【事件の表示】
　特願２００５−　２１４８５「改善された高電流効率を有するＩＩＩ族窒化物発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１１日出願公開、特開２００５−２１７４２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１月２８日（パリ条約による優先権主張２００４年１月３０日、米国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成１７年　１月２８日　特許出願
　平成２３年　１月２８日　拒絶理由通知（平成２３年　２月　７日発送）
　平成２３年　８月　５日　意見書
　平成２４年　４月１６日　拒絶理由通知（平成２４年　４月２３日発送）
　平成２４年１０月２３日　意見書・手続補正書
　平成２５年　５月１６日　拒絶理由通知（平成２５年　５月２０日発送）
　平成２５年１１月１４日　意見書・手続補正書
　平成２６年　４月１８日　拒絶査定（平成２６年　４月３０日送達）
　平成２６年　８月２９日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　５月２２日　拒絶理由通知（平成２７年　５月２６日発送）
　平成２７年１１月２６日　意見書・手続補正書
第２　本願発明について
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年１１月２６日付けの手続補正による特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　発光半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、
　前記活性領域の近くに形成されたキャリア閉じ込め層であるＩＩＩ族窒化物層と、
を備え、
　前記ＩＩＩ族窒化物層の厚さが、前記層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え、
　前記ＩＩＩ族窒化物層が、０．３５≦ｘ≦０．４５として、ＡｌxＧａ1-xＮを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の前記厚さが約４００オングストロームを超えることを特徴とする発光半導体デバイス。」
第３　理由Ａについて
１　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　当審による平成２７年５月２２日付け拒絶理由通知書（以下「先の拒絶理由通知書」という。）で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−１１６２３２号公報（以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【００１６】
【実施例】以下図面を基に本発明の方法について説明する。図１は本発明の方法により得られたレーザ素子の形状を示す斜視図であり、図２は図１のレーザ素子の構造を示す模式的な断面図である。これらの素子は電極ストライプ型のレーザ素子を示している。
【００１７】スピネル（ＭｇＡｌ2Ｏ4）の（１１１）面を露出した２インチφの
単結晶スピネル基板１の上に、ＭＯＶＰＥ反応装置を用いて、Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２を４μｍ、Ｓｉドープｎ型Ａｌ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎよりなるｎ型クラッド層３を０．５μｍ、ＳｉドープＩｎ
0.05
Ｇａ
0.95
Ｎよりなるｎ型光ガイド層４を０．２μｍ、膜厚３０オングストロームの単一量子井戸構造を有するノンドープＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎよりなる活性層５、Ｍｇドープｐ型Ａｌ
0.05
Ｇａ
0.95
Ｎよりなるｐ型光ガイド層６を０．２μｍ、Ｍｇドープｐ型Ａｌ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎよりなるｐ型クラッド層７を０．５μｍ、順に成長させ
【００１８】次にウェーハを装置から取り出し、ｐ型クラッド層７の表面にフォトリソグラフィー技術を用いて、幅５μｍのストライプ状のＳｉＯ2よりなる保護膜を成長させる。この保護膜は窒化物半導体を選択成長させるための保護膜となり、保護膜除去後は活性層に電流を集中させることができる。
【００１９】次に、保護膜が形成されたウェーハを再び反応装置に設置し、この保護膜を介して、先ほどの
ｐ型クラッド層７の表面にＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型電流阻止層８を成長させ
【００２０】電球狭窄層８成長後、ウェーハを反応容器から取り出し、フッ酸でＳｉＯ2保護膜を溶解除去する。その後ウェーハを反応容器に設置し、最後に
電球狭窄層８の上にＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９を０．５μｍ成長させ
【００２１】次に、ウェーハを反応容器より取り出した後、ｐ型コンタクト層９の表面に再度保護膜を形成して、エッチング装置で
窒化物半導体層をｎ型コンタクト層２が露出するまでエッチング
ｐ型コンタクト層９のほぼ全面にはＮｉとＡｕを含む正電極を形成し、ｎ型コンタクト層２の表面には、ＴｉとＡｌを含むストライプ状の負電極を形成
【００２２】以上のようにして、同一面側に正と負の電極を形成したウェーハをスクライバーに設置し、窒化物半導体を形成していない基板面を、ストライプ電極と直交する方向で５００μｍピッチでスクライブする。この方向でウェーハを割った面が共振器となる。ウェーハをローラで押し割り、共振面が露出したバー（ber)を得る。切断したチップの共振器面の窒化物半導体層の欠け、割れはほとんどなく、凹凸は１００オングストローム以下であり、２インチφの基板からの不良率は５％以下であった。
【００２３】次に、切断により共振面が露出された窒化物半導体バーを研磨治具に挿着し、共振面を、アルミナスラリーでポリッシングして鏡面状とする。またその研磨面と対向する面も同様にして研磨して、対向する切断面同士を平行鏡として共振器を作製する。この研磨により共振器面の凹凸は５０オングストローム以下となる。
【００２４】研磨した半導体バーを治具からはずし、スパッタ装置に移送して、前述の両研磨面にＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3よりなる誘電体多層膜を形成する。誘電体多層膜にはこの他Ｓｉ、ＳｉＯX等の材料が使用可能である。これらの材料は紫外、青色領域に吸収が少なく、互いの材料の屈折率差が大きいので、窒化物半導体を利用した青色レーザ、紫外レーザ素子の共振器面に形成する誘電体多層膜に適している。
【００２５】次に、共振面に誘電体多層膜を形成したバーのｎ電極ピッチに沿って、基板側からダイサーでチップ状に切断して３５０μｍ×５００μｍのレーザ素子とする。切断後の素子の構造を示す断面図が図２であり、図２の素子の形状を示す斜視図が図１である。
【００２６】以上のようにして作製した
窒化物半導体レーザ素子
　なお、上記【００２０】における「電球狭窄層８」は、【００１９】から、「ｎ型電流阻止層８」の誤記と認められる。
イ　レーザ素子の構造を示す模式的な断面図を示す図２は、次のものである。
（２）　引用発明１
　上記（１）によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「単結晶スピネル基板１の上に、ＭＯＶＰＥ反応装置を用いて、
　Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２を４μｍ、
　Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３を０．５μｍ、
　ＳｉドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型光ガイド層４を０．２μｍ、
　膜厚３０オングストロームの単一量子井戸構造を有するノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５、
　Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｐ型光ガイド層６を０．２μｍ、
　Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７を０．５μｍ、順に成長させ、
　ｐ型クラッド層７の表面にＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型電流阻止層８を成長させ、
　ｎ型電流阻止層８の上にＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９を０．５μｍ成長させ、
　窒化物半導体層をｎ型コンタクト層２が露出するまでエッチングし、
　ｐ型コンタクト層９のほぼ全面にはＮｉとＡｕを含む正電極を形成し、
　ｎ型コンタクト層２の表面には、ＴｉとＡｌを含むストライプ状の負電極を形成した、
　窒化物半導体レーザ素子。」
２　対比
（１）　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「窒化物半導体レーザ素子」と、本願発明の「発光半導体デバイス」とを対比する。
　技術常識を勘案すると、引用発明１の「窒化物半導体レーザ素子」が、「発光半導体デバイス」であることは明らかである。
　したがって、引用発明１の「窒化物半導体レーザ素子」は、本願発明の「発光半導体デバイス」に相当する。
イ　引用発明１の「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物の活性領域」に相当する。
ウ　引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」又は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」と、
　本願発明の「前記活性領域の近くに形成されたキャリア閉じ込め層であるＩＩＩ族窒化物層」とを対比する。
（ア）　まず、本願発明の「前記活性領域の近くに形成された」ことの技術的意義について検討する。
　本願の発明の詳細な説明の【００１０】には、「活性領域２８は、任意のスペーサ層２７及び２９によって、電子閉じ込め３０、正孔閉じ込め層２６、又は両方から離間して配置することができる。」と記載され、【００２３】には、「スペーサ層は、ＧａＮ、又はアルミニウム、インジウム、及びガリウムの窒化物三元合金としてもよい。」と記載されている。
　してみれば、本願発明の「前記活性領域の近くに形成された・・・ＩＩＩ族窒化物層」は、「ＧａＮ、又はアルミニウム、インジウム、及びガリウムの窒化物三元合金」からなる「スペーサ層２７及び２９によって」、「活性領域２８」から「離間して配置」した「電子閉じ込め３０、正孔閉じ込め層２６」を含むものといえる。
（イ）　引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」は、「ＳｉドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型光ガイド層４」によって、「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」から離間して配置したものといえるから、上記（ア）に照らして、「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」の近くに形成されたものであるといえる。
（ウ）　引用発明１の「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」、は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｐ型光ガイド層６」によって、「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」から離間して配置したものといえるから、上記（ア）に照らして、「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」の近くに形成されたものであるといえる。
（エ）　しみれば、両者は、「前記活性領域の近くに形成されたＩＩＩ族窒化物層」である点で一致する。
エ　引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」が「０．５μｍ」であること、又は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」が「０．５μｍ」であることと、
　本願発明の「前記ＩＩＩ族窒化物層が、０．３５≦ｘ≦０．４５として、ＡｌxＧａ1-xＮを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の前記厚さが約４００オングストロームを超える」こととを対比すると、
　両者は、「前記ＩＩＩ族窒化物層が、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の厚さが０．５μｍ」である点で一致する。
（２）　以上のことから、本願発明と引用発明１との一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「発光半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、
　前記活性領域の近くに形成されたＩＩＩ族窒化物層と、
を備え、
　前記ＩＩＩ族窒化物層が、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の厚さが０．５μｍである発光半導体デバイス。」
　相違点１−１：
　「ＩＩＩ族窒化物層」は、
　本願発明では、「キャリア閉じ込め層である」のに対し、
　引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」又は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」は、キャリア閉じ込め層であるのか否か明らかでない点。
　相違点１−２：
　「ＩＩＩ族窒化物層の厚さ」は、
　本願発明では、「層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え」ているのに対し、
　引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」又は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」の厚さ「０．５μｍ」は、層内の歪み緩和のための臨界厚さを超えているのか否か明らかでない点。
３　判断
　以下、相違点１−１、相違点１−２について検討する。
（１）　相違点１−１について検討する。
ア　（ａ）ＡｌＧａＮのバンドギャップはＧａＮのバンドギャップよりも広く、Ａｌの組成比ｘが大きいほどＡｌｘＧａ１−ｘＮのバンドギャップは広いこと、及び（ｂ）ＧａＮのバンドギャップはＩｎＧａＮのバンドギャップよりも広く、Ｉｎの組成比ｙが小さいほどＩｎｙＧａ１−ｙＮのバンドギャップは広いことは、本願優先日時点における技術常識（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した特表２００３−５２７７４５号公報（特に【００１０】）参照。その他にも、特開２００２−１１１０５９号公報（特に図７）参照。）（以下「技術常識１」という。）である。
イ　引用発明１は、「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」、「ＳｉドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型光ガイド層４」、「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」、「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｐ型光ガイド層６」、「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」を「順に成長させ」たものであるところ、上記技術常識１に照らせば、引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」又は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」のバンドギャップは、これらの層の間に配置された「ＳｉドープＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｎ型光ガイド層４」、「ノンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる活性層５」及び「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｐ型光ガイド層６」のバンドギャップよりも広いといえる。
ウ　してみれば、引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」又は「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」が、キャリア閉じ込め層として機能していることは、明らかである。
エ　よって、上記相違点１−１は実質的な相違点ではない。
（２）　相違点１−２について検討する。
ア　ＧａＮ上に形成されたＡｌｘＧａ１−ｘＮにおける、層内の歪み緩和のための臨界厚さは、Ａｌの組成比ｘが大きくなるにつれて薄くなり、ＧａＮ上に形成されたＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎにおける、層内の歪み緩和のための臨界厚さが２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることは、本願優先日時点における技術常識（必要ならば、以下の技術常識を示す文献ａ〜ｃ参照。）（以下「技術常識２」という。）である。
　技術常識を示す文献
ａ：先の拒絶理由通知書で引用した
　　M. Hiroki et al.、
　　Metalorganic vapor phase epitaxy growth of AlGaN/GaN 
　　heterostructures on sapphire substrates、
　　Journal of Crystal Growth、Volumes 237-239、Part 2、
　　pp. 956-960、2002年4月
　　（特にFig. 6）
ｂ：O. Ambacher et al.、
　　Two dimensional electron gases induced by spontaneous and 
　　piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN 
　　heterostructures、
　　Journal of Applied Physics、Vol. 87、No. 1、
　　pp. 334-344、2000年1月
　　（特にFIG. 4）
ｃ：J. -M. Bethoux et al.、
　　Growth of high quality crack-free AlGaN films on GaN templates 
　　using plastic relaxation through buried cracks、
　　Journal of Applied Physics、Vol. 94、No. 10、
　　pp. 6499-6507、2003年11月
　　（特にFIG. 10）
イ　引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」は、「Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２」の上に形成されたものであるところ、上記技術常識２に照らせば、引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」における、層内の歪み緩和のための臨界厚さは２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であるといえる。
　しかるところ、引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」の厚さは、「０．５μｍ」（５００ｎｍ）であるから、引用発明１の「Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｎ型クラッド層３」の厚さが、層内の歪み緩和のための臨界厚さを超えていることは明らかである。
ウ　引用発明１の「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」は、「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｐ型光ガイド層６」の上に形成されたものであるところ、「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎよりなるｐ型光ガイド層６」のＡｌの組成比は０．０５と小さいことから、「ＧａＮ」の上に形成されているものに類似しているといえる。
　してみれば、上記技術常識２に照らせば、引用発明１の「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」における、層内の歪み緩和のための臨界厚さは２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であるといえる。
　しかるところ、引用発明１の「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」の厚さは、「０．５μｍ」（５００ｎｍ）であるから、引用発明１の「Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎよりなるｐ型クラッド層７」の厚さが、層内の歪み緩和のための臨界厚さを超えていることは明らかである。
エ　よって、上記相違点１−２は実質的な相違点ではない。
（３）　請求人の主張について
ア　出願人は、平成２７年１１月２６日付けの意見書において、
「本願明細書の段落［００１１］に記載しましたように、緩和のための臨界厚さは、層の成長条件及び層の合金組成に依存します。・・・
　引用文献１、２、３における成長条件は、引用文献４に記載のものとは大いに異なるものであり、故に、引用文献４に開示された臨界厚さは、引用文献１、２、３に記載された発明には無関係なものであります。・・・このように、これらの引用文献は全て、異なる成長基板及び異なる成長方法を開示／教示しています。従って、当業者が理解することには、引用文献４によって教示される臨界厚さは、引用文献１、２、３における異なる成長条件の下では意味をなしません。」と主張している。
イ　確かに、「層内の歪み緩和のための臨界厚さ」は、層の成長条件に依存するものではあるが、層の成長条件がそれぞれ異なる、上記技術常識２を示す文献として例示した文献１〜３に記載の「層内の歪み緩和のための臨界厚さ」は、２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
　してみれば、「層内の歪み緩和のための臨界厚さ」は、層の成長条件に依存するものであるとしても、上記技術常識２で示された上限である１００ｎｍを、大きく超えるものであるとはいえない。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
４　小括
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明である。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
第４　理由Ｂについて
１　引用文献２の記載事項、及び引用発明２
（１）　先の拒絶理由通知書で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−３０７１８８号公報（以下「引用文献２」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【００２２】（実施例１）図４より図６を用いて本発明に係る半導体装置およびその製造方法の第１の実施例を説明する。
【００２３】まず、図４（ａ）に示すように、
ウルツ鉱型六方格子構造を有する（０００１）サファイア基板３１上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ〜またはアンドープＡｌＮエッチングストップ層１０（厚さ２.０５μｍ）、ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１（厚さ０.３μｍ）、ｎ−Ａｌ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎ層１２１（厚さ０.３μｍ）、アンドープＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ活性層１３１（厚さ２ｎｍ）、ｐ−Ａｌ
0.4
Ｇａ
0.6
Ｎ層１４１（厚さ０.３μｍ）、ｐ−ＧａＮ層１５（厚さ２.０μｍ）を順次成長する。
【００２４】続いて、ｐ−ＧａＮ層１５の表面と（００１）ｐ−ＧａＡｓ基板２１の表面をＨＦ希釈液で洗浄する。これらを各々洗浄後に水洗してスピンナ乾燥し、洗浄した表面を向かい合わせて重ねる。この時、サファイア基板３１の（２−１−１０）面と、ＧａＡｓ基板２１の（１１０）面が平行となるように、これらを配置する。また、このとき、レーザ構造層９１の（１０−１０）が上記の２面と平行になる。これらの上に３０ｇ／cm2程度の重石をのせ、アニール炉内に置く。この時、サファイア基板３１側およびＧａＡｓ基板２１側のどちらが上でも構わない。炉内にＨ2ガスを流しながら温度を７００℃に昇温し、３０分保持する。この加熱工程により、
ｐ−ＧａＮ層１５の表面とＧａＡｓ基板２１の表面の間で
直接接着される
【００２５】この後、サファイア基板３１を機械研磨により約１０μｍに薄膜化する。断面観察等により、サファイア基板３１の残っている膜厚を正確に測定した後、残りの
サファイア基板３１を
除去する。
ＡｌＮエッチングストップ層１０を
除去する。
【００２６】この一体化基体のｎ+−ＧａＮコンタクト層１１表面上に、ＳｉＯ2ストライプ６１（厚さ３.０μｍ）を形成する。ＳｉＯ2ストライプ６１は幅１０μｍで、レーザ構造層９１の［１０−１０］方向に平行に、３９０μｍ間隔で形成する。これを１５０℃に加熱した燐酸溶液によりエッチングし、図５（ｂ）に示すようなリッジ構造を形成する。図５（ｂ）はレーザ共振器の光軸と交わる断面図である。エッチングはｐ−ＧａＮ層１５の途中までなされるように制御する。また、このとき、ＳｉＯ2ストライプ６１も同時にエッチングされるが、膜厚を十分厚くしているので完全に除去されることはない。その後、ＳｉＯ2ストライプ６１をＨＦ希釈液でエッチング除去し、リッジ側面にＳｉＯ2保護膜６２を形成し、
ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１表面上にｎ型電極７１を、ＧａＡｓ基板２１の裏面にｐ型電極７２を形成する
【００２７】これを、図６（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板２１の±（１１０）面で劈開する。レーザ構造層９１はＧａＡｓ基板２１に比べて十分薄いので、この一体化基体はＧａＡｓの固有の劈開面で劈開できる。ここでは、ＧａＡｓ基板２１の±（１１０）面とレーザ構造層９１±（１０−１０）面が平行であるため、ＧａＡｓ基板２１の±（１１０）面での劈開により、これに平行なレーザ構造層９１の±（１０−１０）端面８１が現れる。このとき、先に述べたように、ウルツ鉱型六方格子構造のIII-Ｖ族化合物の｛１−１００｝面は比較的割れやすく、原子レベルで平坦な端面を得ることができる。即ち、上記の劈開工程で現れたレーザ構造層９１の±（１０−１０）端面８１は光の共振器となり得る平坦な面であるので、この１対の端面により端面発光型レーザの共振器を形成することができる。以上の工程により、
ＧａＡｓ基板２１に直接接着された、ウルツ鉱型六方格子構造の窒素系III-Ｖ族化合物よりなる、青色端面発光型レーザ
イ　本発明の一実施例を示す半導体層構造およびその製造過程を示す図を示す図４は、次のものである。
ウ　本発明の一実施例を示す半導体層構造およびその製造過程を示す図を示す図５は、次のものである。
エ　本発明の一実施例を示す半導体層構造およびその製造過程を示す図を示す図６は、次のものである。
（２）　引用発明２
　上記（１）アの記載に照らして、上記（１）エの図６を見ると、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているといえる。
「ウルツ鉱型六方格子構造を有する（０００１）サファイア基板３１上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、
　ｎ〜またはアンドープＡｌＮエッチングストップ層１０（厚さ２.０５μｍ）、
　ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１（厚さ０.３μｍ）、
　ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１（厚さ０.３μｍ）、
　アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１（厚さ２ｎｍ）、
　ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１（厚さ０.３μｍ）、
　ｐ−ＧａＮ層１５（厚さ２.０μｍ）を順次成長し、
　ｐ−ＧａＮ層１５の表面とＧａＡｓ基板２１の表面の間で直接接着し、
　サファイア基板３１を除去し、
　ＡｌＮエッチングストップ層１０を除去し、
　ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１表面上にｎ型電極７１を、ＧａＡｓ基板２１の裏面にｐ型電極７２を形成した、青色端面発光型レーザであって、
　ＧａＡｓ基板２１に直接接着された、
　　ｐ−ＧａＮ層１５（厚さ２.０μｍ）と、
　　ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１（厚さ０.３μｍ）と、
　　アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１（厚さ２ｎｍ）と、
　　ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１（厚さ０.３μｍ）と、
　　ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１（厚さ０.３μｍ）と、を有し
　ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１表面上のｎ型電極７１と、
　ＧａＡｓ基板２１の裏面のｐ型電極７２を、さらに有する、
　ウルツ鉱型六方格子構造の窒素系III-Ｖ族化合物よりなる、青色端面発光型レーザ。」
２　対比
（１）　本願発明と引用発明２を対比する。
ア　引用発明２の「ウルツ鉱型六方格子構造の窒素系III-Ｖ族化合物よりなる、青色端面発光型レーザ」と、
　本願発明の「発光半導体デバイス」とを対比する。
　技術常識を勘案すると、引用発明２の「青色端面発光型レーザ」が、「発光半導体デバイス」であることは明らかである。
　したがって、引用発明２の「青色端面発光型レーザ」は、本願発明の「発光半導体デバイス」に相当する。
イ　引用発明２の「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物の活性領域」に相当する。
ウ　引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」又は「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」と、
　本願発明の「前記活性領域の近くに形成されたキャリア閉じ込め層であるＩＩＩ族窒化物層」とを対比する。
（ア）　引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」は、「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」に隣接して形成されているといえるから、「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」の近くに形成されたものであるといえる。
（イ）　引用発明２の「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」は、「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」に隣接して形成されているといえるから、「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」の近くに形成されたものであるといえる。
（ウ）　しみれば、両者は、「前記活性領域の近くに形成されたＩＩＩ族窒化物層」である点で一致する。
エ　引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」は「厚さ０.３μｍ」であること、又は「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」は「厚さ０.３μｍ」であることと、
　本願発明の「前記ＩＩＩ族窒化物層が、０．３５≦ｘ≦０．４５として、ＡｌxＧａ1-xＮを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の前記厚さが約４００オングストロームを超える」こととを対比すると、
　両者は、「前記ＩＩＩ族窒化物層が、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の厚さが０．３μｍ」である点で一致する。
（２）　以上のことから、本願発明と引用発明２との一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「発光半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、
　前記活性領域の近くに形成されたＩＩＩ族窒化物層と、
を備え、
　前記ＩＩＩ族窒化物層が、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の厚さが０．３μｍである発光半導体デバイス。」
　相違点２−１：
　「ＩＩＩ族窒化物層」は、
　本願発明では、「キャリア閉じ込め層である」のに対し、
　引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」又は「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」は、キャリア閉じ込め層であるのか否か明らかでない点。
　相違点２−２：
　「ＩＩＩ族窒化物層の厚さ」は、
　本願発明では、「層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え」ているのに対し、
　引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」又は「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」の厚さ「０.３μｍ」は、層内の歪み緩和のための臨界厚さを超えているのか否か明らかでない点。
３　判断
　以下、相違点２−１、相違点２−２について検討する。
（１）　相違点２−１について検討する。
ア　（ａ）ＡｌＧａＮのバンドギャップはＧａＮのバンドギャップよりも広く、Ａｌの組成比ｘが大きいほどＡｌｘＧａ１−ｘＮのバンドギャップは広いこと、及び（ｂ）ＧａＮのバンドギャップはＩｎＧａＮのバンドギャップよりも広く、Ｉｎの組成比ｙが小さいほどＩｎｙＧａ１−ｙＮのバンドギャップは広いことは、本願優先日時点における技術常識（必要ならば、上記技術常識１参照。）である。
イ　引用発明２は、「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」、「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」、「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」を「順次成長」したものであるところ、上記技術常識１に照らせば、引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」又は「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」のバンドギャップは、これらの層の間に配置された「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」のバンドギャップよりも広いといえる。
ウ　してみれば、引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」又は「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」が、キャリア閉じ込め層として機能していることは、明らかである。
エ　よって、上記相違点２−１は実質的な相違点ではない。
（２）　相違点２−２について検討する。
ア　ＡｌＮの格子定数はＧａＮの格子定数よりも小さく、ＧａＮの格子定数はＩｎＮの格子定数よりも小さいところ、ヴェガード則により、Ａｌの組成比ｘが大きいほどＡｌｘＧａ１−ｘＮの格子定数は小さく、Ｉｎの組成比ｙが小さいほどＩｎｙＧａ１−ｙＮの格子定数は小さいことは、本願優先日時点における技術常識（以下「技術常識３」という。）である。
イ　ＧａＮ上に形成されたＡｌｘＧａ１−ｘＮにおける、層内の歪み緩和のための臨界厚さは、Ａｌの組成比ｘが大きくなるにつれて薄くなり、ＧａＮ上に形成されたＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎにおける、層内の歪み緩和のための臨界厚さが２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であることは、本願優先日時点における技術常識（必要ならば、上記技術常識２参照。）である。
ウ　引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」は、「ｎ+−ＧａＮコンタクト層１１」の上に形成されたものであるところ、上記技術常識２に照らせば、引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」における、層内の歪み緩和のための臨界厚さは２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度であるといえる。
　しかるところ、引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」の厚さは、「０．３μｍ」（３００ｎｍ）であるから、引用発明２の「ｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１２１」の厚さが、層内の歪み緩和のための臨界厚さを超えていることは明らかである。
エ　引用発明２の「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」は、「アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ活性層１３１」の上に形成されたものであるところ、上記技術常識３に照らせば、「Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ」と「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ」との格子定数の差は、「Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ」と「ＧａＮ」との格子定数の差よりも大きいものである。
　そして、上記技術常識３に照らして、上記技術常識２をみると、下層と上層との格子定数の差が大きくなるにつれて、層内の歪み緩和のための臨界厚さは薄くなるといえる。
　してみれば、引用発明２の「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」における、層内の歪み緩和のための臨界厚さは、「ＧａＮ上に形成されたＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎにおける、層内の歪み緩和のための臨界厚さ」よりも薄いといえ、上記技術常識２に照らせば、引用発明２の「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」における、層内の歪み緩和のための臨界厚さは２０ｎｍ〜１００ｎｍよりも薄いといえる。
　しかるところ、引用発明２の「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」の厚さは、「０．３μｍ」（３００ｎｍ）であるから、引用発明２の「ｐ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ層１４１」の厚さが、層内の歪み緩和のための臨界厚さを超えていることは明らかである。
オ　よって、上記相違点２−２は実質的な相違点ではない。
（３）　請求人の主張について
ア　出願人は、平成２７年１１月２６日付けの意見書において、
「本願明細書の段落［００１１］に記載しましたように、緩和のための臨界厚さは、層の成長条件及び層の合金組成に依存します。・・・
　引用文献１、２、３における成長条件は、引用文献４に記載のものとは大いに異なるものであり、故に、引用文献４に開示された臨界厚さは、引用文献１、２、３に記載された発明には無関係なものであります。・・・このように、これらの引用文献は全て、異なる成長基板及び異なる成長方法を開示／教示しています。従って、当業者が理解することには、引用文献４によって教示される臨界厚さは、引用文献１、２、３における異なる成長条件の下では意味をなしません。」と主張している。
イ　確かに、「層内の歪み緩和のための臨界厚さ」は、層の成長条件に依存するものではあるが、層の成長条件がそれぞれ異なる、上記技術常識２を示す文献として例示した文献１〜３に記載の「層内の歪み緩和のための臨界厚さ」は、２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
　してみれば、「層内の歪み緩和のための臨界厚さ」は、層の成長条件に依存するものであるとしても、上記技術常識２で示された上限である１００ｎｍを、大きく超えるものであるとはいえない。
　よって、請求人の上記主張を採用することはできない。
４　小括
　したがって、本願発明は、引用文献２に記載された発明である。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
第５　理由Ｃについて
１　引用文献３の記載事項、及び引用発明３
（１）　先の拒絶理由通知書で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２００３−５２７７４５号公報（以下「引用文献３」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【０００８】
　最近まで、光放出ヘテロ構造の活性領域およびクラッド領域に関連する内部分極電界は、深刻な問題を呈示していなかった。その理由は、より確立されているＡｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ａｓ−Ｐ材料系をベースとした発光ダイオード（ＬＥＤ）を、一般に、無極性結晶表面上に成長させていたからである（特に、００１せん亜鉛鉱表面）。しかし最近、極性の高い表面であり主としてウルツ鉱結晶の０００１方向に沿って成長させたＡｌ−Ｇａ−Ｉｎ−Ｎ（「窒化物」）材料系をベースとする
光エミッタ
　　　【０００９】
　図１Ａは、極性方向に成長させた一般的な従来の
窒化物ダブルヘテロ構造半導体
基板層１
基板１上のバッファ層２
　　　【００１０】
　
ｎ型コンタクト層３
ＧａＮまたはＩｎＧａＮから形成され、
下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４は、
ＡｌＧａＮからなり、
バンドギャップは
３．４ｅＶ
よりも大きい
　　　【００１１】
　窒化物ダブルヘテロ構造は、
下層のクラッド層上に在る活性層５
ＩｎＧａＮを使用し
バンドギャップは
２．０ｅＶである
活性領域上の上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６は、
ＡｌＧａＮ
からなり、
バンドギャップエネルギーは、下部ｎ型クラッド層４の
バンドギャップと同様である。クラッド層６上のｐ型ＧａＮ導電性コンタクト層７
　　　【００１２】
　図１Ａに示す化合物半導体では、一般に、
活性領域５と下部クラッド層４との界面に負の分極誘導電荷シート密度σ１
が形成される。活性領域５と上部クラッド層６との界面に
正の電荷シート密度σ２が形成される。
電荷シートの密度は、２層間の組成上の相違から生じる自然発生的な要因と、層同士の格子不整合から生じる圧電性の歪との両方に左右されることになる。
自然発生的
分極
圧電性
分極
　　　【００１３】
　
活性領域の対向する面に沿った界面電荷シートは、
シート電荷σ１およびσ２の大きさによってその強度が異なる電界に対応する。
　　　【００１４】
　結晶の０００１（極性）面上に成長させた窒化物エミッタは、約１％から１０％という低い
放出効率
効率を制限する活性領域内または活性領域に隣接して相当な分極電界が存在することに起因する
　　　【００１５】
　適用分野の技術者にとって、関連する別の問題とは、印加されるバイアスが増大するときの放出波長の安定性である。強い分極誘導電界が存在する場合、放出波長は、デバイスのバイアスが増大するにつれて青にシフトする。デバイスバイアスが増大するにつれ、より多くの自由キャリアが伝導帯および価電子帯の井戸に蓄積される。自由キャリアは空間的に分離するので、キャリア自体が、内蔵分極誘導電界を妨げまたは遮蔽する双極子を形成する。正味の電界が小さくなるにつれて量子井戸の量子化状態が変化し、放出波長は青にシフトする。
　　　【００１６】
　図１Ｃは、分極誘導電荷が無い状態で無極性表面上で動作する光エミッタの、活性領域５とクラッド層４および６のエネルギー帯を示す。他の全ては等しく、上記論じた３つの作用は存在しないかまたは大きく減じられているので、放出効率はより高い。
　　　【００１７】
　ＧａＮベースのＬＥＤの効率を高めるいくつかの手法が使用されてきた。いずれもＮａｋａｍｕｒａ他に発行された米国特許第５，９５９，３０７号および第５，５７８，８３９号は、
自由キャリアがより効率的に閉じ込められるよう活性領域の障壁の高さを増大させるため、
クラッド層の材料組成もＧａＮからＡｌＧａＮに変化し、それが、自然発生的分極電界および圧電性分極電界の両方を増大させるよう作用する。
光エミッタのエネルギー帯を変化させることによって、キャリアの閉じ込めを減少させかつ空間分離を増大させ
放射効率が低下する。
イ　「【００４７】
　格子定数を変化させること
　図１０Ａおよび図１０Ｂは、構造内に分極電界を設計する別の方法を示す。活性層に歪が生じないように、または歪の方向が逆になるように、活性領域１１３の下の、構造の面内格子定数を変化させることによって、図１０Ｂのバンドダイアグラムに示されるように活性領域内の圧電分極誘導電界を小さくし、無くし、または反転させることができる。下に在る格子定数は、いくつかの方法で変化させることができる。第１に、バッファ層１１０は、バッファ層の面内格子定数がＩｎＧａＮ活性層の面内格子定数に近付くように、ＩｎＡｌＧａＮなどの異なる材料組成で成長させることができる。ＩｎＡｌＧａＮバッファ層のバンドギャップも、光吸収が無くなるように、ＩｎＧａＮ活性層のバンドギャップより大きくなる。面内格子定数を変化させるための第２の方法では、従来のバッファ層を使用するが、このバッファ層とは異なるＡｌＩｎＧａＮなどの材料組成でｎコンタクト層１１１の少なくとも一部を成長させて、その面内格子定数がバッファ層の面内格子定数から変化して活性領域の面内格子定数に近付いた値になるようにすることである。このため、上述と同じ利益が実現される。第３の方法は、ｎコンタクト層に関して述べたものと同じ方法で、下部クラッド層１１２内の格子定数を変化させる。
第４の方法では、歪が緩和されるように活性領域を十分厚く成長させ、
活性領域内の圧電誘導電界が取り除かれる。
ウ　窒化物光エミッタに関する既知の構造の例示的な断面図を示す図１Ａは、次のものである。
（２）　引用発明３
　上記（１）アの記載及び上記（１）ウの図１Ａを参酌して、上記（１）イの「第４の方法」の発明を認定するに、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されているといえる。
　なお、上記（１）アの【００１７】によれば、「自由キャリアがより効率的に閉じ込められるよう活性領域の障壁の高さを増大させるため」、「クラッド層の材料組成もＧａＮからＡｌＧａＮに変化」することが記載されているから、上記（１）アの【００１０】に記載の「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」及び上記（１）アの【００１１】に記載の「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」は、「ＡｌＧａＮ」からなるものとして、発明を認定した。
「基板層１と、
　基板層１上の、バッファ層２と、
　バッファ層２上の、ＧａＮまたはＩｎＧａＮから形成されたｎ型コンタクト層３と、
　ｎ型コンタクト層３上の、ＡｌＧａＮからなり、バンドギャップは３．４ｅＶよりも大きい下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４と、
　下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４上の、ＩｎＧａＮを使用し、バンドギャップは２．０ｅＶである活性層５と、
　活性層５上の、ＡｌＧａＮからなり、バンドギャップは３．４ｅＶよりも大きい上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６と、
　上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６上の、ｐ型ＧａＮ導電性コンタクト層７と、を有する
　窒化物ダブルヘテロ構造半導体からなる光エミッタであって、
　自由キャリアがより効率的に閉じ込められるよう活性領域の障壁の高さを増大させるため、クラッド層の材料組成をＧａＮからＡｌＧａＮに変化すると、それが、自然発生的分極電界および圧電性分極電界の両方を増大させるよう作用し、光エミッタのエネルギー帯を変化させることによって、キャリアの閉じ込めを減少させかつ空間分離を増大させ、放射効率が低下するところ、
　歪が緩和されるように活性領域を十分厚く成長させ、活性領域内の圧電誘導電界が取り除かれた、
　窒化物ダブルヘテロ構造半導体からなる光エミッタ。」
２　対比
（１）　本願発明と引用発明３を対比する。
ア　引用発明３の「窒化物ダブルヘテロ構造半導体からなる光エミッタ」と、本願発明の「発光半導体デバイス」とを対比すると、両者は相当関係にある。
イ　引用発明３の「ＩｎＧａＮを使用し」た「活性層５」は、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物の活性領域」に相当する。
ウ　引用発明３の「自由キャリアがより効率的に閉じ込められるよう活性領域の障壁の高さを増大させ」た、「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」と、
　本願発明の「前記活性領域の近くに形成されたキャリア閉じ込め層であるＩＩＩ族窒化物層」を対比する。
（ア）　引用発明３の「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」は、上に「活性層５」を有するから、「活性層５」の近くに形成されたものであるといえる。
（イ）　引用発明３の「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」は、「活性層５上」にあるから、「活性層５」の近くに形成されたものであるといえる。
（ウ）　しみれば、両者は、相当関係にある。
エ　引用発明３の「ＡｌＧａＮからな」る「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「ＡｌＧａＮからな」る「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」と、
　本願発明の「０．３５≦ｘ≦０．４５として、ＡｌxＧａ1-xＮを含み、前記ＩＩＩ族窒化物層の前記厚さが約４００オングストロームを超える」「前記ＩＩＩ族窒化物層」とを対比すると、
　両者は、「ＡｌxＧａ1-xＮを含」む「前記ＩＩＩ族窒化物層」である点で一致する。
（２）　以上のことから、本願発明と引用発明３との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「発光半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ族窒化物の活性領域と、
　前記活性領域の近くに形成されたキャリア閉じ込め層であるＩＩＩ族窒化物層と、
を備え、
　前記ＩＩＩ族窒化物層が、ＡｌxＧａ1-xＮを含む発光半導体デバイス。」
　相違点３：
　「ＩＩＩ族窒化物層」は、
　本願発明では、「０．３５≦ｘ≦０．４５として、ＡｌxＧａ1-xＮを含み」、「前記ＩＩＩ族窒化物層の厚さが、前記層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え」、「約４００オングストロームを超える」のに対し、
　引用発明３の「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」はＡｌxＧａ1-xＮを含むものの、「０．３５≦ｘ≦０．４５」であるか否か明らかでなく、その厚さが、「層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え」、「約４００オングストロームを超える」ものではない点。
３　判断
　以下、相違点３について検討する。
（１）　「ＩＩＩ族窒化物層」のＡｌの組成比ｘについて
ア　引用発明３は、「自由キャリアがより効率的に閉じ込められるよう活性領域の障壁の高さを増大させるため、クラッド層の材料組成をＧａＮからＡｌＧａＮに変化する」ものであるところ、クラッド層のＡｌの組成比ｘをどの程度にするかは、自由キャリアがより効率的に閉じ込められるよう、当業者が適宜選択するものであるといえる。
イ　しかるところ、活性領域の近くに形成されたクラッド層であるＩＩＩ族窒化物層として、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎを用いた発光半導体デバイスは、本願優先日時点における周知の技術（引用文献１（特に、請求項１、【００１６】〜【００１７】、図２）、引用文献２（特に、請求項１、【００２２】〜【００３０】、図４〜６）参照。）（以下「周知技術１」という。）である。
ウ　してみれば、引用発明３において、上記周知技術１を適用し、「ＡｌＧａＮからな」る「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「ＡｌＧａＮからな」る「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」を、「Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ」からなるものとすることに、格別の困難性はない。
（２）　「ＩＩＩ族窒化物層の厚さ」について
ア　引用発明３は、「自然発生的分極電界および圧電性分極電界」によって、「放射効率が低下するところ」、「歪が緩和されるように活性領域を十分厚く成長させ、活性領域内の圧電誘導電界が取り除かれた」ものであるから、「圧電性分極電界」（圧電誘導電界）を取り除くことによって、放射効率の低下を抑制するものであるといえる。
イ　上記アの「分極電界」に関して、引用文献３の【００１２】〜【００１４】には、「活性領域５と下部クラッド層４との界面に負の分極誘導電荷シート密度σ１・・・が形成され」、「活性領域５と上部クラッド層６との界面に・・・正の電荷シート密度σ２が形成され」、「活性領域の対向する面に沿った界面電荷シートは、・・・シート電荷σ１およびσ２の大きさによってその強度が異なる電界に対応」し、「活性領域内または活性領域に隣接して相当な分極電界が存在することに起因」して、「放射効率」が制限される旨が記載されている。
　また、「電荷シート密度」に関して、引用文献３の【００１２】には、「２層間の組成上の相違から生じる自然発生的な」「電荷シート密度」と、「層同士の格子不整合から生じる圧電性の歪」による「電荷シート密度」とがあり、それぞれ、「自然発生的・・・分極」「電界」と、「圧電性・・・分極」「電界」とに対応する旨が記載されている。
ウ　上記ア、イの「圧電性分極電界」には、界面における一方の層の「圧電性分極電界」によるものと、界面における他方の層の「圧電性分極電界」によるものとがあることは、本願優先日時点における技術常識（必要ならば、以下の技術常識を示す文献ｂ、ｄ参照。）（以下「技術常識４」という。）である。
　技術常識を示す文献
ｂ：O. Ambacher et al.、
　　Two dimensional electron gases induced by spontaneous and 
　　piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN 
　　heterostructures、
　　Journal of Applied Physics、Vol. 87、No. 1、
　　pp. 334-344、2000年1月（前掲）
　　（特に式（5b）、FIG. 1）
ｄ：O. Ambacher et al.、
　　Two dimensional electron gases induced by spontaneous and 
　　piezoelectric polarization charges in N- and Gaface AlGaN/GaN 
　　heterostructures、
　　Journal of Applied Physics、Vol. 85、No. 6、
　　pp. 3222-3233、1999年3月
　　（特に式（6）、FIG. 7）
エ　一方、先の拒絶理由通知書で引用した、
　　M. Hiroki et al.、
　　Metalorganic vapor phase epitaxy growth of AlGaN/GaN 
　　heterostructures on sapphire substrates、
　　Journal of Crystal Growth、Volumes 237-239、Part 2、
　　pp. 956-960、2002年4月（以下「引用文献４」という。）
　　（特にAbstract）には、
　AlGaN/GaNヘテロ構造（AlGaN/GaN heterostructures）において、圧電分極効果と自発分極効果によって、Ａｌ組成が増加するとともに、シート電荷密度が増加する（Sheet electron densities continue to increase in proportion to the Al composition. ... This is due to the effect of piezoelectric and spontaneous polarizations.）ところ、AlGaN層の厚さが臨界膜厚を超えると、緩和によって圧電分極が減少し、シート電荷密度が減少する（When the AlGaN layer thickness exceeds the critical thickness, the sheet electron density decreased, because the piezoelectric polarization was also reduced by the relaxation.）旨が記載されている。
オ　上記アによれば、引用発明３は、「歪が緩和されるように活性領域を十分厚く成長させ、活性領域内の圧電誘導電界」を取り除くことによって、放射効率の低下を抑制するものであるところ、上記技術常識４に照らしてみるに、「圧電性分極電界」（圧電誘導電界）には、界面における一方の層（活性層５）の「圧電性分極電界」によるものと、界面における他方の層（「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」）の「圧電性分極電界」によるものとがあるものといえる。
　してみれば、引用発明３において、界面における他方の層である「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」の「圧電性分極電界」を取り除くことによって、放射効率の低下を抑制することは、当業者が容易に想到しうることであって、引用発明３の「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」を、引用文献４に記載された事項を参酌して、「層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え」るものとすることに、格別の困難性はない。
カ　そして、このとき、「ＧａＮ上に形成されたＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎにおける、層内の歪み緩和のための臨界厚さが２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である」という上記技術常識２を参酌して、上記（１）を見ると、
　引用発明３において、「ＡｌＧａＮからな」る「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「ＡｌＧａＮからな」る「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」を、「Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ」からなるものとするとともに、放射効率の低下を抑制するために、「下部ｎ型またはアンドープ型クラッド層４」又は「上部ｐ型またはアンドープ型クラッド層６」の厚さを、「層内の歪み緩和のための臨界厚さを超え」るように、「約４００オングストロームを超える」厚さとすることによって、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（３）　作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明３、引用文献３、４の記載事項及び上記周知技術１に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。 
４　小括
　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明３、引用文献３、４の記載事項及び上記周知技術１に基いて容易に発明をすることができたものである。
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
第６　むすび
　以上より、結論のとおり審決する。