【事件の表示】
　特願２０１２−　２８４３３「ダイボンディング装置、コレット、および、ダイボンディング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月２２日出願公開、特開２０１３−１６５２１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年２月１３日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２６年　２月１０日　　　　　　審査請求
　平成２６年　７月１５日（発送日）　拒絶理由通知
　平成２６年　９月１６日　　　　　　意見書
　平成２７年　３月１３日（発送日）　拒絶査定
　平成２７年　６月１５日　　　　　　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
　［補正却下の決定の結論］
　平成２７年６月１５日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲の補正を含むものであって，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１０は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項９へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１０の記載は次のとおりである。
「長方形の形状を有する第１の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって，
　長方形の断面を有し，前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し，前記第１の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように，前記第１の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着する
　ことを特徴とするコレット。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項９の記載は次のとおりである。（下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。下記（３）において同じ。）
「長方形の形状を有する第１の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって，
　長方形の断面を有し，前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し，前記第１の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように，前記第１の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着
し，
　前記凸部の段差は、０．２００ｍｍ〜０．３００ｍｍの範囲である
（３）補正事項
　本件補正により，補正前請求項１０の「コレット」に「
前記凸部の段差は、０．２００ｍｍ〜０．３００ｍｍの範囲である
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３９】及び図６の記載からみて，本件補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１０に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項９に係る発明（以下，「本願補正発明」という。）は，本件補正後の請求項９に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「長方形の形状を有する第１の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって，
　長方形の断面を有し，前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し，前記第１の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように，前記第１の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着し，
　前記凸部の段差は、０．２００ｍｍ〜０．３００ｍｍの範囲であることを特徴とするコレット。」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−２０３９６４号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを実装するためのピックアップツールに関する。このようなピックアップツールは、『ダイコレット』または『ダイボンディングツール』の名称で知られている。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップを実装する場合、ウェーハから切り分けられフォイルに付着された
半導体チップは、ピックアップツールにより捕捉され、基板に配置される。
・・・
【０００５】省スペース化を図るために、ますます半導体チップの薄型化がなされている。しかしながら、ピックアップツールで捕捉される半導体チップは、厚みが約１５０μｍの場合、真空により生じる圧力により半導体チップが吸引開口部に押圧されることが原因で屈曲することがある。これは、厚みが１００μｍの場合、事実上、例外なく起こる。半導体チップを下側の半導体チップに配置すると、屈曲したチップがまず第１半導体チップ上に縁端部で載り、
２つの半導体チップ間に形成された空洞が密閉されて、閉じ込められた空気の逃げ道がなくなるため、第２半導体チップの下方に望ましくない気泡が生じる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、薄型の半導体チップを問題なく実装できるピックアップツールを開発すること
（イ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１および請求項６に記載の特徴を備える。好適なデザインは、従属請求項から得られる。
【０００８】上述した課題を解決するために、
半導体チップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な材料からなる吸引手段を有するピックアップツールが提供される。
半導体チップをすでに実装された半導体チップに配置すると、凸状表面は、その表面および捕捉された半導体チップが平らになるまで、圧力が増大して次第に変形される。圧力は、吸引手段の中心から外向きに増大する。これを行うさい、半導体チップは、下側の半導体チップに転がされることにより、空気を継続的に逃がすことができる。
【０００９】したがって、この実装プロセスの場合、吸引手段により捕捉される半導体チップは、すでに実装された半導体チップに配置される前に凸状にされた後、配置の最終段階で通常の形状に戻される。
【００１０】
接着フィルムで背面を被覆した第２半導体チップを第１半導体チップに実装する
−第２半導体チップを凸状に変形させるための凸状表面を有するピックアップツールを用いて第２半導体チップを捕捉するステップと、
−第２半導体チップを第１半導体チップに配置させるためにピックアップツールを下降させ、最初に第２半導体チップの中心が第１半導体チップに衝突するステップと、
−通常は凸状の表面が平らになるように、吸引手段を変形させるために圧力を増大させるステップと、
−第２半導体チップを伴わずにピックアップツールを持ち上げるステップとを含む。」
（ウ）「【００１３】
【実施例】実施例１
この実施形態では、
半導体チップ２に面する吸引手段４の凸状表面６は、真空を供給可能な開口部８を有する。開口部８は、表面６の縁端部付近に配設されるのに対して、
図２（Ａ）および図２（Ｂ）は、表面６の平面図を示す。
【００１４】また、
図２（Ａ）は、座標軸をｘとｙで示したデカルト座標系を示す。表面６は、単一の方向、例えば、ｘ方向に対して凸状に形成される
（エ）「【００１９】吸引手段４の表面６の凸状の程度は、接着フィルム１５の厚みのほぼ半分であることが好ましい。したがって、接着フィルム１５の厚みが６０μｍの場合、表面６の中心と縁端部との高低差Ｈ（図１）は、例えば、約３０μｍになる。」
（オ）「【００２１】半導体チップ２が半導体チップ１４に衝突する図５に示された状態から、半導体チップ２が半導体チップ１４上に平らに載る図６に示された状態への移行段階中、ピックアップツール１は、例えば、一定の速度、または圧力または力の所望の増大曲線に適応させた速度プロファイルで下降される。」
（カ）吸引手段の凸状表面の平面図を示す図２（Ａ）には，
吸引手段が長方形の断面を有すること，及び吸引手段の断面における縁端部９の長辺がｘ方向
４つのスリット１０が前記縁端部に沿って長方形に配置される
　イ　前記（２）アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「第２半導体チップを第１半導体チップに接着フィルムを介して実装するための吸引手段であって，
　長方形の断面を有し，
　第２半導体チップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な材料からなる吸引手段。」
（３）本願補正発明と引用発明との対比
　引用発明において，第２半導体チップ（ダイ）を第１半導体チップに接着（ボンディング）するということは，すなわちダイボンディングするということであり，引用発明の「吸着手段」はダイボンディングするために半導体チップを吸着するものであるから，下記相違点を除いて，本願補正発明の「コレット」に相当するものと認められる。
　また，引用発明における「第１半導体チップ」は，「第２半導体チップ」が接着される基礎となる板状のものであるから，本願補正発明の「基板」に相当する。なお，本願明細書【００１９】には「基板４は，・・・第１の半導体素子５とは別の第２の半導体素子である」と記載されており，本願補正発明の「基板」は半導体素子を含むものであると認められる。
　そして，引用発明における「第２半導体チップ」は本願補正発明の「第１の半導体素子」に相当するものと認められる。
　さらに，本願補正発明の「長方形の断面を有し，前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部」を有することと，引用発明における「長方形の断面を有し，第２半導体チップを捕捉するために表面が凸状の弾性的に変形可能な材料からなる」こととは，長方形の断面を有し，弾性的に変形可能な凸部を有する点で共通すると認められる。
　してみると，本願補正発明と引用発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違する。
　ア　一致点
「第１の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって，
　長方形の断面を有し，
　弾性的に変形可能な凸部を有し，
　前記第１の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着する
　ことを特徴とするコレット。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願補正発明の「第１の半導体素子」は長方形の形状を有するのに対し，引用発明の「第１の半導体素子」はその形状が明示されていない点。
（イ）相違点２
　本願補正発明の「凸部」は「前記断面の長辺に平行な線に沿って延在する」のに対し，引用発明においては「前記断面の長辺に平行な線に沿って延在する」ことが明示されていない点。
（ウ）相違点３
　本願補正発明においては「前記第１の半導体の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行」であるのに対し，引用発明においては第１の半導体の長辺方向とコレットの長辺方向の関係については明示されていない点。
（エ）相違点４
　本願補正発明においては凸部の段差が「０．２００ｍｍから０．３００ｍｍの範囲」であるのに対し，引用発明においては凸部の段差について「０．２００ｍｍから０．３００ｍｍの範囲」が明示されていない点。
（４）相違点についての検討
　ア　相違点１及び３について
　はじめに，相違点１及び３についてまとめて検討する。
　引用文献１の図２（Ａ）では，４つのスリット１０が長方形の吸引手段の縁端部に沿って長方形に配置されており（前記（２）ア（カ）参照。），また，同文献には真空を供給可能な開口部を表面の縁端部付近に配設することが記載されている（前記（２）ア（ウ）参照。）から，この４つのスリットにおいて半導体素子を吸引するものと認められ，してみると，長方形に配置された４つのスリットで長方形の半導体素子を吸引することは，引用文献１の前記の記載に接した当業者が普通に行い得るものと認められる。
　そして，その際に長方形の半導体素子の長辺方向と長方形のコレット（吸引手段）の長辺方向とを平行にすることも，当業者が普通に行い得るものと認められる。
　以上のとおりであるから，相違点１及び３にかかる構成は，引用発明において当業者が普通に行い得るものである。
　イ　相違点２について
　引用文献１には，「図２（Ａ）は，座標軸をｘとｙで示したデカルト座標系を示す。表面６は，単一の方向，
例えば
　以上のとおりであるから，相違点２は実質的な相違点ではない。
　ウ　相違点４について
　引用文献１には，吸引手段４の表面６の凸状の程度，すなわち凸部の段差は，例えば，約３０μｍとすることが記載されている（前記（２）ア（エ）参照。）が，引用文献１には半導体チップの下方の接着面に生じる気泡を防ぐべきことが課題として示されている（前記（２）ア）から，気泡を防ぐべく凸部の形状やその硬度を適宜設定することは，当業者の設計事項にすぎない。
　してみると，引用発明において，吸引手段の表面の凸状を０．２００ｍｍ〜０．３００ｍｍの範囲の段差とすること（相違点４に係る構成とすること）は，当業者が適宜なしえたものである。
（５）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果，より詳説すると，コレットの凸部からチップ端の距離が短いため，より小さい荷重で，チップ端まで加圧し圧着できる（本願明細書段落【００３６】参照。）点や凸部の段差を０．２００ｍｍ〜０．３００ｍｍの範囲とすると荷重が２０Ｎにできる（本願図６参照。）点について検討すると，コレットないしチップへの荷重は，弾性的に変形可能な凸部の弾性力により生じることから，凸部の体積及び硬度に依存するものと認められる一方，本願補正発明は凸部の硬度について何ら規定するものではないから，本願補正発明の効果は格別のものとはいえない。なお，凸部の体積は，その形状に依存するので，例えば，凸部の形状がその延在方向に垂直な断面において三角形状であるとすると，延在方向をコレットの長方形断面の長辺に平行にしても短辺に平行にしても体積は等しく，この点からみても，本願補正発明の効果は格別のものとはいえない。
（６）まとめ
　よって，本願補正発明は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年６月１５日付けの手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１０に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１０に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「長方形の形状を有する第１の半導体素子を基板にダイボンディングするためのコレットであって，
　長方形の断面を有し，前記断面の長辺に平行な線に沿って延在し且つ弾性的に変形可能な凸部を有し，前記第１の半導体素子の長辺方向が前記コレットの前記断面の長辺方向に平行になるように，前記第１の半導体素子の上面を前記コレットの前記凸部の表面に吸着する
　ことを特徴とするコレット。」
２　引用文献１の記載と引用発明
　引用文献１の記載は，前記第２の２（２）アのとおりであり，引用発明は，前記第２の２（２）イで認定したとおりである。
３　本願発明と引用発明との対比 
　前記第２の１から明らかなように，本願発明は，本願補正発明から平成２７年６月１５日付けの手続補正による補正事項１に係る技術的限定（前記第２の１（３）参照。）を取り除いたものである。
　そして，補正事項１に係る技術的限定は，本願補正発明と引用発明との相違点４に係る構成を含むものである。
　そうすると，本願発明と引用発明とを対比すると，前記第２の２（３）より，両者は，本願補正発明と引用発明との相違点１ないし３の点で相違し，その余の点で一致すると認められる。
４　相違点についての検討 
　前記第２の２（４）で検討したとおり，引用発明において相違点１及び３に係る構成とすることは，当業者が普通に行い得るものであり，相違点２は実質的な相違点ではなく，また，前記第２の２（５）と同様の理由により，本願発明が奏する効果は，格別のものとはいえない。
５　まとめ 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１０に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。