【事件の表示】
　特願２０１１−５１９９８６「発光ダイオード及びその製造方法、そして発光素子及びその発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２８日国際公開、ＷＯ２０１０／０１１０７４、平成２３年１１月２４日国内公表、特表２０１１−５２８８６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成２１年　７月２１日　国際特許出願（パリ条約による優先権主張外国　　　　　　　　　　　　　庁受理　２００８年７月２１日　大韓民国）
　平成２５年　８月３０日　拒絶理由通知（同年９月３日発送）
　平成２５年１２月　２日　意見書・手続補正書
　平成２６年　３月１７日　拒絶査定（同年３月２５日送達）
　平成２６年　７月２４日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　５月１８日　拒絶理由通知（平成２７年５月１９日発送　
　　　　　　　　　　　　　以下「当審拒絶理由通知」という。）
　平成２７年１０月１９日　意見書・手続補正書
　
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は，平成２７年１０月１９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
　
「支持基板と、
　前記支持基板上に配置され、中央領域と前記中央領域を囲む周辺領域とを含む第１電極層と、
　前記第１電極層の前記周辺領域上に配置される保護層と、
　前記第１電極層の前記中央領域上に配置される第２導電型の半導体層と、
　前記第２導電型の半導体層上に配置される活性層と、
　前記活性層上に配置される第１導電型の半導体層と、
　前記第１導電型の半導体層上に配置される第２電極層と、を含み、
　前記第１電極層の前記中央領域は、前記第１電極層の前記周辺領域の厚さと異なる厚さを有し、
　前記第１電極層の一部は、前記第２導電型の半導体層と接し、
　前記第１電極層の中央領域の物質は、前記第１電極層の周辺領域の物質と同一であり、
　前記保護層は、絶縁物質を含み、
　前記第１電極層の周辺領域は、前記保護層の底面と接し、
　前記第１導電型の半導体層から前記第２導電型の半導体層の一部を除去して、下面周辺部を形成するエッチング溝を有し、
　前記第２導電型の半導体層の前記下面周辺部の水平幅は、前記第２導電型の半導体層の上面の水平幅より大きく、
　前記第２導電型の半導体層の前記下面周辺部は、前記保護層と接することを特徴とする発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用発明
（１）引用刊行物
　当審拒絶理由通知で引用し、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０３／０６５４６４号（以下「刊行物」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（当審注：下線は、当審が付加した。以下、同様である。）。
ア　「請求の範囲
１．
支持基板上に少なくとも導電層、第１の電極、発光層を有する窒化物半導体、第２の電極とを順に備えた窒化物半導体素子であって、
　
前記導電層上には第１の電極、及び第１絶縁性の保護膜を介して第１導電型の窒化物半導体層を有する
窒化物半導体素子
　
イ　「技術分野
　本発明は発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の発光素子、太陽電池、光センサー等の受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体素子及びその製造方法に関するものである。製造方法の一つとして貼り合わせ構造を用いる。」（１頁５行乃至同頁９行）
　
ウ　実施形態１についての記載（その１）
「実施形態１
　以下に本実施形態に係る窒化物半導体素子の製造工程を図面を用い示す。
　サファイア等の異種基板１上に少なくとも
第２導電型の窒化物半導体層、発光層、第１導電型の窒化物半導体層を有する窒化物半導体２
　
エ　実施形態１についての記載（その２）
「その後、
第１導電型の窒化物半導体層
表面とオーミック接触が得られる第１の電極
　次に、第１の電極３を形成した窒化物半導体２の露出面に第１絶縁性の保護膜４を形成する（図１Ｂ）。この第１絶縁性の保護膜の材料はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２などの単層膜または多層膜を用いることができる。更にその上の支持基板との貼り合わせ面にＡｌ、Ａｇ、Ｒｈなどの高反射率の金属膜を形成してもよい。この金属膜により反射率が高くなるから光の取り出し効率を良くすることができる。その後、Ａｕ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｉｎから成る群から選ばれる少なくとも１つを含有する合金から成る導電層５を支持基板との張り合わせ面に形成する（図１Ｃ）。」（３１頁３行乃至同頁１６行）
　
オ　実施形態１についての記載（その３）
「その後、異種基板側からエキシマレーザを照射するか、又は研削により異種基板を取り除く（図２Ｃ）。異種基板を除去後、露出した窒化物半導体の表面をＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシュ）処理することで所望の膜である第２導電型の窒化物半導体層を露出させる。このとき高温成長したＧａＮ膜を除去してしまうため、紫外領域の発光波長を持つＬＥＤにおいても吸収の影響をなくすことができる。この処理によりダメージ層の除去や窒化物半導体層の厚みを調整、表面の面粗さの調整ができる。その後、
窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層を除去する
　次に、前記第２導電型の窒化物半導体層の露出面に第２の電極６を形成する（図３Ａ）。第２の電極にｎ型電極を用いる場合にはＴｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ａｕ、Ｗ−Ａｌ−Ｗ−Ｐｔ−Ａｕ、Ａｌ−Ｐｔ−Ａｕなどがある。第２の電極は膜厚を０．１〜１．５μｍとする。また、光の取り出し効率を向上させるために第２導電型の窒化物半導体層の露出面をＲＩＥ等で凹凸（ディンプル加工）を形成をしてもよい（図４Ａ）。好ましくは第２の電極形成面を除く領域とする。前記凹凸形成の断面形状はメサ型、逆メサ型があり、平面形状は島状形状、格子状、矩形状、円状、多角形状がある。
　次に、露出面の第２の電極のパッド電極形成領域以外を覆うように
第２絶縁性の保護膜７
　…
　さらに、窒化物半導体素子をダイシングなどでチップ状に分離を行う。」（３２頁２５行乃至３４頁１５行）
　
カ　実施形態１についての記載（その４）
「実施形態１における他の窒化物半導体発光素子を示す。…
　図１２Ａに示す窒化物半導体発光素子を断面（図１２Ｂ）で見ると、窒化物半導体２と接している第１の電極３は開口部があり、該開口部には第１絶縁性の保護膜４が形成されており、該保護膜４は反射膜（図示されていない）と２層構造であるのが好ましい。この保護膜４の材料はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２などの単層膜または多層膜を用いる。
絶縁性である膜を備えることでショート等を防ぐことができる
　
キ　図３Ｂ、図１２Ｂは、以下のとおりである。
（２）引用発明
ア　上記（１）アの記載によれば、
「支持基板上に少なくとも導電層、第１の電極、発光層を有する窒化物半導体、第２の電極とを順に備えた窒化物半導体素子であって、　
　前記導電層上には第１の電極、及び第１絶縁性の保護膜を介して第１導電型の窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子。」
が記載されている。
　
イ　上記（１）ウの記載によれば、上記アの「窒化物半導体」は、「第２導電型の窒化物半導体層、発光層、第１導電型の窒化物半導体層を有する窒化物半導体２」であることが理解できる。
　
ウ　上記（１）オの記載によれば、窒化物半導体は、「窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層」が「除去」されることが理解できる。
　
エ　上記（１）ア乃至オの記載を踏まえて図３Ｂを見ると、以下の事項が看取できる。
（ア）導電層１３は、中央部の厚さが周辺部の厚さより厚いこと。
（イ）第１の電極３は、導電層１３の中央部上に位置すること。
（ウ）第１絶縁性の保護膜４は、導電層１３の周辺部上に位置すること。
（エ）第１の電極３と第１絶縁性の保護膜４の上面は同一の面を構成すること。
（オ）窒化物半導体２の外径は、第１の電極３と第１絶縁性の保護膜４の上面の外径より小さいこと。
　
オ　以上によれば、刊行物には以下の発明が記載されている。
「支持基板上に少なくとも導電層、第１の電極、発光層を有する窒化物半導体、第２の電極とを順に備えた窒化物半導体素子であって、
　前記窒化物半導体は、第２導電型の窒化物半導体層、発光層、第１導電型の窒化物半導体層を有し、
　前記導電層上には第１の電極、及び第１絶縁性の保護膜を介して第１導電型の窒化物半導体層を有し、
　前記導電層は、中央部の厚さが周辺部の厚さより厚く、
　前記第１の電極は、前記導電層の中央部上に位置し、
　前記第１絶縁性の保護膜は、前記導電層の周辺部上に位置し、
　前記第１の電極と前記第１絶縁性の保護膜の上面は同一の面を構成し、
　前記窒化物半導体は、窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層が除去されたものであって、前記窒化物半導体の外径は、第１の電極と第１絶縁性の保護膜の上面の外径より小さい、
　窒化物半導体素子。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　本願発明の「支持基板」と、引用発明の「支持基板」を対比すると、両者は相当関係にある。
　
イ　本願発明の「前記支持基板上に配置され、中央領域と前記中央領域を囲む周辺領域とを含む第１電極層」と、引用発明の「支持基板上に」「備えた」「導電層の中央部上に位置」する「第１の電極」を対比する。
（ア）本願発明の「支持基板上に配置され」ることの技術的意味を、発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。本願の発明の詳細な説明には、「【００１８】 本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の層を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。」との記載がある。してみると、本願発明の「支持基板上に配置され」ることは、支持基板上に直接配置されることと、支持基板上に他の層を介して配置されることの両者を含むことを意味する。
（イ）してみると、両者は、「前記支持基板上に配置され」る「中央領域を含む第１電極層」の点で一致する。
　
ウ　本願発明の「前記第１電極層の前記周辺領域上に配置される保護層」と、引用発明の「前記導電層の周辺部上に位置」する「第１絶縁性の保護膜」を対比する。
　本願発明の「第１電極層」は「支持基板上に配置」されていること、引用発明の「導電層」は「支持基板上に」備えるものであることを踏まえると、両者は、「支持基板の周辺領域上に配置される保護層」の点で一致する。
　
エ　本願発明の「前記第１電極層の前記中央領域上に配置される第２導電型の半導体層と、前記第２導電型の半導体層上に配置される活性層と、前記活性層上に配置される第１導電型の半導体層と、前記第１導電型の半導体層上に配置される第２電極層」と、引用発明の「窒化物半導体素子」が支持基板上に順に備える「第１の電極、発光層を有する窒化物半導体、第２の電極」であって、「前記窒化物半導体」が「第２導電型の窒化物半導体層、発光層、第１導電型の窒化物半導体層」を有することを対比する。
　引用発明は、「前記導電層上には第１の電極…を介して第１導電型の窒化物半導体層を有」することを踏まえると、引用発明の「第１導電型の窒化物半導体層」が本願発明の「第２導電型の半導体層」に相当し、以下同様に、「発光層」が「活性層」に、「第２導電型の窒化物半導体層」が「第１導電型の半導体層」に、「第２の電極」が「第２電極層」に、それぞれ、相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
オ　本願発明の「前記第１電極層の一部は、前記第２導電型の半導体層と接」することと、引用発明の「前記導電層上には第１の電極…を介して第１導電型の窒化物半導体層を有」することを対比する。
　引用発明の「第１の電極」が本願発明の「第１電極層」に相当し、引用発明の「第１導電型の窒化物半導体層」が本願発明の「第２導電型の半導体層」に相当する。そして、引用発明の「第１の電極…を介して第１導電型の窒化物半導体層を有」することは、「第１の電極」と「第１導電型の窒化物半導体層」が接するものであることを踏まえると、両者は相当関係にある。
　
カ　本願発明の「絶縁物質を含」む「保護層」と、引用発明の「第１絶縁性の保護膜」を対比すると、両者は相当関係にある。
　
キ　本願発明の「前記第１導電型の半導体層から前記第２導電型の半導体層の一部を除去して、下面周辺部を形成するエッチング溝を有」することと、引用発明の「前記窒化物半導体は、窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層が除去されたものであって、前記窒化物半導体の外径は、第１の電極と第１絶縁性の保護膜の上面の外径より小さい」ことを対比する。
（ア）はじめに、本願発明の「エッチング溝」の技術的意味について、発明の詳細な説明と図面を参酌して検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、「【００５４】そして、上記第１導電型の半導体層１０２から第２導電型の半導体層１０６の一部まで各層に対してメサエッチングを遂行してエッチング溝１０５を形成する。ここで、エッチング方式は乾式または湿式エッチング方式を利用できる。この際、メサエッチングは第２導電型の半導体層１０６の一部または保護層１０７の一部が露出されるまで遂行できる。これによって、第１導電型の半導体層１０２で第２導電型の半導体層１０６の一部まで各層がエッチングされたエッチング溝１０５が形成される。」との記載があり、図８は以下のとおりである。
　上記記載と図８を総合すると、第１導電型の半導体層１０２から第２導電型の半導体層１０６に形成したエッチング溝１０５は、第１導電型の半導体層１０２から第２導電型の半導体層１０６の外周をエッチングして外径が小さくなった部分を意味するものと解される。
（イ）上記（ア）を踏まえて検討すると、引用発明は、「前記窒化物半導体は、窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層が除去されたものであって、前記窒化物半導体の外径は、第１の電極と第１絶縁性の保護膜の上面の外径より小さい」部分を備えており、該部分は、本願発明のエッチング溝に相当する。してみると両者は相当関係にある。
　
ク　以上によれば、本願発明と引用発明は、
「支持基板と、
　前記支持基板上に配置され、中央領域を含む第１電極層と、
　支持基板の周辺領域上に配置される保護層と、
　前記第１電極層の前記中央領域上に配置される第２導電型の半導体層と、
　前記第２導電型の半導体層上に配置される活性層と、
　前記活性層上に配置される第１導電型の半導体層と、
　前記第１導電型の半導体層上に配置される第２電極層と、を含み、
　
　前記第１電極層の一部は、前記第２導電型の半導体層と接し、
　前記保護層は、絶縁物質を含み、
　前記第１導電型の半導体層から前記第２導電型の半導体層の一部を除去して、下面周辺部を形成するエッチング溝を有する発光素子。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：「前記支持基板上に配置され、中央領域を含む第１電極層」に関し、本願発明では、「第１電極層」は、さらに「前記中央領域を囲む周辺領域を含み」、「前記第１電極層の中央領域の物質は、前記第１電極層の周辺領域の物質と同一であり」、「前記第１電極層の前記中央領域は、前記第１電極層の前記周辺領域の厚さと異なる厚さを有し」、「前記第１電極層の周辺領域は、前記保護層の底面と接」するのに対し、引用発明は、そのようなものではない点。
　
相違点２：「保護層」が「配置される」「支持基板の周辺領域上」に関し、本願発明では、「第１電極層の前記周辺領域上」であるのに対し、引用発明は、「導電層の周辺部上」である点。
　
相違点３：
　「第２導電型の半導体層」に関し、本願発明では、「前記第２導電型の半導体層の前記下面周辺部の水平幅は、前記第２導電型の半導体層の上面の水平幅より大きく」、「前記第２導電型の半導体層の前記下面周辺部は、前記保護層と接する」のに対し、引用発明では、そのようなものではない点。
　
（２）以下、上記相違点について検討する。
ア　相違点１、２について
　相違点１、２は何れも「第１電極層」に関する相違点であるから、相違点１、２をまとめて検討する。
　引用発明は、支持基板上に、中央部の厚さが周辺部の厚さより厚い導電層を備え、前記導電層の中央部上に第１電極層が位置し、前記導電層の周辺部上に第１絶縁性の保護膜が位置し、前記第１の電極と前記第１絶縁性の保護膜の上面は同一の面を構成している。
　ここで、上記３（１）エの記載によれば、引用発明の第１の電極は、第１導電型の窒化物半導体層表面とオーミック接触が得られるオーミック電極としての機能を有する。また、導電層は、窒化物半導体と支持基板とを貼り合わせる機能を有し、支持基板と第１電極との間の導電路としての機能を有するものである。
　ところで、引用発明の第１の電極の厚さと、導電層の厚さは、上記それぞれの機能を奏する範囲で当業者が適宜設定しうる設計的事項であるところ、第１の電極を第１絶縁性の保護膜より厚く形成し、第１電極が中央部と共に周辺部を含むように為し、中央部と周辺部の物質を同一と為し、中央部は周辺部と異なる厚さと為し、周辺部は、第１絶縁性の保護膜の底面と接するように為して、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項と為すことに困難性は無い。そして、第１電極の周辺部が第１絶縁性の保護膜の底面と接するように為したものは、第１絶縁性の保護膜が第１電極の周辺部上に位置することとなるから、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を備えるものである。
　
イ　相違点３について
（ア）上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項は、実質的に、「前記第１導電型の半導体層から前記第２導電型の半導体層の一部を除去して、下面周辺部を形成するエッチング溝」の深さについて、「第２導電型の半導体層」の一部が露出し、保護層が露出しない深さであることを意味するところ、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項が有する技術的意義について、発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
「【００３５】
  
上記第１導電型の半導体層１０２から上記第２導電型の半導体層１０６の一部または上記保護層１０７の一部が露出される深さ
【００３６】
  したがって、外部の異質物により上記反射電極層１０８または導電性支持基板１１０と、上記第１電極層１１２または第１導電型の半導体層１０２が電気的に短絡される現象を防止できる。」
　上記記載によれば、エッチング溝は、上記反射電極層（本願発明の第１電極層）または導電性支持基板（本願発明の支持基板）の側面から上記第１電極層（本願発明の第２電極層）または第１導電型の半導体層までの水平方向の間隔を増加させて、外部の異質物により上記反射電極層または導電性支持基板と、上記第１電極層または第１導電型の半導体層が電気的に短絡される現象を防止する旨の技術的意義を有することが理解できる。
（イ）上記（ア）を踏まえて、相違点３について検討する。
　外部の異質物により第１電極層または支持基板と、第２電極層または第１導電型の半導体層が電気的に短絡される現象を防止する機能は、エッチング溝の幅によって両者の水平方向の間隔の増加により奏されるものであり、エッチング溝の深さに依存するものとは認められない。そして、第２導電型の半導体層の一部が露出し、保護層が露出しない深さ（言い換えると、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項）としたことによる格別の技術的意義も説明されていないことを踏まえると、エッチング溝の深さを、第２導電型の半導体層の一部が露出し、保護層が露出しない深さとするか、あるいは、保護層が露出する深さとするかは、当業者が適宜なし得る設計事項にすぎないものと認められる。
　してみると、引用発明において、「窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層」を「除去」する際に、第１絶縁性の保護膜と接する部分の「第１導電型の窒化物半導体層」の外周をエッチングしないようにして、「第１導電型の窒化物半導体層」の下面周辺部の水平幅を、「第１導電型の窒化物半導体層」の上面の水平幅より大きく為し、「第１導電型の窒化物半導体層」の下面周辺部が「第１絶縁性の保護膜」と接するように為し、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項と為すことに困難性は無い。
　
（３）作用効果について
　刊行物には、上記３（１）カに摘記したように、実施形態１における他の窒化物半導体発光素子についての作用効果ではあるが、「この保護膜４の材料はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２などの単層膜または多層膜を用いる。絶縁性である膜を備えることでショート等を防ぐことができるため、歩留まりや信頼性を向上することができる。」との記載があり、保護膜４（引用発明の第１絶縁性の保護膜）がショート等を防ぐ作用効果を奏することが開示されている。さらに、引用発明が「前記窒化物半導体は、窒化物半導体素子をチップ化するためＲＩＥ等で外周エッチングを行い、外周の窒化物半導体層が除去されたものであって、前記窒化物半導体の外径は、第１の電極と第１絶縁性の保護膜の上面の外径より小さい」との発明特定事項を備えていることを踏まえると、支持基板等と第２の電極等と間の水平方向の間隔が長くなっているから、外部の異質物による電気的短絡現象を防止する作用効果を奏しているものと認められる。してみると、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と刊行物の記載に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。
　
４　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。