【事件の表示】
　特願２０１３−１５５９６４「フォトマスクプラズマエッチングの為の方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　１月２３日出願公開、特開２０１４−　１３８９９、請求項の数（１３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００５年（平成１７年）６月３日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００４年６月３０日，米国）を出願日とする特願２００５−１６３７８０号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２２年１０月２１日に新たな特許出願（特願２０１０−２３６７００号）としたうえで，当該新たな特許出願の一部を，平成２５年７月２６日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年　８月２６日　審査請求
平成２６年　６月１９日　拒絶理由通知
平成２６年１２月２４日　意見書・手続補正
平成２７年　１月２７日　拒絶査定
平成２７年　６月　３日　審判請求・手続補正
平成２７年１２月１４日　上申書
　
第２　審判請求時の補正の適否
１．補正の内容
　平成２７年６月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲の請求項１及び８を補正するものであって，特許請求の範囲の請求項１及び８記載は，本件補正の前後で以下のとおりである。  
・補正前
「【請求項１】
　プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源と；
　前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている複数の脚部とを備える前記イオン−ラジカル用シールドと、
　前記基板支持用ペデスタル上に配置され、そこから伸びる前記複数の脚部を有するエッジリングと、を備える前記装置。」
「【請求項８】
　プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源と；
　前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、セラミック、石英、陽極処理されたアルミニウム、又は、それらの組み合わせから製造される実質的に平坦な部材と、を備え、複数の脚部が、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている前記イオン−ラジカル用シールドと、
　前記基板支持用ペデスタル上に配置され、そこから伸びる前記複数の脚部を有するエッジリングと、を備える前記装置。」
・補正後
「【請求項１】
　プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源と；
　前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている複数の脚部とを備える前記イオン−ラジカル用シールドと、
　前記基板支持用ペデスタル上に配置され、直接上方に向かって伸び、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する前記複数の脚部を有するエッジリングと、を備える前記装置。」
「【請求項８】
　プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源と；
　前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、セラミック、石英、陽極処理されたアルミニウム、又は、それらの組み合わせから製造される実質的に平坦な部材と、を備え、複数の脚部が、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている前記イオン−ラジカル用シールドと、
　前記基板支持用ペデスタル上に配置され、直接上方に向かって伸び、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する前記複数の脚部を有するエッジリングと、を備える前記装置。」
［補正事項の整理］
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
・補正事項１
　補正前の請求項１の「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、そこから伸びる前記複数の脚部を有するエッジリング」を，「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、
直接上方に向かって
、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する
・補正事項２
　補正前の請求項８の「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、そこから伸びる前記複数の脚部を有するエッジリング」を，「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、
直接上方に向かって
、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する
２．補正の適否
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２２】ないし【００２５】の記載，並びに図１及び２より，補正事項１が，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるから，補正事項１は，平成１８年改正前特許法（以下，単に「特許法」という。）第１７条の２第３項の規定に適合する。
　また，補正事項１は，補正前の請求項１における「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、そこから伸びる前記複数の脚部を有するエッジリング」を，「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、
直接上方に向かって
、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する
　そして，補正事項１と同様の理由により，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであり，また，補正前の請求項８に記載された発明特定事項を限定的に減縮するから，補正事項２は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合し，また，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１及び８に記載された発明（以下，それぞれ「本願補正発明１」及び「本願補正発明８」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明１について
　ア　本願補正発明１
　本願補正発明１は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源と；
　前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている複数の脚部とを備える前記イオン−ラジカル用シールドと、
　前記基板支持用ペデスタル上に配置され、直接上方に向かって伸び、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する前記複数の脚部を有するエッジリングと、を備える前記装置。」
　イ　引用文献１の記載と引用発明１
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平２−１８４０２９号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
　ａ「〔産業上の利用分野〕
本発明はドライエッチング装置に係り、特にレジストのダメージを低減して精密な微細パターンのエッチングを可能とする反応性イオンエッチング装置に関する。
近年、
半導体集積回路の製造におけるマスク
上に微細な蝕刻パターンを形成する
これらのドライエッチイング装置は一対の平行な平面電極を備えた反応室内にハロゲンを含む反応性ガスまたはある種の不活性ガスを導入し、前記電極間の高周波放電により生成したプラズマまたはイオンのスパッタリング効果を利用してエッチングを行うものでウェットエッチングに比較してパターン寸法、エッチングの深さの細かい制御を行うことができる。」（１頁右下欄１０行−２頁左上欄９行）
　ｂ「本発明は上記問題点に鑑み創出されたもので、エッチングレジストの損傷が少なくかつ垂直エッチング（異方性エッチング）を行うことができるドライエッチング装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、
被エッチング試料を載置する平面電極と該平面電極に対向する対向電極とを有し、該対向間の放電プラズマにより被エッチング試料をエッチングするドライエッチング装置
〔作用〕
反応ガスのガス圧を下げてイオンのエネルギを大きくしても、
ホルダの開口を通過した一部のイオンしかレジストや被エツチング面に衝突しないので、レジストの損傷が低減する。
　ｃ「〔実施例〕
以下添付図により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明のドライエツチング装置の模式断面図、第２図は第１図におけるホルダの詳細を示す斜視図である。なお全図を通じて同一記号は同一対象物を表す。
第１図の本発明の装置の特徴は、第３図において前述した従来の
ドライエッチング装置のエッチングチャンバ１１内に、被エッチング試料２のエッチング面に入射する活性イオンの数を制限するホルダ１８を設けた
被エッチング試料２を覆う領域に一様に分布する複数の開口１８ａを有するホルダ１８は、ガラス基板上にＣｒ膜を被着しその上に所定にパターンニングされたノボラック系有機材料のエッチングレジストを有する被エッチング試料２の上面に、適宜な距離を隔て対向電極１４との間に配設されている。
第２図に示す如く、
ホルダ１８は例えば厚さ１ｍｍのＡｌ板に直径５ｍｍの開口１８ａの複数個を一様に分布させ
、脚部１８ｂを平面電極上に載置して被エッチング試料の表面から所定距離隔てて設置される。
このホルダ１８を設置することにより、対向電極１４の下側に生成された反応ガスのプラズマから電界加速によって平面電極方向へ入射する活性イオン１７の一部が遮蔽され、開口１８ａを通過した活性イオンだけがスパッタエッチング作用を行うので、レジストの損傷が低減する。」（３頁左上欄９行−同右上欄１８行）
　ｄ　図１には，
エッチングチャンバ１１内に被エッチング試料２を上部に受けている台座を設けること
（イ）前記（ア）より，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「半導体集積回路の製造におけるマスクの被エッチング試料を載置する平面電極と該平面電極に対向する対向電極とを有し，該対向電極間の放電プラズマによりマスクの被エッチング試料をエッチングするドライエッチング装置において，マスクの被エッチング試料を上部に受けている台座と，ドライエッチング装置のエッチングチャンバ内にマスクの被エッチング試料のエッチング面に入射する活性イオンの数を制限するホルダを設け，前記ホルダはＡｌ板に開口の複数個を一様に分布させ，脚部を平面電極上に載置してマスクの被エッチング試料の表面から所定距離隔てて接地されるものである，ドライエッチング装置。」
　ウ　引用文献２の記載及び引用発明２
（ア）引用文献２
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−１６５２９８号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ａ「【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（プラズマ処理装置）
図１は、この発明の実施の形態であるプラズマ処理装置の側面図である。
【００２４】
その
プラズマ処理装置は、同図に示すように、チャンバ２１とマイクロ波をチャンバ２１に導く導波管２２とを備えている。導波管２２にはマイクロ波電力供給電源３０が接続され
【００２５】
チャンバ２１内は上部のプラズマ発生室２４と下部の処理室２５とに分けられ、それらの間は金属の多孔遮蔽板２６によって仕切られている。
【００２６】
プラズマ発生室２４にマイクロ波透過窓２３を介して導波管２２のマイクロ波の放射口が接続されている。マイクロ波透過窓２３は比誘電率８．０以上の誘電体板からなる。例えば、誘電体板の材料として比誘電率９．７のアルミナ板や、比誘電率８．９の窒化アルミニウム板などを用いる。アルミナ板の材料としては純度９９．７％以上のα−アルミナが好ましく用いられる。
【００２７】
マイクロ波透過窓２３を通してプラズマ発生室２４にマイクロ波が供給される。プラズマ発生室２４には、リング状のパイプからなるガス配管に多数のガス放出孔を設けた処理ガス導入手段２７が設けられている。
プラズマ発生室２４に導入された処理ガスはマイクロ波の電力によりプラズマ化される。
【００２８】
多孔遮蔽板２６は、直径１０ｍｍ以下の貫通孔が多数形成されたアルミニウム板からなる。多孔遮蔽板２６は、プラズマが着火している時にマイクロ波透過窓２３から放射されたマイクロ波の電界強度が０Ｖ／ｍ以上、１０Ｖ／ｍ以下となる位置に設置されている。
【００２９】
多孔遮蔽板２６はプラズマ発生室２４内で発生したプラズマのうち、中性粒子を下流の処理室２５に流通させるとともに、荷電粒子を再結合させることにより荷電粒子を遮蔽する。
　ｂ「【００３２】
（プラズマ処理装置の性能調査）
次に、本願発明者が行った調査実験に基づき、上記のプラズマ処理装置の主要な性能について説明する。
【００３３】
図２は本願発明者の実験により取得した、マイクロ波透過窓２３から下流側にとったマイクロ波の電界強度分布を示すグラフである。縦軸はマイクロ波の電界強度（Ｖ／ｃｍ）を示し、横軸は
マイクロ波透過窓２３の下面から下流側に計った距離（軸方向位置）Ｚ（ｃｍ）を示す。
【００３４】
調査対象である、この発明の実施の形態のプラズマ処理装置は、比誘電率が９．７のアルミナ製のマイクロ波透過窓２３を備え、直径５ｍｍの貫通孔を多数形成した
多孔遮蔽板２
６をＺ＝１５ｃｍの位置に備えている。
・・・
【００４０】
次に、上記のプラズマ処理装置の性能の一つである、プラズマ処理の処理速度について比較調査した。
【００４１】
図３は、アルミナ製のマイクロ波透過窓２３と多孔遮蔽板２６を備えたプラズマ処理装置（本願発明）と、石英製のマイクロ波透過窓と多孔遮蔽板を備えたプラズマ処理装置（比較例）を用いて、被処理基板（ウエハ）Ｗ上のレジスト膜のアッシング速度を比較したグラフである。縦軸はレジスト膜のアッシング速度（μｍ／ｍｉｎ）を示し、横軸はウエハ内半径方向位置Ｒ（ｃｍ）を示す。
【００４２】
調査では、レジスト膜の材料として、ノボラック樹脂を主成分とするポジレジストを用いた。なお、レジスト膜を塗布後、プラズマ処理前にレジスト膜を温度２００℃で加熱した。
【００４３】
そして、
レジスト膜を形成したウエハＷをＺ＝２０ｃｍのところに置いた
（イ）引用発明２
　前記（ア）より，引用文献２には次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「プラズマ処理装置において，チャンバ内を上部のプラズマ発生室と下部の処理室とに分け金属の多孔遮蔽板によって仕切り，前記多孔遮蔽板はプラズマ発生室内で発生したプラズマのうち、中性粒子を下流の処理室に流通させるとともに、荷電粒子を遮蔽し，前記多孔遮蔽板はウエハの上方５ｃｍのところに設置されるプラズマ処理装置。」
　エ　引用文献３の記載と引用発明３
（ア）引用文献３
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−２７７４９７号公報（以下，「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【０００５】
【実施例】本発明を図面を参照して説明する。図１は、本発明の
一巻き誘導アンテナの誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）エッチング装置
【０００６】アルマイト処理された金属容器１と１３．５６ＭＨｚ等の高周波電源の整合器を介して、
誘導結合用のアンテナを配置した石英板２からなるチャンバ５内の電極３にホトマスク４を載置してエッチングする。
（イ）引用発明３
　前記（ア）より，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「誘導結合型プラズマエッチング装置において，誘導結合用のアンテナを配置したチャンバ内の電極にホトマスクを載置してエッチングする誘導結合型プラズマエッチング装置」
　オ　引用文献４の記載と引用発明４及び４’
（ア）引用文献４
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−１４８４７３号公報（以下，「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ａ「【０００２】
【従来の技術】従来半導体装置において、反応ガスにマイクロ波を照射することによって発生させたプラズマは、半導体基板の様々な表面処理に利用されている。例えば、半導体基板上に形成された絶縁膜や導電膜をエッチング処理するためのフォトレジスト膜をアッシング（灰化）して半導体基板上から除去する工程や、
シリコン膜やＳｉ
3
 Ｎ
4
 膜などの導電膜、絶縁膜等をドライエッチングする工程などに用いられる。反応ガスのプラズマは、反応容器外周に電極やコイルを巻き、これに１３．５６ＭＨｚの高周波を印加し、反応ガスを０．５Torr程度反応容器内に導入すると発生する。
・・・
【０００４】活性種は、反応室４で発生し、アルミニウムなどからなる金属メッシュから構成された遮蔽板５を通過してウェーハ処理室７に導入される。
遮蔽板５はアースされているので、このときウェーハなどの被処理体８にダメージを与えるイオンは、遮蔽板５に流れてウェーハ処理室７へは流れない。被処理体８にダメージを与えないラジカルは遮蔽板５を通過する。
　ｂ「【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。まず、図１乃至図３を参照して第１の実施例のプラズマ処理装置を説明する。図１に示す
プラズマ処理装置は、プラズマを発生させる反応室４とこの反応室で発生したプラズマで半導体ウェーハなどの被処理体を処理するウェーハ処理室７とを備えている。反応室４とウェーハ処理室７との間は絶縁メッシュの遮蔽板５で仕切られている。
【００１２】図２は、絶縁メッシュの遮蔽板５の平面図、拡大部分の平面図及び断面図である。
遮蔽板５は、直径約２３０ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円板状の石英板である。
・・・
【００１６】
本発明に用いる絶縁遮蔽板は、従来のアルミニウムを用いるアースされた金属遮蔽板がイオンを吸収することによってウェーハ処理室へ侵入を阻止するのに対し、メッシュの孔径を小さくし、反応室に作用する電場の作用も加えてメッシュ孔がイオンのウェーハ処理室への侵入を防いでいる。
（イ）引用発明４及び４’
　前記（ア）より，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「ドライエッチングする工程に用いるために，反応容器外周にコイルを巻き，これに高周波を印加することにより反応ガスのプラズマを発生させる方法。」
　前記（ア）より，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４’」という。）が記載されていると認められる。
「ドライエッチングする工程に用いられるプラズマ処理装置であって，反応室とウェーハ処理室との間は絶縁メッシュの遮蔽板で仕切られており，遮蔽板は石英板でありラジカルは通過させイオンのウェーハ処理室への侵入を防ぐプラズマ処理装置。」
　カ　引用発明５の記載と引用発明５
（ア）引用文献５
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−０８２６８９号公報（以下，「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００２３】
【発明の実施形態】以下、この発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１乃至図３はこの発明の第１の実施形態で、図１は
エッチング装置
【００２４】
上記チャンバ１の内周壁の高さ方向中途部には支持具５が設けられ、この支持具５には後述する構成の粒子選択壁としてのグリッド６が周辺部を係合させて保持されている。
（イ）引用発明５
　前記（ア）より，引用文献５には次の発明（以下，「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
「エッチング装置において，チャンバの内周壁に支持具が設けられ，この支持具には粒子選択壁としてのグリッドが保持されているエッチング装置。」
　キ　引用発明６の記載と引用発明６
（ア）引用文献６
　原査定の拒絶の理由で引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−１０２４６０号公報（以下，「引用文献６」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ａ「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、
プラズマ反応炉
【０００２】
【従来の技術】
エッチング
　ｂ「【０００９】
【実施例】図２によると、ウエハ周辺部付近の粒子汚染は、
フォーカスリング１１４の下方に小さな通路１１８を備えることにより、減じられる。この小さな通路を通って粒子汚染は、図２の矢印で示されるように排出される。この目的のために、図２の実施例のフォーカスリング１１４は、ポスト１２２上に支持された環(annulus) から吊り下げられている(is suspended)。ウエハペデスタル１１２のショルダ上に置かれた基環(base annulus)１２４が、ポスト１２２を支えている。
（イ）前記（ア）より，引用文献６には次の発明（以下，「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。
「エッチングのためのプラズマ反応炉において，フォーカスリングの下方に小さな通路を備えるために，フォーカスリングはポスト上に支持された環からつり下げられ，ポストはウエハペデスタルのショルダ上におかれた基環に支えられているプラズマ反応炉。」
　ク　本願補正発明１と引用発明１との対比
　引用発明１の「ドライエッチング装置」は「放電プラズマ」によりエッチングするものであるから，本願補正発明１の「プラズマエッチングのための装置」に相当すると認められる。
　引用発明１の「エッチングチャンバ」，「マスクの被エッチング試料」及び「マスクの被エッチング処理を上部に受けている台座」は，それぞれ本願補正発明１の「処理チャンバ」，「フォトマスク用レチクル」及び「フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタル」に相当すると認められる。
　してみると，本願補正発明１と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　を備える前記装置。」
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願補正発明１は「前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源」を備えるのに対し，引用発明１は該誘導的に結合されているＲＦ電源を備えない点。
　ｂ　相違点２
　本願補正発明１は「前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている複数の脚部とを備える前記イオン−ラジカル用シールド」を備えるのに対し，引用発明１は該イオン−ラジカル用シールドを備えない点。
　ｃ　相違点３
　本願補正発明１は「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、直接上方に向かって伸び、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する前記複数の脚部を有するエッジリング」を備えるのに対し，引用発明１は該複数の脚部を有するエッジリングを備えない点。
　ケ　相違点についての検討
　引用文献２ないし６には，それぞれ前記ウないしキのとおりの発明が記載されていると認められる。そして，引用文献２ないし６には，前記相違点２及び３それぞれに係る構成について，記載も示唆もされていない。
　そうすると，引用発明１において，相違点２及び３それぞれに係る構成とすることは，いずれも，引用文献２ないし６にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
　コ　本願補正発明１の効果について
　本願補正発明１は，前記相違点２及び３に係る構成を有することにより，シールドは，プラズマの帯電種及び中性種の空間分布を制御するように適合し，簡単な使用，メンテナンス，交換等のため，容易に交換可能となる（本願明細書段落０００７及び００２５）という，引用発明１ないし６からは予測のできない，格別の効果を奏する。
　サ　まとめ
　したがって，本願補正発明１は，引用発明１ないし６に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２）本願補正発明８について
　ア　本願補正発明８
　本願補正発明８は，本件補正後の請求項８に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源と；
　前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、セラミック、石英、陽極処理されたアルミニウム、又は、それらの組み合わせから製造される実質的に平坦な部材と、を備え、複数の脚部が、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている前記イオン−ラジカル用シールドと、
　前記基板支持用ペデスタル上に配置され、直接上方に向かって伸び、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する前記複数の脚部を有するエッジリングと、を備える前記装置。」
　イ　引用文献１ないし６の記載と引用発明１ないし６
　引用文献１ないし６の記載と引用発明１ないし６は，前記（１）イないしキのとおりである。
　ウ　本願補正発明８と引用発明１との対比
　前記（１）クと同様であるから，本願補正発明８と引用発明１とは，下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「プラズマエッチングの為の装置であって：
　処理チャンバと；
　前記処理チャンバ内に配置され、フォトマスク用レチクルを上部に受けるように適合された基板支持用ペデスタルと；
　を備える前記装置。」
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願補正発明８は「前記処理チャンバ内でプラズマを形成する為に、前記処理チャンバに誘導的に結合されているＲＦ電源」を備えるのに対し，引用発明１は該誘導的に結合されているＲＦ電源を備えない点。
　ｂ　相違点２
　本願補正発明８は「前記基板支持用ペデスタル上方の前記処理チャンバ内に配置されたイオン−ラジカル用シールドであって、前記イオン−ラジカル用シールドは、前記プラズマの帯電種及び中性種の空間的分布を制御するように適合された複数のアパーチャと、セラミック、石英、陽極処理されたアルミニウム、又は、それらの組み合わせから製造される実質的に平坦な部材と、を備え、複数の脚部が、前記基板支持用ペデスタルの上方、３．８１ｃｍから１０．１６ｃｍの間の距離で前記イオン−ラジカル用シールドを支えるために利用されている前記イオン−ラジカル用シールド」を備えるのに対し，引用発明１は該イオン−ラジカル用シールドを備えない点。
　ｃ　相違点３
　本願補正発明８は「前記基板支持用ペデスタル上に配置され、直接上方に向かって伸び、前記イオン−ラジカル用シールドと直接かつ垂直に接触する前記複数の脚部を有するエッジリング」を備えるのに対し，引用発明１は該複数の脚部を有するエッジリングを備えない点。
　エ　相違点についての検討
　引用文献２ないし６には，それぞれ前記（１）ウないしキのとおりの発明が記載されていると認められる。そして，引用文献２ないし６には，前記相違点２及び３それぞれに係る構成について，記載も示唆もされていない。
　そうすると，引用発明１において，相違点２及び３それぞれに係る構成とすることは，いずれも，引用文献２ないし６にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
　オ　本願補正発明８の効果について
　本願補正発明８は，前記相違点２及び３に係る構成を有することにより，シールドは，プラズマの帯電種及び中性種の空間分布を制御するように適合し，簡単な使用，メンテナンス，交換等のため，容易に交換可能となる（本願明細書段落０００７及び００２５）という，引用発明１ないし６から予測のできない，格別の効果を奏する。
　カ　まとめ
　したがって，本願補正発明８は，引用発明１ないし６に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　むすび 
　よって，本件補正は，平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合し，本件補正は，平成１８年改正前特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合する。
　
第３　本願発明
　本件補正は前記第２の３のとおり，平成１８年改正前特許法１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合するから，本願の請求項１ないし１３に係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして，本願については，原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。