【事件の表示】
　特願２０１１−　５５６２０「受光素子、その製造方法および検出装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月　４日出願公開、特開２０１２−１９１１３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月１４日の出願であって、平成２６年３月１１日付けで拒絶の理由が通知され、同年６月５日付けで意見書が提出され、同年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月３日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　本件補正
　平成２６年１２月３日付けの手続補正による補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書の補正を行うものであり、本件補正前の請求項１及び本件補正前の請求項１を直接的又は間接的に引用する本件補正前の請求項２ないし４及び７ないし８、補正前の請求項５及び補正前の請求項５を直接的又は間接的に引用する請求項６ないし８を削除し、本件補正前の請求項１を引用する請求項６を、本件補正後の請求項１とし、本件補正前の請求項２ないし４を引用する請求項６を、本件補正後の請求項２ないし４とし、本件補正前の請求項６を直接的又は間接的に引用する請求項７及び８を、本件補正後の請求項５及び６とし、本願補正前の請求項９ないし１１の項番号を、本願補正後の請求項７ないし９に繰り上げたものである。
　したがって、本願補正は、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当し、さらに、本願補正は新規事項を追加するものではないから適法になされたものである。
第３　本願の請求項７に係る発明
　本願の請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年１２月３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載されたとおり、次のように特定されるものである。
「近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子の製造方法であって、
　ＩｎＰ基板に、受光部に対応する位置に凹部を開口する工程と、
　前記凹部に、前記ＩｎＰ基板よりも小さいバンドギャップエネルギを有する受光層を形成する工程とを備えることを特徴とする、受光素子の製造方法。」
第４　引用例
１　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物であるS. Miura, Planar Embedded InP/GaInAs p-i-n Photodiode for Very High-Speed Operation, Journal of Lightwave Technology, Vol. LT-5, No. 10 (October 1987), P. 1371-1376（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。仮訳は当審で行った。（なお、下記「２　引用例１に記載された発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
（１）１３７２ページ左欄第２３行目から同右欄第１５行目
　これらの検討事項を考慮し、我々は
平面埋め込みのＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを組み立てる技術
フォトレジストマスクを用いた選択イオンビームエッチングを活用した、傾斜段階プロセスを使うことで、縞形状のウェルが半絶縁性(semi-insulating)のＩｎＰ基板の＜０１１＞の方向に形成される
短時間の化学エッチングが実施され
塩化物気相エピタクシー（ＶＰＥ）により段を有する基板表面にフォトダイオード層を成長させ
ウェルを埋めるように二層のフォトレジスト層（ＡＺ−４６２０、Ｓｈｉｐｌｅｙ）の輪郭が描かれ
２００℃で焼かれ
再度イオンビームエッチングを実施
（２）１３７２ページ右欄第１７行目から同第３０行目
　平面埋め込みのＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオードの概略断面図が図３に示されている。
フォトダイオード層が、半絶縁性のＩｎＰ基板のウェルに埋め込まれ
フォトダイオード構造を最適化するために二種類のフォトダイオード層が成長させられている。厚いｎ
−
層構造は低キャパシタンスｐ−ｉ−ｎフォトダイオードのために使用され、薄いｎ
−
層構造は高速度への適用のために用いられ
ｎ
−
Ｇａ
０．４７
Ｉｎ
０．５３
Ａｓ光吸収層（１．８又は０．５μｍ　１．５×１０
１５
ｃｍ
−３
）、ｎ
−
ＩｎＰ（６又は３μｍ　１×１０
１５
ｃｍ
−３
）
（３）１３７３ページ左欄第３５行目から同第３８行目
　（仮訳）
　
厚さの厚い及び薄いｎ
−
層を有するＡＲで被覆されたフォトダイオードのそれぞれの量子効率は、１．３μｍの波長において、厚い方が８５％、薄い方が４０％であっ
（４）「Ｆｉｇ．２
Ｆｉｇ．３
Ｆｉｇ．４
」
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記摘記事項（４）の図４の左の写真から、縞形状のウェルは、長辺側のみならず短辺側も基板内に埋め込まれているのが見て取れる。
　上記の点を含めて、引用例１の記載事項（図面の記載を含む）を総合すると、
「平面埋め込みのＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを組み立てる技術であって、
フォトレジストマスクを用いた選択イオンビームエッチングを活用した、傾斜段階プロセスを使うことで、縞形状のウェルが半絶縁性のＩｎＰ基板の＜０１１＞の方向に形成され、
短時間の化学エッチングが実施され、
塩化物気相エピタクシー（ＰＶＥ）により段を有する基板表面にフォトダイオード層を成長させ、
ウェルを埋めるように二層のフォトレジスト層（ＡＺ−４６２０、Ｓｈｉｐｌｅｙ）の輪郭が描かれ、
２００℃で焼かれ、
再度イオンビームエッチングを実施されるものであって、
フォトダイオード層が、半絶縁性のＩｎＰ基板のウェルに埋め込まれ、
フォトダイオード構造を最適化するために二種類のフォトダイオード層が成長させられ、
厚いｎ−層構造は低キャパシタンスｐ−ｉ−ｎフォトダイオードのために使用され、
薄いｎ−層構造は高速度への適用のために用いられ、
厚いｎ−層構造は、ｎ−ＩｎＰ（６又は３μｍ　１×１０１５ｃｍ−３）で、
薄いｎ−層構造は、ｎ−Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層（１．８又は０．５μｍ　１．５×１０１５ｃｍ−３）で構成され、
厚さの厚い及び薄いｎ−層を有するＡＲで被覆されたフォトダイオードのそれぞれの量子効率は、１．３μｍの波長において、厚い方が８５％、薄い方が４０％であり、
縞形状のウェルは、長辺側のみならず短辺側も基板内に埋め込まれた
平面埋め込みのＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオードを組み立てる技術」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
第５　本願発明と引用発明の対比及び当審の判断
１　本願補正発明と引用発明との対比
  本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード」は、本願発明の「受光素子」に相当する。
　また、引用発明の「薄いｎ−層構造」である「ｎ−Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層」及び、「厚いｎ−層構造」である「ｎ−ＩｎＰ」は、いずれも上記の「ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード」の構成要素であって、集合として、本願発明の「ＩＩＩ−Ｖ族半導体」に相当する。そして、引用発明に於いて、「ｎ−Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層」及び「ｎ−ＩｎＰ」である「ｎ−層を有するＡＲで被覆されたフォトダイオード」は、近赤外波長領域に含まれる、１．３μｍの波長において、「厚い方が８５％、薄い方が４０％」の量子効率を示すことから、引用発明の「ｎ−Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層」及び「ｎ−ＩｎＰ」は集合として、本願発明の「近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体」に相当する。
　さらに、引用発明の「組み立てる技術」は、本願発明の「製造方法」に相当する。
　してみると、引用発明の「ｎ−Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層」及び「ｎ−ＩｎＰ」を備えた「ＩｎＰ／ＧａＩｎＡｓのｐ−ｉ−ｎフォトダイオード」を「組み立てる技術」は、本願発明の「近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子の製造方法」に相当する。
　また、引用発明の「ＩｎＰ基板」は、本願発明の「ＩｎＰ基板」に相当する。また、引用発明の「縞状のウェル」は、本願発明の「凹部」に相当する。そして、引用発明に於いて、当該「縞状のウェル」が、「半絶縁性のＩｎＰ基板の＜０１１＞の方向に形成」されているところ、該ウェルは「長辺側のみならず短辺側も基板内に埋め込まれ」ていることから、当該ウェルは、周囲を囲まれた穴であって、ＩｎＰ基板に「開口」されている。
　そして、引用発明の「ｎ−Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層」と、「ｎ−ＩｎＰ」とを備えた「フォトダイオード層」は、本願発明の「受光部」に相当する。そして、引用発明の当該「フォトダイオード層」が、「半絶縁性のＩｎＰ基板のウェルに埋め込まれている」構成は、本願発明の「凹部」が「受光部に対応する位置」に設けられた構成に相当する。
　してみると、引用発明の「長辺のみならず短辺側も基板内に埋め込まれ」る「縞形状のウェルが半絶縁性のＩｎＰ基板の＜０１１＞の方向に形成される」工程は、本願発明の「ＩｎＰ基板に、受光部に対応する位置に凹部を開口する工程」に相当する。
　そして、引用発明の「フォトダイオード層」の「薄いｎ−層」である「Ｇａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓ光吸収層」は、本願発明の「ＩｎＰ基板よりも小さいバンドギャップエネルギを有する受光層」に相当するところ、引用発明の「塩化物気相エピタクシー（ＰＶＥ）により段を有する基板表面にフォトダイオード層を成長させ、ウェルを埋めるために二層のフォトレジスト層（ＡＺ−４６２０、Ｓｈｉｐｌｅｙ）の輪郭が描かれ、２００℃で焼かれ、再度イオンビームエッチングを実施し、フォトダイオード層が、半絶縁性のＩｎＰ基板のウェルに埋め込まれ」る工程は、本願発明の「前記凹部に、前記ＩｎＰ基板よりも小さいバンドギャップエネルギを有する受光層を形成する工程」に相当する。
２　一致点及び相違点
　よって、本願発明と引用発明は、
「近赤外波長領域に受光感度を有するＩＩＩ−Ｖ族半導体による受光素子の製造方法であって、
　ＩｎＰ基板に、受光部に対応する位置に凹部を開口する工程と、
　前記凹部に、前記ＩｎＰ基板よりも小さいバンドギャップエネルギを有する受光層を形成する工程とを備える、受光素子の製造方法。」
の発明である点で一致し、両者に格別相違することが存在しない。
３　当審の判断
　よって、本願発明は引用発明であるということができるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
第６　結語
　以上のとおり、本願発明は引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない。したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。