(57)【要約】  共振回路９は、回路基板２の表面に設けられた共振器１０と、負性抵抗回路に接続された主線路１９とによって構成する。このとき、共振器１０は、誘電体基板１１上に共振電極１２が形成された構成とし、誘電体基板１１上には、共振電極１２に結合する結合電極１７を設ける。また、主線路１９には共振器１０に向けて延びる分岐線路２１を設け、分岐線路２１の先端部２１Ａと結合電極１７との間をボンディングワイヤ２２を用いて接続する。これにより、結合電極１７の接地容量とボンディングワイヤ２２のインダクタンスとによる不要共振周波数を、分岐線路２１を用いて共振器１０の共振周波数よりも低周波側に移すことができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定周波数の高周波信号を反射する共振回路と、該共振回路に接続され前記高周波信号を増幅して出力する負性抵抗回路とによって構成される高周波発振回路において、
前記共振回路は、所定周波数で共振する共振器と、該共振器の近傍に設けられ該共振器と電気的に結合する結合電極と、該結合電極の近傍に位置して回路基板に設けられ一端側が前記負性抵抗回路に接続され他端側が終端抵抗に接続される主線路と、該主線路と結合電極との間を接続するインダクタとによって構成し、
該インダクタのインダクタンスと結合電極の接地容量とに基づく不要共振周波数を前記共振器の共振周波数よりも低く設定したことを特徴とする高周波発振回路。
【請求項２】
前記回路基板には前記主線路から分岐した分岐線路を設け、該分岐線路の先端と前記結合電極との間を前記インダクタを用いて接続する構成としてなる請求項１に記載の高周波発振回路。
【請求項３】
前記共振器は、前記回路基板に設けられた誘電体基板と、該誘電体基板の表面に形成され共振周波数を設定する共振電極とによって構成し、
前記結合電極は、前記共振電極の近傍に位置して前記誘電体基板の表面に形成されたボンディングパッドによって構成し、
前記インダクタは、前記主線路と該ボンディングパッドとの間を接続するボンディングワイヤによって構成してなる請求項１に記載の高周波発振回路。
【請求項４】
前記ボンディングワイヤは、前記主線路とボンディングパッドとの間に並列な状態で複数本設けてなる請求項３に記載の高周波発振回路。
【請求項５】
前記誘電体基板は、少なくとも２０程度の比誘電率を有する構成としてなる請求項３に記載の高周波発振回路。
【請求項６】
前記回路基板は、絶縁層と電極層とが複数積層された多層基板によって構成し、
前記共振器は、該多層基板に凹陥されたキャビティ内に設けてなる請求項３に記載の高周波発振回路。
【請求項７】
前記多層基板の内部に位置する電極層には前記主線路から分岐した分岐線路を設け、
該分岐線路の先端と前記結合電極との間を前記インダクタを用いて接続する構成としてなる請求項６に記載の高周波発振回路。
【請求項８】
前記回路基板には前記共振器を覆いグランドに接続されたシールドケースを設け、該シールドケースは、前記回路基板との間に前記共振器の共振周波数よりも高い遮断周波数となるシールド空間を画成する構成としてなる請求項３に記載の高周波発振回路。
【請求項９】
前記シールドケースは、前記共振器と一緒に前記ボンディングワイヤを取囲む構成としてなる請求項８に記載の高周波発振回路。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の高周波発振回路を用いた送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばマイクロ波、ミリ波等の高周波信号を発振する高周波発振回路および該高周波発振回路を用いた送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、高周波発振回路は、所定周波数の高周波信号を反射する共振回路と、該共振回路に接続され前記高周波信号を増幅して出力する負性抵抗回路とによって構成されている。このとき、高周波発振回路の共振回路は、所定周波数で共振する共振器と、負性抵抗回路と終端抵抗との間に設けられ該共振器に結合するマイクロストリップ線路等の主線路とによって構成され、共振器の共振周波数近傍の信号を選択的に反射する。一方、負性抵抗回路は、トランジスタ等の能動素子を含んで構成され、共振回路によって反射された高周波信号を増幅する。そして、高周波発振回路は、共振回路と負性抵抗回路との位相条件、振幅条件が満たされた周波数で発振する。【０００３】
ここで、第１の従来技術として、回路基板上に主線路を設けると共に、該主線路の近傍には円柱状の誘電体ブロックからなる誘電体共振器を配置し、誘電体共振器に励起される特定の共振モードと主線路とを結合させたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このとき、誘電体共振器は、回路基板上に支持台を介して実装されている。【０００４】
【特許文献１】特開平６−２０４７４７号公報
【０００５】
また、第２の従来技術として、回路基板上には主線路と同一面に位置してマイクロストリップ共振電極を形成したものが知られている（例えば、非特許文献１参照）。この場合、主線路と共振電極とを近接して配置することにより、これらを結合させている。【０００６】
【非特許文献１】Young-Taek Lee et al.,“A Compact-Size Microstrip Spiral Resonator and Its Application to Microwave Oscillator”，IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS，Oct.2002，VOL．12，No.10，p.375-377
【０００７】
また、第３の従来技術として、回路基板上には主線路と同一面に位置して共振電極を形成し、これらの主線路と共振電極との間をボンディングワイヤを用いて直接的に接続したものも知られている（例えば、特許文献２参照）。【０００８】
【特許文献２】特開平１１−３３０８１８号公報
【０００９】
さらに、第４の従来技術として、マイクロストリップ共振電極の上に結合コンデンサを搭載し、該結合コンデンサと主線路との間をボンディングワイヤを用いて接続したものも知られている（例えば、特許文献３参照）。【００１０】
【特許文献３】特開昭６３−７０６０１号公報
【００１１】
ところで、上述した第１の従来技術では、誘電体共振器の外形寸法が大きいため、発振回路全体が大型化してしまう。また、共振周波数は誘電体共振器の外形によって決定されるため、高精度な外形加工（機械加工）が必要となる。また、誘電体共振器と主線路との結合量を再現するためには、誘電体共振器を高い実装精度で回路基板の所定位置に取り付ける必要がある。さらに、誘電体共振器を回路基板に固定するための機構が必要であり、発振回路の組立てが煩雑化し、製造コストが高いという種々の問題がある。【００１２】
また、第２の従来技術では、回路基板上に主線路とマイクロストリップ共振電極を形成しているから、共振器の誘電体材料が回路基板の材料と同じものに限定される。このとき、回路基板には比較的低い比誘電率（例えば、εr＝２〜１３程度）の材料を用いるため、共振器が大型化する傾向がある。一方、共振器には高誘電率、低損失、温度安定性の良い性能が要求されるが、このような要求を満たす材料を回路基板に用いたときには、基板自体のコストが高くなるという問題がある。【００１３】
また、第３の従来技術では、第２の従来技術と同様の問題が生じる。これに加えて、第３の従来技術では、主線路と共振電極とをボンディングワイヤを用いて直接的に接続しているから、主線路と共振器との結合が強くなり、急峻な反射特性が得られないという問題もある。【００１４】
さらに、第４の従来技術では、共振器の共振周波数を高くしたときには、ボンディングワイヤのインダクタンスおよび浮遊容量による不要な共振が共振器の反射と重なることがあり、共振器の反射特性が劣化するという問題がある。また、結合コンデンサを実装する必要があるから、製造工程が煩雑になり、生産性が低いという問題もある。
【発明の開示】
【００１５】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、低い位相雑音と高い温度安定性とを有し、小型で製造コストを低減することができる高周波発振回路およびそれを用いた送受信装置を提供することにある。
【００１６】
（１）．上述した課題を解決するために本発明は、所定周波数の高周波信号を反射する共振回路と、該共振回路に接続され前記高周波信号を増幅して出力する負性抵抗回路とによって構成される高周波発振回路において、前記共振回路は、所定周波数で共振する共振器と、該共振器の近傍に設けられ該共振器と電気的に結合する結合電極と、該結合電極の近傍に位置して回路基板に設けられ一端側が前記負性抵抗回路に接続され他端側が終端抵抗に接続される主線路と、該主線路と結合電極との間を接続するインダクタとによって構成し、該インダクタのインダクタンスと結合電極の接地容量とに基づく不要共振周波数を前記共振器の共振周波数よりも低く設定したことを特徴としている。
【００１７】
本発明によれば、共振器の近傍に結合電極を設けると共に、結合電極と主線路との間をインダクタを用いて接続している。このため、共振器と結合電極とを電気的に結合させることができると共に、結合電極とインダクタとを用いて共振器を主線路に結合させることができる。この結果、負性抵抗回路は共振器によって反射された所定周波数の高周波信号を増幅して出力することができるから、共振回路と負性抵抗回路とを用いて例えば帯域反射型の発振回路を構成することができる。
【００１８】
また、インダクタのインダクタンスと結合電極の接地容量とに基づく不要共振周波数を共振器の共振周波数よりも低く設定したから、インダクタ等による不要共振周波数が共振器の共振周波数近傍で干渉することがなくなる。このため、インダクタによる寄生リアクタンスの影響を低減することができるから、共振器の共振周波数の近傍帯域での反射量を低減することができ、反射特性の鋭さ（共振回路のＱ値）を改善することができる。また、発振回路の位相雑音を小さくすることができるから、発振回路の動作を安定化させることができる。
【００１９】
（２）．本発明では、前記回路基板には前記主線路から分岐した分岐線路を設け、該分岐線路の先端と前記結合電極との間を前記インダクタを用いて接続する構成としてもよい。
【００２０】
この場合、主線路に分岐線路を設けると共に、該分岐線路の先端と結合電極との間をインダクタを用いて接続したから、分岐線路を用いて主線路と結合電極との間の位相を調整することができる。このため、主線路から共振器側を見たときには、インダクタのインダクタンスと結合電極の接地容量とに基づく不要共振周波数を分岐線路の長さ寸法に応じて設定することができ、該不要共振周波数を低周波側にシフトさせることができる。この結果、インダクタ等による不要共振周波数を共振器の共振周波数よりも低く設定し、これらが互いに干渉するの防止することができ、反射特性の鋭さ等を向上することができる。
【００２１】
（３）．本発明では、前記共振器は、前記回路基板に設けられた誘電体基板と、該誘電体基板の表面に形成され共振周波数を設定する共振電極とによって構成し、前記結合電極は、前記共振電極の近傍に位置して前記誘電体基板の表面に形成されたボンディングパッドによって構成し、前記インダクタは、前記主線路と該ボンディングパッドとの間を接続するボンディングワイヤによって構成してもよい。
【００２２】
このように構成したことにより、共振電極とボンディングパッドとの間の隙間を介して共振電極とボンディングパッドを容量結合させることができる。このとき、共振電極とボンディングパッドとは薄膜配線技術を利用することによって一緒に誘電体基板に形成することができるから、共振電極とボンディングパッドの外形形状やこれらの間の隙間寸法を高精度に設定することができる。このため、共振電極とボンディングパッドとの結合量のばらつきを低減することができ、共振器の共振周波数のばらつきを抑制することができる。
【００２３】
また、誘電体基板の表面に共振電極を形成する構成としたから、共振電極としてマイクロストリップを用いることによってマイクロストリップ共振器を構成することができる。このため、共振器の構成を単純化できると共に、小型、低背化することができ、共振器の製造コストを低減することができる。
【００２４】
さらに、ボンディングパッドと主線路との間は、インダクタとしてのボンディングワイヤを用いて接続する構成としたから、例えば主線路、負性抵抗回路等が設けられた回路基板に対して共振器をダイボンド・ワイヤ実装することができる。このため、新規設備を導入することなく、回路基板に対して負性抵抗回路の能動素子等と一緒に共振器を実装することができ、発振回路全体の製造コストを低減することができる。
【００２５】
（４）．この場合、本発明では、前記ボンディングワイヤは、前記主線路とボンディングパッドとの間に並列な状態で複数本設けるのが好ましい。
【００２６】
これにより、ワイヤ形状に基づく発振回路の特性ばらつきを低減することができ、発振回路の歩留まりを向上させることができる。
【００２７】
（５）．本発明では、前記誘電体基板は、少なくとも２０程度の比誘電率を有する構成が好ましい。
【００２８】
これにより、高誘電率をもった誘電体基板を用いて誘電体基板内の実効波長を短縮することができ、共振器を小型化することができる。また、主線路等が設けられた回路基板とは別個に共振器を構成することができるから、共振器の誘電体基板材料として高誘電率、低損失、所望の温度特性を備えたものを用いることができる。このため、小型、低損失かつ、負性抵抗回路の温度変動を補償する温度特性をもった共振器を形成することができ、高い温度安定性を有し、低位相雑音で小型な高周波発振回路を構成することができる。
【００２９】
（６）．本発明では、前記回路基板は、絶縁層と電極層とが複数積層された多層基板によって構成し、前記共振器は、該多層基板に凹陥されたキャビティ内に設けるのが好ましい。
【００３０】
このように構成したことにより、発振回路全体を低背化することができる。また、キャビティ内に多層基板の電極層を露出させることができるから、該電極層をグランドに接続することによって、主線路のグランドと共振器のグランドとを共通化することができ、安定した接地を得ることができる。また、グランド用のビアホールを削減することができるから、製造コストを低減することができる。
【００３１】
（７）．本発明では、前記多層基板の内部に位置する電極層には前記主線路から分岐した分岐線路を設け、該分岐線路の先端と前記結合電極との間を前記インダクタを用いて接続する構成としてもよい。
【００３２】
この場合、分岐線路は多層基板の内部に位置する電極層に形成したから、分岐線路中の高周波信号の実効波長を短縮することができる。このため、分岐線路を短縮して、発振回路全体を小型化することができる。
【００３３】
（８）．本発明では、前記回路基板には前記共振器を覆いグランドに接続されたシールドケースを設け、該シールドケースは、前記回路基板との間に前記共振器の共振周波数よりも高い遮断周波数となるシールド空間を画成する構成としてもよい。
【００３４】
この場合、回路基板には共振器を覆うシールドケースを設けたから、該シールドケースを共振器の共振電極に近付けることによって、共振器の共振周波数を高くすることができる。このため、シールドケースの形状等に応じて共振周波数を変化させることができ、発振回路の発振周波数を容易に調整することができる。また、シールドケースは回路基板との間に共振器の共振周波数よりも高い遮断周波数となるシールド空間を画成するから、共振器からの放射を低減することができる。
【００３５】
（９）．本発明では、前記シールドケースは、前記共振器と一緒に前記ボンディングワイヤを取囲む構成とするのが好ましい。
【００３６】
これにより、共振器およびボンディングワイヤから信号が放射されたときでも、この放射信号が周囲の回路に混入することがなく、回路特性に対する放射信号の影響を回避することができる。このため、回路基板には共振回路、負性抵抗回路に加えて他の回路（例えば駆動用の回路、フィルタ回路等）を高密度に配置することができ、発振回路全体を小型化することができる。
【００３７】
（１０）．また、本発明の高周波発振回路を用いて通信装置、レーダ装置等の送受信装置を構成してもよい。
【００３８】
これにより、発振回路の位相雑音を小さくして、発振回路の動作を安定化させることができ、送受信装置全体の特性を安定化させることができる。また、発振回路は、例えば小型で簡略な構造のマイクロストリップ共振器や既存設備で実現可能なボンディングワイヤ等を用いて構成することができるから、装置全体を小型化することができると共に、発振回路の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は本発明の第１の実施の形態による高周波発振回路を示す回路図である。
【図２】図２は図１中の共振回路を示す斜視図である。
【図３】図３は図２中の共振回路を示す平面図である。
【図４】図４は共振回路を図３中の矢示IV−IV方向からみた断面図である。
【図５】図５は共振回路の主線路、分岐線路、共振器等を示す等価回路図である。
【図６】図６は角速度に対する分岐線路による関数Ｙ1およびインダクタンスと接地容量による関数Ｙ2を示す特性線図である。
【図７】図７は共振回路の反射係数と周波数との関係を比較例と一緒に示す特性線図である。
【図８】図８は図７中のうち共振器の共振周波数の近傍帯域を拡大して示す特性線図である。
【図９】図９は第２の実施の形態による共振回路を示す斜視図である。
【図１０】図１０は共振回路を図９中の矢示Ｘ−Ｘ方向からみた断面図である。
【図１１】図１１は第３の実施の形態による共振回路を示す平面図である。
【図１２】図１２は共振回路を図１１中の矢示XII−XII方向からみた断面図である。
【図１３】図１３は第４の実施の形態による共振回路を示す斜視図である。
【図１４】図１４は第５の実施の形態による共振回路を示す斜視図である。
【図１５】図１５は図１４中の共振回路を示す平面図である。
【図１６】図１６は共振回路を図１５中の矢示XVI−XVI方向からみた断面図である。
【図１７】図１７は第６の実施の形態によるレーダ装置を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  高周波発振回路
２，５１  回路基板
３  負性抵抗回路
９  共振回路
１０  共振器
１１  誘電体基板
１２  共振電極
１７  結合電極
１８  隙間
１９  主線路
２０  終端抵抗
２１，４３，６３  分岐線路
２１Ａ  先端部
２２  ボンディングワイヤ
３１，４１，６１  多層基板
３１Ａ，３１Ｂ，４１Ａ〜４１Ｃ，６１Ａ〜６１Ｃ  絶縁層
３１Ｃ，４１Ｄ，４１Ｅ，６１Ｄ，６１Ｅ  電極層
３２  キャビティ
４４，６４  先端電極部
５３，６５  シールドケース
５４，６６  シールド空間
７１  レーダ装置（送受信装置）
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の実施の形態による高周波発振回路および送受信装置を、添付図面を参照して詳細に説明する。【００４２】
ここで、図１ないし図８は第１の実施の形態を示し、本実施の形態では、マイクロストリップ線路を用いた高周波発振回路を例に挙げて述べる。【００４３】
図中、１は高周波発振回路を示している。該高周波発振回路１は、例えば回路基板２に実装された後述する共振回路９と、該共振回路９と一緒に回路基板２に実装され共振回路９から反射される高周波信号を増幅する負性抵抗回路３とによって構成されている。【００４４】
ここで、回路基板２は、例えば０．１〜０．２ｍｍ程度の厚さ寸法を有すると共に、２〜１３程度の比誘電率をもった絶縁性の樹脂材料、セラミックス材料等によって平板状に形成されている。また、負性抵抗回路３は、例えば高周波能動素子としての電界効果トランジスタ４（以下、ＦＥＴ４という）と、該ＦＥＴ４のソース端子Ｓに接続されたショートスタブ５と、ＦＥＴ４のドレイン端子Ｄに伝送線路６とキャパシタ７とを介して接続された負荷８とによって構成されている。また、ＦＥＴ４のゲート端子Ｇには共振回路９が接続されている。そして、負性抵抗回路３は、ドレイン端子Ｄにチョークインダクタ４Ａを介して駆動電圧Ｖ0が印加されることによって、共振回路９から出力される所定周波数の高周波信号を増幅し、ドレイン端子Ｄを通じて出力する。これにより、ドレイン端子Ｄから出力された高周波信号は、キャパシタ７によって直流成分が除去され、負荷８に供給される。【００４５】
９は予め決められた所定周波数の高周波信号を反射して出力する帯域反射型の共振回路を示している。該共振回路９は、後述の共振器１０、結合電極１７、主線路１９等によって構成されている。【００４６】
１０は例えば２４ＧＨｚ程度の所定周波数で共振する共振器を示している。該共振器１０は、回路基板２の表面に設けられた誘電体基板１１と、該誘電体基板１１の表面に形成され共振周波数を設定する共振電極１２とによって構成されている。このとき、誘電体基板１１は、例えば０．２〜０．５ｍｍ程度の厚さ寸法を有すると共に、２０〜１００程度の比誘電率εrを有している。そして、誘電体基板１１は、セラミックス材料等を用いて略四角形のチップ状（小片状）に形成されている。また、誘電体基板１１は、負性抵抗回路３の温度特性を補償するように、その誘電体材料の温度係数（誘電率の温度係数、熱膨張係数）が選択されている。【００４７】
一方、共振電極１２は、誘電体基板１１の表面に設けられた帯状の導電性金属薄膜からなるマイクロストリップ線路によって形成されている。また、共振電極１２は、共振周波数に対応した誘電体基板１１内での実効波長をλgとしたときに、例えば実効波長λgの略半分程度の長さ寸法Ｘr（Ｘr≒λg／２）を有している。これにより、共振器１０は、半波長型（λg／２型）のマイクロストリップ共振器を構成している。【００４８】
また、誘電体基板１１の裏面側には、共振電極１２を覆うように略全面に亘ってグランド電極１３が形成されている。そして、グランド電極１３は、回路基板２の表面に設けられたグランド電極１４上に配置されると共に、これらのグランド電極１３，１４は、例えば導電性ペースト、半田等の導電性材料を用いて接合されている。さらに、回路基板２の表面に設けられたグランド電極１４は、多数のビアホール１５を用いて回路基板２の裏面に設けられたグランド電極１６に接続され、該グランド電極１６を用いて外部のグランドに接続されている。【００４９】
１７は共振電極１２の近傍に位置して誘電体基板１１の表面に形成された結合電極を示している。該結合電極１７は、例えば共振電極１２と同様の導電性金属薄膜によって形成され、後述するボンディングワイヤ２２を接合するためのボンディングパッドを構成している。また、共振電極１２と結合電極１７との間には、一定間隔の隙間１８が形成されている。このため、結合電極１７は、隙間１８の容量Ｃmを通じて共振電極１２に対して容量結合すると共に、隙間１８の間隔寸法δに応じて結合電極１７と共振電極１２との間の結合量が設定されている。さらに、結合電極１７は、グランド電極１３との間に接地容量Ｃ0を有している。そして、接地容量Ｃ0は、例えば結合電極１７の面積が大きくなるに従って増大する。【００５０】
なお、共振電極１２と結合電極１７とは、略平行な状態で対向して配置するものとして図示した。しかし、本発明はこれに限らず、例えば共振電極１２と結合電極１７とを櫛歯状に形成し、これらの櫛歯が互いに噛合した状態で対向して配置する構成としてもよい。これにより、共振電極１２と結合電極１７との間の容量Ｃmを増大させることができ、結合量を増やすことができる。【００５１】
１９は回路基板２の表面に設けられた主線路を示している。該主線路１９は、結合電極１７（共振器１０）の近傍に位置して回路基板２の表面に設けられ、帯状の導電性金属薄膜からなるマイクロストリップ線路によって形成されている。また、主線路１９は、略直線状に延びると共に、例えば５０Ω程度の特性インピーダンスを有している。そして、主線路１９は、一端側が負性抵抗回路３のＦＥＴ４のゲート端子Ｇに接続されると共に、他端側が終端抵抗２０に接続されている。【００５２】
なお、終端抵抗２０は、回路基板２に実装したチップ抵抗等の素子を用いる構成としてもよく、回路基板２に塗布または印刷した膜状の抵抗体等を用いる構成としてもよい。【００５３】
２１は主線路１９から分岐した分岐線路を示している。該分岐線路２１は、主線路１９と同様に、回路基板２の表面に設けられたマイクロストリップ線路によって形成され、主線路１９の途中位置から分岐して主線路１９と直交した方向に延びると共に、共振器１０に向けて延伸している。また、分岐線路２１の先端部２１Ａは、回路基板２のグランド電極１４から離間した位置に配置されると共に、後述のボンディングワイヤ２２を用いて結合電極１７に接続されている。そして、分岐線路２１は、その長さ寸法Ｘに応じて主線路１９と結合電極１７との間の位相を調整する。【００５４】
２２は主線路１９と結合電極１７との間を接続するインダクタとしてのボンディングワイヤを示している。該ボンディングワイヤ２２は、主線路１９と結合電極１７との間に並列な状態で複数本（２本のみ図示）設けられ、分岐線路２１の先端部２１Ａと共振器１０の誘電体基板１１上に設けられた結合電極１７とに接合されている。そして、ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性金属材料を用いて２０〜３０μｍ程度の直径寸法もった紐状に形成されている。【００５５】
また、複数のボンディングワイヤ２２は、全体として分岐線路２１の先端部２１Ａと結合電極１７との間にインダクタンスＬを有している。このとき、インダクタンスＬは、ボンディングワイヤ２２の長さ寸法が長くなるに従って増大し、ボンディングワイヤ２２の本数が増加するのに従って減少するものである。【００５６】
ここで、ボンディングワイヤ２２のインダクタンスＬと結合電極１７の接地容量Ｃ0とは、主線路１９の途中位置とグランドとの間に直列接続された状態となる。このため、これらのインダクタンスＬと接地容量Ｃ0とに基づく不要な共振が生じ、共振器１０の周波数特性（反射特性）を劣化させることがある。そこで、本実施の形態では、主線路１９と結合電極１７との間の位相を分岐線路２１を用いて調整し、主線路１９から見たときのインダクタンスＬと接地容量Ｃ0とに基づく不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低い値に設定している。具体的には、ボンディングワイヤ２２の長さ寸法、本数、結合電極１７の面積、分岐線路の長さ寸法Ｘ等を適宜調整し、不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低い値に設定している。【００５７】
本実施の形態による高周波発振回路１は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。【００５８】
負性抵抗回路３のドレイン端子Ｄに駆動電圧Ｖ0が印加されると、ＦＥＴ４のゲート端子Ｇには、共振器１０の共振周波数に応じた高周波信号が主線路１９を通じて入力される。このとき、負性抵抗回路３と共振回路９は帯域反射型発振回路を構成する。このため、ＦＥＴ４は、共振器１０の共振周波数に応じた信号を増幅し、伝送線路６、キャパシタ７を通じて外部に向けて出力する。【００５９】
ここで、共振器１０は、結合電極１７とボンディングワイヤ２２とを介して主線路１９に接続されているから、共振器１０による共振に対して、インダクタンスＬと接地容量Ｃ0とに基づく不要な共振が生じることがある。このため、本実施の形態では、分岐線路２１等を用いて、主線路１９から見たときのインダクタンスＬと接地容量Ｃ0とに基づく不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低い値に設定している。【００６０】
そこで、図３の等価回路を参照し、主線路１９から見たときのインダクタンスＬおよび接地容量Ｃ0に基づく不要共振周波数（角速度ω1）と分岐線路２１との関係について検討する。なお、ここでは解析モデルを簡略化するために、図３中の共振器１０および結合電極１７と共振電極１２との間の隙間１８による容量Ｃmは無視するものとする。【００６１】
まず、主線路１９と分岐線路２１との間の分岐点Ａから共振器１０側を見たときのインピーダンスＺ2は、角速度ωに対して以下の数１の式のように表される。【００６２】
【数１】
2006033204.tif 000002
【００６３】
なお、Ｚ0は分岐線路２１の特性インピーダンスを示し、Ｚ1は分岐線路２１の先端部２１Ａ（接続点Ｂ）からインダクタンスＬおよび接地容量Ｃ0を見たときのインピーダンスを示している。また、εeは分岐線路２１の実効誘電率を示し、Ｘは分岐線路２１の長さ寸法を示し、ｖは光速を示している。【００６４】
ここで、分岐点ＡのインピーダンスＺ2が零（Ｚ2＝０）となる角速度ω（ω＝２πｆ）は以下の数２の式の関係を満たす。【００６５】
【数２】
2006033204.tif 000003
【００６６】
数２の式中の左辺、右辺をそれぞれ角速度ωの関数Ｙ1，Ｙ2とすると、図６の結果を得ることができる。このとき、関数Ｙ1，Ｙ2の交点が数２の式の解であり、この解（角速度ω1）が不要共振周波数に対応する。【００６７】
図６の結果より、分岐線路２１を付加しないとき（Ｘ＝０）の不要共振周波数（角速度ω0）よりも、分岐線路２１を付加したときの不要共振周波数（角速度ω1）の方が低周波側に移ることが分かる。このため、分岐線路２１を付加しないときの不要共振周波数が共振器１０の共振周波数に近い値となるときでも、分岐線路２１を付加することによって、不要共振周波数を低周波側に移すことができる。【００６８】
これにより、分岐線路２１を付加した場合の共振回路９の反射係数Ｓ11は、図７および図８に示すように、付加しない場合（比較例）に比べて、共振器１０の共振周波数（発振周波数）近傍の反射量が低減され、急峻な反射特性が得られることが確認できた。【００６９】
即ち、図７および図８中に点線で示す比較例では、共振器１０の共振周波数が２４ＧＨｚとなるときに、分岐線路２１を付加しない状態でインダクタンスＬおよび接地容量Ｃ0による不要共振周波数が２９ＧＨｚ程度となり、共振器１０の共振周波数近傍の反射係数は−５〜−１０ｄＢ程度となる。このため、比較例では、共振回路９は共振周波数以外の信号も反射するから、発振回路１は共振器１０の共振周波数近傍で広帯域の信号を出力してしまうという問題がある。【００７０】
これに対し、本実施の形態では、分岐線路２１を付加したから、図７および図８中に実線で示すように、共振器１０の共振周波数（２４ＧＨｚ）よりも不要共振周波数を低周波側の移動させることができ、不要共振周波数を例えば１５ＧＨｚ程度に設定することができる。この結果、共振器１０の共振周波数の近傍帯域（例えば２２〜２６ＧＨｚ）では反射係数を−１５ｄＢ以下に低減することができる。従って、急峻な反射特性を得ることができ、発振回路１は共振器１０の共振周波数近傍で狭帯域な信号を出力することができる。【００７１】
なお、分岐線路２１の周波数特性は周期性を有するから、分岐点ＡのインピーダンスＺ2も周期性を有し、不要共振周波数（図６中の関数Ｙ1，Ｙ2の交点）は複数存在する。このとき、インピーダンスＺ2による共振回路９の反射係数Ｓ11（共振器１０に基づくものを除いた反射係数）は、低周波から高周波まで周波数を変化させたときには、０ｄＢ付近まで大きくなる場合と−２０ｄＢ以下で小さくなる場合とを繰返す。このため、共振器１０の共振周波数がインピーダンスＺ2による反射係数Ｓ11が例えば−２０ｄＢよりも小さくなる周波数に一致するように、結合電極１７の接地容量Ｃ0、ボンディングワイヤ２２のインダクタンスＬおよび分岐線路２１の長さ寸法等を設定するのが好ましい。【００７２】
かくして、本実施の形態によれば、共振電極１２の近傍に結合電極１７を設けると共に、結合電極１７と主線路１９との間をボンディングワイヤ２２を用いて接続した。これにより、共振電極１２と結合電極１７とを電気的に容量結合させることができると共に、結合電極１７とボンディングワイヤ２２とを用いて共振器１０を主線路１９に結合させることができる。この結果、負性抵抗回路３は共振器１０によって反射された所定周波数の高周波信号を増幅して出力することができるから、共振回路９と負性抵抗回路３とを用いて例えば帯域反射型の発振回路１を構成することができる。【００７３】
また、ボンディングワイヤ２２のインダクタンスＬと結合電極１７の接地容量Ｃ0とに基づく不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低く設定したから、不要共振周波数が共振器１０の共振周波数近傍で干渉することがなくなる。このため、ボンディングワイヤ２２による寄生リアクタンスの影響を低減することができるから、共振器１０の共振周波数の近傍帯域での反射量を低減することができ、反射特性の鋭さ（共振回路のＱ値）を改善することができる。また、発振回路１の位相雑音を小さくすることができるから、発振回路１の動作を安定化させることができる。【００７４】
特に、本実施の形態では、主線路１９に分岐線路２１を設けると共に、該分岐線路２１の先端部２１Ａと結合電極１７との間をボンディングワイヤ２２を用いて接続したから、分岐線路２１を用いて主線路１９と結合電極１７との間の位相を調整することができる。このため、主線路１９から共振器１０側を見たときには、ボンディングワイヤ２２のインダクタンスＬと結合電極１７の接地容量Ｃ0とに基づく不要共振周波数を分岐線路２１の長さ寸法Ｘに応じて設定することができ、該不要共振周波数を低周波側にシフトさせることができる。この結果、不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低く設定し、これらが互いに干渉するの防止することができ、反射特性の鋭さ等を向上することができる。【００７５】
また、共振器１０を誘電体基板１１の表面に形成した共振電極１２によって構成すると共に、誘電体基板１１の表面には、共振電極１２の近傍に位置したボンディングパッドによって結合電極１７を構成した。これにより、共振電極１２と結合電極１７との間の隙間１８を介して共振電極１２と結合電極１７とを容量結合させることができる。このとき、共振電極１２と結合電極１７とは薄膜配線技術を利用することによって一緒に誘電体基板１１に形成することができるから、共振電極１２と結合電極１７の外形形状や隙間１８の間隔寸法δを高精度に設定することができる。このため、共振電極１２と結合電極１７との結合量のばらつきを低減することができ、共振器１０の共振周波数のばらつきを抑制することができる。【００７６】
また、誘電体基板１１の表面に共振電極１２を形成する構成としたから、共振電極１２としてマイクロストリップを用いることによってマイクロストリップ共振器を構成することができる。このため、共振器１０の構成を単純化できると共に、小型、低背化することができ、共振器１０の製造コストを低減することができる。【００７７】
さらに、結合電極１７と主線路１９との間は、インダクタとしてのボンディングワイヤ２２を用いて接続する構成としたから、主線路１９、負性抵抗回路３等が設けられた回路基板２に対して共振器１０をダイボンド・ワイヤ実装することができる。このため、新規設備を導入することなく、回路基板２に対して負性抵抗回路３の能動素子（ＦＥＴ４）等と一緒に共振器１０を実装することができ、発振回路１全体の製造コストを低減することができる。【００７８】
また、ボンディングワイヤ２２は主線路１９と結合電極１７との間に並列な状態で複数本設けたから、ワイヤ形状等に基づく発振回路１の特性ばらつきを低減することができ、発振回路１の歩留まりを向上させることができる。【００７９】
さらに、誘電体基板１１は少なくとも２０程度の比誘電率εrを有する構成としたから、高誘電率をもった誘電体基板１１を用いて誘電体基板１１内の実効波長を短縮することができ、共振器１０を小型化することができる。また、主線路１９等が設けられた回路基板２とは別個に共振器１０を構成することができるから、誘電体基板１１の材料として高誘電率、低損失、所望の温度特性を備えたものを用いることができる。このため、小型、低損失かつ、負性抵抗回路３の温度変動を補償する温度特性をもった共振器１０を形成することができ、高い温度安定性を有し、低位相雑音で小型な高周波発振回路１を構成することができる。【００８０】
なお、前記第１の実施の形態では、分岐線路２１を用いてボンディングワイヤ２２のインダクタンスＬと結合電極１７の接地容量Ｃ0とに基づく不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低く設定する構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、分岐線路２１を省く構成としてもよい。この場合、例えばボンディングワイヤ２２の長さ寸法、本数、結合電極１７の面積等を調整して不要共振周波数を共振器１０の共振周波数よりも低く設定するものである。【００８１】
次に、図９および図１０は本発明による第２の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、回路基板を絶縁層と電極層とが複数積層された多層基板によって構成し、共振器を該多層基板に凹陥されたキャビティ内に設ける構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【００８２】
３１は回路基板としての多層基板を示している。該多層基板３１は、アルミナ等のセラミックス材料や各種の樹脂材料等からなる２層の絶縁層３１Ａ，３１Ｂと導電性の金属薄膜からなる１層の電極層３１Ｃとを積層することによって形成されている。また、電極層３１Ｃは、絶縁層３１Ａ，３１Ｂ間に挟持されると共に、外部のグランドに接続されたグランド電極となっている。そして、多層基板３１の表面側には、主線路１９および分岐線路２１が設けられると共に、終端抵抗、負性抵抗回路（いずれも図示せず）が設けられている。【００８３】
３２は多層基板３１に凹陥されたキャビティを示している。該キャビティ３２は、分岐線路２１の先端部２１Ａ近傍に位置して多層基板３１の表面側に設けられている。また、キャビティ３２は、多層基板３１のうち表面側の絶縁層３１Ａを貫通すると共に、その底面には電極層３１Ｃが露出している。【００８４】
そして、キャビティ３２内には、共振器１０が収容されると共に、共振器１０の表面に設けられた結合電極１７はボンディングワイヤ２２を用いて分岐線路２１の先端部２１Ａに接続されている。また、共振器１０の裏面側に設けられたグランド電極１３は、導電性接着剤、半田等を用いて電極層３１Ｃに接合されている。これにより、共振器１０のグランド電極１３は、電極層３１Ｃを介して外部のグランドに接続されている。【００８５】
かくして、本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様な作用効果を得ることができる。特に、本実施の形態では、共振器１０は多層基板３１に凹陥されたキャビティ３２内に設ける構成としたから、発振回路全体を低背化することができる。また、キャビティ３２内に多層基板３１の電極層３１Ｃを露出させることができるから、該電極層３１Ｃをグランドに接続することによって、主線路１９のグランドと共振器１０のグランドとを共通化することができ、安定した接地を得ることができる。また、グランド用のビアホールを削減することができるから、製造コストを低減することができる。【００８６】
次に、図１１および図１２は本発明による第３の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、分岐線路を多層基板の内部に位置する電極層に形成したことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【００８７】
４１は回路基板としての多層基板を示している。該多層基板４１は、アルミナ等のセラミックス材料や各種の樹脂材料等からなる３層の絶縁層４１Ａ〜４１Ｃと導電性の金属薄膜からなる２層の電極層４１Ｄ，４１Ｅとを積層することによって形成されている。このとき、電極層４１Ｄは、表面側の絶縁層４１Ａと中間の絶縁層４１Ｂとの間に挟持されると共に、後述の分岐線路４３が形成されている。一方、電極層４１Ｅは、中間の絶縁層４１Ｂと裏面側の絶縁層４１Ｃとの間に挟持されると共に、外部のグランドに接続されたグランド電極となっている。そして、多層基板４１の表面側には、グランド電極４２、主線路１９が設けられると共に、終端抵抗、負性抵抗回路（いずれも図示せず）が設けられている。また、グランド電極４２は、ビアホール４２Ａを通じて電極層４１Ｅに接続されている。【００８８】
４３は多層基板４１の内部に埋設された分岐線路を示している。該分岐線路４３は、多層基板４１の電極層４１Ｄに形成されたストリップ線路によって構成され、その基端側が主線路１９の途中位置と対向してビアホール４３Ａを通じて接続されると共に、先端側が共振器１０の近傍位置まで延びている。このとき、多層基板４１の表面には、ボンディングパッドをなす先端電極部４４が設けられている。そして、分岐線路４３の先端側は、ビアホール４３Ｂを通じて先端電極部４４に接続されると共に、先端電極部４４は、ボンディングワイヤ２２を用いて共振器１０側の結合電極１７に接続されている。【００８９】
かくして、本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。特に、本実施の形態では、分岐線路４３を多層基板４１の内部に位置する電極層４１Ｄに形成したから、分岐線路４３中の高周波信号の実効波長を短縮することができる。このため、例えば分岐線路４３を多層基板４１の表面に形成した場合に比べて、分岐線路４３の長さ寸法を短縮することができ、発振回路全体を小型化することができる。【００９０】
次に、図１３は本発明による第４の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、回路基板には共振器を覆いグランドに接続されたシールドケースを設け、該シールドケースは回路基板との間に共振器の共振周波数よりも高い遮断周波数となるシールド空間を画成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【００９１】
５１は本実施の形態による回路基板を示している。該回路基板５１は、第１の実施の形態による回路基板２とほぼ同様に絶縁性樹脂材料等を用いて形成されている。また、回路基板５１の表面には、主線路１９、分岐線路２１等が形成されると共に、分岐線路２１の先端部２１Ａの近傍に位置して外部のグランドに接続されたグランド電極５２が形成されている。そして、グランド電極５２上には、共振器１０が設けられると共に、後述のシールドケース５３が接合されている。【００９２】
５３は回路基板５１の表面に設けられ例えば導電性金属材料からなるシールドケースを示している。該シールドケース５３は、略四角形状の天板部５３Ａと、該天板部５３Ａの左，右両辺にそれぞれ設けられた側面部５３Ｂとによって断面略コ字状に形成されている。また、シールドケース５３は、共振器１０を覆った（跨いだ）状態で回路基板５１に取付けられると共に、２つの側面部５３Ｂは、導電性接着剤、半田等を用いてグランド電極５２に接合されている。【００９３】
そして、シールドケース５３は、シールドケース５３と回路基板５１との間に共振器１０の共振周波数よりも高い遮断周波数をもったシールド空間５４を画成するように、その断面形状（天板部５３Ａの左，右方向の長さ寸法、側面部５３Ｂの高さ寸法等）が設定されている。これにより、シールドケース５３は、共振器１０の共振周波数の近傍帯域で空洞共振しないように、回路基板５１のグランド電極５２と一緒に遮断導波管を構成している。このとき、シールドケース５３で生じる共振周波数は、共振器１０の共振周波数よりも高い値に設定されている。【００９４】
なお、発振回路全体は、シールドケース５３とは別途設けられた金属ケース等（図示せず）を用いて覆われるものである。【００９５】
かくして、本実施の形態でも、第１の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。特に、本実施の形態では、回路基板５１には共振器１０を覆うシールドケース５３を設けたから、例えばシールドケース５３の天板部５３Ａを共振器１０の共振電極１２に近付けることによって、共振器１０の共振周波数を高くすることができる。このため、シールドケース５３の形状等に応じて共振周波数を変化させることができ、発振回路の発振周波数を容易に調整することができる。また、シールドケース５３は回路基板５１との間に共振器１０の共振周波数よりも高い遮断周波数をもったシールド空間５４を画成するから、共振器１０からの放射を低減することができ、発振回路の動作安定性を高めることができる。【００９６】
次に、図１４ないし図１６は本発明による第５の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、回路基板には共振器を覆いグランドに接続されたシールドケースを設けると共に、該シールドケースは共振器と一緒にボンディングワイヤを取囲む構成としたことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【００９７】
６１は回路基板としての多層基板を示している。該多層基板６１は、アルミナ等のセラミックス材料や各種の樹脂材料等からなる３層の絶縁層６１Ａ〜６１Ｃと導電性の金属薄膜からなる２層の電極層６１Ｄ，６１Ｅとを積層することによって形成されている。このとき、電極層６１Ｄは、表面側の絶縁層６１Ａと中間の絶縁層６１Ｂとの間に挟持されると共に、後述の分岐線路６３が形成されている。一方、電極層６１Ｅは、中間の絶縁層６１Ｂと裏面側の絶縁層６１Ｃとの間に挟持されると共に、外部のグランドに接続されたグランド電極となっている。そして、多層基板６１の表面側には、主線路１９が設けられると共に、終端抵抗、負性抵抗回路（いずれも図示せず）が設けられている。【００９８】
６２は多層基板６１の表面に設けられたグランド電極を示している。該グランド電極６２は、後述する分岐線路６３の先端電極部６４を取囲んで形成されると共に、複数のビアホール６２Ａを介してグランド電極となった電極層６１Ｅに接続されている。これにより、グランド電極６２は、電極層６１Ｅを通じて外部のグランドに接続されている。そして、グランド電極６２上には、共振器１０が設けられると共に、後述のシールドケース６５が接合されている。【００９９】
なお、複数のビアホール６２Ａのうち隣合うもの同士の間隔寸法は、例えば共振器１０の共振周波数に対応した多層基板６１内での実効波長λgに対して半分（λg／２）未満の値に設定されている。【０１００】
６３は多層基板６１の内部に埋設された分岐線路を示している。該分岐線路６３は、多層基板６１の電極層６１Ｄに形成されたストリップ線路によって構成され、その基端側が主線路１９の途中位置と対向してビアホール６３Ａを通じて接続されると共に、先端側が共振器１０の近傍位置まで延びている。このとき、多層基板６１の表面には、ボンディングパッドをなす先端電極部６４が設けられている。そして、分岐線路６３の先端側はビアホール６３Ｂを通じて先端電極部６４に接続されると共に、先端電極部６４は、ボンディングワイヤ２２を用いて共振器１０側の結合電極１７に接続されている。【０１０１】
６５は多層基板６１の表面に設けられ例えば導電性金属材料からなるシールドケースを示している。該シールドケース６５は、略四角形状の天板部６５Ａと、該天板部６５Ａの４辺にそれぞれ設けられた側面部６５Ｂとによって先端側（底面側）が開口した略箱形状に形成されている。また、シールドケース６５は、共振器１０およびボンディングワイヤ２２等を取囲んだ状態で多層基板６１に取付けられると共に、４つの側面部６５Ｂは、導電性接着剤、半田等を用いてグランド電極６２に接合されている。そして、シールドケース６５は、多層基板６１との間にシールド空間６６を画成している。【０１０２】
かくして、本実施の形態でも、第１，第３の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。特に、本実施の形態では、シールドケース６５は共振器１０と一緒にボンディングワイヤ２２を取囲む箱形状に形成したから、共振器１０およびボンディングワイヤ２２から信号が放射されたときでも、該放射信号をシールド空間６６内に保持することができる。このため、共振器１０等からの放射信号が周囲の回路に混入することがなくなり、当該回路の特性に対する影響を回避することができる。この結果、多層基板６１には共振回路９、負性抵抗回路に加えて他の回路（例えば駆動用の回路、フィルタ回路等）を高密度に配置することができ、発振回路全体を小型化することができる。【０１０３】
次に、図１７は本発明の第６の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、本発明の高周波発振回路を用いて送受信装置としてのレーダ装置を構成したことにある。なお、本実施の形態では前記第１の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。【０１０４】
７１はレーダ装置を示している。該レーダ装置７１は、第１ないし第５の実施の形態のうちいずれかに記載の高周波発振回路１と、該発振回路１に増幅器７２、サーキュレータ７３、帯域通過フィルタ７４を介して接続されたアンテナ装置７５と、該アンテナ装置７５から受信した信号を中間周波信号ＩＦにダウンコンバートするためにサーキュレータ７３に接続されたミキサ７６とによって概略構成されている。また、増幅器７２とサーキュレータ７３との間には方向性結合器７７が接続して設けられ、この方向性結合器７７によって電力分配された信号は、ミキサ７６にローカル信号として入力される。【０１０５】
本実施の形態によるレーダ装置７１は上述の如き構成を有するもので、発振回路１から出力された高周波信号は増幅器７２によって増幅され、方向性結合器７７、サーキュレータ７３および帯域通過フィルタ７４を経由して、送信信号としてアンテナ装置７５から送信される。一方、アンテナ装置７５から受信された受信信号はサーキュレータ７３を通じてミキサ７６に入力されると共に、方向性結合器７７によるローカル信号を用いてダウンコンバートされ、中間周波信号ＩＦとして出力される。【０１０６】
かくして、本実施の形態によれば、高周波発振回路１を用いてレーダ装置７１を構成したから、発振回路１の位相雑音を小さくして、発振回路１の動作を安定化させることができ、レーダ装置７１全体の特性を安定化させることができる。また、発振回路１は、例えば小型で簡略な構造のマイクロストリップ共振器や既存設備で実現可能なボンディングワイヤ等を用いて構成することができるから、装置全体を小型化することができると共に、発振回路１およびレーダ装置７１の製造コストを低減することができる。【０１０７】
なお、前記第６の実施の形態では、レーダ装置７１に本発明による発振回路１を適用するものとしたが、送受信装置として例えば通信装置に適用してもよい。【０１０８】
また、前記各実施の形態では、λg／２型のマイクロストリップ線路からなる共振電極１２を用いる構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば１波長λgの１／４の長さをもつλg／４型のマイクロストリップ線路からなる共振電極を用いる構成としてもよい。この場合、λg／４型のマイクロストリップ線路は、長さ方向両端のうち一方を接地した短絡端とし、他方を開放端とすると共に、開放端を結合電極の近傍に配置するものである。【０１０９】
また、前記各実施の形態では、負性抵抗回路３の能動素子としてＦＥＴ４を用いるものとしたが、例えばヘテロジャンクションバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を用いる構成としてもよい。また、これら能動素子（ＦＥＴ、ＨＢＴ等）の実装方法は、フリップチップ実装、半田実装、ワイヤを用いた実装等の各種の方法が適用できるものである。【０１１０】
さらに、前記第４，第５の実施の形態では、シールドケース５３，６５を導電性金属材料を用いて形成するものとしたが、樹脂材料からなる絶縁性の箱体等に対して導電性材料からなる被膜（金属メッキ等）を設けることによってシールドケースを形成してもよい。【０１１１】
また、前記各実施の形態では、共振器１０と結合電極１７との間は、容量結合するものとした。しかし、本発明は、これに限らず、例えば、共振器と結合電極との間は直接結合、磁界結合等の他の結合方法を用いて結合する構成としてもよい。
【図１】
2006033204.tif 000004
【図２】
2006033204.tif 000005
【図３】
2006033204.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006033204.tif 000010
【図８】
2006033204.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2006033204.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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