【事件の表示】
　特願２００９−２０８３０２「有機ＥＬ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　３月２４日出願公開、特開２０１１−　６０５４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２１年９月９日に出願した特許出願であって、その手続の経緯の概要は、以下のとおりである。
平成２５年１１月　５日：拒絶理由通知（同年同月１２日発送）
平成２６年　２月１０日：手続補正書
平成２６年　２月１０日：意見書
平成２６年　４月１６日：拒絶査定（同年同月２２日送達）
平成２６年　８月２１日：手続補正書
平成２６年　８月２１日：審判請求
平成２７年　８月１２日：上申書
平成２７年　８月２５日：拒絶理由通知（同年９月１日発送）
平成２７年１１月２０日：意見書
平成２７年１１月２０日：手続補正書（以下、これによりなされた補正を「本件補正」という。）
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、以下のものである。
「第１の基板と、一対の電極間に配置された膜厚が２ｎｍ〜５００ｎｍの発光層を有する有機ＥＬ装置であって、
　前記有機ＥＬ装置がマイクロキャビティー構造を有し：
　前記発光層からの光を反射する膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの反射層と；
　前記発光層からの光を取り出す膜厚が１０ｎｍ〜５，０００ｎｍの光取り出し層と；
　前記反射層と前記光取り出し層との間に膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの光路長調整層と；
　前記発光層からみて光出射方向に屈折率が１．０〜１．４の低屈折率層を有し、
　前記光路長調整層が前記反射層と前記光取り出し層とに接するように配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。」
３　引用例の記載事項及び引用発明
（１）引用例１
　ア　平成２７年８月２５日付けで通知した当審の拒絶の理由に引用文献１として引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特表２００８−５１５１２９号公報（以下「引用例１」という。）には、「表示装置」（発明の名称）に関して以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与したものである（以下同じ。）。
　（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、自発光表示装置であって、広視野角及び高速応答を達成し得る。また、有機ＥＬ表示装置は、バックライトが不要であるため、薄型軽量に形成可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
　ところで、有機ＥＬ表示装置の輝度は、有機ＥＬ素子に流す電流の密度を高めると増加する。しかしながら、この場合、消費電力が大きくなると共に、有機ＥＬ表示装置の寿命が著しく短くなる。このため、高輝度、低消費電力、長寿命を同時に実現するには、有機ＥＬ素子の内部で生じた光を有機ＥＬ表示装置の外部へ効率的に取り出すこと，すなわち取り出し効率を高めること，が重要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　本発明の目的は、有機ＥＬ表示装置の取り出し効率を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明の一側面によると、背面電極と、前記背面基板と向き合った前面電極と、前記背面及び前面電極間に介在すると共に発光層を含んだ活性層とを備えた発光素子と、前記前面電極の前面側に配置された光散乱層とを具備し、前記発光素子はマイクロキャビティ構造の少なくとも一部を構成し、前記光散乱層に前記マイクロキャビティ構造からの光を照射したときに前方散乱光は後方散乱光と比較して光量がより大きい表示装置が提供される。」
　（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
　以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００７】
　図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図である。図１では、有機ＥＬ表示装置を、その表示面，すなわち前面又は光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【０００８】
　図１に示す有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した
上面発光型の有機ＥＬ表示装置
【０００９】
　この有機ＥＬ表示装置１は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板１０を含んでいる。
【００１０】
　
絶縁基板１０上
複数の画素がマトリクス状に配列して
画素回路と有機ＥＬ素子４０とを含
【００１１】
　画素回路は、例えば、一対の電源端子間で有機ＥＬ素子４０と直列に接続された駆動制御素子（図示せず）及び出力制御スイッチ２０と、画素スイッチ（図示せず）とを含んでいる。駆動制御素子は、その制御端子が画素スイッチを介して映像信号線（図示せず）に接続されており、映像信号線から供給される映像信号に対応した大きさの電流を出力制御スイッチ２０を介して有機ＥＬ素子４０へ出力する。また、画素スイッチの制御端子は走査信号線（図示せず）に接続されており、走査信号線から供給される走査信号によりスイッチング動作が制御される。なお、これら画素には、他の構造を採用することも可能である。
【００１２】
　
基板１０上には、アンダーコート層１２
半導体層１３、
ゲート絶縁膜１４、及び
ゲート電極１５が順次積層されており
【００１３】
　
ゲート絶縁膜１４及びゲート電極１５は、
層間絶縁膜１７で被覆されて
層間絶縁膜１７上にはソース及びドレイン電極２１が配置されており、
パッシベーション膜１８で埋め込まれて
【００１４】
　
パッシベーション膜１８上には
平坦化層１９が形成されて
平坦化層１９上には、反射層７０が配置されて
【００１５】
　
平坦化層１９及び反射層７０上には
平坦化層６０が形成されて
【００１６】
　
平坦化層６０上には、光透過性の第１電極４１が互いから離間して並置されて
各第１電極４１は、反射層７０と向き合うように配置されている
【００１７】
　第１電極４１は、この例では、背面電極としての
陽極であ
【００１８】
　
平坦化層６０上には、さらに、隔壁絶縁層５０が配置されて
第１電極４１に対応した位置に貫通孔が設けられている
【００１９】
　
隔壁絶縁層５０の貫通孔内で露出した第１電極４１上には、発光層を含んだ有機物層４２が
配置されて
【００２０】
　
隔壁絶縁層５０及び有機物層４２は、光透過性の第２電極４３で被覆されて
陰極である
【００２１】
　
それぞれの有機ＥＬ素子４０は、
第１電極４１、有機物層４２、及び第２電極４３で構成され
【００２２】
　
第２電極４３上には、光透過性の保護膜８０が形成されて
【００２３】
　
保護膜８０上には、光散乱層９０が配置されて
【００２４】
　この光散乱層９０は、前方散乱性が後方散乱性よりも大きい。すなわち、この光散乱層９０に後述するマイクロキャビティ構造からの光を照射したときに、前方散乱光が後方散乱光と比較して光量がより大きい。前方散乱光の光量のマイクロキャビティ構造からの光の光量に対する比（以下、前方散乱比という）は、典型的には６０％以上である。例えば、光散乱層９０の前方散乱比は、８０％以上である。
【００２５】
　光散乱層９０としては、例えば、金属微粒子及び／又は酸化物粒子を有機物中に分散したものを用いることができる。そのような粒子としては、例えば、粒径が２０ｎｍ乃至２００ｎｍのＴｉＯ2粒子を用いることができる。
【００２６】
　なお、図１に示す有機ＥＬ表示装置１では、通常、有機ＥＬ素子４０の前面側，典型的には光散乱層９０の前面側，に偏光板を配置する。また、この有機ＥＬ表示装置１では保護膜封止を行っているが、その代わりにガラス封止を行ってもよい。
【００２７】
　さて、この有機ＥＬ表示装置１では、
有機ＥＬ素子４０は、その発光層が放出する光が共振するマイクロキャビティ（微小光共振器）構造の少なくとも一部を形成している
【００２８】
　そのため、光散乱層９０を配置していない場合、有機ＥＬ素子４０が前方に放出した光の殆どは、保護膜８０の表面で反射又は全反射されることなく、保護膜８０を出射する。しかしながら、有機ＥＬ素子４０が前方に放出する光は指向性が高いので、光散乱層９０を配置しない限り、この有機ＥＬ表示装置１で十分な視野角を実現することは難しい。
【００２９】
　図１の有機ＥＬ表示装置１は、有機ＥＬ素子４０の前方に光散乱層９０を配置している。そのため、この有機ＥＬ表示装置１は、視野角が広い。
【００３０】
　但し、有機ＥＬ素子４０の前方に光散乱層９０を配置すると、一部の光は、後方散乱して有機ＥＬ素子４０に入射する。有機ＥＬ素子４０に入射した後方散乱光の一部は、上記のマイクロキャビティ構造における共振に寄与するが、残りの後方散乱光の殆どは各種構成要素によって吸収されてしまう。
【００３１】
　そこで、本態様では、上記の通り、光散乱層９０として、前方散乱比が５０％よりも大きなものを使用する。例えば、前方散乱比が８０％の光散乱層９０を使用する。この場合、後方散乱光の光量のマイクロキャビティ構造からの光の光量に対する比（以下、後方散乱比という）は、最大で２０％である。後方散乱比が２０％であり且つ後方散乱光の１／３が上記のマイクロキャビティ構造における共振に寄与すると考えると、マイクロキャビティ構造が前方に放出する光の約８６％を表示に利用することができる。したがって、広視野角と高輝度とを同時に実現することができる。
【００３２】
　典型的には、前方散乱比が６０％以上の光散乱層９０を使用する。この場合、後方散乱比が４０％であり且つ後方散乱光の１／３が上記のマイクロキャビティ構造における共振に寄与すると考えると、マイクロキャビティ構造が前方に放出する光の約７３％を表示に利用することができる。
【００３３】
　光散乱層９０の後方散乱比が４０％超，例えば４１％以上，である場合、光散乱層９０による外部光の散乱が大きい。そのため、この場合、鮮明度が不十分となる可能性がある。
【００３４】
　この有機ＥＬ表示装置１には、様々な変形が可能である。  
　図２は、図１の有機ＥＬ表示装置の一変形例を概略的に示す断面図である。
【００３５】
　この
有機ＥＬ表示装置１
反射層７０と第１電極４１との間に
取り出し層３０
【００３６】
　発光層が放出する光の一部は、第１電極４１と有機物層４２とを含む導波層，すなわちマイクロキャビティ構造，内で反射を繰り返しながら膜面方向に伝播する。この膜面方向に伝播する光は、導波層の主面に対する入射角が大きいと、外部に取り出すことができない。
【００３７】
　取り出し層３０を有機ＥＬ素子４０の近傍に配置すると、
発光層が放出する光の進行方向を変え
発光層が放出する光を
有機ＥＬ表示装置１の外部へ
高い効率で取り出すことが可能
【００３８】
　取り出し層３０としては、例えば、
回折格子層
　（ウ）「【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す断面図。
【図２】図１の有機ＥＬ表示装置の一変形例を概略的に示す断面図。
・・・（中略）・・・
【図１】
【図２】
」
　（エ）引用例１の図２（上記（ウ）参照。）からは、
反射層７０上に接して
　イ　引用例１の段落【００３４】〜【００３５】（上記ア（イ）参照。）等の記載を踏まえ、引用例１に記載された図１の有機ＥＬ表示装置の変形例である図２の有機ＥＬ表示装置に基づいて発明を特定すると、上記アの各記載から、引用例１には、有機ＥＬ表示装置の一変形例として、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「絶縁基板１０上に、各々が画素回路と有機ＥＬ素子４０とを含む複数の画素がマトリクス状に配列しており、前記有機ＥＬ素子４０は、その発光層が放出する光が共振するマイクロキャビティ（微小光共振器）構造の少なくとも一部を形成している、上面発光型の有機ＥＬ表示装置１であって、
　前記絶縁基板１０上には、アンダーコート層１２、半導体層１３、ゲート絶縁膜１４、及びゲート電極１５が順次積層されており、
　前記ゲート絶縁膜１４及び前記ゲート電極１５は、層間絶縁膜１７で被覆されており、前記層間絶縁膜１７上にはソース及びドレイン電極２１が配置されており、前記ソース及びドレイン電極２１はパッシベーション膜１８で埋め込まれており、
　前記パッシベーション膜１８上には平坦化層１９が形成されており、前記平坦化層１９上には、反射層７０が配置されており、
　前記平坦化層１９及び前記反射層７０上には平坦化層６０が形成されており、
　前記平坦化層６０上には、光透過性の第１電極４１が互いから離間して並置されており、
　各第１電極４１は、前記反射層７０と向き合うように配置されている陽極であり、
　前記平坦化層６０上には、さらに、前記第１電極４１に対応した位置に貫通孔が設けられている隔壁絶縁層５０が配置されており、
　前記隔壁絶縁層５０の貫通孔内で露出した前記第１電極４１上には、前記発光層を含んだ有機物層４２が配置されており、
　前記隔壁絶縁層５０及び前記有機物層４２は、光透過性の陰極である第２電極４３で被覆されており、
　それぞれの前記有機ＥＬ素子４０は、前記第１電極４１、前記有機物層４２、及び前記第２電極４３で構成されており、
　前記第２電極４３上には、光透過性の保護膜８０が形成されており、
　前記保護膜８０上には、光散乱層９０が配置されており、
　前記反射層７０と前記第１電極４１との間に前記反射層７０上に接して回折格子層からなる取り出し層３０を設けることで、前記発光層が放出する光の進行方向を変えて、前記発光層が放出する光を前記有機ＥＬ表示装置１の外部へ高い効率で取り出すことが可能な、有機ＥＬ表示装置１。」
　ウ　また、上記アの各記載（特に、段落【００１９】〜【００２１】及び【００３５】〜【００３８】参照。）から、引用例１には、「第１電極上に発光層を含んだ有機物層が配置され、前記有機物層が第２電極で被覆された有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置において、前記第１電極及び前記有機物層を含むマイクロキャビティ構造内の膜面方向に伝播する光を外部に取り出すため、回折格子層からなる取り出し層を反射層と前記第１電極との間に設け、前記発光層が放出する光の進行方向を変えることで、前記発光層が放出する光を、前記有機ＥＬ表示装置の外部へより高い効率で取り出す」との技術的事項が記載されていると認められる。
（２）引用例２
　ア　平成２７年８月２５日付けで通知した当審の拒絶の理由に引用文献２として引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特表２００８−５１５１３１号公報（以下「引用例２」という。）には、「表示装置」（発明の名称）に関して以下の事項が記載されている。
　（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は自己発光表示装置であって、広視野角及び高速応答を達成し得る。また、有機ＥＬ表示装置は、バックライトが不要であるため、薄型軽量に形成可能である。これらの理由から、近年、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる表示装置として注目されている。
【０００３】
　有機ＥＬ表示装置の主要部である有機ＥＬ素子は、光透過性の前面電極と、これと対向した光反射性又は光透過性の背面電極と、それらの間に介在すると共に発光層を含んだ有機物層とで構成されている。有機ＥＬ素子は、有機物層に電流を流すことにより発光する電荷注入型の自発光素子である。有機ＥＬ素子が放出した光は、指向性のない自然光として、例えばガラス基板を通って表示装置の外部へと進行する。
【０００４】
　有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成された多層膜を含んでいる。発光層が放出した光は、この多層膜内で繰り返し反射干渉を生じる。そのため、表示装置の発光効率及びこれが放出する光の色純度は、多層膜の構造に依存する。
【０００５】
　特許文献１は、光共振器構造，すなわち、マイクロキャビティ構造，を採用した有機ＥＬ素子を開示している。この有機ＥＬ素子では、発光層を含んだ有機物層は、高反射率の界面で挟まれている。マイクロキャビティ構造は、発光層が放出する光のうち、共振波長の光を強め、それ以外の波長の光を弱める。したがって、有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子にマイクロキャビティ構造を採用すると、表示装置の発光効率とこれが放出する光の色純度とを著しく高めることができる。
【０００６】
　しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、マイクロキャビティ構造を表示装置に採用した場合、以下の問題を生じ得ることを見出している。すなわち、マイクロキャビティ構造を採用した表示装置は、指向性の高い光を放出する。そのため、表示画像の明るさが、観察角度に応じて大きく変化する。加えて、マイクロキャビティ構造の斜め方向に進行する光についての光路長は、マイクロキャビティ構造の法線方向に進行する光についての光路長とは異なっている。そのため、マイクロキャビティ構造を採用した表示装置で表示した画像は、観察角度に応じて色度が変化する。マイクロキャビティ構造を表示装置に採用すると、表示品位が著しく低下する可能性がある。
【特許文献１】特開平１１−２８８７８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の目的は、マイクロキャビティ構造を採用した表示装置の表示品位を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　本発明の一側面によると、絶縁基板と、前記絶縁基板と向き合った封止部材と、前記絶縁基板と前記封止部材との間に介在すると共に、各々がマイクロキャビティ構造を具備し、前記マイクロキャビティ構造は、反射層と、前記反射層と向き合った半透鏡層と、前記反射層と前記半透鏡層との間に介在した光源とを具備した複数の画素と、前記半透鏡層と向き合った拡散層とを具備した表示装置が提供される。」
　（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
　図１は、本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す断面図である。図２は、図１に示す表示装置の部分断面図である。図３は、図１及び図２の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、図１及び図２では、表示装置を、その表示面、すなわち前面又は光出射面、が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００１１】
　図１及び図２に示す表示装置１は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した
上面発光型の
有機ＥＬ表示装置１
アレイ基板２と、封止部材３とを含
【００１２】
　封止部材３は、この例ではガラス基板であって、そのアレイ基板２との対向面は例えば凹形状を有している。
アレイ基板２と封止部材３と
の間に気密な密閉空間を形成している
窒素ガスなどの不活性ガスが充填されているか又は真空である
【００１３】
　アレイ基板２と封止部材３との間の密閉空間に樹脂などの固体を充填する封止技術を用いてもよい。或いは、封止部材３として、ガラス基板の代わりに、例えば、有機材料層、無機材料層、又は有機材料層と無機材料層との積層体を使用する薄膜封止技術を用いていてもよい。
【００１４】
　有機ＥＬ表示装置１は、その前面側の最表面上に、偏光板４をさらに含んでいてもよい。偏光板４は、表示面が外光を反射するのを抑制するうえで有用である。
【００１５】
　
アレイ基板２は、
絶縁基板１０を含んで
【００１６】
　
絶縁基板１０上
複数の画素がマトリクス状に配列して
画素回路と有機ＥＬ素子４０とを含
【００１７】
　画素回路は、例えば、一対の電源端子間で有機ＥＬ素子４０と直列に接続された駆動トランジスタ（図示せず）及び出力制御スイッチ２０と、画素スイッチ（図示せず）とを含んでいる。駆動トランジスタのゲートは、画素の列に対応して敷設された映像信号線（v図示せず）に画素スイッチを介して接続されている。駆動トランジスタは、映像信号線から供給される映像信号に対応した大きさの電流を、出力制御スイッチ２０を介して、有機ＥＬ素子４０へと出力する。画素スイッチのゲートは、画素の行に対応して敷設された走査信号線（図示せず）に接続されている。画素スイッチのスイッチング動作は、走査信号線から供給される走査信号によって制御される。なお、画素回路には、他の構造を採用することも可能である。
【００１８】
　
絶縁基板１０上には、アンダーコート層１２
半導体層１３、
ゲート絶縁膜１４、及び
ゲート電極１５が順次積層されており、
【００１９】
　
ゲート絶縁膜１４及びゲート電極１５は、
層間絶縁膜１７で被覆されて
層間絶縁膜１７上にはソース及びドレイン電極１６が配置されており、
パッシベーション膜１８で被覆されて
【００２０】
　
パッシベーション膜１８上には、平坦化層１９が形成されて
平坦化層１９上には
第１電極４１が、互いから離間されて並置されて
【００２１】
　第１電極４１は、この例では陽極である。第１電極４１の材料としては、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒなどを用いることができる。
【００２２】
　
平坦化層１９上には、隔壁絶縁層５０がさらに配置されて
第１電極４１に対応した位置に貫通孔が設けられている
【００２３】
　
隔壁絶縁層５０の貫通孔内で露出した第１電極４１上には、発光層４２０を含んだ活性層
４２が配置されて
【００２４】
　発光層４２０は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。活性層４２は、発光層４２０以外の層をさらに含むことができる。活性層４２は、例えば、発光層４２０への正孔の注入を媒介する役割を果たす正孔注入層４２１をさらに含むことができる。また、活性層４２は、正孔輸送層４２２、正孔ブロッキング層４２３、電子輸送層、電子注入層４２５、
バッファ層４２６
【００２５】
　
隔壁絶縁層５０及び活性層４２は、
第２電極４３で被覆されて
各有機ＥＬ素子４０は、第１電極４１、活性層４２、第２電極４３により構成されている
【００２６】
　
第２電極上には、拡散層６０が配置されて
　（ウ）「【００３３】
　この表示装置１において、
有機ＥＬ素子４０は、マイクロキャビティ構造ＭＣの少なくとも一部を形成して
マイクロキャビティ構造ＭＣは、互いに向き合った反射層ＲＦ及び半透鏡層ＨＭと、それらの間に介在した光源ＬＳとを含んで
半透鏡層ＨＭは
ＭｇＡｇからなるバッファ層４２６であ
光源ＬＳは
発光層４２０
を含んだ積層体であ
【００３４】
　反射層ＲＦは、光反射性を有する層であり、典型的には金属薄膜である。半透鏡層ＨＭは、光透過性と光反射性とを有する層である。半透鏡層ＨＭは、反射層ＲＦと比較して透過率がより大きい。反射層ＲＦは、半透鏡層ＨＭと比較して反射率がより大きい。例えば、反射層ＲＦの反射率は３０％以上であり、半透鏡層ＨＭの反射率は１５％以上である。
【００３５】
　マイクロキャビティ構造ＭＣでは、波長λが下記等式（１）に示す関係を満足している光は強められる。他方、波長λが下記等式（２）に示す関係を満足している光は弱められる。なお、
Ｌ
反射層ＲＦと半透鏡層ＨＭとの間の光路長
【数１】
【００３６】
　等式（１）及び（２）から明らかなように、マイクロキャビティ構造ＭＣを採用すると、特定の方向から観察した画像の輝度と色純度とを高めることができる。但し、光路長Ｌは、視角θの関数である。具体的には、光路長Ｌは、１／ｃｏｓθに比例する。
【００３７】
　したがって、光路長Ｌの最小値Ｌ0を大きくすると、指向性が高くなる。すなわち、視角θの僅かなずれが、輝度に大きく影響する。
【００３８】
　他方、光路長Ｌの最小値Ｌ0を小さくすると、視角θのずれが輝度に与える影響は小さくなる。但し、この場合、発光色が互いに異なる画素間で、光路長Ｌの最小値Ｌ0を等しくすることが難しくなる。すなわち、表示装置の構造やその製造プロセスが複雑化する可能性がある。
【００３９】
　この表示装置１では、マイクロキャビティ構造ＭＣの前面側に、拡散層６０を配置している。そのため、以下に説明するように、表示画像の明るさが観察角度に応じて大きく変化することや、表示画像の色度が観察角度に応じて大きく変化することを防止できる。すなわち、本態様によると、高い表示品位を実現できる。」
　（エ）「【００４８】
　図１及び図２に示す表示装置１のマイクロキャビティ構造ＭＣには、様々な変形が可能である。
【００４９】
　図１２及び図１３は、図１及び図２の表示装置に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図である。
【００５０】
　図１２のマイクロキャビティ構造ＭＣでは、
第１電極４１は、光透過性電極であ
第１電極４１の背面側には、反射層ＲＦが配置されて
【００５１】
　図１２のマイクロキャビティ構造ＭＣにおいて、第１電極４１の材料としては、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）を使用することができる。また、反射層ＲＦの材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｇ、Ａｇ合金、Ａｕ、及びＣｕなどを使用することができる。」
　（オ）「【００６４】
　上述した表示装置１には、以下の構成を採用してもよい。  
　図１６は、図１及び図２に示す
表示装置の画素
【００６５】
　図１６の構造は、
反射層ＲＦと第１電極４１との間に光学調整層７０
【００６６】
　上記等式（１）及び（２）から分かるように、法線方向から画面を観察した場合の輝度は、波長λと光路長Ｌとに依存する。そのため、マイクロキャビティ構造ＭＣによって発光効率及び色純度を高める効果を、発光色が互いに異なる全ての画素で得るためには、通常、発光色毎に光路長Ｌを設定する必要がある。
【００６７】
　しかしながら、一般に、有機ＥＬ素子４０の層構造は、電子・正孔の注入バランスや輝度劣化などを考慮して決定する。そのため、最適な光路長Ｌを実現することが難しい場合がある。
【００６８】
　このような場合には、例えば、或る発光色の画素に図１６の構造を採用し、他の発光色の画素に図１７の構造を採用する。図１６の構造を採用した画素は、光学調整層７０を含んでいるので、図１７の構造を採用した画素とは光路長Ｌが異なっている。図１６の構造を採用した画素では、
光学調整層７０
によって
光路長Ｌ
最適化
【００６９】
　したがって、或る発光色の画素に図１６の構造を採用し、他の発光色の画素に図１７の構造を採用すると、電子・正孔の注入バランスや輝度劣化などに影響を与えることなく、法線方向から画面を観察した場合の輝度などを最適化することができる。すなわち、より優れた表示品位を実現することが可能となる。
【００７０】
　図１８は、光学調整層として屈折率が１．５の樹脂層を用いた場合における光学調整層の厚さと干渉次数との関係の例を示すグラフである。図中、横軸は光学調整層７０の厚さを示し、縦軸はマイクロキャビティ構造ＭＣ中を膜面に対して法線方向に進行する光の干渉次数を示している。また、図中、参照符号Ｂ、Ｇ、Ｒは、それぞれ、発光色が青（λ＝４８０ｎｍ）、緑（λ＝５３０ｎｍ）、赤（λ＝６３０ｎｍ）の画素についてシミュレーションを行うことにより得られたデータを示している。なお、このシミュレーションに際しては、発光色が青、緑、赤の有機ＥＬ素子４０は、発光層４２０の材料が異なること以外は同一の構造を有しているとした。
【００７１】
　図１８に示すデータによると、発光色が青及び緑色の画素については、例えば光学調整層７０の厚さを約１００ｎｍとした場合に、干渉次数は整数に近い値（約２）になる。また、発光色が赤色の画素については、例えば光学調整層７０を配置しない場合に、干渉次数は整数に近い値（約１）になる。すなわち、発光色が青及び緑色の画素にのみ厚さ約１００ｎｍの光学調整層７０を配置すると、各発光色の画素で高い正面輝度が得られる。
【００７２】
　以上、或る色で発光する画素についてのみ、陽極４１と反射層ＲＦとの間に光学調整層７０を配置することを説明したが、先の効果は、他の構造を採用した場合にも得ることができる。例えば、全ての画素について陽極４１と反射層ＲＦとの間に光学調整層７０を配置し、発光色が互いに異なる画素間で、光学調整層７０の光学的厚さを異ならしめてもよい。例えば、図１８に示す例では、
発光色が青及び緑色の画素に厚さ約１００ｎｍの光学調整層７０
発光色が赤色の画素に厚さ約１８０ｎｍの光学調整層７０
配置
　（カ）「【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の一態様に係る表示装置を概略的に示す断面図。
【図２】図１に示す表示装置の部分断面図。
【図３】図１及び図２の表示装置に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
・・・（中略）・・・
【図１２】図１及び図２の表示装置に採用可能な構造の他の例を概略的に示す断面図。
・・・（中略）・・・
【図１６】図１及び図２に示す表示装置の画素の一部に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図１７】図１及び図２に示す表示装置の画素の他の一部に採用可能な構造の一例を概略的に示す断面図。
【図１８】光学調整層として屈折率が１．５の樹脂層を用いた場合における光学調整層の厚さと干渉次数との関係の例を示すグラフ。
・・・（中略）・・・
【図１】
【図２】
【図３】
・・・（中略）・・・
【図１２】
・・・（中略）・・・
【図１６】
【図１７】
【図１８】
」
　イ　引用例２の段落【００１０】及び【００６４】（上記ア（イ）及び（オ）参照。）等の記載を踏まえると、上記アの各記載からは、図１６に示された「構造の一例」を画素の一部に採用した、図１及び図２に示された「一態様に係る表示装置」の発明を把握することができるところ、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「アレイ基板２と、封止部材３とを含む上面発光型の有機ＥＬ表示装置１であって、
　前記アレイ基板２と前記封止部材３との間に、窒素ガスなどの不活性ガスが充填されているか又は真空である気密な密閉空間を形成しているものであり、
　前記アレイ基板２は、絶縁基板１０を含んでおり、
　前記絶縁基板１０上には、各々が画素回路と有機ＥＬ素子４０とを含む複数の画素がマトリクス状に配列しており、
　前記絶縁基板１０上には、アンダーコート層１２、半導体層１３、ゲート絶縁膜１４、及びゲート電極１５が順次積層されており、
　前記ゲート絶縁膜１４及び前記ゲート電極１５は、層間絶縁膜１７で被覆されており、前記層間絶縁膜１７上にはソース及びドレイン電極１６が配置されており、前記ソース及びドレイン電極１６はパッシベーション膜１８で被覆されており、
　前記パッシベーション膜１８上には、平坦化層１９が形成されており、前記平坦化層１９上には第１電極４１が、互いから離間されて並置されており、
　前記平坦化層１９上には、前記第１電極４１に対応した位置に貫通孔が設けられている隔壁絶縁層５０がさらに配置されており、
　前記隔壁絶縁層５０の貫通孔内で露出した前記第１電極４１上には、バッファ層４２６及び発光層４２０を含んだ活性層４２が配置されており、
　前記隔壁絶縁層５０及び前記活性層４２は、第２電極４３で被覆されており、各有機ＥＬ素子４０は、前記第１電極４１、前記活性層４２、前記第２電極４３により構成されており、
　前記第２電極４３上には、拡散層６０が配置されており、
　前記有機ＥＬ素子４０は、マイクロキャビティ構造ＭＣの少なくとも一部を形成しており、前記マイクロキャビティ構造ＭＣは、互いに向き合った反射層ＲＦ及び半透鏡層ＨＭと、それらの間に介在した光源ＬＳとを含んでおり、前記半透鏡層ＨＭは、ＭｇＡｇからなる前記バッファ層４２６であり、前記光源ＬＳは前記発光層４２０を含んだ積層体であり、
　前記第１電極４１は、光透過性電極であり、前記第１電極４１の背面側には、前記反射層ＲＦが配置されており、
　前記有機ＥＬ表示装置１の前記画素のうち発光色が青及び緑色の画素に厚さ約１００ｎｍの光学調整層７０が、発光色が赤色の画素に厚さ約１８０ｎｍの光学調整層７０が、それぞれ前記反射層ＲＦと前記第１電極４１との間に配置されており、前記反射層ＲＦと前記半透鏡層ＨＭとの間の光路長Ｌが前記光学調整層７０によって最適化される、
　有機ＥＬ表示装置１。」
　ウ　また、上記アの各記載（特に、段落【００１１】、【００２３】、【００２５】、【００３５】、【００６４】〜【００７２】参照。）から、引用例２には、「第１電極上に発光層を含んだ活性層が配置され、前記活性層が第２電極で被覆された有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置において、マイクロキャビティ構造ＭＣによって発光効率及び色純度を高める効果を、電子・正孔の注入バランスや輝度劣化などに影響を与えることなく、発光色が互いに異なる全ての画素で得るため、発光色毎に反射層ＲＦと半透鏡層ＨＭとの間の光路長Ｌを設定するための光学調整層を、前記反射層ＲＦと前記第１電極との間に配置し、マイクロキャビティ構造ＭＣ中を膜面に対して法線方向に進行する光の干渉次数が整数に近い値となるように、前記光学調整層の厚さを設定する」との技術的事項が記載されていると認められる。
４　本願発明と引用発明１との対比及び判断
（１）対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、以下のとおりとなる。
　ア　「第１の基板」について
　引用発明１の「絶縁基板１０」は、本願発明の「第１の基板」に相当する。
　イ　「発光層」について
　引用発明１の「発光層」は、本願発明の「発光層」に相当する。また、引用発明１の「『第１電極４１』及び『第２電極４３』」は、本願発明の「一対の電極」に相当し、引用発明１では、「発光層」を含んだ「有機物層４２」が、「第１電極４１上に」「配置され」るとともに、「第２電極４３で被覆され」ていることから、引用発明１の「発光層」と、本願発明の「発光層」は、「一対の電極間に配置された」点で共通する。
　ウ　「反射層」について
　引用発明１の「反射層７０」は、本願発明の「反射層」に相当する。引用発明１は、「光透過性の第１電極４１」が「反射層７０と向き合うように配置」されている「上面発光型の有機ＥＬ表示装置」であるから、「反射層７０」は「第１電極４１」を透過してきた「発光層」からの光を上面に向けて反射しているものである。よって、引用発明１の「反射層７０」と、本願発明の「反射層」は、「発光層からの光を反射する」点で共通する。
　エ　「光取り出し層」について
　引用発明１の「取り出し層３０」は、「発光層が放出する光の進行方向を変えて、前記発光層が放出する光を前記有機ＥＬ表示装置１の外部へ高い効率で取り出す」ことを可能とする「回折格子層」からなるものである。ここで、本願の明細書には、「本発明において、光取り出し層は、後述の発光層からの光の方向を積極的に変えて有機ＥＬ装置の外部へ光を取り出すものであれば、特に制約はない。」（段落【００２４】）及び「なお、本発明において、光取り出し層による発光層からの光を取り出すとは、光取り出し層に入射した光（以下、光取り出し層に限らず、入射光とも称する。）が、最終的に有機ＥＬ装置の出射方向に出射し得るように光路を変更することをいう。このような変更の態様としては、例えば、光取り出し層への入射光を任意に散乱したり、入射光を回折したり、屈折率の異なる複数の層を通過させることで入射光を任意に屈折したり、散乱する態様が挙げられる。」（段落【００２８】）との記載があるところ、引用発明１の「回折格子層」からなる「取り出し層３０」は、「入射光を回折」する態様の「光取り出し層」に他ならない。したがって、引用発明１の「取り出し層３０」は、本願発明の「光取り出し層」に相当し、両者は「発光層からの光を取り出す」点で共通する。
　オ　「有機ＥＬ装置」について
　引用発明１の「有機ＥＬ表示装置１」は、「前記第１電極４１、前記有機物層４２、及び前記第２電極４３で構成」された「有機ＥＬ素子４０」を有しており、「有機ＥＬ素子４０は、その発光層が放出する光が共振するマイクロキャビティ（微小光共振器）構造の少なくとも一部を形成」しているものであるから、引用発明１の「有機ＥＬ表示装置１」と、本願発明の「有機ＥＬ装置」は、「マイクロキャビティー構造を有」する点で共通する。
（２）一致点及び相違点
　上記（１）から、本願発明と引用発明１の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「第１の基板と、一対の電極間に配置された発光層を有する有機ＥＬ装置であって、
　前記有機ＥＬ装置がマイクロキャビティー構造を有し：
　前記発光層からの光を反射する反射層と；
　前記発光層からの光を取り出す光取り出し層と；
　を有する有機ＥＬ装置。」
（相違点１）発光層が、本願発明では「膜厚が２ｎｍ〜５００ｎｍ」であるのに対し、引用発明１では膜厚が特定されていない点。
（相違点２）反射層が、本願発明では「膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍ」であるのに対し、引用発明１では膜厚が特定されていない点。
（相違点３）光取り出し層が、本願発明では「膜厚が１０ｎｍ〜５，０００ｎｍ」であるのに対し、引用発明１では膜厚が特定されていない点。
（相違点４）本願発明は、「前記発光層からみて光出射方向に屈折率が１．０〜１．４の低屈折率層を有」するのに対し、引用発明１は低屈折率層を有していない点。
（相違点５）本願発明では、「前記反射層と前記光取り出し層との間に膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの光路長調整層」を有し、「前記光路長調整層が前記反射層と前記光取り出し層とに接するように配置されている」のに対し、引用発明１は光路長調整層を有していない点。
（３）判断
　ア　相違点１及び２について
　（ア）有機ＥＬ装置において、反射層として厚さ１００〜２００ｎｍ程度のものを用いること、及び発光層として厚さ１０〜４０ｎｍ程度のものを用いることは、それぞれ本願の出願時に周知技術であったと認められる（以下「周知技術１」という。当該周知技術について、特開２００３−１４９６４１号公報の段落【００６１】及び【００６５】、並びに特開２００６−２７８１２８号公報の段落【０１０８】〜【０１０９】及び【０１１４】等を参照。）。
　（イ）引用例１には、「反射層７０」及び「発光層」の膜厚を特定のものに限定すべき記載はないことから、引用発明１において「反射層７０」（反射層）及び「発光層」（発光層）の膜厚を適宜設定することは当業者の設計的事項であり、本願の出願時における上記周知技術１を考慮すると、「反射層７０」の膜厚を１００〜２００ｎｍの範囲の値、「発光層」の膜厚を１０〜４０ｎｍの範囲の値とすることで、上記相違点１及び２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なしえたことである。
　イ　相違点３について
　（ア）有機ＥＬ装置において、光取り出し層として機能する回折格子層として、その膜厚が１００ｎｍ〜２０００ｎｍという範囲内の値であるものはａ〜ｄで示されるとおり本願の出願時に周知技術であったと認められる（以下「周知技術２」という。）。
　　　ａ　特開２００５−２６８０４６号公報の段落【００２９】〜【００３０】、【００３２】及び図３〜４には、有機ＥＬ素子における光の外部取出効率を向上させるための回折格子１３ａを、厚さ１μｍ程度の窒化シリコン層からなる高屈折率層１２上に形成された深さ２５０ｎｍの溝と、膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜層１３で形成することが記載されており、回折格子１３ａを形成する層の厚さとしては１０５０ｎｍ程度のものが記載されている。
　　　ｂ　特開２００６−２６９１６３号公報の段落【００６５】〜【００６９】、【０１１７】〜【０１２５】及び図４〜５には、有機ＥＬ素子における光取り出し層２０３として、厚み約２μｍのポリメチルメタクリレートを塗布後に回折格子として機能する深さ１００ｎｍの凹凸を正方格子状に形成することが記載されており、光取り出し層２０３の厚さとしては約２０００ｎｍのものが記載されている。
　　　ｃ　特開２００６−１００４３０号公報の段落【０００４】〜【０００５】、【００５１】〜【００５８】及び図４には、有機ＥＬ素子の光取り出し効率を高めるための回折格子３０として、厚さ１００ｎｍの有機物からなる薄膜３１に凹部を設け、当該凹部をＬｏｗ−ｋ膜３２で埋め込んだものを用いることが記載されており、回折格子３０の層の厚さとしては１００ｎｍのものが記載されている。
　　　ｄ　特開２００６−２２１９７６号公報の段落【０００５】〜【０００６】、【００５９】〜【００６４】及び図８には、有機ＥＬディスプレイにおいて光取り出し効率を上げるための回折格子として、２００ｎｍの高さのＳｉＮ膜８２に回折パターンを形成することが記載されており、回折格子の層の厚さとしては２００ｎｍのものが記載されている。
　（イ）引用発明１の「取り出し層３０」（光取り出し層）は、「発光層が放出する光の進行方向を変えて、前記発光層が放出する光を前記有機ＥＬ表示装置１の外部へ高い効率で取り出す」ことを可能とする回折格子層である。
　（ウ）引用例１には、「取り出し層３０」の膜厚を特定のものに限定すべき記載はないことから、引用発明１において「取り出し層３０」（光取り出し層）の膜厚を適宜設定することは当業者の設計的事項であり、本願の出願時における上記周知技術２を考慮すると、「取り出し層３０」の膜厚を１００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲の値とすることで、上記相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なしえたことである。
　ウ　相違点４について
　（ア）発光素子からの光の取り出し効率を高めるために、保護層と電極との間に屈折率１．０１〜１．３０の低屈折率層を設けることは、本願の出願時に周知技術であったと認められる（以下「周知技術３」という。当該周知技術について、特開２００２−２７８４７７号公報の段落【０００６】〜【０００９】、【００３９】、【００４４】及び図３、特開２００３−１３３０７０号公報の段落【００２３】、【０１４９】、【０１６１】及び図１２、等を参照。）。
　（イ）引用例１には、「有機ＥＬ表示装置の取り出し効率を高める」という課題が記載されている（上記３（１）ア（ア）の段落【０００４】参照。）。よって、引用発明１において、発光層からの光の取り出し効率をさらに高めるため、当該周知技術３を適用し、「第２電極４３」と「保護膜８０」に屈折率１．０１〜１．３０の低屈折率層を設けることで、上記相違点４に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しえたことである。
　（ウ）あるいは、有機ＥＬ素子において、光の取り出し効率を高めるために、ガラスなどの封止材と電極との間に不活性ガスで満たされたギャップを設けることは、本願の出願時に周知技術であったと認められる（以下「周知技術４」という。当該周知技術について、特開２００３−２６４０８３号公報の段落【００１７】、【００３３】〜【００３４】及び図１、並びに、特開２００１−１９６１６４号公報の段落【０００４】、【０００７】、【００１２】及び図１等を参照。）。また、不活性ガスの屈折率は１．０である。
　（エ）引用例１には、「有機ＥＬ表示装置の取り出し効率を高める」という課題が記載されており（上記３（１）ア（ア）の段落【０００４】参照。）、保護膜封止の代わりにガラス封止を行うことが示唆されている（上記３（１）ア（イ）の段落【００２６】参照。）。よって、引用発明１において、保護膜封止の代わりにガラス封止を行う際、発光層からの光の取り出し効率をさらに高めるため、当該周知技術４を適用し、「第２電極４３」と「保護膜８０」に屈折率１．０の不活性ガスを設けることで、上記相違点４に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しえたことである。
　エ　相違点５について
　（ア）引用例２には、上記３（２）ウのとおり、「第１電極上に発光層を含んだ活性層が配置され、前記活性層が第２電極で被覆された有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置において、マイクロキャビティ構造ＭＣによって発光効率及び色純度を高める効果を、電子・正孔の注入バランスや輝度劣化などに影響を与えることなく、発光色が互いに異なる全ての画素で得るため、発光色毎に反射層ＲＦと半透鏡層ＨＭとの間の光路長Ｌを設定するための光学調整層を、前記反射層ＲＦと前記第１電極との間に配置し、マイクロキャビティ構造ＭＣ中を膜面に対して法線方向に進行する光の干渉次数が整数に近い値となるように、前記光学調整層の厚さを設定する」との技術的事項が記載されている。
　（イ）引用発明１において、「有機ＥＬ表示装置１」（有機ＥＬ装置）は、「マイクロキャビティ（微小光共振器）構造の少なくとも一部を形成している」「有機ＥＬ素子４０」「を含む複数の画素がマトリクス状に配列」したものであり、引用例１（上記３（１）ア（イ）の段落【００１９】及び【００３８】を参照。）には、「発光層」として「発光色が赤色、緑色、又は青色」のものを用い、「取り出し層３０」について「赤、緑、青色などの発光色に応じて回折格子の格子定数を定める」ことが記載されている。よって、引用例１には、引用発明１においてマイクロキャビティ構造を備えたそれぞれの画素が複数の色で発光することが示唆されているといえる。しかるに、マイクロキャビティ構造ＭＣによって発光効率及び色純度を高める効果が、電子・正孔の注入バランスや輝度劣化などに影響を与えることなく、全ての画素で得られたほうが望ましいことは当業者にとって自明である。
　（ウ）よって、引用発明１において、マイクロキャビティ構造を備えたそれぞれの画素が複数の色で発光する際、マイクロキャビティ構造ＭＣによって発光効率及び色純度を高める効果を、電子・正孔の注入バランスや輝度劣化などに影響を与えることなく、全ての画素で得るために、引用例２に記載の技術的事項を適用し、光路長を設定するための「光学調整層」（本願発明の「光路長調整層」に相当する。）を、「反射層７０」（反射層）と「第１電極４１」との間に設けることは、当業者が容易に想到しえたことである。その際、「光学調整層」（光路長調整層）の位置として、「反射層７０」と「取り出し層３０」の間を選択することは、当業者が適宜なし得た設計上の事項にすぎない。また、「光学調整層」（光路長調整層）の厚さは、各色のマイクロキャビティ構造内の干渉次数がそれぞれ整数に近い値になるよう、各色の波長、各層の屈折率及び膜厚等に基づいて適宜決定するものであるところ、引用例２（上記３（２）ア（オ）の段落【００７１】〜【００７２】参照。）には、発光色が青及び緑色の画素にのみ厚さ約１００ｎｍの光学調整層を配置することや、発光色が青及び緑色の画素に厚さ約１００ｎｍの光学調整層を配置し、発光色が赤色の画素に厚さ約１８０ｎｍの光学調整層を配置することが例示されていることからみて、引用発明１に設けた「光学調整層」（光路長調整層）の厚さを１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの範囲を満たす値とすることは格別のものではない。したがって、引用発明１に引用例２に記載の技術的事項を適用し、上記相違点５に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しえたことである。
（４）効果
　上記相違点１〜５に係る本願発明の発明特定事項により奏される効果について、格別顕著な点は見いだせない。 
（５）小括
　以上のとおり、本願発明は、出願前に日本国内または外国において頒布された引用例１に記載された引用発明１、引用例２に記載の技術的事項及び各周知技術に基づいて、出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
５　本願発明と引用発明２との対比及び判断
（１）対比
　本願発明と引用発明２とを対比すると、以下のとおりとなる。
　ア　「第１の基板」について
　引用発明２の「絶縁基板１０」は、本願発明の「第１の基板」に相当する。
　イ　「発光層」について
　引用発明２の「発光層４２０」は、本願発明の「発光層」に相当する。また、引用発明２の「『第１電極４１』及び『第２電極４３』」は、本願発明の「一対の電極」に相当し、引用発明２では、「発光層４２０」を含んだ「活性層４２」が、「第１電極４１上に」「配置され」るとともに、「第２電極４３で被覆され」ていることから、引用発明２の「発光層４２０」と、本願発明の「発光層」は、「一対の電極間に配置された」点で共通する。
　ウ　「反射層」について
　引用発明２は、「互いに向き合った反射層ＲＦ及び半透鏡層ＨＭと、それらの間に介在した光源ＬＳとを含」む「マイクロキャビティ構造ＭＣ」が形成された「上面発光型の有機ＥＬ表示装置」であるから、光源ＬＳからの光を反射層ＲＦで反射し、少なくとも一部の光を半透鏡層ＨＭで反射して共振させていることは明らかである。そして、「光源ＬＳは前記発光層４２０を含」むことから、引用発明２の「反射層ＲＦ」と、本願発明の「反射層」は、「発光層からの光を反射する反射層」である点で一致する。
  エ　「光路長調整層」について
　引用発明２の「光学調整層７０」は、「反射層ＲＦと前記半透鏡層ＨＭとの間の光路長Ｌ」を「最適化」するものであるから、本願発明の「光路長調整層」に相当する。引用発明２の「光学調整層７０」は、膜厚が「約１００ｎｍ」及び「約１８０ｎｍ」であることから、本願発明の「光路長調整層」と「膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍ」である点で共通する。
　オ　「有機ＥＬ装置」について
　引用発明２の「有機ＥＬ表示装置１」は、本願発明の「有機ＥＬ装置」に相当する。引用発明２の「有機ＥＬ表示装置１」には、「マイクロキャビティ構造ＭＣ」が形成されていることから、引用発明２の「有機ＥＬ表示装置１」と、本願発明の「有機ＥＬ装置」は、「マイクロキャビティー構造を有」する点で共通する。
　カ　「低屈折率層」について
　引用発明２の「密閉空間」は、「窒素ガスなどの不活性ガスが充填されているか又は真空」である。ここで、本願の明細書には、「低屈折率層の構造及び大きさ等については、上記の条件を満たすものであれば、特に制約はなく、加圧の点で、空気などからなる中空の層の態様であってもよく」（段落【０１４５】）及び「この封止用ガラス部材においてこのようにしてザグリ加工された部分には、空気（屈折率ｎ＝１）で満たされた中空で構成された低屈折率層が形成された。」（段落【０１９６】）と記載されており、本願発明の「低屈折率層」は「空気」の層を含むものである。また、「窒素ガス」及び「真空」の屈折率はいずれも１．０である。よって、引用発明２の「密閉空間」は、本願発明の「低屈折率層」に相当し、両者は「屈折率が１．０〜１．４」である点で共通する。また、引用発明２の「密閉空間」は、「アレイ基板２と、封止部材３とを含む上面発光型の有機ＥＬ表示装置１」における「前記アレイ基板２と前記封止部材３との間」に形成されているものであり、上面発光型の有機ＥＬ表示装置は封止部材側に光出射するものであるから、引用発明２の「密閉空間」は、「アレイ基板２」に形成された「活性層４２」に含まれる「発光層４２０」からみて光出射側に形成されているといえる（現に、引用例２の図１及び図２からも、そのような構成となっていることが理解できる。）。よって、引用発明２の「有機ＥＬ表示装置１」と、本願発明の「有機ＥＬ装置」は、「前記発光層からみて光出射方向に屈折率が１．０〜１．４の低屈折率層を有」する点で共通する。
（２）一致点及び相違点
　上記（１）から、本願発明と引用発明２の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「第１の基板と、一対の電極間に配置された発光層を有する有機ＥＬ装置であって、
　前記有機ＥＬ装置がマイクロキャビティー構造を有し：
　前記発光層からの光を反射する反射層と；
　膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍの光路長調整層と；
　前記発光層からみて光出射方向に屈折率が１．０〜１．４の低屈折率層を有する有機ＥＬ装置。」
（相違点１）発光層が、本願発明では「膜厚が２ｎｍ〜５００ｎｍ」であるのに対し、引用発明２では膜厚が特定されていない点。
（相違点２）反射層が、本願発明では「膜厚が１０ｎｍ〜１，０００ｎｍ」であるのに対し、引用発明２では膜厚が特定されていない点。
（相違点３）本願発明は、「発光層からの光を取り出す膜厚が１０ｎｍ〜５，０００ｎｍの光取り出し層」を有するのに対し、引用発明２は光取り出し層を有していない点。
（相違点４）光路長調整層が、本願発明では、「反射層と前記光取り出し層との間に」「反射層と前記光取り出し層とに接するように配置されている」のに対し、引用発明２では、「反射層ＲＦと前記第１電極４１との間」に配置されている点。
　ア　相違点１及び２について
　（ア）有機ＥＬ装置において、上記４（３）ア（ア）において周知技術１として示したとおり、反射層として厚さ１００〜２００ｎｍ程度のものを用いること、及び発光層として厚さ１０〜４０ｎｍ程度のものを用いることは、それぞれ本願の出願時に周知技術であったと認められる。
　（ウ）引用例２には、「反射層ＲＦ」及び「発光層４２０」の膜厚を特定のものに限定すべき記載はないことから、引用発明１において「反射層ＲＦ」及び「発光層４２０」の膜厚を適宜設定することは当業者の設計的事項であり、本願の出願時における上記周知技術１を考慮すると、「反射層ＲＦ」（反射層）の膜厚を１００〜２００ｎｍの範囲の値、「発光層４２０」（発光層）の膜厚を１０〜４０ｎｍの範囲の値とすることで、上記相違点１及び２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なしえたことである。
　イ　相違点３について
　（ア）引用例１には、上記３（１）ウのとおり、「第１電極上に発光層を含んだ有機物層が配置され、前記有機物層が第２電極で被覆された有機ＥＬ素子を含む有機ＥＬ表示装置において、前記第１電極及び前記有機物層を含むマイクロキャビティ構造内の膜面方向に伝播する光を外部に取り出すため、回折格子層からなる取り出し層を反射層と前記第１電極との間に設け、前記発光層が放出する光の進行方向を変えることで、前記発光層が放出する光を、前記有機ＥＬ表示装置の外部へより高い効率で取り出す」との技術的事項が記載されている。
　（イ）引用発明２において、「有機ＥＬ表示装置１」（有機ＥＬ装置）は、「マイクロキャビティ構造ＭＣの少なくとも一部を形成して」いる「有機ＥＬ素子４０」「を含む複数の画素がマトリクス状に配列」したものである。引用例２（上記３（２）ア（ア）の段落【０００５】参照。）には、マイクロキャビティ構造を採用することで、表示装置の発光効率を高められることが記載されているところ、当該構造における光の取り出し効率を高めたほうが望ましいことは当業者に自明である。
　（ウ）よって、引用発明２において、マイクロキャビティ構造を採用した有機ＥＬ表示装置の光の取り出し効率を高めるため、引用例１に記載の技術的事項を適用し、回折格子層からなる「取り出し層」（本願発明の「光取り出し層」に相当する。）を、「反射層ＲＦ」（反射層）と「第１電極４１」との間、具体的には、「反射層ＲＦ」（反射層）と「光学調整層７０」（光路長調整層）の間、あるいは「光学調整層７０」（光路長調整層）と「第１電極４１」との間に設けることは、いずれも当業者が容易に想到しえたことである。その際、引用発明２に設ける「取り出し層」の膜厚を適宜設定することは当業者の設計的事項であるところ、上記４（３）イ（ア）に周知技術２として示したとおり、有機ＥＬ装置に用いられる光取り出し層として機能する回折格子層として、その膜厚が１００ｎｍ〜２０００ｎｍという範囲内の値であるものは本願の出願時に周知技術であったと認められることから、当該周知技術２を考慮すると、引用発明２に引用例１に記載の技術的事項を適用する際、「取り出し層」（光取り出し層）の膜厚を１００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲の値とすることで、上記相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なしえたことである。
　ウ　相違点４について
　上記イ（ウ）に記載したとおり、引用発明２に引用例１に記載の技術的事項を適用し、回折格子層からなる「取り出し層」を、「反射層ＲＦ」（反射層）と「光学調整層７０」（光路長調整層）の間、あるいは「光学調整層７０」（光路長調整層）と「第１電極４１」との間に設けることは、いずれも当業者が容易に想到しえたことであるところ、光取り出し層を設けるに際して、どちらの位置を選択するかは、当業者が適宜なし得た設計上の事項にすぎない。引用発明２は、「反射層ＲＦ」（反射層）と「第１電極４１」との間に「光学調整層７０」（光路長調整層）を含み、それ以外の層は含まれていないところ、引用発明２に引用例１に記載の技術的事項を適用して、回折格子層からなる「取り出し層」を、「光学調整層７０」（光路長調整層）と「第１電極４１」との間に設けることとした場合には、「光学調整層７０」（光路長調整層）は、「反射層ＲＦ」（反射層）と「取り出し層」との間に両層に接して配置されることとなる。
  よって、引用発明２に引用例１に記載の技術的事項を適用し、上記相違点４に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しえたことである。
（４）効果
　上記相違点１〜４に係る本願発明の発明特定事項により奏される効果について、格別顕著な点は見いだせない。 
（５）小括
　以上のとおり、本願発明は、出願前に日本国内または外国において頒布された引用例２に記載された引用発明２、引用例１に記載の技術的事項及び各周知技術に基づいて、出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。