【事件の表示】
　特願２０１１−　６２５２１「電気光学装置、投射型表示装置および電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月１８日出願公開、特開２０１２−１９８３８６、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月２２日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　２月２８日　　　手続補正書の提出
　平成２６年１１月２７日付け　拒絶理由の通知
　平成２７年　１月１９日　　　意見書、手続補正書の提出
　平成２７年　４月　７日付け　拒絶理由（最後の拒絶理由）の通知
　平成２７年　６月　２日　　　意見書、手続補正書の提出
　平成２７年　８月１４日付け　拒絶査定（同年同月１８日送達）
　平成２７年１１月１０日　　　審判請求、手続補正
第２　平成２７年１１月１０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１．補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「画素トランジスターと、
　該画素トランジスターに電気的に接続された画素電極と、
　前記画素トランジスターと前記画素電極との間に配置された複数層の層間絶縁膜と、
　隣り合う前記画素電極の間の前記複数層の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに、前記画素トランジスターと平面視で重なるように設けられた溝状凹部と、
　前記溝状凹部を覆うように配置された第１電極層と、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記第１電極層を覆うように配置された誘電体層と、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記誘電体層を覆うように配置された第２電極層と、を含む蓄積容量と、
を有し、
　前記第２電極層は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン領域と前記画素電極とに電気的に接続し、
　前記第１電極層および前記第２電極層は、光を遮る導電膜であることを特徴とする電気光学装置。」
とする補正（以下、「補正事項１」という。）を含んでいる。
２．補正の適否
　本件補正の補正事項１は、補正前の請求項１に、「前記画素電極」の記載の前に「第１の画素電極」の記載はあるが、「画素電極」は記載されていないという誤記があったことから、「第１の画素電極」、「第２の画素電極」、「画素電極」との記載を、「画素電極」、「隣り合う前記画素電極」との表現を用いることにより誤記を訂正するものであって、特許法第１７条の２第５項第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　また、本件補正の補正事項１は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１電極層」及び「第２電極層」について、「前記第１電極層および前記第２電極層は、光を遮る導電膜である」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
（１）刊行物の記載事項
ア　引用刊行物１
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−３０４３５３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は、当審において付したものである。）
ａ「【０００１】
　本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該
電気光学装置用基板を備えてなる
電気光学装置
液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。」
ｂ「【００７１】
　図５において、
蓄積容量７０ａは、下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成され
【００７２】
　
上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極であ
【００７３】
　上部容量電極３００は、例えば金属又は合金を含んでＴＦＴ３０の上側に設けられた非透明な金属膜である。
上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する
【００７４】
　下部容量電極７１ｍは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。下部容量電極７１ｍは、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。
【００７５】
　
下部容量電極７１ｍも、上部容量電極３００と同様に非透明な金属膜である。
ｃ「【００８３】
　
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３ａが各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が形成されており、これらの上には、コンタクトホール８１ａが開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。データ線６ａの上から第２層間絶縁膜４２の全面及び中継層９３を覆うように、コンタクトホール８５ａが形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。画素電極９ａ及び不図示の配向膜は、第３層間絶縁膜４３の上面に設けられている。
ｄ「【００８９】
　加えて、本実施形態では、
蓄積容量７０ａが、ＴＦＴ３０の直上に配置されているため
蓄積容量７０ａ及びＴＦＴ３０間の距離を近づけることができ、
低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光を蓄積容量７０ａによって遮ることが可能である
【００９０】
　尚、本実施形態では、画素毎に設けられた上部容量電極３００は、画素間で相互に分断された金属膜であり、下部容量電極７１ｍは、Ｘ方向に沿って複数の画素に延在され、これら複数の画素で共用されている。低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光のうち
上部容量電極Ｘ側延在部３００ｘによって遮られなかった光は、下部容量電極Ｘ側延在部７１ｍｘによって遮られる。
ｅ「
　　　【図５】　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）　上記ｅ（図５）の記載から、走査線３ａ上方に積層される第１層間絶縁膜４１、下部容量電極７１ｍ、誘電体膜７５ａ及び上部容量電極３００に凸部が形成されて段差が生じていることが見て取れる。
　そうすると、引用刊行物１には、以下の発明が記載されていると認められる（以下、「引用発明１」という。）。なお、参考のために引用した段落番号及び図面番号を括弧内に示す。
「（【００８３】）走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３ａが各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成され、第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が形成され、これらの上には、コンタクトホール８１ａが開孔された第２層間絶縁膜４２が形成され、データ線６ａの上から第２層間絶縁膜４２の全面及び中継層９３を覆うように、コンタクトホール８５ａが形成された第３層間絶縁膜４３が形成され、画素電極９ａ及びの配向膜は、第３層間絶縁膜４３の上面に設けられており、
（【００７１】）蓄積容量７０ａは、下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成され、
（【００７２】）前記上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極であり、
（【００７３】）前記上部容量電極３００は、前記ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能し、
（【００７５】）前記下部容量電極７１ｍも、前記上部容量電極３００と同様に非透明な金属膜であり、
（【００８９】）前記蓄積容量７０ａが、前記ＴＦＴ３０の直上に配置されているため、前記蓄積容量７０ａ及び前記ＴＦＴ３０間の距離を近づけることができ、低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光を前記蓄積容量７０ａによって遮ることが可能であり、
（図５、図１１）前記走査線３ａ上方に積層される前記第１層間絶縁膜４１、前記下部容量電極７１ｍ、前記誘電体膜７５ａ及び前記上部容量電極３００に凸部が形成されて段差が生じている
（【０００１】）電気光学装置。」
イ　引用刊行物２
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−６９２４７号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は、当審において付したものである。）
ａ「【０００６】
　　本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、
蓄積容量を増加させる
電気光学装置
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　　本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、
基板と、該基板上の画素領域で互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線に電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、前記データ線及び前記走査線のうち少なくとも一方の配線上に形成されたストッパ膜と、前記ストッパ膜上に局所的に形成されており、前記ストッパ膜から切り立った側壁を有する段差形成用膜と、少なくとも前記側壁を階段状に跨るように形成された下部電極及び該下部電極に容量絶縁膜を介して対向する上部電極を有する容量とを備え
ｂ「【００２０】
　　本発明の電気光学装置の他の態様では、前記側壁は、島状に設けられた前記段差形成用膜の周囲を規定する側壁である。
【００２１】
　　この態様によれば、段差形成用膜における側壁は、島状に設けられた段差形成用膜の周囲を規定する側壁である。即ち、
段差形成用膜によって形成される段差は、凸部として形成される。
【００２２】
　　本態様では特に、容量を形成する下部電極、容量絶縁膜及び上部電極が、島状に設けられた段差形成用膜に跨るように配置される。よって、容量は段差形成用膜の側壁に対応する部分にも形成され、三次元的な広がりを有する。従って、容量を効率的に増大することが可能である。」
ｃ「【００８９】
　　ストッパ膜２００が形成されると、例えば絶縁膜からなる段差形成用膜４５を、平面的に見てストッパ膜２００全体を覆うように形成する。続いて、
段差形成用膜４５を、図に示すように縁部分だけを残してエッチングする。
ｄ「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）上記ｄ（図１０）の記載から、縁部分だけを残してエッチングされて形成された段差形成用膜４５が見て取れる。
　段落０００６及び段落０００７の記載から、
「電気光学装置の蓄積容量を増加させるために、
　基板と、該基板上の画素領域で互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線に電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、前記データ線及び前記走査線のうち少なくとも一方の配線上に形成されたストッパ膜と、前記ストッパ膜上に局所的に形成されており、前記ストッパ膜から切り立った側壁を有する段差形成用膜と、少なくとも前記側壁を階段状に跨るように形成された下部電極及び該下部電極に容量絶縁膜を介して対向する上部電極を有する容量とを備える」との技術事項が読み取れる。
　段落００２１、段落００８９及び図１０の記載から、
「縁部分だけを残してエッチングされて形成された段差形成用膜４５によって形成される段差は、凸部として形成される」との技術事項が読み取れる。
（ウ）そうすると、引用刊行物２には、
「電気光学装置の蓄積容量を増加させるために、
　基板と、該基板上の画素領域で互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線に電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して設けられた画素電極と、前記データ線及び前記走査線のうち少なくとも一方の配線上に形成されたストッパ膜と、前記ストッパ膜上に局所的に形成されており、前記ストッパ膜から切り立った側壁を有する段差形成用膜と、少なくとも前記側壁を階段状に跨るように形成された下部電極及び該下部電極に容量絶縁膜を介して対向する上部電極を有する容量とを備え、
　縁部分だけを残してエッチングされて形成された前記段差形成用膜によって形成される段差は、凸部として形成される。」
との技術事項が記載されている。
（２）対比
ア　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１において、「上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続され」るから、引用発明１の「ＴＦＴ３０」は、本願補正発明の「画素トランジスター」に相当する。また、引用発明１の「画素電極９ａ」は、本願補正発明の「該画素トランジスターに電気的に接続された画素電極」に相当する。
　引用発明１において、「走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３ａが各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成され、第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が形成され、これらの上には、コンタクトホール８１ａが開孔された第２層間絶縁膜４２が形成され、データ線６ａの上から第２層間絶縁膜４２の全面及び中継層９３を覆うように、コンタクトホール８５ａが形成された第３層間絶縁膜４３が形成され、画素電極９ａ及びの配向膜は、第３層間絶縁膜４３の上面に設けられて」いるから、引用発明１の「第１層間絶縁膜４１」、「第２層間絶縁膜４２」及び「第３層間絶縁膜４３」は、本願補正発明の「前記画素トランジスターと前記画素電極との間に配置された複数層の層間絶縁膜」に相当する。
　引用発明において、「走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３ａが各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成され、第１層間絶縁膜４１上には下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が形成され、」「蓄積容量７０ａは、下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより形成され」、さらに「前記蓄積容量７０ａが、前記ＴＦＴ３０の直上に配置されている」。
　ここで、走査線３ａは、は、「隣り合う画素電極の間」に配置されるものであることは、明らかであり、その走査線３ａ上に第１層間絶縁膜４１を介して下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が形成され、その下部容量電極７１ｍ及び上部容量電極３００が誘電体膜７５ａを介して対向配置されることにより蓄積容量７０ａが形成されているものである。
　してみると、引用発明１の「下部容量電極」、「誘電体膜」及び「上部容量電極」は、それぞれ本願補正発明の「第１電極層」、「誘電体層」及び「第２電極層」に相当し、また、引用発明１の「蓄積容量７０ａ」と本願補正発明の「隣り合う前記画素電極の間の前記複数層の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに、前記画素トランジスターと平面視で重なるように設けられた溝状凹部と、前記溝状凹部を覆うように配置された第１電極層と、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記第１電極層を覆うように配置された誘電体層と、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記誘電体層を覆うように配置された第２電極層とを含む蓄積容量」とは、共に、「隣り合う前記画素電極の間の前記複数層の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに第１電極層と、前記第１電極層を覆うように配置された誘電体層と、前記誘電体層を覆うように配置された第２電極層とを含む蓄積容量」の点で共通する。
　上記相当関係を踏まえると、引用発明１の「上部容量電極３００は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続され」ることは、本願補正発明の「前記第２電極層は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン領域と前記画素電極とに電気的に接続し」ていることに相当する。
　引用発明１において、「前記上部容量電極３００は、前記ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能し、前記下部容量電極７１ｍも、前記上部容量電極３００と同様に非透明な金属膜であり、前記蓄積容量７０ａが、前記ＴＦＴ３０の直上に配置されているため、前記蓄積容量７０ａ及び前記ＴＦＴ３０間の距離を近づけることができ、低濃度ドレイン領域１ｃに斜めに入射する光を前記蓄積容量７０ａによって遮ることが可能であり」、また、下部容量電極及び上部容量電極は、導電膜であることは明らかであるから、引用発明１の「前記上部容量電極３００は、前記ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能し、前記下部容量電極７１ｍも、前記上部容量電極３００と同様に非透明な金属膜であ」ることは、本願補正発明の「前記第１電極層および前記第２電極層は、光を遮る導電膜であること」に相当する。
イ　以上のことから、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
（ア）一致点　
「画素トランジスターと、
　該画素トランジスターに電気的に接続された画素電極と、
　前記画素トランジスターと前記画素電極との間に配置された複数層の層間絶縁膜と、
　隣り合う前記画素電極の間の前記複数層の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに第１電極層と、前記第１電極層を覆うように配置された誘電体層と、前記誘電体層を覆うように配置された第２電極層とを含む蓄積容量と、
を有し、
　前記第２電極層は、前記画素トランジスターの画素電極側ソースドレイン領域と前記画素電極とに電気的に接続し、
　前記第１電極層および前記第２電極層は、光を遮る導電膜である電気光学装置。」
（イ）相違点
　本願補正発明は、「隣り合う前記画素電極の間の前記複数層の層間絶縁膜のうちの少なくとも１つに、前記画素トランジスターと平面視で重なるように設けられた溝状凹部と、前記溝状凹部を覆うように配置された第１電極層と、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記第１電極層を覆うように配置された誘電体層と、少なくとも前記溝状凹部の内部において前記誘電体層を覆うように配置された第２電極層とを含む蓄積容量とを有」するのに対し、引用発明は、「蓄積容量７０ａ」を有し、「前記走査線３ａ上方に積層される前記第１層間絶縁膜４１、前記下部容量電極７１ｍ、前記誘電体膜７５ａ及び前記上部容量電極３００に凸部が形成されて段差が生じている」点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明１は、蓄積容量を有する電気光学装置に関する発明であるから、引用刊行物２に記載された電気光学装置の蓄積容量を増加させる技術事項を適用することは、当業者が容易に想到し得るものといえる。。
　しかしながら、引用刊行物２に記載された技術事項において、蓄積容量を増やすための「縁部分だけを残してエッチングされて形成された段差形成用膜４５」は、絶縁膜ではあるものの、段差を形成するための縁部分（凸部）だけで構成されるものであるから、溝状凹部が設けられた層間絶縁膜のように、層間絶縁膜としての機能を果たすものとはいえない。
　してみると、引用刊行物２に記載された「縁部分だけを残してエッチングされて形成された段差形成用膜４５」と、本願補正発明の溝状凹部が設けられた層間絶縁膜とは、同じものとはいえない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明１及び引用刊行物２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、本件補正の補正事項１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。
　本件補正のその余の補正事項についても、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に違反するところはない。
３．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１−９に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１―９に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。　
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり審決する。