【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９３】
評価の結果は本発明の方法がＡＢＳ及びポリスチレンから主としてなるこの特定のフィードストックの要件を満たすことを確認した。プラントの操作は、その組成、溶融仕様及び予想される高速ガス化性能に関してこの材料タイプについて検証された。製品仕様及びガス組成は以下のとおりであった：（１）ガスは、メタン、水素及び一酸化炭素の含有量が高く、さらなる使用のためにＣＯ２含有量が低い適切な組成を有する。（２）臭化水素は、水酸化ナトリウムを含むガススクラバーで中和された。（３）ガススクラビング効率はスクラバーの後のアブソーバで確認した。（４）ダイオキシンを発生させることなく、難燃剤の破壊は証明された：チャー中のダイオキシン含有量は検出されなかった。（５）処理後に（機械的に）金属粒子及び残りのチャーを回収した。本開示は以下の態様１〜３４を包含する。
［態様１］
電気及び／又は電子廃棄物源をクリーン燃料ガス及びチャー源に転化させるための方法であって、
熱分解装置に電気及び電子廃棄物源を投入すること、
前記電気及び電子廃棄物源中の炭化水素に解重合及びクラッキング反応を受けさせること、
前記電気及び電子廃棄物源に存在する毒性化合物を破壊及び／又は除去すること、及び、
クリーン燃料ガス及びチャー源を生成すること、
を含み、
前記クリーン燃料ガス源を装置又は用途への動力のために使用し、
前記チャー源は回収可能な金属を含有し、そして
前記クリーン燃料ガス及びチャー源はハロゲン化有機化合物を実質的に含まない、
方法。
［態様２］
前記電気及び電子廃棄物源は電子廃棄物源である、態様１記載の方法。
［態様３］
前記電子廃棄物源はプリント配線板、熱可塑性材料、フラットパネルディスプレイ、プリンタカートリッジ及び／又はカセット及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、態様２記載の方法。
［態様４］
前記熱分解装置は少なくとも１つの反応器を含み、プロセス温度が前記廃棄物源に少なくとも部分的なガス化を受けさせるために約３００℃〜約８００℃である、態様１記載の方法。
［態様５］
前記熱分解装置は少なくとも１つの反応器を含み、プロセス温度が前記廃棄物源に少なくとも部分的なガス化を受けさせるために約４００℃〜約８００℃である、態様１記載の方法。
［態様６］
前記熱分解装置は酸素を含まない系内に間接加熱を提供する、態様１記載の方法。
［態様７］
前記熱分解装置は圧力が約１０〜約１００ミリバールの範囲にある、態様１記載の方法。
［態様８］
前記廃棄物源はサイズが実質的に均一であり、平均直径が約１インチ未満である、態様１記載の方法。
［態様９］
前記廃棄物源を細断又は粉砕する初期工程をさらに含む、態様１記載の方法。
［態様１０］
破壊及び／又は除去される前記毒性化合物は、前記廃棄物源中に存在する芳香族化合物及び多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル、ピレン、カドミウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ベリリウム、クロロフルオロカーボン、水銀、ニッケル及び他の有機化合物を含む、態様１記載の方法。
［態様１１］
破壊される前記化合物は毒性ハロゲン化有機化合物を含む、態様１記載の方法。
［態様１２］
除去される前記化合物は前記チャー中の金属を含む、態様１記載の方法。
［態様１３］
前記廃棄物源は電子廃棄物源であり、該電子廃棄物源は約１０％以下のハロゲン又はハロゲン化化合物を含み、前記方法は多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル及び／又はピレンを生成しない、態様１０記載の方法。
［態様１４］
前記方法は、前記廃棄物源を前記チャー及び燃料ガスに転化させるプロセスにおいて、毒性ハロゲン化有機化合物を生成しない、態様１記載の方法。
［態様１５］
前記チャーは金属状態の形態であり、価値のあるエレクトロニクス用金属、希土類金属、貴金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を含有する微細なフレーク及び／又はチップである、態様１記載の方法。
［態様１６］
前記チャーから前記価値のあるエレクトロニクス用金属、希土類金属、貴金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を除去するための追加の工程をさらに含む、態様１５記載の方法。
［態様１７］
前記クリーン燃料ガス源は、前記電子廃棄物源中の炭化水素の熱分解転化に続いてガス／蒸気混合物から油溶性物質を分離することをさらに含む、態様１記載の方法。
［態様１８］
前記燃料ガスはスクラビングされ、そして蒸気成分は分別凝縮される、ガススクラバー工程をさらに含む、態様１４記載の方法。
［態様１９］
前記チャー及び燃料ガス源はハロゲン化有機化合物を含まない、態様１記載の方法。
［態様２０］
生成された燃料ガス源の少なくとも一部を、電子廃棄物源を転化させる方法に戻し、かかる方法のためのエネルギー源を提供し、及び／又は、別の用途のための燃料源として提供する、態様１記載の方法。
［態様２１］
前記廃棄物源１ポンドあたり約３，０００〜約１９，０００ＢＴＵが燃料源として生成される、態様２０記載の方法。
［態様２２］
電子廃棄物源をクリーン燃料ガス及びチャー源に転化させるための方法であって、
電子廃棄物源を細断又は粉砕して、実質的に均一な電子廃棄物源を、酸素を含まない系に間接加熱を提供する熱分解装置に提供すること、
前記電子廃棄物源中の炭化水素に解重合及び分解を受けさせること、
前記電子廃棄物源中に存在する毒性化合物を破壊及び／又は除去すること、
チャーを生成すること、ここで、前記チャーは微細金属状態であり、ハロゲン化有機化合物を含まず、そして価値のあるエレクトロニクス用金属、希土類金属、貴金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を含有する、
前記金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を前記チャーから分離すること、及び、
前記電子廃棄物源中の炭化水素のパイロリシス転化からクリーン燃料ガス源を生成すること、ここで、前記燃料ガス源はハロゲン化有機化合物を含まず、前記電子廃棄物源１ポンドあたり約３，０００〜１９，０００ＢＴＵを燃料源として生成する、及び、
燃料ガス源の少なくとも一部を、前記電子廃棄物を転化させるための方法に提供し、かかる方法のためのエネルギー源を提供すること、
を含む、方法。
［態様２３］
前記電子廃棄物源はプリント配線板、熱可塑性材料、フラットパネルディスプレイ、プリンタカートリッジ及び／又はカセット及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、態様２２記載の方法。
［態様２４］
前記電子廃棄物源は約１０％以下のハロゲン又はハロゲン化化合物を含み、前記方法は多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル及び／又はピレンを生成しない、態様２３記載の方法。
［態様２５］
前記熱分解装置は少なくとも１つの反応器を含み、プロセス温度が約３００℃〜約８００℃であり、圧力範囲が約１０〜約１００ミリバールの範囲にある、態様２２記載の方法。
［態様２６］
前記実質的に均一な電子廃棄物源は平均直径が約１インチ未満である、態様２２記載の方法。
［態様２７］
破壊及び／又は除去される前記化合物は、前記電子廃棄物源中に存在する芳香族化合物及び多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル、ピレン、カドミウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ベリリウム、クロロフルオロカーボン、水銀、ニッケル及び他の有機化合物を含み、前記方法は、電子廃棄物源をチャー及びクリーン燃料ガスに転化させるプロセスにおいて、毒性ハロゲン化有機化合物を生成しない、態様２２記載の方法。
［態様２８］
破壊される前記化合物は毒性ハロゲン化有機化合物を含み、除去される前記化合物は金属を含む、態様２２記載の方法。
［態様２９］
前記クリーン燃料ガス源は、前記電子廃棄物源中の炭化水素のパイロリシス転化に続いてガス／蒸気混合物から油溶性物質を分離することをさらに含む、態様２２記載の方法。
［態様３０］
前記燃料ガスはスクラビングされ、そして蒸気成分は分別凝縮される、ガススクラバー工程をさらに含む、態様２９記載の方法。
［態様３１］
生成される前記クリーン燃料ガス及びチャー源は約１０ｐｐｂ未満のハロゲン化有機化合物を含む、態様１〜２１のいずれか記載の方法。
［態様３２］
生成される前記クリーン燃料ガス及びチャー源は約１ｐｐｂ未満のハロゲン化有機化合物を含む、態様１〜２１のいずれか記載の方法。
［態様３３］
生成される前記クリーン燃料ガス及びチャー源はハロゲン化有機化合物を含まない、態様１〜２１のいずれか記載の方法。
［態様３４］
クリーン燃料ガス及びチャー源を含む、生成される産出物源はタール及び／又はオイルを含まない、態様１〜３３のいずれか記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気及び／又は電子廃棄物源をクリーン燃料ガス及びチャー源に転化させるための方法であって、
熱分解装置に電気及び電子廃棄物源を投入すること、
前記電気及び電子廃棄物源中の炭化水素に解重合及びクラッキング反応を受けさせること、
前記電気及び電子廃棄物源に存在する毒性化合物を破壊及び／又は除去すること、及び、
クリーン燃料ガス及びチャー源を生成すること、
を含み、
前記クリーン燃料ガス源を装置又は用途への動力のために使用し、
前記チャー源は回収可能な金属を含有し、
前記クリーン燃料ガス及びチャー源はハロゲン化有機化合物を実質的に含まず、
前記方法は、前記廃棄物源を前記クリーン燃料ガス及びチャー源に転化させるプロセスにおいて、毒性ハロゲン化有機化合物を生成しない、
方法。
【請求項２】
前記電気及び電子廃棄物源は電子廃棄物源であり、任意に、前記電子廃棄物源は、プリント配線板、熱可塑性材料、フラットパネルディスプレイ、プリンタカートリッジ及び／又はカセット及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記熱分解装置は少なくとも１つの反応器を含み、プロセス温度が前記廃棄物源に少なくとも部分的なガス化を受けさせるために約３００℃〜約８００℃、又は約４００℃〜約８００℃である、あるいは、前記熱分解装置は酸素を含まない系内に間接加熱を提供する、あるいは、前記熱分解装置は圧力が約１０〜約１００ミリバールの範囲にある、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記廃棄物源はサイズが実質的に均一であり、平均直径が約１インチ未満であり、任意に、前記廃棄物源を細断又は粉砕する初期工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
破壊及び／又は除去される前記毒性化合物は、前記廃棄物源中に存在するハロゲン化有機化合物、芳香族化合物及び多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル、ピレン、カドミウム、鉛、アンチモン、ヒ素、ベリリウム、クロロフルオロカーボン、水銀、ニッケル又は他の有機化合物を含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
除去される前記化合物は前記チャー中の金属を含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記廃棄物源は電子廃棄物源であり、該電子廃棄物源は約１０％以下のハロゲン又はハロゲン化化合物を含み、前記方法は多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル及び／又はピレンを生成しない、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記チャーは金属状態の形態であり、価値のあるエレクトロニクス用金属、希土類金属、貴金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を含有する微細なフレーク及び／又はチップであり、任意に、前記チャーから前記価値のあるエレクトロニクス用金属、希土類金属、貴金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を除去するための追加の工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記クリーン燃料ガス源は、前記電気及び電子廃棄物源中の炭化水素の熱分解転化に続いてガス／蒸気混合物から油溶性物質を分離することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記燃料ガスはスクラビングされ、そして蒸気成分は分別凝縮される、ガススクラバー工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
生成された燃料ガス源の少なくとも一部を、電気及び電子廃棄物源を転化させる方法に戻し、かかる方法のためのエネルギー源を提供し、及び／又は、別の用途のための燃料源として提供し、任意に、前記廃棄物源１ポンドあたり約３，０００〜約１９，０００ＢＴＵが燃料源として生成される、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
電子廃棄物源をクリーン燃料ガス及びチャー源に転化させるための方法であって、
電子廃棄物源を細断又は粉砕して、実質的に均一な電子廃棄物源を、酸素を含まない系に間接加熱を提供する熱分解装置に提供すること、
前記電子廃棄物源中の炭化水素に解重合及び分解を受けさせること、
前記電子廃棄物源中に存在する毒性化合物を破壊及び／又は除去すること、
チャーを生成すること、ここで、前記チャーは微細金属状態であり、ハロゲン化有機化合物を含まず、そして価値のあるエレクトロニクス用金属、希土類金属、貴金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を含有する、
前記金属、ガラス強化材及び／又は他の材料を前記チャーから分離すること、及び、
前記電子廃棄物源中の炭化水素のパイロリシス転化からクリーン燃料ガス源を生成すること、ここで、前記燃料ガス源はハロゲン化有機化合物を含まず、前記電子廃棄物源１ポンドあたり約３，０００〜１９，０００ＢＴＵを燃料源として生成する、及び、
燃料ガス源の少なくとも一部を、前記電子廃棄物を転化させるための方法に提供し、かかる方法のためのエネルギー源を提供すること、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記電子廃棄物源はプリント配線板、熱可塑性材料、フラットパネルディスプレイ、プリンタカートリッジ及び／又はカセット及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれ、任意に、前記電子廃棄物源は１０％以下のハロゲン又はハロゲン化化合物を含み、前記方法は多環式芳香族炭化水素、ハロゲン化ジベンゾダイオキシン、ハロゲン化ジベンゾフラン、ビフェニル及び／又はピレンを生成しない、あるいは前記熱分解装置は少なくとも１つの反応器を含み、プロセス温度が約３００℃〜約８００℃であり、圧力範囲が約１０〜約１００ミリバールの範囲にある、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
破壊される前記化合物は毒性ハロゲン化有機化合物を含み、除去される前記化合物は金属を含む、あるいは、前記クリーン燃料ガス源は、前記電子廃棄物源中の炭化水素のパイロリシス転化に続いてガス／蒸気混合物から油溶性物質を分離することをさらに含み、任意に、前記熱分解装置は、前記燃料ガスがスクラビングされ、そして蒸気成分は分別凝縮される、ガススクラバー工程をさらに含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
生成される前記クリーン燃料ガス及びチャー源は、約１０ｐｐｂ未満のハロゲン化有機化合物を含む、又は約１ｐｐｂ未満のハロゲン化有機化合物を含む、又はハロゲン化有機化合物を含まず、クリーン燃料ガス及びチャー源を含む、生成される産出物源はタール及び／又はオイルを含まない、請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。