【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年12月9日(2019.12.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
共振器１４は、第１セクション２０と第２セクション２２とを備える。第１セクション２０は、リブ導波路領域２８を備え、第２セクション２２は、台形領域３０を備える。第１セクション２０内の活性層１２の最大幅Ｗ１（４μｍ）は、第２セクション２２内の活性層１２の最大幅Ｗ２（４２６μｍ）よりも小さい。第１セクション２０内の活性層１２の幅は一定であり、第２セクション２２に向かうにつれ、最大幅Ｗ２まで均一に拡張する。第１セクション２０の長さは２ｍｍであり、第２セクション２２の長さは４ｍｍである。コンタクト層１８の射影は、第１セクション２０と第２セクション２２の両方と重なっている。ここで、コンタクト層１８は、活性層１２に対して垂直に伸びる第１軸Ｚ１に沿っている。第２セクション２２は、複数の離間した抵抗素子２４を備える。抵抗素子２４は、イオン注入されて構成されたものであり、電気抵抗率は１×１０‐１Ω・ｍである。そして、抵抗素子２４の電気抵抗率は、隣接する抵抗素子２４間の領域２６における電気抵抗率よりも約１００倍大きく構成される。ＡｌｘＧａ１‐ｘＡｓベースの例示的なダイオードレーザーの層構造が用いられる場合、全体の電気抵抗率は、例示的なブロードストライプレーザーダイオード８４において、２０Ω・ｍのときに共振器の長さが３ｍｍ、ストリップ幅が９０μｍ、エピタキシャル層の厚さが５μｍである。特定の電気抵抗率σＣは、約１．０×１０‐３Ω・ｍである。したがって、例えば、高ドープＡｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ層の比抵抗（約４．２×１０‐４Ω・ｍ）よりも幾分大きい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオード（１０）であって、
少なくとも１つの活性層（１２）、共振器（１４）、及びアウトカップリング要素（１６）と、
少なくとも１つのコンタクト層（１８）と、を有し、
前記活性層（１２）は、前記共振器（１４）内に配置され且つ前記アウトカップリング要素（１６）に動作可能に接続され、
前記コンタクト層（１８）は、電荷キャリアを前記活性層（１２）に結合するように構成され、
前記共振器（１４）は、少なくとも第１セクション（２０）及び第２セクション（２２）を備え、
前記第１セクション（２０）における前記活性層（１２）の最大幅（Ｗ１）と、前記第２セクション（２２）における前記活性層（１２）の最大幅（Ｗ２）が異なり、
前記コンタクト層（１８）は、前記コンタクト層（１８）を前記活性層（１２）へ射影したとき、第１セクション（２０）及び第２セクション（２２）の両方と重なり、
前記第２セクション（２２）は、複数の離間した抵抗素子（２４）を備え、
前記抵抗素子（２４）の電気抵抗率は、隣接する抵抗素子（２４）間の領域（２６）における電気抵抗率よりも大きく構成され、
前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）に沿った抵抗素子（２４）の幅（Ｗ３）が２０μｍ未満であり、
前記活性層（１２）上の前記抵抗素子（２４）は、前記抵抗素子（２４）を前記活性層（１２）へ射影したとき、前記活性層（１２）の少なくとも１０％と重なるように構成され、
複数の前記抵抗素子（２４）は、前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）方向において、互いに等距離に離間しており、
複数の前記抵抗素子（２４）は、前記第２セクションの全域にわたって配置されており、
各前記抵抗素子は、前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）方向に沿う一定の範囲を有する、
レーザーダイオード（１０）。
【請求項２】
各前記抵抗素子（２４）の電気抵抗率は、均一であり、且つ、各前記領域（２６）の電気抵抗率は、均一であり、
前記領域（２６）は、前記活性層（１２）の前記縦軸（Ｘ１）に沿った２つの前記抵抗素子（２４）の間に位置している、
請求項１に記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項３】
全ての前記抵抗素子（２４）が、前記第２セクション（２２）内で互いに等距離に配置されている、
請求項１又は請求項２に記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項４】
前記抵抗素子（２４）の電気抵抗の前記領域（２６）の電気抵抗に対する比の値は、１０００を上回る、
請求項１〜請求項３の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項５】
前記第１セクション（２０）と前記第２セクション（２２）は、２つの端面間の共振器内に配置され、
前記第２セクション（２２）の最大幅の前記第１セクション（２０）の最大幅に対する比の値は、３０を上回る、
請求項１〜請求項４の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項６】
前記抵抗素子（２４）を前記活性層（１２）へ射影したときにおいて、前記抵抗素子（２４）の射影は、前記活性層（１２）の全表面の少なくとも５０％を覆うように構成される、
請求項１〜請求項５の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項７】
前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）に沿った抵抗素子（２４）の最大拡張幅（Ｗ３）は１１μｍ以下である、
請求項１〜請求項６の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項８】
前記抵抗素子（２４）は、平面に平行な表面を少なくとも２つ備え、
前記表面の法線ベクトルは、前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）に平行に配向されている、
請求項１〜請求項７の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項９】
前記第１セクション（２０）はリブ導波路領域（２８）を含み、前記第２セクション（２２）は台形領域（３０）を含む、
請求項１〜請求項８の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０）。
【請求項１０】
レーザーダイオード（３４）であって、
共振器（３８）内に配置された少なくとも１つの活性層（３６）を備え、
前記活性層（３６）は、第１端面（４０）及び第２端面（４２）に動作可能に接続され、
前記第２端面（４２）は、アウトカップリング要素として設計され、
電荷キャリアを前記活性層（３６）に結合させるための少なくとも１つのコンタクト層（４４）と、複数の離間した抵抗素子（４６）をさらに備え、前記複数の離間した抵抗素子（４６）は、前記第１端面（４０）と前記第２端面（４２）の間に配置され、
前記レーザーダイオードは、前記共振器（３８）の横軸（Ｙ２）方向の幅が、縦軸（Ｘ２）方向において一定である、ブロードストライプレーザーダイオードであり、
前記抵抗素子（４６）の電気抵抗率は、隣接する抵抗素子（４６）間の領域（４８）における電気抵抗率よりも大きく構成され、
前記活性層（３６）の縦軸（Ｘ２）に沿った抵抗素子（４６）の最大拡張幅は２０μｍ以下であり、
前記抵抗素子（４６）の全表面は、前記抵抗素子（４６）の全表面以上の面積を有し、
前記抵抗素子（４６）は、前記共振器（３８）の半分（５０）に設けられ、
前記共振器（３８）の半分（５０）は、前記第１端面（４０）に対向し、
前記抵抗素子（４６）は、前記共振器（３８）の半分（５２）に設けられ、
前記共振器（３８）の半分（５２）は、前記第２端面（４２）に対向し、
前記半分（５０）の前記抵抗素子（４６）の全表面は、前記半分（５２）の前記抵抗素子（４６）の全表面以上の面積を有し、
各前記抵抗素子（４６）は、前記共振器（３８）の幅に沿って延びる横軸（Ｙ２）に沿う、等しい範囲を有しており、
複数の前記抵抗素子（２４）は、前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）方向において、互いに等距離に離間しており、
各前記抵抗素子は、前記活性層（１２）の縦軸（Ｘ１）方向に沿う一定の範囲を有する、
レーザーダイオード（３４）。
【請求項１１】
前記抵抗素子（４６）は、平面に平行な表面を少なくとも２つ備え、
前記表面の法線ベクトルは、前記活性層（３６）の縦軸（Ｘ２）に平行に配向されている、
請求項１０に記載のレーザーダイオード（３４）。
【請求項１２】
複数の前記抵抗素子（４６）は、前記活性層（３６）の縦軸（Ｘ２）に対して軸対称、又は、複数の前記抵抗素子（４６）における中心に対して点対称に延在する、
請求項１０又は請求項１１に記載のレーザーダイオード（３４）。
【請求項１３】
コンタクト層（４４）の横軸（Ｙ２）方向の伸びに対する抵抗素子（４６）の横軸（Ｙ２）方向の伸びの比の値は０．６である、
請求項１０〜請求項１２の何れか１つに記載のレーザーダイオード（３４）。
【請求項１４】
前記縦軸（Ｘ２）に沿った前記抵抗素子（４６）の最大拡張幅は６μｍである、
請求項１０〜請求項１３の何れか１つに記載のレーザーダイオード（３４）。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４の何れか１つに記載のレーザーダイオード（１０，３４）を少なくとも１つ備えるレーザー（５４）。