【事件の表示】
　特願２０１１−５２７６５６「パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月２４日国際公開、ＷＯ２０１１／０２１５７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２０１０年（平成２２年）８月１２日（優先権主張　平成２１年８月１７日）を国際出願日とする出願であって、平成２５年７月９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２６年７月２２日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月２８日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同時に手続補正がされ、平成２７年８月２８日付けで、当審により、拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１１月２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜請求項４に係る発明（以下、項番号に対応して、「本願発明１」などといい、これらをまとめて「本願発明」という。）は、平成２７年１１月２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜請求項４に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　基板上に、有機高分子を主成分とする第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程（１）
と、
　前記第１樹脂層の表面に、有機高分子を主成分とする第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成工程（２）と、
　前記第２樹脂層に凸部を有するスタンパを圧接、脱離して、前記第２樹脂層に凹部を形成する凹部形成工程（３）と、
　充填部形成用組成物を、前記凹部が形成された前記第２樹脂層上に塗布して製膜することにより、前記凹部内に無機高分子を主成分とする充填部を形成する充填部形成工程（４）と、
　前記充填部をマスクとして、前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層をエッチングするエッチング工程（５）と、を備えており、
　前記第１樹脂層は、前記第２樹脂層よりエッチング速度が遅い材料からなり、
　前記第２樹脂層の形成には、（メタ）アクリル酸エステル類の重合性不飽和化合物と、
感放射線性重合開始剤とを含有する第２樹脂層形成用組成物が用いられており、
　前記凹部形成工程（３）では、前記スタンパの圧接の際、前記第２樹脂層を厚さ方向に残存させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
　前記無機高分子は、ポリシロキサンである請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
　前記第１樹脂層の形成には、
　（１Ａ）フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、（１Ｂ）下記式（１）で表される酸発生剤と、（１Ｃ）架橋剤と、を含有する第１樹脂層形成用組成物（１）、
　（２Ａ）下記式（２）で表される構成単位及び下記式（３）で表される構成単位のうちの一方を含む重合体と、（２Ｂ）酸発生剤と、（２Ｃ）架橋剤と、を含有する第１樹脂層形成用組成物（２）、
　又は、（３Ａ）下記式（７）で表される構成単位、下記式（８）で表される構成単位及び下記式（１０）で表される構成単位を含む重合体と、（３Ｂ）酸発生剤と、（３Ｃ）架橋剤と、を含有する第１樹脂層形成用組成物（３）が用いられている請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
　　【化１】
〔式（１）において、Ｒは各々独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、−Ｒ１ＯＨ、−Ｒ２ＯＲ３又は−Ｒ４ＯＲ５ＯＲ６を示し、ｎは１又は２であり、Ｘは各々独立にハロゲン原子を示す。尚、Ｒ１はメチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基、Ｒ２はメチレン基又は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｒ３は炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ４はメチレン基又は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｒ５はメチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基、Ｒ６は炭素数１〜６のアルキル基を示す。ｎは１又は２である。〕
　　【化２】
〔式（２）において、Ｒ１は１価の有機基を示し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜６の置換可能なアルキル基を示す。〕
　　【化３】
〔式（３）において、Ｒ１は１価の有機基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜６の置換可能なアルキル基を示し、ｎは０又は１である。〕
　　【化４】
〔式（７）において、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０の置換可能なアルキル基、炭素数１〜２０の置換可能なアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、イソシアネート基又はグリシジルエーテル基を表す。〕
　　【化５】
〔式（８）において、Ｒ５〜Ｒ８は、各々独立に、水素原子、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０の置換可能なアルキル基、炭素数１〜２０の置換可能なアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、アセトキシ基、炭素数６〜１０のアリール基、イソシアネート基、グリシジルエーテル基、又は、下記式（９）で表される１価の有機基を表し、且つ、Ｒ５〜Ｒ８のうちの少なくとも１つは該式（９）で表される１価の有機基である。〕
　　【化６】
〔式（９）において、Ｒ９は炭素数１〜４のアルキレン基を表し、Ｒ１０は炭素数４〜２０の環状構造を有する基を表す。〕
　　【化７】
〔式（１０）において、Ｒ１１は炭素数４〜２０脂環式炭化水素基を表す。〕
【請求項４】
　前記第１樹脂層の形成には、
　（１Ａ）フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、（１Ｂ）下記式（１）で表される酸発生剤と、（１Ｃ）架橋剤と、を含有する第１樹脂層形成用組成物（１）、
　又は、（２Ａ）下記式（２）で表される構成単位及び下記式（３）で表される構成単位のうちの一方を含む重合体と、（２Ｂ）酸発生剤と、（２Ｃ）架橋剤と、を含有する第１樹脂層形成用組成物（２）が用いられている請求項１又は２に記載のパターン形成方法。
　　【化８】
〔式（１）において、Ｒは各々独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、−Ｒ１ＯＨ、−Ｒ２ＯＲ３又は−Ｒ４ＯＲ５ＯＲ６を示し、ｎは１又は２であり、Ｘは各々独立にハロゲン原子を示す。尚、Ｒ１はメチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基、Ｒ２はメチレン基又は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｒ３は炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ４はメチレン基又は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｒ５はメチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基、Ｒ６は炭素数１〜６のアルキル基を示す。ｎは１又は２である。〕
　　【化９】
〔式（２）において、Ｒ１は１価の有機基を示し、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜６の置換可能なアルキル基を示す。〕
　　【化１０】
〔式（３）において、Ｒ１は１価の有機基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜６の置換可能なアルキル基を示し、ｎは０又は１である。〕」
　
３．当審拒絶理由について
　当審拒絶理由は、次のとおりである。
「この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　本願発明は、「「レジスト膜のはがれ」を抑制できるパターン形成方法を提供することを目的とする」（【０００６】）ところ、本願発明において、「レジスト膜のはがれ」を抑制できることが確認できたパターン形成方法に用いられた「有機高分子を主成分とする第１樹脂層」及び「有機高分子を主成分とする第２樹脂層」は、それぞれ、次の第１樹脂層形成用組成物及び第２樹脂層形成用組成物を用いて形成されたもののみである。 
　
　
第１樹脂層形成用組成物
 　「（１Ａ）フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂と、（１Ｂ）下記式（１）で表される酸発生剤と、（１Ｃ）架橋剤と、を含有する第１樹脂層形成用組成物。 
 【化１】
　 
　
 　〔式（１）において、Ｒは各々独立に水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、−Ｒ１ＯＨ、−Ｒ２ＯＲ３又は−Ｒ４ＯＲ５ＯＲ６を示し、ｎは１又は２であり、Ｘは各々独立にハロゲン原子を示す。尚、Ｒ１はメチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基、Ｒ２はメチレン基又は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｒ３は炭素数１〜６のアルキル基、Ｒ４はメチレン基又は炭素数２〜４のアルキレン基、Ｒ５はメチレン基又は炭素数２〜６のアルキレン基、Ｒ６は炭素数１〜６のアルキル基を示す。ｎは１又は２である。〕」（【００１４】）、及び、 
　
 　
第２樹脂層形成用組成物
 「（メタ）アクリル酸エステル類の重合性不飽和化合物と、感放射線性重合開始剤とを含有する第２樹脂層形成用組成物」（【００５８】〜【００５９】） 
 　 
 　ここで、第１樹脂層形成用組成物及び第２樹脂層形成用組成物について、上記の組成物の組成と異なれば、「レジスト膜のはがれ」を抑制できるものとなるか否かは明らかではないことから、出願時の技術常識に照らしても、「第１樹脂層」及び「第２樹脂層」の形成に用いられる樹脂形成用組成物が、上記のような樹脂層形成用組成物に特定されない請求項１、２に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。 
　
 　よって、請求項１、２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。」
　
４．当審の判断
（１）本願発明が解決しようとする課題について
　本願の明細書には、次の記載がある（下線は、当審が付与した。）。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明はパターン形成方法に関する。更に詳しくは、透光性スタンパを用いた光インプリントリソグラフィ法によるパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体素子等の回路の集積度や記録密度を向上させるために、より微細な加工技術が必要である。微細な加工技術として、露光プロセスを用いたフォトリソグラフィ技術は、一度に大面積の微細加工が可能であるが、光の波長以下の分解能を持たない。従って、フォトリソグラフィ技術では、近年、１９３ｎｍ（ＡｒＦ）、１５７ｎｍ（Ｆ２）、１３．５ｎｍ（ＥＵＶ）の短波長光を用いたフォトリソグラフィ技術が開発されている。しかしながら、光の波長が短くなると、それに伴い、その波長で透過できる物質が限られるため、微細構造の作成に限界がある。
　一方、電子線リソグラフィや集束イオンビームリソグラフィ等の方法では、分解能が光の波長に依存せず、微細構造の作成が可能であるものの、スループットの悪さが問題となっている。
【０００３】
　これに対して、光の波長以下の微細構造を高スループットで作成する手法としては、
あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作成したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸を基板のレジスト膜に転写するナノインプリント法が知られている
　
上述のナノインプリント法においては、
「レジスト膜のはがれ」という問題がある。ナノインプリント法では、
押し付けたスタンパをレジスト膜から剥がす際に、スタンパにレジスト膜の一部が付着したまま剥がれるという不具合を生じることがあり、これを「レジスト膜のはがれ」と称している。
【先行技術文献】
・・・（略）・・・
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　前記特許文献３は、表面がフッ素化処理されたスタンパである。しかしながら、この方法では、スタンパの使用回数の増加とともに、表面処理の効果が失われてゆき、スタンパの使用回数が多いと、高頻度で「レジスト膜のはがれ」を生じる場合があるという問題があり、この点においては、未だ十分なレジスト膜（本発明でいう被形状転写層である。）のはがれ防止を成すには至っていない。
　一方、特許文献４では、反転後のパターンをマスクとして、被加工基板をＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法などによりエッチングする方法が開示されているが、この特許文献４では、スタンパを剥離する際のレジスト膜の剥がれに起因するパターン破壊は従来に比べて低減されるものの、更に優れたレジスト膜の剥がれ抑制が求められている。
　
本発明は前記実情に鑑みてなされたものであり、「レジスト膜のはがれ」を抑制できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
　
　これらの記載から、本願発明は、あらかじめ電子線リソグラフィ等により所定の微細凹凸パターンを作成したスタンパを、レジストを塗布した基板に押し付け、スタンパの凹凸を基板のレジスト膜に転写するナノインプリント法において、押し付けたスタンパをレジスト膜から剥がす際に、スタンパにレジスト膜の一部が付着したまま剥がれる不具合である「レジスト膜のはがれ」を抑制できるパターン形成方法を提供することを課題としていると認められる。
　
（２）本願発明１について
　本願発明１は、「基板上に、有機高分子を主成分とする第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成工程（１）と、前記第１樹脂層の表面に、有機高分子を主成分とする第２樹脂層を形成する第２樹脂層形成工程（２）と、前記第２樹脂層に凸部を有するスタンパを圧接、脱離して、前記第２樹脂層に凹部を形成する凹部形成工程（３）」を発明特定事項として備えるところ、「第１樹脂層」及び「第２樹脂層」は、本願発明の課題における「レジスト膜」に相当し、スタンパに圧接されるのは「第２樹脂層」のみであるから、本願発明の課題である「押し付けたスタンパをレジスト膜から剥がす際に、スタンパにレジスト膜の一部が付着したまま剥がれる不具合であるレジスト膜のはがれ」を抑制するためには、スタンパを第２樹脂層から剥がす際に、
　ア　スタンパと第２樹脂層とは分離しやすくなっていることが必要であり、
　イ　第２樹脂層は第１樹脂層の表面に形成され、第１樹脂層は基板上に形成されていることから、第２樹脂層は第１樹脂層と分離しにくくなっていることが必要であり、さらに、
　ウ　第１樹脂層は基板と分離しにくくなっていることが必要である、ことは明らかである。
　
（３）サポート要件についての検討
　そこで、本願発明１が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件（サポート要件）を満たすかどうかを、いわゆる大合議判決（平成１７年（行ケ）１００４２号、知財高裁平成１７年１１月１１日判決）の観点、すなわち、「特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か」に照らして検討する。
　すなわち、本願発明１において、スタンパを第２樹脂層から剥がす際に、
　ア　スタンパと第２樹脂層と分離しやすくなっているかどうか、
　イ　第２樹脂層は第１樹脂層と分離しにくくなっているかどうか、及び、
　ウ　第１樹脂層は基板と分離しにくくなっているかどうか、について検討する。
　
（発明の詳細な説明の記載について）
　第１樹脂層及び第２樹脂層について、本願の明細書には次の記載がある。
「【実施例】
【０１１３】
　以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、「部」及び「％」は、特記しない限り質量基準である。
【０１１４】
［調製例１］第１樹脂層形成用組成物の調製
　下記フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂（１Ａ）１００質量部、熱酸発生剤（１Ｂ）１．０質量部、架橋剤（１Ｃ）２５質量部、密着助剤（１Ｄ）２．５質量部、及び界面活性剤（１Ｅ）０．２質量部を、溶剤（１Ｆ）４００質量部に溶解することにより第１樹脂層形成用組成物を調製した。
　フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂（１Ａ）；ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン／ビニル安息香酸＝１８／８０／２（モル比）からなる共重合体、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００、
　熱酸発生剤（１Ｂ）；２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
　架橋剤（１Ｃ）；ヘキサメトキシメチルメラミン（株式会社三和ケミカル製、商品名「ニカラックＭＷ−３９０」）、
　密着助剤（１Ｄ）；γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ株式会社製、商品名「Ｓ５１０」）、
　界面活性剤（１Ｅ）；レベリング剤・界面活性剤（ネオス株式会社製、商品名「ＦＴＸ−２１８」）、
　溶剤（１Ｆ）；乳酸エチル／２−ヘプタノン＝８０／６５（質量部）
【０１１５】
［調製例２］第２樹脂膜形成用組成物の調製
　ブチルメタクリレート１００質量部、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート５０質量部、２，４，６−トリメチルベンゾイル−フェニル−フォスフィンオキサイド２５質量部を混合し、均一に攪拌することにより第２樹脂膜形成用組成物を得た。」
「【０１１７】
［実施例１］第１樹脂層を用いた例
（１）第１樹脂層形成工程
　６インチのシリコンウエハ（基板）上に、先に調製された第１樹脂層形成用組成物をスピンコートし、ホットプレートを用いて１８０℃で１分間、３００℃で１分間加熱し、３００ｎｍ厚の第１樹脂層を形成した。
【０１１８】
（２）第２樹脂層形成工程
　上記（１）までに得られた第１樹脂層に、先に調製された第２樹脂層形成用組成物１０μＬ滴下してスピンコート法にて第２樹脂層を形成した。
【０１１９】
（３）凹部形成工程
　上記（２）までに得られた第２樹脂層に、７０ｎｍライン（凸部幅）／１４０ｎｍスペース（アスペクト比：１）の凹凸パターンを有する（即ち、７０ｎｍラインの凸部を有する）石英製のスタンパを０．４ＭＰａの圧力で１２０秒間圧接した後、高圧水銀灯により照度２．５ｍＷ／ｃｍの光を３０秒間照射した後、スタンパを脱離させて、第２樹脂層の表面に凹部を形成した。
　得られた凹部の断面を走査型電子顕微鏡（日立計測器サービス株式会社製、型式「Ｓ９３８０」）で観測したところ、幅７０ｎｍ×深さ７０ｎｍの略正方形の断面形状を有する凹部が１４０ｎｍ間隔に並んで配置された凹凸パターンが形成されていた。残存膜厚（凹部の底面から第２樹脂層の底面までの距離）は１００ｎｍであった。」
　
　そうすると、「フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂（１Ａ）；ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン／ビニル安息香酸＝１８／８０／２（モル比）からなる共重合体、ポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００、熱酸発生剤（１Ｂ）；２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、架橋剤（１Ｃ）；ヘキサメトキシメチルメラミン（株式会社三和ケミカル製、商品名「ニカラックＭＷ−３９０」）、密着助剤（１Ｄ）；γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（チッソ株式会社製、商品名「Ｓ５１０」）、界面活性剤（１Ｅ）；レベリング剤・界面活性剤（ネオス株式会社製、商品名「ＦＴＸ−２１８」）、溶剤（１Ｆ）；乳酸エチル／２−ヘプタノン＝８０／６５（質量部）」を用いて、「フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂（１Ａ）１００質量部、熱酸発生剤（１Ｂ）１．０質量部、架橋剤（１Ｃ）２５質量部、密着助剤（１Ｄ）２．５質量部、及び界面活性剤（１Ｅ）０．２質量部を、溶剤（１Ｆ）４００質量部に溶解によって調製された」「第１樹脂層形成用組成物」と、
「ブチルメタクリレート１００質量部、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート５０質量部、２，４，６−トリメチルベンゾイル−フェニル−フォスフィンオキサイド２５質量部を混合し、均一に攪拌することにより」調製された「第２樹脂膜形成用組成物」とを用いて、
「６インチのシリコンウエハ（基板）上に、先に調製された第１樹脂層形成用組成物をスピンコートし、ホットプレートを用いて１８０℃で１分間、３００℃で１分間加熱し、３００ｎｍ厚の第１樹脂層を形成し」、
「得られた第１樹脂層に、先に調製された第２樹脂層形成用組成物１０μＬ滴下してスピンコート法にて第２樹脂層を形成した」ものに対して、
「第２樹脂層に、７０ｎｍライン（凸部幅）／１４０ｎｍスペース（アスペクト比：１）の凹凸パターンを有する（即ち、７０ｎｍラインの凸部を有する）石英製のスタンパを０．４ＭＰａの圧力で１２０秒間圧接した後、高圧水銀灯により照度２．５ｍＷ／ｃｍの光を３０秒間照射した後、スタンパを脱離させて、第２樹脂層の表面に凹部を形成した」場合は、「第２樹脂層」に所定の「凹凸パターン」が形成されているのであるから、上記実施例１は、本願発明の課題を解決するものであって、スタンパと第２樹脂層と分離しやすくなっていて、第２樹脂層は第１樹脂層と分離しにくくなっていて、しかも、第１樹脂層は基板と分離しにくくなっている理解することができる。
　
（本願発明１について）
　上記実施例１に対し、本願発明１は、「第１樹脂層」について、「有機高分子を主成分とする」こと、及び、「第２樹脂層よりエッチング速度が遅い材料からな」ることは特定するものの、上記実施例１で用いられた材料についての具体的な特定はされていない。
　また、本願発明１は、「第２樹脂層」について、「（メタ）アクリル酸エステル類の重合性不飽和化合物と、感放射線性重合開始剤とを含有する第２樹脂層形成用組成物」から形成されることが特定されている。
　
（検討）
　本願発明１の「第２樹脂層」は、「（メタ）アクリル酸エステル類」の重合物であると解されるところ、アクリル酸エステル類の重合物よりも、エッチング速度が遅く、しかも、他の材料が固着しないような樹脂は、フッ素樹脂にみられるように周知である（必要であれば、国際公開第２００８／１５５９２８号の[0154]「表２」を参照されたい。）。
　そうすると、本願発明１の「第１樹脂層」として、他の材料が固着しないような周知のフッ素樹脂を用いた場合、該「第１樹脂層」は、「有機高分子を主成分と」し、「第２樹脂層よりエッチング速度が遅い材料からな」るものであって、しかも、第２樹脂層と分離しにくいものではなく、かつ、基板と分離しにくいものではない、材料を含むということができる。
　したがって、本願発明１の発明特定事項では、本願発明１の課題が解決することを、当業者は認識することができない。
　そして、「第１樹脂層」が、「有機高分子を主成分と」し、「第２樹脂層よりエッチング速度が遅い材料」であれば、常に、第２樹脂層は第１樹脂層と分離しにくくなっていて、第１樹脂層は基板と分離しにくくなっていると認められる根拠は見出せないのであるから、本願発明１の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　また、本願発明１が、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとはいえないし、発明の詳細な説明には記載や示唆がなくとも、当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるともいえない。
　
（請求人の主張について）
　請求人は平成２７年１１月２日付けの意見書において、本願発明において、「レジスト膜のはがれ」を抑制する最大のポイントは、凹部形成工程において、第２樹脂層に対してスタンパの圧接を行う際に、第２樹脂層を貫通させず、凹部の底部における第２樹脂層を厚さ方向に残存させることにあり、そして、このような構成とすることにより、第１樹脂層と第２樹脂層の接着面が大きくなるため、これらの間の密着性が増大し、第１樹脂膜と第２樹脂膜との層間におけるレジストはがれを抑制できるのであって（段落［００６６］を参照）、本願発明における「レジスト膜のはがれ」を抑制するという作用効果は、第１樹脂層を形成する第１樹脂層形成用組成物の組成に起因するものではなく、第１樹脂層と第２樹脂層との界面（接着面）における物理的な作用に起因するものである旨主張している。
　また、本願発明のパターン形成方法において、有機高分子を主成分とする一般的な樹脂組成物を用いて第１樹脂層を形成した場合に、レジスト膜のはがれを抑制可能であることを確認するための実験を行い、この確認実験を実験成績証明書として意見書中に記載した。
　
　しかしながら、第１樹脂層と第２樹脂層の接着面が大きくなったとしても、第１樹脂層と第２樹脂層とが接着しにくい材料から構成すれば、スタンパを剥がした際にスタンパに第２樹脂層が付着したまま剥がれるという「レジスト膜のはがれ」という現象が生じることは明らかであるから、第１樹脂層と第２樹脂層の接着面の大きさのみによって、「レジスト膜のはがれ」が抑制できるとはいえない。
　
　また、請求人が示した実験証明書は、「有機高分子を主成分とする」、「第２樹脂層よりエッチング速度が遅い」全ての材料について示したものではなく、本願発明１の範囲まで、発明の詳細な説明において開示された内容を拡張ないし一般化できる根拠とは認めることができない。
　
　したがって、請求人の主張は採用することができない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の請求項１の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、他の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。