【事件の表示】
　特願２０１２−２３１６１３「パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開、特開２０１３−　５８７６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、平成１７年１１月１０日に出願した特願２００５−３２５９２０号（以下「原出願の原出願」という。）の一部を平成２３年５月１０日に新たな特許出願とした特願２０１１−１０４９１７号（以下「原出願」という。）の一部を、さらに平成２４年１０月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年１０月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２５日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２６年２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年５月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。 
　その後、当審において、平成２７年５月７日付けで拒絶理由が通知され、同年７月１３日付けで意見書が提出されたものである。
第２　本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし４に係る発明は、平成２５年１２月２５日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されて事項によって特定されるものであるところ、本願の特許請求の範囲の請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。
「【請求項３】
　ナノインプリントによる凹凸パターンの形成方法であって、
　透明のインプリント用テンプレートを準備する工程と、
　クロム薄膜が積層された石英基板上にインプリントレジストを塗布する工程と、
　前記インプリント用テンプレートを前記インプリントレジストに密着させ、前記インプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンにより前記インプリントレジストを賦型する工程と、
　前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに前記第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程と、
　前記第２のパターンをマスクとして前記石英基板上に第３のパターンを形成する工程と、
　前記第３のパターンをマスクとして、前記石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とするインプリント用テンプレートを用いたパターンの形成方法。」
第３　当審の拒絶理由通知
　当審の拒絶の理由の概略は、以下のとおりである。
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、下記の引用発明及び引用文献２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　刊行物、各刊行物、及び引用発明の認定 
１　原出願の出願前に頒布され、当審の拒絶の理由に引用された刊行物である、特表２００５−５０８０７５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（１）「【０００１】 
　本発明は半導体装置、超小型電子装置、超小型電子機械装置、超小型流体装置に関し、特にリソグラフィックテンプレート、リソグラフィックテンプレートを形成する方法、及びリソグラフィックテンプレートを使用してこれらの装置を形成する方法に関するものである。 
【背景技術】 
【０００２】 
　集積回路の製造には、或る態様で相互に作用する数層の材料の形成が含まれる。これらの層の内の一つ以上がパターニングされて、層の種々の領域が異なる電気特性を有することとなり、さらに層内で相互接続される、或いは、他の層に接続されて電気素子及び電気回路を形成する。これらの領域は種々の材料を選択的に導入する、或いは、除去することにより形成される。このような領域を規定するパターンは多くの場合、リソグラフィプロセスにより形成される。例えば、フォトレジスト材料層がウェハ基板を覆う層の上に塗布される。フォトマスク（透明及び不透明領域を含む）は、このフォトレジスト材料を紫外光、電子線またはｘ線などの照射により選択的に露光するために使用する。この照射に晒されるフォトレジスト材料、或いは、この照射に晒されないフォトレジスト材料のいずれかが現像液を振りかけることにより除去される。次に、残留するレジストにより保護されない層に対してエッチングが行なわれ、次にレジストを除去すると、基板を覆う層がパターニングされている。」 
（２）「【００１６】 
　次に図４のように、
レリーフ画像またはエッチングパターン２６がテンプレート台２４の最上層表面２５の上に形成される。
膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層が透明な石英プレート上に成膜される。レジスト層がこのクロムに塗布され、電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる。次に、レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される。このレジストはクロム層をエッチングするためのマスクとして使用する。次に、クロムが石英プレートをエッチングするためのハードマスクとして機能する。最後に、クロムが除去されると、石英にレリーフ画像を含んだ石英テンプレートが形成される。
（３）「【００１８】 
　次に図８〜１１にはプロセス工程が示され、このプロセス工程では、本発明に従って形成される、図２〜７のテンプレート２０または３０とほぼ同じのリソグラフィックテンプレートが半導体装置４０を製造するために使用される。ここで、半導体装置の製造方法が図８〜１１を参照しながら記載されるが、ここにおける開示により、超小型電子装置、超小型電子機械装置、及び超小型流体装置の製造方法が明らかになるものと考えられる。 
【００１９】 
　最初に半導体基板４４が設けられる。半導体基板には材料層５０により覆われるが、この材料層はそこに加えられる圧力により変形する特性を有する。標準のインプリントリソグラフィが使用される例においては、材料層５０は一般的に、この技術分野において公知であり、標準のレジスト材料であればどのような材料から形成されていてもよい。もう一つ別の方法として、ＳＦＩＬ技術を使用するこの特定の実施形態に示すように、材料層５０は、光硬化有機層またはフォトレジスト層のような光照射により反応する材料として開示される。半導体基板４４はその上を覆う、ポリシリコン、酸化物、金属などのような素子または素子層のみならず、トレンチ及び拡散領域などを有することができる。ソグラフィックテンプレート４２は、図２〜４または図５〜７についての記載に従って形成される。図示のように、ソグラフィックテンプレート４２の表面には、エッチングパターンまたはレリーフ画像４８が形成されている。次に、光照射反応材料層５０に覆われた半導体基板４４は、図９に示すように、ソグラフィックテンプレート４２に近接配置される。図示のように、テンプレート４２はキャリア装置４６により正規の位置に保持される。キャリア装置４６はテンプレート４２の外側部分４７を保持するように位置させられると、ＳＦＩＬプロセス工程中において、キャリア装置４６のクリアランスが確保される。次に図９に示すように、微小な圧力５２がテンプレート４２に加えられ、光照射反応材料層５０がテンプレート４２上のレリーフ画像４８に流れ込む。次に、光照射５３がリソグラフィックテンプレート４２を通過して行なわれ、そして、光照射反応材料層５０に覆われた半導体基板４４上に作画されて光照射反応材料層５０にさらにパターンを画定し、焼き付ける。標準のインプリントリソグラフィが実行される例においては、光照射工程は省略されることに注目されたい。その後図１０に示すように、テンプレート４２が半導体装置４４から取り除かれると、パターン化された有機層５２が残され、次の処理において画像層として使用される。次にパターン化された有機層５２はマスクとして使用され、イオン注入が行なわれて半導体基板４４に注入領域を形成する、或いは、図１１に示すように、従来のウェットエッチングまたはドライエッチングに使用されてパターン５４を半導体基板４４に転写する、または半導体基板４４を覆う素子層（図示せず）に転写する。半導体基板４４をパターニング５４した後、パターン化された有機層５２が除去される。ここで、本発明に従って形成されたテンプレートは、好適な実施形態において半導体装置を製造するために使用されるものとして記載されているが、図２〜７に示すテンプレート２０または３０とほぼ同じのテンプレートを使用することにより、超小型電子装置、超小型電子機械装置及び超小型流体装置を形成することも意図していることを理解されたい。」 
（４）図４ 
（５）上記（１）ないし（４）より、「レリーフ画像」の形成方法は、以下アないしキの工程を具備するといえる。
ア　「膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層が透明な石英プレート上に成膜される」工程。
イ　「レジスト層がこのクロムに塗布される」工程。
ウ　「電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる」工程。
エ　「次に、レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される」工程。
オ　「このレジストはクロム層をエッチングするためのマスクとして使用する」ことは、「このレジスト」を「マスクとして使用」して「クロム層をエッチングする」工程といえる。
カ　「次に、クロムが石英プレートをエッチングするためのハードマスクとして機能する」ことは、「次に、クロム」を「ハードマスクとして機能」させ「石英プレートをエッチングする」工程といえる。
キ　「最後に、クロムが除去されると、石英にレリーフ画像を含んだ石英テンプレートが形成される」工程。
　上記（１）ないし（５）によれば、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「レリーフ画像の形成方法であって、
　膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層が透明な石英プレート上に成膜され、レジスト層がこのクロムに塗布される工程と、 
　レジスト層が、電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる工程と、 
　次に、レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される工程と、 
　このレジストをマスクとして使用してクロム層をエッチングする工程と、
　次に、クロムをハードマスクとして機能させ石英プレートをエッチングする工程と、 
　最後に、クロムが除去されると、石英にレリーフ画像を含んだ石英テンプレートが形成される工程と、 
を具備するレリーフ画像の形成方法。」 
２　原出願の出願前に頒布され、当審の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開２０００−１９４１４２号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（１）「【００１５】また、基板２０は、素子が何ら形成されていないベアの半導体基板であってもよいし、所定の素子が既に形成されている半導体基板であってもよい。また、半導体基板以外の基板であってもよい。本明細書では、これら基板を総称して下地基板としても表すこととする。次いで、
基板２０の光硬化性物質層２２を形成した面側にモールド１０の凹凸面側が対向するようにモールド１０と基板２０とを重ね合わせ（図１（ｄ））、モールド１０と基板２０とを圧着する。これにより、液体状の光硬化性物質層２２はモールド１０の表面に形成された凹凸パターンに従って流動し、この結果、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンに保たれる
【００１６】なお、光硬化性物質層２２は液体状であるため、モールド１０と基板２０との圧着に必要とされる圧力は数気圧程度で足りる。また、モールド１０を光硬化性物質層２２に接触させた後であっても比較的容易にモールド１０を水平方向に移動することができる。したがって、基板２０に対するモールド１０の位置合わせが容易となる。 
【００１７】
次いで、モールド１０と基板２０とを圧着した状態で、モールド１０の裏面側から光（例えば紫外線）を照射し、光硬化性物質層２２を硬化させる（図２（ｂ））。これにより、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンを有する状態で硬化される
【００１８】
次いで、モールド１０を基板２０から脱着する。
【００１９】次いで、必要に応じて、基板２０の表面全体の光硬化性物質層２４を僅かにエッチングし、光硬化性物質層２４が残存すべきでない領域に薄く残存する光硬化性物質層２４を除去する。
これにより、基板２０上には、光硬化性物質層２４よりなるレジストパターン２６が形成される
【００２０】
次いで、このように形成したレジストパターン２６をマスクとして、基板２０対して所定の処理を行う。
インプリント法を用いたパターン形成方法
（２）図１
（３）図２
　上記（１）ないし（３）によれば、引用文献２には、以下の事項（以下「引用文献２に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「基板２０の光硬化性物質層２２を形成した面側にモールド１０の凹凸面側が対向するようにモールド１０と基板２０とを重ね合わせ、モールド１０と基板２０とを圧着し、これにより、液体状の光硬化性物質層２２はモールド１０の表面に形成された凹凸パターンに従って流動し、この結果、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンに保たれ、 
　次いで、モールド１０と基板２０とを圧着した状態で、モールド１０の裏面側から光を照射し、これにより、光硬化性物質層２２を硬化させ、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンを有する状態で硬化され、
　次いで、モールド１０を基板２０から脱着し、基板２０上には、光硬化性物質層２４よりなるレジストパターン２６が形成され、 
　次いで、このように形成したレジストパターン２６をマスクとして、基板２０対して所定の処理を行う。 
　インプリント法を用いたパターン形成方法。」 
第５　対比・判断 
１　本願発明と引用発明とを対比する。 
（１）引用発明の「膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層」及び「透明な石英プレート」は、本願発明の「クロム薄膜」及び「石英基板」に、それぞれ相当する。
（２）引用発明の「レリーフ画像」は、本願発明の「凹凸パターン」及び「凹凸で構成された第４のパターン」に相当する。
（３）引用発明の「レジスト層」は本願発明の「インプリントレジスト」と「レジスト」という点で共通するので、引用発明の「膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層が透明な石英プレート上に成膜され、レジスト層がこのクロムに塗布される工程」は、本願発明の「クロム薄膜が積層された石英基板上にインプリントレジストを塗布する工程」と、「クロム薄膜が積層された石英基板上にレジストを塗布する工程」の点で一致する。
（４）引用発明の「レジスト層が、電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる工程と、次に、レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される工程」より、引用発明の「クロム層上に」「形成される」「レジスト」の「パターン」は、本願発明の「第２のパターン」に相当する。
　よって、引用発明の「レジスト層が、電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる工程と、次に、レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される工程」は、本願発明の「前記インプリント用テンプレートを前記インプリントレジストに密着させ、前記インプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンにより前記インプリントレジストを賦型する工程と、前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに前記第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程」と、「前記レジストに第２のパターンを形成する工程」の点で一致する。
（５）引用発明の「このレジストをマスクとして使用してクロム層をエッチングする工程」における「このレジスト」は、上記（３）より「第２のパターン」に相当するので、「クロム層」「エッチングする工程」によって本願発明の「第３のパターン」が形成されているといえる。
　よって、引用発明の「このレジストをマスクとして使用してクロム層をエッチングする工程」は、本願発明の「前記第２のパターンをマスクとして前記石英基板上に第３のパターンを形成する工程」に相当する。
（６）引用発明の「次に、クロムをハードマスクとして機能させ石英プレートをエッチングする工程と、最後に、クロムが除去されると、石英にレリーフ画像を含んだ石英テンプレートが形成される工程」は、本願発明の「前記第３のパターンをマスクとして、前記石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターンを形成する工程」に相当する。 
　上記（１）ないし（６）より、本願発明と引用発明は、 
「凹凸パターンの形成方法であって、 
　クロム薄膜が積層された石英基板上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストに第２のパターンを形成する工程と、
　前記第２のパターンをマスクとして前記石英基板上に第３のパターンを形成する工程と、 
　前記第３のパターンをマスクとして、前記石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターンを形成する工程と、 
を具備するパターンの形成方法。」 
の点で一致し、以下の相違点で相違する。 
＜相違点＞「前記レジストに第２のパターンを形成する工程」について、本願発明では、「ナノインプリント」により、「インプリント用テンプレートを用いた」ものであり、「レジスト」は「インプリントレジスト」であり、「前記レジストに第２のパターンを形成する工程」が、「透明のインプリント用テンプレートを準備する工程」と、「前記インプリント用テンプレートを前記インプリントレジストに密着させ、前記インプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンにより前記インプリントレジストを賦型する工程と、前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに前記第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程」であるのに対して、引用発明では「レジスト」が特定されておらず、「レジスト層が、電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる工程と、次に、レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される工程」である点。
２　上記相違点について検討する。
（１）引用文献２に記載された事項では、「基板２０の光硬化性物質層２２を形成した面側にモールド１０の凹凸面側が対向するようにモールド１０と基板２０とを重ね合わせ、モールド１０と基板２０とを圧着し・・・モールド１０と基板２０とを圧着した状態で、モールド１０の裏面側から光を照射し、これにより、光硬化性物質層２２を硬化させ、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンを有する状態で硬化され・・・基板２０上には、光硬化性物質層２４よりなるレジストパターン２６が形成され」ることから、引用文献２に記載された事項の「モールド１０」、「光硬化性物質層２２」はそれぞれ「透明のインプリント用テンプレート」、「インプリントレジスト」であるといえ、また、引用文献２に記載された事項もレジストにパターンを形成するものであるといえる。
（２）引用文献２に記載された事項では、「基板２０の光硬化性物質層２２を形成した面側にモールド１０の凹凸面側が対向するようにモールド１０と基板２０とを重ね合わせ」ることから、引用文献２に記載された事項においても、透明のインプリント用テンプレートを準備し、インプリント用テンプレートをインプリントレジストに密着させるものといえる。
（３）引用文献２に記載された事項では、「モールド１０と基板２０とを圧着し、これにより、液体状の光硬化性物質層２２はモールド１０の表面に形成された凹凸パターンに従って流動し、この結果、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンに保たれ」ることから、引用文献２に記載された事項においても、インプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンによりインプリントレジストを賦型するといえる。
（４）引用文献２に記載された事項では、「モールド１０と基板２０とを圧着した状態で、モールド１０の裏面側から光を照射し、これにより、光硬化性物質層２２を硬化させ、光硬化性物質層２２は、モールド１０の表面に形成された凹凸パターンに嵌合する凹凸パターン、すなわち、基板２０上に転写すべきパターンを有する状態で硬化され」ることから、引用文献２に記載された事項においても、インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターンを形成するといえる。
（５）上記（１）ないし（４）より、引用発明も引用文献２に記載された事項もレジストにパターンを形成するという点で共通するものであるから、引用発明の「レジスト層」を「パターニングする工程」として、引用文献２に記載された事項である「インプリント法」を用いて上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明が奏する作用効果も、当業者が予測できる域を超えるものではない。 
３　請求人の主張について
　請求人は、平成２７年７月１３日付けで提出された意見書の「２−３．本願発明と引用発明との対比・判断」において、「したがって、原版となるインプリント用テンプレートの作製時に、電子ビーム等を用いてパターン生成装置を用いることは、本願の出願時における技術常識である。・・・中略・・・つまり、インプリント用テンプレートが無いにもかかわらず、引用文献１に接した当業者が、クロム層をエッチングするためのマスクとして使用されるレジストにパターンを形成するために引用文献２に記載された事項を適用し、インプリント用テンプレートを用いたレジストのパターン形成を試みようとすることはあり得ません。したがいまして、引用発明１に対して引用文献２に記載された事項を適用するにあたっては阻害要因が存在し、両者を組み合わせることはできません。」、「したがって、インプリント用テンプレート（リソグラフィックテンプレート）の作製にナノインプリントを適用することを動機付ける記載がない以上、当業者であっても引用発明１に引用文献２に記載された事項を組み合わせることは無いと考えられます。」と主張している。
　しかしながら、本願発明の対象は、「凹凸パターンの形成方法」であって、「インプリント用テンプレート」の製造方法ではない。したがって、「引用発明１に対して引用文献２に記載された事項を適用するにあたっては阻害要因が存在」するとの請求人の上記主張は、本願の請求項３の記載に基づくものではない。
　また、引用発明も引用文献２に記載された事項もレジストにパターンを形成するという点で共通するものであるから、引用発明に引用文献２に記載された事項を適用するにあたって、動機付けがないとはいえない。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
４　まとめ 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。