【手続補正書】
【提出日】令和2年5月12日(2020.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層及び前記下地層上の放射線感受性材料層を有する基板を受け取るステップと、
前記放射線感受性材料層上にパターン化マスクを介して第１光波長の光を露光するステップであって、前記第１光波長はＵＶスペクトル内の波長を含む、第１光波長露光ステップと、
パターン露光された前記放射線感受性材料層を第１現像する、第１現像ステップと、
第１現像された前記放射線感受性材料層に第２光波長の光をフラッド露光するステップであって、前記第２光波長は前記第１光波長と異なる波長を含む、フラッド露光ステップと、
フラッド露光された前記放射線感受性材料層を第２現像し、放射線感受性材料パターンを形成する、第２現像ステップと、
を含む方法であって、
前記フラッド露光ステップの前に、前記の放射線感受性材料は、
酸の生成を前記放射線感受性材料層内の第１酸濃度に制御するとともに、前記放射線感受性材料層内の光増感剤分子の生成を制御する第１光波長活性化閾値と、
前記放射線感受性材料層内の前記光増感剤分子を励起することができ、その結果、前記第１酸濃度より大きい第２酸濃度を有する前記酸を生じる第２光波長活性化閾値と、
を有し、
前記第２光波長活性化閾値は、前記第１光波長活性化閾値とは異なり、前記第１光波長は前記第１光波長活性化閾値以上であり、前記第２光波長は前記第２光波長活性化閾値以上であり、
前記第２現像ステップの後、前記放射線感受性材料パターンは、前記基板の全体又は前記基板の一部の修正又はスリミングされた限界寸法（ＣＤ）を有する、
方法。
【請求項２】
前記放射線感受性材料は、前記基板上に堆積されるとき、光増感剤発生化合物を前記放射線感受性材料の構成要素として有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方法は、前記第１現像ステップの後、かつ、前記フラッド露光ステップの前に、光増感剤発生化合物を前記放射線感受性材料層上にコーティングし、前記光増感剤発生化合物を前記放射線感受性材料層に組み込み、前記放射線感受性材料層内に存在する酸と反応させ、光増感剤分子を生成する、ステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方法は、前記第１現像ステップの後、かつ、前記フラッド露光ステップの前に、前記放射線感受性材料層上に光増感剤化合物をコーティングし、前記光増感剤化合物を前記放射線感受性材料層に組み込む、ステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記の光増感剤化合物をコーティングするステップは、スピンコーティングを含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１光波長は、前記第２光波長活性化閾値未満である、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１光波長は、１３．５ｎｍ、１９３ｎｍ又は２４８ｎｍである、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２光波長は、前記ＵＶスペクトル内にある、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２光波長は、３００と４００ｎｍとの間にある、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２光波長は、３６５ｎｍである、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記フラッド露光ステップは、ピクセルベースの投影システムを用いて、前記放射線感受性材料層を前記第２光波長の光に露光するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記フラッド露光ステップは、前記放射線感受性材料層をガルバノメータ搭載のミラーによって方向付けられる前記第２光波長の光に露光するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記放射線感受性材料層をフラッド露光する前記ステップは、前記基板を前記第２光波長の光源の下で並進するステップ、又は、回転するステップ、又はその両方のステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１光波長に対する前記放射線感受性材料層の前記露光の露光線量は、後続のフラッド露光のないパターン化露光を含むプロセスと比較して減少し、後続のプロセスステップにおける前記基板の全体にわたる限界寸法（ＣＤ）修正を可能にする、
請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法は、前記第１現像ステップの後、又は、前記第２現像ステップの後、又は、その両方のステップの後、前記放射線感受性材料層を検査するステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記方法は、前記第１現像ステップの後、前記放射線感受性材料層を検査するステップから得られた限界寸法特性に基づいて、前記フラッド露光ステップ又は前記フラッド露光ステップ後のベークステップ又はその両方のステップのプロセスパラメータを変えるステップをさらに含む、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記方法は、前記第２現像ステップの後、前記放射線感受性材料層を検査するステップから得られた限界寸法特性に基づいて、前記フラッド露光ステップ又は前記フラッド露光ステップ後のベークステップ又はその両方のステップの、後続のウェーハのためのプロセスパラメータを変えるステップをさらに含む、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記方法は、前記放射線感受性材料パターンをマスクとして用いて前記下地層をエッチングするステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記方法は、エッチングされた前記下地層を検査するステップをさらに含む、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記方法は、エッチングされた前記下地層を検査するステップから得られた限界寸法特性に基づき、前記フラッド露光ステップ又は前記フラッド露光ステップの後のベークステップ又はその両方のステップの、後続のウェーハのためのプロセスパラメータを変えるステップをさらに含む、
請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
光酸発生剤を含む放射線感受性材料を用いて限界寸法の均一性を制御する方法であって、前記光酸発生剤は第１光波長活性化閾値を有し、したがって前記放射線感受性材料は前記第１光波長活性化閾値以上の波長の光に露光され、前記光酸発生剤は酸を生成し、
前記方法は、
下地層及び前記下地層上の前記放射線感受性材料の層を有する基板を受け取るステップと、
前記放射線感受性材料の層を第１光波長の光にパターン化マスクを介して露光するステップであって、前記第１光波長は、前記放射線感受性材料の層内に前記酸を生成するように、前記第１光波長活性化閾値以上であるＵＶスペクトル内の波長を含む、ステップと、
複数のフィーチャを有する前記放射線感受性材料の層内のパターンを現像するステップであって、各フィーチャは限界寸法（ＣＤ）によって特徴づけられており、複数のＣＤは第１ＣＤ均一性を有する第１ＣＤ分布を形成する、ステップと、
前記パターンを前記第１光波長とは異なる第２光波長の光にフラッド露光するステップであって、前記放射線感受性材料の層は第２光波長活性化閾値を有する光増感剤分子を含み、したがって前記第２光波長活性化閾値以上の前記第２光波長の光へのフラッド露光中に前記光増感剤分子が前記酸より多くの酸を生成し、フラッド露光中に光は前記第１ＣＤ分布及び前記第１ＣＤ均一性のうちの少なくとも１つにしたがってパターン上に不均一に分布する、ステップと、
前記のフラッド露光されたパターンを現像するステップであって、複数のフィーチャは、不均一な光分布に関する第２ＣＤ均一性を有する第２ＣＤ分布によって特徴づけられており、したがって前記第２ＣＤ分布は第１ＣＤ分布に対してシフトする、ステップとを含み、
第１ＣＤ分布のうちの大部分のＣＤは要求される公称寸法より大きく、第２ＣＤ分布は前記要求される公称寸法に向かってシフトする、
方法。