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　特願２０１０−１９２６９５「半導体保持装置及びこれを備えた半導体接合装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月　８日出願公開，特開２０１２−　４９４７０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年８月３０日の出願であって，平成２６年２月５日付けで拒絶の理由が通知され，同年４月１日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月２３日付けで拒絶査定がされ，平成２７年１月２８日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２８年１月１２日付けで当審から拒絶の理由を通知し，同年３月２２日に意見書が提出されたものである。
　
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項１ないし５に係る発明は，平成２７年１月２８日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　半導体素子を保持する保持部と，該保持部の周囲に設けられるとともに下方に向かうに従い漸次前記保持部の内側に傾斜する傾斜面を有するフードと，該フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔とを備えるとともに，
　前記フードの傾斜面と前記保持部の前記吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°とされており，
　前記保持部と，前記保持部で保持した半導体素子を接合する基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで前記不活性ガスを供給したときに，前記保持部と前記基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されるように構成されていることを特徴とする半導体保持装置。」
　
第３　当審拒絶理由通知の概要
　平成２８年１月１２日付けで当審から通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由通知」という。）の概要は，次のとおりである。
「１　本件出願は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第４項第１号，第６項第１号，第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　記 
・理由　１ 
 　 
・備考 
　＜途中省略＞
（２）特許法第３６条第６項第１号について 
ア　平成２６年４月１日に出願人が提出した意見書には，
「なお，この手続補正書において，手続補正１，手続補正２，手続補正３の
補正は
本願の当初明細書の段落番号００３１の記載
第５図の図示に基づいて行った
「また，このとき，本願発明１（及び本願発明２）では，『半導体素子を保持する保持部の周囲に設けられ，下方に向かうに従い漸次保持部の内側に傾斜するフードの傾斜面に向けて，吹き出し孔から不活性ガスを吹き出す構成』，すなわち，
本願の第１図や第２図，第６図〜第１１図等のフードや吹き出し孔の形状や配置を採用すれば，本願の第５図に示した通りに『保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給したとき，保持部と基板の間が５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境となるように構成』することができる
　言い換えれば，『半導体素子を保持する保持部の周囲に設けられ，下方に向かうに従い漸次保持部の内側に傾斜するフードの傾斜面に向けて，吹き出し孔から不活性ガスを吹き出す構成』を採用すれば，引用文献１に何ら記載も示唆もされていない構成，作用効果を実現することができるのであります。
　なお，本願発明１においては，『半導体素子を保持する保持部の周囲に設けられ，下方に向かうに従い漸次保持部の内側に傾斜するフードの傾斜面に向けて，吹き出し孔から不活性ガスを吹き出す構成』を備えていることで，
本願の第５図に示す通り
実証されている
  
イ　そうすると，請求項１の「前記保持部と，前記保持部で保持した半導体素子を接合する基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで前記不活性ガスを供給したときに，前記保持部と前記基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されるように構成されている」との規定は，本願の当初明細書の【００３１】の記載，及び，図５を根拠とするものであり，かつ，当該図５によって示される，「本願の第５図に示した通りに『保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給したとき，保持部と基板の間が５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境となるように構成』することができる」という効果は，「本願の第１図や第２図，第６図〜第１１図等のフードや吹き出し孔の形状や配置を採用すれば」という条件の下で初めて成り立つことが理解できる。
  
ウ　そこで，発明の詳細な説明の記載を検討すると，発明の詳細な説明には，図５について，以下の記載がある。
「【００２４】 
　本実施形態の半導体接合装置Ａは，
図１及び図２に示す
半導体素子（半導体の個片，半導体チップ）１を吸着保持する半導体保持装置Ｂ
【００２５】 
　また，
半導体保持装置Ｂは，搭載ヘッド（不図視）に吸着あるいは他の方法で保持されるフード付コレットであり，半導体素子１を吸着保持する保持部３と，この保持部３の周囲に設けられるとともに下方に向かうに従い漸次保持部３の内側に傾斜する傾斜面４ａを有するフード（庇，庇構造）４と，保持部３の内側を向くフード４の傾斜面４ａに向けて不活性ガス５を吹き出す吹き出し孔６とを備えて形成されている
【００２６】 
　
保持部３は，その中央部に，半導体素子１を吸着固定するための真空孔（吸気孔）７を備えたフラット部８が設けられている。また，このフラット部８の周囲に，フラット部８に対し凹設された掘り込み溝９を備える掘り込み部１０が形成されている。そして，この掘り込み溝９が形成された外周側部分（掘り込み部１０）に，保持部３の搭載ヘッド（不図示）に固定する一面３ａから掘り込み溝９の他面３ｂに開口（貫通）して吹き出し孔６が形成されている
【００２７】 
　一方，フード４は，窒化アルミニウム，金属あるいは樹脂で形成されるとともに，保持部３の外周縁に接続した後端から先端に向かうに従い漸次下方に，且つ漸次保持部３の内側に向かうように傾斜して形成されている。なお，
フード４は，その傾斜面４ａと掘り込み部１０の他面３ｂの交角θが４０〜５０°となるように形成されている
【００２８】 
　さらに，本実施形態において，
フード４は，傾斜面４ａが吹き出し孔６の直下に延設され，保持部３の他面３ｂを内包するように形成されている。また，このフード４は，保持部３のフラット部８で半導体素子１を保持した状態において，その先端が半導体素子１の実装面（接合部１１）よりも上方に位置するように形成されている
【００２９】 
　このように構成した本実施形態の半導体保持装置Ｂ及び半導体接合装置Ａにおいては，
半導体保持装置Ｂが半導体素子１上に移動するとともに真空孔７を真空吸引することで，半導体素子１がフラット部８に吸着固定される
【００３０】 
　
そして
半導体保持装置Ｂが基板２の所定位置に移動するとともに，半導体素子１が基板２上（基板２に塗布した接着剤や半田を設けた接続配線上）に接するように下降した段階で，制御装置で制御した不活性ガス源から吹き出し孔６に不活性ガス５が供給され，この不活性ガス５が吹き出し孔６から噴出する
【００３１】 
　
このとき
本実施形態の半導体保持装置Ｂにおいては，保持部３の外周側にフード４が設けられ，また，フード４の傾斜面４ａに向けて不活性ガス５が吹き出すように吹き出し孔６が形成されている
このため
図３及び図４に示すように，噴出した不活性ガス５がフード４の傾斜面４ａに当たり，フード４で囲まれた掘り込み溝９を通じ，フード４に案内されて，半導体素子１と基板２の間に向けて不活性ガス５が流れてゆく。これにより，図５の酸素濃度測定結果のように，半導体素子１と基板２の接合部１１の周囲が不活性ガス５で満たされ，半導体素子１の全域にわたって均一な低酸素濃度の環境が形成される
  
エ　すなわち，発明の詳細な説明には，「図１及び図２に示すよう」な，
「半導体素子１を吸着保持する保持部３と，この保持部３の周囲に設けられるとともに下方に向かうに従い漸次保持部３の内側に傾斜する傾斜面４ａを有するフード（庇，庇構造）４と，保持部３の内側を向くフード４の傾斜面４ａに向けて不活性ガス５を吹き出す吹き出し孔６とを備えて形成されている」「半導体保持装置Ｂ」であって，
　保持部３は，その中央部に，半導体素子１を吸着固定するための真空孔（吸気孔）７を備えたフラット部８」と，「このフラット部８の周囲に，フラット部８に対し凹設された掘り込み溝９を備える掘り込み部１０」と，「この掘り込み溝９が形成された外周側部分（掘り込み部１０）に，保持部３の搭載ヘッド（不図示）に固定する一面３ａから掘り込み溝９の他面３ｂに開口（貫通）して吹き出し孔６」とを備えるものであり，
　「傾斜面４ａが吹き出し孔６の直下に延設され，保持部３の他面３ｂを内包するように形成され」，「保持部３のフラット部８で半導体素子１を保持した状態において，その先端が半導体素子１の実装面（接合部１１）よりも上方に位置するように形成されている」，「傾斜面４ａと掘り込み部１０の他面３ｂの交角θが４０〜５０°となるように形成され」た「フード４」を備えた「半導体保持装置Ｂ」が，
　フラット部８に，半導体素子１を吸着固定し，半導体素子１が基板２上（基板２に塗布した接着剤や半田を設けた接続配線上）に接するように下降した段階で，制御装置で制御した不活性ガス源から吹き出し孔６に不活性ガス５が供給され，この不活性ガス５が吹き出し孔６から噴出するときに，噴出した不活性ガス５がフード４の傾斜面４ａに当たり，フード４で囲まれた掘り込み溝９を通じ，フード４に案内されて，半導体素子１と基板２の間に向けて不活性ガス５が流れてゆくことにより，
　図５の酸素濃度測定結果のように，半導体素子１と基板２の接合部１１の周囲が不活性ガス５で満たされ，半導体素子１の全域にわたって均一な低酸素濃度の環境が形成されることが記載されていることが理解される。
  
オ　そうすると，発明の詳細な説明の記載からは，上記エに記載される特定の構造（形状や配置）を有する半導体保持装置において，図５に示されるような効果が奏されることを認め得たとしても，これ以外の構造，例えば，「半導体素子を吸着するフラット部」「を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された」，「吹き出し孔が」「開口して備えられている」「掘り込み部」を備えていないような半導体保持装置，すなわち，図１，図２に示されるようなフラット部８，フード４の形状及び吹き出し孔６の配置を備えていない半導体保持装置においてまでも，図５に示される効果を奏するとまでは認めることはできない。
 　 
カ　すなわち，出願時の技術常識に照らしても，請求項１に係る発明の範囲まで，発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとは認められない。
　したがって，特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものであるとは認められない。」
　
第４　当審の判断
１　本願発明１の構成
　本願の特許請求の範囲の請求項１（以下「本願請求項１」という。）の記載によれば，本願発明１の「保持部」について，本願請求項１には，「半導体素子を保持する」こと，及び「フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔」が形成された面があることが，それぞれ発明特定事項として記載されているだけで，その他の発明特定事項は記載されていない。
　また，本願の特許請求の範囲の請求項２には，本願発明１の「保持部」について，更に，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられている」との発明特定事項が記載されている。
　そうすると，本願請求項１の記載より，本願発明１は，「半導体素子を保持する保持部」であって，「フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔」が形成された面を有し，その他の構成は任意である「保持部」を備えた「半導体保持装置」において，「前記フードの傾斜面と前記保持部の前記吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°とされており，前記保持部と，前記保持部で保持した半導体素子を接合する基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで前記不活性ガスを供給したときに，前記保持部と前記基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されるように構成され」た「半導体保持装置」を包含すると認められる。
　すなわち，本願発明１は，上記「保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有し，「前記フードの傾斜面と前記保持部の前記吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°とされており，前記保持部と，前記保持部で保持した半導体素子を接合する基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで前記不活性ガスを供給したときに，前記保持部と前記基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されるように」された「半導体保持装置」と，上記「保持部」が上記の「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有しておらず，「前記フードの傾斜面と前記保持部の前記吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°とされており，前記保持部と，前記保持部で保持した半導体素子を接合する基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで前記不活性ガスを供給したときに，前記保持部と前記基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されるように」された「半導体保持装置」の両方を包含すると認められる。
２　「発明の詳細な説明」の記載
　他方，本願明細書の発明の詳細な説明には，本願発明１において，発明が解決しようとする課題，フードの傾斜面と保持部の吹き出し孔が形成された面との交角，及び，所定の条件下で保持部と基板の間に形成される酸素濃度の環境について，以下の（１）ないし（４）の記載がある。
（１）発明が解決しようとする課題について
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　しかしながら，上記
従来の半導体接合装置においては
保持した半導体素子の側面に対し，不活性ガスを斜方に吹き付けるように構成されているため，不活性ガスの流れが妨げられて接合部に低酸素濃度の環境を作り出せないおそれがあった
（２）フードの傾斜面と保持部の吹き出し孔が形成された面との交角について
「【００２４】 
　
本実施形態の半導体接合装置Ａ
図１及び図２に示す
基板２を保持する基板保持部
を備えて構成されている
【００２５】 
　また，
半導体保持装置Ｂは
半導体素子１を吸着保持する保持部３と
この保持部３の周囲に設けられるとともに下方に向かうに従い漸次保持部３の内側に傾斜する傾斜面４ａを有するフード（庇，庇構造）４
を備えて形成されている
【００２６】 
　
保持部３は
半導体素子１を吸着固定するための
フラット部８が設けられている
このフラット部８の周囲に，フラット部８に対し凹設された掘り込み溝９を備える掘り込み部１０が形成されている
この掘り込み溝９が形成された外周側部分（掘り込み部１０）に，保持部３の搭載ヘッド（不図示）に固定する一面３ａから掘り込み溝９の他面３ｂに開口（貫通）して吹き出し孔６が形成されている
【００２７】 
　一方，フード４は，窒化アルミニウム，金属あるいは樹脂で形成されるとともに，保持部３の外周縁に接続した後端から先端に向かうに従い漸次下方に，且つ漸次保持部３の内側に向かうように傾斜して形成されている。そして，
フード４は
その傾斜面４ａ
掘り込み部１０の他面（保持部３の吹き出し孔６が形成された面）３ｂ
交角θが４０〜５０°となるように形成されていることが望ましい
（３）所定の条件下で保持部と基板の間に形成される酸素濃度の環境について
「【００３１】 
　このとき，
本実施形態の半導体保持装置Ｂにおいては
噴出した不活性ガス５がフード４の傾斜面４ａに当たり
フード４で囲まれた掘り込み溝９を通じ
フード４に案内されて
半導体素子１と基板２の間に向けて不活性ガス５が流れてゆく
これにより
図５の酸素濃度測定結果のように，保持部３と基板２との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガス５を供給するようにした場合であっても
保持部３と基板２の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成される
半導体素子１と基板２の接合部１１の周囲が不活性ガス５で満たされ，半導体素子１の全域にわたって均一な低酸素濃度の環境が形成される
（４）本願に係る発明の変形例について
「【００４２】
　すなわち，図６や図７に示すように不活性ガス５の流入口径よりも流出口径（吹き出し溝８に開口する噴出口径）を大きくしたり，逆に流入口径よりも流出口径を小さくして吹き出し孔６が形成されていてもよい。そして，この場合には，流入口径と流出口径をそれぞれ適宜設定することで，吹き出し孔６から噴出する不活性ガス５の流量，流速を調節でき，半導体素子１の接合部１１に低酸素濃度の環境を確実に作り出して好適に接合を行うことが可能になる。
【００４３】
　また，図８に示すように，保持部３の一面３ａから他面３ｂに向けて斜めに貫設するように吹き出し孔６を形成してもよい。この場合には，吹き出し孔６から不活性ガス５がフード４の傾斜面４ａに当たることで，半導体素子１の接合部１１は勿論，半導体素子１の周囲を確実に低酸素濃度の環境にすることが可能になる。
【００４４】
　さらに，図９，図１０，図１１に示すように，吹き出し部１０の吹き出し孔６から外周側の他面３ｂ部分とフード４の保持部３（フラット部８）側を向く面４ａとの間の隙間Ｈを埋めるようにしてもよい。この場合には，吹き出し孔６から噴出した不活性ガス５がこの隙間Ｈで回旋することをなくすることができ，流入径路上での不活性ガス５の流速の減衰を少なく抑えることが可能になる。このため，低酸素濃度の環境にするまでの時間を短縮することができる。また，製作の容易性が向上し，安価に半導体保持装置Ｂを製造することが可能になる。」
・また，本願の図面の図６ないし図１１には，いずれも，半導体素子を保持する保持部が，半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられている構成を有する本発明の一実施形態に係る半導体保持装置（半導体接合装置）の変形例を示す断面図が記載されている。
３　判断
ア　上記２より本願明細書の発明の詳細な説明には，「半導体素子を保持する保持部」であって，「フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔」が形成された面を有する「保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有する「半導体保持装置」において，フードの傾斜面と掘り込み部の他面（保持部の吹き出し孔が形成された面）の交角が４０〜５０°となるように形成する（【００２６】，【００２７】）ことで，図３及び図４に示すように，噴出した不活性ガスがフードの傾斜面に当たり，フードで囲まれた掘り込み溝を通じ，フードに案内されて，半導体素子と基板の間に向けて不活性ガスが流れ，これにより，図５の酸素濃度測定結果のように，保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給するようにした場合であっても，保持部と基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成される，すなわち，半導体素子と基板の接合部の周囲が不活性ガスで満たされ，半導体素子の全域にわたって均一な低酸素濃度の環境が形成される（【００３１】，図３ないし図５）ことが記載されていると認められる。
　さらに，上記２より，本願明細書の発明の詳細な説明における，本願に係る発明の一実施形態に係る半導体保持装置の変形例（【００４２】ないし【００４４】，図６ないし１１）においても，専ら，上記「保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有する半導体保持装置における，吹き出し孔の形状及び向き，並びにフードの保持部側を向く面と保持部の他面との隙間の埋め込みの変形例が記載されていると認められる。
イ　これに対し，「半導体素子を保持する保持部」が「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられている」との構成を有していない半導体保持装置，例えば，「半導体素子を保持する保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに
前記フラット部と同一の平面をなす外周部
前記吹き出し孔が前記外周部に開口
ウ　しかしながら，このような，「フラット部と同一の平面をなす外周部」の表面と，前記フードの先端縁部とによって画定される開口から，前記外周部が含まれる平面の表面に沿って不活性ガスが噴出し，前記半導体素子の側面に直接吹き付ける構成を備えた半導体保持装置においては，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたような，噴出した不活性ガスがフードの傾斜面に当たり，フードで囲まれた掘り込み溝を通じ，フードに案内されて，半導体素子と基板の間に向けて不活性ガスが流れることにはならず，前記「フラット部と同一の平面をなす外周部」の表面と，前記フードの先端縁部とによって画定される開口から噴出した不活性ガスは，保持した半導体素子の側面に対し，直接吹き付けることから，当該半導体素子によって前記不活性ガスの流れが妨げられて，接合部に低酸素濃度の環境を作り出せないおそれがあることは，当該技術分野における技術常識，及び，本願明細書の発明の詳細な説明の【０００８】等の記載に照らせば明らかであるから，半導体素子を保持する保持部と，該保持部の周囲に設けられるとともに下方に向かうに従い漸次前記保持部の内側に傾斜する傾斜面を有するフードと，該フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔とを備えた半導体保持装置において，フードの傾斜面と保持部の吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°となるように形成することで，図５の酸素濃度測定結果のように，保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給するようにした場合であっても，保持部と基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成される，すなわち，半導体素子と基板の接合部の周囲が不活性ガスで満たされ，半導体素子の全域にわたって均一な低酸素濃度の環境が形成されるとは認められない。
エ　そうすると，本願明細書の発明の詳細な説明には，「半導体素子を保持する保持部」であって，「フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔」が形成された面を有する「保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有する「半導体保持装置」において，フードの傾斜面と掘り込み部の他面（保持部の吹き出し孔が形成された面）の交角が４０〜５０°となるように形成することで，図５の酸素濃度測定結果のように，保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給するようにした場合であっても，保持部と基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されることが記載されていると認められるにとどまり，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願明細書の発明の詳細な説明には，上記「保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」との構成を有していない「半導体保持装置」において，フードの傾斜面と保持部の吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°となるように形成することで，図５の酸素濃度測定結果のように，保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給するようにした場合であっても，保持部と基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されることが記載されているとは認められない。
オ　上記１のとおり，本願発明１は，「半導体素子を保持する保持部」であって，「フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔」が形成された面を有すること以外の構成は任意である「保持部」を備えた「半導体保持装置」において，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有しておらず，「前記フードの傾斜面と前記保持部の前記吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°とされており，前記保持部と，前記保持部で保持した半導体素子を接合する基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで前記不活性ガスを供給したときに，前記保持部と前記基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されるように」された「半導体保持装置」を包含すると認められる。
　他方，上記アないしオのとおり，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願明細書の発明の詳細な説明には，「半導体素子を保持する保持部」であって，「フードの前記保持部の内側を向く前記傾斜面に向けて不活性ガスを吹き出す吹き出し孔」が形成された面を有する「保持部」が，「半導体素子を吸着するフラット部と，該フラット部を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された掘り込み部とを備え，前記吹き出し孔が前記掘り込み部に開口して備えられ」たとの構成を有していない「半導体保持装置」において，フードの傾斜面と保持部の吹き出し孔が形成された面との交角が４０〜５０°となるように形成することで，図５の酸素濃度測定結果のように，保持部と基板との距離を３０μｍとし，０．０７５ＭＰａで不活性ガスを供給するようにした場合であっても，保持部と基板の間に５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境が形成されることが記載されているとは認められない。
　そうすると，本願発明１は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものとは認められず，本願発明１は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明の範囲を超えるものと認められる。
カ　以上から，本願の特許請求の範囲の請求項１は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合するとはいえない。
４　請求人の主張について
　請求人は，平成２８年３月２２日に提出した意見書において，次のように主張する。
「特許法第７０条の規定の通り，図面は，特許発明の技術的範囲を特定するために参酌するためのものなのであるから，平成２６年４月１日付け意見書における『本願の当初明細書の段落番号００３１の記載，第５図の図示に基づいて』，『本願の第１図や第２図，第６図〜第１１図等のフードや吹き出し孔の形状や配置を採用すれば』，『本願の第５図に示す通り，・・・・実証されている』の記載は，当然に，『『例えば，』本願の当初明細書の段落番号００３１の記載，第５図の図示に基づいて』，『『例えば，』本願の第１図や第２図，第６図〜第１１図等のフードや吹き出し孔の形状や配置を採用すれば』，『『例えば，』本願の第５図に示す通り，・・・・実証されている』の意であります。
　言い換えれば，当然に，『図１に記載されたフード４の角度が０．１°異なっていたら』，『保持部３，フラット部８の相対的な厚さが図１と厳密的に異なっていたら』，本願発明の作用効果が得られないというものではないのであって，『請求項１は，本願の当初明細書の段落番号００３１の記載，及び，図５を根拠とするものであり，かつ，図５によって示される『５０ｐｐｍ以下の低酸素濃度の環境となるように構成することができる』という効果は，『本願の第１図や第２図，第６図〜第１１図等のフードや吹き出し孔の形状や配置を採用すれば』という条件の下で初めて成り立つことが理解できる。』とすること自体に，あまりに無理があり過ぎると言わざるを得ません。」
　しかし，請求人の前記の主張を採用することはできない。その理由は以下のとおりである。
　すなわち，当審拒絶理由通知の趣旨は，「発明の詳細な説明の記載からは，上記エに記載される特定の構造（形状や配置）を有する半導体保持装置において，図５に示されるような効果が奏されることを認め得たとしても，これ以外の構造，例えば，『半導体素子を吸着するフラット部』『を取り囲むように設けられるとともに前記フラット部に対し凹設された』，『吹き出し孔が』『開口して備えられている』『掘り込み部』を備えていないような半導体保持装置，すなわち，図１，図２に示されるようなフラット部８，フード４の形状及び吹き出し孔６の配置を備えていない半導体保持装置においてまでも，図５に示される効果を奏するとまでは認めることはできない。
・・・すなわち，出願時の技術常識に照らしても，請求項１に係る発明の範囲まで，発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとは認められない。」（当審拒絶理由通知１（２）オ及びカ）というものであって，請求人の主張するような「『図１に記載されたフード４の角度が０．１°異なっていたら』，『保持部３，フラット部８の相対的な厚さが図１と厳密的に異なっていたら』，本願発明の作用効果が得られない」というものではないから，前記請求人の主張はその前提を欠くものである。
　そして，前記３のとおり，本願請求項１に係る発明が本願明細書の発明の詳細な説明に記載された発明とは認められない。
第５　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものではないから，本願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。