Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月6日(2020.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、前記上面の反対側に下面、前記本体の上面から下面に向かって凹んだリセスを含む本体と、
前記本体のリセスの下に発光ダイオードを有する発光モジュールと、
前記本体の上に入射面を有する入射部と、前記入射部から凸状に突出した曲面を有するレンズ部を含む光学レンズと、を含み、
前記入射部は、前記本体の上面及び前記リセスの上に配置され、
前記入射部は、前記本体の上面と垂直方向に重なった第１領域と、前記レンズ部の外側周りに沿って前記リセスの上部と垂直方向に重なった第２領域を含み、
前記第２領域は、前記第１領域と前記レンズ部と垂直方向にオーバーラップされた領域との間に配置され、
前記レンズ部は、前記リセスと垂直方向に重なり、
前記リセスの上部は、最大第１直径を有し、
前記レンズ部の下部は、最大第２直径を有し、
前記第２直径は、前記第１直径より小さく、
前記リセスの下部は、前記第２直径より小さい第３直径を有し、
前記本体は、前記リセスの下部と前記本体の底面が垂直に貫通する収納部と、前記リセスの周りに曲率を有する凹んだ側面を含み、
前記収納部の側壁は、前記リセスの側面から前記リセスの底部に延長された段差構造を有し、
前記収納部の幅は、前記第３直径と同一であり、
前記発光モジュールは、前記収納部内に配置され、
前記発光ダイオードの上面は、前記リセスの側面の下端を連結した水平な直線より低く配置され、
前記リセスの深さは、前記収納部の高さより大きく、
前記発光ダイオードは、紫外線波長の光を発光し、
前記発光モジュールは、前記収納部の底に配置された回路基板を含み、
前記発光ダイオードは、前記回路基板の上に配置され、前記回路基板と電気的に連結され、
前記回路基板の幅は、前記収納部の幅より小さく、
前記レンズ部は、非球面形状を含み、
前記入射部において、前記第２領域の下面面積は、前記第１領域の下面面積より小さい、光学モジュール。
【請求項２】
前記光学レンズの高さは、前記リセスの深さより小さく、
前記第１直径と前記第２直径の比率は、１：０.８１〜１：０.９１の範囲を有し、
前記光学レンズの入射部は、フラットな入射面を有し、
前記光学レンズから出射した光の指向角は、１５度以下である、請求項１に記載の光学モジュール。
【請求項３】
前記収納部の底部の中心と前記レンズ部の中心は光軸上に整列し、
前記発光ダイオードから放出された第１光は、前記光軸を基準に第１入射角で前記レンズ部に直接入射して、前記レンズ部を通じて第１出射角で出射し、
前記発光ダイオードから放出された第２光は、光軸を基準に第２入射角で前記リセスの側面で反射され、前記レンズ部の外側に配置された前記入射部を通じて第２出射角で出射し、
前記第１入射角は、光軸を基準に３５度以下であり、
前記第２入射角は、光軸を基準に３５度以上であり、
前記第１、２出射角は、光軸または垂直な軸を基準に１５度以下であり、
前記第１入射角と前記第１出射角の比率は１.７以下であり、
前記第２入射角と前記第２出射角の比率は０.３７５以下である、請求項１または２に記載の光学モジュール。
【請求項４】
前記本体は、セラミック材質またはアルミニウム材質を含み、
前記リセスは、上方から見た形状が円形状を有し、
前記リセスの直径は、前記発光ダイオードに隣接するほど漸減し、
前記リセスの曲面は、曲率半径が１.５mm以下であり、
前記入射部の下面は、平坦な水平面を含み、
前記入射部の下面面積は、前記リセスの上面面積より大きく、
前記第２直径は、前記第１直径より小さく、前記第１直径の８０％以上である、請求項１から３のいずれかに記載の光学モジュール。
【請求項５】
上面、前記上面の反対側に下面、前記本体の上面から下面に向かって凹んだリセスを含む本体と、
前記収納部の底部に回路基板及び前記回路基板の上に発光ダイオードを有する発光モジュールと、
前記本体の上に入射面を有する入射部と、前記入射部から凸状に突出した曲面を有するレンズ部を含む光学レンズと、を含み、
前記入射部は、前記本体の上面及び前記リセスの上に配置され、
前記レンズ部は、前記リセスと垂直方向に重なり、
前記リセスの上部は、最大第１直径を有し、
前記レンズ部の下部は、最大第２直径を有し、
前記第２直径は、前記第１直径より小さく、
前記リセスの下部は、前記第２直径より小さい第３直径を有し、
前記収納部の幅は、前記第３直径と同一であり、
前記収納部は、前記リセスの下部と前記本体の底面が垂直に貫通し、
前記リセスは、周りに曲率を有する凹んだ側面を含み、
前記収納部の側壁は、前記リセスの側面の下端から前記本体の底部に向かって垂直に延長され、
前記発光モジュールは、前記収納部内に配置され、
前記発光ダイオードの上面は、前記リセスの側面の下端を連結した水平な直線より低く配置され、
前記リセスの深さは、前記収納部の高さより大きく、
前記収納部の高さは、前記発光モジュールの厚さより大きく、
前記発光ダイオードは１００nm〜４００nmの範囲の波長を発光し、
前記入射部の厚さは、前記光学レンズの厚さの３０％以下であり、
前記入射部は、前記本体の上面と垂直方向に重なった第１領域と、前記レンズ部の外側周りに沿って前記リセスの上部と垂直方向に重なった第２領域を含み、
前記第２直径は、前記第１直径より小さく、前記第１直径の８０％以上であり、
前記発光ダイオードの底部の中心と前記光学レンズのレンズ部の頂点は光軸上に整列し、
前記発光ダイオードの底部の中心と前記リセスの側面の上端を連結した直線は、前記光軸を基準に第１角度で配置され、
前記発光ダイオードの底部の中心と前記光学レンズのレンズ部の外縁の底点を連結した直線は、前記光軸を基準に第２角度で配置され、
前記第２角度は、前記第１角度より大きく配置され、
前記第２直径は、６mm未満であり、
前記第１直径と前記第２直径の比率は１：０.８１〜１：０.９１の範囲である、光学モジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月5日(2020.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部が開放されたリセスを有する胴体；
前記リセスに配置された複数の電極；および
前記リセスに配置され、前記複数の電極と電気的に連結された発光ダイオードを含み、
前記リセスは、傾斜した側面および底部を有し、
前記発光ダイオードは、前記リセスの底中心部の上に配置され、
前記リセスの側面は、発光ダイオードの光軸に対して第１角度に傾斜し、
前記発光ダイオードと前記リセスの側面の下段との間の最小距離の値と前記第１角度に対するタンジェント値の積が０．２１ないし０．４２の範囲を有し、
前記リセスの傾斜した側面は、前記発光ダイオードの側面と対面し、
前記胴体は、セラミック材質を含み、
前記胴体は、前記リセスの上部周りに前記胴体の上部より低い段差構造を有し、
前記発光ダイオードは、紫外線波長の光を発光し、
前記リセス上に配置された光学フィルムを含み、
前記光学フィルムの周りは、前記段差構造に配置され、
前記発光ダイオードは、前記複数の電極のうちの少なくとも一つの上に配置され、
前記リセスの側面は、上部周りに正反射面を有する第１領域と、下部周りに前記リセスの底部と隣接した乱反射面を有する第２領域を含み、
前記第１領域は、前記発光ダイオードの上面高さ以上の位置に配置され、
前記第２領域は、前記発光ダイオードの側面と対面するように配置され、
前記発光ダイオードの各側面は、前記リセスの側面のうち少なくとも２側面と同じ間隔で配置される、発光素子。
【請求項２】
前記発光ダイオードと前記リセスの側面との間の最小距離は、０．３ｍｍないし１ｍｍの範囲を有し、
前記第１角度は、２０度ないし４０度の範囲を有し、
前記発光ダイオードから放出された光の光度は、中心光度が前記中心光度の周辺の±１５度または±３０度の光度より高く、
前記光学フィルムを経た前記発光ダイオードから放出された光の光度は、中心光度と前記中心光度の周辺の±１５度または±３０度の光度の比率が１以上である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記光学フィルムの外側周りを前記段差構造に接着させる接着物質を含み、
前記発光ダイオードは、２８０ｎｍ以下の波長を発光し、
前記第１領域の高さは、前記第２領域の高さより高く、
前記第１領域の面積は、前記第２領域の面積より大きく、
前記第１領域の下端地点は、前記発光ダイオードの上面高さと同一またはより高い高さに位置し、
前記第１領域は、銀金属が配置され、
前記第２領域は、前記胴体のセラミック材質が露出する、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記発光ダイオードから放出された光の中で前記第１領域の下段地点によって反射した光の第１出射角と前記第１領域の上段地点によって反射した光の第２出射角との差の絶対値は、１７度ないし２４度の範囲を有し、
前記第１出射角と前記第２出射角のうちいずれか一つは、２０度以上であり、
前記リセスの側面の第１および第２領域は、垂直な軸を基準として４５度ないし６８度の範囲の傾斜角度を有し、
前記リセスの深さと前記第１領域の高さの比率は、１：０．７ないし１：０．８の範囲を有し、
前記リセスの側面での第１領域と前記第２領域の高さの比率は、２．５：１ないし３．５：１の範囲を有する、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記胴体の下面に複数のパッドおよび前記胴体の内部に複数のビア電極を含み、
前記パッドおよび前記ビア電極は、前記発光ダイオードと電気的に連結され、
前記胴体の厚さは１ｍｍないし２ｍｍの範囲であり、
前記リセスの深さは、前記発光ダイオードと前記光学フィルムの厚さの和より大きく配置され、
前記リセスは、前記段差構造より内側に配置され、
前記リセスの深さは、前記段差構造の深さを除いた深さであり、２ｍｍ±０．３ｍｍまたは１．２ｍｍ±０．２ｍｍであり、
前記発光ダイオードの各側面は、前記リセスの側面と等間隔で配置される、請求項１ないし請求項４のうちいずれか一項に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月15日(2020.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラマブル出力周波数を有する発振器回路であって、
出力信号を出力するように構成された回路出力と、
入力端および出力端を有する第１の遅延セクションと、前記第１の遅延セクションは、前記入力端と前記出力端との間の負の利得を有し、前記第１の遅延セクションは、前記第１の遅延セクションに供給される制御信号によって設定される可変遅延を供給するように構成される、
前記第１の遅延セクションと前記回路出力との間に直列に電気的に接続された第２の遅延セクションと、前記第２の遅延セクションは、入力端および出力端を有し、前記第２の遅延セクションは、前記入力端と前記出力端との間の負の利得を有し、前記第２の遅延セクションは、固定遅延を供給するように構成され、ここにおいて、前記第２の遅延セクションは、固定値抵抗成分および固定値容量成分を備えるＲＣネットワークを備え、前記固定値容量成分の少なくとも１つのノードは、前記発振器回路の電源電圧より上、および、接地電位より下にスイングするように構成される、
を備え、
前記出力信号は、前記第１の遅延セクションによる前記遅延および前記第２の遅延セクションによる前記遅延の関数である周波数を有する、
回路。
【請求項２】
前記第１の遅延セクションは、抵抗器および可変キャパシタを備える第１のＲＣネットワークと、前記第１のＲＣネットワークと直列に接続され、かつ、抵抗器および可変キャパシタを備える第２のＲＣネットワークとを備え、前記第１の遅延セクションの遅延は、前記第１のＲＣネットワークおよび前記第２のＲＣネットワークの前記可変キャパシタの容量に基づいて決定される、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記制御信号は、前記第１のＲＣネットワークの前記可変キャパシタの前記容量を設定するように構成され、追加の制御信号は、前記第２のＲＣネットワークの前記可変キャパシタの前記容量を設定するように構成される、請求項２に記載の回路。
【請求項４】
前記第１の遅延セクションは、抵抗器および可変キャパシタを備えるＲＣネットワークを備え、前記第１の遅延セクションに供給される前記制御信号は、前記第１のＲＣネットワークの前記可変キャパシタの容量を設定するように構成され、前記第１の遅延セクションの遅延は、前記可変キャパシタの前記容量に基づいて決定される、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記第１の遅延セクションは、複数のスイッチドキャパシタを備え、前記制御信号は、前記複数のスイッチドキャパシタの各々をＯＮ状態またはＯＦＦ状態に選択的に設定するように構成される、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
スイッチドキャパシタが前記ＯＮ状態にあるとき、前記スイッチドキャパシタは、ノードをＤＣ電圧に電気的に接続させる、請求項５に記載の回路。
【請求項７】
スイッチドキャパシタが前記ＯＮ状態にあるとき、前記スイッチドキャパシタは、ノードを接地電位に電気的に接続させる、請求項５に記載の回路。
【請求項８】
前記制御信号は、ｎビットワードである、請求項５に記載の回路。
【請求項９】
前記第１の遅延セクションは、フィードバックループにおいて前記第２の遅延セクションを介して前記回路出力に電気的に接続される、請求項１に記載の回路。
【請求項１０】
発振器回路であって、
出力信号を出力するように構成された回路出力と、
入力端および出力端を有する第１の遅延セクションと、前記第１の遅延セクションは、前記入力端と前記出力端との間の負の利得を有し、前記第１の遅延セクションは、抵抗器および可変キャパシタを備える第１のＲＣネットワークと、前記第１のＲＣネットワークと直列に接続されたインバータと、前記インバータの出力において直列に接続され、かつ、抵抗器および可変キャパシタを備える第２のＲＣネットワークとを備える、
前記第１の遅延セクションの遅延を設定するために、前記第１のＲＣネットワークの少なくとも前記可変キャパシタに供給される少なくとも１つの制御信号と、
前記第１の遅延セクションと前記回路出力との間に直列に電気的に接続された第２の遅延セクションと、前記第２の遅延セクションは、入力端および出力端を有し、第２の遅延セクションは、前記入力端と前記出力端との間の負の利得を有し、前記第２の遅延セクションは、固定遅延を有し、ここにおいて、前記第２の遅延セクションは、固定値抵抗成分および固定値容量成分を備えるＲＣネットワークを備え、前記固定値容量成分の少なくとも１つのノードは、前記発振器回路の電源電圧より上、および、接地電位より下にスイングするように構成される、
を備え、
前記出力信号は、前記第１の遅延セクションによる前記遅延および前記第２の遅延セクションによる前記遅延の関数である周波数を有し、前記回路出力は、前記第２の遅延セクションの前記出力端を備える、
回路。
【請求項１１】
前記制御信号は、前記第１のＲＣネットワーク中の前記可変キャパシタに供給され、前記回路は、前記第２のＲＣネットワーク中の前記可変キャパシタに供給される追加の制御信号をさらに備える、請求項１０に記載の回路。
【請求項１２】
前記第１の遅延セクションは、前記第２のＲＣネットワークと直列に接続され、かつ、抵抗器および可変キャパシタを備える少なくとも第３のＲＣネットワークをさらに備える、請求項１０に記載の回路。
【請求項１３】
発振器回路であって、
第１のインバータ段と、
前記第１のインバータ段の出力に電気的に接続された入力を有する第２のインバータ段と、前記第２のインバータ段は、前記発振器回路の出力信号のための出力を有する、
容量素子に接続された抵抗素子を備える固定遅延段と、前記固定遅延段は、前記第２のインバータ段の前記入力と前記出力との間に電気的に接続され、ここにおいて、前記固定遅延段の前記容量素子の少なくとも１つのノードは、前記発振器回路の電源電圧より上、および、接地電位より下にスイングするように構成される、
少なくとも１つの可変遅延段に供給される制御信号によって設定される遅延を有する前記少なくとも１つの可変遅延段と、前記少なくとも１つの可変遅延段は、前記抵抗素子および前記容量素子を接続する前記固定遅延段におけるノードと、前記第１のインバータ段の入力との間に電気的に接続される、
を備え、
前記出力信号の周波数は、前記少なくとも１つの可変遅延段の遅延に依存する、
回路。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの可変遅延段と直列に接続され、かつ、少なくとも１つの追加の可変遅延段に供給される制御信号に依存する遅延を有する前記少なくとも１つの追加の可変遅延段をさらに備える、請求項１３に記載の回路。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの可変遅延段は、抵抗器および可変キャパシタを備え、前記少なくとも１つの可変遅延段に供給される前記制御信号は、前記可変キャパシタの容量を設定し、前記少なくとも１つの可変遅延段の前記遅延は、前記可変キャパシタの前記容量に依存する、請求項１３に記載の回路。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月20日(2020.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
第１のユーザを含む複数のユーザのＩｏＴデバイスと関連付けられたデータを記憶するための安全な記憶装置を含むＩｏＴサービスと、
前記インターネットを介して前記ＩｏＴサービスに接続しようと試みる複数のＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブであって、該複数のＩｏＴデバイスが、前記第１のユーザの第１のＩｏＴデバイス及び第２のＩｏＴデバイスを含む、ＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブと、
モノのインターネット（ＩｏＴ）ハブであって、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ  Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ（ＢＴＬＥ）通信プロトコルを使用する、１つ以上の前記ＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブと第１のローカル無線接続を確立するためのＢＴＬＥインタフェースを含む第１のローカル無線通信インタフェースと、
１つ以上の前記ＩｏＴデバイス、ＩｏＴエクステンダハブ又は他のＷｉＦｉデバイスとのＷｉＦｉ接続を確立するためのＷｉＦｉ通信インタフェースであって、新しいＩｏＴデバイスにおいて、予めプログラムされた非表示サービスセット識別子（ＳＳＩＤ）と一致するＳＳＩＤとともに予めプログラムされている、ＷｉＦｉ通信インタフェースと、
前記ＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブのすべて又はサブセットの代わりに前記インターネットを介してネットワーク接続を確立するネットワークルータと、
前記ＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブから接続要求を受信し、前記ＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブが適切な認証を使用するとき、前記接続要求を認める認証モジュールであって、前記ＷｉＦｉ通信インタフェースに接続する前記ＩｏＴデバイス又はＩｏＴエクステンダハブのための指定されたパスコードを含む、認証モジュールと、及び、
認証されたホスト名で指定された前記ＩｏＴサービスのサーバ宛ての要求以外のすべての入／出接続要求をブロックする前記ＩｏＴのファイアウォールであって、前記承認されたホスト名を含むように前記ＩｏＴサービスによって遠隔的に更新可能なホワイトリストを含み、前記ＩｏＴサービスは、前記ＩｏＴサービスに新しいホスト名を有する新しいサーバが追加されたとき、前記ホワイトリストを自動的に更新するようになっているファイアウォールと、を含むモノのインターネット（ＩｏＴ）ハブと、を備え、
前記第１のＩｏＴデバイス又はＩｏＴアプリケーション（ＩｏＴ  ａｐｐ）は前記ＩｏＴサービスとの安全な通信チャネルを確立するように前記第１のユーザのモバイルデバイスにインストールされ、前記ＩｏＴハブの前記ＷｉＦｉ通信インタフェースに関連付けられ、第１のＷｉＦｉパスコードを前記ＩｏＴサービスに安全に送信するようになっており、この場合、前記第１のＷｉＦｉパスコードは前記ＷｉＦｉ通信インタフェースに安全に接続するように使用可能になっており、
前記第１のユーザの前記新しいＩｏＴデバイスは、前記第１のユーザの前記モバイルデバイスにインストールされた前記ＩｏＴハブ又は前記ＩｏＴ  ａｐｐを介して前記ＩｏＴサービスに登録する要求を送信するようになっており、この場合、前記ＩｏＴサービスは、前記新しいＩｏＴデバイスを前記第１のユーザのアカウントに関連付けており、前記第１のＷｉＦｉパスコードを前記新しいＩｏＴデバイスに送信するようになっており、そして、
前記新しいＩｏＴデバイスは前記第１のパスコードを使用し、予めプログラムされたＳＳＩＤは前記第１のユーザのＷｉＦｉネットワーク上での安全な接続を確立するようになっている、システム。
【請求項２】
前記認証モジュールが、既知の媒体アクセス制御（ＭＡＣ）アドレスを有するＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブからの接続要求以外の接続要求を拒否するように更に構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＷｉＦｉインタフェースが、８０２．１１ａｃインタフェースを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記認証モジュールが、第１のパスコードを用いて予め構成されており、前記認証モジュールは、前記予め構成された第１のパスコードを使用するこれらのＩｏＴデバイス及び／又はＩｏＴエクステンダハブに対する前記接続要求を認める、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のユーザの第２のＩｏＴデバイスはＢｌｕｅｔｏｏｔｈ  Ｌｏｗ  Ｅｎｅｒｇｙ（ＢＴＬＥ）接続を用いて前記モバイルデバイスにインストールされる前記前記ＩｏＴハブ又は前記ＩｏＴ  ａｐｐと接続されるようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記安全な記憶装置は、異なるユーザのためのＷｉＦｉネットワークのためのＷｉＦｉパスコードを安全に記憶するように前記ＩｏＴサービスに維持される安全なデータベースであって、前記第１のＷｉＦｉパスコード、前記ＩｏＴデバイスから前記ＷｉＦｉパスコードを受け取るためのＩｏＴクラウドサービス、ユーザのモバイルデバイス又はＩｏＴハブを含む安全なデータベースを含んでおり、前記ＩｏＴクラウドサービスは前記安全なデータベースに前記ＷｉＦｉパスコードを安全に記憶するようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１のパスコードは、前記ＩｏＴサービスが前記第１のＷｉＦｉパスコードにアクセスすることを防止するように前記ＩｏＴサービスに知られていない第１のシークレットを用いて暗号化されるようになっている、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ＩｏＴハブ、前記第１のユーザの前記モバイルデバイス上の第１のＩｏＴデバイス又はＩｏＴ  ａｐｐ上の資格情報管理モジュールをさらに含み、前記ＩｏＴサービス上の資格情報管理モジュールへの安全な接続を確立するように前記第１のＷｉＦｉパスコードを前記ＩｏＴクラウドサービスに与えるようになっている、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記ホワイトリストは、それぞれのＩｏＴデバイス、ＩｏＴエクステンダハブ及び／又はＩｏＴハブを一意的に識別する識別データをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記識別データは、媒体アクセス制御（ＭＡＣ）アドレスを含む、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月9日(2019.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁に電子装置を回動可能に取り付けるためのシステムであって、
一対の接触パッドを有する電源コネクタディスクと、
中央開口部と、少なくとも１つの取付孔と、少なくとも１つの突出した回転抑制タブとを有し、前記壁に取り付けられるように構成された壁側プレートと、
周縁部から上向き方向に延伸する少なくとも１つの取付用ツノ部と、少なくとも１つの内側に突出する回転タブを有する円形の中央開口部とを有し、前記壁側プレートと同軸係合するように構成された回転体プレートと、
円形内縁部によって画定される円形の中央開口部と、前記円形内縁部に沿って前記中央開口部の内部に延伸する少なくとも１つのストリップとを有し、前記回転体プレートおよび前記壁側プレートと同軸係合するように構成された正面プレートであって、前記壁側プレートと前記正面プレートとの間で前記回転体プレートを囲むように前記壁側プレートに固定される正面プレートと、
前記一対の接触パッドと接触する位置に設けられた一対の電源接触点と、前記取付用ツノ部を受け入れる大きさの少なくとも１つのツノ部用スロットと、前記少なくとも１つのストリップを受け入れる大きさの少なくとも１つのフラップとを有し、前記電子装置に取り付けられるように構成された背面カバーとを備え、
前記ストリップは、第１の位置において前記フラップ内に入るように配置され、前記ストリップは、第２の位置において前記フラップから外れるように配置され、
前記壁側プレートおよび前記正面プレートに対する前記回転体プレートの回転は、前記少なくとも１つの回転抑制タブと前記少なくとも１つの回転タブとの相互作用により規定される、
システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つのツノ部用スロットは、前記電子装置が垂直位置にあるとき、前記少なくとも１つの取付用ツノ部を下方から受け入れる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の位置は水平位置であり、前記第２の位置は垂直位置である、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記壁側プレート、前記回転体プレートおよび前記正面プレートの厚さは、合わせて約８ミリメートルである、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記壁側プレート、前記回転体プレートおよび前記正面プレートの厚さは、合わせて約７．８ミリメートルを超えない、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記正面プレートは、前記壁側プレートにある前記少なくとも１つの取付孔と対応関係にある少なくとも１つの取付孔をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記正面プレートにある前記少なくとも１つのストリップは、刃状部を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記壁側プレートは、電源ケーブル用のチャネルをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記接触パッドは、弧状のものである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記接触パッドは、電源に取り外し可能に取り付けられたコネクタに接続される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記接触パッドは、前記回転中、前記電源接触点に継続的に電力を提供する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記壁側プレートは、ねじで前記壁に取り付けられるように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記壁側プレートは、両面接着テープで前記壁に取り付けられるように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記電子装置は、前記壁から２．５ｍｍ以下の位置に取り付けられる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
壁に電子装置を回動可能に取り付けるための方法であって、
一対の接触パッドを有する電源コネクタディスクを設けるステップと、
中央開口部と、少なくとも１つの取付孔と、少なくとも１つの突出した回転抑制タブとを有し、前記壁に取り付けられるように構成された壁側プレートを設けるステップと、
周縁部から上向き方向に延伸する少なくとも１つの取付用ツノ部と、少なくとも１つの内側に突出する回転タブを有する円形の中央開口部とを有し、前記壁側プレートと同軸係合するように構成された回転体プレートを設けるステップと、
円形内縁部によって画定される円形の中央開口部と、前記円形内縁部に沿って前記中央開口部の内部に延伸する少なくとも１つのストリップとを有し、前記壁側プレートおよび前記回転体プレートと同軸係合するように構成された正面プレートであって、前記壁側プレートと前記正面プレートとの間で前記回転体プレートを囲むように前記壁側プレートに固定される正面プレートを設けるステップと、
前記一対の接触パッドと接触する一対の電源接触点と、前記少なくとも１つの取付用ツノ部を受け入れる大きさの少なくとも１つのツノ部用スロットと、前記少なくとも１つのストリップを受け入れる大きさの少なくとも１つのフラップとを有し、前記電子装置に取り付けられるように構成された背面カバーとを設けるステップと、
前記壁側プレート、前記回転体プレートおよび前記正面を壁に取り付けるステップと、
前記回転体プレートの上方に前記表示装置に接続された前記背面カバーを位置づけ、前記少なくとも１つのツノ部用スロットが前記少なくとも１つの取付用ツノ部の上部に置かれるように、前記表示装置に接続された前記背面カバーを前記回転体プレートの方へ下げるステップとを含み、
前記ストリップは、第１の位置において前記フラップ内に入るように配置され、前記ストリップは、前記装置が第２の位置にあるとき、前記フラップから外れるように配置され、
前記壁側プレートおよび前記正面プレートに対する前記回転体プレートの回転は、前記少なくとも１つの回転抑制タブと前記少なくとも１つの回転タブとの相互作用により規定される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月11日(2020.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導タイプの、および「係数１」モードで機能する、すなわち、様々な主なタイプの金属に対してその検出距離Ｓｎにおいて非常に小さな変動を有する、近接または存在センサデバイス（１）であって、
一方では、連続および反復検出フェーズを規定する励起パルス発生器（３）によって供給または充電されるＬＣ共振回路（２）と、他方では、特にサンプリング手段（４）およびアナログ／デジタル変換回路（６）を備えた、各検出フェーズの間、前記ＬＣ検出回路（２）によって供給される自由振動の形の応答信号の取得および処理のための手段（４、５、６、１２）の動作チェーンと、最後に、処理された信号の少なくとも１つの時間ロック値を特に比較により評価し、情報あるいは論理的検出または非検出信号を提供するための評価手段（７、８）の機能組立品とを本質的に備え、前記デバイス（１）の機能を制御するためのマイクロコントローラタイプの管理および制御ユニット（９）も備える前記センサデバイス（１）において、
取得および処理手段が、一方では、サンプリングされた応答信号を、その取得の後およびそのデジタル変換の前にフィルタリングおよび／または増幅するためのアナログ手段（５；１２、１３）と、他方では、ＬＣ共振回路（２）とＡ／Ｄ変換回路（６）の上流に配置された動作チェーンの取得および処理のための手段（４、５、１１、１２、１３）とを備えるセンサデバイス（１）の少なくとも一部分の温度に関する情報を提供する温度センサ（１０’）に関連したまたは温度センサ（１０’）を備えた、サンプリングされた信号をデジタル変換の後に補正することによって応答信号の温度における偏差を補償するための手段（１０）とを備えることを特徴とする、センサデバイス（１）。
【請求項２】
動作チェーンが、サンプリング手段（４）に続いてサンプラブロッカの形で、差動増幅器（５）の入力において提示された信号の連続成分を減算するための手段（５’）に関連した、差動増幅器の形の増幅手段（５）を備えることを特徴とする、請求項１に記載のセンサデバイス。
【請求項３】
動作チェーンが、サンプリング手段（４）に続いて、および変換回路（６）の上流に、ならびに潜在的に可能な増幅手段（５）の前に、アナログフィルタリング回路（１２）を、好ましくは直列抵抗器（１２’）と並列コンデンサ（１２”）とを備えたＲＣ低域通過フィルタの形で備えることを特徴とする、請求項１または２に記載のセンサデバイス。
【請求項４】
ＬＣ検出回路（２）の下流に、およびサンプリング手段（４）の上流に、前記ＬＣ回路（２）を選択的に放電するためのスイッチング手段（１１）も備えることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のセンサデバイス。
【請求項５】
動作チェーンが、ＬＣ検出回路（２）の上流に、およびサンプリング手段（４）の上流に、アナログフィルタリング回路（１３）を、好ましくは直列抵抗器（１３’）と並列コンデンサ（１３”）とを備えたＲＣ低域通過フィルタの形で備えることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載のセンサデバイス。
【請求項６】
温度の偏差を補償するための手段（１０）が、一方では、温度センサ（５’）によって測定された値を使用し、他方では、結果として検出信号上の温度の影響に関係した事前の実験評価となる格納された情報であって、例えば、推定補償機能または相関表からなる前記格納された情報を使用する、マイクロコントローラ（９）によって各検出フェーズにおいて実行される論理的タスクからなることを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載のセンサデバイス。
【請求項７】
ブロッカサンプラ（４）を制御するためにマイクロコントローラ（９）によって使用され、「係数１」ポイントに対応する時間設定の値が、所望の検出距離（Ｓｎ）において配置されたそれぞれの鉄およびアルミニウムターゲットによって供給される応答信号をサンプリングすることによって実験的に決定される一対の［振幅の値、励起パルスの終了の後の時間遅延］からなり、前記応答信号が、使用の準備が整ったセンサデバイス（１）によって読み取られることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載のセンサデバイス。
【請求項８】
選択された「係数１」ポイントが、鉄およびアルミニウムターゲットの、正弦波平滑疑似発振の形での応答信号の２つの曲線の、第３の周期の正の交番の下降フェーズにおいて、２つの曲線の交点に対応することを特徴とする、請求項７に記載のセンサデバイス。
【請求項９】
鉄ターゲットおよびアルミニウムターゲットを所望の検出距離（Ｓｎ）において連続的に配置するステップと、センサデバイス（１）のＬＣ検出回路（２）によって供給される正弦波応答信号の複数のサンプル、好ましくは少なくとも１０のサンプルを、前記回路のパルス励起の後に、有利には、前記２つの信号の第３の周期の第１の交番の下降フェーズの間に取得するステップと、「係数１」ポイントに対応する２つの応答信号の代表曲線の交点ポイントの座標（振幅、時間）を比較および可能な補間によって決定するステップとからなることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載のセンサデバイスを較正するための方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
実施例１
１ミクロン〜５０ミクロンの平均ドメインサイズを有する磁性粉末１００重量部と、１ミクロン〜５０ミクロンの平均ドメインサイズを有するアルミン酸酸化ストロンチウム７０重量部〜１００重量部とを乾燥粉末混合物として混合し、１５０重量部の水中でスラリー化する。ポリアミド６を１０重量部で添加する。溶剤のｍ−クレゾールを４０重量部で添加して、そのポリアミドを溶解させる。水性スラリーを、ｍ−クレゾール中に溶解させたポリアミドとコロイドミル中で合して、約３０分間にわたり混合する。そのコロイドミルの内容物をフィルタープレス中に排出して、濾過ケークが得られる。該濾過ケークを、水と一緒に１ミクロン〜３０ミクロンの平均粒径にまでボールミルで粉砕し、５０ミクロンより大きい粒子を篩別により分離してから、炉内乾燥する。入射ＵＶ光刺激なく画像形成する非破壊試験に適した粒子の分散体が得られる。
本発明に関連する発明の実施態様の一部を以下に示す。
［態様１］
粒子の分散体であって、前記粒子のそれぞれが、
少なくとも１つの強磁性ドメインと、
刺激波長、少なくとも５秒間の残光、及び可視波長発光を有する少なくとも１つの燐光体ドメインと、
前記刺激波長及び前記可視波長発光を透過するポリマー樹脂と、
を含み、前記ポリマー樹脂は、前記少なくとも１つの強磁性ドメイン及び前記少なくとも１つの燐光体ドメインを被覆しており、かつ粒径を定める、粒子の分散体。
［態様２］
前記ポリマー樹脂は、ポリアミドである、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様３］
前記ポリマー樹脂は、メラミンである、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様４］
前記ポリマー樹脂は、ラテックスである、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様５］
前記ポリマー樹脂は、アクリル又はメタクリル樹脂である、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様６］
前記ポリマー樹脂は、ポリビニル樹脂である、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様７］
前記ポリマー樹脂は、エポキシ樹脂である、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様８］
前記ポリマー樹脂は、ＵＶ硬化するように適合されている、態様１〜７のいずれか一つに記載の粒子の分散体。
［態様９］
前記少なくとも１つの強磁性ドメインは、γ−Ｆｅ２Ｏ３を含む、態様１〜７のいずれか一つに記載の粒子の分散体。
［態様１０］
前記少なくとも１つの強磁性ドメインは、式Ｆｅ３Ｏ４を有するマグネタイトを含む、態様１〜７のいずれか一つに記載の粒子の分散体。
［態様１１］
前記少なくとも１つの燐光体ドメインは、アニオンとの塩として存在する金属及び活性化剤ドーパントを含む、態様１に記載の粒子の分散体。
［態様１２］
前記アニオンは、前記金属の酸化物アニオン、窒化物アニオン、酸窒化物アニオン、硫化物アニオン、セレン化物アニオン、ハロゲン化物アニオン、又はケイ酸アニオンである、態様１１に記載の粒子の分散体。
［態様１３］
前記金属は、亜鉛、カドミウム、マンガン、アルミニウム、ケイ素、希土類金属、又はそれらの組み合わせである、態様１１に記載の粒子の分散体。
［態様１４］
前記活性化剤ドーパントは、銅、マンガン、希土類、又はそれらの組み合わせであるが、但し、前記活性化剤ドーパントは、前記金属と同じではない、態様１１に記載の粒子の分散体。
［態様１５］
前記粒径は、１ミクロン〜２００ミクロンである、態様１〜７のいずれか一つに記載の粒子の分散体。
［態様１６］
前記粒径は、４０ミクロン〜１２０ミクロンである、態様１〜７のいずれか一つに記載の粒子の分散体。
［態様１７］
蛍光性材料を更に含む、態様１〜７のいずれか一つに記載の粒子の分散体。
［態様１８］
試験品を非破壊検査する方法であって、
態様１に記載の粒子の分散体を前記試験品の表面に適用することと、
前記試験品の周りに磁界を誘導することと、
前記試験品の表面を、前記粒子の分散体の燐光を刺激するように適合された入射エネルギーに曝露することと、
次に、前記表面への入射エネルギー曝露を停止することと、
次に、前記入射エネルギー曝露のない状態で、前記試験品の表面上の粒子の分散体の位置を画像形成して、前記試験品を非破壊検査することと、
を含む、方法。
［態様１９］
前記画像形成は、暗所で行われる、態様１８に記載の方法。
［態様２０］
前記画像形成は、可視光下で行われる、態様１８に記載の方法。
［態様２１］
前記入射エネルギー源は、紫外光である、態様１８に記載の方法。
［態様２２］
前記入射エネルギー源は、電子線源である、態様１８に記載の方法。
［態様２３］
前記入射エネルギー源は可視光であり、かつ前記画像形成は暗所で行われる、態様１８に記載の方法。
［態様２４］
前記適用は、乾式で溶剤なしで行われ、かつ前記粒子の分散体は４０ミクロン〜１２０ミクロンの平均粒径を有する、態様１８に記載の方法。
［態様２５］
前記適用は、溶剤を用いて噴霧として行われ、かつ前記粒子の分散体は１ミクロン〜６０ミクロンの平均粒径を有する、態様１８に記載の方法。
［態様２６］
試験品を非破壊検査するための検査システムであって、
態様１に記載の粒子の分散体を収容する容積部を有するタンクと、
前記粒子の分散体を前記タンクから前記試験品の表面上に移送するための、前記容積部と流体連通している適用装置と、
前記試験品を磁化するための誘導コイルと、
前記粒子の分散体の燐光を刺激するためのエネルギー源と、
前記粒子の分散体が検査領域において前記エネルギー源により刺激されないように前記エネルギー源から離れている検査領域と、
を備える、検査システム。
［態様２７］
前記エネルギー源は、レーザーである、態様２６に記載の検査システム。
［態様２８］
前記エネルギー源は、前記タンクの容積部に入射する、態様２６に記載の検査システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子の分散体であって、前記粒子のそれぞれが、
１ミクロン〜５０ミクロンの平均ドメインサイズを有する少なくとも１つの強磁性ドメインと、
刺激波長、少なくとも５秒間の残光、及び可視波長発光を有する少なくとも１つの燐光体ドメインと、
前記刺激波長及び前記可視波長発光を透過するポリマー樹脂と、
を含み、前記ポリマー樹脂は、前記少なくとも１つの強磁性ドメイン及び前記少なくとも１つの燐光体ドメインを被覆しており、かつ粒径を定めており、前記ポリマー樹脂の被覆は、被覆の内部ドメインである前記少なくとも１つの強磁性ドメイン及び前記少なくとも１つの燐光体ドメインに固着している、粒子の分散体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月16日(2020.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリからの命令を実行するための少なくとも１つのプロセッサを含むコンピューティングデバイスによって行なわれる、コンピュータにより実現される方法であって、前記方法は、
コンピュータ制御サービス環境における構成モジュールにおいて、通信ネットワークを介して、保護ドメイン環境の遠隔コンピュータ制御システムによって送信されたユーザインターフェースコマンドを受信するステップを含み、前記ユーザインターフェースコマンドは、前記保護ドメイン環境内の個人識別情報へのアクセスに対して課せられる制限を示す構成オプションを含み、
前記ユーザインターフェースコマンドの受信に応答して、前記構成モジュールを用いて、前記コンピュータ制御サービス環境内にデータレジデンシ保護コンポーネントを生成するステップを備え、前記データレジデンシ保護コンポーネントは、前記遠隔コンピュータ制御システムによって前記保護ドメイン環境内で実行されると、前記構成オプションにしたがって、
i）前記保護ドメイン環境の外部の前記個人識別情報への前記アクセスを制限を課すプロキシとして動作し、
ii）前記個人識別情報のための前記保護ドメイン環境から前記コンピュータ制御サービス環境へのデータ通信を監視し、
iii）前記個人識別情報を、当該個人識別情報を表現および保護するためのトークンデータで置換え、
iv）前記通信ネットワークを介して前記コンピュータ制御サービス環境へ前記トークンデータを送信する、ように構成されており、
前記方法は、さらに、
前記通信ネットワークを介して、前記コンピュータ制御サービス環境から前記保護ドメイン環境の前記遠隔コンピュータ制御システムに、実行可能なファイルとして前記データレジデンシ保護コンポーネントをダウンロードするステップと、
前記コンピュータ制御サービス環境にアクセス可能なデータレジデンシデータベースにおける前記データレジデンシ保護コンポーネントに対応するレコードを格納するステップとを備え、前記レコードは前記制限を識別し、
第２の構成オプションを含む第２のユーザインターフェイスコマンドをその後に受信したことに応答して、前記データレジデンシ保護コンポーネントの制限を無効にする第２のデータレジデンシ保護コンポーネントを生成することを避けるために、前記構成モジュールを用いて、前記データレジデンシデータベースのレコードを参照するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記データレジデンシ保護コンポーネントは、前記遠隔コンピュータ制御システムによって前記保護ドメイン環境内で実行されると、前記遠隔コンピュータ制御システムに、
前記コンピュータ制御サービス環境から前記保護ドメイン環境へのデータ通信において、前記個人識別情報を表現するトークンデータを監視させ、
前記トークンデータを、前記保護ドメイン環境内で前記個人識別情報に置換えさせる、ように構成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンピュータ制御サービス環境のサービスアプリケーション構成の変更に応答して、前記コンピュータ制御サービス環境の前記構成モジュールを用いて、前記コンピュータ制御サービス環境内の前記データレジデンシ保護コンポーネントを更新するステップと、
前記通信ネットワークを介して、更新された前記データレジデンシ保護コンポーネントを前記保護ドメイン環境にダウンロードするステップとをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記データレジデンシ保護コンポーネントはＪａｖａ実行可能コンポーネントを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記データレジデンシ保護コンポーネントは、ウェブベースプロトコルによって動作するように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記データレジデンシ保護コンポーネントは、メール転送プロトコルによって動作するように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記データレジデンシ保護コンポーネントは、ファイル転送プロトコルによって動作するように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記データレジデンシ保護コンポーネントは、前記保護ドメイン環境にダウンロードされたときに、前記保護ドメイン環境内の前記遠隔コンピュータ制御システム上に自動でインストールされるように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の方法をコンピュータに実行させる、プログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを格納したメモリと、
前記プログラムを実行するプロセッサとを備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月30日(2020.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ｉ）外径ｒ１、最大屈折率デルタパーセントΔ１ｍａｘ及び＞５のコアアルファを有する、コア；並びに
（ＩＩ）前記コアを取り囲むクラッド
を備える、単一モード光ファイバであって、
前記クラッドは：
（ｉ）外径ｒ２及び屈折率デルタパーセントΔ２を有し、Δ１ｍａｘ＞Δ２である、内側クラッド領域；
（ｉｉ）＞１０マイクロメートルの外径ｒ３及び屈折率デルタパーセントΔ３を有する、前記内側クラッド領域を取り囲むトレンチ領域；並びに
（ｉｉｉ）屈折率デルタパーセントΔ４を備え、前記トレンチ領域を取り囲み、塩素濃度が１．２重量％より大きい外側クラッド領域であって、Δ１ｍａｘ＞Δ４、Δ２＞Δ３及びΔ４＞Δ３であり、Δ４−Δ３≧０．１２％である、外側クラッド領域
を備え、
前記ファイバは：１３１０ｎｍの波長において＞９マイクロメートルのモードフィールド径ＭＦＤ；１２６０ｎｍ未満のケーブルカットオフ；０．５ｄＢ／ｔｕｒｎ未満の、直径１５ｍｍのマンドレルに関する１５５０ｎｍでの曲げ損失；及び１３００ｎｍ≦λ０≦１３２４ｎｍを示し、ここでλ０はゼロ分散波長である、単一モード光ファイバ。
【請求項２】
前記トレンチ領域のプロファイル体積｜Ｖ３｜は、少なくとも３０％Δマイクロメートル２である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
（ａ）Δ４−Δ３≧０．１５％；
（ｂ）Δ１ｍａｘ−Δ２≧０．２５％、Δ１ｍａｘ−Δ３≧０．３５、及びΔ２−Δ３≧０．０８％；
（ｃ）０．１５％≦Δ４−Δ３≦０．４％デルタ
のうちの少なくとも１つが満たされる、請求項１又は２に記載の光ファイバ。
【請求項４】
（ａ）前記コアは１０重量％未満のゲルマニアを含むか；又は
（ｂ）前記トレンチ領域は、０〜２重量％のフッ素を含有するか；又は
（ｃ）前記外側クラッド領域は、≧１．５重量％のＣｌ濃度を備えるか；又は
（ｄ）前記内側クラッドの半径に対する前記コアの半径は、１．２＜ｒ２／ｒ１＜２．５である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項５】
前記ファイバは更に：
（ｉ）１５５０ｎｍにおいて０．０５ｄＢ／ｋｍ以下のワイヤメッシュ被覆ドラム微小曲げ損失を示すか；又は
（ｉｉ）１５５０ｎｍにおいて０．１８ｄＢ／ｋｍ以下の減衰を示し；及び／又は
（ｉｉｉ）１３１０ｎｍにおいて０．３２ｄＢ／ｋｍ以下の減衰を示し；及び／又は
（ｉｖ）１５５０ｎｍにおいて０．０５ｄＢ／ｋｍ以下の、−６０℃でのバスケットウィーブ微小曲げ損失を示す、請求項１〜４のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項６】
（ｉ）前記トレンチ領域は基本的にフッ素及びゲルマニアを含まないか；又は
（ｉｉ）ｒ３から少なくとも３０マイクロメートルの半径まで延在する径方向位置に関して、Δ４≧Δ２であるか；又は
（ｉｉｉ）前記コアアルファは１０より大きい、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項７】
９マイクロメートル＜１３１０ｎｍにおけるＭＦＤ＜９．５マイクロメートルである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項８】
前記ファイバは更に、一次コーティング及び二次コーティングでコーティングされ、
前記二次コーティングの外径は２５０マイクロメートル未満である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の光ファイバ。
【請求項９】
前記外側クラッド領域は：
屈折率デルタパーセントΔ４及び１．２重量％超の塩素濃度を有する、第１の外側クラッド領域；並びに
前記第１の外側クラッド領域を取り囲み、Δ４＞Δ５となるような屈折率デルタパーセントΔ５を備える、第２の外側クラッド領域
を備え、
前記第２の外側クラッド領域は、０．５重量％未満の塩素濃度を有する、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項１０】
前記第２の外側クラッド領域のガラスの粘度は、前記第１の外側クラッド領域のガラスの粘度より高い、請求項９に記載の光ファイバ。
【請求項１１】
前記コア領域の最大ゲルマニア濃度［ＧｅＯ２］ｃｏｒｅ‐ｍａｘは、重量％で４重量％≦［ＧｅＯ２］ｃｏｒｅ‐ｍａｘ≦１３重量％である、請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項１２】
前記コア領域の最大塩素濃度［Ｃｌ］ｃｏｒｅ‐ｍａｘは、重量％で１重量％≦［Ｃｌ］ｃｏｒｅ‐ｍａｘ≦７重量％である、請求項１に記載の光ファイバ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月9日(2019.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置と一体化された容量検出装置を含む入力装置であって、
前記容量検出装置の複数のセンサ電極と、
前記表示装置のアクティブ部分内に少なくとも部分的に配置された複数のソースラインと、
複数のルーティングトレースと、を備え、
前記複数のセンサ電極のそれぞれは、前記表示装置の１つ以上のコモン電極を備え、
前記複数のルーティングトレースは、
第１のルーティングトレースと、
第２のルーティングトレースと、を含み、
前記第１のルーティングトレースの少なくとも第１の部分が、第１の金属層内に、前記複数のソースラインの第１のソースラインに平行かつ前記表示装置の前記アクティブ部分内に配置され、
前記第２のルーティングトレースの第１の部分が、前記第１の金属層内の前記第１のルーティングトレースに平行に前記表示装置のアクティブ部分内に配置され、
前記第２のルーティングトレースの第２の部分が、前記表示装置の非アクティブ部分内で第２の金属層内に配置されかつ前記第１のルーティングトレースと交差し、
前記第２のルーティングトレースは、第１のビアを介して、前記複数のセンサ電極の第１のセンサ電極に結合される、入力装置。
【請求項２】
前記複数のソースラインは、前記第１の金属層内に配置される、請求項１に記載の入力装置。
【請求項３】
前記複数のソースラインは、前記第２の金属層内に配置される、請求項１に記載の入力装置。
【請求項４】
前記複数のソースラインは、前記表示装置の第３の金属層内に配置される、請求項１に記載の入力装置。
【請求項５】
前記第２の金属層内に配置された複数のゲートラインを更に含む、請求項１、２及び４のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項６】
前記表示装置の第３の金属層内に配置された複数のゲートラインを更に含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項７】
前記第１のルーティングトレース及び前記第２のルーティングトレースは、集積回路に結合され、
前記第２のルーティングトレースの前記第２の部分は、前記集積回路の下内にある、請求項１から６のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項８】
前記第１のルーティングトレースは、第２のビアを介して、前記複数のセンサ電極の第２のセンサ電極に結合される、請求項１から７のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項９】
前記第２のルーティングトレースの前記第２の部分は、第３のビアを介して、前記第２のルーティングトレースの前記第１の部分に結合される、請求項１から８のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項１０】
前記複数のルーティングトレースの少なくとも１つのルーティングトレースは、集積回路に結合され、
前記集積回路は、前記少なくとも１つのルーティングトレースをガード信号で駆動するように構成される、請求項１から９のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項１１】
前記コモン電極のそれぞれ及び前記複数のルーティングトレースのそれぞれは、集積回路の複数のピンのそれぞれのピンに結合される、請求項１から１０のいずれか１項に記載の入力装置。
【請求項１２】
表示装置において、
複数の表示電極を有するアクティブ部分と、
非アクティブ部分と、
前記アクティブ部分内に少なくとも部分的に配置された複数のソースラインと、
複数のルーティングトレースと、を備え、
前記複数のルーティングトレースは、
第１のルーティングトレースと、
第２のルーティングトレースと、を含み、
前記第１のルーティングトレースの少なくとも第１の部分が、第１の金属層内に、前記複数のソースラインの第１のソースラインに平行かつ前記アクティブ部分内に配置され、
前記第２のルーティングトレースの第１の部分が、前記第１の金属層内の前記第１のルーティングトレースに平行かつ前記アクティブ部分内に配置され、
前記第２のルーティングトレースの第２の部分が、前記非アクティブ部分内の第２の金属層内に配置され前記第１のルーティングトレースと交差し、
前記第２のルーティングトレースは、第１のビアを介して、前記複数の表示電極の第１の表示電極に結合される、表示装置。
【請求項１３】
前記複数のソースラインは、前記第１の金属層、前記第２の金属層及び第３の金属層のうちの１つの中に配置される、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２の金属層及び第３の金属層のうちの１つの中に配置された複数のゲートラインを更に含む、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１５】
容量検出装置及び表示装置のための処理システムにおいて、
前記表示装置のアクティブ部分に少なくとも部分的に配置された複数のソースラインを駆動するように構成されたソースドライバと、
複数のルーティングトレースを介して前記容量検出装置の複数のセンサ電極に結合されるように構成されたセンサ回路と、を備え、
前記複数のセンサ電極のそれぞれが、前記表示装置の１つ以上のコモン電極を含み、
前記複数のルーティングトレースが、
第１のルーティングトレースと、
第２のルーティングトレースと、を含み、
前記第１のルーティングトレースの少なくとも第１の部分が、第１の金属層内に、前記複数のソースラインの第１のソースラインに平行かつ前記表示装置の前記アクティブ部分内に配置され、
前記第２のルーティングトレースの第１の部分が、前記第１の金属層内の前記第１のルーティングトレースに平行かつ前記表示装置の前記アクティブ部分内に配置され、
前記第２のルーティングトレースの第２の部分が、前記表示装置の非アクティブ部分内の第２の金属層内に配置されかつ前記第１のルーティングトレースと交差し、
前記第２のルーティングトレースは、前記複数のセンサ電極の第１のセンサ電極に第１のビアを介して結合される、処理システム。