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【手続補正書】
【提出日】令和2年9月9日(2020.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互離隔して配置された第１及び第２フレームと、
前記第１及び第２フレームの間に配置された本体を含むパッケージ本体と、
第１及び第２電極を含む発光素子と、
前記第１フレームに提供された第１開口部と、
前記第２フレームに提供された第２開口部と、
前記パッケージ本体の前記本体と前記発光素子との間に配置された第１樹脂と、
前記第１及び第２開口部内に配置された導電層と、
前記第１フレームと前記第２フレームとの間に配置された第１リセスと、
を含み、
前記第１リセスは、前記本体の上面に提供され、
前記第１樹脂は、前記第１リセスに配置され、
前記発光素子の前記第１電極は、前記第１フレームの前記第１開口部と重なり、
前記発光素子の前記第２電極は、前記第２フレームの前記第２開口部と重なり、
前記第１電極と前記第２電極は、相互離隔して配置され、
前記第１及び第２開口部内に配置された前記導電層は、前記第１及び第２電極にそれぞれ接触し、
前記第１電極の第１側面と、前記第１側面と対向する前記第２電極の第２側面は、全て前記第１樹脂に接触する、発光素子パッケージ。 
【請求項２】
前記第１リセスは、前記パッケージ本体の第１外側エッジ及び前記第１外側エッジに対向する前記パッケージ本体の第２外側エッジを過ぎて延長される、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１及び第２フレームに配置された第２リセスと、
前記第２リセスに配置された第２樹脂と、
をさらに含み、
前記第２リセスは、前記第１フレームの前記第１開口部及び前記第２フレームの前記第２開口部を少なくとも部分的に取り囲む、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第２リセスは、前記第１フレームに提供された第１部分と前記第２フレームに提供された第２部分とを含む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１リセスは、前記第２リセスに連結される、請求項４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１リセスと前記第２リセスは、前記第１フレームの前記第１開口部と前記第２フレームの前記第２開口部を取り囲む、請求項５に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第１リセスは、前記第２リセスから離隔した、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第２リセスは、前記第１リセスを取り囲む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１リセスの第１深さは、前記第２リセスの第２深さと同一である、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１リセスの第１深さは、前記第２リセスの第２深さと異なる、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第１フレームの前記第１開口部の上面は、四角形状であり、
前記第２フレームの前記第２開口部の上面は、四角形状である、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月13日(2020.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークエンティティによるワイヤレス通信のための方法であって、
1つまたは複数のレガシーユーザ機器(UE)による再使用のために利用可能な前方互換性(FC)のために予約されたリソースを識別するステップと、
前記識別されたリソースが再使用のために利用可能であることを示すシグナリングを、前記1つまたは複数のレガシーUEに提供するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが持続時間の間に利用可能であることを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記持続時間が、ダウンリンク制御情報(DCI)によってトリガされる、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記持続時間が、FCリソース構成の一部である、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが周期または周波数ホッピングパターンのうちの少なくとも1つに基づいて利用可能であることを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが空間ビームフォーミングに基づいて利用可能であることを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記シグナリングが、セル固有、UE固有、またはUEグループ固有のうちの少なくとも1つである、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
複数のFCリソース構成を無線リソース制御(RRC)シグナリングを介してUEにシグナリングするステップと、
前記識別されたリソースを前記複数のFCリソース構成のうちの1つとして示すステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記識別されたリソースが、1つまたは複数のトリガイベントに基づいて、利用可能であると識別される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記1つもしくは複数のトリガイベントが、
1つもしくは複数のUEのロケーション、
重複しない空間セクタ、
アプリケーション固有の要件、または
1つもしくは複数のUEの能力のうちの少なくとも1つに基づくトリガイベントを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記1つまたは複数のトリガイベントが、FCリソースの実際の使用に基づくトリガイベントを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記FCリソースのローディングの感知、
前記FCリソース上のトラフィックの感知、または
前記FCリソース上のローディングもしくはトラフィックのうちの少なくとも1つのバックホールシグナリング
のうちの少なくとも1つに基づいて前記FCリソースの前記実際の使用を決定するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
レガシーユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
前記レガシーUEによる再使用のために利用可能な前方互換性(FC)のために予約されたリソースを識別するシグナリングを受信するステップと、
前記識別されたリソースを使用して通信するステップとを含む、方法。
【請求項１４】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが持続時間の間に利用可能であることを示す、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記持続時間が、ダウンリンク制御情報(DCI)によってトリガされるか、または
前記持続時間が、FCリソース構成の一部である、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが周期または周波数ホッピングパターンのうちの少なくとも1つに基づいて利用可能であることを示す、請求項13に記載の方法。
【請求項１７】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが空間ビームフォーミングに基づいて利用可能であることを示す、請求項13に記載の方法。
【請求項１８】
前記シグナリングが、セル固有、UE固有、またはUEグループ固有のうちの少なくとも1つである、請求項13に記載の方法。
【請求項１９】
複数のFCリソース構成のシグナリングを無線リソース制御(RRC)シグナリングを介して受信するステップをさらに含み、
前記識別されたリソースを示す前記シグナリングが、前記複数のFCリソース構成のうちの1つの表示を提供する、請求項13に記載の方法。
【請求項２０】
ネットワークエンティティによるワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数のレガシーユーザ機器(UE)による再使用のために利用可能な前方互換性(FC)のために予約されたリソースを識別し、
前記識別されたリソースが再使用のために利用可能であることを示すシグナリングを、前記1つまたは複数のレガシーUEに提供する
ように構成された少なくとも1つのプロセッサと、
前記少なくとも1つのプロセッサに結合されたメモリと
を備える、装置。
【請求項２１】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが持続時間の間に利用可能であることを示す、請求項20に記載の装置。
【請求項２２】
前記持続時間が、ダウンリンク制御情報(DCI)によってトリガされる、または
前記持続時間が、FCリソース構成の一部である、請求項21に記載の装置。
【請求項２３】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが周期または周波数ホッピングパターンの少なくとも1つに基づいて利用可能であることを示す、請求項20に記載の装置。
【請求項２４】
前記シグナリングが、セル固有、UE固有、またはUEグループ固有のうちの少なくとも1つである、請求項20に記載の装置。
【請求項２５】
レガシーユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための装置であって、
前記レガシーUEによる再使用のために利用可能な前方互換性(FC)のために予約されたリソースを識別するシグナリングを受信し、
前記識別されたリソースを使用して通信する
ように構成された少なくとも1つのプロセッサと、
前記少なくとも1つのプロセッサに結合されたメモリと
を備える、装置。
【請求項２６】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが持続時間の間に利用可能であることを示す、請求項25に記載の装置。
【請求項２７】
前記持続時間が、ダウンリンク制御情報(DCI)によってトリガされる、または
前記持続時間が、FCリソース構成の一部である、請求項26に記載の装置。
【請求項２８】
前記シグナリングが、前記識別されたリソースが周期または周波数ホッピングパターンの少なくとも1つに基づいて利用可能であることを示す、請求項25に記載の装置。
【請求項２９】
前記シグナリングが、セル固有、UE固有、またはUEグループ固有のうちの少なくとも1つである、請求項25に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月6日(2020.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロックチェーンネットワークにおけるプライベート資産間取引のためのコンピュータ実装方法であって、1つまたは複数のプロセッサによって実行され、かつ、
前記ブロックチェーンネットワークにおける第1のノードによって、かつボウネイ-ゴー-ニッシム(BGN)暗号化を使用して、第1の値と、第2の値とに基づいて暗号文を生成するステップであって、
前記第2の値は、前記第1の値の準同型乗算と、前記ブロックチェーンネットワークにおける第2のノードによって提供される暗号化された為替レートとに基づいて決定され、
前記暗号文および前記暗号化された為替レートは同一の楕円曲線上にある、ステップと、
前記第1のノードによって前記第2のノードに、前記第1の値および前記暗号文を送信するステップと、
前記第1のノードによって、かつ前記第2のノードから、前記為替レートを明かすことなくゼロ知識証明(ZKP)ルーチンで前記為替レートを検証するために使用できるデータの集合を備える第1の証拠集合を受信するステップと、
前記第1のノードによって、前記暗号文が前記第1のノードのBGN公開鍵によって暗号化されていることを、前記ZKPルーチンを使用して、検証するために使用できるデータの集合を備える第2の証拠集合を生成するステップと、
前記第1のノードによって、前記第1のノードから前記第2のノードへの前記第1の値の移転のための前記第1のノードと前記第2のノードとの間の第1のトランザクション、および前記第2のノードから第3のノードへの前記第2の値の移転のための前記第2のノードと前記第3のノードとの間の第2のトランザクションを備えるトランザクションを定義するステップと、
前記第1のノードによって、前記トランザクションであって、前記第1の証拠集合および前記第2の証拠集合に基づいて検証される、前記トランザクションの検証および実行のために前記ブロックチェーンネットワークの少なくとも1つのコンセンサスノードに前記トランザクションを送信し、そして前記トランザクションの検証に応じて、前記第1のトランザクションおよび前記第2のトランザクションを実行して、前記第1のノードの残高を前記第1の値だけ減少させ、前記第2のノードの第1の残高を前記第1の値だけ増加させ、前記第2のノードの第2の残高を前記第2の値だけ減少させ、そして前記第3のノードの残高を前記第2の値だけ増加させるステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第1の証拠集合が、前記第1の値、前記第1のノードによって提供される一対の乱数、および前記暗号文に基づいて前記第2のノードによって提供される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも1つのコンセンサスノードによって前記トランザクションを検証するステップが、前記第1のノードのデジタル署名および前記第2のノードのデジタル署名を検証するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも1つのコンセンサスノードによって前記トランザクションを検証するステップが、前記第1のノードによって提供される第1の範囲証明および前記第2のノードによって提供される第2の範囲証明を検証するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記第1の範囲証明が、前記第1の値がゼロより大きいこと、および前記第1のノードの前記残高が前記第1の値以上であることを証明するZKPを備える、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記第2の範囲証明が、前記第2のノードの前記第2の残高が前記第2の値以上であることを証明するZKPを備える、請求項4に記載の方法。
【請求項７】
前記トランザクションが、BGN暗号化を使用して生成される暗号文の集合を備えるデータ集合であって、前記少なくとも1つのコンセンサスノードによって前記トランザクションを検証するために使用される、データ集合をさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記第1のノードによって、前記ブロックチェーンネットワークのサブチェーンチャネルを通じて前記第2のノードから前記為替レートを受信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記暗号文のうちの少なくとも1つの暗号文が、ペダーセンコミットメントを使用して提供される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1の証拠集合の前記データの集合が、第1のデータ値および第2のデータ値であって、前記第2のノードのBGN公開鍵を生成するために使用されるパラメータに基づいて各々が決定される、第1のデータ値および第2のデータ値を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記第2の証拠集合の前記データの集合が、暗号文の集合と、各値が前記暗号文の集合のハッシュに基づく値の集合とを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
ブロックチェーンネットワークにおけるプライベート資産間取引のための命令が符号化された1つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令が、1つまたは複数のプロセッサによって実行可能であり、かつ前記1つまたは複数のプロセッサに、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の方法を実行させる、
1つまたは複数のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
1つまたは複数のプロセッサと、
前記1つまたは複数のプロセッサに結合され、かつブロックチェーンネットワークにおけるプライベート資産間取引のための命令が記憶された1つまたは複数のコンピュータ可読メモリと
を備え、前記命令が前記1つまたは複数のプロセッサによって実行可能であり、かつ前記1つまたは複数のプロセッサに、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の方法を実行させる、
システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月10日(2020.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＮＬ（Structured Natural Language）文を構成する構造化自然言語文構成部と、
ＳＮＬ肯定文を、ＳＮＬ肯定文の構成要素がデータベースに格納されるようにするために、ＳＱＬ（Structured Query Language）問合せに変換する文変換部とを備える構造化自然言語知識システム。
【請求項２】
前記文変換部は、ＳＮＬ−ＳＱＬ変換部を含み、
前記ＳＮＬ−ＳＱＬ変換部は、
ＳＮＬ肯定文を、ＳＮＬ肯定文の要素をデータベースに格納するためのＳＱＬ問合せに変換し、
ＳＮＬ疑問文を、データベースを照会するためのＳＱＬ問合せに変換する
請求項１記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項３】
前記文変換部は、質問作成部を含み、
前記質問作成部は、
データベース内のデータを使用してＳＮＬ疑問文を作成し、ＳＮＬ疑問文を作成するために、ＳＱＬを使用して文の要素をデータベースから読み出す
請求項１記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項４】
前記構造化自然言語文構成部は、
文の種々の構成要素を表示し、
文の種々の構成要素の一部または全ての値を入力するようにユーザに促し、
文の構成要素は、少なくとも主語、目的語、動詞、補語、副詞および形容詞のうちの一つである
請求項１記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項５】
文のパターンは、構成要素として主語と動詞とを含む「Ｓ＋Ｖ」であり、
主語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能であり、
動詞は、副詞、場所、時間、頻度、理由、行為者、方法および付随のような修飾部を伴うことが可能である
請求項４記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項６】
文のパターンは、構成要素として主語、動詞および補語を含む「Ｓ＋Ｖ＋Ｃ」であり、
主語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能であり、
動詞は、副詞、場所、時間、頻度、理由、行為者、方法および付随のような修飾部を伴うことが可能であり、
補語（名詞）は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能であり、補語（形容詞）は、副詞の修飾部を伴うことが可能である
請求項４記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項７】
文のパターンは、構成要素として主語、動詞および目的語を含む「Ｓ＋Ｖ＋Ｏ」であり、
主語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能であり、
動詞は、副詞、場所、時間、頻度、理由、行為者、方法および付随のような修飾部を伴うことが可能であり、
目的語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能である
請求項４記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項８】
文のパターンは、構成要素として主語、動詞、間接目的語および直接目的語を含む「Ｓ＋Ｖ＋ＩＯ＋ＤＯ」であり、
主語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能であり、
動詞は、副詞、場所、時間、頻度、理由、行為者、方法および付随のような修飾部を伴うことが可能であり、
間接目的語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能であり、
直接目的語は、数量、形容詞、所有格、および節のような修飾部を伴うことが可能である
請求項４記載の構造化自然言語知識システム。
【請求項９】
ＳＮＬ（Structured Natural Language）文を構成し、
ＳＮＬ肯定文を、ＳＮＬ肯定文の構成要素がデータベースに格納されるようにするために、ＳＱＬ（Structured Query Language）問合せに変換する
ＳＮＬ−ＳＱＬ変換方法。
【請求項１０】
コンピュータに、
ＳＮＬ（Structured Natural Language）文を構成させ、
ＳＮＬ肯定文を、ＳＱＬ（Structured Query Language）問合せに変換させ、
ＳＮＬ文の構成要素をデータベースに格納させる
ためのＳＮＬ−ＳＱＬ変換プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月28日(2020.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のプリシンクトのデータを含むビデオビットストリームを復号する方法であって、
前記ビデオビットストリームにおける画像を前記複数のプリシンクトに分割する列の数を特定することを可能とする情報を含むピクチャヘッダを復号する第１のヘッダ復号工程を含み、
前記複数のプリシンクトのそれぞれはウェーブレット変換の単位であり、
前記画像が列によって分割されない場合、前記プリシンクトのそれぞれの幅は、前記画像の幅に対応し、
前記画像が列によって分割される場合、前記画像の水平方向において、複数のプリシンクトがスライスに含まれ、
前記スライスの幅は、前記画像の幅に対応し、
前記方法は、更に、
前記列によって分割されたプリシンクトのデータの、前記ビデオビットストリームにおける位置を判定するために使用される情報を含む、前記プリシンクトのヘッダを復号する第２のヘッダ復号工程と、
判定された前記位置と、前記列の数とに基づいて、前記プリシンクトを復号する復号工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記ビデオビットストリームは、フィルタ演算を含む逆変換を用いて復号される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フィルタ演算はウェーブレット合成変換に関する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
高周波の係数のセットと、低周波の係数のセットとを含む前記プリシンクトの係数を決定する決定工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プリシンクトのデータは、１つのプリシンクトに対応するサブパケットを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数のプリシンクトのデータを含むビデオビットストリームを復号する装置であって、
前記ビデオビットストリームにおける画像を前記複数のプリシンクトに分割する列の数を特定することを可能とする情報を含むピクチャヘッダを復号する第１のヘッダ復号手段を備え、
前記複数のプリシンクトのそれぞれはウェーブレット変換の単位であり、
前記画像が列によって分割されない場合、前記プリシンクトのそれぞれの幅は、前記画像の幅に対応し、
前記画像が列によって分割される場合、前記画像の水平方向において、複数のプリシンクトがスライスに含まれ、
前記スライスの幅は、前記画像の幅に対応し、
前記装置は、更に、
前記列によって分割されたプリシンクトのデータの、前記ビデオビットストリームにおける位置を判定するために使用される情報を含む、前記プリシンクトのヘッダを復号する第２のヘッダ復号手段と、
判定された前記位置と、前記列の数とに基づいて、前記プリシンクトを復号する復号手段と、
を備える装置。
【請求項７】
前記ビデオビットストリームは、フィルタ演算を含む逆変換を用いて復号される、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記フィルタ演算はウェーブレット合成変換に関する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
高周波の係数のセットと、低周波の係数のセットとを含む前記プリシンクトの係数を決定する決定手段を更に含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記プリシンクトのデータは、１つのプリシンクトに対応するサブパケットを含む、請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
コンピュータに請求項１から５のいずれか１項に記載の方法を実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月17日(2020.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＡＮＤメモリデバイスであって、
基板と、
前記基板上の１つまたは複数の周辺デバイスと、
前記１つまたは複数の周辺デバイスの上側の複数のＮＡＮＤストリングと、
前記複数のＮＡＮＤストリングの上側にあり、前記複数のＮＡＮＤストリングに接触する単結晶シリコン層と、
前記１つまたは複数の周辺デバイスと前記複数のＮＡＮＤストリングとの間に形成された１つまたは複数の第１の相互接続層とを備える、
ＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項２】
交互の導体／誘電体スタックをさらに備え、
前記ＮＡＮＤストリングのそれぞれは、
前記交互の導体／誘電体スタックを通って垂直に延びる半導体チャネルと、
前記交互の導体／誘電体スタックと前記半導体チャネルとの間のトンネル層と、
前記トンネル層と前記交互の導体／誘電体スタックとの間の蓄積層とを有する、
請求項１に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項３】
複数の第１の接点をさらに備え、前記複数の第１の接点のそれぞれは、垂直に延びており、前記交互の導体／誘電体スタックの導体層に接触する上端を有する、
請求項２に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項４】
第２の接点をさらに備え、前記第２の接点は、前記交互の導体／誘電体スタックを通って垂直に延びており、前記単結晶シリコン層に接触する上端を有する、
請求項２に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項５】
前記複数のＮＡＮＤストリングの上側に第２の相互接続層をさらに備え、前記第２の相互接続層は、１つまたは複数の誘電体層内に１つまたは複数の導体層を有する、
請求項１に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項６】
前記複数のＮＡＮＤストリングは、別のＮＡＮＤストリングの上側のＮＡＮＤストリングを含む、
請求項１に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項７】
前記ＮＡＮＤストリングおよび前記別のＮＡＮＤストリングは、導体によって電気的に接続される、
請求項６に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項８】
ＮＡＮＤメモリデバイスであって、
基板と、
前記基板上の交互の導体／誘電体スタックと、
複数のＮＡＮＤストリングであって、前記複数のＮＡＮＤストリングのそれぞれは、
前記交互の導体／誘電体スタックを通って垂直に延びる半導体チャネルと、
前記交互の導体／誘電体スタックと前記半導体チャネルとの間のトンネル層と、
前記トンネル層と前記交互の導体／誘電体スタックとの間の蓄積層とを有する、
複数のＮＡＮＤストリングと、
前記複数のＮＡＮＤストリングに接触する、前記複数のＮＡＮＤストリングの上側の単結晶シリコン層とを備える、
ＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項９】
前記複数のＮＡＮＤストリングのそれぞれは、前記ＮＡＮＤストリングの上端にエピタキシャルプラグをさらに有する、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１０】
複数の第１の接点をさらに備え、前記複数の第１の接点のそれぞれは、前記複数のＮＡＮＤストリングの対応する１つの下端の下側にあり、前記複数のＮＡＮＤストリングの対応する１つの下端に接触する、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１１】
第２の接点をさらに備え、前記第２の接点は、前記交互の導体／誘電体スタックを通って垂直に延びており、前記単結晶シリコン層に接触する上端を有する、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１２】
前記複数のＮＡＮＤストリングのそれぞれは、前記ＮＡＮＤストリングの端部に選択ゲートをさらに有する、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１３】
前記基板上かつ前記複数のＮＡＮＤストリングの下側に周辺デバイスをさらに備える、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１４】
前記複数のＮＡＮＤストリングの下側に第１の相互接続層をさらに備え、前記第１の相互接続層は、１つまたは複数の誘電体層内に１つまたは複数の導体層を有する、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１５】
前記複数のＮＡＮＤストリングの上側に第２の相互接続層をさらに備え、前記第２の相互接続層は、１つまたは複数の誘電体層内に１つまたは複数の導体層を有する、
請求項８に記載のＮＡＮＤメモリデバイス。
【請求項１６】
ＮＡＮＤメモリデバイスを形成するための方法であって、
第１の基板上に１つまたは複数の周辺デバイスの形成を行うことと、
第２の基板上に複数のＮＡＮＤストリングの形成を行うことと、
前記第２の基板が前記複数のＮＡＮＤストリングの上側になる、前記１つまたは複数の周辺デバイスの上側に前記複数のＮＡＮＤストリングの位置決めを行うことと、
前記複数のＮＡＮＤストリングと前記１つまたは複数の周辺デバイスとの接合を行うことと、
薄くされた前記第２の基板が前記複数のＮＡＮＤストリングの上側で単結晶シリコン層としての役割を果たすように、前記第２の基板の薄化を行うこととを含む、
方法。
【請求項１７】
前記複数のＮＡＮＤストリングと前記１つまたは複数の周辺デバイスとの前記接合の前に、前記１つまたは複数の周辺デバイス用の第１の相互接続層の形成を行うことをさらに含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＮＡＮＤストリングと前記１つまたは複数の周辺デバイスとの前記接合の前に、前記複数のＮＡＮＤストリング用の第２の相互接続層の形成を行うことをさらに含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記単結晶シリコン層の上側に第３の相互接続層の形成を行うことをさらに含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記接合が、熱処理および／またはプラズマ処理によって接合することを含む、
請求項１６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＮＡＮＤメモリデバイスおよびＮＡＮＤメモリデバイスを形成するための方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
方法７００は、図７に示すように作業７０４に進み、ここでは、（本明細書では「交互の誘電体スタック」とも呼ばれる）複数の誘電体層の対が、第２の基板上に形成される。図４Ｂに示すように、誘電体層４１０および誘電体層４１２の複数の対が、第２のシリコン基板４０２上に形成される。複数の誘電体層の対は、交互の誘電体スタック４０８を形成することができる。交互の誘電体スタック４０８は、第１の誘電体層４１０と、第１の誘電体層４１０とは異なる第２の誘電体層４１２との交互スタックを含むことができる。いくつかの実施形態では、各誘電体層の対は、窒化ケイ素の層と、酸化ケイ素の層とを含む。いくつかの実施形態では、交互の誘電体スタック４０８内には、異なる材料で作製され、異なる厚さを有する、この誘電体層の対よりも多くの層が存在する。交互の誘電体スタック４０８は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、もしくはそれらの任意の組み合わせを含むがこれらに限定されない１つまたは複数の薄膜堆積プロセスによって形成され得る。いくつかの実施形態では、交互の誘電体スタック４０８は、複数の導体／誘電体層の対、すなわち、導体層（例えば、ポリシリコン）および誘電体層（例えば、酸化ケイ素）の交互スタックで置き換えられ得る。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月14日(2020.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯＦの第２のリードに対応して接続される第１のリードと、
前記第１のリードのアライメントプリセット範囲に位置し、前記ＣＯＦの第２のアライメントマークと位置合わせするための第１のアライメントマークと、
前記第１のアライメントマーク及び前記第２のアライメントマークによって取得され、前記第１のリードのアライメントプリセット範囲に位置し、前記第１のリードと前記第２のリードとのアライメントズレを示すための第１のズレマークと、を備える
ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記第１のリードは複数であり、前記第２のリードは複数であり、前記第１のズレマークは前記複数の第１のリードのうち、前記第１のアライメントマークに最も近い第１のリードに隣接する
ことを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記複数の第１のリード又は前記複数の第１のリードが位置する直線が互いに交差する
ことを特徴とする請求項２に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記第１のズレマークは第１のアライメント目盛を含み、前記第１のアライメント目盛は横方向アライメント目盛及び／又は縦方向アライメント目盛を含み、又は、
前記第１のズレマークは第１のアライメントラベルを含み、前記第１のアライメントラベルは第１の横方向アライメントラベルと、前記第１の横方向アライメントラベルに対応する第１の縦方向アライメントラベルとを含む
ことを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項５】
アレイ基板の第１のリードに対応して接続される第２のリードと、
前記第２のリードのアライメントプリセット範囲に位置し、前記アレイ基板の第１のアライメントマークと位置合わせするための第２のアライメントマークと、
前記第１のアライメントマーク及び前記第２のアライメントマークによって取得され、前記第２のリードのアライメントプリセット範囲に位置し、前記第１のリードと前記第２のリードとのアライメントズレを示すための第２のズレマークと、を備える
ことを特徴とするＣＯＦ。
【請求項６】
前記第１のリードは複数であり、前記第２のリードは複数であり、前記第２のズレマークは前記複数の第２のリードのうち、前記第２のアライメントマークに最も近い第２のリードに隣接する
ことを特徴とする請求項５に記載のＣＯＦ。
【請求項７】
前記複数の第２のリード又は前記複数の第２のリードが位置する直線は互いに交差する
ことを特徴とする請求項６に記載のＣＯＦ。
【請求項８】
前記第２のズレマークは第２のアライメント目盛を含み、前記第２のアライメント目盛は横方向アライメント目盛及び／又は縦方向アライメント目盛を含み、又は、
前記第２のズレマークは第２のアライメントラベルを含み、前記第２のアライメントラベルは第２の横方向アライメントラベルと、前記第２の横方向アライメントラベルに対応する第２の縦方向アライメントラベルとを含む
ことを特徴とする請求項５に記載のＣＯＦ。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のアレイ基板と、第２のリード、第２のアライメントマーク及び第２のズレマークを有するＣＯＦとを備え、又は、
請求項５〜８のいずれか一項に記載のＣＯＦと、第１のリード、第１のアライメントマーク及び第１のズレマークを有するアレイ基板とを備える
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
第１の装置の第１のリードと第２の装置の第２のリードとを対応して接続するステップと、
前記第１の装置の第１のアライメントマークと前記第２の装置の第２のアライメントマークとを位置合わせするステップと、
前記第１のアライメントマーク及び前記第２のアライメントマークによって取得される第１のズレマークにより前記第１のリードと前記第２のリードとのアライメントズレを示すステップと、
前記アライメントズレに基づいて前記第１の装置と前記第２の装置とを位置合わせするステップと、を含む
ことを特徴とする位置合わせ方法。
【請求項１１】
前記第１の装置はアレイ基板及びＣＯＦのうちの一方であり、前記第２の装置は前記アレイ基板及び前記ＣＯＦのうちの他方である
ことを特徴とする請求項１０に記載の位置合わせ方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月24日(2020.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信チャネル実施のための、遠隔ノード発見、および複数のキュー・ペアを結び付けることのためのプロセッサによって実施される方法であって、
複数のノードの間で１つまたは複数のポイント・ツー・ポイント・リンクを接続すべく複数のハードウェアを準備すること、
発見プロセスを通じて前記１つまたは複数のポイント・ツー・ポイント・リンク内で前記複数のノードを発見すること、
前記複数のノード間に複数の管理トラフィック・レーンを作成すること、
前記複数のノード間の複数の接続を検証すること、
前記複数の接続上で１つまたは複数の補助的トラフィック・フロー・インターフェースを開始すること、
前記複数の接続のための複数のバッファをネゴシエートし、かつ接続すること、および
前記複数のノードの間で複数のノード記述子を交換すること
を含む方法。
【請求項２】
デバイス・ドライバ層内で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数のノードの間で１つまたは複数のポイント・ツー・ポイント・リンクを接続すべく複数のハードウェアを準備することが、
前記複数のハードウェアから複数のバッファ・リソースを前もって確保することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のハードウェアから前記複数のバッファ・リソースを前もって前記確保することが、単一ルート入力／出力仮想化インターフェースを使用して行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のハードウェアからの複数のバッファ・リソースの確保が、１回、行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
チャネル初期設定アービタ機能を利用して、前記複数の接続内の複数のチャネルのすべてが初期設定されていることを確実にすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のバッファをネゴシエートし、かつ接続することが、４ステップのキュー・ペア接続プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータ・ハードウェアによる手段として構成した、コンピュータ・システム。
【請求項９】
請求項１〜７の何れか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載の前記コンピュータ・プログラムをコンピュータ可読記憶媒体に記録した、記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月14日(2020.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクであって、
マスクフレームと、前記マスクフレームに固定配置されるマスクフィルムと、を含み、
前記マスクフィルムには、複数の表示用画素開口を有する第１の領域と、及び前記第１の領域を囲むように設置され複数の第１の補助画素開口を有する第２の領域が設置され、前記第２の領域の第１の補助画素開口のサイズが前記第１の領域の表示用画素開口のサイズより小さい、ことを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記第２の領域の第１の補助画素開口は、前記第１の領域を囲んで規則的に配列され、前記第１の領域を囲んで規則的に配列される前記第１の補助画素開口のサイズは、前記第１の領域から外側につれ減少する、ことを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記第２の領域の前記第１の補助画素開口は、前記第１の領域を複数サイクルて囲むように設けられ、複数サイクルの前記第１の補助画素開口のサイズは、各サイクル毎に前記第１の領域から外側につれ減少する、ことを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項４】
前記マスクフィルムは、さらに、前記第１の領域と前記第２の領域との間に設置され複数の第２の補助画素開口を有する第３の領域を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項５】
前記第３の領域の第２の補助画素開口のサイズは、前記第１の領域の表示用画素開口のサイズと同じであり、或いは、前記第３の領域の前記第２の補助画素開口のサイズは、前記第１の領域の表示用画素開口のサイズより小さいとともに、前記第１の領域から外側につれ減少する、ことを特徴とする請求項４に記載のマスク。
【請求項６】
前記マスクの厚さは、前記第１の領域から外側につれ増加する、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項７】
マスクの製作方法であって、
マスクフィルムを提供し、第１の領域を形成するように前記マスクフィルムをエッチングして複数の表示用画素開口を形成すること、
前記第１の領域を囲むように前記第１の領域の画素開口よりサイズが小さい複数の第１の補助画素開口をエッチングして第２の領域を形成すること、
前記マスクフィルムをマスクフレームに固定配置して前記マスクを形成すること、を含む、ことを特徴とするマスクの製作方法。
【請求項８】
前記マスクの厚さは第１の領域から外側につれ増加するように、前記マスクをエッチングすることを、さらに含む、ことを特徴とする請求項７に記載のマスクの製作方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月8日(2020.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つ以上の重合反応器が並列に連結された並列重合反応器に、共役ジエン系単量体、触媒及び溶媒を投入し、重合反応を行って第１共役ジエン系重合体を含む第１重合体溶液を製造するステップと、
前記並列重合反応器から排出された第１重合体溶液を、並列重合反応器と直列に連結された直列重合反応器に投入し、重合反応を行って第２共役ジエン系重合体を含む第２重合体溶液を製造するステップと、を含み、
前記直列重合反応器の重合反応の際、重合熱により発生する気体は、直列重合反応器に具備されたコンデンサにより凝縮されて並列重合反応器へ還流され、
前記直列重合反応器の反応温度は、並列重合反応器の反応温度より１０℃以上低く保持されるものである共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項２】
前記共役ジエン系重合体の製造方法は、前記並列重合反応器から排出された第１重合体溶液を、並列重合反応器と直列重合反応器との間に直列に連結された１つ以上の重合反応器に投入し、重合反応を行うステップをさらに含むものである、請求項１に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項３】
前記直列重合反応器の反応温度は、並列重合反応器と直列重合反応器との間に直列に連結された１つ以上の重合反応器のうち直列重合反応器の直前に連結された重合反応器の反応温度より１０℃以上低く保持されるものである、請求項２に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項４】
前記直列重合反応器の反応温度は、並列重合反応器の反応温度より１０℃〜２５℃低く保持されるものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項５】
前記直列重合反応器の圧力は、並列重合反応器の圧力より０．５ｂａｒｇ以上低く保持されるものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項６】
前記直列重合反応器の圧力は、並列重合反応器の圧力より１．０ｂａｒｇ〜２．５ｂａｒｇ低く保持されるものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項７】
前記触媒は遷移金属化合物、ランタン系化合物、有機アルミニウム化合物及びフッ化化合物からなる群から選択された１種以上のチーグラーナッタ触媒；または有機リチウム触媒である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項８】
前記溶媒は炭化水素系溶媒である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項９】
前記共役ジエン系重合体の製造方法は共役ジエン系重合体の連続製造方法である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造方法。
【請求項１０】
２つ以上の重合反応器が並列に連結された並列重合反応器と、
前記並列重合反応器と直列に連結された直列重合反応器と、を含み,
前記直列重合反応器は重合熱により発生する気体を凝縮させて並列重合反応器に還流させるためのコンデンサを具備し、
前記直列重合反応器の反応温度は、並列重合反応器の反応温度より１０℃以上低く保持されるものである共役ジエン系重合体の製造装置。
【請求項１１】
前記並列重合反応器及び直列重合反応器は連続攪拌タンク反応器（ＣＳＴＲ）である、請求項１０に記載の共役ジエン系重合体の製造装置。
【請求項１２】
前記並列重合反応器の２つ以上の重合反応器は、それぞれ重合熱により発生する気体を凝縮させてそれぞれの重合反応器に還流させるためのコンデンサを具備したものである、請求項１０または１１に記載の共役ジエン系重合体の製造装置。
【請求項１３】
前記共役ジエン系重合体の製造装置は、前記並列重合反応器と直列重合反応器との間に直列に連結された１つ以上の重合反応器を含むものである、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の共役ジエン系重合体の製造装置。
【請求項１４】
前記直列重合反応器の反応温度は、並列重合反応器と直列重合反応器との間に直列に連結された１つ以上の重合反応器のうち直列重合反応器の直前に連結された重合反応器の反応温度より１０℃以上低く保持されるものである、請求項１３に記載の共役ジエン系重合体の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月25日(2020.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の磁界強度と、所望の磁界方向を有する磁界を発生するシステムにおいて、
各磁気セグメントが、複数の磁気セグメントの少なくとも１つに隣接して位置し、各磁気セグメントが、磁化方向を有する複数の磁界セグメントであって、前記磁化方向は、前記所望の磁界強度と前記所望の磁界方向に基づく、複数の磁界セグメントと、
各強磁性体セグメントが、前記複数の磁気セグメントの少なくとも１つに隣接して位置する、複数の強磁性体セグメントと、
複数の流体充填セグメントと、
を備え、前記複数の流体充填セグメントの各々は、前記複数の磁気セグメントの少なくとも１つに隣接して位置し、前記流体充填セグメントの少なくとも１つは空気を備える、システム。
【請求項２】
各磁気セグメントの前記磁化方向は、さらに、それぞれの隣接する磁気セグメントの、磁化方向に基づく、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの流体充填セグメントの形状とサイズは、磁気セグメントと強磁性体セグメントの少なくとも１つの形状とサイズに相当する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記磁気セグメントと、前記強磁性体セグメントの少なくとも１つは、立方体、超長方形、並行六面体および円柱から構成されるグループから選択された形状を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
少なくとも１つの磁気セグメントの前記磁化方向は、その磁気セグメントの２つの並行な面の間を通過する軸に沿っている、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
少なくとも１つの磁気セグメントの前記磁化方向は、前記磁気セグメントの２つの対向するコーナー間を通過する軸に沿っている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
少なくとも１つの磁気セグメントの前記磁化方向は、そのセグメントの２つの対向するエッジ間を通過する軸に沿っている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの磁気セグメントの形状は、前記少なくとも１つの強磁性体セグメントの形状に相当する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
少なくとも１つの磁気セグメントのサイズは、少なくとも１つの強磁性体セグメントの前記サイズに相当する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
少なくとも１つの磁気セグメントの前記磁化方向は、前記システム内の、そのセグメントの位置決めに相当する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
少なくとも１つの、磁気セグメントの位置決めにおける変化は、前記発生された磁界の変化に対応する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
少なくとも１つの、磁気セグメントの前記磁化方向における変化は、前記発生された磁界における変化に対応する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記複数のセグメントの各々を、所望の位置に配列させるように構成された、予め定義されたメッシュをさらに備えた、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月6日(2020.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示電極を含む表示領域と前記表示領域以外のパッド領域とを含む表示基板であって、
前記パッド領域は、少なくとも一つのパッドを含み、
前記パッドは、
第１の金属サブ層と、前記第１の金属サブ層の上に積層され、耐腐食性が前記第１の金
属サブ層の耐腐食性よりも強い第２の金属サブ層とを含む金属層と、
前記表示領域の前記表示電極と同層に設置され、前記金属層の側面を覆い、前記金属層の少なくとも一部の上面を覆わない導電材料層と、
を備える、
ことを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記表示電極は、アノードを含み、
前記パッドの前記導電材料層は、前記アノードと同層に設置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記表示領域は、ソースおよびドレインを有するトランジスタを含み、
前記パッドの前記金属層は、前記表示領域の前記ソースおよびドレインと同層に設置さ
れている、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項４】
前記第１の金属サブ層は、アルミニウムを含み、
前記第２の金属サブ層は、チタンを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項５】
前記金属層は、第３の金属サブ層をさらに含み、
前記第１の金属サブ層は、前記第３の金属サブ層の上に積層され、
前記第３の金属サブ層の耐腐食性は、前記第１の金属サブ層の耐腐食性よりも強い、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示基板を含む、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
表示電極を含む表示領域と前記表示領域以外のパッド領域とを含む表示基板を製造する方法であって、
パッド領域には、第１の金属サブ層と、前記第１の金属サブ層の上に積層され、耐腐食
性が前記第１の金属サブ層の耐腐食性よりも強い第２の金属サブ層とを含む金属層を形成
するステップと、
前記金属層の側面を覆う導電材料層を形成するステップと、
を含み、
導電材料層を形成するステップは、
少なくとも前記金属層の上面および側面を覆うプリ導電材料層を形成するステップと、
前記プリ導電材料層の上にフォトレジストを塗布するステップと、
マスクを介して前記フォトレジストを露出し現像して、前記プリ導電材料層の一部を暴露するステップであって、前記現像の後、前記金属層の側面の上のプリ導電材料層を覆うフォトレジストが少なくとも保留され、前記金属層の一部の上面の上のプリ導電材料層を覆うフォトレジストが少なくとも除去されるステップと、
前記プリ導電材料層の暴露された部分をエッチングするステップと、
残りのフォトレジストを除去するステップと、
を含み、
前記現像の後、前記表示領域中の前記プリ導電材料層の一部を覆うフォトレジストがさらに保留され、残りのフォトレジストを除去した後、前記表示領域中の前記プリ導電材料層の部分に表示電極を形成し、
前記表示電極は、アノードを含み、
前記パッド領域の前記導電材料層は、前記表示領域の前記アノードと同時に形成される、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記表示領域は、ソースおよびドレインをさらに含み、
前記パッド領域の前記金属層は、前記表示領域の前記ソースおよびドレインと同時に形
成される、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月7日(2020.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流量制御装置（１０２）、ならびに
前記流量制御装置（１０２）と結合される制御組立体（１００）であって、前記制御組立体（１００）が主支持体（１１８）、及び前記主支持体（１１８）上に配置される薄板（１２２）を含み、前記薄板（１２２）が取り付け面（１４０）を形成する４つの側面（１３２、１３４）を含み、前記薄板（１２２）がまた、前記側面（１３２、１３４）のうちの２つの間の第一方向において長手方向に延在して隣接した横方向スロット（１４２）が前記第一方向に垂直である第二方向において互いから離隔されるように配置される横方向スロット（１４２）を含む、前記制御組立体（１００）、
を備える、装置。
【請求項２】
前記薄板（１２２）は、前記４つの側面（１３２、１３４）のそれぞれの上に切り欠き部（１５４）を備える、請求項１に記載の前記装置。
【請求項３】
前記薄板（１２２）は、二等分面（１３６、１３８）とアライメントを取るフランジ部材（１５６）を前記４つの側面（１３２、１３４）のそれぞれの上に形成するように、切り欠き部（１５４）を前記４つの側面（１３２、１３４）のそれぞれの上に備える、請求項１に記載の前記装置。
【請求項４】
前記薄板（１２２）は、前記４つの側面（１３２、１３４）のそれぞれの上に前記側面（１３２、１３４）のそれぞれから内向きに間隔をあけられる切り欠き部（１５４）を前記取り付け面（１４０）中に備える、請求項１に記載の前記装置。
【請求項５】
前記横方向スロット（１４２）は、第一セット中の横方向スロット（１４２）が前記第一方向沿いに第二セット中の横方向スロット（１４２）から離隔されるように、前記第一セット及び前記第二セット中に形成される、請求項１に記載の前記装置。
【請求項６】
開口部は、前記第一セットと前記第二セットとの間で前記薄板（１２２）を貫通する、請求項５に記載の前記装置。
【請求項７】
前記制御組立体（１００）は、前記流量制御装置（１０２）に空気圧によって連結する、請求項１に記載の前記装置。
【請求項８】
前記主支持体（１１８）は、その中に前記薄板（１２２）を囲む、ドア（１８８）を含むキャビネット（１７８）を備える、請求項１に記載の前記装置。
【請求項９】
前記主支持体（１１８）は、フランジ付き底端部（１７０）を含む細長いチューブ（１６６）を備える、請求項１に記載の前記装置。
【請求項１０】
弁（１０６）及び空気圧式アクチュエータ（１０４）を含む流量制御装置（１０２）、
前記空気圧式アクチュエータ（１０４）と結合される空圧制御構成要素（１１４）、ならびに
前記空圧制御構成要素（１１４）を支持する１つ以上の薄い板金（１２２）であって、前記薄い板金（１２２）が細長いスロット（１４２）を含み、前記細長いスロット（１４２）が前記薄い板金（１２２）上の第一方向に延在する開口部を形成し、前記開口部が前記第一方向に垂直である第二方向において前記薄い板金（１２２）上で互いから離隔される、前記薄い板金、
を備える、システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年6月16日(2020.6.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
さらなる態様において、再構成たばこを製造するための方法が提供されているが、この方法は、（a）一つ以上のタバコ特異的ニトロソアミンを含むたばこ材料を供給する工程と、（b）たばこ繊維を可溶性材料から分離することにより、前記たばこ材料を再構成たばこに製造する工程と、（c）分離した繊維を液体または蒸気の存在下で少なくとも約30秒間、少なくとも摂氏100度まで加熱して、分離した繊維の不溶性たばこ基質からタバコ特異的ニトロソアミンの少なくとも一部を放出させる工程と、（d）繊維を水溶液または溶媒で洗浄する工程と、（e）繊維および可溶性材料を再び組み合わせて再構成たばこシートを形成する工程と、および（f）随意に再構成たばこをたばこ製品に組み込む工程とを含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９８】
13．再構成たばこを製造するための方法であって、（a）一つ以上のタバコ特異的ニトロソアミンを含むたばこ材料を供給する工程と、（b）たばこ繊維を可溶性材料から分離することにより、前記たばこ材料を再構成たばこに製造する工程と、（c）分離した繊維を液体または蒸気の存在下で少なくとも約30秒間、少なくとも摂氏100度まで加熱して、分離した繊維の不溶性たばこ基質からタバコ特異的ニトロソアミンの少なくとも一部を放出させる工程と、（d）繊維を水溶液または溶媒で洗浄する工程と、（e）繊維および可溶性材料を再び組み合わせて再構成たばこシートを形成する工程と、および（f）随意に再構成たばこをたばこ製品に組み込む工程とを含む。