【事件の表示】
　特願２０１０−２７６２９４「ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２８日出願公開、特開２０１２−１２４４３６、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年１２月１０日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　９月　４日　審査請求
平成２６年１０月２７日　拒絶理由通知
平成２６年１２月２６日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２７日　拒絶査定（以下，「原査定」という）
平成２７年　６月　３日　審判請求・手続補正
平成２８年　６月２９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という）
平成２８年　９年　２日　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項１−８に係る発明は，平成２８年９月２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定されるものと認められる。
（１）本願発明１
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　窒化物半導体層と，
　前記窒化物半導体層上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記窒化物半導体層の表面と前記ゲート電極の下面との間に配され，ＳｉxＮyを絶縁材料として含有しており，
　前記ＳｉxＮyは，０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３であり，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたものであり，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，
　前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜と
　の積層構造を含み，
　前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有していることを特徴とするＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ。」　
（２）本願発明２
　本願の請求項２に係る発明（以下，「本願発明２」という。）は以下のとおりである。
「【請求項２】
　窒化物半導体層と，
　前記窒化物半導体層上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記窒化物半導体層の表面と前記ゲート電極の下面との間に配され，ＳｉxＯyＮzを絶縁材料として含有しており，
　前記ＳｉxＯyＮzは，
　ｘ：ｙ：ｚ＝０．２５６〜０．３８４：０．２４０〜０．３６０：０．３０４〜０．４５６，且つｘ＋ｙ＋ｚ＝１
　を満たし，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたものであり，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，
　前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜と
　の積層構造を含み，
　前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有していることを特徴とするＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ。」
　
第３　原査定の理由の概要
　本願発明１及び２は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１　特開２００７−３１７８０５号公報
引用文献２　特開２００９−１７６９３０号公報
備考：
　引用文献１の段落００６１−６２に，「窒化珪素膜１０６は，珪素と窒素の原子組成比が３：４になっている。このとき，窒化珪素膜１０６はIV族窒化物を構成するお互いの原子が共有結合によって結合される。特に，組成の誤差が１０％以内である場合，強固かつ化学的に安定な膜を実現することができる。・・・珪素と窒素の原子組成比が３：４からずれていたとしても，未結合手が水素によって終端されている場合，・・・IV族窒化物である窒化珪素膜１０６が水素を含有し，未結合手を水素により終端することで，珪素と窒素の原子組成比が３：４の場合と同様の効果を得ることができる。」と記載されるように，珪素と窒素の原子組成比の３：４からのずれに相当する未結合手を水素によって終端することにより，界面を安定化させうることが記載されている。界面の安定化によって，本願で問題としているコラプス現象を改善できることは自明であり，形成した窒化膜の未結合手の濃度が偶々２〜５×１０22ｃｍ-3であった場合に，水素終端基の濃度を同程度とすることは当業者であれば容易になしうる。
　また，酸窒化珪素膜を備える化合物半導体装置も引用文献２（段落００３２）に記載のように一般的なものであり，これに引用文献１の界面安定化手法を適用することも当業者が適宜なしうる。
　引用文献２（段落００４８−４９）には，ＳｉＮ膜上に，よりも大きなバンドギャップを有するＳｉＯ２膜を，より厚く形成する構成が記載されている。
　引用文献１の段落００６３には，「図１（ｃ）において，ゲート電極のための穴を窒化珪素膜１０６に形成しているが，形成しなくとも本発明の効力は発揮される。この場合，エッチング工程を省けるため，プロセスを簡略化することができる。」と記載されており，この場合，ゲート絶縁膜が化合物半導体層の表面とゲート電極の下面との間に配されることとなる。そして，その効果も容易に予測しうるものである。
　
第４　原査定の理由の判断
１　本願発明１について
（１）引用文献１の記載事項
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−３１７８０５号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，窒化物半導体材料，半導体素子およびその製造方法に関し，特に，III族窒化物半導体およびIV族窒化物により構成される窒化物半導体材料，半導体素子およびその製造方法に関する。」
（イ）「【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記目的を達成するために，本発明に係る窒化物半導体材料は，III族窒化物半導体と，
前記III族窒化物半導体上に形成されるIV族窒化物とを含み，前記III族窒化物半導体と前記IV族窒化物との界面は規則的な原子配列を有する。
【０００８】
　この構成によれば，界面において
III族窒化物半導体とIV族窒化物が化学結合によって接合しているため，III族窒化物半導体からの余分な未結合手を効率よく終端することができる。
・・・
【００３６】
　また，前記IV族窒化物は，水素を含有していてもよい。
　この構成によれば，
IV族窒化物に含まれる未結合手が水素によって終端されるため，IV族窒化物の化学的安定性および絶縁性を安定化させることが可能である。
（ウ）「【００４９】
　図１は，本発明の実施の形態１に係る窒化物半導体材料を用いた半導体素子である
ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
【００５０】
　まず，III族窒化物半導体である（０００１）面ＧａＮ基板１０１上に，III族窒化物半導体である１．５μｍ厚アンドープ型ＧａＮ層１０２を結晶成長させる。さらに，ＧａＮ層１０２上に，窒化ガリウム（ＧａＮ）に比べて禁制帯幅が広いIII族窒化物半導体である８ｎｍ厚ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３を結晶成長させる。そして，ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３上に，IV族窒化物とのなじみを改善するために，
III族窒化物半導体である１ｎｍ厚ＡｌＮ層１０４を結晶成長させる
【００５１】
　次に，図１（ａ）に示す
ＡｌＮ層１０４上に，界面１０５を介してIV族窒化物である窒化珪素膜１０６を形成する
・・・
【００５３】
　IV族窒化物である窒化珪素膜１０６を成膜した後，ＣＦ4ガスを用いた誘電体反応性イオンエッチングによって
窒化珪素膜１０６にゲート電極，ソース電極およびドレイン電極のための穴を形成する。
【００５４】
　次に，図１（ｃ）に示されている構造に，チタン／アルミニウム／チタン／金の電極をリフトオフ法によって蒸着することで，ソース電極１０７ａ，
ゲート電極１０７ｂ
を形成する（図１（ｄ））。以上により，ヘテロ接合型電界効果トランジスタが形成される。
【００５５】
　図１（ｄ）に示す
ヘテロ接合型電界効果トランジスタは，界面１０５において原子オーダで規則的に配列し，かつ，ＡｌＮ層１０４および窒化珪素膜１０５が化学結合によってつながっている。
【００５６】
　また，図１（ｄ）に示す
ヘテロ接合型電界効果トランジスタは，ＧａＮ層１０２，ｎ型ＡｌＧａＮ層１０３およびＡｌＮ層１０４の３層構造となっている。これにより，自発分極および圧電効果によって２次元電子ガスが効率的に生成することができる。
・・・
【００６１】
　ここで，
窒化珪素膜１０６は，珪素と窒素の原子組成比が３：４になっている。このとき，窒化珪素膜１０６はIV族窒化物を構成するお互いの原子が共有結合によって結合される。特に，組成の誤差が１０％以内である場合，強固かつ化学的に安定な膜を実現することができる。
【００６２】
　また，
珪素と窒素の原子組成比が３：４からずれていたとしても，未結合手が水素によって終端されている場合，本発明の効果が発揮される。すなわち，IV族窒化物である窒化珪素膜１０６が水素を含有し，未結合手を水素により終端することで，珪素と窒素の原子組成比が３：４の場合と同様の効果を得ることができる。
・・・
【００６３】
　また，
図１（ｃ）において，ゲート電極のための穴を窒化珪素膜１０６に形成しているが，形成しなくとも本発明の効力は発揮される。
（エ）図１（ｄ）には，
ゲート電極１０７ｂが窒化珪素膜１０６の穴の中とその上方に形成される
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「III族窒化物半導体であるＡｌＮ層と，ＡｌＮ層上に窒化珪素膜と，窒化珪素膜に穴を形成せずにその上方にゲート電極と，を形成されたヘテロ接合型電界効果トランジスタであって，前記窒化珪素膜は，珪素と窒素の原子組成比が３：４になっており，組成の誤差が１０％以内であって，前記窒化珪素膜は水素を含有し未結合手が水素によって終端されている。」
（２）引用文献２の記載事項
　ア　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−１７６９３０号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００３０】
　基板１０には，Ｓｉ基板，ＧａＡｓ基板，ＳｉＧｅ基板，ＩｎＰ基板，ＳｉＣ基板，ＧａＮ基板，ＳｉＣ基板上にＧａＮエピタキシャル層を形成した基板，
ＳｉＣ基板上にＧａＮ／ＧａＡｌＮからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板
【００３１】
　本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のパッケージ構成は，例えば図２に示すように，基板と，基板上に配置された下地金属層２０と，下地金属層２０上に配置された
電界効果トランジスタ
・・・
【００３４】
　本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置は，図３および図４に示すように，
ゲート電極２４，ソース電極２６およびドレイン電極２２上，ゲート電極２４とドレイン電極２２間の基板１０上，およびゲート電極２４とソース電極２６間の基板１０上に第１の絶縁膜２８を備えていて
第１の絶縁膜２８としては，
シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）
（イ）「【００４７】
（変形例２）
　本発明の第１の実施の形態の変形例２に係る半導体装置は，図６に示すように，
ゲート電極２４，ソース電極２６およびドレイン電極２２上，ゲート電極２４とドレイン電極２２間の基板１０上，およびゲート電極２４とソース電極２６間の基板１０上に第１の絶縁膜２８を備え，さらに第１の絶縁膜２８上に第２の絶縁膜３２を備えている。
【００４８】
　
第１の絶縁膜２８としては，例えばＳｉＮ
ｘ
膜，ＳｉＯ
2
膜，ＳｉＯＮ膜などを適用することができる。第２の絶縁膜３２としては，例えば，ＳｉＯ
2
膜，ＳｉＯＮ膜などを適用することができる。
（ウ）図６には，
基板１０上にゲート電極２４を備え，ゲート電極２４上に第１の絶縁膜２８を，第１の絶縁膜２８上に第２の絶縁膜３２を備える
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ＧａＮ／ＧａＡｌＮからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板と，前記基板上にゲート電極と，ゲート電極上に第１の絶縁膜と，第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて，第１の絶縁膜としては，ＳｉＮｘ膜，ＳｉＯＮ膜を適用し，第２の絶縁膜としては，ＳｉＯ2膜，ＳｉＯＮ膜を適用した。」
（３）引用文献３の記載事項
　ア　引用文献３
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１０−１３５６４０号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００３２】
　図１は，本実施の形態に係る
ＦＥＴ
　このＦＥＴは，基板１０１と，バッファ層１０２と，第１の窒化物半導体層１０３と，第２の窒化物半導体層１０４と，第３の窒化物半導体層１０５と，第４の窒化物半導体層１０６と，絶縁膜１０７と，ドレイン電極１０８と，ソース電極１０９と，ゲート電極１１０と，素子分離層１１１とを備えている。
・・・
【００３９】
　
第１の窒化物半導体層１０３及び第２の窒化物半導体層１０４のヘテロ接合界面と，第３の窒化物半導体層１０５及び第４の窒化物半導体層１０６のヘテロ接合界面
・・・
【００４４】
　絶縁膜１０７は，凹部１２０の底面及び側面並びに第４の窒化物半導体層１０６表面に形成されている。
凹部１２０の底面及び側面に形成された絶縁膜１０７は，第２の窒化物半導体層１０４，第３の窒化物半導体層１０５及び第４の窒化物半導体層１０６とゲート電極１１０とに挟み込まれている。
【００４５】
　
絶縁膜１０７は，
ＳｉＮ及びＡｌＮの積層構造体，並びにＳｉＮ及びＡｌＯの積層構造体等から構成される。
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「窒化物半導体層のヘテロ接合界面からなるＦＥＴにおいて，絶縁膜は窒化物半導体層とゲート電極とに挟み込まれており，前記絶縁膜は，ＳｉＮ及びＡｌＮの積層構造体，ＳｉＮ及びＡｌＯの積層構造体から構成される。」
（４）対比
　ア　引用発明１の「III族窒化物半導体であるＡｌＮ層」及び「ゲート電極」は，それぞれ本願発明１の「窒化物半導体層」及び「ゲート電極」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１の「窒化珪素膜」は「上方にゲート電極」が形成されかつ「ＡｌＮ層上」に形成されるから，本願発明１の「ゲート絶縁膜」に相当し，本願発明１における「前記ゲート絶縁膜は，前記窒化物半導体層の表面と前記ゲート電極の下面との間に配され，ＳｉxＮyを絶縁材料として含有しており」を満たし，本願発明１における「前記窒化物半導体層上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極」も満たされると認められる。
　また，引用発明１の窒化珪素の「珪素と窒素の原子組成比が３：４になっており，組成の誤差が１０％以内」であるから，本願発明１の「前記ＳｉxＮyは，０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３」を満たすものであると認められる。
　ウ　引用発明１の「ヘテロ接合型電界効果トランジスタ」は，ゲート絶縁膜を有し，「III族窒化物半導体」により２次元電子ガスを生成するものである（前記（１）ア（イ）【００５６】）から，下記相違点１及び２を除いて，本願発明１の「ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ」に相当すると認められる。
　エ　そして，本願発明１と引用発明１とを対比すると，下記（ア）の点で一致しているが，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「窒化物半導体層と，
　前記窒化物半導体層上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記窒化物半導体層の表面と前記ゲート電極の下面との間に配され，ＳｉxＮyを絶縁材料として含有しており，
　前記ＳｉxＮyは，０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３である
　ことを特徴とするＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ。」
（イ）　相違点
　・相違点１
　本願発明１においては「前記ＳｉxＮyは，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたもの」であるのに対し，引用発明１においては窒化珪素膜は水素を含有し未結合手が水素によって終端されているものの，水素終端基濃度については開示がない点。
　・相違点２
　本願発明１の「前記ゲート絶縁膜は，前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜との積層構造を含み，前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有している」のに対し，引用発明１の「窒化珪素膜」は積層構造でなく，第２の絶縁膜を有さない点。
（５）判断
　相違点１について検討すると，ゲート絶縁膜を構成するＳｉxＮyは，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされることについて，いずれの引用文献にも開示も示唆もない。本願発明１においてはゲート絶縁膜を構成するＳｉxＮyは，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とすることにより，ゲート絶縁膜として十分な絶縁性を担保し，ゲート絶縁膜としての優れた特性を保ちつつ，ダングリングボンドを水素で十分に終端することができるというもの（本願明細書段落【００３２】）であり，この課題についてもいずれの引用文献にも開示も示唆もないので，相違点１に係る構成を想到することは当業者が容易になし得ることではない。
（６）小括
　したがって，本願発明１は，当業者が引用発明１ないし３に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２について
（１）引用文献１ないし３の記載事項
　引用文献１ないし３には，それぞれ前記１（１）ア，同（２）ア及び同（３）アのとおりの記載があり，それぞれ引用発明１ないし３が記載されていると認められる。
（２）対比
　本願発明２と引用発明１とを対比すると，前記１（４）ア及びウより，両者は下記アの点で一致しているが，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「窒化物半導体層と，
　前記窒化物半導体層上でゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記窒化物半導体層の表面と前記ゲート電極の下面との間に配される
　ことを特徴とするＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明２の「ゲート絶縁膜」は「ＳｉxＯyＮzを絶縁材料として含有しており，前記ＳｉxＯyＮzは，ｘ：ｙ：ｚ＝０．２５６〜０．３８４：０．２４０〜０．３６０：０．３０４〜０．４５６，且つｘ＋ｙ＋ｚ＝１を満たす」のに対し，引用発明１にはＳｉxＯyＮzは開示されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明２においては，「前記ＳｉxＯyＮzは，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたもの」であるのに対し，引用発明１においてはＳｉxＯyＮzは開示されておらず，窒化珪素膜は水素を含有し未結合手が水素によって終端されているものの，水素終端基濃度については開示がない点。
（ウ）相違点３
　本願発明２の「前記ゲート絶縁膜は，前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜との積層構造を含み，前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有している」のに対し，引用発明１の「窒化珪素膜」は積層構造でなく，第２の絶縁膜を有さない点。
（３）判断
　相違点２について検討すると，ゲート絶縁膜を構成するＳｉxＯyＮzは，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされることについて，いずれの引用文献にも開示も示唆もない。本願発明２においてはゲート絶縁膜を構成するＳｉxＯyＮzは，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とすることにより，リーク電流量が少なく，ダングリングボンドの少ない優れたゲート絶縁膜とする（本願明細書段落【００８２】）ものであり，この課題についてもいずれの引用文献にも開示も示唆もないので，相違点２に係る構成を想到することは当業者が容易になし得ることではない。
（４）小括
　したがって，本願発明２は，当業者が引用発明１ないし３に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
３　まとめ
　本願の請求項３及び４に係る発明は本願発明１をさらに限定したものであり，同請求項５に係る発明は本願発明１に係る物の製造方法であり，同請求項６に係る発明は本願発明２に係る物の製造方法であり，同請求項７及び８に係る発明は同請求項５又は６に係る発明をさらに限定したものであるので，本願発明１又は２と同様に，当業者が引用発明１ないし３に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第５　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 ・請求項１ないし８について 
　本願の発明の詳細な説明に開示された内容は，ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴを前提とした課題とその解決手段である。そして，ゲート−チャネル構造が異なればゲート絶縁膜のデバイス特性に与える影響も異なるというのが技術常識であって，してみると，ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴを前提とした開示を，ゲート−チャネル構造が異なる他のトランジスタにまで拡張ないし一般化できるとはいえない。 
　ところが，請求項１ないし８には，「ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ」であることの限定がなく，上位概念の「化合物半導体装置」又は「化合物半導体装置の製造方法」として記載されているから，請求項１ないし８に係る発明は，発明の詳細な説明において「発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲」を超えるものとなっている。 
２　当審拒絶理由の判断
　平成２８年９月２日付け手続補正書によって，本願の特許請求の範囲は次のように補正された。（下線は補正個所を示すものとして，当審で付加した。）
「【請求項１】
　
窒化物
　前記
窒化物
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記
窒化物
　前記ＳｉxＮyは，０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３であり，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたものであり，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，
　前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜と
　の積層構造を含み，
　前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有していることを特徴とする
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項２】
　
窒化物
　前記
窒化物
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記
窒化物
　前記ＳｉxＯyＮzは，
　ｘ：ｙ：ｚ＝０．２５６〜０．３８４：０．２４０〜０．３６０：０．３０４〜０．４５６，且つｘ＋ｙ＋ｚ＝１
　を満たし，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたものであり，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，
　前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜と
　の積層構造を含み，
　前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有していることを特徴とする
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項３】
　前記ゲート絶縁膜は，前記絶縁材料の原子間水素濃度が２×１０21／ｃｍ3以上６×１０21／ｃｍ3以下のものであることを特徴とする請求項１に記載の
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項４】
　前記第２の絶縁膜は，前記第１の絶縁膜よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項５】
　
窒化物
　前記
窒化物
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記
窒化物
　前記ＳｉxＮyは，０．６３８≦ｘ／ｙ≦０．８６３であり，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたものであり，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，
　前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜と
　の積層構造を含み，
　前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有することを特徴とする
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項６】
　
窒化物
　前記
窒化物
　を含み，
　前記ゲート絶縁膜は，前記
窒化物
　前記ＳｉxＯyＮzは，
　ｘ：ｙ：ｚ＝０．２５６〜０．３８４：０．２４０〜０．３６０：０．３０４〜０．４５６，且つｘ＋ｙ＋ｚ＝１
　を満たし，水素終端基濃度が２×１０22／ｃｍ3以上５×１０22／ｃｍ3以下の範囲内の値とされたものであり，
　前記ゲート絶縁膜は，
　前記絶縁材料により形成された第１の絶縁膜と，
　前記絶縁材料よりも大きなバンドギャップを有する材料からなる第２の絶縁膜と
　の積層構造を含み，
　前記第２の絶縁膜は，Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，及びＴａＯから選ばれた少なくとも一種を含有することを特徴とする
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項７】
　前記絶縁材料を，プラズマＣＶＤ法により，ＲＦ電力を２０Ｗ以上２００Ｗ以下の範囲内の値として堆積することを特徴とする請求項５又は６に記載の
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　【請求項８】
　前記ゲート絶縁膜は，前記絶縁材料の原子間水素濃度が２×１０21／ｃｍ3以上６×１０21／ｃｍ3以下のものであることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の
ＭＩＳ型の窒化物半導体ＨＥＭＴ
　そして，本願明細書における，本願に係る発明の課題に関する記載（【０００２】，【０００４】），及び課題解決手段に関する記載（【００１５】，【００３３】ないし【００３７】，【００７３】，【００８２】）より，補正後の請求項１ないし８に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものと認められる。
　よって，当審拒絶理由は解消した。
　
第６　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。