【事件の表示】
　特願２０１１−５１６４５２「プラズマ源用粒子捕獲」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月３０日国際公開、ＷＯ２００９／１５８２４９、平成２４年　１月　５日国内公表、特表２０１２−５００４４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年６月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年６月２６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年６月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１３日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年１１月２０日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２６年３月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年３月１９日付けの手続補正により、該手続補正前の（平成２５年９月１３日付けの手続補正で補正された）特許請求の範囲の請求項１を明りょうでない記載の釈明を目的として補正した特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
　遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
　前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。」
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−２１６５７５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ａ）「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行ってプラズマを発生させ、プラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料粒子（以下、「ドロップレット」という）をドロップレット捕集部に補集するようにしたプラズマ生成装置に関する。
（ｂ）「【００１８】
　本発明の第７の形態は、前記第１プラズマ進行路から前記主進行路の反対方向に向けて屈曲される第２プラズマ進行路が延設され、この第２プラズマ進行路の分岐部に補助ドロップレット捕集部が設けられているプラズマ生成装置である。
【００１９】
　本発明の第８の形態は、前記第１プラズマ進行路に対する前記第２プラズマ進行路の屈曲角が直角以上であるプラズマ生成装置である。
【００２０】
　本発明の第９の形態は、前記第１プラズマ進行路に対する前記第２プラズマ進行路の屈曲角が直角未満の鋭角であるプラズマ生成装置である。
【００２１】
　本発明の第１０の形態は、真空雰囲気下に設定されたアーク放電部で真空アーク放電を行ってプラズマを発生させ、プラズマ発生時に陰極から副生される陰極材料粒子（ドロップレット）をドロップレット捕集部に捕集するようにしたプラズマ生成装置において、前記プラズマと前記ドロップレットが混合状態で進行する主進行路を設け、この主進行路の途中部に前記プラズマと前記ドロップレットの進行を制限するための制限板が内方に向けて１箇所以上設けられ、この制限板を通過後に前記主進行路を、前記ドロップレットが主進行路方向に進行するドロップレット進行路と前記プラズマが磁界により屈曲されて進行する第１プラズマ進行路とに略Ｔ字形に分岐し、前記ドロップレット進行路の先端部に前記ドロップレット捕集部が設けられているプラズマ生成装置である。
【００２２】
　本発明の第１１の形態は、前記プラズマ進行路の先端部に補助ドロップレット捕集部が設けられ、この補助ドロップレット捕集部の手前側で前記第1プラズマ進行路から屈曲された位置に第２プラズマ進行路が延設されているプラズマ生成装置である。
【００２３】
　本発明の第１２の形態は、前記ドロップレット捕集部及び／又は前記補助ドロプレット捕集部に複数の緩衝板を付設し、前記ドロップレットを緩衝板に衝突反射させるプラズマ生成装置である。
【００２４】
　本発明の第１３の形態は、前記緩衝板が平面板形状を有し、この緩衝板が捕集部開口面に対して斜めに配置されるプラズマ生成装置である。
【００２５】
　本発明の第１４の形態は、前記緩衝板が三角柱形状を有し、捕集部開口面に対して２つの三角柱側面が傾斜するように前記緩衝板を配置するプラズマ生成装置である。」
（ｃ）「【００３９】
　本発明の第７の形態によれば、第１プラズマ進行路から屈曲して延設された第２プラズマ進行路にプラズマが誘導される。このとき、もし第１プラズマ進行路に進行してくる微量のドロップレットがあれば、このドロップレットを補助ドロップレット捕集部に捕集することができる。このことにより、更に一層、ドロップレットが第２プラズマ進行路に進行することを防ぐことができる。したがって、第２プラズマ進行路内には、ドロップレットが混入していない純粋のプラズマだけを誘導することができる。また、第２プラズマ進行路は、第１プラズマ進行路に対して立体角４π内の任意の方向に延設することができ、プラズマ生成装置が設置される空間に合わせて、屈曲角及び延設する方向を決定することができる。
【００４０】
　本発明の第８の形態によれば、第１プラズマ進行路から直角以上に第２プラズマ進行路が屈曲しているので、第１プラズマ進行路に進行してくる微量のドロップレットは、進行路の側壁で反射するための運動エネルギーを殆ど消滅している。従って、ドロップレットは直角以上に屈曲した第２プラズマ進行路内に進行することがない。
【００４１】
本発明の第９の形態によれば、第１プラズマ進行路から直角未満の鋭角に第２プラズマ進行路を屈曲させているので、ドロップレットは、鋭角に反射することが殆どないために、この第２プラズマ進行路内に進行することを防ぐことができる。
【００４２】
　本発明の第１０の形態によれば、主進行路に１箇所以上の制限板を設けるから、プラズマとドロップレットが更に制限された状態で進行し、直進進行するドロップレットの殆どがドロップ捕集部に捕集される。即ち、第１制限板を通過したドロップレットは、直進・反射して第２制限板により規制される。更に、第３制限板を設ければ、この規制は更に強くなり、ドロップレット進行路へと極力直進状態で誘導でき、ドロップレットの捕集を確実にできる。従って、プラズマ進行路への進入はほぼ完全に遮断され、プラズマ進行路には高純度のプラズマのみが誘導される。
【００４３】
　本発明の第１１の形態によれば、プラズマ流が誘導される第１プラズマ進行路に進入してくる微量の残存ドロップレットが、補助ドロップレット捕集部に全てが捕集され、第２プラズマ進行路への進入は完全に遮断される。従って、第２プラズマ進行路には、より高純度のプラズマのみが誘導される。
【００４４】
　本発明の第１２の形態によれば、
前記ドロップレット捕集部及び／又は前記補助ドロップレット捕集部に複数の緩衝板を付設することにより、前記ドロップレットをその飛行速度が失われるまで繰返し衝突反射させることができる。従って、飛行速度を失うまでドロップレットを衝突反射させることで、ドロップレットをドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積させることができる。
【００４５】
　本発明の第１３の形態によれば、前記緩衝板を捕集部開口面に対して斜めに配置することにより、入射するドロップレットは飛行速度がゼロになるまで、緩衝板又はドロップレット捕集部の内壁に衝突反射され、前記ドロップレットの飛行速度を確実に消失できる。即ち、緩衝板が斜め配置されたドロップレット捕集部において、ドロップレットはその飛行速度が完全にゼロになるまで十分な回数の衝突反射が引き起こされ、ドロップレット捕集部に確実にドロップレットを捕集することができる。
【００４６】
　本発明の第１４の形態によれば、三角柱側面に入射してくるドロップレットを衝突反射させることにより、前記ドロップレットを確実に捕集することができる。即ち、飛行速度を失うまでドッロプレットを衝突反射させることにより、ドロップレットはドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積される。」
（ｄ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
　以下、本発明に係るプラズマ生成装置の実施形態を、添付する図面に基づいて詳細に説明する。本発明においては、被処理物を加工するプラズマ加工部を付設した装置又はプラズマ加工部を付設しない装置の両方がプラズマ生成装置として包含される。プラズマ加工部を有するプラズマ生成装置は、プラズマ加工装置と称されてもよい。図１は本発明に係るプラズマ生成装置の第１実施形態の断面構成図である。本装置にプラズマ加工部を付設することにより、プラズマ加工装置となる。
【００５４】
　この第１実施形態のプラズマ生成装置は、図１に示すように、被処理物Ｔを含むプラズマ加工部と一体化されることによりプラズマ加工装置として組み立てられるものである。
このプラズマ加工装置を用いたプラズマ加工法は、一般的に、真空雰囲気下で真空アーク放電を行ってプラズマを発生させ、プラズマをプラズマ加工部に移動させ、このプラズマ加工部に配置された被処理物をプラズマにより表面処理加工を行う方法である。更に、前記プラズマ加工法には必要に応じて反応性ガスを導入することもできる。尚、このプラズマ加工法は、後述する第２〜第７実施形態で説明されるプラズマ生成装置についても基本的に同様な構成を有し、プラズマ加工部を含めたプラズマ加工装置もプラズマ生成装置と称される。
【００５５】
　プラズマの構成粒子は、アーク放電部１の陰極１ａからの蒸発物質、若しくは前記蒸発物質と導入ガスを起源（ソース）とするプラズマ化した荷電粒子（イオン、電子）ばかりでなく、プラズマ前状態の分子、原子の中性粒子をも含む。プラズマ加工法（真空アーク蒸着法）における蒸着条件は、電流：１〜６００Ａ（望ましくは５〜５００Ａ、さらに望ましくは１０〜１５０Ａ）である。更に、電圧：５〜１００Ｖ（望ましくは１０〜８０Ｖ、更に望ましくは１０〜５０Ｖ）、圧力：１０−１０〜１０２Ｐａ（望ましくは１０−６〜１０２Ｐａ、更に望ましくは１０−５〜１０１Ｐａ）である。
【００５６】
　
図１のプラズマ生成装置は、基本的に、真空チャンバーＳ内に形成されるアーク放電部１、このアーク放電部１で発生したプラズマとドロップレットが混合状態で進行する主進行路２を有する。更に、ドロップレットがドロップレット捕集部３に向けて進行するドロップレット進行路４、湾曲磁界によりドロップレットが分離されたプラズマが進行する第１プラズマ進行路５を有する。更に、第１プラズマ進行路５を前進するプラズマにより被処理物Ｔの表面処理加工を行うプラズマ加工部６を有するものである。
【００５７】
　アーク放電部１は、陰極（カソード）１ａ、陰極プロテクタ１ｂ、陽極（アノード）１ｃ、トリガ電極１ｄ、アーク安定化磁界発生器（電磁コイル若しくは磁石）１ｅ及び１ｆを備えている。陰極１ａは、プラズマの主構成物質を供給するソースであり、その形成材料は、導電性を有する固体なら特に限定されない。金属単体、合金、無機単体、無機化合物（金属酸化物・窒化物）等、特に問わず、それらは単独又は２種以上混合して使用することができる。
【００５８】
　金属単体としては、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｂ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｖ、Ｃｏ、Ｙ、Ｈｆ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｈｇ、Ｎｄ、Ｐｂ等がある。また、合金（金属化合物）としては、ＴｉＡｌ、ＡｌＳｉ、ＮｄＦｅ等がある。また、無機単体としては、Ｃ、Ｓｉ等がある。また、無機化合物（セラミックス）としては、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（Indium-Tin-0xide ：スズ混入酸化インジウム）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｄ２ＳｎＯ４、ＣｕＯ等の酸化物がある。更に、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＣ、ＣｒＮ、ＴｉＣＮ等の炭化物・窒化物等も、それぞれ挙げることができる。
【００５９】
　陰極プロテクタ１ｂは、蒸発させようとする陰極表面以外の部分を電気絶縁して覆い、かつ、陰極１ａと陽極１ｃとの間に発生する真空アークプラズマが後方に拡散するのを防ぐものである。この陰極プロテクタ１ｂとして汎用の耐熱セラミックス等を使用できる。また、陰極１ａとの間に電気絶縁層（単に空隙、あるいはセラミックスや弗素樹脂をはさむ）を形成する場合には、汎用のステンレス鋼、アルミニウム合金等を使用できる。また，陰極プロテクタ１ｂは低導電率の炭素材（処理温度８００〜２０００℃程度のアモルファス炭素や，テフロン（登録商標）含浸炭素）でもよい。
【００６０】
　また、上記において陰極プロテクタ１ｂをステンレス鋼の代わりに鉄やフェライト等の耐熱性の強磁性材料で形成することもできる。そうすれば、真空チャンバーＳの外側に配置されたアーク安定化磁界発生器１ｅ及び／又は１ｆから印加される磁界により、陰極プロテクタ１ｂ自体も磁化されてプラズマに直接的に作用する。このことにより、発生プラズマ分布の調整が容易となる。
【００６１】
　陽極１ｃの形成材料は、プラズマの温度でも蒸発せず、非磁性の材料で導電性を有する固体なら特に限定されない。金属単体、合金、無機単体、無機化合物（金属酸化物・窒化物）等、特に問わず、それらは単独又は２種以上混合して使用することができる。前述の陰極に使用した材料を適宜選択して使用することができる。第１実施形態において、陽極１ｃはステンレス鋼、銅又は炭素材（黒鉛：グラファイト）等から形成され、この陽極１ｃは水冷式又は空冷式などの冷却機構を付設するが望ましい。
【００６２】
  また陽極１ｃの形状はアークプラズマの全体の進行を遮るものでなければ、特に限定されない。図例では、筒状体（円筒、角筒を問わない）であるが、コイル状、Ｕ字形、更には、上下・左右に一対平行に配置して形成してもよい。又は、上下左右のどこか１箇所、又は複数箇所に配置して形成してもよい。
【００６３】
　トリガ電極１ｄは、陰極１ａと陽極１ｃとの間に真空アークを誘起するための電極である。即ち、前記トリガ電極１ｄを一時的に陰極１ａの表面に接触させ、その後引き離すことで、この陰極１ａとトリガ電極１ｄとの間で、電気スパークを発生させる。電気スパークが発生すると、陰極１ａと陽極１ｃとの間の電気抵抗が減少し、陰極−陽極間に真空アークが発生する。トリガ電極１ｄの形成材料は、高融点金属である汎用のＭｏ（融点：２６１０℃）やＷ（融点：３３８７℃）等が用いられる。又、トリガ電極１ｄは炭素材、好ましくは、黒鉛（グラファイト）から形成される。
【００６４】
　アーク安定化磁界発生器１ｅ及び１ｆは、アーク放電部１における真空チャンバーＳの外周に配置され、真空アークの陰極点、及び、アーク放電により発生したプラズマを安定化させる。プラズマに対する印加磁界が互いに逆方向（カスプ形）となるようにアーク安定化磁界発生器１ｅ及び１ｆが配置された場合、プラズマはより安定する。プラズマの引き出し効率を優先する場合、又は陽極が陰極面に対向しプラズマの進行を妨げない位置に配置されている場合、印加磁界が互いに同方向（ミラー形）となるように配置することもできる。又、図１ではアーク安定化磁界発生器１ｅは真空チャンバーＳの外周に配置してあるが、真空チャンバーＳ端における陰極１ａの絶縁導入端子１ｈ近傍に配置することもできる。
【００６５】
　このカスプ形の印加磁界により、アーク陰極点の運動を制御するとともに、プラズマを放射方向に拡散（すなわち扁平円柱状）させることで陰極と陽極間の電流路を確保し、アーク放電を安定化させる。なお、この磁界発生器１ｅ及び１ｆとしては、通常、電磁石（電磁コイル）又は永久磁石を使用する。また、磁界発生器１ｆは、後述の第１プラズマ誘導磁界発生器１０と兼用してもよく、その場合、プラズマ誘導磁界発生器の数を少なくできる利点がある。
【００６６】
　そして、陰極１ａ、陽極１ｃ及びトリガ電極１ｄは、それぞれ、絶縁導入端子１ｈを介して外部のアーク電源１ｉと接続されている。アーク電源１ｉには、汎用の直流、パルス若しくは直流重畳パルス電源を使用する。尚、トリガ電極１ｄとアーク電源１ｉとの間には、通常、トリガ電極１ｄに流れる電流を制限（調整）するための制限用抵抗（１〜１０Ω）１ｍを挿入する。
【００６７】
　プラズマ加工部（処理部）６には、ガス導入を行わない場合もあるが、ガス導入システム（図示略）及びガス排出システム（図示略）を接続してもよい。これらのシステムとしては汎用のものを使用できる。ガス導入流量が一定に制御され、かつ排気流量を制御することにより容器全体の真空度（圧力）が一定に制御されるものとする。
【００６８】
　導入ガスは、アーク放電部１から導入してもよく、プラズマ加工部（処理部）６とアーク放電部１の両方から導入してもよい。プロセス部とプラズマ発生部の両方から導入する場合、ガスの種類が異なってもよい。そして、導入ガスとしては、反応性ガスを使用しない場合に、圧力を一定に保持するための希ガス（通常、Ａｒ、Ｈｅ）のほかに、反応性ガスを適宜使用する。
【００６９】
　この反応性ガスが、陰極材料等をソースとする蒸発粒子（プラズマ粒子）と反応して、複化合物膜を容易に形成できる。反応性ガスとしては、窒素（Ｎ２）、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）、炭化水素ガス（Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ４、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６等）、酸化炭素ガス（ＣＯ、ＣＯ２）の群から１種又は複数種を適宜に選択して使用できる。ここで、反応性を制御するために前記希ガスを混合して反応性ガスの濃度を調整してもよい。又、アルコールの蒸気、有機金属ガス、又は有機金属液体の蒸気等を反応性ガスとして用いることができる。
【００７０】
　
このプラズマ加工装置においては、上記した基本構成において、放出直後のプラズマＰをプラズマ加工部６へ磁界誘導により屈曲させて移動させる。これとともに、プラズマの発生時に陰極１ａから副生する陰極材料微粒子（ドロップレット）Ｄを、プラズマ加工部６と干渉しないドロップレット捕集部３に移動させて捕集堆積させるものである。
【００７１】
　陰極から発生するドロップレットは、電気的に中性であり、通常、磁界の影響を受けないため、直進移動するという特性を有する。この第１実施形態では、図１に示すように、主進行路２を、ドロップレットが進行するドロップレット進行路４とプラズマが進行する第１プラズマ進行路５とに略Ｔ字形に分岐している。
【００７２】
　更に、主進行路２の途中部にプラズマとドロップレットの進行を制限するための制限板７が内方に向けて設けられている。更に、この制限板７を通過したドロップレットをドロップレット捕集部３に向けて斜行壁８が設けられている。この斜行壁８は、ドロップレット進行路４の途中部に設けられ、しかも第１プラズマ進行路５を越えた位置に形成されている。
【００７３】
　即ち、この斜行壁８は、ドロップレット進行路４における第１プラズマ進行路５との分岐部分に、図１にて上向きでかつ斜め右向きに急傾斜した状態で設けられている。この斜行壁８における第１プラズマ進行路側の端部は、主進行路２における第１プラズマ進行路側右側端部より第１プラズマ進行路５側に入り込んだ箇所に位置している。
【００７４】
　更に、ドロップレット進行路４内において、斜行壁８に連続して反射板９が更に緩傾斜した状態で配置されている。しかも、この反射板９はドロップレット捕集部３の近傍に位置している。
【００７５】
　また、主進行路２の進行方向途中部の外側位置に、主進行路２内を進行するプラズマの進行を促進するための第１プラズマ誘導磁界発生器１０を備えた第１ガイド部１２が設けてある。また、直進するプラズマを第１プラズマ進行路５内へ屈曲させるために、傾斜配置された第２プラズマ誘導磁界発生部１１を備えた第２ガイド部１３が設けられている。更に、第１プラズマ進行路５の進行方向基端部の外側位置には、プラズマを第１プラズマ進行路５内に屈曲させ、プラズマ加工部６へ向けて移動させる第３プラズマ誘導磁界発生部１４が設けられている。
【００７６】
　この第３プラズマ誘導磁界発生部１４には、第１プラズマ進行路内においてプラズマが中央に位置するように制限するプラズマセンタリング絞り部１５が縮径して設けられている。このプラズマセンタリング絞り部１５は、単に幾何学的制限を加えるガイド板から構成することもでき、好ましくは、進行方向に向かって縮径する半円錐状ガイド板から構成される。また、この第３プラズマ誘導磁界発生部１４のプラズマ進行方向にも、第４プラズマ誘導磁界発生部１６が設けられている。
【００７７】
　一方、ドロップレット捕集部３は、ドロップレット進行路４の左側壁より若干左側に凹んだ状態で形成されている。
このドロップレット捕集部３内には、複数枚の緩衝板１７が捕集部開口面３ａに対して斜めに配置されている。ドロップレット捕集部３内に進入したドロップレットは、緩衝板１７に衝突反射することによってドロップレット捕集部３の底部に至るように構成されている。
（ｅ）「【００８４】
　図４は同装置におけるアーク放電部から進行するドロップレットが主進行路の側壁で１回も反射されずに進行する状態を示す説明図である。図４に示すように、この第１実施形態のプラズマ生成装置では、斜行壁８は、アーク放電部１から進行するドロップレットが、制限板７で制限された空間内で、主進行路２の側壁で１回も反射されずに直進衝突する位置に配置されている。従って、主進行路２の側壁で１回も反射されずに直進するドロップレットは、斜行壁８と反射板９のいずれかに衝突することとなる。
【００８５】
　このことによって、主進行路２の側壁で１回も反射されずに直進したドロップレットは、第１プラズマ進行路５内に入り込むことがない。したがって、第１プラズマ進行路５内ではプラズマだけが進行することとなり、被処理物Ｔはプラズマだけで加工処理することができ、ドロップレットが被処理物Ｔの表面に付着することがない。
【００８６】
　図５は同装置におけるアーク放電部から進行するドロップレットが主進行路の側壁で１回反射されて進行する状態を示す説明図である。図６に示すように、斜行壁８は、アーク放電部１から進行するドロップレットが、制限板７で制限された空間内で、主進行路２の側壁で１回反射されて直進衝突する位置に配置されている。
【００８７】
　従って、主進行路２及びドロップレット進行路４の側壁で１回反射されて直進するドロップレットは、この斜行壁８と反射板９のいずれかに衝突することとなる。このことによって、主進行路２及びドロップレット進行路４の側壁で１回反射されて直進したドロップレットは、第１プラズマ進行路５内に入り込むことがない。したがって、第１プラズマ進行路５内ではプラズマだけが進行することとなり、被処理物Ｔはプラズマだけで加工処理することができ、ドロップレットが被処理物Ｔの表面に付着することがない。
【００８８】
　図６は同装置におけるアーク放電部から進行するドロップレットが主進行路及びドロップレット進行路の側壁で２回反射されて進行する状態を示す説明図である。図６に示すように、斜行壁８は、アーク放電部１から進行するドロップレットが、制限板７で制限された空間内で、主進行路２の側壁で２回反射されて直進衝突する位置に配置されている。したがって、主進行路２及びドロップレット進行路４の側壁で２回反射されて直進するドロップレットは、この斜行壁８と反射板９のいずれかに衝突することとなる。
【００８９】
　従って、主進行路２及びドロップレット進行路４の側壁で２回反射されて直進するドロップレットは、第１プラズマ進行路５内に入り込むことがない。図４〜図６から分かるように、進行路の側壁で無反射、１回反射又は２回反射するドロップレットは斜行壁８又は反射板９に衝突してドロップレット捕集部３に確実に回収される。３回以上反射するドロップレットは統計学的にほとんど存在しないから、ドロップレットが第１プラズマ進行路に混入することはない。従って、第１プラズマ進行路５内ではプラズマだけが進行することとなり、被処理物Ｔはプラズマだけで加工処理することができ、ドロップレットが被処理物Ｔの表面に付着することがない。」
（ｆ）「【００９５】
　
図８は第３実施形態のプラズマ生成装置の内部構造を示す断面構成図である。尚、上記した第１実施例と同一部材、同一箇所には同一符号を付して、その説明を省略する。
【００９６】
　
図８に示すように、この第３実施形態のプラズマ生成装置は、アーク放電部から連なる主進行路２が、ドロップレット進行路４と第１プラズマ進行路５とに略Ｔ字形に分岐されている。更に、第１プラズマ進行路５から主進行路２の反対側に向けて９０度屈曲して第２プラズマ進行路１９が延設され、この第２プラズマ進行路１９の分岐部に補助ドロップレット捕集部２０が設けられている。
【００９７】
　更に、この第１プラズマ進行路５の外側には、第５プラズマ誘導磁界発生部２１が設けられている。尚、第３プラズマ誘導磁界発生部１４と第４プラズマ誘導磁界発生部１６とは、第２プラズマ進行路１９側に設けられている。
【００９８】
　
この第３実施形態によれば、第１プラズマ進行路５から屈曲して延設された第２プラズマ進行路１９にプラズマが進行される。このとき、もし第１プラズマ進行路５に進行してくる残存ドロップレットがあれば、このドロップレットを補助ドロップレット捕集部２０に捕集することができる。このことにより、更に一層、ドロップレットが第２プラズマ進行路１９に進行することを防ぐことができる。
　
（ｇ）「【図１】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項（ｆ）の「補助ドロップレット捕集部２０」について、その構造は、上記記載事項（ｄ）の段落【００７７】に記載された「ドロップレット捕集部３」と同じであり、また、その配置は、上記記載事項（ｇ）の【図８】から、第１プラズマ進行路５の左側壁より若干左側に凹んだ状態で形成されていることが明らかであるから、「補助ドロップレット捕集部２０」は、第１プラズマ進行路５の左側壁より若干左側に凹んだ状態で形成されていて、この補助ドロップレット捕集部２０内には、複数枚の緩衝板１７が捕集部開口面に対して斜めに配置されており、補助ドロップレット捕集部２０内に進入したドロップレットは、緩衝板１７に衝突反射することによって補助ドロップレット捕集部２０の底部に至るように構成されていると認められる。
　また、上記記載事項（ｃ）の段落【００４４】の「前記ドロップレット捕集部及び／又は前記補助ドロップレット捕集部に複数の緩衝板を付設することにより、前記ドロップレットをその飛行速度が失われるまで繰返し衝突反射させることができる。従って、飛行速度を失うまでドロップレットを衝突反射させることで、ドロップレットをドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積させることができる。従って、一旦、ドロップレット捕集部に入射したドロップレットは確実に捕集され、プラズマ進行路へ進行するプラズマの純度をより一層高く保持することができる。」という記載から、上記「補助ドロップレット捕集部２０内に進入したドロップレットは、緩衝板１７に衝突反射することによって補助ドロップレット捕集部２０の底部に至」った際、ドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積されることにより、ドロップレット捕集部に入射したドロップレットは確実に捕集されると認められる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「真空雰囲気下に設定されたアーク放電部１で真空アーク放電を行ってプラズマを発生させ、プラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料粒子（以下、「ドロップレット」という）をドロップレット捕集部３に補集するようにしたプラズマ生成装置であって、
　このプラズマ生成装置は、基本的に、真空チャンバーＳ内に形成されるアーク放電部１、このアーク放電部１で発生したプラズマとドロップレットが混合状態で進行する主進行路２を有し、更に、ドロップレットがドロップレット捕集部３に向けて進行するドロップレット進行路４、湾曲磁界によりドロップレットが分離されたプラズマが進行する第１プラズマ進行路５を有し、
　アーク放電部１から連なる主進行路２は、ドロップレット進行路４と第１プラズマ進行路５とに略Ｔ字形に分岐されていて、更に、第１プラズマ進行路５から主進行路２の反対側に向けて９０度屈曲して第２プラズマ進行路１９が延設され、この第２プラズマ進行路１９の分岐部に補助ドロップレット捕集部２０が設けられており、
　更に、第２プラズマ進行路１９を前進するプラズマにより被処理物Ｔの表面処理加工を行うプラズマ加工部６を有するものであり、
　補助ドロップレット捕集部２０は、第１プラズマ進行路５の左側壁より若干左側に凹んだ状態で形成されていて、この補助ドロップレット捕集部２０内には、複数枚の緩衝板１７が捕集部開口面に対して斜めに配置されており、補助ドロップレット捕集部２０内に進入したドロップレットが、緩衝板１７に衝突反射することによって補助ドロップレット捕集部２０の底部に至った際、ドロップレットをドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積されることにより、ドロップレット捕集部に入射したドロップレットが確実に捕集されるように構成されており、
　このプラズマ生成装置においては、上記した基本構成において、放出直後のプラズマＰをプラズマ加工部６へ磁界誘導により屈曲させて移動させるとともに、プラズマの発生時に陰極１ａから副生するドロップレットを、プラズマ加工部６と干渉しないドロップレット捕集部３に移動させて捕集堆積させ、さらに、第１プラズマ進行路５から屈曲して延設された第２プラズマ進行路１９にプラズマが進行されるとき、もし第１プラズマ進行路５に進行してくる残存ドロップレットがあれば、このドロップレットを補助ドロップレット捕集部２０に捕集することができ、このことにより、更に一層、ドロップレットが第２プラズマ進行路１９に進行することを防ぐことができる、
プラズマ生成装置。」
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「真空雰囲気下に設定されたアーク放電部１」及び「プラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料粒子（以下、「ドロップレット」という）」が、それぞれ、本願発明の「遠隔プラズマ源」及び「粒子」に相当し、また、引用発明は、「ドロップレット」を「ドロップレット捕集部３に補集する」ものであるから、引用発明の「真空雰囲気下に設定されたアーク放電部１で真空アーク放電を行ってプラズマを発生させ、プラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料粒子（以下、「ドロップレット」という）をドロップレット捕集部３に補集するようにしたプラズマ生成装置」は、本願発明の「遠隔プラズマ源用粒子捕獲器」を含むものである。
（ｂ）引用発明の「真空チャンバーＳ内に形成されるアーク放電部１」という記載から、「アーク放電部１」は「真空チャンバーＳ内に形成され」、この「真空チャンバーＳ」のうちの「アーク放電部１」が形成された部分が、本願発明の「遠隔プラズマ源のチェンバ」に相当する。
　すると、引用発明の「このアーク放電部１で発生したプラズマとドロップレットが混合状態で進行する主進行路２」及び「アーク放電部１から連なる主進行路２」という記載から、「アーク放電部１」と「主進行路２」の境界部分が、本願発明の「遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口」に相当する。
　また、引用発明の「プラズマ加工部６」も「真空チャンバーＳ」内に形成されることは自明であるから、この「真空チャンバーＳ」のうちの「プラズマ加工部６」が形成された部分が、本願発明の「プロセス・チェンバ」に相当する。
　すると、引用発明の「第２プラズマ進行路１９を前進するプラズマにより被処理物Ｔの表面処理加工を行うプラズマ加工部６」という記載から、引用発明の「第２プラズマ進行路１９」と「プラズマ加工部６」の境界部分が、本願発明の「プロセス・チェンバの入口に結合するための出口」に相当する。
　また、引用発明の「アーク放電部１」と「プラズマ加工部６」との間の「主進行路２」、「ドロップレット捕集部３」、「ドロップレット進行路４」、「第１プラズマ進行路５」、「第２プラズマ進行路１９」及び「補助ドロップレット捕集部２０」も「真空チャンバーＳ」内に形成されることは自明であるから、「真空チャンバーＳ」のうちの「アーク放電部１」と「プラズマ加工部６」との間の部分が、本願発明の「本体構造」に相当する。
　よって、引用発明の「真空チャンバーＳ」は、本願発明の「遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造」を含むものである。
（ｃ）上述のとおり、引用発明の「主進行路２」、「ドロップレット進行路４」、「第１プラズマ進行路５」及び「第２プラズマ進行路１９」も「真空チャンバーＳ」内に形成されることは自明である。
　すると、引用発明の「このアーク放電部１で発生したプラズマとドロップレットが混合状態で進行する主進行路２」、「ドロップレットがドロップレット捕集部３に向けて進行するドロップレット進行路４」、「湾曲磁界によりドロップレットが分離されたプラズマが進行する第１プラズマ進行路５」及び「第２プラズマ進行路１９を前進するプラズマ」という記載から、「主進行路２」、「ドロップレット進行路４」、「第１プラズマ進行路５」及び「第２プラズマ進行路１９」は、「プラズマ」や「ドロップレット」が流れる径路を形成するものであることは明らかである。
　よって、引用発明の
「このアーク放電部１で発生したプラズマとドロップレットが混合状態で進行する主進行路２を有し、更に、ドロップレットがドロップレット捕集部３に向けて進行するドロップレット進行路４、湾曲磁界によりドロップレットが分離されたプラズマが進行する第１プラズマ進行路５を有し、
　アーク放電部１から連なる主進行路２は、ドロップレット進行路４と第１プラズマ進行路５とに略Ｔ字形に分岐されていて、更に、第１プラズマ進行路５から主進行路２の反対側に向けて９０度屈曲して第２プラズマ進行路１９が延設され、この第２プラズマ進行路１９の分岐部に補助ドロップレット捕集部２０が設けられて」いる構成は、本願発明の
「前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め」る「ガス・チャネルと、を備えて」いる構成に相当する。
（ｄ）引用発明の「主進行路２」及び「第１プラズマ進行路５」が、それぞれ、本願発明の「第１の部分」及び「第２の部分」に相当する。
　また、上述のとおり、「補助ドロップレット捕集部２０」も「真空チャンバーＳ」内に形成されることは自明であり、「補助ドロップレット捕集部２０は、第１プラズマ進行路５の左側壁より若干左側に凹んだ状態で形成されてい」るから、引用発明の「補助ドロップレット捕集部２０内に」「捕集部開口面に対して斜めに配置され」た「複数枚の緩衝板１７」及び「補助ドロップレット捕集部２０の底部」は、本願発明の「前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁」に相当する。
　また、引用発明において、「補助ドロップレット捕集部２０内に進入したドロップレットは、緩衝板１７に衝突反射する」ときに、「ドロップレット」が「緩衝板１７」の表面にある角度で衝突することは当然であり、また、「ドロップレット」が「補助ドロップレット捕集部２０の底部に至」ったときに、「ドロップレット」が「補助ドロップレット捕集部２０の底部」の表面にある角度で衝突することも自明である。
　また、引用発明では、「補助ドロップレット捕集部２０は、」「ドロップレットをドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積されることにより、ドロップレット捕集部に入射したドロップレットが確実に捕集されるように構成されて」いることから、「ドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板」が「ドロップレット」を付着又は堆積させる付着係数を有する材料で形成されていることは当然のことといえる。
　すると、引用発明の
「補助ドロップレット捕集部２０は、第１プラズマ進行路５の左側壁より若干左側に凹んだ状態で形成されていて、この補助ドロップレット捕集部２０内には、複数枚の緩衝板１７が捕集部開口面に対して斜めに配置されており、補助ドロップレット捕集部２０内に進入したドロップレットは、緩衝板１７に衝突反射することによって補助ドロップレット捕集部２０の底部に至った際、ドロップレットをドロップレット捕集部の底部、側壁又は緩衝板に確実に付着又は堆積されることにより、ドロップレット捕集部に入射したドロップレットが確実に捕集されるように構成されており、
　このプラズマ生成装置においては、上記した基本構成において、放出直後のプラズマＰをプラズマ加工部６へ磁界誘導により屈曲させて移動させるとともに、プラズマの発生時に陰極１ａから副生するドロップレットを、プラズマ加工部６と干渉しないドロップレット捕集部３に移動させて捕集堆積させ、さらに、第１プラズマ進行路５から屈曲して延設された第２プラズマ進行路１９にプラズマが進行されるとき、もし第１プラズマ進行路５に進行してくる残存ドロップレットがあれば、このドロップレットを補助ドロップレット捕集部２０に捕集することができ」る構成は、本願発明の
「前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させ」、「前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている」構成に相当する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
　遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
　前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。」
で一致し、相違点はない。
　
４．判断
　したがって、本願発明は引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって結論のとおり審決する。