【事件の表示】
　特願２０１０−　７９４３５「有機電界発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２０日出願公開、特開２０１１−２１０６７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２２年３月３０日の出願であって、平成２５年１１月１９日付けで拒絶の理由が通知され、平成２６年２月２６日に手続補正がなされるとともに意見書が提出され、同年８月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月９日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、平成２７年８月１２日に上申書を提出し、審査官が同年１月２１日に作成した、特許法第１６４条第３項に定める報告（前置報告）の内容に対して反論している。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２６年１２月９日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
　
「基板と、第１の電極と、有機電界発光層と、第２の電極と、低屈折率層と、ＴＦＴ基板と、透明基板とをこの順に有し、コンタクトホールを介して前記ＴＦＴ基板と前記第２の電極が接続され、前記有機電界発光層からの発光を前記透明基板から出射する有機電界発光装置であって、
　前記第１の電極が、反射電極であり、
　前記第２の電極が半透明金属膜と透明酸化導電膜とからなり、
　前記第１の電極と、前記半透明金属膜と、前記透明酸化導電膜と、前記低屈折率層とで、３つの共振器を構成し、
　前記有機電界発光層が、第１の共振器の光路長調整層となり、
　前記透明酸化導電膜が、第２の共振器の光路長調整層となり、
　前記低屈折率層が、第３の共振器の光路長調整層となり、
　前記第１の電極と前記透明基板の間の薄膜層が、次関係式、φ１ｊ／π＋φ２ｊ／π＋Σｎｉ・ｄｉ＝（(２ｍ−１)λｊ／４）)±０．１λｊを満たすことを特徴とする有機電界発光装置。
　ただし、ｎｉは、前記第１の電極から第ｉ層目の薄膜の屈折率を表す。ｄｉは、前記第１の電極からの前記第ｉ層目の薄膜の膜厚を表す。ｍは、自然数１、２、・・・で、前記共振器のモード数を示す。λｊは、第ｊ共振器の共振波長であり、ｊは１〜３の自然数である。φ１ｊは、ｊ共振波長に対応する前記有機電界発光層から前記第１の電極までの位相ずれを表す。φ２ｊは、光が前記第１の電極を通過した時の位相ずれを表す。」（以下「本願発明」という。）
　
　なお、平成２６年１２月９日付けの手続補正は、平成２６年２月２６日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲（以下「補正前」という。）における請求項１を削除するとともに、補正前の請求項２を新たに請求項１とし、補正前の請求項３ないし８をそれぞれ新たな請求項２ないし７とするものであり、補正前の請求項２は願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項４であるから特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
３　引用例の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００７−２７１０８号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が図とともに記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　ア　「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
  本発明は、平板ディスプレイ装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には、光取り出し効率及び輝度が向上し、かつ製造が容易な平板ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
　
　・・・略・・・
　
【００１０】
  特許文献１には、無機ＥＬ（ＥｌｅｃｔｒｏＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子が形成されている透光性基板の外面に、無機ＥＬ素子と同等ないしそれ以上のサイズを有する集光用のマイクロレンズを複数個設置した無機ＥＬ装置が開示されている。透光性基板と空気との界面に、臨界角以上の角度に入射した光がマイクロレンズ内では臨界角以下の入射角を有して全反射を減らし、光の射出方向を所定の方向に指向させて、その方向での輝度を向上させる。しかし、前記特許文献１では、ＥＬ素子が面光源であるため、当該ＥＬ素子と同等ないしそれ以上のサイズを有するマイクロレンズを利用した場合には集光されず、かえって広がるＥＬ光が必然的に発生し、また、隣接したＥＬ素子による像との重複によって像の鮮明度が低下するという問題点がある。
【００１１】
  特許文献２には、厚さ方向に周囲より屈折率の高い材料で形成された高屈折率部を有している基板に形成されたＥＬ素子が開示されている。ＥＬ素子の光を、高屈折率部を通過して射出させて、光取り出し効率を向上させる。しかし、前記特許文献２では、高屈折率部を通過したＥＬ光が特許文献２の図１に示したように拡散光であるので、その正面から見るとき、輝度が大きく向上しないという問題点がある。
【００１２】
  特許文献３には、有機ＥＬ素子を構成している下部電極と透光性基板の外面との間に１あるいは複数の集光用レンズが形成され、前記有機ＥＬ素子と前記集光用レンズとが対応するように設けられたことを特徴とする有機ＥＬ発光装置が開示されている。集光用レンズを通過したＥＬ素子の光を基板と空気との界面に臨界角以下に入射させて、光取り出し効率を向上させる。しかし、前記特許文献３では、隣接したＥＬ素子による像との重複によって像の鮮明度が低下するという問題点がある。
　
　・・・略・・・
　
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
  本発明は、前記の色々な問題点を解決するためのものであって、光取り出し効率及び輝度が向上し、かつ製造が容易な平板ディスプレイ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。」
　イ　「【発明の効果】
【００２５】
  本発明の平板ディスプレイ装置及びその製造方法によれば、次のような効果が得られる。
【００２６】
  第一に、各副画素から放出される光路上に複数の層を備えた光共振層を備え、前記光共振層に備えられた層が、各副画素から放出される光の波長によって適切な厚さを有することによって、光取り出し効率を高め、かつ輝度を向上させうる。
【００２７】
  第二に、高屈折率の層と低屈折率の層とが交互に備えられた複数の層の構造の光共振層を利用して、光共振層の製造を容易に行える。
【００２８】
  第三に、複数の層を備えた光共振層の形成において、一つの層を形成し、その層をエッチングして適切な段差を有させ、その上部に他の層を形成させる方法を通じて、光共振層の製造工程を単純化させうる。」
　ウ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
  以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。
【００３０】
  図１は、本発明の望ましい第１実施形態による平板ディスプレイ装置、特に、電界発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である。
【００３１】
  図１を参照すれば、
基板１０２の上部に、それぞれ赤色、緑色及び青色の光を放出する副画素を備えた複数の画素が備えられ
副画素が電界発光素子で備えられ
【００３２】
  電界発光ディスプレイ装置は、その画素の発光如何を制御する方式によって、単純マトリックスタイプの受動駆動型（Ｐａｓｓｉｖｅ  マトリックス：ＰＭ）電界発光ディスプレイ装置と、ＴＦＴを備えた能動駆動型（Ａｃｔｉｖｅ  マトリックス：ＡＭ）電界発光ディスプレイ装置とに分けられるところ、本実施形態による電界発光ディスプレイ装置は、ＡＭ電界発光ディスプレイ装置である。
【００３３】
  前記
電界発光素子は
基板１０２の上部に第１電極１３１が備えられており、前記第１電極１３１の上部に前記第１電極１３１と対向した第２電極１３４が備えられ、前記第１電極１３１と前記第２電極１３４との間に、発光層を備える中間層１３３が備えられる
【００３４】
  
前記基板１０２は、透明なガラス材が使われうる
【００３５】
  前記第１電極１３１は、アノード電極の機能を行い、前記第２電極１３４は、カソード電極の機能を行う。もちろん、前記第１電極１３１と前記第２電極１３４との極性は、逆になってもよい。
【００３６】
  本実施形態による
電界発光ディスプレイ装置は、前記基板１０２の逆方向、すなわち、前記第２電極１３４の方向に光が取り出される、いわば、前面発光型の電界発光ディスプレイ装置
前記第１電極１３１が反射型電極となり、前記第２電極１３４が透明電極となる
【００３７】
  前記第１電極１３１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３を形成した構造を取れる。このとき、前記第１電極１３１は、副画素に対応するように備えられうる。
【００３８】
  そして、
前記第２電極１３４は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を前記中間層１３３の方向に蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ
２
Ｏ
３
などの透明電極形成用の物質で補助電極やバス電極ラインを形成した構造を取れる
【００３９】
  これらの電極は、これ以外にも多様な変形が可能である。
【００４０】
  前述したように、
前記第１電極１３１には、ＴＦＴが連結される
前記ＴＦＴは、半導体層１２２と、前記半導体層１２２の上部に形成されたゲート絶縁膜１２３と、前記ゲート絶縁膜１２３の上部のゲート電極１２４と、を備える
【００４１】
  
前記ゲート電極１２４の上部には、層間絶縁膜１２５が形成され、コンタクトホールを通じてソース電極１２６及びドレイン電極１２７がそれぞれ半導体層１２２のソース領域及びドレイン領域に接するように形成される
【００４２】
  前記ソース電極１２６及びドレイン電極１２７の上部には、ＳｉＯ２からなる平坦化膜または保護膜１２８が備えられ、前記平坦化膜１２８の上部には、アクリルまたはポリイミドで形成される画素定義膜１２９が備えられている。
【００４３】
  そして、図面に示していないが、前記ＴＦＴには、少なくとも一つのキャパシタが連結される。そして、このようなＴＦＴを含む回路は、必ずしも図１に示した例に限定されず、多様に変形可能である。
【００４４】
  一方、前記ドレイン電極１２７に電界発光素子が連結される。前記電界発光素子のアノード電極となる第１電極１３１は、前記平坦化膜１２８の上部に形成されており、その上部には、絶縁性画素定義膜１２９が形成されており、前記画素定義膜１２９に備えられた所定の開口部に発光層を備えた中間層１３３が形成される。図１には、前記中間層１３３が前記副画素にのみ対応するようにパターニングされたと示されているが、それは、各副画素の構成を説明するために、便宜上、そのように示したものであり、前記中間層１３３は、隣接した副画素の中間層と一体に形成されうる。
【００４５】
  
前記中間層１３３は、
有機物の場合には、
有機発光層
【００４６】
  高分子有機物の場合には、大体、ＨＴＬ及びＥＭＬで備えられた構造を有し、このとき、前記ＨＴＬにＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬにＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など高分子有機物質を使用する。
【００４７】
  前記中間層１３３の構造及び材料についての説明は、後述する実施形態においても同一に適用され、もちろん、その変形も可能である。
【００４８】
  そして、基板１０２上に形成された電界発光素子は、対向部材（図示せず）によって密封される。対向部材は、前記基板１０２と同一にガラスまたはプラスチック材で備えられうるが、それ以外にも、メタルキャップで形成されてもよい。
【００４９】
  一方、前記副画素の上部に光共振層が備えられるところ、それぞれの副画素が電界発光素子として備えられる本実施形態の場合には、図１に示したように、
前記第２電極１３４の上部に光共振層１２１が備えられ
【００５０】
  このとき、
前記光共振層１２１は、二つ以上の層１２１１，１２１２を備え、前記副画素、すなわち、前記発光層から放出される光の波長によって前記光共振層１２１の厚さが異なって備えられている
【００５１】
  前記のような構造において、前記光共振層１２１の二層のうち前記副画素からの距離、すなわち、前記第２電極１３４からの距離が近い層１２１１を第１層とし、他の層１２１２は、第２層とするとき、前記第１層１２１１は、低屈折率の層であり、前記第２層１２１２は、高屈折率の層でありうる。この場合、発光層から放出された光がその上部に進むにつれて、低屈折率の層と高屈折率の層とを過ぎ、その結果、左右に広がる光が副画素、すなわち、ディスプレイ装置の全面に集中する効果をもたらし、その結果、輝度の向上を図りうる。
【００５２】
  このとき、前記発光層から放出された光路を説明すれば、前記第１層１２１１及び前記第２層１２１２をそのまま通過して取り出される光がある一方、前記第１層１２１１内に進入して、
低屈折率の層である前記第１層１２１１と高屈折率の層である前記第２層１２１２
【００５３】
  このような二つの光の光路差は、前記第１層１２１１の厚さの２倍であるところ、前記第１層１２１１の厚さをｔ１とすれば、光路差は２ｔ１となる。そして、前記後者の光は、原位相と同じ位相を有する。したがって、
前記副画素から放出される光の波長をλとするとき、光路差が波長の整数倍となる場合に補強干渉が発生するので、前記第１層１２１１の厚さｔ１が下記（１）式を満足させる場合に補強干渉が発生
【００５４】
  
ｔ１＝（ｎλ）／２    …（１）
  
前記（１）式で、ｎは自然数である。
【００５５】
  一方、前記発光層から放出された光のうち、前記第１層１２１１と前記第２層１２１２とを全てそのまま通過する光がある一方、前記第２層１２１２の上面で反射された後、前記第１層１２１１の下面で再び反射され、その後に前記第２層１２１２を通じて外部に取り出される光がありうる。この場合、二つの光の光路差は、前記第１層１２１１の厚さをｔ１とし、前記第２層１２１２の厚さをｔ２とすれば、２（ｔ１＋ｔ２）となる。そして、高屈折率の層である前記第２層１２１２の上面で反射され、前記第１層１２１１の下面で反射された後、再び前記第２層１２１２を通過して取り出される光は、高屈折率の層である前記第２層１２１２の上面で反射される時に位相が１８０°変わる。したがって、前記副画素から放出される光の波長をλとするとき、光路差が半波長の奇数倍となる場合に補強干渉が発生するので、前記光路差が下記（３）式を満足させる場合に補強干渉が発生して、光取り出し効率及び輝度が向上する。
【００５６】
  
２（ｔ１＋ｔ２）＝（２ｋ＋１）λ／２    …（３）
  前記（３）式で、ｋは、自然数である。前記（３）式に前記（１）式のｔ１値を代入すれば、次の（２）式が導出される。
【００５７】
  
ｔ２＝（２ｍ＋１）λ／４    …（２）
  
前記（２）式で、ｍは、
自然数である
前記第２層１２１２の厚さｔ２が前記（２）式を満足させることによって
【００５８】
  一般的に、電界発光素子に備えられる各層の屈折率は、約１．５であるので、前記光共振層１２１の低屈折率の層である第１層１２１１の材料は、屈折率が約１．５以下である材料を使用すればよい。このようなものとしては、珪酸マトリックス、メチルシロキサンポリマー、シロキサン、またはＴｉ−Ｏ−Ｓｉのような材料、アクリル酸ポリマーまたはエポキシポリマーなどのポリマー、ＳｉＯ２、ＨｆＯｘ、Ａｌ２Ｏ３などの酸化物、そして、ＭｇＦ、ＣａＦなどのフッ化物などを挙げられる。そして、前記光共振層１２１の高屈折率の層である第２層１２１２の材料は、屈折率が１．５以上である材料を使用すればよい。このために、ＳｉＮｘ、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、またはＴａ２Ｏｘなどの高屈折粒子が分散されているゾルゲル材料を使用できる。
【００５９】
  このとき、前記光共振層１２１の各層１２１１，１２１２は、各副画素に対応させてもよく、各画素に対応させてもよく、前画素にわたって一体に形成させてもよい。もちろん、各副画素から放出する光の波長によって、前記各層１２１１，１２１２の厚さは、前述したように変わることが良い。
【００６０】
  一方、図１に示したように、前記光共振層１２１の二層１２１１，１２１２は、基板１０２の全面にわたって備えられているが、図２に示したように、前記光共振層１２１の二層１２１１，１２１２を各副画素に対応するようにパターニングして備えてもよく、図３に示したように、前記光共振層１２１の第１層１２１１は、各副画素に対応するようにパターニングされ、第２層１２１２は、全面にわたって備えてもよく、図４に示したように、第１層１２１１は、全面にわたって備え、第２層１２１２は、各副画素に対応するようにパターニングさせてもよいなど、多様な変形が可能である。もちろん、そのような場合にも、各層の厚さは、前述した（１）式及び（３）式の条件を満足させるように備えられる。」
　エ　「【図１】
」
　オ　電界発光ディスプレイ装置を概略的に示す断面図である図１（上記エ）からみて、コンタクトホールを通じてソース電極１２６及びドレイン電極１２７がそれぞれ半導体層１２２のソース領域及びドレイン領域に接するといえるならば（【００４１】（上記ウ））、
第１電極１３１
コンタクトホールを通じて
ＴＦＴに
連結されている
ＴＦＴが基板１０２の直上に配置されている
　カ　上記アないしオからみて、引用例１には、
「基板１０２の上部に第１電極１３１が、前記第１電極１３１の上部に前記第１電極１３１と対向した第２電極１３４が、前記第１電極１３１と前記第２電極１３４との間に、有機発光層を備える中間層１３３がそれぞれ備えられた電界発光素子で副画素が備えられ、前記基板１０２の逆方向、すなわち、前記第２電極１３４の方向に光が取り出される、前記第１電極１３１が反射型電極となり、前記第２電極１３４が透明電極となる、前面発光型の電界発光ディスプレイ装置であって、
　前記第１電極１３１には、ＴＦＴがコンタクトホールを通じて連結され、前記ＴＦＴは、基板１０２の直上に配置され、半導体層１２２と、前記半導体層１２２の上部に形成されたゲート絶縁膜１２３と、前記ゲート絶縁膜１２３の上部のゲート電極１２４と、を備え、
　前記第２電極１３４は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を前記中間層１３３の方向に蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極やバス電極ラインを形成した構造をなし、
　前記第２電極１３４の上部に光共振層１２１が備えられ、前記光共振層１２１は、低屈折率の層である第１層１２１１と高屈折率の層である第２層１２１２を備え、前記副画素、すなわち、前記発光層から放出される光の波長によって前記光共振層１２１の厚さが異なって備えられており、
　前記副画素から放出される光の波長をλとするとき、光路差が波長の整数倍となる場合に補強干渉が発生するので、前記第１層１２１１の厚さｔ１が下記（１）式を満足させる場合に補強干渉が発生し、前記第２層１２１２の厚さｔ２が下記（２）式を満足させることによって補強干渉が発生する、
　電界発光ディスプレイ装置。
　
　ｔ１＝（ｎλ）／２    …（１）
  前記（１）式で、ｎは自然数である。
　ｔ２＝（２ｍ＋１）λ／４    …（２）
　前記（２）式で、ｍは、自然数である。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００７−１１５６７９号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【背景技術】
【０００２】
  ＥＬ装置は、発光層と、該発光層の光を共振する共振器構造とを有する光出力部を複数有している。共振器構造は、発光層を挟み込んだ電極間、光が通過するその他の層、部材等を含んで構成されている。この共振器構造で共振した光の共振波長は、ＥＬ装置から出射する光の出射角により変化し、これによってＥＬ装置から出射する光の強度が光の出射角によって変化することが知られている。
【０００３】
  この点に関し、カラー発光を行う従来のＥＬ装置では、各色画素を構成する各光出力部の発光層が発光する赤、緑、青の各色の光の波長と、各光出力部の共振器構造の共振波長との関係に関する対策が十分ではなかった。」
　イ　「【００２１】
  ＜第１実施形態＞
    ＜色ずれの発生原理＞
  本実施形態の構成について説明する前に、まず色ずれの発生原理について説明する。
【００２２】
  図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、ＥＬ装置に含まれる共振器構造の特性と光の出射方向との関係を説明するための図である。
【００２３】
  図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ＥＬ装置１の光出力部１０には、
電界発光を行う発光層を含む有機層３の両側に電極等による反射面５，７が形成され、この反射面５，７により共振器構造９が形成されるようになっている
反射面５，７として機能するものとしては、例えば、電極、光透過特性調整用の調整層の表面、有機層３を封止するための封止膜の表面、及びガラス基板（透明基板）の表面等が挙げられる
　ウ　「【００３７】
  ＜ＥＬ装置の構成＞
  図９は、本発明の第１実施形態に係るＥＬ装置の構成を概略的に示す断面図である。このＥＬ装置２１は、
トップエミッションタイプ
【００３８】
  また、このＥＬ装置２１では、カラー発光を行うため、図１０に示すように、赤、緑、青の各色に対応して第１ないし第３の光出力部５１ｒ，５１ｇ，５１ｂが複数配設されている。ここで、光出力部５１ｒ，５１ｇ，５１ｂとは、発光を行う有機層３３と、その有機層３３が発光した光の経路に形成される上述の共振器構造９（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）とを含めた構成をいう。共振器構造９の具体例及びその特性等については、上述の通りである。」
　エ　「【００４９】
  また、
共振器構造９の要素としては、基本的には、光が通過する領域に存在する全ての層、部材が対象となりうる
ＥＬ装置がトップエミッションタイプの場合、発光層からの光は最終的には封止膜２９を透過して外部へ出射されるため、共振器構造９の要素は、電極３１，３５間に形成される各層、調整層２７、封止膜２９等となる
【００５０】
  各光出力部５１ｒ，５１ｇ，５１ｂの発する光の透過スペクトルの共振ピーク波長（λ２ｒ，λ２ｇ，λ２ｂ）の調節は、例えば、各光出力部５１ｒ，５１ｇ，５１ｂで発光される光の発光スペクトルの発光ピーク波長（λ１ｒ，λ１ｇ，λ１ｂ）に対し、共振器構造９中の各層の光学膜厚（ｎｄ、ｎは層の屈折率、ｄは層の膜厚）を調節することにより行われる。光学膜厚の調節は、各層の膜厚や材料を調節することにより行われる。共振器構造９の光学膜厚（ｎｄ）を大きくすると、共振ピーク波長は長波長側に移動する。一方、共振器構造９の光学膜厚（ｎｄ）を小さくすると、共振ピーク波長は短波長側に移動する。」
　オ　「【００６７】
  また、本実施例では共振器構造要素として電極間の共振器構造要素のみを考慮するようにしたが、
調整層２７、封止膜２９等、外部に出射される発光層からの光が通過する各層を全て含めた共振器構造要素を加味して
共振器構造９の共振ピーク波長と各色の発光ピーク波長との関係を設定する
　カ　「【００７７】
  ＜第３実施形態＞
  図１９は、本発明の第３実施形態に係るＥＬ装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図１９の構成において、上記の図９の構成とおおよそ対応する部分には同一の参照符号を付し、説明の重複を回避することとする。
【００７８】
  本実施形態に係るＥＬ装置６１は、図１９に示すように、
ボトムエミッションタイプ
発光層の発する光は最終的に基板２３を透過して外部に出射される
【００７９】
  このため、
共振器構造９の要素として電極３１，３５間の共振器構造以外に考慮するとすれば、ガラス基板２３自体、及び素子部２５とガラス基板２３との間に介在される図示しない層（平坦化膜等）など、発光層の発する光が通過する領域に存在する各層、各部材が共振器構造として挙げられる
　キ　上記アないしカからみて、引用例２には、
「トップエミッションタイプ又はボトムエミッションタイプであるＥＬ装置において、
　電界発光を行う発光層を含む有機層３の両側に電極等による反射面５，７が形成され、この反射面５，７により共振器構造９が形成されるようになっており、
　反射面５，７として機能するものとしては、例えば、電極、光透過特性調整用の調整層の表面、有機層３を封止するための封止膜の表面、及びガラス基板（透明基板）の表面等が挙げられ、
　共振器構造９の要素としては、基本的には、光が通過する領域に存在する全ての層、部材が対象となり得、
　トップエミッションタイプの場合、発光層からの光は最終的には封止膜２９を透過して外部へ出射されるため、共振器構造９の要素は、電極３１，３５間に形成される各層、調整層２７、封止膜２９等となり、
　ボトムエミッションタイプの場合、発光層の発する光は最終的に基板２３を透過して外部に出射されるため、共振器構造９の要素として電極３１，３５間の共振器構造以外に考慮するとすれば、ガラス基板２３自体、及び素子部２５とガラス基板２３との間に介在される平坦化膜等の層、発光層の発する光が通過する領域に存在する各層、各部材が共振器構造として挙げられる、
　ＥＬ装置。」（以下「引用例２の記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００９−２７７５０７号公報（以下「引用例３」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　ア　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
  以下では、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面においては、各部の寸法の比率は実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００２０】
＜有機ＥＬ装置の断面構造＞
  図１は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ装置（発光装置）１の概略を示す断面図である。
有機ＥＬ装置１は、発光パネル３とカラーフィルタパネル３０とを備え
【００２１】
  
発光パネル３は
複数の発光素子（画素）２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）を有する
  これら各発光素子２には、給電用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）及び配線等が接続されている。このＴＦＴ及び配線等は、基板１０上において、例えば、適当な層間絶縁膜間に構築される。
  なお、図１では、図面の見易さ等を優先するため、前記ＴＦＴ及び配線等の図示はされていない（ちなみに、前記層間絶縁膜は、例えば、後述する反射層１２及び第１電極層１８間や反射層１２及び基板１０間、等々様々な場所に形成されうるが、これも不図示。）。また、図１では、３つの発光素子２しか示されていないが、実際には、図示よりも多数の発光素子が設けられている。以下、構成要素の添字のＲ，Ｇ，Ｂは、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応する。
【００２２】
  図示の発光パネル３はトップエミッションタイプである。
発光パネル３は、基板１０を有する
【００２３】
  
基板１０上の少なくとも発光素子２と重なる位置には、一様な厚さの反射層１２が形成されている
  なお、この反射層１２には、上述のＡｌ・Ａｇのほか、例えば、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｄ、Ｐｄなどが添加されてよい。これにより、耐熱性の向上等が見込まれる。
【００２４】
  基板１０上には、発光素子２を区分する隔壁（セパレータ）１６が形成されている。隔壁１６は、例えばアクリル、エポキシ又はポリイミドなどの絶縁性の樹脂材料で形成されている。
【００２５】
  
各発光素子２は、第１電極層１８、第２電極層２２、並びに、第１電極層１８及び第２電極層２２の間に配置された発光機能層２０を有する
  本実施形態では、第１電極層１８（１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ）は、画素（発光素子２）にそれぞれ設けられる画素電極であり、例えば陽極である。第１電極層１８は、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）又はZnO2のような透明材料から形成されている。第１電極層１８の厚さは、発光色に応じて異なっている。つまり、第１電極層１８Ｒ，１８Ｇ、１８Ｂは、互いに異なる厚さを有する。なお、この点については、後の＜光反射及び透過モデル＞の項においてより詳細に説明する。」
　イ　「【００３０】
  発光機能層２０は白色発光するが、
反射層１２と第２電極層２２との間で光が往復することにより、個々の発光素子２は特定の波長の光が増幅された光を放出する
　ウ　「【００３７】
＜光反射及び透過モデル＞
  図２は、発光機能層２０を発した光の軌跡を簡略的に示す模式図である。発光機能層２０を発した光のうちの一部は、図中左方に示すように、第１電極層１８の側に向かって進行し、
反射層１２の発光機能層２０の側の面で反射する。この反射のときの位相変化をφ
Ｄ
とする
当該第２電極層２２の発光機能層２０の側の面（第２電極層２２における反射層１２に対向する界面）で反射する。この反射のときの位相変化をφ
Ｕ
とする
  これらの場合のうち、後者の場合、即ち光が第２電極層２２で反射する場合、図２に示すように、当該光は、その反射の後、発光機能層２０及び第１電極層１８を透過して、反射層１２の発光機能層１８の側の面で再び反射する。以下、光の反射は、第２電極層２２及び反射層１２において、原理上ないし理想的には、無限に繰り返される。前者の場合、即ち光が反射層１２で反射する場合についても、図示はしないが、同様である。
  なお、図２において各界面での光の屈折による光路変化の図示は省略して、光路は単純な直線ないし曲線で示している。
【００３８】
  このような反射現象が生じることを前提に、本実施形態では、図２（あるいは図１）に示す
光学的距離ｄが、以下の式（１）によって定められている
      
２ｄ＋φ
Ｄ
＋φ
Ｕ
＝ｍλ  …  （１）
  
ここで、λは、共振対象として設定された波長〔ｎｍ〕であり、ｍは任意の整数である。
【００３９】
  本実施形態では、前記のλ、ないしｄは、図１に示すところからも明らかなように、発光素子２Ｒ，２Ｇ及び２Ｂの別に応じて定められる。より具体的には、これら発光素子２Ｒ，２Ｇ及び２Ｂは、上述のように、カラーフィルタ３６Ｒ，３６Ｇ及び３６Ｂのそれぞれと一つのセットを構成するので、波長λとしては、これらカラーフィルタ３６Ｒ，３６Ｇ及び３６Ｂの透過率のピークに相当する波長のそれぞれ（即ち、上述の通りλＲ＝６１０ｎｍ，λＧ＝５５０ｎｍ及びλＢ＝４７０ｎｍ）が設定（ないし代入）されえ、光学的距離ｄとしては、これらλＲ，λＧ及びλＢそれぞれに対応した、ｄＲ，ｄＧ及びｄＢ（図１参照）が求められることになる。なお、このｄＲ，ｄＧ及びｄＢの求根の際、式（１）中のφＤ及びφＵとしては、λＲ，λＧ及びλＢそれぞれに対応した値（φＤ＝φＤＲ，φＤＧ，φＤＢ、あるいは、φＵ＝φＵＲ，φＵＧ，φＵＢ）が使用される。
【００４０】
  そして、上記式（１）によって求められたｄＲ，ｄＧ及びｄＢを実際の装置上で実現するため、本実施形態では、図１に示すように、第１電極層１８（１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂ）の厚さが、各発光素子２（２Ｒ，２Ｇ及び２Ｂ）について調整されている。
  一般に、ある物質についての「光学的距離」は、当該物質の物理的厚さとその屈折率の積として表現されるから、第１電極層１８の物理的厚さをｔ、その屈折率をｎ１８とすれば、当該第１電極層１８及び前記発光機能層２０全体の光学的距離Ｄは、
      Ｄ＝ｔ・ｎ１８＋Ｄ２０  …  （２）
である。ただし、Ｄ２０は、発光機能層２０についての光学的距離である。
  この式（２）中、屈折率ｎ１８は基本的に動かせないので、Ｄ＝ｄＲ，Ｄ＝ｄＧ及びＤ＝ｄＢのいずれかを成立させるためには、ｔを変動させる必要がある。このようにして、Ｄ＝ｄＲのときのｔＲ，Ｄ＝ｄＧのときのｔＧ及びＤ＝ｄＢのときのｔＢ、がそれぞれ見つけられることになり、これらに基づき、第１電極層１８の厚さが調整される。なお、このｔＲ，ｔＧ及びｔＢの求根の際、式（２）中のｎ１８としては、λＲ，λＧ及びλＢそれぞれに対応した値（ｎ１８＝ｎ１８Ｒ，ｎ１８Ｇ，ｎ１８Ｂ）が使用される。
【００４１】
  以上のようなことから、本実施形態においては、
発光機能層２０、反射層１２及び第２電極層２２によって、光共振器が構成される。すなわち、発光機能層２０を発した光は、反射層１２及び第２電極層２２間で反射を繰り返すことによって、ある特定の波長成分をもつ光だけが増幅的干渉を受け、ないしは、共振現象にかかわることになる
  例えば、発光素子２Ｒにおいては、その光学的距離ｄＲが、前記式（１）により、基本的に波長λＲの整数倍として規定されているため、当該発光素子２Ｒでは、その波長λＲを持つ光についての共振現象が生じる。そして、このように増幅された波長λＲの光（即ち、赤色光）の一部は、第２電極層２２が半透過性能をもつため、装置外部へと進行する（図中、第２電極層２２を超えて上向きに延びる矢印参照。）。以上の結果、赤色が強調されることになる。
  このようなことは、緑色・青色についても同様に生じる。」
　エ　「【００５３】
  以上、本発明に係る実施の形態について説明したが、本発明に係る発光装置は、上述した形態に限定されることはなく、各種の変形が可能である。
（１）  まず、上述した実施形態では、発光機能層２０が白色発光する場合について説明しているが、本発明は、かかる形態に限定されない。
  例えば、図６に示すように、発光機能層２００が、上記実施形態の第１電極層１８Ｒ，１８Ｇ及び１８Ｂがカラーフィルタ３６Ｒ，３６Ｇ及び３６Ｂに対応するように形成されていたのと同様に、発光素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにそれぞれ専用の発光機能層２００Ｒ，２００Ｇ及び２００Ｂを備えてよい。これら発光機能層２００Ｒ，２００Ｇ及び２００Ｂの各々は、隔壁１６の画素開口内に配置されている。発光機能層２００Ｒは赤色で発光し、発光機能層２００Ｇは緑色で発光し、発光機能層２００Ｂは青色で発光する。このような各色発光のためには、各発光機能層２００Ｒ，２００Ｇ及び２００Ｂに含ませる有機ＥＬ物質を適宜変更すればよい。また、かかる構造を現実に製造するには、例えば、インクジェット法（液滴吐出法）等が用いられうる。
　
　・・・略・・・
　
【００５９】
（３）  上述した実施形態では、前記（ｉ）〜（ｖｉ）という前提を置いてシミュレーション計算が行われているが、本発明は言うまでもなく、かかる前提に縛られるものではない。
  この点に関連して、以下では特に、低屈折率層２２２とパッシベーション層２７の厚さに関して補足する。
【００６０】
  上述のように、
上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１では、共振器構造が、反射層１２及び第２電極層２２間の各層によって構成される場合が想定されており、かかる観点からすると、低屈折率層２２２とパッシベーション層２７とは、当該共振器構造のいわば外にあることから、共振現象、あるいは、色純度向上効果には無関係であるかのようである。しかしながら、実際の装置上においては、これら各層（２２２，２７）も、少なくとも、最終的に達成される色純度向上効果の優劣に関係をもつ
【００６１】
  したがって、このような事情を鑑みるなら、
低屈折率層２２２、あるいは、パッシベーション層２７の厚さは、各発光素子２Ｒ，２Ｇ及び２Ｂに対応した発光色をもった光のスペクトルの半値幅を狭めるようなものとして設定されていることが好ましい
【００６２】
  ちなみに、上記実施形態における（ｖ）及び（ｖｉ）に係る前提（即ち、低屈折率層２２２の厚さ４５〔ｎｍ〕、パッシベーション層２７の厚さ２２５〔ｎｍ〕）は、そのような事情を勘案した上、試行錯誤的シミュレーションによって求められた好適値としての意義を持つ。
  また、上述において、上記実施形態の実施例としての意義を持つ具体例における前提条件では、パッシベーション層２７の厚さが２２５〔ｎｍ〕とされているのに、比較例における前提条件では、パッシベーション層２７の厚さが２２０〔ｎｍ〕とされているのも、上に述べた事情が反映された結果である。すなわち、比較例は、既述のように低屈折率層２２２が存在しない場合であるが、そのような場合でありながら、色純度向上に係る、いわば最善を目指した結果が、“２２０〔ｎｍ〕”なのである（もっとも、比較例においてそのような最善値があてがわれたとしても、上記実施例が、当該比較例を凌駕する色純度向上効果を奏する（比較例は、実施例に及ばない）ことについては、既に述べたとおりである。）。
　
　・・・略・・・
　
【００６６】
（４）  
上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、トップエミッションタイプであるが、本発明に係る発光装置は、ボトムエミッションタイプであってもよい
この場合、図１、あるいは図２を基準としてみれば、あたかも、反射層１２の位置に“半透明半反射層”が、第２電極層２２の位置に“反射層兼電極層”が、それぞれ位置付けられるかのようになる
  そして、この場合でも、前者の“半透明半反射層”を中心として、本発明に言う「第１層」及び「第２層」（あるいは、「高屈折率層」及び「不活性ガス」）が位置付けられれば、上記実施形態によって奏された作用効果と本質的に相違ない作用効果が奏されることに変わりはない。」
　オ　上記アないしエからみて、引用例３には、
「発光パネル３とカラーフィルタパネル３０とを備え、発光パネル３は、複数の発光素子（画素）２（２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）と基板１０を有し、基板１０上の少なくとも発光素子２と重なる位置には、一様な厚さの反射層１２が形成され、各発光素子２は、第１電極層１８、第２電極層２２、並びに、第１電極層１８及び第２電極層２２の間に配置された発光機能層２０を有する、有機ＥＬ装置であって、
　反射層１２の発光機能層２０の側の面で反射のときの位相変化をφＤとし、第２電極層２２の発光機能層２０の側の面（第２電極層２２における反射層１２に対向する界面）で反射のときの位相変化をφＵとした場合、光学的距離ｄが、下記の式（１）によって定められることにより、発光機能層２０、反射層１２及び第２電極層２２によって、光共振器が構成され、発光機能層２０を発した光は、反射層１２及び第２電極層２２間で反射を繰り返すことによって、ある特定の波長成分をもつ光だけが増幅的干渉を受け、ないしは、共振現象にかかわることになるものであり、
　低屈折率層２２２とパッシベーション層２７も、少なくとも、最終的に達成される色純度向上効果の優劣に関係をもち、低屈折率層２２２、あるいは、パッシベーション層２７の厚さは、各発光素子２Ｒ，２Ｇ及び２Ｂに対応した発光色をもった光のスペクトルの半値幅を狭めるようなものとして設定されていることが好ましい、
　有機ＥＬ装置。
　２ｄ＋φＤ＋φＵ＝ｍλ  …  （１）
  ここで、λは、共振対象として設定された波長〔ｎｍ〕であり、ｍは任意の整数である。」（以下「引用例３の記載事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
４　対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「有機発光層を備える中間層１３３」、「低屈折率の層である第１層１２１１」、「コンタクトホール」、「電界発光ディスプレイ装置」、「反射型電極」、「ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極やバス電極ラインを形成した構造」及び「光共振層１２１」は、それぞれ本願発明の「有機電界発光層」、「低屈折率層」、「コンタクトホール」、「有機電界発光装置」、「反射電極」、「透明酸化導電膜」及び「共振器」に相当する。
　イ　引用発明の「ＴＦＴ」は、半導体層１２２と、前記半導体層１２２の上部に形成されたゲート絶縁膜１２３と、前記ゲート絶縁膜１２３の上部のゲート電極１２４と、を備え、本願発明の「ＴＦＴ基板」は、本願明細書の【００７４】に記載されているように、基板上に、高屈折率層（例えばＳｉＯＮ、屈折率１．５５）の下地保護層を敷き、該下地保護層上にシリコン層を設け、更に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び、ゲート絶縁層と層間絶縁層を設けたものであるから、引用発明の「ＴＦＴ」は、本願発明の「ＴＦＴ基板」に相当する。
　ウ　引用発明は、反射型電極である第１電極１３１の上部に前記第１電極１３１と対向した透明電極となる第２電極１３４を備え、前記第１電極１３１と前記第２電極１３４との間に、「有機電界発光層（有機発光層を備える中間層１３３）」（引用発明の用語を相当する本願発明の用語に置き換えた。（）内の用語は引用発明の元の用語を表す。以下同様。）を備え、前記第２電極１３４の上部に、「低屈折率層（低屈折率の層である第１層１２１１）」を備え、「ＴＦＴ基板（ＴＦＴ）」は、基板１０２の直上に配置されており、要するに、「低屈折率層」と、第２電極１３４と、「有機電界発光層」と、第１電極１３１と、「ＴＦＴ基板（ＴＦＴ）」と、基板１０２とを順に有しているから、引用発明の「有機電界発光装置（電界発光ディスプレイ装置）」と、本願発明の「有機電界発光層」とは、「第１の電極と、有機電界発光層と、第２の電極と、低屈折率層と、ＴＦＴ基板と、基板とを有し」ている点で一致する。
　エ　引用発明において、「ＴＦＴ基板（ＴＦＴ）」が「コンタクトホール（コンタクトホール）」を通じて連結される第１電極１３１が「反射電極（反射型電極）」となり、前記第２電極１３４がＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を前記中間層１３３の方向に蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極やバス電極ラインを形成した構造をなす透明電極であるから、引用発明の「有機電界発光装置（電界発光ディスプレイ装置）」と、本願発明の「有機電界発光装置」とは、「コンタクトホールを介してＴＦＴ基板と第１の電極及び第２の電極のうちいずれか一方が接続され」、且つ、「前記第１の電極及び前記第２の電極のうちいずれか一方が、反射電極であり、前記第１の電極及び前記第２の電極のうち他方が、半透明金属膜と透明酸化導電膜とからなる」点で一致する。
　オ　引用発明において、「共振器（光共振層１２１）」は、「低屈折率層（低屈折率の層である第１層１２１１）」を備えるものであるから、引用発明の「有機電界発光装置（電界発光ディスプレイ装置）」と、本願発明の「有機電界発光装置」とは、「低屈折率層で、共振器を構成する」点で一致する。
　カ　上記アないしオから、本願発明と引用発明とは、
「第１の電極と、有機電界発光層と、第２の電極と、低屈折率層と、高屈折率層と、ＴＦＴ基板と、基板とを有し、コンタクトホールを介して前記ＴＦＴ基板と前記第１の電極及び前記第２の電極のうちいずれか一方が接続され、前記有機電界発光層からの発光を出射する有機電界発光装置であって、
　前記第１の電極及び前記第２の電極のうちいずれか一方が、反射電極であり、
　前記第１の電極及び前記第２の電極のうち他方が、半透明金属膜と透明酸化導電膜とからなり、
　低屈折率層で、共振器を構成する、
　有機電界発光装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：
　本願発明では、基板と、第１の電極と、有機電界発光層と、第２の電極と、低屈折率層と、ＴＦＴ基板と、透明基板とをこの順に有し、コンタクトホールを介して前記ＴＦＴ基板と前記第２の電極が接続され、前記有機電界発光層からの発光を前記透明基板から出射し、前記第１の電極が、反射電極であり、前記第２の電極が半透明金属膜と透明酸化導電膜とからなるのに対し、
　引用発明では、高屈折率層（高屈折率の層である第２層１２１２）と、低屈折率層（低屈折率の層である第１層１２１１）と、反射型電極である第２電極１３４と、有機電界発光層（有機発光層を備える中間層３３）と、第１電極１３１と、ＴＦＴ基板（ＴＦＴ）と、基板１０２とを順に有し、前記第１電極１３１には、ＴＦＴがコンタクトホールを介して連結され、前記基板１０２の逆方向、すなわち、前記第２電極１３４の方向に光が取り出され、前記第１電極１３１が反射型電極となり、前記第２電極１３４がＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を前記中間層１３３の方向に蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極を形成した点。
  
　相違点２：
　本願発明では、第１の電極と、前記半透明金属膜と、前記透明酸化導電膜と、前記低屈折率層と、３つの共振器を構成し、
　前記有機電界発光層が、第１の共振器の光路長調整層となり、
　前記透明酸化導電膜が、第２の共振器の光路長調整層となり、
　前記低屈折率層が、第３の共振器の光路長調整層となり、
　前記第１の電極と前記透明基板の間の薄膜層が、次関係式、φ１ｊ／π＋φ２ｊ／π＋Σｎｉ・ｄｉ＝（（２ｍ−１）λｊ／４）)±０．１λｊを満たす（ただし、ｎｉは、前記第１の電極から第ｉ層目の薄膜の屈折率を表す。ｄｉは、前記第１の電極からの前記第ｉ層目の薄膜の膜厚を表す。ｍは、自然数１、２、・・・で、前記共振器のモード数を示す。λｊは、第ｊ共振器の共振波長であり、ｊは１〜３の自然数である。φ１ｊは、ｊ共振波長に対応する前記有機電界発光層から前記第１の電極までの位相ずれを表す。φ２ｊは、光が前記第１の電極を通過した時の位相ずれを表す。）のに対し、
　引用発明では、第２電極１３４の上部に光共振層１２１が備えられており、前記光共振層１２１は、低屈折率の層である第１層１２１１と高屈折率の層である第２層１２１２を備え、前記副画素、すなわち、前記発光層から放出される光の波長によって前記光共振層１２１の厚さが異なって備えられており、前記副画素から放出される光の波長をλとするとき、光路差が波長の整数倍となる場合に補強干渉が発生するので、前記第１層１２１１の厚さｔ１が下記（１）式を満足させる場合に補強干渉が発生し、前記第２層１２１２の厚さｔ２が下記（２）式を満足させることによって補強干渉が発生するものであるが、光共振器以外の層が共振器となり、前記「３つの共振器」を構成するかどうか、また、該「３つの共振器」が前記関係式を満たすどうかは明らかでない点。
　
　ｔ１＝（ｎλ）／２    …（１）
  前記（１）式で、ｎは自然数である。
　ｔ２＝（２ｍ＋１）λ／４    …（２）
　前記（２）式で、ｍは、自然数である。
　
５　判断
（１）上記相違点１について検討する。
　ア　引用発明は、基板１０２の逆方向、すなわち、第２電極１３４の方向に光が取り出される、前面発光型、言い換えればトップエミッションタイプの電界発光ディスプレイ装置であるが、一般的な有機ＥＬ装置において、トップエミッションタイプとするか、基板から光が取り出されるボトムエミッションタイプとするかは当業者が適宜選択し得ること（引用例２の記載事項（上記４（３）キ）、引用例３の【００６６】（上記４（４）エ）参照。）であるから、引用発明の電界発光ディスプレイ装置をボトムエミッションタイプとなすことは当業者にとって格別困難なことではない。
　イ　上記アのように、引用発明をボトムエミッションタイプとする際に、基板１０２側から光を取り出すことになるため、該基板１０２を透明基板とし、基板側１０２に位置する反射型電極である第１電極１３１を第２電極１３４のような透明電極とし、透明電極である第２電極１３４を第１電極１３１のような反射型電極とし、光共振層１２１を透明電極とした第１電極１３４の下に、低屈折率の層である第１層１２１１を配置するようになすことは、当業者に自明である。
　ウ　本願発明の「基板」について、本願明細書には、以下の記載がある。
「【００６９】
（実施例１）
＜ボトムエミッション構造の有機電界発光装置＞
  実施例１のボトムエミッション構造の有機電界発光装置を以下のように構成した。
　
　・・・略・・・
　
【００７１】
  図８に示すように、ボトムエミッション構造の有機電界発光装置は、透明基板上に、画素電極と、対向電極と、有機電界発光層（ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層）とが形成され、画素電極に対する通電を制御する通電制御部としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、透明基板と有機電界発光層の透明導電酸化膜の間に低屈折率層を有している。ＴＦＴは有機電界発光素子を駆動させるために、層間絶縁層及び低屈折率層を貫通するコンタクトホールを通じて、透明酸化導電膜に電気を流す。この図８に示すボトムエミッション構造の有機電界発光装置では有機電界発光層からの光が透明基板から取り出される。この実施例１では、透明基板として、屈折率が約１．５のイーグル２０００（コーニング社製）を用いた。
　
　・・・略・・・
　
【００７６】
  ・・・略・・・
  以上により、有機電界発光層を作製した。得られた有機電界発光層は、赤（約６１５ｎｍ）の発光に最適化し、赤色有機電界発光表示部（赤色画素要素）である。
  次に、
有機電界発光層上に、ＳｉＯＮを蒸着して封止層を形成し、その上に基板を張り合わせて
　エ　上記ウからみて、本願発明の「基板」は、ＴＦＴや有機電界発光素子を成膜させるための基板ではなく、外部環境からの保護や封止等のために有機電界発光層上に張り合わされるカバー材として用いられるものであり、そのようなカバー材により有機電界発光層を覆うこと（引用例３の【００５７】、【００５８】、図９，１０参照。）は当業者が適宜なし得ることである。
　オ　上記アないしエからみて、引用発明において、ボトムエミッションタイプとするべく、基板と、第１の電極と、有機電界発光層と、第２の電極と、低屈折率層と、ＴＦＴ基板と、透明基板とをこの順に有し、コンタクトホールを介して前記ＴＦＴ基板と前記第２の電極が接続され、前記有機電界発光層からの発光を前記透明基板から出射し、前記第１の電極が、反射電極であり、前記第２の電極が半透明金属膜と透明酸化導電膜とからなるようになすこと、すなわち、相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が引用例２の記載事項及び引用例３の記載事項に基づいて適宜なし得た事項である。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　ア　引用発明は、第２電極１３４の上部に、低屈折率層（低屈折率の層である第１層１２１１）と高屈折率層（高屈折率の層である第２層１２１２）を備える光共振層１２１を配置するものであり、その他の有機電界発光層（有機発光層を備える中間層１３３）や、第２電極１３４の透明酸化導電膜（ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用の物質で補助電極を形成した構造）が共振器となることは明らかではないが、引用例２の記載事項（上記３（２）キ）及び引用例３の記載事項（上記３（３）オ）には、共振器の要素としては、光が通過する領域に存在する全ての層、部材が対象となり得ることが明示され、該明示された事項を考慮すれば、引用発明をボトムエミッションタイプに設計変更するに際し、低屈折率層の他に、有機電界発光層や透明酸化導電膜をそれぞれ共振器となるように光学膜厚を設定することは当業者が引用例２及び引用例３に開示された知見に従うと、当然採用すべきことである。
　イ　引用発明は、第１層１２１１の厚さｔ１が「ｔ１＝（ｎλ）／２」の（１）式を満足させる場合に補強干渉が発生し、第２層１２１２の厚さｔ２が「ｔ２＝（２ｍ＋１）λ／４」の（２）式を満足させることによって補強干渉が発生するものであるが、引用例１の【００５３】及び【００５５】に記載されているように、要するに、前記（１）式と（２）式は、界面で光が反射されるときの位相変化を考慮して使い分けられるものである。
　また、前記ｔ１及びｔ２は、補強干渉を生じさせるために、波長λのｎ／２倍あるいは（２ｍ＋１）／４倍で特定されているのであるから、物理膜厚ではなく、屈折率×物理膜厚で表される光学膜厚であることは当業者に自明であり、前記（２）式については、第２層１２１２の屈折率及び物理膜厚をそれぞれｎ１、ｄ１とすると、「ｎ１・ｄ１＝（２ｍ＋１）λ／４」（以下「（２）−２式」という。）と置き換えることができる。
　そして、第１の電極（反射型電極）と透明基板の間の薄膜層の光学膜厚について、補強干渉が生じるのは、各層の光学膜厚の総和が前記（２）−２を満足する場合である。
　ウ　引用例３の記載事項は、反射層１２の発光機能層２０の側の面で反射のときの位相変化をφＤとし、第２電極層２２の発光機能層２０の側の面（第２電極層２２における反射層１２に対向する界面）で反射のときの位相変化をφＵとした場合、共振器の光学的距離ｄが、２ｄ＋φＤ＋φＵ＝ｍλの式（１）によって定められるというものであり、光学的距離を設定する際に共振対象としての波長の整数倍に対して位相ずれを差分として考慮したものである。
　エ　光路中で生じた位相ずれがある場合に、該位相ずれを考慮して光学的距離を設定することは上記ウのように当業者であれば当然に考慮すべき事項であり、より確実に共振させるために、前述のような位相ずれに限らず、想定できるその他の誤差をも考慮することは当業者が適宜なし得ることである。
　オ　そうしてみると、（２）−２式において、左辺に位相ずれに由来する係数（φ１ｊ／π＋φ２ｊ／π）を加減分として考慮し、右辺に想定できる誤差（０．１λ）を考慮し、反射電極と透明基板の間の薄膜層が、次関係式、φ１ｊ／π＋φ２ｊ／π＋Σｎｉ・ｄｉ＝（（２ｍ−１）λｊ／４）)±０．１λｊを満たす（ただし、ｎｉは、前記第１の電極から第ｉ層目の薄膜の屈折率を表す。ｄｉは、前記第１の電極からの前記第ｉ層目の薄膜の膜厚を表す。ｍは、自然数１、２、・・・で、前記共振器のモード数を示す。λｊは、第ｊ共振器の共振波長であり、ｊは１〜３の自然数である。φ１ｊは、ｊ共振波長に対応する前記有機電界発光層から前記第１の電極までの位相ずれを表す。φ２ｊは、光が前記第１の電極を通過した時の位相ずれを表す。）ようになすこと、すなわち、相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が引用例２の記載事項及び引用例３の記載事項に基づいて適宜なし得たことである。
　
（３）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、引用例２の記載事項の奏する効果及び引用例３の記載事項の奏する効果から当業者が予測することができた程度のものである。
　
（４）したがって、本願発明は、当業者が引用例１ないし３に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び引用例３の記載事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。