【事件の表示】
　特願２００７−５５２１２２「電気化学的機械研磨のための方法及び組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年８月２４日国際公開、ＷＯ２００６／０８８５３３、平成２０年７月３１日国内公表、特表２００８−５２９２７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年（平成１７年）１２月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００５年１月２１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２０年８月２７日　　　手続補正書提出
　平成２３年８月９日付け　　拒絶理由通知
　平成２３年１０月１８日　　意見書及び手続補正書提出
　平成２４年１月１２日付け　拒絶理由通知
　平成２４年３月２７日　　　意見書及び手続補正書提出
　平成２４年９月１１日付け　拒絶理由通知
　平成２５年３月２０日　　　意見書及び手続補正書提出
　平成２５年９月３日付け　　拒絶査定
　平成２６年１月６日　　　　本件審判請求書と、同時に手続補正書提出
　
第２　平成２６年１月６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
　
１．　補正の内容
　本件補正は、平成２５年３月２０日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するものであって、特許請求の範囲の請求項２に関する補正を含むところ、補正前後の請求項２の記載は、補正箇所に下線を付して示すと、以下のとおりである。
　
（１）　補正前
「【請求項２】
　チップ上の金属を含む電気的相互接続材料の電気化学的機械研磨（ｅ−ＣＭＰ）のための組成物であって、
　（ｉ）水、または水および少なくとも１つの有機溶媒からなる第１の成分と、
　（ｉｉ）リン酸と、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化アンモニウム、および水酸化ナトリウム及び水酸化アンモニウムから選択される少なくとも１つとの組み合わせからなる第２の成分と、
　（ｉｉｉ）ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）またはＢＴＡ誘導体からなる第３の成分と、
を含む組成物。」
　
（２）　補正後
「【請求項２】
　チップ上の金属を含む電気的相互接続材料の電気化学的機械研磨（ｅ−ＣＭＰ）のための組成物であって、
　（ｉ）水、または水および少なくとも１つの有機溶媒からなる第１の成分と、
　（ｉｉ）リン酸と、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化アンモニウム、および水酸化ナトリウム及び水酸化アンモニウムから選択される１つとの組み合わせからなる第２の成分と、
　（ｉｉｉ）ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）又はＢＴＡ誘導体からなる第３の成分と、
からなる
　
２．　補正の適否
　本件補正のうち請求項２についてするものは、本件補正前の請求項２で特定された「組成物」が、「チップ上の金属を含む電気的相互接続材料の電気化学的機械研磨（ｅ−ＣＭＰ）のための組成物であって、」 「水、または水および少なくとも１つの有機溶媒からなる第１の成分」、「リン酸と、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及び水酸化アンモニウム、および水酸化ナトリウム及び水酸化アンモニウムから選択される少なくとも１つとの組み合わせからなる第２の成分」及び「ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）またはＢＴＡ誘導体からなる第３の成分」を含んで、さらに、当該「第１の成分」ないし「第３の成分」以外の成分を含みうるものであったところ、本件補正後は、「・・・からなる組成物」と、当該「第１の成分」ないし「第３の成分」以外の成分を含まないようにするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項２に記載された発明（以下、「補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
（１）　引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された本願優先日前に頒布された文献である国際公開第０３／０７２６７２号（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（日本語訳は当審で付した仮訳である。また、理解の便のため、当審で下線を付した）。
　
ア．　引用文献の記載
　
（ア）
「[0003] Reliably producing sub-half micron and smaller features is one of the key technologies for the next generation of very large scale integration (VLSI) and ultra large-scale integration (ULSI) of semiconductor devices. However, 
as the limits of circuit technology are pushed, the shrinking dimensions of interconnects in VLSI and ULSI technology have placed additional demands on processing capabilities.
[0004] 
Multilevel interconnects are formed using sequential material deposition and material removal techniques on a substrate surface to form features therein. As layers of materials are sequentially deposited and removed, the uppermost surface of the substrate may become non-planar across its surface and require planarization prior to further processing.
[0005]
 Electrochemical mechanical polishing (ECMP) is one method of planarizing a surface of a substrate. ECMP removes conductive materials, such as copper, from a substrate surface by electrochemical anodic dissolution while polishing the substrate with a reduced mechanical abrasion compared to conventional chemical mechanical planarization (CMP) processes. A typical ECMP system includes a substrate support and two electrodes disposed within a polishing composition containment basin. The substrate is in electrical contact with one of the electrodes, and in effect during processing, the substrate becomes an electrode for material removal. In operation, metal atoms on a surface of a substrate are ionized by an electrical current from a source of potential, such as a voltage source connected to the two electrodes. 
（［０００３］２分の１ミクロン未満且つ更に小さな特徴部を信頼度よく製造することは半導体デバイスの次世代の大規模集積回路（ＶＬＳＩ）と超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）に対する重要な技術の一つである。しかしながら、
回路技術の制約に押され、ＶＬＳＩとＵＬＳＩの技術における相互接続部の縮小する寸法は処理能力に関する追加的要求を課して来た。相互接続部の信頼できる形成は、ＶＬＳＩとＵＬＳＩの成功に重要
［０００４］
多重レベルの相互接続部はその中に特徴部を形成する基板表面上において順次材料を堆積し、材料を除去する技術を用いて形成されている。材料の層が順次堆積され、除去されるとき、基板の最上面はその表面を通して平坦でなくなり、研磨の前に平坦化が必要となる。
［０００５］
電気化学的機械研磨（ＥＣＭＰ）は基板の表面を平坦化する一方法である。ＥＣＭＰは、従来の化学機械的平坦化（ＣＭＰ）処理に比べて機械的摩耗部が低減された基板を研磨しつつ電気化学的“アノード”溶解により基板表面から銅のような導電材料を除去するものである。典型的ＥＣＭＰシステムは、研磨組成物を含むベースンに配置された基板支持体と二つの電極を含んでいる。基板は一方の電極と電気的に接触しており、処理中実効的に基板が材料除去の電極になる。作動中、基板表面の金属原子は二つの電極に接続された電源のような電位差源からの電流によりイオン化される。
　
（イ）
「[0008] Aspects of the invention provide 
compositions and methods for removing conductive materials by an electrochemical polishing technique
（［０００８］本発明の態様は、
電気化学的研磨技術により導電材料を除去するための組成物及び方法を提供する。
基板表面から少なくとも導電材料を除去するため
　
（ウ）
「[0033] In any of the embodiments described herein, the chelating agents can bind to a conductive material, such as copper ions, increase the removal rate of metal materials, and may also be used to buffer or adjust the polishing composition to maintain a desired pH level for processing a substrate.」
（［００３３］本明細書に記載される実施形態のいずれにおいても、キレート化剤は銅イオンのような導電材料に結合することができ、金属材料の除去速度を上げ、且つ基板を処理するために望ましいｐＨレベルを維持するように研磨組成物を緩衝化又は調節するために用いることができる。）
　
（エ）
「[0035] The polishing composition may include one or more chelating agents at a concentration between about 0.1% and about 15% by volume or weight, for example, between about 0.1% and about 4% by volume or weight. For example, about 2% by volume or weight of 
ethylenediamine
・・・
[0038] In any of the embodiments described herein, the inorganic or organic acid salts may perform as a chelating agent. The polishing composition may include one or more inorganic or organic salts at a concentration between about 0.1% and about 15% by volume or weight of the composition, for example, between about 0.1% and about 6% by volume or weight. For example, about 2% by volume or weight of 
ammonium citrate
（［００３５］研磨組成物は、１種以上のキレート化剤を約０．１％〜１５容量又は重量％、例えば約０．１％〜約４容量又は重量％の濃度で含むことができる。例えば、約２容量又は重量％の
エチレンジアミン
・・・
［００３８］本明細書に記載される実施形態のいずれにおいても、無機酸塩又は有機酸塩はキレート化剤として行うことができる。研磨組成物は、１種異常の無機酸塩又は有機酸塩を組成物の約０．１％〜約１５容量又は重量％、例えば、０．１％〜６容量又は重量％の濃度で含むことができる。例えば、
クエン酸アンモニウム
　
（オ）
「[0056] One or more 
oxidizers may be used herein to enhance the removal or removal rate of the conductive material from the substrate surface. As used herein, an oxidizing agent is generally an agent that accepts electrons from the layer or layers of a substrate that is to be polished, oxidizes material thereon for more effective removal of the material.
[0057] The oxidizer can be present in the polishing composition in an amount ranging between about 0.01% and about 90% by volume or weight, for example, between about 0.1% and about 20% by volume or weight. In an embodiment of the polishing composition, between about 0.1% to about 15% by volume or weight of 
hydrogen peroxide
（［００５６］１種以上の
酸化剤は、基板表面から導電材料の除去或いは除去速度を向上させるため本明細書で用いることができる。本明細書に用いられる酸化剤は、一般的には、研磨される基板の１又は複数の層から電子を受け取り、材料のより効果的除去のためその上の材料を酸化させる物質である。
［００５７］酸化剤は約０.０１％〜約９０容量又は重量％、例えば、約０.１％〜約２０容量又は重量％の範囲にある量で研磨組成物中に存在し得る。研磨組成物の実施形態においては、約０.１％〜約１５％の
過酸化水素
　
（カ）
「
Example 1 :
[0084] A copper plated wafer was polished and planarized using the following polishing composition within a modified cell on a Reflection（当審注：原文には登録商標を示す”Ｒ”を○囲みしたものが記入されている） system, available from Applied Materials, Inc. of Santa Clara, California. 
　about 6% by volume phosphoric acid; 
　about 2% by volume ethylenediamine; 
　about 2% by weight ammonium citrate; 
  about 0.3% by weight benzotriazole; 
  between about 2% and about 6% potassium hydroxide to provide a pH of about 5; 
  about 0.45% by volume of hydrogen peroxide; and deionized water.」
（
実施例１：
  [0084]銅メッキされたウエハを、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から入手可能なＲｅｆｌｅｃｔｉｏｎ（登録商標）システムについて改変したセル内に下記研磨組成物を用いて研磨し平坦化した。
　約６容量％のリン酸；
　約２容量％のエチレンジアミン；
　約２重量％のクエン酸アンモニウム；
　約０.３重量％のベンゾトリアゾール；
　約２％〜約６％の約５のｐＨを与える水酸化カリウム；
　約０.４５容量％の過酸化水素；
　脱イオン水。）
　
（キ）
　上記摘記事項（エ）の記載から、上記摘記事項（カ）に記載された「実施例１」の組成物に含まれる「約２容量％のエチレンジアミン」及び「約２重量％のクエン酸アンモニウム」は、いずれもキレート化剤として含まれるものであることが理解できる。
　
（ク）
　上記摘記事項（オ）の記載から、上記摘記事項（カ）に記載された「実施例１」の組成物に含まれる「約０.４５容量％の過酸化水素」は、酸化剤として含まれるものであることが理解できる。
　
（ケ）
　上記摘記事項（ア）の記載から、上記摘記事項（カ）の「実施例１」の「ウエハ」にメッキされた「銅」は、「ウエハ」における電気的相互接続材料であることは、明らかである。
　
イ．　引用発明
　上記摘記事項（ア）ないし（カ）並びに認定事項（キ）ないし（ケ）を、技術常識を考慮して総合すると、引用文献には、以下の発明（以下、「引用発明」という）が記載されている。
　
「ウエハ上の銅を含む電気的相互接続材料の電気化学的機械研磨のための組成物であって、
　脱イオン水と、
　約６容量％のリン酸及び約２％〜約６％の水酸化カリウムと、
　約０．３重量％のベンゾトリアゾールと、
　キレート剤として、約２容量％のエチレンジアミン及び約２重量％のクエン酸アンモニウムと、
　酸化剤として約０.４５容量％の過酸化水素と、からなる組成物。」
　
（２）　対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　「銅」は「金属」の一種であることは技術常識である。また、「脱イオン水」は、「水」の純度をイオン交換法によって高めたものであるから、「水」の一種である。
　
　そうすると、引用発明と補正発明とは以下の点で一致し、かつ、相違する。
　
＜一致点＞
「銅を含む電気的相互接続材料の電気化学的機械研磨のための組成物であって、
　脱イオン水と、
　リン酸及び水酸化カリウムと、
　ベンゾトリアゾールと、を含む組成物。」　
　
＜相違点１＞
　補正発明は、「チップ」の上の「銅を含む電気的相互接続材料」を、「電気化学的機械研磨」の対象とするものであるの対し、引用発明は、「ウエハ」の上の「銅を含む電気的相互接続材料」を対象とする点。
　
＜相違点２＞
　補正発明の「組成物」は、上記＜一致点＞にかかる成分のみを含むものであるのに対し、引用発明のものは、「キレート剤として、約２容量％のエチレンジアミン及び約２重量％のクエン酸アンモニウム」及び「酸化剤として約０.４５容量％の過酸化水素」とを含むものである点。
　
（３）　判断
　
ア．　相違点１について
　「チップ」は「ウエハ」を分割し、余剰部分を除いたものであるから、「チップ」は「ウエハ」の一部である。したがって、引用発明が、「電気化学的機械研磨」の対象を、「ウエハ」上の「銅を含む電気的相互接続材料」としているところ、「チップ」の上のものに限定することに格別の困難性は認められない。
　
イ．　相違点２について
　上記（２）の＜相違点２＞について次に検討するが、以下のとおり、引用発明が「キレート剤として、約２容量％のエチレンジアミン及び約２重量％のクエン酸アンモニウム」を含む点と、「酸化剤として約０.４５容量％の過酸化水素」を含む点についてそれぞれ検討する。
　
（ア）　引用発明が「キレート剤として、約２容量％のエチレンジアミン及び約２重量％のクエン酸アンモニウム」を含む点について
　引用文献には、上記（１）の摘記事項（ア）の「典型的ＥＣＭＰシステムは、研磨組成物を含むベースンに配置された基板支持体と二つの電極を含んでいる。基板は一方の電極と電気的に接触しており、処理中実効的に基板が材料除去の電極になる。作動中、基板表面の金属原子は二つの電極に接続された電源のような電位差源からの電流によりイオン化される。」との記載及び摘記事項（ウ）の「キレート化剤は銅イオンのような導電材料に結合することができ、金属材料の除去速度を上げ、且つ基板を処理するために望ましいｐＨレベルを維持するように研磨組成物を緩衝化又は調節するために用いることができる。」との記載がある。当該記載から、「ＥＣＭＰ」システムは、キレート化剤を用いずとも、基板を電極として電流を流すことにより、当該基板表面の金属原子がイオン化され除去することが可能であること、そして、「キレート剤」は、「ＥＣＭＰ」システムにより生じた銅イオンに結合して、金属材料の除去速度やｐＨレベルの維持のために適宜添加するものであると認識できるものである。また、「電気化学」的作用により、銅を除去するものにおいて、キレート剤を用いないものは、例えば、特開２００２−２５４２４８号公報（特に段落【００５８】及び【００５９】の「・・・本発明の電界除去加工方法では、・・・電解作用により銅膜を陽極酸化し、イオン状態として、あるいは表層部を脆弱なキレート膜としてワイパで払拭し、除去する。キレート膜の形成方法は、・・・電解質、および添加剤として例えば銅をキレート化するキレート剤を含む電解液ＥＬを・・・介在させる」との記載から、「銅膜」を「イオン状態」とするなら、「キレート剤」を用いないことが理解できる）及び特開２００４−２５０７７６号公報（特に段落【００７８】及び【００７９】の「・・・加工液として電解液を使用した場合には、・・・基板Ｗの表面の導電体膜（銅膜２０６）の表面に接触して該導電体膜を研磨除去する接触部材を設けることが好ましい。・・・この場合、加工液として硫酸銅、硫酸アンモニウムなどの電解質を含む電解液を用いて、配線材料としての銅膜２０６・・・の表面を陽極酸化させ、接触部材でスクラブ除去するようにしてもよい。また、電解液にキレート剤を添加することにより、配線材料としての銅膜２０６・・・の表面をキレート化し脆弱化することにより、よりスクラブ除去し易くするようにしてもよい。」との記載を参照されたい）の記載から従来周知の技術事項である。
　そうすると、引用発明に接した当業者であれば、「キレート剤」の量は、他の成分の量や所望する金属材料の除去速度等に応じて適宜決定し得る事項あり、「キレート剤」を含ませずに銅を除去することも可能であると認識できる。よって、引用発明において、「キレート剤」を使用しないようにすることは、当業者が容易に選択し得る事項である。
　
（イ）　「酸化剤として約０.４５容量％の過酸化水素」を含む点について
　上記（１）の摘記事項（オ）には、「・・・酸化剤は、基板表面から導電材料の除去或いは除去速度を向上させるため本明細書で用いることができる。本明細書に用いられる酸化剤は、一般的には、研磨される基板の１又は複数の層から電子を受け取り、材料のより効果的除去のためその上の材料を酸化させる物質である。」との記載がある。当該記載から、引用発明は、「銅」と電極の間に電圧を印加することによる「電気化学」的作用により、「銅」を酸化させることに加えて、さらに、「酸化剤」を用いることで、導電材料である「銅」の「除去或いは除去速度」を向上させるものであることが理解できる。また、酸化剤を用いずとも「電気化学」的作用により、銅が除去できることは、従来周知の技術事項（例えば、特開２００１−３２２０３６号公報（特に、段落【０１４１】の「・・・ウェーハＷに電圧を印加せずに、電解液ＥＬ中にウェーハＷ表面の銅膜の酸化剤として、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を所定の濃度加えて・・・」及び段落【０１４２】の「本発明の第３実施形態に係る研磨装置を用いて銅膜を除去したものが（Ｂ）であり、電解液ＥＬにキナルジン酸溶液１５０ｍｌを用い、過酸化水素は含めず、電極板６１０およびウェーハＷに電解液ＥＬを介して、２．２Ａの電流が流れるように電圧を印加した」との記載を参照されたい）及び特開２００１−２８８５９１号公報（特に段落【０００２】の「・・・金属の表面を化学的に研磨する方法には、（ａ）化学研磨と（ｂ）電解研磨があり、化学研磨は研磨液中に存在する酸化剤の力を借りて行うのに対し、電解研磨は電気エネルギーの力を借りて行うものである。・・・」との記載を参照されたい）である。
　そうすると、引用発明に接した当業者であれば、「酸化剤」の量は、所望する除去速度等に応じて適宜決定し得る事項であると認識でき、「酸化剤」を含ませずに銅を除去することも可能であると認識できる。よって、引用発明において、「酸化剤」を使用しないようにすることは、当業者が適宜選択し得る程度の事項であるに過ぎない。
　
（５）　小結
　補正発明により得られる作用効果も、引用発明及び従来周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものであって、格別のものとはいえない。
　したがって、補正発明は、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．　補正の却下の決定のむすび
　上記２．で検討したとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明
　本件補正は、上記の通り却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２５年３月２０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記第２の１．（１）に示した本件補正前の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
２．　対比及び判断
　本願発明は、補正発明の発明特定事項である「第１の成分」、「第２の成分」及び「第３の成分」に加えて、他の成分を含み得るものである。そうすると、本願発明と上記第２の２．（１）イ．に示した引用発明と対比すると、上記第２の２．（２）に示した相違点１において相違する。しかし、上記第２の２．（３）ア．に示したように、引用発明の「ウエハ」を「チップ」に限定することに格別の困難性は認められない。
　そうすると、本願発明も、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．　むすび
　以上のとおりであるので、本願発明は、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。