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　特願２０１１−５２６８８３「冶金級Ｓｉウエハ上のＣＶＤエピタキシャルＳｉ膜を使用して製造される太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／０３３３０４、平成２４年　２月　２日国内公表、特表２０１２−５０３３１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、２００９年７月３０日（パリ条約による優先権主張２００８年９月１６日　米国、２００８年１０月２日　米国、２００８年１２月２３日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年２月２７日に審判請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２７年４月２１日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年７月１６日に意見書が提出され、同時に手続補正がなされた。
　
　
第２　本願発明
　
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜１４に係る発明（以下「本願発明１」〜「本願発明１４」という。）は、平成２７年７月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　太陽電池を製造するための方法であって、
　冶金級（ＭＧ）Ｓｉ原料を溶融するステップと、
　単結晶Ｓｉシードを降下させ、該溶融ＭＧ−Ｓｉの表面に接触させるステップと、
　該溶融ＭＧ−Ｓｉの単結晶Ｓｉインゴットをゆっくりと取り出すステップであって、ここで、該Ｓｉインゴットが１ｅ１６／ｃｍ３を下回る金属不純物レベルを有する、ステップと、
　該Ｓｉインゴットをウエハに加工処理し、その後のエピタキシャル成長のために、ＭＧ−Ｓｉ基板を形成するステップと、
　該ＭＧ−Ｓｉ基板内の残留金属不純物を浸出させるステップであって、該残留金属不純物を浸出させるステップが、塩化水素ガスを用いて、１１００℃乃至１２５０℃の温度で、該温度で該ＭＧ−Ｓｉ基板の表面に移動する該残留金属不純物と反応させるステップを包含する、ステップと、
　該ＭＧ−Ｓｉ基板上にホウ素でドープされた単結晶Ｓｉ薄膜の層をエピタキシャルに成長させるステップと、
　リンを該単結晶Ｓｉ薄膜中にドープし、エミッタ層を形成するステップと、
　反射防止層を該単結晶Ｓｉ薄膜の上部に堆積させるステップと、
　表裏電気接点を形成するステップと
　を包含する、方法。
　　【請求項２】
　前記単結晶Ｓｉ薄膜の層をエピタキシャルに成長させるステップは、：
　高濃度ホウ素−ドープＳｉ層を前記ＭＧ−Ｓｉ基板上にエピタキシャルに成長させ、底部電界（ＢＳＦ）層を形成するステップと、
　低濃度ホウ素−ドープＳｉ層を該高濃度ホウ素−ドープＳｉ層上にエピタキシャルに成長させるステップと
　を包含する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記高濃度ホウ素−ドープＳｉ層は、最大１×１０２０原子／ｃｍ３のホウ素濃度と、０．５乃至５マイクロメートルの厚さとを有し、前記低濃度ホウ素−ドープＳｉ層は、約４×１０１６原子／ｃｍ３のホウ素濃度と、２０乃至１００マイクロメートルの厚さとを有する、請求項２に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記単結晶Ｓｉ薄膜をエピタキシャルに成長させるステップは、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを包含する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記単結晶Ｓｉ薄膜は、２乃至１００マイクロメートルの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項６】
　指向性凝固を使用して、前記ＭＧ−Ｓｉ原料を精製するステップをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記ＭＧ−Ｓｉ原料は、９９．９％乃至９９．９９％の純度を有する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】
　冶金級（ＭＧ）Ｓｉウエハを基板として使用して製造される、太陽電池であって、
　ＭＧ−Ｓｉ基板であって、ＭＧ−Ｓｉは、
　　冶金級（ＭＧ）Ｓｉ原料を溶融するステップと、
　　単結晶Ｓｉシードを降下させ、該溶融ＭＧ−Ｓｉの表面に接触させるステップと、
　　該溶融ＭＧ−Ｓｉの単結晶Ｓｉインゴットをゆっくりと取り出すステップであって、
ここで、該Ｓｉインゴットが１ｅ１６／ｃｍ３を下回る金属不純物レベルを有する、ステップと、
　　該Ｓｉインゴットをウエハに加工処理し、その後のエピタキシャル成長のために、ＭＧ−Ｓｉ基板を形成するステップと、
　　該ＭＧ−Ｓｉ基板内の残留金属不純物を浸出させるステップであって、該残留金属不純物を浸出させるステップが、塩化水素ガスを用いて、１１００℃乃至１２５０℃の温度で、該温度で該ＭＧ−Ｓｉ基板の表面に移動する該残留金属不純物と反応させるステップを包含する、ステップと
　を包含する方法を使用して形成される、ＭＧ−Ｓｉ基板と、
　該ＭＧ−Ｓｉ基板上方に位置するｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜と、
　ｐ−型ドープＳｉ薄膜上方に位置するｎ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜と、
　該ｎ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜上方に位置する反射防止層と、
　該ＭＧ−Ｓｉ基板下方に位置する裏金属層と、
　該反射防止層上方に位置する表電極と
　を備えている、太陽電池。
　　【請求項９】
　前記ｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜は、前記ＭＧ−Ｓｉ基板上方に位置するＢＳＦ層としての高濃度ホウ素−ドープＳｉ層と、該高濃度ホウ素−ドープＳｉ層上方に位置する低濃度ホウ素−ドープＳｉ層とを備えている、請求項８に記載の太陽電池。
　　【請求項１０】
　前記高濃度ホウ素−ドープＳｉ層は、最大１×１０２０原子／ｃｍ３のホウ素濃度と、０．５乃至５マイクロメートルの厚さとを有し、前記低濃度ホウ素−ドープＳｉ層は、約４×１０１６原子／ｃｍ３のホウ素濃度と、２０乃至１００マイクロメートルの厚さとを有する、請求項９に記載の太陽電池。
　　【請求項１１】
　前記ｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜は、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスを使用して、エピタキシャルに成長される、請求項８に記載の太陽電池。
　　【請求項１２】
　前記ｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜は、２乃至１００マイクロメートルの厚さを有する、請求項８に記載の太陽電池。
　　【請求項１３】
　前記ＭＧ−Ｓｉ基板を形成する方法は、指向性凝固を使用して、前記ＭＧ−Ｓｉ原料を精製するステップをさらに包含する、請求項８に記載の太陽電池。
　　【請求項１４】
　前記ＭＧ−Ｓｉ原料は、９９．９％乃至９９．９９％の純度を有する、請求項８に記載の太陽電池。」
　
　
第３　当審の拒絶理由
　
　当審で通知した平成２７年４月２１日付けの拒絶理由（以下、単に「拒絶理由」という。）は以下のとおりである。
　
「理由１
　この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
・・・（省略）・・・
　
（２）
　明細書の記載からは、本願発明が目的とする機能・効果が得られているのかが明確に理解できない。
　明細書には、本願発明の目的ないし本願発明の機能・効果について明記されておらず、これらを明確に把握することができないが、明細書の【００２１】に「高純度単結晶Ｓｉ薄膜と、比較的安価なＭＧ−Ｓｉ基板の組み合わせは、Ｗｐあたり約＄１のコストで、太陽電池モジュールの製造を可能にする。」と記載されていることから、Ｗｐあたり約＄１のコストで太陽電池モジュールの製造を可能にすることが、少なくとも本願発明の目的に含まれることは理解できる。
　しかしながら、明細書には、明細書で説明される製造方法を経て得られた太陽電池モジュールについて、実証データを伴ったコスト及び性能評価等の説明がされていないため、明細書で説明される製造方法によりＷｐあたり約＄１のコストで太陽電池モジュールが得られているのか不明であり、明細書の記載からは、当業者であっても、本願発明の技術上の意義を理解することができない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、請求項１〜１４に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでない。
　
（３）
　明細書に記載の製造方法により製造された太陽電池において、ＭＧ−Ｓｉ基板が、どのような機能層として機能しているのか不明であるため、明細書の記載からは、上記製造された太陽電池から実用上十分な出力が得られるのかが明確でない。
　明細書の【００２２】には、「開始ＭＧ−Ｓｉ原料では、ホウ素の原子濃度は、５ｐｐｍ乃至５００ｐｐｍであって、０．００３ｏｈｍ−ｃｍ乃至０．１ｏｈｍ−ｃｍの抵抗率に対応する。開始原料内のホウ素濃度が、５００ｐｐｍより高い場合、結果として生じるＭＧ−Ｓｉ基板内のホウ素原子は、その後成長される単結晶Ｓｉ薄膜中に拡散し、したがって、単結晶Ｓｉ薄膜の抵抗率に影響を及ぼし得ることに留意されたい。一方、ＭＧ−Ｓｉ原料の価格は、ホウ素濃度が、５ｐｐｍ未満である場合、付加的精製プロセスが必要とされるため、劇的に上昇するであろう。」と記載されているものの、【００２３】に記載の指向性凝固プロセス及び【００２４】〜【００２５】に記載のＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法を経た後のＭＧ−Ｓｉ基板中のホウ素濃度については明細書に説明されておらず、更に上記指向性凝固プロセスおよびＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法により金属不純物以外の不純物についてもその程度は不明であるが除去されているものと推測されるから、製造された太陽電池において、ＭＧ−Ｓｉ基板が、どのような機能層として機能しているのか不明である。
　そして、ＭＧ−Ｓｉ基板がｉ−層として機能する場合には、ｐ−ｎ接合を形成するｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜およびｎ−型ドープエミッタ層のｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜とＡｌ裏電極との間に厚いｉ−層が存在することになるため、ｐ−型ドープ単結晶Ｓｉ薄膜およびｎ−型ドープエミッタ層で光起電力が生じたとしてもｉ−層の電気抵抗により取り出せる出力が低下することとなるから、上記ＭＧ−Ｓｉ基板が、どのような機能層として機能しているのか不明である製造された太陽電池から実用上十分な出力が得られるのか疑義を有している。
　また、明細書には、製造された太陽電池に対して光を照射した際にどの程度の電力出力が計測されたかの実証データの提示もされておらず、製造された太陽電池から実用上十分な出力が得られたかについて不明である。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
　
・・・（省略）・・・
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　
第４　請求人の反論（意見書の内容）
　
　平成２７年７月１６日付けの意見書（以下、単に「意見書」という。）による請求人の主張の概要は以下のとおりである。
　
「・・・（省略）・・・
　
２．理由１（特許法第３６条第４項第１号）について
　
・・・（省略）・・・
　
２．２　拒絶理由通知の記（２）について
　
・・・（省略）・・・
　
２．２．２　上述しましたとおり、同日付の手続補正書において、特許請求の範囲を補正しました。補正後の特許請求の範囲に記載された発明について、本願明細書の記載および当業者の技術常識を考慮すれば、ご指摘の点に関して、当業者は本願発明を明確に理解することができそして実施することができると思料致します。本願明細書は本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていると思料致します。
　ＭＧ−Ｓｉが安価な材料であることは当業者に公知です。この点に関する資料として、文献：Joseph A. Carson編、SOLAR　CELL　Research　Progress、2008年を甲第１号証として提出致します。甲第１号証の２６６〜２６７頁は、ＭＧ−Ｓｉウエハが太陽電池を製造するための安価な代替物として使用され得ることを記載しています。
　従いまして、このような技術常識を考慮した当業者であれば、本願明細書を読んだ際に低コストで太陽電池モジュールの製造が可能になることを理解できると思料致します。
　補正後の特許請求の範囲に記載された発明について、ご指摘の拒絶理由は解消されております。
　
２．３　拒絶理由通知の記（３）について
 
・・・（省略）・・・
　
２．３．２　上述しましたとおり、同日付の手続補正書において、特許請求の範囲を補正しました。補正後の特許請求の範囲に記載された発明について、本願明細書の記載および当業者の技術常識を考慮すれば、ご指摘の点に関して、当業者は本願発明を明確に理解することができそして実施することができると思料致します。本願明細書は本願発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていると思料致します。
　
　本願明細書の０００６段落には、「結晶−Ｓｉ−ウエハを基材とする太陽電池は、市場の約９０％を占める。…その安価な価格から、冶金級（ＭＧ）Ｓｉが、太陽電池を作製するために検討されている。」と記載しています。したがって、ＭＧ−Ｓｉ基板は、結晶Ｓｉ基板と同様に機能することを理解できます。さらに、図面では、結晶−Ｓｉ−ウエハを基材とする太陽電池およびＭＧ−Ｓｉを基材とする太陽電池の類似の構成を実証しています（例えば、図４の４１０に対し、図１の１０２）。
　本願明細書の００２７段落には、ＭＧ−Ｓｉ基板が、ＣＶＤプロセスを使用して単結晶Ｓｉ薄膜をエピタキシャルに成長させるために使用されることを明確に記載しています。したがって、ＭＧ−Ｓｉ基板の少なくとも一つの重要な機能は、本願明細書中で実証されており、これは、基板として、その後に単結晶Ｓｉ薄膜を成長させるのに役に立ちます。
　上記事項を考慮すると、本願明細書は、上記のとおりＭＧ−Ｓｉ基板の機能を明確に示しています。
　また、上記ご指摘においては、ＭＧ−Ｓｉ基材がｉ−層として機能し、そして厚いｉ−層が出力の低下をもたらすことを想定されております。しかし、ＭＧ−Ｓｉ基板は単に成長基板として機能します。そしてｐ−ｎ接合は、後に成長させられる単結晶性Ｓｉ層構造４０４または５０４内にあり、それはｎ−型エミッタおよびｐ−型ベース層を含みます（本願の図４および図５をご参照下さい）。このＭＧ−Ｓｉ基板は、エミッタとベースとの間のｉ−層として機能しません。従いました、実用上十分な出力が得られることに疑義があるとする拒絶理由中地中のご指摘は、本願発明の装置の構造についての誤解に基づくものであると思料致します。
　従いまして、補正後の特許請求の範囲に記載された発明について、ご指摘の拒絶理由は解消されております。
　
・・・（省略）・・・
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　
第５　当審の判断
　
１．拒絶理由の「理由１」「（２）」について
（１）発明の詳細な説明の記載
　「第３」の拒絶理由中の「理由１」「（２）」において述べているように、明細書には、本願発明１〜１４の目的ないし本願発明の機能・効果について明記されていないが、明細書の【００２１】の記載（記載内容については「第３」の拒絶理由中の「理由１」「（２）」参照）を参酌すると、Ｗｐあたり約＄１のコストで太陽電池モジュールの製造を可能にすることが、少なくとも本願発明１〜１４の目的に含まれることは理解できる。
　そのため、明細書においてコストに関して記載のある箇所を以下にあげる。
　上記明細書【００２１】には、比較的安価なＭＧ−Ｓｉ基板を用いることで、Ｗｐあたり約＄１のコストで、太陽電池モジュールの製造が可能になることの記載がされている（記載内容については「第３」の拒絶理由中の「理由１」「（２）」参照）。
　明細書【００２２】には、
「その後製造される太陽電池の高効率を保証するために、開始ＭＧ−Ｓｉ原料は、理想的には、９９．９％以上の純度を有する。開始ＭＧ−Ｓｉ原料では、ホウ素の原子濃度は、５ｐｐｍ乃至５００ｐｐｍであって、０．００３ｏｈｍ−ｃｍ乃至０．１ｏｈｍ−ｃｍの抵抗率に対応する。開始原料内のホウ素濃度が、５００ｐｐｍより高い場合、結果として生じるＭＧ−Ｓｉ基板内のホウ素原子は、その後成長される単結晶Ｓｉ薄膜中に拡散し、したがって、単結晶Ｓｉ薄膜の抵抗率に影響を及ぼし得ることに留意されたい。一方、ＭＧ−Ｓｉ原料の価格は、ホウ素濃度が、５ｐｐｍ未満である場合、付加的精製プロセスが必要とされるため、劇的に上昇するであろう。」
と、高純度のＳｉ原料と比較して価格の低いＳｉ原料（以下「開始ＭＧ−Ｓｉ原料」という）を用いることで、価格の上昇を回避することが記載されている。
　
（２）Ｗｐあたり約＄１のコストで太陽電池モジュールの製造を可能にすることについて
　上記【００２１】及び【００２２】の記載から、太陽電池モジュールの基板として比較的安価なＭＧ−Ｓｉ基板を用いること、及び、安価な開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得ること、は理解できる。
　しかしながら、以下に述べるように、上記明細書に記載の安価な開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いることのみで、最終的に得られる太陽電池モジュールのコストが下がったか否かについて、本願明細書の記載からは理解できない。
　本願のＭＧ−Ｓｉ基板は、【００２３】〜【００２５】及び図２の記載によると、開始ＭＧ−Ｓｉ原料を溶融し、指向性凝固プロセスを行い、単結晶Ｓｉシードを降下させ、溶融ＭＧ−Ｓｉの表面に接触させ、シード結晶のロッドが上方に引き上げられ溶融ＭＧ−Ｓｉから大型の単結晶円筒形インゴットを抽出し、Ｓｉインゴットをウエハに裁断し、ＭＧ−Ｓｉ基板を形成する手法を経て得られるものであり、インゴット成長プロセスは、１ｅ１６／ｃｍ３を下回る金属不純物レベルを有し得るものである。（以下「開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得る方法」という）
　上記開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得る方法は、一般にＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法（ＣＺ法）と呼ばれる手法と比較して、指向性凝固プロセスを含むものであり、さらに「１ｅ１６／ｃｍ３を下回る金属不純物レベル」という高純度のＳｉ基板が得られるよう個々の工程が調整されているものであるから、本願のＭＧ−Ｓｉ基板は、市販されている比較的純度の低いＭＧ−Ｓｉ基板と比較してコストの高い手法を経て形成されているということができる。
　ここで、上記【００２１】の記載における「比較的安価なＭＧ−Ｓｉ基板」は、当該本願のＭＧ−Ｓｉ基板を意図していると解釈されるが、上述のように、本願のＭＧ−Ｓｉ基板は、安価な開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いて得られたものであるものの、上述のようにコストの高い手法を経ており、安価に得られた基板であるとは一概に言えるものでなく、また当該基板が「比較的安価」とする他の根拠は明細書に全くないから、上記【００２１】の記載における「比較的安価なＭＧ−Ｓｉ基板」、すなわち、本願のＭＧ−Ｓｉ基板が比較的安価であるということも、直ちに首肯できるものではない。
　さらに、本願のＭＧ−Ｓｉ基板は、【００２６】に「単結晶Ｓｉ薄膜の成長に先立って、ＭＧ−Ｓｉ基板は、基板中の天然酸化シリコンを除去するために、水素（Ｈ２）で充填された化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバ内において、１１００℃乃至１２５０℃の温度で焼成される。その後、同一温度下、塩化水素（ＨＣｌ）ガスが、ＣＶＤチャンバ内に導入され、ＭＧ−Ｓｉ基板からいかなる残留金属不純物も浸出させ、したがって、不純物が、その後成長される単結晶Ｓｉ薄膜中に拡散しないようにさらに防止する。」と記載されているように、単結晶Ｓｉ薄膜の成長前に、金属不純物浸出プロセスを経ているため、太陽電池モジュールの製造過程において、さらに当該金属不純物浸出プロセスを行うためのコストが掛かることは明らかである。
　太陽電池モジュールを製造するにあたり、市販の太陽電池級Ｓｉ基板を購入した場合には、上記開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得る方法及び金属不純物浸出プロセスは不要であるから、これらに要するコストが掛かることはない。このような市販の太陽電池級Ｓｉ基板は高価であり、本願発明１〜１４が用いる開始ＭＧ−Ｓｉ原料は、そのような市販の太陽電池級Ｓｉ基板に比べても安価であることは認められる。しかしながら、当該開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いても、太陽電池モジュールが得られるまでに、市販の太陽電池級Ｓｉ基板では不要な、上記開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得る方法に掛かるコスト、及び、金属不純物浸出プロセスを行うためのコストが掛かるのであるから、本願発明１〜１４の方法により得られた太陽電池モジュールについて、実証データを伴ったコスト及び性能評価等の説明なしには、上記開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得る方法に掛かるコスト、及び、上記金属不純物浸出プロセスを行うためのコストを含めたとしても、市販の太陽電池級Ｓｉ基板を購入するよりも低コストで太陽電池モジュールが得られるのか否か、特に、上記開始ＭＧ−Ｓｉ原料を用いてＭＧ−Ｓｉ基板を得る方法に掛かるコスト、及び、上記金属不純物浸出プロセスを行うためのコストを含めた場合に、上記【００２１】に記載の「Ｗｐあたり約＄１のコストで、太陽電池モジュールの製造」が可能となっているか否か、明細書の記載では不明である。
　
　したがって、明細書の記載は、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載しているとは認められない。
　
（３）請求人の反論について
　上記「第４」の「２．２．２」で主張している、開始ＭＧ−Ｓｉ原料が安価な材料であることについては異論はない。
　しかしながら、上記（２）で述べたように、本願発明１〜１４では、開始Ｍｇ−Ｓｉ原料を用いることにより、高価な太陽電池級Ｓｉ基板では要しないコストが掛かるのであるから、発明の詳細な説明に記載された方法により得られた太陽電池モジュールが低コストで得られたことの実証なしに、単に基板原料が安価であることのみをもって低コストで太陽電池モジュールの製造が可能になるとは認められない。
　したがって、開始ＭＧ−Ｓｉ原料が安価な材料であることをもって、このような技術常識を考慮した当業者であれば、本願明細書を読んだ際に低コストで太陽電池モジュールの製造が可能になることを理解できるという、審判請求人の意見は採用できない。
　
（４）小活
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、本願発明１〜１４について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでない。
　
２．拒絶理由の「理由１」「（３）」について
（１）発明の詳細な説明及び図面の記載
　明細書の【００２２】には、ＭＧ−Ｓｉ原料が５ｐｐｍ乃至５００ｐｐｍの濃度のホウ素原子を含むことが記載されている（記載内容については「第３」の拒絶理由中の「理由１」「（３）」参照）。
　明細書の【００２３】〜【００２５】には、ＭＧ−Ｓｉ基板を調製するプロセスとして、以下の記載がされている。
「【００２３】
　図２は、ＭＧ−Ｓｉ基板を調製するプロセスを例証する、例示的工程図を提示する。最初に、開始ＭＧ−Ｓｉ原料が、Ａｒ充填成長チャンバ（操作２００）内に封入される、石英るつぼ中で溶融される。一実施形態では、単結晶成長のために、るつぼ内に溶融される前に、ＭＧ−Ｓｉ原料は、指向性凝固プロセスを通して、不純物の一部を除去する。指向性凝固プロセスは、Ａｒ環境において加熱することによって、るつぼ内でＭＧ−Ｓｉを溶融するステップから開始する。次いで、溶融されたＭＧ−Ｓｉの温度は、溶融物の底部が最初に凝固し、凝固の方向が下から上であるように低下される。偏析効果によって、金属不純物の濃度は、固体中では低く、液体中では高くなる。その結果、不純物は、上部に集中する傾向にある。凝固後、上部は除去され、精製されたＭＧ−Ｓｉは、その後の単結晶成長のために使用可能である。本指向性凝固プロセスにおいて形成されるＳｉは、多結晶であることに留意されたい。
　【００２４】
　単結晶インゴットの成長の際、ロッドに搭載された単結晶Ｓｉシードが降下され、溶融ＭＧ−Ｓｉの表面に接触する（操作２０２）。続いて、シード結晶のロッドが、上方に引き上げられ、同時に回転され、溶融ＭＧ−Ｓｉから大型の単結晶円筒形インゴットを抽出する（操作２０４）。次いで、インゴットは、ウエハに裁断され、ＭＧ−Ｓｉ基板を形成する（操作２０６）。種々の方法を使用して、インゴットを裁断し、基板ウエハを形成可能である。一実施形態では、インゴットは、標準的ワイヤソーを使用して、基板ウエハに裁断される。最後に、ＭＧ−Ｓｉ基板の表面は、化学機械研磨（ＣＭＰ）、化学研磨（ＣＰ）、および単純ラッピングを含むが、それらに限定されない、種々の技術を使用して研磨される（操作２０８）。
　【００２５】
　偏析効果によって、インゴットの成長の際、ＭＧ−Ｓｉ原料内の金属不純物は、溶融物中に滞留する傾向にある。固体相内の不純物と液相内の不純物の比率である、偏析係数は、鉄等のキラー欠陥金属の場合、８ｅ−６と低くなり得る。したがって、Ｓｉインゴット成長の完了の際、るつぼ内に残留するインゴットの尾部およびＳｉは、より高い不純物濃度を有し、除去されるであろう。そのようなインゴット成長プロセスは、１ｅ１６／ｃｍ３を下回る金属不純物レベルを有し得る、残留インゴットから、相当量の金属不純物を除去可能である。」
　明細書の【００３０】、図４、【００３２】及び図５には、例示的太陽電池構造として以下の記載がされている。
「【００３０】
　図４は、本発明の一実施形態による、例示的太陽電池構造を例証する。図４は、上から下に、表電極４００と、反射防止層４０２と、単結晶Ｓｉ薄膜４０４（ｎ−型ドープエミッタ層４０６およびｐ−型ドープ層４０８を含む）と、ＭＧ−Ｓｉ基板４１０と、裏電極４１２と、を例証する。」
「【図４】
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
「【００３２】
　図５は、本発明の一実施形態による、例示的太陽電池構造を例証する。図５は、上から下に、表電極５００と、反射防止層５０２と、単結晶Ｓｉ薄膜５０４（ｎ−型ドープエミッタ層５０６、低濃度ホウ素−ドープ層５０８、およびＢＳＦ層５１０を含む）と、ＭＧ−Ｓｉ基板５１２と、裏電極５１４と、を例証する。」
「【図５】
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（２）「太陽電池」の実施可能要件について
　発明の詳細な説明には、本願のＭＧ−Ｓｉ基板はいわゆる基板として記載されているが、上記【００３０】、図４、【００３２】及び図５を参酌すると、上記ＭＧ−Ｓｉ基板は、上記太陽電池構造において、ｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜４０４（特にｐ−型ドープ層４０８）と裏電極４１２との間、ないしは、ｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜５０４（特にＢＳＦ層５１０）と裏電極５１４との間に位置しており、本願のＭＧ−Ｓｉ基板は、その上に太陽電池構造が形成されるだけの単なる基板としてのみではなく、太陽電池構造におけるｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜と裏電極との間の層として用いられていることは明らかである。
　しかしながら、上記【００２２】の記載によると、ＭＧ−Ｓｉ原料は５ｐｐｍ乃至５００ｐｐｍの濃度のホウ素原子を含むものであるが、【００２３】に記載の指向性凝固プロセス及び【００２４】〜【００２５】に記載のＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法を経た後のＭＧ−Ｓｉ基板中のホウ素濃度については明細書に説明されておらず、さらに上記指向性凝固プロセスおよびＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法により金属不純物以外の不純物についてもその程度は不明であるが除去されているものと推測されるから、本願のＭＧ−Ｓｉ基板がどの程度のホウ素原子を含むのか不明であり、太陽電池構造におけるｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜と裏電極との間の層であってどのような機能層として機能しているのか不明である。
　また、仮に上記指向性凝固プロセス及びＣｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法により、ホウ素についても十分に除去され、不純物をほとんど有しないＭＧ−Ｓｉ基板が得られた場合には、ＭＧ−Ｓｉ基板は不純物をほとんど有さない、いわゆるｉ−層となる。この場合の上記太陽電池構造においては、ｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜と裏電極との間に基板として用いられる程の厚みを有する厚いｉ−層が存在することになるが、厚いｉ−層の抵抗は大きいため、ｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜で光起電力が生じたとしても当該厚いｉ−層の電気抵抗により取り出せる出力が大きく低下することとなり、製造された太陽電池から実用上十分な出力が得られるのか疑義を有している。
　明細書には、製造された太陽電池に対して光を照射した際にどの程度の電力出力が計測されたかの実証データの提示もされていないため、製造された太陽電池から実用上十分な出力が得られるのかという疑義が解消しない。
　本願発明１〜１４の「太陽電池」も、実用上十分な出力が得られるものを示すと解するのが相当であるところ、この出願の発明の詳細な説明では、製造された太陽電池において、ＭＧ−Ｓｉ基板が、どのような機能層として機能しているのか不明であり、そのため製造された太陽電池から実用上十分な出力が得られたかについて不明であるから、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜１４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとは認められない。
　
（３）請求人の反論について
　上記「第４」の「２．３．２」では、ＭＧ−Ｓｉ基板は、結晶Ｓｉ基板と同様に機能すること、基板としてその後に単結晶Ｓｉ薄膜を成長させるのに役に立つこと、を主張している。
　しかしながら、上記（２）で述べたように、発明の詳細な説明によると、ＭＧ−Ｓｉ基板は、単なる基板としてのみではなく、太陽電池構造におけるｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜と裏電極との間の層として用いられていることが明らかであるが、上記主張は当該ｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜と裏電極との間の層としての機能について十分な説示が明細書にあることを主張できていない。
　また、「このＭＧ−Ｓｉ基板は、エミッタとベースとの間のｉ−層として機能しません」との主張もされているが、上述のように、ＭＧ−Ｓｉ基板は、ｐ−ｎ接合を含む単結晶Ｓｉ薄膜と裏電極との間の層として用いられていることが明らかであるから、ＭＧ−Ｓｉ基板がエミッタとベースとの間のｉ−層として機能しないことは、当合議体も承知していることである。
　したがって、本願明細書は、ＭＧ−Ｓｉ基板の機能を明確に示しているという、審判請求人の意見は採用できない。
　
（４）小活
　よって、本願の発明の詳細な説明は、本願発明１〜７の「
太陽電池
太陽電池
　
３．結論
　本願の発明の詳細な説明は、本願発明１〜１４について、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載しているとは認められないから、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでない。
　また、本願発明１〜７の「
太陽電池
太陽電池
　したがって、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第６　むすび
　
　以上のとおり、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。