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【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年6月22日(2020.6.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接続される材料の内、一方の材料（以下、接合相手という）の表面に他方の材料を連続させて接続する前に、これらの前記材料が接合相手となることで達成可能な接着強度を決定するためのアレンジメントであって、当該アレンジメントによる決定のために、所定の波長範囲内の電磁放射線の空間分解スペクトル分析のために設けられた複数の検出器が列配置で又は行列配置で配置され、当該検出器は電子評価部に接続され、広帯域放射線源から出射した電磁放射線が、前記接合相手の表面で、又は、前記他方の材料が連続して接続される前記接合相手の表面上に形成された層で反射した後に、及び／又は、電磁放射線を透過する前記接合相手に照射した後に、前記検出器に当たるように配置され、
電磁放射線が反射又は透過する表面で、前記表面に沿った方向に均一で、さらに時間的に均一な電磁放射線の強度が観察されるように照射が行われ、
少なくとも前記接合相手又はその表面に形成されるコーティング層は、その電磁放射線が向けられる表面が、各波長の電磁放射線を１００％吸収せずに、少なくとも２％の透過又は反射が可能な材料から形成されており、
前記接合相手の予め設定可能な表面上に配置された個々の局所点に関して、空間解像度及び波長解像度を有して検出された前記検出器の測定信号が前記所定の波長範囲内で検出できるように電子評価部が配置され、その際、複数の位置で検出された測定信号は、検出された表面（ハイパーキューブ）の各部分領域と関連付けることができ、
前記電子評価部は、さらに有意な特徴を選択するデータ削減を、波長解像度を有して検出された検出表面の部分領域の全ての測定信号に対して実行可能であり、
前記電子評価部は、さらにこれらの選択された特徴と、予め決定され電子メモリに記録された回帰モデルとを用いて、対応する接着強度についての評価を行うことができ、前記回帰モデルは、前記接合相手に前記他方の材料が連続して接続され接着強度が決定された前記接合相手から類似の方法で得られた特徴セットを用いて準備され、前記回帰モデルにおいて前記決定された接着強度は異なる測定処理を用いて決定された、
アレンジメント。
【請求項２】
主成分分析、テクスチャ情報の抽出、平均値形成、標準偏差の決定、及び／又は、それらの組み合わせによる特徴抽出によりデータ削減ができるように、電子評価部が構成されることを特徴とする、
請求項１に記載のアレンジメント。
【請求項３】
検査される部分領域は、５００μｍ×５００μｍ〜１５００μｍ×１５００μｍ又は２ｍｍ×２ｍｍの範囲の大きさを有することを特徴とする、
請求項１又は２に記載のアレンジメント。
【請求項４】
電磁放射線の前記接合相手の表面に対する照射は、照射される前記接合相手の表面の垂線に対して、０°以上９０°未満の範囲の少なくとも１つの角度で行われることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のアレンジメント。
【請求項５】
前記電子評価部の前記測定信号に対する前記検出及び前記電子評価部の前記接着強度に対する前記評価は、入射面に対して少なくとも１つの規定された既知の偏光面を有する少なくとも１つの偏光子を用いて行うことができることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のアレンジメント。
【請求項６】
材料が連続して接続される前記接合相手と前記検出器とは、互いに少なくとも１つの軸に沿って、好ましくは互いに一定の間隔で移動可能であることを特徴とする、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のアレンジメント。
【請求項７】
前記放射線源は、
電磁放射線を形成する光学要素を有する、又は、
電磁放射線を表面上に拡散させて出射し、特に中空体内に配置されており、散乱された電磁放射線の入射を防ぐ絞りが、電磁放射線の光学経路中の前記検出器の前に特に好ましくは配置されることを特徴とする、
請求項１〜６のいずれか一項に記載のアレンジメント。
【請求項８】
材料が連続して接続される前記接合相手同士が、異なる材料又は物質から形成された複数の層で好ましくは形成された多層構造を形成することを特徴とする、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のアレンジメント。
【請求項９】
前記検出器の行列配置は、ハイパースペクトルカメラを用いた光学要素及び評価電子装置により形成されることを特徴とする、
請求項１〜８のいずれか一項に記載のアレンジメント。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
接合相手又はその表面に形成されるコーティング層は、その電磁放射線が向けられる表面が、各電磁放射線を１００％吸収せずに、少なくとも２％の透過又は反射が可能な材料から形成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
少なくとも３０個の検出器が、好ましくは、少なくとも１００個の検出器がここでは行に配置されるべきである（ハイパースペクトルカメラ）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明によるアレンジメントは、適切なビーム成形光学要素と電子評価電子装置とを有するハイパースペクトルカメラを用いることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
電磁放射線の光学ビーム経路中の検出器の前に、散乱された電磁放射線の入射を防ぐ絞りを好ましくは配置することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
用いられる検出器、電子評価部、そして、任意には放射線源もが、本発明に従う配置で用いることができる、いわゆるハイパースペクトルイメージングシステムとなることができる。それにより、スペクトル情報に加えて、試料の検出された各部分領域のテクスチャ情報を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｇａｇおよびｐｏｌタンパク質；
ｅｎｖタンパク質；ならびに
レトロウイルスベクター粒子のＲＮＡゲノム
をコードする核酸配列を含んでなるレトロウイルス産生細胞であって、
前記核酸配列が総て前記レトロウイルス産生細胞ゲノム内の単一の遺伝子座に個々の発現構築物として位置する、レトロウイルス産生細胞。
【請求項２】
補助遺伝子ｒｅｖもしくはその類似遺伝子または機能的に類似の系を付加的に含んでなる、請求項１に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項３】
レトロウイルス核酸配列がレンチウイルス、アルファレトロウイルス、ガンマレトロウイルスまたは泡沫状レトロウイルスから選択されるレトロウイルスに由来する、請求項１または請求項２に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項４】
レトロウイルス核酸配列がＨＩＶ−１、ＨＩＶ−２、ＳＩＶ、ＦＩＶ、ＥＩＡＶおよびＶｉｓｎａからなる群から選択されるレンチウイルスに由来する、請求項３に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項５】
レトロウイルス核酸配列がＨＩＶ−１に由来する、請求項４に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項６】
ｅｎｖタンパク質またはその機能的置換体が水疱性口内炎ウイルスに由来する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項７】
転写調節エレメントを付加的に含んでなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項８】
転写調節エレメントがＣＭＶプロモーターである、請求項７に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項９】
ＣＭＶプロモーターが少なくとも１つのＴｅｔオペロンを付加的に含んでなる、請求項８に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１０】
テトラサイクリン耐性オペロンリプレッサータンパク質（ＴｅｔＲ）を付加的に含んでなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１１】
インスレーターを付加的に含んでなる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１２】
インスレーターが前記レトロウイルス核酸配列のそれぞれの間に存在する、請求項１１に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１３】
選択マーカーを付加的に含んでなる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１４】
１以上の導入遺伝子を付加的に含んでなる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１５】
細胞が哺乳動物細胞である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のレトロウイルス産生細胞。
【請求項１６】
非哺乳動物複製起点と少なくとも２５キロベース（ｋｂ）のＤＮＡを保持する能力とを含んでなる核酸ベクターであって、
ｇａｇおよびｐｏｌタンパク質、ならびに
ｅｎｖタンパク質またはその機能的置換体
をコードするレトロウイルス核酸配列を含んでなり、
前記レトロウイルス核酸配列のそれぞれが核酸ベクター内に個々の発現構築物として配置されている、核酸ベクター。
【請求項１７】
レトロウイルスベクター粒子のＲＮＡゲノムをコードする核酸配列を付加的に含んでなる、請求項１６に記載の核酸ベクター。
【請求項１８】
補助遺伝子ｒｅｖもしくはその類似遺伝子または機能的に類似の系を付加的に含んでなる、請求項１６または請求項１７に記載の核酸ベクター。
【請求項１９】
ベクターが細菌人工染色体、酵母人工染色体、Ｐ１由来人工染色体、フォスミドまたはコスミドから選択される、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の核酸ベクター。
【請求項２０】
ベクターが細菌人工染色体である、請求項１９に記載の核酸ベクター。
【請求項２１】
安定なレトロウイルスパッケージング細胞株の製造方法であって、
（ａ）請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の核酸ベクターを哺乳動物宿主細胞の培養物に導入すること；および
（ｂ）前記培養物内で、前記ベクターにコードされている核酸配列が哺乳動物宿主細胞の内在性染色体に組み込まれた哺乳動物宿主細胞を選択すること
を含んでなる、方法。
【請求項２２】
哺乳動物細胞がＨＥＫ２９３細胞である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
請求項２１または請求項２２に記載の方法により得られたレトロウイルスパッケージング細胞。
【請求項２４】
複製欠陥レトロウイルスベクター粒子の製造方法であって、
（ａ）請求項１６〜２０のいずれか一項に記載の核酸ベクターを哺乳動物宿主細胞の培養物に導入すること；
（ｂ）前記培養物内で、前記ベクターにコードされている核酸配列が哺乳動物宿主細胞の内在性染色体に組み込まれた哺乳動物宿主細胞を選択すること；および
（ｃ）前記哺乳動物宿主細胞を複製欠陥レトロウイルスベクター粒子が産生される条件下でさらに培養すること
を含んでなる、方法。
【請求項２５】
複製欠陥レトロウイルスベクター粒子を単離することを付加的に含んでなる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
請求項２４または請求項２５の方法により得られた複製欠陥レトロウイルスベクター粒子。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月25日(2019.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二本の電力導線を有するケーブルを介して通信するための装置であって、前記装置は、
トランシーバと、
一次巻線および二次巻線を有する第一インダクタと、
一次巻線および二次巻線を有する第二インダクタと、を備え、
前記第一インダクタの一次巻線は前記第二インダクタの一次巻線に直列に接続され、
前記トランシーバは、前記第一インダクタおよび前記第二インダクタの、直列に接続された各一次巻線に結合され、
前記第一インダクタの二次巻線は、基準電圧と前記ケーブル内の第一導線との間に結合され、
前記第二インダクタの二次巻線は、アースと前記ケーブル内の第二導線との間に結合され、
前記第一インダクタおよび前記第二インダクタは、前記トランシーバと、前記ケーブル内の第一導線および第二導線と、の間で、磁気結合された通信を提供する
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第一インダクタおよび前記第二インダクタの各二次巻線は、ＤＣ電源にも結合される
ことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第一インダクタおよび前記第二インダクタの各二次巻線は、前記ケーブルの前記第一導線および前記第二導線からＤＣ電力を供給する
ことを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
少なくとも二本の電力導線を有するケーブルを介して通信するためのＰＬＣ通信システムであって、前記ＰＬＣ通信システムは、
マスタトランシーバと、
一次巻線および二次巻線を有する第一インダクタと、
一次巻線および二次巻線を有する第二インダクタと、を含むマスタ装置であって、
前記第一インダクタの一次巻線は前記第二インダクタの一次巻線に直列に接続され、
前記マスタトランシーバは、前記第一インダクタおよび前記第二インダクタの、直列に接続された各一次巻線に結合され、
前記第一インダクタの二次巻線は、基準電圧と前記ケーブル内の第一導線との間に結合され、
前記第二インダクタの二次巻線は、アースと前記ケーブル内の第二導線との間に結合されるマスタ装置と、
スレーブトランシーバと、
一次巻線および二次巻線を有する第三インダクタと、
一次巻線および二次巻線を有する第四インダクタと、を含むスレーブ装置であって、
前記第三インダクタの一次巻線は前記第四インダクタの一次巻線に直列に接続され、
前記スレーブトランシーバは、前記第三インダクタおよび前記第四インダクタの、直列に接続された各一次巻線に結合され、
前記第三インダクタの二次巻線は、電力調整回路と、前記ケーブル内の第一導線および第二導線のうち一方との間に結合され、
前記第四インダクタの二次巻線は、基準電圧と、前記ケーブル内の第一導線および第二導線のうち他方との間に結合されるスレーブ装置と、を備える
ことを特徴とするＰＬＣ通信システム。
【請求項５】
前記マスタ装置の前記第二インダクタの二次巻線もまた、ＤＣ電源に結合される
ことを特徴とする、請求項４に記載のＰＬＣ通信システム。
【請求項６】
前記スレーブ装置の前記第四インダクタは、前記ケーブルからＤＣ電力を供給される
ことを特徴とする、請求項４に記載のＰＬＣ通信システム。
【請求項７】
少なくとも二本の導線を有するＤＣ電力線ケーブルを介して通信するための装置であって、前記装置は、
二つの二次巻線および一つの一次巻線を有する第一単一鉄心インダクタと、
前記第一単一鉄心インダクタの一次巻線に結合された第一トランシーバと、を備え、
前記第一単一鉄心インダクタの二つの二次巻線は、前記ＤＣ電力線ケーブルの少なくとも二本の導線のうち二本に結合され、
前記第一単一鉄心インダクタは、前記第一トランシーバと、前記ＤＣ電力線ケーブル内の少なくとも二本の導線のうち二本と、の間で、磁気結合された通信を提供する
ことを特徴とする装置。
【請求項８】
前記第一単一鉄心インダクタの二つの二次巻線のうち、一方がＤＣ電源に結合され、他方がアース接続に結合されて、前記ＤＣ電力線ケーブルに電力を供給する
ことを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第一単一鉄心インダクタの二つの二次巻線のうち、一番目が前記ＤＣ電力線ケーブルから電力を供給され、二番目がアース接続に結合される
ことを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
少なくとも二本の導線を有するＤＣ電力線ケーブルを介して通信するための装置であって、前記装置は、
直列に接続された二つの一次巻線と、前記ＤＣ電力線ケーブル内の少なくとも二本の導線のうち二本に接続された二つの二次巻線と、を有する第一単一鉄心インダクタと、
前記第一単一鉄心インダクタの二つの一次巻線に結合された第一トランシーバと、を備え、
前記第一単一鉄心インダクタは、前記第一トランシーバと、前記ＤＣ電力線ケーブル内の少なくとも二本の導線のうち二本と、の間で、磁気結合された通信を提供する
ことを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記第一単一鉄心インダクタの二つの二次巻線のうち、一方がＤＣ電源に結合され、他方がアース接続に結合される
ことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第一単一鉄心インダクタの複数ある二次巻線のうち、一番目がＤＣ電源から電力を供給され、二番目がアース接続に結合される
ことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
固定電位につなげられ、前記第一単一鉄心インダクタの二つの一次巻線の間に結合された中央タップをさらに備える
ことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記中央タップと固定電位との間に結合されたコンデンサをさらに備える
ことを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
二つの二次巻線および一つの一次巻線を有する第二単一鉄心インダクタと、
前記第二単一鉄心インダクタの一次巻線に結合された第二トランシーバと、をさらに備え、
前記第二単一鉄心インダクタの二つの二次巻線は、前記ＤＣ電力線ケーブルの少なくとも二本の導線のうち二本に結合される
ことを特徴とする、請求項７または１０に記載の装置。
【請求項１６】
直列に接続された二つの一次巻線と、前記ＤＣ電力線ケーブル内の少なくとも二本の導線のうち二本に結合された二つの二次巻線と、を有する第二単一鉄心インダクタと、
前記第二単一鉄心インダクタの二つの一次巻線に結合された第二トランシーバと、をさらに備える
ことを特徴とする、請求項７または１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月10日(2020.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者監視システムの個別のデバイス間の電力のワイヤレス伝送のための積み重ね可能なコネクタであって、前記個別のデバイスがそのようなコネクタを備え、前記コネクタが、
ハウジングと、
誘導結合の使用により対となる他方のコネクタを有する前記患者監視システムの別のデバイスへ電力を伝送する及び／又は別のデバイスから電力を受信する、前記ハウジング内に配置された磁気結合ユニットとを備え、前記磁気結合ユニットが、
Ｕ字状の断面の脚部の間に凹所を形成する当該Ｕ字状の断面を有する、磁束濃縮器と、
前記磁束濃縮器の前記凹所内に配置された第１のコイルと、
前記第１のコイルが配置される前記凹所の外側に配置された第２のコイルと、を備え、
前記ハウジングが、コネクタを互いに積み重ねることを可能にするように配置され、その結果、前記コネクタの前記第１のコイル及び前記コネクタ上に積み重ねられた別のコネクタの第２のコイルが、それらの間の誘導電力伝送のための変圧器を一緒に形成し、並びに／又は前記コネクタの前記第２のコイル及び前記コネクタ上に積み重ねられた別のコネクタの第１のコイルが、それらの間の誘導電力伝送のための変圧器を一緒に形成する、積み重ね可能なコネクタ。
【請求項２】
前記ハウジングと前記磁気結合ユニットとが、対称に配置される、請求項１に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項３】
前記第２のコイルが、前記第１のコイルの反対側に配置される、請求項１に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項４】
前記第２のコイルが、前記ハウジングの第１の表面上に形成されたハウジング突出部内に配置され、前記ハウジング突出部が、前記第１の表面の反対側の前記ハウジングの第２の表面内に形成された、ハウジング溝内に前記ハウジング突出部が挿入されることを可能にする幅を有する、請求項３に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項５】
前記磁束濃縮器が、Ｈ字状の断面の脚部の第１の端の間に、前記第１のコイルが配置される第１の凹所と、前記Ｈ字状の断面の前記脚部の第２の端の間に、前記第２のコイルが配置される第２の凹所とを形成する当該Ｈ字状の断面を有する、請求項１に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項６】
前記ハウジングが、第１の主表面、及び前記第１の主表面の反対側に前記第１の主表面と平行して配置された第２の主表面を有するプレートの形態で配置され、前記第１のコイルが、前記第１の主表面に隣接して配置され、前記第２のコイルが前記第２の主表面に隣接して配置される、請求項５に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項７】
前記磁束濃縮器の前記Ｈ字状の２つの脚部が、互いと隣接して配置されるか、又は一体形成される、請求項５に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項８】
前記Ｈ字状の断面の前記脚部間の横方向の接合部は、２つの接合要素に分割されていて、これら前記接合要素の間で前記Ｈ字状の断面の前記脚部に垂直に、遮蔽体が配置されている、請求項５に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項９】
前記磁気結合ユニットが、２つの磁束濃縮器をさらに備え、各磁束濃縮器が、Ｕ字状の断面の脚部間に凹所を形成する当該Ｕ字状の断面を有し、
前記第１のコイルが第１の磁束濃縮器の前記凹所内に配置され、前記第２のコイルが第２の磁束濃縮器の前記凹所内に配置される、請求項１に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項１０】
前記第１の磁束濃縮器及び前記第２の磁束濃縮器が、互いに反対の領域に、前記ハウジングの同一の表面に隣接して配置される、請求項９に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項１１】
対となる他方のコネクタを有する前記患者監視システムの別のデバイスへデータを伝送するデータ伝送ユニットをさらに備える、請求項１に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項１２】
キャリアと、
ＲＦアンテナを駆動する、及び、前記ＲＦアンテナによって受信されたＲＦ信号を取得する、ＲＦ回路と
をさらに備え、
前記データ伝送ユニットが、前記ＲＦアンテナを備える、請求項１１に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項１３】
前記ＲＦアンテナが、互いに接続された２つの開放環の形態にある板状折返し状のダイポールの形態で形作られる、請求項１２に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項１４】
各磁束濃縮器が、それぞれの磁束濃縮器の外部前面、又はそれぞれの磁束濃縮器の内部前面の内側のいずれかの周りに配置されるそれぞれのＲＦアンテナに対応する、請求項１２に記載の積み重ね可能なコネクタ。
【請求項１５】
電力を供給するか又は消費するかのいずれかである電力ユニットと、
電力を別のデバイスへ伝送するか、又は別のデバイスによって供給された電力を受信するかのいずれかである、請求項１に記載の積み重ね可能なコネクタと
を備えるデバイスであって、当該デバイスと別のデバイスとの間の電力のワイヤレス伝送のための、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波アレイのための音響窓層であって、前記音響窓層は、前記超音波アレイに面するように配置された内面と、患者に面するように配置された外面とを有し、
熱可塑性ポリマーポリメチルペンテン及びそれに混合されるポリオレフィン系から選択されるエラストマー（ＰＯＥ）を含む外層であって、前記音響窓層の前記外面に配置される外層を含む、音響窓層。
【請求項２】
選択された前記エラストマーはコポリマーである、請求項１に記載の音響窓層。
【請求項３】
選択された前記エラストマーは熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）である、請求項２に記載の音響窓層。
【請求項４】
前記コポリマーはアルファオレフィンである第１モノマーとエチレンである第２モノマーとを有する、請求項３に記載の音響窓層。
【請求項５】
前記第１モノマーはオクタンである、請求項４に記載の音響窓層。
【請求項６】
前記外層に混合された前記エラストマーの重量比は最大でも４０％である、請求項１に記載の音響窓層。
【請求項７】
前記外層に混合された前記エラストマーの重量比は１５〜２０％の間である、請求項６に記載の音響窓層。
【請求項８】
前記外層は１．５〜１．６ＭＲａｙｌの間の音響インピーダンスを呈し、横波の音響エネルギーに対するミリメートル当たりの音響損失は３ｄＢ以上である、請求項１に記載の音響窓層。
【請求項９】
前記外層は、０．８〜０．８５ｇ／ｃｍ３の間の密度及び２０００〜１９００ｍｍ／ｍｓｅｃの間の音波速度を有する、請求項１に記載の音響窓層。
【請求項１０】
前記外層は、摂氏３０〜７０℃の間で第１の融点（ＭＰ１）を呈し、摂氏２００〜２５０℃の間で第２の融点（ＭＰ２）を呈する、請求項１に記載の音響窓層。
【請求項１１】
前記外層は、摂氏−４０℃未満で第１のガラス転移温度を呈し、摂氏０〜５０℃の間で第２のガラス転移温度を呈する、請求項３に記載の音響窓層。
【請求項１２】
前記音響窓層は前記音響窓層の前記内面に配置される内層をさらに含み、前記内層は熱硬化性ゴムを含む、請求項１に記載の音響窓層。
【請求項１３】
請求項１に記載の音響窓層と超音波トランスデューサアレイとを含む超音波プローブであって、前記超音波トランスデューサアレイの放出側は前記音響窓層の前記内面に音響結合される、超音波プローブ。
【請求項１４】
前記超音波トランスデューサアレイは少なくとも１つの静電容量型超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）セルを含み、前記ＣＭＵＴセルは、第１電極を有する基板と、第２電極を有するセル膜とを含み、前記第２電極はキャビティを間に挟んで第１電極と対向し、前記セル膜は前記ＣＭＵＴセルの起動時に振動するよう配置されている、請求項１３に記載の超音波プローブ。
【請求項１５】
前記超音波トランスデューサアレイは、前記ＣＭＵＴセルに結合された少なくとも１つの駆動回路を含み、（ａ）前記少なくとも１つのＣＭＵＴセルの前記第１電極及び前記第２電極に直流電圧を印加することにより、前記セル膜を、前記セル膜が前記基板までつぶされるつぶれ状態にさせ、（ｂ）少なくとも１つの前記ＣＭＵＴセルの前記第１電極及び前記第２電極に交流電圧を印加することにより前記ＣＭＵＴセルを作動させる、請求項１４に記載の超音波プローブ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月28日(2020.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声信号セグメント内のノイズ信号を特定する方法であって、
前記処理対象音声の時間領域信号の振幅変動に基づき、前記処理対象音声における所定の閾値に満たない振幅変動の音声信号セグメントを、前記音声信号セグメントと特定するステップと；
前記音声信号セグメントの各フレーム信号にフーリエ変換を行って前記音声信号セグメントの各フレーム信号のパワースペクトルを取得するステップであって、前記パワースペクトルは、異なる周波数に対応する複数のパワー値で構成される、ステップ（Ｓ１０１）と；
各フレーム信号の前記パワースペクトルに基づき、各周波数における前記音声信号セグメントの各フレーム信号のパワー値の分散を特定するステップ（Ｓ１０２）と；
前記分散に基づき前記音声信号セグメントの各フレーム信号がノイズ信号であるか否かを特定するステップ（Ｓ１０３）と；を備える、
ノイズ信号を特定する方法。
【請求項２】
前記分散に基づき前記音声信号セグメントの各フレーム信号がノイズ信号であるか否かを特定する前記ステップは、
前記音声信号セグメントの各フレーム信号に対応する前記分散が第１の閾値を超えているか否かを特定するステップ（Ｓ１０３１）と；
否定であれば、当該フレーム信号をノイズ信号と特定するステップ（Ｓ１０３２）と；を備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
各フレーム信号の前記パワースペクトルに基づき、各周波数における前記音声信号セグメントの各フレーム信号のパワー値の分散を特定する前記ステップは、
各周波数における前記フレーム信号のパワー値を、前記パワースペクトルに対応する複数の周波数が属する複数の周波数間隔に応じて、少なくとも、第１の周波数間隔に対応する第１のパワー値集合に分類するステップと；
前記第１のパワー値集合に含まれるパワー値の第１の分散を特定するステップ（Ｓ１０２２）と；を備え、
それに即して、前記分散が第１の閾値を超えているか否かを特定する前記ステップが、
前記第１の分散が前記第１の閾値を超えているか否かを特定するステップを備える、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
各フレーム信号の前記パワースペクトルに基づき、各周波数における前記音声信号セグメントの各フレーム信号のパワー値の分散を特定する前記ステップは、
各周波数における各フレーム信号のパワー値を、当該フレーム信号の各パワー値に対応する複数の周波数が属する複数の周波数間隔に応じて、少なくとも、第１の周波数間隔に対応する第１のパワー値集合と、第２の周波数間隔に対応する第２のパワー値集合とに分類するステップであって、前記第１の周波数間隔は前記第２の周波数間隔よりもその周波数が小さい、ステップ（Ｓ１０２１）と；
前記第１のパワー値集合に含まれるパワー値の第１の分散を特定するステップ（Ｓ１０２２）と；
前記第２のパワー値集合に含まれるパワー値の第２の分散を特定するステップ（Ｓ１０２３）と；を備え、
それに即して、前記分散に基づき前記音声信号セグメントの各フレーム信号がノイズ信号であるか否かを特定する前記ステップは、
各フレーム信号に対応する前記第１の分散と前記第２の分散との間の差分が第２の閾値を超えているか否かを特定するステップと；
否定であれば、当該フレーム信号をノイズ信号と特定するステップと；を備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各フレーム信号の前記パワースペクトルに基づき、各周波数における前記音声信号セグメントの各フレーム信号のパワー値の分散を特定する前記ステップよりも後で、且つ、前記分散に基づき前記音声信号セグメントの各フレーム信号がノイズ信号であるか否かを特定する前記ステップよりも前に、
各分散の大きさに応じて、前記音声信号セグメントの各フレーム信号を順位付けるステップ；をさらに備え、
それに即して、前記分散に基づき前記音声信号セグメントの各フレーム信号がノイズ信号であるか否かを特定する前記ステップは、各周波数における順位付けられた各フレーム信号のパワー値の前記分散に基づき、前記音声信号セグメントの各フレーム信号がノイズ信号であるか否かを特定するステップを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法を実行するように構成された複数のユニット（１０１、１０２、１０３）を備える、
音声信号セグメント内のノイズ信号を特定するための装置（１００）。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年5月21日(2020.5.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式の化合物であって、
【化１】
2018534285.tif 000001
式中、
Ａは、フェニル基を表し、
Ｂ１及びＢ２は、次の構造の独立して選択された側鎖であり、
−（Ｙ１）ｎ−Ｌ−（Ｙ２）ｍ−Ｘ
式中、
各出現時のＹ１及びＹ２は独立して、Ｏ、ＣＯ２−、及びＣＨ２Ｏから選択され、
各出現時のｍ及びｎは１であり、
各出現時のＬは、Ｃ２〜Ｃ１４直鎖状アルキル基であり、
各出現時のＸは、独立して選択された架橋性基であり、
ここで、前記架橋性基は、エチレン、ジエン、チオールおよびオキセタン基の群から選択され、
Ｃは、次の構造−（Ｚ１）ｐ−Ｍ−（Ｚ２）ｑ−Ｅの側鎖であり、
式中、
Ｚ１及びＺ２は独立して、Ｏ、ＣＯ２−、及びＣＨ２Ｏから選択され、
ｐ及びｑは１であり、
Ｍは、Ｃ１〜Ｃ１４直鎖状アルキル基であり、
Ｅは、電荷輸送基を含み、
Ｄは、次の構造−（Ｗ１）ｒ−Ｎ−（Ｗ２）Ｓ−Ｆの側鎖であり、
式中、
Ｗ１及びＷ２は独立して、Ｏ、ＣＯ２−、及びＣＨ２Ｏから選択され、
ｒ及びｓは１であり、
Ｎは、Ｃ１〜Ｃ１４直鎖状アルキル基であり、
Ｆは、電荷輸送基を含み、
式中、ＥおよびＦは、それぞれ、トリフェニルアミンまたはスピロビフルオレンアリールアミン、３，６−カルバゾール、２，７−カルバゾールまたは１，３，６，８−カルバゾールを含む正孔輸送基であり、
前記電荷輸送基Ｅは、スピロビフルオレンアリールアミンのモチーフの一部を形成するフルオレン基以外のフルオレン基を含まず、
前記基Ｅ及び前記基Ｆが、次の一般式により表される正孔輸送基であり、
−（Ｊ）ｔ−（Ｋ）ｕ−Ｐ
式中、Ｊは、フェニル基、ベンジル基、ビフェニル基、２，２’−ビチオフェン基、縮合チオフェン基、またはチオフェンであり、ｔは、０または１であり、Ｋは、トリフェニルアミンもしくはスピロビフルオレンアリールアミン、共有結合を介して鎖の隣接部位に結合した３，６−カルバゾール、２，７−カルバゾールもしくは１，３，６，８−カルバゾール、フェニル基、縮合チオフェン基、またはチオフェンから選択される正孔輸送モチーフであり、ｕは、１〜１０の整数であり、Ｐは、水素、Ｃ１〜Ｃ８直鎖状もしくは分枝状アルキル、フェニル、Ｃ１〜Ｃ８直鎖状もしくは分枝状アルキル置換フェニル、またはＣ１〜Ｃ８直鎖状もしくは分枝状アルキル置換ビフェニルから選択される連鎖停止基である、化合物。
【請求項２】
Ｅ及びＦが同一である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
放射線に請求項１または２に記載の化合物を曝露することにより形成される網状ポリマーであって、任意に、前記放射線が紫外線である、網状ポリマー。
【請求項４】
請求項１または２に記載の化合物または請求項３に記載の網状ポリマーを含むデバイス。
【請求項５】
ＯＬＥＤデバイス、ＯＰＶデバイス、またはＯＦＥＴデバイスである、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載のデバイスを作製するための方法であって、
ｉ）好適な有機溶剤中に請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を溶解するステップと、
ｉｉ）結果として生じた溶液を基板上に堆積させるステップと、
ｉｉｉ）前記溶剤を蒸発下で、任意に減圧下で除去して、膜を形成するステップと、
ｉｖ）結果として生じた膜を放射線に曝露するステップであって、任意に、前記放射線が紫外線である、曝露するステップと、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月2日(2020.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面と他面を含む光変換モジュール；および
前記光変換モジュールの側面に配置される光源モジュールを含み、
前記光源モジュールは第１方向に離隔して配置される複数個の発光素子を含み、
前記第１方向は前記光変換モジュールの厚さ方向であり、
前記複数個の発光素子は、前記第１方向において、前記光変換モジュールの前記一面よりも高く配置された第１発光素子と、前記光変換モジュールの前記一面よりも低く配置された第２発光素子と、を含む、照明装置。
【請求項２】
前記光変換モジュールは、
ベース基板；
前記ベース基板上に配置される光ガイド層；
前記ベース基板と光ガイド層間に配置される反射パターン層を含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記反射パターン層は複数個の光学パターンを含み、
前記複数個の光学パターンは、前記複数個の発光素子の出射する光の進行方向と垂直な方向に延びる、請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記複数個の発光素子のうち少なくとも一つは、前記光変換モジュールの側面と向かい合うように配置される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項５】
前記第１発光素子から出射した光は、前記光変換モジュールの前記一面に入射し、前記第２発光素子から発射した光は、前記光変換モジュールの前記側面に入射する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記反射パターン層は
前記ベース基板と光ガイド層間に配置される反射層、および
前記反射層と光ガイド層間に配置され、前記反射層に向かって突出した複数個の光学パターンを含む光学層を含む、請求項２又は３に記載の照明装置。
【請求項７】
前記反射層と光学層間に配置される離隔部を含む、請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記反射パターン層は、
前記ベース基板と光ガイド層間に配置され、複数個の光学パターンを含む光学層、および
前記複数個の光学パターン上に配置される反射層を含む、請求項２又は３に記載の照明装置。
【請求項９】
前記光源モジュールは、
第１回路基板および前記第１回路基板上に配置された複数個の発光素子を含む第１光源モジュール；および
第２回路基板および前記第２回路基板上に配置された複数個の発光素子を含む第２光源モジュールを含み、
前記第１回路基板と第２回路基板の延長方向は所定角度を有する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記発光素子から出射する光を集光するリフレクターを含み、
前記リフレクターは前記第１方向と平行な方向に形成されたスリットを含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月13日(2020.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力機器の始動エンジン用バッテリーモジュールであって、
複数の相互接続されたリチウムイオンバッテリーセルを備え、各リチウムイオンバッテリーセルは、独立して、カソード、アノード、カソードとアノードとの間に挿入されたセパレータ、及び、電解質を備え、前記カソードは、カソード集電体、並びに、カソード物質、バインダー材料および導電剤を備えるカソード電極層を備え、前記アノードは、アノード集電体、並びに、アノード物質、バインダー材料および導電剤を備えるアノード電極層を備え、
前記カソード物質は、コア及びシェル構造を有するコア−シェル複合材料であるか又は備え、
前記コアは、LiMn2O4、Li1+zNixMnyCo1-x-yO2、LiNixCoyAlzO2、および、これらの組合せからなるグループから選択されたリチウム遷移金属酸化物を備え、各ｘは独立して０．３から０．８であり、各ｙは独立して０から０．４５であり、各ｚは独立して０から０．２であり、前記シェルは、LiCoO2、LiNiO2、LiNixMnyO2、Li1+zNixMnyCo1-x-yO2、LiNixCoyAlzO2、LiMnO2、LiMn2O4、および、これらの組合せからなるグループから選択されたリチウム遷移金属酸化物を備え、各ｘは独立して０．３から０．８であり、各ｙは独立して０．１から０．４５であり、各ｚは独立して０から０．２であり、
前記電解質は、有機溶媒、リチウム塩、並びに、ジエチルスチルベストロール、ブタンスルトン、ビニレンカーボネート、ジメチルスルフィド、および、これらの組合せからなるグループから選択される添加物を備え、
前記添加物の量は、前記電解質の総重量を基準にして、０．１重量％から２重量％である。
【請求項２】
前記コアの直径は、約５μｍから約４５μｍであり、前記シェルの厚さは、約３μｍから約１５μｍである、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項３】
前記シェルの厚さに対する前記コアの直径の比率は、５．７から１２．６である、
請求項２に記載のバッテリーモジュール。
【請求項４】
前記コアの前記リチウム遷移金属酸化物は、Fe、Ni、Mn、Al、Mg、Zn、Ti、La、Ce、Sn、Zr、Ru、Si、Ge、および、これらの組合せからなるグループから選択されるドーピング元素でドープされる、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項５】
前記シェルの前記リチウム遷移金属酸化物は、Fe、Ni、Mn、Al、Mg、Zn、Ti、La、Ce、Sn、Zr、Ru、Si、Ge、および、これらの組合せからなるグループから選択されるドーピング元素でドープされる、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項６】
前記ドーピング元素は、Alである、
請求項５に記載のバッテリーモジュール。
【請求項７】
前記ドーピング元素は、前記カソード電極層の総重量を基準にして、２重量％未満の量で存在する、
請求項５に記載のバッテリーモジュール。
【請求項８】
前記ドーピング元素の含有量は、前記シェルの外側表面から内側コアに向かって徐々に減少する、
請求項５に記載のバッテリーモジュール。
【請求項９】
前記コアおよび前記シェルのそれぞれは、独立して、２種以上のリチウム遷移金属酸化物を含む、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１０】
前記コアおよび前記シェルの前記２種以上のリチウム遷移金属酸化物は異なる、
請求項９に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１１】
前記２種以上のリチウム遷移金属酸化物は、前記コア上に均一に分布していない、
請求項９に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１２】
前記カソード物質の粒度Ｄ５０は、約１０μｍから約５０μｍである、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１３】
前記カソード電極層の前記導電剤は、カーボンナノチューブおよびグラフェンを備える、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１４】
前記カソード物質および前記アノード物質のそれぞれの量は、前記カソード電極層または前記アノード電極層の総重量を基準に、独立して、８０重量％と９５重量％の間であり、前記カソード電極層および前記アノード電極層の前記導電剤および前記バインダー材料のそれぞれの量は、前記カソード電極層または前記アノード電極層の総重量を基準にして、独立して約３重量％から約１０重量％である、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１５】
前記カソード電極層および前記アノード電極層のそれぞれの密度は、独立して約１．０g/cm3から約６．５g/cm3である、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１６】
前記添加物は、ジエチルスチルベストロール、および、ビニレンカーボネートである、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１７】
前記ジエチルスチルベストロールの量、および、前記ビニレンカーボネートの量は、それぞれ、前記電解質の総重量を基準にして、０．５重量％と１．５重量％である、
請求項１６に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１８】
前記セパレータは、２００℃以上の融点を有する、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項１９】
前記セパレータは、多孔質基材、および、前記多孔質基材の片面または両面にコーティングされた保護多孔質層を備え、前記保護多孔質層は、バインダー材料、並びに、Al2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、BaOx、ZnO、CaCO3、TiN、AlN、および、これらの組合せからなるグループから選択された無機充填剤を含み、ｘは１または２である、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【請求項２０】
各前記リチウムイオンバッテリーセルは、独立して、前記カソードに結合された第１の導電性タブ、および、前記アノードに結合された第２の導電性タブを備え、前記第１の導電性タブおよび前記第２の導電性タブのそれぞれの幅は、独立して２ｃｍより大きい、
請求項１に記載のバッテリーモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月7日(2019.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
ワイド・バンド・ギャップ半導体材料を含むドリフト領域を備える半導体層構造と、
前記半導体デバイスの活性領域内の前記ドリフト領域の上側部分内の遮蔽パターンと、
前記半導体デバイスの終端領域内の前記ドリフト領域の前記上側部分内の終端構造と、
前記半導体層構造の上側表面内へと延在するゲート・トレンチと
を備え、
前記半導体層構造は、前記終端構造の上方に延在し、且つ前記終端構造を少なくとも部分的に被覆する半導体層を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記遮蔽パターンの下部は、前記ゲート・トレンチの下部表面が延在するより先へ、前記ドリフト領域内へと下に延在し、前記終端構造は、ガード・リング又は接合終端拡張のうちの１つを備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ゲート・トレンチの前記下部表面及び側壁を少なくとも部分的に被覆する、前記ゲート・トレンチ内のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記ゲート・トレンチ内のゲート電極と、
前記半導体層構造の前記上側表面上の第１の接触部と、
前記半導体層構造の下側表面上の第２の接触部と
をさらに備え、
前記ドリフト領域の前記上側部分は、前記ドリフト領域の下側部分より少なくとも３倍大きいドーピング濃度を有する電流広がり層を備える、請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体層は、１×１０１６／ｃｍ３未満のドーピング密度を有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ゲート・トレンチの対向する側部上に第１及び第２のウェル領域をさらに備え、前記ドリフト領域は、第１の導電型を有し、前記ウェル領域は、前記第１の導電型の反対である第２の導電型を有する、請求項１から４までのいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第１及び第２のウェル領域の上側表面は、前記半導体層の上側表面と同一面である、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記ゲート・トレンチから間をおいて離隔される前記第１のウェル領域の第１の部分は、第１のドーパント濃度を有し、前記ゲート・トレンチに直接的に近接する前記半導体デバイスのチャネルは、前記第１のドーパント濃度より低い第２のドーパント濃度を有する、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１のウェル領域は、前記半導体層構造の下側表面に平行に延在する軸に沿って、前記第２の導電型のドーパントの不均一なドーパント濃度を有する、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記ドリフト領域は、第１の導電型を有するドーパントによってドープされ、前記終端領域内にある前記半導体層の部分は、１×１０１５／ｃｍ３未満の濃度で前記第１の導電型を有するドーパントによってドープされる、請求項１から８までのいずれかに記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ドリフト領域は、第１の導電型を有するドーパントによってドープされ、前記終端領域内にある前記半導体層の部分は、１×１０１５／ｃｍ３未満の濃度で前記第２の導電型を有するドーパントによってドープされる、請求項１から９までのいずれかに記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月21日(2020.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークアクセスデバイスにおけるワイヤレス通信のための方法であって、
ユーザ機器(UE)によって実行されるランダムアクセス手順の間に前記UEから、前記UEの少なくとも2つのアンテナからのプリコーダ選択信号を受信するステップであって、前記プリコーダ選択信号のうちの少なくとも1つが前記UEの第1のアンテナからの第1の測定基準信号(MRS)を含む、ステップと、
前記第1のMRSおよび前記受信されたプリコーダ選択信号に少なくとも一部基づいて精緻化されたプリコーディング設定を決定するステップであって、前記精緻化されたプリコーディング設定が、前記プリコーダ選択信号を送信するために前記UEにより使用されるプリコーディング設定を含む、ステップと、
前記UEに精緻化されたプリコーディング設定の指示を送信するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記プリコーダ選択信号のうちの少なくとも1つが前記UEの第2のアンテナからの第2のMRSを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1のMRSが、物理ランダムアクセスチャネル(PRACH)送信、または拡張PRACH(ePRACH)送信、または初期物理アップリンク共有チャネル(PUSCH)送信、またはこれらの組合せのうちの少なくとも1つとともに受信される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ランダムアクセス手順の実行の間に前記UEから、前記精緻化されたプリコーディング設定の前記指示に少なくとも一部基づいて第1のプリコーダを使用して、または以前の成功したランダムアクセス手順の間に前記UEによって使用された第2のプリコーダを使用して、ePRACH送信または初期PUSCH送信を受信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記ランダムアクセス手順の間の送信、または前記ランダムアクセス手順の後の送信に適用されるべき前記精緻化されたプリコーディング設定の前記指示を送信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記ランダムアクセス手順の実行の間に、ランダムアクセス応答(RAR)グラント、および前記UEの初期物理アップリンク共有チャネル(PUSCH)送信のためのダウンリンク制御情報(DCI)スケジューリング情報のうちの少なくとも1つを含む送信を送信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
同じ送信が少なくとも1つのプリコーダ選択信号パラメータを含み、前記少なくとも1つのプリコーダ選択信号パラメータが、前記プリコーダ選択信号の帯域幅、前記プリコーダ選択信号の巡回シフト、および/または前記プリコーダ選択信号を送信すべきアンテナポートの数を含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記同じ送信が前記精緻化されたプリコーディング設定の前記指示を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記指示される精緻化されたプリコーディング設定に従って前記UEから少なくとも1つの送信を受信するステップをさらに含み、前記少なくとも1つの送信が、初期PUSCH送信、および/または前記初期PUSCH送信の再送信を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
ユーザ機器(UE)において行われるワイヤレス通信方法であって、
ランダムアクセス手順の間に、前記UEの少なくとも2つのアンテナからプリコーダ選択信号を送信するステップであって、前記プリコーダ選択信号のうちの少なくとも1つが前記UEの第1のアンテナからの第1の測定基準信号(MRS)を含む、ステップと、
前記ランダムアクセス手順の間に、前記第1のMRSを含む前記送信されたプリコーダ選択信号に少なくとも一部基づいて、精緻化されたプリコーディング設定の指示を受信するステップであって、前記精緻化されたプリコーディング設定が前記プリコーダ選択信号を送信するために前記UEにより使用されるプリコーディング設定を含む、方法。
【請求項１１】
前記プリコーダ選択信号のうちの少なくとも1つが前記UEの第2のアンテナからの第2のMRSを含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記第1のMRSが、物理ランダムアクセスチャネル(PRACH)送信、または拡張PRACH(ePRACH)送信、または初期物理アップリンク共有チャネル(PUSCH)送信、またはこれらの組合せのうちの少なくとも1つとともに送信される、請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
前記ランダムアクセス手順の間に、前記精緻化されたプリコーディング設定の前記指示に少なくとも一部基づいて第1のプリコーダを使用して、または以前の成功したランダムアクセス手順の間に前記UEによって使用された第2のプリコーダを使用して、ePRACH送信または初期PUSCH送信を送信するステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信を行うように適合されたネットワークアクセスデバイスであって、
ユーザ機器(UE)によって実行されるランダムアクセス手順の間に前記UEから、前記UEの少なくとも2つのアンテナからのプリコーダ選択信号を受信するための手段であって、前記プリコーダ選択信号のうちの少なくとも1つが前記UEの第1のアンテナからの第1の測定基準信号(MRS)を含む、手段と、
前記第1のMRSおよび前記受信されたプリコーダ選択信号に少なくとも一部基づいて精緻化されたプリコーディング設定を決定するための手段であって、前記精緻化されたプリコーディング設定が、前記プリコーダ選択信号を送信するために前記UEにより使用されるプリコーディング設定を含む、手段と、
前記UEに精緻化されたプリコーディング設定の指示を送信するための手段とを含む、ネットワークアクセスデバイス。
【請求項１５】
ワイヤレス通信を行うように適合されたユーザ機器(UE)であって、
ランダムアクセス手順の間に、前記UEの少なくとも2つのアンテナからプリコーダ選択信号を送信するための手段であって、前記プリコーダ選択信号のうちの少なくとも1つが前記UEの第1のアンテナからの第1の測定基準信号(MRS)を含む、手段と、
前記ランダムアクセス手順の間に、前記第1のMRSを含む前記送信されたプリコーダ選択信号に少なくとも一部基づいて、精緻化されたプリコーディング設定の指示を受信するための手段であって、前記精緻化されたプリコーディング設定が前記プリコーダ選択信号を送信するために前記UEにより使用されるプリコーディング設定を含む、手段と
を備える、ユーザ機器。