【事件の表示】
　特願２０１１−２４８９３０「光電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月３０日出願公開、特開２０１３−１０５９０５、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１１月１４日の出願であって、 平成２７年６月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１０月１日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年１１月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
２　平成２７年６月２２日付けの拒絶理由の内容
　平成２７年６月２２日付けの拒絶理由（以下、単に「拒絶理由」という。）の内容は、以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　理由
（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項：１−７
・引用文献等：１−３
・備考：
　引用文献１（特に［００４０］、［００４３］）には、側部のパッシベーション効果を高めるために、半導体基板の表面にアモルファスシリコンからなるドーパント層を形成することが記載されている。
　ここで、基板として単結晶のものを用いること、電極構造、ｉ型非晶質層の有無、各層の導電型については、引用文献２（特に図３，４）や引用文献３（特に［００６０］及び図４）の記載を参照して適宜設計される事項である。
　よって、本願の請求項１−７に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明から容易に想到し得るものである。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１０−１２３８５９号公報
２．国際公開第２０１１／１０５５５４号
３．特開２０１０−１７７２６４号公報
３　平成２７年１０月１日付けの拒絶査定の内容
　平成２７年１０月１日付けの拒絶査定（以下、単に「拒絶査定」という。）の内容は、以下のとおりである。
　この出願については、平成２７年　６月２２日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由（特許法第２９条第２項）について
・請求項：１−７
・引用文献等：１−３
　上記手続補正書によって追加された発明特定事項については、引用文献１に記載されている発明において、（図２の上下方向において）ｐ型を両端とした櫛状にするかｎ型を両端とした櫛状にするかに応じて適宜設計し得る事項に過ぎない
。
　よって、本願の請求項１−７に係る発明は、依然として容易に想到し得るものである。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１０−１２３８５９号公報
２．国際公開第２０１１／１０５５５４号
３．特開２０１０−１７７２６４号公報
第２　当審の判断
１　拒絶査定について
　以下、拒絶査定の理由により、本願は拒絶すべきものであるか否かについて検討する。
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲は、平成２７年８月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲であって、その請求項１〜７に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明７」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の導電型を有する単結晶シリコン基板と、
　前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側において前記単結晶シリコン基板の表面に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる膜を少なくとも含み、一断面視において複数配列された第１の非晶質膜と、
　前記一断面視で、前記単結晶シリコン基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接するとともに前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面と前記単結晶シリコン基板の端面とに接して設けられ、前記第１の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第２の非晶質膜とを備え、
　前記一断面視で、前記第１の非晶質膜と前記第２の非晶質膜とが交互にそれぞれ複数配置されており、前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面の両端部に前記第２の非晶質膜が配置されるとともに、前記両端部から前記単結晶シリコン基板の端面に連なるように前記第２の非晶質膜が配置されている、光電変換素子。
　【請求項２】
　前記第１の非晶質膜は、前記単結晶シリコン基板の表面に接して設けられ、前記第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第３の非晶質膜のみからなる、請求項１に記載の光電変換素子。
　【請求項３】
　前記単結晶シリコン基板は、ｎ型単結晶シリコンからなり、
　前記第２の非晶質膜は、ｎ型アモルファスシリコンからなり、
　前記第３の非晶質膜は、ｐ型アモルファスシリコンからなる、請求項２に記載の光電変換素子。
　【請求項４】
　前記単結晶シリコン基板は、ｐ型単結晶シリコンからなり、
　前記第２の非晶質膜は、ｐ型アモルファスシリコンからなり、
　前記第３の非晶質膜は、ｎ型アモルファスシリコンからなる、請求項２に記載の光電変換素子。
　【請求項５】
　前記第１の非晶質膜は、
　前記単結晶シリコン基板の表面に接して設けられ、ノンドープかつ非晶質相からなる第３の非晶質膜と、
　前記第３の非晶質膜上に設けられ、前記第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第４の非晶質膜とを含む、請求項１に記載の光電変換素子。
　【請求項６】
　前記単結晶シリコン基板は、ｎ型単結晶シリコンからなり、
　前記第２の非晶質膜は、ｎ型アモルファスシリコンからなり、
　前記第３の非晶質膜は、ｉ型アモルファスシリコンからなり、
　前記第４の非晶質膜は、ｐ型アモルファスシリコンからなる、請求項５に記載の光電変換素子。
　【請求項７】
　前記単結晶シリコン基板は、ｐ型単結晶シリコンからなり、
　前記第２の非晶質膜は、ｐ型アモルファスシリコンからなり、
　前記第３の非晶質膜は、ｉ型アモルファスシリコンからなり、
　前記第４の非晶質膜は、ｎ型アモルファスシリコンからなる、請求項５に記載の光電変換素子。」
３　引用刊行物
　拒絶理由及び拒絶査定に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２０１０−１２３８５９号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（１）　「【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
    ＜第１の実施の形態＞
    ＜太陽電池素子の全体構造＞
  図１は、本発明の第１の実施の形態に係る太陽電池素子１００Ａの断面構造を示す図である。図２は、太陽電池素子１００Ａの裏面側を示す平面図である。
【００２４】
  第１の実施の形態に係る
太陽電池素子１００Ａは、第１の面１ａと第２の面１ｂとを含み、ｎ型（第１の導電型）のドーパント（例えばＰ（リン））がドープされてなることでｎ型の導電型を呈するｎ型半導体領域２を有する半導体基板１と、ｎ型半導体領域２よりもｎ型のドーパントを高濃度に含有するドープ層３と、ノンドープのアモルファスシリコンからなる真性半導体層であるｉ型半導体層５と、アモルファスシリコンからなり、ｐ型のドーパント（例えばＢ（ボロン））がドープされてなることでｐ型の導電型を呈するｐ型半導体層（第２の導電型の層）６と、ｐ型電極７と、ｎ型電極１０と、反射防止層４とを主として備える。
【００２５】
  係る太陽電池素子１００Ａにおいては、ｎ型半導体領域２とｐ型半導体層６とがｉ型半導体層５を間に挟み込んだｐｎ接合（つまりはｐｉｎ接合）が形成されてなる。なお、
係る太陽電池素子１００Ａにおける表面１ａ側とは受光面側（図１においては図面視上側）を示し、裏面１ｂ側とは表面１ａの裏側の面（図１においては図面視下側）を示すものとする。
【００２６】
  ｐ型電極７およびｎ型電極１０は、発電された電力を外部に取り出すための取出電極である。図２に示すように、ｐ型電極７およびｎ型電極１０はいずれも、太陽電池素子１００Ａの裏面側に形成された、複数の電極指を有する櫛歯状電極である。裏面側においては、両者の電極指は交互に並んでいる（ただし、図１においては、図示の都合上、両電極の電極指を１つずつのみ示している）。すなわち、太陽電池素子１００Ａは、ｐ型電極７およびｎ型電極１０が、太陽電池素子１００Ａの裏面側にのみ配されており、受光面側には、両電極の構成部材が全く配置されない構造、いわゆるバックコンタクト型の構造を有してなる。これにより、太陽電池素子１００Ａにおいては、受光面全面での受光が可能となっている。係る構成によって、変換効率の向上が図られているとともに、受光面側において電極が凸部となって存在することがないので、美観の向上も実現されている。
【００２７】
  半導体基板１は、受光面側である第１の面１ａと裏面側である第２の面１ｂとを備える。第２の面１ｂは、第１の領域１ｂａと第２の領域１ｂｂとを含む。半導体基板１は、例えば、導電型決定元素としてＰを含有するｎ型の多結晶シリコンインゴットを鋳造法等によって形成した後、所定の大きさおよび厚みに切断することで作製される。半導体基板１の寸法例としては、大きさが１０ｃｍ×１０ｃｍ〜２１ｃｍ×２１ｃｍ程度、厚みが３００μｍ以下であることがその好適な一例であり、厚みについては、２００μｍ以下であることがより好ましい。また、半導体基板１の抵抗率は、０．３〜５Ω・ｃｍ程度あるのが好ましい。半導体基板１のｎ型半導体領域２は、半導体基板１のうち、高濃度ドープ層３以外の部分（バルク領域）を構成する領域である。好ましくは、ｎ型半導体領域２は、１×１０１５〜１×１０１７（ｃｍ−３）程度の濃度でｎ型のドーパントを含有し、高濃度ドープ層３は、１×１０１６〜１×１０２０（ｃｍ−３）程度の濃度でｎ型のドーパントを含有する。
【００２８】
  図１において、好ましくは、半導体基板１の表面１ａ側には高濃度ドープ層３の形成に先立ってあらかじめ、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等のドライエッチングや、ウェットエッチングなどの粗面化処理を施すことによって、微細な凹凸構造（テクスチャ構造）が形成される（図１２（ａ）参照）。係る凹凸構造は無数の突起にて構成されるが、これらの突起は、幅と高さがそれぞれ２０μｍ以下であり、かつアスペクト比（高さ／幅）が０．１以上２以下であるのが好適である。半導体基板１がこのような表面凹凸構造を有することにより、太陽電池素子１００Ａの受光面における光の反射損失が低減される。
【００２９】
  ドープ層３は、ｎ型の導電性を呈する多結晶シリコン基板である半導体基板１の外縁に形成された層である。ドープ層３は、２０ｎｍ〜５μｍ程度の厚みを有するように形成される。ドープ層３は、より詳細に言えば、半導体基板１の外縁のうち、仮にドープ層３を形成するとｉ型半導体層５を介してｐ型半導体層６との間に接合部が形成されることになる箇所を除いた範囲に形成される。換言すれば、ドープ層３は半導体基板１の外縁のうち、ｐｉｎ接合の形成箇所以外に形成される。図１において、ドープ層３は、半導体基板１の表面側全面と側面、および裏面側のうちｉ型半導体層５を挟んでｐ型半導体層６と対向する位置以外の部分に形成されている。半導体基板１の裏面側のうち、ドープ層３が形成される領域を第１領域１ｂａ、それ以外の領域を第２領域１ｂｂと称することとすると、
ドープ層３は、半導体基板１の第１の面１ａに設けられた表面側ドープ層（第１ドープ層）３ａと、半導体基板１の第２の面３ｂの第１領域１ｂａに設けられた裏面側ドープ層（第２ドープ層）３ｂと、半導体基板の側部１ｃに形成された第３ドープ層３ｃとを有する。
【００３０】
  ｉ型半導体層５は、半導体基板１の第２の面１ｂに設けられた真性半導体層である。
ｉ型半導体層５は、半導体基板１の裏面の略全面に、３ｎｍ〜２０ｎｍ程度の厚みを有するように形成される。
【００３１】
  ｐ型電極７は、第１シード層８と第１裏面電極９とを有する。第１シード層８と第１裏面電極９とは、ｐ型半導体層６の、ｉ型半導体層５と接続していない側の面（図１の場合は下面）に、順に形成されている。ただし、第１裏面電極９は、その一部がｐ型半導体層６の側面にまで延在するように形成されてなる。
【００３２】
  ｎ型電極１０は、第２シード層１１と第２裏面電極１２とを有する。第２シード層１１と第２裏面電極１２とは、ｉ型半導体層５を挟んで裏面側ドープ層３と対向する位置に、順に形成されてなる。ただし、第２裏面電極１２は、第１シード層１１の側面にまで延在するように形成されてなる。
【００３３】
  第１シード層８および第２シード層１１は、ｐ型電極７およびｎ型電極１０における集電部として機能するほか、第１シード層８および第２シード層１１は、第１裏面電極９および第２裏面電極１２をメッキ形成する際の下地層としての役割も果たす。第１シード層８および第２シード層１１は、数百ｎｍ〜数μｍ程度の厚みに形成される。第１シード層８および第２シード層１１は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）、Ｗ（タングステン）、Ｃｏ（コバルト）およびこれらの合金、あるいは、Ｎｉ、Ｗ、ＣｏとＰ、Ｂ（ホウ素）との合金などの、導電性の材料により形成される。あるいは、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＡｇ（銀）等の高反射率材料を用いて、第１シード層８および第２シード層１１を形成する態様であってもよい。この場合、受光面側から入射した光が第１シード層８および第２シード層１１にて反射されるので、入射光の透過損失やシード層での吸収損失が低減される。
【００３４】
  また、第２シード層１１は、裏面側ドープ層３ｂとの間で導通が確保されるように、ｉ型半導体層５に設けられた複数のビアホール１３を充填する態様にて形成されている。詳細な図示は省略するが、ビアホール１３は、図１の図面視左右方向および図面に垂直な方向にそれぞれ、所定のピッチで等間隔に形成されてなる。２００μｍ径のビアホール１３を、上記方向についてそれぞれ１００μｍピッチで形成するのが好適な一例である。なお、裏面側ドープ層３ｂと第２シード層１１との間の導通箇所が均一に分布していれば、ビアホール１３の形成態様は上述の例には限られない。また、第２シード層１１と裏面側ドープ層３ｂとの全接触面積（導通部分の総面積）は、裏面側ドープ層３ｂの面積に対して１％程度であるのが望ましい。
【００３５】
  第１裏面電極９および第２裏面電極１２は、太陽電池素子１００Ａにて発生した電力の外部取出電極である。第１裏面電極９および第２裏面電極１２は、数μｍ程度の厚みに形成される。第１裏面電極９および第２裏面１２は、Ｃｕにて形成されるのが好適な一例である。あるいは、Ａｇ、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｔｉ（チタン）、Ｗ、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔａ（タンタル）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ｎｉ、Ｃｏや、これらの金属の合金など、一般的な電極材料を用いてもよい。なお、第１シード層８および第２シード層１１を設けることなく、第１裏面電極９および第２裏面電極１２を形成することも可能である。
【００３６】
  なお、太陽電池素子１００Ａの発電効率を向上させるうえでは、図２のように太陽電池素子１００Ａを裏面側から見たときの第１電極７の平面占有面積が、第２電極１０の平面占有面積よりも大きくなるように、第１電極７と第２電極１０とを形成するのが好適である。当然ながら、裏面側ドープ層３も、第２電極１０の形成範囲に対応する領域にのみ形成するようにする。例えば、両者の面積比が９：１〜６：４の範囲にあるように形成するのが好ましい。
【００３７】
  反射防止層４は、受光面側から太陽電池素子１００Ａに入射する光の反射損失の低減を目的として設けられる層である。また、反射防止層４は、半導体基板１の保護層としての役割も有する。反射防止層４は、半導体基板１の側部１ｃを覆う。特に、反射防止層４は表面側ドープ層３を被覆するように形成されてなる。表面側ドープ層３の側部は表面再結合速度が速いため、反射防止層４により表面側ドープ層３の側部を覆うことでパッシベーション効果が得られ、表面側ドープ層３の側部における不具合を低減できる。ただし、図１に示す太陽電池素子１００Ａにおいては、半導体基板１の側面さらにはｉ型半導体層５とｐ型半導体層６の側面まで覆うように形成されてなる。このように反射防止層４を形成することで、半導体基板１へのバルクおよび表面へのパッシベーション効果が増大し、開放電圧や短絡電流密度が向上するという効果が得られる。
【００３８】
  反射防止層４の構成材料や厚みは、半導体基板１との屈折率の差などを考慮して定められる。反射防止層４は、屈折率２程度の材料であるＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＴｉＯ２（酸化チタン）、あるいはＭｇＦ２（フッ化マグネシウム）等を用いて、厚みが５０〜２００ｎｍ程度となるように形成されるのが、その好適な一例である。
【００３９】
    ＜ドープ層形成の効果＞
  次に、太陽電池素子１００Ａに上述のような形態にてドープ層３を設けることで得られる効果について説明する。
【００４０】
  まず、ドープ層３のうち、表面側ドープ層３ａは、半導体基板１の表面側の界面付近におけるキャリアの再結合損失を低減する効果（表面電界効果）を有する、ＦＳＦ層（表面電界層）として機能する。一方、裏面側ドープ層３ｂは、半導体基板１の裏面側の界面付近におけるキャリアの再結合損失を低減する効果（裏面電界効果）を有する、ＢＳＦ層（裏面電界層）として機能する。すなわち、半導体基板１の両面にドープ層３を備えることは、太陽電池素子１００Ａにおける発電効率を向上させる効果を有する。なお、太陽電池素子１００Ａにおいては、第３ドープ層３ｃが半導体基板１の側部１ｃにも設けられている。これは、半導体基板１のバルクパッシベーション効果を高め、開放電圧や短絡電流密度を高める作用を有している。
【００４１】
  好ましくは、ドープ層３は、Ｐ等のｎ型ドーパント原子が存在する雰囲気下で半導体基板１を９００℃程度の温度に加熱し、該ｎ型ドーパント原子を半導体基板１の内部に拡散させる熱拡散法によって形成される熱拡散層である（詳細は後述）。係る加熱の際には、半導体基板１中に（ｎ型半導体領域２中に）含まれている金属不純物（例えば、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌなど）がドープ層３側へと拡散して移動し、ｎ型半導体領域２におけるこれら金属不純物の濃度が低減する、金属ゲッタリング効果が得られる。これにより、ｎ型半導体領域２内における不純物原子の存在に起因したキャリアの再結合が低減されるので、太陽電池素子における発電効率がさらに向上する。表１は、太陽電池素子１００Ａにおいて半導体基板１のｎ型半導体領域２に含有される金属不純物のうち、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌについての含有量を、熱拡散法を行わずに形成した太陽電池素子のｎ型半導体層における含有量と対比して示したものである。後者は、太陽電池素子１００Ａにおいてドープ層３形成前に半導体基板１のｎ型半導体領域２に含有される金属不純物の含有量に相当する。含有量の測定は、誘導結合プラズマ質量分析法（ＩＣＰ−ＭＳ）により行っている。
【００４２】
【表１】（略）
【００４３】
  表１に示す結果からは、ドープ層３を熱拡散層として形成するために行う熱拡散法が、半導体基板１のｎ型半導体領域２における不純物濃度を低減させるうえでも有効なプロセスであることがわかる。表１に示す程度にまで金属不純物の含有量が低減してなる多結晶シリコン基板を、熱拡散法を施すことなく用意することは現実的ではないと考えられることから、別の見方をすれば、多結晶シリコン基板を半導体基板として用い、表１に示す程度にまで金属不純物が低減されてなるｎ型半導体層を備える太陽電池素子は、熱拡散法を用いずに作製することは難しいといえる。加えて、ホールに対して比較的大きな捕獲断面積を有するＦｅ不純物が低減することは、多結晶シリコンからなる半導体基板１のライフタイムを向上させる効果もある。なお、ＦＳＦ層やＢＳＦ層としての機能を持たせることが目的であれば、
上述のように熱拡散層として形成する態様に代えて、半導体基板１の表面にアモルファスシリコンからなるドーパント層３を積層形成する態様であってもよい。
【００４４】
  半導体基板１のｎ型半導体領域２における不純物濃度が低減されれば、ｎ型半導体領域２内における不純物原子の存在に起因したキャリアの再結合が低減されるので、上述のようにドープ層３を形成してなる太陽電池素子１００Ａは、品質を改善させて発電効率を向上させたものであるといえる。
【００４５】
  一方で、太陽電池素子１００Ａにおいては、上述のように、高濃度ドーパント層であり、ｎ型半導体領域２からの不純物の拡散もあるドープ層３は、ｐｉｎ接合箇所には形成されていない。すなわち、太陽電池素子１００Ａにおいては、ドープ層３のような高濃度に不純物を含有する領域がｐｉｎ接合界面の近傍に存在していない。これにより、太陽電池素子１００Ａにおいては、高濃度ドーパント層がｐｎ接合部に（ｐｉｎ接合部に）介在する構成に比してｐｉｎ接合界面における欠陥密度は低く保たれており、該界面におけるキャリアの再結合損失は低減されてなる。
【００４６】
  以上、説明したように、本実施の形態に係る太陽電池素子１００Ａにおいては、高濃度ドーパント層であるドープ層３を上述のような手法および形態にて形成することで、表面側ドープ層３ａおよび裏面側ドープ層３ｂをそれぞれＦＳＦ層およびＢＳＦ層として機能させるのみならず、半導体基板１のｎ型半導体領域２における不純物濃度を低減させてなる。その一方で、ｐｉｎ接合部分についてはドープ層３を設けないようにすることで欠陥密度が小さく保たれている。これらによって、従来のスルーホール構造を有するバックコンタクト型の太陽電池素子よりも、さらに高い発電効率が実現される。」
（２）「【図１】
【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記記載事項（２）の段落【００２９】、【００４１】〜【００４３】、図１の記載から、「熱拡散層として形成する態様に代えて、半導体基板１の表面にアモルファスシリコンからなるドーパント層３を積層形成する態様」において、「半導体基板１の表面に」「積層形成した」「アモルファスシリコンからなるドーパント層３」の「半導体基板の側部１ｃに形成された第３ドーパント層３ｃ」と「ｐ型半導体層６」は、所定の間隔を有して離れている構成であると認められる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ｎ型の導電型を呈するｎ型半導体領域２を有する半導体基板１と、ｎ型半導体領域２よりもｎ型のドーパントを高濃度に含有するアモルファスシリコンからなるドーパント層３と、ノンドープのアモルファスシリコンからなる真性半導体層であるｉ型半導体層５と、アモルファスシリコンからなり、ｐ型のドーパントがドープされてなることでｐ型の導電型を呈するｐ型半導体層６と、ｐ型電極７と、ｎ型電極１０と、反射防止層４とを主として備える太陽電池素子１００Ａであって、
　半導体基板１は多結晶シリコン基板であり、
　ドーパント層３は、半導体基板１の受光面側全面設けられた表面側ドーパント層３ａ、裏面側のうちの第１領域１ｂａに形成された裏面側ドープ層３ｂ、および側面に形成された第３ドーパント層３ｃとを有し、
　ｉ型半導体層５は、半導体基板１の裏面の略全面に形成され、
　ｐ型半導体層６は、半導体基板１の裏面側のうち、ドーパント層３が形成された第１領域１ｂａ以外の第２領域１ｂｂと、ｉ型半導体層５を挟んで対向する位置に形成され、
　複数の裏面側ドーパント層３ｂ及びｐ型半導体層６は、交互に並んでおり、その両端部はｐ型半導体層６であり、第３ドーパント層３ｃとｐ型半導体層６は、所定の間隔を有して離れている、太陽電池素子１００Ａ。」
４　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「太陽電池素子１００Ａ」、「ｎ型」、「ｐ型」、「半導体基板１の受光面側」、「半導体基板１の裏面側」及び「側面」は、それぞれ、本願発明１の「光電変換素子」、「第１の導電型」、「第２の導電型」、「単結晶シリコン基板の光入射側」、「単結晶シリコン基板の光入射側と反対側」及び「単結晶シリコン基板の端面」に相当する。
イ　引用発明の「ｎ型の導電型を呈するｎ型半導体領域２を有する半導体基板１と」「を主として備え」、「半導体基板１は多結晶シリコン基板であ」る構成と、本願発明１の「第１の導電型を有する単結晶シリコン基板と」「を備え」る構成は、「第１の導電型を有するシリコン基板と」「を備え」る構成で一致する。
ウ　引用発明の「ノンドープのアモルファスシリコンからなる真性半導体層であるｉ型半導体層５と、アモルファスシリコンからなり、ｐ型のドーパントがドープされてなることでｐ型の導電型を呈するｐ型半導体層６と」「を主として備え」、「ｉ型半導体層５は、半導体基板１の裏面の略全面に形成され、ｐ型半導体層６は、半導体基板１の裏面側のうち、ドーパント層３が形成された第１領域１ｂａ以外の第２領域１ｂｂと、ｉ型半導体層５を挟んで対向する位置に形成され」る構成と、本願発明１の「前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側において前記単結晶シリコン基板の表面に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる膜を少なくとも含み、一断面視において複数配列された第１の非晶質膜と」「を備え」る構成は、「前記シリコン基板の光入射側と反対側において前記シリコン基板の表面に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる膜を少なくとも含み、一断面視において複数配列された第１の非晶質膜と」「を備え」る構成で一致する。
エ　引用発明の「ｎ型半導体領域２よりもｎ型のドーパントを高濃度に含有するアモルファスシリコンからなるドーパント層３と」「を主として備え」、「ドーパント層３は、半導体基板１の受光面側全面設けられた表面側ドーパント層３ａ、裏面側のうちの第１領域１ｂａに形成された裏面側ドープ層３ｂ、および側面に形成された第３ドーパント層３ｃとを有し、」「複数の裏面側ドープ層３ｂ及びｐ型半導体層６は、交互に並んで」いる構成と、本願発明１の「前記一断面視で、前記単結晶シリコン基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接するとともに前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面と前記単結晶シリコン基板の端面とに接して設けられ、前記第１の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第２の非晶質膜とを備え、前記一断面視で、前記第１の非晶質膜と前記第２の非晶質膜とが交互にそれぞれ複数配置されて」いる構成とは、「前記一断面視で、前記シリコン基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接するとともに前記シリコン基板の光入射側と反対側の面と前記シリコン基板の端面とに接して設けられ、前記第１の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第２の非晶質膜とを備え、前記一断面視で、前記第１の非晶質膜と前記第２の非晶質膜とが交互にそれぞれ複数配置されて」いる構成で一致する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「第１の導電型を有するシリコン基板と、
　前記シリコン基板の光入射側と反対側において前記シリコン基板の表面に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる膜を少なくとも含み、一断面視において複数配列された第１の非晶質膜と、
　前記一断面視で、前記シリコン基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接するとともに前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面と前記シリコン基板の端面とに接して設けられ、前記第１の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第２の非晶質膜とを備え、
　前記一断面視で、前記第１の非晶質膜と前記第２の非晶質膜とが交互にそれぞれ複数配置されている、光電変換素子。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
ア　シリコン基板が、本願発明１では、「単結晶シリコン基板」であるのに対して、引用発明では、「多結晶シリコン基板」である点（相違点ア）。
イ　第１の非晶質膜と第２の非晶質膜とが交互にそれぞれ複数配置されている構成における両端部において、本願発明１では、「前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面の両端部に前記第２の非晶質膜が配置されるとともに、前記両端部から前記単結晶シリコン基板の端面に連なるように前記第２の非晶質膜が配置されている」構成であるのに対して、引用発明では、「その両端部はｐ型半導体層６であり、第３ドーパント層３ｃとｐ型半導体層６は、所定の間隔を有して離れている」構成である点（相違点イ）。
（４）判断
ア　上記相違点イについて検討する。
　引用文献１の全記載を精査しても、交互に並んだ複数の裏面側ドープ層３ｂ及びｐ型半導体層６の両端部はｐ型半導体層６である構成が開示されるのみであり、該両端部をｎ型である裏面側ドーパント層３ｂとすることは、開示も示唆もされていない。
　また、拒絶理由及び拒絶査定で挙げられた、国際公開第２０１１／１０５５４号（以下、「引用文献２」という。）、特開２０１０−１７７２６４号公報（以下、「引用文献３」という。）を含め、結晶系シリコン基板の裏面に接して設けられたｎ型非晶質膜と、結晶系シリコン基板の裏面に（ｉ型非晶質膜を介して）設けられたｐ型非晶質膜を、交互に並ぶように配列したバックコンタクト型の太陽電池において、ｎ型非晶質膜とｐ型非晶質膜の交互配列の両端部に、結晶系シリコン基板の導電型を同じ導電型を有する非晶質膜を配置し、さらに、結晶系シリコン基板の側面に連なるように、該同じ導電型を有する非晶質膜を配置するという技術事項が公知であることを示す証拠はない。
　すると、上記相違点イに係る本願発明１の「前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面の両端部に前記第２の非晶質膜が配置されるとともに、前記両端部から前記単結晶シリコン基板の端面に連なるように前記第２の非晶質膜が配置されている」構成は、引用発明、引用文献２及び３の記載に基づいて当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
イ　効果について
　本願発明１は、上記相違点イに係る本願発明１の「前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の面の両端部に前記第２の非晶質膜が配置されるとともに、前記両端部から前記単結晶シリコン基板の端面に連なるように前記第２の非晶質膜が配置されている」構成により、本願の明細書に、
「【００６５】
　また、光電変換素子１００においては、ｎ型非晶質膜１１，１ｎがｎ型単結晶シリコン基板１の面内方向における両端部に配置されている。そして、ｎ型非晶質膜１１，１ｎの導電型は、ｎ型単結晶シリコン基板１の導電型と同じである。また、ｎ型非晶質膜１１，１ｎ（＝ｎ型ａ−Ｓｉ）の光学バンドギャップは、約１．７ｅＶであり、ｎ型単結晶シリコン基板１の光学バンドギャップは、約１．１ｅＶである。更に、ｎ型非晶質膜１１，１ｎ（＝ｎ型ａ−Ｓｉ）の活性化エネルギーは、約０．２ｅＶであり、ｎ型単結晶シリコン基板１の活性化エネルギーは、０．１４〜０．１９ｅＶである。従って、ｎ型単結晶シリコン基板１とｎ型非晶質膜１１，１ｎとの接合は、ヘテロ接合を構成し、ｎ型非晶質膜１１，１ｎの伝導帯端は、ｎ型単結晶シリコン基板１の伝導帯端よりもエネルギー的に低く、ｎ型非晶質膜１１，１ｎの価電子帯端は、ｎ型単結晶シリコン基板１の価電子帯端よりもエネルギー的に高い。
　【００６６】
　その結果、正孔に対する電界がｎ型単結晶シリコン基板１／ｎ型非晶質膜１１，１ｎ界面に存在し、光励起された正孔（少数キャリア）は、ｎ型単結晶シリコン基板１／ｎ型非晶質膜１１，１ｎ界面近くへ拡散しても単結晶シリコン基板１／ｎ型非晶質膜１１，１ｎ界面に存在する電界によってｎ型単結晶シリコン基板１の面内方向における内周部側へ移動され、ｐ型非晶質膜３１〜３ｎ−１へ到達し易くなる。
　【００６７】
　即ち、ｎ型非晶質膜１１，１ｎをｎ型単結晶シリコン基板１の面内方向における両端部に配置することによって、光電変換素子１００における少数キャリアである正孔がｐ型非晶質膜３１〜３ｎ−１へ到達し易くなり、光電変換素子１００の変換効率を向上できる。」
と記載される作用効果を奏すると認められる。
（５）小括
　上述のようであるから、本願発明１は、上記相違点イにおいて、引用発明、引用文献２及び３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
５　本願発明２〜７について
　本願発明２〜７は、本願発明１の発明特定事項をすべて有するものであるから、本願発明１と同様、上記相違点イにおいて、引用発明、引用文献２及び３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
６　結論
　上述のとおり、本願発明１〜７は、引用発明、引用文献２及び３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　したがって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第３　むすび
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。