【事件の表示】
　特願２０１１−５５１９７６「太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　３月１７日国際公開、ＷＯ２０１１／０３０９７８、平成２４年　８月２３日国内公表、特表２０１２−５１９３７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、２０１０年２月１９日（パリ条約による優先権主張２００９年９月１４日　（ＫＲ）大韓民国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年７月１日付けで特許法第１８４条の４第１項の規定による明細書、請求の範囲、図面（図面の中の説明に限る）及び要約の日本語による翻訳文が提出され、平成２５年１月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１５日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年９月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年１月２７日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年５月３０日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して同年１０月２日に審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１０月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１０月２日付けの手続補正を却下する。
［理由］ 
１　補正の内容
　平成２６年１０月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）を、
「【請求項１】
　１つの単結晶シリコン又は多結晶シリコンで形成された第１導電型を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の前面に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第１結晶塊を含む非晶質シリコンの前面保護層と、
　前記半導体基板の裏面に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第２結晶塊を含む非晶質シリコンのエミッタ層と、
　前記エミッタ層とは離れて前記半導体基板の裏面に形成され、３０％以下の結晶化度を有する第３結晶塊を含む非晶質シリコンの後面電界層と、
　前記半導体基板の前記裏面の前記エミッタ層と前記後面電界層の間に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第４結晶塊を含む非晶質シリコンの後面保護膜と、
　前記エミッタ層上に位置する第１電極と、
　前記後面電界層上に位置する第２電極と
　を含み、
　前記第１結晶塊は前記基板に近接する前記前面保護層の一部に形成され、
　前記第２結晶塊は前記基板に近接する前記エミッタ層の一部に形成され、
　前記第３結晶塊は前記基板に近接する前記後面電界層の一部に形成され、
　前記第４結晶塊は前記基板に近接する前記裏面保護膜の一部に形成され、
　前記第３結晶塊の厚さは前記第４結晶塊の厚さより厚く、
　前記結晶塊のそれぞれは前記半導体基板をシード結晶として用いてエピタキシャル成長することにより得られた多結晶シリコンである
　太陽電池。」
とする補正を含むものである。
２　新規事項の有無
（１）本件補正が、特許法第１８４条の１２第２項により読み替える同法第１７条の２第３項の規定を満たすものであるか否か、すなわち、本件補正が、国際出願日における国際特許出願の明細書若しくは図面（図面の中の説明分に限る）の翻訳文、国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の翻訳文又は国際出願日における国際出願の図面（図面の中の説明を除く。）（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内でなされたものであるかについて検討する。
（２）上記「１　補正の内容」からして、本件補正は、本願補正発明において「前記第３結晶塊の厚さは前記第４結晶塊の厚さより厚く」することを限定する補正事項を含むものである。
　上記補正事項について、審判請求人は、「審判請求書」の【請求の理由】【本願発明が特許されるべき理由】「３．」「（２）」において、「前記第３結晶塊の厚さは前記第４結晶塊の厚さより厚く」することを含む「（構成１）」及び「（構成２）」により、「キャリアの消滅量が減少し、太陽電池の効率が向上するという顕著な作用効果を奏する」と主張している。
　また、審判請求人は、本件補正の補正の根拠につき、審判請求書において、「この補正は、例えば、本願の明細書の段落［００３５］〜［００３９］、［００４８］〜［００５２］、［００５９］〜［００６１］、［００７２］〜［００７４］及び図１〜図５の記載を根拠とするものです。」と主張する。
　そして、本願の明細書の段落【００３５】〜【００３９】、【００４８】〜【００５２】、【００５９】〜【００６１】、【００７２】〜【００７４】及び図１〜図５に記載された太陽電池において、「各後面電界部１７２は基板１１０をシード層としてエピタキシ成長した主に多結晶からなる結晶塊１８３を備える」（本願の明細書の【００５９】）ものであり、「後面保護膜１９２は基板１１０と接している部分から主にエピタキシャル成長された結晶塊１８４を備える」（本願の明細書の【００７２】）ものであるから、本願の明細書の「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」は、本願補正発明の「第３結晶塊」及び「第４結晶塊」に、それぞれ相当する。
　そこで、本願補正発明が含む「前記第３結晶塊の厚さは前記第４結晶塊の厚さより厚く」することにつき、「結晶塊１８３」の厚さは「結晶塊１８４」の厚さより厚くすることを含む「（構成１）」及び「（構成２）」により、上記顕著な作用効果を奏するという技術的事項が、当初明細書等に記載されているか否かについて検討する。
（３）「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」に関して、当初明細書等には、以下の事項が記載されている。
ア　「【００２７】
　先ず、図１及び図２を参照して本発明の一実施の形態に係る太陽電池の一例について詳細に説明する。
　【００２８】
　図１は本発明の一実施の形態に係る太陽電池の一例の部分斜視図であり、図２は図１に図示した太陽電池をＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
　【００２９】
　図１及び図２を参照すると、本発明の一実施の形態に係る太陽電池１は基板１１０、光が入射される基板１１０の前面(front surface) 上に位置する前面保護膜１９１、前面保護膜１９１上に位置する反射防止膜１３０、光が入射されず基板１１０の前面と向い合う基板１１０の後面(rear surface) 上に位置する複数のエミッタ層１２０、基板１１０の後面上に位置し複数のエミッタ層１２０と離隔される複数の後面電界部(back surface field、ＢＳＦ)１７２、複数のエミッタ層１２０と複数の後面電界部１７２の間の基板１１０の後面上に位置する後面保護膜１９２、複数のエミッタ層１２０上に位置する複数の第１電極１４１、そして複数の後面電界部１７２上に位置する複数の第２電極１４２を含む。
　【００３０】
　基板１１０は第１導電型、例えばｎ導電型のシリコンからなる半導体基板である。この時、シリコンは単結晶シリコンまたは多結晶シリコンのような結晶質シリコンである。基板１１０がｎ導電型を有する場合、りん（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）のような５価元素の不純物を含むことができる。しかし、これとは異なり、基板１１０はｐ導電型で有り得、シリコン以外の他の半導体物質から成り得る。基板１１０がｐ導電型を有する場合、基板１１０は、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のような３価元素の不純物を含むことができる。
　【００３１】
　このような基板１００は前面がテクスチャリング(texturing)され凹凸面であるテクスチャリング表面(texturing surface)を有する。
　【００３２】
　基板１１０のテクスチャリング表面の上に位置した前面保護膜１９１は基板１１０の表面近くに存在するダングリングボンドのような結合を安定な結合に変え、結合によって基板１１０の前面の方へ移動した電荷、例えば電子が捕獲され消滅する現象を減少させる。
　【００３３】
　前面保護膜１９１は非晶質シリコンからなり、真性領域である。
　【００３４】
　このような前面保護膜１９１は主に多結晶からなる結晶塊(crystal lump)１８１を備える。
　【００３５】
　結晶塊１８１は基板１１０の結晶質シリコンを種結晶として前面保護膜１９１にエピタキシャル成長した多結晶シリコンである。この結晶塊１８１は主に基板１１０と接している前面保護膜１９１部分に形成される。
　【００３６】
　本発明の実施の形態で、非晶質シリコン膜(amorphous silicon layer)からなる前面保護膜１９１は非晶質ではない(non-amorphous) 部分を含む。この非晶質ではない部分は基板１１０と近接する前面保護膜１９１の部分に分散できる。この非晶質ではない部分は結晶塊１８１と呼ばれうる。一つ以上の結晶塊１８１は前面保護膜１９１に存在でき、結晶塊１８１は結晶質サブ膜(crystalline sublayer)を形成しえるか結晶質サブ膜は結晶塊１８１を含みえる。必ずしも要求されないが、本発明の実施の形態で、結晶質サブ膜は連続層で互いに接続される結晶塊１８１によって形成されうる。他の例では、結晶塊１８１は基板１１０と結合する前面保護膜１９１部分に非連続的に分散することができる。
　【００３７】
　このような結晶塊１８１は前面保護膜１９１の方へ移動したキャリアを捕獲し電荷の損失をもたらす。
　【００３８】
　図３を参照して、単結晶シリコンからなる基板に基づいて非晶質シリコンからなる保護膜に多結晶シリコンの結晶塊が成長する時、保護膜の結晶化度(crystallinity)とライフタイムの関係が示される。本実施の形態で、結晶化度は基板１１０上に積層される膜、例えば前面保護膜１９１の総体積に対して基板１１０をシード層に成長した多結晶シリコンの体積の割合を現わす。
　【００３９】
　図３は本発明の一実施の形態に係って単結晶シリコンの基板をシード層にして非晶質シリコンの前面保護膜に結晶塊が成長される時、前面保護膜の結晶化度によるキャリアライフタイムを測定したグラフである。
　【００４０】
　図３に示すように、結晶化度が増加するほど、すなわち前面保護膜１９１に成長された多結晶シリコンの量が増加するほどキャリア（例、正孔）のライフタイム（Ｔｅｆｆ）が減少する。言い換えれば、成長した多結晶シリコンの量が増加するほど成長した多結晶シリコンによって消滅したキャリアの量が増加した。
　【００４１】
　しかし、結晶化度が約１０％以下である場合、基板から少数キャリアに作用するキャリア（例、正孔）のライフタイム（Ｔｅｆｆ）が基準時間、例えば、約１ｍｓ以上を維持し、キャリアライフタイムが大きく増加することが分かった。この時、基準時間は開放電圧（Ｖｏｃ）の大きさによって決まり、少数キャリアのライフタイム（Ｔｅｆｆ）が約１ｍｓ以上の場合高効率太陽電池の製作が可能である開放電圧（Ｖｏｃ）が得られる。結局、少数キャリアのライフタイム（Ｔｅｆｆ）が約１ｍｓ以上である場合高効率の太陽電池の製作が可能になる。基準時間の少数キャリアのライフタイム（Ｔｅｆｆ）に関し、本実施の形態で、基準時間は約１ｍｓ以上である必要がない。少数キャリアのライフタイム（Ｔｅｆｆ）は０．１ｍｓ（約１００μｓ）以上で有り得また０．２ｍｓ(約２００μｓ)以上でもよい。
　【００４２】
　図３の測定結果によれば、非晶質シリコンの保護膜の結晶化度が約１０％と等しいかより大きい場合成長した多結晶シリコンによって消滅するキャリアの量が増加するためにキャリアのライフタイムが減少することが分かった。
　【００４３】
　したがって本実施の形態の場合、前面保護膜１９１の結晶化度は約１０％以下と等しいがより少なくして成長した多結晶シリコンによって消滅するキャリアの量は減少し、キャリアのライフタイムの減少が少なくなるかまたは防止する。結局、前面保護膜１９１の結晶化度が約０％に近いほどエピタキシャル成長した多結晶シリコンの非結晶化が促進する。これにより、キャリアの消滅量が減少し、太陽電池１の効率が向上する。
　【００４４】
　前面保護膜１９１上に位置した反射防止膜１３０はシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）などからなる。反射防止膜１３０は太陽電池１に入射した光の反射度を減らし特定の波長領域の選択性を増加させ、太陽電池１の効率を高める。本実施の形態で、反射防止膜１３０は単一膜構造を有するが二重膜のような多層膜構造を有することができ、必要によって省略することができる。
　【００４５】
　基板１１０の後面上に位置した複数のエミッタ層１２０は基板１１０の導電型と反対の第２導電型、例えば、ｐ導電型を有し、基板１１０と異なる半導体、例えば、非晶質シリコンからなる。したがって、エミッタ層１２０は基板１１０とｐ−ｎ接合だけではなく異種接合を形成する。
　【００４６】
　図１に示すように、複数のエミッタ層１２０は互いに離隔され、実質的に平行で所定の方向に伸びる。
　【００４７】
　複数のエミッタ層１２０がｐ導電型を有する場合、エミッタ層１２０はホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）のような３価元素の不純物を含むことができ、反対に複数のエミッタ層１２０がｎ導電型を有する場合、りん（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）のような５価元素の不純物を含むことができる。
　【００４８】
　前面保護膜１９１と同様に、各エミッタ層１２０はそれぞれが多結晶からなる複数の結晶塊１８２を備える。
　【００４９】
　すなわち、既に説明したように、結晶質シリコンからなる基板１１０をシード層にして各エミッタ層１２０に多結晶シリコンがエピタキシ成長で生成され結晶塊１８２が形成される。結晶塊１８２の多くは基板１１０と接しているエミッタ層１２０の部分に形成される。
　【００５０】
　本実施の形態で、非晶質シリコン層であるエミッタ層１２０は非晶質ではない部分を含む。この非晶質ではない部分は基板１１０と接している前面保護膜１９１の部分に分散しており、この非晶質ではない部分は結晶塊１８２と呼ばれる。一つ以上の結晶塊１８２はエミッタ層１２０に存在することができ、結晶塊１８２は結晶質サブ膜を形成することができるか結晶質サブ膜は結晶塊１８２を含むことができる。必ずしも要求されないが、本発明の実施の形態では、結晶質サブ膜は連続層で互いに接続される結晶塊１８２によって形成されうる。他の例では、結晶塊１８１は基板１１０と結合する前面保護膜１９１の部分に非連続的に分散することができる。」
イ　「【００５６】
　図１及び図２を参照すると、基板１１０の後面上に位置する複数の後面電界部１７２は複数のエミッタ層１２０と分離しており、互いに実質的に平行に複数のエミッタ層１２０と同一の方向に伸びる。したがって、複数のエミッタ層１２０と複数の後面電界部１７１は基板１１０の後面に交互に位置する。
　【００５７】
　複数の後面電界部１７２は非晶質シリコンからなり、基板１１０と同一の導電型の不純物が基板１１０より高濃度に含む不純物部、例えばｎ＋部である。
　【００５８】
　これにより、基板１１０と後面電界部１７２との不純物ドーピング濃度差によって電位障壁が形成され基板１１０の後面に移動した正孔が複数の第２電極１４２の方へ移動するのが減少するかまたは防止される。複数の第２電極１４２の近傍で電子と正孔の再結合および／または消滅が減る。
　【００５９】
　このような後面電界部１７２も結晶質シリコンである基板１１０上に位置した非晶質シリコンからなるので、各後面電界部１７２は基板１１０をシード層としてエピタキシ成長した主に多結晶からなる結晶塊１８３を備える。
　【００６０】
　本実施の形態で、非晶質シリコン層である後面電界部１７２は非晶質ではない領域または部分を含む。この非晶質でない部分は基板１１０と近接している後面電界部１７２の部分に分散している。この非晶質ではない部分は結晶塊１８３と呼ばれる。一つ以上の結晶塊１８３は後面電界部１７２に存在することができ、結晶塊１８３は結晶質サブ膜(crystalline sublayer)を形成することができるか結晶質サブ膜は結晶塊１８３を含むことができる。必ずしも要求されないが、本発明の実施の形態で、結晶質サブ膜は連続層で互いに接続される結晶塊１８３によって形成されうる。他の例では、結晶塊１８３は基板１１０と結合する後面電界部１７２の部分に非連続的に分散することができる。
　【００６１】
　図５を参照して、非晶質シリコンからなる後面電界部１７２で多結晶シリコンが成長される時、後面電界部１７２の結晶化度とキャリアライフタイムの関係を示す。
　【００６２】
　図５は本発明の一実施の形態に係って単結晶シリコンの基板をシード層にして非晶質シリコンの後面電界部に結晶塊が成長される時、後面電界部の結晶化度によるキャリアライフタイムを測定したグラフである。
　【００６３】
　図３に図示したグラフと同様に、図５に図示したグラフをよく見れば、後面電界部１７２が約３０％以下の結晶化度を有する場合、キャリアライフタイム（Ｔｅｆｆ）は基準時間の約０．１ｍｓ以上であり、後面電界部１７２の結晶化度が約３０％を超過する場合、キャリアライフタイムは約０．１ｍｓ以下であった。
　【００６４】
　したがって、非晶質シリコンの後面電界部１７２の結晶化度が約３０％以下を維持する場合、成長された結晶塊１８３による電荷消滅が減少するので、後面電界部１７２は約３０％以下の結晶化度を有する。
　【００６５】
　基板１１０と反対の導電性タイプを有する複数のエミッタ層１２０と比べて、基板１１０と同一の導電性タイプを有する複数の後面電界部１７２は複数のエミッタ層１２０より大きい結晶化度の余裕度を有しており、その理由は次のようである。
　【００６６】
　本実施の形態の場合、後面電界部１７２が基板１１０と同一のｎ導電型を有しているから、後面電界部１７２は５価の原子をドーパント(dopant)として含んでいる。５価の原子は接している基板１１０のシリコン原子と結合するために電子一つを放出するから、後面電界部１７２の表面に存在する原子の固定電荷は（＋）値を有する。結局、後面電界部１７２の固定電荷は基板１１０から少数キャリアと作用する正孔と同一である値（＋）を有しているので電気的な反撥力によって後面電界部１７２の方への正孔移動の邪魔となる。
　【００６７】
　反対に、基板１１０と反対の導電型を有するエミッタ層１２０はドーパントとして３価元素を含んでいる。したがって、基板１１０のシリコン原子と結合するために電子一つを得るからエミッタ層１２０の表面に存在する原子の固定電荷は（−）になる。これにより、エミッタ層１２０の固定電荷は（＋）値を有する正孔と反対の電荷値を有するので、エミッタ層１２０の方への正孔移動が加速される。
　【００６８】
　このような理由で、基板１１０と同一の導電型の半導体材料が基板１１０上に位置する場合にエピタキシャル成長された多結晶シリコンによって少数キャリアの消失する量は、基板１１０と異なる導電型の半導体材料が基板１１０上に位置する場合に少数キャリアが損失される量より少なくなる。したがって基板１１０と同一の導電型を有する後面電界部１７２の結晶化度は基板１１０と異なる導電型を有するエミッタ層１２０の結晶化度より大きい余裕度を有する。
　【００６９】
　また、基板１１０と複数のエミッタ層１２０の間に形成されたｐ−ｎ接合による内部電位差によって、基板１１０に入射された光によって生成されたキャリア電子-正孔対は電子と正孔に分離し電子はｎ型の方に移動し正孔はｐ型の方に移動する。したがって、基板１１０がｎ型で複数のエミッタ層１２０がｐ型の場合、分離した正孔は各エミッタ層１２０の方へ移動し分離した電子は基板１１０より不純物濃度が高い複数の後面電界部１７２の方へ移動する。
　【００７０】
　各エミッタ層１２０は基板１１０とｐ−ｎ接合を形成するので、本実施の形態と異なり、基板１１０がｐ導電型を有する場合、エミッタ層１２０はｎ導電型を有するようになるので、分離した電子は複数のエミッタ層１２０の方へ移動し分離した正孔は複数の後面電界部１７２の方へ移動する。
　【００７１】
　複数のエミッタ層１２０と複数の後面電界部１７２の間に位置した後面保護膜１９２は、前面保護膜１９１と同様に、非晶質シリコンなどのような非導電性物質からなり、基板１１０の表面近くに存在する不安定な結合を安定した結合に変えて基板１１０の後面方へ移動した電子が欠陷によって消滅することを減少させ、第１電極１４１及び第２電極１４２の間の電気的な干渉を防止する。
　【００７２】
　前面保護膜１９１と同様に、このような後面保護膜１９２は基板１１０と接している部分から主にエピタキシャル成長された結晶塊１８４を備える。したがって前面保護膜１９１を参照して既に説明した結晶質サブ層の検討が後面保護膜９２にも適用されうる。
　【００７３】
　結晶塊１８４は結晶塊１８１と同様に図３に図示したものと同一のキャリアライフタイム特性を有するので、後面保護膜１９２も約１０％以下の結晶化度を有する。
　【００７４】
　複数のエミッタ層１２０上に位置する複数の第１電極１４１は複数のエミッタ層１２０によって延長され、複数のエミッタ層１２０と電気的に接続されている。
　【００７５】
　各第１電極１４１は該当のエミッタ層１２０の方へ移動した電荷、例えば、正孔を収集する。
　【００７６】
　複数の後面電界部１７２上に位置する複数の第２電極１４２は複数の後面電界部１７２によって延長され、複数の後面電界部１７２と電気的に接続される。
　【００７７】
　各第２電極１４２は各後面電界部１７２の方へ移動する電荷、例えば電子を収集する。
　【００７８】
　複数の第１電極１４１及び複数の第２電極１４２はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）及びこれらの組合せからなる群から選択された少なくとも一つの導電性物質から成り得るが、その他の導電性金属物質から成り得る。
　【００７９】
　このような構造を有する本実施の形態に係る太陽電池１は複数の第１電極１４１と複数の第２電極１４２が光が入射されない基板１１０の後面に位置し、基板１１０と複数のエミッタ層１２０が互いに異なる種類の半導体からなる太陽電池として、その動作は次のようである。
　【００８０】
　太陽電池１に光が照射され反射防止膜１３０と前面保護膜１９１を順次にパスして基板１１０に入射されれば光エネルギによって基板１１０から電子-正孔対が発生する。この時、基板１１０の表面がテクスチャリング表面であるので基板１１０前面での光反射度が減少し、テクスチャリング表面で入射と反射動作が行われて光の吸収率が増加するので、太陽電池１の効率が向上する。さらに、反射防止膜１３０によって基板１１０に入射される光の反射損失が減って基板１１０に入射される光の量はさらに増加する。
　【００８１】
　これら電子-正孔対は基板１１０とエミッタ層１２０のｐ−ｎ接合によって互いに分離し正孔と電子はそれぞれｐ導電型を有するエミッタ層１２０とｎ導電型を有する後面電界部１７２の方へ移動し、それぞれ第１電極１４１と第２電極１４２によって収集される。このような第１電極１４１と第２電極１４２を導線で接続すれば電流が流れるようになり、これを外部で電力に利用する。
　【００８２】
　この時、基板１１０とこの基板１１０と接している部分（１９１、１２０、１７２、１９２）の結晶化度をそれぞれ調節し生成された結晶塊（１８１−１８４）による電荷損失を最小化させるので、太陽電池１の効率が向上する。また、本実施の形態では、基板がｎ型である時、ｎ型後面電界部１７２の結晶化度はｐ型であるエミッタ層１２０の結晶化度より大きい。したがって、基板の導電型と同一の導電型を有する層(または膜)の結晶化度は基板の導電型と異なる導電型を有する層(または膜)の結晶化度より大きい。」
ウ　図１
エ　図２
オ　図３
カ　図４
キ　図５
（４）当審の判断
　上記「（３）」「イ」には、「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」について記載されているものの、「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」の厚さについては記載されておらず、「結晶塊１８３」と「結晶塊１８４」との厚さの差を変えることによってどのような特性の差異が生じるかといった、実施例、比較例についての記載もない。また、「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」をどのように形成するかについて具体的な記載がない。
　すると、上記「（３）」「イ」には、「結晶塊１８３」の厚さは「結晶塊１８４」の厚さより厚くすること及びその技術的意義は記載されているとは認められない。
　また、上記「（３）」「ウ」の図１、上記「（３）」「エ」の図２において、「結晶塊１８３」の厚さが「結晶塊１８４」の厚さより厚いことが見て取れるものの、「結晶塊１８３」の厚さは「結晶塊１８４」の厚さより厚くすることの技術的意義までは読み取れないし、上記「（３）」「エ」ないし「キ」の図３ないし５においては、「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」の厚さについては記載されていない。
　さらに、上記「（３）」「ア」ないし「キ」以外の当初明細書等には、「結晶塊１８３」及び「結晶塊１８４」については記載されていない。
　すると、当初明細書等には、「結晶塊１８３」の厚さは「結晶塊１８４」の厚さより厚くすることを含む「（構成１）」及び「（構成２）」により、「キャリアの消滅量が減少し、太陽電池の効率が向上するという顕著な作用効果を奏する」という技術的事項は記載されていない。
　したがって、本願補正発明が含む「前記第３結晶塊の厚さは前記第４結晶塊の厚さより厚く」することは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであって、当初明細書等に記載した事項の範囲内でなされたものではない。
３　結び
　よって、本願補正発明において、「前記第３結晶塊の厚さは前記第４結晶塊の厚さより厚く」することを発明特定事項として追加することを含む本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内でされたものとはいえない。
４　本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１８４条の１２第２項により読み替える特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、平成２６年１月２７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。
「【請求項１】
　１つの単結晶シリコン又は多結晶シリコンで形成された第１導電型を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の前面に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第１結晶塊を含む非晶質シリコンの前面保護層と、
　前記半導体基板の裏面に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第２結晶塊を含む非晶質シリコンのエミッタ層と、
　前記エミッタ層とは離れて前記半導体基板の裏面に形成され、３０％以下の結晶化度を有する第３結晶塊を含む非晶質シリコンの後面電界層と、
　前記半導体基板の前記裏面の前記エミッタ層と前記後面電界層の間に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第４結晶塊を含む非晶質シリコンの後面保護膜と、
　前記エミッタ層上に位置する第１電極と、
　前記後面電界層上に位置する第２電極と
　を含む
　太陽電池。」
２　原査定の拒絶の理由に用いられた、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００８−８５３７４号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審で付与した。）。
（１）「【００２３】
　（第１の実施の形態）
　以下、本発明の一実施の形態について説明する。
【００２４】
　図１（ａ）は本実施の形態に係る光起電力素子５００の裏面を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）の一部拡大図である。
【００２５】
　図１（ａ）に示すように、光起電力素子５００は、長方形状を有する。例えば、短辺の長さが５ｃｍであり、長辺の長さが１０ｃｍである。光起電力素子５００の裏面は、くし形の正極１００およびくし形の負極２００から構成される。正極１００および負極２００は、光起電力素子５００の短辺方向に延び、交互に並んでいる。また、光起電力素子５００の裏面の両長辺に沿ってそれぞれ電極３００，４００が設けられている。
【００２６】
　図１（ｂ）に示すように、正極１００および負極２００には集電極１１，１０がそれぞれ設けられている。集電極１０は電極３００に接続されており、集電極１１は電極４００に接続されている。
【００２７】
　図２は、本実施の形態に係る光起電力素子５００の構造を示す模式的断面図である。
【００２８】
　図２に示すように、
ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）および非晶質窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成されている。ｎ型単結晶シリコン基板１の主面側が光入射面となる。ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、正極１００および負極２００が隣接するように設けられている
【００２９】
　
正極１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成された側ｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含む。負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含む。
光起電力素子５００
【００３０】
　裏面電極８，９は、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＳｎＯ２ （酸化錫）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等からなる透明電極である。集電極１０，１１はＡｇ（銀）等からなる。
【００３１】
　ｉ型非晶質シリコン膜２の膜厚は例えば１０ｎｍ程度であり、反射防止膜３の膜厚は例えば７０ｎｍ程度であり、ｉ型非晶質シリコン膜４，５の膜厚は例えば１５ｎｍ程度であり、ｎ型非晶質シリコン膜６の膜厚は例えば２０ｎｍ程度であり、ｐ型非晶質シリコン膜７の膜厚は例えば１０ｎｍ程度であり、裏面電極８，９の膜厚は例えば７０ｎｍ程度であり、集電極１０，１１の膜厚は例えば２００ｎｍ程度であるが、それに限られない。
【００３２】
　なお、ｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコン膜７との間におけるキャリアの走行距離を短くすることにより発電効率が高まることから、ｐ型非晶質シリコン膜７の幅はｎ型非晶質シリコン膜６の幅よりも広い方が好ましい。
【００３３】
　本実施の形態の光起電力素子５００の正極１００は、ｐｎ接合特性を改善するためにｎ型単結晶シリコン基板１とｐ型非晶質シリコン膜７の間にｉ型非晶質シリコン膜５を設けたＨＩＴ構造を有し、負極２００は、キャリア再結合を防止するためにｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４およびｎ型非晶質シリコン膜６を設けたＢＳＦ（Back Surface Field）構造を有する。
【００３４】
　次に、図２の光起電力素子５００の製造方法を説明する。まず、洗浄したｎ型単結晶シリコン基板１を真空チャンバ内で加熱する。それにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に付着した水分が除去される。その後、真空チャンバ内にＨ２ （水素）ガスを導入して、プラズマ放電によりｎ型単結晶シリコン基板１表面のクリーニングを行う。
【００３５】
　次に、真空チャンバ内にＳｉＨ４ （シラン）ガスおよびＨ２ ガスを導入し、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＮＨ３ （アンモニア）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜２上にプラズマＣＶＤ法により反射防止膜３を形成する。
【００３６】
　次に、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面の一部にメタルマスクを被せる。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ ガスおよびＨ２ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法によりｎ型単結晶シリコン基板１の裏面のメタルマスクを除く部分にｉ型非晶質シリコン膜５を形成する。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＢ２ Ｈ６ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜５上にプラズマＣＶＤ法によりｐ型非晶質シリコン膜７を形成する。
【００３７】
　次いで、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面の一部にｉ型非晶質シリコン膜５およびｐ型非晶質シリコン膜７を覆うようにメタルマスクを被せる。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガスおよびＨ２ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法によりｎ型単結晶シリコン基板１の裏面のメタルマスクを除く部分にｉ型非晶質シリコン膜４を形成する。続いて、真空チャンバ内にＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスおよびＰＨ３（ホスフィン）ガスを導入して、ｉ型非晶質シリコン膜４上にプラズマＣＶＤ法によりｎ型非晶質シリコン膜６を形成する。
【００３８】
　次いで、スパッタリング法により、ｎ型非晶質シリコン膜６およびｐ型非晶質シリコン膜７上にそれぞれ裏面電極８，９を形成する。さらに、スクリーン印刷法により、裏面電極８，９上にそれぞれ集電極１０，１１を形成する。
【００３９】
　本実施の形態の光起電力素子５００においては、入射光の有効利用を妨げる光入射面の導電型シリコン膜、透明電極および集電極が不要になる。それにより、製造工程が短縮化され、コストが低減されるとともに、入射光を最大限に活用できることから出力電圧および曲線因子を最大化できる。」
（２）図２
　図２から、「ｎ型非晶質シリコン膜６」が「ｐ型非晶質シリコン膜７」と離れて形成されていることが見て取れる。
　上記（１）及び（２）より、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ型単結晶シリコン基板１と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）および非晶質窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成され、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、正極１００および負極２００が隣接するように設けられ、
　前記正極１００は、前記ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含み、
　負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含み、
　ｎ型非晶質シリコン膜６がｐ型非晶質シリコン膜７と離れて形成されている、
　光起電力素子５００。」
３　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「ｎ型単結晶シリコン基板１」、「主面（表側の面）」、「ｐ型非晶質シリコン膜７」、「ｎ型非晶質シリコン膜６」、「裏面電極９」、「裏面電極８」及び「光起電力素子５００」は、本願発明の「１つの単結晶シリコン又は多結晶シリコンで形成された第１導電型を有する半導体基板」、「前面」、「非晶質シリコンのエミッタ層」、「非晶質シリコンの後面電界層」、「第１電極」、「第２電極」及び「太陽電池」に、それぞれ相当する。
イ　引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）」は「ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上に」「形成され」ることから、引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）」は、本願発明の「非晶質シリコンの前面保護層」に相当する。
ウ　上記ア及びイより、引用発明の「前記ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）および非晶質窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成され」ることと、本願発明の「前記半導体基板の前面に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第１結晶塊を含む非晶質シリコンの前面保護層」「を含む」ことは、「前記半導体基板の前面に形成され、非晶質シリコンの前面保護層」「を含む」ことで一致する。
エ　上記アより、引用発明の「前記正極１００は、前記ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含」むことと、本願発明の「前記半導体基板の裏面に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第２結晶塊を含む非晶質シリコンのエミッタ層」「を含む」ことは、「前記半導体基板の裏面に形成され、非晶質シリコンのエミッタ層」「を含む」ことで一致する。
オ　上記アより、引用発明の「ｎ型非晶質シリコン膜６がｐ型非晶質シリコン膜７と離れて形成され」、「負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含」むことと、本願発明の「前記エミッタ層とは離れて前記半導体基板の裏面に形成され、３０％以下の結晶化度を有する第３結晶塊を含む非晶質シリコンの後面電界層」「を含む」ことは、「前記エミッタ層とは離れて前記半導体基板の裏面に形成され、非晶質シリコンの後面電界層」「を含む」ことで一致する。
カ　引用発明は「前記正極１００は、前記ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン膜７、裏面電極９および集電極１１を含」むものであるから、引用発明の「裏面電極９」は「ｐ型非晶質シリコン膜７」上に位置するものといえるので、引用発明の「ｐ型非晶質シリコン膜７」上に位置する「裏面電極９」は、本願発明の「前記エミッタ層上に位置する第１電極」に相当する。
キ　引用発明は「負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含む」むものであるから、引用発明の「裏面電極８」は「ｎ型非晶質シリコン膜７」上に位置するものといえるので、引用発明の「ｎ型非晶質シリコン膜７」上に位置する「裏面電極８」は、本願発明の「前記後面電界層上に位置する第２電極」に相当する。
　上記アないしキより、本願発明と引用発明は、
「１つの単結晶シリコン又は多結晶シリコンで形成された第１導電型を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の前面に形成された非晶質シリコンの前面保護層と、
　前記半導体基板の裏面に形成された非晶質シリコンのエミッタ層と、
　前記エミッタ層とは離れて前記半導体基板の裏面に形成された非晶質シリコンの後面電界層と、
　前記エミッタ層上に位置する第１電極と、
　前記後面電界層上に位置する第２電極と
　を含む
　太陽電池。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
＜相違点１＞
　「前面保護層」が、本願発明では、「１０％以下の結晶化度を有する第１結晶塊を含む」のに対し、引用発明では、「ｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）」である点。
＜相違点２＞
　「エミッタ層」が、本願発明では、「１０％以下の結晶化度を有する第２１結晶塊を含む」のに対し、引用発明では、「順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン７」である点。
＜相違点３＞
　「後面電界層」が、本願発明では、「３０％以下の結晶化度を有する第３結晶塊を含む」のに対し、引用発明では、「順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン６」である点。
＜相違点４＞
　本願発明では、「前記半導体基板の前記裏面の前記エミッタ層と前記後面電界層との間に形成され、１０％以下の結晶化度を有する第４結晶塊を含む非晶質シリコンの後面保護膜」を有するのに対し、引用発明では後面保護膜について明記されていない点。
（２）上記相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）」は、「ｎ型単結晶シリコン基板１」上にプラズマＣＶＤ（化学蒸着）法により形成される非晶質シリコン膜である（上記「２」「（１）」の【００３５】）から、引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）」には結晶塊が存在し、その結晶塊の結晶化度として、１０％よりも低いものが存在することは明らかである。
　してみると、引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜２（ノンドープ非晶質シリコン膜）」は、本願発明の「１０％以下の結晶化度を有する第１結晶塊」として、１０％よりも低い「結晶化度を有する第１結晶塊を含む」「前面保護層」に相当するから、相違点１は実質的な相違点ではない。
イ　相違点２について
　引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜５」は、「ｎ型単結晶シリコン基板１」上にプラズマＣＶＤ（化学蒸着）法により形成される非晶質シリコン膜である（上記「２」「（１）」の【００３６】）から、引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜５」には結晶塊が存在し、その結晶塊の結晶化度として、１０％よりも低いものが存在することは明らかである。
　してみると、引用発明の「順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜５、ｐ型非晶質シリコン７」は、本願発明の「１０％よりも低い結晶化度を有する第２結晶塊を含む非晶質シリコンのエミッタ層」に相当するから、相違点２は実質的な相違点ではない。
ウ　相違点３について
　引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜４」は、「ｎ型単結晶シリコン基板１」上にプラズマＣＶＤ（化学蒸着）法により形成される非晶質シリコン膜である（上記「２」「（１）」の【００３７】）から、引用発明の「ｉ型非晶質シリコン膜４」には結晶塊が存在し、その結晶塊の結晶化度として、３０％よりも低いものが存在することは明らかである。
　してみると、引用発明の「順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン６」は、本願発明の「３０％よりも低い結晶化度を有する第３結晶塊を含む非晶質のシリコンの後面電界層」に相当するから、相違点３は実質的な相違点ではない。
エ　相違点４について
　後面電極型の太陽電池において、第１電極と第２電極との間の絶縁性を保つためにＣＶＤ等により形成されたシリコン系の保護膜（パッシベーション膜）を設けることは周知技術（特開２００６−８０４５０号公報の【００１４】、図２、特開２００９−７６５４６号公報の【００５６】、図１１参照。）である。そして、引用発明においても、「裏面電極９」と「裏面電極８」との間の絶縁性を保つという課題は自明のことである。してみると、引用発明の「裏面電極９」と「裏面電極８」との間に上記周知技術を適用してＣＶＤ等により形成されたシリコン系の保護膜を設けるようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、ｎ型単結晶シリコン基板上にＣＶＤ等により形成されたシリコン系の保護膜が、非晶質であって結晶塊が存在し、その結晶塊の結晶化度として、１０％よりも低いものが存在することは明らかである。
　してみると、引用発明において相違点４にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（３）効果について
　本願発明が奏する作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる域を超えるものではない。
４　結論
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　結び
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明を論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。