【事件の表示】
　特願２０１２−５４４４７８「ＣＤの均一性を向上させるための基板温度調整を行う方法及びプラズマエッチングシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月　７日国際公開、ＷＯ２０１１／０８１６４５、平成２５年　４月２２日国内公表、特表２０１３−５１３９６７、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年（２０１０年）１２月１３日を国際出願日とする出願（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年１２月１５日，米国）であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年１２月１２日　審査請求
平成２６年　９月　５日　拒絶理由通知
平成２６年１２月　１日　意見書・手続補正
平成２７年　３月２０日　拒絶査定（以下，「原査定」という）
平成２７年　７月１７日　審判請求・手続補正
平成２８年　７月１５日　補正却下決定・拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という）
平成２８年１０月　３日　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１１に係る発明は，平成２８年１０月３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものと認められる。
１　本願発明１
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，前記基板上のデバイス・ダイ位置下に配置される独立に制御可能な複数のヒーター領域を備える基板支持アセンブリと，各ヒーター領域を制御する制御部と，を備えるプラズマエッチングシステムを用いる方法であって，
　前記基板上の複数のデバイス・ダイ位置上で，レジスト層におけるプレエッチング臨界寸法を測定する工程と，
　前記基板上の各デバイス・ダイ位置におけるポストエッチング臨界寸法の目標値である目標ポストエッチング臨界寸法を，前記プラズマエッチングシステムに伝達する工程と，
　前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程と，
　記憶装置から前記プラズマエッチングシステムに，プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータをロードする工程と，
　前記測定で得られた前記プレエッチング臨界寸法及び前記目標ポストエッチング臨界寸法を用いて前記処理レシピパラメータを参照して，前記基板上の各デバイス・ダイ位置における目標エッチング温度を予測する工程と，
　前記制御可能なヒーター領域を用いて，各デバイス・ダイ位置における温度を目標エッチング温度に調整する工程と，
　前記基板をプラズマエッチングする工程と，を備える，方法。」
２　本願発明９
　本願の請求項９に係る発明（以下，「本願発明９」という。）は以下のとおりである。
「【請求項９】
　プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，前記基板上のデバイス・ダイ位置下に配置される独立に制御可能な複数のヒーター領域を備える基板支持アセンブリと，各ヒーター領域を制御する制御部と，を備えるプラズマエッチングシステムを用いる方法であって，
　前記基板上の第１の所定位置群において，プレエッチング臨界寸法を測定する工程と，
　前記基板上の各デバイス・ダイ位置におけるポストエッチング臨界寸法の目標値である目標ポストエッチング臨界寸法を，前記プラズマエッチングシステムに伝達する工程と，
　前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程と，
　記憶装置から前記プラズマエッチングシステムに，プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータをロードする工程と，
　前記測定で得られた前記プレエッチング臨界寸法及び前記目標ポストエッチング臨界寸法を用いて前記処理レシピパラメータを参照して，前記基板上の第２の所定位置群における目標エッチング温度を予測する工程と，
　各前記ヒーター領域に関するヒーター出力と前記第２の所定位置群における前記予測エッチング温度との間の関係に基づいて，制御可能なヒーター領域に関するヒーター出力の設定値を求める工程であって，最適化手法で前記予測エッチング温度と前記目標エッチング温度との間の差を最小限に抑えるように前記ヒーター出力の設定値を求める工程と，
　前記基板をプラズマエッチングする工程と，
　を備える，方法。」
　
第３　原査定の理由の概要
１　本願発明１について
　本願発明１は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　また，本願発明１は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１（図１〜６及びその説明箇所等を参照）には，ＩＣ等のデバイスが形成されたウェーハ１０４が保持されるチャック１０８（本願発明の「基板支持アセンブリ」に相当）に配置された各発熱体１１０の温度を調整する制御装置１１２（本願発明の「制御部」に相当）を備えたエッチングシステム１００が記載されている。
　また，引用文献１において，段落０００５には，フォトレジストのＣＤを測定すること（本願発明の「プレエッチング臨界デバイスパラメータを測定する工程」に相当），段落００１６には，測定したＣＤを上記制御装置１１２に送ること（本願発明の「臨界デバイスパラメータを，プラズマエッチングシステムに伝達する工程」に相当），段落００１８には，上記制御装置１１２が各発熱体温度を調節すること（本願発明の「処理レシピパラメータを伝達」する工程に相当），及び，寸法情報を受信後に温度プロファイルに変換すること（本願発明の「目標エッチング温度を予測する工程」に相当）が記載されている。
　引用文献１に記載された発明は，段落００１７，図２等に記載されているように，ＣＤシフトとウェーハ温度との関係を算出するものであって，また，ＣＤシフトは，引用文献１の段落０００５等に記載されているように，フォトレジストのＣＤの測定値と，エッチング処理の後で定められるエッチング特性との比較により得られるものであるから，ＣＤシフトの算出には，少なくともフォトレジストのＣＤの測定が不可欠である。また，引用文献１の段落００２９等には，「・・・測定装置５１４は，処理の前に各ウェーハ上の・・・（ＣＤ）を測定する。」と記載されており，当該記載からも，エッチング処理前のウェーハ上のフォトレジストのＣＤを測定していることは明らかである。
　してみると，段落００１６等に記載のウェーハ１０４上でのＣＤ測定にも，少なくともフォトレジストのＣＤ測定が含まれることは明らかであって，仮に，含まれていなかったとしても，引用文献１において，ＣＤシフト等の算出のため，処理前にフォトレジストのＣＤを測定することは，当業者にとって容易である。
２　本願発明９について
　本願発明９は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・引用文献等　１−３
・備考
　引用文献１において，引用文献３（段落００７３，図１４〜１７等を参照）のように，最小二乗法を使用して，温度補正値を決定することは，当業者が適宜なし得ることであり，また，当該最小二乗法による補間により，測定点以外の位置のパラメータ等を推定する点に格別の困難性は認められない。なお，補間方法として，線形補間及び非線形補間の何れかを選択することは，単なる設計的事項である。
　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特表２００６−５１９４９７号公報
２.特開２００７−０８１１６０号公報
３.特開２００８−１１７９１５号公報
４.特開２００６−０７４０６７号公報
　
第４　原査定の理由の判断
１　請求項１ないし８について
（１）引用文献１の記載事項
　ア　引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００２】
＜発明の分野＞
　本発明は，プラズマ加工において，基板全体におけるエッチング特性の寸法のばらつきを引き起こす温度の補正を行うように，ウェーハの材質に対する温度プロファイルを変化させる方法および装置に関する。
・・・
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　一般的な
プラズマエッチング
リソグラフィ処理におけるばらつきは，エッチング・パターンを定めるためにウェーハ表面上に置かれるフォトレジストマスクの非理想な寸法となる。理想値からの誤差は，ウェーハ表面全体の多数の特性ばらつきと同様に，特性の平均寸法の全体のばらつきとなる。
【０００５】
　ウェーハ表面上の複数の場所において，検査画像を定めるのが一般的であり，これらの検査画像は，しばしば「微細寸法」または略して「ＣＤ」と呼ばれる。写真現像処理の後のこれらのＣＤの測定は，リソグラフィ工程から「ＣＤシフト」を決定するために用いられる。同様に，
フォトレジストのＣＤの測定値は，エッチング処理の後で定められるエッチング特性と比較することができるので，エッチング処理によってＣＤシフトを算出することができる。これらのＣＤシフトは，どのウェーハにおいても安定し，かつ，ウェーハ表面全体で均一であることが望ましく，元のマスク画像に対する簡易的な補正偏向は，体系的にＣＤシフトを補正するために用いられる。
【０００６】
　従来，このような全域的なＣＤシフトの補正は，可能であったが，ＩＣの最小寸法が０．１０ミクロン以下まで減少すると不可能であり，全体的またはウェーハ内におけるＣＤシフトは十分に調整できない。
複数のまたは個々のウェーハごとに，フォトレジストマスクのＣＤシフトを測定し，エッチング処理において，ＣＤシフトを変更するためにこの情報を用いる手段が要求される。
（イ）「【課題を解決するための手段】
【０００９】
　ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システムは，測定装置，エッチングチャンバ，および制御装置を有する。測定装置は，複数の設定位置におけるウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバは，ウェーハを保持するチャックと，該チャック内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体と，を有し，測定装置からウェーハを受け取る。制御装置は，特定のウェーハの実測されたＣＤを受け取る測定装置および発熱体に接続される。制御装置は，
エッチング処理の前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために，エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて，複数の設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において，各発熱体の温度を調整する。
（ウ）「【００１４】
　図１は，本発明の一実施例に係るウェーハ１０４の温度およびエッチング速度を制御するエッチング・システム１００を例示する。
エッチング・システム１００は，反応性ガス（単一または複数）（図示なし）が通って流れるチャンバ１０２を含む。
エッチングの前に，ウェーハ１０４は，チャンバ１０２に置かれ，プラズマ１０６にウェーハ１０４の上面が曝されたチャック１０８によって，適当な位置を保持される。
【００１５】
　
いくつかの発熱体１１０は，チャック１０８の設定位置に配置される。
発熱体１１０は，各発熱体１１０の温度を調整する制御装置１１２に連結される。
【００１６】
　
制御装置１１２に連結される測定装置１１４は，処理の前に各ウェーハ上の微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。
測定装置１１４は，ウェーハ１０４上のいくつかの設定位置における測定値を含むデータを制御装置１１２に送る。
【００１７】
　
制御装置１１２は，処理下における，寸法測定およびウェーハの温度の関係を含むアルゴリズムを含む。例として，図２は，ＣＤシフトおよびウェーハ温度の関係例のグラフである。このような関係は，例えば，実験データから得られる。制御装置１１２が測定装置１１４からデータを受け取ると，制御装置１１２は，測定データから温度データに変換する上記のアルゴリズムで処理を行う。
ウェーハ１０４上の個々の位置を測定するために，制御装置１１２は，上記の定義された関係に従ってウェーハ上のその個々の位置に対応する発熱体１１０の温度を調整する。
【００１８】
　したがって，エッチング・システム１００は，ウェーハ上の特定の寸法に関する情報を受信した後，各ウェーハの温度プロファイルをリアルタイムで動的に変換する，フィードフォワード・システムを含む。
ウェーハ１０４上の設定位置において，ウェーハ１０４上の微細寸法のばらつきを減らす処理の前および間に，もしくは，前または間に，制御装置１１２は，各発熱体１１０の温度を調整する。
・・・
【００２１】
　例として，
エッチング・システム１００は，以下のように機能することができる。測定装置１１４は，設定位置でウェーハ１０４上の寸法を測定する。各設定位置は，ウェーハ１０４上の領域を定めることができる。制御装置１１２は，ウェーハ１０４に関する，設定位置における寸法を含むデータを測定装置１１４から受け取る。制御装置１１２は，処理中に寸法差およびウェーハの温度の周知の関係に基づき，データを温度プロファイルに変換する。温度プロファイルは，ウェーハ１０４上の各測定された設定位置，即ち，チャック１０８上の対応する各領域に関する特定の温度を含む。したがって，制御装置１１２は，その対応する発熱体１１０を調整することによって，各領域の温度を調整する。
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「いくつかの発熱体が設定位置に配置されているチャックと，各発熱体の温度を調整する制御装置とを備えるプラズマエッチング・システムを用いる方法であって，エッチングの前に，ウェーハがチャックによって適当な位置を保持され，処理の前に各ウェーハ上のいくつかの設定位置における微細寸法を測定し，寸法差およびウェーハの温度の周知の関係に基づき，測定データから温度データに変換し，処理の前に，対応する発熱体を調整する。」
（２）引用文献２の記載事項
　ア　引用文献２
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
「【００４０】
　
プラズマエッチング装置においては，ウエハを載置するウエハステージに
領域毎に独立の温度制御手段（例えばヒータ機構）を設ける
【００４１】
　また，図５（ａ）の
ウエハステージ２０１の平面の概略図では，５つの領域に分割し，それぞれを独立に温度制御可能のようにした例を示したが，領域分割の数はこれに限られることは無い。ばらつき制御の必要に応じて，適宜，分割数，分割領域の大小や面内配置を変えて実施することは可能である
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「プラズマエッチング装置におけるウエハを載置するウエハステージの領域毎に独立の温度制御手段を設け，領域分割数はばらつき制御の必要性に応じて適宜変えること。」
（３）引用文献３の記載事項
　ア　引用文献３
　引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００４６】
　温度設定装置１５０は，例えば図６に示すように各種プログラムを実行する演算部１６０と，例えば熱板９０の温度設定のための各種情報を入力する入力部１６１と，熱板９０の温度設定のための各種情報を格納するデータ格納部１６２と，熱板９０の温度設定のための各種プログラムを格納するプログラム格納部１６３と，熱板９０の温度設定のための各種情報を温度制御装置９２や線幅測定装置１２０との間で通信する通信部１６４などを備えている。
【００４７】
　プログラム格納部１６３には，例えば
ウェハ面内の線幅測定結果から，そのウェハ面内の測定線幅の複数の面内傾向成分Ｚｉ（ｉ＝１〜ｎ，ｎは１以上の整数）を算出するプログラムＰ１が記憶されている。この複数の面内傾向成分Ｚｉは，例えば図７に示すようにゼルニケ（Ｚernike）多項式を用いて，ウェハ面内の測定線幅の面内傾向Ｚ（ウェハ面内のばらつき傾向）を複数の成分に分解して表したものである。
・・・
【００５５】
　さらに，プログラム格納部１６３には，
改善可能な面内傾向Ｚａの大きさが閾値を超えた場合に，例えば次の関係式（１）から改善可能な面内傾向Ｚａの各面内傾向成分Ｚａｉが零になるような各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴを算出する
　ΔＺ＝Ｍ・ΔＴ　　　（１）
【００５６】
　関係式（１）の
算出モデルＭは，例えばウェハ面内の線幅の各面内傾向成分Ｚｉの変動量（各ゼルニケ係数の変化量）ΔＺと温度補正値ΔＴとの相関を示す相関行列
【００５７】
　算出モデルＭは，熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の各々の温度を順に１℃上昇させ，その各場合のウェハ面内における線幅変動量を測定し，その線幅変動量に応じたゼルニケ係数の変動量（面内傾向成分の変動量）を算出し，それらの単位温度変動あたりのゼルニケ係数の変動量を行列式の各要素Ｍｉ，ｊ（１≦ｉ≦ｎ，１≦ｊ≦ｍ（本実施の形態では熱板領域数であるｍ＝５）として表したものである。なお，熱板領域の温度を1℃上昇させても変動しない面内傾向成分は，ゼルニケ係数の変動量が零になるので，それに対応する要素は零になる。
【００５８】
　関係式（１）は，
両辺に算出モデルＭの逆行列Ｍ
−１
を掛ける
　ΔＴ＝Ｍ−１・ΔＺ　　　（２）
で表せられる。改善可能な面内傾向Ｚａの各面内傾向成分Ｚａｉを零にするには，面内傾向の変化量ΔＺに，改善可能な各面内傾向成分Ｚａｉの値に−１を掛けたものが代入され，それ以外の改善不可能な面内傾向成分には零が代入される。
【００５９】
　なお，温度設定装置１５０による温度設定プロセスを実現するための各種プログラムは，コンピュータ読み取り可能なＣＤなどの記録媒体に記録されていたものであって，その記録媒体から温度設定装置１５０にインストールされたものであってもよい。」
（イ）「【００７３】
　例えば図１４に示すように
ウェハ面内の複数の測定点Ｑの線幅測定値Ｄをウェハ面上の高さ方向に表すことにより，ウェハ面内の測定線幅の面内傾向が示される。そして，その複数の測定点Ｑの線幅測定値Ｄが例えば図１５に示すようにＸ軸を含む垂直面に投射され，その線幅測定値Ｄの分布から，最小二乗法を用いて，一つの面内傾向成分となるＸ方向の傾き成分Ｆｘが算出される。
例えばこれらの面内傾向成分Ｆｘ，Ｆｙ，Ｆｚを足し合わせることにより，改善可能な面内傾向Ｆａが算出される。この改善可能な面内傾向Ｆａの大きさが予め設定されているその閾値Ｌを超えている場合にのみ各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴが変更される。
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「ウェハ面内の測定線幅の面内傾向を，線幅測定値の分布から最小二乗法を用いて算出し，面内傾向の大きさが閾値を超えている場合のみ温度補正値を算出し，各熱板領域の温度補正値を算出するために，ウェハ面内の線幅の各面内傾向成分の変動量に，相関行列の逆行列を掛けること。」
（４）引用文献４の記載事項
　ア　引用文献４
　引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
「【００１２】
　図２は，本発明の第１の実施形態にかかる
ドライエッチング処理システム
【００１３】
　図において，２１はフォトリソグラフィ処理装置であり，例えば半導体基板上にレジストを塗布し，該レジストを，例えば目的とするＦＥＴのゲート部分に目的とする電極幅のゲート電極が得られるようにエッチング加工する。以下この電極幅の目標値あるいは加工結果の値をＣＤ（ｃｒｔｉｃａｌ　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）値と称する。２２は
前記エッチング後のレジストのＣＤ値を計測するＣＤ−ＳＥＭ等の計測機，２３はプラズマエッチング処理装置（エッチャ），
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「エッチング後のレジストのＣＤ値を計測するＣＤ−ＳＥＭ計測器とプラズマエッチング処理装置とからなるドライエッチング処理システム。」
（５）本願発明１と引用発明１との対比
　ア　引用発明１の「チャック」は，「ウェーハがチャックによって適当な位置を保持され」るものであるから，本願発明１の「プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリ」に相当すると認められる。そして，引用発明１の「いくつかの発熱体」は本願発明１の「複数のヒーター領域」に相当し，引用発明１は「各発熱体の温度を調整する制御装置」を備えるから，「いくつかの発熱体」は「独立に制御可能」であり，してみると引用発明１の「いくつかの発熱体が設定位置に配置されているチャック」は，下記相違点を除いて，本願発明１の「プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，独立に制御可能な複数のヒーター領域を備える基板支持アセンブリ」に相当すると認められる。
　イ　引用発明１の「各発熱体の温度を調整する制御装置」は，本願発明１の「各ヒーター領域を制御する制御部」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明１において「処理の前に各ウェーハ上のいくつかの設定位置における微細寸法を測定」することは，エッチングの前にウェーハを測定するから，レジスト層における寸法を測定するものであり，してみると，下記相違点を除いて，本願発明１の「レジスト層におけるプレエッチング臨界寸法を測定する工程」に相当すると認められる。
　エ　引用発明１において「エッチングの前に，ウェーハがチャックによって適当な位置を保持され」るから，本願発明１における「前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程」を満たすと認められる。
　オ　引用発明１において「測定データから温度データに変換し，処理の前に，対応する発熱体を調整する」ことは，プラズマエッチングする前に，目標となる「温度データ」になるように発熱体を調整するということであるから，これは，本願発明１の「前記制御可能なヒーター領域を用いて，各デバイス・ダイ位置における温度を目標エッチング温度に調整する工程と，前記基板をプラズマエッチングする工程」に相当すると認められる。
　カ　よって，本願発明１と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致しているが，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，独立に制御可能な複数のヒーター領域を備える基板支持アセンブリと，各ヒーター領域を制御する制御部と，を備えるプラズマエッチングシステムを用いる方法であって，
　レジスト層におけるプレエッチング臨界寸法を測定する工程と，
　前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程と，
　前記制御可能なヒーター領域を用いて，各デバイス・ダイ位置における温度を目標エッチング温度に調整する工程と，
　前記基板をプラズマエッチングする工程と，を備える，方法。」
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願発明１の「複数のヒーター領域」は「前記基板上のデバイス・ダイ位置下に配置される」のに対し，引用発明１の「いくつかの発熱体」は「設定位置」に配置される点。
　ｂ　相違点２
　本願発明１の「プレエッチング臨界寸法」は「前記基板上の複数のデバイス・ダイ位置上で」「測定」されるが，引用発明１の「微細寸法」は「ウェーハ上のいくつかの設定位置」において測定される点。
　ｃ　相違点３
　本願発明１は「前記基板上の各デバイス・ダイ位置におけるポストエッチング臨界寸法の目標値である目標ポストエッチング臨界寸法を，前記プラズマエッチングシステムに伝達する工程」を備えるのに対し，引用発明１は「目標ポストエッチング臨界寸法」を伝達する工程を備えない点。
　ｄ　相違点４
　本願発明１は「記憶装置から前記プラズマエッチングシステムに，プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータをロードする工程」を備えるのに対し，引用発明１は「寸法差およびウェーハの温度の周知の関係」を用いるものである点。
　ｅ　相違点５
　本願発明１は「前記測定で得られた前記プレエッチング臨界寸法及び前記目標ポストエッチング臨界寸法を用いて前記処理レシピパラメータを参照して，前記基板上の各デバイス・ダイ位置における目標エッチング温度を予測する工程」を備えるのに対し，引用発明１は「寸法差およびウェーハの温度の周知の関係に基づき，測定データから温度データに変換」するものである点。
（６）相違点についての判断
　相違点３ないし５についてまとめて検討する。
「基板上の各デバイス・ダイ位置における目標ポストエッチング臨界寸法」を用いて「プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータ」を参照し「基板上の目標エッチング温度を予測」することは，いずれの引用文献にも記載も示唆もされていない。
　さらに，本願発明１の「１つの半導体基板表面上の処理結果の均一性を含んだ，基板内の均一性の継続的な向上」（本願明細書段落０００３）という課題がいずれの引用文献にも記載も示唆もされていない。
　よって，前記課題に対応する相違点３ないし５に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得るとはいえない。
（７）小括
　したがって，本願発明１は，引用発明１ではないし，引用発明１ないし４に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（８）請求項２ないし８について
　本願の請求項２ないし８に係る発明は，本願発明１の発明特定事項をすべて含みさらに別の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１が前記（７）のとおり，引用文献１に記載された発明でないし，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２ないし８に係る発明も同様の理由で，引用文献１に記載された発明でないし，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　請求項９ないし１１について
（１）引用文献１ないし４の記載事項
　引用文献１ないし４には，それぞれ前記１（１）ないし同（４）のとおり，引用発明１ないし４が記載されていると認められる。
（２）本願発明９と引用発明１との対比
　ア　前記１（５）ア及びイ，エは，「本願発明１」を「本願発明９」と読み替えた上で，それぞれそのとおりである。
　イ　引用発明１において「処理の前に微細寸法を測定」することは，下記相違点を除いて，本願発明１の「プレエッチング臨界寸法を測定する工程」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明１において「基板をプラズマエッチングする工程」を備えることは，明らかである。
　エ　よって，本願発明９と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致しているが，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，独立に制御可能な複数のヒーター領域を備える基板支持アセンブリと，各ヒーター領域を制御する制御部と，を備えるプラズマエッチングシステムを用いる方法であって，
　プレエッチング臨界寸法を測定する工程と，
　前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程と，
　前記基板をプラズマエッチングする工程と，
　を備える，方法。」
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願発明９の「複数のヒーター領域」は「前記基板上のデバイス・ダイ位置下に配置される」のに対し，引用発明１の「いくつかの発熱体」は「設定位置」に配置される点。
　ｂ　相違点２
　本願発明９の「プレエッチング臨界寸法」は「前記基板上の第１の所定位置群において」「測定」されるが，引用発明１の「微細寸法」は「ウェーハ上のいくつかの設定位置」において測定される点。
　ｃ　相違点３
　本願発明９は「前記基板上の各デバイス・ダイ位置におけるポストエッチング臨界寸法の目標値である目標ポストエッチング臨界寸法を，前記プラズマエッチングシステムに伝達する工程」を備えるのに対し，引用発明１は「目標ポストエッチング臨界寸法」を伝達する工程を備えない点。
　ｄ　相違点４
　本願発明９は「記憶装置から前記プラズマエッチングシステムに，プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータをロードする工程」を備えるのに対し，引用発明１は「寸法差およびウェーハの温度の周知の関係」を用いるものである点。
　ｅ　相違点５
　本願発明９は「前記測定で得られた前記プレエッチング臨界寸法及び前記目標ポストエッチング臨界寸法を用いて前記処理レシピパラメータを参照して，前記基板上の第２の所定位置群における目標エッチング温度を予測する工程」を備えるのに対し，引用発明１は「寸法差およびウェーハの温度の周知の関係に基づき，測定データから温度データに変換」するものである点。
　ｆ　相違点６
　本願発明９は「各前記ヒーター領域に関するヒーター出力と前記第２の所定位置群における前記予測エッチング温度との間の関係に基づいて，制御可能なヒーター領域に関するヒーター出力の設定値を求める工程であって，最適化手法で前記予測エッチング温度と前記目標エッチング温度との間の差を最小限に抑えるように前記ヒーター出力の設定値を求める工程」を備えるのに対し，引用発明１は「発熱体を調整する」が，具体的な調整工程が開示されていない点。
（３）相違点についての判断
　相違点３ないし５についてまとめて検討する。
「基板上の各デバイス・ダイ位置における目標ポストエッチング臨界寸法」を用いて「プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータ」を参照し「基板上の目標エッチング温度を予測」することは，いずれの引用文献にも記載も示唆もされていない。
　さらに，本願発明１の「１つの半導体基板表面上の処理結果の均一性を含んだ，基板内の均一性の継続的な向上」（本願明細書段落０００３）という課題がいずれの引用文献にも記載も示唆もされていない。
　よって，前記課題に対応する相違点３ないし５に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得るとはいえない。
（４）小括
　したがって，本願発明９は，当業者が引用発明１ないし４に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（５）請求項１０及び１１について
　本願の請求項１０及び１１に係る発明は，本願発明９の発明特定事項をすべて含みさらに別の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明９が前記（４）のとおり，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項１０及び１１に係る発明も同様の理由で，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　まとめ
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第５　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
理由１　この出願は，発明の詳細な説明の記載が下記の点で，特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。 
理由２　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
理由３　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　記 
（１）請求項１について 
　ア　「処理レシピパラメータ」について 
（ア）理由２ 
　発明の詳細な説明（段落００１６）には，「プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信して，処理レシピパラメータ，目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータ及びプレエッチング臨界デバイスパラメータの測定値から，基板上の所定位置における目標エッチング温度を予測することができる。」と記載されており，一般的な「処理レシピパラメータ」ではなく「プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータ」を用いて「目標エッチング温度を予測する」というのが課題解決手段であると認められるが，請求項１には「プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータ」，「目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータ」及び「プレエッチング臨界デバイスパラメータの測定値」を用いて「目標エッチング温度を予測する」ことが反映されていない。 
　また，発明の詳細な説明（段落００１６）には，「プラズマエッチングシステムは，また，ハードウェア及び／又はソフトウェアインターフェース及び／又は負荷を介して，記憶装置から，プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信し」（当審注：下線部は当審で付加した。以下同じ。）と記載されており，「記憶装置」から処理レシピパラメータを伝達することしか記載されておらず，インターネットに代表されるように様々なサイトがネットワークを介して接続されているという技術常識を考慮すれば，前記発明の詳細な説明の内容を請求項１に記載された送信元が無限定の「前記プラズマエッチングシステムに処理レシピパラメータを伝達する」ことまで拡張ないし一般化できるとはいえない。 
 （イ）理由１ 
　請求項１の「処理レシピパラメータ」について，発明の詳細な説明には「プラズマエッチングシステムは，また，ハードウェア及び／又はソフトウェアインターフェース及び／又は負荷を介して，記憶装置から，プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信し」（段落００１６）と記載されているだけである。してみると，「記憶装置」はデータを読み出す前に記憶させることが必要であることは技術常識であることからみて，処理レシピパラメータをどのように作成又は入手して記憶装置に記憶させるのか，まったく記載がないので，当業者が実施をすることができる程度に記載されていない。 
　イ　「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータとポストエッチング臨界デバイスパラメータ」について 
 （ア）理由１ 
　発明の詳細な説明には「・・・先にエッチングされた基板のポストエッチング臨界デバイスパラメータから，基板上の所定位置における目標エッチング温度を予測する」（段落０００４）及び「先にエッチングした基板に関して，基板上の複数のデバイス・ダイス位置におけるプレエッチング臨界デバイスパラメータ又はポストエッチング臨界デバイスパラメータを測定することにより，及び，測定した情報を用いてエッチングの際に基板上の所定位置における温度を調整することにより，基板上の不均一性を補償するものである。」（段落００１２）と記載されているだけで，「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータとポストエッチング臨界デバイスパラメータ」をどのように用いて目標エッチング温度を予測し，あるいは基板上の温度を調整するのかまったく記載されておらず，当業者が実施をすることができる程度に記載されていない。 
 （イ）理由３ 
　請求項１に記載された「・・・前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ・・・から，前記基板上の所定位置における目標エッチング温度を予測する工程」の「前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ」が「前記基板上の・・・プレエッチング臨界デバイスパラメータを測定する工程」と「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ・・・を，・・・伝達する工程」のうちのどちらの「プレエッチング臨界デバイスパラメータ」を指すのか，あるいは両方を指すのか不明確である。 
　「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ」がその後の工程で用いられることが記載されておらず，発明特定事項同士の関係が不明確である。　請求項１を引用して記載した請求項２−９についても同様である。 
 （２）請求項２について 
　ア　理由１ 
　発明の詳細な説明には「プラズマエッチングシステムが，このような処理レシピパラメータを各処理レシピ工程に対して受信可能であることが望ましい。」（段落００１６）と記載されているだけで，「各処理レシピ工程」とは何のことか，「各処理レシピ工程に対して受信可能な」「処理レシピパラメータ」とはどういうものか，不明であり，当業者が実施できる程度に記載されていない。 
　また，発明の詳細な説明には「プラズマエッチングシステムは，また，ハードウェア及び／又はソフトウェアインターフェース及び／又は負荷を介して，記憶装置から，プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信し」（段落００１６）と記載されているだけである。してみると，「記憶装置」はデータを読み出す前に記憶させることが必要であることは技術常識であることからみて，処理レシピパラメータをどのように作成又は入手して記憶装置に記憶させるのか，まったく記載がないので，当業者が実施をすることができる程度に記載されていない。 
　イ　理由２ 
　発明の詳細な説明（段落００１６）には，「プラズマエッチングシステムは，また，ハードウェア及び／又はソフトウェアインターフェース及び／又は負荷を介して，記憶装置から，プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信し」と記載されており，「記憶装置」から処理レシピパラメータを伝達することしか記載されておらず，インターネットに代表されるように様々なサイトがネットワークを介して接続されているという技術常識を考慮すれば，前記発明の詳細な説明の内容を請求項１に記載された送信元が無限定の「前記プラズマエッチングシステムに処理レシピパラメータを伝達する」ことまで拡張ないし一般化できるとはいえない。 
 （３）請求項７について 
 ・理由３ 
　請求項７に記載された「基板外の検査ツール」は用語が不適切である。前後の文脈から「システム外の検査ツール」の意味と考えられる。 
 （４）請求項１０について 
　ア　「処理レシピパラメータ」について 
 （ア）理由２ 
　発明の詳細な説明（段落００１６）には，「プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信して，処理レシピパラメータ，目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータ及びプレエッチング臨界デバイスパラメータの測定値から，基板上の所定位置における目標エッチング温度を予測することができる。」と記載されており，一般的な「処理レシピパラメータ」ではなく「プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータ」を用いて「目標エッチング温度を予測する」というのが課題解決手段であると認められるが，請求項１０には「プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータ」，「目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータ」及び「プレエッチング臨界デバイスパラメータの測定値」を用いて「目標エッチング温度を予測する」ことが反映されていない。 
　また，請求項１０には「処理レシピパラメータの少なくとも１つを伝達し」と記載されているが，発明の詳細な説明には，処理レシピパラメータが複数あって，そのうちの少なくとも１つを伝達することは記載がなく，発明の詳細な説明のどの記載と対応するのか不明である。 
 （イ）理由１ 
　請求項１０の「処理レシピパラメータ」について，発明の詳細な説明には「プラズマエッチングシステムは，また，ハードウェア及び／又はソフトウェアインターフェース及び／又は負荷を介して，記憶装置から，プレエッチング臨界デバイスパラメータとエッチング温度の測定値に対する目標ポストエッチング臨界デバイスパラメータの依存度を規定する処理レシピパラメータを受信し」（段落００１６）と記載されているだけである。してみると，「記憶装置」はデータを読み出す前に記憶させることが必要であることは技術常識であることからみて，処理レシピパラメータをどのように作成又は入手して記憶装置に記憶させるのか，まったく記載がないので，当業者が実施をすることができる程度に記載されていない。 
 （ウ）理由３ 
　請求項１０に記載された「処理レシピパラメータの少なくとも１つを伝達し」はどこからどこへ伝達するのか不明確であり，その後に記載された「記憶装置から前記プラズマエッチングに処理レシピパラメータをロードする」との関係も不明である。 
　イ　「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータとポストエッチング臨界デバイスパラメータ」について 
 （ア）理由１ 
　発明の詳細な説明には「・・・先にエッチングされた基板のポストエッチング臨界デバイスパラメータから，基板上の所定位置における目標エッチング温度を予測する」（段落０００４）及び「先にエッチングした基板に関して，基板上の複数のデバイス・ダイス位置におけるプレエッチング臨界デバイスパラメータ又はポストエッチング臨界デバイスパラメータを測定することにより，及び，測定した情報を用いてエッチングの際に基板上の所定位置における温度を調整することにより，基板上の不均一性を補償するものである。」（段落００１２）と記載されているだけで，「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータとポストエッチング臨界デバイスパラメータ」をどのように用いて目標エッチング温度を予測し，あるいは基板上の温度を調整するのかまったく記載されておらず，当業者が実施をすることができる程度に記載されていない。 
 （イ）理由３ 
　請求項１０に記載された「・・・前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ・・・に基づいて，前記基板上の第２の所定位置群における目標エッチング温度を予測する工程」の「前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ」が「前記基板上の・・・プレエッチング臨界デバイスパラメータを測定する工程」と「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ・・・を，・・・伝達する工程」のうちのどちらの「プレエッチング臨界デバイスパラメータ」を指すのか，あるいは両方を指すのか不明確である。 
　「先にエッチングされた基板の前記プレエッチング臨界デバイスパラメータ」がその後の工程で用いられることが記載されておらず，発明特定事項同士の関係が不明確である。　請求項１０を引用して記載した請求項１１−１６についても同様である。 
２　当審拒絶理由の判断
　平成２８年１０月３日付け手続補正書によって，本願の特許請求の範囲は次のように補正（以下，「本件補正」という。）された。（下線は補正個所を示すものとして，当審で付加した。）
「【請求項１】
　プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，前記基板上のデバイス・
ダイ
　前記基板上の複数のデバイス・
ダイ
寸法
　
前記基板上の各デバイス・ダイ位置における
寸法の目標値である目標ポストエッチング臨界寸法
　前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程と，
　記憶装置から前記プラズマエッチングシステムに，
プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する
　
前記測定で得られた
寸法を用いて前記処理レシピパラメータを参照して
各デバイス・ダイ
　前記制御可能なヒーター領域を用いて，各デバイス・
ダイ
　前記基板をプラズマエッチングする工程と，を備える，方法。
　【請求項２】
　請求項１に記載の方法であって，さらに，
　前記基板上の前記所定位置における前記目標エッチング温度に基づいて，各ヒーター領域の目標制御パラメータを伝達する，及び／又は，計算する工程を備える，方法。
　【請求項３】
　請求項１に記載の方法であって，
　前記ヒーター領域の数と前記デバイス・
ダイ
　前記ヒーター領域の目標制御パラメータと前記デバイス・
ダイ
ダイ
　【請求項４】
　請求項１に記載の方法であって，
　前記プラズマエッチングシステムは，各ヒーター領域位置のエッチング温度を測定するように構成される１つ以上の温度センサを備え，
　前記方法は，さらに，
　前記温度センサからの出力に基づいて，各ヒーター領域の目標制御パラメータを計算する工程を備える，方法。
　【請求項５】
　請求項１に記載の方法を実行するプラズマエッチングシステムであって，
　プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，前記基板の下に配置される独立に制御可能な複数のヒーター領域を備える基板支持アセンブリと，
　各ヒーター領域を制御する制御部と，を備える，プラズマエッチングシステム。
　【請求項６】
　請求項
５
　前記
目標ポストエッチング臨界寸法
システム
　【請求項７】
　請求項１に記載の方法であって，
　前記ヒーター領域の数と前記デバイス・
ダイ
　前記ヒーター領域の目標制御パラメータと前記基板上の前記所定位置の予想エッチング温度との関係を記述する行列に基づいて，前記ヒーター領域に対するヒーター出力設定値を求める工程を含み，
　前記デバイス・
ダイ
ダイ
　【請求項８】
　請求項
７
　前記最適化手法は最小二乗最適化である，方法。
　【請求項９】
　プラズマエッチングの際に基板を支持する基板支持アセンブリであって，前記基板上のデバイス・
ダイ
　前記基板上の第１の所定位置群において，プレエッチング臨界
寸法
　
前記基板上の各デバイス
位置における
寸法の目標値である目標ポストエッチング臨界寸法
　前記基板支持アセンブリ上に前記基板を支持する工程と，
　記憶装置から前記プラズマエッチングシステムに，プレエッチング臨界寸法とエッチング温度とに対するポストエッチング臨界寸法の予め設定された依存関係を規定する処理レシピパラメータをロードする工程と，
　
前記測定で
寸法
目標
寸法を用いて前記処理レシピパラメータを参照して
　各前記ヒーター領域に関するヒーター出力と前記第２の所定位置群における前記予測エッチング温度との間の関係に基づいて，制御可能なヒーター領域に関するヒーター出力の設定値を求める工程であって，最適化手法で前記予測エッチング温度と前記目標エッチング温度との間の差を最小限に抑えるように前記ヒーター出力の設定値を求める工程と，
　前記基板をプラズマエッチングする工程と，
　を備える，方法。
　【請求項１０】
　請求項
９
　前記最適化手法は最小二乗最適化である，方法。
　【請求項１１】
　請求項
９
　各前記ヒーター領域に関するヒーター出力と前記第２の所定位置群における前記目標エッチング温度との間の関係は，行列により表わされる，方法。」
　本件補正により，本件補正前の請求項２は削除された上で，補正後の請求項１ないし１１の記載は明確なものとなり，かつ発明の詳細な説明（本願明細書段落００１２，００１３，００１６，００１７）の記載と整合し，また，発明の詳細な説明（本願明細書段落００１２，００１３，００１６，００１７）において当業者が実施をすることができる程度に記載された発明が補正後の請求項１ないし１１に係る発明となった。
　したがって，当審拒絶理由は解消した。
　
第６　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。