Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月19日(2019.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｖ）で表される化合物、又はその薬学上許容される塩。
【化１】
2020511542.tif 000001
〔式中、Ｒ１は、フェニル、ピリジル、ピリミジル、ピラゾール及びピリミジニルから選択される芳香族又は非芳香族の置換基を表す。
Ｒ１は、Ａ環上の任意の可能な位置に存在しうる。
Ａ環上に、同一又は異なる２つのＲ１があってもよい。
Ｒ１は、Ｆ、Ｃｌ、Ｎ、Ｏ及びＳから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有していてもよい。
Ｒ１が芳香環を含む場合、芳香環は環上にＮ、Ｏ及びＳから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有していてもよい。
Ｒ１が芳香環を含む場合、芳香環はＣ１−６炭化水素基で置換されていてもよい。
Ｒ２は、Ｃｌ−２０炭化水素を有する脂肪族置換基又はＨを表す。
Ｒ２’は、Ｃｌ−２０炭化水素を有する脂肪族置換基又はＨを表す。
Ｒ２及びＲ２’は、同一であるか又は異なっていてもよい。
Ｒ２又はＲ２’がＨ原子である場合を含めて、Ｒ２がＲ２’と異なる場合、Ｒ２及びＲ２’に結合するＣ原子上にキラル中心が含まれ、キラル中心の配置は（Ｓ）又は（Ｒ）のいずれかであってよい。
Ｒ３は、Ｃｌ−２０炭化水素を有する脂肪族置換基又はＨを表す。
Ｒ４は、Ｃｌ−２０炭化水素を有する脂肪族置換基又はＨを表す。
Ｒ２、Ｒ２’、Ｒ３及びＲ４は、Ｆ、Ｃｌ、Ｎ、Ｏ及びＳから選択される１つ又は複数のヘテロ原子を有していてもよい。
Ｒ２及びＲ２’が結合して、３〜８員環を形成してもよい。
Ｒ３及びＲ４が結合して、３〜８員環を形成してもよい。
Ｒ２又はＲ２’がＲ３に結合して、３〜８員環を形成してもよい。
Ｒ２又はＲ２’がＲ４に結合して、３〜８員環を形成してもよい。〕
【請求項２】
Ｒ１がピリジルである、請求項１に記載の化合物又はその薬学上許容される塩。
【請求項３】
Ｒ１が、Ｆ及びＣｌから選択される１つ又は複数のヘテロ原子置換を有していてもよい、請求項１に記載の化合物又はその薬学上許容される塩。
【請求項４】
Ｒ１が芳香環を含む場合、芳香環はＭｅ、Ｅｔ及びＣＦ３から選択されるＣ１−６炭化水素基で置換されていてもよい、請求項１に記載の化合物又はその薬学上許容される塩。
【請求項５】
Ｒ２が、Ｍｅ、Ｅｔ、ｉＰｒ、Ｐｒ、サイクＰｒの置換基のうちの１つであり、Ｒ２’がＨである、請求項４に記載の化合物又はその薬学上許容される塩。
【請求項６】
Ｒ２及びＲ２’が結合する炭素原子が（Ｓ）配置を有する、請求項５に記載の化合物又はその薬学上許容される塩。
【請求項７】
Ｒ３及びＲ４が両方ともＨである、請求項５に記載の化合物、又はその薬学上許容される塩。
【請求項８】
以下のいずれかの化合物である、請求項１に記載の化合物又はその薬学上許容される塩：
（Ｓ）−２−（１−アミノプロピル）−６−（２−フルオロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物１３ａ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（２−クロロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物７ａ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（ピペラジン−１−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物６７）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（１Ｈ−ピラゾール−３−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物７ｃ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（２−メチルピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物７ｂ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（２，５−ジフルオロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物７ｄ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（イソキサゾール−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物７ｅ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノプロピル）−６−（３−フルオロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物１３ｂ）、
（Ｓ）−２−（１−アミノエチル）−６−（３−フルオロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物２１）、
（Ｓ）−２−（アミノ（シクロプロピル）メチル）−６−（３−フルオロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物２５）、
（Ｓ）−６−（２−フルオロピリジン−４−イル）−２−（２−メチル−１−（メチルアミノ）プロピル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物３５）、
２−（２−アミノプロパン−２−イル）−６−（２−フルオロピリジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物３９）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（１Ｈ−イミダゾール−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物４５）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（ピリダジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物４９）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（ピリミジン−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物５３）、
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物５８）、又は
（Ｓ）−２−（１−アミノ−２−メチルプロピル）−６−（１Ｈ−ピロール−３−イル）チエノ［３，２−ｄ］ピリミジン−４（３Ｈ）−オン（化合物６５）。
【請求項９】
有効量の請求項１〜８の化合物を対象に投与することを含む、ＣＤＣ７関連疾患を治療する方法。
【請求項１０】
薬学上許容される担体又は希釈剤、及び請求項１〜８のいずれかに記載の化合物又はその薬学上許容される塩を含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月6日(2019.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＬ−１７Ａ及びＩＬ−１７Ｆの両者に結合し、ＩＬ−１７Ａ及びＩＬ−１７Ｆの両者の活性を阻害する抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体であり、配列番号１で表されるＣＤＲ１Ｈ、配列番号２で表されるＣＤＲ２Ｈ、配列番号３で表されるＣＤＲ３Ｈ、配列番号４で表されるＣＤＲ１Ｌ、配列番号５で表されるＣＤＲ２Ｌ、配列番号６で表されるＣＤＲ３Ｌを含む、抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体。
【請求項２】
配列番号７で表される可変重鎖ドメイン（ＶＨ１−１）並びに配列番号８で表される可変軽鎖ドメイン（ＶＬ５）又は配列番号９で表される可変軽鎖ドメイン（ＶＬ２−１）を含む、請求項１に記載の抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体。
【請求項３】
ヒトＩｇＧクラスに属する、請求項１に記載の抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体。
【請求項４】
マウス、キメラ又はヒト化バリアントである、請求項１に記載の抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体。
【請求項５】
配列番号１０で表される重鎖と配列番号１１で表される軽鎖とを含む、請求項１に記載の抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体をコードするポリヌクレオチド。
【請求項７】
請求項６に記載のポリヌクレオチドを含む組換え発現ベクター。
【請求項８】
請求項７に記載の組換え発現ベクターを含む、宿主細胞。
【請求項９】
被験体におけるＩＬ−１７Ａ及び／又はＩＬ−１７Ｆ関連疾病を治療するための医薬組成物であって、治療に有効な量の請求項１〜５のいずれか一項に記載の抗ＩＬ１７Ａ／Ｆ抗体及び医薬的に許容される賦形剤を含む、医薬組成物。
【請求項１０】
前記ＩＬ−１７Ａ及び／又はＩＬ−１７Ｆ関連疾病が、自己免疫疾患又は炎症性疾患から選択される、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記ＩＬ−１７Ａ及び／又はＩＬ−１７Ｆ関連疾病が乾癬、乾癬性関節炎、強直性脊椎炎、関節リウマチ（ＲＡ）、多発性硬化症（ＭＳ）、全身性エリテマトーデス、変形性関節症又は炎症性腸疾患（ＩＢＤ）から選択される、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
被験体が哺乳類である、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記被験体が、ラット、マウス、サル又はヒトから選択される、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
被験体がヒトである、請求項１３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月7日(2020.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−アミノ酸配列GLTFSSYAMG（配列番号１２）であるか又は配列番号１２のアミノ酸配列に対して２つ又は１つのアミノ酸の相違（単数若しくは複数）を有するアミノ酸配列であるＡｂｍによるＣＤＲ１；及び
−アミノ酸配列SISRGGGYTY（配列番号１３）であるか又は配列番号１３のアミノ酸配列に対して３つ、２つ、又は１つのアミノ酸の相違（単数若しくは複数）を有するアミノ酸配列であるＡｂｍによるＣＤＲ２；及び
−アミノ酸配列ARYWATGSEYEFDY（配列番号１４）であるか又は配列番号１４のアミノ酸配列に対して３つ、２つ、又は１つのアミノ酸の相違（単数若しくは複数）を有するアミノ酸配列であるＡｂｍによるＣＤＲ３
を有する、ヒト血清アルブミンに結合可能な免疫グロブリン単一可変ドメインであるアミノ酸配列。
【請求項２】
−アミノ酸配列GLTFSSYAMG（配列番号１２）であるＡｂｍによるＣＤＲ１；及び
−アミノ酸配列SISRGGGYTY（配列番号１３）であるＡｂｍによるＣＤＲ２；及び
−アミノ酸配列ARYWATGSEYEFDY（配列番号１４）であるＡｂｍによるＣＤＲ３
を有する、請求項１記載のアミノ酸配列。
【請求項３】
ＰｒｏｔｅＯｎでの表面プラズモン共鳴を使用して決定した場合に、５００ｐＭ未満の親和性でヒト血清アルブミンに結合可能な、請求項１記載のアミノ酸配列。
【請求項４】
重鎖免疫グロブリン単一可変ドメインである、請求項１〜３のいずれか一項記載のアミノ酸配列。
【請求項５】
ＶＨＨ、ヒト化ＶＨＨ、又はラクダ化ＶＨである、請求項１〜４のいずれか一項記載のアミノ酸配列。
【請求項６】
−少なくとも８５％、好ましくは少なくとも９０％、より好ましくは少なくとも９５％の、配列番号１５の配列に対する配列同一度を有し、ここで、存在し得るＣＤＲ及び任意のＣ末端伸長は、配列同一度の決定の際に考慮されず；
及び／又は、
−配列番号１５の配列に対して７以下、好ましくは５以下、例えばたったの３つ、２つ、又は１つの「アミノ酸の相違」を有し、存在し得るＣＤＲ及び任意のＣ末端伸長は考慮されない、請求項１〜５のいずれか一項記載のアミノ酸配列。
【請求項７】
配列番号１５の配列と比較して、突然変異後に、示された位置に、以下のアミノ酸残基：１１Ｌ、１１Ｋ、１１Ｖ、１４Ａ、１４Ｐ、４１Ａ、４１Ｌ、４１Ｐ、４１Ｓ、４１Ｔ、４２Ｅ、４２Ｇ、８７Ａ、８７Ｔ、８９Ａ、８９Ｌ、８９Ｔ、１０８Ｌ、１１０Ｋ、１１０Ｑ、１１２Ｋ及び／又は１１２Ｑ、或いは当該突然変異の任意の適切な組み合わせのうちの１つが存在するような既存の抗体による結合を低減させる１つ以上の突然変異を含有し、該位置は、Ｋａｂａｔによる番号付けにより決定される、請求項１〜６のいずれか一項記載のアミノ酸配列。
【請求項８】
ＶＨＨであり、そして配列番号１５の配列と比較して、１つ以上のヒト化置換を含有している、請求項１〜７のいずれか一項記載のアミノ酸配列。
【請求項９】
ヒト血清アルブミンに結合可能な免疫グロブリン単一可変ドメインであり、かつ配列番号１５〜７７から選択される、アミノ酸配列。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項記載の少なくとも１つのアミノ酸配列を含む、タンパク質、ポリペプチド、又は他の構築物、化合物、分子、若しくは化学的実体。
【請求項１１】
少なくとも１つの治療用部分又は実体を含む、請求項１０記載のタンパク質、ポリペプチド、又は他の構築物、化合物、分子、若しくは化学的実体。
【請求項１２】
融合タンパク質である、請求項１０又は１１記載のタンパク質、ポリペプチド、又は他の構築物、化合物、分子、若しくは化学的実体。
【請求項１３】
−そのＣ末端にＩＳＶＤを有している場合、タンパク質、ポリペプチド、化合物、構築物のＣ末端ＩＳＶＤが、そのＣ末端にＣ末端伸長（Ｘ）ｎを有し；及び／又は
−そのＣ末端にＩＳＶＤを有している場合、少なくともＣ末端ＩＳＶＤが、突然変異後に、示された位置に、以下のアミノ酸残基：１１Ｌ、１１Ｋ、１１Ｖ、１４Ａ、１４Ｐ、４１Ａ、４１Ｌ、４１Ｐ、４１Ｓ、４１Ｔ、４２Ｅ、４２Ｇ、８７Ａ、８７Ｔ、８９Ａ、８９Ｌ、８９Ｔ、１０８Ｌ、１１０Ｋ、１１０Ｑ、１１２Ｋ及び／又は１１２Ｑ、或いは当該突然変異の任意の適切な組み合わせのうちの１つが存在するような既存の抗体の結合を低減させる１つ以上の突然変異を含有し、該位置は、Ｋａｂａｔによる番号付けにより決定され；及び／又は
−そのＮ末端にＩＳＶＤを有している場合、タンパク質、ポリペプチド、化合物、構築物のＮ末端ＩＳＶＤが好ましくは、１位にＤを含有し；及び／又は
−該ＩＳＶＤにおいて、タンパク質、ポリペプチド、又は他の化合物が、そのＮ末端にもＩＳＶＤを有し得、その場合には該Ｎ末端ＩＳＶＤが好ましくは、１位にＤ又はＥ１Ｄを有し；及び／又は
−好ましくは、タンパク質、ポリペプチド、化合物、構築物に存在する実質的に全てのＩＳＶＤが、既存の抗体の結合を低減させる１つ以上の突然変異を含有しているような、
請求項１０〜１２のいずれか一項記載のタンパク質、ポリペプチド、又は他の構築物、化合物、分子、若しくは化学的実体。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか一項記載の免疫グロブリン単一可変ドメイン或いは請求項１０〜１３のいずれか一項記載の化合物又はポリペプチドをコードする、核酸。
【請求項１５】
請求項１４記載の核酸を含み、及び／或いは請求項１〜９のいずれか一項記載の免疫グロブリン単一可変ドメイン又は請求項１０〜１３のいずれか一項記載の化合物若しくはポリペプチドを発現する、非ヒト宿主或いは宿主細胞。
【請求項１６】
請求項１〜９のいずれか一項記載の免疫グロブリン単一可変ドメイン又は請求項１０〜１３のいずれか一項記載の化合物若しくはポリペプチドを宿主細胞が産生するか又は発現するような条件下、宿主細胞を培養又は維持することを含み、及び
必要に応じて更に、請求項１〜９のいずれか一項記載の免疫グロブリン単一可変ドメイン又は請求項１０〜１３のいずれか一項記載の化合物若しくはポリペプチドを単離することを含む、
請求項１〜９のいずれか一項記載の免疫グロブリン単一可変ドメイン或いは請求項１０〜１３のいずれいか一項記載の化合物又はポリペプチドを調製するための方法。
【請求項１７】
請求項１０〜１３のいずれか一項記載のタンパク質、ポリペプチド、又は他の構築物、化合物、分子、若しくは化学的実体を含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月11日(2020.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ページング方法であって、
遠隔端末装置が状態情報を確定することと、
前記遠隔端末装置がネットワーク装置へ前記状態情報を送信し、前記状態情報が前記遠隔端末装置をページングするページング方式を確定するために前記ネットワーク装置によって用いられることとを含む、前記ページング方法。
【請求項２】
前記状態情報は前記遠隔端末装置と中継端末装置が加入関係及び／又は接続関係を有するか否かを示すことに用いられ、及び／又は、前記遠隔端末装置がネットワークのカバレッジに位置するか否かを示すことに用いられることを特徴とする
請求項１に記載のページング方法。
【請求項３】
前記遠隔端末装置がネットワーク装置へ前記状態情報を送信することは、
前記遠隔端末装置がエアインタフェースメッセージを介して前記ネットワーク装置へ前記状態情報を送信すること、又は、
前記遠隔端末装置が前記中継端末装置を介して前記ネットワーク装置へ前記状態情報を送信することを含むことを特徴とする
請求項１又は２に記載のページング方法。
【請求項４】
前記遠隔端末装置が状態情報を確定することは、
前記遠隔端末装置が前記遠隔端末装置とネットワーク装置との間のリンク品質情報、及び／又は、前記遠隔端末装置と前記遠隔端末装置との加入関係及び／又は接続関係を有する中継端末装置との間のリンク品質情報に基づいて前記状態情報を確定することを含むことを特徴とする
請求項１−３のいずれか一項に記載のページング方法。
【請求項５】
前記遠隔端末装置がネットワーク装置へ前記状態情報を送信することは、
前記遠隔端末装置が第一のアクセスネットワーク装置へ前記状態情報を送信すること、又は
前記遠隔端末装置が第一のコアネットワーク装置へ前記状態情報を送信すること、又は
前記遠隔端末装置が少なくとも一つの第二のアクセスネットワーク装置へ前記状態情報を送信することを含むことを特徴とする
請求項１−４のいずれか一項に記載のページング方法。
【請求項６】
前記遠隔端末装置がネットワーク装置へ前記状態情報を送信した後、前記ページング方法はさらに、
前記遠隔端末装置が前記状態情報に基づき、前記第一のアクセスネットワーク装置から送信されたページングメッセージを受信することを含むことを特徴とする
請求項５に記載のページング方法。
【請求項７】
前記遠隔端末装置が前記状態情報に基づき、前記第一のアクセスネットワーク装置から送信されたページングメッセージを受信することは、
前記状態情報が、前記遠隔端末装置がネットワークのカバレッジに位置することを示すことに用いられる場合、前記遠隔端末装置がエアインタフェースメッセージを監視し、前記エアインタフェースメッセージを介し、前記第一のアクセスネットワーク装置から送信された前記ページングメッセージを受信することを含むことを特徴とする
請求項６に記載のページング方法。
【請求項８】
前記遠隔端末装置が前記状態情報に基づき、前記第一のアクセスネットワーク装置から送信されたページングメッセージを受信することは、
前記状態情報が前記遠隔端末装置と前記中継端末装置が加入関係及び／又は接続関係を有することを示すことに用いられる場合、前記遠隔端末装置が前記第一のアクセスネットワーク装置から前記中継端末装置を介して送信された前記ページングメッセージを受信することを含むことを特徴とする
請求項６に記載のページング方法。
【請求項９】
前記状態情報が前記遠隔端末装置と前記中継端末装置が加入関係及び／又は接続関係を有することを示すことに用いられる場合、前記遠隔端末装置が前記第一のアクセスネットワーク装置から前記中継端末装置を介して送信された前記ページングメッセージを受信することは、
前記状態情報が前記遠隔端末装置と前記中継端末装置が加入関係及び／又は接続関係を有することを示すことに用いられ、そして前記遠隔端末装置がネットワークのカバレッジに位置する場合、前記遠隔端末装置が前記第一のアクセスネットワーク装置から前記中継端末装置を介して送信された前記ページングメッセージを受信することを含むことを特徴とする
請求項８に記載のページング方法。
【請求項１０】
前記遠隔端末装置が前記状態情報に基づき、前記第一のアクセスネットワーク装置から送信されたページングメッセージを受信することは、
前記状態情報が前記遠隔端末装置と前記中継端末装置が加入関係及び／又は接続関係を有しないことを示すことに用いられ、そして前記遠隔端末装置がネットワークのカバレッジに位置しない場合、前記遠隔端末装置が前記第一のアクセスネットワーク装置から前記中継端末装置を介して送信された前記ページングメッセージを受信することを含むことを特徴とする
請求項６に記載のページング方法。
【請求項１１】
ページング装置であって、
遠隔端末装置の状態情報を受信するように構成される送受信モジュールと、
前記状態情報に基づき、前記遠隔端末装置をページングするページング方式を確定するように構成される確定モジュールとを備え、
前記送受信モジュールはさらに前記ページング方式に応じて前記遠隔端末装置をページングするように構成される、前記ページング装置。
【請求項１２】
前記状態情報は前記遠隔端末装置と中継端末装置が加入関係及び／又は接続関係を有するか否かを示すことに用いられ、及び／又は、前記遠隔端末装置がネットワークのカバレッジに位置するか否かを示すことに用いられることを特徴とする
請求項１１に記載のページング装置。
【請求項１３】
前記ページング方式はエアインタフェースメッセージを介してページングすること又は前記遠隔端末装置と加入関係及び／又は接続関係を有する中継端末装置を介してページングすることを含むことを特徴とする
請求項１１又は１２に記載のページング装置。
【請求項１４】
前記確定モジュールは具体的に、
前記状態情報が、前記遠隔端末装置がネットワークのカバレッジに位置することを示すことに用いられる場合、前記遠隔端末装置のページング方式としてエアインタフェースメッセージを介してページングすることを確定するように構成されることを特徴とする
請求項１１−１３のいずれか一項に記載のページング装置。
【請求項１５】
ページング装置であって、
請求項１−１０のいずれか一項に記載のページング方法を実行するように構成される、前記ページング装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月2日(2020.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信方法であって、
端末装置は、ネットワーク機器から送信された非周期的サウンディング基準信号（ＳＲＳ）をトリガーするためのトリガーシグナリングを受信することと、
前記端末装置は、前記トリガーシグナリングに基づき、前記非周期的ＳＲＳのＳＲＳタイプを確定することと、
前記端末装置は、確定されたＳＲＳタイプに基づき、前記非周期的ＳＲＳを送信するためのリソース及び／又は伝送方式を確定することと、
前記端末装置は、確定されたリソース及び／又は確定された伝送方式に基づき、前記ネットワーク機器へ前記非周期的ＳＲＳを送信することと、を含むことを特徴とする、前記無線通信方法。
【請求項２】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする複数のＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のＳＲＳタイプの中において、異なるＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳのリソース及び／又は伝送方式は異なることを特徴とする
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする第１ＳＲＳタイプ及び第２ＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含み、
前記第１ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの１回あたりの伝送は、単一のアンテナポートを介して送信され、及び／又は、
前記第２ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの１回あたりの伝送は、複数のアンテナポートを介して送信されることを特徴とする
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする第１ＳＲＳタイプ及び第２ＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含み、
前記第１ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの伝送回数が複数回であり、及び／又は
前記第２ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの伝送回数が１回であることを特徴とする
請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする第１ＳＲＳタイプ及び第２ＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含み、
前記第１ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳは、アップリンク信号の送信ビーム及び／又はアップリンク信号の受信ビームを確定することに用いられ、及び／又は
前記第２ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳはアップリンク信号のスケジューリング情報を取得することに用いられることを特徴とする
請求項２〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記確定された伝送方式は、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたビーム、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたビームの数、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたアンテナポート、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたアンテナポートの数、及び
前記非周期的ＳＲＳの伝送回数のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記トリガーシグナリングに基づき、前記非周期的ＳＲＳのＳＲＳタイプを確定することは、
前記トリガーシグナリングに示される前記非周期的ＳＲＳを送信するためのＳＲＳリソースに基づき、前記非周期的ＳＲＳのタイプを確定することを含むことを特徴とする
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記トリガーシグナリングは、ダウンリンク制御情報又はメディアアクセス制御ＭＡＣシグナリングにベアラされることを特徴とする
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
端末装置であって、
処理ユニット及び送受信ユニットを備え、
前記送受信ユニットは、ネットワーク機器から送信された非周期的サウンディング基準信号（ＳＲＳ）をトリガーするためのトリガーシグナリングを受信することに用いられ、
前記処理ユニットは、前記トリガーシグナリングに基づき、前記非周期的ＳＲＳのＳＲＳタイプを確定し、確定されたＳＲＳタイプに基づき、前記非周期的ＳＲＳを送信するためのリソース及び／又は伝送方式を確定することに用いられ、
前記送受信ユニットは、更に、確定されたリソース及び／又は確定された伝送方式に基づき、前記ネットワーク機器へ前記非周期的ＳＲＳを送信することに用いられることを特徴とする、前記端末装置。
【請求項１１】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする複数のＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする
請求項１０に記載の端末装置。
【請求項１２】
前記複数のＳＲＳタイプの中において、異なるＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳのリソース及び／又は伝送方式は異なることを特徴とする
請求項１１に記載の端末装置。
【請求項１３】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする第１ＳＲＳタイプ及び第２ＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含み、
前記第１ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの１回あたりの伝送は、単一のアンテナポートを介して送信され、及び／又は、
前記第２ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの１回あたりの伝送は、複数のアンテナポートを介して送信されることを特徴とする
請求項１２に記載の端末装置。
【請求項１４】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする第１ＳＲＳタイプ及び第２ＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含み、
前記第１ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの伝送回数が複数回であり、及び／又は
前記第２ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳの伝送回数が１回であることを特徴とする
請求項１２又は１３に記載の端末装置。
【請求項１５】
前記確定されたＳＲＳタイプは、前記端末装置のサポートする第１ＳＲＳタイプ及び第２ＳＲＳタイプのうちの少なくとも１つを含み、
前記第１ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳは、アップリンク信号の送信ビーム及び／又はアップリンク信号の受信ビームを確定することに用いられ、及び／又は
前記第２ＳＲＳタイプの非周期的ＳＲＳはアップリンク信号のスケジューリング情報を取得することに用いられることを特徴とする
請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の端末装置。
【請求項１６】
前記確定された伝送方式は、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたビーム、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたビームの数、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたアンテナポート、
前記非周期的ＳＲＳを送信するために用いたアンテナポートの数、及び
前記非周期的ＳＲＳの伝送回数のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする
請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の端末装置。
【請求項１７】
前記処理ユニットは、更に、
前記トリガーシグナリングに示される前記非周期的ＳＲＳを送信するためのＳＲＳリソースに基づき、前記非周期的ＳＲＳのタイプを確定することに用いられることを特徴とする
請求項１０〜１６のいずれか１項に記載の端末装置。
【請求項１８】
前記トリガーシグナリングは、ダウンリンク制御情報又はメディアアクセス制御ＭＡＣシグナリングにベアラされることを特徴とする
請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の端末装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月8日(2020.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の段の回路基板と、
前記第１の段の回路基板に取り付けられた、第１の段の複数の熱電デバイスと、
前記第１の段の複数の熱電デバイス上の第１の段の熱拡散蓋と、
前記第１の段の複数の熱電デバイスと前記第１の段の熱拡散蓋との間の第１の段の熱界面材料と、
第２の段の回路基板と、
前記第２の段の回路基板に取り付けられた、第２の段の複数の熱電デバイスであって、前記第２の段の複数の熱電デバイスが、前記第１の段の複数の熱電デバイスより大きいヒートポンプ能力を有する、前記第２の段の複数の熱電デバイスと、
前記第２の段の複数の熱電デバイスと、前記第１の段の複数の熱電デバイスとの間の、第２の段の熱界面材料とを備えた、熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項２】
前記第２の段の複数の熱電デバイス上に第２の段の熱拡散蓋をさらに備え、
前記第２の段の熱界面材料が、前記第２の段の熱拡散蓋と、第１の段の複数の熱電デバイスとの間にある、請求項１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項３】
前記第１の段の複数の熱電デバイスが、前記第２の段の複数の熱電デバイスと同数の熱電デバイスを含み、
前記第２の段の複数の熱電デバイスの各熱電デバイスが、前記第１の段の複数の熱電デバイスのそれぞれの熱電デバイスより大きいヒートポンプ能力を有することから、前記第２の段の複数の熱電デバイスが、前記第１の段の複数の熱電デバイスより大きいヒートポンプ能力を有する、請求項１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項４】
前記第１の段の複数の熱電デバイスが、前記第２の段の複数の熱電デバイスより少ない熱電デバイスを含む、請求項１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項５】
前記第２の段の複数の熱電デバイスの各熱電デバイスが、前記第１の段の複数の熱電デバイスの各熱電デバイスと同じヒートポンプ能力を有する、請求項４に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項６】
前記第１の段の複数の熱電デバイスの２つ以上が、前記第１の段の回路基板に対して異なる高さであり、
前記第１の段の熱拡散蓋の向きが、前記第１の段の熱界面材料の厚さが前記第１の段の複数の熱電デバイスに関して最適化されるような向きである、請求項１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項７】
前記第２の段の複数の熱電デバイスの２つ以上が、前記第２の段の回路基板に対して異なる高さであり、
前記第２の段の熱拡散蓋の向きが、前記第２の段の熱界面材料の厚さが前記第２の段の複数の熱電デバイスに関して最適化されるような向きである、請求項２に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項８】
前記第１の段の熱界面材料が、はんだと熱グリースからなる群から選択される、請求項１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項９】
前記第１の段の熱拡散蓋が、前記第１の段の熱拡散蓋の本体から、前記第１の段の熱拡散蓋の外周周りに延びるリップをさらに備える、請求項１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１０】
前記第１の段の熱拡散蓋の前記本体に対する前記リップの高さが、予め規定された公差の範囲内の、前記第１の段の複数の熱電デバイスの高さの任意の組合せに関し、少なくとも予め規定された最小の隙間が前記第１の段の熱拡散蓋の前記リップと、前記第１の段の回路基板の第１の表面との間に維持されるような高さであり、前記予め規定された最小の隙間が、ゼロより大きい、請求項９に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１１】
前記第１の段の熱拡散蓋の前記リップと、前記第１の段の熱拡散蓋の前記外周周りの、前記第１の段の回路基板の前記第１の表面との間の、前記少なくとも予め規定された最小の隙間を充填する、取付け材料をさらに備える、請求項１０に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１２】
前記第１の段の熱拡散蓋の前記リップ及び前記取付け材料が、前記第１の段の熱拡散蓋に印加された力を吸収し、それにより、前記第１の段の複数の熱電デバイスを保護するようになっている、請求項１１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１３】
前記取付け材料が、エポキシ及び樹脂からなる群から選択される、請求項１１に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１４】
前記第２の段の熱拡散蓋が、前記第２の段の熱拡散蓋の本体から、前記第２の段の熱拡散蓋の外周周りに延びるリップをさらに備える、請求項２に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１５】
前記第２の段の熱拡散蓋の前記本体に対する前記リップの高さが、予め規定された公差の範囲の、前記第２の段の複数の熱電デバイスの高さの任意の組合せに関し、少なくとも予め規定された最小の隙間が、前記第２の段の熱拡散蓋の前記リップと、前記第２の段の回路基板の第１の表面との間に維持されるような高さであり、前記予め規定された最小の隙間が、ゼロより大きい、請求項１４に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１６】
前記第２の段の熱拡散蓋の前記リップと、複数の前記第２の段の熱拡散蓋の前記外周周りの、前記第２の段の回路基板の前記第１の表面との間の、前記少なくとも予め規定された最小の隙間を充填する、取付け材料をさらに含む、請求項１５に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１７】
前記第２の段の熱拡散蓋の前記リップ及び前記取付け材料が、前記第２の段の熱拡散蓋に印加された力を吸収し、それにより、前記第２の段の複数の熱電デバイスを保護するようになっている、請求項１６に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１８】
前記取付け材料が、エポキシ及び樹脂からなる群から選択される、請求項１６に記載の熱電ヒートポンプカスケード構成要素。
【請求項１９】
第１の段の複数の熱電デバイスを第１の段の回路基板に取り付けることと、
前記第１の段の複数の熱電デバイスと、第１の段の熱拡散蓋との間に、第１の段の熱界面材料を適用することと、
第２の段の複数の熱電デバイスを第２の段の回路基板に取り付けることと、
前記第１の段の複数の熱電デバイスと、前記第２の段の複数の熱電デバイスとの間に、第２の段の熱界面材料を適用することとを含む、熱電ヒートポンプカスケード構成要素の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の段の複数の熱電デバイス上に第２の段の熱拡散蓋を取り付けることをさらに含み、
前記第２の段の熱界面材料を適用することが、前記第２の段の熱拡散蓋と前記第１の段の複数の熱電デバイスとの間に、前記第２の段の熱界面材料を適用することを含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱電ヒートポンプカスケード構成要素、及び、熱電ヒートポンプカスケード構成要素の製造方法
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月15日(2020.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
他の変更可能なコードを参照しない自己完結型のセキュアコードの組を備えるセキュアコードストアと、
オペレーションコードの組を備えるオペレーションコードストアと、
コントローラとを備え、前記コントローラは、
（ａ）前記システムが第１のハードウェア構成を有して構成されるときの前記セキュアコードの組の実行であって、前記セキュアコードの組の実行は、前記オペレーションコードストア内に格納された前記オペレーションコードの現在のバージョンを前記セキュアコードによって参照された前記オペレーションコードの置換バージョンで上書きすることを備える、実行と、
（ｂ）前記システムが第２のハードウェア構成を有して構成されるときの前記オペレーションコードの組の実行であって、前記セキュアコードストアは、前記システムが前記第２のハードウェア構成を有して構成されるときに前記システムの１つまたは複数の他のコンポーネントから電気的に分離され、前記セキュアコードの組は、前記システムが前記第２のハードウェア構成を有して構成されるときにアクセスされることができない、実行とのうちの１つを、システム起動時に最初に実行するための機能を含む、システム。
【請求項２】
前記セキュアコードの組の前記実行は、
オペレーティングシステム、
ＢＩＯＳコードセット、
アプリケーション、
ＮＡＮＤフラッシュ、
不揮発性ストレージ、および、
プログラマブルロジックデバイス、のうちの１つまたは複数に対応するコードセットを削除することをさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記セキュアコードの組によって参照された前記オペレーションコードの前記置換バージョンは、前記セキュアコードストアの内部に格納される、請求項１または請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記セキュアコードの組によって参照された前記オペレーションコードの前記置換バージョンは、前記セキュアコードストアの外部に格納される、請求項１または請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のハードウェア構成と前記第２のハードウェア構成との間の変更は、前記システムの物理的操作なしに引き起こされることができない、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
前記システムの前記物理的操作は、（ａ）前記システム内に備えられたマザーボード上の２つのピンを接続するためのジャンパを追加すること、または（ｂ）前記ジャンパを除去して、前記システム内に備えられたマザーボード上の２つのピンを切断することを備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１のハードウェア構成と前記第２のハードウェア構成との間の変更は、前記システム内に備えられた信頼されたエンティティを介する前記システムの遠隔操作を用いて引き起こされることができる、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記第２のハードウェア構成から前記第１のハードウェア構成への変更は、いずれのコードの実行によっても引き起こされることができない、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１のハードウェア構成は、前記セキュアコードの前記実行のために必要ではない
１つまたは複数のデバイスを無効にする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１のハードウェア構成は、前記セキュアコードによって有効にされた前記システムの安全な回復に干渉する機能を含む１つまたは複数のデバイスを無効にする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
方法であって、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された動作を備え、前記方法は、ハードウェアプロセッサを含む少なくとも１つのデバイスにおいて実行される、方法。
【請求項１２】
１つまたは複数のハードウェアプロセッサが実行すると請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載された動作を実行させる命令を含む、プログラム。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
金属硫酸塩溶液は、一般に、金属含有鉱を精練し、続いて高温にて圧力下で硫酸に溶出する、湿式冶金プロセスによって調製される。溶出中、金属、酸化物、又は炭酸塩の形態のニッケル、マンガン、及びコバルトは、酸と反応し、それによって金属硫酸塩溶液を生成する。混合水酸化物前駆体の共沈中、アンモニアをキレート剤として添加してもよい。アンモニア錯体が形成され、金属溶解度は増大し、ひいては沈殿の最中の核生成速度が遅くなる。これにより、１０μｍ超の粒子を有する所望の高密度水酸化物の形成が容易になる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
【表１】
2020511757.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
【表２】
2020511757.tif 000002
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次リチウム系電池に好適なカソード材料の合成のための金属含有前駆体の調製プロセスであって、
水溶液中にてＨＮＯ３を使用する、１つ以上の金属及び／又は金属化合物の金属溶出（Ｐ２．１）により、金属硝酸塩を含有する水溶液、及び任意選択的に、分離されたＮＯｘを含有する第１の気相を生成するステップと、
水溶液中にてアルカリ水酸化物又は炭酸塩を使用する、前記金属硝酸塩を含有する溶液からの前駆体沈殿（Ｐ４．１）により、アルカリ硝酸塩を含有する溶液、及び分離（Ｐ４．３）され、任意選択的に洗浄（Ｐ４．２）された、前記金属含有前駆体を含有する固相を生成するステップと、
アルカリ硝酸塩を含有する溶液中にての、前記アルカリ硝酸塩のアルカリ硝酸塩分解（Ｐ７．１）により、前記アルカリを含有する固相又は液相と、分離された、ＮＯｘを含有する第２の気相と、を生成するステップと、
溶解ステップ及び分解ステップにて分離された、前記第１及び第２のＮＯｘ気相を使用する、ＨＮＯ３のＨＮＯ３再生（Ｐ１．１）ステップと、前記ＨＮＯ３を溶解ステップまで再循環するステップと、
を含み、
前記金属含有前駆体を含有する前記固相を、２００〜７００℃の温度で焙焼するステップ（Ｐ８．１）に供することにより、硝酸塩を含まない固相、及び分離された、ＮＯｘを含有する第３の気相を生成し、
前記ＮＯｘを含有する第３の気相を、前記第１及び第２のＮＯｘ気相と共に、前記ＨＮＯ３再生（Ｐ１．１）ステップに供給する、調製プロセス。
【請求項２】
金属溶出（Ｐ２．１）のステップにて、前記金属及び／又は金属化合物が、ニッケル、マンガン、及びコバルトからなるリストからの１つ以上の金属を含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
金属溶出（Ｐ２．１）のステップにて、前記金属及び／又は金属化合物が、金属化合物、合金、酸化物、又は水酸化物である、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
金属溶出（Ｐ２．１）のステップにて、前記ＨＮＯ３を水溶液中にて、少なくとも５０％まで濃縮する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
金属溶出（Ｐ２．１）のステップにて、前記金属硝酸塩を含有する水溶液が、少なくとも４モル／Ｌの金属濃度を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記金属硝酸塩を含有する溶液を、水の蒸発により濃縮（Ｐ３．１）するステップに供することにより、前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）にて更に処理することができる、金属硝酸塩を含有するブラインを得る、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）にて、少なくとも４モル／Ｌのアルカリを含有する溶液又はスラリー中の前記アルカリ水酸化物又は炭酸塩が、ＮａＯＨ、Ｎａ２ＣＯ３、ＫＯＨ、Ｋ２ＣＯ３、ＬｉＯＨ、又はこれらの混合物から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）にて、前記金属硝酸塩を含有する溶液、及び水溶液中の前記アルカリ水酸化物又は炭酸塩の、いずれか１つ又は両方を、少なくとも３０℃の温度まで予熱する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）にて、前記アルカリ硝酸塩を含有する溶液を、少なくとも３０℃の温度で維持する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）を、アンモニアを含まない条件にて実施する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）にて、錯化剤として添加されるアンモニウム化合物が、アンモニア又はアンモニア塩から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記アルカリ硝酸塩を含有する溶液を、アンモニア回収ステップ（Ｐ５．１）に供することにより、アルカリ硝酸塩を含有するアンモニアを含まない溶液、及びアンモニウム化合物を生成して、これを分離する、及び任意選択的に、前駆体沈殿のステップ（Ｐ４．１）まで再循環する、請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記アルカリ硝酸塩を含有する溶液を、水蒸発により濃縮（Ｐ６．１）するステップに供することにより、少なくとも４モル／Ｌのアルカリを含有するアルカリ硝酸塩を含む、アルカリ硝酸塩分解ステップ（Ｐ７．１）にて更に処理することができるブラインを得る、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記アルカリを含有する固相又は液相が、アルカリ酸化物を含み、これを、アルカリ水酸化物又は炭酸塩と反応させ、前駆体沈殿ステップ（Ｐ４．１）まで再循環する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記アルカリ水酸化物又は炭酸塩がＮａＯＨであり、前記アルカリ酸化物がＮａ２Ｏであり、これを、ＮａＯＨの前記再循環のために、水と反応させる、請求項１４に記載のプロセス。
【請求項１６】
アルカリ硝酸塩分解ステップ（Ｐ７．１）にて、ＳｉＯ２を、前記アルカリ硝酸塩を含有するブラインに添加することにより、アルカリケイ酸塩を含む前記アルカリを含有する固相を生成する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１７】
ＨＮＯ３再生（Ｐ１．１）ステップにて得られるＨＮＯ３の量が、金属溶出（Ｐ２．１）ステップにて消費された前記ＨＮＯ３の少なくとも５０％に相当する、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記金属含有前駆体を含有する前記固相を、リチウム源と、及び任意選択的に、硫黄源又は塩素源とブレンドして、その後、高温焼成によるリチオ化（９．１）ステップに供することにより、二次リチウム系電池に使用するための前記カソード材料を製造する、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１９】
リチオ化（９．１）ステップにて、分離された、ＮＯｘを含有する第４のガス相を生成する、請求項１８に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月16日(2020.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表土(3)に埋め込まれ、岩盤(4)と接触している柱(1)のセットを備え、前記柱(1)を形成する材料と前記表土(3)との間に材料差異がある地震波シールドであって、前記地震波シールドが、建物(2)の側面外周部の外側に位置決めされ、阻止されるべき波の方向(R, P, S)における前記地震波シールドの幅は、少なくとも柱(1)の2列分である、地震波シールド。
【請求項２】
前記柱(1)を形成する前記材料は、前記表土(3)より高い密度を有する、請求項1に記載の地震波シールド。
【請求項３】
前記柱(1)は、前記岩盤(4)に埋め込まれる、請求項1または2に記載の地震波シールド。
【請求項４】
前記柱(1)を形成する前記材料は、前記表土(3)の少なくとも1.1倍の密度である、請求項1から3のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【請求項５】
前記柱(1)を形成する前記材料のヤング率は、前記表土(3)のヤング率より少なくとも10倍大きい、請求項1から4のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【請求項６】
前記柱(1)は、前記地震波シールドにおいて周期的に、またはほとんど周期的に位置決めされる、請求項1から5のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【請求項７】
前記柱(1)は前記岩盤(4)に0.3m超で埋め込まれる、請求項3に記載の地震波シールド。
【請求項８】
前記柱(1)の全体積は、前記地震波シールドの体積の少なくとも15%である、請求項1から7のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【請求項９】
前記柱(1)は、六角形格子または他のブラベ格子の点に位置決めされる、請求項5に記載の地震波シールド。
【請求項１０】
阻止されるべき波の方向(R, P, S)における前記地震波シールドの幅は、柱(1)の2列分より大きい、請求項1から9のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【請求項１１】
板(5)であって、前記板(5)の第1の端部において前記地震波シールドの第1の柱(1)に取り付けられる板(5)をさらに備え、前記板(5)は、前記板の第2の端部において前記地震波シールドの第2の柱(1)にさらに取り付けられる、請求項1から10のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【請求項１２】
前記柱(1)のうちの少なくとも1つは、コンクリートを含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の地震波シールド。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月10日(2020.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ナノ紡糸された基材並びにその生成のためのシステム及び方法
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月30日(2020.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【図１−１】図１Ａは一実施形態における、それぞれが直線部分及び弓状部分を含む複数の独立したナノチューブを有するカーボンナノチューブフォレスト（あるいは、「層」と本明細書で言及する）の透視図の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。図１Ａ’は一実施形態における、カーボンナノチューブフォレストのもつれた部分の平面図のＳＥＭ画像である。
【図１−２】図１Ｂは一実施形態における、基材及び基材上に配置されたナノファイバーフォレストの複数のナノファイバーを含むナノファイバー層の概略図である。図１Ｃは一実施形態における、図１Ｂに示すナノファイバー層の一部の拡大概略図である。ここでは、フォレストの独立したナノファイバーが直線部分及び弓状部分を有している。図１Ｄは一実施形態における、基材及び基材の表面に対して３０°から６０°の間の角度で基材上に配置されたナノファイバーフォレストの複数のナノファイバーを含むナノファイバー層の概略図である。図１Ｅは一実施形態における、図１Ｄに示すナノファイバー層の一部の拡大概略図である。ここでは、独立したナノファイバーが直線部分及び弓状部分を有している。
【図２−１】図２Ａは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。図２Ｂは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。図２Ｃは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。
【図２−２】図２Ｄは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。図２Ｅは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。図２Ｆは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。図２Ｇは実施形態における、本明細書に記載の技法を使用して、様々なフォレストを含む独立したナノチューブが基材の表面に対して角度を付けられたカーボンナノチューブフォレストの横断面図である。
【図２−３】図２Ｈは一実施形態における、例示的多層化カーボンナノチューブフォレストのＳＥＭ画像である。
【図３】一実施形態における、本開示のナノファイバー層の製造方法の方法フロー図である。
【図４−１】図４Ａは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｂは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｃは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。
【図４−２】図４Ｃ’は実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｄは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｅは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。
【図４−３】図４Ｆは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｇは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｈは実施形態における、様々な製造段階でのナノファイバー層を概略的に図示する図である。
【図４−４】図４Ｉ及び図４Jは一実施形態における、層内にあるパターンのナノファイバーを有するように構成されたナノファイバー層を概略的に図示する図である。図４Ｋは一実施形態における、プリントされたパターンが配置されるナノファイバー層を概略的に図示する図である。
【図５】図５Ａは複数の実施形態における、本開示のナノファイバーフォレストが熱源とヒートシンクとの間の熱界面層として使用される第１の構成と、ナノファイバーフォレストが熱界面層として使用され炭化された接着剤層を使用して熱源及びヒートシンクに取り付けられている第２の構成を示す図である。図５Ｂは一実施形態における、熱界面層としてナノファイバーフォレストを使用するための例示的な方法のフロー図である。
【図６】一実施形態における、わずか０．５ミクロンほどの下にある基材の起伏形状とコンフォーマル性を有するナノファイバーフォレストの図である。
【図７】一実施形態における、本開示のナノファイバー層の製造方法の方法フロー図である。