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【手続補正書】
【提出日】令和2年10月27日(2020.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血液凝固障害の処置における使用のための、切断型フォン・ヴィルブランド因子（ＶＷＦ）及び半減期延長部分を含むポリペプチドを含む医薬組成物であって、該処置は、血液凝固障害を有しかつ内在性第ＶＩＩＩ因子（ＦＶＩＩＩ）を有する被験体にポリペプチドを投与することを含み、ここで該ポリペプチドを用いた処置の前の該被験体における内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルは、正常ヒト血症（ＮＨＰ）におけるＦＶＩＩＩの活性レベルと比べて減少しているが、ただし該被験体における内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルは正常ヒト血症（ＮＨＰ）における内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルの少なくとも０．５％であり、ここでポリペプチドは内在性ＦＶＩＩＩに結合することができ、そして内在性ＦＶＩＩＩレベルは、該ポリペプチドの投与後に増加し、そしてここで
−  （ｉ）  該ポリペプチドは、出血事象の予防のために投与され、ここで
ａ）  該処置はいずれも外来性ＦＶＩＩＩの同時投与を含まず、もしくは
ｂ）  該処置は、外来性ＦＶＩＩＩが投与され、そしてそれにより該被験体において内在性ＦＶＩＩＩを提供することを含み；又は
−  （ｉｉ）  該ポリペプチドは、出血事象の処置のため、又は予防的処置レジメンの開始のために外来性ＦＶＩＩＩと一緒に同時投与され、ここで経過観察処置のために、該ポリペプチドは外来性ＦＶＩＩＩを同時投与することなく投与される、
上記医薬組成物。
【請求項２】
切断型フォン・ヴィルブランド因子（ＶＷＦ）は、内在性ＦＶＩＩＩに結合するためのポリペプチドの能力を提供する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
内在性ＦＶＩＩＩレベルは、該ポリペプチドの投与後に、少なくとも１％のレベルまで増加する、請求項１又は請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
切断型フォン・ヴィルブランド因子（ＶＷＦ）はヒト切断型フォン・ヴィルブランド因子（ＶＷＦ）である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
該ポリペプチドを用いた処置の前の該被験体の内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルは、ＮＨ
Ｐにおける内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルの８０％未満、６０％未満、４０％未満、３０％未満、２０％未満又は１０％未満である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
処置前の上記被験体における内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルは、好ましくはＮＨＰにおける内在性ＦＶＩＩＩの活性レベルの少なくとも１％、少なくとも２％、少なくとも３％、少なくとも４％又は少なくとも５％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
血液凝固障害は血友病Ａ及びフォン・ヴィルブランド病から選択される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
被験体はヒト被験体である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
ポリペプチドは静脈内又は血管外のいずれかに投与される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
ポリペプチドはダイマーである、請求項１〜９のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
上記ダイマーのＦＶＩＩＩに対する親和性は、ダイマーポリペプチドのモノマーサブユニットと同じアミノ酸配列を有するモノマーポリペプチドの該ＦＶＩＩＩに対する親和性より高く；ここでポリペプチドは、好ましくは、１ｎＭ未満、好ましくは５００ｐＭ未満、２００ｐＭ未満、１００ｐＭ未満、９０ｐＭ未満又は８０ｐＭ未満の解離定数ＫＤにより特徴づけられるＦＶＩＩＩ結合親和性を有する、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
切断型ＶＷＦは、配列番号４のアミノ酸７７６〜８０５に対して少なくとも９０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含み、好ましくは配列番号４のアミノ酸７６４〜１２４２に対して少なくとも９０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
切断型ＶＷＦは、（ａ）配列番号４のアミノ酸７６４〜１２４２、（ｂ）配列番号４のアミノ酸７６４〜１２４２に対して少なくとも９０％の配列同一性を有するアミノ酸配列、又は（ｃ）  （ａ）もしくは（ｂ）のフラグメントからなる、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
半減期延長部分は、切断型ＶＷＦに融合された異種アミノ酸配列である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
異種アミノ酸配列は、アルブミン又はそのフラグメント、トランスフェリン又はそのフラグメント、ヒト絨毛性ゴナドトロピンのＣ末端ペプチド、ＸＴＥＮ配列、ホモ−アミノ酸反復（ＨＡＰ）、プロリン−アラニン−セリン反復（ＰＡＳ）、アファミン、アルファ−フェトプロテイン、ビタミンＤ結合タンパク質、アルブミン又は免疫グロブリン定常領域に生理条件下で結合することができるポリペプチド、新生児型Ｆｃ受容体（ＦｃＲｎ）に結合することができるポリペプチド、特に免疫グロブリン定常領域及びその部分、好ましくは免疫グロブリンのＦｃ部分、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択されるポリペプチドを含むか又は該ポリペプチドからなる、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
半減期延長部分はポリペプチドに結合している、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
上記半減期延長部分は、ヒドロキシエチルデンプン（ＨＥＳ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリシアル酸（ＰＳＡ）、エラスチン様ポリペプチド、ヘパロサンポリマー、ヒアルロン酸及びアルブミン結合リガンド、例えば脂肪酸鎖又はアルブミン結合ペプチド、並びにそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
内在性ＦＶＩＩＩの薬物動態パラメーターはポリペプチドの投与により改善され、特にここで内在性ＦＶＩＩＩの平均滞留時間（ＭＲＴ）は増加し、かつ／又は内在性ＦＶＩＩＩの半減期は延長され、かつ／又は内在性ＦＶＩＩＩのクリアランスは減少する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
ポリペプチドの血漿半減期は、内在性ＶＷＦの血漿半減期より長く、かつ／又は正常ヒト血漿（ＮＨＰ）のＶＷＦの血漿半減期より長い、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
ポリペプチドの血漿半減期は、内在性ＶＷＦの半減期より少なくとも２５％長く、かつ／又は正常ヒト血漿（ＮＨＰ）の半減期より少なくとも２５％長い、請求項１９に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
ポリペプチドの投与後に、被験体の内在性ＦＶＩＩＩ活性レベルの増加が達成され、好ましくは内在性ＦＶＩＩＩ活性レベルは、生理的ＦＶＩＩＩレベル（１００％＝１ＩＵ／ｍＬ）まで増加するか、又はポリペプチドの投与後に生理的ＦＶＩＩＩレベルより高くは実質的に増加せず、好ましくはそれぞれ正常ヒト血漿の血漿中の平均ＦＶＩＩＩ活性レベルの３００％＝３ＩＵ／ｍＬを超えない、より好ましくは２５０％＝２．５ＩＵ／ｍＬを超えない、２００％＝２ＩＵ／ｍＬを超えない、１５０％＝１．５ＩＵ／ｍＬを超えない、もしくは１２０％＝１．２ＩＵ／ｍＬを超えない内在性ＦＶＩＩＩ活性レベルの増加を生じる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月24日(2019.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図２Ａにおいて、フレーム１０６はメッシュ１０４を支持する。フレーム１０６を支持するための固定具１０８は、明確化のために省略されている。固定具１０８は、当技術分野で現在使用されているものと同様である。メッシュ１０４の下には、プラテン１１４があり、剥離紙１１２のシートがプラテンの表面１１４ａ上に支持されている。剥離紙１１２は、メッシュ１０４をバックアップして、噴射可能なエマルジョンが塗布される際に、メッシュ１０４がエマルジョンで被覆されるようにする。剥離紙１１２は、噴射可能なエマルジョンに付着しないように構成（formulated）されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図２Ｂにおいて、プラテン１１４は、剥離紙１１２とともにメッシュ１０４まで移動され、メッシュを緊張させ、転写紙をメッシュの背面に押し付ける。これにより、平滑で張力のかかった平坦な印刷面が提供される。プラテン１１４の移動は矢印２０２で示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図３Ｂにおいては、本開示の噴射可能なエマルジョン３０２’とメッシュ１０４との組み合わせ３５０において、噴射可能なエマルジョンは、プラテン１１４（及びその上の剥離紙１１２）の滑らかな表面１１４ａによって提供される平坦な底面３０２’ａを有することが分かる。噴射可能なエマルジョン３０２’の上面３０２’ｂは、現在のエマルジョン３０２よりもメッシュ１０４の縦糸及び横糸に対して共形的でないことが分かる。（下面３０２’ａは、実際のスクリーン印刷プロセスの間にスクリーンインクがスクイージを用いて塗布され、押圧されるところである）ＤｔＭにおいては、メッシュ１０４は、平滑プラテン１１４によって支持された剥離紙１１２を有するので、エマルジョン３０２’の下面３０２’ａは、より平坦または平坦である。これはまた、ＵＶ放射によって本質的に直ちに硬化される結果である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図４は、スクリーン印刷のためのステンシルを準備するための、本明細書の開示による例示的なＤｔＭプロセス４００のフローチャートを示す。プロセス４００では、ダイレクト・ツー・メッシュ・スクリーン・プリンタ１００が提供される（４０５）。上述のように、ＤｔＭスクリーン・プリンタ１００は、フレーム１０６を保持するための固定具１０８を含み、フレームは、噴射可能なエマルジョン３０２’の塗布中に、予備伸張されたメッシュ１０４を所定の位置に保持するように構成される。ＤｔＭスクリーン・プリンタ１００のプラテン１１４は、剥離紙１１２を、予備伸張されたメッシュ１０４の一方の側に保持するためのものである。最後に、ＤｔＭスクリーン・プリンタ１００は、予備伸張されたメッシュ１０４のプラテン１１４とは反対側に噴射可能なエマルジョン３０２’を印刷するためのプリントヘッド１１８を支持するプリンタキャリッジ１２０を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ＤｔＭプロセス４００においては、引き続いて噴射可能なエマルジョン３０２’をメッシュ１０４に塗布するステップ４１５が行われる。上述したように、噴射可能なエマルジョン３０２’は、プリントヘッド１１８が噴射可能なエマルジョンを噴射するインクジェットプリンタ１１６によって、メッシュ１０４に対して塗布される。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メッセージをブロードキャストするための方法であって、
ブロックチェーンネットワークのコンセンサスノードによって、第1のブロードキャストメッセージを得るステップと、
前記コンセンサスノードによって、前記コンセンサスノードに対応するメッセージ処理デバイスのための第1のスレッドを作成するステップと、
前記コンセンサスノードによって、前記第1のスレッドを用いることによって、前記第1のブロードキャストメッセージを前記メッセージ処理デバイスに送信するステップであって、前記メッセージ処理デバイスは、別のコンセンサスノードに対応するメッセージ処理デバイスに前記第1のブロードキャストメッセージを送信する、ステップと、
前記コンセンサスノードによって、前記第1のスレッドをキャンセルするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記コンセンサスノードは、地域専用通信線を用いることによって前記メッセージ処理デバイスに接続される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記コンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスによって送信される第2のブロードキャストメッセージを受信するステップであって、前記第2のブロードキャストメッセージは、前記別のコンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスによってブロードキャストされる、ステップを更に含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
他の各コンセンサスノードに対応するメッセージ処理デバイスのための第2のスレッドを作成するステップと、
前記第2のスレッドを用いることによって、前記別のコンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスに前記第1のブロードキャストメッセージを送信するステップと、
前記別のコンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスが前記第1のブロードキャストメッセージを受信するとの判断に応答して、前記第2のスレッドをキャンセするステップと、
を更に含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記別のコンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスが前記第1のブロードキャストメッセージを受信すると判断するステップは、特に、
各第2のスレッドを用いることによって、受信した応答信号の数をカウントするステップであって、前記応答信号は、前記別のコンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスによって、前記第1のブロードキャストメッセージを受信した後に返される、ステップと、
前記受信した応答信号のカウント数が特定値以上になるまで、前記数が前記特定値よりも小さいとの判断に応答して、各第2のスレッドを用いることによって前記第1のブロードキャストメッセージを再送するステップであって、前記特定値は、0よりも大きい整数である、ステップと、
を含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記別のコンセンサスノードに対応する前記メッセージ処理デバイスによってブロードキャストされる第2のブロードキャストメッセージを受信するステップと、
前記第2のブロードキャストメッセージを前記コンセンサスノードに送信するステップと、
を更に含む、請求項4に記載の方法。
【請求項７】
前記第1のスレッドを作成するステップは、非同期呼技術に基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記ブロックチェーンネットワークは、コンソーシアムブロックチェーンネットワークを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
メッセージをブロードキャストするためのデバイスであって、
第1のブロードキャストメッセージを得るように構成された取得モジュールと、
コンセンサスノードに対応するメッセージ処理デバイスのための第1のスレッドを作成し、
前記第1のスレッドを用いることによって、前記第1のブロードキャストメッセージを前記メッセージ処理デバイスに送信するように構成された送信モジュールであって、前記メッセージ処理デバイスは、別のコンセンサスノードに対応するメッセージ処理デバイスに前記第1のブロードキャストメッセージを送信する、送信モジュールと、
前記第1のスレッドをキャンセルするように構成されたキャンセルモジュールと
を備えるデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月10日(2019.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのカメラモジュールユニットを備え、前記２つのカメラモジュールユニットはそれぞれ第一カメラモジュールユニット及び第二カメラモジュールユニットであり、前記第一カメラモジュールユニットは少なくとも１つの第一感光組立体と、少なくとも１つの第一レンズ群とを備え、前記第一レンズ群は前記第一感光組立体の感光経路に位置し、前記第一感光組立体は少なくとも１つの接続部を備え、前記接続部は少なくとも一部が前記第一感光組立体から遠ざかる方向へ延在して高度差を形成し、前記第二カメラモジュールユニットは前記接続部に固定、支持されることで、前記第一カメラモジュールユニット及び前記第二カメラモジュールユニットを安定して固定することを特徴とするアレイカメラモジュール。
【請求項２】
前記第一感光組立体は、第一回路基板と、第一感光素子と、第一ベースとを備え、前記第一ベースは第一ベース本体と延在部とを備え、前記第一ベース本体は前記第一回路基板に一体的に成形され前記第一感光素子に光線通路を提供する第一光窓を形成し、前記延在部は少なくとも一部が前記第一ベース本体から外方へ一体的に延在して前記接続部を形成し、前記延在部の天井面と前記第一回路基板の底面との間に前記高度差を形成し、前記第一感光素子は前記第一回路基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項３】
前記延在部は支持面を有し、前記支持面は前記第一カメラモジュールユニットから遠ざかる方向へ平坦に延在し、前記第二カメラモジュールは第二感光組立体と、第二レンズ群とを備え、前記第二レンズ群は前記第二感光組立体の感光経路に位置し、前記第二感光組立体は前記第二支持面に支持、固定されていることを特徴とする請求項2に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項４】
前記第二感光組立体は前記支持面に貼り付け、固定されていることを特徴とする請求項3に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項５】
前記第二感光組立体は第二回路基板と、第二感光素子と、第二ベースとを備え、前記第二感光素子は前記第二回路基板に電気的に接続され、前記第二ベースは前記第二回路基板に一体的に成形され前記第二感光素子に光線通路を提供する第二光窓を形成し、前記第二回路基板は前記延在部の前記第二支持面に支持、固定されており、前記第二回路基板の底面と前記第一回路基板の底面との間に前記高度差が形成されていることを特徴とする請求項3に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項６】
前記第一感光組立体は第一回路基板と、第一感光素子と、第一ベースと、支持板とを備え、前記第一ベースは前記第一回路基板に一体的に成形され前記第一感光素子に光線通路を提供する第一光窓を形成し、前記支持板は前記第一ベースにおける少なくとも一部が前記第一ベースから外方へ延在して形成される前記接続部に設けられ、前記支持板の天井面と前記第一回路基板の底面との間に前記高度差を形成し、前記第一感光素子は前記第一回路基板に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項７】
前記第一感光組立体は第一回路基板と、第一感光素子と、第一ベースとを備え、前記第一感光素子は前記回路基板に電気的に接続され、前記第一ベースは前記第一回路基板に一体的に成形され前記第一感光素子に光線通路を提供する光窓を形成し、前記支持板は前記第一ベースに固定されていることを特徴とする請求項6に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項８】
前記支持板は貫通孔を有し、前記貫通孔は前記感光素子に光線通路を提供するように前記第一光窓に連通していることを特徴とする請求項6に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項９】
前記第二感光組立体は第二回路基板と、第二感光素子と、第二ベースとを備え、前記第二感光素子は前記第二回路基板に電気的に接続され、前記第二ベースは前記第二回路基板に一体的に成形され第二光窓を形成し、前記第二回路基板は前記支持板の天井面に支持、固定され、前記第二回路基板の底面と前記第一回路基板の底面との間に前記高度差が形成されていることを特徴とする請求項6に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１０】
前記第二カメラモジュールユニットは第二台座を備え、前記第二台座は取付位置を提供するように前記第二ベースの第二取付溝に取り付けられていることを特徴とする請求項6又は９に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１１】
前記第一感光素子は前記第一回路基板に貼り付けられ、前記第一ベースは前記第一感光素子の外周に位置していることを特徴とする請求項２から９の何れか１項に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１２】
前記第一感光素子は前記第一回路基板に貼り付けられ、前記第一ベースは前記第一感光素子の少なくとも一部に一体的に成形されていることを特徴とする請求項２から９の何れか１項に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１３】
前記第一感光素子は少なくとも１つの第一電気接続素子を介して前記第一回路基板に電気的に接続され、前記第一ベースは前記第一電気接続素子を被覆していることを特徴とする請求項12に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１４】
前記第二感光素子は前記第二回路基板に貼り付けられ、前記第二ベースは前記第二感光素子の外周に位置していることを特徴とする請求項２から９の何れか１項に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１５】
前記第二感光素子は前記第二回路基板に貼り付けられ、前記第二ベースは前記第二感光素子の少なくとも一部に一体的に成形されていることを特徴とする請求項２から９の何れか１項に記載のアレイカメラモジュール。
【請求項１６】
前記第二回路基板は沈下孔を有し、前記第二感光素子は前記沈下孔に設けられていることを特徴とする請求項２から7の何れか１項に記載のアレイカメラモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月20日(2020.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）白色顔料、カーボンブラック、焼成カオリン、ヒュームドシリカ、炭酸カルシウム、コーティングされていないカオリン、又はこれらの混合物のうちの１種；Ｂ）１種以上のガラス接着促進剤；Ｃ）１種以上の触媒；Ｄ）可塑剤；Ｅ）プレポリマー；Ｆ）イソシアネート；及びＧ）溶媒又は熱安定剤を含有する接着剤組成物。
【請求項２】
前記プレポリマーが、ポリエステルポリオールとジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートとの反応生成物を含有する、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項３】
前記組成物の総重量を基準として０．５〜２．５重量％の、ポリエステルポリオールとジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートとの反応生成物を含有する、請求項２に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記触媒が２，２’−ジモルホリノジエチルエーテルを含む、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項５】
前記組成物の総重量を基準として０．２〜０．６重量％の、２，２’−ジモルホリノジエチルエーテルを含有する、請求項４に記載の接着剤組成物。
【請求項６】
前記組成物の総重量を基準として０．１〜３重量％の、約２１．８％のＮＣＯ含有率を有するヘキサメチレンジイソシアネート三量体を含有する、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項７】
プレポリマーとフィラーとの間の比率が１．２〜３．５５である、請求項１に記載の接着剤組成物。
【請求項８】
少なくとも１種の脂肪族イソシアネートが、約２１．８％のＮＣＯ含有率を有するヘキサメチレンジイソシアネート三量体である、請求項６に記載の接着剤組成物。
【請求項９】
少なくとも１種の芳香族イソシアネートがポリマーＭＤＩである、請求項６に記載の接着剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月10日(2020.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも手袋芯（１１）と裁断片（２１）を含み、該裁断片（２１）の下面（Ｓ２）は該手袋芯（Ｓ１）の外面に被覆される手袋構造であって、
該外面（Ｓ１）には射出成形モジュール（２２）が設けられ、該射出成形モジュール（２２）は該裁断片（２１）の断面（Ｓ３）を埋め込む、ことを特徴とする手袋構造。
【請求項２】
該射出成形モジュール（２２）は該裁断片（２１）の上面（Ｓ４）に向かって延伸されて射出成形重複セグメント（２２２）を形成し、該射出成形重複セグメント（２２２）は該上面（Ｓ４）の上面の縁部（Ｅ１）のみを埋め込む、ことを特徴とする請求項１に記載の手袋構造。
【請求項３】
該裁断片（２１）の該下面（Ｓ２）に接着層（２３）が増設される、ことを特徴とする請求項１に記載の手袋構造。
【請求項４】
該接着層（２３）は該下面（Ｓ２）の下面の縁部（Ｅ２）のみに設けられる、ことを特徴とする請求項３に記載の手袋構造。
【請求項５】
該射出成形モジュール（２２）は該下面（Ｓ２）の下方に射出成形クランプセグメント（２２３）が延伸される、ことを特徴とする請求項３に記載の手袋構造。
【請求項６】
該射出成形クランプセグメント（２２３）は該接着層（２３）の接着下面（Ｓ５）に接着される、ことを特徴とする請求項５に記載の手袋構造。
【請求項７】
該裁断片（２１）及び該射出成形モジュール（２２）は該手袋芯（１１）の手袋芯の断面（Ｓ６）の周長の５０％以上を被覆する、ことを特徴とする請求項１に記載の手袋構造。
【請求項８】
該裁断片（２１）は該手袋芯の断面（Ｓ６）の周長の５０％以上を被覆する、ことを特徴とする請求項７に記載の手袋構造。
【請求項９】
該手袋芯（１１）は掌面、掌側、掌背、指面、指側及び指背を有し、該手袋芯（１１）の手袋芯の断面（Ｓ６）における該裁断片（２１）は２つの該断面（Ｓ３）を有し、いずれか１つの該断面（Ｓ３）が該手袋芯（１１）の該掌面、該掌面と該掌側との接続部、該掌側、該掌側と該掌背との接続部、該掌背、該指面、該指面と該指側との接続部、該指側、該指側と該指背との接続部、又は該指背に位置し、他方の該断面（Ｓ３）が該裁断片（２１）の延伸方向に沿って該手袋芯（１１）の該掌面、該掌面と該掌側との接続部、該掌側、該掌側と該掌背との接続部、該掌背、該指面、該指面と該指側との接続部、該指側、該指側と該指背との接続部、又は該指背に位置する、ことを特徴とする請求項１に記載の手袋構造。
【請求項１０】
該手袋芯（１１）は掌面、掌側、掌背、指面、指側及び指背を有し、該手袋芯（１１）の手袋芯の断面（Ｓ６）における該裁断片（２１）は２つの該断面（Ｓ３）を有し、いずれか１つの該断面（Ｓ３）が該手袋芯（１１）の該掌面、該掌面と該掌側との接続部、該掌側、該掌側と該掌背との接続部、該掌背、該指面、該指面と該指側との接続部、該指側、該指側と該指背との接続部、又は該指背に位置し、他方の該断面（Ｓ３）が該裁断片（２１）の延伸方向に沿って該手袋芯（１１）の該掌面、該掌面と該掌側との接続部、該掌側、該掌側と該掌背との接続部、該掌背、該指面、該指面と該指側との接続部、該指側、該指側と該指背との接続部、又は該指背に位置する、ことを特徴とする請求項３に記載の手袋構造。
【請求項１１】
該手袋芯（１１）は掌面、掌側、掌背、指面、指側及び指背を有し、該手袋芯（１１）の手袋芯の断面（Ｓ６）における該裁断片（２１）は２つの該断面（Ｓ３）を有し、いずれか１つの該断面（Ｓ３）が該手袋芯（１１）の該掌面、該掌面と該掌側との接続部、該掌側、該掌側と該掌背との接続部、該掌背、該指面、該指面と該指側との接続部、該指側、該指側と該指背との接続部、又は該指背に位置し、他方の該断面（Ｓ３）が該裁断片（２１）の延伸方向に沿って該手袋芯（１１）の該掌面、該掌面と該掌側との接続部、該掌側、該掌側と該掌背との接続部、該掌背、該指面、該指面と該指側との接続部、該指側、該指側と該指背との接続部、又は該指背に位置する、ことを特徴とする請求項６に記載の手袋構造。
【請求項１２】
該射出成形モジュール（２２）は曲面形状を有し、且つ該手袋芯（１１）のいずれか１つの部分を被覆する、ことを特徴とする請求項１に記載の手袋構造。
【請求項１３】
該手袋芯（１１）は掌側を有し、且つ該曲面形状は掌側を被覆し、又は、手袋芯（１１）は指側を有し、且つ該曲面形状は該指側を被覆する、ことを特徴とする請求項１２に記載の手袋構造。
【請求項１４】
該手袋芯（１１）は掌面、掌側及び掌背を有し、且つ該曲面形状が該掌側及び該掌面、又は該掌側及び該掌背を被覆する、ことを特徴とする請求項１２に記載の手袋構造。
【請求項１５】
該手袋芯（１１）は指面、指側及び指背を有し、且つ該曲面形状は該指側及び該指面、又は該指側及び該指背を被覆する、ことを特徴とする請求項１２に記載の手袋構造。
【請求項１６】
該手袋芯（１１）は掌面、掌側及び掌背を有し、且つ該曲面形状は該掌背、該掌側及び該掌面を被覆する、ことを特徴とする請求項１２に記載の手袋構造。
【請求項１７】
該手袋芯（１１）は指面、指側及び指背を有し、且つ該曲面形状は該指背、該指側及び該指面を被覆する、ことを特徴とする請求項１２に記載の手袋構造。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月28日(2020.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乱数生成方法であって、
乱数列を生成するステップであって、前記乱数列はＮ個の格納ユニットを含み、前記格納ユニットのそれぞれが乱数を格納し、Ｎは正の整数である、ステップ（Ｓ１１０）と、
前記乱数列内の前記格納ユニットに格納された前記乱数のランダムシャッフリングを行うステップ（Ｓ１２０）であって、前記格納ユニットのそれぞれが識別子値を有し、前記乱数列内の前記格納ユニットに格納された前記乱数のランダムシャッフリングを行うステップが、
ランダム関数に基づきランダム値を生成するステップと、
前記ランダム値に基づいて交換対象格納ユニットの識別子値を生成するステップ（Ｓ３１０）と、
前記識別子値と所定の交換ルールとに基づいて、前記交換対象格納ユニットの乱数と、目標格納ユニットの乱数とを交換するステップ（Ｓ３２０）と
を備える、ステップと、
乱数取得命令を受信し、かつ前記乱数取得命令に基づいて前記乱数列内の対応する格納ユニットから前記対応する格納ユニットに格納された乱数を読み出すステップ（Ｓ１３０）と
を備える、乱数生成方法。
【請求項２】
前記Ｎ個の格納ユニットが異なる乱数を格納し、それぞれの格納ユニットに格納された乱数が、別の格納ユニットに格納された乱数と異なる、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項３】
前記ランダムシャッフリングが、前記乱数列内の前記Ｎ個の格納ユニットの上で実行される、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項４】
前記乱数取得命令を受信した後に、順次前記乱数列から乱数が読み出すステップをさらに備える、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項５】
ランダム関数に基づきランダム値を生成するステップが、
ｉが１よりも大きくＮよりも小さいとき、現在の時刻と（ｉ−１）番目のランダム値とに基づいてｉ番目のランダム値を生成するステップであって、ｉは交換回数の数である、ステップか、または
ｉが１に等しいとき、現在の時刻に基づいてｉ番目のランダム値を生成するステップ
を備える、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項６】
前記所定の交換ルールは、ｉ番目の交換が行われるとき、ｉ番目のランダム値に対応する格納ユニットの乱数が（Ｎ＋１−ｉ）番目の格納ユニットの乱数と交換される、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項７】
前記乱数列内の全ての格納ユニットに対して交換が行われたかどうかを判定するステップ（Ｓ３３０）と、
乱数列内の全ての格納ユニットに対して前記交換が行われたとの判定に応じて、前記格納ユニットに格納された前記乱数がランダムにシャフルされたと判定するステップ（Ｓ３４０）と
をさらに備える、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項８】
前記乱数列内の全ての格納ユニットに対して交換が行われていないとの判定に応じて、
ランダム関数に基づいてランダム値を生成し、かつ前記ランダム値に基づいて交換対象格納ユニットの識別子値を決定するステップ（Ｓ３１０）と、
前記識別子値と所定の交換ルールとに基づいて、前記交換対象格納ユニットの乱数と、目標格納ユニットの乱数とを交換するステップ（Ｓ３２０）と
をさらに備える、請求項７に記載の乱数生成方法。
【請求項９】
前記乱数取得命令に基づいて、前記乱数列内の対応する格納ユニットから読み出すステップが、
前記乱数取得命令に基づいて現在読み出されている格納ユニットの識別子値を取得するステップであって、前記読み出されている格納ユニットが、前回読み出された格納ユニットである、ステップと、
前記現在読み出されている格納ユニットの前記識別子値に基づいて、次の格納ユニットに格納された乱数を読み出すステップであって、前記乱数列内の前記格納ユニットの読み出しが順次実施される、ステップと
を備える、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項１０】
前記乱数取得命令に基づいて前記乱数列内の対応する格納ユニットから読み出すステップが、
前記読み出された格納ユニットが前記乱数列の最後の格納ユニットであるかどうかを判定するステップと、
前記読み出された格納ユニットが前記乱数列の最後の格納ユニットではないとの判定に応じて、次の格納ユニットに格納された乱数を読み出すステップか、または、
前記読み出された格納ユニットが前記乱数列の最後の格納ユニットであるとの判定に応じて、新しい乱数列を生成するステップ
をさらに備える、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項１１】
前記乱数取得命令を受信し、前記乱数列内の前記対応する格納ユニットから前記乱数読み出すステップが、
乱数取得命令を受信するステップ（Ｓ２１０）と、
現在読み出されている格納ユニットが前記乱数列の最後の格納ユニットであるかどうかを判定するステップ（Ｓ２２０）と、
前記現在読み出されている格納ユニットが前記乱数列の最後の格納ユニットであるとの判定に応じて、
乱数列を初期化し、かつ新しい乱数列を生成するステップ（Ｓ２３０）と、
前記乱数列内の前記格納ユニットの位置を周期的にシャッフリングすることによって、前記乱数列のランダムシャッフリングを実施するステップ（Ｓ２４０）と
を備える、ステップと、
前記現在読み出されている格納ユニットの前回取得した識別子値に基づいて、前記乱数列内の次の格納ユニットに格納されたデータを選択し、かつ前記データを現在の取得対象乱数として使用するステップ（Ｓ２５０）と
をさらに備える、請求項１に記載の乱数生成方法。
【請求項１２】
乱数生成デバイスであって、前記デバイスによって実行されたとき、前記デバイスに請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を実行させる、前記デバイスのメモリ内の実行可能な命令を記憶する、乱数生成デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性インタフェースを含む電極を製造する方法であって、前記方法は、
（ｉ）集電体基材である電極基材と活物質とを提供するステップと、
（ｉｉ）前記集電体基材および前記活物質の一方または両方を金属配位錯体と接触させるステップと、
（ｉｉｉ）前記集電体基材を前記活物質のスラリーでコーティングすることであって前記スラリーがバインダをさらに含む前記コーティングすることにより、前記金属配位錯体が、前記活物質、前記バインダおよび前記集電体基材と供与結合を介して接触している状態にある導電性インタフェース含む電極を形成するステップと、
を含み、前記活物質がシリコンナノパウダーおよび導電性カーボンブラックの両方を含むとともに前記集電体基材が銅箔である場合、前記バインダはポリアクリル酸（ＰＡＡ）ではない、方法。
【請求項２】
前記集電体基材は、アルミニウム、銅、銀、白金および金の集電体、からなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電極がアノードであるとき、前記集電体基材は銅集電体基材であり、かつ前記電極がカソードであるとき、前記集電体基材はアルミニウム集電体基材である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記活物質は、金属、金属酸化物、セラミック、金属間化合物、メタロイド、粘土、炭素、並びに合成及び生体の両ポリマーからなる群より選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記活物質は、シリコンであって、シリコンの酸化物、合金、及び複合材を含めたもの、スズであって、スズの酸化物、合金、及び複合材を含めたもの、硫黄であって、硫黄の複合材を含めたもの、ＬｉＦｅＰＯ４（ＬＦＰ）、混合金属酸化物並びに炭素からなる群より選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記活物質は、シリコン、炭素および混合金属酸化物から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記炭素は、グラファイト、ｓｕｐｅｒ−Ｐカーボン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、アセチレンカーボンブラック、及びケッチェンブラック（ＫＢ）から選択された形態である、請求項５または６に記載の方法。
【請求項８】
前記混合金属酸化物は、コバルト、リチウム、ニッケル、鉄及びマンガンのうちの１以上を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記金属配位錯体の金属は、クロム、ルテニウム、鉄、コバルト、アルミニウム、ジルコニウム及びロジウムからなる群より選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属はクロムイオンである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属配位錯体は、金属イオンに供与結合した窒素、酸素、又は硫黄から選択される、供与結合を形成する原子を備えている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属配位錯体はオリゴマー状金属配位錯体である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記オリゴマー状金属配位錯体はオキソ架橋型オリゴマー状クロム（ＩＩＩ）錯体である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記活物質のスラリーを前記集電体基材上にコーティングした後に、コーティングされた集電体基材が乾燥ステップにかけられる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記活物質がシリコンナノパウダーおよび導電性カーボンブラックの両方を含むとき、前記集電体基材は銅箔ではない、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
電極の導電性インタフェースであって、集電体基材である電極基材上にコーティングされた活物質およびバインダと、前記活物質、前記バインダおよび前記集電体基材と供与結合を介して接触している状態にある金属配位錯体と、を含む電極の導電性インタフェースにおいて、前記活物質がシリコンナノパウダーおよび導電性カーボンブラックの両方を含むとともに前記集電体基材が銅箔である場合、前記バインダはポリアクリル酸（ＰＡＡ）ではない、導電性インタフェース。
【請求項１７】
前記集電体基材は、アルミニウム、銅、銀、白金および金の集電体、からなる群より選択される、請求項１６に記載の導電性インタフェース。
【請求項１８】
前記電極がアノードであるとき、前記集電体基材は銅集電体基材であり、かつ前記電極がカソードであるとき、前記集電体基材はアルミニウム集電体基材である、請求項１７に記載の導電性インタフェース。
【請求項１９】
前記活物質は、金属、金属酸化物、セラミック、金属間化合物、メタロイド、粘土、炭素、並びに合成及び生体の両ポリマーからなる群より選択される、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の導電性インタフェース。
【請求項２０】
前記活物質は、シリコンであって、シリコンの酸化物、合金、及び複合材を含めたもの、スズであって、スズの酸化物、合金、及び複合材を含めたもの、硫黄であって、硫黄の複合材を含めたもの、ＬｉＦｅＰＯ４（ＬＦＰ）、混合金属酸化物並びに炭素からなる群より選択される、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の導電性インタフェース。
【請求項２１】
前記活物質は、シリコン、炭素および混合金属酸化物から選択される、請求項２０に記載の導電性インタフェース。
【請求項２２】
前記炭素は、グラファイト、ｓｕｐｅｒ−Ｐカーボン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、アセチレンカーボンブラック、及びケッチェンブラック（ＫＢ）から選択された形態である、請求項２０または２１に記載の導電性インタフェース。
【請求項２３】
前記混合金属酸化物は、コバルト、リチウム、ニッケル、鉄及びマンガンのうちの１以上を含む、請求項２０に記載の導電性インタフェース。
【請求項２４】
前記金属配位錯体の金属は、クロム、ルテニウム、鉄、コバルト、アルミニウム、ジルコニウム及びロジウムからなる群より選択される、請求項１６〜２３のいずれか一項に記載の導電性インタフェース。
【請求項２５】
前記金属はクロムイオンである、請求項２４に記載の導電性インタフェース。
【請求項２６】
前記金属配位錯体は、金属イオンに供与結合した窒素、酸素、又は硫黄から選択される、供与結合を形成する原子を備えている、請求項１６〜２５のいずれか一項に記載の導電性インタフェース。
【請求項２７】
前記金属配位錯体はオリゴマー状金属配位錯体である、請求項１６〜２６のいずれか一項に記載の導電性インタフェース。
【請求項２８】
前記オリゴマー状金属配位錯体はオキソ架橋型オリゴマー状クロム（ＩＩＩ）錯体である、請求項２７に記載の導電性インタフェース。
【請求項２９】
前記活物質がシリコンナノパウダーおよび導電性カーボンブラックの両方を含むとき、前記集電体基材は銅箔ではない、請求項１６に記載の導電性インタフェース。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月13日(2020.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面と、前記第１表面とは反対側を向いた第２表面と、を有するイオン透過膜と、
第１表面と、前記第１表面とは反対側を向いた第２表面と、前記第１表面と前記第２表面と間の流体連通と、約０．５０〜約０．９８の体積多孔率及び開口面積多孔率のうちの少なくとも一方と、を有する第１の輸送保護層であって、前記イオン透過膜の前記第１表面が、前記第１の輸送保護層の前記第１表面に接触しており、前記第１の輸送保護層が、繊維を含む非導電性の織基材及び不織基材のうちの少なくとも一方と、前記非導電性の織基材及び不織基材のうちの少なくとも一方の繊維表面の少なくとも一部分を被覆するイオン性樹脂と、を含む第１の輸送保護層と、
を備える、液体フロー電池用の膜アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月25日(2020.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板（３）上に配置された電荷トラップ層（２）を含む半導体構造用の支持体（１）であって、前記電荷トラップ層（２）は、多結晶主層（２ａ）と、前記主層（２ａ）中又は前記主層（２ａ）と前記ベース基板（３）との間に挟まれた少なくとも１層の、シリコンと炭素合金又はカーボンからなる中間層（２ｂ）であって、前記中間層（２ｂ）は１０００Ω・ｃｍを超える抵抗率を備えることを特徴とする半導体構造用の支持体（１）。
【請求項２】
前記ベース基板（３）の抵抗率が１０００Ω・ｃｍを超える、請求項１に記載の支持体（１）。
【請求項３】
前記トラップ層（２）は５μｍ又は１０μｍよりも大きい厚さを有する、請求項１または請求項２に記載の支持体（１）。
【請求項４】
１〜１０層の間の中間層（２ｂ）を備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の支持体（１）。
【請求項５】
前記主層（２ａ）と前記ベース基板（３）との間の炭素からなる単一の中間層（２ｂ）をさらに備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の支持体（１）。
【請求項６】
前記多結晶主層（２ａ）が、１００ｎｍと１０００ｎｍとの間のサイズのシリコン粒からなる、請求項１乃至５のいずれかに記載の支持体（１）。
【請求項７】
各中間層（２ｂ）は、１０ｎｍ又は５ｎｍ未満の厚さを有する、請求項１乃至６のいずれかに記載の支持体（１）。
【請求項８】
前記電荷トラップ層（２）上に絶縁層（４）を備える、請求項１乃至７のいずれかに記載の支持体（１）。
【請求項９】
多結晶の前記中間層（２ｂ）は、５％を超える炭素を有するケイ素と炭素との合金からなる、請求項１乃至８のいずれかに記載の支持体（１）。
【請求項１０】
前記中間層（２ｂ）は炭化ケイ素である、請求項１に記載の支持体（１）。
【請求項１１】
−請求項１乃至９のいずれかに記載の支持体（１）と、
−前記支持体上の絶縁層（４，６）と、
−絶縁層上に有用層（５）と
を備える半導体構造。
【請求項１２】
前記有用層（５）は、少なくとも１つの集積されたデバイスを備える、請求項１１に記載の半導体構造。
【請求項１３】
ａ．請求項１乃至９のいずれか一項に記載の支持体（１）を提供するステップと、
ｂ．前記支持体（１）上に、前記半導体構造を形成するステップと
を含む半導体構造の製造方法。
【請求項１４】
前記形成するステップｂは、前記支持体上に有用層（５）を転写するステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記有用層（５）が、少なくとも１つの集積されたデバイスを含む、請求項１３又は請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月13日(2020.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリマネージャと、スイッチングネットワークと、バッテリを充電するためのバッテリ充電器と、第１のコントローラとを備え、前記バッテリマネージャが、ＡＣ/ＤＣコンバータに接続するための入力端子を備え、前記スイッチングネットワークが、第１及び第２のスイッチセットを備え、前記スイッチングネットワークが、キャパシタを備えるキャパシタセットに接続されている時に、スイッチドキャパシタネットワークを形成し、前記第１のスイッチセット内のスイッチを閉じること及び前記第２のスイッチセット内のスイッチを開くことが、前記キャパシタセットを第１の状態に配置し、前記第２のセット内の前記スイッチを閉じること及び前記第１のセット内の前記スイッチを開くことが、前記キャパシタセットを第２の状態に配置し、動作時に、前記コントローラが、前記スイッチドキャパシタネットワークを特定の周波数で前記第１の状態と前記第２の状態との間で移行させ、それによって電荷を前記スイッチドキャパシタネットワークの前記キャパシタセットと端子との間で移動させる、装置。
【請求項２】
バッテリマネージャが、スイッチドキャパシタネットワークを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
バッテリマネージャが、入力及びステップダウンコンバータを備え、前記入力が、前記ＡＣ／ＤＣコンバータに接続され、スイッチドキャパシタネットワークが、前記ステップダウンコンバータと前記入力との間にある、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
バッテリマネージャが、入力端子及びスイッチドキャパシタネットワークに接続されたステップダウンコンバータ、及びバッテリを前記スイッチドキャパシタネットワーク及び前記バッテリマネージャの出力端子に選択的に接続し、前記スイッチドキャパシタネットワーク及び前記バッテリマネージャの出力端子から切り離すスイッチを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
バッテリマネージャが、入力端子及びスイッチドキャパシタネットワークとの間に接続されるステップダウンコンバータ、及びバッテリを前記スイッチドキャパシタネットワーク及び前記バッテリマネージャの出力に選択的に接続し、前記スイッチドキャパシタネットワーク及び前記バッテリマネージャの出力端子から切り離すスイッチを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
スイッチドキャパシタネットワークが、バッテリマネージャの入力端子に接続し、前記バッテリマネージャが、前記スイッチドキャパシタネットワークと前記バッテリマネージャの出力端子に接続するステップダウンコンバータ、及びバッテリを前記スイッチドキャパシタネットワークと前記出力端子に選択的に接続するスイッチをさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
バッテリマネージャが、ステップダウンコンバータを備え、前記ステップダウンコンバータが、インダクタンスを備え、スイッチドキャパシタネットワークが、キャパシタ上に存在する電荷の変化率を制限するために、前記ステップダウンコンバータの前記インダクタンスに依拠する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
ＡＣ／ＤＣコンバータが、第１のコントローラ、電荷ポンプ、及び前記電荷ポンプに接続されるスイッチングレギュレータを備え、前記第１のコントローラが、前記スイッチングレギュレータ及び前記電荷ポンプを制御する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
スイッチドキャパシタネットワークが、電荷ポンプ及び前記電荷ポンプに接続されるインダクタンスを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
比率制御回路をさらに備え、前記スイッチドキャパシタネットワークの動作中に、キャパシタが、その上に蓄えられたある量の電荷を有し、前記比率制御回路が、インダクタンスを通って電荷を通過させる結果として、前記ある量の電荷が少なくとも部分的に変化する比率を制約するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
バッテリが、ＡＣ電源からエネルギーをワイヤレスで受け取るように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
バッテリ充電器が、電荷がバッテリに提供されている間は定電流を維持しようとすることと電荷が前記バッテリに提供されている間は定電圧を維持しようとすることとの間で切り替える、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
旅行用充電器をさらに備え、バッテリマネージャが、前記旅行用充電器の構成要素である、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
バッテリ充電器が、ＣＣＣＶ充電器である、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
コントローラが、その一次セクションと二次セクションとの間に絶縁バリアを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
スイッチドキャパシタネットワークは、その動作中、非容量性素子を介して電荷を通過させることによって、キャパシタにその中に蓄えられる電荷の変化を受けさせるものである、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
旅行用アダプタをさらに備え、ＡＣ／ＤＣコンバータが、前記旅行用アダプタの構成要素であり、前記旅行用アダプタが、ＵＳＢポートを備え、前記旅行用アダプタが、ＡＣ電圧を受け取り、前記ＵＳＢポートにＤＣ電圧を出力する、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
バッテリマネージャが、バッテリ充電器及びステップダウンコンバータを備え、前記ステップダウンコンバータが、動作時に、バッテリを充電するためのエネルギー及び負荷に電力供給するためのエネルギーが両方とも前記ステップダウンコンバータを通過するように配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
バッテリマネージャが、バッテリ充電器及びステップダウンコンバータを備え、前記ステップダウンコンバータが、動作時に、バッテリを充電するためのエネルギーが前記ステップダウンコンバータを通過し、負荷に電力供給するためのエネルギーが前記ステップダウンコンバータをバイパスするように配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
スイッチドキャパシタ回路における電圧移行のスルーレートを制御するためのバイパススイッチ制御回路をさらに備える、請求項１に記載の装置。