【事件の表示】
　特願２０１２−２５２９１０「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開、特開２０１３−　５８７８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年８月１９日を国際出願日とする特願２００７−５２９６８０号（優先権主張　平成１６年８月２６日（優先権主張番号１０−２００４−００６７４９７）韓国、平成１６年８月２６日（優先権主張番号１０−２００４−００６７４９５）韓国。以下「原出願」という。）の一部を平成２４年１１月１９日に新たな特許出願としたものであって、出願後の手続の経緯は以下のとおりである。
　
　平成２４年１１月１９日　上申書
　平成２５年　８月１９日　拒絶理由通知（同年８月２７日発送）
　平成２５年１１月２６日　意見書・手続補正書
　平成２６年　１月　７日　拒絶査定（同年１月１４日送達）
　平成２６年　５月　１日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　１月２７日　拒絶理由通知（同年２月３日発送、
　　　　　　　　　　　　　以下「当審拒絶理由通知」という。）
　平成２７年　６月　３日　意見書・手続補正書
　
第２　当審拒絶理由通知
　当審拒絶理由通知の概要は、以下のとおりである。
　
１　本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
（１）本願の発明の詳細な説明は、発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が、当業者が理解できる様に記載されていない。
　以下詳述すると、本願の発明の詳細な説明の【０００８】の記載によれば、発明が解決しようとする課題は、「窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させることができる窒化物半導体発光素子を提供すること」にあるものと解される。一方、【０００９】の記載によれば、課題を解決するための手段として、「第１窒化物半導体層と、…n-AlInNクラッド層と、…n-InGaN層と、…活性層と、…p-InGaN層と、…p-AlInNクラッド層と、…第２窒化物半導体層と、を含むこと」が記載されている。しかしながら、【０００９】に記載の各層を含むことで、何故、活性層の結晶性が向上するのか、本願の発明の詳細な説明の記載は、当業者が理解できる様になされているものとは認められない。
…
（３）本願の発明の詳細な説明には、第１実施例は「【００１９】…、従来のp/n接合発光素子とは異なり、n/p/n接合発光素子の構造を有する」、第２実施例は「【００２６】…n/n/p/n接合発光素子として解釈されうる」、第４実施例は「【００３６】…n/n/p/n接合発光素子で解釈されることもできる。」、第６実施例は「【００４３】…n/p/p/n接合発光素子として解釈されうる」、との記載がある。
　一般に、p/n接合の発光素子は当業者が理解しうるものの、n/p接合とp/n接合を含む発光素子（n/p/n接合発光素子、n/n/p/n接合発光素子、n/p/p/n接合発光素子）は、一般的な発光素子とは認められなく、当業者が理解できる様に説明されていない（n/p/n接合は、トランジスタの構造として当業者は理解しうるものの、発光素子の構造としては、理解できない。例えば、どの様に動作するのか。）。
…
（７）本願の発明の詳細な説明には、「【００２９】…インジウム変動(fluctuation)による光出力及び逆方向漏洩電流(reverse leakage current)を改善させるために前記low-mole InxGa1-xN層１０の下部及び上部に、原子尺度(atomic scale)形態で制御されたSiNxクラスタ層３３、３５がそれぞれさらに具備されている。」との記載がある。仮に、「インジウム変動」が「インジウム含有量の（層間の）ばらつき」を意味するもの（審判請求書の請求の理由欄参照。）としても、何故、インジウム含有量の（層間の）ばらつきが光出力の低下や逆方向漏洩電流の原因になるのか、そして、何故、「原子尺度(atomic scale)形態で制御されたSiNxクラスタ層３３、３５」を具備することで改善できるのか、当業者が理解できる様に説明されていない。また、「原子尺度(atomic scale)形態で制御されたSiNＸクラスタ層３３、３５」は、どのように形成されるどのような構造の層であって、どのような特性を有し、どのように作用する層なのか、当業者が理解できる様に説明されていない。 
【００６０】〜【００６２】にも同様の記載があり、同様に当業者が理解できる様に説明されていない。 
（８）本願の発明の詳細な説明には、「【００３１】図３では活性層として、InyGa1-yN井戸層３７、４３とInzGa1-zN障壁層４１、４７との間にSiNxクラスタ層３９、４５がさらに具備された多重量子井戸構造で形成された発光素子の例を示す。」との記載がある。ここで、「SiNxクラスタ層３９、４５」は、どのように形成されるどのような構造の層であって、どのような特性を有し、どのように作用する層なのか、当業者が理解できる様に説明されていない。　
…
　
２　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
（１）上記１（１）に記載したとおり、本願の発明の詳細な説明の記載は、発明が解決しようとする課題及びその解決手段が不明である。してみると、本願の特許請求の範囲の記載は、課題解決手段が反映されたものとは認められない。よって、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
…
　
第３　当審の判断
１　本願の発明の詳細な説明、特許請求の範囲の請求項１には、以下の記載がある（当審注：下線は、当審が付加した。以下、同様である。）。
　
（１）技術分野についての記載
　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は窒化物半導体発光素子に関する。」
　
（２）背景技術についての記載
　「【背景技術】
…
【０００４】
　従来のp-GaN層は結晶成長中にMg原子をドーピングして形成される。結晶成長中にドーピング源に注入されたMg原子がGa位置に置き換えされてp-GaN層として作用する必要がある。Mg原子は、キャリアガス及びソースで分解された水素ガスと結合してGaN結晶層でMg-H複合体を形成し、約１０ＭΩ程度の高低抗体となる。
【０００５】
　したがって、pn接合発光素子を形成した後、Mg-H複合体を切ってMg原子をGaの席に置き換えるための後続の活性化工程が要求される。しかし、前記発光素子は
活性化工程で発光に寄与するキャリアと作用する量は１０
１７
/ｃｍ
３
程度に、１０
１９
/ｃｍ
３
以上のMg原子濃度(atomic concentration)より非常に低くて抵抗性接触形成の難しい
【０００６】
　また、キャリアで活性化されないでp-GaN窒化物半導体内に残っているMg原子らは活性層との界面で放出される光をトラップ(trap)する中心(center)で作用して急激に光出力を減少させる。これを改善するために非常に薄い透過性抵抗性金属物質を使用して接触抵抗を低めて電流注入效率を増加させる方案が利用されている。
【０００７】
　ところが、接触抵抗を減少させるために使用された
薄い透過性抵抗性金属は一般的に光透過度が７５〜８０％程度であり、残りの光透過度は損失として作用する
　
（３）発明の課題についての記載
　「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　本発明は
窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させること
　
（４）課題解決手段についての記載
　「【課題を解決するための手段】
【０００９】
　本発明のある態様は窒化物半導体発光素子である。当該窒化物半導体発光素子は、
第１窒化物半導体層と、前記第１窒化物半導体層上に形成されたn-AlInNクラッド層と、前記n-AlInNクラッド層の上に形成されたn-InGaN層と、前記n-InGaN層の上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp-InGaN層と、前記p-InGaN層の上に形成されたp-AlInNクラッド層と、前記p-AlInNクラッド層の上に形成された第２窒化物半導体層と、
を含むこと
　
（５）発明の効果についての記載
　「【発明の効果】
【００１０】
　本発明によると、
窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させ
　
（６）第１実施例についての記載
　「【００１３】
　図１は本発明による窒化物半導体発光素子の第１実施例の積層構造を概略的に示す図面である。
【００１４】
　本発明による窒化物半導体発光素子１は、図１に示すように、基板２上にバッファー層４が形成されている。ここで、前記バッファー層４はAlInN/GaN積層構造、InGaN/GaN超格子構造、InxGa1-xN/GaN積層構造、AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaNの積層構造のうちから選択されて形成されることができる(０≦x≦１、０≦y≦１、x+y≦１)。
【００１５】
　そして、前記バッファー層４上にはインジウムがドーピングされたIn-doped GaN層６が形成されており、前記In-doped GaN層６上にはn型の第１電極層が形成されている。ここで、前記n型の第１電極層としてはシリコーンとインジウムが同時ドーピングされて形成されるSi-In co-doped GaN層８が採用されることができる。
【００１６】
　また、前記Si-In co-doped GaN層８上にはインジウム含量が低いInxGa1-xN層１０が形成されていて、前記InxGa1-xN層１０上には光を放出する活性層１２が形成されている。前記活性層１２はInGaN井戸層/InGaN障壁層に形成される単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で備えられることができ、その積層構造の例に対しては図３を参照して後からより詳しく説明する。
【００１７】
　さらに前記活性層１２上にはp-GaN層１４が形成されており、この時前記p-GaN層１４はマグネシウムがドーピングされて形成されてもよい。
【００１８】
　そして、前記p-GaN層１４上にはn型の第２電極層が形成されている。ここで、前記n型の第２電極層としてはn-AlInN層１６が採用されることができる。この時、前記n-AlInN層１６はシリコーンがドーピングされて形成されてもよい。
【００１９】
　このように本発明による窒化物半導体発光素子は、第１電極層であるSi-In co-doped GaN層８と第２電極層であるn-AlInN層１６がすべてn型の窒化物に形成されて、その間にp-GaN層１４が形成された点を勘案すると、従来のp/n接合発光素子とは異なり、
n/p/n接合発光素子
（７）第２実施例についての記載
　「【００２４】
　一方、図２は本発明による窒化物半導体発光素子の第２実施例の積層構造を概略的に示す図面である。
【００２５】
　本発明の第２実施例による窒化物半導体発光素子２１の積層構造は、図１に示す窒化物半導体発光素子１と比べる時、前記n-AlInN層１６上部にインジウム組成を順次に変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディングn-InxGa1-xN層２４がさらに形成された場合を示すものである。この時、前記スーパーグレーディング(super grading)n-InxGa1-xN層２４は、その組成範囲が０＜x＜０．２で形成されるようにすることができる。この時、前記スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層２４にはシリコーンがドーピングされるようにすることもできる。
【００２６】
　このような積層構造を有する窒化物半導体発光素子２１は
n/n/p/n接合発光素子
…
　
（８）第３実施例についての記載
「【００２８】
　それでは、図３を参照して本発明による窒化物半導体発光素子３１に採用される活性層の構造に対してより詳細に説明する。図３は本発明による窒化物半導体発光素子の第３実施例の積層構造を概略的に示す図面である。図３に示す積層構造のうちから図１を参照して説明された層(同一符号付与)に対しては説明を省略する。
【００２９】
　本発明の第３実施例による窒化物半導体発光素子３１には、図３に示すように、内部量子效率(internal quantum efficiency)を増加させるため、活性層の歪み(strain)を制御するインジウム含量が低いlow-mole InxGa1-xN層１０が形成されている。また、インジウム変動(fluctuation)による光出力及び逆方向漏洩電流(reverse leakage current)を改善させるために前記low-mole InxGa1-xN層１０の下部及び上部に、
原子尺度(atomic scale)形態で制御されたSiN
x
クラスタ層３３、３５
…
【００３１】
　図３では活性層として、InyGa1-yN井戸層３７、４３とInzGa1-zN障壁層４１、４７との間にSiNxクラスタ層３９、４５がさらに具備された多重量子井戸構造で形成された発光素子の例を示す。ここで、前記活性層の発光效率を改善するためにInyGa1-yN井戸層(０＜y＜０．３５)/SiNxクラスタ層/InzGa1-zN障壁層(０＜z＜０．１)で組成比を調節することもできる。そして、前記インジウム含量が低いlow-mole InxGa1-xN層１０との関係を考慮すると、前記InyGa1-yN井戸層３７、４３/InzGa1-zN障壁層４１、４７にドーピングされるインジウム含量と前記low-mole InxGa1-xN層１０にドーピングされるインジウム含量は、それぞれ０＜x＜０．１、０＜y＜０．３５、０＜z＜０．１の値を有するように調節することができる。…」
　
（９）第４実施例についての記載
「【００３４】
　一方、図４は本発明による窒化物半導体発光素子の第４実施例の積層構造を概略的に示す図面である。図４に示す積層構造のうちから図１を参照して説明された層(同一符号付与)に対しては説明を省略する。
【００３５】
　本発明の第４実施例による窒化物半導体発光素子５１は、p-GaN層１４上にインジウム
組成を順次に変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディングn-InxGa1-xN層５２がさらに形成されている。また、前記スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層５２上にはn-AlInN層５４がさらに形成された場合を示すものである。
【００３６】
　このような積層構造を有する窒化物半導体発光素子５１は
n/n/p/n接合発光素子
　
（１０）第６実施例についての記載
「【００４１】
　そして、図６は本発明による窒化物半導体発光素子の第６実施例の積層構造を概略的に示す図面である。
【００４２】
　本発明の第６実施例による窒化物半導体発光素子７１の積層構造は、図５に示す窒化物半導体発光素子６１と比べる時、前記p-AlInN層６６上部にインジウム組成を順次に変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディングn-InxGa1-xN層７４がさらに形成された場合を示すものである。この時、前記スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層７４はその組成範囲が０＜x＜０．２で形成されるようにできる。この時、前記スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層７４にはシリコーンがドーピングされるようにすることもできる。
【００４３】
　このような積層構造を有する窒化物半導体発光素子７１は
n/p/p/n接合発光素子
（１１）第７実施例についての記載
　「【００４５】
　一方、図７は本発明による窒化物半導体発光素子の第７実施例の積層構造を概略的に示す図面である。
【００４６】
　本発明による窒化物半導体発光素子８１は、図７に示すように、基板８２上にバッファー層８４が形成されている。ここで、前記バッファー層８４はAlInN/GaN積層構造、InGaN/GaN超格子構造、InxGa1-xN/GaN積層構造、AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaNの積層構造のうちから選択されて形成されることができる。
【００４７】
　そして、前記バッファー層８４上にはインジウムがドーピングされたIn-doped GaN層８６が形成されているし、前記In-doped GaN層８６上にはｎ型の第１電極層が形成されている。ここで、前記ｎ型の第１電極層としてはシリコーンとインジウムが同時ドーピングされて形成されるSi-In co-doped GaN層８８が採用されることができる。
【００４８】
　また、前記Si-In co-doped GaN層８８上にはn-AlInNクラッド層９０が形成されていて、前記n-AlInNクラッド層９０上にはn-InGaN層９２が形成されている。そして、前記n-InGaN層９２上には光を放出する活性層９４が形成されている。前記活性層９４は単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成されることができる。前記活性層９４をなす積層構造の例に対しては図９を参照して後でより詳しく説明する。そして、本発明による活性層９４によれば単一量子井戸構造で形成する場合にも十分な光效率を達成することができるという長所がある。
【００４９】
　さらに、前記活性層９４上にはp-InGaN層９６が形成されていて、前記p-InGaN層９６上にはp-AlInNクラッド層９８が形成されている。また、前記p-AlInNクラッド層９８上にはp-GaN層１００が形成されているし、この時前記p-GaN層１００にはマグネシウム(Mg)がドーピングされて形成されるようにできる。
【００５０】
　そして、前記p-GaN層１００上にはｎ型の第２電極層が形成されている。ここで、前記ｎ型の第２電極層としてはインジウム組成を順次に変化させてエネルギーバンドギャップを制御したスーパーグレーディングn-InxGa1-xN層１０２が採用されることができる。この時、前記スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層１０２はその組成範囲が０＜x＜０．２で形成されるようにできる。そして、前記スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層１０２にはシリコーンがドーピングされるようにすることもできる。
【００５１】
　このように本発明による窒化物半導体発光素子は、第１電極層８８と第２電極層１０２がすべてｎ型の窒化物半導体で形成されて、その間にp-GaN層１００が形成された点を勘案すると、従来のpn接合発光素子とは異なり、
npn接合発光素子
【００５２】
　また、前記第２電極層で使用されるｎ型窒化物半導体(例えば、スーパーグレーディングn-InxGa1-xN層１０２)は既存のp-GaN接触層より抵抗が低いから、接触抵抗を減少させて電流注入を極大化させることができる。そして、前記第２電極層にバイアス電圧を印加させる透明電極としては、光出力を極大化させるために電流広がりを極大化させて、優秀な光透過度を有する透過性抵抗性物質または透過性伝導性酸化物の使用が可能である。このような物質としては、ITO、ZnO、RuOx、IrOx及びNiOまたはNiを含むAu合金金属が利用されることができる。
【００５３】
　ここで、図面に示しなかったが、前記第２電極層としてInGaN/AlInGaN超格子構造層またはInGaN/InGaN超格子構造層が形成されるようにすることもできる。そして、前記InGaN/AlInGaN超格子構造層またはInGaN/InGaN超格子構造層にはシリコーンがドーピングされるようにすることもできる。
【００５４】
また、図面に示しなかったが、前記第２電極層としてn-AlInN層が形成されるようにすることもできる。
【００５５】
　このような構成を有する本発明による窒化物半導体発光素子８１によると、活性層９４を中心にn-AlInNクラッド層９０とp-AlInNクラッド層９８を挿入して、前記活性層９４内部のキャリア注入效率と電流のあふれ(overflow)現象を抑制して内部量子效率を改善することができる。」
　
（１２）第８実施例についての記載
　「【００５６】
　そして、図８は本発明による窒化物半導体発光素子の第８実施例の積層構造を概略的に示す図面である。図８に示す積層構造のうちから図７を参照して説明された層(同一符号付与)に対しては説明を省略する。
【００５７】
　本発明の第８実施例による窒化物半導体発光素子１１１は、図７に図す第７実施例による窒化物半導体発光素子８１と比べる時、インジウム含量が低いInxGa1-xN層１１４がさらに形成されているという点にその差がある。
【００５８】
　すなわち本発明の第８実施例による窒化物半導体発光素子１１１によると、n-InGaN層９２と活性層９４との間に
インジウム含量が低いIn
x
Ga
1-x
N層１１４
　
（１３）第９実施例についての記載
　「【００５９】
　それでは、図９を参照して本発明による窒化物半導体発光素子１２１に採用される活性層の構造に対してより詳細に説明する。図９は本発明による窒化物半導体発光素子の第９実施例の積層構造を概略的に示す図面である。図９に示す積層構造のうちから図７を参照して説明された層(同一符号付与)に対しては説明を省略する。
【００６０】
　本発明の第９実施例による窒化物半導体発光素子１２１には、図９に示すように、内部量子效率(internal quantum efficiency)を増加させるため、活性層の歪み(strain)を制御するインジウム含量が低い
low-mole In
x
Ga
1-x
N層１２２
SiN
x
クラスタ層
【００６１】
　また、光を放出する活性層はInyGa1-yN井戸層/InzGa1-zN障壁層に形成される単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成されることができる。
【００６２】
　図９では活性層として、InyGa1-yN井戸層１２４、１２８とInzGa1-zN障壁層１２６、１３０との間にSiNxクラスタ層１３６、１３８がさらに具備された多重量子井戸構造で形成された発光素子の例を示す。ここで、前記活性層の発光效率を改善するためにInyGa1-yN井戸層(０＜y＜０．３５)/
SiN
x
クラスタ層
【００６３】
　また、図面に示しなかったが、前記活性層をなすInyGa1-yN井戸層とInzGa1-zN障壁層との間に、前記InyGa1-yN井戸層のインジウム変動量を制御するGaNキャップ層が形成されるようにすることもできる。この時、光を放出する井戸層と障壁層それぞれのインジウム含量はInyGa1-yN(０＜ｙ＜０．３５)/GaNキャップ/InzGa1-zN(０＜z＜０．１)で構成されるようにできる。
【００６４】
　そして、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で構成された活性層の最後の層を成長させた後、再び
SiN
x
クラスタ層
　
（１４）特許請求の範囲の請求項１の記載
「ｎ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたn-AlInNクラッド層と、
　前記n-AlInNクラッド層の上に形成されたn-InGaN層と、
　前記n-InGaN層の上に形成されたInxGa1-xN層と、
　前記InxGa1-xN層の上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成されたp-InGaN層と、
　前記p-InGaN層の上に形成されたp-AlInNクラッド層と、
　前記p-AlInNクラッド層の上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｐ型窒化物半導体層上に形成されたｎ型InxGa1-xN層と、を含み、
前記活性層は、複数個のInGaN井戸層とInGaN障壁層が交互に積層されており、
　前記InGaN井戸層と前記InGaN障壁層との間に、第１SiNxクラスタ層が形成され、
　前記活性層のInGaN障壁層と前記p-InGaN層との間に形成された第２SiNxクラスタ層と、前記活性層のInGaN井戸層と前記InxGa1-xN層との間に形成された第３SiNxクラスタ層および前記n-InGaN層と前記InxGa1-xN層との間に第４SiNxクラスタ層が形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　判断（当審拒絶理由通知の１（１）について）
（１）上記１（３）によれば、本願の発明の詳細な説明には、本願の発明の課題として、「窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させること」が記載されている。そして、上記１（４）によれば、課題を解決するための手段として、窒化物半導体発光素子が、「第１窒化物半導体層と、前記第１窒化物半導体層上に形成されたn-AlInNクラッド層と、前記n-AlInNクラッド層の上に形成されたn-InGaN層と、前記n-InGaN層の上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたp-InGaN層と、前記p-InGaN層の上に形成されたp-AlInNクラッド層と、前記p-AlInNクラッド層の上に形成された第２窒化物半導体層と、を含むこと」が記載されている。
　しかしながら、窒化物半導体発光素子が「第１窒化物半導体層」、「n-AlInNクラッド層」、「n-InGaN層」、「p-InGaN層」、「p-AlInNクラッド層」、「第２窒化物半導体層」を含むことにより、活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させる旨の課題を解決できる理由について、発明の詳細な説明には記載がなく、当該技術分野の技術常識を踏まえても、当業者は本願の発明の課題を解決できる理由を理解することができない。
　また、平成２７年６月３日付け意見書「３．（１）＜理由１＞」において、
「本願発明に示す構成によれば、従来のp/n接合発光素子の構造的及びp-GaN窒化物半導体自体の低いMgドーピング效率によって発生される低いキャリア濃度、それによる接触抵抗の増加による電流集中(current crowding)問題を乗り越えることができます。上部にn-AlInN窒化物半導体を適用することで、９５％以上の光透過度を有するＩＴＯのような透過性伝導性酸化物を透明電極として使用することができるため、従来p/n接合の場合に対比して５０％以上の高い光出力を具現することができます。しかも、低い接触抵抗によって動作電圧を低めることができ、それによる素子の信頼性を向上させることができます。」
と説明する。しかしながら、上記意見書における説明は、「本願発明に示す構成」を採用することにより、「従来のp/n接合発光素子の構造的及びp-GaN窒化物半導体自体の低いMgドーピング效率によって発生される低いキャリア濃度、それによる接触抵抗の増加による電流集中(current crowding)問題を乗り越えることができ」る理由を説明するものでないばかりか、上記本願の発明の課題を解決できる理由を説明するものでもない。そうすると、上記意見書の記載を参酌しても、「窒化物半導体発光素子をなす活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させる」旨の本願の発明の課題を解決できる理由を、当業者は理解することができない。
　なお、実施の形態８について記載する上記１（１２）には、「インジウム含量が低いInxGa1-xN層１１４」を追加で成長させることにより活性層の歪みを制御することが、また、実施の形態９について記載する上記１（１３）には、「low-mole InxGa1-xN層１２２」を形成することにより、活性層の歪みを制御することが記載されている。しかしながら、上記１（４）の記載によれば、「インジウム含量が低いInxGa1-xN層１１４」、あるいは、「low-mole InxGa1-xN層１２２」は、何れも、本願の課題を解決するための手段に含まれておらず、また、上記１（１１）の記載によれば、第７実施例にも含まれていない。さらに、活性層の歪みを制御することは、必ずしも活性層の結晶性が向上するものではないから、「インジウム含量が低いInxGa1-xN層１１４」、あるいは「low-mole InxGa1-xN層１２２」が、本願の発明の課題を解決する手段であるとは解されない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が、記載されているものとは認められない。
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。よって、本件出願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
３　判断（当審拒絶理由通知の２（１）について）
　本願の請求項１に係る発明は、「ｎ型窒化物半導体層」、「n-AlInNクラッド層」、「InxGa1-xN層」、「活性層」、「p-InGaN層」、「ｐ型窒化物半導体層」を含むところ、前記各層は、それぞれ、上記１（４）に課題を解決するための手段として記載された「第１窒化物半導体層」、「n-AlInNクラッド層」、「n-InGaN層」、「活性層」、「p-InGaN層」、「p-AlInNクラッド層」、「第２窒化物半導体層」に相当する。
　しかしながら、上記２で検討したとおり、窒化物半導体発光素子が前記各層を含むとしても、活性層の結晶性を向上させて、光出力及び信頼性を向上させる旨の本願の発明の課題を解決できる理由を、当業者が理解できない以上、本願の請求項１において、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されているものとは認められない。よって、本件出願は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
４　判断（当審拒絶理由通知の１（３）について）
　本願発明の「窒化物半導体発光素子」は、
「ｎ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層上に形成されたn-AlInNクラッド層と、
　前記n-AlInNクラッド層の上に形成されたn-InGaN層と、
　前記n-InGaN層の上に形成されたInxGa1-xN層と、
　前記InxGa1-xN層の上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成されたp-InGaN層と、
　前記p-InGaN層の上に形成されたp-AlInNクラッド層と、
　前記p-AlInNクラッド層の上に形成されたｐ型窒化物半導体層と、
　前記p型窒化物半導体層上に形成されたｎ型InxGa1-xN層と、を含み、…」
との発明特定事項を備える。前記発明特定事項によれば、窒化物半導体発光素子に流れる電流は、「ｎ型InxGa1-xN層」、「ｐ型窒化物半導体層」、「p-AlInNクラッド層」、「p-InGaN層」、「活性層」、「InxGa1-xN層」、「n-InGaN層」、「n-AlInNクラッド層」、「ｎ型窒化物半導体層」の順に流れるものと解される。
　ここで、「ｐ型窒化物半導体層」から「ｎ型窒化物半導体層」までの層はpn接合発光素子を構成するから、当業者は電流が流れるであろうことを理解しうる。しかしながら、「ｎ型InxGa1-xN層」と「ｐ型窒化物半導体層」との接合は、ｎ型からｐ型へと、逆バイアス方向に電流が流れることとなる。一般に、逆バイアスのｐｎ接合には電流が流れないものと解される（例えば、特開２００２−３１４１２７号公報には、
「【０００８】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上部電極（光の取り出し面にある電極）にｐ型電極を配置している標準的なＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードの電流拡散層にＩＴＯ膜を適用する際には大きな問題がある。
【０００９】ＩＴＯ膜はｎ型の導電性を有する材料である為、どうしても発光領域よりも上部においてｐ型のエピタキシャル層とｎ型のＩＴＯ膜から成るｐｎ接合ができてしまう。その結果、
この発光ダイオードに順方向の電圧を印加しても、上記ｐｎ界面が逆バイアス状態になってしまう為、電流が流れない
【００１０】現在、この解決策として主に二つの方法が使われている。ひとつは、このエピタキシャル層とＩＴＯ膜から成る
ｐｎ界面に、高キャリア濃度のｐ型ＧａＡｓ層と高キャリア濃度のｎ型ＧａＡｓ層を挿入することで、ｐｎ接合をトンネル電気によって小さな抵抗で電気を流す方法
エピタキシャル層（上部クラッド層２５）とＩＴＯ膜（透明導電性膜３３）からなるｐｎ界面に、金属薄膜３２を挿入することによって、小さな抵抗でｐｎ接合に電流を流す方法
との記載があるように、一般に、逆バイアス状態のｐｎ接合には電流が流れない。逆バイアス状態になるｐｎ接合に電流を流すには、何らかの手段が必要であるところ、前記文献は、高キャリア濃度のｐｎ接合にトンネル電流を流す手段、あるいは、ｐｎ界面に金属薄膜を挿入する手段を開示している。）。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、上記１（１１）に摘記したとおり、「【００５１】このように本発明による窒化物半導体発光素子は、第１電極層８８と第２電極層１０２がすべてｎ型の窒化物半導体で形成されて、その間にp-GaN層１００が形成された点を勘案すると、従来のpn接合発光素子とは異なり、npn接合発光素子構造を有すると考えられる。」との記載はあるものの、逆バイアスとなるpn接合に電流を流す手段は、何ら記載されていない。
　また、上記１（２）に摘記したように、本願の発明の詳細な説明では、従来の問題点として、ドーピングするMg原子の濃度を高くすることは難しいこと、薄い透過性金属を挿入すると光透過度が低くなることを挙げているところ、前記従来の問題点の発生を回避しつつ逆バイアス状態となるｐｎ接合に電流を流すには、どの様な手段を採用すればよいのか、技術常識を参酌しても、当業者は理解することができない。
　さらに、平成２７年６月３日付け意見書にも、本願の窒化物半導体発光素子がどの様に動作するのか、説明はない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、本願発明の窒化物半導体発光素子（npn接合発光素子構造）の動作について説明する記載がなく、当業者が発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。よって、本件出願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
５　判断（当審拒絶理由通知の１（７）、（８）について）
　本願発明は、
「前記InGaN井戸層と前記InGaN障壁層との間に、第１SiNxクラスタ層が形成され、前記活性層のInGaN障壁層と前記p-InGaN層との間に形成された第２SiNxクラスタ層と、前記活性層のInGaN井戸層と前記InxGa1-xN層との間に形成された第３SiNxクラスタ層および前記n-InGaN層と前記InxGa1-xN層との間に第４SiNxクラスタ層が形成されたこと」
との発明特定事項を備える。
　ここで、SiNxクラスタ層について、発明の詳細な説明には、上記１（１３）に摘記したとおり、
「【００６０】…インジウム変動(fluctuation)による光出力及び逆方向漏洩電流(reverse leakage current)を改善させるために前記low-mole InxGa1-xN層１２２の下部及び上部に、原子尺度の形態で制御されたSiNxクラスタ層１３２、１３４がそれぞれさらに具備されている。」
との記載や、
「【００６４】　そして、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造で構成された活性層の最後の層を成長させた後、再びSiNxクラスタ層１４０を原子尺度の厚さで成長させてp-GaN層１００のMg元素の活性層内部拡散を抑制するようにする。」
との記載がある。また、図３、図９によれば、SiNxクラスタ層はドットの形状で描かれている。さらに、平成２７年６月３日付け意見書「３．（１）＜理由２＞」よれば、
「『SiNxクラスタ層』は、その上下にある層よりも小さな、ナノレベルの結晶の薄い層です。薄いクラスタ層は、下層および上層の相互作用を許しつつ、半導体層の性質（たとえば、結晶性）を変化させることができます。」
との記載がある。
　上記記載によれば、SiNxクラスタ層が原子尺度の厚さ（ナノレベルの厚さ）に形成するものであるとしても、「内部拡散を抑制する」層であるならば面状に形成するのか、それとも、図に描かれているようにドット状（離散的）に形成するのか、仮にドット状（離散的）に形成するのであれば、どの程度の大きさのものをどの程度の密度で形成するのか等、本願の発明の詳細な説明に記載されておらず、不明である。したがって、当業者は、SiNxクラスタ層を発明特定事項として備える発明を実施することができない。
　また、「下層および上層の相互作用を許しつつ、半導体層の性質（たとえば、結晶性）を変化させる」旨を意見書で説明するが、「相互作用」や「性質」の意味が不明確であり、SiNxクラスタ層が有する技術的意義を理解することができない。
　さらに、活性層を構成する井戸層と障壁層の間や、積層する半導体層の層間にSiNx層を形成する技術は、当該技術分野における技術常識とも認められない。してみると、SiNxクラスタ層はどのような層なのか、そして、SiNxクラスタ層はどの様な技術的意義を有するのか、当業者は理解することができない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。よって、本件出願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願は、特許法第３６条第４項第１号、及び同条第６項第１号に規定する要件を満たしていないものである。
　よって、結論のとおり審決する。