【事件の表示】
　特願２０１０−　７６３３６「集束イオンビーム装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２０日出願公開、特開２０１１−２１０４９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年３月２９日の出願であって、平成２６年１月７日付けで拒絶理由が通知され、同年３月１４日付けで意見書が提出されると共に、同日付けで手続補正がなされ、同年８月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１２月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２６年３月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の、
「【請求項１】
　針状のチップと、チップを加熱し、チップ温度を調整するヒーターと、チップに複数のガス種のイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部と、チップからイオンを引き出す引出電極と、イオンを集束するレンズ系と、レンズ系で集束したイオンビームを照射する試料を載置する試料ステージと、試料から放出した二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の検出信号から試料の観察像を形成する像形成部と、観察像を表示する表示部と、観察像のコントラストとブライトネスを調整する調整部とを有する集束イオンビーム装置において、
　前記ガス種毎に、前記チップの設定温度と、前記イオン源ガスのガス圧力と、前記引出電極に印加する引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値と、を記憶する記憶部と、
　前記ガス種を選択し入力する入力部と、
　入力した前記ガス種に対応する前記設定温度と、前記ガス圧力と、前記引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値と、を前記記憶部から読み出し、それぞれ前記ヒーターと、前記イオン源ガス供給部と、前記引出電極と、前記調整部を設定する制御部と、を有し、
　前記チップに供給された前記複数のガス種は混合されることを特徴とする集束イオンビーム装置。」が、
「【請求項１】
　針状のチップと、チップを加熱し、チップ温度を調整するヒーターと、チップに複数のガス種のイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部と、チップからイオンを引き出す引出電極と、イオンを集束するレンズ系と、レンズ系で集束したイオンビームを照射する試料を載置する試料ステージと、試料から放出した二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の検出信号から試料の観察像を形成する像形成部と、観察像を表示する表示部と、観察像のコントラストとブライトネスを調整する調整部とを有する集束イオンビーム装置において、
　前記ガス種毎に、前記チップの設定温度と、前記イオン源ガスのガス圧力と、前記引出電極に印加する引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値と、を記憶する記憶部と、
　前記ガス種を選択し入力する入力部と、
　入力した前記ガス種に対応する前記設定温度と、前記ガス圧力と、前記引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値と、を前記記憶部から読み出し、それぞれ前記ヒーターと、前記イオン源ガス供給部と、前記引出電極と、前記調整部を設定する制御部と、を有し、
　前記チップに供給された前記複数のガス種は混合され
、設定された前記チップの設定温度と、前記引出電圧と、前記ガス圧力と、前記コントラスト及びブライトネスの設定値と、の少なくともいずれかに対応するガス種のイオン種を前記試料に照射す
　そして、特許請求の範囲の請求項１についての上記補正は、複数のガス種が混合された際に照射されるガス種について、「設定された前記チップの設定温度と、前記引出電圧と、前記ガス圧力と、前記コントラスト及びブライトネスの設定値と、の少なくともいずれかに対応するガス種のイオン種」であることを特定する補正事項からなり、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含む。
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しないか）について、以下に検討する。
（１）特許法第３６条第６項第１号（特許請求の範囲の記載（サポート）の要件）違反について
ア　本願補正発明について
　本願補正発明は、平成２６年１２月２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
　そして、本願補正発明は、「前記チップに供給された前記複数のガス種は混合され
、設定された前記チップの設定温度と、前記引出電圧と、前記ガス圧力と、前記コントラスト及びブライトネスの設定値と、の少なくともいずれかに対応するガス種のイオン種を前記試料に照射す
イ　本願の明細書及び図面の記載について
　上記「ア」の発明特定事項について、本願の明細書及び図面には、
「【００１５】
 イオン発生室２１は、図示略の排気装置を用いて内部が所望の高真空状態に保持されるようになっている。図示していないが、試料室１５とイオン銃２０の真空度の差を作るためのオリフィスを複数個備えている。このオリフィスにより、試料室へのイオン化ガスの流入、また試料室に導入するガスのイオン銃室への流入を防いでいる。
イオン発生室２１には、イオン源用ガスノズル２またはイオン源用ガスノズル１０２を介して第一のイオン源用ガス供給源３または第二のイオン源用ガス供給源１０３が接続されており、どちらか、または両方のイオン源用ガスノズルからイオン発生室２１内に微量のガス（例えば、Ａｒガス）を供給するようになっている。
また、バルブ１１２とバルブ１２２で流量調整することも可能である。
【００１６】
　なお、イオン源用ガス供給源３から供給されるガスは、Ａｒガスに限られるものではなく、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）、窒素（Ｎ２）等のガスであってもよい。また、
イオン源用ガス供給源３から複数種のガスを供給可能に構成し、用途に応じてガス種を切り替えたり、１種類以上を混合したりすることができるようにしてもよい。
と記載されているのみである。この記載においては、混合した複数のガス種を供給した際に、混合した複数のガス種のうち、所定条件に対応するガス種を照射することは記載も示唆もされているということができず、また、そのためにどのような制御を行うかについても、それに関する記載も示唆も無い。
ウ　請求人の主張について
　上記記載について、請求人は、「明細書の詳細な説明の段落０００９、００１５、００１６、００２８、００２９等から自明な事項であります。」との旨主張する。
　しかしながら、上記イで摘記した以外の明細書の記載箇所は、いずれも、ガス種の切り替えについて述べたものであって、混合ガスから所定のガス種を照射すること及びそのためにどのような制御を行うかについては、何ら記載も示唆も無い。
　むしろ、【００１６】の「
イオン源用ガス供給源３から複数種のガスを供給可能に構成し、用途に応じてガス種を切り替えたり、１種類以上を混合したりすることができるようにしてもよい。
　してみると、混合したガス種をさらに所望のイオン種が照射されるよう切り替えることは、本願の明細書及び図面の記載から当業者にとって自明の事項とも認められない。そのため、上記発明特定事項に記載された具体的制御手段についても、当業者にとって自明のこととは認められない。
　したがって、請求人の上記主張は、根拠のない主張であり、採用できない。
エ　まとめ
　したがって、本願補正発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとは認めることができず、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（２）特許法第２９条第２項（発明の進歩性の要件）違反について
ア　本願補正発明
　上記（１）に記載のとおり、本願補正発明は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていないが、以下では、仮に、上記の事項が発明の詳細な説明に記載したものであるとして、本願補正発明の進歩性を判断する。
　本願補正発明は、平成２６年１２月２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものであるとする。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
イ　引用例
（ア）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００８−２７００３９号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「（イ）　引用例１に記載された発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
ａ　「【０００４】
  通常、試料の異常箇所の観察には高分解能の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope、以下、ＳＥＭと略記）が用いられる。また、近年ではＳＥＭと集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）の複合機ＦＩＢ-ＳＥＭ装置も用いられるようになった。このＦＩＢ-ＳＥＭ装置では、ＦＩＢを照射して所望の箇所に角穴を形成することにより、その断面をＳＥＭ観察することができる。」
ｂ　「【００４４】
  次に、イオン源の動作について述べる。キセノンボンベのボンベバルブ５１を開け、次に減圧弁５５によりガス配管内の圧力を調整する。次に、イオン源へガス供給に開閉を行うためのストップバルブ５７を開ける。最後にニードルバルブ５９によりイオン源内へのガス流量を調整する。イオン源の真空度が数Ｐａになるように調整して、カソード７１とアノード７３間に約１ｋＶの電圧を印加するとガス放電が生じる。この放電プラズマよりアノード孔を通してキセノンイオンを引き出す。
すなわち、イオン源に２０ｋＶの高電圧を印加して、接地電位の引き出し電極７６方向にイオンビーム７５を引き出すのである。
ｃ　「【００４９】
  また、これらのガス種切り替えは、計算処理装置９８によって集中的に操作可能である。ずなわち、計算処理装置９８のディスプレイ上にはガス種、ガス種切り替えスイッチ、ボタンなどが表示される。そして、ディスプレイ上のガス種を選択するかあるいは切り替えスイッチを選択すると、自動的にガス種切り替えの操作が行われる。」
ｄ　「【００６０】
  特に、本実施例では、成型イオンビームを用いることにより、より大きな電流で精度の高い加工ができる。特に輝度の低いイオン源であってもビーム電流を大きくでき、かつ加工精度が高くできるため断面加工が短時間で可能という効果を奏することができる。これは半導体装置の製造プロセスにおいては、不良発生原因となる可能性が高いＧａに替わって、試料の特性に顕著な影響を及ぼさない不活性ガスや酸素、窒素などの気体元素のイオンビームを用いることができることを意味する。したがって、半導体デバイス等の歩留向上のために、ウェーハをＧａなどの金属で汚染することなく、イオンビームによる断面形成が可能となり、さらにウェーハを割断することなく断面観察ができるため、ウェーハを評価のために無駄に廃棄せず、かつ検査のための試料を取り出したウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法が提供される。また、ウェーハを割断することなく評価でき、新たな不良を発生させず、高価なウェーハを無駄にすることはな
い。ひいては、半導体装置の製造歩留りが向上する
  （実施例２）
  実施例１で示した構成のイオンビーム加工・観察装置では、イオンビーム照射系が鉛直方向にイオンビーム照射系が配置されているが、本実施例では、イオンビーム照射系は鉛直方向から傾斜した方向に配置され、ステージ面が水平方向に固定された装置について述べる。
【００６１】
  また、本実施例では、
イオンビームの行路途中に質量分離器を設けて、相対的に質量数の小さいイオンを照射する際に、質量数の大きなイオンを除去する
【００６２】
  また、本実施例では、試料から微小試料を摘出して透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）試料を作製する手段についても説明する。
【００６３】
  なお、本実施例でも、マスク開口の形状を試料上に投影した成型イオンビームを用いる。
【００６４】
  図４に、本実施例のイオンビーム加工・観察装置を示す。本イオンビーム加工・観察装置は、
ア
ガスイオンを放出するイオン源のデュオプラズマトロン１、質量分析器３００、イオン源アパーチャ２６、コンデンサレンズ２、対物レンズ３、イオンビーム走査偏向器４、ステンシルマスク５、及びこれらを格納するイオンビームカラム２１用の鏡筒などから構成されるイオンビーム照射系が配置され
【００６５】
  また、本装置には、
電子銃７、電子銃７から放出する電子ビーム８を集束する電子レンズ９、電子ビーム走査偏向器１０及びそれらを格納する電子ビームカラム（ＳＥＭカラム）２２等で構成される電子ビーム照射系を備え
イオンビームカラム２１及びＳＥＭカラム２２の下部には真空試料室２３が配置され
真空試料室内２３には、試料１１を載置する第１の試料ステージ１３、二次粒子検出器１２、デポガス源１８などが格納され
【００６６】
  
本装置を制御する装置として、デュオプラズマトロン制御装置９１、質量分離器制御装置６２、イオン源アパーチャ制御装置９３、レンズ制御装置９４、ステンシルマスク制御装置９５、イオンビーム走査偏向器制御装置９６、第１の試料ステージ制御装置１４、第２の試料ステージ制御装置２５、マニピュレータ制御装置１７、デポガス源制御装置１８、二次電子検出器制御装置２７、２８、電子ビーム照射系制御装置９７、および計算処理装置９８などが配置され
計算処理装置９８は、二次粒子検出器の検出信号を基に生成された画像や、情報入力手段によって入力した情報などを表示するディスプレイを備え
【００６７】
  本実施例では、図５で示すような
ガス供給系を持つイオン源
本ガス供給機構は、ボンベバルブ５１、５２をもつ２種類のガスボンベ５３、５４、各々のボンベの減圧弁５５、５６、各々のガス系統のストップバルブ５７、５８、および微量なガス流量を調整可能であるニードルバルブ５９からな
第一のガスボンベにはアルゴン、第二のガスボンベにはヘリウムが充填され
【００６８】
  次に、イオン源の動作について述べる。
アルゴンボンベ５３のボンベバルブ５１を開け、次に減圧弁５５によりガス配管内の圧力を調整
次にイオン源へガス供給に開閉を行うためのストップバルブ５７を開け
最後にニードルバルブ５９によりイオン源内へのガス流量を調整
イオン源の真空度が数Ｐａになるように調整し
カソード７１とアノード７３の間に約１ｋＶの電圧を印加するとガス放電が生じ
イオン源電圧の２０ｋＶ電圧が印加されている
イオンビーム７５の量が最高になるようにガス流量をニードルバルブ５９で調整し、さらに放電電圧についても調整
ニードルバルブ調整ノブ６１は固定し、放電電圧は制御装置９１に記憶
【００６９】
  
次に、ストップバルブ５７を閉止し、放電電圧を印加解除してアルゴンの放電を止め
バイパスバルブ８１を開けてイオン源中のアルゴンを排気
【００７０】
  
次に、
ヘリウムボンベバルブ５２を開け、減圧弁５６によりガス配管内の圧力を調整し、ストップバルブ５８を開け
最後にニードルバルブ５９については固定したままと
イオン源内へのガス流量については減圧弁５６の２次圧力により調整して、ガス放電が生じるように
ヘリウムイオンビームの量が最高になるようにガス流量を調整し、さらに放電電圧についても調整して、放電電圧は制御装置９１に記憶
【００７１】
  
次に、アルゴンビームに切り替えるためには同様にストップバルブ５８を閉止し、放電電圧を印加解除してヘリウムの放電を止め、バイパスバルブを開けてイオン源中のヘリウムを排気
アルゴンイオンを生成するためにアルゴンのストップバルブを開けて、記憶されている放電電圧に切り替え
【００７２】
  ここで、一般にイオン源内のガス量はイオンビームの量を最大にする条件は、アルゴンとヘリウムでは異なる。本実施例では、このためニードルバルブが一つでガス種を切り替えるため、実施例１の２系統のガス供給機構を持つ場合に比べて、ガス量の調整精度は良くないが、ニードルバルブがひとつであり、構造が簡単になるという効果を奏する。
【００７３】
  次に、イオンビーム照射系の動作について述べる。まず、
デュオプラズマトロン１からアルゴンイオンビームを引き出
質量分離器３００を動作させて、アルゴンイオンビームが通過するように
質量分離器の機能は、計算処理装置からの指令により、質量分離器制御装置が動作して実行され
質量分析器３００を通過したアルゴンイオンビームをコンデンサレンズ２により対物レンズ３の中心近傍に集束させ
コンデンサレンズ２の電極に印加する電圧を、この条件を満たすように予め計算によって求めておいた値に計算処理装置９８で設定
イオンビームは矩形の穴を有するステンシルマスク５を通過
対物レンズ３はステンシルマスク５を試料の上に投影する条件で制御
対物レンズ３の電極に印加する電圧を、上記条件を満たすように予め計算によって求めておいた値に計算処理装置９８で設定
試料上には矩形の成型イオンビームが照射され
成型イオンビームを照射し続けると試料に矩形の穴が形成され
【００７４】
  次に、
試料ステージ制御装置により第１のステージ１３を、図６のように９０度回転させて、イオンビーム照射系から、イオンビームで形成した試料断面が観察できるように
【００７５】
  
イオン源の動作を上述したような手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するように
イオンビームのコンデンサレンズと対物レンズの電圧条件を変えて、イオン源のアノード穴を光源として、これをコンデンサレンズと対物レンズで試料上に縮小投影
詳細な断面観察像を得
加工のときに用いた成型イオンビーム電流に比べて、観察のときには少ない集束イオンビーム電流を用いることにより高分解能観察を実現
【００７６】
  ここで、質量分析器を用いない場合には、イオン源の残留アルゴンがイオン化して試料に照射される場合がある。このアルゴンイオンにより、試料面が削り取られ詳細な観察が困難になる場合があるが、本実施例では、質量分析器によりヘリウムイオンのみを観察に用いることにより削り取れる割合が少なくなるため詳細な観察が可能になる。
【００７７】
  なお、ヘリウムイオンビームによる観察機能は、試料の断面を観察することのみならず、試料表面の構造、異物、および欠陥を観察することなどにも用いることができる。」
ｅ　「【００７８】
  また、本実施例の装置でも、図２に示したような２系統のガス供給機構のイオン源を使っても有効であることは言うまでもない。また、
イオン源に同時にアルゴンおよびヘリウムのガスを混合して導入するか、予め準備したアルゴンとヘリウムの混合ガスを導入して、同時にアルゴンとヘリウムのイオンを生成させて
ｆ　「【００７９】
  次に、電子ビーム照射系の動作について説明する。電子銃７から放出される電子ビーム８を電子レンズ９により集束して試料１１に照射する。このとき電子ビーム８を電子ビーム走査偏向器１０により走査しながら試料表面に照射し、試料表面から放出される二次電子を二次粒子検出器１２で検出して、その強度を画像の輝度に変換すれば試料を観察することができる。この電子ビームによる試料観察機能によれば試料上に形成された回路パターンの欠陥や異物など異常箇所を観察することが可能である。特に、本装置では、試料に対して垂直方向から電子ビームを照射する構造であるため穴径に対する深さの比の大きい穴の中に関する異常についても情報を得るのに好適である。」
ｇ　「【００８２】
  次に、成型イオンビームを用いて第１のステージ上の試料から微小試料を摘出する手順について、図７Ａ、図７Ｂで説明する。図７Ａ、図７Ｂの左図が試料上方から見た上面図、図７Ａ、図７Ｂの右図が試料側方から見た側面図である。本装置ではミクロンメートルサイズの成型イオンビームを用いるため、加工位置のマーキングをイオンビームで行うことは必ずしも適切で無い。そこで本装置ではナノメートルサイズの電子ビームを用いて行う。
【００８３】
  まず、微小試料を摘出する領域が電子ビーム照射可能になるように第１の試料ステージ１３を移動する。図７Ａの（ａ）において、デポガス源１８からデポジションガスを供給しながら電子ビーム８を照射して、試料１１面上にデポジション膜を形成することにより観察断面を指示する両端マーク１３０を２個作製する。すなわち、計算処理装置のディスプレイの画面で、試料の画像を観察しながら観察位置をマークで特定するのである。このようにミクロンメートルサイズ成型イオンビームによる加工装置でありながら電子ビームとの連携によりナノメートルオーダのマーキングが可能になった。
【００８４】
  次に、マーク近傍にアルゴンの第１の成型イオンビーム１３１が照射可能なように第１の試料ステージ１３を移動する。ここで、ステンシルマスクを、図８の（ａ）に示す形状の穴に切り替える。この時には電流が約２００ｎＡ得られる。そこで、図７Ａの（ｂ）に示すように、２個のマークをその内側に含むようにアルゴンの第１の成型イオンビーム１３１を照射し、深さ約１５μｍの第１の成型穴１３２（成型穴Ａ）を設ける。
【００８５】
  次に、イオンビームをアルゴンからヘリウムに切り替え、ステンシルマスクを、図８の（ｂ）に示す円形の穴に切り替える。この時には、このビームの断面はほぼ円形になる。ただし、試料上ではイオンビームが試料に対して傾斜しているため楕円形となるが、これを走査すれば試料を観察することが可能である。なお、
切り替え動作は、装置ユーザが、情報入力手段を介して切り替え命令を入力する
ことにより実行され
【００８６】
  次に、図７Ａの（ｃ）に示すように、試料表面に対する垂直軸を回転軸として、試料ステージ制御装置により試料を約１８０度回転させる。ここで、楕円形の
ヘリウムイオンビームの照射によって試料から発生する二次電子によって形成する二次電子像を画像処理する
【００８７】
  ここで、アルゴンイオンビームの替わりにヘリウムイオンビームを用いているために、プローブがイオンビーム照射によって損傷される度合いが低いという効果を奏する。そし
て摘出すべき試料にプローブを固定するために、プローブ先端を含む領域に、デポジション用ガスを流出させつつイオンビームを走査させる。このようにしてイオンビーム照射領域にデポ膜１３４が形成され、プローブと摘出すべき試料とは接続される。
【００８８】
  次に、イオンビームをヘリウムからアルゴンに切り替えて、ステンシルマスクを、図８の（ｃ）に示す形状の成型ビーム１３５の試料照射位置も円形のビームによって設定できるように予め調整しておく。図７Ｂ（ｅ）において、楕円形のビームの照射によって得られた試料形状情報によりイオンビーム制御装置によってイオンビーム照射位置を制御し、第１の成型ビームと合せて２個のマークをその内側に含むように第２の成型イオンビーム１３５を照射し、深さ約１５μｍの第２の成型穴１３６（成型穴Ｂ）を設ける。この成型穴Ｂは先に第１の成型イオンビームによって形成した成型穴Ａと交わる。図７Ａの（ａ）から図７Ｂの（ｅ）の工程によってマークを含み、三角形断面のクサビ型微小試料１３７がプローブに保持されている状態になる。
【００８９】
  次に、イオンビームをアルゴンからヘリウムに切り替えて、ステンシルマスクを、図８の（ｂ）に示す円形の穴に切り替える。図７Ｂの（ｆ）に示すように、イオンビームを照射して得られる二次電子像を観察しながら、プローブ制御装置によりプローブ位置を移動してプローブの先端に接続されて摘出した微小試料１３７を第２のステージ上の試料ホルダ１４０に移動させる。図７Ｂの（ｇ）において、デポジションガスを導入しつつ微小試料１３７と試料ホルダ１４０との接触部にヘリウムイオンビームを照射する。ここで、イオンビーム照射領域にデポ膜１３８が形成され、微小試料１３７は試料ホルダ１４０に接続できる。
【００９０】
  次に、図７Ｂの（ｈ）に示すように、イオンビームをヘリウムからアルゴンに切り替えて、プローブと微小試料を接続しているデポ膜にアルゴンイオンビームを照射してスパッタ除去することで、プローブ１５を微小試料１３７から分離する。」
ｈ　「【００９７】
  また、本実施例では、デュオプラズマイオン源を用いた場合について説明したが、マイクロ波を用いたプラズマイオン源、誘導結合プラズマイオン源、マルチカスプ型のイオン源、
電界電離型イオン源
ｉ　「【００９９】
  以上、本実施例で説明したイオンビーム加工・観察装置、加工・観察方法および微小試料作製方法によれば、実施例１に説明した効果に加え、ヘリウムイオンビーム照射時に相対的に質量数の大きいイオンの照射を避けられるという効果を得ることができ、また、ヘリウムイオンビームに切り替え時にアルゴンイオンの排気および置換に要する時間を短縮できるためイオンビーム切り替えに要する時間を短縮することが可能になる。また、イオン源で発生した金属イオン等の不純物イオンが質量分離器で取り除かれ試料まで到達することが無く、試料を不純物で汚染することがないため、デバイス製造の歩留まりを低下させないという効果を奏することができる。」
ｊ　「【０１００】
  （実施例３）
  図９に、イオン源として電界電離型イオン源を用いた例について示す。なお、本実施例では、ガス供給機構は、実施例１で説明したものと同様な構成を有するので、その動作についての説明は省略する。
【０１０１】
  本イオン源では、タングステン製イオンエミッタティップ４０２の先端を鋭利に加工する。さらに、イオンエミッタティップ４０２を冷凍機４０１により数１０Ｋ程度に冷却する。また、ガスも冷却して、イオンエミッタティップ４０２に強電界を印加するとエミッタティップ先端近傍からイオンビームを引き出すことができる。」
ｋ　「【図４】
【図５】
【図６】
」
ｌ　上記摘記事項ｂ、ｄ、ｋの記載から、本イオンビーム加工・観察装置は、引き出し電極７６を備え、イオン源の動作にあたり、アルゴンガスについては、イオン源に２０ｋＶの高電圧を印加して、接地電位の引き出し電極７６方向にイオンビーム７５を引き出していることが開示されている。同様に、ヘリウムガスについても、イオン源に高電圧を印加して、接地電位の引き出し電極７６方向にイオンビーム７５を引き出していることが開示されている。
（イ）　引用例１に記載された発明の認定
　摘記事項ｈの記載から、上記摘記事項ｄの「イオン源のデュオプラズマトロン１」、「デュオプラズマトロン１」及び「イオン源」は、いずれも「電解電離型イオン源」と読み替えることができることは、明らかである。
　ここで、摘記事項ｄの【００７５】の「イオン源の動作を上述したような手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するようにする。」との記載の「ガスの切り替え」に関する「イオン源の動作」の「上述したような手順」とは、上記摘記事項ｄの【００７１】に記載された「ガス種の切り替えはストップバルブと放電電圧の切り替操作で行い、ニードルバルブ５９は固定しておく」という操作であるのは明らかである。
　してみると、上記「イオン源の動作を上述したような手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するようにする。」との記載は、「イオン源の動作を、ガス種の切り替えはストップバルブと放電電圧の切り替操作で行い、ニードルバルブ５９は固定しておく操作のような手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するようにする。」と読み替えられることもまた、明らかである。
　その上で、摘記事項ｅには「イオン源に同時にアルゴンおよびヘリウムのガスを混合して導入するか、予め準備したアルゴンとヘリウムの混合ガスを導入して、同時にアルゴンとヘリウムのイオンを生成させても良い。この場合にも、ヘリウムイオンビームを照射している時には、アルゴンイオンビームが試料に照射されないという効果を生じる。」と記載されている。
　ここで、摘記事項ｄの【００６１】や、摘記事項ｉの記載から、混合ガスの導入は、アルゴンビームからヘリウムビームに切り替える際に行われることが開示されていることは明らかである。また、混合ガスが導入される際に、イオン源の動作を「上述したような手順」により、所望の混合ガスが導入されるようにストップバルブを切り替えるとともに、ヘリウムビームが通過するように放電電圧をヘリウムガスに対応するものに切り替えているのも、また明らかである。
　してみると、上記摘記事項から、引用例１には、「イオン源の動作を、ガス種の切り替えは混合ガスが導入されるようにストップバルブを切り替えると共に、ヘリウムビームが通過するように放電電圧をヘリウムガスに対応するものに切り替える切り替操作で行い、ニードルバルブ５９は固定しておく操作手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するようにする」旨が記載されていると認められる。
　さらに、摘記事項ｇには、ガス種の切り替えに関し、「切り替え動作は、装置ユーザが、情報入力手段を介して切り替え命令を入力するか、或いは、計算制御装置がマスク制御機構へ切替えの制御信号を送信することにより実行され」と記載されている。上記記載は、第１のステージ上の試料から微少試料を摘出する手順であるが、これは、引用例１において、他の手順でもガスの切り替えを行う際に同様に行われていると解するのが適当である。
　同様に、摘記事項ｇの【００８６】には、画像処理に関し、「ヘリウムイオンビームの照射によって試料から発生する二次電子によって形成する二次電子像を画像処理する」と記載されている。上記記載は、第１のステージ上の試料から微少試料を摘出する手順であるが、これは、引用例１において、他の手順でも、ヘリウムイオンビームの照射により二次電子像を得る際に同様に行われていると解するのが適当であり、摘記事項ｆ、ｋの記載からも、その二次電子の検出を「二次粒子検出器１２」で行っていることは明らかである。さらに、上記摘記事項ｄの【００６６】の「二次粒子検出器の検出信号を基に生成された画像」における「画像」と、上記の「二次電子像」とは同一の物を指すは明らかであり、引用例１における画像処理については、ヘリウムイオンビームの照射によって試料から発生する二次電子を、二次粒子検出器１２で検出し、二次粒子検出器の検出信号を基に生成する画像を画像処理するもの構成であることは明らかである。
　上記の点も含めて、引用例１の記載事項（図面の記載を含む）を総合すると、引用例１には、
「イオンビームの行路途中に質量分離器を設けて、相対的に質量数の小さいイオンを照射する際に、質量数の大きなイオンを除去するイオンビーム加工・観察装置であって、
ガスイオンを放出する電解電離型イオン源、質量分析器３００、イオン源アパーチャ２６、コンデンサレンズ２、対物レンズ３、イオンビーム走査偏向器４、ステンシルマスク５、及びこれらを格納するイオンビームカラム２１用の鏡筒などから構成されるイオンビーム照射系が配置され、
電子銃７、電子銃７から放出する電子ビーム８を集束する電子レンズ９、電子ビーム走査偏向器１０及びそれらを格納する電子ビームカラム（ＳＥＭカラム）２２等で構成される電子ビーム照射系を備え、
イオンビームカラム２１及びＳＥＭカラム２２の下部には真空試料室２３が配置され、
真空試料室内２３には、試料１１を載置する第１の試料ステージ１３、二次粒子検出器１２、デポガス源１８などが格納され、
本装置を制御する装置として、電解電離型イオン源制御装置９１、質量分離器制御装置６２、イオン源アパーチャ制御装置９３、レンズ制御装置９４、ステンシルマスク制御装置９５、イオンビーム走査偏向器制御装置９６、第１の試料ステージ制御装置１４、第２の試料ステージ制御装置２５、マニピュレータ制御装置１７、デポガス源制御装置１８、二次電子検出器制御装置２７、２８、電子ビーム照射系制御装置９７、および計算処理装置９８などが配置され、
計算処理装置９８は、二次粒子検出器の検出信号を基に生成された画像や、情報入力手段によって入力した情報などを表示するディスプレイを備え、
電解電離型イオン源はガス供給機構を備え、
本ガス供給機構は、ボンベバルブ５１、５２をもつ２種類のガスボンベ５３、５４、各々のボンベの減圧弁５５、５６、各々のガス系統のストップバルブ５７、５８、および微量なガス流量を調整可能であるニードルバルブ５９からなり、
第一のガスボンベにはアルゴン、第二のガスボンベにはヘリウムが充填され、
アルゴンボンベ５３のボンベバルブ５１を開け、次に減圧弁５５によりガス配管内の圧力を調整し、次に電解電離型イオン源へガス供給に開閉を行うためのストップバルブ５７を開け、最後にニードルバルブ５９により電解電離型イオン源内へのガス流量を調整して電解電離型イオン源の真空度が数Ｐａになるように調整しカソード７１とアノード７３の間に約１ｋＶの電圧を印加してガス放電を生じさせ、イオン源に２０ｋＶの高電圧を印加して、接地電位の引き出し電極７６方向にイオンビーム７５を引き出し、イオンビーム７５の量が最高になるようにガス流量をニードルバルブ５９で調整し、さらに放電電圧についても調整し、ニードルバルブ調整ノブ６１は固定し、放電電圧は制御装置９１に記憶し、
次に、ストップバルブ５７を閉止し、放電電圧を印加解除してアルゴンの放電を止め、バイパスバルブ８１を開けて電解電離型イオン源中のアルゴンを排気し、
次に、ヘリウムボンベバルブ５２を開け、減圧弁５６によりガス配管内の圧力を調整し、ストップバルブ５８を開け、最後にニードルバルブ５９については固定したままとし、電解電離型イオン源内へのガス流量については減圧弁５６の２次圧力により調整して、ガス放電が生じるようにし、イオン源に２０ｋＶの高電圧を印加して、接地電位の引き出し電極７６方向にイオンビーム７５を引き出し、ヘリウムイオンビームの量が最高になるようにガス流量を調整し、さらに放電電圧についても調整して、放電電圧は制御装置９１に記憶し、
次に、アルゴンビームに切り替えるためには同様にストップバルブ５８を閉止し、放電電圧を印加解除してヘリウムの放電を止め、バイパスバルブを開けて電解電離型イオン源中のヘリウムを排気し、アルゴンイオンを生成するためにアルゴンのストップバルブを開けて、記憶されている放電電圧に切り替えるものであって、
電解電離型イオン源からアルゴンイオンビームを引き出し、質量分離器３００を動作させて、アルゴンイオンビームが通過するようにし、質量分離器の機能は、計算処理装置からの指令により、質量分離器制御装置が動作して実行され、質量分析器３００を通過したアルゴンイオンビームをコンデンサレンズ２により対物レンズ３の中心近傍に集束させ、コンデンサレンズ２の電極に印加する電圧を、この条件を満たすように予め計算によって求めておいた値に計算処理装置９８で設定し、イオンビームを矩形の穴を有するステンシルマスク５を通過させ、対物レンズ３はステンシルマスク５を試料の上に投影する条件で制御し、対物レンズ３の電極に印加する電圧を、上記条件を満たすように予め計算によって求めておいた値に計算処理装置９８で設定することで、試料上には矩形の成型イオンビームが照射され、成型イオンビームを照射し続けると試料に矩形の穴が形成し、
次に、試料ステージ制御装置により第１のステージ１３を、９０度回転させて、イオンビーム照射系から、イオンビームで形成した試料断面が観察できるようにし、
電解電離型イオン源の動作を、ガス種の切り替えは混合ガスが導入されるようにストップバルブを切り替えると共に、ヘリウムビームが通過するように放電電圧をヘリウムガスに対応するものに切り替える切り替操作で行い、ニードルバルブ５９は固定しておく操作手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するようにし、
イオンビームのコンデンサレンズと対物レンズの電圧条件を変えて、電解電離型イオン源のアノード穴を光源として、これをコンデンサレンズと対物レンズで試料上に縮小投影して、詳細な断面観察像を得て、加工のときに用いた成型イオンビーム電流に比べて、観察のときには少ない集束イオンビーム電流を用いることにより高分解能観察を実現し、
ガス種の切り替え動作は、装置ユーザが、情報入力手段を介して切り替え命令を入力することにより実行され、
ヘリウムイオンビームの照射によって試料から発生する二次電子を、二次粒子検出器１２で検出し、二次粒子検出器の検出信号を元に形成する画像を画像処理した、
イオンビーム加工・観察装置。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　また、引用発明とは別の実施例である引用例１の【００３９】〜【００６０】（特に、上記「イ　引用例」の「（ア）」の摘記事項ｃ参照）には、「ディスプレイ上にガス種、ガス種切り替えスイッチ、ボタンなどが表示され、ディスプレイ上のガス種を選択することで、ガス種切り替えの操作を行う、二種類のガスイオンを試料に照射可能なイオンビーム加工・観察装置」の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
（ウ）　原査定の拒絶の理由に通知され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平１−２６５４２９号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　第１ページ右下欄第４行目ないし第７行目
「（産業上の利用分野）
　本発明は、半導体集積回路などの微細な加工に用いる集束イオンビーム装置に適用するイオン発生装置及びイオン発生方法に関するものである。」
ｂ　第２ページ左下欄第１３行目ないし第１９行目
「　第１図は本発明の一実施例の一部断面図である。１は針状電極、２は中央部に孔を有する板状の引出電極、３は針状電極保持機構、４は絶縁ブロック、５は冷媒、６はガス導入系、７は加熱機構、８は温度測定器、９は加熱電源、１０は加速電源、１１は引出電源、１２は絶縁碍子、１３はイオン光学系筐体、１４は圧力計、１５はイオンビームである。」
ｃ　第２ページ右下欄第４行目ないし第１１行目
「このため、冷媒５により絶縁ブロック４、金属性の針状電極保持機構３を介して針状電極１が冷却される。冷媒５の温度よりも高温にするためには加熱機構７、加熱源９によって絶縁ブロック４を加熱し、冷媒５による冷却との均衡によって、任意の温度に設定できる。針状電極１の温度は、保持部分周辺の温度を温度測定器８によって測定し、制御できる。」
ｄ　第３ページ左上欄第２行目ないし第５行目
「ガス圧は、圧力計１４で測定しながらガス導入系６からのガスの流量を調整して制御できるが、排気ポンプと使用する圧力によってはガス流量のみで容易に制御できる。」
ｅ　第３ページ左上欄第１２行目ないし左下欄第１２行目
「　第２図は種々のガスの温度と蒸気圧の関係を示す図である。一般に温度と蒸気圧との関係は次式で示される。
　ｌｏｇ（Ｐ）　＝　Ａ−Ｂ／（Ｃ＋Ｔ）
　ただし、Ａ、Ｂ、Ｃは定数（参考文献、「化学便覧」改訂３版、日本化学会編、Ｐ．ＩＩ-１１１　〜ＩＩ-１３２）、Ｐは圧力（Ｔｏｒｒ）　、Ｔは温度（℃）である。図面上で曲線の左上は凝縮（多分子層吸着）、液化の生じる領域、右下は単分子吸着の生じる領域である。
　・・・（中略）・・・
　針状電極にガスを凝縮させるには、例えば窒素（Ｎ２）では温度２５°Ｋ、ガス圧１×１０−４ｔｏｒｒとすれば良い。同様に、キセノン（Ｘｅ）では温度５５°Ｋ、ガス圧５×ｌ０−５ｔｏｒｒ、ホスフィン（ＰＨ３）では温度６０°Ｋ、ガス圧１×１０−５ｔｏｒｒとすれば良い。それぞれ窒素イオン、キセノンイオン、燐イオン、水素イオンが生成される。イオンの原料をガスの形で導入し、さらに異常放電の住じない圧力とするため、長時間、安定にイオン生成できる。」
ｆ　「第１図
第２図
」
（エ）　原査定の拒絶の理由に通知され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００５−２６１９２号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
「【００３５】
  集束イオンビーム加工観察装置などによって自動加工を行う際には、加工中のステージ微動やビーム照射位置の経時ドリフトによる加工位置ずれを防ぐために、試料の加工部位近傍に試料位置確認用のマークをあらかじめ形成しておき、その位置を参照して加工ビームの走査位置を補正するマーク参照加工がよく行われる（図１２）。たとえば図１３に示すように、ダイシング等の手段で切り出した厚さ数十ミクロンの試料の一部を更に薄膜化して透過電子顕微鏡用の試料を作成する場合、切り出し試料の端面にマークをあらかじめ形成して、そのマーク像を登録保存しておき、加工領域をマークとの相対位置で決めておく。自動加工を開始すると、装置は各加工要素（加工領域１、２）を加工する前に、自動的にマーク参照領域にビームを走査してマークのイオン顕微鏡像を得（Ｓ４２）、登録像との画像中のマークの位置ずれを画像照合によって評価し（Ｓ４３）、各加工領域のビーム走査基準位置の微補正を行う（Ｓ４４）。このときマークの位置ずれ検出を画像信号に頼っているので、マーク参照領域の画像取得の前に、ブライトネス・コントラスト調整を実施して位置ずれ検出を確実なものにすることが望ましい（Ｓ４１）。しかし特に高速加工用の大電流ビームで画像を取得する場合、ビームを繰り返し試料面上で走査する間に、試料表面（マーク）が削れてゆくという問題があるため、調整完了までに多くの回数の画像取得を繰り返す必要のある従来のブライトネス・コントラスト調整技術は適用し難いものであった。本発明のブライトネス・コントラスト調整技術をマーク像の読取りの前に導入すれば、調整が完了するまでの画像データの取得回数を少なく抑えることができるので、マークの著しい損傷を回避でき、かつ確実なマーク参照加工が実施できるようになる。」
（オ）　原査定の拒絶の理由に通知され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平２−３７６４９号公報（以下、「引用例４」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　第１ページ左下欄第１８行目ないし右下欄第１行目
「［従来の技術］
　従来、集束イオンビーム装置のイオン源としては、液体金属イオン源、電解電離型イオン源及びデュオプラズマトロン型イオン源が知られている。」
ｂ　第１ページ右下欄第１８行目ないし第２ページ右上欄第５行目
「　一方、電解電離型イオン源は、一般にイオンソースとしてガスを用い、このガス分子を高電界により電離させて、イオンを発生させるものである。このイオンソースガスとしては、従来よりヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ２）等のガスが知られており、例えば、特開昭５９−１１７１１２号公報にはイオンガスソースとしてＨｅを用いたイオン源が開示されている。」
ｃ　第２ページ左下欄第１２行目ないし右下欄下から第６行目
「　本発明においてイオンソースガスとして用いるネオン（Ｎｅ）と従来よりイオンソースガスとして用いられているＨｅ、Ａｒ及びＨ２との４種類のガスについて、ガス分子がイオン化する電界及び沸点を表２に示す。この表２からわかるように、イオン化する電界はＨ２＜Ａｒ＜Ｎｅ＜Ｈｅであり、沸点はＨｅ＜Ｈ２＜Ｎｅ＜Ａｒである。
　イオン化する電界は低い方がガス分子をイオン化しやすい。」
ｄ　「表２
」
（カ）　原査定の拒絶の理由に通知され、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開平３−１１０７４３号公報（以下、「引用例５」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　第２ページ右上欄第４行目ないし第６行目
「［産業上の利用分野］
　本発明は集束イオンビームを用いた分析方法及び分析装置に関する。」
ｂ　第３ページ右下欄第１２行目ないし第４ページ左上欄第１９行目
「　第６図は結晶粒の二次電子コントラストがイオン源によってどのように変化するかを調べた結果を示す図である。
　図で、Ｂｅをイオン源とした場合は結晶粒のコントラストは見られず、Ｓｉイオンの場合はＧａイオンの場合の半分程度のコントラストであり、ＡｕイオンでＧａイオンの場合とほぼ同じコントラストであることがわかった。即ち、結晶粒観察のためのイオン源としてはＳｉ以上の質量を持つ元素が必要である。
　走査イオン顕微鏡では表面、断面形状を観察できることが特徴であるので分解能を高める必要がある。
　分解能を高めるには、結晶粒のコントラストを見るときとは逆に、Ｈｅ等の原子番号の小さい元素が有効であるので、本発明では形状観測用に軽い元素を用い、結晶粒観察にはＧａを越える質量の元素を用いるようにした。
　次に、第６図の測定法について説明する。
　Ｇａ−Ａｕ−Ｓｉ合金を溶かしてイオン源とし、電界と磁界を印加して質量分離することにより、それぞれのイオン源における、結晶粒に対するコントラストを比較した。
　ここで、コントラストは、同一のＡｌ膜を試料として、各結晶粒における二次電子像の明るさの比が大きいほどコントラストが高いとした。即ち、コントラストは明るい結晶粒と位結晶粒との放出される二次電子強度の比である。」
ｃ　「第６図
」
ウ　本願補正発明と引用発明との対比
（ア）　対比
　ここで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「アルゴン」及び「ヘリウム」は、その物質の種別を指す場合には、いずれも本願補正発明の「ガス種」に相当し、その気化した物質そのものを指す場合には、「ガス種のイオン源ガス」に相当する。そして、当該「アルゴン」及び「ヘリウム」が供給される、「ボンベバルブ５１、５２をもつ２種類のガスボンベ５３、５４、各々のボンベの減圧弁５５、５６、各々のガス系統のストップバルブ５７、５８、および微量なガス流量を調整可能であるニードルバルブ５９からな」る「ガス供給機構」は、本願補正発明の「複数のガス種のイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部」に相当する。
　そして、本願補正発明の「チップ」は、イオン源の構成要素の一つであることは明らかであるから、引用発明の電解電離型イオン源にガス供給を行う上記構成を備えた「ガス供給機構」と、本願補正発明の「チップに複数のガス種のイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部」とは、「イオン源に複数のガス種のイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部」である点で一致する。
ｂ　引用発明の「イオンビーム７５を引き出」す「引し出し電極７６」は、本願補正発明の「イオンを引き出す引出電極」に相当する。
　そして、上記ａでも記載の通り、本願補正発明の「チップ」は、イオン源の構成要素の一つであることは明らかであるから、引用発明の「イオン源に」「高電圧を印加して」「イオンビームを引き出」す「引き出し電極７６」と、本願補正発明の「チップからイオンを引き出す引出電極」とは、「イオン源からイオンを引き出す引出電極」である点で一致する。
ｃ　引用発明の「コンデンサレンズ２」、「対物レンズ３」はその「電圧条件を変えて」「集束イオンビーム電流を用いることにより高分解能観察を実現し」たものであることから、上記「コンデンサレンズ２」と「対物レンズ３」を備えた構成は、本願補正発明の「イオンを集束するレンズ系」に相当する。
ｄ　引用発明の、「試料１１を載置する第１の試料ステージ１３」は、上記ｃのレンズ系で集束した「イオンビームで形成した試料断面が観察できるようにし」たものであり、本願補正発明の「レンズ系で集束したイオンビームを照射する試料を載置する試料ステージ」に相当する。
ｅ　引用発明の「二次電子」、「二次粒子」は、いずれも本願補正発明の「二次荷電粒子」に相当し、引用発明の「試料から発生する二次電子」は、本願補正発明の「試料から放出した二次荷電粒子」に相当する。したがって、引用発明の、「イオンビームの照射によって試料から発生する二次電子を」「検出」する「二次粒子検出器１２」は、本願補正発明の「試料から放出した二次荷電粒子を検出する検出器」に相当する。
ｆ　引用発明の「画像」は、「ヘリウムイオンビームの照射によって試料から発生する二次電子を、二次粒子検出器１２で検出し、二次粒子検出器の検出信号を基に生成する」ものであり、本願補正発明の「試料の観察像」に相当する。そして、引用発明の「ヘリウムイオンビームの照射によって試料から発生する二次電子を、二次粒子検出器１２で検出し、二次粒子検出器の検出信号を元に形成する画像を画像処理」する構成は、上記ｅの記載も参酌すると、本願補正発明の「検出器の検出信号から試料の観察像を形成する像形成部」に相当する。
ｇ　引用発明の「二次粒子検出器の検出信号を基に生成された画像」「を表示するディスプレイ」は、上記ｅ、ｆの記載も参酌すると、本願補正発明の「観察像を表示する表示部」に相当する。
ｈ　引用発明の「イオンビーム加工・観察装置」は、上記ｃでも記載のとおり、「集束イオンビーム電流を用いる」ものであるから、本願補正発明の「集束イオンビーム装置」に相当する。
ｉ　引用発明の「制御装置９１」は、アルゴン及びヘリウムそれぞれについて、「調整し」た「放電電圧」を「記憶」したものであるから、本願補正発明の「記憶部」に相当する。
　そして、引用発明の、アルゴン及びヘリウムそれぞれについて、「イオンビームの量が最高になるようにガス流量について調整し、さらに放電電圧についても調整し」、当該「放電電圧」を「記憶」する制御装置９１と、本願補正発明の「前記ガス種毎に、前記チップの設定温度と、前記イオン源ガスのガス圧力と、前記引出電極に印加する引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値と、を記憶する記憶部」とは、「前記ガス種毎に、所定パラメータの設定値を記憶する記憶部」である点で一致する。
ｊ　引用発明の「装置ユーザーが」、ガス種の「切り替え命令を入力する」「情報入力手段」と、本願補正発明の「ガス種を選択し入力する入力部」とは、「前記ガス種を入力する入力部」である点で一致する。
ｋ　引用発明における、「アルゴンビームに切り替えるためには同様にストップバルブ５８を閉止し、放電電圧を印加解除してヘリウムの放電を止め、バイパスバルブを開けて電解電離型イオン源中のヘリウムを排気し、アルゴンイオンを生成するためにアルゴンのストップバルブを開けて、記憶されている放電電圧に切り替える」構成は、これを物理的に実現するために、記憶を読み出し、構成要素を制御する制御部を備えていることは明らかであり、本願補正発明の「入力した前記ガス種に対応する前記設定温度と、前記ガス圧力と、前記引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値と、を前記記憶部から読み出し、それぞれ前記ヒーターと、前記イオン源ガス供給部と、前記引出電極と、前記調整部を設定する制御部」とは、「入力した前記ガス種に対応する所定パラメータの設定値を前記記憶部から読み出し、対応する構成要素を設定する制御部」を有する点で一致する。
ｌ　引用発明の「電解電離型イオン源の動作を、ガス種の切り替えは混合ガスが導入されるようにストップバルブを切り替えると共に、ヘリウムビームが通過するように放電電圧をヘリウムガスに対応するものに切り替える切り替操作で行い、ニードルバルブ５９は固定しておく操作手順でアルゴンからヘリウムに切り替え、質量分析器３００を動作させて、ヘリウムイオンビームが通過するようにし、
イオンビームのコンデンサレンズと対物レンズの電圧条件を変えて、電解電離型イオン源のアノード穴を光源として、これをコンデンサレンズと対物レンズで試料上に縮小投影して、詳細な断面観察像を得て、加工のときに用いた成型イオンビーム電流に比べて、観察のときには少ない集束イオンビーム電流を用いることにより高分解能観察を実現し」た構成と、本願補正発明の「前記チップに供給された前記複数のガス種は混合され、設定された前記チップの設定温度と、前記引出電圧と、前記ガス圧力と、前記コントラスト及びブライトネスの設定値と、の少なくともいずれかに対応するガス種のイオン種を前記試料に照射する」構成とは、上記ａの記載も参酌すると、「イオン源に供給された前記複数のガス種は混合され、設定された所定パラメータの設定値に対応するガス種のイオン種を前記試料に照射する」点で一致する
（イ）　一致点
　そこで、本願補正発明と引用発明は、
「イオン源に複数のガス種のイオン源ガスを供給するイオン源ガス供給部と、イオン源からイオンを引き出す引出電極と、イオンを集束するレンズ系と、レンズ系で集束したイオンビームを照射する試料を載置する試料ステージと、試料から放出した二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の検出信号から試料の観察像を形成する像形成部と、観察像を表示する表示部とを有する集束イオンビーム装置において、
　前記ガス種毎に、所定パラメータの設定値を記憶する記憶部と、
　前記ガス種を入力する入力部と、
　入力した前記ガス種に対応する所定パラメータの設定値を前記記憶部から読み出し、対応する構成要素を設定する制御部と、を有し、
　前記イオン源に供給された前記複数のガス種は混合され、設定された所定パラメータの設定値に対応するガス種のイオン種を前記試料に照射する
集束イオンビーム装置。」
である点で一致し、次の各点で相違する。
（ウ）　相違点
ａ　相違点１
　本願補正発明が、イオン源の構成として、ガス種が供給され、イオンが引き出される「針状のチップ」と、「チップを加熱し、チップ温度を調整するヒーター」とを特定しているのに対し、引用発明では、イオン源ガス供給部の上記構成を特定していない点。
ｂ　相違点２
　本願補正発明が、「観察像のコントラストとブライトネスを調整する調整部」を有するのに対し、引用発明ではその点について記載されていない点。
ｃ　相違点３
　本願補正発明が、ガス種に対応する所定パラメータを、「前記チップの設定温度と、前記イオン源ガスのガス圧力と、前記引出電極に印加する引出電圧と、前記コントラストの設定値と、前記ブライトネスの設定値」としているのに対し、引用発明では、上記のパラメータを用いることが記載されていない点。
ｄ　相違点４
　「ガス種を入力する入力部」について、本願補正発明が、ガス種を「選択」するものであるのに対し、引用発明では、「選択」するものであるか否か明記されていない点。
エ　当審の判断
（ア）　上記の各相違点について検討する。
ａ　相違点１−３について
　イオン源の構成要素として、ガス種が供給され、イオンが引き出される「針状のチップ」と、「チップを加熱し、チップ温度を調整するヒーター」は、引用例２で例示するとおり、集束イオンビーム装置において通常備えられる構成要素として、当業者には周知である。（引用例２の「針状電極１」の温度を調整可能な「加熱機構７」が本願補正発明の「針状のチップ」と、「チップを加熱し、チップ温度を調整するヒーター」に相当。）」（相違点１）
　同様に、「観察像のコントラストとブライトネスを調整する調整部」も、引用例３で例示するとおり、集束イオンビーム装置において通常備えられる構成要素として、当業者には周知である。（引用例３の「ブライトネス・コントラスト調整」を行う機構が、本願補正発明の「観察像のコントラストとブライトネスを調整する調整部」に相当。）」（相違点２）
　さらに、ガス種に応じて集束イオンビーム装置の特性に対する条件が異なるパラメータとして、チップの設定温度や、イオン源ガスのガス圧力、イオン化する電界強度及びそれに影響を与える引出電圧や、二次電子のコントラストやブライトネスは、引用例２ないし５で例示するとおり、集束イオンビーム装置の分野に属する当業者にとっては、いずれも周知の技術常識にすぎない。（相違点３）
　そして、そのパラメータの制御に必要な構成要素も上記のとおり、集束イオンビーム装置で通常備えられるものにすぎない。
　してみると、引用発明は、ガス種に応じて集束イオンビーム装置の特性に対する条件が異なるパラメーターの一つである「放電電圧」の設定値を記憶し、イオンビームを制御することで、ガス種を切り替えて、加工・観察を行うものであるので、引用発明において、より精緻な制御を行うために、相違点１，２に係る必要な構成要素を備えると共に「チップの温度」、「イオン源ガスのガス圧力」、「引出電極に印加する引出電圧」、「コントラストの設定値」、「ブライトネスの設定値」についても記憶及び制御の対象とすることで、上記相違点１−３に係る発明特定事項を得ることは、引用発明、引用例２，３で例示した周知の構成要素、引用例２ないし５で例示した周知の技術常識に基いて当業者が容易に想到しうる事項にすぎない。
ｂ　相違点４について
　引用例１発明には、ガス種の切り替えを入力するにあたり、ガス種を選択可能に表示すること、すなわちガス種を選択し入力することが記載されている。
　してみると、引用発明と引用例１発明とは、いずれも、二種類のガスイオンを試料に照射可能なイオンビーム加工・観察装置に関する発明であって、ディスプレイを通じてガス種の切り替えを行う点でも共通しており、ユーザーインターフェースの向上のために、引用発明においても、そのガス種の入力にあたって、引用例１発明のようにディスプレイ上にガス種を「選択可能に」表示しておくことで、上記相違点４に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、引用発明及び引用例１発明に基いて当業者が容易に想到し得たものである。
（イ）　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例１発明、引用例２，３で例示した周知の構成要素、引用例２ないし５で例示した周知の技術常識から当業者が予測しうる程度のものである。
（ウ）　上申書について
　請求人は、平成２７年４月２３日付けで上申書を提出し、
ａ　「引用文献１には、」「イオン源室内の混合ガスを放電電圧等の調整により一方のイオンを生成し試料の照射することは記載も示唆もありません。」（なお、「試料の照射する」は、「試料に照射する」の誤記であると解される。）
ｂ　「よって、出願人は、現在の請求項のままでも拒絶の理由は存在しないと依然として考えておりますが、より本願の趣旨をより明りょうにするため、下記の補正も検討しております。」として、設定値の切り替えのタイミングをガス種の切り替えの際に限定する旨の補正案を提示している。
　ａ、ｂについて検討するに、「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）特許法第２９条第２項（発明の進歩性の要件）違反について」の「イ　引用例」の「（イ）　引用例１に記載された発明の認定」でも述べたとおり、混合ガスが導入された際に、放電電圧はヘリウムイオンビームが通過するように切り替えていると認められる。
　してみると、上記請求人のａに係る主張は、事実に基づかない主張であって、採用できない。
　また、上記出願人のｂに係る主張は、仮に上記補正案を受け入れたとしても、引用発明の制御のタイミングと何ら変わるものではなく、特許法第２９条第２項の拒絶の理由を解消する余地はない。
　したがって、ａ、ｂはいずれも採用できず、結果として、請求人の主張は採用できない。
（エ）　まとめ
　以上の通り、本願補正発明は、引用発明、引用例１発明、引用例２，３で例示した周知の構成要素、引用例２ないし５で例示した周知の技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年１２月２日付けの手続補正は、上記の通り却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年３月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定）の「１　本件補正について」の記載参照。）
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許用件違反についての検討」の「（２）特許法第２９条第２項（発明の進歩性の要件）違反について」の「イ　引用例」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　上記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明において、チップに供給された複数のガス種が混合されたとき、「設定された前記チップの設定温度と、前記引出電圧と、前記ガス圧力と、前記コントラスト及びブライトネスの設定値と、の少なくともいずれかに対応するガス種のイオン種を前記試料に照射する」ことに限定したものが本願補正発明である。
　そして、前記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）特許法第２９条第２項（発明の進歩性の要件）違反について」に記載したとおり、本願補正発明は、引用発明、引用例１発明、引用例２，３で例示した周知の構成要素、引用例２ないし５で例示した周知の技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該本願補正発明を包含する本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用例１発明、引用例２，３で例示した周知の構成要素、引用例２ないし５で例示した周知の技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上の通りであり、「第３　本願発明について」の「対比・判断」で述べたとおり、本願発明は、引用発明、引用例１発明、引用例２，３で例示した周知の構成要素、引用例２ないし５で例示した周知の技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論の通り審決する。