【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３５５２５３９号「抵抗付温度ヒューズ」の特許無効審判事件についてされた平成２６年　３月２７日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消の判決（平成２６年（行ケ）第１０１０７号平成２６年１２月２４日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　請求のとおり訂正を認める。 
　特許第３５５２５３９号の請求項１及び２に係る発明についての特許を無効とする。 
　平成２６年３月２７日付け審決のうち、「審判費用は、請求人の負担とする。」との部分を取り消す。 
　審判費用は、その２分の１を請求人の負担とし、２分の１を被請求人の負担とする。 
【理　由】
第１　手続の経緯　  
　本件特許第３５５２５３９号（以下「本件特許」という。）についての特許出願は、平成１０年６月１９日になされ、平成１６年５月１４日にその特許権が設定登録された。  
　そして、本件無効審判請求に係る手続の経緯は、以下のとおりである。  
 　　  
　平成２５年　１月１７日　本件無効審判請求  
　　　　同年　４月　５日　答弁書提出  
　　　　同年　４月２５日　審理事項通知  
　　　　同年　６月　６日　両当事者より口頭審理陳述要領書提出  
　　　　同年　６月２０日　被請求人より口頭審理陳述要領書（２）提出  
　　　　同年　６月２０日　請求人より口頭審理陳述要領書（２）提出  
　　　　同年　６月２０日　口頭審理  
　　　　同年　７月　４日　請求人より手続補正書、上申書提出  
　　　　同年　７月１７日　被請求人より上申書提出  
　　　　同年　８月２８日　審決の予告  
　　　　同年１０月２５日　被請求人より訂正請求書提出  
　　　　同年１０月２８日　請求人より上申書提出  
　　　　同年１２月１２日　請求人より弁駁書提出  
　平成２６年　１月　８日　補正許否の決定  
　　　　同年　２月　７日　被請求人より答弁書（２）提出  
　　　　同年　３月２７日　審決（一次審決） 
　　　　同年１２月２４日　判決言渡（平成２６年(行ケ)第１０１０７号）
　平成２７年　２月１２日　審決の予告 　 
　なお、口頭審理において、請求人は６月２０日に提出した口頭審理陳述要領書（２）を取り下げた。 
　また、合議体は、被請求人に対し、平成２７年２月１２日付けで審決の予告をし、期間の指定をして訂正の機会を与えたが、審決の予告に対する応答はなかった。 　
　  
第２　本審決の審理範囲  
 平成２６年１２月２４日に言渡された判決（平成２６年（行ケ）第１０１０７号）において、 
 「１ 特許庁が無効２０１３−８００００７号事件について平成２６年３月２７日にした審決のうち、特許第３５５２５３９号の請求項１及び２に係る部分を取り消す。  
 ２ 原告らのその余の請求を棄却する。  
 ３ 訴訟費用は、これを２分し、その１を原告らの負担とし、その余は被告の負担とする。」 
　と判示され、かかる判決が確定した。  
 　　 　  
　したがって、一次審決は、特許第３５５２５３９号の請求項３及び４に係る発明を無効とする旨の請求人の請求に対して「成り立たない。」とした部分において確定し、併せて請求項３及び４に係る平成２５年１０月２５日付けの訂正請求書の訂正事項３及び４に対して「訂正を認める。」とした部分においても一体的に確定している。  
 　  
　よって、本審決において審理すべき対象は、上記判決において、一次審決の「本件審判の請求は、成り立たない。」との結論が取り消された請求項１及び２に係る部分のみである。 
 　 
第３　訂正請求について  
１．訂正請求の趣旨及び訂正の内容　  
　被請求人が平成２５年１０月２５日付けの訂正請求書により請求する訂正（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の願書に添付した明細書を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり請求項ごとに訂正しようとするものであって、その請求の内容は以下のとおりである。  
（１）訂正事項１  
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１に、  
　「前記低融点合金体の周囲にフラックスが配置され、ケースが前記セラミック基板に対して気密に密着して前記フラックスを外気環境から保護する、」 という限定事項を追加する。  
 　　 
（２）訂正事項２  
　訂正前の特許請求の範囲の請求項２の  
　「前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させたことを特徴とする請求項１に記載の抵抗付温度ヒューズ。」を、  
　「セラミック基板の片面に低融点合金体を、他面に発熱抵抗体を配置し、この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって、前記低融点合金体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され、その両端及び中間部が電極に接続され、前記発熱抵抗体は前記中間部の電極を介して通電され、前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させたことを特徴とする抵抗付温度ヒューズ。」に訂正する。  
 　　  
２．訂正の適否についての判断  
（１）訂正事項１について  
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に係る発明にフラックス及びケースを追加するものであるので、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。  
　そして、本件特許明細書の段落【００１６】には「・・・使用状態においてはこのケース１４をセラミック基板１１に対して気密に密着して、低融点合金体１２乃至は図示しないが低融点合金体の周囲に配置されるフラックスを外気環境から保護することができる。」と記載されており、上記訂正事項１は、特許明細書に記載された事項の範囲内において訂正を行うものである。  
　また、訂正事項１は、特許請求の範囲を減縮するものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。  
 　　  
（２）訂正事項２について  
　訂正事項２は、訂正前の請求項２が請求項１の記載を引用する記載であったものを、請求項間の引用関係を解消し、請求項１を引用しないものとし、独立形式請求項へ改め、訂正後の請求項２としたものである。  
　したがって、訂正事項２は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正であり、そして、特許明細書に記載された事項の範囲内において訂正を行うものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。  
 　　 
３．小括  
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第１号及び第４号に掲げる事項を目的とし、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するものである。  
　なお、上記第２で述べたとおり、請求項３及び４に係る訂正事項３及び４については、一次審決に記載のとおり確定している。 
　よって、訂正を認める。  
 　　  
第４　本件発明  
　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１及び２に係る発明（以下「本件発明１及び２」という。）は、訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下のとおりのものである。  
 　　  
 「【請求項１】  
　セラミック基板の片面に低融点合金体を、他面に発熱抵抗体を配置し、この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって、前記低融点合金体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され、その両端及び中間部が電極に接続され、前記発熱抵抗体は前記中間部の電極を介して通電され、前記低融点合金体の周囲にフラックスが配置され、ケースが前記セラミック基板に対して気密に密着して前記フラックスを外気環境から保護する、抵抗付温度ヒューズ。  
 【請求項２】  
　セラミック基板の片面に低融点合金体を、他面に発熱抵抗体を配置し、この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって、前記低融点合金体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され、その両端及び中間部が電極に接続され、前記発熱抵抗体は前記中間部の電極を介して通電され、前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させたことを特徴とする抵抗付温度ヒューズ。」  
 　  
第５　請求人の主張  
　請求人は、審判請求書において、訂正前の請求項１ないし３に係る発明についての特許を無効とするとの審決を求めた。  
　また、請求人は平成２５年１２月１２日付けで弁駁書を提出し、訂正後の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とするとの審決を求めている。  
　請求人は上記弁駁書において、訂正後の請求項１に係る発明に対して、訂正により追加された事項について新たな証拠方法を追加して無効理由を主張し、また、訂正後の請求項４に係る発明に対しては、訂正により引用形式から独立形式に記載を改めたことに伴い、訂正前の請求項３に係る発明に対する証拠方法に訂正前の請求項２に係る発明に対する証拠方法を追加して無効理由を主張しており、このような証拠方法の追加及び理由の変更は、審判請求書の要旨を変更する補正に該当するが、当該補正は特許法第１３１条の２第２項第１号の「訂正の請求により請求の理由を補正する必要が生じたこと」に該当し、かつ、「審理を不当に遅延させるおそれがないことが明らかなもの」であるから、平成２６年１月８日付けの補正許否の決定をもって許可した。  
　そして、その理由と証拠方法は次のとおりである。 
　なお、上記第２で述べたとおり、請求項３及び４に係る発明を無効とする旨の請求人の請求に対して「成り立たない。」とした部分は確定している。 　　  
１．無効理由  
　本件特許の請求項１及び２に係る発明は、その特許出願前に日本国内において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本件特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とされるべきである。  
 　 　 
　そして、その主張の概要は以下のとおりである。  
（１）請求項１に係る発明について  
　請求項１に係る発明は、甲第２号証と甲第３号証と甲第１５号証ないし甲第１８号証とに基づいて、当業者が容易になし得る発明にすぎない。  
（２）請求項２に係る発明について  
　請求項２に係る発明は、甲第２号証と甲第３号証と甲第５号証とに基づいて、当業者が容易になし得る発明にすぎない。  
 　 　 
２．証拠方法  
　請求人は、審判請求書に添付して甲第１号証ないし甲第８号証を提出し、口頭審理陳述要領書に添付して甲第９号証及び甲第１０号証を提出し、平成２５年７月４日付けの上申書に添付して甲第１１号証ないし甲第１４号証を提出し、弁駁書に添付して甲第１５号証ないし甲第１８号証を提出した。  
 　　  
 甲第１号証：特許第３５５２５３９号公報（本件特許の特許公報）  
 甲第２号証：実公平４−３６０２７号公報  
 甲第３号証：特開平７−１５３３６７号公報  
 甲第４号証：実公平６−３８３５１号公報  
 甲第５号証：実公平４−３６０２１号公報  
 甲第６号証：特開昭６０−３７６３２号公報  
 甲第７号証：実願昭５１−１５１５０５号（実開昭５３−６７４２５号）のマイクロフィルム  
 甲第８号証：実願平４−３７２６９号（実開平５−９０７７６号）のＣＤ−ＲＯＭ  
 甲第９号証：株式会社日本工業新聞社　平成８年１１月１日発行　「電子技術」　第３８巻第１１号  
 甲第１０号証：特開平４−２６９４８７号公報  
 甲第１１号証：日本電子機械工業会標準化推進企画　民生電子機器用　固定抵抗器のフォーミング寸法の標準　１９８０年７月制定  
 甲第１２号証：社団法人日本電子機械工業規格類一覧表  
 甲第１３号証：社団法人日本電子機械工業会の概要  
 甲第１４号証：表面実装技術　第６巻第８号　日刊工業新聞社刊　平成８年８月１日発行  
 甲第１５号証：特開平８−１６１９９０号公報  
 甲第１６号証：特開平９−１７３０２号公報  
 甲第１７号証：特開平９−２３１８９７号公報  
 甲第１８号証：特開平７−２３０７４７号公報  
 　 　 
　なお、審判請求書には甲第７号証として「実開昭５３−６７４２５号公報」と記載されているが、実際に添付されているのは「実願昭５１−１５１５０５号（実開昭５３−６７４２５号）のマイクロフィルム」の写しである。同様に、甲第８号証として「実開平５−９０７７６号公報」と記載されているが、「実願平４−３７２６９号（実開平５−９０７７６号）のＣＤ−ＲＯＭ」の写しである。  
 　  
第６　被請求人の主張  
　被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする」との審決を求めており、概ね以下のように主張している。  
 　　  
　無効理由について  
　本件特許の請求項１に係る発明は、甲第２号証と甲第３号証と甲第１５号証ないし甲第１８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。また、本件特許の請求項２に係る発明は、甲第２号証と甲第３号証と甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
 　  
第７　当審の判断  
　上記第２で述べたとおり、以下、請求項１及び２に係る部分について審理する。 
 　 
１．甲各号証に記載された事項  
（１）甲第２号証  
　甲第２号証（実公平４−３６０２７号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「【実用新案登録請求の範囲】 
　絶縁基板の片面に複数箇の膜状低融点金属体を設け、これらを膜状導体で直列に接続し、同絶縁基板の他面に上記の複数箇の各膜状低融点金属体に対応して複数箇の膜状抵抗体を設けたことを特徴とする抵抗体付温度ヒユーズ。」（第１頁第１欄第１〜６行） 
（イ）「＜産業上の利用分野＞ 
　本考案は基板型の抵抗体付温度ヒユーズの改良に関するものである。」（第１頁第１欄第８〜１０行） 
（ウ）「＜先行技術と問題点＞ 
　基板型の抵抗体付温度ヒユーズとして、絶縁基板の片面に膜状抵抗体を設け、同絶縁基板の他面に膜状低融点金属体を設けたものが公知である。 
　この抵抗体付温度ヒユーズの使用要領は、過電流による膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達して、この低融点金属体を溶断させ、この溶断によつて上記過電流を遮断することにある。しかしながら、膜状抵抗体の発生熱が絶縁基板の厚みを経て膜状低融点金属体に伝達する熱経路の熱伝達特性が悪いから、作動特性に劣るといつた不利がある。」（第１頁第１欄第１１〜２２行） 
（エ）「＜考案の目的＞ 
　本考案の目的は、基板型の抵抗体付温度ヒユーズにおいて、熱伝達特性の改良により作動特性の向上を図ることにある。」（第１頁第１欄第２３〜２６行） 
（オ）「＜考案の構成＞ 
　本考案に係る抵抗体付温度ヒユーズは、絶縁基板の片面に複数箇の膜状低融点金属体を設け、これらを膜状導体で直列に接続し、同絶縁基板の他面に上記の複数箇の各膜状低融点金属体に対応して複数箇の膜状抵抗体を設けたことを特徴とする構成である。」（第２頁第２欄第１〜７行） 
（カ）「＜実施例の説明＞ 
　以下、図面により本考案を説明する。 
　第１図は本考案に係る抵抗体付温度ヒユーズを示す上面説明図、第２図は同ヒユーズを示す背面説明図である。 
 図において、１は絶縁基板であり、例えばセラミツクス板を用いることができる。２１，２１並びに２２，２２は基板の片面に設けた膜状の対電極であり、絶縁基板１の中心線ｎ−ｎに対し対称的に設けてある。３１，３２は各電極２１，２１，２２，２２間に設けた膜状抵抗体であり、両者の寸法、厚みは同一である。４，……は各対電極に対するリード導体、５は絶縁コートである。６１，６２は基板１の他面に設けた膜状低融点金属体体であり、上記の各膜状抵抗体３１，３２と同じ位置に設けてある。従つて、各膜状低融点金属体６１，６２は中心線ｎ−ｎに対し対称的に存在している。７１，７２はフラツクスである。８は膜状低融点金属体６１，６２を直列に接続せる膜状導体である。９１，９２は各膜状低融点金属体６１，６２に対する膜状補助導体であり、終端ランド９１０，９２０中心線ｎ−ｎ上に存在している。１０，１０は各ランドに接続せるリード導体、１１は絶縁コートである。 
　上記ヒユーズの作動においては、過電流による膜状抵抗体の発熱によつて膜状低融点金属体が溶断するが、膜状低融点金属体が２箇の膜状抵抗体により、すなわち、２箇の熱源により加熱されるから、その熱伝達効率が良好である。従つて、ヒユーズの作動迅速性をよく保証できる。 
　また、２箇の膜状抵抗体のそれぞれに対応して膜状低融点金属体を設けてあり、熱発生源並びに受熱体がヒユーズに対して左右対称的であり、各熱発生源に基づく熱分布が左右対称となつて、その重量熱分布が一様となるから、ヒートサイクルによりヒユーズに発生する歪を一様になし得る。従つて、ヒユーズ作動時までの多数回ヒートサイクル中に、抵抗体付温度ヒユーズが早期破損するのをよく防止でき、苛酷なヒートサイクル下でも支障なく使用できる。」（第１頁第２欄第８行〜第２頁第４欄第１行） 
（キ）「＜考案の効果＞ 
　このように、本考案に係る基板型の抵抗体付温度ヒユーズにおいては、絶縁基板の両面にその基板の厚みを隔てて膜状抵抗体と膜状低融点金属体とを設けたにもかかわらず、作動迅速性を充分に確保でき、しかも、ヒートサイクル中での歪発生も均一に分散でき、苛酷なヒートサイクル下でも安定性を保証できる。 
　なお、本考案においては、膜状低融点金属体の箇数並びにこれらに対応する膜状抵抗体の箇数をそれぞれ３箇とすることも可能である。」（第２頁第４欄第２〜１２行） 
（ク）第２図から、膜状低融点金属体（６１、６２）の両端は、膜状導体（８）及び膜状補助導体（９１、９２）の端部と接続していること、フラックス（７１、７２）は膜状低融点金属体（６１、６２）の周囲に配置されていることが看取しうる。  
 　　 　 
　以上の記載事項及び図面の記載からみて、甲第２号証には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。  
 　　  
　〔引用発明〕  
 「セラミック板からなる絶縁基板（１）の他面に膜状低融点金属体（６１、６２）を、片面に膜状抵抗体（３１、３２）を配置し、この膜状抵抗体（３１、３２）に通電し前記絶縁基板（１）を介して前記膜状低融点金属体（６１、６２）を加熱溶断して回路遮断する抵抗体付温度ヒユーズであって、前記膜状低融点金属体（６１、６２）は膜状で前記絶縁基板（１）の他面に前記膜状抵抗体（３１、３２）と同じ位置に配置され、その両端が膜状導体（８）及び膜状補助導体（９１、９２）に接続され、前記膜状低融点金属体（６１、６２）の周囲にフラックス（７１、７２）が配置された、抵抗体付温度ヒユーズ。」  
 　　  
（２）甲第３号証  
　甲第３号証（特開平７−１５３３６７号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「【０００１】  
【産業上の利用分野】本発明は、例えば充放電可能な二次電池などに適用して好適なヒューズ抵抗器を有する保護素子、その製造方法、及びその素子を設けた回路基板に関する。  
【０００２】  
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来のヒューズ抵抗器としては、大きく分けて、過電流により動作する電流ヒューズと、温度により動作する温度ヒューズとの２タイプが上げられる。しかしながら、近年の産業の発展にともない上記２点の動作源では、ヒューズ機能を満足しない場合が出てきている。  
【０００３】充放電可能な二次電池などには、充電時の電池への過充電を防止するため、保護回路が内蔵される場合がある。また極端な過充電状態におちいった電池は、内部でガスを発生し、爆発の危険性をはらむため、ヒューズのようなもので電池としての機能を断つと言う考え方がある。  
【０００４】このようなケースでは、電圧を検知して動作するヒューズ抵抗器が要求されるが、従来のヒューズ抵抗器では対応することは難しかった。【０００５】例えば、特開平４−３２８２７９号には、低融点金属をＰＴＣを熱源として溶断する構造のヒューズ抵抗器が明記されているが、これは低融点金属とＰＴＣが電気的に直列に接続されたものである。これは、ストロボのフラッシュのような大電流が瞬間的に流れても作動せず、過放電により規定電流以上が電池に流れたときに、ＰＴＣが発熱してヒューズを溶断するものであり、前記の目的に使用できない。  
【０００６】本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、電圧を検知して動作する保護素子、その製造方法、及びその保護素子を設けた回路基板を提供することを目的とする。」 
（イ）「【００１７】  
【作用】本発明の保護素子によれば、低融点金属６及び発熱体５と、検知素子９とから構成される保護素子であって、この低融点金属６とこの発熱体５とが絶縁層４を介して接触され、発熱体５が検知素子９により通電されるものとすることにより、任意の電圧条件で、ヒューズを切断することができる。」  
（ウ）「【００３８】図４中の２ｃは、低融点金属の両端が接続されるヒューズ電極２ａ及び２ｂの中間に設けたヒューズ電極であり、ここにも低融点金属が接続される。材質としては、ヒューズ電極２ａまたは２と同様のものが使用される。この他の構成は、上述実施例と同様である。  
【００３９】以下、実施例の詳細を記載する。まず、２５μｍ厚のポリイミドフィルム上に図５に示す導体パターンを形成し、ヒーター電極３ａ、３ｂ間に、それぞれヒューズ電極２ａ、２ｂ、及び２ｃにかからないように、カ−ボンペーストＦＣ−４０３Ｒ（藤倉化成製、フェノール樹脂系）をスクリーン印刷法により塗布し、１５０℃ｘ３０分硬化させた。  
【００４０】次に、ヒューズ電極２ａ、２ｂ、または２ｃにかからないようにかつカ−ボンペーストの全面を覆うように絶縁層をスクリーン印刷法により塗布し、１５０℃ｘ３０分硬化させた。このとき用いた絶縁層の処方は上述実施例と同様である。  
【００４１】次に、ヒューズ電極２ａ、２ｂ、２ｃ間に、７ｍｍｘ３ｍｍ、厚み１００μｍの低融点金属を熱プレスにより接続した。・・・」  
（エ）「【００４６】以上示したヒューズ抵抗器と電圧検知素子を組み込むことにより、図６Ｂの保護素子を得た。図５中のヒューズ電極２ａ側、２ｂ側のどちらから発熱体に電気が供給されても、低融点金属を溶断後、発熱体への通電が止まり安全であることがわかり、電池の過充電防止用保護素子として用いることが可能である。  
【００４７】すなわち、最初の実施例で示した回路（図６Ａ）は、中間電極を形成すること無く、発熱体と低融点金属を熱的に接触させ、ある一定電圧で発熱体に電流が流れるようにし、そのときの発熱によって低融点金属を溶断するようにした電圧検知システムである。この場合、電池が、充電器に接続されていたとすると、接続部ｅが電極ａ側若しくは電極ｃ側のどちらに接続されていたとしても、低融点金属溶断後も、検知素子を通じての発熱体への通電が止まらず、発熱体は発熱し続け、やがて発火する危険性がある。 
【００４８】これに対して本例の回路では、保護素子は、発熱体への通電が電極ｆ側及び電極ｈ側いずれも、低融点金属を通って中間電極を介して行われるため、電池が充電器に接続されていたとしても、２箇所の低融点金属の溶断で、発熱体への通電を止めることが可能である。」  
 　　  
　以上の記載事項及び図面の記載からみて、甲第３号証には以下の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。  
〔甲３発明〕  
 「発熱体と、発熱体の発熱により溶断する低融点金属とを有した保護素子により、電圧を検知して動作する保護素子を構成することを目的として、低融点金属の両端及び中間にヒューズ電極を設け、発熱体への通電を低融点金属を通って中間電極を介して行うことにより、低融点金属溶断後に発熱体への通電を確実に止め、過加熱を防止する保護素子。」  
 　　  
（３）甲第５号証  
　甲第５号証（実公平４−３６０２１号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「実用新案登録請求の範囲 
　絶縁基板上に異る位置において層状抵抗体と層状低融点金属体とを設け、層状低融点金属体上に絶縁膜を介して層状熱良伝導体を設け、この層状熱良伝導体と上記層状抵抗体とを熱伝導可能なように連結したことを特徴とする抵抗・温度ヒユーズ結合体。」（第１頁第１欄第１〜７行）  
（イ）「＜産業上の利用分野＞ 
　本考案は抵抗・温度ヒユーズ結合体の改良に関するものである。」（第１頁第１欄第９〜１１行） 
（ウ）「＜先行技術と問題点＞ 
　温度ヒユーズを直列に付設した抵抗素子においては、抵抗体が過電流により発熱するとその発熱により温度ヒユーズを溶断させて、抵抗体への通電を遮断することができ、抵抗体の異常発熱から回路を保護できる。 
　かかる温度ヒユーズ付きの抵抗素子として、第４図に示すように、絶縁基板１′上に電極２１′、２２′並びに２３′を設け、電極２１′と電極２２′との間に層状抵抗体３′を設け、電極２１′と電極２３′との間に層状低融点金属体４′を設け、絶縁基板１′上に絶縁層７′を設けたものが公知である。８′、８′はリード導体である。 
　しかしながら、この温度ヒユーズ付抵抗体における、電極２１′近傍の層状低融点金属体部分４０′には抵抗体３′の発生熱が電極２１′を熱伝導路としてよく伝導するので、その層状低融点金属体部分４０′はよく加熱されるが、他の低融点金属体部分は加熱され難い。このため層状低融点金属体が不均一加熱となり、溶断が遅延し、作動性に問題がある。」（第１頁第１欄１２行〜第２欄第６行） 
（エ）「＜考案の目的＞ 
　本考案の目的は、層状低融点金属体の均一加熱を図つて、作動性に秀れた基板型の抵抗・温度ヒユーズ結合体を提供することにある。」 （第１頁第２欄第７〜１０行） 
（オ）「＜考案の構成＞ 
　本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結合体は、絶縁基板上に異る位置において層状抵抗体と層状低融点金属体とを設け、層状低融点金属体上に絶縁膜を介して層状熱良伝導体を設け、この層状熱良伝導体と上記層状抵抗体とを熱伝導可能なように連結したことを特徴とする構成である。」（第１頁第２欄第１１〜１７行） 
（カ）「 ＜実施例の説明＞ 
　以下、図面により本考案を説明する。 
　第１図Ａは本考案に係る温度ヒユーズ付抵抗素子を示す説明図、第１図Ｂは第１図Ａにおけるｂ−ｂ断面図である。 
　第１図Ａ並びに第１図Ｂにおいて、１は絶縁基板であり、セラミツク板、耐熱性プラスチツク板を用いることができる。２１、２２並びに２３は箔状電極である。３は層状抵抗体であり、電極２１と電極２２との間に設けてある。４は層状低融点金属体（例えば、Pb−Sn合金系）であり、電極２１と電極２３との間に設けてある。５は層状熱良伝導体であり、その熱伝導性は層状低融点金属体４よりも一段と秀れ、層状低融点金属体４の直下に絶縁膜６を介して設けてある。この層状熱良伝導体５は電極２１に連結してあり、電極２３とは分離してある。この層状熱伝導体５には電極２３と同じものを用いることができる。７は絶縁基板上に設けた絶縁層、８、８はリード導体である。 
　上記において、過電流により層状抵抗体３が発熱すると、この発生熱が電極２１を熱伝導路として層状熱良伝導体５に伝導され、層状低融点金属体４を電極２１側の一端４０からのみならず、直下からも加熱できるので、層状低融点金属体４をよく一様に加熱できる。 
　第２図は本考案の別実施例を示し、層状熱良伝導体５を層状低融点金属体４の中間部に交叉させてある。６は層状熱良伝導体５と層状低融点金属体４とを絶縁せる絶縁膜である。 
　第３図は本考案の別実施例に係る抵抗体付き温度ヒユーズを示し、３並びに４は互に独立の層状抵抗体並びに層状低融点金属体、５は層状抵抗体３に熱伝導可能なように連結した層状良熱伝導体であり、絶縁膜６を介して層状低融点金属体４に交叉させてある。８１、８１並びに８２、８２はそれぞれリード導体である。 
　この温度ヒユーズにおいては、層状抵抗体３を被保護回路に接続し、層状低融点金属体４を被保護回路のリレー回路に接続して、被保護回路の過電流により層状抵抗体３を発熱させ、この発熱により層状低融点金属体４を溶断させる。而るに、層状低融点金属体４がその直下から層状熱良伝導体５によつて加熱されるので、層状低融点金属体４を一様に加熱でき、層状低融点金属体４を円滑に溶断できる。従つて、被保護回路を良好に保護できる。」 （第１頁第２欄第１８行〜第２頁第４欄第１１行） 
（キ）「＜考案の効果＞ 
　本考案に係る抵抗・温度ヒユーズ結合体においては、上述した通り、層状低融点金属体を一様に加熱できるので、作動特性に秀れている。また、層状抵抗体と層状低融点金属体とを別の位置に設けてあるので、通常のヒートサイクル下では、低融点金属体を安定に保持できる。」（第２頁第４欄第１２〜１８行） 
 　　  
（４）甲第１５号証  
　甲第１５号証（特開平８−１６１９９０号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「【０００１】 
【産業上の利用分野】本発明は、ヒューズ等の低融点金属体を使用した保護素子に関する。特に、本発明は、所定電圧以上の過電圧を防止するために有用な保護素子に関する。」 
（イ）「【０００２】 
【従来の技術】従来より、鉛、スズ、アンチモン等の低融点金属体を使用した保護素子としては、過電流により溶断して電流を遮断する電流ヒューズが広く使用されている。このヒューズの形態としては、短冊状の低融点金属体の両端につめをつけたつめ付きヒューズ、棒状の低融点金属体をガラス管内に封入した筒型ヒューズ、直方体形状の低融点金属体にリード端子を設けたチップ型ヒューズ等が知られている。この他、保護素子としては、所定温度を超えると溶断する温度ヒューズも使用されている。」 
（ウ）「【０００３】 
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の保護素子には、いずれの態様のものについても、配線基板上に表面実装しにくいという問題がある。これに対しては、直方体形状の樹脂内にヒューズを埋め込んで封止し、その直方体形状の樹脂表面にヒューズのリード端子を形成したチップ型ヒューズが提案されている（特開平４−１９２２３７号）。しかし、単に樹脂内にヒューズを埋め込んで封止するだけでは、過電流が流れたときにヒューズが溶解はしても、必ずしも溶断には至らないので、安定的に保護素子として機能させることができないという問題がある。 
【０００４】また、市販されているチップ型ヒューズの大きさは、小さいものでも厚さ２．６×幅２．６×長さ６ｍｍ程度あり、基板に搭載する他の電子部品に比して大きい。特に、ＩＣの厚みが一般に１ｍｍ程度であるのに対して、チップ型ヒューズの厚みが約２．６ｍｍ程度と著しく大きくなっている。そのため実装後の基板の高さがチップ型ヒューズで制約されることとなり、実装スペースの低減を妨げている。したがって、チップ型ヒューズの厚みも１ｍｍ程度に小型化させることが課題となっている。 
【０００５】また、近年の産業の発展に伴い、従来の電流ヒューズや温度ヒューズの他に、過電圧により動作する保護素子が求められるようになっている。 
【０００６】例えば、高エネルギー密度の二次電池として注目されているリチウムイオン電池では、過充電により電極表面にデンドライトが生成し、電池性能が大きく損なわれるので、充電時に電池が所定電圧以上に充電されることを防止することが必要となる。しかしながら、このような過電圧を防止するために有用な保護素子はこれまでに開発されていない。実際、リチウムイオン電池の保護機構としては、短絡等により規定値以上の電流が電池に流れた場合にＰＴＣが発熱し、ヒューズが溶断するようにした保護機構は設けられているが、このような保護機構は過充電の防止のためには使用することができない。このため、過充電を防止するための新たな保護素子が求められており、特に、このような電池の充電時等に使用する保護素子として、発火等の危険がない、使用上の安全性の高いものが求められている。 
【０００７】本発明は以上のようなヒューズに関する従来技術の問題点を解決しようとするものであり、過電圧を防止することのできる新たな保護素子を提供することを第１の目的とする。また、従来の電流ヒューズも含めて、チップ型の保護素子を、安定的な動作を確保しつつ、より小型化させることを第２の目的とする。」 
（エ）「【０００８】 
【課題を解決するための手段】本発明者らは、無機系基板上に無機系材料からなる発熱体、絶縁層及び低融点金属体を順次積層した素子が過電圧を防止する保護素子として有用であることを見出し、第１の本発明を完成させるに至った。また、そのような過電圧防止用の保護素子だけでなく、従来の電流ヒューズも含めて、チップ型の保護素子を形成する場合に、基板上に低融点金属体を配設後、その低融点金属体よりも低融点又は低軟化点の材料で低融点金属体を封止し、さらにその外側を空隙を置いて外部ケースで覆うと、保護素子の機能を損なうことなく小型化できることを見出し、第２の本発明を完成させるに至った。 
【０００９】すなわち、本発明は、第１の発明として、無機系基板上に配設された無機系材料からなる発熱体、該発熱体の表面を覆う絶縁層、及び該絶縁層上に配設された低融点金属体からなることを特徴とする保護素子を提供する。 
【００１０】また、本発明はこのような保護素子を用いた過電圧防止装置として、保護素子と電圧検知手段からなり、電圧検知手段が所定電圧以上の電圧を検知することにより保護素子の発熱体が通電され発熱されるようにしたことを特徴とする過電圧防止装置を提供する。 
【００１１】さらに本発明は、第２の発明として、基板上に配設した低融点金属体、該低融点金属体よりも低融点又は低軟化点材料からなり、該低融点金属体を封止する内側封止部、及び該内側封止部と空隙を置いて該内側封止部を覆う外側ケースからなる過電流防止用保護素子を提供する。」 
（オ）「【００２１】以上のように、本発明の保護素子は、無機系基板２上に配設された無機系材料からなる発熱体３、絶縁層４、低融点金属体５から構成することができるが、さらに図２あるいは図３に示すように低融点金属体５を内側封止部８で封止し、さらにその外側を外部ケース又は外側封止部で覆うことが好ましい。 
【００２２】即ち、図２は、上述の図１の保護素子１ａの低融点金属体５を、該低融点金属体５よりも低融点又は低軟化点を有する内側封止部８で封止し、さらにその内側封止部８を外側ケース９で覆った保護素子１ｂの断面図である。 
【００２３】低融点金属体５の表面が酸化されると、低融点金属体５が本来の溶融温度に加熱されても、その表面酸化部分が溶融せず、そのために低融点金属体５が溶断しない場合が生じるが、このように内側封止部８で低融点金属体５を封止することにより、低融点金属体５の表面酸化を防止できるので、低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の溶断を確実に生じさせることが可能となる。また、内側封止部８は、低融点金属体５よりも低融点又は低軟化点を有する材料から形成するので、この内側封止部８による低融点金属体５の封止により、低融点金属体５の溶断が阻害されることはない。 
【００２４】内側封止部８には、単に低融点金属体５の表面酸化を防止するだけでなく、表面に形成された金属酸化膜の除去作用をもたせることが好ましい。したがって、内側封止部８の封止材料としては、例えば、有機酸、無機酸等の金属酸化膜の除去作用を有する封止材料を使用することが好ましい。なかでも、主成分としてアビエチン酸を含有する非腐食性の固形フラックスが好ましい。これは、アビエチン酸は室温では固形で不活性であるが、約１２０℃以上に加熱されると溶融し、活性状態となって金属酸化物の除去作用を発揮するので、低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の溶断を確実化できるだけでなく、保護素子の保存安定性も向上させることができるからである。また、固形フラックスを用いて内部封止部８を形成する方法としては、クレーター防止の点から、溶剤を使用することなく固形フラックスを加熱溶融させ、その溶融物を低融点金属体５上に塗布することが好ましい。 
【００２５】内側封止部８の厚さは、その封止材料の種類等にもよるが、通常は低融点金属体５の表面酸化の防止の点、あるいは表面酸化膜の除去能の点から、約１０〜１００μｍとすることが好ましい。」 
（カ）「【００２６】外側ケース９は、低融点金属体５や内側封止部８が溶解した場合に、保護素子からそれらの溶融物が流出することを防止するために設けられている。この外側ケース９は、図２に示したように内側封止部８と空隙１０を置いて配することが好ましく、この場合、空隙の垂直方向の大きさｄ1 は５０〜５００μｍ程度、水平方向の大きさｄ2 は０．２〜１．０ｍｍ程度とすることが好ましい。このような大きさの空隙１０により、低融点金属体５や内側封止部８が溶融した場合に、溶融物が移動するスペースが確保されるので、確実に溶断を生じさせることが可能となる。 
【００２７】外側ケース９の構成素材については特に制限はないが、内側封止部８と空隙をあけたハウジング形状とする点、及び耐熱性、難燃性の点から、難燃剤が添加された４，６−ナイロンあるいは液晶ポリマー等を使用することが好ましい。 
【００２８】以上のように、低融点金属体５を内側封止部８で封止し、さらにその内側封止部８と空隙１０をもたせて外側ケース９で覆うと、低融点金属体５の表面を保護し、低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の溶断の確実性を確保し、かつ保護素子の全体としての厚みＤを１ｍｍ程度以下にすることができる。したがって、このよう保護素子１ｂは、保護素子としての動作の信頼性と小型化の要請に応えた優れた保護素子となる。 
【００２９】なお、低融点金属体５を内側封止部８で封止し、さらにその内側封止部８に対して空隙１０をもたせて外側ケース９で覆うという構成自体は、発熱体３をもたない保護素子にも適用することができる。即ち、図２に示した保護素子１ｂには、後述するように過電圧防止装置において機能させられるように発熱体３が設けてあるが、このような発熱体３をもたない従来の過電流防止用のチップ型ヒューズにおいても、その低融点金属体を内側封止部で封止し、さらにその外側を空隙を置いて外側ケースで覆うことは、保護素子としての動作の信頼性を向上させ、かつ素子の小型化を図る上で有用であり、これによりチップ型ヒューズの厚さを従来の５０％程度に低減させることができる。したがって、本発明は、基板上に配設した低融点金属体、その低融点金属体よりも低融点又は低軟化点材料からなり、その低融点金属体を封止する内側封止部、及びその内側封止部と空隙を置いて内側封止部を覆う外側ケースからなる過電流防止用保護素子も包含する。」 
（キ）「【００４５】実施例２ 
実施例１で作製した保護素子の低融点金属体５上にペースト状フラックス（ＨＡ・７８・ＴＳ−Ｍ、タルチン社製）を約０．５ｍｍの厚さに塗布することにより内側封止部８を形成し、次いで液晶ポリマー（Ｇ−５３０、日石化学社製）を用いて成型された外側ケース９をエポキシ系接着剤で接着することにより、図２に示した態様の保護素子を作製した。 
 ・・・ 
【００４８】評価 
実施例２及び実施例３の保護素子のそれぞれについて、低融点金属体用端子７ａ、７ｂにデジタルマルチメーターを接続し、抵抗値を確認しながら発熱体用端子６ａ、６ｂ間に４Ｖの電圧を印加したところ、いずれの保護素子においても６０秒以内に低融点金属体５が溶断することが確認された。このとき外側ケース９あるいは外側封止部１１からの低融点金属体の流出は観察されなかった。」 
（ク）「【００５０】 
【発明の効果】第１の本発明によれば、過電圧を防止することができ、安全性にも優れた保護素子を得ることができる。また、第２の本発明によれば、チップ型の保護素子を、安定的な動作を確保しつつ、より小型化させることが可能となる。」 
 　  
（５）甲第１６号証  
　甲第１６号証（特開平９−１７３０２号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「【００１０】  
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について説明する。図１の（イ）は本発明に係る平型温度ヒュ−ズの一実施例を一部を切開して示す平面図、図１の（ロ）及び図１の（ハ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図及びハ−ハ断面図である。図１の（イ）乃至図１の（ハ）において、１は絶縁基板であり、熱可塑性の硬質プラスチックシ−ト（例えば、熱融着可能なポリイミドシ−ト、ポリエステルシ−ト等）が使用される。２、２は絶縁基板１に固設した一対の電極であり、先端部２を方形の輪郭で絞り出し加工した帯状導体２０のその先端部２を絶縁基板１の裏面側から熱溶着し、方形絞り出し部２を絶縁基板１の表面側に表出させてある。３は低融点金属体であり、両端部３１、３１を各電極２、２に溶接等により接合してある。４は低融点金属体３を覆って塗布したフラックスである。５は絶縁基板１に上記電極２、２及び低融点金属体３を覆って被覆した絶縁外包体であり、例えば、熱可塑性プラスチックフィルム（例えば、熱融着可能なポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等）の熱融着被覆を使用できる（低融点金属体を溶融させることのないように、周囲部のみが熱融着される）。６は上記両電極２、２の一方２と低融点金属体３との接合部上と上記外包体５の内面間に圧縮状態で介在させた弾性体であり、例えば、シリコ−ンゴム発泡体を使用することができる。」 
（イ）「【００１２】図２の（イ）は本発明に係る平型温度ヒュ−ズの別実施例を一部を切開して示す平面図、図２の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図２の（イ）及び図２の（ロ）において、１は熱伝導性に優れた絶縁基板、例えば、セラミックス板である。２、２は絶縁基板１に固設した一対の電極であり、導電ペ−スト例えば、銀ペ−ストの印刷・焼き付けにより形成することができる。２０、２０は各電極２、２に溶接等により接続したリ−ド線である。３は低融点金属体であり、両端部３１、３１を各電極２、２に溶接等により接合してある。４は低融点金属体３を覆って塗布したフラックスである。５は絶縁基板１に上記電極２、２及び低融点金属体３を覆って被覆した絶縁外包体であり、エポキシ樹脂を滴下塗布し、常温で硬化するか、エポキシ樹脂を浸漬塗布し、常温で硬化して形成することができる。」 
（ウ）「【００１４】  
【発明の効果】本発明に係る平型温度ヒュ−ズにおいては、低融点金属体上と外包体内面間に介在させた弾性体または発泡性層のために作動時に低融点金属体が押圧されるから、低融点金属体に酸化皮膜が在っても、酸化皮膜内の低融点金属が溶融するとその酸化皮膜を押圧力で破壊して、正確に低融点金属体の融点で作動させ得、作動温度のずれを排除できる。また、上記酸化皮膜の押圧破壊を一方の電極上の低融点金属体端部で行っているから、押圧直下に溶融低融点金属が残存しても、その残存金属が溶融低融点金属の分断間絶縁を低下させるようなことがなく、低融点金属体の溶融分断後の通電遮断を分断間ア−クの消滅を促して迅速に行わせることができる。従って、本発明によれば、正確かつ迅速な作動を保証できる合金型の平型温度ヒュ−ズを提供できる。」 
 　　  
（６）甲第１７号証  
　甲第１７号証（特開平９−２３１８９７号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「【００１３】リンクのさらなる保護は、典型的には、リンクと脱酸素剤とを何らかのタイプのハウジングまたは封止材内に封止することによって達成される。ハウジングは、リンクを取り囲むはるかに大きなチューブの形態を取ることもでき、あるいは、単純には、ヒューズリンクが平坦な基板に結合される脱酸素剤の頂部の上に直接適用された被覆であってもよい。時によっては、環境バリヤーとして機能するように、カバーまたはキャップをリンクと脱酸素剤との上に適用してもよい。」 
 　　  
（７）甲第１８号証  
　甲第１８号証（特開平７−２３０７４７号公報）には図面とともに以下の事項が記載されている。  
（ア）「【０００８】しかしながら、本発明者等が行った基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズについての作動特性の実験結果によれば、図７の（イ）並びに図７の（ロ）に示した片面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、予想通り、作動特性のバラツキを無視できる程度にとどめ得たが、図８の（イ）乃至図８の（ニ）に示した両面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、作動特性のバラツキが予想以上に大であった。  
【０００９】そこで、本発明者等において、その原因を究明したところ、両面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、エポキシ樹脂層を浸漬塗装法により形成しており、エポキシ樹脂浴の硬化に基づくゲル化が経時的に進行し、それに伴い樹脂浴の粘度が変化して浸漬塗布厚が変化し、その結果、抵抗体付き温度ヒュ−ズの絶縁物の体積が変化し、熱容量にバラツキが生じる。而るに、抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいて、抵抗体から温度ヒュ−ズエレメントに至る熱伝達路の熱抵抗をＲ、熱容量をＣとすれば、温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度は、ＲＣにより評価され、その熱容量Ｃが絶縁物の体積の函数となるから、浸漬塗装厚のバラツキが温度ヒュ−ズエレメントが温度上昇速度、従って作動特性のバラツキを招来するのである。これに対し、片面タイプの基板型抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、一滴当りのエポキシ樹脂滴下量を計量できるので、Ｃのバラツキを排除できるのである。  
【００１０】本発明の目的は、絶縁基板の片面に温度ヒュ−ズエレメントを、同基板の他面に膜抵抗体をそれぞれ設けてなる抵抗体付き温度ヒュ−ズの作動特性のバラツキを低減乃至は防止することにある。  
【００１１】  
【課題を解決するための手段】本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズは、熱伝導性絶縁基板の片面に低融点可溶金属片からヒュ−ズエレメントを設け、同基板の他面に膜抵抗体を設け、ヒュ−ズエレメント並びに膜抵抗体にそれぞれリ−ド線を接続してなる本体に、下側を開放したケ−スを、当該基板のヒュ−ズエレメント側をケ−ス内上面側に向けて被設し、ケ−ス内に硬化性絶縁材を充填したことを特徴とする構成であり、ケ−スの上面中央部に対し同上面の他の部分を絶縁基板に接近させて当該中央部を突出させ、該突出部内にヒュ−ズエレメントを配設することができる。  
【００１２】以下、図面を参照しつつ本発明の構成について説明する。図１の（イ）は本発明において使用する抵抗・温度ヒュ−ズ本体の平面図を、図１の（ロ）は同じく底面図を、図１の（ハ）は図１の（イ）におけるハ−ハ断面図を、図１の（ニ）は図１の（ロ）におけるニ−ニ断面図をそれぞれ示している。図１の（イ）乃至図１の（ニ）において、１１は熱伝導性の絶縁基板であり、セラミックス基板が好適である。１２、１２は絶縁基板１１の片面に設けた一対の膜電極であり、リ−ド線取付部１２１と温度ヒュ−ズエレメント取付部１２２とを備え、縦方向中心線ａ−ａに対し左右対称の膜電極を横方向中心線ｂ−ｂに対し上下対称に配設してある。この膜電極１２は、印刷法、例えば、導電塗料をスクリ−ン印刷し、これを焼き付けたものを使用できる。１３は各膜電極１２に溶接またはろう接したリ−ド線である。１４は膜電極間に溶接により縦方向中央線ａ−ａに沿い橋設した温度ヒュ−ズエレメントであり、丸線または角線（例えば、丸線を扁平化したもの）の低融点可溶合金線材が使用されている。１５は温度ヒュ−ズエレメント１４上に塗布したフラツクスであり、ロジンを主成分とするものが使用されている。  
【００１３】１６、１６、１６、１６は絶縁基板１１の他面に、縦方向中心線ａ−ａに対し左右対称に設けた２対の膜電極であり、一端にリ−ド線取付部１６１を有する帯状膜電極１６２をリ−ド線取付部１６１を絶縁基板１１の左右両端側に位置させるように配設してある。この膜電極１６も上記の印刷法により形成してある。１７は各一対の膜電極１６、１６間に跨り、絶縁基板１１の他面に焼成した膜抵抗体であり、抵抗塗料（抵抗粒子とバインダ−との混合物であり、抵抗粒子には酸化ルテニウム等の酸化金属物の粉末、ニッケルや鉄等の高抵抗金属の粉末を使用でき、バインダ−にはガラスフリツトを使用できる）の印刷・焼き付けにより形成できる。１８は両膜抵抗体１７、１７を覆って設けた保護膜であり、前記ガラスフリツトよりも低融点で、かつ柔軟性のあるガラスフリツトが使用され、膜抵抗体に切り込みを入れる（トリミング）ことによりその抵抗値を調整する際での膜抵抗体のクラック等の発生防止に有効である。１９は膜電極１６に溶接またはろう接により接続したリ−ド線である。  
【００１４】図２の（イ）は本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズの一例を示す断面図、図２の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図である。図２の（イ）並びに図２の（ロ）において、１は上記した抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体である。２は下側を開放したケ−スであり、上板部２１の周囲に枠縁２２を有し、このケ−ス２を抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体１にヒュ−ズエレメント１４側をケ−ス内上面側に向けて被設し、枠縁２２に設けた各Ｖノッチ２２１から各リ−ド線１３、１９を引出してある。  
【００１５】このケ−ス２の枠縁２２の内郭は抵抗体付き温度ヒュ−ズ本体１の絶縁基板１１の外郭を実質上ギャップを残すことなく密嵌状態で被設し得るように設定してあり、当該内郭の縦寸法並びに横寸法を絶縁基板の縦寸法並びに横寸法のそれぞれに対し、１．１倍以下、好ましくは１．０７倍以下としてある。３はケ−ス２内に充填固化した絶縁材であり、ケ−ス開放側を上に向け、粘度が２００００cps〜２０００００cps程度のエポキシ樹脂液を該ケ−ス２内に計量滴下し、常温下で硬化させてある。」 
（イ）「【００２４】  
【作用】抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいて、膜抵抗体から温度ヒュ−ズエレメントに至る熱伝達経路の媒質の熱抵抗をＲ、熱容量をＣとすると、膜抵抗体の発生熱による温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度は、既述した通りＲＣで制せられ、Ｃにバラツキがあれば、温度ヒュ−ズエレメントの温度上昇速度にもバラツキが生じる。  
【００２５】Ｃのバラツキには、第１に絶縁体の体積のバラツキが関与する。而るに、本発明に係る抵抗体付き温度ヒュ−ズにおいては、ケ−ス内に硬化性絶縁材を計量滴下して絶縁体を形成できるから、絶縁体の体積を高精度で一定にでき、更に、ケ−ス、絶縁基板の体積も高精度で一定とでき、絶縁体の体積のバラツキをよく排除でる。」 
 　　　  
２．本件発明１について  
（１）対比  
　本件発明１と引用発明とを対比すると、それぞれの有する機能からみて、後者の「セラミック板からなる絶縁基板（１）」は前者の「セラミック基板」に相当し、同様に、後者の「他面」の「膜状低融点金属体（６１、６２）」は前者の「片面」の「低融点合金体」に相当し、後者の「片面」の「膜状抵抗体（３１、３２）」は前者の「他面」の「発熱抵抗体」に相当し、後者の「抵抗体付温度ヒユーズ」は前者の「抵抗付温度ヒューズ」に相当し、後者の膜状低融点金属体（６１、６２）が「膜状」であることは、前者の低融点合金体が「平板状」であることに相当し、後者の膜状低融点金属体（６１、６２）が絶縁基板（１）の他面に膜状抵抗体（３１、３２）と「同じ位置」に配置されることは、前者の低融点合金体がセラミック基板の片面に発熱抵抗体と「対向する位置」に配置されることに相当し、後者の「膜状低融点金属体（６１、６２）の周囲にフラックス（７１、７２）が配置され」ることは、前者の「低融点合金体の周囲にフラックスが配置され」ることに相当する。  
　また、後者の膜状低融点金属体（６１、６２）の両端と接続される膜状導体（８）及び膜状補助導体（９１、９２）の接続箇所は、その機能からみて、前者の低融点合金体の両端の「電極」に相当するので、後者の膜状低融点金属体（６１、６２）の「両端が電極に接続され」ることは、前者の低融点合金体の「両端及び中間部が電極に接続され」ることと、「両端が電極に接続され」る限りにおいて一致する。  
　そうすると、両者の一致点、相違点は以下のとおりである。  
 　　  
〔一致点１〕  
 「セラミック基板の片面に低融点合金体を、他面に発熱抵抗体を配置し、この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって、前記低融点合金体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され、その両端が電極に接続され、前記低融点合金体の周囲にフラックスが配置された、抵抗付温度ヒューズ。」  
 　  
〔相違点１〕  
　本件発明１は、低融点合金体の「中間部が電極に接続され」、「発熱抵抗体は中間部の電極を介して通電される」ものであるのに対して、引用発明は膜状低融点金属体の中間部に電極を有しておらず、膜状抵抗体への通電が膜状低融点金属体を介していない点。  
〔相違点２〕  
　本件発明１は、「ケースがセラミック基板に対して気密に密着してフラックスを外気環境から保護する」との事項を有しているのに対して、引用発明はそのような事項を有していない点。  
 　  
（２）判断  
　上記各相違点について検討する。  
〔相違点１について〕  
 ア．引用発明と甲３発明とは、低融点金属を抵抗体の発熱により溶断する温度ヒューズまたは保護素子という点で同一の技術分野に属しており、また、甲３発明は、低融点金属と発熱体とから電圧を検知して動作する保護素子を構成することを目的としている。  
　してみると、引用発明及び甲３発明に接した当業者であれば、甲３発明と同様に発熱体と低融点金属体とからなる温度ヒューズである引用発明に対して、電圧を検知して確実に動作するために、甲３発明の低融点金属の中間部に電極を設けるとともに、該電極を介して発熱抵抗体へ通電する技術を適用し、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項とすることは、容易に想到し得ることと認められる。  
イ．被請求人は平成２５年４月５日付け答弁書において、甲第３号証記載のものが、発熱体と低融点金属との間の絶縁に膜状の絶縁層を用いていることが引用発明への適用の阻害要因となる旨主張する（第１３頁「（１−１）」、第１４頁「（１−２）」）。 
　しかしながら、甲３発明の「低融点金属の両端及び中間にヒューズ電極を設け、発熱体への通電を低融点金属を通って中間電極を介して行う」という回路構成は、発熱体と低融点金属との間の絶縁を膜状の絶縁層とすることを必須とするものでなく、当該回路構成が絶縁層の構造を前提とするものではないので、阻害要因とはならない。  
　また、被請求人は同答弁書において、引用発明は過電流を検出するものであるのに対して、甲第３号証記載のものは電圧を検出するものであることから、両者を組み合わせることについて阻害要因がある旨主張している（第１５頁「（１−３）」）。 
　しかしながら、上述のとおり、引用発明と甲３発明とが同一の技術分野に属し、同様の構造を採るものであるから、両者に接した当業者であれば、組み合わせることは、容易に想到し得ることと認められる。  
 　　  
〔相違点２について〕  
ア． 上記１．（４）によれば、甲第１５号証には、( i )図２に示すように、基板２上に配設された発熱体３、その表面を覆う絶縁層４及び当該絶縁層上に配設された低融点金属体５から構成され、当該低融点金属体を内側封止部８で封止し、さらにその内側封止部８を外側ケース９で覆っている保護素子について（段落【０００８】、【００２１】）、( ii )この外側ケース９は、低融点金属体５や内側封止部８が溶解した場合に、保護素子からそれらの溶融物が流出することを防止するために設けられていること（段落【００２６】）、( iii )内側封止部８の封止材料としては、主成分としてアビエチン酸を含有する非腐食性の固形フラックスが好ましく（段落【００２４】）、また、外側ケース９の構成素材については特に制限はないが、難燃剤が添加された４，６−ナイロンあるいは液晶ポリマー等を使用することが好ましいこと（段落【００２７】）、( iv )このように低融点金属体５を内側封止部８で封止し、さらにその内側封止部８と空隙１０をもたせて外側ケース９で覆うと、低融点金属体５の表面を保護し、低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の溶断の確実性を確保することができること（段落【００２８】）、( v )発熱体３をもたない従来の過電流防止用のチップ型ヒューズにおいても、その低融点金属体を内側封止部で封止し、さらにその外側を空隙を置いて外側ケースで覆うことは、保護素子としての動作の信頼性を向上させ、かつ、素子の小型化を図る上で有用であること（段落【００２９】）、( vi )「実施例２」として、低融点金属体５上にペースト状フラックスを約０．５ｍｍの厚さに塗布することにより内側封止部８を形成し、次いで液晶ポリマーを用いて成型された外側ケース９をエポキシ系接着剤で接着することにより、図２の態様の保護素子を作製し、この保護素子に接続した発熱体用端子６ａ、６ｂ間に４Ｖの電圧を印加したところ、６０秒以内に低融点金属体５が溶断することが確認され、このとき外側ケース９あるいは外側封止部１１からの低融点金属体の流出は観察されなかったこと（段落【００４５】、【００４８】）が開示されていることが認められる。 
　上記開示事項及び甲第１５号証の図２によれば、図２の保護素子の外部ケース（外側ケース９）は、基板に対して接着剤で接着し、溶断した低融点金属体及びフラックスが外部ケースの内部から外部に流出しないように構成されていることを理解することができる。 
　また、本件出願当時、可溶合金体及びこれを被覆するフラックスを有する温度ヒューズにおいて、可溶合金体及びフラックスの劣化防止のため、温度ヒューズをケース内に入れてその開口端を封止し、可溶合金体及びフラックスを気密状態で保護することは周知であったことが認められる（なお、判決において、かかる周知技術を裏付ける証拠として、実願昭６０−１８０５７２号（実開昭６２−８８３３０号公報）のマイクロフィルム（明細書５頁２行〜１０行、５頁１３行〜６頁８行、第１図及び第２図）、及び特開平５−２８１８６７号公報（段落【００３７】〜段落【００３９】、段落【００４２】〜段落【００４３】、図１３）が示されている。）。 
　上記周知技術に鑑みると、甲第１５号証に接した当業者においては、図２の保護素子の外部ケース（外側ケース９）が基板に対して接着剤で接着していることにより、外部ケースの内部と外部とで気体が流通しないように密閉された気密状態となっており、これにより低融点金属体及びフラックスが外部ケースの外側の外気環境から保護されていると理解するものと認められる。 
　もっとも、甲第１５号証には、図２の外部ケースが基板と接着していることにより外部ケースの内部と外部とで気体が流通しないように密閉された状態となる構造となっていることについては、明示的な記載はないが、他方で、そのような構造となっていてないことをうかがわせる記載もないことに照らすと、かかる明示的な記載がないことは、上記認定を妨げるものではない。 
　そうすると、甲第１５号証の図２の保護素子は、その外部ケースが基板に対して接着剤で接着していることにより気密に密着してフラックスを外気環境から保護しているものと理解することができるから、甲第１５号証には、相違点２に係る本件発明１の構成が開示されているものと認められる。 
イ．この点に関し、被請求人は、平成２６年２月７日付け答弁書において、甲第１５号証には、ケース９は保護素子から溶融物が流出することを防止するために用いられるものであることは記載されているものの、ケースがセラミック基板に対して「気密に密着」してフラックスを外気環境から保護することに関しては開示も示唆もない旨主張する（４頁「６．１．２」）。 
　しかしながら、上記アのとおり、甲第１５号証の図２の保護素子は、その外部ケース（外側ケース９）が基板に対して接着剤で接着していることにより気密に密着してフラックスを外気環境から保護しているものと理解することができるものであり、甲第１５号証において、図２の外部ケースが基板と接着していることにより外部ケースの内部と外部とで気体が流通しないように密閉された状態となる構造となっていることについて明示的な記載がないことは上記認定の妨げとなるものではない。 
　したがって、被請求人の上記主張は採用することができない。 
ウ．以上を踏まえて相違点２の容易想到性について検討する。 
　上記１．（１）によれば、甲第２号証には、( i )絶縁基板の片面に膜状抵抗体を設け、他面に膜状低融点金属体を設けた基板型の抵抗体付温度ヒューズが公知であり、この抵抗体付温度ヒューズは、過電流による膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達して溶断させ、この溶断によつて過電流を遮断するものであるが、膜状抵抗体の発生熱が絶縁基板の厚みを経て膜状低融点金属体に伝達するため、熱経路の熱伝達特性が悪く、作動特性に劣るといった不利があったこと（摘示（ウ））、( ii )引用発明の目的は、基板型の抵抗体付温度ヒューズにおいて、熱伝達特性の改良により作動特性の向上を図ることにあること（摘示（エ））、( iii )引用発明に係る抵抗体付温度ヒユーズは、膜状低融点金属体が２箇の膜状抵抗体（熱発生源）により加熱されるから、その熱伝達効率が良好であり、ヒューズの作動迅速性をよく保証でき、また、２箇の膜状抵抗体のそれぞれに対応して膜状低融点金属体を設けてあるので、各熱発生源に基づく重量熱分布が一様となり、ヒートサイクル中にヒューズに発生する歪発生を均一に分散でき、苛酷なヒートサイクル下でも安定性を保証できる効果を奏すること（摘示（カ）（キ））が開示されていることが認められる。 
　そして、上記アのとおり、甲第１５号証には、( i )低融点金属体５を内側封止部８で封止し、さらにその内側封止部８と空隙１０をもたせて外側ケース９で覆うと、低融点金属体５の表面を保護し、低融点金属体５が所定温度に加熱された場合の溶断の確実性を確保することができることの開示があること、( ii )本件出願当時、可溶合金体及びこれを被覆するフラックスを有する温度ヒューズにおいて、可溶合金体及びフラックスの劣化防止のため、温度ヒューズをケース内に入れてその開口端を封止し、可溶合金体及びフラックスを気密状態で保護することは周知であったことからすると、甲第２号証及び甲第１５号証に接した当業者においては、引用発明の低融点合金体及びフラックスの劣化を防止するとともに、溶断物の流出を防止することにより作動特性を向上させるため、引用発明の低融点金属体に甲第１５号証の外部ケースを適用する動機付けがあるものと認められるから、相違点２に係る本件発明１の構成とすることを容易に想到することができたものと認められる。 
  　
〔本件発明１の効果について〕 
　本件発明１の発明特定事項により奏される効果も，引用発明、甲第３号証に記載された技術事項、甲第１５号証に記載された技術事項及び上記周知技術からみて格別顕著であるとはいえない。 
 　 
　よって、本件発明１は、引用発明、甲第３号証に記載された技術事項、甲第１５号証に記載された技術事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。  　
　　  
３．本件発明２について  
（１）対比  
　本件発明２は、本件発明１の「前記低融点合金体の周囲にフラックスが配置され、ケースが前記セラミック基板に対して気密に密着して前記フラックスを外気環境から保護する」との事項を省いて、「前記低融点合金体の中間部は前記セラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させた」との事項を付加したものに相当する。  
　そうすると、両者は以下の点で一致し、上記２．（１）に示した相違点１に加えて次の点で相違する。  
 　 　 
〔一致点２〕  
「セラミック基板の片面に低融点合金体を、他面に発熱抵抗体を配置し、この発熱抵抗体に通電し前記セラミック基板を介して前記低融点合金体を加熱溶断して回路遮断する抵抗付温度ヒューズであって、前記低融点合金体は平板状で前記セラミック基板の片面に前記発熱抵抗体と対向する位置に配置され、その両端が電極に接続された、抵抗付温度ヒューズ。」  
 　　  
〔相違点３〕  
　本件発明２は「低融点合金体の中間部はセラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させた」のに対して、引用発明はそのように構成されていない点。  
 　  
（２）判断  
　相違点１についての判断は、上記２．（２）に示したとおりであり、当業者が容易に想到し得るものであるので、以下相違点３について検討する。  
ア．上記１．（３）によれば、甲第５号証には、次の事項が開示されていることが認められる。  
　絶縁基板上の異なる位置に層状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒユーズ付抵抗素子として、第４図に示すように、絶縁基板１′上に電極２１′、２２′、２３′を設け、電極２１′と電極２２′との間に層状抵抗体３′を設け、電極２１′と電極２３′との間に層状低融点金属体４′を設け、絶縁基板１′上に絶縁層７′を設けたものが公知である。この温度ヒユーズ付きの抵抗素子においては、電極２１′近傍の層状低融点金属体部分４０′には抵抗体３′の発生熱が電極２１′を熱伝導路としてよく伝導するので、その層状低融点金属体部分４０′はよく加熱されるのに対し、他の低融点金属体部分は加熱され難いため層状低融点金属体が不均一加熱となり、溶断が遅延し、作動性に問題があった（摘示（ウ））。  
　甲第５号証に係る発明は、上記温度ヒユーズ付きの抵抗素子において、第１図Ａ、第２図及び第３図に示すように、層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝導体５を設ける構成を採用したものであり、層状抵抗体３が発熱すると、この発熱が電極２１を熱伝導路として層状熱良伝導体５に伝導され、層状低融点金属体４を電極２１側の一端４０からのみならず、層状熱良伝導体５で支持される部分の直下からも加熱され、層状低融点金属体４を一様に加熱できるので、作動特性に秀れているという効果を奏する（摘示（カ）（キ））。 
イ． 上記アの開示事項によれば、甲第５号証に接した当業者においては、絶縁基板上の異なる位置に層状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒユーズ付抵抗素子において、第１図Ａ、第２図及び第３図に示すように、層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝導体５を設けることによって、層状抵抗体３の発熱の伝熱経路をコントロールし、層状低融点金属体４を電極２１側の一端４０からのみならず、層状熱良伝導体５を設けた部分の直下からも加熱され、層状低融点金属体４を一様に加熱することができ、その結果、溶断の遅延を回避し、作動特性が向上することを理解するものと認められる。 
　このように甲第５号証には、層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝導体５を設けることによって、層状抵抗体３の発熱の伝熱経路をコントロールし、層状低融点金属体４を層状熱良伝導体５を設けた部分の直下からも加熱されるように加熱箇所をコントロールする技術が開示されており、この技術によって層状低融点金属体４を一様に加熱することができ、その結果、溶断の遅延を回避し、作動特性が向上することが開示されているといえる。  
ウ．以上を踏まえて相違点３の容易想到性について検討する。 
　上記２．（２）のとおり、引用発明に甲３発明（「発熱体と、発熱体の発熱により溶断する低融点金属とを有した保護素子により、電圧を検知して動作する保護素子を構成することを目的として、低融点金属の両端及び中間にヒューズ電極を設け、発熱体への通電を低融点金属を通って中間電極を介して行うことにより、低融点金属溶断後に発熱体への通電を確実に止め、過加熱を防止する保護素子。」）の技術を適用して相違点１に係る本件発明１の発明特定事項（低融点合金体の「中間部が電極に接続され」、「発熱抵抗体は中間部の電極を介して通電される」構成）とすることは、容易に想到し得ることといえる。 
　また、上記１．（１）のとおり、甲第２号証には、絶縁基板の片面に膜状抵抗体を設け、他面に膜状低融点金属体を設けた基板型の抵抗体付温度ヒューズは、膜状抵抗体の発生熱が絶縁基板の厚みを経て膜状低融点金属体に伝達するため、熱経路の熱伝達特性が悪く、作動特性に劣るといった不利があったことから（摘示（ウ））、引用発明に係る抵抗体付温度ヒューズは、基板型の抵抗体付温度ヒューズにおいて、熱伝達特性を改良することにより作動特性の向上を図ることを目的とすること（摘示（エ））が開示されている。 
　さらに、上記イのとおり、甲第５号証には、絶縁基板上の異なる位置に層状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒューズ付抵抗素子において、層状低融点金属体４又はその中間部の直下に絶縁膜６を介して層状熱良伝導体５を設けることによって、層状抵抗体３の発熱の伝熱経路をコントロールし、層状低融点金属体４を層状熱良伝導体５を設けた部分の直下からも加熱されるように加熱箇所をコントロールする技術が開示されており、この技術によって層状低融点金属体４を一様に加熱することができ、その結果、溶断の遅延を回避し、作動特性が向上することが開示されている。 
　しかるところ、引用発明は、絶縁基板の片面に膜状抵抗体を設け、他面に膜状低融点金属体を設けた基板型の抵抗体付温度ヒューズであるのに対し、甲第５号証記載の温度ヒューズ付抵抗素子は、絶縁基板上の異なる位置に層状抵抗体と層状低融点金属体とを設けた温度ヒューズ付抵抗素子であり、両者は、絶縁基板に対する膜状抵抗体（層状抵抗体）と膜状低融点金属体（層状低融点金属体）との配置が異なるが、いずれも抵抗体付温度ヒューズである点で技術分野が共通し、また、膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達する伝熱経路の熱伝達特性を高め、作動特性を向上させることを目的とする点で技術課題が共通するものと認められる。 
　そうすると、甲第２号証、甲第３号証及び甲第５号証に接した当業者は、引用発明に甲３発明の技術を適用して膜状低融点合金体の「中間部が電極に接続され」、「発熱抵抗体は中間部の電極を介して通電される」構成とする際に、引用発明の膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達する伝熱経路の熱伝達特性を高め、溶断の遅延を回避し、作動特性を向上させるために、甲第５号証に開示された層状低融点金属体４の中間部の直下に層状熱良伝導体５を設ける技術を適用することの動機付けがあるものと認められるから、相違点３に係る本件発明２の構成（「低融点合金体の中間部はセラミック基板上に配置した良熱伝導体で支持させた」構成）とすることを容易に想到することができたものと認められる。 
エ．被請求人は、平成２５年４月５日付け答弁書において、甲第２号証では、甲第５号証のように低融点金属の一部分が加熱されやすく、他の部分が加熱され難いという課題は開示も示唆もされていないから、課題の観点からは、甲第２号証と甲第５号証を組み合わせるための動機付けが存在しない旨、及び、甲第２号証の発明と甲第５号証の発明とでは、発明の機能、作用が全く異なるため、甲第２号証に甲第５号証を組み合わせることは、当業者が容易に想到したものであるとはいえない旨主張する（１９頁「イ−２）」）。　しかしながら、上記ウのとおり、引用発明と甲第５号証記載の温度ヒューズ付抵抗素子とは技術分野が共通するばかりでなく、膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達する伝熱経路の熱伝達特性を高め、作動特性を向上させることを目的とする点で技術課題が共通するものと認められるから、甲第２号証、甲第３号証及び甲第５号証に接した当業者は、引用発明に甲３発明の技術を適用するに際し、引用発明の膜状抵抗体の発生熱を膜状低融点金属体に伝達する伝熱経路の熱伝達特性を高め、溶断の遅延を回避し、作動特性を向上させるために、甲第５号証に開示された層状低融点金属体４の中間部の直下に層状熱良伝導体５を設ける技術を適用する動機付は存在するものといえる。 
　また、一般に、主たる引用発明に他の引用発明や技術事項を適用する場合、その引用発明又は技術事項に示された形状・構造をそのまま組み合わせるのではなく、必要に応じて合理的な構造変更や機能の調整・適応のための改変を行うことは当然のことであり、引用発明に甲第５号証記載の技術を適用する場合においても、引用発明の構成を前提に、引用発明の低融点合金体の中間部の直下に層状熱良伝導体の構成を組み合わせることになるから、被請求人の上記主張は採用することができない。 
 　 
　そして、本件発明２の発明特定事項により奏される効果も，引用発明、甲第３号証及び甲第５号証に記載された技術事項からみて格別顕著であるとはいえない。 
 　 
　よって、本件発明２は、引用発明、甲第３号証及び甲第５号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。 
  
第８　むすび  
　以上のとおり、本件発明１及び２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず、特許法第１２３条第１項第２号の規定に該当するので、無効とすべきものである。  
　審判に関する費用については、一次審決の結論と併せ、特許法第１６９条第２項において準用する民事訴訟法第６４条の規定により、請求人が２分の１を、被請求人が２分の１を負担すべきものとする。  
 　　  
　よって、結論のとおり審決する。