【事件の表示】
　特願２０１１−１０４８５６「ソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離微小構造及び分離ナノ構造の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月　４日出願公開、特開２０１１−２２３００９、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、２００４年１２月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年１２月１９日、米国、２００４年６月２５日、米国、２００４年８月２７日、米国）を国際出願日とする出願である特願２００６−５４５５４１号（以下、「原出願」という。）の一部を平成２３年５月１０日に新たな特許出願としたものであって、 平成２５年４月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、平成２６年４月３日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、同年８月８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２７年９月３０日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２８年４月４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明１２」という。）は、平成２８年４月４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１〜１２は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　ナノ若しくはマイクロサイズ粒子の作製方法であって：
　材料をパターン形成テンプレートに導入するステップであって、該パターン形成テンプレートが、その中に複数の凹みを規定し、該複数の凹みの各凹みが、実質的に等しい人工的な三次元形状であり、かつ該パターン形成テンプレートが、２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む、前記ステップ；
　該パターン形成テンプレートと基板を接触させるステップ；
　該材料が該パターン形成テンプレートの該凹みと接触している間に該材料を処理して、複数の分離された実質的に等しい人工的粒子を形成するステップ；
　該基板を該パターン形成テンプレートから取り外すステップであって、該実質的に等しい人工的粒子は該基板と接触したまま留まる、前記ステップ；及び
　該基板から該実質的に等しい人工的粒子を除去するステップを含み、該実質的に等しい人工的粒子が、自立構造である、前記作製方法。
　　【請求項２】
　前記エラストマー材料がパーフルオロポリエーテルである、請求項１記載の方法。
　　【請求項３】
　前記エラストマー材料の前記表面エネルギーが１５ｍＮ／ｍ未満である、請求項１記載の方法。
　　【請求項４】
　前記導入ステップに先立って、プラズマ処理、又は分子の吸着により前記パターン形成テンプレートの表面を修飾するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
　　【請求項５】
　前記人工的な三次元形状が、台形、円錐、矩形、矢形状、ウイルスの形状、あらかじめ定められた角度、実質的に平坦な表面、少なくとも２つの実質的に平行な表面、頂点、端、弓形、及びタンパク質の形状からなる群から選択される形状を含む、請求項１記載の方法。
　　【請求項６】
　前記粒子の生物学的認識要素を該粒子の表面に配置することにより、該生物学的認識要素が細胞結合部位に接近可能になるように、前記ナノ若しくはマイクロサイズ粒子を最適化するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
　　【請求項７】
　前記ナノ若しくはマイクロサイズ粒子の核が、活性因子を含むように構成される、請求項１記載の方法。
　　【請求項８】
　材料を型に導入するステップであって、該型が複数の非隣接の凹みを含み、かつ該型が２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む、前記ステップ；
　該凹みを該導入される材料で充填するステップであって、該材料が各凹みの全ての表面に接触する、前記ステップ；
　該型と基板を接触させるステップ；
　該材料が該型の非隣接の凹みと接触している間に該材料を処理し、複数の分離粒子を形成するステップ；
　該基板を該型から取り外すステップであって、該複数の粒子は該基板と接触したまま留まる、前記ステップ；及び
　該基板から該複数の粒子を除去し、複数の自立構造粒子を形成するステップを含む、
　複数の粒子の作製方法。
　　【請求項９】
　前記エラストマー材料がパーフルオロポリエーテルを含む、請求項８記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記エラストマー材料が、１５ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有する、請求項８記載の方法。
　　【請求項１１】
　前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造を含む、請求項２記載の方法：
　　【化１】
。
　　【請求項１２】
　前記パーフルオロポリエーテルが、下記構造を含む、請求項２記載の方法：
　　【化２】
（式中、Ｒはアクリレート、メタクリレート、スチレン、エポキシ、及びアミンからなる群から選択され、
　中央の円は多官能性分子、及び環状化合物からなる群から選択され、かつ
　該ＰＦＰＥは下記構造からなる群から選択される：
　　【化３】
。）。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
「この出願については、平成２５年　４月２２日付け拒絶理由通知書に記載した理由１，３によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
・理由１について（請求項６，７）
１．特別な技術的特徴に基づく審査対象の決定
　請求項１に係る発明は、上記拒絶理由通知書に示した引用文献１，２のそれぞれの開示内容に照らして、先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、特別な技術的特徴を有しているとはいえない。次に、請求項２１に係る発明に、特別な技術的特徴が発見された。
　したがって、それまでに特別な技術的特徴の有無を判断した請求項１，２，２１に係る発明を審査対象とする。
２．審査の効率性に基づく審査対象の決定
　請求項３−５，８−２０，２２に係る発明は、特別な技術的特徴に基づいて審査対象となった発明と、まとめて審査を行うことが効率的である発明であり、審査対象に加える。
　請求項６，７に係る発明は、請求項１に係る発明の発明特定事項を全て含む同一カテゴリーの発明である。しかしながら、請求項１に係る発明に対して追加された請求項６，７に係る発明の技術的特徴は、「物品の生物学的認識要素を該物品の表面に配置すること」及び「物品の核が、活性因子を含む」ことであるのに対し、請求項１に係る発明の技術的特徴は「エラストマー材料を含む」「パターン形成テンプレート」であるため、両者の技術的関連性が低い。そして、請求項６，７に係る発明は、特別な技術的特徴に基づいて審査対象とされた発明を審査した結果、実質的に追加的な先行技術調査や判断を必要とすることなく審査を行うことが可能である発明ではなく、当該発明とまとめて審査を行うことが効率的であるといえる他の事情も無い。
　したがって、請求項１に係る発明と請求項６，７に係る発明とは、発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当しないから、この出願は特許法第３７条に規定する要件を満たさない。
　そして、請求項６，７に係る発明は、発明の単一性の要件以外の要件についての審査対象としない。
・理由３について（請求項１−５，８−２２）
　請求項１に係る発明は、平成２５年１１月２１日付けの手続補正により、「ナノ若しくはマイクロサイズ物品の作製方法」及び「複数の分離された実質的に等しい人工的構造を形成するステップ」を備えることとなったが、引用文献１に記載された発明が、「ナノ若しくはマイクロサイズ物品の作製方法」であることは、段落００１０−００１４等の記載から、自明である。さらに、引用文献１の、「突出した造作３１５」「が液体３０５を押し退け、基体３００と接触する」との開示（段落００２５及び図３Ｂ参照）や、「互いに直接接触していない層を相互接続する「バイア」を生成するためにも使用することができる」との記載（段落００３３参照）から、引用文献１に記載された発明は、「複数の分離された」「人工的構造」を形成していると認められる。また、「互いに直接接触していない層を相互接続する『バイア』」をはじめとする電子部品の人工的構造は、通常、等しい形状の構造が複数整列するように形成されるものである。してみると、引用文献１に記載された発明は、「複数の分離された実質的に等しい人工的構造を形成するステップ」を備えている。
　そして、上記拒絶理由通知書の備考欄で述べたように、引用文献１に記載された発明において、モールドの表面エネルギーを、「２０ｍＮ／ｍ未満」に設定することは、当業者が容易になし得たことであるから、請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　また、引用文献２に記載されたインプリント加工用金型は、半導体素子や回折格子を含む微小光学素子の加工に用いるものであり、引用文献２に記載された発明は、「ナノ若しくはマイクロサイズ物品の作製方法」である。さらに、引用文献２の図３ｂ，ｃから、引用文献２に記載された発明は、「複数の分離された」「人工的構造」を形成していると認められる。また、半導体素子や回折格子を含む微小光学素子は、通常、等しい形状の構造が複数整列するように形成されるのである。してみると、引用文献２に記載された発明は、「複数の分離された実質的に等しい人工的構造を形成するステップ」を備えている。
　そして、上記拒絶理由通知書の備考欄で述べたように、引用文献２に記載された発明において、モールドの表面エネルギーを、「２０ｍＮ／ｍ未満」に設定することは、当業者が容易になし得たことであるから、請求項１に係る発明は、引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　請求項２で追加された発明の構成は、引用文献２に記載されている（引用文献２の請求項１、段落０００６−０００８参照）。
　また、引用文献１に記載された発明は、スタンプはエラストマを含むものの（段落００２５，００２７参照）、該エラストマが、パーフルオロポリエーテルであることの記載はない。しかしながら、引用文献２に記載されているように、パーフルオロポリエーテルを含むテンプレートは公知であるから、引用文献１に記載のスタンプを、パーフルオロポリエーテルを含むものとすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
　請求項３で追加された発明の構成は、当業者が適宜設定し得たことである。
　請求項４で追加された発明の構成に関して、テンプレートと樹脂の離型性を高めるなどの理由により、テンプレートに対し、請求項４に記載の処理を施すことは、慣用技術である。
　請求項５で追加された発明の構成は、設計的事項である。
　請求項８−２０に係る発明も、上記と同様の理由により、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　請求項２１，２２で追加された発明の構成に関して、上記のとおり、引用文献２に記載された発明は、パーフルオロポリエーテルを備えている。そして、パーフルオロポリエーテルのなかでも、請求項２１，２２で特定された化学構造のものを選択することは、当業者が適宜なし得たことである。また、これらの化学構造のものを選択することにより、他のパーフルオロポリエーテルを使用する場合に比して、異質の効果又は同質であるが際だって優れた効果を奏するものとは認められない。」
　そして、上記「平成２５年　４月２２日付け拒絶理由通知書に記載した理由１，３」は、下記のとおりである。
「１．この出願は、下記の点で特許法第３７条に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（ａ）請求項１に係る発明と、請求項１５，１６，２０−２７，３１−３３，３６−４１に係る発明とに共通する技術的特徴は、下記引用文献１，２のそれぞれの開示内容に照らして、先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、ほかに同一の又は対応する特別な技術的特徴が存在しない。
　よって、請求項１に係る発明と請求項１５，１６，２０−２７，３１−３３，３６−４１に係る発明との間で同一の又は対応する特別な技術的特徴を見出すことができない。
　したがって、請求項１に係る発明と請求項１５，１６，２０−２７，３１−３３，３６−４１に係る発明とは、発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当しないから、この出願は特許法第３７条に規定する要件を満たさない。
（ｂ）請求項１に係る発明は、下記引用文献１の開示内容に照らして、先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、特別な技術的特徴を有しているとはいえない。
　よって、請求項１に係る発明と請求項２−４１に係る発明との間で、同一の又は対応する特別な技術的特徴を見出すことができない。
　ただし、請求項３，８−１３，１７，１８，２８−３０，３４，３５に係る発明については、発明の単一性の要件を問わないこととする（「特許・実用新案　審査基準」第Ｉ部第２章４．２を参照）。
　以上のように、請求項１に係る発明と請求項２，４−７，１４−１６，１９−２７，３１−３３，３６−４１に係る発明とは、発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当しないから、この出願は特許法第３７条に規定する要件を満たさない。
　この出願は特許法第３７条の規定に違反しているので、請求項１，３，８−１３，１７，１８，２８−３０，３４，３５以外の請求項に係る発明については特許法第３７条以外の要件についての審査を行っていない。」
「３．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１，３，８，１１−１３，１７，１８，２８，３０，３４
・引用文献１
・備考
　引用文献１には、エラストマースタンプを、液体のフィルムで被覆された基体に押しつけて、パターンを形成するエンボス加工技術が開示されている（段落００２５−００２９、図３Ａ−Ｃ参照）。また、引用文献１には、当該エンボス加工技術を用いて、電子部品を形成すること（段落０００１参照）、中でも、「互いに直接接触していない層を相互接続する「バイア」を生成するためにも使用する」こと（段落００３３参照）から、引用文献１に記載の前記パターンは「実質的に等しい人工的な形状からなる」ものを含むと認められる。そうすると、引用文献１に記載された発明は、請求項１に記載の「材料が前記パターン形成テンプレートの前記凹みと接触している間に該材料を処理して、複数の実質的に等しい人工的構造を形成するステップ；
及び　前記パターン形成テンプレートの凹みから前記実質的に等しい人工的構造を除去するステップ」を備えているといえる。
　さらに、引用文献１には、前記スタンプは、ナノサイズパターンを有することが記載されているから（段落００１４参照）、前記スタンプにより加工されたパターンは、ナノサイズである。
　そして、引用文献１に記載された発明は、液体のフィルムは、前記スタンプ及び前記基体に接触した状態から離型されることとなるが、スタンプの離型性について、引用文献１には、「基体３００とスタンプ３１０の表面エネルギーが十分に不釣り合いなものであれば、スタンプ３１０によって基体の材料が取り去られることはない。」との記載があり、この記載は、スタンプの表面エネルギーを、基体の表面エネルギーに比べて低く設定することを示唆していると認められる。
　ただし、引用文献１には、請求項１の「約２０ｍＮ／ｍ」という数値までは記載がない。しかしながら、請求項１に記載の前記数値は、インプリントモールドの表面エネルギーとして一般的な数値であるから（例えば、引用文献３の明細書第１２頁第１３−１４行に記載の、14 dynes/cm（注　1 dyne/cm＝１mN/mである）を参照されたい。）、引用文献１に記載された発明において、モールドの表面エネルギーを、「約２０ｍＮ／ｍ未満」に設定することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　また、請求項３，８，１１−１３，２８，３０，３４に係る発明も、同様の理由により、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　請求項１７，１８に係る発明に関して、引用文献１には、液体状の未硬化エラストマーを母型に注入し、硬化させ、母型から分離し、エラストマースタンプを製造する方法が開示されており（段落００１４−００１８、図１Ａ−Ｄ参照）、請求項１７に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
・請求項１，３，９−１３，２８−３０，３４，３５
・引用文献２
・備考
　引用文献２には、半導体素子や回折格子などの微小光学素子を形成するためのインプリント・リソグラフィにおいて、モールドの表面エネルギーを低減して被加工材料となる高分子樹脂の剥離性を向上させるために、モールドの表面をパーフルオロポリエーテルで被覆する技術が開示されている（段落０００１−０００３，０００６−０００８、請求項１参照）。
　ここで、本願出願時において、引用文献２に記載の「半導体素子や回折格子」には、ナノサイズ物品のものが含まれることは明らかである。また、半導体素子を構成する代表的なパターンとして、ライン・アンド・スペースのパターンやホールパターンがあるが、これらのパターンが実質的に等しい人工的な形状からなることは、技術常識である。さらに、回折格子が、実質的に等しい人工的な形状を含んでいることは、自明である。そうすると、引用文献２に記載された発明における「モールド」は、請求項１に記載の「その中に複数の凹みを規定し、該複数の凹みの各凹みが、実質的に等しい人工的な三次元形状」の「パターン形成テンプレート」に相当する。加えて、パーフルオロポリエーテルは、エラストマー材料の一種である。
　また、引用文献２に記載された発明は、インプリント・リソグラフィであるから、請求項１に記載の「材料が前記パターン形成テンプレートの前記凹みと接触している間に該材料を処理して、複数の実質的に等しい人工的構造を形成するステップ；
及び　前記パターン形成テンプレートの凹みから前記実質的に等しい人工的構造を除去するステップ」を備えていることは自明である。
　そして、引用文献２には、モールドの表面エネルギーを低減させることの記載はあるが、同文献には、請求項１の「約２０ｍＮ／ｍ」という数値までは記載がない。しかしながら、請求項１に記載の前記数値は、インプリントモールドの表面エネルギーとして一般的な数値であるから（例えば、引用文献３の明細書第１２頁第１３−１４行に記載の、14 dynes/cm（注　1 dyne/cm＝１mN/mである）を参照されたい。）、引用文献２に記載された発明において、モールドの表面エネルギーを、「約２０ｍＮ／ｍ未満」に設定することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、請求項１に係る発明は、引用文献２に記載された発明に基づいて、容易に想到し得たものである。
　また、請求項３，９−１３，２８−３０，３４，３５に係る発明も、同様の理由により、引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特表２００３−５０９２２８号公報
２．特開２００２−２８３３５４号公報
３．国際公開第２００２／０６７０５５号」
２　原査定の理由の判断
（１）理由３について
ア　原査定に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−２８３３５４号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インプリント・リソグラフィにおけるモールド（鋳型）の剥離性を向上させるための、インプリント加工用金型、インプリント加工用金型の製造方法、及び、半導体素子のパターン形成方法に関する。」
（イ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、金型の材料と化学的に反応する官能基を有するパーフルオロポリエーテルで被覆してなるインプリント加工用金型である。また本発明は、インプリント加工用金型の表面を洗浄する第一の工程と、インプリント加工用金型を、金型の材料と化学的に反応する官能基を有するパーフルオロポリエーテルに暴露する第二の工程を含む、インプリント加工用金型の製造方法でもある。この製造方法は、さらに、上記インプリント加工用金型を加温加湿下に放置する第三の工程を含んでもよい。」
（ウ）「【００３７】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
（実施例１）  インプリント加工用金型の製造
以下、図１に沿って説明する。半導体微細加工技術を用いてシリコン基板を成形した金型１０を用意し（図１−ａ）、金型１０の表面を有機溶剤（アセトン）で超音波洗浄後、硫酸／過酸化水素水の混合液で煮沸洗浄し、水洗乾燥後にオゾン照射を行い、表面を清浄化した（図１−ｂ）。続いて、パーフルオロポリエーテルの希釈溶液１１として、Ｃ３Ｆ７（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｐＯＣ２Ｆ４Ｃ２Ｈ４−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３（数平均分子量４０００）を０．１重量パーセントの濃度にフッ素系不活性溶剤（パーフルオロヘキサン）で希釈した溶液を用い、この溶液中に前記金型１０を２３℃で約１分間浸透させた（図１−ｃ）。浸透後、前記金型１０をフッ素系不活性溶剤（パーフルオロヘキサン）で５分〜３０分間リンスしたのち、前記金型１０を６０℃、湿度９５％の恒温恒湿槽中で約１時間放置し（図１−ｄ）、前記金型表面にフッ素系樹脂薄膜としてＣ３Ｆ７（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｐＯＣ２Ｆ４Ｃ２Ｈ４−を生成させ、パーフルオロポリエーテルが表面に被覆されてなるインプリント加工用金型を得た。その後、再度、フッ素系不活性溶剤（パーフルオロヘキサン）で５分間リンスしたのち、エチルアルコールで洗浄した（図１−ｅ）。以上、一連の工程は大気中で行った。
【００３８】
こうして得られたインプリント加工用金型の電子顕微鏡写真を図２に示した。この図から、パーフルオロポリエーテルが金型の凹部の溝部分に入り込んでおらず、良好な状態で金型の表面を被覆していることが分かる。
【００３９】（実施例２）  
半導体素子のパターン形成
実施例１で得られた、パーフルオロポリエーテルで被覆された金型を用いて、半導体素子のパターン形成を行った。以下、図３に沿って説明する。まず、シリコンからなる半導体基板２１に、ポリメチルメタクリレートからなる高分子樹脂を回転塗布し、高分子樹脂膜で被覆された半導体基板を得た（図３−ａ）。続いて、半導体基板２１及び高分子樹脂膜２０を、高分子樹脂２０のガラス転移温度（１１０℃）以上に加熱し、実施例１で得られた金型１０を高分子樹脂２０に、圧力６０ＭＰａ、温度１７０℃でプレスした（図３−ｂ）。続いて、金型１０を除荷して取り除くことにより、金型１０の微細構造が、高分子樹脂膜２０に転写された。この実施例によれば、金型１０の微細構造を、高分子樹脂を金型１０に付着させることなく、良好に転写形成することができた。
（エ）「【図１】
【図２】
【図３】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記記載事項エの図２から、インプリント用加工金型には、複数の非隣接の凹部がすべて同じ形状のライン状の溝が形成されている構成が読み取れる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「パーフルオロポリエーテルで被覆されたインプリント用加工金型を用いる半導体素子のパターン形成方法であって、
　インプリント用加工金型には、複数の非隣接の凹部がすべて同じ形状のライン状の溝が形成されており、
　まず、シリコンからなる半導体基板２１に、ポリメチルメタクリレートからなる高分子樹脂を回転塗布し、高分子樹脂膜で被覆された半導体基板を得て、
　続いて、半導体基板２１及び高分子樹脂膜２０を、高分子樹脂２０のガラス転移温度（１１０℃）、以上に加熱し、金型１０を高分子樹脂２０に、圧力６０ＭＰａ、温度１７０℃でプレスして、
　続いて、金型１０を除荷して取り除くことにより、金型１０の微細構造が、高分子樹脂膜２０に転写され、金型１０の微細構造を、高分子樹脂を金型１０に付着させることなく、良好に転写形成することができる、半導体素子のパターン形成方法。」
イ　本願発明１について
（ア）対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、
「微細構造の作製方法であって：
　材料をパターン形成テンプレートに導入するステップであって、該パターン形成テンプレートが、その中に複数の凹みを規定し、該複数の凹みの各凹みが、実質的に等しい人工的な三次元形状であり、かつ該パターン形成テンプレートが、２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む、前記ステップ；
　該パターン形成テンプレートと基板を接触させるステップ；
　該材料が該パターン形成テンプレートの該凹みと接触している間に該材料を処理して、複数の分離された実質的に等しい微細構造を形成するステップ；
　該基板を該パターン形成テンプレートから取り外すステップであって、該実質的に等しい微細構造は該基板と接触したまま留まる、前記ステップを含み、該実質的に等しい微細構造が、自立構造である、前記作製方法。」
で一致し、次の点で相違する。
　微細構造が、本願発明１では、「自立構造である」、「ナノ若しくはマイクロサイズ粒子」であって、「該基板から該実質的に等しい人工的粒子を除去するステップ」により得られるものであるのに対して、引用発明では、サイズが不明であって、「半導体基板」上の「高分子樹脂」に「転写」された「半導体素子のパターン」である点。（以下、「相違点ａ」という。）
（イ）判断
　上記相違点ａについて検討する。
　引用文献１の全記載を精査しても、パターン形成テンプレートの凹みで形成され、基板に接触したまま留まる人工的粒子を、該基板から除去して、自立構造である，ナノ若しくはマイクロサイズ粒子である人工的粒子を作成する方法は、開示も示唆もされていない。
　また、他に、該人工的粒子を作成する方法が公知であることを示す証拠もない。
（ウ）結論
　したがって、本願発明１は、上記相違点ａにおいて、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
ウ　本願発明２〜７、１１、１２について
　本願発明２〜７、１１、１２は、本願発明１の発明特定事項をすべて有し、さらに限定したものであるから、本願発明１と同様、上記相違点ａにおいて、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
エ　本願発明８について
（ア）対比
　本願発明８と引用発明を対比すると、
「材料を型に導入するステップであって、該型が複数の非隣接の凹みを含み、かつ該型が２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む、前記ステップ；
　該凹みを該導入される材料で充填するステップであって、該材料が各凹みの全ての表面に接触する、前記ステップ；
　該型と基板を接触させるステップ；
　該材料が該型の非隣接の凹みと接触している間に該材料を処理し、複数の分離構造を形成するステップ；
　該基板を該型から取り外すステップであって、該複数の分離構造は該基板と接触したまま留まる、前記ステップを含む、
　複数の分離構造の作製方法。」
で一致し、次の点で相違する。
　分離構造が、本願発明８では、「該基板から該複数の粒子を除去し、複数の自立構造粒子を形成するステップ」により得られる「複数の自立構造粒子」であるのに対して、引用発明では、「半導体基板」上の「高分子樹脂」に「転写」された「半導体素子のパターン」である点。（以下、「相違点ｂ」という。）
（イ）判断
　上記相違点ｂについて検討する。
　引用文献１の全記載を精査しても、型の凹みで形成され、基板と接触したまま留まる自立構造粒子を該基板から除去して、複数の自立構造粒子を作成する方法は、開示も示唆もされていない。
　また、他に、該自立構造粒子を作成する方法が公知であることを示す証拠もない。
（ウ）結論
　したがって、本願発明８は、上記相違点ｂにおいて、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
オ　本願発明９、１０について
　本願発明９、１０は、本願発明８の発明特定事項をすべて有し、さらに限定したものであるから、本願発明８と同様、上記相違点ｂにおいて、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
カ　小括
　上述のとおり、本願発明１〜１２は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
（２）理由１について
　本願発明１及び８は、パターン形成テンプレート若しくは型の凹みで形成され、基板と接触したまま留まる自立構造粒子を該基板から除去して、複数の自立構造粒子を作成する方法という共通する技術的特徴を有する。この共通する技術的特徴は、上記（１）で検討したとおり、引用発明との対比において、特別な技術的特徴であることは明らかである。
　すると、本願発明１と本願発明２〜１１は、同一の特別な技術的特徴を有すると認められる。
　したがって、本願発明１と本願発明２〜１２は、発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当するから、本願は、特許法第３７条に規定する要件を満たさないとすることはできない。
（３）原査定についての結論
　以上のとおり、原査定によって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
「１）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
 ２）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１〜７
・引用文献１〜２
　引用文献１（特に【００３７】〜【００３９】、図１〜３参照）には、パーフルオロポリエーテルで被覆された金型、すなわちパーフルオロポリエーテルを含む金型を用いて微細構造を作成する方法が記載されており、高分子樹脂膜で被覆された半導体基板に、高分子樹脂のガラス転移温度以上に加熱しつつ、金型を押し付けて、金型の凹部の溝部分に高分子樹脂を導入し、金型を除荷して取り除くことにより、高分子樹脂膜に金型の微細構造を転写形成することが記載されている。ここで、上記パーフルオロポリエーテルの表面エネルギーは２０ｍＮ／ｍ未満であることが周知である。また、引用文献１に記載された方法は、金型の微細構造を転写形成したのものであるから、自立構造であると認められる。さらに、図２の開示内容から、各構造体がナノ若しくはマイクロサイズであることが明らかである。
　そして、電子部品の製造において、１回のパターニングで複数のチップを製造することが一般的であること、１チップの回路パターンには、通常、同形状で形成される構造群が複数形成されているのが一般的であること、等の技術常識を考慮すれば、引用文献１の微細構造は、金型中に、複数、分離された形態で存在するとみるのが、当業者にとって自然である。
　そうすると、本願の請求項１に係る発明と引用文献１に記載された発明とは、差違を有しない。
　また、発明の詳細な説明を参酌して本願の請求項１に係る発明を認めた場合に、引用文献１に記載された発明との間で差違を有するものであったとしても、当該差違は設計的事項にすぎないから、本願の請求項１に係る発明は引用文献１に基いて、当業者が容易になし得たものである。
　引用文献２（特に【００１４】〜【００２８】、図１Ａ〜図３Ｃ参照）には、エラストマーにより形成されたスタンプを用いて、基体上の薄い均一な液体のフィルムに対して、スタンプを下降させ、スタンプの凹部に液体のフィルムを導入させ、スタンプが基体に対している状態で液体のフィルムを硬化させ、スタンプを取り除くことでパターンを形成することが記載されている。引用文献２は、【００１０】に記載されているように、ナノスケールでのパターン形成を課題としており、上記パターンもナノスケールのものと認められる。また、引用文献２は、スタンプが基体に対している状態で液体のフィルムを硬化させ、スタンプを取り除くことでパターンを形成したものであるから、自立構造であると認められる。
　そして、電子部品の製造において、１回のパターニングで複数のチップを製造することが一般的であること、１チップの回路パターンには、通常、同形状で形成される構造群が複数形成されているのが一般的であること、等の技術常識を考慮すれば、引用文献２のパターンは、スタンプ中に、複数、分離された形態で存在するとみるのが、当業者にとって自然である。
　そうすると、本願の請求項１に係る発明と引用文献２に記載された発明とは、本願の請求項１に係る発明が「パターン形成テンプレートが、２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む」のに対し、引用文献２に記載された発明は、スタンプを形成するエラストマーの表面エネルギーが不明な点で相違しており、残余の点では一致している。
　引用文献２において、スタンプと硬化された液体のフィルムとの離型性を要することは技術的に明らかであるところ、引用文献１には、離型性が良好な材料としてパーフルオロポリエーテルが記載されており、当該パーフルオロポリエーテルはエラストマー材料であり、表面エネルギーは２０ｍＮ／ｍ未満であることが周知であるから、引用文献２のエラストマー材料として引用文献１記載のパーフルオロポリエーテルを適用し、「パターン形成テンプレートが、２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む」構成となし本願の請求項１に係る発明を得ることは、当業者が容易になし得るものである。
　また、本願の請求項２〜７に記載の技術事項については、引用文献１〜２に記載のものないしは周知の事項にすぎない。
・請求項８〜１４
・引用文献１〜２
　
　上記請求項１〜７について述べたように、引用文献１には、パーフルオロポリエーテルを含む金型であって、その微細構造は、金型中に、複数、分離された形態で存在するとみられる金型が記載されている。
　そうすると、本願の請求項８に係る発明と引用文献１に記載された発明とは、差違を有しない。
　また、発明の詳細な説明を参酌して本願の請求項８に係る発明を認めた場合に、引用文献１に記載された発明との間で差違を有するものであったとしても、当該差違は設計的事項にすぎないから、本願の請求項８に係る発明は引用文献１に基いて、当業者が容易になし得たものである。
　上記請求項１〜７について述べたように、引用文献２には、エラストマーにより形成されたスタンプであって、そのパターンは、スタンプ中に、複数、分離された形態で存在するとみられる金型が記載されており、当該スタンプの材料として引用文献１記載のパーフルオロポリエーテルを適用することで本願の請求項８に係る発明と成すことは、当業者が容易になし得るものである。
　
　また、本願の請求項９〜１４に記載の技術事項については、引用文献１〜２に記載のものないしは周知の事項にすぎない。
・請求項１５〜１７
・引用文献１〜２
　引用文献２（特に【００１４】〜【００１７】、図１Ａ〜図１Ｄ参照）には、母型となるパターン形成された基体に、液体状の未硬化エラストマーを導入し、エラストマーを硬化させ、基体から分離することでスタンプが形成されることが記載されている。
　そうすると、本願の請求項１５に係る発明と引用文献２に記載された発明とは、本願の請求項１５に係る発明が「エラストマー材料が、２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有し」ているのに対し、引用文献２に記載された発明は、エラストマーの表面エネルギーが不明な点で相違しており、残余の点では一致している。
　そして、上記請求項１〜７について述べた理由と同様の理由で、引用文献２のエラストマー材料として引用文献１記載のパーフルオロポリエーテルを適用し、本願の請求項１５に係る発明を得ることは、当業者が容易になし得るものである。
　また、本願の請求項１６〜１７に記載の技術事項については、引用文献１〜２に記載のものないしは周知の事項にすぎない。
・請求項１８〜２２
・引用文献１〜２
　上記請求項１〜７について述べたように、引用文献１には、パーフルオロポリエーテルを含む金型を用いて微細構造を作成する方法が記載されており、【００３９】及び図３の記載から、金型の凹部に高分子樹脂が充填されていることが認められる。
　そうすると、本願の請求項１８に係る発明と引用文献１に記載された発明とは、差違を有しない。
　また、発明の詳細な説明を参酌して本願の請求項１８に係る発明を認めた場合に、引用文献１に記載された発明との間で差違を有するものであったとしても、当該差違は設計的事項にすぎないから、本願の請求項１８に係る発明は引用文献１に基いて、当業者が容易になし得たものである。
　
　上記請求項１〜７について述べたように、引用文献２には、エラストマーにより形成されたスタンプを用いて、パターンを形成することが記載されている。
　本願の請求項１８に係る発明と引用文献２に記載された発明とは、
　本願の請求項１８に係る発明が「型が２０ｍＮ／ｍ未満の表面エネルギーを有するエラストマー材料を含む」のに対し、引用文献２に記載された発明は、エラストマーの表面エネルギーが不明な点、及び、
　本願の請求項１８に係る発明が「前記凹みを前記導入される材料で充填」しているのに対し、引用文献２に記載された発明は、スタンプの凹部を液体のフィルムで充填していない点、
で相違しており、残余の点では一致している。
　そして、上記請求項１〜７について述べた理由と同様の理由で、引用文献１記載のパーフルオロポリエーテル、及び、上記引用文献１記載の金型の凹部に高分子樹脂を充填する技術を適用して、本願の請求項１８に係る発明を得ることは、当業者が容易になし得るものである。
　
　また、本願の請求項１９〜２２に記載の技術事項については、引用文献１〜２に記載のものないしは周知の事項にすぎない。
　引用文献等一覧
１．特開２００２−２８３３５４号公報
２．特表２００３−５０９２２８号公報」
２　当審拒絶理由の判断
（１）理由１、２について
ア　当審拒絶理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献１には、引用発明が記載されている。（上記「第３」「２」「（１）」「ア」参照）
イ　本願発明１〜１２について
　上記「第３」「２」「（１）」「イ」〜「オ」で検討したとおり、本願発明１〜１２は、上記相違点ａにおいて、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　また、本願発明１〜１２が、引用発明であるということもできなくなったことは明らかである。
（２）小括
　上述のとおり、本願発明１〜１２は、引用発明であるとはいえなくなったから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないとすることも、また、本願発明１〜１２は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえなくなったから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることもできない。
（３）当審拒絶理由についての結論
　以上のとおり、もはや、当審拒絶理由によって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第５　むすび
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。