【手続補正書】
【提出日】令和2年6月15日(2020.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
底部基板と、上部基板とを含み、前記上部基板は、前記底部基板に機械的に連結される基板アセンブリと、
電子アセンブリと、
入れ子式エンクロージャアセンブリであって、外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、少なくとも前記電子アセンブリを取り囲む、入れ子式エンクロージャアセンブリと、
前記内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に配置される、断熱材と、
前記電子アセンブリと通信可能に連結されたセンサアセンブリであって、１つ以上のセンサを含むセンサアセンブリと、
を備え、
前記１つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で前記基板アセンブリ内に配置され、
前記１つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の前記１つ以上の位置で、１つ以上の測定パラメータを取得するように構成され、
前記電子アセンブリは、前記１つ以上のセンサから前記１つ以上の測定パラメータを受信するように構成され、
回転可能なプラットフォームに配置される、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、温度を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される、１つ以上の熱センサを含む、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、前記１つ以上の温度センサは、１つ以上の熱電対装置を含む、装置。
【請求項４】
請求項２に記載の装置であって、前記１つ以上の温度センサは、１つ以上の抵抗温度装置を含む、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、圧力を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される１つ以上の圧力センサを含む、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、対象とする化学物質の存在を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される１つ以上の化学センサを含む、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、放射の存在を示す１つ以上のパラメータを取得するように構成される、１つ以上の放射センサを含む、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサは、高反射材料でコートされる、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、前記底部基板または前記上部基板のうち少なくとも１つは、セラミック、サーメット、結晶材料、またはガラスのうち、少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、前記底部基板または前記上部基板のうち少なくとも１つは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化ケイ素のうち少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、前記底部基板および前記上部基板は、溶接または接合のうち少なくとも１つによりシールされる、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、前記エンクロージャアセンブリは、前記基板アセンブリに機械的に連結される、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、前記エンクロージャアセンブリは、溶接または接合のうち少なくとも１つにより前記基板アセンブリにシールされる、装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置であって、前記電子アセンブリは、
１つ以上のプロセッサと、
通信回路と、
メモリと、
電源と、
を含む、装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の装置であって、ダミーエンクロージャアセンブリをさらに含み、前記ダミーエンクロージャアセンブリは、前記基板アセンブリの中心に前記装置の質量中心を維持する位置で、前記基板アセンブリに配置される、装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の装置であって、前記１つ以上のセンサのそれぞれが、センサ基板の上または中に配置され、前記センサ基板は、前記基板アセンブリの前記底部基板と上部基板との間に配置される、装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置であって、前記センサ基板は、シリコン基板、炭化ケイ素基板、窒化ケイ素基板、窒化ガリウム基板、ヒ化ガリウム基板、ゲルマニウム基板、または、ガリウムおよびインジウムの基板のうち少なくとも１つを含む、装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の装置であって、前記断熱材は、多孔性固体材料を含む、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置であって、前記断熱材は、不透明である、装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置であって、前記断熱材は、吸収性である、装置。
【請求項２１】
請求項１８に記載の装置であって、前記断熱材は、エーロゲルを含む、装置。
【請求項２２】
請求項１８に記載の装置であって、前記断熱材は、セラミック材料を含む、装置。
【請求項２３】
請求項１に記載の装置であって、前記断熱材は、１つ以上のガスを含む、装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の装置であって、前記１つ以上のガスは、大気圧より低い圧力で維持される、装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の装置であって、前記１つ以上のガスは、周囲圧力より低い圧力で維持される、装置。
【請求項２６】
請求項１に記載の装置であって、前記外側エンクロージャの内面上にある前記内側エンクロージャを支持する１つ以上の支持構造部をさらに含む、装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載の装置であって、前記１つ以上の支持構造部は、断熱材料から形成される、装置。
【請求項２８】
請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャの底部の外面と、前記外側エンクロージャの底部の内面との間に配置される、断熱材料の層をさらに含む、装置。
【請求項２９】
請求項１に記載の装置であって、前記基板に前記外側エンクロージャを支持する、１つ以上の支持構造部をさらに含む、装置。
【請求項３０】
請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、選択された値より大きい熱容量を有する材料から形成される、装置。
【請求項３１】
請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、金属、合金、または複合材料のうち少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項３２】
請求項３１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、鉄ニッケルコバルト合金、鉄ニッケル合金、または鉄炭素合金のうち、少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項３３】
請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、１つ以上の結晶材料から形成される、装置。
【請求項３４】
請求項３３に記載の装置であって、前記内側エンクロージャは、サファイアまたは結晶水晶のうち少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項３５】
請求項１に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、セラミック、サーメット、結晶材料、またはガラスのうち、少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項３６】
請求項１に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、選択されたレベル未満の汚染率を有する材料から形成される、装置。
【請求項３７】
請求項３６に記載の装置であって、前記外側エンクロージャは、シリコン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化ケイ素のうち少なくとも１つから形成される、装置。
【請求項３８】
請求項１に記載の装置であって、前記内側エンクロージャの前記外面に配置される高反射層、または、前記外側エンクロージャの前記内面に配置される、もしくは、前記外側エンクロージャの前記内面と前記内側エンクロージャの前記外面との間に配置される高反射層のうち少なくとも１つをさらに含む、装置。
【請求項３９】
請求項３８に記載の装置であって、前記高反射層は、金、銀、またはアルミニウムのうち少なくとも１つを含む、装置。
【請求項４０】
請求項３８に記載の装置であって、前記高反射層は、酸化物、窒化物、炭化物のうち少なくとも１つを含む、積層誘電体膜である、装置。
【請求項４１】
請求項１に記載の装置であって、前記電子アセンブリは、前記１つ以上の取得された測定パラメータからの１つ以上の値を算出するように構成される、装置。
【請求項４２】
請求項１に記載の装置であって、前記電子アセンブリに通信可能に連結された遠隔データシステムをさらに含み、前記電子アセンブリは、前記１つ以上の測定パラメータを前記遠隔データシステムに送信するように構成され、前記遠隔データシステムは前記１つ以上のセンサにより取得された、前記１つ以上の取得された測定パラメータからの値を算出するように構成される、装置。
【請求項４３】
請求項４２に記載の装置であって、前記遠隔データシステムは、前記１つ以上の値を前記基板の前記１つ以上の位置にマッピングするように構成される、装置。
【請求項４４】
請求項４３に記載の装置であって、前記遠隔データシステムは、マッピングされた１つ以上の値をユーザインタフェイスに報告するように構成される、装置。
【請求項４５】
装置であって、
底部基板と、上部コーティング層とを含む、基板アセンブリと、
電子アセンブリと、
入れ子式エンクロージャアセンブリであって、外側エンクロージャと内側エンクロージャとを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、少なくとも前記電子アセンブリを取り囲む、入れ子式エンクロージャアセンブリと、
前記内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に配置される、断熱材と、
前記電子アセンブリと通信可能に連結されたセンサアセンブリであって、１つ以上のセンサを含むセンサアセンブリと、
を備え、
前記１つ以上のセンサは、前記底部基板全体の１つ以上の位置で前記基板アセンブリの前記底部基板に配置され、
前記上部コーティング層は、前記底部基板に配置される前記１つ以上のセンサの少なくともいずれかをコーティングし、
前記１つ以上のセンサは、前記基板アセンブリ全体の１つ以上の位置で、１つ以上の測定パラメータを取得するように構成され、
前記電子アセンブリは、前記１つ以上のセンサから前記１つ以上の測定パラメータを受信するように構成され、回転可能なプラットフォームに配置される、装置。
【請求項４６】
方法であって、
基板アセンブリの１つ以上の位置に配置された、センサアセンブリの１つ以上のセンサで測定パラメータのセットを取得することと、
入れ子式エンクロージャアセンブリ内に配置され、前記センサアセンブリと通信可能に連結された電子アセンブリの測定パラメータの前記セットを記憶させることと、
外側エンクロージャと内側エンクロージャを含み、前記外側エンクロージャは、前記内側エンクロージャを取り囲み、前記内側エンクロージャは、電子アセンブリを取り囲み、内側エンクロージャの外面と前記外側エンクロージャの内面との間のキャビティ内に断熱材が配置され、前記センサアセンブリ、前記電子アセンブリ、及び前記入れ子式エンクロージャアセンブリは、回転可能なプラットフォームに配置され、
各測定の値を算出することと、
を含む、方法。