【事件の表示】
　特願２０１３−５１９８２１「改良されたピン層スタックを利用した磁気記憶素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月１９日国際公開、ＷＯ２０１２／００９５２４、平成２５年　９月　５日国内公表、特表２０１３−５３４７３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成２３年７月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年７月１６日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１月１５日付けで手続補正書の提出がなされ、平成２６年２月１４日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年５月２６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年６月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月３１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。　
２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は、平成２６年５月２６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　　　　  
「底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層から形成される、スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に組み込まれたピン層スタックと、
　前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された第1の機能層と
　を含み、
　前記第１の機能層が、ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成されている、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子。」
　
　
　
３　引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−８１２１６号公報（以下、「引用文献」という。）には、下記の事項が記載されている。
　　　
Ａ　「【０００２】
　近年、新しい原理に基づいて情報を記録する固体メモリが多数提案されている。中でも、固体磁気メモリとして、トンネル磁気抵抗効果（以下、ＴＭＲ（tunneling magneto resistance）ともいう）を利用する磁気ランダムアクセスメモリ（以下、ＭＲＡＭ（magnetoresistive random access memory）ともいう）が知られている。ＭＲＡＭは、磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子ともいう）をメモリセルの記憶素子として用いて、ＴＭＲ素子の磁化の状態によってメモリセルが情報を記憶する。」
Ｂ　「【００１３】
　本発明によれば、磁化自由層を低電流で磁化反転させることを可能とする低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子とそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供することができる。」
Ｃ　「【００９０】
　（第７実施例）
　図９に、本発明の第７実施例によるＴＭＲ素子の断面を示す。本実施例のＴＭＲ素子は、第６実施例のＴＭＲ素子において、磁化固着膜２ｄを単層の磁性膜からシンセティック構造を有する磁化固着層３に置き換えた構成となっている。すなわち、磁化固着層３は、磁性膜（界面磁性膜）３ａ、磁性膜３ｃとの間に非磁性膜３ｂを設けた積層構造を有しており、磁性膜３ａと磁性膜３ｃとは、非磁性膜３ｂを介して反強磁性結合をしている。そして、磁化固着層３は、反強磁性層７によって磁化固着される。磁化固着層３の磁化方向は、界面磁性膜２ａとともに膜面に垂直であってもよいし、膜面に平行であってもよい。
【００９１】
　反強磁性層７としては、実用的には、ＦｅＭｎ合金、ＰｔＭｎ合金、ＩｒＭｎ合金、ＮｉＭｎ合金、ＰｄＭｎ合金、ＲｈＭｎ合金、ＰｔＣｒ合金、ＰｔＣｒＭｎ合金などが上げられる。膜厚は５ｎｍ以上２０ｎｍ以下で最適化される。
【００９２】
　シンセティック構造では、界面磁性膜３ａと磁性膜３ｃとの間に非磁性膜３ｂが挿入される。非磁性膜３ｂとしては、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒが用いられ、その膜厚は０．５ｎｍから３ｎｍで最適化される。層間結合を利用しており、反強磁性結合がピークとなる膜厚を利用する。シンセティック構造では、界面磁性膜３ａと磁性膜３ｃの磁化方向が反平行である。
【００９３】
　図９に示す第７実施例において、界面磁性膜中に結晶化促進膜２ｂが挿入され、界面磁性膜が界面磁性膜２ａと界面磁性膜３ａに分断される。バリア層４に近い界面磁性膜２ａの膜厚は上下層のミキシングの影響を考慮すると１ｎｍ以上必要である。界面磁性膜２ａと界面磁性膜３ａの磁化方向の関係は平行である。
【００９４】
　面内磁化で用いられる代表的なＴＭＲ素子の第８乃至第１２実施例の積層構造を示す。」
Ｄ　「【００９６】
　（第９実施例）
　本実施例は、図９に示す第７実施例の一具体例となっており、以下の積層構造を有している。  
　キャップ層１４／ＣｏＦｅＢ（３ｎｍ）からなる磁化自由層６／ＭｇＯ（１ｎｍ）からなる中間層（バリア層）４／ＣｏＦｅＢ（１．５ｎｍ）からなる界面磁性膜２ａ／Ｔａ（０．２ｎｍ）からなる結晶化促進膜２ｂ／ＣｏＦｅＢ（１．５ｎｍ）からなる界面磁性膜３ａ／Ｒｕ（０．８５ｎｍ）からなる非磁性膜３ｂ／ＣｏＦｅ（２．５ｎｍ）からなる磁性膜３ｃ／ＰｔＭｎ（１０ｎｍ）からなる反強磁性層７／下地層１２／熱酸化Ｓｉ基板」
Ｅ　ＴＭＲ素子の断面が示された図９には、界面磁性膜２ａ、結晶化促進膜２ｂ、界面磁性膜３ａ、磁性膜３ｂ、磁性膜３ｃの積層部分を磁化参照層２と呼ぶことが記載されている。
　ここで、上記引用文献の記載事項について検討する。
Ｆ　記憶素子について
　上記Ａには、「ＭＲＡＭは、磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果素子（以下、ＴＭＲ素子ともいう）をメモリセルの記憶素子として用いて、ＴＭＲ素子の磁化の状態によってメモリセルが情報を記憶する」ことが記載され、上記Ｂには、「本発明によれば、磁化自由層を低電流で磁化反転させることを可能とする低抵抗なスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果型素子とそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供する」ことが記載され、上記Ｃには、「第７実施例」として、ＴＭＲ素子の断面の構成が記載されている。
　よって、引用文献には、ＴＭＲ素子の書き込み方式が「スピン注入書き込み方式」であり、該ＴＭＲ素子が「磁気ランダムアクセスメモリ」に用いられることが記載されている。
Ｇ　ＴＭＲ素子の積層構成について
　上記Ｄから、図９には、ＴＭＲの積層構造として、上から、キャップ層１４、ＣｏＦｅＢからなる磁化自由層６、ＭｇＯからなるバリア層４、ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜２ａ、Ｔａからなる結晶化促進膜２ｂ、ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜３ａ、Ｒｕからなる非磁性膜３ｂ、ＣｏＦｅからなる磁性膜３ｃ、ＰｔＭｎからなる反強磁性層７、下地層１２の順の積層構造が記載されている。
　また、上記Ｅから、図９には、界面磁性膜２ａ、結晶化促進膜２ｂ、界面磁性膜３ａ、磁性膜３ｂ、磁性膜３ｃが磁化参照層２とされることが記載されている。
Ｈ　ＴＭＲ素子内の界面磁性膜３ａと磁性膜３ｃと結合について
　上記Ｃには、「界面磁性膜３ａと磁性膜３ｃとの間に非磁性膜３ｂが挿入」され、「非磁性膜３ｂ」は、「層間結合を利用し」、「反強磁性結合がピークとなる膜厚」とすることで、「界面磁性膜３ａと磁性膜３ｃの磁化方向が反平行」とされることが記載されている。
Ｉ　界面磁性膜への結晶化促進膜２ｂの形成について
　上記Ｃには、「界面磁性膜中に結晶化促進膜２ｂが挿入され、界面磁性膜が界面磁性膜２ａと界面磁性膜３ａに分断される」ことが記載されているので、引用文献には、「界面磁性膜は結晶化促進膜２ｂが挿入されて、界面磁性膜２ａと界面磁性膜３ａに分断される」ことが記載されているといえる。
　よって、Ａ乃至Ｉ及び図面９の記載から、引用文献には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　　
「磁気ランダムアクセスメモリに用いられるスピン注入書き込み方式のＴＭＲ素子であって、　
　前記ＴＭＲ素子は、上からキャップ層１４、磁化自由層６、バリア層４、ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜２ａ、Ｔａからなる結晶化促進膜２ｂ、ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜３ａ、Ｒｕからなる非磁性膜３ｂ、ＣｏＦｅからなる磁性膜３ｃ、反強磁性層７、下地層１２の順の積層構造を有し、
　前記界面磁性膜２ａ、前記結晶化促進膜２ｂ、前記界面磁性膜３ａ、前記磁性膜３ｂ、前記磁性膜３ｃから磁化参照層２が形成され、
　前記非磁性膜３ｂは、前記界面磁性膜３ａと前記磁性膜３ｃの反強磁性結合がピークとなる膜厚とされ、
　界面磁性膜は前記結晶化促進膜２ｂが挿入されて、前記界面磁性膜２ａと前記界面磁性膜３ａに分断された、
　ＴＭＲ素子。」
　　　　
　　　　
　　　  
４．対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
ア　本願発明と引用発明の記憶素子について
　引用発明の記憶素子は「ＴＭＲ素子」であり、磁化自由層６と磁合参照層２の間にトンネルバリア層を介在させた構造であるから、本願発明の「磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子」に相当している。
イ　本願発明と引用発明の書き込み方式について
　本願明細書の段落【０００２】には、「スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ」について、「スピンモーメント注入(SMT-RAM)としても知られている」と記載されているのに対し、引用文献の段落【０００５】には、「スピン注入書き込み方式」について、「スピン角運動量移動（ＳＭＴ（spin-momentum-transfer））を用いた書込み（スピン注入書き込み）方式」であることが記載されている。
　よって、引用発明の「スピン注入書き込み方式」により書き込みが行われる「ＴＭＲ素子」は、「磁気ランダムアクセスメモリに用いられ」るものであるから、「スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に組み込まれた」ものであるともいえる。
ウ　本願発明と引用発明のピン層スタックについて
　ＭＲＡＭにおいては、一般に、書き込みにより磁化の方向が変化しない層を「ピン層」または「参照層」と呼び、書き込みにより磁化の方向が変化する層を「フリー層」または「自由層」と呼んでいる。
　よって、引用発明の「磁化参照層２」である、「前記界面磁性膜２ａ、前記結晶化促進膜２ｂ、前記界面磁性膜３ａ、前記磁性膜３ｂ、前記磁性膜３ｃ」の積層は、本願発明の「ピン層スタック」に相当している。
エ　本願発明と引用発明の底部ピン層について
　引用発明の磁化参照層２において、反強磁性層７側を積層方向の下側とした場合、「磁性膜３ｃ」は磁化参照層２の下側に位置する層であるから、「底部ピン層」と呼び得るものである。
　また、本願明細書の段落【００２０】には、「底部ピン層２０６(例えば、ＣｏＦｅおよび／またはＣｏＦｅＢ）」と記載され、図４には、「底部ピン層２０６」がＡＦ（反強磁性）層の上に形成されたものであることが記載されており、この構成は、引用発明の「ＣｏＦｅからなる磁性膜３ｃ」が反強磁性層７上に形成された構成に相当したものでもある。
　よって、引用発明の「磁性膜３ｃ」は、本願発明の「底部ピン層」に相当している。
オ　本願発明と引用発明の結合層について
　引用発明の「非磁性膜３ｂ」は、界面磁性膜３ａと磁性膜３ｃを反強磁性結合させるものであるから、「結合層」と呼び得るものである。
　よって、引用発明の「Ｒｕからなる非磁性膜３ｂ」は、本願発明の「結合層」に相当している。
カ　本願発明と引用発明の上部ピン層について
　引用発明の磁化参照層２において、反強磁性層７側を積層方向の下側とした場合、「界面磁性膜２ａ」及び「界面磁性膜３ａ」からなる「界面磁性膜」は、磁化参照層２において上側に位置する層であるから、「上部ピン層」と呼び得るものである。
　また、本願明細書の段落【００２０】には、「第１の上部ピン層２１０ａ（ＴＰ１）（例えば、ＣｏＦｅおよび／またはＣｏＦｅＢ）と、第２の上部ピン層２１０ｂ（ＴＰ２）（例えば、ＣｏＦｅおよび／またはＣｏＦｅＢ）」と記載され、図４には、「ＴＰ１（上部ピン層２１０ａ）」は「結合層２０８」の上に形成され、「ＴＰ２（上部ピン層２１０ｂ）」は「トンネルバリア２１２」の下に形成されたものであることが記載されており、この構成は、引用発明の「ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜３ａ」が結合層である「非磁性膜３ｂ」の上に形成され、「ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜２ａ」が「バリア層４」の下に形成された構成に相当するものでもある。
　よって、引用発明の「界面磁性膜２ａ」及び「界面磁性膜３ａ」からなる「界面磁性膜」は、本願発明の「上部ピン層」に相当している。
キ　本願発明と引用発明の第１の機能層について
　本願発明は、「前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された第１の機能層とを含」むものであるから、本願発明の「第１の機能層」は、「底部ピン層に配置された」ものか、または、「上部ピン層に配置された」ものかの、択一的な配置構成となっている。
　また、本願発明は、「前記第１の機能層が、ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成」されているものであるから、本願発明の「第１の機能層」は、「ハフニウム」、「タンタル」、「ルテニウム」のいずれかを含む材料から形成された択一的な構成となっている。
　これに対して、引用発明の「Ｔａからなる結晶化促進膜２ｂ」は、「ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜２ａ」と「ＣｏＦｅＢからなる界面磁性膜３ａ」の間に配置されたものである。そして、上記カの検討事項である、引用発明の「界面磁性膜２ａ」及び「界面磁性膜３ａ」は「界面磁性膜」を構成するものであり、本願発明の「上部ピン層」に相当するものであることを踏まえれば、引用発明の「Ｔａからなる結晶化促進膜２ｂ」は、「上部ピン層に配置された」ものであり、「タンタルを含む材料から形成」されたものであるということができる。
　してみると、引用発明の「Ｔａからなる結晶化促進膜２ｂ」は、本願発明の「第１の機能層」における択一的な記載において、配置構成を「上部ピン層に配置された」ものに相当し、材料を「タンタル」としたものに相当している。
　よって、引用発明の「Ｔａからなる結晶化促進膜２ｂ」は、本願発明における、「前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された第１の機能層」に相当し、かつ、「ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成されている」「第１の機能層」に相当している。
　　
（２）本願発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明は、
　
「底部ピン層、結合層、および上部ピン層を含む複数の層から形成される、スピン注入トルク磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)に組み込まれたピン層スタックと、
　前記底部ピン層または前記上部ピン層に配置された第１の機能層と
　を含み、
　前記第１の機能層が、ハフニウム、タンタル、またはルテニウムを含む材料から形成されている、磁気トンネル接合(MTJ)記憶素子。」
　　
である点で一致し、相違点はない。
  
　
　　
５．当審の判断 
　したがって、本願発明は、引用発明と同一のものであるから、引用文献に記載された発明である。
　よって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　　
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するものであり、特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。