【手続補正書】
【提出日】令和2年10月15日(2020.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャックを備えたプラズマ処理チャンバで用いるためのエッジリングであって、
前記チャックの上に、前記チャックに面して設置される第１の表面を有するエッジリング本体であって、前記第１の表面は、開口部の周りにリングを形成し、
前記第１の表面に統合され、前記開口部の周りに延びる第１のエラストマリングと
を備える、エッジリング。
【請求項２】
請求項１に記載のエッジリングであって、さらに、
前記第１の表面に統合され、前記開口部の周りに延びる第２のエラストマリングを備える、エッジリング。
【請求項３】
請求項２に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、前記第２のエラストマリングと同心円状である、エッジリング。
【請求項４】
静電ウエハチャック、ならびに、周りを囲む冷却溝を備えた中央開口部を有し、前記冷却溝の下方にリングクランプ電極、および、ガス流を前記冷却溝に提供してエッジリングの温度を調節するための少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを有する静電リングチャックと、を備えたプラズマ処理チャンバにおいて使用するためのエッジリングであって、
リングクランプ電極および前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを有する前記静電リングチャックの上方に設置される第１の表面を備えたエッジリング本体であって、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記エッジリング本体は、前記リングクランプ電極の上方に位置する導電部分を備え、前記第１の表面は、中央開口部を有する、エッジリング本体と、
前記エッジリング本体の前記第１の表面に統合され、前記第１の表面の前記中央開口部を囲む第１のエラストマリングであって、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されるときに、前記第１のエラストマリングは、前記冷却溝をシールするのに用いられる、第１のエラストマリングと
を備える、エッジリング。
【請求項５】
請求項４に記載のエッジリングであって、
前記静電リングチャックは、さらに、前記中央開口部を囲む前記静電リングチャックにおいて、前記冷却溝の第１の側に第１のシール溝を備え、前記第１のエラストマリングは、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記第１のシール溝に位置する、エッジリング。
【請求項６】
請求項５に記載のエッジリングであって、
前記静電リングチャックは、前記中央開口部を囲む前記静電リングチャックにおいて、前記冷却溝の第２の側に第２のシール溝を有し、さらに、前記エッジリング本体の前記第１の表面に統合され、前記第１の表面の前記中央開口部を囲む第２のエラストマリングを備え、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記第２のエラストマリングは、前記第２のシール溝に位置する、エッジリング。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、前記第１の表面に液体エラストマとして施される、エッジリング。
【請求項８】
請求項２または請求項６に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングおよび前記第２のエラストマリングは、０．２５ｍｍから２ｍｍの間の高さを有する、エッジリング。
【請求項９】
請求項２または請求項６に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングおよび前記第２のエラストマリングの前記高さの公差は、５０ミクロンより優れている、エッジリング。
【請求項１０】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体は、２００ｍｍから４００ｍｍの間の外径を有する、エッジリング。
【請求項１１】
請求項２または請求項６に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体、前記第１のエラストマリング、および前記第２のエラストマリングは、全て同心円状である、エッジリング。
【請求項１２】
請求項２または請求項６に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングおよび前記第２のエラストマリングは、ケイ素を含む材料から形成される、エッジリング。
【請求項１３】
請求項２または請求項６に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体の前記第１の表面は、内端および外端を有し、前記第１のエラストマリングは、前記第１の表面の前記内端から１０ｍｍの距離内にあり、前記第２のエラストマリングは、前記第１の表面の前記外端から３０ｍｍの距離内にある、エッジリング。
【請求項１４】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、台形、正方形、長方形、三角形、または半円の形状の断面を有する、エッジリング。
【請求項１５】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングの前記高さの公差は、５０ミクロンより優れている、エッジリング。
【請求項１６】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体は、ケイ素、炭化ケイ素、または石英を含む、エッジリング。
【請求項１７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、２５ミクロン未満の厚さおよび前記冷却溝の幅より大きい幅のシートを形成し、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記第１のエラストマリングは、前記冷却溝をシールするために前記冷却溝を横切って延びる、エッジリング。
【請求項１８】
ガス流をエッジリングに提供して温度を調節するための少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを有する静電リングクランプを備えるプラズマ処理チャンバにおいて前記エッジリングを静電気的にクランプするための方法であって、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルに真空を提供することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力を測定することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける前記圧力が閾値最大圧力に達したときに静電リングクランプ電圧を提供することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルへの前記真空を停止することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力を測定することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力が閾値より速く上昇した場合は、シール不良を示すことと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力が前記閾値より速く上昇しない場合は、前記エッジリングの温度を調節するために前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを用いてプラズマプロセスを継続する、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルに真空を提供する間は、前記プラズマ処理チャンバは大気圧である、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
様々な実施形態では、各エラストマリングの高さは、エラストマリングが設置される溝の深さより大きい。これにより、エラストマリングはシールの形成時に圧縮され、シールを築くのに役立つ。様々な実施形態では、エラストマリングは、異なる断面を有してよい。エラストマリングの断面は、長方形、正方形、三角形、台形、半円のうちの少なくとも１つであることが好ましい。エラストマリングの断面の底部は、エッジリングの残りの部分に統合されているエラストマリングの上部より狭いことがより好ましい。エラストマリングは、図３に示されるように、台形であることが最も好ましい。エラストマリングは、０．２５ｍｍから２ｍｍの間の高さを有することが好ましい。エラストマリングの高さは、溝の深さより１０ミクロンから５０ミクロン大きいことが好ましい。エラストマリングの高さの公差は、５０ミクロンまたはそれより優れていることが好ましい。エラストマリングの高さの公差は、１２〜１３ミクロンであることがより好ましい。エッジリングの外径は、２００ｍｍから４５０ｍｍの間であることが好ましい。エッジリングの外径は、３００ｍｍから４００ｍｍの間であることがより好ましい。エッジリング、第１のエラストマリング、および第２のエラストマリングは、同心円であることが好ましい。第１のエラストマリングは、エッジリングの内端から１０ｍｍ以内であり、第２のエラストマリングは、エッジリングの外端から３０ｍｍ以内であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
一実施形態では、エラストマの高さは、溝の深さと、溝の深さの公差と、エラストマシールの高さの公差（全て対称公差と仮定して）と、エッジリングの平坦度との和に等しい。そのため、溝の深さが０．５ｍｍ＋２５μｍの場合は、エラストマシールは、目標高さの＋１５μｍ以内に調節され、リングの平坦度は２０μｍであり、エラストマシールの目標高さは、０．５ｍｍ＋２５μｍ＋１５μｍ＋２０μｍ＝０．５６ｍｍとなるだろう。これにより、エラストマが最小の高さであるときは、溝は最大の深さであり、平坦度は最も悪く、シールは、それでも溝の底部でリング面と接触するだろうことが確実となる。全ての項目が同時に最悪の場合になる可能性は低いため、時として、エラストマシールの目標高さが０．５ｍｍ＋平方根（２５μｍ2＋１５μｍ2＋２０μｍ2）＝０．５３５ｍｍとなるだろうＲＳＳ加算を用いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明がいくつかの好ましい実施形態に関して説明されてきたが、本発明の範囲に該当する変更、修正、並べ替え、および様々な代替同等物がある。本発明の方法および装置を実行する多くの別の方法があることにも注意されたい。そのため、以下の付随の特許請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲に該当するような全ての変更、修正、並べ替え、および様々な代替同等物を含むとして解釈されることを意図している。
本発明は、以下の形態によっても実現可能である。
［形態１］
静電ウエハチャック、ならびに、周りを囲む冷却溝を備えた中央開口部を有し、前記冷却溝の下方にリングクランプ電極、および、ガス流を前記冷却溝に提供してエッジリングの温度を調節するための少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを有する静電リングチャックと、を備えたプラズマ処理チャンバにおいて使用するためのエッジリングであって、
リングクランプ電極および前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを有する前記静電リングチャックの上方に設置される第１の表面を備えたエッジリング本体であって、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記エッジリング本体は、前記リングクランプ電極の上方に位置する導電部分を備え、前記第１の表面は、中央開口部を有する、エッジリング本体と、
前記エッジリング本体の前記第１の表面に統合され、前記第１の表面の前記中央開口部を囲む第１のエラストマリングであって、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されるときに、前記第１のエラストマリングは、前記冷却溝をシールするのに用いられる、第１のエラストマリングと
を備える、エッジリング。
［形態２］
形態１に記載のエッジリングであって、
前記静電リングチャックは、さらに、前記中央開口部を囲む前記静電リングチャックにおいて、前記冷却溝の第１の側に第１のシール溝を備え、前記第１のエラストマリングは、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記第１のシール溝に位置する、エッジリング。
［形態３］
形態２に記載のエッジリングであって、
前記静電リングチャックは、前記中央開口部を囲む前記静電リングチャックにおいて、前記冷却溝の第２の側に第２のシール溝を有し、さらに、前記エッジリング本体の前記第１の表面に統合され、前記第１の表面の前記中央開口部を囲む第２のエラストマリングを備え、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記第２のエラストマリングは、前記第２のシール溝に位置する、エッジリング。
［形態４］
形態３に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングおよび前記第２のエラストマリングは、０．２５ｍｍから２ｍｍの間の高さを有する、エッジリング。
［形態５］
形態４に記載のエッジリングであって、
前記エラストマリングの前記高さの公差は、５０ミクロンより優れている、エッジリング。
［形態６］
形態５に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体は、２００ｍｍから４００ｍｍの間の外径を有する、エッジリング。
［形態７］
形態６に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体、第１のエラストマリング、および第２のエラストマリングは、全て同心円状である、エッジリング。
［形態８］
形態５に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングおよび前記第２のエラストマリングは、ケイ素を含む材料から形成される、エッジリング。
［形態９］
形態８に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体の前記第１の表面は、内端および外端を有し、前記第１のエラストマリングは、前記第１の表面の前記内端から１０ｍｍの距離内にあり、前記第２のエラストマリングは、前記第１の表面の前記外端から３０ｍｍの距離内にある、エッジリング。
［形態１０］
形態９に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、台形、正方形、長方形、三角形、または半円の形状の断面を有する、エッジリング。
［形態１１］
形態３に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体は、２００ｍｍから４００ｍｍの間の外径を有する、エッジリング。
［形態１２］
形態３に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体、第１のエラストマリング、および第２のエラストマリングは、全て同心円状である、エッジリング。
［形態１３］
形態３に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングおよび前記第２のエラストマリングは、ケイ素を含む材料から形成される、エッジリング。
［形態１４］
形態３に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体の前記第１の表面は、内端および外端を有し、前記第１のエラストマリングは、前記第１の表面の前記内端から１０ｍｍの距離内にあり、前記第２のエラストマリングは、前記第１の表面の前記外端から３０ｍｍの距離内にある、エッジリング。
［形態１５］
形態２に記載のエッジリングであって、
前記エラストマリングの前記高さの公差は、５０ミクロンより優れている、エッジリング。
［形態１６］
形態２に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、台形、正方形、長方形、三角形、または半円の形状の断面を有する、エッジリング。
［形態１７］
形態１に記載のエッジリングであって、
前記エッジリング本体は、ケイ素、炭化ケイ素、または石英を含む、エッジリング。
［形態１８］
形態１に記載のエッジリングであって、
前記第１のエラストマリングは、２５ミクロン未満の厚さおよび前記冷却溝の幅より大きい幅のシートを形成し、前記エッジリング本体が前記静電リングチャックの上方に設置されたときに、前記第１のエラストマリングは、前記冷却ギャップをシールするために前記冷却ギャップを横切って延びる、エッジリング。
［形態１９］
ガス流をエッジリングに提供して温度を調節するための少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを有する静電リングクランプを備えるプラズマ処理チャンバにおいて前記エッジリングを静電気的にクランプするための方法であって、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルに真空を提供することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力を測定することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける前記圧力が閾値最大圧力に達したときに静電リングクランプ電圧を提供することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルへの前記真空を停止することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力を測定することと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力が閾値より速く上昇した場合は、シール不良を示すことと、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルにおける圧力が前記閾値より速く上昇しない場合は、前記エッジリングの温度を調節するために前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルを用いてプラズマプロセスを継続する、方法。
［形態２０］
形態１９に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのリング裏面温度チャネルに真空を提供する間は、前記プラズマ処理チャンバは大気圧である、方法。