【手続補正書】
【提出日】令和1年12月12日(2019.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
下層の金属ジオメトリと、
前記下層の金属ジオメトリ上の誘電体層と、
前記誘電体層を介するコンタクト開口であって、前記下層の金属ジオメトリ上で止まる、前記コンタクト開口と、
上層の金属ジオメトリであって、前記上層の金属ジオメトリの一部が前記コンタクト開口の一部を充填する、前記上層の金属ジオメトリと、
前記下層の金属ジオメトリと前記上層の金属ジオメトリとの間に配置される耐酸化障壁層であって、少なくとも２０原子％の窒素含有量と少なくとも５ｎｍの厚みとを有する窒化タンタル（ＴａＮ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）で形成される、前記耐酸化障壁層と、
前記下層の金属ジオメトリと前記耐酸化障壁層との間に配置される相互拡散障壁層であって、６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みと０〜１２原子％の窒素含有量とを有するＴａＮ又はＴｉＮである、前記相互拡散障壁層と、
を含む、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記耐酸化障壁層が前記コンタクト開口の下に延在する、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記耐酸化障壁層が前記コンタクト開口の側部と底部とに沿って延在する、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記耐酸化障壁層が、５〜１５ｎｍの厚みと２０〜３５原子％の窒素含有量とを有するＴａＮで形成される、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記耐酸化障壁層が、約１０ｎｍの厚みと約２８原子％の窒素含有量とを有するＴａＮで形成される、集積回路。
【請求項６】
集積回路であって、
第１の金属ジオメトリと、
前記第１の金属ジオメトリ上の誘電体層と、
前記誘電体層を介する前記第１の金属ジオメトリの上のコンタクト開口と、
第２の金属ジオメトリであって、前記第２の金属ジオメトリの一部が前記コンタクト開口の一部を充填する、前記第２の金属ジオメトリと、
前記第１の金属ジオメトリと前記第２の金属ジオメトリとの間に配置されて前記コンタクト開口の下に延在する耐酸化障壁層であって、少なくとも２０原子％の窒素含有量と少なくとも５ｎｍの厚さとを有する窒化タンタル（ＴａＮ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）で形成される、前記耐酸化障壁層と、
を含む、集積回路。
【請求項７】
請求項６に記載の集積回路であって、
前記耐酸化障壁層が前記誘電体層と前記第１の金属ジオメトリとの間に延在する、集積回路。
【請求項８】
集積回路を形成するプロセスであって、
第１の誘電体層上に下層の金属ジオメトリを形成することと、
前記下層の金属ジオメトリの上と前記第１の誘電体層の上とに第２の誘電体層を堆積することと、
前記第２の誘電体層上にコンタクト開口フォトレジストパターンを形成することと、
前記第２の誘電体層を介してコンタクト開口をエッチングして前記下層の金属ジオメトリ上で止まる、前記コンタクト開口をエッチングすることと、
前記第２の誘電体層において前記コンタクト開口に上層の金属層を堆積することと、
前記下層の金属ジオメトリと前記上層の金属層との間に耐酸化障壁層を形成することであって、前記耐酸化障壁層が少なくとも２０原子％の窒素含有量と少なくとも５ｎｍの厚みとを有する窒化タンタル（ＴａＮ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）である、前記耐酸化障壁層を形成することと、
前記コンタクト開口を覆うジオメトリを用いて前記上層の金属層上にフォトレジストパターンを形成することと、
前記上層の金属ジオメトリを形成するように前記フォトレジストパターンを用いて前記上層の金属層をエッチングすることと、
を含む、プロセス。
【請求項９】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層を形成することが、前記第２の誘電体層上と、前記コンタクト開口の側部及び底部上とに耐酸化障壁層を堆積することを含む、プロセス。
【請求項１０】
請求項９に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層が前記第２の誘電体層を堆積する前に前記下層の金属ジオメトリ上に堆積される、プロセス。
【請求項１１】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記上層の金属層を堆積することの前に、最大２４時間の時間期間の間、前記耐酸化障壁層を大気に晒すことを更に含む、プロセス。
【請求項１２】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層を堆積することの前に相互拡散障壁層を堆積することを更に含む、プロセス。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプロセスであって、
前記相互拡散障壁層が、６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みと０〜１２原子％の範囲の窒素含有量とを有するＴａＮ又はＴｉＮ層である、プロセス。
【請求項１４】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層が、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の厚みと２０〜３５原子％の範囲の窒素含有量とを有するＴａＮ層である、プロセス。
【請求項１５】
請求項８に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層が、約２．５〜５ｔｏｒｒの圧力と、１５〜３０ＫＷの範囲の電力と、２５０Ｗ〜５００Ｗの範囲のバイアスと、約１１５〜１２５ｓｅｅｍの範囲の窒素のフローレートとを用いて室温で堆積される、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の厚みを有するＴａＮである、プロセス。
【請求項１６】
集積回路を形成するプロセスであって、
第１の誘電体層上に下層の金属層を堆積することと、
前記下層の金属層上に耐酸化障壁層を堆積することであって、前記耐酸化障壁層が少なくとも２０原子％の窒素含有量と少なくとも５ｎｍの厚みとを有するＴａＮ又はＴｉＮである、前記耐酸化障壁層を形成することと、
前記耐酸化障壁層上にフォトレジストパターンを形成することと、
下層の金属ジオメトリを形成するために前記耐酸化障壁層をエッチングして前記下層の金属層をエッチングすることと、
前記下層の金属ジオメトリの上と前記第１の誘電体層の上とに第２の誘電体層を堆積することと、
前記第２の誘電体層上にコンタクト開口フォトレジストパターンを形成することと、
前記第２の誘電体層を介してコンタクト開口をエッチングして前記下層の金属ジオメトリ上の前記耐酸化障壁層上で止まる、前記コンタクト開口をエッチングすることと、
上層の金属層を堆積することであって、前記上層の金属層が前記コンタクト開口を充填する、前記上層の金属層を堆積することと、
前記上層の金属層上にフォトレジストパターンを形成することと、
前記第２の誘電体層における前記コンタクト開口を覆う上層の金属ジオメトリを形成するために前記上層の金属層をエッチングすることと、
を含む、プロセス。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層が、約２．５〜５ｔｏｒｒの圧力と、１５〜３０ＫＷの範囲の電力と、２５０Ｗ〜５００Ｗの範囲のバイアスと、約１１５〜１２５ｓｅｅｍの範囲の窒素のフローレートとを用いて室温で堆積される、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の厚みのＴａＮである、プロセス。
【請求項１８】
請求項１６に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層を堆積することの前に、相互拡散障壁層を堆積することを更に含む、プロセス。
【請求項１９】
請求項１８に記載のプロセスであって、
前記相互拡散障壁層が、６０ｎｍ〜９０ｎｍの厚みと０〜１２原子％の範囲の窒素含有量とを有するＴａＮ又はＴｉＮ層である、プロセス。
【請求項２０】
請求項１６に記載のプロセスであって、
前記耐酸化障壁層が、５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の厚みと２０〜３５原子％の範囲の窒素含有量とを有するＴａＮ層である、プロセス。
【請求項２１】
集積回路を形成するプロセスであって、
第１の誘電体層の上に下層の金属ジオメトリを形成することと、
前記第１の誘電体層の上に第２の誘電体層を堆積することと、
前記第２の誘電体層を介してコンタクト開口をエッチングすることと、
前記コンタクト開口に上層の金属層を堆積することと、
前記下層の金属ジオメトリと前記上層の金属層との間に耐酸化障壁層を形成することであって、前記耐酸化障壁層が、少なくとも２０原子％の窒素含有量と少なくとも５ｎｍの厚さとを有する窒化タンタル（ＴａＮ）又は窒化チタン（ＴｉＮ）である、前記耐酸化障壁層を形成することと、
上層の金属ジオメトリを形成するために前記上層の金属層をエッチングすることと、
を含む、プロセス。