【事件の表示】
　特願２０１２−５５０４２０「９９ｍＴｃ反応生成物を製造するための方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月　４日国際公開、ＷＯ２０１１／０９２１７４、平成２５年　５月２０日国内公表、特表２０１３−５１８２６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２０１１年１月２６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２０１０年２月１日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２６日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたが、平成２６年６月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月３１日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年１１月１４日付けの手続補正書で請求書の理由が補正されたものである。
　
２　本願発明
　平成２５年１１月２６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「以下のステップ：
−　照射する１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）を用意するステップ、
−　１００Ｍｏ（ｐ，２ｎ）９９ｍＴｃ核反応を誘発するエネルギーを有する陽子ビーム（１３）を１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）に照射するステップ、
−　１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）を、３００℃超の温度に加熱するステップ、
−　１００Ｍｏ金属ターゲット上を経由させ、昇華抽出プロセスで９９ｍＴｃ−酸化テクネチウムを形成する酸素ガスを利用する前記プロセスにおいて、１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）中に作製された９９ｍＴｃを得るステップ
を含む、９９ｍＴｃを含有する反応生成物を製造するための方法。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特表平１０−５０４６８１号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
ア　「
テクネチウム９９ｍを製造する
標的材料
モリブデン１００と
陽子ビーム
　使用において、外壁に不活性コーティング４３を備えたモリブデン１００製の管状標的４０の各端部に弁付きシールを設ける。
照射期間中又は照射後、
塩素その他の反応性ガス
を弁付きシールを介し導管４１を通して低圧で循環させることができ
塩素は管状標的４０の内壁に形成されたテクネチウムと優先的に反応して揮発性テクネチウム物質を生成し、この物質は循環する塩素により担持されて弁付きシールを通って流出し、標的４０から遠く離れた冷却フィンガ４５内で凝縮され、収集され
（・・・途中省略・・・）
　この別の構成によれば、体積に対する大きな表面積率を有するモリブデン１００の極めて多孔性の形状を使用することができ、これは、緩めにパックされ、部分的に焼結された粉末の形又はウールの形をしている。このような形の標的材料では、テクネチウム９９ｍが揮発できるまでにテクネチウム９９ｍが拡散しなければならない距離は最小化される。これは、テクネチウム９９ｍの揮発率を増大させ及び（又は）揮発を生じさせるに必要な温度を減少させる。更に、標的材料と冷却ガスとの間の（ヘリウムその他の不活性ガスでの標的材料の冷却が必要であり陽子ビームが入射する）接触面積が最大となる。また、
冷却ガスはハロゲン、Ｈ
2
Ｏ、Ｏ
2
その他の物質の如き反応性化合物のためのキャリヤガスとして使用することができ
　標的材料の代わりの化学形態を使用することにより、99mＴｃ（テクネチウム９９ｍ）は99mＴｃ2Ｏ7の形態よりも一層低い温度で揮発できる。サイクロトロンの
標的から
99m
Ｔｃ
2
Ｏ
7
を揮発させるためには、標的材料は生産能力を最大化するために大きな割合のモリブデンを含むべきであり、大きな表面積を有するべきであり、好ましくは、揮発した
99m
Ｔｃ
2
Ｏ
7
をキャリヤガス流内に解放できる
（・・・途中省略・・・）
　チタン／モリブデン化物のゲルは可能性のある適当な標的材料の一例であるが、この場合は、48Ｖ及び49Ｖ副産物も生成される。この材料は無定形で大きな表面積の形状として形成でき、ＴｉＯ．ＭｏＯ4．ｘＨ2Ｏの近似化学式を有するチタン／モリブデン亜水和物として示される。これは98Ｍｏ（ｎ，）99Ｍｏ昇華発生器のための有効な標的材料であることが知られている。また、
揮発性
99m
Ｔｃ
2
Ｏ
7
ガスは３８５℃又はそれ以上の温度でこの標的材料から自由に昇華する
　99mＴｃの製造のための可能性のある標的材料は幅広く選択することができ、チタン／モリブデン化物は必ずしも最適の条件を与えるとは限らない。例えば、約６５０−７５０℃以上の温度で99mＴｃ2Ｏ7を解放することが知られている三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）は望ましくない副産物を生成させずにｐ，２ｎ反応のための標的として使用することができる。上述のように、適当な特性を有するいくつかの他の混合した複合酸化物又は他の化合物が存在する。
　混合した元素標的においては、好ましくは、標的材料の２５％以上を高濃縮モリブデン１００とすることができる。ｐ，２ｎルートによりこのような標的から99mＭｏを製造する生産高(yield)は１８−１０ＭｅＶの範囲において１時間当り約２．５Ｃｉ／μＡであり、これは１００％純度の100Ｍｏ金属について計算された生産高の１／４である。１８−１０ＭｅＶエネルギ範囲は局部的な99mＴｃの製造にとって興味のあるＰＥＴサイクロトロンに対する代表的な例である。しかし、本発明はＰＥＴ機械（サイクロトロン）に限定されず、一層高いエネルギの機械により一層大なる生産高を得ることができる。
（・・・途中省略・・・）
　これらの３つの例の各々は、１００ｍｍ×１００ｍｍの面積が入射する陽子ビームに対して提供されることを意味する。走査磁石及び四極(quadrupoles)の如きビームシェーピング素子により制御できるこの寸法はサイクロトロンから引き出された典型的な陽子ビームによる照射にとって便利なものである。
　モリブデンは酸素又は空気の如き酸化性ガスの存在により高温で反応するので、標的は高真空で極めて低い分圧の酸化性ガスを含む室４４内に装着され、標的材料の急激な酸化及び揮発を生じさせずに、フォイル標的組立体が高温で作動できるようにする。
　標的から放射される熱の最適化を図らなければ、衝撃中に蒸発により標的材料の多量の損失が生じる。この効果は放射エネルギ損失に利用できる標的の露出表面を増大させることにより減少できるが、露出表面の増大は、ビームにより衝撃を受けるフォイル標的４０′の数を増やし、ビームの方向に関してフォイルを角度θで傾斜させ、標的全体にわたって同じ合計エネルギ降下を維持するように個々のフォイル標的４０′の厚さを減少させることにより、達成される。特に、フォイル厚さを減少させた場合は、フォイル４０′の表面にディンプルや波形を形成することにより、一層大なる機械的強度及び剛性を標的に与えることができる。」（１４頁最下行〜１９頁最下行）
　
イ　引用発明
　上記アによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「標的材料をモリブデン１００とし、陽子ビームを照射して、テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）を形成し、前記形成された99mＴｃを収集する、99mＴｃを製造する方法であって、
　前記陽子ビームの照射期間中又は照射後、塩素その他の反応性ガスを弁付きシールを介し導管４１を通して低圧で循環させることができ、塩素は管状標的４０の内壁に形成されたテクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）と優先的に反応して揮発性テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）物質を生成し、この物質は循環する塩素により担持されて弁付きシールを通って流出し、標的４０から遠く離れた冷却フィンガ４５内で凝縮され、収集し、
　前記標的材料は生産能力を最大化するために大きな割合のモリブデン１００を含むべきである、方法。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「『標的材料』、『モリブデン１００』、『管状標的４０』及び『標的４０』」、「『テクネチウム９９ｍ』及び『99mＴｃ』」、「陽子ビーム」及び「99mＴｃを製造する方法であって、・・・揮発性テクネチウム物質を生成・・・するものである、方法。」は、本願発明の「１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）」、「９９ｍＴｃ」、「陽子ビーム（１３）」及び「９９ｍＴｃを含有する反応生成物を製造するための方法」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明は「標的材料をモリブデン１００とし」、「陽子ビームを照射して、テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）を形成し、前記形成された99mＴｃを収集する、99mＴｃを製造する方法」であるから、標的材料であるモリブデン１００を提供する段階を備えるといえる。
　したがって、引用発明の「標的材料をモリブデン１００とし」ている点は、本願発明の「照射する１００Ｍｏ金属ターゲットを用意するステップ」に相当する。
　
ウ　引用発明は、「標的材料」の「モリブデン１００」に「陽子ビームを照射して、テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）を形成」する核反応は、100Mo(p,2n)99mTc核反応であるということができる。
　また、引用発明は、「標的材料」の「モリブデン１００」に「陽子ビームを照射して、テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）を形成」するから、標的材料のモリブデン１００が陽子ビームの照射を受けたときに、テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）を形成（100Mo(p,2n)99mTc核反応を誘発）するのに適したエネルギーを有する陽子ビームを標的材料のモリブデン１００に照射するステップを備えるといえる。
　したがって、引用発明の「標的材料をモリブデン１００とし、陽子ビームを照射して、テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）を形成」する点は、本願発明の「１００Ｍｏ（ｐ，２ｎ）９９ｍＴｃ核反応を誘発するエネルギーを有する陽子ビームを１００Ｍｏ金属ターゲットに照射するステップ」に相当する。
　
エ　引用発明の「99mＴｃ」は、「陽子ビームの照射期間中又は照射後、塩素その他の反応性ガスを弁付きシールを介し導管４１を通して低圧で循環させることができ、塩素は管状標的４０の内壁に形成されたテクネチウムと優先的に反応して揮発性テクネチウム物質を生成し、この物質は循環する塩素により担持されて弁付きシールを通って流出し、標的４０から遠く離れた冷却フィンガ４５内で凝縮され、収集」するものであるから、モリブデン１００の管状標的４０に反応性ガスを循環させて、揮発性テクネチウム（99mＴｃ）物質を生成し、モリブデン１００の管状標的４０の内壁に形成された99mＴｃを収集するものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「99mＴｃ」を、「陽子ビームの照射期間中又は照射後、塩素その他の反応性ガスを弁付きシールを介し導管４１を通して低圧で循環させることができ、塩素は管状標的４０の内壁に形成されたテクネチウムと優先的に反応して揮発性テクネチウム物質を生成し、この物質は循環する塩素により担持されて弁付きシールを通って流出し、標的４０から遠く離れた冷却フィンガ４５内で凝縮され、収集」する点は、本願発明の「１００Ｍｏ金属ターゲット上を経由させ、昇華抽出プロセスで９９ｍＴｃ−酸化テクネチウムを形成する酸素ガスを利用する前記プロセスにおいて、１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）中に作製された９９ｍＴｃを得るステップ」と、「１００Ｍｏ金属ターゲット上を経由させ、抽出プロセスで９９ｍＴｃ物質を形成する反応性ガスを利用する前記プロセスにおいて、１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）中に作製された９９ｍＴｃを得るステップ」の点で一致する。
　
　したがって、両者は、
「以下のステップ：
−　照射する１００Ｍｏ金属ターゲットを用意するステップ、
−　１００Ｍｏ（ｐ，２ｎ）９９ｍＴｃ核反応を誘発するエネルギーを有する陽子ビームを１００Ｍｏ金属ターゲットに照射するステップ、
−　１００Ｍｏ金属ターゲット上を経由させ、抽出プロセスで９９ｍＴｃ物質を形成する反応性ガスを利用する前記プロセスにおいて、１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）中に作製された９９ｍＴｃを得るステップ
を含む、９９ｍＴｃを含有する反応生成物を製造するための方法。」
である点で一致し、下記点で相違する。
　
（ア）本願発明は「１００Ｍｏ金属ターゲット（１５）を、３００℃超の温度に加熱するステップ」を含むのに対して、引用発明においては、このようなステップが特定されていない点（以下「相違点１」という）。
　
（イ）本願発明は「反応性ガス」として「酸素ガス」を用いて「昇華抽出プロセスで９９ｍＴｃ−酸化テクネチウムを形成する」のに対して、引用発明は「反応性ガス」が「酸素ガス」と特定されないため、「昇華抽出プロセスで９９ｍＴｃ−酸化テクネチウムを形成する」とも特定されない点（以下「相違点２」という）。
　
（２）判断
ア　相違点１及び２について
　引用発明は、「生産能力を最大化する」ことを考慮しつつ、「塩素その他の反応性ガス」を「循環させ」、「管状標的４０の内壁に形成されたテクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）と優先的に反応して揮発性テクネチウム物質を生成し」、「収集する」ものであるところ、引用文献（上記３（１）ア）には、「標的から99mＴｃ2Ｏ7を揮発させるためには、標的材料は生産能力を最大化するために大きな割合のモリブデンを含むべきであり、大きな表面積を有するべきであり、好ましくは、揮発した99mＴｃ2Ｏ7をキャリヤガス流内に解放できる」と記載され、また、当該「揮発性99mＴｃ2Ｏ7ガスは３８５℃又はそれ以上の温度でこの標的材料から自由に昇華する」と記載され、「生産能力を最大化する」構成に係り、「３８５℃又はそれ以上の温度で標的材料から自由に昇華する揮発性99mＴｃ2Ｏ7ガスとして前記標的材料から99mＴｃ2Ｏ7を揮発させる」点が記載されているといえる。
　そうすると、引用発明において、「生産能力を最大化する」ために、「揮発性テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）物質」として、「３８５℃又はそれ以上の温度で標的材料から自由に昇華する」「揮発性99mＴｃ2Ｏ7ガスとして前記標的材料から99mＴｃ2Ｏ7を揮発させる」構成を採用し、その際に、「塩素その他の反応性ガス」として酸素ガスを適用することは当業者が容易に想到し得たことであり、あわせて、「標的材料」を「３８５℃又はそれ以上の温度」に加熱して99mＴｃ2Ｏ7を揮発させる構成とすればよいことは明らかである。
　したがって、引用発明において、「生産能力を最大化する」ために、「揮発性テクネチウム９９ｍ（99mＴｃ）物質」として、「３８５℃又はそれ以上の温度で標的材料から自由に昇華する」「揮発性99mＴｃ2Ｏ7ガスとして前記標的材料から99mＴｃ2Ｏ7を揮発させる」構成を採用し、その際に、「その他の反応性ガス」として酸素ガスを適用し、あわせて、「標的材料」を「３８５℃又はそれ以上の温度」に加熱する構成とすることにより、本願発明に係る上記相違点１及び２の構成となすことは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
イ　小括
　上記アでの検討によれば、引用発明において、相違点１及び２に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得ることと認められる。
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用文献に記載の事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、業者が引用発明及び引用文献に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。