【事件の表示】
　特願２００９−１４０９４２「感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月１２日出願公開，特開２０１０−　３３０３１，請求項の数（１２）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，平成２１年６月１２日（優先権主張平成２０年６月３０日）の出願であって，平成２５年４月１１日付けで拒絶の理由が通知され，同年６月２４日に意見書及び手続補正書が提出され，平成２６年２月１９日付けで拒絶の理由が通知され，同年４月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年１０月１７日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がなされた。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，平成２７年１月２８日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２８年１月２１日付けで拒絶の理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，同年４月２６日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１２に係る発明は，平成２８年４月２６日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものと認められるところ，本願の請求項１に係る発明は次のとおりである。
「（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と，（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物と，樹脂（Ａ）とは異なる（ＨＲ）疎水性樹脂とを含有する感光性組成物であって，
　　樹脂（Ａ）が，画像形成感度における酸分解率が互いに異なる酸分解基を有する２種以上の繰り返し単位を含み，
　　酸分解基を有する２種以上の前記繰り返し単位のうち，少なくとも２種の繰り返し単位は，下記一般式（ＡＩ−１）で表される繰り返し単位及び下記一般式（ＡＩ−２）で表される繰り返し単位であるとともに，
　　更に，下記一般式（１）により表される少なくとも１種の繰り返し単位を含み，
　　樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位のうち，少なくとも２種の繰り返し単位は，各々が有する酸分解基の画像形成感度における酸分解率において，一方の酸分解率が他方の酸分率の１．３倍以上の関係を有することを特徴とする感光性組成物。但し，下記樹脂Ａ４，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物，下記樹脂Ａ５，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物，及び，下記樹脂Ａ６，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物を除く。
　　【化１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　
　一般式（ＡＩ−１）中，
　Ｘａ１は，水素原子，メチル基，トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
　Ｔは，単結合を表す。
　Ｒｘ１及びＲｘ２は，それぞれ独立に，直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表す。
　Ｒｘ３は，多環のシクロアルキル基を表す。
　　【化２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　一般式（ＡＩ−２）中，
　Ｘａ１は，水素原子，メチル基，トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
　Ｔは，単結合を表す。
　Ｒｘ１は，直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表す。
　Ｒｘ２及びＲｘ３は，結合して，単環のシクロアルキル基を形成する。
　　【化３】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　一般式（１）に於いて，
　Ｒは，水素原子，又は置換基を有してよいアルキル基を表す。
　Ａは，
　　【化４】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
を表す。
　Ｒ０は，複数個ある場合にはそれぞれ独立に，置換基を有してよいアルキレン基，置換基を有してよい環状アルキレン基，又はその組み合わせを表す。
　Ｚは，複数個ある場合にはそれぞれ独立に，エーテル結合，エステル結合，アミド結合，ウレタン結合，又はウレア結合を表す。
　Ｌは，ラクトン構造を有する置換基を表す。
　ｎは，繰り返し数であり，１〜５の整数を表す。
　　【化５】
　　【化６】
」（以下，「本願発明」という。）
第３　原査定の拒絶の理由について
１　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は，概略次のとおりである。
　本願の請求項１ないし７，１０，１４（平成２６年４月２８日提出の手続補正書による補正前の請求項１ないし７，１０，１４）に係る発明は，優先権主張の日（以下，「優先日」という。）より前の特許出願であって，優先日より後に出願公開がされた下記引用先願の願書に最初に添付された明細書又は特許請求の範囲（以下，それぞれを「当初明細書」及び「当初特許請求の範囲」といい，両者を総称して「当初明細書等」という。）に記載された発明と同一であり，しかも，本願の発明者が引用先願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，また本願の出願時において，その出願人が上記引用先願の出願人と同一でもないので，特許法２９条の２の規定により，特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用先願：特願２００８−１９０２７号（特開２００８−２０９９１７号）
　本願の請求項１ないし７，１０，１４に係る発明と引用先願の当初明細書等に記載された発明を対比すると，両者は，「本願の請求項１ないし７，１０，１４に係る発明の感光性組成物は樹脂（Ａ）とは異なる（ＨＲ）疎水性樹脂を含有するのに対し，引用先願の当初明細書等に記載された発明の感光性組成物には，当該疎水性樹脂に相当するものが含まれない点。」で相違するが，引用先願の当初明細書等に記載された発明の属する技術分野において，感光性組成物に疎水性樹脂を用いること，特に液浸露光リソグラフィを行う際に疎水性樹脂を用いることは，優先日当時において周知の事項であり，また，引用先願の当初明細書の【０２８８】には，感光性組成物を液浸露光リソグラフィに用いることが記載されているから，前記相違点は，周知技術，慣用技術の付加，削除，転換等であって，しかも新たな効果を奏するものでない。
　したがって，本願の請求項１ないし７，１０，１４に係る発明と引用先願の当初明細書等に記載された発明は実質的に同一発明である。
２　原査定の理由についての当審の判断
（１）引用先願の当初明細書等の記載
　引用先願の当初明細書等には，次の記載がある。（下線は，後述する引用先願発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
　ア　「【請求項１】
　
それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが，酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂
さらに，式（II）又は式（III）で表される酸発生剤を少なくとも２種以上含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
（式（Ｉ）中，Ｒ１は，水素原子又はメチル基を表す。
環Ｘは，環内にエステル結合を含む炭素数３〜３０の置換されていてもよい環状炭化水素基を表す。
ｋは，１〜４の整数を表す。）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式（II）中，Ｒ２１は，炭素数１〜３０の置換されていてもよい炭化水素基を表す。ただし，該炭化水素基に含まれるメチレン基は，任意に，カルボニル基，酸素原子に置換されていてもよい。
Ａ＋は，有機対イオンを表す。
Ｙ１及びＹ２は，互いに独立に，フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（式（III）中，Ｒ２３は，炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のペルフルオロアルキル基を表す。
Ａ＋は，有機対イオンを表す。式（III）におけるＡ＋は，式（II）におけるＡ＋と同一でも異なっていてもよい。）」
　イ　「【技術分野】
　【０００１】
　本発明は，半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物に関する。
【背景技術】
　【０００２】
　リソグラフィ技術を用いた半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物は，露光により酸を発生する化合物からなる酸発生剤を含有してなる。
　半導体の微細加工においては，より高い解像度でパターンを形成することが望ましく，化学増幅型レジスト組成物としては，より高い解像度と良好なラインエッジラフネスを示すものが求められている。
　【０００３】
　最近，メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル，メタクリル酸３−ヒドロキシ−１−アダマンチル，及びα−メタクリロイロキシ−γ−ブチロラクトンを，５：２．５：２．５のモル比で仕込み，重合させてなる・・・（中略）・・・樹脂と，
・・・（中略）・・・
　【０００５】
トリフェニルスルホニウム　１−（（３−ヒドロキシアダマンチル）メトキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホナート・・・（中略）・・・からなる酸発生剤と，
・・・（中略）・・・
　【０００７】
２，６−ジイソプロピルアニリンからなるクエンチャーと溶剤とからなる化学増幅型ポジ型レジスト組成物が特許文献１に提案されている。
　【０００８】
　　【特許文献１】特開２００６−２５７０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
　【０００９】
　しかしながら，特許文献１に記載された化学増幅型ポジ型レジスト組成物では，その解像度を維持したまま，ラインエッジラフネスを良好にするにはまだ改良の余地があった。本発明の目的は，高い解像度を維持したまま良好なラインエッジラフネスを与える化学増幅型レジスト組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
　【００１０】
　そこで本発明者らは，上記課題を解決するために鋭意検討した結果，本発明を完成させるに至った。
　【００１１】
　すなわち本発明は，それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが，酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂であって，酸に不安定な基を側鎖に有する構造単位を含有し，さらに式（Ｉ）で表されるラクトン構造を側鎖に有する構造単位を含有する樹脂を含有し，さらに，式（II）又は式（III）で表される酸発生剤を少なくとも２種以上含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物を提供する。
・・・（中略）・・・
【発明の効果】
　【００１８】
　本発明の化学増幅型レジスト組成物は，優れた解像度と良好なラインエッジラフネスとを与える化学増幅型レジスト組成物を製造することができるので，本発明は工業的に有用である。」
　ウ　「【実施例】
　【０１９７】
　以下，本発明を実施例によって詳細に説明するが，本発明はこれらに限定されるものではない。
　実施例及び比較例中，含有量ないし使用量を表す％及び部は，特記ないかぎり質量基準である。また重量平均分子量は，ポリスチレンを標準品として，ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（東ソー株式会社製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型，カラムはＴＳＫｇｅｌ　Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ　ＨＸＬ−Ｍ３本，溶媒はテトラヒドロフラン）により求めた値である。
　また，化合物の構造はＮＭＲ（日本電子製ＧＸ−２７０型又はＥＸ−２７０型），質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型，ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型又はＬＣ／ＭＳＤ　ＴＯＦ型）で確認した。
・・・（中略）・・・
　【０２６８】
合成例１
〔樹脂Ａ１の合成〕
・・・（中略）・・・この共重合体は，
次式の各構造単位を有するものであり
　【０２６９】
・・・（中略）・・・
　【０２７４】
　合成例４
〔樹脂Ａ４の合成〕
　温度計，還流管を装着した４つ口フラスコに１，４−ジオキサン７７．２４部を仕込み，窒素ガスで３０分間バブリングを行った。窒素シール下で７４℃まで昇温した後，上記式で表されるモノマーＡ４５．００部，モノマーＥ８．３７部，モノマーＢ１０．０７部，モノマーＣ５０．７８部，モノマーＤ１４．５１部，アゾビスイソブチロニトリル０．８８部，アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３．９７部，１，４−ジオキサン１１５．８６部を混合した溶液を，７４℃を保ったまま２時間かけて滴下した。滴下終了後７４℃で５時間保温した。冷却後，１，４−ジオキサン１４１．６１部で希釈し，その反応液をメタノール１３３９部，イオン交換水３３５部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ，析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール８３７部の液に投入し攪拌後濾過を行った。得られた濾過物を同様の液に投入，攪拌，濾過の操作を，更に２回行った。その後減圧乾燥を行い，樹脂９６．４部を得た。この樹脂をＡ４とする。収率：７５％，Ｍｗ：８９２４，Ｍｗ／Ｍｎ：１．８７。
　【０２７５】
・・・（中略）・・・
　【０２８０】
実施例１〜１７，比較例１〜５
　以下の
各成分を混合して溶解し，さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過して，レジスト液を調製した
　【０２８１】
＜酸発生剤＞
　【０２８２】
・・・（中略）・・・
　【０２８３】
・・・（中略）・・・
＜樹脂＞
種類は，表１に記載：計１０部
＜
クエンチャー
　
Ｑ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜
溶剤
　
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート　　　１４５部
　
２−ヘプタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０．０部
　
プロピレングリコールモノメチルエーテル　　　　　　　２０．０部
　
γ−ブチロラクトン　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．５部
　【０２８４】
　シリコンウェハーに，有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して，２０５℃，６０秒の条件でベークすることによって，厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させた。次いで，前記の有機反射防止膜の上に，上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０．１５μｍとなるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は，ダイレクトホットプレート上にて，表１の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに，ＡｒＦエキシマステッパー〔ＦＰＡ５０００−ＡＳ３；（株）キャノン製，NA=0.75　2/3Annular〕用いて，露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
　露光後は，ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い，さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
　有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し，その結果を表２に示した。なお，ここでいうダークフィールドパターンとは，外側にクロム層（遮光層）をベースとしてライン状にガラス面（透光部）が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ，したがって露光現像後は，ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。
　【０２８５】
　実効感度：１００ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で示した。
　ラインエッジラフネス評価（ＬＥＲ）：リソグラフィプロセス後のレジストパターンの壁面を走査型電子顕微鏡で観察し，比較例４を基準（△で表記）とし，これよりも滑らかになっているものを○，変化の無いものを△，悪化しているものを×として判断した。
　【０２８６】
〔表１〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例　No.　　　樹脂　　　　酸発生剤　　　クエンチャー　　ＰＢ／ＰＥＢ
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例１　　A1/10部　 B1/B3=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例２　　A1/10部　 B1/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例３　　A1/10部　 B1/C2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例４　　A1/10部　 B1/C1=0.40/0.08部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例５　　A3/10部　 B1/B3=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例６　　A3/10部　 B1/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例７　　A3/10部　 B4/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例８　　A3/10部　 B5/B2=0.36/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例９　　A3/10部　 B6/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例１０　A3/10部　 B7/B2=0.43/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例１１　A3/10部　 B8/B2=0.45/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例１２　A3/10部　 B9/B2=0.45/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例１３　A3/10部　 B10/B2=0.73/0.30部　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例１４　A3/10部　 B11/B2=0.61/0.30部　Q1/0.065部　　100℃/105℃
実施例１５　A4/10部　 B1/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/95℃
実施例１６　A5/10部　 B1/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/90℃
実施例１７　A6/10部　 B1/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/95℃
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
比較例１　　A2/10部　 B1/B2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
比較例２　　A2/10部　 B1/C2=0.40/0.30部 　Q1/0.065部　　100℃/105℃
比較例３　　A1/10部　　　　C1=0.4部　　　 Q1/0.065部　　100℃/105℃
比較例４　　A1/10部　　　　B1=0.5部　　　 Q1/0.065部　　100℃/105℃
比較例５　　A1/10部　　　　B2=1.5部　　　 Q1/0.065部　　100℃/105℃
比較例６　　A3/10部　　　　B4=0.51部　　　Q1/0.065部　　100℃/105℃
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
　【０２８７】
〔表２〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例　No.　　実効感度　　　解像度　　　ＬＥＲ
　　　　　　(mJ/cm2) 　　 (ｎｍ)
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例１　　３１　　　　　９０　　　　○
実施例２　　２８　　　　　９０　　　　○
実施例３　　２６　　　　　９０　　　　○
実施例４　　２６　　　　　９０　　　　○
実施例５　　３７　　　　　９０　　　　○
実施例６　　３３　　　　　９０　　　　○
実施例７　　３７　　　　　９０　　　　○
実施例８　　２９　　　　　９０　　　　○
実施例９　　３０　　　　　９０　　　　○
実施例１０　２７　　　　　９０　　　　○
実施例１１　２４　　　　　９０　　　　○
実施例１２　２５　　　　　９０　　　　○
実施例１３　２７　　　　　９０　　　　○
実施例１４　３５　　　　　９０　　　　○
実施例１５　４３　　　　　９０　　　　○
実施例１６　３９　　　　　９０　　　　○
実施例１７　４２　　　　　９０　　　　○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
比較例１　　５３　　　　　９０　　　　×
比較例２　　４４　　　　　９０　　　　×
比較例３　　２１　　　　　９５　　　　○
比較例４　　２９　　　　　９０　　　　△
比較例５　　３４　　　　１００　　　　○
比較例６　　３９　　　　　９０　　　　△
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━」
（２）引用先願の当初明細書等に記載された発明
　引用先願の当初明細書の【０２６８】の「この共重合体は，次式の各構造単位を有するものであり，これを樹脂Ａ１とする。」という樹脂Ａ１についての記載に照らせば，【０２７５】に記載された各構造単位が，【０２７４】に記載された樹脂Ａ４が有する構造単位を表していることは明らかであるところ，前記（１）アないしウの記載から，引用先願の当初明細書等に，実施例１５のレジスト液に対応する発明として，次の発明が記載されていると認められる。
「樹脂Ａ４を１０部，酸発生剤Ｂ１を０．４０部，酸発生剤Ｂ２を０．３０部，クエンチャーＱ１を０．０６５部を混合して溶解し，さらに孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することによって，調製したレジスト液であって，
　樹脂Ａ４は，それ自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが，酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となるものであり，かつ，次式の各構造単位を有するものであり，
　酸発生剤Ｂ１及びＢ２は，次の式で表されるものであり，
　クエンチャーＱ１は，２，６−ジイソプロピルアニリンであり，
　溶剤として，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：１４５部と，２−ヘプタノン：２０．０部と，プロピレングリコールモノメチルエーテル：２０．０部と，γ−ブチロラクトン：３．５部とを用いたレジスト液。
［樹脂Ａ４の構造単位］
［酸発生剤Ｂ１及びＢ２］
」（以下，「引用先願発明」という。）
（３）対比・判断
　ア　本願発明について
（ア）　引用先願発明のレジスト液中の含有成分である「樹脂Ａ４」，「酸発生剤Ｂ１」，「酸発生剤Ｂ２」，「クエンチャーＱ１」，溶剤である「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」，溶剤である「２−ヘプタノン」，溶剤である「プロピレングリコールモノメチルエーテル」，及び，溶剤である「γ−ブチロラクトン」が，本願発明において「除く」とされている「下記樹脂Ａ４，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物」中の含有成分である「樹脂Ａ４」，「化合物（Ｂ１）」，「化合物（Ｂ２）」，「２，６−ジイソプロピルアニリン」，「プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート」，「２−ヘプタノン」，「プロピレングリコールモノメチルエーテル」，及び，「γ−ブチロラクトン」にそれぞれ相当するから，引用先願発明は，本願発明において「除く」とされている「下記樹脂Ａ４，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物」に他ならない。
　したがって，本願発明と引用先願発明は同一発明ではない。
（イ）　また，引用先願の当初明細書等における実施例１５のレジスト液以外についての記載をみても，レジスト液に含有させる樹脂について，本願発明の「一般式（ＡＩ−２）で表される繰り返し単位」や「一般式（１）で表される繰り返し単位」に該当する「構造単位」を有することについての記載はあるものの，本願発明の「一般式（ＡＩ−１）で表される繰り返し単位」に該当する「構造単位」を有することについての記載も示唆もない。
（ウ）　前記（ア）及び（イ）のとおりであるから，本願発明は，引用先願の当初明細書等に記載された発明でない。
　イ　本願の請求項２ないし１２は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているところ，本願発明が引用先願の当初明細書等に記載された発明でない以上，請求項１に記載された発明特定事項を全て含み，さらに限定を付加したものに相当する請求項２ないし１２に係る発明は，いずれも引用先願の当初明細書等に記載された発明ではない。
（４）小括
　前記（３）ア及びイのとおりであって，本願の請求項１ないし１２に係る発明は，いずれも引用先願の当初明細書等に記載された発明ではないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は，概略，
本願の請求項１ないし３，５ないし１４（平成２７年１月２８日提出の手続補正書による補正前の請求項１ないし３，５ないし１４）に係る発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて，又は引用例３及び周知技術に基づいて，優先日より前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり，本願の請求項４（平成２７年１月２８日提出の手続補正書による補正前の請求項４）に係る発明は，引用例１に記載された発明，引用例２に記載された技術及び周知技術に基いて，又は引用例３に記載された発明，引用例２に記載された技術及び周知技術に基づいて，優先日より前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，
というものである。 
　当審拒絶理由で引用された引用例１ないし３は次のとおりである。
引用例１：中国特許出願公開第１０１２０６４０５号明細書
引用例２：特許第４０９０７７３号公報
引用例３：特開２００５−３５２４６６号公報
２　引用例
（１）引用例１
　ア　引用例１の記載
　引用例１は，本願の優先日より前に頒布された刊行物であるところ，当該引用例１には，次の記載がある。（下線は，後述する引用例１発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）　「
」（特許請求の範囲１ページ１ないし下から３行）
［日本語訳］
「１．次の成分を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
　
酸に不安定な基を有する構造単位を含有
する樹脂
式（Ｉ）中，Ｒ１は，水素原子又はメチル基を表し，環Ｘは，環内の少なくとも１つの−ＣＨ２−が−ＣＯＯ−に置換された炭素数３〜３０の置換されていてもよい環状炭化水素基を表し，ただし，該環状炭化水素基の環内の少なくとも１つの−ＣＨ２−が−ＣＯＯ−に置換されたものであり，ｐは，１〜４の整数を表し，当該
樹脂自身はアルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが，酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂
　
式（ＩＩ）で表される塩
式（ＩＩ）中，Ｙ１及びＹ２は，互いに独立に，フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し，Ａ＋は，有機対イオンを表し，Ｒ２１は，炭素数１〜３０の置換されていてもよい炭化水素基を表し，ただし，該炭化水素基に含まれる少なくとも１つの−ＣＨ２−が−ＣＯ−又は−Ｏ−に置換されたものである。」
（イ）　「
・・・（中略）・・・
」（明細書１ページ２行ないし２ページ３行）
［日本語訳］
「技術分野
　本発明は
化学増幅型レジスト組成物
背景技術
　リソグラフィ技術を用いた半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物は，
露光により酸を発生する酸発生剤を含有
　半導体の微細加工においては，高い解像度でパターンを形成することが望ましく，化学増幅型レジスト組成物としては，優れた解像度を示すものが求められている。
・・・（中略）・・・
発明の開示
　本発明の目的は，より優れた解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を提供することにある。」
（ウ）　「
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
」（明細書８ページ４行ないし７３ページ下から２行）
［日本語訳］
「発明を実施するための最良の形態
　本発明の化学増幅型レジスト組成物は次の成分を含有する：
酸に不安定な基を有する構造単位を含有し，
アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが，酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂
・・・（中略）・・・
　酸に不安定な基を有する構造単位としては，式（ＩＩＩａ）又は（ＩＩＩｂ）で表わされる構造単位が好ましい。
　式（ＩＩＩａ）中，Ｒ２は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ３は直鎖又は分岐の炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表す。Ｒ３は直鎖又は分岐の炭素数１〜８のアルキル基が好ましい。
・・・（中略）・・・
　式（ＩＩＩａ）中，Ｒ４はメチル基を表し，ｎは０〜１４の整数を表し，Ｚ１は単結合又は−（ＣＨ２）ｒ−ＣＯＯ−を表し，ｒは１〜４の整数を表す。ｎは０又は１が好ましい。，Ｚ１は単結合又は−ＣＨ２−ＣＯＯ−が好ましく，単結合が最も好ましい。
　式（ＩＩＩｂ）中，Ｒ５は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ６は直鎖又は分岐の炭素数１〜８のアルキル基又は炭素数３〜８のシクロアルキル基を表す。
・・・（中略）・・・
　式（ＩＩＩｂ）中，ｑは１〜３の整数を表し，Ｚ２は単結合又は−（ＣＨ２）ｓ−ＣＯＯ−を表し，ｓは１〜４の整数を表す。ｓは０又は１が好ましい。Ｚ２は単結合又は−ＣＨ２−ＣＯＯ−が好ましく，単結合が最も好ましい。
・・・（中略）・・・
　酸に不安定な基を有する構造単位として，式（ＩＩＩａ）又は（ＩＩＩｂ）で表わされる構造単位もまた好ましい。
式中，Ｒ３０は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ３１は炭素数１〜６のアルキル基を表し，Ｒ３２は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し，ｄは０〜３の整数を表し，ｄが２又は３のときは，Ｒ３２は互いに同一でも異なってもよく，Ｒ３３は水素原子又はメチル基を表し，Ｒ３４は炭素数１〜６のアルキル基を表し，Ｒ３５は炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表し，ｅは０〜３の整数を表し，ｅが２又は３のときは，Ｒ３５は互いに同一でも異なってもよい。
・・・（中略）・・・
　樹脂は，１個の酸に不安定な基を有する構造単位を含有することができ，２種類又は更に多種の酸に不安定な基を有する構造単位を含有することができる。
・・・（中略）・・・
　次に，式（ＩＩ）で表される塩（以下塩（ＩＩ）と略称する）を説明する：
・・・（中略）・・・
　
塩（ＩＩ）は通常酸発生剤として用いられ
酸が樹脂中の酸に不安定な基に作用して，酸に不安定な基を破断させ，アルカリ水溶液に可溶となるように変化させる
・・・（中略）・・・
　本発明のレジスト組成物に，クエンチャとして，塩基性有機化合物，特に塩基性窒素含有有機化合物を添加することによって，
露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を防止する
（エ）　「
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
・・・（中略）・・・
」（明細書８７ページ１２行ないし９６ページ）
［日本語訳］
「下記の樹脂の合成の実施例に用いたモノマーは，下記のモノマーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５及びＭ６である。
・・・（中略）・・・
樹脂の合成の実施例４
　温度計，還流管を装着した４つ口フラスコに１，４−ジオキサン７７．２４部を仕込み，窒素ガスで３０分間バブリングを行った。窒素シール下で７４℃まで昇温した後，上記の図で示されるモノマーＡ　４５．００部，Ｅ　８．３７部，モノマーＢ　１０．０７部，Ｃ　５０．７８部，モノマーＤ　１４．５１部，アゾビスイソブチロニトリル０．８８部，アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３．９７部，１，４−ジオキサン１１５．８６部を混合した溶液を，７４℃を保ったまま２時間かけて滴下した。滴下終了後７４℃で５時間保温した。冷却後，１，４−ジオキサン１４１．６１部で希釈し，その反応液をメタノール１３３９部，イオン交換水３３５部の混合液中へ攪拌しながら注ぎ，析出した樹脂を濾取した。濾物をメタノール８３７部の液に投入し攪拌後濾過を行い，得られた濾過物を同様の液に投入，攪拌，濾過の操作を，更に２回行った後，減圧乾燥を行うことによって，７５％の収率で９６．４部の共重合体を得た。この共重合体のＭｗ（重量平均分子量）は８９２４，Ｍｗ（重量平均分子量）／Ｍｎ（数平均分子量）は１．８７であった。この共重合体は
次式の構造単位を有する
樹脂Ａ４
・・・（中略）・・・
実施例１〜１３及び比較例１〜２
 ＜酸発生剤＞
酸発生剤Ｂ１
・・・（中略）・・・
＜樹脂＞
種類は，Ａ１ないしＡ６
＜
クエンチャー
Ｑ１：２，６−ジイソプロピルアニリン
＜
溶剤
Ｙ１
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート　　１４５部
　　　
２−ヘプタノン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２０．０部
　　　
プロピレングリコールモノメチルエーテル　　　　　　　２０．０部
　　　
γ−ブチロラクトン　　　　　　　　　　　　　　　　　３．５部
　シリコンウェハーに日産化学社製の有機反射防止膜用組成物である“ＡＲＣ−２９”を塗布して２０５℃，６０秒の条件でベークすることによって厚さ７８０Åの有機反射防止膜を形成させ，次いでこの上に，上記の
レジスト液
　露光後は，ホットプレート上にて表１の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い，さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
　有機反射防止膜基板上のもので現像後のダークフィールドパターンを走査型電子顕微鏡で観察し，その結果を表２に示した。なお，ここでいうダークフィールドパターンとは，外側にクロム層（遮光層）をベースとしてライン状にガラス面（透光部）が形成されたレチクルを介した露光及び現像によって得られ，したがって露光現像後は，ラインアンドスペースパターンの周囲のレジスト層が残されるパターンである。
　実効感度：１００ｎｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で表示した。
　解像度：実効感度の露光量で線パターンに分けられるスペースパターンの最小寸法で表示した。
」
　イ　引用例１に記載された発明
　前記ア（ア）ないし（エ）の記載から，引用例１に，実施例１１のレジスト液に対応する発明として，次の発明が記載されていると認められる。
「酸に不安定な基を有する構造単位を含有し，アルカリ水溶液に不溶又は難溶であるが，酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と，
　露光により酸を発生することで，前記酸に不安定な基を破断させ，アルカリ水溶液に可溶となるように変化させる酸発生剤と，
　露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を防止するためのクエンチャーと，
　溶剤とからなる化学増幅型レジスト組成物であって，
　前記樹脂として，次式の各構造単位を有する樹脂Ａ４を１０部用い，
　前記酸発生剤として，次式で表される酸発生剤Ｂ１を０．５０部用い，
　クエンチャーとして，２，６−ジイソプロピルアニリンを０．０６５部用い，
　溶剤として，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート：１４５部と，２−ヘプタノン：２０．０部と，プロピレングリコールモノメチルエーテル：２０．０部と，γ−ブチロラクトン：３．５部とを用いた
　化学増幅型レジスト組成物。
［樹脂Ａ４の構造単位］
［酸発生剤Ｂ１］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」（以下，「引用例１発明」という。）
（２）引用例２の記載
　引用例２は，本願の優先日より前に頒布された刊行物であるところ，当該引用例２には，次の記載がある。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，超ＬＳＩや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケ−ションプロセスに使用するポジ型レジスト組成物に関するものである。
・・・（中略）・・・・
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従って，本発明の目的は，遠紫外光，特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる，高感度であり，疎密依存性が小さく，エッチング時の表面荒れが少ないポジ型レジスト組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は，ポジ型化学増幅系レジスト組成物の構成材料を鋭意検討した結果，特定の酸分解性樹脂を用いることにより，本発明の目的が達成されることを見出し本発明に至った。
即ち，上記目的は下記構成によって達成される。
【０００９】
（１）（Ａ）脂肪族環状炭化水素基を側鎖に有し，酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂として，下記一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位と一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を含有する樹脂，（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物，及び（Ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【００１０】
【化２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
【００１１】
　式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）中，Ｒ１は独立に水素原子又はアルキル基を表し，Ａは単結合または連結基を表す。
　式（Ｉａ）中，Ｒ１１は炭素数１〜４のアルキル基を表し，Ｚは炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
　式（Ｉｂ）中，Ｒ１２〜Ｒ１４は，各々独立に炭化水素基を表し，但し，Ｒ１２〜Ｒ１４のうち少なくとも１つは炭素数５以上の脂環式炭化水素基を表す。」
　イ　「【０１６５】
【実施例】
以下，本発明を実施例によって更に具体的に説明するが，本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１６６】
樹脂（１）の合成
　２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート，２−アダマンチル−２−プロピルメタクリレート，ブチロラクトンメタクリレート，メタクリル酸を２５／２５／４０／１０の割合で仕込みメチルイソブチルケトンに溶解し，固形分濃度３０％の溶液１００ｍＬを調製した。この溶液に和光純薬製Ｖ−６０１を４ｍｏｌ％加え，これを窒素雰囲気下，４時間かけて８０℃に加熱したメチルイソブチルケトン１０ｍＬに滴下した。滴下終了後，反応液を４時間加熱攪拌した。反応終了後，反応液を室温まで冷却し，蒸留水／ＩＳＯプロピルアルコール＝１／１の混合溶媒１Ｌに晶析，析出した白色粉体をメタノール１Ｌで洗浄し，目的物である樹脂（１）を回収した。
　Ｃ１３ＮＭＲから求めたポリマー組成比は２２／２７／３９／１２であった。また，ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は８７００であった。
　上記合成例と同様の操作で下表に示す組成比，分子量の樹脂を合成した。（繰り返し単位１，２，３，４は構造式の左からの順番を示す）
【０１６７】
【表１】
【０１６８】
また，以下に上記樹脂（１）〜（１８）の構造を示す。
【０１６９】
【化６４】
【０１７０】
【化６５】
【０１７１】
【化６６】
【０１７２】
【化６７】
【０１７３】
【化６８】
【０１７４】
実施例１〜１８及び比較例１
（ポジ型レジスト組成物組成物の調製と評価）
上記合成例で合成した表２に示す各成分を配合し，それぞれ固形分１４重量％の割合でプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解した後，０．１μｍのミクロフィルターで濾過し，実施例１〜１８と比較例１のポジ型レジスト組成物を調製した。
【０１７５】
【表２】
【０１７６】
界面活性剤としては，
Ｗ１：メガファックＦ１７６（大日本インキ（株）製）（フッ素系）
Ｗ２：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製）（フッ素及びシリコーン系）
Ｗ３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）
Ｗ４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
Ｗ５：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）
を表す。
【０１７７】
アミンとしては，
１は，１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−５−ノネン（ＤＢＮ）を表し，２は，ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲート３は，トリｎ−ブチルアミン
４は，トリフェニルイミダゾール
５は，アンチピリン
６は，２，６−ジイソプロピルアニリン
を表す。
比較樹脂Ｒ：特開平１１−１１９４３４号の実施例に準じて合成した２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート／メバロニックラクトンメタクリレート／ｔ−ブチルメタクリレート（モル比５０／３０／２０）
【０１７８】
初めに　Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社製ＡＲ−１９をスピンコーターを利用してシリコンウエハー上に８５ｎｍ塗布，乾燥した後，その上に得られたポジ型フォトレジスト組成物を塗布し，１４０℃で９０秒間乾燥，約０．４μｍのポジ型フォトレジスト膜を作成し，それにＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ，ＮＡ＝０．６のＩＳＩ社製ＡｒＦステッパー）で１／２ピッチのコンタクトホールパターン（マスクサイズ０．１５ミクロン）により露光量を変化させながら露光した。露光後の加熱処理を１２０℃で９０秒間行い，２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像，蒸留水でリンスし，レジストパターンプロファイルを得た。
このようにして得られたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型顕微鏡で観察し，レジストを下記のように評価した。
【０１７９】
〔感度〕：　直径０．１５μｍのコンタクトホールを再現する最小露光量を感度とし，実施例１のレジスト露光量を１．０としたときの相対露光量を相対感度（他のレジストの露光量／実施例１の露光量）として表現した。
【０１８０】
〔疎密依存性〕：　０．１５μｍのコンタクトホール（密パターン　ピッチ１／２）と孤立コンタクトホールパターン（疎パターン　ピッチ１／１０）において，それぞれ０．１５μｍ±１０％を許容する焦点深度の重なり範囲を求めた。この範囲が大きいほどが良好なことを示す。
〔エッチング時表面荒れ〕：　０．１５μｍのコンタクトホールパターンをＣＨＦ３／Ｏ２＝８／２プラズマで６０秒間エッチングを行い，得られたサンプルの断面，及び表面をＳＥＭで観察し，ピンホール状の欠陥（非加工予定部位の下層がエッチングされてしまう）を生じるものを×，表面荒れは生じたが欠陥は生じず，但し，ホールの変形があるものを△，表面荒れが小さく，ホールの変形のない良好なものを○とした。
【０１８１】
【表３】
【０１８２】
表３の結果から明らかなように，本発明のポジ型レジスト組成物は，高感度であり，疎密依存性及びエッチング時の表面荒れが小さく，優れていることが判る。」
３　当審拒絶理由についての当審の判断
（１）本願発明について
　ア　引用例１を主引例としたときの進歩性の有無について
（ア）対比
　ａ　引用例１発明の「酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂」，「『露光により酸を発生』する『酸発生剤』」及び「化学増幅型レジスト組成物」は，本願発明の「（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂」，「（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物」及び「感光性組成物」にそれぞれ相当するから，引用例１発明の「化学増幅型レジスト組成物」と本願発明の「感光性組成物」は，「（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と，（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感光性組成物」である点で共通する。
　ｂ（ａ）　引用例１発明における樹脂Ａ４の左から一番目の構造単位は本願明細書に記載された実施例で用いている樹脂中の繰り返し単位Ｍと同一の構造単位であり，引用例１発明における樹脂Ａ４の右から一番目の構造単位は本願明細書に記載された実施例で用いている樹脂中の繰り返し単位Ｊと同一の構造単位であるから，これらの繰り返し単位の脱保護率差Ｍ／Ｊ（本願発明の「酸分解率」の比に相当する。）を，本願明細書の【０３４２】の【表２】に示された「Ｈ／Ｄ＝２．８」（実施例６），「Ｈ／Ｎ＝２．３」（実施例１１），「Ｊ／Ｄ＝１．４」（実施例１６）及び「Ｍ／Ｎ＝２．５」（実施例２０）という脱保護率差の値を用いて概算すると，約２．２（＝２．８／２．３／１．４×２．５）程度と推察される。
　したがって，引用例１発明の「樹脂Ａ４」は，本願発明における「樹脂（Ａ）」の「画像形成感度における酸分解率が互いに異なる酸分解基を有する２種以上の繰り返し単位を含み」という要件と，「少なくとも２種の繰り返し単位は，各々が有する酸分解基の画像形成感度における酸分解率において，一方の酸分解率が他方の酸分率の１．３倍以上の関係を有する」という要件を満足している。
（ｂ）　また，引用例１発明における「樹脂Ａ４」の構造単位のうち，右から一番目の構造単位は，本願発明の一般式（ＡＩ−２）において，Ｘａ１をメチル基とし，Ｒｘ１をエチル基（炭素数２の直鎖状のアルキル基）とし，Ｒｘ２及びＲｘ３を単環のシクロアルキル基とした構造単位に該当するから，引用例１発明の「樹脂Ａ４」と，本願発明の「樹脂（Ａ）」とは，「酸分解基を有する２種以上の前記繰り返し単位のうち，少なくとも１種の繰り返し単位は，下記一般式（ＡＩ−２）で表される繰り返し単位である」点で共通する。
（ｃ）　さらに，引用例１発明における「樹脂Ａ４」の構造単位のうち，左から３番目の構造単位は，本願発明の一般式（１）において，Ｒをメチル基（置換基を有していない炭素数１のアルキル基）とし，Ａをエステル結合（【化４】の右側）とし，Ｒ０をメチレン基（置換基を有していない炭素数１のアルキレン基）とし，Ｚをエステル結合とし，Ｌを
（ラクトン構造を有する置換基）とし，ｎを１とした構造単位に該当するから，引用例１発明の「樹脂Ａ４」は，本願発明における「樹脂（Ａ）」の「一般式（１）により表される少なくとも１種の繰り返し単位を含み」という要件を満足している。
（ｄ）　前記（ａ）ないし（ｃ）によれば，引用例１発明と本願発明とは，
「樹脂（Ａ）が，画像形成感度における酸分解率が互いに異なる酸分解基を有する２種以上の繰り返し単位を含み，
　　酸分解基を有する２種以上の前記繰り返し単位のうち，少なくとも１種の繰り返し単位は，下記一般式（ＡＩ−２）で表される繰り返し単位であるとともに，
　　更に，下記一般式（１）により表される少なくとも１種の繰り返し単位を含み，
　　樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位のうち，少なくとも２種の繰り返し単位は，各々が有する酸分解基の画像形成感度における酸分解率において，一方の酸分解率が他方の酸分率の１．３倍以上の関係を有する」
点で共通する。
　ｃ　引用例１発明は，本願発明がいうところの「化合物（Ｂ２）」を含有していないから，「下記樹脂Ａ４，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物」，「下記樹脂Ａ５，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物」及び「下記樹脂Ａ６，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物」のいずれにも，該当しない。
　したがって，引用例１発明と本願発明は，「但し，下記樹脂Ａ４，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物，下記樹脂Ａ５，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物，及び，下記樹脂Ａ６，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物を除く。」である点で一致する。
　ｄ　前記ａないしｃによれば，本願発明と引用例１発明とは，
「（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と，（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物とを含有する感光性組成物であって，
　　樹脂（Ａ）が，画像形成感度における酸分解率が互いに異なる酸分解基を有する２種以上の繰り返し単位を含み，
　　酸分解基を有する２種以上の前記繰り返し単位のうち，少なくとも１種の繰り返し単位は，下記一般式（ＡＩ−２）で表される繰り返し単位であるとともに，
　　更に，下記一般式（１）により表される少なくとも１種の繰り返し単位を含み，
　　樹脂（Ａ）に含まれる繰り返し単位のうち，少なくとも２種の繰り返し単位は，各々が有する酸分解基の画像形成感度における酸分解率において，一方の酸分解率が他方の酸分率の１．３倍以上の関係を有する感光性組成物。但し，下記樹脂Ａ４，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物，下記樹脂Ａ５，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物，及び，下記樹脂Ａ６，下記化合物（Ｂ１），下記化合物（Ｂ２），２，６−ジイソプロピルアニリン，プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート，２−ヘプタノン，プロピレングリコールモノメチルエーテル，及び，γ−ブチロラクトンを含有するレジスト組成物を除く。
　　【化２】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　一般式（ＡＩ−２）中，
　Ｘａ１は，水素原子，メチル基，トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
　Ｔは，単結合を表す。
　Ｒｘ１は，直鎖状若しくは分岐状のアルキル基を表す。
　Ｒｘ２及びＲｘ３は，結合して，単環のシクロアルキル基を形成する。
　　【化３】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　一般式（１）に於いて，
　Ｒは，水素原子，又は置換基を有してよいアルキル基を表す。
　Ａは，
　　【化４】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
を表す。
　Ｒ０は，複数個ある場合にはそれぞれ独立に，置換基を有してよいアルキレン基，置換基を有してよい環状アルキレン基，又はその組み合わせを表す。
　Ｚは，複数個ある場合にはそれぞれ独立に，エーテル結合，エステル結合，アミド結合，ウレタン結合，又はウレア結合を表す。
　Ｌは，ラクトン構造を有する置換基を表す。
　ｎは，繰り返し数であり，１〜５の整数を表す。
　　【化５】
　　【化６】
」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点１：
　本願発明は，「樹脂（Ａ）」とは異なる（ＨＲ）疎水性樹脂を含有しているのに対して，
　引用例１発明は，「樹脂Ａ４」とは異なる疎水性樹脂を含有していない点。
相違点２：
　本願発明では，「樹脂（Ａ）」が，一般式（ＡＩ−１）で表される繰り返し単位を含むのに対して，
　引用例１発明では，「樹脂Ａ４」が，一般式（ＡＩ−１）で表される繰り返し単位を含んでいない点。
（イ）容易想到性について
　まず，相違点２の容易想到性について，検討する。
　前記（２）ア及びイで摘記した記載によれば，引用例２には，（Ａ）一般式（Ｉａ）で表される繰り返し単位と一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位を含有する樹脂，（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物，及び（Ｃ）フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物とすると，高感度であり，疎密依存性が小さく，エッチング時の表面荒れが少ないものとすることができることが記載されていると認められるところ，引用例２に記載された実施例１ないし４，８，９，１１，１２，１４，１５ないし１８の樹脂における一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位は，　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
であって，当該繰り返し単位は本願発明の一般式（ＡＩ−１）で表される構造単位に該当する。
　しかしながら，引用例２に記載されたこれら実施例１ないし４，８，９，１１，１２，１４，１５ないし１８が含有する各繰り返し単位と，引用例１発明の樹脂Ａ４が含有する各構造単位とを比較すると，両者は，前述した一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位である　　　　　　　　
（引用例１発明は，当該繰り返し単位を含有していない。）以外にも，各繰り返し単位の多くが一致しないのであって，例え当業者といえども，引用例１発明の樹脂として，樹脂Ａ４が含有する各構造単位のうち，左から三番目の構造単位と右から一番目の構造単位に加えて，
という繰り返し単位をも含有する樹脂を採用することによって，高感度であり，疎密依存性が小さく，エッチング時の表面荒れが少ないものとすることができるという引用例２に記載されたような効果が得られると予想することが，容易であったということはできない。
　また，そもそも，引用例２に記載された一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位には，本願発明の一般式（ＡＩ−１）で表される構造単位以外の繰り返し単位も包含されるところ，このような一般式（Ｉｂ）で表される繰り返し単位の中から，特に，本願発明の一般式（ＡＩ−１）で表される構造単位のみを抽出し，引用例１発明において，樹脂として，樹脂Ａ４が含有する各構造単位のうち，左から三番目の構造単位と右から一番目の構造単位に加えて，本願発明の一般式（ＡＩ−１）で表される構造単位をも含有する樹脂を採用することに，動機付けが存在するとも認められない。
　そうすると，引用例１発明において，相違点２に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備させることは，例え当業者といえども，容易に想到し得たこととはいえないから，相違点１の容易想到性について検討するまでもなく，本願発明は，引用例１発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　イ　引用例３を主引例としたときの進歩性の有無について
　また，引用例３についても，本願発明の一般式（ＡＩ−２）で表される構造単位と，一般式（１）で表される構造単位とを含有する樹脂を用いた化学増幅型ポジ型レジスト組成物は記載されているものの，前記樹脂が，本願発明の一般式（ＡＩ−１）で表される構造単位を含有することは，記載も示唆もない。
　そして，前記アで示したのと同様の理由によって，例え，引用例２の記載をもってしても，引用例３に記載された化学増幅型ポジ型レジスト組成物において，樹脂中に本願発明の一般式（ＡＩ−１）で表される構造単位を含有させることが，容易に想到し得たこととはいえないから，本願発明は，引用例３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものともいえなくなった。
（２）請求項２ないし１２に係る発明の進歩性の有無について
　本願の請求項２ないし１２は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているところ，請求項１に係る発明が，引用例１発明又は引用例３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった以上，請求項１に記載された発明特定事項を全て含み，さらに限定を付加したものに相当する請求項２ないし１２に係る発明は，いずれも引用例１発明又は引用例３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
（３）小括
　以上のとおりであるから，当審拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。