【事件の表示】
　特願２０１２−５１５３５３「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月２３日国際公開、ＷＯ２０１０／１４５６４８、平成２４年１１月２９日国内公表、特表２０１２−５３０３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２０１０年５月３１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年６月１６日、独国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１月６日付けで拒絶理由が通知され、同年５月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１２月１０日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同時に手続補正がされ、平成２７年１月１３日付けで審査官による前置報告がされ、同年４月２３日付けで上申書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年１２月１０日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「少なくとも正面側コンタクトメタライゼーションと背面側コンタクトメタライゼーションと、半導体層（２）と、前記半導体層（２）の表面上に配置され、かつ前記半導体層表面（２０）をパッシベーションするのに役立つパッシベーション層（３）とを備える太陽電池であって、前記パッシベーション層（３）は、前記半導体層表面（２０）において上下に配置された、化学的パッシベーション用パッシベーション副層（３１）と電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）とを備えること、
　前記化学的パッシベーション用パッシベーション副層（３１）は、前記電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）に直接に接すること、並びに、
（ｉ）前記電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）は、酸化アルミニウム、フッ化アルミニウム、窒化シリコン、酸窒化アルミニウム、および／または、酸化アルミニウムおよび１つ以上のさらなる元素からなる化合物を備えること、かつ
（ｉｉ）窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる被覆層がパッシベーション層上に付けられていること
を特徴とする、太陽電池。」
　
３．引用例
（１）引用の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００８／０６５９１８号（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。
　ア　「[0001]　
本発明は太陽電池
に関する
　イ　「[0005]　
基板表面での少数キャリアの再結合を抑制する方法としてパッシベーション膜を形成する方法が用いられる
　ウ　「[0010]　以上の問題点から、
本発明は、太陽電池におけるシリコン基板の表面のｐ領域およびｎ領域どちらにも高い効果を有するパッシベーション膜を形成した太陽電池を提供する
[課題を解決するための手段]
[0011]　
本発明は、シリコン基板の受光面の反対面に窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜が形成され、その屈折率が２．６以上である太陽電池に関する
[0012]　また、本発明の太陽電池は、シリコン基板の受光面の反対面にｐｎ接合が形成された裏面接合型であることが好ましい。
[0013]　また、
本発明の太陽電池は、シリコン基板と第１パッシベーション膜との間に、酸化シリコン膜および／または酸化アルミニウム膜を含む第２パッシベーション膜を形成されている
　エ　「[0017]　また、本発明の製造方法は、シリコン基板と第１パッシベーション膜との間に、酸化シリコン膜を含む第２パッシベーション膜を形成する工程を含み、酸化シリコン膜は、熱酸化法により形成されることが好ましい。
[0018]　また、本発明の製造方法は、第１パッシベーション膜を形成する工程の後に、シリコン基板をアニール処理する工程を含むことが好ましい。
[0019]　また、本発明の製造方法において、アニール処理する工程は、水素と不活性ガスとを含む存在下で行なわれることが好ましい。
[0020]　また、本発明の製造方法において、アニール処理する工程は、水素を０．１〜４．０％含む存在下で行なわれることが好ましい。
[0021]　また、本発明の製造方法において、アニール処理する工程は、３５０〜６００℃で、５分〜１時間の範囲で行なわれることが好ましい。」
　オ　「[0032]　＜パッシベーション膜＞
　
本発明の第１パッシベーション膜は窒化シリコン膜からなり、その屈折率は２．６以上、
である
第２パッシベーション膜は、
第２パッシベーション膜は、酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜との積層体であっても良い
[0033]　≪第１パッシベーション膜≫
　図３（ａ）は、ｎ型のシリコン基板上に形成した窒化シリコン膜の屈折率と、該シリコン基板の少数キャリアのライフタイムとの関係を示し、図３（ｂ）は、表面にｐ領域を形成したｎ型のシリコン基板上に形成した窒化シリコン膜の屈折率と、該シリコン基板の少数キャリアのライフタイムとの関係を示す。図３（ａ）および図３（ｂ）における横軸は窒化シリコン膜の屈折率の値を示し、縦軸はシリコン基板の少数キャリアのライフタイム（単位はマイクロ秒）を示す。なお、一般的にシリコン基板などの半導体のパッシベーション膜として利用されている窒化シリコン膜の屈折率は、２程度のものである。」
　カ　「[0039]　≪第２パッシベーション膜≫
　
第２パッシベーション膜は、第１パッシベーション膜とシリコン基板との間に形成される
　キ　「[0047]　また、図４の屈折率は、エリプソメトリ法により測定した値である。
　＜太陽電池の製造方法＞
　図５は、本発明の太陽電池の製造方法の一形態における各工程を示した断面図である。なお、
図５においては
シリコン基板の裏面にｎ＋層とｐ＋層を１つずつしか形成していないが、実際には複数形成できる
[0048]　以下、図５に基づいて太陽電池１０の製造方法について説明する。
　≪Ｓ１：ｎ型の半導体基板≫
　図５（ａ）に示すように、
ｎ型のシリコン基板１を用意する
[0049]　≪Ｓ２：受光面のテクスチャ構造の形成≫
　図５（ｂ）に示すように、シリコン基板１の裏面に酸化シリコン膜などからなるテクスチャマスク７を常圧ＣＶＤ法などにより形成したのちに
シリコン基板１の受光面にテクスチャ構造４を形成する
[0050]　≪Ｓ３：拡散マスクの開口部形成≫
　図５（ｃ）に示すように、シリコン基板１の受光面および裏面に拡散マスク８を形成し、裏面の拡散マスク８に開口部を形成する。・・・（略）・・・
[0051]　≪Ｓ４：ｐ型不純物拡散後ＨＦクリーニング≫
　図５（ｄ）に示すように、ｐ型不純物を拡散した後、Ｓ３で形成した拡散マスク８をフッ化水素（ＨＦ）水溶液などでクリーニングすることで、
導電型不純物拡散層としてのｐ＋層５を形成する
[0052]　≪Ｓ５：拡散マスクの開口部形成≫
　図５（ｅ）に示すように、シリコン基板１の受光面および裏面に拡散マスク８を形成し、裏面の拡散マスク８に開口部を形成する。・・・（略）・・・
[0053]　≪Ｓ６：ｎ型不純物拡散後ＨＦクリーニング≫
　図５（ｆ）に示すように、ｎ型不純物を拡散した後、Ｓ５で形成した拡散マスク８をフッ化水素水溶液などでクリーニングすることで、
導電型不純物拡散層としてのｎ＋層６を形成する。
[0054]　≪Ｓ７：パッシベーション膜および反射防止膜の形成≫
　図５（ｇ）に示すように、
シリコン基板１の受光面に窒化シリコン膜からなる反射防止膜２、裏面にパッシベーション膜３を形成する
[0055]　パッシベーション膜３が第１パッシベーション膜のみからなる場合は、以下のような操作を行なう。まず、第１パッシベーション膜として、シリコン基板１の裏面に屈折率２．６以上の窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。このとき上述した混合ガスを用いて第１パッシベーション膜の屈折率の調整を行なう。次いでシリコン基板１の受光面に例えば屈折率が１．９〜２．１の窒化シリコン膜からなる反射防止膜２を形成する。
[0056]　
パッシベーション膜３が第１パッシベーション膜と第２パッシベーション膜とからなる場合には、
まず、シリコン基板１の裏面に第２パッシベーション膜として
酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜との積層体を形成する
酸化シリコン膜は
熱酸化法によって形成されることが好ましく、
酸化アルミニウム膜は例えば蒸着法で形成する
[0057]　ここで、シリコン基板１の裏面に、熱酸化法によって酸化シリコン膜を形成すると、結果として同時にシリコン基板１の受光面においても酸化シリコン膜が形成されてしまう。このような場合には、シリコン基板１の裏面の酸化シリコン膜を保護した上で、受光面に形成された酸化シリコン膜はフッ化水素水溶液などですべて一旦除去することが好ましい。そして、
形成された第２パッシベーション膜の上に、屈折率２．６以上の窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。
[0058] ・・・（略）・・・
[0059]　≪Ｓ８：アニール処理する工程≫
　
本発明において、パッシベーション膜３および反射防止膜２の形成の後に、シリコン基板１をアニール処理することが好ましい。
６００℃超過でアニール処理する場合、表面のパッシベーション膜３または反射防止膜２が破壊（膜中の水素が脱離）され特性が低下する虞がある
アニール処理が
１時間超過である場合、表面のパッシベーション膜３または反射防止膜２が破壊（膜中の水素が脱離）され特性が低下する虞がある
[0060]・・・（略）・・・
[0061]　≪Ｓ９：コンタクトホールの形成≫
　図５（ｈ）に示すように、
ｐ＋層５およびｎ＋層６の一部を露出させるためにシリコン基板１の裏面のパッシベーション膜３を一部エッチングによって除去
[0062]　≪Ｓ１０：電極の形成≫
　図５（ｉ）に示すように、
ｐ＋層５の露出面およびｎ＋層６の露出面のそれぞれに接触するｐ電極１１およびｎ電極１２を形成する
シリコン基板１とコンタクトをとる銀からなるｐ電極１１およびｎ電極１２が形成される
　ク　図５
　
（２）引用発明の認定
　ア　[0056]（（１）キ）の「シリコン基板１の裏面に第２パッシベーション膜として」「酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜との積層体を形成する」場合は、「酸化シリコン膜は」「熱酸化法によって形成されることが好ましく」、「酸化アルミニウム膜は例えば蒸着法で形成することが可能である」という記載からみて、引用例に記載された「第２のパッシベーション膜」は、まず、シリコン基板の裏面を熱酸化法等によって酸化することで「酸化シリコン膜」を形成し、次に、該「酸化シリコン膜」の上に「酸化アルミニウム膜」を「蒸着法」等で形成したものと認められる。
　
　イ　[0059]（（１）キ）には、「本発明において、パッシベーション膜３および反射防止膜２の形成の後に、シリコン基板１をアニール処理することが好ましい。」と記載され、「アニール処理」によっては、「表面のパッシベーション膜３または反射防止膜２が破壊（膜中の水素が脱離）され特性が低下する虞がある」、「表面のパッシベーション膜３または反射防止膜２が破壊（膜中の水素が脱離）され特性が低下する虞がある」と記載されていることからみて、引用例の「パッシベーション膜３」は、膜中の水素が脱離しないようにしたもの、すなわち、ダングリングボンドが低減されたものであって、化学的パッシベーション膜を含むものと認められる。
　
　ウ　「第２パッシベーション膜」の「蒸着法」等で形成された「酸化アルミニウム膜」は、パッシベーション膜として用いられている以上、負の固定電荷を有することは明らかであって（必要であれば、拒絶理由で引用された特開２００８−１０７４６号公報の「【００４２】　次に、図４（ｇ）に示すように、シリコン基板４０１についてドライ酸化（熱酸化）を行ない、シリコン基板４０１の裏面の全面に酸化珪素膜からなる第１パッシベーション膜４０３を形成する。・・・（略）・・・酸化珪素膜の他、第１パッシベーション膜４０３として負の固定電荷を有する酸化アルミニウム膜を蒸着法などにより成膜することも可能である。なお、第１パッシベーション膜４０３は、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜などからなる積層膜であってもよい。」という記載を参照。）、「酸化シリコン膜」に直接に接する電界効果パッシベーション用パッシベーション膜であるということができる。
　
　エ　そうすると、「酸化シリコン膜」と「酸化アルミニウム膜」との積層体である「パッシベーション膜３」は、上述したように、化学的パッシベーション用パッシベーション膜を含むところ、「酸化アルミニウム膜」が、電界効果パッシベーション用パッシベーション膜であるから、「酸化シリコン膜」は、化学的パッシベーション用パッシベーション膜である、ということができる。
　また、「酸化シリコン膜」と「酸化アルミニウム膜」とは積層体であるから、それぞれ上下に配置されているということができる。
　
　オ　引用例の記載及び上記のア〜エを総合勘案すると、引用例には、
　「テクスチャ構造４が形成されたｎ型のシリコン基板１の受光面に形成された、窒化シリコン膜からなる反射防止膜２と、
　該シリコン基板１の裏面に形成されたｐ＋層５とｎ＋層６と、
　該シリコン基板１の裏面に形成された、ｐ＋層５の露出面とｎ＋層６の露出面とを有するパッシベーション膜３と、
　ｐ＋層５の露出面及びｎ＋層６の露出面のそれぞれに接触して形成された、銀からなるｐ電極１１及び銀からなるｎ電極１２を有する太陽電池において、
　該パッシベーション膜３は、
　該シリコン基板１の裏面に形成された化学的パッシベーション用パッシベーション膜である酸化シリコン膜と、該酸化シリコン膜の上に直接に接して形成された電界効果パッシベーション用パッシベーション膜である、負の固定電荷を有する酸化アルミニウム膜と、を上下に配置した第２パッシベーション膜と
　該第２パッシベーション膜の上に、屈折率２．６以上の窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜を備えた太陽電池。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ｎ型のシリコン基板１」、「該シリコン基板１」の「受光面」、「該シリコン基板１」の「裏面」、「該シリコン基板１の裏面に形成された、ｐ＋層５の露出面とｎ＋層６の露出面とを有するパッシベーション膜３」、「シリコン基板１の裏面に形成された化学的パッシベーション用パッシベーション膜である酸化シリコン膜」、「該酸化シリコン膜の上に形成された電界効果パッシベーション用パッシベーション膜である酸化アルミニウム膜」及び「第２パッシベーション膜の上の、屈折率２．６以上の窒化シリコン膜からなる第１パッシベーション膜」は、本願発明の「半導体層」、「半導体層」の「正面」、「半導体層」の「背面」、「前記半導体層表面（２０）をパッシベーションするのに役立つパッシベーション層（３）」、「化学的パッシベーション用パッシベーション副層（３１）」、「酸化アルミニウム」からなる「電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）」及び「窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる被覆層」に、それぞれ相当する。
　
　また、引用発明の「銀からなるｐ電極１１」及び「銀からなるｎ電極１２」は、「コンタクトメタライゼーション」である点で共通する。
　
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「コンタクトメタライゼーションと、半導体層（２）と、前記半導体層（２）の表面上に配置され、かつ前記半導体層表面（２０）をパッシベーションするのに役立つパッシベーション層（３）とを備える太陽電池であって、前記パッシベーション層（３）は、前記半導体層表面（２０）において上下に配置された、化学的パッシベーション用パッシベーション副層（３１）と電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）とを備えること、
　前記化学的パッシベーション用パッシベーション副層（３１）は、前記電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）に直接に接すること、並びに、
（ｉ）前記電界効果パッシベーション用パッシベーション副層（３３）は、酸化アルミニウム、フッ化アルミニウム、窒化シリコン、酸窒化アルミニウム、および／または、酸化アルミニウムおよび１つ以上のさらなる元素からなる化合物を備えること、かつ
（ｉｉ）窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる被覆層がパッシベーション層上に付けられている太陽電池。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　「メタライゼーション」について、本願発明は、「少なくとも正面側コンタクトメタライゼーションと背面側コンタクトメタライゼーション」を備えているのに対し、引用発明は、「裏面」側に「銀からなるｐ電極１１」及び「銀からなるｎ電極１２」を備えている、すなわち、本願発明は、受光面に対して基板の導電型と反対の導電型となる不純物を拡散することによって受光面近傍にｐｎ接合を形成するとともに、該受光面に一方の電極を配置し、他方の電極は受光面の反対面に形成する構造であるのに対し、引用発明は、裏面に一方の導電型の電極と他方の導電型の電極（すなわちｐ電極とｎ電極）の両者を有する所謂裏面接合型太陽電池である点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　太陽電池の電極の配置において、引用発明のような、受光面側に電極を設けず、裏面側にｐ電極及びｎ電極を設けたものと、受光面側と裏面側とに電極を設けたものはいずれも周知であり、受光面側と裏面側とに電極を設けた太陽電池においても、パッシベーション膜を形成することは周知であって、電極の配置によって、パッシベーション膜の機能や構造に差異が生じるものではないことから、引用発明の「裏面」側に「銀からなるｐ電極１１」及び「銀からなるｎ電極１２」を備えた電極の配置を、受光面側と裏面側とに電極を配置したものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そうすると、引用発明に上記周知の事項を適用し、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。