【事件の表示】
　特願２０１１−　９０６１４「薄膜太陽電池の製造方法、レーザ加工機」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月１５日出願公開、特開２０１２−２２７１８８、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年４月１５日の出願であって、平成２６年４月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２６日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年７月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１８日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、平成２７年２月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜３に係る発明（以下、本願の請求項１〜３に係る発明を、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明３」という。）は、平成２６年９月１８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１〜本願発明３は、それぞれその請求項１〜請求項３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基板上に第一の電極膜、非シリコン系発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池の製造方法であって、
　基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点が第一の電極膜の材料の融点よりも低く、
　発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際、前記第一の電極膜を殆ど透過しないレーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射することにより、発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。」
「【請求項２】
　第一の電極膜がモリブデンを含むものであり、
　発電層がＣＩＧＳ系、ＣＩＳ系またはカルコパイライト系の結晶構造を含むものである請求項１記載の薄膜太陽電池の製造方法。」
「【請求項３】
　基板上に第一の電極膜、非シリコン系発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池を製造する際に用いられるレーザ加工機であって、
　発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するための、基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜を殆ど透過しないレーザ光を、第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射することにより、沸点が第一の電極膜の融点よりも低い発電層のみ、または、沸点が第一の電極膜の融点よりも低い発電層及び第二の電極膜の両方を除去するレーザ光照射手段を具備するレーザ加工機。」
第３　原査定の理由の概要
　本願発明１〜本願発明３は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１〜引用文献３に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１：特許第４５６３４９１号公報
引用文献２：特開２００９−１７７１８６号公報
引用文献３：特開２００３−５３５５９号公報
参考文献：F. J. Pern et al.，All-laser scribing for thin-film CuInGaSe2 solar cells，CONFERENCE RECORD OF THE 35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE，２０１０年，pp.3479-3484
　引用文献１の段落【００３９】、【図１５】には、薄膜太陽電池基板の裏面からレーザ光を照射して、光電変換層９２を分離する溝９２１、又は、光電変換層９２及び透明電極膜９３を分離する溝９３１を形成する方法が開示されている。
　また、引用文献１の段落【００２１】には、上記光電変換層がＣＩＧＳ層であってもよいこと、及び、裏面電極膜９１がＭｏであってもよいことが開示されている。
　そして、上記光電変換層及び裏面電極膜の構成材料によれば、本願請求項１に記載された「第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点が第一の電極膜の材料の融点よりも低く」の要件が満たされることは明らかである。
　ここで、例えば引用文献２、３に開示されているように、下層にレーザ光を吸収させ、その際発生した熱により上層を除去する技術はよく知られた技術であるから、ＣＩＧＳ層及びＭｏ電極からなる構成においても、上記の引用文献１に開示された方法によって、分離溝９２１又は９３１が形成可能なことは、当業者には自明である（必要であれば、参考文献の第３４８１頁左欄第９〜１８行も参照されたい。ＣＩＧＳ系太陽電池の分離溝形成の際に、Ｍｏ層にレーザエネルギを吸収させることが開示されている。）。
　したがって、本願発明１〜本願発明３は、引用文献１〜３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　当審の判断
１　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に国内において頒布された刊行物である特許第４５６３４９１号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同様。）。
　
ア　「【発明を実施するための形態】
【００２１】
　本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。はじめに、
本実施形態のレーザ加工機１の用途の一つである、薄膜太陽電池の製造過程におけるレーザパターニング
薄膜太陽電池は、透明基板９に積層膜、即ち透明導電膜９１、非晶質半導体膜若しくは非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との積層膜９２、金属膜９３を製膜して製造する。他の種類のものとして、ＣＩＧＳ系太陽電池の場合には、Ｍｏ等の裏面電極膜９１、ＣＩＧＳ等の光電変換層９２、ＺｎＯ等の透明導電膜９３を製膜する。
【００２２】
　
製造の手順としては、まず基板９上に透明導電膜９１を製膜し、この透明導電膜９１に波長１０６４ｎｍのレーザビームを照射してこれを除去、分離溝９１１を形成する。次いで、透明導電膜９１上に半導体膜９２を製膜し、この半導体膜９２に波長５３２ｎｍのレーザビームを照射してこれを除去、分離溝９２１を形成する。分離溝９１１内には、半導体膜９２が入り込む。さらに、半導体膜９２上に金属膜９３を製膜し、半導体膜９２に波長５３２ｎｍのレーザビームを照射して半導体膜９２もろとも金属膜９３を除去、分離溝９３１を形成する。分離溝９２１内には、金属膜９３が入り込む。上述の工程を経て、分離溝９３１と分離溝９１１との間にあり分離溝９２１を介在させていない領域が光起電力素子として機能するものとなる。
【００２３】
　
本実施形態のレーザ加工機１は、薄膜太陽電池の製造工程において使用され、ガラス基板９の被加工面即ち上表面に製膜した透明導電膜９１、光電変換膜９２、裏面電極膜９３等にレーザ光を照射して分離溝９１１、９２１、９３１等のパターニングを行うものである。
イ　「【００３８】
　レーザ加工を実行するにあたっては、まず、
薄膜９１、９２、９３を製膜した被加工面を上にした基板９
【００３９】
　しかる後、
加工ノズル３を所要の加工部位に移動させてレーザ光を上向きに発射し、基板９を透過させて被加工面にある薄膜９１、９２、９３に照射する。具体的には、Ｘ軸ユニット３２２を前後方向に走行させながらパルスレーザを連続的に照射して、前後方向に延伸した分離溝９１１、９２１、９３１を薄膜９１、９２、９３に形成する。
ウ　図９及び図１５は以下のものである。
エ　上記ア【００２３】、上記イ【００３８】、【００３９】の記載に照らして図９を見ると、薄膜９１、９２、９３等を製膜した被加工面を上にした基板９の
裏側
オ　また、上記ア【００２２】には、「まず基板９上に透明導電膜９１を
製膜
レーザビームを照射
製膜
レーザビームを照射
製膜
レーザビームを照射
製膜
レーザビーム照射
各レーザビーム照射
（２）引用発明
ア　上記（１）ア乃至オより、引用例１には以下の発明（以下「引用発明１」及び「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
（ア）引用発明１
「透明基板９に、透明導電膜９１、非晶質半導体膜若しくは非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との積層膜である半導体膜９２、金属膜９３を製膜して製造する薄膜太陽電池の製造工程であって、
　まず基板９上に透明導電膜９１を製膜し、この透明導電膜９１を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長１０６４ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて透明導電膜９１に照射してこれを除去、分離溝９１１を形成し、次いで、透明導電膜９１上に半導体膜９２を製膜し、この半導体膜９２を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射してこれを除去、分離溝９２１を形成し、さらに、半導体膜９２上に金属膜９３を製膜し、この金属膜９３を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射して、半導体膜９２もろとも金属膜９３を除去、分離溝９３１を形成する、薄膜太陽電池の製造工程。」
（イ）引用発明２
「透明基板９に、透明導電膜９１、非晶質半導体膜若しくは非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との積層膜である半導体膜９２、金属膜９３を製膜して製造する薄膜太陽電池の製造工程において使用されるレーザ加工機１であって、
　まず、透明導電膜９１を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長１０６４ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて透明導電膜９１に照射してこれを除去、分離溝９１１を形成し、次いで、透明導電膜９１上に半導体膜９２を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射してこれを除去、分離溝９２１を形成し、さらに、半導体膜９２上に金属膜９３を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射して、半導体膜９２もろとも金属膜９３を除去、分離溝９３１を形成する、レーザ加工機１。」
イ　
（ア）この点、引用例１の上記（１）ア【００２２】段落以下に記載されている「製造の手順」では、「まず基板９上に
透明導電膜９１
透明導電膜９１
透明導電膜９１
（イ）しかしながら、同【００２１】段落において引き続き記載された、「他の種類のものとして」の「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」には、「
Ｍｏ等の裏面電極膜９１
Ｍｏ等の裏面電極膜９１
透明導電膜９１
（ウ）さらに、引用例１の明細書及び図面全体をみても、前記「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」において、基板９の裏側の加工ノズル３から発射したレーザビームを用いて分離溝９２１または９３１を形成することが可能となるようなレーザビームの具体的な照射手法について何ら開示されていない。
（エ）そうすると、引用例１には、前記「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」において、基板９の裏側の加工ノズル３から発射したレーザビームを用いて分離溝９２１または９３１を形成することが記載されているとはいえず、したがって、「第３　原査定の理由の概要」において述べられているように「・・・引用文献１の段落【００２１】には、上記光電変換層がＣＩＧＳ層であってもよいこと、及び、裏面電極膜９１がＭｏであってもよいことが開示されている。」とはいえない。
（３）引用例２
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００９−１７７１８６号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【００２０】
　
前側電極層
例えば酸化すず（ＳｎＯ
２
）などの導電性の金属酸化物
透明であること
レーザの発する赤外放射の少なくとも一部、好ましくは少なくとも０．５％、とくには少なくとも２％を吸収すること
イ　「【００２３】
　
半導体層
シリコン
テルル化カドミウムなどといった他の半導体
ウ　「【００３５】
　図１によれば、
光起電モジュール１
ガラス板などの透明な基板２
透明な前側電極層３
半導体薄膜層４
後ろ側電極層５
エ　「【００４０】
　図２ｆが、隣り合う２つのセルの直列接続を、図１によるセルＣ１およびＣ２の例によって示している。図２ａ〜２ｆによれば、直列接続されたセルＣ１およびＣ２は、以下のように製造される。
【００４１】
　前側電極層３で覆われたガラス基板２から出発して、分割線６が、例えば酸化すずで構成されている前側電極層３をパターン加工するために、例えば１０６４ｎｍの波長を有するＮｄ：ＹＶＯ４またはＮｄ：ＹＡＧレーザなど、赤外放射を発するレーザ１４のレーザビーム１３の焦点を合わせることによって形成される。これは、前側電極層３がこの波長のレーザ放射を吸収することで、融解または気化することによって生じる。
【００４２】
　図２ａにおいては、レーザビーム１３が、ガラス基板３を介して前側電極層３へと向けられている。しかしながら、前側電極層３のパターン加工を、反対側から、すなわち前側電極層３へと直接向けられたレーザビームで行うことも可能である。
【００４３】
　このように形成されてパターン加工された図２ｂによる
前側電極層３
例えばシリコンで構成される半導体薄膜層４
【００４４】
　図２ｃに示されているように、例えば１０６４ｎｍの波長を有するＮｄ：ＹＡＧまたはＮｄ：ＹＶＯ４レーザなど、同じ赤外放射を発するレーザ１４が、半導体層４をパターン加工するために使用される。
このレーザが、
図２ｃにガラス基板２の下方に配置されたレーザ１３（審決注：「レーザ１４」の誤記と認められる。）によって示されているようにガラス基板２を介して、半導体層４をパターン加工すべく分割線７を形成すべき領域において、２つの層３および４へと向けられ、すなわち合焦される。
【００４５】
　
半導体層４は、この波長の放射をまったく吸収せず、あるいはきわめて少ししか吸収しないが、下方に位置する前側電極層３によるレーザ１４のレーザ放射１３の吸収が存在し、したがって前側電極層３が高温になる。その結果、より熱的に不安定である半導体層４が焼失、またはいずれにせよ除去されて、分割線７が形成され、分割線７の領域において前側電極層３が露出される。
【００４６】
　次いで、パターン加工済みの前側電極層３およびパターン加工済みの半導体薄膜層４で覆われた図２ｄによるガラス基板２に、例えば金属で構成される後ろ側電極層５が、例えばスパッタ法によって成膜される。
【００４７】
　
後ろ側電極層５をパターン加工するために、
同じＩＲ放射を発するレーザ１４
このレーザが、後ろ側電極層５をパターン加工すべく分割線８を形成すべき領域において、ガラス基板２を介して層３、４、５へと向けられ、すなわち合焦される。
【００４８】
　半導体層４は、この波長の放射をまったく吸収せず、あるいはきわめて少ししか吸収しないが、下方に位置する前側電極層３によるレーザ１４のレーザ放射１３の吸収が存在し、したがって前側電極層３が高温になる。その結果、より熱的に不安定である半導体層４が焼失、またはいずれにせよ除去されて、分割線７が形成され、分割線７の領域において前側電極層３が露出される。前側電極層３の損傷を避けるため、レーザ１４の出力は、このプロセスの際に相応に小さくされる。
【００４９】
　
後ろ側電極層５が、この波長の一部分しか吸収せず、半導体層４は、この波長の放射をまったく吸収せず、あるいはきわめて少ししか吸収しないが、半導体層４の下方の前側電極層３によるレーザ１４のレーザ放射１３の吸収が存在し、したがって前側電極層３が高温になる。その結果、より熱的に不安定である半導体層４および半導体層４の上方の後ろ側電極層５が、この領域において焼失、またはいずれにせよ除去されて、後ろ側電極層５の分割線８および分割線８と同一面である半導体層４のさらなる分割線９が形成される。
オ　図１、図２ａ乃至図２ｆは以下のものである。
カ　上記ア乃至オより、引用例２には以下の事項が記載されているといえる。
「ガラス板などの透明な基板２上に、透明な前側電極層３、半導体薄膜層４、および後ろ側電極層５が、重ねて堆積させられている、光起電モジュール１の製造方法であって、
　透明な前側電極層３は、例えば酸化すず（ＳｎＯ２）などの導電性の金属酸化物で構成することができ、レーザの発する赤外放射の少なくとも一部、好ましくは少なくとも０．５％、とくには少なくとも２％を吸収し、
　半導体薄膜層４は、シリコンあるいは例えばテルル化カドミウムなどといった他の半導体で構成することができ、
　ガラス基板２の下方に配置されたレーザ１４のレーザ放射１３が、ガラス基板２を介して、半導体層４をパターン加工すべく分割線７を形成すべき領域において、２つの層３および４へと向けられ、すなわち合焦され、半導体層４は、この波長の放射をまったく吸収せず、あるいはきわめて少ししか吸収しないが、下方に位置する前側電極層３によるレーザ１４のレーザ放射１３の吸収が存在し、したがって前側電極層３が高温になり、その結果、より熱的に不安定である半導体層４が焼失、またはいずれにせよ除去されて、分割線７が形成され、分割線７の領域において前側電極層３が露出され、
　同じＩＲ放射を発するレーザ１４が、後ろ側電極層５をパターン加工すべく分割線８を形成すべき領域において、ガラス基板２を介して層３、４、５へと向けられ、すなわち合焦され、後ろ側電極層５が、この波長の一部分しか吸収せず、半導体層４は、この波長の放射をまったく吸収せず、あるいはきわめて少ししか吸収しないが、半導体層４の下方の前側電極層３によるレーザ１４のレーザ放射１３の吸収が存在し、したがって前側電極層３が高温になり、その結果、より熱的に不安定である半導体層４および半導体層４の上方の後ろ側電極層５が、この領域において焼失、またはいずれにせよ除去されて、後ろ側電極層５の分割線８および分割線８と同一面である半導体層４のさらなる分割線９が形成される、
　光起電モジュール１の製造方法。」
（４）引用例３
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−５３５５９号公報（以下「引用例３」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
ア　「【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明する。
（第１の実施形態）本発明の第１の実施形態を図１に示す。図１は
パターン形成方法
１は
金属箔若しくはテープ
基材
前記基材１には所望の膜２がコーティングされている。膜２は、
基材１が金属箔若しくはテープ、又は樹脂膜、箔若しくはテープであれば樹脂膜が使用されることが多い。
基材１が金属箔若しくはテープの場合には、レーザ５を照射した時、レーザの熱を金属箔若しくはテープが吸収して樹脂膜（膜２）が溶融し、パターン形成対象物３に付着し（図１（ａ））、膜パターン４がパターン形成対象物３に形成されるものである（図１（ｂ））。
イ　図１（ａ）及び図１（ｂ）は以下のものである。
ウ　上記アの記載に照らして図１（ａ）および図１（ｂ）を見ると、基材１の樹脂膜２とは反対側から、レーザ５を基材１に照射することが理解できる。
エ　上記ア乃至ウより、引用例３には以下の事項が記載されているといえる。
「樹脂膜２がコーティングされ、金属箔若しくはテープからなる基材１に、レーザ５を、基材１の樹脂膜２とは反対側から照射し、レーザ５の熱を金属箔若しくはテープからなる基材１が吸収して樹脂膜２が溶融し、パターン形成対象物３に付着し、膜パターン４がパターン形成対象物３に形成される、パターン形成方法。」
（５）引用例４
　平成２７年２月２６日付け拒絶査定において参考文献として挙げられた、本願の出願前に外国において頒布された刊行物である、　F. J. Pern et al.，All-laser scribing for thin-film CuInGaSe2 solar cells，CONFERENCE RECORD OF THE 35TH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE，２０１０年，pp.3479-3484　（以下「引用例４」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（なお、当審による訳文を括弧書きで付した。）。
ア　「INTRODUCTION
Thin-film photovoltaic CuInGaSe2 (CIGS) modules can be fabricated with monolithic integration using a scribing approach or with cell assembly similar to that for screenprinted crystalline Si cells. Although the latter is gaining popularity, especially for flexible CIGS modules, the all-laser-scribing approach can offer certain all-in-line advantages in terms of module manufacturing.・・・（後略）・・・」（３４７９頁左欄第２段落第１〜７行）
（導入　　薄膜光起電力CuInGaSe2 (CIGS)モジュールは、スクライビング（引っ掻き）アプローチを用いたモノリシック集積化、または、スクリーン印刷された複数の結晶シリコンセルに対して用いられるのと同様のセル集積化によって、製造することができる。後者が普及しているものの、特にフレキシブルなＣＩＧＳモジュールのためには、全レーザースクライビングのアプローチが、モジュール製造の観点から、所定のオール・イン・ラインの利点を提供することができる。）
イ「EXPERIMENTAL
・・・（前略）・・・ Figure 1 shows the typical component layers, thicknesses and the desired three scribe lines and a cross-section scanning electron microscope (SEM) image of NREL's high-efficiency CIGS solar cells. As depicted in Fig.1, the practice P1 samples were made of 〜0.8-μm Mo with a bilayer feature sputter-deposited on 2-mm-thick soda-lime glass (SLG). For P2 samples, typical layers of 1.5〜2-μm CIGS by NREL's 3-stage thermal co-evaporation, 〜0.07-μm CdS by chemical-bath deposition (CBD), and 0.10-μm intrinsic-ZnO by sputtering were sequentially deposited, resulting in a structure of SLG/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO. （審決注：表記の都合上、左上の始点と右下の終点を結ぶ斜線記号を、右上の始点と左下の終点を結ぶ斜線記号「/」に置き換えた。）A final layer of 0.12-μm 2% Al-doped ZnO was sputtered on top of the P2 structure, completing the P3 samples. A PyroFlexTM 25 Yb-doped optical fiber laser was employed to perform the scribing at 1064 nm using programmable pulse shape, train, and intensity with duration varying from 2 to 250 ns at a repetition rate up to 500 kHz.」（３４７９頁右欄下から７行目〜３４８０頁左欄第１１行）
（実験　　図１は、ＮＲＥＬの高効率ＣＩＧＳ太陽電池の典型的な構成層、層厚、要求される３本のスクライブ（引っ掻き）線および走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面像を示す。図１において描かれているように、「実行」Ｐ１サンプルは、２ｍｍ厚のソーダライムガラス（ＳＬＧ）上に２層式でスパッタ堆積された約０．８μｍのＭｏによって作製された。Ｐ２サンプルのために、ＮＲＥＬの３段階熱共蒸着による１．５〜２μｍのＣＩＧＳ、化学浴析出法（ＣＢＤ）による約０．０７μｍのＣｄＳ、およびスパッタリングによる０．１０μｍの真性−ＺｎＯからなる、典型的な積層体が、引き続き堆積され、その結果、ＳＬＧ／Ｍｏ／ＣＩＧＳ／ＣｄＳ／ｉ−ＺｎＯの構造が得られた。Ｐ２構造の頂上に０．１２μｍの２％ＡｌドープされたＺｎＯの最終層がスパッタされ、Ｐ３サンプルが完成した。PyroFlexTM Ｙｂドープされた光ファイバレーザを採用することにより、プログラム可能なパルスの形状、列、および強度を用い、最大５００ｋＨｚまでの繰り返しレートにおいて２から２５０ｎｓまでパルス持続時間を変化させて、波長１０６４ｎｍにおけるスクライビングを実行した。）
ウ「
P2 Scribe
（
Ｐ２　スクライブ
エ　図１は以下のものである。
オ　上記ア乃至エより、引用例４には以下の事項が記載されているといえる。
「２ｍｍ厚のソーダライムガラス（ＳＬＧ）上に、約０．８μｍのＭｏ、１．５〜２μｍのＣＩＧＳ、約０．０７μｍのＣｄＳ、０．１０μｍの真性−ＺｎＯが堆積された、ＳＬＧ／Ｍｏ／ＣＩＧＳ／ＣｄＳ／ｉ−ＺｎＯのＰ２構造の頂上に、０．１２μｍの２％ＡｌドープされたＺｎＯの最終層がスパッタされ、Ｐ３サンプルが完成する、ＣＩＧＳ太陽電池において、Ｐ２スクライビングステップは、Ｍｏ表面からの、全体の厚さ約２μｍのｉ−ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳの除去を必要とし、これを適切にスクライブする（引っ掻く）ためには、レーザ光がＭｏ上に当たることができるように、ｉ−ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ多層膜はレーザ光に対して透明でなければならないこと。」
２　対比・判断
（１）本願発明１と引用発明１との対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
ア　引用発明１の「透明基板９に、透明導電膜９１、非晶質半導体膜若しくは非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との積層膜である半導体膜９２、金属膜９３を製膜して製造する、薄膜太陽電池の製造工程」と、本願発明１の「基板上に第一の電極膜、非シリコン系発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池の製造方法」とは、「基板上に第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池の製造方法」の点で一致する。
イ　引用発明１では、「まず基板９上に透明導電膜９１を製膜し」「透明導電膜９１上に半導体膜９２を製膜」するところ、半導体膜９２がその材料、組成に応じた所定値の沸点を有することは明らかであるから、引用発明１と本願発明１とは、「基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点」が所定の値である点で一致する。
ウ　引用発明１の「この半導体膜９２を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射してこれを除去、分離溝９２１を形成」すること、または「この金属膜９３を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射して、半導体膜９２もろとも金属膜９３を除去、分離溝９３１を形成する」ことと、本願発明１の「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際、前記第一の電極膜を殆ど透過しないレーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射することにより、発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去する」こととは、「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際、レーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射することにより、発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去する」点で一致する。
エ　以上をまとめると、本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
「基板上に第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池の製造方法であって、
　基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点が所定の値であり、
　発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際、レーザ光を第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射することにより、発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。」
＜相違点１＞
　「発電層」に関して、本願発明１では「非シリコン系」であるのに対し、引用発明１ではそのような特定がなされていない点。
　
＜相違点２＞
　「基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点」に関して、本願発明１では、当該沸点が「第一の電極膜の材料の融点よりも低」いのに対し、引用発明１では、当該沸点が所定の値であるものの、「第一の電極膜の材料の融点よりも低」いことまでは特定されていない点。
＜相違点３＞
　「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際」に用いられる「レーザ光」に関して、本願発明１では「前記第一の電極膜を殆ど透過しない」のに対し、引用発明１では、そのようなものではない点。
＜相違点４＞
　「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際」に「第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射」した「レーザ光」を、本願発明１では、「第一の電極膜」に照射するのに対して、引用発明１では、「発電層」に相当する半導体膜９２に照射する点。
（２）本願発明１についての判断
　相違点１〜相違点４について検討する。
　本願発明１は、「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際」に用いられる「レーザ光」が「第一の電極膜を殆ど透過しない」（上記＜相違点３＞を参照）ような当該「第一の電極膜」に重ねて製膜される「非シリコン系」発電層（上記＜相違点１＞を参照）の「沸点」が「第一の電極膜の材料の融点よりも低」い（上記＜相違点２＞を参照）ことを用い、「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際」に「第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射」した「レーザ光」を「第一の電極膜」に照射する（上記＜相違点４＞を参照）ことにより、本願明細書の【０００９】、【００１９】段落等に記載のとおり、「レーザ光」の照射を受けた「第一の電極膜」が加熱され、この熱が「発電層」に伝わって「発電層」が加熱され、「発電層」の材料を一部分解・気化させて「発電層」を除去し、もって、「発電層のみまたは発電層及び第二の電極膜の両方を除去する」ものである。
　このように、相違点１〜相違点４は相互に関連するので、まとめて検討する。
ア　
（ア）引用例２には、上記１（３）カで述べた事項が記載されており、「半導体層４は、この波長の放射をまったく吸収せず、あるいはきわめて少ししか吸収しないが、下方に位置する前側電極層３によるレーザ１４のレーザ放射１３の吸収が存在し、したがって前側電極層３が高温になり、その結果、より熱的に不安定である半導体層４が焼失、またはいずれにせよ除去されて、分割線７が形成され」るものであるところ、引用例２における「前側電極層３」は「透明」であって、「レーザの発する赤外放射の少なくとも一部、好ましくは少なくとも０．５％、とくには少なくとも２％を吸収」するに過ぎず、「前側電極層３」における「レーザ放射１３」の透過率は相当程度高いと認められるから、本願発明１のように、「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するレーザ加工工程の際」に用いられる「レーザ光」が「第一の電極膜を殆ど透過しない」（上記＜相違点３＞を参照）とはいえない。
（イ）また、引用例２には、「前側電極層３」の材料の例として酸化すず（ＳｎＯ２）が、「半導体薄膜層４」の材料の例としてシリコンまたはテルル化カドミウムが、それぞれ挙げられているが、酸化すず（ＳｎＯ２）の融点は１１２７℃である一方、シリコンの沸点は２３５７℃、テルル化カドミウムの沸点は１１３０℃であることから、「半導体薄膜層４」の材料の沸点が「前側電極層３」の材料の融点よりも高いことになる。したがって、本願発明１のように、「基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜に重ねて製膜される発電層の材料の沸点」が「第一の電極膜の材料の融点よりも低」い（上記＜相違点２＞を参照）とはいえない。
（ウ）よって、引用発明１において、引用例２に開示の技術を組合わせたとしても、本願発明１の相違点２及び相違点３に係る構成を導くことはできない。
（エ）また、上記（ア）で述べたとおり、引用例２では、「前側電極層３」における「レーザ放射１３」の透過率は相当程度高いと認められるのに対して、引用例１の【００２１】段落に記載された「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」（上記１（２）イにおける検討を参照）には、Ｍｏ等の裏面電極膜９１の透過率はきわめて低いと考えられることから、引用例２に開示の技術を参酌しても、引用発明１の製造方法を、引用例１の【００２１】段落に記載された「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」に適用しようとする動機付けとなるものではない。
イ
（ア）次に、引用例３には、上記１（４）エで述べた事項が記載されているところ、引用例３は、パターン形成対象物３上に所望の膜パターン４を形成することを目的とするものであって、引用例１のように、基板上に第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜が積層されてなる太陽電池の製造に関するものではない。
（イ）また、引用例３において、金属からなる基材１にレーザ光を照射し、基材１によりレーザ光が吸収されることにより発生した熱によって、基材１上の樹脂膜２が溶融、除去されるとしても、基材１はレーザ光を吸収する性質を有するものであって、かつ、溶融、除去されるのは「樹脂」膜である。これに対して、引用発明１における「透明導電膜９１」はレーザ光を吸収する性質を有するものではなく、かつ、除去される「半導体膜９２」は「半導体」膜であるから、引用発明１に引用例３に開示の技術を組合わせようとすることが技術的にみて合理的であるとはいえない。
（ウ）よって、引用発明１において、引用例３に開示の技術を組合わせる動機付けがなく、引用発明１とともに引用例３に開示の技術を参酌したとしても、本願発明１の相違点１乃至４に係る構成を導くことはできない。
（エ）また、上記（イ）で述べたとおり、引用例３では、溶融、除去されるのは「樹脂」膜であるのに対して、引用例１の【００２１】段落に記載された「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」（上記１（２）イにおける検討を参照）には、分離溝を形成するために部分的に除去すべき光電変換層は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅからなる「ＣＩＧＳ」層であるから、引用例３に開示の技術を参酌しても、引用発明１の製造方法を、引用例１の【００２１】段落に記載された「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」に適用しようとする動機付けとなるものではない。
ウ
（ア）次に、引用例４には、上記１（５）オで述べた事項が記載されているところ、「レーザ光がＭｏ上に当たることができるように、ｉ−ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ多層膜はレーザ光に対して透明でなければならない」ことからみて、基板上に製膜された積層膜（Ｍｏ電極膜およびｉ−ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ多層膜）の側からレーザ光を照射し、ｉ−ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ多層膜からなる発電層を透過したレーザ光が、Ｍｏ電極膜上に当たるものと認められる。そして、レーザ光が当たったＭｏ電極膜が加熱され、この熱が、ｉ−ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ多層膜からなる発電層に伝わり、当該発電層が加熱され、Ｍｏ電極膜の表面から除去されるものと認められる。
（イ）しかしながら、上述のとおり、引用例４では、基板上に製膜された積層膜の側からレーザ光を照射するのであって、基板の積層膜が製膜される側とは反対側から基板母材越しにレーザ光を第一の電極膜に照射する引用発明１とは、レーザ光の照射方向が異なることから、引用例４に開示の技術を参酌しても、引用発明１の製造方法を、引用例１の【００２１】段落に記載された「ＣＩＧＳ系太陽電池の場合」（上記１（２）イにおける検討を参照）に適用しようとする動機付けとなるものではない。
（ウ）よって、引用例４に開示の技術を参酌しても、本願発明１の相違点１乃至４に係る構成を導くことはできない。
エ　したがって、本願発明１は、当業者が引用発明１および引用例１乃至４に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）本願発明２についての判断
　本願発明２は、本願発明１をさらに限定したものであるので、本願発明１と同様に、当業者が引用発明１および引用例１乃至４に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（４）本願発明３と引用発明２との対比
　本願発明３と引用発明２とを対比する。
ア　引用発明２の「透明基板９に、透明導電膜９１、非晶質半導体膜若しくは非晶質半導体膜と微結晶半導体膜との積層膜である半導体膜９２、金属膜９３を製膜して製造する薄膜太陽電池の製造工程において使用されるレーザ加工機１」と、本願発明３の「基板上に第一の電極膜、非シリコン系発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池を製造する際に用いられるレーザ加工機」とは、「基板上に第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池を製造する際に用いられるレーザ加工機」の点で一致する。
イ　本願発明３の「発電層」は、その「沸点」が「第一の電極膜の融点よりも低い」ものであるところ、引用発明２の「半導体膜９２」がその材料、組成に応じた所定値の沸点を有することは明らかであるから、引用発明２と本願発明３とは、「発電層」の沸点が所定の値である点で一致する。
ウ　上記イを踏まえると、引用発明２の「透明導電膜９１上に半導体膜９２を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射してこれを除去、分離溝９２１を形成し、さらに、半導体膜９２上に金属膜９３を製膜した被加工面を上にした基板９の裏側の加工ノズル３から波長５３２ｎｍのレーザビームを上向きに発射し、基板９を透過させて半導体膜９２に照射して、半導体膜９２もろとも金属膜９３を除去、分離溝９３１を形成する」ことと、本願発明３の「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するための、基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜を殆ど透過しないレーザ光を、第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射して第一の電極膜に照射することにより、沸点が第一の電極膜の融点よりも低い発電層のみ、または、沸点が第一の電極膜の融点よりも低い発電層及び第二の電極膜の両方を除去するレーザ光照射手段を具備する」こととは、「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するためのレーザ光を、第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射することにより、沸点が所定の値である発電層のみ、または、沸点が所定の値である発電層及び第二の電極膜の両方を除去するレーザ光照射手段を具備する」点で一致する。
エ　以上をまとめると、本願発明３と引用発明２との一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
「基板上に第一の電極膜、発電層及び第二の電極膜が積層されてなる薄膜太陽電池を製造する際に用いられるレーザ加工機であって、
　発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するためのレーザ光を、第一の電極膜及び発電層が製膜される面の裏側から基板母材越しに照射することにより、沸点が所定の値である発電層のみ、または、沸点が所定の値である発電層及び第二の電極膜の両方を除去するレーザ光照射手段を具備するレーザ加工機。」
＜相違点１＞
　「発電層」に関して、本願発明３では「非シリコン系」であるのに対し、引用発明２ではそのような特定がなされていない点。
　
＜相違点２＞
　「発電層」の「沸点」に関して、本願発明３では、当該沸点が「第一の電極膜の融点よりも低い」のに対し、引用発明２では、当該沸点が所定の値であるものの、「第一の電極膜の融点よりも低い」ことまでは特定されていない点。
＜相違点３＞
　「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するための」「レーザ光」に関して、本願発明３では「基板母材の一方の表面に製膜される第一の電極膜を殆ど透過しない」のに対し、引用発明２では、そのようなものではない点。
＜相違点４＞
　「発電層をセル単位に分割する分離溝を形成するための」「レーザ光」を、本願発明３では、「第一の電極膜」に照射するのに対して、引用発明２では、「発電層」に相当する半導体膜９２に照射する点。
（５）本願発明３についての判断
　上記＜相違点１＞乃至＜相違点４＞に係る本願発明３が有する構成は、上記（１）エで検討した＜相違点１＞乃至＜相違点４＞に係る本願発明１が有する構成と同様のものである。
　したがって、上記（２）で述べたのと同様の理由により、本願発明３は、当業者が引用発明２および引用例１乃至４に記載された事項に基いて容易に発明をすることができたとはいえない。
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１および２に係る発明は、当業者が引用発明１および引用例１乃至４に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものではなく、また、本願の請求項３に係る発明は、当業者が引用発明２および引用例１乃至４に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。