【事件の表示】
　特願２０１０−５４６８７２「半導体処理システムにおけるイオン源の洗浄」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　８月２０日国際公開、ＷＯ２００９／１０２７６２、平成２３年　４月１４日国内公表、特表２０１１−５１２０１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年２月１１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００８年２月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１０月６日に国際出願翻訳文（特許請求の範囲の翻訳文、明細書の翻訳文、図面の翻訳文、要約書の翻訳文）が提出され、平成２４年２月１０日に手続補正がなされ、平成２５年９月４日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月６日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２９日に拒絶査定不服審判が請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２６年１０月２９日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、本件補正前（平成２６年２月６日付けの手続補正後のもの。）の
「イオン注入システムのフォアラインからイオン化関連堆積物を除去するために、イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法であって、洗浄ガスが、前記堆積物の少なくとも一部の除去を行うために前記堆積物との化学的反応性を有するという条件下で、イオン注入システムの前記フォアラインを前記洗浄ガスと接触させるステップを含む方法。」
を
「イオン注入システムのフォアラインからイオン化関連堆積物を除去するために、イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法であって、
　洗浄ガスが、前記堆積物の少なくとも一部の除去を行うために前記堆積物との化学的反応性を有するという条件下で、イオン注入システムの前記フォアラインを前記洗浄ガスと接触させるステップを含
み、
　
前記イオン注入システムは、注入源チャンバ及びターボポンプを備え、
　前記ステップは、前記ターボポンプの下流に前記洗浄ガスを供給して、前記注入源チャンバに前記洗浄ガスを流さずに、前記イオン注入システムの前記ターボポンプの下流にある前記フォアライン内に連続的に前記洗浄ガスを流すステップを含む、
方法。」
に補正する内容を含むものである（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
　
（２）特許法第１７条の２第３項について
ア　本件補正は、補正前の請求項１の「イオン注入システムの前記フォアラインを前記洗浄ガスと接触させるステップ」に関して、「前記ターボポンプの下流に前記洗浄ガスを供給して、前記注入源チャンバに前記洗浄ガスを流さずに、前記イオン注入システムの前記ターボポンプの下流にある前記フォアライン内に連続的に前記洗浄ガスを流す」との構成を付加する内容を含むものである。
　
イ　本願の出願当初の明細書及び図面の記載内容
　本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「本願当初明細書」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項３０】
　前記注入システムが、ターボポンプおよび粗引ポンプをさらに備え、ターボポンプをオフにし、粗引ポンプをオンにした状態で、前記洗浄ガスが前記注入源チャンバ内に流れる、請求項２７に記載のイオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法。」（本件補正前の特許請求の範囲の請求項４に相当する。）
　
（イ）「【請求項３４】
　ターボポンプの下流に前記洗浄ガスを供給するステップと、前記イオン注入システムの前記フォアライン内に連続的に前記洗浄ガスを流すステップとを含む、請求項２７に記載のイオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法。」（本件補正前の特許請求の範囲の請求項８に相当する。）
　
（ウ）「【０１１７】
　上述した方法の一実施形態では、洗浄ガスは、ターボポンプがオフであるが粗引ポンプがオンの状態で注入源チャンバ内に流れる。この実施は、フォアライン堆積物の上を通る洗浄ガスの流量を高め、それにより、より高速の洗浄プロセスを提供する。さらに、洗浄ガス流量は、ガスシリンダを加熱することによって高めることができ、ガスシリンダ内で洗浄ガスは室温以上で貯蔵される。この実施においては、ガスシリンダからイオン注入装置への送達ラインも同様に加熱されることが好ましい。
【０１１８】
　上述した方法の別の実施形態では、洗浄ガスは、パルス流で注入源チャンバ内に流れ、注入源チャンバ、ポンプ、およびフォアラインが、ある圧力まで満たされ、その後、より低い圧力まで吐出される。このプロセスは、イオン注入システムのフォアライン上の堆積物が除去されるまで繰り返される。この実施は、好ましくは、粗引ポンプの入口で隔離弁を採用する。」
　
（エ）「【０１２２】
　イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法の別の実施形態は、ターボポンプの下流に洗浄ガスを供給し、前記洗浄ガスをイオン注入システムのフォアラインに連続的に流すことを含む。この実施は、好ましくは、注入プロセスが実施されている間でさえフォアライン上の堆積物を洗浄し、それによりイオン注入の動作の乱れを減らす。」
　
ウ　判断
（ア）上記イによれば、本願当初明細書の記載により導かれる「イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法」は、
（ａ）「ターボポンプをオフにし、粗引ポンプをオンにした状態で、前記洗浄ガスが前記注入源チャンバ内に流れる」方法（上記イ（ア）及び（ウ））、ないし、
（ｂ）「ターボポンプの下流に前記洗浄ガスを供給するステップと、前記イオン注入システムの前記フォアライン内に連続的に前記洗浄ガスを流すステップとを含む」方法（上記イ（イ）及び（エ））
である。
　したがって、上記前者（ａ）の方法であれば、「洗浄ガスが前記注入源チャンバ内に流れる」こととなる。
　また、上記後者（ｂ）の方法であれば、「ターボポンプの下流に前記洗浄ガスを供給する」ことと、「前記イオン注入システムの前記フォアライン内に連続的に前記洗浄ガスを流す」ことは特定されているものの、「前記注入源チャンバに前記洗浄ガスを流さずに」行うとの特定はない。
　
（イ）また、本願当初明細書をみても、「ターボポンプの下流に前記洗浄ガスを供給する」ことと、「前記イオン注入システムの前記フォアライン内に連続的に前記洗浄ガスを流す」ことを行う際に、その後の洗浄ガスの具体的な流れは不明であり、必ずしも「注入源チャンバ」に流れ込まないとはいえない。
　そして、注入源チャンバに洗浄ガスが流入することを防ぐ必要性についての記載またはそのための格別の構成を備える旨の記載は見当たらないから、本願当初明細書に、「注入源チャンバ」に「洗浄ガス」を「流さない」ことが記載されていたということはできない。
　
（ウ）しかるに、上記イのような、「ターボポンプの下流に洗浄ガスを供給し、前記洗浄ガスをイオン注入システムのフォアラインに連続的に流すことを含む」に係り、さらに、「前記注入源チャンバに前記洗浄ガスを流さずに」行うとの構成は、上記（ア）及び（イ）での検討に照らして、本願当初明細書の記載により導かれる技術的事項とは別異のものであるから、本願当初明細書には、上記「前記注入源チャンバに前記洗浄ガスを流さずに」行うとの構成を備える本件補正発明が記載されていたということはできない。
　
エ　小括
　以上によれば、前記（１）の内容を含む本件補正は、本願当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであって、本願当初明細書に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の各請求項に係る発明は、平成２６年２月６日付けで補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、本件補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２００７／１２７８６５号（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（訳文を付した。）。
ア　「FIELD OF THE INVENTION
[0002] The present invention relates to cleaning of semiconductor processing systems.
[0003] In various specific aspects, the invention relates to methods and apparatus for cleaning one or more components of an ion implantation system used in the fabrication of a microelectronic device. In additional aspects, the invention relates to methods and apparatus for cleaning one or more components utilized in a CVD system used in the fabrication of a microelectronic device.」
（技術分野
［０００２］本発明は、半導体処理システムの洗浄に関する。
［０００３］種々の特定の態様において、本発明は、マイクロ電子デバイスの製造において使用される
イオン注入システムの１つまたは複数のコンポーネントの洗浄のための方法
　
イ　「[0129] In the stagnant mode, also referred to as the static mode, the vacuum chamber is sealed, vacuum pumps are isolated or turned off, and cleaning vapor is introduced into the chamber from a cleaning composition source until a suitable pressure is achieved. The flow of cleaning vapor is turned off, and the cleaning vapor reacts with the deposited material in the chamber at ambient (room) temperature and without plasma activation, remaining in the chamber until the cleaning vapor is consumed, an endpoint of the reaction is reached or a predetermined amount of time has passed. The gaseous byproducts of the cleaning then are pumped away. Multiple cycles of filling the chamber with cleaning vapor, reacting the vapor with deposits in the chamber, and pumping the products away from the chamber, may be required to effectively remove all of the deposited material. This process may be referred to as a purge/vent process. During this process, the turbo pump is turned off, or, alternatively, the pump is isolated from the vacuum system with a suitable gate valve (e.g. VAT gate valve).」
（［０１２９］静的モードとも呼ばれる滞留モードにおいて、真空チャンバはシールされ、真空ポンプが切り離されまたは止められ、洗浄蒸気が適切な圧力に達するまで洗浄組成物源からチャンバ内に導入される。洗浄蒸気流が止められ、洗浄蒸気は、室温でプラズマによる活性化なしにチャンバ内で堆積物質と反応し、洗浄蒸気が使い果たされ、反応の終点に達し、または予め定められた時間量が経過するまでチャンバ内に滞留する。次いで、洗浄のガス状副生成物が、ポンプ吸出される。全ての堆積物質を効率的に除去するためには、チャンバに洗浄蒸気を充填し、チャンバ内で堆積物に蒸気を反応させ、チャンバから生成物をポンプ吸出する複数回のサイクルを要し得る。このプロセスは「除去／通気プロセス」と呼ばれることがある。このプロセスの間、ターボポンプは止められ、または代替としては、ポンプは適切な仕切弁（例えばＶＡＴ仕切弁）を用いて真空システムから切り離される。）
　
ウ　「[0142] Figure 1 is a schematic representation of an ion implanter system 10 incorporating static mode cleaning according to one embodiment of the invention.
[0143] The ion source region of the implanter system 10 shown in Figure 1 includes vacuum chamber 100, an arc chamber 16, the acceleration electrode 14, the deceleration electrode 12, the cathode 18, the anticathode 20 and the gate valve 110. The cleaning composition source container (also referred to herein as the etchant container) 80 holding the cleaning composition may be communicatively connected to the vacuum chamber 100 by the dedicated vapor feed line 90. To introduce the gas-phase reactive material into the arc chamber 16, valve 84 is manually or automatically opened to permit the gas-phase reactive material to flow from the container 80 to the vacuum chamber 100. Sublimation of the gas-phase reactive material source may be assisted by heating the etchant container 80 using a heater 86 including, but not limited to, heater wires 88, or an oven. The etchant heater may also be heated by resistant heat methods, convective heat methods, conductive heat from air or from a warm source, from a heat lamp or other radiative mechanism or by any other effective heating method. The entire etchant container housing 82 may be water cooled.
[0144] Alternatively, gas-phase reactive material from a cleaning composition source container such as 40, may be introduced into the arc chamber 16 with carrier gas, e.g., argon, from carrier gas source 44, flowed into cleaning gas feed line 47. In such operation, valves 42 and 46 in line 47 are both open. The gas-phase reactive material in container 40 can be heated or otherwise volatilized, for flow of the cleaning agent in a gaseous state to the arc chamber and vacuum chamber.
[0145] As a further alternative, the carrier gas source 44 may be isolated by closure of the valve 46, so that gas-phase reactive material flows in feed line 47 to the arc chamber 16 in vacuum chamber 100. Valve 42 is open for such operation. Additional cleaning gas may be introduced in gas inlet line 22 for mixing with gas-phase reactive material (XeF2  in Figure 1) in line 47, to form a multicomponent cleaning gas. Alternatively, the gas inlet line may be closed, e.g., by closure of a valve (not shown) therein during the cleaning process.
[0146] During normal ion implantation operation, the dopant gas is flowed into the arc chamber 16 in the gas inlet line 22.
[0147] Thus, the gas-phase reactive material may be introduced to the arc chamber, to the vacuum chamber, in neat form, or in combination with another gas species, e.g., a carrier gas or a second or further cleaning gas.
[0148] Although not illustrated in Fig. 1, a holding chamber may be situated between the etchant container and the vacuum or arc chamber.
[0149] Following at least partial removal of the residue from the interior of the chamber to be cleaned, valve 92 is opened and the gases are evacuated using pump 96 via outlet line 94.
[0150] The Figure 1 system 10 thereby is adapted to operate in the stagnant cleaning mode, in which the vacuum chamber is sealed, the vacuum pump 96 is isolated or turned off, and the gas-phase reactive material is introduced into the chamber until a predetermined pressure is reached. The gas-phase reactive material thereafter reacts with the deposits and effects chemical reactive cleaning of the vacuum chamber 100 and the arc chamber 16 and other components in the vacuum chamber. When the requisite degree of cleaning reaction has been achieved, the reaction cleaning product gases (unreacted cleaning agent, carrier gases, reaction by-product gases, gases evolved from system components in situ in the vacuum chamber, etc.) are discharged from the vacuum chamber.」
（［０１４２］図１は、本発明の一実施形態による、静的モード洗浄を実現する
イオン注入装置システム１０
［０１４３］図１に図示される
注入装置システム１０のイオン源領域は、真空チャンバ１００、アークチャンバ１６、加速電極１４、減速電極１２、陰極１８、対陰極２０および仕切弁１１０を含
洗浄組成物を保持する洗浄組成物源容器（
エッチャント容器
）８０が、専用蒸気供給ライン９０によって真空チャンバ１００に連通的に連結され
［０１４４］代替としては、キャリアガス源４４から洗浄ガス供給ライン４７中に例えばアルゴンなどのキャリアガスを流しつつ、４０のような洗浄組成物源容器からアークチャンバ１６内に気相反応物質を導入することができる。このような作動においては、ライン４７中の弁４２および４６が、共に開いている。容器４０内の気相反応物質を加熱し、または蒸発させて、気相の洗浄剤をアークチャンバおよび真空チャンバに流すことが可能である。
［０１４５］さらなる代替形態としては、弁４６を閉鎖することによりキャリアガス源４４を切り離し、それにより供給ライン４７中に、真空チャンバ１００内のアークチャンバ１６の方へと気相反応物質を流してよい。その作動の間、弁４２は開いている。ライン４７中で気相反応物質（図１中のＸｅＦ２）と混合させるために追加の洗浄ガスをガス注入ライン２２中に導入して、多成分洗浄ガスを形成してよい。代替として、洗浄プロセスの間、例えばガス注入ライン中の弁（図示せず）を閉鎖することによって、ガス注入ラインを閉鎖してよい。
［０１４６］通常のイオン注入作動の際には、ドーパントガスが、ガス注入ライン２２中にアークチャンバ１６内へと流される。
［０１４７］したがって、気相反応物質は、混合物のない形態で、あるいは例えばキャリアガスまたは第２のもしくは他の洗浄ガスなどの別のガス種と組み合わされた形態で、アークチャンバへ、真空チャンバへ導入することができる。
［０１４８］図１には図示されないが、保持チャンバが、エッチャント容器と真空チャンバまたはアークチャンバとの間に置かれてよい。
［０１４９］洗浄すべきチャンバの内側部分から残留物を少なくとも部分的に除去した後に、弁９２を開き、ポンプ９６を使用して排出ライン９４を介してガスを排気する。
［０１５０］これにより、図１のシステム１０は、滞留洗浄モードで作動するように適合され、真空チャンバは、シールされ、真空ポンプ９６は、切り離されまたは止められ、気相反応物質は、予め定められた圧力に達するまでチャンバ内に導入される。その後、
気相反応物質は、堆積物と反応し、真空チャンバ１００、アークチャンバ１６および真空チャンバ内の他のコンポーネントの化学反応洗浄を行
反応洗浄剤ガス
は、真空チャンバから排出され
　
エ　「[0204] The conditions enabling reaction of the gas-phase reactive material and the deposits may include any suitable conditions of temperature, pressure, flow rate, composition, etc. under which the gas-phase reactive material chemically interacts with the material sought to be removed from a substrate so as to remove such material. Examples of various conditions that maybe employed include those discussed above with respect to cleaning of ion implantation systems.」
（［０２０４］気相反応物質と堆積物との反応を可能にする条件としては、気相反応物質が基板から除去すべき物質と化学的に相互に作用して、その物質を除去する、温度、圧力、流速、組成などの任意の適切な条件が含まれてよい。使用することのできる様々な条件の例としては、イオン注入システムの洗浄に関連して上述で説明されたものが含まれる。）
　
オ　図１は、次のものである。
　
カ　上記アないしエの記載を踏まえて上記オの図１をみると、真空チャンバ１００には、アークチャンバ１６から仕切弁１１０に向かって、排出ライン９４及びポンプ９６、加速電極１４、減速電極１２、エッチャント容器８０及びエッチャント容器ハウジング８２が順に配置され、アークチャンバ１６の開口部と仕切弁１１０の間がラインをなすことがみてとれる。
　
（２）引用発明
　上記ウにおける、段落［０１４３］の「洗浄組成物」、段落［０１５０］の「気相反応物質」及び「反応洗浄ガス」はいずれも同義であるから、上記アないしカによれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる。
「イオン源領域は、真空チャンバ１００、アークチャンバ１６、加速電極１４、減速電極１２、陰極１８、対陰極２０および仕切弁１１０を含み、
　洗浄組成物を保持する洗浄組成物源容器（エッチャント容器）８０が、専用蒸気供給ライン９０によって真空チャンバ１００に連通的に連結され、
　前記洗浄組成物は、堆積物と反応し、真空チャンバ１００、アークチャンバ１６および真空チャンバ内の他のコンポーネントの化学反応洗浄を行い、
　前記洗浄組成物は、真空チャンバから排出され、
　前記真空チャンバ１００には、アークチャンバ１６から仕切弁１１０に向かって、排出ライン９４及びポンプ９６、加速電極１４、減速電極１２、エッチャント容器８０及びエッチャント容器ハウジング８２が順に配置され、アークチャンバ１６の開口部と仕切弁１１０の間がラインをなす、
　イオン注入装置システム１０の１つまたは複数のコンポーネントの洗浄のための方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「堆積物」、「洗浄組成物」及び「イオン注入装置システム１０」は、本願発明の「イオン化関連堆積物」、「洗浄ガス」及び「イオン注入システム」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用文献には、「キャリアガス源４４から洗浄ガス供給ライン４７中に例えばアルゴンなどのキャリアガスを流しつつ、４０のような洗浄組成物源容器からアークチャンバ１６内に気相反応物質を導入することができる」（上記２（１）ウ［０１４４］）と記載されていることに照らして、「イオン注入装置システム１０」である引用発明の「アークチャンバ１６」内には、洗浄組成物源容器４０から洗浄ガス供給ライン４７と介して洗浄組成物が供給される。
　したがって、「イオン注入装置システム１０」である引用発明の「真空チャンバ１００」における、「アークチャンバ１６から仕切弁１１０に向かって、排出ライン９４及びポンプ９６、加速電極１４、減速電極１２、エッチャント容器８０及びエッチャント容器ハウジング８２が順に配置され、アークチャンバ１６の開口部と仕切弁１１０の間が」なす「ライン」は、本願発明の「イオン注入システムのフォアライン」に相当する。
　
ウ　引用発明の「イオン注入装置システム１０の１つまたは複数のコンポーネントの洗浄のための方法」は、「洗浄組成物」が、「堆積物と反応し、真空チャンバ１００、アークチャンバ１６および真空チャンバ内の他のコンポーネントの化学反応洗浄を行い、前記洗浄組成物は、真空チャンバから排出され」、「アークチャンバ１６の開口部と仕切弁１１０の間がラインをなす」から、当該「洗浄組成物」は、堆積物と化学反応洗浄を行うために、堆積物と接触させるものであり、また、イオン注入装置システム１０のアークチャンバ１６の開口部と仕切弁１１０の間がなすラインにおいて、堆積物と接触して反応し、前記ライン内の化学反応洗浄を行うものであるといえる。
　また、上記「堆積物と接触して反応」させる点に係り、引用文献には、「気相反応物質と堆積物との反応を可能にする条件としては、気相反応物質が基板から除去すべき物質と化学的に相互に作用して、その物質を除去する、温度、圧力、流速、組成などの任意の適切な条件が含まれ」（上記３（１）エ）ると記載されているから、引用発明は、「洗浄組成物」が堆積物を基板から除去するための化学的反応性を有する条件を含むものであるといえる。
　したがって、引用発明の「洗浄組成物」が、「堆積物と反応し、真空チャンバ１００、アークチャンバ１６および真空チャンバ内の他のコンポーネントの化学反応洗浄を行い、前記洗浄組成物は、真空チャンバから排出され」、「アークチャンバ１６の開口部と仕切弁１１０の間がラインをなす」「イオン注入装置システム１０の１つまたは複数のコンポーネントの洗浄のための方法」は、本願発明の、「洗浄ガスが、前記堆積物の少なくとも一部の除去を行うために前記堆積物との化学的反応性を有するという条件下で、イオン注入システムの前記フォアラインを前記洗浄ガスと接触させるステップを含む方法」及び「イオン注入システムのフォアラインからイオン化関連堆積物を除去するために、イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法」に相当する。
　
エ　以上によれば、両者は、
「イオン注入システムのフォアラインからイオン化関連堆積物を除去するために、イオン注入システムのフォアラインを洗浄する方法であって、洗浄ガスが、前記堆積物の少なくとも一部の除去を行うために前記堆積物との化学的反応性を有するという条件下で、イオン注入システムの前記フォアラインを前記洗浄ガスと接触させるステップを含む方法。」
で一致する。
　
（２）よって、本願発明は、引用発明である。
　
４　小括
　以上のとおり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。