Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザによって装着されるヘッドマウントディスプレイであって、
筐体と、
前記ユーザの眼に隣接して位置付けられるアイチャンバと、
ヘッドバンド、及び、制御信号に応じて前記ユーザの頭部に対する前記ヘッドバンドの嵌合を変更するように動作可能な調整機構を含む支持アセンブリと、を備え、前記調整機構は、フィードバックコンポーネントを含み、前記制御信号は、前記フィードバックコンポーネントからの出力に基づいて生成される、ヘッドマウントディスプレイ。
【請求項２】
前記調整機構は、前記ヘッドバンドの長さを収縮又は伸張することによって、前記ユーザの前記頭部に対する前記ヘッドバンドの嵌合を変更する電気モータを含む、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項３】
前記ヘッドバンドは、ギアラックによって相互接続された第１の部分及び第２の部分を含み、前記電気モータの動作によって前記第１の部分及び前記第２の部分を互いに対して緩めるか又は締め付ける、請求項２に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項４】
前記ヘッドバンドは、前記電気モータの動作によって伸張可能かつ引き込み可能であるストラップを含む、請求項２に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項５】
前記フィードバックコンポーネントは、前記ユーザの前記頭部に対する前記ヘッドバンドの締まり具合を測定するように動作可能である、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項６】
前記調整機構は、電気モータを含み、前記フィードバックコンポーネントは、前記電気モータの引き込み電流を測定するように動作可能である、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項７】
前記制御信号は、入力デバイスから受信された入力信号に部分的に基づいている、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項８】
前記制御信号は、前記ユーザの前記頭部が前記アイチャンバに隣接して存在するかどうかを表す信号を出力する頭部存在検出器に部分的に基づいている、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項９】
前記調整アセンブリは、ユーザの第１の手との接触を検出するように動作可能な第１の手接触検出器、及び前記ユーザの第２の手との接触を検出するように動作可能な第２の手接触検出器を含み、
前記調整アセンブリは、前記第１の手接触検出器及び前記第２の手接触検出器とのユーザ接触を検出したことに応じて、前記筐体に対して前記ヘッドバンドを緩め、
前記調整アセンブリは、前記筐体上の前記第１の手接触検出器又は前記第２の手接触検出器とのユーザ接触の停止を検出したことに応じて、前記筐体に対して調整可能な前記ヘッドバンドを締め付ける、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１０】
前記ユーザの前記眼に対する前記筐体の動きを測定するように動作可能な視線追跡システムを更に備え、前記制御信号は、前記ユーザの前記眼に対する前記筐体の前記動きに部分的に基づく、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１１】
前記ユーザに表示されるコンテンツは、コンテンツタイプ識別子に関連付けられており、前記制御信号は、前記コンテンツタイプ識別子に部分的に基づく、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１２】
前記ヘッドバンドは、前記ユーザの前記頭部の周囲に延在するように構成されている、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１３】
前記調整機構は、容積膨張又は容積収縮によって、前記ユーザの前記頭部に対する前記ヘッドバンドの嵌合を変更する可変容積構造体を含む、請求項１に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１４】
前記可変容積構造体は、形状記憶合金ワイヤへの電流の印加に応じて前記可変容積構造体の容積膨張又は容積収縮を起こす前記形状記憶合金ワイヤによって支持されたファブリック構造を含む、請求項１３に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【請求項１５】
前記可変容積構造体は、１つ以上の空気圧袋を含む、請求項１３に記載のヘッドマウントディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層（３）を有する半導体層列（２）を備える半導体レーザーダイオード（１００）であって、
前記活性層は主要延在面を有しており、かつ動作中に活性領域（５）において光（８）を生成し、光取り出し面（６）を介して放射するように構成されており、
前記活性領域（５）は、前記光取り出し面（６）に対向する側の背面（７）から前記光取り出し面（６）へ、長手方向（９３）に沿って前記主要延在面において延在し、
前記半導体層列（２）は表面領域（２０）を有しており、前記表面領域上に、直接的に接触して第１のクラッド層（４）が被着されており、
前記第１のクラッド層（４）は、前記半導体層列（２）とは異なる材料系からの透明材料を有しており、
前記第１のクラッド層（４）は構造化されており、第１の構造を有している、
半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項２】
前記半導体レーザーダイオード（１００）の動作中、前記活性領域（５）において生成された前記光（８）は、前記第１のクラッド層（４）に達する、請求項１記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項３】
前記活性領域（５）において生成される前記光（８）は、鉛直方向において、最大の強度プロファイルを有し、前記半導体層列（２）と前記第１のクラッド層（４）との間の境界面での前記強度は１％以上、または５％以上、または１０％以上の値まで低下されている、請求項２記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項４】
前記第１のクラッド層（４）は、透明導電性酸化物を有している、請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項５】
前記第１のクラッド層（４）は、少なくとも２つの異なる透明導電性酸化物を有している、請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項６】
前記少なくとも２つの異なる透明導電性酸化物は、交互の積層体において前記表面領域（２０）上に被着されている、請求項５記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項７】
前記表面領域（２０）は、少なくとも１つの第１の表面部分領域（２４１）と、前記第１の表面部分領域に直接的に接する、少なくとも１つの第２の表面部分領域（２４２）を有しており、
前記第１のクラッド層（４）は前記第２の表面部分領域（２４２）において、開口部または間隙によって形成された空隙を有しており、
前記空隙内に金属材料が被着されており、
前記金属材料は、前記空隙において、前記半導体層列（２）の前記表面領域（２０）まで達しており、前記半導体層列（２）と直接的に接触している、請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項８】
前記第１のクラッド層（４）の少なくとも１つの領域（４１，４２）上に金属材料が被着されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項９】
前記金属材料は、金属コンタクト層（１４）および／またはボンディング層（１５）によって形成されている、請求項６または７記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１０】
前記第１のクラッド層（１４）は、複数の第１の領域（４１）を有しており、前記第１の領域は完全に前記金属コンタクト層（１４）によって覆われている、請求項９記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１１】
前記金属コンタクト層（１４）はいくつかの第１の領域（４１）上にのみ被着されている、請求項９記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１２】
前記金属コンタクト層（１４）は構造化されており、第２の構造を有しており、前記第１および第２の構造は相違している、請求項９から１１までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１３】
前記半導体層列（２）は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料をベースにしている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１４】
前記表面領域（２０）は、少なくとも１つの第１の表面部分領域（２４１）と、前記第１の表面部分領域に直接的に接している少なくとも１つの第２の表面部分領域（２４２）を有しており、
前記第１のクラッド層（４）は、
前記第１の表面部分領域（２４１）において第１の厚さを有しており、前記第２の表面部分領域（２４２）において第２の厚さを有しており、前記第１の厚さは前記第２の厚さを上回り、
かつ／または
前記第１の表面部分領域（２４１）において第１の材料を有しており、前記第２の表面部分領域（２４２）において第２の材料を有しており、前記第１の材料と前記第２の材料は相違している、請求項１から１３までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１５】
前記第１のクラッド層（４）は前記第２の表面部分領域（２４２）において、開口部または間隙によって形成された空隙を有している、請求項１４記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１６】
前記第１のクラッド層（４）は複数の第１の領域（４１）を有しており、前記複数の第１の領域の間に、空隙として形成された第２の領域（４２）が存在している、請求項１から１５までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１７】
前記第１のクラッド層（４）は、長手方向または横方向に延在するストリップとして形成されている複数の領域（４１，４２）を有している、請求項１から１６までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１８】
前記第１のクラッド層（４）は、アイランド状に形成されている複数の領域（４１，４２）を有している、請求項１から１７までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項１９】
前記半導体層列（２）は、ウェブ上面（１０）および前記ウェブ上面に接しているウェブ側面（１１）を備えたウェブ導波路構造（９）を有しており、前記表面領域（２０）は前記ウェブ上面（１０）によって形成されている、請求項１から１８までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）。
【請求項２０】
請求項１から１９までのいずれか１項記載の半導体レーザーダイオード（１００）の製造方法であって、
エピタキシャル方法によって、活性層（３）を有する半導体層列（２）が製造され、前記活性層（３）は主要延在面を有しており、かつ動作中に活性領域（５）において光（８）を生成し、光取り出し面（６）を介して放射するように構成されており、前記活性領域（５）は、前記光取り出し面（６）に対向する側の背面（７）から前記光取り出し面（６）へ、長手方向（９３）に沿って前記主要延在面において延在し、
前記半導体層列（２）は表面領域（２０）を有しており、前記表面領域上に、直接的に接触して第１のクラッド層（４）が非エピタキシャル方法によって被着されており、前記第１のクラッド層（４）は、前記半導体層列（２）とは異なる材料系からの透明材料を有しており、前記第１のクラッド層（４）は構造化されており、第１の構造を有している、半導体レーザーダイオード（１００）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月19日(2020.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロウェルアレイから細胞ラフトを解放するためのシステムであって、
マイクロウェルアレイの画像を取得するように構成された撮像装置であり、前記マイクロウェルアレイは複数の細胞ラフトを含み；
前記マイクロウェルアレイから細胞ラフトを解放するように構成されたアクチュエータ；及び、
少なくとも１つのプロセッサとメモリとを備えるコンピュータシステム、を含み：
前記コンピュータシステムは：
前記撮像装置を用いて前記マイクロウェルアレイの１又はそれ以上の画像を取得し；
前記マイクロウェルアレイの前記１又はそれ以上の画像を解析することによって、前記複数の細胞ラフトの中から選択された細胞ラフトを識別し；及び、
前記マイクロウェルアレイから前記選択された細胞ラフトを解放するように前記アクチュエータを制御すること、
ように構成されているシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記撮像装置若しくは前記マイクロウェルアレイ、又はその両方を移動させるように構成された１又はそれ以上のモータを含み、
前記マイクロウェルアレイの前記１又はそれ以上の画像を取得することは：
前記マイクロウェルアレイを複数の視野に分割して前記視野が複数の前記細胞ラフトのそれぞれを一括して含むようにし；及び、
各視野に対し、前記マイクロウェルアレイの前記視野に前記撮像装置を向けるように前記１又はそれ以上のモータを制御し、前記視野でそれぞれの画像を取得するように前記撮像装置を制御する、
によってアレイスキャンを実行することを含む、システム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムであって、
前記撮像システムのための顕微鏡対物レンズを含み、
前記マイクロウェルアレイの１又はそれ以上の画像を取得することは、各視野について、少なくとも１つの隣接する視野からの１又はそれ以上の焦点位置を用いて前記顕微鏡対物レンズをオートフォーカスすることを含む、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、
前記顕微鏡対物レンズをオートフォーカスすることは、複数のサンプル焦点位置で複数のサンプル画像をサンプリングすることと、前記サンプル画像のフォーカススコアから現在の焦点位置を補間することとを含む、システム。
【請求項５】
先行するいずれかの請求項に記載のシステムであって、
前記選択された細胞ラフトを識別することは、各細胞ラフトについて、前記細胞ラフトのサブ画像に描かれた細胞の数をカウントすることと、単一の分離された細胞を収容する少なくとも１つの単一細胞ラフトを識別することとを含む、システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムであって、
サブ画像に描かれた細胞の前記数をカウントすることは、二値画像を作成するために前記サブ画像に強度閾値を適用すること、前記二値画像中の固有のオブジェクトを識別すること、及び、識別された固有のオブジェクトの前記数をカウントすることを含む、システム。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のシステムであって、
前記単一細胞ラフトを識別することは、前記単一細胞ラフトが前記単一の分離された細胞を収容するという決定における信頼度を示す信頼度スコアを決定することを含む、システム。
【請求項８】
先行するいずれかの請求項に記載のシステムであって、
前記選択された細胞ラフトを識別することは、各細胞ラフトについて、前記細胞ラフトのサブ画像に描かれたマーカを検出することと、前記マーカの検出に基づいて前記細胞ラフトをゲーティングすることとを含む、システム。
【請求項９】
先行するいずれかの請求項に記載のシステムであって、
前記選択された細胞ラフトを識別することは、前記選択された細胞ラフトを収集プレートのマッピングされた位置に割り当てることを含む、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、
機械的細胞ラフトコレクタを備え、
前記コンピュータシステムは、前記マイクロウェルアレイからの解放後に前記機械的細胞ラフトコレクタを制御して前記選択された細胞ラフトを収集し、及び、前記機械的細胞ラフトコレクタを制御して前記収集プレートの前記マッピングされた位置に、前記選択された細胞ラフトを置くよう構成されている、システム。
【請求項１１】
細胞を収集するコンピュータ実施方法であって、
複数のラフトを含むマイクロウェルアレイに関する情報を記憶装置に記憶し；
プロセッサを使用して画像解析を実行し、及び、その情報を使用して前記複数のラフトの中から細胞ラフトを識別し；及び
前記プロセッサとアクチュエータとを用いて前記マイクロウェルアレイから前記細胞ラフトを解放する：ことを含む、コンピュータ実施方法。
【請求項１２】
前記マイクロウェルアレイに関する前記情報を記憶することは、さらに、
前記マイクロウェルアレイのサイズを識別して記憶し；
前記マイクロウェルアレイに対する最適な焦点位置及び最適な露光を識別して記憶し；
プロセッサを用いて前記マイクロウェルアレイをセクショニングし、及び一組のマイクロウェルを視野と一致させるのに必要な移動を記憶することを含む、請求項１１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１３】
前記マイクロウェルアレイ内の複数のマイクロウェルの各々に対するアドレスを決定することと、前記アクチュエータのオフセットを計算して記憶することとをさらに含む、請求項１２に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１４】
細胞内プロセスを監視するためのシステムであって、該システムは：
複数の細胞ラフトを含むマイクロウェルアレイの画像を取得するように構成された撮像装置と、
少なくとも１つのプロセッサとメモリとを備えるコンピュータシステムと、を含み；
前記コンピュータシステムは：最初に、前記撮像装置を用い、少なくとも１つの細胞ラフトが、細胞内プロセスを受けている１又はそれ以上の細胞を含むものと決定し；
前記少なくとも１つの細胞ラフトが前記細胞内プロセスを受けている前記１又はそれ以上の細胞を含むと決定したことに応答し、前記マイクロウェルアレイ上の少なくとも１つの細胞ラフトの位置を記憶し、及び
前記最初の時よりも１回以上後で、前記位置を用いて少なくとも１つの細胞ラフトの位置を特定することによって細胞内プロセスを監視し、及び、撮像装置を用いて少なくとも１つの細胞ラフトの１又はそれ以上の画像を取得するよう構成される、システム。
【請求項１５】
前記細胞内プロセスを監視することは、前記１又はそれ以上の画像を記憶すること、及び、前記１又はそれ以上の画像のそれぞれを、前記画像のそれぞれの取り込み時間及び前記少なくとも１つの細胞ラフトの位置と関連付けることを含む、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
したがって、１つの実施形態は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって、キャップ層及びチャネル層を含む半導体構造体であって、キャップ層及びチャネル層は、キャップ層とチャネル層との界面に２次元電子ガスが形成されるように、ヘテロ接合を形成する、半導体構造体と、キャップ層の上に堆積したソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を含む一組の電極であって、ゲート電極は、ＨＥＭＴの長さに沿ってソース電極とドレイン電極との間に配置され、少なくともゲート電極の下のキャップ層の厚さは、ＨＥＭＴの幅に沿って変化している、一組の電極とを備え、ゲート電極の下のキャップ層の断面は、少なくとも２つの踏面及び蹴込部を有する階段形状を有する、ＨＥＭＴを開示する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
いくつかの実施態様では、キャップ層は、その長さ全体に沿って同一の輪郭を有することができ、又は、ゲート電極の外側のキャップ層の一定厚さを有することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
別の実施形態は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を製造する方法を開示する。本方法は、基板と、チャネル層を備えた半導体構造体とを準備することと、半導体構造体をエッチングしてＨＥＭＴの活性領域を画定することと、金属蒸着、リフトオフ及び高速熱アニーリングのうちの１つ又は組合せによりソース電極及びドレイン電極を形成することと、反復リソグラフィ及びキャップ層のエッチングにより可変厚さを有するキャップ層を形成することであって、その結果、キャップ層及びチャネル層を含む半導体構造体はヘテロ接合を形成し、その結果、キャップ層とチャネル層との界面に２次元電子ガスが形成されることと、ＨＥＭＴの長さに沿ってソース電極とドレイン電極との間にゲート電極を形成することであって、ゲート電極の下のキャップ層の断面は少なくとも２つの踏面及び蹴込部を有する階段形状を有し、その結果、少なくともゲート電極の下のキャップ層の厚さはＨＥＭＴの幅に沿って変化していることとを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって、
キャップ層及びチャネル層を含む半導体構造体であって、前記キャップ層及び前記チャネル層は、前記キャップ層と前記チャネル層との界面に２次元電子ガスが形成されるように、ヘテロ接合を形成する、半導体構造体と、
前記キャップ層の上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を含む一組の電極であって、前記ゲート電極は、前記ＨＥＭＴの長さに沿って前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置され、少なくとも前記ゲート電極の下の前記キャップ層の厚さは、前記ＨＥＭＴの幅に沿って変化している、一組の電極と、
を備え、
前記ゲート電極の下の前記キャップ層の断面は、少なくとも２つの踏面及び蹴込部を有する階段形状を有する、ＨＥＭＴ。
【請求項２】
前記ゲート電極の外側の前記キャップ層の厚さは一定である、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項３】
前記ゲート電極と前記キャップ層との間に配置された誘電体の層、
を更に備える、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項４】
前記踏面は同一の幅を有する、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項５】
前記踏面は異なる幅を有する、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項６】
前記蹴込部は同一の高さを有する、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項７】
前記蹴込部は異なる高さを有する、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項８】
前記ソース電極と前記ゲート電極との間の距離は、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の距離より小さい、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項９】
前記チャネル層の材料は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）及びインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）のうちの１つ又は組合せを含み、前記キャップ層の材料は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、アルミニウムヒ素（ＡｌＡｓ）及びインジウムアルミニウムガリウムヒ素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）のうちの１つ又は組合せを含む、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項１０】
前記ゲート電極と前記キャップ層との間に半導体層が挟挿され、前記挟挿された半導体層は、キャリアチャネルの導電性とは反対の導電性を有する不純物によってドープされている、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項１１】
前記半導体構造体は、前記チャネル層の真下にバックバリア層を含む、請求項１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項１２】
前記バックバリア層はｐドープされている、請求項１１に記載のＨＥＭＴ。
【請求項１３】
高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を製造する方法であって、
基板と、チャネル層を備えた半導体構造体とを準備することと、
前記半導体構造体をエッチングして前記ＨＥＭＴの活性領域を画定することと、
金属蒸着、リフトオフ及び高速熱アニーリングのうちの１つ又は組合せによりソース電極及びドレイン電極を形成することと、
反復リソグラフィ及びキャップ層のエッチングにより可変厚さを有する前記キャップ層を形成することであって、その結果、前記キャップ層及び前記チャネル層を含む前記半導体構造体はヘテロ接合を形成し、その結果、前記キャップ層と前記チャネル層との界面に２次元電子ガスが形成されることと、
前記ＨＥＭＴの長さに沿って前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にゲート電極を形成することであって、
前記ゲート電極の下の前記キャップ層の断面は少なくとも２つの踏面及び蹴込部を有する階段形状を有し、その結果、少なくとも前記ゲート電極の下の前記キャップ層の厚さは前記ＨＥＭＴの幅に沿って変化していることと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ゲート電極は、電子ビーム物理蒸着（ＥＢＰＶＤ）、ジュール蒸着、化学気相成長及びスパッタリングプロセスのうちの１つ又は複数の組合せを使用して形成される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体構造体の各層は、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、有機金属気相成長エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）、プラズマ促進化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）及びマイクロ波プラズマ堆積のうちの１つ又は組合せを使用して作製される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記チャネル層の真下にバックバリア層を形成すること、
を更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
原子層堆積（ＡＬＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、有機金属気相成長エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）、プラズマ促進化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）及びマイクロ波プラズマ堆積のうちの１つ又は組合せを使用して、前記ゲート電極の真下に誘電体層を形成すること、
を更に含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月13日(2020.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体と、
前記胴体の対向側に対して延びるように構成された対向する翼と、
複数の推力生成コンポーネントであって、少なくとも一つの推力生成コンポーネントは、前記対向する翼の各々に取り付け可能である、複数の推力生成コンポーネントと、を備え、
前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントを含む、各対向する翼の回転可能部は、前記胴体の長手方向軸に対して斜めになっている旋回軸周りに、航空機の水平飛行用に構成された第一の位置と、航空機の垂直離着陸用に構成された第二の位置との間で前記胴体に対して回転可能である、航空機。
【請求項２】
前記複数の推力生成コンポーネントは、前記第二の位置において前記航空機の垂直揚力を促進するように構成されている、請求項１に記載の航空機。
【請求項３】
各対向する翼は、前記胴体から延びるように構成された固定部と、前記固定部から延びるように構成された前記回転可能部とを有する、請求項１に記載の航空機。
【請求項４】
各対向する翼の前記固定部と前記回転可能部は、旋回継手によって結合されている、請求項３に記載の航空機。
【請求項５】
各対向する翼の前記旋回継手は、
前記固定部に接続され、第一の穴を有する第一の部分と、
前記回転可能部に接続され、第二の穴を有する第二の部分と、
前記第一の穴と前記第二の穴を通って延びるように構成された接続部材とを備え、
前記旋回軸は、前記接続部材の長手方向の長さに沿った方向に配向されている、請求項４に記載の航空機。
【請求項６】
前記第一の部分と前記第二の部分の一方は、一対の離間したアームを有し、前記第一の部分と前記第二の部分の他方は、前記一対の離間したアームの間の空間に収容可能である、請求項５に記載の航空機。
【請求項７】
各対向する翼の前記旋回継手は、当該翼の前縁部に配置されている、請求項１に記載の航空機。
【請求項８】
各対向する翼の前記回転可能部の前縁と後縁との間の軸は、前記第二の位置において前記胴体の前記長手方向軸に対して実質的に垂直である、請求項１に記載の航空機。
【請求項９】
各対向する翼の前記回転可能部の中央寄りの端部と外側寄りの端部との間の軸は、前記第二の位置において前記胴体の前記長手方向軸に対して実質的に平行である、請求項１に記載の航空機。
【請求項１０】
各対向する翼の前記回転可能部の前縁は、前記第二の位置において上を向く、請求項１に記載の航空機。
【請求項１１】
前記対向する翼は翼型形状を有する、請求項１に記載の航空機。
【請求項１２】
各対向する翼は、前記回転可能部の回転を制御するように構成された少なくとも一つのアクチュエータを備える、請求項１に記載の航空機。
【請求項１３】
前記少なくとも一つのアクチュエータは、回転可能送りねじ、回転歯車アセンブリまたはリニアアクチュエータである、請求項１２に記載の航空機。
【請求項１４】
長手方向軸を有する胴体と、
前記胴体の対向側に対して延びるように構成された一対の翼と、
各翼と連係し、前記胴体に対する各翼の回転可能部の回転運動を促進する旋回継手と、を備える航空機アセンブリであって、
前記旋回継手は、前記胴体の前記長手方向軸に対して斜めになっている旋回軸を画定し、
各翼の前記回転可能部は、前記旋回軸周りに、前記航空機アセンブリの水平飛行用に構成された第一の位置と、前記航空機アセンブリの垂直離着陸用に構成された第二の位置との間で回転可能である航空機アセンブリ。
【請求項１５】
各翼の前記旋回継手は、
固定支持体に接続され、第一の穴を有する第一の部分と、
前記翼の前記回転可能部に接続され、第二の穴を有する第二の部分と、
前記第一の穴と前記第二の穴を通って延びるように構成された接続部材とを備え、
前記旋回軸は、前記接続部材の長手方向の長さに沿った方向に配向されている、請求項１４に記載の航空機アセンブリ。
【請求項１６】
翼に搭載された少なくとも一つの推力生成コンポーネントを有する該翼の少なくとも一部を胴体に対して、前記胴体の長手方向軸に対して斜めになっている回転軸周りに回転させて、前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントと、前記翼の前縁を、ホバリングのために垂直方向に向けることと、
前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントの作動を促進して垂直揚力を生成することと、
前記翼に搭載された前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントを有する該翼の前記少なくとも一部の回転を促進し、前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントと、前記翼の前縁を、前方飛行のために水平方向に向けることと、
を含む、垂直離着陸方法。
【請求項１７】
前記翼が垂直方向に向けられているときに、前記翼の前縁は上方を向いている、請求項１６に記載の垂直離着陸方法。
【請求項１８】
前記翼の前記少なくとも一部を回転させて、前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントと、前記翼の前記前縁を垂直方向に向けることは、前記翼の前記少なくとも一部を、該翼の前縁部に配置された旋回継手周りに旋回させることを含む、請求項１６に記載の垂直離着陸方法。
【請求項１９】
前記翼の前記少なくとも一部を回転させて、前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントと、前記翼の前記前縁を垂直方向に向けることは、このような回転を油圧式で作動させることおよび電気式で作動させることのいずれかを含む、請求項１６に記載の垂直離着陸方法。
【請求項２０】
前記翼と前記少なくとも一つの推力生成コンポーネントが、ホバリングと前方飛行との間で移行するために、垂直方向と水平方向の間にあるように、前記翼の前記少なくとも一部の回転を中断することをさらに含む、請求項１６に記載の垂直離着陸方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月28日(2020.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
疾患に関連する抗原を組み換え型核酸から発現する遺伝子操作した細菌を含む、医薬組成物であって、
前記細菌が、リポ多糖の生合成に必要であるタンパク質をコードする遺伝子の少なくとも１つの改変または欠失を有し、
前記遺伝子操作した細菌が、前記組み換え型核酸からＴＬＲおよび／またはＮＯＤのリガンドをさらに発現する、
医薬組成物。
【請求項２】
前記疾患に関連する抗原が、患者に特異的である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記疾患に関連する抗原が、腫瘍抗原、腫瘍関連抗原、腫瘍に特異的な抗原、または腫瘍と患者に特異的なネオアンチゲンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記遺伝子操作した細菌が、他の疾患に関連する抗原を少なくとも１つ発現する、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記疾患に関連する抗原が、抗原と抗原の間にペプチドスペーサーを含んでもよいポリトープとして発現する、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記抗原が、少なくとも１つのＭＨＣクラスＩのサブタイプまたは少なくとも１つのＭＨＣクラスＩＩのサブタイプによる提示を目的とする抗原に関する輸送シグナルをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記疾患に関連する抗原が、前記患者のＨＬＡ種の少なくとも１つのＭＨＣクラスＩのサブタイプまたは少なくとも１つのＭＨＣクラスＩＩのサブタイプに対して高親和性のバインダーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記細菌が、大腸菌である、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記遺伝子操作した細菌が、ＣＤ１４介在型敗血症を誘導するには不十分であるレベルで、エンドトキシンを発現する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組み換え型核酸が、共刺激分子をコードする配列およびチェックポイント阻害剤をコードする配列のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
免疫療法のための遺伝子操作した細菌を作製する方法であって、
疾患に関連する抗原を同定するステップと、
前記抗原と、ＴＬＲおよび／またはＮＯＤのリガンドとをコードする核酸配列を含むように組み換え型核酸を作製するステップと、
細菌を前記組み換え型核酸で形質転換して、前記抗原を発現する遺伝子操作した細菌を作製するステップであって、前記細菌が、リポ多糖の生合成に必要であるタンパク質をコードする遺伝子の少なくとも１つの改変または欠失を有する、ステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記疾患に関連する抗原が、患者に特異的である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記疾患に関連する抗原が、腫瘍抗原、腫瘍関連抗原、腫瘍に特異的な抗原、または腫瘍と患者に特異的なネオアンチゲンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記遺伝子操作した細菌が、他の疾患に関連する抗原を少なくとも１つ発現し、前記疾患に関連する抗原が、抗原と抗原の間にペプチドスペーサーを含んでもよいポリトープとして発現される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記抗原が、少なくとも１つのＭＨＣクラスＩのサブタイプまたは少なくとも１つのＭＨＣクラスＩＩのサブタイプによる提示を目的とする抗原に関する輸送シグナルをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記疾患に関連する抗原が、前記患者のＨＬＡ種の少なくとも１つのＭＨＣクラスＩのサブタイプまたは少なくとも１つのＭＨＣクラスＩＩのサブタイプに対して高親和性のバインダーである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記細菌が大腸菌である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記遺伝子操作した細菌が、ＣＤ１４介在型敗血症を誘導するには不十分であるレベルで、エンドトキシンを発現する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記組み換え型核酸が、共刺激分子をコードする配列およびチェックポイント阻害剤をコードする配列のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記遺伝子操作した細菌に放射線照射するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ−ブタン、イソブタン及び１−ブテンを含むラフィネート−２を第１蒸留カラムへ供給して第１蒸留カラムの下部からｎ−ブタンを含む重質ラフィネート−３を得て、上部から１−ブテンを含む上部分画を回収するステップと、
前記１−ブテンを含む上部分画を第２蒸留カラムへ供給して第２カラムの下部から１−ブテンが豊富な第１下部分画を回収し、上部からイソブタンを含む軽質ラフィネート−３を回収するステップと、を含み、
第１蒸留カラムの上部から回収される上部分画が有する熱を第１熱交換器を介して第２蒸留カラムの下部に供給するラフィネート−２の精製方法。
【請求項２】
前記第１蒸留カラムに供給されるラフィネート−２は、イソブテンと１−ブテン（イソブテン／１−ブテン）を０．００６以下の重量比で含む、請求項１に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項３】
前記第２蒸留カラムの運転圧力は４．７ｋｇｆ／ｃｍ2以上である、請求項１又は２に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項４】
前記第１蒸留カラムの運転圧力は前記第２蒸留カラムの運転圧力より３．５ｋｇｆ／ｃｍ2以上高い、請求項１に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項５】
前記第１蒸留カラムの上部分画は、前記第１熱交換器で第２蒸留カラムの下部から回収される第２下部分画に熱を供給した後、一部は第２蒸留カラムに供給ストリームとして供給され、残りは第１蒸留カラムの上部へ還流される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項６】
前記第１熱交換器から熱を供給される第２蒸留カラムの第２下部分画は前記第２蒸留カラムへ還流される、請求項５に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項７】
前記第２蒸留カラムの第１下部分画の一部は再加熱された後、前記第２蒸留カラムへ還流される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項８】
前記第１蒸留カラムの上部分画の全部が前記第１熱交換器へ供給され、第１蒸留カラムの上部には別途の凝縮器が具備されていない、請求項５に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項９】
前記第１蒸留カラムの下部から回収される重質ラフィネート−３は再加熱された後、第２熱交換器を介して、前記第１蒸留カラムに供給されるラフィネート−２の予備加熱に使用された後、回収される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のラフィネート−２の精製方法。
【請求項１０】
前記第１蒸留カラムの下部から回収された後、再加熱された重質ラフィネート−３の一部は前記第１蒸留カラムへ還流される、請求項９に記載のラフィネート−２の精製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一態様によれば、前記第１蒸留カラムに供給されるラフィネート−２は、イソブテンと１−ブテンをイソブテン／１−ブテンで０．００６以下の重量比で含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この時、前記第１蒸留カラムＣ１に供給されるラフィネート−２（１０）はイソブテンと１−ブテン（イソブテン／１−ブテン）を０．００６以下の重量比で含むことが好ましい。その理由は、１−ブテンはイソブテンと沸点がほぼ同一であり、精製工程において分離が容易でないが（イソブテンの沸点は−６．９℃であり、１−ブテンの沸点は−６．２４℃である）、フィード（ｆｅｅｄ）内のイソブテン／１−ブテンの割合が０．００６より高い場合には精製工程の設計が難しく、深刻な場合、製品の生産が不可能になるという問題点があることを確認した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表２】
2020524155.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月27日(2020.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それを必要とする対象に対してβアミロイド蓄積および／またはタウ凝集を阻害および／または低減するための医薬の調製における組成物の使用であって、
前記組成物が、ＬＡＲファミリーのホスファターゼの触媒活性、シグナル伝達、および機能の１つまたは複数を阻害する治療薬を含む、使用。
【請求項２】
前記ＬＡＲファミリーホスファターゼが、受容体タンパク質チロシンホスファターゼシグマ（ＰＴＰσ）であり、前記治療薬が治療用ペプチドを含み、前記治療用ペプチドが、ＰＴＰσのくさび形ドメインの約１０〜約２０個の連続するアミノ酸に対して少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、少なくとも約９０％、または少なくとも約９５％同一であるアミノ酸配列を有する、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記ＬＡＲファミリーホスファターゼが、受容体タンパク質チロシンホスファターゼシグマ（ＰＴＰσ）であり、前記治療薬が治療用ペプチドを含み、前記治療用ペプチドが、配列番号１６のアミノ酸配列に対して少なくとも約６５％、少なくとも約７０％、少なくとも約８０％、少なくとも約８５％、少なくとも約９０％、または少なくとも約９５％同一であるアミノ酸配列を有する、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記治療薬が、配列番号９〜１３および１６からなる群より選択される配列を有する治療用ペプチドを含む、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記治療用ペプチドが、配列番号１６の残基４、５、６、７、９、１０、１２または１３の内の少なくとも１つのアミノ酸の保存的置換を含む、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
前記治療用ペプチドが、配列番号１６に関して以下の変異の内の少なくとも１つを含み：アミノ酸残基４Ｅが、ＤまたはＱで置換され、アミノ酸残基５Ｒが、Ｈ、ＬまたはＫで置換され、アミノ酸残基６Ｌが、Ｉ、ＶまたはＭで置換され、アミノ酸残基７Ｋが、ＲまたはＨで置換され、アミノ酸残基９Ｎが、ＥまたはＤで置換され、アミノ酸残基１０Ｄが、ＥまたはＮで置換でき、アミノ酸残基１２Ｌが、Ｉ、ＶまたはＭで置換でき、およびアミノ酸残基１３Ｋが、ＲまたはＨで置換できる、請求項５に記載の使用。
【請求項７】
前記治療薬が、前記治療用ペプチドに連結されている輸送部分を含み、治療される神経細胞による前記治療用ペプチドの取り込みを容易にする、請求項２〜６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項８】
前記治療用輸送部分が、ペプチド結合によって前記治療用ペプチドに連結されている、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
前記輸送部分が、ＨＩＶ  Ｔａｔ輸送部分である、請求項７に記載の使用。
【請求項１０】
前記治療薬が、全身投与用に処方される、請求項１に記載の使用。
【請求項１１】
前記治療薬が、配列番号１７〜２２から選択される配列を含む、請求項８に記載の使用。
【請求項１２】
前記治療薬が、細胞中で発現される、請求項２〜６のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
前記対象がアルツハイマー病である、請求項１〜１２のいずれかに１項に記載の使用。
【請求項１４】
前記組成物が、分泌酵素阻害剤と組み合わせて投与される、請求項２〜１３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１５】
前記分泌酵素阻害剤が、ＢＡＣＥ１阻害剤またはγ−分泌酵素阻害剤の内の少なくとも１つを含む、請求項１４に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月23日(2019.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末状態の金属材料の表面処理方法であって、
被処理金属材料の複数の粒子によって形成される粉末（３０）を得るステップと、
前記金属粉末粒子（３０）に対して、前記粒子の外面に向かって単価又は多価イオンのイオンビーム（１４）を当てることによってイオン注入プロセスを施すステップとを有し、
前記イオンビームは、単価又は多価イオンのイオン源によって作られ、
これによって、前記粒子は全体として半径（Ｒ）を有する球形となる
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記金属粉末（３０）の前記粒子が、前記イオン注入プロセスの継続時間全体にわたって攪拌される
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
用いられる前記金属粉末（３０）の前記粒子においては、全ての前記粒子の実質的に５０％が１〜２μｍである粒径を有し、前記金属粉末（３０）の前記粒子の粒径が５０μｍを超えない
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属材料は、金及び白金からなる群から選択される貴金属である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記金属材料が、マグネシウム、チタン及びアルミニウムからなる群から選択される非貴金属である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
イオン化される前記材料は、炭素、窒素、酸素及びアルゴンからなる群から選択される
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記イオン注入プロセスがＥＣＲ電子サイクロトロン共鳴タイプである
ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記単価又は多価イオンが１５０００〜３５０００Ｖの電圧の下で加速される
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
イオン注入量は、１×１０15〜１×１０17イオン・ｃｍ-2である
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記イオンは、前記粒子の半径（Ｒ）の約１０％に対応する深さまで、前記金属材料粉末を形成する前記粒子に浸透する
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
セラミックス外層（２６）と金属コア（２４）を有する複数の粒子によって構成している粉末状態の材料であって、
前記粒子は、全体として半径（Ｒ）を有する球形であり、
前記セラミックス外層（２６）は、前記粒子の前記コア（２４）を形成する前記金属の炭化物又は窒化物に対応しており、
この炭化物又は窒化物は、炭素又は窒素イオンと前記金属原子が結合したものであり、
セラミックス材料の濃度は、前記外面（２６）から特定の深さまで増加し、この特定の深さを超えると減少してゼロとなる
ことを特徴とする材料。
【請求項１２】
前記粒子の約５０％は、１〜２μｍである粒径を有し、前記粒子の粒径は、５０μｍを超えない
ことを特徴とする請求項１１に記載の材料。
【請求項１３】
前記金属粉末（３０）の前記粒子が作られる金属材料は、金及び白金からなる群から選択される貴金属である
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の材料。
【請求項１４】
前記金属粉末（３０）の前記粒子が作られる金属材料は、マグネシウム、チタン及びアルミニウムからなる群から選択される非貴金属である
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の材料。
【請求項１５】
前記セラミックス材料の濃度は、前記外面から前記粒子の前記半径（Ｒ）の長さの約５％の箇所まで増加し、そして、前記粒子の前記半径（Ｒ）の長さの約１０％の箇所まで減少し、この箇所においては実質的にゼロである
ことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の材料。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
コンピュータによって実行された際、前記コンピュータが請求項１から９のいずれか一項に記載の方法を実行するよう構成される指示を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月23日(2019.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振電力コンバータを制御する制御回路であって：
変調器信号生成器；
キャリア信号生成器；及び
パルス幅信号生成器；
を有し、前記変調器信号生成器は変調信号を生成するように構成され；
前記キャリア信号生成器はキャリア信号を生成するように構成され、前記キャリア信号の生成は、前記共振電力コンバータからの少なくとも１つの信号の測定を含み、前記キャリア信号を生成する前記共振電力コンバータからの前記少なくとも１つの信号は、共振電流の符号が乗算された共振電圧を含み、前記共振電流の符号は−１又は＋１の何れかであり、前記共振電流により与えられ、正又は負であり、自身の絶対値又はモジュラスによって除算されており；
前記パルス幅信号生成器は、前記変調信号及び前記キャリア信号に基づいて、前記共振電力コンバータについての少なくとも１つの大きさの値を制御するために使用可能なスイッチング信号を生成するように構成され；
前記パルス幅信号生成器は、前記変調信号が前記キャリア信号より大きい場合に高状態にあるスイッチング信号を生成するように構成され；及び
前記共振電力コンバータは、前記スイッチング信号の少なくとも１つの持続時間を測定するように構成されるパルス持続時間モニタを有し、前記少なくとも１つの持続時間はスイッチング・サイクルの持続時間を含み、前記スイッチング・サイクルの持続時間は、低状態にあるスイッチング信号の持続時間、及び高状態にあるスイッチング信号の持続時間であり、
前記パルス幅信号生成器は、前記変調信号が前記キャリア信号より大きく、前記スイッチング・サイクルの持続時間が閾値に等しい場合に、前記高状態にあるスイッチング信号を生成しないように構成され、
前記パルス幅信号生成器は、前記変調信号が前記キャリア信号より大きく、前記スイッチング・サイクルの持続時間が前記閾値に等しい場合に、前記低状態にあるスイッチング信号を生成するように構成される、制御回路。
【請求項２】
前記パルス幅信号生成器は、前記変調信号が前記キャリア信号より小さい場合に前記低状態にあるスイッチング信号を生成するように構成される、請求項１に記載の制御回路。
【請求項３】
前記パルス幅信号生成器は、前記変調信号及び前記キャリア信号に基づいて、前記低状態と前記高状態との間にある中間状態にあるスイッチング信号を生成するように構成される、請求項１−２のうち何れか１項に記載の制御回路。
【請求項４】
共振電力コンバータ；及び
請求項１−３のうち何れか１項に記載の共振電力コンバータを制御する制御回路；
を有する電源。
【請求項５】
共振電力コンバータを制御する方法であって：
ａ）変調信号を生成するステップ；
ｂ）キャリア信号を生成するステップであって、前記キャリア信号の生成は前記共振電力コンバータからの少なくとも１つの信号を測定することを含み、前記キャリア信号を生成する前記共振電力コンバータからの前記少なくとも１つの信号は、共振電流の符号が乗算された共振電圧を含み、前記共振電流の符号は−１又は＋１の何れかであり、前記共振電流により与えられ、正又は負であり、自身の絶対値又はモジュラスによって除算されている、ステップ；
ｃ）前記変調信号及び前記キャリア信号に基づいて前記共振電力コンバータについての少なくとも１つの大きさの値を制御するために使用可能なスイッチング信号を生成するステップ；
ｄ）前記変調信号が前記キャリア信号より大きい場合に高状態にあるスイッチング信号を生成するステップ；
ｅ）前記スイッチング信号の少なくとも１つの持続時間を測定するステップであって、前記少なくとも１つの持続時間はスイッチング・サイクルの持続時間を含み、前記スイッチング・サイクルの持続時間は、低状態にあるスイッチング信号の持続時間、及び高状態にあるスイッチング信号の持続時間であり、前記変調信号が前記キャリア信号より大きく、前記スイッチング・サイクルの持続時間が閾値に等しい場合には、前記高状態にあるスイッチング信号を生成しない、ステップ；及び
ｆ）前記変調信号が前記キャリア信号より大きく、前記スイッチング・サイクルの持続時間が前記閾値に等しい場合に、前記低状態にあるスイッチング信号を生成するステップ；
を含む方法。
【請求項６】
ステップｃ）において、前記スイッチング信号は、前記変調信号が前記キャリア信号より小さい場合に低状態で生成される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変調信号及び前記キャリア信号に基づいて前記高状態にあるスイッチング信号を生成するステップｄ）を含む請求項５−６のうち何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１−３のうちの何れか１項に記載の共振電力コンバータを制御する制御回路、及び／又は請求項４に記載の電源のためのコンピュータ・プログラム要素であって、プロセッサにより実行されると、請求項５−７のうちの何れか１項に記載の方法を実行するように構成される、コンピュータ・プログラム要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】共振電力コンバータを制御する制御回路及び制御方法