【事件の表示】
　特願２０１２−　９８４４７「ＳＯＩウェハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月　７日出願公開，特開２０１３−２２９３５６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年４月２４日を出願日とする特許出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年　４月２４日　審査請求
　平成２５年１１月２６日　拒絶理由通知
　平成２６年　２月　３日　意見書
　平成２６年　７月　３日　拒絶査定
　平成２６年１０月　８日　審判請求・手続補正書
　平成２６年１２月２５日　上申書
　平成２７年　８月２４日　拒絶理由通知
　平成２７年１０月２３日　意見書・手続補正書
　
第２　当審による拒絶理由通知の概要
　審判合議体が平成２７年８月２４日付けで通知した拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）における，特許法第２９条第２項の判断（本願に係る発明の容易想到性の判断）の概要は次のとおりである。
　平成２６年１０月８日付け手続補正書により補正された，本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１１の各請求項に係る発明は，特開平５−２８３７１２号公報（以下「引用文献１」という。）記載の発明において，国際公開第００／４７９６９号（以下「引用文献２」という。）にみられるような周知の技術的事項，引用文献２，特開２００１−１２７２７４号公報（以下「引用文献３」という。），及び特開平９−３２６３９６号公報（以下「引用文献４」という。）にみられるような常套手段，並びに特開２０１１−１６４０５７号公報（以下「引用文献５」という。）にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，上記手続補正書により補正された，本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　本願発明の容易想到性について
１　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２７年１０月２３日付け手続補正書により補正された，特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩウェハの製造方法であって，
　前記支持ウェハの，前記ＳＯＩウェハの貼り合わせ面となる第１面にキャビティを形成する工程と，
　前記支持ウェハの，前記第１面とは反対側の面にゲッタリング材を形成する工程と，
　前記支持ウェハを熱酸化する工程と，
　前記支持ウェハの前記第１面と前記活性層ウェハとを貼り合わせる工程と，
　貼り合わせられた前記支持ウェハおよび活性層ウェハに対して，貼り合わせ強化熱処理を行う工程と，
　前記支持ウェハに形成されたゲッタリング材を除去する工程と，
　を備えたことを特徴とするＳＯＩウェハの製造方法。」
　
２　引用文献及び周知例の記載と引用発明及び周知技術
（１）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。） 
（ア）「【００１６】
【実施例】実施例１．図１は，この発明の実施例１による半導体圧力センサを示す平面図であり，図２はそのＡ−Ａ線に沿った側面断面図である。なお，各図中，同一符号は同一又は相当部分を示しているので，説明は省略する。これらの図において，
第１の（単結晶）シリコン基板１２と第２の（単結晶）シリコン基板１１とは，真空室１４がその間に形成されるように，界面絶縁膜８を介して貼り合わされ，１枚の基板となっている
第２のシリコン基板１１と凹部が形成された第１のシリコン基板１２とを貼り合わせることによって形成された真空室１４
【００１７】
上述したように構成された半導体圧力センサの製造方法は
第２のシリコン基板１１の裏面に界面絶縁膜８として例えばシリコン酸化膜を形成する
第１のシリコン基板１２の表面に真空室１４となる凹部を形成するために，エッチングマスク１３をその表面及び裏面に形成する
シリコンエッチングを行って，第１のシリコン基板１２に凹部を形成し，エッチングマスク１３を除去する
【００１８】次に，図８に示すように，
第２のシリコン基板１１と第１のシリコン基板１２とを界面絶縁膜８を介して貼り合わせた
【００１９】次に，減圧中で成膜してエッチング開口部５に真空室蓋６を形成することにより，真空室１４が形成される（図１２）。そして，図１３に示すように，
第２のシリコン基板１１に，デバイスを形成する
ゲージ抵抗１を形成する。ゲージ抵抗１は，真空室１４の各辺に対応する部分に４本形成し，拡散配線２によってブリッジに結線されている
【００２０】
この拡散配線２もゲージ抵抗１と同様に，シリコン酸化膜９をマスクにして不純物を注入し，アニールを行うことによって形成する
【００２１】なお，
上述した実施例１では，界面絶縁膜８を第２のシリコン基板１１に形成したが，図１４に示すように，第１のシリコン基板１２の凹部１２Ａに形成してもよい
（イ）図１４には，
凹部１２Ａを含む第１のシリコン基板１２の表面に，界面絶縁膜８を形成する
　イ　引用発明
　上記アより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「第１の（単結晶）シリコン基板１２とデバイスが形成される第２の（単結晶）シリコン基板１１が，真空室１４がその間に形成されるように，界面絶縁膜であるシリコン酸化膜８を介して貼り合わされて構成される半導体圧力センサの製造方法であって，
　上記第１のシリコン基板１２の表面に上記真空室１４となる凹部を形成し，
　上記凹部を含む上記第１のシリコン基板１２の表面に界面絶縁膜としてシリコン酸化膜８を形成し，
　上記第２のシリコン基板１１と上記第１のシリコン基板１２とを上記シリコン酸化膜８を介して貼り合わせる，
半導体圧力センサの製造方法。」
　
（２）引用文献２ないし５の記載と周知の技術的事項，常套手段及び周知技術
　ア　引用文献２ないし５の記載
（ア）引用文献２
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
　「１．技術分野
　この発明は，半導体圧力センサに関し，シリコン製のダイアフラムに形成された歪みゲージを用いた半導体圧力センサに関するものである。
２．背景技術
　
従来より歪みゲージを用いた半導体圧力センサがある
シリコン基板に感圧ダイアフラムを設けてから，その上に拡散抵抗層によるセンサ素子（ピエゾ抵抗素子）を設けた
　図７は，歪みゲージを用いた従来の半導体圧力センサを示す斜視図であり，その一部は断面を示す。同図に示すように，センサ・チップ２００は，ダイヤフラム１１０を有するシリコン基体１０１と，ダイヤフラム１１０上のセンサ素子とによって作られている。ダイアフラム１１０は，周縁部を除くシリコン基体１０１の中央部一帯を薄膜化することによって作られており，拡散抵抗からなる歪みゲージ１０５ａ〜１０５ｄ，金属配線１０３および端子１０４ａ〜１０４ｄによって構成されたホイートストン・ブリッジ回路１１３を有する。
・・・
３．発明の開示
　　［発明が解決しようとする課題］
　
以上に示した圧力センサは，ダイヤフラムおよび拡散抵抗の形成のためにシリコン基板の微細加工を必要とし，十分に防塵を考慮した半導体プロセスで作られる。ところが，現状のクリーンルームにおいては，いくら防塵対策を施しても，微量の金属不純物が混入したり，工程の途中での生成されたりしてしまうのが実状である。その結果，このような金属不純物によってセンサ出力にふらつきが生じてしまうことがある
　一般的にＭＯＳＦＥＴ等の
各種半導体装置を製造する場合，ウエハ段階で金属不純物を捕獲することにより，素子等への影響を除去することが行われている。これはゲッタリングと呼ばれるものであり，その原理の違いから，ＥＧ（エクストリンシック・ゲッタリング）法
ＥＧ法は，ウエハ裏面をサンドブラスト法等を用いて荒らし，できあがった粗面領域に不純物を集める手法である
（イ）引用文献３
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は
活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの間にシリコン酸化膜が存在する張り合わせＳＯＩウェーハの製造方法
【０００２】
【従来の技術】２枚のシリコンウェーハを張り合わせた張り合わせ基板の一種として，張り合わせＳＯＩウェーハが知られている。これは，デバイスが作製される活性層用ウェーハと，これを裏側から支持する支持基板用ウェーハとの間に，厚さ数μｍのシリコン酸化膜が埋め込まれた張り合わせウェーハである。以下，従来の張り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を説明する。すなわち，まずＣＺ法により引き上げられた単結晶シリコンインゴットをスライスし，研磨して，鏡面に仕上げられた２枚のシリコンウェーハを用意する。次いで，
一方のシリコンウェーハである活性層用ウェーハ，または，他方のシリコンウェーハである支持基板用ウェーハ，もしくは，これら両方のウェーハを熱酸化炉に挿入し，ここで熱酸化処理して，処理後のウェーハ全体を絶縁膜であるシリコン酸化膜により覆う。
両ウェーハを室温において重ね合わせる。続いて，所定の張り合わせ熱処理を施す
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで，このように活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの間に埋め込まれるシリコン酸化膜の成膜方法には，上述した３つの方法がある。ただし，いずれの方法で作製された場合であっても，最近，デバイスメーカ側からの受注の多くは，シリコン酸化膜が厚い張り合わせＳＯＩウェーハである。一般的に，このシリコン酸化膜はウエット雰囲気による高温の熱酸化処理により成膜される。すなわち，
厚いシリコン酸化膜を成膜するには，このシリコンウェーハを高温の炉内に長時間さらしておかなければならなかった
その炉内には銅，モリブデン，鉄などの金属不純物が存在する。このため，長時間にわたって熱処理していると，微細な不純物が，ウェーハ外膜のシリコン酸化膜に付着し，また，シリコン中に混入してしまい，活性層用ウェーハの金属汚染を招いていた
【０００４】一方，シリコンウェーハにおけるデバイスの作製領域は，通常，表層部の１０μｍ以下の領域である。張り合わせＳＯＩウェーハの場合，厚さが数１０μｍ〜数μｍの活性層用ウェーハの表層部にデバイスが造られる。このように，活性層用ウェーハを活性領域として利用すれば，活性層用ウェーハの結晶特性が重要になる。このため，そのウェーハ表面は完全に無欠陥でなければならず，表層部としても均質かつ無欠陥であることが要求される。しかしながら，この従来の張り合わせＳＯＩウェーハでは，前述したように炉内において長時間をかけて厚いシリコン酸化膜を成膜するために，この成膜時に熱酸化処理されるウェーハが金属汚染を受けやすかった。このため，例えば酸化膜耐圧などの電気的特性が低下するという問題点があった。
【０００５】そこで，発明者は，
活性層用ウェーハにシリコン酸化膜を成膜する前に，この活性層用ウェーハの片面にゲッタリング層を形成しておけば，熱酸化処理時に，この酸化膜に付着した金属不純物をゲッタリング層に捕獲し，それを後に除去することで，この活性層用ウェーハの表層部の無欠陥化を図ることができ，その電気的特性を高めることができる
【０００６】
【発明の目的】
この発明は，活性層用ウェーハの金属汚染を抑止することで，その電気的特性を高めることができる張り合わせＳＯＩウェーハの製造方法を提供する
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明は，
活性層用ウェーハの片面にゲッタリング層を形成する工程と，ゲッタリング層の形成後，活性層用ウェーハを熱酸化処理して，シリコン酸化膜により覆う工程と，この後，上記活性層用ウェーハのゲッタリング層とは反対側の面に支持基板用ウェーハを張り合わせる工程と，上記活性層用ウェーハのゲッタリング層を除去する工程とを備えた張り合わせＳＯＩウェーハの製造方法
【０００８】
活性層用ウェーハ片面にゲッタリング層を形成するＥＧ（ＥｘｔｅｒｎａｌＧｅｔｔｅｒｉｎｇ）法の種類は限定されない
・・・
【００１０】なお，
この発明の技術的思想は，活性層用ウェーハだけなく，支持基板用ウェーハにもゲッタリング層を形成することを拒まない
支持基板用ウェーハの片面にゲッタリング層を形成させ，その後，これを熱酸化炉で熱酸化処理すると，炉内を浮遊中の金属不純物が，仮に支持基板用ウェーハに付着しても，その不純物はゲッタリング層に良好に捕獲される
・・・
【００１２】
【作用】この発明によれば，シリコン酸化膜を成膜する前に，活性層用ウェーハの一面にゲッタリング層を形成しておく（他面は鏡面）。その後，この活性層用ウェーハに熱酸化炉内で熱酸化処理を施し，この活性層用ウェーハをシリコン酸化膜で覆う。その際，この炉内の金属不純物が活性層用ウェーハ表面に付着したとしても，その不純物はゲッタリング層に捕獲される。次いで，活性層用ウェーハのゲッタリング層とは反対側の面に支持基板用ウェーハを張り合わせる。さらに，
張り合わせたウェーハを張り合わせ熱処理炉に挿入して，この炉内で張り合わせ熱処理を行なう。この際も，前述した熱酸化処理時と同じように，仮に炉内の金属不純物が活性層用ウェーハ表面に付着したとしても，その不純物はゲッタリング層に捕獲される。その後，張り合わせウェーハにおいて活性層用ウェーハのゲッタリング層を除去する。この結果，ゲッタリング層に捕獲された金属不純物がウェーハから除去される
（ウ）引用文献４
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体集積回路装置およびその製造技術に関し，特に，高速・低消費電力ＬＳＩの製造に用いられる
貼り合わせＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハのゲッタリングに適用して有効な技術に関する
・・・
【０００４】
ＳＯＩウェハは
最上層（以下表面シリコン層と称する）は厚さ０．１μｍ〜数μｍの単結晶シリコン層であり，ここに半導体集積回路素子が形成される。中間層として，厚さ数百ｎｍの埋め込みＳｉＯ
２
膜（以下ＢＯＸと称する）を有し，最下層にシリコン基板を有する
【０００５】
このようなＳＯＩウェハにおいても
半導体集積回路素子が形成される領域となる表面シリコン層に含まれる金属原子あるいは欠陥等の不純物をゲッタリングして，半導体集積回路素子の性能を向上させる技術が必要である
・・・
【００１３】本発明のさらに他の目的は，
ゲッタリング層により不純物をゲッタリングし，半導体集積回路装置の性能を向上することにある
・・・
【００５５】（実施の形態２）図８は，本発明の他の実施の形態である半導体集積回路装置の一例を示した要部断面図である。
【００５６】本実施の形態２の半導体集積回路装置１２は，
半導体支持基板１３，半導体支持基板１３上に形成された絶縁層であるＢＯＸ３およびＢＯＸ３上に形成された半導体薄膜層である表面シリコン層４からなるＳＯＩ構造を有する
【００５７】また，
半導体支持基板１３の裏面には，多結晶シリコン膜１４が約１μｍの膜厚で形成されている。この多結晶シリコン膜１４が，ゲッタリング領域となる
【００５８】このような半導体集積回路装置１２によれば，
表面シリコン層４に存在する不純物を，ＢＯＸ３および半導体支持基板１３を介して多結晶シリコン膜１４にゲッタリングする
・・・
【００６７】なお，本実施の形態２では，
ゲッタリング領域として多結晶シリコン膜１４の例を示したが，窒化シリコン膜の形成，あるいはサンドブラストによる表面粗化処理であってもよい
（エ）引用文献５
　当審拒絶理由通知で引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である引用文献５には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００１１】
実施の形態１．
　まず，この発明の実施の形態１における半導体圧力センサ１ａの構成を説明する。図１は，この発明の実施の形態１における半導体圧力センサ１ａを示す断面図である。
【００１２】
　図１において，
半導体圧力センサ１ａは，第１シリコン基板２の一方の面３と，第２シリコン基板６の一方の面７とが接合された構成となっている。第１シリコン基板２の一方の面３には凹部８ａが形成されており，第２シリコン基板６は，この凹部８ａを封止するように第１シリコン基板２と接合されている
【００１３】
　
第２シリコン基板６の他方の面１２の所定位置には，ダイヤフラム１１の歪みを抵抗変化として検出する歪検出素子１３が形成され
・・・
【００２５】
　次に，この発明の実施の形態１における半導体圧力センサ１ａの製造方法について説明する。図３は，この発明の実施の形態１における半導体圧力センサ１ａの製造工程を示す断面図である。
【００２６】
　まず，図３（ａ）に示すように，第１シリコン基板２を準備する。ここで，第１シリコン基板２は，Ｐ型導電型であって，面方位（１００）の単結晶シリコン基板である。
【００２７】
　次に，図３（ｂ）に示すように，
第１シリコン基板２の一方の面３に第２酸化シリコン膜２１を
形成する
ここでは熱酸化法を用いて，第１シリコン基板２を酸化性雰囲気中でアニール処理することによって，第２酸化シリコン膜２１
を形成する
・・・
【００３０】
　次に，図３（ｅ）に示すように，
第１シリコン基板２の一方の面３における，前工程で第２酸化シリコン膜２１を除去したことによって露出したシリコンの部分をエッチングして凹部８ａを形成する
・・・
【００３３】
　次に，図３（ｇ）に示すように，
第１シリコン基板２の凹部８ａを封止するように，第１シリコン基板２の一方の面３と第２シリコン基板６の一方の面７とを第２酸化シリコン膜２１を介して仮接合する
【００３４】
　このとき，温度は室温でよい。大気中，真空中のいずれでもよいが，半導体圧力センサ１ａの圧力基準室となる凹部８ａおよび第２シリコン基板６で囲まれた空間を真空にしたい場合は，真空中で仮接合を行うことが好ましい。ここでは，凹部８ａおよび第２シリコン基板６で囲まれた空間内に残留した水分を後の工程で利用するため，１Ｐａ程度もしくはそれより高い圧力の真空状態が適している。
【００３５】
　
次に，アニール処理を行う
このアニール処理によって，仮接合状態であった第１シリコン基板２と第２シリコン基板６とが完全に接合される
　イ　周知の技術的事項，常套手段及び周知技術
（ア）上記ア（ア）より，シリコン基板に感圧ダイアフラムを設け，その上に拡散抵抗層によるセンサ素子（ピエゾ抵抗素子）を設けてなる半導体圧力センサでは，ダイヤフラム及び拡散抵抗の形成のためにシリコン基板の微細加工を必要とし，十分に防塵を考慮した半導体プロセスで作られるが，微量の金属不純物が混入したり，工程の途中で生成されたりしてしまい，その結果，このような金属不純物によってセンサ出力にふらつきが生じるとの問題点があることは，引用文献２にみられるように，本願出願前，当該技術分野では周知の技術的事項と認められる。
（イ）上記ア（ア）ないし（ウ）より，それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハの製造において，製造工程中でウェハに混入する金属不純物を捕獲する手段として，支持ウェハ又は活性層ウェハの少なくとも一方における，貼り合わせ面ではない面に，粗面領域やポリシリコン膜などからなるゲッタリング層を形成する方法（ＥＧ法）は，引用文献２ないし４にみられるように，当該技術分野では常套手段と認められる。
（ウ）上記ア（エ）より，凹部が形成された第１シリコン基板の一方の面に，上記凹部を封止するように第２シリコン基板の一方の面が接合され，上記第２シリコン基板の他方の面に，ダイヤフラムの歪みを抵抗変化として検出する歪検出素子が形成された，半導体圧力センサの製造方法において，酸化シリコン膜を介して室温で貼り合わせられた上記第１シリコン基板及び上記第２シリコン基板に対して，貼り合わせ強化熱処理を行うことは，引用文献５にみられるように，当該技術分野では周知の技術と認められる。
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）対比
　ア　引用発明における「第１の（単結晶）シリコン基板１２」，「デバイスが形成される第２の（単結晶）シリコン基板１１」，及び「界面絶縁膜であるシリコン酸化膜」は，それぞれ，本願発明の「支持ウェハ」，「活性層ウェハ」，及び「酸化膜」に相当するといえる。
　そして，引用発明は，第１の（単結晶）シリコン基板１２とデバイスが形成される第２の（単結晶）シリコン基板１１が，真空室１４がその間に形成されるように，界面絶縁膜であるシリコン酸化膜８を介して貼り合わされて構成される半導体圧力センサの製造方法であることより，ＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハを製造していると認められ，「ＳＯＩウェハの製造方法」ともいうことができる。
　そうすると，本願発明と引用発明とは，後述する相違点に係る構成を除き，「それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩウェハの製造方法」である点で共通すると認められる。
　イ　引用発明における「上記第１のシリコン基板１２の表面」及び「真空室１４となる凹部」は，それぞれ，本願発明の「前記支持ウェハの，前記ＳＯＩウェハの貼り合わせ面となる第１面」及び「キャビティ」に相当するといえる。
　そうすると，引用発明における「上記第１のシリコン基板１２の表面に上記真空室１４となる凹部を形成」することは，本願発明の「前記支持ウェハの，前記ＳＯＩウェハの貼り合わせ面となる第１面にキャビティを形成する工程」に相当すると認められる。
　ウ　本願発明の「前記支持ウェハを熱酸化する工程」と，引用発明における「上記凹部を含む上記第１のシリコン基板１２の表面に界面絶縁膜としてシリコン酸化膜８を形成」することとは，「前記支持ウェハに酸化膜を形成する工程」である点で共通するといえる。
　エ　引用発明における「上記第２のシリコン基板１１と上記第１のシリコン基板１２とを上記シリコン酸化膜８を介して貼り合わせる」ことは，本願発明の「前記支持ウェハの前記第１面と前記活性層ウェハとを貼り合わせる工程」に相当すると認められる。
　
（２）一致点及び相違点
　上記（１）から，本願発明と引用発明との一致点及び相違点は，それぞれ以下のとおりであると認められる。
　ア　一致点
　「それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩウェハの製造方法であって，
　前記支持ウェハの，前記ＳＯＩウェハの貼り合わせ面となる第１面にキャビティを形成する工程と，
　前記支持ウェハに酸化膜を形成する工程と，
　前記支持ウェハの前記第１面と前記活性層ウェハとを貼り合わせる工程と，
　を備えたことを特徴とするＳＯＩウェハの製造方法。」
　イ　相違点
　・相違点１
　本願発明は，「前記支持ウェハの，前記第１面とは反対側の面にゲッタリング材を形成する工程」，及び「前記支持ウェハに形成されたゲッタリング材を除去する工程」を備えるのに対し，引用発明は上記の工程を備えていない点。
　・相違点２
　共通点に係る構成の「前記支持ウェハに酸化膜を形成する工程」について，本願発明は「前記支持ウェハを熱酸化する工程」により酸化膜を形成するのに対し，引用発明では，「上記凹部を含む上記第１のシリコン基板１２の表面に界面絶縁膜としてシリコン酸化膜８を形成」する際の形成方法は特定されておらず，「シリコン酸化膜８」が「第１のシリコン基板１２」を熱酸化して形成されるか否かは不明である点。
　・相違点３
　本願発明は，「貼り合わせられた前記支持ウェハおよび活性層ウェハに対して，貼り合わせ強化熱処理を行う工程」を備えているのに対し，引用発明において，「上記第２のシリコン基板１１と上記第１のシリコン基板１２とを上記シリコン酸化膜８を介して貼り合わせる」処理の内容は特定されておらず，「第２のシリコン基板１１」と「第１のシリコン基板１２」との貼り合わせの際に，貼り合わせ強化熱処理が行われるか否かは不明である点。
　
４　相違点についての検討
（１）相違点１について
　引用発明は，第１の（単結晶）シリコン基板１２とデバイスが形成される第２の（単結晶）シリコン基板１１が，真空室１４がその間に形成されるように，界面絶縁膜であるシリコン酸化膜８を介して貼り合わされて構成される半導体圧力センサの製造方法であって，引用文献１に記載された，マスクを用いたシリコンエッチングにより，上記第１のシリコン基板１２の表面に上記真空室１４となる凹部を形成する際（【００１８】，上記２（１）ア（ア）参照。）や，マスクを用いた不純物注入とその後のアニールとにより，上記第２のシリコン基板１１にゲージ抵抗１及び拡散配線２を形成する際（【００１９】及び【００２０】，上記２（１）ア（ア）参照。）に，上記第１のシリコン基板１２及び上記第２のシリコン基板１１の微細加工を必要とすることは明らかである。
　そして，上記２（２）イ（ア）のとおり，シリコン基板に感圧ダイアフラムを設け，その上に拡散抵抗層によるセンサ素子（ピエゾ抵抗素子）を設けてなる半導体圧力センサでは，ダイヤフラム及び拡散抵抗の形成のためにシリコン基板の微細加工を必要とし，十分に防塵を考慮した半導体プロセスで作られるが，微量の金属不純物が混入したり，工程の途中で生成されたりしてしまい，その結果，このような金属不純物によってセンサ出力にふらつきが生じるとの問題点があることは，引用文献２にみられるように，本願出願前，当該技術分野では周知の技術的事項と認められる。
　そうすると，引用発明において，上記第１のシリコン基板１２に上記真空室１４となる凹部を形成するための微細加工を施す際や，上記第２のシリコン基板１１にゲージ抵抗１及び拡散配線２を形成するための微細加工を施す際に，十分に防塵を施しても上記第１のシリコン基板１２及び上記第２のシリコン基板１１に金属不純物が混入し，その結果，センサ出力にふらつきが生じるとの問題点が生じるので，混入した金属不純物を捕獲して除去する必要があることは，上記周知の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして，上記２（２）イ（イ）のとおり，それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩウェハの製造において，製造工程中でウェハに混入する金属不純物を捕獲する手段として，支持ウェハ又は活性層ウェハの少なくとも一方における，貼り合わせ面ではない面に，粗面領域やポリシリコン膜などからなるゲッタリング層を形成する方法（ＥＧ法）は，引用文献２ないし４にみられるように，当該技術分野では常套手段と認められるから，引用発明において，上記周知の技術的事項に基づいて，上記第１のシリコン基板１２に上記真空室１４となる凹部を形成するための微細加工や，上記第２のシリコン基板１１に上記ゲージ抵抗１及び上記拡散配線２を形成するための微細加工で混入した金属不純物を捕獲する際に，捕獲手段として，上記第１のシリコン基板１２の上記真空室１４となる凹部が形成される表面と反対側の面に，ゲッタリング材を形成する手段を採用することは，当業者が普通に行い得るものと認められる。
　また，製造工程の最後で，上記金属不純物を捕獲したゲッタリング材を除去することは，引用文献３（【０００５】及び【００１７】，上記２（２）ア（イ）参照。）にみられるように，当業者が当然に行い得るものと認められる。
　以上から，引用発明において，上記第１のシリコン基板１２の上記真空室１４となる凹部が形成される表面と反対側の面に，ゲッタリング材を形成し，上記第１のシリコン基板１２に形成されたゲッタリング材を除去すること（相違点１に係る構成とすること）は，上記周知の技術的事項，及び上記常套手段に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認める。
　
（２）相違点２について
　ア　それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩウェハの製造方法において，上記酸化膜を，一方のウェハを熱酸化することにより形成することは，引用文献３（【０００２】，【００１０】及び【００１２】，上記２（２）ア（イ）参照。）及び引用文献５（【００２７】，上記２（２）ア（エ）参照。）にみられるように，当業者により普通に行われているものであり，引用発明において，デバイスが形成される第２の（単結晶）シリコン基板１１との貼り合わせ面である，第１のシリコン基板１２の表面に，界面絶縁膜としてシリコン酸化膜８を形成する際に，上記シリコン酸化膜８を，上記第１のシリコン基板１２を熱酸化して形成することは，当業者が普通に行い得るものである。
　イ　なお，本願請求項１の記載からは，本願発明において，「前記支持ウェハの，前記第１面とは反対側の面にゲッタリング材を形成する工程」と「前記支持ウェハを熱酸化する工程」のいずれを先に行うかとの順序関係が特定されているとは認められないが，本願明細書には，「前記支持ウェハの，前記第１面とは反対側の面にゲッタリング材を形成する工程」の後に「前記支持ウェハを熱酸化する工程」を行うことが記載されている（【００４２】及び【００４３】，図３（ｂ）及び（ｃ））ので，この点についても検討する。
　それぞれシリコンウェハである支持ウェハおよび活性層ウェハが，酸化膜を介して互いに貼り合わせられて構成されるＳＯＩウェハの製造において，支持ウェハ又は活性層ウェハの少なくとも一方における，貼り合わせ面ではない面に，粗面領域やポリシリコン膜などからなるゲッタリング層を形成した後に，シリコンウェハを熱酸化して上記酸化膜を形成し，ゲッタリング層を酸化膜で被覆することは，引用文献３（【００１０】及び【００１２】，上記２（２）ア（イ）参照。）にみられるように当業者が普通に行い得るものと認められる。
　そうすると，上記（１）で検討したように，引用発明において，引用文献２にみられるような周知の技術的事項，及び引用文献２ないし４にいられるような常套手段に基づいて，金属不純物を捕獲するためのゲッタリング材を，上記第１のシリコン基板１２の上記真空室１４となる凹部が形成される表面と反対側の面に形成する際に，上記ゲッタリング材を形成した後に，界面絶縁膜となるシリコン酸化膜８を，上記第１のシリコン基板１２を熱酸化して形成し，上記ゲッタリング材をシリコン酸化膜で被覆することも，当業者が普通に行い得るものと認められる。
　ウ　以上から，相違点２に係る構成は，引用発明において，当業者が普通に行い得るものと認める。
　
（３）相違点３について
　凹部が形成された第１シリコン基板の一方の面に，上記凹部を封止するように第２シリコン基板の一方の面が接合され，上記第２シリコン基板の他方の面に，ダイヤフラムの歪みを抵抗変化として検出する歪検出素子が形成された，半導体圧力センサの製造方法において，酸化シリコン膜を介して室温で貼り合わせられた上記第１シリコン基板及び上記第２シリコン基板に対して，貼り合わせ強化熱処理を行うことは，引用文献５にみられるように，当該技術分野では周知の技術と認められ，引用発明の「上記第２のシリコン基板１１と上記第１のシリコン基板１２とを上記シリコン酸化膜８を介して貼り合わせる」処理において，貼り合わせ強化熱処理が行われることは，引用文献１には明記されていなくても自明といえる。
　また，仮にそうでないとしても，引用発明において，「第２のシリコン基板１１」と「第１のシリコン基板１２」との貼り合わせの際に，貼り合わせ強化熱処理を行うことは，当業者が普通に行い得るものと認める。
　以上から，相違点３に係る構成は，本願発明と引用発明との実質的な相違点とは認められず，また，仮にそうでないとしても，引用発明において，当業者が普通に行い得るものと認める。
　
５　本願発明の作用効果について
　本願明細書の記載によれば，本願発明は，「キャビティＳＯＩウェハが供されるデバイスの製造工程において高温処理を行っても，ゲッタリング材が酸化膜で被覆されているので，ゲッタリング材中に捕捉された金属不純物が，拡散速度が極端に遅い酸化膜中を透過して外部に拡散することを防止することができる。そのため，金属不純物に対して優れたゲッタリング能力を有するＳＯＩウェハを得ることができる。」（【００３５】）との作用効果，及び「キャビティＳＯＩウェハの製造工程において，ゲッタリング材に捕捉した金属不純物をゲッタリング材ごと除去することができるので，金属不純物を含有しない信頼性の高いキャビティＳＯＩウェハを得ることができる。さらに，キャビティＳＯＩウェハが供されるデバイスの製造工程において，たとえ薄肉化した活性層が破損しても，金属不純物が残留していないので，製造装置を金属不純物で汚染するような事態を未然に防止することができる。」（【００５３】）との作用効果を奏する。
　他方，上記４（１）のとおり，引用発明において，第１のシリコン基板１２に真空室１４となる凹部を形成するための微細加工を施す際や，第２のシリコン基板１１にゲージ抵抗１及び拡散配線２を形成するための微細加工を施す際に，上記第１のシリコン基板１２及び上記第２のシリコン基板１１に金属不純物が混入するとの問題点に鑑み，上記第１のシリコン基板１２及び上記第２のシリコン基板１１に混入した金属不純物を捕獲して除去するために，上記第１のシリコン基板１２の上記真空室１４となる凹部が形成される表面と反対側の面に，ゲッタリング材を形成し，上記第１のシリコン基板１２に形成されたゲッタリング材を除去することは，引用文献２にみられるような周知の技術的事項，及び引用文献２ないし４にみられるような常套手段に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められ，また，上記金属不純物を捕獲したゲッタリング材を，製造工程の最後で除去することは，当業者が当然に行い得るものと認められる。
　そして，上記４（２）イのとおり，引用発明において，上記周知の技術的事項，及び上記常套手段に基づいて，上記第１のシリコン基板１２の上記真空室１４となる凹部が形成される表面と反対側の面に，上記ゲッタリング材を形成する際に，上記ゲッタリング材を形成した後に，界面絶縁膜となるシリコン酸化膜８を，上記第１のシリコン基板１２を熱酸化して形成し，上記ゲッタリング材をシリコン酸化膜で被覆することも，当業者が普通に行い得るものと認められる。
　そうすると，本願発明における上記の作用効果は，引用文献２にみられるような周知の技術的事項，及び引用文献２ないし４にみられるような常套手段に基づいて，当業者が容易に予測し得るものといえる。
　以上から，本願発明の奏する作用効果は，格別のものとはいえない。
　
６　小括
　したがって，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用文献１記載の発明（引用発明），並びに引用文献２にみられるような周知の技術的事項，引用文献２ないし４にみられるような常套手段，及び引用文献５にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第３　結言
　
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。