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　特願２０１１−　３４１４６「熱処理装置および熱処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１０日出願公開、特開２０１２−１７４８１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年２月２１日の出願であって、平成２６年６月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２７年１月８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年４月１７日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同時に手続補正がされたものである。
　
２．平成２７年４月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）について
　本件補正は、本件補正により補正される前の特許請求の範囲について、下記（１）を、下記（２）と補正するものを含む。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】
　表面に膜形成がなされた基板の熱処理を行う熱処理装置であって、
　表面に所定の膜が形成された基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
　前記保持手段に保持された前記基板の裏面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
　請求項１記載の熱処理装置において、
　前記保持手段に保持された前記基板の表面に近接して配置され、前記基板を冷却する冷却プレートをさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
　表面に膜形成がなされた基板の熱処理を行う熱処理方法であって、
　表面に所定の膜が形成された基板をチャンバー内に収容して保持する保持工程と、
　前記チャンバー内に保持された前記基板の裏面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記膜を加熱するフラッシュ照射工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
　請求項３記載の熱処理方法において、
　前記基板の表面に近接して配置された冷却プレートによって前記基板を冷却しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
　請求項３または請求項４記載の熱処理方法において、
　前記フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
　請求項３から請求項５のいずれかに記載の熱処理方法において、
　前記フラッシュ照射工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記膜の処理温度を変更することを特徴とする熱処理方法。」
　 
（２）本件補正後の特許請求の範囲
「【請求項１】
　表面に膜形成がなされた基板の熱処理を行う熱処理装置であって、
　表面に所定の膜が形成された基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
　前記保持手段に保持された前記基板の裏面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
　前記保持手段に保持された前記基板の表面に近接して配置され、前記基板を冷却する冷却プレートと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
　　【請求項２】
　表面に膜形成がなされた基板の熱処理を行う熱処理方法であって、
　表面に所定の膜が形成された基板をチャンバー内に収容して保持する保持工程と、
　前記チャンバー内に保持された前記基板の裏面にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記膜を加熱するフラッシュ照射工程と、
を備え、
　前記基板の表面に近接して配置された冷却プレートによって前記基板を冷却しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項３】
　請求項２記載の熱処理方法において、
　前記フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
　請求項２または請求項３記載の熱処理方法において、
　前記フラッシュ照射工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記膜の処理温度を変更することを特徴とする熱処理方法。」
　
３．補正の目的要件及び本願発明　
　本件補正後の請求項（新請求項）１は、本件補正前の請求項（旧請求項）１を引用する形式で記載されていた請求項２を、当該引用部分を具体的に記載することにより引用形式でない独立の請求項としたものと認められる。
　そうすると、新請求項１は、旧請求項１を削除して、旧請求項２を新請求項１にしたものであるから、旧請求項１の補正という観点から見れば、同請求項の削除を目的とした補正であって、新請求項１に係る補正は、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的としたものに該当する。
　また、本件補正後の請求項（新請求項）２は、本件補正前の請求項（旧請求項）３を引用する形式で記載されていた請求項４を、当該引用部分を具体的に記載することにより引用形式でない独立の請求項としたものと認められる。
　そうすると、新請求項２は、旧請求項３を削除して、旧請求項４を新請求項２にしたものであるから、旧請求項３の補正という観点から見れば、同請求項の削除を目的とした補正であって、新請求項２に係る補正も、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的としたものに該当する。
　そこで、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年４月１７日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
　
４．引用例・周知例
（１）引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０１０−１３５５０８号公報（以下、「引用例」という。）には、「基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体」（発明の名称）について、次の事項が記載されている（下線は当審が付与した。以下、同じ。）。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、
半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）等の基板を当該基板に対向する加熱源により加熱する基板加熱装置に関する
　イ　「【背景技術】
【０００２】
　ウエハやフラットパネル用のガラス基板等の基板は、薬液処理をした後、或いは処理前に熱板により加熱処理が行われる。
具体的にはレジストパターン形成システムにおいて、レジスト液を塗布した後
の基板を加熱する場合などが挙げられる
　ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対向する加熱源により当該基板を加熱する基板加熱装置において、加熱制御領域の配置パターンを自由に設定、或いは変更することができ、基板の加熱処理の面内均一性を向上させることのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　
本発明の基板加熱装置では、
　基板を保持する基板保持部と、
　この基板保持部に保持された基板と対向するように配置され、当該基板を加熱するための光源と、
　この光源と前記基板との間に介在して設けられ、光透過状態と遮光状態との間で切り替わる光シャッタセルが基板の対向領域全体に亘って多数配列された光シャッタ板と、
　前記光シャッタセルの各々に対して光透過状態と遮光状態との切り替え制御を行うための制御部と、
　を備えたことを特徴としている
　エ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
　
本発明の実施形態の係る基板加熱装置について、図１ないし図１１を参照して説明する。
筐体１の装置奥手側内部には、ウエハＷを加熱する熱板２（基板保持部）が設けられており、
　オ　「【００２１】
　また図１及び図３に示すように、
熱板２の下方には加熱部５が配設されている。加熱部５は、熱板２を加熱するための加熱源となる光源５ａと、光源５ａの光を遮ることが可能な光シャッタ板５ｂとを備えており、熱板２の下面全面には光源５ａから照射される光を吸収する光吸収層２０が成膜されている。
図中パージガス供給菅（審決注：「管」の誤記と認める。）７は、熱板２を冷却する際に熱板２に向けてパージガスを供給するための図示しないガス供給源に接続されている
　カ　「【００２３】
　
光源５ａは、例えばフラッシュランプ
加熱部５は、光源５ａを
２９個備えている。光源５ａは、
熱板２の裏面全域に対して光を照射できるように
熱板２は、光源５ａから照射された光を光吸収層２０で吸収することによって、間接的に加熱される。
　キ　図１
　ク　図３
　
（２）引用発明の認定
　ア　（１）アの【０００１】から、引用例には、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）をウエハに対向する加熱源により加熱するウエハ加熱装置が記載されている。
　イ　（１）イの【０００２】から、ウエハは、レジスト液を塗布した後に加熱されるものであり、技術常識に照らせば、レジスト液の塗布によって、ウエハには、レジスト液の膜が形成されているのは明らかである。
　ウ　（１）ウの【００１０】から、ウエハ加熱装置は、
　　ウエハを保持するウエハ保持部と、
　　このウエハ保持部に保持されたウエハ板と対向するように配置され、当該ウエハを加熱するための光源と、
　　この光源と前記ウエハとの間に介在して設けられ、光透過状態と遮光状態との間で切り替わる光シャッタセルがウエハの対向領域全体に亘って多数配列された光シャッタ板と、
　　前記光シャッタセルの各々に対して光透過状態と遮光状態との切り替え制御を行うための制御部とを備えている。
　エ　（１）エの【００１８】から、実施形態では、ウエハ加熱装置は、筐体１を備えていて、筐体１の装置奥手側内部には、ウエハを保持し、加熱する熱板２であるウエハ保持部が設けられている。
　オ　（１）オの【００２１】から、実施形態では、熱板２の下方には加熱部５が配設されていて、加熱部５は、熱板２を加熱するための加熱源となる光源５ａと、光源５ａの光を遮ることが可能な光シャッタ板５ｂとが備えられ、熱板２の下面全面には光源５ａから照射される光を吸収する光吸収層２０が成膜されていて、さらに、熱板２を冷却するパージガス供給管７が備えられている。
　そして、キの図１からみて、このパージガス供給管７は、熱板２の下方に設けられていることが看取される。
　また、熱板２が冷却されることで、熱板２に保持されたウエハも冷却されることは明らかである。
　カ　（１）カの【００２３】から、光源５ａは、フラッシュランプからなり、加熱部５は、光源５ａを２９個備えていて、光源５ａは、熱板２の裏面の光吸収層２０の全域に対して光を照射できるようになっていて、熱板２は、光源５ａから照射された光を光吸収層２０で吸収することによって、間接的に加熱されるものである。
　キ　技術常識に照らして、レジスト液が塗布された直後のウエハを他の部材と直接させることはないから、ウエハ保持部に保持されたウエハにおいて、ウエハの上面（熱板２とは反対側）にレジストが塗布され、ウエハはその下面を熱板２によって、保持されていて、ウエハはその下面側から、熱板２によって加熱されるということができる。
　また、パージガス供給管７は、熱板２の下方に設けられていることから、パージガス供給管７は、ウエハの下面側に設けられているということができる。
　
　ク　上記ア〜キから、引用例の実施形態には、
「上面にレジスト液の膜が形成された半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ということがある。）の加熱装置において、
　筐体１と、
　筐体１の装置奥手側内部に設けられた、ウエハの下面を保持し、加熱する熱板２であるウエハ保持部と、
　裏面に光吸収層２０が成膜された熱板２の下方に、このウエハ保持部に保持されたウエハ板と対向するように配置され、光吸収層２０の全域に対して光を照射できるようになっていて、熱板２は、光源５ａから照射された光を光吸収層２０で吸収することによって、ウエハをその下面側から間接的に加熱する、２９個のフラッシュランプからなる光源５ａからなる加熱部５と、
　熱板２の下方であって、ウエハの下面側に設けられた、熱板２及びウエハを冷却するパージガス供給管７と、
　光源５ａと前記ウエハとの間に介在して設けられ、光透過状態と遮光状態との間で切り替わる光シャッタセルがウエハの対向領域全体に亘って多数配列された光シャッタ板と、
　前記光シャッタセルの各々に対して光透過状態と遮光状態との切り替え制御を行うための制御部とを備えたウエハ加熱装置。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）周知例の記載事項
　ア　周知例１：特開２００６−１８３９３４号公報
　周知例１には、次の記載がある。
（ア）「【００２０】
　これらの図に示すように、
溶媒除去装置１は、ワークとしての基板３を支持する基板支持具（ワーク支持手段）４と、基板支持具４に支持された基板３を加熱する赤外線（ＩＲ）ランプ（加熱手段）５と、基板３の表面の温度がその面内において略均一（略一定）になるように基板３から熱を吸収（基板３を冷却）して、基板３の温度分布を調整する吸熱ブロック（冷却部）６１を有する温度均一化手段６と
を備えている。
【００２５】
　吸熱ブロック６１、基板支持具４および赤外線ランプ５は、それぞれ、チャンバ２内に設置（固定）されている。この場合、吸熱ブロック６１、基板支持具４および赤外線ランプ５は、チャンバ２内の下側から上側に向って、この順序で配置されている。すなわち、
吸熱ブロック６１は、基板支持具４（基板支持具４に支持された基板３）を介して赤外線ランプ５と反対側に配置されている
（イ）「【００５２】
　図４に示すように、
第２実施形態の溶媒除去装置１では、温度均一化手段として、基板３に対して冷却用のガス（以下、単に「ガス」と言う）を吹き付ける冷却用ガス吹き付け手段６４ａが設けられている
　
　イ　周知例２：特開２０００−４０６９８号公報
　周知例２には、次の記載がある。
（ア）「【００２４】図１は、
実施例に係る基板熱処理装置を示す概略縦断面図
処理空間１ａを形成するチャンバ１
チャンバ１内の底部に配備された、基板Ｗを加熱する加熱プレート４と、
加熱プレート４に対向する位置に配備された冷却プレート５
冷却プレート５と加熱プレート４との間で基板Ｗを昇降させる基板昇降機構６
（イ）図１
　
５．対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「半導体ウエハ」及び「半導体ウエハ」の「加熱」は、本願発明の「基板」及び「基板」の「熱処理」にそれぞれ相当する。
　イ　引用発明の「半導体ウエハ」の「上面」は、本願発明の「基板」の「表面」に相当し、引用発明の「レジスト液の膜」は、本願発明の「膜」に相当し、引用発明の「上面にレジスト液の膜が形成された半導体ウエハ」は、本願発明の「表面に膜形成がなされた基板」及び「表面に所定の膜が形成された基板」に相当する。
　ウ　ア、イから、引用発明の「上面にレジスト液の膜が形成された半導体ウエハの加熱装置」は、本願発明の「表面に膜形成がなされた基板の熱処理を行う熱処理装置」に相当する。
　エ　引用発明の「筐体１」の内部の「ウエハ保持部」で「ウエハ」は保持されるから、引用発明の「筐体１」は、本願発明の「表面に所定の膜が形成された基板を収容するチャンバー」に相当する。
　オ　引用発明の「筐体１の装置奥手側内部に設けられた、ウエハの下面を保持し、加熱する熱板２であるウエハ保持部」は、本願発明の「チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段」に相当する。
　カ　引用発明の「ウエハ」の「下面」は、本願発明の「基板」の「裏面」に相当し、引用発明の「ウエハ保持部に保持されたウエハ板と対向するように配置され」た「ウエハをその下面側から間接的に加熱する、２９個のフラッシュランプからなる光源５ａからなる加熱部５」は、本願発明の「保持手段に保持された基板の裏面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプ」に相当する。
　また、引用発明の「熱板２の下方であって、ウエハの下面側に設けられた、熱板２及びウエハを冷却するパージガス供給管７」は、本願発明の「保持手段に保持された基板の表面に近接して配置され、前記基板を冷却する冷却プレート」と「保持手段に保持された基板を冷却する手段」である点で共通する。
　
　キ　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「表面に膜形成がなされた基板の熱処理を行う熱処理装置であって、
　表面に所定の膜が形成された基板を収容するチャンバーと、
　前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
　前記保持手段に保持された前記基板の裏面にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
　前記保持手段に保持された前記基板を冷却する冷却手段と、
を備える熱処理装置。」である点で一致し、次の点で相違が認められる。
　
（相違点）
　基板を冷却する冷却手段が、本願発明においては、「基板の表面に近接して配置され」た「冷却プレート」であるのに対し、引用発明においては、「ウエハ」の「下面側」に配置された「パージガス供給管７」である点。
　
（２）判断
　ここで、上記相違点について検討する。
　基板をチャンバ内で加熱処理する装置において、冷却プレート（吸熱ブロック）で基板を冷却することは周知であり、チャンバ内に冷却プレートを配置するに当たり、その位置が順に、加熱手段、基板及び冷却プレートとなるように設けることは、周知例１、２に示されるように周知である。ここで、「冷却プレート」は、加熱手段に対して障害とならないように、基板に対して加熱手段と反対側の位置に設ける必要があることは明らかである。
　また、基板を裏面から加熱するものにおいて、冷却手段として、「基板の表面に近接して配置され」た「冷却プレート」を設けることは、周知例２に示されるように周知である。
　
　そして、引用発明において、「熱板２」の冷却手段の実施に当たっては、「パージガス供給管」に限らず、「冷却プレート」や「冷却ブロック」のような冷却手段が採用されることは、上記「４．（３）ア（イ）」の周知例１の第２実施形態に「冷却ブロック」に代えて「冷却用ガス吹き付け手段６４ａ」が用いられていることが記載されていることからも明らかである。
　すなわち、熱板２の冷却手段として、「パージガス供給管」を用いるものも、「冷却プレート」や「冷却ブロック」を用いるものも、ともに周知の技術であり、どちらを用いるかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る事項にすぎない。
　
　そうすると、引用発明において、「パージガス供給管７」に代えて、冷却手段として当業者が必要に応じて適宜採用し得る周知の「冷却プレート」を用い、しかも、その配置を、周知の、「熱板２」による加熱の障害とならない、基板に対して加熱手段と反対側の位置となる、「基板の表面に近接して配置」することは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。