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　特願２０１１−２１５８１７「光起動ワイドバンドギャップバイポーラパワースイッチングデバイスおよび回路」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月２２日出願公開、特開２０１１−２５８２４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００６年５月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００５年５月１３日、米国）を国際出願日とする特願２００８−５１１３１４号の一部を平成２３年９月３０日に新たな出願としたものであって、平成２３年１０月１１日付で手続補正書が提出され、平成２４年５月２５日付で手続補正書が提出され、平成２５年６月６日付で拒絶の理由が通知され（発送日：平成２５年６月１１日）、これに対し、平成２５年１２月６日付で意見書が提出されたが、平成２６年５月１５日付で拒絶査定がなされ（発送日：平成２６年５月２０日）、これに対し、平成２６年９月１９日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年５月２５日付の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「制御端子を含む一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスと、
　ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントントランジスタ対を形成するように接続されたワイドギャップバイポーラトランジスタ対と、
を備え、
　前記ダーリントントランジスタ対の前記エミッタは、前記一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスの前記制御端子に接続されて、前記ダーリントントランジスタ対によって放出される電流が、前記一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスの導通状態を制御し、
　前記ダーリントントランジスタ対を形成する前記バイポーラトランジスタ対の少なくともひとつが、光起動フォトトランジスタを備えることを特徴とする電子回路。」
３．引用例 
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、特開２００４−３１８６６９号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ「交流電源に接続される整流回路と、
この整流回路の導通、非導通に応じてオン、オフ制御される負荷電流制御用スイッチング手段と、
前記整流回路の直流出力端子間に接続されて、この整流回路の導通、非導通を制御する駆動用サイリスタと、
入力信号回路と、
前記駆動用サイリスタのゲート・アノード極間に介挿され、前記入力信号回路から電気的に絶縁された状態で入力信号を受けてオン、オフすることにより前記駆動用サイリスタの導通を制御する受信用のスイッチング素子と、
このスイッチング素子に並列に接続されたツェナダイオードと、
を備えたソリッドステートコンタクタ。」（【請求項１】）
ｂ「また、整流回路５はダイオードＤ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６からなるダイオードブリッジで、交流電源３の交流電圧を全波整流する。整流回路５の出力側に接続された駆動用サイリスタＳＣＲ３は、整流回路５の導通、非導通を制御して、主回路サイリスタＳＣＲ１、ＳＣＲ２をトリガする。また、駆動用サイリスタＳＣＲ３のゲート・アノード極間に抵抗Ｒ５が接続され、ゲート・カソード極間に抵抗Ｒ６が接続される。抵抗Ｒ５および抵抗Ｒ６は、光結合素子がオンする時に駆動用サイリスタＳＣＲ３のゲート電流を決める抵抗である。
　駆動用サイリスタＳＣＲ３のゲート・アノード極間に、入力信号回路１１から電気的に絶縁された状態で入力信号を受ける受信用のスイッチング素子であるホトトランジスタＱ１０が介挿され、ホトトランジスタＱ１０のコレクタと駆動用サイリスタＳＣＲ３のカソード間に、ホトトランジスタＱ１０に並列にツェナダイオードＺＤ１が接続されている。光結合素子ＯＩ１は、発光ダイオードＤ１０とホトトランジスタＱ１０とから構成され、入力端子６、７から入力信号回路１１に印加された入力信号を電気的に絶縁して次段のホトトランジスタＱ１０に伝達し、ホトトランジスタＱ１０はサイリスタＳＣＲ３のゲートを制御する。」（【0017】−【0018】）
ｃ「図４はこの発明の実施の形態４に係るソリッドステートコンタクタの回路構成を示す図である。図において、１〜７、ＶＡＲ１、Ｒ１〜Ｒ７、Ｃ１、Ｄ１〜Ｄ６、ＳＣＲ１、ＳＣＲ２、ＳＣＲ３、ＯＩ１、Ｄ１０、Ｑ１０は図１と同様であり、その説明を省略する。また、光結合素子ＯＩ１を構成するスイッチング素子であるホトトランジスタＱ１０に直列にトランジスタＱ１１をダーリントン接続し、耐電圧を上げるようにしたものである。
　実施の形態４に係るソリッドステートコンタクタにおいては、光結合素子ＯＩ１に高電圧が印加されても、光結合素子ＯＩ１に直列にダーリントン接続したトランジスタＱ１１が動作することができるため、光結合素子ＯＩ１のブレークダウンを防止することができ、低電圧の光結合素子を使用することができる。」（【0029】−【0030】）
　上記記載事項及び図面を参照すると、ホトトランジスタＱ１０、トランジスタＱ１１はベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントン接続である。
　上記記載事項及び図面を参照すると、トランジスタＱ１１のエミッタは、駆動用サイリスタのゲートに接続されて、前記駆動用サイリスタの導通を制御している。
　上記記載事項からみて、引用例１には、
「ゲートを含む駆動用サイリスタと、
　ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントン接続と、
を備え、
　前記ダーリントン接続のトランジスタＱ１１の前記エミッタは、前記駆動用サイリスタのゲートに接続されて、前記駆動用サイリスタの導通を制御し、
　前記ダーリントン接続のひとつが、ホトトランジスタＱ１０を備えるソリッドステートコンタクタ。」
との発明（以下、「引用発明」という。）が開示されているものと認められる。
　 
　 
４．対比 
　そこで、本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「ゲート」、「ダーリントン接続」、「トランジスタＱ１１の前記エミッタ」、「導通を制御」、「ホトトランジスタＱ１０」、「ソリッドステートコンタクタ」は、それぞれ本願発明の「制御端子」、「ダーリントントランジスタ対」、「前記エミッタ」、「導通状態を制御」、「光起動フォトトランジスタ」、「電子回路」に相当する。
　引用発明の「駆動用サイリスタ」と、本願発明の「一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイス」は、「一次スイッチングデバイス」との概念で一致する。
　引用発明のダーリントン接続はバイポーラトランジスタで構成されているから、引用発明の「ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントン接続」と、本願発明の「ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントントランジスタ対を形成するように接続されたワイドギャップバイポーラトランジスタ対」は、「ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントントランジスタ対を形成するように接続されたバイポーラトランジスタ対」との概念で一致する。
　引用発明のダーリントン接続は、駆動用サイリスタのゲートに供給する電流で駆動用サイリスタの導通を制御しているから、引用発明の「前記ダーリントン接続のトランジスタＱ１１の前記エミッタは、前記駆動用サイリスタのゲートに接続されて、前記駆動用サイリスタの導通を制御」と、本願発明の「前記ダーリントントランジスタ対の前記エミッタは、前記一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスの前記制御端子に接続されて、前記ダーリントントランジスタ対によって放出される電流が、前記一次ワイドバンドギャップスイッチングデバイスの導通状態を制御」は、「前記ダーリントントランジスタ対の前記エミッタは、前記一次スイッチングデバイスの前記制御端子に接続されて、前記ダーリントントランジスタ対によって放出される電流が、前記一次スイッチングデバイスの導通状態を制御」との概念で一致する。
　本願発明のバイポーラトランジスタ対はワイドギャップバイポーラトランジスタ対を意味し、引用発明のダーリントン接続はバイポーラトランジスタ対であるから、引用発明の「前記ダーリントン接続のひとつが、ホトトランジスタＱ１０を備える」と、本願発明の「前記ダーリントントランジスタ対を形成する前記バイポーラトランジスタ対の少なくともひとつが、光起動フォトトランジスタを備える」は、「前記ダーリントントランジスタ対を形成する前記バイポーラトランジスタ対の少なくともひとつが、光起動フォトトランジスタを備える」との概念で一致する。
　したがって、両者は、
「制御端子を含む一次スイッチングデバイスと、
　ベースとコレクタとエミッタとを有するダーリントントランジスタ対を形成するように接続されたバイポーラトランジスタ対と、
を備え、
　前記ダーリントントランジスタ対の前記エミッタは、前記一次スイッチングデバイスの前記制御端子に接続されて、前記ダーリントントランジスタ対によって放出される電流が、前記一次スイッチングデバイスの導通状態を制御し、
　前記ダーリントントランジスタ対を形成する前記バイポーラトランジスタ対の少なくともひとつが、光起動フォトトランジスタを備える電子回路。」 
の点で一致し、以下の点で相違している。
 　 
〔相違点〕
　一次スイッチングデバイス、バイポーラトランジスタ対に関し、本願発明は、ワイドバンドギャップ又はワイドギャップであるのに対し、引用発明は、この様な特定がない点。
 　 
 　 
５．判断
　ワイドバンドギャップ又はワイドギャップとは、バンドギャップの大きい半導体を意味し、窒化ガリウム、炭化ケイ素、ダイヤモンド等が該当し、デバイスは低損失の特性を有する。また、ワイドバンドギャップ又はワイドギャップの半導体素子は周知の事項［必要があれば、原査定の拒絶の理由で引用された特開平８−２８８５００号公報（【0002】、【0003】、【0031】等参照。）、特表２００５−５０３０２４号公報（【要約】、【特許請求の範囲】等参照。）の他、特開２００４−１９３５２７号公報（【0087】、【0088】等参照。）］であり、電気回路において、回路素子（例えばＮＰＮバイポーラトランジスタ）は、ワイドバンドギャップ又はワイドギャップであるか否かにかかわらず、同じ回路記号を用いる。
　そうであれば、引用発明において、一次スイッチングデバイス、バイポーラトランジスタ対をワイドバンドギャップ又はワイドギャップとすることは必要に応じて当業者が容易に考えられることと認められる。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
 　 
 　 
６．むすび 
　したがって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　よって、結論のとおり審決する。