【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック表面の光電子収量（ＰＥＹ）及び／又は二次電子収量（ＳＥＹ）を低減する方法であって、前記表面に構造の周期的な配置を作成する一連のレーザパルスを含むパルス状のレーザ放射を前記表面に照射することを含む方法。
【請求項２】
前記パルスの出力密度は、０．１ＴＷ／ｃｍ２から３ＴＷ／ｃｍ２の範囲にあり、又は０．５ＴＷ／ｃｍ２から１．５ＴＷ／ｃｍ２の範囲にある請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パルスの出力密度は、０．１ＧＷ／ｃｍ２から３ＧＷ／ｃｍ２の範囲にあり、又は０．２ＧＷ／ｃｍ２から１ＧＷ／ｃｍ２の範囲にある請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザ放射の照射は、前記表面が、２．５未満、２．０未満、１．６以下、１．４以下、０．２から２．０の範囲、０．５から１．６の範囲、及び１．０から１．４の範囲のいずれか一つにあるＳＥＹの値を有するように前記表面の特性を変えるようなものである請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記レーザパルスは、前記表面の材料の熱緩和時間より短い持続時間を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記レーザパルスのパルス持続時間は、３００フェムト秒（ｆｓ）から１ナノ秒（ｎｓ）の範囲にあり、又は１ｎｓから１００ｎｓの範囲にある請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記パルス持続時間は、１ｐｓから１００ｐｓの範囲、１ｐｓから５０ｐｓの範囲、及び５ｐｓから５００ｐｓの範囲のいずれか一つにある請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記表面の前記構造の周期的な配置は、互いに実質的に平行な周期的な一連のピーク及びトラフを含み、並びに／又は前記ピークは、頂部は実質的に平坦であり、及び／若しくは頂部が丸く、頂部が実質的に尖っていない及び／若しくは尖った領域を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ピークの少なくともいくつかについて前記ピークからトラフまでの距離、及び／又はピークからトラフまでの距離の平均値又は中央値は、１μｍから１００μｍの範囲、２０μｍから８０μｍまでの範囲、及び３０μｍから６０μｍの範囲のいずれか一つにある請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記構造の周期的な配置は、クロスハッチされた配置を含み、又はピーク及びトラフの実質的に平行なラインの配置が実質的にクロスハッチなしで配置された請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記構造の周期的な配置は、前記レーザ放射を提供するレーザ源の単一パスによって作成された請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記レーザ放射は、前記表面において、５μｍから１００μｍの範囲にあり、又は１μｍから１００μｍの範囲にある焦点スポット径を有するパルス状のレーザビームを含む請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記パルス状の放射は、１０ｋＨｚから１ＭＨｚの範囲にあるパルス繰り返し率を有する請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記レーザ放射の平均出力は、３Ｗから８Ｗの範囲、１Ｗから１０Ｗの範囲、０．３Ｗから２Ｗの範囲、１Ｗから５Ｗの範囲、０．１Ｗから１Ｗの範囲、０．１Ｗかて２Ｗの範囲、０．３Ｗから５Ｗの範囲のいずれか一つにある請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記レーザ放射を前記表面に照射することは、前記表面をパルス状のレーザビームで走査することを含み、前記走査の走査速度は１ｍｍ／ｓから２００ｍｍ／ｓの範囲にある請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記表面のパルス状のレーザビームの走査が２から１０回にわたり繰り返され、又は１回行われる請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記表面への前記レーザ放射の入射は、０度から３０度までの範囲にあり、又は９０度から６０度までの範囲にある請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記レーザ放射の波長は、１００ｎｍから２０００ｎｍの範囲にあり、又は３５５ｎｍ、５３２ｎｍ及び１０６４ｎｍのいずれか一つである請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記構造の周期的な配置は、第１の方向に配置された第１の一連のピーク及びトラフと、第２の異なる方向に配列された第２の一連のピーク及びトラフとを含む請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の一連のピーク及びトラフ及び前記第２の一連のピーク及びトラフは、前記構造の周期的な配置がクロスハッチ配列を含むように交差する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記レーザ放射は、前記表面への前記レーザ放射の照射がさらなる構造を作成し、前記さらなる構造が前記構造の周期的な配置よりも小さくなるようなものである請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記さらなる構造が、さらなる周期的な構造を含み、及び／又はナノリップルを含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記さらなる構造は、レーザ誘起表面周期構造（ＬＩＰＰＳ）を含む請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記さらなる構造は、１０ｎｍから１μｍの範囲にある周期性を有し、又は１００ｎｍから１μｍの範囲にある周期性を有する請求項２１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記さらなる構造は、前記構造の周期的な配置の少なくとも一部を覆い、及び／又は前記構造の周期的な配置のトラフ及び／又はピークに形成された請求項２１から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記表面は、積層構造の一部を形成する請求項１から２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記表面は、粒子加速器、入射キッカーシステム、ビームライン、導波管、例えば無線周波数導波管、宇宙船、又は真空チャンバの一部を形成する請求項１から２６の少なくとも一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記表面は装置の構成部品の表面を含み、前記表面に構造の周期的な配置を作成するように、前記表面に前記レーザ放射を照射し、次いで前記構成部品を前記装置に設置することを含み、又は、前記装置における位置で前記構成部品の表面にレーザ放射を照射することを含む請求項１から２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記レーザ放射の照射の後で前記表面の少なくとも一部に金属層を形成することをさらに含む請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記レーザ放射の照射の後で前記表面を脱脂、洗浄又は平滑化すること、及び／又は前記レーザ放射の照射の後で前記表面に対して表面炭素還元プロセスを行うことの少なくとも一つを含む請求項１から２９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
セラミック表面の光電子収量（ＰＥＹ）及び／又は二次電子収量（ＳＥＹ）を低減する装置であって、
パルス状のレーザ放射を表面に照射するレーザ源と、
セラミック表面に構造の周期的な配置を作成するように、レーザ放射を一連のレーザパルスとして照射するように前記レーザ源を制御するように構成されたレーザコントローラと
を含む装置。
【請求項３２】
構造の周期的な配置を含むレーザ処理セラミック表面。
【請求項３３】
前記構造の周期的な配置の少なくとも一部を覆う金属層をさらに含む請求項３２に記載のレーザ処理セラミック表面。