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　特願２０１４−　８４４２５「圧電デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月１６日出願公開、特開２０１４−１９７８４５、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年１１月２２日（優先権主張２００９年１１月２６日、日本国）を国際出願日とする出願である特願２０１１−５４３２３９号の一部を平成２６年４月１６に新たな特許出願としたものであって、平成２７年１月２６日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年３月３１日付けで手続補正がされ、平成２７年５月７日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２７年８月７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１−５に係る発明は、平成２７年３月３１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
　　【請求項１】
　電極が形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を支持する支持体と、を備える圧電デバイスであって、
　前記圧電薄膜と前記支持体との間に、酸化または窒化された金属を含む中間層を備え、
　前記圧電薄膜は、導電率が１．０×１０−１３Ω−１・ｍ−１乃至１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１の圧電単結晶基板である、圧電デバイス。
第３　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１．特開２００４−３４３３５９号公報
引用文献４．特開２００５−１６７９６９号公報
　引用文献４には、焦電対策のために、弾性波素子のＬｉＮｂＯ３基板またはＬｉＴａＯ３基板の抵抗率を１０１４〜１０７Ωｍ、すなわち、導電率を１．０×１０−１４〜１．０×１０−７Ω−１ｍ−１とすることが記載されている。そして、当該範囲に、本願請求項１に記載の「１．０×１０−１３Ω−１・ｍ−１乃至１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１」を含んでいることは明らかである。そして、焦電対策のために、当該範囲内のどの値を用いるかは、要求される焦電対策の仕様等に応じて当業者が選択しうる設計的事項にすぎない。
　よって、引用文献１に記載されたものにおいて、引用文献４に記載されたものを適用した際に、どの値を選択するかは、要求される焦電対策の仕様等に応じて当業者が選択しうる設計的事項に過ぎない。してみれば、引用文献４に記載されたものには、本願請求項１に記載の「１．０×１０−１３Ω−１・ｍ−１乃至１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１」の範囲を含んでいるから、仕様によっては、「１．０×１０−１３Ω−１・ｍ−１乃至１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１」内の値とすることは当業者にとって格別困難なことではない。
　よって、本願発明は、引用文献１、４に記載されたものに基づいて当業者が容易になし得るものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　当審の判断
１．引用文献の記載事項
１−１．引用文献１
　引用文献１には、以下の事項が記載されている。
（ア）第００１９段落
　【００１９】
　図２（Ｂ）に示すように、圧電単結晶基板１の接合面に、金属からなる中間層３２を形成する（図１：Ｓ１０２）。中間層３２の材料としては、接合の密着力を高め、かつ後述する熱処理工程により十分酸化され、圧電単結晶基板１の圧電性を劣化しないものが良い。このような特性を有する金属としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｃｕがあり、中間層３２がこれらの元素の少なくとも１種類から構成されるように形成すると良い。中間層３２の膜厚は２ｎｍ〜２５ｎｍ以下にすると良い。これは、以下のような実験結果による。すなわち、次に行う接合工程で圧電単結晶基板１と支持体３０を接合する際に、中間層の膜厚を２ｎｍ未満にすると接合ができなかった。一方、中間層の膜厚を２ｎｍ乃至２５ｎｍにすると問題なく接合できた。また、
後述の熱処理工程で中間層の金属を酸化または窒化して導電性を低下させるが、圧電単結晶基板が還元されて導電性が増加することがなく、ＳＡＷデバイスの共振特性は劣化しなかった。しかし、中間層の膜厚が２５ｎｍを超えると、熱処理により中間層の金属を十分酸化または窒化した場合でも、中間層によって圧電単結晶基板が還元されて導電性が増加し、ＳＡＷデバイスの共振特性の劣化が発生した。
（イ）第００３５段落から第００３７段落、第００４７段落
【００３５】
〔第１の実施形態〕
まず、本発明の第１の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本実施形態による弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）素子で使用する接合基板１００のモデルを示す
【００３６】
圧電基板１０には、
リチウムタンタレート
の圧電単結晶基板（以下、ＬＴ基板という）を用いる。
【００３７】
この構成において、
圧電基板１０と支持基板２０との接合には、表面活性化による基板接合方法を用いる。
【００４７】
図３は、接合基板１１０の上面にＳＡＷ共振子３０を構成する櫛形電極（ＩＤＴ）
を含むＳＡＷフィルタが形成されたＳＡＷ素子１１０Ａの構成を示す斜視図である。
（ウ）図３によれば、
ＳＡＷ共振子３０は、ＬＴ基板１１の上面に構成されている
（エ）第００５２段落
【００５２】
〔第２の実施形態〕
上記した第１の実施形態では、支持基板２０にサファイア基板２１を用いた場合について例を挙げたが、この代わりにサファイア基板２１上にシリコンを主成分とした中間膜
２２を形成した構造を有するＳＯＳ
基板２０Ａを使用しても良い。
（オ）第００５７段落、第００５９段落
【００５７】
〔第３の実施形態〕
また、
第２の実施形態では、ＳＯＳ基板２０Ａを用いることで、圧電基板１０と支持基板２０との間にシリコン薄膜２２を介在させて、両基板間の接合力を向上させていたが、このほか、圧電基板１０及び支持基板２０における少なくとも一方の接合面に、両者とは異なる材料を主成分とした中間膜を成膜した後に、これらを接合することで、より接合力を向上させることもできる。
【００５９】
中間膜２３の材料としては、
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の絶縁材料を主成分とすることが好ましい
　以上の引用文献１の摘記事項（イ）から（オ）の記載によれば、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
〈引用発明１〉
　接合基板を使用した弾性表面波（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：ＳＡＷ）素子であって、
　圧電基板１０にリチウムタンタレートの圧電単結晶基板（以下、ＬＴ基板という）を用い、圧電基板１０と支持基板２０との接合には、表面活性化による基板接合方法を用い、
　接合基板の上面にＳＡＷ共振子３０を構成する櫛形電極（ＩＤＴ）を含むＳＡＷフィルタが形成され、
　ＳＡＷ共振子３０は、ＬＴ基板１１の上面に構成され、
　支持基板２０にサファイア基板２１を用いる代わりにサファイア基板２１上にシリコンを主成分とした中間膜２２を形成した構造を有するＳＯＳ基板２０Ａを使用しても良く、このほか、圧電基板１０及び支持基板２０における少なくとも一方の接合面に、両者とは異なる材料を主成分とした中間膜を成膜した後に、これらを接合することで、より接合力を向上させることもでき、
　中間膜２３の材料としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の絶縁材料を主成分とする、
弾性表面波素子。
１−２．引用文献４
　引用文献４には、以下の事項が記載されている。
（カ）第００３４段落
【００３４】
　
弾性波素子は、圧電基板１０と支持基板２０とを有する。圧電基板１０は、例えば、ＬｉＴａＯ
３
（以下では単に「ＬＴ」ということがある）やＬｉＮｂＯ
３
（以下では単に「ＬＮ」ということがある）で形成される。焦電対策のために、圧電基板１０の抵抗率は１０
１４
〜１０
７
Ωｍであることが好ましい。
２．対比
　以下で、本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明１の「圧電基板１０」、「支持基板２０」及び「櫛形電極」は、それぞれ本願発明の「圧電薄膜」、「支持体」及び「電極」に相当する。
　引用発明１の「弾性表面波素子」は、圧電基板１０を用いた素子であるから、本願発明の「圧電デバイス」に相当する。
　引用発明１において、ＳＡＷ共振子３０は圧電基板であるＬＴ基板の上面に構成され、かつ、櫛形電極はＳＡＷ共振子を構成することから、引用発明１と本願発明とは、「電極が形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を支持する支持体と、を備える圧電デバイス」である点で一致する。
　引用発明１の「中間膜」は、本願発明の「中間層」に相当し、引用発明１の中間膜は、「圧電基板１０及び支持基板２０における少なくとも一方の接合面に、両者とは異なる材料を主成分とした中間膜を成膜した後に、これらを接合することで、より接合力を向上させる」ものであり、材料として「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）」を用いることから、引用発明１と本願発明とは、「前記圧電薄膜と前記支持体との間に、酸化または窒化された金属を含む中間層を備え」る点で一致する。
　すると、本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
〈一致点〉
　「電極が形成された圧電薄膜と、該圧電薄膜を支持する支持体と、を備える圧電デバイスであって、
　前記圧電薄膜と前記支持体との間に、酸化または窒化された金属を含む中間層を備える、圧電デバイス。」である点。
〈相違点〉
　本願発明は、圧電薄膜の導電率を１．０×１０−１３Ω−１・ｍ−１乃至１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１（以下、この導電率の範囲を「本願導電率範囲」という）に限定しているのに対し、引用発明１は、圧電基板の導電率を限定していない点。
３．判断
　上記相違点について検討する。
　本願の図４のグラフを参照すると、本願導電率範囲においては比帯域が約４％で安定しているのに対し、本願導電率範囲の下限以下及び本願導電率範囲の上限以上においては本願導電率範囲から離れるに従って比帯域が減少することが理解できる。つまり、本願導電率範囲の全域において、比帯域の最良値が得られるという効果があることを示している。
　そして、図４の説明である第００２８段落には、「圧電薄膜の導電率を１．０×１０−１３〜１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１にすると、プロセスでの焦電破壊を抑制しつつ、熱処理における酸化に寄与する圧電基板中の酸素原子を十分供給することができるので、ＳＡＷデバイスの特性を良好にすることができる。」との説明、及び、「支持体３０の表面におけるＬＴの導電率が１．０×１０−１１Ω−１・ｍ−１以下であれば、支持体３０に含まれる酸素により中間層３２は十分酸化し、中間層の導電性による特性劣化は抑制された。」との説明がある。上記のことは、摘記事項（ア）に鑑みると、熱処理で酸化ではなく窒化を行う場合にも該当することが理解できる。
　以上から、本願導電率範囲の全域において比帯域の最良値が得られる理由は、本願導電率範囲においては焦電破壊を抑制でき、かつ、中間層を十分に窒化することで中間層の導電性を低く抑えて特性劣化を抑制できるからであると理解できる。
　一方、引用文献４には、圧電基板と支持基板とからなる弾性波素子において、「焦電対策のために、圧電基板１０の抵抗率は１０１４〜１０７Ωｍであることが好ましい。」（摘記事項（カ）を参照）との記載がある。［Ωｍ］を単位とする抵抗率は、［Ω−１・ｍ−１］を単位とする導電率の逆数であるから、引用文献４には、圧電基板の導電率が「１．０×１０−１４乃至１．０×１０−７Ω−１・ｍ−１」の範囲とすべきこと、及び、その範囲とすべき理由は焦電対策であることが記載されていると理解できる。
　引用文献４に記載された導電率の範囲は、本願導電率範囲を内包する、より広い範囲であるが、焦電対策のみに着目して得られた導電率の範囲であって、中間層の十分な窒化により得られる特性劣化の抑制については考慮されていない。
　そして、引用文献４には、「１．０×１０−１４乃至１．０×１０−７Ω−１・ｍ−１」の範囲の全域において、比帯域の最良値が得られるとの記載もない。
　してみると、引用文献４に記載された「１．０×１０−１４乃至１．０×１０−７Ω−１・ｍ−１」という導電率の範囲から本願導電率範囲のみを選び出して採用する動機は存在しない上、本願導電率範囲の全域において比帯域の最良値が得られるという効果は、引用発明１と引用文献４に記載された技術とを組み合わせたとしても得られない顕著な効果である。
　さらに、出願当時の技術水準に照らすと、圧電基板の導電率と圧電デバイスの比帯域との関係を、焦電特性と、中間層の窒化又は酸化による導電特性への影響と、の２つの観点から解析することが行われていなかった以上、本願導電率範囲の全域において比帯域の最良値が得られるという効果は、当業者が予測できたものとはいえない。
　なお、拒絶査定のなお書きでは、新たな文献として特開２００３−１３３２４６号公報について言及しているが、この文献には導電率と比帯域との関係について一切の記載がない。
　また、上記文献に関して拒絶査定が引用した内容について検討すると、これまでの手続では言及されていなかった特開２００６−９４４７２号公報の第００５２段落及び第００５３段落に、
「【００５２】
  これにより、図１に示すように、
ＩＤＴ電極３が形成されている領域では酸化層２が残ったままとなり
ＩＤＴ電極２が形成されている領域の酸化層２の残部は焦電効果を緩和することはなく、一定量の静電気を発生させるが、この残部では結晶格子の歪みが少ないため、酸素欠損による弾性表面波の損失を防ぐことができる。
【００５３】
  このとき、酸素濃度，アニール温度，アニール処理時間を制御することにより、
圧電基板１の酸化層２における導電率を高くしすぎず、１×10
−１２
Ω
−１
・ｃｍ
−１
〜１×10
−１０
Ω
−１
・ｃｍ
−１
の範囲に制御することが充分可能である。
との記載がある。
　１［Ω−１・ｃｍ−１］は、１０２［Ω−１・ｍ−１］であるから、前記記載は、「１×１０−１０Ω−１・ｍ−１〜１×１０−８Ω−１・ｍ−１」の導電率の範囲を開示しているが、この範囲は本願導電率範囲の外である。加えて、前記記載は、ＩＤＴ電極が形成されている領域に残った酸化層に関する焦電効果について言及しているのであって、本願発明のように中間層の酸化又は窒化による導電率が比帯域に与える影響について言及したものではない。
　よって、上記の２文献（特開２００３−１３３２４６号公報及び特開２００６−９４４７２号公報）を考慮したとしても、本願発明の効果は顕著なものであり、当業者が予測できたものとはいえない。
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明１に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願の請求項２から５に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、当業者が引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１から５に係る発明は、当業者が引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。