Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月28日(2020.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合構造物であって、
第１の導電性特徴部及び第１の非導電性特徴部を含む第１の界面特徴部を有する第１の素子と、
第２の導電性特徴部及び第２の非導電性特徴部を含む第２の界面特徴部を有する第２の素子であって、前記第１の界面特徴部の前記第１の導電性特徴部が介在する接着剤を用いずに前記第２の界面特徴部の前記第２の導電性特徴部に直接接合されると共に、前記第１の界面特徴部の前記第１の非導電性特徴部が介在する接着剤を用いずに前記第２の界面特徴部の前記第２の非導電性特徴部に直接接合されて、界面構造体を画定する、前記第２の素子と、
前記第２の素子の中又は上に配設された導電トレースと、
前記第１の素子の上面にあり、前記導電トレースと電気通信するボンドパッドと、
前記第１の素子又は前記第２の素子に結合された、若しくは前記第１の素子又は前記第２の素子と共に形成された集積デバイスと、
を備え、
前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の接合界面が前記接合構造物の内部領域を実質的に包囲する、接合構造物。
【請求項２】
前記第１の素子と前記第２の素子との間に空洞を更に備える、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項３】
前記接合構造物内に空洞が配設されない、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項４】
前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の接合界面は、事実上の閉鎖プロファイルを画定し、前記第１及び第２の素子を接続し、前記事実上の閉鎖プロファイルは、外部環境から前記接合構造物の前記内部領域へと拡散する気体から、前記内部領域を実質的に封止する、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項５】
前記導電トレースから前記界面構造体を通って延び、前記ボンドパッドに接続する電気的相互接続部を更に備える、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項６】
前記第１及び第２の非導電性特徴部の一方又は両方は酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項７】
前記第１の素子の上面に配設された複数のボンドパッドを更に備える、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項８】
前記集積デバイスは前記導電トレースに電気的に接続される、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項９】
前記ボンドパッドは前記接合構造物の最上面に対して凹んでいる、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項１０】
前記第２の素子の側域が前記第１の素子の側域よりも大きい、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項１１】
前記第１の導電性特徴部は複数の導電セグメントを含む、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項１２】
前記複数の導電セグメントは一連の導電性ドットを含む、請求項１に記載の接合構造物。
【請求項１３】
前記集積デバイスは前記空洞内に配設される、請求項２に記載の接合構造物。
【請求項１４】
前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の前記接合界面は、不完全な環状パターンを含む、請求項４に記載の接合構造物。
【請求項１５】
前記電気的相互接続部は前記第１の素子を通って延びる、請求項５に記載の接合構造物。
【請求項１６】
前記電気的相互接続部は前記第２の素子の少なくとも一部を通って延びる、請求項５に記載の接合構造物。
【請求項１７】
前記第１の界面特徴部は、前記第１の素子の上面に対向する前記第１の要素の下面に配設される、請求項１５に記載の接合構造物。
【請求項１８】
接合構造物であって、
第１の導電性特徴部及び第１の非導電性特徴部を含む第１の界面特徴部を有する第１の素子と、
第２の導電性特徴部及び第２の非導電性特徴部を含む第２の界面特徴部を有する第２の素子であって、前記第１の界面特徴部の前記第１の導電性特徴部が介在する接着剤を用いずに前記第２の界面特徴部の前記第２の導電性特徴部に直接接合されると共に、前記第１の界面特徴部の前記第１の非導電性特徴部が介在する接着剤を用いずに前記第２の界面特徴部の前記第２の非導電性特徴部に直接接合されて、界面構造体を画定する、前記第２の素子と、
前記第１の素子の上面にあるボンドパッドと、
前記第１の素子又は前記第２の素子に結合された、若しくは前記第１の素子又は前記第２の素子と共に形成された集積デバイスと、
前記ボンドパッドから前記第１の素子を通って延び、前記集積デバイスに電気的に接続する電気的相互接続部と、
を備え、
前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の接合界面が前記接合構造物の内部領域を実質的に包囲する、接合構造物。
【請求項１９】
前記電気的相互接続部は前記界面構造体を通って延びる、請求項１８に記載の接合構造物。
【請求項２０】
前記第２の素子の中又は上に導電トレースを更に備え、前記導電トレースは、前記集積デバイスと前記電気的相互接続部との間に電気通信を提供する、請求項１８に記載の接合構造物。
【請求項２１】
前記第１の素子と前記第２の素子との間に空洞を更に備える、請求項１８に記載の接合構造物。
【請求項２２】
前記界面構造体は前記集積デバイスの周囲に配設されて事実上の閉鎖プロファイルを画定し、前記第１及び第２の素子を接続し、前記事実上の閉鎖プロファイルは、外部環境から前記接合構造物の内部領域へと拡散する気体から、前記内部領域を実質的に封止する、請求項１８に記載の接合構造物。
【請求項２３】
前記電気的相互接続部は前記第２の素子の一部を通って延びる、請求項１９に記載の接合構造物。
【請求項２４】
接合構造物を形成する方法であって、
第１の導電性特徴部及び第１の非導電性特徴部を含む第１の界面特徴部を有する第１の素子、及び、第２の導電性特徴部及び第２の非導電性特徴部を含む第２の界面特徴部を有する第２の素子を提供することと、
前記第１の界面特徴部の前記第１の導電性特徴部と前記第２の界面特徴部の前記第２の導電性特徴部とを、介在する接着剤を用いずに直接接合することと、
前記第１の界面特徴部の前記第１の非導電性特徴部と前記第２の界面特徴部の前記第２の非導電性特徴部とを、介在する接着剤を用いずに直接接合することと、
を含み、
導電トレースが前記第２の素子の中又は上に配設され、
ボンドパッドが、前記第１の素子の上面に配設され、前記導電トレースと電気通信し、集積デバイスが、前記第１の素子又は前記第２の素子に結合される、若しくは前記第１の素子又は前記第２の素子と共に形成され、前記第１の導電性特徴部と前記第２の導電性特徴部との間の接合界面が、前記接合構造物の内部領域を実質的に包囲する、方法。
【請求項２５】
前記ボンドパッドから前記第１の素子を通って延び、前記導電トレースに電気的に接続する電気的相互接続部を提供することを更に含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の界面特徴部は前記第１の素子の上面に配設され、前記ボンドパッドは事実上の閉鎖プロファイルの外側に配設される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記接合することの前に前記電気的相互接続部を提供することを更に含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
前記接合することの後に前記電気的相互接続部を提供することを更に含む、請求項２５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月17日(2020.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ壁およびチャンバ蓋を有し、前記チャンバ壁の内面および前記チャンバ蓋の底面が内部空間を画定している、チャンバ本体と、
前記内部空間に配置される、ヒータ台と、
前記ヒータ台に接触して配置される、上部ヒータライナーと
を含む、ロードロックチャンバであって、前記上部ヒータライナーが、
上部板、および
前記上部板および前記ヒータ台と接触して配置され、前記ヒータ台の上方に前記上部板を離間させ、１８０度離れて配置された２つの基板移送開口を有する、少なくとも１つの壁
を含む、ロードロックチャンバ。
【請求項２】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の距離が、約５０ミル（ｍｉｌ）から約２００ミル（ｍｉｌ）である、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項３】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の前記距離が約１００ミルである、請求項２に記載のロードロックチャンバ。
【請求項４】
前記ヒータ台と前記上部板との間の距離が、約１０００ミルから約２０００ミルである、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項５】
前記ヒータ台と前記上部板との間の前記距離が約１３００ミルであり、前記ヒータ台と前記上部板のサイズが等しい、請求項４に記載のロードロックチャンバ。
【請求項６】
前記上部板が、揮発した材料は通過させるが固化した汚染粒子が通過するのを防ぐ大きさの複数の開口を含む、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項７】
前記上部ヒータライナーが、少なくとも、１８０度離間した第１の壁および第２の壁を含む、請求項１に記載のロードロックチャンバ。
【請求項８】
チャンバ壁およびチャンバ蓋を有し、前記チャンバ壁の内面と前記チャンバ蓋の底面が内部空間を画定している、チャンバ本体と、
前記内部空間に配置されるヒータ台と、
前記ヒータ台に接触して配置される上部ヒータライナーと
を含む、ロードロックチャンバであって、
前記上部ヒータライナーが、
上部板、
前記上部板および前記ヒータ台と接触して配置され、前記ヒータ台の上方に前記上部板を離間させている、少なくとも２つの壁、および
前記少なくとも２つの壁の間かつ前記上部板の下方に画定され、１８０度離れて配置される、２つの基板移送開口
を含む、ロードロックチャンバ。
【請求項９】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の距離が、約５０ミル（ｍｉｌ）から約２００ミル（ｍｉｌ）である、請求項８に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１０】
前記チャンバ蓋の前記底面と前記上部板との間の前記距離が約１００ミルである、請求項９に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１１】
前記ヒータ台と前記上部板との間の距離が、約１０００ミルから約２０００ミルであり、前記ヒータ台と前記上部板の直径がほぼ同じである、請求項８に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１２】
前記ヒータ台と前記上部板との間の距離が約１３００ミルである、請求項８に記載のロードロックチャンバ。
【請求項１３】
上部ヒータライナーアセンブリであって、
円筒形の上部板と
前記上部板から延伸して配置された少なくとも１つの壁であって、約１８０度離れて配置された２つの基板移送開口を有する、少なくとも１つの壁と
を含む、上部ヒータライナーアセンブリ。
【請求項１４】
前記上部板が中実であり、前記上部板および前記少なくとも１つの壁が伝導性材料から製造されている、請求項１３に記載の上部ヒータライナーアセンブリ。
【請求項１５】
前記上部板が穿孔されており複数の開口が形成されている、請求項１３に記載の上部ヒータライナーアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月17日(2020.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のポイントに係わる距離を利用し、前記複数のポイントを含む平面に係わる平面情報を獲得する段階と、
方向センサによって測定された端末の方向情報、及び前記平面情報を利用し、前記平面のベクトルを獲得する段階と、
前記ベクトルを考慮し、前記平面に表示するオブジェクトのパラメータを決定する段階と、
前記端末の表示部に、前記決定されたパラメータにより、前記オブジェクトを表示する段階と、
を含む拡張現実提供方法をコンピュータに実行させるコンピュータプログラム。
【請求項２】
赤外線センサから測定された前記赤外線センサから複数のポイントまでの距離及び方向を獲得する段階をさらに含み、
前記平面情報を獲得する段階は、前記測定された距離及び方向を利用し、前記平面情報を獲得することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項３】
前記平面情報は、前記端末の方向を基準にする前記平面の方向情報であり、前記方向センサは、加速度センサ及びジャイロセンサのうち１以上を含み、
前記ベクトルを獲得する段階は、前記測定された端末の方向情報に基づいて、前記平面の方向情報の基準を、前記端末の方向から前記方向センサの基準方向に変換し、前記ベクトルを獲得することを特徴とする請求項１又は２に記載のコンピュータプログラム。
【請求項４】
前記決定する段階は、
前記ベクトルに基づいて、前記平面の属性を決定し、前記決定された属性に基づいて、前記パラメータを決定することを特徴とする請求項１〜３のうちの何れか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項５】
前記平面情報は、前記平面の方向情報であり、
前記決定する段階は、前記属性に基づいて、前記オブジェクトの第１パラメータを決定し、前記平面の方向情報に基づいて、前記オブジェクトの第２パラメータを決定することを特徴とする請求項４に記載のコンピュータプログラム。
【請求項６】
前記平面情報は、前記平面の方向情報であり、
前記決定する段階は、前記属性に基づいて、前記オブジェクトの種類を決定し、前記平面の方向情報に基づいて、前記オブジェクトのレンダリング方向を決定し、
前記表示する段階は、前記オブジェクトを表示するための三次元情報を、前記レンダリング方向に沿って、二次元にレンダリングして表示することを特徴とする請求項４又は５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項７】
前記表示する段階は、前記端末に具備されるカメラによって撮影される映像と、前記オブジェクトとを重畳して表示することを特徴とする請求項１〜６のうちの何れか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項８】
前記距離は、前記端末に具備される距離センサによって測定され、
カメラ及び前記距離センサは、同一方向に向けて設置されることを特徴とする請求項１〜７のうちの何れか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項９】
前記パラメータは、前記オブジェクトの大きさ、方向、色相、及び前記オブジェクトに適用されるアニメーションのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜８のうちの何れか１項に記載のコンピュータプログラム。
【請求項１０】
複数のポイントに係わる距離を利用し、前記複数のポイントを含む平面に係わる平面情報を獲得する段階と、
方向センサによって測定された端末の方向情報、及び前記平面情報を利用し、前記平面のベクトルを獲得する段階と、
前記ベクトルを考慮し、前記平面に表示するオブジェクトのパラメータを決定する段階と、
前記端末の表示部に、前記決定されたパラメータにより、前記オブジェクトを表示する段階と、を含む拡張現実提供方法。
【請求項１１】
距離センサによって測定された複数のポイントに係わる距離情報、及び方向センサによって測定された端末の方向情報を獲得する信号獲得部と、
前記距離を利用し、前記複数のポイントを含む平面に係わる平面情報を獲得し、前記端末の方向情報、及び前記平面情報を利用し、前記平面のベクトルを獲得し、前記ベクトルを考慮し、前記平面に表示するオブジェクトのパラメータを決定する演算部と、
前記端末の表示部に、前記決定されたパラメータにより、前記オブジェクトを表示する表示制御部と、を含む拡張現実提供装置。
【請求項１２】
前記装置は、
加速度センサ及びジャイロセンサのうち１以上を含む前記方向センサをさらに含み、
前記平面情報は、前記端末の方向を基準にする前記平面の方向情報であり、
前記演算部は、前記測定された端末の方向情報に基づいて、前記平面の方向情報の基準を、前記端末の方向から前記方向センサの基準方向に変換し、前記ベクトルを獲得することを特徴とする請求項１１に記載の拡張現実提供装置。
【請求項１３】
前記演算部は、前記ベクトルに基づいて、前記平面の属性を決定し、前記決定された属性に基づいて、前記パラメータを決定することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の拡張現実提供装置。
【請求項１４】
前記平面情報は、前記平面の方向情報であり、
前記演算部は、前記属性に基づいて、前記オブジェクトの第１パラメータを決定し、前記平面の方向情報に基づいて、前記オブジェクトの第２パラメータを決定することを特徴とする請求項１３に記載の拡張現実提供装置。
【請求項１５】
前記平面情報は、前記平面の方向情報であり、
前記演算部は、前記属性に基づいて、前記オブジェクトの種類を決定し、前記平面の方向情報に基づいて、前記オブジェクトのレンダリング方向を決定し、
前記表示制御部は、前記オブジェクトを表示するための三次元情報を、前記レンダリング方向に沿って、二次元にレンダリングして表示することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の拡張現実提供装置。
【請求項１６】
前記表示制御部は、前記端末に具備されるカメラによって撮影される映像と、前記オブジェクトとを重畳して表示することを特徴とする請求項１１〜１５のうちの何れか１項に記載の拡張現実提供装置。
【請求項１７】
前記装置は、
前記カメラと、
前記距離センサと、をさらに含み、
前記カメラ及び前記距離センサは、同一方向に向けて設置されることを特徴とする請求項１６に記載の拡張現実提供装置。
【請求項１８】
前記パラメータは、前記オブジェクトの大きさ、方向、色相、及び前記オブジェクトに適用されるアニメーションのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１１〜１７のうちの何れか１項に記載の拡張現実提供装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月10日(2019.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＣＧモニターに接続するＥＣＧケーブルであって、
コアと、
前記コアの周囲に巻かれ、互いに絶縁された複数の抵抗ワイヤを含む抵抗ワイヤケーブルであって、各抵抗ワイヤの抵抗は、少なくとも５００Ωであり、前記抵抗ワイヤは、抵抗率が少なくとも０．１３５μΩ＊ｍである材料よりなる、抵抗ワイヤケーブルと、
各々が一端で各抵抗ワイヤに接続され、他端で電極に接続された、２以上の可撓性リードワイヤとを有する、
ＥＣＧケーブル。
【請求項２】
前記抵抗ワイヤケーブルは、前記コアの少なくとも一部に螺旋状に巻かれている、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項３】
前記抵抗ワイヤケーブルは、実質的にＦｅＣｒＡｌ合金で作られている、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項４】
前記抵抗ワイヤの直径は、５０ないし５００μｍの範囲、特に１００ないし２００μｍの範囲にある、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項５】
前記抵抗ワイヤは、複数の抵抗ワイヤの束を含む、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項６】
前記抵抗ワイヤケーブルは、反対の電流を流す２本のバイファイラ巻き抵抗ワイヤを含む、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項７】
前記抵抗ワイヤケーブルは、前記コアの周囲に反対方向に巻かれた並列抵抗ワイヤを含む、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項８】
前記抵抗ワイヤケーブルは、絶縁されていないワイヤの織り込まれたシールドを含む、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項９】
２本以上の抵抗ワイヤケーブルが前記コアに並列に巻かれている、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項１０】
前記コアは、プラスチック、フェライト、または透磁率が高い材料よりなり、特に、透磁率が１０より高い、好ましくは１００より高い材料よりなる、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項１１】
前記抵抗ワイヤケーブルの巻線のピッチは、前記抵抗ワイヤケーブルの長さにわたって変化する、
請求項２に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項１２】
各抵抗ワイヤの抵抗は少なくとも１ｋΩである、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【請求項１３】
前記抵抗ワイヤは、抵抗率が１．３５ないし１．４５μΩ＊ｍの範囲である材料よりなる、
請求項１に記載のＥＣＧケーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、ＥＣＧモニターと接続する心電図ケーブルが提供される。該ＥＣＧケーブルは、
−  コアと、
−  前記コアの周囲に巻かれ、互いに絶縁された複数の抵抗ワイヤを含む抵抗ワイヤケーブルであって、各抵抗ワイヤの抵抗は、少なくとも５００Ωであり、前記抵抗ワイヤは、抵抗率が少なくとも０．１３５μΩ＊ｍである材料よりなる、抵抗ワイヤケーブルと、
−  各々が一端で各抵抗ワイヤに接続され、他端で電極に接続された、２以上の可撓性リードワイヤとを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
好ましくは、各抵抗ワイヤの抵抗は少なくとも１ｋΩである。したがって、直径、長さ、および材料は、所望の抵抗値を達成するように選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
一実施形態では、抵抗ワイヤは、抵抗率が１．３５ないし１．４５μΩ＊ｍの範囲である材料よりなる。
【手続補正書】
【提出日】令和1年9月18日(2019.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタホルダと、フィルタホルダの外側に嵌設された濾過カートリッジと、濾過カートリッジに連結されたエンドキャップと、エンドキャップに回動可能に保持された蓋体とを備える掃除機であって、前記エンドキャップには、シュートと、あて板と、あて板と離間した底板とが設けられ、前記蓋体に突起ブロックが設けられ、前記突起ブロックはシュートに沿って蓋体に追従して回動でき、前記あて板は、突起ブロックの一側に係止されて蓋体のエンドキャップからの脱落を防止するために使用され、前記濾過カートリッジは、フィルタホルダを収容する収容空間を有し、前記底板に底板を貫通する貫通口が設けられ、前記貫通口はあて板と対向し、前記貫通口はシュートと収容空間との間を連通し、前記蓋体に貫通口内に延出した延出部が更に設けられ、前記蓋体がエンドキャップに対して回動する過程において、延出部は蓋体に追従して回動し、貫通口の反対両端の間で回動するように制限される、ことを特徴とする掃除機。
【請求項２】
前記フィルタホルダにセンターピラーが設けられ、前記蓋体がセンターピラー周りに１つの回転方向に従っておよび逆らって回転することができ、前記センターピラーの外周面にねじが設けられ、前記エンドキャップに複数の挟持部材が設けられ、前記挟持部材にリブが設けられ、前記蓋体がエンドキャップに対して前記回転方向に従って回転する過程において、前記蓋体は各挟持部材を押してセンターピラーへ移動させ、前記複数の挟持部材はセンターピラーを挟持し、リブはセンターピラーのねじに嵌め込まれる、ことを特徴とする請求項１に記載の掃除機。
【請求項３】
前記蓋体がエンドキャップに対して第１角度位置にある場合、前記複数の挟持部材はセンターピラーを挟持し、前記蓋体がエンドキャップに対して第２角度の位置にある場合、前記複数の挟持部材はセンターピラーを挟持せず、前記蓋体はエンドキャップに対して第１角度位置と第２角度位置との間で回動するように制限され、前記蓋体が第１角度位置から前記回転方向に逆らって第２角度位置まで回転する過程において、前記複数の挟持部材は、センターピラーから離れる方向へ移動し、センターピラーに対する挟持を解除し、前記蓋体が第１角度位置から前記回転方向に従って回動する場合、蓋体は、エンドキャップおよび挟持部材を前記回転方向に従って回動させ、挟持部材のリブはねじに沿って這い上がる、ことを特徴とする請求項２に記載の掃除機。
【請求項４】
前記エンドキャップには、シュートの一端に位置する第１ストッパ壁が設けられ、前記蓋体が第１角度位置から前記回転方向に従って回動する場合、突起ブロックは第１ストッパ壁を押し当てることにより、エンドキャップおよび挟持部材を前記回転方向に従って回動させる、ことを特徴とする請求項３に記載の掃除機。
【請求項５】
前記あて板の１つの直線に沿う投影は、貫通口の前記直線に沿う投影によって覆われ、前記直線は蓋体の回転軸線に平行であり、前記貫通口は円弧状となり、前記延出部は蓋体の回転軸線に平行であり、前記貫通口は、蓋体の回転方向において対向する第１端および第２端を有し、前記蓋体がエンドキャップに対して回動する過程において、前記延出部は第１端と第２端との間で回動するように制限され、前記延出部は突起ブロックから一体に延出し、前記突起ブロックに、反対側となる第１側および第２側が設けられ、あて板は、突起ブロックの第１側に係止されて蓋体のエンドキャップからの脱落を防止するために使用され、前記延出部は突起ブロックの第２側からあて板から離れる方向へ延出する、ことを特徴とする請求項１に記載の掃除機。
【請求項６】
前記エンドキャップには開口が更に設けられ、前記開口はあて板の末端と隣接し、蓋体をエンドキャップに取り付ける時、突起ブロックは開口からシュートに入り、延出部は開口、シュートを順次経て貫通口内に入り、前記エンドキャップに、挟持部材と、シュートの径方向内側に位置する第１側壁とが設けられ、前記あて板は第１側壁に連結され、前記第１側壁およびあて板はそれぞれシュートの１つの溝壁を構成し、前記蓋体がエンドキャップに対して１つの回転方向に従って回転する過程において、前記蓋体は挟持部材を押して蓋体の回転軸線へ移動させ、挟持部材は第１側壁から延出する、ことを特徴とする請求項１に記載の掃除機。
【請求項７】
前記貫通口は円弧状の外側辺を有し、前記延出部は外側辺の径方向内側に位置し、前記延出部が貫通口の反対両端の間の任意の位置にある時、前記延出部は前記外側辺に接触し、または径方向外方へ第１距離移動すれば前記外側辺に接触でき、前記第１距離は０ｍｍ〜１．２ｍｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の掃除機。
【請求項８】
前記貫通口は、外側辺の径方向に対向する円弧状の内側辺を更に備え、前記延出部は内側辺の径方向外側に位置し、前記延出部が貫通口の反対両端の間の任意の位置にある時、前記延出部は径方向内方へ第２距離移動すれば前記内側辺に接触でき、前記第２距離は第１距離よりも大きい、ことを特徴とする請求項７に記載の掃除機。
【請求項９】
前記シュートの数、前記あて板の数、前記延出部の数、および前記貫通口の数がそれぞれ複数個備えられ、各延出部は対応する貫通口内にそれぞれ延出し、各延出部は、蓋体の回転軸線周りの円周に均一に分布される、ことを特徴とする請求項１に記載の掃除機。
【請求項１０】
掃除機に用いられ、濾過カートリッジと、濾過カートリッジの一端に連結されてそれを遮蔽するエンドキャップと、濾過カートリッジの他端に連結されたエンドリングと、エンドキャップの外側に回動可能に保持された蓋体とを備え、前記エンドキャップが貫通する端孔を有し、前記蓋体がセンターピラー周りに１つの回転方向に従っておよび逆らって回転することができる濾過アセンブリであって、前記蓋体は前記端孔を遮蔽し、前記エンドキャップに、シュートと、挟持部材と、底板とが設けられ、前記蓋体が前記回転方向に従ってエンドキャップに対して回転する過程において、前記蓋体は挟持部材を押して蓋体の回転軸線へ移動させ、前記蓋体が前記回転方向に逆らってエンドキャップに対して回転する過程において、前記挟持部材がセンターピラーから離れる方向へ移動し、前記蓋体にシュートに沿って蓋体に追従して回動可能な突起ブロックが設けられ、前記底板に底板を貫通する貫通口が設けられ、前記貫通口はシュートと濾過カートリッジ内部空間との間を連通し、前記蓋体には貫通口内に延出した延出部が更に設けられ、前記貫通口は、回転方向において対向する第１端および第２端を有し、前記蓋体がエンドキャップに対して回動する過程において、前記延出部は第１端と第２端との間で回動するように制限される、ことを特徴とする濾過アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月6日(2020.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプラントであって、
一般的ならせん形構造要素を含む第１層と、
一般的ならせん形構造要素を含む第２層と、
第１起伏平面形構造要素と
を含み、
前記第１起伏平面形構造要素は、一般的ならせん形構造要素の前記第１層と一般的ならせん形構造要素の前記第２層との間に配置されている、インプラント。
【請求項２】
前記インプラントはさらに
一般的ならせん形構造要素を含む第３層と、
一般的ならせん形構造要素を含む第４層と、
第２起伏平面形構造要素と、
第３起伏平面形構造要素と
を含み、
前記第２起伏平面形構造要素は、一般的ならせん形構造要素の前記第２層と一般的ならせん形構造要素の前記第３層との間に配置され、
前記第３起伏平面形構造要素は、一般的ならせん形構造要素の前記第３層と一般的ならせん形構造要素の前記第４層との間に配置されている、請求項１に記載のインプラント。
【請求項３】
前記インプラントはさらに、
一般的ならせん形構造要素を含む第５層と、
一般的ならせん形構造要素を含む第６層と、
第４起伏平面形構造要素と、
第５起伏平面形構造要素と
を含み、
前記第４起伏平面形構造要素は、一般的ならせん形構造要素の前記第４層と一般的ならせん形構造要素の前記第５層との間に配置され、
前記第５起伏平面形構造要素は、一般的ならせん形構造要素の前記第５層と一般的ならせん形構造要素の前記第６層との間に配置されている、請求項２に記載のインプラント。
【請求項４】
前記インプラントはさらに、前記インプラントの前方側部における第１本体部材と、前記インプラントの後方側部における第２本体部材とを含み、
前記第２本体部材の高さは、前記後方側部の前記インプラントの高さに等しく、
前記第１本体部材の高さは、前記前方側部の前記インプラントの高さ未満である、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項５】
一般的ならせん形構造要素の前記第１層の部分は、前記インプラントの前方側部に露出している、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項６】
一般的ならせん形構造要素の前記第１層および一般的ならせん形構造要素の前記第２層は、前記第１起伏平面形構造要素によって画定される平面に関して鏡面対称に配置されている、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項７】
インプラントであって、
第１側部および前記第１側部の反対側に位置する第２側部と、
前記第１側部に配置された本体部材と、
第１端部、第２端部および中間部を含む構造要素と
を含み、
前記第１端部は、前記本体部材に取り付けられ、前記第２端部は、前記第２本体部材に取り付けられ、
前記中間部は、前記第２側部に配置されている、インプラント。
【請求項８】
前記第１側部は、前記インプラントの後方側部であり、前記第２側部は、前記インプラントの前方側部である、請求項７に記載のインプラント。
【請求項９】
前記構造要素は、一般的ならせん形幾何学形状を有する、請求項７または請求項８に記載のインプラント。
【請求項１０】
前記構造要素は、起伏平面幾何学形状を有する、請求項７または請求項８に記載のインプラント。
【請求項１１】
前記構造要素は、一般的ならせん形幾何学形状を有する第１部分と起伏平面幾何学形状を有する第２部分とを有する、請求項７または請求項８に記載のインプラント。
【請求項１２】
前記インプラントは、前記第２側部に配置された別の本体部材を含む、請求項７〜請求項１１のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項１３】
前記中間部は、前記第２側部において前記別の本体部材に取り付けられている、請求項１２に記載のインプラント。
【請求項１４】
インプラントであって、
本体部材と、
前記本体部材から延びている外周要素であって、前記外周要素と前記本体部材とが前記インプラントの中央領域を区画する外周要素と、
前記本体部材の内面に取り付けられた中央支持要素と
を含み、
前記中央支持要素は、前記中央領域に配置されている、インプラント。
【請求項１５】
前記中央支持要素は、一般的ならせん形幾何学形状を有する少なくとも１つのセグメントを含む、請求項１４に記載のインプラント。
【請求項１６】
前記中央支持要素は、閉ループ幾何学形状を有する、請求項１４に記載のインプラント。
【請求項１７】
前記中央支持要素は、一般的ならせん形幾何学形状を有する２つの対向するセグメントを含み、前記対向するセグメントは、接続部によって互いに取り付けられている、請求項１４に記載のインプラント。
【請求項１８】
前記外周要素は、一般的ならせん形幾何学形状を有する、請求項１４〜請求項１７のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項１９】
前記外周要素は、起伏平面幾何学形状を有する、請求項１４〜請求項１７のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項２０】
前記中央支持要素は、前記インプラントの内部領域に配置されている、請求項１４〜請求項１９のいずれか１項に記載のインプラント。
【請求項２１】
前記別の本体部材は、ねじ切り開口を有する、請求項１２または請求項１３に記載のインプラント。
【手続補正書】
【提出日】令和1年8月30日(2019.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遺伝子工学菌ＶＮＰ２０００９−Ｍの肺癌予防・治療薬の製造における応用。
【請求項２】
前記肺癌は、原発性肺腫瘍、肺癌術後再発腫瘍及び肺癌転移腫瘍を含むことを特徴とする請求項１に記載の応用。
【請求項３】
前記肺癌は、非小細胞肺癌及び小細胞肺癌を含むことを特徴とする請求項２に記載の応用。
【請求項４】
前記非小細胞肺癌は、扁平上皮癌、腺癌、腺扁平上皮癌、大細胞肺癌又は未分化癌を含むことを特徴とする請求項３に記載の応用。
【請求項５】
前記遺伝子工学菌ＶＮＰ２０００９−Ｍの最小有効投与量は３．５＊１０７ＣＦＵ／Ｍ２であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の応用。
【請求項６】
前記遺伝子工学菌ＶＮＰ２０００９−Ｍの投与方式は、経口投与、局所投与、注射投与を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の応用。
【請求項７】
前記遺伝子工学菌ＶＮＰ２０００９−Ｍは、Ｌ−メチオニナーゼ遺伝子がクローニングされた弱毒ネズミチフス菌ＶＮＰ２０００９であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の応用。
【請求項８】
前記遺伝子工学菌ＶＮＰ２０００９−Ｍは、Ｌ−メチオニナーゼ遺伝子がクローニングされたプラスミドを有する弱毒ネズミチフス菌ＶＮＰ２０００９であることを特徴とする請求項７に記載の応用。
【請求項９】
前記プラスミドは、ｐＳＶＳＰＯＲＴプラスミド、ｐＴｒｃ９９Ａプラスミド、ｐｃＤＮＡ３．１プラスミド、ｐＢＲ３２２プラスミド又はｐＥＴ２３ａプラスミドを含むことを特徴とする請求項８に記載の応用。
【請求項１０】
前記遺伝子工学菌ＶＮＰ２０００９−Ｍは、Ｌ−メチオニナーゼ遺伝子をプラスミドにサブクローニングして、Ｌ−メチオニナーゼ発現プラスミドを得て、Ｌ−メチオニナーゼ発現プラスミドを弱毒ネズミチフス菌ＶＮＰ２０００９に電気的形質転換する方法によって構築されることを特徴とする請求項７に記載の応用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月27日(2020.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの親水性ポリマーを含む外部親水性相、並びにイデベノン及び少なくとも１つの疎水性物質を含有する内部疎水性相を含む、イデベノンのための経粘膜送達系であって、ここで内部疎水性相は、外部相中に液滴の形態で乳化されており、内部疎水性相は外部相中で少なくとも１つの乳化剤により安定化されていることを特徴とする、上記経粘膜送達系。
【請求項２】
イデベノンが実質的に内部疎水性相中に存在することを特徴とする、請求項１に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項３】
イデベノンが、好ましくは実質的に内部疎水性相中に非結晶形態で溶解して存在することを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項４】
イデベノンが、好ましくは実質的に内部疎水性相中に、その飽和濃度よりも低い薬学的に有効な濃度で、好ましくは少なくとも１つの疎水性物質中にイデベノンの飽和濃度の９０％に相当する濃度で存在することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項５】
少なくとも１つの親水性ポリマーが、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、セルロース誘導体及び／又はそれらのコポリマーを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１つに記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項６】
内部疎水性相における少なくとも１つの疎水性物質が、約１よりも大きいｌｏｇＰ値を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項７】
内部疎水性相における少なくとも１つの疎水性物質が、サリチル酸メチル、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、ユーカリプトール、１，２−プロパンジオール、サリチル酸メチル、リノール酸、オレイン酸及び／又はそれらの混合物を含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項８】
少なくとも１つの乳化剤が３〜１５のＨＬＢ値を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項９】
少なくとも１つの乳化剤が、ポリソルベート、ソルビタンエステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エーテル及び／又はそれらの混合物を含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１０】
経粘膜送達系が少なくとも１つのフリーラジカルスカベンジャーをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１１】
少なくとも１つのフリーラジカルスカベンジャーがビタミンＥを含むことを特徴とする、請求項１０に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１２】
外部親水性相が、イデベノンのための経粘膜送達系の総質量に対して２０〜７０質量％を構成することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１３】
内部相が、イデベノンのための経粘膜送達系の総質量に対して３０〜６０質量％を構成することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１４】
乳化剤が、イデベノンのための経粘膜送達系の総質量に対して２〜７質量％を構成することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系を製造する方法であって：
ａ１）  少なくとも１つの親水性ポリマーを含む水溶液を製造する工程；
ａ２）  イデベノン及び少なくとも１つの疎水性物質を含む溶液を製造する工程、
［ここで工程ａ１）又はａ２）の２つの溶液のうちの少なくとも１つは、少なくとも１つの乳化剤を更に含む］；
ｂ）  工程ａ１）及びａ２）からの２つの溶液をエマルションを得るために混合する工程；並びに
ｃ）  乾燥したエマルションが約５０〜約２５０ｇ／ｍ２の単位面積当たりの質量を有するように、工程ｂ）において得られたエマルションを広げて乾燥させる工程
を含む、上記方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法により得ることができる、イデベノンのための経粘膜送達系。
【請求項１７】
フリートライヒ運動失調症、デュシェンヌ型筋ジストロフィー、一次性進行型多発性硬化症、レーベル遺伝性視神経症の処置において使用するための、請求項１〜１４及び１６のいずれか１項に記載のイデベノンのための経粘膜送達系を含む薬剤。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月1日(2020.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
【表１】
2020509061.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2020509061000001.app
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月21日(2020.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
肝臓切除後の微小血管侵襲型肝細胞癌患者における肝内腫瘍再発の減少及び無病生存期間増加のための薬剤の製造における治療的有効量のｍｕｐａｒｆｏｓｔａｔの使用のうち、前記薬剤が血管侵襲のない肝細胞癌患者及び大血管侵襲型肝細胞癌患者への治療を除く、治療的有効量のｍｕｐａｒｆｏｓｔａｔの使用。
【請求項２】
肝臓切除後の微小血管侵襲型肝細胞癌患者における肝内腫瘍再発の減少及び無病生存期間増加のための薬剤の製造における治療的有効量の免疫チェックポイント阻害剤との併用である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
肝臓切除後の微小血管侵襲型肝細胞癌患者における肝内腫瘍再発の減少及び無病生存期間増加のための薬剤の製造における治療的有効量の付加的抗癌剤との併用である、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記治療的有効量のｍｕｐａｒｆｏｓｔａｔが前記薬剤の唯一の抗癌剤である、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者は肝臓切除前に一つのみの腫瘍を有する、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者の術後におけるＣｈｉｌｄ−Ｐｕｇｈ分類の合計スコアが８未満である、請求項１に記載の使用。
【請求項７】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者の肝臓切除前における肝腫瘍の大きさが１０ｃｍ以下である、請求項１に記載の使用。
【請求項８】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者は肝臓切除前に４階級腫瘍分化度が高分化、中分化又は低分化である腫瘍を有する、請求項１に記載の使用。
【請求項９】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者がＢ型肝炎ウイルス（ＨＢＶ）由来の肝細胞癌又はＣ型肝炎ウイルス（ＨＣＶ）由来の肝細胞癌を有する、請求項１に記載の使用。
【請求項１０】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者は抗Ｂ型肝炎ウイルス薬物治療に非応答性である、請求項１に記載の使用。
【請求項１１】
前記薬剤の投与計画は毎週少なくとも４日連続、毎４週のうち３週の投与である、請求項１に記載の使用。
【請求項１２】
前記薬剤の投与計画は少なくとも５２週の投与である、請求項１に記載の使用。
【請求項１３】
前記微小血管侵襲型肝細胞癌患者は、肝臓切除後少なくとも５．２週間経過した後に前記薬剤を投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項１４】
肝臓切除後の肝細胞癌患者を治療するための薬剤の製造における治療的有効量のｍｕｐａｒｆｏｓｔａｔの使用のうち、前記薬剤が血管侵襲のない肝細胞癌患者及び大血管侵襲型肝細胞癌患者への治療を除く、治療的有効量のｍｕｐａｒｆｏｓｔａｔの使用であって、前記肝細胞癌患者は以下の特徴：
（ａ）微小血管侵襲の徴候がある
（ｂ）以下の特徴のうち少なくとも１つを有する
（ｉ）肝臓切除前に一つのみの腫瘍を有する
（ｉｉ）術後におけるＣｈｉｌｄ−Ｐｕｇｈ分類の合計スコアが８未満である
（ｉｉｉ）肝臓切除前における肝腫瘍大きさが１０ｃｍ以下である
（ｉｖ）肝臓切除前に４階級腫瘍分化度が高分化、中分化又は低分化である腫瘍を有する
を有する、治療的有効量のｍｕｐａｒｆｏｓｔａｔの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月23日(2020.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下から上へ順次に配置される裏面電極、裏面窒化シリコン膜、裏面酸化アルミニウム膜、Ｐ型シリコン、Ｎ型シリコン、表面窒化シリコン膜及び表面銀電極を含み、前記Ｐ型シリコンは電池のシリコンウェハであり、Ｎ型シリコンはシリコンウェハの表面で拡散して形成されたＮ型エミッターであり、前記表面銀電極は、互いに垂直である銀材質の表面銀バスバー電極及び銀材質の表面銀フィンガー電極からなり、前記裏面電極は、互いに垂直である銀材質の裏面銀バスバー電極及びアルミニウム材質の裏面アルミフィンガー電極からなり、その裏面に、前記裏面窒化シリコン膜、及び前記裏面酸化アルミニウム膜を開口して前記Ｐ型シリコンまでわたるレーザーグルービング領域が設けられ、レーザーグルービング領域内にアルミニウムペーストが注入して印刷され、裏面アルミストリップが形成され、裏面アルミフィンガー電極はレーザーグルービング領域内の裏面アルミストリップと一体に印刷して成形され、裏面アルミストリップを介して前記Ｐ型シリコンに接続される太陽光の吸収に有効であり、
前記Ｐ型シリコンの表面には、互いに平行であり、かつ表面窒化シリコン膜に露出する複数の凹溝が設けられ、前記凹溝の長さ方向は、表面銀バスバー電極に平行であり、前記凹溝の内面は異なる方向から入射される太陽光を受けることが可能なテクスチャであり、前記凹溝の内部の数回の反射及び入射によって太陽光が捕捉されることを特徴とする、
太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項２】
前記凹溝は連続する直線状の溝又は切断されたセグメント状の溝であり、各セグメント状の溝の長さは、１０〜６０μｍであることを特徴とする、
請求項１に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項３】
前記凹溝は、その断面が長方形、正方形、Ｖ形、五角形又は六角形であり、その溝の深さが５〜２０μｍであることを特徴とする、
請求項１に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項４】
互いに平行する複数の前記凹溝において、互いに隣接する前記凹溝の間の間隔は１〜２０ｍｍであることを特徴とする、
請求項１に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項５】
前記裏面窒化シリコン膜の厚さは２０〜５００ｎｍであり、前記裏面酸化アルミニウム膜の厚さは２〜５０ｎｍであることを特徴とする、
請求項１に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項６】
前記裏面銀バスバー電極は連続直線グリッド線又は分割されたグリッド線であり、前記裏面アルミフィンガー電極の数は３０〜５００本であることを特徴とする、
請求項１に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項７】
前記レーザーグルービング領域は複数個であり、前記レーザーグルービング領域のパターンはセグメント状、直線状、点線状又はドット状であることを特徴とする、
請求項２に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項８】
前記レーザーグルービング領域の幅は１０〜５００μｍであり、隣接する前記レーザーグルービング領域の間の間隔は０．５〜１０ｍｍであることを特徴とする、
請求項７に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項９】
前記裏面電極の周囲には、さらに、電子の伝送経路を一つ多く提供するためのアルミニウム材質のアルミニウムグリッド外枠が一回り印刷され、前記アルミニウムグリッド外枠は、対応する前記裏面銀バスバー電極及び前記裏面アルミフィンガー電極のそれぞれに接続されることを特徴とする、
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法において、
（１）前記Ｐ型シリコンであるシリコンウェハの表面をレーザーグルービングし、互いに平行な複数の前記凹溝を設けるステップと、
（２）前記シリコンウェハの表面及び裏面にウェットテクスチャリングして、テクスチャを形成し、前記凹溝の内面にもテクスチャを形成するステップと、
（３）前記シリコンウェハの表面で拡散させ、Ｎ型シリコン、即ち、Ｎ型エミッターを形成するステップと、
（４）拡散中に形成されたＰＳＧ及び周辺ＰＮ接合を除去するステップと、
（５）前記シリコンウェハの裏面を研磨するステップと、
（６）前記シリコンウェハの裏面に前記裏面酸化アルミニウム膜を堆積させるステップと、
（７）前記裏面酸化アルミニウム膜の裏面に前記裏面窒化シリコン膜を堆積させるステップと、
（８）Ｎ型シリコンの表面に表面窒化シリコン膜を堆積し、前記凹溝を表面窒化シリコン膜に露出させるステップと、
（９）シリコンの裏面をレーザーグルービングし、前記裏面窒化シリコン膜及び前記裏面酸化アルミニウム膜を開口して前記シリコンウェハまでわたる前記レーザーグルービング領域を形成するステップと、
（１０）前記シリコンウェハの裏面に、スクリーン印刷によって前記裏面電極の前記裏面銀バスバー電極を印刷するステップと、
（１１）前記シリコンウェハの裏面に、スクリーン印刷によって前記裏面アルミフィンガー電極を印刷すると同時に、前記レーザーグルービング領域内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップを形成することで、裏面アルミストリップを、前記裏面アルミフィンガー電極と一体に印刷して成形するステップと、
（１２）前記表面窒化シリコン膜の表面に、スクリーン印刷又はインクジェット方法によって正極ペーストを印刷し、前記凹溝の長さ方向に平行な表面銀バスバー電極、及び表面銀フィンガー電極を形成するステップと、
（１３）前記シリコンウェハを高温で焼結し、前記裏面電極及び前記表面銀電極を形成するステップと、
（１４）前記シリコンウェハをＡＮｔｉ−ＬＩＤアニーリング処理し、太陽電池を形成するステップと、を含み、
又は、前記ステップ（５）を省略することを特徴とする、
太陽光の吸収に有効なＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月23日(2020.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下から上へ順次配置される裏面銀電極、アルミニウム裏面電極、裏面窒化シリコン膜、裏面酸化アルミニウム膜、Ｐ型シリコン、Ｎ型シリコン、表面窒化シリコン膜及び表面銀電極を備え、裏面には、さらに、前記裏面窒化シリコン膜及び前記裏面酸化アルミニウム膜を開口して前記Ｐ型シリコンまでわたる複数のレーザーグルービング領域が開設され、複数の前記レーザーグルービング領域が平行に設置され、各レーザーグルービング領域内のそれぞれには裏面アルミストリップが充填され、前記裏面アルミストリップ及び前記アルミニウム裏面電極はアルミニウムペーストによって一体的に印刷によって成形され、前記アルミニウム裏面電極は前記裏面アルミストリップを介して前記Ｐ型シリコンに接続され、前記裏面銀電極、前記アルミニウム裏面電極、前記裏面窒化シリコン膜、前記裏面酸化アルミニウム膜、前記Ｐ型シリコン、前記Ｎ型シリコン、前記表面窒化シリコン膜及び前記表面銀電極は、下から上へ順次に接続され、前記Ｐ型シリコンは電池のシリコンウェハであり、前記Ｎ型シリコンは前記シリコンウェハの表面で拡散して形成されたＮ型エミッタであり、前記表面窒化シリコン膜は前記シリコンウェハの表面に堆積され、前記裏面酸化アルミニウム膜は前記シリコンウェハの裏面に堆積され、前記シリコンウェハに前記表面窒化シリコン膜が堆積された後に前記裏面酸化アルミニウム膜が堆積され、前記裏面酸化アルミニウム膜が堆積される前に前記シリコンウェハの裏面を洗浄することを特徴とする、光電変換効率を向上可能なＰＥＲＣ太陽電池。
【請求項２】
前記表面窒化シリコン膜の厚さは５０〜３００μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の光電変換効率を向上可能なＰＥＲＣ太陽電池。
【請求項３】
前記裏面窒化シリコン膜の厚さは８０〜３００μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の光電変換効率を向上可能なＰＥＲＣ太陽電池。
【請求項４】
前記裏面酸化アルミニウム膜の厚さは２〜５０ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載の光電変換効率を向上可能なＰＥＲＣ太陽電池。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の光電変換効率を向上可能なＰＥＲＣ太陽電池の製造方法において、
（１）Ｐ型シリコンであるシリコンウェハの表面にテクスチャを形成するステップと、
（２）前記シリコンウェハの表面で拡散させて、Ｎ型シリコン、即ちＮ型エミッタを形成するステップと、
（３）前記シリコンウェハの周辺のＰＮ接合及び拡散中に形成された表面ＰＳＧを除去し、前記シリコンウェハの表面をオゾン酸化処理するステップと、
（４）前記シリコンウェハの表面に表面窒化シリコン膜を堆積するステップと、
（５）前記シリコンウェハの裏面を洗浄するステップと、
（６）前記シリコンウェハの裏面に裏面酸化アルミニウム膜を堆積するステップと、
（７）前記シリコンウェハの裏面に裏面窒化シリコン膜を堆積するステップと、
（８）前記シリコンウェハの裏面をレーザーグルービングし、前記裏面窒化シリコン膜、前記裏面酸化アルミニウム膜を開口して前記シリコンウェハまでわたる複数のレーザーグルービング領域を形成するステップと、
（９）前記シリコンウェハの裏面に裏面電極ペーストを印刷して乾燥するステップと、
（１０）前記シリコンウェハの裏面にアルミニウムペーストを印刷してアルミニウム裏面電極を形成し、前記アルミニウム裏面電極を印刷すると共に前記レーザーグルービング領域内にアルミニウムペーストを印刷して裏面アルミストリップを形成し、前記裏面アルミストリップと前記アルミニウム裏面電極とは一体的に印刷によって成形され、印刷の後に乾燥するステップと、
（１１）前記シリコンウェハの表面に表面電極ペーストを印刷して乾燥するステップと、
（１２）前記シリコンウェハを高温で焼結して、裏面銀電極、前記アルミニウム裏面電極及び表面銀電極を形成するステップと、
（１３）前記シリコンウェハをアンチＬＩＤ（ａｎｔｉ−ＬＩＤ）アニーリング処理し、太陽電池を形成するステップと、を備え、
前記シリコンウェハの裏面を洗浄する前記ステップ（５）は、具体的には、
（５１）前記シリコンウェハをＫＯＨの質量分率が０.１％〜６％であり、かつＨ２Ｏ２の質量分率が０.１％〜５％であるＫＯＨとＨ２Ｏ２の混合溶液内に放置し、前記混合溶液の温度は６０〜９９℃であり、放置時間は３０〜３００秒であるステップと、
（５２）前記シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は３０〜３００秒であるステップと、
（５３）前記シリコンウェハをＫＯＨの質量分率が０.３％〜１８％であるＫＯＨ溶液内に放置し、前記ＫＯＨ溶液の温度は６０〜９９℃であり、放置時間は３０〜３００秒であるステップと、
（５４）前記シリコンウェハをＫＯＨの質量分率が０.１％〜６％であり、かつＨ２Ｏ２の質量分率が０.１％〜５％であるＫＯＨとＨ２Ｏ２の混合溶液内に放置し、前記混合溶液の温度は６０〜９９℃であり、放置時間は３０〜３００秒であるステップと、
（５５）前記シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、すすぎ時間は３０〜３００秒であるステップと、
（５６）前記シリコンウェハをＨＦの質量分率が０.２％〜６％であるＨＦ溶液、または、ＨＣＬの質量分率が０.２％〜５％であるＨＣＬ溶液、または、ＨＦの質量分率が０.２％〜６％であり、かつＨＣＬの質量分率が０.２％〜５％であるＨＦ及びＨＣＬの混合溶液内に放置し、ＨＦ溶液またはＨＣＬ溶液またはＨＦ及びＨＣＬの混合溶液の温度は６０〜９０℃であり、放置時間は５〜３００秒であるステップと、
（５７）前記シリコンウェハを脱イオン水に浸漬してからすすぎ、前記脱イオン水の温度は６０〜９９℃であり、すすぎ時間は３０〜３００秒であり、すすぎが完了した後、前記シリコンウェハを水面から引き出すステップと、
（５８）前記シリコンウェハを乾燥するステップと、を備え、
前記ステップ（５１）〜（５８）はこの順で実行されることを特徴とする光電変換効率を向上可能なＰＥＲＣ太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記ステップ（５）において、すべてのＫＯＨをＮａＯＨで置き換えることができることを特徴とする、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（５７）において、すすぎが完了した後、スローリフティング技術を用いて前記シリコンウェハを水面から引き出すことを特徴とする、請求項５に記載の製造方法。