【事件の表示】
　特願２０１１−１１７０４１「有機感光性光電子装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月２２日出願公開、特開２０１１−１８７９８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、１９９９年８月１８日（パリ条約による優先権主張　１９９８年８月１９日　米国）を国際出願日とする特願２０００−５６６８９６号の一部を平成２３年５月２５日に新たな特許出願として出願された特願２０１１−１１７０４１号であって、平成２５年１２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し平成２６年４月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　その後、当審において平成２７年８月２５日付けで拒絶理由の通知をし、これに対して平成２８年２月２９日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされた。
　
第２　本願発明  
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２８年２月２９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「有機感光性光電子装置であって、
　１つの近位面および１つの遠位面を有している基板と、
　前記基板の前記近位面上に重畳された関係にある少なくとも２つの電極層であって、前記基板から最も遠い前記電極層が透明である、少なくとも２つの電極層と、
　少なくとも２つの電極層の間に配置される光電池ヘテロ接合を形成するように選択された２つの光導電性有機層であって、前記２つの光導電性有機層の１つが実質的に銅フタロシアニンからなり、前記２つの光導電性有機層の他方が実質的にペリレンテトラカルボキシル−二無水物からなる、２つの光導電性有機層と、
を含み、
　前記基板から最も遠い前記電極層が、ＩＴＯ層により覆われている半透明の金属層からなる金属／非金属合成電極であり、
　前記半透明の金属層は、１００オングストローム未満の厚さを有し、
　前記ＩＴＯ層は、約１０００オングストロームから約４０００オングストロームの厚さを有する、装置。」
　
第３　引用例
１　引用例１
　当審が通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１６７８７６号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。
　
「（産業上の利用分野）
　本発明は、有機材料により形成されるダイオード素子に関する。
（従来の技術）
　従来有機材料により半導体素子を形成する場合、従来の導電性材料の多くがｐ型半導体としての性質を有しており、ｐｎ接合型ダイオードやショットキーダイオードのｐ型半導体としての利用が検討されている（例えば、特開昭５９−６３７５９号公報、特開昭５９−６３７６０号公報、特開昭６１−２０７４３１号公報、特開昭６１−２０７４６１号公報）。ｐ型半導体として有機色素を用いたダイオード素子を作製する場合、色素の上にＩｎ，Ｇａ，Ａｌ，Ｇｅ等の仕事関数の小さな金属を積層することによってショットキー接合を形成する手段が取られていた。これらの金属膜は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ成長、めっきなどの方法により形成されるが、その際空気中の酸素により接合界面に酸化膜が形成され易く、結合が劣化して性能が低下するという問題があった。
　一方、有機材料をｎ型半導体として用いる場合、有機材料にｎ型ドーピングを施して用いられるが、このドーピングに使用されるドナー分子が他の層にまで拡散することがあり、整流性が経時的に劣化するという問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
　本発明は上記問題を解決するものであり、その目的とするところは、接合界面の結合性が低下することなく、整流性に優れ、ドーピング処理が不要な新しい構成材料を用いたダイオード素子を提供することにある。」（第１ページ左下欄第１０行〜右下欄末行）
　
「（実施例）
　反応容器内に酸化インジウムスズを蒸着した３ｃｍ×３ｃｍのガラス基板およびタングステンボードを設置して電極とした。容器内をｌ×１０−３Ｔｏｒｒ以下に減圧し、次いで、容器内の全圧が５×１０−３Ｔｏｒｒとなるように窒素ガスを供給した。タングステンボードに３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物を供給して３００℃に加熱するとともに、電極間に１３ｋＨｚ、１００Ｗの低周波を印加して１時間プラズマ重合を行った。
　このようにして作製した有機導電性薄膜の厚みは約３５０Å、電気伝導度は４０ｓ／ｃｍであった。またこの膜の仕事関数を光電子放出法により測定したところ、４．７５ｅＶであった。
　さらに容器内を１×１０−５Ｔｏｒｒに減圧し、この導電性薄膜上に、厚みが１０００Åの銅フタロシアニンの膜を蒸着により積層した。この蒸着膜上に、オーミックな端子として、さらに厚みが２００ÅのＡｕを蒸着した。
　このようにして作製されたダイオード素子における電流−電圧の関係を第１図に示す。±０．７Ｖにおける整流比は２×１０−２であった。
（発明の効果）
　本発明のダイオード素子は優れた整流特性を有し、性能は空気中において長期間放置しても変化が少ない。またこの素子は、有機半導体として可視光吸収性の色素を用いた場合には、光電変換素子としての機能を有し、太陽電池あるいはフォトトランジスタとして利用することができる。」（第２ページ左下欄下から第３行〜第３ページ左上欄第６行）
　
２　引用例１に記載された発明
　上記記載から、引用例１には、
「反応容器内に酸化インジウムスズを蒸着したガラス基板およびタングステンボードを設置して電極とし、タングステンボードに３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物を供給して３００℃に加熱するとともに、電極間に１３ｋＨｚ、１００Ｗの低周波を印加して１時間プラズマ重合を行い、この導電性薄膜上に、厚みが１０００Åの銅フタロシアニンの膜を蒸着により積層し、この蒸着膜上に、オーミックな端子として、さらに厚みが２００ÅのＡｕを蒸着して作製されたダイオード素子であって、光電変換素子としての機能を有し、太陽電池として利用することができる素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
第４　本願発明と引用発明の対比
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「タングステンボード」に「３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物」及び「銅フタロシアニンの膜」を積層し「太陽電池として利用することができる素子」が本願発明の「有機感光性光電子装置」に相当する。
　
　引用発明の「３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物」及び「銅フタロシアニンの膜」を「積層」し、さらに「Ａｕを蒸着」する「酸化インジウムスズを蒸着したガラス基板」は、本願発明の「１つの近位面および１つの遠位面を有している基板」に相当する。
　
　引用発明の「ガラス基板」に「蒸着」される「酸化インジウムスズ」及び「オーミックな端子として」「蒸着」される「厚みが２００ÅのＡｕ」が、本願発明の「前記基板の前記近位面上に重畳された関係にある少なくとも２つの電極層」に相当する。
　
　引用発明の「タングステンボード」に「供給」され「プラズマ重合」が行われる「３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物」及び「厚みが１０００Åの銅フタロシアニンの膜」が、本願発明の「少なくとも２つの電極層の間に配置される光電池ヘテロ接合を形成するように選択された２つの光導電性有機層であって、前記２つの光導電性有機層の１つが実質的に銅フタロシアニンからなり、前記２つの光導電性有機層の他方が実質的にペリレンテトラカルボキシル−二無水物からなる、２つの光導電性有機層」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「有機感光性光電子装置であって、
　１つの近位面および１つの遠位面を有している基板と、
　前記基板の前記近位面上に重畳された関係にある少なくとも２つの電極層と、
　少なくとも２つの電極層の間に配置される光電池ヘテロ接合を形成するように選択された２つの光導電性有機層であって、前記２つの光導電性有機層の１つが実質的に銅フタロシアニンからなり、前記２つの光導電性有機層の他方が実質的にペリレンテトラカルボキシル−二無水物からなる、２つの光導電性有機層と、
を含む装置。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
３　相違点
　「基板から最も遠い電極層」が、本願発明においては、「ＩＴＯ層により覆われている半透明の金属層からなる金属／非金属合成電極であり、前記半透明の金属層は、１００オングストローム未満の厚さを有し、前記ＩＴＯ層は、約１０００オングストロームから約４０００オングストロームの厚さを有する」「透明」な電極層であるのに対して、引用発明においては「厚みが２００ÅのＡｕを蒸着して」設けられた電極層である点。
　
第５　当審の判断
１　相違点についての検討
　上記相違点について検討する
　有機光ダイオード装置において、電極として、薄膜の金属電極を用いることも、金属／非金属電極を用いることも周知の技術であり、特に金属／非金属電極としてＩＴＯ／金属層を用いることも周知の技術である。（例えば、特表平１０−５０３８７８号公報（第２９ページ第１８〜２０行及び第２Ｂ図等の記載参照）
　すなわち、引用発明のような太陽電池の基板から最も遠い電極層として、金属層を用いるか、上記周知のＩＴＯ／金属層を用いるかは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る事項であり、引用発明において「Ａｕ」の電極層に換えて、上記周知のＩＴＯ／金属層を採用することに格別の困難性は認められない。
　そして、ＩＴＯ／金属層を採用した際に、ＩＴＯの層及び金属層の厚さをどの程度とするかは、当業者が適宜設定し得る設計的事項であるところ、上記の周知例として挙げた特表平１０−５０３８７８号公報の第３８ページ第１７〜２４行に
「ＥＴＬ層５８上に、例えば、好ましくは１０％Ａｇと９０％Ｍｇ層、又は低作用機能金属若しくは金属合金層からなるような半透明金属層６０Ｍを作成する。金属層６０Ｍの厚さは、１００オングストローム以下の薄いものである。・・・。更に前記金属層６０Ｍの上に、スパッタリング又は電子ビーム法を用いて、１０００〜４０００オングストローム厚のＩＴＯ接触層６０Ｉを積層する。」
と記載されていることからも認められるように、金属層厚を１００Å未満、ＩＴＯ層厚を１０００〜４０００Åとすることは、格別、特殊なことであるということはできない。そして、金属層厚が１００Å未満、ＩＴＯ層厚が１０００〜４０００Åの金属／非金属電極は、技術常識から透明な電極であるといえる。
　すなわち、引用発明に上記の周知技術を採用して上記相違点に係る本願発明の構成を得ることは当業者が容易になし得たことにすぎない。
　
２　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知の技術的事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
第６　結び 
　以上より、本願発明は、引用発明及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。