【事件の表示】
　特願２０１１−　４７５４３「プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月２７日出願公開、特開２０１２−１８５９７５、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、平成２３年３月４日の出願であって、平成２６年１１月２１日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月２２日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年３月１１日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がなされ、これに対して同年６月１２日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。 
　その後、当審において、平成２８年４月１９日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由１」という。）が通知され、同年６月２７日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年７月１４日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由２」という。）が通知され、同年同月１９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
第２　本願発明 
　本願発明は、平成２８年７月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜８により特定される次のとおりのものである（以下、これらの請求項に係る発明を項番号に対応して「本願発明１」などという。）。
「　【請求項１】
　大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置部と、
　前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、
　前記処理容器に設けられ、電磁波を透過させる窓部と、
　前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部と複数の容量部とを有した負荷部と、
　前記負荷部に電力を印加する電源と、
　を備え、
　前記負荷部と前記電源とは、前記負荷部の一方の端部に設けられた第１の端子と、他方の端部に設けられた第２の端子と、を介して電気的に接続され、
　前記導体部と前記容量部とは、前記負荷部の両端側に導体部が設けられるように電気的に交互に直列接続され、
　被処理物のプラズマ処理を行う場合には、
  前記容量部同士の間に設けられた前記導体部のインダクタンスは、前記第１の端子および前記第２の端子にそれぞれ接続された前記導体部のインダクタンスの２倍とされ、
  前記すべての容量部の容量がそれぞれ等しいものとされたことを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記第１の端子と、前記第２の端子と、の間における合計インピーダンスの虚数成分が０（ゼロ）とされたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　前記負荷部は、Ｎ個の前記導体部と、（Ｎ−１）個の前記容量部を有し、
　前記第１の端子および前記第２の端子にはそれぞれ前記導体部が接続され、
　前記導体部のインダクタンスと、前記容量部の容量と、前記電力の周波数との関係が以下の（４）式乃至（６）式を満たしたことを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
　　【数４】
　ここで、Ｃ１は前記第１の端子側から見て１番目に設けられた前記容量部の容量、Ｌ１は前記第１の端子側から見て１番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、Ｌ２は前記第１の端子側から見て２番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
　　【数５】
　ここで、Ｃｎは前記第１の端子側から見てｎ番目に設けられた前記容量部の容量、Ｌｎは前記第１の端子側から見てｎ番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、Ｌｎ＋１は前記第１の端子側から見て（ｎ＋１）番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
　　【数６】
　ここで、ＣＮ−１は前記第１の端子側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた前記容量部の容量、ＬＮは前記第１の端子側から見てＮ番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ＬＮ−１は前記第１の端子側から見て（Ｎ−１）番目に設けられた前記導体部のインダクタンス、ｆは前記電力の周波数である。
　　【請求項４】
　前記導体部のインダクタンス、前記容量部の容量、前記電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つを制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　前記容量部同士の間に設けられた前記導体部の電位を測定する測定部を備え、
　前記制御部は、前記測定部による測定結果に基づいて制御を実行することを特徴とする請求項４記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　前記制御部は、前記被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部においてインピーダンスの虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるように制御し、
　クリーニング処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部において前記インピーダンスの虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生じないように制御することを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項７】
　前記負荷部と前記窓部との間に設けられたファラデーシールドと、
　前記負荷部と前記ファラデーシールドとの間に設けられた絶縁部と、
　を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項８】
誘導結合型プラズマを用いたプラズマ処理方法であって、
　両端側に導体部が設けられるように前記導体部と容量部とが電気的に交互に直列接続された負荷部に、電源から電力を印加する工程と、
　前記導体部のインダクタンス、前記容量部の容量、前記電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つの制御を行う工程と、
　を備え、
　被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記制御を行う工程において、
　前記負荷部と前記電源とは、前記負荷部の一方の端子に設けられた第１の端子と、
　他方の端部に設けられた第２の端子と、を介して電気的に接続され、
　前記容量部同士の間に設けられた前記導体部のインダクタンスは、前記第１の端子および前記第２の端子にそれぞれ接続された前記導体部のインダクタンスの２倍とされ、
  前記すべての容量部の容量がそれぞれ等しいものとなるように制御されることを特徴とするプラズマ処理方法。」
第３　原査定の拒絶理由についての当審の判断
１　原査定について
（１）原査定の平成２６年１１月２１付け拒絶理由の概要は以下のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　 記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１，２
　負荷部を，導体線路とコンデンサとを直列接続した電気回路要素を複数組み合わせて形成した，プラズマ処理装置は，文献１及び文献２それぞれに記載されている。
　このような負荷部に対しては，整合回路（文献１），マッチングボックス（文献２）がそれぞれ設けられており，負荷部の入力端子においてインピーダンスマッチングが取れている（電位差の虚数成分が０である）ものである。
　また，文献１においては，導体線路の中点で，電位がＶｃ（チャンバの電位）と同じくなるようにしており，また文献２では，負荷部をなすループアンテナの端子部から，インダクタンス部分を介して入力されていることから，いずれも，導体部において，電位差の虚数成分が０となる位置が生じるようにされていることは明らかである。
・請求項３，４
　上述のような負荷部におけるインダクタンスとコンデンサが，共振条件を満たすように設定されることは，当業者であれば通常為し得たことである。
　また，共振条件を満たすように，インダクタンスとコンデンサの容量を，適当なものと設定することも，当業者であれば容易に為し得た範囲内のことである。
・請求項５
　適当な制御部を設けることは，当業者であれば通常為し得たことである。
・請求項８，９
　文献１（【００１３】，第８図）には，負荷部と窓との間に導体板を接地することも記載されている。このような導体板と，負荷部との間を，適当な材料により絶縁することは，当業者であれば通常為し得たことである。
・請求項１０−１３
　上記請求項１−４について示したとおりである。
・請求項１５，１６
　文献１には，窓の削れ量を低減することを目的とすることが記載されており，必要なクリーニングを行なうために制御を行うことは，当業者であれば必要に応じて為し得たことである。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
引用文献１.特開２００３−３１５５８号公報
引用文献２.特開平１０−７０１０７号公報
（２）平成２７年３月１１日付け拒絶査定の概要は以下のとおりである。
　この出願については、平成２６年１１月２１日付け拒絶理由通知書に記載した理由２によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由２（特許法第２９条第２項）について
・請求項　１
・引用文献等　２
　出願人は，補正をするとともに，意見書において，「新請求項１に係るプラズマ処理装置においては、『被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位が同じ振幅で逆位相になるようにされ、』ます。　この様にすることで、負荷部において電位が最大となる点における電位差を格段に低下させることができます。」と主張する。
　しかし，文献２（［００１８］−［００２０］）には，部分アンテナとコンデンサの各１個で構成される部分的なＬＣ直列回路を共振状態に置くことが記載されており，このような場合，部分アンテナが基本モードで共振すれば，その両端における電位は同じ振幅で逆位相となる。
　また，出願人は，意見書に置いて，「さらに、新請求項１に係るプラズマ処理装置においては、『前記両端側に設けられた、それぞれの導体部における電位の振幅が、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位の振幅以下とされ』ます。　以上のことより、第１の端子と第２の端子の間における電位差を格段に小さくすることができます。　その結果、両端子間における異常放電を効果的に抑制することが可能となります。」と主張する。
　しかし，文献２（［００３０］−［００３１］）には，両端の端子４１ａ，４５ｂ間の電圧値（Ｖ０ｐｐ）（この電圧は　ｐｅａｋ　ｔｏ　ｐｅａｋ　の値を示していると考えられる）が，ほかの測定点の電圧（Ｖ１ｐｐ〜Ｖ６ｐｐ）の電圧より小さいことが示されており，また，端子間には放電が生じなかったことも記載されている。
　してみると，当該補正によっても，上記拒絶の理由を解消したとすることはできない。
・請求項２−５，８−１３，１５，１６
・引用文献等　２
　上記拒絶理由通知にて示したとおりである。
・請求項６，１４
・引用文献等　２
　これらの請求項については，上記拒絶理由通知にて理由２として示していなかったため，本査定の対象とするものではないが，単に測定した結果に基づいて制御を行うようなことに，困難性は認められない。
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
引用文献１.特開２００３−３１５５８号公報
引用文献２.特開平１０−７０１０７号公報
２　原査定の理由の判断
（１）本願発明１について
ア　引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明
（ア）引用文献１（特開２００３−３１５５８号公報）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
ａ　「【０００７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体デバイス製造用のドライエッチング装置（
プラズマ生成装置
負荷部３０は、複数の電気回路要素３１を環状に且つ直列に例えば４組接続されたものであり、電気回路要素３１は銅又はアルミニウム等の導体製の導体線路３２とコンデンサ３３を直列接続したものである。
【０００８】
負荷部３０の一端には整合回路２６ｂを介して高周波電源２６ａが接続され、他端はチャンバ２１に接続されている。
【０００９】更に、コンデンサ３３の近傍では、導体線路３２の近傍に比べて、生成されるブラズマＰの密度が小さくなるので、できるだけ均一なプラズマＰを負荷部３０の近傍で生成する目的で、導体線路３２の形状を工夫しても良い。すなわち、図２に示すように、コンデンサ３３の下部で２本の導体線路３２が並ぶように構成している。この場合には、導体線路３２の並ぶ距離が長すぎると、そこでのブラズマＰの密度が逆に高くなるので、所望するブラズマ分布になるように構造を最適化するようにしてもよい。このようなドライエッチング装置２０では、制御部２８により高周波電源２６ａ及び２７ａのいずれか一方、或いは両方を駆動することで、チャンバ２１内にプラズマＰを生成するようにしている。尚、処理条件としては、例えば反応ガスであるＣ４Ｆ８を２０ｓｃｃｍ、Ａｒを５００ｓｃｃｍとし、圧力を１Ｐａ、半導体ウエハＷ上の膜をＳｉＯ２、下部電極２５ａの温度を２０℃に設定した。図４（ａ）は、負荷部３０が導体線路３２のみで、且つ窓２４上に接触して平面的に設けた場合の電圧分布を示している。電圧振幅は高周波電源２６ａ側で最大となり、チャンバ２１側でＶｃ（Ｖｃはチャンバ２１の電位）となる。また、図４（ｂ）は、出願人が先に出願した特願２００１−１２３２０にある、電気回路要素を平面状に配置した場合における電圧分布を示している。このような構造であると、電圧振幅が最大となる位置が導体線路３２の電源２６ａ側の端部或いはコンデンサ３３側の端部となり、導体線路３２の中間点ではほぼＶｃと等しくなる。窓２４がプラズマＰにより削られる速度は、導体線路３２上に生じる電圧の振幅が大きいほど速くなるので、図４（ａ）の場合較べ、コンデンサ３３を有する先願では、導体線路３２上に生じる電圧の振幅を小さくすることができ、誘電体又はシリコン等の半導体から形成される窓２４が削られる速度を遅くすることができる。
【００１０】本実施の形態においては、更に上記先願における電圧振幅の幅をより平坦化することができ、プラズマＰの生成をより均一化すると共に、窓２４が削られる速度をより低減することができる。従って、窓２４の長寿命化及びチャンバ２１内におけるダスト発生を抑制することができる。尚、導体線路３２の中点３２ａの電圧振幅を高電圧プローブとオシロスコープでモニタしながら、その電圧振幅が最小になるように各負荷部３０における導体線路３２のインダクタンス、各コンデンサ３３の容量、高周波電源２６ａの周波数ｆを調整する。即ち、チャンバ２１の電位をＶｃ（Ｖ）、高周波電源２６ａの周波数をｆ（Ｈｚ）、チャンバ電位点からｎ番目の導体線路３２のインダクタンスをＬｎ（Ｈ）、コンデンサ３３の容量をＣｎ（Ｆ）とした場合に所定の関係になるように調整を行う。以下、その関係について図５に基づいて説明する。なお、ｎ＝１は、高周波電源２６ａから電気回路的に最も遠い電気回路要素３１を示すものとする。ｎ番目の電気回路要素３１に流れる電流をＩ（Ａ）とすると、ｎ番目の導体線路３２における電圧降下Ｖｎ（Ｖ）は、
　Ｖｎ＝２πｆＬｎＩ＋Ｖｃ                                  …（１）
ｎ−１番目の導体線路３２における電圧降下Ｖｎ−１（Ｖ）は、
　Ｖｎ−１＝２πｆＬｎ−１Ｉ＋Ｖｃ                          …（２）
ｎ番目のコンデンサで上昇する電圧φｎ（Ｖ）は、
　φｎ＝Ｉ／（２πｆＣｎ）＋Ｖｃ                            …（３）
であり、ｎ番目の導体線路３２の中点で電圧がＶｃ（Ｖ）になるためには、
　φｎ＝（Ｖｎ−１＋Ｖｎ）／２                              …（４）
となればよい。
【００１１】式（１）〜（３）を式（４）に代入して
　２π２ｆ２（Ｌｎ−１＋Ｌｎ）Ｃｎ＝１                      …（５）
が得られる。ｎ＝１の場合には、φ１＝Ｖ１／２となればよいので、
　２π２ｆ２Ｌ１Ｃ１＝１                                    …（６）
となる。上述した式（５），（６）に基づいて、ｆ、Ｌｎ、Ｃｎを定めることで、導体線路３２上において電圧振幅が最大となる点の電圧振幅の値を小さくできる。特に電気回路要素３１の数が多い場合には、その数をｎとすると、同じ距離を導体線路３２のみで形成する場合に比べて電圧振幅が最大となる点の電圧振幅を２ｎ分の１に低減できる。なお、導体線路３２のインダクタンスＬｎを変化させるための構成としては、例えば導体線路３２に数個の接続点を設け、導体線路３２とコンデンサ３３の接続位置或いは導体線路３２と他の電気回路要素３１との接続位置を変化させても良い。また、コンデンサ３３の容量Ｃｎを変化させるための構成としては、固定容量のコンデンサを適宜取り替える構成、または可変容量のコンデンサを用いる構成であっても良い。」
ｂ　図１
ｃ　図２
　上記ａ〜ｃより、引用文献１には、
「負荷部３０は、一端には整合回路２６ｂを介して高周波電源２６ａが接続され、他端はチャンバ２１に接続されて、
　前記負荷部３０は、複数の電気回路要素３１を環状に且つ直列に４組接続されたものであり、電気回路要素３１は導体線路３２とコンデンサ３３を直列接続したものである、プラズマ生成装置。」の事項（以下「引用文献１に記載された事項」という。）が記載されているものと認められる。
（イ）引用文献２（特開平１０−７０１０７号公報）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）
ａ　「【００１８】上述の本発明の構成によれば、ループアンテナを複数の部分アンテナに分割し、各部分アンテナ同士をコンデンサによって電気的に接続している。この場合、合計のインダクタンス値がＬ０であるｎ個の部分アンテナと、ｎ−１個のコンデンサによってプラズマ励起用アンテナを構成した場合、マッチングボックス内のコンデンサを含めて、部分アンテナとコンデンサ各１個で構成されるｎ個の部分的なＬＣ直列回路が形成される。従って、それら部分的なＬＣ直列回路の両端に生じる電圧は全体に印加される電圧の１／ｎになる。
【００１９】そのような
部分アンテナ１個当たりのインダクタンスをＬ
ｎ
、コンデンサ１個当たりのキャパシタンスをＣ
ｎ
とした場合、印加される高周波電圧の周波数ωに対し、 ω
２
・Ｌ・Ｃ の値を可及的に１に近づけると、部分アンテナとコンデンサの各１個で構成される部分的なＬＣ直列回路を共振状態に置くことができる
【００２０】部分的なＬＣ直列回路が共振状態にある場合、その部分のインピーダンスは最も小さくなる。従って、マッチングボックス内のコンデンサを含めて構成されるｎ個の部分的なＬＣ直列回路ができるだけ共振状態に近づくように部分アンテナのインダクタンス値とコンデンサのキャパシタンス値を選択すれば、プラズマ励起用アンテナ全体のインピーダンスが小さくなる。従って、小さな高周波電圧で大きな電流を流すことができるようになるので、大電力を投入した場合であってもプラズマ励起用アンテナの電源側の端子と接地側の端子間の電圧差が小さくなり、放電が生じなくなる。
【００２１】ところで、プラズマ励起用アンテナをプラズマ発生槽に取り付ける場合、従来ではプラズマ発生槽とプラズマ励起用アンテナ間の間隔を、電源に接続された方を遠く、接地電位に接続された方を近くなるように配置し、プラズマ発生槽内の電界が均一になるようにし、プラズマ中に不純物が混入しないようにしているものがあった。本発明のプラズマ励起用アンテナでは、印加する高周波電圧が低電圧で済むので、プラズマ発生槽との距離を一定にしておいても、プラズマ発生槽内のガスを均一にプラズマ化できる。
【００２２】本発明のプラズマ励起用アンテナを複数設けたプラズマ発生槽では、各プラズマ励起用アンテナに独立した高周波電源から電圧を印加して一つのプラズマ発生槽内に導入されたガスをプラズマ化する場合、各プラズマ励起用アンテナの固有共振周波数の値が互いに１ｋＨｚ以上異なるようにしておく。その場合、各プラズマ励起用アンテナの部分的なＬＣ直列回路に共振を起こさせるときに、各高周波電源の周波数を異ならせることができるので、プラズマ励起用アンテナ間の相互干渉を防止することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１を参照し、
符号２は、本発明のプラズマ励起用アンテナの一例であるループアンテナであり、５個の部分アンテナ２１〜２５と、４個のコンデンサ７１〜７４とを有している。
【００２４】各部分アンテナ２１〜２５は、電磁波の放射を行うインダクタンス部分３１〜３５をそれぞれ有しており、それらインダクタンス部分３１〜３５の両端には、端子４１a〜４５aと端子４１b〜４５bがそれぞれ設けられている。
【００２５】インダクタンス部分３１〜３５と端子４１a〜４５a、４１b〜４５bは金属の細板で構成されており、各インダクタンス部分３１〜３５は円弧状に曲げられ、同じ平面内で一つのループ形状(この例では３００ｍｍφ)を成すように配置されている。各端子４２a〜４５a、４１b〜４４b、各インダクタンス部分３１〜３５の位置する面に対して垂直になるように同一方向設けられている。
【００２６】端子４１bと端子４２a間、端子４２bと端子４３a間、端子４３bと端子４４a間、端子４４bと端子４５a間には、高耐圧用のコンデンサ７１〜７４がそれぞれ配置され、同図(ｂ)に示すように、各コンデンサ７１〜７４の一方の電極７０aは端子４２a〜４５aに固定され、他方の電極７０bは端子４１b〜４４bに固定されている。
【００２７】
このループアンテナ２は、図２(ａ)に示すようなプラズマ発生槽６を有するプラズマ処理装置３に用いられており、プラズマ発生槽６の天井に設けられたガラス窓８上に、スペーサー９１〜９３を介して載置されている。
【００２８】
ループアンテナ２の一端の端子４１aは、
高周波電源に接続されており
、他端の端子４５bは接地電位に接続され、高周波電源１０を起動して端子４１a、４５b間に高周波電圧を印加すると、プラズマ発生槽６内に導入されたガスがプラズマ化される。
【００２９】このループアンテナ２は、同図(ｂ)に示す等価回路の通り、各インダクタンス部分２１〜２５のインダクタンス成分をＬ１〜Ｌ５、各コンデンサ７１〜７４のキャパシタンス成分をＣ２〜Ｃ５、マッチングボックス１１内でループアンテナ２と高周波電源１０との間に接続されているコンデンサ１２のキャパシタンス成分をＣ１で表した場合、各インダクタンス成分Ｌ１〜Ｌ５とキャパシタンス成分Ｃ１〜５とは交互に位置しているので、Ｃ１Ｌ１、Ｃ２Ｌ２、Ｃ３Ｌ３、Ｃ４Ｌ４、Ｃ５Ｌ５の５個の部分的なＬＣ直列回路が形成されている。
【００３０】コンデンサ１２、７１〜７４に、キャパシタンス成分Ｃ１〜Ｃ５が１０００ｐＦのものを用い、高周波電源１０を起動して、マッチングボックス１１を介して周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、ループアンテナ２内の電圧を測定した。その結果得られた、図２(ｂ)に示すＶ０ｐｐ〜Ｖ６ｐｐの各測定点の電圧を示す。
【００３１】Ｖ０ｐｐ ＝  ２．３ｋＶ
Ｖ１ｐｐ ＝  ４．３ｋＶ
Ｖ２ｐｐ ＝  ４．５ｋＶ
Ｖ３ｐｐ ＝  ４．４ｋＶ
Ｖ５ｐｐ ＝  ４．５ｋＶ
Ｖ６ｐｐ ＝  ４．３ｋＶ
最も近接している両端の端子４１a、４５b間の電圧値が２．３ｋＶ(Ｖ０ｐｐの値)と低電圧であり、端子４１a、４５b間には放電は生じなかった。
【００３２】それに対し、図３のループアンテナ１０２では、上述の場合と同じ周波数で同じ電流が流れるように高周波電圧を印加したところ、ループアンテナ１０２の両端の電圧Ｖは１３．８ｋＶであり、エッチング中、その両端の端子間に放電が生じる場合があった。なお、そのループアンテナ１０２には直径３５０φのものを用い、浮遊容量は２０〜３０ｐＦであった。また、マッチングボックス１１１内のコンデンサには、キャパシタンス値が５００ｐＦのものを用いた。
【００３３】以上説明したプラズマ処理装置３は、プラズマ励起用アンテナを天井上に配置するものであったが、図３(ｂ)のように、プラズマ発生槽の外周に配置しても良く、その他、プラズマを安定に発生させられれば取付箇所は問わない。
【００３４】＜エッチング装置＞上述のループアンテナ２は、直径３００φであり、コンデンサを４個用いていたが、
他の実施の形態として、各５００ｐＦの３個のコンデンサを用い、４個の部分インダクタンス(それぞれ約１μＨ)と交互に直列接続して一つのループアンテナを構成した。
キャパシタンス値が５００ｐＦのコンデンサを用いてマッチングボックスを構成し、そのマッチングボックスを介して１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェハー(８インチ)のエッチングを行った。
【００３５】１カセット２５枚ずつ、合計１００枚のウェハーを処理したところ、ウェハー面内のシリコン酸化膜のエッチングばらつきは±３％以内であった。
【００３６】同様の条件で、従来のループアンテナ１０２を用いてエッチングを行ったところ、１カセット２５枚中、６枚のウェハーがエッチング不足となった。
【００３７】以上説明した本発明のプラズマ励起用のループアンテナは、各部分アンテナを円形ループ形状に配置していたが、本発明のプラズマ励起用アンテナには、各部分インダクタンスが四角ループ形状に配置されたループアンテナも含む。
【００３８】四角ループ状に配置したプラズマ励起用アンテナの一例として、各５００ｐＦの１０個のコンデンサと１１個の部分インダクタンスとを用い、各コンデンサと部分インダクタンスとを、４００ｍｍ×５００ｍｍの矩形形状に交互に配置したものを用意した。
【００３９】マッチングボックス内でループアンテナと直列接続されるコンデンサには５００ｐＦのものを用い、矩形形状の基板表面に形成されたＩＴＯ膜のエッチングを行った。各部分アンテナのインダクタンスの値は約０．１５μＨであった。
【００４０】エッチングガスにはＳｉＣｌ４ガスとＣｌ２ガスとの混合ガスを用い、流量１００SCM、圧力１．０Ｐａにした。プラズマ励起用アンテナへは周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、５ｋＷの電力を投入した。基板へは、周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、２００Ｗの電力を投入した。
【００４１】その結果、１５００Å／ｍｉｎという高速なエッチング速度が得られた。このときの基板面内のエッチングバラツキは±８％以下であり、エッチングの均一性は良好であった。従来技術のループアンテナを用い、同じ電力を投入してエッチングを行おうとしたが、電源電圧側の端部と接地電位側の端部との間で放電してしまい、安定なエッチングを行えなかった。
【００４２】＜プラズマＣＶＤ＞次に、各５００ｐＦの５個のコンデンサと６個の部分アンテナを用いてループアンテナを構成し、プラズマＣＶＤ装置に適用して基板表面へのシリコン酸化膜の形成を行った。原料ガスとして流量１００SCCMのＴＥＯＳガスと流量６００SCCMのＯ２ガスの混合ガスを用い、圧力５Ｐａ、マッチングボックス内でループアンテナと直列接続されるコンデンサに５００ｐＦのものを用い、投入電力は５００Ｗにした。
【００４３】高周波電圧の周波数は、１３．５６ＭＨｚと４０．１ＭＨｚの２種類を印加し、成膜速度の比較を行った。いずれの場合でも原料ガスのプラズマは安定に発生し、それぞれ１８０ｍｍ／ｍｉｎ、５６０ｍｍ／ｍｉｎという高速な成膜速度が得られた。従来技術のループアンテナでは、４０．１ＭＨｚの場合はプラズマが安定せず、シリコン酸化膜を形成することはできなかった。」
ｂ　図１
ｃ　図２
ｄ　上記ｃの図１より、ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに部分インダクタンス２１、２５がそれぞれ接続されていることが看取できることから、上記ａの【００３４】のエッチング装置のループアンテナ２も、ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに４個の部分インダクタンスのうち２個の部分インダクタンスをそれぞれ接続しているといえる。
　上記ａ〜ｄと、上記ａの【００３４】のエッチング装置のループアンテナ２は、上記ａ〜ｃのプラズマ処理装置３に用いられるものであることにより、引用文献２には、
「プラズマ発生槽６を有するプラズマ処理装置３であって、
　ループアンテナ２は、前記プラズマ発生槽６の天井に設けられたガラス窓８上に、スペーサー９１〜９３を介して載置され、
　前記ループアンテナ２の一端の端子４１aは、高周波電源に接続され、他端の端子４５bは接地電位に接続され、高周波電源１０を起動して端子４１a、４５b間に高周波電圧を印加すると、プラズマ発生槽６内に導入されたガスがプラズマ化され、
　前記ループアンテナ２は、各５００ｐＦの３個のコンデンサと、４個の部分インダクタンス(それぞれ約１μＨ)と交互に直列接続して一つのループアンテナを構成し、さらに、前記ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに前記４個の部分インダクタンスのうち２個の部分インダクタンスをそれぞれ接続し、
　キャパシタンス値が５００ｐＦのコンデンサを用いてマッチングボックスを構成し、そのマッチングボックスを介して１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェハー(８インチ)のエッチングを行うものであって、
　前記部分アンテナ１個当たりのインダクタンスをＬｎ、前記コンデンサ１個当たりのキャパシタンスをＣｎとした場合、印加される高周波電圧の周波数ωに対し、 ω２・Ｌ・Ｃ の値を可及的に１に近づけると、部分アンテナとコンデンサの各１個で構成される部分的なＬＣ直列回路を共振状態に置くことができる、
　プラズマ処理装置。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　また、引用文献２には、
「プラズマ発生槽６を有するプラズマ処理方法であって、
　ループアンテナ２は、前記プラズマ発生槽６の天井に設けられたガラス窓８上に、スペーサー９１〜９３を介して載置され、
　前記ループアンテナ２の一端の端子４１aは、高周波電源に接続され、他端の端子４５bは接地電位に接続され、高周波電源１０を起動して端子４１a、４５b間に高周波電圧を印加すると、プラズマ発生槽６内に導入されたガスがプラズマ化され、
　前記ループアンテナ２は、各５００ｐＦの３個のコンデンサと、４個の部分インダクタンス(それぞれ約１μＨ)と交互に直列接続して一つのループアンテナを構成し、さらに、前記ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに前記４個の部分インダクタンスのうち２個の部分インダクタンスをそれぞれ接続し、
　キャパシタンス値が５００ｐＦのコンデンサを用いてマッチングボックスを構成し、そのマッチングボックスを介して１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を印加し、表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェハー(８インチ)のエッチングを行うものであって、
　前記部分アンテナ１個当たりのインダクタンスをＬｎ、前記コンデンサ１個当たりのキャパシタンスをＣｎとした場合、印加される高周波電圧の周波数ωに対し、 ω２・Ｌ・Ｃ の値を可及的に１に近づけると、部分アンテナとコンデンサの各１個で構成される部分的なＬＣ直列回路を共振状態に置くことができる、
　プラズマ処理方法。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
ア　対比・判断
（ア）対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
ａ　引用発明１の「プラズマ発生槽６」、「ガラス窓８」、「部分インダクタンス成分(それぞれ約１μＨ)」、「コンデンサ」、「ループアンテナ２」、「高周波電源１０」、「一端の端子４１a」、「他端の端子４５b」及び「表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェハー(８インチ)」は、本願発明１の「処理容器」、「窓」、「導体部」、「容量部」、「負荷部」、「電源」、「第１の端子」、「第２の端子」及び「被処理物」に、それぞれ相当する。
ｂ　引用発明１の「プラズマ処理装置」が、本願発明１の「減圧部」、「載置部」、「ガス供給部」を有することは、当業者にとって自明のことである。
　上記ａ及びｂより、本願発明１と引用発明１は、
「大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置部と、
　前記処理容器の内部にガスを供給するガス供給部と、
　前記処理容器に設けられ、電磁波を透過させる窓部と、
　前記窓部の外方に配置され、電磁場を発生させる複数の導体部と複数の容量部とを有した負荷部と、
　前記負荷部に電力を印加する電源と、
　を備え、
　前記負荷部と前記電源とは、前記負荷部の一方の端部に設けられた第１の端子と、他方の端部に設けられた第２の端子と、を介して電気的に接続され、
　前記導体部と前記容量部とは、前記負荷部の両端側に導体部が設けられるように電気的に交互に直列接続され、
　被処理物のプラズマ処理を行う場合には、
  前記すべての容量部の容量がそれぞれ等しいものとされた、プラズマ処理装置。」である点で一致し、以下の相違点１で相違する。
＜相違点１＞
「前記容量部同士の間に設けられた前記導体部のインダクタンス」が、本願発明１では、「前記第１の端子および前記第２の端子にそれぞれ接続された前記導体部のインダクタンスの２倍とされ」るのに対して、引用発明１では、「コンデンサ」同士の間に設けられた「部分インダクタンス」と「前記ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに」「それぞれ接続し」た「２個の部分インダクタンス」とは、いずれも「約１μＨ」である点。
（イ）判断
　相違点１について検討する。
ａ　引用発明１は「前記部分アンテナ１個当たりのインダクタンスをＬｎ、前記コンデンサ１個当たりのキャパシタンスをＣｎとした場合、印加される高周波電圧の周波数ωに対し、 ω２・Ｌ・Ｃ の値を可及的に１に近づけると、部分アンテナとコンデンサの各１個で構成される部分的なＬＣ直列回路を共振状態に置くことができるものであ」り、それによって引用文献１の【００２０】に記載された有利な効果が生じるものである。
　よって、引用発明１において、「コンデンサ」同士の間に設けられた「部分インダクタンス」を、「前記ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに」「それぞれ接続し」た「２個の部分インダクタンス」の２倍とすることは、上記の有利な効果に対しての阻害要因となるものであるから、当業者といえども想定することができない。
　したがって、引用発明１に基いて相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
ｂ　引用発明１の「ループアンテナ２（負荷部）」は、「端子４１a及び４５bに」「２つの部分インダクタンス（導体部）を接続し」たものであるのに対して、引用文献１に記載された事項では、「負荷部」の両側に「導体線路３２」（導体部）が設けられるようにした構成ではないから、引用発明１の「ループアンテナ２」に引用文献１に記載された事項の「負荷部」を組み合わせることはできない。
　加えて、相違点１に係る構成は、引用文献１に記載されていない。
　したがって、引用発明１及び引用文献１に記載された事項から、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
ｃ　よって、本願発明１は、引用発明１及び引用文献１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２）本願発明２〜７について
　本願発明２〜７は、本願発明１をさらに限定するものであるから、本願発明１と同様に、引用発明１及び引用文献１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（３）本願発明８について
ア　引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明
　引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明は、上記「（１）」「ア」で示したとおりである。
イ　対比・判断
（ア）対比
　本願発明８と引用発明２とを対比する。
ａ　引用発明２の「部分インダクタンス成分(それぞれ約１μＨ)」、「コンデンサ」、「表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコンウェハー(８インチ)」、「一端の端子４１a」及び「他端の端子４５b」は、本願発明８の「導体部」、「容量部」、「被処理物」、「第１の端子」及び「第２の端子」に、それぞれ相当する。
ｂ　引用発明２の「プラズマ処理方法」が、本願発明８の「導体部のインダクタンス、容量部の容量、電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つの制御を行う」ことは、当業者にとって自明のことである。
　上記ａ及びｂより、本願発明８と引用発明２は、
「誘導結合型プラズマを用いたプラズマ処理方法であって、
　両端側に導体部が設けられるように前記導体部と容量部とが電気的に交互に直列接続された負荷部に、電源から電力を印加する工程と、
　前記導体部のインダクタンス、前記容量部の容量、前記電力の周波数からなる群より選ばれた少なくとも１つの制御を行う工程と、
　を備え、
　被処理物のプラズマ処理を行う場合には、前記制御を行う工程において、
　前記負荷部と前記電源とは、前記負荷部の一方の端子に設けられた第１の端子と、
　他方の端部に設けられた第２の端子と、を介して電気的に接続され、
　前記すべての容量部の容量がそれぞれ等しいものとなるように制御される、プラズマ処理方法。」である点で一致し、以下の相違点２で相違する。
＜相違点２＞
「前記容量部同士の間に設けられた前記導体部のインダクタンス」が、本願発明８では、「前記第１の端子および前記第２の端子にそれぞれ接続された前記導体部のインダクタンスの２倍とされ」るのに対して、引用発明２では、「コンデンサ」同士の間に設けられた「部分インダクタンス」と「前記ループアンテナ２の端子４１a及び４５bに」「それぞれ接続し」た「２個の部分インダクタンス」とは、いずれも「約１μＨ」である点。
（イ）判断
　相違点２について検討すると、上記「（１）」「イ」「（イ）」で検討したのと同様の理由により、引用発明２及び引用文献１に記載された事項から、上記相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　よって、本願発明８は、引用発明２及び引用文献１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（４）小括
　以上のとおり、本願発明１〜７は、引用発明１及び引用文献１に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本願発明８は、引用発明２及び引用文献１に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
第４　当審の拒絶理由についての当審の判断
１　当審拒絶理由１の概要
「理由１（サポート要件） 
 　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
理由２（明確性要件） 
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　記
理由１について 
　請求項１、８には、「前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位が同じ振幅で逆位相になるようにされ、前記両端側に設けられた、それぞれの導体部における電位の振幅が、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位の振幅以下とされ」たこと（以下「記載事項Ａ」という。）が記載されている。 
　段落【００２２】には、「また、制御部２４は、エッチング処理などのような被処理物Ｗのプラズマ処理を行う場合には、容量部同士の間に設けられた導体部において電位差の虚数成分が０（ゼロ）となる位置が生ずるように制御する。 
　この場合、正側と負側における電位の最大値の絶対値が同程度となるように制御することが好ましい。 
　例えば、導体部の容量部同士の間の中間位置における電位差の虚数成分が０（ゼロ）となるように制御すれば、正側と負側における電位の最大値の絶対値が同程度となるようにすることができる。」と記載されているものの、「導体部の両端における電位」が同じ振幅で逆位相であるかどうか不明である。また、「前記両端側に設けられた、それぞれの導体部における電位の振幅」と「前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位の振幅」との大小関係は不明である。 
　図６（ｂ）について、「動作周波数において負荷部２０ｂ全体に共振」（段落【００３０】）するものであるから、インピーダンスの虚数成分は０であって、原理的には、導体部において位相のずれや虚数成分の振幅は生じないことになる。すなわち、「図６（ｂ）は負荷部における電位の分布を例示するための模式グラフ図」（段落【００３５】）であって、図６（ｂ）は、プラズマ処理装置の負荷部に高周波電力が印加された場合の図ではない。すると、図６（ｂ）は、「導体部の両端における電位」の位相や、「前記両端側に設けられた、それぞれの導体部における電位の振幅」と「前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位の振幅」との大小関係を示したものではない。 
　よって、段落【００２２】、図６（ｂ）には、記載事項Ａについて記載されているとはいえない。 
　発明の詳細な説明及び図面の他の箇所を参酌しても、記載事項Ａについての記載はない。 
　したがって、上記記載事項Ａは、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
　請求項１を引用する請求項についても同様である。 
　よって、請求項１〜８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
理由２について 
（１）請求項１の「前記導体部と前記容量部とは、両端側に導体部が設けられるように」において、「両端側」が何の両端側であるのか不明である。 
（２）請求項１、８の「前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位が同じ振幅で逆位相になるようにされ、前記両端側に設けられた、それぞれの導体部における電位の振幅が、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位の振幅以下とされ」について、プラズマ処理装置の負荷部に高周波電力が印加され、導体部の電位は変化することになるので、「電位」、「電位の振幅」が何を示しているのか不明である。 
（３）請求項１を引用する請求項についても同様である。 
　よって、請求項１〜８に係る発明は明確でない。
２　当審拒絶理由２の概要
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項８の「前記第１の端子」、「前記第２の端子」は、この記載以前の請求項８において「第１の端子」、「第２の端子」の記載がなく、「前記第１の端子」、「前記第２の端子」が何を示しているのか不明である。 
　よって、請求項８に係る発明は明確でない。 
３　当審拒絶理由１及び２の判断
（１）平成２８年７月１９日付け手続補正により、請求項１、８において、「前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位が同じ振幅で逆位相になるようにされ、前記両端側に設けられた、それぞれの導体部における電位の振幅が、前記容量部同士の間に設けられた、それぞれの前記導体部の両端における電位の振幅以下とされ」たことが、削除されたので、当審拒絶理由１の理由１、理由２（２）及び（３）は解消された。
（２）平成２８年７月１９日付け手続補正により、請求項１、８において、「両端部」が「前記負荷部の両端部」と補正されたので、当審拒絶理由１の理由２（１）及び（３）は解消された。
（３）平成２８年７月１９日付け手続補正により、請求項８において、「負荷部に電力を印加する工程」が「負荷部に、電源から電力を印加する工程」と補正され、「第１の端子」と「第２の端子」について「前記負荷部と前記電源とは、前記負荷部の一方の端子に設けられた第１の端子と、他方の端部に設けられた第２の端子と、を介して接続され、」と補正されたので、当審拒絶理由２は解消された。
（４）よって、当審拒絶理由１及び２はすべて解消された。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。