(57)【要約】アルミ製磁気ディスクの下地層、ガラス製磁気ディスク表面のテクスチャリング後平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくし、かつ微細なテクスチャリング条痕を形成すると同時に、下地層や表面に存在するサブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することのできる高加工レートの組成物を提供する。アルミ製磁気ディスクの下地層またはガラス製磁気ディスクの表面をテクスチャリング加工するためのテクスチャリング加工用組成物であり、（Ａ）比表面積が１５０ｍ２／ｇ以上のナノダイヤモンド粒子、（Ｂ）炭素数が１０〜２２の脂肪酸または脂肪酸金属塩、（Ｃ）有機アミン化合物を含む。【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）を成分として含むテクスチャリング加工用組成物。
（Ａ）比表面積が１５０ｍ２／ｇ以上のナノダイヤモンド、
（Ｂ）炭素数が１０〜２２の脂肪酸または脂肪酸塩、
（Ｃ）有機アミン化合物。
【請求項２】
ナノダイヤモンドが、酸素欠如爆発法で製造されるナノダイヤモンド結晶クラスターである請求項１に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項３】
ナノダイヤモンドが、表面黒鉛不純物が除去された、酸素欠如爆発法で製造されるナノダイヤモンド結晶クラスターである請求項２に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項４】
ナノダイヤモンドの平均２次粒子径が０．０１〜１μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項５】
ナノダイヤモンドの含有量が０．００１〜５．０質量％である請求項１〜４のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項６】
脂肪酸または脂肪酸塩が、ラウリン酸、オレイン酸またはそれらの塩である請求項１〜５のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項７】
脂肪酸および脂肪酸塩の濃度が０．０１〜２０質量％である請求項１〜６のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項８】
有機アミン化合物の濃度が０．０１〜２０質量％である請求項１〜７のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項９】
水溶性有機溶媒を含む請求項１〜８のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１０】
水溶性有機溶媒が、一般式Ｒ１Ｏ｛（ＣＨ２）ｎＯ｝ｍＨで表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル〔式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３の数を示す。〕、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物、炭素数２〜５の１価アルコール、またはこれらの混合物である、請求項９に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１１】
水溶性有機溶媒の濃度が１質量％以上である請求項９または１０に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１２】
さらに界面活性剤を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１３】
界面活性剤の濃度が０．０１〜２０質量％である請求項１２に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１４】
アルミニウム製磁気ディスクの下地層またはガラス製磁気ディスクの表面をテクスチャリング加工するための請求項１〜１３のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物を用いてアルミニウム製磁気ディスクの下地層またはガラス製磁気ディスクの表面をテクスチャリング加工する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は磁気ディスクにテクスチャリング条痕を付けるテクスチャリング加工用組成物に関し、微細なテクスチャリング条痕を迅速に形成でき、かつテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくでき、さらに高い加工速度が得られるテクスチャリング加工用組成物に関する。
【背景技術】  最近益々増大する磁気ディスクの記録密度の要求を満たすために、磁気ディスク表面と磁気ヘッドとの距離は益々小さくなっている。このため磁気ディスクの表面はできるだけ平坦である必要があるが、磁気ディスクの平坦化に伴って磁気ディスクの静止後再駆動しなくなり（業界的にはそれを「磁気ヘッドの吸着」という）、ハードディスクドライブの始動が不能になるというトラブルが起こる。数年前まではこのような「磁気ヘッドの吸着」を防ぐために、通常磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）にいわゆるテクスチャリング加工を施していた。
テクスチャリング加工とは、所定の粒径の砥粒が付着した研磨テープあるいは砥粒の懸濁液を磁気ディスクの下地層表面に摺接して、磁気ディスク下地層の表面に微小な条痕を形成することである。このときに形成されるテクスチャリング条痕は、数年前まではいわゆる「磁気ヘッドの吸着」を防止するためのものであり、そのためにはある程度の大きさが必要であるが、浮上中の磁気ヘッドと衝突する程大きくてはいけないという条件を満たす必要があり、さらにテクスチャリング条痕は十分に均一でなければならなかった。
このような条痕を形成するためのテクスチャリング加工用組成物として、従来から、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒を研削液に混合したスラリーが用いられていた。
しかし近年では、磁気ディスク内周部にレーザー加工による段差（一般に「レーザーバンプ」といわれている。）を形成し、磁気ディスク静止時にはこの段差上に磁気ヘッドを着陸させることにより「磁気ヘッドの吸着」を防いでいる。そのため現在は「磁気ヘッドの吸着」防止とは異なる目的のためにテクスチャリング加工は行われている
現在、テクスチャリング加工が行われている目的は以下に挙げられるものである。
・微細なテクスチャリング条痕を形成することによりテクスチャリング加工後の磁気ディスク表面に形成される磁性層中の粒子の結晶方向を揃え磁気記録を効率的に行う。現在では例えば１μｍ当たり１０〜３０本程度の条痕が形成されている。そのため、以前のような数μｍ程度の大きさのテクスチャリング条痕は必要でなくなっている。
・テクスチャリング加工により、テクスチャリング加工前のアルミニウム製磁気ディスク下地層、ガラス製磁気ディスク表面に存在するサブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去する。これら「研磨痕」や「研磨スクラッチ」は、磁性粒子による記録読み書きの際のエラー原因となり、磁気ディスクの記録密度向上を阻害させる要因となり、これらを除去するためには高加工レートのテクスチャリング加工用組成物が必要である。
・テクスチャリング後の下地層の平均面粗さ（Ｒａ）を小さくし磁気ヘッドの浮上高さを小さくする。
特開２００３−１９３０４１号公報には「多結晶ダイヤモンド微粉、及び界面活性剤、を含み、多結晶ダイヤモンド微粉の平均粒子径が０．０５〜５μｍの範囲にあり、多結晶ダイヤモンド微粉が当該スラリー液の０．０１〜３重量％含まれ、界面活性剤が当該スラリー液の０．５〜３０重量％含まれる、ところのスラリー液」が開示されている。また、特開平０６−３３０４２号公報には、「炭素数２〜５の二価アルコール、エチレングリコール重合物またはプロピレングリコール重合物を分散媒とし、ダイヤモンド、炭化珪素、酸化アルミニウムの砥粒を分散させて得られるメモリーハード用ディスクのテクスチャリング用研磨組成物。」が開示されている。また、特開平０８−２８７４５６６号公報には、「ダイヤモンド等の微粒子または粉末とアルキレングリコールモノアルキルエーテル並びに脂肪酸またはそれらの金属塩を含有することを磁気ディスクのテクスチャリング加工用組成物。」が開示されている。しかし、これら公報におけるスラリー液、テクスチャリング用研磨組成物、あるいはテクスチャリング加工用組成物では微細なテクスチャリング条痕の形成と高加工レートによる「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを同時に達成することは不可能であった。
磁気ディスクの記録密度を向上させるには、磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）のテクスチャリング加工表面粗さを小さくし磁気ヘッドの浮上高さを従来より小さくすると共に、ディスク円周方向に微細なテクスチャリング条痕を形成し磁気記録を効率的に行い、同時にテクスチャリング加工前のアルミニウム製磁気ディスクの下地層、ガラス製磁気ディスク表面に存在するサブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去する必要がある。
テクスチャリング加工表面粗さを小さくすることと微細なテクスチャリング条痕を形成するためには微小な粒子ないし粉末を使用する必要があるが、通常は粒子が小さくなることにより加工レートが低下してしまい、テクスチャリング加工によって「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが困難であった。
本発明は、アルミニウム製磁気ディスクの下地層、ガラス製磁気ディスク表面のテクスチャリング後平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくし、かつ微細なテクスチャリング条痕を形成すると同時に、下地層や表面に存在するサブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することのできる高加工レートの組成物を提供することを目的とするものである。
【発明の開示】
本発明は、上記の目的を達成するため、新たなテクスチャリング加工用組成物を提供するものである。本発明は下記を提供する。
〔１〕以下の（Ａ），（Ｂ）及び（Ｃ）を成分として含むテクスチャリング加工用組成物。
（Ａ）比表面積が１５０ｍ２／ｇ以上のナノダイヤモンド、
（Ｂ）炭素数が１０〜２２の脂肪酸または脂肪酸塩、
（Ｃ）有機アミン化合物。
〔２〕ナノダイヤモンドが、酸素欠如爆発法で製造されるナノダイヤモンド結晶クラスターである上記〔１〕に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔３〕ナノダイヤモンドが、表面黒鉛不純物が除去された、酸素欠如爆発法で製造されるナノダイヤモンド結晶クラスターである上記〔２〕に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔４〕ナノダイヤモンドの平均２次粒子径が０．０１〜１μｍである上記〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔５〕ナノダイヤモンドの含有量が０．００１〜５．０質量％である上記〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔６〕脂肪酸または脂肪酸塩が、ラウリン酸、オレイン酸またはそれらの塩である上記〔１〕〜〔５〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔７〕脂肪酸および脂肪酸塩の濃度が０．０１〜２０質量％である上記〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔８〕有機アミン化合物の濃度が０．０１〜２０質量％である上記〔１〕〜〔７〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔９〕水溶性有機溶媒を含む上記〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔１０〕水溶性有機溶媒が、一般式Ｒ１Ｏ｛（ＣＨ２）ｎＯ｝ｍＨで表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル〔式中、Ｒ１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３の数を示す。〕、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物、炭素数２〜５の１価アルコール、またはこれらの混合物である、上記〔９〕に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔１１〕水溶性有機溶媒の濃度が１質量％以上である上記〔９〕または〔１０〕に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔１２〕さらに界面活性剤を含む上記〔１〕〜〔１１〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔１３〕界面活性剤の濃度が０．０１〜２０質量％である上記〔１２〕に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔１４〕アルミニウム製磁気ディスクの下地層またはガラス製磁気ディスクの表面をテクスチャリング加工するための上記〔１〕〜〔１３〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物。
〔１５〕上記〔１〕〜〔１４〕のいずれか１項に記載のテクスチャリング加工用組成物を用いてアルミニウム製磁気ディスクの下地層またはガラス製磁気ディスクの表面をテクスチャリング加工する方法。
【発明を実施するための最良の形態】  ナノダイヤモンドは１９６０年代旧ソビエト連邦においてその合成方法（酸素欠如爆発法）が確立された。従来の多結晶ダイヤモンド合成方法である衝撃圧縮法は、黒鉛原料を金属容器内に封入し、金属容器外部から火薬爆発による超高温、超高圧力を印加することにより黒鉛原料をダイヤモンドへと転換させる手法であり、その一次粒子サイズは一般的に数十ｎｍと言われているが、一次粒子サイズにばらつきがあり、個々の一次粒子は完全なダイヤモンド（単結晶）ではない。一方酸素欠如爆発法は、不活性媒体中でＴＮＴやＲＤＸ等の爆薬を爆発させ、爆薬自身に含まれる炭素成分をダイヤモンドへと変換させる方法であり、その一次粒子は５ｎｍ程度で均一性に富み、個々の一次粒子が完全な単結晶ダイヤモンドである。
酸素欠如爆発法で製造されるナノダイヤモンド結晶クラスターは、ナノダイヤモンド一次粒子の数が１０個未満から数百個までの範囲で構成されている。ナノダイヤモンド一次粒子表面はダイヤモンドへとは変換しなかった黒鉛不純物で覆われており、ナノダイヤモンド結晶クラスターはこの黒鉛不純物を媒体として一次粒子同士が強固に結合しているため、機械的に破壊することが困難な凝集体である。また凝集体表面も黒鉛不純物で覆われているために、凝集体同士もさらに凝集してしまいさらに大きな３次粒子を形成する傾向にある。テクスチャリング加工用組成物は、磁気ディスク表面に均一にテクスチャリング条痕を形成する必要があるため、砥粒を水や有機溶媒等の液体中に均一に分散させる必要がある。従って本発明に用いられるナノダイヤモンド結晶クラスターはその表面黒鉛不純物を、高温下での酸処理、や大気雰囲気中での熱処理、等により除去することにより選別される。
このようなナノダイヤモンド結晶クラスターに限らず、粉体の一次粒子サイズは比表面積（単位重量あたりの粒子表面積）で評価するのが一般的である。ナノダイヤモンド結晶クラスターをテクスチャリング加工用組成物に用いるのは、ナノダイヤモンド一次粒子を一つの切削刃として作用させ、より微細なテクスチャリング条痕を数多く形成させることが目的である。従って比表面積の大きいナノダイヤモンド結晶クラスターであればあるほどより有効であり、１５０ｍ２／ｇ以上の粒子が本発明のテクスチャリング加工用組成物の砥粒として好適である。より好ましくは２００ｍ２／ｇ以上、特に好ましくは２５０ｍ２／ｇ以上である。
また本発明におけるテクスチャリング加工用組成物ではナノダイヤモンド以外の砥粒、例えばＪＩＳ  Ｒ６１１１−１９８７に規定された人造研削材またはそれに準ずるものであって、ＪＩＳ  Ｒ６００１−１９８７に規定されている粒度またはそれに準ずる粒度の研磨材、砥粒の粗粉および微粉であるアルミナまたは炭化ケイ素や、燒結用のアルミナ粉末または炭化ケイ素粉末、また天然または工業合成のダイヤモンドであって、上記のＪＩＳ  Ｒ６００１−１９８７に準じる粒度のものやそれ以外に最大粒度が１０μｍ以下で特殊な粒度分布を持っているダイヤモンド微粒子または粉末などを含んでも良い。
本発明のテクスチャリング加工用組成物に使用する上記のナノダイヤモンドは、平均２次粒子径としては０．０１〜１μｍが好ましい。１μｍを越えるとテクスチャリング加工により形成される条痕が太すぎ、０．０１μｍ未満であると切削力が低下し、テクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが困難であり好ましくない。より好ましくは０．０３〜０．３μｍである。
ナノダイヤモンドの、テクスチャリング加工用組成物内での含有量は０．００１〜５質量％が好ましく、より好ましくは０．００５〜０．１質量％である。０．００１質量％未満ではテクスチャリング加工能率が極端に低下して、「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが困難な場合がある。また５質量％を越えてもテクスチャリング加工能率の更なる向上は認められず、経済的には５質量％を越えると好ましくない。
ナノダイヤモンドと上記のダイヤモンド以外の微粒子または粉末を混合して使用する場合も上記の含有量の範囲が好ましい。
次に、本発明のテクスチャリング加工用組成物に使用する脂肪酸としては、例えば炭素数１０〜２２の飽和またはモノ、ジ、およびトリ不飽和脂肪酸が挙げられ、具体的には、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
本発明のテクスチャリング加工用組成物には、上記脂肪酸を単体または混合して使用する。炭素数１０〜２２以外の脂肪酸を混合して使用してもよいが、本発明の目的を十分に達成させるためには実質的に炭素数１０〜２２のものだけからなることが好ましい。
脂肪酸のテクスチャリング加工用組成物内での含有量は０．０１〜２０質量％が好ましい。０．０１質量％未満では、加工レートが低下するためテクスチャリング加工により短時間で「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去するには難点があり、かつ微細なテクスチャリング条痕の形成が困難である可能性がある。２０質量％を越えてもそれ程効果が向上し難くなり、また本発明の組成物として均一分散系にすることが難しい場合がある。より好ましくは０．１〜３質量％である。
本発明のテクスチャリング加工用組成物に含有される有機アミン化合物としては、具体的に
メチルアミン（ＣＨ３ＮＨ２）、
エチルアミン（ＣＨ３ＣＨ２ＮＨ２）、
プロピルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）２ＮＨ２）、
イソプロピルアミン（（ＣＨ３）２ＣＨＮＨ２）、
ブチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）３ＮＨ２）、
アミルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）４ＮＨ２）、
ヘキシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）５ＮＨ２）、
ヘプチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）６ＮＨ２）、
オクチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）７ＮＨ２）、
ノニルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）８ＮＨ２）、
デシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）９ＮＨ２）、
ウンデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１０ＮＨ２）、
ドデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１１ＮＨ２）、
トリデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１２ＮＨ２）、
テトラデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１３ＮＨ２）、
ペンタデシルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１４ＮＨ２）、
セチルアミン（ＣＨ３（ＣＨ２）１５ＮＨ２）、
ジメチルアミン（（ＣＨ３）２ＮＨ）、
ジエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）２ＮＨ）、
ジプロピルアミン（（ｎ−Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ）、
ジイソプロピルアミン（（ｉ−Ｃ３Ｈ７）２ＮＨ）、
ジブチルアミン（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）２ＮＨ）、
ジアミルアミン（（ｎ−Ｃ５Ｈ１１）２ＮＨ）、
トリメチルアミン（（ＣＨ３）３Ｎ）、
トリエチルアミン（（Ｃ２Ｈ５）３Ｎ）、
トリプロピルアミン（（ｎ−Ｃ３Ｈ７）３Ｎ）、
トリブチルアミン（（ｎ−Ｃ４Ｈ９）３Ｎ）、
トリアミルアミン（（ｎ−Ｃ５Ｈ１１）３Ｎ）、
アリルアミン（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＮＨ２）、
ジアリルアミン（（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２）２ＮＨ）、
トリアリルアミン（（ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２）３Ｎ）、
アニリン（Ｃ６Ｈ５ＮＨ２）、
メチルアニリン（Ｃ６Ｈ５ＮＨＣＨ３）、
ジメチルアニリン（Ｃ６Ｈ５Ｎ（ＣＨ３）２）、
エチルアニリン（Ｃ６Ｈ５ＮＨＣ２Ｈ５）、
ジエチルアニリン（Ｃ６Ｈ５Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２）、
トルイジン（Ｃ６Ｈ４（ＣＨ３）（ＮＨ２））、
ベンジルアミン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ２ＮＨ２）、
ジベンジルアミン（（Ｃ６Ｈ５ＣＨ２）２ＮＨ）、
トリベンジルアミン（（Ｃ６Ｈ５ＣＨ２）３Ｎ）、
ジフェニルアミン（（Ｃ６Ｈ５）２ＮＨ）、
トリフェニルアミン（（Ｃ６Ｈ５）３Ｎ）、
ナフチルアミン（Ｃ１０Ｈ７ＮＨ２）、
エタノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、
プロパノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、
ブタノールアミン（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２）、
ジエタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）２ＮＨ）、
ジプロパノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２ＮＨ）、
ジブタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２ＮＨ）、
トリエタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２）３Ｎ）、
トリプロパノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３Ｎ）、
トリブタノールアミン（（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３Ｎ）
等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
本発明のテクスチャリング加工用組成物に含有される有機アミン化合物の、テクスチャリング加工用組成物内での含有量は０．０１〜２０質量％が好ましい。０．０１質量％未満では加工レートが低下してテクスチャリング加工により短時間で「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することが難しい場合があり、５質量％を越えてもそれ程効果が向上し難くなる。０．１〜３質量％がより好ましい。
本発明のテクスチャリング加工用組成物は溶媒として通常水を用いるが、有機溶媒を用いてもよい。
本発明のテクスチャリング加工用組成物には水に添加してあるいは単独溶媒として水溶性有機溶媒を含有することができる。水溶性有機溶媒は、好ましくは、一般式Ｒ１Ｏ｛（ＣＨ２）ｎＯ｝ｍＨで表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物、炭素数２〜５の単価アルコールである。
アルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、具体的には、
エチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
エチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
エチレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ４Ｈ９ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）２ＯＨ）、
トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３ＯＨ）、
トリエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ２Ｈ５（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３ＯＨ）、
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ３（ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２）３ＯＨ）
等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
本発明における炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物としては、具体的に、
エチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
プロピレングリコール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）、
トリメチレングリコール（ＨＯ（ＣＨ２）３ＯＨ）、
１，２−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
１，３−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
１，４−ブタンジオール（ＨＯ（ＣＨ２）４ＯＨ）、
２，３−ブタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
１，２−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）、
１，３−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
１，４−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
１，５−ペンタンジオール（ＨＯ（ＣＨ２）５ＯＨ）、
２，３−ペンタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
２，４−ペンタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−１，２−プロパンジオール（ＨＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−１，３−プロパンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＨ）、
２−メチル−１，２−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ３）、
２−メチル−１，３−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−１，４−ブタンジオール（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
２−メチル−２，３−ブタンジオール（ＣＨ３Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ３）、
２−メチル−２，４−ブタンジオール（ＣＨ３Ｃ（ＣＨ３）（ＯＨ）ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ）、
２−メチル−３，４−ブタンジオール（ＣＨ３ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）、
ジエチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
トリエチレングリコール（ＨＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ポリエチレングリコール（ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｑＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）、
ジプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＨ）、
トリプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＨ）、
ポリプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ）ｑＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＯＨ）、
グリセリン（ＨＯＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨ）、
等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。なお式中のｑは４以上の整数である。
また、これらのアルキレングリコールエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物、炭素数２〜５の単価アルコールのテクスチャリング加工用組成物内での含有量は、用いる場合、総量で１質量％以上が好ましい。１質量％未満では、加工レートが低下するためテクスチャリング加工により短時間で「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することが難しい場合がある。より好ましくは組成物中の溶媒がすべてこれら水溶性有機溶媒である。
本発明のテクスチャリング加工用組成物には界面活性剤が好ましく含有される。この理由は、本発明の目的を十分に達成するためには本発明のテクスチャリング加工用組成物は、ナノダイヤモンドあるいはそれ以外の砥粒を除いた成分は均一溶液になっていることが望ましく、少なくともエマルジョン状態になっていることが望ましいため、界面活性剤を添加し均一溶液化またはエマルジョン化することが望ましいためである。
本発明のテクスチャリング加工用組成物に含有される界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤のどの種類でも十分な性能が発揮されるが、特に非イオン性界面活性剤が好ましい。界面活性剤の添加量は０．０１〜２０質量％が適当である。０．０１質量％未満では微細なテクスチャリング条痕の形成が困難な場合があり、２０質量％を超えるとナノダイヤモンドの微粒子ないし粉末が滑ってしまい加工レートが低下するため「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去が困難となる可能性がある。より好ましくは０．１〜２質量％である。
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、アルミニウム製磁気ディスクの下地層、ガラス製磁気ディスク表面に対して均質で微細なテクスチャリング条痕を形成するのに効果があり、更に高加工レートであるため下地層に存在するサブストレート研磨工程起因の「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去するのに効果がある。特にガラス製磁気ディスクに対しては、従来の多結晶ダイヤモンドや単結晶ダイヤモンドを使用したテクスチャリング加工用組成物の数倍の高い加工レートを得られる点で特に優れている。
【実施例】  本発明を以下に詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
以下の実施例では、表１〜２に示すように、ダイヤモンドとして、ナノダイヤモンドとして比表面積が２８０ｍ２／ｇ、平均２次粒子径Ｄ５０が０．１２μｍのもの（酸素欠如爆発法で製造され、表面黒鉛不純物が除去された、ナノダイヤモンド結晶クラスター）を、多結晶ダイヤモンドとして比表面積が６０ｍ２／ｇ、平均２次粒子径Ｄ５０が０．１２μｍのもの（衝撃圧縮法で製造され、表面黒鉛不純物が除去された、多結晶ダイヤモンド）を、単結晶ダイヤモンドとして比表面積が４０ｍ２／ｇ、平均２次粒子径Ｄ５０が０．１１μｍのもの（静圧法で製造され、表面黒鉛不純物が除去された、単結晶ダイヤモンド）をそれぞれ表に示した量で用い、必須ではないが分散性を改良するために水溶性有機溶媒としてエチレングリコールを１０質量％添加し、残部が水からなる分散体を用いた。表中のダイヤモンドの平均２次粒子径Ｄ５０は、Ｍｉｃｒｏｒｏｌａｃ社製レーザードップラー式粒度分布測定機ＵＰＡで測定した累積中位径（メディアン径）である。脂肪酸として、オレイン酸、オレイン酸塩またはラウリン酸を表に示す濃度で使用した。有機アミン化合物として、ジエタノールアミンまたはトリエタノールアミンを表に示す濃度で使用した。
９５ｍｍ磁気ディスク用アルミニウム基板にＮｉ−Ｐをメッキして下地層を形成したものに、あらかじめ鏡面処理を施しておいた。これをＥＤＣ−１８００Ａ型テクスチャリングマシン（Ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ  Ｄｅｓｉｇｎ社製）に取り付けた。
スラリー供給装置から、表１〜２に示す組成の各テクスチャリング加工用組成物からなるスラリーを摺接用テープの研磨処理部分に供給しつつ、ディスクを５００ｒｐｍの速度で回転させた。ただし、スラリーの供給速度は１５ｍｌ／ｍｉｎで、テクスチャリング加工を行っている間、連続的に供給した。
また、磁気ディスク用基板と同方向にテープが歩行速度５ｃｍ／ｍｉｎで歩行するようにローラーを回転させた。なおテクスチャリング時のローラーの押圧は１．０ｋｇであり、テクスチャリング加工時間は１５秒とした。
また、１５秒間の加工では重量減少が非常に少なく、加工レートの算出が困難であるため、同様の１５０秒間のテクスチャリング加工も併せて実施した。
また、同様のテクスチャリング加工を６５ｍｍ磁気ディスク用化学強化済みガラス基板についても行った。ガラス基板上には下地層等は形成せず、直接ガラス基板をテクスチャリング加工を行った。アルミニウム基板の際との相違点はテープと基板間の圧力のみで、ガラス基板の場合２．０ｋｇとした。アルミニウム基板と同様に１５秒間と１５０秒間のテクスチャリング加工を行った。
加工後の磁気ディスクの評価は以下の方法で評価を行った。
評価方法：
（１）テクスチャリング条痕数（条痕数）：
原子間力顕微鏡（ＳＥＩＫＯ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製  ＳＰＡ−５００）を用いて、磁気ディスク表面上の１μｍ×１μｍの視野範囲を観察し、テクスチャリング条痕の数をカウントした。
（２）平均面粗さ（Ｒａ）：
原子間力顕微鏡（ＳＥＩＫＯ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製  ＳＰＡ−５００）を用いて、磁気ディスク表面上の５μｍ×５μｍの視野範囲を観察し、平均表面粗さを測定した。
（３）加工レート：
１５０秒間のテクスチャリング加工前と後の磁気ディスクの重量を測定し、加工前後の重量減少値を求め、これを処理時間で除して、１分当たりの重量減少値に換算して加工レートとした。
（４）研磨痕
原子間力顕微鏡（ＳＥＩＫＯ  ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ社製  ＳＰＡ−５００）を用いて、磁気ディスク表面の５μｍ×５μｍの範囲を観察し、研磨痕の有無を判別した。
【表１】
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【表２】
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本発明によれば、次のような効果がある。
ナノダイヤモンドは、一次粒子が完全な単結晶であり、そのサイズが例えば５ｎｍ程度と非常に小さいナノダイヤモンド結晶クラスターからなり、これをテクスチャリング加工用組成物に用いることにより、硬度の高い単結晶ダイヤモンド一次粒子が有効な切削刃となってテクスチャリング加工面に作用する。そのため、従来の多結晶ダイヤモンドや単結晶ダイヤモンドからなるテクスチャリング加工用組成物によるより、テクスチャリング条痕密度を向上できる。その結果、磁性膜面上での異方性出力がより取れるようになり、記録密度を上昇できる。
また小さい一次粒子サイズにより有効な切削刃個数が格段に多くなるため、高い加工レートが得られ、磁気ディスクのポリッシュ工程起因の「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去を効率的に行える。そのため「研磨痕」や「研磨スクラッチ」起因で発生する磁性粒子による記録読み書きの際のエラーを大幅に低下させることができ、記録密度を上昇できる。
さらに高い加工レートのためテクスチャリング加工時間を短くすることが可能であり、磁気ディスクの生産性を格段に向上させることができる。
【産業上の利用可能性】  本発明によって提供されるテクスチャリング加工用組成物は、磁気ディスクのテクスチャリング加工用に有用である。
【国際調査報告】
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