【事件の表示】
　特願２０１０−５３８３３８「レーザー光源及び該レーザー光源の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　２日国際公開、ＷＯ２００９／０８００１２、平成２３年　３月　３日国内公表、特表２０１１−５０７２８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年１２月１７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年１２月２１日、２００８年３月６日、独国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２０年１２月１７日　国際出願
　平成２３年１０月３１日　手続補正書
　平成２４年　５月２８日　手続補正書
　平成２５年　３月　４日　拒絶理由通知（平成２５年　３月　６日発送）
　平成２５年　７月　５日　意見書・手続補正書
　平成２５年１１月１３日　拒絶理由通知（平成２５年１１月１８日発送）
　平成２６年　５月１５日　意見書・手続補正書
　平成２６年１０月　７日　拒絶査定（平成２６年１０月１４日送達）
　平成２７年　２月１３日　本件審判請求・手続補正書
第２　平成２７年２月１３日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年２月１３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の概略
（１）　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３４とする補正であり、補正前の特許請求の範囲の請求項１と、補正後の特許請求の範囲の請求項１は、それぞれ以下のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】
　半導体層列（１０）と、
　フィルタ構造部（５）とを含み、
　前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している、レーザー光源であって、
　前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを生成し、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記フィルタ構造部（５）は、活性領域から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰し、
　前記フィルタ構造部（５）は、放射方向（９０）で見て半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含み、
　コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有し、
　少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有し、前記第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、さらに、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であり、それによって前記第１のフィルタ素子（６）は、コヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、インコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されていることを特徴とするレーザー光源。」
（補正後）
「【請求項１】
　半導体層列（１０）と、
　フィルタ構造部（５）とを含み、
　前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している、レーザー光源であって、
　前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを同時に生成し、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記フィルタ構造部（５）は、前記活性領域（４５）から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰し、
　前記フィルタ構造部（５）は、前記放射方向（９０）で見て前記半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含み、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有し、前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、かつ、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であり、それによって前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、前記第１ないし第２の部分領域（１２１，１２２）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されていることを特徴とするレーザー光源。」
（２）　補正事項の整理
　本件補正の、請求項１についての補正は、次の事項を含むものである。
ア　補正事項１
　補正前の請求項１に、「前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを生成し」とあったものを、
　補正後の請求項１に、「前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを同時に生成し」とすること。
イ　補正事項２
　補正前の請求項１に、「それによって前記第１のフィルタ素子（６）は、コヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、インコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されている」とあったものを、
　補正後の請求項１に、「それによって前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、前記第１ないし第２の部分領域（１２１，１２２）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されている」とすること。
（３）　新規事項の追加の有無についての検討
　補正事項２が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
ア　当初明細書等には、補正事項２により追加された「第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、前記第１ないし第２の部分領域（１２１，１２２）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性である」ことに関連すると認められるものして、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
「【００５４】
　少なくとも１つの第１のフィルタ素子はさらに電磁ビームに対し強度依存性の透過性を有し得る。既に前述したようにコヒーレントな第１の電磁ビームは、インコヒーレントな第２の電磁ビームの第２の強度よりも大きい第１の強度を有し得る。このことは、第１のフィルタ素子が第２の強度と同じかそれ以上の強度を有する電磁ビームに対して非透過的になることを意味する。しかしながら第１のフィルタ素子は、第１の強度と同じ強度の電磁ビームに対しては透過的であってもよい。それにより、
第１のフィルタ素子はコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過的であるが、インコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては透過的ではなくなる。
【００５５】
　・・・
【００５９】
　バンドギャップがコヒーレントな第１の電磁ビーム及び／又はインコヒーレントな第２の電磁ビームのエネルギーよりも小さいことによって、コヒーレントな第１の電磁ビーム及び／又はインコヒーレントな第２の電磁ビームは、半導体材料内で誘起された電子状態においてコヒーレントな第１の電磁ビームないしはインコヒーレントな第２の電磁ビームの吸収によって生成され得る。有利には励起された電子状態の逆励起ないしは下方遷移の際には半導体材料において再び自由なエネルギーが熱、格子振動として出力される。
【００６０】
　電子状態の励起に結びつく吸収によって、コヒーレントな第１の電磁ビーム及び／又はインコヒーレントな第２の電磁ビームは、減衰される。半導体材料に対して照射される強度に依存して、励起された電子状態の寿命は半導体材料において限界強度のもとで１つの状態が達成される。すなわち半導体材料が入射した電磁ビームを引き続き吸収できない状態である。それにより半導体材料はここで透過的となる。この半導体材料の特性は飽和特性とも称する。
【００６１】
　
この場合透過的な状態は特に半導体材料に入射する局所的な強度に依存し得る。このことは、第１のフィルタ素子が少なくとも１つの第１のフィルタ領域において透過的であり、入射する電磁ビームの強度が、透過的状態を引き起こすのに十分であり、限界強度以上であることを意味する。同時に第１のフィルタ素子は第２のフィルタ領域において、入射する電磁ビームの強度が限界強度以下にあり、まだ吸収的でそれ故当該領域においては非透過的であるか少なくとも完全には透過的でない。
【００６２】
　それ故に限界強度は、半導体材料の選択によって設定される。すなわち第２の強度が限界強度よりもまだ小さく、それによって第１のフィルタ素子２は、ビーム出力結合面の第２の部分領域を介して非透過的である。この限界強度は第１の強度よりも小さい。そのため第１のフィルタ素子は、ビーム出力結合面の第１の部分領域を介して透過であり、コヒーレントな第１の電磁ビームは第１のフィルタ素子によって放射され得る。」
イ　補正事項２について
（ア）　上記アの【００５４】によれば、当初明細書等には、「第１のフィルタ素子は・・・インコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては透過的ではなくなる」ことは記載されているが、第１のフィルタ素子のどの領域におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対して透過性でなくなるのかは、記載されていない。
（イ）　上記アの【００６１】によれば、当初明細書等には、「透過的な状態は特に半導体材料に入射する局所的な強度に依存し」、「第１のフィルタ素子・・・の第１のフィルタ領域において・・・入射する電磁ビームの強度が・・・限界強度以上で」、「第１のフィルタ素子・・・の第１のフィルタ領域において透過的であり」、「第１のフィルタ素子は第２のフィルタ領域において、入射する電磁ビームの強度が限界強度以下」で、「第１のフィルタ素子は第２のフィルタ領域において、・・・非透過的である」ことが記載されている。
　してみれば、第１のフィルタ素子の第１のフィルタ領域に、第１の電磁ビームと第２の電磁ビームとが同時に入射し、これらの電磁ビームの強度が限界強度以上である場合には、第１のフィルタ素子の第１のフィルタ領域は、第１の電磁ビームと第２の電磁ビームに対して透過的になるものと認められる。
（ウ）　上記（ア）及び（イ）から、当初明細書等には、「第１のフィルタ素子（６）」が、「前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性」であるとともに、「前記第１・・・の部分領域（１２１・・・）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性である」ことを示唆するような記載はない。
（エ）　審判請求人は、平成２７年７月２４日付けファクシミリにおいて、第１のフィルタ素子（６）の動作原理について、以下のように説明している（当審注：下線は、当審が付与した。）。
「したがって、大きな面積を占める第２の部分領域（１２２）から放射されるインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は第１のフィルタ素子（６）によってブロックされます。一方、狭い第１の部分領域（１２１）から放射されるコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１のフィルタ素子（６）によってブロックされません。もちろん、
狭い第１の部分領域（１２１）からもインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）が放射されます
　しかしながら、上記ファクシミリには、第１のフィルタ素子（６）の動作原理として、第１の部分領域（１２１）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）に対して透過性であることは説明されているものの、「前記第１・・・の部分領域（１２１・・・）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性である」ことについては、説明されていない。
（オ）　以上によれば、「第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、前記第１ないし第２の部分領域（１２１，１２２）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性である」ことが、当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとも認められない。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、「新たな技術的事項を導入しないもの」に該当しないから、当初明細書等の記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものではない。
２　本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
［付言］
　なお、以下に検討するとおり、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであり、受け入れる余地はない。
１　本願補正発明
　本願補正発明は、平成２７年２月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されている次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】
　半導体層列（１０）と、
　フィルタ構造部（５）とを含み、
　前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している、レーザー光源であって、
　前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを同時に生成し、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記フィルタ構造部（５）は、前記活性領域（４５）から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰し、
　前記フィルタ構造部（５）は、前記放射方向（９０）で見て前記半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含み、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有し、前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、かつ、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であり、それによって前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、前記第１ないし第２の部分領域（１２１，１２２）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されていることを特徴とするレーザー光源。」
　なお、請求項１には、「前記第１・・・の部分領域（１２１・・・）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性である」と記載されているが、上記［理由］１（３）イから、第１の部分領域（１２１）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームの「すべて」に対して非透過性になることはないから、第１の部分領域（１２１）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームの「一部」に対して非透過性になることを意味するものに認定する。
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭５５−４３８８４号公報（昭和５５年３月２７日公開。以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「
光放出面である少なくとも一つの面にレーザ発振開始前に発生する自然放出光を吸収する為に形成された光の可飽和吸収層を有してなることを特徴とする半導体発光装置。
イ　「本発明は、閾値電流での自然放出光を殆んど零となし、光のオン・オフ比が大である半導体発光装置を得られるようにするものであり、以下これを詳細に説明する。
　第２図は本発明一実施例の要部側断面図である。
　
図に於いて、１は基板、２はクラッド層、３は活性層、４はクラッド層、５はキャップ層、６．７は金属電極、８は可飽和吸収層をそれぞれ示す。
　本実施例に於いて最大の特徴とするところは、
半導体レーザに於ける光を放出すべき劈開面の少なくとも一面に可飽和吸収層８を形成した
閾値以前の光出力を全て可飽和吸収層８で吸収させ、
自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ、
半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると吸収層８に依る光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる。
　ところで
可飽和吸収層８の材料としては
光を吸収する半導体材料を使用することもできる
ウ　本発明の一実施例の要部側断面図を示す第２図は、次のものである。
（２）　引用発明１
ア　上記（１）イの記載に照らして、上記（１）ウの第２図を見ると、
金属電極６と、基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５と、金属電極７とが順に積層され、基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５に於ける光を放出すべき劈開面に可飽和吸収層８を形成し
イ　以上より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「光放出面である少なくとも一つの面にレーザ発振開始前に発生する自然放出光を吸収する為に形成された光の可飽和吸収層を有してなり、
　金属電極６と、基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５と、金属電極７とが順に積層され、
　基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５に於ける光を放出すべき劈開面に可飽和吸収層８を形成し、
　閾値以前の光出力を全て可飽和吸収層８で吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ、
　半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると吸収層８に依る光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになり、
　可飽和吸収層８の材料としては光を吸収する半導体材料を使用することもできる、
　半導体発光装置。」
３　対比
（１）　本願補正発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「『基板１』と、『クラッド層２』と、『活性層３』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」は、半導体からなる層といえるから、本願補正発明の「半導体層列（１０）」に相当する。
イ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、本願補正発明の「フィルタ構造部（５）」に相当する。
ウ　引用発明１の「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５」は、「光を放出すべき劈開面」を備えることと、
　本願補正発明の「前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している」こととを対比する。
　引用発明１の「活性層３」の「レーザ」を生成する領域は、本願補正発明の「活性領域（４５）」に相当する。
　引用発明１の「光を放出すべき劈開面」は、本願補正発明の「ビーム出力結合面（１２）」に相当する。
　引用発明１の「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」は、本願補正発明の「第１の部分領域（１２１）」に相当する。
　引用発明１の「『基板１』と、『クラッド層２』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」の「光を放出すべき劈開面」は、本願補正発明の「該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）」に相当する。
　してみれば、両者は相当関係にある。
エ　引用発明１の「半導体発光装置」は、「レーザ発振」するものであるから、本願補正発明の「レーザー光源」に相当する。
オ　引用発明１の「可飽和吸収層８」と、本願補正発明の「放射方向（９０）で見て半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含」む「前記フィルタ構造部（５）」とを対比する。
　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「光を放出すべき劈開面」に形成された「光を吸収する半導体材料」を含むものであり、「光を放出すべき劈開面」は、放射方向で見て「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５」の後方の面といえるから、両者は相当関係にある。
カ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前の光出力を全て・・・吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ、半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると・・・光吸収は飽和する」ことと、
　本願補正発明の「前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有」することとを対比する。
　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「光出力が立上ると・・・光吸収は飽和する」特性を有するので、両者は相当関係にある。
（２）　以上より、本願補正発明と引用発明１との一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「半導体層列（１０）と、
　フィルタ構造部（５）とを含み、
　前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している、レーザー光源であって、
　前記フィルタ構造部（５）は、前記放射方向（９０）で見て前記半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含み、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有する、
　レーザー光源。」
　相違点１：
　本願補正発明は、
　「前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを同時に生成し、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり」、
　「前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有」するのに対し、
　引用発明１は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点２：
　本願補正発明は、
　「前記フィルタ構造部（５）は、前記活性領域（４５）から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰し」、
　「前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、かつ、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であり、それによって前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）におけるコヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、前記第１ないし第２の部分領域（１２１，１２２）におけるインコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されている」のに対し、
　引用発明１は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
４　判断
（１）　本願の最先の優先日時点における技術常識について
ア　技術常識１
　半導体レーザは、電流が閾値以下のときには自然放出光を放出し、電流が閾値以上のときには自然放出光とともにレーザ光（誘導放出光）を放出し、レーザ光はスペクトル幅が狭いコヒーレントな光であり、自然放出光はスペクトル幅が広いインコヒーレントな光であるとともに、自然放出光の波長範囲はレーザ光の波長範囲を含み、レーザ光の光出力は閾値以上で増大し、自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になることは、本願の最先の優先日時点における技術常識（以下「技術常識１」という。必要ならば、以下の公知文献１〜３参照。）である。
（ア）　公知文献１
　本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭５７−１１３６４３号公報（昭和５７年７月１５日公開。以下「公知文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
　「第３図は半導体レーザの入力電流対光出力を示す。
その出力特性は良く知られている様に、閾値を持ち、閾値以下では自然放出光状態である。スペクトルは通常数百Å以上に及ぶ。入力電流を増してゆくと自然放出光は増大し、閾値で飽和する。
レーザ発振光は閾値以上でほぼ線形に出力を増大する。第４図は発振状態でのスペクトルを示し、飽和した自然放出光の上に２０Å程度の狭い発振線スペクトルが重畳されている状態を表わしている。
（イ）　公知文献２
　本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６１−１７２３８８号公報（昭和６１年８月４日公開。以下「公知文献２」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
　「本実施例の電極ストライプ形半導体レーザ素子の発光出力には、自然放出発光成分と誘導放出発光成分がある。
誘導放出成分はレーザ発振の閾値を超えると急激に増加するが、自然放出光成分は、注入電流が閾値電流以上では反転状態にある注入キャリア濃度が一定に保たれるため、光出力の自然放出光成分は一定となり得る。
（ウ）　公知文献３
　本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−１３５８８５号公報（平成１３年５月１８日公開。以下「公知文献３」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
　「【０００２】
【従来の技術】・・・
半導体レーザは、電流が発振しきい値に達してレーザ発振が起こるまでに、自然放出光を発生する。自然放出光はレーザ光と違ってスペクトル幅が広いインコヒーレントな光で、レーザ光に混じることは望ましくない。通常半導体レーザでは、電流が発振しきい値に達してレーザ発振が起こってからは、自然放出光はほぼしきい値での値で飽和する
イ　技術常識２
　半導体レーザにおいて、レーザ光（誘導放出光）が活性層の出射端面から放出されることは、本願の最先の優先日時点における技術常識（以下「技術常識２−１」という。必要ならば、以下の公知文献４参照。）である。
　また、半導体レーザにおいて、自然放出光は活性層からあらゆる方向に放出されるとともに、基板、クラッド層、コンタクト層に吸収されないことは周知（必要ならば、以下の公知文献４〜５参照。）であるから、半導体レーザにおいて、自然放出光は、活性層の出射端面から放出されるとともに、基板、クラッド層、コンタクト層の出射端面からも放出されることは、本願の最先の優先日時点における技術常識（以下「技術常識２−２」という。）といえる。
（ア）　公知文献４
　本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−６８７８４号公報（平成１３年３月１６日公開。以下「公知文献４」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ａ　「【０００４】窒化物半導体レーザ装置に限らず、半導体レーザ装置のｐ側電極及びｎ側電極に対して、しきい値電流を超える電流を注入すると、注入された電流から生じる電子及び正孔の再結合による放出光が活性層に強く閉じ込められることにより増幅され発振し、
レーザ光として活性層の出射端面から出射される。
ｂ　「【００４９】前述したように、窒化物半導体レーザ装置１Ａのｐ側電極２１及びｎ側電極１４に対して電流を注入すると、活性層１７からは、しきい値電流を超える電流が注入されている場合であっても、
レーザ発振に寄与しない自然放出光が周囲に放出され続ける。
発振波長が４１０ｎｍ程度の放出光は、サファイアからなる基板１１、ＡｌＧａＮからなるｎ型及びｐ型クラッド層１６，１８並びにＧａＮからなるｎ型及びｐ型コンタクト層１３，１９に対していずれも透明であるため、活性層１７の周囲のすべての方向にわたって放出される。
（イ）　公知文献５
　本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１９８０６５号公報（平成１５年７月１１日公開。以下「公知文献５」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ａ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記レーザ素子における窒化物半導体層１０２〜１０７およびＳｉＣ基板１０１は、発振波長に対してほとんど透明であって、レーザ発振時に発生する自然放出光の吸収が少ない。
レーザ素子の出射端面からレーザ光と共に出射する自然放出光の割合が高い。
ｂ　「【００２０】
レーザ発振の際には共振せずに活性層１６からあらゆる方向に出る自然放出光も生じる
ウ　技術常識３
　半導体からなる可飽和吸収体が、入射光の光強度の増加に対し光吸収係数が減少するものであり、狭いスペクトラムを持つ信号光と、波長スペクトラムが広く拡がっている雑音となる自然放出光とが、可飽和吸収体に入射すると、吸収飽和が生じる波長域は自然放出光スペクトラムに比べ狭いので、可飽和吸収体が自然放出光に対し波長フィルタとして働き雑音抑圧効果があることは、本願の最先の優先日時点における技術常識（以下「技術常識３」という。必要ならば、以下の公知文献６参照。）である。
（ア）　公知文献６
　本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６４−７５８８号公報（昭和６４年１月１１日公開。以下「公知文献６」という。）には、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
　「第２図は本発明に用いる可飽和吸収体の機能を説明するための図である。
可飽和吸収体は第２図（ａ）の特性線に示すように入射光の光強度の増加に対し光吸収係数が減少するような媒質である。このような現象は
半導体等で見られる。
光パルス入力がある所謂“１”レベルでは光信号により雑音光に対しても可飽和吸収体の光透過率が大きくなってくる。しかし信号光に比べ雑音となる自然放出光は波長スペクトラムが広く拡がっている。可飽和吸収体は狭いスペクトラムを持つ信号光により可飽和吸収性を生じるから、吸収飽和が生じる波長域も自然放出光スペクトラムに比べ通常狭い。従って“１”レベルの光信号に対しても、可飽和吸収体が自然放出光に対し波長フィルタとして働くので、雑音抑圧効果がある。
（２）　相違点１について検討する。
ア　引用発明１は、「レーザ発振」する「半導体発光装置」であるところ、上記（１）アの技術常識１を踏まえると、「電流が閾値以上のときには自然放出光とともにレーザ光（誘導放出光）を放出し」、「レーザ光はスペクトル幅が狭いコヒーレントな光であり、自然放出光はスペクトル幅が広いインコヒーレントな光であるとともに、自然放出光の波長範囲はレーザ光の波長範囲を含」むものといえる。
　してみれば、引用発明１は、「活性層３」の「レーザ」を生成する領域から、「電流が閾値以上のときに」、「スペクトル幅が狭いコヒーレントな光」である「レーザ光」と、「スペクトル幅が広いインコヒーレントな光である」「自然放出光」とを同時に放出し、「自然放出光の波長範囲はレーザ光の波長範囲を含」むものであるから、本願補正発明の「前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを同時に生成し」、「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んで」いる構成を備えているものといえる。
イ　引用発明１は、「レーザ発振」する「半導体発光装置」であるところ、上記（１）イの技術常識２−１、技術常識２−２を踏まえると、「レーザ光（誘導放出光）が活性層の出射端面から放出され」、「自然放出光は、活性層の出射端面から放出されるとともに、基板、クラッド層、コンタクト層の出射端面からも放出される」ものといえる。
　してみれば、引用発明１は、「レーザ光」が、「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」から放射方向に沿って放出され、「自然放出光」が、「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」と「『基板１』と、『クラッド層２』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」の「光を放出すべき劈開面」から放出されるものであるから、本願補正発明の「前記・・・第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され」、「前記・・・第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され」る構成を備えているものといえる。
ウ　引用発明１は、「閾値以前の光出力を全て可飽和吸収層８で吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ」、「半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると吸収層８に依る光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる」ものであるから、「自然放出光」の「閾値以前の光出力」は、レーザ光の「光出力」よりも小さいといえる。
　さらに、上記４（１）アの技術常識１によれば、「レーザ光の光出力は閾値以上で増大し、自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になる」ものであるから、引用発明１において、「自然放出光」の「閾値以上」のときの「光出力」は、レーザ光の「光出力」よりも小さいといえる。
　してみれば、引用発明１は、「自然放出光」が「レーザ光の光出力」よりも小さい「光出力」を有するものであり、本願補正発明の「前記・・・第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、前記・・・第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有」する構成を備えているものといえる。
エ　以上より、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
（３）　相違点２について検討する。
ア　上記（１）イの技術常識２−２によれば、「自然放出光は、活性層の出射端面から放出されるとともに、基板、クラッド層、コンタクト層の出射端面からも放出される」ところ、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５に於ける光を放出すべき劈開面」に形成されている。
　してみれば、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５に於ける光を放出すべき劈開面」から放出された「自然放出光」を放射方向に沿って吸収するものであり、引用発明１は、本願補正発明の「前記フィルタ構造部（５）は、前記・・・第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰」する構成を備えているものといえる。
イ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前の光出力を全て・・・で吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ」、「半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると・・・光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる」ものであるから、「自然放出光」の「閾値以前の光出力」と同じ「光出力」を有する光に対して非透過性であり、「光出力が立上」ったレーザ光の「光出力」と同じ「光出力」に対して透過性であるといえる。
　さらに、上記（１）アの技術常識１によれば、「レーザ光の光出力は閾値以上で増大し、自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になる」ものであるから、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「自然放出光」の「閾値以上」のときの「光出力」と同じ「光出力」を有する光に対して非透過性であり、「光出力が立上」ったレーザ光の「光出力」と同じかそれ以上の「光出力」に対して透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願補正発明の「前記・・・第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、かつ、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であ」る構成を備えているものといえる。
ウ　上記（１）イの技術常識２−１によれば、「レーザ光（誘導放出光）が活性層の出力端面から放出される」ところ、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると・・・光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる」ものであるから、「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」から放出される「レーザ光」に対して透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願補正発明の「前記・・・第１のフィルタ素子（６）は、前記第１の部分領域（１２１）における・・・第１の電磁ビームに対しては透過性」である構成を備えているものといえる。
エ　上記（１）イの技術常識２−２によれば、「自然放出光は、・・・基板、クラッド層、コンタクト層の出射端面からも放出される」ところ、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前の光出力を全て・・・吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ」るものであるから、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前」のときに、「『基板１』と、『クラッド層２』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」の「光を放出すべき劈開面」から放出される「自然放出光」に対して非透過性であるといえる。
　さらに、上記（１）アの技術常識１によれば、「自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になる」ものであるから、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「電流が閾値以上のときに」、「『基板１』と、『クラッド層２』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」の「光を放出すべき劈開面」から放出される「自然放出光」に対して非透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願補正発明の「前記・・・第１のフィルタ素子（６）は、・・・前記・・・第２の部分領域（・・・１２２）における・・・第２の電磁ビームに対しては非透過性である」構成を備えているものといえる。
オ　上記（１）ウの技術常識３によれば、「半導体からなる可飽和吸収体が、・・・狭いスペクトラムを持つ信号光と、波長スペクトラムが広く拡がっている雑音となる自然放出光とが、可飽和吸収体に入射すると、吸収飽和が生じる波長域は自然放出光スペクトラムに比べ狭いので、可飽和吸収体が自然放出光に対し波長フィルタとして働き雑音抑圧効果がある」ところ、引用発明１の「可飽和吸収層８」は「半導体材料を使用する」ものであるから、「狭いスペクトラムを持つ信号光と、波長スペクトラムが広く拡がっている雑音となる自然放出光」を入射すると、「自然放出光に対し波長フィルタとして働」くものといえる。
　また、上記（１）アの技術常識１によれば、「電流が閾値以上のときには自然放出光とともにレーザ光（誘導放出光）を放出し、レーザ光はスペクトル幅が狭いコヒーレントな光であり、自然放出光はスペクトル幅が広いインコヒーレントな光である」から、引用発明１の「可飽和吸収層８」に、「スペクトル幅が狭いコヒーレントな光」である「レーザ光」と、「スペクトル幅が広いインコヒーレントな光である」「自然放出光」を入射すると、「可飽和吸収層８」は「自然放出光に対し波長フィルタとして働」くものといえる。
　さらに、上記（１）イの技術常識２−１、技術常識２−２を踏まえると、引用発明１の「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」から、「レーザ光」と「自然放出光」が放出され、「可飽和吸収層８」は、「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」から放出される「自然放出光に対し波長フィルタとして働」き、「自然放出光」の「一部」に対して非透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願補正発明の「前記・・・第１のフィルタ素子（６）は、・・・前記第１・・・の部分領域（１２１・・・）における・・・第２の電磁ビームに対しては非透過性である」構成を備えているものといえる。
カ　以上より、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
５　付言のむすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用文献１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものである。　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年２月１３日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年５月１５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３４に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体層列（１０）と、
　フィルタ構造部（５）とを含み、
　前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している、レーザー光源であって、
　前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを生成し、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり、
　前記フィルタ構造部（５）は、活性領域から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰し、
　前記フィルタ構造部（５）は、放射方向（９０）で見て半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含み、
　コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有し、
　少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有し、前記第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、さらに、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であり、それによって前記第１のフィルタ素子（６）は、コヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、インコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されていることを特徴とするレーザー光源。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項、及び引用発明１は、上記第２の［付言］２に記載したとおりである。
３　対比
（１）　本願発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「『基板１』と、『クラッド層２』と、『活性層３』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」は、半導体からなる層といえるから、本願発明の「半導体層列（１０）」に相当する。
イ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、本願発明の「フィルタ構造部（５）」に相当する。
ウ　引用発明１の「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５」は、「光を放出すべき劈開面」を備えることと、
　本願発明の「前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している」こととを対比する。
　引用発明１の「活性層３」の「レーザ」を生成する領域は、本願発明の「活性領域（４５）」に相当する。
　引用発明１の「光を放出すべき劈開面」は、本願発明の「ビーム出力結合面（１２）」に相当する。
　引用発明１の「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」は、本願発明の「第１の部分領域（１２１）」に相当する。
　引用発明１の「『基板１』と、『クラッド層２』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」の「光を放出すべき劈開面」は、本願発明の「該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）」に相当する。
　してみれば、両者は相当関係にある。
エ　引用発明１の「半導体発光装置」は、「レーザ発振」するものであるから、本願発明の「レーザー光源」に相当する。
オ　引用発明１の「可飽和吸収層８」と、本願発明の「放射方向（９０）で見て半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含」む「前記フィルタ構造部（５）」とを対比する。
　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「光を放出すべき劈開面」に形成された「光を吸収する半導体材料」を含むものであり、「光を放出すべき劈開面」は、放射方向で見て「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５」の後方の面といえるから、両者は相当関係にある。
カ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前の光出力を全て・・・吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ、半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると・・・光吸収は飽和する」ことと、
　本願発明の「前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有」することとを対比する。
　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「光出力が立上ると・・・光吸収は飽和する」特性を有するので、両者は相当関係にある。
（２）　以上より、本願発明と引用発明１との一致点及び一応の相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「半導体層列（１０）と、
　フィルタ構造部（５）とを含み、
　前記半導体層列（１０）は、活性領域（４５）とビーム出力結合面（１２）を備え、前記ビーム出力結合面（１２）は第１の部分領域（１２１）と、該第１の部分領域とは異なる第２の部分領域（１２２）を有している、レーザー光源であって、
　前記フィルタ構造部（５）は、放射方向（９０）で見て半導体層列（１０）の後方に配置された少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）を含み、
　少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）は、電磁波ビームに対する強度依存性の透過性（６１）を有し、
　前記少なくとも１つの第１のフィルタ素子（６）の電磁ビームに対する透過性（６１）は、飽和特性を有する、
　レーザー光源。」
　相違点３：
　本願発明は、
「前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを生成し、
　前記コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され、
　前記インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され、
　前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んでおり」、
「コヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、インコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有」するのに対し、
　引用発明１は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点４：
　本願発明は、
　「前記フィルタ構造部（５）は、活性領域から放射されたインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰し」、
　「前記第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、さらに、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であり、それによって前記第１のフィルタ素子（６）は、コヒーレントな第１の電磁ビームに対しては透過性だが、インコヒーレントな第２の電磁ビームに対しては非透過性であるように構成されている」のに対し、
　引用発明１は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
５　判断
（１）　本願の最先の優先日時点における技術常識について
　本願の最先の優先日時点における技術常識は、上記第２の［付言］４（１）に記載したとおりである。
（２）　相違点３について検討する。
ア　引用発明１は、「レーザ発振」する「半導体発光装置」であるところ、上記第２の［付言］４（１）アの技術常識１を踏まえると、「電流が閾値以上のときには自然放出光とともにレーザ光（誘導放出光）を放出し」、「レーザ光はスペクトル幅が狭いコヒーレントな光であり、自然放出光はスペクトル幅が広いインコヒーレントな光であるとともに、自然放出光の波長範囲はレーザ光の波長範囲を含」むものといえる。
　してみれば、引用発明１は、「活性層３」の「レーザ」を生成する領域から、「電流が閾値以上のときに」、「スペクトル幅が狭いコヒーレントな光」である「レーザ光」と、「スペクトル幅が広いインコヒーレントな光である」「自然放出光」とを放出し、「自然放出光の波長範囲はレーザ光の波長範囲を含」むものであるから、本願発明の「前記活性領域（４５）は、作動モード中に、第１の波長領域のコヒーレントな第１の電磁ビーム（５１）と、第２の波長領域のインコヒーレントな第２の電磁ビーム（５２）とを生成し」、「前記第２の波長領域は第１の波長領域を含んで」いる構成を備えているものといえる。
イ　引用発明１は、「レーザ発振」する「半導体発光装置」であるところ、上記第２の［付言］４（１）イの技術常識２−１、技術常識２−２を踏まえると、「レーザ光（誘導放出光）が活性層の出射端面から放出され」、「自然放出光は、活性層の出射端面から放出されるとともに、基板、クラッド層、コンタクト層の出射端面からも放出される」ものといえる。
　してみれば、引用発明１は、「レーザ光」が、「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」から放射方向に沿って放出され、「自然放出光」が、「活性層３」の「光を放出すべき劈開面」と「『基板１』と、『クラッド層２』と、『クラッド層４』と、『キャップ層５』」の「光を放出すべき劈開面」から放出されるものであるから、本願発明の「前記・・・第１の電磁ビーム（５１）は、第１の部分領域（１２１）から放射方向（９０）に沿って放射され」、「前記・・・第２の電磁ビーム（５２）は、第１の部分領域（１２１）と第２の部分領域（１２２）から放射され」る構成を備えているものといえる。
ウ　引用発明１は、「閾値以前の光出力を全て可飽和吸収層８で吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ」、「半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると吸収層８に依る光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる」ものであるから、「自然放出光」の「閾値以前の光出力」は、レーザ光の「光出力」よりも小さいといえる。
　さらに、上記第２の［付言］４（１）アの技術常識１によれば、「レーザ光の光出力は閾値以上で増大し、自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になる」ものであるから、引用発明１において、「自然放出光」の「閾値以上」のときの「光出力」は、レーザ光の「光出力」よりも小さいといえる。
　してみれば、引用発明１は、「自然放出光」が「レーザ光の光出力」よりも小さい「光出力」を有するものであり、本願発明の「第１の電磁ビーム（５１）は第１の強度を有し、・・・第２の電磁ビーム（５２）は、第１の強度よりも小さい第２の強度を有」する構成を備えているものといえる。
エ　以上より、上記相違点３は実質的な相違点ではない。
（３）　相違点４について検討する。
ア　上記第２の［付言］４（１）イの技術常識２−２によれば、「自然放出光は、活性層の出射端面から放出されるとともに、基板、クラッド層、コンタクト層の出射端面からも放出される」ところ、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５に於ける光を放出すべき劈開面」に形成されている。
　してみれば、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「基板１と、クラッド層２と、活性層３と、クラッド層４と、キャップ層５に於ける光を放出すべき劈開面」から放出された「自然放出光」を放射方向に沿って吸収するものであり、引用発明１は、本願発明の「前記フィルタ構造部（５）は、・・・第２の電磁ビーム（５２）を放射方向（９０）に沿って少なくとも部分的に減衰」する構成を備えているものといえる。
イ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前の光出力を全て・・・で吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ」、「半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると・・・光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる」ものであるから、「自然放出光」の「閾値以前の光出力」と同じ「光出力」を有する光に対して非透過性であり、「光出力が立上」ったレーザ光の「光出力」と同じ「光出力」に対して透過性であるといえる。
　さらに、上記第２の［付言］４（１）アの技術常識１によれば、「レーザ光の光出力は閾値以上で増大し、自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になる」ものであるから、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「自然放出光」の「閾値以上」のときの「光出力」と同じ「光出力」を有する光に対して非透過性であり、「光出力が立上」ったレーザ光の「光出力」と同じかそれ以上の「光出力」に対して透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願発明の「前記第１のフィルタ素子（６）は、第２の強度と同じ強度を有する電磁波ビームに対して非透過性であり、さらに、第１の強度と同じかそれ以上の強度に対しては透過性であ」る構成を備えているものといえる。
ウ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「半導体レーザが発振開始して光出力が立上ると・・・光吸収は飽和するので、光は外部に放出されるようになる」ものであるから、「レーザ光」に対して透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願発明の「前記第１のフィルタ素子（６）は、・・・第１の電磁ビームに対しては透過性」である構成を備えているものといえる。
エ　引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前の光出力を全て・・・吸収させ、自然放出光Ｌ１を殆んど零に近い値にすることができ」るものであるから、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「閾値以前」のときに、「自然放出光」に対して非透過性であるといえる。
　さらに、上記第２の［付言］４（１）アの技術常識１によれば、「自然放出光の光出力は閾値で飽和して一定になる」ものであるから、引用発明１の「可飽和吸収層８」は、「電流が閾値以上のときに」、「自然放出光」に対して非透過性であるといえる。
　してみれば、引用発明１は、本願発明の「前記第１のフィルタ素子（６）は、・・・第２の電磁ビームに対しては非透過性である」構成を備えているものといえる。
オ　以上より、上記相違点４は実質的な相違点ではない。
６　小括
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明である。
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。