【事件の表示】
　特願２０１２−　　４６４１「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月２５日出願公開、特開２０１３−１４５７７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年１月１３日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　７月２８日　審査請求
平成２７年　１月１６日　拒絶理由通知
平成２７年　２月２６日　意見書・手続補正
平成２７年　６月３０日　拒絶査定
平成２７年　９月２４日　審判請求・手続補正
平成２７年１２月１６日　上申書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年９月２４日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，特許請求の範囲の請求項１については，本件補正の前後で以下のとおりである。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「一方の主表面側に開口し底面および壁面を有する第１トレンチが形成され、炭化珪素からなる基板と、
　前記第１トレンチの前記底面上および前記壁面上に接触して配置されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極とを備え、
　前記基板は、
　前記基板の前記主表面および前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のソース領域と、
　前記ソース領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第２導電型のボディ領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のドリフト領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチよりも深い領域にまで延在する第２導電型のディープ領域とを含み、
　前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成され、
　前記第１トレンチは、前記基板の前記主表面から離れるに従い、前記壁面と前記ディープ領域との距離が大きくなるように形成されている、半導体装置。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。
「一方の主表面側に開口し底面および壁面を有する第１トレンチが形成され、炭化珪素からなる基板と、
　前記第１トレンチの前記底面上および前記壁面上に接触して配置されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極とを備え、
　前記基板は、
　前記基板の前記主表面および前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のソース領域と、
　前記ソース領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第２導電型のボディ領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のドリフト領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチよりも深い領域にまで延在する第２導電型のディープ領域とを含み、
前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置し、
　前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成され、
　前記第１トレンチは、前記基板の前記主表面から離れるに従い、前記壁面と前記ディープ領域との距離が大きくなるように形成されている、半導体装置。」
（３）補正事項
　本件補正による，特許請求の範囲の請求項１についての補正は，補正前請求項１の「第１トレンチ」について「
前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置し
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００２８及び００２９並びに図１の記載からみて，本件補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「一方の主表面側に開口し底面および壁面を有する第１トレンチが形成され、炭化珪素からなる基板と、
　前記第１トレンチの前記底面上および前記壁面上に接触して配置されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極とを備え、
　前記基板は、
　前記基板の前記主表面および前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のソース領域と、
　前記ソース領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第２導電型のボディ領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のドリフト領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチよりも深い領域にまで延在する第２導電型のディープ領域とを含み、前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置し、
　前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成され、
　前記第１トレンチは、前記基板の前記主表面から離れるに従い、前記壁面と前記ディープ領域との距離が大きくなるように形成されている、半導体装置。」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−１１７５９３号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、トレンチゲートを有する炭化珪素（以下、ＳｉＣという）半導体装置およびその製造方法に関する。」
（イ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　しかしながら、上記のようにトレンチ底部においてゲート絶縁膜を厚くした構造において、例えば、トレンチ側面の膜厚を４０ｎｍとし、トレンチ底部の膜厚を２００ｎｍに設計してシミュレーションで計算したところ、ドレインに１２００Ｖ印加した場合、トレンチ内の
ゲート絶縁膜の電界集中
【０００６】
　本発明は上記点に鑑みて、トレンチ内に形成する
ゲート酸化膜での電界集中
（ウ）「【００２４】
　（第１実施形態）
　本発明の第１実施形態について説明する。ここでは
ＳｉＣ半導体装置に備えられる素子として反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴについて説明する。図１は、本実施形態にかかるトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴ
【００２５】
　図１に示すように、表面が（０００−１）ｃ面で構成された窒素（ｎ型不純物）濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3で厚さ３００μｍ程度のｎ+型基板１が半導体基板として用いられており、このｎ+型基板１の表面に窒素濃度が例えば８．０×１０15／ｃｍ3で厚さ１５μｍ程度の
ｎ
-
型ドリフト層２が形成されている。ｎ
-
型ドリフト層２の表層部にはｐ
+
型ベース領域３が形成されていると共に、このｐ型ベース領域３の上層部分にｎ
+
型ソース領域４が形成されている。
【００２６】
　ｐ型ベース領域３は、ボロンもしくはアルミニウム（ｐ型不純物）濃度が例えば１．０×１０19／ｃｍ3、厚さ０．７μｍ程度で構成されている。ｎ+型ソース領域４は、表層部の窒素濃度（表面濃度）が例えば１．０×１０21／ｃｍ3、厚さ０．３μｍ程度で構成されている。
【００２７】
　また、
ｐ型ベース領域３およびｎ
+
型ソース領域４を貫通してｎ
-
型ドリフト層２に達するように、例えば幅が２．０μｍ、深さが２．０μｍのトレンチ５が形成されている。このトレンチ５の側面と接するようにｐ型ベース領域３およびｎ
+
型ソース領域４が配置されている。トレンチ５の内壁面はゲート酸化膜６にて覆われており、ゲート酸化膜６の表面に形成されたドープトＰｏｌｙ−Ｓｉにて構成されたゲート電極７
【００２８】
　
トレンチ５は、底面がｎ
+
型基板１の表面と同じ（０００−１）ｃ面、側面が［１１−２０］方向に延設された面、例えばａ（１１２０）面とされている。
【００２９】
　また、隣接するトレンチ５の間に配置されるｐ型ベース領域３の中央部、つまりｎ+型ソース領域４を挟んでトレンチ５の反対側に配置されるように、ｐ+型コンタクト領域８が形成されている。そして、このｐ+型コンタクト領域８の下方において、
ｐ型ベース領域３よりも深いｐ
+
型ディープ層９が形成されている。
ｐ
+
型ディープ層９は、
トレンチ５よりも深く構成され
ｐ
+
型ディープ層９は、トレンチ５の側面から所定距離離間した配置とされるが、この距離は適宜調整可能であり、例えば２〜５μｍ程度とする
【００３０】
　なお、
ｐ
+
型ディープ層９はトレンチ５に対して２．０μｍもしくはそれ以上深くできる
【００３１】
　また、ｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト領域８の表面やゲート電極７の表面には、ソース電極１０およびゲート配線１１が形成されている。ソース電極１０およびゲート配線１１は、複数の金属（例えばＮｉ／Ａｌ等）にて構成されており、少なくともｎ型ＳｉＣ（具体的にはｎ+型ソース領域４やゲート電極７がｎドープの場合にはゲート電極７）と接触する部分はｎ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成され、少なくともｐ型ＳｉＣ（具体的にはｐ+型コンタクト領域８やゲート電極７がｎドープの場合にはゲート電極７）と接触する部分はｐ型ＳｉＣとオーミック接触可能な金属で構成されている。なお、これらソース電極１０およびゲート配線１１は、図示しない層間絶縁膜上に形成されることで電気的に絶縁されており、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを通じてソース電極１０はｎ+型ソース領域４およびｐ+型コンタクト領域８と電気的に接触させられ、ゲート配線１１はゲート電極７と電気的に接触させられている。
【００３２】
　そして、ｎ+型基板１の裏面側にはｎ+型基板１と電気的に接続されたドレイン電極１２が形成されている。このような構造により、ｎチャネルタイプの反転型のトレンチゲート構造のＭＯＳＦＥＴが構成されている。
【００３３】
　このように構成されたＭＯＳＦＥＴは、ゲート電極７に対してゲート電圧を印加すると、ｐ型ベース領域３のうちトレンチ５の側面に配置されたゲート酸化膜６と接する部分が反転型チャネルとなり、ソース電極１０とドレイン電極１２との間に電流を流す。
【００３４】
　このとき、ドレイン電圧としてシリコンデバイスの１０倍近い高電圧（例えば１２００Ｖ）が使用されるため、この電圧の影響によりゲート酸化膜６にもシリコンデバイスの１０倍近い電界がかかり、ゲート酸化膜６（特に、ゲート酸化膜６のうちのトレンチ５の底部において）に電界集中が発生し得る。しかしながら、本実施形態では、トレンチ５と同じもしくはトレンチ５よりも深いｐ+型ディープ層９を備えた構造としている。このため、ｐ+型ディープ層９とｎ-型ドリフト層２とのＰＮ接合部での空乏層がｎ-型ドリフト層２側に大きく伸びることになり、ドレイン電圧の影響による高電圧がゲート酸化膜６に入り込み難くなる。
【００３５】
　このため、ゲート酸化膜６内での電界集中、特にゲート酸化膜６のうちのトレンチ５の底部での電界集中を緩和することが可能となる。これにより、ゲート酸化膜６が破壊されることを防止することが可能となる。」
（エ）図１には，
基板１，ドリフト層２，ベース領域３及びソース領域４の順でなる積層体の上面側にトレンチ５が開口している
ドリフト層２がトレンチ５の側面に接している
ディープ層９がベース領域３に接触しその底面がドリフト層２に達している
　イ　引用発明
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板，ｎ-型のドリフト層，ｐ型のベース領域及びｎ+型のソース領域の順でなる積層体の上面側にトレンチが開口しており，トレンチは底面と側面を有し，トレンチの内壁面はゲート酸化膜にて覆われており，ゲート酸化膜の表面にゲート電極が形成されており，前記ｎ+型のソース領域はトレンチの側面と接するように配置され，前記ｐ型のベース領域はトレンチの側面と接して配置され，前記ｎ-型のドリフト層はトレンチの側面と接して配置され，前記ｐ型のベース領域に接触しトレンチより深くその底面が前記ｎ-型のドリフト層に達するｐ+型のディープ層が構成され，前記トレンチは前記ｐ型ベース領域及び前記ｎ+型のソース領域を貫通して前記ｎ-型のドリフト層に達するように形成されているＳｉＣ半導体装置。」
（３）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２
　原査定で引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００５−３４０６８５号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　
半導体材料として炭化珪素を用いたＭＯＳＦＥＴ又はＩＧＢＴ等の電圧駆動のＭＯＳ型電力用半導体素子、特にトレンチ型の半導体素子
（イ）「【０００７】
　以上のようなことから、特に1〜2kV程度の耐圧を持つトランジスタにおいては、オン抵抗が無視できないため、オン抵抗を微細化により低減できるUMOSFETが有望である。
　しかし、実際のデバイスでは、上記で説明したように様々な抵抗成分が存在しており、これら抵抗成分は、絶縁耐圧が低くなればなるほど、ドリフト層の抵抗に対して割合が増加していくことが問題となっている。
　また、MOSFETにおいては、以下の式で示されるチャネル抵抗成分が大きな割合を占めているという問題がある。
ＲCH＝Ｌ／｛WCOX　μn（ＶG−ＶT）｝　　・・式（２）
ここで、Lはチャネル長、Wはチャネル幅、COXは酸化膜容量、μnはキャリアの移動度、VGはゲート電圧、VTはゲートのしきい値電圧である。この（２）式から
Ｒ
CH
は、電子の移動度μ
n
の影響を大きく受ける
【０００８】
　MOSFETでは炭化けい素とゲート酸化膜との界面に存在するトラップ準位に電子が捕獲されて実際に伝導に寄与する電子の数が減少したり、トラップされた電子によるクーロン散乱のため移動度がバルクの値より低下するという問題がある。以下に移動度向上の取り組みの例を順次説明する。
　まず、UMOSFETが作製されるSiCの結晶構造、結晶面について説明する。図１３に単位セル構造とMOS界面に主に用いられる六方晶炭化珪素の結晶面を示す。主な六方晶炭化珪素には、一対のSi-Cから成る層がc軸方向に4層周期で積層された構造になっている4H-SiCと6層周期で積層されている6H-SiCがある。4H-SiCでは図１３の単位格子内に5層、6H-SiCでは7層含まれている。
　図１３の(a)は六角柱の上面が(0001)面、底面が（000-1）面であり、(b)は六角柱の側面が(1-100)面、(c)は(1-100)面と垂直な面の(11-20)面、(d)は上面の六角形の一辺を共有しかつ底面と成す角が54.7°である面が、4H(03-38)面あるいは6H(01-14)面と呼ばれている面である。なお、ここで、格子面の記号の説明をすると、負の指数については、結晶学上、数字に上付きのバー（−）を用いるが、電子出願の関係上、数字の前に（−）の符号を付けることとする。そして、等価な対称性を持つ面については｛　｝で表し、結晶内の方向を示す場合は［　］で表し、等価な方向すべてを示す場合は〈　〉で表すこととする。
【０００９】
　現在は、(0001)面あるいは(000-1)面が主表面である炭化珪素単結晶インゴットがバルク成長され、そのウェハを切り出し、研磨して(0001)面、(000-1)面を主表面とする炭化珪素ウェハが作製される。従って、DIMOSFETにおいては、これらの面をMOS界面として素子が作製される。
　非特許文献１の記載を参照するところによると、
4H-SiCの各結晶面上にMOS界面を形成し、その時のMOSFETの移動度を調査した結果、実効移動度(effective mobility)が(0001)、(11-20)、(03-38)面でそれぞれ、3.8cm
2
/Vs、5.4cm
2
/Vs、10.6cm
2
/Vsと(0001)面より(11-20)面や(03-38)面上のMOSFETの移動度が高い
（ウ）「【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
　しかしながら、六方晶炭化珪素ウェハ上にUMOSFETを作製する場合、特許文献３や特許文献４のように主表面が(000-1)面である場合、結晶c軸に平行ならせん転位やマイクロパイプと呼ばれる中空欠陥がUMOSFETが作製される最表面に到達し、逆バイアス時のリーク電流の増加や絶縁破壊電圧の低下を引き起こす問題があった。
　また、特許文献５では、(11-20)面を主表面とするSiCウェハをエッチングしてMOS界面として(11-20)面を露出させているが、この(11-20)側壁面は主表面に対して60°の角度とする必要があり、垂直側壁と比較してエッチングが困難であると言う問題がある。
　また、特許文献５に記載されているように(1-100)面を主表面とするウェハに垂直にトレンチを掘り(11-20)面を出し、その面上にMOS構造を形成する方法では、
トレンチ底のコーナが直角になり、このコーナにおいて電界が集中して、平行平板のpn接合で規定される絶縁耐圧と比べて低い逆電圧で絶縁破壊を引き起こすと言う問題があった。
特許文献３や特許文献４における手法においても移動度はまだ不十分である。また、トレンチ底部の角度が直角であると電界集中を起こし、早期絶縁破壊につながると言う問題もある。
（エ）「【００２０】
　 (1-100)面は、c軸と垂直な面であるので、らせん転位、マイクロパイプが主表面に露出しないため、大幅に転位密度を低減できる。さらに、上記のトレンチ側壁を用いるとトレンチ底部コーナが鈍角となり、電界集中が緩和される。
　
(0001)あるいは(000-1)面と成す角が5°以内の面を主表面とする第1の伝導型である4Hあるいは6H型六方晶炭化珪素半導体基板上に基板と同じ構造をもつ炭化珪素がエピタキシャル成長させた同じく第1の伝導型であるドリフト層を有するウェハ上に第2の伝導型であるベース層、さらに第1の伝導型であるソース層を順次形成し、さらに主表面の一部の領域を連続的にソース層およびベース層を完全にエッチング除去した後、少なくともエッチングされた底面、側壁を覆うように絶縁層を形成し、その絶縁層上の少なくとも第2の伝導型であるベース層の側壁を覆うように第1の電極を形成してMOS構造とし
金属酸化物半導体−電界効果型トランジスタにおいて、
{0001}面あるいは{000-1}面とトレンチ側面との成す角が54.7°±10°であるようなトレンチ側壁含んだMOSチャネル面を有する
（オ）「【００２３】
　さらに、{1-100}を主表面とする基板上にUMOSFETを作製した場合において、全素子数の8割の素子が達成できる絶縁耐圧は、垂直にゲートトレンチをエッチングした場合では理論値の60%であったのに対し、できるだけ{1-100}面に近づけた面上にMOS構造を作製した場合では理論値の70%、できるだけ4H-SiC{03-38}面あるいは6H-SiC{01-14}面に近づけた面上にMOS構造を作製した場合では理論値の80%となり、トレンチ底部の炭化珪素外のコーナ角度が大きくなるほど絶縁耐圧が向上すると言う効果が得られた。
　
{0001}あるいは{000-1}を主表面とする基板上にUMOSFETを作製した場合において、全素子数の8割の素子が達成できる絶縁耐圧は
できるだけ4H-SiC{03-38}面あるいは6H-SiC{01-14}面に近づけた面上にMOS構造を作製した場合では理論値の80%となり、トレンチ底部の炭化珪素外のコーナ角度が大きくなるほど絶縁耐圧が向上すると言う効果が得られた。
【００２４】
　また、
移動度も
4H-SiC{03-38}面あるいは6H-SiC{01-14}面上にMOS構造を形成することによって200cm
2
/Vsの値が得られ、チャネル抵抗を低減できた。
（カ）「【００３３】
　図１０は半導体基板１４の面方位とトレンチ１１の面方位を示すための構造図であり、（ａ）は平面図,（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の主表面の断面図、（ｃ）はＡ−Ａ線の主裏面の断面図である。この場合、0001方向から見たときのトレンチ１１外周の長方形の長辺が[-2110]に平行であり、かつ
トレンチ外周の長方形の長辺を含む面が(0001)面に対して成す角ができるだけ54.7°に近づくようにエッチングする。そうすると、4H-SiC{03-38}面あるいは6H-SiC{01-14}面に近い面を露出させることができる。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「炭化珪素を用いたトレンチ型の半導体素子において，基板の主表面とトレンチ側面とのなす角が約５４．７度であるトレンチ型の半導体素子。」
（４）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　本願補正発明の「基板」について，本願明細書段落００４５には「ベース基板１１と半導体層１２とを含み，主表面１０Ａを有する基板１０が準備される。」と記載されており，本願補正発明の「基板」は，基板と半導体層との積層体を含むと解されるので，引用発明における「基板，ｎ-型のドリフト層，ｐ型のベース領域及びｎ+型のソース領域の順でなる積層体」は，本願補正発明の「基板」に相当すると認められる。
　引用発明における「上面」は，本願補正発明の「一方の主表面」に相当すると認められる。
　引用発明の「トレンチ」は，下記の相違点に係る構成を除いて「第１トレンチ」に相当すると認められる。
　そして，引用発明はＳｉＣ半導体装置なので「積層体」が炭化珪素からなることは自明である。
　そうすると，引用発明の「基板，ｎ-型のドリフト層，ｐ型のベース領域及びｎ+型のソース領域の順でなる積層体の上面側にトレンチが開口しており，トレンチは底面と側面を有し」との構成は，下記の相違点に係る構成を除き，本願補正発明の「一方の主表面側に開口し底面および壁面を有する第１トレンチが形成され、炭化珪素からなる基板」を含むとの構成に相当するといえる。
　イ　引用発明の「トレンチの内壁面」を覆う「ゲート酸化膜」は，ゲート酸化膜がゲート絶縁膜と等しいこと（前記（２）ア（イ）参照。）から，本願補正発明の「第１トレンチの前記底面上および前記壁面上に接触して配置されたゲート絶縁膜」に相当すると認められる。
　ウ　引用発明の「ゲート酸化膜の表面に」形成された「ゲート電極」は，本願補正発明の「前記ゲート絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極」に相当すると認められる。
　引用発明の「ｎ型」及び「ｐ型」は，それぞれ本願補正発明の「第１導電型」及び「第２導電型」に相当すると認められる。
　エ　引用発明の「ｎ+型のソース領域」，「ｐ型のベース領域」，「ｎ-型のドリフト層」及び「ｐ+型のディープ層」は，その位置関係から見て，それぞれ本願補正発明の「第１導電型のソース領域」，「第２導電型のボディ領域」，「第１導電型のドリフト領域」及び「第２導電型のディープ領域」に相当すると認められる。
　オ　引用発明の「ｐ+型のディープ層」は，「トレンチより深くその底面が前記ｎ-型のドリフト層に達する」もので，引用発明の「トレンチ」は積層体の上面側に開口しその反対側に底面を有するものであるから，本願補正発明にいう「前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置」するという位置関係を満たすものである。
　そうすると，引用発明における「前記ｐ型のベース領域に接触しトレンチより深くその底面が前記ｎ-型のドリフト層に達するｐ+型のディープ層が構成され」ることは，本願補正発明の「前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチよりも深い領域にまで延在する第２導電型のディープ領域とを含み、前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置」することに相当すると認められる。
　キ　本願補正発明の「前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成される」ことと，引用発明の「前記トレンチは前記ｐ型ベース領域及び前記ｎ+型のソース領域を貫通して前記ｎ-型のドリフト層に達するように形成されている」こととは，「前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成される」点で，共通すると認められる。
　ク　引用発明の「ＳｉＣ半導体装置」は，下記の相違点に係る構成を除き，本願発明の「半導体装置」に相当するといえる。
　ケ　してみると，本願補正発明と引用発明とは，下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「一方の主表面側に開口し底面および壁面を有する第１トレンチが形成され、炭化珪素からなる基板と、
　前記第１トレンチの前記底面上および前記壁面上に接触して配置されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極とを備え、
　前記基板は、
　前記基板の前記主表面および前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のソース領域と、
　前記ソース領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第２導電型のボディ領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のドリフト領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチよりも深い領域にまで延在する第２導電型のディープ領域とを含み、前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置し、
　前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成される、
　半導体装置。」
（イ）相違点
　本願補正発明では，「前記第１トレンチは、前記基板の前記主表面から離れるに従い、前記壁面と前記ディープ領域との距離が大きくなるように形成されている」のに対し，引用発明は，上記の構成を備えていない点。
（５）相違点についての検討
  ア　前記（３）イのとおり，引用発明２は「炭化珪素を用いたトレンチ型の半導体素子において，基板の主表面とトレンチ側面とのなす角が約５４．７度であるトレンチ型の半導体素子。」であり，移動度の改善と同時にトレンチ底部での電界集中を避けることを課題としたものである（前記（３）ア（ウ）参照。）。そして，引用発明は，ＳｉＣ半導体装置において，ゲート絶縁膜での電界集中を緩和することを課題とするもので（前記（２）ア（イ）参照。），また，移動度の改善は，半導体装置における一般的課題である。そうすると，引用発明においてゲート絶縁膜での電界集中を緩和し移動度を改善するために，引用発明２の構成を採用して，基板の主表面とトレンチ側面とのなす角を約５４．７度とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。そして，その結果引用発明における「トレンチ」は「基板」の主表面から離れるに従い，その壁面とディープ層との距離が大きくなるように形成されることは，明らかである。
　以上から，引用発明において相違点１に係る構成とすることは，引用発明２に基づいて当業者が容易になし得たものである。
　イ　請求人は，上申書において，引用文献１に記載の発明においては，ドレイン電圧の影響による高電圧がトレンチの底部に位置するゲート酸化膜に入り込みにくくするためにディープ層を設けているので，トレンチの底部とディープ層の底部とはできるだけ近いことが求められるから，「前記第１トレンチは、前記基板の前記主表面から離れるに従い、前記壁面と前記ディープ領域との距離が大きくなるように形成されている」ように改変することに対して阻害要因がある旨主張する。
　そこで，この主張について検討すると，引用文献１には「ｐ+型ディープ層９は、トレンチ５の側面から所定距離離間した配置とされるが、この距離は適宜調整可能であり、例えば２〜５μｍ程度とする」と記載されている（前記（２）ア（ウ）段落００２９参照。）のであって，請求人が主張する「できるだけ近いことが求められる」などということは記載されていない。むしろ，その例示されている距離の下限が２μｍとなっていることから，当業者にとってはキャリアの通過領域を確保すべく所定距離離間すべきことが読み取れる。してみると，請求人の前記主張は根拠を欠くと言うべきである。
（６）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明の構成から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
（７）まとめ
　本願補正発明は，引用文献１及び２にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年９月２４日にされた手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２７年２月２６日付け手続補正による補正がされた特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「一方の主表面側に開口し底面および壁面を有する第１トレンチが形成され、炭化珪素からなる基板と、
　前記第１トレンチの前記底面上および前記壁面上に接触して配置されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜上に接触して配置されたゲート電極とを備え、
　前記基板は、
　前記基板の前記主表面および前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のソース領域と、
　前記ソース領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第２導電型のボディ領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチの前記壁面を含む第１導電型のドリフト領域と、
　前記ボディ領域に接触し、前記第１トレンチよりも深い領域にまで延在する第２導電型のディープ領域とを含み、
　前記第１トレンチは、前記ソース領域および前記ボディ領域を貫通し前記ドリフト領域に達するように形成され、
　前記第１トレンチは、前記基板の前記主表面から離れるに従い、前記壁面と前記ディープ領域との距離が大きくなるように形成されている、半導体装置。」
２　引用発明及び引用発明２
　引用発明及び引用発明２は，それぞれ前記第２の２（２）イ及び同（３）イで認定したとおりである。
３　対比及び判断 
　前記第２の１に記載したとおり，本願発明は，本願補正発明から，本件補正による補正事項に係る技術的限定，すなわち，「前記第１トレンチの底面は、前記ディープ領域の底部と前記ドリフト領域との接触面よりも前記基板の前記一方の主表面側に位置し」との構成を取り除いたものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに前記の技術的限定を付加したものに相当する本願補正発明が，前記第２の２（４）ないし（７）に記載したとおり，引用文献１及び２にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものであるから，本願発明は，同様の理由により，引用文献１及び２にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
４　まとめ
　以上から，本願発明は，引用文献１及び２にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。