【事件の表示】
　特願２０１３−　４４８１１「酸素含有半導体ウェハの処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月　８日出願公開、特開２０１３−１５３１８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１月２０日、ドイツ連邦共和国、２００６年３月２９日、ドイツ連邦共和国、２００６年９月４日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする特願２００８−５５０６９３号（以下「原出願」という。）の一部を平成２５年３月６日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年２月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年７月１８日に意見書が提出されたが、同年９月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年１月２６日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
第２　補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２７年１月２６日になされた手続補正を却下する。
〔理由〕
　１　補正の内容
　平成２７年１月２６日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１５に補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項は、以下のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】
　垂直パワー半導体素子であって、
　チョクラルスキー法に従って形成されていると共に酸素析出物の低い半導体ゾーン（１０３）を有する半導体基板（１００'）を備えた半導体基材と、
　上記素子がオフ状態において駆動された際に逆電圧に耐え得るように設計されており、且つ、少なくとも部分的には、酸素析出物の低い上記半導体ゾーン（１０３）内に配置されており、且つ、水素誘起ドナーによって形成されたｎ型基本ドーピングを有している、素子ゾーン（２３;３２）とを有している、垂直パワー半導体素子。
【請求項２】
　上記半導体基材は、上記半導体基板に付着されたエピタキシャル層（２００）を有しており、上記逆電圧に耐え得る上記ゾーンは、部分的には上記エピタキシャル層（２００）内に配置されている、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
　上記逆電圧に耐え得る上記ゾーンを形成するドリフトゾーン（２３）を有するＭＯＳＦＥＴまたはＩＧＢＴとして構成されている、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
　上記逆電圧に耐え得る上記ゾーンを形成するｎ型ベースを有するサイリスタまたはダイオードとして形成されている、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項５】
　ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有しており、第１の面（１０１）と、当該第１の面（１０１）の反対側の第２の面（１０２）と、当該第１の面（１０１）に隣接する第１の半導体領域（１０３'）と、上記第２の面（１０２）に隣接する第２の半導体領域（１０４'）とを有している酸素含有半導体ウェハ（１００）の処理方法であって、
　上記第２の半導体領域（１０４'）内に格子空孔が生じるように、上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程を含んでいる方法。
【請求項６】
　上記ウェハ（１００）が７００℃〜１１００℃の間の温度に加熱される第１の熱プロセスを行う工程をさらに含んでいる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　上記第１の熱プロセスの長さは、上記第２の半導体領域内に酸素凝集体が形成されるように、且つ、上記第１の半導体領域内から上記第２の半導体領域へ格子空孔が拡散するように選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　上記第１の熱プロセスの上記長さは、１時間〜２０時間の間である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
　上記ウェハは、上記熱プロセス中に、まず、７９０℃〜８１０℃の間の温度に、１０時間よりも短い第１の長さの時間加熱され、次に、９８５℃〜１０１５℃の間の温度に、１０時間よりも長い第２の長さの時間加熱される、請求項６〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
　上記ウェハの厚さは、４００μｍ〜１０００μｍの間であり、照射エネルギーは、７０ＫｅＶ〜１０ＭｅＶの間である、請求項５〜９のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１１】
　プロトンの注入線量は、１・１０１３ｃｍ-２〜１・１０１５ｃｍ-２の間である、請求項５〜１０のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１２】
　上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）の照射前に、第２の熱プロセスを行う工程を含んでおり、
　上記第２の熱プロセスでは、上記ウェハ（１００）が１０００℃を超える温度に加熱され、また、少なくとも上記第１の面（１００）が湿潤雰囲気および／または酸化性雰囲気に曝露される、請求項５〜９のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１３】
　上記第１の面および第２の面は、上記熱プロセス中に湿潤雰囲気および／または酸化性雰囲気に曝露される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
　上記第１の熱プロセスの後または前に、第３の熱プロセスを行うさらなる工程を含んでおり、
　上記第３の熱プロセスでは、少なくとも上記第１の半導体ゾーン（１０３）が、上記ウェハの上記第１の面（１０１）を介して酸素原子が上記第１の半導体ゾーン（１０３）から外部拡散するように加熱される、請求項６〜９のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１５】
　上記第１の面および第２の面（１０１、１０２）のうち少なくともいずれか１つを介して上記ウェハ（１００）にプロトンを照射することによって、上記第１の半導体ゾーン内に結晶欠陥を生じさせる工程と、
　水素誘起ドナーを有するフィールドストップゾーン（２９）が生じるように、上記ウェハ（１００）が３５０℃〜５５０℃の間の温度に加熱される熱プロセスを行う工程とによって、
　上記ウェハ内にｎドープされたフィールドストップゾーン（２９）を形成する工程を含んでいる、請求項５〜１４のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１６】
　上記ウェハの上記第２の面（１０２）の上記照射は、それぞれ異なる照射エネルギーを用いた少なくとも２つの照射工程を含んでいる、請求項５〜１４のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１７】
　上記熱プロセスは、時間的に分離した少なくとも２つの熱工程を含んでおり、
　上記熱工程では、それぞれの場合において、上記ウェハ（１００）が加熱され、
　上記熱工程の少なくとも１つは、時間的に、２つの照射工程の間において行われる、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
　第１の面および第２の面をそれぞれ有する第１の半導体ウェハおよび第２の半導体ウェハを設ける工程と、
　上記２つの各ウェハに対して、上記２つの半導体ウェハのそれぞれに対して請求項７〜１７のいずれか1項に記載の方法を行って、上記ウェハの上記第１の面に隣接する低析出物ゾーンを形成する工程と、
　上記第１の半導体ウェハの第１の面と上記第２の半導体ウェハの第１の面とが互いに面するように、且つ、上記第１の半導体ウェハの第１の面と上記第２の半導体ウェハの第１の面との間に絶縁層が存在するように、上記第１の半導体ウェハと上記第２の半導体ウェハとを接続する工程とを含んでいる、ＳＯＩ基板の形成方法。
【請求項１９】
　第１の面（１０１）と、当該第１の面の反対側の第２の面（１０２）と、当該第１の面（１０１）に隣接していると共に酸素析出物の低い第１の半導体ゾーン（１０３）とを有する半導体ウェハ内に、ｎドープされたゾーンを形成する方法を含み、
　上記ｎドープされたゾーンを形成する方法は、
　上記第１の面（１０１）を介して上記ウェハにプロトンを注入することによって、上記第１の半導体ゾーン（１０３）内に結晶欠陥を生じさせる工程であって、プロトンが、注入エネルギーに応じて、上記半導体ウェハ内の末端域領域内に注入される工程と、
　さらなる熱プロセスを行う工程とを含んでおり、当該さらなる熱プロセスでは、
　上記ウェハ（１００）が、水素誘起ドナーを有するｎ型ドープされた半導体ゾーンが生じるように、少なくとも上記第１の面（１０１）の上記領域内において４００℃〜５７０℃の温度に加熱され、
　プロトンが上記末端域領域から上記第１の面（１０１）の方向に拡散するように、且つ、上記ｎ型ドープされた半導体ゾーン（１０５）が、上記末端域領域と上記第１の面（１０１）との距離の少なくとも６０％超または８０％を超えるドーピングの領域と、上記プロトン注入によって形成された少なくともほぼ均質なドーピングとを有するように、且つ、均質なドーピングの上記領域内における最高ドーピング濃度と最低ドーピング濃度との割合が最大３であるように、長さおよび温度が選択される、請求項７〜１７のいずれか1項に記載の方法。」
（補正後）
「　【請求項１】
　ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有しており、第１の面（１０１）と、当該第１の面（１０１）の反対側の第２の面（１０２）と、当該第１の面（１０１）に隣接する第１の半導体領域（１０３'）と、上記第２の面（１０２）に隣接する第２の半導体領域（１０４'）とを有している酸素含有半導体ウェハ（１００）の処理方法であって、
　上記第２の半導体領域（１０４'）内に１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔の空孔濃度の格子空孔が生じるように、上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程を含んでいる方法。
　　【請求項２】
　上記ウェハ（１００）が７００℃〜１１００℃の間の温度に加熱される第１の熱プロセスを行う工程をさらに含んでいる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　上記第１の熱プロセスの長さは、上記第２の半導体領域内に酸素凝集体が形成されるように、且つ、上記第１の半導体領域内から上記第２の半導体領域へ格子空孔が拡散するように選択される、請求項２に記載の方法。
　　【請求項４】
　上記第１の熱プロセスの上記長さは、１時間〜２０時間の間である、請求項３に記載の方法。
　　【請求項５】
　上記ウェハは、上記熱プロセス中に、まず、７９０℃〜８１０℃の間の温度に、１０時間よりも短い第１の長さの時間加熱され、次に、９８５℃〜１０１５℃の間の温度に、１０時間よりも長い第２の長さの時間加熱される、請求項２〜４のいずれか１項に記載の方法。
　　【請求項６】
　上記ウェハの厚さは、４００μｍ〜１０００μｍの間であり、照射エネルギーは、７０ＫｅＶ〜１０ＭｅＶの間である、請求項１〜５のいずれか1項に記載の方法。
　　【請求項７】
　プロトンの注入線量は、１・１０１３ｃｍ-２〜１・１０１５ｃｍ-２の間である、請求項１〜６のいずれか1項に記載の方法。
　　【請求項８】
　上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）の照射前に、第２の熱プロセスを行う工程を含んでおり、
　上記第２の熱プロセスでは、上記ウェハ（１００）が１０００℃を超える温度に加熱され、また、少なくとも上記第１の面（１００）が湿潤雰囲気および／または酸化性雰囲気に曝露される、請求項１〜５のいずれか1項に記載の方法。
　　【請求項９】
　上記第１の面および第２の面は、上記熱プロセス中に湿潤雰囲気および／または酸化性雰囲気に曝露される、請求項８に記載の方法。
　　【請求項１０】
　上記第１の熱プロセスの後または前に、第３の熱プロセスを行うさらなる工程を含んでおり、
　上記第３の熱プロセスでは、少なくとも上記第１の半導体ゾーン（１０３）が、上記ウェハの上記第１の面（１０１）を介して酸素原子が上記第１の半導体ゾーン（１０３）から外部拡散するように加熱される、請求項２〜５のいずれか1項に記載の方法。
　　【請求項１１】
　上記第１の面および第２の面（１０１、１０２）のうち少なくともいずれか１つを介して上記ウェハ（１００）にプロトンを照射することによって、上記第１の半導体ゾーン内に結晶欠陥を生じさせる工程と、
　水素誘起ドナーを有するフィールドストップゾーン（２９）が生じるように、上記ウェハ（１００）が３５０℃〜５５０℃の間の温度に加熱される熱プロセスを行う工程とによって、
　上記ウェハ内にｎドープされたフィールドストップゾーン（２９）を形成する工程を含んでいる、請求項１〜１０のいずれか1項に記載の方法。
　　【請求項１２】
　上記ウェハの上記第２の面（１０２）の上記照射は、それぞれ異なる照射エネルギーを用いた少なくとも２つの照射工程を含んでいる、請求項１〜１０のいずれか1項に記載の方法。
　　【請求項１３】
　上記熱プロセスは、時間的に分離した少なくとも２つの熱工程を含んでおり、
　上記熱工程では、それぞれの場合において、上記ウェハ（１００）が加熱され、
　上記熱工程の少なくとも１つは、時間的に、２つの照射工程の間において行われる、請求項１２に記載の方法。
　　【請求項１４】
　第１の面および第２の面をそれぞれ有する第１の半導体ウェハおよび第２の半導体ウェハを設ける工程と、
　上記２つの各ウェハに対して、上記２つの半導体ウェハのそれぞれに対して請求項３〜１３のいずれか1項に記載の方法を行って、上記ウェハの上記第１の面に隣接する低析出物ゾーンを形成する工程と、
　上記第１の半導体ウェハの第１の面と上記第２の半導体ウェハの第１の面とが互いに面するように、且つ、上記第１の半導体ウェハの第１の面と上記第２の半導体ウェハの第１の面との間に絶縁層が存在するように、上記第１の半導体ウェハと上記第２の半導体ウェハとを接続する工程とを含んでいる、ＳＯＩ基板の形成方法。
　　【請求項１５】
　第１の面（１０１）と、当該第１の面の反対側の第２の面（１０２）と、当該第１の面（１０１）に隣接していると共に酸素析出物の低い第１の半導体ゾーン（１０３）とを有する半導体ウェハ内に、ｎドープされたゾーンを形成する方法を含み、
　上記ｎドープされたゾーンを形成する方法は、
　上記第１の面（１０１）を介して上記ウェハにプロトンを注入することによって、上記第１の半導体ゾーン（１０３）内に結晶欠陥を生じさせる工程であって、プロトンが、注入エネルギーに応じて、上記半導体ウェハ内の末端域領域内に注入される工程と、
　さらなる熱プロセスを行う工程とを含んでおり、当該さらなる熱プロセスでは、
　上記ウェハ（１００）が、水素誘起ドナーを有するｎ型ドープされた半導体ゾーンが生じるように、少なくとも上記第１の面（１０１）の上記領域内において４００℃〜５７０℃の温度に加熱され、
　プロトンが上記末端域領域から上記第１の面（１０１）の方向に拡散するように、且つ、上記ｎ型ドープされた半導体ゾーン（１０５）が、上記末端域領域と上記第１の面（１０１）との距離の少なくとも６０％超または８０％を超えるドーピングの領域と、上記プロトン注入によって形成された少なくともほぼ均質なドーピングとを有するように、且つ、均質なドーピングの上記領域内における最高ドーピング濃度と最低ドーピング濃度との割合が最大３であるように、長さおよび温度が選択される、請求項３〜１３のいずれか１項に記載の方法。」
　２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。（なお、下線は補正箇所を示し、当審で付加したもの。） 
（補正事項ａ）補正前の請求項１〜４を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
（補正事項ｂ）補正前の請求項５の「上記第２の半導体領域（１０４'）内に格子空孔が生じるように、上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程」を、補正後の請求項１の「上記第２の半導体領域（１０４'）内に
１立方センチメートル（ｃｍ
３
）当たり１０
１８
空孔の空孔濃度の
　３　新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また、補正事項ａが、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていることは、明らかである。
（２）補正事項ｂについて
　補正後の請求項１には、「上記第２の半導体領域（１０４'）内に
１立方センチメートル（ｃｍ
３
）当たり１０
１８
空孔の空孔濃度の
　そしてこの事項は、第２の半導体領域（１０４'）内の特定の部分の空孔濃度が「１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔」となることを規定するものであり、第２の半導体領域（１０４'）内の他の部分の空孔濃度は任意であるといえる。
　したがって、上記の事項は、第２の半導体領域（１０４'）内の特定の部分の空孔濃度が「１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔」であり、第２の半導体領域（１０４'）内の最大空孔濃度が１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔を上回る場合に加えて、第２の半導体領域（１０４'）内の特定の部分の空孔濃度が「１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔」であり、第２の半導体領域（１０４'）内の他の部分の空孔濃度が１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔未満である、すなわち、第２の半導体領域（１０４'）内の最大空孔濃度が１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔である場合を含むものである。
　他方、本願の願書に最初に添付した、特許請求の範囲、明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、次の記載がある。
「　【００１８】
　窒化雰囲気中での熱プロセスでは、１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１２〜１０１３空孔の空孔濃度しか達成できない。しかし、半導体基材にプロトンを照射した場合には、ｃｍ３当たり１０１８空孔を上回る空孔濃度を達成することができ、これによって例えば、所望する効果を大幅に増大させることができる。本発明のさらなる利点は、空孔形成のために窒化工程を用いる方法とは対照的に、照射エネルギーおよび照射線量を対応させながら選択することによって、半導体ウェハ内に、実質的にあらゆる所望の空孔分布を構築することができる。特に、半導体結晶の比較的深い位置においても、非常に高い空孔濃度を達成することができる。
・・略・・
　【００４３】
　図１Ｄは、背面１０２を介してウェハに高エネルギー粒子を照射する過程における、半導体ウェハ１００内の空孔分布を質的に示している。この場合、最大空孔濃度は、照射のいわゆる末端域領域内にある。この領域は、照射粒子が背面１０２からウェハ１００内に浸入する範囲である。図１Ｄでは、ａは、ウェハの背面１０２からの距離を示しており、ａ１は、背面１０２からの最大空孔濃度の距離を示している。この最大空孔濃度の位置ａ１は照射エネルギーに依存しており、また、２．５ＭｅＶの注入エネルギーでプロトンが注入される場合は、背面１０２から５５μｍ〜６０μｍの範囲内にある。プロトンの照射は、具体的には、背面１０２に対して垂直に行うことができ、あるいは、例えば５°〜１０°などの傾斜角で行うことができる。
　【００４４】
　プロトンの注入線量が１０１４ｃｍ-２である場合、末端域領域内における最大空孔濃度は、約７・１０１８空孔／ｃｍ３である。領域と背面との間に配置され、これを介してプロトンが照射される半導体領域内では、注入線量が上述と同様である場合、空孔濃度は約５・１０１７空孔／ｃｍ３である。」
　このように、当初明細書等には、１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり
１０
１８
空孔を上回る
１立方センチメートル（ｃｍ
３
）当たり約７・１０
１８
空孔の最大空孔濃度
　しかしながら、当初明細書等には、第２の半導体領域（１０４'）内の最大空孔濃度が１立方センチメートル（ｃｍ３）当たり１０１８空孔である場合を含む補正後の請求項１に記載の上記の事項は記載されていない。
　また、このような上記の事項は、当初明細書等の記載から自明な事項でもない。
　したがって、補正事項ｂによる補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであるから、補正事項ｂによる補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであるとは認められない。
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　上記（２）より、本件補正における上記補正事項ｂによる補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであるとは認められないから、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に違反するものと認める。
　４　むすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明の新規性及び進歩性の有無について
　１　本願発明について
　平成２７年１月２６日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項５に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項５】
　ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有しており、第１の面（１０１）と、当該第１の面（１０１）の反対側の第２の面（１０２）と、当該第１の面（１０１）に隣接する第１の半導体領域（１０３'）と、上記第２の面（１０２）に隣接する第２の半導体領域（１０４'）とを有している酸素含有半導体ウェハ（１００）の処理方法であって、
　上記第２の半導体領域（１０４'）内に格子空孔が生じるように、上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程を含んでいる方法。」
　２　引用文献及び周知例の記載と引用発明、周知の技術的事項及び原出願の優先日前の技術水準
（１）引用文献の記載と引用発明
　ア　引用文献：特開平０５−３０８０７６号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前である１９９３年１１月１９日に日本国内において頒布された刊行物である上記引用文献には、図９、１０とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【０００２】
【従来の技術】種々の
半導体装置用基板として用いられるシリコンウエーハ
半導体装置用基板として用いるには、熱処理を行うことにより、シリコンウエーハ表層の酸素を除去すると共に、シリコンウエーハ内部に酸素析出物を形成し、半導体装置の製造プロセスで混入する重金属不純物を内部の酸素析出物により捕獲して表層の素子活性領域に重金属不純物が混入しないようにする
【０００３】従来のシリコンウエーハの酸素析出方法では、図１（ａ）に示すように、切り出されたシリコンウエーハに対し、約１０００〜１２００℃の高温に加熱して表層の酸素を外方に拡散した後、窒素又は酸素雰囲気中において、酸素の析出核を形成させるために約６００〜９００℃の熱処理を行い、引き続き、酸素析出物を成長させるために約９００〜１１５０℃の高温熱処理を行っていた。
【０００４】
シリコンウエーハに形成される半導体装置の高集積化に伴い、素子活性領域であるシリコンウエーハ表層のＤＺ（デヌーテッドゾーン）層の完全性への要求が厳しくなっている
（イ）「【００３１】・・略・・
［
実施例３
本実施例のシリコンウエーハの酸素析出方法を図９（ａ）及び図１０を用いて説明する
【００３２】
まず、シリコンウエーハを約１１００℃の高温に加熱して表層の酸素を外方に拡散する外方拡散熱処理を窒素雰囲気中で約９０分行った後、図１０に示すように、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素をイオン注入することにより添加する。その後、窒素又は酸素の雰囲気中での熱処理に切り換え、約５００℃の温度での低温熱処理を行った。その後、約１０℃／分の勾配で温度を上昇させ、約７００℃の温度で約３０〜１５０分間熱処理を行い、シリコンウエーハ内部に酸素の析出核を形成した。その後、約２℃／分、約３℃／分、又は約４℃／分の勾配で温度を上昇させ、約１１００℃の温度で約３０分間熱処理を行い、シリコンウエーハ内部に酸素析出物を形成した
【００３３】
本実施例では、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から、図１０（ａ）に示すように、水素又は重水素又は三重水素をイオン注入した結果、図１０（ｂ）に示すように、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面の表面近傍のみに水素原子又は分子を凍結させることができる。したがって、酸素析出処理を行った結果、図１０（ｃ）に示すように、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面の表面近傍のみに酸素の析出核が形成された
【００３４】
なお、本実施例において水素、重水素又は三重水素をドープする代わりにヘリウムをドープしても同様である
　イ　引用発明
　上記アより、引用文献には、実施例３として、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「　シリコンウエーハを約１１００℃の高温に加熱して表層の酸素を外方に拡散する外方拡散熱処理を窒素雰囲気中で約９０分行う工程と、
　その後、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程と、
　約７００℃の温度で約３０〜１５０分間熱処理を行い、シリコンウエーハ内部に酸素の析出核を形成する工程と、
　その後、約１１００℃の温度で約３０分間熱処理を行い、シリコンウエーハ内部に酸素析出物を形成する工程と、
　を有する、シリコンウエーハの酸素析出方法。」
（２）周知例の記載と周知の技術的事項及び原出願の優先日前の技術水準
　ア　周知例１：半導体用語大辞典編集委員会編、「半導体用語大辞典」、１９９９年３月２０日、株式会社日刊工業新聞社発行、ｐ．２２２
　原出願の優先日前である１９９９年３月２０日に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には、以下の事項が記載されている。
「イオン注入損傷　−ちゅうにゅうそんしょう　〔ion implantation damage〕　固体表面にイオン照射を行うと，格子欠陥などによって形成された損傷領域が発生する．イオン注入したときに生じる注入損傷は，イオン種，注入エネルギー，注入量，注入中の基板温度などによってその程度がことなる．
シリコン基板への不純物注入では，一般に低濃度注入で格子間元素や空孔などの点欠陥が形成される
　イ　周知例２：菅野卓雄監修、「半導体大辞典」、１９９９年１２月２０日、株式会社工業調査会発行、ｐ．４５０
　原出願の優先日前である１９９９年１２月２０日に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には、以下の事項が記載されている。
「１）｜イオン注入過程 ion implantation process
　〜数ｋｅＶの低いエネルギーでイオンを固体表面に照射すると，イオンの持つ運動エネルギーにより固体ヒュお面の原子が弾き出されるスパッタリング現象が起こる。しかし，イオン注入で用いる数１０ｋｅＶから数１００ｋｅＶ（高エネルギー注入では数ＭｅＶ）のエネルギー範囲ではスパッタリング現象よりイオンが固体内部に深く侵入する注入現象が支配的になる。
　イオン注入の基礎過程は，イオン注入損傷の発生と損傷回復のためのアニーリング，注入イオンの分布である。
半導体基板にイオンを注入すると，イオンは基板内の原子および電子と衝突し，ノックオン原子（または反跳原子ともいう）を発生し，注入損傷（結晶欠陥）が生成され，同時にイオンは運動エネルギーを失い，最後に静止する
　ウ　周知例３：特開昭５８−０４０８６４号公報
　原出願の優先日前である１９８３年３月９日に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例３には、以下の事項が記載されている。
「この後、半導体の電気的性質に寄与しないプロトンを照射する。エネルギーとドーズ量は不純物イオンのイオン種、エネルギー、ドーズ量、所要接合深さ全考慮して決定するが、所賛・接合深さ以内にプロトンが分布するように選ぶ。
　
この状態における注入イオン、プロトン及びプロトン照射により生じた原子空孔の深さ方向の分布は一例として第２図のようになる
　エ　周知例４：特開平０８−３２１５９４号公報
　原出願の優先日前である１９９６年１２月３日に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例４には、以下の事項が記載されている。
「【０００６】
図１（ａ）に示すシリコン基板１１に真空中でＨｅイオン、Ｈイオン、Ａｒイオン又はＳｉイオンを注入すると、図１（ｂ）に示すようにイオン注入損傷領域１２が形成され、このイオン注入損傷領域１２では格子位置のシリコン原子が放出されて格子間シリコン原子１４（図中、※印で示す）になるとともに格子位置に空孔１５（図中、○印で示す）が形成される
　オ　周知例５：特開２００３−２９７８３９号公報
　原出願の優先日前である２００３年１０月１７日に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例５には、以下の事項が記載されている。
「【００１１】
単結晶育成中に取り込まれた酸素は、温度の低下により過飽和の状態で固溶しているので、安定して存在出来る場所（サイト）が有れば、そこに析出核のような物が形成され、一旦、核が形成されればそこへ優先的に酸素は凝集して酸素析出物が形成されることとなる。このようなサイトとしては結晶中に存在する空孔が最適であり、空孔が複数個集合すれば、より容易に酸素析出物の基となる析出核を形成することができると考えられる。従って、ウエーハ内部により多くの空孔を注入することができれば、より析出サイトが増大し、その後のデバイス工程における熱処理によって酸素析出物密度を増大させることが可能となる
　カ　周知例６：特表２００５−５１５６３３号公報
　原出願の優先日前である２００５年５月２６日に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例６には、以下の事項が記載されている。
「【００３６】
Ｃ．ドーピング及び熱処理したシリコンウエハの急速クーリング工程
  工程Ｓ２が完了すると、工程Ｓ３において、単結晶シリコンの中で結晶格子空孔が比較的移動し得る温度範囲を通って、少なくともシリコン内で結晶格子空孔が比較的移動し得ない温度Ｔ２へ、ウエハを急速に冷却する。
・・略・・
【００３８】
  
工程Ｓ３の間、ウエハ内の空孔と自己格子間酸素原子とは相互作用して、酸素析出核形成中心を生じる。酸素析出核形成中心の濃度は主として空孔濃度に依存し、そして同様に、酸素析出核形成中心のプロファイルは空孔の濃度プロファイルに対応する
　キ　周知の技術的事項
　上記ア〜エより、半導体基板にイオンを注入すると、イオンは基板内の原子と衝突し、ノックオン原子が発生し、格子間元素や空孔などの点欠陥が生成されることは、原出願の優先日前、当該技術分野では周知の技術的事項であるといえる。
　また、上記ウ、エより、プロトンやＨｅイオンを注入した場合においても空孔などの点欠陥が生成されることも、原出願の優先日前、当該技術分野では周知の技術的事項であるといえる。
　ク　原出願の優先日前の技術水準
　上記オ、カより、空孔が、酸素析出核を生成するものであることや、酸素析出核の濃度が空孔の濃度に対応することは、原出願の優先日前、当該技術分野では普通に知られていたことであるといえる。
　３　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明は、「シリコンウエーハを約１１００℃の高温に加熱して表層の酸素を外方に拡散する外方拡散熱処理を窒素雰囲気中で約９０分行う工程」や、「シリコンウエーハ内部に酸素析出物を形成する工程」を有するものであることから、引用発明の「シリコンウエーハ」は、酸素を含有していると認められる。
　また、引用発明の「シリコンウエーハの素子形成面」は、本願発明の「第１の面」に相当し、引用発明の「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面」は、本願発明の「当該第１の面の反対側の第２の面」に相当する。
　また、引用発明の「シリコンウエーハ」の「素子形成面」に隣接する領域は、本願発明の「第１の半導体領域（１０３'）」に相当し、引用発明の「シリコンウエーハ」の「素子形成面の反対側の面」に隣接する領域は、本願発明の「上記第２の面（１０２）に隣接する第２の半導体領域（１０４'）」に相当する。
　したがって、本願発明の「ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有しており、第１の面（１０１）と、当該第１の面（１０１）の反対側の第２の面（１０２）と、当該第１の面（１０１）に隣接する第１の半導体領域（１０３'）と、上記第２の面（１０２）に隣接する第２の半導体領域（１０４'）とを有している酸素含有半導体ウェハ（１００）」と、引用発明の「シリコンウエーハ」とは、「第１の面と、当該第１の面の反対側の第２の面と、当該第１の面に隣接する第１の半導体領域と、上記第２の面に隣接する第２の半導体領域とを有している酸素含有半導体ウェハ」である点で共通する。
（２）本願発明の「酸素含有半導体ウェハ（１００）の処理方法」と、引用発明の「シリコンウエーハの酸素析出方法」とは、「酸素含有半導体ウェハの処理方法」である点で共通する。
（３）本願発明の「上記第２の半導体領域（１０４'）内に格子空孔が生じるように、上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程」と、引用発明の「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程」とは、「ウェハの第２の面にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程」である点で共通する。
（４）以上によれば、本願発明と引用発明との一致点と相違点は、次のとおりであると認められる。
　ア　一致点
「　第１の面と、当該第１の面の反対側の第２の面と、当該第１の面に隣接する第１の半導体領域と、上記第２の面に隣接する第２の半導体領域とを有している酸素含有半導体ウェハの処理方法であって、
　上記ウェハの上記第２の面にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程を含んでいる方法。」
　イ　相違点
　・相違点１
　本願発明は、「酸素含有半導体ウェハ（１００）」が、「ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有して」いるものであるのに対して、引用発明は、「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程」における「シリコンウエーハ」は、そのドーピング状態が不明なものである点。
　・相違点２
　本願発明は、「上記ウェハ（１００）の上記第２の面（１０２）にプロトンまたはヘリウムイオンを照射する工程」が、「上記第２の半導体領域（１０４'）内に格子空孔が生じるように」行われるものであるのに対して、引用発明は、「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程」が、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面に隣接する領域内に格子空孔が生じるように行われるものであるのか不明である点。
　４　相違点についての検討
（１）相違点１について
　上記２（１）ア（ア）より、引用発明のシリコンウエーハは、半導体装置用基板、すなわち、半導体装置を形成するための基板として用いられる、半導体装置を形成する前の基板である。
　したがって、引用発明のシリコンウエーハは、「ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有して」いるものと認められる。
　そうすると、相違点１は、実質的な相違点とはいえない。
　また、そうでないとしても、引用発明において、シリコンウエーハを、「ドープされていないか、あるいは排他的に基本ドーピングのみを有して」いるものとすることは、当業者が普通に行い得るものである。
　以上から、相違点１は、本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえず、また、そうでないとしても、引用発明において当業者が普通に行い得るものと認められる。
（２）相違点２について
　上記２（２）キのとおり、半導体基板にイオンを注入すると、イオンは基板内の原子と衝突し、ノックオン原子が発生し、格子間元素や空孔などの点欠陥が生成されることは、原出願の優先日前、当該技術分野では周知の技術的事項であるといえる。
　したがって、引用発明の「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程」においても、イオン注入した水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムは、シリコンウエーハ内のシリコンと衝突し、ノックオン原子が発生し、格子間元素や空孔などの点欠陥が生成されるものと認められる。
　そうすると、相違点２は、実質的な相違点とはいえない。
　また、そうでないとしても、引用発明において、「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程」を、シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面に隣接する領域内に格子空孔が生じるように行うことは、当業者が普通に行い得るものである。
　以上から、相違点２は、本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえず、また、そうでないとしても、引用発明において当業者が普通に行い得るものと認められる。
　５　本願発明が奏する作用効果
　審判請求の理由において請求人は、以下のとおりの効果についての主張をしている。
「　さらに、本願発明では、照射プロセスなどによって形成される空孔−酸素中心が、酸素析出物の核生成種として機能するため、第２の半導体領域（１０４'）内に安定した酸素凝集体が形成される余地が生まれます。そして、第１の半導体領域（１０３'）内に低空孔半導体ゾーンが生じるという効果を奏します。」
　そこで、この効果について検討する。
　上記４（２）のとおり、引用発明の「シリコンウエーハの素子形成面の反対側の面から水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムをイオン注入することにより添加する工程」においても、イオン注入した水素又は重水素又は三重水素又はヘリウムは、シリコンウエーハ内のシリコンと衝突し、ノックオン原子が発生し、格子間元素や空孔などの点欠陥が生成されるものと認められる。
　また、上記２（２）クのとおり、空孔が、酸素析出核を生成するものであることや、酸素析出核の濃度が空孔の濃度に対応することは、原出願の優先日前、当該技術分野では普通に知られていたことである。
　さらに、上記２（１）イのとおり、引用発明は、水素原子がイオン注入されたシリコンウエーハの素子形成面の反対側の面の表面近傍のみに酸素の析出核が形成されるものである。
　したがって、上記主張の効果は、引用発明、周知の技術的事項及び原出願の優先日前の技術水準から当業者が予測できる範囲のものである。
　６　まとめ
　以上検討したとおり、本願の請求項５に係る発明（本願発明）は、引用文献に記載の発明（引用発明）と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、そうでないとしても、引用文献に記載の発明（引用発明）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
 第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。