【事件の表示】
　特願２０１１−５５０９０９「機能素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月２８日国際公開、ＷＯ２０１１／０９００２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２０１１年１月１８日（優先権主張２０１０年１月１９日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月１０日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月１２日に手続補正がなされたが、平成２６年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月６日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２７年５月２８日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月３日に手続補正がなされ、さらに、同年１１月２７日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２８年１月２９日に手続補正がなされたものである。　　　　　
　　　  
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２８年１月２９日付けの手続補正により補正された請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「窒化物系化合物半導体層積層面側が［０００１］方向のｃ面である六方晶構造の基板を分割して得られる上面形状が四辺形の機能素子であって、
　前記基板内部には分割容易部を有し、
　前記基板には前記分割容易部から前記基板を分割することにより露出した基板側面のうち、対向する一組の側面は、少なくとも一面が、（１−１００）面または（０１−１０）面または（−１０１０）面であり、
　前記対向する一組の側面は、［０００１］方向のｃ面側からみてｒ面に沿って、各々、［−１１００］方向または［０−１１０］方向または［１０−１０］方向に５度以上１０度以下で傾斜して形成され、
　前記基板を分割することにより露出した基板側面のうち、対向する他の一組の側面は、［０００１］方向に対し略傾斜しておらず、
　前記基板はサファイアであることを特徴とする機能素子。」
　         　　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
（１）当審拒絶理由に引用した、本願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開２００９／０２００３３号（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。
  　 
　ア　「［１９] 　サファイア基板と、 
　該基板の第１主面に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層を有する略四角形状の半導体発光素子であって、 
　
前記サファイア基板の第１主面に、底面形状が多角形の凸部を有し
　前記サファイア基板の第１主面側からの平面視において、前記凸部底面の多角形の重心から１つの鋭角状の頂点に向う方向Ｘに対して略垂直な方向Ｙに延びる、前記半導体発光素子の
対向する１組の側面
　
他の１組の側面
 　 
　イ　「［０００８］　さらに、
予め設定した分離予定面に沿ってレーザ照射を行って斜め方向にウェハを分割する方法においては、サファイア基板の厚み方向のほぼ全体にわたる多段かつ断続的なレーザ照射は、膜厚方向と面内方向での複数のレーザ照射の制御が必要となり、時間がかかるとともに、製造工程が煩雑になる。加えて、サファイア基板の厚み方向全体にわたるレーザ照射による変質部によって、半導体素子から照射される光が吸収されやすくなり、半導体素子の発光効率の低下を招くという課題もある
　
　ウ　「発明の効果
［００１６］　本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、サファイア基板表面のオフ角に対応して、または
サファイア基板表面に設けた凸部の形状に対応して、サファイア基板裏面からのレーザ照射位置を適所に設定することができる
その結果、予め分割面を試し割りによって確認する必要がなく
　
　エ　「発明を実施するための最良の形態】
［００１８］　本発明の半導体発光素子の製造方法では、まず、サファイア基板を準備する。
　サファイア基板は、通常、ウェハとして、略円盤状でオリエンテーションフラット（ＯＦ）を有している。サファイア基板は、例えば、六方晶のＡｌ２Ｏ３からなる基板、Ｃ面、Ａ面、Ｒ面、Ｍ面のいずれかを主面とするサファイアによる基板、ａ軸に対してｒ軸が直交する基板であり得る。オリフラ面は、Ａ面又はＣ面であることが好ましい。なかでも、
Ｃ面（０００１）を主面とし、オリフラ面をＡ面（１１−２０）とするサファイア基板
　
　オ　「［００３２］　
本発明者らは、凸部の形状がサファイア基板分割の傾斜に対して規則性を有していることを見出す
          　
　カ　「［００３９］　なお、半導体層は、通常、凸部が形成されたサファイア基板の第１主面に形成することが好ましいが、
サファイア基板の第１主面にウェットエッチングで凸部を形成し、その底面形状によって第１破断溝及び第２破断線の最適位置を決定した後、さらにドライ又はウェットエッチング、研磨等により、凸部を部分的に又は完全に除去し、第１主面を平坦化した後、その上に半導体層を積層してもよい
　
　キ　「［００４４］　第１破断溝は、方向Ｘにも延びるように形成することが好ましい。半導体発光素子を矩形形状に容易にチップ化するためである。
  また、サファイア基板の第１主面側からの平面視において、凸部の形状が、例えば、
図１Ｂ及び図２Ｂに示すように、略六角形の形状の場合には、凸部２１の底面２１ａの六角形の重心Ｇから１つの鋭角状の頂点２１ｂに向う方向Ｘに対して略垂直な方向Ｙに延びるように形成する
　
　ク　「［００６１］　本発明の半導体発光素子は、
半導体発光素子の側面における傾斜した面が、サファイア基板の第１主面に対する法線方向から８°±５°傾斜していることが好ましい
サファイア基板内を反射する光を、傾斜した面は効率よく反射させ、垂直な面は意図的に散乱させて、外部への光取出し効率を向上することができる
　
　ケ　「［００６９］　続いて、サファイア基板１０の裏面側から、オフ角が−θの場合には、図５（ａ）に示すように−Ｘo方向に、オフ角が＋θの場合には、図５（ｂ）に示すようにＸo方向に、オリフラ面に対して略垂直方向に延びる第１破断溝１５の分割予定線から、第１破断溝１５と平行に距離βシフトさせた位置であって、かつ、サファイア基板１０の内部に、第２破断線１６を形成した。この場合の
距離βは、例えば、２〜１２μｍ程度、具体的には７μｍ程度である
［００７０］
　また、第２破断線１６は、サファイア基板１０の裏面から、第１段を半導体層までの距離を６５μｍ程度として形成し、半導体層から離れる方向に３５μｍ程度の深さで、フェムト秒レーザによって合計３段階で形成した。
サファイア基板裏面から第２破断線までの距離（第３段目までの距離）は２０μｍ程度であった
　
　コ　「［００８４］　実施例１４ 
　
基板としてＡ面（１１−２０）にオリフラのあるＣ面（０００１）を第１主面とする
この凸部２１は、底面２１ａの形状が変形した略六角錘台形状であり、その底面１１ａの六角形の鋭角同士を結ぶ一辺の長さが５μｍ程度、隣接する凸部２１の重心Ｇ間の距離が７μｍであった
このＸ方向は、オリフラに対して平行な方向であった
［００８５］　
なお、エッチング時間を長く設定することにより、六角形状から、鈍角が削れて三角形状に変わることを確認している
　次に、実施例１と同様に半導体層を形成した。 
　図４（ａ）に示すように、ｎ型半導体層１２の一部として、例えば、ＳｉドープのＧａＮまでをエッチングした溝状の第１破断溝１５を、実施例１３と同様に形成した。 
［００８６］　その後、実施例１３と同様にｐ型半導体層及びｎ型半導体層に電極を形成した。 
　続いて、実施例１３と同様にサファイア基板を研磨し、粘着シートに貼り合わせた。 
　図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、サファイア基板１０の裏面側から、上述した方向Ｘと逆方向である−Ｘ方向に、
オリフラ面に対して略垂直方向の第１破断溝１５
［００８７］　続いて、
実施例１３と同様にウェハをチップ状に分割し、一辺が３５０μｍ程度の半導体チップを得た。この際、ウェハは、図４（ａ）に示すように、サファイア基板の表面に対する法線方向から、−Ｘ方向、つまり、サファイア基板１０の凸部２１底面２１ａにおける頂点２１ｂが向いている方向とは逆の方向に、α°傾斜して、破線に沿って斜めに分割した。この分割面の角度αは、７°程度であった
　これを反射鏡を備えたリードフレームに実装し、砲弾型のＬＥＤを作製した。 
　このように、得られた半導体発光素子は、実施例１３の半導体発光素子と同様の効果が得られるとともに、発光効率も実施例１３と同様であった。」　   　
 　 　 
　サ　図２(Ｂ)は、以下のものである。 
  
　シ　図４は、以下のものである。 
   　　　 　 
（２）引用文献に記載された発明 
　ア　上記（１）アによれば、引用文献には、
　「サファイア基板と、 
　該基板の第１主面に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層を有する略四角形状の半導体発光素子であって、 
　
前記サファイア基板の第１主面に、底面形状が多角形の凸部を有し
　前記サファイア基板の第１主面側からの平面視において、前記凸部底面の多角形の重心から１つの鋭角状の頂点に向う方向Ｘに対して略垂直な方向Ｙに延びる、前記半導体発光素子の
対向する１組の側面
　
他の１組の側面
が記載されているものと認められる。 
　　　　 　 
　イ　上記（１）イないしコの記載を踏まえて、図２（Ｂ）及び図４を見ると、以下のことが理解できる。 
（ア）上記アの「サファイア基板」は、「Ａ面（１１−２０）にオリフラのあるＣ面（０００１）を第１主面とするサファイア基板」であってもよいこと。
　
（イ）「Ａ面（１１−２０）にオリフラのあるＣ面（０００１）を第１主面とするサファイア基板」の場合、上記アの「凸部底面の多角形の重心から１つの鋭角状の頂点に向う方向Ｘ」は、「オリフラに対して平行な方向Ｘ」であること。
　
（ウ）上記アの「底面形状が多角形の凸部」は、ウェットエッチングにより形成されたものであること。
     　
（エ）上記アの「『対向する１組の側面』の『第１主面に対して傾斜した面』」は、「−Ｘ方向」に傾斜していること。　　　　       　
      
（オ）上記アの「略四角形状の半導体発光素子」は、「サファイア基板の第１主面に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層を有するウェハ」を、サファイア基板内部に形成した第２破断線を利用してチップ状に分割して製造されるものであってもよいこと。　
                    　
　ウ　上記ア及びイより、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「Ａ面（１１−２０）にオリフラのあるＣ面（０００１）を第１主面とするサファイア基板と、
　前記サファイア基板の第１主面に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層を有するウェハを、サファイア基板内部に形成した第２破断線を利用してチップ状に分割して製造される略四角形状の半導体発光素子であって、
　前記サファイア基板の第１主面に、ウェットエッチングにより形成された底面形状が多角形の凸部を有し、かつ、 
　前記サファイア基板の第１主面側からの平面視において、前記凸部底面の多角形の重心から１つの鋭角状の頂点に向う、オリフラに対して平行な方向Ｘに対して略垂直な方向Ｙに延びる、前記半導体発光素子の
対向する１組の側面
　
他の１組の側面
          　　　　　　　  　　   　
第４　対比・判断
１　本願発明と引用発明を対比する。
（１）ア　引用発明の「サファイア基板」は、六方晶構造の基板であることが当業者にとって明らかであることに照らせば、引用発明の「Ａ面（１１−２０）にオリフラのあるＣ面（０００１）を第１主面とするサファイア基板」は、本願発明の「［０００１］方向のｃ面である六方晶構造の基板」に相当する。　
　         　
　また、引用発明の「略四角形状の半導体発光素子」は、上面形状が略四角形であって、「サファイア基板の第１主面に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層を有するウェハ」を「第２破断線を利用してチップ状に分割して製造される」ものである。
　     　
　してみると、引用発明と本願発明とは、
　「窒化物系化合物半導体層積層面側が［０００１］方向のｃ面である六方晶構造の基板を分割して得られる上面形状が四辺形の機能素子」
である点で一致する。　　　
　    　
　イ　引用発明の「ウェハ」は、第２破断線を利用してチップ状に分割されるものであるから、引用発明の「第２破断線」は、本願発明の「分割容易部」に相当する。
　また、引用発明の「サファイア基板」は、Ａ面（１１−２０）にオリフラのあることから、「対向する１組の側面」は、ｍ面、つまり、（１−１００）面と（−１１００）面であることは、当業者にとって明らかである（例えば、特開２００８−１９８７４３号公報の図３を参照。　        　
）。　
　　
　してみると、引用発明と本願発明とは、
　「基板内部には分割容易部を有し、
　前記基板には前記分割容易部から前記基板を分割することにより露出した基板側面のうち、対向する一組の側面は、少なくとも一面が、（１−１００）面である」
点で一致する。
　
　ウ　引用発明の「対向する１組の側面」は、第１主面に対して「−Ｘ方向」に傾斜した面を有し、引用発明の「他の１組の側面」は、第１主面に対して略垂直であることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「対向する一組の側面は、［０００１］方向のｃ面側からみて所定方向に傾斜して形成され、
　基板を分割することにより露出した基板側面のうち、対向する他の一組の側面は、［０００１］方向に対し略傾斜していない」
点で一致する。
　　  　　
（２）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　＜一致点＞  
　「窒化物系化合物半導体層積層面側が［０００１］方向のｃ面である六方晶構造の基板を分割して得られる上面形状が四辺形の機能素子であって、
　前記基板内部には分割容易部を有し、
　前記基板には前記分割容易部から前記基板を分割することにより露出した基板側面のうち、対向する一組の側面は、少なくとも一面が、（１−１００）面であり、
　前記対向する一組の側面は、［０００１］方向のｃ面側からみて所定方向に傾斜して形成され、
　前記基板を分割することにより露出した基板側面のうち、対向する他の一組の側面は、［０００１］方向に対し略傾斜しておらず、
　前記基板はサファイアである、機能素子。」　
　　　　  　　　 　
（３）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞
　「対向する一組の側面」に関し、
　本願発明は、「ｒ面に沿って、［−１１００］方向に５度以上１０度以下で傾斜して形成され」ているのに対して、
　引用発明は、その方向に、そのような角度で傾斜しているのか明らかでない点。
　
２　判断
（１）上記＜相違点＞について検討する。
　ア　まず、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項が有する技術的意義について、本願明細書を参酌して検討する。　
　
　本願明細書には、以下の記載がある。　
（ア）「【００３６】
　本発明者らは、窒化物系化合物半導体層積層面側が［０００１］方向のｃ面である六方晶構造の基板を分割して上面形状が四辺形のチップを切り出す場合において、図１に記載の様に、結晶軸の方位を、ａ１軸を［２−１−１０］方向、ａ２軸を［−１２−１０］方向、ａ３軸を［−１−１２０］方向、図１の紙面に対して表面上方に垂直な方向を［０００１］方向のｃ軸と規定した場合、
分割により露出する基板側面が（１−１００）面、（０１−１０）面および（−１０１０）面である場合は、［０００１］方向から各々［−１１００］方向、［０−１１０］方向および［１０−１０］方向に一定の角度θをもってナナメに割れる性質があることを見出した
またこのナナメ割れの角度θは、サファイア基板の場合、約５〜１０度、好ましくは６〜８度の傾きになることがわかった
　
（イ）「【００６７】
　このように改質部３４の位置にオフセットＸsを設けたのは以下の理由による。
本発明者らは、辺２６の分割の際、サファイア基板１０の下にいくにつれて［１−１００］方向に約５〜１０度、特に６度から８度の傾きを持ってクラックが走っている特徴を見出した。その特徴を生かすことでチップを安定して分割する事が可能となる
　
（ウ）「【００７０】
　また、チップ形状は長方形状に限らず、向かい合う辺が平行である２組の辺からなる形状であればよく、例えば平行四辺形であってもよい。その時、
（１−１００）面、（０１−１０）面及び（−１０１０）面（サファイア基板の場合、これらの面は結晶内に存在するｒ面と交わるｍ面に対応する
ｘ−ｒａｙ測定
ｒ面に反って割れる
　       　　　
　上記記載からして、
　サファイア基板におけるｒ面の方位に着目することでサファイア基板の割れやすい方向を特定することができること、また、ｒ面と交わるｍ面が所定方向にナナメに傾斜することが理解できる。
　つまり、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項の技術的意義は、ｒ面と交わるｍ面の一つである（１−１００）面の、傾斜方向及び傾斜角度を明示的に示したものである。
    　     　　    　
　イ　一方、引用発明の「−Ｘ方向」は、ウェットエッチングにより形成された「凸部底面の多角形」の形状により特定され、引用文献の記載によれば（摘記オ及びカを参照。）、その方向は、サファイア基板の割れやすい方向であると認められる。
  　
　ウ　してみると、本願発明と引用発明は、サファイア基板の割れやすい方向を特定している点で、同様の技術的意義を有し、その割れやすい方向は同じであると解される。
　よって、引用発明の「対向する１組の側面」も、サファイア基板の割れやすい方向である「ｒ面に沿って、［−１１００］方向」に傾斜しているものと認められる。　　
　　      　           　
　エ　また、引用文献には「半導体発光素子の側面における傾斜した面が、サファイア基板の第１主面に対する法線方向から８°±５°傾斜していることが好ましい。 」（摘記クを参照。）及び「この分割面の角度αは、７°程度であった。」（摘記コを参照。）と記載されていることから、引用発明の「（ウェハをチップ状に分割した際に露出する）対向する１組の側面」を５度以上１０度以下に傾斜するようになすことは、当業者が容易になし得たことである。　   　
　　  　
　オ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の発明特定事項を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　　    　 　 　　 
（２）効果 
　本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。　
 　　　
（３）請求人の主張
　平成２８年１月２９日提出の意見書の「（ｈ）拒絶理由７について」において、「実施例１４は（おそらく実施例１３のエッチング条件に対し）エッチング条件を変更して、サファイア基板１０表面をエッチングし凸部２１を形成すると読み取れるものの、
エッチング条件の変更とは如何なるものか具体的には何ら記載されず、未知のままとなっております
　一方で、実施例１４が引用する実施例１３においては、分割面の角度αは、１９°程度であった旨記載されます（段落［００８１］）。
　つまり、実施例１３の製造方法の如何なる部分を変更して、分割面の角度αは、１９°程度から７°程度になったのかは全く記載されず未知のままであり、出願当時の当業者が理解できるものではありません。」（第５頁中段を参照。）と主張しているので、この点について検討する。　
　       　
　ア　実施例１３の「凸部」は「略三角錘台形状」であり、実施例１４の「凸部」は「略六角錘台形状」である。
　そして、実施例１４の説明に、「［００８５］　なお、エッチング時間を長く設定することにより、六角形状から、鈍角が削れて三角形状に変わることを確認している。」（摘記コを参照。）と記載されていることから、両者は、「エッチング時間」が異なるものと解される。
　
　イ　そして、引用発明の「略四角形状の半導体発光素子」は、サファイア基板内部に形成した第２破断線を利用してチップ状に分割して製造されるものであることに照らせば、実施例１３では、第２破断線を利用して分割した結果、１９°程度に傾斜し、実施例１４では、第２破断線を利用して分割した結果、７°程度に傾斜したに過ぎない。　　
　          　
　ウ　よって、請求人の上記主張は、採用できない。　
　　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。