【事件の表示】
　特願２０１０−５４３３９３「太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月３０日国際公開、ＷＯ２００９／０９２４５３、平成２３年　３月３１日国内公表、特表２０１１−５１０５０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年４月２８日（優先権主張　２００８年１月２３日　米国）を国際出願日とする特願２０１０−５４３３９３号であって、平成２４年１２月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年３月１８日付けで意見書が提出され、同日付けで誤訳訂正がなされ、同年８月２９日付けで拒絶理由（最後）が通知され、平成２６年３月３日付けで意見書が提出され、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年１２月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１２月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、平成２５年３月１８日付けの誤訳訂正により訂正された特許請求の範囲の請求項１に記載の、
　
「無希釈のフッ素から成るか、または、フッ素および窒素の混合物、フッ素およびアルゴンの混合物、もしくはフッ素、窒素、およびアルゴンの混合物から成るエッチングガスでウェーハをエッチングするステップを含む、プラズマ援用処理でシリコンウェーハから太陽電池を製造する方法。」が　
　
「無希釈のフッ素から成るか、または、フッ素および窒素の混合物、フッ素およびアルゴンの混合物、もしくはフッ素、窒素、およびアルゴンの混合物から成るエッチングガスでウェーハをエッチングするステップを含む、プラズマ援用処理でシリコンウェーハから太陽電池を製造する方法
であって、前記ウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する、方法
　
　そして、この補正は、「ウェーハをエッチングする」ことについて、「ウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する」ものであることを限定する補正事項からなり、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正である。
　すなわち、本件補正における請求項１の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　なお、上記の補正事項は、本件補正前の請求項７に記載された事項であるが、本件補正により、本件補正前の請求項２ないし６についても、上記の補正事項で補正されることになり、そして、上記の補正事項で補正された本件補正後の請求項２ないし６については、本件補正前の特許請求の範囲のいずれの請求項においても特定されていない発明であるから、本件補正が単純に請求項の削除のみを目的とするものでないと解される。
　したがって、本件補正は、本件補正前の請求項１ないし６を、本件補正前の請求項７に記載された事項で減縮することを目的とするとともに、本件補正前の請求項７の削除を目的とするものを含むと認められる。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２６年１２月４日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１０１０５１号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「（３）引用発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
　
ａ「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池用基板の粗面化方法に関し、特に太陽電池に用いるシリコン基板やガラス基板などの粗面化方法に関する。」
　
ｂ「【００１９】本発明はこのような従来技術の問題に鑑みてなされたものであり、太陽電池に用いられるシリコン基板表面及びガラス基板表面の凹凸を効率よく形成する方法を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、請求項１に係る太陽電池用基板の粗面化方法では、
太陽電池用基板の表面を高周波電源を用いた反応性イオンエッチング法で粗面状にする太陽電池用基板の粗面化方法において、
前記太陽電池用基板としてのシリコン基板に、
【００２１】また、請求項２に係る太陽電池用基板の粗面化方法では、太陽電池用基板の表面を高周波電源を用いた反応性イオンエッチング法で粗面状にする太陽電池用基板の粗面化方法において、前記高周波電源として周波数の異なる二つ以上の高周波電源を用いて、前記太陽電池用基板としてのガラス基板に、０．１〜５μｍのピッチを有し、且つこのガラス基板に対して鉛直な方向の任意断面における凹凸部の平均傾斜角が５〜１０°の範囲内にある微細な凹凸形状を形成することを特徴とする。
【００２２】上記請求項１および請求項２に係る太陽電池用基板の粗面化方法では、前記二つ以上の高周波電源のうちの第１の高周波電源が１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの周波数であり、第２の高周波電源が０．１ＭＨｚ〜１０ＭＨｚの周波数であること、および前記第１の高周波電源が１３．５６ＭＨｚ又は２７．１２ＭＨｚ又は４０．６８ＭＨｚのいずれかの周波数であることが望ましい。
【００２３】また、
上記請求項１に係る太陽電池用基板の粗面化方法では、前記反応性イオンエッチング法でフッ素系ガス又は臭素系ガス及び塩素系ガスを用いる
【００２４】また、上記請求項２に係る太陽電池用基板の粗面化方法では、前記反応性イオンエッチング法でフッ素系ガス又は臭素系ガスを用いることが望ましい。
【００２５】また、
上記請求項１および請求項２に係る太陽電池用基板の粗面化方法では、前記反応性イオンエッチング法で用いるフッ素系ガスがＦ
2
、ＣＨＦ
3
、ＳＦ
6
、ＮＦ
3
、ＣＦ
4
、Ｃ
2
Ｆ
6
、Ｃ
3
Ｆ
8
、Ｃ
5
Ｆ
8
、ＣｌＦ
3
のうちの少なくとも１つを含む
　
ｃ「【００２９】
【発明の実施の形態】＜実施形態１＞　結晶系Ｓｉ太陽電池の場合
以下、請求項１に係る発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。図１は請求項１に係る太陽電池用基板の粗面化方法で形成される結晶系Ｓｉ太陽電池セルの構造を示す図である。図１において、１はＳｉ基板、１ａは表面凹凸構造、１ｂは受光面側不純物拡散層、１ｃは裏面側不純物拡散層（ＢＳＦ）、１ｄは表面反射防止膜、１ｅは表面電極、１ｆは裏面電極を示している。
【００３０】前記Ｓｉ基板１は単結晶もしくは多結晶のＳｉ基板である。この基板はｐ型、ｎ型いずれでもよい。単結晶Ｓｉの場合は引き上げ法などによって形成され、多結晶Ｓｉの場合は鋳造法などによって形成される。多結晶Ｓｉは、大量生産が可能で製造コスト面で単結晶Ｓｉよりもきわめて有利である。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴットを３００μｍ程度の厚みにスライスして、１０ｃｍ×１０ｃｍもしくは１５ｃｍ×１５ｃｍ程度の大きさに切断してＳｉ基板となる。
【００３１】Ｓｉ基板１の表面側には、入射した光を反射させずに有効に取り込むために微細な凹凸１ａを
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法を用いて
ＲＩＥ法は、真空引きされたチャンバー内に反応性ガスを導入し、一定圧力に保持して、チャンバー内に設けられた電極にＲＦ電力を印加することでプラズマを発生させ、生じた活性種であるイオン・ラジカル等の作用により基板表面をエッチングするものである。
【００３２】図２および図３において、１はＳｉ基板、２ａはマスフローコントローラ、２ｂはＲＦ電極、２ｃは圧力調整器、２ｄは真空ポンプ、２ｅはＲＦ電源である。装置内にマスフローコントローラ２ａ部分からエッチングガスとエッチング残渣生成用ガスを導入するとともに、ＲＦ電極２ｂでプラズマを発生させてイオンやラジカルを励起活性化して、ＲＦ電極２ｂの上部に設置されたＳｉ基板２ｂの表面に作用させてエッチングする。図２に示す装置では、ＲＦ電極２ｂを装置内に設置して１枚のＳｉ基板１の表面をエッチングするが、図３に示す装置では、ＲＦ電極２ｂを装置の外壁に設置して複数枚のＳｉ基板１の表面を同時にエッチングするようにしている。
【００３３】例えばＣＨＦ3を２０ｓｃｃｍ、Ｃｌ2を５０ｓｃｃｍ、Ｏ2を１０ｓｃｃｍ、ＳＦ6を８０ｓｃｃｍ、さらにこれらに加えてＨ2Ｏを１ｓｃｃｍ流しながら、反応圧力７Ｐａ、プラズマを発生させるＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ、ＲＦパワー５００Ｗで３分間程度エッチングする。これによりＳｉ基板１の表面には凹凸構造が形成される。エッチング中はＳｉがエッチングされて基本的には気化するが、一部は気化しきれずに分子同士が吸着して基板１の表面に残渣として残る。」
　
イ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６１−２８１５３１号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ａ「発明の名称
　プラズマ処理方法
特許請求の範囲
　１　フッ素系のガスに反応する試料を反応性ガスによってプラズマエッチングする工程において生じる前記試料の表面ダメージ層を、フッ素ガスのプラズマによってエッチング除去することを特徴とするプラズマ処理方法。
発明の詳細な説明
〔発明の利用分野〕
　本発明はプラズマ処理方法に係り、特にエッチング後に生じる試料の表面ダメージ層の除去に好適なプラズマ処理方法に関するものである。」（第１ページ左下欄第２〜１４行）
　
ｂ「〔発明の概要〕
　本発明は、フッ素系のガスに反応する試料を反応性ガスによってプラズマエッチングする行程において生じる前記試料の表面ダメージ層と、フッ素ガスのプラズマによってエッチング除去することを特徴とし、装置の構成を変えることなく、試料の表面ダメージ層を除去できるようにしたものである。」　（第２ページ左上欄第１０〜１７行）
　
ｃ「上記本−実施例のように、試料の表面ダメージ層の除去にＦ２ガスを使用すれば、試料のライフタイムの回復度がＣｌ２，ＣＦ４と比べても同等もしくはそれ以上であり、また、Ｃｌ２のように排気系に専用の排ガス処理装置を必要とせず、ＣＦ４のようにＣ成分が残留することもない。」（第２ページ左下欄下から第６行〜末行）
　
ｄ「なお、本実施例では単結晶のＳｉ基板の試料について述べたが、この他、フッ素ガスによって表面ダメージ層を除去できるものとして多結晶Ｓｉ膜、モリブデンシリサイド膜、タングステンシリサイド膜についても同効果を得ることができる。」（第２ページ左下欄第１３〜１７行）
　
ウ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−４９８１７号公報（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ａ「【０００１】
　本発明は、高周波電界を利用して生成したプラズマを用いて基板の処理を行うプラズマ処理方法、ならびに半導体素子やマイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electric Mechanical System）素子の製造等における微細加工に好適なプラズマエッチング方法に関する。」
　
ｂ「【００２２】
　一方、半導体デバイスの電極等に用いられるシリコン（Ｓｉ）のエッチングにおいては、Ｆ（フッ素）系ガスよりもＣｌ（塩素）系ガスまたはＢｒ（臭素）系ガスを用いることにより、ラジカルによる反応を抑制して、異方性エッチングを達成している。Ｆ系ガスを用いたプロセスでは、Ｓｉ基板に到達したＦラジカルは、Ｓｉ格子内部まで進入していき６原子層程度の吸着層を形成する。これに対して、Ｃｌ系またはＢｒ系ガスを用いたプロセスでは、ＣｌラジカルやＢｒラジカルは、Ｓｉ格子間隔に比べて大きいため、Ｓｉ格子内部に侵入しにくく、吸着層は１原子層程度である。このため、ＣｌラジカルやＢｒラジカルに比べて、ＦラジカルはＳｉとの反応性が大きい。結果として、従来のプラズマプロセスを利用してＳｉのエッチングを行った場合、Ｆ系ガスを用いるとエッチング速度は大きいが、異方性エッチングを達成することができないという問題があった。
【００２３】
　したがって、Ｆ系ガスを用いることによって高速のエッチングを可能にし、かつ、異方性エッチングを達成するためには、運動方向が基板に対してランダムなＦラジカルの割合を低減するとともに、基板に対して垂直方向に入射するＦイオンや中性のＦビームを高密度に生成するプロセスを新規に開発する必要性がある。また、そのような新規プロセスでは、前述したような絶縁膜（Ｓｉの下地膜であるＳｉＯ2やｈｉｇｈ−ｋ等）の絶縁破壊または加工形状の異常を回避することができると考えられる。」
　
ｃ「【００３５】
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、非温室効果ガスを利用した高精度のプラズマ処理方法を初めて可能とすることに成功した。
　すなわち本発明は、以下の事項に関する。
【００３６】
　（１）　フッ素ガス（Ｆ2）を含む処理ガスをプラズマ生成室に供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【００３７】
　（２）　フッ素ガス（Ｆ2）を含む処理ガスをプラズマ生成室に供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマから負イオンまたは正イオンを、個別にあるいは交互に引き出して中性化することにより中性粒子ビームを生成し、該中性粒子ビームを基板に照射して基板処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
エ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−２５０９８５号公報（以下「引用例４」という。）には、次の事項が記載されている。
　
ａ「【０００１】
　本発明は、高周波電界を利用して生成したプラズマを用いて基板の処理を行うプラズマエッチング方法に関する。より詳しくは、半導体素子やマイクロマシン（ＭＥＭＳ：Micro Electric Mechanical System）素子の製造等における微細加工に好適なプラズマエッチング方法に関する。」
　
ｂ「【０００９】
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、非温室効果ガスを利用した高精度のプラズマエッチング方法を初めて可能とすることに成功した。
　すなわち本発明は、以下の事項に関する。
【００１０】
　（１）　フッ素ガス（Ｆ2）を含む処理ガスをプラズマ生成室に供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うプラズマエッチング方法であって、前記高周波電界を印加する時間が２０〜７０μ秒であり、かつ、印加を停止する時間が２０〜１００μ秒であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
【００１１】
　（２）　フッ素ガス（Ｆ2）を含む処理ガスをプラズマ生成室に供給し、高周波電界の印加と印加の停止とを交互に繰り返すことによりプラズマを生成し、該プラズマを基板に照射して基板処理を行うプラズマエッチング方法であって、前記基板に印加する高周波電界の出力が６０Ｗ以上であることを特徴とするプラズマエッチング方法。」　
　
（３）引用発明の認定
　上記（２）アの摘記事項ｂの【００２３】における「前記反応性イオンエッチング法でフッ素系ガス又は臭素系ガス及び塩素系ガスを用いる」は、「前記反応性イオンエッチング法でフッ素系ガス及び塩素系ガスを用いる」ことを含み、また、【００２５】における「前記反応性イオンエッチング法で用いるフッ素系ガスがＦ2、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＮＦ3、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ3Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＣｌＦ3のうちの少なくとも１つを含む」は、「反応性イオンエッチング法で用いるフッ素系ガスがＦ2である」ことを含むものといえる。そうすると、引用例１には、「前記反応性イオンエッチング法でＦ2及び塩素系ガスを用いる」ことが記載されているといえる。
　上記の点をも勘案し、上記（２）アの記載を総合すれば、引用例１には、
「太陽電池用基板としてのシリコン基板の表面を高周波電源を用いた反応性イオンエッチング法で粗面状にする太陽電池用基板の粗面化方法において、
　反応性イオンエッチング法は、真空引きされたチャンバー内に反応性ガスを導入し、一定圧力に保持して、チャンバー内に設けられた電極にＲＦ電力を印加することでプラズマを発生させ、生じた活性種であるイオン・ラジカル等の作用により基板表面をエッチングするものであり、
　前記反応性イオンエッチング法では、Ｆ2及び塩素系ガスを用いる太陽電池用基板の粗面化方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
（４）本願補正発明と引用発明との対比
ア　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「反応性イオンエッチング法で粗面状にする太陽電池用基板の粗面化方法」において「前記反応性イオンエッチング法では、Ｆ2及び塩素系ガスを用いる」ことと、本願補正発明の「無希釈のフッ素から成るか、または、フッ素および窒素の混合物、フッ素およびアルゴンの混合物、もしくはフッ素、窒素、およびアルゴンの混合物から成るエッチングガスでウェーハをエッチングする」こととは、「フッ素を含むエッチングガスでウェーハをエッチングする」点で一致する。
　
（イ）引用発明の「太陽電池用基板としてのシリコン基板の表面を高周波電源を用いた反応性イオンエッチング法で粗面状にする太陽電池用基板の粗面化方法において、反応性イオンエッチング法は、真空引きされたチャンバー内に反応性ガスを導入し、一定圧力に保持して、チャンバー内に設けられた電極にＲＦ電力を印加することでプラズマを発生させ、生じた活性種であるイオン・ラジカル等の作用により基板表面をエッチングするものであ」ることが、本願補正発明の「プラズマ援用処理でシリコンウェーハから太陽電池を製造する」ことに相当する。
　
（ウ）引用発明の「太陽電池用基板としてのシリコン基板の表面を高周波電源を用いた反応性イオンエッチング法で粗面状にする太陽電池用基板の粗面化方法」が、本願補正発明の「前記ウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する、方法」に相当する。
　
イ　一致点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「フッ素を含むエッチングガスでウェーハをエッチングするステップを含む、プラズマ援用処理でシリコンウェーハから太陽電池を製造する方法であって、前記ウェーハの表面をエッチングして前記表面を粗面化する、方法。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
ウ　相違点
　「フッ素を含むエッチングガス」が、本願補正発明においては、「無希釈のフッ素から成るか、または、フッ素および窒素の混合物、フッ素およびアルゴンの混合物、もしくはフッ素、窒素、およびアルゴンの混合物から成る」のに対して、引用発明においては、「Ｆ2及び塩素系ガス」である点。
　
（５）当審の判断
ア　上記の相違点について検討する。
　上記（２）アの摘記事項ｂの【００２１】【００２４】及び【００２５】の記載から、引用例１には、プラズマ援用処理で「Ｆ2」を用いて、太陽電池の「ガラス基板」の表面をエッチングして粗面化する方法についても記載されているといえる。すなわち、「ガラス基板」の表面のエッチングではあるが、「フッ素を含むエッチングガス」として、「Ｆ2」すなわち「無希釈のフッ素」からなるガスを用いることが記載されている。
　当業者であれば、引用発明においても、（引用する文献として同じ文献である）引用例１に記載されている事項の、表面のエッチングに「無希釈のフッ素」からなるガスを用いることを適用することを試みることは容易に想到し得ることである。
　そして、シリコンウエハからなる基板に、無希釈のフッ素ガスを用いること自体は、引用例２ないし４にも記載されているように周知の技術的事項であり、その点に何らの阻害要因もない。
　要するに、引用発明において、上記引用例１ないし４に記載された技術的事項を参酌して、上記相違点に係る発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例１ないし４に記載された技術的事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び引用例１ないし４に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年３月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２６年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２６年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」及び「（３）引用発明の認定」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　平成２６年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、さらに限定したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、本願発明をさらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２６年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明との対比」及び「（４）当審の判断」において記載したとおり、引用発明及び引用例１ないし４に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び引用例１ないし４に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例１ないし４に記載された技術的事項にに基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。