【事件の表示】
　特願２０１３−１３８２１４号「レーザー加工法を使用するＳＭＤおよび挿入実装ヒューズの製造」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月１７日出願公開、特開２０１３−２１４５２７号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、２００８年１２月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年１２月２９日　米国）を国際出願日とする特願２０１０−５４０９１８号の一部を平成２５年７月１日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年９月２６日付けで拒絶査定（発送日：同年９月３０日）がされ、これに対し、平成２７年２月２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　　　　　
　そして、本願の各請求項に係る発明は、平成２５年７月１０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　回路保護装置を製造する方法であって、
　対向する第１及び第２主面を有し、電気的に絶縁された基板を供給するステップと；
　前記基板の第１主面に導電性エレメント層を直接的に結合し、これにより絶縁された前記基板が、結合された前記導電性エレメント層の下に配置されるステップと；
　前記導電性エレメント層を直接的に結合した後、直接的に結合した前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工し、絶縁された前記基板を破損することなく絶縁された前記基板の第１主面から前記導電性エレメント層を蒸発させるステップと；
　前記基板に直接的に結合された前記導電性エレメント層の残りの部分を残存させ、直接的に結合された導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメントとして形成されるステップと；
　を備える回路保護装置を製造する方法。」
　　　　　
２　引用文献及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１６７９０９号公報（以下「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
（１）「【００３４】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形態１について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるヒューズ抵抗器の上面を透視した図、図１（ｂ）は同ヒューズ抵抗器のＢ−Ｂ断面図である。
【００３６】図１において、３１はガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなる絶縁性の基板である。３２は基板３１の上面に設けられたパラジウム等からなる矩形状の活性化層である。なお、活性化層３２は抵抗体３３をめっきによって設ける場合、めっきの下地として必要であり、抵抗体３３をめっき以外の方法で設ける場合は必要ない。３３は基板３１上の活性化層３２を覆うように設けられたニッケル−リン、ニッケル−ボロン、ニッケル−リン−ボロン、ニッケル−リン−タングステン、ニッケル−リン−鉄、ニッケル−クロム、ニッケル−銅、ニッケル−銅−リン等の金属からなる抵抗体である。このとき、抵抗体３３の形状は、活性化層３２の形状と略同一である。３４ａ，３４ｂは抵抗体３３の略中央部の側辺に、対向する辺をずらして設けられた相対向する略長方形の２つの欠除部である。３４は２つの相対向する略長方形の欠除部３４ａ，３４ｂの間に設けられた抵抗体３３における負荷集中部である。」
　　　　　
（２）「【００４７】以上のように構成された本発明の実施の形態１におけるヒューズ抵抗器について、以下にその製造方法について説明する。
【００４８】図４〜図６は本発明の実施の形態１におけるヒューズ抵抗器の製造方法を示す工程図である。なお、図４、図５（ａ）（ｂ）は上面図、図５（ｃ）（ｄ）、図６は斜視図になっている。
【００４９】まず、図４（ａ）に示すように、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板５１の上面に、個片に分割するための縦横の分割溝５２を金型等により形成する。さらに、分割溝５２を形成したシート状の基板５１の上面に、パラジウム等からなる有機物バインダ、ガラスバインダ等のペーストを印刷後、約５００℃で焼成して活性化層３２を形成する。なお、活性化層３２は、対向する辺をずらして設けられた相対向する略長方形の２つの欠除部３４ａ，３４ｂ間に形成される負荷集中部３４を有するようにパターン形成され、且つ分割溝５２の横溝を跨がり、縦溝を跨がらないようになっている。また、分割溝５２に囲まれた領域が１つのヒューズ抵抗器となる。さらに、負荷集中部３４は活性化層３２の略中央部に位置するようにする。
【００５０】次に、図４（ｂ）に示すように、シート状の基板５１に形成された活性化層３２を覆うように、無電解めっきによって抵抗体３３を形成する。この無電解めっきには、ニッケル−リン、ニッケル−ボロン、ニッケル−リン−ボロン、ニッケル−リン−タングステン、ニッケル−リン−鉄、ニッケル−クロム、ニッケル−銅、ニッケル−銅−リン等のいずれかを含む金属を用いる。
【００５１】このとき、活性化層３２をめっきの下地として抵抗体３３を設ける。従って、抵抗体３３の形状は、活性化層３２の形状と略同一になる。また、負荷集中部３４は抵抗体３３の欠除部３４ａ，３４ｂの間に設けられた部分なので、当然めっきで形成されることになる。
【００５２】次に、図４（ｃ）に示すように、抵抗体３３の上面の両端部に隣接して抵抗体３３と電気的に接続するように、銅、ニッケル等からなる金属皮膜をスパッタまたは真空蒸着して上面電極３６を形成する。このとき、上面電極３６は分割溝５２の横溝を跨がり、且つ１つのヒューズ抵抗器となる領域において抵抗体３３の上面の両端部に位置し、且つ連続しないように設ける。
【００５３】次に、図４（ｄ）に示すように、シート状の基板５１の上面の抵抗体３３に、抵抗値を調整するためのトリミング溝３５ａ，３５ｂを、レーザ等を用いて形成する。このとき、トリミング溝３５ａ，３５ｂの始端は抵抗体３３の対向する側辺に設け、トリミング溝３５ａ，３５ｂは負荷集中部３４を挟むように形成する。
【００５４】次に、図５（ａ）に示すように、シート状の基板５１に形成された少なくとも負荷集中部３４（本図では図示せず）を覆うように鉛ガラスペーストや炭化しない難燃性の塗料等を印刷後、乾燥させて低融点物質層３７を形成する。
【００５５】次に、図５（ｂ）に示すように、少なくとも低融点物質層３７と抵抗体３３（本図では図示せず）とを覆うようにエポキシ樹脂、シリコン樹脂、フェノール樹脂等の絶縁難燃性の塗料を印刷・乾燥後、約１５０〜２００℃で硬化して、保護膜３８を形成する。
【００５６】次に、図５（ｃ）に示すように、前工程で得られたシート状の基板５１を短冊状になるように横溝で分割し、短冊状基板５３を形成する。
【００５７】次に、図５（ｄ）に示すように、短冊状基板５３の端面に上面電極３６と電気的に接続するように、ニッケル−クロム、ニッケル−クロム−アルミナ等からなる金属皮膜をスパッタまたは真空蒸着して端面電極３９を形成する。
【００５８】次に、図６（ａ）に示すように、前工程で得られた短冊状基板５３を縦溝で分割し、個片状のヒューズ抵抗器５４にする。
【００５９】次に、図６（ｂ）に示すように、個片状のヒューズ抵抗器５４の端面に端面電極３９を覆うようにニッケルめっき層４０を形成する。
【００６０】最後に、図６（ｃ）に示すように、ニッケルめっき層４０を覆うようにはんだめっき層４１を形成してヒューズ抵抗器を製造するものである。
　・・・（中略）・・・
【００６３】なお、本発明の実施の形態１では、活性化層３２をパターン状に形成して抵抗体３３の欠除部３４ａ，３４ｂを形成するように説明したが、抵抗体３３を略長方形状に形成した後、エッチングやレーザトリミングによって抵抗体を除去することによって欠除部を形成しても同様の効果が見られる。」
　　　　　
（３）図１〜６を参照すると、シート状の基板５１は、対向する上面と下面とを有していること、及び、トリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成することにより、トリミング溝３５ａ、３５ｂを削除した形状の抵抗体３３が形成されることが認められる。
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用文献には、ヒューズ抵抗器の製造方法に関して、実施の形態１として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「対向する上面と下面とを有し、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板５１の上面に、活性化層３２を形成し、
　活性化層３２を覆うように、無電解めっきによって、ニッケル−リン、ニッケル−ボロン、ニッケル−リン−ボロン、ニッケル−リン−タングステン、ニッケル−リン−鉄、ニッケル−クロム、ニッケル−銅、ニッケル−銅−リン等のいずれかを含む金属を用いた、抵抗体３３を形成し、
　シート状の基板５１の上面の抵抗体３３に、抵抗値を調整するためのトリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成することにより、
　トリミング溝３５ａ、３５ｂを削除した形状の抵抗体３３が形成される、
　ヒューズ抵抗器の製造方法。」
　　　　　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ヒューズ抵抗器」は、本願発明の「回路保護装置」に相当する。
　以下、同様に「ヒューズ抵抗器の製造方法」は、「回路保護装置を製造する方法」に、
　「ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板５１」は、「電気的に絶縁された基板」に、
　シート状の基板５１の「上面」及び「下面」は、基板の「第１主面」及び「第２主面」に、
　「活性化層３２を覆うように、無電解めっきによって、ニッケル−リン、ニッケル−ボロン、ニッケル−リン−ボロン、ニッケル−リン−タングステン、ニッケル−リン−鉄、ニッケル−クロム、ニッケル−銅、ニッケル−銅−リン等のいずれかを含む金属を用いた、抵抗体３３」は、「導電性エレメント層」に、
　「シート状の基板５１の上面の抵抗体３３に、抵抗値を調整するためのトリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成する」ことは、「前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工」に、
　「トリミング溝３５ａ、３５ｂを削除した形状の抵抗体３３」は、「導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメント」に、それぞれ相当する。
　　　　　
　引用発明では、「対向する上面と下面とを有し、ガラスアルミナ、アルミナ、ガラス、窒化アルミナ等のいずれかからなるシート状の基板５１」に対して、抵抗体３３の形成を行っているから、抵抗体３３を形成する以前にシート状の基板５１が供給されているといえる。したがって、引用発明は、本願発明の「対向する第１及び第２主面を有し、電気的に絶縁された基板を供給するステップ」に相当する構成を備える。
  　　　　　
　引用発明では、「シート状の基板５１の上面に、活性化層３２を形成し、活性化層３２を覆うように、無電解めっきによって」抵抗体３３を形成しているから、シート状の基板５１は、抵抗体３３の下に配置されることとなる。したがって、引用発明は、本願発明の「前記基板の第１主面に導電性エレメント層を結合し、これにより絶縁された前記基板が、結合された前記導電性エレメント層の下に配置されるステップ」に相当する構成を備える。
　　　　　
　引用発明では、「シート状の基板５１の上面の抵抗体３３に、抵抗値を調整するためのトリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成」しているところ、レーザによって、抵抗体３３のトリミング溝３５ａ、３５ｂの部分は蒸発する。したがって、引用発明は、本願発明の「前記導電性エレメント層を結合した後、結合した前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工し、絶縁された前記基板の第１主面から前記導電性エレメント層を蒸発させるステップ」に相当する構成を備える。
　　　　　
　引用発明では、「シート状の基板５１の上面の抵抗体３３に、抵抗値を調整するためのトリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成することにより、トリミング溝３５ａ、３５ｂを削除した形状の抵抗体３３が形成される」から、引用発明は、本願発明の「前記基板に結合された前記導電性エレメント層の残りの部分を残存させ、結合された導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメントとして形成されるステップ」に相当する構成を備える。
　　　　　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　「回路保護装置を製造する方法であって、
　対向する第１及び第２主面を有し、電気的に絶縁された基板を供給するステップと；
　前記基板の第１主面に導電性エレメント層を結合し、これにより絶縁された前記基板が、結合された前記導電性エレメント層の下に配置されるステップと；
　前記導電性エレメント層を結合した後、結合した前記導電性エレメント層の一部をレーザー加工し、絶縁された前記基板の第１主面から前記導電性エレメント層を蒸発させるステップと；
　前記基板に結合された前記導電性エレメント層の残りの部分を残存させ、結合された導電性エレメント層の残りの部分が所定の幾何学的形状を持つヒューズエレメントとして形成されるステップと；
　を備える回路保護装置を製造する方法。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点１］
　基板の第１主面と導電性エレメント層との「結合」に関して、本願発明では「直接的に結合」しているのに対して、引用発明ではシート状の基板５１の上面と抵抗体３３との間に「活性化層３２」が形成され、この「活性化層３２」を介して結合しているから、直接的に結合とはいえない点。
　　　　　
［相違点２］
　導電性エレメント層の一部をレーザー加工することに関して、本願発明では、「絶縁された前記基板を破損することなく」レーザー加工しているのに対して、引用発明では、トリミング溝３５ａ、３５ｂをレーザを用いて形成する際に、シート状の基板を破損しているかどうか不明である。
　　　　　
４　判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用文献には、「なお、活性化層３２は抵抗体３３をめっきによって設ける場合、めっきの下地として必要であり、抵抗体３３をめっき以外の方法で設ける場合は必要ない。」（前記「２（１）」の段落【００３６】を参照。以下「引用文献記載の事項」という。）と記載され、抵抗体３３をメッキ以外の方法で設ける場合は、活性化層３２が必要ないことが記載されている。
　すると、引用発明において、抵抗体３３をめっき以外の方法で設けて、該活性化層３２を設けないようにすることにより、本願発明の上記相違点１に係る構成とすることは、引用文献記載の事項から、当業者が容易になし得たことである。
　　　　　
　なお、上記の「抵抗体３３をメッキ以外の方法で設ける」こととしては、例えば、原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−２３４０５７号公報の段落【００２７】に記載されているように、スクリーン印刷やスパッタリングの方法がある。
　　　　　
［相違点２］について
　導電性エレメントのレーザー加工の際に、導電性エレメントの下に配置される層が損傷されることは、本願優先日前に周知の課題であり、この損傷を防ぐことが当然に行われてきた。（以下「周知の事項」という。）
　　　　　
　例えば、原査定において引用され本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭６３−１４２６０５号公報（特に、１ページ左下欄１０行〜右下欄６行を参照。）には、膜抵抗体（上記「導電性エレメント」に相当。）のレーザートリミング（上記「レーザー加工」に相当。）の際に、下地の絶縁層（上記「導電性エレメントの下に配置される層」に相当。）に損傷を与える場合が多かったこと、及びこの防止のために、レーザー光の出力調整が検討されてきたことが記載されている。
　　　　　
　また、同じく原査定において引用され本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−１００６７９号公報（特に、段落【００１３】、【００３４】を参照。）には、ヒューズ素子や抵抗素子（上記「導電性エレメント」に相当。）にレーザ光を照射して切断又は変質させるレーザトリミング処理（上記「レーザー加工」に相当。）の実施時に、レーザ光が照射された絶縁膜やシリコン基板（上記「導電性エレメントの下に配置される層」に相当。）が損傷し、半導体装置の信頼性が低下するという問題があったこと、及び不具合を発生させないためにレーザパワーの強度の設定をしなければならなかったことが記載されている。
　　　　　
　更に、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平４−２７９０８７号公報（特に、段落【０００４】〜【０００６】、【００１１】〜【００１４】及び図１〜２を参照。）、特開平５−２３５１６９号公報（特に、段落【０００１】〜【０００９】を参照。）、及び特開２００７−５３０２９２号公報（特に、段落【０００６】〜【０００７】、【００１２】〜【００１３】、【００５４】〜【００５６】及び図１Ａ〜図１Ｃを参照。）にも、同様の事項が記載されている。
　　　　　
　ここで、上記周知の事項の「導電性エレメント」、「レーザー加工」及び「導電性エレメントの下に配置される層」は、引用発明の「抵抗体３３」、「トリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成する」こと、及び「シート状の基板５１」に、それぞれ相当する。
　　　　　
　他方、本願発明の「破損」とは「やぶれ損ずること。こわれること。」（株式会社岩波書店 広辞苑第六版）であり、「損傷」を含む広義の用語である。
　　　　　
　すると、引用発明において、抵抗体３３に、トリミング溝３５ａ、３５ｂを、レーザを用いて形成する際に、シート状の基板の５１の損傷を防ぐこと（本願発明の「基板を破損することなく」に相当。）により、本願発明の上記相違点２に係る構成とすることは、周知の事項から当業者が容易になし得たものである。
　　　　　　
　そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明、引用文献記載の事項及び周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。
　以上のことから、本願発明は、引用発明、引用文献記載の事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　
５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献記載の事項及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。