【事件の表示】
　特願２０１０−５２５４７１「コリメータ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月２６日国際公開、ＷＯ２００９／０３７６３２、平成２２年１２月２４日国内公表、特表２０１０−５４１１９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００８年９月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年９月２０日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、平成２５年２月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１６日に手続補正がなされ、同年８月２２日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月２８日に手続補正がなされ、同年３月６日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１２日に手続補正がなされて特許請求の範囲の補正がなされたが、同年９月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年１月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものであって、当該補正は、補正前の請求項３を新たな請求項１とすることを含むものであり、実質的に請求項の削除を目的とするものと認められる。
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２７年１月２９日付け手続補正後の特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載される事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のものである。
　
「LEDパッケージの一部として使われるコリメータであって、当該コリメータは、
- 光を集め、及び/又は反射させ、及び/又は集束させる、コリメータ本体と、
- 前記コリメータ本体に設けられた上部面であって、水平面を規定している上部面と、
- 前記コリメータ本体に設けられた反射面であって、前記水平面に対して少なくとも部分的に角度がつけられた、少なくとも一つの反射面と、
を有し、当該角度αは、70°≦α≦110°であり、
　前記コリメータ本体は、光を発する前面を有する発光部を受け入れるための凹部を有し、前記前面はLEDによって照明され、アセンブリされた状態では、前記反射面が前記前面の高さよりも下に少なくとも部分的に延在するよう、当該発光部が前記凹部によって受け入れられており、
　前記反射面が前記凹部によって供され、当該凹部は、出光開口部を前記コリメータ本体の前記上部面に面一で有し、
　アセンブリされた状態で、前記出光開口部の面積の、前記前面の面積の総和に対する比rが0.95≦r≦1.50であるコリメータにおいて、
　前記反射面が、より低い高さにある第1のエリアと、より高い高さにある第2のエリアとを有し、第1のエリアの角度αは第2のエリアの角度αとは異なり、第1のエリアの角度αは第2のエリアの角度αよりも小さい、
コリメータ。」
　　
２．引用例
（１）引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００６／０１２８４２号（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（ドイツ語原文のａ、ｏ、ｕのウムラウトは、それぞれａｅ、ｏｅ、ｕｅで代替表記した。また、βに似たエスツェットはｓｓで代替表記した。なお、日本語訳及び下線は当審による。）。
　
　ア　「Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Bauelement bereitzustellen, das eine kompakte Anordnung von Halbleiterchips ermoglicht und das insbesondere eine Abstrahlcharakteristik aufweist, die fur Scheinwerferapplikationen wie beispielsweise Automobilscheinwerfer geeignet ist, bei denen eine hohe Leuchtdichte, ein enger Abstrahlwinkel und eine wohldefinierte, spezielle Form des Abstrahlkegels erforderlich ist.
 
Diese Aufgabe wird durch ein Bauelement gemaess Anspruch 1 geloest. Vorteilhafte Ausfuehrungsformen und bevorzugte Weiterbildungen des Bauelements sind Gegenstand der abhaengigen Patentansprueche.
Erfindungsgemaess ist bei einem Bauelement der eingangs genannten Art eine grabenartige Kavitaet ausgebildet, wobei in der Kavitaet eine Mehrzahl von Halbleiterchips in einer linienfoermigen Anordnung angeordnet sind.
 
Durch die linienfoermige Anordnung der Halbleiterchips kann man eine Form eines von dem Bauelement emittierten Strahlungskegels erreichen, die fuer viele Anwendungen vorteilhaft ist. So ist es moeglich, dass ein Querschnitt des Strahlungskegels eine relativ grosse Laenge und eine verglichen damit kleine Breite aufweist, was z.B. fuer die Anwendung in Autoscheinwerfern vorteilhaft ist, bei denen vertikal ein relativ kleiner Raumwinkel, horizontal jedoch die Fahrbahn in ihrer vollen Breite, d.h. ein relativ grosser Raumwinkel ausgestrahlt werden soll.
 
Bei dem Bauelement weisen zwei benachbarte Halbleiterchips zueinander vorteilhafterweise einen Abstand auf, der kleiner als oder gleich dem 1,5-fachen der lateralen Kantenlaenge der Halbleiterchips und groesser als oder gleich 0 μm ist. Durch die enge Anordnung der Halbleiterchips eignet sich das Bauelement zur Erzeugung eines moeglichst homogenen Strahlungskegels, der in einen moeglichst engen Raumwinkel emittiert wird, so dass eine moeglichst hohe Strahlungsintensitat auf eine moeglichst kleine Flaeche projiziert werden kann. Unter einer lateralen Kantenlaenge ist ein Abstand einander gegenueber liegender Chipkanten der Halbleiterchips zu verstehen, der in Richtung der Anordnung der Halbleiterchips gemessen ist.
 
Bevorzugt weisen die benachbarten Halbleiterchips zueinander einen Abstand von kleiner als oder gleich 300 μm, besonders bevorzugt von kleiner als oder gleich 100 μm und groesser als oder gleich 0 μm auf.
 
Zweckmaessigerweise sind die Halbleiterchips auf einer gedruckten Leiterplatte (PCB) oder auf einem Leiterrahmen angeordnet.
 
Mit besonderem Vorteil weist der Gehaeuusekoerper auf einer Seite entlang der Anordnung der Halbleiterchips eine die Kavitaet begrenzende Innenwand auf, wobei zumindest ein Abschnitt der Innenwand als eine Blendenwand ausgebildet ist, die fuer mindestens einen Spektralbereich der elektromagnetischen Strahlung reflektierend ist. Durch eine derartige Blendenwand kann die Emission der Strahlung in einen unerwuenschten Raumbereich unterdrueckt werden. 
Hierzu verlaeuft die Blendenwand zweckmaessigerweise im wesentlichen in einem Winkel von groesser als oder gleich 80° und kleiner als oder gleich 110° zu einer Montageebene der Halbleiterchips
 
Die Halbleiterchips sind mit Vorteil in einem Abstand von kleiner als oder gleich 1 mm, bevorzugt von kleiner als oder gleich 500 μm, besonders bevorzugt von kleiner als oder gleich 150 μm und groesser als oder gleich 0 mm zu der Blendenwand angeordnet. 
Durch einen geringen Abstand der Halbleiterchips zu der Blendenwand trifft ein Teil des Strahlungskegels mit einer relativ hohen Strahlungsdichte auf die Blendenwand, so dass eine effektive Abschirmung erzielt werden kann, mit der gleichzeitigen Moeglichkeit, die Strahlung zu einem niederdivergenten Strahlungskegel von hoher Strahlungsdichte zu formen. 
（本発明の課題は、次のような素子を提供することである。すなわち、半導体チップのコンパクトな配置を実現し、とりわけ、たとえば自動車ヘッドライト等の投光器のアプリケーションに適しており、高い照明密度と狭い放射角度とが必要とされ、放射円錐の形状が特別であり良好に定義されている必要があるアプリケーションに適している放射特性を有する素子を提供することである。
　
　前記課題は、請求項１記載の素子によって解決される。従属請求項に、素子の有利な実施形態および有利な発展形態が記載されている。　
　本発明によれば、冒頭に述べた形式の素子においてトレンチ状の空洞を形成し、この空洞内に複数の半導体チップを、線形配置で配置する。
　半導体チップのこのような線形配列により、素子によって放出される放射円錐の形状が、多くの用途に有利な形状になる。放射円錐の断面の長さを比較的長くし、該断面の幅を長さと比較して小さくすることができる。このことはたとえば、自動車ヘッドライトでの用途に有利である。このような用途では、垂直方向に比較的小さい空間角度に放射し、かつ水平方向に走行路を全幅で放射しなければならない。すなわち、比較的大きな空間角度に放射しなければならない。
　
　このような素子では、２つの隣接する半導体チップは相互間で、有利には次のような間隔を有する。すなわち、横方向の側縁長の１．５倍以下であり、かつ０μｍ以上である間隔を有する。半導体チップをこのように密に配置することにより、素子は、可能な限り狭い空間角度で放出される可能な限り均質の放射円錐を生成するのに適するようになり、可能な限り高い放射強度で可能な限り小さい面積に投射できるようになる。横方向の側縁長とは、半導体チップの配置方向に測定される、該半導体チップの相互に対向するチップ側縁の間隔を指す。
　
　有利には、隣接する半導体チップの相互間の間隔は３００μｍ以下であり、特に有利には１００μｍ以下であり、かつ０μｍ以上である。
　
　目的に適っているのは、半導体チップをプリント配線基板（ＰＣＢ）または導体フレームに配置することである。
　
　特に有利にはケーシングボディは、半導体チップの配置に沿った１つの側で、空洞を制限する内壁を有する。ここでは、内壁の少なくとも一部分は反射壁として形成される。この反射壁は、電磁放射の少なくとも１つのスペクトル領域に対して反射性である。このような反射壁により、不所望の空間領域への放射の放出が抑圧される。
こうするためには反射壁は、半導体チップの取り付け面に対して実質的に８０°以上かつ１１０°以下の角度で延在するのが目的に適っている
　
　半導体チップは有利には、反射壁との間に１ｍｍ以下の間隔で、有利には５００μｍ以下の間隔で、特に有利には１５０μｍ以下の間隔で、かつ０ｍｍ以上の間隔で配置される。
半導体チップと反射壁との間の間隔を小さくすることにより、放射円錐の一部が比較的高い放射密度で該反射壁に当たり、効率的な遮蔽が実現されると同時に、放射を、高い放射密度の低発散の放射円錐にすることができる
　
　イ　「
Das in Figur 1 dargestellte Bauelement weist einen Gehaeusekoerper 2 auf, der einen Traeger 21 und einen Rahmen 22 umfasst. Der Rahmen 22 weist Innenwaende 5 auf, die eine Kavitaet 50 begrenzen. In der grabenartig ausgebildeten Kavitaet 50 ist eine Mehrzahl von Halbleiterchips 4, beispielsweise fuenf Stueck, in einer linienfoermigen Anordnung angeordnet.
　
Die Innenwaende 5 weisen einen relativ geringen Abstand zu den Halbleiterchips 4 auf, wobei dieser Abstand beispielsweise kleiner als oder gleich einer lateralen Kantenlaenge der Halbleiterchips 4 ist. Entsprechend weist der Boden 54 der Kavitaet 50 eine relativ geringe Flaeche auf und hat beispielsweise entlang der Anordnung der Halbleiterchips 4 eine Ausdehnung von kleiner als oder gleich einer achtfachen lateralen Kantenlaenge der Halbleiterchips 4 und senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung der Anordnung der Halbleiterchips eine Ausdehnung von kleiner als oder gleich der zweifachen lateralen Kantenlaenge der Halbleiterchips 4.
 
Die Halbleiterchips 4 sind in dem Gehaeusekoerper 2 elektrisch montiert, wobei sie beispielsweise in Serie zueinander geschaltet sind. 
Hierzu weist der Boden 54 der Kavitaet 50 eine Mehrzahl von inneren elektrischen Kontaktflaechen 12 auf, wobei die Halbleiterchips z.B. auf ihrer dem Boden 54 der Kavitaet 50 zugewandten Seite z.B. mittels Loeten oder Leitkleber elektrisch leitend mit den entsprechenden inneren Kontaktflaechen 12 verbunden sind, wobei sie auf einem Teil der jeweiligen Kontaktflaeche 12 aufliegen. 
 
Zwei der inneren Kontaktflaechen 12 erstrecken sich auf dem Traeger 21 bis zu einem Bereich des Traegers 21, der lateral zu dem Rahmen 22 versetzt ist, wo sie elektrisch leitend mit Aussenkontakten 14 des Bauelements 1 elektrisch leitend verbunden sind, ueber die das Bauelement 1 extern elektrisch angeschlossen werden kann. 
Die Halbleiterchips 4 emittieren bei ihrem Betrieb z.B. eine elektromagnetische Strahlung aus einem blauen oder ultravioletten Wellenlaengenbereich. Bei dem in Figur 1 dargestellten Bauelement sind die Innenwaende 5 des Rahmens 22 als Reflektoren fuer diese elektromagnetische Strahlung ausgebildet, d.h. der Rahmen 22 weist entweder ein reflektierendes Material auf, oder er ist mit einem reflektierenden Material beschichtet. Zudem verlaufen die Innenwaende 5 schraeg zu einer Montageebene der Halbleiterchips 4, so dass die elektromagnetische Strahlung in eine gewuenschte Abstrahlrichtung reflektiert wird.
（
図１に示された素子はケーシングボディ２を有し、該ケーシングボディ２は担体２１とフレーム２２とを有する。フレーム２２は内壁５を有し、該内壁５は空洞部５０を制限する。トレンチ状に形成された空洞部５０内には、複数の半導体チップ４、たとえば５つの半導体チップ４が線形配列で配置されている。
　
　内壁５は、半導体チップ４に対して比較的小さい間隔を有し、この間隔はたとえば、半導体チップ４の横方向の側縁長以下である。これに相応して、空洞部５０の底部５４の面積は比較的小さく、該空洞部５０のたとえば半導体チップ４の配列に沿った寸法は、該半導体チップ４の横方向の側縁長の８倍以下であり、半導体チップの配列の主延在方向に対して垂直である該空洞部５０の寸法は、半導体チップ４の横方向の側縁長の２倍以下である。
　
　半導体チップ４はケーシングボディ２に電気的に取り付けられ、たとえば相互に直列接続される。
こうするために、空洞部５０の底部５４は複数の電気的な内部面コンタクト１２を有し、半導体チップはたとえば、該空洞部５０の底部５４に対向する側で、たとえばはんだ付けまたは導電性接着材により、相応の内部面コンタクト１２に導電接続される。その際には、半導体チップは各面コンタクト１２の一部の表面上に位置する。
　
　内部面コンタクト１２のうち２つは担体２１上において、該担体２１のフレーム２２に対して横方向にずれた位置にある領域まで延在する。ここで該２つの内部面コンタクト１２は、素子１の外部コンタクト１４に導電接続され、該外部コンタクト１４を介して素子１は外部に電気的に接続される。
半導体チップ４は動作時に、たとえば青色または紫外光の波長領域に所属する電磁放射を放出する。図１に示された素子では、フレーム２２の内壁５はこのような電磁放射に対する反射器として形成される。すなわち、フレーム２２は反射性の材料を含むか、または該フレーム２２に反射性の材料がコーティングされている。さらに、内壁５は半導体チップ４の取り付け面に対して斜行し、このことによって電磁放射は所望の放射方向に反射される
　
　ウ　「
Bei den in den Figuren 11, 12, 14 und 15 ist das Lumineszenzkonversionselement 7 in Form einer duennen Schicht direkt auf eine Strahlungsauskoppelflaeche der Halbleiterchips 4 aufgebracht. 
Hierfuer eigenen sich als Halbleiterchips 4 insbesondere Flaehenstrahler, wie zum Beispiel Duennfilm-Leuchtdiodenchips.
（
図１１，１２，１４および１５では、発光変換素子７は薄い層の形状で、半導体チップ４の放射出力結合面上に直接取り付けられる
こうするために半導体チップ４として適しているのは、とりわけ面放射源であり、たとえば薄膜発光ダイオードチップである
　
　そして、図１１、１２には、「半導体チップ４」が「ケーシングボディ２」に取り付けられている様子が図示され、図１４、１５には、「半導体チップ４」が「担体２１」に取り付けられている様子が図示されており、また、図１５において、「内壁５」は、「担体２１」の表面に達しているから、「担体２１」上に配置された「半導体チップ４」の「放射出力結合面」より下まで延在しているものと認められる。
　
（２）引用発明
　上記イによれば、引用例１には、
「担体２１ととともに素子のケーシングボディ２を形成するフレーム２２であって、
　フレーム２２は内壁５を有し、該内壁５は空洞部５０を制限し、トレンチ状に形成された空洞部５０内には、複数の半導体チップ４が配置されており、
　空洞部５０の底部５４は複数の電気的な内部面コンタクト１２を有し、半導体チップは、相応の内部面コンタクト１２に導電接続され、その際、半導体チップは各面コンタクト１２の一部の表面上に位置し、
　半導体チップ４は動作時に、たとえば青色または紫外光の波長領域に所属する電磁放射を放出し、フレーム２２の内壁５はこのような電磁放射に対する反射器として形成されており、
　内壁５は半導体チップ４の取り付け面に対して斜行し、このことによって電磁放射は所望の放射方向に反射され、
　
半導体チップ４として適しているのは、たとえば薄膜発光ダイオードチップであ
　フレーム２２。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「素子」は、「半導体チップ４」が配置された「ケーシングボディ２」を有するものであり、「半導体チップ４」としては、たとえば「薄膜発光ダイオードチップ」すなわち「ＬＥＤチップ」が用いられるものと認められるから、「LEDパッケージ」ということができる。
　そして、引用発明の「フレーム２２」は、その「内壁」で、「電磁放射」を「所望の放射方向に反射」させるものであるから、「コリメータ」ということができる。
　したがって、引用発明の「フレーム２２」は、本願発明の「LEDパッケージの一部として使われるコリメータ」に相当するといえる。
（２）引用発明の「フレーム２２」は、「青色または紫外光の波長領域に所属する電磁放射」を「所望の放射方向に反射」させるものである。
　また、引用発明の「フレーム２２」は、引用例１の図２、３、７、１０の立体図からみて、平板状部材に空洞部５０を設けたものと認められるから、引用発明の「フレーム２２」が「水平面を規定している上部面」を有するものであることは明らかである。
　さらに、引用発明の「フレーム２２の内壁５」は、「反射器として形成されて」いるから、「反射面」であることは明らかであり、また、「半導体チップ４の取り付け面に対して斜行」しており、また、引用例１の上記２．（１）アには、「反射壁は、半導体チップの取り付け面に対して実質的に８０°以上かつ１１０°以下の角度で延在するのが目的に適っている」と記載されている。
　以上のことから、引用発明の「フレーム２２」は、本願発明の「コリメータ」と同様に、
「光を集め、及び/又は反射させ、及び/又は集束させる、コリメータ本体と、
　前記コリメータ本体に設けられた上部面であって、水平面を規定している上部面と、
　前記コリメータ本体に設けられた反射面であって、前記水平面に対して少なくとも部分的に角度がつけられた、少なくとも一つの反射面と、
を有し、当該角度αは、70°≦α≦110°」であるものといえる。
（３）引用発明は、「フレーム２２」において、「空洞部５０内には、複数の半導体チップ４が配置されて」いる。
　ここで、「半導体チップ４」には、上記（１）で指摘したように「薄膜発光ダイオードチップ」すなわち「ＬＥＤチップ」が用いられるから、その「前面」は、「LEDによって照明され」るものと認められ、また、引用例の図１１，１２，１４および１５に図示されるように、「発光変換素子７」が「半導体チップ４」の「放射出力結合面」の全面に取り付けられていることからすれば、引用例の「半導体チップ４」は、本願発明でいう「光を発する前面を有する発光部」であり、「前記前面はLEDによって照明され」ているものといえる。
　また、引用発明の「フレーム２２」は、「半導体チップ４」が「空洞部５０」内に配置されるように、「担体２１」に結合してケーシングボディ２を形成しているものと認められるから、「空洞部５０」を制限する「内壁５」は、「担体２１」の表面上に到達しているものと認められるところ、引用発明の「半導体チップ４」は、「担体２１」上の「内部面コンタクト１２導電接続され、その際、半導体チップは各面コンタクト１２の一部の表面上に位置」するものであるから、「空洞部５０」を制限する「内壁５」は、引用例の図１５において「内壁５」が、「担体２１」上に配置された「半導体チップ４」の「放射出力結合面」より下まで延在しているのと同様に、「半導体チップ４の前面」の高さよりも下に延在しているものと認められる。
　ここで、引用発明の「内壁５」が「反射面」であることは、上記（２）で指摘したとおりであり、また、引用発明において、「空洞部５０」の出光開口部が「フレーム２２」の上部面と面一であることは、上記（２）で指摘したように、「フレーム２２」が平板状部材に空洞部５０を設けたものと認められることから明らかであって、引用発明の「空洞部５０」が本願発明の「凹部」に相当するところであり、本願発明と引用発明は、
「前記コリメータ本体は、光を発する前面を有する発光部を受け入れるための凹部を有し、前記前面はLEDによって照明され、アセンブリされた状態では、前記反射面が前記前面の高さよりも下に少なくとも部分的に延在するよう、当該発光部が前記凹部によって受け入れられており、
　前記反射面が前記凹部によって供され、当該凹部は、出光開口部を前記コリメータ本体の前記上部面に面一で有」するものである点で一致する。
（４）以上のことから、本願発明と引用発明は、
「LEDパッケージの一部として使われるコリメータであって、当該コリメータは、
　光を集め、及び/又は反射させ、及び/又は集束させる、コリメータ本体と、
　前記コリメータ本体に設けられた上部面であって、水平面を規定している上部面と、
　前記コリメータ本体に設けられた反射面であって、前記水平面に対して少なくとも部分的に角度がつけられた、少なくとも一つの反射面と、
を有し、当該角度αは、70°≦α≦110°であり、
　前記コリメータ本体は、光を発する前面を有する発光部を受け入れるための凹部を有し、前記前面はLEDによって照明され、アセンブリされた状態では、前記反射面が前記前面の高さよりも下に少なくとも部分的に延在するよう、当該発光部が前記凹部によって受け入れられており、
　前記反射面が前記凹部によって供され、当該凹部は、出光開口部を前記コリメータ本体の前記上部面に面一で有する、
コリメータ。」の点で一致する。
（５）一方、両者は、次の点で相違する。
ａ．本願発明では、「アセンブリされた状態で、前記出光開口部の面積の、前記前面の面積の総和に対する比rが0.95≦r≦1.50である」とされているのに対し、引用発明では、「空洞部５０」の出光開口部の面積の、複数の「半導体チップ４」の前面の面積の総和に対する比がこのようなものであるか不明な点。
ｂ．本願発明では、「前記反射面が、より低い高さにある第1のエリアと、より高い高さにある第2のエリアとを有し、第1のエリアの角度αは第2のエリアの角度αとは異なり、第1のエリアの角度αは第2のエリアの角度αよりも小さい」とされているのに対し、引用発明の「内壁５」は、このようなものとされていない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点ａについて検討するに、引用発明において、「空洞部５０」の出光開口部の面積の、複数の「半導体チップ４」の前面の面積の総和に対する比をどの程度とするかは、当業者が当該引用発明を実施する際に適宜に決定すべき設計的事項にすぎないところ、引用例１の上記２．（１）アには、「半導体チップと反射壁との間の間隔を小さくすることにより、放射円錐の一部が比較的高い放射密度で該反射壁に当たり、効率的な遮蔽が実現されると同時に、放射を、高い放射密度の低発散の放射円錐にすることができる」と記載されていることからすれば、前記比を上記相違点ａで規定する範囲内のものとすることに格別の困難性はない。
（２）上記相違点ｂについて検討するに、原査定の拒絶理由に引用された特開２００６−２９４８０４号公報（以下「引用例２」という。）には、【００２５】に「ここまでで述べたリフレクタは、反射面の傾斜角度が一定である。…反射面の傾斜角度が一定であると、発光ダイオードは広がりのある指向特性を有するようになる。図１４に示すようにリフレクタの外側反射面を３段階の勾配を組み合わせたものとすることで、指向性の強い発光ダイオードとなる。…図１４では、１つの大きな底面開口部３２ｂを有するリフレクタ３２に傾斜角度α，β，γの３段階の勾配を設けた状態の断面図を示している。」と記載され、図１４には、反射面を下から順に傾斜角度がα，β，γである３つの領域に分け、α＜β＜γの関係を満たしている様子が示されているところであるから、引用発明においても指向性を強めるべく、内壁５の反射面を引用例２の上記「リフレクタ３２」の構成のものとなして上記相違点ｂに係る本願発明の発明特定事項とすることに格別の困難性はない。
　　　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。