【事件の表示】
　特願２０１２−　７９３４５「ミスカットバルク基板上にエピタキシャルプロセスを行う方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月２９日出願公開、特開２０１２−２３５０９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２４年３月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１１年４月１日、アメリカ合衆国）を出願日とする外国語書面出願であって、同年５月２５日に外国語明細書、外国語特許請求の範囲、外国語図面及び外国語要約書面の日本語による翻訳文が提出され、平成２５年６月２８日付けの拒絶理由通知に対して、同年１０月４日に手続補正がなされるとともに、同日に意見書が提出され、平成２６年４月３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年８月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
２．補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２６年８月７日になされた手続補正を却下する。
　
〔理由〕
（１）　補正の内容
　平成２６年８月７日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし２０に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。（注．補正箇所に当審で下線を付した。）
　
（補正前）
「　【請求項１】
　素子の作製方法であって、
表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで当該表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度によって特徴付けられる、と、
　ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成する工程、ここで前記薄膜は、少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、二乗平均粗さが１ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられる、と、
　前記薄膜上に電気接触領域を形成する工程と、
を含む、方法。
　　【請求項２】
　前記素子は、光学素子および電気素子から選択され、
　前記薄膜は、アルミニウム含有種およびインジウム含有種を含む層を有する、
請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記基板は、低指数結晶方向から離間する方向にミスカットを有する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記薄膜材料は、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記薄膜は、少なくとも２，５００μｍ２の表面積内での二乗平均粗さが０．５ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられ、
　その結果得られる基板は、前記表面にわたって実質的に均一な波長の発光によって特徴付けられる、
請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記基板はＧａ面ｃ面基板であり、前記ミスカット角度は、前記［１−１００］方向に向かい０．４度を超えかつ０．８度未満であり、前記［１１−２０］方向に向かうミスカット角度は、−０．６５度を超えかつ１度未満である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記薄膜は、前記ｃ面のミスカット表面上に直接成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ膜である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記薄膜は、前記薄膜の少なくとも２，５００μｍ２の表面積内における二乗平均粗さが０．３ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられる、請求項７に記載の方法。
　　【請求項９】
前記表面領域上に複数の（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ層を連続的に形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】
表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を含む素子であって、前記表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度と、少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、１ｎｍ未満である二乗平均粗さによって特徴付けられる、素子。
　　【請求項１１】
　前記素子は、フォトルミネセンスの波長の標準偏差が０．２％以下である発光ダイオードである点によって特徴付けられる、請求項１０に記載の素子。
　　【請求項１２】
　少なくとも１つのｎ型ドープ層および少なくとも１つのｐ型ドープ層を含む、請求項１１に記載の素子。
　　【請求項１３】
　少なくとも１つの活性領域を含む、請求項１２に記載の素子。
　　【請求項１４】
　前記表面領域は、前記［１−１００］方向に向かうミスカット角度が０．４度を超えかつ０．８度未満であり、かつ、前記［１１−２０］方向に向かうミスカット角度が−０．６５度を超えかつ１度未満であることを特徴とする、請求項１０に記載の素子。
　　【請求項１５】
　ガリウムおよび窒素含有バルク基板から光学素子を製造する方法であって、
上面を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで前記上面上の少なくとも１つの表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度で特徴づけられる、と、
　水素含有種および窒素含有種を用いて、前記少なくとも１つの表面領域の表面損傷を除去する工程と、
　前記少なくとも１つの表面領域上にｎ型ガリウムおよび窒素含有材料を形成する工程と、
　前記ｎ型ガリウムおよび窒素含有材料上に、複数の薄膜層を有する活性領域を形成する工程、ここで前記薄膜層はそれぞれ、インジウム種、アルミニウム種、およびガリウムおよび窒素含有種を含む、と、
　アルミニウム、ガリウム、インジウム、および窒素を含有する電子ブロッキング材料を、前記活性領域上に形成する工程と、
　ｐ型ガリウムおよび窒素含有材料を前記電子ブロッキング材料上に形成して、処理されたガリウムおよび窒素含有バルク基板を得る工程と、
を含み、
　前記処理されたガリウムおよび窒素含有バルク基板は、フォトルミネッセンスの波長の標準偏差が０．２％以下である点において特徴付けられ、
　前記薄膜層はそれぞれ表面領域を含み、当該表面領域は、２，５００μｍ２以上の表面内での二乗平均粗さが１ｎｍ以下である点によって特徴付けられる、
方法。
　　【請求項１６】
　前記ｎ型ガリウムおよび窒素含有材料はｎ型ＧａＮであり、
　前記ｐ型ガリウムおよび窒素含有材料はｐ型ＧａＮであり、
　前記電子ブロッキング材料はＡｌＧａＮであり、
　前記活性領域内の層はそれぞれＡｌＩｎＧａＮであり、
　前記活性領域は複数の量子井戸を含み、当該複数の量子井戸は３〜２０個の量子井戸を含み、複数の量子井戸はそれぞれバリア領域によって分離され、前記バリア領域はそれぞれＧａＮを含む、
請求項１５に記載の方法。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　素子の作製方法であって、
　表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、
　ここで当該表面領域は、
　ｃ面と、
　１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、
　ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度
と、
　表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域において１ｎｍ未満の二乗平均粗さと、
　表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域において１％未満の波長均一性の標準偏差
　によって特徴付けられる、と、
　
複数の
前記表面領域に直接
複数の
のそれぞれ
　前記薄膜上に電気接触領域を形成する工程と、
を含む、方法。
　　【請求項２】
　前記素子は、光学素子および電気素子から選択され、
　前記薄膜は、アルミニウム含有種およびインジウム含有種を含む層を有する、
　請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記基板は、低指数結晶方向から離間する方向にミスカットを有する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記薄膜材料は、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記薄膜は、少なくとも２，５００μｍ２の表面積内での二乗平均粗さが０．５ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられ、
　その結果得られる基板は、前記表面にわたって
均一
　請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記基板はＧａ面ｃ面基板であり、前記ミスカット角度は、前記［１−１００］方向に向かい０．４度を超えかつ０．８度未満であり、前記［１１−２０］方向に向かうミスカット角度は、−０．６５度を超えかつ１度未満である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記薄膜は、前記薄膜の少なくとも２，５００μｍ２の表面積内における二乗平均粗さが０．３ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられる、請求項
１
　　【請求項８】
　前記表面領域上に複数の（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ層を連続的に形成する工程を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】
　表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を含む素子であって、前記表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度と、少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、１ｎｍ未満である二乗平均粗さによって特徴付けられ
、
　
前記表面領域は、熱処理されていない
　　【請求項１０】
　前記素子は、フォトルミネセンスの波長の標準偏差が０．２％以下である発光ダイオードである点によって特徴付けられる、請求項
９
　　【請求項１１】
　少なくとも１つのｎ型ドープ層および少なくとも１つのｐ型ドープ層を含む、請求項
１０
　　【請求項１２】
　少なくとも１つの活性領域を含む、請求項
１１
　　【請求項１３】
　前記表面領域は、前記［１−１００］方向に向かうミスカット角度が０．４度を超えかつ０．８度未満であり、かつ、前記［１１−２０］方向に向かうミスカット角度が−０．６５度を超えかつ１度未満であることを特徴とする、請求項
９
　　【請求項１４】
　ガリウムおよび窒素含有バルク基板から光学素子を製造する方法であって、
　上面を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで前記上面上の少なくとも１つの表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度で特徴づけられる、と、
　水素含有種および窒素含有種を用いて、前記少なくとも１つの表面領域の表面損傷を除去する工程と、
　前記少なくとも１つの表面領域上に
直接、
　前記ｎ型ガリウムおよび窒素含有材料上に、複数の薄膜層を有する活性領域を形成する工程、ここで前記薄膜層はそれぞれ、インジウム種、アルミニウム種、およびガリウムおよび窒素含有種を含む、と、
　アルミニウム、ガリウム、インジウム、および窒素を含有する電子ブロッキング材料を、前記活性領域上に形成する工程と、
　ｐ型ガリウムおよび窒素含有材料を前記電子ブロッキング材料上に形成して、処理されたガリウムおよび窒素含有バルク基板を得る工程と、
を含み、
　前記
少なくとも１つの表面領域
　前記薄膜層はそれぞれ表面領域を含み、当該表面領域は、２，５００μｍ２以上の表面内での二乗平均粗さが１ｎｍ以下である点によって特徴付けられる、
　方法。
　　【請求項１５】
　前記ｎ型ガリウムおよび窒素含有材料はｎ型ＧａＮであり、
　前記ｐ型ガリウムおよび窒素含有材料はｐ型ＧａＮであり、
　前記電子ブロッキング材料はＡｌＧａＮであり、
　前記活性領域内の層はそれぞれＡｌＩｎＧａＮであり、
　前記活性領域は複数の量子井戸を含み、当該複数の量子井戸は３〜２０個の量子井戸を含み、複数の量子井戸はそれぞれバリア領域によって分離され、前記バリア領域はそれぞれＧａＮを含む、
　請求項
１４
　　【請求項１６】
　
前記表面領域は、少なくとも２，５００μｍ
２
の表面積で、０．２５ｎｍ〜０．６ｎｍである二乗平均粗さによって特徴付けられる請求項９に記載の素子。
　　【請求項１７】
　
前記表面領域は、少なくとも２，５００μｍ
２
の表面積で、０．２ｎｍ未満である二乗平均粗さによって特徴付けられる請求項９に記載の素子。
　　【請求項１８】
　
前記素子は、フォトルミネセンス波長の標準偏差が０．２％以下である点によって特徴付けられる、請求項９に記載の素子。
　　【請求項１９】
　
前記表面領域は、少なくとも２，５００μｍ
２
の表面積で、０．２５ｎｍ〜０．６ｎｍである二乗平均粗さによって特徴付けられる請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項２０】
　
前記表面領域は、少なくとも２，５００μｍ
２
の表面積で、０．２ｎｍ未満である二乗平均粗さによって特徴付けられる請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
　
（２）　補正事項の整理
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の
「表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで当該表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度によって特徴付けられる」
との記載を、補正後の請求項１の
「表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、
　ここで当該表面領域は、
　ｃ面と、
　１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、
　ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度
と、
　表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域において１ｎｍ未満の二乗平均粗さと、
　表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域において１％未満の波長均一性の標準偏差
　によって特徴付けられる」
と補正すること。
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１の「ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成する工程、ここで前記薄膜は、少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、二乗平均粗さが１ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられる」との記載を、補正後の請求項１の「
複数の
前記表面領域に直接
複数の
のそれぞれ
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項５の「結果得られる基板は、前記表面にわたって実質的に均一な波長の発光によって特徴付けられる」との記載を、補正後の請求項５の「結果得られる基板は、前記表面にわたって
均一
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項７を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
（補正事項ｅ）
　補正前の請求項１０の「特徴付けられる、素子。」との記載を、補正後の請求項９の「特徴付けられ
、前記表面領域は、熱処理されていない
（補正事項ｆ）
　補正前の請求項１５の「前記少なくとも１つの表面領域上にｎ型ガリウムおよび窒素含有材料を形成する工程」との記載を、補正後の請求項１４の「前記少なくとも１つの表面領域上に
直接、
（補正事項ｇ）
　補正前の請求項１５の「前記処理されたガリウムおよび窒素含有バルク基板は、フォトルミネッセンスの波長の標準偏差が０．２％以下である点において特徴付けられ」との記載を、補正後の請求項１４の「前記
少なくとも１つの表面領域
（補正事項ｈ）
　補正後の請求項１６ないし２０を追加すること。
（３）　補正の適法性についての検討
（３−１）　補正事項ａについて
　補正後の請求項１の
「表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、
　ここで当該表面領域は、
　ｃ面と、
　１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、
　ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度
と、
　表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域において１ｎｍ未満の二乗平均粗さと、
　表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域において１％未満の波長均一性の標準偏差
　によって特徴付けられる」
との記載は、ガリウムおよび窒素含有バルク基板の表面の、少なくとも２，５００μｍ２の領域における二乗平均粗さ、及び、波長均一性の標準偏差を特定するものである。
　一方、本願の特許法第３６条の２第６項の規定により明細書、特許請求の範囲及び図面とみなされた同条第２項に規定する外国語書面の翻訳文（以下「翻訳文等」という。）には、次の記載がある。
「【００４１】
　特定の実施形態において、少なくとも０．３５度のミスカット角度を有する基板領域上に、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を作製する方法が提供される。また、低指数結晶配向から離れる方向のミスカットを含む基板またはテンプレートを提供する方法も提供される。（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜は、Ｇａ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板またはテンプレート上に直接成長され得る。前記Ｇａ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板またはテンプレートは、ミスカットされたｃ面基板またはテンプレートである。
前記基板またはテンプレートは、Ｇａ面ｃ面基板またはテンプレートであり得、［１−１００］方向に向かうミスカット角度は、少なくとも０．３５度である。その結果得られる（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ膜の表面形態は原子的に平滑であり、表面の少なくとも２，５００μｍ
２
の領域内におけるＲＭＳ粗さは１ｎｍ未満である。
ｍ方向に向かうミスカット角度を少なくとも０．３５度とすることで、前記表面上に作製された素子の波長を均一にすることが可能となることが理解されるべきである。特定の実施形態において、前記平滑な表面上の波長均一性の標準偏差は１％未満であり、特定の実施形態において０．２％未満である。
　そして、この記載は、Ｇａ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板またはテンプレート上に直接成長され得る（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ膜の表面の少なくとも２，５００μｍ２の領域内におけるＲＭＳ粗さ、及び、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ膜の表面上に作製された素子の波長均一性の標準偏差に関するものである。
　そうすると、ガリウムおよび窒素含有バルク基板の表面の、少なくとも２，５００μｍ２の領域における二乗平均粗さ、及び、波長均一性の標準偏差を特定する補正後の請求項１の上記記載は、翻訳文等の段落００４１に記載されているとはいえない。
　そして、翻訳文等の他の箇所にも、補正後の請求項１の上記記載に対応する記載はない。
　また、当該技術分野における技術常識を参酌しても、補正後の請求項１の上記記載は、翻訳文等の記載より自明とは認められない。
　よって、補正事項ａは、翻訳文等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
（３−２）　補正事項ｂについて
　補正後の請求項１の「
複数の
前記表面領域に直接
複数の
のそれぞれ
　他方、補正後の請求項１に記載の「ガリウムおよび窒素含有薄膜」について、翻訳文等には、段落００４１に「（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜は、Ｇａ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板またはテンプレート上に直接成長され得る。」と記載されており、段落００４６に「材料層は、多様な様態で形成することができる。複数の（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ層は連続的に成長させることができ、これらの層を用いて、発光素子および／または電子素子を形成することができる。」と記載されている。
　そして、これらの記載より、翻訳文等には、Ｇａ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板またはテンプレート上に直接成長され得る（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜上に、複数の（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ層を連続的に成長させることは記載されていると認められる。
　しかし、翻訳文等には、補正後の請求項１の上記の記載に含まれ得る、複数のガリウムおよび窒素含有薄膜を、それぞれガリウムおよび窒素含有バルク基板の表面領域に直接形成することは記載されておらず、当該技術分野における技術常識を参酌しても、上記の事項は、翻訳文等の記載より自明とは認められない。
　よって、補正事項ｂは、翻訳文等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
（３−３）　補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項５の、波長の均一性に関する「実質的」との語句を削除するものであり、波長の均一性を限定的に減縮する補正であると評価することができることから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そして、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。 
（３−４）　補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（３−５）　補正事項ｅについて
　補正事項ｅは、補正前の請求項１０において、ガリウムおよび窒素含有バルク基板の表面領域が、熱処理されていないことを特定するものである。
　他方、翻訳文等には、以下の記載がある。
「【０００８】
　特定の実施形態において、本開示は、バルク基板材料（例えば、ガリウムおよび窒素含有バルク基板材料（例えば、ＧａＮ））から光学素子を製造する方法を提供する。方法は、上面を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板材料を提供する工程を含む。前記ガリウムおよび窒素含有バルク基板の前記上面上の少なくとも１つの表面領域は、前記ｍ方向に向かって少なくとも０．３５度のミスカット角度を有する。
方法はまた、前記表面領域に対して処理プロセスを行って、前記表面領域内の表面損傷または表面下損傷を含む１つ以上の領域を除去する工程を含む。処理プロセスは、水素および窒素含有種を用いた熱プロセスであり得る。
　そして、上記の記載より、翻訳文等には、ガリウムおよび窒素含有バルク基板材料の表面領域に対して、水素および窒素含有種を用いた熱プロセスを行うことは記載されていると認められるが、ガリウムおよび窒素含有バルク基板の表面領域に対して熱処理を行わないことが記載されているとは認められない。
　また、翻訳文等には、バルクウェーハについて以下の記載がある。
「【００５６】
　１．バルクウェーハ：
　任意の配向（例えば、極性、非極性、半極性、ｃ面）
　（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系の材料
　貫通転位（ＴＤ）密度：＜１Ｅ８ｃｍ―２
　積層欠陥（ＳＦ）密度：＜１Ｅ４ｃｍ―１
　ドーピング：＞１Ｅｌ７ｃｍ―３」
　しかし、段落００５６に記載のバルクウェーハを製造する方法についての記載はなく、当該バルクウェーハにおいて、その表面領域が熱処理されていないものであるとは認められない。
　そして、熱処理されていない表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を含む素子であって、前記表面領域が、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度と、少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、１ｎｍ未満である二乗平均粗さによって特徴付けられる素子は、翻訳文等には記載されているとは認められず、当該技術分野における技術常識を参酌しても、上記の素子が翻訳文等の記載より自明とは認められない。
　よって、補正事項ｅは、翻訳文等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
（３−６）　補正事項ｆについて
　補正事項ｆは、補正前の請求項１５に係る発明の発明特定事項である「前記少なくとも１つの表面領域上にｎ型ガリウムおよび窒素含有材料を形成する工程」を、ｎ型ガリウムおよび窒素含有材料が表面領域上に
直接
　また、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
（３−７）　補正事項ｇについて
　補正後の請求項１４の「前記
少なくとも１つの表面領域
少なくとも１つの表面領域
　そして、上記（３−１）のとおり、ガリウムおよび窒素含有バルク基板の表面の、少なくとも２，５００μｍ２の領域における二乗平均粗さ、及び、波長均一性の標準偏差を特定する補正後の請求項１４の記載は、翻訳文等に記載されたものとは認められない。
　よって、補正事項ｇも、翻訳文等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
（３−８）　補正事項ｈについて
　上記（１）より、補正事項ｈにより追加される、補正後の請求項１６ないし２０は、補正前の特許請求の範囲に記載されていない請求項であり、補正事項ｈは、審査において審査対象とされなかった請求項を追加するものと認められる。
　ところで、特許法１７条の２第５項は、審判請求に伴って行われる場合における特許請求の範囲についてする補正は、同項１号ないし４号に掲げる事項を目的とするものに限ると規定しているもので、請求項を増加させる補正は、原則として、同項で補正の目的とし得る事項として規定されたもののいずれにも該当しないものと解するのが相当である。（平成２０年１０月３０日判決言渡　平成１９年(行ケ)１０３３５号）
　加えて、特許出願の審査は、請求項ごとに行われ、拒絶理由の通知も請求項ごとに記載されるものであるところ、審判請求に伴ってする補正につき、出願人の便宜と迅速、的確かつ公平な審査の実現等の調整という観点から、既にされた審査結果を有効に活用できる範囲内で補正を認めることとした特許法１７条の２第５項の制度趣旨に照らすならば、審査において審査対象とされなかった請求項を追加するような態様による補正は、特許法１７条の２第５項の規定に適合するということもできない。
　以上から、補正後の請求項１６ないし２０を追加する補正事項ｈは、特許法１７条の２第５項の１号ないし４号に掲げる事項のいずれを目的とするものとも認められない。
（３−９）　補正の適法性についてのまとめ
　以上、検討したとおり、本件補正のうちの補正事項ａ、ｂ、ｅ及びｇは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　また、補正事項ｈは、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
３．本願発明
　平成２６年８月７日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２５年１０月４日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
４．引用文献に記載された発明
（１）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１８年６月１５日に日本国内で頒布された刊行物である特開２００６−１５６９５８号公報（以下「引用文献」という。）には、図１ないし１０とともに、以下の事項が記載されている。
　ア　「【０００３】
  従来、窒化物系半導体を利用した発光素子を作製する場合、基板として主にサファイア基板が用いられてきた。しかしながら、サファイア基板とその上に形成される窒化物系半導体との格子不整合率が約１３％と非常に大きく、
当該窒化物系半導体には転位等の欠陥が高密度に存在しており、良質の窒化物系半導体を得ることは困難であった
　イ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　図１は本発明の実施の形態に係るＧａＮ基板１０の構造を示す斜視図である。本実施の形態に係るＧａＮ基板１０は六方晶系の結晶構造を有し、当該ＧａＮ基板１０を利用して、半導体レーザや発光ダイオードなどの発光素子や高周波電子デバイスなどの半導体素子が形成される。
【００１４】
　
図１に示されるように、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、Ｃ面、つまり（０００１）面に対して＜１−１００＞方向にオフ角度θを有する。従って、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となる。
【００１５】
　
本実施の形態に係るＧａＮ基板１０を含めて、一般的にＧａＮ基板の表面には、図１に示されるように、転位密度の高い領域２１と転位密度の低い領域２２とが、＜１１−２０＞方向に沿って交互に並んでいる。このようなＧａＮ基板を利用して半導体素子を形成する場合には、転位密度の低い領域２２を利用するのが通例である。
　ウ　「【００２２】
　図４は図３に示される半導体レーザの製造方法を示すフローチャートである。
まずステップｓ１において、例えばオフ角度θが０．５°に設定された図１に示されるＧａＮ基板１０を準備する。
【００２３】
　
次にステップｓ３において、ｎ型半導体層１１等を含む複数の窒化物系半導体層をＧａＮ基板１０上に積層する。ステップｓ３では、まずＭＯＣＶＤ装置内へのＴＭＧガスとＳｉＨ
4
ガスの供給を開始し、ＧａＮ基板１０の上面１０ａ上にｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１を成長させる。そして、更にＴＭＡガスの供給を開始して、ｎ型のＡｌ
0.07
Ｇａ
0.93
Ｎから成るｎ型クラッド層１２をｎ型半導体層１１上に成長させる。
【００２４】
　
次に、ＴＭＡガスの供給を停止して、ｎ型のＧａＮから成るｎ型光ガイド層１３をｎ型クラッド層１２上に成長させる。その後、ＴＭＧガスとＳｉＨ
4
ガスの供給を停止して、装置内温度を７００℃まで降温する。そして、ｎ型光ガイド層１３上に多重量子井戸活性層１４を成長させる。
【００２５】
　
その後、ＮＨ
3
ガスを供給しながら装置内温度を１０００℃にまで再び昇温した後、ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＣＰ
2
Ｍｇガスの供給を開始し、ｐ型のＡｌ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎから成るｐ型電子障壁層１５を多重量子井戸活性層１４上に成長させる。次に、ＴＭＡガスの供給を停止し、ｐ型のＧａＮから成るｐ型光ガイド層１６をｐ型電子障壁層１５上に成長させる。次に、ＴＭＡガスの供給を再度開始し、ｐ型のＡｌ
0.07
Ｇａ
0.93
Ｎから成る厚さ０．４μｍのｐ型クラッド層１７をｐ型光ガイド層１６上に成長させる。
【００２６】
　
次に、ＴＭＡガスの供給を停止して、ｐ型のＧａＮから成る厚さ０．１μｍのｐ型コンタクト層１８層をｐ型クラッド層１７上に成長させる。
【００２７】
　
以上のようにして、すべての窒化物系半導体層の結晶成長が終了しステップｓ３が完了すると、ステップｓ４において、光導波路となるリッジ部５１を形成する。ステップｓ４では、まずウェハ全面にレジストを塗布し、リソグラフィー工程を実行することによりメサ部の形状に対応した所定形状のレジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとして、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、ｐ型コンタクト層１８及びｐ型クラッド層１７を順次エッチングする。これにより、光導波路となるリッジ部５１が形成される。
【００２８】
　
次に、ステップｓ５においてｐ電極２０及びｎ電極１９を形成する。ステップｓ５では、まず、ステップｓ４でマスクとして用いたレジストパターンを残したまま、ＣＶＤ法や真空蒸着法、あるいはスパッタリング法などにより、例えば厚さが０．２μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ
2
膜）５２をウェハ全面に形成し、レジストパターンの除去と同時にリッジ部５１上にあるシリコン酸化膜５２を除去する。この処理は「リフトオフ」と呼ばれる。これにより、リッジ部５１を露出する開口部５２がシリコン酸化膜５２に形成される。
【００２９】
　
次に、ウェハ全面に例えば真空蒸着法により白金（Ｐｔ）から成る金属膜と金（Ａｕ）から成る金属膜とを順次形成した後、レジスト塗布工程およびリソグラフィー工程を実行し、その後、ウエットエッチングあるいはドライエッチングを実行することにより、開口部５３内にｐ電極２０を形成する
【００３０】
　その後、ＧａＮ基板１０の下面全面に、例えば真空蒸着法によりチタン（Ｔｉ）から成る金属膜とアルミニウム（Ａｌ）から成る金属膜とを順次形成し、形成された積層膜をエッチングしてｎ電極１９を形成する。そして、ｎ電極１９をＧａＮ基板１０にオーミック接触させるためのアロイ処理を行う。
【００３１】
　以上のようにして形成された構造をへき開などによりバー状に加工して、当該構造に両共振器端面を形成する。そして、これらの共振器端面に端面コーティングを施した後、このバー状の構造をへき開などによりチップ状に分割する。
これにより、図３に示される半導体レーザが完成する
【００３２】
　以上のように、本実施の形態では、ＧａＮ基板１０の上面１０ａが、（０００１）面に対して＜１−１００＞方向に０．１°以上のオフ角度θを備えているため、当該上面１０ａ上に形成されるｎ型半導体層１１の平坦性及び結晶性が向上する。その結果、ｎ型半導体層１１を利用して形成された本実施の形態に係る半導体素子の電気的特性が向上し、信頼性が向上する。」
　エ　「【００３３】
　
図５は、ＧａＮ基板１０の上面１０ａのオフ角度θと、当該上面１０ａ上に形成されるｎ型半導体層１１の上面での最大高低差との関係を示す図である。
【００３４】
　
なお、図５中の縦軸の最大高低差は、ｎ型半導体層１１を厚さ４μｍまで成長させ、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：ＡＦＭ）を用いて当該ｎ型半導体層１１を縦２００μｍ×横２００μｍの範囲で表面観察した際の値を示している。
【００３５】
　
図５に示されるように、オフ角度θが０．１°以上になると、ｎ型半導体層１１の上面での最大高低差が大幅に小さくなり表面モフォロジが良好となる。そして、ＧａＮ基板１０の上面１０ａを＜１−１００＞方向に傾けた場合には、オフ角度θが０．２５°以上となると、更にｎ型半導体層１１での最大高低差が減少し、当該ｎ型半導体層１１の表面モフォロジが良好となる。一方で、図５に示されるように、オフ角度θが１．０°よりも大きくなると、ｎ型半導体層１１の上面での最大高低差が大きくなる。
【００３６】
　なお、オフ角度θが０．０５°以下の場合には、ｎ型半導体層１１の表面に六角ヒロックが発生するためその表面での凹凸が大きり、平坦なモフォロジは得られない。
【００３７】
　また、オフ角度θが０．０５°以上０．２５°未満では、オフ角度θの方向に垂直な方向、つまり＜１−１００＞方向あるいは＜１１−２０＞方向に垂直な方向に沿ってステップ状の段差が生じる。
しかしながら、オフ角度θの方向が＜１−１００＞方向の場合には、オフ角度θが０．２５°以上になると、ステップ状の段差は減少し、より平坦なモフォロジが得られる。このとき、ｎ型半導体層１１での平均表面粗さは０．５ｎｍ以下に抑えることができる。
【００３８】
　一方で、オフ角度θの方向が＜１１−２０＞方向の場合には、オフ角度θが０．２５°以上になっても、図１に示したＧａＮ基板１０の表面上の転位密度の高い領域２１によって、ステップフロー成長が阻害されるために、ステップ状の段差が残ってしまい、良好な表面モフォロジは得られない。このような表面の凹凸は、例えば本実施の形態のような半導体レーザを作製した場合には、ｎ型半導体層１１のみならず多重量子井戸活性層１４にも段差が生じてしまい、レーザの共振器内での損失が大きくなり、しきい値電流密度が悪化する等の問題が生じる。
【００３９】
　以上のように、ＧａＮ基板１０の上面１０ａのオフ角度θとその方向とが、当該上面１０ａ上に形成される成長層の表面凹凸や結晶性に大きな影響を与える。本実施の形態のように、＜１−１００＞方向に０．１°以上傾いたＧａＮ基板１０の上面１０ａ上に半導体レーザを作製した場合には、平坦性および結晶性が良好でかつ安定な素子特性が得られる。そして、＜１−１００＞方向に０．２５°以上傾いたＧａＮ基板１０の上面１０ａ上に半導体レーザを作製した場合には、平坦性および結晶性がより良好となり、＜１−１００＞方向に０．３°以上傾いたＧａＮ基板１０の上面１０ａ上に半導体レーザを作製した場合には、平坦性および結晶性がさらに良好となる。
【００４０】
　更に、本実施の形態では、オフ角度θは１．０°以下に設定されているため、ＧａＮ基板１０を加工してオフ角度θを設ける際の加工性が向上し、更には、ＧａＮ基板１０上に積層される複数の窒化物系半導体層を形成し易くなる。従って、ＧａＮ基板１０を利用した半導体素子の製造性が向上する。
【００４１】
　なお、通常、半導体レーザは（１−１００）面に共振器ミラーを有するが、この場合には、＜１−１００＞方向のオフ角度θが大きくなるとミラー損失が大きくなる。従って、半導体レーザでのミラー損失を低減するという観点からも、オフ角度θは１．０°以下に設定することが好ましい。
【００４２】
　図１に示されるＧａＮ基板１０では、＜１−１００＞方向にのみオフ角度θを設けていたが、＜１１−２０＞方向にもオフ角度θ１を設けても良い。図６は、ＧａＮ基板１０の上面１０ａが＜１−１００＞方向に０．２５°のオフ角度θを備え、更に＜１１−２０＞方向にオフ角度θ１を備える場合での、当該オフ角度θ１と、当該上面１０ａ上に形成されるｎ型半導体層１１の上面での最大高低差との関係を示す図である。
【００４３】
　図６に示されるように、ＧａＮ基板１０の上面１０ａが＜１−１００＞方向に０．２５°傾いている状態において、＜１１−２０＞方向のオフ角度θ１を０°以上０．１°以下に設定すると、ｎ型半導体層１１の上面での最大高低差はほとんど変化することがなく、当該ｎ型半導体層１１の表面モフォロジは良好である。図６に示される結果はオフ角度θ１（注．段落【００４２】及び図６より、「θ」の誤記と認める。以下同じ。）が０．２５°のときの結果であるが、当該オフ角度θ１が０．２５°以上であれば同様の結果となる。なお、図２に示される窒化物形半導体レーザにおいて、＜１−１００＞方向にオフ角度θを、＜１１−２０＞方向にオフ角度θ１をそれぞれ備えるＧａＮ基板１０を利用した場合の当該窒化物系半導体レーザの構造を図７に示す。」
　オ　「【００５７】
　以上のように、本発明によれば、ＧａＮ基板上に平坦性及び結晶性に優れた窒化物系半導体層を形成することが可能となる。ここでいう結晶性とは、結晶の原子配列の規則性、すなわち結晶の構造的規則性に起因する当該結晶の電気的光学的特性を意味する。窒化物系半導体層での構造的規則性が確保されない場合には、ＧａＮ基板の平坦性には依存しない異常構造が窒化物系半導体層に形成される。異常構造は、窒化物系半導体層の表面での不規則的な凹凸と、ヒロックと呼ばれる、基板の結晶学的対称性を反映した規則性が認められる表面形状とに主に大別でき、ヒロックは本質的にはファセットの一種であると考えられる。不規則的な凹凸は、結晶成長の過程において、III族原子の表面マイグレーションが不十分であるために形成される。表面マイグレーションが不十分な場合、結晶学的に本来III族原子が配置されるべきサイトに、当該III族原子が位置する確率が減少する。このため、原子スケールでの微視的構造で規定される特性が悪化する。
具体的には、原子空孔や格子間原子などの格子欠陥によって、電気的特性としては、キャリアの散乱確率によって規定されるキャリア移動度が低減する。
　カ　また、引用文献の図３には、ｐ電極２０がｐ型コンタクト層１８と接するように形成されている様子が記載されている。
　キ　また、引用文献の図５には、Ｃ面に対して＜１−１００＞方向のオフ角度θが０．２５°である場合の最大高低差が数ｎｍであり、オフ角度θが０．２５°である場合の最大高低差よりも、オフ角度θが０．５°である場合の最大高低差が小さい様子が記載されている。
（２）　そうすると、引用文献には、発明を実施するための形態として以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＧａＮ基板１０を準備するステップｓ１であって、ＧａＮ基板１０は転位密度の高い領域２１と転位密度の低い領域２２とが、＜１１−２０＞方向に沿って交互に並んでいるものであり、転位密度の低い領域２２を利用するのが通例であり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、Ｃ面である（０００１）面に対して＜１−１００＞方向にオフ角度θを有し、このオフ角度θが０．５°に設定されたものであり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となるものであるステップと、
　ｎ型半導体層１１等を含む複数の窒化物系半導体層をＧａＮ基板１０上に積層するステップｓ３であって、ＧａＮ基板１０の上面１０ａ上にｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１を成長させ、ｎ型クラッド層１２をｎ型半導体層１１上に成長させ、ｎ型光ガイド層１３をｎ型クラッド層１２上に成長させ、ｎ型光ガイド層１３上に多重量子井戸活性層１４を成長させ、ｐ型電子障壁層１５を多重量子井戸活性層１４上に成長させ、ｐ型光ガイド層１６をｐ型電子障壁層１５上に成長させｐ型クラッド層１７をｐ型光ガイド層１６上に成長させ、ｐ型コンタクト層１８層をｐ型クラッド層１７上に成長させるステップと、
　ｐ型コンタクト層１８及びｐ型クラッド層１７を順次エッチングすることにより、光導波路となるリッジ部５１を形成するステップｓ４と、
　リッジ部５１を露出する開口部５２内にｐ型コンタクト層１８に接するようにｐ電極２０を形成するステップｓ５と、
を行う半導体レーザの製造方法。」
５．対比
（１）
　ア　はじめに、本願発明の「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」が有する「表面領域」に関する「当該表面領域は、ｃ面」「によって特徴付けられる」との文言の意味内容について、本願明細書の記載を参酌して検討する。
　本願明細書には、上記の文言に関係する、以下の記載がある。
「【００１０】
　特定の実施形態において、本開示は、素子の作製方法を提供する。方法は、例えば、表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板を含む。
前記基板は、ｃ面からｍ方向に向かって少なくとも０．３５度のミスカット角度によって特徴付けられたｃ面表面領域を有する
「【００４７】
  特定の実施形態において、本開示は、バルク基板材料からＬＥＤダイオードを製造する方法を提供する。前記方法は、バルク基板材料を提供する工程を含む。前記バルク基板材料は、上面を有する。
前記上面が備える領域は、ｍ方向に向かうミスカット角度が少なくとも０．３度または少なくとも０．３５度であるｃ面配向により、特徴付けられる。
　してみれば、本願明細書の記載より、本願発明の「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」が有する「表面領域」とは、「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」の表面が備える領域と解され、また、本願発明の「当該表面領域は、ｃ面」「によって特徴付けられる」とは、「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」の表面が備える領域が、ｃ面を基準として特徴付けられることと解される。
　そして、本願発明の「当該表面領域は、ｃ面」「によって特徴付けられる」には、「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」の表面が備える領域が、ｃ面を基準としたｍ方向に向かう所定のミスカット角度で特徴付けられることが含まれると解される。
　イ　次に、引用発明について検討する。引用発明の「ＧａＮ基板１０の上面１０ａ」は、「Ｃ面である（０００１）面に対して＜１−１００＞方向にオフ角度θを有し、このオフ角度θが０．５°に設定されたものであり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となるもの」である。
　そして、引用発明の「ＧａＮ基板１０」及び「ＧａＮ基板１０」の「上面１０ａ」は、それぞれ本願発明の「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」及び「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」の「表面領域」に相当すると認められる。また、引用発明の「Ｃ面」、「＜１−１００＞方向」及び「＜１１−２０＞方向」は、それぞれ本願発明の「ｃ面」、「［１−１００］方向」及び「［１１−２０］方向」に相当すると認められる。
　さらに、引用発明の「ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、Ｃ面である（０００１）面に対して＜１−１００＞方向にオフ角度θを有し、このオフ角度θが０．５°に設定されたものであり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となるものである」との構成における「オフ角度θ」は、本願発明の「ｃ面から［１−１００］方向に向か」う「ミスカット角度」に相当すると認められるから、引用発明の「ＧａＮ基板１０」の「上面１０ａ」は、「Ｃ面」に対して「＜１−１００＞方向」の「オフ角度θ」、すなわち、「Ｃ面」を基準としたｍ方向に向かう「ミスカット角度」によって特徴付けられているものといえる。
　してみれば、上記アより、引用発明は、本願発明の「当該表面領域は、ｃ面」「によって特徴付けられる」に相当する構成を備えているということができる。
　また、引用発明の「オフ角度θ」として設定された「０．５°」なる値は、本願発明の「ｃ面から［１−１００］方向に向か」う「ミスカット角度」の「０．３５度以上１度未満」との範囲に包含される。
　そして、引用発明における「ＧａＮ基板１０」の「上面１０ａ」は、「＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となる」から、引用発明における、本願発明の「ｃ面から」「［１１−２０］方向に向か」う「ミスカット角度」に対応する値は、０°であって、本願発明の「ｃ面から［１−１００］方向に向か」う「ミスカット角度」の「−１度を超え、１度未満」との範囲に包含される。
　ウ　そうすると、引用発明の「ＧａＮ基板１０を準備するステップｓ１であって、ＧａＮ基板１０は転位密度の高い領域２１と転位密度の低い領域２２とが、＜１１−２０＞方向に沿って交互に並んでいるものであり、転位密度の低い領域２２を利用するのが通例であり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、Ｃ面である（０００１）面に対して＜１−１００＞方向にオフ角度θを有し、このオフ角度θが０．５°に設定されたものであり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となるものであるステップ」と、本願発明の「表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで当該表面領域は、ｃ面と、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度によって特徴付けられる」とは、「表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで当該表面領域は、ｃ面と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度によって特徴付けられる」点で共通するということができる。
（２）　引用発明の「ｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１」は、本願発明の「ガリウムおよび窒素含有薄膜」に相当すると認められる。
　そうすると、引用発明の「ｎ型半導体層１１等を含む複数の窒化物系半導体層をＧａＮ基板１０上に積層するステップｓ３であって、ＧａＮ基板１０の上面１０ａ上にｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１を成長させ、ｎ型クラッド層１２をｎ型半導体層１１上に成長させ、ｎ型光ガイド層１３をｎ型クラッド層１２上に成長させ、ｎ型光ガイド層１３上に多重量子井戸活性層１４を成長させ、ｐ型電子障壁層１５を多重量子井戸活性層１４上に成長させ、ｐ型光ガイド層１６をｐ型電子障壁層１５上に成長させｐ型クラッド層１７をｐ型光ガイド層１６上に成長させ、ｐ型コンタクト層１８層をｐ型クラッド層１７上に成長させるステップ」と、本願発明の「ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成する工程、ここで前記薄膜は、少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、二乗平均粗さが１ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられる」とは、「ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成する工程」である点で共通するということができる。
（３）　引用発明の「リッジ部５１を露出する開口部５２内にｐ型コンタクト層１８に接するようにｐ電極２０を形成するステップｓ５」において、ｐ電極２０」は「ｐ型コンタクト層１８」と接するように形成されることから、引用発明の「リッジ部５１」を構成する「ｐ型コンタクト層１８」は、本願発明の「電気接触領域」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明の「ｐ型コンタクト層１８及びｐ型クラッド層１７を順次エッチングすることにより、光導波路となるリッジ部５１を形成するステップｓ４」は、本願発明の「前記薄膜上に電気接触領域を形成する工程」に相当すると認められる。
（４）　引用発明の「半導体レーザの製造方法」は、本願発明の「素子の作製方法」に相当すると認められる。
（５）　そうすると、本願発明と引用発明とは、 
 「素子の作製方法であって、
表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程、ここで当該表面領域は、ｃ面と、ｃ面から［１−１００］方向に向かって、０．３５度以上１度未満のミスカット角度と、［１１−２０］方向に向かって、−１度を超え、１度未満のミスカット角度によって特徴付けられる、と、
　ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成する工程と、
　前記薄膜上に電気接触領域を形成する工程と、
を含む、方法」
である点で一致し、次の２点で相違する。
（相違点１）　本願発明の「表面領域を有するガリウムおよび窒素含有バルク基板を提供する工程」で提供される「ガリウムおよび窒素含有バルク基板」は、「表面領域」が「１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度と」「によって特徴付けられる」ものであるのに対し、引用発明の「ＧａＮ基板１０」は「転位密度の高い領域２１と転位密度の低い領域２２とが、＜１１−２０＞方向に沿って交互に並んでいるものであり、転位密度の低い領域２２を利用するのが通例であ」るものであるが、「ＧａＮ基板１０」の「上面１０ａ」における「貫通転位密度」及び「積層欠陥密度」について、本願のように特定されていない点。
（相違点２）　本願発明の「ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成する工程」で形成される「薄膜」は、「少なくとも２，５００μｍ２の表面積で、二乗平均粗さが１ｎｍ未満である表面形態によって特徴付けられる」ものであるのに対して、引用発明の「ｎ型半導体層１１等を含む複数の窒化物系半導体層をＧａＮ基板１０上に積層するステップｓ３」で形成される「ｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１」は、その表面形態について、本願のように特定されていない点。 
６．判断
（１）　相違点１について
　素子を形成する半導体基板や半導体層において、貫通転位や積層欠陥等の欠陥が少ないものが望まれていることは、引用文献の記載（上記４．（１）ア及びオ参照。）や、以下の周知例１ないし３にみられるように、本願の優先日前、当該技術分野では技術常識であり、また、ガリウムおよび窒素含有薄膜を形成するためのガリウムおよび窒素含有バルク基板として、１Ｅ８ｃｍ-２未満の貫通転位密度と１Ｅ４ｃｍ-１未満の積層欠陥密度によって特徴付けられるものも、以下の周知例２及び３にみられるように、本願の優先日において、当業者により普通に用いられていたと認められる。
（周知例１）特開２０１０−２１９４９０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成２２年９月３０日に日本国内で頒布された刊行物である周知例１には、以下のような記載がある。
「【００２８】
　本発明では、前記窒化ガリウム系半導体膜の転位密度は１×１０８ｃｍ−２以下であることができる。この発明によれば、窒化ガリウム系半導体膜の電子トラップの密度が低減される。」
「【００５２】
　また、基板１１は例えばＧａＮウエハであることができる。ＧａＮウエハの転位密度は１×１０８ｃｍ−２以下である。また、この転位密度は１×１０７ｃｍ−２以下であることができる。
【００５３】
　窒化ガリウム系半導体電子デバイスのためのエピタキシャル基板を基板１１を用いて作製する。結晶成長は、例えば有機金属気相成長法で行うことができる。」
（周知例２）国際公開第２０１１／０２２６９９号
　本願の優先日前である２０１１年２月２４日に電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった周知例２には、以下のような記載がある。（注．訳は、対応する日本出願の公表公報（特表２０１３−５０２７２８号公報）を参考に、当審で和訳したものである。）
「[0026] Referring to Figure 1 , growth on foreign substrates often requires low temperature or high temperature nucleation layers at the substrate interface, techniques such as lateral epitaxial overgrowth to mitigate the misfit defects formed at the GaN/substrate interface, a thick buffer layer usually consisting of n-type GaN, but could be others such as InxAlyGa1-x-yN, grown between the substrate and light emitting active layers to reduce adverse effects of the misfit defects, InGaN/GaN or AlGaN/GaN or AlInGaN/AlInGaN superlattices placed between the substrate and light emitting active layers 
to improve the radiative efficiency through 
defect mitigation
to improve the radiative efficiency through
defect mitigation
（訳：［００２６］図1を参照すると、異種基板上での成長は、多くの場合、基板界面での低温または高温の核生成層、窒化ガリウム/基板界面に形成されるミスフィット欠陥を軽減するための選択横方向成長のような技術、ミスフィット欠陥の悪影響を減少させるための通常は基板と発光活性層との間に成長したｎ型ＧａＮ（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮなどの他の材料からなる場合もある）からなる厚いバッファ層、基板と発光活性層の間に配置された歪みの緩和、
欠陥の緩和
により発光効率を向上させる
欠陥の緩和
により発光効率を向上させる
「[0034]Figure 6 is a simplified illustration of a growth method for an optical device according to an embodiment of the present invention. This diagram is merely an illustration and should not unduly limit the scope of the claims herein. One of ordinary skill in the art would recognize other variations, modifications, and alternatives. As shown, the growth sequence includes at least (1) n-type epitaxial material; (2) active region; (3) electron blocking region; and (4) p-type epitaxial material. Of course, there can be other variations, modifications, and alternatives. 
 Further details of the present method can be found throughout the present specification and more particularly below.
1. Bulk wafer:
　　　Any orientation, e.g., polar, non-polar, semi-polar, c-plane.
　　　(Al,Ga,In)N based material
　　　Threading dislocation (TD) density  1E8 cm-2
　　　Stacking fault (SF) density  1E4 cm-1
　　　Doping  l E17cm-3
・・・・」
（訳：［００３４］図６は、本発明の実施形態による光学デバイスの成長方法の簡略図である。この図は単なる例示であり、特許請求の範囲を不当に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変及び代替を認識することができるであろう。図示のように、成長シーケンスは、少なくとも（１）ｎ型エピタキシャル材料と、（２）活性領域と、（３）電子ブロッキング領域と、（４）ｐ型エピタキシャル材料とを含んでいる。もちろん、他の変更、改変及び代替も可能である。本方法のさらなる詳細については、本明細書全体において記載され、以下において詳述される。
１．バルクウエハ：
　　任意の配向、例えば、極性、非極性、半極性、ｃ面。
　　（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎベース材料
　　貫通転位（ＴＤ）密度＜１Ｅ８ｃｍ−２
　　積層欠陥（ＳＦ）密度＜１Ｅ４ｃｍ−１
　　ドーピング＞ｌＥ１７ｃｍ−３
・・・・）
　また、周知例２の図６には、バルクＧａＮ基板の上にｎ−ＧａＮの層やｐ−ＧａＮの層等の複数の層が形成されている様子が記載されている。
（周知例３）国際公開第２０１１／０３５２６５号
　本願の優先日前である２０１１年３月２４日に電気通信回路を通じて公衆に利用可能となった周知例３には、以下のような記載がある。（注．訳は、対応する日本出願の公表公報（特表２０１３−５０５５８８号公報）を参考に、当審で和訳したものである。）
「[0046]・・・・ I
n addition to the limits in maintaining device efficiency while operating at high current density, it has been shown that as the current density is increased in light emitting devices, the lifetime of the devices degrade below acceptable levels with this degradation being correlated with dislocations in the material. Tomiya et. al. demonstrated in IEEE J. of Quantum Elec, Vol. 10, No. 6 (2004) that light emitting devices fabricated on reduced dislocation density material allowed for higher current operation without the decrease in lifetime that was observed for devices fabricated on high dislocation material.
（訳：・・・・
高電流密度における動作を可能にしつつデバイス効率を維持することへの制約に加えて、発光デバイス内における電流密度の上昇と共に、デバイスの寿命が受容可能なレベルを下回り、この寿命低下は材料中の転位と相関することが分かっている。Ｔｏｍｉｙａら（ＩＥＥＥＪ．ｏｆＱｕａｎｔｕｍＥｌｅｃ，Ｖｏｌ．１０，Ｎｏ．６（２００４））によれば、より低い転位密度の材料上に発光デバイスを作製した場合、高転位材料上に作製されたデバイスにみられるような寿命低下無く、より高電流の動作が可能となる。
「[0050] Figure 5 is a simplified diagram of a high current density epitaxially grown LED structure according to an embodiment of the present invention. This diagram is merely an example, which should not unduly limit the scope of the claims herein. One of ordinary skill in the art would recognize other variations, modifications, and alternatives. In one or more embodiments, the LED structure includes at least:
1. 　　A bulk GaN substrate, including a polar, semipolar or non-polar surface orientation. Further comprising details provided below. 
　　　Any orientation, e.g., polar, non-polar, semi-polar, c-plane.
　　　(Al,Ga,In)N based material 
　　　Threading dislocation (TD) density  108cm-2
　　　Stacking fault (SF) density  104cm-1
　　　Doping  1017cm-3
2. 　　An n-Type (Al)(In)GaN epitaxial layer(s) having a thickness ranging from about lnm to about 10 μm and a dopant concentration ranging from about 1 x 1016 cm-3 to about 5 x 1020cm-3. ・・・・」
（訳：図５は、本発明の実施形態による高電流密度エピタキシャル成長ＬＥＤ構造の簡略図である。本図は一例に過ぎず、本明細書中に記載の請求項の範囲を過度に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変及び代替を認識する。１つ以上の実施形態において、前記ＬＥＤ構造は、少なくとも以下を含む。
１．　極性表面配向、半極性表面配向又は非極性表面配向を含むバルクＧａＮ基板。前記バルクＧａＮ基板は、以下に記載の詳細を更に含んでいる。
　　　 任意の配向、例えば、極性、非極性、半極性、ｃ面。
　　　（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ系材料
　　　貫通転位（ＴＤ）密度＜１０８ｃｍ−２
　　　積層欠陥（ＳＦ）密度＜１０４ｃｍ−１
　　　ドーピング＞１０１７ｃｍ−３ 
２．　ｎ型（Ａｌ）（Ｉｎ）ＧａＮエピタキシャル層（単数又は複数）であって、厚さは約１ｎｍ〜約１０μｍであり、ドーパント濃度は約１ｘ１０１６ｃｍ−３〜約５ｘ１０２０ｃｍ−３である。・・・・）
　また、周知例３の図５には、基板１の上に層２が形成されている様子が記載されている。
　そうすると、引用発明において、「ＧａＮ基板１０」として、貫通転位や積層欠陥が少ないものを用いることは、上記の技術常識に照らせば、当業者が当然に行い得るものということができ、その際に、「ＧａＮ基板１０」の「上面１０ａ」について、本願発明のように、貫通転位密度を１Ｅ８ｃｍ-２未満とし、積層欠陥密度を１Ｅ４ｃｍ-１未満とすることは、当業者が普通に行い得るものと認められる。
　以上から、本願の優先日前の当該技術分野における技術常識に照らせば、引用発明において、相違点１に係る構成とすることは、当業者が適宜なし得たものということができる。
（２）　相違点２について
　上記４．（１）エ（特に段落００３４、００３７）及びキより、オフ角度θの方向が＜１−１００＞方向である場合であって、オフ角度θが０．２５°以上になるときの、原子間力顕微鏡を用いてｎ型半導体層１１の表面の縦２００μｍ×横２００μｍの範囲を観察した際の最大高低差が数ｎｍであり、ｎ型半導体層１１の平均表面粗さは０．５ｎｍ以下となっている。
　そうすると、「ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、Ｃ面である（０００１）面に対して＜１−１００＞方向にオフ角度θを有し、このオフ角度θが０．５°に設定されたものであり、ＧａＮ基板１０の上面１０ａは、＜１−１００＞方向に垂直であってかつＣ面に平行な＜１１−２０＞方向を回転軸として、Ｃ面に平行な面をオフ角度θ分だけ回転して得られる面と平行となるものである」引用発明においても、ＧａＮ基板１０の上面１０ａ上に成長したｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１の表面の、原子間力顕微鏡を用いて縦２００μｍ×横２００μｍの範囲を観察した際の最大高低差が数ｎｍであり、ｎ型半導体層１１の表面の平均表面粗さは０．５ｎｍ以下であると認められる。
　ここで、引用文献には、ｎ型半導体層１１の表面の少なくとも２，５００μｍ２の表面積での二乗平均粗さは明記されていない。
　しかしながら、上記のとおり、引用発明のｎ型半導体層１１の表面の、原子間力顕微鏡を用いて縦２００μｍ×横２００μｍの範囲（４０，０００μｍ２）を観察した際の最大高低差は数ｎｍであり、平均表面粗さは０．５ｎｍ以下であることから、引用発明のｎ型半導体層１１の表面の、少なくとも２，５００μｍ２の表面積での二乗平均粗さは１ｎｍ未満となっているものと認められる。
　また、仮にそうでないとしても、上記４．（１）エ及びオのように、引用発明は、ｎ型半導体層１１の表面の凹凸を小さくすることにより、レーザの共振器内での損失（段落００３８）、しきい値電流密度（段落００３８）、キャリア移動度（段落００５７）、発光波長（段落００５７）等の特性を良好なものとすることができるものであるから、引用発明において、ｎ型半導体層１１の表面の、少なくとも２，５００μｍ２の表面積での二乗平均粗さを１ｎｍ未満とすることは、当業者が適宜なし得るものと認められる。
　以上から、相違点２は、実質的な相違点であるとはいえない。また、仮にそうでないとしても、引用発明において、「ｎ型のＧａＮから成るｎ型半導体層１１」の表面粗さを相違点２のように特定することは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
（３）まとめ
　したがって、本願発明と引用発明との相違点は、引用文献に記載された技術及び上記の技術常識を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用文献に記載された発明及び上記の技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。