【事件の表示】
　特願２０１１−２６６３１３「イオン源、システム及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月２４日出願公開、特開２０１２−　９８２９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年１２月２日　米国、２００６年３月２０日　米国、２００６年４月２８日　米国、２００６年５月９日　米国）に出願された特願２００８−５４３３１３号の一部を、特許法第４４条第１項の規定により平成２３年１２月５日に分割出願したものであって、平成２５年１１月７日付けで特許請求の範囲について手続補正がなされたが、平成２６年４月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月１５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１１月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡と、
　気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源を備える気体電界イオン顕微鏡と、
　集束イオンビーム機器とを具えるシステムであって、
　前記走査電子顕微鏡と前記気体電界イオン顕微鏡が、使用時に前記電子ビーム及び前記イオンビームを用いて試料を調査できるように位置していることを特徴とするシステム。」
２　引用例
（１）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−４４５７０号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審において付加したものである）。
ア　「【０００２】
【従来の技術】
従来の技術では、欠陥部を断面観察するためにＦＩＢ（Ｇａイオンビーム加工装置）で試料に描画加工を施し、その加工断面をフラットミーリングで表面仕上げをし、ＳＥＭ（走査形電子顕微鏡装置）またはＳＩＭ（
走査形イオンビーム顕微鏡
【０００３】
また、特開平４−１１６８４３号公報（特許文献１）に記載のように
試料に集束Ｇａイオンビームを照射して試料に描画を形成し、
イ　「【００１５】
まず、本発明に係わる半導体の加工観察装置の概要を示す図１に沿って述べる。
【００１６】
この
半導体の加工観察装置は、
描画加工を施すＦＩＢ１１（Ｇａイオンビームを照射する加工装置）と、
観察を行うＳＥＭ１（電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置）と、
ＦＩＢ２１（Ａｒイオンビームを照射する除粉装置）を有する
ウ　「【００２０】
ＦＩＢ１１はＧａイオンビーム１３（描画加工用イオンビーム）を照射するイオンビーム照射源１２を有する。照射される描画加工用イオンビームは、ＦＩＢ電磁レンズ１４とＦＩＢ対物レンズ１６により絞られ、ＦＩＢ偏向レンズ１５で偏向されて試料３２の上面を走査する
【００２１】
この描画加工用イオンビームの照射で試料３２の上面に描画
が形成され
【００２２】
ＦＩＢ２１は、
Ａｒイオンビーム２３（除粉用イオンビーム）
を照射するイオンビーム照射源２２を有する。照射される除粉用イオンビームは、Ａｒ用電磁レンズ２４とＡｒ用対物レンズ２６により絞られ、Ａｒ用偏向レンズ２５で偏向されて試料３２の上面を走査する
【００２３】
この除粉用イオンビームの照射では描画加工は行われないが、ＦＩＢ１１による描画加工で出た加工個所に付着する描画加工の粉をはじき飛ばす掃除が行なわれる。また
この除粉用イオンビームの照射で試料３２から二次電子が発生する。この二次電子は検知器３４で検知され、その検知信号は画像処理装置３５で画像処理され、その処理信号によって画像表示モニター３６に表示が行われ
【００２４】
ＳＥＭ１は、電子ビーム３を照射する電子ビーム照射源を有する。
【００２５】
この
電子ビーム３の走査で、
エ　「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）　引用例に記載された発明の認定
ア　上記（１）の摘記事項ウの【００２２】に当審注として示したとおり、当該【００２２】の「Ｇａイオンビーム２３（除粉用イオンビーム）」とは、「Ａｒイオンビーム２３（除粉用イオンビーム）」の誤記と解される。
イ　上記ア、及び上記（１）のアないしエを含む引用例全体の記載を総合すると、引用例には、
「描画加工を施すＦＩＢ１１（Ｇａイオンビーム１３を照射する加工装置）と、観察を行うＳＥＭ１（電子ビーム３を照射する走査形電子顕微鏡装置）と、ＦＩＢ２１（Ａｒイオンビーム２３を照射する除粉装置）を有する加工観察装置において、
　ＦＩＢ１１はＧａイオンビーム１３（描画加工用イオンビーム）を照射するイオンビーム照射源１２を有し、照射される描画加工用イオンビームは、ＦＩＢ電磁レンズ１４とＦＩＢ対物レンズ１６により絞られ、ＦＩＢ偏向レンズ１５で偏向されて試料３２の上面を走査し、この描画加工用イオンビームの照射で試料３２の上面に描画が形成され、
　ＦＩＢ２１は、Ａｒイオンビーム２３（除粉用イオンビーム）を照射するイオンビーム照射源２２を有し、照射される除粉用イオンビームは、Ａｒ用電磁レンズ２４とＡｒ用対物レンズ２６により絞られ、Ａｒ用偏向レンズ２５で偏向されて試料３２の上面を走査し、この除粉用イオンビームの照射で試料３２から二次電子が発生して、この二次電子は検知器３４で検知され、その検知信号は画像処理装置３５で画像処理され、その処理信号によって画像表示モニター３６に表示が行われ、
　ＳＥＭ１は、電子ビーム３を照射する電子ビーム照射源を有し、この電子ビーム３の走査で、ＳＥＭ１による試料３２の観察が行なわれる、
　半導体の加工観察装置。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
３　本願発明と引用発明との対比
（１）　対比
ア　引用発明の「加工観察装置」、「電子ビーム３」、「Ａｒイオンビーム２３」、及び「試料３２」は、それぞれ本願発明の「システム」、「電子ビーム」、「イオンビーム」、及び「試料」に相当する。
イ　引用発明の「ＳＥＭ１」すなわち「走査形電子顕微鏡装置」は、「照射」によって「電子ビーム３」を提供していることから、引用発明の「電子ビーム３を照射する走査形電子顕微鏡装置」は、本願発明の「電子ビームを提供することが可能な走査電子顕微鏡」に相当する。
ウ
（ア）　引用発明の「Ａｒイオンビーム２３」「を照射するイオンビーム照射源２２」は、「Ａｒイオンビーム２３」を発生させているから、引用発明の「Ａｒイオンビーム２３」「を照射するイオンビーム照射源２２」と、本願発明の「気体と相互作用してイオンビームを発生させることが可能な気体電界イオン源」とは、「イオンビームを発生させることが可能なイオン源」の点で共通する。
（イ）　引用発明では、「ＦＩＢ２１」によって、「Ａｒイオンビーム２３」が「Ａｒ用電磁レンズ２４とＡｒ用対物レンズ２６により絞られ、Ａｒ用偏向レンズ２５で偏向されて試料３２の上面を走査し、この」「Ａｒイオンビーム２３」「の照射で試料３２から二次電子が発生して、この二次電子は検知器３４で検知され、その検知信号は画像処理装置３５で画像処理され、その処理信号によって画像表示モニター３６に表示が行われ」るから、「Ａｒ用電磁レンズ２４とＡｒ用対物レンズ２６により絞られ」て「走査」される「Ａｒイオンビーム２３を照射する」「ＦＩＢ２１」によって、「試料３２」の「二次電子」「像」が得られている。よって、当該「ＦＩＢ２１」は、上記「２」の（１）の摘記事項アの【０００２】の「ＳＩＭ（走査形イオンビーム顕微鏡）で観察」で言う「走査形イオンビーム顕微鏡」として機能している。
　したがって、引用発明の「イオンビーム照射源２２を有」する「ＦＩＢ２１」は、上記（ア）で言う「イオン源」が「気体電界」によるものであることを除き、本願発明の「気体電界イオン源を備える気体電界イオン顕微鏡」に相当する。
エ　引用発明の「Ｇａイオンビーム１３（描画加工用イオンビーム）」とは、「ＦＩＢ偏向レンズ１５で偏向されて試料３２の上面を走査し、この描画加工用イオンビームの照射で試料３２の上面に描画が形成され」るように、「ＦＩＢ電磁レンズ１４とＦＩＢ対物レンズ１６により絞られ」るものであるから、上記「２」の（１）の摘記事項アの【０００３】の「試料に集束Ｇａイオンビームを照射して試料に描画を形成し」で言う「集束Ｇａイオンビーム」と同じく「集束」されるものである（なお、この点は、「ＦＩＢ」が「Ｆｏｃｕｓｅｄ　Ｉｏｎ　Ｂｅａｍ」（集束イオンビーム）の略であるという本願の優先日前の技術常識どおりでもある）。
　よって、引用発明の「ＦＩＢ１１」は、「集束」された「Ｇａイオンビーム１３（描画加工用イオンビーム）を照射」するものであるから、本願発明の「集束イオンビーム機器」に相当する。
オ　引用発明では、「ＳＥＭ１」すなわち「走査形電子顕微鏡装置」を使用することで、「電子ビーム３」を用いて「試料３２の観察が行なわれる」ことから、「ＳＥＭ１」は、使用時に、「電子ビーム３」を用いて「試料３２の観察」という調査を行えるように位置している。
　また、上記ウの（イ）を踏まえると、引用発明では、「ＦＩＢ２１」を使用することで、「Ａｒイオンビーム２３」を用いて「試料３２」の「二次電子」「像」を得ていることから、「ＦＩＢ２１」は、使用時に、「Ａｒイオンビーム２３」を用いて「試料３２」の「二次電子」「像」を得るという調査を行えるように位置している。
　してみれば、引用発明において、「ＳＥＭ１」と「ＦＩＢ２１」とが、「電子ビーム３」及び「Ａｒイオンビーム２３」を用いて、「試料３２」の「二次電子」「像」を得て「試料３２の観察」を行うことは、上記ウの（ア）で言う「イオン源」が「気体電界」によるものであることを除き、本願発明の「前記走査電子顕微鏡と前記気体電界イオン顕微鏡が、使用時に前記電子ビーム及び前記イオンビームを用いて試料を調査できるように位置していること」に相当する。
（２）　一致点及び相違点
　よって、本願発明と引用発明とは、次の相違点で相違し、その余の点で一致する。
（相違点）
　イオンビームを発生させることが可能なイオン源として、本願発明では、気体と相互作用する気体電界イオン源を用いるのに対し、引用発明では当該イオン源でのイオン化の手法が不明な点。
４　当審の判断
（１）　相違点の検討
　上記相違点について検討する。
　イオンビームを発生させることが可能なイオン源として、電界電離ガスイオン源は、本願の優先日前より周知技術である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平２−３７６４９号公報（以下、「周知例１」という。）（第１頁右下欄第１８行−第２頁右上欄第１１行）、及び本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−２４９４５７号公報（以下、「周知例２」という。）（【００８２】）を参照）。
　しかも、イオン顕微鏡におけるイオン源としての当該周知技術すらも、本願の優先日前より知られている（例えば、周知例１の第３頁右下欄第７−１０行、並びに周知例２の【００８２】及び【０１１９】を参照）。
　そして、当該周知技術の電界電離ガスイオン源は、ガスを電界電離させる点で、ガス（気体）と相互作用するものであるから、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を示すものである。
　一方、引用例には、「イオンビーム照射源２２」であるイオン源でのイオン化の手法が具体的に記載されておらず不明であるから、「加工観察装置」を実施するにあたり、当該イオン化の手法を具体化する必要があるという自明の課題が内在している。
　してみれば、引用発明において当該自明の課題を解決するために、上記周知技術を採用することで、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項のように構成することは、当業者が容易に想到しうることである。
（２）　本願発明の奏する作用効果
　
　また、本願発明の作用効果は、引用発明１及び上記周知技術から、当業者が予測できる範囲のものである。
（３）　審判請求書での主張について
　なお、審判請求人は、平成２６年８月１５日に提出した審判請求書において、
「本願明細書の段落［０１４２］に記載されているように、本願発明１の一実施形態における「気体電界イオン顕微鏡」では、線５２８の先端（試料）を冷却し、線５２８の先端に電位を印加する。ここでＨｅガスを供給すると、線５２８の先端頂部でＨｅイオンが形成される。このＨｅイオンを蛍光スクリーンに衝突させて光子を放出させ、これ（光子）をＣＣＤカメラによって検出する。検出器から得られる画像の輝点は、イオン源頂部（線５２８の先端頂部）での個々の原子に対応している。従って、この画像は、原子的に分解される線５２８の先端頂部の画像である。この画像に基づいて、イオン源頂部での原子の結晶構造、配向及び特定配列を決定することができる。 
 　一方、引用文献１に記載された「走査イオン顕微鏡」（ＦＩＢ１１，２１）は、イオンビームを試料３２に照射することによって生じる二次電子を検知器３４で検知して画像化するものである（段落［００２０］−［００２３］及び図１参照）。 
 　このように、本願発明１が具える「気体電界イオン顕微鏡」が、引用文献１に記載された「走査イオン顕微鏡」とは全く異なるものであることは、明らかである。」（【請求の理由】の３．（４））
と主張しているため、当該主張について一応検討する。
　そもそもこの主張は、本願の明細書に示された「一実施形態」の効果に過ぎず、本願の特許請求の範囲の記載に基づくものでない。しかもこの点を裏付けるように、本願の明細書では、
「【０１０３】
  
イオンビーム１９２が試料１８０に衝突するとき、様々な異なる種類の粒子１９４を作り出すことができる。これら粒子は、例えば、二次電子
を含む。
一般に本願に開示の顕微鏡システムにおいては、検出器をいかなる個数及び構成でも用いることができる。
の記載のとおり、本願の「顕微鏡システム」が、「イオンビーム１９２が試料１８０に衝突」して生じた「二次電子」を（引用発明と同様に）検出するものを含みうることが示されている。
　よって、上記主張は失当である。
（４）　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明１及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。