【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2019524938.tif 000001
からなる群より選択される単量体に由来する第１繰り返し単位、及び
【化２−１】
2019524938.tif 000002
【化２−２】
2019524938.tif 000003
【化２−３】
2019524938.tif 000004
からなる群より選択される単量体に由来する第２繰り返し単位からなる、共重合体。
【請求項２】
【化３】
2019524938.tif 000005
からなる群より選択される単量体に由来する第１繰り返し単位と、
【化４−１】
2019524938.tif 000006
【化４−２】
2019524938.tif 000007
【化４−３】
2019524938.tif 000008
からなる群より選択される単量体に由来する第２繰り返し単位と、
【化５−１】
2019524938.tif 000009
【化５−２】
2019524938.tif 000010
【化５−３】
2019524938.tif 000011
【化５−４】
2019524938.tif 000012
【化５−５】
2019524938.tif 000013
からなる群より選択される単量体に由来する第３繰り返し単位と、
からなる、三元重合体。
【請求項３】
無水ナジック酸とトリオキサノナンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸とテトラオキサドデカンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシプロポキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシブトキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（２−（２−エトキシエトキシ）エチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンとの共重合体；及び
無水ナジック酸と２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールとの共重合体；
からなる群より選択される、請求項１に記載の共重合体。
【請求項４】
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び５−（ヘキサ−５−エン−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンの三元重合体； 
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及びビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチルアセテートの三元重合体；及び
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び２−（（２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメトキシ）エトキシ）メチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールの三元重合体；
からなる群より選択される、請求項２に記載の三元重合体。
【請求項５】
（ｉ）無水ナジック酸とトリオキサノナンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸とテトラオキサドデカンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシプロポキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシブトキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（２−（２−エトキシエトキシ）エチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンとの共重合体；及び
無水ナジック酸と２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールとの共重合体；
からなる群より選択される、請求項１に記載の共重合体、
（ｉｉ）光活性化合物、及び
（ｉｉｉ）溶媒
からなる、組成物。
【請求項６】
（ｉ）無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び５−（ヘキサ−５−エン−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンの三元重合体；
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及びビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチルアセテートの三元重合体；及び
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び２−（（２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメトキシ）エトキシ）メチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールの三元重合体；
からなる群より選択される、請求項２に記載の三元重合体、
（ｉｉ）光活性化合物、及び
（ｉｉｉ）溶媒
からなる、組成物。
【請求項７】
前記光活性化合物は、
式（ＩＶａ）の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル部分及び／又は式（ＩＶｂ）の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル部分を含むか、又は、
式（ＩＶｃ）のスルホニルベンゾキノンジアジド基を含む、請求項５または６記載の組成物。
【化６】
2019524938.tif 000014
【請求項８】
前記光活性化合物は、
【化７】
2019524938.tif 000015
であり、ここで、Ｑの少なくとも１つは式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）の基
【化８】
2019524938.tif 000016
であり、残りのＱは水素である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記光活性化合物は、
【化９−１】
2019524938.tif 000017
【化９−２】
2019524938.tif 000018
及び
これらの任意の組合せにおける混合物；
からなる群より選択される光酸発生剤である、請求項５または６に記載の組成物。
【請求項１０】
【化１０−１】
2019524938.tif 000019
【化１０−２】
2019524938.tif 000020
ビスフェノールＡエピクロロヒドリン系エポキシ樹脂；
ポリプロピレングリコールエピクロロヒドリン系エポキシ樹脂；
ビス（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）メタン；
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのグリシジルエーテル（ヘロキシ６５）；
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（ＰＥＧＤＧＥ）；
ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（ＰＰＧＤＧＥ）；及び
これらの任意の組合せにおける混合物；
からなる群より選択される１種以上の架橋剤をさらに含む、請求項５〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載の組成物で積層された積層半導体素子を含む、半導体デバイス。
【請求項１２】
再配線層（ＲＤＬ）構造、チップスタック構造、又は相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサーダム構造のうち１つ以上を含むマイクロ電子デバイス又は光電子デバイスであって、前記構造は請求項５〜１０のいずれか一項に記載の組成物をさらに含む、デバイス。
【請求項１３】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載の組成物を含む、膜。
【請求項１４】
マイクロ電子デバイス又は光電子デバイスを製造するための膜を形成する方法であって、
請求項５〜１０のいずれか一項に記載の組成物を適切な基板に塗布して膜を形成することと、
マスクを用いて適切な光線で露光することにより前記膜をパターニングすることと、
露光後に前記膜を現像して光パターンを形成することと、
適切な温度に加熱することにより前記膜を硬化させることと
を含む、膜の形成方法。
【請求項１５】
請求項５〜１０のいずれか一項に記載の組成物を硬化して得られた、硬化物。
【請求項１６】
請求項１５に記載の硬化物を含む光電子デバイス又はマイクロ電子デバイスである、電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
以上、特定の例によって本発明を説明したが、本発明はこれらにより限定されるものと解釈すべきではない。むしろ、本発明は、ここに開示された一般領域を包含するものであり、その趣旨及び範囲から逸脱することなく種々の変更形態及び実施形態を行うことが可能である。
この明細書により開示される事項には、以下のものが含まれる。
〔１〕
ａ）式（Ｉ）の単量体に由来する式（ＩＡ）の第１繰り返し単位
【化３７−１】
2019524938.tif 000021
［式中、
【化３７−２】
2019524938.tif 000022
は、他の繰り返し単位と結合する位置を示し、
ｎは、０〜３の整数であり、
Ｘ及びＸ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、ＣＨ２及びＣＨ２−ＣＨ２から選択され（ここで、ＣＨ２又はＣＨ２−ＣＨ２は、必要に応じて（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、Ｏ、及びＳで置換される。）、
Ｒ及びＲ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、水素及び（Ｃ１−Ｃ６）アルキルから選択される。］、及び
ｂ）式（ＩＩ）の単量体に由来する式（ＩＩＡ）の第２繰り返し単位
【化３７−３】
2019524938.tif 000023
（式中、
【化３７−４】
2019524938.tif 000024
は、他の繰り返し単位と結合する位置を示し、
ｎは、０〜３の整数であり、
Ｙ及びＹ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、ＣＨ２、ＣＨ２−ＣＨ２、Ｏ、及びＳから選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つは、式（Ａ）の一価基及び式（Ｂ）の一価基
【化３７−５】
2019524938.tif 000025
（式中、
ａは、０〜３の整数であり、
ｂは、１〜４の整数であり、
ｃは、１〜４の整数であり、
Ｌは、結合、Ｏ、及びＳから選択され、
Ｒ５は、水素、メチル、エチル、フルオロ化又はパーフルオロ化メチル又はエチル、直鎖もしくは分岐の置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ１２）アルキル、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ１０）アリール、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ６−Ｃ１０）アリール、置換又は非置換の（Ｃ２−Ｃ１２）アシル、及び置換又は非置換の（Ｃ７−Ｃ１１）アロイルから選択される。）から選択され、
残りのＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、メチル、エチル、フルオロ化又はパーフルオロ化メチル又はエチル、直鎖もしくは分岐の置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ１２）アルキル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ７−Ｃ１２）ビシクロアルキル、及び置換又は非置換の（Ｃ７−Ｃ１２）トリシクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ１０）アリール、及び置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ６−Ｃ１６）アリールからなる群より選択される（ここで前記置換基は、ハロゲン、ヒドロキシ、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、（Ｃ７−Ｃ１２）ビシクロアルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ（Ｃ３−Ｃ６）アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、及び（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ（Ｃ７−Ｃ１２）ビシクロアルキルから選択される。）。］、
を含む、重合体。
〔２〕  式（ＩＩＩ）の単量体に由来する式（ＩＩＩＡ）の互いに異なる１種以上の繰り返し単位
【化３７−６】
2019524938.tif 000026
（式中、
【化３７−７】
2019524938.tif 000027
は、他の繰り返し単位と結合する位置を示し、
ｎは、０〜３の整数であり、
Ｚ及びＺ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、ＣＨ２、ＣＨ２−ＣＨ２、Ｏ、及びＳから選択され、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に水素、メチル、エチル、フルオロ化又はパーフルオロ化メチルあるいはエチル、直鎖もしくは分岐の置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ２５）ヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２５）ヘテロヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ２５）環状ヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ２５）多環式ヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ２５）環状ヘテロヒドロカルビル基、及び置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ２５）多環式ヘテロヒドロカルビル基からなる群より選択される。）
をさらに含む、上記〔１〕に記載の重合体。
〔３〕
前記第１繰り返し単位は、
【化３７−８】
2019524938.tif 000028
からなる群より選択される単量体に由来する繰り返し単位である、上記〔１〕に記載の重合体。
〔４〕  前記第２繰り返し単位は、
【化３７−９】
2019524938.tif 000029
【化３７−１０】
2019524938.tif 000030
【化３７−１１】
2019524938.tif 000031
からなる群より選択される単量体に由来する繰り返し単位である、上記〔１〕に記載の重合体。
〔５〕  前記１種以上の繰り返し単位は、
【化３７−１２】
2019524938.tif 000032
【化３７−１３】
2019524938.tif 000033
【化３７−１４】
2019524938.tif 000034
【化３７−１５】
2019524938.tif 000035
【化３７−１６】
2019524938.tif 000036
からなる群より選択される式（ＩＩＩ）の単量体に由来する繰り返し単位である、上記〔２〕に記載の重合体。
〔６〕  無水ナジック酸とトリオキサノナンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸とテトラオキサドデカンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシプロポキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシブトキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（２−（２−エトキシエトキシ）エチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンとの共重合体；及び
無水ナジック酸と２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールとの共重合体；
からなる群より選択される、上記〔１〕に記載の重合体。
〔７〕  無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び５−（ヘキサ−５−エン−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンの三元重合体；及び
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及びビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチルアセテートの三元重合体；
からなる群より選択される、上記〔１〕に記載の重合体。
〔８〕
（ｉ）重合体；
（ｉｉ）光活性化合物、及び
（ｉｉｉ）溶媒、
を含み、
前記重合体は、
ａ）式（Ｉ）の単量体に由来する式（ＩＡ）の第１繰り返し単位
【化３７−１７】
2019524938.tif 000037
［式中、
【化３７−１８】
2019524938.tif 000038
は、他の繰り返し単位と結合する位置を示し、
ｎは、０〜３の整数であり、
Ｘ及びＸ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、ＣＨ２及びＣＨ２−ＣＨ２から選択され（ここで、ＣＨ２又はＣＨ２−ＣＨ２は、必要に応じて（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、Ｏ、及びＳで置換される。）、及び
Ｒ及びＲ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、水素及び（Ｃ１−Ｃ６）アルキルから選択される。］、及び
ｂ）式（ＩＩ）の単量体に由来する式（ＩＩＡ）の第２繰り返し単位
【化３７−１９】
2019524938.tif 000039
［式中、
【化３７−２０】
2019524938.tif 000040
は、他の繰り返し単位と結合する位置を示し、
ｎは、０〜３の整数であり、
Ｙ及びＹ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、ＣＨ２、ＣＨ２−ＣＨ２、Ｏ、及びＳから選択され、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１つは、式（Ａ）の一価基及び式（Ｂ）の一価基
【化３７−２１】
2019524938.tif 000041
（式中、
ａは、０〜３の整数であり、
ｂは、１〜４の整数であり、
ｃは、１〜４の整数であり、
Ｌは、結合、Ｏ、及びＳから選択され、
Ｒ５は、水素、メチル、エチル、フルオロ化又はパーフルオロ化メチル又はエチル、直鎖もしくは分岐の置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ１２）アルキル、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ１０）アリール、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ６−Ｃ１０）アリール、置換又は非置換の（Ｃ２−Ｃ１２）アシル、及び置換又は非置換の（Ｃ７−Ｃ１１）アロイルから選択される。）から選択され、
残りのＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、メチル、エチル、フルオロ化又はパーフルオロ化メチル又はエチル、直鎖もしくは分岐の置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ１２）アルキル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ７−Ｃ１２）ビシクロアルキル、及び置換又は非置換の（Ｃ７−Ｃ１２）トリシクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ１０）アリール、及び置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ１２）アルキル（Ｃ６−Ｃ１６）アリールからなる群より選択される（ここで、前記置換基は、ハロゲン、ヒドロキシ、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ、（Ｃ２−Ｃ６）アルケニル、（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、（Ｃ７−Ｃ１２）ビシクロアルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ（Ｃ３−Ｃ６）アルキル、（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ（Ｃ３−Ｃ８）シクロアルキル、及び（Ｃ１−Ｃ６）アルコキシ（Ｃ７−Ｃ１２）ビシクロアルキルから選択される。）。］、
を含む重合体である、組成物。
〔９〕  前記重合体は、式（ＩＩＩ）の単量体に由来する式（ＩＩＩＡ）の互いに異なる１種以上の繰り返し単位
【化３７−２２】
2019524938.tif 000042
（式中、
【化３７−２３】
2019524938.tif 000043
は、他の繰り返し単位と結合する位置を示し、
ｎは、０〜３の整数であり、
Ｚ及びＺ’は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に、ＣＨ２、ＣＨ２−ＣＨ２、Ｏ、及びＳから選択され、
Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、同一であるか又は異なり、それぞれ独立に水素、メチル、エチル、フルオロ化又はパーフルオロ化メチルあるいはエチル、直鎖もしくは分岐の置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ２５）ヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ１−Ｃ２５）ヘテロヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ２５）環状ヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ２５）多環式ヒドロカルビル基、置換又は非置換の（Ｃ３−Ｃ２５）環状ヘテロヒドロカルビル基、及び置換又は非置換の（Ｃ６−Ｃ２５）多環式ヘテロヒドロカルビル基からなる群より選択される。）
をさらに含む、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１０〕  前記重合体は、
無水ナジック酸とトリオキサノナンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸とテトラオキサドデカンノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシプロポキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（３−メトキシブトキシ）メチル−２−ノルボルネンとの共重合体；
無水ナジック酸と５−（２−（２−エトキシエトキシ）エチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンとの共重合体；及び
無水ナジック酸と２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールとの共重合体；
からなる群より選択される、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１１〕  前記重合体は、
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び５−（ヘキサ−５−エン−１−イル）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エンの三元重合体；
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及びビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメチルアセテートの三元重合体；及び
無水ナジック酸、トリオキサノナンノルボルネン、及び２−（（２−（ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２−イルメトキシ）エトキシ）メチル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン−２−オールの三元重合体；
からなる群より選択される、上記〔９〕に記載の組成物。
〔１２〕  前記光活性化合物は、
式（ＩＶａ）の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニル部分、及び／又は
式（ＩＶｂ）の１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル部分、又は
式（ＩＶｃ）のスルホニルベンゾキノンジアジド基
【化３７−２４】
2019524938.tif 000044
を含む、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１３〕  前記光活性化合物は、
【化３７−２５】
2019524938.tif 000045
であり、ここで、Ｑの少なくとも１つは式（ＩＶａ）又は（ＩＶｂ）の基
【化３７−２６】
2019524938.tif 000046
であり、残りのＱは水素である、上記〔１２〕に記載の組成物。
〔１４〕
【化３７−２７】
2019524938.tif 000047
【化３７−２８】
2019524938.tif 000048
ビスフェノールＡエピクロロヒドリン系エポキシ樹脂；
ポリプロピレングリコールエピクロロヒドリン系エポキシ樹脂；
ビス（４−（オキシラン−２−イルメトキシ）フェニル）メタン；
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールのグリシジルエーテル（ヘロキシ６５）；
ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル（ＰＥＧＤＧＥ）；
ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（ＰＰＧＤＧＥ）；
及びこれらの任意の組合せにおける混合物からなる群より選択される１種以上の架橋剤をさらに含む、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１５〕  前記溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、γ−ブチロラクトン（ＧＢＬ）、及びＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）からなる群より選択される、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１６〕  アミン類；
接着促進剤；
抗酸化剤；
界面活性剤；
熱酸発生剤、又は熱塩基発生剤； 
及びこれらの任意の組合せにおける混合物からなる群より選択される１種以上の添加剤をさらに含む、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１７〕  前記光活性化合物は、
【化３７−２９】
2019524938.tif 000049
【化３７−３０】
2019524938.tif 000050
及びこれらの任意の組合せにおける混合物からなる群より選択される、上記〔８〕に記載の組成物。
〔１８〕  上記〔８〕に記載の組成物で積層された積層半導体素子を含む、半導体デバイス。
〔１９〕  再配線層（ＲＤＬ）構造を含み、前記ＲＤＬ構造は上記〔８〕に記載の組成物をさらに含む、半導体デバイス。
〔２０〕  チップスタック構造を含み、前記チップスタック構造は、上記〔８〕に記載の組成物をさらに含む、半導体デバイス。
〔２１〕  相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサーダム構造を含み、前記構造は上記〔８〕に記載の組成物をさらに含む、半導体デバイス。
〔２２〕  上記〔８〕に記載の組成物を含む、膜。
〔２３〕  再配線層（ＲＤＬ）構造、チップスタック構造、又はＣＭＯＳイメージセンサーダム構造のうち１つ以上を含むマイクロ電子デバイス又は光電子デバイスであって、前記構造は上記〔８〕に記載の組成物をさらに含む、デバイス。
〔２４〕  マイクロ電子デバイス又は光電子デバイスを製造するための膜を形成する方法であって、
上記〔８〕に記載の組成物を適切な基板に塗布して膜を形成することと、
マスクを用いて適切な光線で露光することにより前記膜をパターニングすることと、
露光後に前記膜を現像して光パターンを形成することと、
適切な温度に加熱することにより前記膜を硬化させることと
を含む、膜の形成方法。
〔２５〕  前記塗布がスピンコートにより行われる、上記〔２４〕に記載の方法。
〔２６〕  前記現像が水性現像剤により行われる、上記〔２４〕に記載の方法。
〔２７〕  前記現像剤は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）である、上記〔２６〕に記載の方法。
〔２８〕  前記基板が、前記硬化の前に、まず１３０℃〜１６０℃の温度で２０分〜６０分間ハードベークされる、上記〔２４〕に記載の方法。
〔２９〕  上記〔８〕に記載の組成物を硬化して得られた、硬化物。
〔３０〕  上記〔２９〕に記載の硬化物を含む、光電子デバイス又はマイクロ電子デバイス。