【事件の表示】
　特願２０１２−５０７６５９「発光ダイオードおよび発光ダイオードを製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月　４日国際公開、ＷＯ２０１０／１２４９１５、平成２４年１０月２２日国内公表、特表２０１２−５２５６９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年３月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年４月２８日、独国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２２年　３月２５日　国際出願
　平成２５年　３月１３日　手続補正書
　平成２５年１２月１７日　拒絶理由通知（平成２６年　１月　６日発送）
　平成２６年　６月３０日　意見書・手続補正書
　平成２６年　９月１８日　拒絶査定（平成２６年　９月２２日送達）
　平成２７年　１月１５日　本件審判請求
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２６年６月３０日付けの手続補正による特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　発光ダイオードであって、
・半導体ボディ（１）を有しており、当該半導体ボディ（１）は、ビームを生成するために設けられている活性領域（１１）を含んでおり、
・担体（２）を有しており、当該担体（２）は、前記半導体ボディ（１）の上面（１ａ）で当該半導体ボディ（１）に固定されており、当該担体（２）はルミネセンス変換材料を含んでおり、
・ミラー層（３）を有しており、当該ミラー層（３）は、前記上面（１ａ）に反している、前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）で当該半導体ボディ（１）に被着されており、
・２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）を有しており、当該２つのコンタクト層のうちの第１のコンタクト層（４ａ）は前記半導体ボディ（１）のｎ型ドーピング領域（１３）と導電性接続されており、当該２つのコンタクト層のうちの第２のコンタクト層（４ｂ）は前記半導体ボディ（１）のｐ型ドーピング領域（１２）と導電性接続されている発光ダイオードであって、
　少なくとも１つのチャネル（９）が前記担体（２）を貫通している、
ことを特徴とする発光ダイオード。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−３５２０８５号公報（平成１８年１２月２８日出願公開。以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
波長変換型の半導体発光デバイス
イ　「【背景技術】
【０００２】
　
発光ダイオード（ＬＥＤ）
を含む半導体発光デバイス
ウ　「【００２０】
　図５及び図６は、蛍光体が蛍光体粉末でなくセラミック蛍光体である、本発明の実施形態を示す。
セラミック蛍光体は、粉末の蛍光体を高圧下で蛍光体粒子の表面が軟化し溶融し始めるまで加熱することによって形成することができる。
【００２１】
・・・
【００２４】
　セラミック蛍光体は、核生成構造体５８に、核生成構造体５８とセラミック蛍光体の間の界面にある接合材５６で、直接ウエーハ接合法により又は中間接合層（図５と図６には示されず）を通して、接合される。接合層が用いられる場合には、該接合層は、該接合層が適用されるＩＩＩ−窒化物層の屈折率とセラミック蛍光体の屈折率の中間の屈折率とを持つように選択される。上記の高屈折率結合材料の多くが適切な接合層を作ることができる。
【００２５】
　図５に示される実施形態においては、
ｐ−コンタクト２０は反射性とするか、又は付加的な反射鏡をコンタクト２０に近接して設けて、すべての光放射がセラミック蛍光体へ向かうようにする。
反射鏡５４を省き、デバイス層とは反対側のセラミック蛍光体５２の表面を粗面化し、テクスチャ加工し、又は光取り出しを改善するように形状加工することができる。
【００２６】
　図５に示される実施形態は、図１３に示されるようにパッケージ部品に接合することができる。そのようなデバイスは、２００４年１０月２８日付けで提出された米国特許出願番号第１０／９７７，２９４号、“Ｐａｃｋａｇｅ−Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  ＬＥＤ”により詳しく記載されており、この特許出願は、引用によりここに取り入れられる。図１３に示されるデバイスにおいては、光放射領域を含んだ半導体構造体１３０が、下記のように、セラミック蛍光体５２に接合インタフェース５６によって接合されている。
コンタクト１８及び２０が
パッケージ素子１３２に金属インターフェース１３４によって接合される。
両方のコンタクト１８及び２０が半導体構造体の同じ側に形成されるフリップ・チップ配置でパッケージ素子１３２に取り付けられた
代替の実施形態においては、コンタクト１８が半導体構造体１３０の、コンタクト２０とは反対の側面に形成されるようにセラミック蛍光体５２の一部を除去することができる。
エ　「【００２９】
　図５に示されるデバイスは、セラミック蛍光体５２を成長基板として用いて、図７、図８、及び図９に示されるように製造することができる。・・・
【００３０】
・・・
【００３３】
・・・デバイス層を成長させた後、デバイスは通常の方法によって、例えばｎ型領域１０の一部を露出させるためにエッチングし、次いで
ｎ型領域１０及びｐ型領域１２の上にコンタクトを形成することによって、図５及び図６に示されたデバイスのどちらかに加工される。
オ　「【００３４】
　代替的に、
図５及び図６に示されたデバイスは、図１０及び図１１に示されるように、成長基板上にデバイス層を成長させ、次いでデバイス層をホスト基板としてのセラミック蛍光体に接合することによって製造することもできる。
ｎ型又は非ドープ領域７６が成長基板１６上に直接成長させられる。
Ｐ型領域１２が次に成長させられ、活性領域１４及びｎ型領域１０がそれに続く。次にｎ型領域１０の表面がセラミック蛍光体層５２に、
接合材５６を通じて接合される。
一旦成長基板１６が除去されると、成長基板上に直接成長した領域を除去するためにエピタキシャル層がエッチングされ、ｐ型領域１２が露出する。
カ　本発明の実施形態による蛍光体−変換型ＩＩＩ−窒化物発光デバイスを図示する図５は、次のものである。
キ　図５に示されたデバイスの代替の製造方法を図示する図１０は、次のものである。
ク　図５に示されたデバイスの代替の製造方法を図示する図１１は、次のものである。
ケ　パッケージ素子に接合された図５のデバイスを図示する図１３は、次のものである。
（２）　引用発明１
ア　上記（１）エの【００３３】の記載に照らして、上記（１）カの図５を見ると、
ｎ型領域１０の上にコンタクト１８が形成され、ｐ型領域１２の上にコンタクト２０が形成されている
イ　上記（１）ウの【００２６】の記載、上記（１）オの【００３４】の記載及び上記（１）カの図５に照らして、上記（１）ケの図１３を見ると、
半導体構造体１３０は、ｐ型領域１２、活性領域１４及びｎ型領域１０からなるものである
ウ　以上より、引用文献１には、図１０及び図１１に示されるように製造された、図５に示されたデバイスとして、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「ｎ型又は非ドープ領域７６が成長基板１６上に直接成長させられ、
　ｐ型領域１２が次に成長させられ、活性領域１４及びｎ型領域１０がそれに続き、
　ｎ型領域１０の表面がセラミック蛍光体層５２に、接合材５６を通じて接合され、
　成長基板１６が除去され、成長基板上に直接成長した領域を除去するためにエピタキシャル層がエッチングされ、ｐ型領域１２が露出され、
　半導体構造体１３０は、ｐ型領域１２、活性領域１４及びｎ型領域１０からなり、
　ｎ型領域１０の上にコンタクト１８が形成され、ｐ型領域１２の上にコンタクト２０が形成され、
　ｐ−コンタクト２０は反射性とするか、又は付加的な反射鏡をコンタクト２０に近接して設けて、すべての光放射がセラミック蛍光体へ向かうようにし、
　セラミック蛍光体は、粉末の蛍光体を高圧下で蛍光体粒子の表面が軟化し溶融し始めるまで加熱することによって形成することができ、
　反射鏡５４を省き、デバイス層とは反対側のセラミック蛍光体５２の表面を粗面化し、テクスチャ加工し、又は光取り出しを改善するように形状加工することができ、
　両方のコンタクト１８及び２０が半導体構造体１３０の同じ側に形成されるフリップ・チップ配置でパッケージ素子１３２に金属インターフェース１３４によって取り付けられ、
　代替の実施形態においては、コンタクト１８が半導体構造体１３０の、コンタクト２０とは反対の側面に形成されるようにセラミック蛍光体５２の一部を除去することができる、
　発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む波長変換型の半導体発光デバイス。」
３　引用文献２の記載事項
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−２９７０９５号公報（平成１６年１０月２１日出願公開。以下「引用文献２」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【背景技術】
・・・
【０００５】
　このため、上記したように、半導体層の表面から半導体層の一部を取り除き、一方の伝導型半導体層を露出させ、残った半導体層表面に他方の極の電極を形成することで、
半導体層表面側に両方の電極を設け通電し、デバイスとして機能させていた。
【０００６】
　この構造では両極電極が同一面側に存在するため、遮光される部分の面積が大きく、光取り出し効率が悪い。そして、両極電極が同一面側に存在する所為でどうしても２回のワイヤボンディングが必要であるという問題があった。更に、
フェースダウン実装する場合、チップの両極電極が、それに対向する基台の電極の位置と正確に合致しなければならず、この位置合わせが非常に精密で難しいという問題があった。
イ　「【発明が解決しようとする課題】
・・・
【００１０】
　そこで、本発明は、光取り出し効率の向上を図ることを課題の１つとする。そして、１回のワイヤボンディングで済み、
位置合わせの容易な実装が可能で、
チップの作製を課題の１つとする。
ウ　「【発明の効果】
・・・
【００１９】
　そして
第２伝導型半導体層のみで基台との位置合わせを行えばよく、容易で且つ正確な実装が可能とすることができる。
エ　「【００４５】
　次に、第２の実施形態について、第４図及び第５図を参照して説明する。第４図は素子１の底面図で、第１図と対応する。第５図は、第４図のＶ−Ｖに沿った断面図で、第２図と対応する。第１図及び第２図に示す第１の実施形態と同一構成要素には、同一の符号を付し、説明の重複を避けるために、ここではその説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００４６】
　
素子１は、その上下方向に延びるｎ型コンタクト層１３に達し、ｎ型コンタクト層１３を貫通しない縦穴２０を備えていることを特徴としている。
【００４７】
　この実施の形態では直径５０μｍの縦穴２０をレーザ加工により形成した。
この縦穴２０は、素子の上下方向の電気的な通路（電気的パス）として利用される。電気的パスを形成するために、
縦穴２０は、その内部を金属材料などの導電性材料によって充填することもできる。
【００４８】
・・・
【００５４】
　
ｎ型コンタクト層１３に接続された導電性材料３０は、
ｎ型コンタクト層１３とオーミックコンタクトをとるに適した金属薄膜が用いられる。ｐ型コンタクト層１７には、これとオーミックコンタクトをとるための電極３２を形成している。
【００５５】
・・・
【００５７】
　第４図及び第５図に示すように、
基板１１の半導体層４が形成された面とは反対の面には、電極３３ａが形成されている。この電極３３ａは、前記縦穴２０に配置した導電性材料３０ａと電気的に接続される。
この電極３３ａは所定厚さのパッド電極３４ａを兼ねている。
【００５８】
・・・
【００６２】
　第８図は、前記発光素子１を備える発光装置を示している。
発光素子１は、基板１１を光取出面とするために、基板１１が上に位置するように上下反転され、第１のリード電極１００上に配置される。素子１の電極３２は導電性材料１０１によって第１のリード電極１００に電気的に接続される。基板１１側のパッド電極３４ａと第２のリード電極１０３は金線１０４などのワイヤボンド線よって電気的に接続される。
【００６３】
　
第２のリード電極１００、１０３間に所定の電圧または電流を供給すると、第１リード電極１００、導電材料１０１、電極３２、半導体層４、導電性材料３０ａ、電極３３ａ（３４ａ）、ワイヤボンド線１０４、第２リード電極１０３の経路が形成され、活性層１５から光が取り出される。
オ　本発明の第２の実施形態にかかる化合物半導体発光素子を有する表示器の断面図を示す図８は、次のものである。
（２）　引用文献２に記載された技術事項
ア　上記（１）エの【００４６】、【００４７】、【００５７】の記載に照らして、上記（１）オの図８を見ると、
縦穴２０が基板１１を貫通している
イ　以上より、引用文献２には、次の技術事項が記載されている。
「従来、半導体層表面側に両方の電極を設け通電し、デバイスとして機能させていたところ、フェースダウン実装する場合、チップの両極電極が、それに対向する基台の電極の位置と正確に合致しなければならず、この位置合わせが非常に精密で難しいという問題があったことに鑑み、
　位置合わせの容易な実装が可能なチップの作製を課題とし、
　第２伝導型半導体層のみで基台との位置合わせを行えばよく、容易で且つ正確な実装を可能にするための発光素子であって、
　発光素子１は、その上下方向に延びるｎ型コンタクト層１３に達し、ｎ型コンタクト層１３を貫通しない縦穴２０を備え、
　縦穴２０は基板１１を貫通しており、
　この縦穴２０は、発光素子１の上下方向の電気的な通路（電気的パス）として利用され、
　電気的パスを形成するために、縦穴２０は、その内部を金属材料などの導電性材料３０ａによって充填することもでき、
　基板１１の半導体層４が形成された面とは反対の面には、電極３３ａが形成され、
　この電極３３ａは、縦穴２０に配置した導電性材料３０ａと電気的に接続され、
　この電極３３ａは所定厚さのパッド電極３４ａを兼ねており、
　ｎ型コンタクト層１３に接続された導電性材料３０ａは、ｎ型コンタクト層１３とオーミックコンタクトをとるに適した金属薄膜が用いられ、
　ｐ型コンタクト層１７には、これとオーミックコンタクトをとるための電極３２が形成され、
  発光素子１は、基板１１を光取出面とするために、基板１１が上に位置するように上下反転され、第１のリード電極１００上に配置され、
　発光素子１の電極３２は導電性材料１０１によって第１のリード電極１００に電気的に接続され、
　基板１１側のパッド電極３４ａと第２のリード電極１０３は金線１０４などのワイヤボンド線よって電気的に接続され、
　第２のリード電極１００、１０３間に所定の電圧または電流を供給すると、第１リード電極１００、導電材料１０１、電極３２、半導体層４、導電性材料３０ａ、電極３３ａ（３４ａ）、ワイヤボンド線１０４、第２リード電極１０３の経路が形成され、活性層１５から光が取り出される、
　発光素子１。」
４　対比
（１）　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む・・・半導体発光デバイス」は、本願発明の「発光ダイオード」に相当する。
イ　引用発明１の「ｐ型領域１２、活性領域１４及びｎ型領域１０」からなる「半導体構造体１３０」を有しており、「半導体構造体１３０」は「活性領域１４」を含んでいることと、
　本願発明の「半導体ボディ（１）を有しており、当該半導体ボディ（１）は、ビームを生成するために設けられている活性領域（１１）を含んで」いることを対比する。
　引用発明１の「半導体構造体１３０」は、本願発明の「半導体ボディ（１）」に相当する。
　また、引用発明１の「活性領域１４」は、ビームを生成するために設けられている領域であるから、本願発明の「ビームを生成するために設けられている活性領域（１１）」に相当する。
　してみれば、両者は相当関係にある。
ウ　引用発明１の「セラミック蛍光体層５２」を有しており、「ｎ型領域１０の表面がセラミック蛍光体層５２に、接合材５６を通じて接合され」ており、「セラミック蛍光体は、粉末の蛍光体を高圧下で蛍光体粒子の表面が軟化し溶融し始めるまで加熱することによって形成することができ」ることと、
　本願発明の「担体（２）を有しており、当該担体（２）は、前記半導体ボディ（１）の上面（１ａ）で当該半導体ボディ（１）に固定されており、当該担体（２）はルミネセンス変換材料を含んで」いることを対比する。
　引用発明１の「セラミック蛍光体層５２」は、成長基板１６を除去した後の半導体構造体１３０を保持しているから、本願発明の「担体（２）」に相当する。
　また、引用発明１の「ｎ型領域１０の表面がセラミック蛍光体層５２に、接合材５６を通じて接合され」ていることと、本願発明の「担体（２）」が、「前記半導体ボディ（１）の上面（１ａ）で当該半導体ボディ（１）に固定されて」いることとは、相当関係にある。
　さらに、引用発明１の「蛍光体」は、本願発明の「ルミネセンス変換材料」に相当する。
　してみれば、両者は相当関係にある。
エ　引用発明１の「付加的な反射鏡」を有し、「付加的な反射鏡をコンタクト２０に近接して設け」たこと、
　本願発明の「ミラー層（３）を有しており、当該ミラー層（３）は、前記上面（１ａ）に反している、前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）で当該半導体ボディ（１）に被着されて」いることとを対比する。
　引用発明１の「付加的な反射鏡」は、本願発明の「ミラー層（３）」に相当する。
　してみれば、両者は「ミラー層（３）を有し」ている点で一致する。
オ　引用発明１の「コンタクト１８」と「コンタクト２０」とを有し、「ｎ型領域１０の上にコンタクト１８が形成され、ｐ型領域１２の上にコンタクト２０が形成され」ていることと、
　本願発明の「２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）を有しており、当該２つのコンタクト層のうちの第１のコンタクト層（４ａ）は前記半導体ボディ（１）のｎ型ドーピング領域（１３）と導電性接続されており、当該２つのコンタクト層のうちの第２のコンタクト層（４ｂ）は前記半導体ボディ（１）のｐ型ドーピング領域（１２）と導電性接続されている」こととを対比する。
　引用発明１の「コンタクト１８」と「コンタクト２０」は、本願発明の「２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）」に相当する。
　また、引用発明１の「ｎ型領域１０」及び「ｐ型領域１２」は、本願発明の「半導体ボディ（１）のｎ型ドーピング領域（１３）」及び「半導体ボディ（１）のｐ型ドーピング領域（１２）」にそれぞれ相当する。
　そして、引用発明１の「コンタクト１８」は、「ｎ型領域１０の上に・・・形成され」、ｎ型領域１０と導電性接続されているから、本願発明の「半導体ボディ（１）のｎ型ドーピング領域（１３）と導電性接続されて」いる「２つのコンタクト層のうちの第１のコンタクト層（４ａ）」に相当する。
　同様に、引用発明１の「コンタクト２０」は、「ｐ型領域１２の上に・・・形成され」、ｐ型領域１２と導電性接続されているから、本願発明の「半導体ボディ（１）のｐ型ドーピング領域（１２）と導電性接続されている」「２つのコンタクト層のうちの第２のコンタクト層（４ｂ）」に相当する。
　してみれば、両者は相当関係にある。
（２）　以上より、本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「発光ダイオードであって、
・半導体ボディ（１）を有しており、当該半導体ボディ（１）は、ビームを生成するために設けられている活性領域（１１）を含んでおり、
・担体（２）を有しており、当該担体（２）は、前記半導体ボディ（１）の上面（１ａ）で当該半導体ボディ（１）に固定されており、当該担体（２）はルミネセンス変換材料を含んでおり、
・ミラー層（３）を有しており、
・２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）を有しており、当該２つのコンタクト層のうちの第１のコンタクト層（４ａ）は前記半導体ボディ（１）のｎ型ドーピング領域（１３）と導電性接続されており、当該２つのコンタクト層のうちの第２のコンタクト層（４ｂ）は前記半導体ボディ（１）のｐ型ドーピング領域（１２）と導電性接続されている、
発光ダイオード。」
　相違点１：
　「ミラー層（３）」が、本願発明では、「前記上面（１ａ）に反している、前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）で当該半導体ボディ（１）に被着されて」いるのに対し、
　引用発明１では、そのような面で被着されているのか否か明らかでない点。
　相違点２：
　本願発明は、「少なくとも１つのチャネル（９）が前記担体（２）を貫通している」のに対し、
　引用発明１は、そのようなものではない点。
５　判断
　以下、相違点について検討する。
（１）　相違点１について検討する。
　引用発明１の「付加的な反射鏡」は、「コンタクト２０に近接して設けて」もよいものであるから、引用発明１の「付加的な反射鏡」を、「コンタクト２０に近接し」た「半導体構造体１３０」の下面に設けて、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が適宜なしうることである。
（２）　相違点２について検討する。
ア　本願の発明の詳細な説明の【００２４】によると、本願発明の「チャネル」は、「コンタクト層の少なくとも１つから、半導体ボディ内におよび／または半導体ボディへと・・・設けられ」るとともに、「導電性材料によって充填され」、「この導電性材料を介して、半導体ボディが電気的に接触接続可能」とするためのものである。
イ　しかるところ、上記３（２）イによれば、引用文献２には、「半導体層表面側に両方の電極を設け・・・フェースダウン実装する場合、チップの両極電極が、それに対向する基台の電極の位置と正確に合致しなければならず、この位置合わせが非常に精密で難しいという問題があったことに鑑み」、「光取出面」の「基板１１」に、該「基板１１を貫通」する「縦穴２０」を設け、「縦穴２０・・・の内部を・・・導電性材料３０ａによって充填」し、「基板１１の半導体層４が形成された面とは反対の面に・・・電極３３ａ」を形成し、該「電極３３ａ」を「導電性材料３０ａと電気的に接続」することによって、「電極３２、半導体層４、導電性材料３０ａ、電極３３ａ・・・の経路が形成され」、「容易で且つ正確な実装を可能にする」ことが記載されている。
ウ　そして、引用発明１の「半導体発光デバイス」は、「両方のコンタクト１８及び２０が半導体構造体の同じ側に形成されるフリップ・チップ配置でパッケージ素子１３２に・・・取り付けられ」るものであるところ、上記イの引用文献２の記載に照らせば、このような半導体発光デバイスは、半導体発光デバイスの両極電極を、それに対向する基台の電極の位置と正確に合致しなければならず、この位置合わせが非常に精密で難しいという問題を抱えるものであることは明らかである。
　また、引用発明１の「半導体発光デバイス」は、「コンタクト１８が半導体構造体１３０の、コンタクト２０とは反対の側面に形成されるようにセラミック蛍光体５２の一部を除去することができる」ものでもある。
エ　してみれば、引用発明１において、対向する「パッケージ素子１３２」の「金属インターフェース１３４」との位置合わせを容易にするために、「セラミック蛍光体５２の一部を除去」して、引用文献２に記載のような「縦穴２０」を形成し、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易になしうることである。
６　小括
　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明１及び引用文献２の記載事項に基いて容易に発明をすることができたものである。
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。