【事件の表示】
　特願２０１３−１５２９６３「半導体発光装置、この半導体発光装置からなるバックライトおよび表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月２８日出願公開、特開２０１３−２３９７３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年９月２７日（優先権主張平成１８年９月２７日）を国際出願日とする特願２００８−５３６４０７号（以下「遡及出願」という。）の一部を、平成２５年７月２３日に新たな出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　７月２３日　特許出願
　平成２６年　７月１１日　拒絶理由通知（平成２６年　７月１５日発送）
　平成２６年　９月１６日　意見書・手続補正書
　平成２７年　１月２３日　拒絶査定（平成２７年　１月３０日送達）
　平成２７年　４月３０日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　６月１５日　審判請求書の手続補正書（方式）
第２　平成２７年４月３０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年４月３０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の概略
（１）　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８とする補正であり、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び請求項３と、補正後の特許請求の範囲の請求項１は、それぞれ以下のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】
　複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下の光強度差低減化層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青または緑に発光する三種類の蛍光体の少なくとも一種からなる波長変換材料を含有する半導体発光装置であって、
　前記光強度低減化層が、前記紫外線半導体発光素子のうちの任意の１個または２個以上を覆う非連続層であるか、または前記紫外線半導体発光素子の任意の２個以上を覆う連続層であり、
　前記光強度差低減化層の上部全面が、前記波長変換層で覆われていることを特徴とする、半導体発光装置。」
「【請求項３】
　前記三種類の蛍光体が、それぞれ、下記の一般式（I）で表される青色発光蛍光体、一般式（II）で表される緑色発光蛍光体、および（III）で表される赤色発光蛍光体である、請求項１または２に記載の半導体発光装置：
　　（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｘＣａｙＥｕｚ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２　　　　　　（I）　
（式中、ｘ、ｙ、ｚは、ｘ＜０．２、ｙ＜０．１、０．００５＜ｚ＜０．１であるが、ｘおよびｙは０（ゼロ）を含む。）
　　（Ｂａ１−ｘ−ｙ−ｚＳｒｘＣａｙＥｕｚ）（Ｍｇ１−ｕＭｎｕ）Ａｌ１０Ｏ１７　　 （II）
（式中、ｘ，ｙ，ｚ，ｕは、ｘ＜０．５、ｙ＜０．１、０．１５＜ｚ＜０．４、０．３＜ｕ＜０．６であるが、ｘおよびｙは（ゼロ）を含む。）、および
　　Ｍ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋１−ｘ、Ｓｍ３＋ｘ　　　　　　　　　　（III）
（式中、ｘは、ｘ＜０．５であるがｘは０（ゼロ）を含み、Ｍは、Ｙ、Ｌａ，Ｃａ，Ｇｄの中から選ばれる少なくとも１種以上である。）。」
（補正後）
「【請求項１】
　複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下の光強度差低減化層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料を含有する半導体発光装置であって、
　前記光強度低減化層が、前記紫外線半導体発光素子のうちの任意の１個または２個以上を覆う非連続層であるか、または前記紫外線半導体発光素子の任意の２個以上を覆う連続層であり、
　前記光強度差低減化層の上部全面が、前記波長変換層で覆われており、
　前記三種類の蛍光体が、それぞれ、下記の一般式（Ｉ）で表される青色発光蛍光体、一般式（ＩＩ）で表される緑色発光蛍光体、および（ＩＩＩ）で表される赤色発光蛍光体である、ことを特徴とする、半導体発光装置。
　　（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｘＣａｙＥｕｚ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２　　　　　　（Ｉ）　
（式中、ｘ、ｙ、ｚは、ｘ＜０．２、ｙ＜０．１、０．００５＜ｚ＜０．１であるが、ｘおよびｙは０（ゼロ）を含む。）
　　（Ｂａ１−ｘ−ｙ−ｚＳｒｘＣａｙＥｕｚ）（Ｍｇ１−ｕＭｎｕ）Ａｌ１０Ｏ１７　　 （ＩＩ）
（式中、ｘ，ｙ，ｚ，ｕは、ｘ＜０．５、ｙ＜０．１、０．１５＜ｚ＜０．４、０．３＜ｕ＜０．６であるが、ｘおよびｙは（ゼロ）を含む。）、および
　　Ｍ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋１−ｘ、Ｓｍ３＋ｘ　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）
（式中、ｘは、ｘ＜０．５であるがｘは０（ゼロ）を含み、Ｍは、Ｙ、Ｌａ，Ｃａ，Ｇｄの中から選ばれる少なくとも１種以上である。）」
（２）　補正事項の整理
　本件補正の請求項１についての補正事項は、次の事項を含むものである。
ア　補正事項ア
　補正前の請求項１を削除するとともに、請求項３を独立形式に書き改めて新たな請求項１とする補正事項
イ　補正事項イ
　補正前の請求項１に、「赤、青または緑に発光する三種類の蛍光体の少なくとも一種からなる波長変換材料」とあったものを、「赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料」とすること。
（３）　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
ア　補正事項アについて
　補正事項アは、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものである。
イ　補正事項イについて
（ア）　補正事項イは、補正前の請求項１の「波長変換材料」について、「赤、青または緑に発光する三種類の蛍光体の少なくとも一種からなる」ものを、「赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む」ものに限定する補正であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（イ）　補正事項イは、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の【００２６】に記載されており、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであって、特許法第１７条の２第３項の要件を満たす。
ウ　以上より、補正事項アは、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものであり、補正事項イは、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
２　本願補正発明
　本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明は、本件補正による特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　なお、請求項１には、「前記光強度低減化層」、「前記波長変換層」と記載されているが、それぞれ、「前記光強度差低減化層」、「前記波長変換材料層」の誤記と認められるので、以下のように認定した。
「【請求項１】
　複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下の光強度差低減化層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料を含有する半導体発光装置であって、
　前記光強度差低減化層が、前記紫外線半導体発光素子のうちの任意の１個または２個以上を覆う非連続層であるか、または前記紫外線半導体発光素子の任意の２個以上を覆う連続層であり、
　前記光強度差低減化層の上部全面が、前記波長変換材料層で覆われており、
　前記三種類の蛍光体が、それぞれ、下記の一般式（Ｉ）で表される青色発光蛍光体、一般式（ＩＩ）で表される緑色発光蛍光体、および（ＩＩＩ）で表される赤色発光蛍光体である、ことを特徴とする、半導体発光装置。
　　（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｘＣａｙＥｕｚ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２　　　　　　（Ｉ）　
（式中、ｘ、ｙ、ｚは、ｘ＜０．２、ｙ＜０．１、０．００５＜ｚ＜０．１であるが、ｘおよびｙは０（ゼロ）を含む。）
　　（Ｂａ１−ｘ−ｙ−ｚＳｒｘＣａｙＥｕｚ）（Ｍｇ１−ｕＭｎｕ）Ａｌ１０Ｏ１７　　 （ＩＩ）
（式中、ｘ，ｙ，ｚ，ｕは、ｘ＜０．５、ｙ＜０．１、０．１５＜ｚ＜０．４、０．３＜ｕ＜０．６であるが、ｘおよびｙは（ゼロ）を含む。）、および
　　Ｍ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋１−ｘ、Ｓｍ３＋ｘ　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）
（式中、ｘは、ｘ＜０．５であるがｘは０（ゼロ）を含み、Ｍは、Ｙ、Ｌａ，Ｃａ，Ｇｄの中から選ばれる少なくとも１種以上である。）」
３　引用文献１の記載事項、及び引用発明
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の遡及出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−４８０４０号公報（平成１６年２月１２日公開。以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【００１７】
　図１は、本発明の
第１の実施の形態
１１はＬＥＤチップ
１３は赤色（Ｒ）蛍光体、１４は緑色（Ｇ）蛍光体、１５は青色（Ｂ）蛍光体であり、ＬＥＤ１１からの光を吸収してそれぞれの波長帯の２次光を放出するものである。
【００１８】
　本発明の半導体発光装置が従来例と異なる点は、リードフレーム１２に凹部１２Ａが設けられ、ＬＥＤチップ１１がこの凹部１２Ａの内部に埋め込む形でマウントされている点にある。本発明によれば、ＬＥＤ１１による段差が発生しないため、ＬＥＤの周囲の蛍光体の塗布厚を一定にすることができる。その結果として、蛍光体の偏析の状態を均一にすることができ、図９に関して前述したような発光の「むら」を解消することができる。 
【００１９】
　また、本実施形態においては、ＲＧＢ蛍光体のそれぞれを層状に形成している。すなわち、第１層としてＲ蛍光体１３からなる層が設けられ、第２層としてＧ蛍光体１４からなる層が設けられ、第３層としてＢ蛍光体１５からなる層が設けられている。本発明によれば、ＬＥＤ１１の周囲において、蛍光体の塗布厚を均一にすることができるので、このような３層構造も確実且つ容易に実現することができる。 
【００２０】
　図１の半導体発光装置の製造方法は以下の如くである。すなわち、ＬＥＤチップ１１をフレーム１２にマウントした後に、
Ｒ蛍光体１３を含んだ樹脂を塗布して硬化させ、次にＧ蛍光体１４を含んだ樹脂を塗布して硬化させ、次にＢ蛍光体１５を含んだ樹脂を塗布して硬化させて作成する。
【００２１】
　ここで、ＬＥＤ１１の平面形状は通常、一辺が４００〜５００μｍの正方形状であるが、リードフレームの加工精度や、ＬＥＤ１１をマウントする際の誤差などを考慮すると、リードフレーム１２の凹部１２Ａの開口寸法は、ＬＥＤ１１の寸法の一割増し、４０〜５０μｍ程度大きめに形成することが望ましい。この場合には、ＬＥＤの両側に隙間が生ずるが、この程度の寸法であれば、塗布むらによる悪影響が生ずる心配はない。 
【００２２】
　かくして得られた半導体発光装置に、ワイア１６、１７を介してバイアス電流を供給したところ、ＬＥＤの上方からみて色斑の無い均一な白色発光が得られた。また本半導体発光装置では指向角に対する色純度も良く、この点でも従来構造の装置よりも優れていることが分かった。 
【００２３】
　図２は、図１の半導体発光装置に搭載されるＬＥＤの構成を例示する概略断面図である。図中３０１はサファイア基板、３０２はｎ型ＧａＮコンタクト層、３０３はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、３０４はＩｎＧａＮ活性層、３０５はｐ型ＡｌＧａＮクラッド層、３０６はｐ型ＧａＮコンタクト層、３０７はｐ側電極、３０８はｎ側電極である。図２の
ＬＥＤは、青色から紫外線領域の波長帯において極めて高い強度の発光を得ることができる
 　 
イ　「【００４２】
　図６は、本発明の
第５の実施の形態にかかる半導体発光装置
第１実施形態及び第２実施形態と同様の構造部分については同一の符号を付した。
【００４３】
　本実施形態においては、
ＬＥＤ１１をリードフレーム１２上に埋め込みマウントした後に透明樹脂のレンズ３０を形成し、その表面にＲＧＢ蛍光体を塗布した
【００４４】
　さらに、本実施形態によれば、レンズ３０を設けたことによりさらに指向角が広くなり、表示用や照明等の用途に広く適用することが可能となる。また、図６にはリードフレームを用いた場合の構造を例示したが、平面基板上へのマウントによって集積化すればその用途は格段に広がり本発明の利点をさらに引き出すことができる。 
【００４５】
　なお、図６においては、ＬＥＤ１１をリードフレーム１２に埋込みマウントした例を示したが、本実施形態はこれに限定されず、リードフレーム１２に凹部を形成せずに、平坦なマウント面にＬＥＤ１１をマウントしても良い。 
【００４６】
　また、蛍光体１３〜１５も、図６に示したように層状に塗布せずに、
溶媒中にＲＧＢ蛍光体１３〜１５を一緒に混合してランダムになるように塗布しても良い。
ウ　本発明の第５の実施の形態にかかる半導体発光装置を表す概略断面図である図６は、次のものである。
（２）　引用発明
　以下、上記（１）イの第５の実施の形態に係る半導体発光装置に基づいて引用発明を検討するが、上記（１）イの【００４２】には、第１実施形態及び第２実施形態と同様の構造部分については同一の符号を付した旨の記載があるので、同一の符号が付された構造部分については、第１の実施形態の記載を参酌する。
ア　上記（１）イの【００４３】によれば、第５の実施の形態として、ＬＥＤ１１をリードフレーム１２上に埋め込みマウントした後に透明樹脂のレンズ３０を形成し、その表面にＲＧＢ蛍光体を塗布した半導体発光装置が記載されている。
イ　上記（１）イの【００４６】によれば、蛍光体１３〜１５は、溶媒中にＲＧＢ蛍光体１３〜１５を一緒に混合してランダムになるように塗布しても良いものである。 
ウ　「ＬＥＤ１１」について、第１の実施の形態の記載を参酌する。
　上記（１）アの【００１７】、【００２３】によれば、ＬＥＤ１１は、青色から紫外線領域の波長帯において極めて高い強度の光を発光するものである。
エ　「ＲＧＢ蛍光体１３〜１５」について、第１の実施の形態の記載を参酌する。
　上記（１）アの【００１７】によれば、赤色（Ｒ）蛍光体１３、緑色（Ｇ）蛍光体１４、青色（Ｂ）蛍光体１５は、ＬＥＤ１１からの光を吸収してそれぞれの波長帯の２次光を放出するものである。
　上記（１）アの【００２０】によれば、赤色（Ｒ）蛍光体１３、緑色（Ｇ）蛍光体１４、青色（Ｂ）蛍光体１５は、蛍光体を含んだ樹脂を塗布して硬化させて形成したものである。
オ　以上より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「ＬＥＤ１１をリードフレーム１２上に埋め込みマウントした後に透明樹脂のレンズ３０を形成し、その表面にＲＧＢ蛍光体１３〜１５を塗布した半導体発光装置であって、
　前記ＲＧＢ蛍光体１３〜１５は、溶媒中にＲＧＢ蛍光体１３〜１５を一緒に混合してランダムになるように塗布しても良く、
　前記ＬＥＤ１１は、青色から紫外線領域の波長帯において極めて高い強度の光を発光し、
　前記ＲＧＢ蛍光体１３〜１５は、ＬＥＤ１１からの光を吸収してそれぞれの波長帯の２次光を放出し、
　前記ＲＧＢ蛍光体１３〜１５は、蛍光体を含んだ樹脂を塗布して硬化させて形成したものである、
　半導体発光装置。」
４　対比 
（１）　本願補正発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「ＬＥＤ１１をリードフレーム１２上に埋め込みマウントした後に透明樹脂のレンズ３０を形成し、その表面にＲＧＢ蛍光体１３〜１５を塗布した半導体発光装置」と、
　本願補正発明の「複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下の光強度差低減化層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料を含有する半導体発光装置」とを対比する。
（ア）　引用発明の「ＬＥＤ１１」は、「青色から紫外線領域の波長帯において極めて高い強度の光を発光」するものであるから、本願補正発明の「紫外線半導体発光素子」に相当する。
（イ）　引用発明の「ＲＧＢ蛍光体１３〜１５」は、「蛍光体を含んだ樹脂を塗布して硬化させて形成したもの」であり、「ＬＥＤ１１からの光を吸収してそれぞれの波長帯の２次光を放出する」ものであるから、本願補正発明の「波長変換材料層」に相当する。
　また、上記（ア）によれば、引用発明の「ＬＥＤ１１」は、本願補正発明の「紫外線半導体発光素子」に相当するから、引用発明の「ＲＧＢ蛍光体１３〜１５」は、「ＬＥＤ１１」からの紫外線を吸収して、赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料を含有するものであるといえる。
（ウ）　引用発明の「透明樹脂のレンズ３０」と、本願補正発明の「複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下の光強度差低減化層」とを対比する。
　引用発明の「透明樹脂のレンズ３０」は、「ＬＥＤ１１」と「ＲＧＢ蛍光体１３〜１５」の間に形成されるものであるから、両者は、「紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる光学材料層」である点で一致する。
（エ）　してみれば、両者は、「紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる光学材料層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料を含有する半導体発光装置」である点で一致する。
（２）　以上より、本願補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる光学材料層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料を含有する半導体発光装置。」
　相違点１：
　紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に形成される層について、
　本願補正発明では、「複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に・・・形成され」、「厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下」であり、「前記紫外線半導体発光素子のうちの任意の１個または２個以上を覆う非連続層であるか、または前記紫外線半導体発光素子の任意の２個以上を覆う連続層であり」、「上部全面が、前記波長変換材料層で覆われて」いる「光強度差低減化層」であるのに対し、
　引用発明では、「ＬＥＤ１１」は複数個ではなく、「透明樹脂のレンズ３０」である点。
　相違点２：
　「三種類の蛍光体」は、
　本願補正発明では、
「それぞれ、下記の一般式（Ｉ）で表される青色発光蛍光体、一般式（ＩＩ）で表される緑色発光蛍光体、および（ＩＩＩ）で表される赤色発光蛍光体である・・・
　　（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｘＣａｙＥｕｚ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２　　　　　　（Ｉ）　
（式中、ｘ、ｙ、ｚは、ｘ＜０．２、ｙ＜０．１、０．００５＜ｚ＜０．１であるが、ｘおよびｙは０（ゼロ）を含む。）
　　（Ｂａ１−ｘ−ｙ−ｚＳｒｘＣａｙＥｕｚ）（Ｍｇ１−ｕＭｎｕ）Ａｌ１０Ｏ１７　　 （ＩＩ）
（式中、ｘ，ｙ，ｚ，ｕは、ｘ＜０．５、ｙ＜０．１、０．１５＜ｚ＜０．４、０．３＜ｕ＜０．６であるが、ｘおよびｙは（ゼロ）を含む。）、および
　　Ｍ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋１−ｘ、Ｓｍ３＋ｘ　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）
（式中、ｘは、ｘ＜０．５であるがｘは０（ゼロ）を含み、Ｍは、Ｙ、Ｌａ，Ｃａ，Ｇｄの中から選ばれる少なくとも１種以上である。）」のに対し、
　引用発明では、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
５　判断
（１）　相違点１について検討する。
ア　はじめに、本願補正発明の「複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に光強度差低減化層」を形成することの技術上の意義について、発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。 
（ア）　本願の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。
　「【００１７】
　本発明による半導体発光装置は、紫外線半導体発光素子と波長変換材料層との間に光強度差低減化層が形成されたものであることから、
紫外線半導体発光素子で発生した光（紫外線等を含む）が光強度差低減化層を透過する際に均一化され、波長変換材料層に均一に光が到達する
　「【００４５】
　＜光強度差低減化層＞
　本発明における半導体発光装置における光強度差低減化層は、主として、紫外線半導体発光素子で発生した光を、この光強度差低減化層を透過する際に均一化して、波長変換材料層に光が均一に到達させる機能を有するものである。
【００４６】
　このような光強度差低減化層が形成されていない従来の半導体発光装置では、紫外線半導体発光素子自体の発光ムラや、紫外線半導体発光素子の有無による励起エネルギーの強度差がそのまま反映されて、波長変換材料層にも発光強度ムラが生じるが、所定の光強度差低減化層が形成された本発明における半導体発光装置では、
光強度差低減化層を通過した励起エネルギーはこの層内でその強度の均一化が図られる
【００４７】
　本発明の
光強度差低減化層は、任意の透明樹脂材料を用いて形成することができる。
・・・
【００４９】
　光強度差低減化層の厚さは、紫外線半導体発光素子の大きさや、半導体発光装置の具体的用途、紫外線半導体発光素子の発光むらの程度、必要な光強度差低減化作用等を考慮して、適宜定めることができる。本発明では、０．３ｍｍ以上３．０ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下、が好ましい。」 
（イ）　また、本願の発明の詳細な説明の【００５８】〜【００７２】には、厚さ０．５ｍｍ、又は厚さ１．３ｍｍの光強度差低減化層を設けた実施例１〜３と、光強度差低減化層を形成しない比較例１〜３との比較から、光強度差低減化層を設けた実施例１〜３の発光装置の方が、均一な輝度特性を有しているとする結果が示されている。
（ウ）　これらの記載によれば、発光素子に、直接、波長変換材料層を被覆するよりも、ある程度の厚みの透明樹脂材料を介してから波長変換材料層を被覆する方が、発光素子からの光が透明樹脂材料を通過する際に拡がることで均一化されることを示しているものと考えられる。
　それゆえ、「複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に光強度差低減化層」を形成することの技術上の意義は、発光素子と波長変換材料層との間に「透明樹脂材料」を介在させない場合と比較して、発光素子と波長変換材料層との間に、ある程度の厚みの「透明樹脂材料」を介在させることにより波長変換材料層に到達する光を均一化させることにあるものと認められる。
（エ）　また、上記（ア）の【００４９】によれば、本願補正発明の「光強度差低減化層」の「厚さ」である「０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下」は、「紫外線半導体発光素子の大きさや、半導体発光装置の具体的用途、紫外線半導体発光素子の発光むらの程度、必要な光強度差低減化作用等を考慮」して適宜定められたものと考えられる。
イ　上記アの検討を踏まえ、相違点１について検討する。
（ア）　引用発明の「透明樹脂のレンズ３０」は、発光素子と波長変換材料層との間に介在する、ある程度の厚みの「透明樹脂材料」であるから、上記アの検討を踏まえると、本願補正発明の「光強度差低減化層」と同様に、光強度差を低減する機能を有するものといえる。
　そうすると、引用発明の「透明樹脂のレンズ３０」と、本願補正発明の「光強度差低減化層」とは、光強度差低減化機能の点において実質的な相違はない。
　仮に、両者が機能の点において、実質的な相違はないといえないとしても、引用発明の「透明樹脂のレンズ３０」として、「光強度差低減化層」を採用することは、当業者であれば、適宜なしうるものである。
（イ）　「透明樹脂のレンズ３０」の厚み等の寸法が「紫外線半導体発光素子の大きさ」や「半導体発光装置の具体的用途」から要求される半導体発光装置の大きさ等によって制約されること、また「透明樹脂のレンズ３０」の厚みや透過率等の影響により発光むらの程度や輝度の大きさ等が変化することは当業者にとって明らかである。
　そして、半導体発光装置にとって発光むらの程度や輝度の大きさ等は特に考慮されるべき条件であり、また、半導体発光装置におけるレンズの厚みとして「０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下」という厚みが格別特殊であるとも考えられないから、「透明樹脂のレンズ３０」の「厚み」を設定するにあたって、「紫外線半導体発光素子の大きさ」や「半導体発光装置の具体的用途」から要求される半導体発光装置の大きさ、発光むらの程度や輝度の大きさ等の各種の条件を考慮して、その数値範囲内のものとすることは、当業者が設計上適宜なしうるものである。
（ウ）　半導体発光素子を複数個配置し、複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に光学材料層を形成し、光学材料層が半導体発光素子のうちの任意の１個または２個以上を覆う非連続層であるか、または半導体発光素子の任意の２個以上を覆う連続層であり、光学材料層の上部全面が波長変換材料層で覆われている半導体発光装置は、本願の遡及出願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、以下の周知文献１〜３参照。）である。
（エ）　上記（ア）〜（ウ）によれば、引用発明において、上記周知の技術を採用して、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
ａ　周知文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の遡及出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−２１０６２７号公報（平成１８年８月１０日公開。以下「周知文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
（ａ）　「【００２４】
　本発明の発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置について以下に詳細に説明する。図１は本発明の発光素子収納用パッケージおよび発光装置について実施の形態の一例を示す斜視図であり、図２は図１の発光素子収納用パッケージおよび発光装置のＡ−Ａ’線での断面図、図３はＢ−Ｂ’線での断面図である。これらの図において、１’は発光素子収納用容器、２は基体、３は反射部材であり、主にこれらで発光素子を収容するための発光素子収納用パッケージが構成される。また、
４は発光素子、５は透明部材、６は蛍光体を含有した透光性部材から成る蛍光体層
（ｂ）　本発明の発光素子収納用パッケージおよび発光装置の断面図である図２は、次のものである。
ｂ　周知文献２
　本願の遡及出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−８７７７８号公報（平成１１年３月３０日公開。以下「周知文献２」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
（ａ）　「【０１６９】次に、本発明の第７の実施の形態について説明する。本実施形態においては、半導体発光装置の封止樹脂の内部にディッピング樹脂層を設け、そのディッピング樹脂層の表面に蛍光物質を塗布することによって、波長変換効率を安定させ、高輝度の半導体発光装置を実現することができる。
【０１７０】図４７は、本実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式図である。すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置１００Ｆは、いわゆるリード・フレーム・タイプのＬＥＤランプである。そして、
半導体発光素子９９０
・・・
【０１７６】また、本実施形態においては、光源が発光素子近傍に限定される。したがって、
発光素子からの光が蛍光体層ＦＬの内部を通過する光路が、光の方向に依存せずほぼ一定となり変換効率も均一となる。その結果として、発光装置から取り出した光の波長が方向に依存して変化するという問題が解消される。
・・・
【０１８３】図５１は、本実施形態による第５の半導体発光装置を例示する模式図である。すなわち、同図に断面図として表した半導体発光装置４００Ｆは、いわゆるドーム型の半導体発光装置である。そして、その樹脂４４０Ｆの内部にディッピング樹脂層４４２Ｅが形成され、その
ディッピング樹脂層４４２Ｆの表面に蛍光物質ＦＬが含有されている。
（ｂ）　本実施形態による第５の半導体発光装置を例示する模式図である図５１は、次のものである。
ｃ　周知文献３
　本願の遡及出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−２０２９６２号公報（平成１８年８月３日公開。以下「周知文献３」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
（ａ）　「【００２５】
（
第１の実施の形態の効果
　上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
・・・
【００２７】
（２）
ＬＥＤ素子２の光取り出し面から蛍光体薄膜６Ｂに適度な距離を持たせ、蛍光体薄膜６Ｂは均一な膜厚なので、小型ＬＥＤとしても蛍光体分散型のように蛍光体層内での光路長差による色むらの発生を抑制することができる。
【００２８】
　光学形状は、略半球形状とすることでＬＥＤ素子２から蛍光体薄膜６Ｂまでの距離を適度に取り、ＬＥＤ素子２が発するどの方向の光に対しても光学形状部６Ａへの入射角が垂直を中心に略均一となるようにしてある。このような構成によって光学形状部６Ａでの界面反射損失を最も小さくすることができるので、光学形状部６Ａの表面や蛍光体薄膜６Ｂで反射された光がＬＥＤ素子２で再吸収されることがない。更に、蛍光体６Ｂへの入射角に大きな差が生ぜず、そのことによって色むらの発生を防止できる。また、ＬＥＤ１のサイズが小さくても、色むらや効率低下が生じないものとでき、蛍光体使用量を少なくできることから、部材費低減を図ることができる。」
（ｂ）　「【００４１】
（
第３の実施の形態の効果
　上記した第３の実施の形態によると、蛍光体薄膜６Ｂと光学形状部６Ａとの間にダイクロイックミラー６Ｄを設けているので、蛍光体薄膜６Ｂで生じた黄色光がガラス封止部６に再入射し、さらにＬＥＤ素子２に吸収されることによるＬＥＤ素子２の発光効率低下を防ぐことができ、
第１の実施の形態の好ましい効果に加えて
（ｃ）　「【００４４】
（第５の実施の形態）
　図５は、本発明の第５の実施の形態に係るＬＥＤを示し、（ａ）はＬＥＤの平面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤをＢ−Ｂ部で切断した断面図である。
【００４５】
（全体の構成）
　このＬＥＤ１は、Ａｌ２Ｏ３基板３上に発光中心波長が３７０ｎｍの
紫外光ＬＥＤ素子２
【００４６】
（各部の構成）
　Ａｌ２Ｏ３基板３は、複数のＬＥＤ素子２から発せられる熱を基板外へ放熱するための銅箔からなる放熱パターン４Ｄを有する。
【００４７】
　
蛍光体薄膜６Ｂは、ＬＥＤ素子２から放射される紫外光によって励起されるＲＧＢ蛍光体を所定の割合で含有しており、励起に基づいて生じたＲ，Ｇ，Ｂの可視光の混合に基づいて白色光を生じる。
【００４８】
　ダイクロイックミラー６Ｄは、Ｔａ２Ｏ５膜およびＳｉＯ２膜を交互に積層して多層化することによって形成されており、ＬＥＤ素子２から放射される紫外光を透過し、蛍光体薄膜６Ｂの蛍光体が発するＲ，Ｇ，Ｂの可視光については反射することにより、
ガラス封止部６
【００４９】
（
第５の実施の形態の効果
　上記した第５の実施の形態によると、発光効率に優れる紫外光ＬＥＤ素子２とＲＧＢ蛍光体を含有した蛍光体薄膜６Ｂとを用いて複数の発光部１０をＡｌ２Ｏ３基板３上に形成したので、
第３の実施の形態の好ましい効果に加えて
（ｄ）　本発明の第５の実施の形態に係るＬＥＤを示す図５は、次のものである。
（２）　相違点２について検討する。
　引用発明において、「ＲＧＢ蛍光体１３〜１５」の材料は、公知又は周知の材料から、当業者が適宜選択しうるものであるところ、本願補正発明の「一般式（Ｉ）で表される青色発光蛍光体」、「一般式（ＩＩ）で表される緑色発光蛍光体」、「（ＩＩＩ）で表される赤色発光蛍光体」は、いずれも本願の遡及出願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、以下の周知文献４〜６参照。）である。
　してみれば、引用発明において、上記周知の技術を採用して、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
ａ　周知文献４
　本願の遡及出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−２８９００４号公報（平成１４年１０月４日公開。以下「周知文献４」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
（ａ）　「【００５３】本実施の形態のＬＥＤ蛍光灯１に用いられる蛍光材料には、赤、緑、青の光の三原色を始めとして様々な発光色のものがある。ここで、近紫外線の照射を受けて赤色を発光する
赤色蛍光材料Ｒの具体例としては、
Ｌａ
2
Ｏ
2
Ｓ：Ｓｍ，Ｅｕ
【００５４】また、近紫外線の照射を受けて緑色を発光する
緑色蛍光材料Ｇの具体例としては、
ＢａＭｇＡｌ
10
Ｏ
17
：Ｅｕ，Ｍｎ
【００５５】さらに、近紫外線の照射を受けて青色を発光する
青色蛍光材料Ｂの具体例としては、
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）
10
（ＰＯ
4
）
6
・Ｃｌ
2
：Ｅｕ
ｂ　周知文献５
　本願の遡及出願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０３／０３２４０７号（平成１５年４月１７日公開。以下「周知文献５」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
（ａ）　「蛍光体層２中の
青色系蛍光体粒子３は、
（１）下記の化学式で表される化合物を主体にしてなるハロ燐酸塩蛍光体。
（Ｍ１
１−ｘ
Ｅｕ
ｘ
）
１０
（ＰＯ
４
）
６
Ｃｌ
２
ただし、
Ｍ１は、
Ｓｒ
ｘは０＜ｘ＜１を満足する数値
・・・
なお、前記望ましい
青色系蛍光体の具体例としては、
Ｓｒ
５
（ＰＯ
４
）
３
Ｃｌ：Ｅｕ
２＋
蛍光体層２中の
緑色系蛍光体粒子４は、
（３）下記の化学式で表される化合物を主体にしてなるアルミン酸塩蛍光体。
（Ｍ２
１−ｘ
Ｅｕ
ｘ
）（Ｍ３
１−ｙ２
Ｍｎ
ｙ２
）Ａｌ
１０
Ｏ
１７
ただし、
Ｍ２は、Ｂａ
Ｍ３は、Ｍｇ
ｘ、ｙ２は、各々、０＜ｘ＜１、０．０５≦ｙ２＜１を満足する数値
・・・
前記望ましい
緑色系蛍光体の具体例としては、（ＢａＭｇ）Ａｌ
１６
Ｏ
２７
：Ｅｕ
２＋
，Ｍｎ
２＋
蛍光体層２中の
赤色系蛍光体粒子５は、
（５）下記の化学式で表される化合物を主体にしてなる酸硫化物蛍光体。
（Ｌｎ
１−ｘ
Ｅｕ
ｘ
）Ｏ
２
Ｓ
ただし、
Ｌｎは、
Ｙ、Ｌａ及びＧｄ
ｘは０＜ｘ＜１を満足する数値
前記望ましい
赤色系蛍光体５の具体例としては、
Ｙ
２
Ｏ
２
Ｓ：Ｅｕ
３＋
、Ｌｎ
２
Ｏ
２
Ｓ：Ｅｕ
３＋
、Ｌｎ
２
Ｏ
２
Ｓ：Ｅｕ
３＋
，Ｓｍ
３＋
、Ｇｄ
２
Ｏ
２
Ｓ：Ｅｕ
３＋
ｃ　周知文献６
　本願の遡及出願の優先日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２００６／０６８１４１号（平成１８年６月日公開。以下「周知文献６」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
（ａ）　「【００４４】
青色発光蛍光体としては、
一般式１：
（Ｓｒ
1-x-y
Ｂａ
x
Ｃａ
y
Ｅｕ
z
）
１０
（ＰＯ
４
）
６
・Ｃl
2
（但し、式中x、y、zはx＜0.2、y＜0.1、0.005＜z＜0.1の関係を満足する。）
ｘ値およびｙ値は０（ゼロ）を含む
　【００４５】
　また、
緑色発光蛍光体としては、
一般式２：
（Ｂａ
１−ｘ−ｙ−ｚ
Ｓｒ
ｘ
Ｃａ
ｙ
Ｅｕ
ｚ
）（Ｍｇ
1−u
Ｍｎ
u
）Ａｌ
１０
Ｏ
１７
（但し、式中x、y、z、uはx＜0.5、y＜0.1、0.15＜z＜0.4、0.3＜u＜0.6の関係を満足する。）
ｘ値およびｙ値は０（ゼロ）を含む
　【００４６】
　また、
赤色発光蛍光体としては、
一般式３：
（Ｌａ
１−ｘ−ｙ
Ｅｕ
ｘ
Ｍ
ｙ
）
２
Ｏ
２
Ｓ
（但し、式中Ｍは元素Ｓｂ，Ｓｎの少なくとも１種を示し、ｘ及びｙは０．０１＜ｘ＜０．１５，ｙ＜０．０３の関係を満足する。）で表わされるユーロピウム付活酸硫化ランタン蛍光体が挙げられる。なお、一般式３において
ｙ値は０（ゼロ）を含む
（３）　作用効果について
 　本願補正発明が奏する作用効果は、引用発明と上記周知の技術に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。 
６　小括
　以上によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明及び上記周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
７　本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年４月３０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年９月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　なお、請求項１には、「前記光強度低減化層」、「前記波長変換層」と記載されているが、それぞれ、「前記光強度差低減化層」、「前記波長変換材料層」の誤記と認められるので、以下のように認定した。
「【請求項１】
　複数個の紫外線半導体発光素子と波長変換材料層の間に、透明樹脂材料からなる厚さ０．３ｍｍ以上、３．０ｍｍ以下の光強度差低減化層が形成され、前記波長変換材料層が、前記紫外線半導体発光素子からの紫外線を吸収して、赤、青または緑に発光する三種類の蛍光体の少なくとも一種からなる波長変換材料を含有する半導体発光装置であって、
　前記光強度差低減化層が、前記紫外線半導体発光素子のうちの任意の１個または２個以上を覆う非連続層であるか、または前記紫外線半導体発光素子の任意の２個以上を覆う連続層であり、
　前記光強度差低減化層の上部全面が、前記波長変換材料層で覆われていることを特徴とする、半導体発光装置。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項、及び引用発明は、上記第２の［理由］３に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の［理由］２で検討した本願補正発明に、「赤、青および緑に発光する三種類の蛍光体を少なくとも含む波長変換材料」とあったものを、「赤、青または緑に発光する三種類の蛍光体の少なくとも一種からなる波長変換材料」とするとともに、
「前記三種類の蛍光体が、それぞれ、下記の一般式（Ｉ）で表される青色発光蛍光体、一般式（ＩＩ）で表される緑色発光蛍光体、および（ＩＩＩ）で表される赤色発光蛍光体である・・・
　　（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｘＣａｙＥｕｚ）１０（ＰＯ４）６・Ｃｌ２　　　　　　（Ｉ）　
（式中、ｘ、ｙ、ｚは、ｘ＜０．２、ｙ＜０．１、０．００５＜ｚ＜０．１であるが、ｘおよびｙは０（ゼロ）を含む。）
　　（Ｂａ１−ｘ−ｙ−ｚＳｒｘＣａｙＥｕｚ）（Ｍｇ１−ｕＭｎｕ）Ａｌ１０Ｏ１７　　 （ＩＩ）
（式中、ｘ，ｙ，ｚ，ｕは、ｘ＜０．５、ｙ＜０．１、０．１５＜ｚ＜０．４、０．３＜ｕ＜０．６であるが、ｘおよびｙは（ゼロ）を含む。）、および
　　Ｍ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋１−ｘ、Ｓｍ３＋ｘ　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）
（式中、ｘは、ｘ＜０．５であるがｘは０（ゼロ）を含み、Ｍは、Ｙ、Ｌａ，Ｃａ，Ｇｄの中から選ばれる少なくとも１種以上である。）」との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記第２の［理由］３乃至６に記載したとおり、引用発明及び上記周知の技術から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が引用発明及び上記周知の技術に基いて容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。