【手続補正書】
【提出日】令和1年12月5日(2019.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
入口導管および出口導管を有するキャニスターを含んでなり、かつ上記で開示されたいずれかのＭｎ含有フィルム形成組成物を含有する、Ｍｎ含有フィルム形成組成物デリバリーデバイスも開示される。開示されたデバイスは、次の態様の１つまたはそれ以上を有してもよい：
●Ｍｎ含有フィルム形成組成物は、１０ｐｐｍｗ未満の金属汚染物全濃度を有し；
●入口導管の端部は、Ｍｎ含有フィルム形成組成物の表面上に配置され、かつ出口導管の端部は、Ｍｎ含有フィルム形成組成物の表面下に配置され；
●入口導管の端部はＭｎ含有フィルム形成組成物の表面下に配置され、かつ出口導管の端部は、Ｍｎ含有フィルム形成組成物上に配置され；
●入口および出口上にダイヤフラムバルブをさらに含んでなり；
●キャニスターの内面上に１層またはそれ以上のバリア層をさらに含んでなり；
●キャニスターの内面上に１〜４層のバリア層をさらに含んでなり；
●キャニスターの内面上に１層または２層のバリア層をさらに含んでなり；
●各バリア層が、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、炭窒化ケイ素層、酸炭窒化ケイ素層またはその組合せを含んでなり；
●各バリア層が、５〜１０００ｎｍの厚さであり；
●各バリア層が、５０〜５００ｎｍの厚さであり；
●Ｍｎ含有フィルム組成物が、｛Ｍｎ［Ｎ（ＳｉＭｅ２Ｅｔ）２］２｝２を含んでなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基体上にＭｎ含有層を析出する方法も開示される。上記で開示されたいずれかのＭｎ含有フィルム形成組成物の蒸気を、その中に基体が配置された反応器中に導入する。蒸着法を使用して、シリルアミド含有前駆体の少なくとも一部を基体上に析出させ、Ｍｎ含有層を形成する。開示された方法は、次の態様の１つまたはそれ以上を有してもよい：
●Ｍｎ含有フィルム形成組成物は、式｛Ｍｎ［Ｎ（ＳｉＭｅ２Ｅｔ）２］２｝２を有するシリルアミド含有前駆体を含んでなり；
●第２の前駆体を含んでなる蒸気を反応器に導入し；
●第２の前駆体の元素が、第２族、第１３族、第１４族、遷移金属、ランタナイドおよびその組合せからなる群から選択され；
●第２の前駆体の元素が、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙまたはランタナイドから選択され；
●反応物を反応器に導入し；
●反応物が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、ＮＯ２、カルボン酸、そのラジカルおよびその組合せからなる群から選択され；
●反応物が、プラズマ処理酸素であり；
●反応物が、オゾンであり；
●反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２などの）ヒドリドシラン、（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８などの）クロロシランおよびクロロポリシラン、（Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３などの）アルキルシラン、（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅなどの）ヒドラジン、（ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨなどの）有機アミン、ピラゾリン、ピリジン、（Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、トリメチルボロ、トリエチルボロン、ボラジンなどの）Ｂ含有分子、（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛などの）アルキル金属、そのラジカル種およびその混合物からなる群から選択され；
●反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、その水素ラジカルおよびその混合物からなる群から選択され；
●反応物が、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、Ｎ（ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２、Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ、Ｎ（ＣＨ３）３、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ、（ＣＨ３）ＨＮＮＨ２、（ＣＨ３）２ＮＮＨ２、その窒素含有ラジカル種およびその混合物からなる群から選択され；
●反応物が、ＨＣＤＳまたはＰＣＤＳであり；
●反応物が、プラズマ処理Ｎ２であり；
●蒸着法が、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスであり；
●蒸着法が、ＡＬＤプロセスであり；
●蒸着法が、ＰＥＡＬＤプロセスであり；
●蒸着法が、空間的ＡＬＤプロセスであり；
●マンガン含有層が、酸化マンガン層であり；
●マンガン含有層が、窒化マンガン層であり；
●マンガン含有層が、Ｍｎであり；かつ
●マンガン含有層が、ＭｎＳｉである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
開示されたＭｎ含有フィルム形成組成物の水への曝露は、シリルアミド含有前駆体の分解をもたらし得るため、妨がれるように注意するべきである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
Ｍｎ含有フィルム形成組成物の蒸気が生成し、次いで、基体を含有する反応チャンバーに導入される。反応チャンバー中の温度および圧力ならびに基体の温度は、基体上へのシリルアミド含有前駆体の少なくとも一部の蒸着に適切な条件において保持される。換言すれば、蒸発した組成物を反応チャンバーに導入した後、反応チャンバー内の条件は、前駆体の少なくとも一部が基体上に析出され、Ｍｎ含有層が形成されるように調節される。当業者は、「前駆体の少なくとも一部が析出する」とは、前駆体のいくつか、または全てが基体と反応するか、あるいは基体に接着することを意味することを認識するであろう。本明細書中、反応物は、Ｍｎ含有層の形成を助けるために使用されてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
開示された前駆体に加えて、反応物も反応器に導入されてよい。反応物は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２の１つなどの酸素；Ｏ・またはＯＨ・などの酸素含有ラジカル；ギ酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸、ＮＯ、ＮＯ２またはカルボン酸のラジカル種；パラホルムアルデヒド；およびその混合物を含有し得る。好ましくは、酸素含有反応物は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ・またはＯＨ・などのその酸素含有ラジカル、ならびにその混合物からなる群から選択される。好ましくは、ＡＬＤプロセスが実行される場合、反応物は、プラズマ処理酸素、オゾンまたはその組合せである。酸素含有反応物が使用される場合、得られるマンガン含有フィルムも酸素を含有するであろう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
代わりに、反応物は、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドリドシラン（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２）、クロロシランおよびクロロポリシラン（例えば、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８）、アルキルシラン（例えば、Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３）、ヒドラジン（例えば、Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ）、有機アミン（例えば、ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ）、ピラゾリン、ピリジン、Ｂ含有分子（例えば、Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、トリメチルボロ、トリエチルボロン、ボラジン）、アルキル金属（例えば、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛）、そのラジカル種およびその混合物の１種であり得る。好ましくは、反応物は、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、その水素ラジカルおよびその混合物である。好ましくは、反応物は、ＳｉＨＣＩ３、Ｓｉ２ＣＩ６、Ｓｉ２ＨＣＩ５、Ｓｉ２Ｈ２ＣＩ４およびシクロ−Ｓｉ６Ｈ６ＣＩ６である。これらの反応物が使用される場合、結果として生じるＭｎ含有フィルムは、純粋なＭｎであり得る。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
１つの非限定的な例示的ＡＬＤ型プロセスにおいて、Ｍｎ含有フィルム形成組成物の蒸気相は、反応チャンバー中に導入され、そしてそこで、シリルアミド含有前駆体の少なくとも一部が、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの適切な基体と反応して、吸着されたマンガン層を形成する。次いで、過剰量の組成物は、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去され得る。酸素供給源が反応チャンバーに導入され、そこで、それは自己制限的様式で、吸着されたマンガン層と反応する。いずれの過剰量の酸素供給源も、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去される。望ましいフィルムが酸化マンガンフィルムである場合、この２ステッププロセスによって望ましいフィルム厚さが提供され得るか、または必要な厚さを有するフィルムが得られるまで、繰り返されてよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
別の例示的なＡＬＤ型プロセスにおいて、｛Ｍｎ［Ｎ（ＳｉＭｅ２Ｅｔ）２］２｝２などのＭｎ含有フィルム形成組成物の蒸気相が、基体を含有する反応チャンバー中に導入される。基体は、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、多孔性ＳｉＯＣなどのケイ素ベースの絶縁層を有する。ケイ素ビアは、ケイ素ベースの絶縁層を貫入し、ケイ素ベースの絶縁層は、ビアの側壁を形成し、そして銅などの金属線は、ビアの底部を形成する。ビアは、約３：１〜約２０：１の範囲のアスペクト比を有する。反応チャンバー中の状態は、基体上にシリルアミド含有前駆体の少なくとも一部を析出させて、吸着されたマンガン層を形成するために適切である。次いで、過剰量の組成物は、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去され得る。Ｈ２などの反応物が反応チャンバーに導入され、そこで、それは自己制限的様式で、吸着されたマンガン層と反応する。いずれの過剰量の反応物も、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去される。反応チャンバーの温度が適切である場合、Ｍｎ層は、ケイ素含有基体中に拡散し、ｘおよびｙがそれぞれ独立して１〜３の範囲であるＭｎＳｉＯｘＣｙを形成する。反応チャンバーの温度が適切ではない場合、基体は、拡散プロセスを補助するための焼き鈍しなどのさらなる加熱を受けてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
実施例１：｛Ｍｎ［Ｎ（ＳｉＲ３）２］２｝２の一般的合成
一般手順：三ツ口丸底フラスコに、ヘキサメチルジシラザン（ＮＨ−（ＳｉＭｅ３）２）（２等量）を装てんした。セットアップに、滴下漏斗および真空／気体アダプターを備え、そしてシュレンクライン（Ａｒ）上にそれを導く前に、隔膜で封着した。ヘキサメチルジシラザンを無水ＴＨＦと一緒に０℃まで冷却した。ｎ−ＢｕＬｉ溶液（２．５Ｍ；２等量）をゆっくりとＴＨＦ溶液に添加した。反応混合物を３０分間撹拌した。二ツ口丸底に、ＭｎＣｌ２（１等量）を装てんした。このセットアップに、隔膜で封着する前に気体／真空アダプターを備え、そしてシュレンクライン（Ａｒ）上に導いた。無水ＴＨＦを、ＭｎＣｌ２を有するフラスコに移して、懸濁液を形成し、これを０℃まで冷却した。上記
のリチウムアミド溶液をＭｎＣｌ２懸濁液に添加し、これは暗褐色に色変化を起こした。反応混合物を一晩反応させた。全ての揮発性物質を真空下で除去し、その後、不活性雰囲気下でペンタンによるろ過によって粗製生成物を仕上げた。そして最終的に、全ての揮発性物質は真空下で除去された。