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　特願２０１２−　８０７４５「太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月１０日出願公開、特開２０１３−２１１４１８、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年３月３０日の出願であって、平成２７年７月１日付け（同年同月７日発送）で拒絶理由が通知され、同年８月２２日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされたが、同年９月１日付け（同年同月８日送達）で拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、これに対して、同年１２月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審より平成２８年６月１日付け（同年同月７日発送）で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年７月２８日付けの手続補正で補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２８年７月２８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「半導体基板の主面上に、量子ドットおよび該量子ドットを内包しているマトリックスにより構成されてなる量子ドット層を有する太陽電池であって、前記量子ドット層は、前記量子ドットからなるコア部と、該コア部を前記マトリックスの成分で取り巻くシェル部とで構成される量子ドット複合体を複数個堆積させたものであるとともに、前記量子ドット層は、前記量子ドットとともに、該量子ドットと同等数の空隙を有しており、前記空隙が前記マトリックスを介して前記量子ドットに隣接して存在していることを特徴とする太陽電池。」
　
第３　原査定の拒絶理由について
１　原査定の拒絶理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
１．特開２０１１−１７６２２５号公報
２．特開２０１１−２５８８５８号公報
３．特開２００５−２６８３７６号公報
４．特表２００６−５１３４５８号公報
５．特開平４−１０７９７１号公報
６．国際公開第２００９／９９０７１号
　請求項１−５に係る発明は、引用文献１−６から、進歩性を有しない。
２　原査定の拒絶理由の判断
（１）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
ａ　引用文献１には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
（ａ）「【０００２】
　省エネルギーかつ省資源でクリーンなエネルギー源として
太陽電池（光電変換装置）
（ｂ）「【００２８】
　　＜（１）光電変換装置の構成例＞
　図１は、本実施形態１における光電変換装置の構成を示す断面図である。図１に示すように、
光電変換装置は、
ｐ型単結晶シリコン基板１００、ｉ型半導体層１１０、及び
ｎ型半導体層１２０が積層されて構成され
【００２９】
　第１、第２導電型は、ｐ型又はｎ型であり、ｐ型の場合は、ホウ素（Ｂ）などのｐ型不純物を、ｎ型の場合は、リン（Ｐ）などのｎ型不純物を有する。ｉ型（真性、intrinsic）とは、不純物が注入されておらず、ｐ型またはｎ型の層と比較し、不純物濃度が低い層を意味する。
【００３０】
　ｐ型単結晶シリコン基板１００は、例えば厚さ２００μｍの、ｐ型の単結晶シリコンによって構成される。
【００３１】
　
ｉ型半導体層１１０は、量子ドット（ナノ粒子）１１１を含むアモルファスシリコンによって構成され
量子ドット１１１（ｄ）はコア−シェル構造になっており、粒状材料からなるコアｃ、及びこのコアｃの外周を被覆する被覆材料からなるシェルｓとを有する
（ｃ）「　　　　【図１】　　　　　　　　　　　　【図２】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｂ　上記（ｃ）の図１及び段落００３１の記載から、「ｉ型半導体層１１０は、量子ドット（ナノ粒子）１１１を分散状態で含有するアモルファスシリコンによって構成され」ているといえる。そうすると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ｐ型単結晶シリコン基板１００、ｉ型半導体層１１０、及びｎ型半導体層１２０が積層されて構成され、
　ｉ型半導体層１１０は、量子ドット（ナノ粒子）１１１を分散状態で含有するアモルファスシリコンによって構成され、
　量子ドット１１１（ｄ）はコア−シェル構造になっており、粒状材料からなるコアｃ、及びこのコアｃの外周を被覆する被覆材料からなるシェルｓとを有する、
　太陽電池（光電変換装置）。」
イ　引用文献２
ａ　引用文献２には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
（ａ）「【００１３】
　本発明の一実施形態では、前記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成された裏面電極層と、前記裏面電極層上に形成されたｐ型光吸収層と、前記ｐ型光吸収層上に形成されたｎ型透明導電膜と、を備え、前記
裏面電極層と
ｐ型光吸収層界面に空隙が形成されている、薄膜太陽電池
（ｂ）「【００２８】
　空隙６内は真空ではなく、金属プリカーサー膜のセレン化時の炉内の気体（主に、窒素ガス）によって充填されている。この気体の屈折率はほぼ１であり、一方、ｐ型光吸収層２を構成するＣＩＳの屈折率は２．５〜３．５である。このように、空隙とＣＩＳとの屈折率の差が大きいので、その境界での光の反射率はかなり大きいものとなる。また、空隙６の表面は傾斜した部分が大きいため、入射光は空隙表面に対して斜めに入射し、更に反射率が上昇する。この結果、
空隙
は裏面反射体（ＢＳＲ）として作用
（ｃ）「　　　　　【図１】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｂ　そうすると、引用文献２には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「裏面電極層とｐ型光吸収層界面に空隙が形成されている、薄膜太陽電池において、前記空隙は裏面反射体（ＢＳＲ）として作用すること。」
ウ　引用文献３
ａ　引用文献３には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
「【００６２】
　
量子ドット４１が媒質４２内に最密充填され
ｂ　そうすると、引用文献３には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「量子ドット４１が媒質４２内に最密充填されること。」
エ　引用文献４
ａ　引用文献４には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
（ａ）「【００３８】
　
量子ドットは、コアを包囲する
シェル
を
備え
（ｂ）「【０２６４】
　幾つかの実施形態に係るナノ複合材料は、内部で分散した量子ドットの均質な分布を持つ、光学的に純粋であることが好ましい。これらの量子ドットは、個々のドットとして、または制御されたサイズの凝集として（例えば、大規模に相互接続された量子ドットのサブシステムに達するより小さな凝集）実質的に均一に分散していてもよい。人工ナノ複合材料は、好ましくは光学的に均質かつ均一であり、特定の応用要求として、光が材料を通過しまたは通過したことに由来する散乱及び／又はモード攪乱が、ほとんど無いか皆無である。ある応用では、
ポリマーまたは他のマトリクス材料中に分散した、
最密充填
ｂ　そうすると、引用文献４には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「量子ドットは、コアを包囲するシェルを備え、ポリマーまたは他のマトリクス材料中に最密充填で分散すること。」
オ　引用文献５
ａ　引用文献５には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
（ａ）「
太陽電池に入射した光が光活性層１内を進行し、
光散乱体２は空隙である
光散乱体２に達した光は、光活性層１内のあらゆる方向に散乱され、その結果入射した光に対する実質的な光路長が長くなり
（ｂ）「また、上記実施例では
光活性層ｌを形成する際にできる空隙２をそのまま光散乱体２として用い
空隙２に透明の充填剤７、例えば透明の樹脂やガラス等を埋め込んだ構造
光活性層ｌ内の空隙の内壁に被膜８を設け
（ｃ）「　　第１図　　　　　　　　　　　　　　第２図
　　　　　第４図　　　　　　　　　　　　　第５図　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｂ　そうすると、引用文献５には、次の技術事項が記載されていると認められる。
　「太陽電池に入射した光が光活性層１内を進行し、
光散乱体２に達した光は、光活性層１内のあらゆる方向に散乱され、その結果入射した光に対する実質的な光路長が長くなる太陽電池において、
　前記光散乱体２は空隙であり、
　前記空隙は、光活性層ｌを形成する際にできる空隙２とするか、空隙２に透明の充填剤７を埋め込んだ構造とするか、光活性層ｌ内の空隙の内壁に被膜８を設ける構造とすること。」
カ　引用文献６
ａ　引用文献６には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
（ａ）「［００３４］（実施例１） 　本実施例では、散乱体１２として、直径Ｄが３００ｎｍ未満の球状を成す空気球１２を用いた。空気球１２は球状以外の断面楕円状や表面凹凸状などの場合もあるが、この場合は直径Ｄ＝最大径Ｄであるとする。この
空気球１２をシリコン基板１０の中に形成する場合、陽極酸化法によって行う
［００３５］　陽極酸化法は、一般的に電気分解によって電極になっている金属を酸化するものである。ここでは、電解液中にシリコン基板１０を入れ、このシリコン基板１０を陽極＋、電解液を陰極#として５〜１０Ｖ位の数ボルトの電圧を印加すると陽極であるシリコン基板１０が酸化される。この酸化によって、シリコン基板１０の受光面１０ａとなる表面にランダムに穴が開き、これらの穴が隣との間隔を保持したまま基板下方に進行し、図２（ａ）に示すように、数分で１０〜１００μｍ位の細長い穴１３が形成される。なお、図２（ａ）〜（ｆ）では各々穴１３は１つのみ記載してある。
［００３６］　この後、穴１３が開口されたシリコン基板１０を８００#９００℃位でアニール処理することによって、図２（ｂ）〜（ｆ）に示すように、基板下方から順に球状の空洞に空気が閉じ込められた空気球１２となって配列される。この他、空洞の内部を真空とする場合は、穴１３に酸素や水などを入れておけばアニール処理によって真空状態になる。
［００３７］　このようにシリコン基板１０の中に多数の空気球１２を導入し、これら
空気球１２で受光面１０ａからの入射光１１を散乱させることによって、
光通過距離が長く
光電変換効率を向上させる
（ｂ）「［００７３］（実施例２）
 　
空気球１２をシリコン基板１０中に形成する他の形成方法
シリコン基板１０にイオン注入を行うイオン注入工程、シリコン基板１０を陽極酸化する陽極酸化工程、及び熱処理を行うアニーリング工程を有する
（ｃ）「　　［図１］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｂ　そうすると、引用文献６には、次の技術事項が記載されていると認められる。
「受光面１０ａからの入射光１１を散乱させることによって、光通過距離が長くし、光電変換効率を向上させるための空気球１２をシリコン基板１０の中に形成する方法は、
陽極酸化法か、
又はシリコン基板１０にイオン注入を行うイオン注入工程、シリコン基板１０を陽極酸化する陽極酸化工程、及び熱処理を行うアニーリング工程を有する方法であること。」
（２）　対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、
引用発明１の「ｐ型単結晶シリコン基板１００」、「量子ドット（ナノ粒子）１１１を含むアモルファスシリコンによって構成され」る「ｉ型半導体層１１０」、「粒状材料からなるコアｃ」、「コアｃの外周を被覆する被覆材料からなるシェルｓ」、「コア−シェル構造になって」いる「量子ドット１１１（ｄ）」は、それぞれ本願発明の「半導体基板」、「量子ドットおよび該量子ドットを内包しているマトリックスにより構成されてなる量子ドット層」、「量子ドットからなるコア部」、「該コア部を前記マトリックスの成分で取り巻くシェル部」、「前記量子ドットからなるコア部と、該コア部を前記マトリックスの成分で取り巻くシェル部とで構成される量子ドット複合体」に相当するから、
本願発明と、引用発明１は、
「半導体基板の主面上に、量子ドットおよび該量子ドットを内包しているマトリックスにより構成されてなる量子ドット層を有する太陽電池であって、前記量子ドット層は、前記量子ドットからなるコア部と、該コア部を前記マトリックスの成分で取り巻くシェル部とで構成される量子ドット複合体を複数個含む、太陽電池。」の点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明の「量子ドット層は、」「（量子ドット複合体を複数個）堆積させたものである」とともに、「前記量子ドットとともに、該量子ドットと同等数の空隙を有しており、前記空隙が前記マトリックスを介して前記量子ドットに隣接して存在している」ものであるのに対し、引用発明１の「ｉ型半導体層１１０は、量子ドット（ナノ粒子）１１１を分散状態で含有するアモルファスシリコンによって構成され」ている点。（以下、「相違点１」という。）
（３）　判断
　以下、上記相違点１について検討する。
　引用文献３に「量子ドット４１が媒質４２内に最密充填すること」、及び引用文献４に「量子ドットは、コアを包囲するシェルを備え、ポリマーまたは他のマトリクス材料中に最密充填で分散すること」が記載されているように、量子ドットやコアを包囲するシェルを備える量子ドットを最密充填すること、つまり堆積状態とすることは、周知技術といえるが、ポリマーまたは他のマトリクス材料の媒質内に堆積された状態であり、空隙は存在しない。
　空隙については、引用文献２、５及び６に記載があるように、入射光を散乱し光通過距離を長くするためのものであり、空隙を設けることも周知技術であるといえる。
　しかしながら、引用文献２、５及び６には、量子ドットに関する記載はなく、量子ドットとの関係における空隙の数や配置について示唆する記載もない。
　そして、引用発明１に、引用文献３、４に記載されたコアを包囲するシェルを備える量子ドットを堆積状態とする周知技術や、引用文献２，５，６に記載された空隙を設ける周知技術を適用しても、引用発明１において、空隙を有し、コア−シェル構造の量子ドット１１１を堆積状態にした層が導かれるにとどまり、量子ドットとの関係における空隙の数や配置について、「該量子ドットと同等数の空隙を有しており、前記空隙が前記マトリックスを介して前記量子ドットに隣接して存在している」という構成を当業者が容易に想到し得るとはいえない。
　さらに、引用文献１ないし６の他に、量子ドットとの関係における空隙の数や配置について開示又は示唆する証拠もない。
　そして、本願発明は、上記の相違点１に係る構成を備えることによって、量子ドット層内に、空隙が量子ドットの数に対応する頻度で存在していることから、入射してきた太陽光が量子ドット層内のマトリックスを通過してきても、太陽光は量子ドットに隣接している空隙によってそれぞれ散乱されて、再び、各量子ドットに吸収されるようになるため、量子ドット層内における太陽光の透過を大きく低下させることができるという顕著な効果を奏するのであるから、本願発明は、引用発明１及び引用文献２ないし６に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得るものということはできない。
　また、請求項２、３に係る発明は、本願発明の発明特定事項の全てを有し、さらに限定した発明であり、いずれも引用発明１及び引用文献２ないし６に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるとすることはできない。
　すなわち、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）（拡大先願） 
 　本願の請求項１，２に係る発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公告又は出願公開がされた下記の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　先願：特願２０１２−８０７５号（特開２０１３−１４９７２９号） 
 　　　　出願日：平成２４年１月１８日、公開日：平成２５年８月１日 
 　　　　出願人：富士フイルム株式会社、発明者：蔵町照彦 
　
 　先願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）の段落６３、６５、７１、７８、８４−８６、図１１ｃ、図１２、図２２ｂ等を参照。 
　本願請求項１，２に係る発明と先願明細書等に記載された発明は同一である。 
　
 （２）（サポート要件） 
 　本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　本願の発明の詳細な説明には、請求項１を引用する請求項２に係る発明の、量子ドットと同等数の空隙を有し、かつ、空隙が量子ドット層の出射側に多く存在するとの構成が記載されていない。 
 　したがって、請求項２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
２　当審拒絶理由の判断
　当審拒絶理由（１）は、補正前の請求項１及び２に対するものであり、当審拒絶理由（２）は、補正前の請求項２に対するものであったが、平成２８年７月２８日付けの手続補正で補正前の請求項１及び２を削除する補正がなされた。
　よって、当審拒絶理由（１）（２）は解消した。
第５　結論
　以上のとおりであり、原査定の拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。また、他に、本願を拒絶する理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。