理を行うことが考えられている。制御装置３１は、通常、機能別に分割された交換可能な複数のハードウェア単位（ボード）から構成されているので、交換や修理はそれらのボード単位で行われる。
・・・中略・・・
〔実施例〕
　以下、放射線環境下で作業するロボットに搭載されたロボット用制御装置に本発明を実施した実施例を示す。第１図は該ロボット用制御装置の構成図である。
・・・中略・・・
　さらにＣＰＵ１１はＣＰＵボード１内に設けられた信号変換回路７やインタラプト処理回路１０と内部バス８を介して接続されている。さらにＣＰＵボード１内に設けられた放射線センサ６が該信号変換回路７と接続されている。
・・・中略・・・
　第２図にＣＰＵボード１における放射線センサ６と信号変換回路７の構成を示す。本実施例ではボードに使用するＩＣとしてバイポーラ形トランジスタを用いた。従って、放射性の影響が同じになるように放射線センサ６にもバイポーラトランジスタ２０を用いている。放射線センサ６はバイポーラトランジスタ２０及び抵抗２１，２２，２３から成っている。
・・・中略・・・
　第２図の放射線センサ６を用いることにより、各ボードの使用状態に応じた放射線の影響を集積した結果を検知することができる。すなわち、放射線によるボードのＩＣや放射線センサ６の劣化はボードの使用状態によって異なる。
・・・中略・・・
　第７図は、第２の実施例として、第１図中の各ボードに使用しているＩＣがＭＯＳＦＥＴである場合の該ボードに設ける放射線センサ６及び信号変換回路７の構成例を示す。放射線の影響を同じにするために第７図では放射線センサ６にもＭＯＳＦＥＴ４０を用い、可変抵抗４１でゲート電圧を規定している。ＭＯＳＦＥＴは集積放射線量が多くなると閾値電圧が変動するという特性を持っているため、放射線の影響を知るには抵抗４３の電圧をモニタしていればよい。信号変換器７は第２図と同様コンパレータ４５と閾値を決める可変抵抗４４とで成っており、出力４６からインタラプト信号を出力する。本図の放射線センサ６を用いることにより、ＭＯＳＦＥＴでできたボードのＩＣの放射線による影響をモニタすることができ、先の実施例と同様の作用効果を奏することができる。
・・・中略・・・
　〔発明の効果〕
本発明によれば放射線環境下で働く制御装置の交換単位であるボード毎に放射線の影響をモニタできるので、制御装置の交換単位毎に放射線被ばくによる故障を事前に予測し、交換単位毎にその交換時期を知ることができるので、経済的に保守を行うことができる。
また、センサ手段として、ボード（ハードウェア）単位に用いられているＩＣを構成するトランジスタと同じ種類のトランジスタと該トランジスタの動作条件を決定する抵抗とから構成したものを用いることによって、各ボードの使用状態に応じた放射線の影響を集積した結果を検知することができる。
・・・後略・・・」
イ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献５には、以下の技術事項（以下「引用文献５の技術事項」という。）が記載されている。
「放射線環境下で作業するロボットに搭載されたロボット用制御装置のＣＰＵボード１内に放射線センサ６設け、
　放射線センサ６にＭＯＳＦＥＴ４０を用いると、ＭＯＳＦＥＴは集積放射線量が多くなると閾値電圧が変動するという特性を持っているため、放射線の影響を知るには抵抗４３の電圧をモニタしていればよい。
　この放射線センサ６を用いることにより、ＭＯＳＦＥＴでできたボードのＩＣの放射線による影響をモニタすることができ、放射線環境下で働く制御装置の交換単位であるボード毎に放射線の影響をモニタできるので、制御装置の交換単位毎に放射線被ばくによる故障を事前に予測し、交換単位毎にその交換時期を知ることができるので、経済的に保守を行うことができる。」
（６）引用文献６
　引用文献６には、以下の事項が記載されている。
ア　「【００１５】
【発明の実施の形態】本発明を図１〜図６に図示の実施の形態に基づいて詳細に説明する。図１はＸ線画像撮影システムの全体概略図を示す。Ｘ線画像撮影装置１１は複数の光電変換素子を二次元に配置した検出面を有する画像検出装置１２を有する。画像検出装置１２は後述するように、Ｘ線グリッド、蛍光体、光電変換素子が一体化ユニットとなったＸ線画像検出器を含んでいる。Ｘ線管球を含むＸ線線発生器１３から放射されたＸ線は被写体である被検者Ｓを照射し、被検者Ｓを透過したＸ線は画像検出装置１２により検出される。得られた画像データはコンピュータを含む画像処理装置１４においてデジタル画像処理によって画像化されると共にその画像が記憶され、ディスプレイ１５に被検者ＳのＸ線画像として表示される。
【００１６】図２は画像検出装置１２に内蔵されるＸ線画像検出器の断面図を示す。Ｘ線画像検出器２１においては、絶縁基板２２上の紙面に垂直な方向の平面内に、二次元的に複数個の光電変換素子２３が配置されており、更にその上方つまりＸ線入射方向にはグリッド部２４が設けられている。また、光電変換素子２３の間の隙間は蛍光に対して感度を持たない不感領域２５となっている。
【００１７】絶縁基板２２は光電変換素子２３等を形成する半導体素子との化学作用のないこと、半導体プロセスの高温に耐えること、寸法安定性、平面性等の理由からガラス板が用いられる。
【００１８】グリッド部２４はＸ線吸収率の大きな鉛から成る箔２６によって格子が形成され、各格子間にはＸ線入射方向とは逆方向から順に蛍光体２７と中間物質２８が充填された構造となっている。各格子間の蛍光体２７の直下には対応する光電変換素子２３が位置すると共に、各光電変換素子２３は箔２６の陰となる部分からは避けて配置され、その部分は不感領域２５となっている。箔２６の厚みと不感領域２５の幅とは略一致している。
【００１９】各格子に位置する蛍光体２７同士は箔２６によって空間的に分離され、クロストークを発生を未然に防いでいる。中間物質２８は剛性の低い箔を補強するために設けたもので、Ｘ線吸収率の小さいアルミニウム、紙、木、合成樹脂、炭素繊維強化樹脂等が用いられる。蛍光体２７は箔２６によって仕切られ、更に中間物質２８は蛍光体２７上に積層されている。箔２６の主材料は鉛であるが、その表面を蛍光を反射する反射面とすれば、蛍光体２７で発生する蛍光を箔２６で反射して、対応する光電変換素子２３への入射量を増大させることで、検出信号のＳ／Ｎが向上する。」
イ　「【図１】
【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献６には、以下の技術事項（以下「引用文献６の技術事項」という。）が記載されている。
「グリッド部２４はＸ線吸収率の大きな鉛から成る箔２６によって格子が形成され、各格子間にはＸ線入射方向とは逆方向から順に蛍光体２７と中間物質２８が充填された構造となっている。
　各格子に位置する蛍光体２７同士は箔２６によって空間的に分離され、クロストークを発生を未然に防いでいる。」
（７）引用文献７
　引用文献７には、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００５】
　Ｘ線診断装置を用いて、小さなＸ線照射野絞りの開口度（Ｘ線照射野視野サイズ）で検査を行なった後、大きなＸ線照射野絞りの開口度で検査を行なうと、前のＸ線透視時間に応じたＸ線照射領域の内部のＸ線入射履歴に起因した感度低下によってＸ線透過像の画像データ上にゴーストが発生する。よって、患部を観察するには、画像データ上に現れるゴーストを回避することが重要となる。そこで、Ｘ線診断装置は、画像データ上に現れるゴーストを回避するためのゴースト補正係数を、補正効果を観察しながら変化させて、検査毎に異なる検査対象部位を透過したＸ線透過像が最適になるように、臨床の画像データを基に補正効果をリアルタイムで観察・評価ができる。」
イ　「【００４４】
　続いて、本実施形態のＸ線透過像表示システム１を用いた患者Ｐの検査対象部位に関するＸ線透過像の表示方法の第１例について、図４に示すフローチャートを用いて説明する。図４に示すフローチャートは、Ｘ線照射条件をＸ線透視条件として、Ｘ線透視像を生成して表示する作用を例にとって説明するが、Ｘ線照射条件をＸ線撮影条件として、Ｘ線撮影像を生成して表示する場合の作用も同様に行なわれるものとする。
【００４５】
　検査技師等のオペレータは、天板１４上に患者Ｐのない状態で操作部２１を用いて、均一照射によるＸ線透視条件（管電圧／管電流、撮影方向、Ｘ線照射野視野サイズ及びＳＩＤ）をシステム制御部２０に入力する（ステップＳ１）。システム制御部２０は、ステップＳ１によって入力されたＸ線透視条件に従って機構制御部１６を介して機構部１７を制御し、Ｃアーム１３及び天板１４を所定のポジションに移動させ、また、天板１４を移動させながら、透視用Ｘ線による均一照射（一様照射）を開始して（ステップＳ２）、均一照射によるＸ線透視像の生データを収集する（ステップＳ３）。なお、ステップＳ３では、平面検出器１２ａから出力される均一照射によるＸ線透視像の生データに対してＮＤＤ法を用いて変換した表面線量データを収集してもよい。
【００４６】
　ステップＳ３によって収集されたＸ線透視像の生データ又は表面線量データを基に、ゴースト補正係数を生成するための原データとしての原ゴースト補正係数を生成する（ステップＳ４）。均一照射によるＸ線透視像の生データ又は表面線量データは検出面の位置によらず均一の分布となるが、ゴーストが発生する場合均一の分布とはならない。しかも、ゴーストが発生する場合、Ｘ線透過条件及びＸ線照射開始からの経過時間によって均一照射によるＸ線透視像の生データ又は表面線量データの分布が変化する。よって、均一照射による生データ又は表面線量データが検出面の位置によらず均一の値となるように、ステップＳ４では、Ｘ線透過条件毎に補正する係数である原ゴースト補正係数を生成する。
【００４７】
　ここで、ゴースト補正係数制御部１２ｃには、平面検出器１２ａから出力される均一照射によるＸ線透視像の生データ又は表面線量データと、システム制御部２０から出力されるＸ線透視条件とが入力される。平面検出器１２ａから出力される均一照射によるＸ線透視像の生データ又は表面線量データを基に生成する画像データは、小さなＸ線照射野視野サイズで長時間Ｘ線照射を受けた部分の感度が落ちるため画素値が低く、絞りで遮蔽されている領域では感度が落ちていないために同じ線量でも画素値が高くなる。よって、均一照射によるＸ線透視像上には固体検出器特有のゴーストが現れることになる。よって、Ｘ線透視像上に現れるゴーストを回避すべく、ゴースト補正制御部１２ｃは、必要に応じて、システム制御部２０から出力されるＸ線照射野視野サイズによって正規化（ノーマライズ）することによって、ステップＳ４によって生成された原ゴースト補正係数を修正する（ステップＳ５）。ステップＳ５による原ゴースト補正係数の修正によって、Ｘ線照射野絞り１１ｂの辺縁の精度が向上する。」
ウ　「【図１】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献７には、以下の技術事項（以下「引用文献７の技術事項」という。）が記載されている。
「Ｘ線診断装置を用いて、小さなＸ線照射野絞りの開口度（Ｘ線照射野視野サイズ）で検査を行なった後、大きなＸ線照射野絞りの開口度で検査を行なうと、前のＸ線透視時間に応じたＸ線照射領域の内部のＸ線入射履歴に起因した感度低下によってＸ線透過像の画像データ上にゴーストが発生する。
　天板１４上に患者Ｐのない状態で、天板１４を移動させながら、透視用Ｘ線による均一照射（一様照射）を開始して（ステップＳ２）、均一照射によるＸ線透視像の生データを収集する（ステップＳ３）。ステップＳ３によって収集されたＸ線透視像の生データ又は表面線量データを基に、ゴースト補正係数を生成するための原データとしての原ゴースト補正係数を生成する（ステップＳ４）。均一照射によるＸ線透視像の生データ又は表面線量データは検出面の位置によらず均一の分布となるが、ゴーストが発生する場合均一の分布とはならない。しかも、ゴーストが発生する場合、Ｘ線透過条件及びＸ線照射開始からの経過時間によって均一照射によるＸ線透視像の生データ又は表面線量データの分布が変化する。よって、均一照射による生データ又は表面線量データが検出面の位置によらず均一の値となるように、ステップＳ４では、Ｘ線透過条件毎に補正する係数である原ゴースト補正係数を生成する。」
２　対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、両者は、
「シンチレータアレイ、光センサアレイを有する撮像システムの放射線感受性の検出器タイル。」
で一致し、次の点で相違する。
　本願発明は、「電子機器、マッパー及びパラメタ補正器を有」し、
「前記電子機器は、少なくとも１つの放射線センサを含む線量決定器を含み、
　前記放射線センサは、ＭＯＳＦＥＴを含み、
　前記マッパーは、前記放射線センサが検知した放射線量及び測定された前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフトに基づいて、生涯沈着線量を示す値に放射線被ばくにより変化する前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフトをマッピングし、
　前記線量決定器は、測定された前記ＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧のシフト及び前記マッピングに基づいて、前記生涯沈着線量を決定し、
　前記パラメタ補正器は、前記決定された生涯沈着線量に基づいて、前記電子機器の動作パラメタを補正する」のに対して、
　引用発明は、そのような電子機器、マッパー及びパラメタ補正器を有さない点。
３　判断
　上記相違点について検討する。
　引用文献１には、引用文献１の技術事項として、「アレイ型検出器の中の個々の検出素子の被曝量は毎日の使用始めに行われるキャリブレーションの実行直後から第２の記憶手段に積算して記憶しておく。
　あるひとつのチャンネル（検出素子）の出力を補正するために、第２のメモリ１２に記憶されている積算被曝量データを第１のメモリ１１に記憶されている特性関数に当てはめることによりそのチャンネルの劣化の程度すなわちｆ（ｘ）を知ることができ、補正演算器１４において信号処理回路１３で得られたそのチャンネルの出力にｆ（ｘ）の逆数をかけることによって補正された検出器出力を得ることができる。」こと、
　引用文献２には、引用文献２の技術事項として、「放射線検出器４０の各画素５０によって検出した放射線Ｘの線量の最大値を撮影毎に累積した値、あるいは、放射線検出器４０の特定の画素５０が検出した放射線Ｘの線量を撮影毎に累積した値を累積被曝線量とする。
　累積被曝線量を所定の許容累積被曝線量と比較し、今回の撮影によって累積被曝線量が許容累積被曝線量を超過した場合には、放射線検出カセッテ２４の感度低下による画質劣化が発生するおそれがあるとして、放射線検出カセッテ２４の交換やメンテナンスを促す警告を、コンソール２８、表示装置２６、あるいは、上位のＲＩＳ２９、ＨＩＳ３１等に対して行う。」こと、
　引用文献３には、引用文献３の技術事項として、「パネル５４は、人の視認限界とＸ線画像の画像処理速度の観点から、１万×１万画素以下（特に６０００×６０００画素以下）の画素で構成されている。
　支持体５４７の下面に、アモルファスシリコン受光素子を用いたＸ線量センサ５４８が設けられて」いること、
　引用文献４には、引用文献４の技術事項として、「Ｘ線平面検出器２から出力されたＸ線画像の画素値が基準レベルの下限値に達していなければ、動作パラメータ設定手段３６に対して各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４でのゲイン値を上げる設定指令を発してシステム制御手段３０にＸ線曝射の要求を行い、かつＸ線画像の画素値が基準レベルの上限値以上であれば、動作パラメータ設定手段３６に対して各積分アンプ１６−１〜１６−４及び各アンプ１７−１〜１７−４でのゲイン値を下げる設定指令を発」すること、
　引用文献５には、引用文献５の技術事項として、「放射線センサ６にＭＯＳＦＥＴ４０を用いると、ＭＯＳＦＥＴは集積放射線量が多くなると閾値電圧が変動するという特性を持っているため、放射線の影響を知るには抵抗４３の電圧をモニタしていればよい。
　この放射線センサ６を用いることにより、ＭＯＳＦＥＴでできたボードのＩＣの放射線による影響をモニタすることができ、放射線環境下で働く制御装置の交換単位であるボード毎に放射線の影響をモニタできる」こと、
　引用文献６には、引用文献６の技術事項として、「グリッド部２４はＸ線吸収率の大きな鉛から成る箔２６によって格子が形成され、各格子間にはＸ線入射方向とは逆方向から順に蛍光体２７と中間物質２８が充填された構造となっている。
　各格子に位置する蛍光体２７同士は箔２６によって空間的に分離され、クロストークを発生を未然に防いでいる」いること、
　引用文献７には、引用文献７の技術事項として、「Ｘ線診断装置を用いて、小さなＸ線照射野絞りの開口度（Ｘ線照射野視野サイズ）で検査を行なった後、大きなＸ線照射野絞りの開口度で検査を行なうと、前のＸ線透視時間に応じたＸ線照射領域の内部のＸ線入射履歴に起因した感度低下によってＸ線透過像の画像データ上にゴーストが発生する。」
「よって、均一照射による生データ又は表面線量データが検出面の位置によらず均一の値となるように、ステップＳ４では、Ｘ線透過条件毎に補正する係数である原ゴースト補正係数を生成する」こと
が、それぞれ、開示されており、上記相違点に係る本願発明１の発明特定事項が部分的、断片的に開示されているものの、これら部分的、断片的に開示された技術事項を組み合わせる動機付けはないから、これらの技術事項を組み合わせて上記相違点に係る本願発明１の発明特定事項とすることは、当業者といえども、容易に想到し得るとはいえない。
　すると、引用発明に、引用文献１〜７に記載された技術事項等を参照しても、上記相違点に係る本願発明１の発明特定事項を、当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　そして、上記相違点により、本願発明１は、本願の明細書に記載された効果を奏する。
４　小括
　したがって、本願発明１は、当業者が引用発明に、引用文献１〜７に記載された技術事項等を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　また、本願発明２〜７は本願発明１をさらに限定したものであり、本願発明８〜９は本願発明１の「検出タイル」の「作動方法」に関する発明であるので、本願発明１と同様に、当業者が引用発明に、引用文献１〜７に記載された技術事項等を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第５　当審拒理について
１　当審拒理の概要
（１）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　記 
・請求項１の記載について、本願の明細書及び図面には、放射線を検出する「検出器タイル」が開示され、放射線を「シンチレータアレイ」及び「光センサアレイ」で検出することが記載されているのみであり、本願発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
・請求項１の記載について、本願の明細書及び図面には、「線量決定器４０２」が「生涯沈着線量を表す情報を検出」するとの記載はない。
・請求項１の記載について、本願の明細書及び図面には、「マッパー６０４」が「吸収線量を示す値に前記信号（「前記生涯沈着線量を表す信号」）をマッピングする」との記載はない。
・請求項６の記載について、本願の明細書及び図面には、「マッピング」を記憶する構成が記載されるのみである。
・請求項７の記載について、「放射線センサ」が「前記検知した放射線に基づいて前記信号を生成する」（「前記信号」は、「前記生涯沈着線量を表す信号」であると認める。）ことは、本願の明細書及び図面には記載されていない。
・請求項１０の記載について、本願の明細書及び図面には、「光センサアレイ」が「検出器ピクセル」を有するとの記載はない。
　したがって、本願発明は発明の詳細な説明に記載したものでない。 
 
（２）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　記 
・請求項１の記載について、「生涯沈着線量を表す情報」、「吸収線量」が不明である。
・請求項３、４の記載について、「補正データ」、「補正曲線」、「補正ルックアップテーブル」という記載のみでは、どのようなデータであるのかが明確に特定できない。
 
・請求項４の記載について、「前記動作パラメタを放射線被ばくの関数として表す」の「放射線被ばく」が示すものが明確に特定できない。
・請求項８の記載について、「放射線被ばくにより既知の又は測定可能な方法で変化する電気特性を持つ電気部品」の「電気特性」及び該「電気特性」を持つ「電気部品」が不明である。
・請求項１０の記載について、「検出器ピクセル」という記載のみでは、どのような構成であるのかが明確に特定できない。
　したがって、本願発明は、明確でない。
（３）本願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　記 
・段落【００１６】の「放射線被ばくの関数」の「放射線被ばく」が示すものが明確に特定できない。
・段落【００２１】の「放射線被ばくにより既知の又は測定可能な方法で変化する電気特性を持つ電気部品」の「電気特性」及び該「電気特性」を持つ「電気部品」が不明である。
・段落【００２３】の「マッパー６０４により生じた値」が示すものが不明である。
　したがって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。
２　当審拒理の判断
　平成２８年９月９日の手続補正により特許請求の範囲が補正され、当審拒理はすべて解消した。
３　小括
　そうすると、もはや、当審拒理で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第６　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。