【事件の表示】
　特願２０１４−　６１８０８「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　２日出願公開、特開２０１５−　６２１６０、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続きの経緯  
 　本願は、平成２６年３月２５日（優先権主張　平成２５年８月２０日　日本国）の出願であって、平成２７年３月２０日付けで拒絶理由が通知され（同年同月３１日発送）、同年５月２９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年１０月２１日付けで拒絶査定がなされ（同年同月２７日送達）、これに対して平成２８年１月２１日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。  
第２　平成２８年１月２１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の適否  
１　補正の内容  
　本件補正は、本件補正前の平成２７年５月２９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１１である  
「　　【請求項１】
　環状チャンバを画定する誘電体部材と、
　前記環状チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
　前記誘電体部材の一方側に配置され、交流電力の供給を受けてガスが導入された前記環状チャンバ内にプラズマを発生させる放電用コイルと、
　接地され、前記誘電体部材の他方側に配置され、且つ前記誘電体部材の環状チャンバを挟んで前記放電用コイルと対向する導体部材と、
　前記放電用コイルに交流電圧を供給する交流電源と、
　前記環状チャンバ内に連通し、処理対象の基材に対してプラズマを照射するための開口と、
　前記開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対移動させる移動機構と、を有し、
　前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続されている、プラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記電圧発生用コンデンサの容量が可変であるまたは前記電圧発生用コイルのインダクタンスが可変である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　前記導体部材が第２の放電用コイルである、請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルとは異なる調整用コンデンサまたは調整用コイルをさらに有し、
　前記調整用コンデンサまたは前記調整用コイル、前記放電用コイル、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイル、の順にこれらが直列に接続されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　前記電圧発生用コンデンサと前記調整用コンデンサの直列合成キャパシタンスまたは前記電圧発生用コイルと前記調整用コイルの直列合成インダクタンスを一定に維持した状態で、前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを調整することが可能に構成されている、請求項４に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　プラズマの発生を検知するプラズマ発生検知装置と、
　プラズマの発生の検知結果に基づいて前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニットとをさらに有する、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項７】
　前記放電用コイルに供給する交流電力の周波数が１０ｋＨｚ以上１０ＭＨｚ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項８】
　前記開口が、その開口縁を含む平面が前記基材の処理対象の表面に対して平行になるように、前記基材に対して相対的に配置される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項９】
　基材をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
　誘電体部材によって画定された環状チャンバ内にガスを導入しつつ、接地されている導体部材に対して前記環状チャンバを挟んで対向する放電用コイルに交流電力を供給することにより、前記環状チャンバ内にプラズマを発生させ、
　前記環状チャンバ内に連通する開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対的に移動させることにより、前記基材にプラズマを曝露させ、
　前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続されている、プラズマ処理方法。
　　【請求項１０】
　前記導体部材が、第２の放電用コイルである、請求項９に記載のプラズマ処理方法。
　　【請求項１１】
　前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスが可変であって、
　前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンスを第１のインピーダンス値に設定し、
　前記放電用コイルに第１の電力値の交流電力を供給してプラズマを着火し、
　プラズマの着火後に、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンス値を第２のインピーダンス値に変化させ、
　前記放電用コイルに供給する交流電力を、前記第１の電力値に比べて大きい第２の電力値に変化させる、請求項９または１０に記載のプラズマ処理方法。」を  
「　【請求項１】
　環状チャンバを画定する誘電体部材と、
　前記環状チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
　前記誘電体部材の一方側に配置され、交流電力の供給を受けてガスが導入された前記環状チャンバ内にプラズマを発生させる放電用コイルと、
　接地され、前記誘電体部材の他方側に配置され、且つ前記誘電体部材の環状チャンバを挟んで前記放電用コイルと対向する導体部材と、
　前記放電用コイルに交流電圧を供給する交流電源と、
　前記環状チャンバ内に連通し、処理対象の基材に対してプラズマを照射するための開口と、
　前記開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対移動させる移動機構と、を有し、
　前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され
、
　プラズマの発生を検知するプラズマ発生検知装置と、
　プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニットと、をさらに有し、
　前記プラズマ発生検知装置が、プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計である、プラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記導体部材が第２の放電用コイルである、請求項
１に
　　【請求項３】
　前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルとは異なる調整用コンデンサまたは調整用コイルをさらに有し、
　前記調整用コンデンサまたは前記調整用コイル、前記放電用コイル、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイル、の順にこれらが直列に接続されている、請求項１
または２
　　【請求項４】
　前記電圧発生用コンデンサと前記調整用コンデンサの直列合成キャパシタンスまたは前記電圧発生用コイルと前記調整用コイルの直列合成インダクタンスを一定に維持した状態で、前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを調整することが可能に構成されている、請求項
３
　　【請求項５】
　前記放電用コイルに供給する交流電力の周波数が１０ｋＨｚ以上１０ＭＨｚ以下である、請求項１〜
４
　　【請求項６】
　前記開口が、その開口縁を含む平面が前記基材の処理対象の表面に対して平行になるように、前記基材に対して相対的に配置される、請求項１〜
５
　　【請求項７】
　基材をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
　誘電体部材によって画定された環状チャンバ内にガスを導入しつつ、接地されている導体部材に対して前記環状チャンバを挟んで対向する放電用コイルに交流電力を供給することにより、前記環状チャンバ内にプラズマを発生させ、
　前記環状チャンバ内に連通する開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対的に移動させることにより、前記基材にプラズマを曝露させ、
　前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され
、
　プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計を用いてプラズマの発生を検知すると、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させ
　　【請求項８】
　前記導体部材が、第２の放電用コイルである、請求項
７
　　【請求項９】
　前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンスを第１のインピーダンス値に設定し、
　前記放電用コイルに第１の電力値の交流電力を供給してプラズマを着火し、
　プラズマの着火後に、前記電圧発生用コンデンサまたは前記電圧発生用コイルのインピーダンス値を第２のインピーダンス値に変化させ、
　前記放電用コイルに供給する交流電力を、前記第１の電力値に比べて大きい第２の電力値に変化させる、請求項
７
８
とすることを含むものである（下線は請求人が付与したものである。）。 
２　補正の適否  
　本件補正は、補正前の請求項６に係る発明を特定するために必要な事項である「高電圧制御ユニット」について、「前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように」との限定を付加し、「プラズマ発生検知装置」が「前記プラズマ発生検知装置が、プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計である」ことを限定して、補正後の請求項１に係る発明とすることを含むものである。
　また、本件補正は、補正前の請求項９に係る発明において、「プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計を用いてプラズマの発生を検知すると、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させ」ることを限定して、補正後の請求項７に係る発明とすることを含むものである。
　そして、補正前の請求項６に係る発明と補正後に請求項１に係る発明、及び補正前の請求項９に係る発明と補正後の請求項７に係る発明とは、いずれも産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。  
  
３　独立特許要件  
　そこで、本件補正後の前記請求項１〜９に係る発明が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に進歩性要件（特許法第２９条第２項）について検討する。  
（１）本件補正発明の認定  
　本件補正発明は、上記１において、本件補正後のものとして記載したとおりのものと認める（以下、これらの請求項に係る発明を項番号に対応して「本件補正発明１」などという。）。  
  
（２）本件補正発明１  
ア　引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明  
 （ア）原査定の拒絶の理由に引用されたJapanese Journal of Applied Physics、日本国、The Japan Society of Applied Physics、2013.05.20、52, 05EE01（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（当審で訳した。下線は当審で付与した。）。  
ａ「2.  Experimental Methods
2.1  Plasma torches
The ICP torches
２．実験方法
２．１　実験で用いられる
誘導結合プラズマトーチ
ｂ「Figure 2 shows another direct-irradiation-type torch of simpler structure. It is composed of a quartz block with a  groove and a quartz plate forming a racetrack chamber. The chamber plane was configured to be perpendicular to the subsutrate. 
Two planar coils were connected to each other so that the RF current flow in series and that the induction fields generated in the chamber enhance each other. One of the two long sides of the racetrack was set at the lowest part of the torch, 
to irradiate plasma directly to the subsutrate
 All experiments were carried out at the atmospheric puressure.](第２頁右欄第１７行〜第２７行)
　図２は、一層簡単な構成の別の直接照射型トーチを示す。それは溝のある石英ブロックとレーストラックチャンバの形成する石英板とからなる。チャンバ平面は基板に対して垂直に配置されたものである。
２つの平面に位置するコイルは、ＲＦ電流が連続して流れ、生成された誘導された場が互いに拡大するように、互いに接続されたものである。レーストラックの２つのサイドのうちの１つは、基板に直接プラズマを照射するように、
トーチの最も低い部分に置かれ
　すべての実験は大気圧下で実行された。
ｃ「Measurements were carried out by detecting infrared radiation from the boundary of the film and the subustrate while 
scanning the substrate immediately beneath the torch
　
トーチの直下にある基板をスキャン
ｄ　図２
　図２においてＲＦが交流電圧を供給する高周波電源であることは自明のことにより、図２から以下の部材が看取できる。
（ａ）レーストラックチャンバを画定する石英ブロックと石英板
（ｂ）石英板にガスを導入するガス導入部材
（ｃ）石英板のチャンバとは反対側の面に配置されたコイル１に交流電圧を供給する高周波電源
（ｄ）石英ブロックのチャンバとは反対側の面に配置された接地されたコイル２
ｅ　図３
ｆ　上記ｂの「２つのコイル」が上記ｄの「コイル−１」及び「コイル−２」であることは明らかである。
　上記ａ〜ｆより、引用文献１には、  
「レーストラックチャンバを画定する石英ブロックと石英板と、
　石英板にガスを導入するガス導入部材と、
　石英板のチャンバとは反対側の面に配置されたコイル−１に交流電圧を供給する高周波電源と、
　石英ブロックのチャンバとは反対側の面に配置された接地されたコイル−２と、
　前記コイル−１及び前記コイル−２は、ＲＦ電流が連続して流れ、生成された誘導された場が互いに拡大するように、互いに接続され、前記レーストラックの２つのサイドのうちの１つは、基板に直接プラズマを照射するように、トーチの最も低い部分に置かれ、
　前記トーチの直下にある前記基板をスキャンする、
　誘導結合プラズマトーチ。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。  
  
（イ）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２８４３３３号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。  
ａ「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を説明する。図１に、本発明を用いた半導体処理装置の第１の実施例を示す。本装置では、ガス供給装置４より真空容器中に半導体の処理に用いる酸素，塩素，三塩化ホウ素等の原料ガスを供給し、そのガスをコイル状のアンテナ１により発生する電界で電離してプラズマ６を生成する。ガスはプラズマ生成した後に、排気装置７により真空容器外に排気される。１３.５６ＭＨｚ，２７.１２ＭＨｚ，４０.６８ＭＨｚ等の高周波電源１０が発生した高周波電力をアンテナ１に供給することによりプラズマ生成用の電界を得ているが、電力の反射を押さえるためにインピーダンス整合器３を用いてアンテナ１のインピーダンスを高周波電源１０の出力インピーダンスと一致させている。インピーダンス整合器として逆Ｌ型と呼ばれるものを示しているが、周波数やアンテナの構造に応じて整合が取り易いものを用いる必要がある。
アンテナ１の
一端は電気容量が可変のコンデンサー９を挟んでアースに接地され
可変コンデンサー９の電気容量は、
壁の削れ量が最小となる電気容量値を取れるようにすること
ｂ　図１
　上記ａ及びｂより、引用文献２には、以下の事項（以下「引用文献２に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「アンテナ１の一端は電気容量が可変のコンデンサー９を挟んでアースに接地され、前記可変コンデンサー９の電気容量は、壁の削れ量が最小となる電気容量値を取れるようにすること」
（ウ）原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１２／１１１０９０号（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。  
ａ「［００４２］［１−２−３　ＣＣＰ用電源とＩＣＰ用電源の接続とそれらの作用］
　上述したように、本実施形態の減容処理装置１１０においては、高周波コイル１４２に対し、ＣＣＰ用電力供給系１８０とＩＣＰ用電力供給系１９０との両者が接続されている。したがって、高周波コイル１４２は、一つの作用として、接地されている真空容器１１４との間の空間Ｓ（図１）に対してＣＣＰ用電力供給系１８０からの１３．５６ＭＨｚの高周波電力を容量結合させるための電極として作用する。この場合の高周波コイル１４２が接地されてりう真空容器１１４に対する電極となって、容量結合により電圧または電界を上記空間Ｓに生じさせる。ＣＣＰ用電力供給系１８０の作用は、電圧または電界による容量結合により、上記空間に対してプラズマの点弧容易性を高めたり、励起されているプラズマの安定性を高めたりする作用である。なお、図２に示した
キャパシターＣ３およびＣ４は、高周波コイル１４２を接地ＧＮＤから高周波コイル１４２をフローティングさせて電圧を測定するために設けられている
ｂ　図２
　上記ａ及びｂより、引用文献３には、以下の事項（以下「引用文献３に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「高周波コイル１４２を接地ＧＮＤから高周波コイル１４２をフローティングさせて電圧を測定するために設けられているキャパシターＣ３およびＣ４」
（エ）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−５７６３９号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。  
ａ「【００１７】
　コイル１０４の一端ｂは、アンプ３９６及びインピーダンス整合ネットワーク３０６の出力のようなＲＦソースに結合され、後者の入力はＲＦ発生装置３００に結合されている。
コイル１０４の他端ｄは、
コンデンサ３０８を介してアースに結合されるが、このコンデンサは可変コンデンサであってもよい。
ｂ　図２
　上記ａ及びｂより、引用文献４には、以下の事項（以下「引用文献４に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「コイル１０４の他端ｄは、可変コンデンサであるコンデンサ３０８を介してアースに結合されること」
（オ）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−２７３４１９号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。  
ａ「【００５０】
　制御部５０は、入力端情報検出部２０で検出した情報に基づいて、入力インピーダンスＺｉｎが所定値になるように、インピーダンス整合を行うものである。そのために、制御部５０は、第１駆動部３１および第２駆動部３２に対して、
インピーダンス整合するように
第１の可変コンデンサＣ１
キャパシタンスを変更させている
【００５１】
　また、制御部５０は、可動部の目標位置を演算する機能を有しているので、この目標位置を可動部の現在位置として出力し、後述する異常判定部８０に入力させてもよい。
【００５２】
　また、インピーダンス整合したとき、または、インピーダンス整合したと見なされるときに、後述する異常判定部８０に対して、整合完了信号を出力する。
【００５３】
　なお、制御部５０は、本発明の制御手段の一例である。また、インピーダンス整合の方法に関しては公知であるため、説明を省略する。また、本実施例では、入力端情報検出部２０で検出するのは、電圧、電流、位相差であり、この情報に基づいてインピーダンス整合を行っているが、この方式に限定するものではない。例えば、進行波電圧と反射波電圧とを検出し、検出した進行波電圧と反射波電圧とに基づいてインピーダンス整合を行う方式でインピーダンス整合を行ってもよい。」
ｂ　図１
　上記ａ及びｂより、引用文献５には、以下の事項（以下「引用文献５に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「インピーダンス整合するように、キャパシタンスを変更させている可変コンデンサＣ１が接地されていること」
（キ）原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−２８６３０６号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。  
ａ「【０００３】
　一般に、この種の整合器は、１個または複数の可変コンデンサまたは可変インダクタンスコイル等の可変リアクタンス素子を含み、ステップモータ等により可変範囲内の各ステップ位置またはポジションを選択することで整合器内のインピーダンスひいては負荷インピーダンスを可変調整できる可変整合器として構成されている。そして、プラズマ処理中には、圧力変動などによってプラズマ・インピーダンスが変わると、それら可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションを可変調整して自動的に負荷インピーダンスを補正して整合ポイント（５０Ω）に合わせるようになっている。このオートマッチングを行うため、負荷インピーダンスを測定する回路や、負荷インピーダンスの測定値を整合ポイント（５０Ω）に一致させるようにステップモータを通じて各可変リアクタンス素子のインピーダンス・ポジションを可変制御するコントローラ等が用いられる。」
ｂ「【００６０】
　次に、主制御部１００は、たとえばタイマ機能を用いて、上部ＲＦパワーの投入開始から一定時間後に、上部整合器４４に対してオフ・プリセット値を解除し、上部整合器４４内のオートマッチングに切り替える（ステップＢ６）。このオートマッチングでは、コントローラ１０４が、ＲＦセンサ１０６より負荷インピーダンスＺｉｎの測定値を受け取り、その測定値を整合用の基準インピーダンスまたは整合ポイントＺＭＰに一致させるようにパルスモータ１０８，１１０を通じて可変コンデンサ（Ｃ１，Ｃ２）のインピーダンス・ポジションをフィードバック制御で可変制御する。こうして、上部高周波電源５２からの高周波が最大の伝送効率および設定通りのパワーで上部電極３４に給電され、高密度のプラズマが生成される。なお、オフ・プリセット値からオートマッチングへの切り替えを制御するために、タイマ機能に代えて、
プラズマが着火したことを光学的に確認するセンサを用いること
　上記ａ及びｂより、引用文献６には、以下の事項（以下「引用文献６に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。
「プラズマが着火したことを光学的に確認するセンサを用いること」
（ク）本願の優先日前に頒布された特開２００６−３２３０３号公報（以下「刊行物１」という。」には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
ａ「【００３５】
  図１は、本発明の
高周波プラズマ処理装置
静電容量可変のコンデンサ６と、これらに高周波電流を流すための高周波電源７およびインピーダンス整合を行う整合器８と、被処理物である基板１０を搬送、移動するための基板搬送装置
【００３６】
  そして平板状絶縁体１ａの外壁近傍にコイル軸が平板状絶縁体１ａの壁面に対して直交する方向で第１のコイル４が配置され、平板状絶縁体１ｂの外壁近傍にコイル軸が平板状絶縁体１ｂの壁面に対して直交する方向で第１のコイル４と対向するように第２のコイル５が配置されている。すなわち、第１のコイル４と第２のコイル５は平板状絶縁体１ａ，１ｂを挟んで同軸に対向配置される。また第１のコイル４と第２のコイル５とは電気的に直列に接続されており、
第１のコイル４と第２のコイル５との間に直列にコンデンサ６が挿入されている
ｂ「【００６０】
  図２の装置構成においては、
基板１０の搬送路となる反応容器１上壁に所定の間隔で対面する壁面部となる左右一対の平板状絶縁体１ａ，１ｂを上方に垂直に立設し、該平板状絶縁体１ａ，１ｂの外壁近傍に第１のコイル４、第２のコイル５をそれぞれ該平板状絶縁体１ａ，１ｂを挟んで対向して配置し
プラズマ発生領域となる平板状絶縁体１ａ，１ｂ間の空間は、基板１０の搬送路となる反応容器１内空間と垂直に連通し
ガスボンベ２よりガス流量計３を通して供給されるガスによって、ガス流が形成され、該ガス流によってプラズマ中の反応活性種が基板１０に移送され、基板１０に所望のプラズマ処理を行う
ｃ　図１
ｄ　図２
ｅ　上記ａ、ｃの装置と上記ｂ、ｄの装置において同一の符号が同一の部材であることは明らかであるから、上記ｂの装置は高周波プラズマ処理装置であって、第１のコイル４と第２のコイル５との間に直列に静電容量可変のコンデンサ６が挿入され、これらに高周波電流を流すための高周波電源７およびインピーダンス整合を行う整合器８と、被処理物である基板１０を搬送、移動するための基板搬送装置を有するといえる。
　上記ａ〜ｅより、刊行物１には
「基板１０の搬送路となる反応容器１上壁に所定の間隔で対面する壁面部となる左右一対の平板状絶縁体１ａ，１ｂを上方に垂直に立設し、該平板状絶縁体１ａ，１ｂの外壁近傍に第１のコイル４、第２のコイル５をそれぞれ該平板状絶縁体１ａ，１ｂを挟んで対向して配置し、プラズマ発生領域となる該平板状絶縁体１ａ，１ｂ間の空間は、該基板１０の搬送路となる反応容器１内空間と垂直に連通し、ガスボンベ２よりガス流量計３を通して供給されるガスによって、ガス流が形成され、該ガス流によってプラズマ中の反応活性種が該基板１０に移送され、該基板１０に所望のプラズマ処理を行う、高周波プラズマ処理装置であって、
　該第１のコイル４と該第２のコイル５との間に直列に静電容量可変のコンデンサ６が挿入され、これらに高周波電流を流すための高周波電源７およびインピーダンス整合を行う整合器８と、被処理物である該基板１０を搬送、移動するための基板搬送装置を有する、高周波プラズマ処理装置。」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
イ　対比・判断
（ア）引用発明１について
ａ　対比
　本件補正発明１と引用発明１とを対比すると、本件補正発明１と引用発明１は、
「環状チャンバを画定する誘電体部材と、
　前記環状チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
　前記誘電体部材の一方側に配置され、交流電力の供給を受けてガスが導入された前記環状チャンバ内にプラズマを発生させる放電用コイルと、
　接地され、前記誘電体部材の他方側に配置され、且つ前記誘電体部材の環状チャンバを挟んで前記放電用コイルと対向する導体部材と、
　前記放電用コイルに交流電圧を供給する交流電源と、
　前記環状チャンバ内に連通し、処理対象の基材に対してプラズマを照射するための開口と、
　前記開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対移動させる移動機構と、
　を有するプラズマ処理装置。」の点で一致している。  
　他方、本件補正発明１と引用発明１は、以下の相違点１及び２で相違する。 
 ＜相違点１＞本願補正発明１が、「前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続され」るのに対して、引用発明１では、「前記コイル−１及び前記コイル−２は、」「互いに接続され」ている点。
＜相違点２＞本件補正発明１が、「プラズマの発生を検知するプラズマ発生検知装置と、
　プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニットと、をさらに有し、
　前記プラズマ発生検知装置が、プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計である」のに対して、引用発明１では、このような構成を有しない点。 
ｂ　判断  
　事案に鑑み、上記相違点２について検討する。  
　引用発明１には、プラズマの発光を検出するという動機付けがない。また、引用文献６には、「プラズマが着火したことを光学的に確認するセンサを用いること」が記載されているのみであって、上記相違点２に係る構成の「プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニット」は記載も示唆もされていない。さらに、引用文献２〜５、刊行物１にも上記相違点２に係る構成は記載されていない。
　これに対して、本件補正発明１は、上記相違点２に係る構成により、「プラズマを安定的に着火させることができ、且つ、チャンバを画定する誘電体部材の絶縁破壊を抑制することができる」（本願明細書の【００１０】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　してみると、引用発明１に引用文献２〜６及び刊行物１に記載された事項を適用して上記相違点２に係る構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得ることとすることはできない。
　したがって、上記相違点１について検討するまでもなく、本件補正発明１は、引用発明１並びに引用文献２〜６及び刊行物１に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（イ）引用発明２について
ａ　対比
　本件補正発明１と引用発明２とを対比すると、本件補正発明１と引用発明２は、
「チャンバを画定する誘電体部材と、
　前記チャンバ内にガスを導入するガス導入部と、
　前記誘電体部材の一方側に配置され、交流電力の供給を受けてガスが導入された前記環状チャンバ内にプラズマを発生させる放電用コイルと、
　接地され、前記誘電体部材の他方側に配置され、且つ前記誘電体部材の環状チャンバを挟んで前記放電用コイルと対向する導体部材と、
　前記放電用コイルに交流電圧を供給する交流電源と、
　前記環状チャンバ内に連通し、処理対象の基材に対してプラズマを照射するための開口と、
　前記開口の前方を横切るように前記基材を前記環状チャンバに対して相対移動させる移動機構と、を有し、
　前記放電用コイルが、電圧発生用コンデンサまたは電圧発生用コイルを介して、接地されているまたは前記導体部材に接続される、
　プラズマ処理装置。」の点で一致している。  
　他方、本件補正発明１と引用発明２は、以下の相違点３及び４で相違する。 
＜相違点３＞「チャンバ」が、本願補正発明１では、「環状」であるのに対して、引用発明２の「プラズマ発生領域となる該平板状絶縁体１ａ，１ｂ間の空間」は、「環状」でない点。
＜相違点４＞本件補正発明１が、「プラズマの発生を検知するプラズマ発生検知装置と、
　プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニットと、をさらに有し、
　前記プラズマ発生検知装置が、プラズマの発光を検出するフォトダイオードまたはプラズマ温度を検出する温度計である」のに対して、引用発明２では、このような構成を有しない点。 
ｂ　判断  
　事案に鑑み、上記相違点４について検討する。  
　引用発明２には、プラズマの発光を検出するという動機付けがない。また、引用文献６には、「プラズマが着火したことを光学的に確認するセンサを用いること」が記載されているのみであって、上記相違点２に係る構成の「プラズマの発生の検知結果に基づいて、前記放電用コイルの電圧がプラズマ発生前に比べて低下するように前記電圧発生用コンデンサの容量または前記電圧発生用コイルのインダクタンスを変化させる高電圧制御ユニット」は記載も示唆もされていない。さらに、引用文献１〜５にも上記相違点４に係る構成は記載されていない。
　これに対して、本件補正発明１は、上記相違点４に係る構成により、「プラズマを安定的に着火させることができ、且つ、チャンバを画定する誘電体部材の絶縁破壊を抑制することができる」（本願明細書の【００１０】）という格別顕著な効果を奏するものである。
　してみると、引用発明２に引用文献１〜６に記載された事項を適用して上記相違点４に係る構成とすることは、当業者といえども容易に想到し得ることとすることはできない。
　したがって、上記相違点３について検討するまでもなく、本件補正発明１は、引用発明２及び引用文献１〜６に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（３）本件補正発明２〜９について  
　本件補正発明２〜６は、本件補正発明１をさらに限定するものであるから、本件補正発明１と同様に、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。  
　本件補正発明７は、本件補正発明１のプラズマ処理装置とはカテゴリーの異なるプラズマ処理方法とするものであるから、本件補正発明１と同様に、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　本件補正発明８〜９は、本件補正発明７をさらに限定するものであるから、本件補正発明７と同様に、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。  
（４）まとめ  
　以上のとおり、本件補正発明１〜９は、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。  
　また、他に本件補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができない理由を発見しない。  
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合する。  
（５）結論  
　以上から、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。  
第３　本願発明  
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１〜９に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定されるとおりのものである。  
　そして、本件補正発明１〜９は、上記「第２」「３」で検討したとおり、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　そして、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。  
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。  
　よって、結論のとおり審決する。