【事件の表示】
　特願２０１１−５３０６１２「改善したモード選択度を持つ垂直キャビティ面発光レーザー」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月２２日国際公開、ＷＯ２０１０／０４４０１０、平成２４年　３月　１日国内公表、特表２０１２−５０５５４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成２１年１０月　７日　国際特許出願（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年１０月１４日 欧州特許庁）
　平成２３年　４月１５日　手続補正書
　平成２５年　８月　７日　拒絶理由通知（同年８月１３日発送）
　平成２５年１１月１２日　意見書・手続補正書
　平成２６年　２月２６日　拒絶査定（同年３月２５日発送）
　平成２６年　７月２５日　本件審判請求
　
２　本願発明
　本願の請求項１乃至１３に係る発明は、平成２５年１１月１２日に補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオードであり：
　‐基板と、
　‐該基板上に配置された第1ブラッグ反射体の積層と、
　‐該基板上に配置された第2ブラッグ反射体の積層と、
　を含み、該第1及び第2ブラッグ反射体の積層は、光軸を持つレーザー・キャビティを形成し、レーザー・ビームが作動中に該光軸に沿って放射され；
　‐前記ブラッグ反射体の積層のうち１つの終わりにある金属反射体層、
　をさらに含み、
　該金属反射体層は、前記光軸に関して局所的に配置され、TEM00レーザー・モードの強度が該モードの最大強度の3分の1を超える領域よりも小さい領域を被覆し、
　前記金属反射体層によって終わるブラッグ反射体の積層は、より高い屈折率とより低い屈折率とが交互に入れ替わる層の対を最大限で15個含み、
　該金属反射体層の前記ブラッグ反射体層が終わる側の反対側は、前記垂直キャビティ面発光ダイオードの熱の消散が改善されるように、前記基板又はヒート・シンクに接触している、
　垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用する刊行物と引用発明
（１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開平４−３１８９９２号公報（以下「刊行物」という。）には、図とともに以下の記載がある（当審注：下線は当審が付加した。以下、同様である。）。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
半導体活性層の上下に半導体多層膜、誘電体多層膜若しくは金属またはそれらの材料を組み合わせた構造で反射鏡が形成されており、半導体基板に対して垂直な方向にレーザ発振をする面型光半導体素子に於いて、前記反射鏡では、その中心部の反射率が周辺部の反射率より高いか、又はその中心部の光吸収損失が周辺部の光吸収損失より小さい
面型光半導体素子。
　
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光伝送や光情報処理に用いられる円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザなどの面型光半導体素子に関する。」
　
ウ　「【０００２】
【従来の技術】半導体基板に垂直な方向に発振する面発光半導体レーザなどの面型光半導体素子はコンピュータ間のデータ伝送や、光コンピューティングに欠かせないキーディバイスとなる。面発光半導体レーザとしては従来の基板に水平に発振する半導体レーザで、端面に４５°ミラーを形成し、それによって発振光を垂直方向に折り曲げて出すものがあるが、ここでいう面発光半導体レーザは本当に基板に垂直方向に光を行き来させて発振させるレーザをいう。
【０００３】この様な従来の面発光半導体レーザとしては、例えば、エレクトロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．　Ｌｅｔｔ．　）の２５巻、２０号、１９８９年の１３７７〜１３７８頁に内容が詳述されている。この面発光半導体レーザは円筒状の垂直キャビティを有し、その垂直キャビティ内において活性層は上下の半導体多層膜によって挟まれている。このように円筒状の垂直キャビティを有する
従来の面発光半導体レーザの断面構造を図４に示す
【０００４】図４に於いて、１００Å厚のＩｎＧａＡｓ（λ≒９８０ｎｍ）の歪量子井戸から成る活性層４２６の上下にはｐ型半導体多層膜４２５とｎ型半導体多層膜４２７が形成され、それらがレーザ発振用の反射鏡となって、レーザ発振が起こる。図４では光がＧａＡｓからｎ型半導体基板４２８を通して、下側に出てくる。ｐ型半導体多層膜４２５はλ／４厚（λは媒質内波長）から成る、ｐ−ＡｌＡｓ４１７，４１５，４１３，・・・と、これもλ／４厚から成るｐ−ＧａＡｓ４１６，４１４，・・・が交互に１５．５ペア積層されて形成されている。ｎ型半導体多層膜４２７は、λ／４厚から成るｎ−ＡｌＡｓ４１８・・・４２０，４２２・・・と、これもλ／４厚から成るｎ−ＧａＡｓ・・・４１９，４２１が２４．５ペア交互に積層されて形成されている。
４２４はＣｒ／Ａｕから成るｐ型電極
アロイはしていない
９８％近い反射率を有するＡｕをｐ型半導体多層膜４２５の上につけることで、ｐ型半導体多層膜の層数を減らせられる
　
エ　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図４の例での問題点は注入電流のレベルを上げていくと、高次の横モードが、基本モードの他に発振し出すということであった。その一例を図５に示す。図５の（ａ），（ｂ），（ｃ）は順に注入電流を上げていった場合の図である。使用した素子の直径は１０μｍφであった。（ａ）では９５５ｎｍの所で発振しているが、（ｂ）では９５６ｎｍ位の所で別のモードが立っているのが分かる。解析によると、これは高次の横モードであることが分かった。注入レベルを上げていくと、高次モードは（ｃ）の様にさらに成長して、大きくなっていく。図６は面発光レーザの直径を横軸、各横モードの伝播方向（上下方向）に対する有効屈折率を計算して示してある。図４の従来例では半導体層の回りは空気であり、この場合の計算でもその様に仮定してある。基本モードはＨＥ１１である。半導体多層膜反射鏡によって、反射率が９９．９％になる波長帯域は図４の場合、５０Å以下と狭いが、それにしても、基本モード以外の何本かの高次の横モードが発振してしまう可能性があるわけである。モードがいくつか立つと、実用的には問題がある。すなわち、注入電流の違いで、放射パターンが変わることがある。これを解決する方法として素子径を更に小さくすることも考えられるが、それは非常に難しくなってくる。その理由は図６に見られるように有効屈折率の径依存性が、径が小さくなってくると、大きくなってくるからである。即ち、多層膜でのλ／４厚などの設計に、有効屈折率の径依存性を入れなければならなくなり、それが大変だからである。図６の計算結果も、厳密なものでなく、実際にはカット　アンド　トライでやらなければならなくなる。」
　
オ　「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の面型光半導体素子は、半導体活性層の上下に半導体多層膜、誘電体多層膜若しくは金属またはそれらの材料を組み合わせた構造で反射鏡が形成されており、半導体基板に対して垂直な方向にレーザ発振をする面型光半導体素子であって、
前記反射鏡では、その中心部の反射率が周辺部の反射率より高いか、又はその中心部の光吸収損失が周辺部の光吸収損失より小さい
　
カ　「【０００７】
【作用】高次横モードの発振しきい値利得を、基本モードより意図的に上げてやれば、高次モードは発振しにくくなり、それによって単一モード化が実現できる。面発光半導体レーザの上下に垂直な、断面方向でのフィールドパターンはモードによって異なる。基本モードのフィールドは断面内の中心で最も強くなる。それに対して高次モードは、中心ではなく、そこからはずれた位置にフィールドの最も強くなる点がくる。これを利用して、例えば、
中心部の反射率が周辺部よりも高くなるようにするか、光損失を周辺部で高くなるようにしておけば高次モードの発振を抑える
キ　「【０００８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図である。１２６はＩｎＧａＡｓ（λ＝０．９８μｍ）から成る活性層で、それが
λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ１１７，・・・１１５，１１３とｐ−ＧａＡｓ・・・１１６，１１４から成る１５．５ペアのｐ型半導体多層膜１２５
λ／４厚のｎ−ＡｌＡｓ１１８，・・・１２０，１２２とｎ−ＧａＡｓ・・・１１９，１２１から成る２４．５ペアのｎ型半導体多層膜１２７
違いはＣｒ／Ａｕから成るｐ型電極１２４が、図４の例ではトップの全面にわたって形成されているが、図１の実施例ではトップの中央にだけ形成されている点にある
素子径は１０μｍφ
ｐ型電極は、円形の中心に５μｍφの大きさで形成されている
高次横モードの発振は抑えることができた
　
ク　「【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明を用いれば、
垂直キャビティ面発光レーザ
　
ケ　図１、図４は、以下のとおりである。
　
（２）引用発明
　以下、刊行物に記載された特許請求の範囲、課題を解決するための手段、作用、第１の実施例、発明の効果の記載（上記（１）ア、オ乃至ク）、及び第１の実施例を示す断面図である図１（上記（１）ケ）に基づいて、刊行物に記載された発明を認定する。その際、刊行物には、「【０００８】【実施例】…殆どの所は図４の従来例と同じである。違いはＣｒ／Ａｕから成るｐ型電極１２４が、図４の例ではトップの全面にわたって形成されているが、図１の実施例ではトップの中央にだけ形成されている点にある。…」との記載があるから、ｐ型電極を形成する範囲の点を除き、従来の技術の記載（上記（１）ウ）、及び従来の面発光半導体レーザの断面構造を示す図４（上記（１）ケ）を参酌する。
　
ア　上記「（１）ア」の記載によれば、刊行物には、
「半導体活性層の上下に半導体多層膜、誘電体多層膜若しくは金属またはそれらの材料を組み合わせた構造で反射鏡が形成されており、半導体基板に対して垂直な方向にレーザ発振をする面型光半導体素子に於いて、
　前記反射鏡では、その中心部の反射率が周辺部の反射率より高いか、又はその中心部の光吸収損失が周辺部の光吸収損失より小さい、面型光半導体素子。」
が記載されている。
　
イ　上記（１）クの記載によれば、上記アの「面型光半導体素子」は、「垂直キャビティ面発光半導体レーザ」であって良いものである。
ウ　上記（１）キ、ウの記載を踏まえて図１を見ると、以下の（ア）、（イ）の事項が理解できる。
（ア）面型光半導体素子は、ｎ型半導体基板１２８上に、ｎ型半導体多層膜１２７、活性層１２６、ｐ型半導体多層膜１２５が順に積層され、
　ｐ型電極１２４は、面型光半導体素子のトップの中央にだけ形成され、
　ｎ型電極１２３、１２９は、ｎ形半導体基板１２８の下面端部に形成されていること。
（イ）出力光は、ｎ型半導体基板１２８を通して、ｎ型半導体基板１２８の中央部から下側に出射すること。
　ここで、「ｎ型半導体多層膜１２７」は、上記アの半導体活性層の下の「半導体多層膜」に相当し、「ｐ型半導体多層膜１２５」は、上記アの半導体活性層の上の「半導体多層膜」に相当する。
　
ウ　上記（１）キの記載によれば、「ｐ型半導体多層膜１２５」は、λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ１１７，・・・１１５，１１３とｐ−ＧａＡｓ・・・１１６，１１４から成る１５．５ペアの半導体多層膜であり、「ｎ型半導体多層膜１２７」は、λ／４厚のｎ−ＡｌＡｓ１１８，・・・１２０，１２２とｎ−ＧａＡｓ・・・１１９，１２１から成る２４．５ペアの半導体多層膜である。
　
エ　上記（１）ウ、キの記載によれば、ｐ型電極１２４は、Ｃｒ／Ａｕから成り、Ａｕはアロイしていないため９８％近い反射率を有し、ｐ型半導体多層膜の総数を減らせるものである。
　
オ　上記（１）キの記載によれば、素子径は１０μｍφでｐ型電極は、円形の中心に５μｍφの大きさで形成されている。ここで、素子径は、上記アの面型光半導体素子の素子径である。
　
カ　上記（１）オ、キの記載によれば、反射鏡の中心部の反射率が高くなるようにするか、光損失を周辺部で高くなるようにすることにより、高次モードの発振を抑えている。
　
キ　以上によれば、刊行物には以下の発明が記載されている。
「半導体活性層の上下に半導体多層膜、誘電体多層膜若しくは金属またはそれらの材料を組み合わせた構造で反射鏡が形成されており、半導体基板に対して垂直な方向にレーザ発振をする垂直キャビティ面発光半導体レーザに於いて、
　半導体活性層の下の半導体多層膜は、ｎ型半導体多層膜であり、
　半導体活性層の上の半導体多層膜は、ｐ型半導体多層膜であり、
　ｎ型半導体基板上に、前記ｎ型半導体多層膜、前記半導体活性層、前記ｐ型半導体多層膜が順に積層され、
　ｐ型電極は、Ｃｒ／Ａｕから成り、前記Ａｕはアロイしていないため９８％近い反射率を有してｐ型半導体多層膜の総数を減らせるものであり、垂直キャビティ面発光半導体レーザのトップの中央にだけ形成され、
　ｎ型電極は、前記ｎ形半導体基板の下面端部に形成され、
　前記ｐ型半導体多層膜は、λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ、ｐ−ＧａＡｓから成る１５．５ペアの半導体多層膜であり、
　前記ｎ型半導体多層膜は、λ／４厚のｎ−ＡｌＡｓとｎ−ＧａＡｓから成る２４．５ペアの半導体多層膜であり、
　垂直キャビティ面発光半導体レーザの素子径は１０μｍφで、前記ｐ型電極は、円形の中心に５μｍφの大きさで形成され、
　出力光は、前記ｎ型半導体基板を通して、前記ｎ型半導体基板の中央部から下側に出射し、
　前記反射鏡の中心部の反射率が高くなるようにするか、光損失を周辺部で高くなるようにすることにより、高次モードの発振を抑える、
　垂直キャビティ面発光半導体レーザ。」（以下「引用発明」という。）
　　
４　対比
ア　本願発明の「垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオード」と、引用発明の「垂直キャビティ面発光半導体レーザ」を対比すると、両者は相当関係にある。
　
イ　本願発明の「基板」と、引用発明の「ｎ型半導体基板」を対比すると、両者は相当関係にある。
　
ウ　本願発明の「該基板上に配置された第1ブラッグ反射体の積層」と、引用発明の「ｎ型半導体基板上に」「積層され」た「ｎ型半導体多層膜」であって、「λ／４厚のｎ−ＡｌＡｓとｎ−ＧａＡｓから成る２４．５ペアの半導体多層膜であ」り、「反射鏡」を「形成」する「ｎ型半導体多層膜」を対比する。
　引用発明の「ｎ型半導体多層膜」は、「ｎ型半導体基板上に」「積層され」ているところ、上記イのとおり、引用発明の「ｎ型半導体基板」は本願発明の「基板」に相当する。
　また、引用発明の「ｎ型半導体多層膜」は、「λ／４厚のｎ−ＡｌＡｓとｎ−ＧａＡｓから成る２４．５ペアの半導体多層膜であ」り、「反射鏡」を「形成」するところ、前記「反射鏡」がブラッグ反射を利用するものであることは、当業者に自明である。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
エ　本願発明の「該基板上に配置された第2ブラッグ反射体の積層」と、引用発明の「ｎ型半導体基板上に」「積層され」た「ｐ型半導体多層膜」であって、「λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ、ｐ−ＧａＡｓから成る１５．５ペアの半導体多層膜であ」り、「反射鏡」を「形成」する「ｐ型半導体多層膜」を対比する。
　上記ウと同様の理由により、両者は相当関係にある。
　
オ　本願発明の「該第1及び第2ブラッグ反射体の積層は、光軸を持つレーザー・キャビティを形成し、レーザー・ビームが作動中に該光軸に沿って放射され」ることと、引用発明の「半導体活性層の上下に半導体多層膜…で反射鏡が形成されており、半導体基板に対して垂直な方向にレーザ発振をする」を対比する。
　上記ウ、エで検討したとおり、引用発明の「ｎ型半導体多層膜」、「ｐ型半導体多層膜」は、それぞれ、本願発明の「第1…ブラッグ反射体の積層」、「第2ブラッグ反射体の積層」に相当する。
　また、引用発明の「半導体多層膜」が「反射鏡」を「形成」することは、本願発明の「レーザー・キャビティを形成」することに相当する。ここで、引用発明の「半導体多層膜」は「ｎ型半導体基板上に…積層され」るものであるから、「半導体多層膜」の中心を通り、「ｎ型半導体基板」に垂直な方向に光軸を有する。
　そして、引用発明の「半導体基板に対して垂直な方向にレーザ発振をする」ことは、本願発明の「レーザー・ビームが作動中に該光軸に沿って放射され」ることに相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
カ　本願発明の「前記ブラッグ反射体の積層のうち１つの終わりにある金属反射体層」と、引用発明の「Ｃｒ／Ａｕから成り、前記Ａｕはアロイしていないため９８％近い反射率を有してｐ型半導体多層膜の総数を減らせるものであり、垂直キャビティ面発光半導体レーザのトップの中央にだけ形成され」る「ｐ型電極」を対比する。
　引用発明の「Ｃｒ／Ａｕから成」る「ｐ型電極」は、本願発明の「金属層」に相当する。
　また、引用発明の「垂直キャビティ面発光半導体レーザのトップ」に「形成され」ることは、本願発明の「前記ブラッグ反射体の積層のうち１つの終わりにある」ことに相当する。
　さらに、引用発明の「Ａｕはアロイしていないため９８％近い反射率を有してｐ型半導体多層膜の総数を減らせるものであ」ることは、Ａｕを含む金属電極が反射体として作用するものである。
　してみると、両者は、相当関係にある。
　
キ　本願発明の「該金属反射体層は、前記光軸に関して局所的に配置され、TEM00レーザー・モードの強度が該モードの最大強度の3分の1を超える領域よりも小さい領域を被覆」することと、引用発明の「ｐ型電極は、Ｃｒ／Ａｕから成り、トップの中央にだけ形成され」ることを対比する。
　上記カで検討したとおり、引用発明の「Ｃｒ／Ａｕから成り、前記Ａｕはアロイしていないため９８％近い反射率を有してｐ型半導体多層膜の総数を減らせるものであり、垂直キャビティ面発光半導体レーザのトップの中央にだけ形成され」る「ｐ型電極」は、本願発明の「金属反射体層」に相当する。そして、引用発明は、「半導体多層膜」の中心を通り、「ｎ型半導体基板」に垂直な方向に光軸を有すること（上記オの検討を参照。）を踏まえると、引用発明の「トップの中央にだけ形成され」ることは、本願発明の「前記光軸に関して局所的に配置され、…領域を被覆」することに相当する。
　してみると、両者は、「該金属反射体層は、前記光軸に関して局所的に配置され、領域を被覆」する点で一致する。
　
ク　本願発明の「前記金属反射体層によって終わるブラッグ反射体の積層は、より高い屈折率とより低い屈折率とが交互に入れ替わる層の対を最大限で15個含」むことと、引用発明の「前記ｐ型半導体多層膜は、λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ、ｐ−ＧａＡｓから成る１５．５ペアの半導体多層膜であ」ることを対比する。
　上記エで検討したとおり、引用発明の「ｐ型半導体多層膜」は、本願発明の「第2ブラッグ反射体の積層」に相当する。
　また、引用発明の「λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ、ｐ−ＧａＡｓから成る１５．５ペアの半導体多層膜」は、本願発明の「より高い屈折率とより低い屈折率とが交互に入れ替わる層の対を含」む「積層」に相当する。
　そして、引用発明は、「ｎ型半導体基板上に、前記ｎ型半導体多層膜、前記半導体活性層、前記ｐ型半導体多層膜が順に積層され、ｐ型電極は、…垂直キャビティ面発光半導体レーザのトップの中央にだけ形成され」るとの特定事項を備えるところ、「ｐ型半導体多層膜」には「ｐ型電極」が形成されるから、「ｐ型半導体多層膜」は、「ｐ型電極」によって終わるものである。
　してみると、両者は、「前記金属反射体層によって終わるブラッグ反射体の積層は、より高い屈折率とより低い屈折率とが交互に入れ替わる層の対を含」む点で一致する。
　
ケ　以上によれば、本願発明と引用発明は、
「垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオードであり：
　‐基板と、
　‐該基板上に配置された第1ブラッグ反射体の積層と、
　‐該基板上に配置された第2ブラッグ反射体の積層と、
　を含み、該第1及び第2ブラッグ反射体の積層は、光軸を持つレーザー・キャビティを形成し、レーザー・ビームが作動中に該光軸に沿って放射され；
　‐前記ブラッグ反射体の積層のうち１つの終わりにある金属反射体層、
　をさらに含み、
　該金属反射体層は、前記光軸に関して局所的に配置され、領域を被覆し、
　前記金属反射体層によって終わるブラッグ反射体の積層は、より高い屈折率とより低い屈折率とが交互に入れ替わる層の対を含む、
　垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオード。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：「金属層」が「被覆」する「領域」に関し、本願発明では、「TEM00レーザー・モードの強度が該モードの最大強度の3分の1を超える領域よりも小さい領域」であるのに対し、引用発明では、「素子径」が「１０μｍφ」の素子の「円形の中心に５μｍφの大きさ」の領域である点。
相違点２：「ブラッグ反射体の積層」が「含」む「より高い屈折率とより低い屈折率とが交互に入れ替わる層の対」の数に関し、本願発明では、「最大限で15個」であるのに対し、引用発明では、「１５．５」である点。
相違点３：本願発明では、「該金属反射体層の前記ブラッグ反射体層が終わる側の反対側は、前記垂直キャビティ面発光ダイオードの熱の消散が改善されるように、前記基板又はヒート・シンクに接触している」のに対し、引用発明では、そのようなものなのか否か明らかでない点。
　
５　判断
　以下、上記相違点１乃至３について検討する。
（１）相違点１について
ア　はじめに、「金属層」が「被覆」する「領域」に関し、本願発明が、「TEM00レーザー・モードの強度が該モードの最大強度の3分の1を超える領域よりも小さい領域」であるとの発明特定事項を有する技術的意義について、本願の発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。
　本願の発明の詳細な説明には以下の記載がある。
（ア）「【課題を解決するための手段】
【０００７】
  レーザー・キャビティから見られるように、ブラッグ反射体の遠位側の終わりにある金属反射体と組み合わせられたブラッグ反射体を利用することが提案されており、その
金属反射体層は、光軸の周りの中心に位置する
最も低い光学モードの反射率、すなわちTEM
00
モードは、強度がガウス分布を有することから非常に高く、より高いモードは、そのキャビティの中心軸に対して半径方向に離れた位置に強度最大を有する。従って、その反射率は、より高い光学モードに対して減少する
【０００８】
  それに応じて、垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオードが供給され、それは、第１ブラッグ反射体の積層及び第２ブラッグ反射体の積層が配置された基板を含み、その第１ブラッグ反射体の積層及び第２ブラッグ反射体の積層は、作動中にレーザー・ビームが放射される方向に沿った光軸を持つレーザー・キャビティを形成する。通常、ｐ‐ｎ遷移又は１つもしくはそれ以上の量子井戸が、その２つのブラッグ反射体の積層の間に発光素子として埋め込まれる。金属反射体層は、その光軸に関して局所的に配置され、TEM00レーザー・モードの強度がそれの最大強度の３分の１、望ましくは２分の１を超える領域を超えない大きさの領域を被覆する。」
　
（イ）「【００２９】
  図２は、光軸に対して横方向に半径方向における光学的TEM00及びTEM10モードの強度分布のグラフを示す。そのTEM00モードは、最大が光軸にあるガウス分布を有し、一方、TEM10モードは、さらに最大を有する。参照符号３１及び３２は、TEM00モードの幅を最大強度の３分の１及び最大の半分の強度をそれぞれ示す。
金属反射体層の直径が、最大TEM
00
モードの幅３１で選択される場合、そのTEM
10
モードの中心から離れた強度ピークの光
は、反射体層を通過する。さらに、金属反射体層１５の端部は、曲線３０の最小値におよそ一致する。従って、層１５によって反射するTEM
00
強度は、TEM
10
強度に比べて大きい。これは、TEM
10
モードのより強い減衰をもたらす。
【００３０】
  図２に示される強度分布からは明らかではないが、
モード選択度は、金属反射体層１５の直径をさらに低減することによってさらに改善することができる
（ウ）図２は、以下のとおりである。
　上記記載によれば、光軸の周りの中心に位置する金属反射体層１５は、最も低い光学モード（TEM00モード）の反射率と、より高い光学モードの反射率を異ならせて、垂直キャビティ面発光レーザー・ダイオードが放射するレーザー・ビームのモードを選択する技術的意義を有し、金属反射体層の直径（大きさ）は、モード選択度を決定する技術的意義を有するものと解される。
　そして、「TEM00レーザー・モードの強度がそれの最大強度の３分の１、望ましくは２分の１を超える領域を超えない大きさの領域を被覆する」との記載を踏まえれば、本願発明の「3分の1」との数値は、臨界的な意義を有するものではなく、所望のモード選択度が得られる数値を意味するものと解される。
イ　上記アを踏まえて検討する。
　引用発明の「円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザ」は、「前記反射鏡の中心部の反射率が高くなるようにするか、光損失を周辺部で高くなるようにすることにより、高次モードの発振を抑える」から、レーザー・ビームのモードを選択する点において、引用発明は、本願発明と同様の技術的意義を有するものである。そして、引用発明の「円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザの素子径は１０μｍφで、前記ｐ型電極は、円形の中心に５μｍφの大きさで形成され」た場合のモード選択度と、本願発明の「該金属反射体層」が「TEM00レーザー・モードの強度が該モードの最大強度の3分の1を超える領域よりも小さい領域を被覆し」た場合のモード選択度が一致するのか否か、必ずしも明らかではない。しかしながら、引用発明において、高次モードの発振をどの程度抑えるかは、当業者が適宜設定しうる設計的事項であり、高次モードの発振を抑制する程度に応じてｐ型電極の大きさを設定することは、当業者が適宜なし得ることである。
　してみると、引用発明において、高次モードの発振を所望の程度抑制する（所望のモード選択度が得られる）ように、ｐ型電極の大きさを上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項のように設定することに困難性はない。
　
（２）相違点２について
　面発光半導体レーザに用いる半導体反射膜層の対の数として、１５対以下とすることは、本願の優先日時点で周知の技術手段（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−６１１８４号公報３頁右下欄９行乃至１９行には、１０周期の第２導電型の半導体多層反射膜４が記載されている。また、米国特許第４，９４９，３５０号明細書の第５欄３行乃至５行には、ＡｌＡｓ層とＧａＡｓ層の１２周期の層で構成されるミラーが記載されている。さらに、LEE Y.H. et al.，Electronics Letters，１９８９年９月２８日，Vol.25 No.20，p.1377-1378（特に、１３７７頁右欄１１〜１５行参照）には、１５ペアのｐ型ＤＢＲが記載されている。）である。そうすると、引用発明において、「λ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ、ｐ−ＧａＡｓから成る」「ｐ型半導体多層膜」の「半導体多層膜」のペア数を１５以下となし、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易になし得ることと認められる。
　
（３）相違点３について
　面発光半導体レーザにおいてヒートシンク（放熱手段）を設ける技術手段は、本願の優先日時点で周知の技術手段（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−３１８４８８号公報（例えば、図１参照。）、特開２００１−２５１０１６号公報（例えば、図４参照。）である。そうすると、引用発明において、上記周知の技術手段を採用してヒートシンクを設けることに困難性は無く、その際、ヒートシンクがレーザーの放出に影響しないように、レーザーを放出する側とは反対の側にヒートシンクを設けることは当業者が容易に想到しうることである。
　したがって、引用発明において、上記周知の技術手段を採用し、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易になし得ることと認められる。
　
（４）効果について
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と上記各周知の技術手段から当業者が容易に予測しうる程度のものである。　
　
（５）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明と上記各周知の技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と上記各周知の技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。