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　特願２０１３−５３３６２６「高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２１日国際公開、ＷＯ２０１３／０３８９６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１２年９月５日（優先権主張　２０１１年９月１４日（以下、「優先日」という。）日本国（ＪＰ））を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月８日付けで手続補正書及び上申書が提出され、平成２６年８月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月６日付けで拒絶査定がされ、平成２７年２月１７日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に、手続補正書及び請求理由を補充する手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２７年２月１７日付けの補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年２月１７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成２７年２月１７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を、以下に示すように補正することを含むものである。（下線部は補正箇所で請求人が付記したものである。）
　
（本件補正前）
「【請求項１】
　Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｃ２ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の直径０．０８μｍ以上のパーティクルの数が、３００ｍｍウエハ上で平均５０個以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。」
　
（本件補正後）
「【請求項１】
　
カーボンルツボ内に、純度が６Ｎ以上である高純度銅と純度が５Ｎ以上のマンガンを入れて溶解するか、又は予め純度が６Ｎ以上である高純度銅をカーボンルツボ内で溶解し、これに４Ｎ以上の純度を有するマンガンを添加した、
　
２．補正の目的要件 
　本件補正は、補正前の請求項１に「カーボンルツボ内に、純度が６Ｎ以上である高純度銅と純度が５Ｎ以上のマンガンを入れて溶解するか、又は予め純度が６Ｎ以上である高純度銅をカーボンルツボ内で溶解し、これに４Ｎ以上の純度を有するマンガンを添加した、」とする補正事項を付加するものであり、これは「高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」の製造方法を特定するものといえる。
　ここで、特許法第１７条の２第５項第２号は、「特許請求の範囲の減縮」について、括弧書きで「（第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」と定めているから、『同号の事項を目的とする補正とは，特許請求の範囲を減縮するだけでなく，発明を特定するために必要な事項を限定するものでなければならないと解される。また，「発明を特定するために必要な事項」とは，特許法「第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項」とあることから，特許請求の範囲中の事項であって特許を受けようとする発明を特定している事項であると解される。』（平成２０年２月２７日判決言渡　平成１９年（行ケ）第１００５５号）ところ、
　本件補正前の請求項１には、「製造方法」を特定する事項は存在しないから、本件補正は「特許請求の範囲中の事項であって特許を受けようとする発明を特定している事項」に対するものとはいえない。
　そうすると、このような補正を含む本件補正は、上記規定による特許請求の範囲の減縮を目的とするものとはいえない。
　また、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の第１、３、４号に規定する請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものともいえない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．補正発明の独立特許要件
　上記のように本件補正は却下すべきものであるが、以下、予備的に、本件補正が特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものとした場合に、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下、「補正発明」という。上記「１．（本件補正後）」を参照。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
　あ）補正発明の「当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の、直径０．０８μｍ以上のパーティクルの数が、３００ｍｍウエハ上で平均５０個以下である」という特定事項について、原査定の理由３（特許法第３６条第６項第２号）において、「スパッタリング」による「パーティクル」の発生はスパッタリング条件に依存するところ、スパッタリング条件が示されておらず、「スパッタリング」を行うと上記特定事項のような「パーティクル」の発生する「高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」がどのようなものであるのか明らかでないから、明確であるとはいえない旨が指摘されている。
　い）この点で審判請求人は、請求理由を補充する手続補正書の「３．（本願発明の新規性及び進歩性の説明）　９）」において「パーティクル発生数は機器によっても影響を受けますが、通常のスパッタリング条件で実施できる機器とターゲットであれば、大きな変動はありません。」と主張するが、
例えば、以下の文献Ａに「パーティクル発生の原因となるノジュールを減らすためにスパッタリング操作条件の調整・・・の努力が重ねられてきた」（【0004】）と記載され、同文献Ｂに「スパッタリングの際の投入電力が低いと生産性が低下するとともにターゲットの表面に酸化物が生成し、パーティクル等の異物が発生しやすくなる。また、投入電力を上げすぎると異常放電等が起きやすくなる。」（【0018】）と記載されるように、「パーティクル」の発生はスパッタリング条件に依存することは周知の技術的事項であることが、当業者にとって明らかである。
　う）すると、上記主張は採用できず、補正発明は明確であるとはいえない。
　文献Ａ：特開２０００−２３９８３６号公報【0004】
　文献Ｂ：特開２０１０−２４８６１９号公報【0018】
　
　したがって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は特許法第３６条第６項第２号の規定に適合せず、補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
４．補正の却下の決定のむすび
　本件補正は、上記「２．」に示すとおり、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　また、仮に、本件補正が、同法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものとしても、上記「３．」に示すとおり、同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、その請求項１ないし４に係る発明は、平成２６年９月２２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は、上記「第２　１．（本件補正前）」に示したとおりの、　
「【請求項１】
　Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｃ２ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の直径０．０８μｍ以上のパーティクルの数が、３００ｍｍウエハ上で平均５０個以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。」である（以下、「本願発明」という。）。
　
２．原査定の拒絶の理由
　原査定は、「この出願については、平成２６年８月２７日付け拒絶理由通知書に記載した理由１−３によって、拒絶をすべきものです。」というものである。
　理由１は、本願発明は、その出願の優先日前に日本国内において頒布された引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に
該当し、特許を受けることができないとするものを含み、
　理由２は、本願発明は、その出願の優先日前に日本国内において頒布された引用文献１に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとするものを含み、
　理由３は、この出願は、特許請求の範囲の請求項１の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとするものを含む。
　そして、引用文献１は特開２００７−５１３５１号公報である。
　
３．当審の判断
　当審は、原査定の拒絶の理由のとおり、本願は、拒絶すべきものと判断する。
　その理由は以下のとおりである。
　
３−１．理由３について
　本願発明もまた補正発明と同様に「当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の、直径０．０８μｍ以上のパーティクルの数が、３００ｍｍウエハ上で平均５０個以下である」という特定事項を有するものである。
　よって、上記「第２　３．」に補正発明について記載した理由と同様の理由によって、本願発明は明確でなく、特許請求の範囲の請求項１の記載は特許法第３６条第６項第２号の規定に適合していない。
　
３−２．理由１、２について
３−２−１．引用文献１の記載事項
　ア）【請求項１】
「Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、前記不純物は、金属系不純物が４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が１０ｐｐｍ以下、窒素が５ｐｐｍ以下、水素が５ｐｐｍ以下、炭素が１０ｐｐｍ以下に規制された銅合金からなることを特徴とするパーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。」
　イ）【0005】
「そこで、本発明者等は、スパッタリングに際してパーティクルの発生が少ないＭｎ含有銅合金ターゲットを得るべく研究を行った。その結果、
（イ）Ｍｎ：０．６〜３０質量％を含有し、残部がＣｕおよび不純物からなる成分組成のＭｎ含有銅合金ターゲットを用いてスパッタリングすることによりＭｎ含有銅合金膜を形成する際に、前記Ｍｎ含有銅合金ターゲットに含まれる不純物の量が少ないほどパーティクルの発生を少なく抑えることができ、その不純物として含まれる金属系不純物を合計で４０ｐｐｍ以下となるように極めて少なくし、さらに酸素を１０ｐｐｍ以下、窒素を５ｐｐｍ以下、水素を５ｐｐｍ以下、炭素を１０ｐｐｍ以下に少なくすると、スパッタリングに際して発生するパーティクルの数が激減する、・・・」
　ウ）【0007】
「この発明のＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲットを製造するには、純度：９９．９９９９％以上の高純度電解銅に純度：９９．９％以上の高純度電解Ｍｎを添加して、不活性ガス雰囲気中の高純度グラファイトモールド内にて高周波溶解することによりＭｎ含有銅合金インゴットを作製し、このインゴットを熱間加工終了温度が４５０℃以上となるように熱間加工して熱間加工材を作製し、さらに必要に応じてこの熱間加工材を水冷したのちその表面を厚さ：０．２ｍｍ以上に渡って除去し、ついて冷間加工と焼鈍を繰り返し行い、最後に焼鈍することにより得ることができる。」
　エ）【0009】
「（ｂ）不純物
Ｍｎ含有銅合金ターゲットを用いてスパッタリングする際に発生するパーティクルの数は、Ｍｎ含有銅合金ターゲットに含まれる不純物の含有量を減らすほどパーティクルの発生を抑えることができ、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｐｂ、Ｃｏ，Ｍｇ，Ｚｎなどの金属系不純物が合計で４０ｐｐｍを越え、さらに酸素、窒素、水素、炭素などの非金属系不純物が酸素：１０ｐｐｍ越え、窒素：５ｐｐｍ越え、水素：５ｐｐｍ越え、炭素：１０ｐｐｍ越えるようになるとパーティクルの発生数が急激に増加する。したがって、この発明のＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲットに含まれる不純物を金属系不純物が合計で４０ｐｐｍ以下であり、かつ酸素が１０ｐｐｍ以下、窒素が５ｐｐｍ以下、水素が５ｐｐｍ以下、炭素が１０ｐｐｍ以下に定めた。」
　オ）【0013】
「本発明ターゲット１〜８、比較ターゲット１〜６および従来ターゲットを純アルミニウム製バッキングプレートにＨＩＰ接合して得られたバッキングプレート付きターゲットを用い、
  電源：交流方式、
  電力：４ＫＷ、
  雰囲気ガス組成：Ａｒ、
  スパッタガス圧：１Ｐａ、
  ターゲットと基体との距離：８０mm、
  スパッタ時間：５分、
の高出力条件でＳｉＯ２などの絶縁膜を被覆した基板の上に薄膜を形成した。この時発生したパーティクルの数をパーティクルカウンターにより測定し、その結果を表１に示した。」
　カ）【表１】（【0014】）
　
　
３−２−２．引用文献１に記載された発明
　引用文献１の記載事項オ）カ）には、同ア）に記載の「パーティクル発生の少ないＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット」の実施例として、「本発明ターゲット２」に、「Ｍｎ」を「２質量％」含み、「残部」が「Ｃｕおよび不純物」からなる組成を有し、前記「不純物」は、「金属系不純物」が「３ｐｐｍ」、かつ「酸素」が「０．８ｐｐｍ」、「窒素」が「２ｐｐｍ未満」、「水素」が「０．２ｐｐｍ未満」、「炭素」が「０．６ｐｐｍ」に規制された銅合金からなり、交流方式のスパッタリングで、「パーティクル発生数」が「４個」の「Ｍｎ含有銅合金スパッタリングターゲット」が記載されている。
　すると、引用文献１には、
「Ｍｎ：２質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、前記不純物は、金属系不純物が３ｐｐｍ、かつ酸素が０．８ｐｐｍ、窒素が２ｐｐｍ未満、水素が０．２ｐｐｍ未満、炭素が０．６ｐｐｍに規制された銅合金からなるパーティクル発生数が４個のＭｎ含有銅合金スパッタリングターゲット。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
３−２−３．本願発明と引用発明との対比
　ａ）本願発明の「高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」は、「高純度銅」の合金でなるものであり、本願明細書【0002】【0018】や実施例の記載からは、「純度が６Ｎ以上である高純度銅」を原料とすることで、同【0015】から不純物を「できるだけ低減」して、スパッタリングの際のパーティクルの発生を抑制したものを含むものといえる。
　これに対して、引用発明の「Ｍｎ含有銅合金スパッタリングターゲット」は、引用文献１の記載事項ウ）から、「純度：９９．９９９９％以上の高純度電解銅」すなわち純度が６Ｎ以上の高純度電解銅を原料とすることで、同イ）から、「不純物の量」を「少なく」して、スパッタリングの際の「パーティクルの発生を少なく抑える」ものといえる。
　すると、引用発明の「Ｍｎ含有銅合金スパッタリングターゲット」は本願発明の「高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」に相当するものといえる。
　ｂ）引用文献１の記載事項エ）から、引用発明の「不純物」である「金属系不純物が３ｐｐｍ、かつ酸素が０．８ｐｐｍ、窒素が２ｐｐｍ未満、水素が０．２ｐｐｍ未満」は、本願発明の「不可避的不純物」と言い得る。
　ｃ）すると、本願発明の「Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有し、Ｃ２ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物」である「ターゲット」と、引用発明の「Ｍｎ：２質量％を含み、残部がＣｕおよび不純物からなる組成を有し、前記不純物は、金属系不純物が３ｐｐｍ、かつ酸素が０．８ｐｐｍ、窒素が２ｐｐｍ未満、水素が０．２ｐｐｍ未満、炭素が０．６ｐｐｍに規制」された「ターゲット」とは、「Ｍｎ２ｗｔ％を含有し、Ｃ０．６ｗｔｐｐｍ、残部がＣｕ及び不可避的不純物」である「ターゲット」である点で一致する。
　ｄ）以上から、本願発明と引用発明とは、
「Ｍｎ２ｗｔ％を含有し、Ｃ０．６ｗｔｐｐｍ、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
（相違点）
「パーティクル」について、本願発明では「当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の直径０．０８μｍ以上のパーティクルの数が、３００ｍｍウエハ上で平均５０個以下である」（以下、「特定事項Ａ」という。）のに対して、引用発明では「パーティクル発生数」が「４個」であるものの、パーティクルを形成する元素、大きさは不明であり、さらに両者のスパッタリング条件が対比できない点。
　
３−２−４．相違点の検討
　（１）上記「３−１．理由３」（「第２　３．」）で指摘したように、本願発明では、「当該ターゲットをスパッタリング」した際のスパッタリング条件が特定されていない。そこで、本願明細書を参酌し、本願発明と引用発明との「パーティクル」の発生状況についての比較を試みるに、本願明細書【0030】には「高純度銅合金スパッタリングターゲットの評価として、３００ｍｍの単結晶シリコンウエハ上に酸化シリコンを被覆させた後、下記スパッタリング条件で、厚さ６００ｎｍの薄膜を成膜し、その際に発生したパーティクルを調べた。パーティクルは、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社のパーティクルカウンターを用いてウエハ面を計測し、ウエハ２０枚の平均値とした。スパッタリングを実施したパーティクル（０．２０μｍ以上、０．０８μｍ以上のパーティクル）の発生率を比較した結果を、表１に示す。
（スパッタリング条件）  
   装置：Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社製  Ｅｎｄｕｒａ
   電源：直流方式
   電力：４０ｋＷ
   到達真空度：５×１０−６Ｐａ
   雰囲気ガス組成：Ａｒ
   スパッタガス圧：５５Ｐａ
   スパッタ時間：６秒」とスパッタリング条件が記載され、引用文献１の記載事項オ）に記載された条件を比較すると、両者が相違することは明らかであるので、本願発明と引用発明のパーティクルの発生状況は直接比較できないものと認められる。
　（２）そこで、引用発明を本願発明と同一条件でスパッタリングした場合について検討するに、本願明細書には、例えば以下のａ）ｂ）のように記載されている。
　ａ）「本発明者らは鋭意研究を行った結果、パーティクルの主要成分がカーボンであり、ターゲット中に含有するカーボンの量はパーティクルの数と相関関係があることを見出した。そして、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、前記カーボンの量を制限することにより、スパッタリング時に発生するパーティクルの量を著しく低減できる、半導体用銅合金配線を形成するために有用な高純度銅合金スパッタリングターゲットを得ることができるとの知見を得た。」（【0010】）
　ｂ）「高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットに含まれるＣ（カーボン）含有量は２ｗｔｐｐｍ以下、さらに好ましくは１ｗｔｐｐｍ以下とするのがよい。ターゲットに含まれる不純物はパーティクル発生の原因となるので、できるだけ低減することが望ましい。特に、Ｃ（カーボン）は、高純度銅マンガン合金ターゲットのスパッタリング時に発生するパーティクルに直接影響するので、十分な管理が必要である。」（【0015】）
　これらの記載によれば、上記ａ）には、「高純度銅合金スパッタリングターゲット」において、「適切な量のＭｎ元素」の「添加」のもとに、「カーボンの量を制限する」と、「スパッタリング時に発生するパーティクルの量を著しく低減できる」ことが示され、上記ｂ）には当該「カーボン」が「パーティクルに直接影響する」ので「Ｃ（カーボン）含有量は２ｗｔｐｐｍ以下」とするべきであるという知見が示されているといえるものであり、【表１】（【0031】）、【0032】〜【0034】には当該知見を裏付ける実験データが示されているものといえる。
　すると、本願発明では、適切な量のＭｎ（０．０５−２０ｗｔ％）の添加のもとに、カーボン量が「２ｗｔｐｐｍ」以下になると「パーティクル」数が著しく減少するものといえる。
　したがって、上記のような本願明細書の記載を鑑みれば、本願発明の上記特定事項Ａは、「Ｍｎ０．０５〜２０ｗｔ％を含有した高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」において、カーボンの量を「２ｗｔｐｐｍ以下」とすることにより、達成できるものといえる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、Ｍｎ含有量及びカーボン含有量において、相違がなく、「Ｍｎ２ｗｔ％を含有し、Ｃ０．６ｗｔｐｐｍ、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット」である点で一致するのだから、引用発明の「ターゲット」も本願発明の実施例のスパッタリング条件において上記特定事項Ａを満たすものといえる。
　仮に、そうでないとしても、引用文献１には、記載事項イ）に本願の上記ａ）ｂ）と同様にＭｎ含有銅合金ターゲットに含まれる炭素の量が少ないほどパーティクルの発生を少なく抑えることができる旨記載されていることから、さらに炭素量を低減することなどにより、上記特定事項Ａを満たすものを得ることは当業者が容易に成し得ることである。
　
３−２−５．理由１，２についての結言
　よって、上記相違点は実質的なものでないか、仮に実質的なものであったとしても、引用文献１の記載に基づいて当業者が容易に成し得る範囲内のものである。
４．むすび
　以上から、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合せず、また、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない、あるいは、当該発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に記載された発明に言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。