【事件の表示】
　特願２０１２−５０９６６２「発光装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月１３日国際公開、ＷＯ２０１１／１２６０００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１１年４月５日（優先権主張平成２２年４月８日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　４月　５日　国際出願
　平成２５年　４月２３日　手続補正書
　平成２６年　９月２９日　拒絶理由通知（平成２６年１０月　７日発送）
　平成２６年１２月　４日　意見書・手続補正書
　平成２７年　２月２７日　拒絶査定（平成２７年　３月　３日謄本送達）
　平成２７年　５月２９日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　７月　９日　手続補正書（方式）
　平成２７年１２月２２日　拒絶理由通知（平成２８年　１月　５日発送）
　平成２８年　３月　３日　意見書・手続補正書
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２８年３月３日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項８】
　サファイアからなる基板及び前記基板上に形成された半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、
　酸化アルミニウムからなる支持体及び前記支持体に含有された蛍光体を有する波長変換部材を準備する波長変換部材準備工程と、
　表面活性化接合法により、前記発光素子と前記波長変換部材とを接合する接合工程と、
　を有し、
　前記接合工程において、前記基板と前記支持体とを接合することを特徴とする発光装置の製造方法。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　当審による平成２７年１２月２２日付け拒絶理由通知書（以下「先の拒絶理由通知書」という。）で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−５３６７号公報（以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【請求項１】
　
ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスと、
　
波長変換材料を含み、前記発光層によって放出された光の経路内に配置された第１のセラミック層と、
を備えることを特徴とする構造体。
イ　「【背景技術】
【０００２】
・・・
【０００４】
　図１を参照すると、米国特許第６，３５１，０６９号に記載される
従来技術
波長変換材料２２を含む
透明な樹脂である層２０
ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　ＩＩＩ族窒化物
ＬＥＤは
高温で作動されるので、層２０内に用いられる有機カプセル材料の透明性が低下する
デバイスの光抽出効率が減少し、
エ　「【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明によると、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスが、該発光層によって放出される光の経路内に配置されたセラミック層と組み合わされる。このセラミック層は、蛍光体のような波長変換材料からなるか、又は該波長変換材料を含む。本発明の実施形態による
発光セラミック層は、従来技術の蛍光体層より
温度に対する感受性が低い。
オ　「【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
　蛍光体層はどちらかと言えば脆いので、薄膜又はコンフォーマルな蛍光体層を有する上述のデバイスの処理は困難である。本発明の実施形態によると、
蛍光体のような波長変換材料
【０００９】
・・・
【００１０】
　蛍光体粒子の表面が柔らかくなり始め、溶融するまで、高圧で粉末蛍光体を加熱することによって、発光セラミックを形成することができる。部分的に溶融した粒子は、互いに付着し、剛性の粒子塊を形成する。光の不連続がない単一の大きな蛍光体粒子として動作する薄膜と違って、発光セラミックは、緊密にパックされた個々の蛍光体粒子として動作するので、異なる蛍光体粒子間の境界面においてわずかな光の不連続がある。したがって、発光セラミックは、光学的にほぼ同質であり、該発光セラミックを形成する蛍光体材料と同じ屈折率を有する。
樹脂のような透明な材料内に配置されたコンフォーマルな蛍光体層又は蛍光体層と違って、発光セラミックは、
蛍光体自体以外に結合材料（有機樹脂又はエポキシのような）を必要とせず、個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどない。
　例えば、
ウェーハ接合
によって、発光セラミック層を発光デバイスに取り付けることができる。
【００１１】
・・・
【００１２】
　ソル・ゲルガラスによる接着は、引用によりここに組み入れられる米国特許第６，６４２，６１８号に詳細に説明されている。発光セラミックがソル・ゲルガラスによってデバイスに取り付けられる実施形態において、ガラスの屈折率を該発光セラミック及び該発光デバイスの屈折率とより密接に合致させるために、チタニウム、セリウム、鉛、ガリウム、ビスマス、カドミウム、亜鉛、バリウム、又はアルミニウムの酸化物のような１つ又はそれ以上の材料をＳｉＯ2ソル・ゲルガラス内に含ませ、該ガラスの屈折率を増大させることができる。例えば、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層は、約１．７５から１．８までの間の屈折率を有することができ、サファイア基板が約１．８の屈折率を有する
半導体発光デバイスのサファイア成長基板
【００１３】
・・・
【００１４】
　以下の例は、ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードに言及するが、本発明の実施形態は、ＩＩＩ族リン化物、ＩＩＩ族ヒ化物のような他の材料系のデバイス、及び共振空洞ＬＥＤ、レーザ・ダイオード、及び垂直共振器面発光レーザのような他の構造体を含む発光デバイスに適用することができる。
　図２及び図３は、発光セラミック層を含むＩＩＩ族窒化物デバイスを示す。
図２のデバイスにおいて、ｎ型領域４２が、適切な成長基板４０上に成長され、その後に活性領域４３及びｐ型領域４４が続く。成長基板４０は、
サファイア
とすることができる。
【００１５】
・・・
【００１７】
　
図２
に示されるデバイスにおいて、
発光セラミック層５０が、
基板４０の後部
に取り付けられる。
カ　「【実施例】
【００２３】
　サファイア基板に拡散接合された、セリウムがドープされたイットリウム・アルミニウム・ガーネットのセラミック平板の例が以下に与えられる。
　拡散接合されたＹＡＧサファイア複合体は、その高い機械的強度及び優れた光学的品質のために有利なものである。イットリアと組成範囲Ａｌ2Ｏ3及び３Ｙ2Ｏ3　５Ａｌ2Ｏ3内の酸化アルミニウムの状態図によると、３３％Ａｌを有する共晶を除いて、他の状態は存在しない。したがって、焼結接合されたＹＡＧサファイア複合体は、ＹＡＧセラミック（ｎi＝１．８４）とサファイア基板（ｎi＝１．７６）との間の（共晶）境界面において平均屈折率を有し、よって高品質の光接触を得ることができる。さらに、ＹＡＧ及びサファイアの類似した膨張率のために（ＹＡＧ：６．９×１０-6Ｋ-1、Ａｌ2Ｏ3：８．６×１０-6Ｋ-1）、機械的応力の低い焼結接合されたウェーハを生成することができる。
【００２４】
　拡散接合されたＹＡＧ：Ｃｅセラミック・サファイア・ウェーハを以下のように形成することができる。
　ａ）
ＹＡＧ：Ｃｅセラミック
　ｂ）サファイア・ウェーハ及びＹＡＧ：Ｃｅセラミックの拡散接合：粉砕され、研磨されたサファイア及びＹＡＧウェーハが、一軸の加熱加圧成形装置（ＨＵＰ）内で拡散接合される。このために、サファイア及びＹＡＧウェーハは、タングステン箔（０．５ｍｍの厚さ）の間に積み重ねられ、黒鉛の加圧成形ダイ内に配置される。処理速度を上げるために、幾つかのサファイア／ＹＡＧ：Ｃｅセラミック／タングステン箔のスタックを同時に積み重ね、処理することができる。」
キ　セラミック蛍光体層を含むフリップチップ型半導体発光デバイスを示す図２は、次のものである。
（２）　引用発明１
ア　上記（１）アの請求項１に記載の「構造体」の製造方法を、上記（１）オの【００１４】、【００１７】の記載を参酌して、引用発明１として認定する。
　この際、請求項１に記載の「第１のセラミック層」は、上記（１）オの【００１７】に記載の「発光セラミック層５０」であるといえるから、引用文献１には、次の技術事項が記載されているといえる。
「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスと、
　波長変換材料を含み、前記発光層によって放出された光の経路内に配置された発光セラミック層５０と、を備える構造体の製造方法であって、
　ｎ型領域４２が、適切な成長基板４０上に成長され、その後に活性領域４３及びｐ型領域４４が続く工程と、
　前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程と、を有する、
　構造体の製造方法。」
イ　上記イの【０００４】、上記ウの【０００６】及び上記エの【０００７】の記載から、上記アの「構造体」は、「ＬＥＤは・・・高温で作動されるので」、「従来技術」における「波長変換材料２２を含む・・・透明な樹脂である」「層２０内に用いられる有機カプセル材料の透明性が低下」し、「デバイスの光抽出効率が減少」するという課題を、「従来技術の蛍光体層より・・・温度に対する感受性が低い」「発光セラミック層」５０を備えることによって解決するものであるといえる。
ウ　上記（１）オの【０００８】の記載から、上記アの「波長変換材料」は、「蛍光体のような波長変換材料」であるといえる。
エ　上記（１）オの【００１０】の記載から、上記アの「発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」は、「ウェーハ接合・・・によって・・・取り付けることができる」工程であるといえる。
オ　上記（１）カの【００２４】の記載から、上記アの「発光セラミック層５０」は、「ＹＡＧ：Ｃｅセラミック」であるといえる。
カ　上記（１）オの【００１０】の記載から、上記アの「発光セラミック層５０」は、「樹脂のような透明な材料内に配置されたコンフォーマルな蛍光体層又は蛍光体層と違って、蛍光体自体以外に結合材料（有機樹脂又はエポキシのような）を必要とせず、個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどない」ものであるといえる。
キ　上記（１）オの【００１２】、【００１４】の記載から、上記アの「成長基板４０」は、「サファイア基板」であるといえる。
ク　以上より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイスと、
　蛍光体のような波長変換材料を含み、前記発光層によって放出された光の経路内に配置された発光セラミック層５０と、を備え、
　ＬＥＤは高温で作動されるので、従来技術における波長変換材料２２を含む透明な樹脂である層２０内に用いられる有機カプセル材料の透明性が低下し、デバイスの光抽出効率が減少するという課題を、従来技術の蛍光体層より温度に対する感受性が低い発光セラミック層５０を備えることによって解決する、構造体の製造方法であって、
　ｎ型領域４２が、適切な成長基板４０上に成長され、その後に活性領域４３及びｐ型領域４４が続く工程と、
　前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程と、を有し、
　前記発光セラミック層５０が取り付けられる工程は、ウェーハ接合によって取り付けることができる工程であり、
　前記発光セラミック層５０は、ＹＡＧ：Ｃｅセラミックであり、
　前記発光セラミック層５０は、樹脂のような透明な材料内に配置されたコンフォーマルな蛍光体層又は蛍光体層と違って、蛍光体自体以外に結合材料（有機樹脂又はエポキシのような）を必要とせず、個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどないものであり、
　前記成長基板４０は、サファイア基板である、
　構造体の製造方法。」
３　引用文献３の記載事項
（１）　先の拒絶理由通知書で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００９／０６９６７１号（以下「引用文献３」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「請求の範囲
・・・
［８］　
発光素子と、該発光素子を包囲する被覆部材と、光透過部材と、を有する発光装置であって、
　
前記光透過部材は、外部に露出された発光面と、該発光面から連続する側面と、前記発光面に対向する受光面と、を備える無機材料からなる板状の光変換部材であり、
　
前記光透過部材の受光面に、複数の前記発光素子が接合されて、該発光素子から光が各々入射され、
　
前記被覆部材は、光反射性材料を含有し、少なくとも前記光透過部材の側面を被覆することを特徴とする発光装置。
・・・
［１９］　
請求項８に記載の発光装置であって、
　
前記光変換部材は、蛍光体を含有し、前記発光素子から発せられる光の少なくとも一部を波長変換可能であることを特徴とする発光装置。
［２０］　
請求項１９に記載の発光装置であって、
　
前記光変換部材は、無機物と前記蛍光体との焼結体であることを特徴とする発光装置。
［２１］　
請求項２０に記載の発光装置であって、
　
前記無機物はアルミナ（Ａｌ
2
Ｏ
3
）であって、前記蛍光体はＹＡＧ（Ｙ
3
Ａｌ
5
Ｏ
12
）であることを特徴とする発光装置。
イ　「［００３５］　（実施の形態１）
・・・
［００５１］　（窒化物半導体発光素子）
　以下にその発光素子１０の一例として、窒化物半導体の発光素子とその製造方法を説明する。
［００５２］　
図２の
発光素子１０では、成長基板５であるサファイア基板の上に、
窒化物半導体層１１を形成する。
［００５３］
・・・
［００５８］　（光透過部材）
・・・
［００６２］　
波長変換機能を備えた光透過部材１５は、
樹脂等の有機材料よりも無機材料で構成されることが耐熱性の観点からは好ましい。
ＹＡＧの単結晶や高純度の焼結体のほか、アルミナ（Ａｌ
2
Ｏ
3
）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体が信頼性の観点から好ましい。
・・・
［００７５］　（接着材）
　発光素子１０と光透過部材１５との界面には接着材１７が介在されており、これにより双方の部材を固着する。この接着材１７は、発光素子１０からの出射光を光透過部材１５側へと有効に導光でき、双方の部材を光学的に連結できる材質が好ましい。その材料としては上記各部材に用いられる樹脂材料が挙げられ、一例としてシリコーン樹脂などの透光性接着材料を用いる。また、
発光素子１０と光透過部材１５との固着には、熱圧着による結晶接合等も採用できる。
［００７６］　（発光装置）
・・・
［００７７］　また
図３（ｂ）で発光素子１０の
サファイア基板裏面
に、
光透過部材１５を積層する。
ウ　実施の形態１に係る発光素子の概略断面図である図２は、次のものである。
エ　実施の形態１に係る発光装置の製造方法を示す模式図である図３は、次のものである。
（２）　引用文献３に記載された技術事項
　上記（１）によれば、引用文献３には、次の技術事項（以下「引用文献３に記載された技術事項」という。）が記載されているといえる。
「発光素子と、該発光素子を包囲する被覆部材と、光透過部材と、を有し、
　前記光透過部材は、外部に露出された発光面と、該発光面から連続する側面と、前記発光面に対向する受光面と、を備える無機材料からなる板状の光変換部材であり、
　前記光透過部材の受光面に、複数の前記発光素子が接合されて、該発光素子から光が各々入射され、
　前記被覆部材は、光反射性材料を含有し、少なくとも前記光透過部材の側面を被覆し、
　前記光変換部材は、蛍光体を含有し、前記発光素子から発せられる光の少なくとも一部を波長変換可能であり、
　前記光変換部材は、無機物と前記蛍光体との焼結体であり、
　前記無機物はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）であって、前記蛍光体はＹＡＧ（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）である、発光装置の製造方法であって、
　前記発光素子１０では、成長基板５であるサファイア基板の上に、窒化物半導体層１１を形成する工程と、
　前記発光素子１０のサファイア基板裏面に、光透過部材１５を積層する工程と、を有し、
　前記発光素子１０と前記光透過部材１５との固着には、熱圧着による結晶接合等も採用でき、
　波長変換機能を備えた前記光透過部材１５は、樹脂等の有機材料よりも無機材料で構成されることが耐熱性の観点からは好ましく、ＹＡＧの単結晶や高純度の焼結体のほか、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体が信頼性の観点から好ましい、
　発光装置の製造方法。」
４　引用文献５の記載事項
（１）　先の拒絶理由通知書で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である中国特許出願公開第１０１１５０１５２号明細書（平成２０年３月２６日公開。以下「引用文献５」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「
」
（日本語訳：
陽極接合、接着接合又は低温表面活性化接合（SAB）の接合工程によって、単色光発光チップ
と蛍光体含有基板とを接合して
白色光を直接発するLEDチップを得る。
イ　「
」
（日本語訳：
上記図中、１１　ウェハ基板、１２　電極、
１３　単色光発光チップ
２１　基板
２２　蛍光体
ウ　本発明により製造した白色光ＬＥＤチップの構成断面図を示す図５は、次のものである。
（２）　引用文献５に記載された技術事項
　上記（１）ア、（１）イの記載に照らして、上記（１）ウの図５を見ると、引用文献５には、次の技術事項（以下「引用文献５に記載された技術事項」という。）が記載されているといえる。
「陽極接合、接着接合又は低温表面活性化接合（SAB）の接合工程によって、単色光発光チップ１３と蛍光体２２含有基板２１とを接合する、
　白色光を直接発するLEDチップの製造方法。」
５　対比
（１）　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「ｎ型領域４２が、適切な成長基板４０上に成長され、その後に活性領域４３及びｐ型領域４４が続く工程」と、
　本願発明の「サファイアからなる基板及び前記基板上に形成された半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「成長基板４０」は、「サファイア基板である」から、本願発明の「サファイアからなる基板」に相当する。
（イ）　引用発明１の「『ｎ型領域４２』、『活性領域４３』及び『ｐ型領域４４』」は、「成長基板４０上に成長され」るものであるから、技術常識も勘案すると、本願発明の「前記基板上に形成された半導体積層部」に相当する。
（ウ）　引用発明１の「成長基板４０上に成長され」た「『ｎ型領域４２』、『活性領域４３』及び『ｐ型領域４４』」は、「ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含む半導体発光デバイス」であるといえるから、本願発明の「発光素子」に相当する。
（エ）　引用発明１の「ｎ型領域４２が・・・成長され、その後に活性領域４３及びｐ型領域４４が続く工程」は、「半導体発光デバイス」を形成する工程であるところ、「半導体発光デバイス」を準備する工程を有しているといえる。
（オ）　してみれば、両者は相当関係にある。
イ　引用発明１の「蛍光体のような波長変換材料を含」む「発光セラミック層５０」を備える工程と、
　本願発明の「酸化アルミニウムからなる支持体及び前記支持体に含有された蛍光体を有する波長変換部材を準備する波長変換部材準備工程」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「蛍光体のような波長変換材料」及び「発光セラミック層５０」は、それぞれ本願発明の「蛍光体」及び「波長変換部材」に相当する。
（イ）　引用発明１は「前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」を有するところ、当該工程の前に、「発光セラミック層５０」を準備する工程を有しているといえる。
（ウ）　してみれば、両者は、「蛍光体を有する波長変換部材を準備する波長変換部材準備工程」である点で一致する。
ウ　引用発明１の「前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」と、
　本願発明の「表面活性化接合法により、前記発光素子と前記波長変換部材とを接合する接合工程」を有し、「前記接合工程において、前記基板と前記支持体とを接合する」工程とを対比する。
（ア）　引用発明１の「成長基板４０」は、「半導体発光デバイス」に含まれるといえるから、引用発明１の「前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」は、「発光セラミック層５０」が、「半導体発光デバイス」に「取り付けられる工程」であるといえる。
（イ）　引用発明１の「前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」は、「ウェーハ接合によって取り付けることができる工程」であるところ、上記（ア）から、「半導体発光デバイス」と「発光セラミック層５０」とを接合する接合工程であり、接合工程において「成長基板４０」と「発光セラミック層５０」とを接合する工程であるといえる。
（ウ）　してみれば、両者は、「前記発光素子と前記波長変換部材とを接合する接合工程」を有し、「前記接合工程において、前記基板と前記波長変換部材とを接合する」工程である点で一致する。
エ　引用発明１の「構造体」は、「半導体発光デバイス」と「発光セラミック層５０」とを備えるから、本願発明の「発光装置」に相当する。
（２）　以上より、本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「サファイアからなる基板及び前記基板上に形成された半導体積層部を有する発光素子を準備する発光素子準備工程と、
　蛍光体を有する波長変換部材を準備する波長変換部材準備工程と、
　前記発光素子と前記波長変換部材とを接合する接合工程と、
　を有し、
　前記接合工程において、前記基板と前記波長変換部材とを接合する発光装置の製造方法。」
　相違点１：
　本願発明の「波長変換部材」は、「酸化アルミニウムからなる支持体及び前記支持体に含有された蛍光体を有する波長変換部材」であり、
　本願発明の「接合工程」は、「表面活性化接合法」により接合する接合工程であって、接合工程において、「前記基板と前記支持体とを接合する」工程であるのに対し、
　引用発明１の「発光セラミック層５０」は、「蛍光体のような波長変換材料を含」む「発光セラミック層５０」であるものの、支持体についての特定がされておらず、
　引用発明１の「発光セラミック層５０が取り付けられる工程」は、「ウェーハ接合によって取り付けることができる工程」であるものの、どのような「ウェーハ接合」であるかの特定がされておらず、接合工程において、「前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」であるものの、「成長基板４０」と「発光セラミック層５０」の支持体とを接合する工程であるとの特定がされていない点。
６　判断
（１）　まず、「波長変換部材」について検討する。
ア　引用発明１は、「ＬＥＤは高温で作動されるので、従来技術における波長変換材料２２を含む透明な樹脂である層２０内に用いられる有機カプセル材料の透明性が低下し、デバイスの光抽出効率が減少するという課題を、従来技術の蛍光体層より温度に対する感受性が低い発光セラミック層５０を備えることによって解決する、構造体の製造方法」であって、
　引用発明１の「発光セラミック層５０」は、「ＹＡＧ：Ｃｅセラミック」であり、「樹脂のような透明な材料内に配置されたコンフォーマルな蛍光体層又は蛍光体層と違って、蛍光体自体以外に結合材料（有機樹脂又はエポキシのような）を必要とせず、個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどないもの」である。
イ　上記３（２）の引用文献３に記載された技術事項によれば、
「波長変換機能を備えた前記光透過部材１５は、樹脂等の有機材料よりも無機材料で構成されることが耐熱性の観点からは好ましく、ＹＡＧの単結晶や高純度の焼結体のほか、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体が信頼性の観点から好ましい」ものである。
ウ　「セラミック」とは、「セラミックスにかかわること。セラミックスを用いていること。」（大辞林第三版）であり、
　「セラミックス」とは、「一般に無機物質を原料として熱処理によって得られる製品のこと。」（大辞林第三版）である
エ　「イットリウムアルミニウムガーネット」は、「ＹＡＧ（ヤグ）と略称され・・・Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２で表される組成をもつ」（ブリタニカ国際大百科事典）ものである。
オ　「サファイア」は、「アルミナＡｌ2Ｏ3の結晶であるコランダムのうちで、赤色のもの（ルビー）以外をサファイアという」（世界大百科事典第２版）ものである。
カ　引用文献１の【００１２】によれば、「Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層は、約１．７５から１．８までの間の屈折率を有することができ、サファイア基板が約１．８の屈折率を有する」ものである。
キ　上記ウによれば、引用文献３に記載された技術事項の「アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体」は、「発光セラミック層」であるといえる。
ク　上記エ、オ、カによれば、「ＹＡＧ」は、「Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層」とほとんど同じ組成であるから「約１．７５から１．８までの間の屈折率を有」し、「アルミナ」は、「サファイア基板」と同じ組成であるから「約１．８の屈折率を有する」ものであるといえるところ、
　引用文献３に記載された技術事項の「アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体」は、「ＹＡＧ」の屈折率と「アルミナ」の屈折率とが概ね等しいことから、「個々の蛍光体粒子間に・・・異なる屈折率の材料もほとんどないもの」であるといえ、
　さらに、「アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）」としているから、「個々の蛍光体粒子間にスペースも・・・ほとんどないもの」といえる。
ケ　他にも、半導体発光デバイスに用いられる発光セラミック層として、「酸化アルミニウムからなる支持体及び前記支持体に含有された蛍光体を有する波長変換部材」を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した、国際公開第２００８／００７２３２号（特に明細書第５頁第１５〜２５行、図１）、国際公開第２００９／１１９０３４号（特に［０１１０］〜［０１２５］、図９）、国際公開第２００４／０６５３２４号（特に請求項６、明細書第９頁第２５行〜第１１頁第２０行、第１２頁第１２〜１４行）参照。）（以下「周知技術１」という。）である。
コ　上記ア、イ、キによれば、引用発明１と引用文献３に記載された技術事項とは、ともに発光層に用いられる有機材料の高温による耐熱性の課題を解決するために、「ＹＡＧ」からなる「発光セラミック層」を備えるものであって、
　さらに、上記ア、クによれば、ともに、「個々の蛍光体粒子間にスペースも異なる屈折率の材料もほとんどないもの」であるといえる。
サ　上記アによれば、引用発明１の「発光セラミック層５０」は、「蛍光体自体以外に結合材料（有機樹脂又はエポキシのような）を必要」としない「ＹＡＧ：Ｃｅセラミック」であるものの、
　引用文献３に記載された技術事項によれば、
「蛍光体自体以外に結合材料・・・を必要」としない「ＹＡＧの・・・高純度の焼結体のほか、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体が信頼性の観点から好ましい」ものである。
シ　してみれば、引用発明１の「発光セラミック層５０」に替えて、信頼性の観点から好ましい、引用文献３に記載された技術事項の「アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体」又は上記ケの周知技術１の「波長変換部材」を採用することに、何ら困難性はない。
（２）　次に、「接合工程」について検討する。
ア　引用発明１の「発光セラミック層５０が取り付けられる工程」は、「ウェーハ接合によって取り付けることができる工程」であるところ、公知又は周知のウェーハ接合によって取り付けても良いことは、当業者にとって明らかである。
イ　上記４（２）の引用文献５に記載された技術事項によれば、「低温表面活性化接合（SAB）の接合工程によって、単色光発光チップ１３と蛍光体２２含有基板２１とを接合する・・・LEDチップの製造方法」は、公知の技術である。
ウ　他にも、半導体発光デバイスの製造方法において、「表面活性化接合法」によって接合することは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した、特開２００９−１０５１２３号公報（特に【０１０７】〜【０１１６】、図３４）、特開２００９−２１２５００号公報（特に【０１２６】〜【０１２７】、図１２）参照。）（以下「周知技術２」という。）である。
エ　一般に、半導体デバイスの技術分野において、高温での熱処理をなるべく避けた方が良いことは、本願の優先日時点での技術常識（以下「技術常識１」という。）である。
オ　また、高木秀樹、「ウェハ常温接合技術」、表面科学、Vol. 26、No. 2、pp. 82-87、２００５年２月（特に第８５頁右欄第３５〜４０行、第８６頁左欄第２〜７行、Ｆｉｇ． ９）に記載されているように、一般に、「表面活性化法」は、「常温での接合により従来のウェハ直接接合法を大きく上回る接合強度が得られ」、「サファイアウェハ同士直接接合の・・・場合も・・・常温での接合による強度は大幅に向上する」ことは、本願の優先日時点での技術常識（以下「技術常識２」という。）である。
カ　上記エの技術常識１によれば、引用発明１においても、高温での熱処理をなるべく避けた方が良いことは明らかである。
　してみれば、引用発明１の「前記発光セラミック層５０が、前記成長基板４０の後部に取り付けられる工程」を、高温での熱処理を避けて接合強度が得られる、引用文献５に記載された技術事項又は上記ウの周知技術２のような「表面活性化接合法」による接合工程とすることに、何ら困難性はない。
（３）　相違点１について検討する。
　引用発明１において、
　引用発明１の「発光セラミック層５０」に替えて、信頼性の観点から好ましい、引用文献３に記載された技術事項の「アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体」又は上記（１）ケの周知技術１の「波長変換部材」を採用するとともに、
　高温での熱処理を避けて接合強度が得られる、引用文献５に記載された技術事項又は上記（２）ウの周知技術２のような「表面活性化接合法」を採用し、
　上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（４）　請求人の主張について
　出願人は、平成２８年３月３日付けの意見書において、
「さらに、本願発明８は、同一の材料により構成された基板と支持体を使用することにより、基板と支持体との接合強度が高くできる上にさらに光の取り出し効率の高い発光装置を製造できるという引用文献１〜４及び引用文献１２には開示も示唆もない特有の効果を有するものです。」と主張している。
ア　上記（２）オの技術常識２によれば、「表面活性化法」は、「サファイアウェハ同士直接接合の・・・場合も・・・常温での接合による強度は大幅に向上する」方法である。
　しかるところ、「サファイア」とは、「アルミナＡｌ2Ｏ3の結晶であるコランダムのうちで、赤色のもの（ルビー）以外をサファイアという。」（世界大百科事典第２版）ものであるから、
　「表面活性化法」によって、「サファイアからなる基板」と「酸化アルミニウムからなる支持体」との接合強度が高くできるという作用効果は、当業者が容易に予測しうる程度のものである。
イ　引用文献１の【００１２】には、「Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層は、約１．７５から１．８までの間の屈折率を有することができ、サファイア基板が約１．８の屈折率を有する半導体発光デバイスのサファイア成長基板に取り付けることができる。接着剤の屈折率をＹ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+セラミック層及びサファイア成長基板の屈折率に合致させることが望ましい。」と記載されている。
　してみれば、引用発明１において、「発光セラミック層５０」の屈折率と「サファイア基板である」「成長基板４０」の屈折率とを合致させることは、望ましいことであるといえるところ、
　屈折率を合致させることによって、「発光セラミック層５０」と「サファイア基板である」「成長基板４０」との界面における反射が減少し、光の取り出し効率の高い発光装置を製造できることは、技術常識から明らかである。
ウ　上記３（２）の引用文献３に記載された技術事項によれば、「発光素子１０のサファイア基板」と、「アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を結合材（バインダー）とするＹＡＧ／アルミナの焼結体」である「光透過部材１５」との固着には、結晶接合等も採用できるものである。
　しかるところ、「サファイア」とは、「アルミナＡｌ2Ｏ3の結晶であるコランダムのうちで、赤色のもの（ルビー）以外をサファイアという。」（世界大百科事典第２版）ものであるから、
　引用文献３に記載された技術事項における「サファイア基板」の組成と「ＹＡＧ／アルミナの焼結体」の組成とは概ね等しく、「サファイア基板」の屈折率と「ＹＡＧ／アルミナの焼結体」の屈折率とは概ね等しいといえる。
　してみれば、「サファイア基板」の屈折率と「ＹＡＧ／アルミナの焼結体」の屈折率とが概ね等しいことによって、「サファイア基板」と「ＹＡＧ／アルミナの焼結体」との界面における反射が減少するから、引用文献３に記載された技術事項の「発光装置」が、光の取り出し効率の高いという作用効果を奏するものであることは、技術常識から明らかである。
エ　以上によれば、請求人の上記主張の作用効果は、引用発明１、引用文献３に記載された技術事項及び上記技術常識２に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。
　してみれば、請求人の上記主張を採用することはできない。
（５）　作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明１、引用文献３、５に記載された技術事項及び上記周知技術１〜２に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。 
７　小括
　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明１、引用文献３、５に記載された技術事項及び上記周知技術１〜２に基いて容易に発明をすることができたものである。
８　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。