【事件の表示】
　特願２００９−２８３１９８「フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月２３日出願公開、特開２０１１−１２３４２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年１２月１４日の出願であって、平成２５年９月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１８日付けで意見書が提出されると共に同日付けで手続補正がなされ、平成２６年５月１５日付けで最後の拒絶理由通知が通知され、同年７月１７日付けで意見書が提出されると共に同日付けで手続補正がなされ、同年８月２９日に平成２６年７月１７日付けの手続補正についての補正が却下されると共に拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１２月２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２５年１１月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の、
「【請求項１】
　フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能な、クロム酸化物、クロム窒化物もしくはクロム酸窒化物を主成分とする金属化合物膜又はクロムを主成分とする金属膜もしくは合金膜からなる第１の膜の上に、
　フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まず、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびニオブのうちから選択された遷移金属を含む第２の膜が積層されてなる構成であり、
　前記遷移金属の含有量は、遷移金属と珪素との合計に対し１０原子％以上であることを特徴とするフォトマスクブランク。」が、
「【請求項１】
　
酸素含有塩素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な第１の膜と、
　
前記第１の膜上に形成され、
２
と
　
前記第２の膜上に形成され、
３
と、
　前記遷移金属の含有量は、遷移金属と珪素との合計に対し１０原子％以上であ
り、
　
前記第１の膜または前記第２の膜のどちらか一方が遮光膜であり、
　
前記第１の膜を遮光膜とする場合、前記第１の膜は、複数の異なる組成の珪素系化合物の膜が積層される構造であり、
　
前記第２の膜を遮光膜とする場合、前記第２の膜は、複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造であり、前記第１の膜は、珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたものからなる
ことを特徴とするフォトマスクブランク。」と補正された。（下線部は補正箇所を示す。）
　そして、特許請求の範囲の請求項１についての上記補正は、
　フォトマスクブランクの構成として、「酸素含有塩素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な第１の膜」を付加すると共に、上記付加に伴い補正前の「第１の膜」及び「第２の膜」をそれぞれ、「第２の膜」と「第３の膜」に繰り下げる補正事項、
　「第１の膜」と「第２の膜」の配置関係について、「第２の膜」が「第１の膜上に形成され」ることを特定する補正事項、
　「前記第１の膜または前記第２の膜」について、「どちらか一方が遮光膜であ」ることを特定する補正事項、
　「第１の膜を遮光膜とする場合」について、第１の膜の構造を「複数の異なる組成の珪素系化合物の膜が積層される構造」に特定する補正事項
　「第２の膜を遮光膜とする場合」について、第２の膜の構造を「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造」に特定すると共に、第１の膜の構造を「珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたもの」に特定する補正事項
　からなるものであり、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含む。
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しないか）について、以下に検討する。
（１）　本願補正発明
　本願補正発明は、平成２６年１２月２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
（２）　引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００９−２６５６２０号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「イ　引用例１に記載された発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
（ア）　「【０００１】
  本発明は、
半導体デバイスや表示デバイス（表示パネル）等の製造において使用される位相シフトマスクブランク
（イ）　「【００１５】
  以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
  図１は、本発明の第１の実施形態に係る位相シフトマスクブランク１１の一例を示す。本例において、位相シフトマスクブランク１１は、位相シフトマスクブランクであり、透明基板１、位相シフト膜５、遮光性膜２、エッチングマスク膜３、レジスト膜４をこの順で備える。
  位相シフト膜５としては、例えば、珪素を含む珪素含有膜を用いることができる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜が挙げられる。位相シフト膜５としては、例えば、遷移金属シリサイド酸化物、遷移金属シリサイド窒化物、遷移金属シリサイド酸窒化物、遷移金属シリサイド酸化炭化物、遷移金属シリサイド窒化炭化物又は遷移金属シリサイド酸窒化炭化物を主成分とする膜を用いることができる。位相シフト膜５としては、例えば、モリブデン系（ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯ等）、タングステン系（ＷＳｉＯＮ、ＷＳｉＮ、ＷＳｉＯ等）、シリコン系（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等）などのハーフトーン膜を用いることができる。
  位相シフト膜５としては、例えば、主に露光光の位相を制御する位相調整層と、主に露光光の透過率を制御する機能を有すると透過率調整層との２層からなるハーフトーン膜を用いることができる（特開２００３−３２２９４７号公報参照）。ここで、透過率調整層の材料としては、金属及びシリコンのうちから選ばれる一種又は二種以上からなる膜、あるいはそれらの酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物等を用いることができ、具体的には、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ランタン、タンタル、タングステン、シリコン、ハフニウムから選ばれる一種又は二種以上の材料からなる膜あるいはこれらの窒化物、酸化物、酸窒化物、炭化物なとが挙げられる。また、位相調整層としては、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素など珪素を母体とした薄膜が紫外領域での露光光に対して、比較的高い透過率を得やすいという点から好ましい。
【００１６】
  エッチングマスク膜３としては、例えば、珪素を含む珪素含有膜を用いることができる。珪素含有膜としては、珪素膜や、珪素とクロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンの金属を含む金属シリサイド膜、さらに、珪素膜や金属シリサイド膜に、酸素、窒素、炭素の少なくとも一つを含む膜が挙げられる。エッチングマスク膜３としては、例えば、遷移金属シリサイド酸化物、遷移金属シリサイド窒化物、遷移金属シリサイド酸窒化物、遷移金属シリサイド酸化炭化物、遷移金属シリサイド窒化炭化物又は遷移金属シリサイド酸窒化炭化物を主成分とする膜を用いることができる。エッチングマスク膜３としては、例えば、モリブデン系（ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＣＯ、ＭｏＳｉＣＮ、ＭｏＳｉＣＯＮ等）、タングステン系（ＷＳｉＯＮ、ＷＳｉＮ、ＷＳｉＯ等）、シリコン系（ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等）などの膜を用いることができる。エッチングマスク膜３は、例えば、位相シフト膜５がＭｏＳｉＮである場合、エッチングマスク膜３は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ、ＳｉＯＮであることが好ましい。
【００１７】
  遮光性膜２としては、位相シフト膜のエッチングに対して耐性を有する材料とすることができる。例えば、金属を含む金属膜を用いることができる。金属を含む金属膜としては、クロム、タンタル、モリブデン、チタン、ハフニウム、タングステンや、これらの元素を含む合金、又は上記元素や上記合金を含む材料（例えば、上記元素や上記合金を含む材料に加え、酸素、窒素、珪素、炭素の少なくとも一つを含む膜）からなる膜が挙げられる。
  遮光性膜２としては、例えば、クロム単体や、クロムに酸素、窒素、炭素、水素からなる元素を少なくとも１種を含むもの（Ｃｒを含む材料）、などの材料を用いることができる。遮光性膜の膜構造としては、上記膜材料からなる単層、複数層構造とすることができる。また、異なる組成においては、段階的に形成した複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることができる。
  具体的な遮光性膜２は、窒化クロム膜（ＣｒＮ膜）及び炭化クロム膜（ＣｒＣ膜）からなる遮光層と、クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）からなる反射防止層との積層膜である。窒化クロム膜は、窒化クロム（ＣｒＮ）を主成分とする層であり、例えば１０〜２０ｎｍの膜厚を有する。炭化クロム膜は、炭化クロム（ＣｒＣ）を主成分とする層であり、例えば２５〜６０ｎｍの膜厚を有する。クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）は、例えば１５〜３０ｎｍの膜厚を有する。
【００１８】
  本発明において、上述した課題の解決方法としては、エッチングマスク膜及び遮光膜をマスクとしてハーフトーン膜をエッチングする際のローディング効果を小さくするために、エッチングマスク膜のエッチングタイム（膜が消失するまでに要する時間、以下同様）を、ハーフトーン膜のエッチングタイムと比べて、同じに、又は遅く、なるようにエッチングマスク膜を設計することが挙げられる。詳細は、位相シフト膜であるハーフトーン膜の膜厚をｔ１、位相シフト膜を、エッチングマスク膜及び遮光膜をマスクとしてエッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ１、エッチングマスク膜の膜厚をｔ２、エッチングマスク膜がエッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ２としたときに、（ｔ１／ｖ１）≦（ｔ２／ｖ２）となるように設計する。なお、ハーフトーン膜のエッチング後にエッチングマスク膜が残存すると、エッチングマスク膜を除去する工程が発生するので、（ｔ１／ｖ１）＝（ｔ２／ｖ２）となるように設計するとより好ましい。また、ハーフトーン膜のエッチング後、遮光膜をエッチングする際のエッチングガスを用いて物理的エッチングで除去可能な程度の膜厚でエッチングマスク膜が残存するように設計してもよい。
  エッチングマスク膜のエッチングタイムの制御は、エッチングマスク膜の組成および膜厚により制御することが可能である。エッチングマスク膜のエッチングタイムは、（エッチングマスク膜の膜厚ｔ１）／（エッチングマスク膜の速度ｖ１）で定義される。
  ここで、半導体デザインルール  ＤＲＡＭハーフピッチｈｐ４５ｎｍ以降の世代で使用される位相シフトマスクブランクにおけるエッチングマスク膜の膜厚については、マスク加工上５〜４０ｎｍが好ましい。また、半導体デザインルール  ＤＲＡＭハーフピッチｈｐ４５ｎｍ以降の世代で使用される位相シフトマスクブランクにおけるハーフトーン膜の膜厚は、所望の位相差（例えば、１７５度〜１８５度）となるような膜厚である必要があるが１００ｎｍ以下（例えば７０ｎｍ）が好ましい。以上の点などを考慮し、半導体デザインルール  ＤＲＡＭハーフピッチｈｐ４５ｎｍ以降の世代で使用される位相シフトマスクブランクにおける、エッチングマスク膜に要求されるエッチング速度は、ハーフトーン膜のエッチング速度を１とした場合、０．０７〜０．５倍遅くすることが好ましい。
  エッチングマスク膜のエッチング速度を制御する方法の１つとして、エッチングマスク膜の組成を制御する方法が挙げられる。  エッチングマスク膜はＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮ、およびＳｉＯＮの材料から選択して構成することができ、ハーフトーン膜はＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮの材料から選択して構成することができる。このとき、エッチングマスク膜がＭｏＳｉＮ、ハーフトーン膜がＭｏＳｉＮの場合においては、互いに同じ材料で構成されているので、ＭｏＳｉＮ膜のエッチング速度は、Ｎの含有率よりも、ＭｏとＳｉの含有比率に依存する。エッチングマスク膜のエッチング速度をハーフトーン膜よりも遅くするには、Ｍｏの含有量を高くすることでなされる。
  例えば、ハーフトーン膜のＭｏとＳｉ比率（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９）に対して、エッチングマスク膜のＭｏとＳｉ比率（Ｍｏ：Ｓｉ＝４：５〜９：１）とし、エッチングマスク膜の膜厚を、Ｍｏ：Ｓｉ＝４：５のとき４０ｎｍ（ハーフトーン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比：約０．５倍）  〜  Ｍｏ：Ｓｉ＝９：１のとき５ｎｍ（ハーフトーン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比：エッチング速度：約０．０７倍）とすることで、エッチングマスク膜のエッチングタイムをハーフトーン膜のエッチングタイムに合わせる（一致させる）ことが可能となる。この条件に基づいて、エッチングマスク膜の組成および膜厚を制御することにより、半導体デザインルール  ＤＲＡＭハーフピッチｈｐ４５ｎｍ以降の世代で使用される位相シフトマスクブランクにおけるエッチングマスク膜に要求させる膜厚５〜４０ｎｍ範囲又はこれに近い範囲で、エッチングマスク膜のエッチングタイムをハーフトーン膜のエッチングタイムよりも遅らせることが可能である。なお、さらなる微細パターンに対応する場合にはエッチングマスク膜の膜厚を２０ｎｍ以下とすることが好ましく、このときのエッチングマスク膜のハーフトーン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比の上限は、約０．２５倍とするとよい。
  一方、ＳｉＯＮのエッチングマスク膜のエッチング速度についても、その組成比で制御することが可能となる。ＳｉＯＮのエッチング速度を低下させるには、Ｎの含有量を減らし、Ｏの含有量を増加させることでなされる。ハーフトーン膜のＭｏとＳｉ比率（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９）に対して、エッチングマスク膜のＳｉとＯとＮの比率（Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝３５：４５：２０）にすることで、エッチングマスク膜のエッチングタイムをハーフトーン膜のエッチングタイムに合わせる（一致させる）ことが可能となる。
  尚、ハーフトーン膜の組成比及び膜厚は、ハーフトーン膜の光学特性（使用する露光光に対する位相シフト量、透過率）を優先して決定される。
【００１９】
  本発明において、位相シフトマスクブランクには、レジスト膜付き位相シフトマスクブランク、レジスト膜形成前の位相シフトマスクブランクが含まれる。位相シフトマスクブランクには、ハーフトーン膜上にクロム系材料等の遮光性膜が形成される場合を含む。位相シフトマスクには、位相シフタが基板の彫り込みによって形成される場合を含む。
【００２０】
  本発明において、基板としては、合成石英基板、ソーダライムガラス基板、無アルカリガラス基板、低熱膨張ガラス基板などが挙げられる。
【００２１】
  本発明において、遮光膜であるクロム系薄膜のドライエッチングには、塩素系ガス、又は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いることが好ましい。この理由は、クロムと酸素、窒素等の元素とを含む材料からなるクロム系薄膜に対しては、上記のドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行うことにより、ドライエッチング速度を高めることができ、ドライエッチング時間の短縮化を図ることができ、断面形状の良好な遮光性膜パターンを形成することができるからである。ドライエッチングガスに用いる塩素系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３等が挙げられる。
【００２２】
  本発明において、エッチングマスク膜（ハードマスク膜）や、位相シフト膜（ハーフトーン膜）である珪素を含む珪素含有膜や、金属シリサイド系薄膜、のドライエッチングには、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３等の弗素系ガス、これらとＨｅ、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４、Ｏ２等の混合ガス、或いはＣｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２等の塩素系のガス又は、これらとＨｅ、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４等の混合ガスを用いることができる。」
（ウ）　「【００２３】
  以下、本発明の実施例及び比較例を示す。
（実施例１及び比較例１、２）
  図２を参照して、本発明の実施例１による位相シフトマスクの製造方法について説明する。
  
まず、
透光性基板１を得
  
次いで、透光性基板１の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
２
）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ
２
＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、膜厚７０［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の半透光性の位相シフト膜５を成膜し
  
次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタ装置を用いて、位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる遮光性クロム膜２を成膜し
  
次いで、
遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝９：１［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
２
）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ
２
＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、膜厚が５［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜し
  また、比較例１、２においては、遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、膜厚が５［ｎｍ］（位相シフト膜エッチング時に位相シフト膜よりも先に消失する膜厚：比較例１）及び膜厚が９２［ｎｍ］（エッチマスク層が厚いためにＣＤ精度の向上が図れない膜厚：比較例２）の各ＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜した（図２（ｃ）参照）。
  
次いで、無機系エッチングマスク用膜３の上に、ポジ型電子線レジスト４（ＦＥＰ１７１：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を
塗布し
  以上により、
透光性基板１上に、ＭｏＳｉＮ系材料からなる半透光性の位相シフト膜５と、Ｃｒ系材料からなる遮光性クロム膜２と、ＭｏＳｉＮ系材料からなる無機系エッチングマスク用膜３と、レジスト４が順次形成されたハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１（ハーフトーン位相シフトマスクブランク）を準備し
【００２４】
  次いで、
レジスト４に対し、日本電子社製のＪＢＸ９０００によって電子線描画し、現像して、図２に示すようなレジストパターン４１（０．４μｍのライン＆スペース）を形成し
  このとき、作成したレジストパターン４１は、ｈｐ４５ｎｍで形成される、局所的にパターンの面積差が生じる箇所（例えばＯＰＣパターン形成箇所）、またマスク面内においてもパターンの疎密差も大きい箇所、を有するパターンとした。
  
次いで、レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３を、ＳＦ
６
とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成し
  
次いで、レジストパターン４１を除去した後、無機系エッチングマスクパターン３１のみをマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ
２
とＯ
２
の混合ガスを用い、圧力：３ｍｍＴｏｒｒの条件にて、イオン性を限りなく高めた（＝イオンとラジカルがほぼ同等となる程度までイオン性を高めた）ラジカル主体のドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成し
  
次いで、無機系エッチングマスクパターン３１及び遮光性クロムパターン２１をマスクにして、位相シフト膜５を、ＳＦ
６
とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、位相シフト膜パターン５１を形成し
  
次いで、ごく薄い膜厚で残存する無機系エッチングマスクパターン３１をエッチングＣｌ
２
ガス等の透光性基板がエッチング耐性を有するエッチングガスを用いた物理的なドライエッチングによって、あるいは前記の弗素系ガスを用いたイオン性のドライエッチングによって剥離し、再度レジストを塗布し、露光・現像によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、不要な箇所の遮光性クロムパターン２１をエッチングにより除去
しかる後、所定の洗浄を施して位相シフトマスク１０を得
  そして、得られた位相シフト膜パターン５１の寸法を、ホロン社製ＣＤ−ＳＥＭ（ＥＭＵ−２２０）を用いて、局所的にパターンの面積差が生じる箇所（例えばＯＰＣパターン形成箇所）、及び、マスク面内においてもパターンの疎密差も大きい箇所、においてそれぞれ測定した。その結果、実施例１に係る位相シフトマスクでは、各箇所におけるローディング効果の影響を少なくすることができ、ｈｐ４５ｎｍ位相シフトマスクに見られる微細なパターンを高精度に加工することが可能となることを確認した。これに対し、比較例１に係る位相シフトマスクでは、各箇所におけるローディング効果の影響が大きく、ｈｐ４５ｎｍ位相シフトマスクに見られる微細なパターンを高精度に加工することが困難であることを確認した。」
（エ）　「【図１】
」
（オ）　「【図２】
【図３】
」
イ　引用例１に記載された発明の認定
ａ　上記摘記事項（ウ）には、「次いで、透光性基板１の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、膜厚７０［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の半透光性の位相シフト膜５を成膜した」と記載されており、混合ターゲットのモリブデンとシリコンの原子割合が記載されているのみであって、成膜された位相シフト膜５自体のモリブデンとシリコンの原子割合は記載されていない。
　一方、摘記事項（ウ）は、摘記事項（イ）で開示された実施形態の一実施例に関する記載であるところ、摘記事項（イ）には、位相シフト膜（ハーフトーン膜）について、「ＭｏとＳｉ比率（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９）」（【００１８】）と記載されている。
　このことから、上記摘記事項（ウ）における上記記載は、「次いで、透光性基板１の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝１：９［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、
ＭｏとＳｉの原子比率が１：９である
ｂ　上記摘記事項（ウ）には、「次いで、実施例１においては、遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝９：１［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、膜厚が５［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜した」と記載されており、混合ターゲットのモリブデンとシリコンの原子割合が記載されているのみであって、成膜された無機系エッチングマスク用膜３自体のモリブデンとシリコンの原子割合は記載されていない。
　一方、摘記事項（ウ）は、摘記事項（イ）で開示された実施形態の一実施例に関する記載であるところ、摘記事項（イ）には、エッチングマスクについて、「エッチングマスク膜のＭｏとＳｉ比率（Ｍｏ：Ｓｉ＝４：５〜９：１）とし、エッチングマスク膜の膜厚を、Ｍｏ：Ｓｉ＝４：５のとき４０ｎｍ（ハーフトーン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比：約０．５倍）  〜  Ｍｏ：Ｓｉ＝９：１のとき５ｎｍ（ハーフトーン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比：エッチング速度：約０．０７倍）とする」と記載されており、エッチングマスク膜のモリブデンとシリコンの原子割合として、Ｍｏ：Ｓｉ＝９：１のものが記載されている。
　このことから、上記摘記事項（ウ）における上記記載は、「次いで、実施例１においては、遮光性クロム膜２の上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝９：１［原子％］）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：Ｎ２＝１０：９０［体積％］、圧力０．３［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングを行うことにより、
ＭｏとＳｉの原子比率が９：１である
ｃ　上記摘記事項（ウ）には、「次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタ装置を用いて、位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる遮光性クロム膜２を成膜した」と記載されている。
　一方、摘記事項（ウ）は、摘記事項（イ）で開示された実施形態の一実施例に関する記載であるところ、摘記事項（イ）には、「具体的な遮光性膜２は、窒化クロム膜（ＣｒＮ膜）及び炭化クロム膜（ＣｒＣ膜）からなる遮光層と、クロムに酸素及び窒素が含有されている膜（ＣｒＯＮ膜）からなる反射防止層との積層膜である。」と、積層膜である旨が記載されている。
　してみると、上記摘記事項（ウ）における上記記載は、「次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタ装置を用いて、位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる
積層膜の
　上記の点も含めて、引用例１の記載事項を総合すると、引用例１には、
「半導体デバイスや表示デバイス（表示パネル）等の製造において使用される位相シフトマスクブランクであって、
  まず、透光性基板１を得、
  次いで、透光性基板１の上に、ＭｏとＳｉの原子比率が１：９である膜厚７０［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の半透光性の位相シフト膜５を成膜し、
  次いで、位相シフト膜５の上にＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる積層膜の遮光性クロム膜２を成膜し、
  次いで、遮光性クロム膜２の上に、ＭｏとＳｉの原子比率が９：１である膜厚が５［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３を成膜し
  次いで、無機系エッチングマスク用膜３の上に、ポジ型電子線レジスト４（ＦＥＰ１７１：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を塗布することで準備された、
  透光性基板１上に、ＭｏＳｉＮ系材料からなる半透光性の位相シフト膜５と、Ｃｒ系材料からなる遮光性クロム膜２と、ＭｏＳｉＮ系材料からなる無機系エッチングマスク用膜３と、レジスト４が順次形成されたハーフトーン位相シフト型のマスクブランク１１（ハーフトーン位相シフトマスクブランク）であって、
　レジスト４に対し、日本電子社製のＪＢＸ９０００によって電子線描画し、現像して、レジストパターン４１（０．４μｍのライン＆スペース）を形成し、
  次いで、レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成し、
  次いで、レジストパターン４１を除去した後、無機系エッチングマスクパターン３１のみをマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用い、圧力：３ｍｍＴｏｒｒの条件にて、イオン性を限りなく高めた（＝イオンとラジカルがほぼ同等となる程度までイオン性を高めた）ラジカル主体のドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成し、
  次いで、無機系エッチングマスクパターン３１及び遮光性クロムパターン２１をマスクにして、位相シフト膜５を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、位相シフト膜パターン５１を形成し、
  次いで、ごく薄い膜厚で残存する無機系エッチングマスクパターン３１をエッチングＣｌ２ガス等の透光性基板がエッチング耐性を有するエッチングガスを用いた物理的なドライエッチングによって、あるいは前記の弗素系ガスを用いたイオン性のドライエッチングによって剥離し、再度レジストを塗布し、露光・現像によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、不要な箇所の遮光性クロムパターン２１をエッチングにより除去し、
　しかる後、所定の洗浄を施して位相シフトマスク１０を得る、
　位相シフトマスクブランク。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
ウ　本願補正発明と引用発明との対比
（ア）　対比
　ここで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「マスクブランク１１」は、本願補正発明の「フォトマスクブランク」に相当する。
ｂ　引用発明において、「レジストパターン４１を除去した後、無機系エッチングマスクパターン３１のみをマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用い、圧力：３ｍｍＴｏｒｒの条件にて、イオン性を限りなく高めた（＝イオンとラジカルがほぼ同等となる程度までイオン性を高めた）ラジカル主体のドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成し、
  次いで、無機系エッチングマスクパターン３１及び遮光性クロムパターン２１をマスクにして、位相シフト膜５を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、位相シフト膜パターン５１を形成し」ている。
　このことから、遮光性クロム膜２のエッチングが進行すると、当該遮光性クロム膜２の下層に位置する位相シフト膜５は、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスに接触する環境下にあるが、それにも関わらず、その後にＳＦ６とＨｅの混合ガスでエッチングを行っている。
　してみると、「位相シフト層５」は、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスでは実質的にエッチングされず、ＳＦ６とＨｅの混合ガスでエッチングされているのは明らかである。
　そうすると、引用発明の「位相シフト膜５」は、本願補正発明の「酸素含有塩素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な第１の膜」に相当する。
ｃ　引用発明の上記「遮光性クロム膜２」は、本願発明の「第１の膜」に相当する「位相シフト膜５の上に」「成膜」されたものでもある。
　さらに、引用発明において、「次いで、レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成し、
  次いで、レジストパターン４１を除去した後、無機系エッチングマスクパターン３１のみをマスクにして、遮光性クロム膜２を、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスを用い、圧力：３ｍｍＴｏｒｒの条件にて、イオン性を限りなく高めた（＝イオンとラジカルがほぼ同等となる程度までイオン性を高めた）ラジカル主体のドライエッチングを行い、遮光性クロムパターン２１を形成し」ている。
　このことから、無機系エッチングマスク膜３のエッチングが進行すると、当該無機系エッチングマスク膜３の下層に位置する遮光性クロム膜２は、ＳＦ６とＨｅの混合ガスに接触する環境下にあるが、それにも関わらず、その後にＣｌ２とＯ２の混合ガスでエッチングを行っている。
　してみると、「遮光性クロム膜２」は、ＳＦ６とＨｅの混合ガスでは実質的にエッチングされず、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスでエッチングされているのは明らかである。
　また、引用発明の「ＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる積層膜」である構成は、本願補正発明の「クロム酸化物、クロム窒化物もしくはクロム酸窒化物を主成分とする金属化合物膜又はクロムを主成分とする金属膜もしくは合金膜からな」り、「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造であ」る構成に相当する。
　してみると、引用発明の「位相シフト膜５の上に」「成膜」された、「ＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からなる積層膜の遮光性クロム膜２」は、本願補正発明の「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造」の「前記第１の膜上に形成され、フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能な、クロム酸化物、クロム窒化物もしくはクロム酸窒化物を主成分とする金属化合物膜又はクロムを主成分とする金属膜もしくは合金膜からなる第２の膜」に相当する。
ｄ　引用発明の「無機系エッチングマスク用膜３」は、本願補正発明の「第２の膜」に相当する「遮光性クロム膜２の上に」「成膜」されたものである。
　さらに、引用発明において、「次いで、レジストパターン４１をマスクにして、無機系エッチングマスク用膜３を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、圧力：５［ｍｍＴｏｒｒ］の条件にてイオン性主体のドライエッチングを行い、無機系エッチングマスクパターン３１を形成し」ている。
　このことから、「無機系エッチングマスク用膜３」は、ＳＦ６とＨｅの混合ガスでエッチングされるのは明らかである。
　また、引用発明の「ＭｏとＳｉの原子比率が９：１である膜厚が５［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系」である構成は、本願補正発明の「モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびニオブのうちから選択された遷移金属を含む」構成、及び、「遷移金属の含有量は、遷移金属と珪素との合計に対し１０原子％以上」である構成に相当する。
　そうすると、引用発明の「遮光性クロム膜２の上に」「成膜」された、「ＭｏとＳｉの原子比率が９：１である膜厚が５［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系の無機系エッチングマスク用膜３」と、本願補正発明の「前記第２の膜上に形成され、フッ素系ドライエッチング且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まず、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびニオブのうちから選択された遷移金属を含」み「前記遷移金属の含有量は遷移金属と珪素との合計に対し１０原子％以上」である「第３の膜」とは、「前記第２の膜上に形成され、フッ素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まず、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびニオブのうちから選択された遷移金属を含」み「前記遷移金属の含有量は遷移金属と珪素との合計に対し１０原子％以上」である「第３の膜」で一致する。
ｅ　引用発明の「遮光性クロム膜２」は、「遮光性」という文言からして、本願補正発明の「遮光膜」に相当する。
ｆ　引用発明の「位相シフト膜５」は、「ＭｏとＳｉの原子比率が１：９である膜厚７０［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系」の膜であって、硅素を含有する窒化物であり、ＭｏとＳｉの比は１：９と、ＭｏよりもＳｉを多く含有する化合物であるところ、本願補正発明の「珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたもの」に相当する。
ｇ　上記ｅから、引用発明は、本願補正発明の「第２の膜」に相当する「遮光性クロム膜２」を「遮光膜」としており、上記「遮光性クロム膜２」は、上記ｃで指摘したとおり、「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造」であり、本願発明の「第１の膜」に相当する引用発明の「位相シフト層５」は、上記ｆで指摘したとおり、「珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたもの」からなる。
　してみると、引用発明の、「遮光性クロム膜２」を「遮光膜」とし、「遮光性クロム膜２」が「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造」であり、「位相シフト層５」が「珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたもの」からなる構成は、本願補正発明の「前記第２の膜」「が遮光膜であ」る場合の、「前記第２の膜は、複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造で有り、前記第１の膜は、硅素酸化物、硅素窒化物、もしくは硅素酸窒化物を主成分とする硅素化合物に金属を含有させたものからなる」という構成をすべて備えている。
　ここで、本願補正発明は、「第１の場合」と「第２の場合」のどちらか一方が遮光膜であり」という発明特定事項が選択肢を有するものであるところ、その対比においては、いずれか一の選択肢のみを、その選択肢に係る発明特定事項と仮定したときに請求項に係る発明と、引用発明とを対比することができる。
　したがって、引用発明の、「遮光性クロム膜２」を「遮光膜」とし、「遮光性クロム膜２」が「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造」であり、「位相シフト層５」が「珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたもの」からなる構成は、本願補正発明の「前記第１の膜または前記第２の膜のどちらか一方が遮光膜であり、
　前記第１の膜を遮光膜とする場合、前記第１の膜は、複数の異なる組成の珪素系化合物の膜が積層される構造であり、
　前記第２の膜を遮光膜とする場合、前記第２の膜は、複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造であり、前記第１の膜は、珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたものからなる」構成に相当する。
（イ）　一致点
　そこで、本願補正発明と引用発明は、
「　酸素含有塩素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な第１の膜と、
　前記第１の膜上に形成され、フッ素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つ酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能な、クロム酸化物、クロム窒化物もしくはクロム酸窒化物を主成分とする金属化合物膜又はクロムを主成分とする金属膜もしくは合金膜からなる第２の膜と、
　前記第２の膜上に形成され、フッ素系ドライエッチングでエッチングが可能なクロムを含まず、モリブデン、タンタル、タングステン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウムおよびニオブのうちから選択された遷移金属を含む第３の膜と、が積層されてなる構成であり、
　前記遷移金属の含有量は、遷移金属と珪素との合計に対し１０原子％以上であり、
　前記第２の膜が遮光膜であり、
　前記第２の膜を遮光膜とする場合、前記第２の膜は、複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造であり、前記第１の膜は、珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたものからなる
フォトマスクブランク。」
である点で一致し、次の点で一見相違する。
（ウ）　相違点
　本願補正発明の「第３の膜」が、「酸素含有塩素系ドライエッチングでエッチングが可能」な特性を有するのに対し、引用発明の「無機系エッチングマスク用膜３」が、上記特性を有する膜であるか否か明らかでない点。
オ　当審の判断
（ア）　上記の各相違点について検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、以下の通り記載されている。
「【００２６】
  またクロムを含まない膜１４は、遷移金属を含有する。遷移金属の例としては、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）などが挙げられるが、
エッチング加工の容易性の観点からモリブデンが望ましい
前記遷移金属を含む
珪素窒化物
であってもよい
【００２７】
クロムを含まない膜１４の具体的な原子組成は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）の合計に対して、モリブデン（Ｍｏ）が１０原子％〜１００原子％の範囲である。また、
酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ／Ｏ）系）でのエッチング加工の容易性の観点から、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）の合計に対して、モリブデン（Ｍｏ）が３０原子％〜１００原子％の範囲であることが望ましい
　したがって、本願の発明の詳細な説明には、本願補正発明の「第３の膜」である「クロムを含まない膜１４」について、モリブデンを含む硅素窒化物であってよく、モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）の合計に対して、モリブデン（Ｍｏ）が３０原子％〜１００原子％の範囲であれば、酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ／Ｏ）系）でのエッチング加工が容易に実施できるという物質の特性が開示されている。
　よって、引用発明の「ＭｏとＳｉの原子比率が９：１である膜厚が５［ｎｍ］のＭｏＳｉＮ系」である「無機系エッチングマスク用膜３」は、「モリブデン（Ｍｏ）と珪素（Ｓｉ）の合計に対して、モリブデン（Ｍｏ）が３０原子％〜１００原子％の範囲」である「モリブデンを含む硅素窒化物」であることから、「酸素含有塩素系ドライエッチング（（Ｃｌ／Ｏ）系）でのエッチング加工が容易に実施できるという特性」を有する物質であると判断するのが相当である。
　してみると、上記相違点は、実体上は相違しておらず、相違点ではない。
（イ）　まとめ
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年１２月２日付けの手続補正は、上記の通り却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年１１月１８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正却下の決定）の「１　本件補正について」の記載参照。）
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）　引用例」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　上記「第２　平成２６年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、以下構成を特定したものが、本願補正発明である。
（１）「酸素含有塩素系ドライエッチングでは実質的なエッチングがされず且つフッ素系ドライエッチングでエッチング可能な第１の膜」を付加
（２）「第１の膜」と「第２の膜」の配置関係について、「第２の膜」が「第１の膜上に形成され」ることを特定
（３）「前記第１の膜または前記第２の膜」について、「どちらか一方が遮光膜であ」ることを特定
（４）「第１の膜を遮光膜とする場合」について、第１の膜の構造を「複数の異なる組成の珪素系化合物の膜が積層される構造」に特定
（５）「第２の膜を遮光膜とする場合」について、第２の膜の構造を「複数の異なる組成のクロムを含む膜が積層される構造」に特定すると共に、第１の膜の構造を「珪素酸化物、珪素窒化物、もしくは珪素酸窒化物を主成分とする珪素系化合物に金属を含有させたもの」に特定
  なお、上記（１）の補正に伴い、本願発明の「第１の膜」及び「第２の膜」をそれぞれ、「第２の膜」と「第３の膜」に繰り下げる補正も行っている。
　そして、前記「第２　平成２６年１２月１日付けの手続補正についての却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」に記載したとおり、本願補正発明は、引用発明であるから、当該本願補正発明を包含する本願発明も、同様の理由により、引用発明である。
第４　むすび
　以上の通りであり、「第３　本願発明について」の「対比・判断」で述べたとおり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論の通り審決する。