【事件の表示】
　特願２０１１−　５０８６２「太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月　４日出願公開、特開２０１２−１９０８５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年３月８日の出願であって、平成２６年２月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１６日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同日付で同時に手続補正がなされた。
第２　平成２６年９月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年９月６日付けの手続補正を却下する。
［理由]
１　本件補正の内容
　平成２６年９月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、本件補正前の平成２６年４月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１である
「【請求項１】
　平均粒径：１〜５０ｎｍのＩＴＯ中空粒子と、シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダーと、を含むことを特徴とする、薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。」を
「【請求項１】
　平均粒径：
８〜１５
であり、アスペクト比：１〜１．４
み、分散媒を除く透明導電膜用組成物：１００質量部に対して、ノンポリマー型バインダーを、２０〜３０質量部含
と補正することを含むものである（下線は請求人が付与したとおりである。）。
２　本件補正の目的
　上記本件補正は、本件補正前の「平均粒径：１〜５０ｎｍのＩＴＯ中空粒子」を「平均粒径：８〜１５ｎｍであり、アスペクト比：１〜１．４のＩＴＯ中空粒子」とし、補正前の「シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダー」を「シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダーと、を含み、分散媒を除く透明導電膜用組成物：１００質量部に対して、ノンポリマー型バインダーを、２０〜３０質量部含むこと」とする補正を含むものであり、いずれも本件補正前の記載事項を限定するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
３　独立特許要件違反
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）を、進歩性要件（特許法第２９条第２項）について以下に検討する。
（１）本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記１に記載したとおり、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認める。
（２）刊行物、各刊行物の記載事項及び引用発明の認定
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２００９−２３１５０５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線部は当審による。）。
（ア）「【０００１】
　本発明は、入射した光の一部を反射する反射層を備える太陽電池に関する。」
（イ）「【０００９】
　本発明の一の特徴に係る太陽電池１０は、導電性及び透光性を有する受光面電極層２と、導電性を有する裏面電極層４と、前記受光面電極層２と前記裏面電極層４との間に設けられた積層体３とを備え、前記積層体３は、光の入射により光生成キャリアを生成する第１光電変換部３１と、前記第１光電変換部３１を透過した光の一部を前記第１光電変換部３１側に反射する反射層３２とを含み、前記反射層３２は、屈折率調整材を含む低屈折率層３２ｂと、前記低屈折率層３２ｂと前記第１光電変換部３１との間に介挿されたコンタクト層３２ａとを有し、前記屈折率調整材を構成する材料の屈折率は、前記コンタクト層３２ａを構成する材料の屈折率よりも低く、
前記低屈折率層３２ｂの屈折率は、前記コンタクト層３２ａの屈折率よりも低いことを要旨とする。
【００１０】
　本発明の第１の特徴に係る太陽電池１０によれば、反射層３２が、屈折率調整材を含む低屈折率層３２ｂを含むため、ＺｎＯなどを主体とする従来の反射層よりも反射層３２の反射率を高めることができる。また、コンタクト層３２ａが、低屈折率層３２ｂと第１光電変換部３１との間に介挿されているため、低屈折率層３２ｂと第１光電変換部３１とが直接接触することに起因する太陽電池１０全体におけるシリーズ抵抗（直列抵抗）値の増大を抑制することができる。従って、太陽電池１０の光電変換効率を向上させることができる。」
（ウ）【００１８】
　［第１実施形態］
　〈太陽電池の構成〉
　以下において、本発明の第１実施形態に係る太陽電池の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の断面図である。
【００１９】
　図１に示すように、太陽電池１０は、基板１と、受光面電極層２と、積層体３と、裏面電極層４とを備える。
【００２０】
　基板１は、透光性を有し、ガラス、プラスチック等の透光性材料により構成される。
【００２１】
　受光面電極層２は、基板１上に積層されており、導電性及び透光性を有する。受光面電極層２としては、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、又は酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物を用いることができる。尚、これらの金属酸化物に、フッ素（Ｆ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ニオブ（Ｎｂ）などがドープされていてもよい。
【００２２】
　積層体３は、受光面電極層２と裏面電極層４との間に設けられる。積層体３は、第１光電変換部３１と、反射層３２とを含む。第１光電変換部３１及び反射層３２は、受光面電極層２側から順に積層される。
【００２３】
　第１光電変換部３１は、受光面電極層２側から入射する光により光生成キャリアを生成する。また、第１光電変換部３１は、反射層３２から反射される光により光生成キャリアを生成する。第１光電変換部３１は、ｐ型非晶質シリコン半導体と、ｉ型非晶質シリコン半導体と、ｎ型非晶質シリコン半導体とが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有する（不図示）。
【００２４】
　反射層３２は、第１光電変換部３１を透過した光の一部を第１光電変換部３１側に反射する。反射層３２は、第１層３２ａと、第２層３２ｂとを含む。
【００２５】
　第１層３２ａと第２層３２ｂとは、第１光電変換部３１側から順に積層される。従って、第１層３２ａは、第１光電変換部３１に接触しており、第２層３２ｂは、第１光電変換部３１に接触していない。
【００２６】
　第２層３２ｂは、樹脂などにより構成されるバインダーと、透光性導電材料と、屈折率調整材とを含む。バインダーとしては、シリカなどを用いることができる。また、透光性導電材料としては、ＺｎＯ、ＩＴＯなどを用いることができる。また、屈折率調整材としては、第１層３２ａの屈折率よりも低い屈折率を有する材料が用いられる。例えば、屈折率調整材としては、気泡、あるいはＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＣａＦ２，ＮａＦ，ＣａＯ，ＬｉＦ，ＭｇＦ２，ＳｒＯ，Ｂ２Ｏ３などにより構成される微粒子を用いることができる。従って、
第２層３２ｂとしては、例えば、シリカ系バインダー中に、ＩＴＯ粒子と気泡とを含む層を用いることができる。
【００２７】
　第１層３２ａとしては、第１光電変換部３１との間のコンタクト抵抗値が、第２層３２ｂを構成する材料と第１光電変換部３１との間のコンタクト抵抗値よりも小さい材料が主体として用いられる。
【００２８】
　即ち、第１層３２ａを構成する材料は、第１光電変換部３１と第１層３２ａとのコンタクト抵抗（接触抵抗）値が、第１光電変換部３１と第２層３２ｂとを直接接触させた場合のコンタクト抵抗値未満となるように選択されることが好ましい。
【００２９】
　第１層３２ａとしては、例えば、ＺｎＯ、ＩＴＯなどを用いることができる。
【００３０】
　尚、本発明の第１実施形態にあっては、
第１層３２ａが本発明の「コンタクト層」に相当する。また、第２層３２ｂが、本発明の「低屈折率層」に相当する
【００３１】
　また、第１層３２ａを構成する材料は、第１層３２ａを含む積層体３の両端の抵抗値が、第１層３２ａを含まない積層体３の両端の抵抗値よりも小さくなるように選択されることが好ましい。
【００３２】
　裏面電極層４は、導電性を有している。裏面電極層４としては、ＺｎＯ、銀（Ａｇ）などを用いることができるが、これに限るものではない。裏面電極層は、ＺｎＯを含む層と、Ａｇを含む層とが、積層体３側から積層した構成を有していてもよい。また、裏面電極層４は、Ａｇを含む層のみを有していてもよい。」
（エ）「【実施例】
【００９１】
　以下、本発明に係る太陽電池について、実施例を挙げて具体的に説明する。但し、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
【００９２】
　［屈折率評価］
　まず、シリカ系バインダー中にＩＴＯ粒子（透光性導電材料）と気泡（屈折率調整材）とを含む層（以下、気泡含有ＩＴＯ層）の屈折率と、従来から反射層の主体として用いられているＺｎＯ層，ＩＴＯ層の屈折率との比較を行った。
【００９３】
　具体的には、まず、
アルコール系溶剤中にＩＴＯ微粒子とシリカ系バインダーとを混合した分散液を用いて、スピンコート法により気泡含有ＩＴＯ層を作製した。
分散液中に気泡を含ませた。
スピンコート後には、乾燥及び焼成のために、大気中１５０℃で１時間のアニールを行った。
【表１】
【００９４】
　一般的に、ＺｎＯ層及びＩＴＯ層の屈折率は、約２．０である。従って、表１に示すように、気泡含有ＩＴＯ層の屈折率は、ＺｎＯ層及びＩＴＯ層の屈折率よりも低いことが確認された。従って、気泡含有ＩＴＯ層を反射層に含めることによって、反射層の反射率を高めることができる。
【００９５】
　［光電変換効率評価］
　次に、以下のようにして実施例１、実施例２、比較例１、比較例２及び比較例３に係る
太陽電池を作製し、光電変換効率の比較を行った。
【００９６】
　〈実施例１〉
　以下のようにして、実施例１に係る太陽電池１０を作製した。まず、厚さ４ｍｍのガラス基板（基板１）上に、ＳｎＯ２層（受光面電極層２）を形成した。
【００９７】
　次に、ＳｎＯ２層（受光面電極層２）上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型非晶質シリコン半導体と、ｉ型非晶質シリコン半導体と、ｎ型非晶質シリコン半導体とを積層し、第１セル（第１光電変換部３１）を形成した。ｐ型非晶質シリコン半導体、ｉ型非晶質シリコン半導体、及びｎ型非晶質シリコン半導体の厚さは、それぞれ１５ｎｍ、２００ｎｍ、３０ｎｍとした。
【００９８】
　次に、第１セル（第１光電変換部３１）上に、スパッタ法及びスピンコート法を用いて、中間反射層（反射層３２）を形成した。具体的には、スパッタ法により形成されるＺｎＯ層（第１層３２ａ）、スピンコート法により形成される気泡含有ＩＴＯ層（第２層３２ｂ）及びスパッタ法により形成されるＺｎＯ層（第３層３２ｃ）を第１セル（第１光電変換部３１）上に順次積層することによって、３層構造を有する中間反射層（反射層３２）を形成した。ＺｎＯ層（第１層３２ａ）、気泡含有ＩＴＯ層（第２層３２ｂ）、及びＺｎＯ層（第３層３２ｃ）の厚さは、それぞれ５ｎｍ、２０ｎｍ、５ｎｍとした。
【００９９】
　次に、中間反射層（反射層３２）上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型微結晶シリコン半導体と、ｉ型微結晶シリコン半導体と、ｎ型微結晶シリコン半導体とを積層し、第２セル（第２光電変換部３３）を形成した。ｐ型微結晶シリコン半導体、ｉ型微結晶シリコン半導体、及びｎ型微結晶シリコン半導体の厚さは、それぞれ３０ｎｍ、２０００ｎｍ、２０ｎｍとした。
【０１００】
　次に、第２セル（第２光電変換部３３）上に、スパッタ法を用いて、ＺｎＯ層及びＡｇ層（裏面電極層４）を形成した。ＺｎＯ層及びＡｇ層（裏面電極層４）の厚さは、それぞれ９０ｎｍ、２００ｎｍとした。
【０１０１】
　以上により、本実施例１では、図３に示すように、第１セル（第１光電変換部３１）と第２セル（第２光電変換部３３）との間に、気泡含有ＩＴＯ層（第２層３２ｂ）を含む中間反射層（反射層３２）を有する太陽電池１０を形成した。また、気泡含有ＩＴＯ層（第２層３２ｂ）と第１セル（第１光電変換部３１）との間にＺｎＯ層（第１層３２ａ）を介挿し、気泡含有ＩＴＯ層（第２層３２ｂ）と第２セル（第２光電変換部３３）との間のＺｎＯ層（第３層３２ｃ）を介挿した。」
（オ）図３
（カ）上記（オ）の図３から、気泡含有層３２ｂは太陽電池１０の第１セル（光電変換部３１）と第２セル（光電変換部３３）の間に配置されていることが看取できるので、気泡含有層３２ｂが透明導電膜からなることは明らかである。
（キ）上記（エ）の【００９７】の「ｐ型非晶質シリコン半導体、ｉ型非晶質シリコン半導体、及びｎ型非晶質シリコン半導体の厚さは、それぞれ１５ｎｍ、２００ｎｍ、３０ｎｍとした。」、【００９９】の「ｐ型微結晶シリコン半導体、ｉ型微結晶シリコン半導体、及びｎ型微結晶シリコン半導体の厚さは、それぞれ３０ｎｍ、２０００ｎｍ、２０ｎｍとした。」との記載から、太陽電池１０が薄膜であることは明らかである。
　上記（ア）ないし（キ）より、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「アルコール系溶剤中にＩＴＯ微粒子（透光性導電材料）とシリカ系バインダーとを混合し、気泡を含ませた分散液であって、スピンコート後、大気中１５０℃で１時間の乾燥及び焼成のためのアニールを行うスピンコート法による、薄膜太陽電池１０の透明導電膜からなる低屈折率層である第２層３２ｂの作製に用いられる、分散液」
イ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特開２００６−１２４６５５号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線部は当審による。）。
（ア）「【０００１】
　本発明は、干渉縞の発生と埃付着とを防止する帯電防止性層を形成するための組成物、及び、液晶ディスプレイ又はプラズマディスプレイ等の各種ディスプレイ等の光学物品の表面に用いられる反射防止フィルムに使用される帯電防止層に関する。」
（イ）「【００２５】
　効果
　本発明の第３の態様による帯電防止層形成用組成物は、空隙を有する導電性金属酸化物微粒子を帯電防止剤として含有しているので、本発明の第３の態様による帯電防止層形成用組成物を用いて形成した帯電防止層は、空隙内に屈折率１の空気を包含することになり、従来の空隙を有さない導電性金属酸化物微粒子を含むコーティング組成物を用いて形成した帯電防止層よりも、低い屈折率とすることができる。そのため本発明の第３の態様による帯電防止層形成用組成物を用いて形成した本発明の第３の別の態様による反射防止フィルムは、透明基材フィルムと帯電防止層との屈折率の差、及び帯電防止層とハードコート層の屈折率差の絶対値を各々０．０３以内とすることができるため、透明基材フィルムと帯電防止層との界面、及び帯電防止層とハードコート層との界面による干渉縞の発生を防止することができるとの効果を有する。」
（ウ）「【００７０】
　本発明の第３の態様
　帯電防止層形成用組成物（帯電防止層形成用コーティーング組成物）
　本発明の第３の態様は、下記する導電性金属酸化物微粒子以外は、他の成分及び調製方法等は本発明の第１の態様と同様であってよい。　
　導電性金属酸化物微粒子
　（１）種類
　本発明で用いる空隙を有する導電性金属酸化物微粒子は、塗膜に帯電性を付与するための帯電防止剤として用いられ、例えば、酸化錫（ＳｎＯ２ ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ５ ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物およびこれらの混合物からなる群から選択されるものであり、かつ、各々が空隙を有するものが挙げられる。
【００７１】
　（２）形状；粒径
　本発明で用いる空隙を有する導電性金属酸化物微粒子の粒径は、５ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ〜６０ｎｍである。粒径が上記の範囲内にあることにより、透明性に優れ、かつ、導電性金属酸化物の微粒子の分散が容易となる。
【００７２】
　空隙を有する導電性金属酸化物の形状は、外殻の内部に空隙を有しており、外殻は多孔質でも良く、この外殻層の厚みは１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることが好ましい。外殻層の厚みが１ｎｍ以上とすることにより、粒子を完全に被覆することができ、バインダー成分などが微粒子内部に侵入することなく内部の空隙や多孔質構造を維持することが可能となり、低屈折率の効果を十分に発揮することが可能となる。外殻層の厚みを３０ｎｍ以下とすることにより、微粒子の多孔質を維持し、屈折率を低減化する効果を十分に得ることが可能となる。
【００７３】
　本発明において、「空隙を有する」とは、導電性金属酸化物の微粒子の内部に気体が充填された構造及び／又は気体を含む多孔質構造をとった結果、或いは微粒子が集合体を形成した結果、気体が屈折率１．０の空気である場合、微粒子本来の屈折率に比べて微粒子中の空気の占有率に反比例して屈折率が低下した導電性金属酸化物の微粒子、及びその集合体のことを言う。」
（エ）【０１２１】
［実施例Ｃ２］（中空ＩＴＯ微粒子を用いた場合）
　帯電防止層形成用組成物の調製
　下記組成の成分を混合して帯電防止層形成用組成物を調製した。
　中空インジウム錫酸化物分散液（平均粒径６０ｎｍ、外殻厚み１０ｎｍ、屈折率１．４６、固形分３０％、溶剤：メチルイソブチルケトン）
　　３３．３質量部
　ＥＯ変性ＤＰＨＡ（ＤＰＥＡ−１２：商品名、日本化製薬）
　　１０質量部
　イルガキュア１８４(商品名、チバスペシャリティケミカルズ社製)
　　０．５質量部
　メチルイソブチルケトン」
（オ）図２
（カ）図３
ウ　本願出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である、T.Suzuki et al, Nanosize-Controlled Syntheses of Indium Metal Particles and Hollow Indium Oxide Particles via the Sputter Deposition Technique in Ionic Liquids, Ameriacan Chemical Society, 22,p.5209-5215,[online],08/19/2010,［平成２７年８月２１日検索］,インターネット,DOI:10.1021/cm101164r（以下「周知例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「Figure 5. (a) Typical TEM image of nanoparticles in EMI-BF4 obtained after heat treatment at 523 K in air. ・・・中略・・・(c) Size distribution of In2O3 hollow nanoparticles　・・・後略・・・」（第５２１２頁のＦｉｇｕｒｅ５の説明文）
図５．（ａ）大気中５２３Ｋで加熱後得られたＥＭＩ−ＢＦ４のナノ粒子の典型的なＴＥＭ像・・・中略・・・（ｃ）Ｉｎ２Ｏ３中空ナノ粒子の粒度分布・・・後略・・・（当審にて仮訳）
（イ）図５（ａ）
　図５（ａ）より、Ｉｎ２Ｏ３中空ナノ粒子が球形に近いことが看取できる。
（ウ）図５（ｃ）
　上記（ア）ないし（ウ）より、周知例１には、平均粒径が８．１ｎｍであり、球形に近いＩｎ２Ｏ３中空ナノ粒子が記載されている。
（３）対比・判断
ア  本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「ＩＴＯ微粒子（透光性導電材料）」と本願補正発明の「平均粒径：８〜１５ｎｍであり、アスペクト比：１〜１．４のＩＴＯ中空粒子」とは、「ＩＴＯ粒子」の点で一致する。
（イ）引用発明の「シリカ系バインダー」と本願補正発明の「シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダー」とは、「バインダー」の点で一致する。
（ウ）引用発明の「スピンコート後、大気中１５０℃で１時間の乾燥及び焼成のためのアニールを行うスピンコート法による、薄膜太陽電池１０の透明導電膜からなる低屈折率層である第２層３２ｂの作製に用いられる、分散液」は、本願補正発明の「薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物」に相当する。
　上記（ア）ないし（ウ）より、本願補正発明と引用発明は、
「ＩＴＯ粒子と、バインダーと、を含む、薄膜太陽電池向け透明導電膜用組成物。」
の点で一致し、下記相違点１ないし３で相違すると認められる。
＜相違点１＞
「ＩＴＯ粒子」が、本願補正発明では、「平均粒径：８〜１５ｎｍであり、アスペクト比：１〜１．４のＩＴＯ中空粒子」であるのに対して、引用発明では、「ＩＴＯ微粒子（透光性導電材料）」である点。
＜相違点２＞
「バインダー」が、本願補正発明では、「シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダー」であるのに対して、引用発明では、「シリカ系バインダー」である点。
＜相違点３＞
　本願補正発明では、「ノンポリマー型バインダーを、」「分散媒を除く透明導電膜用組成物：１００質量部に対して、」「２０〜０質量部含む」のに対して、引用発明では、そのような規定はされていない点。
イ　相違点の判断
（ア）相違点１について
　帯電防止層の屈折率を低くするためにＩＴＯ中空微粒子を用いることは引用文献２に記載されている。また、上記「３」「（２）」「ウ」より、周知例１には、平均粒径が８．１ｎｍであり、球形に近いＩｎ２Ｏ３中空ナノ粒子が記載されていることから、平均粒径が８ｎｍ程度であり、アスペクト比が１程度の中空微粒子は、周知技術であるといえる。
　そして、引用文献１の【０００９】の「前記低屈折率層３２ｂの屈折率は、前記コンタクト層３２ａの屈折率よりも低いことを要旨とする。」（上記ア（イ））の記載から、引用文献１において「第２層３２ｂ」の屈折率を低くするという課題が開示されているので、上記課題を解決するために引用発明の「ＩＴＯ微粒子」を引用文献２に記載されたより屈折率の低いＩＴＯ中空粒子とすることは、当業者が容易に想到し得ることであり、また、ＩＴＯ中空粒子を適用する際、平均粒径、アスペクト比を上記周知技術のような具体的な数値とすることは設計事項にすぎない。
　してみると、引用発明の「ＩＴＯ微粒子」を「平均粒径：８〜１５ｎｍであり、アスペクト比：１〜１．４のＩＴＯ中空粒子」とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（イ）相違点２について
　シリカ系バインダーを含む組成物をスピンコート後、大気中１５０℃で１時間の乾燥及び焼成のためのアニールを行って固体の層を形成するために用いるシリカ系バインダーとして、シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むものは周知技術（特開平４−３４３２２７号公報の【０００８】、特開２００９−１６３０３号公報の【００４２】）であることから、引用発明のシリカ系バインダーとして、シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（ウ）相違点３について
　引用発明において、ＩＴＯ微粒子（透光性導電材料）とシリカ系バインダー：１００質量部に対して、シリカ系バインダーを含む割合をどの程度とするかは設計事項にすぎない。
　してみると、引用発明において、ＩＴＯ微粒子（透光性導電材料）とシリカ系バインダー：１００質量部に対して、シリカ系バインダーを２０〜３０質量部含むようにして、相違点３にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　以上のとおり、上記相違点１ないし３は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術から当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願補正発明が奏する作用効果も、当業者が容易に予測できる範囲を超えるものではない。
（４）結論
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　本件補正についての結び
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年４月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」［理由］「１」において、補正前の特許請求の範囲の請求項１として示したとおりのものである。
２　刊行物、各刊行物の記載事項及び引用発明の認定
　上記「第２」［理由］「３（２）」のとおりである。
３　対比・判断
　上記「第２」［理由］「２」「本件補正の目的」のとおり、本願補正発明は、補正前の「平均粒径：１〜５０ｎｍのＩＴＯ中空粒子」を「平均粒径：８〜１５ｎｍであり、アスペクト比：１〜１．４のＩＴＯ中空粒子」とし、補正前の「シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダー」を「シリコンのアルコキシドと硝酸触媒を含むノンポリマー型バインダーと、を含み、分散媒を除く透明導電膜用組成物：１００質量部に対して、ノンポリマー型バインダーを、２０〜３０質量部含むこと」とする補正を含むものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記「第２」［理由］「３」での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。