【事件の表示】
　特願２０１０−５３２０６７「薄膜光起電性適用向けの透明導電性酸化膜、及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月　７日国際公開、ＷＯ２００９／０５８３８５、平成２３年　２月　３日国内公表、特表２０１１−５０４２９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、２００８年１１月３日（パリ条約に基づく優先権主張　２００７年１１月２日　米国）を国際出願日として出願された外国語特許出願であって、平成２５年９月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年３月２６日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年５月２８日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して同年１０月３日に審判請求がなされるとともに、請求と同時に手続補正がなされたものである。
第２　本願発明について
　本願請求項１に係る発明は、平成２６年１０月３日付け手続補正により、請求項の削除を目的として適正に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。 
「薄膜の製造方法であって、前記方法は、
　ａ）基材を設けて、
　ｂ）熱分解化学蒸着法により前記基材の少なくとも一部に第一層を付着させて、
　ｃ）熱分解化学蒸着法により前記第一層の少なくとも一部に第二層を付着させて、前記第二層はスズ酸化物又は亜鉛酸化物を備え、前記第二層は高温で水、空気、又は酸素以外の酸化剤の存在下で付着されて、
　ｄ）前記基材、前記第一層、及び前記第二層を非酸化性雰囲気（non-oxidizing atmosphere）又は還元性雰囲気（reducing atmosphere）の一つの下で環境温度まで冷却して、冷却時間は１分から１０分の間である、方法。」
第３　引用刊行物
１　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１−１８９８１５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付した。）。
（１）「本発明は、透明導電膜の作製法に関するものであり、特に
スプレー熱分解法を利用した透明導電膜の作製法
（２）「本発明の目的は、低温で光透過率が高く且つ比抵抗が小さい透明導電膜を形成し得るスプレー熱分解法による透明導電膜の作製法を提供することにある。」（第２頁右上欄第１６行〜第１９行）
（３）「実施例１
　第１図に図示される構成の製造装置を使用して透明導電膜を作製した。基板２ａとしては表面にＳｉＯ２アンダーコートを施した１０ｃｍ角の並ガラスを用い、ホットプレート１１上に載置し、表面温度４００℃にまで加熱した。
　
スプレー液は、エタノール中に塩化スズ（ＳｎＣｌ
４
・５Ｈ
２
Ｏ）を０．１モル／ｌ、フッ化アンモニウム（ＮＨ
４
Ｆ）を０．１モル／ｌに、過酸化水素水（Ｈ
２
Ｏ
２
濃度約３５％）を約５体積％加えた水溶液を調製した。
　次いで、コンプレッサー１６を作動させ、スプレー装置１４に約０．５ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧縮空気を供給し、孔径約０．５ｍｍのノズル１５から、噴霧粒径が１０〜１０００μｍとされるスプレー液噴霧体を流量約０．３ｍｌ／ｓｅｃにて基板２ａへと噴霧した。
　この噴霧を約１０秒行ない、次いで１０秒停止する噴霧サイクルを１０回繰り返し行なった。
　基板２ａ上にフッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂが約８０００Åの厚さで形成された。該薄膜の透過率は４００〜８００ｎｍの可視域で約８０％であり、比抵抗は約３×１０−３Ωｃｍであった。」（第４頁右上欄第１５行〜左下欄第１７行）
（４）「実施例２
　第２図に図示される構成の製造装置を使用して透明導電膜を作製した。
基板２ａとしては表面にＳｉＯ
２
アンダーコートを施した１０ｃｍ角の並ガラスを用い、ホットプレート１１上に載置し、表面温度４００℃にまで加熱された。
　
実施例１と同じスプレー液を用意した。該スプレー液をポンプ２６により超音波噴射装置２５へと約２ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給した。超音波発生手段１００を作動させて出力１００Ｗ、周波数２８ＫＨｚの超音波にてスプレー液を霧化し、粒径約ｌμｍの大略均一な粒径の噴霧体を得た。更にコンプレッサー２７を作動させて約０．５ｋｇ／ｃｍ
２
Ｇの圧縮空気を、約２ｌ／ｍｉｎ（標準状態）の割合で加熱基板２ａ上に噴出させた。この噴霧を約１２分間継続して行なった。
　基板２ａ上にフッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂが約７５００Åの厚さで形成された。
　本実施例にて作製された透明導電膜のＸ線回折図形を第４図に示す。」（第４頁右下欄第７行〜第５頁左上欄第８行）
（５）第２図
（６）第３図
　上記（１）ないし（６）より、引用文献１には、
「スプレー熱分解法を利用した透明導電膜の作製法であって、前記作製法は、
　基板２ａとしては表面にＳｉＯ２アンダーコートを施した１０ｃｍ角の並ガラスを用い、ホットプレート１１上に載置し、表面温度４００℃にまで加熱し、
　スプレー液は、エタノール中に塩化スズ（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）を０．１モル／ｌ、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を０．１モル／ｌに、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２濃度約３５％）を約５体積％加えた水溶液を調製したものであって、
　該スプレー液をポンプ２６により超音波噴射装置２５へと約２ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給し、超音波発生手段１００を作動させて出力１００Ｗ、周波数２８ＫＨｚの超音波にてスプレー液を霧化し、粒径約ｌμｍの大略均一な粒径の噴霧体を得、更にコンプレッサー２７を作動させて約０．５ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧縮空気を、約２ｌ／ｍｉｎ（標準状態）の割合で加熱基板２ａ上に噴出させ、この噴霧を約１２分間継続して行ない、基板２ａ上にフッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂを約７５００Åの厚さで形成した、作製法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
２　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２２４３８３号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審にて付した。）。
（１）「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯ膜を高抵抗化する方法について鋭意検討した結果、酸素を含有する雰囲気中でＩＴＯ膜を２００℃以上の温度にて加熱処理することで、高抵抗の均一性に優れたＩＴＯ膜が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００９】本発明は、インジウム−スズ酸化物膜を、酸素を含有する雰囲気中で２００℃以上の温度にて加熱処理することを特徴とするインジウム−スズ酸化物膜の高抵抗化方法である。
【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。比抵抗をコントロールする方法は二通りあって、一つは（１）式のキャリア密度をコントロールする方法と、もう一つは移動度をコントロールする方法である。キャリア密度をコントロールする方法としては酸素欠陥量を変化させる方法と、スズドープ量を変化する方法がある。酸素欠陥量は、雰囲気、温度によって変化し、次式に示すような可逆的な反応が起こる。
        Ｉｎ２ Ｏ３−Ｘ＋Ｘ／２  Ｏ２ →Ｉｎ２ Ｏ３         （２）    
        Ｉｎ２ Ｏ３−Ｘ／２  Ｏ２ →Ｉｎ２ Ｏ３−Ｘ       　  （３）    
【００１１】この反応は高温で酸素を含む雰囲気では酸素欠陥量（Ｘ）が減少し、キャリア密度が減少するために高抵抗化するが（２）、逆に高温、
還元雰囲気又は非酸化性雰囲気ではＩｎ
２
 Ｏ
３
中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥（Ｘ）を生じ（３）、キャリア密度の増加により、低抵抗化する。
（２）「【００２９】実施例４
超音波霧化による常圧ＣＶＤ法（パイロゾル成膜法）によりＩＴＯ膜を成膜するに際し、インジウム原料としてＩｎＣｌ３ のメチルアルコール溶液を用いた。濃度は０．１５ｍｏｌ／ｌで、ドープ用錫原料として、ＳｎＣｌ４ をＩｎに対して５重量％添加した溶液を調製した。基板には厚さ１ｍｍで３０ｃｍ角のソーダライムガラス上に１０００ÅのＳｉＯ２ 膜がコートされたものを用いた。パイロゾル成膜装置に基板をセットし４５０℃に加熱し、超音波により２ｍｌ／ｍｉｎ霧化させ基板に導入して２分間成膜したのち、
窒素雰囲気下で冷却した。
　上記（１）及び（２）より、引用文献２には、以下の事項が記載されていると認められる。
「還元雰囲気又は非酸化性雰囲気ではＩｎ２ Ｏ３中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥を生じ、キャリア密度の増加により、低抵抗化すること。」及び「窒素雰囲気下でＩｎ２ Ｏ３膜を冷却すること。」（以下「引用文献２に記載された事項」という。）
第４　本願発明と引用発明との対比 
１　引用発明の「透明導電膜」、「作製法」、「基板２ａ」、「ＳｉＯ２アンダーコート」及び「フッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂ」は、本願発明の「薄膜」、「製造方法」、「基材」、「第一層」及び「第二層」に、それぞれ相当する。
２　引用発明の「基板２ａとしては表面にＳｉＯ２アンダーコートを施」すことは、本願発明の「ａ）」の「基材を設け」ること及び、「ｂ）」のうちの「前記基材の少なくとも一部に第一層を付着させ」ることに相当する。
３　引用発明の「基板２ａ」は「表面にＳｉＯ２アンダーコートを施した」ものであるから、引用発明の「基板２ａ上にフッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂを約７５００Åの厚さで形成」することは、本願発明の「前記第一層の少なくとも一部に第二層を付着させ」ることに相当する。
４　引用発明の「フッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂ」は、本願発明の「スズ酸化物又は亜鉛酸化物を備え」た「第二層」に相当する。
５　引用発明の「基板２ａ」は「ホットプレート１１上に載置し、表面温度４００℃にまで加熱」されるものであるから、「基板２ａ」の表面に接する程度の近傍では４００℃近くの高温であるといえ、粒径約１μｍの噴霧体はこの高温である基板近傍では蒸発し、噴霧体中の「塩化スズ（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）」、「フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）」及び「過酸化水素水」は、「基板２ａ」の近傍では気相であることが推定される。
　そうすると、引用発明の「スプレー熱分解法」は、本願発明の「熱分解化学蒸着法」に相当する。
６　引用発明の「過酸化水素水」は酸化剤であるので、引用発明の「過酸化水素水」は、本願発明の「水、空気、又は酸素以外の酸化剤」に相当する。
７　上記３ないし６より、引用発明の「スプレー液は、エタノール中に塩化スズ（ＳｎＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）を０．１モル／ｌ、フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）を０．１モル／ｌに、過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２濃度約３５％）を約５体積％加えた水溶液を調製したものであって、
　該スプレー液をポンプ２６により超音波噴射装置２５へと約２ｍｌ／ｍｉｎの流量で供給し、超音波発生手段１００を作動させて出力１００Ｗ、周波数２８ＫＨｚの超音波にてスプレー液を霧化し、粒径約ｌμｍの大略均一な粒径の噴霧体を得、更にコンプレッサー２７を作動させて約０．５ｋｇ／ｃｍ２Ｇの圧縮空気を、約２ｌ／ｍｉｎ（標準状態）の割合で加熱基板２ａ上に噴出させ、この噴霧を約１２分間継続して行ない、基板２ａ上にフッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂを約７５００Åの厚さで形成した」ことは、本願発明の「ｃ）熱分解化学蒸着法により前記第一層の少なくとも一部に第二層を付着させて、前記第二層はスズ酸化物又は亜鉛酸化物を備え、前記第二層は高温で水、空気、又は酸素以外の酸化剤の存在下で付着され」ることに相当する。
　上記１ないし７より、本願発明と引用発明とは、次の一致点で一致し、相違点１、２で相違している。
＜一致点＞
「薄膜の製造方法であって、前記方法は、
　ａ）基材を設けて、
　ｂ）前記基材の少なくとも一部に第一層を付着させて、
　ｃ）熱分解化学蒸着法により前記第一層の少なくとも一部に第二層を付着させて、前記第二層はスズ酸化物又は亜鉛酸化物を備え、第二層は高温で水、空気、又は酸素以外の酸化剤の存在下で付着された、方法。」
 
＜相違点１＞
　本願発明では、「熱分解化学蒸着法により前記基材の少なくとも一部に第一層を付着させ」たのに対して、引用発明は「ＳｉＯ２アンダーコート」をどのように「基板２ａ」に付着させたのか不明な点。
＜相違点２＞
　本願発明では、「ｄ）前記基材、前記第一層、及び前記第二層を非酸化性雰囲気（non-oxidizing atmosphere）又は還元性雰囲気（reducing atmosphere）の一つの下で環境温度まで冷却して、冷却時間は１分から１０分の間である」のに対して、引用発明では「フッ素ドープ酸化スズ薄膜２ｂを」「形成した」後の工程については不明な点。
第５　当審の判断
１　相違点１についての検討
　酸化シリコンを熱分解化学蒸着法により付着することは、本願の優先日前に周知技術（特開２００１−３５２７５号公報の【００２８】、【００２９】、図１、２、特開２００５−２９４６３号公報（平成２５年９月２０日付けの拒絶理由通知書で挙げた引用文献７）の【００３６】、【００３７】、図１、２参照）であるので、引用発明の「ＳｉＯ２アンダーコート」を周知技術の熱分解化学蒸着法により「基板２ａ」に付着することとし、相違点１にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
２　相違点２についての検討
　引用発明において、「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」を形成する際、「基板２ａ」を「ホットプレート１１上に載置し、表面温度４００℃にまで加熱」するものであるから、「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」を形成した後、環境温度まで冷却する冷却工程が必要であることは当業者にとって明らかである。
　ここで、引用文献２には、「還元雰囲気又は非酸化性雰囲気ではＩｎ２ Ｏ３中の酸素が引き抜かれ、酸素欠陥を生じ、キャリア密度の増加により、低抵抗化すること。」及び「窒素雰囲気下でＩｎ２ Ｏ３膜を冷却すること。」（上記「第３」「２」）が記載されている。また、引用文献１には、「本発明の目的は、低温で光透過率が高く且つ比抵抗が小さい透明導電膜を形成し得るスプレー熱分解法による透明導電膜の作製法を提供することにある。」と記載されており（上記「第３」「１」「（２）」）、引用発明の「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」の導電性を高めることは、自明の技術的課題である。してみると、引用発明の「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」を形成した後の冷却工程として、「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」の抵抗を小さくするために、引用文献２に記載された事項を適用して、非酸化性雰囲気（non-oxidizing atmosphere）又は還元性雰囲気（reducing atmosphere）の一つである窒素雰囲気下で環境温度まで「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」を冷却するようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　さらに、透明導電膜を形成した後、環境温度まで冷却して、冷却時間が数分程度であることは、周知技術であり、また、本願明細書において温度や冷却時間の数値範囲の臨界的意義も認められないことから、引用発明の「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」を形成した後の冷却工程として、環境温度まで冷却して、冷却時間が１分から１０分の間とすることは、当業者にとって適宜選択可能な設計事項にすぎない。
　よって、引用発明において「フッ素ドープ酸化スズ薄膜」を形成した後、引用文献２に記載された事項を適用して、相違点２にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
３　本願発明の奏する作用・効果に関する検討 
　本願発明によってもたらされる作用・効果は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものであって、格別なものではない。 
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論の通り、審決する。