【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年9月30日(2020.9.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の触媒の存在下かつ活性化剤の不在下で、少なくとも１つの反応器中で、１つ以上のオレフィンモノマーを接触させることを含むポリオレフィンを生成するための方法であって、前記触媒のうちの１つ以上が、以下の構造：
【化１】
2018516294.tif 000001
（式中、Ｍは、＋３の形式酸化状態であるＩＩＩ族またはランタニド金属であり、
各ＲＡは、独立して、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、Ｓｉ（ＲＢ）３、Ｇｅ（ＲＢ）３、Ｐ（ＲＢ）２、Ｎ（ＲＢ）２、ＯＲＢ、ＳＲＢ、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＦ３、ＲＢＳ（Ｏ）−、ＲＢＳ（Ｏ）２−、（ＲＢ）２Ｃ＝Ｎ−、ＲＢＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＢＯＣ（Ｏ）−、ＲＢＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、（ＲＢ）２ＮＣ（Ｏ）−、ハロゲン原子、水素原子、及び任意のそれらの組み合わせからなる群から選択され、
任意選択で、２つ以上のＲＡ基は、１つ以上の環構造に一緒に組み合わせることができ、このような環構造は、各環構造中に任意の水素原子を除いて、３〜５０個の原子を有し、
Ｚは、［（ＲＤ）ｎＧ］ｍであり、式中、ｍは１、２、３、または４であり、Ｇは、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、またはホウ素から独立して選択され、Ｇが炭素、ケイ素、またはゲルマニウムであるとき、ｎは２であり、Ｇがホウ素であるとき、ｎは１であり、
Ｙは、Ｍ及びＺに結合されて、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲＥ−、及び−ＰＲＥ−からなる群から選択され、
各ＲＢ、ＲＤ、またはＲＥは、独立して、（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビルまたは（Ｃ１−Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、
各Ｘは、独立して、ｎが０より大きいモノアニオン性または中性であり、各Ｘは、独立して、置換ベンジルまたは置換ヘテロアリールベンジルであり、
前記ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、及びヘテロヒドロカルビレン基のそれぞれは、独立して、非置換または１つ以上のＲＳ置換基によって置換され、
各ＲＳは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、パーフルオロ置換、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）アルキル、Ｆ３Ｃ−、ＦＣＨ２Ｏ−、Ｆ２ＨＣＯ−、Ｆ３ＣＯ−、Ｒ３Ｓｉ−、Ｒ３Ｇｅ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）２−、Ｒ２Ｐ−、Ｒ２Ｎ−、Ｒ２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、もしくはＲ２ＮＣ（Ｏ）−であり、または前記ＲＳのうちの２つが一緒になって、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）アルキレンを形成し、各Ｒは、独立して、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）アルキルであり、
任意選択で、ＲＳは、Ｍとの追加の相互作用を有してもよい）を有する、方法。
【請求項２】
Ｘが、
【化２】
2018516294.tif 000002
かるなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ以上のオレフィンモノマーが、エチレンを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上のオレフィンモノマーが、α−オレフィンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記１つ以上のオレフィンモノマーのうちの１つが、ジエンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上の触媒が、以下：
【化３】
2018516294.tif 000003
のうちの１つ以上を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記プロセスが、溶液相重合プロセス、気相重合プロセス、及びスラリー相重合からなる群から選択される１つ以上の重合プロセスにおいて実施される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記方法が、直列または並列に接続される複数の反応器中で実施される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
（式中、Ｍは、＋３の形式酸化状態であるＩＩＩ族またはランタニド金属であり、接触が任意の活性化剤及び／または連鎖移動剤の不在下で行われる）を有するプロセスに関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
（式中、Ｍは、＋３の形式酸化状態であるＩＩＩ族またはランタニド金属であり、各発生において独立したＲＡは、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、Ｓｉ（ＲＢ）３、Ｇｅ（ＲＢ）３、Ｐ（ＲＢ）２、Ｎ（ＲＢ）２、ＯＲＢ、ＳＲＢ、ＮＯ２、ＣＮ、ＣＦ３、ＲＢＳ（Ｏ）−、ＲＢＳ（Ｏ）２−、（ＲＢ）２Ｃ＝Ｎ−、ＲＢＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＢＯＣ（Ｏ）−、ＲＢＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、（ＲＢ）２ＮＣ（Ｏ）−、ハロゲン原子、水素原子、及び任意のそれらの組み合わせからなる群から選択され、任意選択で、２つ以上のＲＡ基は、１つ以上の環構造に一緒に組み合わせることができ、このような環構造は、各環構造中に任意の水素原子を除いて、３〜５０個の原子を有し、Ｚは、［（ＲＤ）ｎＧ］ｍであり、式中、ｍ＝１、２、３、または４であり、Ｇは、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、またはホウ素から独立して選択され、Ｇが炭素、ケイ素、またはゲルマニウムであるとき、ｎ＝２であり、Ｇがホウ素であるとき、ｎ＝１であり、Ｙは、Ｍ及びＺに結合されて、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲＥ−、及び−ＰＲＥ−からなる群から選択され、各ＲＢ、ＲＤ、またはＲＥは、独立して、（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビルまたは（Ｃ１−Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、Ｘは、（Ｃ１−Ｃ４０）炭化水素、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロ炭化水素、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、Ｓｉ（ＲＣ）３、Ｇｅ（ＲＣ）３、Ｐ（ＲＣ）２、Ｎ（ＲＣ）２、ＯＲＣ、ＳＲＣ、ＣＮ、ＣＦ３、ＲＣＳ（Ｏ）−、ＲＣＳ（Ｏ）２−、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ−、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＣＯＣ（Ｏ）−、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）−、ハロゲン原子、または水素原子であり、各ＲＣは、独立して、（Ｃ１−Ｃ３０）ヒドロカルビルまたは（Ｃ１−Ｃ３０）ヘテロヒドロカルビルであり、ヒドロカルビル、ヘテロヒドロカルビル、Ｓｉ（ＲＣ）３、Ｇｅ（ＲＣ）３、Ｐ（ＲＣ）２、Ｎ（ＲＣ）２、ＯＲＣ、ＳＲＣ、ＲＣＳ（Ｏ）−、ＲＣＳ（Ｏ）２−、（ＲＣ）２Ｃ＝Ｎ−、ＲＣＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＣＯＣ（Ｏ）−、ＲＣＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、（ＲＣ）２ＮＣ（Ｏ）−、ヒドロカルビレン、及びヘテロヒドロカルビレン基のそれぞれは、独立して、非置換または１つ以上のＲＳ置換基によって置換され、各ＲＳは、独立して、ハロゲン原子、ポリフルオロ置換、パーフルオロ置換、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）アルキル、Ｆ３Ｃ−、ＦＣＨ２Ｏ−、Ｆ２ＨＣＯ−、Ｆ３ＣＯ−、Ｒ３Ｓｉ−、Ｒ３Ｇｅ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）２−、Ｒ２Ｐ−、Ｒ２Ｎ−、Ｒ２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、もしくはＲ２ＮＣ（Ｏ）−であり、またはＲＳのうちの２つが一緒になって、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）アルキレンを形成し、式中、各Ｒは、独立して、非置換（Ｃ１−Ｃ１８）アルキルであり、任意選択で、ＲｃまたはＲＳは、Ｍとの追加の相互作用を有してもよく、重合を開始するために、活性化剤を必要としない）を有するプロセスを提供する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
（式中、Ｍは、＋３の形式酸化状態であるＩＩＩ族またはランタニド金属である）を有する少なくとも１つの触媒を利用する。触媒に有用なＩＩＩ族原子としては、スカンジウム及びイットリウムが挙げられる。触媒に有用なランタニド金属としては、ルテチウム及びエルビウムが挙げられる。