【事件の表示】
　特願２０１０−５０８３１９「ネガティブフォトレジストを用いたガラスまたは金属エッチング方法およびこれを用いたクリシェの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月２６日国際公開、ＷＯ２００９／０３８４４１、平成２２年　９月　９日国内公表、特表２０１０−５３０３４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成２０年　９月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理：平成１９年　９月２１日、韓国）を国際出願日とする出願であって、原審にて、平成２５年　８月２８日付けの拒絶理由が通知され、同年１２月　３日付けの手続補正がされたが、平成２６年　４月２５日付けの拒絶査定がされ、この査定を不服として同年　９月　８日付けの本件審判が請求されると同時に手続補正がされたものである。
　
２．補正の却下の決定について
　
結　論：
　平成２６年　９月　８日付けの手続補正を却下する。
　
理　由：
（１）補正の内容
　
　上記手続補正は、特許請求の範囲の請求項１について、　
「ａ）片面に金属層または金属酸化物層が備えられたガラスにおいて、前記金属層または金属酸化物層上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ；
　ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
　ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップ；
　ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属層または金属酸化物層をエッチングするステップ；および
　ｅ）前記ｄ）ステップにおいてパターン化された金属層または金属酸化物層が塗布されなかった部分のガラスをエッチングするステップ；
　を含み、
　前記ａ）ステップの前に、金属層または金属酸化物層を、プラズマ蒸着、ｅ−ビーム蒸着、および熱蒸着からなる群から選択されたいずれか１つの方法でガラスの片面に蒸着させるステップをさらに含み、
　前記ｂ）ステップにおいて、２００〜８００ｎｍの波長範囲で露光し、
　前記ｃ）ステップにおいて、現像が、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、およびＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ　ｍｅｔｈｙｌ　ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）からなる群から選択される現像液の１以上を用いて行われる、
クリシェを製造する方法。」
とあるのを、
「ａ）片面に金属層または金属酸化物層が備えられたガラスにおいて、前記金属層または金属酸化物層上にネガティブフォトレジスト層を形成するステップ；
　ｂ）前記ネガティブフォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
　ｃ）前記ネガティブフォトレジスト層の非露光部を現像してネガティブフォトレジスト層をパターン化するステップ；
　ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたネガティブフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属層または金属酸化物層をエッチングするステップ；および
　ｅ）前記ｄ）ステップにおいてパターン化された金属層または金属酸化物層が塗布されなかった部分のガラスをエッチングするステップ；
　を含み、
　前記ａ）ステップの前に、金属層または金属酸化物層を、プラズマ蒸着、ｅ−ビーム蒸着、および熱蒸着からなる群から選択されたいずれか１つの方法でガラスの片面に蒸着させるステップをさらに含み、
　前記ｂ）ステップにおいて、
Ｉ線である３６５ｎｍ、Ｈ線である４０５ｎｍ、およびＧ線である４３６ｎｍからなる群から選択された２つ以上の波長を含む混合波長を有する光源を用いて、
　前記ｃ）ステップにおいて、現像が、ＫＯＨ
およびＮａＯＨ
クリシェを製造する方法。」
に変更する補正を含む（下線部が補正箇所、但し下記※注参照）。
※注：手続補正書には、「Ｉ線である３５６ｎｍ」と記載されているが、本願明細書【００２６】の記載及び技術常識からみて「Ｉ線である３６５ｎｍ」の誤記と認められるから、上記のとおり読み替えた。
（２）補正の目的
　請求項１についての上記補正は、補正前に記載された発明特定事項である「２００〜８００ｎｍの波長範囲で露光」について「Ｉ線である３６５ｎｍ、Ｈ線である４０５ｎｍ、およびＧ線である４３６ｎｍからなる群から選択された２つ以上の波長を含む混合波長を有する光源を用いて」という限定をするとともに、同じく発明特定事項である「ＫＯＨ、ＮａＯＨ、およびＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ　ｍｅｔｈｙｌ　ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）からなる群から選択される現像液」について、選択肢からＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ　ｍｅｔｈｙｌ　ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を削除するという限定をするものである。そして、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明（以下、「本願補正発明」という。）の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められる。
　したがって、請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定された、いわゆる限定的減縮を目的とするものといえる。
　
（３）独立特許要件
　そこで次に、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かを検討する。
（３−１）引用例の記載
　
　本願の優先権の基礎とされた先の出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物である、
　特開２００５−３３８８０６号公報（以下、「引用例１」という。）
　特開昭５３−１９３１５号公報　　（以下、「引用例２」という。）
　特開平１１−２６０８１９号公報　（以下、「引用例３」という。）
には、それぞれ次の記載がある。
　
　引用例１
摘示1-1
【０００６】
　前述したようなアクティブマトリックス方式の液晶表示素子においては、各画素のサイズが数十μｍであるので、各画素内に配置されるＴＦＴのような能動素子が、数μｍの微細なサイズを有するように形成しなければならない。なお、近年、高画質ＴＶ(ＨＤ ＴＶ)のような高画質表示素子に対する要求が高まっており、同一面積の画面に、より多くの画素を配置しなければならず、画素内に配置される能動素子のパターン(ゲートライン及びデータラインのパターンを含む)もより微細に形成しなければならない。
摘示1-2
【００１４】
　本発明によれば、基板にインキを塗布した後、凸パターンが形成されたクリシェを前記基板に塗布されたインキの表面に位置させて所定の圧力を加えた後に、前記クリシェを前記基板から分離させることにより、凸パターンと接触するインキを前記基板から除去することができ、これにより、前記基板上にインキパターンを形成することができる。
摘示1-3
【００３２】
　その後、図２Ｂ及び図３Ｂに示すように、複数の凸パターン２３０ａが形成されたクリシェ２３０を備える。前記クリシェ２３０としては、透明なガラス基板を使用することができ、前記複数の凸パターン２３０ａは、前記ガラス基板上に金属膜を蒸着し、これをパターニングして金属パターンを形成した後、前記金属パターンをマスクにして前記ガラス基板をエッチングすることで形成することができる。即ち、金属パターンを除いたガラス基板がエッチングされることによって、金属パターンが形成された領域には凸パターン２３０ａが形成される。　−後略−
摘示1-4
【００４５】
　以下、図面を参照して本発明によるクリシェの製造方法をより詳しく説明する。
　図４Ａ〜図４Ｅは、本発明によるクリシェの製造方法を示す工程断面図である。まず、図４Ａに示すように、透明なガラス基板３３０を用意した後、前記ガラス基板３３０上に金属膜３４０を蒸着し、その上部に感光膜３５０を塗布する。
【００４６】
　次に、図４Ｂに示すように、前記感光膜３５０をパターニングすることにより、感光パターン３５０ａを形成し、前記感光パターン３５０ａをマスクにして前記金属膜３４０をエッチングすることにより、前記ガラス基板３３０の特定の領域に第１の金属パターン３４０ａを形成する。その後、図４Ｃに示すように、前記感光パターン３５０ａを除去し、前記第１の金属パターン３４０ａをマスクにして前記ガラス基板３３０をエッチングすることにより、前記ガラス基板３３０の表面に第１の凸パターン３３０ａを形成する。ここで、前記第１の凸パターン３３０ａは、前記ガラス基板３３０をエッチングして得られたものである。
摘示1-5
　引用例２
摘示2-1
「この発明は如上の点に鑑みなされたもので、金属薄膜マスクを形成する工程を追加し、この金属薄膜マスクを用いて基材をエツチングすることによつて微細精密な蝕刻をガラスもしくはセラミツクに施し得る方法を提供することを目的とするものである。」（２頁左上欄１１〜１６行）
摘示2-2
「以下第２図に示す各工程における縦断面図に従つてこの発明の一実施例を説明する。まず、図(a)に示すように基材(1)の表面に金もしくはクロムの如き耐弗酸性金属膜(5)を真空蒸着もしくは無電解化学めつき法によつて数千Åないし数μの厚さに形成する。その上に図(b)に示すように感光樹脂層(2)を塗着し、図(c)に示すように所望パターンの光重合をおこなわせて、これを現像処理し、図(d)に示すように金属膜(5)の上にエツチングマスク(4)を形成する。このようにして得たエツチングマスク(4)を用いて、図(e)に示すように金属膜(5)をエツチングして金属マスク(6)を形成する。次いでこの金属マスク(6)を用いて基材(1)を弗化水素酸によつて図(f)に示すようにエツチングし、しかる後、金属マスク(6)を除去して、図(g)に示すように工程を完了する。」（２頁左上欄１７行〜右上欄１３行）
摘示2-3
　引用例３
摘示3-1
【００１５】
−前略−　次いで、下層メタル配線２の断線部２ａ上のポジ型フォトレジスト４上に紫外線（使用波長：ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）領域）を４０〜５０ｍＪ／ｃｍ2程度の光量でスポット露光し、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ性現像液で約１３０秒間現像して第１の開口部４ａを形成し（図１（ａ））、水洗する。　−後略−
摘示3-2
【００１６】−前略−　上層メタル膜５を被覆後、上層メタル膜上にテトラハイドロキシベンゾフェノン系樹脂とノボラック系樹脂を主成分とするネガ型フォトレジスト６をスピンコートや、スリットスピンコート等の方法でコーティングする。次いで、ネガ型フォトレジスト６の上層配線形成部分に紫外線（波長：ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）領域）を照射して露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度で露光後（図１（ｃ））、下層メタル配線２の断線部２ａに形成された上層メタル膜上のネガ型フォトレジスト６部分を紫外線で露光量３０〜４０ｍＪ／ｃｍ2程度でスポット露光する（図１（ｄ））。
摘示3-3
【００１７】次いで、約１８０秒間のＰＥＢ処理を行った後、ＴＭＡＨ現像液で約１３０秒間現像して上層メタル膜５上にネガ型フォトレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして上層メタル膜５をプラズマエッチングする。なお、上記ネガ型フォトレジスト６の上層配線形成部分の紫外線露光と下層メタル配線２の断線部２ａに形成された上層メタル膜上のネガ型フォトレジスト６部分の紫外線スポット露光の順序は逆に行っても構わない。
　
（３−２）引用発明の認定
　
　引用例１には、金属パターンをマスクにしてガラス基板をエッチングして複数の凸パターンを形成するクリシェの製造方法（摘示1-3）に関し、詳細な工程として、ガラス基板上に金属膜を蒸着し、その上部に感光膜を塗布し、前記感光膜をパターニングして感光パターンを形成し、前記感光パターンをマスクにして前記金属膜をエッチングして金属パターンを形成し、前記感光パターンを除去し、前記金属パターンをマスクにして前記ガラス基板をエッチングすることにより、前記ガラス基板の表面に凸パターンを形成すること（摘示1-4,1-5）が記載されている。
　してみると、引用例１には、本願補正発明の発明特定事項に則して、次のＡ〜Ｄ工程を含むクリシェの製造方法の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「Ａ：ガラス基板上の金属膜の上部に感光膜を塗布する工程、
　Ｂ：前記感光膜をパターニングして感光パターンを形成する工程、
　Ｃ：前記感光パターンをマスクにして前記金属膜をエッチングして金属パターンを形成する工程、
　Ｄ：前記感光パターンを除去し、前記金属パターンをマスクにして前記ガラス基板をエッチングすることにより複数の凸パターンが形成する工程を含み、
　前記Ａ工程の前に、ガラス基板上に金属膜を蒸着する工程をさらに含む、クリシェの製造方法。」
（３−３）発明の対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「金属膜」が、本願補正発明の「金属層」に相当し、以下、「感光膜」が、「フォトレジスト層」、「感光パターン」が、「パターン化された」「フォトレジスト層」、「金属パターン」が、「パターン化された金属層」にそれぞれ相当する。そして、引用発明の「感光膜をパターニングして感光パターンを形成する」が、感光膜を選択的に露光した後に現像することを意味し、「感光パターン（金属パターン）をマスクにして金属膜（ガラス基板）をエッチング」が、感光パターン（金属パターン）が塗布されなかった部分の金属膜（ガラス基板）をエッチングすることを意味するのは、いずれも技術常識といえる。
　してみると、本願補正発明は、引用発明と、
「ａ）片面に金属層が備えられたガラスにおいて、前記金属層上にフォトレジスト層を形成するステップ；
　ｂ）前記フォトレジスト層を選択的に露光するステップ；
　ｃ）前記フォトレジスト層を現像してフォトレジスト層をパターン化するステップ；
　ｄ）前記ｃ）ステップにおいてパターン化されたフォトレジスト層が塗布されなかった部分の金属層をエッチングするステップ；および
　ｅ）前記ｄ）ステップにおいてパターン化された金属層が塗布されなかった部分のガラスをエッチングするステップ；
　を含み、
　前記ａ）ステップの前に、金属層を、ガラスの片面に蒸着させるステップをさらに含む、
クリシェを製造する方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：本願補正発明が、「ネガティブ」フォトレジスト層を形成し、ネガティブフォトレジスト層の「非露光部」を現像してパターン化するのに対し、引用発明は、感光膜の感光特性や現像処理の詳細が不明である点。
相違点２：本願補正発明が「前記ｂ）ステップにおいて、Ｉ線である３６５ｎｍ、Ｈ線である４０５ｎｍ、およびＧ線である４３６ｎｍからなる群から選択された２つ以上の波長を含む混合波長を有する光源を用いて、２００〜８００ｎｍの波長範囲で露光」するのに対し、引用発明は、パターニングの際に使用する光源の波長が不明な点。
　
相違点３：本願補正発明が、「前記ｃ）ステップにおいて、現像が、ＫＯＨおよびＮａＯＨからなる群から選択される現像液の１以上を用いて行われる」のに対し、引用発明は、パターニングの際に使用する現像液の成分が不明な点。
相違点４：本願補正発明が、「金属層の蒸着を、プラズマ蒸着、ｅ−ビーム蒸着、および熱蒸着からなる群から選択されたいずれか１つの方法」でするのに対し、引用発明は、金属膜の蒸着の方法が不明である点。
（３−４）相違点の判断
　相違点１，４について、引用例１には、クリシェの凸パターンが、液晶表示素子等の画素内に配置される能動素子の微細なパターンを形成するためのものであること（摘示1-1,1-2）が記載されており、これは、引用発明が、微細なエッチングによる凸パターンをガラス基板に形成する方法であることを意味する。
　これに対し、引用例２には、微細精密な蝕刻をガラス基材に施す方法（摘示2-1）について、基材上に金属膜を真空蒸着により形成し、該金属膜上に塗着した感光樹脂層に所望パターンの光重合をおこなわせた後、現像処理して形成されたエッチングマスクを用いて、エッチングにより金属マスクを形成し、該金属マスクを用いて基材をエッチングすること（摘示2-2,2-3）が記載されており、この感光樹脂層は、光重合することからネガティブフォトレジスト層と認められ、非露光部を現像処理してパターン化することが図示されている（摘示2-3）。
　してみると、引用発明のエッチングによる凸パターンは、引用例２記載の微細精密な蝕刻に相当し、両者の工程を対比すると、引用発明は、引用例２記載の方法をクリシェの製造方法に適用したものといえる。
　したがって、引用発明において、感光膜をネガティブフォトレジスト層とし、非露光部を現像してパターン化することや、金属膜の蒸着を真空蒸着（ｅ−ビーム蒸着又は熱蒸着）とすること、すなわち相違点１，４を共に解消することは、引用例２の感光樹脂層及び金属膜に関する記載に基づいて、当業者が容易になし得たことである。
　相違点２，３について、引用発明において、感光膜をネガティブフォトレジスト層とすることは、上述したように、当業者が容易になし得たことであるところ、ネガティブフォトレジスト層の露光を、ｉ線、ｈ線及び／又はｇ線の混合波長を有する光源を用いておこなうこと（要すれば、摘示3-2、特開平１１−２７４０９８号公報【０００６】、特開２００６−４５３２４号公報【００８０】等参照）及びネガティブフォトレジスト層の現像を、ＴＨＡＭのほか、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液でおこなうこと（要すれば、摘示3-1,3-3、特開２００１−２５５６６８号公報【０００２】、特開平７−２９４７２０号公報【００４９】等参照）は、いずれも周知技術である。
　したがって、引用発明において、相違点１，４と共に相違点２，３を共に解消することに、格別の困難性はない。
　
　なお、請求人は、審判請求書にて、ｉ線、ｈ線及び／又はｇ線の混合波長を使用できる点を、本願補正発明の有利な効果であると主張しているが、相違点３について検討したように、当該効果は、ネガティブフォトレジスト層の採用に伴う自明な効果にすぎず、当業者にとって予期し得ないものとはいえない。
　よって、本願補正発明は、引用例１〜３に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
（４）まとめ
　以上のとおり、請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、その余の補正について検討するまでもなく、上記手続補正は、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
３．原査定の理由について
　
　上記手続補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年１２月　３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項（「２．（１）」補正前のもの）により特定されたとおりのものと認められる。
　これに対し、原審の拒絶査定の理由の一つは、
「本願発明は、引用例１〜３に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。」
というものである。
　そこで検討するに、「２．（２）」で述べたように、本願補正発明が、本願発明を減縮したものに相当するところ、「２．（３）」で述べたように、本願補正発明は、引用例１〜３に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　してみると、本願発明が、本願補正発明同様、引用例１〜３に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、他の発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。