(57)【要約】本発明は、高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する技術的解決法を提供する。振幅が時間とともに変化する外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする高周波スイッチング電子回路のアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えることによって、アクティブ型力率補正モジュールのスイッチング周波数は時間とともに変化し、それにより、電磁干渉エネルギは周波数領域において分散し、電磁干渉は低減される。特に、高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源である場合に、その効果はより一層明らかである。
2012510787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する方法であって：
ｂ）振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させるステップ；
ｃ）入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ前記外乱信号を加えるステップ
を有する方法。
【請求項２】
前記ステップｂより前に、当該方法は、ａ）前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定するステップを更に有し；及び
前記ステップｂ及びｃは、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源である場合に実行される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記外乱信号は電圧信号を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アクティブ型力率補正モジュールは、ピーク値検出原理、ヒステリシスループ原理又は平均電流原理に基づく、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記高周波スイッチング電子回路は電子バラストを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する抑止回路であって：
振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるよう構成される外乱信号モジュール
を有する抑止回路。
【請求項７】
サンプリングモジュール及び検出モジュールを更に有し、
前記サンプリングモジュールは、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給の波形信号をサンプリングし、該波形信号を前記検出モジュールへ供給するよう構成され；
前記検出モジュールは、前記サンプリングモジュールによってサンプリングされた前記波形信号を検出することによって、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定するよう構成され；及び，
前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源であると前記検出モジュールが決定した場合、該検出モジュールは、振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンへ加えるように前記外乱信号モジュールを制御する、
請求項６に記載の抑止回路。
【請求項８】
前記サンプリングモジュールは、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給若しくは前記アクティブ型力率補正モジュールの電力供給のいずれか一方の２つの端子の間に結合され、直列に接続されている２つの抵抗器グループを有し、該２つの抵抗器グループのコモンノードにおいて前記波形信号がサンプリングされ；又は
前記サンプリングモジュールは、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンに接続され、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンから前記波形信号がサンプリングされる、
請求項７に記載の抑止回路。
【請求項９】
前記外乱信号は電圧信号を有する、
請求項６に記載の抑止回路。
【請求項１０】
前記アクティブ型力率補正モジュールは、ピーク値検出原理、ヒステリシスループ原理又は平均電流原理に基づく、
請求項６に記載の抑止回路。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のうちいずれか一項に記載の抑制回路を有する電子バラスト。
【請求項１２】
アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路であって：
振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるよう構成されるマイクロコントローラ
を更に有する高周波スイッチング電子回路。
【請求項１３】
当該高周波スイッチング電子回路の電力供給の波形信号をサンプリングし、該波形信号を前記マイクロコントローラへ供給するよう構成されるサンプリングモジュール
を更に有し；
前記マイクロコントローラは、更に：
前記サンプリングモジュールによって供給される前記波形信号に従って、当該電子回路の電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定し；
続いて、当該電子回路の電力供給がＤＣ電源である場合に外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンへ加える
よう構成される、
請求項１２に記載の高周波スイッチング電子回路。
【請求項１４】
前記サンプリングモジュールは、当該高周波スイッチング電子回路の電力供給の２つの端子の間に結合され、直列に接続されている２つの抵抗器グループを有し、該２つの抵抗器グループのコモンノードにおいて前記波形信号がサンプリングされ；又は
前記サンプリングモジュールは、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンに接続され、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンから前記波形信号がサンプリングされる、
請求項１３に記載の高周波スイッチング電子回路。
【請求項１５】
電子バラストを有する、請求項１２に記載の高周波スイッチング電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁干渉抑制に関し、特に、高周波スイッチング電子回路の電磁干渉抑制に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、非常用照明設備における電子バラストは必須である。通常の状況においては、非常用照明設備のための電力供給はＡＣ電源であり、一方、火事等の緊急事態においては、非常用照明設備のための電力供給はＤＣ電源である。電子バラストに課されている新たな要件に従って、このような電子バラストによって発生する電磁干渉は、電力供給がＤＣ電源及びＤＣ電源である環境における非常用照明に適しているように、所定の標準規格に従わなければならない。電磁干渉（ＥＭＩ）は、装置、伝送チャネル又はシステムの性能の低下をもたらす電磁波の電磁現象をいう。
【０００３】
アクティブ型力率補正モジュールを用いる電子バラストがＡＣ電源によって給電される場合、その発生するＥＭＩのエネルギは、標準規格ＣＩＳＰＲ１５に対応する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、アクティブ型力率補正モジュールを用いる電子バラストがＤＣ電源によって給電される場合、ＥＭＩエネルギは、ある周波数点で集中し、標準規格ＣＩＳＰＲ１５の限界値を超える。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
先行技術における上記の問題を解消するよう、本発明の実施形態は、アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって、特に電子バラストによって発生するＥＭＩを低減する技術的解決法を提供する。本発明の実施形態は、アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する方法であって：ｂ）振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させるステップ；及びｃ）入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ前記外乱信号を加えるステップを有する方法を提供する。
【０００６】
本発明の他の実施形態は、アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する抑止回路であって、振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるよう構成される外乱信号モジュールを有する抑止回路を提供する。
【０００７】
本発明の更なる実施形態は、電子バラストを提供する。この電子バラストは、上記の抑制回路を有する。
【０００８】
本発明の更なる他の実施形態は、アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路であって、振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるよう構成されるマイクロコントローラを更に有する高周波スイッチング電子回路を提供する。
【０００９】
ここで、上記の高周波スイッチング電子回路は、アクティブ型力率補正モジュールと称される、スイッチング装置としてＭＯＳＦＥＴを用いるアクティブ型力率補正ブーストコンバータ等の高周波スイッチング技術を用いることによって、絶縁カップリング変圧器に、小型化及びノイズからの解放とともに、高周波を実現させる電子回路を意味とすると理解される。
【００１０】
振幅が時間とともに変化する外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする高周波スイッチング電子回路のアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えることによって、アクティブ型力率補正モジュールのスイッチング周波数が結果として時間とともに変化し、それにより、ＥＭＩエネルギが周波数領域において分散し、ＥＭＩ干渉は低減される。結果として、高周波スイッチング電子回路によって発生するＥＭＩは有効に低減され得、一方、その効果は、高周波スイッチング電子回路の電力供給が直流である環境において、より一層明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に従う抑止回路を有する電子バラストの部分回路構成を表す。
【図２】図１に示される抑止回路のワークフローチャートである。
【図３】図１に示される電子バラスト電力供給がＡＣ電源である場合の力率補正制御回路のピンＭＵＬＴＩの電圧波形を表す。
【図４ａ】抑止回路を伴わない、ＤＣ電源によって給電される図１に示される回路によって発生するＥＭＩのエネルギ分布を表す。
【図４ｂ】抑止回路を備えた、ＤＣ電源によって給電される図１に示される回路によって発生するＥＭＩのエネルギ分布を表す。
【図５】本発明の他の実施形態に従う抑止回路を有する電子バラストの部分回路構成を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の他の目的、特徴及び利点は、限定されない例として与えられ、添付の図面を参照して記載される以下の実施形態の説明から理解されるであろう。
【００１３】
図面において、同じ参照符号は、同じ又は対応するステップ、特徴及び／又は装置（モジュール）を表す。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に従う抑止回路を有する電子バラストの部分回路構成を表す。この図は、電源１１、ハーフブリッジ整流器回路１２、アクティブ型力率補正モジュール１３、及び抑止回路１４の一例の概略図から成る。アクティブ型力率補正モジュール１３は、ピーク値検出の原理に基づき、メイン回路及び制御回路を有する。制御回路は、ＳＴマイクロエレクトロニクスによって提供されているチップＬ６５６１によって実現される。
【００１５】
本発明は、主に、アクティブ型力率補正モジュール１３の改善に関するので、インバータ回路、出力回路網等の電子バラストの他の必要な構成要素に係る更なる記載は、これらの構成要素が本発明と直接関係しないので、省略される。それらの他の必要な構成要素の説明は、例えば、参考文献１：“Principle  and  Design  of  new  type  Electronic  Ballast  Circuits”（MAO  Xingwu、ZHU  Dawei、Posts  ＆  Telecom  Press、２００７年９月）に記載されている。
【００１６】
既存の電子バラスト回路と比較して、図１の破線枠１４で示される回路は、マイクロコントローラ１４１と、電流制限抵抗１４４と、抵抗１４２及び１４３とを有する、新たに加えられたＥＭＩ抑止回路である。抵抗１４２及び１４３は、電子バラストの電力供給の波形信号Ｖ＿ｍａｉｎｓをサンプリングし、この波形信号Ｖ＿ｍａｉｎｓをマイクロコントローラ１４１へ供給するサンプリングモジュールを構成する。
【００１７】
図２は、図１に示される抑止回路のワークフローチャートである。以下、図２に示されるステップについて、図１を参照して詳細に説明する。
【００１８】
最初に、ステップＳ２０１で、マイクロコントローラ１４１は、電子バラストの電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定する。図１に示される抑止回路を参照して、マイクロコントローラ１４１は、具体的に、サンプリング抵抗１４２及び１４３の間のノードからサンプリングされる信号Ｖ＿ｍａｉｎｓの波形によって、電子バラストの電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定する。電力供給がＡＣ電源である場合は、信号Ｖ＿ｍａｉｎｓの波形は、ブリッジ整流器回路を通った後、図３に示されるような半波正弦波になるはずである。波形の振幅は、当然、サンプリング抵抗の異なる抵抗により異なっている。電力供給がＤＣ電源である場合は、信号Ｖ＿ｍａｉｎｓの波形は、ブリッジ整流器回路を通った後、直線になるはずである。すなわち、その振幅は時間とともに変化しない。
【００１９】
電子バラストの電力供給がＤＣ電源であるとマイクロコントローラ１４１がステップＳ２０１で決定した場合、マイクロコントローラ１４１は、ステップＳ２０２で、振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させる。
【００２０】
その後、ステップＳ２０３で、マイクロコントローラ１４１は、電子バラストのアクティブ型力率補正モジュール１３の入力ピンに外乱信号を加える。その入力ピンは、入力制御信号を受信することを目的としている。図１に示される回路構成に関し、外乱信号は、電流制限抵抗１４４を介してピンＭＵＬＴＩへ加えられる。そもそも、ＭＯＳＦＥＴ１３１のスイッチング周波数は、バラストがＤＣ電源によって給電される状況下では、時間とともに変化しない。ＭＯＳＦＥＴ１３１のスイッチング周波数に対する振幅が時間とともに変化する外乱信号による影響により、ＭＯＳＦＥＴ１３１のスイッチング周波数は時間とともに変化し、それにより、ＭＯＳＦＥＴ１３１の固定スイッチング周波数によってそもそも引き起こされていたＥＭＩエネルギの分布は、周波数領域において分散する。そして、ＥＭＩの強さは弱まる。
【００２１】
図４ａ及び図４ｂは、夫々、抑止回路１４の有無による図１に示される回路によって発生するＥＭＩのエネルギ分布を表す。ここで、回路は、２３０ボルトＤＣ電源によって給電されているとする。図１に示される回路においては、マイクロコントローラ１４１は、最初に、５０％デューティサイクルで１００ＭＨｚ方形波を発生させ、次いで、その方形波をリップルに変換して、ピンＭＵＬＴＩに加える。
【００２２】
図４ａ及び図４ｂにおいて、破線４１は、標準規格ＣＩＳＰＲ１５におけるＥＭＩエネルギのＱＰ（Quasi  Peak）値の限界値を表し、破線４２は、標準規格ＣＩＳＰＲ１５におけるＥＭＩエネルギの平均値の限界値を表し、曲線４３は、電子バラストによって発生するＥＭＩのエネルギのＱＰ値を表し、曲線４４は、電子バラストによって発生するＥＭＩのエネルギの平均値を表す。
【００２３】
図４ａから分かるように、電磁放射受信器が受け取るＥＭＩのエネルギのＱＰ値は、周波数点７７．５ｋＨｚで８５．８２ｄＢμＶであり、標準規格ＣＩＳＰＲ１５において与えられる限界値は、８６．０１ｄＢμＶである。すなわち、その差は０．１９ｄＢμＶである。図４ｂにおいて、電磁放射受信器が受け取るＥＭＩエネルギのＱＰ値は、周波数点７７．５ｋＨｚで５５ｄＢμＶである。図４ｂにおいては、最大干渉は周波数点６７．７２ｋＨｚにあり、電磁放射受信器が受け取るＥＭＩエネルギのＱＰ値は８１．５７ｄＢμＶであり、標準規格ＣＩＳＰＲ１５における限界値は８７．２４ｄＢμＶである。すなわち、その差は５．６７ｄＢμＶである。電子バラストによって発生するＥＭＩエネルギ、特に、ある周波数点におけるエネルギは、本発明の抑止方法及び回路を用いることによって、有効に低減される。
【００２４】
図１に示される抑止回路の構成は単なる例に過ぎないことに留意すべきである。実際には、様々な変形が、図１に示される回路構成に基づいて行われてよい。例えば、バラスト回路全体におけるサンプリング抵抗１４２及び１４３の位置付けは、電子バラストの電力供給がＤＣ電源又はＡＣ電源のどちらであるのかをマイクロコントローラ１４１が決定することができる限り制限されず、如何なる場所に配置されてもよい。抵抗１４２及び１４３は、また、電力供給とブリッジ整流器回路との間に接続されてもよい。更に、抵抗１４２及び１４３は、夫々、１又はそれ以上の抵抗から構成されてよい。代替的に、図１に示される抵抗１４２及び１４３から成るサンプリングモジュールの変形例として、マイクロコントローラ１４１のピンＶ＿ｍａｉｎｓは、入力制御信号を受信することを目的とするアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンであるピンＭＵＬＴＩに直接的に接続されてよい。すなわち、信号伝送線路がサンプリング機能を果たす。
【００２５】
図２に示されるフローチャートにおいて、ステップＳ２０１は、本発明の必要なステップではなく、一方、マイクロコントローラは、電子バラストの電力供給がＤＣ電源又はＡＣ電源のどちらであるのかを決定する必要もない。実際には、電力供給がＤＣ電源又はＡＣ電源のどちらであろうと、マイクロコントローラ１４１は、入力制御信号を受信することを目的とするアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンであるピンＭＵＬＴＩへ外乱信号を加える。
【００２６】
更に、電流制限抵抗１４４も本発明において必須ではない。マイクロコントローラ１４１の出力ピンを流れる電流がマイクロコントローラ１４１によって許容される範囲内にある場合、余分の電流制限抵抗は必要とされない。更に、電流制限抵抗１４４は、また、マイクロコントローラ１４１の内部に配置されてもよい。
【００２７】
更に、外乱信号の周波数及び振幅は、アクティブ型力率補正回路の使用されるパラメータ及び実施における物理的環境に従って調整されてよく、その波形は、その振幅が時間とともに変化する限り制限されないことに留意すべきである。波形は、方形波、リップル、三角波、階段状の方形波等の様々な規則的及び／又は不規則的な波形を有してよい。外乱信号は、電圧源又は電流源のどちらがアクティブ型力率補正モジュールの電力供給として使用されるのかに依存して、電圧信号又は電流信号であってよい。
【００２８】
図２に示される方法及び図１に示される抑止回路１４は、ピーク値検出、ヒステリシスループ又は平均電流原理等に基づくもののような様々なアクティブ型力率補正モジュールに適用可能である。そのようなアクティブ型力率補正モジュールの具体的な回路は、参考文献１又は２：“Principle  of  Power  Factor  Correction  and  Control  IC  and  Application  Designs  thereof”（MAO  Xingwu、ZHU  Dawei、China  electrical  power  press、２００７年１１月）において記載されている。更に、図面に示されているＬ６５６１に限られない、アクティブ型力率補正のための様々な制御回路が存在する。アクティブ型力率補正モジュールのための様々な制御回路については、参考文献１及び２に記載される例を参照されたい。
【００２９】
図２に示される方法及び図１に示される抑止回路１４は、電子バラストに使用されることに限られず、アクティブ型力率補正モジュールを有する他の高周波スイッチング電子回路にも適用可能である。
【００３０】
図５は、本発明の他の実施形態に従う、電子バラストによって発生するＥＭＩを低減するために使用される抑止回路５１に係る他の回路構成を表す。抑止回路５１は、外乱信号モジュール５１１と、サンプリングモジュール５１２と、検出モジュール５１３とを有する。簡潔さのために、多くの好ましい実施形態のモジュールが図５において一緒に表されている。全てのモジュールの中で、外乱信号モジュール５１１のみが本発明の抑止回路のために必要なモジュールであり、一方、サンプリングモジュール５１２及び検出モジュール５１３は任意であることは、当業者には明らかであろう。
【００３１】
図５において、外乱信号モジュール５１１は、振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、次いで、その外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする電子バラストのアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンとして機能するピンＭＵＬＴＩへ加える。上述されたように、外乱信号の周波数及び振幅は、アクティブ型力率補正回路の使用されるパラメータ及び実施における物理的な環境に従って調整されてよく、その波形は、振幅が時間とともに変化する限り制限されない。波形は、方形波、リップル、三角波、階段状の方形波等の様々な規則的及び不規則的な波形であってよい。外乱信号は、電圧源又は電流のどちらがアクティブ型力率補正モジュールのための電力供給として使用されるのかに依存して、電圧信号又は電流信号であってよい。
【００３２】
外乱信号モジュール５１１の機能は、ハードウェア回路によって、又は、図１に示されるマイクロコントローラ１４１が対応する機能を有してプログラムを実行するようにして、実現されてよい。
【００３３】
ある時点で、外乱信号モジュール５１１は、電子バラストの電力供給がＤＣ電源である環境においてのみ、外乱信号を発生させ、その信号を、入力制御信号を受信することを目的とするアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加える。ここで、抑止回路５１のワークフローは次のように記載される。
【００３４】
最初に、サンプリングモジュール５１２は、電子バラストの電力供給の波形信号をサンプリングし、その波形信号を検出モジュール５１３へ供給する。バラスト回路全体におけるサンプリングモジュール５１２の位置付けは、制限されない。すなわち、それは、電子バラストの電力供給がＤＣ電源又はＡＣ電源のどちらであるのかを検出モジュール５１３が決定することができる限り、如何なる位置に配置されてもよい。例えば、サンプリングモジュール５１２は、図５に示されるアクティブ型力率補正モジュール又は電子バラストの電力供給の２つの端子へ接続される。図５に示されるように、サンプリングモジュール５１２は、直列接続されている２つの抵抗グループを有してよく、これら２つの抵抗グループのコモンノードにおいて波形信号がサンプリングされる。代替的に、サンプリングモジュールは、入力制御信号を受信することを目的とするアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンとサンプリングモジュールを接続する導線のみから成り、アクティブ型力率補正モジュールの当該入力ピンで波形信号がサンプリングされる。
【００３５】
その後、検出モジュール５１３は、サンプリングモジュール５１２によって収集された波形信号を検出することによって、電子バラストの電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定する。電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定する方法は多数存在する。好ましい方法は、図２のステップＳ２０１において上述されている。検出モジュール５１３の機能は、ハードウェア回路によって、又は、図１に示されるマイクロコントローラ１４１が対応する機能を有してプログラムを実行するようにして、実現されてよい。
【００３６】
電子バラストの電力供給がＤＣ電源であると検出モジュール５１３が決定した場合は、検出モジュール５１３は、外乱信号を発生させ、その外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とするアクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるように外乱信号モジュール５１１を制御する。
【００３７】
図５に示される抑止回路の機能は、ハードウェア回路によって、又はソフトウェア及びハードウェアの組合せによって、完全に実現されてよいことに留意すべきである。図１に示される抑止回路においては、図５に示される外乱信号モジュール５１１及び検出モジュール５１３の機能は、マイクロコントローラ１４１が対応する機能を有してプログラムを実行するようにして、完全に実現されてよい。代替的に、それは、ソフトウェア及びハードウェアの組合せによって実現されてよい。例えば、図１に示される抑止回路は、マイクロコントローラ１４１と、サンプリング抵抗１４２及び１４３と、電流制限抵抗１４４とを有する。
【００３８】
図５に示される抑止回路は、ピーク値検出、ヒステリシスループ又は平均電流原理等に基づくもののような様々なアクティブ型力率補正モジュールに適用可能である。更に、本願の適用範囲は、電子バラストに使用されることに限られず、アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路にも適用可能である。
【００３９】
当業者には明らかなように、本発明は、ここに記載されている具体的な実施形態に限られず、様々な変形が、添付の特許請求の範囲の適用範囲及び精神から逸脱することなく行われてよい。
【図１】
2012510787.tif 000003
【図２】
2012510787.tif 000004
【図３】
2012510787.tif 000005
【図４ａ】
2012510787.tif 000006
【図４ｂ】
2012510787.tif 000007
【図５】
2012510787.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成23年6月2日(2011.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する方法であって：
ａ）前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定するステップを有し、
前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源である場合、
ｂ）振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させるステップ；及び
ｃ）入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ前記外乱信号を加えるステップ
を有する方法。
【請求項２】
前記外乱信号は電圧信号を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アクティブ型力率補正モジュールは、ピーク値検出原理、ヒステリシスループ原理又は平均電流原理に基づく、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記高周波スイッチング電子回路は電子バラストを有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路によって発生する電磁干渉を低減する抑止回路であって：
振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるよう構成される外乱信号モジュール；
前記高周波スイッチング電子回路の電力供給の波形信号をサンプリングし、該波形信号を検出モジュールへ供給するよう構成されるサンプリングモジュール；及び
前記サンプリングモジュールによってサンプリングされた前記波形信号を検出することによって、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定するよう構成される前記検出モジュール
を有し、
前記検出モジュール及び前記外乱信号モジュールは、更に、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給がＤＣ電源であると前記検出モジュールが決定した場合、該検出モジュールが、振幅が時間とともに変化する前記外乱信号を発生させ、該外乱信号を前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンへ加えるように前記外乱信号モジュールを制御するよう構成される、抑止回路。
【請求項６】
前記サンプリングモジュールは、前記高周波スイッチング電子回路の電力供給若しくは前記アクティブ型力率補正モジュールの電力供給のいずれか一方の２つの端子の間に結合され、直列に接続されている２つの抵抗器グループを有し、該２つの抵抗器グループのコモンノードにおいて前記波形信号がサンプリングされ；又は
前記サンプリングモジュールは、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンに接続され、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンから前記波形信号がサンプリングされる、
請求項５に記載の抑止回路。
【請求項７】
前記外乱信号は電圧信号を有する、
請求項５に記載の抑止回路。
【請求項８】
前記アクティブ型力率補正モジュールは、ピーク値検出原理、ヒステリシスループ原理又は平均電流原理に基づく、
請求項５に記載の抑止回路。
【請求項９】
請求項５乃至８のうちいずれか一項に記載の抑制回路を有する電子バラスト。
【請求項１０】
アクティブ型力率補正モジュールを有する高周波スイッチング電子回路であって：
サンプリングモジュール及びマイクロコントローラを更に有し、
前記サンプリングモジュールは、当該高周波スイッチング電子回路の電力供給の波形信号をサンプリングし、該波形信号を前記マイクロコントローラへ供給するよう構成され、
前記マイクロコントローラは、前記サンプリングモジュールによって供給される前記波形信号に従って、当該電子回路の電力供給がＤＣ電源であるかどうかを決定し、続いて、当該電子回路の電力供給がＤＣ電源である場合に、振幅が時間とともに変化する外乱信号を発生させ、該外乱信号を、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの入力ピンへ加えるよう構成される、高周波スイッチング電子回路。
【請求項１１】
前記サンプリングモジュールは、当該高周波スイッチング電子回路の電力供給の２つの端子の間に結合され、直列に接続されている２つの抵抗器グループを有し、該２つの抵抗器グループのコモンノードにおいて前記波形信号がサンプリングされ；又は
前記サンプリングモジュールは、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンに接続され、入力制御信号を受信することを目的とする前記アクティブ型力率補正モジュールの前記入力ピンから前記波形信号がサンプリングされる、
請求項１０に記載の高周波スイッチング電子回路。
【請求項１２】
電子バラストを有する、請求項１０に記載の高周波スイッチング電子回路。
【国際調査報告】
2012510787.tif 000009
2012510787.tif 000010
2012510787.tif 000011