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　特願２０１３−　２５０５３「荷電粒子線装置、及びその制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月　９日出願公開、特開２０１３−　８４６２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年６月１０日（優先権主張２００８年６月２０日、日本国）を国際出願日とする特願２０１０−５１７６９９号の一部を平成２５年２月１３日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年１０月７日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、平成２６年６月２３日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年９月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２７年９月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１８日に面接を行い、同年１２月７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２７年１２月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「先端を先鋭化させた＜３１０＞方位の単結晶タングステン線を有する電界放射電子源と、前記電界放射電子源に電界を印加する電極とを備える荷電粒子線装置であって、
　前記電界放射電子源のまわりの圧力を１×１０−８Ｐａ以下に維持する真空排気部と、前記電界放射電子源を加熱するフラッシング電源と、前記フラッシング電源を制御する制御器と、前記電界放射電子源から放射させた電子線の電流の検出部とを有し、前記電界放射電子源の電子線のうち、前記電界放射電子源の表面中央の＜３１０＞面から放射させた電子線を用い、
　前記制御器に制御された前記フラッシング電源により前記電界放射電子源を繰り返し加熱し、前記検出部の出力を用いて前記電界放射電子源から放射される前記電子線の電流を所定の値以上に維持し、
　前記制御器が前記電界放射電子源のフラッシングを任意のタイミングで行うか否かを選択する操作器を更に備え、前記任意のタイミングで実行される前記フラッシングの強度を選択できる、
　ことを特徴とする荷電粒子線装置。」
２　引用刊行物
　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００７−７３５２１号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。）
（１）「【００５５】
　ここで図１を参照すると、半導体産業においてウェーハ検査又はプロセス診断（ＣＲ及びＤＲ）に使用される
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）に基づく電子ビーム照射デバイス
【００５６】
　半導体産業用途では、高輝度及び高分解能の粒子ビーム検査、評価、及びＣＤツールが必要とされる。詳細には、上述の清浄化法によって大きな恩恵を得る高分解能ＳＥＭが用いられている。ＳＥＭは、リソグラフィマスク及びウェーハの外観検査を可能とし、これにより製造品質を迅速且つ容易に評価することが可能となる。ウェーハ又はマスクが処理チャンバからＳＥＭに移され、検査完了後は別のチャンバに入れられる。検査及び製造処理の中断を制限するために、ウェーハ又はマスクをＳＥＭとの間で移動させるのに必要とされる交換時間期間は、特に清浄化処理を実行するのに使用される。従って、ＳＥＭのアクティブ期間又は動作期間、すなわち検査に利用可能な時間には影響しない。更に、１つの場所から別の場所へのステージ移動、又はシステム較正等のＳＥＭツールの他の非アクティブ期間又は非動作期間も同様に、清浄化処理を開始できる時間フレームを提供する。コンピュータ制御システムを利用すると、エミッタ表面の清浄化とシステム動作とを同期させるために、取るべき全ての動作を管理することができる。
【００５７】
　
ＳＥＭの電子照射銃は、Ｕ字形に曲げられたタングステンワイヤ１を含む。タングステンワイヤ１の曲げ部分には、極めて細い尖端又は先端（エミッタ表面）５に形成されたタングステン結晶４が溶接される。通常、
［３１０］配向を有する
非被覆単結晶タングステンが使用される。タングステン結晶は冷陰極電界エミッタ２を形成する。図１では尖鋭な先端５がＳＥＭの光学軸９に沿って下側に向いている。カップ状の抑制電極８が、冷陰極電界エミッタ、及び特にタングステン結晶４を囲んでいる。その中心には、抑制電極８が開口７を含み、タングステン結晶４がここを通って部分的に延び、先端５が抑制電極８を下側に突出させるようになる。引き出しアノード６は、抑制電極８及びエミッタ先端５に離間した関係で光学軸９に沿って配置されている。引き出しアノード６は、ＳＥＭの光学軸９に整合する中央開口を含む。通常動作中は、引き出し電圧が引き出しアノード６と冷陰極電界エミッタ２との間に印加され、引き出しアノード６が冷陰極電界エミッタ２に対して正のポテンシャルを有するようにする。尖鋭先端５によって、電界は先端５で大きく湾曲され、該先端近傍において高い引き出し電界強度を生じさせる。他方、抑制電極８は冷陰極電界エミッタ２に対して負のポテンシャルを有し、先端を除く冷陰極電界エミッタ及びタングステンワイヤの一部を引き出し電界から遮蔽する。印加された抑制電圧によって発生する抑制電界は、実質的に引き出し電界を弱め、先端のみが引き出し電界に暴露されるようになる。
【００５８】
　
冷陰極電界エミッタ２は、ＳＥＭの他の部分と共に高真空チャンバ１０内に配置される。真空は、６．６５×１０
−９
Ｐａ（５×１０
−１１
Ｔｏｒｒ）よりも良好な範囲内でなければならない。真空が良好である程（すなわち圧力が低い程）、エミッタ表面はの汚染がより緩慢になる。
【００５９】
　
タングステンワイヤ１は、加熱電流コントローラ１６によって制御される加熱電流源１２に接続されている。加熱電流コントローラ１６は、加熱パルスの長さ、振幅、及び幅を定める。
【００６０】
　図２を参照すると、１つの実施形態によるシーケンス処理が記述されている。
【００６１】
　動作開始時、特に新しい冷陰極電界エミッタが電子ビーム照射デバイスに組立み込まれたときには、主清浄化処理（２０）を実行して、全ての残留汚染物からエミッタ表面を清浄化する。一般に主清浄化処理は、エミッタ表面を約２５００Ｋから２８００Ｋの温度ＴＭＣにまで加熱する短く且つ強い加熱パルス（主フラッシング）を利用する。主清浄化中は、熱電子放射が低く維持されるように、冷陰極電界照射と引き出しアノードとの間に印加される引き出し電圧はオフにされる必要がある。
【００６２】
　主清浄化（２０）後、
引き出し電界を印加することによって冷陰極電界エミッタが通常動作（２２）に入る。冷陰極電界エミッタは、どのような加熱も追加することなく室温で動作され、電子照射は電界誘起だけになる。通常動作中は電子ビームが発生し、調査される試料に配向される。
【００６３】
　次に、ＳＥＭの通常動作（２２）又はアクティブ期間は、清浄化処理（２４）を行うために短期間中断される。通常モードの中断は、電子ビームが試料上に合焦されないことを意味する。従って、通常モードの動作状態を維持することが可能であり、例えば、ビームブランカを用いて電子ビームを偏向させることが可能である。このことから、照射電流の変動が許容できなくなり、従って電子ビーム照射デバイスが停止される時に清浄化段階を行う従来技術とは異なり、一般的には、清浄化処理は冷陰極電界エミッタが作動している時に開始される。
【００６４】
　
加熱パルスは、清浄化処理（２４）中に冷陰極電界エミッタに印加され、エミッタ表面を約２２００Ｋから２５００Ｋの最高温度にまで加熱する。
【００６５】
　清浄化中のエミッタ表面の損傷を回避するために、約３００Ｖから１０００Ｖ、好ましくは約７００Ｖから１０００Ｖの高い抑制電圧が印加され、これにより冷陰極電界エミッタの加熱部分からの望ましくない照射が阻止される。
【００６６】
　
清浄化処理（２４）は、エミッタ表面を清浄に保つために必要とされるたびに繰返される（２６）。清浄化処理は、一定の間隔で、又は照射電流が事前に選択された最小値Ｉ
Ｃ
まで低下した時に要求に基づいて開始することができ、最小値ＩＣはαＩ０として定義され、αは約０．９又はこれよりも大きく、例えば０．９５、０．９６、０．９７、０．９８、或いは特に０．９９である。
【００６７】
　例えば清浄化処理（２４）は、事前に選択された時間間隔の後に開始することができ、或いは調査される試料を移すためのＳＥＭの非アクティブ又は非動作期間と同期させることができる。固定の時間間隔は通常、適用される真空度、使用される冷陰極電界エミッタのタイプ、及び最小照射電流を定める値ＩＣ＞ＩＳに対して決定される。固定の時間間隔の代わりに、或いはこれと組み合せて、照射電流を監視し、照射電流が事前に選択されたＩＣにまで低下した時、又は不安定化の傾向がある時に次の清浄化処理を開始することができる。
【００６８】
　更に清浄化処理は、照射電流Ｉ１が最小値ＩｍｉｎであるＩＣとＩ０よりも低いＩｍａｘとの間に維持されるように行われる。すなわち照射電流は、Ｉｍｉｎ＝ＩＣとＩｍａｘとの間で変動又は変化する。
【００６９】
　図５を参照すると、照射電流Ｉの時間的推移が示されている。時間ｔ０において清浄なエミッタ先端が提供されたと仮定する。エミッタ先端と引き出し電極との間に印加された所与の定電圧Ｕによって発生する所与の一定引き出し電界下、及び所与の真空下では、ｔ０において高い初期照射電流Ｉ０を有する照射電流Ｉが発生する。一定条件下でこれ以降を動作させた場合、照射電流Ｉは減少し、ｔ１において低い安定平均電流ＩＳを示す。照射電流の減少は、経時的にエミッタ表面の汚染が増大することによって生じる。頻繁な清浄化を伴わない所与の一定条件下での冷陰極電界エミッタの典型的な照射特性は、図５に点線４２で示されている。
【００７０】
　これとは対照的に、同じ条件ではあるがエミッタ表面の頻繁な清浄化を伴った冷陰極電界エミッタの照射特性は、図５の実線４０で示されている。図５に示されているように、第１の清浄化処理２４は、照射電流ＩがＩｍｉｎ＝ＩＣにまで低下した時に実行される。清浄化処理は小さな矢印２４で示されている。Ｉｍｉｎは望ましい照射電流の下側範囲を定め、ＩＳよりも有意に高い事前に定められた値である。清浄化後、照射電流は値Ｉｍａｘにまで上昇する。Ｉｍａｘは図５においてはＩ０よりも低く示されているが、Ｉ０と等しくすることもできる。清浄化後に得られる照射電流Ｉは、温度、持続時間、及び印加される加熱パルスの数によって決定される清浄化処理の強度に依存する。一定条件、すなわち一定の引き出し電界及び所与の真空条件下でのこれ以降の動作では、照射電流は再び低下する。照射電流Ｉが再びＩｍｉｎまで低下すると、更に清浄化処理２４が実行される。清浄化処理は必要とされる度に繰返され、図５に示されているように照射電流がＩｍｉｎまで低下した時に起動される。よって、清浄化処理を制御する制御パラメータは照射電流Ｉであり、これを監視する必要がある。この手法を採用することにより、照射電流ＩはＩｍｉｎとＩｍａｘとの間で変動又は変化する。清浄化処理は照射電流の監視を行わずに実行できることは当業者には明らかであろう。この場合、清浄化は、使用される冷陰極電界エミッタのタイプに応じて事前に定めることができる固定間隔で行われる。
【００７１】
　長期の時間期間の後、図５において大きな矢印で示されたビルドアップ処理２８を行い、エミッタ先端の緩慢に進む変形を補償することができる。」
（２）「【図１】
【図２】
【図５】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）に基づく電子ビーム照射デバイスであって、
　ＳＥＭの電子照射銃は、Ｕ字形に曲げられたタングステンワイヤ１を含み、タングステンワイヤ１の曲げ部分には、極めて細い尖端又は先端（エミッタ表面）５に形成された、［３１０］配向を有する非被覆単結晶タングステンであるタングステン結晶４が溶接され、タングステン結晶は冷陰極電界エミッタ２を形成し、
　カップ状の抑制電極８が、冷陰極電界エミッタ、及び特にタングステン結晶４を囲んでおり、その中心には、抑制電極８が開口７を含み、タングステン結晶４がここを通って部分的に延び、先端５が抑制電極８を下側に突出しており、
　引き出しアノード６が、抑制電極８及びエミッタ先端５に離間した関係で光学軸９に沿って配置されていて、通常動作中は、引き出し電圧が引き出しアノード６と冷陰極電界エミッタ２との間に印加され、引き出しアノード６が冷陰極電界エミッタ２に対して正のポテンシャルを有するようにされ、
　尖鋭先端５によって、電界は先端５で大きく湾曲され、該先端近傍において高い引き出し電界強度を生じさせ、他方、抑制電極８は冷陰極電界エミッタ２に対して負のポテンシャルを有し、先端を除く冷陰極電界エミッタ及びタングステンワイヤの一部を引き出し電界から遮蔽し、印加された抑制電圧によって発生する抑制電界は、実質的に引き出し電界を弱め、先端のみが引き出し電界に暴露されるようになり、
　引き出し電界を印加することによって、冷陰極電界エミッタは、電子ビームが発生し、調査される試料に配向され、
 タングステンワイヤ１は、加熱電流コントローラ１６によって制御される加熱電流源１２に接続されていて、加熱電流コントローラ１６は、加熱パルスの長さ、振幅、及び幅を定め、
　冷陰極電界エミッタ２は、ＳＥＭの他の部分と共に高真空チャンバ１０内に配置され、真空は、６．６５×１０−９Ｐａ（５×１０−１１Ｔｏｒｒ）よりも良好な範囲内であり、
　加熱パルスは、清浄化処理（２４）中に冷陰極電界エミッタに印加され、エミッタ表面を約２２００Ｋから２５００Ｋの最高温度にまで加熱し、
　清浄化処理（２４）は、エミッタ表面を清浄に保つために必要とされるたびに繰返され、清浄化処理は、照射電流が事前に選択された最小値ＩＣまで低下した時に要求に基づいて開始し、最小値ＩＣはαＩ０として定義され、αは約０．９又はこれよりも大きく、例えば０．９５、０．９６、０．９７、０．９８、或いは特に０．９９である、
　電子ビーム照射デバイス。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「［３１０］配向を有する非被覆単結晶タングステンであるタングステン結晶４」及び「冷陰極電界エミッタ２」が、それぞれ、本願発明の「＜３１０＞方位の単結晶タングステン線」及び「電界放射電子源」に相当するから、引用発明の「極めて細い尖端又は先端（エミッタ表面）５に形成された、［３１０］配向を有する非被覆単結晶タングステンであるタングステン結晶４が溶接され、タングステン結晶は冷陰極電界エミッタ２を形成」することは、本願発明の「先端を先鋭化させた＜３１０＞方位の単結晶タングステン線を有する電界放射電子源と」「を備え」ることに相当する。
（ｂ）引用発明の「引き出しアノード６が、抑制電極８及びエミッタ先端５に離間した関係で光学軸９に沿って配置されていて、通常動作中は、引き出し電圧が引き出しアノード６と冷陰極電界エミッタ２との間に印加され、引き出しアノード６が冷陰極電界エミッタ２に対して正のポテンシャルを有するようにされ」ることは、本願発明の「前記電界放射電子源に電界を印加する電極とを備える」ことに相当する。
（ｃ）引用発明の「高真空チャンバ１０」が真空排気部を有することは技術常識であるから、引用発明の「冷陰極電界エミッタ２は、ＳＥＭの他の部分と共に高真空チャンバ１０内に配置され、真空は、６．６５×１０−９Ｐａ（５×１０−１１Ｔｏｒｒ）よりも良好な範囲内である」ことは、本願発明の「前記電界放射電子源のまわりの圧力を１×１０−８Ｐａ以下に維持する真空排気部と」「を有」することに相当する。
（ｄ）引用発明では、「尖鋭先端５によって、電界は先端５で大きく湾曲され、該先端近傍において高い引き出し電界強度を生じさせ、他方、抑制電極８は冷陰極電界エミッタ２に対して負のポテンシャルを有し、先端を除く冷陰極電界エミッタ及びタングステンワイヤの一部を引き出し電界から遮蔽し、印加された抑制電圧によって発生する抑制電界は、実質的に引き出し電界を弱め、
先端のみが引き出し電界に暴露される
　また、本願発明の「電界放射電子源の表面中央」が「電界放射電子源」の先端にあることは明らかである。
　すると、引用発明の
「尖鋭先端５によって、電界は先端５で大きく湾曲され、該先端近傍において高い引き出し電界強度を生じさせ、他方、抑制電極８は冷陰極電界エミッタ２に対して負のポテンシャルを有し、先端を除く冷陰極電界エミッタ及びタングステンワイヤの一部を引き出し電界から遮蔽し、印加された抑制電圧によって発生する抑制電界は、実質的に引き出し電界を弱め、先端のみが引き出し電界に暴露されるようになり、
　引き出し電界を印加することによって、冷陰極電界エミッタは、電子ビームが発生し、調査される試料に配向され」ることと、本願発明の「前記電界放射電子源の電子線のうち、前記電界放射電子源の表面中央の＜３１０＞面から放射させた電子線を用い」は、「前記電界放射電子源の電子線のうち、前記電界放射電子源の先端から放射させた電子線を用い」ることで一致する。
（ｅ）引用発明の「清浄化処理（２４）」、「加熱電流源１２」、「加熱電流コントローラ１６」及び「最小値ＩＣ」は、それぞれ、本願発明の「フラッシング」、「フラッシング電源」、「フラッシング電源を制御する制御器」及び「所定の値」に相当する。
　また、引用発明では、「清浄化処理は、照射電流が事前に選択された最小値ＩＣまで低下した時に要求に基づいて開始」するのであるから、引用発明が「照射電流」を検出する検出部を有することは自明である。
　すると、引用発明の
「タングステンワイヤ１は、加熱電流コントローラ１６によって制御される加熱電流源１２に接続されていて、加熱電流コントローラ１６は、加熱パルスの長さ、振幅、及び幅を定め、
　冷陰極電界エミッタ２は、ＳＥＭの他の部分と共に高真空チャンバ１０内に配置され、真空は、６．６５×１０−９Ｐａ（５×１０−１１Ｔｏｒｒ）よりも良好な範囲内であり、
　加熱パルスは、清浄化処理（２４）中に冷陰極電界エミッタに印加され、エミッタ表面を約２２００Ｋから２５００Ｋの最高温度にまで加熱し、
　清浄化処理（２４）は、エミッタ表面を清浄に保つために必要とされるたびに繰返され、清浄化処理は、照射電流が事前に選択された最小値ＩＣまで低下した時に要求に基づいて開始し、最小値ＩＣはαＩ０として定義され、αは約０．９又はこれよりも大きく、例えば０．９５、０．９６、０．９７、０．９８、或いは特に０．９９である」ことは、本願発明の
「前記電界放射電子源を加熱するフラッシング電源と、前記フラッシング電源を制御する制御器と、前記電界放射電子源から放射させた電子線の電流の検出部とを有し、」
「前記制御器に制御された前記フラッシング電源により前記電界放射電子源を繰り返し加熱し、前記検出部の出力を用いて前記電界放射電子源から放射される前記電子線の電流を所定の値以上に維持」することに相当する。
（ｆ）引用発明の「電子ビーム照射デバイス」が、本願発明の「荷電粒子線装置」に相当する。
（２）一致点
　以上のことから、両者は、
「先端を先鋭化させた＜３１０＞方位の単結晶タングステン線を有する電界放射電子源と、前記電界放射電子源に電界を印加する電極とを備える荷電粒子線装置であって、
　前記電界放射電子源のまわりの圧力を１×１０−８Ｐａ以下に維持する真空排気部と、前記電界放射電子源を加熱するフラッシング電源と、前記フラッシング電源を制御する制御器と、前記電界放射電子源から放射させた電子線の電流の検出部とを有し、前記電界放射電子源の電子線のうち、前記電界放射電子源の先端から放射させた電子線を用い、
　前記制御器に制御された前記フラッシング電源により前記電界放射電子源を繰り返し加熱し、前記検出部の出力を用いて前記電界放射電子源から放射される前記電子線の電流を所定の値以上に維持する、
　荷電粒子線装置。」で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
ア　本願発明では、「電界放射電子源の表面中央の＜３１０＞面から放射させた電子線を用い」るのに対して、引用発明では、「［３１０］配向を有する非被覆単結晶タングステンであるタングステン結晶４」で形成された「冷陰極電界エミッタ」の「尖鋭先端５」のみから発生する「電子ビーム」を使用するものであるが、「冷陰極電界エミッタ」の「尖鋭先端５」が＜３１０＞面であるか否かが明らかでない点。
イ　本願発明では、「前記制御器が前記電界放射電子源のフラッシングを任意のタイミングで行うか否かを選択する操作器を更に備え、前記任意のタイミングで実行される前記フラッシングの強度を選択できる」のに対して、引用発明では、そのような構成を有さない点。
４　判断
（１）相違点アについて
　特開２００２−２１６６８６号公報（当審で通知した拒絶の理由に引用された文献）には、【従来技術】の欄に、「
先端を鋭く尖らせた針状電極に強電界を印加して電子線を発生させる電界放射型電子源
電子源から放射した電子線のうち、中心付近の放射電子のみを選択して使用する
針状電極の材料として軸方位＜３１０＞のタングステン（以下、Ｗと表記する）単結晶を用いた電界放射型電子源
針状電極１の先端に形成されているＷ（３１０）面から電子放射を得ることが出来る。電子源から放射される電子線光軸１０５は通常、針状電極中心軸１０４に一致する。
　また、審判請求人も、平成２７年１２月７日付け意見書（以下、単に「意見書」という。）の「２−２）」「（２）」で、「請求項１における、「前記電界放射電子源の電子線のうち、前記電界放射電子源の表面中央の＜３１０＞面から放射させた電子線を用い」につきましては、本願明細書の段落[００３２]に基づき下線部分を補正致しました。また、「先端を先鋭化させた＜３１０＞方位の単結晶タングステン線を有する電界放射電子源」の「表面中央に＜３１０＞面」となることは、例えば”E. W. Muller, Journal of Applied Physics, 26, 732 (1955)”のp.734右項の上から２２行目に記載があります。すなわち、「All our tip have the (011) direction on the axis」と書かれており、Fig.2には（０１１）面を中心としたエミッションパターンが示されており、結晶方位の値と放射面の中心面が対応することを表しております。」と記載しており、結晶方位の値と放射面の中心面が対応すると説明している。
　すると、引用発明の「［３１０］配向を有する非被覆単結晶タングステンであるタングステン結晶４」で形成された「冷陰極電界エミッタ」の「尖鋭先端５」の表面中央が（３１０）面であることは当業者には自明であるから、引用発明における、「［３１０］配向を有する非被覆単結晶タングステンであるタングステン結晶４」で形成された「冷陰極電界エミッタ」の「尖鋭先端５」のみから「電子ビーム」が発生すること、すなわち、「尖鋭先端５」の表面中央の（３１０）面から「電子ビーム」が発生することは、本願発明の「電界放射電子源の表面中央の＜３１０＞面から放射させた電子線を用い」ることに相当する。
　したがって、相違点アは、実質的な相違点ではない。
（２）相違点イについて
　一般に、機器の調整において、自動で調整することに加えて、操作者が手動で調整できるようにすることは、引用文献を挙げるまでもなく、周知技術であるから、引用発明において、「清浄化処理は、照射電流が事前に選択された最小値ＩＣまで低下した時に要求に基づいて開始」する構成に加えて、操作者が手動で調整できるようにすることは、当業者が適宜なし得ることである。
（３）効果について
　審判請求人は、意見書の「２−３）」「（１）」で、
「本願の請求項１は、上記の構成要件を有することで、出願時点において知られていなかった新規な電流領域である、高輝度安定領域を利用できるようになりました（[００２８]乃至[００３１]、及び図４）。すなわち、本願発明者は、電子源表面中央の＜３１０＞面の局所的な電子線において、エミッションパターンを取得し、中心部分ではガス吸着が起こらず、やがて中心部の吸着が始まるまでには時間差があることを実験的に見出しました（［００３２］及び図５）。
　次に、引用文献１について説明いたします。引用文献１は、ＦＥ銃の電流を自動で一定の大きさ以上に保ち続ける方法であり、照射電流が急激に減衰する減衰領域にて断続的にフラッシングする発明です（同明細書の段落[００１０]、及び図４等）。」
と記載して、本願発明は「高輝度安定領域」を有するが、引用発明は「高輝度安定領域」を有さない旨主張する。
　しかし、上述のとおり、本願発明と引用発明は、相違点イ以外で一致するところ、なぜ、本願発明は「高輝度安定領域」を有し、引用発明は「高輝度安定領域」を有さないかが不明であるし、また、本願の明細書には実験例などの記載もなく、さらに、本願の明細書段落【００４９】の「本実施例では電子源に＜３１０＞結晶方位のタングステンを用いたが、その他の結晶方位、例えば＜１１１＞などの低仕事関数面でも同様の効果を得ることが出来る。また同じ電界放射を用いる電子源でも同様の効果を得ることができ、電子源にＬａＢ６、カーボン繊維などの異なる材料を用いても良い。」という記載も勘案すると、本願発明により、上記「出願時点において知られていなかった新規な電流領域である、高輝度安定領域を利用できるようになりました」という効果を奏し得ることが確認できない。
　すると、本願発明が奏し得る効果は、引用発明が既に奏し得ていた効果であるか、または、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって、格別なものではない。
（４）結論
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。