【事件の表示】
　特願２０１３−２５３４４２「有機発光ディスプレイ装置および有機発光ディスプレイ装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月　６日出願公開、特開２０１４−　４１８４８、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年８月２日（パリ条約による優先権主張　平成２１年８月１０日，韓国）に出願した特願２０１０−１７３７５２号（以下「原出願」という。）の一部を平成２５年１２月６日に新たな特許出願としたものであって，平成２６年８月８日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出され，平成２７年２月５日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年６月５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１−１０に係る発明は，平成２６年１１月１８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「基板上に複数のＴＦＴを形成する工程と，
　前記ＴＦＴに電気的に接続された複数の画素電極を形成する工程と，
　前記画素電極上に配置された少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程と，
　前記基板の全面にわたって配置された，前記中間層上に配置された対向電極を形成する工程と，
　前記画素電極，前記中間層，および前記対向電極を備える有機発光部の前記画素電極の間に対応して前記対向電極上に直接配置された対向電極バスラインをエアロゾルジェットプリンティング法を利用して形成する工程と，
　前記対向電極バスラインの上面および側面を覆うブラックマトリックスをエアロゾルジェットプリンティング法を利用して形成する工程と，
　を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法。」　
第３　原査定の理由の概要
　本願発明は，原出願の出願前（以下，単に「本願の出願前」という。）に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物及び周知技術に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物：特開２００２−３５２９６３号公報
　　　　
　導電パターン，絶縁層のパターンの形成方法としてエアロゾルジェットプリンティング法を用いることは周知であるから，刊行物に記載の発明に，これら周知の事項のエアロゾルジェットプリンティング法を適用することは，当業者が容易に想到し得たものである。
　　
第４　当審の判断
１　刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布された刊行物には，以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。）
（1）「【請求項１】  第１電極と光透過性材料からなる第２電極との間に発光層を挟持した状態で基板上に配列された発光素子と，前記第２電極に接続された状態で前記発光素子間に配置された補助電極とを備えた表示装置において，
前記補助電極の表面が，光吸収層で覆われていることを特徴とする表示装置。」
（2）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し，特には画素間に補助電極を設けてなる表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】自発光型の素子（以下，発光素子と記す）である有機エレクトロルミネッセンス(electroluminescence：以下ＥＬと記す）素子は，カソード電極またはアノード電極となる下部電極と上部電極との間に，有機発光層を含む有機ＥＬ膜を挟持してなり，低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
このような発光素子を用いた表示装置
有機ＥＬディスプレイ
【０００４】ここで，上面発光型の表示装置では，光透過性材料によって上部電極が形成されることになるが，このような材料は抵抗値が大きいため上部電極内において電圧勾配が発生して電圧降下が生じ易い。そこで，各発光素子が設けられた画素間に，上部電極に接続させる状態で補助電極を設け，これによって発光強度の低下を抑えている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが，上述した構成の表示装置のように，補助配線を設けた表示装置においては，この補助配線が上部電極を透過して表示面側から見えることになる。通常，補助電極は，アルミニウムのような低抵抗材料で形成されており，外光反射が大きい。このため，上部電極側からの外光が補助配線で反射し，表示装置のコントラストを低下させる要因になっている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は，第１電極と光透過性材料からなる第２電極との間に発光層を挟持した状態で基板上に配列された発光素子と，第２電極に接続された状態でこれらの発光素子間に配置された補助電極とを備えた表示装置において，補助電極の表面に光吸収層を設けたことを特徴としている。
【０００７】このような構成の表示装置においては，光透過性材料からなる第２電極側から発光層側に入射される外光のうち，発光素子間に入射される外光は，補助配線の表面に設けられた光吸収層によって吸収される。したがって，発光層で生じた発光光を光透過性材料からなる第２電極側から取り出して表示する際に，発光素子間に設けられた補助配線での外光反射によるコントラストの低下が防止される。」
（3）「【０００９】表示装置の構成
図１は，本実施形態における表示装置の構成を説明するための断面図である。この図に示す表示装置は，例えばガラス基板からなる基板１上の各画素に対応させて，薄膜トランジスタ（thin film transistor：以下ＴＦＴと記す）２が配列形成されている。尚，ここで例示した表示装置は上面発光型であるため，基板１は光透過性を有する材料である必要はなく，ガラス基板以外の他の基板（例えばシリコン基板等）を用いても良く，この基板の表面層に駆動用のトランジスタを配列形成しても良い。
【００１０】また基板１上には，ＴＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３が設けられ，この絶縁膜３に形成した接続孔（図示省略）を介してＴＦＴ２に接続させた配線４が，絶縁膜３上に設けられている。
【００１１】この絶縁膜３上には，配線４を覆う状態で層間絶縁膜５が表面平坦に形成されている。この層間絶縁膜５には，配線４に達する接続孔６が設けられている。そして，この
接続孔６を介して配線４に接続された第１電極７
各画素に対応させてパターン形成されている
・・・（中略）・・・
【００１２】また，層間絶縁膜５上には，第１電極７の周縁を覆う状態で絶縁層８が設けられている。この絶縁膜８は，例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）などからなり，第１電極７の表面のみを露出させるようにパターニングされた開口部８ａを備えている。尚，この開口部８ａがこの表示装置における発光素子部分となる。
【００１３】この絶縁膜８上には，アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）のような導電性の高い材料からなる補助電極９が設けられている。この補助電極９は，次に説明する第２電極の導電性を補助するためのもので，絶縁膜８上に設けられたことによって第１電極７との間の絶縁性が保たれていることとする。
【００１４】そして特に，補助配線９の表面には，絶縁膜８の開口部８ａを狭めることのないように，補助配線９を覆う状態で光吸収層１０が設けられている。この光吸収層１０は，絶縁膜８上に設けられた補助電極９の少なくとも上部表面を覆う状態で設けられ，より好ましくは図示したように補助電極９の露出表面を完全に覆う状態で設けられていることとする。
【００１５】このような光吸収層１０は，導電性材料や樹脂材料を用いて構成されていることとする。
【００１６】導電性材料を用いて構成された光吸収層１０としては，酸化クロム（ＣｒＯ2）膜を用いた構成を例示することができる。この場合，酸化クロム膜を単層で用いても良く，さらに好ましくは酸化クロム膜の下地としてクロム膜を配置し，クロム膜と酸化クロム膜との２層構造としても良い。この場合の一例として，クロム膜５０ｎｍ，酸化クロム膜１５０ｎｍに設定される。
【００１７】このような導電性材料を用いて光吸収層１０を構成した場合，この光吸収層１０も，補助電極９の一部を構成するものとなる。また，光吸収層１０の構成をクロム膜とその上部の酸化クロム膜との２層構造にした場合には，酸化クロム単層の場合よりもさらに高い光吸収効果を得ることができる。
【００１８】また，樹脂材料を用いて構成された光吸収層１０としては，感光性ポリイミド膜を用いた構成を例示することができる。この場合，例えば黒色顔料を分散させた感光性ポリイミド膜を単層で用いても良く，さらに好ましくは感光性ポリイミド膜の下地としてクロム膜を配置し，クロム膜と感光性ポリイミド膜との２層構造としても良い。この場合の一例として，クロム膜５０ｎｍ，感光性ポリイミド膜２．０μｍに設定される。このように，光吸収層１０の構成をクロム膜とその上部の樹脂材料層との２層構造にした場合には，樹脂材料層単層の場合よりもさらに高い光吸収効果を得ることができる。
【００１９】尚，光吸収層１０として樹脂材料を用いる場合であって，この光吸収層１０によって完全に補助電極９の露出面が覆われる場合，樹脂材料膜には，数画素に１個所程度の割合で補助電極９に達する接続孔（図示省略）を設け，この接続孔を介して次に説明する第２電極と補助配線９との接続状態を確保する。この接続孔の形成位置は，特に限定されることはないが，この表示装置の画質に対する影響がより小さい位置とすることが好ましい。
【００２０】一方，絶縁膜８の各開口部８ａ内の第１電極７上には，第１電極７を隙間なく覆う状態で有機ＥＬ層１１がパターン形成されている。この有機ＥＬ層１１は，少なくとも有機発光層を有するものであり，必要に応じて正孔注入層や正孔輸送層などの単層または積層膜と，電子輸送層や電子注入層などの単層または積層膜間に，有機発光層を挟持させた層であることとする。
・・・（中略）・・・
【００２１】そして，以上のように設けられた補助電極９，光吸収層１０および有機ＥＬ層１１を覆う状態で，第２電極１２が設けられている。この第２電極１２は，各画素に共通の電極として，基板１上に一枚の層として設けられていることとする。この第２電極は，第１電極７が陽極である場合には陰極として設けられ，第１電極７が陰極である場合には陽極として設けられる。ただし，この第２電極１２は，光透過性を備えていることとする。ここでは，第２電極１２は，例えばＭｇ−Ａｇ薄膜からなる陰極として設けられていることとする。そして，
第１電極７と有機ＥＬ層１１と，この第２電極１２とが順次積層された各部分が，それぞれ発光素子１３となる。
（4）「【図１】
」
（5）「【００２３】尚ここでは，第２電極１２の下層に補助電極９を設けた構成としたが，第２電極１２の上部または透明導電膜１４の上部に補助電極９を設けた構成であっても良い。このような場合であっても，補助電極９を形成した状態においての露出表面を光吸収層１０で覆う構成は同様である。ただしこの場合において，光吸収層１０として樹脂材料を用いる場合であって，この光吸収層１０によって完全に補助電極９の露出面が覆われた構成であっても，補助電極９はその下面において透明導電膜１４を介して第２電極１２に接続されるため，樹脂材料膜には接続孔（図示省略）を設ける必要はない。
【００２４】以上のような構成の表示装置においては，各有機ＥＬ層１１で生じた発光光が，光透過性材料からなる第２電極１２側から取り出される上面発光型となる。ここで，特にこの表示装置においては，アルミニウムや銀などの導電性が高く，反射率が高い材料からなる補助電極９の表面（第２電極１２側の表面）が，光吸収層１０によって覆われている。このため，透明導電膜１４を介して第２電極１２側から有機ＥＬ層１１側および補助配線９側に入射した外光は，この補助配線９の表面を覆う光吸収層１０によって吸収される。さらに，この補助電極９の下方に配置される配線４などに外光が達することを防止できる。つまり，この光吸収層１０は，発光素子間に設けられたブラックマトリックスとして作用することになる。したがって，有機ＥＬ層１１における発光光を第２電極１２側から取り出して表示する際に，発光素子１３間に設けられた補助配線９での外光反射，さらには補助配線９の下方に配置された配線４での外光反射が抑えられ，コントラストの良好な表示を行うことが可能になる。」
（6）「【００２６】
表示装置の製造方法
・・・（中略）・・・
【００２７】まず，図２（１）に示すように，
基板１上の各画素に，ＴＦＴ２を配列形成する。そして，このＴＦＴ２を覆う状態で絶縁膜３を形成し，この絶縁膜３に形成した接続孔（図示省略）を介してＴＦＴ２に接続させた配線４を，絶縁膜３上に形成する。
【００２８】
次いで，
この配線４を覆う状態で，絶縁膜３上に層間絶縁膜５を表面平坦に形成する。そして，この層間絶縁膜５に，配線４に達する接続孔６を形成する。
【００２９】
次に，
層間絶縁膜５上に第１電極７を形成する。
【００３０】
次に，
各画素に形成された第１電極７の周縁を覆い，第１電極７の表面のみを露出させる形状の絶縁層８を形成する。
【００３１】
次に，
絶縁膜８上に補助電極９を形成する。
導電膜を，例えばＤＣスパッタリング法によって３００ｎｍの膜厚で成膜する。
その後，リソグラフィ技術を用いてこの導電膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて導電膜をエッチング加工することで，補助電極９を得る。
【００３２】以上のようにして補助電極９を形成した後，
この補助電極９の露出面を覆う状態で光吸収層１０を形成する。
クロム膜と酸化クロム膜との２層構造からなる光吸収層１０を形成する
クロム膜をＤＣスパッタリング法によって５０ｎｍの膜厚で成膜する。
このクロム膜上に，酸化クロム膜をＤＣスパッタリング法によって１５０ｎｍの膜厚で成膜する。
【００３３】次いで，
リソグラフィ技術を用いてこの酸化クロム膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて酸化クロム膜およびクロム膜をエッチング加工する
補助電極９の露出面を覆う光吸収層１０を得る。
【００３４】尚，補助電極９の上部のみに光吸収層１０を設けた構成とする場合には，補助電極材料と光吸収層材料とを成膜した後，同一のレジストパターンをマスクに用いてこれらの材料膜をパターンエッチングすることで，補助電極９と光吸収層１０とのを形成する。このようにした場合，マスクの作製工程を増加させることなく光吸収層１０を形成することができる。
【００３５】
次に，
第１電極７上に，発光層を有する有機ＥＬ層１１を形成する
【００３６】そしてまず，第１電極７上に，正孔注入層として４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）を３０ｎｍの膜厚で形成し，次いで正孔輸送層としてビス（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍの膜厚で形成し，さらに電子輸送性発光層として８キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）を５０ｎｍの膜厚で形成する。この際，真空蒸着装置の各抵抗加熱用のボートに，例えば各層材料０．２ｇづつを充填する。そして，真空処理室内を１．０×１０-4 Ｐａまで減圧した後，各ボートに順次電圧を印加して加熱し，連続成膜を行う。
【００３７】
以上の後，
有機ＥＬ層１１，光吸収層１０で覆われた補助電極９などを覆う状態で，基板１上の全面に第２電極１２を形成する。
【００３８】次に，図４（２）に示すように，第２電極１２上の全面に，透明導電膜１４を形成する。この場合，例えばＤＣスパッタリングによって，室温成膜において良好な導電性を示すＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の透明導電膜１４を２００ｎｍの膜厚で形成する。・・・（中略）・・・
【００３９】以上のようにして，図１を用いて説明した表示装置が得られる。また，この透明導電膜１４上には，必要に応じて光透過性材料からなる封止膜を設けたり，さらに光透過性材料からなる対向基板が貼り合わせられることとする。」
（7）「【図２】
」
（8）「【図３】
」
（9）「【図４】
」
（10）「【００４０】表示装置の製造方法−２
次に，図１を用いて説明した表示装置において，光吸収層１０に樹脂材料膜を用いた場合の製造方法を説明する。尚，ここでは，光吸収層１０の成膜工程のみを，図３（１）を用いて説明するが，その他の手順は製造方法−１と同様であることとする。
【００４１】ここでは先ず，補助電極９を形成した後，補助電極９および第１電極７を覆う状態で，基板１上にポジ型の感光性ポリイミド膜を成膜する。この感光性ポリイミド膜は，例えば黒色顔料が分散されていることとする。この際，例えば，基板１の回転数を３２００ｒｐｍ程度に設定したスピンコート法による塗布成膜を行う。そして，成膜後直ちにホットプレート上にて９０℃，１０分間のプリベーク（露光前ベーク）を行う。尚，露光前ベーク後における膜厚が，例えば２．４μｍ程度になるように塗布膜厚が設定されることとする。
【００４２】次に，この感光性ポリイミド膜に対してパターン露光を行う。この際，少なくとも第１電極７上の全面に対して露光光を照射し，補助電極９上には露光光が照射されないようにパターン露光を行う。ただし，数画素に対して１個所の割合で補助電極９上にも露光光を照射する。
【００４３】以上の後，例えば回転式スプレー洗浄装置を用いた現像処理を行うことで，未露光部に感光性ポリイミド膜を残して露光部の感光性ポリイミド膜を除去する。この際，現像液には，ＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide）の２．３８％水溶液（例えば東京応化製ＮＭＤ−３）を用い，３分間の現像処理を行うこととする。これにより，補助電極９を覆うと共に複数画素に１つの割合で補助電極９に達する接続孔（図示省略）を備えた光吸収層１０が形成される。この光吸収層１０は，感光性ポリイミド膜単層で構成される。
【００４４】次いで，感光性ポリイミド膜のポリイミドを環化させるため，本焼成をクリーンベーク炉にて行った。この本焼成は窒素雰囲気中で行われることとし，１７０℃で６０分，その後３５０℃で３０分の２段階の焼成を行う。尚，露光前ベークにおける感光性ポリイミドの膜厚が，２．４μｍ程度であった場合，本焼成後における感光性ポリイミド膜の膜厚は，２．０μｍ程度になる。
【００４５】尚，感光性ポリイミド膜の下地としてクロム膜を設けた光吸収層１０を形成する場合，補助電極９を覆う状態でクロム膜をパターン形成した後，上述した手順によって感光性ポリイミド膜をパターン形成する。または，補助電極材料を成膜した後クロム膜を成膜し，これらの材料膜を同一のレジストパターンをマスクに用いてパターンエッチングした後，上述した手順によって感光性ポリイミド膜をパターン形成しても良い。この場合，補助電極９の上部のみがクロム膜と感光性ポリイミド膜との積層膜からなり，補助電極９の側面部分が感光性ポリイミド膜の単層からなる光吸収層１０が形成されることになる。」
２　引用発明
　そうすると，刊行物の【００２６】段落以降の表示装置の製造方法の一実施形態には，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。（段落番号を併記する。）
「【００２７】基板上の各画素に，ＴＦＴを配列形成し，
　そして，このＴＦＴを覆う状態で絶縁膜を形成し，この絶縁膜に形成した接続孔を介してＴＦＴに接続させた配線を，絶縁膜上に形成し，
【００２８】次いで，この配線を覆う状態で，絶縁膜上に層間絶縁膜を表面平坦に形成し，そして，この層間絶縁膜に，配線に達する接続孔を形成し，
【００２９】次に，層間絶縁膜上に第１電極を形成し，
【００１１】第１電極は，接続孔を介して配線に接続され，各画素に対応させて形成されており，
【００３０】次に，各画素に形成された第１電極の周縁を覆い，第１電極の表面のみを露出させる形状の絶縁層を形成し，
【００３１】次に，導電膜を，ＤＣスパッタリング法によって成膜した後，リソグラフィ技術を用いてこの導電膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて導電膜をエッチング加工することで，絶縁膜上に補助電極を形成し，
【００３２】クロム膜をＤＣスパッタリング法によって成膜し，その後，このクロム膜上に，酸化クロム膜をＤＣスパッタリング法により成膜し，【００３３】リソグラフィ技術を用いてこの酸化クロム膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて酸化クロム膜およびクロム膜をエッチング加工することで，【００３２】補助電極の露出面を覆うクロム膜と酸化クロム膜との２層構造からなる光吸収層を形成し，
【００３５】次に，第１電極上に，発光層を有する有機ＥＬ層を形成し，
【００３７】以上の後，有機ＥＬ層，光吸収層で覆われた補助電極などを覆う状態で，基板上の全面に第２電極を形成することにより，
【００２１】第１電極と有機ＥＬ層と，第２電極とが順次積層された各部分が，それぞれ発光素子となる，
【０００３】有機ＥＬ【００２６】表示装置の製造方法。」
　が記載されている。
３　対比
（1）ＴＦＴの形成工程
　引用発明の「製造方法」は，「基板上の各画素に，ＴＦＴを配列形成」する工程を具備する。引用発明の「基板」及び「ＴＦＴ」は，それぞれ本願発明の「基板」及び「ＴＦＴ」に相当する。
　表示装置には複数の画素が設けられることから，「基板上の各画素」に「ＴＦＴを配列形成」すれば，「複数のＴＦＴを形成」することとなる。
　したがって，引用発明の「基板上の各画素に，ＴＦＴを配列形成」する工程は，本願発明の「基板上に複数のＴＦＴを形成する工程」に相当する。
（2）画素電極の形成工程
　引用発明の「製造方法」は，「ＴＦＴに接続させた配線を，絶縁膜上に形成」する工程，「この配線を覆う状態で，絶縁膜上に層間絶縁膜を表面平坦に形成」する工程，「この層間絶縁膜に，配線に達する接続孔を形成」する工程，「層間絶縁膜上に第１電極を形成」する工程を具備し，「第１電極は，接続孔を介して配線に接続され，各画素に対応させて形成されて」いる。
　引用発明の「第１電極」は，本願発明の「画素電極」に相当する。引用発明において，「第１電極は，接続孔を介して配線に接続され」ており，「配線」は「ＴＦＴに接続」されており，「第１電極」は「ＴＦＴに電気的に接続され」ている。また，「第１電極」は，「各画素に対応させて形成されており」，「複数」形成されていると認められる。
　したがって，引用発明の「ＴＦＴに接続させた配線を，絶縁膜上に形成」する工程，「この配線を覆う状態で，絶縁膜上に層間絶縁膜を表面平坦に形成」する工程，「この層間絶縁膜に，配線に達する接続孔を形成」する工程，「層間絶縁膜上に第１電極を形成」する工程は，本願発明の「ＴＦＴに電気的に接続された複数の画素電極を形成する工程」に相当する。
（3）中間層の形成工程
　引用発明の「製造方法」は，「第１電極上に，発光層を有する有機ＥＬ層を形成」する工程を具備する。
　引用発明の「発光層」及び「有機ＥＬ層」は，それぞれ本願発明の「発光層」及び「中間層」に相当する。
　したがって，引用発明の「第１電極上に，発光層を有する有機ＥＬ層を形成」する工程は，本願発明の「画素電極上に配置された少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程」に相当する。
（4）対向電極の形成工程
　引用発明の「製造方法」は，「有機ＥＬ層，光吸収層で覆われた補助電極などを覆う状態で，基板上の全面に第２電極を形成する」工程を具備する。
　引用発明の「第２電極」は，本願発明の「対向電極」に相当する。
　したがって，引用発明の「有機ＥＬ層，光吸収層で覆われた補助電極などを覆う状態で，基板上の全面に第２電極を形成する」工程は，本願発明の「基板の全面にわたって配置された，前記中間層上に配置された対向電極を形成する工程」に相当する。
（5）対向電極バスラインの形成工程
　引用発明の「製造方法」は，「各画素に形成された第１電極の周縁を覆い，第１電極の表面のみを露出させる形状の絶縁層を形成」する工程，「導電膜を，ＤＣスパッタリング法によって成膜した後，リソグラフィ技術を用いてこの導電膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて導電膜をエッチング加工することで，絶縁膜上に補助電極を形成」する工程を具備する。
　引用発明の「補助電極」は，本願発明の「対向電極バスライン」に相当する。
　引用発明は，「第１電極上に，発光層を有する有機ＥＬ層を形成し」，「有機ＥＬ層，光吸収層で覆われた補助電極などを覆う状態で，基板上の全面に第２電極を形成」して，「第１電極と有機ＥＬ層と，第２電極とが順次積層された各部分が，それぞれ発光素子」となるようにしている。引用発明の「発光素子」は，本願発明の「有機発光部」に相当し，引用発明は，「第１電極上」に「画素電極，前記中間層，および前記対向電極を備える有機発光部」を設けている。
　引用発明は，「各画素に形成された第１電極の周縁を覆い，第１電極の表面のみを露出させる形状の絶縁層を形成し」，「導電膜を，ＤＣスパッタリング法によって成膜した後，リソグラフィ技術を用いてこの導電膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて導電膜をエッチング加工することで，絶縁膜上に補助電極を形成」しており，「第１電極の表面のみを露出させる形状」の「絶縁膜上」に「補助電極を形成」しているため，「画素電極の間に対応して」「補助電極」を設けていると認められる。
　したがって，引用発明の「各画素に形成された第１電極の周縁を覆い，第１電極の表面のみを露出させる形状の絶縁層を形成」する工程，「導電膜を，ＤＣスパッタリング法によって成膜した後，リソグラフィ技術を用いてこの導電膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて導電膜をエッチング加工することで，絶縁膜上に補助電極を形成」する工程と，本願発明の「対向電極バスライン」を「形成する工程」は，補助電極を「画素電極，前記中間層，および前記対向電極を備える有機発光部の前記画素電極の間に対応して」設ける点で共通している。
（6）ブラックマトリクスの形成工程
　引用発明の「製造方法」は，「クロム膜をＤＣスパッタリング法によって成膜し，その後，このクロム膜上に，酸化クロム膜をＤＣスパッタリング法により成膜し，リソグラフィ技術を用いてこの酸化クロム膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて酸化クロム膜およびクロム膜をエッチング加工することで，補助電極の露出面を覆うクロム膜と酸化クロム膜との２層構造からなる光吸収層を形成」する工程を具備する。
　引用発明の「光吸収層」は，本願発明の「ブラックマトリクス」に相当する。引用発明の「光吸収層」は，「補助電極の露出面を覆う」ように形成されており，「絶縁膜上」に設けられる「補助電極」の露出面は上面および側面であるため，「対向電極バスラインの上面および側面を覆」っていると認められる。
　したがって，引用発明の「クロム膜をＤＣスパッタリング法によって成膜し，その後，このクロム膜上に，酸化クロム膜をＤＣスパッタリング法により成膜し，リソグラフィ技術を用いてこの酸化クロム膜上にレジストパターンを形成し，これをマスクに用いて酸化クロム膜およびクロム膜をエッチング加工することで，補助電極の露出面を覆うクロム膜と酸化クロム膜との２層構造からなる光吸収層を形成」する工程と，本願発明の「ブラックマトリクス」を形成する工程は，「対向電極バスラインの上面および側面を覆うブラックマトリックス」を形成する点で共通している。
（7）有機発光ディスプレイ装置の製造方法
　引用発明の「製造方法」は，「有機ＥＬ表示装置の製造方法」に関するものである。引用発明の「有機ＥＬ表示装置」は，本願発明の「有機発光ディスプレイ装置」に相当する。
　したがって，引用発明の「製造方法」は，本願発明の「製造方法」と，上記（1）乃至（6）に記載の共通点を有する各工程を具備する点で共通する。
　したがって，本願発明と引用発明とは
「基板上に複数のＴＦＴを形成する工程と，
　前記ＴＦＴに電気的に接続された複数の画素電極を形成する工程と，
　前記画素電極上に配置された少なくとも発光層を備える中間層を形成する工程と，
　前記基板の全面にわたって配置された，前記中間層上に配置された対向電極を形成する工程と，
　前記画素電極，前記中間層，および前記対向電極を備える有機発光部の前記画素電極の間に対応して配置された対向電極バスラインを形成する工程と，
　前記対向電極バスラインの上面および側面を覆うブラックマトリックスを形成する工程と，
　を含む有機発光ディスプレイ装置の製造方法。」
の点で一致している。
　他方，本願発明と引用発明は，以下の点で相違する。
相違点１：本願発明において，「対向電極バスライン」は「対向電極上に直接配置され」るのに対し，引用発明の「補助電極」は，第２電極「上に直接配置され」ない（補助電極上に第２電極が形成される）点。
相違点２：本願発明において，「対向電極バスライン」及び「対向電極バスラインの上面および側面を覆うブラックマトリックス」は，「エアロゾルジェットプリンティング法を利用して形成」されるのに対し，引用発明には，補助電極，光吸収層を「エアロゾルジェットプリンティング法を利用して形成」することについて明記されていない点。
４　判断
　上記相違点２について検討する。
　引用発明においては，リソグラフィ技術などを用いて補助電極，光吸収層のパターンを形成しており，刊行物には，補助電極，光吸収層を共に「エアロゾルジェットプリンティング法を利用して形成」することについて記載も示唆も無く，「エアロゾルジェットプリンティング法」を利用することにより「エアロゾルジェット積層ヘッドと基板との間のアライメントが若干ずれても，画素に不良が発生するとしても一部の画素の不良のみにその発生を抑制することができる。そのため，全体的なディスプレイ装置としての平均的な品質を維持することができ，エアロゾルジェットプリンティング法は非接触式工程であるため有機発光層および中間層の損傷を減らすことができる。さらに，線幅調整の自由度が高くなるため，対向電極バスラインおよびブラックマトリックスは微細線幅に形成できる」（段落【００５６】）という効果も記載されていない。さらに，その他の引用文献等を参照しても，それらの事項が開示されていない。
　したがって，引用発明において，補助電極，光吸収層のパターンを「エアロゾルジェットプリンティング法を利用して形成」することについて動機づけがない。また，その結果として，本願発明は，上記の効果を有しており，これらの効果は当業者といえども，技術常識や刊行物の記載全体を勘案しても，容易に想到し得たものともいえない。
　したがって，本願発明は，相違点１について検討するまでもなく，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願の請求項２−１０に係る発明は，本願発明をさらに限定したものであるので，本願発明と同様に，当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
第５　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１−１０に係る発明は，当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものではないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。