【事件の表示】
　特願２０１３−１１７０３０「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月２９日出願公開、特開２０１３−１６８６８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月２７日に出願した特願２００２−３７９２７０号の一部を平成２０年１０月１７日に出願した特願２００８−２６８０８３号の一部を平成２３年８月５日に出願した特願２０１１−１７１７８１号の一部を平成２５年６月３日に新たな特許出願とするものであって、平成２６年６月１０日付け拒絶理由通知に対して同年８月１２日付けで手続補正がなされ、同年１２月１７日付けの最後の拒絶理由通知に対して平成２７年２月２０日付けで手続補正がなされたが、同年６月２９日付けで補正却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされた。これに対し、同年１０月１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年１０月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年１０月１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　平成２７年１０月１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、請求項１について、
本件補正前（平成２６年８月１２日付け手続補正）に、
「【請求項１】
　ステンレス基板（１）の一面側に、半導体素子（Ｓ）搭載用のアイランド部（２ａ）および上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と接続される電極部（２ｂ）を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層（６）を形成する工程と、
　上記ステンレス基板（１）の露出面に対し、実装用金属薄膜（１１）としてメッキ成長させるために、不活性膜を除去する工程と、
　上記ステンレス基板（１）の不活性膜を除去した露出面に、上記実装用金属薄膜（１１）をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜（１１）上に電鋳によりリード層（１２）を成長させ、上記実装用金属薄膜（１１）とこの上面に一体に積層される上記リード層（１２）の少なくとも二層構造から成る上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）を独立して形成する工程と、
　上記ステンレス基板（１）より上記レジストパターン層（６）を除去する工程と、
　上記アイランド部（２ａ）に上記半導体素子（Ｓ）を搭載した後、上記半導体素子（Ｓ）の上記電極（Ｌ）と上記電極部（２ｂ）とを電気的に接続する工程と、
　上記ステンレス基板（１）上の上記半導体素子（Ｓ）を樹脂でモールドして樹脂層（４）を形成する工程と、
　上記ステンレス基板（１）を引き剥がし除去して、上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）の上記実装用金属薄膜（１１）の各裏面が、上記樹脂層（４）の底面と略同一平面で露出した状態で形成される工程
　とを順に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
とあったところを、
「【請求項１】
　ステンレス基板（１）の一の面側に、半導体素子（Ｓ）搭載用のアイランド部（２ａ）および上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と接続される電極部（２ｂ）を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層（６）を形成する
第１の
　
上記第１の工程の後、
上記面のうち上記レジストパターン層（６）で覆われていない
上記ステンレス基板（１）の上記露出面に存在する
第２の
　
上記第２の工程の後、
上記面のうち
上記
上記レジストパターン層（６）の厚みを越えて
第３の
　
上記第３の工程の後、
第４の
　
上記第４の工程の後、
第５の
　
上記第５の工程の後、
第６の
　
上記第６の工程の後、
上記樹脂層（４）及び実装用金属薄膜（１１）から
うち上記ステンレス基板（１）の上記面と対向する
第７の
とを含む、
と補正するものである。
　上記補正は、実質的に「リード層（１２）」について、「上記レジストパターン層（６）の厚みを越えて」成長させる旨の限定を付加するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
２．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−１６１８１号公報（平成１４年１月１８日公開、以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００３６】 以下、図４，図５を参照して、
半導体装置の製造方法
 【００３７】 １）第１の製造工程は、図４（ａ）に示すように、
ステンレス鋼板等による平板状の金属基板９
　続いて、マスクを施した金属基板９を電着槽に浸漬し、金属基板９の他面に金属層８を形成する。金属層８は、Ｎｉ又はＮｉ・Ｃｏ合金を電着したＮｉ又はＮｉ・Ｃｏ合金薄膜層であり、その後、Ｎｉ・Ｃｏ合金薄膜層上には、金をフラッシュ法等による真空蒸着或いはスパッタリング法等によって成膜される。
　電着工程は、金属基板９と電着槽内の電極間に通電することによって、金属基板９にＮｉ又はＮｉ・Ｃｏ合金薄膜層の金属層８が形成される。Ｎｉ・Ｃｏ合金薄膜は、例えば２０〜３５μｍの厚さとし、金薄膜層を０．３μｍの厚さとする。
　なお、金属基板９にＮｉ又はＮｉ・Ｃｏ合金を電着する前に、金を含む合金をフラッシュ法等で真空蒸着することによって、後の電極金属層を形成する成膜工程を省略することができる。
 【００３８】 ２）第２の製造工程は、金属層８のエッチング工程である。このエッチング工程では、図４（ｂ）に示すように、金属基板９の片側にレジスト膜１０によるマスクを形成し、金属基板９の金属層８上には、レジスト膜１０ａ，１０ｂが選択的に形成される。
 【００３９】 その後、このエッチング工程では、金属層８を選択的にエッチングして除去する。
図４（ｃ）に示したように、金属基板９の片側に金属層８ａ，８ｂが形成された電着フレームが形成する。
 【００４０】 図３（Ｃ）は樹脂封止体裏面の金属基板を剥離した場合におけるワイヤーボンディング領域Ｅ裏面のパターンを示す。このパターンには半導体素子が複数封止された樹脂封止体を個々の半導体装置に切断するための切断マーク９ｄ，９ｃがマーキングされている。切断時には切断マーク９ｄ，９ｃの間に切断部位が設定させる。
 【００４１】 ３）第３の製造工程は、素子搭載工程である。この工程では、
図４（ｄ）に示したように、半導体素子２が
金属層８ｂに搭載される
 【００４２】 ４）電着フレームに半導体素子２が搭載された後、第４の製造工程のワイヤボンディング工程に進む。第４の製造工程では、
図４（ｅ）に示したように、
ワイヤ４は、半導体素子２の電極パッド２ａと金属層８ａとを
電気的に接続される
 【００４３】 ５）図４（ｅ）のワイヤボンディング工程に続いて、
図５（ａ）に示した第５の製造工程である樹脂モールド工程に進む。
　モールド金型内には、エポキシ樹脂がモールド金型（上型）に形成されたキャビティ（図示しなし）により圧入される。この樹脂モールドでは、金属基材９が樹脂モールドにおける下型としての機能を果たす。
 【００４４】 なお、半導体素子２が搭載された金属基材９を並列に配置して、
エポキシ樹脂が
金属基材９と上金型との間に圧入することで、半導体素子が搭載された電着フレームを多数樹脂封止することができる。
 【００４５】 ６）樹脂モールド工程の後、第６の製造工程に進む。第６の製造工程は、図５（ｂ）に示した金属基材９の剥離工程である。
図５（ｂ）に示したように、樹脂封止体１１から金属基材９を引き離す
樹脂封止体１１の底面には、金属層８ａ，８ｂが露出し
金属層８ａ，８ｂの露呈面は、樹脂封止体１１の底面と面一である
イ．「【００５２】 なお、電着フレームの形成は、
上記の実施形態による製造方法に限定されることなく、
 【００５３】 金属基板の金または金と他の金属を混合した薄膜層は、
金属基板の
他方の面にレジスト膜をパターンニングして
半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈させて
金薄膜層に電着
形成する
 【００５４】 
その後、パターンニングしたレジスト膜を除去して、
全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を形成し、続いて、ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏ薄膜金属層を選択的に除去する
 【００５５】 
このような製造工程を経て
金属基板９に金属層８ａと金属層８ｂとを形成する。
　上記アおよびイから、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記ア（段落【００３６】）によれば、半導体装置の製造方法に係る発明である。
・上記ア（段落【００３７】〜【００４２】）、図１および図４によれば、ステンレス鋼板による平板状の金属基板９に半導体素子２を搭載する金属層８ｂ、および半導体素子２の電極パッド２ａと接続される金属層８ａを形成するものである。
・上記イ（段落【００５３】〜【００５４】）によれば、金属層は、金薄膜層、その後ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を順次形成してなるものである。形成方法は、金属基板の他方の面に半導体素子の搭載部と外部導出用の金属層とを形成する金属基板面を露呈するようにレジスト膜をパターンニングして、金薄膜層を電着形成し、その後、レジスト膜を除去し、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を電着形成し、続いて、該ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を選択的に除去するものである。
・上記ア（段落【００４１】〜【００４５】）、図５によれば、金属層８ｂに半導体素子２を搭載し、該半導体素子２の電極パッド２ａと金属層８ａとを電気的接続した後、半導体素子２搭載部分を樹脂モールドして樹脂封止体１１とし、その後、該樹脂封止体１１から金属基板９を引き離す。そして、樹脂封止体１１の底面には、金属層８ａ，８ｂが露出し、金属層８ａ、８ｂの露呈面は、樹脂封止体１１の底面と面一である。
　そうすると、上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「ステンレス鋼板による平板状の金属基板９の他方の面に金属層を形成するためのレジスト膜をパターンニングする工程と、
　上記工程の後、上記金属基板９の上記面のうち上記レジスト膜で覆われていない露呈された領域に金薄膜層を形成し、その後、上記レジスト膜を除去し、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を電着形成し、上記ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を選択的に除去して金属層を形成する工程と、
　ここで、金属層は、半導体素子２を搭載する金属層８ｂおよび上記半導体素子２の電極パッド２ａと接続される金属層８ａであり、
　上記工程の後、上記金属層８ｂに上記半導体素子２を搭載した後、上記半導体素子２の上記電極パッド２ａと上記金属層８ａとを電気的に接続する工程と、
　上記工程の後、上記金属基板９上の上記半導体素子２搭載部分を樹脂モールドして樹脂封止体１１を形成する工程と、
　上記工程の後、上記樹脂封止体１１から上記金属基板９を引き離し、上記樹脂封止体１１の底面には、上記金属層８ａ，８ｂが露出し、上記金属層８ａ、８ｂの露呈面は、上記樹脂封止体１１の底面と面一である工程を含む、半導体装置の製造方法。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２８９７３９号公報（平成１４年１０月４日公開、以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
ウ．「【００４１】 半導体装置用回路部材の製造方法
　次に、本発明の半導体装置用回路部材の製造方法について説明する。
　図１１は、図４および図５に示される半導体装置用回路部材５１を例とした本発明の半導体装置用回路部材の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
　図１１において、まず、基板５２上にレジストパターン５９を形成する（図１１（Ａ））。このレジストパターン５９は、回路部５３の形成部位に相当する箇所に開口部５９ａをもち、この開口部５９ａには基板５２が露出している。基板５２は、鉄−ニッケル合金、
鉄−ニッケル−クロム合金
の導電性基板
　　・・・（中略）・・・
 【００４３】 次に、
電解めっき法により
レジストパターン５９を介して基板５２上に金属を析出させて、ダイパッド５４と複数の端子部５５からなる回路部５３を形成する
この回路部５３は
多層構造とすることができる。
 【００４４】 本発明では、
電解めっきによる回路部５３の形成において
レジストパターン５９の厚みよりも厚く金属を析出させる
 【００４５】 
次いで、レジストパターン５９を除去する
　上記ウによれば、引用例２には「鉄−ニッケル−クロム合金からなる導電性基板上にレジストパターンを形成した後、電解めっき法により、多層構造のダイパッドと端子部からなる回路部を形成し、該
回路部をレジストパターンの厚みよりも厚く
３．対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「ステンレス鋼板による平板状の金属基板９」は、本願補正発明の「ステンレス基板」に相当する。そして、引用発明の金属基板の「他方の面」とは、半導体素子２を搭載する面側であるから、本願補正発明の、ステンレス基板の「一の面側」に相当する。
　更に、引用発明の「金属層８ｂ」は、半導体素子２を搭載するものであるから、本願補正発明の「アイランド部」に相当する。また、引用発明の「半導体素子２の電極パッド２ａ」は、半導体素子２に形成された電極であるから、本願補正発明の「半導体素子の電極」に相当し、引用発明の「金属層８ａ」は、半導体素子２の電極パッド２ａと電気的に接続されるものであるから、本願補正発明の「電極部」に相当する。
　よって、引用発明の「ステンレス鋼板による平板状の金属基板９の他方の面に金属層を形成するためのレジスト膜をパターンニングする工程と、・・・ここで、金属層は、半導体素子２を搭載する金属層８ｂおよび上記半導体素子２の電極パッド２ａと接続される金属層８ａであり」は、本願補正発明の「ステンレス基板の一の面側に、半導体素子搭載用のアイランド部および上記半導体素子の電極と接続される電極部を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層を形成する第１の工程」に相当する。
ｂ．本願補正発明は、「上記第１の工程の後、上記ステンレス基板の上記面のうち上記レジストパターン層で覆われていない露出面に対し、実装用金属薄膜としてメッキ成長させるために、上記ステンレス基板の上記露出面に存在する不活性膜を除去する第２の工程」を備えているのに対し、引用発明には、ステンレス基板の不活性膜を除去する工程が特定されていない点で相違する。
ｃ．引用発明の「金薄膜層」及び「ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層」は、この二層によって金属層８ａ，８ｂ（本願補正発明の「アイランド部」及び「電極部」に相当。）をそれぞれ形成しているといえるから、引用発明の電着形成された「金薄膜層」は、本願補正発明の「メッキ成長」させた「実装用金属薄膜」に相当し、引用発明の電着形成された「ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層」は、「電鋳により」成長させた「リード層」に相当する。
　よって、引用発明の「上記金属基板９の上記面のうち上記レジスト膜で覆われていない露呈された領域に金薄膜層を形成し、その後、上記レジスト膜を除去し、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を電着形成し、上記ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を選択的に除去して金属層を形成する工程と、
　ここで、金属層は、半導体素子２を搭載する金属層８ｂおよび上記半導体素子２の電極パッド２ａと接続される金属層８ａであり」は、本願補正発明の「上記ステンレス基板の上記面のうち上記露出面に、上記実装用金属薄膜をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜上に電鋳によりリード層を成長させ、上記実装用金属薄膜とこの上面に一体に積層される上記リード層との少なくとも二層構造から成る上記アイランド部および上記電極部を独立して形成する第３の工程」に相当する。
　但し、本願補正発明は、上記ステンレス基板の露出面に実装用金属薄膜をメッキ成長させ、「上記実装用金属薄膜上にリード層を上記レジストパターン層の厚みを越えて成長させ」（第３の工程の一部）、その後、「レジストパターン層を除去している」（第４の工程）のに対して、引用発明は、金薄膜層（本願補正発明の「実装用金属薄膜」に相当。）を形成し、その後、レジスト膜を除去し、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層（本願補正発明の「リード層」に相当。）を形成し、続いて、上記ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を選択的に除去している点で相違する。
ｄ．引用発明の「上記金属層８ｂに上記半導体素子２を搭載した後、上記半導体素子２の上記電極パッド２ａと上記金属層８ａとを電気的に接続する工程」は、本願補正発明の「上記アイランド部に上記半導体素子を搭載した後、上記半導体素子の上記電極と上記電極部とを電気的に接続する第５の工程」に相当する。
ｅ．引用発明の「樹脂封止体１１」は、半導体素子搭載部分を樹脂でモールドしたものであるから、本願補正発明の「樹脂層」に相当する。
　よって、引用発明の「上記金属基板９上の上記半導体素子２搭載部分を樹脂モールドして樹脂封止体１１を形成する工程」は、本願補正発明の「上記ステンレス基板上の上記半導体素子を樹脂でモールドして樹脂層を形成する第６の工程」に相当する。
ｆ．引用発明の「上記樹脂封止体１１から上記金属基板９を引き離し、上記樹脂封止体１１の底面には、上記金属層８ａ，８ｂが露出し、上記金属層８ａ、８ｂの露呈面は、上記樹脂封止体１１の底面と面一である工程」は、本願補正発明の「上記ステンレス基板を上記樹脂層及び実装用金属薄膜から引き剥がし除去して、上記アイランド部および上記電極部の上記実装用金属薄膜のうち上記ステンレス基板の上記面と対向する各裏面が、上記樹脂層の底面と略同一平面で露出した状態で形成される第７の工程」に相当する。
 
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
（一致点）
「ステンレス基板の一の面側に、半導体素子搭載用のアイランド部および上記半導体素子の電極と接続される電極部を形成するための所定パターンから成るレジストパターン層を形成する第１の工程と、
　上記ステンレス基板の上記面のうち上記露出面に、上記実装用金属薄膜をメッキ成長させ、上記実装用金属薄膜上に電鋳によりリード層を成長させ、上記実装用金属薄膜とこの上面に一体に積層される上記リード層との少なくとも二層構造から成る上記アイランド部および上記電極部を独立して形成する第３の工程と、
　上記アイランド部に上記半導体素子を搭載した後、上記半導体素子の上記電極と上記電極部とを電気的に接続する第５の工程と、
　上記第５の工程の後、上記ステンレス基板上の上記半導体素子を樹脂でモールドして樹脂層を形成する第６の工程と、
　上記第６の工程の後、上記ステンレス基板を上記樹脂層及び実装用金属薄膜から引き剥がし除去して、上記アイランド部および上記電極部の上記実装用金属薄膜のうち上記ステンレス基板の上記面と対向する各裏面が、上記樹脂層の底面と略同一平面で露出した状態で形成される第７の工程とを含む、半導体装置の製造方法。」
（相違点１）
　本願補正発明は、「上記第１の工程の後、上記ステンレス基板の上記面のうち上記レジストパターン層で覆われていない露出面に対し、実装用金属薄膜としてメッキ成長させるために、上記ステンレス基板の上記露出面に存在する不活性膜を除去する第２の工程」を備えているのに対し、引用発明には、ステンレス基板の不活性膜を除去する工程が特定されていない点。
（相違点２）
　本願補正発明は、上記ステンレス基板の露出面に実装用金属薄膜をメッキ成長させ、「上記実装用金属薄膜上にリード層を上記レジストパターン層の厚みを越えて成長させ」、その後、「レジストパターン層を除去している」のに対して、引用発明は、金薄膜層（本願補正発明の「実装用金属薄膜」に相当。）を形成し、その後、レジスト膜を除去し、全面にＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層（本願補正発明の「リード層」に相当。）を形成し、続いて、上記ＮｉまたはＮｉ・Ｃｏの薄膜金属層を選択的に除去している点。
４．判断
　上記相違点について検討する。
＜相違点１について＞
　ステンレス表面に不活性膜があることは技術常識であるところ、金属層を形成する前にステンレス表面の不活性膜を除去すること（活性化処理を行うこと）は、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−２３４３８０号公報（第２頁左下欄１７〜２０行、第３頁右上欄９行〜１４行を参照。）、特開昭６１−２４３１９３号公報（第４頁左上欄４〜１５行を参照。）及び特公昭６１−４２７９６号公報（第１頁左欄１２行〜１６行、第１頁右欄２６行〜第２頁左欄４行を参照。）等に記載されているように周知の技術である。
　したがって、引用発明において、レジスト膜をパターンニングした後、金属基板のレジスト膜で覆われていない露呈された領域に対し、金薄膜層を形成するために、周知技術を採用して相違点１とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。
＜相違点２について＞
　１つのレジストパターン層を用いて複数の積層された金属層を形成し、その後に該レジストパターン層を除去することは、例えば引用例２（上記２．（２）を参照。）、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−８６３２２号公報（第３頁右上欄５行〜７行を参照。）および特開２００２−１９８４６２号公報（段落【００９７】〜【０１０１】を参照。）に記載されているように周知の技術である。そして、金属層をレジストパターン層の厚みを越えて形成することは、引用例２に記載されているように適宜なし得る事項である。
　したがって、引用発明において、金属層を形成する工程に引用例２の技術事項および周知技術を採用して相違点２とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１，２の記載事項および周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
５．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された技術事項および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２７年１０月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２６年８月１２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びそれらの記載事項は、上記「第２　２．」に記載したとおりである。
３．対比・判断
 本願発明は、本願補正発明における限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．４．」に記載したとおり、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された技術事項および周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された技術事項および周知技術により当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。