【手続補正書】
【提出日】令和2年11月12日(2020.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
【表９】
2020514509.tif 000001
本願は特許請求の範囲に記載の発明に係るものであるが、本願の開示は以下も包含する：
１．
マスキングフィルムを形成するためのマスキング用組成物であって、
ａ．構造（Ｉ）を有する単位を含むポリマー：
【化１３】
2020514509.tif 000002
［式中、
Ｘは、−ＳＯ２−、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは、直接結合であるか、またはＡは、構造（ＩＩ）からなる群から選択され：
【化１４】
2020514509.tif 000003
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ１〜３）アルキル、（Ｃ１〜３）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ１〜３）アルコキシ、及び（Ｃ１〜３）アルキルカルボニルからなる群から選択され；及び
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０、１、２、３及び４からなる群から選択される］、及び
ｂ．有機溶剤
を含み、前記ポリマーが５００００未満の平均分子量を有する、前記マスキング用組成物。
２．
前記ポリマーが、１００００と５００００との間の平均分子量を有する、上記１に記載の組成物。
３．
前記ポリマーが、２００００と４００００との間の平均分子量を有する、上記２に記載の組成物。
４．
前記ポリマーが、２８０００と３５０００との間の平均分子量を有する、上記３に記載の組成物。
５．
前記ポリマーが、複数種のポリマーの混合物を含む、上記１〜４のいずれか一つに記載の組成物。
６．
該複数種のポリマーの混合物が、４００００超の平均分子量を有する第一のポリマーと、４００００未満の平均分子量を有する第二のポリマーを含む、上記５に記載の組成物。
７．
該複数種のポリマーの混合物が、３００００超の平均分子量を有する第一のポリマーと、３００００未満の平均分子量を有する第二のポリマーを含む、上記５に記載の組成物。
８．
該複数種のポリマーの混合物が、２００００超の平均分子量を有する第一のポリマーと、２００００未満の平均分子量を有する第二のポリマーを含む、上記５に記載の組成物。
９．
前記第二のポリマーが、構造（Ｉ）を有する単位を含む、上記６〜８のいずれか一つに記載の組成物。
１０．
前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーが、構造（Ｉ）を有する単位を含む、上記６〜８のいずれか一つに記載の組成物。
１１．
Ｘが−ＳＯ２−である、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
１２．
各々のＲ１が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ１〜３）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１１のいずれか一つに記載の組成物。
１３．
各々のＲ２が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ１〜３）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１２のいずれか一つに記載の組成物。
１４．
各々のＲ３が、独立して、Ｈ、Ｆ、（Ｃ１〜３）アルキル及び（Ｃ１〜３）フッ素化アルキルからなる群から選択される、上記１〜１３のいずれか一つに記載の組成物。
１５．
各々のＲ４が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ１〜３）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１４のいずれか一つに記載の組成物。
１６．
各々のＲ５が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ１〜３）アルキルからなる群から選択される、上記１〜１５のいずれか一つに記載の組成物。
１７．
前記ポリマーが構造（ＩＩＩ）を有する、上記１〜１６のいずれか一つに記載の組成物。
【化１５】
2020514509.tif 000004
１８．
前記ポリマーが構造（ＩＶ）を有する、上記１〜１６のいずれか一つに記載の組成物。
【化１６】
2020514509.tif 000005
１９．
前記ポリマーが構造（Ｖ）を有する、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
【化１７】
2020514509.tif 000006
２０．
前記ポリマーが構造（ＶＩ）を有する、上記１〜１０のいずれか一つに記載の組成物。
【化１８】
2020514509.tif 000007
２１．
前記有機溶剤が、アニソール、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ−（Ｃ１〜６）アルキルケトン、（Ｃ１〜６）アルキルアセテート及びこれらの混合物からなる群から選択される、上記１〜２０のいずれか一つに記載の組成物。
２２．
前記ポリマーが、０．１重量％と２０重量％との間の量で該組成物中に存在する、上記１〜２１のいずれか一つに記載の組成物。
２３．
前記ポリマーが、３重量％と１５重量％との間の量で該組成物中に存在する、上記２２に記載の組成物。
２４．
電子デバイスを製造する方法であって、
ａ．マスキング用組成物を基材の縁に施与するステップ、ここで前記マスキング用組成物は：
構造（Ｉ）を有する単位を含むポリマー：
【化１９】
2020514509.tif 000008
［式中、
Ｘは、−ＳＯ２−、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは直接結合であるか、またはＡは次の構造（ＩＩ）を有し：
【化２０】
2020514509.tif 000009
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ１〜３）アルキル、（Ｃ１〜３）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ１〜３）アルコキシ、及び（Ｃ１〜３）アルキルカルボニルからなる群から選択され；及び
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０、１、２、３及び４からなる群から選択される］、及び
有機溶剤、
を含み、及び
ｂ．上記マスキング用組成物を１５０℃と３５０℃との間の温度で、６０秒間〜１２０秒間の時間加熱して、マスキングフィルムを形成するステップ、
を含む、前記方法。
２５．
前記組成物が、スピンオンコーティングプロセスによって基材上に施与される、上記２４に記載の方法。
２６．
電子デバイスを製造する方法であって、
ａ．マスキング用組成物を基材の縁に施与するステップ、ここで前記マスキング用組成物は：
構造（Ｉ）を有する単位を含むポリマー：
【化２１】
2020514509.tif 000010
［式中、
Ｘは、−ＳＯ２−、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは直接結合であるか、またはＡは次の構造（ＩＩ）を有し：
【化２２】
2020514509.tif 000011
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ１〜３）アルキル、（Ｃ１〜３）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ１〜３）アルコキシ、及び（Ｃ１〜３）アルキルカルボニルからなる群から選択され；及び
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、０、１、２、３及び４からなる群から選択される］、及び
有機溶剤、
を含み、
ｂ．上記マスキング用組成物を加熱してマスキングフィルムを形成するステップ；
ｃ．ハードマスク用組成物を、前記基材及びマスキングフフィルム上に施与するステップ；
ｄ．前記ハードマスク用組成物をエッジビードリムーバを用いてすすいで、少なくとも、マスキングフィルムと接触している部分のハードマスク用組成物を除去するステップ；
ｅ．上記ハードマスク用組成物を加熱してハードマスクを形成するステップ；及び
ｆ．上記マスキングフィルムを除去するステップ、
を含む、前記方法。
２７．
前記マスキング用組成物が、スピンオンコーティングプロセスによって基材上に施与される、上記２６に記載の方法。
２８．
マスキングフィルムを加熱する前記ステップが、マスキングフィルムを１５０℃と３５０℃の間の温度で、６０秒間と１２０秒間の間の時間、加熱することを含む、上記２６及び２７のいずれか一つに記載の方法。
２９．
前記ハードマスク用組成物が、金属ハードマスク用組成物を含む、上記２６〜２８のいずれか一つに記載の方法。
３０．
前記ハードマスク用組成物が、金属酸化物フォトレジスト組成物を含む、上記２６〜２９のいずれか一つに記載の方法。
３１．
基材上にハードマスク用組成物を施与する前記ステップが、前記ハードマスク用組成物を基材上にスピンコートすることを含む、上記２６〜３０のいずれか一つに記載の方法。
３２．
基材上へのハードマスク用組成物の前記スピンコートが、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、乳酸エチル、メトキシエタノール、エトキシプロパノール、エトキシエタノール、１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール及びこれらの混合物からなる群から選択されるキャスティング溶剤を用いて行われる、上記３１に記載の方法。
３３．
前記エッジビードリムーバが、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥ、乳酸エチル、メトキシエタノール、エトキシプロパノール、エトキシエタノール、１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール及びこれらの混合物からなる群から選択される溶剤を含む、上記２６〜３２のいずれか一つに記載の方法。
３４．
ハードマスクを加熱する前記ステップが、ハードマスクを１５０℃と４５０℃との間の温度で、６０秒間と１８０秒間との間の時間、加熱することを含む、上記２６〜３３のいずれか一つに記載の方法。
３５．
マスキングフィルムを除去する前記ステップが、ウェットエッチングによってマスキングフィルムを除去することを含む、上記２６〜３４のいずれか一つに記載の方法。
３６．
ウェットエッチングが、アニソール、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ−（Ｃ１〜６）アルキルケトン、（Ｃ１〜６）アルキルアセテート、芳香族炭化水素及びこれらの混合物からなる群から選択される溶剤を用いて行われる、上記３５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスキングフィルムを形成するためのマスキング用組成物であって、
ａ．構造（Ｉ）を有する単位を含む第一のポリマー：
【化１】
2020514509.tif 000012
［式中、
Ｘは、−ＳＯ２−、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは、直接結合であるか、またはＡは、構造（ＩＩ）からなる群から選択され：
【化２】
2020514509.tif 000013
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ１〜３）アルキル、（Ｃ１〜３）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ１〜３）アルコキシ、及び（Ｃ１〜３）アルキルカルボニルからなる群から選択され；
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、４である］
但し、前記第一のポリマーは、３５０００超で、５００００未満の平均分子量を有する；
ｂ．構造（Ｉ）を有する単位を含む第二のポリマー：
【化３】
2020514509.tif 000014
［式中、
Ｘは、−ＳＯ２−、−Ｃ（＝Ｏ）−及び−Ｏ−からなる群から選択され；
Ａは、直接結合であるか、またはＡは、構造（ＩＩ）からなる群から選択され：
【化４】
2020514509.tif 000015
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、Ｈ、ハロ、（Ｃ１〜３）アルキル、（Ｃ１〜３）フッ素化アルキル、ヒドロキシ、（Ｃ１〜３）アルコキシ、及び（Ｃ１〜３）アルキルカルボニルからなる群から選択され；
ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、それぞれ独立して、４である］
但し、前記第二のポリマーは、３５０００未満の平均分子量を有する；
ｃ．有機溶剤、
を含み、前記第一のポリマーと前記第二のポリマーの合計した量は、該マスキング用組成物の０．１重量％と２０重量％との間である、
前記マスキング用組成物。
【請求項２】
前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとが同じ構造を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項３】
前記第二のポリマーが、９５００と１５０００との間の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項４】
前記第一のポリマーが、前記第二のポリマーの平均分子量よりも３．５倍〜５倍大きい平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項５】
前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとが異なる構造を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項６】
前記第二のポリマーが、１５０００未満の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項７】
前記第二のポリマーが、３００００未満の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項８】
前記第二のポリマーが、２００００未満の平均分子量を有する、請求項１に記載のマスキング用組成物。
【請求項９】
Ｘが−ＳＯ２−である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【請求項１０】
各々のＲ１、各々のＲ２、各々のＲ４及び各々のＲ５が、独立して、Ｈ、Ｆ及び（Ｃ１〜３）アルキルからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【請求項１１】
各々のＲ３が、独立して、Ｈ、Ｆ、（Ｃ１〜３）アルキル及び（Ｃ１〜３）フッ素化アルキルからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【請求項１２】
前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（ＩＩＩ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【化５】
2020514509.tif 000016
【請求項１３】
前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（ＩＶ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【化６】
2020514509.tif 000017
【請求項１４】
前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（Ｖ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【化７】
2020514509.tif 000018
【請求項１５】
前記第一のポリマー及び前記第二のポリマーのうちの一方または両方が構造（ＶＩ）を有する、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【化８】
2020514509.tif 000019
【請求項１６】
前記有機溶剤が、アニソール、シクロヘキサノン、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジ−（Ｃ１〜６）アルキルケトン、（Ｃ１〜６）アルキルアセテート及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【請求項１７】
前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとの合計した量が、該マスキング用組成物の３重量％と２０重量％との間である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【請求項１８】
前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとの合計した量が、該マスキング用組成物の１０重量％と１５重量％との間である、請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物。
【請求項１９】
電子デバイスを製造する方法であって、
ａ．請求項１〜８のいずれか一つに記載のマスキング用組成物を基材の縁に施与するステップ、及び
ｂ．上記マスキング用組成物を１５０℃と３５０℃との間の温度で、６０秒間〜１２０秒間の時間加熱して、マスキングフィルムを形成するステップ、
を含む、前記方法。
【請求項２０】
ｃ．ハードマスク用組成物を、前記基材及びマスキングフィルム上に施与するステップ；
ｄ．前記ハードマスク用組成物をエッジビードリムーバを用いてすすいで、少なくとも、マスキングフィルムと接触している部分のハードマスク用組成物を除去するステップ；
ｅ．上記ハードマスク用組成物を加熱してハードマスクを形成するステップ；及び
ｆ．上記マスキングフィルムを除去するステップ、
を更に含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
マスキングフィルムを形成するためのマスキング用組成物であって、
ａ．３５０００超で、５００００未満の平均分子量を有する、次式（ＩＶ）を有する単位を含む第一のポリマー、
【化９】
2020514509.tif 000020
ｂ．９５００と１５０００との間の平均分子量を有する、次式（ＩＶ）を有する単位を含む第二のポリマー、
【化１０】
2020514509.tif 000021
ｃ．アニソールを含む有機溶剤を含み、
前記第一のポリマーと前記第二のポリマーとの合計した量が、該マスキング用組成物の０．１重量％と２０重量％との間である、
前記マスキング用組成物。