【事件の表示】
　特願２０１２−１２３２２７「歪み、反り、及びＴＴＶが少ない７５ミリメートル炭化珪素ウェハ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　８日出願公開、特開２０１２−２１４３７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯の概要
　本願は、平成１８年４月７日（パリ条約による優先権主張　２００５年４月７日　米国）を国際出願日とする特願２００８−５０５６６６号の一部を、平成２４年５月３０日に新たな特許出願としたものであって、
　平成２５年１１月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月１６日付けで拒絶査定がされ、同年９月１９日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年１０月２２日付けで特許法第１６４条第３項の報告書が起案され、同年１２月２５日付けで上申書が提出されたものである。 
　
第２　平成２６年９月１９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年９月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
Ｉ．補正の内容
　平成２６年９月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、同年２月２１日付けで手続補正がされた特許請求の範囲の請求項１，６を以下のように補正することを含むものである。
（本件補正前）
「【請求項１】
種結晶使用昇華システムにおいて炭化珪素（ＳｉＣ）のバルク単結晶を生産する方法において、
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを成長させるステップと、
　前記ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得るステップと、
　その後、表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり、かつ、前記ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲となるように、前記ウェハを曲げないように下方への力を制限しつつ前記ウェハをラッピングするステップと
から成ることを特徴とする方法。
　【請求項６】
単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハであって、
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）であり、
　前記ウェハの歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲であり、
　表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一であって、前記反りが特異な損傷によりもたらされたものではない
ことを特徴とするウェハ。」
（本件補正後）
「【請求項１】
種結晶使用昇華システムにおいて炭化珪素（ＳｉＣ）のバルク単結晶を生産
し、かつ該ＳｉＣの単結晶から高品質ＳｉＣウェハ
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを成長させるステップと、
　前記ＳｉＣブールを薄切りにして
厚さ６００μｍ
　その後、表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり、かつ、前記ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲となるように、前記ウェハを曲げないように下方への力を
約２００ｇ以下に
から成ることを特徴とする方法。
　【請求項６】
高品質の
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）で
厚さが６００μｍで
　前記ウェハの歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲であり、
　表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一であって、前記反りが特異な損傷によりもたらされたものではない
ことを特徴とするウェハ。」（審決注：下線は補正箇所をしめす。）
　
ＩＩ．補正の適否
（一）目的要件
　上記請求項６についての補正は、補正前の請求項６に記載した発明を特定するために必要な事項である「ウェハ」を「高品質の」と限定するとともに、「厚さが６００μｍで」と限定するものである。
　また、上記請求項１についての補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「単結晶を生産する方法」を、補正前に「薄切り」による「ＳｉＣ」の「ウェハ」を得ていたことから、さらに「単結晶を生産し、かつ該ＳｉＣの単結晶から高品質ＳｉＣウェハを生産する方法」と限定するとともに、「ウェハ」を「厚さが６００μｍ」と限定し、「下方への力」を「約２００ｇ以下」に限定するものである。
　そして、補正前の請求項１，６に記載された発明と、補正後の請求項１，６に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題がそれぞれ同一であると認められるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　
（二）独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１，６に記載されている事項により特定される発明（以下、それぞれ「本件補正発明１」、「本件補正発明６」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（請求項１，６についての補正が、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるか否か）を検討する。
Ａ．本件補正発明６について　
１．特許法第３６条第４項第１号について
　本件補正発明６は、高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハであって以下の特定事項からなる発明である。
「高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハであって、
ａ　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）で厚さが６００μｍで　　あり、
ｘ　前記ウェハの歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μ　　ｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲であり、
ｃ　表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一であって　　、前記反りが特異な損傷によりもたらされたものではない
ことを特徴とするウェハ。」
　ただし、ａ、ｘ、ｃの分節は当審によるもので、ａ、ｘの発明特定事項を、以下、それぞれ「発明特定事項ａ」、「発明特定事項ｘ」という。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、少なくとも発明特定事項ｘを有する炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハをどのように製造するのかが記載されておらず、当業者は、そのウェハを製造するために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要があるから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本件補正発明６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである、ということはできない。以下、詳述する。
     
ア　本願の発明の詳細な説明の記載
　本願の発明の詳細な説明には、発明特定事項ｘを有するＳｉＣウェハの製造のための操作・処理、及びそれら操作・処理のための装置や条件に関して、以下の記載がある。
　
（ア）【背景技術】の欄【０００５】ないし【０００８】
「【０００５】
　単結晶炭化珪素は、多くの場合、種結晶使用昇華成長プロセス(seeded sublimation growth process)によって生産される。典型的な炭化珪素成長技法では、種結晶及びソース・パウダ双方を反応坩堝に入れ、反応坩堝をソースの昇華温度まで、そしてソースと周辺の温度が低い種結晶との間に熱的勾配が発生するように加熱する。ソース・パウダは、種結晶と同様、炭化珪素である。坩堝は垂直に向けられ、ソース・パウダが下位部分にあり、種結晶が最上部の、通例、種結晶保持部上に位置する。米国特許第４，８６６，００５号（Ｒｅ３４，８６１号として再発行された）を参照のこと。これらの情報源は、最新の種結晶使用昇華成長技法の説明の一例であり、限定ではない。
【０００６】
　バルク成長に続いて、結晶を、所定の形状を有するブロックに切断し、周辺を研磨し、次いでスライサ内にセットすることが多い。スライサにおいて、結晶ブロックを、高速回転ブレードによって、所定の厚さを有するウェハに薄切りにする。
　通例、スライシング・ブレードは、代表的には、内径鋸(inner diameter saw)であり、薄い鋼板を環状に切断し、Ｎｉめっき層を堆積することによって準備する。Ｎｉめっき層の中では、環状の鋼板の内縁上にダイアモンドの研ぎ粉が埋め込まれている。
【０００７】
　このように結晶インゴットを薄切りにすることによって得られたウェハは、スライシング・ブレードにかけられる張力、ダイアモンド研ぎ粉のブレード内縁への接着、そしてスライサの回転軸の寸法精度のような、種々の条件により、厚さ及び平面性に逸脱が生ずる可能性が高い。薄切りにするときの条件が適切でないと、表面から延びる工作損傷層が発生し、薄切りにしたウェハの内部深くまで達することになる。
　また、この薄切り動作は、ワイヤ・ソーの使用によって遂行することができ、ワイヤが切断ブレードの代わりに用いられる。この場合、研ぎ粉は、ワイヤ内に埋め込まれるか、又はスラリに含有し薄切り動作の直前に、スラリをワイヤ上に噴霧する。この場合、同様の厚さ及び平面性のばらつきが観察されている。
【０００８】
　これらの薄切りによって生ずる好ましくないばらつきは、薄切りにしたウェハをラップ(lap)することによって低減することができる。
　図１（ａ）及び図１（ｂ）を参照すると、従来のラッピング方法では、複数のウェハ２をキャリア４内にセットし、ウェハ２を下位ラッピング・プレート６上に配置し、ウェハ２が下位ラッピング・プレート６上に均一に分散されるようにする。上位ラッピング・プレート８を下降させてウェア２と接触させて、研ぎ粉を、下位ラッピング・プレート６と上位ラッピング・プレート８との間の隙間に供給し、ウェハ２を自転及び回転させる(rotated and revolved)。自転及び回転の間、研ぎ粉によってウェハ２を研磨する。一般によく用いられるスラリを準備するには、ダイアモンド又は窒化硼素粒子を、約１０μｍの粒子サイズを有する研ぎ粉として、適量の水又はその他の溶剤の中に懸濁させる。」
　
（イ）【発明が解決しようとする課題】の欄【０００９】、【００１０】
　　 【課題を解決するための手段】の欄【００１１】
 「【０００９】
　従来のラッピング及びスライシング技法の欠点の１つは、薄切りしたウェハに歪み、反り、そして全厚さ変動（ＴＴＶ：total thickness variations）が生ずることである。・・・
【００１０】
　歪み、反り及びＴＴＶが大きいウェハは、色々な理由から望ましくない場合がある。・・・
　したがって、種結晶使用昇華システムにおいて形成される結晶から薄切りされるウェハにおいて、歪み、反り及びＴＴＶレベルが低く、大型の高品質炭化珪素を生産することは、相変わらず技術及び商業的な目標である。」
「【００１１】
  一態様において、本発明は、直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）であり、歪みが約５μｍ未満であり、反りが約５μｍ未満であり、ＴＴＶが約２．０μｍ未満である、ＳｉＣの高品質単結晶ウェハである。・・・」
　
（ウ）【発明を実施するための最良の形態】の欄の【００２１】ないし【００２６】
 「【００２１】
　図４は、炭化珪素の種結晶使用昇華成長のための昇華システムの断面模式図である。このシステムを全体的に２０で示す。殆どの典型的なシステムにおけると同様、システム２０は、グラファイト製サセプタ２２と、複数の誘導コイル２４とを含み、コイル２４を通じて電流が印加されるとサセプタ２２を加熱する。あるいは、システムによっては、抵抗性加熱を組み込む場合もある。尚、これらの結晶成長技法に精通する者には、本システムは、例えば、水冷クオーツ製ベッセルのような、ある状況内に密閉される可能性もあることは言外であろう。加えて、サセプタ２２と連通する少なくとも１つのガス入口及び出口（図示せず）も、種結晶使用昇華システム２０には含まれている。サセプタ２２は、通例、絶縁体２６で包囲されており、そのいくつかの部分が図４に示されている。サセプタ２２は、炭化珪素パウダ源２８を収容する１つ以上の部分を含む。このようなパウダ源２８は、炭化珪素用の種結晶使用昇華成長技法では最も広く用いられているが、これだけに限られるのではない。炭化珪素種結晶は３０で示されており、通例サセプタ２２の上位部分に置かれる。種結晶３０は、好ましくは、単結晶ＳｉＣ種結晶であり、直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）、歪みが約０．５μｍ、反りが約０．５μｍ、そしてＴＴＶが約１．０μｍである。種結晶使用昇華成長の間に、成長する結晶３４が種結晶３０上に堆積する。通例、種結晶保持部３２が種結晶３０を適所に保持し、種結晶保持部３２はしかるべき様式でサセプタ２２に取り付けられている。これは、当業者には周知の種々の構成を含むことができる。
【００２２】
・・・本発明は、種結晶使用昇華システムにおいて炭化珪素の高品質バルク単結晶を生産する方法であり、その改良には、直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを成長させ、その後、好ましくは機械的に、ＳｉＣブールを薄切りにしてウェハ状とすることを含む。各ウェハの歪みは約０．５μｍ未満であり、反りは約０．５μｍ未満であり、ＴＴＶは表面上において約１．０μｍ未満である。好ましくは、ウェハの厚さは約０．５ｍｍである。
【００２３】
　好適な実施形態では、薄切りにしたウェハを処理し、各側における表面及び内層面の損傷レベルが、既に論じたラッパ(lapper)によって誘発される損傷レベルと同等となるようにする。両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いて、ラッピング・プロセスを開始する。例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い。得られたウェハには、反りが誘発されているが、特異な損傷(differential damage)によるものではなく、標準的な両面又は単面研磨によって処理し、歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハを生産することができる。
【００２４】
　次いで、ＳｉＣウェハを研磨しエッチングすることが好ましい場合もある。好ましい研磨は、化学機械的研磨であり、好ましいエッチングは、溶融ＫＯＨエッチング(molten KOH etch)である。エッチングは、表面上の欠陥を強調するための品質制御技法として遂行し、更なるＳｉＣ又はＩＩＩ−Ｖ成長への先駆ステップとしては不要である（そして、望ましくない）。つまり、成長は、エッチングされていない研磨された種結晶上で遂行するのが通例である。
【００２５】
　当技術分野では周知のように、ＳｉＣブールは、種結晶使用昇華システムにおいて成長させることが好ましい。ブールを薄切りにしてウェハ状とした後、次にこれらのウェハを、炭化珪素の単結晶の種結晶使用昇華成長において種結晶として用いることもできる。
  本明細書の背景の部分で注記したように、炭化珪素の種結晶使用昇華成長の一般的な態様は、長年にわたり総合的に確立している。更に、所与の技法の詳細は、通常故意に、取り巻く状況に応じて変化することは、特に炭化珪素のような困難な材料径における結晶成長に精通する者には認められよう。したがって、ここに示す記載は、一般的及び概略的な意味で捕らえることが最も適切であり、当業者であれば、過度な実験を行わなくても、この開示に基づいて、本発明の改善を遂行できることは認められるであろう。
【００２６】
　本発明の記載にあたり、多数の技法が開示されることは理解できるであろう。これらの各々は、個々の便益を有し、各々は、その他の開示した技法の１つ以上、又は場合によっては全てと共に用いることもできる。したがって、明確化のために、この記載では、個々のステップに可能なあらゆる組み合わせを不要に繰り返すことは、控えることにする。しかしながら、本明細書及び特許請求の範囲を読む際には、このような組み合わせも全て発明の範囲及び特許請求の範囲に該当するように理解することは言うまでもない。」
　
（エ）実施例
「【００３２】
実施例
　本発明にしたがって、直径３インチ、厚さ約１ミリメートルの一連のＳｉＣウェハを形成した。これらのウェハの歪み、反り及びＴＴＶを以下の表１に示す。
　
　
イ　本願の発明の詳細な説明に記載されたＳｉＣウェハの製造方法
（ア）本願の発明の課題
　上記アの【背景技術】の記載によれば、従来のＳｉＣウェハの製造方法において「薄切りによって生ずる好ましくないばらつきは、薄切りにしたウェハをラップ(lap)することによって低減」（【０００８】）されていたこと、しかし、「従来のラッピング及びスライシング技法」では、「薄切りしたウェハに歪み、反り、そして全厚さ変動（ＴＴＶ：total thickness variations）が生ずる」（【０００９】）という欠点があったこと、この「歪み、反り及びＴＴＶが大きいウェハは、色々な理由から望ましくない場合がある」ため、「歪み、反り及びＴＴＶレベルが低く、大型の高品質炭化珪素を生産する」（【００１０】）ことが望まれていたことが示されている。
　そして、「歪み、反り及びＴＴＶレベルが低く」なるための【課題を解決するための手段】として、「ＳｉＣの高品質単結晶ウェハ」において「直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）であり、歪みが約５μｍ未満であり、反りが約５μｍ未満であり、ＴＴＶが約２．０μｍ未満」（【００１１】）とすることが記載され、さらに詳細に当初【請求項９】に「請求項１記載のＳｉＣウェハであって、該ウェハは４Ｈポリタイプを有し、前記ウェハは、歪みが約０．０５μｍ及び約５μｍの間であり、反りが約０．０５μｍ及び約５μｍの間であり、ＴＴＶが約０．５及び２．０μｍの間であることを特徴とするＳｉＣウェハ。」と記載されているから、本願の発明の課題は、「歪み、反り及びＴＴＶレベルが低く、大型の高品質炭化珪素を生産する」ことを含み、そこにおける「歪み、反り及びＴＴＶレベルが低」いとは、具体的には、上記の発明特定事項ｘのレベルであると認められる。
　
（イ）従来のＳｉＣウェハの製造方法における改良
　【発明を実施するための最良の形態】の欄には、本願の発明に係るＳｉＣウェハ自体やその製造方法、そのウェハを用いたデバイスなどについての記載があり、ＳｉＣウェハの製造方法については【００２１】ないし【００２６】に記載されている。
　そして、【００２１】には種結晶使用昇華成長の技法について記載され、【００２２】には「歪み、反り及びＴＴＶレベル」の一態様についての記載があり、【００２５】及び【００２６】には、一般的な製造方法に関する記載があり、種結晶使用昇華成長において種結晶についての他には、ＳｉＣウェハの製造のための具体的な操作・処理についての記載はない。
　よって、本願の発明の課題を解決するための従来の製造方法における改良についての本願の発明の詳細な説明における記載は、【発明を実施するための最良の形態】の【００２３】及び【００２４】の記載事項であり、これに加えて「ラッピング」の具体的方法を記載する【０００８】も合わせたものといえる。
　すると、【００２３】には、図１（ａ）、（ｂ）に記載されるような「両面ラッピング機械」に、「ダイアモンド又は窒化硼素粒子」を、「約１０μｍの粒子サイズを有する研ぎ粉」として、「適量の水又はその他の溶剤の中に懸濁させ」た「スラリ」を供給して、【０００８】に記載されるように「ラッピング」処理を行うことにより、「薄切りによって生ずる好ましくないばらつきは・・・低減」（【０００８】）し、「各側における表面及び内層面の損傷レベル」を、「ラッパ(lapper)によって誘発される損傷レベルと同等となるようにする」ことが記載されていると認められる。
　そして、【００２３】には、この「ラッピング」処理において、「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力を用いて、ラッピング・プロセスを開始する」こと、その「ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力」について、「例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い」ことが記載されている。
　そうすると、この「ラッピング」処理を「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い）を用いて、ラッピング・プロセスを開始する」ことは、本願の発明の課題を解決するための従来の製造方法における改良の一つであると認められる。
　さらに、【００２３】には、この「ラッピング」処理をして得られたウェハには、「反りが誘発されているが、特異な損傷(differential damage)によるものではな」いこと、「標準的な両面又は単面研磨によって処理」して、「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハを生産することができる」ことが記載されている。
　したがって、この「標準的な両面又は単面研磨」処理は、「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」を製造するために必要な処理であると認められ、本願の発明の課題を解決するための従来の製造方法における改良の一つであると認められる。
　しかし、この「標準的な両面又は単面研磨」処理とは、どのような装置において、どのような「研ぎ粉」を用い、どのような条件でそのように研磨する処理をいうのか、本願の発明の詳細な説明には記載されてはいない。
　また、出願当時の技術常識を参酌しても、「標準的な両面又は単面研磨」処理といえるような、特定の装置・条件で行う研磨処理は知られていない。
　したがって、「標準的な両面又は単面研磨」がどのような装置・条件で行う研磨処理であるのかは、不明である。
　なお、続く【００２４】には、「次いで、ＳｉＣウェハを研磨しエッチングすることが好ましい場合もある。好ましい研磨は、化学機械的研磨であ」ること、「ＳｉＣ又はＩＩＩ−Ｖ成長」は「エッチングされていない研磨された種結晶上で遂行するのが通例である」こと、が記載されている。この記載における「研磨」処理は、「好ましい場合もある」とされているうえ、この「研磨」処理とウェハの反り及びＴＴＶとの関係についても触れられていないことから、本願の発明の課題を解決するための従来の製造方法における改良の一つであるとは認められず、また、「次いで」とあることから「化学機械的研磨」は「標準的な両面又は単面研磨」の後工程で行われるものであって、「標準的な両面又は単面研磨」が「化学機械的研磨」を意味するものとも考え難い。
　
（ウ）本願の発明の詳細な説明に記載されたＳｉＣウェハの製造方法
　以上の検討によれば、本願の発明の課題を解決するための従来の製造方法を改良した製造方法として本願の発明の詳細な説明に記載された製造方法は、
『「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い）を用いて、ラッピング・プロセスを開始する」ラッピング処理を行うこと、及び「標準的な両面又は単面研磨」を行うことで、「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」を製造する方法。』（以下、「改良製造方法」という。）
であるということができる。
ウ　「改良製造方法」は、本件補正発明６のウェハを製造することができる方法か
　上記発明の詳細な説明に記載された「改良製造方法」は、少なくとも発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造することができる方法といえるかについて検討する。
　
（ア）「ラッピング」処理と「標準的な両面又は単面研磨」処理との関係についての観点からの検討
　上記アの「（ア）【背景技術】の欄【０００５】ないし【０００８】」によれば、従来方法によっても「薄切りによって生ずる好ましくないばらつきは、薄切りにしたウェハをラップ(lap)することによって低減することができ」てはいたものの、従来の「ラッピング」処理によっては、得られたウェハの「歪み、反り及びＴＴＶ」は未だ十分低い値ではなく、発明特定事項ｘのレベルは達成できなかったものであると認められる。
　そして、上記「改良製造方法」によれば、「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（・・・）を用いて、ラッピング・プロセスを開始」し、かつ、「ラッピング」処理後のウェハを「標準的な両面又は単面研磨」処理をすると、「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」を製造することができる、とされる。
　しかし、「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（・・・）を用いて、ラッピング・プロセスを開始」するという、ラッピング・プロセス開始時点という特定の時点における両面ラッパ上の下方力を特定以下の力とするラップ処理が、その時点においてそれを超える下方力とした場合に比し、どのような作用効果等における差異を生じるのかについてや、さらにその作用効果等の差異と、「標準的な両面又は単面研磨」処理後に「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」が得られること、との間に因果関係があることについては、本願の発明の詳細な説明に何らの説明も裏付けもされてはいない。
　そして、ラッピング・プロセスの特定時点において特定以下の下方力とする「ラッピング」処理と、「標準的な両面又は単面研磨」処理後に「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」が得られることとの間に因果関係があるという技術常識も認められない。
　そうすると、当業者は、「改良製造方法」によれば、少なくとも発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造することができるとは認識し得ない。
　たとえ、「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（・・・）を用いて、ラッピング・プロセスを開始」することが、開始時のみならず開始後の「下方力」も「ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力」であるような「ラッピング」処理であると解しても、その「ラッピング」処理によって、それを超える下方力とした場合に比し、ウェハが割れにくくなるとか、ウェハの削れる速度が遅くなるという作用効果における差異が生じることは認識できるとしても、その作用効果の差異と、「標準的な両面又は単面研磨」処理後に「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」が得られること、との間に因果関係があるという技術常識は認められない。
　よって、「ラッピング」処理条件を上記のように「ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力」を用いるものと解したとしても、当業者は、発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造することができるとは認識し得ない。
　よって、本願の発明の詳細な説明に記載された「改良製造方法」は、発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造することができる方法とはいえない。
　
（イ）他の観点からの検討
　上記方法は、発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造できる方法といえないことは、以下の点からもいえる。
（イ−１）「標準的な両面又は単面研磨」処理の内容についての観点からの検討
　【００２３】よれば、「ラッピング・プロセス」後に反りが誘発されていると認められる。そして、その後の「標準的な両面又は単面研磨」において、何らかの工夫をしてその反りを解消する必要があると認められるところ、その工夫について何らの記載も無い。
　上記イ（イ）のとおり、「標準的な両面又は単面研磨」処理は、どのような装置・条件の研磨処理であるかすら不明な処理であって、このような研磨処理においてこの反りを解消するためにどのような工夫をして、発明特定事項ｘを有するウェハとするのか、不明である。
 
（イ−２）ウェハとして使用するための観点からの検討
　また、「標準的な両面又は単面研磨」処理により、本件補正発明６の発明特定事項ｘ「前記ウェハの歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲」が達成されたとしても、本件補正発明６の「ウェハ」として使用するためには以下の問題が知られている。
　すなわち、審査において引用した特開２００４−１３１３２８号公報には次の記載がある。
「【００１８】
しかしながら、片面研磨プロセスでは、研磨処理を完了してポリッシングブロックからウェハを取り剥す際に、研磨面が大きく反り、表平坦度が著しく劣化する現象が発生する。すなわち、研磨プロセス完了後、ポリッシングブロックから取り剥す前のウェハは、１μｍ以下の極めて良好な表面平坦度を有しているが、取り剥し後に研磨面側が大きく凹面化し、研磨直後の良好な表面平坦度が大きく劣化する。
【００１９】
発明者らの詳しい調査によれば、この平坦度の劣化は、特に本材料のＳｉＣ単結晶ウェハの場合に著しく大きく、また、ウェハ口径や厚さにも依存することが明らかになった。たとえば厚さ７００μｍの口径７６ｍｍＳｉＣ単結晶ウェハの場合、取り剥し後のウェハの表面平坦度は、最大約５０μｍを大きく超える場合があることが明らかになった。」
　上記の記載から、「片面研磨プロセス」（「単面研磨処理」といえる。）が終了して、ウェハを取り剥し後に、研磨面側が大きく凹面化し、表面平坦度が大きく劣化することが示されており、本件補正発明６の発明特定事項ａの「直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍ」の「単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハ」では、上記【００１９】の記載に倣えば、ウェハの厚さが薄いので剛性がより小さいことから、「最大約５０μｍを大きく超える」反りよりもさらに大きな反りとなる場合があり得るという問題が知られているといえる。
　すると、「標準的な・・・単面研磨」処理後に研磨装置から取り外されて得られたウェハにおいても、このような大きな反りが生じると認められるが、このような大きな反りを解消するために、本願明細書に記載された上記「改良製造方法」において、どのような工夫をして、発明特定事項ｘを有するウェハとするのか、不明である。 
（イ−３）研磨処理によって生成する加工変質層の観点からの検討
　さらに、「標準的な両面又は単面研磨」処理により、本件補正発明６の発明特定事項ｘ「前記ウェハの歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲」が達成されたとしても、「標準的な両面又は単面研磨」処理面には以下の問題があることが知られている。
　すなわち、特開２００１−２０５５５５号公報には次の記載がある。
「【０００４】ＳｉＣの鏡面加工は、ダイヤモンド砥粒で表面を研磨して平滑化する方法が一般的である。これは、ＳｉＣ（被研磨材料）よりも硬い材料の砥粒（ダイヤモンド）を使って表面を削る機械的な表面加工方法である。ここで、砥粒径を小さくするほど、表面は平滑になる（面粗度が向上する）が、加工による欠陥（加工変質層）の発生を抑止することはできない。従って、研磨後にドライエッチングする、または熱酸化で酸化膜を成長させた後にフッ酸でウェットエッチングするなどの加工変質層を除去する工程を研磨の後工程として行わなければならないといった問題があった。
【０００６】被研磨材料よりも硬度が小さい材料を砥粒とした研磨ならば、加工面にダメージの少ない加工ができるが、直接砥粒が被研磨材料を削る機械的な加工はできない。被研磨材料の表面に機械的に脆い反応生成物（酸化物、化合物など）を形成して、これを軟質砥粒で剥ぎ取る研磨方法、いわゆるメカノケミカル研磨（化学的機械研磨；ＭＣＰ）ができればよい。しかし、ＳｉＣは化学的に安定な材料であるために、反応生成物の形成が困難である。
【０００８】また・・・ＳｉＣの表面平坦度を良くする方法が提案されている。これらの方法は、被研磨材料と砥粒の接触点におけるメカノケミカル現象で、両者の直接的な固相反応で生じた反応層を砥粒の摩擦作用により除去する研磨方法である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、固相反応を生じさせるためには、被研磨材料と砥粒の接点において、きわめて高圧で両者を接触させることが重要であると推察される。・・・高い加工圧力が必要になると、大口径のウェハを研磨するときには、ポリシング定盤にきわめて高い圧力がかかることになる。また、同じポリシング定盤上で複数のウェハを同時に研磨する場合については、さらに高圧がかかることになる。従って、研磨装置には従来にない高い剛性が必要となるといった問題があった。
【００１１】また、加工圧力は、砥粒との接触点であるウェハ表面だけでなくＳｉＣウェハ全体に加わることになり、結晶歪や欠陥の発生、既存の欠陥の進行、さらには不均一に力が加わった場合にはウェハが割れるといった問題が生じる。しかし、低い加工圧力では固相反応が起こらない、また反応が生じてもその速度、すなわち研磨速度が遅くなり、研磨時間が長くなるといった問題があった。」
　上記の記載から、ＳｉＣの表面研摩処理により、「表面は平滑になる（面粗度が向上する）が、加工による欠陥（加工変質層）」が発生するので、当該「加工変質層」を除去する後処理が必要であったり、「研磨装置」を改良したりする必要のある等の問題が知られているといえる。
　よって、「標準的な両面又は単面研磨」処理後においても「加工変質層」が生成し、その処理が必要であると認められる。
　そして、「加工変質層」は「砥粒で表面を研磨」することで生成するものであり、これは原理的に見て「表面」に機械的に剪断力を及ぼす加工といえるから、加工後の表面に残留応力の生じることは当然であり、「加工変質層」の生成により残留応力が存在すればＳｉＣウェハに反り等の欠陥が発生し、また、ＳｉＣウェハとして使用するためには加工変質層の処理が必要と認められるが、これらの欠陥を解消するために、「改良製造方法」においてどのような工夫をして、発明特定事項ｘを有するウェハとするのか、不明である。
（イ−４）ここまでのまとめ
　以上によれば、「改良製造方法」によっては、本件補正発明６の発明特定事項ｘを有するウェハを製造することができるとはいえない。
　そうすると、発明の詳細な説明の記載から、当業者は、本件補正発明６の発明特定事項ｘを有するウェハを製造するために、「改良製造方法」における砥粒の材質形状、研磨液の組成、研磨装置の研磨速度、研磨圧力等の操作・処理及びそれらの装置・条件などの様々な要素を好適化するなど、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要がある。
　
エ　実施例の記載からの検討
　もっとも、本願の発明の詳細な説明に記載された「改良製造方法」によって発明特定事項ｘを有するウェハが得られることが理論や技術常識から認識できるものではないとしても、具体的操作・処理及び装置条件を明らかにした製造方法によって、発明特定事項ｘを有するウェハが得られたことが具体例の記載によって認められれば、当業者は、そのウェハを製造するために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要なく、発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造することができるといえる。
　そこで、本願の発明の詳細な説明の「実施例」の記載についてみるに、上記アに示すとおり、「実施例」として、「本発明にしたがって、直径３インチ、厚さ約１ミリメートルの一連のＳｉＣウェハを形成した。これらのウェハの歪み、反り及びＴＴＶを以下の表１に示す。」として、「直径３インチ、厚さ約１ミリメートル」のＳｉＣウェハ３例の歪み、反り及びＴＴＶの値が示されている。
　しかしながら、本件補正発明６の「ウェハ」は「厚さが６００μｍ」であるのに対して、上記「実施例」に記載のＳｉＣウェハ３例は「厚さ約１ミリメートル」で、それらの厚さは相違するから、上記「実施例」は本件補正発明６の実施例には相当しない。
　また、「ウェハ」の「厚さ」の点を別にしても以下のとおりである。
　すなわち、これら３例のウェハの歪み、反り及びＴＴＶの値は、発明特定事項ｘの範囲内であると認められる（審決注：「反り」は絶対値で評価した。）。
　しかし、これらのウェハは「本発明にしたがって」（本願明細書【００３２】）形成したと記載されるだけで、具体的にどのような装置・条件の操作・処理によって形成されたものであるのか等、その具体的な製造方法は不明である。
　さらに、これら３例のＳｉＣウェハの歪み、反り及びＴＴＶに差異が認められるが、それらの差異が何に起因するものか、例えば、操作・処理及び／又は装置及び／又は条件のどの差異によるものか、について、何らの示唆を与えるものでもない。
　そうすると、このような「実施例」の記載では、具体的操作・処理及び装置条件を明らかにした製造方法によって、発明特定事項ｘを有するウェハが得られたことは認められず、当業者は、発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造するために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要がある。
　
オ　特許法第３６条第４項第１号についてのまとめ
　以上によれば、本願の発明の詳細な説明には、少なくとも発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハをどのように製造するのかが記載されているとはいえず、当業者は、そのウェハを製造するために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要がある。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本件補正発明６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである、ということはできないから、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に適合するものではない。
　　
２．特許法第３６条第６項第１号について
　上記のとおり、本願の発明の詳細な説明には、少なくとも発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハを製造する製造方法は記載されているということはできない。
　そして、「実施例」に記載される発明特定事項ｘを有するウェハは「厚さ約１ミリメートル」であるから、発明特定事項ａの厚さが６００μmの本件補正発明６のウェハが得られたことは「実施例」に記載されてはいない。
  そこで関連する記載をみると、本願明細書【００２３】には「例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い。得られたウェハには、反りが誘発されているが、特異な損傷(differential damage)によるものではなく、標準的な両面又は単面研磨によって処理し、歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハを生産することができる。」と記載されている。
　しかしながら、「ウェハ」の「歪み、反り及びＴＴＶが低い」とのみ記載されるだけであり、上記で論じてきたように「標準的な両面又は単面研磨」による処理自体がどのようなものであるのか不明なのだから、「標準的な両面又は単面研磨」による処理により、「約２００ｇに等しい力」の「ラッピング」により「誘発」された「反り」が修正されて、同「ウェハ」の「歪み、反り及びＴＴＶ」が、発明特定事項ｘに相当するものとなるかは明らかでない。
　そうすると、本願の発明の詳細な説明には、厚さが６００μmであり発明特定事項ｘを有する高品質の単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハの発明は記載されているとはいえないから、本件補正発明６は、本願の発明の詳細な説明に記載したものということはできない。
　よって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではない。
３．平成２６年１２月２５日付け上申書の主張について
　審判請求人は、平成２６年１２月２５日付け上申書において、
「本願明細書には、米国特許出願番号を含んだ種々の従来技術文献が記載されており、また、実施例として、直径が約７５ｍｍ、歪みが約０．５μｍ、反りが約０．５μｍ、ＴＴＶが約１．０μの種結晶３０を成長させて直径が約７５ｍｍのＳｉＣブールを成長させ、該ＳｉＣブールを薄切りにして、厚さが約０．５ｍｍ、直径が約７５ｍｍ（３インチ）、歪みが約０．５μｍ未満、反りが約０．５μｍ未満、ＴＴＶが約１．０μｍのウェハを形成し、該ウェハを折り曲げるに必要な下方への力又は約２００ｇの下方への力を用いて対ウェハをラッピング処理することにより、ＳｉＣウェハを製造することが記載されている。したがって、本明細書に記載された従来技術文献に記載された技術内容及び本発明の実施例に関する記載を参照すれば、当業者が請求項１に係る発明を実施することができることは明らかである。」
と主張する。
　この主張において、「本明細書に記載された従来技術文献に記載された技術内容及び本発明の実施例に関する記載」が具体的に示されていないので、その主張内容は不明と判断せざるを得ない。
　なお、本願の発明の詳細な説明の【０００１】に記載された従来技術文献は、「米国特許
出願
２
　これらの文献には、ウェハの表面処理により「ウェハ」の「歪み」「反り」「ＴＴＶ」について一定範囲とすることに関する記載は認められない。
　そうすると、上記の判断は、「本明細書に記載された従来技術文献に記載された技術内容」を参照しても、左右されない。
　また、「実施例」の記載については、既に示したとおり発明特定事項ｘを有するウェハがどのように製造されたのかが不明なものであるし、そこに記載されるウェハは「厚さ約１ミリメートル」であるから、発明特定事項ａの厚さが６００μmのウェハが得られたかは記載されてはいない。
　そうすると、上記の判断は、「本発明の実施例に関する記載」を参照しても、左右されない。
　よって、請求人の上記主張は、上記判断を左右するものではない。
Ｂ．本件補正発明１について
ア　本件補正発明１は、ＳｉＣブールを薄切りにしたウェハを以下の特定事項のとおりラッピングするステップｃｃ、ｘｘ、ｄｄを含む発明である。
ｃｃ　「表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり」、かつ、
ｘｘ　「前記ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲となるように」、
ｄｄ　「前記ウェハを曲げないように下方への力を約２００ｇ以下に制限しつつ」
（ｘｘの発明特定事項を、以下、「発明特定事項ｘｘ」という。）
　
　発明特定事項ｘｘにおける「ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲」は、本件補正発明６における発明特定事項ｘと同じである。
　
イ　本願の発明の詳細な説明に記載されたＳｉＣウェハの製造方法は、「第２　ＩＩ（二）Ａ　１．イ（ウ）」に記載されたとおりの「改良製造方法」、すなわち、
『「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い）を用いて、ラッピング・プロセスを開始する」ラッピング処理を行うこと、及び「標準的な両面又は単面研磨」を行うことで、「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」を製造する方法。』である。
　しかし、この「改良製造方法」は、発明特定事項ｘｘを有するＳｉＣウェハを製造できる製造方法といえないことは、「第２　ＩＩ（二）Ａ　１．ウ」に述べたとおりである。
ウ　本願補正発明１の方法は、「改良製造方法」における「標準的な両面又は単面研磨」を行う」工程を必須としていないものである。
　そうすると、「標準的な両面又は単面研磨」を行う」工程を含んだ製造方法ですら発明特定事項ｘｘを有するＳｉＣウェハを製造できるとはいえないのであるから、まして、「標準的な両面又は単面研磨」を行う」工程を含まない場合も包含するものである本願発明１の方法は、発明特定事項ｘｘを有するＳｉＣウェハを製造できる方法であるとはいえない。
エ　したがって、本願補正発明１は、少なくとも発明特定事項ｘｘのＳｉＣウェハを製造する方法として、発明の詳細な説明に記載したものということはできない。
　よって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではない。
Ｃ．本件補正発明１，６の記載不備についてのまとめ
　以上によれば、本件補正発明６に関して、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に適合するものではなく、また、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではない。
　また、本件補正発明１に関して、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではない。
　したがって、本件補正発明１，６は、特許出願の際独立してできるものではないから、請求項１，６についての補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものではない。
Ｄ．独立特許要件についてのむすび
　以上のとおり、請求項１，６についての補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものではないから、その余について検討するまでもなく、本件補正は、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記「第２」のとおり却下されたので、本願の特許を受けようとする発明は、平成２６年２月２１日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下、それぞれの発明を、項番項に従い、「本願発明１」、「本願発明２」などという。）。
「　【請求項１】
種結晶使用昇華システムにおいて炭化珪素（ＳｉＣ）のバルク単結晶を生産する方法において、
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを成長させるステップと、
　前記ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得るステップと、
　その後、表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり、かつ、前記ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲となるように、前記ウェハを曲げないように下方への力を制限しつつ前記ウェハをラッピングするステップと
から成ることを特徴とする方法。
　　【請求項２】
請求項１記載の方法において、該方法はさらに、前記ウェハを研磨するステップを備えていることを特徴とする方法。
　　【請求項３】
請求項１又は２記載の方法において、ＳｉＣブールを成長させるステップは、ＳｉＣの種結晶使用昇華成長から成ることを特徴とする方法。
　　【請求項４】
請求項３記載の方法において、前記ＳｉＣの種結晶使用昇華成長は、単結晶ポリタイプの種結晶使用昇華成長から成ることを特徴とする方法。
　　【請求項５】
請求項４記載の方法において、前記単結晶ポリタイプは、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されることを特徴とする方法。
　　【請求項６】
単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハであって、
　直径が少なくとも７５ミリメートル（３インチ）であり、
　前記ウェハの歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲であり、
　表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一であって、前記反りが特異な損傷によりもたらされたものではない
ことを特徴とするウェハ。
　　【請求項７】
請求項６記載のウェハにおいて、該ウェハは、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、及び１５Ｒポリタイプから成るグループから選択されたポリタイプを有することを特徴とするウェハ。
　　【請求項８】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハはさらに、該ウェハの表面上に少なくとも１つのエピタキシャル層を備え、該エピタキシャル層はＩＩＩ族窒化物及び炭化珪素からなるグループから選択された材料で構成されていることを特徴とするウェハ。
　　【請求項９】
請求項８記載のウェハにおいて、前記ＩＩＩ族窒化物は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＮ、及びこれら組み合わせから成るグループから選択されることを特徴とするウェハ。
　　【請求項１０】
請求項７〜９いずれかに記載のウェハにおいて、該ウェハは、基板上に設けられた複数のデバイスを備え、該デバイスの各々は、
　エピタキシャル層であって、該エピタキシャル層を第１導電型にするのに適したドーパント原子濃度と、ソース、チャネル、及びドレイン部分のそれぞれとを有する、エピタキシャル層と、
　前記チャネル部分上にある金属酸化物層と、
　前記金属酸化物層上にある金属ゲート・コンタクトであって、該金属ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときにアクティブ・チャネルを形成するための金属ゲート・コンタクトと、
を備えていることを特徴とするウェハ。
　　【請求項１１】
請求項７〜９いずれかに記載のウェハにおいて、該ウェハは、基板上に設けられた複数のデバイスを備え、該デバイスの各々は、
　前記基板上にある導電性チャネルと、
　前記導電性チャネル上にあるソース及びドレインと、
　前記導電性チャネル上の前記ソース及び前記ドレインの間にある金属ゲート・コンタクトであって、該金属ゲート・コンタクトにバイアスが印加されたときにアクティブ・チャネルを形成するための金属ゲート・コンタクトと、
を備えていることを特徴とするウェハ。
　　【請求項１２】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数の接合型電界効果トランジスタを備えていることを特徴とするウェハ。
　　【請求項１３】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のヘテロ電界効果トランジスタを備えていることを特徴とするウェハ。
　　【請求項１４】
請求項７記載のウェハにおいて、該ウェハは、単結晶炭化珪素基板上に配置された複数のダイオードを備えていることを特徴とするウェハ。」
　
第４　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定は、「この出願については、平成２５年１１月１９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１および２によって、拒絶をすべきものです。」というものであり、それらの「理由１および２」は、
「理由１
　この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　理由２
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。」
である。
　
第５　当審の判断
　当審は、原査定の上記理由のとおり、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号に適合するものではなく、特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第６項第１号に適合するものではないから、本願は特許法第３６条第４項第１号及び第６項第１号に規定する要件を満たしていない、と判断する。
　その理由は以下のとおりである。
　
１．特許法第３６条第４項第１号について
（１）本願発明６について
　本願発明６は、「第２　ＩＩ（一）」で示すとおり、本件補正発明６の「高品質で」及び「厚さが６００μｍで」の事項がないものに相当する。
　そうすると、本願発明６も、本件補正発明６における発明特定事項ｘを含むものといえる。
　そして、「第２　ＩＩ（二）Ａ　１．」に述べたとおり、本願の発明の詳細な説明には、少なくとも発明特定事項ｘを有する単結晶の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハをどのように製造するのかが記載されておらず、当業者は、そのウェハを製造するために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要があるから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本件補正発明６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである、ということはできない。
　そうすると、本願発明６についても本件補正発明６と同じ理由で、発明の詳細な説明は、当業者がその発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである、ということはできない。
（２）本願発明７ないし１４について
　本願発明７ないし１４は、本願発明６を直接又は間接的に引用するものであって、いずれも発明特定事項ｘを含むものである。
　したがって、本願発明７ないし１４についても本願発明６と同じ理由で、発明の詳細な説明は、当業者がそれらの発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである、ということはできない。
　
（３）特許法第３６条第４項第１号についてのまとめ
　よって、発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に適合するものではない。
　
２．特許法第３６条第６項第１号について
（１）本願発明１について
ア　本願発明１は、「第３」のとおりの方法の発明であり、ＳｉＣブールを薄切りにしたウェハを以下の特定事項のとおりラッピングするステップｃ’、ｘ’、ｄを含む発明である。
ｃ’「表面及び内層面損傷が前記ウェハの各側において実質的に同一となり」、かつ、
ｘ’「前記ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲となるように」、
ｄ　「前記ウェハを曲げないように下方への力を制限しつつ」
（ｘ’の発明特定事項を、以下、「発明特定事項ｘ’」という。）
　
　発明特定事項ｘ’における「ウェハにおける歪みが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、反りが０．０５μｍ〜５μｍの範囲で、ＴＴＶが０．５μｍ〜２μｍの範囲」は、本件補正発明６における発明特定事項ｘと同じである。
　
イ　本願の発明の詳細な説明に記載されたＳｉＣウェハの製造方法は、「第２　ＩＩ（二）Ａ　１．イ（ウ）」に記載されたとおりの「改良製造方法」、すなわち、
『「両面ラッパ上において、ウェハを折り曲げるのに必要な下方力よりも小さい下方力（例えば、直径７５ミリメートル（３インチ）、厚さ６００μｍのウェハには、約２００ｇに等しい力が適している可能性が高い）を用いて、ラッピング・プロセスを開始する」ラッピング処理を行うこと、及び「標準的な両面又は単面研磨」を行うことで、「歪み、反り及びＴＴＶが低いウェハ」を製造する方法。』である。
　しかし、この「改良製造方法」は、発明特定事項ｘ’を有するＳｉＣウェハを製造できる製造方法といえないことは、「第２　ＩＩ（二）Ａ　１．ウ」に述べたとおりである。
ウ　本願発明１の方法は、「改良製造方法」における「標準的な両面又は単面研磨」を行う」工程を必須としていないものである。
　そうすると、「標準的な両面又は単面研磨」を行う」工程を含んだ製造方法ですら発明特定事項ｘ’を有するＳｉＣウェハを製造できるとはいえないのであるから、まして、「標準的な両面又は単面研磨」を行う」工程を含まない場合も包含するものである本願発明１の方法は、発明特定事項ｘ’を有するＳｉＣウェハを製造できる方法であるとはいえない。
　したがって、本願発明１は、少なくとも発明特定事項ｘ’のＳｉＣウェハを製造する方法として、発明の詳細な説明に記載したものということはできない。
　
（２）本願発明２ないし５について
　本願発明２ないし５は、本願発明１を直接又は間接的に引用するものであって、いずれも発明特定事項ｘ’を含むものである。
　したがって、本願発明２ないし５も、少なくとも発明特定事項ｘ’のＳｉＣウェハを製造する方法として、発明の詳細な説明に記載したものということはできない。
（３）特許法第３６条第６項第１号についてのまとめ
　よって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に適合するものではない。
　
第６　本審決のむすび
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第１号に規定する要件を満たすものではないから、同法第４９条第１項第４号に該当し、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。