【事件の表示】
　特願２０１３−５２２９７４「ＲＥ１２３系超電導線材およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月　３日国際公開、ＷＯ２０１３／００２３７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２０１２年（平成２４年）６月２９日（国内優先権主張２０１１年（平成２３年）６月３０日）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１０月３１日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年１月１３日付けで手続補正がなされたが、平成２７年２月４日付けで拒絶の査定がなされ、これに対して、同年５月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年１月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「基材と、前記基材上に形成された中間層と、前記中間層上に形成され、ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上を表す。）の組成式で表される酸化物超電導体を含む酸化物超電導層と、を備え、
　前記酸化物超電導層は、前記中間層が形成された前記基材を２ｍ／ｈ以上の速度で移動させながら、前記中間層上に成膜された層であり、
　前記酸化物超電導層は、人工ピンとして前記酸化物超電導層中に分散している、０．５〜１０ｍｏｌ％のＨｆを含む化合物を有し、
　前記酸化物超電導層の膜厚ｄは、ｄ＞１μｍであり、
　Ｊｃｄ／Ｊｃ１≧０．９（Ｊｃ１は前記酸化物超電導層の厚さが１μｍの時の臨界電流密度を表し、Ｊｃｄは前記酸化物超電導層の厚さがｄμｍの時の臨界電流密度を表す。）の電流特性を満たす、
ＲＥ１２３系超電導線材。」
３．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００９／０４４６３７号（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次のア．ないしケ．のとおりの記載がある。
ア．「
本発明は、臨界電流特性に優れたＲＥ１２３系酸化物超電導体とその製造方法に関する。ここで、ＲＥ１２３系酸化物は、化学式：ＲＥ
１±ｘ
Ｂａ
２±ｙ
Ｃｕ
３±ｚ
Ｏ
７−δ
（ＲＥ：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、及び、Ｅｒのいずれか１種又は２種以上）で表示されるＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ系酸化物を意味する。
背景技術
　近年、酸化物超電導材料を用いて超電導線材を製造する技術の研究開発が、日米を中心に活発に行われている。パルスレーザー蒸着法（ＰＬＤ法）は、高い臨界電流を有する超電導膜を形成することができることから、有望な技術の一つである。
　超電導線材を実用化するためには、（ｉ）超電導膜を、金属基材上に成膜することに加え、（ｉｉ）超電導膜の臨界電流（Ｉｃ）特性を高めることが不可欠である。
臨界電流（Ｉｃ）を高める方策の一つは、超電導膜の膜厚を厚くすることであるが、ＰＬＤ法で、膜厚を増大しても、臨界電流（Ｉｃ）は、膜厚に比例して向上せずに飽和することが、大きな問題になっている。
イ．「
（１）　ＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法において、
　（ｉ）下記式（１）及び（２）を満たすＲＥ、Ｂａ、及び、Ｃｕを含む酸化物系ターゲット材にパルスレーザーを照射してプルームを形成し、
　（ｉｉ）上記プルームの中に基材を保持してＲＥ１２３系酸化物超電導膜を成膜することを特徴とするＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法。
　０．８≦２ＲＥ／Ｂａ＜１．０　　　　　　・・・（１）
　０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０　　　　　・・・（２）
　ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、及び、Ｅｒのいずれか１種又は２種以上
　（２）　
前記酸化物系ターゲット材に、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の中に分散して導入する非超電導物質の素材として、ＺｒＯ
２
、ＢａＺｒＯ
３
、ＢａＳｎＯ
３
、ＢａＣｅＯ
３
、ＢａＨｆＯ
３
、及び、ＢａＲｕＯ
３
のいずれか１種又は２種以上を、合計で、７ｍｏｌ％以下添加
ウ．「（５）　
前記ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の超電導相の組成が、下記式（４）及び（５）を満たすことを特徴とする前記（２）又は（３）に記載のＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法。
　１．０≦２ＲＥ／Ｂａ≦１．２　　　　　　・・・（４）
　０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０　　　　　・・・（５）
エ．「（１５）　前記（２）、（３）、及び、（５）〜（１１）のいずれかに記載のＲＥ１２３系酸化物超電導体の製造方法で製造したＲＥ１２３系酸化物超電導体であって、
ＲＥ１２３系酸化物超電導膜が、３Ｔの磁場中で６０Ａ／ｃｍ幅以上の臨界電流特性を有することを特徴とするＲＥ１２３系酸化物超電導体。
　（１６）　
前記ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の超電導相の組成が、下記式（４）及び（５）を満たすことを特徴とする前記（１５）に記載のＲＥ１２３系酸化物超電導体。
　１．０≦２ＲＥ／Ｂａ≦１．２　　　　　　・・・（４）
　０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０　　　　　・・・（５）
オ．「（１）ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物系ターゲット材の組成
　本発明は、前述したように、「所要の組成比で、ＲＥ、Ｂａ、及び、Ｃｕを含む酸化物系ターゲット材にパルスレーザーを照射して形成したプルームの中に基材を保持して成膜すると、基材上に、均一で緻密なｃ軸配向結晶組織を有し、臨界電流特性に優れた所要の膜厚のＲＥ系１２３系酸化物超電導膜を、従来より速い成膜速度で成膜することができる」との知見に基づいてなされたものである。
　そして、本発明の基本思想は、上記知見を前提に、Ｇｄ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物系ターゲット材を用いて行った実験結果に基づいて、下記式（１）及び（２）を満たす
ＲＥ、Ｂａ、及び、Ｃｕを含む酸化物系ターゲット材（以下「本発明ターゲット材」ということがある。）を用いることを第一の特徴とする。
　０．８≦２ＲＥ／Ｂａ＜１．０　　　　　・・・（１）
　０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０　　　　・・・（２）
　なお、２ＲＥ／Ｂａは、ＲＥがＧｄの場合と同様に、０．８５以上、０．９５以下が好ましく、３Ｂａ／２Ｃｕは、０．８５以上、０．９５以下が好ましい。
　ここで、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、及び、Ｅｒのいずれか１種又は２種以上である。
これら元素を、超電導特性や臨界電流特性を損なわない組成範囲で、ＲＥ１２３系酸化物を構成する元素として用いることができる。
　なかでも、Ｇｄは、Ｇｄ−Ｂａ固溶領域が狭く、かつ、臨界温度（Ｔｃ）を高める作用をなす元素であるので、本発明ターゲット材を構成する元素として好ましい元素である。その他、９４Ｋ以上の臨界温度（Ｔｃ）が得られるＮｄ、Ｓｍ、及び、Ｅｕも、本発明ターゲット材を構成する元素として好ましい元素である。
　０．８≦２ＲＥ／Ｂａ＜１．０、及び、０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０の本発明ターゲット材を用いることにより、臨界電流特性に優れたＲＥ１２３系酸化物超電導膜を、プルームの中に保持した基材上に、膜性状の再現性よく成膜することができるが、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の組成及び特性については後述する。
　
ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の結晶組織中に非超電導物質が均一に分散して存在すると、臨界電流特性が向上するので、本発明ターゲット材は、上記式（１）及び（２）式で規定するＲＥ、Ｂａ、及び、Ｃｕの他に、非超電導物質の供給素材として、ＺｒＯ
２
、ＢａＺｒＯ
３
、ＢａＳｎＯ
３
、ＢａＣｅＯ
３
、ＢａＨｆＯ
３
、及び、ＢａＲｕＯ
３
のいずれか１種又は２種以上を、合計で、７ｍｏｌ％以下含むものでもよい。
　ターゲット材中に、非超電導物質の供給素材が７ｍｏｌ％を超えて存在すると、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の結晶組織中に導入される非超電導物質の量が過剰になり、かえって、超電導特性を損ねることになる。なお、
非超電導物質の供給素材の添加量は、５ｍｏｌ％以下が好ましい。
カ．「前述したように、従来、１μｍ以上の膜厚を有し、実用に足る高い臨界電流特性を有する超電導膜を成膜したことは報告されていないが、本発明においては、ＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物系ターゲット材を構成するＲＥ、Ｂａ、及び、Ｃｕの組成をより具体的に決定することにより、ａ軸配向結晶が殆ど存在せず、かつ、１μｍ以上の膜厚を有し、均一でかつ緻密なｃ軸配向結晶組織を有するＲＥ１２３系酸化物超電導膜を成膜することができる。
　本発明者らは、このことを確認するため、
膜厚と臨界電流特性との関係を測定した。
Ｇｄ
０．９
Ｂａ
２
Ｃｕ
３．３
酸化物中に５ｍｏｌ％のＢａＺｒＯ
３
が分散しているターゲット材
　図１３及び図１４に示すように、本発明ターゲット材を用い、基材をプルームの中に保持して成膜すると、
膜厚が３．０μｍで、自己磁場中での臨界電流が７００Ａ／ｃｍ幅を超えるＧｄ１２３系酸化物超電導膜を容易に得ることができる
　図１３に示すように、
膜厚３．０μｍで、３Ｔの外部磁場（Ｂ//ｃ）中での臨界電流が“４０Ａ／ｃｍ幅”であるが、本発明者らは、本発明のＲＥ１２３系酸化物超電導膜が、３Ｔの磁場中で、“４０Ａ／ｃｍ幅以上”の臨界電流を有することを確認した。
　
図１４に示すように、膜組織中に５ｍｏｌ％のＢａＺｒＯ
３
が分散している場合、自己磁場中の臨界電流特性（Ｉｃ（Ａ））は、多少低下傾向にあるが、外部磁場中の臨界電流（Ｉｃ（Ａ））は逆に、１００Ａ／ｃｍ幅にまで向上している。
膜組織中に非超電導物質を７ｍｏｌ％以下含有するＲＥ１２３系酸化物超電導膜が、３Ｔの磁場中で、磁場の印加方向によらず、６０Ａ／ｃｍ幅以上の臨界電流特性を有する
キ．「以上、説明したように、本発明の
ＲＥ１２３系酸化物超電導膜は、膜厚１μｍ以上で、確実に、実用領域の臨界電流特性を備える
　臨界電流特性の良否は、膜組織の良否に依存するから、このように、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜が、
膜厚１．０μｍ以上で、実用領域の臨界電流特性を備えている
ク．「（８）基材の材質
　本発明において用いる基材は、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜を成膜できるものであればよく、特定の材質のものに限定されないが、ＲＥ１２３系超電導体を線材用の素線として使用することを前提とすれば、延伸加工が可能な金属基材、特に、
長尺の金属基材が好ましい。具体的には、例えば、ハステロイ上に、ＭｇＯ、Ｇｄ
２
Ｚｒ
２
Ｏ
７
、ＣｅＯ
２
、及び、ＬａＭｎＯ
３
等の酸化物を積層したものが好ましい。
　基材をプルームの中に保持すると、従来より速い成膜速度で成膜することができるということは、プルームの中を所要の速度で通過する基材に対しても、従来より速い成膜速度で成膜することができるということである。したがって、本発明は、
所要の速度で移動する長尺金属基材にも適用し得る
　即ち、本発明は、
所要の速度でプルームを通過する長尺金属基材の上に、実用領域の臨界電流特性を備えるＲＥ１２３系酸化物超電導膜を、膜性状の再現性よく成膜し得る
ケ．「このことは、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の超電導相内に、結晶のａ軸又はｂ軸方向に粗大化した非超電導相の存在による電流経路の分断、及び、大傾角粒界やＢａ化合物等による粒界結合の劣化がないことに加え、
超電導相中に分散している非超電導相が、磁束をピン止めするピン止め中心として有効に機能している
　上記下線部及び関連記載箇所によれば、引用例１には、
「ハステロイ上にＭｇＯ、Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７、ＣｅＯ２、及び、ＬａＭｎＯ３等の酸化物を積層した長尺金属基材の上に超電導相がＲＥ１±ｘＢａ２±ｙＣｕ３±ｚＯ７−δ（ＲＥ：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、及び、Ｅｒのいずれか１種又は２種以上）からなるＲＥ１２３系超電導膜を備え、
　前記ＲＥ１２３系酸化物超電導膜は、０．８≦２ＲＥ／Ｂａ＜１．０、０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０の組成比を満たすＲＥ、Ｂａ、及び、Ｃｕを含む酸化物に、ＺｒＯ２、ＢａＺｒＯ３、ＢａＳｎＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＢａＨｆＯ３、及び、ＢａＲｕＯ３のいずれか１種又は２種以上の非超電導物質を７ｍｏｌ％以下添加した素材をターゲット材として、ＰＬＤ法により、前記長尺金属基材を所要の速度で移動させながら、前記長尺金属基材の上に成膜したものであり、
　前記ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の超電導相の組成は、１．０≦２ＲＥ／Ｂａ≦１．２、０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０を満たし、
　前記非超電導物質は、ＲＥ１２３系酸化物導電膜の超電導相中に分散し、磁束をピン止めするピン止め中心として機能し、
　前記ＲＥ１２３系酸化物超電導層は、膜厚１．０μｍ以上で、実用領域の臨界電流特性を有し、
　５ｍｏｌ％のＢａＺｒＯ３が超電導膜に分散している場合、３Ｔの外部磁場中の臨界電流（Ｉｃ（Ａ））は、１００Ａ／ｃｍ幅にまで向上し、超電導膜組織中に非超電導物質を７ｍｏｌ％以下含有するＲＥ１２３系酸化物超電導膜が、３Ｔの磁場中で、磁場の印加方向によらず、６０Ａ／ｃｍ幅以上の臨界電流特性を有する、
　ＲＥ１２３系超電導線材。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを比較すると、次のことがいえる。
ア．引用発明の「ハステロイ上にＭｇＯ、Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７、ＣｅＯ２、及び、ＬａＭｎＯ３等の酸化物を積層した長尺金属基材」の「ＭｇＯ、Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７、ＣｅＯ２、及び、ＬａＭｎＯ３等の酸化物」層は、本願発明の「中間層」といい得るものである。ハステロイ基材上にＭｇＯ、Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７、ＣｅＯ２等の酸化物を中間層として設けることは、原査定で引用された特開２０１０−８６７９６号公報の段落【００４６】，【００４７】の記載からも、明らかである。よって、引用発明の「ハステロイ上にＭｇＯ、Ｇｄ２Ｚｒ２Ｏ７、ＣｅＯ２、及び、ＬａＭｎＯ３等の酸化物を積層した長尺金属基材」は、本願発明の「基材と、前記基材上に形成された中間層」に相当する。
イ．引用発明の「ＲＥ１２３系酸化物超電導膜の超電導相の組成」が「１．０≦２ＲＥ／Ｂａ≦１．２、０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０を満た」す「ＲＥ１±ｘＢａ２±ｙＣｕ３±ｚＯ７−δ（ＲＥ：Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、及び、Ｅｒのいずれか１種又は２種以上）からなるＲＥ１２３系超電導膜」と、本願発明の「ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上を表す。）の組成式で表される酸化物超電導体を含む酸化物超電導層」とは、いずれも「ＲＥ１２３系酸化物超電導体（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上を表す。）を含む酸化物超電導層」である点で共通する。
ウ．引用発明の「ＰＬＤ法により、前記長尺金属基材を所要の速度で移動させながら、前記長尺金属基材の上に成膜」された「ＲＥ１２３系酸化物超電導膜」と、本願発明の「前記酸化物超電導層は、前記中間層が形成された前記基材を２ｍ／ｈ以上の速度で移動させながら、前記中間層上に成膜された層」とは、いずれも「前記酸化物超電導層は、前記中間層が形成された前記基材を移動させながら、前記中間層上に成膜された層」である点で共通する。
エ．引用発明は超電導膜に非超電導物質としてＨｆを含む化合物である「ＢａＨｆＯ３」を含み、ターゲットへの非超電導物質の添加割合は７ｍｏｌ％以下であり、ターゲットに含まれる割合と超電導膜中での割合は同様であると考えられるから、引用発明の「ＺｒＯ２、ＢａＺｒＯ３、ＢａＳｎＯ３、ＢａＣｅＯ３、ＢａＨｆＯ３、及び、ＢａＲｕＯ３のいずれか１種又は２種以上の非超電導物質を７ｍｏｌ％以下添加した素材をターゲット材」とし、「前記非超電導物質は、ＲＥ１２３系酸化物導電膜の超電導相中に分散し、磁束をピン止めするピン止め中心として機能」することは、本願発明の「前記酸化物超電導層は、人工ピンとして前記酸化物超電導層中に分散している、０．５〜１０ｍｏｌ％のＨｆを含む化合物」に相当する。
オ．引用発明の「前記ＲＥ１２３系酸化物超電導層は、膜厚１．０μｍ以上で、実用領域の臨界電流特性を有」することは、本願発明の「前記酸化物超電導層の膜厚ｄは、ｄ＞１μｍ」に相当する。
カ．引用発明の「 ５ｍｏｌ％のＢａＺｒＯ３が超電導膜に分散している場合、３Ｔの外部磁場中の臨界電流（Ｉｃ（Ａ））は、１００Ａ／ｃｍ幅にまで向上し、超電導膜組織中に非超電導物質を７ｍｏｌ％以下含有するＲＥ１２３系酸化物超電導膜が、３Ｔの磁場中で、磁場の印加方向によらず、６０Ａ／ｃｍ幅以上の臨界電流特性を有する」ことと、本願発明の「Ｊｃｄ／Ｊｃ１≧０．９（Ｊｃ１は前記酸化物超電導層の厚さが１μｍの時の臨界電流密度を表し、Ｊｃｄは前記酸化物超電導層の厚さがｄμｍの時の臨界電流密度を表す。）の電流特性を満たす」こととは、いずれも、「前記酸化物超電導層の臨界電流密度が特定の電流特性を有する」という点で共通する。
（１）　したがって、本願発明と引用発明とは、次の一致点、相違点を有する。
［一致点］
　基材と、前記基材上に形成された中間層と、前記中間層上に形成され、ＲＥ１２３系酸化物超電導体（ＲＥは希土類元素のうちの１種又は２種以上を表す。）を含む酸化物超電導層と、を備え、
　前記酸化物超電導層は、前記中間層が形成された前記基材を移動させながら、前記中間層上に成膜された層であり、
　前記酸化物超電導層は、人工ピンとして前記酸化物超電導層中に分散している、０．５〜７ｍｏｌ％のＨｆを含む化合物を有し、
　前記酸化物超電導層の膜厚ｄは、ｄ＞１μｍであり、
　前記酸化物超電導層の臨界電流密度が特定の電流特性を有する、
ＲＥ１２３系超電導線材。
［相違点１］
　超電導層のＲＥ１２３系酸化物超電導体の組成が、本願発明ではＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δであるのに対し、引用発明ではＲＥ１±ｘＢａ２±ｙＣｕ３±ｚＯ７−δ （１．０≦２ＲＥ／Ｂａ≦１．２、０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０）である点。
［相違点２］
　酸化物超電導層を成膜する際の基材の移動速度が、本願発明では２ｍ／ｈ以上であるのに対し、引用発明では特定されていない点。
［相違点３］
　特定の電流特性が、本願発明ではＪｃｄ／Ｊｃ１≧０．９（Ｊｃ１は前記酸化物超電導層の厚さが１μｍの時の臨界電流密度を表し、Ｊｃｄは前記酸化物超電導層の厚さがｄμｍの時の臨界電流密度を表す。）のに対し、引用発明ではそのような特定がされていない点。
５．判断
ア．［相違点１］について
　引用発明において、２ＲＥ／Ｂａ＝１．０のときのＲＥ：Ｂａの組成比は、１：２であり、０．８≦３Ｂａ／２Ｃｕ＜１．０であるから、引用発明のＲＥ１２３系酸化物超電導体はＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３+ｚＯ７−δ （０＜ｚ≦０．７５）の組成のものを含んでいる。
　そうすると、引用発明のＲＥ１２３系酸化物超電導体ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３+ｚＯ７−δ （０＜ｚ≦０．７５）はｚ＝０を含まないが、ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ、すなわち、ＲＥ：Ｂａ：Ｃｕの組成比を１：２：３とすることは、特別な組成比ではなく、ＲＥ１２３系酸化物超電導体の最も一般的な組成比であるから、引用発明において、ＲＥ１２３系酸化物超電導体の組成をＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δとすることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　この点、「五十嵐 他，”ＲＥ１２３薄膜超電導線材”，フジクラ技報，株式会社フジクラ，2008年12月，第３巻，第１１５号，pp.46-54」p.46左欄,p.50左欄第8〜26行には、ＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏyに人工ピンを導入することにより、磁場中での臨界電流密度を向上させることが記載されていることからも、引用発明において、ＲＥ１２３系酸化物超電導体の組成をＲＥ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７−δとすることは当業者が容易に想到し得た事項であったといえる。
イ．［相違点２］について
　引用発明も基材を移動させながら成膜を行うものであり、その移動速度は、成膜する酸化物超電導層の厚さと、パルスレーザのエネルギー、レーザをスキャンしているか、レーンの数（基材の通過回数）等によって当業者が決定する設計事項である。そして、拒絶査定時に移動速度を示す周知技術として挙げられた特開２０１０−１２１２０４号公報（以下、「引用例４」という。）の段落【００１０】には、従来技術として、ＲＥ１２３系酸化物超電導体を１８ｍ／ｈの移動速度で成膜すること、段落【００５５】，【００５６】には、従来技術として１０ｍ／ｈ、レーザを基材幅方向にスキャンすることにより３１ｍ／ｈの移動速度で成膜を実現できることが記載されていることから、ＲＥ１２３系酸化物超電導膜を成膜する際に１０ｍ／ｈを超える速度で基材を移動させることは一般的であったといえる。
　したがって、引用発明において、基材の移動速度を２ｍ／ｈ以上とすることは当業者が容易に想到し得た事項である。
　この点に関し、請求人は、審判請求の理由において、引用例１記載の成膜速度では、基材の移動速度を２ｍ／ｈとすることはできない旨、及び、引用例４に記載された基材の移動速度は人工ピンを含まない超電導膜の成膜であるから、引用例１の移動速度には適用できない旨主張しているが、次の理由で採用できない。
（ａ）引用例４の段落【０００９】，【００５２】、図４や、上記の「五十嵐 他，”ＲＥ１２３薄膜超電導線材”，フジクラ技報，株式会社フジクラ，2008年12月，第３巻，第１１５号，pp.46-54」のp.50右欄31〜33行，図10には、複数レーンで、プルームに対して基材を複数回通過させることにより高速化を図ることが記載されているように、基材の移動速度の高速化は周知技術であることから、これらの周知技術を採用することによって、引用発明において、基材の移動の高速化を図り、移動速度を２ｍ／ｈとすることは当業者が容易に想到し得た事項である。
（ｂ）引用発明は、基材を移動させながらＲＥ１２３系超電導膜を成膜するものであり、人工ピンの導入のあるなしによって成膜方法が変わるものでもない。この点、上記の「五十嵐 他，”ＲＥ１２３薄膜超電導線材”，フジクラ技報，株式会社フジクラ，2008年12月，第３巻，第１１５号，pp.46-54」のp.50左欄第8行〜p.51右欄第9行には、ＲＥ１２３酸化物超電導体に人工ピンを導入しない層と人工ピンを導入させた層とを基材を４０ｍ／ｈ（実効線速６．７ｍ／ｈ）で移動させながら６層成膜することが記載されている。したがって、引用発明において、２ｍ／ｈ以上の移動速度で人工ピンを導入した層を成膜することが困難であったとはいえない。
ウ．［相違点３］について
　引用例１の図１４の３Ｔ磁場中での人工ピンを含むＲＥ１２３系超電導膜厚と臨界電流（Ｉｃ（Ａ／ｃｍ幅））との関係では、膜厚に比例して臨界電流（Ｉｃ（Ａ／ｃｍ幅））はリニアに増加しているから、臨界電流密度は、膜厚１μｍ〜５．５μｍの範囲で一定といえ、Ｊｃｄ／Ｊｃ１は１に近いものといえる。したがって、引用発明の臨界電流密度特性を、Ｊｃｄ／Ｊｃ１≧０．９（Ｊｃ１は前記酸化物超電導層の厚さが１μｍの時の臨界電流密度を表し、Ｊｃｄは前記酸化物超電導層の厚さがｄμｍの時の臨界電流密度を表す。）とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
エ．総合判断
　以上判断したとおり、本願発明における上記相違点１ないし３に係る構成はいずれも当業者が容易に想到し得たものであり、また、各相違点を総合しても本願発明は当業者が想到することが困難なものとはいえない。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１から当業者が予測できる範囲のものである。
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。