【事件の表示】
　特願２０１１−１４５９０６「窒化物半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月１７日出願公開，特開２０１３−　１２６８４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月３０日の出願であって，平成２６年１１月１１日付けで拒絶理由が通知され，平成２７年１月９日に手続補正がされ，同年１月２３日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年４月１０日に審判請求がされ，その後，同年９月８日付けで当審より拒絶理由が通知され，同年１１月５日に意見書が提出されたものである。
２　本願発明
　本願に係る発明は，平成２７年１月９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層と，下部発光層と，上部発光層と，ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える窒化物半導体発光素子であって，
　前記下部発光層は，複数の下部井戸層と該下部井戸層に挟まれ該下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものであり，
　前記上部発光層は，複数の上部井戸層と該上部井戸層に挟まれ該上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものであり，
　前記上部発光層における前記上部バリア層の厚さは，前記下部発光層における前記下部バリア層の厚さよりも薄く，
　前記下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度は，前記上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度より高いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
３　刊行物に記載された発明
（１）引用例１：　特開２００９−１０５４２３号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００９−１０５４２３号公報（以下「引用例１」という。）には以下の記載がある（下線は当審で付加。以下同様。）。
ア「【請求項１】
　基板と，その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体からなる障壁層及びインジウム含有III族窒化物半導体からなる井戸層を備えた多重量子井戸構造の発光層とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において，
　上記多重量子井戸構造の発光層は，
　井戸層と障壁層とからなる単位重層部分を積層させてなる重層部を，複数積層して構成され，
　上記重層部の単位重層部分はその井戸層同士，また障壁層同士の層厚が同一であり，
　上記重層部同士は，単位重層部分の障壁層が互いに層厚を異にしており，
　上記重層部をなす単位重層部分の総数が発光層全体で４以上で３０以下であり，そのうちの最も薄い障壁層を有する単位重層部分からなる重層部での単位重層部分の数が２以上で２０以下である，
　ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。」
イ「【０００１】
　本発明は，基板と，その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体材料からなる障壁層及びインジウム含有III族窒化物半導体からなる井戸層を備えた多重量子井戸構造の発光層とを具備したIII族窒化物半導体発光素子に関する。」
ウ「【０００８】
　上記目的を達成するための本発明は，（ａ）基板と，その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体からなる障壁層及びインジウム含有III族窒化物半導体からなる井戸層を備えた多重量子井戸構造の発光層とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において，上記多重量子井戸構造の発光層は，井戸層と障壁層とからなる単位重層部分を積層させてなる重層部を，複数積層して構成され，上記重層部の単位重層部分はその井戸層同士，また障壁層同士の層厚が同一であり，上記重層部同士は，単位重層部分の障壁層が互いに層厚を異にしており，上記重層部をなす単位重層部分の総数が発光層全体で４以上で３０以下であり，そのうちの最も薄い障壁層を有する単位重層部分からなる重層部での単位重層部分の数が２以上で２０以下である，ことを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子である。
　また，（１）第１の発明は，基板と，その基板の表面上に設けたIII族窒化物半導体からなる障壁層及びインジウム含有III族窒化物半導体からなる井戸層を備えた多重量子井戸構造の発光層とを具備したIII族窒化物半導体発光素子において，上記多重量子井戸構造の発光層は，井戸層と障壁層とからなる単位重層部分を１つ有してなるか，またはその単位重層部分を２以上積層させてなる重層部を，複数積層して構成され，上記重層部の単位重層部分が２以上の場合はその井戸層同士，また障壁層同士は層厚と組成がそれぞれ同一であり，上記重層部同士は，単位重層部分の障壁層が互いに層厚を異にしている，ことを特徴としている。」
エ「【００１３】
　本発明によれば，井戸層と障壁層とからなる単位重層部分を１または２以上積層させてなる重層部を，複数積層して多重量子井戸構造の発光層を構成し，
重層部同士においては，単位重層部分の障壁層が互いに層厚を異なるようにした。井戸層から出射される光（電子波）は，障壁層の層厚が薄い程透過しやすくなるので，障壁層の層厚を薄くすることにより，井戸層から出射される多波長の光強度を広い波長範囲にわたって引き上げることができる
オ「【００１８】
　図１は本発明に係る重層部の積層関係を示す模式図である。図１に例示する本発明に係る多重量子井戸構造の発光層１０は，重層部１１，１２を積層して構成される。重層部１１は，井戸層１１ａと障壁層１１ｂとからなる単位重層部分１１ｍを１つ有してなる。重層部１２は，井戸層１２ａと障壁層１２ｂとからなる単位重層部分１２ｍを２つ積層させて構成され，その２つの単位重層部分１２ｍを構成する井戸層１２ａ同士，また障壁層１２ｂ同士は，層厚と組成がそれぞれ同一のものである。そして，重層部１１の障壁層１１ｂの層厚ｔ１と，重層部１２の障壁層１２ｂの層厚ｔ２とは，互いに異なっている。
【００１９】
　・・・（中略）・・・
【００２３】
　図２は本発明に係る発光層の構成例を示す断面模式図である。図２において，基板１上の発光層１０は，重層部１１と重層部１２とから構成され，重層部１１は５つの単位重層部分１１ｍからなり，重層部１２も５つの単位重層部分１２ｍからなっている。
【００２４】
　重層部１１の単位重層部分１１ｍは，層厚を１０ｎｍとする障壁層１１ｂと，その障壁層１１ｂ上に接合された層厚を２ｎｍとする井戸層１１ａとから構成されている。この井戸層１１ａの組成は，Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎである。
【００２５】
　また，重層部１２の単位重層部分１２ｍは，層厚を４ｎｍとする障壁層１２ｂと，その障壁層１２ｂ上に接合された井戸層１２ａとから構成され，井戸層１２ａの層厚と組成は，井戸層１１ａと同一にしてある。」
カ「【００３８】
　これらの気相成長手段に於いて，
障壁層または井戸層の伝導形の制御や導電率を調整するための不純物を故意に添加するドーピング手段を採用できる。
キ「【００４２】
　以下，本発明に係るIII族窒化物半導体発光素子を第１乃至第４実施例により説明する。第１実施例では，井戸層の組成と障壁層の層厚とを共に異にする重層部からなる多重量子井戸構造の発光層を備えたIII族窒化物半導体ＬＥＤについて，図７乃至図９を参照して説明する。
【００４３】
　（第１実施例）　
図７は第１実施例の発光層を備えたIII族窒化物半導体発光素子の構造を示す断面模式図である。図８はその発光層の構成を示す断面模式図である。
【００４４】
　
III族窒化物半導体発光素子１００Ａ
【００４５】
　ｎ形クラッド層１０４を形成した後，その積層構造体を室温近傍の温度迄，ＭＢＥ装置内で冷却した。然る後，ＭＢＥ装置から，その積層構造体を取り出し，一般的なＭＯＣＶＤ装置内に搬送した。
【００４６】
　その後，水素雰囲気中で，基板１０１の温度を７００℃とした時点で，
層厚を８ｎｍとするｎ形ＧａＮからなる障壁層１１０ｂと，層厚を２ｎｍとする井戸層１１０ａとからなる単位重層部分１１０ｍ
この単位重層部分１１０ｍをさらに積層させて２つ形成し，重層部１１０とした。重層部１１０の各井戸層１１０ａは，何れもｎ形Ｇａ
0.75
Ｉｎ
0.25
Ｎ層から構成した
【００４７】
　
重層部１１０上には，層厚を６ｎｍとするｎ形ＧａＮ層からなる障壁層１２０ｂと，層厚を２ｎｍとする井戸層１２０ａとからなる単位重層部分１２０ｍ
３つ，順次ＭＯＣＶＤ法により７００℃で堆積し，重層部１２０とした
別の重層部１２０の井戸層１２０ａは，上記の重層部１１０の井戸層１１０ａとは異なり，何れもｎ形Ｇａ
0.85
Ｉｎ
0.15
Ｎ層から構成した。重層部１１０と別の重層部１２０との合計５つの単位重層部分１１０ｍ，１２０ｍを積層させて多重量子井戸構造の発光層１００を構成した（図８参照）
【００４８】
　このような，より薄い層厚の障壁層を有する単位重層部分の積層数の総和をより多くした発光層１００からの室温でのフォトルミネッセンススペクトルを図９に示す。発光が生ずる波長の範囲は，３７３ｎｍから７５０ｎｍに至る広範囲に及んでいた。
【００４９】
　このように，様々な波長の光が同時に得られることに因り，発光層１００から放射される発光色は混色に因り，目視で白色であった。すなわち，例えば，青色と黄色との組み合わせなどの補色の関係の２色を放射するために，また光の三原色の各色を放射するために，各色に対応する発光層を異なる化合物半導体材料から別個に形成しなくとも，本発明に係る構成からなる多重量子井戸構造を用いれば，数的に単独ながら，白色光を放射する発光層を，同種のIII族窒化物半導体材料から形成できることが示された。
【００５０】
　発光層１００を形成した後，ＭＯＣＶＤ装置内で，室温近傍の温度に冷却した。然る後，今度はＭＯＣＶＤ装置から，発光層１００の形成を終了した積層構造体１００Ｂを取り出し，その後，窒素プラズマＭＢＥ装置内に搬送した。そして，基板１０１の温度を７８０℃として，多重量子井戸構造の発光層１００の表層をなす井戸層１２０ａ上に，ｐ形ＧａＮからなるｐ形クラッド層１０６を堆積した。これより，
ｎ形ＧａＮクラッド層１０４とｐ形ＧａＮクラッド層１０６との間にｎ形発光層１００を挟んだ構造のｐｎ接合型発光部を備えた発光素子１００Ａ
【００５１】
　積層構造体１００Ｂの一端のｎ形オーミック電極１０７を形成する領域に在るｐ形ＧａＮクラッド層１０６及び発光層１００を一般的なドライエッチング法により除去し，発光層１００の下地層であるｎ形ＧａＮクラッド層１０４の表面を露出させた。次に，その露出させたｎ形ＧａＮクラッド層１０４の表面に，ｎ形オーミック電極１０７を形成した。他方，ｐ形オーミック電極１０８は，ｐ形ＧａＮクラッド層１０６の表面の一部に形成し，その後，個別の素子（チップ）に分割して，一辺の長さを３５０μｍとする発光素子１００Ａを作製した。
【００５２】
　発光素子１００Ａの順方向電流を２０ｍＡとした際の順方向電圧（Ｖｆ）は３．５Ｖであった。また，順方向に５０ｍＡの電流を通流した際には，チップ（ｃｈｉｐ）状態の発光素子１００Ａの発光層の全面から目視で青色を帯びた白色光が出射された。これより，本第１実施例に記載の多重量子井戸構造の発光層を用いれば，波長を相違する発光を同時に放射できるため，数的に単一な量子井戸構造の発光層であっても，白色光を出射できる発光素子を簡便に作製できることが示された。」
ク　また，図７及び図８は以下のものである。
【図７】
【図８】
ケ　ここで，上記キの段落【００４６】における「層厚を８ｎｍとするｎ形ＧａＮからなる障壁層１１０ｂと，層厚を２ｎｍとする井戸層１１０ａとからなる単位重層部分１１０ｍを，ｎ形クラッド層１０４上に形成した。この単位重層部分１１０ｍをさらに積層させて２つ形成し，重層部１１０とした。重層部１１０の各井戸層１１０ａは，何れもｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎ層から構成した。」との記載から，重層部１１０は，ｎ形ＧａＮからなる層厚が８ｎｍの障壁層１１０ｂと，ｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎからなる層厚が２ｎｍとする井戸層１１０ａとからなる単位重層部分を２つ備えることは明らかである。
　また，上記キの段落【００４７】における「層厚を６ｎｍとするｎ形ＧａＮ層からなる障壁層１２０ｂと，層厚を２ｎｍとする井戸層１２０ａとからなる単位重層部分１２０ｍを，３つ，順次ＭＯＣＶＤ法により７００℃で堆積し，重層部１２０とした。・・・。別の重層部１２０の井戸層１２０ａは，上記の重層部１１０の井戸層１１０ａとは異なり，何れもｎ形Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ層から構成した。」との記載から，重層部１２０は，ｎ形ＧａＮからなる層厚が６ｎｍの障壁層１２０ｂと，ｎ形Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎからなる層厚が２ｎｍの井戸層１２０ａとからなる単位重層部分を３つ備えることは明らかである。
コ　以上から，引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ｎ形ＧａＮクラッド層１０４とｐ形ＧａＮクラッド層１０６との間にｎ型発光層１００を挟んだ構造のｐｎ接合型発光部を備えたIII族窒化物半導体発光素子１００Ａであって，
　発光層１００は，
　ｎ形ＧａＮからなる層厚が８ｎｍの障壁層１１０ｂと，ｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎからなる層厚が２ｎｍとする井戸層１１０ａとからなる単位重層部分を２つ備える重層部１１０と，
　重層部１１０上の，ｎ形ＧａＮからなる層厚が６ｎｍの障壁層１２０ｂと，ｎ形Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎからなる層厚が２ｎｍの井戸層１２０ａとからなる単位重層部分を３つ備える重層部１２０とからなる，
　III族窒化物半導体発光素子」
（２）引用例２：　特開２００５−５７３０８号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００５−５７３０８号公報（以下「引用例２」という。）には以下の記載がある
ア「【０００１】
　本発明は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ），太陽電池，光センサー等の発光素子，受光素子，あるいはトランジスタ，パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体（例えば，ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら，上記従来の素子をＬＥＤ素子として，照明用光源，直射日光の当たる屋外ディスプレイ等に使用するためには発光出力が十分満足できるものでない。このように多重量子井戸構造の活性層は，発光出力の飛躍的な向上が考えられるが，その予想される可能性を十分に発揮させ難い。これは従来の窒化物半導体素子はｎ型窒化物半導体からドナーが，またｐ型窒化物半導体からアクセプタが活性層に供給され，これらが再結合することで発光が起こる。しかし，この発光は活性層中のｐ層側近くで起こるため，ｐ層からアクセプタは十分に供給されるが，ｎ層からのドナーの供給は十分とはいえないことも理由の１つといえる。
【０００５】
　そこで本発明の目的は，量子井戸構造の活性層を用い，種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため，発光出力の高い窒化物半導体素子を提供することである。」
イ「【０００６】
　即ち，本発明は，下記（ａ）〜（ｇ）の構成により本発明の目的を達成することができる。
（ａ）ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に，量子井戸からなりｎ型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において，前記活性層に含まれるｎ型不純物濃度はｎ層側の方がｐ層側よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。
【０００７】
　（ｂ）
ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に，多重量子井戸からなりｎ型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において，前記活性層は層の総数をｉ層とした場合，次の（１）式を満たすｎ型窒化物半導体に接する層から数えてｊ層までのいずれかにｎ型不純物が含まれていることを特徴とする前記（ａ）に記載の窒化物半導体素子
ｊ＝ｉ／６＋２（但しｉ≧４，ｊは少数以下を切り捨てた整数）・・・（１）
【０００８】
　（ｃ）前記ｎ型不純物が含まれている位置は，活性層中の井戸層であることを特徴とする前記（ａ）乃至（ｂ）のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【０００９】
　（ｄ）前記ｎ型不純物が含まれている位置は活性層中の障壁層であることを特徴とする前記（ａ）乃至（ｂ）のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【００１０】
　（ｅ）前記ｎ型不純物が含まれている位置は活性層中の井戸層と障壁層の両方であることを特徴とする前記（ａ）乃至（ｂ）のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【００１１】
　（ｆ）前記ｎ型不純物はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎの中の少なくとも１種であることを特徴とする前記（ａ）乃至（ｅ）のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【００１２】
　（ｇ）前記ｎ型不純物はＳｉであることを特徴とする前記（ａ）乃至（ｅ）のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【００１３】
　つまり，本発明は
井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のｎ層側にｎ型不純物をドープする。このｎ型不純物により，活性層はｎ層からのドナーの供給が補われ，発光出力の高い窒化物半導体素子が得られる
前記（１）式をみたす層までｎ型不純物をドープすることで発光出力の高い窒化物半導体素子を得ることが可能となった。このｎ型不純物が含まれる層が（１）式の範囲を超えると，その層やその上に積層する層の結晶性が悪くなり，発光出力も悪くなってしまう
【００１４】
　また，本発明においてｎ型不純物を含む層とは，基本的にはｎ型不純物が意図的にドープされた層であるが，例えば隣りあった層や別の層に含まれるｎ型不純物が拡散することによって含まれた層や，原料または装置からのコンタミネーションにより不純物が混入した層もそれに含む。特に拡散により混入するｎ型不純物は層内において不純物濃度に勾配がついている場合もある。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のｎ層側にｎ型不純物としてＳｉをドープし，またそのドープする層を限定することで，ｎ層からのドナーの供給を補うことができ，発光出力の高い窒化物半導体素子を得ることが可能となった。」
ウ「【００２７】
以下に本発明の一実施の形態である実施例を示す。しかし，本発明はこれに限定されない。
［実施例１］図１を元に実施例１について説明する。
【００２８】
　（基板１）サファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし，水素を流しながら，基板の温度を１０５０℃まで上昇させ，基板のクリーニングを行う。この基板１としてはその他にＲ面またはＡ面を主面とするサファイア基板，スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）のような絶縁性基板，ＳｉＣ（６Ｈ，４Ｈ，３Ｃを含む），Ｓｉ，ＺｎＯ，ＧａＡｓ，ＧａＮ等の半導体基板などでも良い。
【００２９】
　（バッファ層２）続いて，温度を５１０℃まで下げ，キャリアガスに水素，原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い，基板１上にＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。なおこの低温で成長させる第１のバッファ層２は基板の種類，成長方法等によっては省略できる。また，このバッファ層はＡｌの割合の小さいＡｌＧａＮを用いることもできる。
【００３０】
　・・・（中略）・・・
【００３２】
　（ｎ型第１多層膜層５）次にシランガスのみを止め，１０５０℃で，ＴＭＧ，アンモニアガスを用い，アンドープＧａＮからなる下層５ａを３０００オングストロームの膜厚で成長させ，続いて同温度にてシランガスを追加しＳｉを４．５×１０18／ｃｍ3ドープしたＧａＮからなる中間層５ｂを３００オングストロームの膜厚で成長させ，更に続いてシランガスのみを止め，同温度にてアンドープＧａＮからなる上層５ｃを５０オングストロームの膜厚で成長させ，３層からなる総膜厚２３５０オングストロームのｎ型第１多層膜層５を成長させる。
【００３３】
　（ｎ型第２多層膜層６）次に，同様の温度で，アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０オングストローム成長させ，次に温度を８００℃にして，ＴＭＧ，ＴＭＩ，アンモニアを用い，アンドープＩｎ0.13Ｇａ0.87Ｎよりなる第１の窒化物半導体層を２０オングストローム成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し，第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ，最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０オングストローム成長さた超格子構造の多層膜よりなるｎ型第２多層膜層６を６４０オングストロームの膜厚で成長させる。
【００３４】
　
（活性層７）次にＴＭＧ，アンモニアを用いアンドープのＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長させ，続いて温度を８００℃にして，さらにＴＭＧ，ＴＭＩ，アンモニア，シランガスを用いＳｉを５×１０
17
／ｃｍ
3
ドープしたＩｎ
0.3
Ｇａ
0.7
Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。さらにアンドープのＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームと，Ｓｉを５×１０
17
／ｃｍ
3
ドープしたＩｎ
0.3
Ｇａ
0.7
Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で成長させ，アンドープからなる障壁層を１６層，最初の３層のみＳｉがドープされ，残りの１２層はアンドープからなる井戸層１５層を交互に積層して，総数３１層，総膜厚３６５０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる
【００３５】
　（ｐ型多層膜層８）次に，温度１０５０℃でＴＭＧ，ＴＭＡ，アンモニア，Ｃｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い，Ｍｇを５×１０19／ｃｍ3ドープしたｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜厚で成長させ，続いて温度を８００℃にして，ＴＭＧ，ＴＭＩ，アンモニア，Ｃｐ2Ｍｇを用いＭｇを５×１０19／ｃｍ3ドープしたＩｎ0.02Ｇａ0.98Ｎよりなる第４の窒化物半導体層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し，第３＋第４の順で交互に５層ずつ積層し，最後に第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるｐ型多層膜層８を３６５オングストロームの膜厚で成長させる。
【００３６】
　・・・（中略）・・・
【００３９】
　エッチング後，最上層にあるｐ型コンタクト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極１０と，エッチングにより露出させたｎ型コンタクト層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ電極１１を形成してＬＥＤ素子とした。
【００４０】
　このＬＥＤ素子は順方向電圧２０ｍＡにおいて，４７０ｎｍの青色発光を示し，Ｖfは３．４Ｖ，発光出力は６．５ｍＷであった。」
エ　また，図１は以下のものである。
オ　以上から，引用例２（特に段落【０００７】及び【００１３】）には，以下（ア）及び（イ）の事項が記載されているといえる。
（ア）ｎ型窒化物半導体とｐ型窒化物半導体との間に，多重量子井戸からなりｎ型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において，前記活性層は層の総数をｉ層とした場合，次の（１）式を満たすｎ型窒化物半導体に接する層から数えてｊ層までのいずれかにｎ型不純物が含まれていることを特徴とする窒化物半導体素子。
ｊ＝ｉ／６＋２（但しｉ≧４，ｊは少数以下を切り捨てた整数）・・・（１）
（イ）上記構成により，井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のｎ層側にｎ型不純物をドープし，このｎ型不純物により，活性層はｎ層からのドナーの供給が補われ，発光出力の高い窒化物半導体素子が得られる。前記（１）式をみたす層までｎ型不純物をドープすることで発光出力の高い窒化物半導体素子を得ることが可能となった。このｎ型不純物が含まれる層が（１）式の範囲を超えると，その層やその上に積層する層の結晶性が悪くなり，発光出力も悪くなってしまう。
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の，「ｎ形ＧａＮからなる層厚が８ｎｍの障壁層１１０ｂと，ｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎからなる層厚が２ｎｍとする井戸層１１０ａとからなる単位重層部分を２つ備える重層部１１０」は，本願発明の，「前記下部発光層」であって「複数の下部井戸層と該下部井戸層に挟まれ該下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたもの」に相当する。
（２）引用発明の，「重層部１１０上の，ｎ形ＧａＮからなる層厚が６ｎｍの障壁層１２０ｂと，ｎ形Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎからなる層厚が２ｎｍの井戸層１２０ａとからなる単位重層部分を３つ備える重層部１２０」は，本願発明の，「前記上部発光層」であって「複数の上部井戸層と該上部井戸層に挟まれ該上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたもの」に相当する。
（３）引用発明においては，「発光層１００は，・・・重層部１１０と，・・・重層部１２０とからなる」から，引用発明の「ｎ形ＧａＮクラッド層１０４とｐ形ＧａＮクラッド層１０６との間にｎ型発光層１００を挟んだ構造のｐｎ接合型発光部を備えたIII族窒化物半導体発光素子１００Ａ」は，本願発明の「ｎ型窒化物半導体層と，下部発光層と，上部発光層と，ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える窒化物半導体発光素子」に相当する。
（４）引用発明においては，「重層部１１０」が「層厚が８ｎｍの障壁層１１０ｂ」を備え，「重層部１２０」が「層厚が６ｎｍの障壁層１２０ｂ」を備えるから，当該構成は，本願発明の「前記上部発光層における前記上部バリア層の厚さは，前記下部発光層における前記下部バリア層の厚さよりも薄」いことに相当する。
（５）引用発明においては，「重層部１１０」は「ｎ形ＧａＮからなる」「障壁層１１０ｂ」と「ｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎからなる」「井戸層１１０ａ」とを備え，「重層部１２０」は「ｎ形ＧａＮからなる」「障壁層１２０ｂ」と「ｎ形Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎからなる」「井戸層１２０ａ」とを備えることから，「重層部１１０」及び「重層部１２０」のいずれについても，平均してｎ型にドーピングされ，これに伴い，平均したｎ型ドーピング濃度を備えていることは明らかである。よって，引用発明の上記構成と，本願発明の「前記下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度は，前記上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度より高いこと」とは，「前記下部発光層，及び前記上部発光層は，それぞれ平均ｎ型ドーピング濃度を有する」点で一致する。
（６）よって，本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
「ｎ型窒化物半導体層と，下部発光層と，上部発光層と，ｐ型窒化物半導体層とをこの順に備える窒化物半導体発光素子であって，
　前記下部発光層は，複数の下部井戸層と該下部井戸層に挟まれ該下部井戸層よりバンドギャップの大きい下部バリア層とが交互に積層されたものであり，
　前記上部発光層は，複数の上部井戸層と該上部井戸層に挟まれ該上部井戸層よりバンドギャップの大きい上部バリア層とが交互に積層されたものであり，
　前記上部発光層における前記上部バリア層の厚さは，前記下部発光層における前記下部バリア層の厚さよりも薄く，
　前記下部発光層，及び前記上部発光層は，それぞれ平均ｎ型ドーピング濃度を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。」
（７）一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点》
　本願発明は，「前記下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度は，前記上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度より高い」構成を備えるのに対して，引用発明は，「前記下部発光層，及び前記上部発光層は，ｎ型にドーピングされている」ことに対応する構成は備えるものの，「前記下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度は，前記上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度より高い」構成までは備えない点。
５　検討
　上記相違点について検討する。
（１）引用発明においては，重層部１１０の障壁層１１０ｂはｎ形ＧａＮからなり，井戸層１１０ａはｎ形Ｇａ0.75Ｉｎ0.25Ｎからなり，重層部１２０の障壁層１２０ｂはｎ形ＧａＮからなり，井戸層１２０ａはｎ形Ｇａ0.85Ｉｎ0.15Ｎからなるものである。ここで，前記３（１）カに摘記したとおり，引用例１には，「【００３８】これらの気相成長手段に於いて，障壁層または井戸層の伝導形の制御や導電率を調整するための不純物を故意に添加するドーピング手段を採用できる。」との記載があるから，前記各障壁層１１０ｂ，１２０ｂ及び前記各井戸層１１０ａ，１２０ａにおいてドーピングされる不純物の濃度は，当業者が適宜に調整できるものといえる。
　一方，前記３（２）オに記載のとおり，引用例２には，多重量子井戸からなりｎ型不純物を含む活性層を有する窒化物半導体素子において，前記活性層は層の総数をｉ層とした場合，
ｊ＝ｉ／６＋２（但しｉ≧４，ｊは少数以下を切り捨てた整数）
との式を満たすｎ型窒化物半導体に接する層から数えてｊ層までのいずれかにｎ型不純物が含まれているものとして，発光出力の高い窒化物半導体素子を得るとともに，ｎ型不純物が含まれる層が上記式の範囲を超えて，その層やその上に積層する層の結晶性が悪くなり，発光出力も悪くなってしまうことが示されている。
　ここで，引用発明を見ると，発光層１００は，障壁層１１０ｂと井戸層１１０ａとからなる単位重層部分を２つ備える重層部１１０と，重層部１１０上の，障壁層１２０ｂと井戸層１２０ａとからなる単位重層部分を３つ備える重層部１２０とからなるところ，各重層部１１０，１２０は量子井戸構造が連続的に形成されたものであるから，重層部１１０における結晶性の良否が，重層部１２０の結晶性に影響を及ぼすことは明らかである。
　それゆえ，引用発明において，前記重層部１２０における結晶性の劣化を防ぐために，前記引用例２に記載された技術を適用して，重層部１１０及び重層部１２０を合わせた構造について，上記引用例２に係る式によりｎ型不純物を含めない層とされる部分についてはｎ型不純物を含めないものとし，残りの部分についてはｎ型不純物を含むものとして構成することは，当業者が適宜になし得たことである。この際，重層部１２０の上方はｎ型不純物が含まれないから，重層部１１０における平均ｎ型ドーピング濃度が，重層部１２０における平均ｎ型ドーピング濃度よりも高くなり，相違点に係る，「前記下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度は，前記上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度より高い」構成を備えるものとなることは明らかである。
（２）本願明細書には，本願発明が「前記下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度は，前記上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度より高い」構成を備えることの作用効果に関して，「【００３１】下部発光層は，上部発光層に対するｎ型キャリア注入層としても働くため，下部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度を上部発光層の平均ｎ型ドーピング濃度よりも高くすることで，電子の移動が容易になり，その部分の電気抵抗が低減し，駆動電圧を低減できる。」及び「【００７９】また，本実施形態に係る窒化物半導体発光素子１では，好ましくは，下部発光層１３の平均ｎ型ドーピング濃度が上部発光層１５の平均ｎ型ドーピング濃度よりも高い。そのため，下部発光層１３における直列抵抗成分の低下を図ることができ，窒化物半導体発光素子１を大電流で駆動させても動作電圧の上昇を防止できる。」と記載されてはいる。しかしながら，引用例２には，前記３（２）オ（イ）に記載したとおり，「井戸層と障壁層との多重量子井戸からなる活性層のｎ層側にｎ型不純物をドープし，このｎ型不純物により，活性層はｎ層からのドナーの供給が補われ，発光出力の高い窒化物半導体素子が得られる」との作用効果が記載されており，ここで，「ドナーの供給が補われ」ることに伴い電気抵抗が低減されることが明らかであることに照らせば，本願発明の上記作用効果は，引用例２に記載されている上記作用効果に比して格別なものとはいえない。
（３）なお，請求人は，平成２７年１１月５日に提出した意見書において，「本願発明は多色発光ＬＥＤではなく単色発光ＬＥＤです」とし，引用発明は本願発明とは異なる旨を主張する。しかしながら，本願の特許請求の範囲の請求項１には，本願発明が単色発光ＬＥＤである旨の特定はなく，しかも，本願明細書の段落【００６９】には，本願発明に関して「各上部井戸層１５Ｂの厚さは，限定されないが，各下部井戸層１３Ｂの厚さと同じであることがさらに好ましい。
下部井戸層１３Ｂの厚さと上部井戸層１５Ｂの厚さが同じであれば，各井戸層における電子とホールとの再結合により各井戸層において同じ波長で発光
意図的に上部井戸層１５Ｂの厚さを下部井戸層１３Ｂの厚さとは異ならせる
ことにより，窒化物半導体発光素子１の発光スペクトル幅をブロードにすることもできる
　（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用例２に記載された事項を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。