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　特願２０１１−　９１６５３「発光装置及び発光装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月１５日出願公開、特開２０１２−２２７２３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成２３年４月１８日の出願であって、平成２６年４月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２９日に特許請求の範囲の補正がなされ、同年１２月４日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月３日に特許請求の範囲の補正がなされたが、同年４月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものであり、本願の請求項に係る発明は、平成２７年２月３日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
　
「第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子と、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージと、蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材と、を含む発光装置であって、
　前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置しており、
　前記サファイア基板の側面に形成された曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、
　前記封止部材は、前記凹部内で高濃度の前記蛍光体を配置していることを特徴とする発光装置。」
　　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開２００３−１２４１５１号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による）。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，サファイア基板のダイシング方法にかかり，特に，表面に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されたサファイア基板のダイシング方法に関する。」　
　イ　「【００１７】このような
サファイア基板１２は
基板１２ａの表面上に
窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｂを有する。
窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｂは
ＩｎＧａＮ活性層（または発光層）
などからなる。
　ウ　「【００３６】かかる切削により，図５（ａ）に示すように，
サファイア基板１２の表面
窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｂ
　エ　「【００４５】このような第２のブレード２２ｂによる切削により，サファイア基板１２の裏面には，図５（ｂ）に示すように，第１の溝４０に対応する位置に第２の溝４２が形成される。この第２の溝４２は，底部が第１の溝４０の底部にまで達しているので，第１の溝４０と連結して，サファイア基板１２を切断することができる。なお，
第２の溝４２の底部は，曲面状
　オ　「【００５１】このようにして分割された
半導体チップ１６
窒化ガリウム系化合物半導体が形成された面（即ち，表面）が大きく，裏面が小さい形状を有する
　                                                          　
　上記ウ〜オによれば、引用例の図５（ｃ）に示される半導体チップ１６は、サファイア基板１２の表面に窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｂを有するものであると認められる。
　また、当該半導体チップ１６は、サファイア基板１２の側面に曲面が形成され、窒化ガリウム系化合物半導体が形成された面（即ち，表面）が大きく、裏面が小さい形状を有するものと認められる。
　また、上記イによれば、窒化ガリウム系化合物半導体層１２ｂは、ＩｎＧａＮ活性層（または発光層）などからなっていると認められる。
　したがって、引用例には、
「側面に曲面が形成され、表面が大きく、裏面が小さい形状を有するサファイア基板の表面にＩｎＧａＮ発光層などからなる窒化ガリウム系化合物半導体層を有する半導体チップ。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　 　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「表面」、「裏面」、「サファイア基板」及び「窒化ガリウム系化合物半導体層」は、それぞれ、本願発明の「第１主面」、「第２主面」、「サファイア基板」及び「半導体層」に相当する。
（２）また、引用発明の「半導体チップ」は、当該「半導体チップ」が有する「窒化ガリウム系化合物半導体層」が「ＩｎＧａＮ発光層などからなる」から、「発光素子」といえる。
（３）したがって、引用発明の「半導体チップ」と本願発明の「発光素子」は、「第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子」の点で一致する。
（４）引用発明の「サファイア基板」は、「側面に曲面が形成され、表面が大きく、裏面が小さい形状を有する」から、本願発明の「サファイア基板」と同様に「前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置しており」、「側面に形成された曲面を有」するものといえる。
（５）したがって、本願発明の「発光素子」と引用発明の「半導体チップ」は、
「第１主面と第２主面とを有するサファイア基板の前記第１主面に積層された半導体層を備える発光素子であって、
　前記サファイア基板は、前記第２主面の外縁が前記第１主面の外縁よりも内側に位置しており、
　前記サファイア基板の側面に形成された曲面を有している発光素子。」の点で一致する。
（６）一方、本願発明と引用発明は、
　本願発明は、「発光素子と、前記サファイア基板の前記第２主面が接合されて前記発光素子が載置されるパッケージと、蛍光体が含有され、かつ前記発光素子を封止する封止部材と、を含む発光装置であって、
　前記サファイア基板の側面に形成された曲面と前記パッケージとからなる凹部を有しており、
　前記封止部材は、前記凹部内で高濃度の前記蛍光体を配置している発光装置。」であるのに対し、引用発明は、半導体チップ（発光素子）に係る発明であり、このような発光装置でない点（以下「相違点」という。）で相違する。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　発光素子の裏面を接合してパッケージに載置し、該発光素子を蛍光体を含有する封止部材により封止することは、例えば、原査定で引用した特開２００８−６０１６７号公報（図９Ａ及びこれに関連する【００６９】〜【００７０】の記載並びに【００７０】で言及する図５Ａ及びこれに関連する【００６４】の記載参照。）、特開２００９−１１１１４０号公報（図１〜３及びこれに関連する【００１９】及び【００２２】〜【００２３】の記載参照。）及び特開２００７−４２６８７号公報（図１〜３及びこれに関連する【００２５】〜【００２８】の記載参照。）にみられるように周知である。
　したがって、引用発明において、上記周知技術に基づき、半導体チップの裏面を接合してパッケージに載置し、蛍光体を含有する封止部材により封止して発光装置とすることは、当業者が普通に採用することである。
　他方、引用発明の半導体チップのサファイア基板は、「側面に曲面が形成され、表面が大きく、裏面が小さい形状を有する」ものであるから、引用発明において、上記周知技術に基づき、半導体チップの裏面を接合してパッケージに載置し、蛍光体を含有する封止部材により封止して発光装置としたときに、当該発光装置がサファイア基板の側面に形成された曲面とパッケージとからなる凹部を有するものとなり、当該凹部内で高濃度の蛍光体が配置されることになるものと認められる。
　したがって、本願発明は、上記周知技術にしたがい、引用発明の半導体チップの裏面を接合してパッケージに載置し、蛍光体を含有する封止部材により封止して発光装置とすることにより、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する