【手続補正書】
【提出日】令和1年12月24日(2019.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、集積回路（「ＩＣ」）メモリ要素であって、
前記ＩＣメモリ要素の記憶場所のバンクに関連付けられた記憶動作コマンドを受信することと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられたデータに対するページレジスタ内の記憶場所を判定することによって、記憶場所の前記バンク上で実行するための前記記憶動作コマンドを待ち行列に入れることであって、前記ページレジスタ内の前記記憶場所が前記ページレジスタ内の利用可能な記憶場所のサブセットを含む、待ち行列に入れることと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられたデータを、前記ページレジスタ内の前記判定された記憶場所に記憶することと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられた前記データに対する、前記ページレジスタ内の前記記憶場所に、１つ以上のポインタを維持することと、
を行うように構成された集積回路メモリ要素を備えており、
前記１つ以上のポインタが、前記ＩＣメモリ要素に書き込まれるように待ち行列に入れられたが、前記ＩＣメモリ要素への書き込みが不成功であったデータに対する記憶場所へのポインタを含む、装置。
【請求項２】
前記ＩＣメモリ要素が、前記ポインタが失敗したデータを指定していることを示す不成功ビットを設定するように更に構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記記憶動作コマンドが、プログラムコマンドのうちの１つを含み、前記プログラムコマンドが、プログラムフラッシュコマンド、拡張バッファフラッシュコマンド、及びリフレッシュフラッシュコマンドのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上のポインタが、
現在のプログラム動作のデータに対する記憶場所へのポインタと、
待ち行列に入れられたプログラム動作のデータに対する記憶場所へのポインタと、
読み取り動作のデータに対する記憶場所へのポインタと、を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ＩＣメモリ要素が、前記不成功ビットをリセットし、正常に書き込まれなかった前記データに続く正常な書き込みに応答して、前記ポインタを無効な場所に方向付けするように更に構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記ＩＣメモリ要素が、再試行の所定の閾値数が満たされるまで、前記ポインタによって指定された前記データを、不成功の書き込みに続けて前記ＩＣメモリ要素に書き込むことを再試行するように更に構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ＩＣメモリ要素が、再試行及びリフレッシュ記憶動作コマンドのうちの１つを受信することに応答して、前記ポインタによって指定された前記データを前記ＩＣメモリ要素に書き込むことを再試行するように更に構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ＩＣメモリ要素が、前記ポインタに関連付けられた前記記憶場所で前記ページレジスタ内に記憶されたデータが有効であるかどうかを示す、各ポインタに関連付けられた有効性ビットを維持するように更に構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ＩＣメモリ要素が、前記ページレジスタの記憶場所の複数のサブセットに対応する複数の記憶場所のバンクを含み、前記ＩＣメモリ要素が、前記ページレジスタの前記複数のサブセット内に記憶されたデータを使用して、前記複数の記憶場所のバンクに関連付けられた複数の記憶動作コマンドを同時に実行する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＩＣメモリ要素が、
読み取りポインタを、読み取りコマンドのデータに対する前記ページレジスタの記憶場所に方向付けることと、
前記ＩＣメモリ要素の第１のバンク上で前記読み取りコマンドを実行することと、
書き込みポインタを、前記読み取りコマンドの前記データに対する前記ページレジスタの前記記憶場所に再度方向付けることと、
前記読み取りコマンドの前記データを、前記ＩＣメモリ要素の第２のバンクに書き込むことと、を行うように更に構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
システムであって、
ページバッファを含む、不揮発性メモリ媒体と、
コントローラであって、
前記不揮発性メモリ媒体のための複数の記憶動作コマンドを受信することであって、前記複数の記憶動作コマンドのうちの１つの記憶動作コマンドが、前記不揮発性メモリ媒体の複数のサブアレイのうちの１つのサブアレイに対するものである、受信することと、
前記複数の記憶動作コマンドに関連付けられたデータを同時に記憶するために、前記ページバッファ内の記憶場所を判定することと、
前記少なくとも２つの記憶動作コマンドに関連付けられた前記ページバッファ内に記憶されたデータを使用して、前記複数の記憶動作コマンドのうちの少なくとも２つを同時に実行することと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられた前記データに対する前記ページバッファ内の記憶場所への１つ以上の参照を維持することと、を行うように構成されており、
前記１つ以上の参照が、
前記不揮発性メモリ媒体のサブアレイに書き込まれるように待ち行列に入れられ、前記不揮発性メモリ媒体の前記サブアレイへの書き込みが不成功であったデータに対する記憶場所への参照と、を含んでおり、
前記コントローラが、再試行及びリフレッシュ記憶動作コマンドのうちの１つを受信することに応答して、前記不成功の参照によって指定された前記データを書き込むことを再試行するように更に構成されている、システム。
【請求項１２】
前記コントローラが、処理されている現在の記憶動作コマンドに応答して実行するための記憶動作コマンドを待ち行列に入れるように更に構成され、前記待ち行列に入れられた記憶動作コマンドに対するデータが、前記現在の記憶動作が実行されている前記不揮発性メモリ媒体のサブアレイに関連付けられている前記ページバッファの記憶場所内に記憶されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記コントローラが、前記不成功の参照が不成功のデータを指定したことを示す不成功ビットを設定するように更に構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記複数の記憶動作コマンドが、プログラムコマンドのうちの１つ以上を含み、前記プログラムコマンドが、プログラムフラッシュコマンド、拡張バッファフラッシュコマンド、及びリフレッシュフラッシュコマンドのうちの１つ以上を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記１つ以上の参照が、
現在のプログラム動作のデータに対する記憶場所への参照と、
待ち行列に入れられたプログラム動作のデータに対する記憶場所への参照と、
読み取り動作のデータに対する記憶場所への参照と、を含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記コントローラが、前記不成功のデータの正常な書き込みに応答して、前記不成功ビットをリセットするように更に構成されている、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記コントローラが、所定の再試行の閾値数が満たされるまで、前記不成功の参照によって指定された前記データを書き込むことを再試行するように更に構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記コントローラが、失敗した前記データの前記正常な書き込みに応答して、前記不成功のポインタが無効な場所を指定するように方向付けするように更に構成されている、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１９】
前記コントローラが、参照に関連付けられた前記記憶場所で前記ページバッファ内に記憶された前記データが有効であるかどうかを示す、各参照に関連付けられた有効性ビットを維持するように更に構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
装置であって、
不揮発性記憶デバイスの複数のサブアレイに関連付けられた複数の記憶動作コマンドを、前記不揮発性記憶デバイスのページレジスタを使用して、バッファリングするための手段と、
前記ページレジスタ内に前記複数の記憶動作コマンドに対するデータを記憶するための手段であって、前記複数の記憶動作コマンドの各々に対するデータが前記ページレジスタ内に同時に記憶されるように、前記記憶動作コマンドの各々に対するデータが、前記ページレジスタのページサイズよりも小さい、手段と、
前記複数の記憶動作コマンドの少なくとも１つのサブセットに対して、前記ページレジスタ内に記憶された前記データを同時に処理するための手段と、
前記複数のサブアレイのサブアレイに書き込まれるように待ち行列に入れられ、前記サブアレイへの書き込みが失敗したデータに対する前記ページレジスタ内の記憶場所への不成功の参照を維持する手段と、
再試行コマンドを受信したことに応答して、前記不成功の参照によって指定された前記データを書き込むことを再試行する手段と、を備える、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本開示は、その趣旨又は本質的な特徴から逸脱することなく、他の特定の形態で具現化されてもよい。記載された実施形態は、全ての点において、例示的なものに過ぎず、限定的ではないと見なされるべきである。したがって、本開示の範囲は、前述の説明ではなく、添付の特許請求の範囲によって示される。特許請求の範囲の意味及び等価範囲内に含まれる全ての変更は、それらの範囲内に包含されるものとする。
以下の項目は、国際出願時の特許請求の範囲に記載の要素である。
（項目１）
装置であって、集積回路（「ＩＣ」）メモリ要素であって、
前記ＩＣメモリ要素の記憶場所のバンクに関連付けられた記憶動作コマンドを受信することと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられたデータに対するページレジスタ内の記憶場所を判定することによって、記憶場所の前記バンク上で実行するための前記記憶動作コマンドを待ち行列に入れることであって、前記ページレジスタ内の前記記憶場所が前記ページレジスタ内の利用可能な記憶場所のサブセットを含む、待ち行列に入れることと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられたデータを、前記ページレジスタ内の前記判定された記憶場所に記憶することと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられた前記データに対する、前記ページレジスタ内の前記記憶場所に、１つ以上のポインタを維持することと、
を行うように構成された集積回路メモリ要素を備えており、
前記１つ以上のポインタが、前記ＩＣメモリ要素に書き込まれるように待ち行列に入れられたが、前記ＩＣメモリ要素への書き込みが不成功であったデータに対する記憶場所へのポインタを含む、装置。
（項目２）
前記ＩＣメモリ要素が、前記ポインタが失敗したデータを指定していることを示す不成功ビットを設定するように更に構成されている、項目１に記載の装置。
（項目３）
前記記憶動作コマンドが、プログラムコマンドのうちの１つを含み、前記プログラムコマンドが、プログラムフラッシュコマンド、拡張バッファフラッシュコマンド、及びリフレッシュフラッシュコマンドのうちの１つ以上を含む、項目１に記載の装置。
（項目４）
前記１つ以上のポインタが、
現在のプログラム動作のデータに対する記憶場所へのポインタと、
待ち行列に入れられたプログラム動作のデータに対する記憶場所へのポインタと、
読み取り動作のデータに対する記憶場所へのポインタと、を含む、項目１に記載の装置。
（項目５）
前記ＩＣメモリ要素が、前記不成功ビットをリセットし、正常に書き込まれなかった前記データに続く正常な書き込みに応答して、前記ポインタを無効な場所に方向付けするように更に構成されている、項目２に記載の装置。
（項目６）
前記ＩＣメモリ要素が、再試行の所定の閾値数が満たされるまで、前記ポインタによって指定された前記データを、不成功の書き込みに続けて前記ＩＣメモリ要素に書き込むことを再試行するように更に構成されている、項目１に記載の装置。
（項目７）
前記ＩＣメモリ要素が、再試行及びリフレッシュ記憶動作コマンドのうちの１つを受信することに応答して、前記ポインタによって指定された前記データを前記ＩＣメモリ要素に書き込むことを再試行するように更に構成されている、項目１に記載の装置。
（項目８）
前記ＩＣメモリ要素が、前記ポインタに関連付けられた前記記憶場所で前記ページレジスタ内に記憶されたデータが有効であるかどうかを示す、各ポインタに関連付けられた有効性ビットを維持するように更に構成されている、項目１に記載の装置。
（項目９）
前記ＩＣメモリ要素が、前記ページレジスタの記憶場所の複数のサブセットに対応する複数の記憶場所のバンクを含み、前記ＩＣメモリ要素が、前記ページレジスタの前記複数のサブセット内に記憶されたデータを使用して、前記複数の記憶場所のバンクに関連付けられた複数の記憶動作コマンドを同時に実行する、項目１に記載の装置。
（項目１０）
前記ＩＣメモリ要素が、
読み取りポインタを、読み取りコマンドのデータに対する前記ページレジスタの記憶場所に方向付けることと、
前記ＩＣメモリ要素の第１のバンク上で前記読み取りコマンドを実行することと、
書き込みポインタを、前記読み取りコマンドの前記データに対する前記ページレジスタの前記記憶場所に再度方向付けることと、
前記読み取りコマンドの前記データを、前記ＩＣメモリ要素の第２のバンクに書き込むことと、を行うように更に構成されている、項目１に記載の装置。
（項目１１）
システムであって、
ページバッファを含む、不揮発性メモリ媒体と、
コントローラであって、
前記不揮発性メモリ媒体のための複数の記憶動作コマンドを受信することであって、前記複数の記憶動作コマンドのうちの１つの記憶動作コマンドが、前記不揮発性メモリ媒体の複数のサブアレイのうちの１つのサブアレイに対するものである、受信することと、
前記複数の記憶動作コマンドに関連付けられたデータを同時に記憶するために、前記ページバッファ内の記憶場所を判定することと、
前記少なくとも２つの記憶動作コマンドに関連付けられた前記ページバッファ内に記憶されたデータを使用して、前記複数の記憶動作コマンドのうちの少なくとも２つを同時に実行することと、
前記記憶動作コマンドに関連付けられた前記データに対する前記ページバッファ内の記憶場所への１つ以上の参照を維持することと、を行うように構成されており、
前記１つ以上の参照が、
前記不揮発性メモリ媒体のサブアレイに書き込まれるように待ち行列に入れられ、前記不揮発性メモリ媒体の前記サブアレイへの書き込みが不成功であったデータに対する記憶場所への参照と、を含んでおり、
前記コントローラが、再試行及びリフレッシュ記憶動作コマンドのうちの１つを受信することに応答して、前記不成功の参照によって指定された前記データを書き込むことを再試行するように更に構成されている、システム。
（項目１２）
前記コントローラが、処理されている現在の記憶動作コマンドに応答して実行するための記憶動作コマンドを待ち行列に入れるように更に構成され、前記待ち行列に入れられた記憶動作コマンドに対するデータが、前記現在の記憶動作が実行されている前記不揮発性メモリ媒体のサブアレイに関連付けられている前記ページバッファの記憶場所内に記憶されている、項目１１に記載のシステム。
（項目１３）
前記コントローラが、前記不成功の参照が不成功のデータを指定したことを示す不成功ビットを設定するように更に構成されている、項目１１に記載のシステム。
（項目１４）
前記複数の記憶動作コマンドが、プログラムコマンドのうちの１つ以上を含み、前記プログラムコマンドが、プログラムフラッシュコマンド、拡張バッファフラッシュコマンド、及びリフレッシュフラッシュコマンドのうちの１つ以上を含む、項目１１に記載のシステム。
（項目１５）
前記１つ以上の参照が、
現在のプログラム動作のデータに対する記憶場所への参照と、
待ち行列に入れられたプログラム動作のデータに対する記憶場所への参照と、
読み取り動作のデータに対する記憶場所への参照と、を含む、項目１４に記載のシステム。
（項目１６）
前記コントローラが、前記不成功のデータの正常な書き込みに応答して、前記不成功ビットをリセットするように更に構成されている、項目１３に記載のシステム。
（項目１７）
前記コントローラが、所定の再試行の閾値数が満たされるまで、前記不成功の参照によって指定された前記データを書き込むことを再試行するように更に構成されている、項目１１に記載のシステム。
（項目１８）
前記コントローラが、失敗した前記データの前記正常な書き込みに応答して、前記不成功のポインタが無効な場所を指定するように方向付けするように更に構成されている、項目１６に記載のシステム。
（項目１９）
前記コントローラが、参照に関連付けられた前記記憶場所で前記ページバッファ内に記憶された前記データが有効であるかどうかを示す、各参照に関連付けられた有効性ビットを維持するように更に構成されている、項目１１に記載のシステム。
（項目２０）
装置であって、
不揮発性記憶デバイスの複数のサブアレイに関連付けられた複数の記憶動作コマンドを、前記不揮発性記憶デバイスのページレジスタを使用して、バッファリングするための手段と、
前記ページレジスタ内に前記複数の記憶動作コマンドに対するデータを記憶するための手段であって、前記複数の記憶動作コマンドの各々に対するデータが前記ページレジスタ内に同時に記憶されるように、前記記憶動作コマンドの各々に対するデータが、前記ページレジスタのページサイズよりも小さい、手段と、
前記複数の記憶動作コマンドの少なくとも１つのサブセットに対して、前記ページレジスタ内に記憶された前記データを同時に処理するための手段と、
前記複数のサブアレイのサブアレイに書き込まれるように待ち行列に入れられ、前記サブアレイへの書き込みが失敗したデータに対する前記ページレジスタ内の記憶場所への不成功の参照を維持する手段と、
再試行コマンドを受信したことに応答して、前記不成功の参照によって指定された前記データを書き込むことを再試行する手段と、を備える、装置。