【事件の表示】
　特願２０１２−５４８６５２「露光方法及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２１日国際公開、ＷＯ２０１２／０８１２３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、２０１１年１２月１３日（優先権主張　平成２２年１２月１４日）を国際出願日として出願された特許出願であって、平成２６年３月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１３日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２７年１月３０日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年３月１９日付けで意見書が提出され、同年８月５日付けで拒絶査定がなされたが、これに対して同年１０月９日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされたものである。
第２　本願発明について
　本願の請求項１〜３０に係る発明は、平成２６年５月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３０に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。 
「パターンが形成されたパターン領域を有するマスクに近接して配置される感光性の基板上に前記パターンを転写する露光方法であって、
　前記マスクにエネルギビームを照射し、前記マスクを介した前記エネルギビームで前記基板を露光することと；
　前記露光することと並行して前記パターン領域の歪みと前記基板上のパターンの歪みとの差の情報に基づいて前記基板を微動させて、前記パターンと前記基板上のパターンとの重ね合わせを行うことと；を含む露光方法。」
第３　引用刊行物
１　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１０−２５０２３９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
（１）「【０００１】
　本発明は、液晶ディスプレイ装置等の表示用パネル基板の製造において、
プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行うプロキシミティ露光装置
（２）「【００２０】
　図１は、本発明の一実施の形態によるプロキシミティ露光装置の概略構成を示す図である。プロキシミティ露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６、Ｙステージ７、θステージ８、チャック支持台９、チャック１０、マスクホルダ２０、ホルダフレーム２１、トップフレーム２２、エアクッション２３、Ｚ−チルト機構３０、ギャップセンサー４０、主制御装置５０、Ｘステージ駆動回路６１、Ｙステージ駆動回路６２、θステージ駆動回路６３、及びＺ−チルト機構駆動回路６４を含んで構成されている。プロキシミティ露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、露光光を照射する照射光学系、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えている。
【００２１】
　なお、以下に説明する実施の形態におけるＸＹ方向は例示であって、Ｘ方向とＹ方向とを入れ替えてもよい。
【００２２】
　図１において、チャック１０は、基板１の露光を行う露光位置にある。露光位置の上空には、トップフレーム２２が設置されている。トップフレーム２２には、エアクッション２３を介して、ホルダフレーム２１が取り付けられている。ホルダフレーム２１には、マスク２を保持するマスクホルダ２０が取り付けられている。図２は、マスクホルダの上面図である。図２において、マスクホルダ２０には、露光光が通過する開口２０ａが設けられており、開口２０ａの下方には、マスク２が装着されている。マスクホルダ２０の下面の開口２０ａの周囲には、吸着溝が設けられており、マスクホルダ２０は、吸着溝により、マスク２の周辺部を真空吸着して保持している。マスクホルダ２０に保持されたマスク２の上空には、図示しない照射光学系が配置されている。露光時、
照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される。
【００２３】
　図３は、チャックをロード／アンロード位置へ移動した状態を示す図である。ロード／アンロード位置において、図示しない基板搬送ロボットにより、基板１がチャック１０へ搬入され、また基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０への基板１のロード及びチャック１０からの基板１のアンロードは、チャック１０に設けた複数の突き上げピンを用いて行われる。突き上げピンは、チャック１０の内部に収納されており、チャック１０の内部から上昇して、基板１をチャック１０にロードする際、基板搬送ロボットから基板１を受け取り、基板１をチャック１０からアンロードする際、基板搬送ロボットへ基板１を受け渡す。
【００２４】
　図１及び図３において、チャック１０は、チャック支持台９を介してθステージ８に搭載されており、θステージ８の下にはＹステージ７及びＸステージ５が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３に設けられたＸガイド４に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向（図１及び図３の図面横方向）へ移動する。Ｙステージ７は、Ｘステージ５に設けられたＹガイド６に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向（図１及び図３の図面奥行き方向）へ移動する。θステージ８は、Ｙステージ７に搭載され、θ方向へ回転する。チャック支持台９は、θステージ８に搭載され、チャック１０を複数箇所で支持する。
【００２５】
　Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０は、ロード／アンロード位置と露光位置との間を移動される。ロード／アンロード位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、チャック１０に搭載された基板１のプリアライメントが行われる。
露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０に搭載された基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われる。そして、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、基板１のアライメントが行われる。
（３）図１
（４）図２
（５）図３
　上記（１）〜（５）より、引用文献１には、
「照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行う露光方法であって、
　露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０に搭載された基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われ、そして、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、基板１のアライメントが行われる、露光方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
２　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０１０−１８６９１８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
（１）「【０００１】
　本発明は、アライメント方法、露光方法及び露光装置、デバイス製造方法、並びに露光システムに係り、更に詳しくは、例えば、半導体素子、液晶表示素子、ＣＣＤ等の撮像素子、プラズマディスプレイ素子、薄膜磁気ヘッド等を製造するためのリソグラフィ工程において、パターンをウエハ等の感応基板に位置合わせするためのアライメント方法、該アライメント方法を利用して感応基板を露光する露光方法及び露光装置、前記露光方法を用いるデバイス製造方法、並びに前記露光装置を備える露光システムに関する。」
（２）「【００２３】
　図２には、露光装置１１０ｋの概略的な構成が示されている。露光装置１１０ｋは、照明系ＩＯＰ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、投影光学系ＰＬ、ウエハＷが載置されるウエハステージＷＳＴ、及びこれらの制御系等を備えている。
【００２４】
　照明系ＩＯＰは、光源、及び光源に送光光学系を介して接続された照明光学系を含む。照明光学系は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、オプティカルインテグレータ等を含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、レチクルブラインド等（いずれも不図示）を含む。照明系ＩＯＰは、回路パターン等が描かれたレチクルＲ上のレチクルブラインドで規定されたスリット状（Ｘ軸方向（図２における紙面直交方向）に伸びる細長い長方形状）の照明領域を照明光ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。照明光ＩＬとしては、例えばＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）（又はＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ））などが用いられる。
【００２５】
　レチクルステージＲＳＴは、照明系ＩＯＰの図２における下方（−Ｚ側）に配置されている。レチクルステージＲＳＴ上には、パターンが形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、ここでは、リニアモータなどを含むレチクルステージ駆動系２２によって、水平面（ＸＹ平面）内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（ここではＹ軸方向とする）に所定のストローク範囲で指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置情報（Ｚ軸回りの回転情報を含む）はレチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１６によって、移動鏡１５を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１６からのレチクルステージＲＳＴの位置情報は主制御装置５０に送られ、該主制御装置５０では、レチクルステージＲＳＴの位置情報に基づいてレチクルステージ駆動系２２を介してレチクルステージＲＳＴを駆動（制御）する。
【００２６】
　投影光学系ＰＬは、レチクルステージＲＳＴの図２における下方（−Ｚ側）に配置され、その光軸ＡＸの方向がＺ軸方向とされている。投影光学系ＰＬとしては、例えば、光学素子としてレンズエレメントのみが用いられる、すなわち光軸ＡＸ方向に沿って所定間隔で配置された複数枚のレンズエレメント２７、２９、３０、３１……を含んで構成された、例えば両側テレセントリックな屈折系が用いられている。レンズエレメント２７、２９、３０、３１……は、レンズ鏡筒３２の内部に保持されている。投影光学系ＰＬの投影倍率は、例えば、１／５（あるいは１／４）とされている。このため、照明系ＩＯＰからの照明光ＩＬによってレチクルＲが照明されると、このレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介してその照明光ＩＬの照射領域（照明領域）内のレチクルＲのパターンの縮小像（部分倒立像）が表面にレジスト（感応剤）が塗布されたウエハＷ上の前記照明領域に共役な領域（露光領域）に形成される（レジストにパターンの潜像が形成される）。
【００２７】
　露光装置１１０ｋには、投影光学系ＰＬの結像特性、例えば諸収差を補正するための結像特性補正装置が設けられている。この結像特性補正装置は、大気圧変化、照明光吸収等による投影光学系ＰＬ自体の結像特性の変化を補正すると共に、ウエハＷ上の先行する特定レイヤ（例えば前レイヤ）のショット領域（以下、ショットと略述する）に転写されたパターンの歪みに合わせてレチクルＲのパターンの投影像を歪ませる働きをもつ。投影光学系ＰＬの結像特性としては球面収差（結像位置の収差）、コマ収差（倍率の収差）、非点収差、像面湾曲、歪曲収差（歪み）等があり、結像特性補正装置は、それらの諸収差を補正する機能を有しているが、以下の説明においては、結像特性補正装置は、主として投影像（転写像）の歪み（原理上、倍率の収差も含む）に関する補正のみを行なうものとする。
【００２８】
　図２において、投影光学系ＰＬを構成する、レチクルＲに最も近いレンズエレメント２７は支持部材２８に固定され、レンズエレメント２７に続くレンズエレメント２９，３０，３１，…は投影光学系ＰＬのレンズ鏡筒３２に固定されている。支持部材２８は、伸縮自在の複数（ここでは３つ）の駆動素子、例えばピエゾ素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃ（但し、図２では紙面奥側の駆動素子１１ｃは図示せず）を介して投影光学系ＰＬのレンズ鏡筒３２と連結されている。駆動素子１１ａ、１１ｂ、１１ｃに印加される駆動電圧が結像特性制御部１２によって独立して制御され、これによって、レンズエレメント２７が光軸ＡＸに直交する面に対して任意に傾斜及び光軸ＡＸ方向に移動可能な構成となっている。各駆動素子によるレンズエレメント２７の駆動量は不図示の位置センサにより厳密に測定され、その位置はサーボ制御により目標位置に保たれるようになっている。なお、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸとはレンズエレメント２９等の固定のレンズエレメントの共通の光軸を指すものとする。
【００２９】
　なお、上述の説明では、説明の便宜上から、レンズエレメント２７のみが、移動可能であるものとしたが、実際には、投影光学系ＰＬでは、複数枚のレンズエレメント、あるいはレンズ群が、上記レンズエレメント２７と同様に移動可能に構成されている。また、結像特性補正装置では、投影光学系ＰＬを構成する光学素子の一部を駆動して投影像の歪みを補正する構成に加えて、投影光学系ＰＬ内の一部の気密空間内のガス圧を制御（屈折率を調整）することにより投影像の歪みを補正する構成を採用しても良い。
【００３０】
　ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの図２における下方（−Ｚ側）に配置されている。ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハホルダ９が搭載されている。ウエハホルダ９上にはウエハＷが真空吸着等により保持されている。
【００３１】
　ウエハステージＷＳＴは、リニアモータ等を含むウエハステージ駆動系２４により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸回りの回転方向（θｚ方向）、Ｘ軸回りの回転方向（θｘ方向）及びＹ軸回りの回転方向（θｙ方向）に微小駆動される。従って、ウエハホルダ９は、ウエハステージ駆動系２４により、投影光学系ＰＬの最良結像面に対し、任意方向に傾斜可能で、かつ光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に微動が可能で、さらに光軸ＡＸに平行なＺ軸回りに回転可能に構成されている。なお、ウエハステージＷＳＴに代えて、ＸＹ平面内で移動（θｚ方向の回転を含む）可能なステージと、該ステージ上でウエハホルダ９を保持してＺ軸方向、θｘ方向及びθｙ方向に微動可能なテーブルとを用いることとしても良い。
【００３２】
　ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内での位置情報（ヨーイング（θｚ方向の回転）情報を含む）及びＸＹ平面に対する傾斜情報（ピッチング（θｘ方向の回転）情報及びローリング（θｙ方向の回転）情報）はウエハレーザ干渉計（以下、ウエハ干渉計と略述する）１８によって、移動鏡１７を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。ウエハステージＷＳＴの位置情報（又は速度情報）は主制御装置５０に送られ、主制御装置５０では、その位置情報（又は速度情報）に基づいてウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置（θｚ方向の回転を含む）をウエハステージ駆動系２４を介して制御する。
【００３３】
　また、ウエハステージＷＳＴの上面には、ウエハＷ表面とほぼ同一高さにその表面が設定された基準マーク板ＦＭが固定されている。基準マーク板ＦＭの表面には、レチクルアライメント用の第１基準マーク及び後述するアライメント系８のベースライン計測用の第２基準マークなどが所定の位置関係で形成されている。
【００３４】
　投影光学系ＰＬの側面には、ウエハＷ上の各ショットに付設されたアライメントマーク（ウエハマーク）及び基準マーク板ＦＭ上の第２基準マークを検出するためのオフ・アクシス方式のアライメント系８が設けられている。アライメント系８としては、例えば、画像処理方式のＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。なお、ＦＩＡ系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光または回折光を検出する、あるいはその対象マークから発生する２つの回折光（例えば同次数）を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることはもちろん可能である。アライメント系８の検出結果は、アライメント信号処理系（不図示）を介して主制御装置５０に送られる。
【００３５】
　また、投影光学系ＰＬの下端部の近傍には、前述の露光領域内及びその近傍の複数の検出点におけるウエハＷ表面のＺ軸方向に関する位置情報（面位置情報）を検出する多点焦点位置検出系（１３，１４）が設けられている。多点焦点位置検出系として、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示される斜入射方式の検出系が用いられている。多点焦点位置検出系は、投影光学系ＰＬの最良結像面に向けて結像光束を光軸ＡＸに対して斜めに射出する照射光学系１３と、ウエハＷの表面からの反射光束をスリットを介して受光する受光光学系１４と、を含む。多点焦点位置検出系（１３，１４）で検出されるウエハの面位置情報は、主制御装置５０に供給される。主制御装置５０は、供給されたウエハの面位置情報に基づいて、ウエハステージ駆動系２４を介してウエハステージＷＳＴ（ウエハホルダ９）をＺ軸方向及び傾斜方向に駆動して、ウエハＷのフォーカス・レベリング制御を行う。
【００３６】
　この他、露光装置１１０ｋには、レチクルステージＲＳＴの上方に、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書などに開示されるような一対のレチクルアライメント系（図示省略）が設けられている。レチクルアライメント系は、照明光ＩＬと同じ波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系から構成されている。レチクルアライメント系の検出信号は、不図示のアライメント信号処理系を介して主制御装置５０に供給される。
【００３７】
　主制御装置５０は、例えば、マイクロコンピュータ（あるいはワークステーション）から構成され、露光装置１１０ｋの構成各部を統括制御する。また、主制御装置５０は、露光装置１１０ｋに併設された不図示のコータ・デベロッパ（以下、「Ｃ／Ｄ」と呼ぶ）をも制御する。主制御装置５０は、図１に示されるように、ＬＡＮ１７０に接続され、他の露光装置１１０１〜１１０Ｎ（ただし、１１０ｋを除く）の主制御装置等と通信することができる。
【００３８】
　次に、露光装置１１０ｋにおける露光処理工程の動作について、簡単に説明する。
【００３９】
　露光に先立って、主制御装置５０により、不図示のウエハ搬送系を用いたウエハホルダ９上へのウエハＷのロード、レチクルアライメント及びアライメント系８のベースライン計測、及びウエハアライメント（例えばショット内多点ＥＧＡ）などの準備作業が行われる。なお、上記のレチクルアライメント、ベースライン計測等については、前述の米国特許第５，６４６，４１３号明細書などに詳細に開示されている。また、これに続くショット内多点ＥＧＡについては、米国特許第６，８７６，９４６号明細書などに詳細に開示されている。ここで、ショット内多点ＥＧＡとは、ショット内の複数のウエハアライメントマークの位置検出データを用いて例えば上記米国特許第６，８７６，９４６号明細書に開示される最小２乗法を利用した統計学的手法を用いてウエハＷ上の全てのショットの配列座標及び各ショットの倍率（スケーリング）、ローテーション、直交度を含む変形量を求めるアライメント手法（詳細後述）を意味する。
【００４０】
　主制御装置５０は、上記のレチクルアライメント及びベースライン計測の結果、並びにウエハアライメントの結果に基づいて、ウエハＷ上の全てのショットに、順次、走査露光によりレチクルＲのパターンを転写する。
【００４１】
　ウエハＷ上の各ショットに対する走査露光では、主制御装置５０は、レチクル干渉計１６及びウエハ干渉計１８からの位置情報をモニタしつつ、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとをそれぞれの走査開始位置（加速開始位置）に移動させる。そして、主制御装置５０は、両ステージＲＳＴ，ＷＳＴをＹ軸方向に、ただし互いに逆向きに、相対駆動する。ここで、両ステージＲＳＴ，ＷＳＴがそれぞれの目標速度に達すると、照明光ＩＬによってレチクルＲのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。
【００４２】
　主制御装置５０は、特に上記の走査露光時にレチクルステージＲＳＴのＹ軸方向の移動速度ＶｒとウエハステージＷＳＴのＹ軸方向の移動速度Ｖｗとが投影光学系ＰＬの投影倍率に応じた速度比に維持されるようにレチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを同期制御する。このとき、
主制御装置５０は、両ステージＲＳＴ，ＷＳＴの同期駆動を調整し、あるいは結像特性補正装置を介してレンズエレメント２７を駆動して、レチクルＲのパターンのウエハＷ上への投影像の歪みを補正する。
【００４３】
　そして、レチクルＲのパターン領域の異なる領域が照明光ＩＬで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハＷ上の第１ショットの走査露光が終了する。これにより、レチクルＲの回路パターンが投影光学系ＰＬを介して第１ショットに縮小転写される。
【００４４】
　第１ショットに対する走査露光が終了すると、主制御装置５０は、ウエハステージＷＳＴを、次の第２ショットに対する走査開始位置（加速開始位置）へ移動（ステッッピング）させる。そして、先と同様に、第２ショットに対する走査露光を行う。以後、第３ショット以降についても同様の動作を行う。このようにして、ショット間のステッピング動作とショットに対する走査露光動作とが繰り返され、ステップ・アンド・キャン方式でウエハＷ上の全てのショットにレチクルＲのパターンが転写される。」
（３）「【００５２】
　本実施形態のリソグラフィシステム１００において、特に半導体デバイスを製造する場合には、
ウエハ上に数十層ものパターンが重ね形成される
【００５３】
　ここで、ホスト１６０から送信される補正情報は、前述の通り、露光に先立って行われる露光装置１１０１〜１１０Ｎによるウエハアライメント（ショット内多点ＥＧＡ）、測定装置１３０による重ね合わせ誤差の測定等の結果に基づいて、作成される。ここで、ショット内多点ＥＧＡにおいては、パターンが転写される個々のショット内のウエハの歪み（ショット内誤差）に対しては、補正可能な線形成分のみが考慮される。これに対し、非線形成分は、従前は、ロット毎（１ロットはウエハ２５又は５０枚）に考慮されていた。
【００５４】
　しかし、異なる露光装置（号機）間のステージグリッド誤差、露光装置毎のウエハ吸着機構の違い、
ウエハ毎のステージ吸着状態の違い、Ｃ／Ｄから露光装置に搬送される間のウエハの温度の変化、レチクルの熱膨張等により、ロット処理中にウエハの歪み（ショット内誤差）
【００５５】
　図３（Ａ）〜図３（Ｊ）には、代表的なショット内誤差の成分が示されている。ここで、ｄｘ，ｄｙは、それぞれ、Ｘ軸方向及びＹ軸方向についてのショット内誤差である。図３（Ａ）にはいわゆるオフセット成分（ｄｘ＝Ｋ１，ｄｙ＝Ｋ２）が、図３（Ｂ）には倍率成分（ｄｘ＝Ｋ３ｘ，ｄｙ＝Ｋ４ｙ）が、図３（Ｃ）には菱形成分（ｄｘ＝Ｋ５ｙ，ｄｙ＝Ｋ６ｘ）が、図３（Ｄ）には偏芯倍率成分（ｄｘ＝Ｋ７ｘ２，ｄｙ＝Ｋ８ｙ２）が、図３（Ｅ）には台形成分（ｄｘ＝Ｋ９ｘｙ，ｄｙ＝Ｋ１０ｘｙ）が、図３（Ｆ）には扇型成分（ｄｘ＝Ｋ１１ｙ２，ｄｙ＝Ｋ１２ｘ２）が、図３（Ｇ）にはＣ字倍率成分（ｄｘ＝Ｋ１３ｙ３，ｄｙ＝Ｋ１４ｘ３）が、図３（Ｈ）にはアコーディオン成分（ｄｘ＝Ｋ１５ｘ２ｙ，ｄｙ＝Ｋ１６ｘｙ２）が、図３（Ｉ）にはＣ字歪成分（ｄｘ＝Ｋ１７ｘｙ２，ｄｙ＝Ｋ１８ｘ２ｙ）が、図３（Ｊ）には川の流れ成分（ｄｘ＝Ｋ１９ｙ３，ｄｙ＝Ｋ２０ｘ３）が、それぞれ示されている。図３（Ｄ）〜図３（Ｊ）に示される成分が、上述の非線形成分である。
【００５６】
　そこで、ショット内多点ＥＧＡにおけるマーク計測結果に基づく露光の際に、ショット内誤差の非線形成分も考慮する必要がある。ここで、非線形成分を精度良く考慮するためには、ショット内の計測点を増やす、すなわちより多くのアライメントマークを付与して、その計測を行う必要がある。しかし、ショット内誤差の非線形成分を補正するために、ロット処理中に、ウエハ毎（さらにはショット毎）に多くのアライメントマークの計測を行うことは、スループットを極端に低下させてしてしまうので、そのまま採用することはできない。
【００５７】
　そこで、本実施形態では、以下に説明する方法により、スループットを低下させることなく、ウエハ毎、さらにはショット毎にショット内誤差の非線形成分を補正すること、それにより高い重ね合わせ精度を確保することとしている。
【００５８】
　本実施形態のリソグラフィシステム１００では、露光装置１１０ｋによるウエハの処理に先立って、事前計測が行われる。事前計測では、ショット内誤差の非線形成分を補正するための補正情報（非線形誤差補正情報）が、少なくとも１組、作成される。
【００５９】
　事前計測では、まず、ホスト１６０（又はオペレータ）からの指示に応じ、測定装置１３０により、露光対象のウエハ（ロット内ウエハ）に対するウエハアライメント（ショット内多点ＥＧＡ）のためのアライメントマーク（ウエハマーク）の計測が行われる。なお、ショット内多点ＥＧＡの詳細は、米国特許第６，８７６，９４６号明細書などに開示されている。」
（４）「【００９２】
　ステップ５１４では、主制御装置５０は、ＥＧＡ結果に、ショット内高次補正係数を適用して、処理対象のショットを露光する。ここで、ステップ５０６のショット内高次補正最適化機能がオフの場合には、このステップ５１４では、主制御装置５０は、ステップ５０２において指定されたＥＧＡ計算モデルにステップ５１０において求められた線形補正情報（前述のアライメント補正パラメータ）を適用し、ステップ５０４において指定されたショット高次補正モデル（次数と使用する補正項）に、ホストから取り寄せたショット内高次補正情報の中の最良補正情報（事前計測において登録された情報）を適用する。これらのＥＧＡ計算モデルとショット高次補正モデルとに基づいて、ウエハ上の処理対象のショットのステージ座標系上での位置座標を算出する。ここで、前述の通り、ＥＧＡ計算モデルを適用することによりショット配列誤差及びショット内誤差の線形成分が補正され、ショット高次補正モデルを適用することによりショット内誤差の非線形成分が補正される。
この算出結果とレチクルアライメント及びベースライン計測の結果とに基づいて、結像特性補正装置を介してレンズエレメント２７を駆動しつつ、且つ、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴの同期駆動を微小補正しつつ、前述の走査露光を実行する。
【００９３】
　一方、ショット内高次補正最適化機能がオンの場合にも、上記と同様の手順でその処理対象のショットの露光が行われる。ただし、主制御装置５０は、ステップ５１４において、ウエハ上の処理対象のショットのステージ座標系上での位置座標の算出に際して、ステップ５０２において指定されたＥＧＡ計算モデルに、ステップ６１６において求められた線形補正情報（前述のアライメント補正パラメータ）を適用し、ステップ５０４において指定されたショット高次補正モデルにステップ６１８において選択した補正情報を適用する。
【００９４】
　そして、ウエハ上の全てのショットに対する露光が終了すると、ステップ５１６に移行する。ステップ５１６では、主制御装置５０は、ロット内の全てのウエハの露光が終了した否かを判断し、この判断が否定された場合には、ステップ５０６に戻り、ステップ５０６以下の処理を繰り返す。一方、ロット内の全てのウエハの露光が終了すると、ステップ５１６の判断が肯定され、本ルーチンの一連の処理を終了する。
【００９５】
　なお、ステップ６１８において、ウエハ上の領域によってショット内誤差の傾向が異なる場合、例えば図４に示される領域Ｓａ，Ｓｂ，Ｓｃ，Ｓｄ毎に傾向が異なる場合、領域ごとに最適な補正情報を選択すると良い。この場合、ステップ５０４において、ラフ計測対象ショットとして、領域Ｓａに対してショットＳａ１，Ｓａ２、領域Ｓｂに対してショットＳｂ１，Ｓｂ２、領域Ｓｃに対してショットＳｃ１，Ｓｃ２、領域Ｓｄに対してショットＳｄ１，Ｓｄ２を指定する。さらにショット毎にショット内誤差の傾向が異なる場合、個々の領域内に１つのショットのみを含めて、領域を定義することになる。
【００９６】
　以上詳細に説明したように、本実施形態のリソグラフィシステム１００によると、ホスト１６０が、予め、測定装置１３０を用いて、
ウエハ上の複数のショットに付設された多くのアライメントマークを検出し、その検出結果に基づいてウエハの歪みの非線形成分を精密に記述するモデル（に対する条件）を複数決定する。そして、露光装置１１０
ｋ
によるウエハ処理（ロット処理）時には、露光装置１１０
ｋ
が備える主制御装置５０が、少ない数のアライメントマークを検出し、その検出結果に基づいて、ウエハ上の複数のショットの配列を求めるとともに予め決定しておいた複数のモデル（に対する条件）のうちの１つを選択し、求められた配列と選択されたモデルとを用いて複数のショットにレチクルのパターンを位置合わせする。
【００９７】
　なお、上述の実施形態では、ホスト１６０によって事前計測が行われ、露光装置１１０ｋが備える主制御装置５０によってロット処理時のウエハアライメント等が行われ、ホスト１６０及び主制御装置５０によって本発明のアライメント方法が実行される場合について説明した。しかし、これに限らず、ウエハ上の複数のショット領域のそれぞれについて高精度な位置合わせが必要な装置を含むシステムであれば、本発明のアライメント方法は適用可能である。また、ホスト１６０が実行する処理を、主制御装置５０が実行するようにしても良い。
【００９８】
　また、上述の実施形態では、グローバル・アライメント方式のウエハアライメントに対して本発明のアライメント方法を適用した。それに限らず、ダイ・バイ・ダイ（Ｄ／Ｄ）アライメント方式のウエハアライメントに対して適用することも可能である。
【００９９】
　また、上述の実施形態では、本発明が、液体（水）を介さずにウエハＷの露光を行うドライタイプの露光装置に適用された場合について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第９９／４９５０４号、欧州特許出願公開第１,４２０,２９８号明細書、国際公開第２００４／０５５８０３号、米国特許第６,９５２,２５３号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する液浸露光装置にも本発明を適用することができる。液浸露光装置では、液浸液の温度変化も、ロット処理中におけるウエハの歪み（ショット内誤差）の非線形成分の変動の要因となるので、本発明のアライメント方法及び露光方法を適用することにより、液浸液の温度変化に起因するウエハの歪み（ショット内誤差）の非線形成分をも補正することが可能となる。
【０１００】
　また、上記実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置に本発明が適用された場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に本発明を適用しても良い。また、ショットとショットとを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、
プロキシミティー方式の露光装置
にも本発明は適用することができる。
（５）図１
（６）図２
（７）図３
（８）引用文献２には、「ウエハ毎のステージ吸着状態の違い、Ｃ／Ｄから露光装置に搬送される間のウエハの温度の変化、レチクルの熱膨張等により、ロット処理中に」生じる「ウエハの歪み（ショット内誤差）」（【００５４】）によるレチクルのパターンとウエハのパターンのずれをなくすために、「ウエハ上の複数のショットに付設された多くのアライメントマークを検出し、その検出結果に基づいてウエハの歪みの非線形成分を精密に記述するモデル（に対する条件）を複数決定」して「複数のショットにレチクルのパターンを位置合わせする」（【００９６】）ことが記載されていることから、引用文献２の「ウエハの歪みの非線形成分を精密に記述する」（【００９６】）ことは、レチクルのパターンの歪みとウエハのパターンの歪みとの差の情報を求めていることとなる。
　すると、引用文献２の「ウエハ上の」「複数のショットにレチクルのパターンを位置合わせする」ことは、レチクルのパターンの歪みとウエハのパターンの歪みとの差の情報に基づいてなされるといえる。
（９）引用文献２には、「主制御装置５０は、両ステージＲＳＴ，ＷＳＴの同期駆動を調整し、
あるいは
　すると、引用文献２には、プロキシミティー方式の露光方法であって、結像特性補正装置を有しない露光方法、レチクルではなくてマスク、レチクルステージではなくてマスクステージを用いる露光方法が記載されているといえる。
　上記（１）〜（９）より、引用文献２には、
「マスクの熱膨張等やウエハの歪みを補正するために、マスクのパターンの歪みの情報とウエハのパターンの歪みの情報の差に基づいて、マスクステージとウエハステージの同期駆動を微小補正して、ウエハのパターンにマスクのパターンを位置合わせしつつ、走査露光を実行すること」の事項（以下「引用文献２に記載された事項」という。）が記載されているものと認められる。
第４　本願発明と引用発明との対比 
１　引用発明の「マスク２」、「基板１」及び「露光光」は、本願発明の「マスク」、「基板」及び「エネルギビーム」に、それぞれ相当する。
２  引用発明の「マスク２」がパターン領域を有することは自明のことであるから、引用発明の「パターン」を有する「マスク２」は、本願発明の「パターンが形成されたパターン領域を有するマスク」に相当する。
３　引用発明は「プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行う露光方法」であるから、引用発明の「基板１」は「マスク２」に近接して配置されるものであることは明らかである。
４　引用発明の「基板２」は、「照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される」ものであるから、引用発明の「基板２」が感光性であることは自明のことである。
５　上記１〜４より、引用発明の「照射光学系からの露光光がマスク２を透過して基板１へ照射されることにより、マスク２のパターンが基板１の表面に転写され、基板１上にパターンが形成される、プロキシミティ方式を用いて基板の露光を行う」ことは、本願発明の「パターンが形成されたパターン領域を有するマスクに近接して配置される感光性の基板上に前記パターンを転写する露光方法であって、前記マスクにエネルギビームを照射し、前記マスクを介した前記エネルギビームで前記基板を露光すること」に相当する。
６　露光方法において、基板に複数のパターンを形成することは、一般に行われていることであるので、引用発明の「基板１」上にパターンが形成されていることは自明のことである。
　すると、引用発明の「露光位置において、Ｘステージ５のＸ方向への移動及びＹステージ７のＹ方向への移動により、チャック１０に搭載された基板１のＸＹ方向へのステップ移動が行われ、そして、Ｘステージ５のＸ方向への移動、Ｙステージ７のＹ方向への移動、及びθステージ８のθ方向への回転により、基板１のアライメントが行われる」ことは、本願発明の「前記パターンと前記基板上のパターンとの重ね合わせを行うこと」に相当する。
　上記１〜６より、本願発明と引用発明とは、次の一致点で一致し、相違点で相違している。
＜一致点＞
「パターンが形成されたパターン領域を有するマスクに近接して配置される感光性の基板上に前記パターンを転写する露光方法であって、
　前記マスクにエネルギビームを照射し、前記マスクを介した前記エネルギビームで前記基板を露光することと；
　前記パターンと前記基板上のパターンとの重ね合わせを行うこと；を含む露光方法。」
＜相違点＞
「前記パターンと前記基板上のパターンとの重ね合わせを行うこと」が、本願発明では、「前記露光することと並行して前記パターン領域の歪みと前記基板上のパターンの歪みとの差の情報に基づいて前記基板を微動させて」いるのに対して、引用発明では、そのような限定がなされていない点。
第５　当審の判断
　上記相違点について検討する。
１　露光方法においてマスクの変形やウエハの歪みによるレチクルのパターンとウエハのパターンのずれをなくすという課題は周知である。
　そして、引用文献２に記載された事項は、下記（１）、（２）のように、上記相違点にかかる構成に相当する。
（１）引用文献２に記載された事項の「ウエハのパターンにマスクのパターンを位置合わせしつつ、走査露光を実行すること」は、上記相違点の「前記露光することと並行して」「前記基板を微動させて」いることに相当。
（２）引用文献２に記載された事項の「マスクのパターンの歪みとウエハのパターンの歪みとの差の情報に基づいて、マスクステージとウエハステージの同期駆動を微小補正」することは、上記相違点の「前記パターン領域の歪みと前記基板上のパターンの歪みとの差の情報に基づいて前記基板を微動させて」いることに相当。
２　してみると、上記課題を解決するために、引用発明の「基板１のアライメント」に引用文献２に記載された事項を適用して下記（１）、（２）のように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
（１）引用文献２に記載された事項の「ウエハのパターンにマスクのパターンを位置合わせしつつ、走査露光を実行すること」を適用して、引用発明において、「基板１のアライメント」を「露光することと並行して」行うようにすること。
（２）引用文献２に記載された事項の「マスクのパターンの歪みとウエハのパターンの歪みとの差の情報に基づいて、マスクステージとウエハステージの同期駆動を微小補正」することを適用して、引用発明の「基板１のアライメント」を「基板１のパターンの歪みとマスク２のパターンの歪みとの差の情報に基づて微小補正（微動）」すること。
３　よって、引用発明に引用文献２に記載された事項を適用して上記相違点にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
４　本願発明によってもたらされる作用・効果は、引用発明及び引用文献２に記載された事項から当業者が予測し得る程度のものであって、格別なものではない。 
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、上記の通り、審決する。