【事件の表示】
　特願２００７−５３１１６９「多数の電圧デバイスの実現を有する多接合レーザ光検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月２３日国際公開、ＷＯ２００６／０３１３０５、平成２０年　４月２４日国内公表、特表２００８−５１２８７０、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、２００５年８月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年９月９日、米国）を国際出願日とする出願であって、 平成２３年７月２５日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年２月１６日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月８日付けで拒絶理由（最後）が通知され、平成２５年５月１３日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２６年１月３１日付けで拒絶理由（最後）が通知されたが、意見書、手続補正書は提出されず、同年１１月１０日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２７年３月１８日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２８年３月１０日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年６月１４日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明５」という。）は、平成２８年６月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明１〜５は、次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　水平に集積された複数の区分を含むレーザパワー変換器であって、
　各区分はそれぞれ、
　単色照明を受け、第１の電流出力を生成するように構成された第１のサブセルと、
　第１のサブセルが単色照明を受けた後で単色照明の一部を受け、第１の電流出力と実質的に等しい第２の電流出力を生成するように構成された第２のサブセルと、
　第１のサブセルと第２のサブセルとの間に配置されたトンネル接合と、を含む、レーザパワー変換器であって、
　前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流及びかつより高い電圧を生成する、レーザパワー変換器。
　　【請求項２】
　第１のサブセルおよび第２のサブセルは、ＧａＡｓ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＳｂ、およびＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓ（ここでｘは約３モルパーセント〜約５モルパーセントである）からなる群から選択される材料で構成されている、請求項１に記載のレーザパワー変換器。
　　【請求項３】
　第１のサブセルおよび第２のサブセルは実質的に等しいバンドギャップを有する、請求項１に記載のレーザパワー変換器。
　　【請求項４】
　レーザパワー変換システムであって、
　単色照明を提供するレーザ源と、
　単色照明を、水平に集積された複数の区分を含むレーザパワー変換器に伝送するための手段とを含み、
　前記レーザパワー変換器の各区分はそれぞれ、
　伝送するための手段を介してレーザ源から単色照明を受け、第１の電流出力を生成するように構成された第１のサブセルと、
　第１のサブセルが単色照明を受けた後で単色照明の一部を受け、第１の電流出力と実質的に等しい第２の電流出力を生成するように構成された第２のサブセルと、
　第１のサブセルと第２のサブセルとの間に配置されたトンネル接合と、を含む、レーザパワー変換システムであって、
　前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流で及びより高い電圧を生成する、
　レーザパワー変換システム。
　　【請求項５】
　水平に集積された複数の区分を含み、前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、前記水平に集積された複数区分のそれぞれが、第１のサブセルと第２のサブセルとトンネル接合とを含む、レーザパワー変換器によるレーザパワーを変換する方法であって、
　第１のサブセルを通る伝送によって、単色光を第１の電流出力に変換するステップと、
　第１のサブセルからの単色光の一部を、トンネル接合を通して伝送するステップと、
　第２のサブセルを通る伝送によって、トンネル接合からの単色光を第２の電流出力に変換するステップとを含み、第２の電流出力は第１の電流出力と実質的に等しく、
　前記第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流及びかつ高い電圧を生成するように、異なる出力を生成するステップをさらに含む、方法。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　刊行物１：米国特許第４１２７８６２号明細書
　刊行物２：特開昭６３−２０４６４５号公報
　刊行物３：特開平９−６４４００号公報
　刊行物４：特開昭５６−７８１８０号公報
　刊行物１に記載された発明に、刊行物２〜４に記載された構造を採用することは当業者が容易に想到し得ることである。
２　原査定の理由の判断
（１）刊行物の記載事項
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。（日本語訳は、当審が作成した。）
ア　「SUMMARY OF THE INVENTION
 We have developed an optical detector comprising a plurality n of photodiodes coupled together by (n-1) interleaved tunnel junctions to form a multilayered, integrated structure which has an open circuit photovoltage approaching the sum of the open circuit photovoltages of the individual photodiodes. The tunnel junctions, which are inherently forward-biased under normal operation of the detector, act as low voltage-drop interfaces so that comparatively little of the total photovoltage is cancelled at the interface between photodiodes.
 In a preferred embodiment AlGaAs-GaAs-AlGaAs double heterostructures are used as the photodiodes and degenerately doped n+-p+ GaAs layers form the tunnel junctions. This detector is particularly suitable for detecting the output of AlGaAs double heterostructure junction lasers which typically operate at wavelengths of 0.8-0.9 ftm.
 Our analysis shows that each photodiode should contribute approximately the same photocurrent in order to generate the maximum photovoltage. This condition translates into making the thickness of the light absorbing layers either of uniform thickness, or of progressively increasing thicknesses depending on the direction of incidence of the radiation to be detected and/or the detector geometry.
 Thus, radiation to be detected can be made incident normal to the layers of the detector, in which case the light absorbing layers of the photodiodes get progressively thicker away from the light input surface. Alternatively, the radiation to be detected can be made incident parallel to the layers, in which case all of the light absorbing layers have essentially the same thickness. In a third embodiment the normal incidence aspect of the first embodiment and the uniform thickness of the second are combined, but, to do so, the detector has a stepped configuration so that the radiation impinges directly and substantially simultaneously on the exposed portions of all of the photodiodes.」（第２欄第６〜４９行）
（日本語訳）
「発明の概要
　我々は、個々のフォトダイオードの開放電圧の和に近い開放電圧を有する多層、集積構造を形成するために、（ｎ−１）トンネル接合によって互いに結合され複数（ｎ）のフォトダイオードを含む光検出器を開発した。本質的に、検出器の通常の動作の下で、順方向バイアスされたトンネル接合が、低い電圧降下界面として作用するため、合計光起電力のうちの比較的小さな電力しか、フォトダイオードとの間の界面で消されない。
　好ましい実施形態では、ＡｌＧａＡｓ−ＧａＡｓ−ＡｌＧａＡｓダブルヘテロ構造が、フォトダイオードとして使用され、縮退ドープされたｎ＋−ｐ＋ＧａＡｓ層がトンネル接合を形成する。この検出器は、典型的には０．８−０．９μｍの波長で動作するＡｌＧａＡｓダブルへテロ接合レーザの出力を検出するのに特に適している。
　我々の分析では、各フォトダイオードは、最大光起電力を生成するために、ほぼ同じ光電流を出力すべきであることを示している。この状態は、均一な厚さの光吸収層を作るか、あるいは、検出する放射線の入射方向、及び／又は、検出器の幾何構造に応じて徐々に増加するような厚さとすることに相当する。
　このように、検出すべき放射線が検出器の層に垂直に入射するとき、フォトダイオードの光吸収層は光入力面から離れるにつれて、次第に厚くされる。あるいは、検出される放射線が層に平行に入射するとき、光吸収層の全てが実質的に同じ厚さを有する。第３の実施形態では、第１の実施形態の垂直入射面と第２の実施形態の同じ厚さの層が組み合わされるが、放射線がすべてのフォトダイオードの露出部分に、同時に、直接かつ実質的に当たるように、検出器は階段状の形状を有する。」
イ　「Normal Incidence Detector
 With reference now to FIG. 1, there is shown an integrated optical detector, a multilayered semiconductor structure comprising a plurality n of photodiodes PD1, PD2 ... PDn interleaved with a plurality (n-1) of tunnel junctions TJ1, TJ2, - . . TJ(n-l).
 Each photodiode is preferably a double heterostructure comprising, for example, light or radiation absorbing layer 10 sandwiched between a pair of wider bandgap, radiation transparent layers 12 and 14 which are of opposite conductivity types (compared to one another).The absorbing layer 10 has a narrower bandgap than layers 12 and 14 so that heterojunctions are formed at interfaces 11 and 13 with wider bandgap layers 12 and 14, respectively. The bandgap  discontinuity at the heterojunctions confines photocarriers to the absorbing layer and thus enhances collection efficiency. Layer 10 may be either n-type, p-type, compensated or intrinsic. However, the carrier concentration in layer 10 is a trade-off between low series resistance and high collection efficiency. In an absorbing layer which is not fully depleted, a higher carrier concentration (e.g., 1016cm-3) in the absorbing layer reduces the series resistance and therefore, advantageously, increases the fill factor which is related to the area under a plot of open circuit photovoltage versus short-circuit photocurrent. On the other hand, a lower carrier concentration (e.g.,1014cm-3) yields a longer carrier diffusion length and therefore increases the probability that photocarriers will be collected at the p-n junction of each photodiode, but can add in a large series resistance in the undepleted region.  Another consideration is the position of the p-n junction relative to input surface 24 where radiation to be detected is made normally incident. That is, it may be advantageous from a collection standpoint to locate the p-n junction of each photodiode so that it is at the interface of the absorbing layer which is proximate the radiation input surface such as 24. For example, in PD1 and PD2, respectively, the p-n junctions would be at interfaces 11 and 21. This configuration takes advantage of the fact that the radiation intensity decreases away from input surface 24 and, therefore, is higher at the proximate interface of an absorbing layer (e.g., interface 11 of PD1) than at its remote interface (e.g., interface 13).Because more photocarriers are generated near interface 11 than near interface 13, better collection efficiency is probably obtained by positioning the p-n junction at interface 11.
 Each tunnel junction comprises a pair of opposite conductivity type, degenerately doped layers 16 and 18, for example, arranged so that layer 16 of TJ1 has the same conductivity type as adjacent wide bandgap layer 14 of PD1, whereas layer 18 of TJ1 has the same conductivity type as adjacent wide bandgap layer 20 of PD2. The tunnel junctions should be fabricated so as to absorb as little of the radiation to be detected as possible. Thus, if the tunnel junctions include radiation absorbing semiconductive layers, then the layers should be made very thin relative to an absorption length (e.g., very thin relative to 1 μm at 8500 Angstroms in GaAs). Alternatively, the layers of the tunnel junctions could be made of radiation-transparent material; e.g., they could be degenerately doped portions of the contiguous wide bandgap layers of the photo diodes. In either case,  however, thin tunnel junction layers are also desirable in order to reduce free carrier absorption.
 In operation, light or radiation to be detected is made incident normal to the layers of the detector. In one illustrative embodiment radiation carried by optical fiber 23 is made incident on input surface 24 by etching or otherwise forming a hole in semiconductor substrate 26 an which the multilayered structure of the detector is fabricated. The need to form a hole in the substrate however. would be obviated by utilizing a radiation however, would be obviated by transparent substrate or radiation incident on the topmost surface opposite the substrate. Fiber 23 is secured in the hole with epoxy 28 or other suitable means. Radiation 30 to be detected propagates along the fiber 22, through the lowermost wide bandgap layer 12 of PD1 to narrow bandgap layer 10 where a portion of it is absorbed. The absorption of radiation 30 generates electron-hole pairs and consequently a photocurrent which is connected to a load RL by means of annular contact 32 to substrate 26 and contact 34 to the topmost layer of the multilayered structure. Inasmuch as the radiation 30 is not totally absorbed in layer 10, the total photocurrent flowing through RL has other components; namely, photocurrent generated by radiation which reaches the absorbing layers of PD2, PD3… PDn. In particular, radiation not absorbed in layer 10 is transmitted through wide bandgap layer 14, through the thin tunnel junction layers 16 and 18, and through wide bandgap layer 20 of PD2 to the absorbing layer 22 of PD2. As in layer 10, the absorbed radiation generates electron-hole pairs in layer 22 and hence a photocurrent which flows through RL.
 In this configuration, as well as in FIGS. 2 and 3, it can be shown that the tunnel junctions are forwardbiased and act essentially as short-circuits coupling together the photodiodes in a series, voltage adding relationship; therefore, the total photovoltage across RL approaches the sum of the photo voltages of the individual photodiodes.
 Our analysis has further shown that in order to maximize the photovoltage from this multilayered structure, each photodiode should contribute essentially the same photocurrent to the total photocurrent flowing through RL. As. a consequence, in FIG. 1 the thicknesses W1, W2 . . . Wn of the successive absorbing layers should increase gradually to compensate for the decreasing fraction of incident light available to generate electron-hole pairs in each photodiode. Thus, layer 10 which is nearest the input surface 24 is the thinnest and the nth absorbing layer (not shown) is the thickest; i.e.,W1  W2  W3  ...  Wn. Of course, if the input surface were at the top of the device (as in the. example which follows), the sequence .would be reversed so that W1  W2  W3 …  Wn. Because the intensity of light incident on an input surface decays approximately exponentially away from that surface, the absorbing layer thicknesses should increase with distance away from that surface in such manner that each photodiode absorbs essentially the same fraction of the available incident radiation. Neglecting absorption in the wider bandgap layers and in the tunnel junctions and neglecting interface reflection losses, we can calculate the thickness profile of the absorbing layers. For example, for a detector of six photodiode it can be shown that approximately 95% of the incident radiation is absorbed after passing through the photodiodes with each photodiode absorbing essentially the same power, if the following sequence of active layer thicknesses are used:αW1 = 0.17, αW2 = 0.21, αW3 = 0.26, αW4 = 0.36, αW5 = 0.57 and αW6 = 1.43 where α is the absorption coefficient of the absorbing layer (e.g., α = 104cm-1 for GaAs). That is, in order to absorb 95% of the incident light the total thickness W1 + W2 + ... + Wn of the absorbing layers should be about three absorption lengths (i.e.,  3 α-1) and to absorb 99% should be about 4.6 α-1. Since nearly all of the incident light can be absorbed in about 4.6 α-1, little advantage, in terms of total photovoltage or photocurrent, is obtained by making the total thickness of the absorbing layers any greater.」（第３欄第１行〜第５欄第１２行）
（日本語訳）
「垂直入射検出器
　図１を参照すると、複数（ｎ−１）のトンネル接合ＴＪ１、ＴＪ２．．．ＴＪ（ｎ−１）で接合された、複数（ｎ）のフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２．．．ＰＤｎを含む多層半導体構造である、集積光検出器が示されている。
　各フォトダイオードは、好ましくは、ダブルヘテロ構造であって、例えば、広いバンドギャップの対である（互いに）反対の導電型である透明層１２及び１４の間に挟まれた光吸収層１０からなる。光吸収層１０は、層１２及び１４よりも狭いバンドギャップを有するため、ヘテロ接合が、広いバンドギャップ層１２と１４それぞれとの界面１１および１３で形成されている。ヘテロ接合でのバンドギャップの不連続が、吸収層への光キャリアを制限し、集光効率を向上させる。層１０は、ｎ型、ｐ型、補償または内因性のいずれであってもよい。しかしながら、層１０のキャリア濃度は、低い直列抵抗と高い捕集効率とのトレードオフである。完全空乏化されていない吸収層では、吸収層における高いキャリア濃度（例えば１０１６ｃｍ−３）は、直列抵抗を低減し、それゆえ、有利には、解法電圧と短絡光電流の曲線の下の面積に関連するフィルファクタを増加させる。一方、低いキャリア濃度（例えば１０１４ｃｍ−３）は、長いキャリア拡散長が得られ、それゆえ、光キャリアが各フォトダイオードのｐｎ接合部で収集される確率を増加させるが、非空乏領域での大きな直列抵抗が追加される。
　別の考慮事項は、検出すべき放射線が垂直に入射される入力面２４とｐ−ｎ接合の位置関係である。つまり、２４のような放射線入射面に近接している吸収層の界面にあるように、各フォトダイオードのｐｎ接合を配置することが、収集の観点から有利である。例えば、ＰＤ１とＰＤ２では、それぞれ、ｐｎ接合は、界面１１と２１にある。この構成では、入射面２４から離れると、放射強度が減少するという事実を利用して、吸収層の近い方の界面（例えば、ＰＤ１の界面１１）で、離れた界面（例えば、界面１３）よりも高くなっている。より多くの光キャリアが界面１３近傍よりも界面１１近傍で生成されるので、より良好な収集効率が、界面１１にｐ−ｎ接合を配置することにより、おそらく、得られる。
　各トンネル接合は、一対の反対の導電型に縮退ドープされた層１６及び１８を含み、例えば、ＴＪ１の層１６は、隣接するＰＤ１のワイドバンドギャップ層１４と同じ導電型を有しているのに対し、ＴＪ２の層１８は、隣接するＰＤ２のワイドバンドギャップ層２０と同じ導電型を有している。このように、トンネル接合は、可能な限り、検出すべき放射線を吸収しないように製作されるべきである。トンネル接合が放射線吸収半導電層を含んでいる場合、層は、吸収長（たとえば、ＧａＡｓ中の８５００オングストロームで１μｍに比較して非常に薄い）に比較して非常に薄くされるべきである。代替的に、トンネル接合の層は、放射線透過性材料で作ることができる。例えば、それらは、フォトダイオードの連続的なワイドバンドギャップ層の縮退ドープされた部分とすることができる。しかしながら、いずれの場合も、薄いトンネル接合層が、自由キャリア吸収を減少させるためにも望ましい。
　実際には、検出すべき光または放射線は、入射面２４に垂直に入射される。例示的な一実施形態では、光ファイバ２３によって運ばれる放射線は、エッチングまたは他の方法で、検出器の積層構造が作製される半導体基板２６に穴を形成することにより、入射面２４に入射される。しかし、基板に孔を形成する必要性は、放射線透過基板または基板の反対側の最上面での放射線の入射を使用することによって、回避される。ファイバ２３は、エポキシ２８又は他の適切な手段を用いて穴の中に固定されている。検出される放射線３０は、ファイバ２２に沿って伝播し、ＰＤ１の最下位のワイドバンドギャップ層１２を介して、狭いバンドギャップ層１０で、その一部が吸収される。放射線３０の吸収は、電子−正孔対を発生させ、環状の接点３２によって基板２６に、また、コンタクト３４によって多層構造の最上層に、負荷ＲＬが接続され、その結果、光電流を発生する。放射線３０が層１０に完全に吸収されない限りにおいて、ＲＬに流れる総光電流は、他の成分、すなわち、ＰＤ２、ＰＤ３．．．ＰＤｎの吸収層に到達した放射線によって生成される光電流を有する。具体的には、層１０で吸収されなかった放射線が、ワイドバンドギャップ層１４を透過し、薄いトンネル接合層１６及び１８を透過し、ＰＤ２のワイドバンドギャップ層２０を透過して、ＰＤ２の吸収層２２に伝達される。層１０の場合と同様に、吸収された放射線は、層２２で、電子−正孔対を生成し、ＲＬを流れる光電流を発生する。
　この構成では、図２及び図３も同様であるが、トンネル接合が順方向バイアスされ、直列のフォトダイオードを接続する短絡回路、すなわち、一連の加算された電圧として、本質的に動作することが示される。その結果、ＲＬの両端の合計光電圧は、個々のフォトダイオードの光電圧の和にほぼ等しくなる。
　我々の分析は、さらに、この多層構造から光起電力を最大にするために、各フォトダイオードはＲＬに流れる総光電流と本質的に同じ光電流を与えるべきであることが示される。その結果、図１での連続する吸収層の厚さＷ１、Ｗ２．．．Ｗｎは、各フォトダイオードで電子−正孔対を生成するために利用可能な入射光の減少分を補うために、徐々に増やすべきである。これにより、入射面２４に最も近い層１０が最も薄く、ｎ番目の吸収層（図示せず）が最も厚い、すなわち、Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３＜．．．＜Ｗｎである。もちろん、入射面が（次の例のように）デバイスの上部にある場合、順序は逆に、Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３＜．．．＜Ｗｎとなる。入射面に入射する光の強度は、入射面から離れるにつれて、ほぼ指数関数的に減衰するので、吸収層の厚さは、各フォトダイオードが使用可能な入射放射線の本質的に同じ部分を吸収するように、入射面からの距離に応じて増加するべきである。広いバンドギャップ層およびトンネル接合における吸収を無視し、界面反射損失を無視して、吸収層の厚さプロファイルを計算することができる。たとえば、６個のフォトダイオードを有するの検出器のためには、活性層の厚さとして、以下の配列が使用される場合、入射放射線の約９５％が、本質的に同じ部分を吸収する各フォトダイオードを通過した後に、吸収されることが示される：αＷ１＝　０．１７、αＷ２＝　０．２１、αＷ３＝　０．２６、αＷ４＝　０．３６、αＷ５　０．５７、αＷ６＝　１．４３　αは吸収層の吸収係数である（例えば、ＧａＡｓの場合、α＝　１０４ｃｍ−１）。つまり、入射光の９５％を吸収するためには、吸収層の合計厚さＷ１＋Ｗ２＋・・・＋Ｗｎは、約３吸収長（すなわち、＞３α−１）であるべきであり、入射の９９％を吸収するためには、約４．６α−１であるべきである。ほぼすべての入射光を約４．６α−１で吸収することができるので、少し有利は、合計光起電力又は光電流の点で、吸収層の合計厚さを少し大きくすることにより、少し有利にできる。」
ウ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「複数（ｎ−１）のトンネル接合ＴＪ１、ＴＪ２．．．ＴＪ（ｎ−１）で接合された、複数（ｎ）のフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２．．．ＰＤｎを含む多層半導体構造である集積光検出器であって、
　検出される放射線３０は、ファイバ２２に沿って伝播し、ＰＤ１の最下位のワイドバンドギャップ層１２を介して、狭いバンドギャップ層１０で、その一部が吸収され、放射線３０の吸収は、電子−正孔対を発生させて、光電流を発生し、層１０で吸収されなかった放射線が、ワイドバンドギャップ層１４を透過し、薄いトンネル接合層１６及び１８を透過し、ＰＤ２のワイドバンドギャップ層２０を透過して、ＰＤ２の吸収層２２に伝達され、層１０の場合と同様に、吸収された放射線は、層２２で、電子−正孔対を生成し、光電流を発生し、
　この多層構造から光起電力を最大にするために、各フォトダイオードはＲＬに流れる総光電流と本質的に同じ光電流を与える、
　ＡｌＧａＡｓダブルへテロ接合レーザの出力を検出するのに適している、集積光検出器。」
（２）対比
　本願発明１と引用発明１を対比すると、
「レーザパワー変換器であって、
　単色照明を受け、第１の電流出力を生成するように構成された第１のサブセルと、
　第１のサブセルが単色照明を受けた後で単色照明の一部を受け、第１の電流出力と実質的に等しい第２の電流出力を生成するように構成された第２のサブセルと、
　第１のサブセルと第２のサブセルとの間に配置されたトンネル接合と、を含む、レーザパワー変換器。」
で一致し、次の点で相違する。
　本願発明１は、「水平に集積された複数の区分を含」み、「各区分はそれぞれ、」多層構造を有し、「前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流及びかつより高い電圧を生成する」のに対して、引用発明１は、そのような構成を有さない点。（以下、「相違点ａ」という。）
（３）判断
　上記相違点ａについて検討する。
　刊行物２〜４に示されるように、水平に集積された複数の区分を含み、これら複数の区分が放射形状をしている光検出器は周知であるが、前記相違点ａの「水平に集積された複数の区分を含」み、「前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流及びかつより高い電圧を生成する」構成は、刊行物１〜４には開示も示唆もされていない。
　また、他に、同構成が公知であることを示す証拠もない。
　すると、上記相違点ａは、引用発明１に、刊行物２〜４に記載された構造を採用することにより当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
（４）小括
　したがって、本願発明１は、上記相違点ａにおいて、当業者が引用発明１、刊行物２〜４に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　本願発明２、３は、本願発明１をさらに限定したものであり、本願発明４は、本願発明１の「レーザパワー変換器」に加えて「単色照明を提供するレーザ源」と「単色照明を、水平集積された複数の区分を含むレーザパワー変換器に伝送するための手段」を有する「レーザパワー変換システム」であり、本願発明５は、本願発明１を方法の発明としたものであるから、本願発明１と同様に、当業者が引用発明１、刊行物２〜４に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　刊行物１：米国特許第４１２７８６２号明細書
　刊行物２：特開昭６３−２０４６４５号公報
　刊行物２に記載された発明に、刊行物１に記載された構造を採用することは当業者が容易に想到し得ることである。
（２）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号、第６項第２号及び第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　本願の請求項６の「第１部分」、「第２部分」という記載は、本願の発明の詳細な説明には見当たらず、また、「第１部分」、「第２部分」という記載が示す構成が不明である。
２　当審拒絶理由（１）の判断
（１）刊行物２には、以下の事項が記載されている。
ア　「〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子、特に受光面積の広い受光素子およびこの受光素子を組み込んだ光電子装置に関する。
〔従来の技術〕
　光通信用半導体レーザ装置において、発光されるレーザ光の光出力を検出するデテクタとして、一般に受光素子が使用されている。たとえば、工業調査会発行「電子材料」１９７９年１２月号、昭和５４年１２月１日発行、Ｐ３５〜Ｐ３９には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料で構成された受光素子について記載されている。また、同文献には、波長１．０μｍ〜１．６μｍ帯の光を受光するものとして、Ｇｅ受光素子があるが、Ｇｅ受光素子は暗電流が大きく、Ｓｉ受光素子に比較してアバランシェホトダイオードの増倍雑音特性が劣る旨記載されている。また、この文献には、ＩｎＧａＡｓＰ系の受光素子の暗電流は、バイアス電圧−２０Ｖで約３×１０−５Ａ／ｃｍ２であり、Ｇｅ−ＡＰＤの暗電流約１×１０−３Ａ／ｃｍ２と比べて１桁以上小さい旨記載されている。」
イ　「〔実施例〕
　第１図は本発明の一実施例による受光素子を示す模式的平面図、第２図は同じく受光素子を組み込んだ光電子装置の要部を示す断面図である。
この実施例の受光素子は、第１図の模式図で示されるような構造となっている。すなわち、第１図は本発明に係わる受光素子１の図である。すなわち、受光素子１はＩｎＧａＡｓＰ系の材料によって構成されているとともに、矩形状となっている。その主面には、それぞれハッチングで示されるように、複数の受光領域２が配設されている。これら受光領域２は、円を１２等分した略扇状の形状となっている。また、各受光領域２の周縁にはそれぞれ電気的に独立した電極（上部電極）３が設けられている。これら上部電極３は受光領域２の外側に迄延在し、ワイヤを接続するに充分な広さのボンディングパッド４を構成している。また、隣接する受光領域２は区割線５で示されるように、電気的に絶縁されている。また、受光素子１の裏面には各受光領域２の共通の電極となる共通電極が設けられている。この受光素子１は、後述するように、パッケージに内蔵される場合は、前記共通電極面を介してパッケージのステム等に固定される。」
ウ　「つぎに、前記ステム１の主面に固定された受光素子６について説明する。
　受光素子１は、ｎ＋形のＩｎＰ基板１４上に順次ｎ形のＩｎＧａＡｓＰ層１５，ｎ形のＩｎＰ層１６を有するとともに、前記ＩｎＰ層１６の表層部に、ｐ＋形のＩｎＰ層１７を有し、このＩｎＰ層１７とＩｎＰ層１６との界面にｐｎ接合を構成し、受光領域２を形成している。前記ＩｎＰ層１７は、第１図に示されるように、円を１２等分した状態で円の中心を中心として放射状に１２個配設されている。また、各受光領域２の表面には酸化膜からなる反射防止膜１８が設けられている。また、受光素子１の主面には絶縁膜からなるパッシベーション膜１９が設けられている。さらに、各受光領域２には、受光領域２のＩｎＰ層１７に電気的に接続される電極（上部電極）３が設けられている。この上部電極３は受光領域２の周囲近傍に沿うように枠状となるとともに、一群の受光領域２からなる円の外側に迄延在し、ボンディングパッド４を構成している。これら各ボンディングパッド４は、ワイヤ２０を介して前記ステム６に絶縁的に取り付けられたリード９の上端に電気的に接続している。また、受光素子１の下面には電極２１が設けられている。受光素子１はこの電極２１面が、ソルダー７を介してステム６の主面に機械的かつ電気的に接続されている。したがって、前記受光素子１の下部電極２１は、ステム６と同電極となるとともに、このステム６に電気的に接続された図示しない共通リードと電気的に接続される。
　このような光電子装置にあっては、ステム６とキャップ１０とからなるパッケージの外から送り込まれる光２２、すなわち、窓１１のガラス板１２を透過した光２２を、受光素子１の各受光領域２で受光し、電気エネルギーとして共通リードと各リード９間に取り出すようになっている。この光電子装置にあっては、受光部は多数の受光領域２の集合体となっていることから、大面積となり、広い面積の光を受光することができる。したがって、各リードを直列に接続すれば、大面積を有する受光素子と同様の働きをするようになる。また、リードを並列に取り出せば、各受光領域２を相互に独立させることができ、１乃至数個の受光検出に使用している場合、これら使用に供している一群の受光領域２が損傷した際、残りの受光領域２を使用に切り換えることができるという使い方もある。」
エ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「発光されるレーザ光の光出力を検出するデテクタとして用いられる受光素子１であって、
　ｎ＋形のＩｎＰ基板１４上に順次ｎ形のＩｎＧａＡｓＰ層１５，ｎ形のＩｎＰ層１６を有するとともに、前記ＩｎＰ層１６の表層部に、ｐ＋形のＩｎＰ層１７を有し、このＩｎＰ層１７とＩｎＰ層１６との界面にｐｎ接合を構成し、受光領域２を形成しており、前記ＩｎＰ層１７は、円を１２等分した状態で円の中心を中心として放射状に１２個配設されていて、
　各受光領域２には、受光領域２のＩｎＰ層１７に電気的に接続される上部電極３が、また、受光素子１の下面には下部電極２１が設けられており、上部電極３と下部電極２１をリードで直列に接続した、受光素子１。」
（２）対比
　本願発明１と引用発明２を対比すると、
「水平に集積された複数の区分を含むレーザパワー変換器であって、
　各区分はそれぞれ、
　単色照明を受け、第１の電流出力を生成するように構成された第１のサブセルを含む、レーザパワー変換器。」
で一致し、次の点で相違する。
ア　本願発明１は、
「各区分はそれぞれ、
　単色照明を受け、第１の電流出力を生成するように構成された第１のサブセルと、
　第１のサブセルが単色照明を受けた後で単色照明の一部を受け、第１の電流出力と実質的に等しい第２の電流出力を生成するように構成された第２のサブセルと、
　第１のサブセルと第２のサブセルとの間に配置されたトンネル接合と、を含む」のに対して、引用発明２は、このような構成を有さない点。（以下、「相違点ｂ」という。）
イ　本願発明１は、
「前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流及びかつより高い電圧を生成する」のに対して、引用発明２は、このような構成を有さない点。（以下、「相違点ｃ」という。）
（３）判断
　上記相違点ｃについて検討する。
　刊行物２及び１には、「前記水平に集積された複数の区分は、中央の円形区分である第１の部分及び、直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分を含み、第２の部分は第１の部分に比べてより低い電流及びかつより高い電圧を生成する」構成は、開示も示唆もされていない。
　また、刊行物２及び１の他に、同構成が公知であることを示す証拠もない。
　すると、本願発明１は、上記相違点ｃにおいて、引用発明２に、刊行物１に記載された構造を採用することにより当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
（４）小括
　したがって、本願発明１、上記相違点ｃにおいて、当業者が引用発明２、刊行物１に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできなくなった。
　本願発明２、３は、本願発明１をさらに限定したものであり、本願発明４は、本願発明１の「レーザパワー変換器」に加えて「単色照明を提供するレーザ源」と「単色照明を、水平集積された複数の区分を含むレーザパワー変換器に伝送するための手段」を有する「レーザパワー変換システム」であり、本願発明５は、本願発明１を方法の発明としたものであるから、本願発明１と同様に、当業者が引用発明２、刊行物１に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはいえなくなった。
　そうすると、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
３　当審拒絶理由（２）の判断
　平成２８年６月１４日の手続補正により補正された請求項１、４、５の「中央の円形区分である第１の部分」、「直列相互接続された多数のより小さい区分を含む周辺区分である第２の部分」は、本願の発明の詳細な説明に記載されたものであり、それぞれが示す構成も明確となった。
　よって、当審拒絶理由（２）は解消した。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。