【事件の表示】
　特願２０１２−５３１９１４「太陽電池セルの製造方法および太陽電池モジュールの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月　８日国際公開、ＷＯ２０１２／０２９８４７、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続きの経緯  
　本願は、平成２３年８月３１日（優先権主張　平成２２年８月３１日）を国際出願日とする出願であって、平成２６年６月９日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年１１月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２７年２月１７日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。  
　その後、当審において、平成２８年１月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年２月１９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。 
第２　本願発明  
　本願発明は、平成２８年２月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜５により特定される次のとおりのものである（以下、これらの請求項に係る発明を項番号に対応して「本願発明１」などという。）。
「　【請求項１】
　４つの角部が面取り状である矩形状の光電変換部と、
　前記光電変換部の一主面の上に配された電極と、
を有し、
　前記一主面は、
半導体基板の面上に形成された開口部を有する絶縁層と前記開口部に形成された電極とを有する太陽電池セルの製造方法であって、
　前記半導体基板の面上にテクスチャー構造を形成する工程と、
　前記テクスチャー構造上にあり、所定の粘度であって光または熱で硬化する樹脂を用いて樹脂層を形成する工程と、
　前記樹脂層を用いて前記開口部と前記テクスチャー構造の凹凸を覆い凹部と凸部とを有する前記絶縁層とを形成する工程と、
　メッキ法により前記開口部に前記電極を形成する工程と、を含み、
　前記絶縁層を形成する工程は、前記絶縁層の前記凸部の最上点の高さと前記凹部の最下点の高さとの差が前記テクスチャー構造の凸部の最上点の高さと凹部の最下点の高さとの差よりも小さくする工程を含む、
太陽電池セルの製造方法。
　　【請求項２】
　前記樹脂層を形成する工程は、前記面上に前記樹脂を塗布する工程を含む請求項１記載の太陽電池セルの製造方法。
　　【請求項３】
　前記樹脂は光硬化性樹脂であり、前記絶縁層を形成する工程は前記樹脂層の所定部分に光を選択的に照射して、前記樹脂を硬化させる工程を含む請求項１〜２記載のいずれか１項記載の太陽電池セルの製造方法。
　　【請求項４】
　前記絶縁層を形成する工程は、前記樹脂層を有機溶剤により部分的に除去する工程を含む請求項１〜３記載のいずれか１項記載の太陽電池セルの製造方法。
　　【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池セルの製造方法の工程を含む太陽電池モジュールの製造方法。」
第３　原査定の拒絶理由についての当審の判断 
１　原査定
（１）原査定の拒絶理由通知の概要
　原査定の拒絶理由通知の概要は以下のとおりである。
「この出願の請求項１−７に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において、頒布された下記１−７の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　 記
　１．特開昭６０−１０７９０号公報
　２．特開２０００−５８８８５号公報
　３．特開２００１−２６７５９７号公報
　４．特開平７−８６５５４号公報
　５．特開平２−２３１７８３号公報
　６．特開２００４−１５３２１４号公報
　７．特開２００４−２００３２８号公報
　　［備考］
・請求項１−４，７
　感光性樹脂を用いてパターニング工程を容易とすることは慣用手段（例えば、引用文献５−７参照）であるから、例えば、引用文献１−２に記載されるごとき太陽電池セルの製造方法に当該慣用手段を適用することは、当業者であれば容易に想起し得る事項である。
　なお、絶縁層として樹脂を用いることも周知な知見（例えば、引用文献３−４参照）にすぎない。
・請求項５−６
　テクスチャー構造は当業者が所望により構成し得る構造と認められる。」
（２）原査定の概要
「この出願については、平成２６年　６月　９日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
　　［備考］
　拒絶理由通知に記載のとおりであって、以下に補足する。
・請求項１−５
　「樹脂層の凸部の最上点の高さと凹部の最下点の高さとの差が前記テクスチャー構造の凸部の最上点の高さよりも小さくする」との構成は、絶縁層の材料として「樹脂」を選択することにより、必然的に得られる構成と認められる。
　よって、「樹脂層を用いて絶縁層を形成する工程」は「前記樹脂層の凸部の最上点の高さと凹部の最下点の高さとの差が前記テクスチャー構造の凸部の最上点の高さよりも小さくする工程」を含むものである。
　意見書にてその効果を主張しているところ、発明の詳細な説明（【００４６】−【００４７】）を参酌するに、凸部における絶縁層の「厚み」がより重要であると読むのが妥当であると共に、感光性の樹脂を適用するとの構成により必然的に得られている効果と認められる。そして、その効果の程度は不明であり、検証もなされていない。
　よって、意見書の主張は採用できない。
　なお、補正された請求項１に係る発明は、開口部を有する絶縁層をテクスチャー構造上には形成しない構成も含むものと認められるので、その意味いえば、意見書の主張は、請求項１に係る発明に対応する効果の主張とも認められない。」
２　本願発明１について 
（１）引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明 
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、特開昭６０−１０７９０号公報(以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（ア）「３．発明の詳細な説明
　〔技術分野〕
　本発明はｎＰＰ＋型、又はｎＰ型の太陽電池の電極を無電解ニッケルメッキにより形成する方法に関する。
　〔背景技術〕
　無電解ニッケルメッキによる太陽電池電極形成において、ニッケルメッキのつき方がｎ層上とＰ層上では異なり（Ｐ層上はつきにくい）、ｎｐｐ＋型の太陽電池においてはその電極形成条件の制御が非常に困難である。第１図乃至第５図に電極形成の従来方法を示す。
　図面において、
（６）はＰ型基板、（２）はＰ型基板（６）の表面に形成されたｎ
＋
層、（３）はＰ型基板（６）の裏面に形成されたＰ
＋
層、（１）はｎ
＋
層（２）上の反射防止膜である。（４）は反射防止膜（１）の窓（７）を介してＰ型基板（２）上に設けられたニッケル電極である。（８）はＰ
＋
層の裏面に設けられたニッケル電極である。尚、（４）’、（８）’はニッケル電極（４）、（８）上に二次メッキで形成されたニッケル電極である。（９）はニッケル電極（４）（審決注：「（４）」は「（４）’、（９）’」の誤記と認める。）上にもられた半田である。
（イ）第１図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ウ）第２図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（エ）第３図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（オ）第４図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（カ）第５図
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記（ア）ないし（カ）より、引用文献１には、 
「Ｐ型基板（６）と、前記Ｐ型基板の表面に形成されたｎ＋層（２）と、前記Ｐ型基板（６）の裏面に形成されたＰ＋層（３）と、前記ｎ＋層（２）上の反射防止膜（１）とを有する太陽電池の電極形成方法であって、
　前記反射防止膜（１）の窓（７）を介して前記Ｐ型基板（２）上に設けられたニッケル電極（４）を、一次メッキにおいて形成する第１次工程を、含み、
　前記ニッケル電極（４）、（８）上に二次メッキで形成されたニッケル電極（４）’、（８）’と、前記ニッケル電極（４）’、（８）’上にもられた半田（９）を含む、
太陽電池の電極形成方法。」　
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　なお、引用文献１の本発明において、酸化膜（１０）を形成し、それをマスクとしてｎ＋層（２）上にニッケルメッキ等によりメッキを行う工程は、背景技術と同様であるので、上記のとおり、背景技術を引用発明と認定した。
イ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２０００−５８８８５号公報(以下「引用文献２」という。）には、引用文献２には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は特性の良好な太陽電池及びその製造方法に係わり、特に表面側集電極の構造及び製造方法に関する技術である。」
（イ）「【００２８】無電界メッキにより形成される金属材料としては上述したＮｉ−Ｐの他にＮｉ−Ｂ或いはＣｕがあるが、密着性や膜応力の観点からＮｉ−Ｐが優れている。また、電界メッキによればＮｉの他にＣｕ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｇなどを形成することができる。
（実施例）本発明の実施例として、以下の工程により図１に示す構造の太陽電池を製造した。
【００２９】
まず、表面がＳｉＯ
２
で絶縁コートされたステンレス基板１の上に、スパッタ法を用いて厚さ約１μｍのＡｇからなる裏面電極２を形成し、裏面電極２上にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さ約２００Åのｎ型ａ−Ｓｉ層、厚さ約３０００Åのｉ型ａ−Ｓｉ層及び厚さ約１００Åのｐ型ａ−ＳｉＣ層を順次積層し、アモルファス半導体層３を形成した。
【００３０】
次いで、アモルファス半導体層３上にスパッタ法を用いてＩＴＯからなる厚さ約７００Åの透明導電層４を形成し、この透明導電層４上に液体状の酸化珪素剤をスクリーン印刷法により塗布し、２００℃程度の温度で３０〜９０分間焼成、硬化させ、集電極を形成する部分に対応する透明導電層４の表面を露出させた状態で透光性絶縁層５（審決注：「５」は「６」の誤記と認める。）を形成した。
【００３１】
さらに、透光性絶縁層５（審決注：「５」は「６」の誤記と認める。）表面を脱脂洗浄し、クエン酸アンモニウムで処理した後に、塩化パラジウムと塩化第１錫を主成分とする触媒液に浸漬し、酸性液を使用した活性化処理の後、次亜リン酸ソーダを含む温度４０℃程度の硫酸ニッケル中に７分間浸漬することで、透光性絶縁層５から露出した透明導電層４の表面に、Ｎｉ−Ｐ金属からなる厚さ２００ｎｍ程度の第一集電極を形成した。
【００３２】そして、引き続き硫酸ニッケル、塩化ニッケル及びほう酸の混合溶液を使用してメッキ浴中で電界メッキを行い、１５分で厚さ１０μｍ程度のＮｉからなる第二集電極を形成した。
（ウ）図１
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ウ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００１−２６７５９７号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。
 
「【００４４】実施例４
図３で示すように、樹脂基板１８を入射光サイドの封止材として用い、基板１８上に透明の電極層１９、半導体層及び電極層からなる光電変換層２０を積層し、光電変換層２０の表面全体を、
ポリアリールエーテルケトンからなる樹脂層２１で覆った光電変換素子
【００４５】さらに、図４に示すように、
基板２２と光電変換層２３の全体をポリアリールエーテルケトンからなる樹脂層２４で覆い
エ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平７−８６５５４号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
「また
端面１６の一部もしくは全部を一層もしくは二層以上のＳｉＯ
２
、Ａｌ
２
Ｏ
３
等の絶縁膜、又は樹脂等による保護膜、反射膜、無反射膜等を設けてもよく
オ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開平２−２３１７８３号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。
 
「次に第１図のこの発明による半導体レーザの製造方法を第２図（ａ）〜（ｈ）について説明する。
　まず、分離メサ１１がはいっているウェハ状態のレーザチップに（第２図（ａ））、ポリイミド膜１２を塗布により形成した後プリベークする（第２図（ｂ））。次に露光、現像を行い電極表面を露出させ、次に２００〜２５０℃でベーキングを行い、ポリイミド膜１２を安定化させる（第２図（ｃ））。以降の工程は従来例と同様であり、レジスト１３の塗布後のプリベーク工程（第２図（ｄ））、露光、現像による電極表面の露出工程（第２図（ｅ））、はんだ材８の全面蒸着工程（第２図（ｆ））、ｎ側電極７上以外のはんだ材の除去、劈開、コーティング，チップ分離工程（第２図（ｇ））、さらにヒートシンク１０への組立工程（第２図（ｈ））によりこの発明の半導体レーザが得られる。」（第３頁左上欄第８行〜右上欄第２行）
（ア）「【発明が解決しようとする課題】 
カ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００４−１５３２１４号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている。 
「【００３５】
メサ部作製後、感光性ポリイミドを有機溶媒に溶解したポリイミド溶液をメサ上部全面に塗布した後、ベークして厚さ１μｍ程度の感光性ポリイミド層１９を形成する。次に、フォトリソグラフィ技術により、メサ部上の電流注入領域の感光性ポリイミド層１９を除く。キャップ層１８と接してＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極２０、および基板１１の裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ側電極２１を、電極金属を蒸着法によりコーティングした後、熱処理を施すことにより形成する。」
キ　原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００４−２００３２８号公報（以下「引用文献７」という。）には、以下の事項が記載されている。 
「【００２９】
ベンゾシクロブテン樹脂膜１１のパターン形成などの加工には、硬化処理後に、フォトレジストまたはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜をマスクとし、フッ素を用いたプラズマエッチングを採用することも可能であるが、本発明においては、製作工程の簡便性およびプラズマエッチングに伴う半導体表面への損傷を回避する点から、露光と現像によるパターン形成が可能な感光性を有するベンゾシクロブテン樹脂組成物を塗布液として用いることがより好ましい。
【００３０】
次に、ベンゾシクロブテン樹脂膜１１上に、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法等により絶縁性無機化合物膜１２を形成する。その後、フォトレジストをマスクとしたウェットエッチングまたはドライエッチングにより、電極部分の絶縁性無機化合物膜１２を除去して、第２の保護膜である絶縁性無機化合物膜１２を形成する。」
（２）対比・判断 
ア　対比 
　本願発明１と引用発明とを対比する。 
（ア）引用発明の「Ｐ型基板（６）」、「窓（７）」、「ニッケル電極（４）」、「太陽電池の電極形成方法」及び「一次メッキ」は、本願発明１の「半導体基板」、「開口部」、「電極」、「太陽電池セルの製造方法」及び「メッキ法」に、それぞれ相当する。 
（イ）引用発明の「Ｐ型基板（６）と、前記Ｐ型基板の表面に形成されたｎ＋層（２）と、前記Ｐ型基板（６）の裏面に形成されたＰ＋層（３）」は、本願発明１の「光電変換部」に相当し、引用発明の「表面」は本願発明１の「一主面」に相当する。
（ウ）引用発明の「反射防止膜（１）」が絶縁層であることは自明のことであるから、引用発明の「反射防止膜（１）の窓（７）」を有することは、本願発明１の「開口部を有する絶縁層」「を有する」ことに相当する。
（エ）引用発明１の「Ｐ型基板（６）と、前記Ｐ型基板の表面に形成されたｎ＋層（２）と、前記Ｐ型基板（６）の裏面に形成されたＰ＋層（３）と、前記ｎ＋層（２）上の反射防止膜（１）とを有する太陽電池の電極形成方法であって、前記反射防止膜（１）の窓（７）を介して前記Ｐ型基板（２）上に設けられたニッケル電極（４）を、一次メッキにおいて形成する第１次工程と、を含」むことは、本願発明１の「前記一主面は、半導体基板の面上に形成された開口部を有する絶縁層と前記開口部に形成された電極とを有する太陽電池セルの製造方法であって、」「メッキ法により前記開口部に前記電極を形成する工程と、を含」むことと、「前記一主面は、半導体基板の面上に形成された開口部を有する絶縁層と前記開口部に形成された電極とを有する太陽電池セルの製造方法であって、」「メッキ法により前記開口部に前記電極を形成する工程と、を含」む点で一致する。
　上記（ア）ないし（エ）より、本願発明１と引用発明は、 
「光電変換部と、
　前記光電変換部の一主面の上に配された電極と、
を有し、
　前記一主面は、
半導体基板の面上に形成された開口部を有する絶縁層と前記開口部に形成された電極とを有する太陽電池セルの製造方法であって、
　メッキ法により前記開口部に前記電極を形成する工程と、を含む、
太陽電池セルの製造方法。」
の点で一致し、以下の相違点１ないし４で相違する。
＜相違点１＞ 
「光電変換部」の形状が、本願発明１では、４つの角部が面取り状である矩形状であるのに対して、引用発明では、その点が明確でない点。
＜相違点２＞
　本願発明は、「前記半導体基板の面上にテクスチャー構造を形成する工程と、前記テクスチャー構造上にあり、所定の粘度であって光または熱で硬化する樹脂を用いて樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を用いて前記開口部と前記テクスチャー構造の凹凸を覆い凹部と凸部とを有する前記絶縁層とを形成する工程と」を含むのに対して、引用発明は、「Ｐ型基板（６）」にテクスチャー構造を形成する工程を含まない点。
＜相違点３＞
　本願発明は、「前記絶縁層を形成する工程は、前記絶縁層の前記凸部の最上点の高さと前記凹部の最下点の高さとの差が前記テクスチャー構造の凸部の最上点の高さと凹部の最下点の高さとの差よりも小さくする工程」を含むのに対して、引用発明は、そのような工程を含まない点。
イ　判断
　事案に鑑み、まず、相違点２、３について検討する。
　太陽電池の製造方法において、テクスチャー構造を形成することは周知技術であるものの、引用発明の「ニッケル電極（４）を、一次メッキにおいて形成する」ために用いられる「反射防止膜（１）の窓（７）」を形成する前の「Ｐ型基板（６）」、「ｎ＋層（２）」に、テクスチャー構造を形成するという動機付けはない。
　仮に、引用発明の「Ｐ型基板（６）」、「ｎ＋層（２）」にテクスチャー構造を形成し、引用発明の「ｎ＋層（２）上」の「反射防止膜（１）」として、樹脂層を用いて絶縁層を形成し、絶縁層の凸部の最上点の高さと前記凹部の最下点の高さとの差が前記テクスチャー構造の凸部の最上点の高さと凹部の最下点の高さとの差よりも小さくするようにする。すなわち、引用発明の「Ｐ型基板（６）」、「ｎ＋層（２）」にテクスチャー構造を採用し、「反射防止膜（１）」として、テクスチャー構造を打ち消すような樹脂層を選択するとする。しかし、そのような樹脂層を選択すれば、テクスチャー構造の凸部での「反射防止膜（１）」の膜厚は、テクスチャー構造の凹部での「反射防止膜（１）」の膜厚よりも小さくなり、テクスチャー構造の凸部での「反射防止膜（１）」の光路長は、テクスチャー構造の凹部での「反射防止膜（１）」の光路長よりも小さくなる。すると、「反射防止膜（１）」は、反射防止膜として十分に機能しなくなる。
　してみると、引用発明において、「Ｐ型基板（６）」、「ｎ＋層（２）」にテクスチャー構造を形成し、「反射防止膜（１）」としてテクスチャー構造を打ち消すような樹脂層を選択することに、阻害要因がある。
　また、引用文献２〜７にも、テクスチャー構造を形成することは記載されていない。
　したがって、引用発明において上記相違点２、３にかかる構成とすることは、当業者といえども、容易に想到し得ることとはいえない。 
　よって、相違点１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明、引用文献２〜７に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
３　本願発明２〜５について
　本願発明２〜５は、本願発明１をさらに限定するものであるから、本願発明１と同様に、引用発明、引用文献２〜７に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
４　まとめ 
　以上のとおり、本願発明１〜５は、引用発明、引用文献２〜７に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。 
第４　当審の拒絶理由についての当審の判断 
１　当審の拒絶理由通知の概要 
「この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
  
 　　　　　　　　　　　　　　　記 
（１）請求項１において、複数の「開口部」の関係が不明確である。 
（２）請求項１において、「光や熱に反応性」とはどのような反応性であるのか不明である。 
（３）請求項１において、「前記樹脂層に前記開口部を形成する工程」と「前記樹脂層を用いて前記開口部と前記テクスチャー構造の凹凸を覆い凹部と凸部とを有する前記絶縁層とを形成する工程」との関係が不明である。 
（４）請求項１を引用する請求項も同様である。 
　よって、請求項１ないし５に係る発明は明確でない。」 
２　当審の拒絶理由に対する請求人の対応
　平成２８年２月１９日付け手続補正により、特許請求の範囲の請求項１、２が以下のとおり補正された。
　請求項１において、「開口部」は「半導体基板の面上」に形成されること、「テクスチャー構造」は「半導体基板の面上にあ」ること、「樹脂」は「光または熱で硬化」されること、「電極」は「開口部」に形成されることが、補正された。
　また、請求項２において、「樹脂」は「半導体基板」の「面上」に塗布されることが補正された。
３　当審の判断 
　上記「２」より、請求項１〜５に係る発明は明確になったので、当審の拒絶理由は解消された。
第５　むすび 
　以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。 
　また、他に拒絶すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり審決する。