【事件の表示】
　特願２０１１−　５８６９３「ボロメータ型ＴＨｚ波検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月１１日出願公開、特開２０１２−１９４０８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月１７日の出願であって、平成２６年８月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２３日に意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２７年２月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、それと同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年６月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年６月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲、すなわち平成２６年１０月２３日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載を、以下のとおり、補正後の特許請求の範囲の請求項１のものに補正する事項を含むものである（下線は補正箇所を示す。）。
（補正前）
「【請求項１】
　基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるボロメータ型ＴＨｚ波検出器であって、
　前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され、
前記温度検出部の表面、裏面または内部に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され、
　前記反射膜上に誘電体が形成され、
　前記誘電体と前記温度検出部との間隔が８μｍ未満となるように、前記誘電体の膜厚が設定されていることを特徴とするボロメータ型ＴＨｚ波検出器。」
（補正後）
「【請求項１】
　基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるボロメータ型ＴＨｚ波検出器であって、
　前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され、
　前記温度検出部の表面、裏面または内部に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され、
　前記反射膜上に誘電体が形成され、
　前記誘電体と前記温度検出部との間隔が８μｍ未満となるように、前記誘電体の膜厚が設定され
、
　前記間隔が、前記温度検出部を保持した後除去される膜厚８μｍ未満の犠牲層により形成される
　上記の本件補正による補正は、補正前の請求項１に係る発明のいわゆる限定的減縮を目的としており、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
２　補正の適否
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、上記１の「（補正後）」に記載したとおりのものである。
（２）引用文献とそれに記載された事項
ア　引用文献
　本願の出願日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となり、原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００８−２４１４３８号公報（以下、「引用文献」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審において付加したものである）。
（ア）「【請求項２】
　
基板に形成された読出回路に接続される電極配線を含む支持部により、前記電極配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるマイクロブリッジ構造を有するボロメータ型ＴＨｚ波検出器であって、
　
前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され、前記温度検出部上に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され、前記反射膜と前記温度検出部との間に前記ＴＨｚ波を透過する光学膜が配置され、前記反射膜と前記温度検出部とで光学的共振構造が形成され、
　前記反射膜と前記温度検出部との間隔は赤外線の波長を基準にして設定され、かつ、前記温度検出部のシート抵抗は前記ＴＨｚ波を基準にして設定され
る
ボロメータ型ＴＨｚ波検出器。
【請求項３】
　
前記光学膜は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン膜のいずれかである
（イ）「【００２４】
  上記実施形態について更に詳細に説明すべく、
本発明の第１の実施例
【００２５】
  図１に示すように、本実施例のボロメータ型ＴＨｚ波検出器１は、読出回路２ａ等が形成された
回路基板２上に、入射するＴＨｚ波を反射する反射膜３と
、その上に第１保護膜５が形成され
（ウ）「【００３１】
　以下、上記構造のボロメータ型ＴＨｚ波検出器１の製造方法について、図２乃至図５を参照して説明する。
【００３２】
　まず、図２に示すように、ＣＭＯＳ回路等の読出回路２ａを形成した回路基板２上に、スパッタ法によりＡｌ、Ｔｉ等の金属を５００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、レジストをマスクとしてパターン形成を行い、各画素の温度検出部１４に入射するＴＨｚ波を反射するための反射膜３及び電極配線９と読出回路２ａとを接続するためのコンタクト４を形成する。なお、上記金属はＴＨｚ波の反射率が高く、電気抵抗が小さい材料であればよく、Ａｌ、Ｔｉに限定されない。
【００３３】
　次に、回路基板２全面に、
プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ
２
)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ、Ｓｉ
３
Ｎ
４
)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)などを１００〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜し、反射膜３及びコンタクト４を保護する第１保護膜５を形成する。
（エ）「【実施例３】
【００５７】
　次に、本発明の第３の実施例に係るボロメータ型ＴＨｚ波検出器について、図１１乃至図１５を参照して説明する。」
（オ）「【００５８】
　本発明のボロメータ型ＴＨｚ波検出器では、ＴＨｚ波に適した光学的共振構造を形成するためには反射膜３と温度検出部１４の間隔は広い方がよいが、一方、反射膜３と温度検出部１４の間隔を広くすると、犠牲層１７の形成や除去が困難になる。そこで、本実施例では、反射膜３と温度検出部１４の間に所定の屈折率の部材（光学膜１６と呼ぶ。）を介在させ、反射膜３と温度検出部１４の実際の間隔を変えずに、屈折率を加味した光学的な長さ（すなわち、光路長）を変える。
【００５９】
　なお、
光学膜１６は、
例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ
２
)やシリコン窒化膜(ＳｉＮ，Ｓｉ
３
Ｎ
４
)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)、シリコン膜など用いることができる。
（カ）「【００６３】
　以下、上記構造のボロメータ型ＴＨｚ波検出器１の製造方法について、図１２及び図１３を参照して説明する。
【００６４】
　まず、
前記した第１及び第２の実施例と同様に、
回路基板２上に、反射膜３
を形成し、その上に第１保護膜５を形成する。
【００６５】
　次に、本実施例では、図１２に示すように、
プラズマＣＶＤ法などにより、所定の膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ，ＳｉＯ
２
)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ，Ｓｉ
３
Ｎ
４
)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)、シリコン膜などを成膜し、レジストをマスクとしてパターン形成を行い、反射膜３上に光学膜１６を形成する。
【００６６】
　次に、図１３に示すように、回路基板２全面に感光性ポリイミド膜等の有機膜を塗布し、４００℃程度の温度で焼締めを行い、
マイクロブリッジ構造を形成するための犠牲層１７
反射膜３と温度検出部１４との間隔が
１．５〜２．５μｍ
になるように設定する。
（キ）「【００６７】
　その後、第１及び第２の実施例と同様に、犠牲層１７の上に第２保護膜６、ボロメータ薄膜７、第３保護膜８を形成し、コンタクト４上の第１保護膜５、第２保護膜６及び第３保護膜８、ボロメータ薄膜７端部の第３保護膜８を除去する。次に、電極配線９、第４保護膜１０を形成する。
【００６８】
　次に、スパッタ法によりＡｌ、Ｔｉなどの金属を成膜した後、レジストをマスクとしてパターン形成を行い、温度検出部１４中央部及び庇１２上に吸収膜１１を形成する。その際、第１及び第２の実施例と同様に、第２保護膜６、第３保護膜８、ボロメータ薄膜７、第４保護膜１０、吸収膜１１を合わせた温度検出部１４のシート抵抗が略１０乃至１００Ω／sq.となるように膜厚を設定する。なお、第２の実施例のように、温度検出部１４上に庇１２を形成する場合は、温度検出部１４の中央部及び隣接する温度検出部１４の間の領域に第２犠牲層１８を形成し、第２犠牲層１８上に絶縁部材を形成し、温度検出部１４の中央部の絶縁部材を除去して庇１２を形成し、温度検出部１４の中央部及び庇１２上に吸収膜１１を形成すればよい。
【００６９】
　その後、Ｏ２ガスプラズマを用いたアッシングにより
犠牲層１７
を除去し、温度検出部１４が支持部１３によって回路基板２から浮いたマイクロブリッジ構造のボロメータ型ＴＨｚ検出器１が完成
（ク）図１１
「
」
（ケ）図１３
「
」
（コ）上記（カ）の記載、上記（ク）の図１１の記載、及び、上記（ケ）の図１３の記載を参照すると、回路基板２上に、反射膜３を形成し、その上に第１保護膜５を形成し、その上に光学膜１６を形成する構成が記載されており、また、上記（ウ）の記載を参照すると、第１保護膜５は、「プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)などを１００〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜」されたものであることが理解される。また、上記（カ）の記載を参照すると、光学膜１６は、「プラズマＣＶＤ法などにより、所定の膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ，ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)、シリコン膜などを成膜」したものであることが理解される。
　上記（ア）ないし（コ）を含む引用文献全体の記載を総合すると、上記引用文献には、
「基板に形成された読出回路に接続される電極配線を含む支持部により、前記電極配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるマイクロブリッジ構造を有するボロメータ型ＴＨｚ波検出器であって、
　前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され、
　前記温度検出部上に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され、
　前記反射膜と前記温度検出部との間に前記ＴＨｚ波を透過する光学膜が配置され、
　前記反射膜の上には、第１保護膜が、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)などを１００〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜され、
　該第１保護膜の上に、プラズマＣＶＤ法などにより、所定の膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ，ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)、シリコン膜などを成膜した光学膜が配置され、
　前記反射膜と前記温度検出部とで光学的共振構造が形成され、
　前記反射膜と温度検出部との間隔が１．５〜２．５μｍになるように設定され、
　マイクロブリッジ構造を形成するための犠牲層を除去し、温度検出部が支持部によって回路基板から浮いたボロメータ型ＴＨｚ検出器が完成するようにされたボロメータ型ＴＨｚ波検出器。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
（３）本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「基板に形成された読出回路に接続される電極配線を含む支持部により、前記電極配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持される」「ボロメータ型ＴＨｚ波検出器」は、本願補正発明の、「基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるボロメータ型ＴＨｚ波検出器」に相当する。
イ　引用発明の「前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され」ることは、本願補正発明の、「前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され」ることに相当する。
ウ　本願補正発明における「前記温度検出部の表面、裏面または内部」は、引用発明の「前記温度検出部上」を含む概念であるから、引用発明の、「前記温度検出部上に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され」ることは、本願補正発明の、「前記温度検出部の表面、裏面または内部に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され」ることに相当する。
エ　本願明細書の段落【００２０】、【００２３】を参照すると、「第１保護膜５」が「誘電体」である旨が記載されており、また、本願明細書の段落【００２６】には、「次に、回路基板２全面に、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)などを成膜し、反射膜３及びコンタクト４を保護する第１保護膜５を形成する。」との記載があることから、引用発明における「プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ、ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)などを１００〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜され」た「第１保護膜」と、「プラズマＣＶＤ法などにより、所定の膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ，ＳｉＯ２)、シリコン窒化膜(ＳｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４)、シリコン酸窒化膜(ＳｉＯＮ)、シリコン膜などを成膜した光学膜」は、いずれも本願補正発明のものと材質が一致し、光を透過するから、「誘電体」からなる膜であることは、当業者にとって明らかである。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、反射膜上に誘電体からなる膜が形成された点で一致する。
オ　引用発明は、「前記反射膜と温度検出部との間隔が１．５〜２．５μｍになるように設定され」るものであるから、前記反射膜の温度検出部側に設けられる第１保護膜及び光学膜の膜厚も、反射膜と温度検出部との間隔が１．５〜２．５μｍとした数値が実現できるようにされていることは明らかであり、１．５〜２．５μｍの数値が８μｍ未満であることも明らかであるから、引用発明の第１保護膜及び光学膜の膜厚は、誘電体と温度検出部との間隔が８μｍ未満となるように設定されているといえる。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、誘電体からなる膜と温度検出部との間隔が８μｍ未満となるように、前記誘電体の膜厚が設定される点で、両者は一致する。
カ　引用発明は、「マイクロブリッジ構造を形成するための犠牲層を除去し、温度検出部が支持部によって回路基板から浮いたボロメータ型ＴＨｚ検出器が完成するようにされた」ものであるから、温度検出部と回路基板との間に間隙が存在することは明らかである。また、「前記反射膜と温度検出部との間隔が１．５〜２．５μｍになるように設定され」るものであるから、間隙を形成するための犠牲層の膜厚が必ず２．５μｍ以下となることは明らかであり、その間隔が膜厚８μｍ未満の犠牲層により形成されるものといえる。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、「前記間隔が、前記温度検出部を保持した後除去される膜厚８μｍ未満の犠牲層により形成される」点で、両者は一致する。
　以上のことから、本願補正発明と引用発明との一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるボロメータ型ＴＨｚ波検出器であって、
　前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され、
　前記温度検出部の表面、裏面または内部に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され、
　前記反射膜上に誘電体からなる膜が形成され、
　前記誘電体と前記温度検出部との間隔が８μｍ未満となるように、前記誘電体の膜厚が設定され、
　前記間隔が、前記温度検出部を保持した後除去される膜厚８μｍ未満の犠牲層により形成されるボロメータ型ＴＨｚ波検出器。」
＜相違点＞
　反射膜上に形成される誘電体からなる膜に関して、本願補正発明は、「誘電体」という規定しかされていないのに対して、引用発明は、第１保護膜と光学膜の二つの膜からなる点。
（４）当審の判断
　上記相違点について、以下に検討する。
　引用発明において、第１保護膜も、光学膜も、いずれも誘電体であるから、第１保護膜と光学膜とを合わせて、誘電体ということができ、上記相違点に係る構成は、実質的な相違点とは認められない。
（５）小括
　
　よって、本願補正発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年６月２日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年１０月２３日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」「［理由］」「１」の「（補正前）」に記載のとおりものである。
２　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献、及び、その記載事項は、上記「第２」「［理由］」「２」「（２）」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者の一致点及び一応の相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板に形成された読出回路に接続される電気配線を含む支持部により、前記電気配線に接続されるボロメータ薄膜を含む温度検出部が、前記基板から浮いた状態で支持されるボロメータ型ＴＨｚ波検出器であって、
　前記基板上の前記温度検出部に対向する位置にＴＨｚ波を反射する反射膜が形成され、
　前記温度検出部の表面、裏面または内部に前記ＴＨｚ波を吸収する吸収膜が形成され、
　前記反射膜上に誘電体からなる膜が形成され、
　前記誘電体と前記温度検出部との間隔が８μｍ未満となるように、前記誘電体の膜厚が設定されているボロメータ型ＴＨｚ波検出器。」
＜相違点＞
　反射膜上に形成される誘電体からなる膜に関して、本願補正発明は、「誘電体」という規定しかされていないのに対して、引用発明は、第１保護膜と光学膜の二つの膜からなる点。
　そして、上記相違点は、本願補正発明と引用発明との相違点と同一であり、上記相違点についての判断は、上記「第２」「［理由］」「２」「（４）」に記載したとおりである。
　したがって、本願発明は、引用文献に記載された発明である。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。