(57)【要約】フラッシュ変換層（FTL）を有するフラッシュ・ベースのメモリ（PH_MEM）。前記フラッシュ変換層はセクタ分けされた記憶媒体をエミュレートする論理ファイル・システム（LG_MEM）の第一の論理アドレスを前記フラッシュ・ベースのメモリ（PH_MEM）の第一の物理アドレスと関連付ける第一の変換情報を有し、前記論理アドレスは論理セクタ開始アドレスである。前記論理ファイル・システム（LG_MEM）は、前記フラッシュ・ベースのメモリ（PH_MEM）に記憶されるファイル（PSF）のデータの論理的サイズを拡張するある数の論理的な詰め物ビット（LSB）を有し、それにより、拡張された論理的サイズは整数個の論理セクタ（L_SEC）に対応し、前記フラッシュ変換層（FTL）は第二の論理アドレスを第二の物理アドレスに関連付ける、前記論理的詰め物ビット（LSB）の数に依存する第二の変換情報を有し、前記ファイルは前記第一の物理アドレスに始まり前記第二の物理アドレスで終わる連続的な物理アドレス・シーケンスにおいて記憶される。
2012510101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュ変換層（FTL）を有するフラッシュ・ベースのメモリ（PH_MEM）であって、前記フラッシュ変換層は論理ファイル・システムの第一の論理アドレスを前記フラッシュ・ベースのメモリの第一の物理アドレスと関連付ける第一の変換情報を有し、
・前記論理ファイル・システムはセクタ分けされた記憶媒体をエミュレートし、前記論理アドレスは論理セクタ開始アドレスであり、
・前記論理ファイル・システムは、前記フラッシュ・ベースのメモリに記憶されるファイルのデータの論理的サイズを拡張するある数の論理的な詰め物ビットを有し、それにより、拡張された論理的サイズは整数個の論理セクタに対応し、
・前記フラッシュ変換層は第二の論理アドレスを第二の物理アドレスに関連付ける第二の変換情報を有し、前記第二の変換情報は前記論理的詰め物ビットの数に依存し、
・前記ファイルのデータは前記第一の物理アドレスに始まる連続的な物理アドレス・シーケンスにおいて記憶され、
・前記第二の物理アドレスは前記連続的な物理アドレス・シーケンスの終わりに隣接して後続する、
フラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項２】
前記第二の論理アドレスと前記第一の論理アドレスとの間の差は、前記第二の物理アドレスと前記第一の物理アドレスとの間の差よりも、前記論理的詰め物ビットの数だけ大きい、請求項１記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項３】
当該フラッシュ・ベースのメモリはNANDフラッシュ・メモリを有し、前記論理ファイル・システムはISO13346に準拠する、請求項１または２記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項４】
前記論理ファイル・システムは2048バイトの論理セクタをエミュレートする、請求項１ないし３のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項５】
前記論理ファイル・システムにおける前記ファイルの名前が、前記ファイルの記憶に使われている物理的な詰め物ビットの数が前記論理的な詰め物ビットの数に対応しないことを示す、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項６】
前記ファイルは論理ディレクトリに含まれ、前記論理ディレクトリは、前記ファイルの記憶に使われている物理的な詰め物ビットの数が前記論理的な詰め物ビットの数に対応しないことを示す名前をもつ、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項７】
前記ファイルのファイル識別子フィールド中の少なくとも一つのフラグ・ビットが、前記ファイルの記憶に使われている物理的な詰め物ビットの数が前記論理的な詰め物ビットの数に対応しないことを示す、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項８】
前記ファイルに関連付けられた情報制御ブロックのヘッダ中の少なくとも一つのフラグ・ビットが、前記ファイルの記憶に使われている物理的な詰め物ビットの数が前記論理的な詰め物ビットの数に対応しないことを示す、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項９】
前記ファイルは論理ディレクトリに含まれ、前記論理ディレクトリのディレクトリ識別子フィールド中の少なくとも一つのフラグ・ビットが、前記ファイルの記憶に使われている物理的な詰め物ビットの数が前記論理的な詰め物ビットの数に対応しないことを示す名前をもつ、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項１０】
前記ファイルは論理ディレクトリに含まれ、前記論理ディレクトリに関連付けられた情報制御ブロックのヘッダ中の少なくとも一つのフラグ・ビットが、前記ファイルの記憶に使われている物理的な詰め物ビットの数が前記論理的な詰め物ビットの数に対応しないことを示す、請求項１ないし４のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリ。
【請求項１１】
フラッシュ変換層（FTL）を有するフラッシュ・ベースのメモリにファイルを記憶する方法であって、前記フラッシュ変換層は論理ファイル・システムの第一の論理アドレスを前記フラッシュ・ベースのメモリの第一の物理アドレスと関連付ける第一の変換情報を含み、当該方法は：
・前記ファイルのデータを前記第一の物理アドレスで始まる連続的な物理アドレス・シーケンスにおいて記憶する段階と、
・前記連続的な物理アドレス・シーケンスの終わりに隣接して後続する第二の物理アドレスを決定する段階と、
・前記ファイルのデータのサイズを、拡張されたサイズが整数個のセクタに対応するよう拡張するために必要とされる論理的詰め物ビットの数に依存して第二の論理セクタ開始アドレスを決定する段階と、
・第二の変換情報を前記フラッシュ変換層に加える段階とを含み、前記第二の変換情報は前記第二の論理アドレスを第二の物理アドレスに関連付ける、
方法。
【請求項１２】
前記第二の論理アドレスと前記第一の論理アドレスとの間の差は、前記第二の物理アドレスと前記第一の物理アドレスとの間の差よりも、詰め物ビットの前記数だけ大きい、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
ファイルの、ファイル・システムに関係するメタデータおよびコンテンツに関係するユーザー・データが、前記フラッシュ・ベースのメモリの別個の記憶領域に記憶される、請求項１ないし１０のうちいずれか一項記載のフラッシュ・ベースのメモリまたは請求項１１もしくは１２記載の方法。
【請求項１４】
前記コンテンツに関係するユーザー・データが一つまたは複数のスチール画像またはビデオ・フレームの画像データを含む、請求項１３記載のフラッシュ・ベースのメモリまたは方法。
【請求項１５】
前記フラッシュ・ベースのメモリはNANDフラッシュ・メモリを有し、前記論理ファイル・システムはISO13346に準拠する、請求項１１ないし１４のうちいずれか一項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュ変換層（Flash  translation  layer）を有するフラッシュ・ベースの（Flash  based）メモリおよび該メモリにおけるファイル記憶方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラッシュ・ベースのメモリはハードディスクおよびDVDやBDのような光メディアに比して著しい利点を提供する。フラッシュ・メモリは可動部分がアクセスされることを必要とせず、よって可動部分の動作を損なう影響のためにアクセス不能になることがありえない。このためフラッシュは、荒々しい条件が生じうるモバイル用途のための好適な記憶装置となっている。
【０００３】
そのような用途の一つは、スチールまたはビデオ・フレームの画像の取り込みである。フラッシュ・ベースのメモリは、デジタル・スチール・カメラおよびデジタル・ビデオ・カメラのような最終消費者装置において記憶装置として使われる。フラッシュ・ベースのメモリはMP3プレーヤーにも見出せる。さらに、フラッシュ・ベースのメモリは、プロフェッショナル用デジタル映画カメラのための記憶装置としても重要性を増しつつある。
【０００４】
一般に、フラッシュ・メモリは、ウェアレベリング（wear-levelling）および誤り訂正を受け持つ内部記憶管理をもつ。アプリケーションは、いわゆるフラッシュ変換層（FTL:  Flash  translation  layer）を介してこの内部記憶管理と対話する。FTLは、ファイル・システム、たとえばFAT32をエミュレートする。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
理論上、FAT32ファイル・システムは任意のサイズを有しうるが、実際上は非常に大きなFAT32ファイル・システムは遅くなり、非効率的になる。したがって、いくつかのオペレーティング・システムでは、FAT32ファイル・システム・サイズは32GBに制限される。さらに、FAT32上での可能な最大ファイル・サイズは4GByteより１バイト小さく、FAT32によって扱えるディレクトリ当たりのファイル数は1000に制限される。また、FAT32ではファイルを保持するよう割り当てられることのできる最小論理量であるクラスターが大きいという事実のため、多くの記憶容量が、クラスター・サイズより著しく小さいファイルが記憶されているクラスターにビットを詰め物するために浪費される。
【０００６】
リムーバブル・メディア上でのFATは、光学式メディア上にファイルを記憶するためのファイル・システムのフォーマット仕様であるユニバーサル・ディスク・フォーマット（UDF:  Universal  Disk  Format）によって置き換えられてもよい。UDFをエミュレートするFTLは外側からはセクタ分けされた記憶媒体のように見える。
【０００７】
フラッシュ・ベースのメモリは――少なくとも今日のところ――GB当たりの価格が光ディスクのような他の記憶メディアに比べて高いという欠点がある。
【０００８】
したがって、当技術分野では、フラッシュ・ベースのメモリの記憶容量をできるだけ効率的に活用しようとする努力が進行中である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明はこの努力に携わるものであり、請求項１記載のフラッシュ変換層を有するフラッシュ・ベースのメモリを提案する。
【００１０】
すなわち、フラッシュ・ベースのメモリに含まれるフラッシュ変換層は論理ファイル・システムの第一の論理アドレスを前記メモリの第一の物理アドレスと関連付ける第一の変換情報を含む。ここで、前記論理ファイル・システムはセクタ分けされた記憶媒体をエミュレートし、前記論理アドレスは論理セクタ開始アドレスであり、前記論理ファイル・システムは、前記フラッシュ・ベースのメモリに記憶される第一のファイルのデータの論理的サイズを拡張するある数の論理的な詰め物ビットを有し、それにより、拡張された論理的サイズは整数個のセクタに対応し、前記フラッシュ変換層は第二の論理アドレスを第二の物理アドレスに関連付ける第二の変換情報を有し、前記第二の変換情報は前記論理的詰め物ビットの数に依存し、前記ファイルのデータは前記第一の物理アドレスに始まる連続的な物理アドレス・シーケンスに記憶され、前記第二の物理アドレスは前記連続的な物理アドレス・シーケンスの終わりに隣接して後続する。
【００１１】
変換情報を前記論理的詰め物ビットの数に依存させると、エミュレートされたファイル・システムにおいてセクタを充填するために必要とされる論理的詰め物は、前記フラッシュ・ベースのメモリ中の物理的な詰め物よりも多くのビットを含んでいてもよい。このように、詰め物をすることで浪費されるフラッシュ記憶容量が少なくなる。
【００１２】
ある実施形態では、前記第二の論理アドレスと前記第一の論理アドレスとの間の差は、前記第二の物理アドレスと前記第一の物理アドレスとの間の差よりも、前記論理的詰め物ビットの数だけ大きい。
【００１３】
その際、ファイルどうしの間に何ら物理的な詰め物ビットなしに、ファイルは連続的なシーケンスとして記憶される。これは、ファイルが、フラッシュ・ベースのメモリに記憶されている間に編集されたり変更されたりする可能性が低い用途にとって有用である。
【００１４】
ファイル・システムに関係するメタデータが、コンテンツに関係するユーザー・データとは別個に前記フラッシュ・ベースのメモリに記憶されるもう一つの実施形態がある。
【００１５】
これは、変更される可能性がより高いメタデータが変更のためにより好適な異なる仕方で記憶される一方、ユーザー・データを連続的なストリームとして記憶することを許容する。
【００１６】
さらにもう一つの実施形態では、前記フラッシュ・ベースのメモリは、NANDフラッシュ・メモリを有し、前記論理ファイル・システムはISO13346に準拠する。
【００１７】
さらに、前記論理ファイル・システムは2048バイトのセクタをエミュレートしてもよい。
【００１８】
前記フラッシュ・ベースのメモリの種々の実施形態は、一つまたは複数のスチール画像またはビデオ・フレームの画像データを有するコンテンツに関係するユーザー・データに特に好適である。
【００１９】
本発明はさらに、フラッシュ変換層を有するフラッシュ・ベースのメモリにファイルを記憶するための、請求項７記載の特徴を有する方法を提案する。
【００２０】
前記方法は、前記ファイルのデータを第一の物理アドレスで始まる連続的な物理アドレス・シーケンスにおいて記憶する段階であって、ここで、前記フラッシュ変換層は論理ファイル・システムの第一の論理アドレスを前記メモリの前記第一の物理アドレスと関連付ける第一の変換情報を含む、段階と、前記連続的な物理アドレス・シーケンスの終わりに隣接して後続する第二の物理アドレスを決定する段階と、前記ファイルのデータのサイズを、拡張されたサイズが整数個のセクタに対応するよう拡張するために必要とされる論理的詰め物ビットの数に依存して第二の論理セクタ開始アドレスを決定する段階と、第二の変換情報を前記フラッシュ変換層に加える段階とを含み、前記第二の変換情報は前記第二の論理アドレスを第二の物理アドレスに関連付ける。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
本発明の例示的な実施形態が図面において示され、以下の記述においてより詳細に説明される。
【図１】物理的記憶装置上の論理的な記憶表現をマッピングするフラッシュ変換層を例示的に描く図である。
【図２】ディレクトリの、当該ディレクトリをポイントする、すなわちそのファイル識別子記述子テーブルをポイントする情報制御ブロックの間の関係を例示的に描く図である。このディレクトリの第一のファイル識別子記述子は別のファイル情報制御ブロックをポイントする。最後に、この情報制御ブロックは実際のペイロード・データの位置を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
記憶管理において、論理記憶管理は、インターフェースする層の助けにより、根底にある記憶構造の物理的性質から分離されてもよい。これは、同じ論理記憶管理システムを記憶装置の物理性とは独立して使うことを許容する。たとえば、SDまたはMMCのようなフラッシュ・メモリは、外部世界とメモリの内部表現との間の変換をするフラッシュ変換層を実装するコントローラを有する。
【００２３】
コントローラは、たとえば消去可能ブロック、削除されたブロック、書き込まれたブロックなどの特別なフラッシュ・メモリ性質の面倒を見る。コントローラはそのような特定のメモリ挙動へのアクセスを提供する。すなわち、削除された（deleted）ブロックに書き込む前に該削除されたブロックを消去し（erase）、フラッシュ・メモリ・ブロックの限られた書き込みサイクル数を尊重するために同じメモリ・ブロックの過度に頻繁な再使用を避けることによってウェアレベリングを実現する。
【００２４】
たいていの物理的記憶装置はセクタ・ベースであるので、FAT32、NTFSまたはUDFのような一般的な論理ファイル管理システムもセクタ・ベースである。すなわち、整数個のセクタのサイズに対応しないサイズをもつファイルは、サイズが整数個のセクタのサイズに等しくなるよう、論理的な詰め物ビットを詰め物される。これは、特に根底にある記憶装置がセクタ・ベースである場合、物理的記憶と論理的なファイル・システムの間のマッピングを単純に保つために有用である。
【００２５】
さらに、詰め物をすることは、ファイルのフラグメンテーションを必要とすることなく、ファイルの編集に応答してのファイル・サイズのわずかな変動を許容する。すなわち、ファイルの編集または更新に起因するわずかなファイル・サイズ増加は、詰め物ビットの数の対応する減少によって補償されうる。これもファイル管理を単純に保つ助けになる。したがって、いかなるセクタ整列も必要としない記憶装置においてでさえ物理的な詰め物ビットが設けられる。
【００２６】
プロフェッショナル用デジタル映画撮影（film  capturing）のような、非常に多数のファイルを生成するデータ取得用途がある。これらのアプリケーションは主としてデータを収集し、該データをある瞬間または時間区間に関連付けられたファイルに記憶する。たとえば、プロフェッショナル用デジタル映画撮影の例では、フレームが別個のファイルとして記憶される。これにより、あるフレームをのちに編集または処理のために取り出すことが簡単になる。
【００２７】
一般に、収集されたデータは、中間的にフラッシュ・メモリまたはフラッシュ・メモリ・アレイに記憶される。編集または処理される前に、収集されたデータはフラッシュ・メモリ・ベースの記憶デバイスからハードディスク・ドライブのような別の記憶デバイスに転送される。すると転送されたデータがハードディスク上で編集または処理される間、解放されたメモリ部分は新しいデータを収集するために再使用されうる。
【００２８】
こうして、このシナリオでは、フラッシュ・メモリ・ベースの記憶デバイス上ではファイル変更は起こらず、したがって、物理的な詰め物ビットの助けによりフラグメンテーションを回避する必要はない。
【００２９】
さらに、たとえば毎秒60フレームという生成されるファイル数の多さのため、物理的な詰め物ビットの量も大きくなる。よって、物理的に詰め物をすることが実行される場合、かなりの量の記憶スペースが空に保たれる。これは、フラッシュ・ベースの記憶デバイスの物理的な構造の理由からも必要とされず、ファイルがフラッシュ・ベースの記憶デバイス上にある間は編集または処理は実行されないので編集または処理の過程でのフラグメンテーションを回避するためにも必要とされないにもかかわらず、行われる。
【００３０】
そのようなシナリオでは、物理的な詰め物ビットの削減または回避が有利である。
【００３１】
図１に描かれる例示的な実施形態では、コントローラにおいて、フラッシュ・メモリ・ベースの記憶デバイスPH_MEMの論理的なユニバーサル・ディスク・フォーマット2.50（UDF2.50）LG_MEMへのマッピングが実現されるよう、フラッシュ変換層FTLが実装される。このFTLは、セクタ境界B_SECによって限られる2048バイトの論理セクタL_SECを有する論理的なユニバーサル・ディスク・フォーマットLG_MEMをエミュレートし、リナックスまたはウィンドウズ（登録商標）・オペレーティング・システムとの互換性を提供する。
【００３２】
可読性のため、単一のセクタ境界B_SECだけが参照符号を与えられているが、図１においてすべての破線がセクタ境界を表している。同じことは、右上がりの斜線を付したボックスとして描かれている論理的に記憶されたファイル（LSF:  logically  stored  files）および左上がりの斜線を付したボックスとして描かれている論理的な詰め物ビット（LSB:  logical  stuffing  bits）にも言える。同様に、物理的に記憶されたファイル（PSF:  physically  stored  files）を描く右上がりの斜線を付したボックスの一つだけが対応する参照符号を与えられている。
【００３３】
描かれているように、論理的な詰め物ビットLSBは論理的なメモリLG_MEMに含まれるが、物理的なメモリPH_MEMには存在しない。物理的なメモリPH_MEMでは、ファイルPSFのユーザー・データまたはペイロード・データが連続的なデータ・ブロックとして含まれている。
【００３４】
UDF2.50は、ファイルの属性にのみ関係するメタデータ（MD:  metadata）を、一つまたは複数のメタデータ・ブロックとして、ファイルに含まれる実際のユーザー・データ（UD:  user  data）とは別個に記憶することを許容する。これは、フラッシュ・コントローラにメタデータへの高速アクセスを許容する。さらに、ユーザー・データは、構成部分であるファイルに簡単に分離可能であるまま、連続的なストリームとして記録されることができる。こうして、構成部分であるファイルは、物理的には詰め物されず、このことはかなりの量の記憶容量を節約する。詰め物をされたサイズが2048バイト・セクタの整数倍に対応するよう物理的に詰め物されうるのは、全体としてのストリームだけである。
【００３５】
ユーザー・データからのメタデータの分離は、メタデータの最終的な記憶がすべてのユーザー・データがフラッシュ・ベースの記憶に記録されるまで延期されうる点でも有用である。すべてのユーザー・データがフラッシュ・ベースの記憶に記録されるまでは、メタデータはバッファリングされる。
【００３６】
よって、例示的なリアルタイムの映画撮影シナリオにおいて、ユーザー・データ、たとえば取り込まれたフレームは、連続的なデータ・シーケンスとしてフラッシュ・ベースの記憶に書き込まれ、メタデータ、たとえばユーザー・データをフレームに分離することを許容するフレーム識別子および記憶アドレスは、オンザフライで生成される。しかしながら、生成されたメタデータは、ユーザー・データの記録が完了するまで、中間的にバッファリングされる。次いで、生成されたメタデータはバッファからフラッシュ・ベースのメモリに転送される。
【００３７】
よって、ユーザー・データ・ストリームを連続的なデータ・シーケンスとして記録している間、メタデータ・ブロックに関係したアドレッシングは必要とされない。
【００３８】
デジタル映画撮影シナリオにおいては、膨大なデータ量が蓄積し、該膨大なデータ量がリアルタイムに生起しなければならず、フラッシュへの物理的な記憶がボトルネックになるので、連続的な記録は特に有用である。よって、連続的な記録の助けによって達成される記憶スピードの増加は非常に有利である。
【００３９】
たとえば、映画のシーン・ショットは、それぞれがファイルを構成する諸フレームの連続的なストリームとして記録されうる。その際、たとえばタイムスタンプおよび物理アドレスの助けによりフレームおよびその記憶位置を同定する別個に記憶されたメタデータの助けにより、それらのフレームは高速でかつ簡単にアクセス可能となる。
【００４０】
取り込まれたフレームが、たとえばCCDまたはCMOSセンサーによって取り込まれた圧縮されていない生データを含む場合、フレーム当たりのデータ量は一定である。よって、単独フレームだけではなく、所望されるフレーム数のフレーム・シーケンスも簡単にアクセスできる。主として、シーケンスの開始アドレスが要求される。すると、読まれたデータ量が所望されるフレーム数に含まれるデータ量に対応するようになるまでデータが読み込まれる。
【００４１】
いくつかのファイルを記載される連続ストリームとして記録する一方、たとえば他のファイルはフラッシュに存在する間に編集を受けることがありうるので該他のファイルは通常通りに記録されることが有用でありうる。たとえば、シーン・ショット前、シーン・ショット中またはシーン・ショット後まもなく書かれたシーン説明のようなメタデータもフラッシュに記録されてもよい。そのようなシーン説明は、映画セット上にある間に、すなわちシーン説明がフラッシュ・ベースのメモリ中にある間にすでに変更されることがありうる。したがって、シーン説明を含むファイルは詰め物ビットを用いて通常の仕方で記憶されてもよい。通常の記憶は、メタデータのどれにも適用されなくても、メタデータの一部に適用されても、メタデータのすべてに適用されてもよく、特にUDF2.50の助けによって別個に記憶されたメタデータについて適用されてもよい。
【００４２】
たとえば、撮影された映画シーンの画像フレームを含むファイルの名前の変更が許容される場合には、名前変更の結果としてのフラグメンテーションを避けるよう、フレームの名前はいくつかの物理的な詰め物ビットと一緒に記憶されてもよい。
【００４３】
メタデータがユーザー・データから分離されない場合および他のいくつかのシナリオでは、ファイルが、セクタ整列のために要求される論理的な詰め物ビットの量よりも少ない少量の物理的な詰め物ビットと一緒に記憶されることも有用でありうる。すると、フラグメンテーションにつながることなく、フラッシュ中のファイルの編集が可能であり、それでいていくらかの物理的な記憶容量の利得がある。
【００４４】
連続的なシーケンスとして記憶されるユーザー・データのファイルとは異なる通常通りに記憶されたファイルをFTLが扱うことを許容するために、名前付け規約が例示的に提案される。たとえば、ファイルのユーザー・データが連続的なシーケンス（contiguous  sequence）の一部として記憶される場合、例示的な識別子ストリング「$CTGS$_」が当該ファイルのファイル名の先頭に付加される。追加的または代替的に、連続的な仕方で記憶されるファイルは諸ディレクトリにおいて整理され、それらのディレクトリの名前は前記例示的な識別子ストリング「$CTGS$_」で始まる。
【００４５】
図２は、所与のファイルが連続的に記録されるか否かについての情報が、追加的にまたは代替的に、UDF2.50において規定される実装使用フィールド（Implementation  Use  Field）内で与えられてもよいことを描いている。たとえば、ImpUse[  ]の残りの４バイトに記憶される４キャラクタのストリング「CTGS」が、連続的に記録される諸ファイルを担持する諸ディレクトリの諸情報制御ブロックICB_DIRの実装使用フィールドおよび／または連続的な記録された諸ファイルの諸情報制御ブロックICB_FILEの実装使用フィールドにおいてインジケータとして使用されてもよい。
【００４６】
あるいは、諸ディレクトリの諸情報制御ブロックICD_DIRによって参照され、連続的な記録された諸ファイルの前記情報制御ブロックICB_FILEを参照するファイル識別子テーブル・エントリーFIDの実装使用フィールドが使用されてもよく、ここで、連続的な記録された諸ファイルの諸情報制御ブロックICB_FILEはペイロード・データPAY_LDを参照する。ファイル識別子テーブル・エントリーFIDの最初の32バイトはUDFによって事前占有されており、よって該32バイトよりあとのバイトが連続的記憶を指示する目的のために使用できる。その際、該指示は、FIDに基づく論理的な順序がフラッシュ中の諸ファイルのユーザー・データの物理的な順序に対応していることを示す。
【００４７】
さらに、連続的に記録された諸ファイルの実装使用フィールドは、連続的な記録ファイルの論理アドレスを物理アドレスにマッピングするために必要とされる追加的情報をも担持してもよい。論理的詰め物ビットによって誘起される、物理的等価物が存在しない仮想オフセットに関係する情報が実装使用フィールド中に含まれてもよい。
【００４８】
あるいは、オフセット情報はさらなるメタデータとして記憶されてもよい。
【００４９】
諸ディレクトリの情報制御ブロックICB_DIR、連続的な記録された諸ファイルの情報制御ブロックICB_FILE、FIDシーケンスおよび実際のペイロード・データは普通、メモリの異なるおよび／または区別可能な位置に存在する。
【００５０】
本発明は、セクタ・ベースのファイル・システムをフラッシュ記憶に適用し、連続的な書き込みを通じて最大レベルでの書き込みスピードを許容する簡単な方法を提供する。さらに、はいってくるファイルを配置するための最も効率のよい（MD対UD）あるいは所望される（連続的か否か）方法を自動的に認識する（MD/UD、ファイル／ディレクトリ名）ことのできるFTLが提供される。
【００５１】
本発明は、最小限の遅延で、ファイル・バースト、たとえばピクチャー・ファイルのシーケンスを記憶する方法を提供する。
【図１】
2012510101.tif 000003
【図２】
2012510101.tif 000004
【国際調査報告】
2012510101.tif 000005
2012510101.tif 000006
2012510101.tif 000007