【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
かかる装置は熱放射源を備え、該熱放射源からの電磁波を導波管に結合させるよう前記熱放射源が配置され、熱放射源は、電磁波の波長の５分の１未満の幅を有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
このように小さな熱放射源は導波管のエバネッセント波領域内に配置することができるという利点を有し、エミッタに近い場所と導波管モードとの間に強い重なりを生じさせる。これは、波長よりも小さな幅によって部分的に偏光された放射源としても作用する。これは、導波管に好ましい伝播モードを励起するために使用することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
熱放射源は、導波管に好ましい伝播モードを励起することができるように、導波管の断面内において、導波管から、電磁波の一波長に等しい距離の範囲内に配置され得、好ましくは、導波管から、電磁波の波長の５分の１に等しい距離の範囲以内に配置され得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
検出要素は、導波管の好ましい伝播モードを検出できるように、導波管の断面内において、導波管から、電磁波の一波長に等しい距離の範囲内に配置され得、好ましくは導波管から、電磁波の波長の１０分の１に等しい距離の範囲以内に配置され得る。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
熱放射源及び／又は検出要素は、周期的な構造に含まれても良い。検出要素は電磁波の波長の５分の１未満の幅を有することができる。従って、検出要素は周期的な構造に組み入れられても良い。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
センサ装置は熱放射源を備え、該熱放射源からの電磁波を導波管に結合させるように前記熱放射源が配置され、放射源は電磁波の波長の５分の１未満の幅を有し、電磁波は熱放射源に交流電流を励起することによって供給され、交流電流は熱放射源から検出器までの熱伝導及び／又は対流経路の熱遮断周波数よりも高い周波数を有し、よって電磁放射の伝播を可能にしつつ熱源から検出器への熱波の伝播を防止する。熱は、導波管だけでなく、基板及び空気を介して伝導及び／又は対流することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
図５には、導波管２のセクションと一体化された熱放射源１０の一例が示されている。熱放射源は、導波管を横切ってのび、電流源を接続するための一対の電気接続パッド１１に接続されたワイヤを備えている。ワイヤは導波管を横断してのびる長さを有し、電磁波の波長の５分の１未満の幅を有する。熱放射源は、その源からの電磁波を導波管に結合させるよう導波管の表面上に配置される。従って、その源は導波管内の好ましい伝播モードを励起するよう、導波管から、電磁波の一波長に等しい距離の範囲内に配置されている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
同様に、センサ装置は、検出要素に導波管からの電磁波を結合するよう配置された検出要素を備えている。その構成が放射熱源に類似するので、図５にはボロメータ検出要素が示されている。上記検出要素は、導波管内の好ましい伝播モードを検出するように、導波管の断面において、導波管から、電磁波の一波長に等しい距離の範囲内に配置され、好ましくは、導波管から、電磁波の波長の５分の１に等しい距離の範囲内に配置されている。検出要素は、導波管に接しているか又は導波管から離間している。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
センサ装置１は、図５に示すように、放射源からの電磁波を導波管に結合するように配置された熱放射源１０を備えている。放射源は、電磁波の波長の５分の１未満の幅を有する。電磁波は、熱放射源を交流電流で励起させることによって提供される。ここで、交流電流は、放射源から検出器までの熱伝導及び／又は対流経路の熱遮断周波数よりも高い周波数を有し、それにより、電磁放射の伝播を可能にする一方で、熱放射源から検出器への熱波の伝播を防止する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板平面（４）を画定する平面基板（３）及び電磁波を案内するための導波管（２）を備えるセンサ装置において、
前記導波管が、基板平面（４）と平行な導波管面（４'）に長さ方向にのび、
前記導波管が、長さ方向に垂直な方向において前記導波管面内の幅（Ｗ、ｗ）を有し、かつ、長さ方向に垂直な方向において前記導波管面から高さ（ｈ）を有し、
高さ（ｈ）に対する幅（Ｗ、ｗ）の比率が５倍以上あり、
前記導波管（２）の高さ（ｈ）が、電磁波の波長よりも短く、
前記導波管（２）が、前記導波管（２）の長さ方向に沿って、基板から前記導波管（２）にのび、且つ前記導波管（２）の支持点で前記導波管（２）の幅（Ｗ、ｗ）よりも小さい幅（Ｗｓ）を有する、支持構造体（５）によって基板の上に支持され、
前記導波管（２）の幅（Ｗ、ｗ）が、前記導波管（２）の長さ方向に沿って変化し、
前記支持構造体（５）の幅（Ｗｓ）が、前記導波管（２）の長さ方向に応じて変化し、
前記導波管（２）が第一の組成材料から成り、前記支持構造体（５）が第二の組成材料から成る
ことを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記導波管（２）が、長さ方向の少なくとも第一の部分に沿って支持され、前記導波管（２）が長さ方向の少なくとも第二の部分に沿って遊離するように、前記導波管（２）及び支持構造体（５）の幅が縮小することを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記導波管（２）が、長さ方向の複数の部分に沿って遊離し、そのため複数の支持柱（２１）が形成され、支持柱（２１）の中心から隣接する支持柱（２１）の中心までの距離が、長さ方向に沿って変化することを特徴とする請求項２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記装置が、前記導波管（２）を偏向させるように、前記導波管（２）の遊離する部分に力を印加する手段を備えることを特徴とする請求項２又は３に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記導波管（２）が、前記導波管（２）の長さ方向に沿って少なくとも１つのギャップ（７）を備え、前記少なくとも１つのギャップが電磁波の波長よりも小さいことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項６】
前記装置が熱放射源（１０）を備え、該熱放射源からの電磁波が導波管（２）に結合されるように前記熱放射源（１０）が配置され、前記熱放射源が電磁波の一波長の５分の１未満の幅を有することを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項７】
前記熱放射源（１０）が、前記導波管（２）で好ましい伝播モードを励起するように、前記導波管（２）の断面において、前記導波管（２）から、電磁波の一波長に等しい距離の範囲内に配置されることを特徴とする請求項６に記載のセンサ装置。
【請求項８】
前記熱放射源（１０）が、前記導波管（２）に当接して又は前記導波管（２）から離間して置かれることを特徴とする請求項６又は７に記載のセンサ装置。
【請求項９】
前記装置が、前記導波管（２）からの電磁波を結合するように配置された検出要素（１３、１３'、１３"）を備えることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１０】
前記検出要素が、前記導波管（２）の好ましい伝播モードを検出するように、前記導波管（２）の断面において、前記導波管（２）から、電磁波の一波長に等しい距離の範囲内に配置されるに配置されることを特徴とする請求項９に記載のセンサ装置。
【請求項１１】
前記検出要素が、前記導波管（２）に当接して又は前記導波管（２）から離間して置かれることを特徴とする請求項９又は１０に記載のセンサ装置。
【請求項１２】
前記導波管（２）が、周期的な構造体（８）を備えることを特徴とする請求項１から１１の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１３】
前記周期的な構造体（８）が、前記導波管（２）に凹部又は開口、前記導波管（２）の寸法における変形、前記導波管（２）の材料の変更、又は前記導波管（２）上に置かれた構造体のような複数の回析要素（９）を備えることを特徴とする請求項１２に記載のセンサ装置。
【請求項１４】
前記熱放射源（１０）及び／又は前記検出要素（１３、１３'、１３"）が、前記周期的な構造体（８）に包含されていることを特徴とする請求項１２又は１３及び請求項６から８の何れか一項及び／又は請求項７から１１の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１５】
前記検出要素（１３、１３'、１３"）が、電磁波の一波長の５分の１未満の幅を有することを特徴とする請求項９から１４の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１６】
第一の材料における屈折率が、電磁波の波長で、第二の材料における屈折率よりも高いことを特徴とする請求項１から１５の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１７】
前記基板（３）、前記支持構造体（５）、及び前記導波管（２）が、シリコン基板、二酸化ケイ素層、及びシリコンデバイス層から成るＳＯＩウェーハから形成され、ＳＯＩウェーハのシリコン基板がデバイスの基板を形成し、ＳＯＩウェーハの二酸化ケイ素層が装置の前記支持構造体（５）を形成し、ＳＯＩウェーハのシリコンデバイス層が装置の前記導波管（２）を形成することを特徴とする請求項１から１６の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１８】
前記導波管（２）及び支持構造体（５）が、Ｔ字型の断面構造を形成することを特徴とする請求項１から１７の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項１９】
電磁波の波長が０．４〜１０μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から１８の何れか一項に記載のセンサ装置。
【請求項２０】
ガスなどの流体中の少なくとも１つの成分を検出するための、請求項１から１９の何れか一項に記載のセンサ装置（１）を備えるガスセンサ装置。
【請求項２１】
ガス中の少なくとも１つの成分が、一酸化炭素、二酸化炭素、一酸化二窒素、水蒸気、炭化水素、アンモニア、クロロフルオロカーボン及び／又はＣＦＳを含むことを特徴とする請求項２０に記載のガスセンサ装置。
【請求項２２】
流体中の成分を検出する方法（８００）であって、
請求項１から２１の何れか一項に記載のセンサ装置を準備するステップ（８０１）と、
前記導波管と接触して流体を供給するステップ（８０２）と、
前記導波管（２）の第一の部分に電磁波を送るステップ（８０３）と、
前記導波管（２）の周りのエバネッセント波の領域で流体と電磁波を相互作用させるステップ（８０４）と、
前記導波管（２）の第二の部分で電磁波を検出するステップ（８０５）と、
検出された電磁波に基づいてガス中の成分を検出するステップ（８０６）と
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２３】
センサ装置（１）が熱放射原（１０）を備え、該放射源からの電磁波を前記導波管（２）に結合するように前記熱放射原が配置され、
前記熱放射源が電磁波の一波長の５分の１未満の幅を有する方法であって、
電磁波が、前記熱放射源を交流電流で励起させることによって供給され、交流電流が、放射源から検出器までの熱伝導及び／又は対流経路の熱遮断周波数よりも高い周波数を有し、電磁放射の伝播を可能にしている間に、熱放射源から検出器への熱波の伝播を防止する
ことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
ウェーハを準備するステップと、
ウェーハ内に前記導波管（２）を製作するステップと、
ウェーハ内に前記支持構造体を製作するステップと
を備えることを特徴とする請求項１から１９の何れか一項に記載のセンサ装置を製作する方法。
【請求項２５】
基板層、中間層、及びデバイス層を含むウェーハを準備するステップと、
前記導波管（２）をデバイス層内に製作するステップと、
前記支持構造体を中間層内に製作するステップと
を備え、
基板層が装置の基板を形成するようにした
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記導波管（２）がエッチングによってデバイス層内に形成され、前記導波管（２）をアンダーエッチングすることによって、中間層内に支持構造体が形成される
ことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
ウェーハが、シリコン基板、二酸化ケイ素層、及びシリコンデバイス層で構成されるＳＯＩウェーハであり、
ＳＯＩウェーハのシリコン基板が基板層に対応し、
ＳＯＩウェーハの二酸化ケイ素層が中間層に対応し、
ＳＯＩウェーハのシリコンデバイス層がデバイス層に対応する
ことを特徴とする請求項２５又は２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記導波管（２）がエッチングから保護され、
前記導波管（２）を製作後、支持構造体がエッチングされる
ことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２９】
前記導波管（２）が、エッチング停止材によってエッチングから保護される
ことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記導波管（２）が、ドーピングによってエッチングから保護される
ことを特徴とする請求項２８に記載の方法。