【手続補正書】
【提出日】令和2年8月11日(2020.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
頂部表面と底部表面とを有する基板と、
前記基板内に位置する埋め込み層と、
前記埋め込み層の上に位置するトランジスタウェル領域と、
前記埋め込み層を貫通するように前記頂部表面から延在する第１のトレンチであって、第１のトレンチ深さを有する、前記第１のトレンチと、
前記埋め込み層を貫通するように前記頂部表面から延在する第２のトレンチであって、前記第１のトレンチと前記トランジスタウェル領域との間に置かれ、前記第１のトレンチ深さより浅い第２のトレンチ深さを有する、前記第２のトレンチと、
を含み、
前記第１のトレンチが、前記埋め込み層から絶縁されて前記第１のトレンチの底部辺りで前記基板とオーミック接触する第１の導体を含み、前記第２のトレンチが、前記埋め込み層と前記基板とから絶縁される第２の導体を含む、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第２のトレンチが、前記第２の導体を浮遊状態に絶縁する誘電体ライナーを更に含む、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第２の導体が、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の降伏電圧に関連するバイアス電圧を受け取るように構成される、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第２の導体が、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の電界密度閾値に関連するバイアス電圧を受け取るように構成される、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のトレンチが、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の降伏電圧に関連する距離だけ前記第２のトレンチから離間される、集積回路。
【請求項６】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のトレンチが、埋め込み層と前記基板との間の接合の電界密度閾値に関連する距離だけ前記第２のトレンチから離間される、集積回路。
【請求項７】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のトレンチが、１μｍより大きい距離だけ前記第２のトレンチから離間される、集積回路。
【請求項８】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１のトレンチが、前記頂部表面において画定される第１の開口を有し、前記第２のトレンチが、前記頂部表面において画定される前記第１の開口より小さい第２の開口を有する、集積回路。
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記トランジスタウェル領域の外につくられる高電圧回路と、
前記トランジスタウェル領域内につくられ、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチとによって前記高電圧回路から遮蔽される低電圧回路と、
を更に含む、集積回路。
【請求項１０】
集積回路であって、
第１の導電型と頂部表面と底部表面とを有する基板と、
前記第１の導電型とは反対の第２の導電型を有し、前記基板内に位置する埋め込み層と、
前記埋め込み層の上に位置するトランジスタウェル領域と、
前記埋め込み層を貫通するように前記頂部表面から延在する第１のトレンチであって、前記第１のトレンチが、第１のトレンチ深さと第１の導体とを有し、前記第１の導体が、前記埋め込み層から絶縁され、前記第１のトレンチの底部辺りで前記基板とオーミック接触する、前記第１のトレンチと、
前記埋め込み層を貫通するように前記頂部表面から延在する第２のトレンチであって、前記第２のトレンチが、前記第１のトレンチと前記トランジスタウェル領域との間に置かれ、前記第１のトレンチ深さより浅い第２のトレンチ深さと第２の導体とを有し、前記第２の導体が、前記埋め込み層と前記基板とから絶縁される、前記第２のトレンチと、
を含む、集積回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の集積回路であって、
前記第２の導体が浮遊状態に絶縁される、集積回路。
【請求項１２】
請求項１０に記載の集積回路であって、
前記第２の導体が、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の降伏電圧に関連するバイアス電圧を受け取るように構成される、集積回路。
【請求項１３】
請求項１０に記載の集積回路であって、
前記第２の導体が、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の電界密度閾値に関連するバイアス電圧を受け取るように構成される、集積回路。
【請求項１４】
請求項１０に記載の集積回路であって、
前記第１のトレンチが、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の降伏電圧に関連する距離だけ前記第２のトレンチから離間される、集積回路。
【請求項１５】
請求項１０に記載の集積回路であって、
前記第１のトレンチが、埋め込み層と前記基板との間の接合の電界密度閾値に関連する距離だけ前記第２のトレンチから離間される、集積回路。
【請求項１６】
方法であって、
基板内に埋め込み層を形成することと、
前記埋め込み層の上にトランジスタウェル領域を形成することと、
前記埋め込み層を貫通するように前記基板の頂部表面から延在する第１のトレンチを形成することであって、前記第１のトレンチが第１のトレンチ深さを有する、前記第１のトレンチを形成することと、
前記埋め込み層を貫通するように前記基板の前記頂部表面から延在する第２のトレンチを形成することであって、前記第２のトレンチが、前記第１のトレンチと前記トランジスタウェル領域との間に置かれ、前記第１のトレンチ深さより浅い第２のトレンチ深さを有する、前記第２のトレンチを形成することと、
前記第１のトレンチ内に第１の導体を形成することであって、前記第１の導体が、前記埋め込み層から絶縁され、前記第１のトレンチの底部辺りで前記基板とオーミック接触する、前記第１の導体を形成することと、
前記第２のトレンチ内に第２の導体を形成することであって、第２の導体が、前記埋め込み層と前記基板とから絶縁される、前記第２の導体を形成することと、
を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第２の導体を浮遊状態に絶縁することを更に含む、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記埋め込み層と前記基板との間の接合の降伏電圧に関連するバイアス電圧を受けるための前記第２の導体とのコンタクトを形成することを更に含む、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のトレンチが、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の降伏電圧に関連する距離だけ前記第２のトレンチから離間される、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のトレンチが、前記埋め込み層と前記基板との間の接合の電界密度閾値に関連する距離だけ前記第２のトレンチから離間される、方法。
【請求項２１】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のトレンチが、１．５μｍより大きい距離だけ前記第２のトレンチから離間される、方法。
【請求項２２】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１のトレンチを形成することが、
前記基板の前記頂部表面において第１の開口を画定することと、
前記第１の開口を介して所定の時間期間の間、前記基板の頂部層と前記埋め込み層と前記基板の底部層とをエッチングすることと、
を含み、
前記第２のトレンチを形成することが、
前記基板の前記頂部表面において前記第１の開口より小さい第２の開口を画定することと、
前記第２の開口を介して前記所定の時間期間の間、前記基板の前記頂部層と前記埋め込み層と前記基板の前記底部層とをエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項２３】
請求項１６に記載の集積回路であって、
前記トランジスタウェル領域の外に高電圧回路を形成することと、
前記トランジスタウェル領域内に、前記第１のトレンチと前記第２のトレンチとによって前記高電圧回路から遮蔽される低電圧回路を形成することと、
を更に含む、方法。