【事件の表示】
　特願２０１１−５４５９８０「放射線検出器の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月２３日国際公開、ＷＯ２０１１／０７４２４９、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、２０１０年（平成２２年）１２月１５日（優先権主張　平成２１年１２月１８日）を国際出願日とする出願であって、平成２５年６月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１９日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成２６年３月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２６日付けで意見書が提出され、同年１１月２１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２７年２月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同時に手続補正がされ、同年１１月１６日付けで当審により拒絶理由が通知され、平成２８年１月１５日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされたものである。
　
第２　本願発明
　本願発明は、平成２８年１月１５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、これらの請求項に係る発明を項番号に対応して、「本願発明１」などといい、これらをまとめて「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　基板上に蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を複数有し、かつ前記基板の最表層に前記複数の光電変換素子を覆うように成膜され、前記複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる保護膜が形成されたアレイ基板と、
　前記保護膜上に設けられ入射する放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
　前記シンチレータ層からの蛍光を前記アレイ基板側へ反射させる反射層と、
　を備える放射線検出器の製造方法において、
　光散乱性粒子とバインダ樹脂を主成分とするペーストを前記シンチレータ層上に塗布後乾燥することで前記反射層を形成し、
　前記シンチレータ層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記シンチレータ層の蒸着時に軟化状態になり、前記アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる熱可塑性樹脂で、前記アレイ基板上の少なくとも前記反射膜が形成される領域に、前記保護膜を形成することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項２】
　前記シンチレータ層が柱状構造を有するハロゲン化合物により形成され、かつ前記保護膜の軟化点が２００℃未満であることを特徴とする請求項１記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項３】
　前記保護膜は、高沸点酸化物を生じない元素を主成分とする請求項１又は２記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項４】
　前記保護膜がアクリル系有機樹脂材料であることを特徴とする請求項３記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項５】
　蛍光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有するアレイ基板の最表層に、前記複数の光電変換素子を覆うように成膜され、前記複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる熱可塑性樹脂で形成された保護膜を設ける工程と、
　前記保護膜上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を前記熱可塑性樹脂の軟化点よりも高い温度にし、前記保護膜表面が軟化した状態で真空蒸着法により形成し、前記アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる工程と、
　前記シンチレータ層上に、塗膜により反射層を形成する工程と、
　を具備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
　前記保護膜を設ける工程の後に、ＵＶ／Ｏ３処理または酸素を含むガスのプラズマ処理を施す工程を具備することを特徴とする請求項５記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
　前記シンチレータ層を真空蒸着法により形成する工程において、前記シンチレータ層形成時の基板温度を熱可塑性樹脂の軟化点よりも高い温度でかつ２００℃以下にしたことを特徴とする請求項５又は６記載の放射線検出器の製造方法。」
　
第３　拒絶理由の概要
１．原査定の拒絶理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　１.特開２００６−７８４７１号公報
　２.特開２００４−１８６４３２号公報
　３.特開２００９−３１０９８号公報
　４.国際公開第２００９／１３９２１５号
　
　放射線検出器において、柱状結晶からなる蛍光体層の接着性を向上させるため、「蛍光体層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記蛍光体層の蒸着時に軟化状態になる熱可塑性樹脂」層を設けることは周知である（周知例１（特開２００８−１８０６２７号公報）の請求項６、段落【０００１】、【００２１】〜【００２５】参照）。
　
　してみると、本願請求項１〜５及び７に係る発明は、引用文献１〜４及び周知例１の記載に基づいて、当業者が容易に想到できたものである。
　
２．当審の拒絶理由の概要
 この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
 ・請求項１〜４について 
 　請求項１は、「放射線検出器」という物の発明であるが、「光散乱性粒子とバインダ樹脂を主成分とする
ペースト状態で前記シンチレータ層上に塗布後乾燥され
成膜温度以下の軟化点
蒸着時に軟化状態になり
 　ここで、物の発明に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において、当該特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは、出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか、又はおよそ実際的でないという事情（以下「不可能・非実際的事情」という）が存在するときに限られると解するのが相当である（最高裁第二小法廷平成２７年６月５日　平成２４年（受）第１２０４号、平成２４年（受）第２６５８号）。 
 　しかしながら、本願明細書等には不可能・非実際的事情について何ら記載がなく、当業者にとって不可能・非実際的事情が明らかであるとも言えない。 
 　したがって、請求項１及び請求項１を直接的又は間接的に引用する請求項２〜４に係る発明は明確でない。 
　
第４　当審の判断
１．原査定の拒絶理由について
（１）引用文献１の記載事項
　引用文献１には、「放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審が付与した。）。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は
放射線を電気信号として検出する放射線検出装置
柱状結晶構造のシンチレータ層（蛍光体層）を有する放射線検出装置
【背景技術】
【０００２】
　近年、少なくとも大面積の平面に形成された
光電変換素子の表面にＸ線を照射することによって発光するシンチレータ（蛍光体）層を積層したデジタル放射線検出装置
　イ　「【００１８】
　本発明の実施形態として、以下に図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
　［第１の実施の形態］
　
図１は本発明に係わる
放射線検出装置
図１
において、１はガラス等の基板、２は光電変換素子、３は配線であり、光電変換素子２、配線３、及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって受光部１５が構成されている。４は電気的接続部（取り出し配線）、５はセンサー保護層、６はシンチレータ下地層、１１は配線接続部、であり、１〜６、１１によって光検出器（センサーパネル）１６が構成されている。
７はシンチレータ層、８はシンチレータ保護層、９は反射層、１０は反射層保護層であり、８〜１０によってシンチレータ保護部材が構成されている。
シンチレータ保護部材の、受光部１５またはシンチレータ層７が形成された周囲の領域のセンサーパネル１６と接触する領域にホットプレス部１４が設けられている。また、１２は配線部材、１３は封止部材である。
【００２０】
　
基板１は、光電変換素子２、配線３、及びＴＦＴ（不図示）からなる受光部１５が形成される
光電変換素子２はシンチレータ層７によって放射線から変換された光を電荷に変換するもの
【００２１】
　反射層９は、シンチレータ層７で変換して発せられた光のうち、光電変換素子２と反対側に進行した光を反射して光電変換素子２に導くことにより、光利用効率を向上させる機能を有するものである。また、反射層９は、光電変換素子２にシンチレータ層７で発生された光以外の外部光線を遮断し、光電変換素子２にノイズが入ることを防止する機能を更に有する。
反射層９としては、金属箔または金属薄膜
【００２２】
　配線接続部１１は、電気的接続部４と配線部材１２とを電気的に接続するための部材であり、異方導電性接着剤などにより配線部材１２と電気的に接続される。配線部材１２は、光電変換素子２で変換された電気信号を読み出すためのＩＣ部品などを搭載した部材であり、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などが好適に用いられる。封止部材１３は、配線部材１２及び電気的接続部４に対して、水分による腐食を防止する機能、衝撃による破壊を防止する機能、及び製造時に発生する受光部１５の破壊の原因となる静電気を防止する機能を有するものである。
【００２３】
　ホットプレス部１４は、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８のシンチレータ層７周辺の領域とセンサーパネル１６との接触界面における防湿性を向上させるために設けられているものである。本実施形態では、シンチレータ層７の周辺部において、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８はシンチレータ下地層６と接している。ホットプレス部１４はシンチレータ保護部材の周辺部の一部または全体に設けることが可能である。本実施形態では、図１に示すようにシンチレータ保護部材の周辺部全体に設けられている。ホットプレス部１４は、加熱加圧手段３４（図１４に示す）によってホットメルト樹脂の厚さが他の部分より薄くなるよう部分的に加熱加圧処理され圧着（加圧により密着）された領域である。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、加熱加圧手段３４によりシンチレータ保護層８をホットプレス処理した後、反射層９と光反射保護層１０を形成し、ホットプレス処理することでホットプレス部１４が形成される。シンチレータ保護層８、反射層９と反射層保護層１０をまとめてホットプレスしてもよい。図３（ａ）に図２のＸ方向から見たＣ−Ｃ’断面図を、図３（ｂ）にＸ方向から見たＤ−Ｄ’断面図を示す。４ａ〜４ｅは電気的接続部４の配線パターンを示す。シンチレータ下地層６のシンチレータ層７が形成された周囲の領域において、
取り出し配線４の存在によりセンサー保護層５の表面には凹凸が生じる。その凹凸を緩和するために平坦化層として機能するシンチレータ下地層６を形成する
　ウ　「【００４５】
　以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。
【実施例１】
【００４６】
　本実施例は、第１の実施の形態及び図１に示される直接蒸着タイプの放射線検出装置の例である。
【００４７】
　厚さ０．７ｍｍの
ガラス基板１上
の領域に
アモルファスシリコンからなるフォトダイオード（光電変換素子）２、ＴＦＴ
及びＡｌの配線３からなる、
画素を２次元的に配置して受光部１５を設け
ガラス基板１の周囲の領域には、受光部１５から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣ
の配線部材１２と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線４、及び配線接続部１１を設け
ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるシンチレータ下地層（パッシベーション膜）６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成し、センサーパネル１６を得
【００４８】
　
得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により
形成し
形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で
熱処理することによって、シンチレータ層７を得
【００４９】
　次に、図４（ａ）〜（ｃ）に示されるように、
エチレン−酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を
ダイコータ１７を用いてシンチレータ層７が設けられた領域の周囲の領域（シンチレータ層７の端部とシンチレータ下地層６の端部との間の領域）におけるシンチレータ下地層６の表面、シンチレータ層７の側面及び頂面を被覆する
ホットメルト樹脂を形成し
形成されたホットメルト樹脂を
固化し、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を得
【００５０】
　次に、厚さ４０μｍの
Ａｌからなる反射層９と、
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる反射層保護層１０と、が積層して設けられた積層フィルムを、反射層９をシンチレータ保護層８側に向けて準備し、熱ラミネートローラ２７を用いて上記フィルムシートを、
シンチレータ保護層８に接着し、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得
【００５１】
　次に、
ＩＣが設けられたＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）からなる配線部材１２を、ＡＣＦ（異方性接着材）を用いて１５０℃で圧着して配線接続部１１に接続し、
放射線検出装置を得た。
図１
図２
図３
図４
（２）引用発明の認定
　ア　上記（１）アとイの【００２０】より、引用文献１には、蛍光体層であるシンチレータ層によって、入射する放射線を蛍光に変換し、変換された蛍光を電気信号に検出する放射線検出装置が記載されていることがわかる。
　イ　上記（１）ウの【００４７】の、「画素」は、「２次元的に配置」されていることから、光電変換素子２、薄膜トランジスタ及びＡｌの配線３は、いずれも、複数であることがわかる。
　ウ　ガラス基板１上の受光部１５には、センサー保護層５、シンチレータ下地層６が積層されていることは明らかである。
　エ　「Ａｌからなる反射層９」の「Ａｌ」は、箔であることは明らかである。
　
　オ　そうすると、上記ア〜エ及び上記（１）イ、ウの記載から、引用文献１には、
「ガラス基板１と、ガラス基板１上に設けられた、受光部１５、光検出器１６、入射する放射線を蛍光に変換する蛍光体層であるシンチレータ層７、シンチレータ保護部材８〜１０、ホットプレス部１４、配線接続部１１、配線部材１２及び封止部材１３とを有する放射線検出装置の製造方法において、
　受光部１５は、上記蛍光を電気信号に変換する複数の光電変換素子２、配線３及び薄膜トランジスタから構成され、
　光検出器１６は、受光部１５、取り出し配線４、センサー保護層５、取り出し配線４によってセンサー保護層５の表面に生じる凹凸を緩和するための平坦化層として機能するシンチレータ下地層６及び配線接続部１１から構成され、
　シンチレータ保護部材８〜１０は、シンチレータ保護層８、反射層９及び反射層保護層１０で構成され、
　ガラス基板１上の受光部１５には、センサー保護層５、シンチレータ下地層６が積層され、
　ホットプレス部１４は、シンチレータ保護部材の、受光部１５又はシンチレータ層７が形成された周囲の領域のセンサーパネル１６と接触する領域に設けられており、
　ガラス基板１上の領域に、光電変換素子２、薄膜トランジスタ及びＡｌの配線３からなる画素を、２次元的に配置して受光部１５を設ける工程と、
　ガラス基板１の周囲の領域には、受光部１５から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣの配線部材１２と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線４、及び配線接続部１１を設ける工程と、
　ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるシンチレータ下地層６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成して、センサーパネル１６を得る工程と、
　 得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により形成し、形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で熱処理することによって、シンチレータ層７を得る工程と、
　ホットメルト樹脂を溶融し、ダイコータ１７を用いてシンチレータ層７が設けられた領域の周囲の領域（シンチレータ層７の端部とシンチレータ下地層６の端部との間の領域）におけるシンチレータ下地層６の表面、シンチレータ層７の側面及び頂面を被覆して、ホットメルト樹脂を形成する工程と、
　形成されたホットメルト樹脂を室温まで放熱して固化し、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を得る工程と、
　Ａｌ箔からなる反射層９と、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる反射層保護層１０とが積層して設けられた積層フィルムを、反射層９をシンチレータ保護層８側に向けて準備し、熱ラミネートローラ２７を用いて上記フィルムシートを、シンチレータ保護層８に接着し、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得る工程と、
　ＩＣが設けられたＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）からなる配線部材１２を、ＡＣＦ（異方性接着材）を用いて圧着して配線接続部１１に接続する工程を備えた、放射線検出装置の製造方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）引用文献２
　引用文献２には、「放射線撮像装置およびその駆動方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の放射線撮像装置は、入射された放射線を光に変換して出射する放射線−光変換層と、画素ごとに薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された蓄積容量とを有するアクティブマトリクスアレイとを備えるとともに、上記薄膜トランジスタは、オフ状態において上記放射線−光変換層が出射した光が照射された時、上記蓄積容量に充電された電荷を放電させるものであることを特徴としている。
【００１３】
さらに、本発明の放射線撮像装置は、上記放電後、オン状態の上記薄膜トランジスタを介して、上記蓄積容量に残存する電荷を読み出す電荷読み出し回路を具備することを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の放射線撮像装置の駆動方法は、入射された放射線を光に変換して出射する放射線−光変換層と、画素ごとに薄膜トランジスタと該薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された蓄積容量とを有するアクティブマトリクスアレイとを備えた放射線撮像装置の駆動方法であって、上記蓄積容量に電荷を所定量充電する充電ステップと、上記放射線−光変換層に放射線を照射して出射させた光をオフ状態の上記薄膜トランジスタに照射して、上記充電ステップで充電した電荷を上記蓄積容量から放電させる放電ステップと、上記放電ステップの後、オン状態の上記薄膜トランジスタを介して、上記蓄積容量に残存する電荷を読み出す電荷読み出しステップとを含むことを特徴としている。」
　
（４）引用文献３
　引用文献３には、「放射線検出器及びその製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【００１０】
　本発明の放射線検出器は、光電変換素子と、この光電変換素子上に形成され、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、このシンチレータ層上に形成され、このシンチレータ層からの蛍光を反射させる光散乱性粒子及びこの光散乱性粒子間を結合するバインダ材を含有し、かつ光散乱性粒子の周辺部にバインダ材が充填されていない空乏部が形成されている反射膜とを具備しているものである。
【００１１】
　また、本発明の放射線検出器の製造方法は、基板上に光電変換素子を形成する工程と、この光電変換素子上にシンチレータ層を形成する工程と、光散乱性粒子とこの光散乱性粒子間を結合するバインダ材とこのバインダ材を溶解する沸点１００℃以上の溶媒とを攪拌混合した塗布液を、前記シンチレータ層上に塗布した後に乾燥させ、光散乱性粒子の周辺部にバインダ材が充填されていない空乏部が形成された反射膜を形成する工程とを具備しているものである。」
　
（５）引用文献４
　引用文献４には、「シンチレータパネル及び放射線画像検出器」（発明の名称）について、次の記載がある。
「[0021] 以下、本発明とその構成要素等について詳細な説明をする。
[0022]　＜上記手段１について＞
　本発明は、放射線透過性の基板と、該基板上に設けられた反射層と、該反射層上に設けられた保護層と、該保護層上に設けられたシンチレータ層と、該シンチレータ層を覆う耐湿保護層と、を備えたシンチレータパネルにおいて、該保護層が、ガラス転移温度が５℃以上異なる２種の有機樹脂を少なくとも１組含有することを特徴とする。」
「[0024]（保護層） 
　本発明のシンチレータパネルは、基板上に設けられた反射層と、反射層上に設けられた保護層を有し、当該保護層にガラス転移温度が５℃以上異なる２種の有機樹脂を少なくとも１組含有することが必要である。
[0025]　ガラス転移温度が５℃以上異なる２種の有機樹脂が含まれることでヤング率が高くかつ柔軟性もある塗膜が形成され、厳しい条件でパネルを取り扱ったり、高湿下で長期間の保存を行ってもクラック等の発生がなく安定したパネル性能を得ることができる。
[0026]　十分な保存特性が得られ、かつ光の散乱が抑えられる点から、前記保護層の厚みは０．２〜５．０μｍであるのが好ましく、０．５〜４．０μｍがより好ましく、０．７〜３．５μｍであるのが特に好ましい。
[0027]　前記有機樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。
[0028]　なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。
[0029]　本発明に係るガラス転移点の温度は、ＪＩＳ　Ｃ　６４８１の（２）ＤＳＣ方により求めた値であり、示差走査熱量計を用い（ＤＳＣ法）、２０℃／分で昇温させる条件にて測定して得られたガラス転移温度をいう。
[0030]　即ち、試験片を室温から２０℃／分の割合で昇温させ、示差走査熱量計にて発熱量を測定し、吸熱曲線（または発熱曲線）を作成し、吸熱曲線（または発熱曲線）に２本の延長線を引き、延長線間の１／２直線と吸熱曲線の交点からガラス転移温度（Ｔｇ）を求める。
[0031]　保護層に少なくとも１組含有される、２種の有機樹脂はガラス転移温度が５℃以上異なることが必要であるが、ガラス転移温度の差は好ましくは５℃〜８０℃、より好ましくは２０℃〜８０℃、特に好ましくは３０℃〜７０℃である。
[0032]　特にガラス転移温度が５０〜１００℃（より好ましくは６０〜９０℃）である樹脂とガラス転移温度が−２０℃〜４５℃である樹脂（より好ましくは−１０℃〜３５℃である樹脂）を含有することが好ましい。
[0033]　これらの樹脂を用いる場合、ガラス転移温度が５０〜１００℃である樹脂の保護層に対する含有量としては、３０質量％〜９５質量％が好ましく、特に５０質量％〜８５質量％が好ましい。
[0034]　また、ガラス転移温度が−２０℃〜４５℃である樹脂の保護層に対する含有量としては、５質量％〜７０質量％が好ましく、特に１５質量％〜５０質量％が好ましい。
[0035]　ガラス転移温度が５℃以上異なる２種の有機樹脂の保護層に対する含有量としては（２種の合計で）、８０質量％〜１００質量％が好ましく、特に９０質量％〜１００質量％が好ましい。
[0036]　ガラス転移温度が５０〜１００℃である樹脂とガラス転移温度が−２０℃〜４５℃である樹脂の使用比率（質量％）は３０：７０〜９０：１０であるのが好ましく、５０：５０〜８０：２０であるのがより好ましい。
[0037]　また、保護層は、ガラス転移温度が５℃以上異なる２種の有機樹脂を１組含有することが好ましく、この場合には、下記の保護層に含まれる添加剤を除いた全てがこの１組の有機樹脂である。」
「[0061]（反射層） 
　本発明に係る反射層は、シンチレータ層のシンチレータから発した光を反射して、光の取り出し効率を高めるためのものである。当該反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｒｈ、Ｐｔ及びＡｕからなる元素群の中から選ばれるいずれかの元素を含む材料により形成されることが好ましい。特に、上記の元素からなる金属薄膜、例えば、Ａｇ膜、Ａｌ膜などを用いることが好ましい。また、このような金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。金属薄膜を２層以上とする場合は、下層をＣｒを含む層とすることが基板との接着性を向上させる点から好ましい。また、金属薄膜上にＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物からなる層をこの順に設けてさらに反射率を向上させても良い。
[0062]　反射層は、上記のようにシンチレータ層からの光を反射すると同時に放射線透過性である。本発明に係る反射層は、放射線透過性であり、上記のように所定の光（シンチレータから発した光）を反射する金属薄膜であることが好ましい態様である。
[0063]　なお、反射層の厚さは、０．０１〜０．３μｍであることが、発光光取り出し効率の観点から好ましい。
[0064]　本発明においては、基板と保護層の間に中間層を有してもよい。中間層としては、樹脂を含有する層であることが好まし。樹脂としては、具体的には、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルアセタール、ポリエステル、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、ポリイミド、ポリアミド、ポリパラキシリレン、スチレン−ブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。なかでもポリウレタン、ポリエステル、塩化ビニル系共重合体、ポリビニルブチラール、ニトロセルロース、ポリイミド、ポリパラキシリレンを使用することが好ましい。」
　
（５）周知例１
　周知例１には、「放射線画像変換パネル及びその製造方法並びにＸ線撮影システム」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルを、前記基板の基材もしくは前記基板の表面に加工された下地層の軟化温度もしくは溶融温度の低い方の温度以上に前記基板の温度を制御し、蒸着を行うことにより製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。」
「【０００１】
　本発明は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関し、詳しくは輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法に関する。」
「【００２１】
　５．前記蛍光体がＣｓＢｒを母体とする蛍光体であることを特徴とする前記１〜４のいずれか１項記載の放射線画像変換パネル。
【００２２】
　６．前記１〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルを、前記基板の基材もしくは前記基板の表面に加工された下地層の軟化温度もしくは溶融温度の低い方の温度以上に前記基板の温度を制御し、蒸着を行うことにより製造することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２３】
　７．前記基板の加熱が前記基板の裏面より加温することにより温度を制御し、蒸着を行うことを特徴とする前記６記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００２４】
　８．前記１〜５のいずれか１項記載の放射線画像変換パネルを可搬性容器に配置し、Ｘ線を曝射し、読み取りを行うことを特徴とするＸ線撮影システム。
【発明の効果】
【００２５】
　本発明により、輝度が高く、かつ、輝尽性蛍光体層の接着性に優れた放射線画像変換パネル及びその製造方法を提供することができた。」
「【００２９】
　〔下地層〕
　本発明は、基板と輝尽性蛍光体層との間に、下地層を設けることが好ましい。
【００３０】
　下地層で用いることのできる樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリビニアルコール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ナイロン、（メタ）アクリル酸または（メタ）アクリル酸エステル、ビニルエステル類、ビニルケトン類、スチレン類、ジオレフィン類、（メタ）アクリルアミド類、塩化ビニル類、塩化ビニリデン類、ニトロセルロース、アセチルセルロース、ジアセチルセルロース等のセルロース誘導体、シリコン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂等が挙げられる。中でも基板と輝尽性蛍光体層との接着性、基板の耐腐食性の観点でポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の疎水性樹脂が好ましい。」
　
（６）対比・判断
（本願発明１について）
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「ガラス基板１」、「入射する放射線を蛍光に変換する蛍光体層であるシンチレータ層７」及び「放射線検出装置」は、本願発明１の「基板」、「入射する放射線を蛍光に変換するシンチレータ層」及び「放射線検出器」にそれぞれ相当する。
　イ　引用発明の「ガラス基板１」上の「領域」に設けられた、「２次元的に配置」された「蛍光を電気信号に変換する複数の光電変換素子２」は、本願発明１の「基板」上の「複数」の「蛍光を電気信号に変換する光電変換素子」に相当する。
　ウ　引用発明の「取り出し配線４によってセンサー保護層５の表面に生じる凹凸を緩和するための平坦化層として機能するシンチレータ下地層６」は「光電変換素子２」を覆うものであって、該「取り出し配線４」は、「光電変換素子２」に対するものであり、その上には、「シンチレータ層７」が設けられているから、該「シンチレータ下地層６」は、本願発明１の「基板の最表層に複数の光電変換素子を覆うように成膜され、前記複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる保護膜」に相当する。
　そして、引用発明の「ガラス基板１」上に「光電変換素子２」が「２次元的に配置」されているから、引用発明の「ガラス基板１」は、本願発明１の「アレイ基板」にも相当する。
　また、引用発明の「シンチレータ層７」は、「前記保護膜上に設けられ入射する放射線を蛍光に変換するシンチレータ層」に相当する。
　エ　引用発明の「反射層」は、本願発明１の「シンチレータ層からの蛍光を前記アレイ基板側へ反射させる反射層」に相当する。
　オ　引用発明の「Ａｌからなる反射層９と、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる反射層保護層１０とが積層して設けられた積層フィルムを、反射層９をシンチレータ保護層８側に向けて準備し、熱ラミネートローラ２７を用いて上記フィルムシートを、シンチレータ保護層８に接着し、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得る工程」と、本願発明１の「光散乱性粒子とバインダ樹脂を主成分とするペーストを前記シンチレータ層上に塗布後乾燥することで前記反射層を形成」することとは、「反射層を形成」する点で共通する。
　カ　引用発明の「ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるシンチレータ下地層６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成」することと、本願発明１の「前記シンチレータ層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記シンチレータ層の蒸着時に軟化状態になり、前記アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる熱可塑性樹脂で、前記アレイ基板上の少なくとも前記反射膜が形成される領域に、前記保護膜を形成すること」とは、「アレイ基板上の少なくとも前記反射膜が形成される領域に、保護膜を形成する」点で共通する。
　
　キ　そうすると、本願発明１と引用発明とは、
「基板上に蛍光を電気信号に変換する光電変換素子を複数有し、かつ前記基板の最表層に前記複数の光電変換素子を覆うように成膜され、前記複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる保護膜が形成されたアレイ基板と、
　前記保護膜上に設けられ入射する放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
　前記シンチレータ層からの蛍光を前記アレイ基板側へ反射させる反射層と、
　を備える放射線検出器の製造方法において、
　前記反射層を形成し、
　前記アレイ基板上の少なくとも前記反射膜が形成される領域に、前記保護膜を形成する放射線検出器の製造方法。」である点で一致し、次の相違点１、２で相違する。
（相違点１）
　反射層について、本願発明１は、「光散乱性粒子とバインダ樹脂を主成分とするペーストをシンチレータ層上に塗布後乾燥することで」形成しているのに対し、引用発明は、「Ａｌ箔」からなる点。
（相違点２）
　保護膜について、本願発明１は、「シンチレータ層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記シンチレータ層の蒸着時に軟化状態になり、アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる熱可塑性樹脂」であるのに対し、引用発明の「シンチレータ下地層６」は、「ポリイミド」からなる点。
　
（相違点１、２についての判断）
　事案に鑑み、まず、相違点２について検討する。　
　引用発明の「シンチレータ下地層６」は、「ポリイミド」からなり、該「ポリイミド」は、一般的には、熱可塑性樹脂ではない。
　また、引用発明は、「得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により形成し」た後に、「形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で熱処理すること」から、熱可塑性樹脂を採用することは想定されておらず、引用発明において、「シンチレータ下地層６」として、「ポリイミド」に代えて、熱可塑性樹脂を用いることについては、阻害要因があるというべきである。
　
　また、周知例１には、「放射線画像変換パネルを、基板の基材もしくは前記基板の表面に加工された下地層の軟化温度もしくは溶融温度の低い方の温度以上に前記基板の温度を制御し、蒸着を行うことにより製造すること」が開示されているとしても、該基板は光電変換素子を備えておらず、「アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる熱可塑性樹脂」が開示されているとは認められない。
　
　また、引用文献２〜４にも、「シンチレータ層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記シンチレータ層の蒸着時に軟化状態になり、アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる熱可塑性樹脂」が開示されているとは認められない。
　
　そうすると、引用発明において、「シンチレータ下地層６」の「ポリイミド」に代えて、熱可塑性樹脂を採用することについては阻害要因があるというべきであり、しかも、「シンチレータ層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記シンチレータ層の蒸着時に軟化状態にな」る「熱可塑性樹脂」は、いずれの文献にも開示されておらず、さらに、それを採用することで、「アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる」ことは、引用文献１〜４、周知例１の記載からは、当業者が容易に予測し得ないものであるから、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　
　よって、相違点１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明、引用文献２〜４、周知例１の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　
（本願発明２〜４について）
　本願発明２〜４は、本願発明１をさらに限定するものであるから、本願発明１と同様に、引用発明、引用文献２〜４、周知例１の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（本願発明５について）
　本願発明５と引用発明とを対比する。
ア　本願発明１と同様に、引用発明の「ガラス基板１」、「光電変換素子２」、「入射する放射線を蛍光に変換する蛍光体層であるシンチレータ層７」、「シンチレータ下地層６」及び「放射線検出装置」は、本願発明５の「アレイ基板」、「光電変換素子」、「入射する放射線を蛍光に変換するシンチレータ層」、「保護膜」及び「放射線検出器」にそれぞれ相当する。
　ウ　引用発明の「ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるシンチレータ下地層６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成して、センサーパネル１６を得る工程」と、本願発明５の「複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる熱可塑性樹脂で形成された保護膜を設ける工程」とは、「複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる保護膜を設ける工程」である点で共通する。
　エ　引用発明の「得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により形成し、形成されたＣｓＩ：Ｔｌをクリーンオーブン内で熱処理することによって、シンチレータ層７を得る工程」と、本願発明５の「保護膜上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を熱可塑性樹脂の軟化点よりも高い温度にし、前記保護膜表面が軟化した状態で真空蒸着法により形成し、前記アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる工程」とは、「保護膜上に、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を真空蒸着法により形成する工程」で共通する。
　オ　引用発明の「Ａｌからなる反射層９と、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる反射層保護層１０とが積層して設けられた積層フィルムを、反射層９をシンチレータ保護層８側に向けて準備し、熱ラミネートローラ２７を用いて上記フィルムシートを、シンチレータ保護層８に接着し、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得る工程」と、本願発明５の「シンチレータ層上に、塗膜により反射層を形成する工程」とは、「反射層を形成する工程」である点で一致する。
　
　カ　そうすると、本願発明５と引用発明とは、
「蛍光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有するアレイ基板の最表層に、前記複数の光電変換素子を覆うように成膜され、前記複数の光電変換素子によるパターン段差を平坦化させる保護膜を設ける工程と、
　前記保護膜上に、真空蒸着法により形成する工程と、
　前記シンチレータ層上に、反射層を形成する工程と、
　を具備する放射線検出器の製造方法。」である点で一致し、次の相違点３、４で相違する。
（相違点３）
　保護膜について、本願発明５は、熱可塑性樹脂であって、その形成が、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を前記熱可塑性樹脂の軟化点よりも高い温度にし、前記保護膜表面が軟化した状態で前記アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させるのに対し、引用発明の「シンチレータ下地層６」は「ポリイミド」からなり、その形成は、軟化点よりも高い温度で行われていない点。
（相違点４）
　反射層の形成について、本願発明５は、塗膜なのに対し、引用発明は、Ａｌ箔を用いている点。
　
（相違点３、４についての判断）
　まず、相違点３について、検討する。
　相違点２の検討で述べたように、引用発明において、「シンチレータ下地層６」の「ポリアミド」に代えて、熱可塑性樹脂を採用することについては阻害要因があるというべきであり、しかも、「シンチレータ層の成膜温度以下の軟化点を有し、表面が前記シンチレータ層の蒸着時に軟化状態にな」る「熱可塑性樹脂」を採用することで、「アレイ基板とシンチレータ層の密着力を向上させる」ことは、いずれの文献にも開示されていないから、上記相違点３は、引用文献１〜４、周知例１の記載からは、当業者が容易に予測し得ないものである。引用発明において、上記相違点３に係る本願発明５の発明特定事項を当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　
　よって、相違点４について検討するまでもなく、本願発明５は、引用発明、引用文献２〜４、周知例１の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　
（本願発明６、７について）
　本願発明６、７は、本願発明５をさらに限定するものであるから、本願発明５と同様に、引用発明、引用文献２〜４、周知例１の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
２．当審拒絶理由について
　請求項１〜４は、「放射性検出器の製造方法」に係る発明に補正されたため、当審拒絶理由は解消した。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由及び当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。