【手続補正書】
【提出日】令和2年11月9日(2020.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）システムにおいて熱間静水圧プレス処理されるべき構成要素を含有するための炉分離チャンバであって、
縦方向の円筒形側壁と、
前記側壁の間に延在し、かつ前記側壁に恒久的に接続し、それによって、前記チャンバの１つの端部を閉鎖する、上面端部と、
前記上面端部の反対側にあり、かつ前記チャンバの基端部を形成する、可動底端部であって、前記可動底端部は、前記構成要素を受容するように適合され、前記構成要素を前記ＨＩＰシステム内の炉の高温区域の中に上昇および降下させるための機構を備える、可動底端部と
を備え、
前記分離チャンバは、前記ＨＩＰシステムの一体型部分を形成し、
前記チャンバの前記基端部が、前記炉の高温区域の外側に位置する状態で、前記炉分離チャンバの前記上面端部から前記基端部への温度勾配が、存在する、炉分離チャンバ。
【請求項２】
前記ＨＩＰシステム内の前記炉の高温区域内に含有される前記チャンバの一部が、フランジまたはシール面を含有しない、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項３】
少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタを備える、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項４】
加圧ガスは、ＨＩＰ処理において使用され、前記加圧ガスは、前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタを通して、前記熱間静水圧プレス処理されるべき構成要素に作用することが可能である、請求項３に記載の炉分離チャンバ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタは、前記炉の高温区域の外側にある、前記チャンバの基部内に位置する、請求項３に記載の炉分離チャンバ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタは、前記分離チャンバの前記壁、上面部、またはその組み合わせのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項３に記載の炉分離チャンバ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタは、前記フィルタを通るガスの対流を介して前記炉から熱を移送するように構成される、請求項６に記載の炉分離チャンバ。
【請求項８】
前記チャンバは、金属、セラミック、およびその複合物のうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの高温の高強度材料を含む、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項９】
前記金属、セラミック、およびその複合物は、モリブデンと、タングステンと、カーボンカーボン複合材を含む、請求項８に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１０】
前記チャンバは、有害物質、有毒物質、または核物質を受容するように適合される、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１１】
前記静水圧プレス処理されるべき構成要素は、核物質を含み、前記核物質は、プルトニウム含有廃棄物を含む、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１２】
前記チャンバは、微粒子を除去し、かつ前記チャンバ内で加工されている材料に、物理的にフィルタされ不純物除去された環境アルゴンガスを提供するように構成される、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１３】
Ａｒから選定された不活性ガスを含む前記ＨＩＰ処理のための加圧ガスを含み、酸素と、窒素と、炭化水素と、その組み合わせとを含む不純物ガスをさらに含む、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１４】
前記炉の基端部が、冷却区域を形成するように、前記炉の内側にある前記炉分離チャンバの前記上面端部から前記炉の外側にある前記基端部への前記温度勾配が、少なくとも７５０℃である、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１５】
前記炉の外側に位置する前記チャンバの基端部は、少なくとも、前記チャンバの冷却区域の壁上で濃縮するガスを含有する放射性物質からの放射線の存在を測定するためのデバイスをさらに備える、請求項１４に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１６】
フィルタ端部支持部をフィルタシールアセンブリに結合し、かつ前記フィルタシールアセンブリを前記チャンバに結合するように構成される係止機構の対をさらに備える、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１７】
Ｏリングと、プレートの対とをさらに備え、前記プレートの対は、前記Ｏリングが、それぞれ、前記プレートの２つの最外面、および前記チャンバの内部面と接触するように、前記Ｏリングを圧縮し、位置付けるように構成される、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１８】
高熱伝導材料を含む冷却されたヒートシンクをさらに備え、前記ヒートシンクは、不要なガスを前記冷却されたヒートシンク内またはその周囲で濃縮させる前記炉分離チャンバ内で、熱勾配を形成する、請求項１に記載の炉分離チャンバ。
【請求項１９】
前記高熱伝導材料は、アルミニウム、銅、またはそのような材料の合金を含む、請求項１８に記載の炉分離チャンバ。
【請求項２０】
前記冷却されたヒートシンクは、１つ以上の冷却チャネルをさらに備え、前記１つ以上の冷却チャネルは、それを通して冷却剤を再循環させるために十分である、請求項１８に記載の炉分離チャンバ。
【請求項２１】
放射性物質を含む焼成物質を固化する方法であって、前記方法は、
焼成物を含有する放射性核種を少なくとも１つの添加剤と混合させ、ＨＩＰ前粉末を形成することと、
前記ＨＩＰ前粉末を缶の中に装填することと、
前記缶をシールすることと、
前記シールされた缶を、請求項１に記載の前記炉分離チャンバの中に装填することと、
前記ＨＩＰ容器を閉鎖することと、
前記ＨＩＰ容器の前記炉分離チャンバ内で、前記シールされた缶を熱間静水圧プレス処理することと
を含む、方法。
【請求項２２】
熱間静水圧プレス処理することは、３００℃〜１，９５０℃の範囲に及ぶ温度、かつ１０〜２００ＭＰａの範囲に及ぶ圧力で１０〜１４時間の範囲に及ぶ時間にわたって実施される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
少なくとも前記装填することは、遠隔で実施される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記有害物質、有毒物質、または核物質は、キャニスタ内に含有され、前記チャンバは、前記キャニスタを受容するように適合される、請求項１０に記載の炉分離チャンバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本開示に説明される、炉分離チャンバを使用して構成要素をＨＩＰ処理する方法もまた、開示される。非限定的な実施形態では、本方法は、放射性物質を含む焼成物質を固化する方法を含み、本方法は、焼成物を含有する放射性核種を、少なくとも１つの添加剤と混合し、ＨＩＰ前粉末を形成する、ステップと、ＨＩＰ前粉末を缶の中に装填するステップと、缶をシールするステップと、シールされた缶を、本明細書に説明される炉分離チャンバの中に装填するステップと、ＨＩＰ容器を閉鎖するステップと、ＨＩＰ容器の炉分離チャンバ内で、シールされた缶を熱間静水圧プレス処理するステップとを含む。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
熱間静水圧プレス処理されるべき構成要素を含有するための炉分離チャンバであって、
縦方向の円筒形側壁と、
前記側壁の間に延在し、かつそれに恒久的に接続し、それによって、前記チャンバの１つの端部を閉鎖する、上面端部と、
前記上面端部の反対側にあり、かつ前記チャンバの基端部を形成する、可動底端部であって、前記可動底端部は、前記構成要素を受容するように適合され、前記構成要素をＨＩＰシステム内の炉の高温区域の中に上昇および降下させるための機構を備える、可動底端部と
を備え、
前記分離チャンバは、前記ＨＩＰシステムの一体型部分を形成し、
前記チャンバの基端部が、前記炉の高温区域の外側に位置する状態で、前記炉分離チャンバの上面端部から前記基端部への温度勾配が、存在する、炉分離チャンバ。
（項目２）
前記ＨＩＰシステム内の前記炉の高温区域内に含有される前記チャンバの一部が、フランジまたはシール面を含有しない、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目３）
少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタを備える、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目４）
前記ＨＩＰ処理の加圧ガスは、前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタを通して、前記熱間静水圧プレス処理されるべき構成要素に作用することが可能である、項目３に記載の炉分離チャンバ。
（項目５）
前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタは、前記炉の高温区域の外側にある、前記チャンバの基部内に位置する、項目３に記載の炉分離チャンバ。
（項目６）
前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタは、前記分離チャンバの前記壁、上面部、またはその組み合わせのうちの少なくとも１つに組み込まれる、項目３に記載の炉分離チャンバ。
（項目７）
前記少なくとも１つの多孔性金属またはセラミックのフィルタは、前記フィルタを通るガスの対流を介して前記炉から熱を移送するように構成される、項目６に記載の炉分離チャンバ。
（項目８）
前記チャンバは、金属、セラミック、およびその複合物のうちの少なくとも１つを含む、少なくとも１つの高温の高強度材料を含む、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目９）
前記金属、セラミック、およびその複合物は、モリブデンと、タングステンと、カーボンカーボン複合材を含む、項目８に記載の炉分離チャンバ。
（項目１０）
前記チャンバは、有害物質、有毒物質、または核物質を受容するように適合される、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１１）
前記核物質は、プルトニウム含有廃棄物を含む、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１２）
前記チャンバは、微粒子を除去し、かつ前記チャンバ内で加工されている材料に、物理的にフィルタされ不純物除去された環境アルゴンガスを提供するように構成される、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１３）
Ａｒから選定された不活性ガスを含む前記ＨＩＰ処理のための加圧ガスを含み、酸素と、窒素と、炭化水素と、その組み合わせとを含む不純物ガスをさらに含む、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１４）
前記炉の基端部が、冷却区域を形成するように、前記炉の内側にある前記炉分離チャンバの上面端部から前記炉の外側にある前記基端部への前記温度勾配が、少なくとも７５０℃である、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１５）
前記炉の外側に位置する前記チャンバの基端部は、少なくとも、前記チャンバの冷却区域の壁上で濃縮するガスを含有する、放射性物質からの放射線の存在を測定するためのデバイスをさらに備える、項目１４に記載の炉分離チャンバ。
（項目１６）
フィルタ端部支持部をフィルタシールアセンブリに結合し、かつ前記フィルタシールアセンブリを前記チャンバに結合するように構成される係止機構の対をさらに備える、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１７）
Ｏリングと、プレートの対とをさらに備え、前記プレートの対は、前記Ｏリングが、それぞれ、前記プレートの２つの最外面、および前記チャンバの内部面と接触するように、前記Ｏリングを圧縮し、位置付けるように構成される、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１８）
高熱伝導材料を含む冷却されたヒートシンクをさらに備え、前記ヒートシンクは、不要なガスを前記冷却されたヒートシンク内またはその周囲で濃縮させる前記炉分離チャンバ内で、熱勾配を形成する、項目１に記載の炉分離チャンバ。
（項目１９）
前記高熱伝導材料は、アルミニウム、銅、またはそのような材料の合金を含む、項目１８に記載の炉分離チャンバ。
（項目２０）
前記冷却されたヒートシンクは、１つ以上の冷却チャネルをさらに備え、前記１つ以上の冷却チャネルは、それを通して冷却剤を再循環させるために十分である、項目１８に記載の炉分離チャンバ。
（項目２１）
放射性物質を含む焼成物質を固化する方法であって、前記方法は、
焼成物を含有する放射性核種を、少なくとも１つの添加剤と混合させ、ＨＩＰ前粉末を形成する、ステップと、
前記ＨＩＰ前粉末を缶の中に装填するステップと、
前記缶をシールするステップと、
前記シールされた缶を、項目１に記載の前記炉分離チャンバの中に装填するステップと、
前記ＨＩＰ容器を閉鎖するステップと、
前記ＨＩＰ容器の炉分離チャンバ内で、前記シールされた缶を熱間静水圧プレス処理するステップと
を含む、方法。
（項目２２）
熱間静水圧プレス処理するステップは、３００℃〜１，９５０℃の範囲に及ぶ温度、かつ１０〜２００ＭＰａの範囲に及ぶ圧力で１０〜１４時間の範囲に及ぶ時間にわたって実施される、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
少なくとも前記装填するステップは、遠隔で実施される、項目２１に記載の方法。