【事件の表示】
　特願２０１１−５３１５８９「高感度アッセイのためのパルス磁気作動」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月２２日国際公開、ＷＯ２０１０／０４４００７、平成２４年　３月　８日国内公表、特表２０１２−５０６０４５、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２１年１０月６日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００８年１０月１７日　（ＥＰ）欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月４日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年４月８日に意見書及び手続補正書が提出され、これに対して、同年１０月２日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされ、平成２７年２月５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２７年１１月２６日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２８年５月３１日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成２８年５月３１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「バイオセンサカートリッジ中の磁性物体又は磁化可能物体の運動を制御するための方法であって、
  （ａ）側方にのびるセンサ表面を持つバイオセンサカートリッジと、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段及び前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段とを設けるステップと、
  （ｂ）前記発生した磁場が、前記磁性物体又は磁化可能物体を、前記センサ表面に垂直に、前記センサ表面に対して進退させて交互に移動させるように、前記磁場発生手段を交互に作動させるステップであって、前記交互作動のパルス長は、前記側方にのびるセンサ表面に沿った磁性物体又は磁化可能物体の側方運動が回避されるように調節され、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面へ近づけるために反対の極性で同時に作動されるか、又は、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離すために、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が同時にオフにされ、前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段がオンにされる、ステップと、
を有する方法。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：国際公開第２００３／０６７２５８号
　引用例２：国際公開第２００８／１０２２１８号
　引用例１（特に、特許請求の範囲、図１０を参照）には、センサ表面に対して垂直方向に磁場勾配を発生させる磁場発生手段を有するバイオセンサが記載されており、磁場発生手段を交互に作動させることについても記載されている。　
　側方にのびるセンサ表面を持つセンサカートリッジを有するバイオセンサは例えば引用例２に記載されているように周知である。
　よって、本願の請求項１、３−１４に係る発明は、引用例１に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものである。
　引用例２（第９頁第８-１１行）には、検出時に重力方向の運動を回避するように磁場を調整することについて記載されている。　
　よって、本願の請求項２に係る発明は、引用例１−２に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものである。
２　原査定の理由の判断
（１）引用例の記載事項及び引用例に記載された発明
ア　引用例１の記載事項
　引用例１には、図面とともに、次の記載がある（下線は、参考のために当審で付与した）。
（ア）「本発明はバイオセンサ、磁性分子測定方法、及び、測定対象物測定方法に関し、特に
磁性分子の量を測定することにより測定対象物の分析を行うための
磁性分子測定方法
（イ）「（第３の実施形態）
　次に、図９を用いて本発明の第３の実施形態にかかるバイオセンサの検出原理を説明する。図９は、
センサチップ１の半導体ホール素子２
半導体ホール素子２の表面に抗体として構成される分子受容体６１が固定されて
その分子受容体６１に測定対象物６２が特異的に結合して
さらに、その測定対象物６２には、磁性体粒子５１が、抗体として構成される分子受容体６３と測定対象物６２との特異的結合を介して結合して
この磁性体粒子５１と分子受容体６３とは互いに結合して、磁性分子５を構成するもの
　
センサチップ１表面を下向きに配置し、裏側コイルＣＲ
を設置
　図９では磁束Ｂが、矢印Ｚ２で示される方向に形成され、半導体ホール素子面に対して垂直であることが示されている。磁束Ｂは磁性体粒子５１により収束されるため、磁性体粒子５１が無い場合に比べて半導体ホール素子２での磁束密度は増加する。このとき下方へ沈んだ磁性分子５は半導体ホール素子２により検知する磁束密度には影響しない。半導体ホール素子２の出力電圧は磁束密度に比例するため、この出力電圧により磁性分子５が半導体ホール素子２上に結合しているか否かを判定できる。
　また、本実施の形態においては、
裏側コイルＣＲは、センサチップ１への磁性分子の導入時、磁性分子がセンサチップ１表面に引き寄せられるだけ十分な強さの磁場を、間欠的に発生させ、磁性粒子を上下に動かして撹拌することにより測定対象物と磁性粒子が結合する速度を高め、更に、測定対象物と結合した磁性粒子が磁気センサ表面に固定された分子受容体と結合する速度を高める
　この第３の実施形態におけるコイルにより磁性分子に加える磁場の様子は、図１０に示されている。
　
先ず磁性分子を攪拌し分子受容体と測定対象物との反応を促進
この撹拌開始Ｔ１から撹拌終了Ｔ２までの間に、裏側コイルＣＲによって磁性分子を引き付けるに十分な程度に強い磁場強度Ｂ１の磁場を間欠的に印加
反応終了後、測定ステップ（測定開始Ｔ３から測定終了Ｔ４まで）では、磁性分子の磁化が飽和しない程度の磁場強度Ｂ２の弱い交流磁場を裏側コイルＣＲにより発生させ、全ての磁気センサの信号を測定
（ウ）図９には以下の図面が示されている。当該図面及び上記（イ）の記載事項より、「
センサチップ１は側方にのびるセンサ表面を持つ
（エ）図１０には以下の図面が示されている。当該図面及び上記（イ）の「間欠的に」や「交流磁場」との記載事項より、「
磁場は交互作動のパルス長を有する
イ　引用例１に記載された発明の認定
　上記ア（ア）〜（エ）を含む引用例１全体の記載を総合すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「磁性分子の量を測定することにより測定対象物の分析を行うための磁性分子測定方法であって、
　センサチップ１の半導体ホール素子２の表面に抗体として構成される分子受容体６１が固定されており、その分子受容体６１に測定対象物６２が特異的に結合しており、さらに、その測定対象物６２には、磁性体粒子５１が、抗体として構成される分子受容体６３と測定対象物６２との特異的結合を介して結合しており、この磁性体粒子５１と分子受容体６３とは互いに結合して、磁性分子５を構成するものであり、
　センサチップ１表面を下向きに配置し、裏側コイルＣＲを設置し、センサチップ１は側方にのびるセンサ表面を持つものであり、
　裏側コイルＣＲは、センサチップ１への磁性分子の導入時、磁性分子がセンサチップ１表面に引き寄せられるだけ十分な強さの磁場を、間欠的に発生させ、磁性粒子を上下に動かして撹拌することにより測定対象物と磁性粒子が結合する速度を高め、更に、測定対象物と結合した磁性粒子が磁気センサ表面に固定された分子受容体と結合する速度を高めるものであり、先ず磁性分子を攪拌し分子受容体と測定対象物との反応を促進し、この撹拌開始Ｔ１から撹拌終了Ｔ２までの間に、裏側コイルＣＲによって磁性分子を引き付けるに十分な程度に強い磁場強度Ｂ１の磁場を間欠的に印加し、反応終了後、測定ステップ（測定開始Ｔ３から測定終了Ｔ４まで）では、磁性分子の磁化が飽和しない程度の磁場強度Ｂ２の弱い交流磁場を裏側コイルＣＲにより発生させ、全ての磁気センサの信号を測定し、前記磁場は交互作動のパルス長を有するものである、
　磁性分子測定方法。」
ウ　引用例２の記載事項
　引用例２には、図面とともに、次の記載がある（下線は、参考のために当審で付与した。また、訳文については引用例２のパテントファミリーである特表２０１０−５３０９５６号公報を参考にした。）。
（ア）「According to an exemplary embodiment of the invention, a sensor device for sensing magnetic particles is provided, the sensor device comprising a substrate and a sensing unit provided on and/or in and/or near (for instance coupled to or connected to) the substrate and being adapted for sensing a detection signal indicative of the presence of the magnetic particles, and a magnetic field control unit provided off the substrate (that is to say apart from the substrate, or outside of the substrate, particularly without contact to the substrate) and being adapted for generating a time-dependent magnetic  field for interaction with the magnetic particles, particularly for guiding the magnetic particles with respect to the substrate and/or with respect to the sensing unit.」（第２頁第２５行〜第３頁第２行）
（当審訳）「本発明の典型的な実施例によると、磁性粒子を感知するセンサ装置が提供され、前記センサ装置は、基板と、前記基板の上に及び／又は内に及び／又は近くに設けられ（例えば結合された又は接続され）、前記磁性粒子の存在を示す検出信号を感知するように構成された感知ユニットと、前記基板から離れて（すなわち前記基板から隔たって、又は前記基板の外に、特に前記基板と接触せずに）設けられ、前記磁性粒子と相互作用する、特に前記磁性粒子を前記基板に対して及び／又は前記感知ユニットに対してガイドする、時間に依存した磁場を生成するように構成された磁場制御ユニットとを有する。」
（イ）「Another benefit of pulsed actuation results from higher peak currents that can be achieved during short pulses. The maximum field produced by the magnet is increased in a way that even the radial component of this field may be high enough to  reset the sensor (note the sensor sensitivity may be altered due to the actuation fields that cause magnetic domains to change configuration in a magnetic layer of the sensor, resetting of these domains is then needed before read-out to ensure a constant sensor sensitivity). This can avoid complex arrangements such as that of a perpendicular coil as a reset coil. This way of resetting does have several benefits such as less components and more flexibility in the cartridge design. An attraction magnet or a washing magnet can be used for resetting. Which one is better in a specific application may depend on the properties of the assay. For example, large beads may sediment in a fast manner after magnetic washing. It may happen that a magnetic measurement can only start after resetting the sensor. During the resetting, the sedimentation may cause an unwanted signal change. In that case it may be beneficial to use the washing magnet for resetting.」（第８頁第２５行〜第９頁第１１行）
（当審訳）「パルス作動の他の利点は、短いパルスの間に達成されることができるより高いピーク電流から生じる。前記磁石により生成される最大磁場は、この磁場の動径成分でさえ前記センサをリセットするのに十分に高いことが可能であるような形で増大される（前記センサの感度が、磁性領域に前記センサの磁性層の構成を変更させる作動磁場により変更されうることに注意する。これらの領域のリセットは、この場合、一定のセンサ感度を保証するために読み出し前に必要とされる）。これは、リセットコイルとしての垂直コイルの構成のような複雑な構成を防ぐことができる。このリセットのやり方は、カートリッジ設計におけるより多くの柔軟性及びより少ない構成要素のような複数の利点を持つ。吸引磁石又は洗浄磁石は、リセットに使用されることができる。いずれが特定の応用先においてより良好であるかは、分析の性質に依存しうる。例えば、大きなビーズは、磁気洗浄の後に高速で堆積しうる。磁気測定が、前記センサをリセットした後にのみ開始することができることが起こりうる。リセット中に、前記堆積は、不所望な信号変化を引き起こしうる。この場合、リセットに対して前記洗浄磁石を使用することが有益でありうる。」
（ウ）「In a first embodiment the device according to the present invention is a biosensor and will be described with respect to Fig. 1 and Fig. 2.」（第１６頁第２１行〜第２２行）
（当審訳）「 第１の実施例において、
本発明による装置は、バイオセンサであり
（エ）「The magnetic field control unit 30 to 34 further comprises magnetic coils 31, 32, 33 and 34 which can be actuated individually or collectively by an electronic signal generated by the CPU 30.
　The coils 31 and 32 are arranged to face each other along a horizontal surface of the substrate 25, whereas the coils 33 and 34 are arranged to face each other along a vertical surface of the substrate 25. Each of the coils 31 to 34 may be realized as a single coil or may comprise a plurality of coils so as to generate any desired spatial dependence of a magnetic field for mechanically guiding the molecules 15 in a sample space 36 shown in Fig. 1 and 2. When these coils 31 to 34 have a time-dependent pulse pattern as an actuating current signal, the force acting on the magnetic particles 15 will be essentially pulse-like as well. 」（第１９頁第９行〜第１９行）
（当審訳）「
磁場制御ユニット３０ないし３４は
磁気コイル３１、３２、３３及び３４を有する
　
コイル３１及び３２は、基板２５の水平表面に沿って互いに向かい合うように構成されるのに対し、コイル３３及び３４は、基板２５の垂直表面に沿って互いに向かい合うように構成される。
（２）対比
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「センサチップ１」の「半導体ホール素子２の表面」には「抗体として構成される分子受容体６１が固定されて」おり、「その分子受容体６１に測定対象物６２が特異的に結合」するものであるから、引用発明の当該「センサチップ１」は、本願発明の「バイオセンサカートリッジ」に相当する。
（イ）引用発明の「磁性分子５」は、「磁性物体又は磁化可能物体」に相当する。
（ウ）引用発明の「磁性分子測定方法」は、「センサチップ１表面を下向きに配置し」て「裏側コイルＣＲ」によって、「磁性分子を攪拌」したり、「磁性分子を引き付ける」ものであるから、引用発明の当該方法は、本願発明の「バイオセンサカートリッジ中の磁性物体又は磁化可能物体の運動を制御するための方法」に相当する。
（エ）引用発明は「側方にのびるセンサ表面を持つ」「センサチップ１」を用いるものであり、「磁場」を「発生」させるための「裏側コイルＣＲ」を、その「センサチップ１」の「裏側」に設けるものであるから、引用発明の当該「センサチップ１」及び「裏側コイルＣＲ」を設けることとと、本願発明の「（ａ）側方にのびるセンサ表面を持つバイオセンサカートリッジと、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段及び前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段とを設けるステップ」とは、「（ａ）側方にのびるセンサ表面を持つバイオセンサカートリッジと、前記センサ表面の下に配置された磁場発生手段とを設けるステップ」で共通する。
（オ）引用発明の「裏側コイルＣＲ」は、「センサチップ１への磁性分子の導入時、磁性分子がセンサチップ１表面に引き寄せられるだけ十分な強さの磁場を、間欠的に発生させ、磁性粒子を上下に動かして撹拌する」ものであり、「反応終了後、測定ステップでは、磁性分子の磁化が飽和しない程度の磁場強度Ｂ２の弱い交流磁場を裏側コイルＣＲにより発生させ」るものであるから、引用発明の当該「裏側コイルＣＲ」による「磁場」を発生させるステップと、本願発明の「前記発生した磁場が、前記磁性物体又は磁化可能物体を、前記センサ表面に垂直に、前記センサ表面に対して進退させて交互に移動させるように、前記磁場発生手段を交互に作動させるステップ」とは、「前記発生した磁場が、前記磁性物体又は磁化可能物体を、前記センサ表面に対して進退させて交互に移動させるように、前記磁場発生手段を交互に作動させるステップ」で共通する。
（カ）引用発明の「裏側コイルＣＲ」により発生する「磁場」は、「交互作動のパルス長を有する」ものであるから、引用発明の「磁場」が「交互作動のパルス長を有する」ことと、本願発明の「磁場」が「前記交互作動のパルス長は、前記側方にのびるセンサ表面に沿った磁性物体又は磁化可能物体の側方運動が回避されるように調節され」ることは、「交互作動のパルス長を有する」点で共通する。
（キ）引用発明の「裏側コイルＣＲ」により発生する「磁場」は、「磁性分子」を「センサチップ１表面」に「引き寄せ」たり、「撹拌」させたりするものであるから、引用発明の当該「裏側コイルＣＲ」により「磁場」を発生させるステップと、本願発明の「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面へ近づけるために反対の極性で同時に作動されるか、又は、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離すために、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が同時にオフにされ、前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段がオンにされる、ステップ」とは、「前記センサ表面の下に配置された磁場発生手段が、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面へ近づけるために作動されるか、又は、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離すために駆動される、ステップ」で共通する。
イ　以上のことから、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
「バイオセンサカートリッジ中の磁性物体又は磁化可能物体の運動を制御するための方法であって、
　（ａ）側方にのびるセンサ表面を持つバイオセンサカートリッジと、前記センサ表面の下に配置された磁場発生手段とを設けるステップと、
　（ｂ）前記発生した磁場が、前記磁性物体又は磁化可能物体を、前記センサ表面に対して進退させて交互に移動させるように、前記磁場発生手段を交互に作動させるステップであって、前記交互作動のパルス長を有するものであり、前記センサ表面の下に配置された磁場発生手段が、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面へ近づけるために作動されるか、又は、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離すために駆動される、ステップと、
を有する方法。」
（相違点１）
　「磁場発生手段」について、本願発明は前記センサ表面の下に配置された「少なくとも２つの」磁場発生手段と「前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段」を設けるものであるのに対して、引用発明は「センサチップ１に裏側コイルＣＲ」を設けるものである点。
（相違点２）
 「前記発生した磁場が、前記磁性物体又は磁化可能物体を、前記センサ表面に対して進退させて交互に移動させるように、前記磁場発生手段を交互に作動させるステップ」について、本願発明は、前記磁性物体又は磁化可能物体を「前記センサ表面に垂直に」移動させるものであるのに対して、引用発明はそのような構成を有するかどうか不明である点。
（相違点３）
　「前記交互作動のパルス長」について、本願発明は「前記側方にのびるセンサ表面に沿った磁性物体又は磁化可能物体の側方運動が回避されるように調節され」るものであるのに対して、引用発明はそのような構成を有するかどうか不明である点。
（相違点４）
　「前記磁場発生手段を交互に作動させるステップ」について、本願発明は「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面へ近づけるために反対の極性で同時に作動されるか、又は、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離すために、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が同時にオフにされ、前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段がオンにされる」ものであるのに対して、引用発明はそのような構成を有しない点。
（３）判断
　上記（相違点１）及び（相違点４）について検討する。
　引用例２には、「バイオセンサ」であって、「磁性粒子」を「磁気コイル３１、３２、３３及び３４」で制御する技術が開示されているものの、「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段」と「前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段」を設け、当該「磁場発生手段」の極性を切り替えることで、「磁性分子又は磁化可能物体」を「センサ表面へ近づけ」たり「センサ表面から離」したりすることは、開示されていない。
　また、当該「磁場発生手段」の極性を切り替える手法として、「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が、前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面へ近づけるために反対の極性で同時に作動」させたり、「前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離すために、前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が同時にオフにされ、前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段がオンに」することも、引用例１及び２には開示されていない。
　また、引用発明において、上記（相違点１）及び（相違点４）の構成を採用することは、単なる設計的事項ともいえない。
　したがって、引用発明において、上記（相違点１）及び（相違点４）の構成を採用することは、当業者が容易に想到し得たことではない。
（４）小括
　よって、本願発明は、その余の相違点について検討するまでもなく、当業者が引用発明に記載の技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、「方法」に関する本願発明を「システム」の発明とした本願の請求項１０に係る発明も、上記（１）〜（３）で検討した理由と同様に、当業者が引用発明に記載の技術に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　そして、本願の請求項２〜９に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであり、本願の請求項１１に係る発明は、本願の請求項１０に係る発明をさらに限定したものであるから、本願発明及び本願の請求項１０に係る発明と同様に、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）特許法第３６条第４項第１号について 
　本願は、発明の詳細な説明の記載について下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項１に係る発明は、「センサ表面の下に配置される少なくとも２つの電磁石が…前記磁化可能物体を前記センサ表面から離すために同じ極性で同時に作動される」ことを発明特定事項に有する。また、請求項１０に係る発明も同様に、「センサ表面の下に配置される前記少なくとも２つの電磁石…前記磁化可能物体を前記センサ表面から離すために、前記少なくとも２つの電磁石を同じ極性で同時に作動させる」ことを発明特定事項に有する。 
　一方、発明の詳細な説明には、これらの発明特定事項に関して、表記を整合させるための記載（【００２７】）は見受けられるものの、具体的な説明はない。例えば、「上部磁石を用いて表面から粒子を引き離す代わりに、粒子は下部磁石を用いて引き離されるか又は遠ざけられてもよい。」（【００５７】）では、下部磁石をどのように用いれば粒子を引き離したり遠ざけたりすることが可能であるのかという点は何ら説明されていない。 
　そして、磁化可能物体、すなわち「磁化可能粒子１０、例えば常磁性粒子１０」（【００４９】）が、電磁石の磁場中にあるときには、当該電磁石の極性によらず当該電磁石に引き寄せられることが技術常識であるから、センサ表面の下に配置される少なくとも２つの電磁石が同じ極性で同時に作動すれば、前記磁化可能物体は前記センサ表面に引き寄せられるのであって、センサ表面から離されることにはならない。 
 　したがって、本願の発明の詳細な説明によっては、請求項１，１０に係る発明、及びこれを直接的又は間接的に引用する請求項２〜９，１１に係る発明を当業者が実施することはできない。 
 　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１１に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。 
（２）特許法第３６条第６項第１号について 
 　本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
 
　請求項１に係る発明の「センサ表面の下に配置される少なくとも２つの電磁石が…前記磁化可能物体を前記センサ表面から離すために同じ極性で同時に作動される」、及び請求項１０に係る発明の「センサ表面の下に配置される前記少なくとも２つの電磁石…前記磁化可能物体を前記センサ表面から離すために、前記少なくとも２つの電磁石を同じ極性で同時に作動させる」なる発明特定事項は、表記を整合させるための記載（【００２７】）を除き、発明の詳細な説明に具体的に説明されていない（【００５７】でも「同じ極性で同時に作動させる」ことは示されていない）。 
　よって、請求項１，１０に係る発明、及びこれを直接的又は間接的に引用する請求項２〜９，１１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
  
（３）特許法第３６条第６項第２号について 
 　本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので、特許を受けることができない。
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（３−１）請求項１の記載 
ア　「磁場発生手段」と「電磁石」との異同が以下のように明確でない。 
　「電磁石」は磁場を発生する点で「磁場発生手段」と同じものと言える（この場合には、「磁場発生手段」と「電磁石」とで用語が統一されていない点で、発明が不明確となる。）一方、「磁場発生手段」の「少なくとも１つ」なる数が、「少なくとも２つの電磁石」と整合しないこと、及び「センサ表面に垂直な磁場勾配を持つ磁場」が、「センサ表面の下に配置される少なくとも２つの電磁石が…反対の極性で同時に作動」（このときはセンサ表面に水平な磁場勾配が形成される。）と整合しないことからすれば、両者は異なるものとも言える。 
  
イ　「磁性物体又は磁化可能物体」と「磁化可能物体の側方運動」及び「前記磁化可能物体」における「磁化可能物体」とで、用語が統一されていないため、発明が不明確となっている。 
  
（３−２）請求項２の記載 
　「検出パルス」自体は工程でないから、「検出パルスをさらに有し…方法。」の意味が明確でない。 
（３−３）請求項１０の記載 
 ア　「随意に」は発明の範囲を不明確にする表現である。 
 イ　「電磁石の少なくとも１つが前記センサ表面の下に配置され」と「センサ表面の下に配置される前記少なくとも２つの電磁石」とが、電磁石の数の点で整合していない。 
 ウ　「センサ表面に垂直な磁場勾配を持つ磁場」と「センサ表面の下に配置される少なくとも２つの電磁石を反対の極性で同時に作動」とが整合していない。 
  
　よって、請求項１，１０に係る発明、及びこれを直接的又は間接的に引用する請求項本願発２〜９，１１に係る発明は明確でない。 
２　当審拒絶理由の判断
（１）上記１の（１）の拒絶理由について
　平成２８年５月３１日に提出された手続補正書によって、「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段及び前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段」と補正された上で、「前記磁性物体又は磁化可能物体を前記センサ表面から離す」ために、「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段が同時にオフにされ、前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段がオンにされる」ことが特定された。
　この補正された技術事項は、本願の発明の詳細な説明の段落【００４９】〜【００５２】及び図３〜４に、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されている。
　したがって、上記１の（１）の拒絶理由は解消した。
（２）上記１の（２）の拒絶理由について
　上記（１）と同様に、補正された技術事項は、本願の発明の詳細な説明の段落【００４９】〜【００５２】及び図３〜４に記載されているから、請求項１〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものとなった。
　したがって、上記１の（２）の拒絶理由は解消した。
（３）上記１の（３）の拒絶理由について
　平成２８年５月３１日に提出された手続補正書によって、請求項１及び１０の「電磁石」が「磁場発生装置」に補正され、「磁化可能物体」が「磁性物体又は磁化可能物体」に補正された。
　また、請求項１及び１０の「前記センサ表面に垂直な磁場勾配を持つ磁場を発生させるための少なくとも１つの磁場発生手段」は、「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段及び前記センサ表面の上に配置された少なくとも１つの磁場発生手段」と補正された。
　また、請求項２の「検出パルスをさらに有し」が、「検出パルスを与えるステップをさらに有し」と補正された。
　また、請求項１０の「随意に前記センサ表面の上に配置される２つ以上の電磁石」との記載が削除された。
　また、請求項１０の「前記電磁石の少なくとも１つが前記センサ表面の下に配置され」との記載が、「前記センサ表面の下に配置された少なくとも２つの磁場発生手段」に補正された。
　上記補正によって、請求項１〜１１に係る発明は明確となった。
（４）したがって、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。