(57)【要約】  成膜後の加熱処理、膜表面の研磨、成膜後の酸素プラズマ処理などの複雑な後工程が不要で、表面の平滑性に優れた導電膜付き基体の製造方法を提供する。  基体上に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成されてなる導電膜付き基体であって、前記導電膜の基板側に酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成されてなる導電膜付き基体であり、前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量は、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２との総量に対して０．１〜５０モル％であることが好ましい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成されてなる導電膜付き基体であって、前記導電膜の基板側に酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成されてなることを特徴とする導電膜付き基体。
【請求項２】
前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量が、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２との総量に対して０．１〜５０モル％である請求項１に記載の導電膜付き基体。
【請求項３】
前記導電膜表面の平均面粗さＲａが１．８ｎｍ以下である請求項１または２に記載の導電膜付き基体。
【請求項４】
基体と下地膜との間にアルカリバリア層を有する請求項１、２または３に記載の導電膜付き基体。
【請求項５】
前記下地膜の厚さが１〜１５ｎｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜付き基体。
【請求項６】
前記導電膜の厚さが１００〜５００ｎｍである請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜付き基体。
【請求項７】
前記導電膜の比抵抗値が４×１０−４Ω・ｃｍ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電膜付き基体。
【請求項８】
前記導電膜付き基体の可視光透過率が８５％以上である請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電膜付き基体。
【請求項９】
基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成し、
該下地膜上に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成し、
アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をイオンエッチングすることを特徴とする導電膜付き基体の製造方法。
【請求項１０】
基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成し、
該下地膜上に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成し、
アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をイオンエッチングし、
エッチングされた前記導電膜表面に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を、該導電膜の形成と導電膜表面の前記イオンエッチングとを繰り返すことにより１層または複数層さらに形成する導電膜付き基体の製造方法。
【請求項１１】
基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成し、
該下地膜上に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成し、
アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をイオンエッチングし、
エッチングされた前記導電膜表面に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を、該導電膜の形成と導電膜表面の前記イオンエッチングとを繰り返すことにより１層または複数層さらに形成し、
形成された最上の導電膜表面をアルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとしてイオンエッチングする導電膜付き基体の製造方法。
【請求項１２】
前記下地膜が酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜であり、前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量が、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２との総量に対して０．１〜５０モル％である請求項９、１０または１１に記載の導電膜付き基体の製造方法。
【請求項１３】
前記エッチングガス中のアルゴンの含有量が１〜１００体積％である請求項９〜１２のいずれか１項に記載の導電膜付き基体の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のいずれかに記載の導電膜付き基体の製造方法により得られた導電膜付き基体。
【請求項１５】
請求項１〜８および請求項１４のいずれか１項に記載の導電膜付き基体をホール注入電極として用いた有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として有機ＥＬに用いられる導電膜付き基体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜（以下ＩＴＯ膜ともいう）は、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、有機ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）などの表示デバイスや太陽電池などの電極用の透明導電膜として利用されている。ＩＴＯ膜は導電性に優れ、可視光透過率が高く、耐薬品性が高い一方で、ある種の酸には溶けるので、パターニングしやすいという特徴がある。【０００３】
導電性および耐薬品性の観点から、ＩＴＯ膜は結晶質であることが好ましい。しかし結晶質の膜は表面に凹凸が生じやすい。ＩＴＯ膜を有機ＥＬ素子の電極などに用いる場合、ＩＴＯ膜表面の凹凸が大きいと、リーク電流やダークスポットなどの不具合の原因になる。【０００４】
１０〜１５０℃の比較的低温でＩＴＯ膜を成膜した後、１００〜４５０℃で加熱処理してＩＴＯ膜の結晶配向を（１１１）配向とし、有機ＥＬ素子のリーク電流やダークスポットを抑制することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。しかし、成膜後に熱処理することは製造工程が複雑になり、生産性の点で好ましくない。またＩＴＯ膜表面の研磨、酸処理などによりＩＴＯ膜の表面の凹凸を減らす試みも行われているが、やはり製造工程が複雑になり、生産性が低下する。【０００５】
またＩＴＯ膜と基板との間に下地膜として酸化ジルコニウム膜を形成することにより、ＩＴＯ表面を平滑にする方法（例えば、特許文献２参照。）、また、ＩＴＯ膜と基板との間に下地膜として酸化ジルコニウム膜を形成し、さらに酸素ガスを含むスパッタガス中でＩＴＯ表面を逆スパッタ処理する方法（例えば、特許文献３参照。）が提案されている。しかし、酸化ジルコニウムのみの膜を下地膜として形成したＩＴＯ膜の場合、表面の平坦性が十分ではない。また、酸素ガスを含むスパッタガス中で逆スパッタ処理する方法は、一旦成膜した膜を逆スパッタ用真空装置に導入しなければならず、装置コストがかかる。【０００６】
【特許文献１】特開平１１−８７０６８号公報
【特許文献２】特開２００２−１７０４３０号公報
【特許文献３】特開２００３−３３５５５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、成膜後の加熱処理、膜表面の研磨、酸素プラズマ処理などの複雑な後工程が不要で、表面の平滑性に優れた導電膜付き基体の提供を目的とする。また、本発明は、成膜後の加熱処理、膜表面の研磨、酸素プラズマ処理などの複雑な後工程が不要で、表面の平滑性に優れた導電膜付き基体の製造方法をも提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基体上に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成されてなる導電膜付き基体であって、前記導電膜の基板側に酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成されてなることを特徴とする導電膜付き基体を提供する。本発明においては、前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量が、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２との総量に対して０．１〜５０モル％であることが好ましい。本発明においては、また、前記錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜表面の平均面粗さＲａが１．８ｎｍ以下であることが好ましい。【０００９】
また、本発明は、基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成し、該下地膜上に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成し、アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をイオンエッチングすることを特徴とする導電膜付き基体の製造方法を提供する。また、本発明は、基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成し、該下地膜上に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成し、アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をイオンエッチングし、エッチングされた前記導電膜表面に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜をさらに形成する導電膜付き基体の製造方法を提供する。【００１０】
また、本発明は、基体上に、酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜を形成し、該下地膜上に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜を形成し、アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をイオンエッチングし、エッチングされた前記導電膜表面に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜をさらに形成し、アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとして前記導電膜表面をさらにイオンエッチングする導電膜付き基体の製造方法を提供する。本発明においては、酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする前記下地膜中の酸化イットリウムの含有量が、Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２との総量に対して０．１〜５０モル％であることが好ましい。本発明においては、また、前記エッチングガスにおけるアルゴンの含有量が、体積％で１〜１００％であることが好ましい。【００１１】
本発明において、ＩＴＯ膜表面の平均表面粗さとは、導電膜付き基体の表面の平均表面粗さの意味である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、成膜後の加熱処理やＩＴＯ膜表面の研磨、酸素プラズマ処理や酸処理などの複雑な製造工程を経ることなく、表面に凹凸が少なく、優れた平坦性を有する導電膜付き基体を得ることができる。本発明の導電膜付き基体は優れた平坦性および透明性を有するため、有機ＥＬ素子用の電極に好適であり、リーク電流やダークスポットを抑制できる。また、導電性にも優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の導電膜付き基体の１実施形態を示した概略断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
１：導電膜付き基体
１０：基体
２０：下地膜
３０：導電膜
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明は、図１に示すように、基体１０上に、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜３０が形成されてなる導電膜付き基体１であって、導電膜３０の基板側に酸化イットリウムが添加された酸化ジルコニウムを主成分とする下地膜２０が形成されていることを特徴としている。
本発明における基体としては、特に限定されず、ガラス基板などの無機質の基体や、プラズチック基板などの有機質の基体が挙げられる。特に、スパッタ法により成膜時に温度を上げることができる点で、基体はガラス基板であることが好ましい。ガラス基板としては、ソーダライムシリケートガラス基板などのアルカリ含有ガラス基板や、ホウケイ酸ガラス基板などの無アルカリガラス（アルカリ成分が実質的に含有していない）基板などが挙げられる。ガラス基板の場合、ガラス基板の厚さは、０．３〜３ｍｍであることが透明性の点で好ましい。ガラス基板の平均表面粗さＲａは０．１〜１０ｎｍ、０．１〜５ｎｍ、特に０．１〜１ｎｍであることが好ましい。なお本発明において、平均表面粗さＲａは、粗さ計（セイコー電子製：ＳＰＡ４００型）およびＡＦＭ（セイコー電子製：ＳＰＩ３８００Ｎ型）によって測定され、走査面積は３μｍ×３μｍ、カットオフ値は１μｍとした。【００１６】
基体としてアルカリ含有ガラス基板を用いる場合、ガラス基板に含まれるアルカリイオンがＩＴＯ膜中に拡散してＩＴＯ膜の比抵抗に影響を及ぼすことを防ぐため、基体とＩＴＯ膜との間にアルカリバリア層として酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜などを形成することが好ましい。アルカリバリア層の表面の平均表面粗さＲａは０．１〜１０ｎｍ、０．１〜５ｎｍ、特に０．１〜１ｎｍであることが好ましい。【００１７】
アルカリバリア層の形成方法は特に限定されず、熱分解法（原料溶液を塗布後加熱して膜を形成する方法）、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。例えばＳｉＯ２膜の場合、ＳｉＯ２ターゲットを用いたＲＦ（高周波）スパッタ法またはＳｉターゲットを用いたＲＦもしくはＤＣ（直流）スパッタ法などの成膜方法が挙げられる。Ｓｉターゲットを用いる場合はスパッタガスはＡｒ／Ｏ２混合ガスを用い、可視光で吸収の無いようにＡｒとＯ２のガス比を定めることが望ましい。ＳｉＯ２膜の膜厚はアルカリバリア性の観点から１０ｎｍ以上が好ましく、コストの面からは５００ｎｍ以下が好ましい。なお、膜厚とは幾何学的膜厚を意味し、以下同様である。【００１８】
本発明における下地膜は酸化ジルコニウムを主成分とする膜である。下地膜中に酸化ジルコニウムが８５モル％以上含まれていることが好ましい。下地膜には、添加物として酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）が含まれていることが好ましい。ＺｒＯ２にＹ２Ｏ３が含まれると、イオンエッチング処理をする前のＩＴＯ膜表面の平坦性が、下地膜が純粋なＺｒＯ２膜の場合（酸化イットリウムが含まれていないＺｒＯ２膜の場合）に比べ向上する。この理由は良くわかっていないが、Ｙ２Ｏ３が添加されたＺｒＯ２膜の表面は、純粋なＺｒＯ２膜に比べ、表面の平坦性が向上するため、またはＺｒＯ２膜の上でＩＴＯ膜がエピタキシャル的に成長するためであると推測している。Ｙ２Ｏ３の含有量はＺｒＯ２とＹ２Ｏ３との総量に対して１〜５０モル％、１〜２０モル％、特に１〜１０モル％であることが好ましい。１モル％未満であると、ＩＴＯ膜の平坦化効果が劣り、５０モル％超であると、Ｙ２Ｏ３が主成分の膜となるので、平坦化効果は薄くなる。また、下地膜にはＨｆ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉなどが不純物として含まれていても良いが、不純物はその合量がＺｒと不純物元素との総量に対して、５原子％以下、特に１原子％以下であることが好ましい。【００１９】
下地膜の膜厚は１〜１５ｎｍ、特に３〜１２ｎｍであることが好ましい。この膜厚の下地膜が存在することにより、得られる導電膜付き基体の表面のイオンエッチング処理をする前の平均表面粗さＲａを３．０ｎｍ以下にすることが可能となる。本発明における下地膜は、その上に形成されるＩＴＯ膜の結晶成長に影響し、ＩＴＯ膜の結晶配向を変えることができ、得られる導電膜付き基体の表面の平坦性に寄与する。下地膜の膜厚が１ｎｍ未満ではＩＴＯ表面の平均面粗さを小さくするという下地膜としての効果が得られにくい。下地膜の膜厚が１５ｎｍ超では下地膜の成膜コストの点で好ましくない。なお、以上に述べた下地膜の膜厚は平均膜厚のことであり、連続膜になっていない場合も同様とする。【００２０】
下地膜の形成方法は、特に限定されず、熱分解法、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。例えば、Ｙ２Ｏ３添加ＺｒＯ２ターゲットを用いて、ＡｒまたはＡｒ／Ｏ２雰囲気でＲＦスパッタ法により形成する。ＺｒＯ２膜の場合は、ＺｒターゲットからＡｒ／Ｏ２雰囲気で反応性ＲＦまたは、反応性ＤＣスパッタ法で成膜される。Ｙ２Ｏ３添加のＺｒＯ２は安定化ジルコニアとして知られているが、ＺｒＯ２に比べ、温度に対する結晶構造相転移が消滅されており、熱的安定性が高く、ターゲットの熱割れを抑制できる点で好ましい。また、ＲＦスパッタ法でアルカリバリア層であるＳｉＯ２膜をＳｉＯ２ターゲットを用いて成膜すれば、アルカリバリア層であるＳｉＯ２膜とＹ２Ｏ３添加のＺｒＯ２膜を同一雰囲気で成膜できる。【００２１】
ＩＴＯ膜は、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とからなる膜でＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２と合計含有量が９０原子％以上であることが好ましい。また、その組成としては、ＳｎＯ２の含有量がＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）に対して１〜２０質量％であることが好ましい。ＩＴＯ膜の膜厚は、抵抗値、透過率などの観点から、１００〜５００ｎｍ、特に１００〜３００ｎｍ、さらには１００〜２００ｎｍであることが好ましい。有機ＥＬ素子として用いる場合、膜の結晶性を良好とすることにより、比抵抗値は４×１０−４Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、シート抵抗値としては２０Ω／□以下であることが好ましい。また、透明電極として用いる場合は、ＩＴＯ膜付き基体のＪＩＳ−Ｒ３１０６（１９９８年）で定める可視光透過率が８５％以上であることが好ましい。【００２２】
ＩＴＯ膜の形成方法は、特に限定されず、熱分解法、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。膜厚の安定性や大面積に成膜できることを考慮すると、スパッタ法で成膜することが好ましい。例えば、ＩＴＯターゲットを用い、ＲＦまたはＤＣスパッタリング法で形成する方法が挙げられる。スパッタガスはＡｒ／Ｏ２混合ガスを用い、ＩＴＯの比抵抗は最小になるようにＡｒ／Ｏ２の流量比を調節することが好ましい。【００２３】
スパッタ時の成膜温度は１００〜５００℃、特に２００〜５００℃、２００〜４００℃または２００〜３５０℃が好ましい。１００℃より低いとＩＴＯが非晶質になり易く、膜の耐薬品性が低下しやすくなる。５００℃より高いと結晶化が促進され、膜表面の凹凸が大きくなりやすい。本発明においては、上記のような成膜温度で成膜した場合、平坦性に優れ、さらに、高い透明性および低い比抵抗の膜が得られるため好ましい。【００２４】
ＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａは１．８ｎｍ以下、特に１．５ｎｍ以下、１ｎｍ以下または０．８ｎｍ以下であることが好ましい。表面粗さを小さくすることで、ＩＴＯ膜を有機ＥＬ素子の電極として用いた場合、リーク電流やダークスポットを抑制できるため好ましい。【００２５】
導電膜にイオンエッチング処理をすると、表面の凹凸が加速されたイオンにエッチングされて平均化されるという理由で、平均表面粗さＲａはさらに減少する。同じ条件でイオンエッチング処理をした場合、処理後の最終的な平均表面粗さＲａは、下地膜が純粋なＺｒＯ２膜の場合と比較して、Ｙ２Ｏ３添加のＺｒＯ２膜の場合の方がさらに小さい。よってＹ２Ｏ３添加のＺｒＯ２下地膜は、平均表面粗さＲａの目標としてある特定の値が設定された場合、その値に到達するまでのイオンエッチング時間を短縮することができる。また、さらに高い平坦度を達成可能である。【００２６】
前記イオンエッチング処理に用いるエッチングガスの成分は、アルゴンまたは酸素を主成分とするガスであることが、アルゴンガスはエッチング効果が大きく、低コストであること、また、酸素ガスは酸化物であるＩＴＯの物性に影響を与えにくく、かつスパッタ成膜とイオンエッチングを同一チャンバ内で行うことが可能であることという理由で好ましい。エッチングガス中のアルゴンおよび酸素の合計含有量が９０体積％以上であることが好ましい。特に、酸素の含有量が高いとリニアイオンソースの放電は不安定になり易いことから、エッチングガス中のアルゴンの含有量が１〜１００体積％であることが好ましい。なお、イオンエッチング処理を行うことにより、膜は６〜９ｎｍ程度削られることとなる。よって、後述するような２重または多重に導電膜を形成する場合は、削られる膜の厚さを考慮して、全体の膜厚を考慮することが好ましい。また、イオンエッチング量は、そのエッチングのパワーと時間との積、つまり積算電力によって見積もることが可能である。表面の平均表面粗さを下げるという目的の点で、前記積算電力は大きいほうが好ましいが、凹凸を減少させるという効果を奏するためには、前記積算電力は、エッチング面積（ｃｍ２）あたり０．００１Ｗ・ｈ以上であることが好ましい。【００２７】
上述したイオンエッチング処理の後で、エッチングされた前記導電膜表面に錫ドープ酸化インジウムを主成分とする導電膜をさらに形成してもよい。このような導電膜を２重に重ねて成膜することで組成的に一つの膜となり、さらに平坦性の良好な導電膜を得ることが可能となる。エッチングした後に膜を形成することで平坦性がよくなる理由は、まだ詳細には分かっていないが、膜の配向性の問題であろうと推測している。なお、導電膜の形成方法は、上述した方法と同じである。ただし、２重に成膜した場合であっても、導電膜全体の膜厚は、前述したとおり、１００〜５００ｎｍであることが好ましい。【００２８】
さらに、形成した導電膜表面を、アルゴンまたは酸素を主成分とするガスのイオンをエッチングガスとしてさらにイオンエッチングしてもよい。つまり、導電膜の形成とイオンエッチングとをそれぞれ２回繰り返してもよい。このイオンエッチング処理により、さらに平坦性の良好な導電膜を得ることが可能となる。なお、イオンエッチングの方法は、上述した方法と同じである。【００２９】
また、下地膜を形成後、導電膜の形成と、イオンエッチング処理とを繰り返し行ってもよい。このような方法を取ることで、多重の膜が形成され一つの膜のようになり、さらに平坦性の高い導電膜を得ることが可能となる。この場合、多重に形成される各導電膜は、錫ドープ酸化インジウムを主成分とする、同一または実質的に同一の導電膜であるのが好ましい。なお、多重に導電膜を形成した場合であっても、導電膜全体の膜厚は、前述したとおり、１００〜５００ｎｍであることが好ましい。【００３０】
本発明の導電膜付き基体は、ＬＣＤ、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子などの表示デバイスの電極や、太陽電池の電極として好適である。特に、ホール注入電極と、電子注入電極と、これらの電極間に有機発光層とを有する有機ＥＬ素子において、ホール注入電極として本発明の導電膜付き基体を用いてなる有機ＥＬ素子は本発明の導電膜付き基体を用いた好適な例のひとつである。
【実施例】
【００３１】
以下に、例１〜４、７〜１０（実施例）および例５、６（比較例）を示す。例１〜１０において、平均表面粗さＲａは粗さ計（セイコー電子製：ＳＰＡ４００型）およびＡＦＭ（セイコー電子製：ＳＰＩ３８００Ｎ型）により測定した。走査面積は３μｍ×３μｍ、カットオフ値は１μｍとした。比抵抗は三菱油化製：ロレスタＭＣＰＴ−４００を用いて測定した。可視光透過率は簡易透過率計（旭分光社製：３０４型）を用いて測定した。【００３２】
（例１）
洗浄したソーダライムシリケートガラス基板（平均表面粗さＲａは０．５ｎｍ、厚さ０．７ｍｍ、可視光透過率８５％）をスパッタ装置にセットし、基板温度を２５０℃とした。この基板の上にＳｉＯ２ターゲットを用いて、アルカリバリア層としてＳｉＯ２膜をＲＦスパッタ法により成膜した。Ａｒ／Ｏ２の流量比は＝４０／１０、圧力は３ｍＴｏｒｒ（ＳＩ単位では０．４Ｐａ）、スパッタ電力密度は２．７４Ｗ／ｃｍ２とした。ＳｉＯ２膜の膜厚は２０ｎｍとした。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。【００３３】
次に、ＳｉＯ２膜の上に下地膜として、Ｙ２Ｏ３添加ＺｒＯ２膜をＲＦスパッタ法により成膜した。使用したスパッタターゲットの材質は、３モル％Ｙ２Ｏ３（Ｙ２Ｏ３とＺｒＯ２との総量に対してＹ２Ｏ３の含有量が３モル％）と９７モル％ＺｒＯ２とからなるものであった。Ａｒ／Ｏ２の流量比は＝４０／１０、圧力は３ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力密度は２．７４Ｗ／ｃｍ２とした。Ｙ２Ｏ３添加ＺｒＯ２膜の膜厚は９ｎｍとした。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。【００３４】
次に、下地膜の上に導電膜として、ＩＴＯ膜をＤＣスパッタ法により成膜した。使用したターゲットの材質は、１０質量％ＳｎＯ２（Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の総量に対してＳｎＯ２の含有量が１０質量％）と９０質量％Ｉｎ２Ｏ３とからなるものであった。Ａｒ／Ｏ２の流量比は＝９９．５／０．５、圧力は５ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力密度は１．６４Ｗ／ｃｍ２とした。ＩＴＯ膜の膜厚は１６０ｎｍとした。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは１．２ｎｍであった。【００３５】
（例２）
例１で得られたＩＴＯ膜付き基板をリニアイオンソース（アドバンストエナジー社製：ＬＩＳ−３８型、照射面積は５ｃｍ×３８ｃｍ）を用いてＡｒイオンエッチングした。リニアイオンソースにはＡｒガスを３０ｓｃｃｍ流し、別にリニアイオンソースを装着している真空チャンバーにＡｒガスを流して、全体の圧力を１．９ｍｍＴｏｒｒとした。リニアイオンソースの加速電圧は２ｋＶ、イオン電流を２１０ｍＡとした。この条件でアルゴンイオンビームを約４秒間ＩＴＯ膜に照射した（積算電力＝０．００２４Ｗ・ｈ）。
イオンエッチング処理後のＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは０．９ｎｍであった。【００３６】
（例３）
例１で得られたＩＴＯ膜付き基板をリニアイオンソース（アプライドイオンビーム社製：ＩＳ３３６型、照射面積は５ｃｍ×１０ｃｍ）を用いてＡｒイオンエッチングした。リニアイオンソースにはＡｒガスを３ｓｃｃｍ流し、チャンバ全体の圧力を０．２ｍｍＴｏｒｒとした。リニアイオンソースの加速電圧は３ｋＶ、イオン電流を４５ｍＡとした。この条件でアルゴンイオンビームを約４０秒間ＩＴＯ膜に照射した（積算電力＝０．００５Ｗ・ｈ）。
イオンエッチング処理後のＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは０．６ｎｍであった。【００３７】
（例４）
例１におけるＹ２Ｏ３添加ＺｒＯ２膜の代わりにＺｒＯ２膜を形成する以外は例１と同様にしてＩＴＯ膜付き基板を得た。
ＺｒＯ２膜はＲＦスパッタ法により成膜した。使用したスパッタターゲットの材質はＺｒであった。Ａｒ／Ｏ２の流量比は＝４０／１０、圧力は３ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力密度は２．７４Ｗ／ｃｍ２とした。ＺｒＯ２膜の膜厚は９ｎｍとした。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。
得られたＩＴＯ膜を例３と同様の方法によりＡｒイオンエッチングを施し、イオンエッチング処理後のＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは０．８ｎｍであった。【００３８】
（例５）（比較例）
例１におけるＹ２Ｏ３添加ＺｒＯ２膜の代わりにＺｒＯ２膜を形成する以外は例１と同様にしてＩＴＯ膜付き基板を得た。
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは１．９ｎｍであった。【００３９】
（例６）（比較例）
例１におけるＹ２Ｏ３添加ＺｒＯ２膜を形成しない以外は例１と同様にしてＩＴＯ膜付き基板を得た。
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは２．４ｎｍであった。【００４０】
（例７）
例１と同様にして、洗浄したソーダライムシリケートガラス基板の上にＳｉＯ２膜およびＹ２Ｏ３添加ＺｒＯ２膜をＲＦスパッタ法により成膜した。【００４１】
次に、下地膜の上に導電膜として、ＩＴＯ膜をＲＦスパッタ法により成膜した。使用したターゲットの材質は、１０質量％ＳｎＯ２（Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２の総量に対してＳｎＯ２の含有量が１０質量％）と９０質量％Ｉｎ２Ｏ３とからなるものであった。Ａｒ／Ｏ２の流量比は＝９９．５／０．５、圧力は５ｍＴｏｒｒ、スパッタ電力密度は１．６４Ｗ／ｃｍ２とした。基板温度は３８０℃とした。ＩＴＯ膜の膜厚は１５０ｎｍとした。形成された膜の組成はターゲットと同等であった。
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは１．５ｎｍであった。【００４２】
（例８）
例７におけるＩＴＯ膜の膜厚を１５０ｎｍから１００ｎｍに変更した以外は例７と同様にして、ＩＴＯ膜付き基板を得た。【００４３】
このＩＴＯ膜付き基板を例２と同様の条件でＡｒイオンエッチングした。さらにこの上から例７と同様の条件でＩＴＯ膜を成膜し、全体でＩＴＯ膜の膜厚を１５０ｎｍとした。
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは１．４ｎｍであった。【００４４】
（例９）
例７におけるＩＴＯ膜の膜厚を１５０ｎｍから１００ｎｍに変更した以外は例７と同様にして、ＩＴＯ膜付き基板を得た。【００４５】
このＩＴＯ膜付き基板を例２と同様の条件でＡｒイオンエッチングした。さらにこの上から例７と同様の条件でＩＴＯ膜を成膜し、その後、このＩＴＯ膜付き基板を例２と同様の条件でＡｒイオンエッチングし、全体でＩＴＯ膜の膜厚を１５０ｎｍとした。【００４６】
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは０．９ｎｍであった。【００４７】
（例１０）
例７におけるＩＴＯ膜の膜厚を１５０ｎｍから１００ｎｍに変更した以外は例７と同様にして、ＩＴＯ膜付き基板を得た。【００４８】
このＩＴＯ膜付き基板を例３と同様の条件でＡｒイオンエッチングした。さらにこの上から例７と同様の条件でＩＴＯ膜を成膜し、その後、このＩＴＯ膜付き基板を例３と同様の条件でＡｒイオンエッチングし、全体でＩＴＯ膜の膜厚を１５０ｎｍとした。【００４９】
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さＲａを測定した。Ｒａは０．４ｎｍであった。【００５０】
なお、例１〜９までに得られたＩＴＯ膜付き基板のＪＩＳ−Ｒ３１０６（１９９８年）で定める可視光透過率は、どの例においても８５％以上であり、抵抗値は有機ＥＬ素子用として用いることが可能な程度にどの例も良好な値であった。
得られたＩＴＯ膜の平均表面粗さを、下地膜および導電膜の種類と併せて表１に示す。【００５１】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の導電膜付き基板は、表面の平滑性に優れるため、有機ＥＬ素子に特に有用である。
なお、２００４年１２月８日に出願された日本特許出願２００４−３５５２６５号および２００５年５月１０日に出願された日本特許出願２００５−１３７３２６号、の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【図１】
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【国際調査報告】
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