【手続補正書】
【提出日】令和2年6月12日(2020.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の縦軸に沿って第１の方向に延びる第１の高アスペクト比電圧レールであって、前記第１の高アスペクト比電圧レールが、１．０より大きい、前記第１の高アスペクト比電圧レールのそれぞれの高さとそれぞれの幅との間の比として定義される高さ対幅比を有し、第１の供給電圧を受けるように構成される、第１の高アスペクト比電圧レールと、
第２の縦軸に沿って、前記第１の高アスペクト比電圧レールに実質的に平行な前記第１の方向に延びる第２の高アスペクト比電圧レールであって、前記第２の高アスペクト比電圧レールが、１．０より大きい、前記第２の高アスペクト比電圧レールのそれぞれの高さとそれぞれの幅との間の比として定義される高さ対幅比を有する、第２の高アスペクト比電圧レールと、
前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールに電気的に結合された回路デバイスであって、前記第１の高アスペクト比電圧レールと前記第２の高アスペクト比電圧レールとの間の電圧差が、前記回路デバイスに電力を供給する、回路デバイスと
を備え、
前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールはともに、銅より高い抵抗率を有する金属を含む、標準セル回路。
【請求項２】
前記第１の縦軸および前記第２の縦軸とは異なる１つまたは複数の対応する縦軸に沿って、前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールに実質的に平行な前記第１の方向に延びる１つまたは複数の金属線をさらに備え、
前記１つまたは複数の金属線の各金属線が、前記標準セル回路のプロセス技術の臨界寸法にほぼ等しい幅を有し、
前記第１の高アスペクト比電圧レールが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ２倍と３倍との間の幅を有し、
前記第２の高アスペクト比電圧レールが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ２倍と３倍との間の幅を有する、請求項１に記載の標準セル回路。
【請求項３】
前記第１の高アスペクト比電圧レールの前記高さ対幅比が、４．０にほぼ等しく、
前記第２の高アスペクト比電圧レールの前記高さ対幅比が、４．０にほぼ等しい、請求項２に記載の標準セル回路。
【請求項４】
前記第１の高アスペクト比電圧レールの前記高さ対幅比が、３．０にほぼ等しく、
前記第２の高アスペクト比電圧レールの前記高さ対幅比が、３．０にほぼ等しい、請求項２に記載の標準セル回路。
【請求項５】
前記第１の高アスペクト比電圧レールの前記高さ対幅比が、２．０にほぼ等しく、
前記第２の高アスペクト比電圧レールの前記高さ対幅比が、２．０にほぼ等しい、請求項２に記載の標準セル回路。
【請求項６】
前記第１の縦軸および前記第２の縦軸とは異なる１つまたは複数の対応する縦軸に沿って、前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールに実質的に平行な前記第１の方向に延びる１つまたは複数の金属線をさらに備え、
前記１つまたは複数の金属線の各金属線が、前記標準セル回路のプロセス技術の臨界寸法にほぼ等しい幅を有し、
前記第１の高アスペクト比電圧レールが、金属層内に配設された前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ１倍と２倍との間の幅を有し、
前記第２の高アスペクト比電圧レールが、前記１つまたは複数の金属線のうちの１つの金属線の臨界寸法のほぼ１倍と２倍との間の幅を有する、請求項１に記載の標準セル回路。
【請求項７】
前記第１の縦軸および前記第２の縦軸とは異なる１つまたは複数の対応する縦軸に沿って、前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールに実質的に平行な前記第１の方向に延びる１つまたは複数の金属線をさらに備え、
前記１つまたは複数の金属線の各金属線が、前記標準セル回路のプロセス技術の臨界寸法にほぼ等しい幅を有し、
前記第１の高アスペクト比電圧レールが、金属層内に配設された前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅にほぼ等しい幅を有し、
前記第２の高アスペクト比電圧レールが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅にほぼ等しい幅を有する、請求項１に記載の標準セル回路。
【請求項８】
前記第２の高アスペクト比電圧レールが、第２の供給電圧を受けるように構成される、請求項１に記載の標準セル回路。
【請求項９】
前記第２の高アスペクト比電圧レールが、接地に電気的に結合される、請求項１に記載の標準セル回路。
【請求項１０】
集積回路ＩＣに組み込まれる、請求項１に記載の標準セル回路。
【請求項１１】
低減された抵抗のために高アスペクト比電圧レールを採用する標準セル回路を製造するための方法であって、
第１の縦軸に沿って、垂直軸に直交する第１の方向に、第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップであって、前記第１の高アスペクト比電圧レールが、１．０より大きい、第１の高アスペクト比電圧レールのそれぞれの高さとそれぞれの幅との間の比として定義される高さ対幅比を有し、第１の供給電圧を受けるように構成される、ステップと、
第２の縦軸に沿って、前記第１の高アスペクト比電圧レールに実質的に平行な前記第１の方向に延びる第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップであって、前記第２の高アスペクト比電圧レールが、１．０より大きい、第２の高アスペクト比電圧レールのそれぞれの高さとそれぞれの幅との間の比として定義される高さ対幅比を有する、ステップと、
前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールに電気的に結合された回路デバイスを形成するステップであって、前記第１の高アスペクト比電圧レールと前記第２の高アスペクト比電圧レールとの間の電圧差が、前記回路デバイスに電力を供給する、ステップと
を含み、
前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールはともに、銅より高い抵抗率を有する金属を含む、方法。
【請求項１２】
前記第１の縦軸および前記第２の縦軸とは異なる１つまたは複数の対応する縦軸に沿って、前記第１の高アスペクト比電圧レールおよび前記第２の高アスペクト比電圧レールに実質的に平行な前記第１の方向に延びる１つまたは複数の金属線を配設するステップをさらに含み、前記１つまたは複数の金属線の各金属線が、前記標準セル回路のプロセス技術の臨界寸法にほぼ等しい幅を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ２倍と３倍との間の幅を有する前記第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップを含み、
前記第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ２倍と３倍との間の幅を有する前記第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ１倍と２倍との間の幅を有する前記第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップを含み、
前記第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅のほぼ１倍と２倍との間の幅を有する前記第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅にほぼ等しい幅を有する前記第１の高アスペクト比電圧レールを配設するステップを含み、
前記第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップが、前記１つまたは複数の金属線の各金属線の前記幅にほぼ等しい幅を有する前記第２の高アスペクト比電圧レールを配設するステップを含む、請求項１２に記載の方法。