【事件の表示】
　特願２０１３−２３７３０６「半導体装置およびその製造方法、ならびに半導体装置用基板およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月２０日出願公開、特開２０１４−　５３６３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年１２月１０日に出願した特願２００７−３１８８１７号の一部を平成２４年１２月３日に新たな特許出願とした特願２０１２−２６４２６４号の一部を平成２５年１１月１５日に新たな特許出願として出願したものであって、同年１１月１８日付けで手続補正がなされ、平成２６年１０月２０日付け拒絶理由通知に対して、同年１２月１５日付けで手続補正がなされたが、平成２７年２月２０日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年５月２５日付けで審判請求がなされると共に手続補正がなされ、平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に対して、同年４月１９日付けで手続補正がなされた。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２８年４月１９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
 「【請求項１】
　各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、
　ダイパッドと、
　ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子と、
　各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、
　各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、
　各端子部は、上面が粗面となり下面が前記外方へ露出する外部端子面となるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に設けられたボンディング用貴金属めっき層とを有し、
　該貴金属めっき層の合計厚みは、該貴金属めっき層の表面がニッケルめっき層の粗面を維持する程度の厚みとなり、
　貴金属めっき層の平面形状はニッケルめっき層の平面形状と同一であり、ニッケルめっき層の側面は、粗面とはならず、かつ貴金属めっき層に覆われることなく封止樹脂部に対して露出しており、断面視において貴金属めっき層の側面と同一直線上にあり、
　端子部の高さが５μｍ乃至２０μｍであることを特徴とする半導体装置。」
３．引用例
（１）平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２００７−４８９１１号公報（平成１９年２月２２日公開、以下「引用例１」という。）には、「半導体装置、半導体装置の製造方法およびその製造方法に用いるシート」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００７】
−第１の実施形態−
　本発明の第１の実施形態の半導体装置について図１を参照して説明する。図１（ａ）は半導体装置１Ａの裏面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
 【０００８】
　図１において、
符号１Ａは
半導体装置
２は
ダイボンディング材５により第１搭載パッド４ｂの上面に実装された半導体素子である。
半導体素子２底面の周縁領域が第２搭載パッド６ｂに載置されるように半導体素子２は第１搭載パッド４ｂに搭載される。
外部電極３ｂ
の各上面にはＡｇ層３ａ
がそれぞれ形成されている。
 【０００９】
　
外部電極３ｂ
はニッケル電鋳（Ｎｉ電鋳）から成り、半導体装置１の底面に設けられている。
外部電極３ｂとは、半導体素子２と半導体装置１Ａを実装する回路基板との電気的接続をとるための電極である。
外部電極３ｂ
の上面側には、Ａｇ層３ａ
が形成される。外部電極３ｂの上面側のＡｇ層３ａはワイヤボインディングの接続性改善のために設けられたものであり
イ．「【００１３】
　次に、上述した半導体装置１Ａの製造方法について、図２〜図４を参照して説明する。この製造方法は、第１金属層形成工程と、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、第２金属層形成工程と、分割工程とを含み、１つの金属板上に複数の半導体装置１Ａを同時に作製する。以下、各工程を工程順に説明する。
 【００１４】
 （イ）第１金属層形成工程  
　第１金属層形成工程について、図２（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
　図２（ａ）に示すように、可撓性を有する金属板２１の両面にレジスト２２を塗布またはラミネートする。金属板２１は、厚さ約０．１ｍｍの平板状のＪＩＳ規格のＳＵＳステンレス鋼板またはＣｕ板などの金属薄板からなる。次に、アクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光する。そして、現像し、
図２（ｂ）に示すように、外部電極３ｂ、第１搭載パッド４ｂ、第２搭載パッド６ｂ
を形成する部分のレジスト２２を除去する。
 【００１５】
　次に、酸活性処理を行った金属板２１を
Ｎｉめっき溶液に浸漬して金属板２１に電力を供給して電鋳を行い、Ｎｉ層２３を形成する。次に、Ａｇめっき溶液に金属板２１を浸漬して金属板２１に電力を供給することにより、Ａｇ層２４を形成する。このようにして、図２（ｃ）に示すように、金属板２１に金属層として、パターニングされたＮｉ層２３とＡｇ層２４とを形成する。
 【００１６】
 （ロ）半導体素子実装工程
　半導体素子実装工程について、図２（ｅ），（ｆ）を参照して説明する。
　図２（ｅ）に示すように、第１搭載パッド４ｂのＡｇ層４ａに相当するＡｇ層２４にダイボンディング材２５を塗布する。ダイボンディング材２５はエポキシ系またはポリイミド系の熱硬化性樹脂から成る。そして図２（ｆ）に示すように、半導体素子２を搭載する。図２では省略しているが、
金属板２１には、パターニングされたＮｉ層２３が複数並列配置されており、それぞれのパターンニングされたＮｉ層２３上に半導体素子２が隣接して搭載される。
半導体素子２の周縁領域に設けられた端子と、外部電極３ｂのＡｇ層３ａに相当するＡｇ層２４とをワイヤ７によって接続する。
 【００１７】
 （ハ）樹脂封止工程
　樹脂封止工程について、図３（ａ）および図４を参照して説明する。
　樹脂封止工程では、
図３（ａ）に示すように半導体素子２、ワイヤ７、Ｎｉ層２３およびＡｇ層２４を樹脂８によって封止する。
 【００１８】
 （ニ）金属板剥離工程
　金属板剥離工程について、図３（ｂ）を参照して説明する。
　
樹脂８による封止が完了した後は、図３（ｂ）に示すように、Ｎｉ層２３や樹脂８から金属板２１を剥離する。
 【００１９】
 （ホ）第２金属層形成工程  
　第２金属層形成工程について、図３（ｃ）を参照して説明する。
　樹脂封止体３０をＳｎめっき溶液に浸漬し、剥離面３２に電力を供給して、図３（ｃ）に示すように、樹脂封止体３０Ａの剥離面３１にパターニングされたＳｎ層３３を形成する。
 【００２０】
 （ヘ）分割工程
　分割工程について、図３（ｃ），（ｄ）を参照して説明する。
　図３（ｃ）の点線３４に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体３０Ａをダイシングする。そして、図３（ｄ）に示すように、一つの樹脂封止体３０Ａが分割され、半導体装置１Ａが完成する。」
ウ．「【００２１】
　以上の本発明の第１の実施形態による半導体装置１Ａは次のような作用効果を奏する。
 （１）
電鋳によって金属層を形成すると表面に凹凸が発生し
エ．「【００３２】
　以上の実施の形態の
半導体装置１Ａ
を次のように変形することができる。
　　　・・・（中略）・・・
 【００３７】
 （６）Ｎｉ層２３の下面側にＳｎ層３３またはＡｕ層６１を形成したが、外部電極４ｂと半田とを接合するための金属層であれば実施の形態に限定されない。たとえば、Ｓｎ−Ａｇ層、Ｓｎ−Ｃｕ層、Ｓｎ−Ｂｉ層またはＳｎ−Ｐｂ層を形成してもよい。また、
直接外部電極４ｂと半田とを接合する場合は、Ｎｉ層２３の下面側に金属層を設けなくてもよい。
　　　・・・（中略）・・・
 【００３９】
 （８）
外部電極３ｂ
の厚さ、Ａｇ層３ａ
の厚さ
は、実施の形態には限定されない。
　　　・・・（中略）・・・
 【００４１】
 
本発明による半導体装置は上記実施の形態や変形例に何ら限定されず、
半導体素子とワイヤと外部電極とが樹脂により封止して成ることを特徴とする半導体装置であれば、どのようなものでもよい。
　上記アないしエ、及び図１ないし図３から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記ア、イおよび図１によれば、上面にＡｇ層３ａが形成された外部電極３ｂが、半導体素子２の外側に複数配設されているものである。なお、外部電極３ｂとは、半導体装置１Ａを実装する回路基板との電気的接続をとるための電極である。また、外部電極３ｂはＮｉめっき溶液に、Ａｇ層はＡｇめっき溶液に浸漬して形成されるから、共にめっき層である。
・上記アおよび図１によれば、半導体素子２は、第１搭載パッド４ｂおよび第２搭載パッド６ｂに搭載されるものである。また、半導体素子２の周縁領域に設けられた端子と、外部電極３ｂのＡｇ層３ａとは、ワイヤ７によって接続されるものである。
・上記イ、図１および図３によれば、半導体素子２、ワイヤ７、Ｎｉ層２３およびＡｇ層２４を樹脂８によって封止するものである。ここで、Ｎｉ層２３は外部電極３ｂおよび第２搭載パッド６ｂに対応するものであるから、外部電極３ｂおよび第２搭載パッド６ｂは、樹脂８によって封止されるものといえる。
・上記イ、図３によれば、Ｎｉ層２３は金属板２１上に形成され、樹脂８による封止が完了した後に該金属板２１は剥離されるものである。よって、複数のＮｉ層２３（外部電極３ｂおよび第２搭載パッド６ｂに相当。）の下面は、同一平面上に並び、外方へ露出されているものである。
　なお、上記ア、イによれば、Ｎｉ層２３の下面にＳｎ層を形成している例が記載されているが、上記エによれば、Ｓｎ層等の金属層は設けなくてもよいものである。
　上記記載事項および図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
 「半導体装置１Ａを実装する回路基板との電気的接続をとるためのものであって、上面にＡｇ層３ａが形成された複数の外部電極３ｂと、
　第１搭載パッド４ｂおよび第２搭載パッド６ｂと、
　第１搭載パッド４ｂおよび第２搭載パッド６ｂ上に搭載され、外部電極３ｂのＡｇ層３ａとワイヤ７によって接続される半導体素子２と、
　外部電極３ｂ、第２搭載パッド６ｂ、半導体素子２、およびワイヤ７を封止する樹脂８とを備え、
　外部電極３ｂおよび第２搭載パッド６ｂの下面は、同一平面上に並び、外方へ露出されており、
　外部電極３ｂはＮｉめっき層からなり、その上面のＡｇ層３ａはＡｇめっき層からなる、半導体装置。」
（２）平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２００３−３０３９１９号公報（平成１５年１０月２４日公開、以下「引用例２」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
オ．「【００４６】本実施形態１及び以後の各実施形態では、一例として、
導体として
，銅メッキ膜を使用する例について説明する。
主金属層を銅とし、金ワイヤを接続する場合は、主金属層の表面（主面）にＮｉメッキ膜，Ａｕメッキ膜等の補助金属層を順次重ねて形成し、この金メッキ膜上に金のワイヤを接続する。
 【００４７】また、主金属層上に順次重ねて異なる金属をメッキした場合、
表面が粗面になるメッキ膜としてＰｄメッキ膜を中間層として入れることによって、
端子２と絶縁性樹脂層を形成する樹脂との接着力が粗面を介在するため強くなり、絶縁性樹脂層、即ち封止体から端子２が脱落しなくなる。
主金属層を銅とした場合、Ｎｉ，Ｐｄ，Ａｕと順次メッキ膜を形成する。前記Ｐｄメッキ膜はその表面が粗面となる。従ってＰｄメッキ膜上に形成されるＡｕメッキ膜の表面も粗面となり、結果的に端子２の主面も粗面となる。
　上記オによれば、引用例２には「端子と樹脂との接着力を強くするために、複数の金属層からなる端子において、最上層の一つ下の金属層表面を粗面にし、最上層の金属層も該粗面を維持するよう形成することによって、該端子の表面を粗面とする」技術事項が記載されている。
（３）平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２００４−３３９５８４号公報（平成１６年１２月２日公開、以下「引用例３」という。）には、「リードフレーム及びそのめっき方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
カ．「【００１６】
鉄ニッケル合金あるいは銅又は銅合金などからなるリードフレームの素材金属１０（以下、ＬＦ材１０という）を脱脂、酸洗し、Ｎｉめっき浴に浸漬し、極性が反転しない直流電流あるいはパルス電流を用いて、
第１層目のＮｉめっきである平滑Ｎｉめっき層１１を形成する。
 【００１７】
さらに、
第２層目のＮｉめっきである粗面化Ｎｉめっき層１２
形成される。
そして、０．１μｍ以上の平均粗さを得るには、アノード電流（反転電流）の電気量はカソード電流の電気量の２０％〜８０％、周波数は１０〜１０００Ｈｚ（周期１〜１００ｍｓ）の電流波形でめっきすることが望ましい。その平均電流密度は０．５〜２０Ａ／ｄｍ２  である。なお、この粗面化Ｎｉめっき層１２の厚みは、０．５〜５μｍの範囲であれば、経済性を考慮して十分にその表面を粗面化することができる。なお、粗面化Ｎｉめっき層１２の厚みによっては、平均粗さを最大０．８μｍにすることもできる。
 【００１８】
第２層目のＮｉめっきにおいて使用するＮｉめっき液は、Ｎｉがスムーズに溶解するように（例えばワット浴を使用する場合）、十分な溶解活性を得るために浴のｐＨを０．０〜２．０に調整しなければならない。一方、このような溶解活性があれば、めっき液の組成と条件は特に制限されない。例えば、全塩化物浴や塩化物を含むスルファミン酸塩浴であってもよく、あるいは有機酸塩浴であってもよい。
なお、
第２層目のＮｉめっき層の上に使用目的に応じて機能めっきを実施してもよい。例えば、全面あるいは部分的にＰｄ、Ａｕ、Ａｇ等のめっき又はこれらの合金めっきを行い、表面に貴金属めっき層１３を形成する。例えば、ＰＰＦなら第２層目のＮｉめっき層の上にＰｄめっきを行いさらにその上にＡｕフラッシュめっきを行ってもよい。
　　　・・・（中略）・・・
 【００２８】
 （２）モールド樹脂との密着性が優れている
本発明では、
第２層目のＮｉめっきをするとき、
Ｎｉめっき層の結晶粒径と表面粗さが大きくなり、表面が不定形の角状や針状となる。この不定形な角状／針状の表面形態により、リードフレームとモールド樹脂との間で物理的なアンカー効果が生じ、通常品に比べてモールド樹脂との密着性が約２倍になる。
　上記カおよび図１によれば、引用例３には「リードフレームと樹脂との密着性向上のために、複数の金属層からなるリードフレームにおいて、第２層目の金属層（粗面化Ｎｉめっき層）表面を粗面にし、最上層の金属層（貴金属めっき層）も該粗面を維持するよう形成することによって、該リードフレームの表面を粗面とする」技術事項が記載されている。
（４）平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開昭５９−２０８７５６号公報（昭和５９年１１月２７日公開、以下「引用例４」という。）には、「半導体装置のパッケージの製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
キ．「まず第２Ａ図において、厚さ３５〔μ〕のＦｅ製の基板（１１）の上に、
厚さ１〔μ〕のＡｕ層（１２）、厚さ１〔μ〕のＮｉ層（１３）及び厚さ３〔μ〕のＡｕ層（１４）を順次メッキして、
外部電極部（１７）（１８）のそれぞれを
設ける。
　上記キによれば、引用例４には「外部電極部の厚さ（高さ）を５μｍ」とした技術事項が記載されている。
（５）平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２００２−２８９７３９号公報（平成１４年１０月４日公開、以下「引用例５」という。）には、「樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材とその製造方法」に関して図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ク．「【００５１】一方、比較として、上記の３層構成のなかで、（３）Ｃｕめっきの通電時間を１０分間とした他は、上記と同様にして、半導体装置用回路部材を作製した。この半導体装置用回路部材におけるダイパッドは高さが１８μｍであり、基板との接触面と反対側の表面の周囲には突起部が存在しないものであった。また、
端子部は高さが２０μｍであり、基板との接触面と反対側の表面の周囲には突起部が存在しないものであった。
　上記クによれば、引用例５には「端子部の高さを２０μｍ」とした技術事項が記載されている。
４．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の外部電極３ｂの上面に形成された「Ａｇ層３ａ」は、ワイヤ７を介して半導体素子２と接続されるものであるから、本願発明の「内部端子面」に相当する。
　また、引用発明の「外部電極３ｂ」は回路基板との電気的接続をとるためのものであるから、引用発明の「外部電極３ｂの下面」は本願発明の「外部端子面」に相当する。
　よって、引用発明の「半導体装置１Ａを実装する回路基板との電気的接続をとるためのものであって、上面にＡｇ層３ａが形成された複数の外部電極３ｂ」は、本願発明の「各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部」に相当する。
ｂ．引用発明の「第１搭載パッド４ｂおよび第２搭載パッド６ｂ」は、半導体素子２を載置するためのものであるから、本願発明の「ダイパッド」に相当する。
　また、引用発明の「ワイヤ７」は、本願発明の「接続部」に相当する。
　よって、引用発明の「第１搭載パッド４ｂおよび第２搭載パッド６ｂ上に搭載され、外部電極３ｂのＡｇ層３ａとワイヤ７によって接続される半導体素子２」は、本願発明の「ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子」に相当する。
ｃ．引用発明の「外部電極３ｂ、第２搭載パッド６ｂ、半導体素子２、およびワイヤ７を封止する樹脂８とを備え、外部電極３ｂおよび第２搭載パッド６ｂの下面は、同一平面上に並び、外方へ露出されている」は、本願発明の「各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び」に相当する。
　なお、引用発明の「樹脂８」は、引用例の図１ないし図３を参酌すると、「第１搭載パッド４ｂおよび第２搭載パッド６ｂ」のうち第２の搭載パッド６ｂのみを封止する例が記載されているが、上記エによれば、引用例に記載された発明は半導体素子とワイヤと外部電極とが樹脂により封止さえすれば形状は問わないものであるところ、本願発明の「樹脂封止部」は、各端子部の外部端子面を外方へ露出させることのみを特定したものであって、どのような「ダイパット」を封止したかは特定されていないので、両者における封止についての差異は認められない。
ｄ．引用発明の「外部電極３ｂ」はＮｉめっきで形成されており、上記ウによれば、表面に凹凸はできてしまうものであるから、引用発明の「外部電極３ｂの上面」は「粗面」になっているといえる。そして、引用発明の「外部電極３ｂの下面」は、上記ａでも記載したとおり、本願発明の「外方へ露出する外部端子面」に相当する。
　また、引用発明の「Ａｇ層３ａ」は、Ａｇめっきで形成されており、ワイヤ７と接続されるものであるから、本願発明の「ボンディング用貴金属めっき層」に相当する。
  よって、引用発明の「外部電極３ｂはＮｉめっき層からなり、その上面のＡｇ層３ａはＡｇめっき層からなる」は、本願発明の「各端子部は、上面が粗面となり下面が前記外方へ露出する外部端子面となるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に設けられたボンディング用貴金属めっき層とを有し」に相当する。
　但し、本願発明の端子部は、「上面が粗面となるニッケルめっき層」と「めっき層の表面がニッケルめっき層の粗面を維持する程度の厚みの貴金属めっき層」とを組み合わせたものであるのに対し、引用発明の端子部（外部電極３ｂおよびＡｇ層３ａ）にはその旨の特定はされていない。
ｅ．上記イ、図２によれば、レジスト２２を除去した部分（レジストとレジストの間）を埋めるようにＮｉ層２３およびＡｇ層２４を順に形成しているから、Ｎｉ層２３とＡｇ層２４とは同じ平面形状を備え、レジスト２２と当接するＮｉ層２３およびＡｇ層２４の「側面」は同一直線上にあって、この側面においてＡｇ層がＮｉ層を覆っていないといえる。そして、本願発明の「ニッケルめっき層の側面は、粗面とはならず」とは、粗面とならないための具体的な手段や根拠は本願明細書に一切記載されておらず、本願の図面（図５等）から勘案することしかできず、該図面を参酌すると、単にレジスト層間にめっき層を形成すれば該めっき層の側面が粗面にはならないものとしか読み取ることができず、そうすると、引用発明のＮｉ層２３もレジスト２２間に形成したものであるから該Ｎｉ層２３の側面も同様に「粗面」にはならないといえる。
　よって、引用発明の「外部電極３ｂはＮｉめっき層からなり、その上面のＡｇ層３ａはＡｇめっき層からなる」は、本願発明の「貴金属めっき層の平面形状はニッケルめっき層の平面形状と同一であり、ニッケルめっき層の側面は、粗面とはならず、かつ貴金属めっき層に覆われることなく封止樹脂部に対して露出しており、断面視において貴金属めっき層の側面と同一直線上にあり」の構成を備えているものである。
ｆ．本願発明は「端子部の高さが５μｍ乃至２０μｍ」であるが、引用発明にはこの旨の特定はされていない。
　そうすると、本願発明と引用発明とは以下の点で、一致ないし相違する。
＜一致点＞
 「各々が内部端子面と外部端子面とを有する複数の端子部と、
　ダイパッドと、
　ダイパッド上に搭載され、各端子部の内部端子面と接続部により電気的に接続された半導体素子と、
　各端子部の外部端子面を外方へ露出させるようにダイパッド、端子部、半導体素子、および接続部を封止する封止樹脂部とを備え、
　各端子部の外部端子面およびダイパッドの外面は同一平面上に並び、
　各端子部は、上面が粗面となり下面が前記外方へ露出する外部端子面となるニッケルめっき層と、ニッケルめっき層上に設けられたボンディング用貴金属めっき層とを有し、
　貴金属めっき層の平面形状はニッケルめっき層の平面形状と同一であり、ニッケルめっき層の側面は、粗面とはならず、かつ貴金属めっき層に覆われることなく封止樹脂部に対して露出しており、断面視において貴金属めっき層の側面と同一直線上にあることを特徴とする半導体装置。」
＜相違点１＞
　端子部の構成について、本願発明は、「上面が粗面となるニッケルめっき層」と「表面がニッケルめっき層の粗面を維持する程度の厚みの貴金属めっき層」とを組み合わせたものであるのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
＜相違点２＞
　端子部の高さについて、本願発明は「５μｍ乃至２０μｍ」であるのに対し、引用発明にはこの旨の特定はされていない。
５．判断
　相違点１について判断する。
  そもそも樹脂との密着性向上のために端子部の表面を粗面化させることは、例えば引用例２（上記３．（２）」を参照。）、引用例３（上記３．（３）」を参照。）、更に、平成２８年２月２３日付け当審の拒絶理由通知に引用された特開２００３−１５８２３４号公報（段落【００２８】を参照。）、特開２００６−３１０３９７号公報（段落【００３３】を参照。）に記載されているように周知であるところ、端子部を構成する複数層のうち、最上層の一つ下の金属層表面を粗面にし、最上層の金属層も粗面を維持するよう形成することによって、該端子部の表面を粗面とすることは、引用例２および引用例３に記載されているように周知の技術事項である。
　よって、引用発明の「端子部（外部電極およびＡｇ層）」に周知技術を採用して相違点１の構成とすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　次に、相違点２について判断する。
　端子部の高さを「５μｍ乃至２０μｍ」とした技術的意義は本願明細書に記載されておらず、本願発明における当該限定は格別な事項と認めることはできない。一方、引用発明の外部電極およびＡｇ層の厚さ（高さ）は、上記エによれば、適宜設計し得るものである。そして、半導体素子と接続し樹脂で封止される端子部の高さを「５μｍ乃至２０μｍ」にすることは、例えば引用例４（上記「３．（４）」を参照。）、引用例５（上記「３．（５）」を参照。）に記載されているように周知の技術事項である。
　よって、引用発明の「端子部（外部電極およびＡｇ層）」に周知技術を採用して相違点２の構成とすることは、当業者であれば容易になし得た事項である。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、引用発明および周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明および周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。