(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置を放熱体の嵌合孔に圧入する際に生じる半導体チップへのたわみによるダメージを緩和し、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】ベース部８、空洞部９及びベース部８と一体に形成されている突起部１０を有し、突起部１０上に半導体チップ２が固着された支持電極体１が放熱体１１の嵌合孔１２に圧入して装着される半導体装置の空洞部に放射状のスポーク壁部を形成する。これにより半導体チップ２に発生する応力を低減でき、半導体チップ２の電気的特性が劣化することが防止される。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に半導体チップが固着され他方の面に空洞部を有し、外部放熱板に形成された嵌合孔に圧入により装着される半導体装置において、空洞部にスポーク壁部が形成されている事を特徴とする半導体装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は半導体装置にかかり、特に半導体装置を放熱板に圧入する際に半導体チップに発生する応力が低減された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ベース部８、空洞部９及びベース部８と一体に形成されている突起部１０を有し、突起部１０上に半導体チップ２が固着された支持電極体１が放熱体１１の嵌合孔１２に圧入して装着される半導体装置は、例えば下記実用新案文献１により公知の技術である。このような構造の半導体装置は図４に示すように、半導体チップ２の上面に固着された棒状のリード３と、支持電極体１の突起部１０の外側を周囲するように環状に形成された円筒形外筒５と、円筒形外筒５の内側に充填されて半導体チップ２及びリード３の保護膜として突起部１０の上面、半導体チップ２の露出部、及びリード３の半導体チップ２側を被覆する樹脂充填部４とを備えた半導体装置である。
【０００３】
この半導体装置は、図５に示すようにして、半導体チップ２の固着された支持電極体１が放熱体１１の嵌合孔１２に圧入されて使用される。すなわち、図５に示すように、支持電極体１の底面１３を冶具により押圧して、半導体装置をリード３の方から放熱体１１の嵌合孔１２に圧入する。このとき、ベース部８の外径を放熱体１１の嵌合孔１２の内径よりも大きくすることによって、支持電極体１を放熱体１１の嵌合孔１２に圧入したときに、ベース部８はベース部８より硬い放熱体１１の嵌合孔１２の内壁面に掘削されながら装着されるため、支持電極体１と放熱体１１との嵌合強度が十分に得られる。また、支持電極体１を放熱体１１の嵌合孔１２に圧入したときに空洞部９が変形することによって圧入時に支持電極体１に横方向にかかる圧縮応力を緩和し、半導体チップ２の電気的特性が劣化する事を抑制する事が出来る。
【特許文献１】実公 昭61-25253号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし空洞部９を有する支持電極体１を放熱体１１の嵌合孔１２に圧入したとき、空洞部９の変形によってベース部８を介して半導体装置の支持電極体１に発生したたわみによるダメージが支持電極体１の突起部１０に固着された半導体チップ２に伝達し、半導体チップ２の電気的特性が劣化することがあった。そこで本考案では支持電極体１を放熱体１１の嵌合孔１２に圧入したときに放熱体１１からの圧縮応力をベース部８が変形することにより緩和し、かつ半導体チップ２に伝達するたわみによるダメージを低減でき、半導体チップ２の電気的特性が劣化することが防止することのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本考案においては空洞部９を有する半導体装置の支持電極体１には放熱体１１からのたわみによるダメージを低減するための手段として、支持電極体１の空洞部９にスポーク壁部７を形成する。スポーク壁部７は空洞部の底面１４および空洞部９の内周円に連続する形状で形成されている。
【考案の効果】
【０００６】
本考案によれば、支持電極体１を放熱体１１の嵌合孔１２に圧入したときに、放熱体１１からの押圧力によってベース部８が変形することによって発生するたわみを緩和する事が出来る。この結果、半導体チップ２に発生する応力を低減でき、半導体チップ２の電気的特性が劣化することが防止される。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００７】
本考案による半導体装置では、図２に示すように、底壁１３及び底壁１３の中央側領域に形成された分割された空洞部９ａ、空洞部９ｂ、空洞部９ｃ、空洞部９ｄ、および空洞部９に形成されたスポーク壁部７を有するベース部８と、ベース部８と一体に形成されている突起部１０の上面に半田６を介して固着された一方の電極面２ａを有する半導体チップ２と、半導体チップ２の他方の電極面２ｂに半田６を介して固着されたリード３と、半導体チップ２及びリード３を被覆する樹脂充填部４とを備えている。ここで、リード３は銅等の導電性金属材料により形成されており、樹脂充填部４はエポキシ樹脂から形成されている。樹脂充填部４は環状に形成された円筒形外筒５の内側に形成されている。本実施形態の半導体装置は、底壁１３の下面から冶具を押し当て、支持電極体１が放熱体１１の嵌合孔１２に圧入して装着される。
【０００８】
本実施形態では図１に示すようにリード３の中心領域の延長線上にある仮想円を中心として放射状に伸びるスポーク壁部７は４本のスポーク形状により底面１３を十字状に横切り分割された空洞部９ａ、空洞部９ｂ、空洞部９ｃ、空洞部９ｄを形成している。またスポーク壁部７は空洞部９の内周円に連続する形状で形成されている。しかし本考案の実施形態としてはこれに限るものではない。本考案が効果を発揮するスポーク形状の本数は３本以上、分割された空洞部の個数は３箇所以上である。図６は本考案の変形例として空洞部の個数を３箇所としたものであるが、この形状においても半導体チップ２に発生する応力を低減でき、半導体チップ２の電気的特性が劣化することが防止される。
【０００９】
本考案によれば、支持電極体１の空洞部９にスポーク壁部７を形成することにより、ベース部８が変形することによって発生するたわみを緩和することが出来る。また本考案におけるスポーク壁部は空洞部の底面１４と一体かつ連続的に形成されている。このため、支持電極体１を放熱体１１の嵌合孔１２に圧入したとき発生する圧縮応力についてもリード３の中心領域の延長線上にある点に集中し、打ち消しあうことにより効果的に緩和される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】は本考案の底面と底面に形成したスポーク壁部を4本有しているものを示す図である。
【図２】は本考案による半導体装置の断面図である。
【図３】は本考案において支持電極体を圧入した状態を示す図である。
【図４】は従来技術による半導体装置の断面図である。
【図５】は従来技術において支持電極体を圧入した状態を示す図である。
【図６】は本考案の変形例でスポーク壁部を3本有するものを示す図である。
【符号の説明】
【００１１】
１、支持電極体
２、半導体チップ
２ａ、一方の電極面
２ｂ、他方の電極面
３、リード
４、樹脂充填部
５、円筒形外筒
６、半田
７、スポーク壁部
８、ベース部
９、空洞部
９ａ〜９ｄ、分割された空洞部
１０、突起部
１１、放熱体
１２、嵌合孔
１３、底面
１４、空洞部の底面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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