【事件の表示】
　特願２００９−２３４３３７「磁気再生ヘッドおよびその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月２２日出願公開、特開２０１０−　９２５７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年１０月８日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２０年１０月８日　米国（ＵＳ））を出願日とする出願であって、平成２５年８月２１日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２６年１月３１日付けで手続補正がなされたが、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成２６年１月３１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１０に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１０】
　基体上に、
　第１の磁気フリー層と、非磁性層と、第２の磁気フリー層とが順に積層された積層体と、
　前記積層体から所定距離を隔てて配置された永久磁石層と
　を備え、
　前記積層体は、下記の条件式（１）を満たす矩形状の平面形状を有し、
　前記第１の磁気フリー層と前記第２の磁気フリー層との強磁性結合の強度は２００×１０3／４π［Ａ／ｍ］以下であり、かつ、前記第１の磁気フリー層と前記第２の磁気フリー層との相互間に反強磁性結合が生じている
　ことを特徴とする磁気再生ヘッド。
　１／３≦（ＳＨ／ＴＷ）≦２／３　……（１）
但し、
ＳＨ：ＭＲハイト
ＴＷ：トラック幅方向の長さ
とする。」
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−２１２５１７号公報（以下「引用例１」という。）には、「バイアスされた巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）要素を有する小型の読出／書込磁気ヘッド、その製造方法、及びそれによるフラックス遷移検出方法」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関し、特に、誘導書込（ライト）ヘッドと
磁気抵抗（ＭＲ）読出（リード）ヘッド
イ．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】米国特許第5,446,613 号の小型ＭＲヘッドは、非常に利点が多いが、更に改良した。特に、
読出（リード）雑音が低減でき、ＧＭＲ応答の線型性と利得（ゲイン）が以下に開示するように改善されることが分かった。
ウ．「【００１２】本発明に基づく製造方法は、（ａ）基板の設定工程と、
（ｂ）基板上への磁気抵抗要素の配置工程と、（ｃ）磁気抵抗要素に隣接して、磁気抵抗要素に磁気バイアスを印加するためのバイアス要素（エレメント）を基板上に配置
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、付属の図面を参照してより詳しく説明される。図１は、本発明に基づくヘッド構造１００とヘッド１００に隣接した磁気媒体５０の断面図である。参考のため、
上方に延びるＺ軸と右方に延びるＸ軸とを有するデカルト座標格子が参照番号３０で示される。Ｙ軸は図１の平面から内側に、Ｚ軸とＸ軸に垂直に延びている。
【００１４】
磁気媒体５０は、その表面上に規定された複数の＋Ｚ方向又は−Ｚ方向のいずれかに向いた初期方位フラックス領域を有する。
【００１５】
磁気媒体５０はヘッド構造１００に対してＺ（＋Ｚ又は−Ｚ）方向に沿って移動する。ヘッド構造１００は、Ｘ方向に空気力学的に規定される浮上高さＨだけ磁気媒体５０から離れる。
エ．「【００２０】巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）要素１２３は、第１の接触要素１２２上に形成される。
ＧＭＲ要素１２３は、例えば、コバルト（Ｃｏ）及び銅（Ｃｕ）のような磁気的に導通と非導通である材料の約２０オングストロームの厚さの非常に薄い層を交互に重ねた複数の層を配置することにより形成される。
オ．「【００３６】左／右側方エッジ副領域５１２、５１４、５２２及び５２４における領域の磁気方位は、断片図Ｓ−５５１では、対応する（下を指している）媒体の励起場５５１の磁気方位に沿って配置されている。
上エッジ副領域５１３と５２３における領域の磁気方位は、ＧＭＲ層の反強磁性特性のために逆の左と右を指すように配位される。
カ．「【００４９】図３から図５は、ＧＭＲ要素がバイアス要素１８０によってバイアスされる場合の１組の図である。
図３は、媒体励起場が十分に下を示す場合（断片図Ｓ−２５１）と、媒体励起場が中立の場合（断片図Ｓ−２５３）と、媒体励起場が十分に上を示す場合（断片図Ｓ−２５７）の磁気方位を示す。下方向を示す矢印２８１は、バイアス場を示す。バイアス場は、中立の外部励起状態（Ｓ−２５３）においては、主（中央）磁気方位が他の上に重なる時には「はさみ」状の形状を規定するようになっている。
キ．「【００５１】図１９、図２０、図４、及び図５に示した結果は、完全な余弦（Ｃｏｓ）関数曲線ではないが、コンピュータシミュレーションの結果であると理解される。シミュレーションの条件においては、
３層のＧＭＲ要素は、磁気／導電／磁気の３層から構成され、それぞれ厚さが２ナノメータ（２ｎｍ）で、Ｙ方向の幅が０．５μｍで、Ｘ方向の長さが０．２５μｍである。
ク．「【００６２】
装置が磁気記録（書込）のために使用されなかったり、磁気書込場が中立化できないほど強度が十分に弱い場合には、永久磁石（図示せず）が交換層３０７とバイアス層３０９の組み合わせの代わりに使用される。
【００６３】交換層３０７が電気的に導通の材料で作られており、バイアス層３０９が絶縁材料で作られている時、図８の第１の絶縁層３０５と図１１の以下に説明する第２の絶縁層３１３の一方又は両方の蒸着を除くことも効果がある。しかし、
両方の絶縁層３０５と３１３は、図１の電流がバイアス要素１８０を通って漏れないことを最大限保証できるように、設ける方がよい。
ケ．「【００７２】
【発明の効果】
本発明により、高い信頼性で読み取ることが可能で、相対的に小さい励起場でも高い利得で読み取ることが可能で、線型性のよい応答が得られる小型の読出／書込ヘッドが実現できる。
・上記イ及びケによれば、読出雑音を低減するとともにＧＭＲ応答の線型性と利得を改善した小型ＭＲヘッドを提供することを課題としている。
・上記ア、ウ（段落【００１２】）及び図１によれば、磁気抵抗読出ヘッドは、基板１１０上に、ＧＭＲ要素１２３とバイアス要素１８０を備えることが記載されている。
・上記エによれば、ＧＭＲ要素１２３は、コバルトのような磁気的に導通の材料（すなわち、磁性材料）と銅のような磁気的に非導通の材料（すなわち、非磁性材料）を交互に重ねた複数の層を配置することにより形成され、さらに、上記キによれば、磁性層、非磁性層、磁性層をこの順に配置した３層構成のＧＭＲ要素１２３を採用することが記載されている。ここで、上記カによれば、前記磁性層は媒体励起場に依存して磁気方位が変化する層であることが記載されている。
・上記オによれば、３層構成のＧＭＲ要素１２３の２つの磁性層の間に反強磁性結合が生じている。
・上記ク及び図１６によれば、ＧＭＲ要素１２３とバイアス要素１８０との間に絶縁層３０５を配置すること、バイアス要素１８０として永久磁石を用いることが記載されている。
・上記ウ（段落【００１３】−【００１５】）及びキによれば、ＧＭＲ要素１２３は、トラック幅方向であるＹ方向の幅を０．５μｍ、高さ方向であるＸ方向の長さを０．２５μｍとすることが記載されている。よって、ＧＭＲ要素１２３は、幅０．５μｍ、高さ０．２５μｍの矩形状の平面形状を有しており、また、トラック幅方向に対する高さ方向の比率は０．２５÷０．５＝１／２である。
　したがって、引用例１には、読出雑音を低減するとともにＧＭＲ応答の線型性と利得を改善した小型ＭＲヘッドを提供することを課題とする、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板１１０上に、
　磁性層、非磁性層、磁性層が順に積層されたＧＭＲ要素１２３と、
　ＧＭＲ要素１２３から絶縁層３０５を隔てて配置された永久磁石と、
　を備え、
　ＧＭＲ要素１２３は、トラック幅方向の長さに対する高さ方向の比率が１／２である矩形状の平面形状を有し、
　前記磁性層の相互間に反強磁性結合が生じており、
　媒体励起場に依存して前記磁性層の磁気方位が変化する
　ことを特徴とする磁気抵抗読出ヘッド。」
　また、特開２００３−２８９１３３号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気メモリ素子、そのメモリ素子を含む集積回路または磁気メモリ装置、その集積回路または磁気メモリ装置を組み込んだ電子機器」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。
コ．「【００１５】さて、ＭＲＡＭの実用化には、様々な課題をクリアしなければならない。たとえば、多ビット化は当然の帰結であり、１それには各ビットの特性のバラツキを抑えなければならないし、さらには、２充分に大きなピン止め磁界を得て情報の記憶を確実にすることも求められる。
【００１６】１について説明する。ＭＴＪ３における書き込み時の磁界応答性を悪化させる基本的な磁気特性の一つに、
強磁性固定層１２と強磁性自由層１４の間に働く“層間結合磁界”（以下「Ｈｆ」という）
Ｈｆは本来不要な存在である。しかし、Ｈｆは、非磁性スペーサ層１３と両磁性層（強磁性固定層１２、強磁性自由層１４）との間の界面粗さ（ラフネス）に依存して発生する性質を持っているため、代表的な成膜技術（スパッタリングや蒸着あるいはエピタキシャル成長法など）では、その膜の表面を絶対的に平坦化することができないから、ある程度のＨｆの発生は避けられない。
【００１７】
Ｈｆによる不要な磁気結合のことを、トポロジカル結合またはネールのオレンジピール結合などともいう。Ｈｆは、界面に生じた微細な凹凸の一つ一つを小さな磁極とし、それらの微小磁極から生じる磁界を合成したものと説明することができる。Ｈｆの存在は、情報記憶のための磁気抵抗効果に悪影響を与える。すなわち、ビットセルのスイッチング磁界に対して不要なバイアスを与え、磁界応答に望ましくない非対称性を生じさせる原因となる。
【００１８】
＜第一の従来技術＞特開２００１−２０３４０５号公報には、膜のラフネスを改善するために、強磁性層（反強磁性層または強磁性固定層）をアモルファス化（非結晶化）することが示されている。
サ．「【００２６】そこで、
本発明が解決しようとする課題は、ＭＲ比やピン止め磁界などに望ましくない不均一を生じさせることのない適切な臨界結晶粒径を決定し、それを強磁性膜の結晶粒径制御に適用することにより、安定した特性の磁気メモリ素子を得ることを目的とする。
シ．「【００４４】
図２は、結晶粒径と層間結合磁界（Ｈｆ）の対応関係を示すグラフ図である。横軸は結晶粒径、縦軸はＨｆの大きさを表している。グラフ内には二つの特性線Ａ、Ｂが示されている。特性線Ａは（１１１）配向膜のもの、特性線Ｂは無配向膜のものである。
【００４５】一方、
無配向膜の特性線Ｂに注目すると、全体的に（１１１）配向膜の特性線ＡよりもＨｆが小さい
【００４６】したがって、これらのポイントａ、ｂに着目すると、冒頭でも説明したとおり、
Ｈｆは本来無用な存在であるから、このグラフの特性線Ｂより、積層順の最下位層に位置する反強磁性層４２の結晶粒の平均粒径として最適な値は、ポイントｂ以下の範囲（低Ｈｆ範囲）、要するに、３０ｎｍ以下とすべき
　したがって、上記コ及びサによれば、磁性層、非磁性スペーサ層、磁性層をこの順に積層した磁気抵抗効果素子において、「ネールのオレンジピール結合」に由来する層間結合磁界が磁性層間に発生すること、前記層間結合磁界は界面粗さに起因して生じる望ましくない磁界であるため、界面粗さを低減して前記層間結合磁界を小さくすることが従来から行われていることが記載されている。なお、前記「ネールのオレンジピール結合」は、本願発明における「強磁性結合」に相当するものである。（本願明細書の段落【００２１】、本願の優先基礎出願（米国特許出願公開第２０１０／００８５６６６号明細書）の段落【００１５】に記載された文献である米国特許出願公開第２００５／０１１８４５８号明細書の段落【０００５】等を参照。）
　また、上記シ及び図２によれば、界面粗さを低減することにより図２の特性線ＡからＢへと層間結合磁界が小さくなっており、図２から層間結合磁界が２０［Ｏｅ］以下（２０×１０3／４π［Ａ／ｍ］以下）であることが読み取れる。
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「基板１１０」は、本願発明の「基体」に相当する。
ｂ．引用発明の２つの「磁性層」は、媒体励起場に依存して磁気方位が変化する磁性層であるから本願発明の「第１及び第２の磁気フリー層」に相当し、引用発明の「ＧＭＲ要素１２３」は、本願発明の「積層体」に相当する。
ｃ．引用発明において、ＧＭＲ要素１２３と永久磁石との間に絶縁層３０５を配置しているから、ＧＭＲ要素１２３から所定距離隔てて永久磁石を配置している。よって、引用発明の「永久磁石」は本願発明の「永久磁石層」に相当する。
ｄ．引用発明における、ＧＭＲ要素１２３のトラック幅方向の長さに対する高さ方向の比率は１／２であり、本願発明で特定する比率ＳＨ／ＴＷの範囲（１）を満足している。
ｅ．引用発明における「磁気抵抗読出ヘッド」は、本願発明の「磁気再生ヘッド」に相当する。
ｆ．本願発明は、「第１の磁気フリー層と第２の磁気フリー層との強磁性結合の強度は２００×１０3／４π［Ａ／ｍ］以下」であるのに対し、引用発明はこのような特定を有していない。
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。
（一致点）
「【請求項１０】
　基体上に、
　第１の磁気フリー層と、非磁性層と、第２の磁気フリー層とが順に積層された積層体と、
　前記積層体から所定距離を隔てて配置された永久磁石層と
　を備え、
　前記積層体は、下記の条件式（１）を満たす矩形状の平面形状を有し、
　前記第１の磁気フリー層と前記第２の磁気フリー層との相互間に反強磁性結合が生じている
　ことを特徴とする磁気再生ヘッド。
　１／３≦（ＳＨ／ＴＷ）≦２／３　……（１）
但し、
ＳＨ：ＭＲハイト
ＴＷ：トラック幅方向の長さ
とする。」
（相違点）
　本願発明は、「第１の磁気フリー層と第２の磁気フリー層との強磁性結合の強度は２００×１０3／４π［Ａ／ｍ］以下」である旨特定するのに対し、引用発明はこのような特定を有していない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　例えば、上記引用例２に記載されているように、界面粗さに起因して磁性層間に発生する強磁性結合は望ましくないこと、当該強磁性結合の強度を２００×１０3／４π［Ａ／ｍ］以下に抑えることは一般的な技術である。よって、引用発明においても、引用例２に記載された技術事項を踏まえて相違点に係る構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。