【手続補正書】
【提出日】令和2年3月5日(2020.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料の層を製造する方法であって、
結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料が、式［Ａ］a［Ｍ］b［Ｘ］cの化合物を含み、
［Ｍ］が、１種以上の第一のカチオンを含み、１種以上の第一のカチオンが金属カチオン又は半金属カチオンであり、
［Ａ］が、１種以上の第二のカチオンを含み、
［Ｘ］が、１種以上のハロゲン化物アニオンを含み、
ａが１から６の整数であり、
ｂが１から６の整数であり、
ｃが１から１８の整数であり、
前記方法が、前駆体組成物を基板上に配置することを含み、
前記前駆体組成物が、
（ａ）金属カチオン又は半金属カチオンである第一のカチオン（Ｍ）を含む第一の前駆体化合物と、
（ｂ）溶媒と、
を含み、
前記溶媒が、
（ｉ）アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、又はこれらの混合物と、
（ｉｉ）アルキルアミンと、
を含む方法。
【請求項２】
前記アルキルアミンが式ＲAＮＨ2の化合物であり、ＲAがＣ1-8アルキル基であり、
好ましくは前記アルキルアミンがメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、又はペンチルアミンであり、より好ましくは前記アルキルアミンがメチルアミンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（前記アルキルアミン）：（前記第一の前駆体化合物）のモル比が、１×１０-7：１から０．５：１、場合によっては１×１０-6：１から０．１：１である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記溶媒がアセトニトリルを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記１種以上の第一のカチオンが、Ｃａ2+、Ｓｒ2+、Ｃｄ2+、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｐｄ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、Ｐｂ2+、Ｙｂ2+、Ｅｕ2+、Ｂｉ3+、Ｓｂ3+、Ｐｄ4+、Ｗ4+、Ｒｅ4+、Ｏｓ4+、Ｉｒ4+、Ｐｔ4+、Ｓｎ4+、Ｐｂ4+、Ｇｅ4+、及びＴｅ4+から選択され、好ましくは、前記１種以上の第一のカチオンが、Ｃｕ2+、Ｐｂ2+、Ｇｅ2+、及びＳｎ2+から選択され、
前記１種以上の第二のカチオンが、式Ｃｓ+、（ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4）+、（Ｒ1Ｒ2Ｎ＝ＣＲ3Ｒ4）+、（Ｒ1Ｒ2Ｎ−Ｃ（Ｒ5）＝ＮＲ3Ｒ4）+、及び（Ｒ1Ｒ2Ｎ−Ｃ（ＮＲ5Ｒ6）＝ＮＲ3Ｒ4）+（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、及びＲ6は、それぞれ独立してＨ、置換もしくは非置換のＣ1-20アルキル基、又は置換もしくは非置換のアリール基である）のカチオンから選択され、好ましくは、前記１種以上の第二のカチオンが、（ＣＨ3ＮＨ3）+及び（Ｈ2Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝ＮＨ2）+から選択される、及び／又は、
前記第一の前駆体化合物が式ＭＸ2の化合物であり、好ましくは、前記第一の前駆体化合物が式ＳｎＩ2、ＳｎＢｒ2、ＳｎＣｌ2、ＰｂＩ2、ＰｂＢｒ2、又はＰｂＣｌ2の化合物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記方法が、第二の前駆体化合物を前記基板上に配置することをさらに含み、第二の前駆体化合物が、第二のカチオン（Ａ）及び第一のアニオン（Ｘ）を含み、好ましくは、前記第二の前駆体化合物が式［Ａ］［Ｘ］の化合物（式中、［Ａ］が前記１種以上の第二のカチオンを含み、［Ｘ］が前記１種以上のハロゲン化物アニオンを含む）である、及び／又は
前記前駆体組成物がさらに、（ｃ）第二のカチオン（Ａ）及び第一のアニオン（Ｘ）を含む第二の前駆体化合物を含み、
好ましくは、前記第二の前駆体化合物が式ＡＸの化合物であり、より好ましくは、前記第二の前駆体化合物が（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉ、（ＣＨ3ＮＨ3）Ｂｒ、又は（ＣＨ3ＮＨ3）Ｃｌである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
［Ａ］が、式（ＲAＮＨ3）+のカチオンである第二のカチオンを含み、前記アルキルアミンが式ＲAＮＨ2の化合物であり、各ＲAは同じ基であって、Ｃ1-8アルキル基であり、
好ましくは、前記第二のカチオンがメチルアンモニウムであり、前記アルキルアミンがメチルアミンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料が式［Ａ］［Ｍ］［Ｘ］3のペロブスカイト化合物を含み、［Ａ］が前記１種以上の第二のカチオンを含み、［Ｍ］が前記１種以上の第一のカチオンを含み、［Ｘ］が前記１種以上のハロゲン化物アニオンを含み、
好ましくは、前記結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料が、式ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＢｒ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＣｌ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＦ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＢｒxＩ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＢｒxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＣｌxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3-xＣｌx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＣｌ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒＩ2、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒxＩ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3-xＢｒx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3-xＩx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＣｌxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩ3-xＣｌx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3-xＣｌx、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＣｌ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒＩ2、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒxＩ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3-xＢｒx、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3-xＩx、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＣｌxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩ3-xＣｌx、又はＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3-xＣｌx（式中、ｘは０から３である）のペロブスカイト化合物を含み、
より好ましくは前記ペロブスカイト化合物がＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
（第一の前駆体化合物）：（第二の前駆体化合物）のモル比が、１：２から２：１である、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶媒を除去して前記ペロブスカイト化合物を含む前記層を形成することをさらに含む、及び／又は
前記前駆体組成物が配置された前記基板を加熱することをさらに含み、好ましくは、前記基板が５０℃から２００℃の温度に加熱され、より好ましくは、前記基板が５０℃から２００℃の温度に１０から１００分の時間加熱される、及び／又は
前記前駆体組成物を前記基板上に配置することが、前記前駆体組成物を前記基板上にスピンコートすることを含む、及び／又は
前記ペロブスカイト化合物を含む前記層が、５から３０００ｎｍの厚み、又は１００ｎｍ以上の厚みを有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
（ａ）ＰｂＩ2と、
（ｂ）アセトニトリル及びメチルアミンを含む溶媒と、
（ｃ）（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉと、
を含む前駆体組成物を基板上に配置することを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板が、第一の電極材料の層を含み、場合によっては、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、及び絶縁材料層から各々選択される一つ以上の追加の層を含む、及び／又は
前記基板の前記前駆体組成物が配置された表面が、第一の電極材料、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、及び絶縁材料層のうち一つ以上を含む、及び／又は
前記基板の前記前駆体組成物が配置された表面が、ジメチルホルムアミドに溶ける材料の層を含む、及び／又は
前記溶媒がジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）をさらに含み、好ましくは、前記溶媒が前記第一の前駆体化合物中の前記第一のカチオンＭの量の１．０から２．０当量の量でＤＭＳＯを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法を含む、半導体デバイスを製造する方法。
【請求項１４】
（ｉ）式ＭＸn（式中、ＭはＣａ2+、Ｓｒ2+、Ｃｄ2+、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｐｄ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、Ｐｂ2+、Ｙｂ2+、Ｅｕ2+、Ｂｉ3+、Ｓｂ3+、Ｐｄ4+、Ｗ4+、Ｒｅ4+、Ｏｓ4+、Ｉｒ4+、Ｐｔ4+、Ｓｎ4+、Ｐｂ4+、Ｇｅ4+、又はＴｅ4+、好ましくはＣｕ2+、Ｐｂ2+、Ｇｅ2+、又はＳｎ2+であり、ＸはＩ-、Ｂｒ-、Ｃｌ-、又はＦ-であり、ｎは２、３、又は４である）の化合物と、
（ｉｉ）式ＡＸ（式中、Ａは（Ｒ1ＮＨ3）+、（ＮＲ24）+、及び（Ｈ2Ｎ−Ｃ（Ｒ1）＝ＮＨ2）+であり、Ｒ1はＨ、又は非置換のＣ1-6アルキル基であり、Ｒ2はそれぞれ非置換のＣ1-6アルキル基であり、ＸはＩ-、Ｂｒ-、Ｃｌ-、又はＦ-である）の化合物と、
（ｉｉｉ）アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、又はこれらの混合物と、
（ｉｖ）式ＲAＮＨ2（式中、ＲAはＣ1-8アルキル基である）のアルキルアミンと、
を含む組成物。
【請求項１５】
（ｉ）ＰｂＩ2、ＰｂＢｒ2、又はＰｂＣｌ2、好ましくはＰｂＩ2と、
（ｉｉ）（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉ、（ＣＨ3ＮＨ3）Ｂｒ、又は（ＣＨ3ＮＨ3）Ｃｌ、好ましくは（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉと、
（ｉｉｉ）アセトニトリルと、
（ｉｖ）メチルアミンと、
を含み、
好ましくは、（ＭＸn）：（ＡＸ）のモル比が１：２から２：１であり、（アルキルアミン）：（ＭＸn）のモル比が１×１０-7：１から０．５：１、場合によっては１×１０-7：１から０．１：１である、請求項１４に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０７】
これは、溶媒組成を調整することで、つまり、様々な長鎖アルキルアミンを溶媒に導入することで、ペロブスカイト材料のバンドギャップ及び構造を調整し得るという証拠となる。ＡＮＣ／ＭＡ／ＢＡ混合物から製造される材料を太陽電池の活性層として用いた。少量のブチルアミンを溶媒系に混合することで、性能の向上が見られることがわかった。これらの結果を図１７に示す。
本発明の態様として例えば以下を挙げることができる。
［項１］
結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料の層を製造する方法であって、
結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料が、式［Ａ］a［Ｍ］b［Ｘ］cの化合物を含み、
［Ｍ］が、１種以上の第一のカチオンを含み、１種以上の第一のカチオンが金属カチオン又は半金属カチオンであり、
［Ａ］が、１種以上の第二のカチオンを含み、
［Ｘ］が、１種以上のハロゲン化物アニオンを含み、
ａが１から６の整数であり、
ｂが１から６の整数であり、
ｃが１から１８の整数であり、
前記方法が、前駆体組成物を基板上に配置することを含み、
前記前駆体組成物が、
（ａ）金属カチオン又は半金属カチオンである第一のカチオン（Ｍ）を含む第一の前駆体化合物と、
（ｂ）溶媒と、
を含み、
前記溶媒が、
（ｉ）アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、又はこれらの混合物と、
（ｉｉ）アルキルアミンと、
を含む方法。
［項２］
前記アルキルアミンが式ＲAＮＨ2の化合物であり、ＲAがＣ1-8アルキル基である、項１に記載の方法。
［項３］
前記アルキルアミンがメチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、又はペンチルアミンであり、好ましくは前記アルキルアミンがメチルアミンである、項２に記載の方法。
［項４］
（前記アルキルアミン）：（前記第一の前駆体化合物）のモル比が、１×１０-7：１から０．５：１、場合によっては１×１０-6：１から０．１：１である、項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
［項５］
前記溶媒がアセトニトリルを含む、項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
［項６］
前記１種以上の第一のカチオンが、Ｃａ2+、Ｓｒ2+、Ｃｄ2+、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｐｄ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、Ｐｂ2+、Ｙｂ2+、Ｅｕ2+、Ｂｉ3+、Ｓｂ3+、Ｐｄ4+、Ｗ4+、Ｒｅ4+、Ｏｓ4+、Ｉｒ4+、Ｐｔ4+、Ｓｎ4+、Ｐｂ4+、Ｇｅ4+、及びＴｅ4+から選択され、好ましくは、前記１種以上の第一のカチオンが、Ｃｕ2+、Ｐｂ2+、Ｇｅ2+、及びＳｎ2+から選択され、
前記１種以上の第二のカチオンが、式Ｃｓ+、（ＮＲ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4）+、（Ｒ1Ｒ2Ｎ＝ＣＲ3Ｒ4）+、（Ｒ1Ｒ2Ｎ−Ｃ（Ｒ5）＝ＮＲ3Ｒ4）+、及び（Ｒ1Ｒ2Ｎ−Ｃ（ＮＲ5Ｒ6）＝ＮＲ3Ｒ4）+（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、及びＲ6は、それぞれ独立してＨ、置換もしくは非置換のＣ1-20アルキル基、又は置換もしくは非置換のアリール基である）のカチオンから選択され、好ましくは、前記１種以上の第二のカチオンが、（ＣＨ3ＮＨ3）+及び（Ｈ2Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝ＮＨ2）+から選択される、項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
［項７］
前記第一の前駆体化合物が式ＭＸ2の化合物であり、好ましくは、前記第一の前駆体化合物が式ＳｎＩ2、ＳｎＢｒ2、ＳｎＣｌ2、ＰｂＩ2、ＰｂＢｒ2、又はＰｂＣｌ2の化合物である、項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
［項８］
前記方法が、第二の前駆体化合物を前記基板上に配置することをさらに含み、第二の前駆体化合物が、第二のカチオン（Ａ）及び第一のアニオン（Ｘ）を含み、好ましくは、前記第二の前駆体化合物が式［Ａ］［Ｘ］の化合物（式中、［Ａ］が前記１種以上の第二のカチオンを含み、［Ｘ］が前記１種以上のハロゲン化物アニオンを含む）である、項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
［項９］
前記前駆体組成物がさらに、
（ｃ）第二のカチオン（Ａ）及び第一のアニオン（Ｘ）を含む第二の前駆体化合物を含む、項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
［項１０］
前記第二の前駆体化合物が式ＡＸの化合物であり、好ましくは、前記第二の前駆体化合物が（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉ、（ＣＨ3ＮＨ3）Ｂｒ、又は（ＣＨ3ＮＨ3）Ｃｌである、項８又は９に記載の方法。
［項１１］
［Ａ］が、式（ＲAＮＨ3）+のカチオンである第二のカチオンを含み、前記アルキルアミンが式ＲAＮＨ2の化合物であり、各ＲAは同じ基であって、Ｃ1-8アルキル基であり、
好ましくは、前記第二のカチオンがメチルアンモニウムであり、前記アルキルアミンがメチルアミンである、項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
［項１２］
前記結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料が式［Ａ］［Ｍ］［Ｘ］3のペロブスカイト化合物を含み、［Ａ］が前記１種以上の第二のカチオンを含み、［Ｍ］が前記１種以上の第一のカチオンを含み、［Ｘ］が前記１種以上のハロゲン化物アニオンを含む、項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
［項１３］
前記結晶性Ａ／Ｍ／Ｘ材料が、式ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＢｒ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＣｌ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＦ3、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＢｒxＩ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＢｒxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＣｌxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3-xＣｌx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＣｌ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒＩ2、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒxＩ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＢｒxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3-xＢｒx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3-xＩx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＣｌxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＩ3-xＣｌx、ＣＨ3ＮＨ3ＳｎＦ3-xＣｌx、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＣｌ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒＩ2、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒxＩ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＢｒxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3-xＢｒx、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩxＣｌ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3-xＩx、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＣｌxＢｒ3-x、ＣＨ3ＮＨ3ＣｕＩ3-xＣｌx、又はＣＨ3ＮＨ3ＣｕＦ3-xＣｌx（式中、ｘは０から３である）のペロブスカイト化合物を含み、
好ましくは前記ペロブスカイト化合物がＣＨ3ＮＨ3ＰｂＩ3である、項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
［項１４］
（第一の前駆体化合物）：（第二の前駆体化合物）のモル比が、１：２から２：１である、項８〜１３のいずれか一項に記載の方法。
［項１５］
前記溶媒を除去して前記ペロブスカイト化合物を含む前記層を形成することをさらに含む、項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
［項１６］
前記前駆体組成物が配置された前記基板を加熱することをさらに含み、好ましくは、前記基板が５０℃から２００℃の温度に加熱され、より好ましくは、前記基板が５０℃から２００℃の温度に１０から１００分の時間加熱される、項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
［項１７］
前記前駆体組成物を前記基板上に配置することが、前記前駆体組成物を前記基板上にスピンコートすることを含む、項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
［項１８］
前記ペロブスカイト化合物を含む前記層が、５から３０００ｎｍの厚み、又は１００ｎｍ以上の厚みを有する、項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
［項１９］
（ａ）ＰｂＩ2と、
（ｂ）アセトニトリル及びメチルアミンを含む溶媒と、
（ｃ）（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉと、
を含む前駆体組成物を基板上に配置することを含む、項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
［項２０］
前記基板が、第一の電極材料の層を含み、場合によっては、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、及び絶縁材料層から各々選択される一つ以上の追加の層を含む、項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
［項２１］
前記基板の前記前駆体組成物が配置された表面が、第一の電極材料、ｎ型半導体層、ｐ型半導体層、及び絶縁材料層のうち一つ以上を含む、項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
［項２２］
前記基板の前記前駆体組成物が配置された表面が、ジメチルホルムアミドに溶ける材料の層を含む、項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
［項２３］
前記溶媒がジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）をさらに含み、好ましくは、前記溶媒が前記第一の前駆体化合物中の前記第一のカチオンＭの量の１．０から２．０当量の量でＤＭＳＯを含む、項１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
［項２４］
項１〜２３のいずれか一項に記載の方法を含む、半導体デバイスを製造する方法。
［項２５］
項２４に記載の方法によって得られる半導体デバイス。
［項２６］
（ｉ）式ＭＸn（式中、ＭはＣａ2+、Ｓｒ2+、Ｃｄ2+、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｍｎ2+、Ｆｅ2+、Ｃｏ2+、Ｐｄ2+、Ｇｅ2+、Ｓｎ2+、Ｐｂ2+、Ｙｂ2+、Ｅｕ2+、Ｂｉ3+、Ｓｂ3+、Ｐｄ4+、Ｗ4+、Ｒｅ4+、Ｏｓ4+、Ｉｒ4+、Ｐｔ4+、Ｓｎ4+、Ｐｂ4+、Ｇｅ4+、又はＴｅ4+、好ましくはＣｕ2+、Ｐｂ2+、Ｇｅ2+、又はＳｎ2+であり、ＸはＩ-、Ｂｒ-、Ｃｌ-、又はＦ-であり、ｎは２、３、又は４である）の化合物と、
（ｉｉ）式ＡＸ（式中、Ａは（Ｒ1ＮＨ3）+、（ＮＲ24）+、及び（Ｈ2Ｎ−Ｃ（Ｒ1）＝ＮＨ2）+であり、Ｒ1はＨ、又は非置換のＣ1-6アルキル基であり、Ｒ2はそれぞれ非置換のＣ1-6アルキル基であり、ＸはＩ-、Ｂｒ-、Ｃｌ-、又はＦ-である）の化合物と、
（ｉｉｉ）アセトニトリル、プロピオニトリル、アセトン、又はこれらの混合物と、
（ｉｖ）式ＲAＮＨ2（式中、ＲAはＣ1-8アルキル基である）のアルキルアミンと、
を含む組成物。
［項２７］
（ｉ）ＰｂＩ2、ＰｂＢｒ2、又はＰｂＣｌ2、好ましくはＰｂＩ2と、
（ｉｉ）（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉ、（ＣＨ3ＮＨ3）Ｂｒ、又は（ＣＨ3ＮＨ3）Ｃｌ、好ましくは（ＣＨ3ＮＨ3）Ｉと、
（ｉｉｉ）アセトニトリルと、
（ｉｖ）メチルアミンと、
を含む、項２６に記載の組成物。
［項２８］
（ＭＸn）：（ＡＸ）のモル比が１：２から２：１であり、（アルキルアミン）：（ＭＸn）のモル比が１×１０-7：１から０．５：１、場合によっては１×１０-7：１から０．１：１である、項２６又は２７に記載の組成物。