【事件の表示】
　特願２０１２−　７０５８２「光学半導体装置用基板の製造方法，及び光学半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月　７日出願公開，特開２０１３−２０６８９５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２４年３月２７日の出願であって，平成２６年６月１７日付けで拒絶理由が通知され，同年７月２４日に手続補正がされ，同年１２月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対して，平成２７年３月２日に審判請求がされるとともに，同時に手続補正がされたものである。
　その後，当審において，平成２７年８月１７日付けで拒絶理由が通知され，これに対して，同年９月１８日に手続補正書及び意見書が提出された。
２　本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は，平成２７年９月１８日に提出された補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「【請求項１】
　発光素子を搭載するための第１のリードフレームと，前記発光素子と電気的に接続される第２のリードフレームとを有する光学半導体装置用基板の製造方法であって，
　前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとを前記発光素子を搭載する側の表面が平坦になるように樹脂で一体成型する工程と，該一体成型する工程後に前記第１のリードフレームの前記発光素子を搭載する領域の周囲に前記発光素子を封止する際の流れ止め用の樹脂枠を印刷塗布又はディスペンサー塗布によって接合する工程とを含み，前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの一体成型を，平坦面上に０〜３０μｍ突出した部分が形成されたパーティング面を有する上金型を用いてトランスファーモールドによって行い，前記突出した部分で前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームをクランプすることを特徴とする光学半導体装置用基板の製造方法。」
３　刊行物に記載された発明
（１）引用例１：　特開２０１１−１５５１７８号公報
ア　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０１１−１５５１７８号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜図５とともに以下の記載がある（下線は当審で付加。以下同様。）。
（ア）請求項１
「【請求項１】
相対向する面側の底面に少なくともいずれか一方に薄肉部を設けた一対のリードフレームと前記一対のリードフレーム間を密封する封止部材とからなる薄型平板と，
前記薄型平板上に接合され半導体素子を封入するための貫通孔を有する絶縁部材とを備える半導体素子用パッケージであって，
前記一対のリードフレームの少なくともいずれか一方に，相対向する面側の側面に前記封止部材で被覆される切り欠き部を設けたことを特徴とする半導体素子用パッケージ。」
（イ）技術分野
「【０００１】
　本発明は，一般照明器具，液晶ディスプレイのバックライト光源，ヘッドライト，光センサなどに利用する発光可能な半導体素子を搭載するための半導体素子用パッケージ及びそれを用いた発光素子に関するものである。」
（ウ）実施例１
「【００１９】
　（実施例１）
　以下，本発明の半導体素子用パッケージについて図１〜４を用いて説明する。図１は本発明の実施例１における半導体素子用パッケージの斜視図，図２は本発明の実施例１における半導体素子用パッケージの断面図，図３は本発明の実施例１におけるリフレクタ部材を除いた状態の半導体素子用パッケージの上面図，図４は本発明の実施例１における薄型平板の底面図である。
【００２０】
　
半導体素子用パッケージ１０は半導体素子（図示せず）を搭載するためのパッケージであり，実装基板（図示せず）と電気的，機械的に接続する
【００２１】
　以下，半導体素子用パッケージ１０を詳細に説明するために，まず，図１，図２を用いて半導体素子用パッケージの構成について説明する。リードフレーム１１及び１２は金属製の電極であり，半導体素子と電気的，機械的に接続すると共に，実装基板と電気的，機械的に接続する。これにより，半導体素子はリードフレーム１１及び１２を介して実装基板より給電される。
リードフレーム１１及び１２間を熱硬化絶縁材である封止部材１３によって接続及び密封することにより薄型平板２０は形成される
【００２２】
　次に，図２〜４を用いてリードフレーム１１及び１２について説明する。図２に示すようにリードフレーム１１及び１２の対向する面側の断面は共に階段構造である。リードフレーム１１及び１２は底面側に薄肉部１１ａ及び１２ａを設け，薄肉部１１ａ及び１２ａは封止部材１３で被膜される。つまり，薄型平板２０ａの上面におけるリードフレーム１１及び１２の距離よりも底面におけるリードフレーム１１及び１２の距離を長くなるように構成する。また図３に示すようにリードフレーム１２はリードフレーム１１との対向する側の側面に切り欠き部１２ｂを設け，切り欠き部１２ｂは封止部材１３で被膜される。この構成とすることにより，リードフレーム１１と１２との側面側の距離も十分に長くすることができ，イオンマイグレーション現象を阻止することができる。なお，溝１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ，１２ｄは，薄型平板２０とリフレクタ部材１５とを接着する際に，接着封止部材１４の広がりを防ぐためのストッパである。これにより，接着封止部材１４が薄型平板２０のリフレクタ部材１５と対向する部分の外にはみ出すことを防ぐことができる。なお，接着封止部材１４はリフレクタ部材１５が薄型平板２０と接着する部分に合わせた形のフィルム状の接着封止部材１４を用いてもよい。
　・・・（中略）・・・
【００４０】
　また，接着封止部材１４がリフレクタ部材１５と薄型平板２０との対向部分の内側や外側に漏れ出ると，リードフレーム１１及び１２表面のワイヤボンディング性の低下や外観不良が起きる可能性がある。さらに，接着封止部材１４の種類によっては，接着強度が高いものの反射率の低い材料もあり，接着封止部材１４がリフレクタ部材１５の内側にはみ出すことで反射率が低下し，光取り出し効率が悪化し得る。
【００４１】
　そこで本実施例では，リードフレーム１１及び１２には溝１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ，１２ｄを設けた。これにより，接着封止部材１４が所定の位置からはみ出ることを防ぐことができる。
　・・・（中略）・・・
【００４５】
　次に，
本実施例における半導体素子用パッケージ１０の作製方法について説明する。まずプレス打ち抜きによってリードフレーム１１及び１２の形状の一部を作製する
プレス潰し加工でリードフレーム１１及び１２に薄肉部１１ａ及び１２ａを形成し，階段構造とする。さらに，再度プレス打ち抜きでリードフレーム１１及び１２は最終形状に仕上げられ，全面に銀メッキを塗装される
【００４６】
　
次に薄型平板２０を作製する。リードフレーム１１及び１２を注形金型にセットし，封止部材１３を定量注形する。封止部材１３を（加熱あるいは紫外線照射によって）少し硬化させると，リードフレーム１１及び１２と封止部材１３とは注形金型から外され，その後，例えば２００℃の炉に３０分入れられて本硬化する。これにより，薄型平板２０は形成される。
【００４７】
　
次に接着封止部材１４を薄型平板２０の所定の位置に転写させる
【００４８】
　
次に，リフレクタ部材１５と薄型平板２０とを接着封止部材１４によって仮固定させる
最後に，接着封止部材１４を本硬化させる
（エ）実施例２
「【００４９】
　（実施例２）
　以下，本発明の発光素子について図５を用いて説明する。図５は本発明の実施例２における発光素子の斜視図である。ここでは，実施例１と同一の構成，機能を備えた部材には同一の符号を付し，詳細な説明を省略する。
【００５０】
　発光素子３０の構成について説明する。
図５は実施例１で説明した半導体素子用パッケージ１０に発光可能な半導体素子３１を搭載した発光素子３０を示す。なお本実施例では半導体素子３１としてＬＥＤを用いた。リードフレーム１１及び１２を実装基板と電気的に接続することによって，半導体素子３１は給電され，発光する。半導体素子３１はリードフレーム１１の上面にダイボンドして搭載し，リードフレーム１２とＡｕやＡｌなどによるワイヤ３２によって電気的に接続される。これにより，半導体素子３１はリードフレーム１１上に接着固定されると共に，リードフレーム１１及び１２と電気的に接続される。さらに，貫通孔１５ａに封止樹脂３３を注入し，半導体素子３１及びワイヤ３２を密封する
（オ）図１及び図２は以下のものである。
【図１】
【図２】
イ　ここで，上記ア（ウ）の段落【００４０】〜【００４１】には，接着封止部材１４がはみ出ることを防ぐために，リードフレーム１１及び１２に，溝１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ及び１２ｄを設けることが記載されている。しかしながら，当該構成が必須のものでないことは，上記ア（ア）の請求項１において当該構成が記載されていないことからも明らかである。よって，引用例１には，前記溝１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ及び１２ｄを設けないものも記載されているといえる。当該溝１１ｃ，１１ｄ，１２ｃ及び１２ｄを設けないものにあっては，薄型平板２０は，リフレクタ１５（及び半導体素子３１）が搭載される面，及びそれとは反対側の面が平坦となることは，上記図１及び２の記載から明らかである。
ウ　上記ア及びイから，引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体素子用パッケージ１０の作製方法であって，
　リードフレーム１１及び１２を形成する工程，
　次に，薄型平板２０を作製する工程，
　次に，接着封止部材１４を薄型平板２０の所定の位置に転写させる工程，
　次に，リフレクタ部材１５と薄型平板２０とを接着封止部材１４によって仮固定させる工程，及び
　接着封止部材１４を本硬化させる工程とからなり，
　リードフレーム１１は，その上面に半導体素子３１（ＬＥＤ）が搭載されるものであり，
　リードフレーム１２は，ＡｕやＡｌなどによるワイヤ３２によって，半導体素子３１（ＬＥＤ）と電気的に接続されるものであり，
　リフレクタ部材１５は，その貫通孔１５ａ内に封止樹脂３３が注入されるものであり，
　リードフレーム１１及び１２を形成する工程は，プレス打ち抜きによってリードフレーム１１及び１２の形状の一部を作製し，プレス潰し加工でリードフレーム１１及び１２に薄肉部１１ａ及び１２ａを形成し，階段構造とし，再度プレス打ち抜きでリードフレーム１１及び１２は最終形状に仕上げられ，全面に銀メッキを塗装されることを含み，
　薄型平板２０を作製する工程は，リードフレーム１１及び１２を注形金型にセットし，封止部材１３を定量注形し，封止部材１３を少し硬化させ，リードフレーム１１及び１２と封止部材１３とは注形金型から外し，その後，本硬化することにより，リードフレーム１１及び１２間を封止部材１３によって接続及び密封するとともに，リフレクタ１５（及び半導体素子３１）が搭載される面，及びそれとは反対側の面が平坦であるように形成することを含む，
半導体素子用パッケージ１０の作製方法。」
（２）引用例２：　特開２０１１−１５１２３９号公報
ア　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０１１−１５１２３９号公報（以下「引用例２」という。）には，図１〜図３及び図５とともに以下の記載がある。
「【００５１】
　次に，本発明になるＬＥＤ用リードフレームとＬＥＤモジュールの製造方法を説明する。
【００５２】
　まず，鉄−ニッケル等の合金薄板又は銅−ニッケル−錫等の金属合金製の板状の金属材料を準備し，脱脂等定法の洗浄処理を施した後，板状金属材料の表面にフォトレジストを塗布・乾燥してフォトレジスト層を形成する。
【００５３】
　・・・（中略）・・・
【００５６】
　次に，該板状金属材料の裏面の耐腐食用の樹脂フィルムを剥がし，該板状金属材料の裏面側から，裏面のフォトレジスト非形成部を所定の深度，通常は中央まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理を行う。これにより，
表面，裏面に各々対応するレジストパターンが形成されていない金属部位に貫通部もしくはハーフエッチング部位が形成され，リードフレームの上面視開口部となる。この処理は，多面付けにて行われ，図1，図２に記載したようなＬＥＤリードフレーム10が形成される
【００５７】
　
リードフレーム10は，上記のようにフォトリソ法以外に金型によるプレス法も適用できる
金属部分の厚さが異なる部位を含むような場合
また，タイバー部分に設けたような厚みを薄くするような処理は，表裏を問わず，タイバー以外の部位，例えばＬＥＤ搭載用アイランドであってＬＥＤ搭載やワイヤーボンディング用パッドに影響を与えないような部位とかサポートフレーム内についても行うことができる。
【００５８】
　次に，
図５に示すような充填用金型を使用して，前記リードフレーム10の開口部19に，リードフレーム面と略面一になるように，モールド用充填樹脂４を埋設する
【００５９】
　すなわち，
リードフレーム10を収める所定の内部形状とした凹部を予め形成している金型50の凹部内に，リードフレーム10を装填する。なお，金型としては図５に示すように，蓋となる板状の上金型50aと，溶融した充填樹脂４を注入する注入口52と連通するリードフレーム10（多面付けリードフレーム）を装填可能な凹部53を内部空間として形成した下金型50bとの２枚構成とし，下金型50bの凹部53にリードフレーム10（多面付けリードフレーム）を装填後に，上金型50aで下金型50bに蓋をして型締めするもの
【００６０】
　
次いで，注入口52から，凹部53（内部空間）内に加熱溶融した充填樹脂4を注入して，装填されたリードフレーム10（多面付けリードフレーム）の開口部に充填樹脂4が充填されて成型されたＬＥＤ用リードフレームが得られる。成型後，冷却して上金型を外し，リードフレームを下金型から取り出す。これにより，搭載用アイランド，吊りバー，サポートフレームの表裏面，及び，タイバーの一方の面が空気中に露呈し，開口部が樹脂充填されタイバーの他方の面が充填樹脂で被覆された，概ね平坦に成型されたＬＥＤチップ搭載用リードフレームが形成される
イ　ここで，上記アの段落【００５６】に記載された「ハーフエッチング部位」が，段落【００５７】に記載された「金属部分の厚さが異なる部位」にあたるものであることは明らかである。
　また，上記段落【００５８】に記載されたとおり，リードフレーム面と略面一になるように，モールド用充填樹脂４を埋設するのであるから，上記段落【００５９】に記載された上金型５０ａ及び下金型５０ｂについては，前記リードフレーム面に接する面が平坦であることは明らかである。
ウ　以上から，引用例２には，以下の事項が記載されているといえる。
「金属部位に貫通部及び金属部分の厚さが異なる部位を備えるリードフレーム１０について，前記貫通部及び金属部分の厚さが異なる部位に，リードフレーム面と略面一になるように，モールド用充填樹脂４を埋設して，ＬＥＤチップ搭載用リードフレームを製造する方法であって，
　リードフレーム面に接する面が平坦である下金型５０ｂの凹部５３にリードフレーム１０を装填後に，リードフレーム面に接する面が平坦である上金型５０ａで下金型５０ｂに蓋をして型締めし，次いで，注入口５２から，凹部５３（内部空間）内に加熱溶融した充填樹脂４を注入して，装填されたリードフレーム１０（多面付けリードフレーム）の開口部に充填樹脂４が充填されて，概ね平坦に成型されたＬＥＤチップ搭載用リードフレームとすること。」
４　対比
　引用発明を本願発明と対比する。
（１）引用発明の「リードフレーム１１」は，「その上面に半導体素子３１（ＬＥＤ）が搭載されるものであ」るから，本願発明の「発光素子を搭載するための第１のリードフレーム」に相当する。また，引用発明の「リードフレーム１２」は，「ＡｕやＡｌなどによるワイヤ３２によって，半導体素子３１（ＬＥＤ）と電気的に接続されるものであ」るから，本願発明の「前記発光素子と電気的に接続される第２のリードフレーム」に相当する。
（２）引用発明の，「薄型平板２０を作製する工程」であって，「リードフレーム１１及び１２を注形金型にセットし，封止部材１３を定量注形し，封止部材１３を少し硬化させ，リードフレーム１１及び１２と封止部材１３とは注形金型から外し，その後，本硬化することにより，リードフレーム１１及び１２間を封止部材１３によって接続及び密封するとともに，リフレクタ１５（及び半導体素子３１）が搭載される面，及びそれとは反対側の面が平坦であるように形成すること」は，本願発明の「前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとを前記発光素子を搭載する側の表面が平坦になるように樹脂で一体成型する工程」に相当する。
（３）引用発明は，「薄型平板２０を作製する工程」に次いで行われる，「接着封止部材１４を薄型平板２０の所定の位置に転写させる工程」，及びこれに次ぐ「リフレクタ部材１５と薄型平板２０とを接着封止部材１４によって仮固定させる工程」を備えるところ，「リフレクタ部材１５は，その貫通孔１５ａ内に封止樹脂３３が注入されるものであ」り，封止樹脂３３の流れ止めの作用を有することは明らかであるから，引用発明が備える前記構成と，本願発明の「該一体成型する工程後に前記第１のリードフレームの前記発光素子を搭載する領域の周囲に前記発光素子を封止する際の流れ止め用の樹脂枠を印刷塗布又はディスペンサー塗布によって接合する工程」とは，「該一体成型する工程後に前記第１のリードフレームの前記発光素子を搭載する領域の周囲に前記発光素子を封止する際の流れ止め用の枠を接合する工程」である点で一致する。
（４）引用発明の「半導体素子用パッケージ１０」は，本願発明の「光学半導体装置用基板」に相当する。
（５）よって，引用発明と本願発明とは以下の点で一致する。
「発光素子を搭載するための第１のリードフレームと，前記発光素子と電気的に接続される第２のリードフレームとを有する光学半導体装置用基板の製造方法であって，
　前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームとを前記発光素子を搭載する側の表面が平坦になるように樹脂で一体成型する工程と，該一体成型する工程後に前記第１のリードフレームの前記発光素子を搭載する領域の周囲に前記発光素子を封止する際の流れ止め用の枠を接合する工程とを含む，光学半導体装置用基板の製造方法。」
（６）一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明は，「発光素子を封止する際の流れ止め用の樹脂枠を印刷塗布又はディスペンサー塗布によって接合する工程」を備えるのに対して，引用発明は，「発光素子を封止する際の流れ止め用の枠を接合する工程」に対応する構成を備えるものの，「枠」が「樹脂枠」であること，及び，「接合」が「印刷塗布又はディスペンサー塗布」によることは備えない点。
《相違点２》
　本願発明は，「前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの一体成型を，平坦面上に０〜３０μｍ突出した部分が形成されたパーティング面を有する上金型を用いてトランスファーモールドによって行い，前記突出した部分で前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームをクランプする」構成を備えるのに対して，引用発明はそのような構成を備えない点。
５　検討
（１）相違点１について
ア　発光素子を封止する際の流れ止め用の枠を樹脂により形成することは，以下の周知例１及び２にも示されているように，周知の技術であり，また，当該樹脂枠の形成方法として，印刷塗布及びディスペンサー塗布を用いることも，それぞれ同周知例２及び同周知例１に示されているように周知の技術である。
イ　周知例１：　特開２０１０−２４５１２８号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０１０−２４５１２８号公報（以下「周知例１」という。）には，図４及び図５とともに以下の記載がある。
「【００３１】
　図４は，製造装置３０によって，基板１２にリフレクタ２２を形成する方法について説明するための一例の図である。
　図４（ａ）に示すように，ＬＥＤチップ２１が実装された基板１２を台座３４にセットする。そして，台座３４を移動させて，リフレクタ用ディスペンサ３１と，基板１２上のＬＥＤチップ２１との位置合わせを行う。このとき，後述する円環状のリフレクタ樹脂４１がＬＥＤチップ２１を囲うことができるように位置調整を行う。
　そして，図４（ｂ）に示すように，ヘッド３２の吐出口３９に所定量のリフレクタ樹脂４１が突出するように，リフレクタ樹脂４１を充填する。このとき，ヘッド３２の吐出口３９には，円環状のリフレクタ樹脂４１が形成された状態となっている。
【００３２】
　次に，図４（ｃ）に示すように，
吐出口３９に充填されるリフレクタ樹脂４１の先端側が基板１２に接触する程度まで，リフレクタ用ディスペンサ３１を基板１２側へと移動（下降）させる。そして，吐出口３９における円環状のリフレクタ樹脂４１が基板１２に付着する
　・・・（中略）・・・
【００３５】
　また，上記の例では，予めＬＥＤチップ２１が実装された基板１２に対して，リフレクタ２２を形成している。ここで，
ＬＥＤチップ２１が実装されていない基板１２に対してリフレクタ２２を形成しても構わない
【００３６】
　・・・（中略）・・・
【００３７】
　図５（ａ）に示すように，リフレクタ２２が形成された基板１２を準備する。そして，少なくともリフレクタ２２の内側に封止用ディスペンサ５０の射出口が位置するように，基板１２と封止用ディスペンサ５０との位置合わせを行う。
　図５（ｂ）に示すように，封止用ディスペンサ５０を用いて，封止樹脂５１をリフレクタ２２の内側に滴下（ポッティング）する。
このとき，リフレクタ２２が液状の封止樹脂５１を堰き止める機能を果たす
ウ　周知例２：　特開２００８−２７９９９号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００８−２７９９９号公報（以下「周知例２」という。）には，図３及び図４とともに以下の記載がある
「【００３４】
　（実施の形態２）
　本発明の実施の形態２に係る発光装置の製造方法を図３および図４に基づいて説明する。図３（Ａ）から同図（Ｆ）は，本発明の実施の形態２に係る発光装置の製造方法を説明する断面図である。図４（Ａ）から同図（Ｅ）は，図３から引き続いて行われる工程を説明する断面図である。なお図３および図４においては，図１および図２と同じ構成のものは同符号を付して説明を省略する。
【００３５】
　図３（Ａ）は，図１（Ａ）と同様に，まず配線パターン２が形成された基板材１を準備する。図３（Ｂ）に示すように，この基板材１が分割される位置に
開口１６を有する印刷版１７を基板材１に配置する。つまりこの後に形成される樹脂封止部８の周囲を囲うように４つの側面に反射樹脂層１１を形成するのであれば，基板材１に配置される発光素子４ごとに平面視して矩形状の開口１６が形成された印刷版１７となる。次に，開口１６に高反射率を有する反射性樹脂を充填する。そして充填した反射性樹脂を硬化させることで，発光素子４が搭載される搭載部を囲うような凹部が形成された図３（Ｃ）に示すような反射樹脂層１１が形成される
【００３６】
　図３（Ｄ）に示すように，発光素子４を搭載する一方の配線パターン２にダイペースト３を塗布する。図３（Ｅ）に示すようにダイペーストを塗布した配線パターン２に発光素子４を搭載して，ダイペースト３を硬化させる。発光素子４を搭載すると，図３（Ｆ）に示すように発光素子４をダイボンドした一方の配線パターン２と他方の配線パターン２とのそれぞれにワイヤ５によりワイヤボンディングを行う。
【００３７】
　図４（Ａ）に示すように，ダイボンドしてワイヤボンドされた発光素子４を封止するために，
蛍光体を含有した樹脂１８を，ディスペンサのシリンジ１９からポッティングにより充填する。そして充填した樹脂１８を硬化させることで，図４（Ｂ）に示すような樹脂封止部８が形成される
エ　そして，前記３（１）ア（ウ）に摘記したとおり，引用例１には，引用発明の「リフレクタ部材１５と薄型平板２０とを接着封止部材１４によって仮固定させる工程」の後に，「仮固定後も接着封止部材１４のはみ出し」の検査が望まれる旨が記載されている（段落【００４８】）ところ，上記各周知技術によれば当該検査の必要がないことは明らかであるから，引用発明において，「リフレクタ部材１５と薄型平板２０とを接着封止部材１４によって仮固定させる」ことに代えて，上記各周知技術を採用することにより相違点１に係る「発光素子を封止する際の流れ止め用の樹脂枠を印刷塗布又はディスペンサー塗布によって接合する」ことは，当業者が適宜になし得たことである。
（２）相違点２について
ア　引用発明においては，「薄型平板２０を作製する工程は，リードフレーム１１及び１２を注形金型にセットし，封止部材１３を定量注形し，封止部材１３を少し硬化させ，リードフレーム１１及び１２と封止部材１３とは注形金型から外し，その後，本硬化することにより，
リードフレーム１１及び１２間を封止部材１３によって接続及び密封するとともに，リフレクタ１５（及び半導体素子３１）が搭載される面，及びそれとは反対側の面が平坦であるように形成する
　一方，前記３（２）ウに記載したとおり，引用例２には，「金属部位に貫通部及び金属部分の厚さが異なる部位を備える
リードフレーム１０について，前記貫通部及び金属部分の厚さが異なる部位に，リードフレーム面と略面一になるように，モールド用充填樹脂４を埋設して，ＬＥＤチップ搭載用リードフレームを製造する方法
リードフレーム１０（多面付けリードフレーム）の開口部に充填樹脂４が充填されて，概ね平坦に成型されたＬＥＤチップ搭載用リードフレームとすること
　ここで，引用例２においては，「注入口５２から，凹部５３（内部空間）内に加熱溶融した充填樹脂４を注入」する際の具体的方法の明記はなく，金型により構成される空間内に溶融した樹脂が注入する成型方法の一種である周知の射出成形により行うものであるとも解しうる。しかしながら，トランスファ成形，すなわちトランスファーモールドも，金型により構成される空間内に溶融した樹脂が注入される方法であり，しかも，以下の周知例３及び４にも示されているように，半導体装置の樹脂成形技術において従来より周知慣用されるものであるから，引用発明において，引用例２に係る前記金型を用いてトランスファーモールドを行うことは，当業者が適宜になし得たことである。
イ　周知例３：　特開２０１１−１１９５５７号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０１１−１１９５５７号公報（以下「周知例３」という。）には，図３Ａとともに以下の記載がある。
「【００５０】
　ここで，個々の金属製リードフレーム２は，上述した様に，スリット６によって半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とに分割され，有底の溝部６Ａ，凹部１０や第２の凹部１８が設けられている。なお，半導体発光素子搭載部７と金属線接続部８とは，金属製リードフレーム基材２０では分離されており，隣接する桟フレーム２２によって吊られる様に保持されている。
　・・・（中略）・・・
【００５３】
　続いて，
トランスファーモールド技術を用いて，スリット６，溝部６Ａ，凹部１０及び第２の凹部１８に反射用樹脂材料４を充填する
　また，同時に，反射用樹脂材料４によって，半導体発光素子搭載領域９を囲繞する反射体１４を形成する。更に，桟フレーム２２の下方（半導体発光素子３の搭載面とは反対側方向）にも反射用樹脂材料４を充填する（図３Ａ（ｂ）参照。）。」
ウ　周知例４：　特開２０１０−１８９５５４号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０１０−１８９５５４号公報（以下「周知例４」という。）には，図１及び図２とともに以下の記載がある。
「【００８９】
［光半導体素子搭載用基板］
　本発明の半導体素子搭載用基板は，底面及び壁面から構成される凹部を有し，凹部の底面が光半導体素子搭載部であり，凹部の壁面の少なくとも一部が本発明の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものである。図１は，本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。また，図２は，本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す模式断面図である。光半導体素子搭載用基板１１０は，Ｎｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５と，リフレクター１０３とを備え，Ｎｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５とリフレクター１０３とから形成された凹部２００を有している。すなわち，凹部２００の底面はＮｉ／Ａｇめっき１０４が形成された金属配線１０５から構成され，凹部２００の壁面はリフレクター１０３から構成されるものであり，リフレクター１０３は，上記本発明の熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体である。
【００９０】
　本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが，例えば，本発明の熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形により製造することができる。より具体的には，以下の手順に従って光半導体素子搭載用基板を製造することが可能である。まず，金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線１０５を形成し，電気めっきによりＮｉ／Ａｇめっき１０４を施して，リードフレームを形成する。次いで，
リードフレームを所定形状の金型に配置し，金型の樹脂注入口から本発明の熱硬化性樹脂組成物（タブレット成型体の溶融物）を注入し，所定の条件でトランスファー成形する
エ　また，リードフレームについて樹脂成形を行う際に，当該リードフレーム上に樹脂バリが発生する課題があり，当該樹脂バリの発生を防ぐために，金型がリードフレームを押圧する部分（すなわちパーティング面）において，金型を数μｍ程度突出させることは，以下の周知例５及び６にも示されているように，従来より周知の技術である。
オ　周知例５：　特開２０１１−２３３８２１号公報
（ア）本願の出願前に日本国内において頒布された特開２０１１−２３３８２１号公報（以下「周知例５」という。）には，図１，２，３Ａ，４〜９とともに以下の記載がある。
・「【０００７】
　発光装置は，小型化が望まれており，また，低コスト化のために一度に多くの発光装置が製造できることが望まれている。しかしながら，樹脂パッケージに発光素子用の凹部を備えた発光装置では，金型を外したときに凹部にバリが残ると，実装しようとする発光素子のサイズにより規定された条件を満たすことができずにその発光素子を実装することができなくなってしまう。つまり，凹部の内部の側面と底面との間に不要な樹脂がバリとして残ると，発光素子を載置するための領域等が充分に確保できなくなってしまう。そこで，凹部にバリが残った場合でも発光素子を実装できるように想定したサイズで樹脂パッケージを設計することで対処しなければならない。この場合，樹脂パッケージの全体のサイズが不必要に大きくなってしまう。また，樹脂パッケージの凹部のサイズだけを大きくすると，樹脂パッケージの強度が弱くなってしまう。」
・「【００３６】
　樹脂パッケージ２０は，図２に示すように，対向する２つの外側面２０ｄには露出させずに，これら２つの外側面２０ｄと直交する他の対向する２つの外側面２０ｂには露出させて設けたリード２２ａ，２２ｂを備える。リード２２ａ，２２ｂは，その上面を樹脂部２５から凹部２７の内底面２７ａに露出させている。リード２２ａ，２２ｂの上面は，凹部２７の底面２７ａをなす領域が，当該領域の外側周辺部分よりも低く形成されている。つまり，図３Ａに符号６０で示すように，リード２２ａ，２２ｂの上面には，凹部２７の内底面２７ａをなす領域がその周囲よりも低くなるように僅かな段差が設けられている。ここで，この
段差６０の高さｄは０．０１μｍ以上５０μｍ以下，好ましくは０．０５μｍ以上１０μｍ以下，さらに好ましくは０．１μｍ以上５μｍ以下である
・「【００６１】
［発光装置の製造方法］
＜発光装置の製造方法の概要＞
　図１に示す発光装置１００は，図４に示すリードフレーム２１を用意し，リードフレーム２１を上金型と下金型とで挟み込む工程と，上金型と下金型とで挟み込まれた金型内に，樹脂をトランスファ・モールドして，リードフレーム２１の列方向に一体となった一列
の樹脂成形体２４を複数形成する工程と，行方向にダイシングする工程（樹脂切断工程）と，列方向にリードカットする工程（リード切断工程）とを主に有している。リードフレーム２１と一体成形された樹脂成形体２４の一例を図５に示す。
【００６２】
　・・・（中略）・・・
【００６８】
　次に，各製造工程について説明する。金型７０でリードフレーム２１を挟み込む工程では，図７に示す下金型７２に対して，図６（ａ）に示す上金型７１を反転させてリードフレーム２１を挟み込む。以下では，金型７０でリードフレーム２１を挟み込む前から金型
７０を取り外すまでの工程について図８を参照して説明する。図８は，図７のＢ−Ｂ線断面に相当する断面図を示す。
【００６９】
（第１工程）
　予め，リードフレーム２１には，金属メッキ処理を行っておく。図８（ａ）に示すリードフレーム２１を，下金型７２に配置し，図８（ｂ）に示すように，リードフレーム２１を上金型７１と下金型７２とで挟み込む。上金型７１と下金型７２とで挟み込むことによって金型７０内に空間が設けられる。
【００７０】
　このとき，凹部２７が形成される位置にある切り欠き部２１ａが上金型７１の有する突出部７１３と下金型７２とで挟まれるように配置し，リードフレーム２１に強圧する（コイニングする）。その結果，第１リード片２１３および第２リード片２１４の上面において，樹脂パッケージの凹部２７の内底面２７ａに対応する領域が潰れて周囲よりも下降して僅かに薄くなる。これにより，切り欠き部２１ａにおけるリードフレーム２１のバタつきが抑制され，バリの発生を低減することができる。
【００７１】
（第２工程）
　次に，図８（ｃ）に示すように，上金型７１と下金型７２とで挟み込まれた金型７０の空間内に，上金型７１においてリードランナー２１２間に設けられる注入口７１４から，光反射性物質２６が含有される樹脂２３を注入して，所定の温度と圧力とを加えてトランスファ・モールドする。これにより，リードフレーム２１に列方向に樹脂成形体２４を形成する。
ここで，上金型７１と下金型７２とで切り欠き部２１ａ付近のリードフレーム２１を挟み込んでいるため，樹脂２３をトランスファ・モールドする際に，リードフレーム２１がバタつかず，凹部２７の内底面２７ａにおいてバリの発生を抑制できる
【００７２】
　続いて，樹脂２３を硬化させた後，図８（ｃ）に示すエジェクトピン７１５，７１６で，成形品（ハウジング）を突き出しながら，上金型７１を外し，次に，下金型７２をリードフレーム２１から外す。このとき，金型７０内において所定の温度を加えて仮硬化を行い，その後，金型７０から抜脱して，仮硬化よりも高い温度を加えて本硬化を行うことが好ましい。
【００７３】
　ここで，バリの発生を低減する効果について図９を参照して説明する。図９は図８（ｃ）に対応する拡大断面図であって，図９（ａ）は，第１工程にて上金型７１の有する突出部７１３でリードフレーム２１を強圧しない場合の比較例，図９（ｂ）は，第１工程にて突出部７１３でリードフレーム２１を強圧する場合をそれぞれ示している。
【００７４】
　図９（ａ）に示すように，リードフレーム２１の第１リード片２１３と第２リード片２１４とに対して上金型７１の突出部７１３を接触させて，樹脂を注入し，硬化させてから，上金型７１を取り外したときに，突出部７１３の中心Ｃでは，突出部７１３とリードフレームとが密着していたので，バリが残らない。また，突出部７１３の中心Ｃの周辺の位置Ｐ１では，突出部７１３の端部近傍とリードフレームとの間に僅かな隙間があるので，バリが生じるが，薄いので簡単なバリ取り工程によるか，若しくはバリ取り工程でなくても自然に取れる。
【００７５】
　しかしながら，凹部の内側面と底面との接合部の位置Ｐ２では，樹脂が突出部７１３の端部に接触していたため，位置Ｐ１で残る薄い部分よりも厚く樹脂が形成されているので，図９（ａ）において細かなドットのハッチングで示すように，バリが残る。これは，金型の先端部のリード接触面は，その周縁が面取りされており，リードの表面が平坦であって，金型の抑える力が弱いと，金型の先端部の周縁がリードの表面から浮いて僅かな隙間が残っており，その隙間に樹脂が流入し，結果，バリが残るためであると考えられる。
【００７６】
　これに対して，本実施形態では，リードフレーム２１の第１リード片２１３と第２リード片２１４とに対して上金型７１の突出部７１３を接触させてコイニングする。このとき，図９（ｂ）に示す
突出部７１３の中心Ｃにおいて，深さｄは５０μｍ以下であることが好ましい。また，深さｄは０．０１μｍ以上であることが好ましい
（イ）ここで，上記周知例５の段落【００７６】とともに段落【００３６】の記載を見ると，段差ｄの値としては最も好ましいのは「０．１μｍ以上５μｍ」であって，これに対応する上金型７１の突出部７１３の突出量を数μｍ程度とすることは明らかである。
カ　周知例６：　特開平６−３１４７１６号公報
（ア）本願の出願前に日本国内において頒布された特開平６−３１４７１６号公報（以下「周知例６」という。）には，図１〜３とともに以下の記載がある。
「【００１７】
【実施例】次に，本発明について図面を参照して詳しく説明する。図１は本発明の一実施例を示す樹脂封止用金型の下金型の外観図であり，
図２はリードフレームクランプ面１５の詳細を示すリードフレームクランプ面部分拡大図である。リードフレームクランプ面１５には図２に詳細に示す様に微小な凸凹２１が彫り込まれている。さらに凸凹２１の彫り込み方向はリードフレームクランプ面１５がクランプするリードの伸延方向とは直交する方向，すなわちキャビティ１３の辺と平行とする。この様な凸凹２１を形成したリードフレームクランプ面１５でリードフレームをクランプすると，凸凹がリードフレームのリードに喰い込みさらに凸凹２１の方向がキャビティ１３から樹脂がもれ出そうとする方向と直角であるから樹脂もれを確実にくい止め，従って樹脂バリの発生も防止できる
【００１８】図３は，樹脂封止後のリードフレームの断面が現われるように描いた樹脂封止品の断面図である。本図に示すように，リードフレーム２０上に凸凹２１が喰い込んだ深さｃの跡が残るが，その深さｃは製品として支障のない程度にすればよい。
例えば凸凹２１を表面粗さ２μｍ程度とするだけで樹脂もれすなわち樹脂バリは防止でき
（イ）ここで，「凸凹２１を表面粗さ２μｍ程度」であるから，凸凹２１の突出量が数μｍ程度以下であることは明らかである。
キ　そして，引用発明においても前記周知の課題である樹脂バリの発生が好ましくないことは明らかであるから，前記周知技術も採用して，相違点２に係る，「前記第１のリードフレームと前記第２のリードフレームの一体成型を，平坦面上に０〜３０μｍ突出した部分が形成されたパーティング面を有する上金型を用いてトランスファーモールドによって行い，前記突出した部分で前記第１のリードフレーム及び前記第２のリードフレームをクランプする」構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
ク　また，本願発明において，相違点１及び２に係る構成を備えることにともない，格別な効果が奏されるものともいえない。
６　まとめ
　以上２〜５のとおり，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。