Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月31日(2020.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２Ｄ平面ビデオを符号化したビットストリームを受信するステップであって、前記ビットストリームは、投影形状フォーマットを識別するパラメータを含む、ステップと、
前記２Ｄ平面ビデオ内の現在ピクチャについての第１の投影形状フォーマットを識別するステップと、
前記現在ピクチャの少なくとも１つの基準ピクチャについての第２の投影形状フォーマットを識別するステップと、
前記基準ピクチャの投影形状を前記現在ピクチャの投影形状に整列するよう形状変換を実行するステップと、
前記整列された基準ピクチャを使用して、前記現在ピクチャのインター予測を実行するステップと、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記識別された投影形状フォーマットを使用して、前記現在ピクチャを３６０度ビデオにマッピングするステップを更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記現在ピクチャの前記インター予測は、時間的動き補償された予測である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
動き補償された予測において１つよりも多い時間的基準ピクチャが使用され、形状変換は、前記現在ピクチャの全ての基準ピクチャに対して実行される、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記時間的動き補償された予測は、アフィン動きモデルを使用する、ことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記現在ピクチャの前記インター予測は、インターレイヤ予測である、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記投影形状フォーマットを識別する前記パラメータは、エクイレクタングラ、キューブマップ、正積、八面体、二十面体、円筒、及びユーザにより指定された多角形のうちの１つまたは複数から選択された形状タイプを識別する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記識別された投影形状フォーマットは、複数の面を有し、前記投影形状フォーマットを識別する前記パラメータは、面の数のインジケーションを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記識別された投影形状フォーマットは、複数の面を有し、前記投影形状フォーマットを識別する前記パラメータは、前記２Ｄ平面ビデオ内の前記面の配列を識別するフレームパッキングパラメータを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記識別された投影形状フォーマットは、複数の面を有し、前記ビットストリームは、前記２Ｄ平面ビデオ内の前記面の品質レベルを識別するパラメータを更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記投影形状フォーマットは、投影形状の形状方位を含み、前記投影形状フォーマットを識別する前記パラメータは、前記形状方位を識別するパラメータを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記形状方位を識別する前記パラメータは、ヨーパラメータ、ピッチパラメータ、及びロールパラメータのうちの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
２Ｄ平面ビデオとして符号化したビットストリームを受信することであって、前記ビットストリームは、投影形状フォーマットを識別するパラメータを含む、ことと、
前記２Ｄ平面ビデオ内の現在ピクチャについての第１の投影形状フォーマットを識別することと、
前記現在ピクチャの少なくとも１つの基準ピクチャについての第２の投影形状フォーマットを識別することと、
前記基準ピクチャの投影形状を前記現在ピクチャの投影形状に整列するよう形状変換を実行することと、
前記整列された基準ピクチャを使用して、前記現在ピクチャのインター予測を実行することと、
を少なくとも実行するように構成されたプロセッサを備えたことを特徴とする装置。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記識別された投影形状フォーマットを使用して、前記現在ピクチャの３６０度ビデオへのマッピングを実行するように更に構成されている、ことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記投影形状フォーマットを識別する前記パラメータは、エクイレクタングラ、キューブマップ、正積、八面体、二十面体、円筒、及びユーザにより指定された多角形のうちの１つまたは複数から選択された形状タイプを識別する、ことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月7日(2020.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトランスデューサ要素とフレックス回路とを備えており、
前記フレックス回路は、
第１の表面と、前記第１の表面の反対側の第２の表面とを有する絶縁層と；
前記絶縁層の前記第１の表面の複数の第１の導電性パッドと、ここで前記複数の第１の導電性パッドの各々は対応するトランスデューサ要素に電気的に結合され、かつ接触しており；
前記絶縁層の前記第１の表面における複数の導電性配線と、ここで導電性配線の各々は対応する第１の導電性パッドに電気的に結合されており、
前記絶縁層の前記第２の表面の複数の第２の導電性パッドと、ここで、前記複数の第２の導電性パッドの各々は、対応する第１の導電性パッドに電気的に結合されており、さらに対応する前記第１の導電性パッドに電気的に結合され、かつ接触している対応する前記トランスデューサ要素に電気的に結合され、かつ接触しており、
ここで、前記第１の導電性パッド及び前記第２の導電性パッドの各々は、前記導電性配線の幅よりも大きい幅を有しており、
ここで、前記第１の導電性パッドは、対応する前記第１の導電性パッド及び前記第２の導電性パッドを貫通して形成されている導電性ビアにより、対応する第２の導電性パッドに電気的に結合されており、
を含んでいる
超音波トランスデューサ。
【請求項２】
前記複数の第１の導電性パッド及び前記複数の第２の導電性パッドは、それぞれ前記複数のトランスデューサ要素に取り付けられている
請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項３】
前記複数のトランスデューサ要素の上に配置されており、かつそれに取り付けられた音響整合層をさらに備えている
請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項４】
前記絶縁層はポリイミドを含んでいる
請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項５】
第１の表面と前記第１の表面とは反対側の第２の表面とを有する絶縁層と；
前記絶縁層の前記第１の表面の複数の導電性配線と、ここで前記導電性配線の各々は第１の幅を有しており、；
前記絶縁層の前記第１の表面の複数の第１の導電性パッドと、ここで前記第１の導電性パッドの各々は対応する導電性配線に電気的に結合されており、前記第１の導電性パッドの各々は前記導電性配線の前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有しており、；
前記絶縁層の前記第２の表面の複数の第２の導電性パッドと；
複数の導電性ビアと、ここで前記導電性ビアの各々は、対応する第１の導電性パッド、前記絶縁層および対応する第２の導電性パッドを貫通して延在していて、前記導電性ビアの各々は、対応する前記第１の導電性パッドと前記第２の導電性パッドとを互いに電気的に結合させるようになっており、
複数のトランスデューサ要素と、ここで、前記トランスデューサ要素の各々は、対応する第１の導電性パッド及び対応する第２の導電性パッドと電気的に結合され、かつ接触しており、
を含んでいるフレックス回路を備えている
超音波トランスデューサ。
【請求項６】
前記トランスデューサ要素の各々は、対応する前記第１の導電性パッドと前記第２の導電性パッドとに取り付けられている
請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項７】
前記複数のトランスデューサ要素上に配置されており、かつそれに取り付けられた音響整合層をさらに備えている
請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項８】
前記絶縁層はポリイミドを含む
請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項９】
絶縁層の第１の表面に複数の導電性配線を形成するステップと；
前記絶縁層の前記第１の表面に複数の第１の導電性パッドを形成するステップと、ここで前記第１の導電性配線の各々は対応する第１の導電性パッドに電気的に結合されており、前記第１の導電性パッドの各々は前記導電性配線の幅よりも大きい第１の幅を有しており、；
前記絶縁層の第２の表面に複数の第２の導電性パッドを形成するステップと、ここで前記第２の表面は前記第１の表面の反対側であり、前記第２の導電性パッドの各々は前記導電性配線の幅よりも大きい第２の幅を有しており、；
複数の導電性ビアを形成することにより、前記第１の導電性パッドの各々を対応する第２の導電性パッドに電気的に結合させるステップと、ここで前記導電性ビアの各々は対応する第１の導電性パッド、前記絶縁層及び対応する第２の導電性パッドを貫通して延びており、；
対応する第１の導電性パッド及び対応する第２の導電性パッドを、対応する超音波トランスデューサ要素に電気的に結合させるステップと、ここで、対応する前記第１の導電性パッド及び前記第２の導電性パッドは、対応する前記超音波トランスデューサ要素と接触しており、
を備えている
方法。    
【請求項１０】
前記複数の第１の導電性パッドを形成するステップは、
導電性バスを前記絶縁層の前記第１の表面に取り付けるステップと、ここで前記第１の導電性配線の各々は前記導電性バスの対応する部分に結合されており；
前記導電性バスをダイシングして前記複数の第１の導電性パッドを形成するステップとを含んでいる
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数の第２の導電性パッドを形成するステップは、
導電性バスを前記絶縁層の前記第２の表面に取り付けるステップと；
前記導電性バスをダイシングして前記複数の第２の導電性パッドを形成するステップとを含んでいる
請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の第１の導電性パッドを形成するステップは、前記絶縁層の前記第１の表面に第１の導電性バスを取り付けるステップと、前記第１の導電性バスをダイシングするステップとを含んでおり、
前記複数の第２の導電性パッドを形成するステップは、前記絶縁層の前記第２の表面に第２の導電性バスを取り付けるステップと、前記第２の導電性バスをダイシングするステップとを含んでいる
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
対応する前記超音波トランスデューサ要素に音響整合層を形成するステップをさらに備えている
請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
圧電材料のブロックを前記複数の第１の導電性パッドおよび前記複数の第２の導電性パッドに取り付けるステップと；
前記圧電材料のブロックをダイシングして複数の超音波トランスデューサ要素を形成するステップとをさらに備えている
請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の導電性パッドは、前記第１の導電性パッドとは異なる形状を有している
請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１６】
前記第２の導電性パッドの各々は、前記導電性配線の前記第１の幅よりも大きい第３の幅を有している
請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項１７】
前記第２の導電性パッドは、前記第１の導電性パッドとは異なる形状を有している
請求項５に記載の超音波トランスデューサ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月17日(2020.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの骨伝導要素（１２）を含む骨伝導装置（１０）と、
前記骨伝導装置（１０）が結合されたウェアラブル装置（１６）であって、複数の支持軸に沿って前記少なくとも１つの骨伝導要素（１２）を安定させるウェアラブル装置（１６）と、
を備える、骨伝導通信システム（５）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの骨伝導要素（１２）は、前記ウェアラブル装置（１６）の第１の位置に結合された第１の骨伝導要素（１２ａ）と、前記ウェアラブル装置（１６）の第２の位置に結合された第２の骨伝導要素（１２ｂ）とを含む、請求項１に記載の骨伝導通信システム（５）。
【請求項３】
前記ウェアラブル装置（１６）は呼吸マスクである、請求項２に記載の骨伝導通信システム（５）。
【請求項４】
前記ウェアラブル装置（１６）は、面体（２０）と、前記面体（２０）に結合された通信コントローラハウジング（２２）とをさらに含み、前記通信コントローラハウジング（２２）は通信コントローラ（６２）を含み、前記通信コントローラ（６２）は、
プロセッサ（１４０）及びメモリ（１４２）を有する処理回路（１３８）と、
通信ユニット（１４４）を有する通信コントローラトランシーバ（１２６）と、
を備え、
前記通信コントローラ（６２）は前記骨伝導装置（１０）と電気的に通信する、請求項１に記載の骨伝導通信システム（５）。
【請求項５】
ウェアラブル装置（１６）、第１の骨伝導要素（１２ａ）、第２の骨伝導要素（１２ｂ）、及びバンド（３６）を備える骨伝導通信システム（５）であって、
前記ウェアラブル装置（１６）は、前記ウェアラブル装置（１６）の第１の側に第１のストラップ結合要素（４０ａ）を、前記ウェアラブル装置（１６）の第２の側に第２のストラップ結合要素（４０ｂ）を有し、
前記第１の骨伝導要素（１２ａ）は、
第１の骨伝導トランスデューサ（９８）と、
プロセッサ（１３０）およびメモリ（１３２）を有し、前記第１の骨伝導トランスデューサ（９８）と電気的に通信する第１の処理回路（１２８）と、
通信ユニット（１２２）を有し、前記第１の骨伝導トランスデューサ（９８）が第１の処理回路（１２８）と通信する第１のトランシーバ（１２０）と、
前記第１のトランシーバ（１２０）及び前記第１の骨伝導トランスデューサ（９８）と通信する第１の増幅器（１３４）と、
前記第１の増幅器（１３４）、前記第１のトランシーバ（１２０）、及び前記第１の処理回路（１２８）と通信する第１の電源（１３６）と、
を含み、
前記第２の骨伝導要素（１２ｂ）は、
第２の骨伝導トランスデューサ（９８）と、
プロセッサ（１３０）及びメモリ（１３２）を有し、前記第２の骨伝導トランスデューサ（９８）と通信する第２の処理回路（１２８）と、
通信ユニット（１２２）を有し、前記第２の処理回路（１２８）と通信する第２のトランシーバ（１２０）と、
前記第２のトランシーバ（１２０）及び前記第２の骨伝導トランスデューサ（９８）と通信する第２の増幅器（１３４）と、
前記第２の増幅器（１３４）、前記第２のトランシーバ（１２０）、及び前記第２の処理回路（１２８）と通信する第２の電源（１３６）と、
を含み、
前記バンド（３６）は、第１の端部（７４）及び前記第１の端部（７４）とは反対側にある第２の端部（７６）を有し、
前記第１の骨伝導要素（１２ａ）が前記第１の端部（７４）に位置し、前記第２の骨伝導要素（１２ｂ）が前記第２の端部（７６）に位置し、前記バンド（３６）は、前記第１の骨伝導要素（１２ａ）が前記第１のストラップ結合要素（４０ａ）に結合されるように、かつ前記第２の骨伝導要素（１２ｂ）が前記第２のストラップ結合要素（４０ｂ）に結合されるように前記ウェアラブル装置（１６）に結合されており、前記第１の骨伝導要素（１２ａ）及び前記第２の骨伝導要素（１２ｂ）がそれぞれ複数の支持軸に沿って前記バンド（３６）と前記ウェアラブル装置（１６）とによって安定化されている、骨伝導通信システム（５）。
【請求項６】
ウェアラブル装置（１６）であって、
面体（２０）と、
プロセッサ（１４０）及びメモリ（１４２）を備える処理回路（１３８）を有する通信コントローラ（６２）と、
前記面体（２０）に結合されており、少なくとも１つのストラップ結合要素（４０）を含む顔係合シール（３２）と、を含むウェアラブル装置（１６）と、
前記少なくとも１つのストラップ結合要素（４０）内にある少なくとも１つの骨伝導トランスデューサ（９８）であって、複数の支持軸に沿って前記少なくとも１つのストラップ結合要素によって安定化されており、前記通信コントローラ（６２）と電気的に通信するように構成された骨伝導トランスデューサ（９８）と、
を備える骨伝導通信システム（５）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月27日(2020.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスノードによるワイヤレス通信のための方法であって、
送信受信ポイント(TRP)へのビームフォーミングされた送信のための1つまたは複数のパラメータを識別するステップであって、前記識別するステップがTRP干渉プロファイルに基づいて基準信号を送信するためのビームを選択するステップを含む、ステップと、
前記識別されたパラメータに従ってビームフォーミングを使用して前記基準信号を送信するステップと、
前記基準信号に応答して前記TRPから、1つまたは複数の後続のビームフォーミングされた送信のための前記1つまたは複数のパラメータを調整するためのシグナリングを受信するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記1つまたは複数のパラメータが、ビーム方向、ランク、または変調およびコーディング方式(MCS)のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ビームフォーミングされた基準信号の測定信号強度に関する情報、または以前に送信されたビームフォーミングされた基準信号に対する、前記ビームフォーミングされた基準信号の測定信号強度の変化のうちの一方を、前記TRPから受信するステップと、
前記情報に少なくとも部分的に基づいて、ビーム位相調整の方向を調整するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
送信受信ポイント(TRP)によるワイヤレス通信のための方法であって、
ビームフォーミングされた送信のためのパラメータを、ワイヤレスノードに送信するステップであって、情報が、前記TRPによって推定された干渉推定情報を含む、ステップと、
ワイヤレスノードから、ビームフォーミングされた基準信号を受信するステップと、
前記ビームフォーミングされた基準信号に基づいて、後続のビームフォーミングされた送信を調整するために前記ワイヤレスノードが使用する1つまたは複数のパラメータを決定するステップと、
前記パラメータを前記ワイヤレスノードにシグナリングするステップと
を含む、方法。
【請求項５】
前記1つまたは複数のパラメータを決定するステップが、ワイヤレスノードのグループのためのビームのダウンセレクトされたセットを、前記グループ中のワイヤレスノード間の相互干渉に少なくとも部分的に基づいて生成するステップを含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
プロセッサによって実行されると、請求項１〜３または請求項４および５のいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を備えるコンピュータプログラム。
【請求項７】
ワイヤレス通信のための装置であって、
送信受信ポイント(TRP)へのビームフォーミングされた送信のための1つまたは複数のパラメータを識別するための手段であって、前記識別することがTRP干渉プロファイルに基づいて基準信号を送信するためのビームを選択することを含む、手段と、
前記識別されたパラメータに従ってビームフォーミングを使用して基準信号を送信するための手段と、
前記基準信号に応答して前記TRPから、1つまたは複数の後続のビームフォーミングされた送信のための前記1つまたは複数のパラメータを調整するためのシグナリングを受信するための手段と
を備える、装置。
【請求項８】
ワイヤレス通信のための装置であって、
ビームフォーミングされた送信のためのパラメータを、ワイヤレスノードに送信するための手段であって、情報が、TRPによって推定された干渉推定情報を含む、手段と、
ワイヤレスノードから、ビームフォーミングされた基準信号を受信するための手段と、
前記ビームフォーミングされた基準信号に基づいて、後続のビームフォーミングされた送信を調整するために前記ワイヤレスノードが使用する1つまたは複数のパラメータを決定するための手段と、
前記パラメータを前記ワイヤレスノードにシグナリングするための手段と
を備える、装置。
【請求項９】
決定するための前記手段が、ワイヤレスノードのグループのためのビームのダウンセレクトされたセットを、前記グループ中のワイヤレスノード間の相互干渉に少なくとも部分的に基づいて生成するように構成される、請求項8に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月30日(2020.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理的にクローンを作製できない関数を提供する回路であって、
当該回路への入力を受けることにより動作し、前記回路への入力に従って変化するランダム値を生成する第１の部分と、
当該回路からの出力値を生成するために前記ランダム値に暗号化関数を適用する第２の部分と、を備え、
前記ランダム値へのアクセスを防ぐために前記第１の部分は前記第２の部分を覆い、
前記第１の部分の破損は、前記第１の部分によって生成される前記ランダム値を変更する、回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路において、
前記暗号化関数は、衝突耐性を有するハッシュ関数である、回路。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の回路において、
前記第１の部分は立方体または平行六面体の表面を覆う、回路。
【請求項４】
請求項３に記載の回路において、
前記第１の部分は、前記平行六面体の各ファセットを互いに異なる方向から覆うために、前記平行六面体の周りに複数回巻き付けられている、回路。
【請求項５】
請求項１、２、３又は４に記載の回路において、
前記第２の部分からの出力は前記第１の部分と交差しない、回路。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５に記載の回路において、
前記第１の部分の上に配置された外層を更に備える、回路。
【請求項７】
請求項６に記載の回路において、
前記外層は前記第１の部分に接着されている、回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路において、
当該回路は、物理的な物品の真正性を保証するために前記物品に取り付けられている、回路。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の回路において、
当該回路は、物理的なパケットを安全にシールするために前記パケットに取り付けられている、回路。
【請求項１０】
請求項９に記載の回路において、
前記パケットの内容物は医薬品、食品又は液体である、回路。
【請求項１１】
物理的な物品であって、
当該物品の真正性を保証するために請求項１乃至７のいずれかに記載の回路が取り付けられている、物品。
【請求項１２】
物理的なパケットであって、
当該パケットを安全にシールするために請求項１乃至７のいずれかに記載の回路が取り付けられている、パケット。
【請求項１３】
請求項１２に記載のパケットにおいて、
当該パケットの内容物は医薬品、食品又は液体である、パケット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンオンインシュレータ、SOIデバイスであって、
複数のトランジスタを有する回路を含む活性層と、
前記活性層の上方のハンドル基板と、
前記活性層の下方の埋込み酸化物層であって、前記活性層に面する活性層表面、および前記活性層から離れた反対表面を有する、埋込み酸化物層と、
前記埋込み酸化物層の前記反対表面上の、前記複数のトランジスタの真下に位置する、金属層と、
前記複数のトランジスタのしきい値電圧を上げるために、前記回路のスリープ動作モードの間、正バイアス電圧で前記金属層をバイアスし、かつ前記複数のトランジスタの前記しきい値電圧を下げるために、前記回路のアクティブ動作モードの間、負バイアス電圧で前記金属層をバイアスするように構成された電力モード制御回路と
を備える、SOIデバイス。
【請求項２】
前記複数のトランジスタが、プレーナトランジスタである、請求項1に記載のSOIデバイス。
【請求項３】
前記複数のトランジスタが、フィン形電界効果トランジスタ(FinFET)である、請求項1に記載のSOIデバイス。
【請求項４】
前記埋込み酸化物層が、二酸化ケイ素埋込み酸化物層を備える、請求項1に記載のSOIデバイス。
【請求項５】
前記複数のトランジスタが、前記SOIデバイスの隣接する領域にあり、前記金属層が、前記隣接する領域の下方に位置する、請求項1に記載のSOIデバイス。
【請求項６】
前記活性層と前記ハンドル基板との間にトラップリッチ層をさらに備える、請求項1に記載のSOIデバイス。
【請求項７】
前記ハンドル基板がシリコンを含み、前記金属層がアルミニウムを含む、請求項1に記載のSOIデバイス。
【請求項８】
SOIデバイスの動作方法であって、
ハンドル基板と埋込み酸化物層との間の活性層に複数のトランジスタを含む回路のスリープモードの間、前記埋込み酸化物層の下方にありかつ前記複数のトランジスタの真下にある金属層を正電圧でバイアスすることによって、前記複数のトランジスタのしきい値電圧を上げるステップと、
前記回路のアクティブ動作モードの間、前記金属層を負電圧でバイアスして前記複数のトランジスタの前記しきい値電圧を下げるステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記アクティブ動作モードの間、前記金属層により前記複数のトランジスタから熱を伝導するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記ハンドル基板と前記活性層との間のトラップリッチ層で自由キャリアをトラップすることによって、前記ハンドル基板を前記複数のトランジスタから分離するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記金属層をバイアスするステップが、前記複数のトランジスタのチャネル領域をバイアスするステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月5日(2020.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移載先基板上にマイクロデバイスを位置決め配置するための装置であって、
移載先基板を保持するための第１の支持体と、
粘着層を受け入れる表面を有する移載体を提供又は保持するための第２の支持体と、
前記第１の支持体と前記第２の支持体との間に相対動作を提供するように構成された１つ以上のアクチュエータと、
前記移載体の前記粘着層の領域を選択的にかつマスクを使用せずに露光するように構成された照射システムと、
コントローラであって、
前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記粘着層に取り付けられた複数のマイクロデバイスを前記移載先基板に接触させ、
前記照射システムに選択的に前記粘着層の１つ以上の部分を露光させることで、１つ以上の無効化された部分を作り出し、
前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記表面と前記移載先基板が互いに離れ、前記粘着層の前記１つ以上の無効化された部分に対応する１つ以上のマイクロデバイスが前記移載先基板上に残るように構成されたコントローラとを備える装置。
【請求項２】
移載元基板を保持する第３の支持体をさらに備え、
前記１つ以上のアクチュエータは、前記第１の支持体と前記第３の支持体の間に相対動作を提供するように構成され、
前記コントローラは、前記１つ以上のアクチュエータに前記移載元基板と前記移載体の間に相対動作を生じさせることで、前記複数のマイクロデバイスが前記移載元基板上にあるときに前記移載体の前記表面の前記粘着層が前記複数のマイクロデバイスに接触して、前記複数のマイクロデバイスが前記移載体の前記粘着層に付着するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の支持体は、ロボットアームを備えて前記移載体を保持し、
前記ロボットアームは、前記第３の支持体と前記第１の支持体との間で前記移載体を移動させるように動作可能になっている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記照射システムは、個別に作動可能なミラーのアレイを有するデジタルミラーデバイスを備えている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記デジタルミラーデバイスはミラーの二次元アレイを備えている、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記デジタルミラーデバイスは、
ミラーの直線アレイと、
前記直線アレイ及び前記１つ以上の支持体の間に相対動作を生じさせるアクチュエータとを備えている、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
移載先基板上にマイクロデバイスを位置決め配置するための装置であって、
移載先基板を保持するための第１の支持体と、
粘着層を受け入れる表面を有する移載体を提供又は保持するための第２の支持体と、
前記移載体と前記第１の支持体の間に相対動作を提供するように構成された１つ以上のアクチュエータと、
光ビームを発生させる光源と、
前記光ビームを前記移載体の前記粘着層に調節可能に当てるように構成されたミラーと、
コントローラであって、
前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記移載体の前記粘着層に取り付けられた複数のマイクロデバイスを前記移載先基板に接触させ、
前記光源に前記光ビームを発生させ、前記ミラーを調整して前記光ビームを前記粘着層に当てることで、選択的に前記粘着層の１つ以上の部分を露光して１つ以上の無効化された部分を作り出し、
前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記移載体と前記移載先基板が互いに離れて、前記粘着層の前記１つ以上の無効化された部分に対応する１つ以上のマイクロデバイスが前記移載先基板上に残るように構成されたコントローラとを備える装置。
【請求項８】
前記移載体は着脱可能な移載基板を備えている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第２の支持体は、ロボットアームを備えて前記移載体を保持し、
前記ロボットアームは、移載元基板を保持するための第３の支持体と前記移載先基板を保持するための前記第１の支持体との間で前記移載体を少なくとも横方向に移動させるように動作可能である、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記ミラーは、ガルバノミラースキャナのミラーである、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
移載元基板を保持するための第３の支持体を備え、
前記１つ以上のアクチュエータは、前記第２の支持体と前記第３の支持体の間に相対動作を提供するように構成され、
前記コントローラは、前記１つ以上のアクチュエータに前記移載元基板と前記移載体の間に相対動作を生じさせることで、前記複数のマイクロデバイスが前記移載元基板上にあるときに前記移載体の前記表面の前記粘着層が前記複数のマイクロデバイスに接触して、前記複数のマイクロデバイスが前記移載体の前記粘着層に付着するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記コントローラは、前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記移載元基板から前記移載体に移載される前記複数のマイクロデバイスが、前記移載体へ移載される前記移載元基板上の全ての前記マイクロデバイスを含むように構成されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記コントローラは、前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記移載元基板から前記移載体に移載される前記複数のマイクロデバイスが、前記移載元基板上の全ての前記マイクロデバイスよりも少なくなるように構成されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記コントローラは、前記１つ以上のアクチュエータに相対動作を生じさせることで、前記移載元基板から前記移載体に移載される前記複数のマイクロデバイスが、前記複数のマイクロデバイスのみであるように構成されている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記光源は、前記１つ以上の部分を溶融するように構成されている、請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月13日(2020.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光放射を発するように適合された能動光学部品（１０）と、前記光学部品（１０）の電子駆動手段（２０）と、第１サブマウント（３０）と、第２サブマウント（４０）とを備える光パルス発生器であって、
前記光学部品（１０）は電気的接触のための接触面（１２、１４）を有し、
前記電子駆動手段（２０）は、前記光学部品（１０）をパルス状の光放射に励起するように適合され、且つ電気的接触のための接触面（２２、２４）及び電子部品を備え、
前記電子駆動手段（２０）は前記第１サブマウント（３０）上に配置され、
前記電子部品は、前記第1サブマウント（３０）の第１側面に配置され、前記電子駆動手段（２０）の前記接触面（２２、２４）は、前記第1サブマウント（３０）の前記第１側面とは反対側の第２側面に配置され、前記電子部品は、前記第１サブマウント（３０）内の導電性ビアを用いて前記電子駆動手段（２０）の前記接触面（２２、２４）に接続され、
前記光学部品（１０）は前記第２サブマウント（４０）上に配置され、
前記光学部品（１０）は、前記第１サブマウント（３０）と前記第２サブマウント（４０）との間に配置され、
前記電子駆動手段（２０）の少なくとも１つの接触面（２２、２４）は、前記光学部品（１０）の少なくとも１つの接触面（１２、１４）に、直接又ははんだ点により接続されている、
光パルス発生器。
【請求項２】
請求項１に記載の光パルス発生器であって、前記光学部品（１０）は、前記第２サブマウント（４０）の表面上の凹部内に完全に埋め込まれている、光パルス発生器。
【請求項３】
請求項１に記載の光パルス発生器であって、前記電子駆動手段（２０）の前記接触面（２２、２４）は金属製である、光パルス発生器。
【請求項４】
請求項１に記載の光パルス発生器であって、前記電子駆動手段（２０）は、前記光学部品（１０）の電子パラメタに適合された高周波パルス生成用の駆動回路である、光パルス発生器。
【請求項５】
請求項４に記載の光パルス発生器であって、前記光学部品（１０）には、前記第１サブマウント（３０）及び前記第２サブマウント（４０）を介して、又は前記第１サブマウント（３０）のみを介して電流が供給される、光パルス発生器。
【請求項６】
請求項１に記載の光パルス発生器であって、前記光学部品（１０）は前記第１サブマウント（３０）と前記第２サブマウント（４０）との間に挟着される、光パルス発生器。
【請求項７】
請求項１に記載の光パルス発生器であって、前記第１サブマウント（３０）はフレキシブル回路基板であり、前記電子駆動手段（２０）は前記学部品（１０）をパルス状の光放射に励起するための高周波回路である、光パルス発生器。
【請求項８】
請求項１に記載の光パルス発生器であって、前記電子駆動手段（２０）は、前記光学部品（１０）により発せられた放射パルスに対して、可変パルス幅変調を用いて個々のシグネチャを適用するように適合されている、光パルス発生器。
【請求項９】
請求項１〜８に記載の光パルス発生器を備える、ＬｉＤＡＲシステム。
【請求項１０】
光パルス発生器の操作方法であって、
能動光学部品（１０）を提供する工程であって、前記光学部品（１０）は電気的接触のための接触面（１２、１４）を有する、工程と、
前記光学部品（１０）の電子駆動手段（２０）を提供する工程であって、前記電子駆動手段（２０）は電気的接触のための接触面（２２、２４）及び電子部品を有する、工程と、
第１サブマウント（３０）を提供する工程であって、前記電子駆動手段（２０）は前記第１サブマウント（３０）上に配置される工程であって、前記電子部品は、前記第1サブマウント（３０）の第１側面に配置され、前記電子駆動手段（２０）の前記接触面（２２、２４）は、前記第1サブマウント（３０）の前記第１側面とは反対側の第２側面に配置され、前記電子部品は、前記第１サブマウント（３０）内の導電性ビアを用いて前記電子駆動手段（２０）の前記接触面（２２、２４）に接続される、工程と、
第２サブマウント（４０）を提供する工程であって、前記光学部品（１０）は前記第２サブマウント（４０）上に配置される、工程と、
前記光学部品（１０）を前記第１サブマウント（３０）と前記第２サブマウント（４０）との間に配置する工程であって、前記電子駆動手段（２０）の少なくとも１つの接触面（２２、２４）は、前記光学部品（１０）の前記接触面（１２、１４）に直接接続されている、工程と、
前記光学部品（１０）を前記第１サブマウント（３０）と前記第２サブマウント（４０）との間に挟着する工程と、
前記電子駆動手段（２０）により前記光学部品（１０）をパルス状の光放射に励起する工程とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月9日(2020.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０００以上の共通エミッタ電流利得を有するスーパーβＮＰＮ（ＳＢＮＰＮ）トランジスタをつくるための方法であって、
Ｐ型エピタキシャル層上にオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）層を堆積することと、
前記ＴＥＯＳ層上に窒化物層を堆積することと、
前記窒化物層と前記ＴＥＯＳ層との一部を選択的にエッチングして除くことによって前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域をパターニングすることと、
前記窒化物層の頂部上と、前記窒化物層と前記ＴＥＯＳ層との側部に沿って、前記Ｐ型エピタキシャル層の頂部上とに、第２のＴＥＯＳ層を堆積することと、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域を形成するために、前記第２のＴＥＯＳ層を介して前記Ｐ型エピタキシャル層にＮ型イオンでインプラントすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することが、前記窒化物層と前記ＴＥＯＳ層とのアンダーカット領域を充填することを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することが、低温の低堆積レートプロセスを用いて前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することが、前記インプラントすることのために均質スクリーン酸化物を堆積することを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積する前に、前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域内の前記ＴＥＯＳ層を取り除くことを更に含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記インプラントすることの前に、前記第２のＴＥＯＳ層上にフォトレジストの層を堆積することを更に含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記Ｐ型エピタキシャル層を介してＮ型イオンで前記第２のＴＥＯＳ層にインプラントすることが、ヒ素で前記Ｐ型エピタキシャル層にインプラントすることを含む、方法。
【請求項８】
１０００以上の共通エミッタ電流利得を有するスーパーβＮＰＮ（ＳＢＮＰＮ）トランジスタをつくるための方法であって、
Ｐ型エピタキシャル層上にスクリーン酸化物層と第１のオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）層と窒化物層と第１のフォトレジスト層とを堆積することと、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域を露出させるために前記第１のフォトレジスト層をパターニングすることと、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域における前記スクリーン酸化物層と前記第１のＴＥＯＳ層と前記窒化物層とをエッチングして除くことと、
前記第１のフォトレジスト層を取り除くことと、
前記ＳＢＰＮトランジスタのエミッタ領域における前記窒化物層の上と前記Ｐ型エピタキシャル層の上とに第２のＴＥＯＳ層を堆積することと、
前記第２のＴＥＯＳ層上に第２のフォトレジスト層を堆積することと、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタインプラント領域を露出させるために前記第２のフォトレジスト層をパターニングすることと、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域を形成するために前記第２のＴＥＯＳ層を介して前記Ｐ型エピタキシャル層をインプラントすることと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２のフォトレジスト層を取り除くことを更に含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域における前記第２のＴＥＯＳ層をエッチングして除くことを更に含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
エミッタポリシリコン層を堆積することを更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することが、前記窒化物層と前記第１のＴＥＯＳ層とのアンダーカット領域を充填することを含む、方法。
【請求項１３】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することが、低温の低堆積レートプロセスで前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することを含む、方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の方法であって、
前記第２のＴＥＯＳ層を堆積することが、前記インプラントすることのために均質スクリーン酸化物を堆積することを含む、方法。
【請求項１５】
１０００以上の共通エミッタ電流利得を有するスーパーβＮＰＮ（ＳＢＮＰＮ）トランジスタであって、
ベースとエミッタとコレクタとを含み、
前記エミッタが、
Ｐ型エピタキシャル層上に第１のオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）層を堆積し、
前記第１のＴＥＯＳ層上に窒化物層を堆積し、
前記窒化物層と前記第１のＴＥＯＳ層との一部を選択的にエッチングして除くことによって前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域をパターニングし、
前記窒化物層の頂部上と、前記窒化物層と前記第１のＴＥＯＳ層との側部に沿って、前記Ｐ型エピタキシャル層の頂部上とに、第２のＴＥＯＳ層を堆積し、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域を形成するために前記第２のＴＥＯＳ層を介して前記Ｐ型エピタキシャル層にインプラントする、
ことにより形成される、ＳＢＮＰＮトランジスタ。
【請求項１６】
請求項１５に記載のＳＢＮＰＮトランジスタであって、
前記Ｐ型エピタキシャル層がＮ型イオンでインプラントされる、ＳＢＮＰＮトランジスタ。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＳＢＮＰＮトランジスタであって、
前記Ｎ型イオンがヒ素を含む、ＳＢＮＰＮトランジスタ。
【請求項１８】
請求項１５に記載のＳＢＮＰＮトランジスタであって、
前記第２のＴＥＯＳ層が、低温の低堆積レートＴＥＯＳ層を含む、ＳＢＮＰＮトランジスタ。
【請求項１９】
請求項１５に記載のＳＢＮＰＮトランジスタであって、
前記エミッタがポリシリコン層を含む、ＳＢＮＰＮトランジスタ。
【請求項２０】
請求項１５に記載のＳＢＮＰＮトランジスタであって、
前記エミッタがスクリーン酸化物層を含む、ＳＢＮＰＮトランジスタ。
【請求項２１】
少なくとも１０００の共通エミッタ電流利得を有するスーパーβＮＰＮ（ＳＢＮＰＮ）トランジスタをつくるための方法であって、
Ｐ型エピタキシャル層上にオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）層を堆積することと、
前記ＴＥＯＳ層上に窒化物層を堆積することと、
前記窒化物層と前記ＴＥＯＳ層との一部を選択的にエッチングして除くことによって前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミツタ領域をパターニングすることと、
前記窒化物層の頂部上と、前記窒化物層と前記ＴＥＯＳ層との側部に沿って、前記Ｐ型エピタキシャル層の頂部上とに、第２のＴＥＯＳ層を堆積することと、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタのエミッタ領域を形成するために前記第２のＴＥＯＳ層を介してＮ型イオンで前記Ｐ型エピタキシャル層をインプラントすることと、
を含む、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、
前記ＳＢＮＰＮトランジスタが、前記ＳＢＮＰＮトランジスタのプロセステクノロジーと同じプロセステクノロジーで製造される標準のＮＰＮトランジスタよりも実質的に高い共通エミッタ利得を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
2フィンFinFETデバイスのフィンを形成する方法であって、
リソグラフィックエッチングプロセスによってマンドレルを形成するステップと、
前記マンドレルの垂直側面上に少なくとも1つの第1の側壁スペーサを形成するステップと、
前記マンドレルを除去するステップと、
前記少なくとも1つの第1の側壁スペーサの垂直側面上に少なくとも1つの第2の側壁スペーサを形成するステップと、
前記少なくとも1つの第1の側壁スペーサを除去するステップと、
前記第2の側壁スペーサの垂直側面上にFinFETデバイスのフィンを形成するステップとを含み、
前記第2の側壁スペーサの対向する垂直側面上に前記2フィンFinFETデバイスが形成される方法。
【請求項２】
前記2フィンFinFETデバイスのピッチは20nm未満である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
一対の前記2フィンFinFETデバイス間の離隔距離が、前記マンドレルの幅によって決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
互いに隣接するマンドレル間の距離によってpMOS FinFETデバイスからnMOS FinFETデバイスを分離する、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記2フィンFinFETデバイスのピッチが、側壁スペーサ幅とフィン幅によって決定される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記フィンを形成した後に前記第2の側壁スペーサを除去するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
マルチフィンデバイスを形成する方法であって、
第1のピッチおよび第1の幅を有する1つまたは複数のマンドレルを形成するステップと、
前記1つまたは複数のマンドレルの各垂直側面上に第1の側壁スペーサを形成するステップであって、前記第1の側壁スペーサの各々が第2の幅を有する、ステップと、
前記1つまたは複数のマンドレルを除去するステップと、
前記第1の側壁スペーサの垂直側面上に第2の側壁スペーサを形成するステップと、
前記第1の側壁スペーサを除去するステップと、
単一のマンドレルの前記側壁スペーサの垂直側面上にFinFETデバイスのフィンを形成することによって2フィン構造を形成するステップであって、前記単一のマンドレル上に形成された前記フィンが20nm未満のピッチを有する、ステップとを含む方法。
【請求項８】
前記マンドレルは、リソグラフィック露光およびエッチングプロセスによって形成される、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記第1の側壁スペーサ、前記第2の側壁スペーサ、および前記フィンは、材料堆積技術によって堆積される、請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
前記材料堆積技術は7nm技術である、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記第2の側壁スペーサを除去して前記フィンを残すステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１２】
前記マルチフィンデバイスは2フィンデバイスであり、前記2フィンデバイスは前記第2の側壁スペーサの1つの上に形成される、請求項7に記載の方法。
【請求項１３】
互いに隣接する2フィンデバイスは、前記マンドレルの幅に応じて分離され、
前記マルチフィンデバイスは、前記単一のマンドレルの互いに隣接する第2の側壁スペーサ上に形成された2つよりも多くのフィンを含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
第2の側壁スペーサの垂直側面上にフィンを堆積することによって形成された複数のFinFETフィンであって、前記第2の側壁スペーサが、第1の側壁スペーサの垂直側面上に形成されており、前記第1の側壁スペーサが単一のマンドレル上に形成され前記単一のマンドレルによって分離された、複数のFinFETフィンを備え、
前記複数のFinFETフィンのピッチは20nm未満である、マルチフィンFinFETデバイス。
【請求項１５】
前記複数のフィンは、1つの第2の側壁スペーサの両側に形成された2つのフィンを含む、請求項14に記載のマルチフィンFinFETデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペーサを有するゲートと、
前記スペーサに隣接する凹部を有するシリコンフィンと、
前記凹部内のn型ドープシリコンゲルマニウム層と、
前記凹部内にあり、前記n型ドープシリコンゲルマニウム層を覆うn型ドープシリコンキャップ層とを備える、n型FinFETデバイス。
【請求項２】
前記凹部が、前記スペーサの側方縁部と位置合わせされた側方縁部を有するか、または、
前記凹部が、前記スペーサの側方縁部をアンダーカットする側方縁部を有する、請求項1に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項３】
前記シリコンフィンに隣接するシャロートレンチ分離領域と、前記シリコンフィンの下に埋込み酸化物領域とをさらに備える、請求項1に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項４】
前記凹部にライニングするシリコンバッファ層をさらに備え、前記n型ドープシリコンゲルマニウム層が、前記シリコンバッファ層と前記n型ドープシリコンキャップ層との間にあり、前記シリコンバッファ層、前記n型ドープシリコンゲルマニウム層、および前記n型ドープシリコンキャップ層が全て、選択的に成長したエピタキシャル層である、請求項1に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項５】
前記n型ドープシリコンキャップ層がヒ素およびリンでドープされ、前記n型ドープシリコンゲルマニウム層がリンでドープされる、請求項4に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項６】
リンドープn型シリコンゲルマニウム層が、前記n型ドープシリコンゲルマニウム層と前記n型ドープシリコンキャップ層との間の接触面に隣接する前記n型ドープシリコンゲルマニウム層内でピークに達するドーピング射影飛程を有する、請求項5に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項７】
ヒ素ドープn型シリコンキャップ層が、前記n型ドープシリコンキャップ層内でピークに達するドーピング射影飛程を有する、請求項5に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項８】
前記凹部が丸形の底部を有する、請求項1に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項９】
前記n型ドープシリコンキャップ層に対するn型ドーパント濃度が、前記n型ドープシリコンゲルマニウム層に対するn型ドーパントの濃度より大きい、請求項1に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項１０】
前記n型FinFETデバイスが、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、タブレットコンピュータ、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、および携帯ゲームデバイスからなる群から選択されたデバイスに含まれる、請求項1に記載のn型FinFETデバイス。
【請求項１１】
FinFETデバイスを製造する方法であって、
ゲートスペーサに隣接するシリコンフィン内で凹部をエッチングするステップと、
前記凹部にライニングするためにシリコンバッファ層をエピタキシャル堆積させるステップと、
前記凹部内の前記シリコンバッファ層の上にシリコンゲルマニウム層をエピタキシャル堆積させるステップと、
前記凹部内で、前記シリコンゲルマニウム層の上にシリコンキャップ層をエピタキシャル堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項１２】
前記シリコンキャップ層をエピタキシャル堆積させるステップが、n型ドーパントで前記シリコンキャップ層をin-situドーピングするステップをさらに含み、
前記n型ドーパントがリンである、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコンゲルマニウム層をエピタキシャル堆積させるステップが、前記シリコンゲルマニウム層のin-situドーピングを含まない、請求項11に記載の方法。
【請求項１４】
前記凹部をエッチングするステップが、前記ゲートスペーサの側方縁部と位置合わせされた側方縁部を有するように前記凹部を異方的にエッチングする反応性イオンエッチングであるか、または
前記凹部をエッチングするステップが、前記ゲートスペーサの側方縁部をアンダーカットする側方縁部を有するように前記凹部を等方的にエッチングするウェットエッチングである、請求項11に記載の方法。
【請求項１５】
前記シリコンキャップ層にヒ素をイオン注入するステップと、
前記シリコンゲルマニウム層にリンをイオン注入するステップと、
前記イオン注入に続いて前記シリコンキャップ層および前記シリコンゲルマニウム層をアニーリングするステップとをさらに含む、請求項11に記載の方法。