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【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘマトキシリン色素と、ヘマトキシリン溶液の総容積に対して約０．２％〜約４％の量の酸とを含み、酸が、塩酸または硫酸であり、ヘマトキシリン溶液が２．４未満のｐＨを有する、安定化ヘマトキシリン製剤。
【請求項２】
ｐＨが、２．３未満、２．２未満、または２．１未満である、請求項１に記載の安定化ヘマトキシリン製剤。
【請求項３】
ｐＨが、約２．１〜約２．２の範囲である、請求項１に記載の安定化ヘマトキシリン製剤。
【請求項４】
媒染剤および酸化剤をさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の安定化ヘマトキシリン製剤。
【請求項５】
保存期間延長剤をさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の安定化ヘマトキシリン製剤。
【請求項６】
保存期間延長剤が、ポリオールであり、
ポリオールは、プロピレングリコール、エチレングリコール、およびその混合物からなる群から選択されてもよい、請求項５に記載の安定化ヘマトキシリン製剤。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の安定化ヘマトキシリン製剤の一定分量のｐＨを上昇させて、約２．４〜約２．６の範囲のｐＨを有するヘマトキシリン染色溶液を提供することと、生物学的試料を、約２．４〜約２．６の範囲のｐＨを有するヘマトキシリン染色溶液と接触させることとを含む、生物学的試料を染色する方法。
【請求項８】
安定化ヘマトキシリン製剤の一定分量のｐＨが、強塩基またはバッファーを含む再調整溶液を添加することにより高められる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
強塩基が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、およびアンモニアからなる群から選択されるか、または
バッファーが、約１．５〜約３．５の範囲のｐＫａを有するか、または
再調整溶液が、保存期間延長剤、酸化剤、および媒染剤からなる群から選択される添加剤を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
安定化ヘマトキシリン製剤のｐＨが、生物学的試料をヘマトキシリン染色溶液と接触させる前に高められる、請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第１の成分と第２の成分を含むキットであって、
第１の成分は、ヘマトキシリン色素と、安定化ヘマトキシリン製剤の総容積に対して約０．１％〜約１０％の量で酸とを含む、安定化ヘマトキシリン製剤を含み、酸は、塩酸または硫酸であり、安定化ヘマトキシリン製剤は、２．４未満のｐＨを有し、
第２の成分は、強塩基またはバッファーを含み、第２の成分は、第１および第２の成分が混合されたとき、ヘマトキシリン溶液のｐＨが２．４を上回り上昇するような、第１の成分に対する量で提供される、
キット。
【請求項１２】
第１および第２の成分が混合されたとき、ヘマトキシリン溶液のｐＨが２．５を上回り上昇するような、第１の成分に対する量で第２の成分が提供されるか、または
第１および第２の成分が混合されたとき、ヘマトキシリン溶液のｐＨが、約２．４５〜約２．５４の範囲となるような、第１の成分に対する量で第２の成分が提供されるか、または
第１および第２の成分が混合されたとき、ヘマトキシリン溶液のｐＨが、約２．５〜約２．６の範囲となるような、第１の成分に対する量で第２の成分が提供される、請求項１１に記載のキット。
【請求項１３】
第１の成分が、媒染剤および酸化剤をさらに含む、請求項１１または１２に記載のキット。
【請求項１４】
第１の成分が、保存期間延長剤をさらに含む、請求項１１から１３のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１５】
保存期間延長剤が、ポリオールであり、
ポリオールは、プロピレングリコール、エチレングリコール、およびその混合物からなる群から選択されてもよい、請求項１４に記載のキット。
【請求項１６】
第２の成分が、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、および水酸化リチウムからなる群から選択される強塩基を含むか、または
第２の成分が、シアノ酢酸塩、フマル酸塩、および硫酸塩からなる群から選択されるバッファーを含む、
請求項１１から１４のいずれか一項に記載のキット。
【請求項１７】
第３の成分をさらに含み、第３の成分が対比染色剤を含む、請求項１１から１４のいずれか一項に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月26日(2020.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学部品を洗浄するための方法であって、
前記光学部品の状態を測定することと、
前記光学部品が洗浄される必要があるかどうかを前記光学部品の前記測定された状態に基づいて判定することと、
前記光学部品が洗浄される必要がある場合に超音波振動で前記光学部品を洗浄することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記光学部品の前記状態を測定することが、
光源で光を生成することと、
前記光が前記光学部品と相互作用した後に前記生成された光の強度を測定することと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光学部品の前記状態を測定することが、前記光学部品の重さを量ることを含む、請求項１ないし２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記光学部品の前記状態を測定することが、
複数の異なる周波数で前記光学部品を振動させることと、
前記複数の異なる周波数の各々で前記光学部品の振動振幅を測定することと、
を含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記光学部品が洗浄される必要があるかどうかを判定することが、前記光学部品の前記測定された状態をきれいであると知られた値と比較することを含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記光学部品が洗浄される必要があるかどうかを判定することが、前記光学部品の前記測定された状態と前記きれいであると知られた値との差を閾値と比較することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記光学部品を洗浄することが、前記光学部品と接触するトランスデューサ用いて超音波振動を生成することを含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記光学部品を洗浄することが、前記光学部品上の薄膜と接触する圧電素子を用いて超音波振動を生成することを含む、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記光学部品がレンズである、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
光学部品と、
前記光学部品の状態を測定するように構成されたセンサと、
前記光学部品の前記測定された状態に基づいて前記光学部品が洗浄される必要があるかどうかを判定するように構成された制御システムと、
前記光学部品が洗浄される必要がある場合に超音波振動で前記光学部品を洗浄するように構成された加振源と、
を備える、自己洗浄光学部品システム。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法を実行するための、コンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータ・プログラムであり、前記プログラムがコンピュータで実行されるとき、ソフトウェア・コード部分を備える、デジタル・コンピュータの内部メモリにロード可能なコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月15日(2020.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象の緑内障の治療、阻害または予防に使用するための１００００Ｄａ以下の平均分子量を有するデキストラン硫酸またはその薬学的に許容される塩。
【請求項２】
前記対象の開放隅角緑内障、好ましくは原発性開放隅角緑内障の治療、阻害または予防に使用するための、請求項１に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項３】
緑内障を患っている対象の眼圧の低下に使用するための１００００Ｄａ以下の平均分子量を有するデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項４】
１０ｍｍＨｇ〜２０ｍｍＨｇの正常な眼圧範囲内への眼圧の低下に使用するための、請求項３に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項５】
対象の高眼圧症の治療、阻害または予防に使用するための１００００Ｄａ以下の平均分子量を有するデキストラン硫酸またはその薬学的に許容される塩。
【請求項６】
前記対象が、緑内障により引き起こされる高眼圧症を患っている、請求項５に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項７】
緑内障、好ましくは開放隅角緑内障、及び／または高眼圧症を患っている対象における網膜神経節細胞の喪失及び網膜神経線維層の減少の阻害に使用するための１００００Ｄａ以下の平均分子量を有するデキストラン硫酸またはその薬学的に許容される塩。
【請求項８】
前記対象が、開放隅角緑内障、好ましくは原発性開放隅角緑内障を患っている、請求項３、４、６または７に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項９】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩を、前記対象への全身投与のために製剤化する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１０】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩は、前記対象への静脈内投与または皮下投与のために製剤化されており、好ましくは前記対象への皮下投与のために製剤化されている、請求項９に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１１】
前記平均分子量が、２０００〜１００００Ｄａの範囲内、好ましくは３０００〜１００００Ｄａの範囲内、より好ましくは３５００〜９５００Ｄａの範囲内、４５００〜７５００Ｄａの範囲内のような、好ましくは４５００〜５５００Ｄａの範囲内である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１２】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩が、１５〜２０％の範囲、好ましくは１７％の平均硫黄含有量を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１３】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩が、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分光法により測定される数平均分子量（Ｍｎ）を、１８５０〜３５００Ｄａの区間内、好ましくは１８５０〜２５００Ｄａの区間内、より好ましくは１８５０〜２３００Ｄａの区間内に有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１４】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩が、ＮＭＲ分光法により測定されるＭｎを、１８５０〜２０００Ｄａの区間内に有する、請求項１３に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１５】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩が、グルコース単位あたりの平均硫酸数を、２．５〜３．０の区間内、好ましくは２．５〜２．８の区間内、より好ましくは２．６〜２．７の区間内に有する、請求項１３または１４に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１６】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩が、平均５．１グルコース単位及び２．６〜２．７のグルコース単位あたりの平均硫酸価を有する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１７】
前記デキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩は、水性注射溶液として製剤化されている、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【請求項１８】
前記その薬学的に許容される塩が、デキストラン硫酸のナトリウム塩である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の使用のためのデキストラン硫酸または前記その薬学的に許容される塩。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月24日(2020.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筋骨格系幹細胞（ＭＳＳＣ，ｍｕｓｃｕｌｏｓｋｅｌｅｔａｌ  ｓｔｅｍ  ｃｅｌｌ）への分化誘導用培地組成物であって、
ノギン（ｎｏｇｇｉｎ）、ＬＩＦ（ｌｅｕｋｅｍｉａ  ｉｎｈｉｂｉｔｏｒｙ  ｆａｃｔｏｒ）、ｂＦＧＦ（ｂａｓｉｃ  Ｆｉｂｒｏｂｌａｓｔ  ｇｒｏｗｔｈ  ｆａｃｔｏｒ）、Ｗｎｔ信号活性化剤であるＣＨＩＲ９９０２１（９−ブロモ−７，１２−ジヒドロ−ピリド［３’，２’：２，３］アゼピノ［４，５−ｂ］インドール−６（５Ｈ）−オン）、ＥＲＫ（ｅｘｔｒａｃｅｌｌｕｌａｒ  ｓｉｇｎａｌ−ｒｅｇｕｌａｔｅｄ  ｋｉｎａｓｅ）信号抑制剤であるＰＤ０３２５９０１（Ｎ−［（２Ｒ）−２，３−ジヒドロキシプロポキシ］−３，４−ジフルオロ−２−［（２−フルオロ−４−ヨードフェニル）アミノ］−ベンズアミド）、及びＴＧＦ−β／アクチビン／ノーダル（ＴＧＦ−β／ａｃｔｉｖｉｎ／ｎｏｄａｌ）信号伝達抑制剤であるＳＢ４３１５４２（４−［４−（１，３−ベンゾジオキソール−５−イル）−５−（２−ピリジニル）−１Ｈ−イミダゾール−２−イル］ベンズアミド）を含み、
前記筋骨格系幹細胞は、骨、軟骨、腱、靭帯、筋肉および脂肪に分化し得ることを特徴とする、分化誘導用培地組成物。
【請求項２】
請求項１の筋骨格系幹細胞への分化誘導用培地組成物においてＥＳＣ（ｅｍｂｒｙｏｎｉｃ  ｓｔｅｍ  ｃｅｌｌ）又はｉＰＳ（ｉｎｄｕｃｅｄ  ｐｌｕｒｉｐｏｔｅｎｔ  ｓｔｅｍ  ｃｅｌｌ）を培養する段階を含む、筋骨格系幹細胞の製造方法。
【請求項３】
前記培養は、培地組成の変化無しで５継代以上培養することを特徴とする、請求項２に記載の筋骨格系幹細胞の製造方法。
【請求項４】
請求項１の筋骨格系幹細胞への分化誘導用培地組成物を用いて製造された筋骨格系幹細胞。
【請求項５】
ＥＳＣ（ｅｍｂｒｙｏｎｉｃ  ｓｔｅｍ  ｃｅｌｌ）又はｉＰＳＣ（ｉｎｄｕｃｅｄ  ｐｌｕｒｉｐｏｔｅｎｔ  ｓｔｅｍ  ｃｅｌｌ）から分化された筋骨格系幹細胞（ＭＳＳＣ，ｍｕｓｃｕｌｏｓｋｅｌｅｔａｌ  ｓｔｅｍ  ｃｅｌｌ）であって、前記筋骨格系幹細胞は、下記の特徴を有することを特徴とし：
ａ）外胚葉マーカーであるネスチン（Ｎｅｓｔｉｎ，ＮＥＳ）に対して陽性；
ｂ）筋原性衛星マーカー（ｍｙｏｇｅｎｉｃ  ｓａｔｅｌｌｉｔｅ  ｍａｒｋｅｒ）であるＰａｘ７に対して陽性；
ｃ）中胚葉マーカーであるα−ＳＭＡに対して陽性；
ｄ）全分化能マーカーであるＬＩＮ２８に対して陰性；及び
ｆ）中間葉幹細胞マーカーであるＣＤ９０に対して陰性、
前記筋骨格系幹細胞は、骨、軟骨、腱、靭帯、筋肉および脂肪に分化し得ることを特徴とする、筋骨格系幹細胞。
【請求項６】
前記筋骨格系幹細胞は中胚葉に分化されるが、外胚葉又は内胚葉には分化されないことを特徴とする、請求項５に記載の筋骨格系幹細胞。
【請求項７】
前記筋骨格系幹細胞は、筋肉、骨、軟骨、腱又は靭帯に分化される特性を有することを特徴とする、請求項５に記載の筋骨格系幹細胞。
【請求項８】
前記筋骨格系幹細胞は神経には分化されない特性を有することを特徴とする、請求項５に記載の筋骨格系幹細胞。
【請求項９】
前記筋骨格系幹細胞は内皮細胞には分化されない特性を有することを特徴とする、請求項５に記載の筋骨格系幹細胞。
【請求項１０】
前記筋骨格系幹細胞は、韓国細胞株銀行に寄託番号第ＫＣＬＲＦ−ＢＰ−００４６０号で寄託されたことを特徴とする、請求項５に記載の筋骨格系幹細胞。
【請求項１１】
請求項５の筋骨格系幹細胞を含む筋骨格系疾患の予防又は治療用薬剤学的組成物。
【請求項１２】
前記筋骨格系疾患は、骨多孔症、骨軟化症、骨形成不全症（ｏｓｔｅｏｇｅｎｅｓｉｓ
ｉｍｐｅｒｆｅｃｔａ）、骨化石症（ｏｓｔｅｏｐｅｔｒｏｓｉｓ）、骨硬化症（ｏｓｔｅｏｓｃｌｅｒｏｓｉｓ）、パジェット病（Ｐａｇｅｔ’ｓ  ｄｉｓｅａｓｅ）、骨癌、関節炎、くる病、骨折、歯周疾患、骨部分欠損、骨溶解性骨疾患、原発性及び続発性副甲状腺機能亢進症、過骨症、退行性関節炎、変形性膝関節症、変形性股関節症、変形性足関節症、変形性手関節症、変形性肩関節症、変形性肘関節症、膝蓋軟骨軟化症、単純性膝関節炎、離断性骨軟骨炎、上腕骨外側上顆炎、上腕骨内側上顆炎、ヘバーデン結節、ブシャール結節、変形性母指ＣＭ関節症、半月板損傷、椎間板変性、十字靭帯損傷、上腕二頭筋起始腱損傷、靭帯損傷、腱損傷、五十肩、回旋筋蓋裂傷、石灰化腱炎、肩インピンジメント症候群、再発性脱臼、習慣性脱臼、老化性筋消耗症及び筋異栄養症からなる群から選ばれる１つ又はそれ以上の疾患であることを特徴とする、請求項１１に記載の薬剤学的組成物。
【請求項１３】
請求項５の筋骨格系幹細胞を含む細胞治療剤。
【請求項１４】
次の特徴を有する細胞を選別する段階を含む筋骨格系幹細胞のスクリーニング方法：
ａ）外胚葉マーカーであるネスチン（Ｎｅｓｔｉｎ，ＮＥＳ）に対して陽性；
ｂ）筋原性衛星マーカー（ｍｙｏｇｅｎｉｃ  ｓａｔｅｌｌｉｔｅ  ｍａｒｋｅｒ）であるＰａｘ７に対して陽性；
ｃ）中胚葉マーカーであるα−ＳＭＡに対して陽性；
ｄ）全分化能マーカーであるＬＩＮ２８に対して陰性；及び
ｆ）中間葉幹細胞マーカーであるＣＤ９０に対して陰性。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月26日(2020.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機触媒介在ポリチオエーテルコーティングを形成する方法であって、
ビスシリル化ジチオールおよびフルオロアレーンを含む第１の溶液を用意することと、
有機触媒を含む第２の溶液を用意することと、
前記第１の溶液および前記第２の溶液を混合して、混合溶液を形成することと、
前記混合溶液を基材に塗布することと、
前記基材を硬化させることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基材を硬化させることが、前記基材を２２０℃の温度で４ないし６時間硬化させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ビスシリル化ジチオールが、２，２，１１，１１−テトラメチル−３，１０−ジチア−２，１１−ジシラドデカンを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記フルオロアレーンがヘキサフルオロベンゼンを含む、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の溶液がＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を更に含む、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記有機触媒が１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）を含む、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記有機触媒が１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン（ＴＢＤ）を含む、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の溶液がＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を更に含む、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記基材は、植込み型医療デバイスである、請求項１ないし８のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１０】
部分構造：
【化１】
2020519317.tif 000001
［式中、ｎは１を超える］を含む有機触媒介在ポリチオエーテルポリマーを含む、化合物。
【請求項１１】
部分構造：
【化２】
2020519317.tif 000002
［式中、ｎは１を超え、Ｒはシリル化チオール求核剤であり、Ａｒは活性化フルオロアレーンである］を含む有機触媒介在ポリチオエーテルポリマーを含む、化合物。
【請求項１２】
部分構造Ｉ：
【化３】
2020519317.tif 000003
または、部分構造ＩＩ：
【化４】
2020519317.tif 000004
［式中、ｎは１を超える］を含む有機触媒介在ポリチオエーテルポリマーを含む、化合物。
【請求項１３】
前記有機触媒介在ポリチオエーテルコーティングが、部分構造：
【化５】
2020519317.tif 000005
［式中、ｎは１を超え、Ｒはシリル化チオール求核剤であり、Ａｒは活性化フルオロアレーンである］を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記有機触媒介在ポリチオエーテルコーティングが、部分構造Ｉ：
【化６】
2020519317.tif 000006
または、部分構造ＩＩ：
【化７】
2020519317.tif 000007
［式中、ｎは１を超える］を含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月1日(2020.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロック装置であって、
機能的に関連のある構成部品を固定する第１位置と第２位置との間で移動可能な閉塞部材（７）を含み、          
前記第１位置では、前記閉塞部材（７）は、前記構成部品と閉塞して係合しており、及び／又は、前記第１位置では、前記閉塞部材（７）は、前記構成部品と閉塞して係合され、前記第２位置では、前記閉塞部材（７）は、前記構成部品と係合しておらず、
前記第１位置と前記第２位置との間で前記閉塞部材（７）を移動する駆動素子（１２）と、
前記閉塞部材（７）用の固定手段（１３）と、
を含み、
前記固定手段（１３）は、前記第１位置で前記閉塞部材（７）と協働し、且つ、前記第２位置で前記閉塞部材（７）とも協働するように設計され、
前記固定手段（１３）は、不正操作を回避するために前記第１位置の閉塞部材（７）用の背圧固定素子の態様で作用し、且つ、前記第１位置への意図されていない動きに対して、前記第２位置に前記閉塞部材（７）を固定する安全装置の態様で作用する、
ロック装置。
【請求項２】
ハウジング（１０）が設けられ、
前記ハウジング（１０）がベース（１１）を含み、及び、
前記閉塞部材（７）が前記ベース（１１）内で移動可能に案内される、
請求項１に記載のロック装置。
【請求項３】
前記ベース（１１）が金属から構成される、
請求項１又は２に記載のロック装置。
【請求項４】
前記駆動素子（１２）がワームギアの態様で構成され、
昇降曲線（１５）が前記駆動素子（１２）上に位置し、及び、
前記閉塞部材（７）が前記昇降曲線（１５）にてピン（１４）により係合し、結果、前記駆動素子（１２）が駆動されると、前記閉塞部材（７）が前記第１位置と前記第２位置との間で移動可能となる、
請求項１から３のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項５】
電動モータが、前記駆動素子（１２）を駆動するために設けられる、
請求項１から４のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項６】
２つのレシーバ（１９、２０）が、前記固定手段（１３）の前記閉塞部材（７）との協働のために、前記閉塞部材（７）に設けられ、
前記レシーバ（１９、２０）は、いずれの場合も、前記各位置で前記固定手段（１３）をラッチするために設けられ、結果、前記閉塞部材（７）の移動が前記固定手段（１３）により前記各位置でブロックされる、
請求項１から５のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項７】
前記固定手段（１３）は、スライダの態様で構成され、
前記固定手段（１３）は、弾性要素（２１）により、前記レシーバ（１９、２０）の方向に作用する力が付与される、
請求項１から６のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項８】
前記固定手段（１３）は、前記ベース（１１）のガイド（２２）内で移動可能に配置される、
請求項１から７のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項９】
前記固定手段（１３）は、金属から構成され、 前記閉塞部材（７）は、金属から構成される、
請求項１から８のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項１０】
スライドブロックガイド（２４）は、前記弾性要素（２１）によりもたらされる力とは逆に、前記レシーバ（１９、２０）から前記固定手段（１３）を動かすために、及び／又は、前記弾性要素（２１）によりもたらされる力により、前記レシーバ（１９、２０）への前記固定手段（１３）の移動を自由にするために、前記駆動素子（１２）に設けられる、
請求項１から９のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項１１】
前記駆動素子（１２）は、第１蓋面（２９）、第２蓋面（３０）、及び前記第１蓋面（２９）と前記第２蓋面（３０）との間にある外面（３１）を有して略筒状に設計され、
前記昇降曲線（１５）は、前記外面（３１）に位置する、
請求項１から１０のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項１２】
前記スライドブロックガイド（２４）は、前記第２蓋面（３０）に位置する、
請求項１から１１のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項１３】
前記固定手段（１３）は、前記スライドブロックガイド（２４）においてカム（３２）によって係合する、
請求項１から１２のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項１４】
前記駆動素子（１２）と協働する信号生成手段は、前記閉塞部材（７）の各位置に設けられる、
請求項１から１３のいずれか１項に記載のロック装置。
【請求項１５】
前記信号生成手段は、磁石（２７）とホールセンサとから構成され、
前記磁石（２７）は、前記駆動素子（１２）の中、及び／又は、前記駆動素子（１２）上に配置される、
請求項１から１４のいずれか１項に記載のロック装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月11日(2020.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信に用いられる電子装置であって、
車群のネットワーク構成を確認し、
前記ネットワーク構成に対応するリンク安定性測定配置を確定し、前記リンク安定性測定配置は、リンクの受信端装置が伝送されたコンテンツの受信状態に基づいて前記リンクの安定性を確定するために使用される、
ように配置される処理回路を含む電子装置。
【請求項２】
前記処理回路は、所定の時間が経過したこと、車群規模変更、車群メンバーの情報やり取り需要変更、利用可能なネットワーク伝送リソース変更のうち少なくとも１つに応答して前記確認及び前記確定を実行するように配置される請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記車群のネットワーク構成は、車群規模、車群形式、ネットワーク通信のアーキテクチャ、のうち１つ又は複数を含む請求項１に記載の電子装置。
【請求項４】
前記車群のネットワーク通信のアーキテクチャは、１）車群マネージャーが車群メンバーに情報をブロードキャストし、車群メンバーがシングルホップリンクを介して車群マネージャーに情報を送信することと、２）車群マネージャーが車群メンバーに情報をブロードキャストし、車群メンバーが隣接する車群メンバー間の一方向リンクを使用して車群マネージャーに情報を送信することと、３）車群マネージャーが車群メンバーに情報をブロードキャストし、隣接する車群メンバーの間に双方向リンクがあることと、４）隣接する車群メンバー間が双方向リンクを介して情報をやりとることと、５）車群が複数のクラスタに分割され、隣接するクラスタマネージャーの間が双方向リンクを介して情報をやり取り、各クラスタがそれぞれ１）から４）のいずれかで配置されることと、の少なくとも１つを含む請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記処理回路はさらに、確認されたネットワーク構成に基づいて、ネットワーク端に車群にネットワーク伝送リソースを割り当てるように要求するためのリソース割り当て要求を生成するように配置される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項６】
前記処理回路はさらに、車群内部のリソース需要の総量を推定し、前記リソース割り当て要求に推定されたリソース需要の総量を含める、ように配置される請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記処理回路は、前記ネットワーク構成、転送ノードのデータ処理モード、単位時間内に車群メンバーによって伝送される情報量のうち少なくとも１つに基づいて前記推定を行う、ように配置されており、或いは、
前記処理回路は、推定されたリソース需要の総量に基づいて、１つ又は複数の半永続スケジューリング配置要求を前記リソース割り当て要求として生成する、ように配置される請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記リソース割り当て要求は、車群のネットワーク通信のアーキテクチャの標識及び車群規模の情報を含む、請求項５に記載の電子装置。
【請求項９】
前記処理回路はさらに、前記ネットワーク構成に基づいて、単位時間内に車群メンバーによって伝送される情報量を確定し、ネットワーク構成と単位時間内に車群メンバーによって伝送される情報量とが対応関係を有するように配置される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記処理回路はさらに、ネットワーク端によって実際に割り当てられたネットワーク伝送リソースに基づいて、車群のネットワーク構成を調整し、調整されたネットワーク構成に基づいて車群内の伝送リソース割り当てを行う、ように配置される請求項５に記載の電子装置。
【請求項１１】
前記処理回路はさらに、割り当てられたネットワーク伝送リソースの調整可能範囲を前記ネットワーク端から取得し、ネットワーク伝送リソースを車群メンバーに割り当てる際に前記車群メンバーに当該調整可能範囲を通知するように配置される、請求項５に記載の電子装置。
【請求項１２】
前記処理回路は、前記リンク安定性測定配置をネットワーク端から取得するか、又は、予め記憶されたネットワーク構成とリンク安定性測定配置との対応関係に基づいて前記リンク安定性測定配置を確定するように配置される、請求項１に記載の電子装置。
【請求項１３】
前記リンク安定性測定配置はリンク伝送モードとリンク安定性との対応関係を含む、請求項１に記載の電子装置。
【請求項１４】
前記リンク伝送モードは、所定の時間内にリンク上で伝送を実行する回数を含み、前記リンク安定性には、固定期間に成功した受信の回数又は割合を含む、請求項１３に記載の電子装置。
【請求項１５】
前記処理回路はさらに、各リンクに割り当てられた伝送リソースに基づいて、対応する車群メンバーに提供するための、前記リンクに対するリンク安定性測定配置を確定するように配置される、請求項１０に記載の電子装置。
【請求項１６】
無線通信に用いられる電子装置であって、
リンクに対するリンク安定性測定配置に基づいてリンク安定性の測定を行い、その中、前記リンクの受信端が前記電子装置の位置する車両であって、前記リンクの送信端が車群のうち他の車両であり、
前記測定の結果に基づいて対応するイベントをトリガーする
ように配置される処理回路を含む電子装置。
【請求項１７】
前記処理回路は、リソース配置調整が調整可能範囲内にある時に、前記リンクの送信端に送信される調整要求を生成し、リソース配置調整が調整可能範囲内ではない時に、前記電子装置が位置する車両の車群マネージャーに送信される調整要求を生成する、ように配置される請求項１６に記載の電子装置。
【請求項１８】
無線通信に用いられる電子装置であって、
車群メンバーの感知動作に関するパラメータを取得し、
前記パラメータに基づいて、車群のうち複数の車群メンバーに対する感知配置を生成し、前記複数の車群メンバーが前記感知配置に基づいて協調感知を行う
ように配置される処理回路を含む電子装置。
【請求項１９】
前記処理回路はさらに、前記協調感知の結果に基づいて、車群に対する感知された周波数スペクトルの使用者の位置を確定するように配置される、請求項１８に記載の電子装置。
【請求項２０】
無線通信に用いられる方法であって、
車群のネットワーク構成を確認することと、
前記ネットワーク構成に対応するリンク安定性測定配置を確定し、前記リンク安定性測定配置は、リンクの受信端装置が伝送されたコンテンツの受信状態に基づいて前記リンクの安定性を確定するために使用されることと、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月11日(2020.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を除去する方法であって、
前記基板上又は上方に成長制限マスクを形成する工程と、
前記基板上又は上方に１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させる工程と、
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層のうち開放エリア上又は上方の部分を除去する工程と、前記開放エリアは前記成長制限マスク内に形成されており、
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層を、前記開放エリアを除く前記基板上又は上方に形成する工程と、
前記基板を前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層から除去する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層の各々から素子が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成長制限マスクは複数のストライプを含み、前記開放エリアの各々は前記複数のストライプのうちの各２つの間に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層は、エピタキシャル側方過成長（ＥＬＯ）によって成長する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エピタキシャル側方過成長は、前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物系半導体層が合体する前に停止させられる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を除去する工程は、前記基板から前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物系半導体層を完全に分離することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板は、ＩＩＩ族窒化物系基板である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物系半導体層から、層が屈曲している領域を除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板を除去する工程において、支持基板が前記基板の除去に使用される、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記支持基板は、前記素子の形成のために分割される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板を除去する工程の後、前記基板は再利用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層のうち開放エリア上又は上方の部分を除去する工程は、前記成長制限マスクのうち前記部分に近い部分をエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層と前記成長制限マスクとの界面は平面である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層と、前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層は、ＥＬＯＩＩＩ族窒化系層と素子層とを含み、
層が屈曲している領域と、前記層が屈曲している領域は、前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層が屈曲している部分を含み、エピタキシャル側方過成長（ＥＬＯ）によって成長された前記１つ以上のＩＩＩ族窒化物半導体層の末端である、
を有する、素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上述の従来技術における制限を克服し、本明細書の熟読および理解に応じて明白となるであろう他の制限を克服するために、本発明は、基板を除去する方法、具体的には、ＧａＮ系基板が再生利用され得るように、容易な様式でＧａＮ系半導体層からＧａＮ系基板を除去する方法を開示する。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
基板を除去する方法であって、前記方法は、
ＩＩＩ族窒化物系基板の上または上方に成長制限マスクを形成することと、
前記成長制限マスクを使用して、前記ＩＩＩ族窒化物系基板の上または上方に１つ以上のＩＩＩ族窒化物系半導体層を成長させることにより、１つ以上の島状半導体層を作成することと、
前記島状半導体層を支持基板に接合することと、
前記支持基板を使用して、前記島状半導体層から前記ＩＩＩ族窒化物系基板を除去することと
を含む、方法。
（項目２）
前記島状半導体層から前記ＩＩＩ族窒化物系基板を除去することは、エッチングすることによって前記成長制限マスクの少なくとも一部を溶解し、前記島状半導体層から前記ＩＩＩ族窒化物系基板を除去することを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記島状半導体層から前記ＩＩＩ族窒化物系基板を除去することは、前記支持基板を使用して、前記ＩＩＩ族窒化物系基板から前記島状半導体層をはがすことを含む、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記ＩＩＩ族窒化物系基板は、支持基板に接合される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記ＩＩＩ族窒化物系基板は、前記ＩＩＩ族窒化物系基板が前記島状半導体層から除去された後、再生利用される、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記成長制限マスクは、パターン化されている、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記成長制限マスクは、複数のストライプと、開放エリアとから成る、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記ＩＩＩ族窒化物系半導体層のうちの１つ以上のものの成長は、前記成長制限マスクの開放エリアに平行な方向に広がる、項目７に記載の方法。
（項目９）
前記ＩＩＩ族窒化物系半導体層のうちの１つ以上のものは、エピタキシャル側方過成長（ＥＬＯ）によって成長させられる、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記エピタキシャル側方過成長は、前記ＩＩＩ族窒化物系半導体層のうちの１つ以上のものが合体する前に、停止させられる、項目９に記載の方法。
（項目１１）
前記ＩＩＩ族窒化物系半導体層の少なくとも一部は、前記成長制限マスクの少なくとも一部を露出するために、エッチングすることによって除去される、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記成長制限マスクの少なくとも一部は、前記ＩＩＩ族窒化物系基板の少なくとも一部を露出するために、エッチングすることによって除去される、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記成長制限マスクの少なくとも一部は、前記成長制限マスクの開放エリアの上方の前記ＩＩＩ族窒化物系半導体層の少なくとも一部をエッチングすることによって除去される、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記ＩＩＩ族窒化物系半導体層から層が屈曲している領域を除去することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１５）
項目１に記載の方法によって製作される素子。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年5月11日(2020.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
リチウムまたはナトリウム塩基は、好ましくは、水酸化リチウム、ソーダ、リチウムメチラート、ナトリウムメチラート、リチウムエチラート、ナトリウムエチラート、リチウムイソプロピラート、ナトリウムイソプロピラート、リチウムｔ−ブチラート、ナトリウムｔ−ブチラート、水素化リチウム、水素化ナトリウム、ｎ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルナトリウム、ｓ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、フェニルリチウム、フェニルナトリウム、ベンジルリチウム、ベンジルナトリウム、リチウムジムシラート（ｄｉｍｓｙｌａｔｅ）、ナトリウムジムシラート、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、酢酸リチウム、酢酸ナトリウムから選択される。好ましい塩基は、反応中に水を生成しないものである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
リチウムまたはナトリウム塩基は、好ましくは、水酸化リチウム、ソーダ、リチウムメチラート、ナトリウムメチラート、リチウムエチラート、ナトリウムエチラート、リチウムイソプロピラート、ナトリウムイソプロピラート、リチウムｔ−ブチラート、ナトリウムｔ−ブチラート、水素化リチウム、水素化ナトリウム、ｎ−ブチルリチウム、ｎ−ブチルナトリウム、ｓ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、フェニルリチウム、フェニルナトリウム、ベンジルリチウム、ベンジルナトリウム、リチウムジムシラート、ナトリウムジムシラート、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、酢酸リチウムおよび酢酸ナトリウムから選択される。好ましい塩基は反応中に水を生成しないものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年11月26日(2019.11.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
-上面（１１）と上面（１１）の反対側の底面（１３）とを有すると共に長手方向軸（Ｘ‐Ｘ）に沿って延在し、且つ第１及び第２の長手方向面（１５、１７）がそれぞれ前記上面及び前記底面（１１、１３）の間において前記長手方向軸（Ｘ‐Ｘ）に沿って長手方向に延在する収容部（９）と、
-前記第１及び第２の長手方向面（１５、１７）の間の前記収容部上に載置されていると共に、切断エッジ（４１）を有する主切断刃（３５）と、
-前記収容部（９）の前記第１の長手方向面（１５）に向かって位置する主キャップ（５３）と、
-前記収容部（９）上に載置されていると共にトリミングエッジ（７５、Ｃ）を備えるトリミング部材（７３）であって、前記トリミングエッジ（７５、Ｃ）は前記切断エッジ（４１）の反対方向を向くトリミング部材（７３）と、
-前記収容部（９）に設けられていると共に、トリミング・ガードバーエッジ（９１、Ｄ）を備えるトリミング・ガードバー（７７）であって、前記収容部（９）の前記第１の長手方向面（１５）上に設けられたトリミング・ガードバー（７７）と、
を備え、
前記トリミングエッジ（７５、Ｃ）と、前記トリミング・ガードバーエッジ（９１、Ｄ）と、前記トリミング・ガードバーエッジ（９１、Ｄ）付近の前記トリミング・ガードバー（７７）の接線とが、前記トリミング・ガードバー（７７）から見て凹状である理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）を画定し、
前記トリミング・ガードバー（７７）は、前記第２の長手方向面（１７）に向かって前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）の後方に配置され、及び／又は前記第２の長手方向面（１７）に向かって前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）に接して配置され、前記トリミング・ガードバー（７７）は前記第２の長手方向面（１７）に向かって、前記理論的限界トリミングカーブ（ＴＬＴＣ）を越えて突出しておらず、
前記トリミング・ガードバー（７７）は湾曲外面（７９）に設けられ、前記湾曲外面（７９）が使用者の皮膚に面し、前記湾曲外面（７９）が３ミリメートルと８ミリメートルの間の曲率半径を有していることを特徴とする、シェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項２】
前記主キャップ（５３）が第２の長手方向面（１７）に向けられて理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）の後に位置する、請求項１に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項３】
前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）が、前記トリミング・ガードバーエッジ（９１、Ｄ）から、横軸Ｚ-Ｚに沿った、前記トリミング・ガードバー（７７）の直交突出長さの５％〜２０％の間の距離に沿って前記トリミング・ガードバーエッジ（９１、Ｄ）の付近（ＶＡ）で前記トリミング・ガードバーに接している、請求項１又は請求項２に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項４】
前記湾曲外面（７９）が、６ミリメートルと８ミリメートルとの間の曲率半径を有する、請求項１〜３の何れか一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項５】
前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）が円又は楕円の一部である、請求項１〜４の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項６】
前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）の曲率半径が６ミリメートルと８ミリメートルとの間に含まれる、請求項５に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項７】
前記トリミング部材（７３）がトリミング・刃支持部（８３）及びトリミング刃（８１）を備え、前記トリミング刃（８１）が前記トリミングエッジ（７５）を含み、前記トリミング刃（８１）が前記トリミング・刃支持部（８３）により支持されている、請求項１〜６の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項８】
前記収容部（９）上に刃を保持している２つの保持具（８５、８７）を更に備える、請求項１〜７の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項９】
前記トリミング・ガードバー（７７）は、フィン（７８）を有する、請求項１〜８の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項１０】
前記トリミング・ガードバー（７７）が滑らかな表面を備える、請求項１〜８の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項１１】
前記トリミング・ガードバー（７７）は湾曲しており、約７．３〜約７．８ミリメートルの範囲内の半径を有し、前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）は理論的な円（ＴＣ）の一部であり、前記理論的な円（ＴＣ）のセンターは前記トリミング・ガードバーエッジ（７５）から第２の長手方向面（１７）の方へ横軸（Ｙ-Ｙ）に沿って約７．３と約７．７ミリメートルとの間に、且つ前記トリミング・ガードバーエッジ（９１、Ｄ）から前記上面（１１）の方へ横軸（Ｚ-Ｚ）に沿って約０．８と１．２ミリメートル（ｍｍ）との間に位置する、請求項１〜１０の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項１２】
前記トリミング・ガードバー（７７）は湾曲しており、約７ミリメートルの半径（Ｒ）を有し、前記理論的限界トリミング曲線（ＴＬＴＣ）は理論的な円（ＴＣ）の一部であり、
前記理論的な円（ＴＣ）のセンターは前記トリミング・ガードバーエッジから第２の長手方向面（１７）の方へ横軸（Ｙ-Ｙ）に沿って約６．５と約７ミリメートル（ｍｍ）との間に、前記トリミング・ガードバーエッジ（９１）から前記上面（１１）の方へ横軸（Ｚ―Ｚ）に沿って約１．５と２ミリメートル（ｍｍ）との間に位置している、請求項１〜１０の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項１３】
前記トリミング部材（７３）が前記収容部（９）と前記主キャップ（５３）との間に挟まれている、請求項１〜１２の何れかに一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）。
【請求項１４】
ハンドル（７）と、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のシェービング刃カートリッジ（１）であって前記ハンドル（７）に連結されているシェービング刃カートリッジ（１）とを備えるシェーバ。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
トリミング・ガードバー７７には、トリミング・ガードバーエッジ９１の近くに、すなわちトリミング・ガードバーエッジ９１からの短い距離に領域が具備されている。「トリミング・ガードバーエッジの近く」という用語で設計された領域は、トリミング・ガードバーエッジ９１から、横軸Ｚ−Ｚに沿って、トリミング・ガードバー７７と直交して突出する長さの５％と２０％との間、例えば、１０％までのトリミング・ガードバーエッジ９１からの距離まで延在する領域のように理解することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年1月15日(2020.1.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
前記ポリマーが、ポリメタクリル酸メチルを含む、請求項１に記載の方法。
【事件の表示】
　特願２０１２−５３９６５４「液晶組成物および液晶表示素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月２６日国際公開、ＷＯ２０１２／０５３３２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、平成２３年　９月２７日（特許法第４１条に規定される特許出願等に基づく優先権主張：平成２２年１０月２０日）を国際出願とする出願であって、その請求項に係る発明１ないし２４は、願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載された事項により特定されるとおりのものであると認める。
　これに対して、平成２８年　５月１９日付けで拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　そして、上記の拒絶理由は妥当なものと認められるので、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特願２０１２−５２３７４０「ＤＷＰＴＳ向けＵＥ−ＲＳの拡張」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月１０日国際公開，ＷＯ２０１１／０１７４６７，平成２５年　１月１０日国内公表，特表２０１３−５０１４７２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
　本願は，２０１０年８月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００９年８月４日　米国，２０１０年８月２日　米国）の出願であって，「ＤＷＰＴＳ向けＵＥ−ＲＳの拡張」に関するものと認める。
　これに対して，平成２７年１２月２日付けで拒絶理由を通知し，本願は，その特許請求の範囲の記載に不備があり，特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない旨の，並びに，その特許請求の範囲に係る発明が，提示した各引用文献に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができ，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨の拒絶理由を通知し，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，請求人からは何らの応答もない。
　このため，上記の拒絶理由は依然として解消されていないので，本願は，この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。
【事件の表示】
　特許第５５８１３２８号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５５８１３２８号の明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１４−１７〕について訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第５５８１３２８号は、平成２１年１１月２７日（パリ条約による優先権主張　２００８年１１月２７日　英国、２００８年１２月１１日　欧州特許庁）を国際出願日とする特願２０１１−５３８０５６号の請求項１〜１７に係る発明について、平成２６年７月１８日に特許権の設定登録がされ、その後、平成２８年７月５日に本件訂正審判が請求されたものである。
　
第２　請求の趣旨及び訂正の内容
　本件審判の請求の趣旨は、特許第５５８１３２８号の明細書及び特許請求の範囲を審判請求書に添付した訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、請求項１４〜１７からなる一群の請求項について訂正することを求めるものであって、その訂正の内容は、下記１〜３のとおりである。
１　訂正事項１
　　特許請求の範囲の訂正前の請求項１４、１５、１６、１７を削除する。
２　訂正事項２
　　願書に添付した明細書の段落【００５１】、【００５２】、【００７８】〜【００８４】、【０１０９】〜【０１１１】を削除する。
３　訂正事項３
　　願書に添付した明細書の段落【０１１５】に記載された「・・・を使用して第１２実験例で概略を示したスプレー方法により製造し・・・」のうち、「第１２実験例で概略を示した」の部分を削除する。
第３　当審の判断
１　一群の請求項について
（１）訂正前の請求項１５〜１７は、いずれも、訂正前の請求項１４を引用する関係にあることから、請求項１４〜１７は一群の請求項に該当し、「請求項１４〜１７からなる一群の請求項」ごとに訂正を請求することは、特許法第１２６条第３項の規定に適合する。
　
（２）願書に添付した明細書の訂正である訂正事項２、３は、下記「２（２）及び（３）」に示すとおり、訂正事項１に係る一群の請求項（請求項１４〜１７）と関連し、訂正事項２、３に係る訂正請求は、上記一群の請求項の全てについてなされているといえるので、特許法第１２６条第４項の規定に適合する。
２　訂正の目的について
（１）訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１４〜１７を削除するものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）訂正事項２は、本件明細書の段落【００５１】、【００５２】、【００７８】〜【００８４】、【０１０９】〜【０１１１】を削除するものであるが、上記訂正事項１で削除される請求項１４に係る発明はスルホン酸アルキルセルロースに銀を添加するものであるところ、段落【００５１】、【００５２】及び【００７８】〜【００８４】は、「スルホン酸アルキルセルロースに銀を添加する」ことについて説明する記載であり、段落【０１０９】〜【０１１１】の＜第１２実験例＞は、スルホン酸エチルセルロースに銀の水溶液をスプレーするものであるから、これらを削除することは、いずれも「スルホン酸アルキルセルロースに銀を添加する」内容の記載を削除するものであって、上記訂正事項１に係る訂正に伴い、発明の詳細な説明において、特許請求の範囲の記載と不整合となった部分を削除により整合させるものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（３）訂正事項３は、段落【０１１５】の「第１２実験例で概略を示した」との記載を削除するものであるが、上記訂正事項２で＜第１２実験例＞が削除されて存在しなくなる結果、不明瞭となる記載を削除するものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
３　新規事項の追加、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないことについて
　訂正事項１〜３は、いずれも削除であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであることは明らかであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　よって、上記訂正事項１〜３に係る訂正は、特許法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件に適合する。
４　独立特許要件について
　訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　したがって、上記訂正事項１〜３に係る訂正は、特許法第１２６条第７項に規定する要件に適合する。
第４　むすび
　以上のとおり、本件訂正審判の請求における一群の請求項に係る訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第３項ないし第７項の規定に適合するものである。
　よって、結論のとおりに審決する。