【事件の表示】
　特願２０１０−１４３０３０「炭化珪素半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２１日出願公開，特開２０１０−２３９１５２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２０年４月２日を出願日とする特願２００８−９５６９３号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２２年６月２３日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２２年　６月２３日　上申書
　平成２３年　２月　９日　審査請求
　平成２５年　２月２７日　拒絶理由通知
　平成２５年　４月１５日　面接記録
　平成２５年　４月３０日　意見書・手続補正書
　平成２５年１１月２０日　拒絶理由通知（最後）
　平成２６年　１月２０日　面接記録
　平成２６年　１月３１日　意見書・手続補正書
　平成２６年　６月　９日　上申書
　平成２６年　６月２７日　補正却下の決定・拒絶査定
（平成２６年１月３１日付け手続補正書でした補正を却下する。この出願については平成２５年１１月２０日付け拒絶理由通知に記載した理由により，拒絶すべきものである。）
　平成２６年１０月　７日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　２月２０日　上申書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年１０月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，特許請求の範囲の請求項１については，本件補正の前後で以下のとおりである。 
　・補正前
　「【請求項１】
　炭化珪素層と，
　前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置しており，不純物濃度が１Ｅ１９ｃｍ−３以上，１Ｅ２１ｃｍ−３以下の範囲内にあるｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域と，
　その裏面が前記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えており，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率が８Ｅ−４Ωｃｍ２以下であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度が前記不純物濃度の５％以上であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下である
ことを特徴とする，
炭化珪素半導体装置。」
　・補正後
「【請求項１】
　炭化珪素層と，
　前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置しており，不純物濃度が１Ｅ１９ｃｍ−３以上，１Ｅ２１ｃｍ−３以下の範囲内にあるｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域と，
　その裏面が前記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えており，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率が８Ｅ−４Ωｃｍ２以下であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度が前記不純物濃度の５％以上であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域には，不純物アクセプタと，１Ｅ１９ｃｍ−３以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥とが存在することを特徴とする，
炭化珪素半導体装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による，補正前の特許請求の範囲の請求項１についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
　・補正事項
　補正前の請求項１に，「
前記ｐ型の炭化珪素領域には，不純物アクセプタと，１Ｅ１９ｃｍ
−３
以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥とが存在する
　
３　本件補正の適否
　以下，補正事項について，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてされたものであるか否かについて検討する。
　
（１）当初明細書等の記載
　当初明細書等には，本願に係る発明における「不純物アクセプタ」及び「アクセプタ型結晶欠陥」と「ホールキャリア密度」との関係について，以下の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　ア「【００３０】
  （実施の形態２）
　
本実施の形態に係る炭化珪素半導体装置の製造方法によって製造される，炭化珪素ｐ型ベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域の電気的特性
【００３１】
　一方で，図２７は，
炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域のホールキャリア密度及びホール移動度を，Ｈａｌｌ測定により評価するための半導体装置
炭化珪素基板１１上には，炭化珪素エピタキシャル層１２が成長形成されており，炭化珪素エピタキシャル層１２の上面から同層１２の内部に向けてｐ＋＋領域１３が形成されている
・・・
【００３３】
　次に，実施の形態２に係るＨａｌｌ測定用半導体装置の製造方法を，図２８〜図３３に基づき，記載する。
【００３４】
　先ず，オフ角を有する炭化珪素基板１１の上面上に，熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により，温度１５００℃〜１６００℃，気圧２５０ｍｂａｒ，キャリアガス種はＨ２，生成ガス種はＳｉＨ４及びＣ３Ｈ８の条件の下で，膜厚０．３μｍ以上の炭化珪素エピタキシャル層１２を積層する（図２８）。
【００３５】
　次に，炭化珪素エピタキシャル層１２の上面上に選択イオン注入用マスク１６を形成し（図２９），選択イオン注入用マスク１６を用いて，
濃度が約２ｅ２０ｃｍ
−３
のＡｌイオン，Ｂイオン，及びＧａイオンの内で何れかのイオンを，炭化珪素エピタキシャル層１２内に注入して，ｐ＋＋領域１３Ａを形成する
上記のイオン注入は，炭化珪素（１１＋１２）を室温〜５００℃の範囲内の各注入温度に保持して行われる
その後は
ｐ＋＋領域１３Ａの活性化アニール処理を行い，これにより，ｐ＋＋領域１３が形成される
　イ「【００３９】
　ここで，
図３４は，Ｈａｌｌ測定から得られた，ｐ＋＋領域１３に於けるホールキャリア密度(プロット：白丸)及びホール移動度(プロット：黒の三角形)の注入温度依存性を示す
ｐ＋＋領域１３Ａの活性化アニール温度が１７００℃であり
ホールキャリア密度は，注入温度が２５０℃〜５００℃の範囲内では殆ど注入温度に対する依存性を示さないが，注入温度が２５０℃以下，１７５℃以上の範囲内に於いては，ホールキャリア密度は急激に増大している
この現象は，注入時の炭化珪素（１１＋１２）の保持温度が２５０℃以下，１７５℃以上の範囲内では，イオン注入したｐ＋＋領域１３内に，アクセプタ型のエネルギー準位を有する結晶欠陥がより高密度に分布していることを示している
　ウ「【００４０】
　又，図３５は，
Ｈａｌｌ測定から得られた，ｐ＋＋領域１３に於けるホールキャリア密度の活性化アニール温度及び注入温度の依存性示しており，図３６は，Ｈａｌｌ測定から得られた，ｐ＋＋領域１３に於けるホール移動度の活性化アニール温度及び注入温度依存性を示している
注入温度が１７５℃及び２００℃の各々では，Ａｌイオンを注入したサンプルに関しては，ホールキャリア密度は活性化アニール温度が高くなる程に増大するが，ホール移動度は，アニール温度如何に関わらず，約３ｃｍ
２
／Ｖｓ程度の低い値を示している
この現象は，注入されたＡｌイオンの活性化により増大するイオン化不純物散乱とは別の散乱機構に，ホール移動度が強く依存していることを示唆している
何れの活性化アニール温度条件下に於いても，注入温度が１７５℃及び２００℃の各々である場合に於いてＡｌイオンを注入したときのサンプルのホールキャリア密度は，注入温度が２５０℃及び３００℃の各々である注入サンプルよりも高い値を示しており，特に活性化アニール温度が低い程に，その比は顕著に大きくなっている
これらの結果から，測定されたホールキャリアの起源として，活性化アニールの高温化により増大するＡｌアクセプタと，Ａｌイオン注入温度の低温化により増大するアクセプタ型結晶欠陥とが存在すると，考えられる
　エ　Ｈａｌｌ測定から得られた，炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域におけるホールキャリア密度及びホール移動度の注入温度依存性を示す，図３４には，注入温度に対するホールキャリア密度について，
注入温度が２５０℃，２００℃及び１７５℃の場合，ホールキャリア密度は，それぞれ，約０．６Ｅ１９ｃｍ
−３
，約１．９５Ｅ１９ｃｍ
−３
，及び約２Ｅ１９ｃｍ
−３
　オ　Ｈａｌｌ測定から得られた，炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域におけるホールキャリア密度の活性化アニール温度及び注入温度の依存性を示す，図３５には，Ａｌイオンを注入したときのサンプルのホールキャリア密度について，
注入温度が１７５℃及び２００℃の各々である場合，活性化アニール温度が１６００℃以下の範囲で約１Ｅ１９ｃｍ
−３
以下
注入温度が２５０℃及び３００℃の各々である場合，活性化アニール温度が１６００℃以下の範囲で約０．２Ｅ１９ｃｍ
−３
以下
　
（２）新規事項の追加の有無について
　上記２のとおり，補正事項による補正は，補正前の請求項１に，「ｐ型の炭化珪素領域」には，「不純物アクセプタ」と，「１Ｅ１９ｃｍ−３以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥」とが存在することを追加するものである。
　他方，上記（１）ア，イ及びエより，当初明細書等には，濃度が約２Ｅ２０ｃｍ−３のＡｌイオン，Ｂイオン，及びＧａイオンの何れかを炭化珪素エピタキシャル層内へ注入した後，１７００℃の温度で活性化アニール処理を行って形成した，炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域について，注入温度が２５０℃，２００℃及び１７５℃の場合，ホールキャリア密度は，それぞれ，約０．６Ｅ１９ｃｍ−３，約１．９５Ｅ１９ｃｍ−３，及び約２Ｅ１９ｃｍ−３となり，注入温度が２５０℃以下，１７５℃以上の範囲内でホールキャリア密度が０．６Ｅ１９ｃｍ−３から２Ｅ１９ｃｍ−３まで増大し，この現象は，イオン注入したｐ＋＋領域内に，アクセプタ型のエネルギー準位を有する結晶欠陥（以下，単に「アクセプタ型結晶欠陥」という。）が，より高密度に分布していることを示している旨，記載されていると認められる。
　また，上記（１）ア，ウ及びオより，当初明細書等には，注入温度が１７５℃及び２００℃の各々では，Ａｌイオンを注入したサンプルに関しては，炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域のホールキャリア密度は，活性化アニール温度が１６００℃以下の場合，１Ｅ１９ｃｍ−３以下であり，活性化アニール温度が高くなる程に増大するのに対し，上記ｐ＋＋領域のホール移動度は，アニール温度如何に関わらず，約３ｃｍ２／Ｖｓ程度の低い値を示し，この現象により，注入されたＡｌイオンの活性化により増大するイオン化不純物散乱とは別の散乱機構に，ホール移動度が強く依存していることが示唆されている旨，記載されていると認められる。
　そして，上記（１）ア，ウ及びオより，当初明細書等には，何れの活性化アニール温度条件下においても，注入温度が１７５℃及び２００℃の各々である場合においてＡｌイオンを注入したときのサンプルの，上記ｐ＋＋領域のホールキャリア密度は，注入温度が２５０℃及び３００℃の各々である注入サンプルよりも高い値を示し，活性化アニール温度が１６００℃以下のとき，前者は約１Ｅ１９ｃｍ−３以下，後者は約０．２Ｅ１９ｃｍ−３以下で，活性化アニール温度が低い程に，その比は顕著に大きくなることから，測定されたホールキャリアの起源として，活性化アニールの高温化により増大するＡｌアクセプタと，Ａｌイオン注入温度の低温化により増大するアクセプタ型結晶欠陥とが存在すると考えられる旨，記載されていると認められる。
　しかし，上記（１）より，当初明細書等には，濃度が約２Ｅ２０ｃｍ−３のＡｌイオン，Ｂイオン，及びＧａイオンの何れかを炭化珪素エピタキシャル層内へ注入し，炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域を形成する際，注入温度を２５０℃以下，１７５℃以上の範囲内にすると，上記ｐ＋＋領域にアクセプタ型結晶欠陥が，より高密度に分布していると考えられることや，注入されたＡｌイオンの活性化により増大するイオン化不純物散乱とは別の散乱機構に，ホール移動度が強く依存していると示唆されていることや，測定されたホールキャリアの起源として，活性化アニールの高温化により増大するＡｌアクセプタと，Ａｌイオン注入温度の低温化により増大するアクセプタ型結晶欠陥とが存在すると考えられることが記載されているにとどまり，上記補正事項による補正で補正前の請求項１に追加される，「ｐ型の炭化珪素領域」には「１Ｅ１９ｃｍ−３以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥」が存在することは記載されていない。
　また，当初明細書等には，Ｈａｌｌ測定から得られた，炭化珪素ｐベースオーミックコンタクト用ｐ＋＋領域におけるホールキャリア密度及びホール移動度の注入温度依存性，並びに上記ｐ＋＋領域におけるホールキャリア密度の活性化アニール温度及び注入温度の依存性が示されているが，これらには，注入温度を２５０℃以下，１７５℃以上の範囲内にした場合における，アクセプタ型結晶欠陥を起源として生成された上記ｐ＋＋領域のホールキャリアの密度や，上記ｐ＋＋領域のホールキャリア密度におけるアクセプタ型結晶欠陥を起源として生成されたものの割合は記載されておらず，「ｐ型の炭化珪素領域」には「１Ｅ１９ｃｍ−３以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥」が存在することは記載されていない。
　そして，当該技術分野における技術常識を参酌すれば，注入温度を２５０℃以下，１７５℃以上の範囲内にした場合でも，上記ｐ＋＋領域のホールキャリアとして，Ａｌアクセプタを起源として生成されるものが存在することは否定できないから，アクセプタ型結晶欠陥を起源として生成された上記ｐ＋＋領域のホールキャリアの密度や，上記ｐ＋＋領域のホールキャリア密度におけるアクセプタ型結晶欠陥を起源として生成されたものの割合は，当該技術分野における技術常識を参酌しても，当初明細書等の記載から自明とはいえない。
　してみれば，「ｐ型の炭化珪素領域」には「１Ｅ１９ｃｍ−３以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥」が存在することは，当該技術分野における技術常識を参酌しても，当初明細書等の記載から自明な事項とは認められない。
　そうすると，上記補正事項による補正で補正前の請求項１に追加される，「ｐ型の炭化珪素領域」には「１Ｅ１９ｃｍ−３以上のホールキャリアの起源となるアクセプタ型結晶欠陥」が存在することは，当初明細書等に記載されたものとは認められない。
　
（３）小括
　上記（２）より，上記補正事項による補正は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものといわざるを得ないから，上記補正事項による補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであるとは認められない。
　以上から，本件補正における上記補正事項による補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであるとは認められないから，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものとはいえず，特許法第１７条の２第３項に規定に違反するものと認める。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の容易想到性について
　
１　本願発明について
　平成２６年１０月７日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし４に係る発明は，平成２５年４月３０日に提出された手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
「【請求項１】
　炭化珪素層と，
　前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置しており，不純物濃度が１Ｅ１９ｃｍ−３以上，１Ｅ２１ｃｍ−３以下の範囲内にあるｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域と，
　その裏面が前記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えており，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率が８Ｅ−４Ωｃｍ２以下であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度が前記不純物濃度の５％以上であり，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下である
ことを特徴とする，
炭化珪素半導体装置。」
　
２　引用発明及び周知技術
（１）引用文献の記載と引用発明
　ア　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の出願日前に米国内において頒布された刊行物である，Y. Negoro, 外4名，Electrical activation of high-concentration aluminum implanted in 4H-SiC，Journal of Applied Physics，米国，American Institute of Physics，2004年11月1日，Vol. 96, No. 9，p. 4916-4922（以下「引用文献」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．訳は当審で作成した。）
（ア）「I. INTRODUCTION
　Silicon carbide(SiC) is an atractive semiconductor material for high-power electronic devices. ・・・ In order to form selective p-type regions in SiC, implantation of aluminium ions(Al＋) or boron-ions(B＋) is commonly used. 
Al is particularly attractive to form heavily doped p
＋
-regions with reasonable sheet resistance, because Al acceptors have a smaller ionization energy(190 meV, Ref.2) than B acceptors(285 meV) Ref.3 in 4H-SiC
（訳：Ｉ．イントロダクション
　炭化珪素（ＳｉＣ）は高電力電子デバイス向けの魅力的な半導体材料である。・・・ＳｉＣに選択的にｐ型領域を形成するために，通常，アルミニウムイオン（Ａｌ＋）又はボロンイオン（Ｂ＋）が用いられる。
４Ｈ−ＳｉＣにおけるＡｌアクセプタのイオン化エネルギー（１９０ｍｅＶ）は，Ｂアクセプタ（２８５ｍｅＶ）よりも小さいため，Ａｌは，シート抵抗の低い，高濃度にドープされたｐ
＋
領域を形成するうえで特に魅力的である
（イ）「II. EXPERIMENTS
　The starting substrates are 8°off-axis n-type 4H-SiC(0001) and on-axis n-type 4H-SiC(11-20) purchased from Cree or Nippon Steel Co. 
Nitorogen-doped(n-type) 4H-SiC epilayers are grown on the substrates by chemical vapor deposition(CVD) at Kyoto University
Multiple implantation of Al
＋
 was carried out either at 500℃ or at room temperature(RT) to form a 0.2μｍ deep box profile of Al
The total dose was varied from 4×10
１５
 cm
−２
 to  6×10
１６
 cm
−２
, which corresponds to the Al concentration of 2×10
２０
 cm
−３
−3×10
２１ 
cm
−３
　After forming a graphite cap on the whole surface of implanted samples, postimplantation annealing was performed in an Ar ambient at 1800℃ for 1−180 min using a CVD reactor.・・・
　
The electrical properties of Al
＋
 -implanted regions were characterized by Hall-efect measurements in the temperature range from 180K to 830K using the van der Pauw configuration
Ohmic contacts in the van der Pauw arrangement were formed by thermal evapolation of Ti(5nm) and Al(100nm) and subsequent annealing at 950℃ for 1 min
（訳：II．実験
　開始基板として，クリ−社又は新日本製鐵から購入した，８°の軸ずれを持つｎ型の４Ｈ−ＳｉＣ（０００１）と軸ずれのないｎ型の４Ｈ−ＳｉＣ（１１−２０）を用いた。
京都大学において，これらの基板上に，窒素がドープされた（ｎ型の）４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層を，化学気相成長法（ＣＶＤ）で成長させた
Ａｌ
＋
の多重注入が５００℃又は室温で行われ，Ａｌの深さ０．２μｍの箱状のプロファイルが形成された
総ドーズ量は，４×１０
１５
ｃｍ
−２
から６×１０
１６
ｃｍ
−２
まで変化され，これは，Ａｌの濃度，２×１０
２０
ｃｍ
−３
〜３×１０
２１
ｃｍ
−３
に相当する
　イオン注入されたサンプルの全面にグラファイトキャップを形成した後，イオン注入後のアニールを，ＣＶＤ装置を用いて，Ａｒ雰囲気中，１８００℃で１〜１８０分間行った。・・・
　
Ａｌ
＋
が注入された領域の電気的特性は，ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ 法を用いた，１８０Ｋから８３０Ｋの温度範囲でのＨａｌｌ効果測定によって特徴づけられる
ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ 法でのオーミックコンタクトは，Ｔｉ（５ｎｍ）とＡｌ（１００ｎｍ）を蒸着し，続けて９５０℃で１分間アニールして形成される
（ウ）「C. Discussion of the electrical properties in p＋ -SiC
　For the optimization of SiC-based devices, it is important to understand the difference between the experimentally determined parameters shown above and the electrical properties theoretically expected.・・・
　
Figure7(a) shows the acceptor-concentration dependence of the free-hole concentrations at RT
　All of the experimental data(see symbols) are located above the dashed curve, indicating that the ionization energy of Al acceptors in those samples is smaller than 180 meV. 
Two open-square symbols indicated by arrows for C
＋
 coimplanted samples
Al concentration of
5×10
２０
 cm
−３ 
take almost the same values as solid curves
　
The dependence of the hole mobility μ on the free hole concentoration at RT is shown in Fig7(b)
（訳：Ｃ．ｐ＋−ＳｉＣにおける電気的特性の検討
　ＳｉＣベースのデバイスの最適化のために，上述の実験的に決定されたパラメータと，理論的に予測される電気的特性との違いを理解することが重要である。・・・
　
図７（ａ）は，室温での自由ホール濃度のアクセプタ濃度依存性を示したものである
　全ての実験データ（シンボル参照。）は，破線より上に位置しており，Ａｌアクセプタのイオン化エネルギーが１８０ｍｅＶより小さいことを示している。
Ｃ
＋
が共に注入されたサンプル
Ａｌの濃度は
５×１０
２０
ｃｍ
−３
である
矢印で示された２つの白四角のシンボルは，実線の曲線とほぼ同じ値をとる
　
室温でのホール移動度の自由ホール濃度依存性が，図７（ｂ）に示されている
（エ）室温での自由ホール濃度のアクセプタ濃度依存性を示す図７（ａ）には，
実験データとして，Ａｌの濃度が５×１０
２０
ｃｍ
−３
で，自由ホール濃度が２×１０
１９
ｃｍ
−３
より高く３×１０
１９
ｃｍ
−３
以下の値である，矢印が付された白四角のシンボルが示されている
　そして，室温でのホール移動度の自由ホール濃度依存性を示す図７（ｂ）には，
実験データとして，自由ホール濃度が２×１０
１９
ｃｍ
−３
より高く３×１０
１９
ｃｍ
−３
以下の値で，ホール移動度が４ｃｍ
２
／Ｖｓ以下である白四角のシンボルが示されている
　イ　引用発明
　上記ア（イ）より，引用文献には，４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層に，Ａｌ＋の多重注入により，Ａｌの箱状のプロファイルである，Ａｌ＋が注入された領域が形成され，当該領域にＴｉとＡｌからなるオーミックコンタクトが形成されたサンプルについて，Ｈａｌｌ効果測定により，上記領域の電気的特性が測定されることが記載されていると認められる。
　また，上記ア（ウ）及び（エ）より，上記サンプルの一つとして，上記Ａｌ＋が注入された領域におけるＡｌの濃度は５×１０２０ｃｍ−３，自由ホール濃度が２×１０１９ｃｍ−３より高く３×１０１９ｃｍ−３以下のある値，ホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下であるサンプルが記載されていると認められる。
　そして，上記ア（イ）より，引用文献記載のサンプルは，炭化珪素（ＳｉＣ）に形成されることは明らかであり，Ｈａｌｌ効果測定のための半導体装置といえるから，上記サンプルは，炭化珪素半導体装置ということができる。
　そうすると，引用文献には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層と，
　上記４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層に形成されたＡｌの箱状のプロファイルであり，Ａｌの濃度が５×１０２０ｃｍ−３である，Ａｌ＋が注入された領域と，
　上記Ａｌ＋が注入された領域に形成された，ＴｉとＡｌからなるオーミックコンタクト
とを備えており，
　上記Ａｌ＋が注入された領域の自由ホール濃度が２×１０１９ｃｍ−３より高く３×１０１９ｃｍ−３以下のある値であり，
　上記Ａｌ＋が注入された領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下である，
炭化珪素半導体装置。」
　
（２）周知例の記載と周知技術
　ア　周知例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の出願日前に日本国内及び外国において頒布された刊行物である，国際公開第９７／３９４７７号（以下「周知例１」という。）には，次の記載がある。（当審注．訳は当審で作成した。）
（ア）「EXAMPLE 1
　
A 6H-SiC sample with 10 micron epilayer of n = 1×10
１６
cm
−３
on heavily doped n-type 6H-SiC substrate (off-axis, 3.5°±0.5°off {0001} toward 
1120
 , purchased from Cree Research, Inc., Durham, N.C.) was used as a starting wafer
The other piece, referred to here as No. 6, was first implanted with C and then Al according to the technique of the present invention using a Veeco TM implantor
　Sample No. 6 was first implanted by C-12 at room temperature to create Si vacancies and the desired damage level so that the Al atoms, which will be implanted next, can more easily fill the Si vacancies that are created. ・・・
　After carbon implantation, the sample was then implanted by Al-27 at room temperature. ・・・
　The implanted samples are then placed into a high purity graphite compartment filled with high purity SiC powder and loaded into a high temperature furnace which is pumped to 10−３ Torr and annealed for 30 minutes at 1,500℃.
　Transmission Line Model measurement (TLM) pattern as shown in Fig. 3(b) are then fabricated onto the implanted surface for electrical evaluation by using standard photolithography techniques. 
The metal used for the contact is Al and is deposited onto SiC by e-beam evaporation at a base pressure of 4 ×10
−７
Torr
The Al contacts were then annealed at 950℃ for 5 minutes in Ar ambient
・・・
　
By using the standard TLM analysis as described in the article 
Obtaining the specific contact resistance from transmission line model measurements
 by G.K. Reeves and H.B. Harrison published in IEEE Electron Device Letters, Vol. EDL-3, No. 5, p. 111. 1982, which is herein incorporated by reference
 The specific contact resistivity 
ｃ
 is found to be 
 3.4×10
−４
ohm-cm
２
 for sample No.6
（訳：例１
　
クリーリサーチ社から購入した，｛０００１｝面から＜１１２０＞方向に３．５°±０．５°の軸ずれがある，高濃度にドープされた，ｎ型の６Ｈ−ＳｉＣ基板上に，厚さ１０μｍ，ｎ＝１×１０
１６
ｃｍ
−３
のエピタキシャル層を形成した，６Ｈ−ＳｉＣのサンプルが，開始ウェハとして用いられた
他方は，Veeco（登録商標）のイオン注入機を用いて，本発明の技術に従い，はじめにＣが，次にＡｌが注入されたもので，ここではサンプルＮｏ．６
　サンプルＮｏ．６では，Ｓｉの空孔と次に注入されるＡｌ原子がＳｉの空孔に入り込み易くなるような望ましいダメージを作るために，はじめに，室温でＣ−１２が注入される。・・・
　炭素の注入後，室温で，Ａｌ−２７が注入された。・・・
　注入されたサンプルは，高純度のＳｉＣ粉末で充填された，高純度のグラファイトからなる仕切り内に配置した状態で，１０−３Ｔｏｒｒの圧力に保たれた高温加熱炉に導入され，１５００℃で３０分間，アニールされる。
　図３（ｂ）に示されたＴＬＭ測定パターンは，標準的なフォトリソグラフィー技術によって，電気的評価の対象であるイオン注入された表面に形成される。
コンタクトに用いられる金属はＡｌであり，４×１０
−７
Ｔｏｒｒの圧力での電子ビーム蒸着によりＳｉＣ上に堆積される
Ａｌコンタクトは，Ａｒ雰囲気中，９５０℃ で５分間，アニールされる
・・・
　
論文記事 
Obtaining the specific contact resistance from transmission line model measurements
 （by G.K. Reeves and H.B. Harrison published in IEEE Electron Device Letters, Vol. EDL-3, No. 5, p. 111. 1982）で述べられている，標準的なＴＬＭ分析を行ったところ
コンタクト抵抗ｃは
サンプルＮｏ．６では３．４×１０
−４
Ωｃｍ
２
（イ）サンプルＮｏ．６の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を示す，図３ａ（FIG.3a）より，サンプルＮｏ．６はオーミック特性を示していると認められる。
　イ　周知例２
　原出願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−０６６９５９号公報（以下「周知例２」という。）には，次の記載がある。
（ア）「【００３３】
  ＜実施の形態１＞
    ＜Ａ．ベースコンタクト部のイオン注入濃度および製造方法＞
　本実施の形態１に係る炭化珪素半導体装置の製造方法について説明する前に，ベースコンタクト部とソース・ベース共通電極とのコンタクト抵抗率を１ｅ−３Ωｃｍ２以下とするために必要なベースコンタクト部のイオン注入濃度，およびベースコンタクト部の製造方法について説明する。
【００３４】
    ＜Ａ−１．イオン注入濃度の調査＞
　まず，図１に示す抵抗率評価用炭化珪素半導体装置１００を作製し，ＴＬＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌｉｎｅ  Ｍｅｔｈｏｄ）によってオーミックコンタクトの抵抗率を評価する。そして，１ｅ−３Ωｃｍ−３（当審注．「１ｅ−３Ωｃｍ２」の誤記と認める。）以下のオーミックコンタクトの抵抗率を得るために必要なＡｌイオンのイオン注入濃度を調べる。
【００３５】
      ＜Ａ−１−１．抵抗率評価用炭化珪素半導体装置の構成＞
　図１は，前述した抵抗率評価用炭化珪素半導体装置１００の構成を示す断面図である。
【００３６】
　
ｎ型の炭化珪素基板１上に，ｎ型の炭化珪素からなる炭化珪素エピタキシャル層２が形成されている
炭化珪素エピタキシャル層２上にｐ型のホール伝導層３が形成されている
【００３７】
　
ホール伝導層３の表層部に，所定間隔離れて２つのベースコンタクト部４が形成されている
ベースコンタクト部４上にはＮｉ電極５が形成されている
【００３８】
　以下，抵抗率評価用炭化珪素半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００３９】
      ＜Ａ−１−２．抵抗率評価用炭化珪素半導体装置１００の製造方法＞
  まず，炭化珪素基板１上に，熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により，炭化珪素エピタキシャル層２を形成する。
・・・
【００４２】
　次に，炭化珪素エピタキシャル層２の全面に，濃度５ｅ１８ｃｍ−３のＡｌイオンを，深さ０．７〜１．０μｍまで注入して，ホール伝導層３を形成する。
【００４３】
  次に，
炭化珪素エピタキシャル層２上にマスク（図示せず）を形成して，濃度２ｅ１９〜２ｅ２０ｃｍ
−３
のＡｌイオンを，深さ０．２５μｍまで注入して，ベースコンタクト部４を形成する
【００４４】
　次に，１３００〜１９００℃のアニール処理により，ベースコンタクト部４およびホール伝導層３のＡｌイオンを電気的に活性化させる。
【００４５】
　次に，
ベースコンタクト部４の上に，Ｎｉ電極５を形成する。その後，Ｎｉ電極５とベースコンタクト部４とが接触している部分において，それらを合金化する
【００４６】
  合金化は，温度９５０〜１０００℃，処理時間２０〜６０秒，昇温速度１０〜２５℃／秒のＲＴＡ処理により行う。
【００４７】
　以上により，図１に示す抵抗率評価用炭化珪素半導体装置１００が完成する。
【００４８】
      ＜Ａ−１−３．オーミックコンタクト抵抗率の評価＞
　次に，
図１の炭化珪素半導体装置１００のベースコンタクト部４とＮｉ電極５とのコンタクト抵抗率をＴＬＭによって評価する
【００４９】
　図２は，電極間距離（Ｎｉ電極５間の距離）を５μｍとして，印加電圧−１〜＋１Ｖの範囲で測定したＩ−Ｖ特性である。
【００５０】
　また，
図２は，ベースコンタクト部４のＡｌ濃度を２×１０
１９
ｃｍ
−３
，５×１０
１９
ｃｍ
−３
，８×１０
１９ｃ
ｍ
−３
，２×１０
２０
ｃｍ
−３
とした場合のＩ−Ｖ特性を図示
【００５１】
　図２に示すように，
ベースコンタクト部４のＡｌ濃度が高くなるにしたがい，Ｉ−Ｖ特性はより良好なオーミック性を示すようになり
・・・
【００５３】
　また，電極間距離を５０〜３μｍとして同様のＩ−Ｖ特性評価を行い，各Ａｌ濃度（横軸）に対してＴＬＭにより算出したコンタクト抵抗率（縦軸）を図３に示す。
【００５４】
　図３に示されるように，
ベースコンタクト部４のＡｌ濃度を１．５ｅ２０ｃｍ
−３
にすることで，１ｅ−３Ωｃｍ
−３
（当審注．「１ｅ−３Ωｃｍ
２
」の誤記と認める。）のコンタクト抵抗率が得られる
ベースコンタクト部４のＡｌ濃度をさらに上げると，コンタクト抵抗率の下がる割合は飽和する傾向を示している
（イ）各Ａｌ濃度（横軸）に対してＴＬＭにより算出したコンタクト抵抗率（縦軸）を図３より，
Ａｌ濃度を５ｅ２０ｃｍ
−３
とした時に，コンタクト抵抗率が８ｅ−４Ωｃｍ
２
以下である
　ウ　周知技術
　上記ア及びイより，炭化珪素層と，当該炭化珪素層の内部に向けて位置する，ｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域と，その裏面が上記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えている炭化珪素半導体装置において，上記ｐ型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率を８Ｅ−４Ωｃｍ２以下とすることは，周知例１及び２にみられるように，原出願の出願日前，当該技術分野では周知の技術と認められる。
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明における「４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層」は，本願発明の「炭化珪素層」に相当するといえる。
　そして，引用発明における「Ａｌ」は，本願発明の「ｐ型の不純物」に相当するといえるから，引用発明における「上記４Ｈ−ＳｉＣエピタキシャル層に形成されたＡｌの箱状のプロファイルであ」ること，「Ａｌの濃度」，「Ａｌの濃度が５×１０２０ｃｍ−３である」こと，及び「Ａｌ＋が注入された領域」は，それぞれ，本願発明の「前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置して」いること，「不純物濃度」，「不純物濃度が１Ｅ１９ｃｍ−３以上，１Ｅ２１ｃｍ−３以下の範囲内にあるｐ型の不純物を有する」こと，及び「ｐ型の炭化珪素領域」にそれぞれ相当するということができる。してみれば，引用発明は，本願発明の「前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置しており，不純物濃度が１Ｅ１９ｃｍ−３以上，１Ｅ２１ｃｍ−３以下の範囲内にあるｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域」に相当する構成を備えていると認められる。
　また，引用発明における「上記Ａｌ＋が注入された領域に形成された，ＴｉとＡｌからなるオーミックコンタクト」は，本願発明の「その裏面が前記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極」に相当するということができる。
　さらに，引用発明における「Ａｌ＋が注入された領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下である」ことは，本願発明の「ｐ型の炭化珪素領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下である」ことに相当するということができる。
　加えて，引用発明における「Ａｌ＋が注入された領域の自由ホール濃度」は，本願発明の「ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度」に相当するということができる。
　
（２）以上によれば，本願発明と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりであると認められる。
　ア　一致点
「炭化珪素層と，
　前記炭化珪素層の主面から前記炭化珪素層の内部に向けて位置しており，不純物濃度が１Ｅ１９ｃｍ−３以上，１Ｅ２１ｃｍ−３以下の範囲内にあるｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域と，
　その裏面が前記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えており，
　前記ｐ型の炭化珪素領域のホール移動度が４ｃｍ２／Ｖｓ以下である，
炭化珪素半導体装置。」
　イ　相違点
　・相違点１
　本願発明は，「ｐ型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率が８Ｅ−４Ωｃｍ２以下」であるのに対し，引用発明における「Ａｌ＋が注入された領域」（本願発明の「ｐ型の炭化珪素領域」に相当。）のコンタクト抵抗率は不明であり，「８Ｅ−４Ωｃｍ２以下」とは認められない点。
　・相違点２
　本願発明は，「ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度が前記不純物濃度の５％以上」であるのに対し，引用発明では，「Ａｌ＋が注入された領域」におけるＡｌの濃度（本願発明の「不純物濃度」に相当。）が５×１０２０ｃｍ−３で，自由ホール濃度（本願発明の「ホールキャリア濃度」に相当。）が２×１０１９ｃｍ−３より高く３×１０１９ｃｍ−３以下のある値と認められるが，当該領域の自由ホール濃度について，本願発明のように，Ａｌの濃度との比率を下限として特定されていない点。
　
４　相違点についての検討
（１）相違点１について
　上記２（２）のとおり，炭化珪素層と，当該炭化珪素層の内部に向けて位置する，ｐ型の不純物を有するｐ型の炭化珪素領域と，その裏面が上記ｐ型の炭化珪素領域の表面とオーミックコンタクトするコンタクト電極とを備えている炭化珪素半導体装置において，上記ｐ型の炭化珪素領域のオーミックコンタクト抵抗率を８Ｅ−４Ωｃｍ２以下とすることは，周知例１及び２にみられるように，原出願の出願日前，当該技術分野では周知の技術と認められる。
　そして，引用文献の記載（上記２（１）ア（ア））にみられるように，引用発明において，Ａｌを高濃度にドープして，「Ａｌ＋が注入された領域」の低抵抗化を図ることは，当業者が当然に考慮するものと認められる。
　そうすると，引用発明において，「Ａｌ＋が注入された領域」のコンタクト抵抗率を「８Ｅ−４Ωｃｍ２以下」とすることは，「Ａｌ＋が注入された領域」の低抵抗化を図るにあたり，上記周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものということができる。
　以上から，相違点１に係る構成は，引用発明において，上記周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（２）相違点２について
　引用発明の「Ａｌ＋が注入された領域」における自由ホール濃度は，２×１０１９ｃｍ−３より高く３×１０１９ｃｍ−３以下のある値と認められるところ，「Ａｌ＋が注入された領域」におけるＡｌの濃度（５×１０２０ｃｍ−３）の５％以上となる値（２．５×１０１９ｃｍ−３以上３×１０１９ｃｍ−３以下）もこれに該当する。
　そして，引用文献の記載（上記２（１）ア（ア））にみられるように，引用発明において，Ａｌを高濃度にドープして，「Ａｌ＋が注入された領域」の低抵抗化を図ることは，当業者が当然に考慮するものと認められる。
　他方，本願発明の「ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度が前記不純物濃度の５％以上」であるとの構成について，本願明細書には，「又，本炭化珪素半導体装置では，ｐ型の炭化珪素領域３５のホールキャリア濃度は当該領域の不純物濃度の５％以上であり，ｐ型の炭化珪素領域３５のホール移動度は４ｃｍ２／Ｖｓ以下であり，しかも，ｐ型の炭化珪素領域３５のオーミックコンタクト抵抗率は８Ｅ−４Ωｃｍ２以下であるので，３００℃を越える注入温度で以ってイオン注入してｐ型の炭化珪素領域を作成した場合よりも，格段にオーミックコンタクト抵抗率を低減化することが出来る。」（【００６３】）との記載があるだけで，本願明細書の記載からは，ｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度の下限を，当該領域の不純物濃度の５％とすることによる，格別の作用効果は認められないから，本願発明におけるｐ型の炭化珪素領域のホールキャリア濃度の数値限定に，臨界的意義があるということはできない。
　そうすると，引用発明において，「Ａｌ＋が注入された領域」における自由ホール濃度を，当該領域におけるＡｌの濃度の５％以上とすることは，当業者が適宜なし得たものということができる。
　以上から，相違点２に係る構成は，引用発明において，当業者が適宜なし得たものと認められる。
　
５　本願発明が奏する作用効果について
　本願明細書の記載（【０００９】，【００１２】）より，本願発明は，低抵抗のｐ型ベースオーミックコンタクトを有する炭化珪素半導体装置を得るとの作用効果を奏すると認められる。
　他方，上記４（１）のとおり，引用発明において，Ａｌを高濃度にドープして，「Ａｌ＋が注入された領域」の低抵抗化を図ることは，当業者が当然に考慮するものであり，引用発明において，「Ａｌ＋が注入された領域」のコンタクト抵抗率を「８Ｅ−４Ωｃｍ２以下」とすることは，「Ａｌ＋が注入された領域」の低抵抗化を図るにあたり，周知例１及び２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして，本願発明が奏する上記の作用効果も，引用発明において，上記周知技術に基づいて，当業者が容易に予測し得たものと認められる。
　以上から，本願発明が奏する作用効果は，格別のものということはできない。
　
６　まとめ
　したがって，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用文献記載の発明（引用発明），並びに周知例１及び２にみられるような周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　結言
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。