【事件の表示】
　特願２０１１−１７３７９２「研磨監視方法および研磨装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　２月２１日出願公開、特開２０１３−　３６８８１、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、２０１１年（平成２３年）８月９日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年１２月１９日付け：拒絶理由の通知
　平成２７年　３月　２日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２７年　８月２８日付け：拒絶査定
　平成２７年１１月３０日　　：審判請求書の提出
　平成２８年　８月　３日付け：当審拒絶理由の通知
　平成２８年　９月２６日　　：意見書、手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１−１４に係る発明は、平成２８年９月２６日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）および請求項８に係る発明は以下のとおりである。
「　　【請求項１】
　回転する研磨テーブル上の研磨面に研磨対象の基板を押圧して基板上の導電膜を研磨し、研磨中に研磨テーブルに設置された渦電流センサにより導電膜の厚さを監視する研磨監視方法であって、
　基板上の導電膜を砥粒を含んだ研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視することを特徴とする研磨監視方法。」　
「　　【請求項８】
　研磨面を有し回転する研磨テーブルと、
　前記研磨面に砥粒を含んだ研磨液を供給する研磨液供給手段と、
　研磨対象の基板を前記研磨面に押圧して基板上の導電膜を研磨するトップリングと、
　前記研磨テーブル内に設置された渦電流センサと、
　前記渦電流センサの出力信号に基づいて導電膜の厚さを監視するモニタリング装置とを備え、
　前記モニタリング装置は、基板上の導電膜を砥粒を含んだ研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視することを特徴とする研磨装置。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開２００９−９９８４２号公報
　刊行物１には「ドリフトを補正する基準値となる補正基準値Ｘｂ，Ｙｂがモニタリング装置５３にて取得される」（【００４６】）、「より具体的には、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂは、渦電流センサ５０の上方に導電膜が存在していないという条件下で取得される」（【００４６】）、「いずれのプロセスにおいても、渦電流センサ５０に対向する導電膜が存在しないときに（すなわち渦電流センサ５０の有効計測範囲に導電膜が存在しないときに）渦電流センサ５０の出力信号が取得されるので、図１に示すＲ２は無限大に近くなり、導電膜の膜厚が０となったときに類似する条件下で補正基準値が取得される」（【００４９】）と記載されているのであるから、
　「渦電流センサ５０の上方に導電膜が存在していない」（【００４６】）例として、仮に「例えば、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得は、研磨パッド１０の研磨面をドレッサー２０によりドレッシングする間、または水を研磨面に供給しながらウェハを水研磨するときであって渦電流センサ５０がウェハ上の導電膜に対向していない間、または水を研磨面に供給しながら導電膜のないウェハを水研磨する間、または交換のために研磨パッド１０が研磨テーブル１２から剥がされている間に行われる」（【００４６】）とだけ例示されてあったとしても、
　刊行物１の記載に接した当業者であれば、例示されている状況以外の「渦電流センサ５０の上方に導電膜が存在していない」（【００４６】）状況においても、ドリフトを補正する基準値となる補正基準値を取得しようと試みることは、容易になし得たことである。
　そして、刊行物１においては、図９、段落【００２７】に記載されるように、渦電流センサ５０は研磨テーブル１２が１回転するごとにウェハＷを走査するのであって、
　基板上の導電膜を研磨液で研磨中であっても、渦電流センサ５０の上方にウェハＷ（やドレッサー２０）が存在しているとき以外は、渦電流センサ５０の上方に導電膜は存在していないから、
　刊行物１の記載に接した当業者であれば、「渦電流センサ５０の上方に導電膜が存在していない」（【００４６】）状況として、基板上の導電膜を研磨液で研磨中であっても、渦電流センサ５０の上方にウェハＷ（やドレッサー２０）が存在していないときに、ドリフトを補正する基準値となる補正基準値を取得するように設計することは、容易に想到できたことである。
２　原査定の理由の判断
（１）刊行物の記載事項
ア　刊行物１の記載事項
　刊行物１には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
  
ａ「【０００１】
　
本発明は、基板の表面に形成された導電膜の厚さの変化を研磨中に監視する研磨監視方法および研磨装置に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　
研磨装置は、ウェハの表面に形成されたバリア膜や配線金属膜などの導電膜を研磨する装置として広く用いられている。
 
ｂ「【００１４】 
　本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたもので、研磨装置の稼働率を低下させることなく渦電流センサの較正を行うことができ、精度の高い膜厚監視を可能とする研磨監視方法および研磨装置を提供することを目的とする。」 
  
ｃ「【００１９】 
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。 
図７は、本発明の一実施形態に係る研磨装置の全体構成を示す模式図である。図７に示すように、研磨装置は、研磨パッド１０と、上面に研磨パッド１０が貼設された研磨テーブル１２と、研磨対象物であるウェハ（基板）を保持して研磨パッド１０の上面に押圧するトップリング１４と、ウェハの研磨が行われていないときに研磨パッド１０の上面をドレッシング（コンディショニング）するドレッサー２０とを備えている。研磨パッド１０の上面は、研磨対象物であるウェハが摺接される研磨面を構成している。
【００２０】
　研磨テーブル１２は、その下方に配置されるモータ（図示せず）に連結されており、矢印で示すようにその軸心周りに回転可能になっている。また、研磨テーブル１２の上方には図示しない研磨液供給ノズルが設置されており、この研磨液供給ノズルから研磨パッド１０上に研磨液が供給されるようになっている。
【００２１】
　トップリング１４は、トップリングシャフト１８に連結されており、このトップリングシャフト１８を介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これにより、トップリング１４は昇降可能かつトップリングシャフト１８周りに回転可能となっている。このトップリング１４の下面には、研磨対象物であるウェハが真空吸着等によって保持される。 
【００２２】
　上述の構成において、
トップリング１４の下面に保持されたウェハはトップリング１４によって回転させられつつ、回転している研磨テーブル１２上の研磨パッド１０に押圧される。このとき、研磨液供給ノズルから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、ウェハの被研磨面（下面）と研磨パッド１０の間に研磨液が存在した状態でウェハが研磨される。
 ｄ「【００２６】 
　図７に示すように、
研磨テーブル１２の内部には、ウェハＷの表面に形成された導電膜の膜厚を検出する渦電流センサ５０が埋設されている。
ｅ「【００４６】
　ステップ３が終了すると、次に、ステップ４として、
ドリフトを補正する基準値となる補正基準値Ｘｂ，Ｙｂがモニタリング装置５３にて取得される。
補正基準値Ｘｂ，Ｙｂは、渦電流センサ５０の上方に導電膜が存在していないという条件下で取得される。例えば、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得は、研磨パッド１０の研磨面をドレッサー２０によりドレッシングする間、または水を研磨面に供給しながらウェハを水研磨するときであって渦電流センサ５０がウェハ上の導電膜に対向していない間、または水を研磨面に供給しながら導電膜のないウェハを水研磨する間、または交換のために研磨パッド１０が研磨テーブル１２から剥がされている間に行われる。
【００４７】 
　ドレッシング中に補正基準値Ｘｂ，Ｙｂを取得する場合は、渦電流センサ５０がドレッサー２０から離れた位置にあるときの渦電流センサ５０の出力値（すなわち補正基準値Ｘｂ，Ｙｂ）が取得される。非導電膜を有するウェハを水研磨する間に補正基準値Ｘｂ，Ｙｂを取得する場合は、渦電流センサ５０がウェハに対向する位置にあるときの渦電流センサ５０の出力値が取得される。渦電流センサ５０の出力値は、正確にはウェハ自身の抵抗率（いわゆる基板抵抗）によっても変化するため、ウェハの抵抗率が一定範囲となるように管理される。なお、非導電膜を有するウェハの代わりに、膜が全く形成されていないシリコン基板を使用することも可能である。
【００４８】 
　導電膜が形成されているウェハを水研磨する間に補正基準値Ｘｂ，Ｙｂを取得する場合は、渦電流センサ５０がウェハから離れた位置にあるときの渦電流センサ５０の出力値が取得される。研磨パッド１０の交換時に補正基準値Ｘｂ，Ｙｂを取得する場合は、研磨テーブル１２上には何も存在しない状態で渦電流センサ５０の出力値が取得される。ただし、研磨パッド１０の交換時に補正基準値Ｘｂ，Ｙｂを取得するのは、研磨パッド１０への水染みが少なく、渦電流センサ５０の出力信号への影響が無視できる場合に限られる。
【００４９】 
　非導電膜を有するウェハの水研磨を含む処理は、クオリティコントロール（ＱＣ）のために、定期的に行われるものである。上述したドレッシング、水研磨、研磨パッド交換は、いずれも研磨装置に必然的に付随するプロセスであり、本実施形態の較正は、これらのプロセスを妨げることなく、これらのプロセスのいずれか１つが行われている間に行われる。したがって、渦電流センサ５０の出力信号を較正するための時間を設けることは不要であり、全体のスループットを下げることがない。いずれのプロセスにおいても、渦電流センサ５０に対向する導電膜が存在しないときに（すなわち渦電流センサ５０の有効計測範囲に導電膜が存在しないときに）渦電流センサ５０の出力信号が取得されるので、図１に示すＲ２は無限大に近くなり、導電膜の膜厚が０となったときに類似する条件下で補正基準値が取得される。
【００５０】 
　次に、
ステップ５として、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂから初期ドリフト量ΔＸｇ，ΔＹｇが減算されて、補正基準値が補正される。このステップにより補正された補正基準値Ｘｏ（＝Ｘｂ−ΔＸｇ），Ｙｏ（＝Ｙｂ−ΔＹｇ）が求められる。
  
ｆ「【００５２】
　その後、
ステップ６として、補正信号値Ｘａ，Ｙａがモニタリング装置５３によって取得される。この補正信号値Ｘａ，Ｙａの取得は、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得と同一の条件下で行われる。
【００５３】 
　そして、
ステップ７として、補正信号値Ｘａ，Ｙａから補正基準値Ｘｏ，Ｙｏが減算され、補正量（すなわち、渦電流センサ５０の出力信号のドリフト量）ΔＸａ（＝Ｘａ−Ｘｏ），ΔＹａ（＝Ｙａ−Ｙｏ）が求められる。この補正量ΔＸａ，ΔＹａはモニタリング装置５３に登録される。そして、次に続くウェハが研磨されている間の渦電流センサ５０の出力信号Ｘｍ，Ｙｍから補正量ΔＸａ，ΔＹａが減算され、補正された出力信号（すなわち実測信号値）Ｘｐ（＝Ｘｍ−ΔＸａ），Ｙｐ（＝Ｙｍ−ΔＹａ）が求められる。
モニタリング装置５３は、この補正された出力信号Ｘｐ，Ｙｐから図４に示すように、ＸＹ座標系の原点Ｏと座標（Ｘｐ，Ｙｐ）で表される点との距離Ｚ（＝（Ｘｐ２＋Ｙｐ２）１／２）を算出する。そして、モニタリング装置５３は、この距離Ｚの変化に基づいて研磨中の導電膜の厚さを監視する。
（ア）刊行物１には「基板の表面に形成された導電膜の厚さの変化を研磨中に監視する研磨監視方法および研磨装置」（【０００１】）が記載されている。
（イ）刊行物１に「ウェハは（中略）回転している研磨テーブル１２上の研磨パッド１０に押圧される。このとき、（中略）ウェハが研磨される」（【００２２】）、「研磨テーブル１２の内部には、ウェハＷの表面に形成された導電膜の膜厚を検出する渦電流センサ５０が埋設されている」（【００２６】）と記載されており、刊行物１において「基板」と「ウェハ」とは同義で使われていること（例えば【０００１】，【０００２】参照）を踏まえれば、刊行物１には「基板は回転している研磨テーブル上の研磨パッドに押圧されて研磨され、研磨テーブルの内部には、基板の表面に形成された導電膜の膜厚を検出する渦電流センサが埋設されている」ことが記載されているということができる。 
  
（ウ）刊行物１に「補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得は、水を研磨面に供給しながらウェハを水研磨するときであって渦電流センサ５０がウェハ上の導電膜に対向していない間（中略）に行われる」（【００４６】）、「ステップ５として、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂから初期ドリフト量ΔＸｇ，ΔＹｇが減算されて、補正基準値が補正される。このステップにより補正された補正基準値Ｘｏ（＝Ｘｂ−ΔＸｇ），Ｙｏ（＝Ｙｂ−ΔＹｇ）が求められる」（【００５０】）、「ステップ６として、補正信号値Ｘａ，Ｙａがモニタリング装置５３によって取得される。この補正信号値Ｘａ，Ｙａの取得は、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得と同一の条件下で行われる」（【００５２】）、「ステップ７として、補正信号値Ｘａ，Ｙａから補正基準値Ｘｏ，Ｙｏが減算され、補正量（すなわち、渦電流センサ５０の出力信号のドリフト量）ΔＸａ（＝Ｘａ−Ｘｏ），ΔＹａ（＝Ｙａ−Ｙｏ）が求められる。この補正量ΔＸａ，ΔＹａはモニタリング装置５３に登録される。そして、次に続くウェハが研磨されている間の渦電流センサ５０の出力信号Ｘｍ，Ｙｍから補正量ΔＸａ，ΔＹａが減算され、補正された出力信号（すなわち実測信号値）Ｘｐ（＝Ｘｍ−ΔＸａ），Ｙｐ（＝Ｙｍ−ΔＹａ）が求められる」（【００５３】）と記載されており、上記（イ）でも述べたとおり、刊行物１において「基板」と「ウェハ」とは同義で使われていることを踏まえれば、刊行物１には、「水を研磨面に供給しながら基板を水研磨するときであって渦電流センサが基板上の導電膜に対向していない間に取得された補正基準値Ｘｂ，Ｙｂから初期ドリフト量ΔＸｇ，ΔＹｇが減算されて補正された補正基準値Ｘｏ（＝Ｘｂ−ΔＸｇ），Ｙｏ（＝Ｙｂ−ΔＹｇ）が求められ、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得と同一の条件下で取得された補正信号値Ｘａ，Ｙａから補正基準値Ｘｏ，Ｙｏが減算されて補正量ΔＸａ（＝Ｘａ−Ｘｏ），ΔＹａ（＝Ｙａ−Ｙｏ）が求められ、次に続く基板が研磨されている間の渦電流センサの出力信号Ｘｍ，Ｙｍから補正量ΔＸａ，ΔＹａが減算されて補正された出力信号Ｘｐ（＝Ｘｍ−ΔＸａ），Ｙｐ（＝Ｙｍ−ΔＹａ）が求められる」ことが記載されているといえる。
（エ）刊行物１に「モニタリング装置５３は、この補正された出力信号Ｘｐ，Ｙｐから図４に示すように、ＸＹ座標系の原点Ｏと座標（Ｘｐ，Ｙｐ）で表される点との距離Ｚ（＝（Ｘｐ２＋Ｙｐ２）１／２）を算出する。そして、モニタリング装置５３は、この距離Ｚの変化に基づいて研磨中の導電膜の厚さを監視する」（【００５３】）と記載されていることから、刊行物１には、「補正された出力信号Ｘｐ，Ｙｐから算出された距離Ｚの変化に基づいて研磨中の導電膜の厚さを監視する」ことが記載されているといえる。
　したがって、上記の刊行物１に記載された事項と上記（ア）ないし（エ）とを総合すると、刊行物１には以下の発明が記載されている（以下、引用発明という。）。 
  
 「基板の表面に形成された導電膜の厚さの変化を研磨中に監視する研磨監視方法および研磨装置であって、 
　基板は回転している研磨テーブル上の研磨パッドに押圧されて研磨され、
研磨テーブルの内部には、基板の表面に形成された導電膜の膜厚を検出する渦電流センサが埋設されており、
　水を研磨面に供給しながら基板を水研磨するときであって渦電流センサが基板上の導電膜に対向していない間に取得された補正基準値Ｘｂ，Ｙｂから初期ドリフト量ΔＸｇ，ΔＹｇが減算されて補正された補正基準値Ｘｏ（＝Ｘｂ−ΔＸｇ），Ｙｏ（＝Ｙｂ−ΔＹｇ）が求められ、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得と同一の条件下で取得された補正信号値Ｘａ，Ｙａから補正基準値Ｘｏ，Ｙｏが減算されて補正量ΔＸａ（＝Ｘａ−Ｘｏ），ΔＹａ（＝Ｙａ−Ｙｏ）が求められ、次に続く基板が研磨されている間の渦電流センサの出力信号Ｘｍ，Ｙｍから補正量ΔＸａ，ΔＹａが減算されて補正された出力信号Ｘｐ（＝Ｘｍ−ΔＸａ），Ｙｐ（＝Ｙｍ−ΔＹａ）が求められ、
　補正された出力信号Ｘｐ，Ｙｐから算出された距離Ｚの変化に基づいて研磨中の導電膜の厚さを監視する、
　研磨監視方法および研磨装置。」
イ　刊行物２（特開２００２−１１８０８４）の記載事項
　刊行物２には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
ｇ「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板の基板面に形成された膜を平坦、且つ鏡面に研磨する基板研磨方法に関し、
ｈ「【００１７】図２は本発明に係る基板研磨方法を実施する基板研磨装置の構成例を示す図である。図において、１は研磨テーブルであり、該研磨テーブル１の上面には研磨布２が貼り付けられ、研磨テーブル駆動用モータ３により矢印Ａに示すように回転するようになっている。５は基板４を保持し研磨布２上面に押圧して回転するトップリングであり、該トップリング５は回転軸６に取付けられ、軸受７を介して回転自在に支持されている。回転軸６は歯車機構８を介してトップリング駆動用モータ９で回転されるようになっている。
【００１８】１０は基板４を保持したトップリング５を研磨テーブル１の研磨布２の上面に押圧する押圧シリンダである。また、１１は研磨布２の上面にスラリーを供給するスラリー供給ノズルであり開閉弁１３を介してスラリー供給源（図示せず）に接続されている。１２は研磨布２の上面に水を供給する水供給ノズルであり開閉弁１４を介して水供給源（図示せず）に接続されている。１５は制御装置であり、該制御装置１５には電流センサ１６で検出した研磨テーブル駆動用モータ３の電流検出信号Ｉ1、電流センサ１７で検出したトップリング駆動用モータ９の電流検出信号Ｉ2、光学式膜厚センサ１８で検出した膜厚検出信号Ｓ1及び渦電流式膜厚センサ１９で検出した膜厚検出信号Ｓ2が入力されるようになっている。」
ｉ「【００２０】上記構成の基板研磨装置において、
本発明に係る基板研磨方法は、基板４を研磨テーブル１の研磨布２上面に押し当てる基板押圧荷重、研磨テーブル１及び／又はトップリング５の回転数及び研磨液（スラリー、水、水と不活性気体の混合体等）の少なくとも１つを変えた３工程以上の研磨工程を経て研磨する。
【００２１】図３は研磨工程とその研磨条件の具体例を示す図である。ここでは、図１に示すように、基板上に酸化膜１０１、Ｔｉ膜１０２、ＴｉＮ膜１０３、Ｗ膜１０４が順次積層形成された基板を研磨するもので、ステップ１〜６の研磨工程を経て研磨を行う。また、研磨テーブル１及びトップリング５の回転数は一定とし、各研磨工程における研磨条件は下記のようにしている。
【００２２】ステップ１では研磨液にスラリー、基板押圧荷重を５００ｋｇｆ／ｃｍ2、ステップ２では研磨液にスラリー、基板押圧荷重を４００ｋｇｆ／ｃｍ2、ステップ３では研磨液にスラリー、基板押圧荷重を２００ｋｇｆ／ｃｍ2、ステップ４では研磨液に水、基板押圧荷重を５０ｋｇｆ／ｃｍ2、ステップ５では研磨液にスラリー、基板押圧荷重を１００ｋｇｆ／ｃｍ2、ステップ６では研磨液に水、基板押圧荷重を５０ｋｇｆ／ｃｍ2としている。各工程でスラリーは同一種類のスラリーを用い、荷重だけを変え、同一テーブル上で多段研磨を行う。
【００２３】上記構成の基板研磨装置で、上記ステップ１〜６の研磨工程を実施する場合を説明する。制御装置１５の制御により、研磨テーブル１及びトップリング５を所定の回転数（回転速度）で回転させると共に、押圧シリンダ１０を制御しトップリング５に加える押圧力、即ち基板押圧荷重を５００ｋｇｆ／ｃｍ2として１０秒間の研磨を行う（ステップ１の研磨）。続いて基板押圧荷重を４００ｋｇｆ／ｃｍ2として３０秒の研磨を行い（ステップ２の研磨）、続いて基板押圧荷重を２００ｋｇｆ／ｃｍ2として６０秒の研磨を行う（ステップ３の研磨）。このステップ１〜３の研磨において、制御装置１５は開閉弁１３を開き（この時開閉弁１４は閉）、スラリー供給ノズル１１から研磨布２の上面にスラリーを供給している。
【００２４】上記ステップ３の研磨工程はＴｉＮ膜１０３の検知（エンドポイント検知）により終了する。Ｗ膜１０４が研磨除去され、ＴｉＮ膜１０３が研磨布２に当接した時、その摩擦力に変化があるので、研磨テーブル１を駆動する研磨テーブル駆動用モータ３の電流も変化する。制御装置１５は電流センサ１６で検出した研磨テーブル駆動用モータ３の電流検出信号Ｉ1の変化から、ＴｉＮ膜１０３を検知（エンドポイントを検知）することができる。ＴｉＮ膜１０３を検知したら、開閉弁１４を開いて（この時開閉弁１３は閉）、水供給ノズル１２から研磨布２の上面に水を供給すると共に、押圧シリンダ１０の押圧力を制御し、基板押圧荷重を５０ｋｇｆ／ｃｍ2として研磨、即ち水研磨を行う（ステップ４の研磨）。
【００２５】上記水研磨は、ステップ１〜３の高い基板押圧荷重のスラリー研磨により、研磨布２の研磨面やスラリーや基板４の被研磨面の温度が高くなっている部分を冷却する作用を有し、これによりＷ膜１０４の研磨（浸食）が抑制され、基板４の被研磨面の均一性が保持される。
【００２６】上記水研磨が所定時間実施され終了したら、開閉弁１３を開いて（この時開閉弁１４は閉）、スラリー供給ノズル１１から研磨布２の上面にスラリーを供給すると共に、押圧シリンダ１０の押圧力を制御して基板押圧荷重を１００ｋｇｆ／ｃｍ2としてスラリー研磨する（ステップ５の研磨）。このスラリー研磨により、ＴｉＮ膜１０３及びＴｉ膜１０２を研磨除去する。ステップ５のスラリー研磨の終了はＴｉ膜１０２の研磨除去、即ち酸化膜１０１の検知（エンドポイント検知）により行う。この酸化膜１０１の検知も上記と同様、制御装置１５は電流センサ１６で検出した研磨テーブル駆動用モータ３の電流検出信号Ｉ1の変化から検知することができる。
【００２７】上記ステップ５の研磨が終了したら、制御装置１５は開閉弁１４を開いて（この時開閉弁１３は閉）、水供給ノズル１２から研磨布２の上面に水を供給すると共に、押圧シリンダ１０の押圧力を制御し基板押圧荷重を５０ｋｇｆ／ｃｍ2として、所定時間水研磨を行う（ステップ６の研磨）。」
（オ）刊行物２には「半導体基板の基板面に形成された膜を（中略）研磨する基板研磨方法」（【０００１】）が記載されている。
（カ）刊行物２に「本発明に係る基板研磨方法は、基板４を（中略）研磨液（スラリー、水、水と不活性気体の混合体等）の少なくとも１つを変えた３工程以上の研磨工程を経て研磨する」（【００５３】）と記載されていることから、刊行物２には、研磨液としてスラリーを供給して研磨する工程と、研磨液として水を供給して研磨する工程が記載されているといえる。
　したがって、上記の刊行物２に記載された事項と上記（オ）および（カ）とを総合すると、刊行物２には以下の技術が記載されている。 
「半導体基板の基板面に形成された膜を研磨する基板研磨方法において、研磨液としてスラリーを供給して研磨する工程。」（以下、刊行物２に記載の技術１という。）
「半導体基板の基板面に形成された膜を研磨する基板研磨方法において、研磨液として水を供給して研磨する工程。」（以下、刊行物２に記載の技術２という。）
（２）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。 
ア　引用発明の「研磨テーブル」、「基板」、「導電膜」、「渦電流センサ」は、それぞれ、本願発明の「研磨テーブル」、「基板」、「導電膜」、「渦電流センサ」に相当する。
イ　引用発明の「基板の表面に形成された導電膜の厚さの変化を研磨中に監視する研磨監視方法および研磨装置であって、基板は回転している研磨テーブル上の研磨パッドに押圧されて研磨され、研磨テーブルの内部には、基板の表面に形成された導電膜の膜厚を検出する渦電流センサが埋設されて」いる点は、本願発明の「回転する研磨テーブル上の研磨面に研磨対象の基板を押圧して基板上の導電膜を研磨し、研磨中に研磨テーブルに設置された渦電流センサにより導電膜の厚さを監視する研磨監視方法」に相当する。
ウ
（ア）引用発明が、基板の表面に形成された導電膜の厚さの変化を研磨中に監視する研磨監視方法および研磨装置に関するものであって、渦電流センサの出力信号Ｘｍ，Ｙｍから補正量ΔＸａ，ΔＹａが減算されて得られる補正された出力信号から距離Ｚを算出して基板上の導電膜の厚さを監視するものであることを踏まえれば、引用発明における出力信号Ｘｍ，Ｙｍは、基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に導電膜を有する基板が存在する時の渦電流センサの出力信号であるといえる。
　また、刊行物２に記載の技術２にもあるとおり、水を供給して行う研磨（すなわち水研磨）における水は研磨液であるといえるから、引用発明の「水で研磨中」は、本願発明の「研磨液で研磨中」に対応する。
　さらに、引用発明の「補正量」は出力信号を補正するためのものであるから、本願発明の「出力調整量」に対応する。
（イ）してみれば、引用発明の「水を研磨面に供給しながら基板を水研磨するときであって渦電流センサがウェハ上の導電膜に対向していない間に取得された補正基準値Ｘｂ，Ｙｂから初期ドリフト量ΔＸｇ，ΔＹｇが減算されて補正された補正基準値Ｘｏ（＝Ｘｂ−ΔＸｇ），Ｙｏ（＝Ｙｂ−ΔＹｇ）が求められ、補正基準値Ｘｂ，Ｙｂの取得と同一の条件下で取得された補正信号値Ｘａ，Ｙａから補正基準値Ｘｏ，Ｙｏが減算されて補正量ΔＸａ（＝Ｘａ−Ｘｏ），ΔＹａ（＝Ｙａ−Ｙｏ）が求められ、次に続くウェハが研磨されている間の渦電流センサの出力信号Ｘｍ，Ｙｍから補正量ΔＸａ，ΔＹａが減算されて補正された出力信号Ｘｐ（＝Ｘｍ−ΔＸａ），Ｙｐ（＝Ｙｍ−ΔＹａ）が求められ、補正された出力信号Ｘｐ，Ｙｐから算出された距離Ｚの変化に基づいて研磨中の導電膜の厚さを監視する」ことと、本願発明の「基板上の導電膜を砥粒を含んだ研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて前記基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視する」こととは、「基板上の導電膜を研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視する」点で共通する。
　すると、本願発明と引用発明とは、次の一致点および相違点を有する。
＜一致点＞
「回転する研磨テーブル上の研磨面に研磨対象の基板を押圧して基板上の導電膜を研磨し、研磨中に研磨テーブルに設置された渦電流センサにより導電膜の厚さを監視する研磨監視方法であって、
　基板上の導電膜を研磨液で研磨中に渦電流センサの出力信号を取得し、基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在しない時の出力信号を用いて渦電流センサの出力調整量を算出し、該出力調整量を用いて基板上の導電膜の研磨中であって渦電流センサの上方に基板が存在する時の出力信号を補正して基板上の導電膜の厚さを監視する、
　研磨監視方法。」
＜相違点＞
　本願発明は、研磨液が砥粒を含み、かつ、出力調整量を算出するための出力信号および出力調整量を用いて補正される出力信号が、同一の基板上の導電膜の研磨中のものであるのに対し、引用発明には、そのような特定がない点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　刊行物２に記載の技術１および２のように、半導体基板の基板面に形成された膜を研磨する基板研磨方法において、研磨液としてスラリーを供給して研磨する工程および研磨液として水を供給して研磨する工程は、いずれも研磨工程として周知である。
　しかしながら、基板上の導電膜を
砥粒を含んだ研磨液で研磨中に
出力調整量を算出し、
前記基板上の導電膜の研磨中
の出力信号を補正する
（４）小括
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明および周知技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願の請求項２−７に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであり、また、本願の請求項８に係る発明は方法の発明である本願発明を物の発明として記載したものであって、本願の請求項９−１４に係る発明は、本願の請求項８に係る発明をさらに限定したものであるから、本願の請求項２−１４に係る発明は、本願発明と同様に、当業者が引用発明および周知技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
（２）本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開２００９−９９８４２号公報 
　　　　２：特開２００２−１１８０８４号公報
・当審拒絶理由（１）
　スラリーではなく水を供給して行う研磨（すなわち水研磨）における水は研磨液であるといえる（例えば、刊行物２の段落【００２２】，【００２４】，【００２７】参照）から、引用発明の「水で研磨中」は、本願発明の「研磨液で研磨中」に相当し、また引用発明の「補正量」は、本願発明の「出力調整量」に相当する。 
　したがって、本願発明と引用発明とは一致し、相違点はなく、本願発明は、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。 
・当審拒絶理由（２）
　例えば刊行物２の段落【００１７】，【００１８】，【００２０】−【００２７】に記載されているように、スラリー等の研磨液を供給して研磨する工程と水を供給して研磨する工程は、いずれも研磨工程として周知であり、刊行物１には「研磨面に研磨液が供給され、ウェハの被研磨面（下面）と研磨パッド１０の間に研磨液が存在した状態でウェハが研磨される」（【００２２】）ことも記載されていることから、引用発明において、補正量を算出するために渦電流センサの出力信号を取得するタイミングを「水で研磨中」とするのみならず「スラリー等の研磨液で研磨中」とすることは、当業者が容易に想到し得る事項である。
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明および周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
２　当審拒絶理由の判断
（１）刊行物の記載事項
　当審拒絶理由で引用された刊行物１および２の記載事項は、上記「第３」の「２（１）刊行物の記載事項」に記載したとおりである。
（２）対比・判断
　当審拒絶理由（１）および（２）について、当審拒絶理由で引用された刊行物１と原査定の理由で引用された刊行物１とは、同一の刊行物であるところ、上記「第３」の「２（２）対比」および「第３」の「２（３）判断」において示したとおり、本願発明と引用発明とは相違し、また、引用発明および周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　よって、当審拒絶理由（１）および（２）は解消した。
（３）小括
　したがって、本願発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明であるとはいえず、また、当業者が引用発明および周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　本願の請求項２−７に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであり、また、本願の請求項８に係る発明は方法の発明である本願発明を物の発明として記載したものであって、本願の請求項９−１４に係る発明は、本願の請求項８に係る発明をさらに限定したものであるから、本願の請求項２−１４に係る発明は、本願発明と同様に、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明であるとはいえず、また、当業者が引用発明および周知技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえなくなった。
　そうすると、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。