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　特願２０１２−１１４３８８「リソグラフィ工程の制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日出願公開、特開２０１２−２５３３３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件出願は、平成２４年５月１８日（パリ条約による優先権主張２０１１年５月２５日、米国）の出願であって、 平成２６年４月２５日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、同年８月２５日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２７年９月３０日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年１２月１８日付けで意見書が提出されたものである。
２　本件出願の特許請求の範囲の記載
　本件出願の請求項１ないし１４の記載は、平成２６年８月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された次のとおりである。
「【請求項１】
　リソグラフィ工程に使用されるリソグラフィ装置の性能の時間的なドリフトを低減することで前記リソグラフィ工程を制御する方法であって、
　（ａ）初期時間において前記リソグラフィ工程を用いて露光されたパターンから収集されたウェーハ計測データの第１のセットを用いて、前記リソグラフィ装置のベースライン性能のリソグラフィモデルを入手することにより、前記ベースライン性能を定義するステップであって、前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである、ステップと、
　（ｂ）前記ベースライン性能に関する前記リソグラフィ装置の現在の性能に関連付けられた時間的なドリフトを分析することで前記リソグラフィ装置の性能の安定性をモニタするステップであって、前記時間的なドリフトは、前記初期時間において収集されたウェーハ計測データと、後続時間において露光されたパターンから収集された後続のウェーハ計測データと、を比較することで決定される、ステップと、
　（ｃ）前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定を調整し、前記ベースライン性能と前記現在の性能との差分を低減することで前記決定された時間的なドリフトを低減し、それによって前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースライン性能内又は実質的にその近くに維持するステップと、を含み、
　前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定のサブセットは、当該サブセットがその中で変動を許される事前定義された範囲を有し、
　前記リソグラフィモデルは、前記１つ以上の設定のサブセットを前記事前定義された範囲内に維持しながら前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースライン性能に又は実質的にその近辺に維持するために、あるいは、前記１つ以上の設定のサブセットを前記事前定義された範囲内に維持しながら前記リソグラフィ工程を事前定義されたプロセスウィンドウ内に維持するために、前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定を決定するために用いられる、方法。
　　【請求項２】
　前記リソグラフィ工程が前記ベースライン性能内又は実質的にその近くに復帰するまでステップ（ｂ）及びステップ（ｃ）が繰り返される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　ステップ（ｃ）で、前記リソグラフィ工程は、事前定義されたプロセスウィンドウ内に維持される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　ステップ（ａ）に先立って複数のパターンが設計され、
　前記複数のパターンの第１のサブセットは、第１のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応し、前記複数のパターンの第２のサブセットは、第２のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記ウェーハ計測データは、クリティカルディメンションの均一性（ＣＤＵ）、縁部配置エラー（ＥＰＥ）、オーバレイエラー、側壁角度（ＳＷＡ）、及びベストフォーカスオフセット、のうち１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記パターンは、テストレチクル上のテストパターン、ターゲットレチクル上のテストパターン、又はターゲットレチクル上のターゲットパターンを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　ターゲットレチクル上のテストパターンは、スクライブライン、設計レイアウトの１つ以上の縁部、及び、ターゲットパターンに隣接又はそれと共に点在する前記設計レイアウト上の未使用スペース、のうちの１つ以上の場所に位置する、請求項６に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記ベースライン性能の前記リソグラフィモデルは、既存の基準モデルにマッチング又は適合することで得られる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】
　ステップ（ｃ）における前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定は、照明源の照度分配、照明源の偏光制御マップ、投影光学系の設定、照明源の波長スペクトル、レチクルの傾き、及び、ウェーハの傾きを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】
　リソグラフィ工程の１つ以上のパラメータの時間的なドリフトを低減することで前記リソグラフィ工程を制御する方法であって、
　（ａ）初期時間において前記リソグラフィ工程を用いて基板上の露光されたパターンから収集されたウェーハ計測データの第１のセットを用いて、ベースラインリソグラフィ工程のモデルを入手することにより、前記ベースラインリソグラフィ工程を定義するステップであって、前記モデルは、１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである、ステップと、
　（ｂ）現在のリソグラフィ工程に関連付けられた前記パラメータの前記時間的なドリフトを分析することで前記リソグラフィ工程の安定性をモニタするステップであって、前記時間的なドリフトは、前記初期時間において入手されたウェーハ計測データと、後続時間において露光されたパターンから収集された後続のウェーハ計測データと、を比較することで決定される、ステップと、
　（ｃ）前記リソグラフィ工程を実行するための前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定を調整し、前記ベースラインリソグラフィ工程と前記現在のリソグラフィ工程との差分を低減することで前記決定された時間的なドリフトを低減し、それによって前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースラインリソグラフィ工程内又は実質的にその近くに維持するステップと、を含み、
　前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定のサブセットは、当該サブセットがその中で変動を許される事前定義された範囲を有し、
　前記リソグラフィモデルは、前記１つ以上の設定のサブセットを前記事前定義された範囲内に維持しながら前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースライン性能に又は実質的にその近辺に維持するために、あるいは、前記１つ以上の設定のサブセットを前記事前定義された範囲内に維持しながら前記リソグラフィ工程を事前定義されたプロセスウィンドウ内に維持するために、前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定を決定するために用いられる、方法。
　　【請求項１１】
　前記リソグラフィ工程のパラメータは、レジスト画像パラメータ、レジスト拡散、消光剤濃度、のうち１つ以上を含む、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１２】
　リソグラフィ工程に使用されるリソグラフィ装置の性能の時間的なドリフトを低減することで前記リソグラフィ工程を制御する方法であって、
　（ａ）初期時間において計測データの第１のセットを用いて、前記リソグラフィ装置のベースライン性能のリソグラフィモデルを入手することにより、前記ベースライン性能を定義するステップであって、前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである、ステップと、
　（ｂ）前記ベースライン性能に関連して前記リソグラフィ装置の現在の性能に関連付けられた前記時間的なドリフトを分析することで前記リソグラフィ装置の性能安定性をモニタするステップであって、前記時間的なドリフトは、前記初期時間において入手された前記計測データと、後続時間において収集された後続の計測データと、を比較することで決定される、ステップと、
　（ｃ）前記リソグラフィモデルを用いて前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定を調整し、前記ベースライン性能と前記現在の性能との差分を低減することで前記決定された時間的なドリフトを低減するステップと、を含み、
　前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定のサブセットは、当該サブセットがその中で変動を許される事前定義された範囲を有し、
　前記リソグラフィモデルは、前記１つ以上の設定のサブセットを前記事前定義された範囲内に維持しながら前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースライン性能に又は実質的にその近辺に維持するために、あるいは、前記１つ以上の設定のサブセットを前記事前定義された範囲内に維持しながら前記リソグラフィ工程を事前定義されたプロセスウィンドウ内に維持するために、前記リソグラフィ装置の前記１つ以上の設定を決定するために用いられる、方法。
　　【請求項１３】
　前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定の調整に応答する前記リソグラフィ工程の感度を決定するために用いられる、請求項１２に記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースライン性能に又は実質的にその近くに維持するために、あるいは、前記リソグラフィ工程を事前定義されたプロセスウィンドウ内に維持するために、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定のいずれを調整するかを決定するために用いられる、請求項１２に記載の方法。」
　　
３　当審における拒絶理由
　当審における平成２７年９月３０日付けの拒絶理由通知書に記載した特許法第３６条第６項第１号及び特許法第３６条第６項第２号に関する理由は次の通りである。
「 　　　　　　　　　　　　　　　　理　由 
・・・（略）・・・
 ２　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 ３　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・・・（略）・・・
  
 ＜理由２について＞ 
 　請求項１に記載された「リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである」構成は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
 　明細書には、「限られた数のＰＳＰではスキャナ性能の時間的なドリフトを正確に測定し補償するための補償に必要な多数の工程パラメータの変動を適切に表すには十分でない」（【００３５】）と記載されているから、上記構成の「リソグラフィ工程パラメータの変動」は「時間的なドリフト」を示すものと認められる。 
 　そして、本願明細書には、「リソグラフィモデル」により「時間的なドリフト」を「シミュレートする」ことは記載されていないから、上記構成は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
  
 　同様に、請求項１０に記載された「モデルは、１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである」構成、及び、請求項１２に記載された「リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである」構成も、本発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
  
 　よって、請求項１〜１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。 
  
 ＜理由３について＞ 
 　請求項１には、「前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである」と記載されているが、上記＜理由２について＞で指摘したように、本願明細書には、「リソグラフィモデル」により「時間的なドリフト」を「シミュレートする」旨の記載はなく、該記載が示すものが不明である。 
  
 　同様に、請求項１０に記載された「前記モデルは、１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである、ステップ」、及び、請求項１２に記載された「前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである、ステップ」も意味が不明である。 
  
 　よって、請求項１〜１４に係る発明は、明確でない。」
　
４　審判請求人の対応及び主張
　上記の拒絶理由に対して、審判請求人は、平成２７年１２月１８日付けの意見書において次の主張をした。
「本願発明１における「リソグラフィ工程パラメータの変動」とは、「時間的なドリフト」を示すものではなく、リソグラフィモデルが何をすることができるかを示すものであります。リソグラフィモデルを用いることにより、リソグラフィ装置の設定が変化したときに何が起きるかをシミュレートすることができます。例えば、本願明細書（００４６）、（００４７）段落に記載されているように、リソグラフィモデルは、リソグラフィ装置の１つ以上の設定の変化／調整に関するリソグラフィ工程の感度を決定するために用いられます。すなわち、リソグラフィモデルは、リソグラフィ装置の設定が変化したときの工程パラメータの変動を決定（シミュレート）するために用いられるものであります。モデルを決定するために、ＰＳＰ（工程署名パターン）が用いられます。なお、本願明細書（００３５）段落には「工程署名パラメータ（ＰＳＰ）」と誤って記載されてありますが、本願明細書（００１４）段落に記載されてあるように、ＰＳＰは特定のパターンを示すものであり、パラメータではありません。
　以上の釈明により、特許法第３６条第６項第１号及び第２号違反の拒絶理由は解消したものと思料いたします。」（「２．拒絶理由に対する意見」、「（２）サポート要件及び明確性要件違反の拒絶理由に対して」）
　
５　本件出願の明細書及び図面の記載
　本件出願の明細書及び図面には、以下の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明の技術分野は、概して、リソグラフィ工程及び装置に関し、特にリソグラフィ装置及び工程の性能安定性制御に関する。」
「【００１８】
[0025]  一般に、半導体業界は「小型化」、すなわち、多くの場合、デバイス性能の向上と製造コストの低減とにつながるチップフィーチャを微細化する能力によって駆り立てられている。しかし、チップフィーチャが微細化すると、許容差又は製造業者がその範囲内で作業をしなければならない「プロセスウィンドウ」も微細化する。プロセスウィンドウが微細化すると、適切に機能するチップの製造が困難になる。プロセスウィンドウが微細化すると、通常、オーバレイ及びクリティカルディメンションの均一性（ＣＤＵ）などのパラメータに極端に厳格な要件が課される。
【００１９】
[0026]  リソグラフィによるチップ製造可能性の問題を扱うため、リソグラフィ装置を制御する能力の向上は必須である。スキャンリソグラフィ装置を、これに限定されないが含む、リソグラフィ装置のタイプは各種あるが、「スキャナ」という用語はこの用途ではリソグラフィ工程を実行するための任意のリソグラフィ装置を示すために使用されることが多いことに留意されたい。さらに、リソグラフィ装置は物理的な装置でなく、物理的な装置のシミュレートされたモデルであってもよい。」
「【００２８】
Ｂ．本発明の方法の例
[0035]  図３は、本発明による例示的なリソグラフィ性能安定性制御システムの幾つかの主要なステップを示す。ステップＳ３０２で、リソグラフィ装置又はリソグラフィ工程のためのベースライン性能モデルが定義される。このモデルは経験に基づいて、又は初期設定／較正に基づいて作成される。リソグラフィ装置の初期設定の一例について図４を参照しながら説明する。ベースライン性能モデルは「パイロットモデル」、「基準モデル」、「ベースラインモデル」、又は「ベースライン基準モデル」とも呼ばれる。
【００２９】
[0036]  特定の実施形態では、ベースライン性能モデルは、１つ以上の工程パラメータの変動に対する任意のテストパターンのＣＤ（又はその他のメトリック）の感度がモデルから計算できる「感度モデル」として使用される。これについて図４に関して詳述する。
【００３０】
[0037]  ステップＳ３０４で、リソグラフィ装置又はリソグラフィ工程の性能安定性がモニタされる。これは、ベースライン性能に関する一定の事前定義された期間にわたる、及び／又は事前設定された間隔での一定の性能メトリックの時間的なドリフトを分析することで実行される。言い換えれば、ベースライン性能は、時間と共に性能がどれくらい低下したかを測定するためのガイドの役割を果たす。このステップについて図５を参照しながら詳述する。
【００３１】
[0038]  ステップＳ３０２及びＳ３０４の一方又は両方で、ウェーハ計測データを使用してもよい。
【００３２】
[0039]  ステップＳ３０６で、リソグラフィ装置の１つまたは複数の設定がステップ３０２で定義されたモデルを用いて調整され、時間的なドリフトが補償される。したがって、性能は所望のベースライン性能に実質的に近い値に戻る。当業者は、「設定」（すなわち、調整可能なつまみによって設定できる条件）として物理的に調整できないリソグラフィ装置又は工程（又はそのシミュレートされたモデル）のパラメータが存在することを理解できるであろう。リソグラフィ装置の「設定」はリソグラフィパラメータのより大きいセットのサブセットであってもよい。物理スキャナでは、制御可能又は調整可能な設定の幾つかの例は、（プログラマブルミラーその他の手段による）照明源の照度分配つまみ、照明源の偏光制御つまみ、レンズの瞳面又は投影光学システムに沿ったその他の平面の収差制御つまみ、開口率制御つまみなどである。調整可能な設定のその他の例は、照明源の波長スペクトル、レチクルの傾き、ウェーハの傾きなどを含んでもよい。本発明は装置の設定の調整による物理的なスキャナ効果の補償ドリフトに限定されないことに留意されたい。レジスト工程ドリフトなどの幾つかの例示的な非スキャナ効果も装置の設定の調整によって補償できる。レジスト工程のドリフトモニタリングに関連する例示的なパラメータは、レジスト画像パラメータ、レジスト拡散、消光剤濃度などである。例えば、レジスト拡散効果によって画像コントラスト及び線量寛容度の劣化を引き起こし、ステージ振動で大幅に劣化する。一定の光学設定を調整して画像コントラストの損失、例えば、ＮＡ又はステージ振動を部分的に補償することができる。レジスト画像パラメータは、クリティカルディメンションの均一性（ＣＤＵ）、縁部配置エラー（ＥＰＥ）、オーバレイエラー、側壁角度（ＳＷＡ）、及びベストフォーカスオフセットを含んでもよい。
【００３３】
[0040]  図４は、ベースライン性能モデルを生成及び／又は較正するリソグラフィ装置の初期設定のフローチャートである。
【００３４】
[0041]  ステップＳ４０２で、既存のパターンプールからテストパターンのセットを設計及び／又は入手できる。テストパターンはチップレイアウトの部分ではない専用のテストパターンを含んでもよいことに留意されたい。あるいは、チップレイアウトの一部、すなわち、幾つかのターゲットパターンはテストパターンとして使用できる。ステップＳ４０４で、テストパターンでレチクルが作成される。レチクルは、専用のテストパターンを有するテストレチクル、又はターゲットパターン及び／又はテストパターンを有するターゲットレチクルであってもよい。ターゲットレチクルは、ウェーハ上に再現される実際の回路に対応するレイアウトを有する。ターゲットレチクルは、テストパターンを有してもよい。ターゲットレチクルにおいて、テストパターンは、スクライブラインに沿って若しくはレチクル縁部にて収容されてもよく、又は任意の利用可能な未使用スペースにてレチクル内のターゲットパターンと共に点在してもよい。
【００３５】
[0042]  通常、工程モニタリング及び制御のために、限られた数のパターンが使用される。例えば、２０〜５０個のパターンが使用できるが、それらの例は本発明の範囲を限定しない。テストパターンは「工程署名パラメータ（ＰＳＰ）」とも呼ばれる。限られた数のＰＳＰではスキャナ性能の時間的なドリフトを正確に測定し補償するための補償に必要な多数の工程パラメータの変動を適切に表すには十分でない。
【００３６】
[0043]  多数のＰＳＰと対応する工程パラメータの変動を最適に感知するＰＳＰのそれぞれのセットを適当に設計することで、「感度モデル」又は「ベースラインモデル」を作成できる。言い換えれば、ＰＳＰの第１のサブセットが第１のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応し、ＰＳＰの第２のサブセットが第２のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応する複数のＰＳＰが設計される。第１のサブセットと第２のサブセットは、単一のパターンを含んでもよい。最適に設計及び／又は選択されたＰＳＰは正確なベースライン性能モデルを構築するためにリソグラフィ工程の変動スペースを適切に拡張することができる。ＰＳＰの詳細は、Ｙｅ他の、「Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control」と題された共同所有の米国特許第７，６９５，８７６号に記載されている。ＰＳＰは使用する計測ツール、すなわち、ＳＥＭベースの計測ツール又はスキャトロメトリベースの計測ツールに従ってレイアウトすることができる。
【００３７】
[0044]  ステップＳ４０６で、レチクルは事前定義された露光条件を用いて露光される。これは時間ｔ＝０における設定／較正目的の初期露光と考えられる。
【００３８】
[0045]  ステップＳ４０８で、計測ツールの出力からウェーハ計測データが収集される。計測データは、ＣＤＵ、縁部配置エラー（ＥＰＥ）（又はオーバレイエラー）、側壁角度（ＳＷＡ）、ベストフォーカスオフセットなどを含んでもよいが、これらの例に限定されない。計測ツールは反復可能でかつ堅牢でなければならない。
【００３９】
[0046]  ステップＳ４１０で、ウェーハ計測データを用いてベースラインモデルが生成及び／又は較正される。ベースラインモデルは、スキャナの調整可能パラメータと特定の計測条件下でのＰＳＰの挙動と、の関係を記述する。計測ツールの差分挙動が既存の基準リソグラフィモデルによって十分に予測できるという前提で既存の基準リソグラフィモデルからベースラインモデルを抽出できるということは当業者には明らかであろう。実行ごとの制御の場合、絶対挙動ではなく、基準モデルに対する差分挙動のみが重要である。」
「【００４６】
[0053]  本開示に照らして、リソグラフィモデルを用いてリソグラフィ装置の１つ以上の設定の変化／調整に関するリソグラフィ工程の感度を決定できるということは当業者には明らかであろう。この感度相関を用いて、１つ以上の設定の適合によって安定したリソグラフィ工程が得られ、及び／又はその適合を用いて、１つ以上の設定の適合後のリソグラフィ工程が再びベースライン性能から大きく隔たるような不要なオーバシュートを確実に防止することが可能になる。
【００４７】
[0054]  さらに、本発明のある実施形態では、リソグラフィ装置は例えばシステムの完全な較正を実行することなく、事前定義された範囲内で変動可能な幾つかのつまみを有してもよい。リソグラフィモデルを使用することで、つまみの設定を計算して、上記の特定のつまみをこの事前定義された範囲外で変動させる必要性を防止しながら、リソグラフィ工程を事前定義されたプロセスウィンドウ内に復帰させることができる。このために、完全なシステム較正を拡張してそのようなリソグラフィ装置の停止時間を低減できる。言い換えれば、リソグラフィ装置の１つ以上の設定のサブセットは、事前定義された範囲内で変動できる。１つ以上の設定のサブセットを事前定義された範囲内に維持しながらリソグラフィ工程を定義されたベースライン性能に又は実質的にその近辺に維持するために、あるいは、１つ以上の設定のサブセットを事前定義された範囲内に維持しながらリソグラフィ工程を事前定義されたプロセスウィンドウ内に維持するために、リソグラフィモデルを用いてリソグラフィ装置の１つ以上の設定を決定することができる。」
「【００６９】
[0001]  本発明について、下記の条項を用いてさらに説明する。
  １．リソグラフィ工程に使用されるリソグラフィ装置の性能の時間的なドリフトを低減することで前記リソグラフィ工程を制御する方法であって、
  （ａ）前記リソグラフィ装置のベースライン性能を定義するステップであって、前記ベースライン性能のリソグラフィモデルは、初期時間において前記リソグラフィ工程を用いて露光されたパターンから収集されたウェーハ計測データの第１のセットを用いて入手され、前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするように構成された、ステップと、
  （ｂ）前記ベースライン性能に関する前記リソグラフィ装置の現在の性能に関連付けられた時間的なドリフトを分析することで前記リソグラフィ装置の性能の安定性をモニタするステップであって、前記時間的なドリフトは、前記初期時間において収集されたウェーハ計測データと、後続時間において露光されたパターンから収集された後続のウェーハ計測データと、を比較することで決定される、ステップと、
  （ｃ）前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定を調整し、前記ベースライン性能と前記現在の性能との差分を低減することで前記決定された時間的なドリフトを低減し、それによって前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースライン性能内又は実質的にその近くに維持するステップと、
を含む、方法。
  ２．ステップ（ｃ）で、フィードバック制御ループを用いて前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定が調整され、前記フィードバック制御ループへの入力が、前記初期時間と前記後続時間とにおけるウェーハ計測データの差分、及び、前記１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動に対する前記レチクル上のパターンの感度、のうち１つ以上を含む、条項１に記載の方法。
  ３．ステップ（ｂ）で、前記時間的なドリフトを分析する時間間隔が、リソグラフィ装置の時間オーバヘッド、計測オーバヘッド、計算オーバヘッド、以前の時間的なドリフトの分析、及び、ユーザの好みのうち１つ以上に基づいて決定される、条項１に記載の方法。
  ４．前記時間間隔は、自動的に決定される、条項３に記載の方法。
  ５．リソグラフィ工程の１つ以上のパラメータの時間的なドリフトを低減することで前記リソグラフィ工程を制御する方法であって、
  （ａ）ベースラインリソグラフィ工程を定義するステップであって、前記ベースラインリソグラフィ工程のモデルは、初期時間において前記リソグラフィ工程を用いて基板上の露光されたパターンから収集されたウェーハ計測データの第１のセットを用いて入手され、前記モデルは、１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするように構成された、ステップと、
  （ｂ）現在のリソグラフィ工程に関連付けられた前記パラメータの前記時間的なドリフトを分析することで前記リソグラフィ工程の安定性をモニタするステップであって、前記時間的なドリフトは、前記初期時間において入手されたウェーハ計測データと、後続時間において露光されたパターンから収集された後続のウェーハ計測データと、を比較することで決定される、ステップと、
  （ｃ）前記リソグラフィ工程を実行するための前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定を調整し、前記ベースラインリソグラフィ工程と前記現在のリソグラフィ工程との差分を低減することで前記決定された時間的なドリフトを低減し、それによって前記リソグラフィ工程を前記定義されたベースラインリソグラフィ工程内又は実質的にその近くに維持するステップと、
を含む、方法。
  ６．前記リソグラフィ工程のパラメータは、レジスト画像パラメータ、レジスト拡散、消光剤濃度、のうち１つ以上を含む、条項５に記載の方法。
  ７．リソグラフィ工程に使用されるリソグラフィ装置の性能の時間的なドリフトを低減することで前記リソグラフィ工程を制御する方法であって、
  （ａ）前記リソグラフィ装置のベースライン性能を定義するステップであって、前記ベースライン性能のリソグラフィモデルは、初期時間において計測データの第１のセットを用いて入手され、前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程の変動をシミュレートするように構成された、ステップと、
  （ｂ）前記ベースライン性能に関連して前記リソグラフィ装置の現在の性能に関連付けられた前記時間的なドリフトを分析することで前記リソグラフィ装置の性能安定性をモニタするステップであって、前記時間的なドリフトは、前記初期時間において入手された前記計測データと、後続時間において収集された後続の計測データと、を比較することで決定される、ステップと、
  （ｃ）前記リソグラフィモデルを用いて前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定を調整し、前記ベースライン性能と前記現在の性能との差分を低減することで前記決定された時間的なドリフトを低減するステップと、
を含む、方法。」
「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　
６　当審の判断
（１）特許法第３６条第６項第１号について
　本件出願の請求項１に係る発明は、「前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである」構成を含むものである。
　該構成に関連する記載として、本件出願の明細書には、「ステップＳ３０６で、リソグラフィ装置の１つまたは複数の設定がステップ３０２で定義されたモデルを用いて調整され、時間的なドリフトが補償される。したがって、性能は所望のベースライン性能に実質的に近い値に戻る。当業者は、「設定」（すなわち、調整可能なつまみによって設定できる条件）として物理的に調整できないリソグラフィ装置又は工程（又はそのシミュレートされたモデル）のパラメータが存在することを理解できるであろう」（【００３２】）、「多数のＰＳＰと対応する工程パラメータの変動を最適に感知するＰＳＰのそれぞれのセットを適当に設計することで、「感度モデル」又は「ベースラインモデル」を作成できる。言い換えれば、ＰＳＰの第１のサブセットが第１のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応し、ＰＳＰの第２のサブセットが第２のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応する複数のＰＳＰが設計される」（【００３６】）、「本開示に照らして、リソグラフィモデルを用いてリソグラフィ装置の１つ以上の設定の変化／調整に関するリソグラフィ工程の感度を決定できるということは当業者には明らかであろう」（【００４６】）と記載されている。
　上記【００３２】には、時間的なドリフトの補償に際し、調整可能なつまみによって設定できる条件として、物理的に調整できないリソグラフィ装置又は工程（又はそのシミュレートされたモデル）のパラメータが存在することが記載されているものの、明細書【００１９】の「リソグラフィ装置は物理的な装置でなく、物理的な装置のシミュレートされたモデルであってもよい」との記載からも理解できるように、この「シミュレートされたモデル」は「リソグラフィ装置又は工程」自体をシミュレートするものであって、リソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものではないし、上記【００３２】の記載は、あくまでも物理的に調整できないパラメータが存在することを記載しただけのものであって、リソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートすることを意味するものではない。
　また、上記【００３６】の記載は、「感度モデル」又は「ベースラインモデル」の「作成」に際し、「ＰＳＰの第１のサブセットが第１のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応し、ＰＳＰの第２のサブセットが第２のリソグラフィ工程パラメータの変動に対応する複数のＰＳＰが設計される」ことを記載したものであって、リソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートすることを記載したものではない。
　さらに、上記【００４６】には、「リソグラフィモデル」が「リソグラフィ装置の１つ以上の設定の変化／調整に関するリソグラフィ工程の感度を決定できる」ものであることが記載されているものの、この記載は、あくまでも「リソグラフィ工程の感度を決定できる」ことが記載されているだけであって、「リソグラフィ工程パラメータの変動」を決定できることが記載されている訳ではなく、しかも、この「決定」もシミュレートすることにより行うことが記載されている訳でもない。
　また、上記の記載に加えて、本件明細書【００６９】にも請求項１に係る発明の構成が記載されているものの、当該記載は、請求項１に係る発明の上記構成と同様の文言を記載したものであって、上記構成についての具体的な説明を実質的に記載して上記構成が記載されていることを担保したものとはいえない。
　さらに、本件明細書の他の箇所にも、上記構成は記載されていない。
　したがって、本件出願の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　
（２）特許法第３６条第６項第２号について
　本件出願の請求項１に係る発明は、「前記リソグラフィモデルは、前記リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートするものである」構成を含むものである。
　しかしながら、上記「（１）特許法第３６条第６項第１号について」で述べたように、上記構成は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、どのような構成を意味するものか本件出願の明細書に説明されていない。
　また、「リソグラフィ装置の１つ以上の設定に関連する１つ以上のリソグラフィ工程パラメータの変動をシミュレートする」とは、技術常識を勘案しても、その文言からどのような技術事項を意味するのか理解できない。
　よって、請求項１に係る発明は、明確でない。
　　
７　審判請求人の主張に対して
　審判請求人は、平成２７年１２月１８日付けの意見書において、「本願明細書（００４６）、（００４７）段落に記載されているように、リソグラフィモデルは、リソグラフィ装置の１つ以上の設定の変化／調整に関するリソグラフィ工程の感度を決定するために用いられます。すなわち、リソグラフィモデルは、リソグラフィ装置の設定が変化したときの工程パラメータの変動を決定（シミュレート）するために用いられるものであります。モデルを決定するために、ＰＳＰ（工程署名パターン）が用いられます」と主張している。
　しかしながら、上記「６　当審の判断」、「（１）特許法第３６条第６項第１号について」でも述べたように、本件明細書【００４６】の記載は、あくまでも「リソグラフィ工程の感度を決定できる」ことが記載されているだけであって、「リソグラフィ工程パラメータの変動」を決定できることが記載されている訳ではなく、しかも、この「決定」もシミュレートすることにより行うことが記載されている訳でもない。
　また、本件明細書【００４７】には、「１つ以上の設定のサブセットを事前定義された範囲内に維持しながら・・・（略）・・・リソグラフィモデルを用いてリソグラフィ装置の１つ以上の設定を決定することができる」と記載されているものの、この記載は、「リソグラフィ装置の１つ以上の設定を決定することができる」と記載されているだけであって、「リソグラフィ工程パラメータの変動」を決定できることが記載されている訳ではなく、しかも、この「決定」もシミュレートすることにより行うことが記載されている訳でもない。
　よって、審判請求人の意見は採用できない。
８　むすび
　以上のとおり、本件出願は、特許請求の範囲の記載が、第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。 
　よって、結論のとおり審決する。