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　特願２０１３−　２９３０９「オキシムスルホネートおよびＮ−オキシイミドスルホネート光感応性酸発生剤およびそれを含むフォトレジスト」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月２５日出願公開、特開２０１３−１４５３８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００１年　８月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年　８月２５日、米国）を国際出願日とする特願２００２−５２１６５１号の一部を平成２５年　２月１８日に新たな特許出願としたものであって、同年　３月１９日に手続補正がなされ、同年１１月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年　６月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２７年　１月２０日付けで拒絶査定がなされたところ、同年　５月２７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
２　本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２６年　６月１０日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によりそれぞれ特定されるものであるところ、その請求項５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである（下線は当審で付した。以下同じ。）。
「下記の化学式Ｉの光感応性酸発生剤化合物であって：
　　ＲＲ’Ｃ＝ＮＯＳ（Ｏ）２Ｙ　　　　　Ｉ
ここで、ＲおよびＲ’の内少なくとも１つは、電子吸引性部分を有し；
もしＲおよびＲ’の内の１つだけが電子吸引性部分ならば、ＲおよびＲ’の１つが、置換されていてもよい炭素環式芳香族基；置換されていてもよいアルキル；置換されていてもよいアルケニル；置換されていてもよいアルキニル；置換されていてもよいアルコキシ；置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族であって、該ヘテロ環１個につきＮ、ＯまたはＳ原子を１〜３個含む３〜８員からなる環を１〜３個有するものであり；
Ｙが、水素以外の置換基である（ただし、
Ｒがフェニルであり、かつＲ’がシアノ基である場合、及びＹがトシル基である場合を除く
　ここで、本願発明は、「Ｒがフェニルであり、かつＲ’がシアノ基である場合、及びＹがトシル基である場合を除く」ものであるから、上記化学式Ｉにおいて、Ｙが「トシル基」である光感応性酸発生剤化合物、及び、上記化学式Ｉにおいて、Ｒが「置換されていてもよい炭素環式芳香族基」の中で特に「フェニル」であり、かつ、Ｒ’が「電子吸引性部分」の中で特に「シアノ基」である光感応性酸発生剤化合物、すなわち、上記化学式Ｉにおける「ＲＲ’Ｃ」が、「ベンジルシアニド（フェニルアセトニトリル）」である光感応性酸発生剤化合物は、本願発明からは除かれているものと認められる。
３　引用例の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用された、特許法４４条２項の規定により本願が出願されたものとみなされる原出願の優先権主張の日前（以下「優先日前」という。）に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１０−１１５９２５号公報（以下「引用例」という。）には、「ポジ型レジスト組成物」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は新規なポジ型レジスト組成物、さらに詳しくは、ＡｒＦエキシマレーザー光に対して透明性が高く、かつ感度、レジストパターン形状、耐ドライエッチング性に優れるとともに、密着性にも優れる化学増幅型のポジ型レジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子や液晶素子などの製造においては、化学増幅型レジスト組成物が使用されるようになってきた。この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。」
　イ　「【００２１】
　次に、本発明組成物において、（Ｂ）成分として用いられる酸発生剤については特に制限はなく、化学増幅型レジストの酸発生剤として用いられる従来公知のものの中から、任意のものを選択して使用することができる。このような
酸発生剤
・・（略）・・
【００２５】
（７）シアノ基含有オキシムスルホネート化合物類；例えば、α‐（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（ｐ‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（４‐ニトロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（４‐ニトロ‐２‐トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐クロロベンジルシアニド、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２，４‐ジクロロベンジルシアニド、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐２，６‐ジクロロベンジルシアニド、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシベンジルシアニド、α‐（２‐クロロベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシベンジルシアニド、α‐（ベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐チエン‐２‐イルアセトニトリル、α‐（４‐ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐ベンジルシアニド、α‐［（ｐ‐トルエンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニル］アセトニトリル、α‐［（ドデシルベンゼンスルホニルオキシイミノ）‐４‐メトキシフェニル］アセトニトリル、α‐（トシルオキシイミノ）‐４‐チエニルシアニドなどの特開昭６０−６５０７２号公報に記載の公知のオキシムスルホネート、また、一般式
【化４】
（式中のＲ6及びＲ7は、それぞれ非芳香族性基である）
【化５】
（式中のＲ8は芳香族性基、Ｒ9は低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基である）又は
【化６】
（式中のＡは二価又は三価の有機基、Ｒ10はさらに置換されていてもよい炭化水素基、ｎは２又は３である）で表わされるオキシムスルホネート。
【００２６】
　前記一般式（ＩＶ）におけるＲ6及びＲ7で示される非芳香族性基としては、それぞれアルキル基、ハロゲノアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基及びアダマンチル基などである。ここで、アルキル基としては、好ましくは炭素数１〜１２の直鎖状又は枝分れ状のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ‐プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ‐ブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチル基、ｎ‐ペンチル基、ｎ‐オクチル基、ｎ‐ドデシル基などが挙げられる。ハロゲノアルキル基はハロゲン原子の数については特に制限はなく、１個導入されていてもよいし、複数導入されていてもよい。またハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子のいずれでもよい。このハロゲノアルキル基として、好ましいのは炭素数１〜４のハロゲノアルキル基、例えばクロロメチル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、２‐ブロモプロピル基などである。
【００２７】
　次にアルケニル基としては、炭素数２〜６の直鎖状又は枝分れ状のアルケニル基、例えばビニル基、１‐プロペニル基、イソプロペニル基、２‐ブテニル基などが好ましい。シクロアルキル基としては、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基などが、また、シクロアルケニル基としては、炭素数４〜８のシクロアルケニル基、例えば１‐シクロブテニル基、１‐シクロペンテニル基、１‐シクロヘキセニル基、１‐シクロヘプテニル基、１‐シクロオクテニル基などが好ましい。アルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基などが、シクロアルコキシ基としては、炭素数５〜８のシクロアルコキシ基、例えばシクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが好ましい。Ｒ6としては、アルキル基、シクロアルキル基及びシクロアルケニル基、特にシクロアルケニル基が好ましい。一方、Ｒ7としては、アルキル基、ハロゲノアルキル基及びシクロアルキル基、特にアルキル基が好ましい。Ｒ6がシクロペンテニル基で、Ｒ7が炭素数１〜４のアルキル基のものがより好ましい。
【００２８】
　前記一般式（ＩＶ）で表わされるオキシムスルホネート化合物の例としては、
α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘプテニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロオクテニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐エチルアセトニトリル、α‐（プロピルスルホニルオキシイミノ）‐プロピルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロペンチルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（ｎ‐ブチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐（ｎ‐ブチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル
（２）上記（１）の記載事項ア及びイによれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘプテニルアセトニトリル、α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロオクテニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐エチルアセトニトリル、α‐（プロピルスルホニルオキシイミノ）‐プロピルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロペンチルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル、α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（ｎ‐ブチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル、α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル、α‐（ｎ‐ブチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリルのいずれかからなる酸発生剤。」
４　対比及び判断
（１）本願発明と引用発明とを以下に対比する。
　ア　本願の明細書の段落【０００９】における「本発明で好ましいオキシムスルホネートＰＡＧｓには、以下に示す化学式Ｉのものを含むが、
　　ＲＲ’Ｃ＝ＮＯＳ（Ｏ）２Ｙ　　　　　Ｉ
ここで、
ＲおよびＲ’の内少なくとも１つは、電子吸引性部分を有し、それらは、シアノ
などであり
アルキル、アルケニル
という用語は、特に断らない限り、環式基および非環式基のいずれをも指している
　　ＲＲ’Ｃ＝ＮＯＳ（Ｏ）２Ｙ　　　　　Ｉ」に該当する。
　また、引用発明の「α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル」、「α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘプテニルアセトニトリル」、「α‐（メチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロオクテニルアセトニトリル」、「α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐（トリフルオロメチルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル」、「α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐エチルアセトニトリル」、「α‐（プロピルスルホニルオキシイミノ）‐プロピルアセトニトリル」、「α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロペンチルアセトニトリル」、「α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐シクロヘキシルアセトニトリル」、「α‐（シクロヘキシルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐（ｎ‐ブチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロペンテニルアセトニトリル」、「α‐（エチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル」、「α‐（イソプロピルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル」及び「α‐（ｎ‐ブチルスルホニルオキシイミノ）‐１‐シクロヘキセニルアセトニトリル」も、それぞれ、本願発明の「下記の化学式Ｉにおいて、Ｒがアルキルまたはアルケニルであり、Ｒ’が電子吸引性部分であるシアノ基であり、Ｙが水素以外の置換基である化合物
　　ＲＲ’Ｃ＝ＮＯＳ（Ｏ）２Ｙ　　　　　Ｉ」に該当する。
　また、特許請求の範囲に記載された「光感応性酸発生剤」との記載は、化合物としての構成を左右しない（化学式Ｉで表される構造を左右しない。）。
　そうしてみると、本願発明と引用発明は、化合物としては、何ら相違するところがない。
　あるいは、仮に、特許請求の範囲に記載された「光感応性酸発生剤」との記載が、化学式Ｉで表される化合物の中から、「光感応性酸発生剤」として機能しない化合物を除く意味であるとしても、以下イのとおりである。
　イ　引用例の段落【０００１】、【００２１】の記載を参照すると、引用発明の「酸発生剤」は、化学増幅型のポジ型レジスト組成物に用いられるものであり、引用例の段落【０００２】に「この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、
放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤
　したがって、引用発明の「酸発生剤」は、本願発明の「光感応性酸発生剤」に相当する。
（２）そうしてみると、いずれにせよ、上記（１）のア及びイによれば、本願発明と引用発明とは、
「下記の化学式Ｉの光感応性酸発生剤化合物であって：
　　ＲＲ’Ｃ＝ＮＯＳ（Ｏ）２Ｙ　　　　　Ｉ
ここで、ＲおよびＲ’の内少なくとも１つは、電子吸引性部分を有し；
もしＲおよびＲ’の内の１つだけが電子吸引性部分ならば、ＲおよびＲ’の１つが、置換されていてもよい炭素環式芳香族基；置換されていてもよいアルキル；置換されていてもよいアルケニル；置換されていてもよいアルキニル；置換されていてもよいアルコキシ；置換されていてもよいヘテロ脂環式基またはヘテロ芳香族であって、該ヘテロ環１個につきＮ、ＯまたはＳ原子を１〜３個含む３〜８員からなる環を１〜３個有するものであり；
Ｙが、水素以外の置換基である（ただし、Ｒがフェニルであり、かつＲ’がシアノ基である場合、及びＹがトシル基である場合を除く）、光感応性酸発生剤化合物。」
である点で一致し、相違するところはない。
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。