(57)【要約】記録再生特性と耐食性の良好な光学情報記録媒体を提供する。そのために、本発明の光学情報記録媒体は、案内溝を有する基板００１と、反射層００２と、光吸収層００３と、反射側保護層００４と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層００６と、膜厚が５０ｎｍ以下である光入射側保護層０１２と、樹脂層０１０と、レーザ光が照射される透明基板０１１と、を少なくともこの順に備え、光入射側保護層０１２は複数の材料層を有し、複数の材料層のうち、透明基板に最も近い光入射側材料層００９が最も小さい内部応力を有している。【特許請求の範囲】
【請求項１】
案内溝を有する基板と、反射層と、光吸収層と、反射側保護層と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層と、膜厚が５０ｎｍ以下である光入射側保護層と、樹脂層と、レーザ光が照射される透明基板と、を少なくともこの順に備え、
前記光入射側保護層は複数の材料層を有し、
前記複数の材料層のうち、前記透明基板に最も近い光入射側材料層を構成する層が最も小さい内部応力を有している、
光学情報記録媒体。
【請求項２】
前記複数の材料層の少なくとも１つは、屈折率が１．９０以下である、
請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項３】
前記複数の材料層の少なくとも１つは、消衰係数が０．０５以下である、
請求項１または２に記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】
前記光入射側材料層は、Ｚｎの硫化物を主に含み、さらにＳｎ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】
前記光入射側材料層は、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含み、
（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘ（０．３≦ｘ≦０．９）と表される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項６】
前記光入射側材料層の膜厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ未満である、
請求項１から５のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項７】
前記光入射側材料層以外の前記複数の材料層の少なくとも１つは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＭｇの酸化物、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＢの窒化物、またはＣｅ、Ｌａ、もしくはＭｇのフッ化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、
請求項１から６のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項８】
前記反射側保護層は、Ｚｎの硫化物を主に含み、さらにＳｎ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、
請求項１から７のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項９】
前記反射側保護層の膜厚は、２５ｎｍ以上４５ｎｍ未満である、
請求項１から８のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１０】
前記反射層は、ＡｇもしくはＡｌを主に含む、
請求項１から９のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１１】
前記反射層の膜厚は、８０ｎｍ以上３００ｎｍ未満である、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１２】
前記光吸収層は、Ｓｉを主に含む、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１３】
前記光吸収層の膜厚は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ未満である、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１４】
前記記録層は、ＧｅもしくはＴｅを主に含み、さらにＳｂ、Ｂｉ、もしくはＩｎから選ばれる少なくとも一つの元素を含む、
請求項１から１３のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１５】
前記記録層の膜厚は、３ｎｍ以上１２ｎｍ未満である、
請求項１から１４のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１６】
前記透明基板の前記レーザ光の波長に対する複屈折は、前記透明基板の全面で０ｎｍ±３０ｎｍである、
請求項１から１５のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１７】
前記透明基板の厚さは、５７０μｍ以上６００μｍ未満である、
請求項１から１６のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１８】
前記樹脂層の膜厚は、１μｍ以上３０μｍ未満である、
請求項１から１７のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体の記録方法であって、
前記透明基板側から前記レーザ光を入射し、
前記光学的情報記録媒体の前記レーザ光に対する記録時の線速度を１８ｍ／ｓ以上とする、
光学情報記録媒体の記録方法。
【請求項２０】
前記記録時の前記レーザ光の波長は、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下であり、
前記レーザ光を照射するレンズの開口数は、０．５５以上０．７０以下である、
請求項１９に記載の光学情報記録媒体の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、レーザ光線の照射等の光学的な手段を用いて、高密度での情報の記録再生または書き換えが可能な光学記録情報媒体、および光学情報記録媒体の記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  情報を大容量に記録でき、高速での再生および書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相変化型記録媒体等が知られている。これらの光学情報記録媒体は、レーザ光を局所的に照射することにより生じる記録材料の光学特性の違いを記録再生、および書き換え時に利用するものである。例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより生じる、反射光偏光面の回転角の違いを利用している。一方、相変化型記録媒体では、特定波長の光に対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なることを利用しており、レーザの出力パワーを変調させることによって、記録されている情報の消去と同時に新たな情報を上書きすることができる。そのため、高速で情報信号の書き換えが可能であるという利点がある。【０００３】  従来の光学情報記録媒体（以下、記録媒体）２００の層構成を、図４に示すように、片面４．７ＧＢの容量を有するＤＶＤ−ＲＡＭとして広く普及している相変化型記録媒体を例にして示す。
記録媒体２００は、透明基板１０１上に、光入射側保護層１０２と、光入射側拡散防止層１０３と、記録層１０４と、反射側拡散防止層１０５と、反射側保護層１０６と、光吸収層１０７と、反射層１０８とをこの順に有している。これらの層は主に、スパッタリング法により成形される。さらに、反射層１０８上には、樹脂層１０９と、接着層１１０と、貼り合わせ用基材１１１とを有している。【０００４】  ここで、光入射側保護層１０２の材料に、例えば、ＺｎＳを主成分とする材料で、レーザ光の波長に対して屈折率が２．０以上の材料を用いた場合には、記録媒体２００の光学的な特性を満足させるために、光入射側保護層１０２の膜厚を１３０ｎｍ程度まで厚くする必要があった。従って、成膜する時間が長くなり、生産コストが高くなってしまう問題があった。一方、例えば、ＳｉＯ２を主成分とする材料で、レーザ光の波長に対して屈折率が２．０以下の材料を用いた場合には、光入射側保護層１０２の膜厚を５０ｎｍ以下と薄くすることで記録媒体２００の光学的な特性を満足させることが可能である。しかし、記録層１０４と透明基板１０１との距離が近くなるために、繰り返し記録を行うと、発熱した記録層１０４からの熱により透明基板１０１がダメージを受け、記録信号の品質が劣化する問題があった。【０００５】  そこで、これらを解決するために、反射側保護層１０６の主成分として、ＺｎＳ、Ｚｒ酸化物またはＣｒ酸化物、また光入射側保護層１０２の主成分として、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｇ酸化物またはフッ化物等の他の材料を用いる光学情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００６】  しかしながら、上記従来の光学情報記録媒体においては、光入射側保護層の膜厚を薄くするため、記録媒体の耐食性が劣化し易く、また、保護層材料の熱伝導率が比較的高いために、記録に際して高いレーザパワーが必要になる。
また、一般的な回転速度である光ヘッドと記録媒体との相対線速度８〜１２ｍ／ｓでこの記録媒体を記録再生すると、レーザ光の照射時間が比較的長くなるため、樹脂層が熱ダメージを受けやすくなり、記録信号の品質が劣化してしまう問題がある。
【特許文献１】特開２００５−４９５０号公報
【発明の開示】
【０００７】  上記課題を解決するために、本発明の光学情報記録媒体は、案内溝を有する基板と、反射層と、光吸収層と、反射側保護層と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層と、膜厚が５０ｎｍ以下である光入射側保護層と、樹脂層と、レーザ光が照射される透明基板と、を少なくともこの順に備え、光入射側保護層は複数の材料層を有し、複数の材料層のうち、透明基板に最も近い光入射側材料層が最も小さい内部応力を有している。
本発明により、良好な耐食性を有し、実用上十分な記録感度で記録を行うことができる良好な記録再生特性を有する光学情報記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明に係る光学情報記録媒体の層構成を示す図。
【図２】本発明に係る光学情報記録媒体における材料層の屈折率のレーザ波長依存性を示す図。
【図３】本発明に係る光学情報記録媒体における材料層の内部応力測定結果を示す図。
【図４】従来の光学情報記録媒体の層構成を示す図。
【符号の説明】
【０００９】  ００１  基板
００２、１０８  反射層
００３、１０７  光吸収層
００４、１０６  反射側保護層
００５、１０５  反射側拡散防止層
００６、１０４  記録層
００７、１０３  光入射側拡散防止層
００８  第１材料層
００９  第２材料層
０１０、１０９  樹脂層
０１１、１０１  透明基板
０１２、１０２  光入射側保護層
１１０  接着層
１１１  貼り合わせ用基材
１００、２００  光学情報記録媒体
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】  以下、本発明に関する光学情報記録媒体（以下、記録媒体）等について詳しく説明する。
（実施の形態１）
記録媒体は、少なくとも、基板上に、反射層と、光吸収層と、反射側保護層と、記録層と、光入射側保護層と、樹脂層と、透明基板とをこの順に有している。
基板は、レーザ光を導くための案内溝を有する。材料としては、ＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラス等を用いてもよい。また、基板には溝部とランド部が交互に形成されている。なお、溝部とランド部の幅の比が異なるような基板を用いてもよい。基板の膜厚は特に限定しないが、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが好ましい。０．１ｍｍ以上であれば、薄膜形成時の熱ダメージを抑え易くなり、１．２ｍｍ以下であれば、記録媒体の携帯性を確保できる。【００１１】  反射層は、ＡｇもしくはＡｌを主に含む材料からなる。ここで、「主に含む」とは、材料における構成元素のうちで最も多くの割合を占めることをいい、以下同様の意味で用いる。この場合、膜厚は、８０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であることが好ましい。さらには、１２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満が好ましい。熱伝導率が高い材料であるＡｇもしくはＡｌを主成分とし、その膜厚を厚くすることによって、レーザ照射時の光吸収層を急速に冷やすことができ、記録層に記録された非晶質マークの再結晶化を抑制することができる。さらに、本実施形態の膜厚とすることで、膜の形成時間が長くなることによる量産性の低下や、記録感度を良好に保ちつつ記録マークの品質低下を抑えることができる。【００１２】  光吸収層は、Ｓｉを主に含む材料からなる。この場合、膜厚は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ未満とすることが好ましい。さらに、光吸収層は、ＳｉとＣｒの混合材料からなることが光学的に好ましい。記録層の結晶の光吸収率と非晶質の光吸収率との比（吸収率）をさらに大きくすることができ、記録媒体の消去特性をより高めることができるためである。この場合、膜厚は２５ｎｍ以上４０ｎｍ未満が好ましい。これにより、記録感度の低下や記録層に記録された非晶質マークの再結晶化が起こりやすくなり、記録マークの品質低下を抑えることができる。【００１３】  反射側保護層はＺｎの硫化物を主に含み、さらにＳｎ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む。この場合、膜厚は、２５ｎｍ以上４５ｎｍ未満であることが好ましい。さらに、反射側保護層は、ＺｎＯとＳｉＯ２の混合材料であることが好ましい。これにより、熱伝導率を低くすることができる。この場合、膜厚は、３０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることがより好ましい。これにより、記録層と光吸収層との距離が短くなるために記録感度が悪化することを抑え、記録媒体の結晶状態と非晶質状態との間での反射光量差を大きくできる。なお、反射側保護層は、複数の材料層より構成されていても良く、その場合にはＺｎＳとＳｉＯ２との混合材料からなる層が最も厚い膜であることが好ましい。【００１４】  記録層は、ＧｅもしくはＴｅを主に含み、さらにＳｂ、Ｂｉ、もしくはＩｎから選ばれる少なくとも一つの元素を含み、その膜厚は３ｎｍ以上１２ｎｍ未満であることが好ましい。これにより、結晶化速度を早くすることができ、レーザ光に対する記録媒体の線速度が早い場合においても良好な記録再生特性を得ることができる。また、その膜厚は、５ｎｍ以上１０ｎｍ未満がより好ましい。これにより、記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を大きくでき、さらに結晶状態と非晶質状態とでの���積変動を抑えて繰り返し記録特性の劣化を抑えることができる。【００１５】  光入射側保護層は、膜厚が５０ｎｍ以下の薄い層でありながら樹脂層の熱ダメージを抑制する役割を果たす。具体的には、本発明の光入射側保護層は複数の材料層を有し、複数の材料層のうち、透明基板に最も近い光入射側材料層（以下、材料層Ａと称す）を構成する層が最も小さい内部応力を有している。従来技術では、記録層と樹脂層との距離が、５０ｎｍ以下になると、記録を行う際に記録層が吸収した熱により、樹脂層が熱ダメージを受けやすくなり、信号マークの品質が劣化しやすくなる。この原因としては、樹脂層が熱せられて熱収縮を起こしやすくなること、樹脂層が水分を吸収し、そこに熱が加わると樹脂層が加水分解を起こしやすくなること、熱が加わると樹脂層と光入射側保護層との界面が剥がれやすくなること、等が考えられる。そこで、本実施の形態では、膜厚が５０ｎｍ以下であって記録層と樹脂層との間に内部応力の小さい遮水性のある材料層を設けることで、外部から樹脂層へと水が浸入するのを防ぐ。その結果、樹脂層の熱ダメージを抑制することができる。ここで、本実施の形態では特に設けてはいないが、透明基板と樹脂層との間に内部応力の小さい遮水性のある材料層を設けてもよい。これにより、外部から透明基板を通して樹脂層へ水が侵入するのを防ぐことができる。その結果、樹脂層の熱ダメージを抑制することができる。【００１６】  なお、材料層Ａを構成する層の内部応力の大きさは、−３００Ｎ／ｍｍ２以上３００Ｎ／ｍｍ２以下であることが好ましい。本来、内部応力に関しては、記録媒体の一部として形成されている各材料層を測定し、その結果を比較することで各材料層のうち最も値の小さいものを、最も小さい内部応力を有する材料層とすることが好ましい。しかし、材料層の内部応力は記録媒体中の他の層の影響を受けるため、そのような測定は困難である。そこで、材料層Ａが最も小さい内部応力を有しているとは、一定の材料および膜厚を有する基板上に各材料層単層を作成して得た測定値を比較した結果、材料層Ａの内部応力が最も小さい値であることとして読み替える。以下に、薄膜の内部応力の算出方法を示す。【００１７】  厚さ約０．２ｍｍの基板（材質：ＢＫ７）上に種々の組成のＺｎＳ−ＳｉＯ２を単層で成膜する。さらに、段差測定器を用いて、成膜前後の基板のたわみの変化量を測定すると、内部応力σを以下の式により求めることができる。
σ＝（Ｅ×ｂ２×４×δ）／（３×（１−ν）×ｄ×ｌ２）
ここで、Ｅは基板のヤング率、νは基板のポアソン比、ｂは基板厚さ、ｌは測定長さ、ｄは薄膜の厚さ、δはたわみ変化量である。本実施の形態では、Ｅを７９２００Ｎ／ｍｍ２、νを０．２１４、ｌを１０ｍｍ、ｂを０．２ｍｍとした。薄膜の厚さは、１００ｎｍを目標にスパッタリングにより成膜した。この場合、各材料層の内部応力を比較するために、δ以外のパラメータを一定値としている。そのため、ここでは、内部応力が小さいとは、たわみ変化量が小さいということとなる。上記を踏まえた（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘにおける内部応力の測定結果を、図３に示す。この場合、ｘが０．３以上０．９以下のとき、薄膜の内部応力が比較的小さくなることがわかる。【００１８】  また、複数の材料層の少なくとも１つは、入射光の波長λ＝６６０ｎｍに対する屈折率が１．９０以下、より好ましくは１．６以下である。より好ましくは、材料層Ａにおける屈折率、さらに好ましくは、光入射側保護層全体の屈折率がこの範囲であればよい。屈折率を低くすればするほど、光入射側保護層全体の膜厚が５０ｎｍ以下であっても、記録層と樹脂層との距離が十分取れるため、樹脂層が熱ダメージを受けにくくなり、信号マークの品質劣化を抑制できる。また、光入射側保護層の膜厚を一定厚とした場合、屈折率を小さくするほど記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を大きくすることができる。複数の材料層の少なくとも１つの層として例えば、ＳｉＯ２を主成分とする材料が挙げられる。図２に、（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘの波長λ＝６６０ｎｍのレーザ光に対する屈折率を示す。
また、光入射側保護層を構成する少なくとも１つの材料層の消衰係数は、０．０５以下であることが好ましい。これにより、材料層が光を吸収することを抑え、効率よく記録層に光を照射することができる。【００１９】  材料層Ａとしては、緻密で内部応力が小さく遮水性の高い膜が得られることから無機材料であることが好ましい。また、入射光に対して透明な材料であればよい。具体的には、材料層Ａは、Ｚｎの硫化物を主に含み、さらにＳｉ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む。より好ましくは、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含み、（ＺｎＳ）ｘ（ＳｉＯ２）１−ｘ（０．３≦ｘ≦０．９）と表される。これらの材料により、光入射側保護層の屈折率を高くできる。また、薄膜の粒子形状を均一にできるため、最終的に記録媒体のノイズとなる原因を除去できる。ＺｎＳとＳｉＯ２の混合材料を用いると、一般的な酸化物材料よりも熱伝導率が低くなるために、記録時のレーザパワーを低くすることが容易となる。【００２０】  材料層Ａの膜厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ未満が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましい。これにより、耐食性能の悪化を抑え、かつ記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を大きくすることができる。
材料層Ａ以外の材料層の少なくとも１つは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＭｇの酸化物、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＢの窒化物、またはＣｅ、Ｌａ、もしくはＭｇのフッ化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む。さらには、消衰係数および屈折率が最も小さなＳｉの酸化物材料が最も好ましい。【００２１】  樹脂層は、膜厚は１μｍ以上３０μｍ未満であることが好ましい。さらには、５μｍ以上２５μｍ未満が好ましい。この範囲であれば、樹脂層形成時に樹脂を均一に塗布することができる。樹脂層の材料としては、アクリル酸エステル化合物を主成分とし、撥水性を有する化合物を添加することが好ましい。例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、トリシクロデカン−３．８−ジメチロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリプロポキシトリアクリレート、ジオキサングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等の溶剤に、アルキルトリアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン、フルオロアルキルトリメトキシシランを含む撥水性を有する化合物、もしくは／かつ、フッ素系表面活性剤を用いることが好ましい。フッ素表面活性剤としては、例えば大日本インキ化学工業社製のメガファックＦ−１４２Ｄ、Ｆ−１４４Ｄ、Ｆ−１５０、Ｆ−１７１、Ｆ−１７７、Ｆ−１８３、ディフェンサＴＲ−２２０Ｋが好ましい。【００２２】  透明基板の厚さは、５７０μｍ以上６００μｍ以下であることが好ましい。より具体的には、光入射側の基板表面から記録層までの距離を従来ＤＶＤ―ＲＡＭ構成と同じく６００μｍ±３０μｍとするために、５７５μｍ以上５９５μｍ以下が好ましい。【００２３】  本発明において、各層を積層する基板としては、基板形成時の案内溝の転写性を良くすることが必要であり、透明基板としては、複屈折を基板全面で均一とすることが必要である。入射する光の反射光量は、光入射側の基板の複屈折によって大きく変化することが知られており、記録媒体全面で均一な反射光量を得るためには、透明基板の複屈折分布は可能な限り抑制する必要があった。本発明の構成においては、透明基板において基板の溝転写性を考慮せずに、複屈折を均一にすることのみに基板成形条件を適正化することが可能である。透明基板の複屈折は、基板全面で０ｎｍ±３０ｎｍであることが好ましい。【００２４】  なお、透明基板上に遮水性のある層をあらかじめ形成しておいてもよい。これにより、透明基板と各層を積層した基板とを貼り合わせることが容易となる。この層は、材料層Ａと同様の材料からなり、スパッタリングやＰＶＤ、ＣＶＤ等の蒸着法を用いることができる。
なお、内部応力の小さな遮水性のある材料層Ａを設けること以外に、樹脂層の熱ダメージを抑制する手法としては、耐熱性を高めた樹脂層を用いることが有効である。そのような樹脂材料として、耐水性を有する、もしくは撥水性を有する樹脂材料を適用することができる。また、光入射側保護層との密着性を高めた樹脂層を本発明の構成に用いても良く、この場合には、樹脂層と光入射側保護層との界面剥離を抑制することができる。【００２５】（実施の形態２）
次に、上記実施の形態１に示した記録媒体に信号を記録再生および消去する方法の一例について述べる。
信号の記録再生および消去には、半導体レーザ光源および対物レンズを有する光ヘッドと、レーザ光を照射する位置へ導くための駆動装置と、トラック方向および膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキングおよびフォーカシング制御装置と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置と、記録媒体を回転させるための回転制御装置とを少なくとも備えた記録再生装置を用いる。【００２６】  信号の記録および消去は、記録媒体を回転制御装置を用いて回転させ、レーザ光を微小スポットに絞りこんで照射することにより行う。信号方式としてはＥＦＭ変調方式が用いられる。ここで、レーザ光のパワーレベルを、記録層の一部分がアモルファス状態へと可逆的に変化しうるアモルファス状態生成パワーレベルと、結晶状態へと可逆的に変化しうる結晶状態生成パワーレベルとの間で変調させることにより、記録マークまたは消去部分を形成し、情報の記録、消去、または上書き記録を行う。ここでは、アモルファス状態生成パワーレベルのパワーを照射する部分は、パルスの列、いわゆるマルチパルスで形成される。なお、マルチパルスではないパルスで形成されてもよい。【００２７】  実施の形態１の記録媒体への信号の記録に際しては、レーザ波長、光ピック開口数、レーザ出力、レーザ光に対する記録媒体の線速度等を適宜調整して、記録時のレーザ照射による記録媒体の構成層の発熱を抑え、樹脂層が変色・変形もしくは樹脂層と光入射側保護層との剥離を発生させることのない条件で記録する。これにより、良好な記録再生特性を得ることが可能となる。具体的には、記録層の発熱による熱量が樹脂層に伝わりにくく、樹脂層が熱ダメージを引き起こすことのないように記録条件を設定する。樹脂層が熱ダメージを受けると再生信号の品質が劣化するが、その原因としては、熱ダメージにより樹脂層が変形・変色して光入射側保護層と剥離して、照射レーザの反射光を変動させることが考えられる。樹脂層が劣化する場合、その劣化は数百回の繰り返し記録をしたときに顕著に現れる。すなわち、同一トラックに数回記録しただけでは、樹脂層の劣化が少ないため再生信号の品質は損なわれることは無いが、同一トラックに数百回記録した場合においては、樹脂層の劣化が進み、再生信号の品質が徐々に悪くなってゆく。【００２８】  レーザ照射時の記録層に与えられる熱量は、光スポットの面積、光照射エネルギー、レーザ光の照射時間に伴って大きくなり、これにより樹脂層が熱ダメージを起こしやすくなる。これを防ぐために、レーザ波長、光ピック開口数を調整して光スポットの大きさを調整する、レーザ出力を調整して記録層への光照射エネルギーを調整する、レーザ光に対する記録媒体の線速度を調整してレーザ光の照射時間を調整する等を行う。
レーザ光の波長は、レーザ光照射により記録層に与えられる熱量により、樹脂層に熱ダメージを引き起こさせないことが重要であり、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。これにより、レーザ光のスポットサイズが一般に波長に比例して大きくなることを抑え、高密度での記録を行うことができる。また、記録媒体を構成する材料層の波長に対する屈折率が変わることを抑え、記録媒体のコントラストを充分に満足させる為の媒体設計が容易になる。さらには、レーザ光の波長は、６４０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下であることがより好ましい。【００２９】  光ピックの開口数は、０．５５以上０．７０以下が好ましい。これにより、高密度での記録を行うことができ、また、レーザスポットが絞られすぎて樹脂層に熱ダメージが起こるのを防ぐことができる。
レーザ光に対する記録媒体の線速度は、１８ｍ／ｓ以上８０ｍ／ｓ以下が好ましい。さらには、２２ｍ／ｓ以上であることがより好ましい。これにより、樹脂層に熱が蓄積されて熱ダメージが起こることを防ぎ、また、モーターの振動が大きくなることで記録媒体の偏心が大きくなって、レーザの追従が困難となることを防ぐことができる。【００３０】  以上により、樹脂層が熱ダメージを受けにくくすることが可能となり、良好な記録再生特性を得ることができる。
なお、レーザ光に対する記録媒体の線速度を早めると、記録時のレーザパワーを大きくする必要がある。しかし、光入射側保護層を多層化した本発明の構成においては、透明基板に最も近い光入射側材料層（材料層Ａ）に内部応力が小さくかつ遮水性が高く、熱伝導率の低い材料を用いて耐食性と記録感度を向上させることができる。また、他の層に低屈折率材料を用いることで記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を高くすることができる。そのため、反射側保護層の膜厚を厚くすることができるため、記録感度をより良くすることが可能となる。従って、記録媒体を２２ｍ／ｓ以上の高速で回転させた場合においても、充分に実用可能なレーザパワーで記録することができる。また、線速度が６５ｍ／ｓとさらに高速となった場合においても、実用上充分な記録感度で記録を行うことができる。【００３１】  なお、案内溝の溝部分とランド部分の両方で情報信号の記録、再生、消去を行う、いわゆるランド・グルーブ記録を行った方が大容量化につながることはいうまでもない。この際は、クロストーク、クロスイレースが生じないよう、案内溝の深さや形状、記録媒体の反射率構成等を工夫する必要がある。さらに、溝部とランド部の溝方向に垂直な方向での幅の和は１．４０μｍ以下であることが好ましい。１．４０μｍピッチ以上の溝を用いても記録は可能であるが、１．４０μｍ以下の溝を用いて高密度記録を行う方が、本発明による樹脂層の熱ダメージ抑制の効果がより顕著に表れるためである。【００３２】  次に、上記実施の形態に基づき各種記録媒体１００を作製して評価を行った結果について、実施例を用いて述べる。
【実施例】（実施例１）
本実施例の記録媒体１００の主な構成および製造方法を、図１を用いて説明する。
記録媒体１００は、基板００１上に、反射層１０２と、光吸収層００３と、反射側保護層００４と、反射側拡散防止層００５と、記録層００６と、光入射側拡散防止層００７と、光入射側保護層０１２（第１材料層００８および第２材料層００９）と、樹脂層０１０と、透明基板０１１とをこの順に有する。【００３３】  基板００１としては、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのディスク状ポリカーボネード樹脂基板を用いた。
反射層００２は、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１（ａｔ％）合金ターゲットを用いて１６０ｎｍの膜厚となるよう形成した。
光吸収層００３は、Ｓｉ６６Ｃｒ３４（ａｔ％）合金ターゲットを用いて３０ｎｍの膜厚となるよう形成した。
反射側保護層００４は、ＺｎＳに２０ｍｏｌ％のＳｉＯ２を混合したターゲットを用いて、記録層がアモルファス状態の時の反射率Ｒｃが１５％以上となり、かつ、グルーブとランドの信号振幅が等しくなる膜厚とした。本実施例では、膜厚は３２ｎｍとした。【００３４】  上記反射層００２、光吸収層００３、および反射側保護層００４は、真空成膜室にＡｒガスを流し、各ターゲットを用いてスパッタリング法により形成した。
反射側拡散防止層００５は、真空成膜室にＡｒと窒素ガスの混合ガスを窒素分圧が２０％となるように流し、Ｇｅ８０Ｃｒ２０（ａｔ％）合金ターゲットを用いて２ｎｍの膜厚となるよう形成した。【００３５】  記録層００６は、真空成膜室にＡｒガスを流し、Ｇｅ３８Ｓｂ３Ｂｉ５Ｔｅ５４（ａｔ％）ターゲットを用いて８ｎｍの膜厚となるように形成した。
光入射側拡散防止層００７は、真空成膜室にＡｒと窒素ガスの混合ガスを窒素分圧が２０％となるように流し、Ｇｅ８０Ｃｒ２０（ａｔ％）合金ターゲットを用いて２ｎｍの膜厚となるよう形成した。
光入射側保護層０１２は、記録層００６側の第１材料層００８と、透明基板０１１（後述）側の第２材料層００９とから構成されている。【００３６】  第１材料層００８は、真空成膜室にＡｒガスを流し、ＳｉＯ２ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより５ｎｍの膜厚となるように形成した。このとき、屈折率を調べるために、別途ガラス片上に第１材料層００８単層を形成したときの、波長６６０ｎｍにおける屈折率は１．４８であった。なお、第１材料層００８は、ＢＮ、ＣｅＦ３、ＬａＦ３、ＭｇＦ２、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＯ３を材料としても良い。【００３７】  第２材料層００９は、真空成膜室にＡｒガスを流し、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）混合ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより５ｎｍの膜厚となるように形成した。このとき、再度屈折率を調べるために、別途ガラス片上に第２材料層００９単層を形成したときの、波長６６０ｎｍにおける屈折率は２．１０であり、通常の屈折率１．８〜２．４の範囲内であった。なお、第２材料層００９は、ＺｎＯ、Ｇａ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３を材料としても良い。【００３８】  樹脂層０１０は、スピンコート法により形成し、アクリル系紫外線硬化性樹脂（大日本インキ化学工業（株）製ＳＤ−７１５）を５６部、フッ素系表面改質剤（大日本インキ化学工業（株）製ディフェンサＴＲ−２２０Ｋ）を１０部混合した溶剤を、膜厚が２０μｍとなるようにスピンコートにより形成した。
その後、真空中において、厚さ０．５８ｍｍの透明基板０１１を載せて貼り合わせた後、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、記録媒体を作成した。【００３９】  ここで、透明基板０１１は、複屈折が均一になるように形成条件を適正化して形成した基板であり、波長６６０ｎｍにおける複屈折を調べた結果、記録媒体全面で０ｎｍ±１５ｎｍであった。なお、記録媒体形成時に溝の転写性を高めるように形成条件を適正化して形成した透明基板１の複屈折は記録媒体全面で０ｎｍ±５０ｎｍであった。
また、透明基板０１１の貼合わせ表面には、あらかじめ遮水性のある層を形成しておく。この層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（ｍｏｌ％）混合ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより、膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。
なお、スパッタリング方法としては、ＲＦスパッタリングに限るものではなく、例えば酸素を欠損させてターゲットに伝導性を持たせたターゲットを用いて、Ａｒガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中でパルスＤＣ法によりスパッタしてもよい。【００４０】（実施例２）
第１材料層００８の膜厚を２ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体１００を作成した。
（実施例３）
第１材料層００８の膜厚を１０ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
（実施例４）
第２材料層００９の膜厚を３ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。【００４１】（実施例５）
第２材料層００９の膜厚を１０ｎｍとし、また、反射側保護層００４の膜厚を３０ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
（実施例６）
第２材料層００９を（ＺｎＳ）７０（ＳｉＯ２）３０ターゲットを用いて作成し、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。【００４２】（比較例１）
第１材料層００８を第２材料層００９と同じ（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０ターゲットを用いて作成し、膜厚を共に２ｎｍとした。また、反射側保護層００４の膜厚を２４ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
（比較例２）
第２材料層００９を第１材料層００８と同じＳｉＯ２ターゲットを用いて作成し、膜厚を共に１０ｎｍとした。また、反射側保護層００４の膜厚を３６ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。【００４３】  これらの記録媒体１００の評価方法は、以下のとおりである。
レーザ光の照射により記録層００６の一部分がアモルファス状態へと可逆的に変化しうるアモルファス状態生成パワーレベルをＰ１、同じくレーザ光の照射により結晶状態へと可逆的に変化しうる結晶状態生成パワーレベルをＰ２とした。レーザパワーをＰ１とＰ２の間で変調させることで記録マーク、または消去部分を形成し、情報の記録、消去、および上書き記録を行った。信号方式はＥＦＭ変調方式とし、ビット長は０．２８μｍ、ディスク回転速度は適宜調整した。トラックピッチは１．２０μｍ、即ち０．６０μｍごとに溝部とランド部が交互に形成される基板を用いた。溝部とランド部の幅の比が異なった基板を用いてもよい。ランドトラックにおいて、再生出力とノイズとの比（Ｃ／Ｎ比）がピークとなるＰ１の値を求めた。ここで、光ピックと記録媒体１００との線速度が２４ｍ／ｓの場合、Ｐ１の値が２２ｍＷ未満であった場合を○、２２ｍＷ以上であった場合を△とする。また、線速度が６４ｍ／ｓの場合、Ｐ１の値が３３ｍＷ未満であった場合を○、３３ｍＷ以上であった場合を△とした。【００４４】  また、線速度が２４ｍ／ｓの際には、サイクル特性も評価し、樹脂層の熱ダメージを評価した。１０回オーバーライト後のＣ／Ｎ比が−３ｄＢ劣化する回数をサイクル回数とし、サイクル回数が１万回以上であったものを○、１万回未満であったものを△とした。
ディスクの耐食性については、９０℃８０％の環境に１００ｈ投入したときの腐食の有無を調べた。腐食が確認されなかった場合を○、記録媒体１００の使用に問題ない程度に腐食が確認された場合を△、記録媒体１００の使用に支障を来たす程の腐食が確認された場合を×とした。【００４５】  他に、各種記録媒体１００に対して、波長６６０ｎｍのレーザを記録媒体に照射したときの、記録層００６がアモルファス状態の時のディスクミラー部からの反射率Ｒｃと、結晶状態の時のディスクミラー部からの反射率Ｒａとを測定した。なお、Ｒｃは１５．０％以上となるように適宜調整した。【００４６】  評価実験の結果を表１に示す。
【表１】
2006112344.tif 000002
上記結果より、本発明の実施例１から６の記録媒体１００において、記録感度、サイクル回数共に全て良好であり、腐食も見られなかった。よって、記録再生特性および耐食性の良好な光学情報記録媒体を得られたことがわかる。
一方、比較例１においては、記録感度について実施例ほど良好な結果は得られなかった。比較例２においては、腐食性に問題があった。【００４７】  （他の実施形態）
上記実施の形態は本発明の具体例を明示したにすぎず、本発明を限定するものではない。本発明の要旨に反しない限り、種々の変更が可能である。
例えば、光入射側保護層が３層以上の材料層からなる場合にも本発明を適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】  本発明に係る光学情報記録媒体およびその記録方法は、各種記録媒体に適用可能である。
【図１】
2006112344.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006112344.tif 000005
【図４】
2006112344.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月24日(2006.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
案内溝を有する基板と、反射層と、光吸収層と、反射側保護層と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層と、膜厚が５０ｎｍ以下である光入射側保護層と、樹脂層と、レーザ光が照射される透明基板と、を少なくともこの順に備え、
前記光入射側保護層は複数の材料層を有し、
前記複数の材料層のうち、前記透明基板に最も近い光入射側材料層を構成する層が最も小さい内部応力を有している、
光学情報記録媒体。
【請求項２】
前記複数の材料層の少なくとも１つは、屈折率が１．９０以下である、
請求項１に記載の光学情報記録媒体。
【請求項３】
前記複数の材料層の少なくとも１つは、消衰係数が０．０５以下である、
請求項１または２に記載の光学情報記録媒体。
【請求項４】
前記光入射側材料層は、Ｚｎの硫化物を主に含み、さらにＳｎ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項５】
前記光入射側材料層は、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含み、
（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-x（０．３≦ｘ≦０．９）と表される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項６】
前記光入射側材料層の膜厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ未満である、
請求項１から５のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項７】
前記光入射側材料層以外の前記複数の材料層の少なくとも１つは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＭｇの酸化物、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＢの窒化物、またはＣｅ、Ｌａ、もしくはＭｇのフッ化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、
請求項１から６のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項８】
前記反射側保護層は、Ｚｎの硫化物を主に含み、さらにＳｎ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む、
請求項１から７のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項９】
前記反射側保護層の膜厚は、２５ｎｍ以上４５ｎｍ未満である、
請求項１から８のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１０】
前記反射層は、ＡｇもしくはＡｌを主に含む、
請求項１から９のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１１】
前記反射層の膜厚は、８０ｎｍ以上３００ｎｍ未満である、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１２】
前記光吸収層は、Ｓｉを主に含む、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１３】
前記光吸収層の膜厚は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ未満である、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１４】
前記記録層は、ＧｅもしくはＴｅを主に含み、さらにＳｂ、Ｂｉ、もしくはＩｎから選ばれる少なくとも一つの元素を含む、
請求項１から１３のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１５】
前記記録層の膜厚は、３ｎｍ以上１２ｎｍ未満である、
請求項１から１４のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１６】
前記透明基板の前記レーザ光の波長に対する複屈折は、前記透明基板の全面で０ｎｍ±３０ｎｍである、
請求項１から１５のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１７】
前記透明基板の厚さは、５７０μｍ以上６００μｍ未満である、
請求項１から１６のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１８】
前記樹脂層の膜厚は、１μｍ以上３０μｍ未満である、
請求項１から１７のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体。
【請求項１９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の光学情報記録媒体の記録方法であって、
前記透明基板側から前記レーザ光を入射し、
前記光学的情報記録媒体の前記レーザ光に対する記録時の線速度を１８ｍ／ｓ以上とする、
光学情報記録媒体の記録方法。
【請求項２０】
前記記録時の前記レーザ光の波長は、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下であり、
前記レーザ光を照射するレンズの開口数は、０．５５以上０．７０以下である、
請求項１９に記載の光学情報記録媒体の記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光線の照射等の光学的な手段を用いて、高密度での情報の記録再生または書き換えが可能な光学記録情報媒体、および光学情報記録媒体の記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を大容量に記録でき、高速での再生および書き換えが可能な媒体として、光磁気記録媒体や相変化型記録媒体等が知られている。これらの光学情報記録媒体は、レーザ光を局所的に照射することにより生じる記録材料の光学特性の違いを記録再生、および書き換え時に利用するものである。例えば光磁気記録媒体では、磁化状態の違いにより生じる、反射光偏光面の回転角の違いを利用している。一方、相変化型記録媒体では、特定波長の光に対する反射光量が結晶状態と非晶質状態とで異なることを利用しており、レーザの出力パワーを変調させることによって、記録されている情報の消去と同時に新たな情報を上書きすることができる。そのため、高速で情報信号の書き換えが可能であるという利点がある。
【０００３】
従来の光学情報記録媒体（以下、記録媒体）２００の層構成を、図４に示すように、片面４．７ＧＢの容量を有するＤＶＤ−ＲＡＭとして広く普及している相変化型記録媒体を例にして示す。
【０００４】
記録媒体２００は、透明基板１０１上に、光入射側保護層１０２と、光入射側拡散防止層１０３と、記録層１０４と、反射側拡散防止層１０５と、反射側保護層１０６と、光吸収層１０７と、反射層１０８とをこの順に有している。これらの層は主に、スパッタリング法により成形される。さらに、反射層１０８上には、樹脂層１０９と、接着層１１０と、貼り合わせ用基材１１１とを有している。
【０００５】
ここで、光入射側保護層１０２の材料に、例えば、ＺｎＳを主成分とする材料で、レーザ光の波長に対して屈折率が２．０以上の材料を用いた場合には、記録媒体２００の光学的な特性を満足させるために、光入射側保護層１０２の膜厚を１３０ｎｍ程度まで厚くする必要があった。従って、成膜する時間が長くなり、生産コストが高くなってしまう問題があった。一方、例えば、ＳｉＯ2を主成分とする材料で、レーザ光の波長に対して屈折率が２．０以下の材料を用いた場合には、光入射側保護層１０２の膜厚を５０ｎｍ以下と薄くすることで記録媒体２００の光学的な特性を満足させることが可能である。しかし、記録層１０４と透明基板１０１との距離が近くなるために、繰り返し記録を行うと、発熱した記録層１０４からの熱により透明基板１０１がダメージを受け、記録信号の品質が劣化する問題があった。
【０００６】
そこで、これらを解決するために、反射側保護層１０６の主成分として、ＺnＳ、Ｚｒ酸化物またはＣｒ酸化物、また光入射側保護層１０２の主成分として、Ａｌ酸化物、Ｓｉ酸化物、Ｍｇ酸化物またはフッ化物等の他の材料を用いる光学情報記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−４９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の光学情報記録媒体においては、光入射側保護層の膜厚を薄くするため、記録媒体の耐食性が劣化し易く、また、保護層材料の熱伝導率が比較的高いために、記録に際して高いレーザパワーが必要になる。
また、一般的な回転速度である光ヘッドと記録媒体との相対線速度８〜１２ｍ／ｓでこの記録媒体を記録再生すると、レーザ光の照射時間が比較的長くなるため、樹脂層が熱ダメージを受けやすくなり、記録信号の品質が劣化してしまう問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の光学情報記録媒体は、案内溝を有する基板と、反射層と、光吸収層と、反射側保護層と、レーザ光の照射によって光学特性が可逆的に変化する記録層と、膜厚が５０ｎｍ以下である光入射側保護層と、樹脂層と、レーザ光が照射される透明基板と、を少なくともこの順に備え、光入射側保護層は複数の材料層を有し、複数の材料層のうち、透明基板に最も近い光入射側材料層が最も小さい内部応力を有している。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、良好な耐食性を有し、実用上十分な記録感度で記録を行うことができる良好な記録再生特性を有する光学情報記録媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に関する光学情報記録媒体（以下、記録媒体）等について詳しく説明する。
（実施の形態１）
記録媒体は、少なくとも、基板上に、反射層と、光吸収層と、反射側保護層と、記録層と、光入射側保護層と、樹脂層と、透明基板とをこの順に有している。
基板は、レーザ光を導くための案内溝を有する。材料としては、ＰＭＭＡ等の樹脂、またはガラス等を用いてもよい。また、基板には溝部とランド部が交互に形成されている。なお、溝部とランド部の幅の比が異なるような基板を用いてもよい。基板の膜厚は特に限定しないが、０．１ｍｍ以上１．２ｍｍ以下であることが好ましい。０．１ｍｍ以上であれば、薄膜形成時の熱ダメージを抑え易くなり、１．２ｍｍ以下であれば、記録媒体の携帯性を確保できる。
【００１１】
反射層は、ＡｇもしくはＡｌを主に含む材料からなる。ここで、「主に含む」とは、材料における構成元素のうちで最も多くの割合を占めることをいい、以下同様の意味で用いる。この場合、膜厚は、８０ｎｍ以上３００ｎｍ未満であることが好ましい。さらには、１２０ｎｍ以上２００ｎｍ未満が好ましい。熱伝導率が高い材料であるＡｇもしくはＡｌを主成分とし、その膜厚を厚くすることによって、レーザ照射時の光吸収層を急速に冷やすことができ、記録層に記録された非晶質マークの再結晶化を抑制することができる。さらに、本実施形態の膜厚とすることで、膜の形成時間が長くなることによる量産性の低下や、記録感度を良好に保ちつつ記録マークの品質低下を抑えることができる。
【００１２】
光吸収層は、Ｓｉを主に含む材料からなる。この場合、膜厚は、２０ｎｍ以上５０ｎｍ未満とすることが好ましい。さらに、光吸収層は、ＳｉとＣｒの混合材料からなることが光学的に好ましい。記録層の結晶の光吸収率と非晶質の光吸収率との比（吸収率）をさらに大きくすることができ、記録媒体の消去特性をより高めることができるためである。この場合、膜厚は２５ｎｍ以上４０ｎｍ未満が好ましい。これにより、記録感度の低下や記録層に記録された非晶質マークの再結晶化が起こりやすくなり、記録マークの品質低下を抑えることができる。
【００１３】
反射側保護層はＺｎの硫化物を主に含み、さらにＳｎ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む。この場合、膜厚は、２５ｎｍ以上４５ｎｍ未満であることが好ましい。さらに、反射側保護層は、ＺｎＯとＳｉＯ2の混合材料であることが好ましい。これにより、熱伝導率を低くすることができる。この場合、膜厚は、３０ｎｍ以上４０ｎｍ未満であることがより好ましい。これにより、記録層と光吸収層との距離が短くなるために記録感度が悪化することを抑え、記録媒体の結晶状態と非晶質状態との間での反射光量差を大きくできる。なお、反射側保護層は、複数の材料層より構成されていても良く、その場合にはＺｎＳとＳｉＯ2との混合材料からなる層が最も厚い膜であることが好ましい。
【００１４】
記録層は、ＧｅもしくはＴｅを主に含み、さらにＳｂ、Ｂｉ、もしくはＩｎから選ばれる少なくとも一つの元素を含み、その膜厚は３ｎｍ以上１２ｎｍ未満であることが好ましい。これにより、結晶化速度を早くすることができ、レーザ光に対する記録媒体の線速度が早い場合においても良好な記録再生特性を得ることができる。また、その膜厚は、５ｎｍ以上１０ｎｍ未満がより好ましい。これにより、記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を大きくでき、さらに結晶状態と非晶質状態とでの体積変動を抑えて繰り返し記録特性の劣化を抑えることができる。
【００１５】
光入射側保護層は、膜厚が５０ｎｍ以下の薄い層でありながら樹脂層の熱ダメージを抑制する役割を果たす。具体的には、本発明の光入射側保護層は複数の材料層を有し、複数の材料層のうち、透明基板に最も近い光入射側材料層（以下、材料層Ａと称す）を構成する層が最も小さい内部応力を有している。従来技術では、記録層と樹脂層との距離が、５０ｎｍ以下になると、記録を行う際に記録層が吸収した熱により、樹脂層が熱ダメージを受けやすくなり、信号マークの品質が劣化しやすくなる。この原因としては、樹脂層が熱せられて熱収縮を起こしやすくなること、樹脂層が水分を吸収し、そこに熱が加わると樹脂層が加水分解を起こしやすくなること、熱が加わると樹脂層と光入射側保護層との界面が剥がれやすくなること、等が考えられる。そこで、本実施の形態では、膜厚が５０ｎｍ以下であって記録層と樹脂層との間に内部応力の小さい遮水性のある材料層を設けることで、外部から樹脂層へと水が浸入するのを防ぐ。その結果、樹脂層の熱ダメージを抑制することができる。ここで、本実施の形態では特に設けてはいないが、透明基板と樹脂層との間に内部応カの小さい遮水性のある材料層を設けてもよい。これにより、外部から透明基板を通して樹脂層へ水が侵入するのを防ぐことができる。その結果、樹脂層の熱ダメージを抑制することができる。
【００１６】
なお、材料層Ａを構成する層の内部応力の大きさは、−３００Ｎ／ｍｍ2以上３００Ｎ／ｍｍ2以下であることが好ましい。本来、内部応力に関しては、記録媒体の一部として形成されている各材料層を測定し、その結果を比較することで各材料層のうち最も値の小さいものを、最も小さい内部応力を有する材料層とすることが好ましい。しかし、材料層の内部応力は記録媒体中の他の層の影響を受けるため、そのような測定は困難である。そこで、材料層Ａが最も小さい内部応力を有しているとは、一定の材料および膜厚を有する基板上に各材料層単層を作成して得た測定値を比較した結果、材料層Ａの内部応力が最も小さい値であることとして読み替える。以下に、薄膜の内部応力の算出方法を示す。
【００１７】
厚さ約０．２ｍｍの基板（材質：ＢＫ７）上に種々の組成のＺｎＳ−ＳｉＯ2を単層で成膜する。さらに、段差測定器を用いて、成膜前後の基板のたわみの変化量を測定すると、内部応力σを以下の式により求めることができる。
σ＝（Ｅ×ｂ2×４×δ）／（３×（１−ν）×ｄ×ｌ2）
【００１８】
ここで、Ｅは基板のヤング率、νは基板のポアソン比、ｂは基板厚さ、ｌは測定長さ、ｄは薄膜の厚さ、δはたわみ変化量である。本実施の形態では、Ｅを７９２００Ｎ／ｍｍ2、νを０．２１４、ｌを１０ｍｍ、ｂを０．２ｍｍとした。薄膜の厚さは、１００ｎｍを目標にスパッタリングにより成膜した。この場合、各材料層の内部応力を比較するために、δ以外のパラメータを一定値としている。そのため、ここでは、内部応力が小さいとは、たわみ変化量が小さいということとなる。上記を踏まえた（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-xにおける内部応力の測定結果を、図３に示す。この場合、ｘが０．３以上０．９以下のとき、薄膜の内部応力が比較的小さくなることがわかる。
【００１９】
また、複数の材料層の少なくとも１つは、入射光の波長λ＝６６０ｎｍに対する屈折率が１．９０以下、より好ましくは１．６以下である。より好ましくは、材料層Ａにおける屈折率、さらに好ましくは、光入射側保護層全体の屈折率がこの範囲であればよい。屈折率を低くすればするほど、光入射側保護層全体の膜厚が５０ｎｍ以下であっても、記録層と樹脂層との距離が十分取れるため、樹脂層が熱ダメージを受けにくくなり、信号マークの品質劣化を抑制できる。また、光入射側保護層の膜厚を一定厚とした場合、屈折率を小さくするほど記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を大きくすることができる。複数の材料層の少なくとも１つの層として例えば、ＳｉＯ2を主成分とする材料が挙げられる。図２に、（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-xの波長λ＝６６０ｎｍのレーザ光に対する屈折率を示す。
【００２０】
また、光入射側保護層を構成する少なくとも１つの材料層の消衰係数は、０．０５以下であることが好ましい。これにより、材料層が光を吸収することを抑え、効率よく記録層に光を照射することができる。
【００２１】
材料層Ａとしては、緻密で内部応力が小さく遮水性の高い膜が得られることから無機材料であることが好ましい。また、入射光に対して透明な材料であればよい。具体的には、材料層Ａは、Ｚｎの硫化物を主に含み、さらにＳｉ、Ｔａ、もしくはＢｉの酸化物、またはＳｉの窒化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む。より好ましくは、Ｚｎの硫化物とＳｉの酸化物とを含み、（ＺｎＳ）x（ＳｉＯ2）1-x（０．３≦ｘ≦０．９）と表される。これらの材料により、光入射側保護層の屈折率を高くできる。また、薄膜の粒子形状を均一にできるため、最終的に記録媒体のノイズとなる原因を除去できる。ＺｎＳとＳｉＯ2の混合材料を用いると、一般的な酸化物材料よりも熱伝導率が低くなるために、記録時のレーザパワーを低くすることが容易となる。
【００２２】
材料層Ａの膜厚は、２ｎｍ以上２０ｎｍ未満が好ましく、さらには５ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましい。これにより、耐食性能の悪化を抑え、かつ記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を大きくすることができる。
材料層Ａ以外の材料層の少なくとも１つは、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＭｇの酸化物、Ｚｒ、Ａｌ、もしくはＢの窒化物、またはＣｅ、Ｌａ、もしくはＭｇのフッ化物から選ばれる少なくとも一つの化合物を含む。さらには、消衰係数および屈折率が最も小さなＳｉの酸化物材料が最も好ましい。
【００２３】
樹脂層は、膜厚は１μｍ以上３０μｍ未満であることが好ましい。さらには、５μｍ以上２５μｍ未満が好ましい。この範囲であれば、樹脂層形成時に樹脂を均一に塗布することができる。樹脂層の材料としては、アクリル酸エステル化合物を主成分とし、撥水性を有する化合物を添加することが好ましい。例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、トリシクロデカン−３．８−ジメチロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリプロポキシトリアクリレート、ジオキサングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等の溶剤に、アルキルトリアルコキシシラン、テトラアルコキシシラン、フルオロアルキルトリメトキシシランを含む撥水性を有する化合物、もしくは／かつ、フッ素系表面活性剤を用いることが好ましい。フッ素表面活性剤としては、例えば大日本インキ化学工業社製のメガファックＦ−１４２Ｄ、Ｆ−１４４Ｄ、Ｆ−１５０、Ｆ−１７１、Ｆ−１７７、Ｆ−１８３、ディフェンサＴＲ−２２０Ｋが好ましい。
【００２４】
透明基板の厚さは、５７０μｍ以上６００μｍ以下であることが好ましい。より具体的には、光入射側の基板表面から記録層までの距離を従来ＤＶＤ―ＲＡＭ構成と同じく６００μｍ±３０μｍとするために、５７５μｍ以上５９５μｍ以下が好ましい。
【００２５】
本発明において、各層を積層する基板としては、基板形成時の案内溝の転写性を良くすることが必要であり、透明基板としては、複屈折を基板全面で均一とすることが必要である。入射する光の反射光量は、光入射側の基板の複屈折によって大きく変化することが知られており、記録媒体全面で均一な反射光量を得るためには、透明基板の複屈折分布は可能な限り抑制する必要があった。本発明の構成においては、透明基板において基板の溝転写性を考慮せずに、複屈折を均一にすることのみに基板成形条件を適正化することが可能である。透明基板の複屈折は、基板全面で０ｎｍ±３０ｎｍであることが好ましい。
【００２６】
なお、透明基板上に遮水性のある層をあらかじめ形成しておいてもよい。これにより、透明基板と各層を積層した基板とを貼り合わせることが容易となる。この層は、材料層Ａと同様の材料からなり、スパッタリングやＰＶＤ、ＣＶＤ等の蒸着法を用いることができる。
【００２７】
なお、内部応力の小さな遮水性のある材料層Ａを設けること以外に、樹脂層の熱ダメージを抑制する手法としては、耐熱性を高めた樹脂層を用いることが有効である。そのような樹脂材料として、耐水性を有する、もしくは撥水性を有する樹脂材料を適用することができる。また、光入射側保護層との密着性を高めた樹脂層を本発明の構成に用いても良く、この場合には、樹脂層と光入射側保護層との界面剥離を抑制することができる。
【００２８】
（実施の形態２）
次に、上記実施の形態１に示した記録媒体に信号を記録再生および消去する方法の一例について述べる。
信号の記録再生および消去には、半導体レーザ光源および対物レンズを有する光ヘッドと、レーザ光を照射する位置へ導くための駆動装置と、トラック方向および膜面に垂直な方向の位置を制御するためのトラッキングおよびフォーカシング制御装置と、レーザパワーを変調するためのレーザ駆動装置と、記録媒体を回転させるための回転制御装置とを少なくとも備えた記録再生装置を用いる。
【００２９】
信号の記録および消去は、記録媒体を回転制御装置を用いて回転させ、レーザ光を微小スポットに絞りこんで照射することにより行う。信号方式としてはＥＦＭ変調方式が用いられる。ここで、レーザ光のパワーレベルを、記録層の一部分がアモルファス状態へと可逆的に変化しうるアモルファス状態生成パワーレベルと、結晶状態へと可逆的に変化しうる結晶状態生成パワーレベルとの間で変調させることにより、記録マークまたは消去部分を形成し、情報の記録、消去、または上書き記録を行う。ここでは、アモルファス状態生成パワーレベルのパワーを照射する部分は、パルスの列、いわゆるマルチパルスで形成される。なお、マルチパルスではないパルスで形成されてもよい。
【００３０】
実施の形態１の記録媒体への信号の記録に際しては、レーザ波長、光ピック開口数、レーザ出力、レーザ光に対する記録媒体の線速度等を適宜調整して、記録時のレーザ照射による記録媒体の構成層の発熱を抑え、樹脂層が変色・変形もしくは樹脂層と光入射側保護層との剥離を発生させることのない条件で記録する。これにより、良好な記録再生特性を得ることが可能となる。具体的には、記録層の発熱による熱量が樹脂層に伝わりにくく、樹脂層が熱ダメージを引き起こすことのないように記録条件を設定する。樹脂層が熱ダメージを受けると再生信号の品質が劣化するが、その原因としては、熱ダメージにより樹脂層が変形・変色して光入射側保護層と剥離して、照射レーザの反射光を変動させることが考えられる。樹脂層が劣化する場合、その劣化は数百回の繰り返し記録をしたときに顕著に現れる。すなわち、同一トラックに数回記録しただけでは、樹脂層の劣化が少ないため再生信号の品質は損なわれることは無いが、同一トラックに数百回記録した場合においては、樹脂層の劣化が進み、再生信号の品質が徐々に悪くなってゆく。
【００３１】
レーザ照射時の記録層に与えられる熱量は、光スポットの面積、光照射エネルギー、レーザ光の照射時間に伴って大きくなり、これにより樹脂層が熱ダメージを起こしやすくなる。これを防ぐために、レーザ波長、光ピック開口数を調整して光スポットの大きさを調整する、レーザ出力を調整して記録層への光照射エネルギーを調整する、レーザ光に対する記録媒体の線速度を調整してレーザ光の照射時間を調整する等を行う。
【００３２】
レーザ光の波長は、レーザ光照射により記録層に与えられる熱量により、樹脂層に熱ダメージを引き起こさせないことが重要であり、６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。これにより、レーザ光のスポットサイズが一般に波長に比例して大きくなることを抑え、高密度での記録を行うことができる。また、記録媒体を構成する材料層の波長に対する屈折率が変わることを抑え、記録媒体のコントラストを充分に満足させる為の媒体設計が容易になる。さらには、レーザ光の波長は、６４０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３３】
光ピックの開口数は、０．５５以上０．７０以下が好ましい。これにより、高密度での記録を行うことができ、また、レーザスポットが絞られすぎて樹脂層に熱ダメージが起こるのを防ぐことができる。
【００３４】
レーザ光に対する記録媒体の線速度は、１８ｍ／ｓ以上８０ｍ／ｓ以下が好ましい。さらには、２２ｍ／ｓ以上であることがより好ましい。これにより、樹脂層に熱が蓄積されて熱ダメージが起こることを防ぎ、また、モーターの振動が大きくなることで記録媒体の偏心が大きくなって、レーザの追従が困難となることを防ぐことができる。
【００３５】
以上により、樹脂層が熱ダメージを受けにくくすることが可能となり、良好な記録再生特性を得ることができる。
なお、レーザ光に対する記録媒体の線速度を早めると、記録時のレーザパワーを大きくする必要がある。しかし、光入射側保護層を多層化した本発明の構成においては、透明基板に最も近い光入射側材料層（材料層Ａ）に内部応力が小さくかつ遮水性が高く、熱伝導率の低い材料を用いて耐食性と記録感度を向上させることができる。また、他の層に低屈折率材料を用いることで記録媒体の結晶状態と非晶質状態とでの反射光量差を高くすることができる。そのため、反射側保護層の膜厚を厚くすることができるため、記録感度をより良くすることが可能となる。従って、記録媒体を２２ｍ／ｓ以上の高速で回転させた場合においても、充分に実用可能なレーザパワーで記録することができる。また、線速度が６５ｍ／ｓとさらに高速となった場合においても、実用上充分な記録感度で記録を行うことができる。
【００３６】
なお、案内溝の溝部分とランド部分の両方で情報信号の記録、再生、消去を行う、いわゆるランド・グルーブ記録を行った方が大容量化につながることはいうまでもない。この際は、クロストーク、クロスイレースが生じないよう、案内溝の深さや形状、記録媒体の反射率構成等を工夫する必要がある。さらに、溝部とランド部の溝方向に垂直な方向での幅の和は１．４０μｍ以下であることが好ましい。１．４０μｍピッチ以上の溝を用いても記録は可能であるが、１．４０μｍ以下の溝を用いて高密度記録を行う方が、本発明による樹脂層の熱ダメージ抑制の効果がより顕著に表れるためである。
【００３７】
次に、上記実施の形態に基づき各種記録媒体１００を作製して評価を行った結果について、実施例を用いて述べる。
（実施例１）
本実施例の記録媒体１００の主な構成および製造方法を、図１を用いて説明する。
記録媒体１００は、基板００１上に、反射層００２と、光吸収層００３と、反射側保護層００４と、反射側拡散防止層００５と、記録層００６と、光入射側拡散防止層００７と、光入射側保護層０１２（第１材料層００８および第２材料層００９）と、樹脂層０１０と、透明基板０１１とをこの順に有する。
基板００１としては、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０mmのディスク状ポリカーボネード樹脂基板を用いた。
【００３８】
反射層００２は、Ａｇ98Ｐｄ1Ｃｕ1（ａｔ％）合金ターゲットを用いて１６０ｎｍの膜厚となるよう形成した。
光吸収層００３は、Ｓｉ66Ｃｒ34（ａｔ％）合金ターゲットを用いて３０ｎｍの膜厚となるよう形成した。
反射側保護層００４は、ＺｎＳに２０ｍｏｌ％のＳｉＯ2を混合したターゲットを用いて、記録層がアモルファス状態の時の反射率Ｒｃが１５％以上となり、かつ、グルーブとランドの信号振幅が等しくなる膜厚とした。本実施例では、膜厚は３２ｎｍとした。
【００３９】
上記反射層００２、光吸収層００３、および反射側保護層００４は、真空成膜室にＡｒガスを流し、各ターゲットを用いてスパッタリング法により形成した。
反射側拡散防止層００５は、真空成膜室にＡｒと窒素ガスの混合ガスを窒素分圧が２０％となるように流し、Ｇｅ80Ｃｒ20（ａｔ％）合金ターゲットを用いて２ｎｍの膜厚となるよう形成した。
【００４０】
記録層００６は、真空成膜室にＡｒガスを流し、Ｇｅ38Ｓｂ3Ｂｉ5Ｔｅ54（ａｔ％）ターゲットを用いて８ｎｍの膜厚となるように形成した。
光入射側拡散防止層００７は、真空成膜室にＡｒと窒素ガスの混合ガスを窒素分圧が２０％となるように流し、Ｇｅ80Ｃｒ20（ａｔ％）合金ターゲットを用いて２ｎｍの膜厚となるよう形成した。
【００４１】
光入射側保護層０１２は、記録層００６側の第１材料層００８と、透明基板０１１（後述）側の第２材料層００９とから構成されている。
第１材料層００８は、真空成膜室にＡｒガスを流し、ＳｉＯ2ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより５ｎｍの膜厚となるように形成した。このとき、屈折率を調べるために、別途ガラス片上に第１材料層００８単層を形成したときの、波長６６０ｎｍにおける屈折率は１．４８であった。なお、第１材料層００８は、ＢＮ、ＣｅＦ3、ＬａＦ3、ＭｇＦ2、ＭｇＯ、ＭｇＳｉＯ3を材料としても良い。
【００４２】
第２材料層００９は、真空成膜室にＡｒガスを流し、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）混合ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより５ｎｍの膜厚となるように形成した。このとき、再度屈折率を調べるために、別途ガラス片上に第２材料層００９単層を形成したときの、波長６６０ｎｍにおける屈折率は２．１０であり、通常の屈折率１．８〜２．４の範囲内であった。なお、第２材料層００９は、ＺｎＯ、Ｇａ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｂｉ2Ｏ3を材料としても良い。
【００４３】
樹脂層０１０は、スピンコート法により形成し、アクリル系紫外線硬化性樹脂（大日本インキ化学工業（株）製ＳＤ−７１５）を５６部、フッ素系表面改質剤（大日本インキ化学工業（株）製ディフェンサＴＲ−２２０Ｋ）を１０部混合した溶剤を、膜厚が２０μｍとなるようにスピンコートにより形成した。
その後、真空中において、厚さ０．５８ｍｍの透明基板０１１を載せて貼り合わせた後、紫外線を照射して樹脂を硬化させ、記録媒体を作成した。
【００４４】
ここで、透明基板０１１は、複屈折が均一になるように形成条件を適正化して形成した基板であり、波長６６０ｎｍにおける複屈折を調べた結果、記録媒体全面で０ｎｍ±１５ｎｍであった。なお、記録媒体形成時に溝の転写性を高めるように形成条件を適正化して形成した透明基板０１１の複屈折は記録媒体全面で０ｎｍ±５０ｎｍであった。
また、透明基板０１１の貼合わせ表面には、あらかじめ遮水性のある層を形成しておく。この層は、（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20（ｍｏｌ％）混合ターゲットを用いて、ＲＦスパッタリングにより、膜厚が１０ｎｍとなるように形成した。
なお、スパッタリング方法としては、ＲＦスパッタリングに限るものではなく、例えば酸素を欠損させてターゲットに伝導性を持たせたターゲットを用いて、Ａｒガスと酸素ガスを混合させた雰囲気中でパルスＤＣ法によりスパッタしてもよい。
【００４５】
（実施例２）
第１材料層００８の膜厚を２ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体１００を作成した。
【００４６】
（実施例３）
第１材料層００８の膜厚を１０ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
【００４７】
（実施例４）
第２材料層００９の膜厚を３ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
【００４８】
（実施例５）
第２材料層００９の膜厚を１０ｎｍとし、また、反射側保護層００４の膜厚を３０ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
【００４９】
（実施例６）
第２材料層００９を（ＺｎＳ）70（ＳｉＯ2）30ターゲットを用いて作成し、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
【００５０】
（比較例１）
第１材料層００８を第２材料層００９と同じ（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20ターゲットを用いて作成し、膜厚を共に２ｎｍとした。また、反射側保護層００４の膜厚を２４ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
【００５１】
（比較例２）
第２材料層００９を第１材料層００８と同じＳｉＯ2ターゲットを用いて作成し、膜厚を共に１０ｎｍとした。また、反射側保護層００４の膜厚を３６ｎｍとし、他は実施例１と同様に記録媒体を作成した。
【００５２】
これらの記録媒体１００の評価方法は、以下のとおりである。
レーザ光の照射により記録層００６の一部分がアモルファス状態へと可逆的に変化しうるアモルファス状態生成パワーレベルをＰ１、同じくレーザ光の照射により結晶状態へと可逆的に変化しうる結晶状態生成パワーレベルをＰ２とした。レーザパワーをＰ１とＰ２の間で変調させることで記録マーク、または消去部分を形成し、情報の記録、消去、および上書き記録を行った。信号方式はＥＦＭ変調方式とし、ビット長は０．２８μｍ、ディスク回転速度は適宜調整した。トラックピッチは１．２０μｍ、即ち０．６０μｍごとに溝部とランド部が交互に形成される基板を用いた。溝部とランド部の幅の比が異なった基板を用いてもよい。ランドトラックにおいて、再生出力とノイズとの比（Ｃ／Ｎ比）がピークとなるＰ１の値を求めた。ここで、光ピックと記録媒体１００との線速度が２４ｍ／ｓの場合、Ｐ１の値が２２ｍＷ未満であった場合を○、２２ｍＷ以上であった場合を△とする。また、線速度が６４ｍ／ｓの場合、Ｐ１の値が３３ｍＷ未満であった場合を○、３３ｍＷ以上であった場合を△とした。
【００５３】
また、線速度が２４ｍ／ｓの際には、サイクル特性も評価し、樹脂層の熱ダメージを評価した。１０回オーバーライト後のＣ／Ｎ比が−３ｄＢ劣化する回数をサイクル回数とし、サイクル回数が１万回以上であったものを○、１万回未満であったものを△とした。
【００５４】
ディスクの耐食性については、９０℃８０％ＲＨの環境に１００ｈ投入したときの腐食の有無を調べた。腐食が確認されなかった場合を○、記録媒体１００の使用に問題ない程度に腐食が確認された場合を△、記録媒体１００の使用に支障を来たす程の腐食が確認された場合を×とした。
【００５５】
他に、各種記録媒体１００に対して、波長６６０ｎｍのレーザを記録媒体に照射したときの、記録層００６がアモルファス状態の時のディスクミラー部からの反射率Ｒａと、結晶状態の時のディスクミラー部からの反射率Ｒｃとを測定した。なお、Ｒｃは１５．０％以上となるように適宜調整した。
評価実験の結果を表１に示す。
【００５６】
【表１】
2006112344.tif 000007
上記結果より、本発明の実施例１から６の記録媒体１００において、記録感度、サイクル回数共に全て良好であり、腐食も見られなかった。よって、記録再生特性および耐食性の良好な光学情報記録媒体を得られたことがわかる。
一方、比較例１においては、記録感度について実施例ほど良好な結果は得られなかった。比較例２においては、腐食性に問題があった。
【００５７】
（他の実施形態）
上記実施の形態は本発明の具体例を明示したにすぎず、本発明を限定するものではない。本発明の要旨に反しない限り、種々の変更が可能である。
例えば、光入射側保護層が３層以上の材料層からなる場合にも本発明を適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明に係る光学情報記録媒体およびその記録方法は、各種記録媒体に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明に係る光学情報記録媒体の層構成を示す図。
【図２】本発明に係る光学情報記録媒体における材料層の屈折率のレーザ波長依存性を示す図。
【図３】本発明に係る光学情報記録媒体における材料層の内部応力測定結果を示す図。
【図４】従来の光学情報記録媒体の層構成を示す図。
【符号の説明】
【００６０】
００１  基板
００２、１０８  反射層
００３、１０７  光吸収層
００４、１０６  反射側保護層
００５、１０５  反射側拡散防止層
００６、１０４  記録層
００７、１０３  光入射側拡散防止層
００８  第１材料層
００９  第２材料層
０１０、１０９  樹脂層
０１１、１０１  透明基板
０１２、１０２  光入射側保護層
１１０  接着層
１１１  貼り合わせ用基材
１００、２００  光学情報記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006112344.tif 000008
【図２】
2006112344.tif 000009
【図３】
2006112344.tif 000010
【図４】
2006112344.tif 000011
【国際調査報告】
2006112344.tif 000012
2006112344.tif 000013
2006112344.tif 000014
2006112344.tif 000015