【事件の表示】
　特願２０１２−１９７５０３「回転塗布方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月２０日出願公開、特開２０１４−　５０８０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年９月７日の出願であって、平成２６年１２月１７日付けで拒絶理由が通知されたのに対し、平成２７年３月９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２７年８月３１日付けで拒絶査定がされ、平成２７年１２月４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出されたものである。
  
第２　平成２７年１２月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
  
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年１２月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正
（１）本件補正の内容
　平成２７年１２月４日提出の手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に関しては、本件補正前の（すなわち、平成２７年３月９日に提出された手続補正書により補正された）特許請求の範囲の請求項１２の下記（ア）の記載を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の下記（イ）の記載へと補正するものである。
　
（ア）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１２
「　【請求項１２】
　基板に、２３℃における蒸気圧が６ｈＰａ以下の液体をプリウェット液として滴下して、前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ、
　前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後、前記基板を第１の回転数で回転させながら、前記基板に塗布液を第１の滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部よりも内側の位置まで前記塗布液を広げ、
　前記塗布液を前記第１の滴下量だけ滴下した後、前記基板を前記第１の回転数よりも小さい第２の回転数で回転させながら、前記基板に前記塗布液を第２の滴下量だけ滴下することで、前記基板の端部または端部近傍まで前記塗布液を広げる、
　ことを含む回転塗布方法であって、
　前記基板の表面に前記プリウェット液を広げるために前記基板を回転させ始めてから、前記塗布液を滴下するまでの時間が、１秒以上である回転塗布方法。」
  
（イ）本件補正後の特許請求の範囲の請求項１
「　【請求項１】
　基板に、２３℃における蒸気圧が６ｈＰａ以下の液体をプリウェット液として滴下して、前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ、
　前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後、前記基板を第１の回転数
（ｒｐｍ）
　前記塗布液を前記第１の滴下量だけ滴下した後、前記基板を前記第１の回転数よりも小さい第２の回転数
（ｒｐｍ）
　ことを含む回転塗布方法であって、
　前記基板の表面に前記プリウェット液を広げるために
前記プリウェット液を液体を滴下した後に
（なお、下線は、補正箇所を示すために請求人が付したものである。）
　
（２）本件補正の目的
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１についての本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１２における発明特定事項である「第１の回転数」及び「第２の回転数」について、「第１の回転数（ｒｐｍ）」及び「第２の回転数（ｒｐｍ）」と限定するとともに、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１２における発明特定事項である「前記基板を回転させ始めてから」について、「
前記プリウェット液を液体を滴下した後に
　したがって、本件補正は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に関しては、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
  
２　独立特許要件についての判断
　本件補正における本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に関する補正は、前述したように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むので、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
２−１　引用文献
２−１−１　引用文献１
（１）引用文献１の記載
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特許第４７４５３５８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、「回転塗布方法、および回転塗布装置」に関し、図面とともに、次のような記載がある。なお、下線は、理解の一助のため当審で付したものである。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
  塗布液を基板に供給し、この基板を回転させて塗布膜を形成する回転塗布方法であって、
  
前記基板を第１の回転数で前記基板の中央部を中心に回転させながら、前記塗布液を第１の滴下量だけ前記基板の中央部に滴下し
  
前記塗布液を前記第１の滴下量だけ滴下した後、前記第１の回転数よりも小さい第２の回転数で前記基板を回転させながら、前記塗布液を第２の滴下量だけ前記基板の中央部に滴下し
  前記塗布液を第２の滴下量だけ滴下した後、前記塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で前記基板を回転させる、ことを含み、
  
前記第１の回転数は、空気抵抗により前記第１の滴下量の前記塗布液が前記基板に均一に広がらずに前記第１の滴下量の前記塗布液の端部が盛り上がる回転数である
  ことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項２】
　
前記第１の滴下量は、前記第２の滴下量以上である
　
（イ）「【０００１】
　
本発明は、塗布液を基板に供給し、この基板を回転させて塗布膜を形成する回転塗布方法および回転塗布装置に関する
【背景技術】
【０００２】
　
回転塗布方法（スピンコーティング法）は、基板上に塗布液を滴下した後、塗布液の膜厚を決定する回転数で基板を回転して塗布膜を形成する方法である
【０００３】
　
この回転塗布方法の特徴は、膜厚は回転数のみで決定され、膜厚均一性が良く、プロセス時間が短いことである
（中略）
【００１３】
　このような回転塗布方法は、上述用途の他、有機ＥＬ材料の塗布、ＭＥＭＳ、光学材料の製造など多方面で使用されている。
【００１４】
　ここで、代表的な回転塗布方法は、静止した基板の表面中央部に塗布液を滴下してから、基板を回転させて薬液を基板全体に均一に拡散させる方法である。しかし、この方法では、基板１枚を処理するのに、多くの塗布液が必要になる。
【００１５】
　そこで、従来の回転塗布方法には、半導体基板を低回転数で回転させながら塗布液を滴下した後、塗布液の膜厚を決定する回転数で基板を回転して塗布膜を形成するものがある。
【００１６】
　上記従来の回転塗布方法は、かなりの量の塗布液を必要とし、基板面積が大きくなると周辺部まで塗れなくなるという問題がある。
【００１７】
　そこで、従来の他の回転塗布方法には、塗布液滴下時の回転数を膜厚決定の回転数よりも大きくする。これにより、ある程度上記問題を回避でき、大面積基板にも対応できるようになる（例えば、特許文献１、２参照。）。
【００１８】
　しかしながら、上記回転塗布方法では、塗布液の使用量は多いという問題がある。
【００１９】
　ここで、基板と塗布液との間の濡れ性が悪い場合には、塗布液がはじかれてしまい塗布むらが発生するとともに、膜厚均一性が悪化する。
この膜厚均一性の悪化を防止するため、塗布前に溶媒（溶剤）で基板を濡らすプレコート処理方法が、提案されている
【００２０】
　
この回転塗布方法は、溶剤を基板の表面に回転塗布した後に、塗布液を滴下して回転塗布する方法（プレコート法）である
【００２１】
　
このプレコート法は、塗布液を少量化することができるとともに、均一な膜厚を得ることができる
【００２２】
　このプレコート法の短所として、溶剤の供給機構が新たに必要になり、溶剤の使用量が多くなる。また、段差を有する基板や、基板に様々な材料が使用されている場合など、溶剤を滴下することで塗布むらを誘発する場合もあると考えられる。
【００２３】
　そこで、さらに他の回転塗布方法には、塗布液を基板に滴下する際、第１の回転数で塗布液を滴下し、続いて第２の回転数で滴下する方法ある（例えば、特許文献５参照。）。すなわち、塗布液の滴下を２段階以上に分けて途中で回転数を変えるやり方である。
【００２４】
　この回転塗布方法では、第１の回転数が低いため、塗布液が基板全体に広がりにくく塗布残りが発生する可能性がある。
【００２５】
　一方、
高速の第１の回転数で塗布液を滴下し、続いて低速の第２の回転数で滴下する回転塗布方法がある
【００２６】
　特許文献７に記載の回転塗布方法では、第１の回転数で塗布液を基板全面に広げている。
【００２７】
　これに対し、特許文献６、８に記載の回転塗布方法では、塗布液が、基板全面に到達する前に第１から第２の回転数に移行するようにしているが、第１の滴下量は基板全体を覆うに十分な塗布液量で、さらに第２の滴下により過剰の塗布液を使用する。また、滴下後の回転数（膜厚決定の回転数など）を滴下時の回転数よりも高く設定しているため、高回転時に過剰の塗布液が基板外に排出される。
【００２８】
　半導体デバイスの製造では、円形な基板を用い、フォトマスク基板や液晶ディスプレーの製造等の場合には四角い基板を用いるといった違いがある。
【００２９】
　しかし、回転塗布方法はいずれの基板に対しても用いられる。それらの中でも段差の付いた基板への塗布は、平坦な基板への塗布と比較して塗布液の使用量が多くなる。
【００３０】
　また、基板の大口径化・装置の大型化に伴って、基板回転時の乱流の影響が大きくなり、また高回転で廻すと基板が飛んでしまう恐れが生じる。
【００３１】
　そのため、回転数の最大値は旧タイプの装置よりも低くなり、プロセス上の制約が多くなる。
【特許文献１】特開平８−３３０２０６号公報
【特許文献２】特開２００４−６４０７１号公報
【特許文献３】特開平５−１２３６３２号公報
【特許文献４】特開平５−２４３１４０号公報
【特許文献５】特許２６３８９６９号
【特許文献６】特開２０００−１５７９２２
【特許文献７】特開２０００−２７９８７４
【特許文献８】特開２００６−１５６５６５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３２】
　
本発明は、塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を成膜することが可能な回転塗布方法および回転塗布装置を提供することを目的とする
　
（ウ）「【００３３】
  本発明の一態様に係る実施例に従った回転塗布方法は、
  塗布液を基板に供給し、この基板を回転させて塗布膜を形成する回転塗布方法であって、
  前記基板を第１の回転数で前記基板の中央部を中心に回転させながら、前記塗布液を第１の滴下量だけ前記基板の中央部に滴下し、
  前記塗布液を前記第１の滴下量だけ滴下した後、前記第１の回転数よりも小さい第２の回転数で前記基板を回転させながら、前記塗布液を第２の滴下量だけ前記基板の中央部に滴下し、
  前記塗布液を第２の滴下量だけ滴下した後、前記塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で前記基板を回転させる、ことを含み、
  前記第１の回転数は、空気抵抗により前記第１の滴下量の前記塗布液が前記基板に均一に広がらない回転数であることを特徴とする。
【００３４】
  本発明の他の態様に係る実施例に従った回転塗布装置は、
  塗布液を基板に供給し、この基板を回転させて塗布膜を形成する回転塗布装置であって、
  前記基板を載置して水平に保持する保持部と、
  前記保持部を鉛直方向に平行な回転軸線まわりに回転駆動することにより、前記基板を回転させる回転駆動源と、
  前記保持部に保持される前記基板に前記塗布液を供給する塗布液供給部と、を備え、
  前記回転駆動源により前記基板を第１の回転数で前記基板の中央部を中心に前記基板を回転させながら、前記塗布液供給部により前記塗布液を第１の滴下量だけ前記基板の中央部に滴下し、
  前記塗布液を前記第１の滴下量だけ滴下した後、前記回転駆動源により前記第１の回転数よりも小さい第２の回転数で前記基板を回転させながら、前記塗布液供給部により前記塗布液を第２の滴下量だけ前記基板の中央部に滴下し、
  前記塗布液を第２の滴下量だけ滴下した後、前記回転駆動源により前記塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で前記基板を回転させ、
  前記第１の回転数は、空気抵抗により前記第１の滴下量の前記塗布液が前記基板に均一に広がらない回転数であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
　
本発明の回転塗布方法および回転塗布装置によれば、塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を成膜することができる
　
（エ）「【００３６】
　回転塗布方法では、基板が大口径化するに従って、基板回転時に大気の影響を受けやすくなる。特に、基板外周部では大気抵抗が大きくなるので、回転数の増大に依存して塗布液が広がりにくくなる。
（中略）
【００４８】
　そこで、本発明の実施形態では、（１）
塗布液を基板中央部に滴下し、塗布液が基板全体に実質的に広がりえない第１の回転数Ｎ
１
にて基板を回転させながら塗布液を第１の滴下量Ｍ
１
だけ滴下する
【００４９】
　基板の回転数は、塗布液が基板外周部で十分な空気抵抗を受けるだけの速度であることが必要である。例えば、３００ｍｍ基板の場合には３０００ｒｐｍ以上が望ましい。
【００５０】
　
このプロセスにより外周部は実質的に塗布されない状態を作り出すことができる
【００５１】
　次に、（２）第１の回転数Ｎ１よりも小さい第２の回転数Ｎ２にて基板を回転させながら塗布液を第２の滴下量Ｍ２だけ滴下する。（１）の滴下と（２）の滴下は連続的に行われることが望ましい。
【００５２】
　
第１の回転数で基板の途中まで進んでいた塗布液は、第２の滴下により外周部へ向けて押し出されることになる
その際、第２の回転数を第１の回転数より落とすことで外周部における空気抵抗が弱まり、塗布液は外周部へ向けて移動しやすくなる
【００５３】
　また、塗布液端部の盛り上がりが低くなりながら移動できるので、盛り上がった部分で外周部を塗布することができる。
【００５４】
　そのため、第２の滴下量を多くする必要はなく、第２の滴下量Ｍ２は第１の滴下量Ｍ１未満でかまわない。このようにして、塗布液を基板全面または基板外周部近傍まで広げる。
【００５５】
　次に、（３）塗布液の膜厚を決定する回転数で基板を回転することにより、塗布液の膜厚を所定値に制御する。」（段落【００３６】ないし【００５５】）
　
（オ）「【００６１】
　図４に示すように、回転塗布装置１００は、基板であるウエハ１を載置して水平に保持する保持部２と、保持部２を鉛直方向に平行な回転軸線３まわりに回転駆動することにより、ウエハ１を回転させる回転駆動源であるモータ４と、保持部２に保持されるウエハ１に塗布液を供給する塗布液供給部５と、制御部１０と、を備える。
【００６２】
　図４に示すように、本実施例の回転塗布方法は、例えば、ウエハ１の厚み方向一方側の表面部（以後、単に表面部と称する）に、塗布液を滴下し、塗布膜６を形成するために用いられる。
【００６３】
　なお、本実施例による回転塗布方法は、例えば、粘度が０．１ｍＰａ・ｓ以上１０００ｍＰａ・ｓ以下の有機材料、無機材料等から構成される塗布液を塗布する場合に、特に好適に用いられる。粘度はこの範囲外であってもかまわない。
【００６４】
　ウエハ１は、表面部の反対側（以後、単に裏面部と称する）が保持部２に接するように保持部２に保持される。本実施例で用いられるウエハ１は、円形状の基板であり、その直径は、例えば３００ｍｍである。ウエハ１の形状は、これに限定されず、矩形状などの多角形状であってもよい。なお、ウエハ１は回転軸線３が中央部分に位置するように保持部２に載置される。
（中略）
【００７５】
　次に、以上のような構成を有する回転塗布装置１００による回転塗布方法の各条件の一例について説明する。
【００７６】
　図５は、本実施例１に係る回転塗布方法のレシピの一例を示す図である。また、図６は、図５に示すレシピで回転塗布装置１００を動作させるシーケンスの一例を示す図である。また、図７は、図５に示すレシピで回転塗布装置１００を動作させるシーケンスの他の例を示す図である。なお、本実施例の実験においては、塗布材料として、粘度１ｍＰａ・ｓの材料を選択した。
【００７７】
　なお、
図６においては、第１の回転数Ｎ
１
＞第２の回転数Ｎ
２
に設定されている
【００７８】
　図６または図７に示すように、先ず、第１の回転数Ｎ１でウエハを回転させながら、塗布液を滴下する（ステップＳ１）。
【００７９】
　すなわち、回転塗布装置１００は、モータ４によりウエハ１を第１の回転数Ｎ１でウエハ１の中央部を中心にウエハ１を回転させながら、塗布液供給部５により塗布液を第１の滴下量Ｍ１だけウエハ１の中央部に滴下する。
【００８０】
　ここで、
第１の回転数Ｎ
１
は、空気抵抗により第１の滴下量Ｍ１の塗布液が基板全体に均一に広がらない回転数に設定される
【００８１】
　
次に、第２の回転数Ｎ２にて  更に塗布液を滴下する
【００８２】
　すなわち、
図６では、回転塗布装置１００は、塗布液を第１の滴下量Ｍ
１
だけ滴下した後、モータ４により第１の回転数Ｎ
１
よりも小さい第２の回転数Ｎ
２
でウエハ１を回転させながら、塗布液供給部５により塗布液を第２の滴下量Ｍ
２
だけウエハ１の中央部に滴下する
【００８３】
　その後、回転数Ｎ３でリフロー処理を行なう（ステップＳ３）。このリフロー処理により、ウエハ１上に塗布された塗布液の膜厚の均一性が向上する。
【００８４】
　その後、回転数Ｎ４で膜厚を決定する処理を行なう（ステップＳ４）。
【００８５】
　すなわち、回転塗布装置１００は、塗布液を第２の滴下量Ｍ２だけ滴下した後、塗布液の膜厚を決定するための第３の回転数で、モータ４によりウエハ１を回転させる。これにより、ウエハ１上に成膜された塗布膜の膜厚が所望の値に制御される。
【００８６】
　以上のようにして塗布液を基板に塗布した後、回転塗布装置１００には図示していないシンナーでエッジカットを行ない、基板をホットプレートに自動搬送してベークしてから冷却する。
【００８７】
　
ここで、基板の回転速度を変化させた場合における塗布特性の変化について分析した結果を説明する
【００８８】
　図５に示すレシピの条件のうち、第１の回転数Ｎ１、塗布液を滴下する時間Ｔ１と、第２の回転数Ｎ２、塗布液を滴下する時間Ｔ２と、変更して、図６、図７に示すフローにより得られた塗布膜を分析した。
【００８９】
　
図８は、第１、第２の回転数Ｎ
１
、Ｎ
２
を変化させて成膜した塗布膜の膜厚の面内均一性３σ／＜ｘ＞と目視結果とを示す図である
【００９０】
　なお、ウエハには、パターンが形成されていない、直径３００ｍｍの円形なシリコン基板を用いた。また、ステップＳ３の回転数Ｎ３を１００ｒｐｍ、ステップＳ４の回転数Ｎ４を６９４ｒｐｍに固定した。また、塗布時間は、ステップＳ１で時間０.４秒（滴下量０.４ｍｌ）、ステップＳ２で時間０．３秒（滴下量０．３ｍｌ）、合計で時間０．７秒（総滴下量０．７ｍｌ）に設定した。
【００９１】
　
図８に示すように、第１の回転数Ｎ
１
を大きくして、第２の回転数Ｎ
２
を小さくすると、塗布むらが解消されウエハエッジまで塗布できる
特に、第１の回転数Ｎ
１
と第２の回転数Ｎ
２
との差が大きくなると、膜厚の面内均一性が向上する
【００９２】
　
したがって、ウエハ全面に（より広範囲に）塗布するためには、第１の回転数Ｎ
１
＞第２の回転数Ｎ
２
に設定することが有効であると考えられる
　
（２）引用文献１の記載から分かること
　上記（１）及び図１ないし２４の記載から、引用文献１には、次の事項が記載されていることが分かる。
  
（カ）上記（１）（ア）ないし（オ）及び図１ないし２４の記載から、引用文献１には、基板を回転させて塗布液を塗布する回転塗布方法が記載されていることが分かる。
　
（キ）上記（１）（ア）ないし（オ）（特に段落【００８２】）及び図１ないし２４の記載から、引用文献１に記載された回転塗布方法は、塗布液を第１の滴下量Ｍ１だけ滴下した後、第１の回転数Ｎ１よりも小さい第２の回転数Ｎ２でウエハ１を回転させながら、塗布液を第２の滴下量Ｍ２だけウエハ１の中央部に滴下する方法であることが分かる。
　
（ク）上記（１）（エ）（特に段落【００５２】）及び（オ）（特に段落【００８０】ないし【００８２】）及び図１ないし２４の記載から、引用文献１に記載された回転塗布方法は、基板を第１の回転数Ｎ１で回転させながら、基板に塗布液を第１の滴下量Ｍ１だけ滴下することで、塗布液が基板の外周部よりも内側の位置まで広がり、基板を第２の回転数Ｎ２で回転させながら、基板に塗布液を第２の滴下量Ｍ２だけ滴下することで塗布液が基板の外周部まで拡がることが分かる。
　
（ケ）上記（１）（オ）（特に段落【００９１】）及び図１ないし２４の記載から、引用文献１に記載された回転塗布方法は、第１の回転数Ｎ１を大きくして、第２の回転数Ｎ２を小さくすると、塗布むらが解消されウエハエッジまで塗布できることが分かる。
　
（コ）上記（１）（ウ）（特に段落【００３５】）及び図１ないし２４の記載から、引用文献１に記載された回転塗布方法により、塗布液の滴下量を削減しつつ、より広範囲に塗布膜を成膜することができることが分かる。
　
（３）引用発明
　上記（１）及び（２）並びに図１ないし２４の記載から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「基板を第１の回転数Ｎ１で回転させながら、基板に塗布液を第１の滴下量Ｍ１だけ滴下することで、基板の外周部よりも内側の位置まで塗布液を広げ、
　塗布液を第１の滴下量Ｍ１だけ滴下した後、基板を第１の回転数Ｎ１よりも小さい第２の回転数Ｎ２で回転させながら、基板に塗布液を第２の滴下量Ｍ２だけ滴下することで、基板の外周部まで塗布液を広げる、
　ことを含む回転塗布方法。」
　
２−１−２　引用文献２
（１）引用文献２の記載
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２０００−７７３１０号公報（以下、「引用文献２」という。）には、「塗布方法」に関し、図面とともに、次のような記載がある。なお、下線は、理解の一助のため当審で付したものである。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフィー技術による半導体の製造工程において、シリコンウエハなどの被処理基板上にレジスト材料などの塗布剤を塗布するための塗布方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、シリコンウエハなどの基板にレジスト材料などの塗布剤を塗布する方法としては、スピンコート法と呼ばれる方法を用いるのが一般的に用いられている
【０００３】このスピンコート法とは、シリコンウエハなどの基板をスピンチャックと呼ばれる円盤状の保持部材上に吸着保持し、この基板のほぼ中心に溶液状のレジスト材料を吐出し、しかる後、このスピンチャックを高速回転する方法である。スピンチャックを高速回転することにより、中心に置かれたレジスト材料には遠心力が作用し、この遠心力によりレジスト材料は基板表面上を中心から半径方向外側に拡散し、基板表面全体を覆う。更に高速回転を続けると、余分なレジスト材料は遠心力で振り切り除去され、基板上には膜厚が均一で薄い塗膜が形成される。」（段落【０００１】ないし【０００３】）
　
（イ）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、レジスト材料とウエハＷとは必ずしも親和性が高くない。そのため、ウエハＷ表面に供給されたレジスト材料がウエハＷ表面の一部に偏って部分的に厚い塗布部を形成したり、反対にウエハＷ表面の一部ではレジスト材料がはじかれて塗膜が部分的に薄くなる場合があり、ウエハＷ表面全体でみると塗膜が不均一になる場合がある。このように塗膜の膜厚が不均一になると、ウエハＷ表面上に形成される半導体素子の品質にばらつきが生じ、半導体素子の歩留まりが低下して素子１個当たりの生産コストが上昇するという問題があった。
【０００５】本発明は、このような課題を解決するためになされたものである。即ち、本発明は、
ウエハＷ表面に形成されるレジスト膜の膜厚をウエハＷ表面全体にわたって均一な厚さに形成することのできる塗布方法を提供する
　
（ウ）「【００４６】次に、本実施形態に係るレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）について説明する。図４は本実施形態に係るレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の概略断面図である。
【００４７】このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の中央部には環状のカップＣΡが配設され、カップＣΡの内側にはスピンチャック５１が配置されている。スピンチャック５１は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５２によって回転駆動される。
（中略）
【００４９】
ウエハＷ表面に塗布液としてのレジスト液を吐出する
（中略）
【００５３】また、レジストノズル６０に隣接してシンナーノズル６０ａが配設されている。
【００５４】
このシンナーノズル６０ａには図示しないシンナー供給系が接続されており、後述するようにこのシンナーノズル６０ａからウエハＷに溶剤を滴下してプリウェットを行うようになっている
（中略）
【００６１】本実施形態のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を備えた塗布現像処理システム１を起動すると、ウエハカセットＣＲからウエハＷが取り出され、メインアーム２２により搬送されてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）内にアクセスする。しかる後に以下のレジスト塗布の処理が開始される。
【００６２】まず、メインアーム２２は、ウエハＷを塗布ユニット（ＣＯＴ）内のスピンチャック５１のリフター（図示省略）に引き渡し、このリフターが下降することによりスピンチャック５１上にウエハＷをセットする（ステップ１／時間ｔ0 ）。次に、
ウエハＷ上面にプリウェットを行う（ステップ２）
このプリウェットはウエハＷ上面全体に溶剤を薄くのばしてレジストとウエハＷ上面との馴染みをよくするための処理であり、以下のようにして行う
【００６３】まずレジストノズルスキャンアーム６１が移動してこのスピンチャック５１に保持された回転前のウエハＷのほぼ中心真上の位置にレジストノズル６０を移動させる。次いでモータ５２を駆動してスピンチャック５１ごとウエハＷの回転を開始させ加速する（時間ｔ1 〜ｔ2 ）。このウエハＷが回転した状態で、レジストノズルスキャンアーム６１先端のレジストノズル６０に隣接配置されたシンナーノズル６０ａから溶剤を所定量滴下する（時間ｔ3 〜ｔ4 ）。図９に示すように、滴下された溶剤はウエハＷに作用する遠心力でウエハＷの半径方向外側に向けて拡散され、瞬時にウエハＷ上面全体を薄く覆う。そして余分の溶剤は遠心力で振り切られて除去される。
プリウェットが完了すると一旦ウエハＷの回転を止める（時間ｔ
6 
〜ｔ
7 
）
【００６４】
プリウェットに引き続き、以下のレジスト塗布工程を行う
【００６５】まず、モータ５２を駆動してスピンチャック５１ごとウエハＷの回転を開始し、所定の速度、すなわち第１の速度まで加速する（ステップ３／時間ｔ7 〜ｔ8）。
【００６６】このときの第１の速度は、ウエハＷの中心に吐出されたレジストを半径方向外向きに拡散するとともに余分なレジストを振り切り除去するのに十分な遠心力を発生させることのできる速度である。
【００６７】そしてこの第１の速度の値は、レジストの粘度や種類、ウエハＷの直径、塗布時の温度や湿度などにより異なる、いわゆる設計事項であり、一義的に特定することはできない。但し、一例として挙げるならば、この第１の速度は２０００〜４０００ｒ．ｐ．ｍ．の範囲が好ましい。
【００６８】ここでこの第１の速度の好ましい範囲の上限を４０００ｒ．ｐ．ｍ．にしたのは、この第１の速度が上記上限値を越えると、第１回目に吐出した少量のレジストの揮発が進み、第２回目に吐出したレジストが広がらない、という弊害を生じるからである。
【００６９】一方、この第１の速度の好ましい範囲の下限を２０００ｒ．ｐ．ｍ．にしたのは、この第１の速度が上記下限値を下回ると、第２回目の吐出も同じ回転数で行う為、第２回目に吐出したレジストが広がらず、膜厚の均一性が得られない、という弊害を生じるからである。
【００７０】ウエハＷの回転速度が第１の速度で定速回転するようになった後（ステップ４）、時間ｔ9 〜ｔ10にかけて一回目のレジスト吐出を行う（ステップ５）。
【００７１】この一回目のレジスト吐出量、即ち第１の量は、後続する二回目のレジスト吐出で吐出されるレジストのウエハＷ上面に対する滑りや拡散性をよくし、塗膜の膜厚を均一化できる量である。
（中略）
【００７８】上記一回目のレジスト吐出で吐出されたレジストは図１０〜図１１に示すようにウエハＷの中心付近に吐出され、遠心力でウエハＷの半径方向外向きに拡散され、上下方向の厚さが薄くなると同時に水平方向に広がる。そして図１２に示したように、この一回目のレジスト吐出で吐出されたレジストはウエハＷの中心付近を部分的に覆う。
【００７９】上記１回目のレジスト吐出が完了して所定時間ｔ10〜ｔ11経過した後、以下に説明する２回目のレジスト吐出を行う。
【００８０】ここで、上記１回目のレジスト吐出と２回目のレジスト吐出との間の時間ｔ10〜ｔ11は上記１回目のレジスト吐出で吐出されたレジストをウエハＷ上面に十分拡散できる時間である。
【００８１】この時間ｔ10〜ｔ11はいわゆる設計事項であり、一義的に特定することはできないが、一例として挙げるならば、この間の時間ｔ10〜ｔ11は０．１〜０．５秒の範囲が好ましい。
（中略）
【００９４】上記二回目のレジスト吐出で吐出されたレジストは図１３に示すように上記一回目のレジスト吐出で形成されたレジストの薄膜上に吐出される。このとき、二回目に吐出されたレジストは図１３に示すように、一回目の吐出で形成された薄膜上を滑り、水平方向に拡散してゆく。そのため図１４，図１５に示すように、二回目に吐出されたレジストはウエハＷの外周縁付近まで速やかに拡散し、ウエハＷ上面全体を覆う。その後時間ｔ13までの定速回転でレジストの上下方向の厚さが減少するとともに膜厚が薄くなり、また膜厚が均一化される。そして余分のレジストが遠心力で振り切り除去されて膜厚が均一で薄い塗膜が形成される（図１６）。
【００９５】上述したように、本実施形態に係る塗布ユニットでは、回転するウエハＷにレジストを吐出するレジスト吐出工程を二回に分け、一定速度で回転するウエハＷ上面に適切なタイミングでレジスト吐出を行う。そのため、一回目の吐出でウエハＷ上面に吐出されるレジストが二回目の吐出で吐出されるレジストの滑りや拡散性をよくする働きをする。その結果、二回目に吐出されるレジストは一回目に吐出されて形成されたレジスト薄膜上をウエハＷの半径方向外向きに速やかに拡散し上記一回目に吐出されたレジストと相俟ってウエハＷ上面全体にわたって均一で膜厚の薄いレジスト膜を形成する。」（段落【００４６】ないし【００９５】）
　
（エ）「【０１００】実施例１
この実施例では、上記第１の実施形態で説明した塗布ユニットを用いて塗布処理を行った。
【０１０１】処理条件は以下に示した通りであった。
【０１０２】
　ステップ　　　　時間（秒）　回転数（r.p.m.）　加速度（r.p.m.／秒）
　　　　２　　　　　　１．０　　　　　　０　　　　　　
　　３〜４　　　　　　１．０　　　２０００　　　　　　１００００
　　　　５　　　　　　０．１　　　３２００　　　　　　１００００
　　５と６との間隔　　０．１　　　３２００　　　　　　１００００
　　　　６　　　　　　０．３　　　３２００　　　　　　１００００
　　　　７　　　　　２５　　　　　３０００　　　　　　１００００
　吐出容積　　　　　　　　　　　０．４ｍｌ
　吐出速度　　　　　　　　　　　１．０ｍｌ／秒
　ポンプ　　　　　　　　　　　　ミリポアポンプ  型式  rainbow (MILLIPORE社製）
　エアオペレーションバルブ  型式Ｘ−２５（ＣＫＤ社製）
　使用薬液 PFI-38A4 （粘度３ｃＰ／住友化学社製）
上記の条件で塗布処理したウエハについて下記の要領で膜厚測定したところ、次のような測定結果が得られた。図１７はこの測定結果をグラフ化したものである。膜厚測定は１ロットの製品からサンプルを１枚抽出し、このサンプルの３９箇所について測定した。測定装置はナノスペックＮ−５１００−Ｌ１２（ナノメトリクスジャパン社製）を使用した。
（中略）
【０１０５】実施例２
この実施例では、以下に示した処理条件で塗布処理を行った。
【０１０６】
　ステップ　　　　時間（秒）　回転数（r.p.m.）　加速度（r.p.m.／秒）
　　　　２　　　　　　１．０　　　　　　０　　　　　　
　　３〜４　　　　　　１．０　　　２０００　　　　　１００００
　　　　５　　　　　　０．１　　　３２００　　　　　１００００
　　５と６との間隔　　０．１　　　３２００　　　　　１００００
　　　　６　　　　　　０．３　　　３２００　　　　　１００００
　　　　７　　　　　２５　　　　　３０００　　　　　１００００
　吐出容積　　　　　　　　　　　０．４ｍｌ
　吐出速度　　　　　　　　　　　１．０ｍｌ／秒
　ポンプ　　　　　　　　　　　　ミリポアポンプ　型式　rainbow(MILLIPORE社製）
　エアオペレーションバルブ  型式Ｘ−２５（ＣＫＤ社製）
　使用薬液  PFI-38A4（粘度３ｃＰ／住友化学社製）
上記の条件で塗布処理したウエハについて下記の要領で膜厚測定したところ、次のような測定結果が得られた。図１８はこの測定結果をグラフ化したものである。膜厚測定は１ロットの製品からサンプルを１枚抽出し、このサンプルの３９箇所について測定した。測定装置はナノスペックＮ５１００−Ｌ１２（ナノメトリクスジャパン社製）を使用した。
（中略）
【０１０９】実施例３
この実施例では、以下に示した処理条件で塗布処理を行った。
【０１１０】
　ステップ　　　　時間（秒）　回転数（r.p.m.）　加速度（r.p.m.／秒）
　　　　２　　　　　　１．０　　　　　　０
　　３〜４　　　　　　１．０　　　２０００　　　１００００
　　　　５　　　　　　０．１　　　３２００　　　１００００
　　５と６との間隔　　０．１　　　３２００　　　１００００
　　　　６　　　　　　０．４　　　３２００　　　１００００
　　　　７　　　　　２５　　　　　３０００　　　１００００
　吐出容積　　　　　　　　　　　０．５ｍｌ
　吐出速度　　　　　　　　　　　１．０ｍｌ／秒
　ポンプ　　　　　　　　　　　　ミリポアポンプ　型式　rainbow(MILLIPORE社製）
　エアオペレーションバルブ　型式Ｘ−２５（ＣＫＤ社製）
　使用薬液　PFI-38A4（粘度３ｃＰ／住友化学社製）
上記の条件で塗布処理したウエハについて下記の要領で膜厚測定したところ、次のような測定結果が得られた。図１９はこの測定結果をグラフ化したものである。膜厚測定は１ロットの製品からサンプルを１枚抽出し、このサンプルの３９箇所について測定した。測定装置はナノスペックＮ５１００−Ｌ１２（ナノメトリクスジャパン社製）を使用した。
【０１１１】
　　　測定点　　　　　　　３９箇所
　　　最小値　　　　　　　５３６３（オングストローム）
　　　最大値　　　　　　　５３９７（オングストローム）
　　　　　差　　　　　　　　　３４（オングストローム）
　　　平均値　　　　　　　５３８３．５１（オングストローム）
　　　　ＳＤ　　　　　　　　　　９．９２
　　　３シグマ　　　　　　　　２９．７５
上記結果が示すように、膜厚の一番薄い部分と厚い部分との差は３４オングストロームであり、膜厚が薄く、しかもその分布が極めて均一である。」（段落【０１００】ないし【０１１１】）
　
（２）引用文献２の記載から分かること
　上記（１）及び図１ないし２３の記載から、引用文献２には、次の事項が記載されていることが分かる。
　
（カ）上記（１）（ア）ないし（エ）並びに図１ないし２３の記載から、引用文献２には、シリコンウエハなどの基板にレジスト材料（レジスト液）などの塗布剤（塗布液）を塗布する方法として、スピンコート法を用いる塗布方法が記載されていることが分かる。
　
（キ）上記（１）（ウ）及び（エ）並びに図１ないし２３の記載から、引用文献２に記載された塗布方法は、ウエハＷ上面にプリウェットを行った後、２回に分けてレジスト塗布を行うことが分かる。
　
（ク）上記（１）（ウ）及び（エ）並びに図１ないし２３の記載から、引用文献２に記載された塗布方法において、ステップ２でウエハＷ上面にプリウェットを行ってから、ステップ４で塗布液を塗布するまでの時間は、１．０秒程度（段落【０１０２】、【０１０６】及び【０１１０】を参照。）であることが分かる。
　
（３）引用文献２記載の技術
　上記（１）及び（２）並びに図１ないし２３の記載から、引用文献２には、次の技術（以下、「引用文献２記載の技術」という。）が記載されているといえる。
　
「基板に、プリウェットのための溶剤を滴下して基板を回転させることで基板の表面にプリウエットのための溶剤を広げ、
　基板の表面にプリウェットのための溶剤を広げた後、基板を所定の回転数で回転させながら、基板に塗布液を所定の滴下量だけ滴下することで、塗布液を広げる、
　ことを含む回転塗布方法。」
　
２−２　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「第１の回転数Ｎ１」は、その機能、構成又は技術的意義からみて、本願補正発明における「第１の回転数（ｒｐｍ）」に相当し、以下同様に、「第１の滴下量Ｍ１」は「第１の滴下量」に、「基板の外周部よりも内側の位置」は「基板の端部よりも内側の位置」に、「第２の回転数Ｎ２」は「第２の回転数（ｒｐｍ）」に、「第２の滴下量Ｍ２」は「第２の滴下量」に、「基板の外周部」は「基板の端部または端部近傍」に、それぞれ、相当する。
　
　以上から、本願補正発明と引用発明は、
「基板を第１の回転数で回転させながら、基板に塗布液を第１の滴下量だけ滴下することで、基板の端部よりも内側の位置まで塗布液を広げ、
　塗布液を第１の滴下量だけ滴下した後、基板を第１の回転数よりも小さい第２の回転数で回転させながら、基板に塗布液を第２の滴下量だけ滴下することで、基板の端部または端部近傍まで塗布液を広げる、
　ことを含む回転塗布方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
  
〈相違点〉
・本願補正発明においては「基板に、２３℃における蒸気圧が６ｈＰａ以下の液体をプリウェット液として滴下して、前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ」、「前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後」塗布を行い、「前記基板の表面に前記プリウェット液を広げるために前記プリウェット液を液体を滴下した後に前記基板を回転させ始めてから、前記塗布液を滴下するまでの時間が、１秒以上である」のに対し、引用発明においては、そのようなプリウェットを行っているのかどうか明らかでない点（以下、「相違点」という。）。
　
２−３　判断
　上記相違点について検討する。
　本願の明細書を参照すると、本願補正発明における「２３℃における蒸気圧が６ｈＰａ以下の液体」とは、「テルペン類」を意味し、「テルペン類の例としては、α−ピネン、β−ピネン、ｐ−メンタン、ｄ−リモネン、ジペンテン、１，８−シネオールなどが挙げられる。」（段落【００５６】）と記載されている。
　ところで、回転塗布方法において、基板の濡れ性を向上させるために、塗布液を滴下する前にプリウェット液を滴下する技術は、本願の出願前に周知の技術（以下、「周知技術１」という。例えば、引用文献２記載の技術、平成２６年１２月１７日付け拒絶理由通知において引用された特開２００７−１１４７１５号公報（段落【００５２】ないし【００５９】等を参照。）のほか、特開２００９−１４５３９５号公報（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項７】及び段落【０００４】ないし【０００６】等の記載を参照。）及び特開２００４−３９８２８号公報（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項１３】及び段落【０００２】ないし【０００５】等の記載を参照。）等を参照。）である。
　また、基板の表面にプリウェット液を広げるためにプリウェット液を液体を滴下した後に基板を回転させ始めてから、塗布液を滴下する技術も、本願の出願前に周知の技術（以下、「周知技術２」という。例えば、特開２００９−１４５３９５号公報（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項７】、段落【００３５】及び【００３７】等の記載を参照。）及び特開２００４−３９８２８号公報（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項１３】、段落【００１４】及び【００４８】ないし【００５２】等の記載を参照。）等を参照。）である。
　そして、プリウェット液として、「テルペン類」又は「蒸気圧が低い液体」を用いる技術も、本願の出願前に周知の技術（以下、「周知技術３」という。例えば、平成２６年１２月１７日付け拒絶理由通知において引用された特開２００７−１１４７１５号公報（段落【００３５】及び【００５２】ないし【００５９】等を参照。）のほか、特開２００９−１４５３９５号公報（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項７】及び段落【００４２】の「１，８シネオール」に関する記載等を参照。）及び特開２００４−３９８２８号公報（【特許請求の範囲】の【請求項１】ないし【請求項１３】及び段落【００３７】の「蒸気圧が、５．０ｍｍＨｇ以下のプリウェット剤」に関する記載等を参照。）等を参照。）である。
　また、プリウェット液として、「テルペン類」又は「蒸気圧が低い液体」を用いる場合には、プリウェット液が急速に蒸発するおそれがないとの性質を利用して、プリウェット液の塗布むらを減らすために、プリウェット液を基板上に広げる回転状態を比較的長時間保持するようにすることは、当業者が容易に想到できることである。
　そして、本願補正発明において「１秒」という数値には格別の臨界的意義が認められず、また、「１秒以上」という時間は、その上限が規定されておらず、格別なものであるとも認められない。
　また、実験等により数値範囲を最適化又は好適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮であって、当業者にとって格別困難なこととは認められない。
　してみれば、引用発明１において、周知技術１ないし３を適用して、プリウェット液として、「テルペン類」又は「蒸気圧が低い液体」を用い、その際に、基板の表面にプリウェット液を広げるためにプリウェット液を液体を滴下した後に基板を回転させ始めてから、塗布液を滴下するまでの時間を１秒以上として相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
　そして、本願補正発明は、全体として検討しても、引用発明並びに周知技術１ないし３から予測される以上の格別の効果を奏するものではない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明並びに周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、平成２７年１２月４日付けの手続補正は却下されたため、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２７年３月９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲並びに願書に最初に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであり、そのうち、請求項１２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２［理由］１（１）（ア）の【請求項１２】のとおりのものである。
　
２　引用発明及び引用文献２記載の技術
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特許第４７４５３５８号公報）及び引用発明は、前記第２［理由］２−１　２−１−１に記載したとおりである。
　また、本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２０００−７７３１０号公報）及び引用文献２記載の技術は、前記第２［理由］２−１　２−１−２に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「基板を第１の回転数で回転させながら、基板に塗布液を第１の滴下量だけ滴下することで、基板の端部よりも内側の位置まで塗布液を広げ、
　塗布液を第１の滴下量だけ滴下した後、基板を第１の回転数よりも小さい第２の回転数で回転させながら、基板に塗布液を第２の滴下量だけ滴下することで、基板の端部または端部近傍まで塗布液を広げる、
　ことを含む回転塗布方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
  
〈相違点’〉
・本願発明においては「基板に、２３℃における蒸気圧が６ｈＰａ以下の液体をプリウェット液として滴下して、前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ」、「前記基板の表面に前記プリウェット液を広げた後」塗布を行い、「前記基板の表面に前記プリウェット液を広げるために前記基板を回転させ始めてから、前記塗布液を滴下するまでの時間が、１秒以上である」のに対し、引用発明においては、そのようなプリウェットを行っているのかどうか明らかでない点（以下、「相違点’」という。）。
　
〈相違点’についての判断〉
（１）判断１
　回転塗布方法において、基板の濡れ性を向上させるために、塗布液を滴下する前にプリウェット液を滴下するにあたり、基板の表面にプリウェット液を広げるために基板を回転させ始めてから、塗布液を滴下することは、引用文献２に記載されている（上記第２［理由］２−１−２（３）の「引用文献２記載の技術」を参照。）。
　また、その際に、プリウェットを行ってから、塗布液を塗布するまでの時間を１秒程度とすることも、引用文献２に記載されている（上記２−１−１（２）（ク）を参照。）。
　そして、プリウェット液として、「２３℃における蒸気圧が６ｈＰａ以下の液体」である「テルペン類」を用いる技術は、本願出願前の周知の技術（以下、「周知技術３’」という。例えば、平成２６年１２月１７日付け拒絶理由通知において引用された特開２００７−１１４７１５号公報（段落【００３５】及び【００５２】ないし【００５９】等の記載を参照。）及び特開２００８−２０３６３８号公報（段落【００３６】等の記載を参照。）等を参照。）である。
　また、プリウェット液として、「テルペン類」を用いる場合には、プリウェット液が急速に蒸発するおそれがないとの性質を利用して、プリウェット液の塗布むらを減らすために、プリウエット液を基板上に広げる回転状態を比較的長時間保持するようにすることは、当業者が容易に想到できることである。
　そして、本願補正発明において「１秒」という数値には格別の臨界的意義が認められず、また、「１秒以上」という時間は、その上限が規定されておらず、引用文献２にも同程度の時間が記載されていることから、格別なものであるとも認められない。
　また、実験等により数値範囲を最適化又は好適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮であって、当業者にとって格別困難なこととは認められない。
　してみれば、引用発明１において、引用文献２記載の技術及び周知技術３’を適用して、プリウェット液として、「テルペン類」を用い、その際に、基板の表面にプリウェット液を広げるために基板を回転させ始めてから、塗布液を滴下するまでの時間を１秒以上として相違点’に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　
（２）判断２
　また、本願発明における「基板に、・・・液体をプリウェット液として滴下して、前記基板を回転させることで、前記基板の表面に前記プリウェット液を広げ」という事項が、プリウェット液を滴下後に基板を回転させるという意味であったとしても、前記第２［理由］２−２及び２−３に記載したとおり、本願補正発明は引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明の上位概念である本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２記載の技術並びに周知技術３’、又は、引用発明及び周知技術１ないし３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　上記第３のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないので、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。