【事件の表示】
　特願２０１０−５０３１２６「浅い接合の形成技術」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月１６日国際公開、ＷＯ２００８／１２４５５４、平成２２年　７月１５日国内公表、特表２０１０−５２４２６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００８年４月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年４月１０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年６月２８日付けの拒絶理由通知に対して、同年１０月９日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２６年４月２５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年９月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２６年９月５日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２６年９月５日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし３０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３０に補正するとともに、明細書を補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　浅い接合を形成する方法であって、該方法は、
　窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成方法。
　　【請求項２】
　前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項３】
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項４】
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップであって、前記１つ以上の共注入種はCF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるステップと、
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項５】
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むためのイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップを更に備え、該イオン注入の少なくとも開始時に、前記半導体ウェハの温度を室温より低くすることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項６】
　前記半導体ウェハの温度は０℃より低いことを特徴とする請求項５記載の方法。
　　【請求項７】
　前記半導体ウェハの温度は前記イオン注入前に所望の温度に予め冷却されることを特徴とする請求項５記載の方法。
　　【請求項８】
　前記半導体ウェハは前記イオン注入の少なくとも一部分の間所望の温度範囲に維持されることを特徴とする請求項５記載の方法。
　　【請求項９】
　前記イオンビームの衝突の間、前記半導体ウェハは室温より低い温度範囲内に維持されることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項１０】
前記分子イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項３記載の方法。
　　【請求項１１】
　前記分子イオンビームの衝突は、更に、炭素及びフッ素からなる群から選ばれる１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内の１つ以上の所定の位置に位置させることを特徴とする請求項１０記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記半導体ウェハの前記アモルファス化された部分内にドーパントを注入するために前記半導体ウェハに低温イオン注入を実行するステップを更に備えることを特徴とする請求項１０記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記分子イオンビームの衝突は、１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内に位置させることを特徴とする請求項３記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記１つ以上の共注入種は炭素及びフッ素からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１３記載の方法。
　　【請求項１５】
　前記１つ以上の共注入種は前記半導体ウェハ内のエンド・オブ・レンジ内に置かれることを特徴とする請求項１４記載の方法。
　　【請求項１６】
　前記分子イオンビームの衝突中、前記半導体ウェハは室温より低い温度範囲内に維持されることを特徴とする請求項３記載の方法。
　　【請求項１７】
　浅い接合を形成する装置であって、該装置は、
　窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生するイオンソースアセンブリと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させる１つ以上のコンポーネントと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成装置。
　　【請求項１８】
前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項１９】
　前記イオンビームの衝突中、前記半導体ウェハを室温より低い温度範囲に維持するように構成されていることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項２０】
　前記半導体ウェハの前記アモルファス化された部分内にドーパントを組み込むために低温イオン注入を前記半導体ウェハに実行するように構成されていることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項２１】
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含む分子イオンビームで注入されるコンポーネントと、
を更に備えることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項２２】
　前記分子イオンビームの衝突は、更に、炭素及びフッ素からなる群から選ばれる１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内の１つ以上の所定の位置に位置させることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２３】
　前記分子イオンビームの衝突は、１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内に位置させることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２４】
　前記１つ以上の共注入種は炭素及びフッ素からなる群から選ばれることを特徴とする請求項２３記載の装置。
　　【請求項２５】
　前記１つ以上の共注入種は前記半導体ウェハ内のエンド・オブ・レンジ内に置かれることを特徴とする請求項２４記載の装置。
　　【請求項２６】
　前記分子イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２７】
　更に、前記分子イオンビームの衝突中、前記半導体ウェハを室温より低い温度範囲内に維持するように構成されていることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２８】
　更に、前記半導体ウェハの前記アモルファス化された部分内にドーパントを注入するために前記半導体ウェハに低温イオン注入を実行するように構成されていることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２９】
　浅い接合を形成する方法であって、該方法は、
　ジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップであって、前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させるステップと、
　前記半導体ウェハ内に前記ドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるステップと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成方法。
　　【請求項３０】
　浅い接合を形成する装置であって、該装置は、
　ジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるイオンソースアセンブリと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させる１つ以上のコンポーネントであって、前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させる１つ以上のコンポーネントと、
　前記半導体ウェハ内に前記ドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるコンポーネントと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成装置。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　浅い接合を形成する方法であって、該方法は、
　イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源の窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成方法。
　　【請求項２】
　前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項３】
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項４】
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップであって、前記１つ以上の共注入種はCF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるステップと、
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップと、
を更に備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項５】
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むためのイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップを更に備え、該イオン注入の少なくとも開始時に、前記半導体ウェハの温度を室温より低くすることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項６】
　前記半導体ウェハの温度は０℃より低いことを特徴とする請求項５記載の方法。
　　【請求項７】
　前記半導体ウェハの温度は前記イオン注入前に所望の温度に予め冷却されることを特徴とする請求項５記載の方法。
　　【請求項８】
　前記半導体ウェハは前記イオン注入の少なくとも一部分の間所望の温度範囲に維持されることを特徴とする請求項５記載の方法。
　　【請求項９】
　前記イオンビームの衝突の間、前記半導体ウェハは室温より低い温度範囲内に維持されることを特徴とする請求項１記載の方法。
　　【請求項１０】
前記分子イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項３記載の方法。
　　【請求項１１】
　前記分子イオンビームの衝突は、更に、炭素及びフッ素からなる群から選ばれる１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内の１つ以上の所定の位置に位置させることを特徴とする請求項１０記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記半導体ウェハの前記アモルファス化された部分内にドーパントを注入するために前記半導体ウェハに低温イオン注入を実行するステップを更に備えることを特徴とする請求項１０記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記分子イオンビームの衝突は、１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内に位置させることを特徴とする請求項３記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記１つ以上の共注入種は炭素及びフッ素からなる群から選ばれることを特徴とする請求項１３記載の方法。
　　【請求項１５】
　前記１つ以上の共注入種は前記半導体ウェハ内のエンド・オブ・レンジ内に置かれることを特徴とする請求項１４記載の方法。
　　【請求項１６】
　前記分子イオンビームの衝突中、前記半導体ウェハは室温より低い温度範囲内に維持されることを特徴とする請求項３記載の方法。
　　【請求項１７】
　浅い接合を形成する装置であって、該装置は、
　窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生するイオンソースアセンブリと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させる１つ以上のコンポーネントと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成装置。
　　【請求項１８】
前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項１９】
　前記イオンビームの衝突中、前記半導体ウェハを室温より低い温度範囲に維持するように構成されていることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項２０】
　前記半導体ウェハの前記アモルファス化された部分内にドーパントを組み込むために低温イオン注入を前記半導体ウェハに実行するように構成されていることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項２１】
　前記半導体ウェハ内にドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含む分子イオンビームで注入されるコンポーネントと、
を更に備えることを特徴とする請求項１７記載の装置。
　　【請求項２２】
　前記分子イオンビームの衝突は、更に、炭素及びフッ素からなる群から選ばれる１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内の１つ以上の所定の位置に位置させることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２３】
　前記分子イオンビームの衝突は、１つ以上の共注入種を前記半導体ウェハ内に位置させることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２４】
　前記１つ以上の共注入種は炭素及びフッ素からなる群から選ばれることを特徴とする請求項２３記載の装置。
　　【請求項２５】
　前記１つ以上の共注入種は前記半導体ウェハ内のエンド・オブ・レンジ内に置かれることを特徴とする請求項２４記載の装置。
　　【請求項２６】
　前記分子イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２７】
　更に、前記分子イオンビームの衝突中、前記半導体ウェハを室温より低い温度範囲内に維持するように構成されていることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２８】
　更に、前記半導体ウェハの前記アモルファス化された部分内にドーパントを注入するために前記半導体ウェハに低温イオン注入を実行するように構成されていることを特徴とする請求項２１記載の装置。
　　【請求項２９】
　浅い接合を形成する方法であって、該方法は、
　イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源のジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップであって、前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させるステップと、
　前記半導体ウェハ内に前記ドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行するステップであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるステップと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成方法。
　　【請求項３０】
　浅い接合を形成する装置であって、該装置は、
　ジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるイオンソースアセンブリと、
　前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させる１つ以上のコンポーネントであって、前記イオンビームの衝突は、前記半導体ウェハ内へのドーパントのイオン注入前に、前記半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化させる１つ以上のコンポーネントと、
　前記半導体ウェハ内に前記ドーパントを組み込むための第１のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントと、
　前記半導体ウェハ内に１つ以上の共注入種を位置させるための第２のイオン注入を前記半導体ウェハに実行する１つ以上のコンポーネントであって、前記１つ以上の共注入種は、CF、CF2、ZnCxFy及びCxHyZn（ここで、Zは炭素又は水素以外の１つ以上の原子種を表わす）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンビームで注入されるコンポーネントと、
を備えることを特徴とする浅い接合形成装置。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、」を、補正後の請求項１の「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源の窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項２９の「ジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、」を、補正後の請求項２９の「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源のジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料」について、「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源の」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００１５】、【００１７】、【００２８】、【００３９】及び【００４４】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項２９に係る発明の発明特定事項である「ジゲルマン（Ge2H6）、窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料」について、「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源の」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００１５】、【００１７】、【００２８】、【００３９】及び【００４４】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｂは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２６年９月５日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開昭６１−９０４３１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「本発明は、上述の点に鑑み、例えばＭＯＳ半導体集積回路での浅い接合のソース、ドレイン領域の形成を可能にし、又、制御性にすぐれた抵抗体の形成を可能にした半導体装置の製法を提供するものである。
　本発明は、半導体層に弗素原子を含む非晶質化イオン、すなわちＦ＋イオンの他にＳｉＦ＋，ＳｉＦ２＋ＳｉＦ３＋等のＳｉ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＳｉＦｘ＋）　、更にＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）を注入する工程とキャリアとなる不純物イオンを注入する工程と、更にこの不純物を活性化するための熱処理工程を有することを特徴とする。
　以下本発明の詳細な説明する。
　先ず、自己整合型ＭＯＳ半導体集積回路において、浅い接合を有するソース及びドレイン領域を形成する場合について説明する。
　本例においては、第１導電形の半導体基体（または半導体層）例えばＮ形のシリコンの半導体基体上に絶縁層を介してゲート電極を形成し、このゲート電極をマスクにソース及びドレイン領域を形成すべき部分に対応した部分の絶縁層（例えばＳｉＯ２或いはＳｉ３Ｎ４）を開孔する。次にゲート電極をマスクとして上記開孔を通じてＦ＋イオン或いはＳｉＦｘ＋，ＧｅＦｘ＋等の非晶質化イオンを注入して非晶質化層を形成した後に、キャリアイオン本例ではＰ形不純物のＢ＋イオンを注入し、活性化のためのアニール処理を施して浅い接合を有するソース領域及びドレイン領域を形成する。」（第２頁右上欄第１３行〜同頁右下欄第１行）
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「自己整合型ＭＯＳ半導体集積回路において、
　半導体層に弗素原子を含む非晶質化イオンである、ＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）を注入する工程とキャリアとなる不純物イオンを注入する工程と、更にこの不純物を活性化するための熱処理工程を有する、
　浅い接合を有するソース領域及びドレイン領域を形成する半導体装置の製法。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「ＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）」は、補正後の発明の「ゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１又は２）からなる材料に基づく分子イオン」に相当するから、刊行物発明の「半導体層に弗素原子を含む非晶質化イオン、すなわちＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）を注入する工程」と、補正後の発明の「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源の窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップと、前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップ」は、「ゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１又は２）からなる材料に基づく分子イオン」を用いるステップという点で共通する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「浅い接合を有するソース領域及びドレイン領域を形成する半導体装置の製法」は、補正後の発明の「浅い接合形成方法」に相当する。
　
（４−４−３）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「浅い接合を形成する方法であって、該方法は、
　ゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１又は２）からなる材料に基づく分子イオンを用いる浅い接合形成方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明は、「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源のゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１又は２）からなる材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップ」を有するのに対し、刊行物発明では、「ＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）」を含む「イオンビームを発生させる」ことについて特定されていない点。
　
（相違点２）補正後の発明は、「前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップ」を有するのに対し、刊行物発明では、「ＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）を注入する工程」を有する点。
　
（４−５）判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（４−５−１）相違点１について
　半導体技術分野において、イオン注入を行う際に、イオン化すべきガスをイオン室に供給してイオン化し、このイオンをイオン室から抽出しイオンビーム１２を形成することは、以下の周知例１、２に記載されているように従来から周知である。
　
（ア）周知例１
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された国際公開２００４／１１２０７８号には、図１とともに、以下の事項が記載されている。なお、翻訳文は、周知例１のパテントファミリーである特表２００７−５１６５７８号公報を参照した。
　
「
This invention relates to systems and methods for ion implantation and, more particularly, to methods and apparatus for delivery of low energy, monoenergetic ion beams to an ion implantation target, such as a semiconductor wafer.
（翻訳文）
「
本発明はイオン注入のためのシステムと方法に関するものである。より詳しくは、低エネルギーで単一エネルギーのイオンビームを半導体ウエハのようなイオン注入標的に照射する方法及び装置に関するものである。
　
「
A block diagram of an example of an ion implanter is shown in FIG. 1. An ion source 10 generates ions and supplies an ion beam 12. As known in the art, ion source 10 may include an ion chamber and a gas box containing a gas to be ionized. The gas is supplied to the ion chamber where it is ionized. The ions thus formed are extracted from the ion chamber to form ion beam 12. 
（翻訳文）
「
イオン注入装置の実施例のブロック線図を、図１に示す。イオン源１０は、イオンを生成して、イオンビーム１２を出力する。周知のように、イオン源１０はイオン室と、イオン化すべきガスを含むガスボックスとを含むことができる。ガスは、イオン室に供給され、そこでイオン化される。このように形成されたイオンは、イオン室から抽出されて、イオンビーム１２を形成する。
　
（イ）周知例２
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特表２０００−５０５２３４号公報には、図１、２とともに、以下の事項が記載されている。
　
「
本発明はイオン注入システムに関し、特定すると、半導体ウェーハ、フラットパネルディスプレイおよび同等物のような大型加工体中へのイオンの製造ライン注入用大電流注入装置の設計に関する。
「
図1では、注入装置システム100'はイオン源2により発生させられるイオンビーム1を用いて作動する。
  
イオン源は、溝を形成する開口部全体のイオンの空間的に固定され実質的に滑らかな分布を提供し、図2Aで一般に「A」により指示され、更に、図1Aで図示され、熱いフィラメント（番号をつけられていない）を通して電流を通過させる電力源25、イオン源チャンバでガスまたは蒸気が能率的かつ一様にイオン化されるように放射された電子を強制するように磁石電源24によりエネルギーを与えられるた磁石10を含む。３つの溝をつけられたグリッド11、12、13の配列は、イオンを閉じ込めて、抽出して、イオン源から加速するのに役立つ。
　
　そうすると、刊行物発明において、「半導体層に弗素原子を含む非晶質化イオン、ＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）を注入する工程」の前に、上記周知の技術を適用することにより、補正後の発明のように、「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源のゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１又は２）からなる材料に基づく分子イオンを含むイオンビームを発生させるステップ」を有する構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２について
　本願の補正後の発明に関して、本願明細書の段落【０００８】には、「この方法は、半導体ウェハ内へのドーパントの注入前に
半導体ウェハの少なくとも一部分をアモルファス化するために、前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップ
　しかしながら、【発明を実施するための形態】においては、半導体ウエハの一部分をアモルファス化する処理に関して、段落【００２９】には、「ステップ２０４において、
プレアモルファス化注入（ＰＡＩ）
分子イオンビームでターゲットウェハ（例えば結晶シリコンウェハ）に実行する
分子イオンビームのエネルギー及びドーズ量
　そうすると、補正後の発明における「前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップ」とは、「イオンビームを半導体ウエハに注入するステップ」を意味するものと認められるので、 刊行物発明の「ＧｅＦ＋，ＧｅＦ２＋等のＧｅ＋とＦ＋の結合した分子状イオン（ＧｅＦｘ＋）を注入する工程」は、補正後の発明の 「前記イオンビームを半導体ウェハに衝突させるステップ」に相当するものと認められる。
　よって、相違点２は、実質的なものでない。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、当業者が周知技術を勘案することにより、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎないものであるか、実質的なものでなく、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２６年９月５日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１０月９日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおり上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「窒化ゲルマニウム（Ge3N4）及びゲルマニウム−フッ素化合物（GeFn、ここでｎ＝１，２又は３）からなる群から選ばれる１つ以上の材料」について、「イオンビームを形成するために分子イオンが抽出されるイオン源の」と限定的に減縮する補正である。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。