Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月23日(2020.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培養プレート画像上のコロニー位置を選択するためのシステムであって、
培養プレート画像と選択ツールとを表示するように構成されたユーザインターフェイスと、
プロセッサと、
を含むコンピュータシステムを備え、
前記プロセッサは、
前記培養プレート画像上の前記選択ツールの位置を特定し、
前記培養プレート画像上の潜在的エラー原因の位置を特定し、
前記選択ツールの位置を前記潜在的エラー原因の位置と比較し、
前記選択ツールの位置が前記潜在的エラー原因の位置に重なっている場合にエラーを判定する、
ように構成される、
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記潜在的エラー原因は、前記培養プレート画像内に示される培養プレートの縁部を含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
培養プレートから１又は２以上のコロニー試料を取り出すように構成された自動採取ツールを含む採取計装をさらに備える、
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記選択ツールは、自動採取ツールの機械的公差と相関する形状及びサイズを有する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記選択ツールを介して少なくとも１つのコロニー位置の選択を受け取るように構成される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記プロセッサは、前記少なくとも１つのコロニー位置の選択にマークキングする視覚的インジケータを前記培養プレート画像に追加するように構成される、
請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記視覚的インジケータは、自動採取ツールの機械的公差と相関する形状及びサイズを有する、
請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも１つのコロニー位置の選択に対応する微生物コロニーを採取するように構成された自動採取ツールをさらに備える、
請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記プロセッサは、前記培養プレート画像の地理的座標と比較して前記選択ツールの地理的座標を特定することによって、前記培養プレート画像上の前記選択ツールの位置を特定するように構成される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記プロセッサは、前記ユーザインターフェイス上の前記選択ツールの地理的座標を前記培養プレート画像内に示される培養プレートの特徴の地理的座標と照合することによって、前記選択ツールの位置を前記潜在的エラー原因の位置と比較するように構成される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
培養プレート画像上のコロニー位置を選択する方法であって、
前記培養プレート画像上の選択ツールの位置を特定するステップと、
前記培養プレート画像上の潜在的エラー原因の位置を特定するステップと、
前記選択ツールの位置を前記潜在的エラー原因の位置と比較するステップと、
前記選択ツールの位置が前記潜在的エラー原因の位置に重なっている場合にエラーを判定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記選択ツールは、自動採取ツールの機械的公差と相関する形状及びサイズを有する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記潜在的エラー原因は、前記培養プレート画像内に示される培養プレートの縁部を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択ツールを用いて少なくとも１つのコロニー位置の選択を実行するステップをさらに含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのコロニー位置の選択にマーキングする視覚的インジケータを前記培養プレート画像に追加するステップをさらに含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記視覚的インジケータは、自動採取ツールの機械的公差と相関する形状及びサイズを有する、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記潜在的エラー原因は、以前に選択されたコロニー位置を含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのコロニー位置選択に対応する微生物コロニーをピペット採取するステップをさらに含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記培養プレート画像上の前記選択ツールの位置を特定するステップは、前記培養プレート画像の地理的座標と比較して前記選択ツールの地理的座標を特定するステップを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記選択ツールの位置を前記潜在的エラー原因の位置と比較するステップは、前記ユーザインターフェイス上の前記選択ツールの地理的座標を前記培養プレート画像内に示される培養プレートの特徴の地理的座標と照合するステップを含む、
請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月25日(2020.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造体の寄生容量を低減する方法であって、
基板の上にフィン構造体を形成することと、
前記フィン構造体と前記基板との間に第１のソース／ドレイン領域を形成することと、
前記フィン構造体に隣接する第１のスペーサを形成することと、
前記第１のソース／ドレイン領域に隣接する第２のスペーサを形成することと、
露出面において前記第１のソース／ドレイン領域を陥凹させることと、
前記陥凹した第１のソース／ドレイン領域の前記露出面内にシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域を形成することと、
前記ＳＴＩ領域の上にボトム・スペーサを付着させることと、
前記ボトム・スペーサの上に金属ゲート・スタックを形成することと、
前記金属ゲート・スタックの上にトップ・スペーサを付着させることと、
前記フィン構造体の上に第２のソース／ドレイン領域を形成することと、
前記ＳＴＩ領域が前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間のある長さに延在するように、コンタクトを形成することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間に前記ＳＴＩ領域を延在させることによって、ゲート・ソース／ドレイン間容量が低減される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２のスペーサが、共形誘電体ライナである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記金属ゲート・スタックを切り取ることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳＴＩが、前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサの一部に接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＴＩが、前記第１のソース／ドレイン領域に隣接する前記第２のスペーサをその全体において覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサが、前記ボトム・スペーサが前記ＳＴＩ領域の上に付着させられる前に、選択的に取り除かれる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＴＩ領域の上に形成された前記ボトム・スペーサが、逆段差構造構成を画定する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＳＴＩ領域が、前記フィン構造体の対向する両端の前記第１のソース／ドレイン領域の一部の上に延在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間の距離が、１０ｎｍよりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
寄生容量を低減する半導体構造体であって、
基板の上に形成されたフィン構造体と、
前記フィン構造体と前記基板との間に形成された第１のソース／ドレイン領域と、
前記フィン構造体に隣接して形成された第１のスペーサと、
前記第１のソース／ドレイン領域に隣接して形成された第２のスペーサであって、前記第１のソース／ドレイン領域が露出面において陥凹している、前記第２のスペーサと、
前記陥凹した第１のソース／ドレイン領域の前記露出面内に形成されたシャロー・トレンチ・アイソレーション（ＳＴＩ）領域と、
前記ＳＴＩ領域の上に付着したボトム・スペーサと、
前記ボトム・スペーサの上に形成された金属ゲート・スタックと、
前記金属ゲート・スタックの上に付着したトップ・スペーサと、
前記フィン構造体の上に形成された第２のソース／ドレイン領域と、
前記ＳＴＩ領域が前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間のある長さに延在するように形成されたコンタクトと、
を備える、半導体構造体。
【請求項１２】
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間に前記ＳＴＩ領域を延在させることによって、ゲート・ソース／ドレイン間容量が低減される、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１３】
前記第１および第２のスペーサが、共形誘電体ライナである、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１４】
前記共形誘電体ライナの厚さが、１０ｎｍよりも大きい、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１５】
前記ＳＴＩが、前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサの一部に接触する、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１６】
前記ＳＴＩが、前記第１のソース／ドレイン領域に隣接する前記第２のスペーサをその全体において覆う、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１７】
前記フィン構造体に隣接する前記第１のスペーサが、前記ボトム・スペーサが前記ＳＴＩ領域の上に付着させられる前に、選択的に取り除かれていて存在しない、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１８】
前記ＳＴＩ領域の上に形成された前記ボトム・スペーサが、逆段差構造構成を画定する、請求項１１に記載の構造体。
【請求項１９】
前記ＳＴＩ領域が、前記フィン構造体の対向する両端の前記第１のソース／ドレイン領域の一部の上に延在する、請求項１１に記載の構造体。
【請求項２０】
前記金属ゲート・スタックと前記第１のソース／ドレイン領域との間の距離が、１０ｎｍよりも大きい、請求項１１に記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月3日(2020.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの生体認識を行うのに適した生体特徴データベースを構築するための方法であって、
生体特徴データベース内の各生体特徴の少なくとも２つの使用頻度属性を得るステップ（１００）であって、前記少なくとも２つの使用頻度属性が、ある期間内の照合成功回数および前記生体特徴が最も最近に照合に成功した時間を含む、ステップと、
前記少なくとも２つの使用頻度属性に基づいて各生体特徴の照合成功頻度の指標を生成するステップ（１００）であって、各生体特徴の前記照合成功頻度の前記指標が前記生体特徴の前記少なくとも２つの使用頻度属性の加重和である、ステップと、
前記生体特徴データベース内に前記使用頻度属性に基づいて照合成功頻度の降順に前記生体特徴を配列するステップ（１０２）と
を含み、
前記配列の結果として、前記生体特徴データベースが、ユーザの生体特徴の要求に応じて最高照合成功頻度を有する生体特徴が最初に選択されるように、前記最高照合成功頻度を有する前記生体特徴に優先アクセスを提供する（６０６）、
方法。
【請求項２】
前記生体特徴データベースでの特徴順位に基づいて認識される生体特徴と前記生体特徴を比較するステップであって、照合および比較を行うために、好ましくは、より高い照合成功頻度の生体特徴が使用される、ステップと、
一致した生体特徴が得られた後、前記生体特徴の使用頻度属性を更新するステップと、
前記更新された使用頻度属性に基づいて前記生体特徴データベース内の前記生体特徴を再配列するステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生体特徴データベース内の前記生体特徴が顔特徴を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
顔特徴を備える顔特徴データベースを使用して顔認識決済を処理するための方法であって、
支払人の第１の顔特徴を得るステップ（３０８）と、
前記顔特徴の少なくとも２つの使用頻度属性に基づいて前記顔特徴データベース内の前記顔特徴を配列して、前記顔特徴データベースでの特徴順位を生成するステップであって、前記少なくとも２つの使用頻度属性が、ある期間内の照合成功回数および前記顔特徴が最も最近に照合に成功した時間を含み（６０６）、前記顔特徴が、前記照合成功回数および前記顔特徴が最も最近に照合に成功した前記時間の加重和に基づいて配列される、ステップと、
前記特徴順位に基づいて前記第１の顔特徴と前記顔特徴データベース内の顔特徴を比較するステップであって、照合および比較を行うために、好ましくは、より高い使用頻度を有する生体特徴が使用され、前記第１の顔特徴が、前記特徴順位に基づいて生体特徴データベース内の前記生体特徴と１つずつ比較される、ステップ（３１４）と、
前記第１の顔特徴と一致した顔特徴が得られるとき、前記一致した顔特徴に対応する決済口座を使用することによって決済を行うステップ（３１６、３１８）と
を含む、方法。
【請求項５】
前記支払人に割り当てられる検証コードを得るステップであって、異なる支払人に異なる検証コードが割り当てられる、ステップと、
前記検証コードに対応する前記顔特徴データベースを決定するステップと
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記検証コードに対してハッシュ関数演算を行うステップと、
ハッシュ値に対応する前記顔特徴データベースを前記検証コードに対応する顔特徴データベースとして決定するステップと
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の顔特徴を得るステップが、前記支払人の顔特徴をスキャンするステップ（３０８）を含む、請求項４から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
決済を行うステップが、料金控除を行うステップ（３１６）を含む、請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
顔認識決済を要求するステップ（３１０）をさらに含む、請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
生体特徴データベースを構築するための装置であって、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法を行うように構成される複数のモジュールを備える、装置。
【請求項１１】
顔認識決済を処理するための装置であって、請求項４から９のいずれか一項に記載の方法を行うように構成される複数のモジュールを備える、装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年10月19日(2020.10.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記室外ユニットはさらに、室外熱交換器と、第１四方弁と、第２四方弁とを有し、前記第１室内熱交換器の前記第１端は、前記第１四方弁の第１ポートＥに接続され、前記第１四方弁の第２ポートＳは、前記第１電磁弁の前記第１端に接続され、前記第１室内熱交換器の第２端は、前記室外熱交換器の第１端に接続され、前記室外熱交換器の第２端は、前記第１四方弁の第３ポートＣおよび前記第２四方弁の第３ポートＣに接続され、前記第１四方弁の第４ポートＤは、前記コンプレッサの排気端に接続され、前記第２室内熱交換器の前記第１端は、前記第２四方弁の第１ポートＥに接続され、前記第２四方弁の第２ポートＳは、前記第２電磁弁の前記第２端に接続され、前記第２室内熱交換器の第２端は、前記室外熱交換器の前記第１端に接続され、前記第２四方弁の第４ポートＤは、前記コンプレッサの前記排気端に接続される、請求項１に記載の外気空調システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
室外ユニットは、室外熱交換器と、第１四方弁とを有し、前記外気空調システムが冷房モードにあるときには、コンプレッサによって駆動された冷媒は、前記コンプレッサの排気端を経由して前記第１四方弁の第４ポートＤに入り、前記第１四方弁の第３ポートＣを経由して前記室外熱交換器に入り、放熱してから冷却のために前記第１室内熱交換器に入り、その後、前記第１四方弁の第１ポートＥおよび第２ポートＳを経由して前記第１液体アキュムレータおよび前記第２液体アキュムレータに入る、請求項６に記載の制御方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
任意的に、室外ユニットはさらに、室外熱交換器と、第１四方弁と、第２四方弁とを含み、第１室内熱交換器の第１端は、第１四方弁の第１ポートＥに接続され、第１四方弁の第２ポートＳは、第１電磁弁の第１端に接続され、第１室内熱交換器の第２端は、室外熱交換器の第１端に接続され、室外熱交換器の第２端は、第１四方弁の第３ポートＣおよび第２四方弁の第３ポートＣに接続され、第１四方弁の第４ポートＤは、コンプレッサの排気端に接続され、第２室内熱交換器の第１端は、第２四方弁の第１ポートＥに接続され、第２四方弁の第２ポートＳは、第２電磁弁の第２端に接続され、第２室内熱交換器の第２端は、室外熱交換器の第１端に接続され、第２四方弁の第４ポートＤは、コンプレッサの排気端に接続される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
任意的に、外気空調システムの制御方法では、室外ユニットは、室外熱交換器と、第１四方弁とを含み、外気空調システムが冷房モードにあるときには、コンプレッサによって駆動された冷媒は、コンプレッサの排気端を経由して第１四方弁の第４ポートＤに入り、第１四方弁の第３ポートＣを経由して室外熱交換器に入り、放熱してから冷却のために第１室内熱交換器に入り、その後、第１四方弁の第１ポートＥおよび第２ポートＳを経由して第１液体アキュムレータおよび第２液体アキュムレータに入る。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
前記第１絞り機構は、電子膨張弁であり、前記第２絞り機構は、電子膨張弁である、請求項３に記載の外気空調システム。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
室外ユニットは、室外熱交換器と、第２四方弁とを有し、前記外気空調システムが暖房モードにあるときには、コンプレッサによって駆動された冷媒は、前記コンプレッサの排気端を経由して前記第２四方弁の第４ポートＤに入り、前記第２四方弁の第１ポートＥを経由して前記第２室内熱交換器に入り、放熱してから吸熱のために前記室外熱交換器に入り、その後、前記第２四方弁の第３ポートＣおよび第２ポートＳを経由して前記第１液体アキュムレータおよび前記第２液体アキュムレータに入る、請求項９に記載の制御方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
任意的に、外気空調システムの制御方法では、室外ユニットは、室外熱交換器と、第２四方弁とを含み、外気空調システムが暖房モードにあるときには、コンプレッサによって駆動された冷媒は、コンプレッサの排気端を経由して第２四方弁の第４ポートＤに入り、第２四方弁の第１ポートＥを経由して第２室内熱交換器に入り、放熱してから吸熱のために室外熱交換器に入り、その後、第２四方弁の第３ポートＣおよび第２ポートＳを経由して第１液体アキュムレータおよび第２液体アキュムレータに入る。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月3日(2020.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＩＸ（配列番号１）および／またはその活性型（ＦＩＸａ）に結合することができる第一の抗原結合部位、ならびにＦＸ（配列番号２）および／またはその活性型（ＦＸａ）に結合することができる第二の抗原結合部位を含む、ＦＸに対するＦＩＸａの酵素活性を刺激することができる多重特異性抗体またはその抗原結合性断片であって、
前記第一の抗原結合部位が、ＦＩＸ／ＦＩＸａのアミノ酸残基Ｒ３３８を含むエピトープに結合することができ、
前記第二の抗原結合部位が、ＦＸ／ＦＸａの触媒サブユニットおよび／またはＥＧＦ−２ドメインに結合することができる、多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項２】
前記第一の抗原結合部位が、ＦＩＸ／ＦＩＸａのアミノ酸残基Ｒ３３８およびＫ３４１を含むエピトープに結合することができる、請求項１に記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項３】
前記第一の抗原結合部位が、ＦＩＸ／ＦＩＸａのアミノ酸残基Ｌ３３７、Ｒ３３８、Ｓ３３９、Ｔ３４０、Ｋ３４１およびＴ３４３を含むエピトープに結合することができる、請求項２に記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項４】
前記第一の抗原結合部位が、ＦＩＸ／ＦＩＸａのアミノ酸残基Ｄ３３２、Ｒ３３３、Ｌ３３７およびＲ３３８を含むエピトープに結合することができ、前記第二の抗原結合部位が、ＦＸ／ＦＸａの触媒サブユニットおよび／またはＥＧＦ−２ドメインに結合することができる、請求項１に記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項５】
前記第一の抗原結合部位が、ＦＩＸ／ＦＩＸａのアミノ酸残基Ｋ３０１、Ｄ３３２、Ｒ３３３、Ａ３３４、Ｔ３３５、Ｒ３３８、およびＮ３４６を含むエピトープに結合することができる、請求項１に記載の多重特異性抗体または抗体結合性断片。
【請求項６】
前記第二の抗原結合部位が、ＦＸ／ＦＸａのアミノ酸残基Ｙ２３０、Ｄ４２３、およびＫ４２７を含むエピトープに結合することができる、請求項１〜５のいずれかに記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項７】
前記第二の抗原結合部位が、ＦＸ／ＦＸａのアミノ酸残基Ｈ１０１、Ｅ１０３、Ｒ１１３、Ｔ１１６、Ｌ１１７、Ａ１１８、Ｔ１２７、Ｓ２２７、Ｅ２２８、Ｆ２２９、Ｙ２３０、Ｅ２６６、Ｒ２８７、Ｐ３０４、Ｅ３０５、Ｌ３３３、Ｌ４１９、Ｋ４２０、Ｄ４２３、Ｒ４２４、Ｍ４２６、Ｋ４２７およびＴ４２８のうちの一つまたは複数を含むエピトープに結合することができる、請求項１〜６のいずれかに記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項８】
前記多重特異性抗体またはその抗原結合性断片が、ＦＩＸ／ＦＩＸａへの結合について参照抗体と競合し、前記参照抗体が、
ａ）配列番号１５によって識別された重鎖可変ドメイン、および配列番号１６によって識別された軽鎖可変ドメイン、または
ｂ）配列番号１７によって識別された重鎖可変ドメイン、および配列番号１８によって識別された軽鎖可変ドメイン、または
ｃ）配列番号１９によって識別された重鎖可変ドメイン、および配列番号２０によって識別された軽鎖可変ドメインを含む、請求項１に記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項９】
ＦＩＸ（配列番号１）および／またはその活性型（ＦＩＸａ）に結合することができる第一の抗原結合部位、ならびにＦＸ（配列番号２）および／またはその活性型（ＦＸａ）に結合することができる第二の抗原結合部位を含む、ＦＸに対するＦＩＸａの酵素活性を刺激することができる多重特異性抗体またはその抗原結合性断片であって、
ａ．配列番号１７７によって識別された抗ＦＩＸ／ＦＩＸａ抗体重鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１７８によって識別された抗ＦＩＸ／ＦＩＸａ抗体軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１７９によって識別された抗ＦＸ／ＦＸａ重鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８０によって識別された抗ＦＸ／ＦＸａ軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、
ｂ．配列番号１８１によって識別された抗ＦＩＸ／ＦＩＸａ抗体重鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８２によって識別された抗ＦＩＸ／ＦＩＸａ抗体軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８３によって識別された抗ＦＸ／ＦＸａ重鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８４によって識別された抗ＦＸ／ＦＸａ軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列のＣＤＲ配列と、または
ｃ．配列番号１８７によって識別された抗ＦＩＸ／ＦＩＸａ抗体重鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８８によって識別された抗ＦＩＸ／ＦＩＸａ抗体軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８５によって識別された抗ＦＸ／ＦＸａ重鎖可変ドメインのＣＤＲ配列と、配列番号１８６によって識別された抗ＦＸ／ＦＸａ軽鎖可変ドメインのＣＤＲ配列とを含む、多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項１０】
前記多重特異性抗体またはその抗原結合性断片が二重特異性抗体である、請求項１〜９のいずれかに記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片および薬学的に許容可能な担体を含む、医薬組成物。
【請求項１２】
阻害物質を有する血友病Ａまたは阻害物質を有しない血友病Ａの治療のための、請求項１〜１０のいずれかに記載の多重特異性抗体またはその抗原結合性断片を含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月6日(2020.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2020506158.tif 000001
式中、Ｒ’はＨ、ＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ3又はそれらの組合せを含み；ｘ、ｙ及びｚはそれぞ
れ２から１００までの範囲にわたり、かつｘ、ｙ及びｚの合計は６から３００までの範囲にあり；並びにＲはＣ9不飽和アルキル基である、
で表されるエストリドを含む組成物。
【請求項２】
Ｒ’がＨである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ｘ、ｙ及びｚの合計が１０から２５までの範囲にあるか、又はエストリドが、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンの反応生成物である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
塩基触媒、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンを組合せて反応体混合物を生成するステップであって、アルコキシル化グリセリンは式（ＩＩ）：
【化２】
2020506158.tif 000002
式中、Ｒ’はＨ、ＣＨ3、ＣＨ2ＣＨ3又はそれらの組合せを含み；並びにｘ、ｙ及びｚはそれぞれ２から１００までの範囲にわたり、ｘ、ｙ及びｚの合計は６から３００までの範囲にある、
により表わされ、かつ
（ｉ）ヒマシ油は、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンの重量に基づき６０から８０重量％までの範囲で反応体混合物中に存在し、（ｉｉ）アルコキシル化グリセリンは、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンの重量に基づき２０から４０重量％までの範囲で反応体混合物中に存在する、ステップ；並びに
反応体混合物を１１０℃から１５０℃までの範囲の温度で加熱するステップ
を含む、ヒマシ油アルコキシレートのエストリドの製造方法。
【請求項５】
塩基触媒が、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド又はそれらの組合せを含む強塩基であるか、又は
（ｉ）ヒマシ油が、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンの重量に基づき６５から７５重量％までの範囲で反応体混合物中に存在し、（ｉｉ）アルコキシル化グリセリンが、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンの重量に基づき２５から３５重量％までの範囲で反応体混合物中に存在する、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ’がＨであるか、又は
ｘ、ｙ及びｚの合計が５から２５までの範囲若しくは１０から２５までの範囲にある、請求項４又は５かに記載の方法。
【請求項７】
反応体混合物を４５分から１２０分までの範囲の時間加熱するか、又は、反応体混合物を加熱する段階後に中和剤を添加することをさらに含み、中和剤が過酸化水素、酢酸、クエン酸又はそれらの組合せを含む、請求項４ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
塩基触媒、ヒマシ油及びアルコキシル化グリセリンを組合せることの前にアルコキシル化グリセリンを製造するステップであって、グリセリンと、エチレンオキシド、プロピレンオキシド及びブチレンオキシドよりなる群から選択されるアルキレンオキシドとを組合せること、かつ
前記グリセリンとびアルキレンオキシドの組合せを１２０℃から１６０℃までの範囲の温度で加熱することを含む、ステップを含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
塩基触媒を組成物から除去しない、請求項３ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の組成物とそれ以外の成分を含む組成物であって、
（ｉ）それ以外の成分として、セメントが含まれるセメントモルタル組成物、又は
（ｉｉ）それ以外の成分として、顔料と溶媒が含まれる色素分散組成物、又は
（ｉｉｉ）それ以外の成分として、基油が含まれる潤滑油濃縮物、又は
（ｉｖ）それ以外の成分として、有害生物防除上の有効な量の有害生物防除剤又は有害生物防除剤の混合物が含む、農薬製剤組成物、又は
（ｖ）それ以外の成分として、表面活性剤、酵素、酵素安定化剤、ヒドロトロープ、レオロジー改質剤、再付着防止ポリマー、蛍光増白剤、保存剤、染料及び香料の最低１種が含まれる洗剤組成物、
である組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月26日(2020.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種または複数のラムノリピド（ＲＬ）を含む中和された組成物を得る、有機溶媒を使用しない方法であって、
（ａ）少なくとも１種のラムノリピドを含む水性培地を用意するステップ、
（ｂ）用意された前記培地を酸で処理して、固体相、液体相および油性相を含む酸性培地を得るステップ、
（ｃ）ステップ（ｂ）の前記酸性培地から少なくとも前記液体相を除去して、酸性固体相および場合によって酸性油性相を得るステップ、
（ｄ）ステップ（ｃ）の前記酸性固体相および場合によって前記酸性油性相を中和および脱色するのに有効な量の過炭酸塩および場合によって第２の塩基を含む組成物で、ステップ（ｃ）において得られた前記酸性固体相および場合によって酸性油性相を処理して、前記中和された組成物を得るステップ
を含む、方法。
【請求項２】
前記中和および脱色のステップが、少なくとも３０分間、３５〜８５℃の間の温度で起こる、請求項１に記載の有機溶媒を使用しない方法。
【請求項３】
ステップ（ｄ）における前記過炭酸塩が、０．５〜３％ｗ／ｗ当量過酸化水素濃度（ＥＨＰＣ）の量で存在する、請求項１に記載の有機溶媒を使用しない方法。
【請求項４】
請求項１の有機溶媒を使用しない方法に従って得ることができる、中和および脱色された溶液を含む組成物。
【請求項５】
請求項１の有機溶媒を使用しない方法のステップ（ｂ）において得られた前記液体相の質を向上させる方法であって、前記質を向上させるのに有効な量の過炭酸塩で、前記液体相を処理するステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項１の方法のステップ（ｂ）において得られた前記液体相中で少なくとも約２５％のＢＯＤおよび／またはＴＳＳを減少させる方法であって、前記液体相中で少なくとも２５％のＢＯＤおよび／またはＴＳＳを減少させるのに有効な量の過炭酸塩を含む組成物で、前記液体相を処理するステップを含む、方法。
【請求項７】
前記過炭酸塩が、０．２％〜０．８％ｗ／ｗＥＨＰＣの量で存在する、請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表２】
2020506199.tif 000001
なお、本発明には、以下の実施態様が包含される。
［１］１種または複数のラムノリピド（ＲＬ）を含む中和された組成物を得る、有機溶媒を使用しない方法であって、
（ａ）少なくとも１種のラムノリピドを含む水性培地を用意するステップ、
（ｂ）用意された前記培地を酸で処理して、固体相、液体相および油性相を含む酸性培地を得るステップ、
（ｃ）ステップ（ｂ）の前記酸性培地から少なくとも前記液体相を除去して、酸性固体相および場合によって酸性油性相を得るステップ、
（ｄ）ステップ（ｃ）の前記酸性固体相および場合によって前記酸性油性相を中和および脱色するのに有効な量の過炭酸塩および場合によって第２の塩基を含む組成物で、ステップ（ｃ）において得られた前記酸性固体相および場合によって酸性油性相を処理して、前記中和された組成物を得るステップ
を含む、方法。
［２］前記中和および脱色のステップが、少なくとも約３０分間、約３５〜８５℃の間の温度で起こる、前記［１］に記載の方法。
［３］ステップ（ｄ）における前記過炭酸塩が、約０．５〜約３％当量過酸化水素濃度（ＥＨＰＣ）の量で存在する、前記［１］に記載の方法。
［４］前記［１］の方法に従って得ることができる、中和および脱色された溶液を含む組成物。
［５］前記［１］の方法のステップ（ｂ）において得られた前記液体相の質を向上させる方法であって、前記質を向上させるのに有効な量の過炭酸塩で、前記液体相を処理するステップを含む、方法。
［６］前記［１］の方法のステップ（ｂ）において得られた前記液体相中で少なくとも約２５％のＢＯＤおよび／またはＴＳＳを減少させる方法であって、前記液体相中で少なくとも約２５％のＢＯＤおよび／またはＴＳＳを減少させるのに有効な量の過炭酸塩を含む組成物で、前記液体相を処理するステップを含む、方法。
［７］前記過炭酸塩が、約０．２％〜約０．８％ｗ／ｗＥＨＰＣの量で存在する、前記［６］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月31日(2020.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】テビペネムピボキシル結晶形、それを含む組成物、製造方法、および使用方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2020506196.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月25日(2020.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
か焼された形態で、下記の表に記載のピークを含むＸ線回折パターンを有する分子ふるい。
【表１】
2020506858.tif 000001
【請求項２】
下式のモル関係を含む組成を有する、請求項１に記載の分子ふるい。
【化１】
2020506858.tif 000002
（式中、ｎは５から２５の値を有する。）
【請求項３】
合成されたままの形態で、下記の表に記載のピークを含むＸ線回折パターンを有する分子ふるい。
【表２】
2020506858.tif 000003
【請求項４】
下記のモル関係を含む組成を有する、請求項３に記載の分子ふるい。
【表３】
2020506858.tif 000004
（式中、Ｑは、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン及び１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオンの１種以上を含み、Ｍは、１族又は２族の金属である。）
【請求項５】
下記のモル関係を含む組成を有する、請求項３に記載の分子ふるい。
【表４】
2020506858.tif 000005
（式中、Ｑは、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン及び１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオンの１種以上を含み、Ｍは、１族又は２族の金属である。）
【請求項６】
（ａ）（１）酸化ケイ素の供給源、
（２）酸化アルミニウムの供給源、
（３）１族又は２族金属（Ｍ）の供給源、
（４）１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン及び１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオンの１種以上を含む構造規定剤（Ｑ）、
（５）水酸化物イオン、及び
（６）水、
含む反応混合物を調製すること、並びに
（ｂ）前記反応混合物を、前記分子ふるいの結晶を形成するのに十分な結晶化条件に置くこと、を含む、請求項３に記載の分子ふるいを合成する方法であって、
ゼオライトＹが、（１）酸化ケイ素及び（２）酸化アルミニウムの組み合わされた供給源として使用され、かつ、前記反応混合物が、モル比換算で、以下の組成を有する、方法。
【表５】
2020506858.tif 000006
【請求項７】
前記反応混合物が、モル比換算で、以下の組成を有する、請求項６に記載の方法。
【表６】
2020506858.tif 000007
【請求項８】
前記結晶化条件が、１２０℃から２００℃の温度を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
有機化合物を、有機化合物転化条件下で、請求項１に記載の分子ふるいを含む触媒と接触させることを含む、有機化合物転化方法。
【請求項１０】
前記有機化合物が、有機含酸素化合物を含み、且つ前記有機化合物転化方法が、前記有機含酸素化合物を、オレフィンを含む生成物に転化する、請求項９に記載の有機化合物転化方法。
【請求項１１】
前記有機含酸素化合物が、メタノール、ジメチルエーテル、又はそれらの組み合わせを含み、且つ前記オレフィンが、エチレン、プロピレン、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１０に記載の有機化合物転化方法。
【請求項１２】
窒素酸化物を含有するガス流を、請求項１に記載の分子ふるいを含む触媒と接触させることを含む、窒素酸化物（ＮＯｘ）を選択的に還元する方法。
【請求項１３】
前記触媒が、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｉｒ、及びＰｔから選択される１種以上の遷移金属を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記遷移金属が、前記分子ふるいの全重量に基づいて、０．１から１０重量％の量で存在する、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
窒素酸化物の還元は、酸素の存在下又は酸素の非存在下で実施することができる。
なお、下記［１］から［１５］は、いずれも本発明の一形態又は一態様である。
［１］
か焼された形態で、下記の表に記載のピークを含むＸ線回折パターンを有する分子ふるい。
【表６】
2020506858.tif 000008
［２］
下式のモル関係を含む組成を有する、［１］に記載の分子ふるい。
【化４】
2020506858.tif 000009
（式中、ｎは５から２５の値を有する。）
［３］
合成されたままの形態で、下記の表に記載のピークを含むＸ線回折パターンを有する分子ふるい。
【表７】
2020506858.tif 000010
［４］
下記のモル関係を含む組成を有する、［３］に記載の分子ふるい。
【表８】
2020506858.tif 000011
（式中、Ｑは、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン及び１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオンの１種以上を含み、Ｍは、１族又は２族の金属である。）
［５］
下記のモル関係を含む組成を有する、［３］に記載の分子ふるい。
【表９】
2020506858.tif 000012
（式中、Ｑは、１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン及び１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオンの１種以上を含み、Ｍは、１族又は２族の金属である。）
［６］
（ａ）（１）酸化ケイ素の供給源、
（２）酸化アルミニウムの供給源、
（３）１族又は２族金属（Ｍ）の供給源、
（４）１−ブチル−１−メチルピロリジニウムカチオン及び１−ブチル−１−メチルピペリジニウムカチオンの１種以上を含む構造規定剤（Ｑ）、
（５）水酸化物イオン、及び
（６）水、
含む反応混合物を調製すること、並びに
（ｂ）前記反応混合物を、前記分子ふるいの結晶を形成するのに十分な結晶化条件に置くこと、を含む、［３］に記載の分子ふるいを合成する方法。
［７］
前記反応混合物が、モル比換算で、以下の組成を有する、［６］に記載の方法。
【表１０】
2020506858.tif 000013
［８］
前記反応混合物が、モル比換算で、以下の組成を有する、［６］に記載の方法。
【表１１】
2020506858.tif 000014
［９］
前記結晶化条件が、１２０℃から２００℃の温度を含む、［６］に記載の方法。
［１０］
有機化合物を、有機化合物転化条件下で、［１］に記載の分子ふるいを含む触媒と接触させることを含む、有機化合物転化方法。
［１１］
前記有機化合物が、有機含酸素化合物を含み、且つ前記有機化合物転化方法が、前記有機含酸素化合物を、オレフィンを含む生成物に転化する、［１０］に記載の有機化合物転化方法。
［１２］
前記有機含酸素化合物が、メタノール、ジメチルエーテル、又はそれらの組み合わせを含み、且つ前記オレフィンが、エチレン、プロピレン、又はそれらの組み合わせを含む、［１１に記載の有機化合物転化方法。
［１３］
窒素酸化物を含有するガス流を、［１］に記載の分子ふるいを含む触媒と接触させることを含む、窒素酸化物（ＮＯｘ）を選択的に還元する方法。
［１４］
前記触媒が、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｅ、Ｉｒ、及びＰｔから選択される１種以上の遷移金属を更に含む、［１３］に記載の方法。
［１５］
前記遷移金属が、前記分子ふるいの全重量に基づいて、０．１から１０重量％の量で存在する、［１４］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月5日(2020.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支柱構造体が展開構成にあるとき管状形状を採るように構成された本体と、
前記本体の壁に複数の一体型テープスプリングヒンジを画定するために前記本体の前記壁に形成された複数の開口部であって、前記複数の一体型テープスプリングヒンジが座屈したとき前記本体が前記本体の長手方向軸に沿って折り畳まれて収納構成になることを可能にするように構成された複数の開口部と
を備え、
前記収納構成では、前記複数の一体型テープスプリングヒンジは、前記支柱構造体を前記展開構成に向けて付勢する力を及ぼすように構成され、
前記複数の開口部は、前記複数の開口部によって画定された前記複数の一体型テープスプリングヒンジがそれぞれの端部でより狭くなるように構成されている、
展開可能な支柱構造体。
【請求項２】
前記複数の開口部が、前記本体の前記長手方向軸に沿って離間した複数のグループに配置されることで、開口部の各グループは前記長手方向軸の周りに配置された複数のテープスプリングヒンジを含むヒンジ部分を画定し、隣接するヒンジ部分は、テープスプリングヒンジが形成されていない前記壁の部分によって接続されている、請求項１に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項３】
テープスプリングヒンジが形成されていない前記壁の前記部分のうちの１つを補強するようにそれぞれ構成された複数の補強部材をさらに備える、請求項２に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項４】
前記本体の前記壁が層状の複合材料から形成され、前記複数の補強部材の各々が前記複合材料の１つまたは複数の追加の層を含むことで、テープスプリングヒンジが形成されていない前記壁の前記部分は、前記ヒンジ部分よりも高い剛性を有する、請求項３に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項５】
前記本体の特定の部分における前記複数の開口部の各々の長さは、前記支柱構造体が前記収納構成にあるとき、前記特定の部分における前記複数の一体型テープスプリングヒンジを前記本体の中心に向かって内側に折り曲げることができるように選択される、請求項１から４のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項６】
前記本体は、前記長手方向軸に沿って幅がテーパ状である、請求項１から５のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項７】
前記テーパの角度は、前記支柱構造体が前記収納構成にあるとき、前記複数の一体型テープスプリングヒンジのうちの１つの一端における前記壁の特定の部分が、前記複数の一体型テープスプリングヒンジの前記１つの反対側の端部における前記壁の特定の部分の内側に格納されることを可能にするように選択される、請求項６に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項８】
拘束力が取り除かれると前記支柱構造体が前記収納構成から展開する速度を制御するように構成される制御機構をさらに備え、前記制御機構は、前記複数の一体型テープスプリングヒンジによって及ぼされる前記力をある程度相殺する制動力を及ぼすように構成される、請求項１から７のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項９】
前記制御機構は、少なくとも１本のファイバによって前記支柱構造体の一端に接続された渦電流ダンパを備え、前記渦電流ダンパは、前記複数の一体型テープスプリングヒンジによって及ぼされる前記力に比例する減衰力を生成するように構成されている、請求項８に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項１０】
前記本体は、前記展開構成にあるとき、前記長手方向軸に垂直な平面内に円形断面を有するように構成されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項１１】
前記管状形状は、前記長手方向軸に垂直な断面が１つまたは複数の直線縁部の部分を含み、前記複数の一体型テープスプリングヒンジが形成される複数の湾曲した縁部の部分をさらに含むように構成される、請求項１から９のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体を備える展開式アンテナアセンブリであって、
前記展開可能な支柱構造体の一端に配置された一次反射器と、
前記一次反射器に対して、前記展開可能な支柱構造体の反対側の端部に配置された二次反射器と
をさらに備える、展開式アンテナアセンブリ。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体を備える展開式望遠鏡アセンブリであって、
前記展開可能な支柱構造体の一端に配置されたセンサと、
前記展開可能な支柱構造体に沿って配置された１つまたは複数の光学素子と
をさらに備える、展開式望遠鏡アセンブリ。
【請求項１４】
第１の本体を第２の本体から切り離すための分離機構であって、請求項１から１１のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体を備え、前記展開可能な支柱構造体は、前記支柱構造体を前記収納構成に保持している拘束力の解放時に、前記第１の本体を前記第２の本体から離れるように付勢するように構成される、分離機構。
【請求項１５】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の展開可能な支柱構造体と、
拘束力を加えることで、前記支柱構造体を前記収納構成に保持するように構成された保持および解放機構と
を備えるシステム。
【請求項１６】
請求項１に記載の展開可能な支柱構造体を製造する方法であって、
１つまたは複数の複合層に前記複数の開口部を形成するステップと、
前記本体の前記壁を画定するように成形された湾曲したマンドレルの周りに前記１つまたは複数の複合層を配置するステップと、
前記１つまたは複数の複合層を硬化させて前記本体の前記壁を形成するステップと、
前記マンドレルを取り外すステップと
を備える、方法。
【請求項１７】
テープスプリングヒンジが形成されていない前記壁の特定の部分を補強するように構成された補強部材を形成するために、前記本体の前記長手方向軸に沿って間隔を置いて前記マンドレルの周りに１つまたは複数の追加の層を配置するステップをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月14日(2020.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極性切換磁気ダイオードにおいて、
磁束要素に磁気的に結合されている第１Ｎ極磁束ドナーおよび前記磁束要素に磁気的に結合されている第１Ｓ極磁束ドナーであって、前記磁束要素は、第１実効極、第２実効極、第１間隙、前記Ｎ極磁束ドナーから前記第１間隙に沿って前記第１実効極までの第１磁束経路、前記Ｎ極磁束ドナーから前記第１間隙に沿って前記第２実効極までの第２磁束経路、前記Ｓ極磁束ドナーから前記第１間隙に沿って前記第１実効極までの第３磁束経路、および前記Ｓ極磁束ドナーから前記第１間隙に沿って前記第２実効極までの第４磁束経路を備える、第１Ｎ極磁束ドナーおよび第１Ｓ極磁束ドナーと、
制御コイルであって、前記第１間隙が少なくとも部分的に前記制御コイルの中へと延びているように前記磁束要素の一部の周りに巻かれており、第１作動磁気状態および第２作動磁気状態を有する制御コイルと、を備え、
前記第１作動磁気状態は、前記第１Ｎ極磁束ドナーからのＮ極磁束を前記第１磁束経路に沿って前記第１実効極に向かうように方向付けるとともに、前記第１Ｓ極磁束ドナーからのＳ極磁束を前記第４磁束経路に沿って前記第２実効極に向かうように方向付け、
前記第２作動磁気状態は、前記第１Ｎ極磁束ドナーからのＮ極磁束を前記第２磁束経路に沿って前記第２実効極に向かうように方向付けるとともに、前記第１Ｓ極磁束ドナーからのＳ極磁束を前記第３磁束経路に沿って前記第１実効極に向かうように方向付ける、極性切換磁気ダイオード。
【請求項２】
永久磁石が前記第１Ｎ極磁束ドナーと前記第１Ｓ極磁束ドナーとを備える、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項３】
第１永久磁石が前記第１Ｎ極磁束ドナーを備え、
第２永久磁石が前記第１Ｓ極磁束ドナーを備える、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項４】
前記第１永久磁石の磁気軸は前記第２永久磁石の磁気軸にほぼ平行であり、前記第１永久磁石のＮ極磁束および前記第２永久磁石のＳ極磁束は、前記制御コイルのボア内において磁気回路を完結させるように延びている、請求項３に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項５】
前記磁束要素に磁気的に結合されている第２Ｎ極磁束ドナーと、
前記磁束要素に磁気的に結合されている第２Ｓ極磁束ドナーと、をさらに備え、
前記第１作動磁気状態はさらに、前記第２Ｎ極磁束ドナーからのＮ極磁束を前記第１実効極へと方向付け、前記第２Ｓ極磁束ドナーからのＳ極磁束を前記第２実効極へと方向付ける、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項６】
前記磁束要素は、間隙によって分離されている複数の平行な層を備える、請求項５に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項７】
第１永久磁石が、前記第１Ｎ極磁束ドナーと前記第１Ｓ極磁束ドナーとを備え、
第２永久磁石が、前記第２Ｎ極磁束ドナーと前記第２Ｓ極磁束ドナーとを備え、
前記第１永久磁石の磁気軸は、前記第２永久磁石の磁気軸にほぼ平行であり、
前記第１永久磁石の前記磁気軸および前記第２永久磁石の前記磁気軸は、前記制御コイルのボア内において磁気回路を完結させるように延びている、請求項５に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項８】
前記磁束要素は少なくとも部分的に前記制御コイルの中へと延びている第２間隙を備え、前記第１永久磁石および前記第２永久磁石は前記第１間隙および前記第２間隙にそれぞれ配置されている、請求項７に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項９】
前記磁束要素はほぼ直線状である、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項１０】
前記磁束要素はほぼ曲線状である、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項１１】
前記制御コイルは、前記第１実効極と前記第２実効極とのうちの少なくとも一方の近傍に位置する、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項１２】
前記制御コイルは、前記第１Ｎ極磁束ドナーと前記第１実効極および前記第２実効極のうちの少なくとも一方との間における磁束経路に沿って前記磁束要素の周りに巻かれている、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項１３】
前記制御コイルを通過する電流を反転させるスイッチをさらに備え、前記スイッチは前記第１作動磁気状態から前記第２作動磁気状態へと前記制御コイルの転換を行う、請求項１に記載の極性切換磁気ダイオード。
【請求項１４】
極性切換磁気ダイオードにおいて、
磁束要素に磁気的に結合されているＮ極磁束ドナーおよび前記磁束要素に磁気的に結合されているＳ極磁束ドナーであって、前記磁束要素は、第１実効極、第２実効極、第３実効極、第４実効極、第１間隙、第２間隙、第３間隙、前記Ｎ極磁束ドナーから前記第１間隙に沿って前記第１実効極までの第１磁束経路、前記Ｎ極磁束ドナーから前記第２間隙に沿って前記第２実効極までの第２磁束経路、前記Ｓ極磁束ドナーから前記第３間隙に沿って前記第３実効極までの第３磁束経路、および前記Ｓ極磁束ドナーから前記第２間隙に沿って前記第２実効極までの第４磁束経路を備える、Ｎ極磁束ドナーおよびＳ極磁束ドナーと、
前記磁束要素の一部の周りに巻かれている制御コイルと、を備え、
前記制御コイルは第１作動磁気状態および第２作動磁気状態を有し、
前記第１作動磁気状態は、前記Ｎ極磁束ドナーからのＮ極磁束を前記第２磁束経路に沿って前記第２実効極に向かうように方向付けるとともに、前記Ｓ極磁束ドナーからのＳ極磁束を前記第３磁束経路に沿って前記第３実効極に向かうように方向付け、
前記第２作動磁気状態は、前記Ｎ極磁束ドナーからのＮ極磁束を前記第１磁束経路に沿って前記第１実効極に向かうように方向付けるとともに、前記Ｓ極磁束ドナーからのＳ極磁束を前記第４磁束経路に沿って前記第２実効極に向かうように方向付ける、極性切換磁気ダイオード。