【事件の表示】
　特願２０１４−１２２００７「表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１２月１８日出願公開、特開２０１４−２３８５８０、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、平成２２年２月１５日に出願した特願２０１０−３０１４１号（優先権主張平成２１年２月１６日）の一部を平成２６年６月１３日に新たな特許出願としたものであって、平成２７年６月２日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年９月２日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２７年９月２３日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２８年５月２７日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年６月２２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２８年６月２２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明は、次のとおりのものである。
「画素にトランジスタを有する表示装置であって、
　第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、第５の導電層と、半導体と、空洞と、を有し、
　前記第１の導電層は、光を遮ることができる機能を有し、
　前記第２の導電層は、前記トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
　前記半導体は、前記トランジスタのチャネルを形成することができる機能を有し、
　前記第２の導電層は、絶縁層を介して、前記半導体と重なる領域を有し、
　前記絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層となることができる機能を有し、
　前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極のうちの一方となることができる機能を有し、
　前記第４の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極のうちの他方となることができる機能を有し、
　前記第３の導電層と、前記第５の導電層とは、第１の方向に延びて設けられ、
　前記第３の導電層は、前記第５の導電層と重なる領域を有し、
　前記第２の導電層は、第２の方向に延びて設けられ、
　前記第１の方向と、前記第２の方向とは、交差し、
　前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、同一の導電膜からなり、
　前記空洞は、前記第２の導電層の側面及び前記第５の導電層の側面に接して形成され、
　前記第１の導電層は、前記空洞と重なる領域を有し、
　前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、前記空洞を間に挟んで、分離して設けられ、
　前記第５の導電層全体は、前記第３の導電層と重なることを特徴とする表示装置。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　引用文献１：国際公開第２００８／０９９５２８号
　引用文献２：特開平３−２７１７２０号公報
　引用文献３：特開平５−１４２５７０号公報
　引用文献１に記載された発明に、引用文献２、３に記載された発明を採用することは当業者が容易に想到し得ることである。
２　原査定の理由の判断
（１）引用文献の記載事項
　引用文献１には、以下の事項が記載されている。
ア　「［００３４］　液晶パネル１１は、図３に示すように、一対の基板３０，４０が所定のギャップを空けた状態で貼り合わせられるとともに、両基板３０，４０間に液晶が封入された構成とされ、当該液晶により液晶層５０が形成されている。
［００３５］　基板４０は素子基板（アクティブマトリクス基板）であって、ガラス基板４１の液晶層５０側に形成された半導体素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６０と、当該薄膜トランジスタ６０に対して電気的に接続された画素電極４４と、これら薄膜トランジスタ６０及び画素電極４４の液晶層５０側に形成された配向膜４５と、を備えている。なお、ガラス基板４１の液晶層５０側とは反対側には偏光板４２が配設される。
［００３６］　画素電極４４は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、素子基板４０の液晶層５０側にマトリクス状のパターンで形成されている。詳しくは、薄膜トランジスタ６０のドレイン電極６４（図４及び図５参照）と接続され、当該薄膜トランジスタ６０のスイッチング作動により選択的に電圧が印加されるものとなっている。また、配向膜４５は例えばポリイミドのラビング配向膜から構成されており、偏光板４２は例えば透明フィルムにヨウ素や染料を染み込ませたものを、一方向に延伸してなるものを採用している。
［００３７］　一方、基板３０は対向基板であって、ガラス基板３１の液晶層５０側に形成され、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各色光を選択的に透過可能な着色部Ｒ，Ｇ，Ｂを備えたカラーフィルタ３３と、カラーフィルタ３３の液晶層５０側に形成された対向電極３４と、対向電極３４の液晶層５０側に形成された配向膜３５と、を備えている。なお、ガラス基板３１の液晶層５０側とは反対側には偏光板３２が配設される。
［００３８］　カラーフィルタ３３は、着色部Ｒ，Ｇ，Ｂの境界に配されたブラックマトリクスＢＭを備え、当該ブラックマトリクスＢＭは素子基板４０の非画素部（つまり薄膜トランジスタ６０が形成された領域）を覆うように、当該非画素部に重畳して配されている。また、対向電極３４は例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなり、対向基板３０の液晶層５０側に全面ベタ状に形成されている。また、配向膜３５は例えばポリイミドのラビング配向膜から構成されており、偏光板３２は例えば透明フィルムにヨウ素や染料を染み込ませたものを、一方向に延伸してなるものを採用している。
［００３９］　上述したように本実施形態の液晶表示装置１０は半導体素子として薄膜トランジスタ６０を備えており、当該薄膜トランジスタ６０を含む画素は、図４及び図５に示すような構成を具備している。
　本実施形態の液晶表示装置１０では複数の画素４９がマトリクス状に構成されており、これら画素４９の各々には、画素スイッチング用の半導体素子として薄膜トランジスタ６０が形成されている。
［００４０］　薄膜トランジスタ６０は、ソース電極６３、ドレイン電極６４、及びゲート電極６５を備え、ソース電極６３には、画像信号を供給するソース配線８０が接続されている。ソース配線８０に書き込む画像信号は、線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線８０同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。なお、ソース配線８０はコンタクトホール８１及び配線８２を介して画像信号を供給するための駆動回路と接続されている。
［００４１］　また、薄膜トランジスタ６０のゲート電極６５にはゲート配線９０が接続されており、所定のタイミングで、ゲート配線９０にパルス的に走査信号を線順次で印加するように構成されている。
［００４２］　画素電極４４は、薄膜トランジスタ６０のドレイン電極６４にコンタクトホール６８を介して接続されており、スイッチング素子である薄膜トランジスタ６０を一定期間だけオン状態とすることにより、ソース配線６ａから供給される画像信号を各画素４９に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極４４を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向電極３４（図３参照）との間で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極４４と対向電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量（図示略）が付加されている。
［００４３］上述した通り、薄膜トランジスタ６０は、素子基板４０を構成するガラス基板４１上に配設されている。詳しくは、図５に示すように、ガラス基板４１上に形成されたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に形成されたゲート絶縁膜６６と、ゲート絶縁膜６６上に形成され、チャネル領域６７ａを備える半導体膜６７と、半導体膜６７の一端に接続されたソース電極６３と、半導体膜６７の他端に接続され、ソース電極６３に対してチャネル領域６７ａを介して接続されるドレイン電極６４と、を備えて構成されている。
［００４４］　ゲート電極６５は、例えばアルミニウム（Ａｌ）の他、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜単体又はこれらの金属窒化物との積層膜で形成することができる。ゲート絶縁膜６６は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の他、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等で形成することができる。 　半導体膜６７は、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等で形成することができる。
［００４５］　ソース電極６３及びドレイン電極６４、ならびにソース電極６３と接続されたソース配線８０は、導電膜６１，６２が積層した構成を備える。下層側の導電膜６１は、例えばリン（Ｐ）等のｎ型不純物を高濃度にドーピングしたアモルファスシリコン（ｎ＋Ｓｉ）等で形成することができる。上層側の導電膜６２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）の他、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の金属膜単体又はこれらの金属窒化物との積層膜で形成することができる。
［００４６］　また、ソース電極６３及びドレイン電極６４上には層間絶縁膜（パッシベーション膜）７０が形成されている。ドレイン電極６４は、この層間絶縁膜７０に形成されたコンタクトホール６８を介して、画素電極４４に接続されている。なお、層間絶縁膜７０は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁膜の他、アクリル系樹脂膜等で形成することができる。
［００４７］　ここで、ソース電極６３及びドレイン電極６４は、ガラス基板４１上に、ゲート電極６５とゲート絶縁膜６６と半導体膜６７とを覆う形で形成されている。また、ソース電極６３は、ゲート電極６５との間に空隙部７１を介して形成されている。したがって、ソース電極６３とゲート電極６５とは、ガラス基板４１とゲート電極６５とソース電極６３とゲート絶縁膜６６とによって囲まれた空隙部７１によって絶縁されている。
［００４８］　また、ドレイン電極６４は、ゲート電極６５との間に空隙部７２を介して形成されている。したがって、ドレイン電極６４とゲート電極６５とは、ガラス基板４１とゲート電極６５とドレイン電極６４とゲート絶縁膜６６とによって囲まれた空隙部７２によって絶縁されている。
［００４９］　一方、図５に示すように、ガラス基板４１上には、ゲート電極６５に走査信号を供給するためのゲート配線９０が形成されている。このゲート配線９０は、ゲート電極６５と同一材料で同一層に形成されている。また、ゲート配線９０上には絶縁膜６９が積層され、この絶縁膜６９は、ゲート絶縁膜６６と同一材料で同一層に形成されている。そして、これらゲート配線９０と絶縁膜６９を覆うように層間絶縁膜７０が形成されており、層間絶縁膜７０とゲート配線９０との間には空隙部７３，７４が形成されている。また、絶縁膜６９にはコンタクトホール９１が形成され、このコンタクトホール９１を介して、ゲート配線９０が走査信号供給回路に繋がる配線９２と接続されている。」
イ　「［図３］
［図４］
［図５］
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ガラス基板４１の液晶層５０側に形成された半導体素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６０と、当該薄膜トランジスタ６０に対して電気的に接続された画素電極４４と、これら薄膜トランジスタ６０及び画素電極４４の液晶層５０側に形成された配向膜４５と、を備えた素子基板（アクティブマトリクス基板）４０であって、
　薄膜トランジスタ６０を含む複数の画素４９がマトリクス状に構成されており、
　薄膜トランジスタ６０は、ガラス基板４１上に形成されたゲート電極６５と、ゲート電極６５上に形成されたゲート絶縁膜６６と、ゲート絶縁膜６６上に形成され、チャネル領域６７ａを備える半導体膜６７と、半導体膜６７の一端に接続されたソース電極６３と、半導体膜６７の他端に接続され、ソース電極６３に対してチャネル領域６７ａを介して接続されるドレイン電極６４と、を備えており、
　ソース電極６３には、画像信号を供給するソース配線８０が、ゲート電極６５にはゲート配線９０が接続されており、
　ソース電極６３は、ゲート電極６５との間に空隙部７１を介して形成されていて、ソース電極６３とゲート電極６５とは、ガラス基板４１とゲート電極６５とソース電極６３とゲート絶縁膜６６とによって囲まれた空隙部７１によって絶縁されており、
　ドレイン電極６４は、ゲート電極６５との間に空隙部７２を介して形成されていて、ドレイン電極６４とゲート電極６５とは、ガラス基板４１とゲート電極６５とドレイン電極６４とゲート絶縁膜６６とによって囲まれた空隙部７２によって絶縁されている、素子基板４０。」
（２）対比
　本願発明と引用発明を対比すると、
　引用発明の「ゲート電極６５」及び「ゲート配線９０」、「ソース電極６３」及び「ソース配線８０」、「ドレイン電極６４」、「ゲート絶縁膜６６」、「半導体膜６７」、「空隙部７１」及び「空隙部７２」が、それぞれ、本願発明の「第２の導電層」、「第３の導電層」、「第４の導電層」、「絶縁層」、「半導体」、「空洞」に相当するから、
「画素にトランジスタを有する表示装置であって、
　第２の導電層と、第３の導電層と、第４の導電層と、半導体と、空洞と、を有し、
　前記第２の導電層は、前記トランジスタのゲート電極となることができる機能を有し、
　前記半導体は、前記トランジスタのチャネルを形成することができる機能を有し、
　前記第２の導電層は、絶縁層を介して、前記半導体と重なる領域を有し、
　前記絶縁層は、前記トランジスタのゲート絶縁層となることができる機能を有し、
　前記第３の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極のうちの一方となることができる機能を有し、
　前記第４の導電層は、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極のうちの他方となることができる機能を有し、
　前記第３の導電層は、第１の方向に延びて設けられ、
　前記第２の導電層は、第２の方向に延びて設けられ、
　前記第１の方向と、前記第２の方向とは、交差する、
表示装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（相違点ア）
　本願発明は、「第１の導電層」「を有し、」「前記第１の導電層は、光を遮ることができる機能を有し、」「前記第１の導電層は、前記空洞と重なる領域を有」するのに対して、引用発明は、このような「第１の導電層」に相当する導電層を有さない点。
（相違点イ）
　本願発明は、「第５の導電層」「を有し、」「前記第５の導電層は、第１の方向に延びて設けられ、」「前記第３の導電層は、前記第５の導電層と重なる領域を有し、」「前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、同一の導電膜からなり、」「前記空洞は、前記第２の導電層の側面及び前記第５の導電層の側面に接して形成され、」「前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、前記空洞を間に挟んで、分離して設けられ、」「前記第５の導電層全体は、前記第３の導電層と重なる」のに対して、引用発明は、このような「第５の導電層」に相当する導電層を有さない点。
（３）判断
　上記相違点イについて検討する。
　引用文献３には、
「【００１７】また、画素電極１１１は、図３（図１のＡ−Ａ’断面図）に示すようにソース配線１０８の上に間に絶縁膜１１０を介して設けられ、ソース配線１０８の下には間に絶縁膜１０４を介して寄生容量用の金属膜１０３が形成されている。
【００１８】上記構成のアクティブマトリクス基板の製造は、図４に示すようにして行われる。先ず、（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に３０００オングストローム厚のＴａ膜を形成し、これをパターニングしてゲート配線１０２とゲート電極１０２ａと金属膜１０３を形成する。なお、金属膜１０３は、ゲート配線１０２及びゲート電極１０２ａとは別の時に形成してもよいが、実施例のように同時に形成した場合には工程の省略を図れる。」
「【００２３】このようにして製造した本実施例のアクティブマトリクス基板においては、図３に示すように画素電極１１１がソース配線１０８の上に間に絶縁膜１１０を介して設けられ、ソース配線１０８の下には間に絶縁膜１０４を介して寄生容量用の金属膜１０３が形成されている。また、ソース配線１０８がその幅方向端部を画素電極１１１と重畳させることなく、隣合う画素電極１１１の間の部分と対向させて設けられていると共に金属膜１０３がソース配線１０８の一部分と重畳して設けられており、金属膜１０３が前記幅方向における両端部を、ソース配線１０８が対向する該部分の両側にある画素電極１１１の端部と重畳させてある。
【００２４】このため、画素電極１１１とソース配線１０８との間での寄生容量の構成が、画素電極１１１と金属膜１０３による容量と、金属膜１０３とソース配線１０８による容量との直列構成となる。よって、画素電極１１１に及ぶ寄生容量を低減させることが可能となり、コントラストの向上を図れる。また、画素電極１１１とソース配線１０８が直接重ならないので、絶縁膜の欠陥により生じるリークを減少させることもできる。なお、金属膜１０３は、ソース半導体１０８の全長にわたり形成してもよい。」
「【図３
【図４】
【図８】
【図１０】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
と記載され、この引用文献３に記載された「金属膜１０３」は、「ソース配線１０８」（本願発明の「第３導電層」に相当）と重なって同じ方向に延びており、「ゲート配線１０２とゲート電極１０２ａ」（本願発明の「第２の導電層」に相当）と同じ導電膜からなるから、該「金属膜１０３」は、本願発明の「第５の導電層」に相当し、「前記第５の導電層は、第１の方向に延びて設けられ、」「前記第３の導電層は、前記第５の導電層と重なる領域を有し、」「前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、同一の導電膜からな」る構成に相当する構成を有するといえる。
　そして、該「金属膜１０３」は、「従来の構造では、図１０（図８のＤ−Ｄ’断面図）に示すように
画素電極４１１とソース配線４０７とが一部重畳している
　しかし、引用発明において、「画素電極４４」と「ソース配線８０」は重畳しているものではない（引用文献１の図４参照）から、引用発明に、上記引用文献３に記載された「金属膜１０３」の構成を採用する動機付けは存在しない。
　仮に、引用発明に上記「金属膜１０３」の構成を採用するとしても、トランジスタの具体的な積層構造が異なる、特に、引用発明では、「ソース電極６３」及び「ソース配線８０」は「ガラス基板４１」上に積層されていて、「ソース電極６３」と「ゲート電極６５」が側面で対向しているのに対して、引用文献３に記載された「ソース電極１０８ａ」及び「ソース配線１０８」は「ガラス基板１０１」上の「絶縁膜１０４」上に積層されていて、「ソース電極１０８ａ」と「ゲート電極１０２ａ」が側面で対向していない点で異なるから、引用発明の「ソース配線８０」の下に「金属膜１０３」を挿入するとしても、具体的にどのような積層構造とするのか、「金属膜１０３」を（平面的に）どこに配置するのか、また、その際、引用発明で主要な構成である「空隙部７１」はどのように構成されるのか等、採用にあたっての具体的な設計について、引用文献３には、その開示も示唆もないから、本願発明の上記相違点イに係る、「前記空洞は、前記第２の導電層の側面及び前記第５の導電層の側面に接して形成され、」「前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、前記空洞を間に挟んで、分離して設けられ、」「前記第５の導電層全体は、前記第３の導電層と重なる」構成が、引用発明と引用文献３に記載された「金属膜１０３」の構成から、当業者が容易に想到し得るものとすることはできない。
　また、引用文献２には、本願発明の上記相違点イに係る構成の開示も示唆もないことは明らかであり、他に、本願発明の上記相違点イに係る構成が公知であることを示す証拠もない。
　すると、上記相違点イは、引用発明に、引用文献２〜３に記載された事項を採用することにより当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
（４）小括
　したがって、本願発明は、少なくとも、上記相違点イにおいて、当業者が引用発明、引用文献２〜３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　請求項１は、「表示装置」という物の発明であるが、「前記第２の導電層と、前記第５の導電層とは、同一の導電膜をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり、」との記載は、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえ、さらに、不可能・非実際的事情があるとは認められないから、請求項１に係る発明は明確でない。 
２　当審拒絶理由の判断
　平成２８年６月２２日付けの手続補正により、「をエッチング加工する工程を経て形成されたものであり」が「からなり」に補正された。
　これにより、請求項１に係る発明は明確となった。
　よって、当審拒絶理由は解消した。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。