【手続補正書】
【提出日】令和2年5月11日(2020.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスアセンブリを修理する方法であって、
バックプレーンおよび発光デバイスを含んだ発光デバイスアセンブリを準備する工程であって、前記発光デバイスアセンブリ内の画素の主たるサブセットが、修理発光デバイスを収容するための空きサイトを含んでいる、準備する工程と、
前記発光デバイスアセンブリ内の機能しない発光デバイスを特定するテストマップを生成する工程と、
修理ヘッドおよび修理発光デバイスのアセンブリを準備する工程であって、前記修理発光デバイスは、機能しない発光デバイスを含んだ欠陥画素内の空きサイトの鏡像である位置にのみ配置されている、準備する工程と、
前記修理発光デバイスを、前記修理ヘッドから前記欠陥画素内の前記空きサイト内の前記バックプレーンへ転写する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記修理発光デバイスを成長基板から第１の転写基板へ転写する工程と、
前記修理発光デバイスを前記第１の転写基板から前記修理ヘッドに転写する工程であって、前記発光デバイスアセンブリに存在する前記発光デバイスと前記バックプレーン上の前記修理発光デバイスとが、同じ向きに配列されたｐ−ｎ接合を含む、転写する工程と、を有する、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記修理発光デバイスのそれぞれが、前記発光デバイスアセンブリ内の単一の発光デバイスよりも２回より多く転写され、前記修理ヘッドは前記バックプレーンと同じ形状を有する、方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、
前記修理発光デバイスを成長基板から第１の転写基板へ転写する前記工程が、レーザーリフトオフによって実施され、
前記修理発光デバイスを前記第１の転写基板から前記修理ヘッドへ転写する前記工程が、前記第１の転写基板上の第１のＵＶリリーステープを選択的に紫外線に曝露することによって実施され、
前記修理発光デバイスを前記修理ヘッドから前記バックプレーンへ転写する前記工程が、修理ヘッド基板上の第２のＵＶリリーステープを選択的に紫外線に曝露することによって実施される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記修理発光デバイスを成長基板から第１の転写基板へ転写する前記工程が、
第１のタイプの修理発光デバイスを第１の成長基板から第１のタイプの第１の転写基板へ転写する工程と、
第２のタイプの修理発光デバイスを第２の成長基板から第２のタイプの第１の転写基板へ転写する工程と、
第３のタイプの修理発光デバイスを第３の成長基板から第３のタイプの第１の転写基板へ転写する工程と、を含み、
前記修理発光デバイスを前記第１の転写基板から前記修理ヘッドへ転写する工程が、前記第１、前記第２、および前記第３のタイプの修理発光デバイスを、前記第１、第２、および第３のタイプの第１の転写基板のそれぞれから前記修理ヘッドへ転写する工程を含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記修理発光デバイスを成長基板から第１の転写基板へ転写する前記工程が、
第１のタイプの修理発光デバイスを第１の成長基板から前記第１の転写基板へ転写する工程と、
第２のタイプの修理発光デバイスを第２の成長基板から前記第１の転写基板へ転写する工程と、
第３のタイプの修理発光デバイスを第３の成長基板から前記第１の転写基板へ転写する工程と、を含み、
前記修理発光デバイスを前記第１の転写基板から前記修理ヘッドへ転写する工程が、前記第１、前記第２、および前記第３のタイプの修理発光デバイスを、同一の第１の転写基板から前記修理ヘッドへ転写する工程を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記第１、前記第２、および前記第３のタイプの修理発光デバイスが、前記バックプレーン上の前記欠陥画素内の前記空きサイトの位置と同じ配置で前記第１の転写基板に配列される、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記発光デバイスアセンブリ上の前記発光デバイスが、異なるピーク波長で発光する複数のタイプの発光デバイスを含み、
前記テストマップが、複数のタイプの機能しない発光デバイスを特定する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
複数のタイプの修理発光デバイスが前記修理ヘッドから前記バックプレーンへ転写され、
同一タイプの修理発光デバイスのそれぞれは、前記バックプレーン上の特定の鏡像空きサイトで同一の前記欠陥画素内に位置する機能しない発光デバイスと同一タイプである、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記発光デバイスアセンブリが直視型ディスプレイを有し、前記発光デバイスが赤色、緑色、および青色発光ダイオードを有する、方法。
【請求項１１】
バックプレーンおよび発光デバイスのアセンブリを製造する方法であって、
それぞれが中心発光デバイスを含んだ中心領域と修理発光デバイスを含んだ周辺領域とを有する、複数の成長基板を準備する工程と、
バックプレーンおよび転写された発光デバイスを含んだ発光デバイスアセンブリを形成するために、前記中心発光デバイスを前記複数の成長基板の少なくとも１つの前記中心領域から前記バックプレーンへ転写する工程であって、前記発光デバイスアセンブリ内の画素の主たるサブセットが、前記修理発光デバイスを収容するための空きサイトを含んでいる、転写する工程と、
前記発光デバイスアセンブリ内の機能しない発光デバイスを特定するテストマップを生成する工程と、
前記修理発光デバイスを前記複数の成長基板の少なくとも１つの前記周辺領域から第１の転写基板へ転写する工程と、
前記修理発光デバイスを前記第１の転写基板から第２の転写基板へ転写する工程と、
前記修理発光デバイスを前記第２の転写基板から、機能しない発光デバイスを有する画素内の前記空きサイト内の前記バックプレーンへ転写する工程と、を有する、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、１つのバックプレーン上に配置された前記修理発光デバイスおよび前記中心発光デバイスが、前記複数の成長基板の同じ１つから転写される、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、１つのバックプレーン上に配置された前記修理発光デバイスおよび前記中心発光デバイスが、前記複数の成長基板の異なる１つずつから転写される、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、前記修理発光デバイスは、前記中心領域に配列された前記中心発光デバイスの密度よりも低い密度で前記周辺領域に配列される、方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の方法であって、前記バックプレーン上の前記中心発光デバイスおよび前記修理発光デバイスが、同じ向きに配列されたｐ−ｎ接合を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の方法であって、前記発光デバイスアセンブリが直視型ディスプレイを有し、前記発光デバイスが赤色、緑色、および青色発光ダイオードを有する、方法。
【請求項１７】
周辺領域に修理発光デバイスを有し、中心領域に中心発光デバイスを有する基板であって、前記修理発光デバイスが、前記中心領域に配列された前記中心発光デバイスの密度よりも低い密度で前記周辺領域に配列される、基板。
【請求項１８】
請求項１７に記載の基板であって、前記基板が実質的に円形の成長基板を有し、前記修理発光デバイスおよび前記中心発光デバイスが前記成長基板上で製作され同一のピーク発光波長を有する半導体発光ダイオードを有する、基板。
【請求項１９】
同一バックプレーン上に配置された有機発光ダイオードおよび無機発光ダイオードの両方を含んだ複数の画素を有する直視型ディスプレイデバイス。
【請求項２０】
請求項１９に記載の直視型ディスプレイデバイスであって、各画素が、赤色を発する有機発光ダイオード、無機緑色発光ダイオード、および無機青色発光ダイオードを有する、直視型ディスプレイデバイス。