【事件の表示】
　特願２０１２−５５２１５９「半導体ダイパッケージ構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月１８日国際公開、ＷＯ２０１１／１００３５１、平成２５年　５月２３日国内公表、特表２０１３−５１９２３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成２３年２月９日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２２年２月１０日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月１８日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年１２月１２日付けで手続補正がなされたが、平成２６年７月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月７日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
 　 
２．平成２６年１１月７日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２６年１１月７日付けの手続補正を却下する。 
［理　由］ 
（１）補正後の本願発明 
　平成２６年１１月７日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】
　パッケージ基板上のフリップチップ半導体ダイと、
　前記パッケージ基板上の、
薄膜処理によって
　前記スペーサおよび前記フリップチップ半導体ダイによって支持されているワイヤボンド半導体ダイと、を備えるシステムインパッケージ。」 
と補正された。
 
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「集積された受動素子を備えるスペーサ」について、受動素子が「薄膜処理によって」集積されたものである旨の限定を付加するものである。 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 
 　 
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１５７０７１号公報（以下、「引用例」という。）には、「半導体装置」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
　ア．「【請求項１】
  
第１の配線電極と第２の配線電極を有する配線基板上に、前記第１の配線電極と接続される電極を表面に有する第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップよりも大きく表面の少なくとも周辺に前記第２の配線電極と金属細線により電気的に接続される電極を有する第２の半導体チップとを実装した半導体装置であって、前記第１の半導体チップの裏面と前記第２の半導体チップの裏面が接着剤により接着される
半導体装置
　イ．「【０００１】
  この発明は、
一つの樹脂封止型半導体装置内に複数の半導体チップや受動部品を積載し、特に第１の半導体チップはフリップチップ接続し、第２の半導体チップは金属細線で接続される樹脂封止型半導体装置
に関する
　 
　ウ．「【００１９】
  図１に示す
樹脂封止型半導体装置は
キャリア基板（配線基板）２０と、キャリア基板２０上面の複数の電極（第１の配線電極）２２に対して導電性ペースト６を介してＡｕバンプ５により接合される電極パッド３を表面に有する第１の半導体チップ１と
第１の半導体チップ１よりも大きく
第１の半導体チップ１と背中合わせになるように
接合される第２の半導体チップ２と、第２の半導体チップ２の電極パッド４とキャリア基板２０の電極（第２の配線電極）２３を接続したＡｕワイヤ７と、第１と第２の半導体チップ１，２およびＡｕワイヤ７が覆われるように封止した封止樹脂２５からなる
　 
　エ．「【００４０】
  図９（ａ）はこの発明のさらに他の実施形態の樹脂封止型半導体装置の一部破断平面図、（ｂ）は断面図である。
【００４１】
  
図９に示すように、図１の実施の形態において、キャリア基板２０の第１の半導体チップ１実装面に受動部品１７が電気的に接続され、第２の半導体チップ２は、第１の半導体チップ１および受動部品１７の配置領域よりも大きく
第１の半導体チップ１の裏面の高さと略同じ高さになるようなスペーサ１６が受動部品１７の裏面に接着されている
【００４２】
  この半導体装置の製造工程は図５および図６と同様であるが、キャリア基板２０と第１の半導体チップ１とを電気的に接続する工程（図５（ａ））の際、キャリア基板２０と受動部品１７を電気的に接続する。キャリア基板２０と第１の半導体チップ１との間にアンダーフィル樹脂１３を形成した後、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ２とを接着する工程（図５（ｃ））の際、
第２の半導体チップ２の裏面とこれに対向する受動部品１７の裏面との間に、第１の半導体チップ１の裏面の高さと略同じ高さになるようなスペーサ１６を介在した状態で接着する
　 
　・上記引用例に記載の「半導体装置」は、上記「イ．」の記載事項によれば、一つの樹脂封止型半導体装置内に複数の半導体チップや受動部品を積載し、特に第１の半導体チップはフリップチップ接続し、第２の半導体チップは金属細線で接続される樹脂封止型半導体装置に関するものであり、
　具体的には、上記「ア．」〜「エ．」の記載事項、及び図１、図９によれば、樹脂封止型半導体装置は、キャリア基板（配線基板）２０と、キャリア基板２０上面の複数の第１の電極２２に対してＡｕバンプ５等によりフリップチップ接続された第１の半導体チップ１と、第１の半導体チップ１よりも大きく、第１の半導体チップ１と背中合わせになるように第１の半導体チップ１に接着され、キャリア基板２０の第２の電極２３とＡｕワイヤ７により電気的に接続された第２の半導体チップ２と、第１と第２の半導体チップ１，２およびＡｕワイヤ７が覆われるように封止した封止樹脂２５からなるものである。
　・上記「エ．」の記載事項、及び図９によれば、さらに、キャリア基板２０の第１の半導体チップ１実装面には複数の受動部品１７がはんだ付けにより電気的に接続され、第２の半導体チップ２は、第１の半導体チップ１および複数の受動部品１７の配置領域よりも大きく、また、第２の半導体チップ２と第１の半導体チップ１との接着は、第１の半導体チップ１の裏面の高さと略同じ高さになるように受動部品１７の裏面に接着されたスペーサ１６が第２の半導体チップ２の裏面とこれに対向する受動部品１７の裏面との間に介在した状態でなされてなるものである。
　
　したがって、特に図９に示される実施形態に係るものに着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「キャリア基板（配線基板）と、
　前記キャリア基板（配線基板）上面の複数の第１の電極に対してＡｕバンプ等によりフリップチップ接続された第１の半導体チップと、
　前記キャリア基板（配線基板）の前記第１の半導体チップ実装面にはんだ付けにより電気的に接続された複数の受動部品と、
　前記第１の半導体チップの裏面の高さと略同じ高さになるように前記複数の受動部品の裏面に接着されたスペーサと、
　前記第１の半導体チップおよび前記複数の受動部品の配置領域よりも大きい第２の半導体チップであって、前記スペーサを介在した状態で前記第１の半導体チップと背中合わせになるように当該第１の半導体チップに接着され、前記キャリア基板（配線基板）の第２の電極とＡｕワイヤにより電気的に接続された第２の半導体チップと、
　前記第１と第２の半導体チップおよび前記Ａｕワイヤが覆われるように封止した封止樹脂と、からなる樹脂封止型半導体装置。」 
　 
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
　ア．引用発明における「キャリア基板（配線基板）」は、本願補正発明における「パッケージ基板」に相当し、
　引用発明における「キャリア基板（配線基板）と、前記キャリア基板（配線基板）上面の複数の第１の電極に対してＡｕバンプ等によりフリップチップ接続された第１の半導体チップと」によれば、
　引用発明の「第１の半導体チップ」は、キャリア基板（配線基板）上にフリップチップ接続されてなるものであるから、本願補正発明でいう「フリップチップ半導体ダイ」に相当するものであり、
　本願補正発明と引用発明とは、「パッケージ基板上のフリップチップ半導体ダイと」を備えるものである点で一致する。
　
　イ．引用発明における「スペーサ」は、本願補正発明における「スペーサ」に相当し、
　引用発明における「前記キャリア基板（配線基板）の前記第１の半導体チップ実装面にはんだ付けにより電気的に接続された複数の受動部品と、前記第１の半導体チップの裏面の高さと略同じ高さになるように前記複数の受動部品の裏面に接着されたスペーサと」によれば、
　引用発明の「スペーサ」は、複数の受動部品を介してではあるが、キャリア基板（配線基板）上に設けられてなるものであり、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記パッケージ基板上のスペーサと」を備えるものである点で共通するといえる。
　ただし、引用発明の「スペーサ」は、「薄膜処理によって集積された受動素子を備える」ものではない点で本願補正発明とは後述の相違点がある。
　
　ウ．引用発明における「・・前記第１の半導体チップの裏面の高さと略同じ高さになるように前記複数の受動部品の裏面に接着されたスペーサと、前記第１の半導体チップおよび前記複数の受動部品の配置領域よりも大きい第２の半導体チップであって、前記スペーサを介在した状態で前記第１の半導体チップと背中合わせになるように当該第１の半導体チップに接着され、前記キャリア基板（配線基板）の第２の電極とＡｕワイヤにより電気的に接続された第２の半導体チップと」によれば、
 (a)引用発明の「第２の半導体チップ」は、キャリア基板（配線基板）の第２の電極とＡｕワイヤにより電気的に接続されてなるものであるから、本願補正発明でいう「ワイヤボンド半導体ダイ」に相当するものであり、
 (b)さらに、引用発明の「第２の半導体チップ」は、第１の半導体チップと、当該第１の半導体チップの裏面の高さと略同じ高さになるように複数の受動部品の裏面に接着されたスペーサとの上に接着されてなるものであり、スペーサおよび第１の半導体チップによって支持されているということができる。
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「前記スペーサおよび前記フリップチップ半導体ダイによって支持されているワイヤボンド半導体ダイと」を備えるものである点で一致する。
　
　エ．そして、引用発明における「前記第１と第２の半導体チップおよび前記Ａｕワイヤが覆われるように封止した封止樹脂と、からなる樹脂封止型半導体装置」によれば、
　引用発明の「樹脂封止型半導体装置」は、第１の半導体チップや第２の半導体チップが封止樹脂により一つのパッケージに封止されてなるものであるから、本願補正発明でいう「システムインパッケージ」に相当するといえる。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「パッケージ基板上のフリップチップ半導体ダイと、
　前記パッケージ基板上のスペーサと、
　前記スペーサおよび前記フリップチップ半導体ダイによって支持されているワイヤボンド半導体ダイと、を備えるシステムインパッケージ。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点］　 
　スペーサについて、本願補正発明では、「薄膜処理によって集積された受動素子を備える」旨特定するのに対し、引用発明では、キャリア基板（配線基板）の第１の半導体チップ実装面にはんだ付けにより電気的に接続された複数の受動部品を備え、スペーサが当該複数の受動部品の裏面に接着されてなるものである点。　
　
（４）判断 
　上記［相違点］について検討する。 
　引用発明における複数の「受動部品」は、キャリア基板（配線基板）の実装面に半田付けにより電気的に接続されてなるものであり、いわゆるチップ部品であるといえるが、例えば特表２００７−５１４３２６号公報（特に【要約】、段落【００１７】〜【００１８】、【００２４】、図１、図２を参照）、特開２００５−３２２８８７号公報（段落【００４５】、【００６４】、図４を参照）、特開２００６−２７０９５９号公報（特に段落【０００８】、【００１８】、図１を参照）、特開２００２−３３５８３号公報（段落【０００１】、【０００５】を参照）に記載あるいは示唆されているように、受動素子を基材の表面に薄膜処理（薄膜形成技術）によって集積して形成することは周知の技術事項であり、引用発明においても複数の受動部品を、チップ部品に代えて薄膜処理（薄膜形成技術）によって集積された受動素子とすることは当業者が容易になし得ることである。
　そしてその際、薄膜処理（薄膜形成技術）による受動素子を、キャリア基板（配線基板）とスペーサとの間のどちら側の面上に形成するかは適宜選択し得る事項であって、例えば上記特表２００７−５１４３２６号公報や上記特開２００５−３２２８８７号公報にはスペーサ側に受動素子を形成することも記載されているところであり、引用発明において、スペーサ側の面上に薄膜処理（薄膜形成技術）による受動素子を形成し、上記相違点に係る構成とすることも当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　そして、本願補正発明が奏する効果についてみても、引用発明及び周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
＜＜上申書において提示の補正案について＞＞
　なお、請求人は、平成２７年３月１０日付け上申書において、特許請求の範囲についての補正案を提示しているが、半導体チップ（半導体ダイ）が配置される基材などに対して、熱伝導能力を高めるための熱伝導材料を含む貫通ビア（いわゆるサーマルビア）を設けることは周知の技術事項（例えば特開２００１−１０２５１４号公報の段落【０００４】の記載、特開２００４−１０３９５５号公報の段落【００５０】の記載を参照）であることを考慮すると、依然として進歩性を有していないものであり、そもそも改めて補正の機会を与えるべき法的根拠も見出せない。
　
３．本願発明について 
　平成２６年１１月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年１２月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　パッケージ基板上のフリップチップ半導体ダイと、
　前記パッケージ基板上の、集積された受動素子を備えるスペーサと、
　前記スペーサおよび前記フリップチップ半導体ダイによって支持されているワイヤボンド半導体ダイと、を備えるシステムインパッケージ。」
 　 
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
 　 
（２）対比・判断 
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である
「集積された受動素子を備えるスペーサ」について、受動素子が「薄膜処理によって」集積されたものである旨の限定を省いたものに相当する。 
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
（３）むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。