【事件の表示】
　特願２０１１−　５０３６６「ＩＩＩ族窒化物半導体本体のインシチュドーパント注入及び成長」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月２９日出願公開，特開２０１１−１９２９９３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年３月８日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１０年３月１６日，米国）を出願日とする特許出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　３月　９日　審査請求
　平成２５年　３月２６日　拒絶理由通知
　平成２５年１０月　２日　意見書・手続補正書
　平成２６年　４月２３日　拒絶査定
　平成２６年　９月　８日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　２月１６日　上申書
　平成２７年１０月２２日　拒絶理由通知
　平成２８年　３月２５日　意見書・手続補正書
　
第２　当審による拒絶理由通知の概要
　審判合議体が平成２７年１０月２２日付けで通知した拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）における，特許法第２９条第２項の判断（本願に係る発明の容易想到性の判断）の概要は次のとおりである。
　平成２６年９月８日付け手続補正書により補正された，本願の特許請求の範囲の請求項８ないし２０の各請求項に係る発明は，米国特許出願公開第２００８／０３１５１２９号明細書（以下「引用文献１」という。）記載の発明において，特開２００９−２６６９８１号公報（以下「引用文献２」という。）及び特開２００９−１３０１０６号公報（以下「引用文献３」という。）にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，上記手続補正書により補正された，本願の特許請求の範囲の請求項８ないし２０の各請求項に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　本願発明の容易想到性について
１　本願発明
　本願の請求項９に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２８年３月２５日付け手続補正書により補正された，特許請求の範囲の請求項９に記載された次のとおりのものと認める。（当審注．平成２８年３月２５日付け手続補正書による補正で，補正前の請求項１ないし７が削除され，残された請求項８ないし２０それぞれの番号が繰り上げられたため，補正後の請求項９は，補正前の請求項１６が補正されたものである。）
「【請求項９】
　III族窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を行うための複合III族窒化物処理チャンバであって，この複合III族窒化物処理チャンバが，
　前記III族窒化物半導体本体を成長させるための成長室と，
　この成長室と結合されたドーパント注入装置と
を具えており，
　この複合III族窒化物処理チャンバは，
　前記III族窒化物半導体本体の成長中に，前記III族窒化物半導体本体のドーパント注入が前記ドーパント注入装置により前記成長室においてインシチュ状態で実行されるように構成され，
　前記III族窒化物半導体本体中に，少なくとも１つの空間的に規定されドーピングされた島を，２００オングストロームよりも深い深さまで注入するために，１ＭｅＶよりも大きくすることが可能な注入エネルギーで前記インシチュドーパント注入が実行されるように構成されている複合III族窒化物処理チャンバ。」
　
２　引用文献及び周知例の記載と引用発明及び周知技術
（１）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の優先権主張の日（以下「本願優先日」という。）前に米国内において頒布された刊行物である引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。なお，訳は当審で作成した。） 
（ア）「[0002]　
The present invention relates to semiconductor device fabrication and more particularly to III-nitride device fabrication
・・・
［0012］　In a method according to the present invention, low energies are preferred for implanting. 
Thus, energies less than tens of KeV (e.g. between 100 eV to tens of KeV) may be used with energies in the range of five to ten KeV being most preferred. Also, the implant beam can be as wide as 1/10 micron and not a few nm
（訳：[0002]　
本発明は半導体装置の製造に関し，より詳細には，III族窒化物半導体装置の製造に関する
・・・
[0012]　本発明の方法では，注入には，低いエネルギーが好ましい。
数十ｋｅＶ未満(例えば１００ｅＶから数十ｋｅＶの間)のエネルギーが使用され，５ないし１０ｋｅＶの範囲が最も好ましい。また，イオン注入ビームの幅は，数ｎｍだけでなく，１／１０μｍとすることができる
（イ）「[0014]　Referring to FIG. 1, 
an apparatus for the practice of a method according to the present invention includes a reactor chamber 10
and an implanter chamber 14
[0015]　
Disposed within implanter chamber 14 is an ion implanter 22 in communication with reactor chamber 10 through an ion path 24
（訳：[0014]　図１を参照すると，
本発明による方法を実施するための装置は
反応チャンバ１０と，注入チャンバ１４を含んでいる
[0015]　
イオン通路２４を通じて反応チャンバ１０と連通する注入チャンバ１４内には，イオン注入装置２２が配置されており
（ウ）「[0020]　According to an embodiment of the present invention, 
a suitable substrate 12 (e.g. a silicon substrate) is placed on platform 16 inside reactor chamber 10. Reactant gas is then fed through intake port 18, and thermal conditions are set for the growth of a III-nitride body such as GaN, AlN, or the like
[0021]　
Once proper pressure is established in implanter chamber 14, any desired species may be implanted into the III-nitride body as it is being grown layer by layer. Thus, N-type dopants such as Si and P-type dopants such as Mg may be implanted
[0022]　According to one aspect of the present invention, 
to implant dopants, energies less than tens of keV (e.g. between 100 eV to tens of keV) are used for implantation
[0023]　Moreover, 
the implant beam can be as wide as 1/10 microns wide not just a few nm
The low energies are used in order to implant the dopants near the surface during the growth process (e.g. 50-200 Å depth) into the grown “III-nitride body
（訳：[0020]　本願実施例によれば，
反応チャンバ１０内の台座１６には，適切な基板１２(例えばシリコン基板)が載置される。そして，吸気ポート１８を介して供給される反応ガスや，熱的条件は，ＧａＮ，ＡｌＮ等のIII族窒化物本体の成長のために設定されている
[0021]　
注入チャンバ１４内に適切な圧力が設定されると，III族窒化物本体を一層ずつ成長させながら，任意の所望の化学種をIII族窒化物本体に注入することができる
Ｓｉのようなｎ型ドーパント，Ｍｇ等のｐ型ドーパントをイオン注入してもよい
[0022]　本発明の一態様によれば，
ドーパントを注入するために，数十ｋｅＶ未満(例えば１００ｅＶから数十ｋｅＶの間)のエネルギーが注入に用いられる
[0023]　さらに，
イオン注入ビームの幅は，数ｎｍだけでなく，１／１０μｍとすることができる
低いエネルギーは，成長プロセス中にドーパントを表面付近(例えば５０ないし２００Åの深さ)に注入し，成長したIII族窒化物本体内にドーパントを注入するために使用される
（エ）「[0029]　Although the present invention has been described in relation to particular embodiments thereof, many other variations and modifications and other uses will become apparent to those skilled in the art. It is preferred, therefore, that the present invention be limited not by the specific disclosure herein, but only by the appended claims.
　What is claimed is:
・・・
11. 
An apparatus for fabrication of a III-nitride semiconductor body, comprising: a reactor chamber to receive a substrate and reactant gas to grow a III-nitride body on said substrate; an implanter disposed in an implanter chamber that is in communication with said reactor chamber to implant ions into said III-nitride body during the growth of said III-nitride body
（訳：[0029]　本発明をその特定の実施形態に関して説明してきたが，多くの他の変形および修正，及び他の使用は当業者には明らかになるであろう。したがって，本発明は，ここでの特定の開示によってでなく，添付の特許請求の範囲によって限定されることが好ましい。
 特許請求の範囲
・・・
11. 
III族窒化物半導体本体の形成のための装置であって，基板と上記基板上にIII族窒化物本体を成長させるための反応ガスとを受容する反応チャンバと，上記III族窒化物本体の成長中，上記III族窒化物本体にイオンを注入するために上記反応チャンバと連通する注入チャンバ内に配置された，イオン注入装置と
からなる装置
　イ　引用発明
　上記アより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「III族窒化物半導体装置を製造するための装置であって，
　基板と上記基板上にIII族窒化物本体を成長させるための反応ガスとを受容する反応チャンバと，
　上記反応チャンバと連通し，ドーパントを注入するイオン注入装置が配置された注入チャンバとを含み，
　上記反応チャンバで上記III族窒化物本体を一層ずつ成長させながら，上記ドーパントを上記III族窒化物本体に注入することができる，装置。」
　
（２）引用文献２及び３，並びに周知例の記載と引用発明，周知技術及び常套手段
　ア　引用文献２及び３，並びに周知例の記載
（ア）引用文献２
　当審拒絶理由通知で引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００１９】
　
実施例１では，図１にセルの要部断面図を示すＡｌＧａＮ製トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴについて説明する
　ボディーコンタクト領域７はｐ型に対してオーム性接触を得やすくするため，たとえばマグネシウムと酸素を同時ドープすることにより，高ドープの表面密度を有する領域とすること，および／または，たとえばアルミニウム組成を成長方向に変化させることにより，量子井戸構造とすることができる。ｎ型のソースコンタクト領域６ａとｎ型のソース拡張領域６ｂは，たとえばシリコンをイオン注入して形成する。
　ｎ型のソースコンタクト領域６ａは，たとえば深さが０．３μｍで，原子密度がたとえば２×１０２０ｃｍ−３のボックスプロファイルであり，
ｎ型のソース拡張領域６ｂは，トレンチ１０ａの底面からの深さがたとえば０．９μｍで，原子密度がたとえば５×１０
１８
ｃｍ
−３
のボックスプロファイルとなるようにする
ＭｅＶ級イオン注入装置を用いて，シリコンを０．９μｍ程度の深さまでイオン注入する
【００２０】
　基板１は，ＡｌＧａＮ（ＡｌＮとＧａＮとの混晶）等の自立基板であってもよいし，たとえばＳｉのようにＡｌＧａＮ等をヘテロエピタキシャル成長できるものであってもよい。・・・
・・・
　このＡｌＧａＮ製トレンチゲート型ＭＯＳＦＥＴの製造方法を，図２〜図８と前記図１を参照して，順を追って説明する。まず，図２に示すように，
Ｓｉ基板１の上に，耐圧層３，ボディー層５−１，ボディーコンタクト層７−１を順にＡｌＧａＮのヘテロエピタキシャル成長によりそれぞれ成膜する
・・・
【００２３】
　続いて，図５に示すように，第１マスク１０６ａと側壁保護膜１０７ｃをマスクとして，たとえば
シリコンをボディー層５−１の表面にイオン注入する
窒素雰囲気にて１３００℃で熱処理を行って，イオン注入したシリコンを活性化させることにより，ソースコンタクト領域６ａとソース拡張領域６ｂを形成する
（イ）引用文献３
　当審拒絶理由通知で引用された，本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。
　・「【００２８】
　ここで，１つのｎ型エピタキシャル層１３Ｘの水平方向の１箇所に対するｎ型不純物の複数回のイオン注入は，注入エネルギを異ならせて行う。
例えばイオン注入装置の加速電圧を，深い位置（ｎ型エピタキシャル層１３Ａでいえば拡散領域１５Ａ１）に注入する場合には高く，浅い位置に注入する場合は低くすることにより行うことができる
【００２９】
　
拡散領域１５Ｘ１：５ＭｅＶ
　
拡散領域１５Ｘ２：２．１ＭｅＶ
　
拡散領域１５Ｘ３：１２０ｋｅＶ
　・「【００３８】
　また，実施の形態において半導体材料としてシリコンを用いたＭＯＳＦＥＴを説明したが，
半導体材料としては，
窒化ガリウム（ＧａＮ）等の化合物半導体
を用いることができる
（ウ）周知例１　
　本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００５−１８３６６８号公報（以下「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００２２】
　＜実施例１＞
　本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
【００２３】
　図１に
ＭＯＣＶＤ法やＶＰＥ法で成長させた窒化物系化合物半導体の試料
この試料は，サファイア基板１２上に，窒化物系化合物半導体としてＧａＮ層１１を形成したものである
【００２４】
　
窒化物系化合物半導体のキャリア密度や導電率を制御するためドーピングするが，ここではｎ型導電性にするために，シリコンや酸素イオンを主に用いた。すなわち，上記試料を被注入試料２５として，その化合物半導体のＧａＮ層１１を，図２に示すイオン打ち込み装置を使ってドーピングした。イオン打ち込み時は真空中で行った。イオン源２１から出たシリコンや酸素イオンは，まず質量分析器２２でシリコンや酸素イオンのみを取り出して，加速器２３で１ＭｅＶにまで加速した。その後，ドーピングしたい被注入試料２５に打ち込んだ。その際，イオンビームの走査系２４でドーピングしたい領域のみを走査することでドーピング領域と非ドーピング領域とを区別した
・・・
【００２８】
　この後，
同様にｐ型の導電性にする場合は，マグネシウムや水素などのイオンをｐ型の導電性を持たせるために使用した
【００２９】
　＜実施例２＞
　
上記実施例１において，イオン打ち込み時の加速電圧
を変化させた
膜厚方向の不純物分布を変化させる事ができた
（エ）周知例２　
　本願優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００１−３５２０６５号公報（以下「周知例２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　・「【００２６】（実施形態１）実施形態１では，本発明の電界効果トランジスタの一例について説明する。実施形態１の電界効果トランジスタ１０（以下，ＦＥＴ１０という場合がある）の断面図を図１（ａ）に示す。
【００２７】図１（ａ）を参照して，ＦＥＴ１０は，ｎ形の基板１１と，
基板１１上に形成されたｎ形半導体層１２と，ｎ形半導体層１２上に形成されたｐ形半導体層１３（ハッチングは省略する）とを備える
ｎ形半導体層１２，ｐ形半導体層１３およびｐ形領域１４は，バンドギャップＥｇが２ｅＶ以上（好ましくは，２．５≦Ｅｇ）のワイドギャップ半導体からなる
ワイドギャップ半導体には
Ｇａ，ＩｎおよびＡｌから選ばれる少なくとも１つの元素と，窒素とを含む３族窒化物系化合物半導体（たとえば，ＧａＮ）を用いることもできる
　・「【００５４】（実施形態４）実施形態４では，本発明の電界効果トランジスタの製造方法について，一例を説明する。
【００５５】実施形態４の製造方法について，製造工程を図５に示す。実施形態４の製造方法では，まず，図５（ａ）に示すように，ｎ形の基板１１上にｎ形半導体層１２を形成する（第１の工程）。そして，
ｎ形半導体層１２の一部にボロンなどの不純物をドーピングする
ｎ形半導体層１２は，ＣＶＤ法，近接法，またはＭＢＥ法などによって，ｎ形の半導体層を基板１１上にエピタキシャル成長させることによって形成できる
【００５６】その後，図５（ｂ）に示すように，ｎ形半導体層１２上にｐ形半導体層１３を形成する（第３の工程）。
ｐ形半導体層１３は，ｎ形半導体層１２と同様の方法でエピタキシャル成長させることができる
【００５７】その後，図５（ｃ）に示すように，
ｐ形半導体層１３の一部にリンや窒素などの不純物をドーピングする
・・・
【００５９】なお，
上記工程において，不純物のドーピングは，たとえばイオン打ち込みによって行うことができる
【００６０】すなわち，
イオン打ち込みは，イオン打ち込みのエネルギーが１ｋｅＶ〜１０ＭｅＶの範囲内で行われることが好ましい
上記範囲であれば，通常のイオン打ち込み装置を用いることができ，１０ｎｍ〜数μｍ程度の深さの不純物領域を容易に形成できる
　イ　周知技術及び常套手段
　上記アより，III族窒化物半導体本体へドーパントを注入する際に，１ＭｅＶよりも大きい注入エネルギーを用いてドーパント注入を実行することは，引用文献２及び３，並びに周知例１及び２にみられるように，本願優先日前，当該技術分野では周知の技術と認められる。
　また，上記アより，III族窒化物半導体本体へドーパントを注入する際に，１ＭｅＶよりも大きくすることが可能な注入エネルギーでのドーパント注入が実行されるように構成されたイオン注入装置，すなわち，１ＭｅＶよりも大きい注入エネルギーを用いて実行する場合と，１ＭｅＶ以下の大きさの注入エネルギーを用いて実行する場合の両方を含むドーパント注入が実行されるように構成されたイオン注入装置を用いることは，引用文献３，並びに周知例１及び２にみられるように，本願優先日前，当該技術分野では常套手段と認められる。
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）対比
　ア　引用発明における「III族窒化物本体」は，本願発明の「III族窒化物半導体本体」に相当するということができ，引用発明における「基板と上記基板上にIII族窒化物本体を成長させるための反応ガスとを受容する反応チャンバ」は，本願発明の「前記III族窒化物半導体本体を成長させるための成長室」に相当するといえる。
　また，引用発明における「上記反応チャンバと連通し，ドーパントを注入するイオン注入装置が配置された注入チャンバ」は，III族窒化物半導体本体のドーパント注入に関する後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「この成長室と結合されたドーパント注入装置」に相当するといえる。
　イ　「インシチュ（in situ）」との用語は，「その場」という意味で用いられ，半導体製造技術の分野においては，製造プロセスが起こっている場所を意味すると解されることは，技術常識である。
　してみれば，本願発明の「前記III族窒化物半導体本体のドーパント注入が前記ドーパント注入装置により前記成長室においてインシチュ状態で実行される」とは，上記技術常識を参酌すれば，「III族窒化物半導体本体」を成長させるプロセスが起こっている場所で，すなわち「成長室」で，「III族窒化物半導体本体」のドーパント注入が「ドーパント注入装置」により実行されることを意味すると解され，このことは，本願明細書の記載によっても裏付けられる。
　そして，引用発明における「上記反応チャンバで上記III族窒化物本体を一層ずつ成長させながら，上記ドーパントを上記III族窒化物本体に注入することができる」より，引用発明は，「III族窒化物本体」を成長させるプロセスが起こっている場所で，すなわち「反応チャンバ」で，ドーパントを「III族窒化物本体」に注入することができるといえるから，上記技術常識を参酌すれば，引用発明は，「反応チャンバ」においてインシチュ状態で，ドーパントを「III族窒化物本体」に注入することができるものと認められる。
　そうすると，引用発明における「上記反応チャンバで上記III族窒化物本体を一層ずつ成長させながら，上記ドーパントを上記III族窒化物本体に注入することができる」ことは，III族窒化物半導体本体のドーパント注入に関する後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「前記III族窒化物半導体本体の成長中に，前記III族窒化物半導体本体のドーパント注入が前記ドーパント注入装置により前記成長室においてインシチュ状態で実行されるように構成され」ていることに相当するといえる。
　ウ　引用発明における「上記反応チャンバで上記III族窒化物本体を一層ずつ成長させながら，上記ドーパントを上記III族窒化物本体に注入することができる」との構成より，引用発明における「III族窒化物半導体装置を製造するための装置」は，「III族窒化物本体」の成長中にドーパント注入を行うようにしたものと認められる。
　また，上記イのとおり，引用発明は，「反応チャンバ」においてインシチュ状態で，ドーパントを「III族窒化物本体」に注入することができるものと認められるから，引用発明におけるドーパント注入は「インシチュドーパント注入」と称することができる。
　そして，引用発明における「III族窒化物半導体装置を製造するための装置」は，「基板と上記基板上にIII族窒化物本体を成長させるための反応ガスとを受容する反応チャンバ」に，「ドーパントを注入するイオン注入装置が配置された注入チャンバ」が連通して構成されたものであるから，それぞれ「III族窒化物本体」を処理する「反応チャンバ」と「注入チャンバ」とが複合された構成を備えるということができる。
　そうすると，引用発明における「III族窒化物半導体装置を製造するための装置」は，III族窒化物半導体本体のドーパント注入に関する後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「III族窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を行うための複合III族窒化物処理チャンバ」に相当するといえる。
　
（２）一致点及び相違点
　上記（１）から，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，それぞれ以下のとおりであると認められる。
　ア　一致点
「III族窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を行うための複合III族窒化物処理チャンバであって，この複合III族窒化物処理チャンバが，
　前記III族窒化物半導体本体を成長させるための成長室と，
　この成長室と結合されたドーパント注入装置と
を具えており，
　この複合III族窒化物処理チャンバは，
　前記III族窒化物半導体本体の成長中に，前記III族窒化物半導体本体のドーパント注入が前記ドーパント注入装置により前記成長室においてインシチュ状態で実行されるように構成されている複合III族窒化物処理チャンバ。」
　イ　相違点
　本願発明は，「前記III族窒化物半導体本体中に，少なくとも１つの空間的に規定されドーピングされた島を，２００オングストロームよりも深い深さまで注入するために，１ＭｅＶよりも大きくすることが可能な注入エネルギーで前記インシチュドーパント注入が実行されるように構成され」ているのに対し，引用発明では，「注入チャンバ」について，上記のような特定は明示されていない点。
　
４　相違点についての検討
　上記２（１）ア（ア）及び（ウ）によれば，引用発明におけるドーパントをIII族窒化物本体に注入することについて，引用文献１には，「［0012］　In a method according to the present invention, low energies are preferred for implanting. Thus, energies less than tens of KeV (e.g. between 100 eV to tens of KeV) may be used with energies in the range of five to ten KeV being most preferred. Also, the implant beam can be as wide as 1/10 micron and not a few nm.」（訳：[0012]　本発明の方法では，注入には，低いエネルギーが好ましい。数十ｋｅＶ未満(例えば１００ｅＶから数十ｋｅＶの間)のエネルギーが使用され，５ないし１０ｋｅＶの範囲が最も好ましい。」との記載，及び「[0022]　According to one aspect of the present invention, to implant dopants, energies less than tens of keV (e.g. between 100 eV to tens of keV) are used for implantation.・・・ [0023]・・・The low energies are used in order to implant the dopants near the surface during the growth process (e.g. 50-200 Å depth) into the grown “III-nitride body. ・・・」（[0022]　本発明の一態様によれば，ドーパントを注入するために，注入に用いられる数十ｋｅＶ未満(例えば１００ｅＶから数十ｋｅＶの間)のエネルギーである。・・・[0023]・・・低いエネルギーは，成長プロセス中にドーパントを表面付近(例えば５０ないし２００Åの深さ)に注入し，成長したIII族窒化物本体内にドーパントを注入するために使用される。・・・）との記載がある。
　しかし，引用文献１の上記の記載からは，ドーパントをIII族窒化物本体に注入する際に，数十ｋｅＶ未満(例えば１００ｅＶから数十ｋｅＶの間，最も好ましくは５ないし１０ｋｅＶの範囲)の低い注入エネルギーを使用することにより，ドーパントをIII族窒化物本体の表面付近に注入することができ，その際に，注入深さが例えば５０ないし２００オングストロームとなることが記載されていると認められるにとどまり，ドーパントの注入深さを２００オングストローム以下とするために，上記の範囲の注入エネルギーを使用するようにしたことが記載されているとまでは認められない。
　そうすると，引用文献１の記載より，引用発明は，ドーパントをIII族窒化物本体に注入する際に，ドーパントの注入深さを２００オングストローム以下とするために，使用する注入エネルギーを数十ｋｅＶ未満としたものに限定されるとは認められず，また，引用発明において，製造するIII族窒化物半導体装置の構成によっては，ドーパントを２００オングストロームよりも深い深さまで注入することが必要となることは明らかであるから，引用発明において，ドーパントをIII族窒化物本体に注入する際に，２００オングストロームよりも深い深さまで注入するために，使用する注入エネルギーを選択することは，製造するIII族窒化物半導体装置の構成に応じて，当業者が当然に行い得るものと認められる。
　そして，上記２（２）イのとおり，III族窒化物半導体本体へドーパントを注入する際に，１ＭｅＶよりも大きい注入エネルギーを用いてドーパント注入を実行することは，本願優先日前，当該技術分野では周知の技術であり，また，III族窒化物半導体本体へドーパントを注入する際に，１ＭｅＶよりも大きくすることが可能な注入エネルギーでのドーパント注入が実行されるように構成されたイオン注入装置，すなわち，１ＭｅＶよりも大きい注入エネルギーを用いて実行する場合と，１ＭｅＶ以下の大きさの注入エネルギーを用いて実行する場合の両方を含むドーパント注入が実行されるように構成されたイオン注入装置を用いることは，本願優先日前，当該技術分野では常套手段であるから，引用発明において，注入チャンバに配置された，ドーパントを注入するイオン注入装置として，III族窒化物本体へのドーパントの注入を，１ＭｅＶよりも大きくすることが可能な注入エネルギーでのドーパント注入が実行されるように構成されたイオン注入装置を用いることは，上記周知技術及び上記常套手段に接した当業者が，普通に行い得るものといえる。
　さらに，上記２（１）ア（ア）及び（ウ）によれば，引用発明において，ドーパントをIII族窒化物本体に注入する際に使用するイオン注入ビームについて，引用文献１には，「［0012］・・・Also, the implant beam can be as wide as 1/10 micron and not a few nm.」（訳：[0012]・・・また，イオン注入ビームの幅は，数ｎｍだけでなく，１／１０μｍとすることができる。）との記載，及び「[0023]　Moreover, the implant beam can be as wide as 1/10 microns wide not just a few nm. ・・・」（訳：[0023]　さらに，イオン注入ビームの幅は，数ｎｍだけでなく，１／１０μｍとすることができる。）との記載があり，これらの記載より，引用発明において，注入チャンバに配置されたイオン注入装置でドーパントをIII族窒化物本体に注入することにより，III族窒化物本体には，少なくとも１つの空間的に規定されドーピングされた島が形成されると認められる。
　以上から，引用発明において，本願発明のように，「前記III族窒化物半導体本体中に，少なくとも１つの空間的に規定されドーピングされた島を，２００オングストロームよりも深い深さまで注入するために，１ＭｅＶよりも大きくすることが可能な注入エネルギーで前記インシチュドーパント注入が実行されるように構成」すること（相違点に係る構成とすること）は，上記周知技術及び上記常套手段に接した当業者が，普通に行い得るものである。
　
５　本願発明の作用効果について
　本願明細書の記載より，本願発明は，「ドーパント注入をIII族窒化物半導体本体の成長環境に対しインシチュ状態で実行した場合に，ドーパントの注入によりIII族窒化物半導体材料の構造又は化学量論を損なうことなしに，III族窒化物半導体本体内に空間的に規定した領域を選択的にドーピングすることができることを実現した。」（【００１０】）との作用効果を奏するものと認められる。
　他方，上記２（１）のとおり，引用発明は，「上記反応チャンバで上記III族窒化物本体を一層ずつ成長させながら，上記ドーパントを上記III族窒化物本体に注入する」との構成を備え，上記３（１）のとおり，当該構成は，本願発明の「前記III族窒化物半導体本体の成長中に，前記III族窒化物半導体本体のドーパント注入が前記ドーパント注入装置により前記成長室においてインシチュ状態で実行されるように構成され」ていることに相当するといえる。
　そうすると，引用発明も，「ドーパント注入をIII族窒化物半導体本体の成長環境に対しインシチュ状態で実行した」ものであり，それによって，「ドーパントの注入によりIII族窒化物半導体材料の構造又は化学量論を損なうことなしに，III族窒化物半導体本体内に空間的に規定した領域を選択的にドーピングすることができる」との作用効果を奏すると認められる。
　以上から，本願発明と引用発明との間に，作用効果上，格別の相違があるとは認められない。
　
６　小括
　したがって，本願の請求項９に係る発明（本願発明）は，引用文献１記載の発明（引用発明），引用文献２及び３と周知例１及び２にみられるような周知技術，並びに引用文献３と周知例１及び２にみられるような常套手段に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　結言
　
　以上検討したとおり，本願の請求項９に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。