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　特願２０１０−１２９９４８「発光ダイオード及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月１６日出願公開、特開２０１０−２８３３５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２２年６月７日（パリ条約による優先権主張２００９年６月８日、台湾）の出願であって、平成２５年５月２８日に特許請求の範囲の補正がなされ、同年１２月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年４月４日に明細書及び特許請求の範囲の補正がなされたが、同年９月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年１月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされ、当審において、同年６月１２日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年９月１５日に意見書が提出されるとともに特許請求の範囲の補正がなされたものである。
２．当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は、
「この出願は、発明の詳細な説明及び特許請求の範囲の記載が、下記の点で特許法第３６条第４項第１号及び同条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」
というものであり、「下記の点」のうちの一つは以下のとおりである。
『（１）本願の請求項１，２には、「プロセス転換層を…含み」、「前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きく、前記発光素子は、順方向バイアスの条件の下で、１５０ｍＡ／ｍｍ２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する、発光素子」と記載され、また、同請求項６，７には、「プロセス転換層を…含み」、「負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、前記複数の発光ユニットの閾値逆方向電圧の絶対値の平均値は、少なくとも、５０Ｖより大きく、前記発光素子は、順方向バイアスの条件の下で、１５０ｍＡ／ｍｍ２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する」と記載されている。
　しかしながら、本願の発明の詳細な説明には、本願の各請求項に係る発明の具体的実施例は示されておらず、
　ア　上記「プロセス転換層」が具体的にどのように定義されるものであるのか、当業者は発明の詳細な説明を見ても理解することができない。また、
　イ　上記「プロセス転換層」を、具体的にどのような材料で、また、どのような成長条件で成長させれば、「逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きく」することができ、また、「順方向バイアスの条件の下で、１５０ｍＡ／ｍｍ２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する」ものとできるのか、当業者は発明の詳細な説明を見ても理解することができず、本願の各請求項に係る発明を実施することができない。
　これらの点につき、本願の段落【００１３】には、「接触層２０を成長させる条件は、例えば、反応器の温度設定値が９００〜１２００℃であり、反応器の圧力設定値が３００〜４５０ｍｂａｒであり、また、…接触層２０にｎ型不純物を、このｎ型不純物の濃度が１×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３になるように添加する。接触層２０の成長が完了後、続いて、プロセス転換層３１及びｎ型クラッド層４０を成長させ…る。そのうち、ｎ型クラッド層４０及び接触層２０は、成長条件にプロセス変化を有し、…劇烈な変化であるが、これにより、接触層２０にｎ型クラッド層４０を直接成長させるときに、薄膜に欠陥を生じさせ、エピタキシー層の品質が低くなってしまう。よって、プロセス転換層３１の目的は、プロセス転換層３１の前後の層の成長条件のプロセス変化による欠陥を補修することにあり、これにより、エピタキシー層の品質を向上できる。なお、本発明における『成長条件』とは、温度、圧力及び気体流量の中から選択される少なくとも一つのプロセスパラメータ設定値、及び、他のプロセスパラメータ設定値からなるグループを含むといい、『プロセス変化』とは、プロセス転換層３１の前の層の成長条件と、その後の層の成長条件との間に少なくとも３％の相違を有するといい、『劇烈な変化』とは、プロセス転換層３１の前の層の成長条件と、その後の層の成長条件との間に少なくとも１０％の相違を有するという。例えば、ｎ型クラッド層４０の反応器の温度設定値が７００〜１０００℃であり、反応器の圧力設定値が２００〜３５０ｍｂａｒであり、且つ、その温度設定値又は圧力設定値のうち少なくとも一つと、接触層２０の対応する設定値との相違は、少なくとも、３％であり、又は好ましくは、少なくとも、１０％である。プロセス転換層３１の成長条件は、約、接触層２０の成長条件と、ｎ型クラッド層４０の対応する成長条件との間にあり、好ましくは、ｎ型クラッド層４０の成長条件に近く、更に好ましくは、ｎ型クラッド層４０の成長条件と同じであり、且つ、プロセス転換層３１は、ｎ型不純物及び不純物濃度を有し、この不純物濃度は、接触層２０及びｎ型クラッド層４０の何れか一つの不純物濃度より大きく、例えば、５×１０１７〜１×１０２０ｃｍ−３であり、好ましくは、プロセス転換層３１の不純物濃度は、接触層２０及びｎ型クラッド層４０の不純物濃度より大きく、これにより、プロセス転換層３１の導電度は、接触層２０及び／又はｎ型クラッド層４０の導電度より大きくなる。」と記載されている。
　そして、これらの記載によれば、「接触層２０」に「ｎ型クラッド層４０」を直接成長させると、成長条件に（劇的な）プロセス変化が生じ、薄膜に欠陥が生じてしまうため、両者の間に「（温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータにおいて、両者の成長条件の間の成長条件で）プロセス転換層３１」を成長させることが記載されていることは理解できる。
　しかしながら、これらの記載によっても、前記の「プロセス転換層」を、具体的にどのような材料で、また、具体的にどのような成長条件で成長させれば（すなわち、温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータに関し、「接触層２０」の材料・成長条件、及び「ｎ型クラッド層４０」の材料・成長条件との関係で、具体的に如何なる条件で成長させれば）、「逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きく」することができ、また、「発光素子」を「順方向バイアスの条件の下で、１５０ｍＡ／ｍｍ２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する」ものとできるのか、当業者は発明の詳細な説明を見ても理解することができない。したがって、その実施をすることもできない。
　ウ　よって、当業者は、本願明細書等を見ても、「プロセス転換層」が具体的にどのように定義されるものであるのかを理解することができない、
　また、当業者は、本願明細書等を見ても、どのようにすれば、「逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きく」することができ、また、「順方向バイアスの条件の下で、１５０ｍＡ／ｍｍ２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する」ものとできるのかを理解することができず、本願の各請求項に係る発明を実施することができない。』
　なお、当該拒絶理由における「本願の請求項１」は、平成２７年１月２６日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載される次のとおりのものである。
「少なくとも一つの発光ユニットを含み、高逆方向電圧値を有する発光素子であって、
　前記発光ユニットは、発光エピタキシー構造を含み、
　前記発光エピタキシー構造は、接触層と、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、該ｎ型半導体層と該ｐ型半導体層との間に位置する活性層と、を含み、
　前記発光エピタキシー構造は、前記ｎ型半導体層と前記活性層との間に位置するプロセス転換層を更に含み、前記プロセス転換層の導電率は、前記ｎ型半導体層及び前記活性層の導電率より大きく、
　前記発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きく、
　前記発光素子は、順方向バイアスの条件の下で、１５０ｍＡ／ｍｍ２の電流密度で駆動されるときに、少なくとも５０ｌｍ／Ｗの発光効率を有する、発光素子。」
３．特許請求の範囲の補正及び請求人の主張
　これに対して、請求人は、特許請求の範囲の請求項１を
「
　
　前記発光ユニットは、
サファイア基板と、該サファイア基板に形成されたＧａＮ系
　前記
ＧａＮ系
ｎ型
ｎ型
　前記
ＧａＮ系
前記ｎ型接触層と前記ｎ型半導体層との間に位置する第一プロセス転換層、及び、
第二
　
前記第一転換層のｎ型不純物の濃度は、前記ｎ型接触層及び前記ｎ型半導体層のｎ型不純物の濃度より大きく、前記第二転換層のｎ型不純物の濃度は、前記ｎ型半導体層及び前記活性層のｎ型不純物の濃度より大きく、
　前記ｎ型接触層と前記ｎ型半導体層との成長条件の相違は少なくとも３％であり、前記第一転換層の成長条件は、前記ｎ型接触層と前記ｎ型半導体層との成長条件の間にあり、
　前記ｎ型半導体層と前記活性層との成長条件の相違は少なくとも３％であり、前記第二転換層の成長条件は、前記ｎ型半導体層と前記活性層との成長条件の間にあり、
　前記成長条件は、温度、圧力、及びガス流量からなるグループから選択された少なくとも一つのプロセスパラメター設定値を含み、
　前記
ＧａＮ系
い
と補正するとともに、意見書において、
「補正後の請求項１には、第一プロセス転換層及び第二プロセス転換層の設置位置及びｎ型不純物の濃度について限定しており、また、ｎ型接触層、第一プロセス転換層、及びｎ型半導体層の成長条件、及び、ｎ型半導体層、第二プロセス転換層、及び活性層の成長条件についても限定しています。具体的には、補正後の請求項１における下線部の記載を参照することができます。
　通常、転換層無しの層間成長の相違により、薄膜に欠陥を生じさせることができ、また、エピタキシー構造の抵抗も間接的に増加します。これに対して、本願では、層間に高濃度の不純物を有する転換層を設置することにより、エピタキシー構造の抵抗を低減することができます。
　したがって、補正後の請求項１に記載の発明は、明確で且つ当業者が実施することができるものです。
　また、補正後の他の請求項に記載の発明も同様です。
　つまり、この拒絶理由は、上述の補正により解消されたと思料いたします。」と主張している。
　
４．当審の判断
　本願明細書の発明の詳細な説明には、当審拒絶理由で指摘したように段落【００１３】に、「接触層２０」に「ｎ型クラッド層４０」を直接成長させると、成長条件に（劇的な）プロセス変化が生じ、薄膜に欠陥が生じてしまうため、両者の間に「（温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータにおいて、両者の成長条件の間の成長条件で）プロセス転換層３１」を成長させることが記載され、また、段落【００１４】には、「ｎ型クラッド層４０」に「活性層５０」を直接成長させると、成長条件に（劇的な）プロセス変化が生じ、薄膜に欠陥が生じてしまうため、両者の間に「（温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータにおいて、両者の成長条件の間の成長条件で）プロセス転換層３２」を成長させることが記載されていると認められるが、これらの「プロセス転換層」を、具体的にどのような材料で、また、具体的にどのような成長条件で成長させれば（すなわち、温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータに関し、具体的に如何なる条件で成長させれば）、「逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きい」発光素子を得ることができるのかについて、本願明細書及び図面に記載されているとは認められない。
　したがって、「第一プロセス転換層」、「第二プロセス転換層」及び「発光エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きい」との事項を発明特定事項とする補正後の請求項１に係る発明について、本願明細書の発明の詳細な説明の記載が、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。　
　請求人は、
「補正後の請求項１には、第一プロセス転換層及び第二プロセス転換層の設置位置及びｎ型不純物の濃度について限定しており、また、ｎ型接触層、第一プロセス転換層、及びｎ型半導体層の成長条件、及び、ｎ型半導体層、第二プロセス転換層、及び活性層の成長条件についても限定しています。具体的には、補正後の請求項１における下線部の記載を参照することができます。
　通常、転換層無しの層間成長の相違により、薄膜に欠陥を生じさせることができ、また、エピタキシー構造の抵抗も間接的に増加します。これに対して、本願では、層間に高濃度の不純物を有する転換層を設置することにより、エピタキシー構造の抵抗を低減することができます。
　したがって、補正後の請求項１に記載の発明は、明確で且つ当業者が実施することができるものです。」
と主張するが、補正後の請求項１においても、「エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大き」い、との事項が特定されているところ、上記したとおり、本願明細書及び図面において、第一プロセス転換層及び第二プロセス転換層を、具体的にどのような材料で、また、具体的にどのような成長条件で成長させれば（すなわち、温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータに関し、具体的に如何なる条件で成長させれば）、「エピタキシー構造は、逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大き」い、発光素子を得ることができるのかについて、記載されているとは認められないのであり、請求項１の補正によって、当審拒絶理由で指摘した『「プロセス転換層」を、具体的にどのような材料で、また、具体的にどのような成長条件で成長させれば（すなわち、温度、圧力、気体流量、その他のプロセスパラメータに関し、「接触層２０」の材料・成長条件、及び「ｎ型クラッド層４０」の材料・成長条件との関係で、具体的に如何なる条件で成長させれば）、「逆方向バイアスの条件の下で、負の１０μＡ／ｍｍ２の電流密度の下で、その対応する逆方向電圧値の絶対値が５０Ｖより大きく」することができ・・・るのか、当業者は発明の詳細な説明を見ても理解することができない。』との点が解消したとは認められない。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
５．むすび
　以上のとおりであって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。