【事件の表示】
　特願２０１１−５５００５０「ＯＬＥＤパネルの画素回路、および前記画素回路を用いた表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月１９日国際公開、ＷＯ２０１０／０９３１１９、平成２４年　８月　９日国内公表、特表２０１２−５１８１９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　 
第１　手続の経緯  
　  
　本願は、平成２２年１月６日（パリ条約による優先権主張　２００９年２月１６日　韓国　２００９年５月２９日　韓国　）を国際出願日とする出願であって、平成２５年４月２３日付けの拒絶理由通知に対して平成２５年８月１２日付けで手続補正がなされ、平成２６年４月７日付けの最後の拒絶理由通知に対して平成２６年７月１８日付けで手続補正がなされたが、平成２６年１１月６日付けで補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２７年３月１７日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２７年３月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定  
　  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２７年３月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］  
　
１　本件補正  
　
　本件補正は、特許請求の範囲について、本件補正前に、
「【請求項１】
　複数の走査線のうち、順次的に選択された走査線を通じて入力される走査信号により駆動され、データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流を伝達するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を通じて伝達される駆動電流により発光する有機発光ダイオードを含み、
　前記スイッチング素子は、トランジスタを備え、前記トランジスタはゲート端子が前記走査線に接続され、ドレーン端子が前記データ線に接続され、ソース端子が前記有機発光ダイオードに接続され、
　前記有機発光ダイオードは、アノードが前記トランジスタのソース端子に接続され、カソードが共通電極に接続され、
　前記有機発光ダイオードは、
　基板、
　前記基板上に形成される第１電極、
　前記第１電極上に形成される有機物層、
　前記有機物層上に形成される第２電極、及び、
　前記有機物層と前記第２電極の間、及び前記第２電極の上部のうち、少なくともいずれか一つに形成され、酸化物系、窒化物系、塩類、及びこれらの複合物のうち、いずれか一つから構成される透光層、を含む、ＯＬＥＤパネルの画素回路。」
とあったところを、  
　
「【請求項１】
　複数の走査線のうち、順次的に選択された走査線を通じて入力される走査信号により駆動され、データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流を伝達するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を通じて伝達される前記駆動電流により発光する有機発光ダイオードを含み、
　前記スイッチング素子は、トランジスタを備え、前記トランジスタはゲート端子が前記走査線に接続され、ドレーン端子が前記データ線に接続され、ソース端子が前記有機発光ダイオードに接続され、
　前記有機発光ダイオードは、アノードが前記トランジスタのソース端子に接続され、カソードが共通電極に接続され、
　前記有機発光ダイオードは、
　基板、
　前記基板上に形成される前記アノード、
　前記アノード上に形成される有機物層、
　前記有機物層上に形成される前記カソード、及び、
　前記有機物層と前記カソードの間、及び前記カソードの上部にそれぞれ形成される第１及び第２透光層、を含み、
　前記第１及び第２透光層は、前記カソードと前記透光層から構成されるカソード電極層の光透過率の向上と電気的面抵抗の減少との両立を目的として同一物質で形成され、　前記第１及び第２透光層の合計の厚みは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満に形成され、　前記第１及び第２透光層は、 ＭｏＯ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＯ、ＺｎＯ、ＴＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｒＯ２、ＡｌＮ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＬｉＣＯ３、ＫＣＯ３、ＮａＣＯ３、ＣｓＦ、およびＺｎＳｅのうちいずれか１つからなる、 ＯＬＥＤパネルの画素回路。」
とすることを含むものである。  
　
　本件補正について検討する。  
　
　本件補正は、本件補正前の請求項１の「第１電極」、「第２電極」を、それぞれ、「アノード」、「カソード」と限定し、本件補正前の請求項１の「前記有機物層と前記第２電極の間、及び前記第２電極の上部のうち、少なくともいずれか一つに形成され、‥‥‥る透光層、を含む、」との特定事項を、「前記有機物層と前記カソードの間、及び前記カソードの上部にそれぞれ形成される第１及び第２透光層、を含み、」と限定し、「第１及び第２透光層」について、「前記第１及び第２透光層は、前記カソードと前記透光層から構成されるカソード電極層の光透過率の向上と電気的面抵抗の減少との両立を目的として同一物質で形成され、前記第１及び第２透光層の合計の厚みは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満に形成され、」と限定し、さらに、本件補正前の請求項１の「酸化物系、窒化物系、塩類、及びこれらの複合物のうち、いずれか一つから構成される透光層」との特定事項を、「前記第１及び第２透光層は、  ＭｏＯ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＯ、ＺｎＯ、ＴＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｒＯ２、ＡｌＮ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＬｉＣＯ３、ＫＣＯ３、ＮａＣＯ３、ＣｓＦ、およびＺｎＳｅのうちいずれか１つからなる、」と限定するものである。
　よって、本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）について以下に検討する。
　
　
２　引用例及びその記載事項  
　  
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−６２８４５号公報（平成１４年２月２８日公開、以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。　  
ａ「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された電子表示装置に関する。
またＥＬ表示装置を表示部に用いた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、自発光型素子としてＥＬ素子を有したＥＬ表示装置の開発が活発化している。
ＥＬ表示装置は
有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light EmittingDiode）とも呼ばれている。
ｂ「【０１０３】（実施例２）図１３に、本発明のアクティブ型
ＥＬ表示装置の画素部の構成
【０１０４】
ゲート信号線駆動回路からの選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に接続されている。また各画素の有するスイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方が電流を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、もう一方が各画素が有するＥＬ素子に接続されている。
【０１０５】なお本発明において、スイッチング用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴでもｐチャネル型ＴＦＴでもどちらでも用いることが可能である。
【０１０６】本実施例のアクティブ型ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。
ゲート信号線Ｇ１が選択されると、そこに接続された全てのスイッチング用ＴＦＴは、ゲート電極に電圧が印加されオンの状態になる。このとき、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れる。ＥＬ素子はこの電流量に応じて発光する。
【０１０７】
同様の操作を、全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に対して行うと、１画像が表示される。
ｃ「【０２２２】（実施例１３）
本実施例では、本発明のＥＬ表示装置について図２１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
【０２２３】なお、６８０８はソース信号側駆動回路６８０１、ゲート信号側駆動回路６８０２、及び画素部６８０３に入力される信号を伝達するための接続配線であり、外部機器との接続端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６８０９からビデオ信号やクロック信号を受け取る。
【０２２４】ここで、図２１（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面に相当する断面図を図２１（Ｂ）に示す。なお、図２１（Ａ）、（Ｂ）では同一の部位に同一の符号を用いている。
【０２２５】図２１（Ｂ）に示すように、基板６８００上には画素部６８０３、ソース信号側駆動回路６８０１が形成されており、画素部６８０３はＥＬ素子に流れる電流を制御するためのＴＦＴ（以下、スイッチング用ＴＦＴという）６８５１とそのドレインに電気的に接続された画素電極６８５２を含む複数の画素により形成される。本実施例ではスイッチング用ＴＦＴ６８５１をｐチャネル型ＴＦＴとする。また、ソース信号側駆動回路６８０１はｎチャネル型ＴＦＴ６８５３とｐチャネル型ＴＦＴ６８５４とを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を用いて形成される。
（略）
【０２２９】次に、画素電極６８５２は透明導電膜で形成され、ＥＬ素子の陽極として機能する。また、画素電極６８５２の両端には絶縁膜６８５７が形成され、さらに白色に発光する発光層６８５８が形成される。
【０２３０】なお、発光層６８５８の材料として有機材料だけでなく無機材料を用いることができる。また、発光層だけでなく電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層または正孔注入層を組み合わせた積層構造としても良い。
【０２３１】また、
各発光層の上にはＥＬ素子の陰極６８６０が遮光性を有する導電膜でもって形成される。この陰極６８６０は全ての画素に共通であり、
ア　上記ａの「【０００１】‥‥‥本発明はＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された電子表示装置に関する。‥‥‥またＥＬ表示装置を表示部に用いた電子機器に関する。」との記載から、引用例１には、「ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成されたＥＬ表示装置を表示部に用いた電子機器」が記載されているということができる。
　ここで、上記ａの「【０００２】‥‥‥ＥＬ表示装置は‥‥‥有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light EmittingDiode）とも呼ばれている。」との記載を参酌すれば、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に用いるＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いているものといえ、また、「ＥＬ表示装置を表示部に用いた電子機器」は、ＥＬ素子、すなわち、ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いた電子機器と捉えることができるから、引用例１には、「ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成されたＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いた電子機器」が記載されているということができる。
イ　上記ｂの「【０１０３】‥‥‥ＥＬ表示装置の画素部の構成‥‥‥」は、ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いたものであるから（上記ア第２段落）、「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成」ということができる。
　したがって、上記ｂ（【０１０３】、【０１０４】）の記載から、引用例１には、「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成として、ゲート信号線駆動回路からの選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に接続され、各画素の有するスイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方が電流を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、もう一方が各画素が有するＥＬ素子に接続され」ることが記載されているということができる。
ウ　上記ｂ（【０１０６】、【０１０７】）の記載から、引用例１には、「ゲート信号線Ｇ１が選択されると、そこに接続された全てのスイッチング用ＴＦＴは、ゲート電極に電圧が印加されオンの状態になり、このとき、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れ、ＥＬ素子はこの電流量に応じて発光し、同様の操作を、全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に対して行うと、１画像が表示され」ることが記載されている。
エ　したがって、上記引用例１に記載された事項、図面の記載、及び上記アないしウを総合すると、引用例１には、次の事項が記載されている（以下、引用発明という。）。
「ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成されたＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いた電子機器であって、
  ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成として、ゲート信号線駆動回路からの選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に接続され、各画素の有するスイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方が電流を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、もう一方が各画素が有するＥＬ素子に接続され、
　ゲート信号線Ｇ１が選択されると、そこに接続された全てのスイッチング用ＴＦＴは、ゲート電極に電圧が印加されオンの状態になり、このとき、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れ、ＥＬ素子はこの電流量に応じて発光し、同様の操作を、全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に対して行うと、１画像が表示される、
　ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いた電子機器。」
オ　上記ｃ（【０２２２】、【０２３１】、図２１（Ｂ））の記載から、「発光層の上にはＥＬ素子の陰極６８６０が導電膜でもって形成され、ＥＬ素子の陰極６８６０は全ての画素に共通である」ことが記載されているといえ、ここで、図２１（Ｂ）を参酌すると、ＥＬ素子の陰極６８６０が、隣接するＥＬ素子素子の陰極と共通の電極を有することが見て取れる。したがって、引用例１には、次の技術事項が記載されているということができる。
  「ＥＬ素子の陰極が共通電極に接続されている、ＥＬ表示装置。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００８−２７７２６４号公報（平成２０年１１月１３日公開、以下「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
ａ「【００６５】
  次に上記のような副画素の形状と配列を有する画像表示パネルの層構成例について説明する。なお、本発明は層構成、構成材料、各層の厚み等により制限されるものではない。
図８は各有機ＥＬ素子の層構成例を説明する断面図である。（ａ）は基板側陽極型の模式図で第１の電極が陽極、第２の電極が陰極である。
図において１０１は基板、１０２は第１の電極、３０１はホール注入層、３０２はホール輸送層、３０３は発光層、３０４は電子輸送層、３０５は電子注入層、１０４は第２の電極、１１１は保護層である。３０１から３０５の各層は
有機化合物層１０３とまとめて記載されたものと同じものを表す。
　
ｂ「【００８９】
  電子注入層３０５は必須な層ではないが、界面に大きな電位降下を生じることなく、接する電極から電子を取り出す効果が期待できる。また、図８（ａ）の構成の素子を作成する場合、第２の電極１０４を堆積する工程で電子輸送層３０４以下の有機化合物層が受けるダメージを低減する効果が期待できる。電子注入層３０５は良好な電子注入性や前記のダメージ低減効果等を確保するために２ｎｍから１００ｎｍ程度挿入するのが好ましい。
  場合によっては、作成された素子が酸素や水分等と接触することを防止する目的で保護層１１１が設けられる。
保護層１１１としては、
金属酸化物膜
等が挙げられる。
ｃ「【００９５】
  
第２の電極１０４及び保護層１１１を透光性とした場合、発光層３０３で生じた光を基板１０１と反対側から取り出せるトップエミッション構成の画像表示パネルとなる。
　上記ａないしｃの記載、及び図８（ａ）の記載から、引用例２には、「基板１０１上に、陽極である第１の電極１０２、ホール注入層３０１、ホール輸送層３０２、発光層３０３、電子輸送層３０４、電子注入層３０５、陰極である第２の電極１０４、保護層１１１が、順に積層される」ことが記載されているということができ（【００６５】、図８（ａ））、ここで、３０１から３０５の各層は有機化合物層とまとめて記載することができ（【００６５】）、また、保護層１１１は、金属酸化物膜を用いることができ（【００８９】）、第２の電極１０４及び保護層１１１を透光性とした場合、発光層３０３で生じた光を基板１０１と反対側から取り出せるトップエミッション構成の画像表示パネルとなる（【００９５】）ものである。そして、保護層１１１を透光性とする場合、すなわち透光層において、金属酸化物を用いることは常套手段であるから、引用例２には、次の技術事項が記載されているということができる。
　「基板、陽極である第１の電極、有機化合物層、陰極である第２の電極、金属酸化物の保護層を順に積層した有機ＥＬ素子において、第２の電極及び保護層を透光性として、光を基板と反対側から取り出すことができる画像表示パネル。」
（３）本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００２−２８９３６２号公報（平成１４年１０月４日公開、以下「引用例３」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
ａ「【０００８】
本発明の有機ＥＬ素子としては、例えば、図１に示すように、透明基板１上に透明陽極電極２が形成され、その表面に発光層３が形成され、さらにその表面に陰極電極４が形成されて構成されたもの、
をあげることができる。なお、図において、矢印方向は光の取り出し方向を示す。そして、本発明は、上記陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる透明電極である
ｂ「【００２２】
上記陰極電極４は、
金属薄膜を金属酸化物薄膜でサンドイッチした３層構造のもの（金属酸化物薄膜／金属薄膜／金属酸化物薄膜）が好ましい。
【００２３】
上記金属酸化物薄膜用材料としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ
2
 ）
酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の金属酸化物があげられる。
ｃ「【００３９】
【実施例４】透明基板〔ＰＥＴフィルム（２５ｍｍ×７５ｍｍ、厚み０．１ｍｍ）〕を準備し、この表面に、マグネトロンスパッタ蒸着装置を用いてＩＴＯを蒸着しＩＴＯ膜（厚み４００ｎｍ）を成膜し、これを透明陽極電極とした。つぎに、このＩＴＯ膜の表面にアルミキノリーム錯体（Ａｌｑ3 ）を真空蒸着機を用いて蒸着して発光層（厚み５０ｎｍ）を成膜した。この
発光層の表面に
酸化チタンを蒸着し金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）を成膜した。つぎに、この金属酸化物薄膜の表面に
金属薄膜（厚み７ｎｍ）を成膜した後、この表面に
酸化チタンを蒸着し金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）を成膜し、金属酸化物薄膜と金属薄膜と金属酸化物薄膜との３層構造からなる透明陰極電極を形成した。このようにして、有機ＥＬ素子を作製した。
ア　上記ａ（【０００８】）の「本発明の有機ＥＬ素子としては、例えば、図１に示すように、透明基板１上に透明陽極電極２が形成され、その表面に発光層３が形成され、さらにその表面に陰極電極４が形成されて構成されたもの、‥‥‥をあげることができる。なお、図において、矢印方向は光の取り出し方向を示す。そして、本発明は、上記陰極電極４が金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる透明電極である」との記載、及び図１において、上向きの矢印が示されていることから、陰極側からも発光を取り出せるようにしていることが見て取れる。
　したがって、引用例３には、「透明基板１上に透明陽極電極２が形成され、その表面に発光層３が形成され、さらにその表面に陰極電極４が形成されて構成された有機ＥＬ素子において、上記陰極電極４は、金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる透明電極を用い、陰極側からも発光を取り出せるようにする」点が記載されているということができる。
　そして、上記ｂ（【００２２】、【００２３】）には、「上記陰極電極４を、金属薄膜を金属酸化物薄膜でサンドイッチした３層構造とし（金属酸化物薄膜／金属薄膜／金属酸化物薄膜）、上記金属酸化物薄膜用材料として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を用いる」ことが記載されていることから、引用例３には、次の事項が記載されているということができる。
「透明基板１上に透明陽極電極２が形成され、その表面に発光層３が形成され、さらにその表面に陰極電極４が形成されて構成された有機ＥＬ素子において、上記陰極電極４は、金属薄膜と金属酸化物薄膜とからなる透明電極を用い、陰極側からも発光を取り出せるようにするものであって、上記陰極電極４を、金属薄膜を金属酸化物薄膜でサンドイッチした３層構造（金属酸化物薄膜／金属薄膜／金属酸化物薄膜）とし、上記金属酸化物薄膜用材料として酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を用いる」点。
イ 上記ｃ（【００３９】）の記載から、引用例３には、次の事項が記載されているということができる。
「発光層の表面に酸化チタンを蒸着し金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）を成膜し、この金属酸化物薄膜の表面に金属薄膜（厚み７ｎｍ）を成膜し、この表面に酸化チタンを蒸着し金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）を成膜し、金属酸化物薄膜と金属薄膜と金属酸化物薄膜との３層構造からなる透明陰極電極を形成して、有機ＥＬ素子を作製する」点。
３　対比  
　  
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　  
（１）
ア　引用発明は、「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成として、ゲート信号線駆動回路からの選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に接続され、」「ゲート信号線Ｇ１が選択されると、そこに接続された全てのスイッチング用ＴＦＴは、ゲート電極に電圧が印加されオンの状態にな」るものであるから、「スイッチング用ＴＦＴ」は、選択されたゲート信号線Ｇ１を通じて入力される電圧によって、ゲート電極がオンの状態になるものである。そして、「同様の操作を、全てのゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）に対して行うと、１画像が表示される、」ものであるから、「各画素が有するスイッチング用ＴＦＴ」は、複数のゲート信号線のうち、順次、選択されたゲート信号線を通じて入力される電圧により駆動されるものと捉えることができる。したがって、ゲート信号線は、本願補正発明の「走査線」に相当し、また、ゲート信号線を通じて入力される信号は、本願補正発明の「走査信号」に相当するものであるから、引用発明の「スイッチング用ＴＦＴ」は、本願補正発明の、「複数の走査線のうち、順次的に選択された走査線を通じて入力される走査信号により駆動され」「るスイッチング素子」に相当する。
イ　引用発明は「ＯＬＥＤを用いた画素部の構成として、‥‥‥各画素の有するスイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方が電流を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、‥‥‥接続され、」「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れ、ＥＬ素子はこの電流量に応じて発光」するものである。
　ここで、ＥＬ素子は、ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より流れる電流の電流量に応じて発光するものであって、「ソース信号線より流れる電流」はＥＬ素子の輝度を決めるものであるということができるから、「ソース信号線」は、本願補正発明の「データ線」に相当し、また、「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より流れる電流」は、本願補正発明の「データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流」に相当する。
　そして、引用発明は、「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れ、」ることから、引用発明の「スイッチング用ＴＦＴ」は、「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より流れる電流」（本願補正発明の「データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流」に相当（前記段落）。）を伝達するスイッチングトランジスタと捉えることができる。
　したがって、引用発明の「スイッチング用ＴＦＴ」は、本願補正発明の「データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流を伝達するスイッチング素子」に相当する。
ウ　引用発明は、「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れ」ることから、「スイッチング用ＴＦＴ」は、「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より流れる電流」（本願補正発明の「データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流」に相当（上記イ）。）を伝達するスイッチングトランジスタと捉えることができる。
　ここで、「ＥＬ素子」が「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）」から構成されていることは明らかであるから、引用発明の「ソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）より同時に、電流がスイッチング用ＴＦＴを介してＥＬ素子に流れ」る、「ＥＬ素子」は、本願補正発明の「前記スイッチング素子を通じて伝達される前記駆動電流により発光する有機発光ダイオード」に相当する。
（２）上記（１）を踏まえると、引用発明の「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成として、ゲート信号線駆動回路からの選択信号を入力するゲート信号線（Ｇ１〜Ｇｙ）は、各画素が有するスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に接続され、各画素の有するスイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方が電流を入力するソース信号線（Ｓ１〜Ｓｘ）に、もう一方が各画素が有するＥＬ素子に接続され」ることは、本願補正発明の「前記スイッチング素子は、トランジスタを備え、前記トランジスタはゲート端子が前記走査線に接続され、ドレーン端子が前記データ線に接続され、ソース端子が前記有機発光ダイオードに接続され、」ることに相当する。
（３）引用発明の「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成として、‥‥‥スイッチング用ＴＦＴのソース領域‥‥‥は、‥‥‥各画素が有するＥＬ素子に接続され」ることにおいて、スイッチング用ＴＦＴのソース領域に、ＥＬ素子を構成するＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）のアノードを接続すること、及びカソードを電極に接続することは常套手段であることから、本願補正発明の「前記有機発光ダイオードは、アノードが前記トランジスタのソース端子に接続され、カソードが共通電極に接続され」ることとは、「前記有機発光ダイオードは、アノードが前記トランジスタのソース端子に接続され、カソードが電極に接続され」る点で共通する。
（４）引用発明は、「ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された」ものであって、「ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子」は、「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）」と捉えることができるから、引用発明と、本願補正発明の「前記有機発光ダイオードは、基板、前記基板上に形成される前記アノード、前記アノード上に形成される有機物層、前記有機物層上に形成される前記カソード、及び、前記有機物層と前記カソードの間、及び前記カソードの上部にそれぞれ形成される第１及び第２透光層、を含」むこととは、「前記有機発光ダイオードは、基板、を含」む点で共通する。
（５）引用発明の、「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いた電子機器」において、表示部をパネル状とすることは常套手段であって、電子機器に用いる表示部を、ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）パネルと捉えることができ、また、引用発明は、「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を用いた画素部の構成として、」回路構成が示されているから（上記（２））、引用発明の「ＯＬＥＤ（Organic Light EmittingDiode）を表示部に用いた電子機器」は、本願補正発明の「ＯＬＥＤパネルの画素回路」を含むものである。
　すると、本願補正発明と引用発明とは、次の＜一致点＞及び＜相違点＞を有する。  
　 
＜一致点＞  
「複数の走査線のうち、順次的に選択された走査線を通じて入力される走査信号により駆動され、データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流を伝達するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を通じて伝達される前記駆動電流により発光する有機発光ダイオードを含み、
　前記スイッチング素子は、トランジスタを備え、前記トランジスタはゲート端子が前記走査線に接続され、ドレーン端子が前記データ線に接続され、ソース端子が前記有機発光ダイオードに接続され、
　前記有機発光ダイオードは、アノードが前記トランジスタのソース端子に接続され、カソードが電極に接続され、
　前記有機発光ダイオードは、
　基板、
　を含む、
　ＯＬＥＤパネルの画素回路。」
　
＜相違点＞  
（ア）有機発光ダイオードについて、本願補正発明は、カソードが「共通」電極に接続されているのに対し、引用発明は、「共通」電極に接続されていることについて特定がない点。
　
（イ）有機発光ダイオードについて、本願補正発明は、「前記基板上に形成される前記アノード、前記アノード上に形成される有機物層、前記有機物層上に形成される前記カソード、及び、前記有機物層と前記カソードの間、及び前記カソードの上部にそれぞれ形成される第１及び第２透光層」を含むのに対し、引用発明は、このような層構造について特定がない点。
（ウ）本願補正発明は、「前記第１及び第２透光層は、前記カソードと前記透光層から構成されるカソード電極層の光透過率の向上と電気的面抵抗の減少との両立を目的として同一物質で形成され、前記第１及び第２透光層の合計の厚みは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満に形成され、前記第１及び第２透光層は、 ＭｏＯ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＯ、ＺｎＯ、ＴＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｒＯ２、ＡｌＮ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＬｉＣＯ３、ＫＣＯ３、ＮａＣＯ３、ＣｓＦ、およびＺｎＳｅのうちいずれか１つからなる」のに対し、引用発明は、このような特定がない点。
４　判断  
　  
＜相違点＞（ア）について  
　ＥＬ素子の陰極（カソード）を共通電極に接続することは、周知技術であるから（例えば、引用例１（上記２（１）オ））、当業者が適宜なし得る事項である。
　したがって、本願補正発明の＜相違点＞（ア）に係る構成とすることは格別なことではない。
＜相違点＞（イ）について 　 
　引用例２、３には、有機ＥＬ素子において、基板、陽極（アノード）、有機化合物層、陰極（カソード）、金属酸化物の透明層を順に積層して、陰極側から光を取り出すようにすることが記載されており（上記２（２）、上記２（３）ア）、また、引用例３には、陰極に対応する金属薄膜を、金属酸化物薄膜からなる透明電極でサンドイッチ構造とすることが記載されているから（上記２（３）ア）、引用例２、引用例３に記載された層構造を、引用発明の「ＥＬ素子」に用いて、「基板上に形成される前記アノード、前記アノード上に形成される有機物層、前記有機物層上に形成される前記カソード、及び、前記有機物層と前記カソードの間、及び前記カソードの上部にそれぞれ形成される第１及び第２透光層を設けることは当業者が容易になし得る事項である。
　したがって、本願補正発明の＜相違点＞（イ）に係る構成とすることは格別なことではない。
＜相違点＞（ウ）について 　 
　引用例３には、「発光層の表面に酸化チタンを蒸着し金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）を成膜し、この金属酸化物薄膜の表面に金属薄膜（厚み７ｎｍ）を成膜し、この表面に酸化チタンを蒸着し金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）を成膜し、金属酸化物薄膜と金属薄膜と金属酸化物薄膜との３層構造からなる透明陰極電極を形成して、有機ＥＬ素子を作製する」点が記載されており（上記２（３）イ）、金属薄膜（厚み７ｎｍ）を挟んで形成される金属酸化物薄膜（本願補正発明の「第１及び第２透光層」に相当）は、共に酸化チタンからなるものであるから、本願補正発明のように、「同一物質で形成され」るということができる。そして、引用例３において、それぞれの金属酸化物薄膜の厚みは３０ｎｍであり、また、両者は酸化チタン（本願補正発明の「ＴｉＯ２」に相当。）からなることから、本願補正発明のように、「第１及び第２透光層の合計の厚みは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満に形成され、前記第１及び第２透光層は、ＴｉＯ２からなるようにする」ものということができる。
　したがって、引用発明において、引用例２、引用例３に記載された層構造を用いる際、陰極として、引用例３に記載された３層構造からなる透明陰極電極を用い、本願補正発明のように「前記第１及び第２透光層は、」「同一物質で形成され、前記第１及び第２透光層の合計の厚みは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満に形成され、前記第１及び第２透光層は、 ＭｏＯ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＯ、ＺｎＯ、ＴＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｒＯ２、ＡｌＮ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＬｉＣＯ３、ＫＣＯ３、ＮａＣＯ３、ＣｓＦ、およびＺｎＳｅのうちいずれか１つからなる」ようにすることに格別の困難性を有しない。
　そして、「前記第１及び第２透光層は、前記カソードと前記透光層から構成されるカソード電極層の光透過率の向上と電気的面抵抗の減少との両立を目的として」することも、引用例３に記載されたような酸化チタンからなる金属酸化物薄膜（厚み３０ｎｍ）」（本願補正発明の「第１及び第２透光層」に相当）を設けることにより、普通に生じる作用効果である。
　したがって、本願補正発明の＜相違点＞（ウ）に係る構成とすることは格別なことではない。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願補正発明が奏する効果は引用発明、引用例２、３に記載された発明及び周知な事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。  
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例２、３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。  
　  
　  
５　本件補正についてのむすび  
　  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　
　
第３　本願発明について  
　  
１　本願発明  
　  
　平成２７年３月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１　」の本件補正前の「請求項１」として記載したとおりのものである。  
　  
２　引用例  
　  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２［理由］２　引用例及びその記載事項（１）、（２）」に記載したとおりである。  
　  
３　対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。  
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明の「アノード」、「カソード」との特定事項を、それぞれ、「第１電極」、「第２電極」とし、本願補正発明の「前記有機物層と前記カソードの間、及び前記カソードの上部にそれぞれ形成される第１及び第２透光層、を含み、」との特定事項を、「前記有機物層と前記第２電極の間、及び前記第２電極の上部のうち、少なくともいずれか一つに形成され、‥‥‥る透光層、を含む、」と上位概念にし、本願補正発明の「前記第１及び第２透光層は、前記カソードと前記透光層から構成されるカソード電極層の光透過率の向上と電気的面抵抗の減少との両立を目的として同一物質で形成され、前記第１及び第２透光層の合計の厚みは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ未満に形成され、」と限定を削除し、本願補正発明の「前記第１及び第２透光層は、 ＭｏＯ３、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＯ、ＺｎＯ、ＴＯ、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｅＯ２、ＳｒＯ２、ＡｌＮ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＬｉＣＯ３、ＫＣＯ３、ＮａＣＯ３、ＣｓＦ、およびＺｎＳｅのうちいずれか１つからなる、」との特定事項を、「酸化物系、窒化物系、塩類、及びこれらの複合物のうち、いずれか一つから構成される透光層」と上位概念にするものである。
   そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、更に他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明についての、＜一致点＞、＜相違点＞（ア）ないし＜相違点＞（ウ）（前記「第２　［理由］　３　対比」）は、本願発明においては、次のような＜一致点＞、＜相違点＞になる。
＜一致点＞ 
「複数の走査線のうち、順次的に選択された走査線を通じて入力される走査信号により駆動され、データ線を通じて入力される輝度データによる駆動電流を伝達するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を通じて伝達される駆動電流により発光する有機発光ダイオードを含み、
　前記スイッチング素子は、トランジスタを備え、前記トランジスタはゲート端子が前記走査線に接続され、ドレーン端子が前記データ線に接続され、ソース端子が前記有機発光ダイオードに接続され、
　前記有機発光ダイオードは、アノードが前記トランジスタのソース端子に接続され、カソードが電極に接続され、
　前記有機発光ダイオードは、
　基板、
　を含む、ＯＬＥＤパネルの画素回路。」
＜相違点＞
（エ）有機発光ダイオードについて、本願発明は、カソードが「共通」電極に接続されているのに対し、引用発明は、「共通」電極に接続されていることについて特定がない点（前記＜相違点＞（ア）（前記「第２　［理由］　３　対比」）に同じ。）
（オ）有機発光ダイオードについて、本願発明は、「前記基板上に形成される第１電極、前記第１電極上に形成される有機物層、前記有機物層上に形成される第２電極、及び、前記有機物層と前記第２電極の間、及び前記第２電極の上部のうち、少なくともいずれか一つに形成され、酸化物系、窒化物系、塩類、及びこれらの複合物のうち、いずれか一つから構成される透光層」を含むのに対し、引用発明は、このような層構造について特定がない点。
４　判断 
＜相違点＞（エ）について
　ＥＬ素子の陰極（カソード）を共通電極に接続することは、周知技術であるから（例えば、引用例１（上記２（１）オ））、当業者が適宜なし得る事項である。
　したがって、本願発明の＜相違点＞（ア）に係る構成とすることは格別なことではない（前記「＜相違点＞（ア）について」（前記「第２　［理由］　４　判断」）の判断に同じ。）。
＜相違点＞（オ）について
  引用例２には、有機ＥＬ素子において、基板、陽極（アノード）、有機化合物層、陰極（カソード）、金属酸化物の透明層を順に積層して、陰極側から光を取り出すようにすることが記載されており（上記２（２））、ここで、「金属酸化物の透明層」は、本願発明の「酸化物系」「から構成される透光層」に相当するから、引用例２に記載された層構造を、引用発明の「ＥＬ素子」に用いて、「前記基板上に形成される第１電極、前記第１電極上に形成される有機物層、前記有機物層上に形成される第２電極、及び、前記有機物層と前記第２電極の間、及び前記第２電極の上部のうち、少なくともいずれか一つに形成され、酸化物系、窒化物系、塩類、及びこれらの複合物のうち、いずれか一つから構成される透光層」とすることは当業者が容易になし得る事項である。
　したがって、本願発明の＜相違点＞（オ）に係る構成とすることは格別なことではない。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用発明、引用例２に記載された発明及び周知な事項から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。  
　
　よって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　  
　よって、結論のとおり審決する。