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　特願２０１０−２７７１３３「発光素子及びそれを用いたライトユニット」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月３０日出願公開、特開２０１１−１２９９１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、２０１０年１２月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年１２月２１日、大韓民国）の出願であって、平成２６年５月７日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１２日に手続補正がなされて特許請求の範囲の補正がなされたが、同年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年２月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされて特許請求の範囲の補正がなされたものである。
　
II．平成２７年２月６日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年２月６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「キャビティが形成され、前記キャビティ領域に水平面を有する本体と、
　前記本体の表面に形成された絶縁層と、
　前記絶縁層の少なくとも一部領域上に配置された第１及び第２電極と、
　前記本体の水平面の絶縁層上から突出するように形成され、前記水平面に対して所定の傾斜角度を有する少なくとも２個以上の傾斜面を含む放熱固着部と、
　前記キャビティ領域の傾斜面に位置し、前記第１及び第２電極上に形成された反射層と、
　前記少なくとも２個以上の傾斜面に実装されて、前記第１及び第２電極に電気的に接続される２つ以上の発光ダイオードと、を備え、
　
前記反射層はＴｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する
に補正することを含むものであって、「反射層」を「Ｔｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
（１）引用例１及び引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２００７−５０５４９３号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は、
半導体発光装置
　
　イ　「【００１４】
  図１Ａ〜１Ｈは、本発明の各種実施形態による半導体発光装置用の実装基板の側面断面図である。図１Ａを参照すると、本発明の一実施形態による半導体発光装置用の実装基板は、その内部に半導体発光装置を実装するように構成された
キャビティ１１０をその第１面１００ａに含む固体金属ブロック１００
傾斜側壁１１０ａ
【００１５】
  図１Ｂに、本発明の他の実施形態による実装基板を示す。図１Ｂに示すように、
固体金属ブロック１００の表面上に絶縁被覆を設ける
絶縁被覆１２０
【００１６】
  図１Ｃを参照すると、キャビティ１１０の絶縁被覆１２０上に離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａ、１３０ｂが設けられている。離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａ、１３０ｂは、半導体発光装置に接続されるように構成されている。図１Ｃに示すように、ある実施形態においては、離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａおよび１３０ｂは、キャビティ１１０から固体金属ブロック１００の第１面１００ａ上へと延びることができる。固体金属ブロック１００の一部にのみ絶縁被覆１２０を設ける場合、被覆１２０は、第１および第２の離間したトレース１３０ａおよび１３０ｂと固体金属ブロック１００との間に設ければよく、そうすることによって、第１および第２の金属トレース１３０ａおよび１３０ｂを固体金属ブロック１００から絶縁する。
【００１７】
  
図１Ｄ
離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’
【００１８】
  本発明のある実施形態においては、離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａ、１３０ｂおよび／または１３０ａ’,１３０ｂ’には金属を備えるものがあり、また、銀などの反射性金属を備えるものもある。他の実施形態では、
図１Ｅ
キャビティ１１０の離間した導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’上に別個の反射層１３２ａ、１３２ｂを設けることができ
導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’は、銅を備え、反射性トレース１３２ａ、１３２ｂは、銀を備えてもよい
　
　ウ　「【００２２】
  図１Ｈは、図１Ｄに関連して記述した本発明の実施形態を図示し、これらの実施形態は、
キャビティに実装され、第１および第２の離間した電気トレース１３０ａ’、１３０ｂ’に接続された半導体発光装置１５０をさらに含む
　
　エ　「【００２４】
  当然のことながら、図１Ｆ〜１Ｈの実施形態は、別個の実施形態として図示されているが、
図１Ａ〜１Ｈの各種要素をともに用いて、各種の組み合わせおよび／またはその組み合わせをさらに組み合わせたものを提供してもよい
そのため、例えば、示した実施形態のいずれにも反射層１３２ａ、１３２ｂを用いてもよく
　
　オ　「【００３１】
  このように、本発明の実施形態のいくつかは、半導体発光装置用の実装基板にアルミニウムの固体ブロックを用いる。アルミニウムは、効果的なヒートシンクとして用いるのに十分な熱伝導率を有する。加えて、材料コストおよび製造コストを抑えることができる。その上、質の高い絶縁酸化物を成長させる能力により、深刻な衝撃を耐熱性に与えずに所望の電気トレースを形成することが可能となる。なぜなら陽極酸化の厚さを正確に制御で
きるからである。この絶縁層を選択的にパターン化することもでき、それによって、光学的な性能を高めるために、キャビティ側壁上だけを銀でめっき加工するなど、基板に別の金属めっきを付加することが可能になる。」
　
　上記記載によれば、引用例１には、
「傾斜側壁１１０ａを有するキャビティ１１０をその第１面１００ａに含む固体金属ブロック１００と、
　固体金属ブロック１００の表面上に設けられた絶縁被覆１２０と、
　絶縁被覆１２０上に設けられた離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’と、
　第１および第２の導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’上に設けられた別個の反射層１３２ａ、１３２ｂと
　キャビティに実装され、第１および第２の離間した電気トレース１３０ａ’、１３０ｂ’に接続された半導体発光装置１５０を備える半導体発光装置。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
（２）引用例２
　同じく、原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−４４１５号公報（以下「引用例２」という。）には次の記載がある。
　
　ア　「【０００５】
  本発明は、このような課題に着目してなされたものであって、主たる目的は、省電力でありながらも効率良く、光を上方向や下方向など向けて全体的に照射して使用可能な光源体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
  すなわち本発明にかかる光源体は、異なる方向に光を照射して使用可能な光源体であって、ＰＮ接合半導体であり実際に発光する部材であるＬＥＤ素子と、立体形状を成し且つ前記ＬＥＤ素子を複数支持するベースとを具備し、前記立体形状を構成する構成面のうち、互いに異なる方向を向き且つ光の照射側で法線同士は交差しない関係にある複数の構成面を、前記ＬＥＤ素子を支持するためのＬＥＤ支持面として設定していることを特徴とする。
【０００７】
  ここで、「ＬＥＤ素子」とは、一般にベアチップと呼ばれるものを指し、砲弾型のものは含まない。また、ＬＥＤ支持面は、ＬＥＤ素子を直接支持するか或いは間接的に支持するかを問わないものとする。
【０００８】
  このようなものであれば、各ＬＥＤ支持面にそれぞれ支持させた複数のＬＥＤ素子がそれぞれ照射する照射光の光軸は、その照射側では交差することがない。
【０００９】
  したがって、あたかもローソクや電球のように光を上方向や下方向など向けて全体的に照射して使用することができる。
【００１０】
  また、ＬＥＤ素子を立体形状を構成するＬＥＤ支持面に支持させているので、例えば、ＬＥＤ素子を平面的に並べて配置した場合よりも、小さな領域から強い光を照射することができるうえ、このことにより、点光源的な作用効果、すなわち、集光化処理や平行化処理を好適に行うことができるなど、多様な使用態様に対しても好適に対応することができる。
【００１１】
  すなわち、省電力でありながらも効率良く、例えば、ローソクや電球のように光を上方向や下方向など向けて全体的に照射して使用することができ、且つ例えば大光量な平行光を容易に実現するなど、多様化するニーズにも好適に対応できるといった、優れた光源体を提供することができる。
【００１２】
  なお、各ＬＥＤ素子の光軸同士が、光の反照射側の略一点で交わるものであれば、点光源的な性質をより高めることができる。すなわち、非常に小さな１点で光る理想的な点光源からは、レンズ系との組み合わせによって、例えば非常に小さな１点に集光できるとか、非常に平行度の高い光を得られるとかいった効果を得られるが、それと同等の効果を得
ることができる。」
　
　イ　「【００２６】
  本実施形態に係る光源体Ａは、異なる方向に光を照射して使用可能な光源であって、図１、図２に示すように、平面視略矩形状のＬＥＤ素子１と、このＬＥＤ素子１を複数（本実施形態では計５個）支持するベース２と、ＬＥＤ素子１を覆うモールド部材３（図１では略）とを具備するものである。以下、各部を具体的に説明する。
【００２７】
  ＬＥＤ素子１は、ＰＮ接合半導体であり実際に発光する部材であって、本実施形態では、このＬＥＤ素子１に、エピタキシャル面である上面側から両電極１１ａ、１１ｂをとり且つ天地をひっくり返した状態で電力供給回路２２にバンプボンディングにより実装するフリップチップ型のものを用いている。
【００２８】
  ベース２は、垂直断面形状が略正方形の切頭四角錐体を成す中実ブロック状のものであって、本実施形態では、窒化アルミニウムにより形成している。
【００２９】
  なお、当該切頭四角錐体を構成する６つの構成面２１ａ〜２１ｆ（以下、構成面２１と総称する）は、互いに異なる方向を向き且つ光の照射側で法線同士は交差しない関係にあるため、これら６つの構成面２１全てを、ＬＥＤ素子１を支持するためのＬＥＤ支持面として設定できるが、当該ベース２の取付部分を確保する等の都合上、本実施形態では、これら６つの構成面２１のうち、底面２１ｆ以外の構成面２１ａ〜２１ｅを、ＬＥＤ支持面として設定している。
【００３０】
  また、本実施形態では、図２に示すように、前記ＬＥＤ素子１に電力を供給するための電力供給回路２２を、ベース２の表面に一体的に形成している。
【００３１】
  モールド部材３は、ＬＥＤ素子１の照射光を効率良く透過できる材料（例えば、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂や硝子など）により形成したものである。」
　
　ウ　「【００４４】
  また、ベース２を、窒化アルミニウムにより形成しているが、絶縁体であり且つ熱伝導特性に優れる他の材料を用いて形成することを妨げない。」
　
　エ　「【００５４】
  そしてこのとき、ベース２を、銅製のものとした上で、例えばＣＶＤ法でダイヤモンド薄膜層Ｄｘを表面に形成した銅製基板Ｄｙの上に、該ベース２を載置すれば、ＬＥＤ素子１で発生しベース２に伝熱した熱は、ダイヤモンド薄膜層Ｄｘで銅製基板Ｄｙの表面に沿う方向に伝熱し、さらに、その熱を銅製基板Ｄｙが厚み方向へと放熱するため、ＬＥＤ素子１で発生する熱を非常に効率よく放熱することができる。したがって、コンパクトでありながら放熱効果に優れるといった光源体を備えた照明装置を提供することができる。なお、ダイヤモンド薄膜層Ｄｘが、例えばダイヤモンドライクカーボンなど、純粋なダイヤモンドで以外のものであることを妨げない。
【００５５】
  また、光源体Ａの放熱のために、ヒートパイプを用いるといった実施態様も考えられる。
【００５６】
  具体的には、図１０に示すように、光源体Ａを支持し放熱用の放熱部材Ｊ（望ましくは、ＣＶＤ法で形成したダイヤモンド層Ｊ１を表面に備える金属）を、金属管の中に中空の筒を内装し常温付近の温度で液化または気化する熱媒を封入して成るヒートパイプＨＰに接続したものが挙げられる。図１０では、このヒートパイプＨＰに対してフィンＦＮ及び図示しないファンとを設けることで放熱効果をさらに向上させているが、ヒートパイプＨＰを単独で用いるなど、構成態様はこれに限られるものではない。また、光学ユニット４を用いなくても良い。」
　　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「キャビティ１１０」が、本願補正発明の「キャビティ」に相当するところであり、その「傾斜側壁１１０ａ」以外の底部は、「（固体金属ブロック１００の）第１面１００ａ」と同様に水平面となっているものと認められるから、引用発明の「固体金属ブロック１００」は、本願補正発明の「（キャビティが形成され、前記キャビティ領域に水平面を有する）本体」に相当する。
（２）引用発明の「固体金属ブロック１００の表面上に設けられた絶縁被覆１２０」は、本願補正発明の「（前記本体の表面に形成された）絶縁層」に相当する。
（３）引用発明の「絶縁被覆１２０上に設けられた離間した第１および第２の導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’」は、本願補正発明の「（前記絶縁層の少なくとも一部領域上に配置された）第１及び第２電極」に相当する。
（４）引用発明の「反射層１３２ａ、１３２ｂ」が「（キャビティ１１０の）傾斜側壁１１０ａ」に位置していることは、引用例１の図１Ｅから明らかであり、引用発明の「第１および第２の導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’上に設けられた別個の反射層１３２ａ、１３２ｂ」は、本願補正発明の「（前記キャビティ領域の傾斜面に位置し、前記第１及び第２電極上に形成された）反射層」に相当する。
（５）引用発明の「半導体発光装置」は、「半導体発光装置１５０を備える」ものであるから、本願補正発明の「発光素子」に相当する。
　
（６）以上のことから、本願補正発明と引用発明は、
「キャビティが形成され、前記キャビティ領域に水平面を有する本体と、
　前記本体の表面に形成された絶縁層と、
　前記絶縁層の少なくとも一部領域上に配置された第１及び第２電極と、　
　前記キャビティ領域の傾斜面に位置し、前記第１及び第２電極上に形成された反射層と、を備える発光素子。」
の点で一致する。
　
（７）一方、両者は、次の点で相違する。　
ａ．本願補正発明は、「前記本体の水平面の絶縁層上から突出するように形成され、前記水平面に対して所定の傾斜角度を有する少なくとも２個以上の傾斜面を含む放熱固着部と、
　前記少なくとも２個以上の傾斜面に実装されて、前記第１及び第２電極に電気的に接続される２つ以上の発光ダイオードと、」を備えるものであるのに対し、
　引用発明がこのようなものであるか不明な点。
ｂ．本願補正発明の「反射層」は、「Ｔｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する」のに対し、引用発明の「反射層１３２ａ、１３２ｂ」は、引用例１の【００１８】に記載されるように「銀を備えてもよい」ものであるが、「Ｔｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する」ものであるか不明な点。
　
４．判断
（１）上記相違点ａについて検討する。
　引用発明の「固体金属ブロック１００」は、引用例１の【００３１】の「本発明の実施形態のいくつかは、半導体発光装置用の実装基板にアルミニウムの固体ブロックを用いる。アルミニウムは、効果的なヒートシンクとして用いるのに十分な熱伝導率を有する。」との記載からみて、ヒートシンクとして用いられるものと認められるから、引用発明の「半導体発光装置１５０」は、ヒートシンクのような放熱部材として機能する基板に実装されるものであると認められるところ、引用例２には、放熱部材として機能する基板に実装される光源として「点状光源体Ａ」が記載されている（例えば、引用例２の図９には、【００５４】に記載される「銅製基板Ｄｙ」の上に「点状光源体Ａ」が載置されている様子が図示され、図１０には、【００５６】に記載される「放熱部材Ｊ」で「点状光源体Ａ」が支持されている様子が図示されている。）。
　さらに、この「点状光源体Ａ」は、放熱性に優れるだけでなく、引用例２の【００１０】に記載される「小さな領域から強い光を照射することができる」との効果や【００１２】に記載される「（レンズ系との組み合わせによって、例えば非常に小さな１点に集光できるとか、非常に平行度の高い光を得られるとかいった点状光源と）同等の効果」を得られるものであるから、引用発明の「半導体発光装置１５０」として、引用例２に記載される「点状光源体Ａ」を採用することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、引用例２に記載される「点状光源体Ａ」は、例えば、引用例２の図１に示されるように「切頭四角錐体をなす中実ブロック状」の「ベース２」の各斜面に「ＬＥＤ素子１」を支持するものであるから（この点、引用例２の【００２６】、【００２８】〜【００２９】の記載を参照されたい。）、この図１に示される「点状光源体Ａ」を引用発明の「半導体発光装置１５０」に採用した場合に、引用発明が上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項を備えるものとなることは明らかである。
　すなわち、「引用例２の図１に示される点状光源体Ａ」を引用発明の「半導体発光装置１５０」に採用した場合、「点状光源体Ａ」の「底面２１ｆ」が引用発明の「キャビティ１１０」の底面部の「絶縁層１２０」上に載置されるものと認められるところであり、本願明細書の【００６１】には、「このような放熱固着部３１５は、基板３１０自体を加工して実装領域が傾斜面を有するように突出させるか、又は発光ダイオード３４０ａ、３４０ｂの接続が可能な所定構造物を付着して形成することが可能である。」と、所定構造物を付着することも「形成」することとして記載していることから、引用発明の「半導体発光装置１５０」に採用した、引用例２における「点状光源体Ａ」の「ベース２」は、本願補正発明と同様に「本体の水平面の絶縁層上から突出するように形成され」たものといえる。
　また、引用例２の「点状光源体Ａ」の「ベース２」は、【００４４】に記載されるように「熱伝導特性に優れる」材料とされているから、本願補正発明と同様に「放熱固着部」といえる。
　また、引用例２の「図１に示される点状光源体Ａのベース２」は、前記のごとく「切頭四角錐体」をなすから、本願補正発明と同様に「水平面に対して所定の傾斜角度を有する少なくとも２個以上の傾斜面を含む」ものといえる。
　さらに、引用例２の「図１に示される点状光源体Ａのベース２」は、前記のごとく、「切頭四角錐体」の各斜面に「ＬＥＤ素子１」を支持するものであるから、引用発明の「半導体発光装置１５０」に引用例２の「図１に示される点状光源体Ａ」を採用したものが、本願補正発明と同様に「前記少なくとも２個以上の傾斜面に実装されて、前記第１及び第２電極に電気的に接続される２つ以上の発光ダイオード」を備えることは、明らかである。
　以上のとおりであって、結局、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、引用発明の「半導体発光装置１５０」に引用例２の「図１に示される点状光源体Ａ」を採用することにより、当業者が容易に成し得たものと認められる。
　
（２）上記相違点ｂについて検討するに、電極上に形成される反射層として、「Ｔｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する」ものは、本願の優先日前に頒布された国際公開第２００９／０３１８５６号（以下「引用例３」という。）の段落[29]に「A mirror layer 128 is formed on the conductive layer 126. The mirror layer 128 selectively comprises a sequentially-stacked Ti layer/ Ag layer」と記載されているから、引用発明の「導電性トレース１３０ａ’、１３０ｂ’上に設けられた別個の反射層１３２ａ、１３２ｂ」として「Ｔｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する」ものを採用することに格別の困難性は認められない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用例１ないし引用例３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　上記II．のとおり、本件補正は却下されたので、本願請求項に係る発明は、平成２６年８月１２日に補正された手続補正における特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載される事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項によって特定されるものである。
　
「キャビティが形成され、前記キャビティ領域に水平面を有する本体と、
　前記本体の表面に形成された絶縁層と、
　前記絶縁層の少なくとも一部領域上に配置された第１及び第２電極と、
　前記本体の水平面の絶縁層上から突出するように形成され、前記水平面に対して所定の傾斜角度を有する少なくとも２個以上の傾斜面を含む放熱固着部と、
　前記キャビティ領域の傾斜面に位置し、前記第１及び第２電極上に形成された反射層と、
　前記少なくとも２個以上の傾斜面に実装されて、前記第１及び第２電極に電気的に接続される２つ以上の発光ダイオードと、を備える発光素子。」
　　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明において「前記反射層はＴｉ及びＡｇが順次積層された多層構造を有する」との事項を省いたものであるから、上記II．［理由］２．ないし４．（１）における検討からみて、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。