【事件の表示】
　特願２０１３−　７７７０９「縦方向構造を有するＬＥＤの製作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月　５日出願公開、特開２０１３−１７５７４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯、本願発明
　本願は、２００３年３月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年４月９日、米国）を国際出願日とする特願２００３−５８５１５３号（以下「原出願」という。）の一部を平成２５年４月３日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年１０月１８日に手続補正がなされ、平成２６年２月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年８月４日に特許請求の範囲の補正がなされたが、同年１１月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年４月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである。
　そして、上記平成２７年４月２日付けの補正は、請求項の削除を目的とするものと認められるところ、本願の請求項に係る発明（以下「本願発明」という。）は、当該補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　
「金属支持構造と、
　金属支持構造上に位置付けられたＧａＮをベースにした半導体構造であって、ＧａＮをベースにした半導体構造が第１の表面、第２の表面、及び、側面を備え、ＧａＮをベースにした半導体構造がｐ型のＧａＮをベースにした層、ｐ型の層上に位置付けられたＧａＮをベースにした能動層、及び、能動層上に位置付けられたｎ型のＧａＮをベースにした層を備え、第２の表面が第１の表面の反対側にあり、第１の表面が第２の表面と比べて金属支持構造に最も近い、ＧａＮをベースにした半導体構造と、
　ｐ型のＧａＮをベースにした層に電気的に接続されたｐ−電極であって、金属支持構造とＧａＮをベースにした半導体構造の第１の表面との間に配置されたｐ−電極と、
　ｎ型のＧａＮをベースにした層に電気的に接続されたｎ−電極であって、ＧａＮをベースにした半導体構造の第２の表面上に配置されたｎ−電極と、
　ＧａＮをベースにした半導体構造の側面及び第２の表面上に位置付けられた不活性層と、
　を備え、
　ＧａＮをベースにした半導体構造の第２の表面が主要な発光表面であり、
　不活性層がｐ型のＧａＮをベースにした層を覆う第１の部分、ＧａＮをベースにした能動層を覆う第２の部分、及び、ｎ型のＧａＮをベースにした層を覆う第３の部分を備え、
　第３の部分が第１の部分より大きい、縦型発光ダイオード。」
　　
２　引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２４４５０３号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化物半導体発光素子に関する。」　
（２）「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態の窒化物半導体発光素子について説明する。
実施の形態１．本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、例えば、金属板からなる導電性基板１２上に、それぞれ窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、活性層２及びｐ層３が積層されてなる積層薄板１０が設けられてなる発光ダイオード（ＬＥＤ）である。ここで、本発明における積層薄板は、例えば、１０μ程度の極めて薄い薄板である。
【００２０】詳細には、積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）の一部に円形のｎ側オーミック電極５が形成され、積層薄板１０の他方の主表面（ｐ層１の表面）にｐ側オーミック電極４が形成されて、発光素子部が構成される。ここで、ｎ側オーミック電極５は、図２に示すように、ｎ層１の表面の中央部に形成され、ｐ側オーミック電極４は、発光層である活性層２の全体に電流が流れるように、積層薄板１０のｐ層１の表面のうち、ｎ側オーミック電極５との対向部分を除くほぼ全面に形成される。このように、ｎ側オーミック電極５をｎ層１の表面の中央部の一部に形成し、ｐ側オーミック電極４をｐ層１の表面のほぼ全面に形成することにより活性層２の全体に電流が流れるようにできるのは、以下のような理由によるものである。
【００２１】すなわち、窒化ガリウム系化合物半導体において、ｎ型層はｐ型層に比較して抵抗が低いために、ｎ層の一部にｎ側オーミック電極を形成することによりｎ層内において電流を拡散することができるのに対し、比較的抵抗が高いｐ層内では電流を拡散させることができないので、ｐ側オーミック電極内において電流を拡散させる必要があるからである。
【００２２】そして、本実施の形態１では、ｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４が形成された積層薄板１０は、ｐ側オーミック電極４と導電性基板１２の上面とが導電性接着剤１１で接合されて導電性基板１２上に固定される。尚、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子においては、導電性接着剤１１が積層薄板１０の側面に周り込んだ場合に、ｐ側オーミック電極４と発光層又はｎ層１との短絡及びｐ層３とｎ層１との間の短絡を防止するために、積層薄板１０の側面に絶縁膜６が形成されている。
【００２３】以上のように構成された本実施の形態１の窒化物半導体発光素子において、導電性基板１２とｎ側オーミック電極５とに電圧を印加することにより、活性層２に電流を供給して活性層２で発光させる。そして、活性層で発光された光は、ｎ層１を介して出力される。」
（３）「【００３２】次に、図３〜図５を参照しながら本実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
（第１工程）第１工程では、サファイア基板２０上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、窒化ガリウム系半導体活性層２及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層３を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により順次成長させることにより形成する（図３（ａ））。
【００３３】（第２工程）第２工程では、ｐ層３上に、例えば、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等からなり該ｐ層３とオーミック接触するｐ側オーミック電極４ａをそれぞれ各窒化物半導体発光素子に対応させて形成する（図３（ｂ））。
（第３工程）第３工程では、各ｐ側オーミック電極４ａ上にそれぞれ、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第１導電性接着剤層１１ａを形成する（図３（ｃ））。
【００３４】（第４工程）第４工程では、各ｐ側オーミック電極４ａと第１導電性接着剤層１１ａを覆うようにＳｉＯ２マスク２１を形成し、該ＳｉＯ２マスク２１を用いて個々の窒化物半導体発光素子に分離するための素子分離溝３１を形成する（図３（ｄ））。
（第５工程）第５工程では、素子分離溝３１及びＳｉＯ２マスク２１を全て覆うように、ＳｉＯ２マスク２２を形成する（図３（ｅ））。
【００３５】（第６工程）第６工程では、素子分離溝３１内のＳｉＯ２マスク２１及び各素子の周辺部を覆うように、レジスト２３を形成し（図４（ａ））、レジスト２３をマスクとして、ＳｉＯ２マスク２１，２２をエッチングすることにより、第１導電性接着剤層１１ａ上のＳｉＯ２を除去する。これにより、図４（ｂ）の下図に示すように、各素子の側面を覆うＳｉＯ２からなる絶縁保護膜６が形成される。
…」
　
　上記（２）の【００２０】には、「ｐ層１」の記載があるが、これは、【００１９】等の記載からみて、「ｐ層３」とすべきところを誤記したものと認められる。
　また、上記（３）の「各素子の側面を覆うＳｉＯ2からなる絶縁保護膜６が形成される。」（【００３５】）の記載に照らせば、上記（２）の「絶縁膜６」は、「ＳｉＯ2からなる絶縁保護膜」であるといえる。
　よって、上記によれば、引用例には、
「金属板からなる導電性基板１２上に、それぞれ窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、活性層２及びｐ層３が積層されてなる積層薄板１０が設けられてなる発光ダイオードであって、
　積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）の一部に円形のｎ側オーミック電極５が形成され、積層薄板１０の他方の主表面（ｐ層３の表面）にｐ側オーミック電極４が形成されて、発光素子部が構成され、
　ｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４が形成された積層薄板１０は、ｐ側オーミック電極４と導電性基板１２の上面とが導電性接着剤１１で接合されて導電性基板１２上に固定され、
　積層薄板１０の側面にＳｉＯ２からなる絶縁膜６（絶縁保護膜）が形成され、
　活性層２で発光された光は、ｎ層１を介して出力される、発光ダイオード。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　　　　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「金属板からなる導電性基板１２」、「窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１」、「（窒化ガリウム系半導体からなる）活性層２」、「（窒化ガリウム系半導体からなる）ｐ層３」、「積層薄板１０」、「積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）」、「積層薄板１０の他方の主表面（ｐ層３の表面）」、「積層薄板１０の側面」、「ｐ側オーミック電極４」及び「ｎ側オーミック電極５」は、それぞれ、本願発明の「金属支持構造」、「ｎ型のＧａＮをベースにした層」、「ＧａＮをベースにした能動層」、「ｐ型のＧａＮをベースにした層」、「半導体構造」、「第２の表面」、「第１の表面」、「側面」、「ｐ−電極」及び「ｎ−電極」に相当する。
（２）本願明細書の【００４０】には、本願発明の「不活性層」について、「ＳｉＯ２又はＳｉ３Ｎ４からなる電気的絶縁物が適切な不活性層の材料である。」と記載されているから、引用発明の「（ＳｉＯ２からなる）絶縁膜６」は、本願発明の「不活性層」に相当するといえる。
（３）引用発明は、「活性層２で発光された光」が「ｎ層１を介して出力される」ものであるから、本願発明と同様に、「ＧａＮをベースにした半導体構造の第２の表面が主要な発光表面」であるものといえる。
（４）引用発明の「絶縁膜６」が、その側面において「ｎ層１」、「活性層２」及び「ｐ層３」を覆っていることは明らかであるから、引用発明は、本願発明と同様に、「不活性層がｐ型のＧａＮをベースにした層を覆う第１の部分、ＧａＮをベースにした能動層を覆う第２の部分、及び、ｎ型のＧａＮをベースにした層を覆う第３の部分を備え」るものといえる。
（５）引用発明の「発光ダイオード」が「縦型発光ダイオード」であることは明らかである。
（６）以上のことから、両者は、
「金属支持構造と、
　金属支持構造上に位置付けられたＧａＮをベースにした半導体構造であって、ＧａＮをベースにした半導体構造が第１の表面、第２の表面、及び、側面を備え、ＧａＮをベースにした半導体構造がｐ型のＧａＮをベースにした層、ｐ型の層上に位置付けられたＧａＮをベースにした能動層、及び、能動層上に位置付けられたｎ型のＧａＮをベースにした層を備え、第２の表面が第１の表面の反対側にあり、第１の表面が第２の表面と比べて金属支持構造に最も近い、ＧａＮをベースにした半導体構造と、
　ｐ型のＧａＮをベースにした層に電気的に接続されたｐ−電極であって、金属支持構造とＧａＮをベースにした半導体構造の第１の表面との間に配置されたｐ−電極と、
　ｎ型のＧａＮをベースにした層に電気的に接続されたｎ−電極であって、ＧａＮをベースにした半導体構造の第２の表面上に配置されたｎ−電極と、
　ＧａＮをベースにした半導体構造の側面に位置付けられた不活性層と、
　を備え、
　ＧａＮをベースにした半導体構造の第２の表面が主要な発光表面であり、
　不活性層がｐ型のＧａＮをベースにした層を覆う第１の部分、ＧａＮをベースにした能動層を覆う第２の部分、及び、ｎ型のＧａＮをベースにした層を覆う第３の部分を備える、縦型発光ダイオード。」の点で一致する。
（７）一方、両者は、
　本願発明では、不活性層が第２の表面上にも位置し、（ｎ型のＧａＮをベースにした層を覆う）第３の部分が（ｐ型のＧａＮをベースにした層を覆う）第１の部分より大きいのに対し、引用発明では、ＳｉＯ２からなる絶縁膜６が積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）上に位置しておらず、絶縁膜６がｎ層１を覆う部分がｐ層３を覆う部分より大きいか不明な点（以下「相違点」という。）で相違する。
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　発光ダイオードにおいて、電極が配置された半導体層の表面上にＳｉＯ2のような本願発明でいう不活性層を設けることは、原出願の優先日時点で周知の技術事項である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−３０２８５６号公報（【０００８】に「ｐ型ＧａＡｓキャップ層２５の上部にはｐ型電極２６が設けられ、…ｐ型電極２６上にはボンディングパッドを有する配線２８と、絶縁膜ＳｉＯ2２９とが積層されている。」と記載されているように、図１８において、電極２６が配置された半導体層２５の表面上に絶縁膜ＳｉＯ２２９が設けられている。また、【００１６】に「ｐ型ＧａＡｓキャップ層４０の上面にはｐ型電極４１が形成され、この電極４１の上部には図示しないボンディングパッドを有する配線４２と配線形成用絶縁膜ＳｉＯ2４３とが積層されている。」と記載されているように、図１において、電極４１が配置された半導体層４０の表面上に絶縁膜ＳｉＯ２４３が設けられている。）、特開２０００−３１５８１９号公報（【００１７】に「ｎ側電極９ａが設けられたウェハの表面に、ＳｉＯ2 などからなるパシベーション膜７を設ける。」と記載されているように、図１において、電極９ａが配置されたｎ型層３の表面上にＳｉＯ2などからなるパシベーション膜７が設けられている。）参照。）から、引用発明において、ＳｉＯ２からなる絶縁膜を、「積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）」上にも設けるようになして、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることに格別の困難性は認められない。
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び上記周知の技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　　　
５　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。