【手続補正書】
【提出日】令和2年1月7日(2020.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスをパッケージングするための方法であって、
基板のアッセンブリパッド上に半導体チップを取り付けることであって、前記基板がリードを含み、前記半導体チップが、第１及び第２の端子と、ポリイミドの閉じた構造を有する表面とを含む、前記半導体チップを取り付けることと、
第１のシリコーン材料の層を用いて前記閉じた構造の内部の前記表面の領域上に前記ＭＥＭＳデバイスを取り付けることと、
前記ＭＥＭＳデバイスの端子から前記第１の端子にボンディングワイヤを架けることと、
前記ＭＥＭＳデバイスと前記ボンディングワイヤとの上に第２のシリコーン材料の層をディスペンスすることによってグロブ（ｇｌｏｂ）を形成して、前記グロブの表面を前記閉じた構造の内部の前記表面の一部に制限することと、
前記グロブを硬化させることと、
前記グロブの表面上に第３のシリコーン材料の層をディスペンスすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、
前記第１、第２及び第３のシリコーン材料の層が１０ＭＰａより小さい弾性を有する低弾性シリコーンである、方法。
【請求項３】
請求項１の方法であって、
前記第２のシリコーン材料の層が、疎水性であり、エポキシベースのモールディング化合物に対して非接着性である、方法。
【請求項４】
請求項１の方法であって、
前記グロブを形成する前に、前記第２の端子を前記基板のリードにワイヤボンディングすることと、
前記第３のシリコーン材料の層をディスペンスすることの後に、前記第３のシリコーン材料の層を硬化することと、
前記グロブにより埋め込まれる前記ＭＥＭＳデバイスを含む集積デバイスと、前記半導体チップと、前記基板との一部を重合体モールディング化合物内に覆うことと、
前記グロブを硬化することの後で前記第３のシリコーン材料の層をディスペンスすることの前に、前記半導体チップと前記基板と前記グロブとの一部をプラズマエッチングすることと、
を更に含む、方法。
【請求項５】
請求項１の方法であって、
前記基板が前記アッセンブリパッドとリードとを有するリードフレームである、方法。
【請求項６】
請求項５の方法であって、
前記リードフレームがクワッドフラットノーリード（ＱＦＮ）リードフレームである、方法。
【請求項７】
請求項４の方法であって、
前記重合体モールディング化合物が、無機充填材粒子を含むエポキシベースの熱硬化性モールディング配合物である、方法。
【請求項８】
請求項１の方法であって、
前記半導体チップを取り付けることが、エポキシベースの重合体化合物を用いる、方法。
【請求項９】
請求項１の方法であって、
前記半導体チップを取り付けることの前に、
複数の半導体チップを含むシリコンウェハの表面の上にポリイミド材料の層を被覆することと、
前記複数の半導体チップの各々の上の前記閉じた構造を形成するために、フォトレジスト層をスピンオンし、前記フォトレジスト層をマスキングし、露光し、現像することを含むフォトリソグラフィ法を用いて、前記ポリイミド材料の層をパターニングすることと、
前記ポリイミド材料に、第１の時間硬化することと、アッシングすることと、第２の時間硬化することとを連続的に受けさせることと、
を更に含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記アッシングすることが、酸素プラズマを含む、方法。
【請求項１１】
集積マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスをパッケージングするための方法であって、
第１及び第２の端子と、ポリイミドの閉じた構造を有する表面とを含む半導体チップをリードを含む基板のアッセンブリパッド上に取り付けることと、
第１のシリコーン材料の層を用いて前記閉じた構造の内部の領域上に前記ＭＥＭＳデバイスを取り付けることと、
前記ＭＥＭＳデバイスの端子から前記第１の端子にボンディングワイヤを架けることと、
前記ＭＥＭＳデバイスと前記ボンディングワイヤとの上に第２のシリコーン材料の層をディスペンスすることによりグロブを形成して、前記グロブを前記閉じた構造の内部の前記領域に制限することと、
前記グロブを硬化させることと、
前記グロブの表面上にエポキシ化合物の層をディスペンスすることと、
前記エポキシ化合物の層を硬化させることと、
前記グロブにより埋め込まれる前記ＭＥＭＳデバイスと、前記半導体チップと、前記基板の一部とを重合体モールディング化合物内に覆うことと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１の方法であって、
前記第１及び第２のシリコーン材料の層が１０ＭＰａ未満の弾性を有する低弾性シリコーン材料である、方法。
【請求項１３】
請求項１１の方法であって、
前記グロブを形成することの前に、前記半導体チップの第２の端子を前記基板のコンタクトパッドにワイヤボンディングすることと、
前記グロブを硬化させることの後で前記エポキシ化合物の層をディスペンスすることの前に、前記半導体チップと前記基板と前記グロブとの一部をプラズマエッチングすることと、
を更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項１１の方法であって、
前記半導体チップを取り付けることの前に、
複数の半導体チップを含むシリコンウェハの表面の上にポリイミド材料の層を被覆することと、
前記複数の半導体チップの各々の上に前記閉じた構造を形成するために、フォトレジスト層をスピンオンし、前記フォトレジスト層をマスキングし、露光し、現像することを含むフォトリソグラフィ法を用いて、前記ポリイミド材料の層をパターニングすることと、
前記ポリイミド材料の層に、第１の時間硬化することと、アッシングすることと、第２の時間硬化することとを連続的に受けさせることと、
を更に含む、方法。
【請求項１５】
パッケージングされたマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
パッドとリードとを含む基板と、
第１及び第２の端子を備える回路要素を含む半導体チップであって、前記第２の端子が前記リードにワイヤボンディングされる、前記半導体チップと、
シリコーン化合物の層により前記半導体チップの表面に取り付けられるＭＥＭＳデバイスであって、前記ＭＥＭＳデバイスの端子が、前記第１の端子へのワイヤ懸架によりボンディングされる、前記ＭＥＭＳデバイスと、
前記ＭＥＭＳデバイスと前記第１の端子とを囲む前記半導体チップの表面上のポリイミドの閉じた構造と、
前記ＭＥＭＳデバイスと前記ワイヤ懸架とを覆うシリコーン材料のグロブであって、前記半導体チップの前記閉じた構造の内部の表面領域に制限される、前記グロブと、
前記グロブと前記半導体チップと前記基板との一部を覆うモールディング化合物であって、前記グロブに対して非接着性である、前記モールディング化合物と、
を含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
請求項１５のＭＥＭＳデバイスであって、
前記ＭＥＭＳデバイスが、応力による影響を受け易い、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
請求項１５のＭＥＭＳデバイスであって、
前記シリコーン化合物の層と前記シリコーン材料とが１０ＭＰａ未満の弾性を有する低弾性シリコーン化合物である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
請求項１５のＭＥＭＳデバイスであって、
前記モールディング化合物がエポキシベースの熱硬化性モールディング化合物である、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
請求項１５のＭＥＭＳデバイスであって、
前記閉じた構造の前記表面領域が、前記ポリイミド化合物の第１の硬化とアッシングと第２の硬化とのプロセスシーケンスから生じる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２０】
請求項１５のＭＥＭＳデバイスであって、
前記閉じた構造が、円と矩形との一方の形状を有する、ＭＥＭＳデバイス。