【事件の表示】
　特願２０１１−５０８６００「電子デバイス又は他の物品上のコーティングに使用するハイブリッド層」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２８日国際公開、ＷＯ２０１０／０１１３９０、平成２３年　７月１４日国内公表、特表２０１１−５２００４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成２１年５月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年５月７日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年９月５日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年５月１５日付けで拒絶査定がされ、同年９月１９日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出され、平成２７年７月２７日付けで平成２６年９月１９日付けの手続補正が却下されて拒絶理由が通知され、平成２８年２月３日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２８年２月３日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された下記の事項により特定されるものである。
「【請求項１】
　有機デバイス本体の基礎部として機能する表面に配置された前記有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、
　前駆体物質の原料を提供する工程と、
　前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、
　前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上に第１のハイブリッド層を堆積する工程であり、前記第１のハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が９５：５〜５：９５の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成され、前記第１のハイブリッド層が、前記有機デバイス本体のエッジを超えて、前記有機デバイス本体の側面を下方に延びるように、また前記有機デバイス本体の基礎部として機能する前記表面上に延在するように堆積される工程と、
　前記有機デバイス本体の周囲に近接する１つ又は複数の領域にエッジバリアを配置する工程と、を含む方法。」（以下、「本願発明１」という。）
第３．当審における拒絶理由の概要
　平成２７年７月２７日付けの当審からの拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）の理由２）は、「本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」というものである。
第４．本願発明に対する判断
１．引用例及び引用例の記載事項
　本件優先日前に日本国内において頒布され、当審拒絶理由で刊行物として引用した次の引用例に記載された発明について検討する。
引用例１：国際公開第２００５／５１５２５号
引用例２：特開２００１−３２６０７０号公報
（１）引用例１の記載事項
　引用例１（国際公開第２００５／５１５２５号）には、「DESICCANT FILM IN TOP-EMITTING OLED」（当審の訳：「トップエミッション型ＯＬＥＤの乾燥剤膜」）（発明の名称）について、次の記載がある。
（ア）「[0042] In accordance with another particular aspect of the invention, organic light emitting diodes are supported on a transparent substrate which is impermeable to oxygen and water vapor, and they are encapsulated with a flexible barrier having improved impermeability, where the improvement comprises a single coating layer having multiple gradual or oscillating changes of at least one property of the coating material, which are spatially continuous thus exhibiting modulated properties along its thickness.・・・」
（当審の訳「[0042]本発明の別の特定の態様によれば、有機発光ダイオードは、酸素及び水蒸気に対して不透過な透明基板上に支持されており、可撓性バリアで封入されることにより、不透過性が向上し、不透過性の向上は、少なくとも１つの徐々に又は振動的に複数回特性が変化するコーティング材料からなる単一コーティング層を含み、コーティング材料は、厚さ方向に沿って空間的に連続的に特性が変調している。・・・」）
（イ）「[0092] Fig. 8 shows an OLED device (200) on a flexible substrate (100) comprising a barrier-coating with modulated properties (10) therein, and enclosed using an encapsulating mean (40) which comprises the coating with modulated properties (410). a) thin film encapsulation, where the barrier-coating with modulated properties (410) is deposited onto a passivation layer (440), which, in turn, is in contact with OLED components (50). 
・・・
c) thin film encapsulation using the coating with modulated properties (410).」
（当審の訳「[0092]図８には、変調特性（１０）を有するバリア膜を含むフレキシブル基板（１００）上のＯＬＥＤ装置（２００）が示されており、ＯＬＥＤ装置は、変調特性を有するコーティング（４１０）を含む封入手段（４０）を用いて封入される。ａ）変調特性（４１０）を有するバリア膜（４１０）が、ＯＬＥＤ要素（５０）と接触するパッシベーション層（４４０）上に堆積された薄膜封入。
・・・
 ｃ）変調特性（４１０）を有するコーティングを用いた薄膜封入。」）
（ウ）「[0094] A coupon of optical grade polyester film (PET) was placed into a PECVD vacuum chamber, directly onto the powered electrode. The chamber was evacuated and deposition of silica (SiO2)- like coating was performed in an RF plasma discharge (13.56 MHz, 80 W) using a mixture of hexamethyldisiloxane (HMDSO)/ O2 /Ar at an approximate molar ratio of 1:8:3, respectively. During the deposition, oxygen flow was smoothly modulated manually from a high content (1:8:3) to a low content (1:0:3), then back again to a high content. After 5 minutes, during which the concentration of oxygen in the chamber was changed twice, HMDSO flow was terminated, thus causing a gradual decrease in the concentration of silicon source gas in the plasma. The sample, across its entire thickness, was then composed of the PET substrate in contact with silica, which gradually changed to plasma-polymerized HMDSO, then gradually changing back to silica, which was finally modified at the surface by the final exposure to oxygen/argon plasma. The sample had a hydrophilic surface, displaying a low water contact angle (10°).」
（当審の訳「[0094]光学グレードのポリエステル（ＰＥＴ）薄膜片を直接給電電極上に、ＰＥＣＶＤ真空チャンバ内に配置した。チャンバを排気し、シリカ（ＳｉＯ２）様のコーティングを、おおよそのモル比で１：８：３となるヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）／Ｏ２／Ａｒの混合ガスを用いたＲＦプラズマ放電（１３．５６ＭＨｚ、８０Ｗ）で行った。堆積中に、酸素の流量を、高含有量の１：８：３から、低含有量の１：０：３へと滑らかに変調させ、その後、再び高含有量へ手動で変調した。チャンバ内の酸素濃度を２回変更した５分後に、ＨＭＤＳＯの流量を停止させ、徐々にプラズマ中のシリコンソースガスの濃度を減少させた。サンプルは、その厚さ全体にわたって、ＰＥＴ基板がシリカと接触し、緩やかにプラズマ重合ＨＭＤＳＯに変化した後、徐々にシリカに戻り、最終的に酸素／アルゴンプラズマへの曝露により表面が修飾された。このサンプルは、低い水接触角（＜１０°）を示す親水性表面を有していた。」）
（エ）図８Ｃ
（２）引用例２の記載事項
　引用例２（特開２００１−３２６０７０号公報）には、「有機ＥＬ素子」（発明の名称）について、次の記載がある
（オ）「【００２９】また、本実施形態の保護膜８としては、次に示す様な変形例も可能である。図２は、第１の変形例を示す概略断面図であり、保護膜８を、金属または半導体と有機物との化合物よりなる膜（以下、化合物膜という）８ａの上に無機物よりなる無機膜８ｂを少なくとも１層以上成膜してなるものとしている。つまり、図２に示す無機膜８ｂは、１層のものでも２層以上の積層構造のものでも良い。
【００３０】限定するものではないが、この第１の変形例の具体的な製造方法を示す。上記同様に、透明基板１上に構造体２〜７及び化合物膜（Ｓｉ−ＣｘＨｙ膜）８ａを形成する。次に、この上に、Ｓｉをターゲットにして反応性直流スパッタ法により、Ｎ２とＡｒの混合ガスを用い、スパッタパワー：４ｋＷ、ガス圧：０．１Ｐａ、基板温度：室温の成膜条件にて、無機膜８ｂとして膜厚１００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜する。
【００３１】図２に示す第１の変形例によれば、上記図１において保護膜８の上を更に無機膜８ｂで被覆した形となるため、上記した保護膜８による効果に加えて、更に、水分の侵入防止を確実にすることができる。」
（カ）図２
２．引用発明の認定
　記載事項（イ）（エ）によれば、引用例１には、可撓性の基板上に配置されたＯＬＥＤ要素を囲むように、変調特性を有するバリア膜を形成することが記載されている。
　記載事項（ウ）によれば、引用例１には、「ポリエステル（ＰＥＴ）薄膜片が直接給電電極上に配置されたＰＥＣＶＤ真空チャンバに、ヘキサメチルジシロキサン、酸素及びアルゴンからなる混合ガスを、酸素の割合を滑らかに変調させながら供給しつつ、ＲＦプラズマ電力を供給することにより、ＰＥＴ基板に接する部分がシリカからなり、徐々に組成がプラズマ重合されたヘキサメチルジシロキサンへと変化し、再度徐々にシリカへと戻る組成を有するバリア膜を堆積すること」が記載されている。
　したがって、引用例１には、
「可撓性のＰＥＴ基板上に、上面及び側面を有するＯＬＥＤ要素が配置されたＯＬＥＤ装置の、ＯＬＥＤ要素の上面及び側面を囲む、変調特性を有するバリアコーティングを形成する方法であって、
　真空チャンバにヘキサメチルジシロキサンを提供し、
　ヘキサメチルジシロキサンに、酸素及びアルゴンを混合した混合ガスを、酸素の割合を滑らかに変調させながら供給することにより、ＰＥＴ基板に接する部分がシリカからなり、徐々に組成がプラズマ重合されたヘキサメチルジシロキサンへと変化し、徐々にシリカへと変化する組成を有するバリア膜を、ＰＥＣＶＤ法により堆積する方法。」が記載されている（以下、「引用発明１」という）。
３．対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「ＯＬＥＤ要素」は、本願発明１の「有機デバイス本体」に相当し、以下同様に、「可撓性のＰＥＴ基板」は「基礎部」に、「ＯＬＥＤ装置」は「電子デバイス」に、「ヘキサメチルジシロキサン」は「前駆体物質」に、「ＰＥＣＶＤ法」は「化学気相成長法」に、「プラズマ重合されたヘキサメチルジシロキサン」は「ポリマー材料」に、「シリカ」は「非ポリマー材料」に相当する。
　引用発明１においては、可撓性のＰＥＴ基板を直接給電電極上に配置してＲＦプラズマ電力を供給していることから、ヘキサメチルジシロキサンの重合反応、又は、ヘキサメチルジシロキサンと酸素との反応は、ＯＬＥＤ装置に近接する位置で行われているといえるから、引用発明１は、ＯＬＥＤ装置に近接する反応位置に、ヘキサメチルジシロキサンを移動する工程を有している。
　引用発明１においては、「バリア膜」は、ヘキサメチルジシロキサン、酸素及びアルゴンからなる混合ガスを、酸素の割合を「滑らかに」変調させながら供給することにより、組成が「シリカ」から「プラズマ重合されたヘキサメチルジシロキサン」へと「徐々に」変化した後、「徐々に」「シリカ」へと戻るものである。
　ここで、「シリカ」は１００％非ポリマー材料であり、「プラズマ重合されたヘキサメチルジシロキサン」は１００％ポリマー材料であるから、「シリカ」と「プラズマ重合されたヘキサメチルジシロキサン」との間の部分は、「ポリマー材料」と「非ポリマー材料」との「混合物」を含む「ハイブリッド層」であり、該混合物中における組成変化は、「徐々に」行われるものであるから、該混合物中には、「ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が９５：５〜５：９５の範囲」となる領域が含まれているといえる。
　引用発明１の「バリア膜」は、「上面及び側面を有するＯＬＥＤ要素」の、「側面」にも形成されるものであって、ＯＬＥＤ要素の「側面を下方に延びるように堆積され」ており、「ＰＥＴ基板に接する部分」が存在することから、「ＰＥＴ基板」の「表面上」に「延在」している。
　したがって、本願発明１と引用発明１とは、「有機デバイス本体の基礎部として機能する表面に配置された前記有機デバイス本体を有する電子デバイスを保護するための方法であって、
　前駆体物質の原料を提供する工程と、
　前記電子デバイスに近接する反応位置に前記前駆体物質を移動する工程と、
　前記前駆体物質の原料を使用する化学気相成長法によって前記有機デバイス本体上に第１のハイブリッド層を堆積する工程であり、前記第１のハイブリッド層がポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含み、ポリマー材料の非ポリマー材料に対する重量比が９５：５〜５：９５の範囲であり、ポリマー材料及び非ポリマー材料が同一の前駆体物質原料から形成され、前記第１のハイブリッド層が、前記有機デバイス本体のエッジを超えて、前記有機デバイス本体の側面を下方に延びるように、また前記有機デバイス本体の基礎部として機能する前記表面上に延在するように堆積される工程と、を含む方法。」である点で一致し、下記（相違点）で相違する。
（相違点）
　本願発明１が、「前記有機デバイス本体の周囲に近接する１つ又は複数の領域にエッジバリアを配置する工程」を有しているのに対し、引用発明１は、該工程を有していない点。
４．判断
　上記（相違点）について検討する。
　本願発明１の「エッジバリア」は、本願明細書の段落【００６４】、【００６７】等の記載からみて、側方からの水分の不浸透性向上を目的としているものである。
　一方、引用例２の記載事項（オ）（カ）には、有機層を囲む第１の保護膜のさらに上面及び側面上に形成された第２の保護膜が記載されている。当該第２の保護膜は、水分の侵入防止を確実にする機能を有していることから、「バリア」であり、第１の保護膜の端部、すなわち「エッジ」を覆うように形成されているから、本願発明１の「エッジバリア」に相当するものであるといえる。
　そして、引用例１の記載事項（ア）によれば、引用例１には、「酸素及び水分に対する不浸透性を向上させる」という動機付けの記載もあるので、引用発明１において、本願発明１の「第１のハイブリッド層」に相当する「バリア膜」の上面及び側面上に、「エッジバリア」として機能する第２の保護膜を形成することは、当業者が容易になし得ることである。
５．まとめ
　したがって、本願発明１は、引用発明１及び引用例２の記載から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
第５．請求人の主張について
　請求人は平成２８年２月３日付けで提出された、当審拒絶理由に対する意見書にて、本願明細書の段落［００２６］、［００４１］、［００５０］、［００６６］、［００６９］、［００７１］〜［００７５］の記載、及び図１３、１６、１９、２１〜３３に基づき、同日付け手続補正書にて、補正前の請求項１に係る発明に、「前記第１のハイブリッド層が、前記有機デバイス本体のエッジを超えて、前記有機デバイス本体の側面を下方に延びるように」、また「前記有機デバイス本体の基礎部として機能する前記表面上に延在するように」堆積される発明特定事項を付け加えて、本願発明１とした旨、記載している。
　そして、本願発明１では、ハイブリッド層が基板（または基板上に形成されたハイブリッド層、平坦化副層、接着促進副層、介在層などの層）の表面上に「延在する」ように形成されているのに対し、引用例１では、「変調特性を有するバリア膜４１０」が、「ＯＬＥＤ要素５０の近傍に形成されている」のみで、「基板１００の表面上」に「延在する」ように形成された記載はない旨、主張している。
　そこで、この点について検討する。
　本願明細書には、「延在」という用語の定義は記載されていない。
　また、当該補正の根拠とされた箇所において、「第１のハイブリッド層」について「延在」という用語が使用されている部分は、段落【００２６】、と【００８８】であるが、段落【００８８】は、「ハイブリッド層」の「基板のエッジや基板の下等」への「延在」について記載されているのみで、「有機デバイス本体の基礎部として機能する表面」の上への「延在」については記載されていない。段落【００２６】についても、「複数のハイブリッド層」を使用する場合に、「次に堆積されるハイブリッド層」を、「その基礎であるハイブリッド層のエッジ上」に「延在させることができる」旨記載されているのみで、「延在」という用語の意味の説明はない。
　さらに、「エンドキャップ」についての説明がなされている図１９を除く図１３、１６、２１〜３３の記載をみても、「ハイブリッド層」が、「前記有機デバイス本体の基礎部として機能する前記表面」と接しているという共通点が見いだせるのみで、「延在」という用語で表現されるような共通の特徴は存在しない。
　よって、本願明細書の記載からは、「ハイブリッド層」の「延在」という用語が意味する技術内容は明らかでない。
　一方、「延在」という用語は、一般的に使われているわけでもない。このことは、例えば一般的な辞典（「広辞苑」第５版、株式会社岩波書店、１９９８年１１月１１日）にも、技術用語の辞典（「岩波　理化学辞典」第４版、株式会社岩波書店、１９８７年１０月１２日）にも、「延在」という用語が記載されていないことからも明らかである。
　よって、「ハイブリッド層」の「延在」という用語が意味する技術内容は、当業者の技術常識によっても明らかでない。
　したがって、本願発明１の、「前記有機デバイス本体の基礎部として機能する前記表面上」に「延在する」という表現は、（上方、側方又は下方等、他の場所から）「延」びてきて、「前記有機デバイス本体の基礎部として機能する」「表面」の上に存「在」しているという、「延在」という文字から読み取れる一般的な意味を表していると解するべきであるといえる。
　そして、「第４．１．（１）」の記載事項（ウ）（エ）によれば、引用例１の「変調特性を有するバリア膜４１０」は（上方又は側方から）「延」びてきて、「基板１００の表面」に接して存「在」しているから、本願の請求項１で用いられているのと同じ意味で「延在」しているといえる。
　よって、引用例１では、「変調特性を有するバリア膜４１０」が「基板１００の表面上」に「延在する」ように形成された記載はないという上記主張は採用できない。
　したがって、上記意見書で述べられた出願人の主張を参酌しても、本願発明１は、引用発明１及び引用例２の記載から、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
第６．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例１、２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の拒絶理由について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。