【手続補正書】
【提出日】令和2年8月12日(2020.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のデバイス層を含む第１の薄化ダイであって、前記第１のデバイス層は、ガラス材料から形成され、前記第１のデバイス層の底面に複数の第１のダイ接点を有する、前記第１の薄化ダイと、
第２のデバイス層と、前記第２のデバイス層の上の完全なシリコン基板とを含む第２の完全なダイであって、前記第２のデバイス層は、前記第２のデバイス層の底面に複数の第２のダイ接点を有する、前記第２の完全なダイと、
多層再分布構造であって、前記多層再分布構造の底面の複数のパッケージ接点と、前記複数のパッケージ接点を前記複数の第１のダイ接点のうちの特定の１つおよび前記複数の第２のダイ接点のうちの特定の１つに接続する再分布相互接続とを含み、前記再分布相互接続と前記複数の第１のダイ接点との間、および前記再分布相互接続と前記複数の第２のダイ接点との間の接続は無ハンダである、前記多層再分布構造と、
前記多層再分布構造の上に存在する第１のモールドコンパウンドであって、
前記第１のモールドコンパウンドは、前記第１の薄化ダイを取り囲むとともに、前記第１のモールドコンパウンド内に、かつ前記第１の薄化ダイの上に開口を画定するために前記第１の薄化ダイの上面を超えて延在し、前記第１の薄化ダイの前記上面は前記開口の底部にあり、
前記第１のモールドコンパウンドは、前記第２の完全なダイを封止する、
前記第１のモールドコンパウンドと、
前記開口を充填し、前記第１の薄化ダイの前記上面と接触している第２のモールドコンパウンドと
を備える装置。
【請求項２】
前記ガラス材料は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、超酸化リチウム（ＬｉＯ２）、バリウム酸化物（ＢａＯ）、カリウム酸化物（Ｋ２Ｏ）、ナトリウム酸化物（Ｎａ２Ｏ）、ホウ素酸化物（Ｂ２Ｏ３）、マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）、ストロンチウム酸化物（ＳｒＯ）及びカルシウム酸化物（ＣａＯ）からなる群のうちの少なくとも１種である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のデバイス層は５μｍ〜１０００μｍの厚さを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のデバイス層は７０μｍ〜２００μｍの厚さを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１の薄化ダイはマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）構成要素を提供する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の薄化ダイはＭＥＭＳ構成要素を提供し、前記第２の完全なダイは、前記ＭＥＭＳ構成要素を制御する相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）コントローラを提供する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第２のデバイス層は、誘電層と金属層との組み合わせから形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第２のモールドコンパウンドは、１Ｅ６Ｏｈｍ−ｃｍを超える電気抵抗率を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のモールドコンパウンドは、前記第２のモールドコンパウンドと同じ材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のモールドコンパウンドと前記第２のモールドコンパウンドとは、異なる材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記開口の前記底部に露出された前記第１の薄化ダイの前記上面は、前記第１のデバイス層の上面である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２のモールドコンパウンドは、２Ｗ／ｍ・Ｋを超える熱伝導率を有する熱可塑性材料または熱硬化性材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のデバイス層は７０μｍ〜１０００μｍの厚さを有する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２のモールドコンパウンドは有機エポキシ樹脂から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のデバイス層は５μｍ〜１０００μｍの厚さを有する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記多層再分布構造は無ガラスである、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
第１のダイと第１のモールドコンパウンドとを有するモールドウェーハを提供することであって、
前記第１のダイは、第１のデバイス層と、前記第１のデバイス層の上の第１のシリコン基板とを含み、前記第１のデバイス層は、ガラス材料から形成され、前記第１のデバイス層の底面に複数の第１のダイ接点を含み、
前記第１のダイの上面は前記第１のシリコン基板の上面であり、前記第１のダイの底面は前記第１のデバイス層の前記底面であり、
前記第１のモールドコンパウンドは、前記第１のダイの側面及び前記上面を封止し、前記第１のデバイス層の前記底面が露出される、
前記提供することと、
前記モールドウェーハの下に多層再分布構造を形成することであって、
前記多層再分布構造は、前記多層再分布構造の底面の複数のパッケージ接点と、前記複数のパッケージ接点を前記複数の第１のダイ接点のうちの特定の１つに接続する再分布相互接続とを含み、
前記再分布相互接続と前記複数の第１のダイ接点との間の接続は無ハンダである、
前記形成することと、
前記第１のモールドコンパウンドを薄化して前記第１のシリコン基板の前記上面を露出させることと、
第１の薄化ダイを提供し、前記第１のモールドコンパウンド内に、かつ前記第１の薄化ダイの上に開口を形成するために前記第１のダイの前記第１のシリコン基板を実質的に除去することであって、前記第１の薄化ダイは、前記開口の底部に露出される上面を有する、前記除去することと、
前記開口を実質的に充填し、前記第１の薄化ダイの前記上面と直接接触するように第２のモールドコンパウンドを塗布することと
を含む方法。
【請求項１８】
前記第１のダイはＭＥＭＳ構成要素を提供する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２のモールドコンパウンドは、２Ｗ／ｍ・Ｋを超える熱伝導率を有する熱可塑性
材料または熱硬化性材料から形成され、
前記第２のモールドコンパウンドは２５０ｐｓｉ〜１０００ｐｓｉで塗布され、
前記第１のデバイス層は７０μｍ〜１０００μｍの厚さを有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のモールドコンパウンドは有機エポキシ樹脂から形成され、
前記第２のモールドコンパウンドは１００ｐｓｉ〜１０００ｐｓｉで塗布され、
前記第１のデバイス層は５μｍ〜１０００μｍの厚さを有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記モールドウェーハは、第２の完全なダイをさらに含み、
前記第２の完全なダイは、第２のデバイス層と、前記第２のデバイス層の上の第２のシリコン基板とを有し、前記第２のデバイス層は、前記第２のデバイス層の底面に複数の第２のダイ接点を有し、
前記第１のモールドコンパウンドは、前記第２の完全なダイの側面および上面を封止し、前記第２のデバイス層の前記底面が露出される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記モールドウェーハの下に前記多層再分布構造を形成することは、前記再分布相互接続により、前記複数のパッケージ接点を前記複数の第２のダイ接点のうちの特定の１つに接続することをさらに含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の完全なダイは、前記第１のダイよりも短く、それによって、前記第１のモールドコンパウンドを薄化して前記第１のシリコン基板の前記上面を露出させた後、前記第２のシリコン基板は露出せず、前記第１のモールドコンパウンドによって依然として封止される、請求項２２に記載の方法。