【事件の表示】
　特願２０１１−５０７７８９「プラズマ発生装置及びプラズマ発生装置の制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月１２日国際公開、ＷＯ２００９／１３５４７１、平成２３年　７月２８日国内公表、特表２０１１−５２２３５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、２００９年４月２９日（パリ条約による優先権主張　２００８年５月５日　（ＤＥ）ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月７日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２６年７月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月１１日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされたものである。 
第２　本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１５に係る発明は、平成２５年１１月７日付け手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項によって特定されると認められるところ、その請求項１５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。
「【請求項１５】
　例えばイオン源などのプラズマ発生装置の制御方法であって、当該プラズマ発生装置で生成されるプラズマに高周波交流電場または高周波交流電磁場を作用させて当該プラズマの運動を誘起するようにしたプラズマ発生装置の制御方法において、
　高周波交流電磁場に加えて更に直流電磁場をプラズマに作用させることにより、イオン化室の中に電子の磁気封じ込め現象を発生させるようにしたことを特徴とするプラズマ発生装置の制御方法。」
　なお、平成２５年１１月７日付け手続補正により補正された請求項１５の「前記イオン化室」との記載は、「イオン化室」との記載の誤記であることは明らかであるので、上記の通り認定した。
第３　刊行物及び引用発明 
　原査定の拒絶の理由に引用され、本件優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００４／３６０３２号明細書（以下「引用文献」という。）には、次の記載がある（当審にて仮訳した。下線は当審において付与した。）。
１「[0003]  The invention relates generally to electron and ion beam systems and more particularly to electron and ion beam systems based on plasma ion sources. 」
［０００３］　本発明は、概して電子ビーム、イオンビームに関し、特にプラズマイオン源に基づく電子ビーム、イオンビームに関するものである。
２「[0034]  FIG. 6  shows an RF plasma generator or source  40  of the invention. Plasma ion source  40  is formed of a quartz (or other material) plasma chamber  42 . Chamber  42  is typically compact or miniaturized, with an outer diameter of about 2 cm and a length of about 2.5 cm, but may be larger in size. 
[0035]  The general principles of plasma ion sources are well known in the art. Ion source  40  includes an RF antenna (induction coil)  44  surrounding (outside) plasma chamber  42  for producing an ion plasma  46  from a gas, e.g. argon, which is introduced into chamber  42  through an inlet  48  at an inlet end  50  of chamber  42 . Antenna  44  is connected to an external matching network and RF power source (not shown) through conductors  52 . 
[0036]  As an example, a 13.5 MHz RF generator is employed. Antenna  44  is typically a copper coil, preferably a water cooled copper coil, wound around the outside of chamber  42 . On top of the RF antenna (coils)  44  is another coil  54 , typically copper, which is connected to a DC power supply (not shown) through conductors  56 . DC current passing through this outer coil  54  will produce a solenoid B-field for plasma confinement within chamber  42 . The presence of the B-field can lower the operational pressure within chamber  42  substantially. 
[0037]  Ion source  40  also includes extraction system  58  at its outlet end  60 . Extraction system  58  has a small central aperture  62 , e.g. 1 mm diameter, and electrostatically controls the passage of ions from the plasma  46  out of plasma chamber  42  through aperture  62 . 」
［００３４］　図６は、ＲＦプラズマ発生器すなわち本発明のソース４０を示すものである。
プラズマイオン源４０
［００３５］　プラズマイオン源の一般的な原理は、当該技術分野においてはよく知られたものである。
イオン源４０は、室４２の注入口端５０にある注入口４８を通って室４２に導入されるガス、例えばアルゴンガスからイオンプラズマ４６を生成するプラズマ室４２を（外側に）取り囲むＲＦアンテナ（誘導コイル）４４を含む。アンテナ４４は、導体５２を通じて外部整合回路網及びＲＦ電源（図示しない）に接続される。
［００３６］　一例として、１３．５ＭＨｚのＲＦ発生器が用いられる。アンテナ４４は、典型的には銅コイル、好ましくは水冷の銅コイルであり、室４２の外側に沿って巻かれる。該
ＲＦアンテナ（コイル）４４の上部に別のコイル５４があり、
導体５６を通じて直流電源（不図示）に接続される。この外側コイル５４を流れる直流電流は、室４２内にプラズマの閉じ込めのためのソレノイド磁場を形成する。
［００３７］　イオン源４０は、出力端６０にて抽出系５８も含む。抽出系５８は、小さな中央開口６２、例えば１ｍｍの直径であり、開口６２を通ってプラズマ室４２から排出されるプラズマ４６からのイオンの通過を静電的に制御する。
３　図６
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 」
４　上記２の「ソース４０」、「プラズマイオン源４０」及び「イオン源４０」が同じものであることは明らかであるから、「プラズマイオン源４０」と用語を統一して用いることにする。
５　上記２の「イオンプラズマ４６」及び「プラズマ４６」が同じものであることは明らかであるから、「プラズマ４６」と用語を統一して用いることにする。
６　上記２の「プラズマ室４２」及び「室４２」が同じものであることは明らかであるから、「プラズマ室４２」と用語を統一して用いることにする。
７　上記２の「ＲＦアンテナ（誘導コイル）４４」、「アンテナ４４」及び「ＲＦアンテナ（コイル）４４」が同じものであることは明らかであるから、「誘導コイル４４」と用語を統一して用いることにする。
７　上記２の「別のコイル５４」及び「外側コイル５４」が同じものであることは明らかであるから、「外側コイル５４」と用語を統一して用いることにする。
８　上記２において、プラズマイオン源４０は、アルゴンガスからプラズマ４６を生成するプラズマ室４２を外側に取り囲む誘導コイル４４を含み、誘導コイル４４は外部整合回路網及びＲＦ電源に接続されるものであり、また、外側コイル５４を流れる直流電流は、プラズマ室４２内にプラズマの閉じ込めのためのソレノイド磁場を形成するものであるから、上記２には、プラズマイオン源４０の制御方法が記載されているといえる。
　上記１ないし８によれば、引用文献には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「プラズマイオン源４０の制御方法であって、
　前記プラズマイオン源４０は、プラズマ室４２の注入口端５０にある注入口４８を通って前記プラズマ室４２に導入されるガスからプラズマ４６を生成する前記プラズマ室４２を外側に取り囲む誘導コイル４４を含み、前記誘導コイル４４は、導体５２を通じて外部整合回路網及びＲＦ電源に接続され、
　前記誘導コイル４４の上部に外側コイル５４があり、前記外側コイル５４は、導体５６を通じて直流電源に接続され、前記外側コイル５４を流れる直流電流は、前記プラズマ室４２内にプラズマの閉じ込めのためのソレノイド磁場を形成する、プラズマイオン源４０の制御方法。」
第４　対比 
１　本願発明と引用発明とを対比する。 
（１）引用発明の「プラズマイオン源４０」及び「プラズマ室４２」は、本願発明の「イオン源」及び「イオン化室」に、それぞれ相当する。
（２）引用発明の「プラズマイオン源４０」に含まれる「誘導コイル４４」は、「プラズマ４６を生成する」ものであるから、引用発明の「プラズマイオン源４０の制御方法」は、本願発明の「例えばイオン源などのプラズマ発生装置の制御方法」に相当する。
（３）引用発明の「プラズマイオン源４０」は、「前記プラズマ室４２を外側に取り囲む誘導コイル４４を含」むものであり、「前記プラズマ室４２を外側に取り囲む誘導コイル４４」は、「プラズマ室４２の注入口端５０にある注入口４８を通って前記プラズマ室４２に導入されるガスからプラズマ４６を生成」し、「導体５２を通じて外部整合回路網及びＲＦ電源に接続され」るものであるから、引用発明の「プラズマイオン源４０」で生成されたプラズマに高周波交流電場または高周波交流で磁場を作用させてプラズマの運動を誘起していることは明らかである。
　すると、引用発明の「前記プラズマイオン源４０は、プラズマ室４２の注入口端５０にある注入口４８を通って前記プラズマ室４２に導入されるガスからプラズマ４６を生成する前記プラズマ室４２を外側に取り囲む誘導コイル４４を含み、前記誘導コイル４４は、導体５２を通じて外部整合回路網及びＲＦ電源に接続され」ることは、本願発明の「当該プラズマ発生装置で生成されるプラズマに高周波交流電場または高周波交流電磁場を作用させて当該プラズマの運動を誘起するようにした」ことに相当する。
（４）引用発明の「プラズマイオン源４０」は「前記誘導コイル４４の上部に外側コイル５４があり、該外側コイル５４は、導体５６を通じて直流電源に接続され、前記外側コイル５４を流れる直流電流は、」「ソレノイド磁場を形成する」ものであるから、引用発明において、高周波交流電磁場に加えて更に直流電磁場をプラズマに作用させるものである。
　そして、プラズマにはイオンや電子が含まれることは当業者にとって自明のことであるから、引用発明は「プラズマ室４２内にプラズマの閉じ込めのためのソレノイド磁場を形成する」ものであることにより、引用発明においても、「プラズマ室４２内」に電子の磁気閉じ込め現象が発生していることは明らかである。
　すると、引用発明の「前記誘導コイル４４の上部に外側コイル５４があり、該外側コイル５４は、導体５６を通じて直流電源に接続され、前記外側コイル５４を流れる直流電流は、前記プラズマ室４２内にプラズマの閉じ込めのためのソレノイド磁場を形成する」ことは、本願発明の「高周波交流電磁場に加えて更に直流電磁場をプラズマに作用させることにより、イオン化室の中に電子の磁気封じ込め現象を発生させるようにしたこと」に相当する。
　上記（１）ないし（４）より、本願発明と引用発明とは、「例えばイオン源などのプラズマ発生装置の制御方法であって、当該プラズマ発生装置で生成されるプラズマに高周波交流電場または高周波交流電磁場を作用させて当該プラズマの運動を誘起するようにしたプラズマ発生装置の制御方法において、
　高周波交流電磁場に加えて更に直流電磁場をプラズマに作用させることにより、イオン化室の中に電子の磁気封じ込め現象を発生させるようにしたことを特徴とするプラズマ発生装置の制御方法。」で一致し、相違点はない。
２　請求人の主張について
　請求人は、平成２６年１２月１１日付け審判請求書の「３．」「（ｃ）」において、「イオンが閉じ込められるほどの強力な磁場であれば、電子も閉じ込められるとの審査官殿の主張は尤もである。しかしながら、イオンを閉じ込めるための磁場と、電子を閉じ込めるための磁場とは、発明の構成要件という観点からは、互いに異なる要件として認識されるべきである。なぜならば、イオンと電子とでは質量に数千倍ないしそれ以上の相違があり、それゆえ、それらを閉じ込めるために要する磁場強度にも、それだけの相違があるからである。磁場強度がこれほどまでに異なるのであれば、もはやそれら２つの磁場は互いに対応する構成要件ではあり得ず、それゆえ、引用文献２（当審注：本審決における「引用文献」に相当する。）に『イオン化室の中に電子の磁気封じ込め現象を発生』させている構成について記載されているとまでは言えない。 」と主張している。
　しかしながら、本願発明において磁場強度が規定されていない。また、本願明細書においても、磁場強度や、磁場強度に応じて電子やイオンに関して発生する現象について具体的な記載がない、そうすると、本願発明は引用発明との間に、「磁場強度」及び「イオン化室の中に電子の磁気封じ込め現象を発生させる」ことについて差異があるとは認められない。
　よって、請求人の上記主張は、請求項及び発明の詳細な説明の記載に基づかない主張であるから、採用することはできない。
３　結論
　以上から、本願発明は、引用発明であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。