【事件の表示】
　特願２０１１−１９５１７０「低コストのＩｎＧａＡｌＮに基づくレーザ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月１９日出願公開、特開２０１２−　１５５４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００６年８月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年８月２５日、米国）を国際出願日とする特願２００８−５２８１４４号の一部を平成２３年９月７日に新たな特許出願としたものであって、同年９月８日に特許請求の範囲の補正がなされ、平成２５年６月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１８日に特許請求の範囲の補正がなされたが、平成２６年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされ、当審において平成２７年６月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１７日に特許請求の範囲の補正がなされるとともに誤訳訂正がなされたものである。
２．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年９月１７日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
　
「長さＩｓおよび幅ｂｓの基板と、
　前記基板上の、エピタキシャル成長されるＩｎＧａＡｌＮに基づく半導体と、
　前記半導体に形成される長さＩｃの共振器を有する少なくとも１つのレーザ導波路と、を備え、
　前記レーザ導波路が、レーザミラーを形成する少なくとも１つのエッチングされたレーザファセットを有し、
　前記レーザ導波路が幅ｗＩのレーザ強度分布を有するとともに、この強度分布が前記レーザ導波路の中心で高く、前記レーザ導波路の両側に向けて低下し、
　Ｉｃは、次の不等式：ｅｘｐ（−Ｄ×ｗＩ×Ｉｃ）＞０．５０を満足するように選択され、
　Ｄは、レーザ導波路の共振器を形成する半導体の活性層における欠陥密度を指定する、チップ。」
　
３．引用例及び本願明細書の記載
（１）引用例１及び引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−４０６６号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。　
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は
窒化物半導体（Ｉｎ
X
Ａｌ
Y
Ｇａ
1-X-Y
Ｎ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレーザ素子
エッチングにより形成された共振面
　…。
【０００８】そこで、本発明の目的は、レーザ光のファーフィールドパターンが良好で、
単一モードのレーザ光が得られ
　
　イ　「【００１１】
【発明の実施の形態】更に図を用いて本発明を詳細に説明する。図１は基板１上に、ｎ型窒化物半導体層（ｎ型層）２（コンタクト層、光ガイド層及び光閉じこめ層等の積層構造を有する）、活性層３、ｐ型窒化物半導体層（ｐ型層）４（コンタクト層、光ガイド層及び光閉じこめ層等の積層構造を有する）が積層されている窒化物半導体の模式的断面図である（第一の工程）。これを所定のチップサイズになるようなパターンのマスクをかけ、
ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）
【００１２】図２は第二の工程まで終えたところで、次に第三の工程として、溝２０１上部にある第一の工程により露出されたｎ型層平面の隅部２０２を除去する（第三の工程）。除去する隅部２０２はダイサーで削っても、またＲＩＥ等のエッチングを行っても良い。この隅部２０２を除去しなければ、出射したレーザが第一の工程により露出されたｎ型層平面で反射し、ファーフィールドパターンを乱してしまう。」
　
　ウ　「【００１５】
【実施例】［実施例１］
ＭＯＣＶＤ法を用いて
サファイア基板の上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型閉じこめ層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とを積層したウエハーを作製する
【００１６】次に、
ｎ型層を露出させる
ＲＩＥを行う
【００１７】次にマスクを除去後に、
最上層のｐ型コンタクト層にｐ電極を、露出したｎ型コンタクト層にｎ電極を、互いに平行なストライプ形状でそれぞれ形成する
レーザチップを分離させるための溝を形成する
【００１８】最後に
基板を１００μｍの厚さまで研磨した後、スクライビングすることにより、レーザチップを得た
　　　　　　　
　上記によれば、引用例１には
「窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなり、エッチングにより形成された共振面を備え、単一モードのレーザ光が得られるレーザチップであって、
　ＭＯＣＶＤ法を用いて、サファイア基板の上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型閉じこめ層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とを積層したウエハーを作製し、
　ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を行って、ｎ型層を露出させ、
　最上層のｐ型コンタクト層にｐ電極を、露出したｎ型コンタクト層にｎ電極を、互いに平行なストライプ形状でそれぞれ形成し、
　レーザチップを分離させるための溝を形成し、
　基板を１００μｍの厚さまで研磨した後、スクライビングすることにより得られたレーザチップ。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された特開平７−３３５９８７号公報（以下「引用例２」という。）には、次の記載がある。
　
　ア　「【０００４】ところで、半導体発光素子を量産化する場合、歩留りの向上、信頼性の向上、寿命の向上をはかる上で、その発振部の活性層における結晶欠陥の存在が問題となる。この結晶欠陥すなわち例えばいわゆる点欠陥、転位はこれ自体が非発光再結合中心（以下ＮＲＲＣという）となることから、その存在自体が歩留りの低下を来すものであるが、更に、このＮＲＲＣの存在によって、発光素子の動作時において、光に変換されなかったエネルギーによって転位および点欠陥の運動を生じ、ＮＲＲＣを増殖させるという、つまりこの結晶欠陥がＮＲＲＣ促進欠陥運動の核となり、遂には発光がなされなくなるという寿命低下、信頼性の低下を来す。
【０００５】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体による半導体発光素子においては、ＩＩＩ−Ｖ族基板（ウエハー）上にこれと同族化合物半導体のＩＩＩ−Ｖ族半導体によるクラッド層、活性層等の化合物半導体層をエピタキシーしたウエハー（以下エピタキシャルウエハーという）を作製し、このエピタキシャルウエハーから多数の発光素子にチップ化するという構成をとる。この場合、エピタキシャルウエハーは、ＩＩＩ−Ｖ族基板上にこれと同族のＩＩＩ−Ｖ族半導体層をエピタキシーしてなるものであることから結晶欠陥の改善はかなりはかられているものであり、また欠陥の運動を抑制する研究、開発もかなり進んでいることから、比較的高い歩留り、長寿命、高信頼性を得ている。
【０００６】これに対し、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子においては、このＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層をエピタキシーする基板としては、結晶性にすぐれ、比較的廉価なＩＩＩ−Ｖ族基板が用いられ、これの上にこれとは異なるＩＩ−ＶＩ族化合物半導体によるクラッド層、活性層等の化合物半導体層をエピタキシーするものであることから、活性層における結晶欠陥の存在、上述した欠陥の運動に対する対処が問題となり、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子の量産化において上述した歩留り、寿命、信頼性において問題があるところである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明においては、特にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子において、結晶欠陥に起因する上述した歩留り、信頼性、寿命の問題の解決をはかる。
【０００８】すなわち、本発明においては、上述した結晶欠陥の存在による不良品の発生率を小さくして、歩留りの向上をはかるとともに、さらにこの欠陥の運動の閉じ込めを行って転位の成長の阻止、したがって寿命の改善、信頼性の向上をはかるものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明製法は、図１にその一例の略線的断面図を示すＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子１を製造するに当たり、そのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子１の活性層２を構成する半導体層、すなわちＩＩ−ＶＩ族化合物半導体エピタキシャルウェハーの活性層２に相当する半導体層の非発光再結合促進欠陥運動の核となる結晶欠陥の密度がｎnr cm -2であり、上記結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子を得る目標とする割合をＲ〔％〕（すなわちＲ＝｛結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子の数／作製した半導体発光素子の総数｝×１００）とするとき、この半導体発光素子１の電流注入領域の面積Ｓを、次の（数１）の範囲に選定する。
【００１０】
【数１】Ｓ≦ｌｎ（１００／Ｒ）／ｎnr cm2」
　
　イ　「【００１３】第３の本発明は、上述の第１の本発明の構成において、上記欠陥密度ｎnrが、ｎnr≧１０ 5cm-2である場合において、上記（数１）に基づいて特にその電流注入領域の面積Ｓを、Ｓ≦１．２×１０-5cm2 とする。」
　
　ウ　「【００２７】また、第３の本発明によれば、非発光再結合促進欠陥運動の核となる結晶欠陥の密度ｎnrが、ｎnr≧１０ 5 cm -2である場合において、欠陥のない発光素子を得る割合Ｒを３０％以上とすることができる。そして、このようにＲが３０％以上であれば、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体発光素子を製造する場合における歩留りとして工業的に実用化できる歩留りとなる。」
　
　エ　「【００３８】そして、特に本発明においては、上述の構成による半導体発光素子１を製造するに、特にその電流注入領域１４の面積Ｓ（すなわち、このストライプ部において、このストライプ部の幅をＷ、長さをＬとするときＳ＝Ｗ×Ｌ）を、前記（数１）のＳ≦ｌｎ（１００／Ｒ）／ｎnr cm2に選定する。」
　
　オ　「【図５】欠陥密度ｎnrと、歩留りＲ，ＲD と、電流注入領域（もしくは電流注入領域の分割領域）の面積Ｓとの関係を示す図である。
【図６】欠陥密度ｎnrと、歩留りＲ，ＲD と、電流注入領域（もしくは電流注入領域の分割領域）の面積Ｓとの関係を示す図である。」
　
（３）本願明細書　
　本願明細書には、次の記載がある。
　
　ア　「【０００５】
　ＩｎＧａＡｌＮに基づくレーザ活性層のエピタキシャル成長のために現在利用可能である基板材料は、高い製造歩留りおよび低コストを実現するための実質的な障害を提供する独特の問題の原因となる。例えば、利用可能な基板は、レーザ活性材料層において異常に高い欠陥密度を生じ、さらに、不可能ではないとしても、基板材料の機械的特性のために、レーザミラーの形成のために機械的な劈開を用いることは、きわめて困難になる。ＳｉＣおよびサファイアから構成される基板は、ＩｎＧａＡｌＮレーザの作製のために用いられているが、これらの材料は、ＩｎＧａＡｌＮ層の格子整合型成長を可能にせず、きわめて高い欠陥密度、低い製造歩留りおよび信頼性に関連する問題点を結果として生じる。Ｋｅｎｓａｋｕ　Ｍｏｔｏｋｉらによる２００３年８月７日に公開された米国特許出願公開番号第２００３／０１４５７８３Ａ１号に記載されたように、近年、自立ＧａＮ基板がＧａＮレーザの作製に用いるために利用可能になっている。しかし、最高品質のＧａＮ基板が用いられる場合であっても、レーザ活性層は、約１０５ｃｍ−２の欠陥密度を呈し、この欠陥密度は、他の材料システムに基づく一般的に市販されている半導体レーザの場合より数桁高い。さらに、これらのＧａＮ基板のサイズは現在、大きくとも直径２インチに限定されており、コストはきわめて高い。低コストが実現されることになっている場合には、歩留りを著しく向上させるためには、レーザ作製歩留りにおける欠陥密度の影響を限定することが重要である。」
　
　イ　「【００１２】
　ＧａＡｓ基板およびＩｎＰ基板に基づく今日の大量生産のダイオードレーザの歩留りおよびコストは、基板品質およびコストによって影響を受けない。これらのレーザデバイス用の基板は一般に、約１０２ｃｍ−２の欠陥密度を有し、ＧａＮ基板のコストより数桁低いコストで、直径６インチまでのより大きなサイズのウェハにおいて利用可能である。」
　
　ウ　「【００２５】
　ここで、本発明の詳細な説明を始めると、図１Ａから図１Ｃは、端部ファセット１６および１８を有し、エピタキシャル成長およびエッチングの施されたリッジレーザ１４を支持する基板１２を含むダイオードレーザチップ１０を示している。リッジレーザは、当分野において知られているように、レーザ端部ファセットのエッチングによって形成されるが、本レーザは特別な設計幾何構成を有する。本発明によれば、半導体レーザ構造１４は、基板１２の上にエピタキシャル成長され、少なくとも下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を備える。リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さＩｃおよび幅ｂｍのレーザメサ３０を作製する。リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成するために用いられる。図１Ａから図１Ｃに概略的に示され、上述したレーザはリッジ型設計であるが、本発明はリッジレーザ構造に限定されるわけではなく、他の半導体レーザ設計に適用することを理解されたい。」
　
　エ　「【００２９】
　長手軸またはレーザ導波路１４の方向に対して垂直な方向であり、かつ基板１２の平面におけるレーザ強度分布は、中心で高く、側部に向かって減少する。一般に、レーザ強度分布は、ガウス分布によって適切に記載され得る。実際の目的のために、ｗＩはここでは強度がその中心値の１／ｅ３まで減少される点の間の幅として定義される。」
４．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「レーザチップ」は、「溝を形成し、基板を１００μｍの厚さまで研磨した後、スクライビングすることにより得られた」ものであるから、その形状は、長方形と推認されるところであり、本願発明と同様に「長さＩｓおよび幅ｂｓの基板」を備えるものと認められる。
（２）引用発明の「レーザチップ」は、「窒化物半導体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりな」るレーザチップであって、「ＭＯＣＶＤ法を用いて、サファイア基板の上に、ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型閉じこめ層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とを積層した」ものであるから、本願発明と同様に「前記基板上の、エピタキシャル成長されるＩｎＧａＡｌＮに基づく半導体」を備えるものといえる。
（３）引用発明は、「共振面を備え」、「ｐ型コンタクト層にｐ電極を…ストライプ形状で…形成」した「レーザチップ」であるから、ｐ電極のストライプ形状に対応する形状のレーザ導波路を有しているものと認められるところであり、本願発明と同様に「前記半導体に形成される長さＩｃの共振器を有する少なくとも１つのレーザ導波路」を備えているものといえる。
（４）引用発明は、「エッチングにより形成された共振面を備え」る「レーザチップ」であるから、本願発明と同様に「前記レーザ導波路が、レーザミラーを形成する少なくとも１つのエッチングされたレーザファセットを有」するものといえる。
（５）以上のことから，両者は、
「長さＩｓおよび幅ｂｓの基板と、
　前記基板上の、エピタキシャル成長されるＩｎＧａＡｌＮに基づく半導体と、
　前記半導体に形成される長さＩｃの共振器を有する少なくとも１つのレーザ導波路と、を備え、
　前記レーザ導波路が、レーザミラーを形成する少なくとも１つのエッチングされたレーザファセットを有する、チップ。」の点で一致する。
（６）一方、両者は、次の点で相違する。
　本願発明では、「前記レーザ導波路が幅ｗＩのレーザ強度分布を有するとともに、この強度分布が前記レーザ導波路の中心で高く、前記レーザ導波路の両側に向けて低下し、
　Ｉｃは、次の不等式：ｅｘｐ（−Ｄ×ｗＩ×Ｉｃ）＞０．５０を満足するように選択され、
　Ｄは、レーザ導波路の共振器を形成する半導体の活性層における欠陥密度を指定する」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
（１）まず、「レーザ強度分布」について検討する。
　引用発明の「レーザチップ」は、「ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型閉じこめ層と、ｎ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ＩｎＧａＮよりなる活性層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光ガイド層と、ｐ型ＡｌＧａＮよりなる光閉じこめ層と、ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とを積層し」、「ｐ型コンタクト層にｐ電極を…ストライプ形状で…形成」したものである。
　一方、本願明細書の【００２５】には、図１Ａから図１Ｃを参照して、「少なくとも下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を備え」、「上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成」した「半導体レーザ構造１４」が記載され、本願明細書の【００２９】には、「レーザ強度分布」について、「中心で高く、側部に向かって減少する。一般に、レーザ強度分布は、ガウス分布によって適切に記載され得る。実際の目的のために、ｗＩはここでは強度がその中心値の１／ｅ３まで減少される点の間の幅として定義される。」と記載されている。
　ここで、引用発明の「（ストライプ形状の）ｐ電極」は、本願の上記「リッジ構造３２」に相当するものと認められ、本願の上記「半導体レーザ構造１４」において、「レーザ強度分布」が、記載されるように「中心で高く、側部に向かって減少する」ものであり、また、「ガウス分布によって適切に記載され得る」ものであることを考えれば、本願の上記「半導体レーザ構造１４」と同様の構造を有し、「単一モードのレーザ光が得られる」引用発明のレーザチップにおいても、そのレーザ強度分布は、「中心で高く、側部に向かって減少する」ものであり、「ガウス分布によって適切に記載され得る」ものと推認されるから、引用発明も本願発明と同様に「レーザ導波路が幅ｗＩのレーザ強度分布を有するとともに、この強度分布が前記レーザ導波路の中心で高く、前記レーザ導波路の両側に向けて低下」するものであると認められる。
　したがって、レーザ強度分布は、本願発明と引用発明の格別の相違点とはいえない。
（２）次に、本願発明において、共振器の長さＩｃがｅｘｐ（−Ｄ×ｗＩ×Ｉｃ）＞０．５０を満足するものとされている点について検討する。
　本願明細書の【００１２】に記載されるように「ＧａＡｓ基板およびＩｎＰ基板」のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体では、約１０２ｃｍ−２の欠陥密度の基板が利用可能であるのに対し、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体といっても、ＩｎＧａＡｌＮレーザに利用可能な基板は、レーザ活性材料層において異常に高い欠陥密度を生じ、最高品質のＧａＮ基板が用いられる場合であっても、レーザ活性層は、約１０５ｃｍ−２の欠陥密度を呈するものであるところ、引用例２には、上記３．（２）アのごとく、結晶欠陥の存在による不良品の発生率を小さくして、歩留りの向上をはかるために、「活性層２に相当する半導体層の非発光再結合促進欠陥運動の核となる結晶欠陥の密度がｎnr cm -2であり、上記結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子を得る目標とする割合をＲ〔％〕（すなわちＲ＝｛結晶欠陥を全く含まない半導体発光素子の数／作製した半導体発光素子の総数｝×１００）とするとき、この半導体発光素子１の電流注入領域の面積Ｓを、次の（数１）の範囲に選定する。
【００１０】
【数１】Ｓ≦ｌｎ（１００／Ｒ）／ｎnr cm2　」と記載されている。
　ここで、引用例２の「ｎnr 」は、本願発明における「Ｄ」に相当するところであり、また、「Ｒ」は、上記３．（２）オに記載されるように歩留りのことであり、引用例２では、上記３．（２）ウのように「３０％以上であれば、・・・実用化できる歩留りとなる」と記載されているが、歩留まりは、３０％以上より５０％を超える方が望ましいことが明らかであるから、引用例２には、電流注入領域の面積Ｓを
　Ｓ＜ｌｎ（１００／５０）／Ｄ　を満たすようにすることが記載ないし示唆されているものと認められる。
　ここで、電流注入領域の面積Ｓは、上記３．（２）エに記載されるようにストライプ状の電流注入領域の幅をＷ、長さをＬとするときＳ＝Ｗ×Ｌであるが、電流注入領域の長さＬは、本願発明でいうレーザ導波路の共振器の長さＩｃ に相当するものと認められ、また、半導体レーザは、活性層の電流が流れる部位において発光が生じるものであるから、電流注入領域の幅Ｗとレーザ強度分布の幅ｗｉには対応関係があり、Ｗ≒ｗｉといって差し支えのないものであると認められる。
　してみると、引用例２に記載されるごとく、Ｓ＝Ｗ×Ｉｃ ＜ｌｎ（１００／５０）／Ｄを満たすようなＩｃ を選択するに際して、ｗｉ＜Ｗであれば、ｗｉ×Ｉｃ ＜ｌｎ（１００／５０）／Ｄとなることが理解されるところであり、また、Ｗ＜ｗｉ であったとしても、Ｗ≒ｗｉ　であるから、ｗｉ×Ｉｃ ＜ｌｎ（１００／５０）／Ｄを満たす程度に小さいＩｃ を採用することに格別の困難性は認められない。
　そして、Ｉｃ がｗｉ×Ｉｃ ＜ｌｎ（１００／５０）／Ｄを満たすということは、Ｉｃがｅｘｐ（−Ｄ×ｗＩ×Ｉｃ）＞０．５０を満足するということに外ならない。
（３）したがって、上記相違点に係る本願発明の構成は、引用発明において、結晶欠陥の存在による不良品の発生率を小さくして、歩留りの向上をはかるという引用例２に記載される技術事項を適用することにより、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明によって、当業者が予期し得ない格別顕著な効果が奏されるとは認められない。
　
６．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。