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　特願２０１１−　３７１８２「受光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１０日出願公開、特開２０１２−１７４９７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、平成２３年２月２３日の出願であって、平成２６年５月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２０日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年１１月２８日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２７年３月４日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年８月２７日付けで平成２７年３月４日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して同年１１月２７日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。 
第２　平成２７年１１月２７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２７年１１月２７日付けの手続補正を却下する。 
［理由］
１　平成２７年１１月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、本件補正前の平成２６年８月２０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び５を引用する請求項７である
「【請求項１】
　ＩｎＰ基板上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体による、波長１．５μｍおよび１．７５μｍを含む波長域に受光感度を有する受光素子であって、
　前記ＩｎＰ基板上に接して位置するバッファ層と、
　前記バッファ層上に接して位置する受光層とを備え、
　前記受光層が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下の第１の半導体層と、該第１の半導体層のバンドギャップエネルギよりも大きいバンドギャップエネルギを持つ第２の半導体層とを交互に積層して５０ペア以上含み、
　前記第１の半導体層および第２の半導体層が歪補償量子井戸構造を形成し、該第１の半導体層および第２の半導体層の厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
　前記波長１．５μｍの受光感度と前記波長１．７５μｍの受光感度との比が、０．８以上１．２以下であることを特徴とする、受光素子。」
「【請求項５】
　前記第１の半導体層がＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の受光素子。」
「【請求項７】
　前記第２の半導体層がＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の受光素子。」を
「【請求項２】
　ＩｎＰ基板上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体による、波長１．５μｍおよび１．７５μｍを含む波長域に受光感度を有する受光素子であって、
　前記ＩｎＰ基板上に接して位置するバッファ層と、
　前記バッファ層上に接して位置する受光層とを備え、
　前記受光層が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下
であり前記ＩｎＰ基板より大きい格子定数を有するＩｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）である
ち前記ＩｎＰ基板よりも小さい格子定数を有するＧａＡｓ
ｚ
Ｓｂ
１−ｚ
（０．５４≦ｚ≦０．６６）である
　前記第１の半導体層および第２の半導体層が歪補償量子井戸構造を形成し、該第１の半導体層および第２の半導体層の厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
　前記波長１．５μｍの受光感度と前記波長１．７５μｍの受光感度との比が、０．８以上１．２以下であることを特徴とする、受光素子。」
とする補正を含むものである（下線は請求人が付与した。）。 
２　本件補正の目的 
　本件補正は、補正前の請求項１及び５を引用する請求項７を新請求項２とし、さらに、「第１の半導体層」を「前記ＩｎＰ基板より大きい格子定数を有する」「第１の半導体層」に、また、「第２の半導体層」を「前記ＩｎＰ基板より小さい格子定数を有する」「第２の半導体層」に限定することを含むものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものである。 
３　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項２に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）を、進歩性要件（特許法第２９条第２項）について以下に検討する。
（１）本願補正発明の認定 
　本願補正発明は、上記１において、補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
（２）各刊行物の記載事項及び引用発明の認定 
ア　原査定における拒絶理由通知に引用された、本願の出願前に頒布された、国際公開第２０１１／１６３０９号（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審で付与した。）。 
（ア）「［０００４］非特許文献１：R.Sidhu,ALong-Wavelength  Photodiode  on InP  Using  Lattice-Matched  GaInAs-GaAsSb Type-II  Quantum  Wells, IEEE  Photonics  Technology  Letters,  Vol.17, No.12(2005),  pp.2715-2717
非特許文献２：M.Peter,“Light-emitting diodes and laser diodes based on a Ga1-xInxAs/GaAs1-ySbytype II superlattice on InP substrate”Appl. Phys. Lett., Vol.74,No.14(1999), pp.1951-1953　上記の非特許文献１において、さらに長波長化するには歪み補償が必要であるとして、Ｇａ（Ｉｎ）ＡｓＳｂ−ＧａＩｎＡｓ（Ｓｂ）の歪み補償量子井戸構造によるカットオフ波長２μｍ〜５μｍのフォトディテクタが、提案されている。」
（イ）「［００１６］　
半導体素子が受光素子であり、該受光素子は、受光層に、Ｉｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ
１−ｙ
Ｓｂ
ｙ
（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア
で構成されるタイプＩＩ型の多重量子井戸構造を備えることができる。これによって、２μｍ〜５μｍの波長領域に受光感度を持つフォトダイオード
（ウ）「［００４０］　図１に示すウエハ１０の製造方法について説明する。まず、Ｓドープｎ型ＩｎＰ基板１に、ｎ型ＩｎＰバッファ層２を、厚み１０ｎｍに、エピタキシャル成長させる。ｎ型のドーピングには、ＴｅＥＳｉ（テトラエチルシラン）を用いた。このときの原料ガスには、ＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）およびＴＢＰ（ターシャリーブチルホスフィン）を用いる。このＩｎＰバッファ層２の成長には、無機原料のＰＨ ３ （ホスフィン）を用いて行っても良い。このＩｎＰバッファ層２の成長では、成長温度を６００℃程度あるいは６００℃程度以下で行っても、下層に位置するＩｎＰ基板の結晶性は６００℃程度の加熱で劣化することはない。しかし、実施の形態２で説明するＩｎＰ窓層を形成するときには、下層にＧａＡｓＳｂを含む多重量子井戸構造が形成されているので、基板温度は、たとえば温度４００℃以上かつ５６０℃以下の範囲に厳格に維持する必要がある。その理由として、６００℃程度に加熱すると、ＧａＡｓＳｂが熱のダメージを受けて結晶性が大幅に劣化する点、および、４００℃未満の温度としてＩｎＰ窓層を形成すると、原料ガスの分解効率が大幅に低下するため、ＩｎＰ層内の不純物濃度が増大し高品質なＩｎＰ窓層を得られない点があげられる。次いで、ＩｎＰバッファ層２の上に、ｎ型ドープしたＩｎＧａＡｓ層を、厚み０．１５μｍ（１５０ｎｍ）に成長する。このＩｎＧａＡｓ層も図１中ではバッファ層２に含まれる。
［００４１］　次いで、
ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂを量子井戸のペアとするタイプＩＩの多重量子井戸構造３を形成する。量子井戸におけるＧａＡｓＳｂ３ａは５ｎｍの厚み、またＩｎＧａＡｓ３ｂは厚み５ｎｍとするのがよい。図１では、２５０ペアの量子井戸を積層して多重量子井戸構造３を形成している。
（エ）「［００４６］（実施の形態２）
　図５は、本発明の実施の形態２における半導体素子を示す断面図である。この半導体素子１０は、
フォトダイオードの受光素子である。ｎ型ＩｎＰ基板１／バッファ層２／タイプＩＩの多重量子井戸構造３（ＩｎＧａＡｓ３ａ／ＧａＡｓＳｂ３ｂ）、の段階までは、実施の形態１の図１の構造と同じである。
　多重量子井戸構造を形成したあと、ＩｎＰ窓層５の形成まで、全有機ＭＯＶＰＥ法によって同じ成膜室または石英管３５の中で成長を続けることが、一つのポイントになる。すなわち、ＩｎＰ窓層５の形成の前に、成膜室からウエハ１０ａを取り出して、別の成膜法によってＩｎＰ窓層５を形成することがないために、再成長界面を持たない点が一つのポイントである。すなわち、ＩｎＧａＡｓ層４とＩｎＰ窓層５とは、石英管３５内において連続して形成されるので、界面１７は再成長界面ではない。このため、酸素および炭素の濃度がいずれも所定レベル以下であり、ｐ型領域１５と界面１７との交差線において電荷リークが生じることはない。」
（オ）図１
（カ）図５
（キ）上記（カ）より、ｎ型ＩｎＰ基板１上に形成された多重量子井戸構造３が看取できる。また、ｎ型ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、前記バッファ層２上に接して位置する多重量子井戸構造３とを備えることが看取できる。
　上記（ア）〜（キ）より、引用文献には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「ｎ型ＩｎＰ基板１上に形成された、受光層に、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペアで構成される多重量子井戸構造を備えることによって、２μｍ〜５μｍの波長領域に受光感度を持つ受光素子であって、
　ｎ型ＩｎＰ基板１上に接して位置するバッファ層２と、前記バッファ層２上に接して位置する多重量子井戸構造３の受光層とを備え、
　前記受光層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペアであって、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）は５ｎｍの厚み、前記ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）は厚み５ｎｍとし、２５０ペアの量子井戸を積層した多重量子井戸構造３である、受光素子。」
イ　本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００４−２７３５６２号公報（以下「周知例」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【００３２】
まず、化合物半導体材料の格子定数と、バンドギャップエネルギー（禁制帯幅）との関係を図３に示す。本実施の形態のストライプレーザー１００などの発光素子においては、活性領域１３０（特に、量子井戸構造の場合は井戸層１３４）の材料組成が素子の発光波長を決める要因のひとつとなっている。
【００３３】
そして、図３においては、３元系混晶であるＡｌＸＧａ１−ＸＡｓであれば、組成Ｘの変調によりバンドギャップエネルギーの変化があるが、その格子定数については、組成Ｘの値にかかわらず、ほとんど影響がないことがわかる。一方で、同じ３元系混晶であるＩｎＸＧａ１−ＸＡｓやＧａＸＮ１−ＸＡｓの場合、組成Ｘが変調されると、約０．１Åの範囲で格子定数の変動が生じ、それに伴いバンドギャップエネルギーもＡｌＸＧａ１−ＸＡｓに比べて大きく変動する。また、４元系混晶であるＩｎＸＧａ１−ＸＡｓＹＰ１−ＹやＧａＸＩｎ１−ＸＮＹＡｓ１−Ｙの場合は、組成Ｘおよび組成Ｙの変動により、格子定数およびバンドギャップエネルギーがともに広範囲で変化することが分かる。」
（イ）図３
（３）対比・判断 
ア　本願補正発明と引用発明を対比する。 
（ア）引用発明の「ｎ型ＩｎＰ基板１」、「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア」、「バッファ層２」及び「受光層」は、本願補正発明の「ＩｎＰ基板」、「ＩＩＩ−Ｖ族半導体」、「バッファ層」及び「受光層」に、それぞれ相当する。
（イ）電磁波のエネルギＥ（ｅＶ）と波長λ（μｍ）との関係は、Ｅ＝１．２４／λであることが知られている（特開２００２−１６４５６８号公報の【００２１】、特開２００４−２００４８０号公報の【００１７】参照。）。
　ここで、引用発明の「多重量子井戸構造の受光素子」は「２μｍ〜５μｍの波長領域に受光感度を持つ」ことから、波長２μｍに相当する０．６２ｅＶ（１．２４／２＝０．６２）以下のバンドギャップエネルギを有する。そして、０．６２ｅＶのバンドギャップエネルギを有する引用発明の「多重量子井戸構造の受光素子」が、波長２μｍの光よりも大きなエネルギを有する波長１．５μｍや１．７５μｍの光にも感度を有することは、当業者にとって明らかである。
　すると、引用発明の「ｎ型ＩｎＰ基板１上に形成された、受光層に、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペアで構成される多重量子井戸構造を備えることによって、２μｍ〜５μｍの波長領域に受光感度を持つ受光素子」は、本願補正発明の「ＩｎＰ基板上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体による、波長１．５μｍおよび１．７５μｍを含む波長域に受光感度を有する受光素子」に相当する。
（ウ）引用発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ」は、本願補正発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ」「である第１の半導体層」に相当する。
　そして、上記（イ）で示したように、引用発明の「多重量子井戸構造の受光素子」は、波長２μｍに相当する０．６２ｅＶ以下のバンドギャップエネルギを有する。ここで、化合物半導体の組成比によりバンドギャップエネルギ及び格子定数が求められることは、周知技術（周知例の（上記「（２）］「イ」）参照。）である。
　周知例の図３から、ＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギは０．６２ｅＶ以下とはならないので、引用発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」を０．６２ｅＶ以下のバンドギャップエネルギとすることは自明のことである。そして、周知例の図３から、０．６２ｅＶ以下のバンドギャップエネルギとなるＩｎＧａＡｓは、ＩｎＰの格子定数より大きいことが看取できる。
　また、引用発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」は、本願補正発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）である第１の半導体層」と、ｘの範囲が０．５６≦ｘ≦０．６８の点で重複する。
　すると、引用発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」は、本願補正発明の「バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下であり前記ＩｎＰ基板より大きい格子定数を有するＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）である第１の半導体層」に相当する。
（エ）引用発明の「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ」は、本願補正発明の「ＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ」「である第２の半導体層」に相当する。
　そして、上記（ウ）で示したように、ＧａＡｓＳｂのバンドギャップエネルギは０．６２ｅＶ以下とはならず、引用発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」は０．６２ｅＶ以下のバンドギャップエネルギであることから、引用発明の「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」のバンドギャップエネルギは、「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」のバンドギャップエネルギよりも大きいことは自明のことである。
　また、引用発明の 「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」は、０．３８≦１−ｙ≦０．６４となり、本願補正発明の「ＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）である第２の半導体層」と、ｚの範囲が０．５４≦ｚ≦０．６４の点で重複する。
　すると、引用発明の「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」は、本願補正発明の「該第１の半導体層のバンドギャップエネルギよりも大きいバンドギャップエネルギを持」つ「ＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）である第２の半導体層」に相当する。
（オ）引用発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペアであって、」「２５０ペアの量子井戸を積層した」ことは、本願補正発明の「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）である第１の半導体層と、」「ＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）である第２の半導体層とを交互に積層して５０ペア以上含」むことに相当する。
（カ）引用発明の「前記ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）は５ｎｍの厚み、前記ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）は厚み５ｎｍと」することは、本願補正発明の「該第１の半導体層および第２の半導体層の厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であ」ることに相当する。
　上記（ア）〜（カ）より、本願補正発明と引用発明は、 
「ＩｎＰ基板上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体による、波長１．５μｍおよび１．７５μｍを含む波長域に受光感度を有する受光素子であって、
　前記ＩｎＰ基板上に接して位置するバッファ層と、
　前記バッファ層上に接して位置する受光層とを備え、
　前記受光層が、バンドギャップエネルギ０．７３ｅＶ以下であり前記ＩｎＰ基板より大きい格子定数を有するＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）である第１の半導体層と、該第１の半導体層のバンドギャップエネルギよりも大きいバンドギャップエネルギを持つＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）である第２の半導体層とを交互に積層して５０ペア以上含み、
　該第１の半導体層および第２の半導体層の厚みが両方とも１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、受光素子。」 
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。 
＜相違点１＞
「ＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）である第２の半導体層」が、本願補正発明では、「前記ＩｎＰ基板より小さい格子定数を有する」のに対して、引用発明の「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」の格子定数は、明らかでない点。
＜相違点２＞
「前記第１の半導体層および第２の半導体層」が、本願補正発明では、「歪補償量子井戸構造を形成」するのに対して、引用発明では、「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペアであ」ることにとどまり、歪補償量子井戸構造を形成することは明らかでない点。
＜相違点３＞
　本願補正発明では、「前記波長１．５μｍの受光感度と前記波長１．７５μｍの受光感度との比が、０．８以上１．２以下である」のに対して、引用発明では、このような限定がなされていない点。
イ　判断
　上記相違点について検討する。
（ア）相違点１、２について
　引用文献の上記「（２）」「ア」「（ア）」において従来例として歪補償量子井戸構造が記載されており、また、異なる組成を有する半導体を歪補償量子井戸構造とすることは慣用手段（特開２００７−１２６８８号公報の【００３４】、図８、特開２０１０−１７１２６２号公報の【００３１】、【００３２】、図２参照。）である。
　さらに、歪補償量子井戸構造として、ＩｎＰ基板に対して圧縮歪みを有する層と引っ張り歪みを有する層を積層する構造、すなわち、ＩｎＰ基板の格子定数より大きい格子定数を有する層と、ＩｎＰ基板の格子定数より小さい格子定数を有する層を積層する構造が、特開平６−１８８４４９号公報の【０００４】に記載されているように周知技術である。
　してみると、引用発明の異なる組成を有する半導体である「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」と「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」とを歪補償量子井戸構造とすること、また、その際、「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」と「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」との格子定数の一方をＩｎＰ基板より大きく、他方を小さくすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、上記「ア」「（ウ）」で述べたように、「ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）」の格子定数はＩｎＰ基板よりも大きいものであるから、「ＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）」の格子定数をＩｎＰ基板よりも小さくすることは、当然のことである。
　よって、引用発明において、相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
（イ）相違点３について
　一般的に、受光素子において、どの波長域の受光感度をどの程度とするかは設計事項にすぎない。また、近赤外域にフラットな量子効率（受光感度）を有することは、周知の課題（特開２０１０−１７１１７８号公報の【００２０】、図３参照。）である。
　してみると、引用発明において、受光層の化合物半導体の組成比等を調整して、相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願補正発明が奏する作用効果も、当業者が予測できる域を超えるものではない。 
（４）結論 
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
４　本件補正の却下の決定についての結び 
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年８月２０日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項によって特定されると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」［理由］「１」において、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１として示したとおりのものである。 
２　刊行物の記載事項及び引用発明の認定 
　上記「第２」［理由］「３」「（２）」のとおりである。 
３　対比・判断 
　上記「第２」［理由］「２」「本件補正の目的」のとおり、本願発明は、本願補正発明の「第１の半導体層」から「前記ＩｎＰ基板より大きい格子定数を有するＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．５６≦ｘ≦０．６８）である」ことを削除し、「第２の半導体層」から「前記ＩｎＰ基板よりも小さい格子定数を有するＧａＡｓｚＳｂ１−ｚ（０．５４≦ｚ≦０．６６）である」ことを削除したものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記「第２」［理由］「３」での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　結び 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。