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　特願２０１１−５１６２５０「エレクトロニクスパッケージ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月　７日国際公開、ＷＯ２０１０／００２３７７、平成２３年１０月２０日国内公表、特表２０１１−５２７１００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００８年６月３０日（外国庁受理、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年６月３日付け（発送日：平成２６年６月５日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年１０月１日に拒絶査定不服審判の請求がされ、その審判の請求と同時に手続補正がされたが、その後、当審において、平成２７年５月１２日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年７月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。  
第２　当審の拒絶理由
　当審の拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
　「拒絶の理由１：本件出願は、発明の詳細な説明の記載について下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
（省略）
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１及び請求項７には、『金属フィルムが、実質的に異方性の結晶単位胞次元を有する結晶粒からなる多結晶構造を有し、前記結晶粒のうちの少なくとも８０パーセントの結晶粒について、前記結晶単位胞の１つの次元が、前記基板表面に対して実質的に垂直な方向を向いており、前記金属フィルムの金属原子の前記垂直な方向を向いた単位胞次元に沿った格子拡散係数が、前記単位胞次元のうちの別の次元に沿った格子拡散係数よりも遅』いという記載がある。 
　そして、この記載を含む請求項１及び請求項７に係る発明を実施するために、発明の詳細な説明には、 
　『図２は、式（３）によって予測した、体心正方多結晶構造を有するスズでできた金属フィルムの臨界結晶粒径を示す。このような多結晶構造に関しては、長さの異なる１軸、ｃ軸と、長さの等しい２軸、ａ軸およびｂ軸とが存在する。垂直な方向を向いた単位胞次元１３０はｃ軸に対応し、垂直な方向を向いていない単位胞次元１３２、１３４はそれぞれａ軸およびｂ軸に対応する。スズ、亜鉛などの正方晶系の物質に関しては、ｃ軸が結晶単位胞の［００１］方向であり、ａ軸およびｂ軸がそれぞれ［１００］方向および［０１０］方向に対応する。』（段落【００２０】参照。）と、 
　『臨界結晶粒径は、約２０から１００℃の範囲の金属フィルム温度で約３から１０ミクロンの範囲にあると予測される。』（段落【００２１】参照。）と、 
　『いくつかの場合には、ステップ３３５で浴に加える金属塩溶液が、約０．１から５０重量パーセントの範囲のめっき前初期濃度を有する金属塩の水溶液を含み、または約０．１から５０重量パーセントの範囲のめっき前初期濃度を有する金属塩の水溶液である。いくつかの場合には、ステップ３４０で印加する電流が、約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度に維持される。いくつかの場合には、ステップ３４５で、電解めっき浴の水溶液が、めっきステップ３２０の全体を通じて、約３から１１の範囲のｐＨに調整され、約３から１１の範囲のｐＨに維持される。いくつかの場合には、電解めっき浴の温度が、約１０から１００℃の範囲の温度に調整される（ステップ３５０）。結晶粒の成長速度および結晶学的配向ならびに結晶粒径は、ｐＨ、温度およびめっき電流の組合せによって決まる。これらの３つのめっきパラメータを慎重に設定することによって、必要な結晶粒径および配向を有するフィルムを形成することができる。』（段落【００３５】参照。）と記載されている。 
  
　ここで、ｐＨ、温度、電流（電流密度）について整理すると、スズでできた金属フィルムに関して、それぞれ約３から１１、約１０から１００℃、約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の数値範囲が開示されている。 
  
　しかしながら、ｐＨ、温度、電流（電流密度）について、約３から１１、約１０から１００℃、約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の数値範囲の開示では、組み合わせが無尽蔵にあって、めっきしたスズのｃ軸あるいは結晶単位胞の［００１］方向が基板に対して実質的に垂直なものの割合を８０パーセントを超えるようにすることは、当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。
（省略）」
第３　当審の判断
　１　実施可能要件について
  　特許法第３６条第４項第１号は、「発明の詳細な説明」の記載について、「発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項」（特許法施行規則第２４条の２）により「その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである」ことを、その要件として定めている。
　そうすると、発明の詳細な説明は、「発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者」が「発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分」に記載される必要がある。
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、「エレクトロニクス　パッケージ」という物の発明であるところ、物の発明の「実施」には、「その物の生産」（特許法第２条第３項第１号）が含まれる。
　したがって、本願の「発明の詳細な説明」は、本願発明の生産ができる程度に十分に記載される必要がある。
　
　２　発明の詳細な説明の記載内容
　　「前記結晶粒のうちの少なくとも８０パーセントの結晶粒について、前記結晶単位胞の１つの次元が、前記基板表面に対して実質的に垂直な方向を向いており、」「前記金属フィルムの金属原子の前記垂直な方向を向いた単位胞次元に沿った格子拡散係数が、前記単位胞次元のうちの別の次元に沿った格子拡散係数よりも遅」い本願発明の金属フィルムに関して、
　平成２６年５月９日の手続補正により補正された明細書の発明の詳細な説明には、以下の事項が記載されている。
　（１）「【００１８】
　金属フィルム１１０は、結晶粒１２０からなる多結晶構造を有する。結晶粒１２０は、実質的に異方性の結晶単位胞次元１３０、１３２、１３４を有する結晶単位胞１２５を含む。金属フィルムの結晶粒１２０のうちの少なくとも約８０パーセントの結晶粒１２０について、結晶単位胞１２５の１つの次元１３０は、基板表面１０７に対して実質的に垂直な方向１３５を向いている。金属フィルム１１０の金属原子１０８の垂直な方向を向いた単位胞次元１３０に沿った格子拡散係数は、単位胞次元のうちの別の単位胞次元１３２、１３４に沿った格子拡散係数よりも遅い。」
　（２）「【００２０】
　図１Ａおよび１Ｂを続けて参照する。図２は、式（３）によって予測した、体心正方多結晶構造を有するスズでできた金属フィルムの臨界結晶粒径を示す。このような多結晶構造に関しては、長さの異なる１軸、ｃ軸と、長さの等しい２軸、ａ軸およびｂ軸とが存在する。垂直な方向を向いた単位胞次元１３０はｃ軸に対応し、垂直な方向を向いていない単位胞次元１３２、１３４はそれぞれａ軸およびｂ軸に対応する。スズ、亜鉛などの正方晶系の物質に関しては、ｃ軸が結晶単位胞の［００１］方向であり、ａ軸およびｂ軸がそれぞれ［１００］方向および［０１０］方向に対応する。」
　（３）「【００２２】
　金属フィルム１１０は実質的に、実質的に異方性の結晶単位胞次元を有する結晶粒からなる多結晶構造を形成することができる金属元素を含むことができる。すなわち、単位胞次元１３０、１３２、１３４は全てが互いに等しいというわけではなく、好ましくは、少なくとも１つの単位胞次元１３０の長さが、他の単位胞次元１３２、１３４の長さとは約１０パーセント異なる。しかしながら、全ての場合に、フィルムの結晶粒のうちの少なくとも約８０％の結晶粒について、１つまたは複数の高速拡散単位胞方向が、成長方向、例えば垂直な方向を向いていない単位胞次元に対して垂直な方向を向く。このような金属の非限定的な例はカドミウム、インジウム、スズまたは亜鉛を含む。好ましい金属フィルム１１０の例は、カドミウム、インジウム、スズまたは亜鉛のうちの１つまたは複数の元素を少なくとも約８５重量パーセント含む。（省略）」
　（４）「【００２４】
　垂直な方向を向いていない単位胞次元１３２、１３４におけるより速い拡散係数は、より大きな臨界結晶粒径を有するのに役立つ。いくつかの実施形態では、垂直な方向を向いていない単位胞次元１３２、１３４におけるこのより速い拡散係数が、他の（垂直な方向を向いた）単位胞次元１３０における格子拡散係数よりも少なくとも約２倍速く、より好ましくは少なくとも約４倍速い。
　【００２５】
　当業者であれば、垂直な方向を向いた単位胞次元１３０の拡散係数が、他の次元１３２、１３４の拡散係数よりも遅いかどうかをどのように判定するのかを理解していると思われる。例えば、Ｘ線回折結晶学、後方散乱電子回折などの技法を使用して、結晶粒１２０の単位胞１２５の配向を決定することができる。電子顕微鏡法を使用して、金属フィルム１１０の平均結晶粒径など、結晶粒１２０の特性を決定することができる。異なる単位胞方向の拡散係数は、すでに決定されており、文献から用意に入手可能であるか、または従来の技法を使用して決定することができる。異なる単位胞方向の拡散係数を決定するのに広く使用されている１つの技法が、その全体が参照によって本開示に組み込まれる「Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ　ｉｎ　Ｓｏｌｉｄｓ」、Ｐ．Ｇ．Ｓｈｅｗｍｏｎ、ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ、１９６３年およびその参照文献に記載されている関心の物質の放射性同位体である。
　（５）「【００２９】
　本開示の他の実施形態は、エレクトロニクス　パッケージを製造する方法である。図３は、エレクトロニクス　パッケージを製造する方法３００の例示的な一実施形態における選択的ステップを示す流れ図を表す。図１Ａ〜１Ｂに示した例示的なエレクトロニクス　パッケージ１００の任意の実施形態を方法３００によって製造することができる。
　【００３０】
　この方法は、ステップ３１０で基板を用意すること、およびステップ３２０で基板の表面に金属フィルムをめっきすることを含む。ステップ３２０では、ウイスカ成長を防ぎまたは軽減する特性を助長するように金属フィルムをめっきする。
　【００３１】
　金属フィルムの組成（例えばカドミウム、インジウム、スズまたは亜鉛）は、結晶粒からなる多結晶構造が実質的に異方性の結晶単位胞次元を有するように選択する。金属フィルムは、結晶粒のうちの少なくとも約８０パーセントの結晶粒について、結晶単位胞の１つの次元が、基板表面に対して実質的に垂直な方向を向くようにめっきする。金属フィルムの金属原子の垂直な方向を向いた単位胞次元に沿った格子拡散係数は、別の単位胞次元に沿った格子拡散係数よりも遅い。
　【００３２】
　好ましいいくつかの実施形態では、ステップ３２０でのめっきが、垂直な方向を向いた単位胞次元に沿って自発的ウイスカ成長が起こる臨界結晶粒径よりも小さい平均結晶粒径を有する結晶粒を提供するように構成される。
　【００３３】
　めっきステップ３２０は、平均結晶粒径が臨界結晶粒径よりも小さい金属フィルムの形成を促進するように慎重に制御される。具体的には、金属フィルムの形成速度が遅い条件を選択することが望ましい。これは、高度に配向した結晶粒の形成に役立つためである。さらに、めっき液のｐＨおよびめっき温度の調整を使用して、高度に配向した結晶粒の成長を促進することができる。これは、製造時間をできるだけ短くするため一般に可能な限り速く金属フィルムをめっきするように制御される従来の方法とは対照的である。
　【００３４】
　いくつかの実施形態では、めっきすること（ステップ３２０）が、基板を電解めっき浴内に配置すること（ステップ３３０）、所望の金属フィルムの金属塩（例えばスルファミン酸スズ、他の金属スルファミン酸塩などのカドミウム、インジウム、スズまたは亜鉛の金属塩）を含む溶液をめっき浴に加えること（ステップ３３５）、および電流を印加して基板表面に金属フィルムを形成すること（ステップ３４０）を含む。
　【００３５】
　いくつかの場合には、ステップ３３５で浴に加える金属塩溶液が、約０．１から５０重量パーセントの範囲のめっき前初期濃度を有する金属塩の水溶液を含み、または約０．１から５０重量パーセントの範囲のめっき前初期濃度を有する金属塩の水溶液である。いくつかの場合には、ステップ３４０で印加する電流が、約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度に維持される。いくつかの場合には、ステップ３４５で、電解めっき浴の水溶液が、めっきステップ３２０の全体を通じて、約３から１１の範囲のｐＨに調整され、約３から１１の範囲のｐＨに維持される。いくつかの場合には、電解めっき浴の温度が、約１０から１００℃の範囲の温度に調整される（ステップ３５０）。結晶粒の成長速度および結晶学的配向ならびに結晶粒径は、ｐＨ、温度およびめっき電流の組合せによって決まる。これらの３つのめっきパラメータを慎重に設定することによって、必要な結晶粒径および配向を有するフィルムを形成することができる。」
　これらの記載からみると、発明の詳細な説明には、
　単位胞次元のうちの別の次元に沿った格子拡散係数よりも遅くなる結晶単位胞の１つの次元の方向が、基板表面に対して実質的に垂直な方向を向いている結晶粒を、少なくとも８０パーセントとした金属フィルムを、
　ｐＨ、温度及び電流密度の組合せを、電解めっき浴を約３から１１の範囲のｐＨとし、約１０から１００℃の範囲の温度に調整し、印加する電流を約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度に維持し、これらの３つのパラメータを慎重に設定して、電解めっきで生産できることが記載されているといえる。
　３　めっきについての技術水準
　　本願の出願日前に公知である特開２００１−１１０６６６号公報（以下、「刊行物」という。）には、電子部品のＳｎめっき層について
「電子部品のＳｎめっき層６を以下の表１〜７に示す条件のめっき浴（実施例１〜３、比較例１〜４）を用いて形成し、平均結晶粒径の異なる数種類のＳｎめっき層を得た。Ｓｎめっき層の平均結晶粒径は、めっき浴の構成剤種とその比率や電流密度等のめっき条件により変化するため、めっき条件を調整することによって所望の平均結晶粒径を有するＳｎめっき層が得られた。」（段落【００１４】）
　との記載があり、比較例１ないし３には、電解めっきによるＳｎめっきのためのめっき浴の条件として、ｐＨ、温度（浴温）及び電流密度について、
「ｐＨ５．０、室温、０．２Ａ／ｄｍ２」（段落【００１８】）
「ｐＨ６．０、室温、０．５Ａ／ｄｍ２」（段落【００１９】）
「ｐＨ５．２、室温、０．４Ａ／ｄｍ２」（段落【００２０】）
とすることが記載されている。
　なお、「０．２Ａ／ｄｍ２」、「０．５Ａ／ｄｍ２」及び「０．４Ａ／ｄｍ２」は、それぞれ換算すると、「２０Ａ／ｍ２」、「５０Ａ／ｍ２」及び「４０Ａ／ｍ２」である。
　４　実施可能要件の判断
　　刊行物の上記記載に照らせば、本願の発明の詳細な説明の「約３から１１の範囲のｐＨ、約１０から１００℃の範囲の温度、０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度」は、Ｓｎめっき層を形成するにあたって、当業者が通常採り得る条件を含む数値範囲であるといえる。
　また、「約３から１１の範囲のｐＨ、約１０から１００℃の範囲の温度、０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度」の数値範囲は、ｐＨ、温度及び電流密度について著しく広範囲を特定しているといえる。
　そして、発明の詳細な説明には、ｐＨ、温度及び電流密度の具体的な組合せが１例も記載されておらず、また、ｐＨ、温度及び電流密度それぞれを増減すると、どのような変化が生ずるのかについて、何ら記載されていない。
　そうすると、本願の発明の詳細な説明の記載を参酌して、当業者が本願発明の金属フィルムを生産するためには、「約３から１１の範囲のｐＨ、約１０から１００℃の範囲の温度、０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度」の中から、真に「単位胞次元のうちの別の次元に沿った格子拡散係数よりも遅くなる結晶単位胞の１つの次元の方向が、基板表面に対して実質的に垂直な方向を向いている結晶粒を、少なくとも８０パーセントとする」ための、電解めっきのｐＨ、温度及び電流密度の３つの条件の組合せを、独自に試行錯誤を繰り返して見い出す必要があるといえる。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、電解めっきを行う際のｐＨ、温度及び電流密度の３つの条件の組合せの調整について、当業者に過度の負担を強いることになるから、本願発明の金属フィルムの生産ができる程度に十分に記載されているとはいえない。
　５　請求人の主張について
　　平成２７年５月１２日付け拒絶理由における「ｐＨ、温度、電流（電流密度）について、約３から１１、約１０から１００℃、約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の数値範囲の開示では、組み合わせが無尽蔵にあって、めっきしたスズのｃ軸あるいは結晶単位胞の［００１］方向が基板に対して実質的に垂直なものの割合を８０パーセントを超えるようにすることは、当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているとはいえない。」との指摘に対して、
　請求人は、平成２７年７月２４日付け意見書において、
「（ｉ）（垂直な方向が８０％以上である）単位胞の向きについて段落００１８に記載し、その単位胞の配向の決定をＸ線回折結晶学、後方散乱電子回折などの技法を使用して行うことを段落００２５に記載しています。
　（ii）（垂直方向が水平方向より遅い）拡散係数について段落００２４に記載し、その異なる単位胞方向の拡散係数がすでに決定されており、文献から容易に入手可能であるか、または従来の技法を使用して決定することができ、異なる単位胞方向の拡散係数を決定するのに広く使用されている１つの技法が『Diffusionin Solids』、P. G. Shewmon、McGraw Hill New York、1963年およびその参照文献に記載されている関心の物質の放射性同位体であることを段落００２５に記載しています。
　（iii）平均結晶粒径が臨界結晶粒径より小さく、その平均結晶粒径など、結晶粒の特性を電子顕微鏡法を使用して決定することを段落００２５に記載し、臨界結晶粒径ＧＳが数３で表されることを段落００１９に記載しています。」とし、
「明細書の記載、特に『結晶粒の成長速度および結晶学的配向ならびに結晶粒径は、ｐＨ、温度およびめっき電流の組み合わせによって決まる』および
『印加する電流が、約０．０００１から１００Ａ／ｍ２の範囲の電流密度に維持される。電解めっき浴の水溶液が、めっきステップ３２０の全体を通じて、約３から１１の範囲のｐＨに調整され、約３から１１の範囲のｐＨに維持される。電解めっき浴の温度が、約１０から１００℃の範囲の温度に調整される』および
　段落００２５の記載（結晶粒の単位胞の配向の決定方法、異なる単位胞方向の拡散係数の決定方法、金属フィルムの平均結晶粒径決定方法）と段落００１９の記載（臨界結晶粒径の決定方法）から、電流密度、ｐＨ、温度を記載の範囲に調整してめっきを行い、上記（ｉ）−（iii）のようになっているかを、明細書記載の決定方法で判定し、（ｉ）−（iii）のようになっている金属フィルムが、本願発明のフィルムとなります。（ｉ）−（iii）のようになっているかの判定は『当業者が、本願発明の属する技術分野において研究開発（文献解析、実験、分析、製造等を含む）ための通常の技術的手段を用い、明細書及び図面に記載した事項と出願時の技術常識とに基づき、行えるものであり』、『当業者に期待しうる程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を行う必要はない』と考えます。」
　と主張している。
　しかしながら、単位胞次元のうちの別の次元に沿った格子拡散係数よりも遅くなる結晶単位胞の１つの次元の方向が、基板表面に対して実質的に垂直な方向を向いている結晶粒を、少なくとも８０パーセントとすることを判定できるからといって、ただちに電解めっきのｐＨ、温度及び電流密度の３つの条件の組合せが明らかになるわけでもなく、また、試行錯誤の数が減るわけでもないから、請求人の上記主張は、採用できない。
　６　まとめ  
　　以上のとおりであるから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に十分に記載したものであるとはいえない。
　
第４　むすび
　したがって、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないので、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。