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　特願２０１３−５１１３５１「高電力窒化ガリウム電界効果トランジスタスイッチ」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月２４日国際公開，ＷＯ２０１１／１４６７００，平成２５年　６月２７日国内公表，特表２０１３−５２７７１８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は，２０１１年５月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１０年５月２０日　米国，２０１１年５月１８日　米国）を国際出願日とする出願であって，原審において平成２５年１月２１日付けで手続補正され，平成２６年９月３０日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２７年２月４日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正されたものである。
第２　補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年２月４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本願発明と補正後の発明
　上記手続補正（以下「本件補正」という。）は，本件補正前の平成２５年１月２１日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された
　「各々がそれぞれのソース，ドレイン及びゲート端子を含む，基板上の第１及び第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ
を備え，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は，前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し，前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は，アースに結合しており，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したＲＦ入力パッドと，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したＲＦ出力パッドと，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合した制御パッドと
をさらに備えることを特徴とするモノリシック高電力無線周波数スイッチ。」
という発明（以下「本願発明」という。）を
　「各々がそれぞれのソース，ドレイン及びゲート端子を含む，基板上の第１及び第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ
を備え，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は，前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合し，前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子は，アースに結合しており，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したＲＦ入力パッドと，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ソース端子及び前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ドレイン端子に結合したＲＦ出力パッドと，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタの前記ゲートに結合した制御パッドと
をさらに備え，
　前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ及び前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのそれぞれは，該窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等しく，蛇行ゲートパターンを有することを特徴とするモノリシック高電力無線周波数スイッチ。」
という発明（以下「補正後の発明」という。）に変更するものである。
２．新規事項の有無，シフト補正，補正の目的要件について  
　本件補正は，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において，補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された，「第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」及び「第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」のそれぞれを，「該窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等しく，蛇行ゲートパターンを有する」ものに限定して，特許請求の範囲を減縮するものであるから，特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に適合するとともに，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３．独立特許要件について  
　本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうか（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するかどうか）について以下に検討する。 
（１）補正後の発明  
　上記補正後の発明のうち，第５段落に記載の「前記ゲート」は，指し示すものが存在しないため，「前記ゲート端子」の誤記と認める。その認定を加味した上で，補正後の発明は，上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で「補正後の発明」として認定したとおりである。
（２）引用発明及び周知事項
ア．引用発明
　原審の拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００５−１０１５６５号公報（以下「引用例」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００１】
　本発明は，携帯電話機等の高周波通信機器に用いられるスイッチ用半導体装置及びスイッチ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年の携帯電話に代表される移動体通信機器には，アンテナを介して送受信される高周波信号を送信側回路と受信側回路とに切り替える高周波スイッチ回路が広く採用されている。高周波スイッチ回路における重要な電気的特性は，オン状態における挿入損失特性とオフ状態におけるアイソレーション（分離）特性である。」（第４ページ）
ｂ．「【０００８】
　ところで，III-Ｖ族窒化物，例えば窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）とがヘテロ接合されてなるＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）は，ＧａＡｓ系ＨＦＥＴに代わる次世代の高速電子デバイスとして注目されており，さらには，高出力デバイスだけでなく低雑音デバイスとしても期待されている。ところが，未だ高周波スイッチ回路としての報告例は見られない。
【０００９】
　本願発明は，窒化ガリウム（ＧａＮ）系ＨＦＥＴを用いることにより，オン抵抗Ｒonの低減と容量Ｃoff の低減とを同時に実現するものである。
【００１０】
　ＡｌＧａＮ／ＧａＮからなるＨＦＥＴは高周波スイッチ回路用デバイスとしても極めて有望なデバイスである。第１に，窒化ガリウム（ＧａＮ）の高い絶縁破壊電圧は，スイッチング可能な信号電力を飛躍的に増加させることができる。一般に，スイッチ回路を通過可能な信号電力は，ＨＦＥＴの逆方向耐圧としきい値電圧Ｖthとにより決定される。ＧａＮ系ＨＦＥＴはＧａＡｓ系ＨＦＥＴと比較してその耐圧は数倍以上であるため，大電力信号をスイッチングすることが可能となる。」（第５ページ）
ｃ．「【００４１】
　図１は本発明の第１の実施形態に係るスイッチ用半導体装置の断面構成を示している。図１に示すように，第１の実施形態に係るスイッチ用半導体装置であるヘテロ接合電界効果型トランジスタ（以下，ＨＦＥＴと呼ぶ。）は，高抵抗の炭化シリコン（ＳｉＣ）からなる単結晶基板１０１の上に，順次エピタキシャル成長により形成された，アンドープのＩｎxＧａ1-xＮ（但し，ｘは０≦ｘ≦１である。）からなり，厚さが約３μｍの第１の化合物層１０２と，アンドープのＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し，ｙ及びｚは０≦ｙ≦１，０＜ｚ≦１である。）からなり，厚さが約２５ｎｍの第２の化合物層１０３とを有している。
【００４２】
　ヘテロ接合面を有する第１の化合物層１０２と第２の化合物層１０３とは，ＧａＮ系化合物に特有の分極効果（自発分極すなわちピエゾ分極）による電荷が供給される，いわゆる変調ドープ構造となっており，第１の化合物層１０２における第２の化合物層１０３との界面の近傍には高濃度の２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が蓄積される。なお，第２の化合物層１０３には，キャリアの供給効率を高めるためにｎ型にドープしてもよいが，高耐圧を必要とされる半導体装置の場合にはアンドープが好ましい。
【００４３】
　第２の化合物層１０３の上面には，ソース電極又はドレイン電極であり，例えばチタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層体からなる２つのオーミック電極１０４が互いに間隔をおいて形成されている。また，第２の化合物層１０３の上面のオーミック電極１０４の間の領域には，珪化パラジウム（ＰｄＳｉ）からなるショットキー型のゲート電極１０５が形成されている。」（第８ページ）
ｄ．「【００６３】
　図６（ａ）は本発明の第２の実施形態に係るスイッチ回路の回路構成を示している。図６（ａ）に示すスイッチ回路は，第１の実施形態又はその各変形例に係るスイッチ用半導体装置のいずれかを１対組み合わせてなり，入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に直列に接続された第１のＦＥＴ１１と，該第１のＦＥＴ１１に対してシャント接続された第２のＦＥＴ２１とにより構成されている。ゲート幅がＷg1である第１のＦＥＴ１１のゲートには，第１の制御端子ＣＴＬ１との間に第１の抵抗器１２が直列に接続され，ゲート幅がＷg2である第２のＦＥＴ２１のゲートには，第２の制御端子ＣＴＬ２との間に第２の抵抗器２２が直列に接続されている。」（第１０ページ）
ｅ．「【００７５】
　図８（ａ）は本発明の第３の実施形態に係るスイッチ回路の回路構成を示している。図８（ａ）に示すスイッチ回路は，第２の実施形態に係るスイッチ回路を１対組み合わせることにより，いわゆるＳＰＤＴ型スイッチ回路を構成している。
【００７６】
　すなわち，入力端子ＩＮと第１の出力端子ＯＵＴ１との間に直列接続された第１のＦＥＴ１１と，該第１のＦＥＴ１１にシャント接続された第２のＦＥＴ２１とにより構成される第１のスイッチ回路１０と，入力端子ＩＮと第２の出力端子ＯＵＴ２との間に直列接続された第３のＦＥＴ３１と，該第３のＦＥＴ３１にシャント接続された第４のＦＥＴ４１とにより構成される第２のスイッチ回路３０とを有している。
【００７７】
　ゲート幅がＷg1である第１のＦＥＴ１１のゲートには，第１の制御端子ＣＴＬ１との間に第１の抵抗器１２が直列に接続され，ゲート幅がＷg2である第２のＦＥＴ２１のゲートには，第２の制御端子ＣＴＬ２との間に第２の抵抗器２２が直列に接続されている。
【００７８】
  同様に，ゲート幅がＷg1である第３のＦＥＴ３１のゲートには，第２の制御端子ＣＴＬ２との間に第３の抵抗器３２が直列に接続され，ゲート幅がＷg2である第４のＦＥＴ４１のゲートには，第１の制御端子ＣＴＬ１との間に第４の抵抗器４２が直列に接続されている。
【００７９】
　ＳＰＤＴスイッチ回路は，移動体通信分野で使用される最も基本的なスイッチ回路である。入力端子ＩＮから入力される高周波信号は，その出力先を，第１の制御端子ＣＴＬ１及び第２の制御端子ＣＴＬ２に印加される各電圧を適当な値に設定することにより，第１の出力端子ＯＵＴ１又は第２の出力端子ＯＵＴ２に切り替えることができる。
【００８０】
　図８（ｂ）は，第１の制御端子ＣＴＬ１の電圧レベルをハイ電位とし，第２の制御端子ＣＴＬ２の電圧レベルをロウ電位とした場合の等価回路である。すなわち，第１のスイッチ回路１０がオン状態で且つ第２のスイッチ回路３０がオフ状態であり，従って，この場合は，入力される高周波信号は第１の出力端子ＯＵＴ１に出力される。ここで，Ｒonは各ＦＥＴ１１，４１がオン状態での単位ゲート幅当たりのオン抵抗であり，Ｃoff は各ＦＥＴ２１，３１がオフ状態でのオフ容量である。」（第１１〜１２ページ）
ｆ．「
」
（図１：第１６ページ）
ｇ．「
」
（図２：第１６ページ）
ｈ．「
」
（図８（ａ）：第１８ページ）
　以下，上記ａ．乃至ｈ．の記載及びこの分野における技術常識を考慮しつつ，引用例に記載された技術事項について検討する。
（ａ）上記ａ．及びｂ．の【００１０】からすると，引用例には，移動体通信機器においてアンテナを介して送受信される，大電力の高周波信号をスイッチする，「大電力高周波信号スイッチ」が記載されていると認める。
（ｂ）上記ｅ．の【００７５】からすると，図８（ａ）に記載の第３の実施形態に係るスイッチ回路（「大電力高周波信号スイッチ」）は，第２の実施形態に係るスイッチ回路を１対組み合わせたＳＰＤＴ型のスイッチ回路であり，上記ｄ．の【００６３】からすると，第２の実施形態に係るスイッチ回路は，第１の実施形態に係るスイッチ用半導体装置を１対組み合わせたものである。そして，第１の実施形態に係るスイッチ用半導体装置は，上記ｃ．からすると，単結晶基板１０１の上に，アンドープのＩｎxＧａ1-xＮ（但し，ｘは０≦ｘ≦１である。）からなる第１の化合物層１０２と，アンドープのＩｎyＡｌzＧａ1-y-zＮ（但し，ｙ及びｚは０≦ｙ≦１，０＜ｚ≦１である。）からなる第２の化合物層１０３とを有し，第２の化合物層１０３の上面に，ソース電極又はドレイン電極を構成する２つのオーミック電極１０４と，ゲート電極１０５とが形成されたものである。そして，第１の化合物層１０２及び第２の化合物層１０３のそれぞれにおいて，Ｉｎ（インジウム）の量を決めるｘ及びｙの値はそれぞれ「０」を含むことから，Ｉｎは必須の要素ではない。そして，上記ｂ．の記載を考慮すると，第１の実施形態に係るスイッチ用半導体装置は，Ｉｎ（インジウム）を含まない「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」を含むものである。
（ｃ）前記（ｂ）及び上記ｅ．並びに上記ｈ．（図８（ａ））に記載された回路図からすると，引用例に記載の「大電力高周波信号スイッチ」は，ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）１１と，ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）２１とを備えており，前者を「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」，後者を「第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」と称するのは任意である。
　また，前記（ｂ）からすると，「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」及び「第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」の各々がそれぞれのソース，ドレイン及びゲート電極を含み，基板上にある。
（ｄ）ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）に係る技術常識からすると，特段の事情がない限り，ソース電極とドレイン電極を逆に接続しても同じように動作するため，上記ｈ．（図８（ａ））に記載された回路図において，ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）１１と，ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）２１とにおけるゲート電極以外の電極のどちらがソース電極でどちらがドレイン電極であるかを特定することはできない。また，ゲート電極以外の電極（ソース電極又はドレイン電極）のうち，一方が，ソース電極であれば，他方がドレイン電極となることは自明なことである。さらに，引用例には，いずれがソース電極でいずれがドレイン電極であるかを限定しなければならない特別な事情は記載されていない。そうすると，前記（ｂ）及び（ｃ），上記ｅ．並びに上記ｈ．（図８（ａ））に記載された回路図からすると，引用例に記載の「大電力高周波信号スイッチ」は，「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」のゲート電極以外の一方の電極の電極は，「第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」のゲート電極以外の一方の電極に結合しており，「第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」のゲート電極以外の他方の電極は，グランドＧＮＤに結合しており，「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」のゲート電極以外の他方の電極に結合した入力端子ＩＮと，「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」のゲート電極以外の一方の電極及び「第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）のゲート電極以外の一方の電極に結合した第１の出力端子ＯＵＴ１と，「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」のゲート電極に結合した第１の制御端子ＣＴＬ１とをさらに備えている。
（ｅ）上記ｅ．の【００７９】からすると，「入力端子ＩＮ」は，高周波信号を入力する端子であり，「出力端子ＯＵＴ１」は，高周波信号を出力する端子である。
（ｆ）上記ｅ．の【００８０】及び上記ｈ．（図８（ａ））の記載からすると，「第１の制御端子ＣＴＬ１」は，所定の電圧が印加されることにより制御を行う端子である。
　したがって，上記（ａ）〜（ｆ）より，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「各々がそれぞれのソース，ドレイン及びゲート電極を含む，基板上の第１及び第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）
を備え，
　前記第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極以外の一方の電極は，前記第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極以外の一方の電極に結合し，前記第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極以外の他方の電極は，グランドＧＮＤに結合しており，
　前記第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極以外の他方の電極に結合した，高周波信号を入力する入力端子ＩＮと，
　前記第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極以外の一方の電極及び前記第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極以外の一方の電極に結合した，高周波信号を出力する第１の出力端子ＯＵＴ１と，
　前記第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）の前記ゲート電極に結合した，所定の電圧が印可される第１の制御端子ＣＴＬ１と
をさらに備える，
　ことを特徴とする，大電力高周波信号スイッチ。」
イ．周知事項
（ア）周知事項１
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００７−２５８４０６号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。  
ｊ．「【０００１】
　本発明は半導体装置に関わり，特に，発光ダイオード(ＬＥＤ)，レーザーダイオード(ＬＤ)，ヘテロ接合電界効果型トランジスタ(ＨＦＥＴあるいはＨＥＭＴ)，ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(ＨＢＴ)等の作製に用いられる窒化物半導体の積層構造に関わる。
【背景技術】
【０００２】
　ＧａＮをはじめとした窒化物半導体は，高い絶縁破壊電界強度，高い熱伝導率および高い電子飽和速度等の特性を有しており，高周波のハイパワーデバイス向けの材料として優れている。例えば，基板上にＧａＮバッファ層およびＡｌＧａＮバリア層を有するヘテロ接合構造において，ヘテロ接合界面近傍に電子が高濃度に蓄積され，いわゆる２次元電子ガス(２ＤＥＧ)を形成する。この２ＤＥＧは散乱要因となる導電性不純物が存在しないアンドープＧａＮ層内を走行できるために高い電子移動度を示し，いわゆる高電子移動度トランジスタ(ＨＥＭＴ)として動作させることが可能である。」（第２ページ）
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００８−１１７８７４号公報（以下「周知例２」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｋ．「【０００３】
　III-Ｖ族化合物半導体系電子デバイスとしてGaNなどのIII-Ｖ族化合物半導体を用いたヘテロ接合電界効果トランジスタ（Hetero-junction FET: HFET）あるいは別名HEMT (High Electron Mobility Transistor; 高電子移動度トランジスタ)が知られている（例えば，特許文献１参照）。」（第２ページ）
　周知例１及び周知例２に記載された上記ｊ．及びｋ．から，以下の事項は周知であると認める。（以下「周知事項１」という。）
「ヘテロ接合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）が高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）として動作すること。」
（イ）周知事項２
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００４−１４０１８４号公報（以下「周知例３」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｌ．「【０００２】
【従来の技術】
携帯電話等の移動体用通信機器では，ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用している場合が多く，アンテナの切換回路や送受信の切換回路などに，これらの高周波信号を切り替えるためのスイッチ素子が用いられることが多い。その素子としては，高周波を扱うことからガリウム・砒素（ＧａＡｓ）を用いた電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）を使用する事が多く，これに伴って前記スイッチ回路自体を集積化したモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の開発が進められている。
【０００３】
図１５から図１８に，従来のＧａＡｓＦＥＴを用いたスイッチ回路装置の一例を説明する（例えば，特許文献１参照。）。
【０００４】
図１５（Ａ）は，ＧａＡｓ　ＦＥＴを用いたＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）と呼ばれる化合物半導体装置の原理的な回路図の一例を示す。
【０００５】
第１と第２のＦＥＴ１，ＦＥＴ２のソース（又はドレイン）が共通入力端子ＩＮに接続され，各ＦＥＴ１，ＦＥＴ２のゲートが抵抗Ｒ１，Ｒ２を介して第１と第２の制御端子Ｃｔｌ−１，Ｃｔｌ−２に接続され，そして各ＦＥＴのドレイン（又はソース）が第１と第２の出力端子ＯＵＴ−１，ＯＵＴ−２に接続されたものである。第１と第２の制御端子Ｃｔｌ−１，Ｃｔｌ−２に印加される信号は相補信号であり，Ｈレベルの信号が印加されたＦＥＴがＯＮして，入力端子ＩＮに印加された信号をどちらか一方の出力端子に伝達するようになっている。抵抗Ｒ１，Ｒ２は，交流接地となる制御端子Ｃｔｌ−１，Ｃｔｌ−２の直流電位に対してゲート電極を介して高周波信号が漏出することを防止する目的で配置されている。
【０００６】
図１５（Ｂ）は上記の化合物半導スイッチ回路装置を集積化した平面図である。
【０００７】
図に示す如く，ＧａＡｓ基板にスイッチを行うＦＥＴ１およびＦＥＴ２（いずれもゲート幅６００μｍ）を中央部に配置し，各ＦＥＴのゲート電極に抵抗Ｒ１，Ｒ２が接続されている。また共通入力端子ＩＮ，出力端子ＯＵＴ−１，ＯＵＴ−２，制御端子Ｃｔｌ−１，Ｃｔｌ−２に対応するパッドＩ，Ｏ１，Ｏ２，制御端子Ｃ１，Ｃ２が基板の周辺に設けられている。なお，点線で示した第２層目の配線は各ＦＥＴのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）１６８であり，実線で示した第３層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）１７７である。第１層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層（ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ）は各ＦＥＴのソース電極，ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものであり，図１５では，パッド金属層と重なるために図示されていない。
【０００８】
各電極パッドおよび配線が隣接する部分では，電極パッド及び配線の下全面（または周辺部）に当接して不純物領域１６０，１６１が設けられる。不純物領域１６０，１６１は，電極パッドまたは配線の基板当接部よりはみ出して設けられ，所定のアイソレーションを確保している。」（第３〜４ページ）
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００６−３１０５０９号公報（以下「周知例４」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｍ．「【背景技術】
【０００２】
　携帯電話等の移動体用通信機器では，ＧＨｚ帯のマイクロ波を使用している場合が多く，アンテナの切換回路や送受信の切換回路などに，これらの高周波信号を切り替えるためのスイッチ素子が用いられることが多い。その素子としては，高周波を扱うことからガリウム・砒素（ＧａＡｓ）を用いた電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという）を使用する事が多く，これに伴って前記スイッチ回路自体を集積化したモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）の開発が進められている。
【０００３】
　図９は，従来の化合物半導体チップの一例として，ＦＥＴを複数段接続した２つのスイッチング素子からなるスイッチＭＭＩＣを示す。
【０００４】
　化合物半導体基板に第１および第２スイッチング素子ＳＷ１，ＳＷ２となる２つのＦＥＴ群を配置する。各ＦＥＴ群は３つのＦＥＴを直列に接続したものである。各ＦＥＴ群を構成する６つのゲート電極にはそれぞれ，第１コントロール抵抗ＣＲ１，第２コントロール抵抗ＣＲ２が接続されている。また共通入力端子ＩＮおよび出力端子ＯＵＴ１およびＯＵＴ２に接続する電極パッドＩ，Ｏ１，Ｏ２と，制御端子Ｃｔｌ１およびＣｔｌ２にそれぞれ接続する２つの電極パッドＣ１，およびＣ２，が基板の周辺に設けられている。」（第３ページ）
　周知例３及び周知例４に記載された上記ｌ．及びｍ．から，以下の事項は周知であると認める。（以下「周知事項２」という。）
「入力端子，出力端子及び制御端子に対応するパッドを備え，複数のＦＥＴからなるスイッチ回路を集積化したモノリシックな集積回路。」
（ウ）周知事項３
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００７−１７３４２６号公報（以下「周知例５」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｎ．「【０００９】
　以下，図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
　図１は，本発明の第１の実施の形態にかかるＧａＮ−ＨＦＥＴの構造を表す，模式断面図である。
　図１に表すＨＦＥＴは，ノンドープの窒化物半導体からなるチャネル層１上に，厚みが略均一なノンドープまたはｎ型の窒化物半導体からなるバリア層２が形成された構造を有する。
（…中略…）
  【００１２】
　図３は，窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ）成膜時のスパッタ圧と膜応力の関係を表した図表である。
　図より，スパッタ圧を高めることで膜応力は負から正へと変化し，その変化の様子はほぼ直線的であることが分かる。この特性はスパッタ装置への装置依存性も大きいが，一般的な傾向として，成膜時の反応圧を高くすると緻密な膜となり膜応力が正（引っ張り性）の膜が形成される。また，ＲＦ電力パワーを大きくすると膜質は緻密になる傾向があるので，ＲＦ電力パワーを変化させて所望の膜応力を得ることも可能である。  
　絶縁膜としてプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で窒化シリコン（ＳｉＮx）を形成する場合は，アンモニア（ＮＨ３）に対するシラン（ＳｉＨ４）の流量比を大きくすることで膜応力を緩和することが可能である。これは，シリコン（Ｓｉ）と水素（Ｈ）との結合が増えるために，シリコンと窒素（Ｎ）との結合が弱くなるためであると考えられる。
　このような方法を用いて，図１に表す第１の絶縁膜６，第２の絶縁膜７を形成することで，しきい値電圧を変化させることが可能となる。しきい値電圧を低くすることで，素子のオン抵抗（ＲＯＮ）は小さくすることができ，しきい値電圧を高くすることで，素子の耐圧を高く保つことができる。特に，第１の絶縁膜６の歪みをしきい値電圧が低くなるよう形成し，第２の絶縁膜７の歪みをしきい値電圧が高くなるように形成すれば，低オン抵抗（ＲＯＮ）特性と高耐圧を同時に実現することができる。また，第２の絶縁膜７のしきい値電圧を高くできるので，従来のオフセット構造を用いる必要がなくなり，図１に表される
ゲート−ドレイン間距離（Ｌ
ＧＤ
）はゲート−ソース間距離（Ｌ
ＧＳ
）程度まで小さくすることが可能
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００８−１０３７０５号公報（以下「周知例６」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｏ．「【０００１】
　本発明は，ミリ波通信又はパワースイッチング用途に用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表され，一般式が（ＩｎｘＡｌ１−ｘ）ｙＧａ１−ｙＮ（但し，ｘ，ｙは，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１である。）で表される混晶であるIII族窒化物半導体は，その物理的特徴である広いバンドギャップ及び直接遷移型バンド構造を利用した可視域又は紫外域の発光素子への応用のみならず，破壊電界及び飽和電子速度が大きいという特徴を利用した電子デバイスへの応用が期待されている。特に，エピタキシャル成長したＡｌｘＧａ１−ｘＮとＧａＮとの界面に現れる２次元電子ガス（2 Dimensional Electron Gas：２ＤＥＧ）を利用するヘテロ接合電界効果トランジスタ（Heterojunction Field Effect Transistor：以下，ＨＦＥＴと略す。）は，高い電流密度と高耐圧という優れた特性を有している。これは，それぞれ，２ＤＥＧの高いシートキャリア濃度と，ＡｌＧａＮ及びＧａＮのバンドギャップが大きいことによる。その結果，高出力高周波デバイスとして期待され，研究開発が盛んに行われている。」（第２〜３ページ）
ｐ．「【００３６】
」（第６ページ）
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００９−１２４６６７号公報（以下「周知例７」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｑ．「【０００５】
　材料限界を打破して導通損失を低減するために，ＧａＮに代表される窒化物系半導体又は炭化珪素（ＳｉＣ）等のワイドギャップ半導体を用いた半導体素子の導入が検討されている。ワイドギャップ半導体は絶縁破壊電界がＳｉに比べて約１桁高く，特に，窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）とのヘテロ接合界面には自発分極及びピエゾ分極により電荷が生じる。これにより，アンドープ時においても１×１０13ｃｍ-2以上のシートキャリア濃度と１０００ｃｍ2Ｖ／ｓｅｃ以上の高移動度の２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層が形成される。このため，ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＡｌＧａＮ／ＧａＮ−ＨＦＥＴ）は，低オン抵抗及び高耐圧を実現するパワースイッチングトランジスタとして期待されている。
【０００６】
　しかし，通常のＦＥＴは，ゲート−ドレイン間の耐圧に比べて，ゲート−ソース間の耐圧が低い。このため，ワイドギャップ半導体を用いたＦＥＴであっても，双方向スイッチを実現するためには，２個のＦＥＴと２個の保護ダイオードが必要となる。
【０００７】
　
ゲート−ソース間の耐圧をゲート−ドレイン間の耐圧と等しくするには，ゲート電極とソース電極との間の距離と，ゲート電極とドレイン電極との間の距離とを等しくすればよい。
【特許文献１】米国特許出願公開２００５／０１８９５６１号明細書」（第７ページ）
　周知例５乃至周知例７に記載された上記ｎ．乃至ｑ．から，以下の事項は周知であると認める。（以下「周知事項３」という。）
「窒化ガリウムを用いたＨＦＥＴにおいて，ゲートとソース間の距離とゲートとドレイン間の距離とを等しくすること。」
（エ）周知事項４
　原審の拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００６−１９６８０２号公報（以下「周知例８」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｒ．「【０００２】
　近年，情報通信分野における技術の進展は著しく，通信機器が扱う周波数帯域もマイクロ波帯域からミリ波帯までの高周波信号を扱う通信用回路などでは，信号を通過させるオン・オフ型スイッチやオン・オフ型スイッチを複数個組み合わせて伝送線路を制御する経路切り替え型のスイッチなどが多く用いられている。基本となるオン・オフ型スイッチは，一般に機械的な開閉動作をする機械式スイッチや，半導体のＰＮ接合を用いたＰＮダイオードスイッチやＦＥＴ（電解効果型トランジスタ）のスイッチング機能を用いたＦＥＴスイッチなどによって構成されている（例えば，特許文献１参照。）。」（第３ページ）
ｓ．「【００１３】
　図１および図２に示すように，半導体基板１０は以下のように形成されている。例えば，半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上に，バッファー層１２，電子供給層１３，スペーサー層１４，電子走行層１５，スペーサー層１６，電子供給層１７，バリア層１８が順に形成されている。上記バッファー層１２は例えばノンドープＡｌＧａＡｓ層で形成されている。上記電子供給層１３は例えばｎ+ＡｌＧａＡｓ層で形成されている。上記スペーサー層１４は例えばノンドープＡｌＧａＡｓ層で形成されている。上記電子走行層１５は例えばノンドープＩｎＧａＡｓ層で形成されている。上記スペーサー層１６は例えばノンドープＡｌＧａＡｓ層で形成されている。上記電子供給層１７は例えばｎ+ＡｌＧａＡｓ層で形成されている。上記バリア層１８は例えばｎＡｌＧａＡｓ層で形成されている。すなわち，半導体基板１０は，半絶縁性ＧａＡｓ基板１１上のバッファー層１２上に，電子供給層１３，スペーサー層１４，電子走行層１５，スペーサー層１６，電子供給層１７からなるヘテロ接合を有する半導体層を含んで積層された半導体層が形成されている。」（第４ページ）
ｔ．「【００３０】
　図７（１）には，従来の
ミアンダゲート型
　原審の拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００７−１８０３３０号公報（以下「周知例９」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｕ．「【００１３】
　図1に示す本発明の実施例1に係る窒化物半導体を用いた半導体装置としてのＨＥＭＴは，シリコンから成る導電性を有する基板1と半導体素子としてのＨＥＭＴ素子の主要部分を形成するための半導体領域2と第1の電極としてのソース電極3と第2の電極としてのドレイン電極４と制御電極としてのゲート電極５とから成る。」（第４〜５ページ）
ｖ．「【００３４】
　図１０に示す実施例５のＨＥＭＴは，変形されたソース電極３ｃ，ドレイン電極４ｃ，ゲート電極５ｃ及び絶縁領域９ｃを有し，この他は図１と実質的に同一に形成されている
。図１０のソース電極３ｃ及びドレイン電極４ｃは平面的に見てそれぞれ櫛型に形成され，
ゲート電極５ｃは蛇行
　周知例８及び９に記載された上記ｒ．乃至ｖ．から，以下の事項は周知であると認める。 （以下「周知事項４」という。）
「ＨＦＥＴ（ＨＥＭＴ）において，ミアンダ（蛇行）ゲートパターンを用いること。」
（３）対比・判断
ア．対比
　補正後の発明と引用発明とを対比する。
（ア）本願の明細書及び図面には，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」の具体的な構成は記載されておらず，明細書の段落【００３３】に「回路１００は，窒化ガリウムをベースとする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を用いて，モノリシックシリコンカーバイド基板１１０の上に実装することができる。」といった記載がある程度であるため，補正後の発明の「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」は，「窒化ガリウム」を主たる成分とする「高電子移動度トランジスタ」であると解される。
　一方，引用発明の「第１の（第２の）ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」が，「窒化ガリウム」を主たる成分としたトランジスタであることは，上記ｃ．（特に【００４１】）の内容から自明である。
　すると，引用発明の「第１の（第２の）ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」と補正後の発明の「第１の（第２の）窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」とは，窒化ガリウム（ＧａＮ）を主成分としたトランジスタ（以下「窒化ガリウムトランジスタ」という。）である点において共通している。
（イ）引用発明の「ソース電極」，「ドレイン電極」及び「ゲート電極」は，他の素子又は外部との間で入出力を行うための「端子」といえる。よって，引用発明の「ソース電極」，「ドレイン電極」及び「ゲート電極」はそれぞれ，補正後の発明の「ソース端子」，「ドレイン端子」及び「ゲート端子」に相当する。すると，引用発明の「第１及び第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」と補正後の発明の「第１及び第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」とは，「各々がそれぞれのソース，ドレイン及びゲート端子を含む，基板上の」ものである点において共通している。
（ウ）引用発明の「グランドＧＮＤ」は，補正後の発明の「アース」に相当する。
（エ）本願明細書の
「【００４２】
　ＲＦ入力端子（ＲＦ＿Ｉｎｐｕｔ）に入る信号は，ＤＣ電圧を制御端子（Ｖｃｔｒｌ，Ｖｃｔｒｌ＿ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔ）に印加することによって，いずれかの出力端子（ＲＦ＿Ｏｕｔｏｕｔ＿１又はＲＦ＿Ｏｕｔｏｕｔ＿２）に向けられる。ＲＦ信号は，等価に，出力端子の１つから入力端子へと，逆向きに通過することができる。」
との記載及び図１からすると，補正後の発明の「ＲＦ入力パッド」（図１の「ＲＦ＿Ｉｎｐｕｔ」に相当。）は，ＲＦ信号，すなわち，高周波信号を入力する端子であり，「ＲＦ出力パッド」（図１の「ＲＦ＿Ｏｕｔｐｕｔ＿１」及び「ＲＦ＿Ｏｕｔｐｕｔ＿２」に相当）は，高周波信号を出力する端子であり，「制御パッド」は，所定の電圧が印可される制御端子である。
　そうすると，引用発明の「高周波信号を入力する入力端子ＩＮ」と補正後の発明の「ＲＦ入力パッド」とは，高周波信号を入力する端子（以下「高周波信号入力端子」という。）である点において共通し，引用発明の「高周波信号を出力する第１の出力端子ＯＵＴ１」と補正後の発明の「ＲＦ出力パッド」とは，高周波信号を出力する端子（以下「高周波信号出力端子」という。）である点において共通し，また，引用発明の「第１の制御端子ＣＴＬ１」と補正後の発明の「制御パッド」とは，所定の電圧が印可される制御端子（以下単に「制御端子」という。）である点において共通する。
（オ）「第１の窒化ガリウムトランジスタ」と「第２の窒化ガリウムトランジスタ」との結合関係に関して，引用発明と補正後の発明とは，「第１の窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子以外の端子と，「第２の窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子以外の端子とが結合する点において共通する。
（カ）「第２の窒化ガリウムトランジスタ」とアース（グランドＧＮＤ）との結合関係に関して，引用発明と補正後の発明とは，「第２の窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子以外の端子が，アース（グランドＧＮＤ）に結合する点において共通する。
（キ）「第１の窒化ガリウムトランジスタ」及び「第２の窒化ガリウムトランジスタ」と「高周波信号出力端子」との結合関係に関して，引用発明と補正後の発明とは，「第１の窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子以外の端子及び「第２の窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子以外の端子に「高周波信号出力端子」が結合する点において共通する。
（ク）「第２の窒化ガリウムトランジスタ」と「制御端子」との結合関係に関して，引用発明と補正後の発明とは，「第２の窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子に「制御端子」が結合する点において共通する。
（ケ）「高電力」と「大電力」とは同義であると解される。また，引用発明の高周波スイッチは、移動体通信機器においてアンテナを介して送受信される高周波信号を切り替えるものである（前記「（２）引用発明及び周知事項」の「ア．引用発明」のａ．及び（ａ）の項を参照。）から、当該「高周波」は「無線周波数」に相当する。よって，引用発明の「大電力高周波スイッチ」と，補正後の発明の「モノリシック高電力無線周波数スイッチ」とは，「高電力無線周波数スイッチ」である点において共通する。
イ．一致点・相違点
　前記ア．から，補正後の発明と引用発明は，以下の点で一致ないし相違している。
［一致点］
　「各々がそれぞれのソース，ドレイン及びゲート端子を含む，基板上の第１及び第２の窒化ガリウムトランジスタ
を備え，
　前記第１の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子以外の一方の端子は，前記第２の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子以外の一方の端子に結合し，前記第２の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子以外の他方の端子は，アースに結合しており，
　前記第１の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子以外の他方の端子に結合した高周波信号入力端子と，
　前記第１の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子以外の一方の端子及び前記第２の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子以外の一方の端子に結合した高周波信号出力端子と，
　前記第１の窒化ガリウムトランジスタの前記ゲート端子に結合した制御端子と
をさらに備え，
　ることを特徴とする高電力無線周波数スイッチ。」
［相違点１］
  「窒化ガリウムトランジスタ」が，補正後の発明は，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」であるのに対し，引用発明は「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」である点。
［相違点２］
　「窒化ガリウムトランジスタ」のゲート端子以外の端子について，補正後の発明は，いずれがソース端子又はドレイン端子かを具体的に特定しているのに対し，引用発明は，具体的に特定していない点，
　すなわち，
・「第１の窒化ガリウムトランジスタ」（以下「前者」という。）と「第２の窒化ガリウムトランジスタ」（以下「後者」という。）との結合に関し，補正後の発明は，前者のソース端子と後者のドレイン端子とが結合するのに対し，引用発明は，前者のゲート端子以外の一方の端子と，後者のゲート端子以外の一方の端子が結合し，
・アースとの結合に関し，補正後の発明は，後者の「ドレイン端子」が結合するのに対し，引用発明は，後者のゲート端子以外の他方の端子が結合し，
・高周波信号入力端子との結合に関し，補正後の発明は，前者のドレイン端子が結合するのに対し，引用発明は，前者のゲート端子以外の他方の端子が結合し，
・高周波信号出力端子との結合に関し，補正後の発明は，前者のソース端子と後者のドレイン端子が結合するのに対し，引用発明は，前者のゲート端子以外の一方の端子と後者のゲート端子以外の一方の端子とが結合する，
点。
［相違点３］
　「高周波入力端子」，「高周波出力端子」及び「制御端子」がそれぞれ，補正後の発明は，「ＲＦ入力パッド」，「ＲＦ出力パッド」及び「制御パッド」と，「パッド」で構成されるのに対し，引用発明は，そのように構成されることについて特定していないとともに，「高電力無線周波数スイッチ」が，補正後の発明は，「モノリシック」であるのに対し，引用発明は，「モノリシック」であるとの限定がない点。
［相違点４］
　補正後の発明は，「前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ及び前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのそれぞれは，該窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等しく」との限定的構成を有しているのに対し，引用発明は，そのような限定をしていない点。
［相違点５］
　補正後の発明は，「蛇行ゲートパターンを有する」との限定的構成を有しているのに対し，引用発明は，そのような限定をしていない点。
ウ．判断
　前記イ．の各相違点について検討する。
（ア）［相違点１］について
　引用例には，上記ｇ．（図２）に「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ」との文字があるところ，引用発明に係る「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」が「ＨＥＭＴ」すなわち「高電子移動度トランジスタ」であることの示唆があるといえ，また，上記周知事項１にあるように，ヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）が高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）として動作することは周知技術である。
　また，補正後の発明における「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」は，「高電子移動度トランジスタ」である以上，「窒化ガリウム」の層と，該「窒化ガリウム」とは異なる材質の層との間でヘテロ接合をする必要があるが，本願の明細書及び図面を参酌しても，いかなる材質の層との間でヘテロ接合をするのか具体的な記載はない。よって，当該「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」は，「窒化ガリウム」以外に，当該「窒化ガリウム」の層との間でヘテロ接合するいかなる材質のものも含むと解される。実際，本願の明細書の段落【００４０】には，段落【０００５】において先行技術文献として挙げられた特許文献２が「Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ　ｇａｔｅ　ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ」に係るものであることから，ＧａＮ（窒化ガリウム）とヘテロ接合する層を「ＡｌＧａＮ」とした「高電子移動度トランジスタ」（ＨＥＭＴ）を，補正後の発明が含む，すなわち，補正後の本願発明における「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」が，「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ高電子移動度トランジスタ」を含むものと解するのが合理的である。
　したがって，引用発明の「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」は，補正後の発明の「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」に包含されるものである。
　よって，当該［相違点１］は，表現上の違いに由来するものにすぎず，実質的な相違点ではない。
（イ）［相違点２］について
　前記（２）アの（ｄ）の項で述べたように，ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）に係る技術常識からすると，特段の事情がない限り，ソース電極とドレイン電極を逆に接続しても同じように動作する。また，引用例には，いずれがソース電極でいずれがドレイン電極であるかを限定しなければならない特別な事情は記載されていない。
　よって，引用発明に係る各「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」において，ゲート電極以外の電極のうちいずれをソース電極又はドレイン電極とするのかは，当業者が任意に設定できる事項にすぎない。
　したがって，引用発明において，「第１のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」（以下「前者」という。）と「第２のＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」（以下「後者」という。）との結合に関し，前者のソース電極と後者のドレイン電極とを結合し，グランドＧＮＤとの結合に関し，後者のドレイン電極を結合し，入力端子ＩＮとの結合に関し，前者のドレイン電極を結合し，第１の出力端子ＯＵＴ１との結合に関し，前者のソース電極と後者のドレイン電極を結合するよう構成することは，当業者が適宜なし得た事項にすぎない。
（ウ）［相違点３］について
　上記周知事項２にあるように，入力端子，出力端子及び制御端子に対応するパッドを設けること及び複数のＦＥＴからなるスイッチ回路を集積化したモノシリックな集積回路は周知技術である。そして，半導体装置の技術分野において，周知の構成を取捨選択してその改良を試みることは当業者が通常行うことである。
　したがって，引用発明に上記周知技術を採用して，入力端子ＩＮ，第１の出力端子ＯＵＴ１及び第１の制御端子ＣＴＬ１を「パッド」として実装すること，及び，大電力高周波信号スイッチを，「モノシリック」に構成することは，いずれも，当業者が容易に想到し得たことである。
　よって，当該［相違点３］は格別のものではない。
（エ）［相違点４］について
　上記周知事項３にあるように，窒化ガリウムを用いたＨＦＥＴにおいて，ゲートとソース間の距離とゲートとドレイン間の距離とを等しくすることは周知技術である。そして，半導体装置の技術分野において，周知の構成を取捨選択してその改良を試みることは当業者が通常行うことである。
　よって，引用発明に上記周知技術を採用して，各「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」におけるゲートとソース間の距離ＬＧＳとゲートとドレイン間の距離ＬＧＤとを等しくすることは当業者が容易に想到し得たことである。
（オ）［相違点５］について
　上記周知事項４にあるように，ＨＦＥＴ（ＨＥＭＴ）において，ミアンダ（蛇行）ゲートパターンを用いることは周知技術である。そして，半導体装置の技術分野において，周知の構成を取捨選択してその改良を試みることは当業者が通常行うことである。
　よって，引用発明に上記周知技術を採用して，各「ＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ結合電界効果型トランジスタ（ＨＦＥＴ）」におけるゲート電極を，「ミアンダゲートパターン」とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　そして，補正後の発明の作用効果も，引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　以上のとおり，補正後の発明は引用発明及び周知事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
エ．請求人の主張について
　請求人は，平成２７年２月４日に提出した審判請求書において，
「３．３　本願発明の特徴 
 　審査官の上記指摘に鑑みて，本件補正書により，補正した本願請求項１に係る発明の１つの特徴は，「前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ及び前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのそれぞれは，該窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等しく，蛇行ゲートパターンを有すること」である。 
 　請求項１を引用する請求項２から１２に係る発明も，上記特徴と同じ特徴を有するものである。すなわち，請求項１から１２に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，上記特徴を有するものである。 
（…中略…）本願発明のように「前記第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ及び前記第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのそれぞれは，該窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等しく，蛇行ゲートパターンを有すること」，特に「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等し」いことは，何ら示唆されていない。本願発明は，上記特徴を有することにより，本願明細書（段落［００５５］，図８，９Ａ及び９Ｂ等）に記載されているように，「２０ワット（４３ｄＢｍ）を超えるＲＦ信号の線形伝送を広い周波数帯域にわたって示す」といった，引用文献１から４には記載も示唆もない有利な効果を奏するものである。本願発明の進歩性の存在を肯定的に推認するのに役立つ事実として，これを参酌すべきである。」
と主張し，さらには，平成２７年８月４日に提出した上申書において，
　「引用文献１から３に記載されているように，本願発明と同様のトランジスタが無線周波数スイッチの分野において知られているとしても，ゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSを等しくすることは，引用文献１から３に記載のデバイスの逆阻止及び順方向電流の通電特性を考慮すれば，一般的に普通になされることではありません。
　これに対して，上記特徴を有する本願発明は，本願明細書の段落［００５０］から［００５７］に記載されているように，実験結果において，低損失，かつ，良好な不整合エラー（低い不整合エラー）を示し，ＲＦ信号の線形伝送を広い周波数帯域にわたって示しており，引用文献１から３にはない有利な効果を奏するものであります。少なくとも上述した性能（有利な効果）は，距離ＬGDと距離ＬGSに起因するものであります。」
と主張している。
　しかしながら，ＨＥＭＴ，ＨＦＥＴのようなトランジスタを用いた半導体装置の性能は，当該トランジスタの性能のみに依存するものではないことは出願時の技術常識である。実際，本願の明細書及び図面には，本件補正後の特許請求の範囲の請求項２に記載した「らせん状インダクタループ」や，請求項３に記載した「抵抗器」を用いる実施例が開示されているところ，本願の明細書及び図面に記載された実験結果も，「らせん状インダクタループ」及び「抵抗器」を含む回路を用いた実験に基づくものと解するのが合理的であるから，請求人が主張する，補正後の発明の有利な効果は，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」のみに起因しないと解される。また，トランジスタ自体の性能も，ゲートとドレイン間の距離とゲートとソース間の距離との大小関係，又は，ゲートの形状のみに依存するものではなく，トランジスタを構成する導電層／絶縁層の材質及び厚さ，ソース／ドレイン電極の形状・大きさ，基板の材質等，種々の他の条件にも依存することは出願時の技術常識である。しかしながら，本願の明細書及び図面には，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」の構成について，ゲートとドレイン間の距離とゲートとソース間の距離との大小関係，及び，ゲートの形状以外の条件について記載がない。さらに，本願の明細書及び図面に記載された実験結果には，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等し」くない条件下，又は，「蛇行ゲートパターン」を用いない条件下における実験の結果が含まれていないため，当該実験結果から得られる，補正後の発明の有利な効果が，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等し」いこと，又は「蛇行ゲートパターン」を有することに起因するとは認められない。
　したがって，請求人が主張する，補正後の発明の有利な効果が，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等し」いこと，又は，「蛇行ゲートパターン」に起因するものと認定し，この認定を加味した上で補正後の発明を解釈することはできない。
　また，本願の明細書の段落【００４８】には，「ゲートをドレイン端子とソース端子との間の等距離に配置することは，大きなゲート抵抗器の使用とあいまって，全ＲＦ電圧がドレインゲート空間とゲートソース空間との間で等しく分割されるようにすることを可能にする。これらの空間のどちらかにかかる電圧がトランジスタのピンチオフ又は破壊電圧を超えるとき，線形動作が制約されるので，電圧を均等化することは，スイッチが，いずれの条件をも破ることなく大きいＲＦ信号を操作することを可能にし得る。」と記載されていることから，「窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等し」くすることの直接的な目的は，ゲートとソース間の電圧とゲートとドレイン間の電圧とを等しくして，ゲートとソース間の耐圧又はゲートとドレイン間の耐圧のいずれも超えないようにすることと認められる。そして，周知例７（上記ｑ．）には，「ゲート−ソース間の耐圧とゲート−ドレイン間の耐圧を等しくするためには，ゲート電極とソース電極との間の距離と，ゲート電極とドレイン電極との間の距離を等しくすればよい。」と記載されている。したがって，引用発明において，ゲートとソース間の電圧とゲートとドレイン間の電圧とを等しくすることを目的として，ゲート電極とソース電極との間の距離と，ゲート電極とドレイン電極との間の距離とを等しくすることは，周知例７の記載を参酌すれば当業者が容易に想到し得たことである。よって，本願の明細書の記載を勘案して補正後の発明の効果を認めたしても，進歩性は認められない。
　よって，請求人の主張は，採用しない。
（４）結語
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明  
　平成２７年２月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願発明は，上記「第２　補正却下の決定」の「１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりである。  
２．引用発明
　引用発明は，上記「第２　補正却下の決定」の「３．独立特許要件について」の「（２）引用発明及び周知事項」の「ア．引用発明」の項で認定したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は上記補正後の発明から本件補正に係る，「第１の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」及び「第２の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ」のそれぞれを，「該窒化ガリウム高電子移動度トランジスタのゲートとドレイン間の距離ＬGDと，ゲートとソース間の距離ＬGSとが等しく，蛇行ゲートパターンを有する」ものとする限定を省いたものである。  
　そうすると，本願発明の構成に本件補正に係る限定を付加した補正後の発明が，上記「第２　補正却下の決定」の「３．独立特許要件について」の項で検討したとおり，引用発明及び周知の技術事項に基づいて容易に発明できたものであるから，本願発明も同様の理由により，容易に発明できたものである。
４．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって，本願は，その余の請求項に論及するまでもなく拒絶すべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。