【事件の表示】
　特願２００９−１８５３７３「基体を被覆するための被覆装置及び基体を被覆する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月１８日出願公開、特開２０１０−　５９５４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年８月１０日（パリ条約による優先権主張２００８年９月２日（以下、「本願優先日」という。）。欧州特許庁（ＥＰ））を出願日とする特許出願であって、平成２５年９月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年４月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月１４日に拒絶査定がされ、これに対して同年９月１６日に審判が請求されると同時に手続補正書が提出され、同年１１月５日付けで前置報告がされ、平成２７年１月２３日に上申書が提出されたものである。
　
第２　平成２６年９月１６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２６年９月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　平成２６年９月１６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、同年４月１日付で手続補正がされた特許請求の範囲の請求項８である、
「プロセス・チャンバ（３）内で基体（Ｓ）を被覆する方法であって、前記プロセス・チャンバ（３）内でガス雰囲気を設定及び維持し、前記プロセス・チャンバ（３）内に、アノード（６、６１）、及びターゲット（２、２１、２２）として形成された円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）を設け、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）がターゲット材料（２００、２０１、２０２）を含み、前記円筒形のカソード（２、２１、２２）の前記ターゲット材料（２００、２０１、２０２）を、電気的なエネルギー源（７、７１、７２）によって気相に移し、磁場を発生させる磁場源（８、８１、８２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）のあらかじめ設定された領域における前記磁場の強度を変化させることができるように設ける、被覆方法において、
　円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）及び円筒形のアーク・カソード（２、２２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に同時に設けること、並びに
　前記基体（Ｓ）を、アーク蒸着工程及び／又はカソード・スパッタリング工程を用いて被覆を行い、
　前記磁場源（８、８１、８２）の位置が、前記円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）の内部（Ｉ）及び／又は前記円筒形のアーク・カソード（２、２２）の内部（Ｉ）に設定され、前記カソード及び／又は前記磁場源が長手方向軸線の周りで回転できるように構成し、
　前記磁場源（８、８１、８２）の前記磁場の強度を設定及び／又は制御することを特徴とする被覆方法。」
を、
「プロセス・チャンバ（３）内で基体（Ｓ）を被覆する方法であって、前記プロセス・チャンバ（３）内でガス雰囲気を設定及び維持し、前記プロセス・チャンバ（３）内に、アノード（６、６１）、及びターゲット（２、２１、２２）として形成された円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）を設け、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）がターゲット材料（２００、２０１、２０２）を含み、前記円筒形のカソード（２、２１、２２）の前記ターゲット材料（２００、２０１、２０２）を、電気的なエネルギー源（７、７１、７２）によって気相に移し、磁場を発生させる磁場源（８、８１、８２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）のあらかじめ設定された領域における前記磁場の強度を変化させることができるように設ける、被覆方法において、
　円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）及び円筒形のアーク・カソード（２、２２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に同時に設けること、並びに
　前記基体（Ｓ）を、アーク蒸着工程及び／又はカソード・スパッタリング工程を用いて被覆を行い、
　前記磁場源（８、８１、８２）の位置が、前記円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）の内部（Ｉ）及び／又は前記円筒形のアーク・カソード（２、２２）の内部（Ｉ）に
半径方向の位置に対して
　前記磁場源（８、８１、８２）の前記磁場の強度を設定及び／又は制御することを特徴とする被覆方法。」
とする補正を含むものである。
　
２　補正の適否
（１）目的要件
　上記請求項８についての補正は、補正前の請求項８に記載した発明を特定するために必要な事項である「磁場源（８、８１、８２）の位置」が、「前記円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）の内部（Ｉ）及び／又は前記円筒形のアーク・カソード（２、２２）の内部（Ｉ）」に設定され、という事項を、その内部（Ｉ）に「
半径方向の位置に対して
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項８に記載されている事項により特定される発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（請求項８についての補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものであるか否か）を検討する。
　
ア　刊行物
１　特表２００７−５３２７８３号公報（平成２５年９月２７日付けの拒絶理由通知における引用文献１。以下「刊行物１」という。）
イ　周知例
ａ　特開平１１−２９８６６号公報
ｂ　特開２００７−１６９７７５号公報
ｃ　特表２００２−５１２３１１号公報
（それぞれ、平成２５年９月２７日付けの拒絶理由通知における引用文献２、平成２６年９月２７日付け前置報告における引用文献５、６である。以下、それぞれ、項番号に従い、「周知例ａ」、「周知例ｂ」…などという。）
　
ウ　刊行物、周知例に記載された事項
（ア）刊行物１
　本願優先日前である２００７年に頒布された刊行物１は「窒化アルミニウムベースの硬い耐摩耗性コーティング」を発明の名称とする特許文献であって、刊行物１には、以下の事項が記載されている。
1a　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　ＡｌxＳｉyＭｅzＮで表される組成の窒化アルミニウムを基礎とする硬い耐摩耗性被膜であって、ｘ、ｙおよびｚが原子分率を表し、その和が０．９５から１．０５であり、Ｍｅが、ＩＩＩからＶＩＩＩ族およびＩｂ族の遷移金属の構成員、及びこれらの構成員のうちの２つ以上の組合せからなる群の金属ドーパントであり、前記構成員が、前記金属ドーピングのない被膜よりも高い固有導電率を提供し、ケイ素含量が０．０１≦ｙ≦０．４であり、前記１つまたは複数の金属ドーパントＭｅの含量が、０．００１≦ｚ≦０．０８、好ましくは０．０１≦ｚ≦０．０５、最も好ましくは０．０１５≦ｚ≦０．０４５である被膜。
…
【請求項１８】
　請求項１から１１のいずれかに記載の被膜を形成する方法であって、前記被膜が、カソードアーク蒸着技術とマグネトロンスパッタリング技術の組合せを使用して形成されることを特徴とする方法。
【請求項１９】
　前記付着が、少なくとも１つの円筒形カソードが内部に配置された真空付着室内で行われる、請求項１６から１８のいずれかに記載の方法。」　
1b　「【０００１】
発明の分野
　本発明は、窒化アルミニウムを基礎とする（窒化アルミニウムベース）の硬い耐摩耗性被膜（コーティング）、該コーティングでコーティングされた物品および該コーティングを生成するための方法に関する。」
1c　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明の概要
発明の目的
　したがって第１に本発明の目的は、カソードアーク蒸着技術（cathodic arc evaporation technology）またはマグネトロンスパッタリング技術あるいはこれらの組合せを使用して容易に生成することができる硬いコーティングを提供することにある。」　
1d　「【００２５】
【表６】
…
実施例５：単一カソードスパッタリング法（アークボンディング層を含むスパッタリング法）
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
1f　「【図１】　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）周知例ａ
a1　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  被加工物を支持する支持手段と、回転可能な中空円筒形のターゲットと、該ターゲットの内側に設けられ、プラズマを該ターゲットの表面近傍に閉じ込めるための磁力源とを備えたことを特徴とするスパッタ装置。
a2　「【０００７】該磁力源は該ターゲットの内側で該支持手段に近い側の領域において移動可能である。こうすることによって、ターゲットの各部分がさらに均等に使用されるとともに、金属成分をより多くの方向から被加工物に向かって付着させることができる。該磁力源は該ターゲットの軸線又は該ターゲットの軸線と平行な線のまわりで所定の角度範囲だけ周方向に往復揺動可能である。この場合、好ましくは、該磁力源の移動速度は、ターゲットの回転方向と同じ方向に移動するときに大きくし、ターゲットの回転方向と逆の方向に移動するときに小さくする。それによって、ターゲットの各部分がさらに均等に使用されるとともに、磁力源の移動方向にかかわらず、金属成分の付着作用を均等化する。
【０００８】該ターゲット及び該磁力源の一方は該ターゲットの軸線方向に移動可能である。こうすることによって、ターゲットの上下端部も広く有効利用できるようになる。」
a3　「【図１】　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
a4　「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ウ）周知例ｂ
b1　「【００４１】
　図３は、図１に示された管状カソード３の長手方向の断面図であり、ターゲットキャリアチューブ２９上に置かれ、かつ、そこに固定要素５、６によって保持された筒状ターゲット４が再び明らかにされている。軸７、８の部分として内管３０が管状カソード３の中心を通る線Ａ−Ａに沿って伸びている。この内管３０の上に、内側に幾つかの磁石が設置されたチューブ３１が固定されている。これらの磁石は全て参照数字３２で示される。
【００４２】
　管状カソード３がその長軸線の周りを回動しても、内側に磁石が設置されたチューブ３１は回動しない。内管３０と同様にチューブ３１は静止状態に置かれる。」
b2　「【００５１】
  …たとえば、制御用の線を介して磁石システムが変えられるか、または、ターゲットチューブから磁石システムまでの距離が変えられ得る。」
　　　　
（エ）周知例ｃ
c1　「【０００３】
　平面マグネトロンを用いた反応性スパッタリングにおいては（すなわち、プラズマがターゲット物資と反応する一種または多種のガスを含むとき）、さらに、アークが発生するという問題と、プラズマ不安定という問題に遭遇する。これらの両方の問題は、円筒形回転ターゲットマグネトロンを導入することにより克服されている。先ず、回転ターゲットマグネトロンを用いると、（磁石配置に対応する）レーストラック腐食形状が形成されず、そしてターゲット上の物質の消費を８０％にまで増大できる。第２に、回転カソードの本性により、反応性スパッタ蒸着において問題が少なくなり安定性が向上する。それにも拘わらず、大量の物質がシールド部材の上に蒸着されるという問題がある。シールド部材は、希望しない箇所にターゲット物質が蒸着されるのを防止するためにターゲットと基板の間に物理的に置かれるものである。これゆえ、片状に剥がれ落ちる危険性を少なくするために、それらのシールド部材の規則的な清掃と周到な予防措置（例えば水冷却）が行われねばならない。シールド部材から剥がれれた片は、スパッタした表面を汚染することがある。」
c2　「【００１６】
  さらに、基板の上のフィルムの厚さを一様にするように制御するためにはシールド部材は最早、必要がない。さらに、磁石の強度および距離を変える近年の技術により、ターゲット物質の不均一な消費は克服される。本発明によると、円筒形ターゲットチューブの一様な腐食を維持しながら、基板のいかなる所望位置に対しても、基板へのスパッタリング効率の精密な制御が得られる。これは、腐食形状のどのような有り得る一様性に対しても、標準チューブが使用できることを意味する。」
　　　
エ　刊行物１に記載された発明
　刊行物１は、「窒化アルミニウムを基礎とする（窒化アルミニウムベース）の硬い耐摩耗性被膜（コーティング）、該コーティングでコーティングされた物品および該コーティングを生成するための方法に関する」（摘示1b）ものであって、そのコーティングを生成するための方法として、【請求項１８】には、
「請求項１から１１のいずれかに記載の被膜を形成する方法であって、前記被膜が、カソードアーク蒸着技術とマグネトロンスパッタリング技術の組合せを使用して形成されることを特徴とする方法。」（摘示1a）が、また、【請求項１９】には、
「前記付着が、少なくとも１つの円筒形カソードが内部に配置された真空付着室内で行われる、請求項１６から１８のいずれかに記載の方法。」（摘示1a）
が、記載されている。
　その方法の具体例として、実施例５（摘示1d）には、基材に接着層「ＣｒＮ」を介したコーティング「Ａｌ0.81Ｓｉ0.14Ｃｒ0.05Ｎ」を形成する方法が記載されていると認められる。その「プロセス」は、真空付着室を高真空とし、加熱、エッチング後、ＣｒＮ層を「ターゲット１」である「Ｃｒ（アークターゲット）」を用いアーク電流１２５Ａ、Ｐ（Ｎ２）１×１０-2ｈＰａ、バイアス−１２０Ｖ、２分の条件で、カソードアーク蒸着技術で形成し、さらに、「ターゲット２」である「Ａｌ0.82Ｓｉ0.15ＮＣｒ0.03合金またはブレンド（スパッタリングマグネトロン）」というＡｌＳｉＣｒマグネトロンスパッタリングターゲットを用い１０ｋＷ、Ｐ（Ａｒ＋Ｎ２）＝２．２×１０−３ｈＰａ、Ｐ（Ｎ２）＝５×１０-4ｈＰａ、バイアス−１５０Ｖの条件でマグネトロンスパッタリング技術で形成するという方法である。
　そして、刊行物１におけるカソードアーク蒸着技術やマグネトロンスパッタリング技術において、請求項１９（摘示1a）によれば、円筒形カソードが真空付着室の内部に配置されており、これは図面（摘示1f）を参照するとターゲットにも対応する。このため、刊行物１には、円筒形カソードターゲットを使用してコーティングを形成することが記載されている。
　そうすると、刊行物１には、
「Ａｌ0.81Ｓｉ0.14Ｃｒ0.05Ｎの被膜を形成する方法であって、円筒形カソードターゲットが内部に配置された真空付着室内で行われ、その被膜が、基材にＣｒＮ層をＣｒ（アークターゲット）を用いアーク電流１２５Ａ、Ｐ（Ｎ２）１×１０-2ｈＰａ、バイアス−１２０Ｖ、２分という条件でカソードアーク蒸着で形成した後、ＡｌＳｉＣｒマグネトロンスパッタリングターゲットを用い１０ｋＷ、Ｐ（Ａｒ＋Ｎ２）＝２．２×１０−３ｈＰａ、Ｐ（Ｎ２）＝５×１０-4ｈＰａ、バイアス−１５０Ｖという条件でマグネトロンスパッタリング技術で形成する方法。」
（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
     　
オ　本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、「真空付着室」及び「基材」は、本件補正発明における「プロセス・チャンバ（３）」及び「基体」に相当するから、引用発明の「Ａｌ0.81Ｓｉ0.14Ｃｒ0.05Ｎの被膜を形成する方法であって、…真空付着室内で行われ、その被膜が、基材にＣｒＮ層を…形成した後、…形成する方法」は、本件補正発明の「プロセス・チャンバ（３）内で基体（Ｓ）を被覆する方法」であるといえる。
　そして、引用発明のカソードアーク蒸着とマグネトロンスパッタリングは、それぞれ「Ｐ（Ｎ２）１×１０-2ｈＰａ」、「Ｐ（Ａｒ＋Ｎ２）＝２．２×１０−３ｈＰａ、Ｐ（Ｎ２）＝５×１０-4ｈＰａ」という、特定ガス雰囲気において行われる方法であるから、本件補正発明の「前記プロセス・チャンバ（３）内でガス雰囲気を設定及び維持」する方法であるいえる。
　さらに、引用発明の真空付着室内には「円筒形カソードターゲット」として、「Ｃｒ（アークターゲット）」、「ＡｌＳｉＣｒマグネトロンスパッタリングターゲット」を有するが、カソードに対応するアノードがあることは自明であり、引用発明においても基材にターゲット材料を含む材料が被覆されることから、それぞれのターゲットに上記条件を生ずるような電気エネルギーが付与され、それによってターゲットの材料が気相に移ってから基体を被覆するものであるといえる。さらに、円筒形のスパッタリングマグネトロンターゲットが、その内部にマグネットを有する回転式ターゲットであること、すなわち、長手方向軸線の周りで回転できることも自明である（この点について必要なら、周知例のa1、b1及びc1を参照されたい）。
　そうすると、引用発明も本件補正発明も「プロセス・チャンバ（３）内に、アノード（６、６１）、及びターゲット（２、２１、２２）として形成された円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）を設け、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）がターゲット材料（２００、２０１、２０２）を含み、前記円筒形のカソード（２、２１、２２）の前記ターゲット材料（２００、２０１、２０２）を、電気的なエネルギー源（７、７１、７２）によって気相に移」す方法であり、「磁場を発生させる磁場源（８、８１、８２）を前記プロセスチャンバ内に設け」、「円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）及び円筒形のアーク・カソード（２、２２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に同時に設ける」、「基体（Ｓ）を、アーク蒸着工程及びカソード・スパッタリング工程を用いて被覆を行い」、「前記磁場源（８、８１、８２）の位置が、前記円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）の内部（Ｉ）に設定され、前記カソードが長手方向軸線の周りで回転できるように構成」された方法であるといえる。
　以上によれば、本件補正発明と引用発明とは、
　「プロセス・チャンバ（３）内で基体（Ｓ）を被覆する方法であって、前記プロセス・チャンバ（３）内でガス雰囲気を設定及び維持し、前記プロセス・チャンバ（３）内に、アノード（６、６１）、及びターゲット（２、２１、２２）として形成された円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）を設け、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）がターゲット材料（２００、２０１、２０２）を含み、前記円筒形のカソード（２、２１、２２）の前記ターゲット材料（２００、２０１、２０２）を、電気的なエネルギー源（７、７１、７２）によって気相に移し、磁場を発生させる磁場源（８、８１、８２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に設ける、被覆方法において、
　円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）及び円筒形のアーク・カソード（２、２２）を、前記プロセス・チャンバ（３）内に同時に設けること、並びに
　前記基体（Ｓ）を、アーク蒸着工程及びカソード・スパッタリング工程を用いて被覆を行い、
　前記磁場源（８、８１、８２）の位置が、前記円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）の内部（Ｉ）に設定され、前記カソードが長手方向軸線の周りで回転できるように構成した被覆方法。」
である点で一致し、以下の点Ａにおいて相違すると認められる。
Ａ　本件補正発明は、「磁場を発生させる磁場源（８、８１、８２）を、前記円筒形の蒸着カソード（２、２１、２２）のあらかじめ設定された領域における前記磁場の強度を変化させることができるように設け」、その「磁場源（８、８１、８２）の位置が、前記円筒形のスパッタリング・カソード（２、２１）の内部（Ｉ）及び／又は前記円筒形のアーク・カソード（２、２２）の内部（Ｉ）に半径方向の位置に対して設定され、」、かつ、「前記磁場源（８、８１、８２）の前記磁場の強度を設定及び／又は制御する」ものであるのに対して、引用発明は、円筒形スパッタリングマグネトロンターゲットの内部にどのようにマグネットを設けるかが明らかではなく、また、円筒形ターゲットのあらかじめ設定された領域における磁場の強度をどのように変化させて設定又は制御するのか明らかでない点（以下、「相違点Ａ」という。）
カ　相違点についての判断
　マグネトロンスパッタリングにおいて、円筒形のカソードターゲットを均一に摩耗させるために、磁場を発生させる磁場源を、円筒形の蒸着カソードのあらかじめ設定された領域における磁場の強度を変化させることができるように磁場源を円筒形ターゲット内で移動させたり、軸線方向に移動させることや、カソードと前記磁場源との距離を変化させること（円筒内なので、「半径方向の位置に対して設定され」ることになる。）（必要であれば、周知例のa2、b2、c2を参照）は周知の技術である。
　そうすると、カソードターゲットを均一に摩耗させることはマグネトロンスパッタリングにおいて、上記各周知例にもみられるとおり、一般的な課題であって、引用発明においても望まれることは明らかであるから、引用発明において、カソードターゲットを均一に摩耗させるために、上記磁場を発生させる磁場源を円筒形の蒸着カソードのあらかじめ設定された領域における磁場の強度を変化させることができるように、「半径方向の位置に対して設定する」ことは、上記周知技術を採用することにより当業者であれば容易になし得たことであるといえる。
　そして、本件補正発明が、刊行物１及び周知例から予測し得ないような格別顕著な効果を奏するものとも認められない。
　よって、本件補正発明は、その本願優先日前に頒布された刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
キ　請求人の主張
　審判請求人は、平成２７年１月２３日の上申書において、
「磁場源が長手方向軸線の周りで回転できるように構成」することにより、「チャンバ壁に対して回転させるので磁場源はいわゆる「仮想シャッタ」として働くことも可能です（００５５段落）」と主張する。
　しかし、本件補正発明は、「カソード及び／又は前記磁場源が長手方向軸線の周りで回転できるように構成」するものであり、カソードは長手方向軸線の周りで回転できるが、磁場源は長手方向軸線の周りで回転できないように構成される態様を含む。そして、当該態様においては、磁場源は「仮想シャッタ」として働くことはない。すると、磁場源が「仮想シャッタ」として働くという効果は、本件補正発明の一態様の効果であるとしても、本件補正発明全体の効果であるということはできない。
　しかも、「磁場源が長手方向軸線の周りで回転できるように構成」して、「「仮想シャッタ」として働く」ようにすることも、本願優先日前に知られた技術（米国特許公開２００４−７４５５号明細書、特に図３，４を参照）に過ぎないものである。
　よって、請求人の上記主張は、上記判断を左右するものではない。
キ　まとめ
　以上のとおりであるから、本件補正発明は、本願優先日前に頒布された刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、請求項８についての補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものとはいえない。
　　
３　むすび
　以上のとおり、請求項８についての補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものとはいえないから、その余について検討するまでもなく、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は第２のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成２６年４月１日付けの手続補正により補正されたとおりのものであるところ、その請求項８の記載は、上記第２の１前段に示したとおりのものである（以下、前記請求項８に記載されている事項により特定される発明を「本願発明」という。）。
　
第４　原査定の理由
　原査定は、「この出願については、平成２５年　９月２７日付け拒絶理由通知書に記載した理由３によって、拒絶をすべきものです。」というものであり、その理由３とは、「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　そこにおける「下記の請求項」とは、「請求項１−１５」であり、「下記の刊行物」とは、「引用文献等１−４」、すなわち、
「１.特表２００７−５３２７８３号公報
２.特開平１１−０２９８６６号公報
３.特開２００３−１９３２１９号公報
４.米国特許第５３０６４０７号明細書」
である。なお、引用文献１、２は、それぞれ第２の２（２）における、刊行物１、周知例ａと同じものである。
　理由３には、引用文献１を主たる引用文献とする理由と引用文献４を主たる引用文献とする理由とが含まれ、原査定の備考には、「請求項１−１２に係る発明」について、引用文献１の記載を認定した上で引用文献１、２（…）、３（…）、４（…）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得るものであると記載されている。
　本願発明は上記「請求項１−１２に係る発明」における請求項８に係る発明であるから、原査定の拒絶の理由は、本願発明について引用文献１を主たる引用文献とする理由３の拒絶の理由を含むことは明らかである。
　
第５　当審の判断
　当審は、原査定のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。
　その理由は、以下のとおりである。
　
１　刊行物に記載された事項及び刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１に記載された事項及び刊行物に記載された発明は、前記第２の２（２）の項ウ（ア）、及び同エに記載したとおり（以下、同様に「引用発明」という。）である。
　　
２　対比・相違点についての判断
　本願発明は、前記第２の２（１）の項で示したとおり、本件補正発明における「
半径方向の位置に対して
　そうすると、本願発明と引用発明とを対比したとき、両者の一致点は、本件補正発明と引用発明とを対比したときの一致点と同じであり、相違点は、相違点Ａにおける「
半径方向の位置に対して
　この相違点Ａ’については、上記限定を有する前記第２の２（２）の項カに記載した相違点Ａについての判断と同じ判断ができることは明らかである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、本願優先日前に頒布された刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないものであるから、その余について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。