(57)【要約】      （修正有）【課題】容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの提供。【解決手段】少なくとも１個の非揮発性メモリモジュール１０とソリッドメモリモジュール１２を含み、該各非揮発性メモリモジュールは少なくとも非揮発性メモリチップ１４、第一連接部１６、制御ユニット１８を設置する。該ソリッドメモリモジュールは少なくとも第二連接部２４、システムインターフェース２６を設置し、該第二連接部は該相対する非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接する。該非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは該システムインターフェースにより外部情報を取得し、該制御ユニットにより該非揮発性メモリモジュール内に伝送し保存し、或いは記憶内容を呼び出す。【選択図】図１
0003133400.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個の非揮発性メモリモジュール及びソリッドメモリモジュールを含み、
該各非揮発性メモリモジュールは少なくとも１個の非揮発性メモリチップ、第一連接部、制御ユニットを設置し、
該ソリッドメモリモジュールは少なくとも第二連接部、システムインターフェースを設置し、該第二連接部は該非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接し、該システムインターフェースにより該非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは外部情報を取得し、さらに該制御ユニットにより該非揮発性メモリチップ内に伝送し保存し、或いは記憶内容を呼び出すことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュール。
【請求項２】
請求項１記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは制御チップとパルス発生器を含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュール。
【請求項３】
請求項１記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記システムインターフェースはＩＤＥ  ＲＡＩＤコントローラーとＩＤＥ  ＴＯ  ＳＴＡＴアダプターチップを含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュール。
【請求項４】
容量拡充可能なソリッドメモリモジュールは１個以上の非揮発性メモリモジュールを組合せ、少なくとも１個のメモリチップ、第一連接部、制御ユニットを含み、
該ソリッドメモリモジュールは少なくとも１個の第二連接部及びシステムインターフェースを含み、
該第二連接部は該非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接し、
該システムインターフェースにより、該非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは外部情報を取得し、さらに該制御ユニットにより該非揮発性メモリモジュールに伝送し内部に保存し、或いは記憶内容を読み出すことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュール。
【請求項５】
請求項４記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記制御ユニットは制御チップとパルス発生器を含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュール。
【請求項６】
請求項４記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記システムインターフェースは少なくともＩＤＥ  ＲＡＩＤコントローラーとＩＤＥ  ＴＯ  ＳＴＡＴアダプターチップを含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は一種の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールに関する。特に一種の１個以上の非揮発性メモリモジュールをソリッドメモリモジュールの予め設置する連接部上に挿入設置し、こうして非揮発性メモリモジュールを拡充或いは交換可能とし、ソリッドメモリの記憶容量を拡充することができる容量拡充可能なソリッドメモリモジュールに係る。
【背景技術】
【０００２】
２００６年６月、商用モバイル演算中枢における初のＮＡＮＤフラッシュメモリソリッドディスク（ＳＳＤ）であると鳴り物入りで発表された３２Ｇ  ＮＡＮＤフラッシュメモリを嵌設するソリッドディスク（ＳＳＤ）製品は、非揮発性メモリ（フラッシュメモリなど）とハードディスクとの世代交代の幕を開けた。
ソリッドディスクは通常のハードディスクの２倍の強度があり、ＰＣが衝撃を受け或いは濡れても、フラッシュメモリから保存データを取り戻すことも、ハードディスクからに比べより容易である。しかもソリッドディスクはデータの読み取り速度が５３Ｍｐｂｓと、普通のハードディスクの３倍速で、書き込み速度もハードディスクの１５０％である２８Ｍｐｂｓである。
このフラッシュメモリを配備するソリッドディスク（ＳＳＤ）の長所は、重量が一般の円盤式ディスクの半分しかなく、よってこの数値データ保存メディアを配備するノートＰＣでは、アップロード或いはダウンロード共にその速度は速く、データ処理の過程もより静かである。それは、ＳＳＤがハードディスクドライブのようにターンテーブルを採用するのではなく、静態のＮＡＮＤフラッシュメモリを採用するためで、しかもＳＳＤはハードディスクドライブに比べ９５％の節電が可能である。
【０００３】
フラッシュを基礎とするＳＳＤの成長速度は驚くほどで、一般にハードディスク（ＨＨＤ）はそう遠くない将来、ポータブルコンピュータの保存市場においてＳＳＤと正面衝突すると予想されている。またノートＰＣの保存システムは今後１０年以内にＨＤＤからＳＳＤに取って代わられるとの予測もある。
しかし、ＳＳＤの現在の拡充性はなお不足しており、弾力的に該ＳＳＤディスクの内部容量を拡充することはできない。これが現在ＳＳＤが抱える唯一の欠点である。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案は容量拡充可能なソリッドメモリモジュールを提供し、ソリッドメモリモジュールに予め設置するスロットを通して１個以上の非揮発性メモリモジュールを挿入設置することができ、或いは非揮発性メモリモジュールを交換することができ、これによりソリッドメモリモジュールの容量は効果的に拡充可能で、消費者は自由に選択しメモリモジュールを組合せ使用することができ、ソリッドメモリの容量を拡充可能で、
またそれは容量拡充可能なソリッドメモリモジュールを提供し、嵌合方式により非揮発性メモリモジュールをソリッドメモリモジュール上に組合せるため、操作が非常に便利で、さらにそれは容量拡充可能なソリッドメモリモジュールを提供し、これによりコンピュータ設備は消費者のニーズに応じて特定容量のメモリモジュールを選択し使用可能となり、こうしてコンピュータメーカーは高いメモリ容量の非揮発性メモリモジュールを設置する必要がなくなり、メモリ価格の変動が損失を招くリスクを低下させることができる。
【０００５】
すなわちそれは、少なくとも１個の非揮発性メモリモジュール及びソリッドメモリモジュールを含み、
該各非揮発性メモリモジュールは少なくとも１個の非揮発性メモリチップ、第一連接部、制御ユニットを設置し、
該ソリッドメモリモジュールは少なくとも第二連接部、システムインターフェースを設置し、該第二連接部は該相対する非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接し、
該非揮発性メモリモジュールは該システムインターフェースにより外部情報を取得し、該制御ユニットにより該非揮発性メモリモジュール内に伝送し保存し、或いはメモリ内容を呼び出し、
こうして該非揮発性メモリモジュールを交換、或いは該非揮発性メモリモジュールを増やすことにより、ソリッドメモリモジュールの容量を増大させ、メモリ容量拡充の目的を達成することを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の考案は、少なくとも１個の非揮発性メモリモジュール及びソリッドメモリモジュールを含み、
該各非揮発性メモリモジュールは少なくとも１個の非揮発性メモリチップ、第一連接部、制御ユニットを設置し、
該ソリッドメモリモジュールは少なくとも第二連接部、システムインターフェースを設置し、該第二連接部は該非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接し、該システムインターフェースにより該非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは外部情報を取得し、さらに該制御ユニットにより該非揮発性メモリチップ内に伝送し保存し、或いは記憶内容を呼び出すことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールとしている。
請求項２の考案は、請求項１記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは制御チップとパルス発生器を含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールとしている。
請求項３の考案は、請求項１記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記システムインターフェースはＩＤＥ  ＲＡＩＤコントローラーとＩＤＥ  ＴＯ  ＳＴＡＴアダプターチップを含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールとしている。
【０００７】
請求項４の考案は、容量拡充可能なソリッドメモリモジュールは１個以上の非揮発性メモリモジュールを組合せ、少なくとも１個のメモリチップ、第一連接部、制御ユニットを含み、
該ソリッドメモリモジュールは少なくとも１個の第二連接部及びシステムインターフェースを含み、
該第二連接部は該非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接し、
該システムインターフェースにより、該非揮発性メモリモジュールの制御ユニットは外部情報を取得し、さらに該制御ユニットにより該非揮発性メモリモジュールに伝送し内部に保存し、或いは記憶内容を読み出すことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールとしている。
請求項５の考案は、請求項４記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記制御ユニットは制御チップとパルス発生器を含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールとしている。
請求項６の考案は、請求項４記載の容量拡充可能なソリッドメモリモジュールにおいて、前記システムインターフェースは少なくともＩＤＥ  ＲＡＩＤコントローラーとＩＤＥ  ＴＯ  ＳＴＡＴアダプターチップを含むことを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールとしている。
【考案の効果】
【０００８】
本考案は、少なくとも１個の非揮発性メモリモジュール及びソリッドメモリモジュールを含み、該各非揮発性メモリモジュールは少なくとも１個の非揮発性メモリチップ、第一連接部、制御ユニットを設置し、該ソリッドメモリモジュールは少なくとも第二連接部、システムインターフェースを設置し、該第二連接部は該相対する非揮発性メモリモジュールの第一連接部に電気的に連接し、該非揮発性メモリモジュールは該システムインターフェースにより外部情報を取得し、該制御ユニットにより該非揮発性メモリモジュール内に伝送し保存し、或いはメモリ内容を呼び出し、こうして該非揮発性メモリモジュールを交換、或いは該非揮発性メモリモジュールを増やすことにより、ソリッドメモリモジュールの容量を増大させ、メモリ容量拡充の目的を達成することを特徴とする容量拡充可能なソリッドメモリモジュールである。
【考案を実施するための最良の形態】
【０００９】
本考案容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの概略図である図１に示すように、２個の非揮発性メモリモジュール１０と１個のソリッドメモリモジュール１２を含む。
本実施例中の該各非揮発性メモリモジュール１０は３個の非揮発性メモリチップ１４、第一連接部１６、制御ユニット１８を設置する。該非揮発性メモリチップ１４はフラッシュメモリチップで、印刷回路板１５上に封入し、該第一連接部１６は該各非揮発性メモリチップ１４に連接し、高周波信号を伝送し、制御チップ２０とパルス発生器２２を設置する。
本実施例中のソリッドメモリモジュール１２は２個の第二連接部２４、１個のシステムインターフェース２６を設置する。それらは共に印刷回路板２８上に設置し、該ソリッドメモリモジュール１２は該第二連接部２４により、該非揮発性メモリモジュール１０の第一連接部１６と電気的に連接する。該システムインターフェース２６はＩＤＥ  ＲＡＩＤコントローラー３０とＩＤＥ  ＴＯ  ＳＴＡＴアダプターチップ３２を含む。該非揮発性メモリモジュール１０の制御ユニット１８は該システムインターフェース２６により外部信号を取得し、該制御ユニット１８により該非揮発性メモリモジュール１０に伝送し内部に保存し、或いは記憶内容を呼び出す。
【００１０】
本考案の非揮発性メモリ（フラッシュメモリなど）モジュールの実施図である図２に示すように、該非揮発性メモリモジュール１０の第一連接部１６は電性端子である。
本考案容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの実施例図である図３に示すように、該ソリッドメモリモジュール１２はハウジング３４内に設置し、該ハウジング３４は上蓋３６を備え、該第二連接部２４は該印刷回路板２８上のスロットに形成し、該非揮発性メモリモジュール１０の電性端子を挿入設置することができる。こうしてその記憶容量は拡充され、或いは交換することができる。
【００１１】
本考案の非揮発性メモリ（フラッシュメモリなど）モジュールの別種の実施例図である図４に示すように、該非揮発性メモリモジュール１０の第一連接部１６は電性ソケットで、該モジュール両側には第一スライド部３８を形成する。
本考案容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの別種の実施例図である図５に示すように、該ソリッドメモリモジュール１２は該ハウジング３４内に設置し、該ハウジング３４は数個のスロット３３を設置し、これにより該非揮発性メモリモジュール１０の第一連接部１６は挿入設置され、該第二連接部２４と電気的に連接し、その記憶容量の拡充或いは交換を行うことができる。該ハウジング３４のスロット３３両側に形成する第二スライド部４０は該非揮発性メモリモジュール１０の第一スライド部３８に対応しスライド係合する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本考案容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの概略図である。
【図２】本考案の非揮発性メモリ（フラッシュメモリなど）モジュールの実施図である。
【図３】本考案容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの実施例図である。
【図４】本考案の非揮発性メモリ（フラッシュメモリなど）モジュールの別種の実施例図である。
【図５】本考案容量拡充可能なソリッドメモリモジュールの別種の実施例図である。
【符号の説明】
【００１３】
１０  非揮発性メモリモジュール
１２  ソリッドメモリモジュール
１４  非揮発性メモリチップ
１５  印刷回路板
１６  第一連接部
１８  制御ユニット
２０  制御チップ
２２  パルス発生器
２４  第二連接部
２６  システムインターフェース
２８  印刷回路板
３０  ＩＤＥ  ＲＡＩＤコントローラー
３２  ＩＤＥ  ＴＯ  ＳＴＡＴアダプターチップ
３３  スロット
３４  ハウジング
３６  上蓋
３８  第一スライド部
４０  第二スライド部
【図１】
0003133400.tif 000003
【図２】
0003133400.tif 000004
【図３】
0003133400.tif 000005
【図４】
0003133400.tif 000006
【図５】
0003133400.tif 000007