【事件の表示】
　特願２０１３−５１０１３０「酸化ニッケルを含むゲートを有する半導体デバイス及びその作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月１７日国際公開、ＷＯ２０１１／１４３００２、平成２５年　７月１８日国内公表、特表２０１３−５２９３８４、請求項の数（１４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年５月３日の出願（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１０年５月１２日，米国）であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　１月１０日　審査請求・手続補正
平成２６年　３月１２日　拒絶理由通知
平成２６年　９月２４日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２６日　拒絶査定
平成２７年　７月　２日　審判請求・手続補正
平成２８年　１月１３日　上申書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年７月２日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１及び請求項１０は，それぞれ本件補正後の請求項１及び請求項１０へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１及び請求項１０の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　ショットキー障壁半導体デバイスであって，
　バンドギャップの大きい半導体層と，
　前記バンドギャップの大きい半導体層上のゲートと，
を備え，
　前記ゲートは，前記バンドギャップの大きい半導体層上の金属層を備え，
　前記金属層は，酸化ニッケル（ＮｉＯ）層を含み，
　前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を備える，
デバイス。」
「【請求項１０】
　ショットキー障壁半導体デバイスを形成する方法であって，
　バンドギャップの大きい半導体層を準備する段階と，
　前記バンドギャップの大きい半導体層上にゲートを形成する段階と，
を含み，前記ゲートを形成する段階が，前記バンドギャップの大きい層上に酸化ニッケル（ＮｉＯ）層を形成する段階と，
　前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を形成する段階を含む方法。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１及び請求項１０の記載は，次のとおりである。（当審注。補正個所に下線を付した。下記（３）も同じ。）
「【請求項１】
　ショットキー障壁半導体デバイスであって，
　
シリコンを中に有する，又はシリコン層を上に有する
　前記バンドギャップの大きい半導体層上のゲートと，
を備え，
　前記ゲートは，前記バンドギャップの大きい半導体層上の金属層を備え，
　前記金属層は，酸化ニッケル（ＮｉＯ）層を含み，
　前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を備え，
　
前記ニッケル層の存在は，前記バンドキャップの大きい半導体層又はその上のシリコン層でニッケルシリサイドの生成を抑制す
デバイス。」
「【請求項１０】
　ショットキー障壁半導体デバイスを形成する方法であって，
　
シリコンを中に有する，又はシリコン層を上に有する
　前記バンドギャップの大きい半導体層上にゲートを形成する段階と，
を含み，前記ゲートを形成する段階が，前記バンドギャップの大きい層上に酸化ニッケル（ＮｉＯ）層を形成する段階と，
　前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を形成する段階を含み，
　
前記ニッケル層の存在は，前記バンドキャップの大きい半導体層又はその上のシリコン層でニッケルシリサイドの生成を抑制す
方法。」
（３）補正事項
　本件補正は，補正前請求項１及び請求項１０の「バンドギャップの大きい半導体層」について「シリコンを中に有する，又はシリコン層を上に有する」という限定を付加すること（以下，補正事項１」という。），及び，補正前請求項１及び請求項１０の「ニッケル層」について「前記ニッケル層の存在は，前記バンドキャップの大きい半導体層又はその上のシリコン層でニッケルシリサイドの生成を抑制する」という限定を付加すること（以下，「補正事項２」という。）を含むものである。
２　新規事項の追加の有無について
（１）補正事項１について
　本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「当初明細書等」という。）の明細書段落００３９には「本明細書で使用する『半導体ショットキー障壁デバイス』という用語は，
シリコン
を含むことができる１つ又はそれ以上の層を含む
　なお，当初明細書等の段落００３１に「『含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ，ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）』という用語（及びそれらの変形）は，本明細書で使用する場合，前述の特徴，ステップ，作動，要素，及び／又は構成要素の存在を示すが，１つ又はそれ以上の他の特徴，ステップ，作動，要素，構成要素，及び／又はこれらの群の存在又は追加を除外するものではない」と記載されているが，このような無限定かつ一般的な記載によって，前記特定の組み合わせが想定できるものではないことはいうまでもないことである。
　してみると，補正事項１のうち「シリコン層を上に有する」という限定を付加する補正は，当初明細書等に記載した事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものである。
（２）補正事項２について
　当初明細書等の明細書段落００３８には「本発明の特定の実施形態は，半導体層上に
ＮｉＯ層又はＮｉ／ＮｉＯ層
ＮｉＯ層
ＮｉＯ／Ｎｉ層又はＮｉ／ＮｉＯ層
ＮｉＯ層又はＮｉ／ＮｉＯ層
　してみると，補正事項２は，当初明細書等に記載した事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものである。
（３）請求人の主張について
　請求人は，審判請求書で「上記補正は，出願当初の明細書（以下，「当初明細書」という。）の段落［００３１］，［００３８］，［００３９］及び［００４４］から［００４７］等の記載に基づくものである。」と主張しているが，当初明細書等の各段落の記載に照らしても，補正の根拠が見いだせないことは，前記（１）及び（２）で述べたとおりである。
（４）小括
　以上のとおりであるから，補正事項１及び２は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものではなく，特許法第１７条の２第３項の規定に違反してされたものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本願の請求項１ないし１４に係る発明は，平成２６年９月２４日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるものと認められる。
　
第４　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　発明の詳細な説明（特に段落【００３８】参照）には，Ｎｉゲートのエッジ上のニッケルシリサイドの生成に起因するリークを課題として，ニッケルシリサイドの生成を抑制する発明が記載されている。
　ここで，ニッケルシリサイドは，ＮｉとＳｉとの化合物であるから，ニッケルシリサイドが生成されるためには，Ｎｉに加え，Ｓｉが必要であることは技術常識である。
　しかしながら，請求項１〜１４に係る発明には，どの層もＳｉを含む層であることが特定されていないから，シリサイド生成に必要なＳｉの供給源が存在しないデバイス又はデバイスを形成する方法の発明を含んでおり，その場合は，発明の詳細な説明に記載された，ニッケルシリサイドの生成に起因するリークという課題自体が発生し得ない。
　したがって，出願時の技術常識に照らしても，請求項１〜１４に係る発明の範囲まで，発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　また，請求項１〜１４に係る発明の「バンドギャップの大きい半導体層」にＳｉの供給源があると仮定した場合，請求項１〜１４に係る発明のように「前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を備える」ものについては，最下層をニッケル層とした従来のものと同様の形態でＮｉがＳｉ供給源に接していることになるから，従来のものと同様に，ニッケルシリサイドの生成を抑制できないはずである。
　したがって，請求項１〜１４には，発明の課題を解決するための手段が反映されておらず，請求項１〜１４に係る発明は，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなる。
２　原査定の理由の判断
（１）本願発明の課題
　本願明細書段落０００２において，「背景技術」としてショットキー障壁デバイスについて説明した後で，本願明細書段落０００３に「Ｎｉゲートは，通常，デバイスが逆方向にバイアスされた場合に劣化してリークし易くなる。従って，リークは，動作時に応力が加えられた場合に数桁増大する傾向があるので，デバイスに対して信頼性の問題を生じる。」と記載されているから，本願発明の課題は「ショットキー障壁デバイスにおいてＮｉゲートのリークを抑制する」ところにあると認められる。
　本願明細書段落００３８には「逆方向バイアスリークが，ゲートに隣接するエッジ上のニッケルシリサイドの生成に起因する」と記載されているが，「ニッケルシリサイドの生成」は，課題に関連して一つの原因を述べているだけで，課題そのものではない。
（２）Ｓｉの供給源が存在しないデバイス又はデバイスを形成する方法への拡張ないし一般化について
　本願発明の課題は前記（１）のとおり「ショットキー障壁デバイスにおいてＮｉゲートのリークを抑制する」ところにあり，酸化ニッケルはニッケルより抵抗率が大きいことは自明であり，ゲートにニッケルよりも抵抗率が大きい酸化ニッケル層を含み，バンドギャップの大きい半導体層と酸化ニッケル層との間にニッケル層を形成する場合と，酸化ニッケル層を用いずニッケルをゲートに用いる従来例と比較して，ゲート等に同じ電圧を印加した際の逆方向リーク電流はある程度小さくなること，すなわちリークをある程度抑制できることは当業者に明らかであるから，Ｓｉの供給源が存在しないデバイス又はデバイスを形成する方法へ拡張ないし一般化しても，発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えているとはいえない。
　発明の詳細な説明には，Ｓｉの供給源が存在しないＧａＮ　ＨＥＭＴの実施形態が記載されている（本願明細書段落００３６−００３７）から，この点においても，前記の課題とその解決手段については，当業者が理解できることである。
（３）「前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を備える」ものはニッケルシリサイドの生成が抑制できず，課題解決手段が未反映について
　前記（１）のとおり，ニッケルシリサイドの生成の抑制は本願発明の直接の課題ではないから，仮にニッケルシリサイドの生成が抑制できなくても，これをもって課題解決手段が未反映との結論を導くことはできない。
　また，バンドギャップの大きい半導体層とニッケルよりも抵抗率が大きい酸化ニッケル層との間に，ニッケル層がある場合と，酸化ニッケル層を用いずニッケルをゲートに用いる従来例とを比較すると，酸化ニッケル層を用いずニッケルをゲートに用いるよりも，バンドギャップの大きい半導体層と酸化ニッケル層との間にニッケル層がある場合の方が，ゲートに同じ電圧を印加した際の，逆方向リーク電流はある程度小さくなること，そしてリーク電流が小さくなれば，エレクトロマイグレーションやジュール熱によるニッケルシリサイドの生成の抑制が図られ，結果的にリーク電流の抑制ができること，は当業者に明らかであるから，ゲートに酸化ニッケル層を含めることで，課題解決手段は請求項１ないし１４において反映されている。
　発明の詳細な説明には，「前記バンドギャップの大きい半導体層が前記ＮｉＯ層と接触しないように，前記バンドキャップの大きい半導体層と前記ＮｉＯ層との間にニッケル層を備える」という実施形態が記載されている（本願明細書段落００４７及び図２）から，この点においても，前記課題解決手段については，当業者が理解できることである。
（４）小括
　以上のとおりであるから，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定された要件を満たすものであって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第５　結言 
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。