【事件の表示】
　特願２０１３−５２５６８３「太陽電池基板、太陽電池基板の製造方法、太陽電池素子及び太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　１月３１日国際公開、ＷＯ２０１３／０１５１７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２０１２年７月１８日（優先権主張２０１１年７月２５日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年７月１５日付けで拒絶の理由が通知され、同年９月２２日に手続補正がなされたが、平成２７年１月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月１４日に拒絶査定不服審判が請求され、その後、当審において、平成２８年３月２３日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年５月１０日に意見書の提出がなされたものである。　　　　　　　
　　　  
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２６年９月２２日付けの手続補正により補正された請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「ｎ型拡散層と、前記ｎ型拡散層よりもｎ型不純物濃度の高いｎ＋型拡散層と、を有し、
前記ｎ＋型拡散層の表面に凹部を
有し、前記ｎ
＋
型拡散層の表面の中心線平均粗さＲａが０．００４μｍ〜０．１００μｍである半導体基板である
　　　　　             　　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
（１）当審拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−２７３８２９号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。
  　 
　ア　「【請求項４】 
　
受光面に２種類の異なるドーパント濃度の第２導電型層を有する第１導電型の半導体基板と、受光面電極と、裏面電極とから構成される光電変換装置であって
　
前記受光面電極が、ドーパント濃度の高い第２導電型層上に形成され、かつ前記受光面電極が形成されていない２種類の異なるドーパント濃度の第２導電型層が反射防止膜により被覆されてなることを特徴とする光電変換装置。
　【請求項５】 
　異なるドーパント濃度の第２導電型層が、それらの境界領域及びその近傍領域において、異なる表面形状を有して構成される請求項１〜４のいずれか１つに記載の光電変換装置。 
　【請求項６】 
　
ドーパント濃度が低い第２導電型層が、ドーパント濃度が高い第２導電型層の表面凹凸の高低差よりも大きな表面凹凸の高低差を有する
 　 
　イ　「【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の光電変換装置は、主として、第１導電型の半導体基板と、この基板の受光面に形成された
２種類の異なるドーパント濃度の第２導電型層（以下、高濃度第２導電型層と低濃度第２導電型層と記す）
半導体基板は、通常、光電変換素子に用いられる基板、例えば、シリコン基板、ゲルマニウム基板等の元素半導体基板；シリコンゲルマニウム基板、ガリウム砒素基板等の化合物半導体基板；等の公知材料を使用することができる。なかでも、シリコン基板が好ましい。半導体基板は、主にキャスト法、ＣＺ法又はＦＺ法により形成されたインゴットを利用することができ、これを例えば、マルチワイヤー法等でスライスして用いることができる。半導体基板は、例えば、０．１〜２０  Ωｃｍ程度の抵抗値に設定されていることが適当である。
【０００９】
半導体基板は、第１導電型の導電性を有している。第１導電型は、ｎ型又はｐ型のいずれでもよい
第２導電型とは、第１導電型とは逆導電型であり、ｐ型又はｎ型のいずれであってもよい
熱拡散法
形成することができる
　
　ウ　「【００１１】
半導体基板は、受光面に、凹凸及び突出部が形成されていることが好ましい。つまり、
受光面のうち、実質的に受光を行う面は、平坦でもよいが、微細な凹凸、例えば、高低差が１〜１０μｍ程度の凹凸が形成されていてもよい。この凹凸は、実質的に受光を行う面に均一に形成されていることが好ましい
また、突出部は、その表面が受光を行ってもよいが、その表面に受光面電極が形成されることが好ましい
突出部の表面（つまり、受光面電極が形成される半導体基板の基準面）は、平坦であってもよいが、微細な凹凸が形成されていてもよい
この微細な凹凸は、実質的に受光を行う面における微細な凹凸よりも、その高低差が小さいことが好ましい
　
　エ　「【００１５】
実施例１：太陽電池セル
本発明における
微細な凹凸（例えば、１〜１０μｍ程度の高低差）を有するｐ型シリコン基板１０
受光面電極１３直下を含む受光面の略全面にｎ型拡散層１１が形成されている。ｎ型拡散層１１は、１０
１７
〜１０
２０
／ｃｍ
３
程度のドーパント濃度に設定されており、ｎ型拡散層１１において、受光面電極１３下方であって、境界１７付近までの領域において、ドーパント濃度が１０
１８
〜１０
２１
／ｃｍ
３
程度のｎ型高濃度層１６が形成されている
また、受光面の受光面電極１３が形成された領域以外の領域に、膜厚５０〜１００ｎｍ程度のＳｉ３Ｎ４からなる反射防止膜１２が形成されている。
一方、裏面には、ドーパント濃度が１０１８〜１０２１／ｃｍ３程度のｐ型高濃度層１４が形成され、その略全面にわたって、裏面電極１５が形成されている。」　  　
　　　
　オ　「【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、突出部上に受光面電極が形成されているため、光電変換装置がモジュール化等されて、例えば、封止されるまでに、鋭敏な受光面表面を機械的な接触から保護することができ、特性の劣化を極力抑えて、
高性能な特性の光電変換装置、例えば、太陽電池を得ることができる
また、受光面電極がドーパント濃度の高い第２導電型層上に形成されること、受光面電極の線幅がドーパント濃度の高い第２導電型層の幅よりも小さいことにより、鋭敏な受光面への金属付着を効果的に低減することができる。
さらに、第２導電型層が反射防止膜により被覆されるため、光の反射防止効果を得ることができ…（省略）……例えば、
太陽電池の使用環境での長期安定性の高い優れた光電変換装置を工業的に得ることが可能になる
【００２６】
また、異なるドーパント濃度の第２導電型層が、それらの境界領域及びその近傍領域において、異なる表面形状を有して構成される場合、特に、ドーパント濃度が低い第２導電型層が、ドーパント濃度が高い第２導電型層の表面凹凸の高低差よりも大きな表面凹凸の高低差を有する場合、つまり、低濃度の第２導電型層が表面凹凸を有することで、光学的に表面反射低減効果を発揮させて光入射を容易にすることができる。
一方、電極形成が行われる高濃度の第２導電型層の表面形状は平坦又は上記光学的な凹凸よりも、凹凸高低差を小さくした表面とすることで、電極被着を容易にできるなど、それぞれに最適な表面とすることで良好な特性改善を行うことができる
 　　 
　カ　上記ウ及びエで引用する図２は、以下のものである。 
    　　 
（２）引用文献に記載された発明  
　ア　上記（１）アの記載によれば、  
　引用文献には、  
　「受光面に２種類の異なるドーパント濃度の第２導電型層を有する第１導電型の半導体基板と、受光面電極と、裏面電極とから構成される光電変換装置であって、 
　前記受光面電極が、ドーパント濃度の高い第２導電型層上に形成され、
　かつ前記受光面電極が形成されていない２種類の異なるドーパント濃度の第２導電型層が反射防止膜により被覆され、
　ドーパント濃度が低い第２導電型層が、ドーパント濃度が高い第２導電型層の表面凹凸の高低差よりも大きな表面凹凸の高低差を有する、光電変換装置。」が記載されているものと認められる。　
　  
　イ　上記（１）イの記載によれば、
　上記アの「２種類の異なるドーパント濃度の第２導電型層」は、
　熱拡散法により形成された「高濃度ｎ型層」と「低濃度ｎ型層」であってもよいことが理解できる。
　また、上記アの「第１導電型の半導体基板」は、「ｐ型の半導体基板」であってもよいことが理解できる。
　　
　ウ　上記（１）ウ及びエの記載を踏まえて、図２を見ると、以下のことが理解できる。
（ア）上記アの「ドーパント濃度が低い第２導電型層」は、「１〜１０μｍ程度の高低差の表面凹凸を有する」こと。
（イ）上記アの「ドーパント濃度が高い第２導電型層」は、「平坦な表面、又はドーパント濃度が低い第２導電型層の表面凹凸よりも高低差の小さい表面凹凸を有する」こと。　　　                     　
　      　                              　
　エ　上記（１）オの記載によれば、
　上記アの「光電変換装置」は、「太陽電池」であってもよいことが理解できる。　
　          　
　オ　上記アないしエより、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　  
 　 　 　 
　「受光面に、熱拡散法により形成された高濃度ｎ型層と低濃度ｎ型層を有するｐ型の半導体基板と、受光面電極と、裏面電極とから構成される太陽電池であって、 
　前記受光面電極が、高濃度ｎ型層上に形成され、
　かつ前記受光面電極が形成されていない高濃度ｎ型層と低濃度ｎ型層が反射防止膜により被覆され、
　低濃度ｎ型層は、１〜１０μｍ程度の高低差の表面凹凸を有し、
　高濃度ｎ型層は、平坦な表面、又は低濃度ｎ型層の表面凹凸よりも高低差の小さい表面凹凸を有する、太陽電池。」　
　　　　　　  　　   　
第４　対比・判断
１　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「熱拡散法により形成された高濃度ｎ型層」と「（熱拡散法により形成された）低濃度ｎ型層」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型不純物濃度の高いｎ＋型拡散層」と「ｎ型拡散層」に、相当する。
　また、引用発明の「受光面に、熱拡散法により形成された高濃度ｎ型層と低濃度ｎ型層を有するｐ型の半導体基板」は、「太陽電池」を構成する基板であることから、本願発明の「半導体基板である太陽電池基板」に相当する。      　
　　　
（２）引用発明の「高濃度ｎ型層」は、「低濃度ｎ型層の表面凹凸よりも高低差の小さい表面凹凸を有する」ものであるから、引用発明の「高濃度ｎ型層」は、「表面に凹部を有し、表面の中心線平均粗さＲａが所定値である」といえる。　
　してみると、本願発明と引用発明とは、「ｎ＋型拡散層の表面に凹部を有し、前記ｎ＋型拡散層の表面の中心線平均粗さＲａは所定値である」点で一致する。　
　　　
（３）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　＜一致点＞  
　「ｎ型拡散層と、前記ｎ型拡散層よりもｎ型不純物濃度の高いｎ＋型拡散層と、を有し、
　前記ｎ＋型拡散層の表面に凹部を有し、前記ｎ＋型拡散層の表面の中心線平均粗さＲａは所定値である半導体基板である太陽電池基板。」
　　  　　　 　
（４）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞ 　  　
　ｎ＋型拡散層の表面の中心線平均粗さＲａの数値範囲に関して、
　本願発明は、「０．００４μｍ〜０．１００μｍ」であるのに対して、
　引用発明は、「高濃度ｎ型層」の表面の具体的な「中心線平均粗さＲａ」の値が不明である点。　
　       　
２　判断
（１）上記＜相違点＞について検討する。
　ア　引用発明の「高濃度ｎ型層」は、「平坦な表面、又は低濃度ｎ型層の表面凹凸よりも高低差の小さい表面凹凸を有する」ものであり、「低濃度ｎ型層」は、「１〜１０μｍ程度の高低差の表面凹凸」を有することから、引用発明の「高濃度ｎ型層」は、「１μｍ未満の高低差の表面凹凸を有する高濃度ｎ型層」を含むものと解される。　
　　
　イ　そして、該「高濃度ｎ型層」について、具体的にどの程度の「表面凹凸」にするかは、当業者が引用発明を実施する際に適宜定めるべき事項であるところ、引用文献には「
凹凸高低差を小さくした表面
　                　　        　
　ウ　一方、「高低差」を小さくするほど、「表面粗さ」の指標である「中心線平均粗さＲａ」も小さくなることは、当業者にとって明らかであって、「中心線平均粗さＲａ」が「０．００４μｍないし０．１００μｍ」である面は、「凹凸高低差を小さくした表面」であると解される（「表面粗さ」の指標である「中心線平均粗さＲａ」については、例えば、特開２０１０−８５５２７号公報の【０００８】、特開２００８−４１３２８号公報の【００２０】、特開２００１−２６４６５号公報の【００１２】、特開平１１−２７７７１５号公報の【００１３】及び特開平７−２８０５４１号公報の【００１２】及び図３を参照。）。　　
　  　　   　
　エ　してみると、「１μｍ未満の高低差の表面凹凸を有する高濃度ｎ型層」を、「表面粗さ」の指標である「中心線平均粗さＲａ」で表した際に、「０．００４μｍないし０．１００μｍ」である「表面凹凸を有する高濃度ｎ型層」とすることは、当業者が適宜なし得た設計事項である。　　
　また、本願明細書の【００５９】、実施例及び比較例等に関する記載を見ても、本願発明の「半導体基板である太陽電池基板」において「中心線平均粗さＲａ」の上限値及び下限値を設定することについて、臨界的な技術的意義は認められない。　
　         　
　オ　よって、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を備えることは、当業者が容易になし得たことである。  　
　　 　   　 　 　　 
（２）効果 
　本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。
　
３　平成２８年５月１０日提出の意見書について
（１）請求人は、意見書の「（２）出願人の意見」（第１頁を参照。）において、以下のように主張するので、この点について検討する。　
　  　
　「また、本願明細書［００５９］に記載のように、中心線平均粗さＲａが０．１００μｍ以下の場合にはｎ型不純物濃度の高い拡散領域の消失が抑えられるという効果があります。このような効果について引用文献には記載も示唆もありません。
　さらに、本願明細書［００６０］に記載のように、本願発明における中心線平均粗さＲａは半導体基板表面に凹凸を形成する四角錘の面上を測定対象とするものです。具体的には、図２の写真に示されるような面の中心線平均粗さＲａを意図しています。従って、本願発明においてｎ＋型拡散層の中心線平均粗さＲａが『０．００４μｍ〜０．１００μｍ』であることは、……引用文献２の図２における第２導電型層（符号１６）の表面の状態とは意味合いが大きく異なります。」　　
　
（２）請求人は、本願発明の「半導体基板である太陽電池基板」の効果として、「ｎ型不純物濃度の高い拡散領域の消失が抑えられるという効果」を主張しているが、引用発明においては、「受光面電極が、高濃度ｎ型層上に形成され」るため、素子の正常動作のために、「『高濃度ｎ型層』の『表面凹凸』の『高低差』」は、高濃度ｎ型層が消失しない程度となっていることは、当然の事項である。
　また、本願発明は、「凹凸を形成する四角錘」との発明特定事項を備えるものではないので、請求人の主張は、特許請求の記載に基づく主張ではない。  　  　
　　　　　          　　   　     　         　
（３）よって、請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。
　　　  　
４　まとめ
　本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。　
　　　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。