【事件の表示】
　特願２０１０−１５７５９０「鉛フリーＣ４相互接続の信頼性を改善するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月　３日出願公開，特開２０１１−　２３７１９，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年７月１２日（パリ条約による優先権主張２００９年７月１３日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２６年３月２４日付けで拒絶理由が通知され，同年９月２日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月２３日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がされ，これに対し，平成２７年２月２３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，手続補正書が提出され，その後，当審において平成２８年３月３０日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され，同年７月５日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１−４に係る発明は，平成２８年７月５日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定されるものと認められるところ，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造する方法であって，
　単層ポリイミド層を，金属パッドを含むチップ上に形成するステップと，
　横方向に延びる部分を露出する前記金属パッドへの最終ビアを設けるために，及び上方へ傾斜して延びる第１支持ショルダと前記最終ビアの周りの輪郭部とを形成するために，前記単層ポリイミド層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチングするステップと，
　前記最終ビア内に，前記金属パッドの露出した前記横方向に延びる部分に接触する水平底部と，前記単層ポリイミド層の前記第１支持ショルダを含む部分に接触する上方へ傾斜して延びるＢＬＭ層の第２支持ショルダと，を有するボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層を形成するステップと，
　制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールが前記水平底部の表面と前記第２支持ショルダと前記輪郭部とによって支持されるように，前記Ｃ４はんだボールを前記ＢＬＭ層の上に形成するステップと，を含み，
　前記輪郭部は，前記輪郭部の周囲の前記単層ポリイミド層の上面よりも高く，かつ，前記最終ビアの周囲に沿って環状に形成され，前記輪郭部の縦断面がくさび形に形成されることによって，前記輪郭部の内周面が前記第１支持ショルダの上方の一部を構成するように形成される方法。」　
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
１．・・・＜途中省略＞・・・
２．この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
３．この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
理由１
　・・・＜途中省略＞・・・
請求項１−３
理由２，３
引用文献１
備考：
　引用文献１（第１０頁第２２行乃至第１８頁第６行及び第１−９図）には，金属パッドへの最終ビアと支持ショルダとを設けるように，絶縁層をエッチングし，金属パッドとポリイミド層の一部とに接触するボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層を形成し，制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールを，支持ショルダによって支持されるようにＢＬＭ層上に形成して，集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造すること，絶縁層として，ポリイミド層を用いてもよいことが記載されている。
請求項５
理由３
引用文献１
備考：
　引用文献１（第１９頁第１２行乃至だい２３頁第６行及び第１３，１４図）には，応力緩和層として用いられるポリイミド層の上に保護層を形成してもよいことも記載されている。
　応力緩和層として，低い弾性率を有するものを用いることは周知であり，引用文献１記載の発明において，応力緩和層として用いられるポリイミド層を，保護層より弾性率の低いものとすることは，当業者が容易になし得ることである。
＜拒絶の理由を発見しない請求項＞
　請求項（４）に係る発明については，現時点では，拒絶の理由を発見しない。
拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．国際公開第２０００／０５５８９８号
２　原査定の理由の判断
　原査定の理由は，「請求項（４）に係る発明については，現時点では，拒絶の理由を発見しない。」とするものである。
　そして，原査定の理由（平成２６年３月２４日付けの拒絶理由）における，請求項４，及び，当該請求項４が引用する請求項１の記載は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造する方法であって，
　少なくとも１つのポリイミド層を形成するステップと，
　金属パッドへの最終ビアと少なくとも１つの支持ショルダとを設けるように前記少なくとも１つのポリイミド層をエッチングするステップと，
　前記最終ビア内に，前記金属パッドと前記少なくとも１つのポリイミド層の一部とに少なくとも接触するボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層を形成するステップと，
　制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールが前記少なくとも１つの支持ショルダによって支持されるように，前記Ｃ４はんだボールを前記ＢＬＭ層の上に形成するステップと，
を含む方法。」
「【請求項４】
　前記少なくとも１つのポリイミド層をエッチングする前記ステップは，
　グレイトーン・エッチング・プロセスを用いるステップと，
　前記少なくとも１つの支持ショルダを有する輪郭付きポリイミド層を形成するステップと，
　前記少なくとも１つの支持ショルダを有する延長されたポリイミド層を形成するステップと，
　前記少なくとも１つの支持ショルダを形成するように，少なくとも２つのポリイミド層をエッチングするステップと，
のうちの少なくとも１つを含む，請求項１に記載の方法。」
　そして，本願発明１は，原査定の理由において，拒絶の理由を発見しないとする請求項４の発明特定事項である「前記少なくとも１つのポリイミド層をエッチングする前記ステップは，グレイトーン・エッチング・プロセスを用いるステップ」，「前記少なくとも１つの支持ショルダを有する輪郭付きポリイミド層を形成するステップ」，及び，前記請求項４が引用する請求項１に記載された発明特定事項の全てを，発明特定事項として含む発明である。
　そうすると，本願発明１は，原査定の理由において，拒絶の理由を発見しないとする請求項４をさらに限定した発明であるから，原査定の理由によっては拒絶することはできない。
　そして，本願の請求項２−４に係る発明は，本願発明１をさらに限定したものであるから，本願発明１と同様に，原査定の理由によっては拒絶することはできない。
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
１　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
  
・請求項　１−１０ 
・引用文献　１−６ 
  
・備考　 
（１）引例１を主引例とした検討 
・請求項１について 
　引例１の【００２３】−【００３２】，図２−図７を特に参照されたい。
　引例３の【０００２】に，「従来より，スピンコーターの円盤の上に基板を載せ，基板の中央部に液状の塗布材料を載せてスピンコーターの円盤を回転させ，遠心力を利用して塗布材料を基板上に均一な厚さで塗布するスピンコートの方法が広く知られている。このような手法は，例えば半導体プロセスのデバイス形成の最終工程において，半導体ウェハ上にＰＩＱ（ポリイミド）などの保護膜を形成する際に用いられている。この場合，ＰＩＱを厚く形成することが望まれている。」と記載されているように，「ＰＩＱ」は，ポリイミドの一種である。 
　そうすると，引例１の「ＰＩＱ膜６ｂ」は，本願発明の「少なくとも１つのポリイミド層」に相当する。 
　また，引例１の図６−図７から，引例１の前記「ＰＩＱ膜６ｂ」が，横方向に延びる部分を露出する金属パッドであるＡｌ膜２ｂへの最終ビアと少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダとを設けるように開孔されていることを見て取ることができる。 
　一方，引例１の「ＰＩＱ膜６ｂ」の前記開孔は，引例１の「実施の形態１」においては，「次に，無機絶縁膜６ａの上層に感光性のＰＩＱ膜６ｂを塗布した後，ＰＩＱ膜６ｂにリソグラフィ技術によって感光，現像処理を施し，次いで３２０〜３５０℃程度の効果ベークを施すことで，上記スルーホール７上のＰＩＱ膜６ｂを開孔する。」（【００３０】）と記載されるように，「リソグラフィ技術によって感光，現像処理を施し，次いで３２０〜３５０℃程度の効果ベークを施すことで，上記スルーホール７上のＰＩＱ膜６ｂを開孔する」ものであり，この点で，「少なくとも１つのポリイミド層をエッチングする」ものである本願発明と相違する。 
　しかしながら，引例６に記載されるように，ＰＩＱ（ポリイミド層）をエッチングして，上方へ傾斜して延びる側壁を有する開孔を形成する方法は周知であるから，引例１に記載された発明において，「ＰＩＱ膜６ｂ」の開孔を，エッチングにより行うことは当業者が適宜なし得たことである。 
  
・請求項２，請求項３について 
　引例１の「ＣＣＢ（Controlled Collapse Bonding）バンプ８」（【００２０】）は，本願発明の「Ｃ４はんだボール」に相当する。 
　そして，当該「ＣＣＢ（Controlled Collapse Bonding）バンプ８」が，「少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダとの直接接触により，前記少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダによって支持され」ていること，及び，「ＢＬＭ層は，さらに前記少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダと接触し，前記Ｃ４はんだボールは，前記少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダにおける前記ＢＬＭ層との直接接触により，前記少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダによって支持され」ていることを，引例１の図１等から見て取ることができる。 
  
・請求項４について 
（ｉ）グレイトーン・エッチング・プロセスは，引例３−４に記載されるように周知である。したがって，引例１のポリイミド層をエッチングする方法として，グレイトーン・エッチング・プロセスを用いることは当業者が適宜なし得たことである。 
（ii）引例２の図１０，図１２，図１８，図２０等には，上方へ傾斜して延びる支持ショルダを有する輪郭付き絶縁層が記載されている。引例２の前記記載に基づいて，引例１に記載された発明のポリイミド層をエッチングするにあたり，少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダを有する輪郭付きポリイミド層を形成することは適宜なし得たことである。 
（iii）引例１の図１の「ＰＩＱ膜６ｂ」は，本願発明の「少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダを有する延長されたポリイミド層」に相当する。 
（iv）引例１の「表面保護膜６」は，「表面保護膜６は，半導体基板１上に形成された絶縁膜のうちの最終絶縁膜であり，例えば下層から順に無機絶縁膜６ａおよびＰＩＱ膜６ｂが積層されて構成されている。」（【００１６】）と記載されているように，「無機絶縁膜６ａ」と「ＰＩＱ膜６ｂ」の積層であるが，前記構成は単なる例示であって，引例２に記載されるように，「少なくとも２つのポリイミド層」からなるものとすることは，当業者が適宜なし得たことである。　 
　そうすると，請求項１に記載された発明に，上記（ｉ）ないし（iv）のうちの少なくとも１つを含むようにすることは，当業者が容易になし得たことである。 
  
・請求項５について 
　引例２の特許請求の範囲の請求項３０の「下側の層の絶縁層のヤング率を，前記上側の層の絶縁層のヤング率よりも大きくする」等の記載を参酌して，「少なくとも１つのポリイミド層の上に層を形成するステップであって，前記層は，前記少なくとも１つのポリイミド層より高い弾性率を有する」ものとすることは当業者が容易になし得たことである。
  
・請求項６，請求項７，請求項８について 
　「ＢＬＭ層は，ショルダ構造の表面及び前記金属パッドに接触する」構成，「少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダは階段状の構成」，及び，「少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダは，２つの隣接した傾斜面の間に形成された表面を含む」構成は，それぞれ引例１の図１から見て取ることができる。 
  
・請求項９について 
　請求項９の「テーパー状露光」は，通常，日本語として用いられている技術用語ではないため，その技術的特徴を理解することができないが，仮に，テーパー状の構造物を形成するための露光であると解すると，引例１−引例２に記載された発明はいずれも「テーパー状露光」によるものと解される。また，引例６にも記載されるように，このような方法は周知といえる。 
  
・請求項１０について 
　引例１の図１を参照されたい。 
  
（２）引例２を主引例とした検討 
・請求項１ないし請求項３について 
　引例２の図１等を参照されたい。 
　引例２の第１２ページ第１−４行の「絶縁層４１，４２，４３は，ポリイミド樹脂・・・等で形成することができる。」等の記載から，絶縁層４１，４２，４３を「ポリイミド層」とすることは適宜なし得たことである。 
　そして，引例６に記載されるように，ＰＩＱ等のポリイミド層をエッチングして，上方へ傾斜して延びる側壁を有する開孔を形成する方法は周知であるから，引例２に記載された発明において，上方へ傾斜して延びる支持ショルダを形成するにあたり，周知のエッチングによる方法を採用することは当業者が適宜なし得たことである。 
　引例２の「台座３２」，「外部端子３０」は，引例１に記載される技術常識を参酌すれば，本願発明の「ボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層」，「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボール」に相当する。 
　また，仮に，引例２の「台座３２」，「外部端子３０」が，本願発明の「ボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層」，「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボール」に相当しないとしても，引例１に記載される技術常識を参酌すれば，引例２の「台座３２」，及び，「外部端子３０」を，「ボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層」，及び，「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボール」とすることは，当業者が容易になし得たことである。 
　一方，引例２の図１には，「台座３２」が，逆錐台形状を有し，外部端子３０の下端には平坦な面は存在せず，鋭利な逆円錐形状なもの図示されており，この点で，「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールが前記水平底部の表面・・・によって支持される」本願発明と一応相違する。 
　しかしながら，明細書に添付された図面は，特に明示の記載がない場合には，発明を分かりやすく説明するために，発明の本質的な箇所以外は簡略化することが通常行われているものであるから，引例２の図１等の記載から，引例２に記載された発明の外部端子３０の下端には平坦な面は存在せず，鋭利な逆円錐形状なものであるとは，必ずしもいえない。 
　むしろ，引例１の図面等から，ＢＬＭ層における「水平底部の表面」と少なくともポリイミド層における「上方へ傾斜して延びる支持ショルダ」とによって支持されるＣ４はんだボールを形成する工程は周知であることから，引例２に記載された発明においても，外部端子３０の下端に平坦な面が存在すると理解することが自然であり，また，仮に，引例２に記載された発明が，外部端子３０の下端に平坦な面が存在しないものであったとしても，引例１に記載された発明の周知の構成を参酌して，引例２に記載された発明において，ＢＬＭ層における「水平底部の表面」と少なくともポリイミド層における上方へ傾斜して延びる支持ショルダとによってＣ４はんだボールを支持するように構成することは，当業者が容易になし得たことである。 
  
・請求項４について 
（ｉ）グレイトーン・エッチング・プロセスは，引例３−４に記載されるように周知である。したがって，引例２のポリイミド層をエッチングする方法として，グレイトーン・エッチング・プロセスを用いることは当業者が適宜なし得たことである。 
（ii）引例２の図１０，図１２，図１８，図２０等を参照されたい。少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダを有する輪郭付き絶縁層を形成することが開示されている。 
（iii）引例２の図１を参照されたい。少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダを有する延長された絶縁層が開示されている。 
（iv）引例２の図１を参照されたい。　 
 　そうすると，請求項１に記載された発明に，上記（ｉ）ないし（iv）のうちの少なくとも１つを含むようにすることは，当業者が容易になし得たことである。 
  
・請求項５について 
　引例２の特許請求の範囲の請求項３０には，「下側の層の絶縁層のヤング率を，前記上側の層の絶縁層のヤング率よりも大きくする」と記載されているから，引例２に記載された発明において，「少なくとも１つのポリイミド層の上に層を形成するステップであって，前記層は，前記少なくとも１つのポリイミド層より高い弾性率を有する」ものとすることは当業者が容易になし得たことである。 
  
・請求項６，請求項７，請求項８について 
　「ＢＬＭ層は，ショルダ構造の表面及び前記金属パッドに接触する」構成，「少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダは階段状の構成」，及び，「少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダは，２つの隣接した傾斜面の間に形成された表面を含む」構成は，それぞれ引例２の図１から見て取ることができる。 
  
・請求項９について 
　請求項９の「テーパー状露光」は，通常，日本語として用いられている技術用語ではないため，その技術的特徴を理解することができないが，仮に，テーパー状の構造物を形成するための露光であると解すると，引例１−引例２に記載された発明はいずれも「テーパー状露光」によるものと解される。また，引例６にも記載されるように，このような方法は周知といえる。 
  
・請求項１０について 
　引例１の図１を参照されたい。 
  
  
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
１．特開２００１−２５７２２６号公報（前置報告で引用した周知例） 
２．国際公開第２０００／０５５８９８号（先の拒絶理由の引例１） 
３．特開２００９−４９３３９号公報 
４．特開２００９−１５８９４０号公報 
５．特開２００９−９８２０６号公報 
６．特開昭６３−２７６２２７号公報 
  
  
２　この出願は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
（１）特許請求の範囲の，「前記少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダ」が，「少なくとも１つのポリイミド層の前記少なくとも１つの上方へ傾斜して延びる支持ショルダ」を指しているのか，「上方へ傾斜して延びるＢＬＭ層の支持ショルダ」を指しているのか一義的に明確でない。 
  
（２）請求項９の「テーパー状露光」は，通常，日本語として用いられている技術用語ではないため，その技術的特徴を理解することができない。 
  
２　当審拒絶理由の判断
（１）引用文献の記載事項
　ア　当審拒絶理由で引用した引用文献１（以下「当審引例１」という。）には，図１ないし図１１とともに，以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。以下同じ。）。
・「【００２３】
　次に，
本発明の実施の形態１である引き出し電極の製造方法の一例を図２〜図７を用いて工程順に説明する
【００２４】
　まず，図２に示すように，レジストパターンをマスクとして
半導体基板１上に
【００２５】
　次に，図３に示すように，半導体基板１上にＣｕの拡散を防止することのできる機能を有する厚さ０.０５μｍ程度のバリア層５をスパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによって堆積した後，スパッタリング法による成膜，あるいはスパッタリング法とこれに続く電解めっき法との連続成膜などによってＣｕ膜（図示せず）を堆積する。
【００２６】
　次いで，半導体基板１に熱処理を施して，Ｃｕ膜を構成するＣｕ原子を流動現象によって凹パターン４の内部へ流し込む（リフロー処理）。リフロー処理は，例えば水素雰囲気中で約４５０℃程度に半導体基板１を加熱して約２分間行われる。
【００２７】
　この後，凹パターン４の外部のＣｕ膜およびバリア層５をＣＭＰ（Chemical Vapor Deposition）法によって研磨除去して，凹パターン４の内部にバリア層５およびＣｕ膜を埋め込み，
Ｃｕ配線２ａを形成
【００２８】
　次に，例えばＨ2プラズマ処理，またはＨ2リフロー処理（４００〜４５０℃程度）などの還元処理をＣｕ配線２ａの表面に施した後，大気中にさらすことなく，図４に示すように，半導体基板１上にＡｌを主材料とする金属膜１０を堆積する。
【００２９】
　この後，図５に示すように，レジストパターンをマスクとして金属膜１０をエッチングし，
ボンディング領域のＣｕ配線２ａの上部にＡｌ膜２ｂを形成する
【００３０】
　次に，図６に示すように，無機絶縁膜６ａおよびＰＩＱ膜６ｂの積層からなる表面保護膜６を形成する。まず，
半導体基板１上に無機絶縁膜６ａを堆積した後，レジストパターンをマスクとして
無機絶縁膜６ａをエッチングし，ボンディング領域にスルーホール７を形成する
次に，無機絶縁膜６ａの上層に感光性のＰＩＱ膜６ｂを塗布した後，ＰＩＱ膜６ｂにリソグラフィ技術によって感光，現像処理を施し，次いで３２０〜３５０℃程度の効果ベークを施すことで，上記スルーホール７上のＰＩＱ膜６ｂを開孔する
【００３１】
　次に，図７に示すように，
ＰＩＱ膜６ｂの上層に
金属層９ａ〜９ｃからなる下地金属ＢＬＭを形成する
【００３２】
　次に，
下地金属ＢＬＭ上に
ＣＣＢバンプ８を形成する
【００３３】
　なお，本実施の形態１では，ボンディング領域のＣｕ配線２ａ上のみにＡｌ膜２ｂを形成したが，Ｃｕ配線２ａ上の全てにＡｌ膜２ｂを形成してもよい。
【００３４】
　また，本実施の形態１では，引き出し電極２に下地電極ＢＬＭを介してＣＣＢバンプ８が接続されたが，引き出し電極２に直接ボンディング材料，例えばワイヤーを接続してもよい。
【００３５】
　また，本実施の形態１では，Ｃｕ配線２ａの表面をＡｌ膜２ｂによって覆ったが，例えばＷ膜，ＴｉＮ膜，ＴａＮ膜などの酸化され難い金属膜によってＣｕ配線２ａを覆っても同様な効果が得られる。
【００３６】
　このように，本実施の形態１によれば，引き出し電極２を主としてダマシンプロセスで形成された０.５〜２μｍ程度の相対的に厚いＣｕ配線２ａで構成することによって，低抵抗でかつ高エレクトロマイグレーション耐性を有する引き出し電極２が得られる。さらに，ボンディング領域のＣｕ配線２ａを０.０５〜１.０μｍ程度の相対的に薄いＡｌ膜２ｂで覆い，ボンディング材料をＡｌ膜２ｂに接続させることによって，ボンディング材料との接着性が良好となり，ボンディング材料の剥がれや導通不良などの問題を回避することができる。また，Ａｌ膜２ｂが相対的に薄いことから，引き出し電極２の段差に起因した表面保護膜６の表面の凹凸が改善されてＡｌ膜２ｂの側壁部分における応力が緩和し，表面保護膜６に生ずるクラックを防ぐことができる。」
　イ　そうすると，当審引例１には，以下の発明（以下「当審引用発明１」という。）が記載されている。
「半導体基板１上にＣｕ配線２ａを形成する工程と，
　ボンディング領域の前記Ｃｕ配線２ａの上部にＡｌ膜２ｂを形成する工程と，
　前記半導体基板１上に無機絶縁膜６ａを堆積した後，レジストパターンをマスクとして，前記無機絶縁膜６ａをエッチングし，ボンディング領域にスルーホール７を形成する工程と，
　次に，前記無機絶縁膜６ａの上層に感光性のＰＩＱ膜６ｂを塗布した後，前記ＰＩＱ膜６ｂにリソグラフィ技術によって感光，現像処理を施し，次いで３２０〜３５０℃程度の効果ベークを施すことで，前記スルーホール７上の前記ＰＩＱ膜６ｂを開孔する工程と，
　次に，前記ＰＩＱ膜６ｂの上層に，金属層９ａ〜９ｃからなる下地金属ＢＬＭを形成する工程と，
　次に，前記下地金属ＢＬＭ上にＣＣＢバンプ８を形成する工程を含む，引き出し電極の製造方法。」
　ウ　当審拒絶理由で引用した引用文献２（以下「当審引例２」という。）には，図１ないし図２２とともに，以下の事項が記載されている。
・「（第１の実施の形態）
　図１は，第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。この半導体装置１は，半導体チップ１０と，配線パターン２０と，外部端子３０と，複数の絶縁層４１，４２，４３と，を含む。半導体装置１は，そのパッケージサイズが半導体チップ１０にほぼ等しいので，ＣＳＰに分類することができ，あるいは，応力緩和機能を備えるフリップチップであるということもできる。
　半導体チップ１０の一つの面（能動面）には，複数の電極１２が形成されている。複数の電極１２は，半導体チップ１０の平面形状が矩形（正方形又は長方形）である場合には，少なくとも一辺（対向する二辺又は全ての辺を含む）に沿って形成されている。あるいは，半導体チップ１０の一方の面の中央に複数の電極１２を形成してもよい。電極１２を避けて，半導体チップ１０には，ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＭｇＯなどのパッシベーション膜が形成されている。パッシベーション膜は電気的な絶縁膜である。
　配線パターン２０は，半導体チップ１０における電極１２が形成された面で，電極１２に電気的に接続されて形成されている。配線パターン２０は，複数層から構成されることが多い。例えば，銅（Ｃｕ），クローム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），ニッケル（Ｎｉ），チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ），金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケルバナジウム（ＮｉＶ），タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して配線パターン２０を形成することができる。電極１２が半導体チップ１０の端部に形成されている場合には，半導体チップ１０の中央方向に，配線パターン２０を引き込む。
　外部端子３０は，電極１２の真上を避けて，配線パターン２０上に形成されている。電極１２の真上を避けているので，外部端子３０に加えられた応力が電極１２に直接加えられないようになっている。
外部端子３０は，台座３２と，接合部３４と，からなる
　複数の絶縁層４１，４２，４３は，積層されて形成されており，各層の間に別の層が介在してもよい。絶縁層４１，４２，４３の各層は，それぞれの外部端子３０の一部分の周囲に設けられている。詳しくは，外部端子３０の一部（例えば台座３２の一部）が配線パターン２０に接合されており，台座３２の下端部の周囲に最下層の絶縁層４１が設けられている。また，台座３２の上端部の周囲に最上層の絶縁層４３が設けられている。そして，最下層の絶縁層４１と最上層の絶縁層４３との間であって，台座３２の中間部に，少なくとも一つの絶縁層４２が形成されている。
　絶縁層４１，４２，４３のうち少なくとも一つは，応力緩和機能を有してもよい。絶縁層４１，４２，４３は，ポリイミド樹脂，シリコーン変性ポリイミド樹脂，エポキシ樹脂，シリコーン変性エポキシ樹脂，ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ），ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）等で形成することができる。なお，最下層の絶縁層４１は，電極１２，配線パターン２０及び図示しないパッシベーション膜上に形成されている。最上層の絶縁層４３は，外部端子３０の形成領域を除き，最上層から２番目の絶縁層４２の表面全体上に形成されている。
　最下層の絶縁層４１には，複数の穴４４が形成されている。穴４４は，配線パターン２０における外部端子３０との接合部上に形成されている。穴４４の内面は，底部よりも開口端部が大きくなるテーパが付けられた傾斜面となっている。また，穴４４の開口端部は，曲面を以て形成されている。
　中間層，例えば最下層から２番目の絶縁層４２には，穴４６が形成されている。この穴４６は，最下層の絶縁層４１に形成された穴４４の上方に形成されている。穴４６の内面は，底部よりも開口端部が大きくなるテーパが付けられた傾斜面となっている。
最上層の絶縁層４３には，複数の穴４８が形成されている。この穴４８は，最下層の絶縁層４１に形成された穴４４及び中間層の絶縁層４２に形成された穴４６の上方に形成されている。
　本実施の形態では，下側に位置する第１の絶縁層に形成される第１の穴よりも，その上側に位置する第２の絶縁層に形成される第２の穴が大きい。ここで，第１及び第２の絶縁層は，上述した複数の絶縁層４１，４２，４３のうちの任意の２層をいう。
　例えば，最下層の絶縁層４１を第１の絶縁層と定義し，その上の絶縁層４２を第２の絶縁層と定義することができる。その場合，第１の絶縁層４１に形成された第１の穴４４よりも，第２の絶縁層４２に形成された第２の穴４６が大きい。また，中間層の絶縁層４２を第１の絶縁層と定義し，その上の絶縁層４３を第２の絶縁層と定義することができる。その場合，第１の絶縁層４２に形成された第１の穴４６よりも，第２の絶縁層４３に形成された第２の穴４８が大きい。
　複数の絶縁層４１，４２，４３に形成された穴４４，４６，４８は，連通しており，開口部４０を形成している。開口部４０は，配線パターン２０上で開口する。穴４４，４６，４８が下から順に大きくなるので，開口部４０は，底部から開口端部に向けて大きく拡がる形状になっている。
詳しくは，複数の絶縁層４１，４２，４３に形成されて連通する穴４４，４６，４８の大きさがそれぞれ異なるので，開口部４０は階段状になっている。
　開口部４０の内面に，外部端子３０の一部（例えば台座３２）が接触して設けられている。開口部４０が階段状に形成されているので，外部端子３０に加えられた応力を，分散して吸収できるようになっている
　外部端子３０の側面（例えば台座３２の側面）が傾斜しているので，半導体チップ１０の表面に対する垂線に沿って見て，絶縁層４１，４２，４３の一部は，それぞれの外部端子３０の一部分と半導体チップ１０との間に位置する。詳しくは，外部端子３０の一部（例えば台座３２の一部）が配線パターン２０に接合されており，この部分を除く部分と半導体チップ１０との間に，絶縁層４１，４２，４３の一部が設けられている。
　図２に，本実施の形態に係る半導体装置の平面図を示す。同図において，半導体チップ１０の電極１２から，能動面の中央方向に配線パターン２０が形成され，配線パターン２０には外部端子３０が設けられている。
　なお，同図に示されるように，外部端子３０は半導体チップ１０の電極１２上ではなく半導体チップ１０の能動領域（能動素子が形成されている領域）に設けられている。絶縁層４１，４２，４３（図１参照）を能動領域に設け，更に配線パターン２０を能動領域内に配設する（引き込む）ことで，外部端子３０を能動領域内に設けることができる。すなわち，ピッチ変換をすることができる。従って外部端子３０を配置する際に能動領域内，すなわち一定の面としての領域が提供できることになり，外部端子３０の設定位置の自由度が非常に増すことになる。
　そして，配線パターン２０を構成する配線を，必要な位置で屈曲させることにより，外部端子３０は格子状に並ぶように設けられている。なお，これは，本発明の必須の構成ではないので，外部端子３０は必ずしも格子状に並ぶように設けなくても良い。
　また，電極１２の幅と配線パターン２０の幅とを，
　電極１２≦配線パターン２０
とすることが好ましい。特に，
　電極１２＜配線パターン２０
となる場合には，配線パターン２０の抵抗値が小さくなるばかりか，強度が増すので断線が防止される。
　次に，本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図３〜図８は，複数の絶縁層を形成する工程を示す図である。なお，本発明は，半導体チップ１０のような個片の半導体素子に対しても適用できるが，本実施の説明では，複数の半導体素子の集合体として半導体ウエーハ１１を使用する。そして，個々の半導体チップ１０に切断されることになるそれぞれの半導体素子に対して本発明を適用した例を説明する。このことは，以下の実施の形態でも同じである。
　まず，複数の電極１２を有し，電極１２を避けてパッシベーション膜（図示せず）が形成された半導体ウエーハ１１（図９参照）を用意する。電極１２に接続される配線パターン２０を形成する。配線パターン２０は，半導体ウエーハ１１上，詳しくはパッシベーション膜上に形成してもよい。
　次に，複数の絶縁層４１，４２，４３を形成し，連通する穴４４，４６，４８を形成して，開口部４０を形成する。この工程は，次の第１工程〜第４工程を含む。
　（第１工程）
　図３に示すように，
絶縁層４１を形成
半導体ウエーハ１１における電極１２，パッシベーション膜（図示せず）及び配線パターン２０が形成された面に形成される
　（第２工程）
　図４に示すように，
絶縁層４１に穴４４を形成
穴４４の開口端部は曲面を以て形成される
　（第３工程）
　図５に示すように，
絶縁層４１上に，絶縁層４２を形成する
上側に位置する絶縁層４２の材料は，エネルギーが照射されると溶解性が減少するものであることが好ましい。
　（第４工程）
　図６に示すように，
絶縁層４２に穴４６を形成する
穴４６は，下側の絶縁層４１に形成された穴４４と連通するように形成する。ここで，下側の穴４４を第１の穴と定義し，その上側の穴４６を第２の穴と定義することができる。第２の穴４６を，第１の穴４４よりも大きく形成する
第２の穴４６の開口端部は，マスク５２からエネルギーが回り込むため曲面を以て形成される
　なお，第１の穴４４の上方では，第２の絶縁層４２の材料の厚みが均一ではないが，第１の絶縁層４１の上では第２の絶縁層４２の材料の厚みが均一になっている。したがって，第１の穴４４の上方以外の領域では，第２の絶縁層４２の材料に対してエネルギー６０が均一に照射され，この領域で第２の絶縁層４２の材料を均一に硬化させることができる。一方，第１の穴４４の上方では，第２の絶縁層４２の材料は，マスク５２によって，均一にエネルギー６０が照射されないようになっている。そして，第２の絶縁層４２の材料のうち，第１の穴４４の上方に設けられた部分を全て除去することができる。
　（その後の工程）
　上述した第１及び第２の絶縁層４１，４２の上に，さらに絶縁層を形成するときには，上記工程を繰り返す。例えば，図７に示すように，絶縁層４２上に，絶縁層４３を形成する。
　この２層の絶縁層４２，４３については，下側の絶縁層４２を第１の絶縁層と定義し，その上側の絶縁層４３を第２の絶縁層と定義することができる。下側の絶縁層４２に形成された穴４６にも，絶縁層４３の材料を充填する。この工程は，絶縁層４２を硬化させてから行うことが好ましい。
　上側に位置する絶縁層４３の材料は，エネルギーが照射されると溶解性が減少するものであることが好ましい。
　図８に示すように，絶縁層４３に穴４８を形成する。穴４８は，下側の絶縁層４２に形成された穴４６と連通するように形成する。ここで，下側の穴４６を第１の穴と定義し，その上側の穴４８を第２の穴と定義することができる。第２の穴４８を，第１の穴４６よりも大きく形成する。第２の穴４８の形成には，エネルギーを照射する方法を適用することができる。第２の絶縁層４３の材料が，エネルギーが照射されると溶解性が減少するものである場合には，例えば図７に示す工程を行う。すなわち，第１の穴４６の上方のみを覆うマスク５４を，第２の絶縁層４３の上方に配置して，エネルギー６０を照射する。そうすると，マスク５４によってエネルギー６０の照射が妨げられた領域は，溶解性が減少していないので，その後現像を行って除去することができる。第２の絶縁層４３の材料は，第１の絶縁層４２に形成された第１の穴４６に充填された部分も除去することができる。こうして，第２の絶縁層４３に第２の穴４８を形成する。第２の穴４８の開口端部は，マスク５４からエネルギーが回り込むため曲面を以て形成される。
　なお，第１の穴４６の上方では，第２の絶縁層４３の材料の厚みが均一ではないが，第１の絶縁層４２の上では第２の絶縁層４３の材料の厚みが均一になっている。したがって，第１の穴４６の上方以外の領域では，第２の絶縁層４３の材料に対してエネルギー６０が均一に照射され，この領域で均一に第２の絶縁層４３の材料を硬化させることができる。一方，第１の穴４６の上方では，第２の絶縁層４３の材料は，マスク５４によって，エネルギー６０が照射されないようになっている。そして，第２の絶縁層４３の材料のうち，第１の穴４６の上方に設けられた部分を全て除去することができる。
　
以上の工程により，複数の絶縁層４１，４２，４３に連通する穴４４，４６，４８を形成して，開口部４０を形成することができる。すなわち，実質的に厚い１層からなる絶縁層に開口部４０が形成された構成と同等の構成を得ることができる。例えば，絶縁層４１，４２，４３のそれぞれの厚みを２０μｍ程度として，合計６０μｍ程度の層を形成して開口部４０を形成することができる。穴４４，４６，４８及び開口部４０の構造の詳細及びその効果は上述した通りである。本実施の形態によれば，複数の絶縁層４１，４２，４３のそれぞれに，１層毎に，穴４４，４６，４８を形成する。しかも，上の層に形成される穴が下の層に形成される穴よりも大きいので，露光技術などのエネルギー照射技術を適用しても，高精度の開口部４０を形成することができる
　
開口部４０は，配線パターン２０上に開口する
開口部４０を介して，図９に示すように，外部端子３０を配線パターン２０上に設ける
その上にハンダボールなどの接合部３４を設ける
　
図９に示す半導体ウエーハ１１を半導体装置と称することもできる
・「(第２の実施の形態） 
図１０は，第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
半導体装置２は，最上層の絶縁層６２が，外部端子３０の周辺部でのみ，その下の絶縁層４２の表面に形成されている
本実施の形態によれば，最上層の絶縁層６２が平面視において小さいので，変形しやすくなつており，熱ストレスに基づく応力に対応しやすくなつている
・「請求の範囲
１．複数の電極が形成されてなる半導体素子と，
　前記電極と電気的に接続される配線パターンと，
　前記配線パターンと電気的に接続してなる外部端子と，
　を有してなり， 
　前記配線パターン上の，前記外部端子の周囲には
複数の絶縁層が形成されてなる
　エ　そうすると，当審引例２には，第２の実施の形態として，以下の発明（以下「当審引用発明２」という。）が記載されている。
「半導体ウエーハ１１における電極１２，パッシベーション膜及び配線パターン２０が形成された面に，絶縁層４１を形成する工程と，
　前記絶縁層４１に，開口端部が曲面を以て形成される穴４４を形成する工程と，
　前記絶縁層４１上に，絶縁層４２を形成する工程と，
　前記絶縁層４２に，開口端部が曲面を以て形成される，前記穴４４と連通する穴４６を，前記穴４４よりも大きく形成する工程と，
　最上層の絶縁層６２を，台座３２と接合部３４とからなる外部端子３０の周辺部でのみ，その下の前記絶縁層４２の表面に形成する工程と，
　前記穴４４，前記穴４６等によって構成される，前記配線パターン２０上に開口する開口部４０を介して，前記台座３２を前記配線パターン２０上に設ける工程と，
　その上にハンダボールなどの前記接合部３４を設ける工程を含む半導体装置の製造方法。」
（２）当審引例１を主引例とした検討
　ア　当審引用発明１と本願発明１との対比 
（ア）当審引用発明１の「ＰＩＱ膜６ｂ」は，本願発明１の「ポリイミド層」に相当する。
（イ）当審引用発明１の「半導体基板１」上に形成された「Ｃｕ配線２ａ」の上部に形成された「Ａｌ膜２ｂ」は，「チップ」上の「金属パッド」といえる。
　そうすると，当審引用発明１の「引き出し電極の製造方法」は，本願発明１の「集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造する方法」に相当する。
（ウ）当審引用発明１の「ＣＣＢバンプ８」は，本願発明１の「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボール」に相当する。
　イ　したがって，本願発明と当審引用発明１とを対比すると，以下の点で，一致，及び，相違する。
［一致点］
「集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造する方法であって，
　ポリイミド層を，金属パッドを含むチップ上に形成するステップと，
　横方向に延びる部分を露出する前記金属パッドへの最終ビアを設けるために，及び上方へ傾斜して延びる第１支持ショルダを形成するために，前記ポリイミド層をエッチングするステップと，
　前記最終ビア内に，前記金属パッドの露出した前記横方向に延びる部分に接触する水平底部と，前記ポリイミド層の前記第１支持ショルダを含む部分に接触する上方へ傾斜して延びるＢＬＭ層の第２支持ショルダと，を有するボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層を形成するステップと，
　制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボールが前記水平底部の表面と前記第２支持ショルダによって支持されるように，前記Ｃ４はんだボールを前記ＢＬＭ層の上に形成するステップと，を含む方法。」
［相違点］
・相違点１：本願発明１が，「輪郭部の周囲の単層ポリイミド層の上面よりも高く，かつ，最終ビアの周囲に沿って環状に形成され，前記輪郭部の縦断面がくさび形に形成されることによって，前記輪郭部の内周面が前記第１支持ショルダの上方の一部を構成する」「輪郭部とを形成するために，前記単層ポリイミド層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチングするステップ」と，を有するのに対して，当審引用発明１は，このような構成を備えていない点。
（３）判断
　上記相違点１について検討する。
　ア　当審引用発明２の「『外部端子３０の周辺部でのみ，その下の絶縁層４２の表面に形成』される『最上層の絶縁層６２』」は，周囲の絶縁層４２の上面よりも高く，開口部４０の周囲に沿って環状に形成された輪郭部であり，かつ，縦断面がくさび形に形成されることによって内周面が支持ショルダの上方の一部を構成するものであると認められる。
　そうすると，当審引用発明２の「最上層の絶縁層６２」は，「その下の絶縁層４２」及び「絶縁層４１」の上に，別の部材として形成された層であって，「単層ポリイミド層」として形成された層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチングすることによって形成された層ではないことを除いて，本願発明１の「輪郭部」に相当する。
　イ　他方，当審引例２には，以下の記載がある。
・「詳しくは，
複数の絶縁層４１，４２，４３に形成されて連通する穴４４，４６，４８の大きさがそれぞれ異なるので，開口部４０は階段状になっている
　開口部４０の内面に，外部端子３０の一部（例えば台座３２）が接触して設けられている。
開口部４０が階段状に形成されているので，外部端子３０に加えられた応力を，分散して吸収できるようになっている
・「以上の工程により，複数の絶縁層４１，４２，４３に連通する穴４４，４６，４８を形成して，開口部４０を形成することができる。すなわち，実質的に厚い１層からなる絶縁層に開口部４０が形成された構成と同等の構成を得ることができる。例えば，絶縁層４１，４２，４３のそれぞれの厚みを２０μｍ程度として，合計６０μｍ程度の層を形成して開口部４０を形成することができる。穴４４，４６，４８及び開口部４０の構造の詳細及びその効果は上述した通りである。
本実施の形態によれば，複数の絶縁層４１，４２，４３のそれぞれに，１層毎に，穴４４，４６，４８を形成する
上の層に形成される穴が下の層に形成される穴よりも大きいので，露光技術などのエネルギー照射技術を適用しても，高精度の開口部４０を形成することができる
　そうすると，当審引用発明２において，「最上層の絶縁層６２」が，「その下の絶縁層４２」及び「絶縁層４１」の上に，別の部材として形成された層としたことには，開口部４０を階段状とすることで，外部端子３０に加えられた応力を，分散して吸収できるようにし，しかも，露光技術などのエネルギー照射技術を適用して，高精度の開口部４０を形成することができるようにするという課題を解決するためであると認められる。
　してみれば，当審引用発明１に当審引用発明２を適用して，当審引用発明１において，上記相違点１について，本願発明１の構成を採用することには，「単層ポリイミド層」として形成された層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチングして輪郭部を形成することにおいて，当審引用発明２に係る課題の解決を妨げることになるという阻害事由が存在するものといえる。
　すなわち，当審引用発明１において，上記相違点１について，本願発明１の構成を採用することは容易になし得たこととはいえない。
　さらに，当審拒絶理由で通知した，他の引用文献からも，上記相違点１について，本願発明１の構成を採用することをなし得たとする記載を見いだすことはできない。
（４）小括
　したがって，本願発明１は，当業者が当審引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　本願の請求項２−４に係る発明についても，本願発明１と同様に，当業者が当審引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
（５）当審引例２を主引例とした検討
　ア　当審引用発明２と本願発明１との対比 
（ア）当審引用発明２の「『電極１２，パッシベーション膜及び配線パターン２０が形成された』『半導体ウエーハ１１』」は，本願発明１の「金属パッドを含むチップ」に相当する。
　また，本願発明１の「単層ポリイミド層」が，絶縁層の一種であり，さらに，当審引用発明２の「穴」を「形成する工程」が，エッチングによって行われていることも明らかといえる。
　そうすると，当審引用発明２の「半導体ウエーハ１１における電極１２，パッシベーション膜及び配線パターン２０が形成された面に，絶縁層４１を形成する工程と，前記絶縁層４１に，開口端部が曲面を以て形成される穴４４を形成する工程と，前記絶縁層４１上に，絶縁層４２を形成する工程と，前記絶縁層４２に，開口端部が曲面を以て形成される，前記穴４４と連通する穴４６を，前記穴４４よりも大きく形成する工程と，最上層の絶縁層６２を，台座３２と接合部３４とからなる外部端子３０の周辺部でのみ，その下の前記絶縁層４２の表面に形成する工程」と，本願発明１の「単層ポリイミド層を，金属パッドを含むチップ上に形成するステップと，横方向に延びる部分を露出する前記金属パッドへの最終ビアを設けるために，及び上方へ傾斜して延びる第１支持ショルダと前記最終ビアの周りの輪郭部とを形成するために，前記単層ポリイミド層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチングするステップ」とは，以下の相違点２，相違点３を除き，「絶縁層を，金属パッドを含むチップ上に形成するステップと，前記絶縁層をエッチングするステップ」である点で一致する。
（イ）当審引用発明２の「『台座３２と接合部３４とからなる外部端子３０の周辺部でのみ，その下の前記絶縁層４２の表面に形成』された『最上層の絶縁層６２』」，「台座３２」，「半導体装置の製造方法」は，それぞれ，本願発明１の「最終ビアの周りの輪郭部」，「ＢＬＭ層」，「集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造する方法」に相当する。
（ウ）当審引用発明２の「ハンダボールなどの接合部３４」と，本願発明１の「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボール」とは，以下の相違点４を除いて，「はんだボール」である点で一致する。
　イ　したがって，本願発明と当審引用発明２とを対比すると，以下の点で，一致，及び，相違する。
［一致点］
「集積回路（ＩＣ）パッケージング構造体を製造する方法であって，
　絶縁層を，金属パッドを含むチップ上に形成するステップと，
　前記金属パッドへの最終ビアを設けるために，及び上方へ傾斜して延びる第１支持ショルダと前記最終ビアの周りの輪郭部とを形成するために，前記絶縁層をエッチングするステップと，
　前記最終ビア内に，前記金属パッドの露出した部分に接触する底部と，前記絶縁層の前記第１支持ショルダを含む部分に接触する上方へ傾斜して延びるＢＬＭ層の第２支持ショルダと，を有するボール制限メタライゼーション（ＢＬＭ）層を形成するステップと，
　はんだボールが前記底部の表面と前記第２支持ショルダと前記輪郭部とによって支持されるように，前記はんだボールを前記ＢＬＭ層の上に形成するステップと，を含み，
　前記輪郭部は，前記輪郭部の周囲の前記絶縁層の上面よりも高く，かつ，前記最終ビアの周囲に沿って環状に形成され，前記輪郭部の縦断面がくさび形に形成されることによって，前記輪郭部の内周面が前記第１支持ショルダの上方の一部を構成するように形成される方法。」
［相違点］
・相違点２：本願発明１では，金属パッドへの最終ビアを形成すること，及び上方へ傾斜して延びる第１支持ショルダと前記最終ビアの周りの輪郭部とを形成することを，「単層ポリイミド層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチング」によって行うのに対して，当審引用発明２では，穴４４，穴４６等によって構成される，配線パターン２０上に開口する開口部４０を形成すること，及び，台座３２と接合部３４とからなる外部端子３０の周辺部でのみ，その下の前記絶縁層４２の表面に最上層の絶縁層６２を形成することを，「絶縁層４１を形成する工程と，前記絶縁層４１に，開口端部が曲面を以て形成される穴４４を形成する工程と，前記絶縁層４１上に，絶縁層４２を形成する工程と，前記絶縁層４２に，開口端部が曲面を以て形成される，前記穴４４と連通する穴４６を，前記穴４４よりも大きく形成する工程と，最上層の絶縁層６２を，台座３２と接合部３４とからなる外部端子３０の周辺部でのみ，その下の前記絶縁層４２の表面に形成する工程」によって行っている点。
　すなわち，本願発明１が，金属パッドへの最終ビアと輪郭部の形成を，単層の絶縁膜の形成と，一回のグレイトーン・エッチング・プロセスによって行うのに対して，当審引用発明２では，配線パターン２０上に開口する開口部４０と，外部端子３０の周辺部でのみ，その下の前記絶縁層４２の表面に形成される最上層の絶縁層６２の形成を，三層の絶縁膜の形成と，三回の穴を形成する工程によって行う点。
・相違点３：本願発明１の「最終ビア」が，「横方向に延びる部分を露出する前記金属パッドへの最終ビア」であるのに対して，当審引用発明２では，このような特定がされていない点。
・相違点４：本願発明１の「はんだボール」が，「制御崩壊チップ接続（Ｃ４）はんだボール」であるのに対して，当審引用発明２では，このような特定がされていない点。
（６）判断
　上記相違点２について検討する。
　当審引例２には，以下の記載がある。
・「詳しくは，
複数の絶縁層４１，４２，４３に形成されて連通する穴４４，４６，４８の大きさがそれぞれ異なるので，開口部４０は階段状になっている
　開口部４０の内面に，外部端子３０の一部（例えば台座３２）が接触して設けられている。
開口部４０が階段状に形成されているので，外部端子３０に加えられた応力を，分散して吸収できるようになっている
・「以上の工程により，複数の絶縁層４１，４２，４３に連通する穴４４，４６，４８を形成して，開口部４０を形成することができる。すなわち，実質的に厚い１層からなる絶縁層に開口部４０が形成された構成と同等の構成を得ることができる。例えば，絶縁層４１，４２，４３のそれぞれの厚みを２０μｍ程度として，合計６０μｍ程度の層を形成して開口部４０を形成することができる。穴４４，４６，４８及び開口部４０の構造の詳細及びその効果は上述した通りである。
本実施の形態によれば，複数の絶縁層４１，４２，４３のそれぞれに，１層毎に，穴４４，４６，４８を形成する
上の層に形成される穴が下の層に形成される穴よりも大きいので，露光技術などのエネルギー照射技術を適用しても，高精度の開口部４０を形成することができる
　そうすると，当審引用発明２において，「最上層の絶縁層６２」が，「その下の絶縁層４２」及び「絶縁層４１」の上に，別の部材として形成された層としたことには，開口部４０を階段状とすることで，外部端子３０に加えられた応力を，分散して吸収できるようにし，しかも，露光技術などのエネルギー照射技術を適用して，高精度の開口部４０を形成することができるようにするという課題を解決するためであると認められる。
　してみれば，当審引用発明２において，上記相違点２について，本願発明１の構成を採用することには，「単層ポリイミド層」として形成された層をグレイトーン・エッチング・プロセスを用いてエッチングして輪郭部を形成することにおいて，当審引用発明２に係る課題の解決を妨げることになるという阻害事由が存在するものといえる。
　すなわち，当審引用発明２において，上記相違点２について，本願発明１の構成を採用することは容易になし得たこととはいえない。
　さらに，当審拒絶理由で通知した，他の引用文献からも，上記相違点２について，本願発明１の構成を採用することをなし得たとする記載を見いだすことはできない。
（７）小括
　したがって，本願発明１は，他の相違点については検討するまでもなく，当業者が当審引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　本願の請求項２−４に係る発明についても，本願発明１と同様に，当業者が当審引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
（８）当審拒絶理由で通知した記載要件についての拒絶理由は，平成２８年７月５日に提出した手続補正書による補正で解消した。
（９）まとめ
　したがって，もはや，当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。