【事件の表示】
　特願２０１１−　１０２８９「バンプオンリード相互接続を形成する半導体素子および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２１日出願公開、特開２０１２−１１９６４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成２３年１月２０日（パリ条約による優先権主張２０１０年１２月３日、アメリカ合衆国）の外国語書面出願であって、平成２６年５月１５日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２７年１月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月１４日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年４月１４日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、平成２６年８月１８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載を補正するものであり、補正前後の特許請求の範囲は以下のとおりである。
（補正前の特許請求の範囲）
「 　【請求項１】
　半導体素子を作製する方法であって、該方法は、
　複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
　基板を提供することと、
　前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
　を含む、方法。
　　【請求項２】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの前記非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの前記可融性部分は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つは、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つは、バンプを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　半導体ダイと、
　基板と、
　前記基板上に形成される、複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースであって、
前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つの幅は、前記複数の伝導性トレースのうちのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい、複数の伝導性トレースと、
　前記基板上で前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に形成された複数の相互接続構造であって、前記相互接続構造は、相互接続部位に接着され、各相互接続構造は、伝導性トレースに沿った前記相互接続構造の長さよりも狭い前記相互接続構造を横断する幅を含む、複数の相互接続構造と、
　前記半導体ダイと前記基板との間に堆積させられた封入材と
　を備える、半導体素子。
　　【請求項７】
　前記相互接続構造は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む非可融性
部分を含む、請求項６に記載の半導体素子。
　　【請求項８】
　前記相互接続構造は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む可融性部分を含む、請求項６に記載の半導体素子。
　　【請求項９】
　前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項６に記載の半導体素子。
　　【請求項１０】
　半導体素子を作製する方法であって、該方法は、
　半導体ダイを提供することと、
　基板を提供することと、
　前記基板上に、相互接続部位を含む伝導性トレースを形成することであって、前記相互接続部位の幅は、前記伝導性トレースの幅の１．２倍よりも小さい、ことと、
　前記半導体ダイの上方に相互接続構造を形成することと、
　前記相互接続構造を前記相互接続部位の上に変形させるために十分な力を適用することにより、前記相互接続部位に前記相互接続構造を接着することと
　を含む、方法。
　　【請求項１１】
　前記相互接続部位の幅は、前記相互接続構造の幅よりも小さい、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記相互接続構造は、
　伝導柱と、
　前記伝導柱上に形成されたバンプと
　を含む、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記相互接続構造は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む非可融性部分を含む、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記相互接続構造は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む可融性部分を含む、請求項１０に記載の方法。」
（補正後の特許請求の範囲）
「　【請求項１】
　半導体素子を作製する方法であって、前記方法は、
　複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
　基板を提供することと、
　接着剤で覆われた複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
　　前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することと、
　　前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させることと、
　　前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行うことにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
　を含む、方法。
　　【請求項２】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの前記非可融性部分は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの前記可融性部分は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つは、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つは、バンプを含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　半導体ダイと、
　基板と、
　前記基板上に形成される、複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースであって、前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つの幅は、前記複数の伝導性トレースのうちのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい、複数の伝導性トレースと、
　前記基板上で前記半導体ダイと前記相互接続部位との間に形成された複数の相互接続構造であって、前記相互接続構造は、相互接続部位に接着され、各相互接続構造は、可融性部分を含み、前記可融性部分は、前記相互接続構造を横断する幅を有し、前記可融性部分の幅は、伝導性トレースに沿った前記相互接続構造の長さよりも狭い、複数の相互接続構造と、
　前記半導体ダイと前記基板との間に堆積させられた封入材と
　を備える、半導体素子。
　　【請求項７】
　前記相互接続構造は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む非可融性部分を含む、請求項６に記載の半導体素子。
　　【請求項８】
　前記相互接続構造は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む可融性部分を含む、請求項６に記載の半導体素子。
　　【請求項９】
　前記相互接続構造は、伝導柱と、前記伝導柱上に形成されたバンプとを含む、請求項６に記載の半導体素子。
　　【請求項１０】
　半導体素子を作製する方法であって、前記方法は、
　半導体ダイを提供することと、
　基板を提供することと、
　前記基板上に、相互接続部位を含む伝導性トレースを形成することであって、前記相互接続部位の幅は、前記伝導性トレースの幅の１．２倍よりも小さい、ことと、
　前記半導体ダイの上方に相互接続構造を形成することと、
　　前記相互接続構造を前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように変形させるために十分な力を適用することにより、機械的接続を確立することと、
　　前記相互接続構造が前記相互接続部位の上に変形された後に、前記相互接続構造を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行うことにより、前記相互接続部位に前記相互接続構造を接着することと
　を含む、方法。
　　【請求項１１】
　前記相互接続部位の幅は、前記相互接続構造の幅よりも小さい、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記相互接続構造は、
　伝導柱と、
　前記伝導柱上に形成されたバンプと
　を含む、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記相互接続構造は、金、銅、ニッケル、鉛はんだ、または鉛スズ合金を含む非可融性部分を含む、請求項１０に記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記相互接続構造は、スズ、無鉛合金、スズ銀合金、スズ・銀・銅合金、スズ・銀・インジウム合金、または共晶はんだを含む可融性部分を含む、請求項１０に記載の方法。」
　本件補正の内容を整理すると、以下のとおりである。
（１）補正事項１
　本件補正前の請求項１の「半導体素子を作製する方法であって、該方法は」という記載を、本件補正後の請求項１にあっては、「半導体素子を作製する方法であって、前記方法は」と補正する。
（２）補正事項２
　本件補正前の請求項１の「前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって」という記載を、本件補正後の請求項１にあっては、「接着剤で覆われた複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成することであって」と補正する。
（３）補正事項３
　本件補正前の請求項１の「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」という記載を、本件補正後の請求項１にあっては、「前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することと、
　　前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させることと、
　　前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行うことにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」と補正する。
（４）補正事項４
　本件補正前の請求項６の「各相互接続構造は、伝導性トレースに沿った前記相互接続構造の長さよりも狭い前記相互接続構造を横断する幅を含む」という記載を、本件補正後の請求項６にあっては、「各相互接続構造は、可融性部分を含み、前記可融性部分は、前記相互接続構造を横断する幅を有し、前記可融性部分の幅は、伝導性トレースに沿った前記相互接続構造の長さよりも狭い」と補正する。
（５）補正事項５
　本件補正前の請求項１０の「半導体素子を作製する方法であって、該方法は」という記載を、本件補正後の請求項１０にあっては、「半導体素子を作製する方法であって、前記方法は」と補正する。
（６）補正事項６
　本件補正前の請求項１０の「前記相互接続構造を前記相互接続部位の上に変形させるために十分な力を適用することにより、前記相互接続部位に前記相互接続構造を接着すること」という記載を、本件補正後の請求項１０にあっては、「前記相互接続構造を前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように変形させるために十分な力を適用することにより、機械的接続を確立することと、
　　前記相互接続構造が前記相互接続部位の上に変形された後に、前記相互接続構造を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行うことにより、前記相互接続部位に前記相互接続構造を接着すること」と補正する。
２．新規事項の有無と補正目的の適否
（１）補正事項１について
ア　補正事項１の補正が、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　よって、補正事項１の補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
イ　また、補正事項１の補正は、補正後の「前記方法」の「方法」が、同じ請求項１において前記されている「半導体素子を作製する方法」を指すことを明示するための補正であるといえる。
　したがって、補正事項１の補正は、請求項１の構成を実質的に変更する補正ではないから、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　よって、補正事項１の補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（２）補正事項２について
ア　補正事項２の補正は、当初明細書等における明細書の段落【００５７】の「図１３ａでは、基板１７０は、伝導性トレース１７２を伴うダイ取付面を有し、トレース上の相互接続部位は、接着剤１７４で覆われる。」という記載に基づいているものと認められる。
　したがって、補正事項２の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、補正事項２の補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
イ　また、補正事項２の補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「相互接続部位」に対して、「接着剤で覆われ」るという技術的限定を加えるものである。
　したがって、補正事項２の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　よって、補正事項２の補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（３）補正事項３について
ア　補正事項３の補正は、当初明細書等における明細書の段落【００５９】の「初期時間ｔｉから始まり、力は、部分１８８の間にＦｉから変位／変形力Ｆｄまで急速に増加させられ、部分１９０の間のある時間にわたって、その力で保持される。力Ｆｄは、バンプとリードの噛合面との間から離れて接着剤を変位させるのに十分である。力Ｆｄは、噛合面上にバンプの可融性部分を変形させ、酸化膜を破り、良好な金属間接続を形成するのに十分である。」という記載、段落【００６０】の「温度もまた、部分１９２の間に初期温度Ｔｉからゲル温度Ｔｇまで急速に上昇させられる。ゲル温度Ｔｇは、接着剤をゲルまで部分的に硬化させるのに十分な温度である。」という記載、及び、段落【００６１】の「いったん接着剤が十分な程度まで部分的に硬化すると、部分１９５の間に、十室的にゼロの力、または構成要素の重量のみまで、圧力を急速に下降させることができる。次いで、温度は、部分１９６の間に、バンプの可融性部分を再溶融させるのに十分な温度Ｔｍまで急速にさらに上昇させられ、アセンブリは、部分１９８の間に、トレース上にはんだ再溶融を完全に形成するのに十分な、好ましくは、必ずしも完全ではないが実質的に接着剤を硬化させるのに十分な時間ｔｍｅｌｔ／ｃｕｒｅにわたって、再溶融温度Ｔｍで保持される。」という記載に基づいているものと認められる。
　したがって、補正事項３の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、補正事項３の補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
イ　また、補正事項３の補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」を、「前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することと、
　　前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させることと、
　　前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行う」ことにより実現する、という技術的限定を加えるものである。
　したがって、補正事項３の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　よって、補正事項３の補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（４）補正事項４について
ア　補正事項４の補正は、当初明細書等における明細書の段落【００８８】の「図１８ａ−１８ｄは、半導体ダイ２２４、および非可融性または非折り畳み式部分２６４と、可融性または折り畳み式部分２６６とを有する、細長い複合バンプ２６２のＢＯＬ実施形態を示す。」という記載、及び、段落【００８９】の「半導体ダイ２２４は、図１８ａに示されるように、複合バンプ２６２が基板２７０上に形成された伝導性トレース２６８上の相互接続部位と整合されるように位置付けられる。複合バンプ２６２は、伝導性トレース２６８に沿って先細であり、すなわち、複合バンプは、伝導性トレース２６８の長さに沿って長く、伝導性トレースを横断して狭い、楔形を有する。複合バンプ２６２の先細側面は、伝導性トレース２６８の長さに沿って生じる。図１８ａの図は、伝導性トレース２６８と同一線上にある、短いほうの側面または狭小先細を示す。図１８ａに垂直である、図１８ｂの図は、楔形の複合バンプ２６２の長いほうの側面を示す。複合バンプ２６２の短いほうの側面は、伝導性トレース２６８よりも幅広い。」という記載に基づいているものと認められる。
　したがって、補正事項４の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、補正事項４の補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
イ　また、補正事項４の補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「相互接続構造」に対して、「可融性部分を含み、前記可融性部分は、前記相互接続構造を横断する幅を有し、前記可融性部分の幅は、伝導性トレースに沿った前記相互接続構造の長さよりも狭い」という技術的特徴を加えるものである。
　したがって、補正事項４の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　よって、補正事項４の補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（５）補正事項５について
ア　補正事項５の補正が、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであることは明らかである。
　よって、補正事項５の補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、補正事項５は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
イ　また、補正事項５の補正は、補正後の「前記方法」の「方法」が、同じ請求項１０において前記されている「半導体素子を作製する方法」を指すことを明示するための補正であるといえる。
　したがって、補正事項５の補正は、請求項１０の構成を実質的に変更する補正ではないから、特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　よって、補正事項５の補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（６）補正事項６について
ア　補正事項６の補正は、当初明細書等における明細書の段落【００７５】の「圧力または力Ｆは、伝導性トレース２５６上にバンプ材料２３４を押し付けるように、半導体ダイ２２４の裏面２２８に印加される。力Ｆは、高温で印加することができる。バンプ材料２３４の柔軟性により、バンプ材料は、伝導性トレース２５６の頂面および側面の周囲で変形または押出し、ＢＯＬと呼ばれる。具体的には、圧力の印加は、約２００グラムの垂直荷重と同等の力Ｆの下で、約２５μｍより大きい塑性変形をバンプ材料２３４に受けさせ、図１７ｂに示されるように、伝導性トレースの頂面および側面を覆わせる。バンプ材料２３４はまた、バンプ材料を伝導性トレースと物理的接触させ、次いで、リフロー温度下でバンプ材料をリフローすることによって、伝導性トレース２５６に冶金接続することもできる。」という記載に基づいているものと認められる。
　したがって、補正事項６の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、補正事項６の補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
イ　また、補正事項６の補正は、補正前の請求項１０に係る発明の発明特定事項である「前記相互接続部位に前記相互接続構造を接着すること」を、「前記相互接続構造を前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように変形させるために十分な力を適用することにより、機械的接続を確立することと、
　　前記相互接続構造が前記相互接続部位の上に変形された後に、前記相互接続構造を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行う」ことにより実現する、という技術的限定を加えるものである。
　したがって、補正事項６の補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　よって、補正事項６の補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（７）新規事項の有無と補正目的の適否のまとめ
　以上から、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たすとともに、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
３．独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含んでいる。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、その請求項１に係る発明について検討する。
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１〜１４に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、再掲すると、次のとおりである。
「半導体素子を作製する方法であって、前記方法は、
　複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
　基板を提供することと、
　接着剤で覆われた複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
　　前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することと、
　　前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させることと、
　　前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行うことにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
　を含む、方法。」
（２）引用例１の記載事項と引用発明
ア　引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日前に頒布され、原査定の根拠となった平成２６年５月１５日付けの拒絶理由通知に引用された刊行物である、国際公開第２０１０／６７６１０号（以下「引用例１」という。）には、「半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法および携帯機器」（発明の名称）に関して、図１〜図４（Ｄ）とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の刊行物について同じ。）。
（ア）「［００１７］　（実施の形態１）
　図１は、実施の形態１に係る半導体モジュールの構成を示す断面図である。半導体モジュール１０は、素子搭載用基板２０および半導体素子３０を備える。半導体素子３０は、素子電極（外部電極端子）が形成された電極形成面をフェイスダウンした状態で素子搭載用基板２０に実装され、当該素子電極と、素子搭載用基板２０に設けられた電極端子とがはんだを用いて電気的に接続されている。すなわち、半導体素子３０は素子搭載用基板２０にフリップチップ接続されている。
［００１８］　素子搭載用基板２０は、絶縁樹脂層２２と、絶縁樹脂層２２の一方の主表面（半導体素子搭載側）に設けられた配線層２４、保護層２８と、絶縁樹脂層２２の他方の主表面に設けられた配線層２６、保護層２８、はんだボール８０を備える。」
（イ）「［００２１］　図２は、基板電極２４ａを含む配線層２４のパターンの一例を示す平面図である。
基板電極２４ａは、配線層２４の一部から突出した櫛状をなしており（櫛状電極）、一対の櫛状電極が互いに対向し、一方の櫛状電極の櫛歯状部と他方の櫛状電極の櫛歯状部が互い違いに併設した構造を有する。
（ウ）「［００２６］　半導体素子３０は、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの能動素子である。
半導体素子３０の電極形成面には、素子搭載用基板２０に設けられた基板電極２４ａに対応して素子電極３２（電極パッド）が設けられており、素子電極３２の表面に銅ポスト３３が形成されている。銅ポスト３３の断面形状は素子電極３２と同様である。
（エ）「［００２８］　ここで、基板電極２４ａの特徴について説明する。
［００２９］　隣接する基板電極２４ａを結ぶ線に沿った断面において、基板電極２４ａの幅Ｌ１は、基板電極２４ａに対応する素子電極３２の幅Ｌ２に比べて狭くなっている。より好ましくは、隣接する基板電極２４ａの間隔をＳ１、隣接する素子電極３２の間隔をＳ２としたとき、基板電極２４ａのＬ／Ｓ比（Ｌ１／Ｓ１）は、素子電極３２のＬ／Ｓ（Ｌ２／Ｓ２）より小さい。また、基板電極２４ａの高さＨは、基板電極２４ａの幅Ｌ１より高くなっており、Ｈ＞Ｌ１という関係が成り立っている。
［００３０］　この他、基板電極２４ａの側面は、基板電極２４ａの内側に傾いている。言い換えると、素子搭載用基板２０の基板面と基板電極２４ａの側面とのなす角は鋭角である。この条件を満たせば、基板電極２４ａの形状は特に限定されないが、たとえば、隣接する基板電極２４ａを結ぶ線に沿った断面における基板電極２４ａの形状は略三角形状、台形状である。
［００３１］　以上の構成によれば、はんだ７０が横方向（素子搭載用基板２０の面方向）に広がることが抑制されるため、はんだ７０が素子電極３２の幅Ｌ２の内側に収まる。
より具体的には、はんだ７０は、基板電極２４ａの底辺２４ｂ（基板電極２４と絶縁樹脂層２２とが接する部分）と素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっている。
（オ）「［００３４］　（実施の形態１の半導体モジュールの製造方法）
　
実施の形態１に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法について図３および図４を参照して説明する。
（カ）「［００３９］　
次に、図３（Ｅ）に示すように、レジストパターン１００ａ、１００ｂをマスクとしてウェットエッチングを行うことにより、絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成する。ここで、隣接する基板電極２４ａを結ぶ線に沿った断面において、基板電極２４ａの幅Ｌ１が当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭くなるようにパターニングを行う。
（キ）「［００４２］　
次に、図４（Ｂ）に示すように、電極形成面に素子電極３２および銅ポスト３３が設けられ、銅ポスト３３にはんだ７０が搭載された半導体素子３０を準備する。
［００４３］　
次に、図４（Ｃ）に示すように、素子搭載用基板２０に半導体素子３０が搭載された状態で、リフロー工程により対応する銅ポスト３３と基板電極２４ａとをはんだ７０を用いて接合し、銅ポスト３３と基板電極２４ａとを電気的に接続する。
［００４４］　次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体素子３０と素子搭載用基板２０との間にアンダーフィル７２を充填する。また、保護層２８に設けられた開口部において、配線層２６にはんだボール８０を搭載する。」
（ク）「基板電極を含む配線層のパターンの一例を示す平面図」である図２には、基板電極２４ａの幅と配線層２４の幅を同程度の幅にすることが記載されている。
（ケ）「実施の形態１に係る半導体モジュールの製造方法を示す工程断面図」である図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）には、リフロー工程によりはんだ７０が変形することが記載されている。
イ　引用発明
（ア）引用例１の段落［００３４］の「実施の形態１に係る素子搭載用基板および半導体モジュールの製造方法について図３および図４を参照して説明する。」という記載から、引用例１には、「半導体モジュールの製造方法」が記載されている。
（イ）引用例１の段落［００３９］の「次に、図３（Ｅ）に示すように、レジストパターン１００ａ、１００ｂをマスクとしてウェットエッチングを行うことにより、絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成する。」という記載から、引用例１には、「絶縁樹脂層２２」の一方の主表面に「基板電極２４ａ」を含む所定パターンの「配線層２４」を形成することが記載されている。
　また引用例１の段落［００３９］の「ここで、隣接する基板電極２４ａを結ぶ線に沿った断面において、基板電極２４ａの幅Ｌ１が当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭くなるようにパターニングを行う。」という記載から、引用例１には、「基板電極２４ａ」の幅Ｌ１は当該「基板電極２４ａ」に対応する「素子電極」の幅よりも「狭」いことが記載されている。
　また引用例１の段落［００２１］の「基板電極２４ａは、配線層２４の一部から突出した櫛状をなしており（櫛状電極）、一対の櫛状電極が互いに対向し、一方の櫛状電極の櫛歯状部と他方の櫛状電極の櫛歯状部が互い違いに併設した構造を有する。」という記載から、引用例１には、「基板電極２４ａ」は「配線層２４」の一部から突出した櫛状をなすことが記載されている。
　以上をまとめると、引用例１には、「絶縁樹脂層２２」の一方の主表面に「基板電極２４ａ」を含む所定パターンの「配線層２４」を形成することであって、「基板電極２４ａ」の幅Ｌ１は当該「基板電極２４ａ」に対応する「素子電極」の幅よりも「狭」く、「基板電極２４ａ」は「配線層２４」の一部から突出した櫛状をなすことが記載されている。
（ウ）引用例１の段落［００４２］の「次に、図４（Ｂ）に示すように、電極形成面に素子電極３２および銅ポスト３３が設けられ、銅ポスト３３にはんだ７０が搭載された半導体素子３０を準備する。」という記載から、引用例１には、電極形成面に素子電極３２および「銅ポスト３３」が設けられ、「銅ポスト３３」に「はんだ７０」が搭載された「半導体素子」を準備することが記載されている。
　また引用例１の段落［００２６］の「半導体素子３０の電極形成面には、素子搭載用基板２０に設けられた基板電極２４ａに対応して素子電極３２（電極パッド）が設けられており、素子電極３２の表面に銅ポスト３３が形成されている。銅ポスト３３の断面形状は素子電極３２と同様である。」という記載から、引用例１には、素子電極３２の表面に「銅ポスト３３」が形成され、「銅ポスト３３」の断面形状は素子電極３２と同様であることが記載されている。
　以上をまとめると、引用例１には、電極形成面に素子電極３２および「銅ポスト３３」が設けられ、「銅ポスト３３」に「はんだ７０」が搭載された「半導体素子」を準備することであって、素子電極３２の表面に「銅ポスト３３」が形成され、「銅ポスト３３」の断面形状は素子電極３２と同様であることが記載されている。
（エ）引用例１の段落［００４３］の「次に、図４（Ｃ）に示すように、素子搭載用基板２０に半導体素子３０が搭載された状態で、リフロー工程により対応する銅ポスト３３と基板電極２４ａとをはんだ７０を用いて接合し、銅ポスト３３と基板電極２４ａとを電気的に接続する。」という記載から、引用例１には、素子搭載用基板２０に半導体素子３０が搭載された状態で、「リフロー工程」により対応する「銅ポスト３３」と「基板電極２４ａ」とを「はんだ７０」を用いて接合することが記載されている。
　また、前記３．（２）ア（ケ）で指摘した図４の図示態様から、引用例１には、リフロー工程によりはんだ７０が変形することが記載されている。
　また、引用例１の段落［００３１］の「より具体的には、はんだ７０は、基板電極２４ａの底辺２４ｂ（基板電極２４と絶縁樹脂層２２とが接する部分）と素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっている。」という記載から、引用例１には、はんだ７０は、基板電極２４ａの底辺２４ｂと素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっていることが記載されている。
　以上をまとめると、引用例１には、素子搭載用基板２０に半導体素子３０が搭載された状態で、「リフロー工程」により対応する「銅ポスト３３」と「基板電極２４ａ」とを「はんだ７０」を用いて接合することであって、リフロー工程によりはんだ７０が変形し、はんだ７０は、基板電極２４ａの底辺２４ｂと素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっていることが記載されている。
（オ）．上記（ア）〜（エ）の開示内容を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体モジュールの製造方法であって、
　絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成することであって、前記基板電極２４ａの幅Ｌ１は当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭く、前記基板電極２４ａは前記配線層２４の一部から突出した櫛状をなすことと、
　電極形成面に素子電極３２および銅ポスト３３が設けられ、前記銅ポスト３３にはんだ７０が搭載された半導体素子を準備することであって、前記素子電極３２の表面に前記銅ポスト３３が形成され、前記銅ポスト３３の断面形状は前記素子電極３２と同様であることと、
　素子搭載用基板２０に前記半導体素子３０が搭載された状態で、リフロー工程により対応する前記銅ポスト３３と前記基板電極２４ａとを前記はんだ７０を用いて接合することであって、リフロー工程により前記はんだ７０が変形し、前記はんだ７０は、前記基板電極２４ａの底辺２４ｂと前記素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっていることと
　を含む、方法。」
（３）引用例２の記載事項
ア　引用例２の記載事項
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特表２００７−５１１１０３号公報（以下「引用例２」という。）には、「バンプ−オン−リードフリップチップ相互接続」（発明の名称）に関して、図１〜図４（Ｄ）とともに、次の記載がある。
（ア）「【００３７】
　
バンプ−オン−リード相互接続を形成する
（イ）「【００３９】
　前記工程は、図11(A)乃至(D)において更に詳細に示される。図11(A)において、基板212は、導電性の(金属)トレース214と共にダイ取付面上に設けられ、
トレース上の相互接続サイトは、接着剤222によって覆われている。
（ウ）「【００４１】
　本発明にかかる工程に対する力と温度との表は、図12において図表として例示される。この表において、時間は水平軸上を左から右まで動き；力プロフィール310は太い実線にて示されており、温度プロフィール320は点線にて示されている。温度プロフィールは、約80℃乃至約90℃の範囲内の温度にて始まる。力プロフィールは、基本的に0から始まる。初期時間tiから始めると、以下で述べるように、力はFiから
置換/変形力F
d
まで急速(ほとんど即座)に上がり312、
F
d
は、バンプとリードの結合面との間から離れて接着剤を置換するのに十分に大きい力である；
酸化被膜を破壊すると共に良好な金属−金属(金属)接触を形成している結合面上、及び、
バンプとリードとの機械的な連結を形成する(「クリープ」変形)ためのリードの端部上で、バンプの可溶性(リード接触)部分を変形するのに十分である。
温度もまた急速に初期温度T
i
からゲル温度T
g
まで上昇される322。ゲル温度T
g
は、接着剤を(「ゲル」へ)部分的に硬化処理するのに十分な温度である。
接着剤が十分な範囲に部分的に硬化すると、圧力は、実質的に無力（構成の重量）にまで急速に下方へ傾斜させられる318。
温度は、バンプの可溶性の部分（はんだ）を再び溶解するのに十分な温度T
m
にまで、より遠くに急速に上昇させられ323
（エ）上記（ア）〜（ウ）で摘記した特に下線を付した箇所の記載事項を総合すると、引用例２には、以下の事項が記載されている。
「トレース上の相互接続サイトは、接着剤によって覆われており、バンプとリードの結合面との間から離れて接着剤を置換するのに十分に大きい力であり、かつ、酸化被膜を破壊すると共に良好な金属−金属(金属)接触を形成している結合面上、及び、バンプとリードとの機械的な連結を形成する(「クリープ」変形)ためのリードの端部上で、バンプの可溶性(リード接触)部分を変形するのに十分な力である置換／変形力Ｆｄまで力を急速に上げ、温度もまた急速に、接着剤を（「ゲル」へ）部分的に効果処理するのに十分な温度であるゲル温度Ｔｇまで上昇させ、その後、接着剤が十分な範囲に部分的に硬化すると、圧力は、実質的に無力（構成の重量）にまで急速に下方へ傾斜させ、温度は、バンプの可溶性の部分（はんだ）を再び溶解するのに十分な温度にまで、より遠くに急速に上昇させることで、バンプ−オン−リード相互接続を形成すること。」
（４）対比
ア　補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明における「半導体モジュールの製造方法」は、補正発明における「半導体素子を作製する方法」に相当する。
（イ）引用発明における「銅ポスト３３」、「はんだ７０」、「銅ポスト３３」及び「はんだ７０」、並びに、「半導体素子」は、補正発明における「非可融性部分」、「可融性部分」、「複合相互接続」、及び、「半導体ダイ」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用発明における「電極形成面に素子電極３２および銅ポスト３３が設けられ、前記銅ポスト３３にはんだ７０が搭載された半導体素子を準備すること」は、補正発明における「複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、こと」に相当する。
（ウ）引用発明における「基板電極２４ａ」は、補正発明における「相互接続部位」に相当する。
　また引用発明において、「素子電極３２」の表面に「銅ポスト３３」が形成され、「銅ポスト３３」の断面形状は「素子電極３２」と同様であることから、「素子電極３２」の幅と「銅ポスト３３」の幅が等しいことは明らかである。さらに、上記（イ）に記載したとおり、引用発明における「銅ポスト３３」及び「はんだ７０」は、補正発明における「複合相互接続」に相当する。
　したがって、引用発明における、「前記基板電極２４ａの幅Ｌ１は当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭」いことは、補正発明における、「相互接続部位」の「幅」が、「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さ」いことに相当する。
　また引用発明における「樹脂絶縁層２２」及び「配線層２４」は、補正発明における「基板」及び「伝導性トレース」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用発明における「絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成すること」と、補正発明における「接着剤で覆われた複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成すること」とは、「複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成すること」という点で共通する。
　以上をまとめると、引用発明における「絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成することであって、前記基板電極２４ａの幅Ｌ１は当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭く、前記基板電極２４ａは前記配線層２４の一部から突出した櫛状をなすこと」と、補正発明における「基板を提供することと、
　接着剤で覆われた複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、こと」とは、「基板を提供することと、
　複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、こと」という点で共通する。
（エ）上記（イ）に記載したとおり、引用発明における「銅ポスト３３」及び「はんだ７０」は、補正発明における「複合相互接続」に相当する。
　また上記（ウ）に記載したとおり、引用発明における「基板電極２４ａ」は、補正発明における「相互接続部位」に相当する。
　したがって、引用発明における「対応する前記銅ポスト３３と前記基板電極２４ａとを前記はんだ７０を用いて接合すること」は、補正発明における「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」に相当する。
　以上をまとめると、引用発明における「素子搭載用基板２０に前記半導体素子３０が搭載された状態で、リフロー工程により対応する前記銅ポスト３３と前記基板電極２４ａとを前記はんだ７０を用いて接合することであって、リフロー工程により前記はんだ７０が変形し、前記はんだ７０は、前記基板電極２４ａの底辺２４ｂと前記素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっていること」と、補正発明における「前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することと、
　　前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させることと、
　　前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行うことにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」とは、「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」という点で共通する。
イ　一致点と相違点
　したがって、補正発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
≪一致点≫
「半導体素子を作製する方法であって、前記方法は、
　複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
　基板を提供することと、
　複数の相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを前記基板上に形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
　を含む、方法。」
≪相違点１≫
　補正発明は、複数の「相互接続部位」が「接着剤で覆われ」ているのに対して、引用発明では、「基板電極２４ａ」は接着剤で覆われていない点。
≪相違点２≫
　補正発明は、「相互接続部位」の幅が、複数の「伝導性トレース」のそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さいのに対して、引用発明では、「基板電極２４ａ」の幅と「配線層２４」の幅との関係が特定されていない点。
≪相違点３≫
　補正発明は、複数の「複合相互接続」のうちのそれぞれの１つを複数の「相互接続部位」のうちのそれぞれの１つに接着するにあたり、「前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することと、
　　前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させることと、
　　前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることと
　を行」っているのに対して、引用発明では、リフロー工程により対応する「銅ポスト３３」と「基板電極２４ａ」とを「はんだ７０」を用いて接合している点。
（５）当審の判断
　はじめに相違点２について判断し、次に相違点１及び３についてまとめて判断する。
ア　相違点２に対する判断
（ア）前記３．（２）ア（ク）で指摘した図２の図示態様から、引用例１には、基板電極２４ａの幅と配線層２４の幅を同程度の幅にすることが記載されている。
　また、前記３．（２）ア（エ）に摘記したとおり、引用例１には、基板電極２４ａの幅Ｌ１を、基板電極２４ａに対応する素子電極３２の幅Ｌ２に比べて狭くする（［００２９］）ことで、はんだ７０が横方向（素子搭載用基板２０の面方向）に広がることが抑制され、基板電極２４ａおよび素子電極３２の狭ピッチ化を図る（［００３１］）ことが記載されていることから、引用例１には、基板電極２４ａの幅を狭くし狭ピッチ化を図ることが記載又は示唆されているといえる。
（イ）そうすると、引用発明において、基板電極２４ａの幅を配線層２４の幅と同程度の幅にする際、基板電極２４ａの幅をできる限り狭くすることは、引用例１の上記の記載に接した当業者であれば容易に想到し得たことである。そして、基板電極２４ａの幅を配線層２４の幅と比較してどの程度狭くするかは、当業者が適宜選択し得る設計的事項であり、基板電極２４ａの幅を、配線層２４の幅の１．２倍よりも小さい幅とすることに何ら技術的困難性は認められない。
（ウ）また補正発明は、「相互接続部位」の幅が、複数の「伝導性トレース」のそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さいという、数値限定を用いて発明を特定しようとするものである。
　他方、本願明細書の段落【００４８】には「一実施形態では、トレース上の相互接続部位の幅は、トレースの幅より１．２倍小さい。ルーティング密度は、図１−３で説明されるように、従来のＢＯＣ配設で達成されるよりも有意に高い。」との記載はあるものの、本願明細書には限定された数値範囲の内と外とで、ルーティング密度が高いという効果に顕著な差異を有することは記載されておらず、また、顕著な差異が生じるものとも認められない。すなわち、補正発明の数値限定に臨界的意義は認められない。
（エ）以上から、引用発明において、相違点２の構成とすることは、引用例１の記載に接した当業者が容易に想到し得たものである。
イ　相違点１及び３に対する判断
（ア）引用例２には、前記３．（３）ア（エ）に示したとおり、
「トレース上の相互接続サイトは、接着剤によって覆われており、バンプとリードの結合面との間から離れて接着剤を置換するのに十分に大きい力であり、かつ、酸化被膜を破壊すると共に良好な金属−金属(金属)接触を形成している結合面上、及び、バンプとリードとの機械的な連結を形成する(「クリープ」変形)ためのリードの端部上で、バンプの可溶性(リード接触)部分を変形するのに十分な力である置換／変形力Ｆｄまで力を急速に上げ、温度もまた急速に、接着剤を（「ゲル」へ）部分的に効果処理するのに十分な温度であるゲル温度Ｔｇまで上昇させ、その後、接着剤が十分な範囲に部分的に硬化すると、圧力は、実質的に無力（構成の重量）にまで急速に下方へ傾斜させ、温度は、バンプの可溶性の部分（はんだ）を再び溶解するのに十分な温度Ｔｍにまで、より遠くに急速に上昇させることで、バンプ−オン−リード相互接続を形成すること。」
という技術事項が記載されている。
（イ）ここで、引用例２に記載された技術事項のうち、「トレース上の相互接続サイトは、接着剤によって覆われて」いることは、補正発明における、複数の「相互接続部位」が「接着剤で覆われ」ていることに相当する。
　また引用例２に記載された技術事項のうち、「バンプとリードの結合面との間から離れて接着剤を置換するのに十分に大きい力であり、かつ、酸化被膜を破壊すると共に良好な金属−金属(金属)接触を形成している結合面上、及び、バンプとリードとの機械的な連結を形成する(「クリープ」変形)ためのリードの端部上で、バンプの可溶性(リード接触)部分を変形するのに十分な力である置換／変形力Ｆｄまで力を急速に上げ、温度もまた急速に、接着剤を（「ゲル」へ）部分的に効果処理するのに十分な温度であるゲル温度Ｔｇまで上昇させ」ること、「接着剤が十分な範囲に部分的に硬化すると、圧力は、実質的に無力（構成の重量）にまで急速に下方へ傾斜させ」ること、及び、「温度は、バンプの可溶性の部分（はんだ）を再び溶解するのに十分な温度Ｔｍにまで、より遠くに急速に上昇させる」ことは、補正発明における「前記接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、前記複数の複合相互接続と前記複数の相互接続部位との間から前記接着剤を変位させ、かつ、前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用すること」、「前記接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させること」、及び、「前記適用される力を下降させた後に、前記複合相互接続の前記可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させること」にそれぞれ相当する。
（ウ）そして、引用例１には「銅ポスト３３」と「基板電極２４ａ」との接合後に「半導体素子３０と素子搭載用基板２０との間にアンダーフィル７２を充填する」（段落【００４４】）ことが記載されているから、引用発明において、「アンダーフィル７２」を充填するために、引用例２に記載された技術事項を適用することは、当業者が容易に想到し得たものと認める。
（エ）以上から、引用発明において，相違点１及び３の構成とすることは、引用例２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
ウ　審判請求人の主張
（ア）審判請求人は、審判請求書において、以下のように主張している。
ａ「文献１は、接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、複数の複合相互接続と複数の相互接続部位との間から接着剤を変位させ、かつ、複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように複合相互接続の可融性部分を変形させる力を適用することを教示も示唆もしていません。」
ｂ「さらに、文献１は、接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させること、適用される力を下降させた後に、複合相互接続の可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させることを教示も示唆もしていません。」
（イ）しかしながら、前記３．（５）イ（イ）に記載したとおり、引用例２には、「接着剤をゲルまで部分的に硬化させるために十分な温度まで温度を増加させながら、複数の複合相互接続と複数の相互接続部位との間から接着剤を変位させ、かつ、複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように複合相互接続の可融性部分を変形させる力を適用すること」、及び、「接着剤が部分的に硬化されると、適用される力を実質的にゼロの力、または、構成要素の重量まで下降させること、適用される力を下降させた後に、複合相互接続の可融性部分を再溶融させるために十分な温度まで温度を上昇させること」に相当する技術事項が記載されている。
　そして、前記３．（５）イ（ウ）に記載したとおり、引用発明に引用例２に記載された技術事項を適用することは、当業者が容易に発明できたものである。
エ　判断のまとめ
　よって、補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
（６）独立特許要件の検討のまとめ
　以上のとおり、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。
４．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３．本願発明について
１．本願発明
　前記のとおり、平成２７年４月１４日に提出された手続補正書によりなされた手続補正は却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２６年８月１８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「 半導体素子を作製する方法であって、該方法は、
　複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
　基板を提供することと、
　前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
　を含む、方法。」
２．引用例１の記載事項と引用発明
　引用例１の記載事項については、前記第２．３．（２）ア（ア）〜（ケ）において摘記したとおりである。
　そして、引用発明については、前記第２．３．（２）イ（オ）において認定したとおりである。
３．対比
ア　本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）　前記第２．３．（４）ア（ア）で指摘したとおり、引用発明における「半導体モジュールの製造方法」は、本願発明における「半導体素子を作製する方法」に相当する。
（イ）　前記第２．３．（４）ア（イ）で指摘したとおり、引用発明における「銅ポスト３３」、「はんだ７０」、「銅ポスト３３」及び「はんだ７０」、並びに、「半導体素子」は、本願発明における「非可融性部分」、「可融性部分」、「複合相互接続」、及び、「半導体ダイ」にそれぞれ相当する。
　したがって、前記第２．３．（４）ア（イ）で指摘したとおり、引用発明における「電極形成面に素子電極３２および銅ポスト３３が設けられ、前記銅ポスト３３にはんだ７０が搭載された半導体素子を準備すること」は、本願発明における「複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、こと」に相当する。
（ウ）前記第２．３．（４）ア（ウ）で指摘したとおり、引用発明における「基板電極２４ａ」は、本願発明における「相互接続部位」に相当する。
　また前記第２．３．（４）ア（ウ）で指摘したとおり、引用発明における、「前記基板電極２４ａの幅Ｌ１は当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭」いことは、本願発明における、「相互接続部位」の「幅」が、「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さ」いことに相当する。
　また前記第２．３．（４）ア（ウ）で指摘したとおり、引用発明における「樹脂絶縁層２２」及び「配線層２４」は、本願発明における「基板」及び「伝導性トレース」にそれぞれ相当する。
　また引用発明における「絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成すること」は、本願発明における「前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成すること」に相当する。
　以上をまとめると、引用発明における「絶縁樹脂層２２の一方の主表面に基板電極２４ａを含む所定パターンの配線層２４を形成することであって、前記基板電極２４ａの幅Ｌ１は当該基板電極２４ａに対応する素子電極の幅よりも狭く、前記基板電極２４ａは前記配線層２４の一部から突出した櫛状をなすこと」と、本願発明における「基板を提供することと、
　前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さく、前記複数の伝導性トレースのそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、こと」とは、「基板を提供することと、
　前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、こと」という点で共通する。
（エ）上記（イ）に記載したとおり、引用発明における「銅ポスト３３」及び「はんだ７０」は、本願発明における「複合相互接続」に相当する。
　また上記（ウ）に記載したとおり、引用発明における「基板電極２４ａ」は、本願発明における「相互接続部位」に相当する。
　したがって、引用発明における「前記はんだ７０が変形」することが、本願発明における「前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる」ことに相当し、引用発明における「前記はんだ７０は、前記基板電極２４ａの底辺２４ｂと前記素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっていること」は、本願発明における「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆う」ことに相当し、引用発明における「対応する前記銅ポスト３３と前記基板電極２４ａとを前記はんだ７０を用いて接合すること」は、本願発明における「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」に相当する。
　以上をまとめると、引用発明における「素子搭載用基板２０に前記半導体素子３０が搭載された状態で、リフロー工程により対応する前記銅ポスト３３と前記基板電極２４ａとを前記はんだ７０を用いて接合することであって、リフロー工程により前記はんだ７０が変形し、前記はんだ７０は、前記基板電極２４ａの底辺２４ｂと前記素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっていること」と、本願発明における「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」とは、「前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させる力を適用することにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着すること」という点で共通する。
イ　一致点と相違点
　したがって、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で一応相違する。
≪一致点≫
「 半導体素子を作製する方法であって、該方法は、
　複数の複合相互接続を含む半導体ダイを提供することであって、前記複数の複合相互接続は、前記半導体ダイの表面上に形成され、前記複合相互接続は、可融性部分および非可融性部分を含む、ことと、
　基板を提供することと、
　前記基板上に相互接続部位を含む複数の伝導性トレースを形成することであって、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つの幅よりも小さい幅を各相互接続部位は含む、ことと、
　前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つが前記複数の相互接続部位のそれぞれの１つの頂面および側面を覆うように、前記複合相互接続の前記可融性部分を変形させることにより、前記複数の複合相互接続のうちのそれぞれの１つを前記複数の相互接続部位のうちのそれぞれの１つに接着することと
　を含む、方法。」
≪相違点１≫
　本願発明は、「相互接続部位」の幅が、複数の「伝導性トレース」のそれぞれの１つの幅の１．２倍よりも小さいのに対して、引用発明では、「基板電極２４ａ」の幅と「配線層２４」の幅との関係が特定されていない点。
≪相違点２≫
　本願発明は、複合相互接続の可融性部分を変形させる「力」を適用しているのに対して、引用発明には、はんだ７０が変形するために力が適用されていることが明記されていない点。
４．当審の判断
（１）相違点１に対する判断
ア　相違点１は、前記第２．３．（４）イにおいて指摘した相違点２と同一の相違点である。
　してみれば、前記第２．３．（５）アで述べた理由と同じ理由によって、引用発明において、相違点１の構成とすることは、引用例１の記載に接した当業者が容易に想到し得たものである。
（２）相違点２に対する判断
ア　引用発明は、素子搭載用基板２０に前記半導体素子３０が搭載された状態で、リフロー工程により前記はんだ７０が変形し、前記はんだ７０は、前記基板電極２４ａの底辺２４ｂと前記素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まっているものである。
　ところで、物質が変形するためには、変形するための力の印加が必要であることは常識である。そうすると、引用発明において、はんだ７０が、基板電極２４ａの底辺２４ｂと素子電極３２の上辺３２ａを結ぶ領域内に収まるように変形するためには、当該変形するための力がはんだ７０に適用されていることは自明である。
　したがって、相違点２は実質的な相違点ではない。
イ　なお仮に、引用発明において、変形するための力がはんだ７０に適用されていることが自明でない、と仮定した場合について、以下に検討する。
　リフロー工程によりはんだを溶融し接合を行う際、同時に加圧を行う技術は、以下に示す周知例１〜周知例３に記載されるように、周知の技術である。
　他方、引用発明は、リフロー工程により銅ポスト３３と基板電極２４ａとをはんだ７０を用いて接合するものであるから、引用発明に上記周知の技術を適用して、リフロー工程によりはんだ７０を溶融し接合を行う際、同時に加圧を行う、すなわち、はんだ７０を変形させる力を適用することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（ア）周知例１：特開２００５−１１６６８５号公報
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１１６６８５号公報には、「プリント配線基板、電子部品モジュール及び電子機器」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
ａ　「【００２０】
　
次に、電子部品７が仮固定されたプリント配線基板１を図示せぬリフロー装置によって加熱してハンダ９を溶融するとともに、電子部品７をリフロー装置内で加圧してプリント配線基板１の方向に押圧する工程を行う。
（イ）周知例２：特開２００３−３１９９３号公報
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２００３−３１９９３号公報には、「電子部品の実装装置及び実装方法」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
ａ　「【０００９】このような一括リフロー実装方法における問題点を解決する従来のフリップチップ接合方法による電子部品の実装方法の例として、
電子部品を回路基板上に加熱しながら加圧することにより、個別に半田をリフローして電子部品を実装する方法
【００１０】図２３（ａ）に示すように、プレート状の回路基板９４の上面における複数の電極であるパッド９４ａ上にクリーム半田を印刷等により供給し、回路基板９４の各パッド９４ａ上に半田部９２を形成する。
【００１１】次に、図２３（ｂ）に示すように、接合面の複数の電極９１ａに半田バンプ９１ｂが接合されている電子部品９１が、各電極９１ａを有さない面である背面をツール９３により吸着保持され、電子部品９１の各半田バンプ９１ｂが回路基板９４上の各半田部９２に接合可能なように位置合わせした後、
電子部品９１の各半田バンプ９１ｂを回路基板９４の各半田部９２に加熱しながら加圧して各半田部９２及び各半田バンプ９１ｂを溶融させる。
（ウ）周知例３：特開２００４−６３５２４号公報
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である、特開２００４−６３５２４号公報には、「実装装置及びその実装方法若しくはプリント配線基板」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
ａ　「【００３１】
図３に示すように、リフロー炉１１内で、半導体チップ部品５をプリント配線基板８側に押圧しながらアンダーフィル１及び半田バンプ３を加熱することにより、半田バンプ３を溶融させる。
５．小括
　上記４．（１）のとおり、引用発明において前記相違点１に係る構成とすることは、引用例１の記載に接した当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、上記４．（２）のとおり、相違点２は実質的な相違点ではなく、仮に、本願発明が相違点２において引用発明と相違するとしても、引用発明に前記周知の技術を適用することで、相違点２の構成とすることは、当業者が容易に発明できたものである。
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。