【事件の表示】
　特願２０１２−５５２０６４「高注入効率極性及び非極性ＩＩＩ族窒化物発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月１１日国際公開、ＷＯ２０１１／０９７３２５、平成２５年　５月２３日国内公表、特表２０１３−５１９２３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年２月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年２月４日、米国、２０１１年１月２６日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　２月　２日　国際出願
　平成２５年１０月　３日　拒絶理由通知（平成２５年１０月１５日発送）
　平成２６年　２月１７日　意見書・手続補正書
　平成２６年　５月３０日　拒絶理由通知（平成２６年　６月　３日発送）
　平成２６年　８月２５日　意見書・手続補正書
　平成２６年１１月２７日　拒絶査定（平成２７年　１月　６日謄本送達）
　平成２７年　５月　７日　本件審判請求
　平成２７年　６月　８日　手続補正書（方式）
　平成２７年　８月２０日　拒絶理由通知（平成２７年　９月　１日発送）
　平成２８年　３月　１日　意見書・手続補正書
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２８年３月１日付けの手続補正による特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　極性、半極性又は非極性結晶方位にＩＩＩ族窒化物合金材料を用いて作製される固体発光デバイスであって、当該固体発光デバイスは、
　基板、
　Ｐクラッド領域、
　Ｎクラッド領域、
　前記Ｐクラッド領域および前記Ｎクラッド領域の間に光閉じ込め領域を形成する多重層と、
を含み、
　前記多重層は、
　Ｐドープ導波路層、電子ブロック層、活性多重量子井戸領域及びＮドープ導波路層に分類され、
　前記活性多重量子井戸領域は、量子井戸と障壁層から形成される多重量子井戸層を含み、前記障壁層は、前記Ｎドープ導波路層のバンドギャップと概略等しいバンドギャップを有し、前記多重量子井戸層へのインジウム及び／又はアルミニウムの取り込みによって得られ、
　前記多重量子井戸層の不均一な電荷キャリア分布を改善するために、前記Ｎドープ導波路層及び前記障壁層中のインジウムの量は、前記量子井戸と前記Ｎドープ導波路層及び前記障壁層との間のバンドギャップの差を低減するように選択され、
　前記量子井戸の深さは、正孔で１００ｍｅＶ、電子で２００ｍｅＶを超えない、
ことを特徴とする固体発光デバイス。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　当審による平成２７年８月２０日付け拒絶理由通知書（以下「先の拒絶理由通知書」という。）で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−１７３６２１号公報（以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【００２６】
　図３から７は、少なくとも１層の光閉じ込め層に窒化インジウムガリウムを含む、異なるＩｎＧａＮレーザの実施例の正面断面図を示す。特に、図３から７は、積層レーザのヘテロ構造（heterostructure）の正面図を示す。これらのヘテロ構造は、図１の従来の積層へテロ構造領域の代用になり得る。図３から図５は、導波路層の変形を示し、図６及び図７は、クラッド層の変形を示す。図８は、図３から図７に示す実施例における、光閉じ込め率、及び損失特性を示す。
【００２７】
　図３は、ｎ型ドープＧａＮ層３０１及び、基板３０２の上に形成された、非対称積層ＩｎＧａＮ構造３００の実施例を示す。
レーザ構造３００
活性領域３０４は、
Ｉｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ／Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎ層のような、１個又は複数のＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ量子井戸を含む。Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎバリア層は、隣り合う量子井戸を分離する。
【００２８】
　図３は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物レーザデバイスの断面構造の実施例を示す。層構造３００は、有機金属気相成長法（metal organic chemical vapor deposition、MOCVD）、又は、分子線エピタキシー（molecular beam epitaxy、MBE）、又は、ハイドライド気相成長法（hydride vapor phase epitaxy、HVPE）を用いて製造することができる。
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物レーザデバイス３００は、
ｃ面（０００１）、ａ面（１１２０）、又はｒ面（０１１２）方位のサファイア（Ａｌ
2
Ｏ
3
）基板３０２上に形成される。
【００２９】
・・・
【００３１】
　
第一のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３０１は、基板３０２上、又は基板３０２を覆って形成される。
【００３２】
　
第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０は、第一のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３０１上、又はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３０１を覆って形成される。
第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０は、シリコンドープされた、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層である。
【００３３】
　
第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３１６は、第一の導波路層３１６として機能する。導波路層３１６は、第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物クラッド層３２０上に、又は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物クラッド層３２０を覆って、形成される。
第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６は、ｎ型ＩｎＧａＮ：Ｓｉ層である。
導波路層３１６のインジウム含有量は、
約１０％である
【００３４】
　
量子井戸活性層３０４は、第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６上、又は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６を覆って、形成される。
【００３５】
　ＧａＮ、又はＩｎＧａＮバリア層は、ＩｎＧａＮ量子井戸を分離する。
図１３は、バリア層、及び隣り合うＩｎＧａＮ量子井戸の拡大図を示す。
【００３６】
　
第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２４が、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性領域３０４上に、又は、ＭＱＷ活性領域３０４を覆って、形成される。第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２４は、第二の導波路層３２４として機能する。
第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４は、マグネシウムドープされた窒化ガリウム、又は窒化インジウムガリウム材料である。
【００３７】
　
第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２８は、第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４上に、又は、導波路層３２４を覆って、形成される。
第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二クラッド層３２８は、ｐ型窒化ガリウムクラッド層である。
【００３８】
・・・
【００４１】
　
下方の光閉じ込め層３０８は、下方導波路層３１６、及び下方クラッド層３２０を含む。
【００４２】
　上方光閉じ込め層３１２は、ｐ型ドープされた構造、例えば、マグネシウムドープされた構造、によって形成される。
上方光閉じ込め層３１２は、
上方導波路層３２４、及び、上方クラッド層３２８を含む。
イ　「【００４５】
  
図４は、レーザ構造３００に電流ブロック層４０４を加えて形成した、レーザ構造４００を示す。
ウ　電流ブロック層、又は「トンネルバリア層」を有する、非対称積層ＩｎＧａＮレーザ構造を示す正面断面図である図４は、次のものである。
エ　青色レーザの活性領域を示す拡大図であって、個々の量子井戸のバリア層による分離を示す図１３は、次のものである。
（２）　引用発明１
　上記（１）イの【００４５】の記載及び上記（１）ウの図４から、引用発明１を認定する。
　この際、上記（１）イの【００４５】には、「図４は、レーザ構造３００に電流ブロック層４０４を加えて形成した、レーザ構造４００」と記載されているから、上記（１）アの「レーザ構造３００」の記載を参酌する。
ア　上記（１）アの【００３３】の記載に照らして、上記（１）ウの図４を見ると、
　
第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６は、ｎ型Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎ：Ｓｉ層であり、導波路層３１６のインジウム含有量は、１０％である
　
イ　上記（１）アの【００２７】、【００３５】の記載に照らして、上記（１）エの図１３を見ると、
　
活性領域３０４は、Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎバリア層、Ｉｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ量子井戸１３２０、Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎバリア層１３０８、Ｉｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ量子井戸１３１６、Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎバリア層１３０４、Ｉｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ量子井戸１３１２、Ｉｎ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎバリア層を含む
ウ　上記（１）アの【００３６】、上記（１）イの【００４５】の記載に照らして、上記（１）ウの図４を見ると、
　
電流ブロック層４０４が、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性領域３０４上に、又は、ＭＱＷ活性領域３０４を覆って形成され、
　
第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２４が、電流ブロック層４０４上に、又は、電流ブロック層４０４を覆って形成される
エ　以上より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「ｃ面（０００１）、ａ面（１１２０）、又はｒ面（０１１２）方位のサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板３０２上に形成されるＩＩＩ−Ｖ族窒化物レーザデバイスであって、
　第一のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３０１は、基板３０２上、又は基板３０２を覆って形成され、
　第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０は、第一のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３０１上、又はＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３０１を覆って形成され、第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０は、シリコンドープされた、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層であり、
　第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３１６は、第一の導波路層３１６として機能し、導波路層３１６は、第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物クラッド層３２０上に、又は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物クラッド層３２０を覆って形成され、第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６は、ｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ：Ｓｉ層であり、導波路層３１６のインジウム含有量は、１０％であり、
　量子井戸活性層３０４は、第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６上、又は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６を覆って形成され、活性領域３０４は、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３２０、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層１３０８、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３１６、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層１３０４、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３１２、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層を含み、
　電流ブロック層４０４が、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性領域３０４上に、又は、ＭＱＷ活性領域３０４を覆って形成され、
　第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２４が、電流ブロック層４０４上に、又は、電流ブロック層４０４を覆って形成され、第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２４は、第二の導波路層３２４として機能し、第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４は、マグネシウムドープされた窒化ガリウム、又は窒化インジウムガリウム材料であり、
　第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２８は、第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４上に、又は、導波路層３２４を覆って形成され、第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二クラッド層３２８は、ｐ型窒化ガリウムクラッド層であり、
　下方の光閉じ込め層３０８は、下方導波路層３１６、及び下方クラッド層３２０を含み、
　上方光閉じ込め層３１２は、上方導波路層３２４、及び、上方クラッド層３２８を含む、
　ＩＩＩ−Ｖ族窒化物レーザデバイス。」
３　対比
（１）　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「ｃ面（０００１）、ａ面（１１２０）、又はｒ面（０１１２）方位のサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板３０２上に形成されるＩＩＩ−Ｖ族窒化物レーザデバイス」と、
　本願発明の「極性、半極性又は非極性結晶方位にＩＩＩ族窒化物合金材料を用いて作製される固体発光デバイス」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「ｃ面（０００１）」は極性面であり、引用発明１の「ａ面（１１２０）」は非極性面であり、引用発明１の「ｒ面（０１１２）」は半極性面であるところ、引用発明１の「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物」が基板の結晶方位に形成されることは明らかである。
（イ）　引用発明１の「ＩＩＩ−Ｖ族窒化物レーザデバイス」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物合金材料を用いて作製される固体発光デバイス」に相当する。
（ウ）　してみれば、両者は相当関係にある。
イ　引用発明１の「サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板３０２」は、本願発明の「基板」に相当する。
ウ　引用発明１の「第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２８」は、「ｐ型窒化ガリウムクラッド層」であるから、本願発明の「Ｐクラッド領域」に相当する。
エ　引用発明１の「第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０」は、「ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層」であるから、本願発明の「Ｎクラッド領域」に相当する。
オ　引用発明１の「『第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６』、『量子井戸活性層３０４』、『電流ブロック層４０４』、『第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４』」と、
　本願発明の「前記Ｐクラッド領域および前記Ｎクラッド領域の間に光閉じ込め領域を形成する多重層」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「『第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６』、『量子井戸活性層３０４』、『電流ブロック層４０４』、『第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４』」は、「第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２８」と「第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０」との間に形成される「多重層」であるといえる。
（イ）　引用発明１の「下方の光閉じ込め層３０８」は、「下方導波路層３１６」である「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」、及び「下方クラッド層３２０」である「第二のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２０」を含むものであり、
　引用発明１の「上方光閉じ込め層３１２」は、「上方導波路層３２４」である「第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４」、及び「上方クラッド層３２８」である「第五のＩＩＩ−Ｖ族窒化物層３２８」を含むものである。
　してみれば、引用発明１の「『第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６』、『量子井戸活性層３０４』、『電流ブロック層４０４』、『第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４』」は、光閉じ込め領域を形成するものであるといえる。
（ウ）　以上より、両者は相当関係にある。
カ　引用発明１の「『第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６』、『量子井戸活性層３０４』、『電流ブロック層４０４』、『第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４』」と、
　本願発明の「Ｐドープ導波路層、電子ブロック層、活性多重量子井戸領域及びＮドープ導波路層に分類され」る「前記多重層」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」は、「ｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ：Ｓｉ層」であるから、本願発明の「Ｎドープ導波路層」に相当する。
（イ）　引用発明１の「量子井戸活性層３０４」は、「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３２０、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層１３０８、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３１６、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層１３０４、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３１２、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層を含」んでおり、多重量子井戸活性層であるといえるから、本願発明の「活性多重量子井戸領域」に相当する。
（ウ）　引用発明１の「電流ブロック層４０４」は、本願発明の「電子ブロック層」に相当する。
（エ）　引用発明１の「第四のＩＩＩ−Ｖ族窒化物第二導波路層３２４」は「マグネシウムドープされた窒化ガリウム、又は窒化インジウムガリウム材料」からなるものであるから、本願発明の「Ｐドープ導波路層」に相当する。
（オ）　したがって、両者は相当関係にある。
キ　引用発明１の「量子井戸活性層３０４は、・・・Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３２０、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層１３０８、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３１６、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層１３０４、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸１３１２、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層を含」むことと、
　本願発明の「前記活性多重量子井戸領域は、量子井戸と障壁層から形成される多重量子井戸層を含み、前記障壁層は、前記Ｎドープ導波路層のバンドギャップと概略等しいバンドギャップを有し、前記多重量子井戸層へのインジウム及び／又はアルミニウムの取り込みによって得られ」ることとを対比する。
（ア）　引用発明１の「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸」及び「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」は、それぞれ本願発明の「量子井戸」及び「障壁層」に相当する。
（イ）　引用発明１の「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」は「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ」からなるから、「量子井戸活性層３０４」へのインジウムの取り込みによって得られるものであるといえる。
（ウ）　してみれば、両者は、「前記活性多重量子井戸領域は、量子井戸と障壁層から形成される多重量子井戸層を含み、前記障壁層は、・・・前記多重量子井戸層へのインジウムの取り込みによって得られ」る点で一致する。
（２）　以上より、本願発明と引用発明１との一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「極性、半極性又は非極性結晶方位にＩＩＩ族窒化物合金材料を用いて作製される固体発光デバイスであって、当該固体発光デバイスは、
　基板、
　Ｐクラッド領域、
　Ｎクラッド領域、
　前記Ｐクラッド領域および前記Ｎクラッド領域の間に光閉じ込め領域を形成する多重層と、
を含み、
　前記多重層は、
　Ｐドープ導波路層、電子ブロック層、活性多重量子井戸領域及びＮドープ導波路層に分類され、
　前記活性多重量子井戸領域は、量子井戸と障壁層から形成される多重量子井戸層を含み、前記障壁層は、前記多重量子井戸層へのインジウムの取り込みによって得られる、
　固体発光デバイス。」
　相違点１：
　「障壁層」は、
　本願発明では、「前記Ｎドープ導波路層のバンドギャップと概略等しいバンドギャップを有」するのに対し、
　引用発明１の「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点２：
　本願発明では、「前記多重量子井戸層の不均一な電荷キャリア分布を改善するために、前記Ｎドープ導波路層及び前記障壁層中のインジウムの量は、前記量子井戸と前記Ｎドープ導波路層及び前記障壁層との間のバンドギャップの差を低減するように選択され」、「前記量子井戸の深さは、正孔で１００ｍｅＶ、電子で２００ｍｅＶを超えない」ものであるのに対し、
　引用発明１では、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
４　判断
　以下、相違点１〜２について検討する。
（１）　相違点１について検討する。
ア　引用発明１の「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」は、「ｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ：Ｓｉ層」であるところ、引用発明１の「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」と「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」とは、ともにインジウム含有量が１０％の「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ」からなる層である。
イ　してみれば、引用発明１の「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」は、「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」のバンドギャップと概略等しいバンドギャップを有するものであるといえる。
ウ　よって、引用発明１は、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を実質的に備えており、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
（２）　相違点２について検討する。
ア　引用発明１の「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」は、「ｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ：Ｓｉ層」であるところ、引用発明１の「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸」のインジウムの組成（ｘ＝０．２）と、引用発明１の「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」及び「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」のインジウムの組成（ｘ＝０．１）との差は、０．１である。
イ　本願の最先の優先日時点における技術常識１
　ＩｎｘＧａ１−ｘＮの価電子帯のバンド端のエネルギー値Ｅｖの組成ｘに対する傾きは、最大で＋０．７ｅＶ程度であり、ＩｎｘＧａ１−ｘＮの伝導帯のバンド端のエネルギー値Ｅｃの組成ｘに対する傾きは、最小で−１．４ｅＶ程度であり、伝導帯の最小エネルギー値Ｅｃと価電子帯の最大エネルギー値Ｅｖとの差であるバンドギャップは、ＩｎｘＧａ１−ｘＮの組成ｘが大きくなるにつれて小さくなることは、本願の最先の優先日時点における技術常識（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した、特開２００２−１１１０５９号公報（特に【００１０】〜【００１３】、図７）参照。）（以下「技術常識１」という。）である。
ウ　本願の最先の優先日時点における技術常識２
　多重量子井戸構造において、井戸層と障壁層とのエネルギー差が大きいと、キャリアが注入されにくくなり、キャリア分布が不均一になることは、本願の最先の優先日時点における技術常識（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した、特開２０００−１０１１９９号公報（特に【０００３】、【００１２】）、特開２００６−３２４６９０号公報（特に【００４１】〜【００４２】）参照。）（以下「技術常識２」という。）である。
エ　本願の最先の優先日時点における技術常識３
　量子井戸構造において、次の点は、本願の最先の優先日時点における技術常識（必要ならば、特開平５−９５１５８号公報（特に【０００５】〜【０００８】、図５）、特開平６−１４０７１３号公報（特に【０００５】〜【０００９】、図１）、特開２００１−１５６３２８号公報（特に【０００８】〜【０００９】、図６〜７）参照。）（以下「技術常識３」という。）である。
（ア）　「井戸層の価電子帯に形成される量子準位のエネルギー値」は、「井戸層の価電子帯のバンド端のエネルギー値」と「障壁層の価電子帯のバンド端のエネルギー値」との間の値であり、
　正孔の「量子井戸の深さ」である「『井戸層の価電子帯に形成される量子準位のエネルギー値』と『障壁層の価電子帯のバンド端のエネルギー値』との差」は、「『井戸層の価電子帯のバンド端のエネルギー値』と『障壁層の価電子帯のバンド端のエネルギー値』との差」よりも小さい点。
（イ）　「井戸層の伝導帯に形成される量子準位のエネルギー値」は、「障壁層の伝導帯のバンド端のエネルギー値」と「井戸層の伝導帯のバンド端のエネルギー値」との間の値であり、
　電子の「量子井戸の深さ」である「『障壁層の伝導帯のバンド端のエネルギー値』と『井戸層の伝導帯に形成される量子準位のエネルギー値』との差」は、「『障壁層の伝導帯のバンド端のエネルギー値』と『井戸層の伝導帯のバンド端のエネルギー値』との差」よりも小さい点。
オ　上記技術常識１を踏まえると、引用発明１の「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」及び「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」は、インジウムを含んでいることによって、「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸」と「第三のＩＩＩ−Ｖ族窒化物導波路層３１６」及び「Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎバリア層」との間のバンドギャップの差を低減するものであり、
　さらに上記技術常識２を踏まえると、引用発明１の「量子井戸活性層３０４」の不均一な電荷キャリア分布を改善するものであるといえる。
カ　上記技術常識１を踏まえると、引用発明１において、「『井戸層の価電子帯のバンド端のエネルギー値』と『障壁層の価電子帯のバンド端のエネルギー値』との差」は、最大でも０．７×０．１＝０．０７ｅＶ＝７０ｍｅＶ程度であり、「『障壁層の伝導帯のバンド端のエネルギー値』と『井戸層の伝導帯のバンド端のエネルギー値』との差」は、最大でも１．４×０．１＝０．１４ｅＶ＝１４０ｍｅＶ程度であるところ、
　さらに上記技術常識３を踏まえると、引用発明１における、正孔の量子井戸の深さは、７０ｍｅＶを超えないものであり、電子の量子井戸の深さは、１４０ｍｅＶを超えないものであるといえる。
キ　以上より、引用発明１は、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を実質的に備えており、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
５　小括
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明である。
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。