Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月6日(2020.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フジツボの卵、フジツボのノープリウス幼生及び／又はフジツボの幼体の凍結保存用の方法であって、
前記方法は、以下の順序で実施される工程：
生体から水を排水する工程と、
エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール、ジメチルスルホキシド及びこれらの混合物質からなる群から選択される抗凍結剤を含有する抗凍結溶液を５〜８Ｍ添加する工程と、
以下の（ｉ）〜（ｉｉｉ）に続く工程に従って、容器中の前記混合物を凍結する工程と、
（ｉ）前記混合物中の前記生体が結晶化し始める温度に至るまで、−１℃／分以下の第１の低速凍結速度で凍結する工程；
（ｉｉ）前記混合物中の前記生体及び前記抗凍結剤が完全に結晶化するまで、−０．１℃／分以下の第２の低速凍結速度で凍結する工程；並びに
（ｉｉｉ）低温保存温度まで第１の高速凍結速度で凍結する工程
を含む。
【請求項２】
前記第１の低速凍結速度は、−０．５℃／分以下、好ましくは−０．３℃／分以下、より好ましくは−０．１℃／分以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の凍結工程の前に、平衡化工程を実施し、好ましくは５〜６０分間、より好ましくは１５〜３０分間、最も好ましくは約１５分間平衡化工程を実施する、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
前記第２の低速凍結速度は、−０．０１５℃／分〜−０．１℃／分、好ましくは−０．０４℃／分〜０．０８℃／分、より好ましくは−０．０５℃／分であり、最も好ましくは−０．０４℃／分である、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記排水された生体は、排水後において、６〜１４％、より好ましくは８〜１２％、最も好ましくは約１０％の乾燥重量含量を有する、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記生体に添加される前記抗凍結剤の濃度は、６Ｍ〜８Ｍ、より好ましくは６．５Ｍ〜７．５Ｍである、最も好ましくは７．２Ｍである、上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記抗凍結剤は、エチレングリコールとプロピレングリコールとの混合物であり、好ましくはそれぞれ約５０％、より好ましくは約７５％のエチレングリコールと２５％のプロピレングリコールとの混合物である、上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
１つのユニット中で凍結保存される材料の量は、少なくとも５ｇ〜１０ｇ、好ましくは少なくとも１０ｇ〜５０ｇ、より好ましくは少なくとも５０ｇ〜１００ｇ、最も好ましくは２００ｇ〜２０００ｇである、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記材料における均一温度が約−１０℃〜約１３℃、好ましくは約−１２℃〜約−１３℃に至ると、前記第１の低速凍結速度が終了する、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記凍結プロセスの全体は、少なくとも５時間、好ましくは６〜１０時間、より好ましくは１０〜１２時間、最も好ましくは１２時間超継続する、上記請求項のいずれかに記載
の方法。
【請求項１１】
前記生体は、適切なサイズの型内、好ましくはシリコーン製の型内で、５〜５０ｍｌ、好ましくは１０〜２５ｍｌの容量で凍結保存される、上記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記生体は、プレート又はポーチ内で凍結され、凍結保存された生体を備えた前記プレート又は前記ポーチは、液体窒素中で小さな粒子に粉砕され、それにより、得られた前記粒子は、好ましくは、液体窒素中に充填されることなく保存される、上記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記凍結保存された生体を蘇生する生体の蘇生化方法であって
３０〜４０℃の温水浴中で前記凍結保存された生体を解凍すること、
前記凍結された材料を粉砕し、１０℃以下の冷海水の流水で前記材料を洗ってから、５℃未満で最大３６時間かけて前記生体を蘇生化すること、及び
前記凍結した材料を粉砕し、１０℃以下で通気して海水中で前記材料をインキュベートした後、５℃未満で最大３６時間かけて前記生体を蘇生化すること、から選択されるいずれかの方法を適用する、上記請求項のいずれかに記載の凍結保存された生体の蘇生化方法。
【請求項１４】
前記解凍された生体は、解凍後に給餌される魚の培養物中の水温に適応する、請求項１
３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれかに記載の方法によって得られることを特徴とする、凍結保存製品又は飼料。
【請求項１６】
請求項１〜１２のいずれかに記載の方法によって初期発育期のフジツボを凍結保存し、かつその後蘇生化する、海洋魚類の幼生及び無脊椎動物用の生餌としての初期発育期のフ
ジツボの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天井吊り下げモニタシステム用の吊り下げ可能モニタであって、
ビデオディスプレイと、
構造フレームと、
システムインターフェースと、を含み、
前記ビデオディスプレイは、前記構造フレームの前面に取り付けられ、
前記システムインターフェースは、前記吊り下げ可能モニタを吊り下げるために、一端で前記構造フレームの上部に結合され、他端で前記天井吊り下げモニタシステムに取り付け可能である、吊り下げ可能モニタ。
【請求項２】
前記吊り下げ可能モニタは、
グリップバーをさらに含み、
前記グリップバーは、前記構造フレームの前記前面の２つの対向する縁部上で前記構造フレーム及び前記ビデオディスプレイを結合する複数の接続部を含む、請求項１に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項３】
ユーティリティボックスが、前記構造フレームの上部に取り付けられるように設けられ、
前記システムインターフェースは、前記ユーティリティボックスに結合される、請求項１又は２に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項４】
前記ビデオディスプレイは、
保護ガラスプレートと、
ディスプレイパネルと、
ディスプレイ電子装置アセンブリと、を含み、
前記保護ガラスプレート及び前記ディスプレイ電子装置アセンブリは、前記ディスプレイパネルの両側に取り付けられ、
前記ディスプレイパネルは、前記ディスプレイ電子装置アセンブリに結合され、前記ディスプレイ電子装置アセンブリからビデオ情報及び電力を受信する、請求項１から３の何れか一項に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項５】
換気デバイスが、前記構造フレームに取り付けられている、請求項４に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項６】
前記構造フレームは、
外部デバイスを制御する制御ユニット及び／又は
電源ユニット
を含むフレーム電子装置アセンブリを含む、請求項１から５の何れか一項に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項７】
前記構造フレームはさらに、前記前面の反対側の背面上に外部インターフェースを含み、前記外部インターフェースは、外部デバイスを前記吊り下げ可能モニタに取り付けるためのさらなるシステムインターフェースに接続される、請求項１から６の何れか一項に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項８】
前記吊り下げ可能モニタは、Ｘ線撮像システムで使用され、
Ｘ線が作用しているかどうかを示すために、前記吊り下げ可能モニタ上にＸ線インジケータが設けられる、請求項１から７の何れか一項に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項９】
前記吊り下げ可能モニタは、背部カバーをさらに含み、
前記背部カバーは、前記構造フレームの前記前面の反対側の背面に取り付けられる、請求項１から８の何れか一項に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項１０】
前記背部カバーを取り外した後、実用可能な部品にアクセスすることができる、請求項９に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項１１】
前記背部カバー上に冷却スロットが設けられる、請求項９又は１０に記載の吊り下げ可能モニタ。
【請求項１２】
医療撮像のための天井吊り下げモニタシステムであって、
キャリッジと、
請求項１から１１の何れか一項に記載の吊り下げ可能モニタと、を含み、
前記キャリッジは、部屋の天井構造に移動可能に取り付け可能であり、
前記吊り下げ可能モニタを前記キャリッジに吊り下げ可能に取り付けるために、前記システムインターフェースが、一端で前記吊り下げ可能モニタの構造フレームに取り付けられ、他端で前記キャリッジに取り付け可能である、天井吊り下げモニタシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月29日(2019.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオンビームを生成するための装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
外側の突起５０及び凹部空洞８１は、外側の突起５０が凹部空洞８１内に適合するように、相補的形状として形成することができる。特定の実施形態において、外側の突起５０及び凹部空洞８１は、外側の突起５０が凹部空洞８１を十分に占めるように、同一のサイズ及び形状を有することができる。他の実施形態において、外側の突起５０は、凹部空洞８１と同一形状を有することができるが、凹部空洞８１と同一の深さに伸びなくても良い。例えば、外側の突起５０は、４インチの直径及び２インチの高さを有する円柱とすることができる。凹部空洞８１も、円柱として形成することができるが、ヒートシンク８０内の２．５インチの深さで終わることができる。したがって、本実施形態において、外側の突起５０を凹部空洞８１の中に挿入するとき、凹部空洞８１の後端に（大体、０．５インチの）小さい空間がある。しかしながら、外側の突起５０は、膨張するときに、凹部空洞８１の側面に接触するように、形成される。したがって、凹部空洞８１の直径は、４インチより少し大きくすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ヒートシンク８０は、液体又は気体の形状で、冷却流体をヒートシンク８０の中の流路８５を通って流すことにより、冷却することができる。特定の実施形態において、ヒートシンク８０の所望の温度に依存して、他の冷却流体も用いることができるけれども、冷却流体は水とすることができる。冷却流体は、ヒートシンク８０を任意の温度に維持するために、用いることができる。例えば、ヒートシンク８０を水の沸点より高い温度に保つことが望ましい場合、エチレングリコール又はプロピレングリコールなどの他の流体を用いることができる。ヒートシンク８０を水の融点より低い温度に保つことが望ましい場合、エチルアルコールなどの他の流体を用いることができる。言い換えれば、ヒートシンク８０は、適切な冷却流体を流路８５を通して循環させることにより、任意の所望の温度に維持することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
どの特定の理論に縛られることなく、最初に、ヒートシンク８０とイオン源１０との間の第１の熱伝達係数があるとされている。この第１の熱伝達係数は、凹部空洞８１と外側の突起５０との間のギャップ８２、及び、ヒートシンク８０の温度に基づく。イオン源１０が動作を始めるときに、この第１の熱伝達係数により、熱がチャンバ壁１１から引出される。特定の実施形態において、この第１の熱伝達係数を用いることにより、ヒートシンク８０により引出すことができるよりもっと多くの熱がイオン源１０により生成される。その結果として、イオン源１０の温度は増大し始める。イオン源１０の温度のこの増大により、チャンバ壁１１及び外側の突起５０の熱膨張を引き起す。外側の突起５０が膨張するときに、ヒートシンク８０の凹部空洞８１と外側の突起５０との間のギャップ８２は低減し、これにより、熱伝達係数を向上する。ギャップ８２の厚さが低減するときに、イオン源１０を一定の又はほとんど一定の温度に維持するために十分な熱の量を、ヒートシンク８０が引出すことができる点に達するとされている。この点において、イオン源１０の温度は大体一定のままであり、イオン源１０は、これ以上膨張しない。したがって、外側の突起５０と凹部空洞８１との間の関係は平衡に達する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
さらに、特定の実施形態において、ギャップを調整するために、シムを用いることができる。例えば、図５Ａ〜５Ｂは、先細の円柱として形成される外側の突起５５０を有するイオン源５１０を示す。ヒートシンク５８０は、類似の形状の凹部空洞５８１を有する。外側の突起５５０が凹部空洞５８１に挿入される深さを変えることにより、ギャップ５８２を変えることができる。図５Ａは、イオン源５１０の本体とヒートシンク５８０の本体との間の第１の間隔を供給するために用いる第１の組のシム５０１を示す。外側の突起５５０及び凹部空洞５８１は、共に、先細のため、シムの使用により、凹部空洞５８１の背面での間隔と、外側の突起５５０の側面と凹部空洞５８１との間のギャップ５８２の両方を創生する。上記のように、最初のギャップのサイズはイオン源５１０の最終温度を決定するのに役立つことができる。図５Ｂは、それらの間に配置される第２の組のシム５０２を有するイオン源５１０及びヒートシンク５８０を示す。第２の組のシム５０２は、第１の組のシム５０１より厚く、その結果として、外側の突起５５０の側面と凹部空洞５８１の側面との間のより大きいギャップ５８２を創生する。したがって、外側の突起５５０及び凹部空洞５８１が先細の場合、シムは、これらのコンポーネント間の最初のギャップを変えるために、用いることができる。これにより、イオン源５１０の温度を調整するために、別の機構を供給する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
したがって、異なるサイズのシムと一体になって、先細の外側の突起５５０の使用により、イオン源５１０の温度を調整するために、別のパラメータを使用することを可能にする。例えば、特定の実施形態において、複数の温度を創生するために、イオン源５１０及びヒートシンク５８０を含む一組のコンポーネントを用いる。例えば、異なる温度を達成するために、イオン源５１０及びヒートシンク５８０と共に、各組が異なる厚さを有する複数の組のシムを用いることができる。したがって、特定の実施形態において、ヒートシンク５８０の温度は一定に保持され、一方、イオン源５１０の温度は、異なる組のシムの使用により、調整される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019504442.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2019504442.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月15日(2020.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のコリメータを備えるコリメータ構成物であり、当該コリメータ構成物の周辺部の各コリメータは、それぞれの出口窓において、円形の全体的外形を有し、該円形の全体的外形内への1つ以上のカットアウトがあり、各カットアウトは、内角で交わる一対の縁部を含み、各カットアウトは、当該カットアウトが前記円形の全体的外形と交わる一対の外角を画定し、1つ以上のカットアウトを有する各コリメータは、前記内角が、隣接するコリメータの前記外角の1つに隣接するテッセレーションを形成するよう前記カットアウトにより組み合される、コリメータ構成物。
【請求項２】
各カットアウトは、80〜100度の内角を画定する、請求項1に記載のコリメータ構成物。
【請求項３】
各コリメータは、中央部分と外側リフレクタ部分とを含み、前記カットアウトは、前記リフレクタ部分に形成される、請求項1又は2に記載のコリメータ構成物。
【請求項４】
各コリメータは、全反射コリメータを含む、請求項1又は2に記載のコリメータ構成物。
【請求項５】
各コリメータは、それぞれの光源からの光を受けるための入口開口部を有し、前記入口開口部は、当該コリメータのカットアウト領域から離れる方に光を向けるための部分を有する、請求項1乃至4の何れか一項に記載のコリメータ構成物。
【請求項６】
各々が1つのカットアウトを有する4つのコリメータ及び4つのカットアウトを有する1つのコリメータ、又は
各々が2つのカットアウトを有する4つのコリメータ、又は
各々が4つのカットアウトを有する2つのコリメータ、各々が2つのカットアウトを有する4つのコリメータ及び各々が1つのカットアウトを有する2つのコリメータ、又は
各々が4つのカットアウトを有する4つのコリメータ及び各々が2つのカットアウトを有する8つのコリメータ、
を含む、請求項1乃至5の何れか一項に記載のコリメータ構成物。
【請求項７】
請求項1乃至6の何れか一項に記載のコリメータ構成物と、
各コリメータの光入力部に光を結合するよう構成されるそれぞれの光源と、
を備える照明ユニット。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月22日(2019.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３００℃以上の注入温度で、基板の表面を通って、ヘリウム種のドーズを基板の中へ注入するステップと、
ドーパントを含むドーピング層を前記基板の前記表面に堆積するステップと、
アニール温度で前記基板のアニーリングをするステップと、を有し、前記アニール温度は前記注入温度より高い、基板のドーピング方法。
【請求項２】
前記注入温度は、３００℃と６００℃との間である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ヘリウム種は、２００eVから５０００eVのエネルギーを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
ヘリウム種の前記ドーズは、５×１０１５/cm2から１×１０１７/cm2のヘリウムのドーズを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ドーピング層は、０．１ｎｍと３ｎｍとの間の厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ドーパントは、ヒ素、ホウ素、リン又はシリコンを含むフィルムを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記基板は、シリコン、ゲルマニウム、炭化ケイ素（SiC）、シリコン：ゲルマニウム合金、III−V族化合物半導体、又は、II−VI族化合物半導体の内の１つを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ドーピング層を前記堆積するステップは、ヘリウム種の前記ドーズを前記基板の中へ前記注入するステップの前に行われる、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記基板の前記アニーリングをするステップは、高速熱アニーリングを実施するステップを有し、温度上昇の速度は５０℃/sより速く、アニール温度は９００℃より高く、アニール時間は１０秒より短い、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記ドーパントを含む前記ドーピング層を前記基板の前記表面に前記堆積するステップ、ヘリウム種の前記ドーズを前記基板の中へ前記注入するステップ及び前記アニール温度で前記基板の前記アニーリングをするステップを有する動作は、動作の間に真空を破壊しないで、クラスターツールの中で行われ、前記方法は、さらに、
ヘリウム種の前記ドーズを前記基板の中へ前記注入するステップ及び前記ドーパントを含む前記ドーピング層を前記基板の前記表面に前記堆積するステップの前に、酸化物層を除去するステップと、
ヘリウム種の前記ドーズを前記基板の中へ前記注入するステップの後に、及び、前記ドーパントを含む前記ドーピング層を前記基板の前記表面に前記堆積するステップの後に、及び、前記アニール温度で前記基板の前記アニーリングをするステップの前に、前記基板にキャッピング層を堆積するステップと、を有し、前記酸化物層を前記除去するステップ及び前記キャッピング層を該堆積するステップは、さらに、動作の間に真空を破壊しないで、前記クラスターツールの中で実施される、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
３００℃を超える注入温度で、基板の表面を通って、ヘリウムのドーズを基板の中へ注入するステップであって、ヘリウムの前記ドーズは５×１０１５/cm2以上を含む、ステップと、
ドーパントを含むドーピング層を前記基板の前記表面に堆積するステップであって、前記ドーピング層は１ｎｍより薄い厚さを有する、ステップと、
６００℃より高いアニール温度で前記基板のアニーリングをするステップと、を有する、半導体デバイスのドーピング方法。
【請求項１２】
前記基板の中の前記ドーパントの１番目の活性化レベルは、前記注入温度が室温のときの、前記基板の中の前記ドーパントの２番目の活性化レベルより少なくとも５倍である、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ヘリウム種の前記ドーズを前記基板の中へ前記注入するステップの前に、及び、前記ドーパントを含む前記ドーピング層を前記基板の前記表面に前記堆積するステップの前に、酸化物層を除去するステップと、
前記アニール温度で前記基板の前記アニーリングをするステップの前に、前記ドーピング層にキャッピング層を堆積するステップと、を、さらに、有する、請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
前記基板はフィン型トランジスタデバイスを備え、前記フィン型トランジスタデバイスの隣接するフィン構造間の間隔は１０ｎｍより小さく、前記ドーピング層の厚さは０．５ｎｍ以下である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
基板をドーピングするシステムであって、
該システムは、
前記基板を保管し移す移動チャンバと、
ヘリウム源に連結した高温注入チャンバであって、該高温注入チャンバは、さらに、前記移動チャンバに連結され、
ヘリウムイオンを発生するプラズマ発生器と、
３００℃以上の基板の温度を生成する基板ヒーターと、を備える、高温注入チャンバと、
ドーパント源及び前記移動チャンバに連結され、ドーパントを前記基板に供給するドーパント堆積チャンバと、
前記移動チャンバに連結され、少なくとも６００℃の基板の温度を生成するヒーターを有するアニーリングチャンバと、を備える、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板のドーピング方法、半導体デバイスのドーピング方法及び基板をドーピングするシステム
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月16日(2019.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ内の反りまたは曲がりを低減する方法であって、
第１の面および第２の面を有し、面プロファイルが反りまたは曲がりを備える半導体ウェーハを提供するステップと、
前記半導体ウェーハの面全体にわたり前記反りまたは曲がりを測定するステップと、
前記第２の面上に所定の厚さを有する酸化物層を堆積させて、前記第２の面上に所定の圧縮力、引張力、または圧縮力と引張力の組合せを誘起し、前記酸化物層を堆積させる前の、前記半導体ウェーハ面プロファイル内の前記反りまたは曲がりと比較して、前記半導体ウェーハ面プロファイル内の前記反りまたは曲がりを低減するステップと
を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量型微細加工トランスデューサ（ＣＭＵＴ）の超音波アレイのための音響レンズであって、前記音響レンズは、
炭化水素系から選択されるポリマー材料を有する熱硬化性エラストマーを含む第１層であって、前記超音波アレイに面するように配置された内面と、前記内面に対向するように配置された凸状の外面とを有する第１層と、
前記第１層の前記外面に結合され、熱可塑性ポリマーポリメチルペンテンとそれに混合されるポリオレフィン系から選択されるエラストマーとを含む第２層とを含み、
前記第１層は第１音波速度を有し、前記第２層は第２音波速度を有し、前記第２音波速度は前記第１音波速度よりも速い、
音響レンズ。
【請求項２】
前記熱硬化性エラストマーはポリブタジエンを含む、請求項１に記載の音響レンズ。
【請求項３】
前記選択されるエラストマーは熱可塑性エラストマー（ＴＰＥ）である、請求項１又は２に記載の音響レンズ。
【請求項４】
ポリブタジエンを含む前記第１層はさらに、前記第１層の音響インピーダンスの調整のために中に埋め込まれた粒子を含む、請求項２に記載の音響レンズ。
【請求項５】
前記第１層の音響インピーダンスは前記第２層の音響インピーダンスと実質的に同じであるように、前記第１層の総重量に基づく前記粒子の重量パーセントは、前記第２層の総重量に基づく前記エラストマーの重量パーセントに関係する、請求項４に記載の音響レンズ。
【請求項６】
前記第１層及び前記第２層の前記音響インピーダンスは１．６ＭＲａｙｌである、請求項５に記載の音響レンズ。
【請求項７】
前記第１層中の前記粒子はセラミック粒子を含み、前記選択されるエラストマーは、アルファオレフィンである第１モノマーとエチレンである第２モノマーとを有するコポリマーを含む、請求項４に記載の音響レンズ。
【請求項８】
前記第１モノマーはオクタンを有する、請求項７に記載の音響レンズ。
【請求項９】
前記セラミック粒子は二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）粒子を含む、請求項８に記載の音響レンズ。
【請求項１０】
前記第１層の総重量に基づく前記セラミック粒子の重量パーセントは最大でも２５％、前記第２層の総重量に基づく前記エラストマーの重量パーセントは最大でも４０％である、請求項９に記載の音響レンズ。
【請求項１１】
前記第１層の総重量に基づく二酸化ジルコニウム粒子の重量パーセントは２５％、前記第２層の総重量に基づく前記選択されるエラストマーの重量パーセントは２０％である、請求項９に記載の音響レンズ。
【請求項１２】
前記第１層と前記第２層との間の音響インピーダンスの差は０．３ＭＲａｙｌより小さい、請求項１に記載の音響レンズ。
【請求項１３】
前記第１音波速度（ｖ１）は１９００ｍ／ｓであり、前記第２音波速度（ｖ２）は１５００ｍ／ｓである、請求項１に記載の音響レンズ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の音響レンズを含む、超音波プローブ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に材料を堆積させるための方法であって、
シリコン基板に形成されたフィーチャの少なくとも１つの側壁と底面とを覆って、共形酸化物層を堆積させることであって、前記シリコン基板が、
前記フィーチャを取り囲むフィールド領域と、
裏側とを備え、前記フィーチャは前記フィールド領域から前記裏側に向かって延在する、共形酸化物層を堆積させることと、
前記シリコン基板の一部分を露出させるために、前記フィーチャの前記底面から前記共形酸化物層の一部分を選択的に除去することと、
前記フィーチャの底面の前記シリコン基板が露出した前記一部分に、金属シード層を堆積させることと、
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することとを含む、方法。
【請求項２】
前記フィーチャの前記底面の前記シリコン基板が露出した前記一部分に前記金属シード層を堆積させた後に、前記共形酸化物層上に共形バリア層を形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することが、フッ化水素酸溶液を含む湿式接触液に前記シリコン基板の前記裏側を暴露すること、及び、銅を含有する溶液に前記金属シード層を暴露することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記湿式接触液はフッ化カリウムを更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記共形バリア層が、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、又は窒化タングステン―シリコン（ＷＳｉＮ）を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記共形酸化物層が二酸化ケイ素層である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記金属シード層の金属がコバルトとニッケルから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記金属シード層の金属が、無電解プロセスによって堆積されたニッケルである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属シード層の金属が、無電解プロセスか化学気相堆積プロセスのいずれかによって堆積されたコバルトである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属層が銅を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記フィーチャが、コンタクト、ビア、及びラインから選択された開孔である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することが、水酸化カリウム溶液に前記シリコン基板の前記裏側を暴露すること、及び、銅を含有する溶液に前記金属シード層を暴露することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
基板上に材料を堆積させるための方法であって、
シリコン基板に形成されたフィーチャの少なくとも１つの側壁と底面とを覆って、酸化物層を堆積させることであって、前記シリコン基板が、
前記フィーチャを取り囲む、表面上に前記酸化物層が配置されているフィールド領域と、
裏側とを備え、前記フィーチャは前記フィールド領域から前記裏側に向かって延在する、酸化物層を堆積させることと、
前記シリコン基板の一部分を露出させるために、前記フィーチャの前記底面から前記酸化物層の一部分を選択的に除去することであって、前記酸化物層の少なくとも一部分が、前記少なくとも１つの側壁に残る、選択的に除去することと、
前記フィーチャの底面の前記シリコン基板が露出した前記一部分に、金属シード層を堆積させることと、
前記酸化物層の前記少なくとも１つの側壁に残っている前記一部分の上に、バリア層を形成することと、
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することとを含む、方法。
【請求項１４】
前記バリア層が、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、又は窒化タングステン―シリコン（ＷＳｉＮ）を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属シード層上に金属層を形成するために、前記シリコン基板の前記裏側を通して電流を流すことによって前記シリコン基板を電気メッキプロセスに暴露することが、フッ化水素酸溶液を含む湿式接触液に前記シリコン基板の前記裏側を暴露すること、及び、銅を含有する溶液に前記金属シード層を暴露することを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月13日(2020.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遺伝子編集剤と、少なくとも１つのガイドＲＮＡ（ｇＲＮＡ）とをコードする単離核酸を含むウイルスベクターであって、当該少なくとも１つのｇＲＮＡが、コードおよび／または非コードレトロウイルス遺伝子配列の標的核酸配列、レトロウイルス群に特異的な抗原の標的核酸配列、またはそれらの組合せに相補的である、ウイルスベクター。
【請求項２】
上記ウイルスベクターが、アデノウイルスベクター、アデノ随伴ウイルスベクター（ＡＡＶ）、またはそれらの誘導体である、請求項１に記載のウイルスベクター。
【請求項３】
上記アデノ随伴ウイルスベクター（ＡＡＶ）が、ＡＡＶ血清型１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、ＤＪまたはＤＪ／８である、請求項２に記載のウイルスベクター。
【請求項４】
上記ＡＡＶベクターが、ＡＡＶ血清型９（ＡＡＶ９）である、請求項２または３に記載のウイルスベクター。
【請求項５】
上記遺伝子編集剤が、Clustered Regularly Interspaced Short Palindromic Repeat（ＣＲＩＳＰＲ）関連エンドヌクレアーゼ、またはそのホモログである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項６】
上記ＣＲＩＳＰＲ関連エンドヌクレアーゼが、Ｃａｓ９またはそのホモログである、請求項５に記載のウイルスベクター。
【請求項７】
上記少なくとも１つのｇＲＮＡが、上記コードおよび／または非コードレトロウイルス遺伝子配列の長い末端反復（ＬＴＲ）に相補的である、請求項１に記載のウイルスベクター。
【請求項８】
上記レトロウイルスがレンチウイルスである、請求項１〜７のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項９】
上記レンチウイルスが、ヒト免疫不全ウイルス、サル免疫不全ウイルス、ネコ免疫不全ウイルス、ウシ免疫不全ウイルス、ビスナウイルス、馬伝染性貧血ウイルスまたはヒトＴ細胞白血病ウイルスである、請求項８に記載のウイルスベクター。
【請求項１０】
上記少なくとも１つのｇＲＮＡが、標的配列に、上記ヒト免疫不全ウイルスの長い末端反復（ＬＴＲ）内で相補的である、請求項９に記載のウイルスベクター。
【請求項１１】
上記ヒト免疫不全ウイルスの長い末端反復（ＬＴＲ）内の上記標的配列が、上記長い末端反復（ＬＴＲ）のＵ３、Ｒ、またはＵ５領域内の配列を含む、請求項１０に記載のウイルスベクター。
【請求項１２】
上記群に特異的な抗原が、ヒト免疫不全ウイルスコードおよび／または非コード核酸配列を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項１３】
上記群に特異的な抗原が、ｇａｇ、ｐｏｌ、ｅｎｖ、ｔａｔ、ｒｅｖ、ｎｅｆ、ｖｐｒ、ｖｉｆ、ｖｐｕ、ｔｅｖ、またはそれらの断片を含む、請求項１に記載のウイルスベクター。
【請求項１４】
トランス活性化小ＲＮＡ（ｔｒａｃｒＲＮＡ）をコードする配列をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項１５】
上記トランス活性化小ＲＮＡ（ｔｒａｃｒＲＮＡ）配列が、上記ガイドＲＮＡをコードする配列と融合している、請求項１４に記載のウイルスベクター。
【請求項１６】
核局在シグナルをコードする配列をさらに含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項１７】
上記少なくとも１つのｇＲＮＡが配列番号１〜７６のいずれか１つと少なくとも６０％の配列同一性を有する配列を含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項１８】
上記少なくとも１つのｇＲＮＡが配列番号１〜７６のいずれか１つを含む、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のウイルスベクター。
【請求項１９】
対象のレトロウイルスを不活性化するための、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のウイルスベクターの使用。
【請求項２０】
ヒト免疫不全ウイルス感染を患う対象を治療するための、請求項１〜１８のいずれか１項に記載のウイルスベクターの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月14日(2020.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５−アミノ−２，３−ジヒドロフタラジン−１，４−ジオンの結晶形の製造方法であって、
以下の工程：
ａ）５−アミノ−２，３−ジヒドロフタラジン−１，４−ジオンを、５０〜１００℃で５：１〜１：１（ｖ／ｖ）の範囲のエタノール−水還流溶液に溶解する工程、
ｂ）前記溶液を６０〜２４０分間かけて室温に冷却する工程、
ｃ）沈殿した結晶生成物を分離する工程、
ｄ）前記結晶生成物を室温で６〜４８時間かけて乾燥させる工程、
を含み、
得られた結晶形が、粉末Ｘ線回折によって決定された以下の結晶学値：
d値：１１．４；１１．２；６．９；６．８；６．４；５．６；３．６；３．５；３．５；３．３；３．２および
２θ値：７．８；７．９；１２．８；１３．０；１３．９；１５．７；２４．９；２５．７；２５．７；２７．２；２７．５
によって特徴付けられる
方法。
【請求項２】
前記得られた結晶形が０．４％以下の結晶含水量を有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エタノールが９８％以上の純度を有する、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか1項に記載の方法であって，
ｅ）前記ｄ）工程の後に、得られた結晶形をエタノール中に１〜３回再懸濁し、撹拌し、エタノールで再洗浄し、再び乾燥させる工程をさらに含む方法。
【請求項５】
前記ａ）〜ｄ）の工程が、それぞれ：
ａ）５−アミノ−２，３−ジヒドロフタラジン−１，４−ジオンをエタノール−水還流溶液（３：１、ｖ／ｖ）に８０℃で溶解する工程、
ｂ）前記溶液を１２０分間かけて室温に冷却する工程、
ｃ）沈殿した結晶生成物を分離する工程、および
ｄ）前記結晶生成物を室温で１２時間乾燥させる工程である、
請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月10日(2020.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
藻類より得られるセルロースまたは前記セルロースの誘導体と医薬品有効成分とを含む医薬組成物であって、前記医薬品有効成分が主に非晶質形態である、医薬組成物。
【請求項２】
前記セルロースまたはそれらの誘導体が、シオグサ目またはミドリゲ目の藻類より得られる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記セルロースまたはそれらの誘導体が、シオグサ属の藻類より得られる、請求項１または請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記セルロースまたはそれらの誘導体が、実質的に結晶性である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記セルロースまたはそれらの誘導体が、Ｘ線回折分析によって測定して少なくとも９０％の結晶性である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記組成物が、前記セルロースまたはセルロース誘導体と前記医薬品有効成分との混合物の熱アシスト押出を含むプロセスによって形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記医薬品有効成分対前記セルロースの重量比が最大で１：３である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記医薬品有効成分が少なくとも１つの芳香族環または重縮合環構造を含む分子であり、任意選択で前記分子はまた、少なくとも１つの水素結合供与体または水素結合受容体を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記医薬品有効成分が、任意選択でイブプロフェン、ケトプロフェン、フルルビプロフェン、ナプロキセン、アスピリン、エテンザミド、メフェナム酸、フルフェナム酸、トルフェナム酸、インドメタシン、スリンダク、ピロキシカム、プロゲステロン、エストラジオール、プロゲスチン、エストロゲン、コール酸、デオキシコール酸、及びウルソデオキシコール酸からなる群から選択される非ステロイド性抗炎症薬、ステロイドまたはコール酸塩である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
藻類より得られるセルロースまたは前記セルロースの誘導体と、医薬品有効成分とを含む医薬組成物であって、前記組成物が前記医薬品有効成分とセルロースまたはセルロース誘導体との混合物を、前記医薬品有効成分のガラス転移温度に近いかまたはそれを超える温度にまで加熱することを含むプロセスによって得られる、医薬組成物。
【請求項１１】
月経困難症または片頭痛の治療のための請求項１〜１０のいずれか１項に記載の医薬組成物であって、前記医薬品有効成分が非ステロイド性抗炎症薬である医薬組成物。
【請求項１２】
月経困難症または片頭痛の治療のための医薬の製造における、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の医薬組成物の使用であって、前記医薬品有効成分が非ステロイド性抗炎症薬である使用。
【請求項１３】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の医薬組成物の調製方法であって、医薬品有効成分と藻類より得られるセルロースまたは前記セルロースの誘導体とを共に混合することを含む、方法。
【請求項１４】
熱アシスト押出；
静的ヒートシーリング；
熱アシスト強力混合、
減圧下での混合、
加熱；
賦形剤の細孔構造に悪影響を及ぼさない軽度の粉砕；及び／または
溶媒による、共噴霧乾燥、もしくは減圧下でのロータリーエバポレーションによって混合物を加工することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記溶媒が水と低級アルキルアルコールとの混合物である、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月29日(2019.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式１に記載の５’−ホスホロチオラートキャップ類似体であって、
【化１】
2019504837.tif 000001
式中、
Ｌ１とＬ２は、ＯとＳを含む基から独立して選択され、Ｌ１とＬ２の少なくとも１つはＯではなく；
ｎ＝０，１，または２であり；
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、Ｏ、Ｓを含む基から独立して選択され；
Ｒ１は、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ２Ｐｈ、アルキルまたは置換アルキルを含む基から選択され；
Ｒ２とＲ３は、Ｈ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、−ＣＯＯＨ、Ｎ３、アルキル、アルケニルまたはアルキニルを含む基から独立して選択され；
Ｒ４とＲ５は、Ｈ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、−ＣＯＯＨ、ＣＨ２ＣＯＯＨ、Ｎ３、ＣＨ２Ｎ３、アルキル、アルケニルまたはアルキニルを含む基から独立して選択され；
Ｙ１とＹ２は、ＣＨ２、ＣＨＣｌ、ＣＣｌ２、ＣＦ２、ＣＨＦ、ＮＨ、Ｏを含む基から独立して選択され；
およびＢは、以下の式３、４、５、６、または７に係る基である、
５’−ホスホロチオラートキャップ類似体。
【化２】
2019504837.tif 000002
【請求項２】
次のものから成る基から選択される、請求項１に記載の化合物。
【表１−１】
2019504837.tif 000003
【表１−２】
2019504837.tif 000004
【表１−３】
2019504837.tif 000005
【請求項３】
次のものから成る基から選択される、請求項１−２に記載の化合物。
【表２−１】
2019504837.tif 000006
【表２−２】
2019504837.tif 000007
【請求項４】
式２に記載の５’−ホスホロチオラート類似体であって、
【化３】
2019504837.tif 000008
式中、
ｍ＝０，１であり；
ｎ＝０，１，または２であり；
Ｌ１はＳであり；
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は、Ｏ、Ｓを含む基から独立して選択され；
Ｒ１は、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＨ２Ｐｈ、アルキルまたは置換アルキルを含む基から選択され；
Ｒ２とＲ３は、Ｈ、ＯＨ、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、−ＣＯＯＨ、Ｎ３、アルキル、または置換アルキルを含む基から独立して選択され；
Ｙ１とＹ２は、ＣＨ２、ＣＨＣｌ、ＣＣｌ２、ＣＨＦ、ＣＦ２、ＮＨおよびＯを含む基から独立して選択され、
ここで、好ましくは、式２に記載の５’−ホスホロチオラート類似体は、式１３に記載の５’−デオキシ−５’−チオグアノシン−７−メチルグアノシン  ５’−ジホスホロチオラートである
５’−ホスホロチオラート類似体。
【化４】
2019504837.tif 000009
【請求項５】
薬剤として使用される請求項１−４に記載の化合物。
【請求項６】
脊髄筋萎縮症（ＳＭＡ）の処置および／またはＳＭＡの症状の緩和において薬剤として使用される、請求項１−４に記載の化合物。
【請求項７】
ＤｃｐＳ活性の調整剤としての、好ましくはＤｃｐＳ酵素活性の阻害剤としての、より好ましくはｈＤｃｐＳの阻害剤としての、請求項１−４に記載の化合物の使用。
【請求項８】
ｍＲＮＡ分解の調整および／またはｍＲＮＡスプライシングの調整における、請求項１−４に記載の化合物の使用。
【請求項９】
５’末端に、請求項１−３に記載の５’−ホスホロチオラートキャップ類似体を含むｍＲＮＡであって；好ましくは、前記５’−ホスホロチオラートキャップ類似体は、ｍ７ＧＳｐｐｐＧ（２４番）、ｍ７，２’ＯＧＳｐｐｐＧ（２６番）、ｍ７ＧＳｐｐｐＳＧ（３２番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＧ  Ｄ１（３０番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＧ  Ｄ２（３１番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＳＧ  Ｄ１（３３番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＳＧ  Ｄ２（３４番）を含む基から選択され、より好ましくはｍ７，２’ＯＧＳｐｐｐＧ（２６番）である、ｍＲＮＡ。
【請求項１０】
ｍＲＮＡ分子の５’末端に５’−ホスホロチオラートキャップ類似体を含むｍＲＮＡの調製方法であって、請求項１−３に記載の５’−ホスホロチオラートキャップ類似体がｍＲＮＡ分子の合成中に組み込まれ；好ましくは、５’−ホスホロチオラートキャップ類似体は、ｍ７ＧＳｐｐｐＧ（２４番）、ｍ７，２’ＯＧＳｐｐｐＧ（２６番）、ｍ７ＧＳｐｐｐＳＧ（３２番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＧ  Ｄ１（３０番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＧ  Ｄ２（３１番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＳＧ  Ｄ１（３３番）、ｍ７ＧＳｐｐｓｐＳＧ  Ｄ２（３４番）を含む基から選択され、より好ましくはｍ７，２’ＯＧＳｐｐｐＧ（２６番）であり；ｍＲＮＡの合成がインビトロ転写を介して進むことを特徴とする、ｍＲＮＡの調製方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法で調製されたｍＲＮＡ。
【請求項１２】
タンパク質の生成のための、５’−末端に請求項９および請求項１１に記載の５’−ホスホロチオラートキャップ類似体を含むｍＲＮＡの使用であって；好ましくは、タンパク質の生成が細胞系または非細胞系で行われたことを特徴とする、ｍＲＮＡの使用。
【請求項１３】
薬剤として使用される請求項９および請求項１１に記載のｍＲＮＡ。
【請求項１４】
脊髄筋萎縮症（ＳＭＡ）の処置、および／またはＳＭＡの症状の緩和のための薬剤として使用する、および／又は、癌治療の薬剤として、より好ましくは抗癌免疫療法の薬剤として使用するための、請求項９および請求項１１に記載のｍＲＮＡ。
【請求項１５】
ａ）請求項１−４に記載の化合物、または
ｂ）請求項９および請求項１１に記載のｍＲＮＡ、および
ｃ）薬学的に許容可能な担体
を含む医薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月5日(2020.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物
【化１】
2019504839.tif 000001
またはその薬学的に許容される塩を合成する方法であって、式（ＩＩ）のアルデヒドを
【化２】
2019504839.tif 000002
ヘンリー反応条件下でニトロメタンと反応させて式（ＩＩＩ）の化合物を形成すること、
【化３】
2019504839.tif 000003
および、式（ＩＩＩ）の化合物を還元剤で還元して式（Ｉ）の化合物を形成することを含む、方法。
【請求項２】
前記アルデヒドおよび前記ニトロメタンを含む混合物に塩基を添加することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記塩基が水酸化ナトリウムである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記還元剤がランタニド塩である、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ランタニド塩がヨウ化サマリウム（ＩＩ）である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
式（Ｉ）の化合物
【化４】
2019504839.tif 000004
またはその薬学的に許容される塩を合成する方法であって、式（ＩＩ）のアルデヒドを
【化５】
2019504839.tif 000005
式（ＩＶ）のシアノヒドリンを形成する条件下でシアン化物塩と反応させること、
【化６】
2019504839.tif 000006
および、式（ＩＶ）のシアノヒドリンを還元剤で還元して式（Ｉ）の化合物を形成することを含む、方法。
【請求項７】
前記シアン化物塩がシアン化カリウムである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記還元剤がジエチルシランまたはトリエチルシランである、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記シアノヒドリンおよび前記還元剤の混合物にルイス酸を添加することをさらに含む、請求項６から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ルイス酸がトリス（ペルフルオロフェニル）ボランである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
式（Ｖ）のジオールを
【化７】
2019504839.tif 000007
酸化剤と反応させてアルデヒドを形成することさせることにより、式（ＩＩ）のアルデヒドを合成することをさらに含む、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化剤が過ヨウ素酸ナトリウムである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
式（Ｉ）の化合物を塩化してその薬学的に許容される塩を生成することをさらに含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記薬学的に許容される塩がメシル酸塩である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
式（ＩＶ）の化合物。
【化９】
2019504839.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月21日(2019.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＩＩの化合物、またはその塩：
【化１】
2019504818.tif 000001
式中、点線は結合であってもよく；
Ｘは環構造の一部を形成する１または２個の炭素原子であり；
Ｒ１およびＲ２は、独立して、水素、置換Ｃ１〜Ｃ６アルキルまたは非置換Ｃ１〜Ｃ６アルキルから選択され；
Ｗは、Ｏであり；
Ｒａ、ＲｂおよびＲ３は、存在する場合には、独立して、水素、ハロ、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アロイル、Ｃ２〜Ｃ１２アルカノン、Ｃ５〜Ｃ７シクロアルキル、Ｃ４〜Ｃ７シクロアルカノン、Ｃ５〜Ｃ７シクロアルケニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルカノイル、Ｃ２〜Ｃ１２アルカノイルオキシ、Ｃ２〜Ｃ１２アルコキシカルボニル、Ｃ２〜Ｃ１２カルバモイル、Ｃ２〜Ｃ１２カルボキシル、ハロアルキル、Ｎ−アルキル、Ｎ−アリール、Ｎ−ヘテロシクリルまたは複素環から選択され、これらの基の全ては置換もしくは非置換であってもよく、またはＲｂおよびＲ３は、一緒になって、それぞれが少なくとも１個のハロゲンまたはハロゲン含有基で任意に置換されているアルケン、アルキン、フェニル環またはヘテロアリール環を形成していてもよく、Ｒａ、ＲｂおよびＲ３の少なくとも１つはハロゲンを含み；
Ｒ４は、水素であり；
Ｒ５は、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル、Ｃ２〜Ｃ１２アルケニル、Ｃ２〜Ｃ１２アルキニル、アリール、アミン、ヘテロアリール、ヘテロシクリル、Ｃ５〜Ｃ７シクロアルキル、Ｃ５〜Ｃ７シクロアルケニル、Ｃ２〜Ｃ９アルカノイル、Ｃ１〜Ｃ１２アルカノイルオキシまたはカルバモイルから選択され、これらの基の全ては置換または非置換であってもよく；
Ｒ６は、水素であり；ならびに
Ｒ１８およびＲ１９は、水素であり；
ただし、Ｒ１およびＲ２がメチルであり、Ｒａ、ＲｂおよびＲ３が全てフッ素であり、ＷがＯであり、Ｒ４が水素である場合、Ｒ５は、４−ジメチルアミノフェニル、４−メトキシフェニル、４−メチルフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル、イソプロピルまたは１−ナフチルのいずれでもない。
【請求項２】
ＲａおよびＲｂの少なくとも１つがフッ素であるか、またはＲｂおよびＲ３が結合して６員環を形成し、該環上に１つ以上のフッ素置換基を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ３が、ハロ、Ｃ１〜Ｃ９アルキル、Ｃ２〜Ｃ９アルケニル、Ｃ５〜Ｃ６アリール、Ｃ５〜Ｃ６ヘテロアリール、Ｃ２〜Ｃ１２アルカノン、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルキル、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルカノン、Ｃ５〜Ｃ６シクロアルケニル、Ｃ２〜Ｃ９アルカノイル、Ｃ２〜Ｃ９アルカノイルオキシ、Ｃ２〜Ｃ９アルコキシカルボニル、Ｃ２〜Ｃ９カルバモイル、Ｃ２〜Ｃ９カルボキシル、ハロアルキル、Ｎ−アルキル、Ｎ−アリール、Ｎ−ヘテロシクリルまたはＣ５〜Ｃ６複素環から選択され、これらの基の全ては置換または非置換であってもよい、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ３がＣ１〜Ｃ６ペルフルオロアルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒａ、ＲｂおよびＲ３ならびにそれらが結合している炭素が、一緒になって、以下からなる群より選択される部位を形成する、請求項１に記載の化合物：
【化２】
2019504818.tif 000002
式中、Ｒ１’およびＲ２’は、Ｒ１およびＲ２についてそれぞれ定義した任意の基から選択されてもよく、Ｒ１２は、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキルまたはＣ１〜Ｃ６アルコキシから選択されてもよい。
【請求項６】
Ｒ５が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル、フェニル、アリール、ナフチル、Ｃ６シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ６アルカノイルまたはＣ２〜Ｃ６アルカノイルオキシから選択され、これらの基の全ては置換または非置換であってもよい、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ５が、以下からなる群より選択される、請求項１に記載の化合物：
【化３】
2019504818.tif 000003
式中、点線は結合であってもよく、ｎは０〜５であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒａ’、Ｒｂ’およびＲ３’は、請求項１〜６のいずれか一項において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒａ、ＲｂおよびＲ３についてそれぞれ定義した任意の基から選択されてもよく、Ｒ１２およびＲ１３の各出現は、独立して、水素、Ｃ１〜Ｃ６アルキルおよびＣ１〜Ｃ６アルコキシから選択される。
【請求項８】
該化合物が、以下から選択される、請求項１に記載の化合物。
【化４】
2019504818.tif 000004
【化５】
2019504818.tif 000005
【化６】
2019504818.tif 000006
【化７】
2019504818.tif 000007
【請求項９】
前記点線が、結合ではない、請求項１に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｘが、１個の炭素原子である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１１】
請求項１に記載の化合物、またはその塩、および適切な担体を含む組成物。
【請求項１２】
ＵＶ線から表面または組織を保護する方法であって、請求項１に記載の化合物もしくはその塩を該表面または組織に塗布する工程を含む方法。