【事件の表示】
　特願２０１０−　３１６０２「集束イオンビーム装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月　１日出願公開、特開２０１１−１７１００８、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２２年２月１６日の出願であって、平成２５年１２月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月２４日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年６月３０日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年９月８日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、平成２７年２月２０日付けで平成２６年９月８日付けの手続補正について却下の決定がなされるとともに同日付けで拒絶査定（以下「原査定」という）がなされた。
　これに対し、同年５月２５日に該拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに同時に手続補正がなされ、当審において平成２８年３月８日付けで平成２７年５月２５日付けの手続補正について却下の決定がなされるとともに同日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という）が通知され、同年５月１３日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２８年５月１３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「針状のチップと、
　前記チップにガスを供給するガス供給部と、
　前記チップとの間で電圧を印加し、前記チップ表面に吸着した前記ガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極と、
　前記イオンを試料に向けて加速させるカソード電極と、
を有する電界電離型イオン銃部と、
　前記電界電離型イオン銃部から複数の方向に放出されたイオンビームのうち一つの方向に放出されたイオンビームのみを通過させる開口部及び当該開口部の径よりも大きい径を有する開口部を有する第二のアパーチャと、
　前記第二のアパーチャよりも前記試料側に配置され、前記試料に前記イオンビームを集束させるレンズ系と、を有し、
　前記レンズ系は、前記イオンビームを最初に集束させる集束レンズ電極と、対物レンズ電極と、前記集束レンズ電極と前記対物レンズ電極との間に配置された第一のアパーチャと、を有することを特徴とする集束イオンビーム装置。」
第３　原査定の理由について
１．原査定の理由の概要は、以下のとおりである。
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１−３，６
　引用文献１−４
備考：
　引用文献１には、電界電離型のガスイオン源装置を備え、当該イオン源装置の水平方向の位置及び傾き角を変化させることで軸合わせを行う集束イオンビーム装置の発明が記載されている。
　引用文献２（特に、【０１７８】−【０１８２】，図１４−図１６を参照。）には、複数の開口部を有する絞りを備え、軸合わせの際に所定の大きさの開口部を選択するヘリウムイオン顕微鏡システムの発明が記載されている。
　例えば、引用文献３（特に、【００１８】，図２を参照。）にも記載されているとおり、複数の絞り穴を有する絞り板によりビーム電流を検出する技術は本願出願前に当業者に周知の技術である。
　また、例えば、引用文献４にも記載されているとおり、引出電極及び加速電極を備えた電界電離型ガスフェーズイオン源は本願出願前に当業者に周知の技術である。
　上述したとおり、複数の絞り穴を有する絞り板によりビーム電流を検出する技術は本願出願前に当業者に周知の技術であることを踏まえれば、引用文献１に記載された発明において、引用文献２に記載された発明の構成を一部採用し、ビーム電流検出用アパーチャとして、複数の開口部を有する絞りを用いる構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、請求項１−３，６に係る発明は、引用文献１−２に記載された発明、複数の絞り穴を有する絞り板によりビーム電流を検出する周知の技術、及び、引出電極及び加速電極を備えた電界電離型ガスフェーズイオン源の周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明し得たものである。
・請求項４−５
　引用文献１−５
備考：
　引用文献５には、電子源駆動部により電子源の水平方向の位置を調整し、コンデンサレンズよりも電子源側に配置されたダブルデフレクタにより電子ビームの傾きの調整することで軸合わせを行う電子線装置の発明が記載されている。
　請求項４−５に係る発明は、引用文献１−２，５に記載された発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明し得たものである。　
　　　　　　　　　最後の拒絶理由通知とする理由
　この拒絶理由通知は、最初の拒絶理由通知に対する応答時の補正によって通知することが必要になった拒絶理由のみを通知するものである。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開平４−１９６４０７号公報
２.特表２００９−５１７８４０号公報
３.特開２００４−９５４５９号公報
４.特開平７−２７２６５２号公報
５.特開平７−３３５１５８号公報
２．原査定の理由の判断
（１）引用文献の記載事項、引用発明
ア　原査定の拒絶の理由に用いられた特開平４−１９６４０７号公報（「以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。）。
（ア）「たとえば、第２図は集束イオンビーム装置の例を示す模式図である。
　図中、１はガスイオン源装置でイオン源ガス導入口１２によりイオン源ガスが供給される。
　１００は集束力ラムで概略下記のごとき構成のものである。すなわち、３は真空排気に耐えるチャンバで、排気口５からこゝには図示してない排気装置により真空排気されるようになっている。１０１はマイクロチャンネルプレート付き蛍光スクリーンで、前記ガスイオン源装置１から射出されるイオンビームの位置を観察するための蛍光スクリーンである。１０２はミラーで前記マイクロチャンネルプレート付き蛍光スクリーン１０１に照射されたイオンビームの輝点を反射してビューポート４を通してイオンビーム位置を観察し位置調整などを行なえるようにするためのものである。１０３はイオンビームを集束するための静電レンズ、１０４はイオンビームを一時的にずらして試料２に照射されないようにするブランキング、１０５はアパーチャ、１０６は再度イオンビームを集束するための静電レンズ、１０７はイオンビーム偏向器で前記の経路で集束されたイオンビームを試料２の所定の位置に正確に照射し，たとえば、その部分のエッチングを行えるようにするためのものである。６は移動ステージで試料２を載置して所望の照射エリヤに試料２を移動できるようにしている。」（第２頁左上欄第１１行〜右上欄第１７行）
（イ）「〔実施例〕
　第１図は本発明の実施例方法を説明する図である。
　なお、図中に示した符号は前記の諸図面で説明したものと同等の部分については同一符号を付してあり、同等部分についての説明は重複を避け省略する。
　エミッタ１１として，たとえば、＜１１１＞方向の軸を有する太さが０．２〜０．３ｍｍφ，長さ６ｍｍのタングステン線の先端部を曲率半径が２０〜数１００ｎｍの尖頭部をなすように加工して用いる。
　先ず、
第１段階として
エミッタ１１を引き出し電極１９に対して負電位にしてエミッタ先端から電子を引き出す。
ビーム電流検出用アパーチャ１０８に流れる電流を電流計１１０で検出し、その電流値が最大になったところでガスイオン源装置１の水平方向の位置を決定する。
　次に、
第２段階として
ヘリウムガスをイオン源ガス導入口１２から導入しエミッタ１１が引き出し電極１９に対して正電位になるように，すなわち、ビーム引き出し用電源１８の極性を反転させて、エミッタ先端からイオンを引き出す。
ビーム電流検出用アパーチャ１０８に流れる電流を電流計１１０で検出し、その電流値が最大になったところでガスイオン源装置１の傾き角の調整を終えれば、本発明の集束イオンビーム装置の軸合わせが完了する。
　このように軸合わせされた集束イオンビーム装置ではイオンビームが集束カラム１００のレンズ系に対して斜めに入射するようなことがないので、収差を小さくすることができ，したがって、、従来はイオンビームを数μｍ程度にしか集束できなかったのに比較して、０．１μｍ以下の微小径イオンビームに集束することが可能となる。」（第３頁左下欄第１６行〜第４頁右上欄第６行）
（ウ）第１図
（エ）第２図
（オ）第３図
（カ）第１、２図で用いられている同一の符号が同一の部材を示すことは明らかであるので、上記（ア）、（ウ）、（エ）より、第１図に示された引用文献１の集束イオンビーム装置は、ビーム電流検出用アパーチャ１０８の試料側に配置された、静電レンズ１０３と、静電レンズ１０６と、前記静電レンズ１０３と、前記静電レンズ１０６との間に配置されたアパーチャ１０５と、を有するといえる。
　上記（ア）〜（カ）より、引用文献１には、
「第１段階として、エミッタ１１を引き出し電極１９に対して負電位にしてエミッタ先端から電子を引き出し、ビーム電流検出用アパーチャ１０８に流れる電流を電流計１１０で検出し、その電流値が最大になったところでガスイオン源装置１の水平方向の位置を決定し、
　第２段階として、ヘリウムガスをイオン源ガス導入口１２から導入しエミッタ１１が引き出し電極１９に対して正電位になるように、すなわち、ビーム引き出し用電源１８の極性を反転させて、エミッタ先端からイオンを引き出し、ビーム電流検出用アパーチャ１０８に流れる電流を電流計１１０で検出し、その電流値が最大になったところでガスイオン源装置１の傾き角の調整を終え、
　ビーム電流検出用アパーチャ１０８の試料側に配置された、静電レンズ１０３と、静電レンズ１０６と、前記静電レンズ１０３と、前記静電レンズ１０６との間に配置されたアパーチャ１０５と、を有する集束イオンビーム装置。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
イ　原査定の拒絶の理由に用いられた特表２００９−５１７８４０号公報（「以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。）。
（ア）「【０１７８】
　絞り２２４は、イオンビーム１９２に対して、イオンビーム１９２中のイオンの一部がそれを通過するように位置している。一般に、絞り２２４は、印加電位を有していない。一部の実施態様においては、ｘ方向に測定される絞り２２４中の開口部２２５の幅ｗが、1μm以上（例えば、2μm以上、5μm以上、10μm以上、15μm以上、20μm以上、25μm以上、30μm以上）及び／又は100μm以下（例えば、90μm以下、80μm以下、70μm以下、60μm以下、50μm以下）である。特定の実施態様においては、例えば、ｗが1μm〜100μm（例えば、5μm〜90μm、15μm〜50μm、20μm〜50μm）である。一部の実施態様においては、ｙ方向に測定される絞り２２４中の開口部２２５の幅が1μm以上（例えば、2μm以上、5μm以上、10μm以上、15μm以上、20μm以上、25μm以上、30μm以上）及び／又は100μm以下（例えば、90μm以下、80μm以下、70μm以下、60μm以下、50μm以下）である。特定の実施態様においては、例えば、ｗが1μm〜100μm（例えば、5μm〜90μm、15μm〜50μm、20μm〜50μm）である。
　【０１７９】
　絞り２２４は、絞り取付け部２３４上に位置している。絞り取付け部２３４は、電子制御システム１７０から受信する信号を制御することによって、ｘ−ｙ平面における絞り２２４の平行移動を可能にする。また、一部の実施態様において、絞り取付け部２３４は、イオン光学機器１３０の長手方向軸１３２に沿ってｚ方向における絞り２２４の平行移動を可能にする。更に、特定の実施態様において、絞り取付け部２３４は、ｘ−ｙ平面に対して絞り２２４の傾斜を可能にする。絞り２２４を傾けることを利用し、絞り２２４の長手方向軸をイオン光学機器１３０の長手方向軸１３２と軸合わせすることができる。
　【０１８０】
　一部の実施態様において、
絞り２２４は、異なる幅ｗを有する複数の開口部を含むことができる。
　【０１８１】
　図１６は、絞り２２４ｂを貫通する複数の開口部２２９ａ〜２２９ｅを含む棒状絞り２２４ｂの（ｚ方向に沿った）上面図である。絞り２２４ｂ内の開口部を選択することで、絞りの大きさを選択することができる。この選択は、絞り２２４ｂを矢印２２１と平行な方向に移動させ、開口部２２９ａ〜２２９ｅの一つをイオンビーム１９２と軸合わせすることによって行われる。
　【０１８２】
　一般に、開口部２２５ａ〜２２５ｇ及び２２９ａ〜２２９ｅは、所望のとおりに選択できる直径を有している。一部の実施態様においては、例えば、開口部のいずれかの直径が5μm以上（例えば、10μm以上、25μm以上、50μm以上）及び／又は200μm以下（例えば、150μm以下、100μm以下）とすることができる。特定の実施態様においては、開口部２２５ａ〜２２５ｇ及び／又は２２９ａ〜２２９ｅの直径が5μm〜200μm（例えば、5μm〜150μm、5μm〜100μm）とすることができる。」
（イ）図１５
（ウ）図１６
ウ　原査定の拒絶の理由に用いられた特開２００４−９５４５９号公報（「以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。）。
（ア）「【００１８】
図２は絞り板の概略図であり、図２（ａ）は概略断面図、図２（ｂ）は概略上面図である。
絞り板６には所定の間隔で複数の絞り穴６ａ〜６ｄが設けられており、またグラウンドとの間に電流計１９が設置されている。
（イ）図２
エ　原査定の拒絶の理由に用いられた特開平７−２７２６５２号公報（「以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。）。
（ア）「【０００５】このような現象のため、電界電離型ガスフェーズイオン源を用いたイオンビーム加工装置などでは、図１に示すような構成によりエミッタの調整と引出電圧の設定を行っている。図中１はタングステンで形成されたエミッタである。このエミッタ１に接近して引出電極２が設けられている。エミッタ１と引出電極２との間には引出電圧電源３から引出電圧が印加される。
４は接地電位の加速電極であり、加速電極４とエミッタ１との間には加速電源５から加速電圧が印加される。
【０００６】イオン源から発生したイオンビームは、集束レンズ７、対物レンズ８によって集束され、被加工材料９上に細く集束されて照射される。被加工材料９に照射されるイオンビームは、偏向器１０によって任意に偏向され、その結果、被加工材料には所望パターンのイオンビームによる加工が実行されることになる。」
（イ）
オ　原査定の拒絶の理由に用いられた特開平７−３３５１５８号公報（「以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。）。
（ア）「【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図を参照しながら詳細に説明する。
（本発明の電子線光軸合わせ装置の実施例１の構成）以下、本発明の電子線光軸合わせ装置を電子線マイクロアナライザを例として説明する。図１は、本発明の電子線光軸合わせ装置の実施例１の構成図である。図１において、本発明の電子線光軸合わせ装置を有する電子線マイクロアナライザ１は、電子源１１から出射された電子ビーム５を試料に照射して試料の表面分析を行う装置であり、本発明の電子線光軸合わせ装置は電子ビーム５を出射する電子源１１と、電子ビーム５の進行方向を変更するダブルデフレクタ１２と、電子ビーム５の軸方向に対置された２つのアパーチャ（上部アパーチャ１４，及び下部アパーチャ１５）を備えたコンデンサレンズ１３と、分析室１７内に設置されるとともに前記コンデンサレンズ１３のアパーチャを通過した電子ビーム５を試料上に合焦させる対物レンズ１６とを備えている。
この内、電子源１１とダブルデフレクタ１２とコンデンサレンズ１３は鏡筒１０内に設置されて、分析室１７に対して相対的な移動が可能なように構成されている。
（イ）図１
（２）対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、
「針状のチップと、
　前記チップにガスを供給するガス供給部と、
　前記チップとの間で電圧を印加し、前記チップ表面に吸着した前記ガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極と、
を有する電界電離型イオン銃部と、
　前記電界電離型イオン銃部から放出されたイオンビームを通過させる開口部を有する第二のアパーチャと、
　前記第二のアパーチャよりも前記試料側に配置され、前記試料に前記イオンビームを集束させるレンズ系と、を有し、
　前記レンズ系は、前記イオンビームを最初に集束させる集束レンズ電極と、対物レンズ電極と、前記集束レンズ電極と前記対物レンズ電極との間に配置された第一のアパーチャと、を有することを特徴とする集束イオンビーム装置。」の点で一致している。
　他方、本願発明と引用発明１は、以下の相違点１、２で相違する。
＜相違点１＞本願発明が、「前記イオンを試料に向けて加速させるカソード電極」を有するのに対して、引用発明１では、カソード電極を有することは明らかでない点。
＜相違点２＞「第二のアパーチャ」が、本願発明では、「前記電界電離型イオン銃部から複数の方向に放出されたイオンビームのうち一つの方向に放出されたイオンビームのみを通過させる開口部及び当該開口部の径よりも大きい径を有する開口部を有する」のに対して、引用発明１の「ビーム電流検出用アパーチャ１０８」は、そのような構成でない点。
（３）判断
　事案に鑑み、上記相違点２について検討する。
　引用発明１においては、「ビーム電流検出用アパーチャ１０８に流れる電流」の「電流値が最大になったところでガスイオン源装置１の傾き角の調整を終え」るものであるから、引用発明１において、「ビーム電流検出用アパーチャ１０８」を複数の開口を有するようにする動機付けがない。
　してみると、複数の開口を有するアパーチャを設けることが引用文献２、３に記載されているように周知技術であるとしても、引用発明１の「ビーム電流検出用アパーチャ１０８」を上記相違点２にかかる構成とすることは、当業者といえども、容易に想到し得たものとすることはできない。
　さらに、引用文献４、５にも、上記相違点にかかる構成についての記載はない。
（４）小括
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明１及び引用文献２〜５に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願の請求項２〜５に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、当業者が引用発明１及び引用文献２〜５に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、原査定の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１．当審拒絶理由の概要
理由１（新規性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
理由２（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　本願発明１及び２は、引用文献Ａ記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。 
　また、本願発明３ないし６は、引用文献Ａ記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
引用文献Ａ：特開２００９−２６５３５２号公報
２．当審拒絶理由の判断
（１）引用文献の記載事項、引用発明
ア　当審の拒絶の理由に用いられた特表２００９−５１７８４０号公報（「以下「引用文献Ａ」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付与した。）。
（ア）「【００８０】
　図１は、
気体源１１０と、気体電界イオン源１２０と、イオン光学機器１３０と、試料マニピュレータ１４０と、前面検出器１５０と、裏面検出器１６０と、通信回線１７２ａ〜１７２ｆを経由して気体電界イオン顕微鏡システム１００の各種要素と電気的に接続される電子制御システム１７０（例えば、コンピュータ等の電子処理装置）とを含む気体電界顕微鏡システム１００
イオンビーム１９２は、イオン光学機器１３０を通して試料１８０の表面１８１に向けられ、
【００８１】
　一般に、システム１００を排気することで、該システムにおける望ましくない特定の化学種の存在を低減することが好ましい。一般に、システム１００の異なる要素は、異なるバックグランド圧力で維持される。例えば、約10-10Torrの圧力で気体電界イオン源１２０を維持することができる。気体電界イオン源１２０中に気体を導入する場合には、バックグランド圧力が約10-5Torrに上昇する。イオン光学機器１３０は、気体電界イオン源１２０中への気体の導入に先立って、約10-8Torrのバックグランド圧力で維持されている。気体を導入する場合には、一般に、イオン光学機器１３０中のバックグランド圧力を約10-7Torrに増大させる。試料１８０は、一般に約10-6Torrのバックグランド圧力で維持される室内に位置している。この圧力は、気体電界イオン源１２０中の気体の存在又は不在によって、ほとんど変化しない。
【００８２】
　図２に示すとおり、気体源１１０は、気体電界イオン源１２０に一種以上の気体１８２を供給するように構成される。以下、詳細に説明されるように、気体源１１０は、種々の純度、流量、圧力及び温度で一種又は複数種の気体を供給するように構成できる。一般に、気体源１１０により供給される気体の少なくとも一種は希ガス（ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ））であり、該希ガスのイオンがイオンビーム１９２中の主成分であることが好ましい。一般に、試料１８０の表面１８１で測定すると、システム１００中の希ガスの圧力が大きくなるので、イオンビーム１９２中のイオンの電流は単調に増大する。特定の実施態様において、この関係は、一定範囲の希ガス圧力について、電流は一般に気体圧力に比例して増加するという指数法則によって説明できる。作業時に、希ガスの圧力は、一般に、先端頂部（以下の記載を参照）の近傍で10-2Torr以下（例えば、10-3Torr以下、10-4Torr以下）及び／又は10-7Torr以上（例えば、10-6Torr以上、10-5Torr以上）である。一般に、比較的高純度の気体を使用することが好ましい（例えば、システム内の望ましくない化学種の存在を低減させる）。一例としてＨｅを用いる場合、Ｈｅは少なくとも純度99.99％（例えば、純度99.995％、純度99.999％、純度99.9995％、純度99.9999％）とすることができる。同様に、他の希ガスを用いる場合（Ｎｅガス、Ａｒガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス）、気体の純度は高純度の商業グレードであることが好ましい。
【００８３】
　気体源１１０は、一種又は複数種の希ガスに加えて、任意に一種以上の気体を供給することができる。以下、詳細に述べるように、かかる気体の一例は窒素である。一般に、一種又は複数種の追加気体は、一種又は複数種の希ガス中における不純物のレベルを超えたレベルで存在することができるが、一種又は複数種の追加気体は、依然として気体源１１０により導入される気体混合物全体の少数成分を構成する。一例としてＨｅガス及びＮｅガスが気体源１１０によって気体電界イオン源中に導入される実施態様では、気体混合物は全体でＮｅ20％以下（例えば、15％以下、12％以下）及び／又はＮｅ1％以上（例えば、3％以上、8％以上）を含むことができる。例えば、気体源１１０によりＨｅガス及びＮｅガスを導入する実施態様においては、気体混合物は全体でＮｅ5％〜15％（例えば、8％〜12％、9％〜11％）を含むことができる。他の例として気体源１００によりＨｅガス及び窒素ガスを導入する実施態様においては、気体混合物は全体で窒素1％以下（例えば、0.5％以下、0.1％以下）及び／又は窒素0.01％以上（例えば、0.05％以上）を含むことができる。例えば、気体源１１０によりＨｅガス及び窒素ガスを導入する実施態様においては、気体混合物は全体で窒素0.01％〜1％（例えば、0.05％〜0.5％、0.08〜0.12％）を含むことができる。一部の実施態様においては、システム１００に入れる前に、（例えば、気体を混合した後、その混合物を単一の注入口を通してシステム１００に送出する気体マニホールドの使用によって）一種又は複数種の追加気体を一種又は複数種の希ガスと混合する。特定の実施態様においては、システム１００に入れる前に、一種又は複数種の追加気体を一種又は複数種の希ガスと混合しない（例えば、分離注入口は、システム１００中に各気体を注入するために使用されるが、それらの分離注入口は、気体電界イオン源１２０中のいずれかの元素と相互作用する前に気体が混合されるよう十分に近接している）。
【００８４】
　気体電界イオン源１２０は、気体源１１０から一種以上の気体１８２を受け取り、一種又は複数種の気体１８２から気体イオンを発生するように構成される。気体電界イオン源１２０は、先端頂部１８７を有する導電性先端１８６と、抽出部１９０と、任意にサプレッサとを含む。一般に、先端頂部１８７から試料１８０の表面１８１（図２において図示せず）までの距離は、5cm以上（例えば、10cm以上、15cm以上、20cm以上、25cm以上）及び／又は100cm以下（例えば、80cm以下、60cm以下、50cm以下）である。例えば、一部の実施態様においては、先端頂部１８７から試料１８０の表面１８１までの距離は、5cm〜100cm（例えば、25cm〜75cm、40cm〜60cm、45cm〜55cm）である。
【００８５】
　導電性先端１８６を各種物質で形成することができる。一部の実施態様においては、先端１８６が金属（例えば、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｈ）、ニオブ（Ｎｂ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ））で形成される。特定の実施態様においては、導電性先端１８６を合金で形成することができる。一部の実施態様においては、導電性先端１８６を異なる物質（例えば、炭素（Ｃ））で形成することができる。
【００８６】
　使用時には、先端１８６は抽出部に対して正にバイアスされ（例えば、約20kV）、抽出部１９０は外部接地部に対して負又は正にバイアスされ（例えば、-20kV〜+50kV）、任意のサプレッサ１８８は先端１８６に対して正又は負にバイアスされる（例えば、-5kV〜+5kV）。先端１８６は導電性物質で形成されるので、先端頂部１８７での先端１８６の電場は先端頂部１８７の表面から外側を向く。先端１８６の形状によって、その電場は先端頂
部１８７の近傍で最も強い。先端１８６の電場の強さは、例えば、先端１８６に印加した正の電圧を変化させることによって調整できる。この構成の場合、
気体源１１０によって供給されるイオン化していない気体原子１８２はイオン化され、先端頂部１８７の近傍において正に帯電したイオンになる。正に帯電したイオンは、イオンビーム１９２として正に帯電したイオンを先端１８６からイオン光学機器１３０中に向けるように、正に帯電した先端１８６によって同時に弾き出され、負に帯電した抽出部１９０により引き付けられる。
（イ）「【０１７２】
Ｃ．イオン光学機器
　図１４を参照すると、イオンビーム１９２は、気体電界イオン源１２０から入口開口部１３３を通ってイオン光学機器１３０に入る。最初、
イオンビーム１９２は第一レンズ２１６を通過する。
　【０１７３】　
　一般に、第一レンズ２１６を先端１８６に対し正又は負にバイアスすることができる。一部の実施態様においては、第一レンズ２１６に印加される電位が、先端１８６に対して-30kV以上（例えば、-20kV以上、-10kV以上）及び／又は40kV以下（例えば、30kV以下、20kV以下、15kV以下、10kV以下）である。
　【０１７４】
　一般に、距離ｐは1mm以上（例えば、5mm以上、10mm以上）及び／又は100mm以下（例えば、70mm以下、50mm以下、30mm以下、20mm以下）とすることができる。点Ｃの位置の変更は、ｘ方向及び／又はｙ方向における絞り２２４の位置でのイオンビーム１９２の大きさを変えることができ、絞り２２４を通過するイオンビーム１９２中のイオンの画分を選択的に制御することができる。図１４では、絞り２２４より更に−ｚ方向に位置するように示されるが、一部の実施態様において、交差点Ｃは、絞り２２４より更に＋ｚ方向に位置することができる。
　【０１７５】
　
軸合わせ偏向器２２０及び２２２は、イオンビーム１９２の一部を方向付けて絞り２２４及び第二レンズ２２６を通過するように構成される。
　【０１７６】
　偏向器２２０及び２２２は、それぞれがｘ方向及びｙ方向の双方にイオンビーム１９２を偏向することができる。偏向器２２０及び２２２の電極に印加される電位を調整し、イオンビーム１９２の一部が絞り２２４及び第二レンズ２２６の両方を通過することを確実にすることができる。特定の実施態様においては、偏向器２２０及び２２２に印加される電位を調整して特定の軸合わせの状態を達成し、その後、電位は、顕微鏡システム２００が作動中である間、変化しないままである。例えば、絞り２２４を画像化できるように構成される適切な検出器を用いてイオンビーム１９２を観察することで、絞り２２４を通るイオンビーム１９２の軸合わせを評価する。また、偏向器２２０及び２２２を調整することができ、その結果、絞り２２４を通過するイオンビーム１９２の一部を第二レンズ２２６の長手方向軸と軸合わせする。第二レンズ２２６を通るイオンビーム１９２の軸合わせを評価するため、第二レンズ２２６に印加される電位を変更することができ（通常、ぶれと称される）、その結果を画像検出器で観察する。第二レンズ２２６に印加される変化電位の結果として、イオンビーム１９２の画像が大きさにおいて変化するが位置において変化しない場合、そのときのイオンビーム１９２は、第二レンズ２２６を通して軸合わせされる。イオンビーム１９２の中心位置が変化電位の結果として変化する場合、そのときのイオンビーム１９２を第二レンズ２２６と軸合わせしない。この場合、偏向器２２２及び／又は２２０に印加される電位を更に調整することができ、軸合わせが達成されるまでぶれ試験を反復して繰り返し行う。
　【０１７７】
　一般に、軸合わせ偏向器２２０及び２２２の各種電極素子に印加される電位は、所望のとおりに選択され、イオンビーム１９２の絞り２２４及び第二レンズ２２６に対する特定位置への偏向を作り出す。偏向器２２０及び２２２の各電極を、共通の外部接地部に対して正又は負にバイアスすることができる。一般に、任意の電極に印加される電位は、共通の外部接地部に対して100V以下（例えば、75V以下、50V以下）及び／又は10V以上（例えば、25V以上、40V以上）とすることができる。例えば、作動時に、偏向器２２０及び２２２の任意の電極に印加される電位は、共通の外部接地部に対して10V〜100V（例えば、10V〜75V、10V〜50V）とすることができる。
　【０１７８】
　絞り２２４は、イオンビーム１９２に対して、イオンビーム１９２中のイオンの一部がそれを通過するように位置している。一般に、絞り２２４は、印加電位を有していない。一部の実施態様においては、ｘ方向に測定される絞り２２４中の開口部２２５の幅ｗが、1μm以上（例えば、2μm以上、5μm以上、10μm以上、15μm以上、20μm以上、25μm以上、30μm以上）及び／又は100μm以下（例えば、90μm以下、80μm以下、70μm以下、60μm以下、50μm以下）である。特定の実施態様においては、例えば、ｗが1μm〜100μm（例えば、5μm〜90μm、15μm〜50μm、20μm〜50μm）である。一部の実施態様においては、ｙ方向に測定される絞り２２４中の開口部２２５の幅が1μm以上（例えば、2μm以上、5μm以上、10μm以上、15μm以上、20μm以上、25μm以上、30μm以上）及び／又は100μm以下（例えば、90μm以下、80μm以下、70μm以下、60μm以下、50μm以下）である。特定の実施態様においては、例えば、ｗが1μm〜100μm（例えば、5μm〜90μm、15μm〜50μm、20μm〜50μm）である。
　【０１７９】
　絞り２２４は、絞り取付け部２３４上に位置している。絞り取付け部２３４は、電子制御システム１７０から受信する信号を制御することによって、ｘ−ｙ平面における絞り２２４の平行移動を可能にする。また、一部の実施態様において、絞り取付け部２３４は、イオン光学機器１３０の長手方向軸１３２に沿ってｚ方向における絞り２２４の平行移動を可能にする。更に、特定の実施態様において、絞り取付け部２３４は、ｘ−ｙ平面に対して絞り２２４の傾斜を可能にする。絞り２２４を傾けることを利用し、絞り２２４の長手方向軸をイオン光学機器１３０の長手方向軸１３２と軸合わせすることができる。
　【０１８０】
　一部の実施態様において、
絞り２２４は、異なる幅ｗを有する複数の開口部を含むことができる。
　【０１８１】
　図１６は、絞り２２４ｂを貫通する複数の開口部２２９ａ〜２２９ｅを含む棒状絞り２２４ｂの（ｚ方向に沿った）上面図である。絞り２２４ｂ内の開口部を選択することで、絞りの大きさを選択することができる。この選択は、絞り２２４ｂを矢印２２１と平行な方向に移動させ、開口部２２９ａ〜２２９ｅの一つをイオンビーム１９２と軸合わせすることによって行われる。
　【０１８２】
　一般に、開口部２２５ａ〜２２５ｇ及び２２９ａ〜２２９ｅは、所望のとおりに選択できる直径を有している。一部の実施態様においては、例えば、開口部のいずれかの直径が5μm以上（例えば、10μm以上、25μm以上、50μm以上）及び／又は200μm以下（例えば、150μm以下、100μm以下）とすることができる。特定の実施態様においては、開口部２２５ａ〜２２５ｇ及び／又は２２９ａ〜２２９ｅの直径が5μm〜200μm（例えば、5μm〜150μm、5μm〜100μm）とすることができる。」
（ウ）図１
（エ）図２
（オ）図１３
（カ）図１４
（キ）図１５
（ク）図１６
　上記（ア）〜（ク）より、引用文献Ａには、
「気体源１１０と、気体電界イオン源１２０と、イオン光学機器１３０と、試料マニピュレータ１４０と、前面検出器１５０と、裏面検出器１６０と、通信回線１７２ａ〜１７２ｆを経由して気体電界イオン顕微鏡システム１００の各種要素と電気的に接続される電子制御システム１７０とを含む気体電界顕微鏡システム１００であって、
　気体源１１０によって供給されるイオン化していない気体原子１８２はイオン化され、先端頂部１８７の近傍において正に帯電したイオンになり、正に帯電したイオンは、イオンビーム１９２として正に帯電したイオンを先端１８６からイオン光学機器１３０中に向けるように、正に帯電した先端１８６によって同時に弾き出され、負に帯電した抽出部１９０により引き付けられ、
　イオンビーム１９２は、イオン光学機器１３０を通して試料１８０の表面１８１に向けられ、
　イオンビーム１９２は第一レンズ２１６を通過し、
　軸合わせ偏向器２２０及び２２２は、イオンビーム１９２の一部を方向付けて、異なる幅ｗを有する複数の開口部を含む絞り２２４及び第二レンズ２２６を通過するように構成される、
　気体電界イオン顕微鏡システム１００」の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されている。
（２）対比
　本願発明と引用発明Ａとを対比すると、
「針状のチップと、
　前記チップにガスを供給するガス供給部と、
　前記チップとの間で電圧を印加し、前記チップ表面に吸着した前記ガスをイオン化してイオンを引き出す引出電極と、
を有する電界電離型イオン銃部と、
　前記試料に前記イオンビームを集束させるレンズ系と、を有し、
　前記レンズ系は、前記イオンビームを最初に集束させる集束レンズ電極と、対物レンズ電極と、前記集束レンズ電極と前記対物レンズ電極との間に配置された第一のアパーチャと、を有することを特徴とする集束イオンビーム装置。」の点で一致している。
　他方、本願発明と引用発明Ａは、以下の相違点Ａ、Ｂ、Ｃで相違する。
＜相違点Ａ＞本願発明が、「前記イオンを試料に向けて加速させるカソード電極」を有するのに対して、引用発明Ａでは、カソード電極を有することは明らかでない点。
＜相違点Ｂ＞本願発明では、「前記電界電離型イオン銃部から複数の方向に放出されたイオンビームのうち一つの方向に放出されたイオンビームのみを通過させる開口部及び当該開口部の径よりも大きい径を有する開口部を有する第二のアパーチャ」「を有する」のに対して、引用発明Ａはそのようなアパーチャを有しない点。
＜相違点Ｃ＞「レンズ系」が、本願発明では、「前記第二のアパーチャよりも前記試料側に配置され」るのに対して、引用発明Ａの「第一レンズ２１６」、「第二レンズ２２６」は、第二のアパーチャとの関係で配置が特定されない点。
（３）判断
　事案に鑑み、上記相違点Ｂについて検討する。
　引用発明Ａの「イオン光学機器１３０」は「異なる幅ｗを有する複数の開口部を含む絞り２２４」を有するものであるから、さらに第二のアパーチャを設ける動機付けがない。
　してみると、複数の開口を有するアパーチャを設けることが周知技術であるとしても、引用発明Ａにおいて上記相違点Ｂにかかる構成とすることは、当業者といえども、容易に想到し得たものとすることはできない。
（４）小括
　したがって、本願発明は、引用発明Ａであるとはいえず、また、当業者が引用発明Ａ及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたともいえない。
　本願の請求項２〜５に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、引用発明Ａであるとはいえず、当業者が引用発明Ａ及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたともいえない。
　よって、当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。