【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するよう構成された永久磁石シムを製造する方法であって：
前記B0磁場の、所望されるB0磁場からの逸脱を決定する段階と；
磁性材料に加えられたときに、決定された逸脱の少なくとも一部を補正する補正磁場を生成する磁気パターンを決定する段階と；
前記磁気パターンを前記磁性材料に加えて前記永久磁石シムを製造する段階とを含む、
方法。
【請求項２】
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化極性を示す磁気パターンを決定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化強度を示す磁気パターンを決定することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域に対応する磁性材料を除去する少なくとも一つの減法的プロセスを実行することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域を除去するよう前記磁性材料をカットすることを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを実行することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される各領域を磁化する磁化ヘッドを用いて前記磁性材料をたどることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料を複数の領域に論理的に分割することを含み、前記磁気パターンを決定する段階がさらに、前記磁性材料のモデルを取得することを含み、前記磁性材料を論理的に分割することが、前記モデルを前記複数の領域に論理的に分割することを含み、前記モデルを論理的に分割することが、前記モデルをモザイク化することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁気パターンを決定する前記モデルを使う最適化を実行することを含み、前記磁気パターンを決定する段階がさらに、前記最適化を複数の反復工程にわたって繰り返すことを含み、各反復工程について、前記モデルの少なくとも一部が、前の反復工程よりも高い分解能でモザイク化される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
各反復工程で中間的な磁気パターンが決定され、それぞれの中間的パターンによって前記補正磁場に寄与すると示される領域が、次の反復工程のために、より高い分解能でモザイク化される、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記補正磁場が、前記B0磁石の設計に内在するおよび／または前記B0磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムであって、前記永久磁石シムは、
前記B0磁場のプロファイルを改善するための補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する、
永久磁石シム。
【請求項１４】
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、請求項１３記載の永久磁石シム。
【請求項１５】
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB0オフセットを補正する、請求項１３記載の永久磁石シム。
【請求項１６】
前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、請求項１３記載の永久磁石シム。
【請求項１７】
前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に整列した方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、請求項１３記載の永久磁石シム。
【請求項１８】
前記磁性材料が、複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化されている、請求項１３記載の永久磁石シム。
【請求項１９】
前記B0磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、前記B0磁石と組み合わせた請求項１３記載の永久磁石シム。
【請求項２０】
約0.2T以下の磁場強度でB0磁場を生成するよう構成されたB0磁石と；
前記B0磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する少なくとも一つの永久磁石シムとを有する、
低磁場磁気共鳴撮像システム。
【請求項２１】
当該低磁場磁気共鳴撮像システムの撮像領域内の磁束密度を増すよう前記B0磁石に磁気的に結合された強磁性ヨークをさらに有しており、前記補正磁場が、前記強磁性ヨークから帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって均一性を改善する、請求項２０記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
【請求項２２】
前記B0磁石が永久B0磁石を有する、請求項２０記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
【請求項２３】
前記永久B0磁石が、複数の同心リングに配置された複数の永久磁石セグメントを含む、請求項２２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
【請求項２４】
前記B0磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、請求項２０記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
請求項および上記の明細書において、「有する」「含む」「担持する」「もつ」「包含する」「関わる」「保持する」「構成される」などといったあらゆる移行句はオープンなものと理解される。すなわち、含むがそれに限定されないことを意味する。「…からなる」および「本質的には…からなる」という移行句のみが、それぞれクローズドまたは半クローズドの移行句である。
いくつかの態様を記載しておく。
〔態様１〕
B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するよう構成された永久磁石シムを製造する方法であって：
前記B0磁場の、所望されるB0磁場からの逸脱を決定する段階と；
磁性材料に加えられたときに、決定された逸脱の少なくとも一部を補正する補正磁場を生成する磁気パターンを決定する段階と；
前記磁気パターンを前記磁性材料に加えて前記永久磁石シムを製造する段階とを含む、
方法。
〔態様２〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料を複数の領域に論理的に分割することを含む、態様１記載の方法。
〔態様３〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記複数の領域のうちのどれが前記補正磁場に寄与するかを示す磁気パターンを決定することを含む、態様２記載の方法。
〔態様４〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化極性を示す磁気パターンを決定することを含む、態様３記載の方法。
〔態様５〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与すると示される領域の磁化強度を示す磁気パターンを決定することを含む、態様３記載の方法。
〔態様６〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記複数の領域のうちのどれが前記補正磁場に寄与しないかを示す磁気パターンを決定することを含む、態様３記載の方法。
〔態様７〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域に対応する磁性材料を除去する少なくとも一つの減法的プロセスを実行することを含む、態様６記載の方法。
〔態様８〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与しないと示される領域を除去するよう前記磁性材料をカットすることを含む、態様７記載の方法。
〔態様９〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを実行することを含む、態様３記載の方法。
〔態様１０〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される各領域を磁化する磁化ヘッドを用いて前記磁性材料をたどることを含む、態様３記載の方法。
〔態様１１〕
前記磁気パターンを加えることが、前記補正磁場に寄与すると示される領域に、それぞれの示される磁化強度に対応する量で磁性材料を与える少なくとも一つの加法的プロセスを含む、態様５記載の方法。
〔態様１２〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁性材料のモデルを取得することを含み、前記磁性材料を論理的に分割することが、前記モデルを前記複数の領域に論理的に分割することを含む、態様３記載の方法。
〔態様１３〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記磁気パターンを決定する前記モデルを使う最適化を実行することを含む、態様１２記載の方法。
〔態様１４〕
前記モデルを論理的に分割することが、前記モデルをモザイク化することを含む、態様１３記載の方法。
〔態様１５〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記最適化を複数の反復工程にわたって繰り返すことを含み、各反復工程について、前記モデルの少なくとも一部が、前の反復工程よりも高い分解能でモザイク化される、態様１４記載の方法。
〔態様１６〕
各反復工程で中間的な磁気パターンが決定され、それぞれの中間的パターンによって前記補正磁気パターンに寄与すると示される領域が、次の反復工程のために、より高い分解能でモザイク化される、態様１５記載の方法。
〔態様１７〕
前記補正磁場が、前記B0磁石を製造する際の変動性から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様１記載の方法。
〔態様１８〕
前記補正磁場が、前記B0磁石の設計に内在するおよび／または前記B0磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様１記載の方法。
〔態様１９〕
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様１８記載の方法。
〔態様２０〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB0オフセットを補正する、態様１記載の方法。
〔態様２１〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、態様２記載の方法。
〔態様２２〕
前記第一の極性が前記第二の極性の逆である、態様２１記載の方法。
〔態様２３〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが、前記複数の領域のうちの他の少なくとも一つとは異なる場の強さで磁化される、態様２記載の方法。
〔態様２４〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に平行な方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様２５〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様２６〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に逆の方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様２７〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に逆の方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様２８〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様２９〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場に実質的に垂直な方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様３０〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に平行な方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様３１〕
前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に垂直な方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様３２〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記磁気パターンを前記磁性材料に加える結果として、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化される、態様２記載の方法。
〔態様３３〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与する前記磁性材料の体積を最小化する磁気パターンを決定することを含む、態様２記載の方法。
〔態様３４〕
前記磁気パターンを決定する段階が、前記補正磁場に寄与する前記磁性材料の体積を最大化する磁気パターンを決定することを含む、態様２記載の方法。
〔態様３５〕
前記B0磁場の逸脱を決定する段階が、前記B0磁場によって生成される前記B0磁場を測定することを含む、態様１記載の方法。
〔態様３６〕
前記B0磁場の逸脱を決定する段階が、前記B0磁石の属性に基づいて前記逸脱を計算することを含む、態様１記載の方法。
〔態様３７〕
B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムであって、前記永久磁石シムは、
前記B0磁場のプロファイルを改善するための補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する、
永久磁石シム。
〔態様３８〕
前記補正磁場が、前記B0磁石を製造する際の変動性から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様３９〕
前記補正磁場が、前記B0磁石の設計に内在するおよび／または前記B0磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様４０〕
前記補正磁場が、強磁性ヨークの存在から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正する、態様３９記載の永久磁石シム。
〔態様４１〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB0オフセットを補正する、態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様４２〕
前記磁性材料が複数の領域に論理的に分割されている、態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様４３〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第一の極性の磁化をもち、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが第二の極性の磁化をもつ、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様４４〕
前記第一の極性が前記第二の極性の逆である、態様４３記載の永久磁石シム。
〔態様４５〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが、前記複数の領域のうちの他の少なくとも一つとは異なる場の強さで磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様４６〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に平行な方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様４７〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に整列した方向に磁化される、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様４８〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様４９〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に整列した方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に逆の方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様５０〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様５１〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場に実質的に垂直な方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様５２〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面に実質的に平行な方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様５３〕
前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記B0磁場と実質的に垂直な方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様５４〕
前記磁性材料が、前記複数の領域に論理的に分割された実質的に平面状の表面を有しており、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に平行な方向に磁化され、前記複数の領域のうちの少なくとも一つが前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に磁化されている、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様５５〕
前記B0磁石は約0.2T以下かつ約0.1T以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、前記B0磁石と組み合わせた態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様５６〕
前記B0磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、前記B0磁石と組み合わせた態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様５７〕
前記B0磁石は約50mT以下かつ約20mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、前記B0磁石と組み合わせた態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様５８〕
前記B0磁石は約20mT以下かつ約10mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、前記B0磁石と組み合わせた態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様５９〕
当該永久磁石シムは、低磁場磁気共鳴撮像システムの二平面B0磁石によって生成される前記B0磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する、態様３７記載の永久磁石シム。
〔態様６０〕
前記複数の領域はサイズが一様でない、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様６１〕
前記複数の領域はサイズが一様である、態様４２記載の永久磁石シム。
〔態様６２〕
約0.2T以下の磁場強度でB0磁場を生成するよう構成されたB0磁石と；
前記B0磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所定の磁気パターンが加えられている磁性材料を有する少なくとも一つの永久磁石シムとを有する、
低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６３〕
前記補正磁場が、前記B0磁場の均一性を改善することによって前記B0磁場のプロファイルを改善する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６４〕
前記補正磁場が、前記B0磁石の製造から帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって前記B0磁場の均一性を改善する、態様６３記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６５〕
前記補正磁場が、前記B0磁石の設計に内在するまたは前記B0磁石の設計によって導入される少なくともいくらかの非一様性を補正することによって前記B0磁場の均一性を改善する、態様６３記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６６〕
当該低磁場磁気共鳴撮像システムの撮像領域内の磁束密度を増すよう前記B0磁石に磁気的に結合された強磁性ヨークをさらに有しており、前記補正磁場が、前記強磁性ヨークから帰結する少なくともいくらかの非一様性を補正することによって均一性を改善する、態様６３記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６７〕
前記補正磁場が、少なくとも部分的にはB0オフセットを補正することによって前記B0磁場のプロファイルを改善する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６８〕
前記B0磁石が永久B0磁石を有する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様６９〕
前記永久B0磁石が、複数の同心リングに配置された複数の永久磁石セグメントを含む、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様７０〕
前記B0磁石が少なくとも一つのB0電磁石を有する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様７１〕
前記B0磁石は約0.2T以下かつ約0.1T以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様７２〕
前記B0磁石は約0.1T以下かつ約50mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様７３〕
前記B0磁石は約50mT以下かつ約20mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様７４〕
前記B0磁石は約20mT以下かつ約10mT以上のB0磁場強度のB0磁場を生成する、態様６２記載の低磁場磁気共鳴撮像システム。
〔態様７５〕
B0磁石によって生成されるB0磁場のプロファイルを改善するための永久磁石シムを製造するためのシステムであって、当該システムは：
前記永久磁石シムを製造するために磁化されるべき磁性材料を受け入れるよう構成された支持フレームと；
前記磁性材料の論理的に分割された領域を磁化するのに十分な磁場を生成できる少なくとも一つの磁化ヘッドと；
前記B0磁場のプロファイルを改善する補正磁場を生成する所望される磁気パターンに従って前記磁性材料を磁化するために、一連の位置において前記磁性材料の近傍に前記磁化ヘッドを自動的に位置させるよう構成された少なくとも一つのコントローラとを有する、
システム。
〔態様７６〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、動作させられたときに前記磁性材料の諸領域を磁化することを容易にする磁場を生成する少なくとも一つのコイルを有する、態様７５記載のシステム。
〔態様７７〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、永久磁石を有する、態様７５記載のシステム。
〔態様７８〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記B0磁場と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様７９〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記B0磁場と実質的に整列したおよび実質的に反整列した方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様７８記載のシステム。
〔態様８０〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記平面状の表面に実質的に垂直な方向に諸領域を磁化するよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様８１〕
前記磁化ヘッドが、前記B0磁場に実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様８２〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが、前記平面状の表面に実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様８３〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが：
前記B0磁場と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第一の磁化ヘッドと；
前記B0磁場と実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第二の磁化ヘッドとを含む、
態様７５記載のシステム。
〔態様８４〕
前記磁性材料が、選択的に磁化される実質的に平面状の表面を有しており、
前記少なくとも一つの磁化ヘッドが：
前記平面状の表面と実質的に平行な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第一の磁化ヘッドと；
前記平面状の表面と実質的に垂直な方向に諸領域を磁化させるよう構成された第二の磁化ヘッドとを含む、
態様７５記載のシステム。
〔態様８５〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが少なくとも一つの次元で制御されることを許容するよう前記少なくとも一つの磁化ヘッドに結合された一つまたは複数の線形ステージを有する、態様７５記載のシステム。
〔態様８６〕
前記一つまたは複数の線形ステージが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが少なくとも二つの次元で制御されることを許容するよう前記少なくとも一つの磁化ヘッドに結合されている、態様８５記載のシステム。
〔態様８７〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドの間で選択することができる、態様８４記載のシステム。
〔態様８８〕
前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドは回転可能なコンポーネントに結合され、前記少なくとも一つのコントローラは、前記回転可能なコンポーネントを回転させることにより、前記第一の磁化ヘッドおよび前記第二の磁化ヘッドの間で選択する、態様８７記載のシステム。
〔態様８９〕
前記コントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドが上げられたり下げられたりすることを許容する少なくとも一つの機構を含む、態様７５記載のシステム。
〔態様９０〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオンにしたりオフにしたりするよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様９１〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記磁性材料を磁化させるよう動作可能になるよう前記磁化ヘッドを従事させるよう構成され、前記磁性材料を磁化させることを妨げられるよう前記磁化ヘッドを解放するよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様９２〕
前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つのコイルに電流を提供することにより前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオンにするよう構成され、前記少なくとも一つのコントローラが、前記少なくとも一つのコイルに電流を提供することを中断することにより前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場をオフにするよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様９３〕
前記少なくとも一つのコントローラは、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場の極性を制御するよう構成されている、態様７５記載のシステム。
〔態様９４〕
前記少なくとも一つのコントローラは、所望される極性の磁場を生成するよう前記少なくとも一つのコイルを動作させることによって、前記少なくとも一つの磁化ヘッドによって生成される磁場の極性を制御するよう構成されている、態様９３記載のシステム。
〔態様９５〕
前記少なくとも一つの磁化ヘッドは：
第一の極性で諸領域を磁化させるよう構成された第一の永久磁化ヘッドと；
第二の極性で諸領域を磁化させるよう構成された第二の永久磁化ヘッドとを含み、
前記少なくとも一つのコントローラは、前記第一の永久磁化ヘッドおよび前記第二の永久磁化ヘッドの間で選択することによって前記極性を制御する、
態様９３記載のシステム。
〔態様９６〕
回転可能なコンポーネントをさらに有しており、前記回転可能なコンポーネントは、前記磁性材料が前記回転可能なコンポーネントに結合されているとき、前記磁性材料が回転されるよう回転されることができる、態様７５記載のシステム。
〔態様９７〕
前記磁化ヘッドの近傍に位置された前記磁性材料の部分を加熱して、前記永久磁石シムの前記部分を磁化するために必要とされる磁場を低減するよう構成された加熱コンポーネントをさらに有する、態様７５記載のシステム。