【事件の表示】
　特願２００８−５１１２７２「通常の低ｋ誘電性材料および／または多孔質の低ｋ誘電性材料の存在下でのレジスト剥離のための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月１６日国際公開、ＷＯ２００６／１２２１１９、平成２０年１２月１１日国内公表、特表２００８−５４５２５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、２００６年５月８日（優先権主張２００５年５月１０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年１２月１７日に審判請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２６年１１月２８日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成２７年６月１日付けで意見書が提出され、同時に手続補正がなされた。
　
　
第２　本願の特許請求の範囲の請求項１
　
　本願の特許請求の範囲の請求項１は、平成２７年６月１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、以下のとおりのものである。
 
「　基板からフォトレジスト材料を除去するための方法であって、
　低ｋ誘電性材料の上を覆うフォトレジスト材料を有する基板を用意し、前記フォトレジスト材料および前記低ｋ誘電性材料は、ともに、両者の上を覆うポリマ膜を有し、前記ポリマ膜はフルオロカーボン成分またはヒドロフルオロカーボン成分を含み、
　前記下にある低ｋ誘電性材料を不利に損傷させる、または除去することなく前記ポリマ膜を除去するために、酸素プラズマを使用して実施される第１の剥離プロセスであって、前記基板の上に、約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約１０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速で酸素ガスを提供することと、前記酸素ガスを前記酸素プラズマに変換するために、前記酸素ガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第１の剥離プロセスを実施し、
　前記下層の低ｋ誘電性材料を損傷または除去することなく前記フォトレジスト材料を除去するために、アンモニアプラズマを使用して実施される第２の剥離プロセスであって、前記基板の上に、約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約２０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速でアンモニアガスを提供することと、前記アンモニアガスを前記アンモニアプラズマに変換するために、前記アンモニアガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第２の剥離プロセスを実施し、前記第２の剥離プロセスは、前記第１の剥離プロセスの完了後に実施される、
　ことを備え、
　前記第２の剥離プロセスは、前記低ｋ誘電性材料が２．５未満の誘電率を有する場合に、前記基板および前記アンモニアプラズマを含む領域内の圧力を、約５ミリトール（ｍＴ）から約５００ｍＴに到る範囲内に維持することを含み、
　前記第２の剥離プロセスは、前記低ｋ誘電性材料が２．５以上の誘電率を有する場合に、前記基板および前記アンモニアプラズマを含む領域内の圧力を、約５ｍＴから約１０００ｍＴに到る範囲内に維持することを含む、方法。」
　
　
第３　平成２６年１１月２８日付けの拒絶理由通知
　
　当審で通知した平成２６年１１月２８日付けの拒絶理由（以下、単に「拒絶理由」という。）は以下のとおりである。
　
「　　　　　　　　　　　　　　　理　由
　
理由１
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
・請求項１
・引用文献１〜４
　
　本願の請求項１に係る発明は、引用文献１〜４により、進歩性を有しない。
　引用文献１には、誘電層１０４、フォトレジスト１０６、フルオロカーボンポリマー１１２を有する基板に対して、２ステップ酸素アッシングを行うことが記載されており（［００２２］参照）、誘電層にＬｏｗ−ｋ誘電材料を使用すること（［０００６］参照）、第１のアッシングステップの間、フォトレジストとフルオロカーボンポリマーがエッチングされること（［００２２］参照）、第２のアッシングステップの間、フォトレジストの残りを十分に除去すること（［００２３］参照）、プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ、第１のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以下のＲＦバイアス、第２のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以上のＲＦバイアスを使用すること（［００２４］参照）、プロセスガスは、第１のステップから第２のステップへ変えることができること（［００２４］参照）についても記載されている。
　また、引用文献１には、１ステップアッシングと比較し周囲の基板の層の浸食を減少し、フォトレジスト残り及びエッチング残渣を除去するプラズマ処理方法を提供することを目的としていること（［００１１］参照）、その場アッシングの間、低誘電率膜へ導入されたダメージ（ｋ値の低下）の最小化を満たすこと（［００１７］参照）、の記載もされているから、引用文献１における第１のアッシング及び第２のアッシングは、Ｌｏｗ−ｋ誘電材料に不利となる浸食やダメージを与えないものである。
　
　すると、引用文献１に記載された発明と本願の請求項１に係る発明とは、次の点で相違する。 
　
　本願の請求項１に係る発明では、第２の剥離プロセスが、「アンモニアプラズマを使用して実施される」のに対し、引用文献１に記載された発明は、第２のアッシングステップが、酸素プラズマによって行われる点。
　
・相違点について
　例えば、引用文献２（第３頁第８〜９行参照）、引用文献３（【０００９】参照）に記載されているように、レジスト除去に際して酸素プラズマアッシングを行った場合には、低ｋ誘電性材料の比誘電率が増加するダメージを受けるという技術課題は周知である。
　引用文献４には、酸素プラズマによりレジスト膜を剥離する場合、酸素プラズマ処理によって低誘電率絶縁膜の誘電率が上昇する技術課題（【０００６】参照）を解決するために、ＮＨ3ガスを用いたプラズマ処理によってレジストパターンを剥離する（【００２４】参照）技術が記載されており、レジストの剥離条件として、圧力０．２Ｔｏｒｒ、高周波電力４００Ｗ、ＮＨ3ガス流量１００ｓｃｃｍ又は２００ｓｃｃｍが記載されている（【００２５】参照）。
　
　引用文献１の方法において、フルオロカーボンポリマーがエッチングされ除去されると、Ｌｏｗ−ｋ誘電材料が酸素プラズマにさらされるから、少なくとも第２のアッシングステップにおいては、上記周知の技術課題を有することは明らかである。なお、引用文献１の［００３１］には、具体的なアッシングプロセス状況として、第１のアッシングステップでは、ＲＦバイアスを０Ｗ、酸素流量を２００ｓｃｃｍ、第２のアッシングステップでは、ＲＦバイアスを１５０Ｗ、Ａｒ／酸素流量を２００／２０ｓｃｃｍとすることが記載されており、ここで、第１のアッシングステップから第２のアッシングステップに移行した際に、酸素流量を２００ｓｃｃｍから２０ｓｃｃｍまで減少させていることから、引用文献１においても同様の課題認識を有していることがうかがわれる。
　したがって、引用文献１の第２のアッシングステップにおける上記周知の技術課題を解決するために、第２のアッシングステップを行うにあたり、酸素プラズマによる処理に換えて引用文献４に記載されたＮＨ3ガスを用いたプラズマ処理を適用することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
・・・（省略）・・・
　
・請求項７
・引用文献１〜４
　
　引用文献３には、低誘電率絶縁膜の比誘電率が２．６以上と２．６未満とでアッシングプロセスによる膜ダメージが異なること、１Ｐａ以上のプロセスでは、ラジカルアタックが頻繁に起こること、が記載されている（【０００４】〜【０００７】参照）から、当該技術事項に基づいて、比誘電率に応じて設定する圧力を調整することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
・・・（省略）・・・
　
　引用文献等一覧
１．国際公開第２００３／０９０２７０号
２．国際公開第２００４／０１９１３４号
３．特開２００４−７１７３２号公報
４．特開２００４−３６３５５８号公報
５．特開２００３−２２９４８２号公報
　
　
　
理由２
　本出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　
・・・（省略）・・・
　
・請求項１４
　請求項１４には、「前記ポリマ膜をちょうど除去するために必要とされる継続期間に渡って前記ポリマ膜を酸素プラズマに暴露し、」と記載されているが、「ポリマ膜をちょうど除去」との記載で特定される発明の構成が明確でない。
　本願明細書を参酌しても、【０００６】に上記請求項１４の記載と同様の記載がされているだけで、具体的な説明は何らされておらず、「ポリマ膜をちょうど除去」とはどのような状態を意味しているのか不明である。」
　
　
第４　平成２７年４月２１日付けの意見書の概要
　
　平成２７年４月２１日付けの意見書（以下、単に「意見書」という。）による請求人の主張の概要は以下のとおりである。
　
「・・・（前略）・・・
　
　Ｃ．特許法第３６条第６項第２号を理由とする拒絶理由（理由２）について：
・・・（省略）・・・
（２）請求項１２（補正前請求項１４）に対する指摘について：
　同日付手続補正書によって、「ちょうど」の記載が削除された。
　
　以上の通り、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定される要件を満たす出願とされた。
　
　Ｄ．特許法第２９条第２項を理由とする拒絶理由（理由１）について：
　
・・・（省略）・・・
　
　しかしながら、引用文献１においては、１ステップ酸素プラズマにおける基板層の浸食減少しつつフォトレジスト残りおよびエッチング残渣を除去するという課題を、２ステップ酸素プラズマを実行することにより解決しており、引用文献１に開示・示唆されている技術的思想は、同一ステップを２ステップに分けて実行するという技術的思想に過ぎない。
　
　したがって、たとえ当業者であっても、引用文献１の記載に基づいて、更に別の手法によってキャップ層ロスを最小にすべきであるという動機付けを得ることは困難というべきであり、まして、引用文献１を出発文献として、第２ステップにおける酸素プラズマに代えて、アンモニアプラズマを実行するという技術的着想に到達することが極めて困難であることは明白である。
　
　加えて、引用文献１においては、第１のアッシングプロセスにおけるＲＦバイアスは０Ｗである。
　
　以上の通り、引用文献１には、本願請求項１に係る発明が備える上記特徴（１ａ）〜（１ｄ）について開示・示唆されていない。
　
・・・（省略）・・・
　
　しかしながら、引用文献２には、ｌｏｗ−ｋ膜用のレジスト剥離液、および当該レジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法が開示されているにとどまり、気体および気相プラズマを用いたレジスト剥離方法については開示はもちろんのこと、示唆すらされていない。
　また、引用文献２には酸素ガス（酸素プラズマ）を用いた、レジスト上に形成されているポリマ膜の除去については開示・示唆されておらず、レジスト剥離溶液を用いてレジストが剥離することが本質的な発明特定事項である引用文献２においては、アンモニアガス（アンモニアプラズマ）を用いたレジスト剥離技術については開示・示唆の余地がない。
　
　したがって、引用文献２には、本願請求項１に係る発明が備える上記特徴（１ａ）〜（１ｄ）について開示・示唆されていない。
　
・・・（省略）・・・
　
　しかしながら、引用文献３には、エッチングに際して積層膜と共にレジスト膜を除去することにより、アッシング工程を不要とする技術が開示されているに過ぎない。
　
・・・（省略）・・・
　
　しかしながら、引用文献３に記載の技術は、そもそもアッシング工程を不要とする技術であり、拒絶理由通知書における上記認定は、引用文献３の記載事項を超えた認定であり許されない。すなわち、引用文献３の記載から当業者が得られる事項は、低誘電率絶縁膜の比誘電率が２．６以上と２．６未満とでアッシングプロセスによる膜ダメージが異なること、１Ｐａ以上のプロセスでは、ラジカルアタックが頻繁に起こること、にとどまり、当該事実に基づいて、アッシング工程における処理条件をどのように設定するかについてまで、当業者に対して技術的に有意な示唆をもたらすことはない。
　
　したがって、引用文献３には、本願請求項１に係る発明が備える上記特徴（１ａ）〜（１ｄ）について開示・示唆されていない。
　
・・・（省略）・・・
　
　しかしながら、引用文献４には、ＮＨ３ガスを用いた１ステップのアッシング処理については開示されているものの、酸素プラズマとＮＨ３ガスプラズマとを用いた２ステップのアッシング処理については、開示はもちろんのこと、示唆すらされていない。
　したがって、引用文献４の記載により当業者が得られる事項は、酸素プラズマに代えて、ＮＨ３ガスプラズマを用いることにとどまり、ＮＨ３ガスプラズマを用いた２ステップのアッシング処理や、酸素プラズマとＮＨ３ガスプラズマとを用いる２ステップのアッシング処理に関する着想までを得ることはできない。
　
　したがって、引用文献４には、本願請求項１に係る発明が備える上記特徴（１ａ）〜（１ｄ）について開示・示唆されていない。
　
・・・（省略）・・・
　
（１．７）引用文献１〜５の組み合わせについて検討する。
（１．７．１）既述の通り、引用文献１〜５のいずれにも、
　・酸素プラズマとアンモニアプラズマを含む２ステップの剥離プロセス（アッシング処理）については開示はもちろんのこと、示唆すらされておらず、
　・アンモニアプラズマによる剥離プロセスにおいて、低ｋ誘電性材料の比誘電率に応じて、処理領域内の圧力を変更するという技術的思想については、開示はもちろんのこと、示唆すらされていない。
　この結果、引用文献１〜５には、本願請求項１に係る発明が備える上記特徴（１ａ）〜（１ｄ）について開示・示唆されておらず、引用文献１〜５をどのように組み合わせても、本願請求項１に係る発明が備える上記特徴（１ａ）〜（１ｄ）が充足されることはない。
　
・・・（省略）・・・
　
　以上の通り、引用文献１〜４には、個々の要素技術について開示はなされているものの、拒絶理由通知書においては、これら個々の要素技術の組み合わせの技術的な合理性については何ら示されていない。
　ここで、引用文献１〜４を組み合わせるとすれば、既述の通り、技術的に明白な阻害要因の存在する組み合わせ（引用文献２および３）、技術的に有意な動機付けのない組み合わせ（引用文献１、２および４）が得られることとになるから、引用文献１〜４の組み合わせについては、技術的に合理的な動機付けが示されるべきである。
　
　なお、引用文献２および３が引用されて、レジスト除去に際してアッシング処理を行う場合に、低ｋ誘電性材料がダメージを受けるという技術的課題が周知であるとされているが、当該課題を解決するための具体的手法は、引用文献２および３においてもそれぞれ大きく異なっている。たとえば、引用文献３においては、そもそも、アッシング処理を行わないことでアッシング処理に伴う問題点を解決している。
　したがって、引用文献２および３によって、むしろ、技術的課題が周知であったとしても、具体的な解決手段は多岐にわたることが証されるに過ぎない。また、引用文献２および３の記載技術に鑑みれば、技術的課題が周知であることをもって、組み合わせの有意性が認められる範疇を超えており、液相処理に関する技術を気相処理に関する技術に適用することや、そもそも実行しないアッシング処理における処理条件を充足することの、合理的かつ具体的な理由が明示的に示されるべきである。
　
　以上の通り、本願請求項１に係る発明は、引用文献１〜５の記載に基づいて当業者が容易になし得た発明には該当しない。
　
・・・（後略）・・・」
　
　
第５　当審の判断
１．本願発明について（拒絶理由の理由１について）
　
（１）本願発明
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２７年６月１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　本願の特許請求の範囲の請求項１」の記載参照。）
　
（２）引用刊行物
ア　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第２００３／０９０２７０号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳としてファミリー文献である特表２００５−５２３５８７号公報の対応する箇所の記載を援用した。また、引用文献１中で付されているもの以外の下線は、当審が付した。） 
　
（ａ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「【０００２】
  本願発明は、プラズマ処理に、特には半導体のマイクロ素子製造におけるエッチング処理に続く、フォトレジスト及びエッチング残渣（residue）のクリーニングと除去とに関する。」
　
（ｂ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「【０００４】
　半導体処理で、いろいろな種類の膜がエッチングされるところで、集積化の課題（チャレンジ）とトレードオフは未だ残る。従来、垂直コンタクトを形成するため、導電性材料の堆積に対し、誘電層は開口部を有するパターニングがされる。パターニングプロセスの間、エッチング耐性フォトレジスト層、及び／又はハードマスク層は誘電層の上に堆積され、選択されたパターンに露光され、現像される。その層状の構造は、プラズマ環境でエッチングされ、そこでパターニングされたフォトレジスト層は誘電層の開口部を決定する。
【０００５】
　エッチングステップに続き、フォトレジストの残り（レムナント）とエッチング残渣（例えばポリマー細片）は、エッチングされた形態及びチャンバ表面の上に、しばしば観察される。プラズマクリーニング（その場（in-situ：インサイチュ）アッシングとしても知られている）の集積化の課題の１つは、フォトレジスト残りとエッチング残渣とを完全に除去することであり、その一方で周囲の層のエロ−ジョン（浸食）を防ぐことである。既知のシステムは、アッシングプロセスを通して基板に印加するバイアスを一定に維持する１ステップアッシングプロセスを使用している。
【０００６】
　
ハロカーボン（Halocarbon：含ハロゲン炭素化合物）ガスが、酸化膜及び新しいＳｉＯＣを含有するＬｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層のエッチングに一般に使用される。
【０００７】
　図１は、１ステップアッシングプロセスの典型的な断面の描写を示す。従来の構造１００からフォトレジストを除去する１ステップアッシングプロセスの間、フルオロカーボンポリマーはチャンバ壁から放出／エッチングされ（一般的にメモリー効果と言われる）、下層の誘電層１０４及びキャップ層１０２（例えばＳｉＮ，ＳｉＣ）をアタックすることとなり、それは誘電層のファセッティング（平らに削り取り）１０８及びキャップ層のロス（損失）１１０の方に導き、時々、キャップ層１０２を通す穿孔をし、そして下層の導電層（例えば銅）をアタックすることさえある。この効果は、チャンバ壁に近いところでの高いフルオロカーボンポリマー濃度の為、ウェハの端部で非常に高くなる。
【０００８】
　従来の１ステップアッシングプロセスの間、フォトレジストは、酸素を含んでいるプラズマ中では、除去され得る。アッシング後の残渣形成を防ぐため、あるバイアスパワーを基板ホルダに印加する。
このプロセスの間、先の誘電体のエッチングからのチャンバ壁上のフルオロカーボン堆積物は、再度エッチングされ、プラズマ中にフッ素ラジカルを放出する。バイアスが基板ホルダに印加されるとき、これらフッ素ラジカルは下層の誘電膜を浸食し、キャップ層を消耗する。
　
（ｃ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「【課題を解決するための手段】
【００１１】
  
本発明の目的は、１ステップアッシングと比較し周囲の基板の層の浸食を減少し、フォトレジスト残り及びエッチング残渣を除去するプラズマ処理方法を提供することである。
【００１２】
  上記及び他の目的は、酸素を含むガスを有するプロセスガスを使用する２ステップその場プラズマアッシングプロセスを使用することにより達成される。
【００１３】
  第１のアッシングステップの間、第１の低バイアスレベル又はゼロバイアスレベルが、基板を載置する基板ホルダに印加され、一方、第２のアッシングステップの間、第２のバイアスレベルが印加される。
【００１４】
  基板に低バイアス又はゼロバイアスが印加される第１のアッシングステップの間、基板とプロセスチャンバの内部表面／壁上のフォトレジスト残り及びエッチング残渣の重要な量は、エッチングされ、チャンバから除去され、残っている基板の層の浸食は最小化される。第２のアッシングステップの間、増加されたバイアスは印加され、アッシングプロセスはフォトレジスト残りとエッチング残渣が除去されるまで、継続される。」
　
（ｄ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
  本発明の第１の実施の形態である、
２ステッププラズマアッシングプロセスは、プロセスチャンバからフォトレジスト残り及びエッチング残渣を除去する為に使用される。ゼロバイアス又は低バイアスを基板を載置する基板ホルダに印加する第１のアッシングステップの間、先行するエッチングプロセスからの、フォトレジスト残り及びエッチング残渣のかなりの量は、残っている基板の層の浸食の最小化を伴い、チャンバからエッチング及び除去される。第２のアッシングステップの間、増加されたバイアス基板ホルダに印加去れアッシングプロセスは、フォトレジスト及び／又はハードマスク残りとアッシング後の残渣とは除去される。
【００１６】
  本発明の２ステップその場アッシングプロセスは、下記１）〜５）の少なくとも一つを満たすことによって、上記の欠点の多くを軽減することができる。
【００１７】
  １）キャップ層消耗の最少化
  ２）誘電体の形態の上部での、その誘電体のファセッティング／浸食の最少化及びエッチング後／臨界精度（ＣＤ：クリティカルディメンション）バイアスの低減化
  ３）アッシング後残渣のを最少化
  
４）その場アッシングの間、低誘電率膜へ導入されたダメージ（ｋ値の低下）の最少化
  ５）自動チャンバドライ（乾式）クリーニングの提供、チャンバクリーニング間の平均時間の増加。
【００１８】
  図２は、２ステップアッシングプロセスの典型的な断面の描写を示す図である。
２ステップ酸素アッシングのうちの、第１のアッシングステップ１０２の間、ウェハ上のフォトレジスト１０６とチャンバ壁（図示せず）とウェハ上に堆積したフルオロカーボンポリマー１１２はエッチングされる。ゼロ又は低バイアスが印加されるとき、誘電層１０４の浸食とキャップ層１０２の消耗最小となる。
【００１９】
  
第２のアッシングステップ１３０の間、バイアスは印加され、アッシングは、どのアッシング後の残渣も、そしてどのフォトレジストの残り１０６を十分に除去する時間の間、実施される。
【００２０】
  
２ステップその場アッシングプロセスができる為の、そのプロセスパラメータスペースは、例えば、チャンバ圧力２０〜１０００ｍＴｏｒｒ、プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ、第１のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以下のＲＦバイアス、第２のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以上のＲＦバイアスを使用する。
【００２１】
  使用される際、RFバイアスは明らかにされるが、ＤＣバイアスもまた使用されるか、ＲＦバイアスの代わりとして使用される。その上、チャンバ圧力は、アッシングプロセスの間、変えられることができる。たとえば、チャンバ圧力は、第１のステップから第２のステップへ変えることができる。
さらに、プロセスガスの組成は、アッシングプロセスの間、変えられることができる。たとえば、プロセスガス（そして、プロセスガスの中の異なるガスの流量比率）は、第１のステップから第２のステップへ変えることができる。
　
（ｅ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「【００２７】
  第１の例で、図３はアッシングプロセスの間、キャップ層１０２のロスを概略的に示す。アッシングプロセスに続いて、キャップ層のロス１２０は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）イメージにおいてキャップ層の薄膜化として測定される。キャップ層ロス１２０は、３つのアッシングプロセスに対し測定された：
  ａ）
ポリマー堆積物を有するチャンバ内の２ステップアッシング（第１のステップのゼロバイアス、第２のステップの増加されたバイアス）
  ｂ）きれいなチャンバの従来の１ステップアッシング；そして  
  ｃ）ポリマー堆積物を有するチャンバ内の従来の１ステップアッシング。
【００２８】
  これらのアッシングプロセスのプロセス状況は、以下の通りであった。
【００２９】
  ａ）
第１のアッシングステップ：チャンバ圧力＝５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦバイアス＝０Ｗ、酸素流量２００ｓｃｃｍ、第２のアッシングステップ：チャンバ圧力＝２０ｍＴｏｒｒ、ＲＦバイアス＝１５０Ｗ、酸素流量＝２０ｓｃｃｍ、Ａｒ／酸素流量＝２００／２０ｓｃｃｍ
  ｂ）チャンバ圧＝５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦバイアス＝１５０Ｗ、酸素流量２００ｓｃｃｍ；そして  
  ｃ）チャンバ圧＝５０ｍＴｏｒｒ、ＲＦバイアス＝１５０Ｗ、酸素流量２００ｓｃｃｍ.」
　
（ｆ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（ｇ）上記記載事項（ｂ）の「ハロカーボン（Halocarbon：含ハロゲン炭素化合物）ガスが、酸化膜及び新しいＳｉＯＣを含有するＬｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層のエッチングに一般に使用される。」との記載、上記記載事項（ｄ）の「４）その場アッシングの間、低誘電率膜へ導入されたダメージ（ｋ値の低下）の最少化」との記載、及び「このプロセスの間、先の誘電体のエッチングからのチャンバ壁上のフルオロカーボン堆積物は、再度エッチングされ、プラズマ中にフッ素ラジカルを放出する。バイアスが基板ホルダに印加されるとき、これらフッ素ラジカルは下層の誘電膜を浸食し、キャップ層を消耗する。」との記載から、引用文献１における誘電層１０４は、Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層を含むことは明らかである。
　
（ｈ）上記記載事項（ｃ）の「本発明の目的は、１ステップアッシングと比較し周囲の基板の層の浸食を減少し、フォトレジスト残り及びエッチング残渣を除去するプラズマ処理方法を提供することである。」との記載、及び、上記記載事項（ｄ）の「４）その場アッシングの間、低誘電率膜へ導入されたダメージ（ｋ値の低下）の最少化」との記載から、Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層に対して浸食やダメージを少なくするように、２ステッププラズマアッシングプロセスが行われていることは明らかである。
　
（ｉ）上記記載事項（ｄ）及び記載事項（ｆ）のＦＩＧ．２より、ウェハが、キャップ層１０２、誘電層１０４、誘電層１０４の上を覆うフォトレジスト１０６を有し、キャップ層１０２、誘電層１０４、フォトレジスト１０６がフルオロカーボンポリマー１１２に覆われたウェハに対して、２ステッププラズマアッシングプロセスが行われていることは明らかである。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「ウェハが、キャップ層１０２、誘電層１０４、誘電層１０４の上を覆うフォトレジスト１０６を有し、キャップ層１０２、誘電層１０４、フォトレジスト１０６がフルオロカーボンポリマー１１２に覆われたウェハに対して行われ、
誘電層１０４は、Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層であり、
Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層に対して浸食やダメージを少なくするように、
２ステップ酸素アッシングのうちの、第１のアッシングステップの間、ウェハ上のフォトレジスト１０６とチャンバ壁とウェハ上に堆積したフルオロカーボンポリマー１１２はエッチングされ、ゼロ又は低バイアスが印加されるとき、誘電層１０４の浸食とキャップ層１０２の消耗が最小となり、
第２のアッシングステップの間、バイアスは印加され、アッシングは、どのアッシング後の残渣も、そしてどのフォトレジストの残り１０６を十分に除去する時間の間、実施され、
２ステップその場アッシングプロセスができる為の、そのプロセスパラメータスペースは、チャンバ圧力２０〜１０００ｍＴｏｒｒ、プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ、第１のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以下のＲＦバイアス、第２のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以上のＲＦバイアスを使用し、
プロセスガスは、第１のステップから第２のステップへ変えることができる、
２ステッププラズマアッシングプロセス。」
　
イ　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第２００４／０１９１３４号（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。） 
　
（ａ）「これに対して、Ｃｕ／ｌｏｗ−ｋ多層配線構造では、フルオロカーボンガスと窒素などとの混合ガスを用いたドライエッチングにより、ｌｏｗ−ｋ膜に溝（トレンチ）や穴（ビアホール）などのダマシン構造を加工する。ドライエッチングガスに窒素を使用すると、加工精度を増すことができる。しかし、シリコンを含有するｌｏｗ−ｋ膜との間で不揮発性の窒化されたシリコンの残渣を生じる。
エッチング後のレジストや残渣を除去するために、酸素を含んだプラズマにより完全にアッシングを行うと、ｌｏｗ−ｋ膜に比誘電率の変化もたらすダメージを与える。
　
ウ　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−７１７３２号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。） 
　
（ａ）「【０００３】
しかし、従来のアッシング方法では、殆どの条件下において層間絶縁膜の比誘電率（ｋ）が増加すると言う膜ダメージが発生し、来る超高密度デバイス作成の大きな障害となっている。
【０００４】
比誘電率（ｋ）　２．６以上の層間絶縁膜加工では全く問題になっていなかったが、比誘電率（ｋ）　２．６未満の低誘電率層間絶縁膜で問題として浮上してきた。比誘電率（ｋ）　２．６以上の層間絶縁膜は緻密な膜であったのが、２．６未満の絶縁膜では膜自体の密度が低く、且つ膜内に有機物質が含まれているためである。
【０００５】
一方アッシングのプロセスに着目すると、従来のアッシングプロセスは１Ｐａ以上の圧力領域で行うため、多量のラジカルの存在下でのプロセスになっており、ダメージ発生に至っていると考えられる。
つまり、多数の細孔を含む層間絶縁膜中に多量のラジカルが入り込み、膜内部で反応が進行するため、膜全体の比誘電率が増加する。
【０００６】
また、１Ｐａ以上の圧力下で行われる従来のエッチングにおいても同様に、比誘電率（ｋ）　２．６未満のポーラス材を含む低誘電率層間絶縁膜に対するダメージ発生が起こっている。
【０００７】
これは、１Ｐａ以上のプロセスでは、パターン側壁へのラジカルアタックが頻繁に起こるので、ラジカルが層間絶縁膜中に入り込み、層間絶縁膜の比誘電率が増加するためと考えられる。
【０００８】
また、ラジカルは層間絶縁膜中に入り込んでダメージを与えるだけではなく、パターン側壁そのものにも物理的ダメージを与えたり、ボイド発生の原因ともなる。
【０００９】
更に、アッシングに用いられる反応ガスに着目すると、
従来のアッシング方法では、アッシングガスとして酸素ガス（Ｏ
２
）等が用いられるが、このようなアッシングガスがアッシング工程でプラズマ化すると、プラズマ中で生成されるラジカル（Ｏ）と、層間絶縁膜が反応して比誘電率が増加するだけではなく、そのラジカルが層間絶縁膜の表面に結合すると、−ＯＨ基等の親水基が形成されるため、層間絶縁膜の表面が親水性になり、膜ダメージにつながるだけではなく、エッチング後に低誘電率絶縁膜が大気に晒されると、大気中の水分を吸収し比誘電率が増加する原因にもなる。
【００１０】
特にトレンチとビアの間に中間層（ストップ層）の無いデユアルダマシン構造の場合は低誘電率層間絶縁膜表面がアッシングガスに直接晒されため、ダメージや、表面の荒れの問題が深刻である。」
　
エ　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−３６３５５８号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。） 
　
（ａ）「【０００６】
  これら低誘電率絶縁膜の加工はパターニングされたレジスト膜をマスクとして行い、その後、酸素プラズマにより上記レジスト膜を剥離（除去）するのが一般的である。
しかし、この酸素プラズマ処理によって、表出している低誘電率絶縁膜の炭素成分が変質して誘電率が上昇し、低誘電率材料の特性を有効利用できないという問題点がある。
　
（ｂ）「【００１５】
　本発明の第１の態様による半導体装置の製造方法は、半導体基板上に低誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記低誘電率絶縁膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記低誘電率絶縁膜をエッチングする工程と、アンモニウムイオンによるプラズマ処理によって前記レジストパターンを剥離する工程と、を備えたことを特徴とする。」
　
（ｃ）「【００２４】
  次に、ＮＨ３ガスを用いたプラズマ処理によって、不要になったレジストパターン６を剥離する。レジストの剥離は例えば被処理基板が固定される電極と、対向する電極が設置されたマグネトロンＲＩＥ装置によって行うことができる。このマグネトロンＲＩＥ装置はＮＨ３ガスが導入できる真空容器になっており、真空容器はガス排気のための真空ポンプが接続され、圧力１．０×１０−４Ｔｏｒｒ以下まで排気できるようになっている。被処理基板が固定される電極は静電チャック機能があり、−３０℃〜１２０℃の範囲内において基板温度制御可能であり、１３．５６ＭＨｚの高周波電力が印加できる。
【００２５】
  ここで、Ｎ２ガス、Ｈ２ガス、Ｎ２とＨ２の混合ガス、ＮＨ３が混入したガスを用いた場合のレジストの剥離速度を図３に示す。図３において横軸は使用ガスの種類、縦軸はレジストの剥離速度を示している。なお、
レジストの剥離条件としては、圧力０．２Ｔｏｒｒ、高周波電力４００Ｗ、ＮＨ
３
ガス流量１００ｓｃｃｍ又は２００ｓｃｃｍ
　
（３）対比
ア　本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層」、「フォトレジスト１０６」、「ウェハ」、「フルオロカーボンポリマー１１２」、「第１のアッシングステップ」、「第２のアッシングステップ」は、それぞれ、本願発明の「低ｋ誘電性材料」、「フォトレジスト材料」、「基板」、「ポリマ膜」、「第１の剥離プロセス」、「第２の剥離プロセス」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「ウェハが、キャップ層１０２、誘電層１０４、誘電層１０４の上を覆うフォトレジスト１０６を有し、キャップ層１０２、誘電層１０４、フォトレジスト１０６がフルオロカーボンポリマー１１２に覆われ」た構成は、本願発明の「低ｋ誘電性材料の上を覆うフォトレジスト材料を有する基板を用意し、前記フォトレジスト材料および前記低ｋ誘電性材料は、ともに、両者の上を覆うポリマ膜を有し、前記ポリマ膜はフルオロカーボン成分またはヒドロフルオロカーボン成分を含」む構成に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層に対して浸食やダメージを少なくするように、」「２ステップ酸素アッシングのうちの、第１のアッシングステップの間、ウェハ上のフォトレジスト１０６とチャンバ壁とウェハ上に堆積したフルオロカーボンポリマー１１２はエッチングされ、ゼロ又は低バイアスが印加されるとき、誘電層１０４の浸食とキャップ層１０２の消耗が最小となり、」「２ステップその場アッシングプロセスができる為の、そのプロセスパラメータスペースは、」「プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ、第１のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以下のＲＦバイアス」「を使用」することと、
本願発明の「前記下にある低ｋ誘電性材料を不利に損傷させる、または除去することなく前記ポリマ膜を除去するために、酸素プラズマを使用して実施される第１の剥離プロセスであって、前記基板の上に、約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約１０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速で酸素ガスを提供することと、前記酸素ガスを前記酸素プラズマに変換するために、前記酸素ガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第１の剥離プロセスを実施」することは、
「前記下にある低ｋ誘電性材料を不利に損傷させる、または除去することなく前記ポリマ膜を除去するために、酸素プラズマを使用して実施される第１の剥離プロセスであって、前記基板の上に、酸素ガスを提供することと、前記酸素ガスを前記酸素プラズマに変換するために、前記酸素ガスに、無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第１の剥離プロセスを実施」する構成で共通する。
　
（ｄ）引用発明の「Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層に対して浸食やダメージを少なくするように、」「２ステップ酸素アッシングのうちの、」「第２のアッシングステップの間、バイアスは印加され、アッシングは、どのアッシング後の残渣も、そしてどのフォトレジストの残り１０６を十分に除去する時間の間、実施され、」「２ステップその場アッシングプロセスができる為の、そのプロセスパラメータスペースは、」「プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ、」「第２のアッシングステップではほぼ１００Ｗ以上のＲＦバイアスを使用」することと、
本願発明の「前記下層の低ｋ誘電性材料を損傷または除去することなく前記フォトレジスト材料を除去するために、アンモニアプラズマを使用して実施される第２の剥離プロセスであって、前記基板の上に、約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約２０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速でアンモニアガスを提供することと、前記アンモニアガスを前記アンモニアプラズマに変換するために、前記アンモニアガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第２の剥離プロセスを実施」することは、
「前記下層の低ｋ誘電性材料を損傷または除去することなく前記フォトレジスト材料を除去するために、プラズマを使用して実施される第２の剥離プロセスであって、前記基板の上に、ガスを提供することと、前記ガスを前記プラズマに変換するために、前記ガスに、無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第２の剥離プロセスを実施」する構成で共通する。
　
（ｅ）引用発明の「２ステップその場アッシングプロセス」として「第１のアッシングステップ」及び「第２のアッシングステップ」が「実施され」ることは、「その場アッシング」であるから「第１のアッシングステップ」の完了後に「第２のアッシングステップ」が行われるのは自明であるため、本願発明の「前記第２の剥離プロセスは、前記第１の剥離プロセスの完了後に実施される」ことに相当する。
　
イ　一致点
　してみると、両者は、
 「基板からフォトレジスト材料を除去するための方法であって、
　低ｋ誘電性材料の上を覆うフォトレジスト材料を有する基板を用意し、前記フォトレジスト材料および前記低ｋ誘電性材料は、ともに、両者の上を覆うポリマ膜を有し、前記ポリマ膜はフルオロカーボン成分またはヒドロフルオロカーボン成分を含み、
　前記下にある低ｋ誘電性材料を不利に損傷させる、または除去することなく前記ポリマ膜を除去するために、酸素プラズマを使用して実施される第１の剥離プロセスであって、前記基板の上に、酸素ガスを提供することと、前記酸素ガスを前記酸素プラズマに変換するために、前記酸素ガスに、無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第１の剥離プロセスを実施し、
　前記下層の低ｋ誘電性材料を損傷または除去することなく前記フォトレジスト材料を除去するために、プラズマを使用して実施される第２の剥離プロセスであって、前記基板の上に、ガスを提供することと、前記ガスを前記プラズマに変換するために、前記ガスに、無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、を含む、第２の剥離プロセスを実施し、前記第２の剥離プロセスは、前記第１の剥離プロセスの完了後に実施される、
　ことを備える、
　方法。」
で一致し、次の各点で相違する。 
　
ウ　相違点
（ａ）相違点１
　「第２の剥離プロセス」に使用される「プラズマ」及びその「ガス」が、本願発明では、「アンモニアプラズマ」及び「アンモニアガス」であって、その流速及び印加するＲＦ電力が、「約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約２０００ｓｃｃｍに到る範囲内」及び「約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内」であるのに対し、引用発明では、「酸素プラズマ」及び「酸素ガス」であって、その流速及び印加するＲＦ電力が不明な点。
　
（ｂ）相違点２
　本願発明は、「第２の剥離プロセス」において、「アンモニアプラズマを含む領域内の圧力」を、「低ｋ誘電性材料が２．５未満の誘電率を有する場合に、」「約５ミリトール（ｍＴ）から約５００ｍＴに到る範囲内に維持」し、「低ｋ誘電性材料が２．５以上の誘電率を有する場合に、」「約５ｍＴから約１０００ｍＴに到る範囲内に維持」している、すなわち一定の誘電率の値（２．５）の前後（より小か大か）で圧力の維持範囲を（５〜５００ｍＴと５〜１０００ｍＴに）異ならせているのに対し、引用発明では、その点の特定がない点。
　
（ｃ）相違点３
　本願発明は、「第１の剥離プロセス」における「酸素ガス」の流速及び「酸素ガス」に印加するＲＦ電力が、「約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約１０００ｓｃｃｍに到る範囲内」及び「約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内」であるのに対し、引用発明では、「プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ」及び「ほぼ１００Ｗ以下」であって、その数値範囲が異なる点。
　
（４）判断 
ア　相違点１について
　引用文献２、引用文献３に記載されているように、レジスト除去に際して酸素プラズマアッシングを行った場合には、低ｋ誘電性材料の比誘電率が増加するダメージを受けるという技術課題は周知である。
　引用発明の第１のアッシングステップにおいて、フルオロカーボンポリマーがエッチングされ除去されると、Ｌｏｗ−ｋ誘電材料が露出し酸素プラズマにさらされることになるから、第１のアッシングステップの後の第２のアッシングステップにおいては、上記周知の技術課題を有することは明らかである。なお、引用文献１の［００３１］には、具体的なアッシングプロセス状況として、第１のアッシングステップでは、ＲＦバイアスを０Ｗ、酸素流量を２００ｓｃｃｍ、第２のアッシングステップでは、ＲＦバイアスを１５０Ｗ、Ａｒ／酸素流量を２００／２０ｓｃｃｍとすることが記載されており、ここで、第１のアッシングステップから第２のアッシングステップに移行した際に、酸素流量を２００ｓｃｃｍから２０ｓｃｃｍまで減少させていることから、引用文献１においても同様の課題認識を有していることがうかがわれる。
　そして、引用文献４には、酸素プラズマによりレジスト膜を剥離する場合、酸素プラズマ処理によって低誘電率絶縁膜の誘電率が上昇する技術課題を解決するために、ＮＨ3ガスを用いたＮＨ3ガス流量１００ｓｃｃｍ又は２００ｓｃｃｍとの条件及び高周波電力４００Ｗとの条件でのプラズマ処理によってレジストパターンを剥離する技術事項が記載されており、引用文献１の第２のアッシングステップにおける上記周知の技術課題を解決するために、引用発明の第２のアッシングステップにおいて、酸素ガス・酸素プラズマに換えて引用文献４に記載された「ＮＨ3ガス」、「ＮＨ3ガスを用いたプラズマ」、「ＮＨ3ガス流量１００ｓｃｃｍ又は２００ｓｃｃｍとの条件」、「高周波電力４００Ｗとの条件」を適用することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　なお、上記引用文献４の「ＮＨ3ガス」、「ＮＨ3ガスを用いたプラズマ」、「ＮＨ3ガス流量１００ｓｃｃｍ又は２００ｓｃｃｍとの条件」とすること、「高周波電力４００Ｗとの条件」とすることは、それぞれ、本願発明の「アンモニアガス」、「アンモニアプラズマ」、「約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約２０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速でアンモニアガスを提供すること」、「前記アンモニアガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を印加すること」に相当する。
　
イ　相違点２について
　上記「第５」「１．」「（２）」「ウ」に摘記したように、引用文献３には、低誘電率絶縁膜の比誘電率が２．６以上と２．６未満とでアッシングプロセスによる膜ダメージが異なること、１Ｐａ以上のプロセスでは、ラジカルアタックが頻繁に起こること、比誘電率２．６未満のポーラス材を含む低誘電率絶縁膜に対するダメージ発生が起こっていることが記載されており、当該引用文献３記載の技術事項に触れた当業者が、低誘電率の誘電材料への高圧でのアッシングプロセスを避けるよう比誘電率に応じて圧力を調整する知見を得て、引用発明のＬｏｗ−ｋ誘電材料が直接プラズマに曝されることになる第２のアッシングステップにおいて比誘電率に応じて圧力を調整するようになすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、第２のアッシングステップにおいて比誘電率に応じて圧力を調整するようになす際に、１Ｐａ未満の範囲で圧力を選択すること、及び、比誘電率が特定値未満の場合と特定値以上の場合とでダメージが異なることから、比誘電率が特定値未満の誘電材料について特定値以上の誘電材料の場合よりも低い圧力の範囲を選択することも、当業者が適宜なし得ることであり、その具体的数値範囲を「２．５未満の誘電率を有する場合に、」「約５ミリトール（ｍＴ）から約５００ｍＴに到る範囲内」とし、「２．５以上の誘電率を有する場合に、」「約５ｍＴから約１０００ｍＴに到る範囲内」とすることは、設計的事項にすぎない。
　
ウ　相違点３について
　引用発明の「第１のアッシングステップ」における「酸素ガス」の流速及び「酸素ガス」に印加するＲＦ電力の、「プロセスガス流量２０〜１０００ｓｃｃｍ」及び「ほぼ１００Ｗ以下」については、「Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層に対して浸食やダメージを少なくするように」されたものであることは明らかであるから、引用発明において「Ｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電材料のような誘電層に対して浸食やダメージを少なくするよう」な範囲を選択し、その具体的数値範囲を「約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約１０００ｓｃｃｍに到る範囲内」及び「約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内」とすることは、設計的事項にすぎない。
　
エ　効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献２〜４記載の技術事項、周知の技術課題から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（５）結論
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２〜４記載の技術事項、周知の技術課題に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
２．特許請求の範囲の記載について（当審拒絶理由の理由２について）
　
（１）特許請求の範囲の請求項１２
　本願の特許請求の範囲の請求項１２は、平成２７年６月１日付けの手続補正により補正される前の特許請求の範囲の請求項１４に対応するものであって、平成２７年６月１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１２に記載された、以下のとおりのものである。
「　フォトレジスト材料の下に低ｋ誘電性材料を有する基板から前記フォトレジスト材料を除去するための方法であって、前記フォトレジスト材料および前記低ｋ誘電性材料は、ともに、両者の上を覆う、フルオロカーボン成分またはヒドロフルオロカーボン成分のいずれかを含むポリマ膜を有し、前記方法は
　前記ポリマ膜をちょうど除去するために必要とされる継続期間に渡って前記ポリマ膜を酸素プラズマに暴露し、
　前記ポリマ膜の除去に続いて、前記フォトレジスト材料を完全に除去するために必要とされる継続期間に渡って前記フォトレジスト材料をアンモニアプラズマに暴露する、
　ことを備え、
　前記ポリマ膜の前記酸素プラズマに対する暴露は、
　　前記基板の上に、約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約１０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速で酸素ガスを提供し、
　　前記酸素プラズマを生成するために、前記酸素ガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内の無線周波数（ＲＦ）電力を印加し、
　　前記基板および前記酸素プラズマを含む領域内の圧力を、約５ミリトール（ｍＴ）から約５００ｍＴに到る範囲内に維持することと、
　を含み、
　前記ポリマ膜の前記アンモニアプラズマに対する暴露は、
　　前記基板の上に、約５０立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）から約２０００ｓｃｃｍに到る範囲内の流速でアンモニアガスを提供し、
　　前記アンモニアプラズマを生成するために、前記アンモニアガスに、約５０ワット（Ｗ）から約２０００Ｗに到る範囲内のＲＦ電力を印加し、
　　前記低ｋ誘電性材料が２．５未満の誘電率を有する場合に、前記基板および前記アンモニアプラズマを含む領域内の圧力を、約５ミリトール（ｍＴ）から約５００ｍＴに到る範囲内に維持し、
　　前記低ｋ誘電性材料が２．５以上の誘電率を有する場合に、前記基板および前記アンモニアプラズマを含む領域内の圧力を、約５ｍＴから約１０００ｍＴに到る範囲内に維持すること、
　を含む、方法。」
　
（２）特許法第３６条第６項第２号に規定する要件についての検討
　請求項１２には、「前記ポリマ膜をちょうど除去するために必要とされる継続期間に渡って前記ポリマ膜を酸素プラズマに暴露し、」と記載されているが、「ポリマ膜をちょうど除去」との記載で特定される発明の構成が明確でない。
　本願明細書を参酌しても、【０００６】に上記請求項１２の記載と同様の記載がされているだけで、具体的な説明は何らされておらず、「ポリマ膜をちょうど除去」とはどのような状態を意味しているのか不明である。
　
（３）意見書の主張について
　請求人は、意見書の「【意見の内容】」「１．理由」「Ｃ．特許法第３６条第６項第２号を理由とする拒絶理由（理由２）について：」において、以下の主張をしている。
「（２）請求項１２（補正前請求項１４）に対する指摘について：
　同日付手続補正書によって、「ちょうど」の記載が削除された。」
　
　しかしながら、平成２７年６月１日付けの手続補正に補正された請求項１２には、「前記ポリマ膜をちょうど除去するために必要とされる継続期間に渡って前記ポリマ膜を酸素プラズマに暴露し」と記載されているため、請求人の「「ちょうど」の記載が削除された」との主張は採用することができない。
　
（４）結論
　よって、本願の特許請求の範囲の請求項１２の記載は特許法第３６条第６項第２号に適合するものではなく、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第６　むすび 
　
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができず、また、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。