【事件の表示】
　特願２０１１−　３７２００「磁気センサ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１０日出願公開、特開２０１２−１７３２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１ 手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下、「本願」という。）は、平成２３年２月２３日の出願であって、平成２６年４月１８日付け（発送：同年同月２２日）で拒絶理由を通知したところ、同年６月６日付けで意見書が提出されるとともに、特許請求の範囲についての補正がなされ、平成２７年１月２３日付け（送達：同年同月２７日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月６日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に特許請求の範囲についての補正がなされたものである。
　その後、当審より平成２８年１月２５日付け（発送：同年同月２６日）で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年３月１０日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで特許請求の範囲についての補正がなされたものである。
　
第２　当審拒絶理由
　当審拒絶理由は、概略、本願の特許請求の範囲に記載の請求項１ないし１２に係る発明は、本願の出願前に頒布された下記の引用例１ないし６に記載された発明に基づいて、その特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　引用例１　特開昭６３−３１１１１７号公報 
　引用例２　国際公開第２０１０／０１３６９０号
　引用例３　特開２００８−２２４４０６号公報
　引用例４　特開昭６３−１７０９８１号公報
　引用例５　特開平１１−３３０５８４号公報
　引用例６　特開平１０−２７０７７４号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２８年３月１０日付け補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、次のとおりである。
「複数の抵抗素子を直列に接続した通電経路単位が複数設けられており、
　該通電経路単位のそれぞれにおいて、一方の端部は１つの電源端子に電気的に接続され、他方の端部は１つの接地端子に電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子に電気的に接続されており、
　前記通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子のうちの少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、
　前記１つの電源端子は全ての前記通電経路単位につき共通化されており、前記１つの接地端子は全ての前記通電経路単位につき共通化されており、
　全ての前記通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成されており、
　前記絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、前記１つの電源端子の共通化のための電源接続配線及び前記１つの接地端子の共通化のための接地接続配線が形成されており、
　前記抵抗素子は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を少なくとも１つ有し、
　全ての前記抵抗素子は、前記延在部が互いに平行に配列され且つ前記特定方向と直交する方向に配列されており、
　前記通電経路単位は４個設けられており、そのうちの２個が第１群を形成し且つ他の２個が第２群を形成しており、前記第１群の通電経路単位及び前記第２群の通電経路単位は、前記第１群に属する抵抗素子の延在部と前記第２群に属する抵抗素子の延在部とが前記特定方向と直交する方向において交互に位置するように、互いに逆向きに入り組んで配置されており、
　前記第１群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の第１の側に配置されており、かつ、前記特定方向と直交する方向において前記第１群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されており、
　前記第２群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の前記第１の側と反対の第２の側に配置されており、かつ、前記特定方向と直交する方向において前記第２群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されており、
　前記１つの電源端子は、前記抵抗素子の第１の側に配置されており、
　前記１つの接地端子は、前記抵抗素子の第２の側に配置されている、磁気センサ。」
第４　引用例に記載の事項・引用発明
１　引用例１
（１）　引用例１には、次の事項アないしオが図面とともに記載されている。なお、下線は、当審で付与した。 
 ア 
　「本発明は、以上の点を考慮してなされたものであって、その目的とするところは、ＭＲ素子数が増加しても、その端子数を増やすことなく、最小数の端子数で磁気センサを構成することができ、この種検出装置の小形化をはかることのできる、改良された位置検出用磁気センサを提供しようとするものである。」（第２頁左下欄第１４行−第２０行）
　イ
　「本発明を適用した磁気エンコーダの構成を示す第２図において位置検出用移動体、例えば回転体２に回転ドラム３が固定されており、その外周に、ピッチλで磁気信号を記録した、いわゆる磁極４１を有する磁気媒体４が配置されている。磁気媒体４は、通常、磁性粉を樹脂で固めたものに、磁極４１を着磁したものがあるが、これは、永久磁石を複数個並べたものでもよい。この磁気媒体４に対向して、ＭＲ素子（Ｒ１１〜Ｒ４２）を所定の間隔で配置した磁気センサーが、磁気媒体４よりスペーシングｌの間隙で固定されている。
　第２図に符号１で示す磁気センサと磁気記録媒体４との展開図である第３図において、磁気記録媒体４には、既述のごとく、記録ピッチλで磁極４１が記録されている。
磁気センサ１は、ＭＲ素子Ｒ
１１
，Ｒ
１２
，Ｒ
２１
，Ｒ
２２
，Ｒ
３１
，Ｒ
３２
，Ｒ
４１
およびＲ
４２
を、
直列状の九十九（つづら）折り状に配置して構成され、
　そして、前記したＭＲ素子群を第４図のようにブリツジ接続し、電源Ｖより電圧を供給する。ブリツジは、
Ｒ
１１
とＲ
１２
とからなる第１のＭＲ素子群と、Ｒ
２１
とＲ
２２
とからなる第２のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子Ｏ
１
を設けた３端子接続のものと、Ｒ
４２
とＲ
４１
とからなる第４のＭＲ素子群と、Ｒ
３２
とＲ
３１
とからなる第３のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子Ｏ
２
を設けた３端子接続のものとを、電源Ｖに接続し
　
磁気センサ１の各ＭＲ素子群は、
強磁性体ＮｉＦｅやＮｉＣｏ等の薄膜
によって作られ
　ウ
　「しかして、第１図は本発明に係る位置検出用磁気センサの一実施例を示すセンサパターン図であり、第１図において、第２図〜第４図と同一符号は同一部分を示しており、第１図において、第２図〜第４図と異なる点は、エンコーダとして２相出力を得るため、第１〜第４のＭＲ素子群（Ｒ１１〜Ｒ４２）の他に、新たに、第５〜第８のＭＲ素子群（Ｒ５１〜Ｒ８２）を配置した点にある。
　そして、第１図において、磁気センサ１に配置された、例えばＡ相出力を得るための第１のＭＲ素子群Ｒ１１，Ｒ１２と、第２のＭＲ素子群Ｒ２１，Ｒ２２と、第３のＭＲ素子群Ｒ３１，Ｒ３２および第４のＭＲ素子群Ｒ４１，Ｒ４２（図のハツチング部分）は九十九折り状に直列接続されている。一方、前述のＡ相出力に対して位相のずれた（例えば、電気角で９０°ずれた）別の出力、例えばＢ相出力を得るための
第５のＭＲ素子群Ｒ
５１
，Ｒ
５２
と、第６のＭＲ素子群Ｒ
６１
，Ｒ
６２
と、第７のＭＲ素子群Ｒ
７１
，Ｒ
７２
および第８のＭＲ素子群Ｒ
８１
，Ｒ
８２
は、前記第１〜第４のＭＲ素子群と同じ間隔で、しかも同じ構成
　第１図中、Ｔ１〜Ｔ８は磁気センサーの一方向に配置された端子であり、前記端子Ｔ１〜Ｔ８は、ＭＲ素子群に電圧を供給するための電源端子、さらにはＭＲ素子群から出力を取り出すための出力端子として使われる。」（第４頁左下欄第５行−右下欄第１２行）
　エ
　「しかして、前記第１図の実施例においては、
一方の出力を得る九十九折り状の第１〜第４のＭＲ素子群と、他方の出力を得る九十九折り状の第５〜第８のＭＲ素子群とを、互いに逆向きになるように交互に配置し、外側同士を共通にして、正極または負極端子とし、各ＭＲ素子群間の接続点を出力端子あるいは負極または正極端子としており、電源端子および出力端子を各ＭＲ素子群間で共通にして取り出す構成としているので、ＭＲ素子数の増加にも拘らず、端子数を減らすことができ
　オ
　「第８図は本発明に係る位置検出用磁気センサの他の実施例を示すセンサパターン図であり、第８図において、第１図と同一符号は同一部分を示しており、第８図において、第１図と異なる点は、
磁気センサ１の端子Ｔ
１
〜Ｔ
８
を２分割して２方向に分け
　
すなわち、第１〜第４のＭＲ素子群（Ｒ
１１
〜Ｒ
４２
）による出力端子Ｔ
２
，Ｔ
４
および負極（正極）電源端子Ｔ
３
と、一方の外側の正極（負極）電源端子Ｔ
１
とを同一方向に配置し、かつ第５〜第８のＭＲ素子群（Ｒ
５１
〜Ｒ
８２
）による出力端子Ｔ
５
，Ｔ
７
および負極（正極）電源端子Ｔ
６
と、他方の外側の正極（負極）端子Ｔ
８
とを逆方向に配置してある
　第８図には、
ＭＲ素子群は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を８つ有し、全ての前記ＭＲ素子群は、前記延在部が互いに平行に配列され且つ前記特定方向と直交する方向に配列され
（２）　引用発明 
 　上記技術事項を総合勘案すると、引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　「磁気センサ１は、ＭＲ素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ４１およびＲ４２を、直列状の九十九（つづら）折り状に配置して構成され、
　Ｒ１１とＲ１２とからなる第１のＭＲ素子群と、Ｒ２１とＲ２２とからなる第２のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子Ｏ１を設けた３端子接続のものと、Ｒ４２とＲ４１とからなる第４のＭＲ素子群と、Ｒ３２とＲ３１とからなる第３のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子Ｏ２を設けた３端子接続のものとを、電源Ｖに接続し、
　第５のＭＲ素子群Ｒ５１，Ｒ５２と、第６のＭＲ素子群Ｒ６１，Ｒ６２と、第７のＭＲ素子群Ｒ７１，Ｒ７２および第８のＭＲ素子群Ｒ８１，Ｒ８２は、前記第１〜第４のＭＲ素子群と同じ間隔で、しかも同じ構成であり、
　磁気センサ１の各ＭＲ素子群は、強磁性体ＮｉＦｅやＮｉＣｏ等の薄膜によって作られ、
　ＭＲ素子群は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を８つ有し、全ての前記ＭＲ素子群は、前記延在部が互いに平行に配列され且つ前記特定方向と直交する方向に配列され、
　一方の出力を得る九十九折り状の第１〜第４のＭＲ素子群と、他方の出力を得る九十九折り状の第５〜第８のＭＲ素子群とを、互いに逆向きになるように交互に配置し、外側同士を共通にして、正極または負極端子とし、各ＭＲ素子群間の接続点を出力端子あるいは負極または正極端子としており、電源端子および出力端子を各ＭＲ素子群間で共通にして取り出す構成としているので、ＭＲ素子数の増加にも拘らず、端子数を減らすことができ、
　磁気センサ１の端子Ｔ１〜Ｔ８を２分割して２方向に分け、すなわち、第１〜第４のＭＲ素子群（Ｒ１１〜Ｒ４２）による出力端子Ｔ２，Ｔ４および負極（正極）電源端子Ｔ３と、一方の外側の正極（負極）電源端子Ｔ１とを同一方向に配置し、かつ第５〜第８のＭＲ素子群（Ｒ５１〜Ｒ８２）による出力端子Ｔ５，Ｔ７および負極（正極）電源端子Ｔ６と、他方の外側の正極（負極）端子Ｔ８とを逆方向に配置した、
　磁気センサ１。」
２　引用例２
（１）　引用例２には、次の事項アないしエが図面とともに記載されている。なお、下線は、当審で付与した。 
　ア 
「［００２６］本発明は、複数の検知ユニットの磁気抵抗効果素子を互いに高精度に位置決めして配置することができる。また、それぞれの検知ユニットに設けられた電源端子部や接地端子部のいずれかを選択して電圧を与えることにより、全ての検知ユニットに駆動電力を供給することができる。」
　イ
「［００３５］　左側の検知ユニット１５Ａと右側の検知ユニット１５Ｂは、それぞれ回路構成層２０を有している。検知ユニット１５Ａに設けられた回路構成層２０と、検知ユニット１５Ｂに設けられた回路構成層２０は全く同じものである。図３に示すように、それぞれの回路構成層２０は集積回路を有しており、
基板１１の表面において、各種導体層や半導体層および絶縁層を薄膜プロセスで形成することで構成され
［００３６］　図４に示す回路図では、実線の枠で囲まれた部分が、回路構成層２０の内部に設けられた回路である。回路構成層２０の内部に、磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化に応じた検知出力を得る検知回路２１が構成されている。
［００３７］　図３に示すように、回路構成層２０は、基板１１の表面に形成された集積回路２１が絶縁層で覆われており、この
絶縁層の表面である回路構成層２０の上面２０ａ
　ウ
［００４８］　左側の検知ユニット１５Ａの回路構成層２０と右側の検知ユニット１５Ｂの回路構成層２０が形成された後に、それぞれの
回路構成層２０の上面２０ａに、磁気抵抗効果素子５５と固定抵抗器５６が形成され
　エ
「［００８０］　図９は本発明の第３の実施の形態の磁気検知装置２１０を示す平面図である。
　第３の実施の形態の
磁気検知装置２１０は、基板２１１の上に検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂが並んで設けられており、
［００８１］　検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂは同じ構造で同じプロセスで製造される。図９では、それぞれの検知ユニット２１５Ａ，２１５Ｂを構成する要素のうち、図２と図４に示す第１の実施の形態の磁気検知装置１０の構成部材と同じ部分に同じ符号を付して詳しい説明を省略する。
［００８２］　検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂには、それぞれ回路構成層２２０が設けられている。回路構成層２２０の内部には、図４に示すのと同じ検知回路２１が構成されている。
［００８３］　それぞれの回路構成層２２０の表面には、図４に示す接地導通端子２６と電源導通端子２７および出力導通端子２８が現れており、接地導通端子２６の上にバンプ状の接地端子部３１が形成され、電源導通端子２７の上にバンプ状の電源端子部３２が形成され、出力導通端子２８の上にバンプ状の出力端子部３３が形成されている。さらに、回路構成層２２０の表面に制御導通端子２９が現れており、その上にバンプ状の制御端子部３４が設けられている。
［００８４］　検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂのそれぞれの右側の側部では、回路構成層２２０の上面に、右側の電源用連結端子２２１ａと接地用連結端子２２２ａおよび制御用連結端子２２３ａが設けられ、検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂのそれぞれの左側の側部では、回路構成層２２０の上面に、左側の電源用連結端子２２１ｂと接地用連結端子２２２ｂおよび制御用連結端子２２３ｂが設けられている。
［００８５］　
回路構成層２２０の内部に、接続ライン２２１ｃ，２２２ｃ，
が配線され
［００８６］　
検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂでは、回路構成層２２０の表面に磁気抵抗効果素子５５と固定抵抗器５６
が形成され
［００８７］　また、空白領域２１２には、検知ユニット２１５Ａの右側の電源用連結端子２２１ａと検知ユニット２１５Ｂの左側の電源用連結端子２２１ｂを導通させる電源配線部２１７が形成されており、検知ユニット２１５Ａの右側の接地用連結端子２２２ａと検知ユニット２１５Ｂの左側の接地用連結端子２２２ｂを導通させる接地配線部２１８が形成されている。また、検知ユニット２１５Ａの右側の制御用連結端子２２３ａと検知ユニット２１５Ｂの左側の制御用連結端子２２３ｂを導通させる制御配線部２１９が形成されている。
［００８８］　電源配線部２１７と接地配線部２１８および制御配線部２１９は、検知ユニット２１５Ａの回路構成層２２０の上面の右端から、空白領域２１２の基板２１１の上を経て、検知ユニット２１５Ｂの回路構成層２２０の上面の左端にかけて形成されている。図３に示したように、２つの検知ユニット２１５Ａ，２１５Ｂは外部絶縁層１９で覆われており、電源配線部２１７と接地配線部２１８および制御配線部２１９も、外部絶縁層１９で覆われて絶縁されている。また、接地端子部３１、電源端子部３２、出力端子部３３および制御端子部３４は外部絶縁層１９の表面に現れている。
［００８９］　電源配線部２１７と接地配線部２１８および制御配線部２１９の長さ寸法は、空白領域２１２を横断するだけでよいため、最短にでき、抵抗値を低減できる。また、右側の電源用連結端子２２１ａ，接地用連結端子２２２ａ，制御用連結端子２２３ａと、左側の電源用連結端子２２１ｂ，接地用連結端子２２２ｂ，制御用連結端子２２３ｂをそれぞれ接続する接続ライン２２１ｃ，２２２ｃ，２２３ｃは、回路構成層２２０の内部に形成しているため、電源配線部２１７と接地配線部２１８および制御配線部２１９よりも厚く形成して断面積を大きくできる。そのため、接続ライン２２１ｃ，２２２ｃ，２２３ｃの単位長さあたりの抵抗値を、電源配線部２１７，接地配線部２１８，制御配線部２１９の単位長さあたりの抵抗値よりも低くできる。したがって、電源配線部２１７と接地配線部２１８および制御配線部２１９を最短に形成することで、回路全体の抵抗値を低下できる。
［００９０］　図９に示す
磁気検知装置２１０は、いずれか一方の電源端子部３２に電源を供給し、いずれか一方の接地端子部３１を接地電位とすることで、検知ユニット２１５Ａ，２１５Ｂの双方を駆動できる
　図９には、「
２つの検知ユニット２１５Ａと２１５Ｂのそれぞれの電源端子部３２は、接続ライン２２１ｃ、電源用連結端子２２１ａ、電源配線部２１７、電源用連結端子２２１ｂ及び接続ライン２２１ｃにより接続されることで共通化され
２つの検知ユニット２１５Ａと２１５Ｂのそれぞれの接地端子部３１は、接続ライン２２２ｃ、接地用連結端子２２２ａ、接地配線部２１８、接地用連結端子２２２ｂ及び接続ライン２２２ｃにより接続されることで共通化され
（２）　技術事項
　図９は引用例２における発明の第３の実施の形態（［００８０］）であるところ、第１の実施の形態と構造上異なる点はあるものの、共通する部分の材質、形成プロセスは、異なるものではない。
　よって、第１の実施の形態に関する、［００３５］の「左側の検知ユニット１５Ａと右側の検知ユニット１５Ｂは、それぞれ回路構成層２０を有している。検知ユニット１５Ａに設けられた回路構成層２０と、検知ユニット１５Ｂに設けられた回路構成層２０は全く同じものである。図３に示すように、それぞれの回路構成層２０は集積回路を有しており、
基板１１の表面において、各種導体層や半導体層および絶縁層を薄膜プロセスで形成することで構成され
絶縁層の
　以上のことを、総合勘案すると、引用例２には、以下の技術事項が記載されている。
　「磁気検知装置２１０は、基板２１１の上に検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂが並んで設けられており、
　検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂでは、回路構成層２２０の絶縁層の表面に磁気抵抗効果素子５５と固定抵抗器５６が形成され、
　回路構成層２２０の内部に、接続ライン２２１ｃ，２２２ｃが薄膜プロセスで形成されることにより配線され、
　２つの検知ユニット２１５Ａと２１５Ｂのそれぞれの電源端子部３２は、接続ライン２２１ｃ、電源用連結端子２２１ａ、電源配線部２１７、電源用連結端子２２１ｂ及び接続ライン２２１ｃにより接続されることで共通化され、
　２つの検知ユニット２１５Ａと２１５Ｂのそれぞれの接地端子部３１は、接続ライン２２２ｃ、接地用連結端子２２２ａ、接地配線部２１８、接地用連結端子２２２ｂ及び接続ライン２２２ｃにより接続されることで共通化され、
　磁気検知装置２１０は、いずれか一方の電源端子部３２に電源を供給し、いずれか一方の接地端子部３１を接地電位とすることで、検知ユニット２１５Ａ，２１５Ｂの双方を駆動できる。」(以下、「技術事項」という。）
第５　対比
１　本願発明と引用発明を対比する。 
（１）
　引用発明の「磁気センサ１の各ＭＲ素子群は、強磁性体ＮｉＦｅやＮｉＣｏ等の薄膜によって作られ」るものであるから、引用発明の「ＭＲ素子」は、本願発明の「前記通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子のうちの少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であ」るもののうち、「磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子」に相当し、また、「抵抗素子」にも相当する。
　また、引用発明の「磁気センサ１」と、本願発明の「磁気センサ」は、下記の相違点はあるものの「磁気センサ」である点で共通する。
　引用発明において、「磁気センサ１は、ＭＲ素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ３１，Ｒ３２，Ｒ４１およびＲ４２を、直列状の九十九（つづら）折り状に配置して構成され」ていることは、本願発明の「複数の抵抗素子を直列に接続した通電経路単位が複数設けられて」いることに相当する。
（２）
　引用発明において、「Ｒ１１とＲ１２とからなる第１のＭＲ素子群と、Ｒ２１とＲ２２とからなる第２のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子Ｏ１を設けた３端子接続のものと、Ｒ４２とＲ４１とからなる第４のＭＲ素子群と、Ｒ３２とＲ３１とからなる第３のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子Ｏ２を設けた３端子接続のものとを、電源Ｖに接続し、第５のＭＲ素子群Ｒ５１，Ｒ５２と、第６のＭＲ素子群Ｒ６１，Ｒ６２と、第７のＭＲ素子群Ｒ７１，Ｒ７２および第８のＭＲ素子群Ｒ８１，Ｒ８２は、前記第１〜第４のＭＲ素子群と同じ間隔で、しかも同じ構成であ」るから、引用発明の奇数番目のＭＲ素子群と偶数番目のＭＲ素子群とを直列接続したものは、本願発明の「複数の抵抗素子を直列に接続した通電経路単位」に相当する。そして、引用発明は、第１のＭＲ素子群ないし第８のＭＲ素子群により、４つの「通電経路単位」が構成されているから、本願発明のように「通電経路単位が複数設けられて」いるといえる。
　また、引用発明の奇数番目のＭＲ素子群と偶数番目のＭＲ素子群とを直列接続し、その中間点より出力端子を設けた３端子接続のものを電源Ｖに接続していることと、本願発明において、「該通電経路単位のそれぞれにおいて、一方の端部は１つの電源端子に電気的に接続され、他方の端部は１つの接地端子に電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子に電気的に接続されて」いることとは、共に「該通電経路単位のそれぞれにおいて、一方の端部は電源端子に電気的に接続され、他方の端部は端子に電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子に電気的に接続されて」いる点で共通する。
（３）
　引用発明は、「一方の出力を得る九十九折り状の第１〜第４のＭＲ素子群と、他方の出力を得る九十九折り状の第５〜第８のＭＲ素子群とを、互いに逆向きになるように交互に配置し、外側同士を共通にして、正極または負極端子とし、各ＭＲ素子群間の接続点を出力端子あるいは負極または正極端子としており、電源端子および出力端子を各ＭＲ素子群間で共通にして取り出す構成としているので、ＭＲ素子数の増加にも拘らず、端子数を減らすことができ」るものであり、共通の電源端子を有するものであるから、引用発明と、本願発明の「前記１つの電源端子は全ての前記通電経路単位につき共通化されており、前記１つの接地端子は全ての前記通電経路単位につき共通化されて」いることとは、共に、「電源端子は前記通電経路単位につき共通化されたところがある」点で共通する。
（４）
　引用発明の「ＭＲ素子群は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を８つ有し、全ての前記ＭＲ素子群は、前記延在部が互いに平行に配列され且つ前記特定方向と直交する方向に配列され」ていることは、本願発明の「前記抵抗素子は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を少なくとも１つ有し、全ての前記抵抗素子は、前記延在部が互いに平行に配列され且つ前記特定方向と直交する方向に配列されて」いることに相当する。
（５）
　引用発明の「一方の出力を得る九十九折り状の第１〜第４のＭＲ素子群と、他方の出力を得る九十九折り状の第５〜第８のＭＲ素子群とを、互いに逆向きになるように交互に配置し」ていることは、第１のＭＲ素子群ないし第８のＭＲ素子群により、４つの「通電経路単位」が構成され、第１〜第４のＭＲ素子群が一方の群を構成し、第５〜第８のＭＲ素子群が他方の群を構成していることを踏まえると、本願発明の「前記通電経路単位は４個設けられており、そのうちの２個が第１群を形成し且つ他の２個が第２群を形成しており、前記第１群の通電経路単位及び前記第２群の通電経路単位は、前記第１群に属する抵抗素子の延在部と前記第２群に属する抵抗素子の延在部とが前記特定方向と直交する方向において交互に位置するように、互いに逆向きに入り組んで配置されて」いることに相当する。
（６）
　引用発明の「磁気センサ１の端子Ｔ１〜Ｔ８を２分割して２方向に分け、すなわち、第１〜第４のＭＲ素子群（Ｒ１１〜Ｒ４２）による出力端子Ｔ２，Ｔ４および負極（正極）電源端子Ｔ３と、一方の外側の正極（負極）電源端子Ｔ１とを同一方向に配置し、かつ第５〜第８のＭＲ素子群（Ｒ５１〜Ｒ８２）による出力端子Ｔ５，Ｔ７および負極（正極）電源端子Ｔ６と、他方の外側の正極（負極）端子Ｔ８とを逆方向に配置した」ことと、本願発明の「前記第１群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の第１の側に配置されており、かつ、前記特定方向と直交する方向において前記第１群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されており、前記第２群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の前記第１の側と反対の第２の側に配置されており、かつ、前記特定方向と直交する方向において前記第２群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されており」とは、共に、「前記第１群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の第１の側に配置されており、前記第２群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の前記第１の側と反対の第２の側に配置されており」の点で共通する。
２　したがって、本願発明と引用発明は、次の点で一致する。 
「複数の抵抗素子を直列に接続した通電経路単位が複数設けられており、
　該通電経路単位のそれぞれにおいて、一方の端部は電源端子に電気的に接続され、他方の端部は端子に電気的に接続され、抵抗素子同士の接続部は出力端子に電気的に接続されており、
　前記通電経路単位のそれぞれを構成する複数の抵抗素子のうちの少なくとも１つは、磁気抵抗効果膜からなる磁気抵抗効果素子であり、
　電源端子は前記通電経路単位につき共通化されたところがあり、
　前記抵抗素子は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を少なくとも１つ有し、
　全ての前記抵抗素子は、前記延在部が互いに平行に配列され且つ前記特定方向と直交する方向に配列されており、
　前記通電経路単位は４個設けられており、そのうちの２個が第１群を形成し且つ他の２個が第２群を形成しており、前記第１群の通電経路単位及び前記第２群の通電経路単位は、前記第１群に属する抵抗素子の延在部と前記第２群に属する抵抗素子の延在部とが前記特定方向と直交する方向において交互に位置するように、互いに逆向きに入り組んで配置されており、
　前記第１群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の第１の側に配置されており、
　前記第２群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、前記特定方向において前記抵抗素子の前記第１の側と反対の第２の側に配置されている、磁気センサ。」
３　そして、以下の点で相違する。 
（１）相違点１
　本願発明は、「一方の端部は１つの電源端子に電気的に接続され、他方の端部は１つの接地端子に電気的に接続され」ているのに対し、引用発明は、正極電源端子と負極電源端子に接続されている点。
（２）相違点２
　本願発明は、「前記１つの電源端子は全ての前記通電経路単位につき共通化されており、前記１つの接地端子は全ての前記通電経路単位につき共通化されており、全ての前記通電経路単位は絶縁膜の一方の面に接して形成されており、前記絶縁膜の他方の面に接して配置された導電膜を用いて、前記１つの電源端子の共通化のための電源接続配線及び前記１つの接地端子の共通化のための接地接続配線が形成されており、前記１つの電源端子は、前記抵抗素子の第１の側に配置されており、前記１つの接地端子は、前記抵抗素子の第２の側に配置されている」のに対し、引用発明は、一部共通化した端子はあるものの、本願発明のような電源端子と接地端子の接続、配置関係にはなっていない点。
（３）相違点３
　本願発明は、「前記第１群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、」「前記特定方向と直交する方向において前記第１群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されており、」「前記第２群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、」「前記特定方向と直交する方向において前記第２群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されて」いるのに対し、引用発明の出力端子の配置は、そのようになっていない点。
 第６　判断 
 　以下、相違点について検討する
１　相違点１について
　磁気センサへの電源の供給にあたり、「電源端子部」と「接地端子部」に接続することは、一般に行われていることであり（例えば、引用例２（「［００２６］本発明は、複数の検知ユニットの磁気抵抗効果素子を互いに高精度に位置決めして配置することができる。また、
それぞれの検知ユニットに設けられた電源端子部や接地端子部のいずれかを選択して電圧を与える
２　相違点２について
　引用例２には、「磁気検知装置２１０は、基板２１１の上に検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂが並んで設けられており、検知ユニット２１５Ａと検知ユニット２１５Ｂでは、回路構成層２２０の絶縁層の表面に磁気抵抗効果素子５５と固定抵抗器５６が形成され、回路構成層２２０の内部に、接続ライン２２１ｃ，２２２ｃが薄膜プロセスで形成されることにより配線され、２つの検知ユニット２１５Ａと２１５Ｂのそれぞれの電源端子部３２は、接続ライン２２１ｃ、電源用連結端子２２１ａ、電源配線部２１７、電源用連結端子２２１ｂ及び接続ライン２２１ｃにより接続されることで共通化され、２つの検知ユニット２１５Ａと２１５Ｂのそれぞれの接地端子部３１は、接続ライン２２２ｃ、接地用連結端子２２２ａ、接地配線部２１８、接地用連結端子２２２ｂ及び接続ライン２２２ｃにより接続されることで共通化され、磁気検知装置２１０は、いずれか一方の電源端子部３２に電源を供給し、いずれか一方の接地端子部３１を接地電位とすることで、検知ユニット２１５Ａ，２１５Ｂの双方を駆動できる。」との技術事項が記載されている。
　この技術事項は、絶縁層を介して導体配線層を積層する、いわゆる「立体配線」を採用することで、磁気検知装置の２つの検知ユニットの電源端子部を共通化し、かつ、２つの検知ユニットの接地端子部を共通化したものである。
　一方、磁気センサの電源端子などを共通にして取り出す構成とすることで、ＭＲ素子数の増加にも拘らず、端子数を減らす発明である引用発明は、さらに共通化をして端子数を減らそうとする動機付けがあるといえるから、引用発明の「正極端子」、「負極端子」のそれぞれを、引用例２に記載された技術事項である共通化のための技術、つまり「立体配線」を採用し、一方の端子を電源端子部として共通化し、かつ、他方の端子を接地端子部として共通化することに困難性は見いだせない。
　そして、引用発明に、引用例２に記載された技術事項を適用する際に、共通の電位の複数の端子を一つの端子にまとめ、一つの電源端子部と一つの接地端子部とし、２方向に分けて配置することは、端子を共通化して端子数を減らし、また、複数の端子を２分割して２方向に分けるという引用発明の技術の方向性に沿うものであるから、引用発明に、引用例２に記載された技術事項を適用し、本願発明の相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
３　相違点３について
　本願発明の相違点３に係る構成は、「前記第１群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、」「前記特定方向と直交する方向において前記第１群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されており、」「前記第２群では前記通電経路単位のそれぞれの出力端子は、」「前記特定方向と直交する方向において前記第２群に属する全ての前記抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置されて」いるというものであり、磁気センサの小型化を図ったものであるが、「前記抵抗素子は、特定方向に互いに平行に延びた細長い２つの延在部と該延在部の一端部同士を連結する連結部とからなるＵ字形状単位部分を少なくとも１つ有し」ており、通電経路単位を構成する複数の抵抗素子、その抵抗素子を構成するＵ字形状単位部分は、少なくとも１つであるから複数のものも含むものであるから、「抵抗素子が配列されている範囲」は、Ｕ字形状単位部分の数によって変化し得る。
　ところで、特公平１−４５００８号公報第４図ないし第１０図に、磁気抵抗の異方性効果を有する強磁性体から成る検出素子の各素片を並列的に配設する磁気スケール信号検出素子の出力端子ｂ、ｂ’は、各素片が配列されている範囲内にあることが図示されているように、出力端子を抵抗素子が配列されている範囲内のみに配置することは、周知の配置構成である。
　引用発明は、小型化を目的とする発明であるから（第４　１（１）ア参照。）、出力端子の配置にあたっても小型化に寄与する配置をする動機付けがあるといえる。
　よって、引用発明の出力端子の配置において、前記周知の配置構成を採用し、本願発明の相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
４　まとめ
　相違点１ないし３を勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明、引用例２に記載された技術事項、周知の配置構成の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものと言うことはできない。
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された技術事項、周知の配置構成に基づいて、当業者が容易に想到し得ることである。 
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された技術事項、周知の配置構成に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。