【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路であって、
第１の回路ノードに結合される第１のドレイン端子と第１のソース端子と第１の制御端子とを含む第１のトランジスタと、
前記第１のソース端子に結合される第２のドレイン端子と第２の回路ノードに結合される第２のソース端子と第２の制御端子とを含む第２のトランジスタと、
ドライバ回路であって、第１のモードにおいて、第１の制御電圧信号を前記第１の制御端子に提供し、前記第２のトランジスタを線形モードで動作するように制御するように動作可能であり、第２のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する検出された過電圧状況に応答して、前記第１のトランジスタを少なくとも部分的にオンにするために前記第１のソース端子と前記第１の制御端子との間の制御電圧に影響を与えるために前記第１のソース端子から前記第２の回路ノードにシンク電流を導通させるように前記第２のトランジスタを飽和モードで動作するように制御するように動作可能である、前記ドライバ回路と、
を含む、回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路であって、
前記第１のトランジスタが窒化ガリウム（ＧａＮ）電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）である、回路。
【請求項３】
請求項１に記載の回路であって、
前記ドライバ回路が、前記第２のモードにおいて、前記第１のトランジスタに流れる第１の電流を制限するために前記シンク電流を前記第１のソース端子から前記第２の回路ノードに導通させるために前記第２のトランジスタをオンにするように、第２の制御電圧信号を前記第２の制御端子に提供するように動作可能である、回路。
【請求項４】
請求項３に記載の回路であって、
前記ドライバ回路が、前記第２のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する過電圧の量に従って前記第２の制御電圧信号を前記第２の制御端子に提供するように動作可能である、回路。
【請求項５】
請求項３に記載の回路であって、
前記第２のトランジスタが複数の第２の制御端子を含み、
前記ドライバ回路が、前記第２のモードにおいて、前記第２のトランジスタの１つ又は複数のサブセクションをオンにするために前記第１のトランジスタに関連する過電圧の量に従って前記第２のトランジスタをオンにするように、デジタル制御を用いて複数の第２の制御電圧信号を前記第２の制御端子に提供するように動作可能である、回路。
【請求項６】
請求項３に記載の回路であって、
前記ドライバ回路と前記第２のトランジスタとがシリコンダイに作製され、前記第１のトランジスタが窒化ガリウム（ＧａＮ）を用いて第２のダイに作製される、回路。
【請求項７】
請求項６に記載の回路であって、
前記シリコンダイが、前記第１のトランジスタに関連する前記過電圧状況の検出に応答して、前記ドライバ回路を前記第２のモードで動作させるように過電圧検出信号を提供するための過電圧検知回路を含む、回路。
【請求項８】
請求項７に記載の回路であって、
前記過電圧検知回路が、
前記シリコンダイのシリコン基板のＰ型ドープ領域と、
前記シリコンダイのシリコン基板の前記Ｐ型ドープ領域によって少なくとも部分的に囲まれるＮ型ドープ領域と、
前記第１の回路ノードと前記Ｎ型ドープ領域との間に互いに直列に接続される第１及び第２の抵抗器と、
前記第１及び第２の抵抗器を接合するノードの電圧を表す検知信号を受信する第１の入力と、閾値電圧信号を受信する第２の入力と、前記検知信号が前記閾値電圧信号を超えるときに前記ドライバ回路を前記第２のモードで動作させるように前記過電圧検出信号を送出する出力とを含む比較器回路と、
を含む、回路。
【請求項９】
請求項７に記載の回路であって、
前記過電圧検知回路が、
前記シリコンダイの第１の電圧ノードと中間ノードとの間に結合されるバリスタ又はツェナーダイオードと、
前記中間ノードと前記シリコンダイの第２の電圧ノードとの間に結合される抵抗器と、
前記中間ノードの電圧を表す検知信号を受信する第１の入力と、閾値電圧信号を受信する第２の入力と、前記検知信号が前記閾値電圧信号を超えるときに前記ドライバ回路を前記第２のモードで動作させるように前記過電圧検出信号を送出する出力とを含む比較器回路と、
を含む、回路。
【請求項１０】
請求項７に記載の回路であって、
前記過電圧検知回路と前記ドライバ回路と前記第２のトランジスタと前記第１のトランジスタとがモノリシックに作製される、回路。
【請求項１１】
請求項３に記載の回路であって、
前記ドライバ回路が、第３のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する検出された過電圧状況に応答して、前記第１のトランジスタに流れる第１の電流を制限するために前記シンク電流を前記第１のソース端子から前記第２の回路ノードに導通させるため、前記第２のトランジスタを飽和モードで動作させるように第２の制御電圧信号を前記第２の制御端子に送出するように動作可能である、回路。
【請求項１２】
請求項１に記載の回路であって、
前記ドライバ回路が、第３のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する検出された過電圧状況に応答して、前記第１のトランジスタに流れる第１の電流を制限するために前記シンク電流を前記第１のソース端子から前記第２の回路ノードに導通させるように前記第２のトランジスタを制御するように動作可能である、回路。
【請求項１３】
スイッチ回路を動作させる方法であって、前記スイッチ回路が、第１の回路ノードに結合される第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタと第２の回路ノードとの間に結合される第２のトランジスタとを含み、前記方法が、
第１のモードにおいて、ドライバ信号に従って第１の制御電圧信号を前記第１のトランジスタに送出することと、
前記第１のモードにおいて、前記第１のトランジスタと前記第２の回路ノードとの間に低インピーダンスを提供するように前記第２のトランジスタを線形モードで動作するように制御することと、
第２のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する過電圧状況の検出に応答して、前記第１のトランジスタを少なくとも部分的にオンにするためにシンク電流を前記第１のトランジスタから前記第２の回路ノードに導通させるように前記第２のトランジスタを飽和モードで動作するように制御することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記第２のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する過電圧の量に従って前記第２のトランジスタを制御することを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、
前記第２のモードにおいて、前記第２のトランジスタの１つ又は複数のサブセクションをオンにするように前記電流源をデジタルで制御することを更に含む、方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であって、
第３のモードにおいて、前記第１のトランジスタに関連する過電流状況の検出に応答して、前記第１のトランジスタに流れる第１の電流を制限するために前記シンク電流を前記第１のトランジスタから前記第２の回路ノードに導通させるように前記第２のトランジスタを制御することを更に含む、方法。
【請求項１７】
スイッチ回路を制御するための集積回路であって、
前記スイッチ回路の第１のトランジスタの第１のソース端子に電気的に結合される第１のパッドと、
前記第１のトランジスタの第１の制御端子に第１の制御電圧信号を送出する第２のパッドと、
前記第１のトランジスタに関連する過電圧状況の検出に応答して過電圧検出信号を送出する過電圧検知回路と、
ドライブ回路であって、第１のモードにおいて、前記第１のトランジスタを制御するために前記第１の制御電圧信号を前記第２のパッドに送出するように動作し、第２のモードにおいて、前記過電圧検出信号に応答して、前記第１のトランジスタを少なくとも部分的にオンにするために前記第１のパッドと前記第２のパッドとの間の制御電圧に影響を与えるように、シンク電流を前記第１のソース端子から導通させるように電流源回路を制御するように動作可能である、前記ドライバ回路と、
を含み、
前記電流源回路が、前記集積回路に形成される第２のトランジスタを含み、前記第２のトランジスタが、前記第１のパッドと結合される第２のドレイン端子と第２の制御端子とを含み、
前記ドライバ回路が、前記第２のモードにおいて、前記第１のトランジスタに流れる第１の電流を制限するために前記シンク電流を前記第１のソース端子から導通させるように、前記第２のトランジスタをオンにするために第２の制御電圧信号を前記第２の制御端子に送出するように動作可能である、集積回路。
【請求項１８】
請求項１７に記載の集積回路であって、
前記過電圧検知回路が、
前記集積回路のシリコン基板のＰ型ドープ領域と、
前記集積回路の前記基板の前記Ｐ型ドープ領域によって少なくとも部分的に囲まれるＮ型ドープ領域と、
前記第２のパッドと前記Ｎ型ドープ領域との間に互いに直列に接続される第１及び第２の抵抗器と、
前記第１及び第２の抵抗器を接合するノードの電圧を表す検知信号を受信する第１の入力と、閾値電圧信号を受信する第２の入力と、前記検知信号が前記閾値電圧信号を超えるときに前記ドライバ回路を前記第２のモードで動作させるように前記過電圧検出信号を送出する出力とを含む比較器回路と、
を含む、集積回路。
【請求項１９】
請求項１７に記載の集積回路であって、
前記過電圧検知回路が、
前記集積回路の第１の電圧ノードと中間ノードとの間に結合されるバリスタ又はツェナーダイオードと、
前記中間ノードと前記集積回路の第２の電圧ノードとの間に結合される抵抗器と、
前記中間ノードの電圧を表す検知信号を受信する第１の入力と、閾値電圧信号を受信する第２の入力と、前記検知信号が前記閾値電圧信号を超えるときに前記ドライバ回路を前記第２のモードで動作させるように前記過電圧検出信号を送出する出力とを含む比較器回路と、
を含む、集積回路。