【事件の表示】
　特願２０１２−　４３６４８「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月１２日出願公開、特開２０１３−１８２９０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成２４年２月２９日の出願であって、平成２６年４月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１３日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２４日に審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年１２月２４日に提出された手続補正書によりなされた手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成２６年１２月２４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、本願の明細書及び特許請求の範囲を補正するものであって、そのうち、特許請求の範囲の補正は、本件補正前の請求項１を補正するとともに、前記請求項１を引用する本件補正前の請求項２を削除し、当該請求項２の削除に伴って、前記請求項１を引用する本件補正前の請求項３〜１１について、それぞれ一項づつ繰り上げるとともに、引用していた請求項の項番を補正するものである。
　そして、本件補正前後の請求項１の記載は以下のとおりである。
＜本件補正前＞
「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分を有する第１半導体領域と、
　前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、
　前記第３半導体領域と導通する第１電極と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　を備え、
　前記第２半導体領域のうち前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、
　前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み、
　前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ、
　前記第２領域は、前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる半導体装置。」
＜本件補正後＞
「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分と、第２部分と、を有し、前記第２部分の一部の上に前記第１部分が設けられている第１半導体領域と、
　前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の一部の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の別の一部の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、
　前記第３半導体領域と導通する第１電極と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　を備え、
　前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く、
　前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み、
　前記第４半導体領域と前記第１部分との間に前記第１領域と前記第３半導体領域とが配置され、
　前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ、
　前記第２領域は、前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる半導体装置。」
２．本件補正の内容
　請求項１についてした本件補正の内容は以下のとおりである。
（１）補正事項１
　本件補正前の「第１部分を有する第１半導体領域」との記載を、本件補正後は「第１部分と、第２部分と、を有し、前記第２部分の一部の上に前記第１部分が設けられている第１半導体領域」と補正する。
　
（２）補正事項２
　本件補正前の「前記第１半導体領域の上側」に「設けられ」る「第２半導体領域」との記載を、本件補正後は「前記第２部分の上側」の「設けられ」る「第２半導体領域」と補正する。
　
（３）補正事項３
　本件補正前の「前記第２半導体領域の上側」に「設けられ」る「第３半導体領域」との記載を、本件補正後は「前記第２半導体領域の一部の上側」に「設けられ」る「第３半導体領域」と補正する。
　
（４）補正事項４
　本件補正前の「前記第２半導体領域の上側に設けられ」る「第４半導体領域」との記載を、本件補正後は「前記第２半導体領域の別の一部の上側に設けられ」る「第４半導体領域」と補正する。
　
（５）補正事項５
　本件補正前の「前記第２半導体領域のうち前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く」との記載を、本件補正後は「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く」と補正する。
　
（６）補正事項６
　請求項１に、本件補正後は「前記第４半導体領域と前記第１部分との間に前記第１領域と前記第３半導体領域とが配置され」との事項を追加する。
　
（７）補正事項７
　本件補正前の「前記第２領域は、前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる」との記載を、本件補正後は「前記第２領域は、前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる」と補正する。
　
３．新規事項の追加の有無及び補正目的の適否
（１）補正事項１について
　ア　補正事項１は、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）における明細書の段落【００１２】の「第１半導体領域１０は、第１部分１１と、第２部分１２と、を有する。第１部分１１は、第２部分１２の一部の上に設けられる。」という記載に基づくものと認められる。
　
　イ　したがって、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　ウ　また、補正事項１は、本件補正前の「第１半導体領域」が「第１部分」に加えてさらに「第２部分」を有し、「前記第２部分の一部の上に前記第１部分が設けられている」ことを限定するものである。
　
　エ　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２について
　ア　補正事項２は、当初明細書等における明細書の段落【００１３】の「すなわち、第２半導体領域２０は、第２部分１２の上で第１部分１１が設けられた一部以外の部分に設けられる。」という記載に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　イ　また、補正事項２は、「第２半導体領域」が、第１半導体領域の一部である「第２部分」の上側に「設けられ」ることを限定するものである。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項３について
　ア　補正事項３は、当初明細書等における明細書の段落【００１４】の「第３半導体領域３０は、第２半導体領域２０の上側に設けられる。」という記載、同段落【００３１】の「第２半導体領域２０の一部表面には、ｎ形不純物の不純物濃度１×１０２０ｃｍ−３程度のｎ形の第３半導体領域３０（ソース領域）が形成されている。」という記載、及び、図１（ａ）に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　イ　また、補正事項３は、「第３半導体領域」が、第２半導体領域の「一部」の上側に「設けられ」ることを限定するものである。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（４）補正事項４について
　ア　補正事項４は、当初明細書等における明細書の段落【００１６】の「第４半導体領域４０は、第２半導体領域２０の上側であって第３半導体領域３０のチャネル部２１とは反対側に設けられる。」という記載、同段落【００３２】の「また、第２半導体領域２０の一部表面であって、第３半導体領域３０の側方に、ｐ形不純物の不純物濃度１×１０１９ｃｍ−３以上１×１０２０ｃｍ−３以下程度のｐ形の第４半導体領域（ｐ形ウェルコンタクト領域）が形成されている。」という記載、及び、図１（ａ）に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　イ　また、補正事項４は、「第４半導体領域」が、第２半導体領域の「別の一部」の上側に「設けられ」ることを限定するものである。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（５）補正事項５について
　ア　補正事項５は、「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」が「前記第２半導体領域のうちの」領域であることを限定し、「前記第１部分と接する側の領域」も「前記第２半導体領域のうちの」領域であることを限定するとともに、「前記第２半導体領域のうちの」、前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く」なっているとの事項を追加するものである。
　イ　補正事項５は、当初明細書等における明細書の段落【００１７】の「 第２半導体領域２０は、第３半導体領域３０及び第４半導体領域４０と接する側の領域であって、第１部分１１と接する側の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域５０を有する。すなわち、第２半導体領域２０は、チャネル部２１の不純物濃度（第１の不純物濃度）よりも高い第２の不純物濃度を有する第２導電形（ｐ＋形またはｐ＋＋形）のＳｉＣを含む。高濃度領域５０は、第１領域５１と、第２領域５２と、を有する。」という記載、同段落【００１９】の「第２領域５２は、Ｚ方向にみて第３半導体領域３０の高抵抗領域３１の下側に設けられる。」という記載、及び、図１（ａ）に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項５は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　ウ　補正事項５のうち、「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」が「前記第２半導体領域のうちの」領域であることを限定し、「前記第１部分と接する側の領域」も「前記第２半導体領域のうちの」領域であることを限定する補正は、前記「接する側の領域」及び前記「前記第１部分と接する側の領域」が「前記第２半導体領域のうちの」領域であることを、より明確にするものである。
　また、補正事項５のうち、「前記第２半導体領域のうちの」、前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く」なっているとの事項を追加する補正は、本願補正前の「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」は、「不純物濃度」が「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く」なっているということを限定する補正である。
　したがって、補正事項５は、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明、及び、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（６）補正事項６について
　ア　補正事項６は、当初明細書等における明細書の段落【００１７】の「第２半導体領域２０は、第３半導体領域３０及び第４半導体領域４０と接する側の領域であって、第１部分１１と接する側の領域よりも不純物濃度の高い高濃度領域５０を有する。……高濃度領域５０は、第１領域５１と、第２領域５２と、を有する。」という記載、及び、図１（ａ）に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項６は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　イ　また、補正事項６は、本件補正前の「前記第４半導体領域」と「前記第１部分」と「前記第１領域」及び「前記第３半導体領域」の、相互の「配置」位置関係を限定するものである。
　したがって、補正事項６は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（７）補正事項７について
　ア　補正事項７は、当初明細書等における明細書の段落【００１９】の「具体的には、第２領域５２は、Ｚ方向にみて第３半導体領域３０の高抵抗領域３１の下側に設けられる。」という記載、及び、図１（ａ）に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項７は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。よって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
　イ　また、補正事項７は、本件補正前の「前記第２領域」は、「前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上」において「設けられ」ことを限定するものである。
　したがって、補正事項７は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（８）請求項２の削除とこれに伴う補正について
　ア　本件補正においては、さらに、請求項１を引用する本件補正前の請求項２を削除し、当該請求項２の削除に伴って、前記請求項１を引用する本件補正前の請求項３〜１１について、それぞれ一項づつ繰り上げるとともに、引用していた請求項の項番を補正する補正がなされている。
　イ　上記の各補正が、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。よって、請求項２の削除とこれに伴う補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　ウ　上記の各補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
（９）新規事項の追加の有無及び補正目的の適否についての検討のまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たす。
　
３．独立特許要件
　以上のとおり、請求項１についてする本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含んでいる。
　そこで、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正が、いわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かを、請求項１に係る発明について検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１〜１０に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、再掲すると次のとおりである。
　
「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分と、第２部分と、を有し、前記第２部分の一部の上に前記第１部分が設けられている第１半導体領域と、
　前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の一部の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の別の一部の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、
　前記第３半導体領域と導通する第１電極と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　を備え、
　前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く、
　前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み、
　前記第４半導体領域と前記第１部分との間に前記第１領域と前記第３半導体領域とが配置され、
　前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ、
　前記第２領域は、前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる半導体装置。」
　
（２）引用例及び引用発明
（２−１）引用例１の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００７−２４２９２５号公報（以下「引用例１」という。）には、「炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、図１〜図２０とともに、次の事項が記載されている（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
ａ．「【技術分野】
【０００１】
　この発明は、炭化珪素半導体装置、および炭化珪素半導体装置の製造方法に係る発明であり、特に、
ドリフト層の表面上に、濃度の異なる２つのウエル領域が形成される炭化珪素半導体装置
【背景技術】
【０００２】
　次世代の高耐圧低損失スイッチング素子として、縦型高耐圧炭化珪素電界効果型トランジスタが期待されている。本素子は、たとえば特許文献１に示されているように、炭化珪素基板上に存在するドリフト層の基板表面近傍に、高濃度ウエル領域、当該高濃度ウエル領域内に形成されるソース領域、低濃度ウエル領域、および一対の低濃度ウエル領域に挟まれたゲート電極下に存在するＪＦＥＴ領域を具備している。」
ｂ．「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかし、特許文献１の炭化珪素半導体装置では、高濃度ウエル領域がチャネル領域に存在していないので、装置自体を小型化するとリーク電流が増えるという問題があった。
【０００６】
　そこで、本発明は、装置自体を小型化してもリーク電流を抑制することが可能な炭化珪素半導体装置、およびその炭化珪素半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。」
　
ｃ．「【００１２】
　＜実施の形態１＞
　図１は、本実施の形態に係わる製造方法の結果形成される、炭化珪素電界効果型トランジスタ（以下、炭化珪素半導体装置と称する）の構成を示す断面図である。
【００１３】
　図１に示すように、
第一の導電型を有する炭化珪素半導体基板１の第一の主面上に、第一の導電型を有するドリフト層２が形成されている
ドリフト層２の表面内には、第二の導電型を有する、比較的不純物濃度の高い（つまり、後述する低濃度ウエル領域３ａ（第１のウエル領域）よりも不純物濃度の高い）高濃度ウエル領域３ｂ（第２のウエル領域）が形成されている
【００１４】
　また、ドリフト層２の表面内には、
断面視において高濃度ウエル領域３ｂに隣接して低濃度ウエル領域３ａが形成されている。ここで、当該低濃度ウエル領域３ａは、高濃度ウエル領域３ｂよりも不純物濃度が低い
【００１５】
　また、
所定の高濃度ウエル領域３ｂの上面内には、第一の導電型を有するソース領域５が形成されている
断面視において、二つのソース領域５の間には、ウエルコンタクト領域６が形成されている
【００１６】
　また、図１に示すように、
断面視において、ソース領域５の端部と低濃度ウエル領域３ａとの間には、高濃度ウエル領域３ｂが形成されている
【００１７】
　また、ドリフト層２の上面内には、高耐圧を保持する領域として、ＪＴＥ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）またはガードリング（以下、総称して高耐圧保持可能領域４と称する）が、形成されている。ここで、高耐圧保持可能領域４は、第二の導電型を有する。また高耐圧保持可能領域４は、素子（すなわち、炭化珪素半導体装置）の外周部（周縁部）において当該素子を囲繞するように形成されている。
　……（中略）……
【００２０】
　また、
ゲート絶縁膜８上に所望の形状のゲート電極９が形成されている
【００２１】
　ここで、
ＪＦＥＴ領域２ａは、断面視において低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成されている
ＪＦＥＴ領域２ａは、第一の導電型を有する
【００２２】
　また、当該ゲート電極９を覆うように、ゲート絶縁膜８上に層間絶縁膜１４が形成されている。ここで、層間絶縁膜１４は開口部を有しており、当該開口部からはウエルコンタクト領域６およびソース領域５の一部が臨まれる。そして、当該開口部の底部において、
ウエルコンタクト領域６上面およびソース領域５の一部の上面と接するように、ソース電極１１が形成されている
炭化珪素半導体基板１の第二の主面上には、ドレイン電極１０が形成されている
　
ｄ．「【００２３】
　次に、本実施の形態に係わる炭化珪素半導体装置の製造方法について、説明する。
【００２４】
　まず、図２を参照して、エピタキシャル結晶成長法などにより、第一の導電型を有する炭化珪素半導体基板１上に、
第一の導電型を有する炭化珪素から成るドリフト層２
【００２５】
　ドリフト層２の厚さは５〜５０μｍあれば良く、第一の導電型の不純物濃度としては、１×１０15〜１×１０18ｃｍ-3あれば良い。こうすることで、数１００Ｖ〜３ｋＶ以上の耐圧を持つ縦型電界効果型トランジスタが実現できる。なお、より好ましくは、ドリフト層２の厚さを１０〜２０μｍ、第一の導電型の不純物濃度として１×１０15〜５×１０16ｃｍ-3とする。
　……（中略）……
【００３３】
　さて図２を用いた製造方法の説明に話を戻す。
【００３４】
　次に、図２を参照して写真製版と
イオン注入（第一のイオン注入と把握できる）によって、前記ドリフト層２の表面内の所定の領域に、第二導電型を有する低濃度ウエル領域３ａ
を、同一の工程にて形成する
【００３５】
　低濃度ウエル領域３ａの深さおよび高耐圧保持可能領域４の深さは、ドリフト層２の深さを越えないようにし、これらの深さはたとえば０．４〜１．５μｍあれば良い。第二の導電型の不純物濃度は、ドリフト層２中の第一の導電型の不純物濃度を超えるようにし、たとえば１×１０17〜１×１０19ｃｍ-3（好ましくは１×１０17〜１×１０18ｃｍ-3、より好ましくは１×１０17〜５×１０17ｃｍ-3）あれば良い。
【００３６】
　ここで上述したように、第二導電型を有する低濃度ウエル領域３ａの表面近傍には、チャネルが形成される。また、低濃度ウエル領域３ａと高耐圧保持可能領域４とが同一の工程にて形成されるので、低濃度ウエル領域３ａの不純物分布（不純物濃度分布）と高耐圧保持可能領域４の不純物分布（不純物濃度分布）とは、ほぼ同じとなる。
【００３７】
　ここで、低濃度ウエル領域３ａは、図２で示したように、比較的広範囲の領域に渡って形成しても良く、図４に示すように、比較的狭い範囲に分割して、低濃度ウエル領域３ａを形成しても良い。
【００３８】
　さて次に、図５に示すように、写真製版と
イオン注入（第二のイオン注入および第三のイオン注入等を含む）によって、第二の導電型を有する高濃度ウエル領域３ｂ、ウエルコンタクト領域６
【００３９】
　低濃度ウエル領域３ａの所定の箇所に対して、イオン注入処理（第二のイオン注入処理）を施すことにより、高濃度ウエル領域３ｂを形成する。ここで上述の通り、高濃度ウエル領域３ｂは、第二の導電型を有している。また、高濃度ウエル領域３ｂの不純物濃度は、低濃度ウエル領域３ａの不純物濃度よりも高い。
【００４０】
　また、高濃度ウエル領域３ｂの所定の箇所に対して、
イオン注入処理（第三のイオン注入処理）を施すことにより、第一の導電型を有するソース領域５を形成する
【００４１】
　図５から分かるように、
平面視した場合、高濃度ウエル領域３ｂは、低濃度ウエル領域３ａの形成領域内に含まれて
【００４２】
　
当該高濃度ウエル領域３ｂの深さは、ドリフト層２の深さを越えないようにし、当該高濃度ウエル領域３ｂの深さは、たとえば０．４〜２．０μｍあれば良い。また高濃度ウエル領域３ｂの深さは、低濃度ウエル領域３ａの深さを超える
【００４３】
　さらに、第二の導電型の不純物濃度は、低濃度ウエル領域３ａ中の第二の導電型の不純物濃度を超えるようにし、たとえば２×１０17〜２×１０19ｃｍ-3あれば良い。また当該第二の導電型の不純物濃度は、基板表面側に向かって不純物濃度が減少するように分布していても良い。
【００４４】
　ここで、図４に示す態様にて低濃度ウエル領域３ａを形成した場合には、図４の点線にて示されているように、高濃度ウエル領域３ｂを形成すれば良い。ここで、図４において、低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂとは、５０ｎｍ〜５ｕｍ程度重なるように形成しても良い。
【００４５】
　また、ソース領域５の深さは、高濃度ウエル領域３ｂの深さを超えないようにし、その深さはたとえば１０ｎｍ〜０．５μｍあれば良い。また、ソース領域５中の第一の導電型の不純物濃度は、高濃度ウエル領域３ｂの第二の導電型の不純物濃度を超えるようにし、たとえば１×１０18〜１×１０21ｃｍ-3あれば良い。
【００４６】
　さらに、
ソース領域５は、図５に示すように高濃度ウエル領域３ｂの内部に含まれるように形成する
断面視において、ソース領域５の端部と低濃度ウエル領域３ａとの間に、高濃度ウエル領域３ｂが形成されている
【００４７】
　なお、上記のように、ソース領域５の端部と低濃度ウエル領域３ａとの間に、高濃度ウエル領域３ｂが形成されている場合には、チャネルは、ソース領域５の端部から高濃度ウエル領域３ｂ、低濃度ウエル領域３ａの各表面部分に渡って形成される。当該場合において、たとえば微細なチャネル長を持つ素子を作製するとき、図５の断面視における低濃度ウエル領域３ａの幅は（より具体的には、表面近傍の当該低濃度ウエル領域３ａの幅は）、０．１〜２．０ｕｍ（より好ましくは０．３〜１．０ｕｍ）であることが望ましい。また、図５の断面視におけるソース領域５と低濃度ウエル領域３ａとの間に存する、高濃度ウエル領域３ｂの幅は（より具体的には、表面近傍の当該高濃度ウエル領域３ｂの幅は）、１．０ｕｍ以下（より好ましくは０．５ｕｍ以下）であることが望ましい。
　……（中略）……
【００４９】
　当該熱処理以降は、通常の手法に基づいて、酸化珪素や酸化窒化珪素や金属酸化膜や金属窒化膜などからなるゲート絶縁膜８形成、多結晶珪素や高融点金属からなるゲート電極９形成、酸化珪素や窒化珪素からなる層間絶縁膜１４堆積、
ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなるソース電極１１とドレイン電極１０の形成
　
ｅ．「【００５４】
　以上のように、本実施の形態に係わる炭化珪素半導体装置の製造方法では、低濃度ウエル領域３ａと高耐圧保持可能領域４とが同一の工程にて形成している。したがって、一の工程で、低濃度ウエル領域３ａおよび高耐圧保持可能領域４を効率良く形成できる。よって、低濃度ウエル領域３ａと高耐圧保持可能領域４とを別々に形成する場合よりも、本実施の形態に係わる方法の方が製造コストの削減を図ることができる。
【００５５】
　なお、低濃度ウエル領域３ａと高耐圧保持可能領域４とが同一の工程にて形成されるので、低濃度ウエル領域３ａの不純物分布（不純物濃度分布）と高耐圧保持可能領域４の不純物分布（不純物濃度分布）とは、ほぼ同じとなる（より具体的には、深さ方向の分布がほぼ同一となる）。
【００５６】
　また、本実施の形態に係わる炭化珪素半導体装置では、図１に示すように、
断面視において、ソース領域５と低濃度ウエル領域３ａとの間には、高濃度ウエル領域３ｂが形成されている。したがって、当該炭化珪素半導体装置の短チャネル化を図ったとしても、リーク電流が抑制されるので、短チャネル効果を抑制することができる
ｆ．「実施の形態１に係わる炭化珪素半導体装置の要部構成を示す断面図である」（「図面の簡単な説明」における記載）図１には、ＪＦＥＴ領域２ａが、ドリフト層２の上部に、前記ドリフト層２と連続して形成されている、ことが図示されている。
　また、同図には、高濃度ウエル領域３ｂ内には、その上面側に、二つの前記ソース領域５と、その間のウエルコンタクト領域６が形成されている、ことが図示されている。
　そして、同図には、ゲート絶縁膜８が、前記ＪＦＥＴ領域２ａと、低濃度ウエル領域３ａと、及び、ソース領域５の一部の上側に形成されている、ことが図示されている。
　
（２−２）引用発明
　前項のａ〜ｆの特に下線部の記載を総合すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「第一の導電型を有する炭化珪素半導体基板１の第一の主面上に形成される、第一の導電型を有する炭化珪素から成るドリフト層２であって、前記ドリフト層２は、その上部に断面視において低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成されている第一の導電型を有するＪＦＥＴ領域２ａを有し、
　前記ドリフト層２の表面内にそれぞれイオン注入により形成される、それぞれ第二の導電型を有する前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂであって、断面視において前記高濃度ウエル領域３ｂに隣接して当該高濃度ウエル領域３ｂよりも不純物濃度が低い前記低濃度ウエル領域３ａが形成され、
　所定の前記高濃度ウエル領域３ｂの上面内に、当該高濃度ウエル領域３ｂの内部に含まれるようにイオン注入により形成される、第一の導電型を有するソース領域５と、
　前記高濃度ウエル領域３ｂ内に、断面視において二つの前記ソース領域５の間にイオン注入により形成される、第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６と、
　断面視において、前記ＪＦＥＴ領域２ａと、前記低濃度ウエル領域３ａと、及び、前記ソース領域５の一部との上側に形成されるゲート絶縁膜８と、
　前記ゲート絶縁膜８上に所望の形状で形成されるゲート電極９と、
　ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなり、前記ウエルコンタクト領域６上面及び前記ソース領域５の一部の上面と接するように形成されるソース電極１１と、
　ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなり、前記炭化珪素半導体基板１の第二の主面上に形成されるドレイン電極１０と、
　を備え、
　平面視した場合、前記高濃度ウエル領域３ｂは、前記低濃度ウエル領域３ａの形成領域内に含まれており、
　前記高濃度ウエル領域３ｂの深さは、前記ドリフト層２の深さを越えないようにされ、
　断面視において、前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間に、前記高濃度ウエル領域３ｂが形成されていることで、炭化珪素半導体装置の短チャネル化を図ったとしても、リーク電流が抑制されることを特徴とする炭化珪素半導体装置。」
（２−３）引用例２の記載事項
　ア　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００７−１３０８７号公報（以下「引用例２」という。）には、「電界効果トランジスタおよびサイリスタ」（発明の名称）について、図１〜図４６とともに、次の事項が記載されている。
ａ．「【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、耐圧の低下を可及的に防止することのできる電界効果トランジスタおよびサイリスタを提供することを目的とする。」
ｂ．「【００３０】
（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態によるＳｉＣ絶縁ゲートトランジスタ（電界効果トランジスタ）を図１（ａ）乃至図８を参照して説明する。
本実施形態のＳｉＣ絶縁ゲートトランジスタは、ｎ型ドリフト層に対して主接合を形成するｐ型ベース領域がアルミとボロンの２元素を含んでいるＳｉＣ半導体層からなっており、主にアルミを含むアルミ領域の少なくとも底面がボロンを含む領域によって覆われた構成となっている
【００３１】
　本実施形態のＳｉＣ絶縁ゲートトランジスタの構成を、製造工程を示す図１（ａ）乃至７を参照して説明する。まず、図１（ａ）に示すように、低抵抗のｎ型のＳｉＣ基板２を準備し、この
ＳｉＣ基板２上に、ドリフト領域となる不純物濃度が１×１０
１６
ｃｍ
−３
のｎ型エピタキシャル層４を１０μｍ成長させる
　……（中略）……
【００３６】
　次に、反応性スパッタやＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)などを用いて、上記犠牲酸化膜上にイオン注入マスクとなる酸化膜を２μｍ成膜する。その後、この酸化膜上にレジストを塗布し、レジストをパターニングすることにより、レジストパターンを形成する。このレジストパターンをマスクとしてＲＩＥ(Reactive Ion Etching)を用いて酸化膜をパターニングすることにより、エピタキシャル層４のｐ型コンタクト領域形成部分上に開口７を有する酸化膜マスク６を形成する（図１（ｃ）参照）。この酸化膜マスク６を用いて、エピタキシャル層４の表面に最大加速エネルギー１００ｋｅＶ〜５００ｋｅＶ、例えば３００ｋｅＶでＡｌイオンの多段注入をし、ｐ型コンタクト領域８を形成する（図１（ｃ）参照）。この
ｐ型コンタクト領域８は、深さが０．５μｍ程度でＡｌ濃度は１×１０
１８
ｃｍ
−２
〜１×１０
２１
ｃｍ
−３
程度、例えば１×１０
２０
ｃｍ
−３
のボックスプロファイルを有する
　……（中略）……
【００３９】
　次に、酸化膜マスク１０を用いて、ボロンイオンの多段注入を行い、
ボロン注入領域１２を形成する
このボロン注入領域１２はイオン注入濃度１×１０
１６
〜１×１０
２０
ｃｍ
−３
、例えば１×１０
１８
ｃｍ
−３
【００４０】
　次に、酸化膜マスク１０を用いてアルミイオンの多段注入を行い、
ボロン注入領域１２の底部に高濃度アルミ注入領域１４を形成する
高濃度アルミ注入領域１４はイオン注入濃度１×１０
１６
ｃｍ
−３
〜１×１０
２０
ｃｍ
−３
、例えば１×１０
２０
ｃｍ
−３
で、
高濃度アルミ領域１４は、後の工程で形成されるソースコンタクト領域となる高濃度ｎ型領域１８（図４（ａ）参照）の底部を保護するように配置されている
　……（中略）……
【００４２】
　次に、アルミ膜マスク１６ａを用いて、
ｎ型不純物イオン（例えばリンイオン）の多段注入を行い、ｎ型ソース領域１８を形成する
基板２の裏面にリンイオンを注入し、ｎ型ドレインコンタクト領域２０を形成する
【００４３】
　次に、基板を、硫酸と過酸化水素水の混酸で洗浄し、アルミ膜マスク１６ａ、１６ｂや基板に付着したレジストを除去した後、純水によりリンスする。ついで、希塩酸と過酸化水素水の混酸で基板に付着した微量の金属不純物を除去し、純水によりリンスする。そし
て、最後に希フッ酸により基板表面の酸化膜マスク１０を除去し、純水によりリンスする。なお、酸化膜マスク１０が酸化膜マスク６の開口を広げたものである場合は、酸化膜マスクの除去の際に、エピタキシャル層４の表面に形成された犠牲酸化膜も同時に除去される。このようにして洗浄が終了した基板を誘導加熱型の活性化アニール炉に導入し、到達真空度１×１０−４Ｐａまで真空にした後、不活性ガスであるＡｒで満たし、１５００℃〜１８００℃、５分〜２時間の活性化アニールを行う。ここでは、
１６００℃、５分間の活性化アニールを行う。これによりボロン注入領域１２からボロンが熱拡散され、アルミ注入領域１４を覆う低抵抗のボロン拡散領域１２ａと、アルミ注入領域１４とからなるｐ型ベース領域１５が形成される
ｎ型ソース領域１８の側部にも、ボロン注入領域１２からボロンが熱拡散されてボロン拡散領域１２ｂが形成され、このボロン拡散領域１２ｂが後述するようにチャネル領域１３となる
【００４４】
　次に、再び基板表面を熱酸化した後に、図４（ｃ）に示すように、ＣＶＤにより基板表面にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）膜２２を成膜し、Ａｒ雰囲気中１０００℃でシリコン酸化膜２２をシンターする。その後、シリコン酸化膜２２上にソース領域上に開口２４ａを有するレジストパターン２４を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００４５】
　次に、このレジストパターン２４をマスクとしてバッファードフッ酸によりシリコン酸化膜をエッチングし、レジストパターン２４の開口２４ａよりも大きな開口２２ａをシリコン酸化膜２２に形成する（図５（ａ）参照）。エッチングにより残存したシリコン酸化膜２２は絶縁ゲート膜として機能する。
絶縁ゲート膜２２下のボロン拡散領域１２ｂ、すなわちソース領域１８の側部のボロン拡散領域１２ｂがチャネル領域１３となる
　次に、電子銃蒸着、スパッタなどによりＮｉ膜２６を４０ｎｍ成膜した後（図５（ｂ）参照）、アセトンによりレジストパターン２４を除去し、これと同時にレジストパターン２４上に成膜されたＮｉ膜をリフトオフすることにより、
ソース領域に選択的にソース電極となるＮｉ膜２６を形成する
【００４６】
　次に、リソグラフィー技術を用いて、絶縁ゲート膜２２上にのみＴｉからなるゲート電極２８を形成する。（図６参照）。続いて、基板表面をレジストで保護し、基板裏面のｎ型コンタクト領域２０に接するようにＴｉ／Ｎｉ／Ａｕからなる裏面電極３０を形成する（図７参照）。その後、パッシベーション膜（図示せず）で保護することにより、ＳｉＣ絶縁ゲートトランジスタを完成する。なお、図７においては、１つのソース電極２６と２つのゲート電極２８しか示していないが、ソース電極２６とゲート電極２８が交互に形成された構成となっている。すなわち、図７の右側のゲート電極２８の右側には図７の中央に示すソース電極、ｐ型コンタクト領域、ソース領域、ｐ型ベース領域が形成され、左側のゲート電極２８の左側には図７の中央に示すソース電極、ｐ型コンタクト領域、ソース領域、ｐ型ベース領域が形成された構成となっている。」
ｃ．「【００４７】
　本実施形態においては、ｐ型ベース領域１５の形成は、まず、図８（ａ）に示すようにドリフト領域となるｎ型エピタキシャル層４にマスク（図示せず）を用いてボロンイオンの注入領域１２を形成し、続いて、同じマスクを用いてアルミイオンの注入領域１４を形成した後、更に同じマスクを用いてｎ型不純物を注入し、ソース領域１８を形成し（図８（ｂ）参照）、図８（ｃ）に示すように
熱処理によりアルミ注入領域１４の底部よりも深くボロンイオンを拡散させボロン拡散領域１２ａを形成している。このため、ボロン拡散領域１２ａが、アルミイオンの注入による欠陥部３２（アルミ注入領域１４の底部）を覆うことになり、ドリフト領域４とベース領域１５との界面におけるイオン注入による結晶欠陥に集中する電界を緩和することが可能となり、耐圧の劣化を抑制することができる
　イ　前記ｂで摘記したように、引用例２には、段落【００３９】に「ボロン注入領域１２はイオン注入濃度１×１０１６〜１×１０２０ｃｍ−３、例えば１×１０１８ｃｍ−３で……形成する。」と、段落【００４０】に「高濃度アルミ注入領域１４はイオン注入濃度１×１０１６ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３、例えば１×１０２０ｃｍ−３で……形成する。」と、段落【００４３】に「１６００℃、５分間の活性化アニールを行う。これによりボロン注入領域１２からボロンが熱拡散され、アルミ注入領域１４を覆う低抵抗のボロン拡散領域１２ａ……が形成される……このとき、ｎ型ソース領域１８の側部にも、ボロン注入領域１２からボロンが熱拡散されてボロン拡散領域１２ｂが形成され、このボロン拡散領域１２ｂが後述するようにチャネル領域１３となる。」と記載されている。
　以上の記載から、例示されるアクセプタ濃度が、「１×１０１８ｃｍ−３」であり、「高濃度アルミ注入領域１４」の例示されるアクセプタ濃度である「１×１０２０ｃｍ−３」より小さい「ボロン注入領域１２」から、「ボロン」を「熱拡散」させることで「ボロン拡散領域１２ａ」及び「ボロン拡散領域１２ｂ」を形成することから、前記「ボロン拡散領域１２ａ」及び「ボロン拡散領域１２ｂ」のアクセプタ濃度は、前記「高濃度アルミ注入領域１４」のそれより小さいと認められる。
　ウ　そうすると、前記ａ〜ｃから、引用例２には以下の事項が記載されている。
「ＳｉＣ基板２上に成長させた、ドリフト領域となるｎ型エピタキシャル層４と、
　前記ｎ型エピタキシャル層４の上側に形成するｐ型コンタクト領域８と、
　ソースコンタクト領域となる高濃度ｎ型ソース領域１８の底部を保護する高濃度アルミ注入領域１４と、
　前記高濃度アルミ注入領域１４の上側に形成される前記ｎ型ソース領域１８と、
　前記高濃度アルミ注入領域１４を覆うとともに、ｎ型ソース領域１８の側部においてはチャネル領域１３となる、ボロン拡散領域１２ａ及び１２ｂと、を備え、
　前記ボロン拡散領域１２ａと、前記高濃度アルミ注入領域１４とからｐ型ベース領域１５が形成され、
　前記ボロン拡散領域１２ａ及び１２ｂのアクセプタ濃度は、前記高濃度アルミ注入領域１４のアクセプタ濃度より小さく、
　前記高濃度アルミ注入領域１４の底部を、前記ボロン拡散領域１２ａで覆うことで、前記ドリフト領域４と前記ベース領域１５との界面におけるイオン注入による結晶欠陥に集中する電界を緩和して、耐圧の劣化を抑制するＳｉＣ絶縁ゲートトランジスタ。」
（２−４）引用例３の記載事項
　ア　原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−１４６４６５号公報（以下「引用例３」という。）には、「炭化珪素半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）について、図１〜図６とともに、次の事項が記載されている。
ａ．「【００１９】
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、しきい値電圧の増大ならびにパンチスルーを防止し、かつチャネル抵抗の低下を達成し得る炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することにある。」
ｂ．「【００４４】
図３は本発明の第２の実施形態に係る炭化珪素半導体装置の構成を示す断面図である。図３において、この第２の実施形態の炭化珪素半導体装置の特徴とするところは、前述した第１の実施形態の構成に比べて、
Ｎ＋　型ソース領域１０５の直下に形成されるＰ＋　型高濃度ウエル領域３０１が、Ｐ−　型低濃度ウエル領域３０２に覆われている
Ｎ−　型エピタキシャル領域１０２に形成されたＰ−　型低濃度ウエル領域３０２内に形成されている。他の構成は、図１に示す第１の実施形態と同様である。
【００４５】
次に、この第２の実施形態の半導体装置の動作について説明する。なお、基本的な動作は、図１に示す第１の実施形態のそれと同様である。
【００４６】
ドレイン電極１１１とソース電極１１０との間に電圧が印加された状態で、ゲート電極１０８に正の電圧が印加されると、ゲート電極１０８に対向するＰ−　型低濃度ウエル領域３０２の表層に、反転型チャネルが形成される。その結果、ドレイン電極１１１からＰ−　型低濃度ウエル領域３０２、Ｎ＋　型ソース領域１０５を経て、ソース電極１１０へと電流が流れる。一方、ゲート電極１０８に印加された電圧を取り去ると、Ｐ−　型低濃度ウエル領域３０２の表層に形成されたチャネルは消失する。その結果、ドレイン電極１１１とソース電極１１０との間は電気的に絶縁され、スイッチング機能を示すことになる。
【００４７】
そして、
素子の耐圧は
Ｐ＋　型高濃度ウエル領域３０１とＮ−　型エピタキシャル領域１０２間のＰＮ接合のアバランシェブレークダウンで決まるため
ドレイン耐圧が高くなる
ｃ．「【００４８】
次に、図３に示す第２の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を、図４（ａ）〜同図（ｇ）の工程断面図を用いて説明する。
【００４９】
まず、図４（ａ）の工程においては、
Ｎ＋　型ＳｉＣ基板１０１上に例えば不純物濃度が１Ｅ１４〜１Ｅ１８ｃｍ−３、厚さが１〜１００μｍのＮ−　型ＳｉＣエピタキシャル領域１０２を形成する
【００５０】
次に、図４（ｂ）の工程においては、
エピタキシャル領域１０２に対して
Ｎ＋　型ソース領域１０５を形成する
　……（中略）……
【００５２】
次に、図４（ｄ）の工程においては、感光材（フォトレジスト）４０４を除去した後に、マスク材４０１を用いて例えば１００〜１０００℃の高温でほう素イオン４０５を１０ｋ〜３ＭｅＶの加速電圧で多段注入し、
Ｐ＋　型高濃度ウエル領域３０１を形成する
【００５３】
なお、この後、図４（ｆ）に示す工程にて行う
熱処理により、不純物を拡散させて、Ｐ−　型低濃度ウエル領域３０２を形成する。そのためには、Ｐ＋　型高濃度ウエル領域３０１を形成するＰ型不純物は、ほう素が好ましい
【００５４】
次に、図４（ｅ）の工程においては、マスク材４０６を用いて、例えば１００〜１０００℃の高温でアルミニウムイオン４０７を１０ｋ〜１ＭｅＶの加速電圧で多段注入し、
Ｐ＋　型コンタクト領域１０６を形成する
【００５５】
なお、各領域を形成するイオン注入を行う順番については、本例で示す限りではない。
【００５６】
次に、図４（ｆ）の工程においては、例えば１０００〜１８００℃で熱処理を行い、注入した不純物を活性化させる。熱処理時、図４（ｄ）に示す工程でＰ＋　型高濃度ウエル領域３０１を形成するために導入した不純物を拡散させて、Ｐ−　型低濃度ウエル領域３０２を形成する。Ｎ＋　型ソース領域１０５とＰ＋　型高濃度ウエル領域３０１は、自己整合的に形成されるため、Ｎ＋　型ソース領域１０５に対してＰ−　型低濃度ウエル領域３０２も自己整合的に形成される。」
　イ　前記ａ〜ｃから、引用例３には以下の事項が記載されている。
「Ｎ＋型ＳｉＣ基板１０１上に形成するＮ−型ＳｉＣエピタキシャル領域１０２と、
　前記エピタキシャル領域１０２に対して形成するＮ＋型ソース領域１０５と、
　前記Ｎ＋型ソース領域１０５の直下に形成されるＰ＋型高濃度ウエル領域３０１と、
　前記Ｐ＋型高濃度ウエル領域３０１を覆うように形成されるＰ−型低濃度ウエル領域３０２と、
　Ｐ＋型コンタクト領域１０６と、を備え、
　前記Ｐ−型低濃度ウエル領域３０２を介して形成される前記Ｐ＋型高濃度ウエル領域３０１と前記Ｎ−型エピタキシャル領域１０２間のＰＮ接合のアバランシェブレークダウンで決まる素子のドレイン耐圧が、前記Ｐ＋型高濃度ウエル領域３０１が無い場合に比べて高くなることを特徴とする、炭化珪素半導体装置。」
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明において、「ドリフト層２」が有する「第一の導電型を有するＪＦＥＴ領域２ａ」は、前記「ドリフト層２」の「上部に断面視において低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成されている」。そして、前記「低濃度ウエル領域３ａ」は「前記ドリフト層２の表面内にそれぞれイオン注入により形成される」から、結果として、前記「低濃度ウエル領域３ａ」は「ドリフト層２」の「上部」に形成されている。
　そうすると、前記「ドリフト層２」は、「低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成」されている前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」と、前記「低濃度ウエル領域３ａ」の下部の領域を有すると認められる。
　したがって、引用発明の「ドリフト層２」において、前記「低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成」されている「ＪＦＥＴ領域２ａ」の部分は補正発明の「第１導電形の炭化珪素」を含む「第１半導体領域」の「第１部分」に相当し、前記「低濃度ウエル領域３ａ」の下部の領域の部分は補正発明の「第２部分」に相当する。
　以上から、引用発明の「その上部に断面視において低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成されている第一の導電型を有するＪＦＥＴ領域２ａを有し」ている「第一の導電型を有する炭化珪素から成るドリフト層２」は、補正発明の「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分と、第２部分と、を有し、前記第２部分の一部の上に前記第１部分が設けられている第１半導体領域」に相当する。
　
　イ　補正発明において、「前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」は、「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」と「前記第１部分と接する側の領域」と「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側」の領域とを併せた「半導体領域」であることが、本件補正後の請求項１には記載されている。
　したがって、補正発明の「前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」とは、当該「第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」が「前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ」る領域を有していることを特定していると解される。
　さて、引用発明の「それぞれ第二の導電型を有する前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」のうち、「前記低濃度ウエル領域３ａ」は「炭化珪素から成るドリフト層２」の「表面内にそれぞれイオン注入により形成される」から、「炭化珪素」を含んでおり、かつ、前記「ドリフト層２」における前記「低濃度ウエル領域３ａ」の下部の領域の部分の、上側に「形成」されている。
　そして、前記「低濃度ウエル領域３ａ」は、前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」しているから、補正発明の「前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ」る領域に相当する。
　以上から、引用発明の「前記ドリフト層２の表面内にそれぞれイオン注入により形成される、それぞれ第二の導電型を有する前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域は、補正発明の「前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」に相当する。
ウ　引用発明の「第一の導電型を有するソース領域５」は、「イオン注入により形成される」から、「炭化珪素」を含むことは明らかである。
　そして、前記「ソース領域５」は、「前記高濃度ウエル領域３ｂの上面内に、当該高濃度ウエル領域３ｂの内部に含まれるように」形成されるから、「断面視において」、「前記高濃度ウエル領域３ｂの上」側であって、前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」する「前記低濃度ウエル領域３ａ」にさらに「隣接」する「前記高濃度ウエル領域３ｂ」を介して形成されていると認められる。
　この、「前記高濃度ウエル領域３ｂの上」側であって、前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」する「前記低濃度ウエル領域３ａ」の隣に「前記高濃度ウエル領域３ｂ」を介して形成されている引用発明の「ソース領域５」は、補正発明の「前記第２半導体領域の一部の上側であって前記第１部分と離間して設けられ」る「第３半導体領域」に相当する。
　したがって、引用発明の「所定の前記高濃度ウエル領域３ｂの上面内に、当該高濃度ウエル領域３ｂの内部に含まれるようにイオン注入により形成される、第一の導電型を有するソース領域５」は、補正発明の「前記第２半導体領域の一部の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域」に相当する。
　エ　引用発明の「第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６」は、「イオン注入により形成される」から、「炭化珪素」を含むことは明らかである。
　また、前記「ウエルコンタクト領域６」は、「前記高濃度ウエル領域３ｂ内に、断面視において二つの前記ソース領域５の間」に「形成される」から、「前記高濃度ウエル領域３ｂ」の上側であって、前記「ソース領域５」が「形成」される部分とは別の部分に「形成される」ものである。
　したがって、引用発明の「前記高濃度ウエル領域３ｂ内に、断面視において二つの前記ソース領域５の間にイオン注入により形成される、第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６」は、補正発明の「前記第２半導体領域の別の一部の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域」に相当する。
　
　オ　引用発明の「断面視において、前記ＪＦＥＴ領域２ａと、前記低濃度ウエル領域３ａと、及び、前記ソース領域５の一部との上側に形成されるゲート絶縁膜８」は、補正発明の「前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜」に相当する。
　
　カ　引用発明の「前記ゲート絶縁膜８上に所望の形状で形成されるゲート電極９」は、補正発明の「前記絶縁膜の上に設けられた制御電極」に相当する。
　キ　引用発明において、「ソース電極１１」は、「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物」からなるとともに、前記「炭化珪素」を含む「前記ウエルコンタクト領域６」及び「前記ソース領域５」の各「上面」に「形成」されているから、「前記ウエルコンタクト領域６」及び「前記ソース領域５」と電気的に導通していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなり、前記ウエルコンタクト領域６上面及び前記ソース領域５の一部の上面と接するように形成されるソース電極１１」は、補正発明の「前記第３半導体領域と導通する第１電極」に相当する。
　ク　引用発明において、「ドレイン電極１０」は、「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物」からなるとともに、「第一の導電型を有する炭化珪素半導体基板１」の「第二の主面上」に「形成」されているから、前記「炭化珪素半導体基板１」と電気的に導通しており、その結果、「第一の導電型を有する炭化珪素から成るドリフト層２」とも電気的に導通していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなり、前記炭化珪素半導体基板１の第二の主面上に形成されるドレイン電極１０」は、補正発明の「前記第１半導体領域と導通する第２電極」に相当する。
　ケ　前記ウ、エで指摘したように、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」は、「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を含む。すなわち、引用発明の「前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域は、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を含んでいる。
　この「前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域における「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域は、補正発明の「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」に相当する。
　また、引用発明の前記「低濃度ウエル領域３ａ」は、「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接して形成されている」領域であるから、補正発明の「前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域」に相当する。
　したがって、引用発明において、「前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域のうちの、前記「前記低濃度ウエル領域３ａ」が「当該高濃度ウエル領域３ｂよりも不純物濃度が低い」ことと、補正発明において、「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高」いこととは、「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高」い点で共通する。
　コ　引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」は、「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を含むとともに、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」は「断面視において、前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」にも「形成されている」。
　したがって、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」は、「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域と、「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域とを有する。
　そして、引用発明においては、「低濃度ウエル領域３ａ」に「隣接」して「ＪＦＥＴ領域２ａ」が形成されている。
　よって、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」における、「前記ソース領域５の端部」と、「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」している「前記低濃度ウエル領域３ａ」との間に「形成されている」領域は、補正発明の「前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ」る「前記第１領域」に相当する。
　一方、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域と、「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域とは、いずれも、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」の一部であるから、「ウエルコンタクト領域６」と同様に、「第二の導電型」を有する。
　そうすると、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域によって、前記「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域と「ウエルコンタクト領域６」とが電気的に導通されることは明らかである。
　よって、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」における前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域と、補正発明の「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域」のうちの「前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通」させる「第２領域」とは、「前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通」させる「第２領域」である点で共通する。
　以上から、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」が「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域と、「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域とを有することと、補正発明の「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み」、「前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ」、かつ「前記第２領域は、前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる」こととは、補正発明の「第２領域」が「前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において」位置していることを除き、一致する。
　サ　引用発明において、「平面視した場合、前記高濃度ウエル領域３ｂは、前記低濃度ウエル領域３ａの形成領域内に含まれており」、また、「前記高濃度ウエル領域３ｂ内に、断面視において二つの前記ソース領域５の間」に「第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６」が形成される。
　そうすると、引用発明において、「平面視した場合」、前記「第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６」と「ＪＦＥＴ領域２ａ」との間には、「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に形成されている「前記高濃度ウエル領域３ｂ」の領域と、「前記ソース領域５」とが配置されると認められる。
　そして、引用発明における上記の構成は、補正発明において、「前記第４半導体領域と前記第１部分との間に前記第１領域と前記第３半導体領域とが配置され」ることに相当する。
　シ　引用発明の「炭化珪素半導体装置」は、補正発明の「半導体装置」に相当する。
（３−２）一致点と相違点
　以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
（一致点）
「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分と、第２部分と、を有し、前記第２部分の一部の上に前記第１部分が設けられている第１半導体領域と、
　前記第２部分の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の一部の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の別の一部の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、
　前記第３半導体領域と導通する第１電極と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　を備え、
　前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、
　前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み、
　前記第４半導体領域と前記第１部分との間に前記第１領域と前記第３半導体領域とが配置され、
　前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ、
　前記第２領域は、前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ、前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる半導体装置。」
である点で一致し、次の各点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明の「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度」は「前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域から離れた部分の側よりも高く」設定されるのに対して、引用発明の前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」とに下側で接する「高濃度ウエル領域３ｂ」はそのような特定を有していない点。
　
（相違点２）
　補正発明の「前記第２領域」は「前記第３半導体領域の下であって前記第２半導体領域のうちの前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と離れた前記部分の上において」設けられるのに対して、引用発明の前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」とに下側で接する「高濃度ウエル領域３ｂ」はそのような特定を有していない点。
　
（４）各相違点についての当審の判断
　以下、相違点１及び２について、まとめて検討する。
　ア　第２．３．（２）（２−３）及び（２−４）より、ｎ型の炭化珪素層からなるドリフト層と、当該ドリフト層の表面に離間して設けられた２つのｎ型ソース領域、及び上記ドリフト層の表面の上記ソース領域間に設けられたｐ型コンタクト領域、並びに上記ソース領域の側部のドリフト層上に設けられた絶縁ゲートとを備えた縦型炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、上記ソース領域、及び上記コンタクト領域と下側で接するようにｐ型の高濃度ウエル領域を形成し、当該高濃度ウエル領域の下側にｐ型の低濃度ウエル領域を形成することで、耐圧の向上を図ることは、引用例２及び３にみられるように、本願の出願日前、当該技術分野では周知の技術と認められる。
　イ　ところで、引用例１の記載（【０００６】、第２．３．（２）（２−１）ｂ．参照。）より、引用発明は、「装置自体を小型化してもリーク電流を抑制すること」を解決課題とするものと認められる。
　そして、引用例１の記載（【００５６】、第２．３．（２）（２−１）ｅ．参照。）より、引用発明は、「断面視において、前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間に、前記高濃度ウエル領域３ｂが形成されている」との構成により、上記の課題を解決したものと認められる。
　すなわち、引用発明は、断面視における「ソース領域５」の端部と「低濃度ウエル領域３ａ」との間、言い換えれば、「ドリフト層２」の表面に平行な方向における「ソース領域５」の端部と「低濃度ウエル領域３ａ」との間に、「高濃度ウエル領域３ｂ」を形成するとの構成により、上記の課題を解決したものということができる。
　また、引用発明は、断面視において、二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で、言い換えれば、「ドリフト層２」の表面に垂直な方向において、二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で、「高濃度ウエル領域３ｂ」が接している構成も備える。
　そして、引用例１には、引用発明における、二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で、「高濃度ウエル領域３ｂ」が接しているとの構成について、「高濃度ウエル領域３ｂの深さは、低濃度ウエル領域３ａの深さを超えることが望ましい」（【００４２】、第２．３．（２）（２−１）ｄ．参照。）との記載はあるが、その理由は記載されておらず、当該構成において、「高濃度ウエル領域３ｂ」の深さと「低濃度ウエル領域３ａ」の深さの関係を引用例１の上記記載のようにすることと、上記の課題の解決との間に因果関係があることは、引用例１の記載からは認められない。
　そうすると、引用例１の記載より、引用発明において、「装置自体を小型化してもリーク電流を抑制する」との課題の解決のためには、「ドリフト層２」の表面に平行な方向における「ソース領域５」の端部と「低濃度ウエル領域３ａ」との間に、「高濃度ウエル領域３ｂ」を形成するとの構成（補正発明における「前記第４半導体領域と前記第１部分との間に前記第１領域と前記第３半導体領域とが配置され」との構成に相当。）を備えていればよいと認められるから、当該構成を備えていれば、「ドリフト層２」の表面に垂直な方向において、二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で接している「高濃度ウエル領域３ｂ」の深さと、上記「低濃度ウエル領域３ａ」の深さの関係を、引用例１の記載に限定されず変更することについて、これを妨げる阻害要因が存在するとは認められない。
　ウ　引用発明において解決しようとする課題は、上記イのとおりであるが、引用例１における「次世代の高耐圧低損失スイッチング素子として、縦型高耐圧炭化珪素電界効果型トランジスタが期待されている。」（【０００２】、第２．３．（２）（２−１）ａ．参照。）との記載にみられるように、縦型炭化珪素電界効果型トランジスタの発明である引用発明において、耐圧を向上するとの課題が存在することは自明であり、当該課題の解決を図ることは、当業者が当然に考慮するものといえる。
　そして、上記アのとおり、縦型炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、ソース領域、及びコンタクト領域と下側で接するようにｐ型の高濃度ウエル領域を形成し、当該高濃度ウエル領域の下側にｐ型の低濃度ウエル領域を形成することで、耐圧の向上を図ることは、本願の出願日前、当該技術分野では周知の技術と認められ、また、上記イのとおり、引用発明において、二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で接している「高濃度ウエル領域３ｂ」の深さと、「低濃度ウエル領域３ａ」の深さの関係を、引用例１の記載に限定されず変更することについて、これを妨げる阻害要因が存在するとは認められない。
　そうすると、引用発明において、耐圧の向上のために、「高濃度ウエル領域３ｂ」の下側にｐ型の低濃度ウエル領域を形成することは、上記周知技術に接した当業者が容易に想到し得るものと認められ、その際に、上記「高濃度ウエル領域３ｂ」の下部も「低濃度ウエル領域３ａ」で覆うようにすることは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　そして、その結果、引用発明の前記二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で接している「高濃度ウエル領域３ｂ」の不純物濃度は、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」の下部を覆う「低濃度ウエル領域３ａ」の不純物濃度よりも高い（相違点１に係る構成）と認められる。
　また、引用発明の前記二つの「ソース領域５」及び「ウエルコンタクト領域６」と下側で接している「高濃度ウエル領域３ｂ」は、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」の下部を覆う「低濃度ウエル領域３ａ」の上に設けられる（相違点２に係る構成）と認められる。
　エ　以上のとおりであるから、相違点１ないし２は、引用例２及び引用例３を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、引用例１に記載された発明、及び、引用例２及び引用例３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　よって、補正発明は、引用例１に記載された発明、及び、引用例２及び引用例３に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．小括
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２６年１２月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成２６年６月１３日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、再掲すると次のとおりのものである。
　
「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分を有する第１半導体領域と、
　前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、
　前記第３半導体領域と導通する第１電極と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　を備え、
　前記第２半導体領域のうち前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、
　前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み、
　前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ、
　前記第２領域は、前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる半導体装置。」
　
２．引用例及び引用発明
　引用例１ないし３の記載事項は、第２．３．（２）（２−１）、同（２−３）ア及び同（２−４）アで摘記したとおりである。
　また、引用発明は、第２．３．（２）（２−２）で認定したとおりのものである。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明において、「ドリフト層２」が有する「第一の導電型を有するＪＦＥＴ領域２ａ」は、前記「ドリフト層２」の「上部に断面視において低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成されている」。そして、前記「低濃度ウエル領域３ａ」は「前記ドリフト層２の表面内にそれぞれイオン注入により形成される」から、結果として、前記「低濃度ウエル領域３ａ」は「ドリフト層２」の「上部」に「形成」されている。
　そうすると、前記「ドリフト層２」は、「低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成」されている前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」と、前記「低濃度ウエル領域３ａ」の下部の領域を有すると認められる。
　そして、引用発明の「ドリフト層２」における前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」の部分は、本願発明の「第１導電形の炭化珪素」を含む「第１半導体領域」の「第１部分」に相当する。
　以上から、引用発明の「その上部に断面視において低濃度ウエル領域３ａに隣接して形成されている第一の導電型を有するＪＦＥＴ領域２ａを有し」ている「第一の導電型を有する炭化珪素から成るドリフト層２」は、本願発明の「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分を有する第１半導体領域」に相当する。
　
　イ　本願発明において、「前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」は、「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」と「前記第１部分と接する側の領域」とを併せた「半導体領域」であることが、請求項１には記載されている。
　したがって、本願発明の「前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」とは、当該「第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」が「前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ」る領域を有していることを特定していると解される。
　さて、引用発明の「それぞれ第二の導電型を有する前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」は、「炭化珪素から成るドリフト層２」の「表面内にそれぞれイオン注入により形成される」から、いずれの「領域」も、「炭化珪素」を含んでおり、かつ、前記「ドリフト層２」の上側に「形成」されている。
　そして、このうち、前記「低濃度ウエル領域３ａ」は、前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」しているから、本願発明の「前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ」る領域に相当する。
　以上から、引用発明の「前記ドリフト層２の表面内にそれぞれイオン注入により形成される、それぞれ第二の導電型を有する前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域は、本願発明の「前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域」に相当する。
　ウ　引用発明の「第一の導電型を有するソース領域５」は、「イオン注入により形成される」から、「炭化珪素」を含むことは明らかである。
　そして、前記「ソース領域５」は、「前記高濃度ウエル領域３ｂの上面内に、当該高濃度ウエル領域３ｂの内部に含まれるように」形成されるから、「断面視において」、「前記高濃度ウエル領域３ｂの上」側であって、前記「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」する「前記低濃度ウエル領域３ａ」にさらに「隣接」する「前記高濃度ウエル領域３ｂ」を介して形成されていると認められる。
　したがって、引用発明の「所定の前記高濃度ウエル領域３ｂの上面内に、当該高濃度ウエル領域３ｂの内部に含まれるようにイオン注入により形成される、第一の導電型を有するソース領域５」は、本願発明の「前記第２半導体領域の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域」に相当する。
　エ　引用発明の「第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６」は、「イオン注入により形成される」から、「炭化珪素」を含むことは明らかである。
　また、前記「ウエルコンタクト領域６」は、「前記高濃度ウエル領域３ｂ内」に「形成される」から、「前記高濃度ウエル領域３ｂ」の上側に「形成される」ものである。
　したがって、引用発明の「前記高濃度ウエル領域３ｂ内に、断面視において二つの前記ソース領域５の間にイオン注入により形成される、第二の導電型を有するウエルコンタクト領域６」は、本願発明の「前記第２半導体領域の別の一部の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域」に相当する。
　
　オ　引用発明の「断面視において、前記ＪＦＥＴ領域２ａと、前記低濃度ウエル領域３ａと、及び、前記ソース領域５の一部との上側に形成されるゲート絶縁膜８」は、本願発明の「前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜」に相当する。
　
　カ　引用発明の「前記ゲート絶縁膜８上に所望の形状で形成されるゲート電極９」は、本願発明の「前記絶縁膜の上に設けられた制御電極」に相当する。
　キ　引用発明において、「ソース電極１１」は、「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物」からなるとともに、前記「炭化珪素」を含む「前記ウエルコンタクト領域６」及び「前記ソース領域５」の各「上面」に「形成」されているから、「前記ウエルコンタクト領域６」及び「前記ソース領域５」と電気的に導通していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなり、前記ウエルコンタクト領域６上面及び前記ソース領域５の一部の上面と接するように形成されるソース電極１１」は、本願発明の「前記第３半導体領域と導通する第１電極」に相当する。
　ク　引用発明において、「ドレイン電極１０」は、「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物」からなるとともに、「第一の導電型を有する炭化珪素半導体基板１」の「第二の主面上」に「形成」されているから、前記「炭化珪素半導体基板１」と電気的に導通しており、その結果、「第一の導電型を有する炭化珪素から成るドリフト層２」とも電気的に導通していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「ニッケルやチタン、アルミニウムの珪化物からなり、前記炭化珪素半導体基板１の第二の主面上に形成されるドレイン電極１０」は、本願発明の「前記第１半導体領域と導通する第２電極」に相当する。
　ケ　前記ウ、エで指摘したように、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」は、「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を含む。すなわち、引用発明の「前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域は、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を含んでいる。
　この「前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域における「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域は、本願発明の「前記第２半導体領域のうち前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域」に相当する。
　また、引用発明の前記「低濃度ウエル領域３ａ」は、「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接して形成されている」領域であるから、本願発明の「前記第１部分と接する側の領域」に相当する。
　したがって、引用発明において、「前記低濃度ウエル領域３ａと高濃度ウエル領域３ｂ」を併せた領域のうちの、前記「前記低濃度ウエル領域３ａ」が「当該高濃度ウエル領域３ｂよりも不純物濃度が低い」ことは、本願発明において、「前記第２半導体領域のうち前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高」いことに相当する。
　コ　引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」は、「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を含むとともに、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」は「断面視において、前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」にも「形成されている」。
　したがって、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」は、「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域を有する。
　そして、引用発明においては、「低濃度ウエル領域３ａ」に「隣接」して「ＪＦＥＴ領域２ａ」が形成されている。
　よって、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」における、「前記ソース領域５の端部」と、「ＪＦＥＴ領域２ａ」に「隣接」している「前記低濃度ウエル領域３ａ」との間に「形成されている」領域は、本願発明の「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域」が含む「第１領域」に相当するとともに、本願発明の「前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ」る「前記第１領域」に相当する。
　サ　引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」は、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を有している。
　そして、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域は、「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域とともに、前記「高濃度ウエル領域３ｂ」をなす領域であるから、「第二の導電型」を有する。
　そうすると、前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域によって、前記「前記ソース領域５の端部と前記低濃度ウエル領域３ａとの間」に「形成されている」領域と、同様に「第二の導電型」を有する「ウエルコンタクト領域６」とが電気的に導通されることは明らかである。
　よって、引用発明の「高濃度ウエル領域３ｂ」が前記「二つの前記ソース領域５」と「ウエルコンタクト領域６」に下側で接する領域を有することは、本願発明の「前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域」は「第２領域と、を含」むことに相当するとともに、「前記第２領域は、前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる」ことに相当する。
　シ　引用発明の「炭化珪素半導体装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。　
　ス　　以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
（一致点）
　「第１導電形の炭化珪素を含み、第１部分を有する第１半導体領域と、
　前記第１半導体領域の上側であって前記第１部分と隣接して設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第２半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上側であって前記第１部分と離間して設けられ、第１導電形の炭化珪素を含む第３半導体領域と、
　前記第２半導体領域の上側に設けられ、第２導電形の炭化珪素を含む第４半導体領域と、
　前記第１半導体領域、前記第２半導体領域及び前記第３半導体領域の上側に設けられた絶縁膜と、
　前記絶縁膜の上に設けられた制御電極と、
　前記第３半導体領域と導通する第１電極と、
　前記第１半導体領域と導通する第２電極と、
　を備え、
　前記第２半導体領域のうち前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の領域の不純物濃度は、前記第１部分と接する側の領域の不純物濃度よりも高く、
　前記第３半導体領域及び前記第４半導体領域と接する側の前記領域は、第１領域と、第２領域と、を含み、
　前記第１領域は、前記第２半導体領域のうちの前記第１部分に隣接する部分と、前記第３半導体領域と、の間に設けられ、
　前記第２領域は、前記第１領域と前記第４半導体領域との間に設けられ前記第１領域と前記第４半導体領域とを電気的に導通させる半導体装置。」
である点で一致し、相違点がない。
　
４．判断
　ア　以上のとおり、本願発明と引用発明とは相違点がないから、本願発明は引用例１に記載された発明である。
　
　イ　また、仮に相違するところがあるとしても、平成２６年９月１９日付けの拒絶査定において指摘したように、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第４．結言
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　また、仮にそうでないとしても、本願発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。