【事件の表示】
　特願２０１１−５１９２６３「窓層及び光指向構造を含む半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２８日国際公開、ＷＯ２０１０／０１０４８５、平成２３年１２月　１日国内公表、特表２０１１−５２９２６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年７月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年７月２４日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２１年　７月１５日　国際出願
　平成２５年　８月２０日　拒絶理由通知（平成２５年　８月２２日発送）
　平成２５年１１月　７日　意見書・手続補正書
　平成２６年　１月１４日　拒絶理由通知（平成２６年　１月１６日発送）
　平成２６年　４月１６日　意見書・手続補正書
　平成２６年　９月　４日　補正却下・拒絶査定（平成２６年　９月１１日送達）
　平成２７年　１月　９日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　６月２６日　拒絶理由通知（平成２７年　６月３０日発送）
　平成２７年　９月２９日　意見書・手続補正書
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２７年９月２９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている以下の事項により特定されるものである。
「【請求項１】
　ｎ型領域とｐ型領域との間に配される発光層を有する半導体構造と、
　窓層と、
　前記窓層に向かって光を指向する光指向構造と、
　前記ｎ型領域に電気的に接続されているｎコンタクト及び前記ｐ型領域に電気的に接続されているｐコンタクトと、
を有する装置であって、
　前記半導体構造は、前記窓層と前記光指向構造との間に配されており、
　前記光指向構造は、前記ｎ型領域の内部に形成された多孔性領域であり、
　当該装置は、前記ｐ型領域と前記窓層との間に配された透明なボンディング層を更に有し、前記透明なボンディング層は、前記ｐ型領域及び前記窓層に直接的に接続されている透明な導電性酸化物であり、
　前記ｐコンタクトは、前記半導体構造内に形成される開口内に配されて、前記透明なボンディング層に接続している、
　装置。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　当審による平成２７年６月２６日付け拒絶理由通知書で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−２５２２５３号公報（平成１７年９月１５日公開。以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【請求項１】
　
小型反射器を備えるフリップチップ発光装置であって、
　
基板、及び
　
該基板上に形成された小型反射器であって、透明パターン化発光スタック層と、該透明パターン化発光スタック層上に形成された反射層とを有する小型反射器、
　
を有するフリップチップ発光装置。
・・・
【請求項９】
　
さらに前記透明パターン化発光スタック層と前記基板の間に透明導電性層を有する
【請求項１０】
　
前記透明導電性層は、インジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、亜鉛酸化物及び亜鉛スズ酸化物からなる材料群から選択される材料で構成される
イ　「【０００４】
　以上のことから本発明の主要課題は、小型反射器を備えるフリップチップ発光装置を提供することである。小型反射器にはパターン化された透明な透明パターン化発光スタック層が含まれる。パターン化された透明な透明パターン化発光スタック層は、例えば半円、角錐、円錐等の各種形状で構成されても良く、連続であっても非連続であっても良い。パターン化された透明な透明パターン化発光スタック層は、フリップチップ発光装置の発光スタック層のエッチング、蒸着、又は接合によって形成される。次に反射層が蒸着によって、パターン化された透明な透明パターン化発光スタック層上に形成され、
反射層は、小型反射器を構成する特殊な形状となる。小型反射器は発光領域から放射される入射光のうち、垂直な光を反射し、法線方向の入射光は臨界角による影響を受けなくなるため、光抽出効率が改善する。
ウ　「【００１０】
　図4を参照すると、ここには小型反射器を備える発光装置3の概略図が示されている。
発光装置3には、直接加圧接合法で、又は透明接着層による接合法で、チップが透明基板に取り付けられる。発光装置3は透明接合基板30と、
第1の表面及び第2の表面を有する透明導電性層32と、第1の表面上に形成された第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34と、第1のクラッド層34上に形成された発光層35と、発光層35上に形成された第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成され第2の接触層37
と、第2の接触層37上に形成された反射層38と、第2の表面上に形成された第1の電極39と、反射層38上に形成された第2の電極40と、を有する。
【００１１】
　上述の3の実施例では、透明導電性層を第2の電極と反射層の間に置くことができる。透明パターン化形状は、半円、角錐、円錐又は他の代替輪郭形状からなる輪郭形状群から選択される少なくとも1の輪郭形状に一致する。
透明基板は、GaP、ガラス、SiC、GaN、ZnSe及びサファイヤ又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される。
第1のクラッド層は、AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される。発光層は、AlGaInP、GaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される。第2のクラッド層は、AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される。第2の接触層は、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される。第1の接触層は、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される。
【００１２】
　本発明の特徴を維持したままで装置に関する多くの変更及び置換が可能であることが、当業者には容易に理解されよう。従って上記の説明は、添付の特許請求の範囲の内容及び限定によってのみ制限されるものと解釈されるべきである。」
エ　小型反射器を備える発光装置3の概略図を示す図４は、次のものである。
（２）　引用発明１
ア　上記（１）アの請求項１、９、１０の記載から、引用文献１には、次の技術事項が記載されているといえる。
「小型反射器を備えるフリップチップ発光装置であって、
　基板と、
　該基板上に形成された小型反射器であって、透明パターン化発光スタック層と、該透明パターン化発光スタック層上に形成された反射層とを有する小型反射器と、
　前記透明パターン化発光スタック層と前記基板の間に透明導電性層と、を有し、
　前記透明導電性層は、インジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、亜鉛酸化物及び亜鉛スズ酸化物からなる材料群から選択される材料で構成される、
　フリップチップ発光装置」
イ　上記（１）イの【０００４】の記載から、上記アの「反射層」は、「小型反射器を構成する特殊な形状」となり、上記アの「小型反射器」は、「発光領域から放射される入射光のうち、垂直な光を反射し、法線方向の入射光は臨界角による影響を受けなくなるため、光抽出効率が改善する」ものであるといえる。
ウ　上記（１）ウの【００１０】の記載から、上記アの「基板」は、「直接加圧接合法で、又は透明接着層による接合法で、チップが・・・取り付けられる」「透明基板」であり、当該「透明基板」は、「透明接合基板30」であるといえる。
エ　上記（１）ウの【００１０】の記載から、上記アの「透明導電性層」は、「透明導電性層32」であるといえる。
オ　上記（１）ウの【００１０】の記載から、上記アの「透明パターン化発光スタック層」は、「透明導電性層32」の「第1の表面上に形成された第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34と、第1のクラッド層34上に形成された発光層35と、発光層35上に形成された第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成され」た「第2の接触層37」であるといえる。
カ　上記（１）ウの【００１０】の記載から、上記アの「反射層」は、「第2の接触層37上に形成された反射層38」であるといえる。
キ　上記（１）ウの【００１０】の記載から、上記アの「フリップチップ発光装置」は、「発光装置3」であり、「透明導電性層32」の「第2の表面上に形成された第1の電極39と、反射層38上に形成された第2の電極40と、を有する」ものであるといえる。
ク　上記ウ及び上記（１）ウの【００１１】の記載から、上記ウの「透明接合基板30」は、「GaP、ガラス、SiC、GaN、ZnSe及びサファイヤ又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される」ものであるといえる。
ケ　上記（１）ウの【００１１】の記載から、
　上記オの「第1のクラッド層34」は、「AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される」ものであり、
　上記オの「発光層35」は、「AlGaInP、GaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される」ものであり、
　上記オの「第2のクラッド層36」は、「AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される」ものであり、
　上記オの「第2の接触層37」は、「GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される」ものであり、
　上記オの「第1の接触層33」は、「GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される」ものであるといえる。
コ　以上より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「小型反射器を備えるフリップチップ発光装置であって、
　基板と、
　該基板上に形成された小型反射器であって、透明パターン化発光スタック層と、該透明パターン化発光スタック層上に形成された反射層とを有する小型反射器と、
　前記透明パターン化発光スタック層と前記基板の間に透明導電性層と、を有し、
　前記透明導電性層は、インジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、亜鉛酸化物及び亜鉛スズ酸化物からなる材料群から選択される材料で構成され、
　前記反射層は、小型反射器を構成する特殊な形状となり、
　前記小型反射器は、発光領域から放射される入射光のうち、垂直な光を反射し、法線方向の入射光は臨界角による影響を受けなくなるため、光抽出効率が改善するものであり、
　前記基板は、直接加圧接合法で、又は透明接着層による接合法で、チップが取り付けられる透明接合基板30であり、
　前記透明導電性層は、透明導電性層32であり、
　前記透明パターン化発光スタック層は、透明導電性層32の第1の表面上に形成された第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34と、第1のクラッド層34上に形成された発光層35と、発光層35上に形成された第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37であり、
　前記反射層は、第2の接触層37上に形成された反射層38であり、
　前記透明導電性層32の第2の表面上に形成された第1の電極39と、
　前記反射層38上に形成された第2の電極40と、を有し、
　前記透明接合基板30は、GaP、ガラス、SiC、GaN、ZnSe及びサファイヤ又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され、
　前記第1のクラッド層34は、AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され、
　前記発光層35は、AlGaInP、GaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され、
　前記第2のクラッド層36は、AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され、
　前記第2の接触層37は、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され、
　前記第1の接触層33は、GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成される、
　フリップチップ発光装置」
３　引用文献５の記載事項
（１）　当審による平成２７年６月２６日付け拒絶理由通知書で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−３３５８７９号公報（平成１９年１２月２７日公開。以下「引用文献５」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【請求項１】
　
ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と、
　
前記ｎ型領域及び前記ｐ型領域のうちの一方に対して電気的に接続されたコンタクトとを具備し、
　
前記半導体構造体が前記コンタクトと前記発光層との間に配置された多孔質領域を含み、
　
前記半導体構造体が、該半導体構造体から抽出される光が放出される上部表面をさらに含み、
　
前記発光層が前記上部表面と前記多孔質領域との間に配置される、
ことを特徴とするデバイス。
イ　「【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明の実施形態によると、発光デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を有する半導体構造体を含む。多孔質領域は、発光層とｎ型領域及びｐ型領域のうちの１つに電気的に接続したコンタクトとの間に配置される。
多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができる。
ウ　「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　本発明の実施形態によると、半導体発光デバイスは、
多孔質半導体層のような散乱層を含む。散乱層は、デバイスから放出されたフォトンの方向をランダム化し、デバイスの上部表面といった、デバイスから抽出された光の大部分が放出され得る所望のデバイスの発光面に向けて光を散乱する拡散反射面として機能することによって、吸収性コンタクトのような吸収性の構造体から離れる方向に光を方向づけるように配置される。
【００１０】
　幾つかの実施形態において、散乱層は多孔質ＧａＰ又は他のＩＩＩ族−Ｐ層である。多孔質層は、一般に電気的及び熱的に伝導性である。多孔質層は、多くの場合ｎ型層から形成されるが、下記の幾つかの実施形態で説明されるように、多孔質とされた後に、ｎ型多孔質層をｐ型導電性へと変換することができる。散乱の量は、多孔質層の厚さ及び多孔率によって決定される。多孔質層は一般に４ミクロンと４０ミクロンの間の厚さを有するが、幾つかの実施形態において、デバイス中のｎ型にドープされた基板全体又は２元エピタキシャル層を多孔質とすることができる。多孔質層は、５％と８０％の間の多孔率を有する場合があり、多くの場合２０％と４０％の間の多孔率を有する。多孔率は、下限は光を散乱する多孔質層の能力によって、上限は多孔質層の抵抗率及び機械的安定性によって、限定される。適切な多孔率は、多孔質領域の厚さに関係する場合がある。同じ量の散乱を提供するために、より厚い多孔質領域は、薄い多孔質領域よりも多孔性が低くてもよい。
【００１１】
　多孔質層は、２ステップ・プロセスによって形成することができる。第１のステップにおいて、電気化学陽極エッチングによって、孔が作られる。このステップにおいて、多孔質領域の深さが決定される。第２ステップにおいて、孔は、所望の多孔率に達するまで、光化学陽極エッチングによって拡大される。電気化学陽極エッチングの第１ステップの一例が、図８に示される。エッチングされる層は、例えば、２×１０17ｃｍ-3のドナー密度を有するｎ型ＧａＰ単結晶層とすることができる。ウェハ８０は、例えば銀ペースト８４によって、銅板８２に接続される。テフロン（登録商標）８６のような材料が、多孔質とされることになるウェハ８０の部分８８を隔離する。ウェハは、参照電極としての標準カロメル電極（ＳＣＥ）８３及び白金対極８５を備えた標準電気化学セルの中の作用電極として、０．５ＭのＨ2ＳＯ4電解液に曝される。セルは、ポテンシオスタット８７によって制御される。強い正電位（１５Ｖ  ＳＣＥ）の印加は、表面欠陥において、ミクロンオーダーで離間したサブミクロンのピットのエッチングを引き起こす。これらのピットは、トンネル様構造を有する表面下ネットワークのエッチングのための開始点として機能する。エッチングは主としてトンネルの端部で生じるので、ネットワークはより深く成長するが、トンネルは拡大及び融合しない。エッチャント溶液、バイアス電圧、及び基板のドーピングが孔の密度及び大きさに影響するが、除去される材料の量は、主として時間積算電流密度の関数である。結果として生じる多孔質構造の深さは、これら全ての変数の関数である。多孔質領域の横方向の広がりは、エッチングの前に、例えばＳｉＮ又はフォトレジストで非多孔質領域をマスキングすることによって、制御することができる。
【００１２】
　光化学陽極エッチングの第２ステップの一例において、電気化学的にエッチングされたウェハは、２Ｖ  ＳＣＥの正電位の印加下で、５０ｍＷ／ｃｍ2のＸｅランプからのサブバンドギャップ光を使用して、Ｈ2Ｏ：Ｈ2ＳＯ4：Ｈ2Ｏ2電解液に曝される。印加された電位は上述の陽極エッチングプロセスを生じさせるには低すぎ、且つサブバンドギャップ光は、電解液−半導体界面においてのみ吸収されるので、主たる効果は、第１ステップにおいて規定された層の多孔率を増加させることである。多孔率の度合いは、光度、エッチャント濃度、及び基板パラメータの関数である時間積算電流密度により決定される。Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ、及びＧａＰのような任意の適切な半導体材料が、上述のプロセスによって多孔質とされることができる。ＧａＰ及びＧａＮのような２元材料は、多孔質領域の魅力的な候補であるが、３元及び４元のＩＩＩ族リン化物及びＩＩＩ族窒化物材料もまた、多孔質とすることができる。半導体材料における導電型及びドーパント濃度は、例えば形成される孔の大きさ及び間隔に影響を与えることによって、多孔質層の特性に影響を及ぼす場合がある。幾つかの実施形態において、多孔質領域は、ｐ型層でない層、すなわち意図的にドープされない層、又はゼロ（意図的にドープされない）と１０19ｃｍ-3の間のドーパント濃度でドープされたｎ型層から形成される。」
エ　「【００１５】
　図５、図６、及び図７は、本発明のまた別の実施形態の製作を示す。図５に示されるように、
ｐ型領域３６がまず基板３０上に形成され、次いで活性領域３４及びｎ型領域３６が形成される。
厚いｎ型領域３８がｎ型領域３２の上に形成される。領域３８の一部分又は全てが、上述のように多孔質とされる。
オ　本発明の別の実施形態の製作を示す図５は、次のものである。
カ　本発明の別の実施形態の製作を示す図６は、次のものである。
キ　本発明の別の実施形態の製作を示す図７は、次のものである。
ク　多孔質半導体領域を形成するための、電気化学陽極エッチングのプロセスを図示する図８は、次のものである。
（２）　引用文献５に記載された技術事項
　上記（１）によれば、引用文献５には、次の技術事項が記載されている。
「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体構造体と、
　前記ｎ型領域及び前記ｐ型領域のうちの一方に対して電気的に接続されたコンタクトとを具備し、
　前記半導体構造体が前記コンタクトと前記発光層との間に配置された多孔質領域を含み、
　前記半導体構造体が、該半導体構造体から抽出される光が放出される上部表面をさらに含み、
　前記発光層が前記上部表面と前記多孔質領域との間に配置され、
　前記多孔質領域は、吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができ、
　多孔質半導体層のような散乱層は、デバイスから放出されたフォトンの方向をランダム化し、デバイスの上部表面といった、デバイスから抽出された光の大部分が放出され得る所望のデバイスの発光面に向けて光を散乱する拡散反射面として機能することによって、吸収性コンタクトのような吸収性の構造体から離れる方向に光を方向づけるように配置され、
　ｐ型領域３６がまず基板３０上に形成され、
　次いで活性領域３４及びｎ型領域３６が形成され、
　厚いｎ型領域３８がｎ型領域３２の上に形成され、
　領域３８の一部分又は全てが、上述のように多孔質とされる、
　デバイス。」
４　対比
（１）　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34と、第1のクラッド層34上に形成された発光層35と、発光層35上に形成された第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37」である「透明パターン化発光スタック層」と、
　本願発明の「ｎ型領域とｐ型領域との間に配される発光層を有する半導体構造」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34」と、本願発明の「ｐ型領域」とを対比する。
　引用発明１の「第1の接触層33」は、「GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され」、引用発明１の「第1のクラッド層34」は、「AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され」るものであるところ、いずれも半導体材料で構成されるものである。
　してみれば、両者は、「第１の半導体領域」である点で一致する。
（イ）　引用発明１の「第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37」と、本願発明の「ｎ型領域」とを対比する。
　引用発明１の「第2のクラッド層36」は、「AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され」、引用発明１の「第2の接触層37」は、「GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN、AlGaN及びZnSe又は他の代替材料からなる材料群から選択される少なくとも1の材料で構成され」るものであるところ、いずれも半導体材料で構成されるものである。
　してみれば、両者は、「第２の半導体領域」である点で一致する。
（ウ）　引用発明１の「発光層35」と、本願発明の「ｎ型領域とｐ型領域との間に配される発光層」とを対比する。
　引用発明１の「発光層35」は、「第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37」と「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34」との間に形成されるものであるから、両者は、「第２の半導体領域と第１の半導体領域との間に配される発光層」である点で一致する。
（エ）　引用発明１の「透明パターン化発光スタック層」と、本願発明の「半導体構造」とを対比すると、両者は相当関係にある。
（オ）　してみれば、両者は、「第２の半導体領域と第１の半導体領域との間に配される発光層を有する半導体構造」である点で一致する。
イ　引用発明１の「透明接合基板30」は、本願発明の「窓層」に相当する。
ウ　引用発明１の「反射層38」は、「透明接合基板30」に向かって光を反射するものといえるから、本願発明の「前記窓層に向かって光を指向する光指向構造」に相当する。
エ　引用発明１の「前記反射層38上に形成された第2の電極40」と、
　本願発明の「前記ｎ型領域に電気的に接続されているｎ型コンタクト」とを対比する。
　引用発明１の「第2の電極40」は、「反射層38」を介して、「第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37」と電気的に接続されているといえるから、両者は、「前記第２の半導体領域に電気的に接続されている第２のコンタクト」である点で一致する。
オ　引用発明１の「前記透明導電性層32の第2の表面上に形成された第1の電極39」と、
　本願発明の「前記ｐ型領域に電気的に接続されているｐ型コンタクト」とを対比する。
　引用発明１の「第1の電極39」は、「透明導電性層32」を介して、「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34」と電気的に接続されているといえるから、両者は、「前記第１の半導体領域に電気的に接続されている第１のコンタクト」である点で一致する。
カ　引用発明１の「フリップチップ発光装置」と、本願発明の「装置」とを対比すると、両者は相当関係にある。
キ　引用発明１の「透明パターン化発光スタック層」と、本願発明の「前記窓層と前記光指向構造との間に配されて」いる「前記半導体構造」とを対比する。
　引用発明１の「透明パターン化発光スタック層」は、「透明接合基板30」と「反射層38」との間に形成されているといえるから、両者は相当関係にある。
ク　引用発明１の「透明導電性層32」と、本願発明の「前記ｐ型領域と前記窓層との間に配された透明なボンディング層」とを対比する。
（ア） 引用発明１の「透明導電性層32」は、「前記透明パターン化発光スタック層と前記基板の間に」形成されているところ、「前記基板は、直接加圧接合法で、又は透明接着層による接合法で、チップが取り付けられる透明接合基板30」である。
　してみれば、引用発明１の「透明導電性層32」は、「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34」と「透明接合基板30」との間に形成され、これらを接合するものといえる。
（イ）　よって、両者は、「前記第１の半導体領域と前記窓層との間に配された透明なボンディング層」である点で一致する。
ケ　引用発明１の「透明導電性層32」と、
　本願発明の「前記ｐ型領域及び前記窓層に直接的に接続されている透明な導電性酸化物」である「前記透明なボンディング層」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「第1の接触層33」は、「透明導電性層32の第1の表面上に形成された」ものであるから、引用発明１の「透明導電性層32」は、「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34」に直接的に接続されているといえる。
（イ）　引用発明１の「透明導電性層32」は、「インジウムスズ酸化物、カドミウムスズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、亜鉛酸化物及び亜鉛スズ酸化物からなる材料群から選択される材料で構成され」るものであるから、「透明な導電性酸化物」であるといえる。
（ウ）　してみれば、両者は、「前記第１の半導体領域に直接的に接続されている透明な導電性酸化物」である「前記透明なボンディング層」である点で一致する。
コ　引用発明１の「前記透明導電性層32の第2の表面上に形成された第1の電極39」と、
　本願発明の「前記半導体構造内に形成される開口内に配されて、前記透明なボンディング層に接続している」「前記ｐコンタクト」とを対比すると、
　両者は、「前記透明なボンディング層に接続している」「前記第１のコンタクト」である点で一致する。
（２）　以上より、本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「第２の半導体領域と第１の半導体領域との間に配される発光層を有する半導体構造と、
　窓層と、
　前記窓層に向かって光を指向する光指向構造と、
　前記第２の半導体領域に電気的に接続されている第２のコンタクト及び前記第１の半導体領域に電気的に接続されている第１のコンタクトと、
を有する装置であって、
　前記半導体構造は、前記窓層と前記光指向構造との間に配されており、
　当該装置は、前記第１の半導体領域と前記窓層との間に配された透明なボンディング層を更に有し、前記透明なボンディング層は、前記第１の半導体領域に直接的に接続されている透明な導電性酸化物であり、
　前記第１のコンタクトは、前記透明なボンディング層に接続している、
　装置。」
　相違点１：
　本願発明では、「『第２の半導体領域』、『前記第２の半導体領域に電気的に接続されている第２のコンタクト』」、「『第１の半導体領域』、『前記第１の半導体領域に電気的に接続されている第１のコンタクト』」が、それぞれ「『ｎ型領域』、『前記ｎ型領域に電気的に接続されているｎコンタクト』」、「『ｐ型領域』、『前記ｐ型領域に電気的に接続されているｐコンタクト』」であるのに対し、
　引用発明１では、「『第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37』、『前記反射層38上に形成された第2の電極40』」と、「『第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34』、『前記透明導電性層32の第2の表面上に形成された第1の電極39』」との、どちらが「『ｎ型領域』、『前記ｎ型領域に電気的に接続されているｎコンタクト』」であり、どちらが「『ｐ型領域』、『前記ｐ型領域に電気的に接続されているｐコンタクト』」であるのか明らかでない点。
　相違点２：
　「光指向構造」は、
　本願発明では、「前記ｎ型領域の内部に形成された多孔性領域」であるのに対し、
　引用発明１の「反射層38」は、「第2の接触層37上に形成された」ものである点。
　相違点３：
　「透明なボンディング層」は、
　本願発明では、「前記窓層に直接的に接続されている」のに対し、
　引用発明１の「透明導電性層32」は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点４：
　「第１のコンタクト」は、
　本願発明では、「前記半導体構造内に形成される開口内に配されて」いるのに対し、
　引用発明１の「第1の電極39」は、そのような開口内に配されているのか否か明らかでない点。
５　判断
　以下、相違点について検討する。
（１）　相違点１及び相違点２について検討する。
ア　引用発明１は、「フリップチップ発光装置」であるところ、上記２（１）エの引用文献１の図４から、引用発明１の「反射層38」は、「発光層35」の裏側に形成されていることが見てとれる。
　また、引用発明１の「反射層38」は、「発光領域から放射される入射光・・・を反射し、・・・入射光は臨界角による影響を受けなくなるため、光抽出効率が改善するもの」を構成する「特殊な形状」となるものである。
イ　引用文献５に記載の「多孔質領域」は、「吸収性のコンタクトから離れる方向に光を散乱させ、これによりデバイスからの光抽出を向上させることができ」るものであるところ、上記３（１）キの引用文献５の図７から、引用文献５に記載の「多孔質領域」は、「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層」の裏側に形成されていることが見てとれる。
　また、上記３（２）に記載したとおり、引用文献５に記載の「多孔質領域」は、「厚いｎ型領域３８・・・の一部分又は全てが・・・多孔質とされ」たものであり、「デバイスから放出されたフォトンの方向をランダム化し・・・デバイスの発光面に向けて光を散乱する拡散反射面として機能することによって」、「デバイスからの光抽出を向上させることができ」るものである。
ウ　上記ア、イによれば、引用発明１の「反射層38」と、引用文献５に記載の「厚いｎ型領域３８・・・の一部分又は全てが・・・多孔質とされ」た「多孔質領域」とは、ともに、発光層の裏側に形成され、発光領域から放射される入射光の方向を変えて、光抽出効率を改善するものとして共通するものである。
エ　引用発明１は、「透明パターン化発光スタック層」と「透明接合基板」とを有する「フリップチップ発光装置」であるところ、「透明パターン化発光スタック層」のどちら側を「ｐ型領域」（又は「ｎ型領域」）としても良いことは、当業者にとって明らかである。
　また、透明パターン化発光スタック層と透明接合基板とを有するフリップチップ発光装置において、透明パターン化発光スタック層の透明接合基板側をｐ型領域、透明パターン化発光スタック層の透明接合基板と反対側をｎ型領域としたものは、本願優先日時点で周知の技術（必要ならば、当審による平成２７年６月２６日付け拒絶理由通知書で引用した、特開２００２−１５８３７３号公報（以下「引用文献２」という。）（特に【００１２】〜【００１９】、図１〜３）、特開２００７−１５０３３１号公報（以下「引用文献３」という。）（特に【００３９】〜【００４１】、図９〜１１）、特開２００６−９３６８６号公報（以下「引用文献４」という。）（特に「第１の導電型半導体層および第２導電型半導体層はそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層としても構わない。」【００３４】、図２）参照。）である。
オ　以上より、引用発明１において、透明パターン化発光スタック層の透明接合基板側にある「第1の接触層33と、第1の接触層33上に形成された第1のクラッド層34」をｐ型領域とし、透明パターン化発光スタック層の透明接合基板と反対側にある「第2のクラッド層36と、第2のクラッド層36上に形成された第2の接触層37」をｎ型領域とするとともに、引用発明１の「反射層38」に代えて、引用文献５に記載の「厚いｎ型領域３８・・・の一部分又は全てが・・・多孔質とされ」た「多孔質領域」を採用し、上記相違点１及び相違点２に係る本願発明の発明特定事項となすことに格別の困難性はない。
（２）　相違点３について検討する。
　引用発明１は、「前記基板は、直接加圧接合法で、又は透明接着層による接合法で、チップが取り付けられる透明接合基板30」であり、「前記透明パターン化発光スタック層と前記基板の間に透明導電性層」を有するものであるところ、接合法として、「直接加圧接合法」を選択し、「透明接合基板30」と「透明導電性層32」とを接合することによって、「透明接合基板30」（窓層）に直接的に接続されている「透明導電性層32」とすることは、当業者が適宜なしうることである。
（３）　相違点４について検討する。
　上記２（１）エの引用文献１の図４から、「第1の電極39」は、「透明パターン化発光スタック層」が形成されていない「前記透明導電性層32の第2の表面上に形成され」ていることが見てとれる。
　また、上記２（１）ウの引用文献１の【００１２】には、「本発明の特徴を維持したままで装置に関する多くの変更及び置換が可能である」と記載されており、上記「第1の電極39」を形成する「透明パターン化発光スタック層」が形成されていない領域を、どこに設けても良いことは、当業者にとって明らかである。
　しかるところ、半導体構造を有するフリップチップ発光装置において、半導体構造内に形成される開口（半導体構造が形成されていない領域）内に、コンタクトを配置したものは、本願優先日時点で周知の技術（必要ならば、引用文献３（特に図１１）、引用文献５（特に図１２）参照。）である。
　してみれば、引用発明１において、上記周知の技術を採用し、上記相違点４に係る本願発明の発明特定事項となすことに格別の困難性はない。
（４）　請求人の主張について
ア　請求人は、平成２７年９月２９日付け意見書において、
「引用文献５によって教示されるプロセスは電気化学エッチングであるため、ｎ型領域の内部に多孔質領域を形成するためには、半導体構造のｐ型領域側への電気的なアクセスが必要とされます。従って、ウェハ全体がＨ２ＳＯ４電解液に浸漬されることになります。故に、引用文献１記載発明のｎ型領域の内部に多孔質領域を形成するためには、その接合界面３００及び透明導電性層３２を含む引用文献１の図４の構造全体を、引用文献５に記載された０．５ＭのＨ２ＳＯ４電解液に浸漬して、強い正電位（１５Ｖ　ＳＣＥ）を印加しなければなりません。引用文献１記載発明の接合界面３００及び透明導電性層３２が、これらの非常に厳しい条件に耐え得るものであるといったことは何ら教示されておりません。むしろ、当業者は、引用文献５に記載のプロセスが透明導電性層３２にダメージを与え、それにより、最終的な装置の抵抗を増大させ、効率を低下させ、あるいは更には、透明接合基板３０を半導体層から分離させて発光装置を動作不能にしてしまい得ることを予期します。
　このように、引用文献５に記載の技術を引用文献１記載発明に適用することは容易に想到し得ることではありません。」と主張している。
イ　上記主張について検討する。
（ア）　引用文献５の【００１１】には、「電気化学陽極エッチング」に関して、「テフロン（登録商標）８６のような材料が、多孔質とされることになるウェハ８０の部分８８を隔離する。」と記載され、当該記載に照らして、上記３（１）クの引用文献５の図８を見ると、多孔質とされることになるウェハ８０の部分８８を除いて、ウェハ８０は、テフロン（登録商標）８６のような材料によって被覆されていることが見てとれる。
　してみれば、引用発明１において、引用文献５に記載のプロセスによって多孔質領域を形成する際には、引用発明１の「透明導電性層32」は、テフロン（登録商標）８６のような材料によって被覆されて、Ｈ2ＳＯ4電解液に曝されるので、「透明導電性層32」にダメージが与えられるとは考えられない。
（イ）　また、引用文献５（特に【００１６】〜【００１７】、図９〜１１）には、多孔質領域９８を形成してから、メサ１２１、コンタクト１２０を形成されることが記載されている。
　してみれば、引用発明１において、引用文献５に記載のプロセスによって多孔質領域を形成する際には、引用発明１の「透明導電性層32」を露出させる前に、多孔質領域を形成するから、「透明導電性層32」にダメージが与えられるとは考えられない。
ウ　以上より、引用発明１において、引用文献５に記載のプロセスによって多孔質領域を形成することに、格別の困難性は認められない。
（５）　作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明１、引用文献５の記載事項及び上記周知の技術に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。 
６　小括
　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明１、引用文献５の記載事項及び上記周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。