【事件の表示】
　特願２００７−２３３５７１「インタフェイス・アセンブリ、及びセンサ・アレイにデータ取得システムを一体形成する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月　３日出願公開、特開２００８−　７３５２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１９年９月１０日（パリ条約の優先権主張：２００６年９月１８日、米国）に出願された特許出願であって、平成２４年７月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１０日に意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年１２月１７日付けで最後の拒絶理由が通知され、平成２５年１月３１日に意見書及び手続補正書の提出がなされ、さらに同年３月８日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年５月１７日に意見書が提出されたところ、同年９月２０日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、これに対し、平成２６年１月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　その後、当審より平成２７年３月２３日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年５月２８日に意見書及び補正書が提出されたものである。
 　 
第２　本願発明 
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２７年５月２８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうち請求項１に係る発明は、つぎのとおりのものである。
（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
「【請求項１】
上面（１０６）及び底面（１０８）を画定するパッケージ（１０４）を含むインタフェイス・アセンブリ（４００）であって、
前記上面（１０６）と前記底面（１０８）の間に配置され、所与の感知モダリティに基づくセンサ・アレイからの複数のアナログ信号に所望の信号コンディショニングを施す少なくとも一つの集積回路（４０６）と、
前記上面（１０６）を通過して前記集積回路に向かって進む放射線を遮断するように配設された上部遮蔽（１２２）と、
前記上面（１０６）と前記底面（１０８）との間で、前記パッケージ（１０４）の側面に沿って前記パッケージ（１０４）の内部に配置されており、前記放射線源から前記集積回路に散乱される放射線を遮断する少なくとも一つの側面遮蔽（１２４）と、
を含んでおり、
前記上面（１０６）は、前記少なくとも一つの集積回路と前記上部遮蔽（１２２）よりも広い幅を有し、
前記底面（１０８）は、前記少なくとも一つの集積回路と前記上部遮蔽（１２２）よりも広い幅を有し、
前記上面（１０６）と前記底面（１０８）は、前記集積回路と前記上部遮蔽（１２２）とを挟み、前記上面（１０６）は、前記底面（１０８）に対向配置されており、
前記上面（１０６）は、前記センサ・アレイの底面に接続し、前記センサ・アレイからの前記複数のアナログ信号を前記集積回路に相互接続する複数のインタフェイス・パッド（１１０）のアレイと、前記複数のインタフェイス・パッド（１１０）のアレイから前記上面（１０６）の辺縁に向かって延び、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）と接続する信号線とを有しており、
前記底面（１０８）は、前記センサ・アレイからの前記複数のアナログ信号とは異なる少なくとも一つの電気的特性を有する複数の信号を前記集積回路に相互接続する複数のインタフェイス（１１２）を提供している、インタフェイス・アセンブリ（４００）。」
　
第３　当審拒絶理由の概要
　平成２７年３月２３日付けの当審からの拒絶理由通知により通知した拒絶の理由のうち、その理由２及び理由３の概要は、以下のとおりである。
　１　当審拒絶の理由２（特許法第２９条第２項違反について） 
　本願発明１ないし８は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　引用例１：特開２００３−２６４２８０号公報 
　引用例２：特開２００６−２０２７９１号公報 
　引用例３：特開２００１−９９９４２号公報 
　引用例４：特開平０３−３３６７０号公報 
  
　２　当審拒絶の理由３（特許法第３６条第６項第１号違反について） 
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 
　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　（１）請求項１の記載について 
　本願発明１は、図７に記載のパッケージ（１０４）を含む図６に記載のインターフェイスアセンブリの発明を包含するものであると認められる。 
　これに対して、本願明細書の発明の詳細な説明や図６ないし図７からは、図６のアセンブリ４００と図７のパッケージ１０４との関連については何ら記載されておらず、図７記載のパッケージが、図６においてどのように配置されるものであるかについて記載されているということはできず、その関係を理解することはできない。 
　また、本願発明１において、「少なくとも一つの集積回路（４０６）」が、「パッケージ（１０４））」の「上面（１０６）」及び「底面（１０８）」の間に配置されることが特定されているのに対して、図７には、「パッケージ（１０４）」は、「集積回路（１０２）」が一つだけ配置される態様が示されているだけであり、発明の詳細な説明の段落【００３３】においても「ＡＳＩＣのような集積回路１０２」とのみ記載され、それが複数であることをうかがわせる記載はない。 
　そして、図６Ａには、「Ａ／Ｄ変換器（４０６）」が複数個あることは示されているものの、図６Ａに示される「アセンブリ（４００）」において、「上面（１０６）」や「底面（１０８）」、「パッケージ（１０４））」は示されておらず、また、それらに対応する構成がどれであるのかも示されていないし、発明の詳細な説明においても、その説明は何ら記載されていない。 
　以上のことからすると、本願発明１が、発明の詳細な説明に記載されている実施の形態のうちのいずれのものに該当するものであるのかが特定できないから、本願発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものということはできないから、請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　（２）請求項２ないし８の記載について 
　本願発明１を引用する本願発明２ないし８についても本願発明１と同様に発明の詳細な説明に記載されたものということはできないから、請求項２ないし８の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。  　
第４　当審拒絶の理由２（特許法第２９条第２項違反）についての検討
　１　引用例の記載事項
　（１）引用例１（特開２００３−２６４２８０号公報）には、つぎの事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
Ｘ線撮像装置等に用いられる検出器
　イ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、いずれの検出器も、支持基板が半導体チップよりも大きいため、隙間無く隣接して複数の検出器を配置することはできなかった。もちろん、支持基板を小さくして、回路を側方に配置すれば、２行２列のマトリックスまでは検出器を配置することができるが、例えば、３行３列の場合には、中央の検出器の出力を取り出すスペースがない。
【０００８】本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、複数の検出器を並べた場合に、それぞれの半導体チップ同士が極めて近接し又は接触することが可能な検出器を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を解決するため、本発明に係る検出器は、複数の光検出素子が形成され前記光検出素子の複数の出力端子を表面に備える半導体チップと、前記出力端子からの信号が入力される複数の入力端子を備える回路基板と、それぞれの前記出力端子をそれぞれの前記入力端子に接続する接続手段とを備えた検出器であって、前記入力端子間の間隔は、前記出力端子間の間隔よりも狭く設定され、前記回路基板は、前記入力端子の形成領域の外側の領域に、前記入力端子からの信号を読み出す信号読出回路を備えていることを特徴とする。
【００１０】この検出器によれば、回路基板における入力端子形成領域の外側領域に信号読出回路を形成することができるため、回路基板の寸法を半導体チップよりも小さくすることができ、したがって、複数の検出器を並べる場合には、半導体チップ同士を近接させ又は接触させて配置することができ、検出器接続部分の解像度低下を抑制することができる。」
　ウ　「【００２４】図１は実施の形態に係る検出器Ｄの側面構成を示すブロック図、図２は検出器の平面構成を示す説明図である。
本検出器Ｄは、半導体チップＳと、回路基板Ｃと、これらを接続する接続手段ＣＭとを備えている。
【００２５】半導体チップＳが裏面照射型のホトダイオードである場合には、出力端子Ｔは半導体チップＳの回路基板Ｃ側に元々あるため、そのまま、回路基板Ｃに接続すればよい。半導体チップＳが表面照射型のホトダイオードである場合には、出力端子Ｔは光入射面側、すなわち、半導体チップＳの回路基板Ｃとは反対側の面に元々はあるため、スルーホールを形成して、出力端子Ｔを裏面側にまで延ばし、回路基板Ｃに接続する。
【００２６】回路基板Ｃは、半導体チップＳの出力端子Ｔからの信号が入力される複数の入力端子Ｉを備えている。
【００２７】接続手段ＣＭは、それぞれの出力端子Ｔをそれぞれの入力端子Ｉに接続している。
【００２８】ここで、入力端子Ｉ間の間隔は、出力端子Ｔ間の間隔よりも狭く設定されている。したがって、回路基板Ｃは、入力端子Ｉの形成領域ＲIの外側の領域に、入力端子Ｉからの信号を読み出す信号読出回路Ａを備えることができる。  この検出器では
、回路基板Ｃにおける入力端子形成領域ＲIの外側領域に信号読出回路Ａを形成することができるた
【００２９】接続手段ＣＭは、回路基板Ｃの出力の外部リードＬへの仲介又は外部リードＬ’からの回路基板Ｃへの入力の仲介を更に行っている。この場合には、接続手段ＣＭ以外に新たに配線を引き回す必要がないため、回路構成を単純化することができる。
【００３０】外部リードＬ’を介して回路基板Ｃに与えられた電源電圧の一部は、接続手段ＣＭを介して半導体チップＳに伝達され、光検出素子ＰＤの駆動に用いられ、他の一部は信号読出回路Ａの駆動に用いられる。一方、それぞれの光検出素子ＰＤからの出力信号は、出力端子Ｔ、入力端子Ｉを介して信号読出回路Ａに入力され、信号読出回路Ａの出力電圧は外部リードＬを介して外部に取り出される。なお、本例の
信号読出回路Ａは、スイッチ等からなる走査回路、チャージアンプや積分回路などである
相関二重サンプリング（ＣＤＳ）回路や、Ａ／Ｄ変換器を備えることができる
【００３１】なお、本例の検出器Ｄは、必要に応じて、半導体チップＳの表面にシンチレータを備えており、この場合には、Ｘ線ＣＴ装置等の
Ｘ線撮像装置用の検出器に適用することができる
　エ　「【００３３】図５は、
図１に示した検出器Ｄの好適な一例としての検出器Ｄの縦断面図である。半導体チップＳは表面入射型の光検出素子（ホトダイオード）アレイを構成しており
【００３４】
ＰＮ接合の一方を構成するアノード
半導体チップの表面側に位置し
半導体チップを厚み方向に貫通するスルーホール内に埋め込まれた金属配線ＭＬを介して裏面に設けられた出力端子Ｔに接続され
【００３５】ＰＮ接合の他方を構成するＮ型半導体（Ｎ）は、半導体チップの大部分を構成しており、適当な位置に設けられるＮ型高濃度不純物領域がホトダイオードのカソードとして機能する。Ｎ型高濃度不純物領域は、半導体チップＳの表面側であっても、裏面側であってもよい。表面側の場合には、上記と同様にスルーホールを設けて、裏面側に接続すればよい。いずれにしても、最終的にはＮ型高濃度不純物領域は回路基板Ｃに接続される。
【００３６】本例においては、
接続手段ＣＭは、半導体チップＳの支持基板を構成しており
支持基板ＣＭは
回路基板Ｃを収容する凹部ＤＰを有し
パッケージとしての支持基板ＣＭによって回路基板Ｃが保護され
支持基板ＣＭは、セラミック基体ＣＲ内にリボン状の金属配線ＭＬ２を埋め込んでなり、金属配線ＭＬ２は出力端子Ｔと入力端子Ｉとを接続し
【００３７】
半導体チップＳの出力端子Ｔと支持基板ＣＭの一方面側とはバンプＢ１を介して接続され、支持基板ＣＭの他方面側と回路基板Ｃの入力端子ＩとはバンプＢ２を介して接続されて
【００３８】また、
支持基板ＣＭ内部に埋め込まれた金属配線ＭＬ３は、バンプＢ３を介して、外部リードＬ、Ｌ’と回路基板Ｃとを接続している
【００３９】本検出器では、支持基板ＣＭが半導体チップＳよりも小さいため、複数の半導体チップＳを極めて近接させ又は接触させて並べることができる。なお、回路基板Ｃは、回路が形成された基板である。この支持基板ＣＭは、回路基板Ｃを収容するパッケージの一部分を構成しているので、パッケージによって回路基板Ｃが保護されているが、この場合、回路基板Ｃの厚み方向（Ｚ方向）に垂直な方向（Ｘ，Ｙ方向）の寸法は、半導体チップＳの厚み方向（Ｚ方向）に垂直な方向（Ｘ，Ｙ方向）の寸法未満となる。回路基板ＣはＸ方向も、Ｙ方向も小さいということである。
【００４０】すなわち、本検出器は、複数の光検出素子ＰＤが形成された半導体チップＳと、半導体チップＳからの出力信号が全て入力される回路基板Ｃとを備え、回路基板Ｃの厚み方向に垂直な方向の寸法は、半導体チップの厚み方向に垂直な方向の寸法未満である。半導体チップＳからの出力信号の全てが入力される回路基板Ｃが小さいため、複数の半導体チップＳを極めて近接させ又は接触させて並べることができる。」
（下線は当審において付加した。）
　オ　図１
　
　カ　図２
　キ　図５
　（２）引用例１に記載された発明
　上記エには、「支持基板ＣＭ」が、「回路基板Ｃを収容する凹部ＤＰを有し」、「パッケージとしての支持基板ＣＭによって回路基板Ｃが保護されている」ことが記載されており、上記キの図５においては、回路基板Ｃは「支持基板ＣＭの端子Ｌ、Ｌ’が形成される各面により形成される水平面」より中側に収容される様が見て取れるから、図５の記載から「回路基板Ｃ」が、「支持基板ＣＭ」の上面を構成する「一方の面」と「端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面」に挟まれていると言い得る。
　また、図５から、「支持基板ＣＭ」の「一方の面」が「回路基板Ｃ」よりも大きな幅を有すること、「支持基板ＣＭの端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面」が、「回路基板Ｃ」よりも大きな幅を有することは明らかである。
　以上を前提に上記アないしキを総合すると、引用例１には、「Ａ／Ｄ変換器を備える信号読出回路Ａを有する回路基板Ｃを収容する凹部ＤＰを有し、パッケージとして回路基板Ｃを支持基板ＣＭの一方面と端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面との間に配置して保護する半導体チップＳの支持基板を構成する支持基板ＣＭであって、半導体チップＳは表面入射型の光検出素子（ホトダイオード）アレイを構成するものであり、支持基板ＣＭの一方面は、回路基板Ｃより広い幅を有し、端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面は、回路基板Ｃより広い幅を有し、支持基板ＣＭの一方面と端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面は、回路基板Ｃを挟み、支持基板ＣＭの一方面は、端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面に対向配置されており、支持基板ＣＭのセラミック基体ＣＲ内にリボン状の金属配線ＭＬ２を埋め込んでなり、金属配線ＭＬ２は半導体チップＳの出力端子Ｔと回路基板Ｃの入力端子Ｉとを接続し、半導体チップＳの出力端子Ｔと支持基板ＣＭの一方面側とはバンプＢ１を介して接続され、支持基板ＣＭの他方面側と回路基板Ｃの入力端子ＩとはバンプＢ２を介して接続され、支持基板ＣＭ内部に埋め込まれた金属配線ＭＬ３は、バンプＢ３を介して、外部リードＬ、Ｌ’と回路基板Ｃとを接続しているように構成されたＸ線撮像装置用の検出器の支持基板ＣＭ」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　（３）引用例２（特開２００６−２０２７９１号公報）には、つぎの事項が記載されている。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は放射線計測において、集積回路を放射線から保護する技術に関する。」
　イ　「【背景技術】
【０００２】
　放射線を検出する目的で放射線検出器を使用する場合、放射線検出器で検出した信号を処理するのに集積回路（以下ICと略す)が必要となる。ICがチップとして一体形成されたICチップが、動作中に放射線の照射を浴びると内部のIC回路中のトランジスタの劣化が進行し、放射線照射下ではない場合と比較するとICチップの寿命が短くなる。」
　ウ「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明は、このような従来技術の問題点を解消するものであり、IC内に放射線遮蔽部を備え、内部のICチップに対する放射線を遮蔽できるICパッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明によれば、基板と、前記基板上に搭載されたICチップと、前記ICチップの外周を封止する樹脂と、前記ICチップからの配線を外部に導きだすための導線と、からなるICパッケージにおいて、前記基板または前記樹脂のうち少なくとも一方に放射線遮蔽部が備えられたものを提供する。
　また、前記ICパッケージは、前記導線に接続されたボールグリッドアレイをその表面に備えたことを特徴とする。
　また、前記ICパッケージは、前記基板自体が放射線遮蔽材料からなり前記放射線遮蔽部として機能することを特徴とする。
　さらに、X線CT装置のX線検出器に搭載されるX線計測回路用ICへ上記ICパッケージを用いたことを特徴とするX線CT装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
　本発明により、IC内の電子回路への放射線を、特に別途の遮蔽構造を設けることなく遮蔽できる。特に、放射線検出器の多素子化に伴い複雑化するX線遮蔽構造に制約されることなく、装置を設計することが可能となる。
　また、ICを検出器素子の近傍に配置させることができ、配線が短くなる。これにより、検出信号のデジタル化の際の外部からの雑音混入を減少できる。」
　エ　「【００１２】
　X線CT装置は、例えば図1のようになっている。X線管球20から照射されたX線は、テーブル22によって測定エリア21内に導かれた被照射体19を通過した後、X線を光に変換するシンチレータ1に入射する。シンチレータ1で変換された光は検出素子2に入射する。検出素子2の出力は、検出素子2を搭載した基板3上のICパッケージ10で処理される。図2に示すように、検出器ユニット4は、シンチレータ1、検出器素子2、ICパッケージ6を搭載した基板からなる。X線検出器5は、検出器ユニット4を多数並べて構成される。このように、X線CT装置の高解像度化及び高速化に伴い、X線を受光するX線検出器5も多素子化されている。」
　オ　「【００１８】
　図4は本発明の一実施例に係るICパッケージの概略構造図である。IC10は、ICチップ7、接続線としての金ワイヤー9、半田ボール11、多層配線基板12、保護用樹脂材13、及び導線14からなる。ICチップ７はAD変換回路の回路部である。半田ボール11は後段の画像化回路と接続するための端子である。多層配線基板12は、その片面にX線遮蔽体8とさらにその上にICチップ7をもう片面に半田ボール11を搭載する。ICチップ７と半田ボール11は、接続線としての金ワイヤー9と導線14を経由して接続される。これらの構成の上部は保護用樹脂材13で覆われて保護されている。したがって、ICパッケージ10の裏面からX線15が照射された場合、多層基板12内のX線遮蔽体8により、入射したX線が遮られ、ICチップ7がX線の影響を受けることがなくなる。また、ICチップ7と後段への配線用の半田ボール11の距離は大変短いのでノイズの影響をほとんど受けない。このように構成することで、X線による劣化の防止とノイズの防止を両立可能である。」
　カ　図２  
　キ　図４
　（４）引用例３（特開２００１−９９９４２号公報）にはつぎの事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医療用のＸ線撮影装置等に用いられるＸ線平面検出装置に関する。」
　イ　「【００２６】実施例１
図１は、本発明の第一の実施例に係る平面型Ｘ線検出装置の断面図である。図１に示す平面型Ｘ線検出装置において、ＴＦＴアレイ（図示せず）、フォトコンダクタ２および高電圧用電極１が設けられたガラス基板３が、アルミニウムからなる保持部材５に実装され、また、
ガラス基板３と保持部材５の間には、Ｘ線の後方散乱を防止する厚さ１ｍｍ程度の鉛板からなる遮蔽板４が挟み込まれている
【００２７】保持部材５の裏には、ＴＦＴアレイを駆動する電子回路やＸ線を光電変換した電気信号を処理する回路を実装したプリント基板６が搭載されている。このプリント基板６とガラス基板３は、ＴＡＢ方式で実装された半導体チップ９を搭載するフレキシブル基板８で電気的に接続されている。
【００２８】以上の構造体は、アルミニウム等の筐体（図示せず）に納められ、機械的に固定されている。フレキシブル基板８に実装された半導体チップ９は、ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ制御を行うゲートドライバーＩＣ、もしくはＸ線を光電変換し、得られた電荷を電圧として出力する積分アンプＩＣである。
【００２９】
これらのＩＣは、長期間Ｘ線を受けていると信頼性が低下し、誤動作を引き起こしたり、ＩＣの破損をまねく。そのため、本実施例では、保持部材５の側面に穴もしくは溝を形成し、その中に半導体チップ９を完全に挿入している。
【００３０】
このような半導体チップ９の配置方法により、プリント基板７上の半導体素子７だけでなく、半導体チップ９もＸ線にさらされることがなくなるので、全ての半導体素子がＸ線後方散乱防止のための遮蔽板４で保護され、信頼性の向上を図ることができる。
【００３１】更に、半導体チップ９は、例えば熱伝導性シリコーンゴム（ＴＣ―ＴＨ：商品名、信越シリコーン社製）からなる熱伝導性樹脂層１３を介してアルミニウムからなる保持部材５に密着し、熱的に低熱抵抗な状態で実装される。保持部材５の内部には水冷用パイプ１０が設置されており、半導体チップ９は、熱伝導性樹脂層１２を介して水冷用パイプ１０により、十分冷却される。
【００３２】
フレキシブル基板８の外側には、Ｆｅからなるシールド板１２が設置されている。シールド板１２は、外来ノイズに弱い積分アンプを電磁気的に保護するとともに、シールド板１２と保持部材５をねじどめなどで固定することで、半導体チップ９と保持部材５の密着性を向上させ、半導体チップ９の冷却性を向上させることが可能である。この場合、熱伝導性樹脂層１３は、伝熱性を高めるだけでなく、緩衝の役割を果し、半導体チップ９の損傷を防止する役割も果す。
　ウ　図１　
　（５）引用例４（特開平３−３３６７０号公報）には、つぎの事項が記載されている。
  「図示の実施例によれば、首部分６の壁６ａ中の少なくとも一つの貫通部２１を経て一つの放射シールド板１７との導電かつ伝熱結合が存在するものと仮定する。
　この放射シールドにより同時に十分な高周波遮蔽効果を保証しようとするので、放射シールドは一方では連続的に高周波導電性にすなわち十分に高周波を通さないように構成しなければならない。このことは図示の実施例によれば排ガスＫ２への熱結合が行われるジュワー容器の首部分６で、ジュワー容器開口内部の遮蔽を受け持つ放射シールド板１７との導電性又は容量性結合により行われる。そうして測定装置の高周波に敏感な超伝導部品１０を囲む実際上完全に閉じられた遮蔽カバーが得られる。」（５頁左上欄１０行〜同右上欄５行）
　２　当審の判断
　（１）対比
　本願発明は、上記第２（２）で認定したとおりのものであるところ、本願発明と引用発明１とを対比する。
　ア　引用発明１の「回路基板Ｃ」は、「Ａ／Ｄ変換器を備える信号読出回路を有」するものであるから、本願発明の「所与の感知モダリティに基づくセンサ・アレイからの複数のアナログ信号に所望の信号コンディショニングを施す少なくとも一つの集積回路（４０６）」に相当する。
　イ　引用発明１の「回路基板Ｃを収容する凹部ＤＰを有し、パッケージとして回路基板Ｃを支持基板ＣＭの一方面と端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面との間に配置して保護する半導体チップＳの支持基板を構成する支持基板ＣＭ」は、「一方面側」と「支持基板ＣＭの一方面と端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面」を備える「パッケージ」であるといい得るものであり、ここでの引用発明１の「一方面側」の「面」は本願発明の「上面（１０６）」に相当し、引用発明１の「端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面」は、本願発明の「底面（１０８）」に相当するものであるといえる。
　してみると、引用発明１の「回路基板Ｃを収容する凹部ＤＰを有し、パッケージとして回路基板Ｃを支持基板ＣＭの一方面と端子Ｌ、Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面との間に配置して保護する半導体チップＳの支持基板を構成する支持基板ＣＭ」は、本願発明の「上面（１０６）及び底面（１０８）を画定するパッケージ（１０４）を含むインタフェイス・アセンブリ（４００）であって、前記上面（１０６）と前記底面（１０８）の間に配置され、所与の感知モダリティに基づくセンサ・アレイからの複数のアナログ信号に所望の信号コンディショニングを施す少なくとも一つの集積回路（４０６）を含んでいる」インタフェイスアセンブリに相当する。
　ウ　引用発明１の「支持基板ＣＭの一方面は、回路基板Ｃより広い幅を有し、端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面は、回路基板Ｃより広い幅を有し、支持基板ＣＭの一方面と端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面は、回路基板Ｃを挟み、支持基板ＣＭの一方面は、端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面に対向配置されて」いることと、本願発明の「前記上面（１０６）は、前記少なくとも一つの集積回路と前記上部遮蔽（１２２）よりも広い幅を有し、前記底面（１０８）は、前記少なくとも一つの集積回路と前記上部遮蔽（１２２）よりも広い幅を有し、前記上面（１０６）と前記底面（１０８）は、前記集積回路と前記上部遮蔽（１２２）とを挟み、前記上面（１０６）は、前記底面（１０８）に対向配置されて」いることとは、「前記上面は、前記少なくとも一つの集積回路よりも広い幅を有し、前記底面は、前記少なくとも一つの集積回路よりも広い幅を有し、前記上面と前記底面は、前記集積回路を挟み、前記上面は、前記底面に対向配置されて」いる点で共通するものといえる。
　エ　引用発明１の「半導体チップＳ」は「表面入射型の光検出素子（ホトダイオード）アレイを構成するものであ」って、本願発明の（インタフェイスアセンブリ）の「センサアレイ」に相当することから、引用発明１の「出力端子Ｔ」と「支持基板の一方面側」とが「バンプＢ１を介して接続され、支持基板ＣＭの他方面側と回路基板Ｃの入力端子ＩとはバンプＢ２を介して接続されている」ことは、本願発明の「前記上面（１０６）は、前記センサ・アレイの底面に接続し」ていることに相当し、ここでの引用発明１の「バンプＢ１」は、本願発明の「前記センサ・アレイからの前記複数のアナログ信号を前記集積回路に相互接続する複数のインタフェイス・パッド（１１０）のアレイ」に相当する。
　オ　引用発明１の「セラミック基体ＣＲ内にリボン状の金属配線ＭＬ２を埋め込んでなり、金属配線ＭＬ２は半導体チップＳの出力端子Ｔと回路基板Ｃの入力端子Ｉとを接続」していることと、本願発明の「前記複数のインタフェイス・パッド（１１０）のアレイから前記上面（１０６）の辺縁に向かって延び、前記少なくとも一つの集積回路（４０６）と接続する信号線とを有して」いることとは、「複数のインタフェイスパッドのアレイから少なくとも一つの集積回路に接続する信号線」を有するものである点で共通するものといえる。
　カ　引用発明１の「支持基板ＣＭ内部に埋め込まれた金属配線ＭＬ３は、バンプＢ３を介して、外部リードＬ、Ｌ’と回路基板Ｃとを接続しているように構成され」ていることは、ここでの「外部リードＬ，Ｌ’形成されるそれぞれの面により画定される面」が、本願発明の「前記底面（１０８）」に相当するものであるから、引用発明１の「支持基板ＣＭ内部に埋め込まれた金属配線ＭＬ３は、バンプＢ３を介して、外部リードＬ、Ｌ’と回路基板Ｃとを接続しているように構成され」ていることとは、本願発明の「前記底面（１０８）は、前記センサ・アレイからの前記複数のアナログ信号とは異なる少なくとも一つの電気的特性を有する複数の信号を前記集積回路に相互接続する複数のインタフェイス（１１２）を提供している」ことに相当するものといえる。
　キ　以上のことから、本願発明と引用発明１とは、つぎの一致点で一致し、各相違点で相違する。
＜一致点＞
　上面及び底面を画定するパッケージを含むインタフェイス・アセンブリであって、
前記上面と前記底面の間に配置され、所与の感知モダリティに基づくセンサ・アレイからの複数のアナログ信号に所望の信号コンディショニングを施す少なくとも一つの集積回路と、
を含んでおり、
前記上面は、前記少なくとも一つの集積回路よりも広い幅を有し、前記底面は、前記少なくとも一つの集積回路よりも広い幅を有し、前記上面と前記底面は、前記集積回路を挟み、前記上面は、前記底面に対向配置されており、
前記上面は、前記センサ・アレイの底面に接続し、前記センサ・アレイからの前記複数のアナログ信号を前記集積回路に相互接続する複数のインタフェイス・パッドのアレイと、前記複数のインタフェイス・パッドのアレイから前記少なくとも一つの集積回路と接続する信号線とを有しており、
前記底面は、前記センサ・アレイからの前記複数のアナログ信号とは異なる少なくとも一つの電気的特性を有する複数の信号を前記集積回路に相互接続する複数のインタフェイスを提供している、インタフェイス・アセンブリ」である点
 ＜相違点１＞ 
 　本願発明が「上面を通過して前記集積回路に向かって進む放射線を遮断するように配設された上部遮蔽」を備え、「前記上面」は、「前記上部遮蔽よりも広い幅を有し」、「前記底面」は、「前記上部遮蔽よりも広い幅を有し」、「前記上面と前記底面」は、「前記上部遮蔽」を「挟」んでいるものであるのに対して、引用発明１は、「上部遮蔽」を備えていない点 
＜相違点２＞
　本願発明が「上面」と「底面」との間で、「パッケージの側面に沿って前記パッケージの内部に配置されており、前記放射線源から前記集積回路に散乱される放射線を遮断する少なくとも一つの側面遮蔽」を備えているのに対して、引用発明１は、「側面遮蔽」を備えていない点  
 ＜相違点３＞ 
 　本願発明の「上面」が「前記複数のインタフェイス・パッドのアレイから前記上面の辺縁に向かって延び、前記少なくとも一つの集積回路と接続する信号線」「を有して」いるのに対して、引用例１に記載された発明は「セラミック基体ＣＲ内にリボン状の金属配線ＭＬ２を埋め込んでなり、金属配線ＭＬ２は半導体チップＳの出力端子Ｔと回路基板Ｃの入力端子Ｉとを接続」しているものの、当該「金属配線ＭＬ２」は、辺縁に向かって延びるものではない点 
  
　（２）当審の判断 
　ア　相違点１について検討する。
　（ア）引用例２には、「Ｘ線ＣＴ装置の検出器ユニットに接続されるＩＣチップパッケージ（１０）であって、多層電極基板（１２）の第１の面に形成された複数のパッド（１１）から、多層電極基板の第２の面に放射線遮蔽部８を介して装着されたＩＣチップ（７）へ接続する信号線を多層電極基板の辺縁に延びるように基板中に導線１４を配設し、ＩＣチップパッケージ（１０）の多層電極基板（１２）の第１の面と保護用樹脂材（１３）の多層電極基板の反対側の面は、放射線遮蔽部８及びＩＣチップ（７）よりも長い幅を有するＩＣチップパッケージ」の発明が記載されている。
　（イ）Ｘ線検出器において、フォトセンサの直下に信号読出回路等を配設する場合に信号読み出し回路等に透過して到達するＸ線を遮蔽することが必要であることは、優先権主張日前において周知の技術課題である（必要であれば、上記引用例２、引用例３、特開２００２−１１６２６１号公報及び特開２００２−１８１９５０号公報を参照されたい）から、引用発明１においても、回路基板の上部にＸ線遮蔽部材を備える必要があることは、当業者であれば容易に理解し得ることであるし、そのような課題は、引用発明１に内在する課題であるといえる。
　してみると、引用発明１において、信号読み出し回路等に透過して到達するＸ線を遮蔽するために、引用例２に記載された発明を適用して、引用発明１において、支持基板ＣＭと回路基板Ｃの間で回路基板Ｃの上部に「Ｘ線遮蔽部材」を備えるようにすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　（ウ）引用例２に記載された発明は、「ＩＣチップパッケージ（１０）の多層電極基板（１２）の第１の面と保護用樹脂材（１３）の多層電極基板の反対側の面は、放射線遮蔽部８及びＩＣチップ（７）よりも長い幅を有する」ようにするものであるし、また、引用発明１においても、「支持基板ＣＭ」の「一方面」及び「端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面」は、回路基板Ｃより広い幅を有しているのであるから、引用発明１に引用例２に記載された発明を適用した場合に、引用発明１の支持基板ＣＭの「一方面」及び「端子Ｌ，Ｌ’が形成されるそれぞれの面により画定される面」が、遮蔽部材よりも広い幅を有するものとなり、また、それらの面が遮蔽部材を挟むものとなることは明らかである。 
　なお、後記、相違点３の検討において説示するように、引用発明１において、引用例２に記載された発明と同様に、多層電極基板の信号線を放射線遮蔽部材を避けて多層電極基板の辺縁に延びるように配設しなければならないことは技術的に明らかであるところ、そのようにするためには、支持基板ＣＭの幅を放射線遮蔽部材よりも長いものとしなければならないこともまた明らかというべきである。
　（エ）以上のとおりであるから、相違点１は、引用発明１に上記引用例２に記載の発明を適用することにより当業者が容易に想到し得ることである。
 イ　相違点２について検討する。
　引用例３には、側面においてシールド板（１２）を設ける点について記載されているし、また、引用例４に記載されているように、ファラデーフィールドを完全なものとするためには、遮蔽部材により完全に囲むようにする必要があることは、本願優先権主張日において従来周知の技術事項であるから、引用発明１に「遮蔽部材」を備えるようにするにあたって、側面も含めて全面を覆うよう構成することにより遮蔽部材による遮蔽効果をより完全なものとすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度の事項にすぎない。
　また、引用例２には遮蔽部材を「ＩＣパッケージ１０」内に備える構成が開示されている点に鑑みれば、引用発明１の側面に遮蔽部材を備えるようにする際に、その遮蔽部材をパッケージの内部に備えるようにすること、すなわち、接続手段ＣＭと回路基板Ｃの間の部分に備えるようにすることも格別の困難性はないものといえる。
　以上のとおりであるから、相違点２は、当業者が周知技術に基づいて適宜なし得る程度のことにすぎない。
　ウ　相違点３について
　（ア）引用発明１の支持基板ＣＭと回路基板Ｃの間の回路基板Ｃの上側に放射線遮蔽部材を備えるようにした場合には、引用例２に記載された発明と同様に、多層電極基板の信号線を放射線遮蔽部材を避けて多層電極基板の辺縁に延びるように配設しなければならないことは技術的に明らかである。
　してみると、引用発明１の「接続手段ＣＭ」の「金属配線ＭＬ２」をその辺縁に向かうようにし、中心付近に信号読み出し回路を配置するようにして、その上に放射線遮蔽部を備えるようにすることは、当業者が容易になし得ることである。（なお、そのようにしても、引用例１に記載された発明の課題である「複数の検出器を隙間なく隣接して配置することが可能であることも明らかである。）　 
　（イ）そして、優先権主張日前において、基板の表面で信号線の取り回しを行うことや基板の第１面から第２面にわたって信号線の取り回しを行うことは、共に基板配線技術として慣用されるものであるから、引用例２に記載された発明を適用するにあたり、基板中の配線路を辺縁に向かって伸ばすことに代えて、基板の表面で配線路を辺縁に向かって伸ばすようにすることは周知慣用技術の転換に相当し、新たな作用効果を奏するものではないから、辺縁に向かう配線を接続手段の上面が有するようにするか、基板中の配線で実現するかは、必要に応じて適宜なし得る程度のことである。 
　（ウ）してみると、引用発明１に、引用例２に記載された発明を適用して上記相違点３に係る本願発明の構成のようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。 
　エ　小括
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明１及び引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
　（３）請求人の主張について
　ア　請求人は、平成２７年５月２８日に提出された意見書においてつぎのように主張している。
　（ア）引用例３について
　引用例３の「シールド板１２」は、図１に示されておりますように、検出器全体の外側に配置されており、本願発明の「少なくとも一つの側面遮蔽（１２４）がパッケージ（１０４）の内部に配置される」という特徴を備えておらず、引用例３では検出器全体の外側を遮蔽することから、大量の材料を必要とし、重量も増加するのに対して、本願発明は上記特徴を有していることから、大量の遮蔽材料を必要とせず、装置の軽量化を可能にするものである。
　また、引用例３の段落【００１２】及び【００３２】に記載されているように、引用例３は、フレキシブル基板８の側面に配置した半導体チップ９を保護する目的でシールド板１２を設けており、基板の側面部に半導体チップを配置していない引用発明１及び引用例２の技術に引用例３の技術を組み合わせることは、引用例３の発明の目的に鑑み当業者には容易であるとは言えない。
　（イ）引用例４について
　引用例４は、第２頁等に記載されているように、磁力計等に用いられるジュワー容器に関する発明であり、かかる発明をＸ線検出器に関する引用例１及び２の発明に組み合わせることは当業者には容易であるとは言えない。
　さらに、引用例４も側面遮蔽を検出器の底面に接続するパッケージ（１０４）の内部に配置することを開示していない。
　イ　上記各主張について検討するに、上記相違点２についての判断で説示しているように、引用例３には、「遮蔽部材」を上面のみでなく、側面にも配置する構成が示されていること、また、引用例４には、「遮蔽部材」により完全に取り囲むようにする構成が示されていることを例示し、「遮蔽部材」を設けるにあたり、その遮蔽効果をより高めるために、周囲を遮蔽部材で覆うようにすることは、本願優先権主張日において従来周知の技術事項であることから、引用発明１に遮蔽部材を設けるにあたり、側面に遮蔽部材を備えるようにすることが適宜なし得るものと判断しているのであるから、引用例３の解決しようとする課題が引用例１及び２には存在しないこと、引用例４の技術分野の相違を理由とする請求人の主張は、上記相違点２の判断を左右するものとはいえない。
　そして、側面遮蔽をパッケージ内部に配置することについては、引用例３及び４に開示された事項に基づいて容易と判断するものではないことは、上記相違点２について説示したとおりである。
第５　当審拒絶の理由３（特許法第３６条第６項第１号違反）についての検討 
　（１）当審からの拒絶の理由３として「本願発明１において、「少なくとも一つの集積回路（４０６）」が、「パッケージ（１０４））」の「上面（１０６）」及び「底面（１０８）」の間に配置されることが特定されているのに対して、図７には、「パッケージ（１０４）」は、「集積回路（１０２）」が一つだけ配置される態様が示されているだけであり、発明の詳細な説明の段落【００３３】においても「ＡＳＩＣのような集積回路１０２」とのみ記載され、それが複数であることをうかがわせる記載はない。」、「そして、図６Ａには、「Ａ／Ｄ変換器（４０６）」が複数個あることは示されているものの、図６Ａに示される「アセンブリ（４００）」において、「上面（１０６）」や「底面（１０８）」、「パッケージ（１０４））」は示されておらず、また、それらに対応する構成がどれであるのかも示されていないし、発明の詳細な説明においても、その説明は何ら記載されていない。」と指摘した。
　（２）請求人はこの指摘に対して、図６に示される複数のＡ／Ｄ変換器４０６の各々が図７のインタフェイス回路アセンブリ１００に対応することが当業者にとって明らかである旨主張し、段落【００３０】に「これらのアナログ信号は、基材４０７の上でセンサ・アレイ４０２の下層に配設された１又は複数のＡ／Ｄ変換器４０６によってディジタル化される。」と記載されているように、図６に「アナログ信号を取得して、これらの信号をディジタル信号へ変換する構成要素」は、「Ａ／Ｄ変換器４０６」であることが明確に示され、段落【００３３】に「 このインタフェイス回路は、第一の領域１０６（例えば上面）及び第二の領域１０８（例えば底面）を画定するパッケージ１０４を含んでいる。パッケージの第一の領域は、適当なアナログからディジタルへの変換を提供するように構成されているＡＳＩＣのような集積回路１０２を、第一の電気的特性を有する複数の信号（例えばセンサ・アレイからの相対的に敏感なアナログ信号）に相互接続する（インターコネクトで接続する）複数のインタフェイス（例えばインタフェイス１１０）を含んでいる。」と記載されているように、図７の集積回路１０２を含む構成要素が「アナログ信号を取得して、これらの信号をディジタル信号へ変換する構成要素」であることが示されている。図７に示されているように、「集積回路１０２は、インタフェイス回路アセンブリ１００のパッケージ１０４に含まれ、一体になっておりますので、インタフェイス回路アセンブリ１００が「アナログ信号を取得して、これらの信号をディジタル信号へ変換する構成要素」であることが示されている。
　そして、図６の接続関係を勘案すれば、図７のインタフェイス回路アセンブリ１００が図６のＡ／Ｄ変換器４０６に対応する構成要素であることは、当業者にとって明らかであると主張している。
　なお、本願の図６Ａ、図６Ｂ及び図７は、つぎのとおりのものである。
　
図６Ａ　
図６Ｂ
図７　
（３）当審の判断
　本願の図７には、「上面１０６」と「下面１０８」との間に配置されているものは「集積回路１０２」として示されており、図７においては「集積回路１０２」は複数備えられているものと示されておらず、図７についての「集積回路１０２」が複数備えられるものであることは発明の詳細な説明において記載も示唆もされていない。
　請求人は、「図６に示される複数のＡ／Ｄ変換器４０６の各々が図７のインタフェイス回路アセンブリ１００に対応することは当業者にとって明らかである」と上記のとおり主張しているところ、それに従えば、図７に示されている「インタフェイス回路アセンブリ１００」は、本願発明において規定される「集積回路４０６」に対応することとなるが、そのように解した場合には、本願発明において規定される「前記上面（１０６）と前記底面（１０８）の間に配置され、所与の感知モダリティに基づくセンサ・アレイからの複数のアナログ信号に所望の信号コンディショニングを施す少なくとも一つの集積回路（４０６）」の「集積回路」は、図７に示される「集積回路１０２」とは異なるものであるということになる。
　また、「Ａ／Ｄ変換器４０６」が「上面１０６」と「下面１０８」との間に配置されているものであることについては、図６をはじめ、本願明細書の発明の詳細な説明や図面において記載されていない。
　以上のことからすると、本願発明において規定されている「少なくとも一つの集積回路（４０６）」は、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されているいずれの部材に対応するものであるのかを特定することができないことから、本願発明が、発明の詳細な説明に記載されたものということはできない。　
　（４）小括
　以上のとおりであるから、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たすものではない。
第６　まとめ
　本願発明は、上記第４において検討したとおり、特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本願の特許請求の範囲の記載は、上記第５において検討したとおり、特許法第３６条第６項第１号に規定にする要件を満たしていないから、本願は特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。