【事件の表示】
　特願２０１１−５４５３３５「高圧高温焼結による熱電性能指数（ＺＴ）の影響」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月１５日国際公開，ＷＯ２０１０／０８０１５３，平成２４年　６月２８日国内公表，特表２０１２−５１４８６７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００９年１月９日を国際出願日とする出願であって，平成２５年２月２５日付けで拒絶理由の通知がされ，同年８月１日に意見書と手続補正書が提出され，同年９月２日付けで拒絶理由の通知がされ，同年１２月９日に意見書と手続補正書が提出され，平成２６年２月１４日付けで拒絶査定がなされ，同年６月１７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年６月１７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２６年６月１７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１７を補正して，補正後の請求項１−８とするものであって，補正前後の請求項は各々次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　半導体化合物を反応セルに入れる工程，
　該半導体化合物のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって該半導体化合物を１ＧＰａ〜２０ＧＰａの圧力及び５００℃〜約２５００℃の高温にさらす工程，並びに
　ＺＴが増大した半導体を回収する工程
を含み，前記半導体化合物が，セレン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体のＺＴを増大させる方法。
【請求項２】
　圧力が約２ＧＰａ〜約１０ＧＰａである，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　圧力が約４ＧＰａ〜約８ＧＰａである，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　温度が処理圧力での前記半導体のほぼ焼結温度からその融点よりも約５００℃高い温度までの範囲である，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　温度が処理圧力での前記半導体化合物の焼結温度から前記半導体のほぼ融点までの範囲である，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　前記半導体化合物が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　前記半導体がテルル化鉛を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項８】
　前記時間が約３０秒〜約２４時間である，請求項１に記載の方法。
【請求項９】
　前記半導体がドーパントをさらに含む，請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
　前記時間が約５分〜約３０分である，請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
　前記半導体が，約０．０５ｍｍ〜約４ｍｍの平均粒径を有する半導体の出発粉末を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
　前記半導体を高圧及び高温にさらす工程の前に，該半導体が粉末，多結晶の塊，１つ若しくは複数の別々の単結晶，又はそれらの組み合わせを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
　テルル化鉛化合物を反応セルに入れる工程，
　反応セルを約４ＧＰａ〜約８ＧＰａの圧力及び約６００℃〜約１３００℃の温度にテルル化鉛のＺＴを増大させるのに十分な時間さらす工程，並びに
　ＺＴが増大したテルル化鉛を回収する工程を含む，テルル化鉛のＺＴを増大させる方法。
【請求項１４】
　前記時間が約５分〜約２４時間である，請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
　前記テルル化鉛が，約０．０５ｍｍ〜約４ｍｍの平均粒径を有するテルル化鉛の出発粉末を含む，請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
　ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成の半導体材料よりも高いＺＴを有する，ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体化合物であって，セレン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体化合物。
【請求項１７】
　前記半導体材料が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，請求項１６に記載の半導体材料。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　半導体を反応セルに入れる工程，
　該半導体のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程，並びに
　ＺＴが増大した半導体を回収する工程
を含み，前記半導体が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体のＺＴを増大させる方法。
【請求項２】
　前記半導体がテルル化鉛を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記時間が約３０秒〜約２４時間である，請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記半導体がドーパントをさらに含む，請求項１に記載の方法。
【請求項５】
　前記時間が約５分〜約３０分である，請求項１に記載の方法。
【請求項６】
　前記半導体が，約０．０５ｍｍ〜約４ｍｍの平均粒径を有する半導体の出発粉末を含む，請求項１に記載の方法。
【請求項７】
　前記半導体を高圧及び高温にさらす工程の前に，該半導体が粉末，多結晶の塊，１つ若しくは複数の別々の単結晶，又はそれらの組み合わせを含む，請求項１に記載の方法。
【請求項８】
　ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成の半導体材料よりも高いＺＴを有する，ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料であって，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体材料。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「半導体化合物を反応セルに入れる工程」を補正して，補正後の請求項１の「半導体を反応セルに入れる工程」とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「該半導体化合物のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって該半導体化合物を１ＧＰａ〜２０ＧＰａの圧力及び５００℃〜約２５００℃の高温にさらす工程」を補正して，補正後の請求項１の「該半導体のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程」とすること。
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「前記半導体化合物が，セレン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，及びそれらの混合物からなる群より選択される」を補正して，補正後の請求項１の「前記半導体が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択」されるとすること。
（４）補正事項４
　補正前の請求項１６の「ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体化合物であって，セレン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体化合物」を補正して，補正後の請求項８の「ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料であって，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体材料」とすること。
（５）補正事項５
　補正前の請求項２−６，１３−１５及び１７を削除して，補正前の請求項７−１２をそれぞれ補正後の請求項２−７とすること。
３　新規事項追加の有無，発明の特別な技術的特徴の変更の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１−５について
　補正事項１−４により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１−４は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　また，補正事項５が当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではないことは明らかである。
　したがって，補正事項１−５は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１−５は，発明の特別な技術的特徴を変更するものではないと認められるから，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものといえる。
　さらに，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　補正事項２−４は，いずれも特許法第１７条の２第５項第２号及び第４号に掲げる，特許請求の範囲の減縮，及び，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　補正事項５は，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる，請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１−５は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（２）新規事項追加の有無，発明の特別な技術的特徴の変更の有無，及び，補正の目的の適否についてのむすび
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項，及び，第５項に規定する要件を満たす。
　
４　独立特許要件についての検討
　本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正事項を含むから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，請求項１及び請求項８に係る発明について，更に検討を行う。
　
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１及び請求項８に係る発明（以下「本願補正発明１」及び「本願補正発明８」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲又は図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１及び請求項８に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「【請求項１】
　半導体を反応セルに入れる工程，
　該半導体のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程，並びに
　ＺＴが増大した半導体を回収する工程
を含み，前記半導体が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体のＺＴを増大させる方法。」
「【請求項８】
　ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成の半導体材料よりも高いＺＴを有する，ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料であって，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体材料。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　拒絶査定の理由で引用した，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用例１には，図面とともに次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：国際公開第２００８／００２９１０号
（１ａ）「Claims 
What is claimed is:
  1. 
A method of increasing the Seebeck coefficient of a semiconductor
 
exposing a semiconductor to elevated pressure and elevated temperature for a time sufficient to increase the Seebeck coefficient of the semiconductor
 
recovering the semiconductor with an increased Seebeek coefficient
  2. The method of claim 1, wherein the elevated pressure ranges from about 1 GPa to 20 GPa and 
the elevated temperature ranges from about 500℃ C to about 2500℃
  3. The method of claim 2, wherein the pressure ranges, from about 2 GPa to about 10 GPa.
  4. The method of claim 2, wherein 
the pressure ranges from about 4 GPa to about 8 GPa
  5. The method of claim 2, wherein the temperature ranges from about a sintering temperature of the semiconductor to about 500℃ above a melting point of the semiconductor at process pressures.
  6. The method of claim 2, wherein 
the temperature ranges from a sintering temperature of the semiconductor to about a melting point of the semiconductor at process pressures
  7. The method of claim 1, wherein the semiconductor is selected from the group consisting of selenides, antimonictes, tellurides, sulfides, germanium compounds, and mixtures thereof. 
  8. The method of claim 1, wherein 
the semiconductor is selected from the group consisting of lead selenide, lead sulfide, lead telluride, tin sulfide, tin telluride, and mixtures thereof
  9. The method of claim 1, wherein the semiconductor comprises lead telluride.
  10. The method of claim 1, wherein the time is from about 30 seconds to about 24 hours.
  11. The method of claim 1, wherein the semiconductor further comprises dopants.
  12. The method of claim 1, wherein the time is about 5 minutes to about 30 minutes.
  13. The method of claim 1, wherein the semiconductor comprises a semiconductor starting powder, wherein the semiconductor starting powder has an average particle size of about 0.5 mm to about 4 mm.
  14. The method of claim 1, wherein prior to exposing the semiconductor to elevated pressure and elevated temperature, the semiconductor comprises a powder, a poiycrystalline mass, one or more discrete single crystals, or a combination thereof.」（引用例１に対応する日本語公報である特表２００９−５４２０３４号に基づく日本語訳。以下同じ。：【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
半導体のゼーベック係数を高める方法
　
前記半導体のゼーベック係数を高めるために十分な時間の間，当該半導体を高圧および高温下に曝す工程
　
ゼーベック係数が高まった前記半導体を回収する工程
　を有する方法。
【請求項２】
　請求項１記載の方法において，前記高圧の範囲は約１ＧＰａ〜約２０ＧＰａで，
前記高温の範囲は約５００℃〜約２５００℃
【請求項３】
　請求項２記載の方法において，前記圧力の範囲は約２ＧＰａ〜約１０ＧＰａである。
【請求項４】
　請求項２記載の方法において，
前記圧力の範囲は約４ＧＰａ〜約８ＧＰａ
【請求項５】
　請求項２記載の方法において，前記温度の範囲は，前記半導体の焼結温度にほぼ等しい温度から処理圧力において当該半導体の融点を約５００℃超える温度までの範囲である。
【請求項６】
　請求項２記載の方法において，
前記温度の範囲は，前記半導体の焼結温度から処理圧力において当該半導体の融点にほぼ等しい温度までの範囲
【請求項７】
　請求項１記載の方法において，前記半導体は，セレン化物，アンチモン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，およびこれらの混合物からなる群から選択されるものである。
【請求項８】
　請求項１記載の方法において，
前記半導体は，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，およびこれらの混合物からなる群から選択される
【請求項９】
　請求項１記載の方法において，前記半導体はテルル化鉛を含有するものである。
【請求項１０】
　請求項１記載の方法において，前記時間は約３０秒間〜約２４時間である。
【請求項１１】
　請求項１記載の方法において，前記半導体はドーパントをさらに有するものである。
【請求項１２】
　請求項１記載の方法において，前記時間は約５分間〜約３０分間である。
【請求項１３】
　請求項１記載の方法において，前記半導体は，平均粒径約０．５ｍｍ〜約４ｍｍの半導体出発粉末を含むものである。
【請求項１４】
　請求項１記載の方法において，前記半導体を高圧および高温下に曝す工程の前に，当該半導体は，粉末，多結晶塊，１若しくはそれ以上の不連続単結晶，またはこれらの組み合わせを含むものである。」
（１ｂ）「[0004]
 Good thermoelectric materials should possess Seebeck coefficients with large absolute values, high electrical conductivity (σ, in units of Ω cm), and low thermal conductivity (λ, in units of W/cm K)
[0005] The efficiency of a thermoelectric material is, therefore, described by the thermoelectric figure-of-merit (Z, in units of K-1), which is calculated by the relationship:Ｚ＝α２σ／λ. 
A useful dimensionless figure-of-merit is defined as ZT
[0006] Metals and metal alloys received much interest in the early development of thermoelectric applications, but these materials have a high thermal conductivity. Furthermore, the Seebeck coefficient of most metals is on the order of 10μV/K, or less. Semiconductors were found with Seebeck coefficients greater than 100 μV/K. 
Generally, semiconductors also possess high electrical conductivity and low thermal conductivity, which further increases Z, and thus increases the efficiency of the thermoelectric material
[0007] For instance, bismuth telluride(Bi2Te3) and lead telluridc (PbTe) are two commonly used semiconductor thermoelectric materials with optimized Seebeck coefficients greater than 200 μV/K.
[0008] Optimizing the Seebeck coefficient of a material generally involves synthetic methods by which the stoichtometry of the starting material is slightly altered with a dopant material. Often, this leads to a material with an entirely different composition. In addition, there is no easy way to predict the Seebeck coefficient of a specific material composition.
[0009] Accordingly, there remains a need for materials with Seebeck coefficients with large absolute values. In addition, there remains a need for a method to increase the Seebeck coefficient of a material that does not necessarily involve adding dopants to the material. 
Embodiments herein address these and other needs
良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきである
[0005] したがって，熱電材料の効率は，Ｚ＝α２σ／λで計算される熱電性能指数（Ζ（Ｋ−１単位））により記述される。
有用な無次元性能指数はΖＴと定義され
[0006] 熱電応用の開発が始まった初期，金属および金属合金は関心を集めたが，それらの材料の熱伝導率は高い。また，大半の金属のゼーベック係数は，１０μＶ／Ｋ以下のオーダーである。その後，ゼーベック係数が１００μＶ／Ｋを超える半導体が見つかった。
また一般に，半導体は導電率が高く熱伝導率が低いためΖが高いことから，熱電材料の性能を向上させる
[0007] 例えば，テルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）およびテルル化鉛（ＰｂＴｅ）は，２００μＶ／Ｋを超える最適化されたゼーベック係数を有するものとして一般に使用される半導体熱電材料の２つである。
[0008] 材料のゼーベック係数最適化には，一般に，出発物質の化学量論的作用をドーパント材料でわずかに修正した合成方法が伴う。多くの場合，これにより完全に組成の異なる材料が生まれる。また，特定の材料組成のゼーベック係数を予測する容易な方法もない。
[0009] そのため，ゼーベック係数の絶対値が大きい材料が依然として必要とされている。さらに，必ずしも材料へのドーパント追加を必要とせずに材料のゼーベック係数を向上させる方法も依然として必要とされている。
本明細書の実施形態は，以上に述べた必要性等に応えるものである
（１ｃ）「G. SUMMARY
[0010] A method of increasing the Seebeck coefficient of a semiconductor includes exposing a semiconductor to elevated pressure and elevated temperature for a time sufficient to increase the Seebeck coefficient of the semiconductor when measured at the pressure of use, and recovering the semiconductor.
[0011] In embodiments, the elevated pressure may range from about 1 GPa to 20 GPa and the elevated temperature may range from about the sintering temperature to about 500 ℃ above the melting point of the semiconductor at process pressures, for example, about 500 ℃ to about 2500 ℃. In still other embodiments, the pressure may range from about 2 GPa to about 10 GPa. In still other embodiments, 
the pressure may range from about 4 GPa to about 8 GPa
[0012] In exemplary embodiments, the temperature may range from about the sintering temperature to about 500℃ above the melting point of the semiconductor at process pressures, In other embodiments, 
the temperature may range from about 900℃ to about the melting point of the semiconductor at the process pressures
the semiconductor may be lead selenide, lead sulfide, lead telluride, tin sulfide, tin telluride, and mixtures thereof
[0010] 半導体のゼーベック係数を高める方法には，半導体の使用圧力におけるゼーベック係数を高める上で十分な時間の間，当該半導体を高圧および高温下を曝す工程と，当該半導体を回収する工程とが含まれる。
[0011] 実施形態において，前記高圧の範囲は約１ＧＰａ〜約２０ＧＰａであってよく，前記高温の範囲は，前記半導体の焼結温度にほぼ等しい温度から，処理圧力において当該半導体の融点を約５００℃超える温度（例えば約５００℃〜約℃２５００）までの範囲であってよい。さらに別の実施形態での圧力の範囲は約２ＧＰａ〜約１０ＧＰａであってよい。さらに別の実施形態での
圧力は，約４ＧＰａ〜約８ＧＰａの範囲であってよく
[0012] 例示的な実施形態における温度範囲は，前記半導体の焼結温度にほぼ等しい温度から，処理圧力において当該半導体の融点を約５００℃超える温度までであってよい。他の実施形態における
温度範囲は，約９００℃から，処理圧力において当該半導体の融点にほぼ等しい温度までであってよい
[0013] 半導体は，導電体と絶縁体の間の導電率を有した固体材料であり，その電気伝導は，通常，正孔および電子により起こる。半導体の特性は，一般に温度に応じて異なり，導電率は温度低下に伴い上昇する。例示的な実施形態における半導体は，セレン化物，アンチモン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，およびこれらの混合物のうち１若しくはそれ以上であってよい。ドーパントを加えてもよく，そのその例としてはＢｒ，Ｃｌ，Ｉ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｎａ，Ｋ，Ａｇ，または基材の導電率または熱伝導率を変化させることを目的とした他の不純物などがある。さらに他の実施形態において，前記
半導体は，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，およびこれらの混合物とであってよい
（１ｄ）「[0031] The embodiments described herein relating to PbTe consider improving the Seebeck coefficient of already-created PbTe after HPHT conditions that may have created it have been removed, and not continued processing of elemental Pb and Te. The PbTe that is to be improved may be made by non-HPHT methods or HPHT methods. 
Exemplary methods of synthesizing PbTe for use in the embodiments described herein include mixing or combining elemental Pb and elemental Te in a processing device, and heating the mixture to approximately 900℃ to about 1000℃ under non-elevated pressure (i.e., a pressure that does not substantially vary from atmospheric pressure as compared to the HPHT conditions described above), so that the mixture melts and reacts to form PbTe
The formed PbTe may then be cooled and subsequently subjected to the HPHT conditions described herein in order to improve its Seebeck coefficient
本明細書で説明する実施形態に使用するＰｂＴｅを合成する例示的な方法としては，元素Ｐｂおよび元素Ｔｅを処理装置で混合し若しくは組み合わせ，その混合物を非高圧（上記のＨＰＨＴ条件と比べて実質的に大気圧と変わらない圧力）下で，約９００℃〜約１０００℃に加熱し，前記混合物を溶融および反応させＰｂＴｅを形成させる工程などがある
次に，形成したＰｂＴｅを冷却したのち，そのゼーベック係数を改善するため，本明細書で説明するＨＰＨＴ条件を適用する
（１ｅ）「EXAMPLE 1
[0039] Lead telluride (PbTe) (99.999% (w/w) purity, Alfa Aesar) was shaped into pellets and loaded into a high pressure cell inside a pressure transmitting medium. Samples were HPHT treated at approximately 6.5 GPa at either 900℃ or 1050℃ for a period of 5 to 15 minutes. The resulting PbTe pills were recovered and cut into ingots about 10 mm x 3 mm x 3 mm in dimension for Seebeck measurements. The Seebeck measurements were obtained at temperatures ranging from 75 K to 300 K.
[0040] Table 1 describes 
the HPHT treatments
The average grain size of the semiconductor starting powder from which the pills were pressed is given in the last column. In embodiments, the average particle size of the semiconductor starting powder ranges from about 2 mm to about 4 mm
The as received material was cut from a single chunk of PbTe
[0039] テルル化鉛（ＰｂＴｅ）（９９．９９９％（ｗ／ｗ），Ａｌｆａ　Ａｅｓａｒ社）をペレット形状にし，圧力伝達媒体内の高圧セルに充填した。試料のＨＰＨＴ処理は，約６．５ＧＰａ，９００℃または１０５０℃で，５〜１５分間行った。その結果得られたＰｂＴｅピル（丸剤形状）を回収し，ゼーベック測定用に寸法約１０ｍｍ×３ｍｍ×３ｍｍのインゴット（鋳塊）に切削した。７５Ｋ〜３００Ｋの温度範囲でゼーベック測定値を取得した。
[0040] 表１は，前記ＰｂＴｅピルに適用した
前記ＨＰＨＴ処理
加圧形成したピルの原料である前記半導体出発粉末の平均結晶粒径は，最後の列に示している
諸実施形態における当該半導体出発粉末の平均粒径は，約２ｍｍ〜約４ｍｍの範囲である
当該材料は，受け取られた時点で，ＰｂＴｅの単一塊から切り出されたものであった
（１ｆ）引用例１の第１２ページの表１は，ＨＰＨＴ処理したＰｂＴｅ試料の実験変数を示す表であって，同表の，
・「受取時の状態（As received)」の試料は，圧力，温度，時間は，いずれも「該当せず（Ｎ／Ａ）」であって，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２３２μＶ／Ｋであり，
・「Ｂ」の試料は，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間の処理を行ったものであって，３００Ｋでのゼーベック係数が，−３５７μＶ／Ｋであることを示す記載から，同表から，
・ＰｂＴｅ試料は，「受取時の状態（As received)」から，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理を経ることによって，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２３２μＶ／Ｋから，−３５７μＶ／Ｋへと，高まることを読み取ることができる。
（１ｇ）「EXAMPLE 2 
[0042] 
Samples of lead telluride were synthesized from high purity lead and tellurium at atmospheric pressure, and then subjected to HPHT conditions
A treatment time of 10 minutes was used for all samples, and the starting powder had an average particle size of about 0.05 mm to about 0.1 mm
[0042]
高純度の鉛およびテルルからテルル化鉛の試料を大気圧で合成したのち，これにＨＰＨＴ条件を適用した
処理時間は，すべての試料について１０分間で，出発粉末の平均粒径は約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍであった
（１ｈ）引用例１の第１３ページの表２は，圧力増加がゼーベック係数の上昇に及ぼす効果を示す表であって，同表の，
・「合成時の状態（Synthesized)」の試料は，圧力，温度，時間は，いずれも「該当せず（Ｎ／Ａ）」であって，３００Ｋでのゼーベック係数が，−１４０μＶ／Ｋであり，
・「Ｇ」の試料は，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間の処理を行ったものであって，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２７２μＶ／Ｋであることを示す記載から，同表と，同表についての説明が記載されている，上記摘記（１ｇ）の記載とから，
・高純度の鉛およびテルルからテルル化鉛の試料を大気圧で合成したのち，平均粒径が約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍの出発粉末に，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ条件による処理を行うことで，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２７２μＶ／Ｋとなり，「合成時の状態（Synthesized)」の３００Ｋでのゼーベック係数である−１４０μＶ／Ｋと比べて高まることを読み取ることができる。
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｈ）の記載から，引用例１には，以下に記載する，【実施例１】に記載された，試料Ｂを作製する方法，及び，試料Ｂ，に係る発明（以下「引用発明１」，「引用発明２」という。），並びに，【実施例２】に記載された，試料Ｇを作製する方法，及び，試料Ｇ，に係る発明（以下「引用発明３」，「引用発明４」という。）が開示されていると認められる。
・引用発明１
「テルル化鉛（ＰｂＴｅ）の単一塊から切り出された，平均粒径が，約２ｍｍ〜約４ｍｍの範囲である半導体出発粉末を準備する工程と，
　前記半導体出発粉末を，ペレット形状にし，圧力伝達媒体内の高圧セルに充填する工程と，
　６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理をする工程であって，前記ＨＰＨＴ処理によって，３００Ｋでのゼーベック係数を，ＨＰＨＴ処理前の−２３２μＶ／Ｋから，ＨＰＨＴ処理後の−３５７μＶ／Ｋへと，絶対値において増大させる工程と，
　を含む，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のゼーベック係数を増大させる方法。」
　
・引用発明２
「テルル化鉛（ＰｂＴｅ）（９９．９９９％（ｗ／ｗ），Ａｌｆａ　Ａｅｓａｒ社）をペレット形状にし，圧力伝達媒体内の高圧セルに充填した後に，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理を行った，３００Ｋでのゼーベック係数が，−３５７μＶ／Ｋである，テルル化鉛であって，
　前記ＨＰＨＴ処理を行ったテルル化鉛は，ＨＰＨＴ処理がされていない，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２３２μＶ／Ｋであるテルル化鉛よりも，絶対値において高いゼーベック係数を有するテルル化鉛。」
・引用発明３
「高純度の鉛およびテルルから，大気圧で合成した，出発粉末の平均粒径が，約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍのテルル化鉛の試料を準備する工程と，
　前記試料に，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理をする工程であって，前記ＨＰＨＴ処理によって，３００Ｋでのゼーベック係数を，ＨＰＨＴ処理前の−１４０μＶ／Ｋから，ＨＰＨＴ処理後の−２７２μＶ／Ｋへと，絶対値において増大させる工程と，
　を含む，テルル化鉛のゼーベック係数を増大させる方法。」
・引用発明４
「高純度の鉛およびテルルから，大気圧で合成した，出発粉末の平均粒径が，約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍのテルル化鉛の試料を，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理を行った，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２７２μＶ／Ｋである，テルル化鉛であって，
　前記ＨＰＨＴ処理を行ったテルル化鉛は，ＨＰＨＴ処理がされていない，３００Ｋでのゼーベック係数が，−１４０μＶ／Ｋであるテルル化鉛よりも，絶対値において高いゼーベック係数を有するテルル化鉛。」
（３）新規性・進歩性についての検討
ア　本願補正発明１の新規性・進歩性について
（ア）本願補正発明１と引用発明１との対比
　引用発明１の「半導体出発粉末を，ペレット形状にし，圧力伝達媒体内の高圧セルに充填する工程」は，本願補正発明１の「半導体を反応セルに入れる工程」に相当する。
　また，引用発明１は，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例であるところ，引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項１】半導体のゼーベック係数を高める方法であって，前記半導体のゼーベック係数を高めるために十分な時間の間，当該半導体を高圧および高温下に曝す工程と，ゼーベック係数が高まった前記半導体を回収する工程とを有する方法。」との記載に照らして，引用発明１は，「半導体を回収する工程」を備えることは明らかといえる。
　したがって，引用発明１と本願補正発明１とは，「半導体を反応セルに入れる工程」及び「半導体を回収する工程」を，いずれも含む点で共通するといえる。
　さらに，引用例１の上記摘記（１ｂ）の記載から，引用発明１の「ゼーベック係数」と，本願補正発明１の「ＺＴ」とは，いずれも，「良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値」であると理解される。
　また，引用発明１の「６．５ＧＰａの圧力」及び「１０５０℃の温度」は，それぞれ，本願補正発明１において特定する「約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧」及び「約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温」という範囲に含まれる値といえる。
　そうすると，引用発明１と本願補正発明１とは，「『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程」を含む点で共通するといえる。
　したがって，上記の対応関係から，本願補正発明１と引用発明１との一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体を反応セルに入れる工程，
　『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程，並びに
　『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』が増大した半導体を回収する工程
を含み，前記半導体が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体の『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を増大させる方法。」
＜相違点＞
・相違点１：『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』が，本願補正発明１では，「ＺＴ」であるのに対し，引用発明１では，「ゼーベック係数」である点。
（イ）本願補正発明１と引用発明１との相違点についての判断
・相違点１について
　引用例１の上記摘記（１ｇ）には，以下の記載がある。
「[0004] 良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきである。導電率が高いほど熱電材料のジュール加熱が最小化される一方，熱伝導率が低いほど当該材料中で大きな温度勾配を保つのに役立つ。[0005] したがって，熱電材料の効率は，Ｚ＝α２σ／λで計算される熱電性能指数（Ζ（Ｋ−１単位））により記述される。有用な無次元性能指数はΖＴと定義され，ここで，Ｔは温度（Ｋ），またＺＴ＝α２σＴ／λである。」，「また一般に，半導体は導電率が高く熱伝導率が低いためΖが高いことから，熱電材料の性能を向上させる」，及び，「本明細書の実施形態は，以上に述べた必要性等に応えるものである。」
　
　すなわち，引用発明１は，半導体のゼーベック係数を増大させる方法に関する発明である。
　そして，引用例１の前記記載を参酌すれば，引用発明１において，ゼーベック係数を増大させる目的は，良好な熱電材料を得るためであると理解することができる。
　他方，良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきであり，かつ，有用な無次元性能指数として，ΖＴが，ＺＴ＝α２σＴ／λとして知られている。
　そうすると，当業者であれば，引用例１の上記記載を参酌すれば，引用発明１において，ゼーベック係数を増大させるのは，前記ゼーベック係数を増大させることによって，ＺＴが増大された，良好な熱電材料を得ることを目的としているものと理解できるといえる。
　してみれば，引用発明１に記載された，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）の３００Ｋでのゼーベック係数を，ＨＰＨＴ処理前の−２３２μＶ／Ｋから，ＨＰＨＴ処理後の−３５７μＶ／Ｋへと，絶対値において増大させる，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理を含む方法は，当該テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のＺＴをも増大させるものといえるから，上記相違点１は実質的なものではない。
　
　また，仮に，引用発明１において，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のＺＴが増大していることが明らかでなく，前記相違点が実質的なものであったとしても，引用発明１は，そもそも，良好な熱電材料を得ることを目的としていることが，引用例１の前記記載から明らかであるから，当業者であれば，ゼーベック係数の絶対値が，−２３２μＶ／Ｋから，−３５７μＶ／Ｋへと，１．５４倍に大きく増大した引用発明１において，α２σＴ／λによって定義されるＺＴの値を，前記ＨＰＨＴ処理後に増大せしめることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（ウ）引用発明１を引用発明とした場合の新規性・進歩性の検討のむすび
　本願補正発明１は，引用例１に記載された発明であるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　仮に，本願補正発明１が，引用例１に記載された発明であるとまでは認めることができないとしても，本願補正発明１は，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（エ）本願補正発明１と引用発明３との対比
　引用発明１は，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例であるところ，引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項１】半導体のゼーベック係数を高める方法であって，前記半導体のゼーベック係数を高めるために十分な時間の間，当該半導体を高圧および高温下に曝す工程と，ゼーベック係数が高まった前記半導体を回収する工程とを有する方法。」との記載に照らして，引用発明３の，「約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍのテルル化鉛の試料を準備する工程と，　前記試料に，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理をする工程」が，「半導体を反応セルに入れる工程」及び「半導体を回収する工程」を備えることは明らかといえる。
　したがって，引用発明３と本願補正発明１とは，「半導体を反応セルに入れる工程」及び「半導体を回収する工程」を，いずれも含む点で共通するといえる。
　さらに，引用例１の上記摘記（１ｂ）の記載から，引用発明３の「ゼーベック係数」と，本願補正発明１の「ＺＴ」とは，いずれも，「良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値」であると理解される。
　また，引用発明３の「５．０ＧＰａの圧力」及び「１０５０℃の温度」は，それぞれ，本願補正発明１において特定する「約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧」及び「約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温」という範囲に含まれる値といえる。
　そうすると，引用発明３と本願補正発明１とは，「『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程」を含む点で共通するといえる。
　したがって，上記の対応関係から，本願補正発明１と引用発明３との一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体を反応セルに入れる工程，
　『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を増大させるのに十分な時間にわたって該半導体を約４ＧＰａ〜８ＧＰａの高圧及び約９００℃から約２５００℃までの高温であって，かつ処理圧力での前記半導体のほぼ融点までの高温にさらす工程，並びに
　『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』が増大した半導体を回収する工程
を含み，前記半導体が，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体の『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を増大させる方法。」
＜相違点＞
・相違点２：『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』が，本願補正発明１では，「ＺＴ」であるのに対し，引用発明３では，「ゼーベック係数」である点。
（オ）本願補正発明１と引用発明３との相違点についての判断
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ｇ）には，以下の記載がある。
「[0004] 良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきである。導電率が高いほど熱電材料のジュール加熱が最小化される一方，熱伝導率が低いほど当該材料中で大きな温度勾配を保つのに役立つ。[0005] したがって，熱電材料の効率は，Ｚ＝α２σ／λで計算される熱電性能指数（Ζ（Ｋ−１単位））により記述される。有用な無次元性能指数はΖＴと定義され，ここで，Ｔは温度（Ｋ），またＺＴ＝α２σＴ／λである。」，「また一般に，半導体は導電率が高く熱伝導率が低いためΖが高いことから，熱電材料の性能を向上させる」，及び，「本明細書の実施形態は，以上に述べた必要性等に応えるものである。」
　
　すなわち，引用発明３は，半導体のゼーベック係数を増大させる方法に関する発明である。
　そして，引用例１の前記記載を参酌すれば，引用発明３において，ゼーベック係数を増大させる目的は，良好な熱電材料を得るためであると理解することができる。
　他方，良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきであり，かつ，有用な無次元性能指数として，ΖＴが，ＺＴ＝α２σＴ／λとして知られている。
　そうすると，当業者であれば，引用例１の上記記載を参酌すれば，引用発明３において，ゼーベック係数を増大させるのは，前記ゼーベック係数を増大させることによって，ＺＴが増大された，良好な熱電材料を得ることを目的としているものと理解できるといえる。
　してみれば，引用発明３に記載された，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）の３００Ｋでのゼーベック係数を，ＨＰＨＴ処理前の−１４０μＶ／Ｋから，ＨＰＨＴ処理後の−２７２μＶ／Ｋへと，絶対値において増大させる，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理を含む方法は，当該テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のＺＴをも増大させるといえるから，上記相違点は実質的なものではない。
　また，仮に，引用発明３において，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のＺＴが増大していることが明らかでなく，前記相違点が実質的なものであったとしても，引用発明３は，そもそも，良好な熱電材料を得ることを目的としていることが，引用例１の前記記載から明らかであるから，当業者であれば，ゼーベック係数の絶対値が，−１４０μＶ／Ｋから，−２７２μＶ／Ｋへと，１．９４倍に大きく増大した引用発明３において，α２σＴ／λによって定義されるＺＴの値を，前記ＨＰＨＴ処理後に増大せしめることは，当業者が容易になし得たことである。
（カ）引用発明３を引用発明とした場合の新規性・進歩性の検討のむすび
　本願補正発明１は，引用例１に記載された発明であるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　仮に，本願補正発明１が，引用例１に記載された発明であるとまでは認めることができないとしても，本願補正発明１は，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
イ　本願補正発明８の新規性・進歩性について
（ア）本願補正発明８と引用発明２との対比
　「テルル化鉛（ＰｂＴｅ）」は，「半導体」の一種である。また，「９９．９９９％（ｗ／ｗ）」は，「高純度」の範疇に含まれると解される。そうすると，引用発明２の「テルル化鉛（ＰｂＴｅ）（９９．９９９％（ｗ／ｗ），Ａｌｆａ　Ａｅｓａｒ社）をペレット形状にし，圧力伝達媒体内の高圧セルに充填した後に，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理を行った，３００Ｋでのゼーベック係数が，−３５７μＶ／Ｋである，テルル化鉛」は，本願補正発明８の「ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料」に相当する。
　さらに，引用例１の上記摘記（１ｂ）の記載から，引用発明２の「ゼーベック係数」と，本願補正発明８の「ＺＴ」とは，いずれも，「良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値」であると理解される。
　したがって，上記の対応関係から，本願補正発明８と引用発明２との一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成の半導体材料よりも高い『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を有する，ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料であって，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体材料。」
＜相違点＞
・相違点３：『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』が，本願補正発明８では，「ＺＴ」であるのに対し，引用発明２では，「ゼーベック係数」である点。
（イ）本願補正発明８と引用発明２との相違点についての判断
・相違点３について
　引用例１の上記摘記（１ｇ）には，以下の記載がある。
「[0004] 良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきである。導電率が高いほど熱電材料のジュール加熱が最小化される一方，熱伝導率が低いほど当該材料中で大きな温度勾配を保つのに役立つ。[0005] したがって，熱電材料の効率は，Ｚ＝α２σ／λで計算される熱電性能指数（Ζ（Ｋ−１単位））により記述される。有用な無次元性能指数はΖＴと定義され，ここで，Ｔは温度（Ｋ），またＺＴ＝α２σＴ／λである。」，「また一般に，半導体は導電率が高く熱伝導率が低いためΖが高いことから，熱電材料の性能を向上させる」，及び，「本明細書の実施形態は，以上に述べた必要性等に応えるものである。」
　
　すなわち，引用発明２は，ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成のテルル化鉛よりも高いゼーベック係数を有する，ＨＰＨＴ処理された高純度のテルル化鉛に関する発明である。
　そして，引用例１の前記記載を参酌すれば，引用発明２において，ゼーベック係数を増大させる目的は，良好な熱電材料を得るためであると理解することができる。
　他方，良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきであり，かつ，有用な無次元性能指数として，ΖＴが，ＺＴ＝α２σＴ／λとして知られている。
　そうすると，当業者であれば，引用例１の上記記載を参酌すれば，引用発明２において，ゼーベック係数を増大させるのは，前記ゼーベック係数を増大させることによって，ＺＴが増大された，良好な熱電材料を得ることを目的としているものと理解できるといえる。
　してみれば，引用発明２に記載された，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）の３００Ｋでのゼーベック係数を，ＨＰＨＴ処理前の−２３２μＶ／Ｋから，ＨＰＨＴ処理後の−３５７μＶ／Ｋへと，絶対値において増大させる，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理は，当該テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のＺＴをも増大させるものといえるから，上記相違点は実質的なものではない。
　
　また，仮に，引用発明２において，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）のＺＴが増大していることが明らかでなく，前記相違点が実質的なものであったとしても，引用発明２は，そもそも，良好な熱電材料を得ることを目的としていることが，引用例１の前記記載から明らかであるから，当業者であれば，ゼーベック係数の絶対値が，−２３２μＶ／Ｋから，−３５７μＶ／Ｋへと，１．５４倍に大きく増大した引用発明２において，α２σＴ／λによって定義されるＺＴの値を，前記ＨＰＨＴ処理後に増大したものとすること，当業者が容易になし得たことである。
　
（ウ）引用発明２を引用発明とした場合の新規性・進歩性の検討のむすび
　本願補正発明８は，引用例１に記載された発明であるから，本願補正発明８は，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　仮に，本願補正発明８が，引用例１に記載された発明であるとまでは認めることができないとしても，本願補正発明８は，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（エ）本願補正発明８と引用発明４との対比
　「テルル化鉛」は，「半導体」の一種である。また，「高純度の鉛およびテルルから，大気圧で合成した」「テルル化鉛」は，「高純度」の半導体材料ということができる。そうすると，引用発明４の「高純度の鉛およびテルルから，大気圧で合成した，出発粉末の平均粒径が，約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍのテルル化鉛の試料を，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理を行った，３００Ｋでのゼーベック係数が，−２７２μＶ／Ｋである，テルル化鉛」は，本願補正発明８の「ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料」に相当する。
　さらに，引用例１の上記摘記（１ｂ）の記載から，引用発明４の「ゼーベック係数」と，本願補正発明８の「ＺＴ」とは，いずれも，「良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値」であると理解される。
　したがって，上記の対応関係から，本願補正発明８と引用発明４との一致点及び相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成の半導体材料よりも高い『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』を有する，ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体材料であって，セレン化鉛，硫化鉛，テルル化鉛，硫化スズ，テルル化スズ，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体材料。」
＜相違点＞
・相違点４：『良好な熱電材料を得るために高い値が望ましいとされる前記熱電材料の特性値』が，本願補正発明８では，「ＺＴ」であるのに対し，引用発明４では，「ゼーベック係数」である点。
（オ）本願補正発明８と引用発明４との相違点についての判断
・相違点４について
　引用例１の上記摘記（１ｇ）には，以下の記載がある。
「[0004] 良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきである。導電率が高いほど熱電材料のジュール加熱が最小化される一方，熱伝導率が低いほど当該材料中で大きな温度勾配を保つのに役立つ。[0005] したがって，熱電材料の効率は，Ｚ＝α２σ／λで計算される熱電性能指数（Ζ（Ｋ−１単位））により記述される。有用な無次元性能指数はΖＴと定義され，ここで，Ｔは温度（Ｋ），またＺＴ＝α２σＴ／λである。」，「また一般に，半導体は導電率が高く熱伝導率が低いためΖが高いことから，熱電材料の性能を向上させる」，及び，「本明細書の実施形態は，以上に述べた必要性等に応えるものである。」
　
　すなわち，引用発明４は，ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成のテルル化鉛よりも高いゼーベック係数を有する，ＨＰＨＴ処理された高純度のテルル化鉛に関する発明である。
　そして，引用例１の前記記載を参酌すれば，引用発明４において，ゼーベック係数を増大させる目的は，良好な熱電材料を得るためであると理解することができる。
　他方，良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきであり，かつ，有用な無次元性能指数として，ΖＴが，ＺＴ＝α２σＴ／λとして知られている。
　そうすると，当業者であれば，引用例１の上記記載を参酌すれば，引用発明４において，ゼーベック係数を増大させるのは，前記ゼーベック係数を増大させることによって，ＺＴが増大された，良好な熱電材料を得ることを目的としているものと理解できるといえる。
　してみれば，引用発明４に記載された，テルル化鉛の３００Ｋでのゼーベック係数を，ＨＰＨＴ処理前の−１４０μＶ／Ｋから，ＨＰＨＴ処理後の−２７２μＶ／Ｋへと，絶対値において増大させる，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理は，当該テルル化鉛のＺＴをも増大させるといえるから，上記相違点は実質的なものではない。
　
　また，仮に，引用発明４において，テルル化鉛のＺＴが増大していることが明らかでなく，前記相違点が実質的なものであったとしても，引用発明４は，そもそも，良好な熱電材料を得ることを目的としていることが，引用例１の前記記載から明らかであるから，当業者であれば，ゼーベック係数の絶対値が，−１４０μＶ／Ｋから，−２７２μＶ／Ｋへと，１．９４倍に大きく増大した引用発明４において，α２σＴ／λによって定義されるＺＴの値を，前記ＨＰＨＴ処理後に増大したものとすること，当業者が容易になし得たことである。
（カ）引用発明４を引用発明とした場合の新規性・進歩性の検討のむすび
　本願補正発明８は，引用例１に記載された発明であるから，本願補正発明８は，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　仮に，本願補正発明８が，引用例１に記載された発明であるとまでは認めることができないとしても，本願補正発明８は，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（キ）審判請求人は，審判請求書の請求の理由において，次のように主張する。
「（３）理由１及び２（新規性及び進歩性欠如の拒絶理由）について 
 　引用文献１及び２では，金属の組み合わせが高圧で焼結されることが教示されています。 
 　また，引用文献３では，９００℃よりも低い低温焼結が開示されています。 
 　したがって，引用文献１〜３では，本願発明における高圧高温（ＨＰＨＴ）下で化合物が焼結されることについては何ら教示も示唆もされていません。 
 　よって，引用文献１〜３は，本願発明を開示するものでないのみならず，引用文献１〜３に基づいて本願発明に想到することも決して容易ではありません。」
　
　そこで，審判請求人の前記主張について検討すると，引用例１（上記引用文献１）の上記摘記（１ｅ）の記載に照らして，引用例１には，テルル化鉛（ＰｂＴｅ）の単一塊から切り出された，平均粒径が，約２ｍｍ〜約４ｍｍの範囲である半導体出発粉末を準備して，前記半導体出発粉末を，ペレット形状にし，圧力伝達媒体内の高圧セルに充填し，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理をする発明，すなわち，鉛とテルルとからなる
化合物
　
　また，引用例１の上記（１ｇ）の記載からも，引用例１には，高純度の鉛およびテルルから，大気圧で合成した，出発粉末の平均粒径が，約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍのテルル化鉛の試料を，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理するをする発明，すなわち，テルル化鉛という
化合物
（ク）さらに，出願人は，平成２５年１２月９日に提出した意見書において，次のように主張する。
「（３．２）引用文献１〜３について
　たとえ仮に引用文献１〜３においてゼーベック係数を増加させる方法が開示されているとしても，熱電性能指数（ＺＴ）の改善は熱電能（すなわちゼーベック係数）の改善から自明ではありません。このことは，導電率及び熱伝導率が熱電能と深く関係しており，したがって熱電能が改善されると，ほとんどの場合は導電率が低下するという事実によるものです。さらに言えば，より高い熱電能，より高い導電率及びより低い熱伝導率の間には本質的な矛盾があります。よって，これら３つのすべてを正しい方向に進めてＺＴを改善することはほとんど不可能です。したがって，熱電能がＨＰＨＴ処理によって改善されたからといって，ＺＴも同様に改善されるであろうとは決して言えません。
　実際，当業者は熱電能を改善し，しかしながら導電率を低下させそしてＺＴを低下させることができます。それゆえ，ＺＴを改善するためにＨＰＨＴ処理をしようとすることは決して自明ではありません。
　したがって，引用文献１〜３は，本願発明を開示するものでないのみならず，引用文献１〜３に基づいて本願発明に想到することも決して容易ではありません。」
　そこで，前記主張について検討すると，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「[0004] 良好な熱電材料は，絶対値が大きいゼーベック係数と，高い導電率（σ（Ω　ｃｍ単位））と，低い熱伝導率（λ（Ｗ／ｃｍ　Ｋ単位））とを有すべきである。導電率が高いほど熱電材料のジュール加熱が最小化される一方，熱伝導率が低いほど当該材料中で大きな温度勾配を保つのに役立つ。[0005] したがって，熱電材料の効率は，Ｚ＝α２σ／λで計算される熱電性能指数（Ζ（Ｋ−１単位））により記述される。有用な無次元性能指数はΖＴと定義され，ここで，Ｔは温度（Ｋ），またＺＴ＝α２σＴ／λである。」との記載に照らして，ＺＴの値は，ゼーベック係数の二乗（α２）と，導電率／熱伝導率（σ／λ）との積に比例することが理解できる。
　そして，引用発明１，３，及び，引用発明２，４においては，ＨＰＨＴ処理の前後において，ゼーベック係数（α）は，それぞれ，１．５４倍，及び，１．９４倍と増大しているのであるから，引用発明１，３，及び，引用発明２，４において，ＨＰＨＴ処理の前後において，ＺＴの値が増大しなかったというためには，導電率／熱伝導率（σ／λ）の値の変化が，ＨＰＨＴ処理の前後において，前記ゼーベック係数の増大分の二乗の逆数倍と等しいか，それを越える必要があることが明らかである。
　
　しかしながら，材料に処理を加えた場合の，導電率と，熱伝導率の変化の方向が，通常は同じ方向になること（導電率を増大させる処理をすると，当該処理によって，熱伝導率が増大する傾向があること。）は，出願人が「より高い導電率及びより低い熱伝導率の間には本質的な矛盾があります。」と主張するように，当業者において周知の事項といえるから，仮に，出願人が，「したがって熱電能が改善されると，ほとんどの場合は導電率が低下するという事実によるものです。」と主張するように，ペレット形状にした，テルル化鉛の粉末に，６．５ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１５分間のＨＰＨＴ処理をした場合，あるいは，出発粉末の平均粒径が，約０．０５ｍｍ〜約０．１ｍｍのテルル化鉛の試料に，５．０ＧＰａの圧力，１０５０℃の温度で，１０分間のＨＰＨＴ処理をした場合に，熱電能が改善されるのに併せて導電率が低下したとしても，前記導電率の低下と同時に，熱伝導率も低下する傾向を示すと考えられるから，結局，当該ＨＰＨＴ処理による，導電率／熱伝導率（σ／λ）の値の変化の程度は，前記ゼーベック係数の増大分の二乗，すなわち，（１．５４）２，あるいは（１．９４）２に比べて十分に小さいものとなると認められる。
　すなわち，引用発明１−引用発明４のＨＰＨＴ処理によって，仮に，出願人が意見書で主張するように「熱伝導率が増大する傾向がある」としても，当該熱伝導率の増大によるＺＴの値への影響は，導電率の増大によって緩和されると共に，前記導電率の増大によって緩和された熱伝導率の増大によるＺＴの値への影響は，ゼーベック係数の増大による影響に比べて十分に小さいものと推認されるから，「引用文献１は，本願発明を開示するものでないのみならず，引用文献１に基づいて本願発明に想到することも決して容易ではありません」とする，出願人の前記主張は採用することはできない。
（ケ）さらに，本願の【００３８】の表１には，「ＨＰＴＰ処理された
ＰｂＴｅ試料
・圧力：Ｎ／Ａ，温度：４００℃，時間：１２時間である「従来の試料」の３００℃におけるＺＴが，１．１８×１０−２であること，
・圧力：４．０ＧＰａ，温度：１０４５℃，時間：１０分のＨＰＨＴ処理された「試料２」の３００℃におけるＺＴが１．０１×１０−１であり，上記「通常の試料」よりも，ＺＴが増大していること，及び，
・圧力：５．５ＧＰａ，温度：１０４５℃，時間：１０分のＨＰＨＴ処理された「試料３」の３００℃におけるＺＴが５．０８×１０−２であり，上記「通常の試料」よりも，ＺＴが増大していること，
を，それぞれ読み取ることができる。
　
　他方，上記引用発明３，引用発明４において用いられている半導体は，本願の【００３８】の表１に記載された試料と同じ「ＰｂＴｅ」であり，上記引用発明３，引用発明４において用いられているＨＰＨＴ処理の圧力は，本願の【００３８】の表１に記載された「試料２」の「４．０ＧＰａ」と，「試料３」の「５．５ＧＰａ」の間の値である「５．０ＧＰａ」であり，ＨＰＨＴ処理の温度は，上記引用発明３，引用発明４の１０５０℃と比較して，本願の【００３８】の表１に記載された「試料２」，「試料３」の１０４５℃は，ほぼ同じということができ，さらに，ＨＰＨＴ処理の時間は，いずれも同じ１０分となっている。
　そうすると，引用発明３，引用発明４は，そのＨＰＨＴ処理によって，本願の【００３８】の表１に記載された「試料２」，「試料３」の中間程度の特性を示すものと推認される。してみれば，引用発明３，引用発明４は，本願の【００３８】の表１に記載された「試料２」，「試料３」と同様に，ＨＰＨＴ処理によってＺＴが増大するものと推認され，当該推認を妨げる特段の事情を見いだすこともできない。
　したがって，出願人が主張するように，「熱電性能指数（ＺＴ）の改善は熱電能（すなわちゼーベック係数）の改善から自明ではありません。」としても，引用例１に記載された各発明においては，ゼーベック係数の改善が，熱電性能指数（ＺＴ）の改善に寄与するものと認められるから，出願人の前記主張は採用することはできない。
（４）むすび
　相違点１−４については，以上のとおりであるから，本願補正発明１及び本願補正発明８は，いずれも引用例１に記載された発明である。
　また，仮に，本願補正発明１及び本願補正発明８が，いずれも引用例１に記載された発明でないとしても，本願補正発明１及び本願補正発明８は，いずれも引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願補正発明１及び本願補正発明１は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，あるいは，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年６月１７日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−１７に係る発明は，平成２５年１２月９日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲又は図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１７に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１及び請求項１６に係る発明に係る発明（以下「本願発明１」及び「本願発明１６」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　半導体化合物を反応セルに入れる工程，
　該半導体化合物のＺＴを増大させるのに十分な時間にわたって該半導体化合物を１ＧＰａ〜２０ＧＰａの圧力及び５００℃〜約２５００℃の高温にさらす工程，並びに
　ＺＴが増大した半導体を回収する工程
を含み，前記半導体化合物が，セレン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体のＺＴを増大させる方法。」
「【請求項１６】
　ＨＰＨＴ処理されていない同じ組成の半導体材料よりも高いＺＴを有する，ＨＰＨＴ処理された高純度の半導体化合物であって，セレン化物，テルル化物，硫化物，ゲルマニウム化合物，及びそれらの混合物からなる群より選択される，半導体化合物。」
　
２　新規性・進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１及び本願発明１６を限定したものである本願補正発明１及び本願補正発明８が，前記「第２　４　（３）新規性・進歩性についての検討」で判断したとおり，引用例１に記載された発明であり，あるいは，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと判断されることから，本願発明１及び本願発明１６も同様に，引用例１に記載された発明であり，あるいは，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１及び請求項１６に係る発明は，引用例１に記載された発明であり，あるいは，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，あるいは，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。