【事件の表示】
　特願２０１２−２８８０５６「ダブルフリップ半導体デバイスおよび製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月　２日出願公開，特開２０１３−　８０９５８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２０年２月１９日（パリ条約による優先権主張２００７年２月２０日，米国）を出願日とする特願２００８−３７７６５号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２４年１２月２８日に新たな出願としたものであって，平成２５年１月２８日に手続補正がされ，同年１２月５日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年３月７日に手続補正がされ，同年５月２６日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１０月３日に審判請求がされるとともに同時に手続補正がされ，平成２７年３月３１日に上申書が提出され，同年６月５日に面接を行ったものである。
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１０月３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の補正を含むものであり，このうち特許請求の範囲の請求項１は，本件補正の前後で以下のとおりである。
〈補正前〉
「【請求項１】
　半導体デバイスであって，
　ｐ型半導体材料の層と，
　ｎ型半導体材料の層と，
　前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域と，
　前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板と，
　前記ｎ型半導体材料の層の上の反射要素であって，少なくとも１つのオーミック電極を含む反射要素と，
　を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
〈補正後〉
「【請求項１】
　半導体デバイスであって，
　ｐ型半導体材料の層と，
　ｎ型半導体材料の層と，
　前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域と，
　前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板と，
　前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある，１つ以上の反射要素と，
　を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
２　補正事項の整理
　特許請求の範囲の請求項１についての本件補正を整理すると以下のとおりとなる。
〈補正事項〉
　補正前の請求項１の「前記ｎ型半導体材料の層の上の反射要素であって，少なくとも１つのオーミック電極を含む反射要素と」を，補正後の請求項１の「前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある，１つ以上の反射要素と」と補正すること。
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　前記補正事項は，補正前の「オーミック電極を含む反射要素」について，補正後の「１つ以上の反射要素」が「１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある」として，「オーミック電極」及び「反射要素」の個数及びそれらの配置を限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，当該事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００４７】，段落【０１４０】及び図１に記載されているから，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下においては，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（再掲。以下「本願補正発明」という。）。
「【請求項１】
　半導体デバイスであって，
　ｐ型半導体材料の層と，
　ｎ型半導体材料の層と，
　前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域と，
　前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板と，
　前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある，１つ以上の反射要素と，
　を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
（２）刊行物に記載された発明
ア　国際公開第０３／０６５４６４号
　原査定の拒絶の理由に引用され，原出願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である，国際公開第０３／０６５４６４号（以下「引用例」という。）には，図１３Ａないし図１７とともに，以下の記載がある（下線は当審において付加。以下同様。）。
・「技術分野
　本発明は発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子，太陽電池，光センサー等の受光素子，あるいはトランジスタ，パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子及びその製造方法に関するものである。製造方法の一つとして貼り合わせ構造を用いる。」（明細書１ページ５行〜同ページ９行）
・「発明の実施の形態３．
　
本実施形態における窒化物半導体素子は張り合わせ工程を２度行うものである（図１３）。支持基板上に少なくとも第１の電極，発光層を有する窒化物半導体，第２の電極とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって，第１の基板上に前記発光層を有する窒化物半導体を成長させ，該窒化物半導体の成長面に第２の基板を貼り合わせる第１の工程と，その後，前記第１の基板を除去させ，窒化物半導体層の露出面を形成する第２の工程と，その後，前記窒化物半導体の露出面に段差を形成する第３の工程と，その後，前記窒化物半導体層の露出面に第１の電極を介して支持基板を貼り合わせる第４の工程と，その後，前記第２の基板を除去させる第５の工程とを備えている。
　前記第１の工程において，窒化物半導体層の成長面には第２の電極を介して第２の基板を貼り合わせる。前記第４の工程は，支持基板と窒化物半導体層との貼り合わせ時に第１の電極を合金共晶によって形成する。窒化物半導体発光素子が，第１の電極は窒化物半導体との界面にアルミニウムを有し，且つ該界面は段差形状である。前記第１の電極は共晶層を有する
　
本実施の形態における窒化物半導体発光素子は，支持基板上に少なくとも第１の電極，発光層を有する窒化物半導体層，第２の電極とを備えた窒化物半導体発光素子であって，前記第１の電極は前記窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有し，且つ該界面は段差形状であることを特徴とする。このように，前記界面に形成されたアルミニウムは発光素子からの光を支持基板側に透過させることなく，光取り出し面からの光取り出し効率を向上させることができる。更に，アルミニウムはｎ型窒化物半導体に対してオーミック接触となるため電圧低下が可能となる
該第１の電極は共晶層を有しているため，支持基板との導電性を得る効果がある。第１の電極がアルミニウムを窒化物半導体との界面に有することで高反射させることができる
　
また，前記第１の電極と前記窒化物半導体層との界面を段差形状とすることで，光取り出し効率を向上させることができる
　
前記支持基板は導電性を示すことで対向電極構造を有する窒化物半導体発光素子となる。前記第１の電極は共晶層を形成するため，Ｐｄ，Ａｕ，Ｓｎ，Ｉｎから成る群から選ばれる少なくとも１つを含有する
　
前記第４の工程は，支持基板と窒化物半導体層との貼り合わせ時に第１の電極を合金共晶によって接合することを特徴とする。
支持基板／第１の電極（共晶層＋アルミニウム）／窒化物半導体との順に形成されている。
　
前記第１の工程での貼り合わせ工程は，窒化物半導体を第１の基板（サファイア，ＳｉＣ，ＧａＮ等）上にｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層の順に形成した後，該ｐ型窒化物半導体層の成長面に第２の基板を加熱圧接により貼り合わせる。
次に第４の工程として，前記窒化物半導体層が露出している段差面に第１の電極を介して支持基板を形成する。前記第１の電極は，前記窒化物半導体層との界面にアルミニウム又は銀を有することを特徴とする
以上より前記窒化物半導体発光素子は支持基板側から支持基板／Ｔｉ−Ｐｔ−ＡｕＳｎ，Ｔｉ−Ｐｔ−ＰｄＳｎ等／第１の電極／窒化物半導体／第２の電極から成る構造にする。
　以下に本実施形態３に係る窒化物半導体発光素子の製造工程を各工程ごとに図面を用いて示す。
（第１の工程）
　まず，第１の基板１０１上に窒化物半導体１０２を成長させる（図１３Ａ）。その後，窒化物半導体層をエッチングする（図１３Ｂ）。このエッチングは窒化物半導体層の割れ防止及びチップ分離を容易にするためであって，ｎ型窒化物半導体を露出させる。また，エッチング後の窒化物半導体は膜厚１μｍ以上残すことで，第１の基板除去時に割れが発生を抑制することができる。次に，前記窒化物半導体１０２のエッチングされていない領域に第２の電極（ｐ側電極）１０３を形成する（図１３Ｃ）。その後，該窒化物半導体１０２上に第２の基板１０５を貼り合わせる（図１３Ｄ）。第２の基板１０５を貼り合わせる接着層１０４にはエポキシ樹脂，ポリアミド樹脂等の高分子材料やレジストを用いて，熱プレスによって貼り合わせる。熱プレスは１００℃〜２００℃で行う。
　前記第２の基板１０５は後工程で除去するため，それまで平坦度，強度を有していれば良く材質は特に限定されないが，好ましくは熱膨張係数が第１の基板と近い値を示すものとする。これは第４の工程で貼り合わせた時に熱膨張差が生じないようにする理由による。また，簡単に除去可能なものが好ましく，Ｃｕ−Ｗ，Ｗ，Ｍｇ，コバール材，インバー材，ポリイミド系樹脂，ポリエステル系樹脂，エポキシ系樹脂等がある。また，第２の電極は，前記活性層の面積Ｓ（μｍ２）とし，該第２の電極の外周長の和をＬ（μｍ）とすると，Ｌ／Ｓ≧０．０２である。この範囲とすることで，光取り出し効率は１．２倍以上を示す。また，第２の電極にはＮｉ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ｒｈ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｗ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｇ及びこれらの酸化物，窒化物からなる群から選ばれる少なくとも一種から成る。
（第２の工程）
　次に，第１の基板を除去させ，窒化物半導体１０２の露出面を形成する（図１３Ｅ）。第１の基板１０１は研磨やエキシマレーザ照射によって除去される。第１の基板を除去した前記窒化物半導体１０２の露出面はさらにケミカルポリッシュにより平坦面を形成させる。
（第３の工程）
　次に，前記窒化物半導体層の露出面に段差を形成する（図１３Ｆ）。ここで，段差とは界面段差が０．１μｍ以上であって，段差形状はテーパー形状や逆テーパー形状である。また，前記段差形状の平面形状のパターンはストライプ状，格子状，島状，円状の凸部及び／又は凹部を有することで，矩形状，くし形状，メッシュ形状から選ぶことができる。例えば，円状の凸部を形成すれば，該円状凸部の直径幅は５μｍ以上，凹部溝の間隔は３μｍ以上とする。ＬＥＤ光の取り出し効率を向上させるには上記段差を有するのが効果的であって，さらに光反射率の高いアルミニウムを後工程で界面に介することで段差を有さない窒化物半導体発光素子に比べて光取り出し効率が１．５倍以上を実現できる。
（第４の工程）
　次に，前記段差形成面に第１の電極１０６を形成し（図１４Ａ），次に支持基板１１１を貼り合わせる（図１４Ｂ）。貼り合わせ方法としては，ＡｕＳｎ系，ＰｄＳｎ系，ＩｎＰｄ系等のメタライズ材料を表面に形成した支持基板１１１と，表面に第１の電極１０６を形成した窒化物半導体１０２とを向かい合わせて，プレスをしながら熱を加える。張り合わせ面には導電層１１３が形成される。この時の貼り合わせ温度は１２０℃以上，好ましくは１５０℃以上，３００℃以下である。前記第１の電極は，前記窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有する。また，
支持基板８は，第１の電極と合金共晶によって接合される
　前記第１の電極１０６としては，Ａｌ−Ｐｔ−Ｓｎ，Ａｌ−Ｗ−Ｉｎ等となる。該第１の電極はトータル膜厚を５０００００Å以下とする。また，アルミニウムの膜厚は５００以上１００００Å以下とする。アルミニウムは上記膜厚範囲であれば２回の貼り合わせ工程後もチップ内で均一な膜厚となる。例えば，前記第１の電極１０６の膜厚は２０００Å−２０００Å−３００００Åとなる。
ＡｌＮを支持基板とすれば絶縁性基板であるのでプリント基板などの回路上にチップを載せるときに有利である。またＳｉを用いる利点は安価でチップ化がしやすい点である。支持基板の好ましい膜厚としては５０〜５００μｍである。前記範囲に支持基板を薄くすることで放熱性が良くなる。前記支持基板の貼り合わせ面には後工程で共晶により合金化される密着層，バリア層，共晶層を備えた構造が好ましい。例えば，Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ，Ｔｉ−Ｐｔ−Ｐｄ，又はＴｉ−Ｐｔ−ＡｕＳｎ，Ｗ−Ｐｔ−Ｓｎ，ＲｈＯ−Ｐｔ−Ｓｎ，ＲｈＯ−Ｐｔ−Ａｕ，ＲｈＯ−Ｐｔ−（Ａｕ，Ｓｎ）等の金属膜である。また，貼り合わせの表面金属は支持基板側と窒化物半導体層側が異なることが好ましい。この理由は低温で共晶が可能で，共晶後の融点が上がるためである。
（第５の工程）
　その後，第５の工程で，第２の基板１０５を除去する（図１４Ｃ）。これは貼り合わせ時よりも高い温度に加熱する。２００℃以上に加熱すれば接合（接着）力が低下するため，第２の基板５は接着層４と共に除去される。この方法はエポキシ系樹脂を用いた接着を除去するのに有効である。また，アセトンやＮ−メチル−２−ピロリドンなどの有機溶剤で接着層を溶解することも出来る。ＡｕＳｎ等を用いて共晶させている場合には，酸に浸漬して接合部を溶解させて分離させる。これらの方法は研磨との組み合わせでも用いることができる。
　第２の基板を除去後，窒化物半導体層の露出面に絶縁性の保護膜１０７を成膜する（図１４Ｄ）。次に，保護膜の開口部にパット電極を形成する（図１５Ａ）。その後，ダイシングによりチップ化することで窒化物半導体発光素子とする。前記第１の電極はｎ側電極としたが，本発明はこれに限定されない。支持基板を用いた窒化物半導体素子は熱抵抗が低いため２Ｗ以上の大電力を投入することができ，出力も２００ｍＷ以上を示す。以上に示す本実施形態より，電圧を上げることなく，光取り出し効率の良好なＬＥＤ素子を製造することができる。これに対し，従来のサファイア基板を用いた窒化物半導体素子は熱抵抗が高く放熱性が悪いため高出力が望めない。
　実施形態３における上記以外の窒化物半導体発光素子を示す。支持基板上に第１の電極，窒化物半導体層を順に有する。前記窒化物半導体層上には第２の電極を有する。第２の電極は光取り出し面上に網目状に形成されている（図１６）。開口部の面積は１〜１００μｍ２である。また第２の電極は四隅の対角上にパッド電極形成領域を形成している。パッド電極形成領域は対角上の２カ所に限らず四隅全てに形成してもよい。前記支持基板が絶縁性基板であって，同一面上で両電極を形成する構造となる（図１７）。さらに，前記第２の電極上にはＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５などの単層膜または多層膜から成る保護膜を有するのが好ましい。この絶縁膜は単層膜または多層膜である。保護膜には表面劣化防止効果もある。また前記保護膜は絶縁性を示すことを特徴とする。保護膜が絶縁性を示すことで，チップ化の際のダイシング等によるチッピング時のショートを防止できる。絶縁膜を備えることでショート等を防ぐことができるため，歩留まりや信頼性を向上することができる。第２の電極を網目状，格子状等で発光範囲の全面に形成することにより，窒化物半導体層の抵抗を下げることができる。
　上記に示す製造方法によって，第１の電極と窒化物半導体層との界面に反射率の高いアルミニウムを形成することが実現できる。そのため，光取り出し効率が向上する。また，対向電極構造であるため発光面積の拡大が可能となる。さらに，本発明に用いる支持基板は放熱性が向上する。導電性基板を用いれば１ワイヤー構造ができる。また本実施形態はレーザーダイオードについても利用することができる。
　第２の電極１０６と半導体１０２との界面に凹凸部を有する半導体発光装置において，前記第２の電極は凹部の底面及び／又は斜面に反射ミラーを形成していることを特徴とする（図１５Ｂ）。該反射ミラーは上述した反射作用を有する材料である。反射ミラーによって前記界面での光散乱を積極的に行うことができ，光取り出し効率が向上する。」（明細書３６ページ２８行〜４３ページ１３行）
　図１５Ａは次のものである。
　ここで，「本実施形態における窒化物半導体素子は張り合わせ工程を２度行うものである（図１３）。支持基板上に少なくとも第１の電極，発光層を有する窒化物半導体，第２の電極とを備えた窒化物半導体発光素子の製造方法であって，第１の基板上に前記発光層を有する窒化物半導体を成長させ，該窒化物半導体の成長面に第２の基板を貼り合わせる第１の工程と，その後，前記第１の基板を除去させ，窒化物半導体層の露出面を形成する第２の工程と，その後，前記窒化物半導体の露出面に段差を形成する第３の工程と，その後，前記窒化物半導体層の露出面に第１の電極を介して支持基板を貼り合わせる第４の工程と，その後，前記第２の基板を除去させる第５の工程とを備えている」との記載から，「第１の基板」の除去によって露出される窒化物半導体層は，「第１の基板」上に最初に形成された窒化物半導体層であることは明らかである。一方，「前記第１の工程での貼り合わせ工程は，窒化物半導体を
第１の基板（サファイア，ＳｉＣ，ＧａＮ等）上にｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層の順に形成した
　また，「窒化物半導体層の成長面には第２の電極を介して第２の基板を貼り合わせる」から，「第２の電極」が「ｐ型窒化物半導体層」上に設けられることも明らかである。
　また，「第１の電極がアルミニウムを窒化物半導体との界面に有することで高反射させることができる。」との記載における「高反射」は，光を高い反射率で反射させることを意味することは明らかである。
　また，「該第１の電極は共晶層を有しているため，支持基板との導電性を得る効果がある」，「前記第１の電極は共晶層を形成するため，Ｐｄ，Ａｕ，Ｓｎ，Ｉｎから成る群から選ばれる少なくとも１つを含有する」及び「支持基板と窒化物半導体層との貼り合わせ時に第１の電極を合金共晶によって接合する」との各記載から，第１の電極は共晶層を有しており，支持基板が当該共晶層を介して接合されていることは明らかである。
　以上を総合すると，引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「支持基板上に少なくとも第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備えた窒化物半導体発光素子であって，
　前記第１の電極は前記ｎ型窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有し，且つ該界面は段差形状であって，アルミニウムを該界面に有することで光を高い反射率で反射させることができ，該界面に形成されたアルミニウムは発光素子からの光を支持基板側に透過させることなく，光取り出し面からの光取り出し効率を向上させることができるものであり，更に，アルミニウムは前記ｎ型窒化物半導体に対してオーミック接触となるものであり，
　さらに，第１の電極は共晶層を有しており，前記支持基板が当該共晶層を介して接合され，当該支持基板との導電性を得る効果がある，
　窒化物半導体発光素子。」
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
ア　引用発明の「ｎ型窒化物半導体層」は，本願補正発明の「ｎ型半導体材料の層」に相当する。
イ　引用発明の「ｐ型窒化物半導体層」は，「ｐ型半導体材料の層」に相当する。
ウ　引用発明の「発光層」は，「第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備えた」ものの一つであって，「ｎ型窒化物半導体層」及び「ｐ型窒化物半導体層」の間にあるものであるから，当該「発光層」は，本願補正発明の「前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域」に相当する。
エ　引用発明においては，「支持基板上に少なくとも第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備え」るところ，「第１の電極は共晶層を有しており，前記支持基板が当該共晶層を介して接合され」ているから，「支持基板」は，「ｐ型窒化物半導体層」とは反対側の「ｎ型窒化物半導体層」の表面上にあって，「共晶層」によって接合されているものといえる。よって，当該構成を備える，引用発明の「支持基板」は，本願補正発明の「前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板」に相当する。
オ　引用発明においては，「支持基板上に少なくとも第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備え」るところ，「前記第１の電極は前記ｎ型窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有し，且つ該界面は段差形状であって，アルミニウムを該界面に有することで光を高い反射率で反射させることができ，該界面に形成されたアルミニウムは発光素子からの光を支持基板側に透過させることなく，光取り出し面からの光取り出し効率を向上させることができるものであり，更に，アルミニウムは前記ｎ型窒化物半導体に対してオーミック接触となるものであ」るから，「ｎ型窒化物半導体層」上の「第１の電極」は，「アルミニウム」を有して反射する作用を備えるものといえる。また，当該「第１の電極」がオーミック電極をも構成することも明らかである。よって，当該構成を備える，引用発明の「第１の電極」と，本願補正発明の「前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある，１つ以上の反射要素」とは，「前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極とともに設けられたもの」である点で一致する。
カ　引用発明の「窒化物半導体発光素子」は，本願補正発明の「半導体デバイス」に相当する。
　従って，引用発明と本願補正発明とは，
「半導体デバイスであって，
　ｐ型半導体材料の層と，
　ｎ型半導体材料の層と，
　前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域と，
　前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板と，
　前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極とともに設けられたものと，
　を備える半導体デバイス。」
である点で一致する。
　一方，両者は以下の点で相違する。
《相違点》
　本願補正発明は「前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある，１つ以上の反射要素」を備えるのに対して，引用発明は「前記ｎ型半導体材料の層の上の１つ以上の反射要素であって，１つ以上のオーミック電極とともに設けられたもの」に対応する構成を備えるものの，「１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射要素の間にある」構成までは備えない点。
（４）判断
　一般に，半導体発光素子において，ｎ型半導体層と支持基板との間に設けられた，アルミニウムからなる１つ以上の反射面であって，１つ以上のオーミック電極が該１つ以上の反射面の間にある構成を採用して，優れた反射率とともに確実なオーミック特性を得る技術は，例えば以下の周知例１及び２に示されているように，従来より周知の技術である。
周知例１：　特開平５−２５１７３９号公報
　原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平５−２５１７３９号公報（以下「周知例１」という。）には，図５とともに，以下の記載がある。
・「【００６１】つぎに図５を参照して本発明の実施例２を説明する。
【００６２】これは金属反射層１８を設けるという点が先に説明した図４の実施例１とは基本的に異なるが，効果は同様である。光半導体発光素子１５の光半導体結晶であるｎー厚膜層１０側に本発明の実施例１で記載した通りの方法で所定の形状をもった電極１１を形成した後，真空蒸着法にてＡｇを１μｍ程度蒸着し，このＡｇを光の反射そうとして利用する。一方，半導体結晶１４には実施例１での説明したのと同様に，オーミック電極１４と１６とを共晶合金１２で接合構造を形成するが，この場合は発光層２から放射された光が金属反射層１８で反射するので特定の形状にする必要はなく，写真触刻法にてパターニングしない。
【００６３】それ以外の工程は本発明の実施例１と同様である。
【００６４】本発明の実施例２の特徴は従来例２で説明した半導体反射層と同じ効果を金属反射層１８により出現させるという点で，半導体反射層よりも製造バラツキを少なくさせることが出来ることが優れている。
【００６５】
金属反射層１８の材料としては前記のＡｇの他にＡｕ　Ａｌ　Ｎｉ等の他に金属を用いても良いがＡｇは反射率の点で優れており，Ａｕは化学的安定性で優れている
【００６６】
　・・・（中略）・・・
【００６８】そこで図５に示す発明実施例２によって構成された半導体発光デバイスは，一方を光半導体結晶基板１４例えばｎ−ＧａＰと，もう一方をｎー厚膜層１０例えばｎ−ＧａＰ結晶若しくは，光半導体エピタキシャル結晶成長層・ｐ−ＧａＰエピタキシャル層の上にｎーＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ・グラッド層２１，ｐーＩｎ0.5 （Ｇａ1-x Ａｌx ）0.5 Ｐ・グラッド層２２を成長させ，活性層２０とにより発光層を形成する。更にｐー電流拡散層を構築した，光半導体発光素子（ＬＥＤウェーハー）１５とで，半導体発光デバイスを構成するわけであるが，ｎー厚膜層１０に，
所定の形に形状化したオーミック電極１１（水玉電極）を形成し，該オーミック電極面上全面に金属若しくは合金から成る金属反射層１８を形成，更に，この金属反射層１８と光半導体結晶基板１４上に形成したオーミック電極・全面電極１７とを合金熱溶融により共晶合金化したオーミック電極上構築物が形成される
・「【００８３】このようにして得られた半導体発光デバイス・チップは赤と緑の中間色のＬＥＤとなる。そして接合面から第３の電極を取り出すことにより１個のチップで赤から緑色までの光を任意に取り出すことができるという特徴を持つ。
又　青色ＬＥＤではＧａＮ，ＳｉＣエピタキチャル結晶成長層を使用する
周知例２：　特開２００６−１００５００号公報
　原出願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００６−１００５００号公報（以下「周知例２」という。）には，図１及び図１４とともに，以下の記載がある。
・「【００２１】
　図１に示す本発明の実施例１に従う半導体発光素子としての発光ダイオードは，大別して導電性を有する支持基板１と，導電体層から成る光反射層２と，発光機能を有している半導体領域３と，第１の電極４と，第２の電極５と，保護層６と，取付台７と，リード部材８と，ワイヤ９と，樹脂包囲体１０とから成る。半導体領域３はダブルヘテロ接合構造の発光ダイオードを構成するために，一般にｎ型クラッド層と呼ばれているｎ型半導体層１１と，活性層１２と，一般にｐ型クラッド層と呼ばれているｐ型半導体層１３と，ｐ型補助半導体層１４とを有している。半導体領域３の詳細は後述する。」
・「【００６７】
　図１４に示す実施例８の半導体発光素子は，
半導体領域３の一方の主面１７側に分散させてオーミックコンタクト層４１を設け，このオーミックコンタクト層４１を覆うように光反射層２を設け
【００６８】
　図１４の
光反射層２はＡｌ（アルミニウム）から成るので，ｎ型半導体層１１に対するオーミック性が悪い。しかし，オーミックコンタクト層４１はｎ型半導体層１１と光反射層２との両方にオーミック接触しているので光反射層２とｎ型半導体層１１との電気的接続が良好に保たれている
　それゆえ，引用発明において，確実なオーミックコンタクトを形成すべく，第１の電極のｎ型窒化物半導体層との界面に，反射膜として形成されたアルミニウムについて，当該アルミニウムの間にオーミック電極を設けることは，当業者が適宜になし得たことである。
（５）小括
　よって，本願補正発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　まとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年１０月３日にされた手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２６年３月７日にされた手続補正により補正された請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　半導体デバイスであって，
　ｐ型半導体材料の層と，
　ｎ型半導体材料の層と，
　前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域と，
　前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板と，
　前記ｎ型半導体材料の層の上の反射要素であって，少なくとも１つのオーミック電極を含む反射要素と，
　を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
２　引用発明
　引用発明は，前記第２の４「（２）刊行物等に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　本願発明と引用発明とを比較する。
ア　引用発明の「ｎ型窒化物半導体層」は，本願発明の「ｎ型半導体材料の層」に相当する。
イ　引用発明の「ｐ型窒化物半導体層」は，本願発明の「ｐ型半導体材料の層」に相当する。
ウ　引用発明の「発光層」は，「第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備えた」ものの一つであって，「ｎ型窒化物半導体層」及び「ｐ型窒化物半導体層」の間にあるものであるから，当該「発光層」は，本願発明の「前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域」に相当する。
エ　引用発明においては，「支持基板上に少なくとも第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備え」るところ，「第１の電極は共晶層を有しており，前記支持基板が当該共晶層を介して接合され」ているから，「支持基板」は，「ｐ型窒化物半導体層」とは反対側の「ｎ型窒化物半導体層」の表面上にあって，「共晶層」によって接合されているものといえるから，当該構成を備える，引用発明の「支持基板」は，本願発明の「前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板」に相当する。
オ　引用発明においては，「支持基板上に少なくとも第１の電極，ｎ型窒化物半導体層，発光層，ｐ型窒化物半導体層，及び第２の電極をこの順に備え」るところ，「前記第１の電極は前記ｎ型窒化物半導体層との界面にアルミニウムを有し，且つ該界面は段差形状であって，アルミニウムを該界面に有することで光を高い反射率で反射させることができ，該界面に形成されたアルミニウムは発光素子からの光を支持基板側に透過させることなく，光取り出し面からの光取り出し効率を向上させることができるものであり，更に，アルミニウムは前記ｎ型窒化物半導体に対してオーミック接触となるものであ」るから，「ｎ型窒化物半導体層」上の「第１の電極」は，「アルミニウム」を有して反射する作用を備えるものといえる。また，当該「第１の電極」は，「アルミニウム」がオーミック接触する電極をも構成するから，当該「第１の電極」は，オーミック電極を含むものといえる。よって，引用発明の，「ｎ型窒化物半導体層」上の「第１の電極」であって，「アルミニウム」を有して反射する作用を備え，また，当該「アルミニウム」がオーミック電極をも構成するものは，本願発明の「前記ｎ型半導体材料の層の上の反射要素であって，少なくとも１つのオーミック電極を含む反射要素」に相当する。
カ　引用発明の「窒化物半導体発光素子」は，本願発明の「半導体デバイス」に相当する。
従って，引用発明と本願発明とは，
「半導体デバイスであって，
　ｐ型半導体材料の層と，
　ｎ型半導体材料の層と，
　前記ｐ型半導体材料の層と前記ｎ型半導体材料の層との間の活性領域と，
　前記ｐ型半導体材料とは反対側の前記ｎ型半導体材料の表面上のキャリア基板であって，中間層の材料によって接合されているキャリア基板と，
　前記ｎ型半導体材料の層の上の反射要素であって，少なくとも１つのオーミック電極を含む反射要素と，
　を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
である点で一致し，相違するところがない。
　よって，本願発明は，引用例に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。