【事件の表示】
　特願２０１２−　　２１２３「プラズマ処理方法，記憶媒体及びプラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２１日出願公開，特開２０１２−１１９６９９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００６年（平成１８年）６月１４日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００５年１２月１３日，米国）を出願日とする特願２００６−１６５０１４号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２４年１月１０日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年　２月　９日　審査請求・上申書
　平成２４年１０月　５日　手続補正書
　平成２５年　５月３１日　拒絶理由通知
　平成２５年　８月　５日　応対記録・意見書・手続補正書
　平成２６年　４月２３日　拒絶理由通知
　平成２６年　６月２５日　意見書・手続補正書
　平成２６年１１月２８日　拒絶査定
　平成２７年　２月２５日　審判請求・手続補正書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年２月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，本件補正前の特許請求の範囲の請求項７については，本件補正の前後で以下のとおりである。  
　・補正前
　「【請求項７】
　コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを含み，
　前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　・補正後
　「【請求項７】
　コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを必ず含み，
　前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による，本件補正前の特許請求の範囲の請求項７についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
　・補正事項１
　本件補正前の請求項７の「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを含み，」を，「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを
必ず
　
３　本件補正の適否について
（１）目的外補正について
　本件補正前の請求項７に記載の「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを含み，」との発明特定事項は，「処理ガス」が「ハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガス」を必ず含むことを特定したものと解される。
　してみれば，本件補正前の請求項７における上記の発明特定事項と，本件補正後の請求項７に記載の「前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを必ず含み，」との発明特定事項の間に，意味内容の上で実質的な相違があるとは認められないから，補正事項１による補正は，特許請求の範囲を減縮するものとは認められない。
　そして，補正事項１による補正は，請求項の削除，誤記の訂正，及び明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由についてするものに限る。）のいずれであるとも認められない。
　そうすると，補正事項１による補正は，特許法第１７条の２第５項第１号ないし第４号に掲げる，いずれの事項を目的としたものとも認められない。
　以上から，補正事項１による補正を含む本件補正は，特許法第１７条の２第５項の規定に違反する。
　
（２）独立特許要件について
　ア　検討の前提
　上記（１）で検討したとおり，本件補正における，本件補正前の請求項７についての補正（補正事項１による補正）は，特許法第１７条の２第５項第１号ないし第４号に掲げる，いずれの事項を目的としたものとも認められないが，仮に上記補正事項１による補正が，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められるとした場合，本件補正後の特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて，以下検討する。
　
　イ　本願補正発明
（ア）本件補正後の特許請求の範囲の請求項７の記載は，次のとおりである。（再掲）
　「【請求項７】
　コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを必ず含み，
　前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
（イ）本件補正後の請求項７に記載の「還元ガス」との用語について，その意味内容を一義的に理解することは困難であるので，本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して，その意味内容を理解すると，上記の用語について，本願明細書の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　・「【発明の効果】
【００２２】
　本発明によれば，コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に
ハロゲンガス，希ガス，及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施される
還元ガスはハロゲン化物の還元を行う
　・「【発明を実施するための形態】
【００２５】
　本発明者は，上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果，コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施す場合，
処理ガスがハロゲンガス，希ガス，及び還元ガスを含むとき，好ましくは，処理ガスがフッ素化合物のガス，一酸化炭素ガス，及びキセノンガスを少なくとも含むときには
一酸化炭素はフッ素化合物の還元を行う
　・「【００４２】
　本実施の形態に係るプラズマ処理方法は，これに鑑みて，
Ｃ
４
Ｆ
８
ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマによって高誘電率絶縁膜をエッチングする
一酸化炭素はＣ
４
Ｆ
８
からのフッ素の還元を行い
【００４３】
　本実施の形態に係るプラズマ処理方法によれば，
半導体デバイスに形成されたコンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成されたウエハＷに，Ｃ
４
Ｆ
８
ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理が施される
・・・
【００４５】
　上述した本実施の形態に係るプラズマ処理方法では，Ｃ４Ｆ８ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスの混合ガスが用いられたが，混合ガスはこれに限られない。例えば，上述した混合ガスには希ガスとしてアルゴンガス及びキセノンガスが混合されているが，混合される希ガスはヘリウムガス，ネオンガス，アルゴンガス，クリプトンガス，及びキセノンガスから選択された１つであってもよく，また，これらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたものであってもよい。また，
上述した混合ガスには還元ガスとして一酸化炭素ガスが混合されているが，混合される還元ガスは水素ガス又はメタンガスでもよく，水素ガス，一酸化炭素ガス，及びメタンガスから選択された２種類以上のガスを組み合わせたものであってもよい
　・「【００６１】
　次に，本発明の実施例を具体的に説明する。
【００６２】
　実施例１
　まず，エッチング処理が施されるウエハとして，ハフニウム酸化膜のブランケットウエハ（Blanket wafer）（毛布のように形成されたハフニウム酸化膜を表面上に有するウエハ）を準備した。次いで，該ブランケットウエハをプラズマ処理装置１０のチャンバ１１内に搬入し，
該チャンバ１１内の処理空間Ｓに処理ガスとしてＣ
４
Ｆ
８
ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスを流量比２７／３００／５４０／６０ｓｃｃｍで供給した
【００６３】
　実施例２
　まず，実施例１と同様に，ハフニウム酸化膜のブランケットウエハを準備した。次いで，実施例１と同様の方法で該ブランケットウエハをエッチングした。このとき，
処理空間ＳにはＣ
４
Ｆ
８
ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスを流量比２７／３００／４８０／１２０ｓｃｃｍで供給した
　
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明における上記の記載より，ハロゲンガス，希ガス，及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施されるときに，「還元ガスによるハロゲン化物の還元を行う」こと，例えば，上記還元ガスが一酸化炭素で上記ハロゲンガスがＣ４Ｆ８の場合に，一酸化炭素がＣ４Ｆ８からのフッ素の還元を行うことが記載されていると認められる。
　また，本願明細書の発明の詳細な説明における上記の記載より，ハロゲンガス，希ガス，及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施されるときに，還元ガスは，水素ガス，一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか，又はこれらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたものでよいことが記載されていると認められる。
　ところで，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された「還元ガスによるハロゲン化物の還元」について，その機序は，本願明細書の発明の詳細な説明に具体的な説明は記載されておらず，また，当該技術分野における技術常識を参酌しても自明であるとはいえない。
　してみれば，本願明細書の発明の詳細な説明に記載の「還元ガスによるハロゲン化物の還元を行う」との文言の意味内容は明確とは認められず，本願明細書の発明の詳細な説明における「還元ガスによるハロゲン化物の還元を行う」との記載を参酌しても，本件補正後の請求項７記載された「還元ガス」との用語の意味内容を一義的に理解できるとはいえない。
　しかし，本願明細書の発明の詳細な説明の記載からは，ハロゲンガス，希ガス，及び還元ガスを含む処理ガスのプラズマを用いてプラズマ処理が施されるときに，還元ガスとして，水素ガス，一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか，又はこれらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたものが使用されることは理解できる。
　そうすると，本願明細書の記載を参酌すれば，本件補正後の請求項７記載された「還元ガス」との用語は，水素ガス，一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか，又はこれらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたガスを含み得るものと解するのが相当といえる。
（ウ）以上から，本件補正後の請求項７に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は，その発明特定事項である「還元ガス」との用語を，水素ガス，一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか，又はこれらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたガスを含み得るものと解したうえで，本件補正後の特許請求の範囲の請求項７に記載したとおりのものと認める。
　
　ウ　引用文献１の記載と引用発明１
（ア）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用された，原出願の優先権主張日（以下「原出願の優先日」という。）前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平６−１５１３８３号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ａ「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は高誘電率を有する多元系酸化物膜（以下，多元系酸化物高誘電率膜と称する）
のエッチング方法
薄膜キャパシタ素子の製造方法
　ｂ「【００１８】本発明の第一の目的は，高速，高精度かつ生産性の優れた有機系レジストマスクを使用し，
当該マスクとの選択性の高い多元系酸化物高誘電率膜
の加工を行なうことのできるエッチング方法を提供することであり
本発明の第三の目的は，そのようなエッチング方法を用いた薄膜キャパシタ素子の製造方法を提供することにあり
・・・
【００２１】この発明の第２の局面に従って高誘電率を有する多元系酸化物膜をエッチングする方法は，
炭化水素
一酸化炭素
水素からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む第１のガスと，ハロゲン，ハロゲン化合物および希ガスからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む第２のガスとの混合ガスをエッチングガスとして用いて多元系酸化物膜をエッチングする方法である
【００２２】上記エッチング方法において，ハロゲンはフッ素，塩素，臭素および沃素からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むガスであり，
ハロゲン化合物は
ＣＦ
４
，Ｃ
２
Ｆ
４
，Ｃ
２
Ｆ
６
，Ｃ
３
Ｆ
８
，Ｃ
４
Ｆ
１０
からなる群より選ばれた少なくとも１種を含むガスである
【００２３】
希ガスは，ヘリウム，ネオン，アルゴン，クリプトンおよびキセノンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むガスである
　ｃ「【００６３】
【実施例】
実施例１．本発明の一実施例について説明する。図１に本実施例で用いたエッチング試料を示す。
シリコン基板（ウエハ）１の表面を酸化してシリコン酸化膜２を２００ｎｍの厚みで形成した後，その表面に白金などの高融点金属膜（今回の実施例では白金膜）１８をスパッタ法により約５０ｎｍの厚みで形成し，その後，その上にゾルゲル法により厚さ２００ｎｍの多元系酸化物高誘電率膜のＰｂＬａＺｒＴｉＯ
３
（溶液組成；Ｐｂ：Ｌａ：Ｚｒ：Ｔｉ＝９５：５：５２：４８）膜３を形成した
【００６４】図２において，
処理室５には，エッチング処理に用いるガスを供給するガス供給装置（図示せず）と接続された少なくとも１個のガス導入口６を設け
この処理室５の内部には，被処理膜３を形成したウエハ１を配置する
　ｄ「【００７８】
・・・
実施例８．
次にエッチングガスとして炭化水素系ガス（例としてメタン）とハロゲン系ガス（例として塩素）を混合したガスを用いてＰＬＺＴ膜をエッチングした実験例
処理室５内に炭化水素系ガスであるメタン（ＣＨ
４
）を毎分１０ｃｃ及び塩素ガスを毎分４０ｃｃで供給し
マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成した。当該プラズマによりＰＬＺＴ膜３をエッチングした
【００７９】
ＰＬＺＴエッチング速度：１３０ｎｍ／ｍｉｎ
対レジスト選択比      ：約２．０
エッチング終了後のＰＬＺＴ膜３をＳＥＭで観察した結果，ＰＬＺＴ膜３は異方的に残渣無くエッチングされ，レジスト膜４上には保護膜５１の堆積が見られなかった。これらの結果は実施例１から７での炭化水素系ガス単独によるエッチング結果と比べて，ＰＬＺＴ膜３のエッチング速度は約２倍以上速く，高速エッチングが可能である。また対レジスト選択比は低下するが，この値は生産性の高いレジストマスクで高精度の微細加工が可能な値である。同様の条件で塩素ガス（毎分５０ｃｃ）のみでエッチングを行なうと，ＰＬＺＴエッチングは１１０ｎｍ／ｍｉｎ，対レジスト選択比は１．２であった。またエッチング後のシリコン酸化膜の表面には微小な残渣が見られ，それは，オージェ電子分光の結果，ランタンの塩化物を主成分とする物質であることが判明した。
【００８０】本実施例では炭化水素系ガスの例としてメタンガスを用い，また
ハロゲンガスまたはハロゲン基を含むガスの例として塩素ガスを用いてエッチング方法の説明を行なったが
ハロゲン基を含むガスとしては，以下のフッ素系ガス
が挙げられる
フッ素系ガスとしては
ＣＦ
４
，Ｃ
２
Ｆ
４
，Ｃ
２
Ｆ
６
，Ｃ
３
Ｆ
８
，Ｃ
４
Ｆ
１０
が用いられる
いずれの組み合わせの混合ガスを用いる場合も，ＰＬＺＴのエッチング速度は炭化水素系単独の場合に比べ上昇し，対レジスト選択比は減少するが，この値は生産性の高いレジストマスクで高精度の微細加工が可能な値である
【００８１】また本実施例ではコイル１１を用いて磁場を印加してマグネトロンプラズマを生成させたが，コイル１１のない装置においてもガス圧力５０ｍＴｏｒｒでエッチングを実施することにより実用的に充分なエッチング方法であることを確認した。
【００８２】以下にこれらの実施例のうち１例を記す。
実施例９．
炭化水素系ガスの例としてメタンと，ハロゲン基を含むガスの例として臭化水素とを混合したガスを用いてＰＬＺＴをエッチングした実施例
エッチングガスはメタン（ＣＨ
４
）を毎分１０ｃｃ及び臭化水素ガスを毎分４０ｃｃで供給した
【００８３】
ＰＬＺＴエッチング速度：１０８ｎｍ／ｍｉｎ
対レジスト選択比      ：約２．５
エッチング終了後の被処理膜をＳＥＭで観察した結果，ＰＬＺＴ膜３は異方的に残渣無くエッチングされ，レジスト膜４上には保護膜５１の堆積が見られなかった。」
　ｅ「【００８８】
・・・
実施例１４．本実施例は
水素ガスとハロゲンまたはハロゲン基を含むガスの例として塩素とを用いてＰＬＺＴ膜をエッチングした実施例
【００８９】
ＰＬＺＴエッチング速度：１１５ｎｍ／ｍｉｎ
対レジスト選択比      ：約２．０
エッチング終了後の被処理膜をＳＥＭで観察した結果，ＰＬＺＴ膜は異方的に残渣無くエッチングされ，レジスト膜４上には保護膜５１の堆積が見られなかった。実施例８と比べエッチング速度はやや低下するが，対レジスト選択比は同等であった。また水素含有量（全ガス流量は毎分５０ｃｃ一定）を５％から７０％まで変化させても上記実施例１４の傾向に変化はなく，水素含有量５０％の時にＰＬＺＴエッチング速度は変化せず，対レジスト選択比２．２を得た。
また以上の実施例に加え，水素の替わりに一酸化炭素，二酸化炭素を用いても上記実施例１４と同様の結果を得た
実施例１５．
本実施例は炭化水素系ガスの例としてメタンガスと希ガスの例としてアルゴンを用いてＰＬＺＴ膜をエッチングした実施例を示す
【００９０】
ＰＬＺＴエッチング速度：４２ｎｍ／ｍｉｎ
対レジスト選択比      ：約１．０
エッチング終了後の被処理膜をＳＥＭで観察した結果，ＰＬＺＴ膜は異方的に残渣無くエッチングされ，レジスト膜４上には保護膜５１の堆積が見られなかった。またアルゴン単独で同様の実験を行なうとエッチング速度は２７ｎｍであり，実施例１のメタン単独のエッチング速度は３５ｎｍであることから，ＰＬＺＴのエッチングは単なる物理的スパッタで進行するのではなく，メタンとの反応，つまり還元反応，有機金属の生成が寄与していると推定できる。
またメタン単独よりもアルゴンを添加した方がエッチング速度が上昇し
（イ）引用発明１
　上記（ア）より，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「薄膜キャパシタ素子の製造において，シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２及び高融点金属膜１８をそれぞれ形成した後，多元系酸化物高誘電率膜のＰＬＺＴ（ＰｂＬａＺｒＴｉＯ３）膜３を形成し，処理室５の内部にＰＬＺＴ膜３を形成したシリコン基板１を配置し，エッチングガスを処理室５内に供給し，マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成して，当該プラズマによりＰＬＺＴ膜３をエッチングする方法であって，
　上記エッチングガスは，メタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガスと，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆ１０等のフッ素系ガス，塩素系ガス，臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガスとを混合したガスである，プラズマによりＰＬＺＴ膜３をエッチングする方法。」
　
　エ　引用文献２の記載と当該文献記載の技術的事項
（ア）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用文献４として引用された，原出願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平１０−１４４６６３号公報（以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，高圧非反応性希釈ガス高含有高プラズマイオン密度プラズマ酸化物エッチングプロセスに関する
　・「【００５４】本発明の一実施形態において
チャンバに供給されるガスは，次の通りである
エッチングに好適なエッチャント／ポリマ前駆物質としての９０標準立方センチメートル毎分（ＳＣＣＭ）のＣＨＦ
３
，重合に好適なエッチング／ポリマ前駆物質としての１０ＳＣＣＭのＣ
４
Ｆ
８
およびチャンバポンプ速度を大きく低下させることなくチャンバ圧力を（７０〜１００ｍＴの範囲内で）高めるために加えられる非反応種としての４５０ＳＣＣＭのアルゴンである
【００５５】上述の親出願で開示されているプラズマリアクタでプロセスが実行されることが好ましい。これは，多重ソレノイドコイルアンテナという特徴が，プラズマイオン分布のより高い均一性をもたらすからである。しかしながら，
炭素−フッ素化学において高い比率の非反応性希釈ガスを用いて高圧で誘導結合高密度ＲＦプラズマを生成する同じプロセスは，他のリアクタ，例えば誘電性天井を覆う平面コイルアンテナを備えたリアクタ，で実行することもできる
・・・
【００５７】本発明のプロセスは，
非反応性希釈ガスをより高い又はより低い原子量のガスに変えることによって調節することができる
キセノンを用いると
より多くのエッチング前駆種と，より高いエッチング速度が得られる
キセノンを用いると，エッチング速度は極めて高くなり，酸化物−フォトレジスト間のエッチング選択比は悪くなる
理想的なバランスは，良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方を与えるアルゴン等の中間原子量不活性ガスを用いることで得られる。しかしながら，
アルゴンまたはキセノン
を希釈ガスとして用いることは可能である。
希釈種のガス流量を反応種のガス流量に対して調節して，エッチング速度およびエッチング選択比を最適化することができる
（イ）引用文献２記載の技術的事項
　上記（ア）より，引用文献２には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
　「チャンバにガスを供給し，プラズマを形成して，当該プラズマにより酸化物をエッチングするプロセスにおいて，エッチャント／ポリマ前駆物質であるフッ素系ガスと，非反応性希釈ガスとを混合して上記チャンバに供給する際に，上記非反応性希釈ガスとしてキセノンを用いると，より多くのエッチング前駆種，すなわちフッ素が得られ，エッチング速度は極めて高くなるが，酸化物−フォトレジスト間のエッチング選択比は悪くなり，アルゴンを用いると良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方を与えることができること，及び非反応性希釈ガスのガス流量をエッチャント／ポリマ前駆物質のガス流量に対して調節することで，エッチング速度およびエッチング選択比を最適化できること。」
　
　オ　本願補正発明と引用発明１との対比
（ア）「多元系酸化物高誘電率膜のＰＬＺＴ（ＰｂＬａＺｒＴｉＯ３）膜３」は，「シリコン基板１」に形成されたものであり，また，引用発明１が「薄膜キャパシタ素子の製造」におけるものであることに鑑みれば，「薄膜キャパシタ素子」の誘電体部分であることは明らかである。
　してみれば，引用発明１における「薄膜キャパシタ素子の製造において，シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２及び高融点金属膜１８をそれぞれ形成した後，多元系酸化物高誘電率膜のＰＬＺＴ（ＰｂＬａＺｒＴｉＯ３）膜３を形成」することは，本願補正発明の「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板」を備えることに相当するといえる。
　そして，後述する相違点に係る構成を除き，引用発明１における「エッチングガス」は，本願補正発明の「処理ガス」に相当するということができ，引用発明１における「処理室５の内部にＰＬＺＴ膜３を形成したシリコン基板１を配置し，エッチングガスを処理室５内に供給し，マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成して，当該プラズマによりＰＬＺＴ膜３をエッチングする」ことは，本願補正発明の「処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施す」ことに相当するといえる。
　また，引用発明１における「当該プラズマによりＰＬＺＴ膜３をエッチングする方法」は，本願補正発明の「プラズマ処理方法」に相当するといえる。
　そうすると，引用発明１における「薄膜キャパシタ素子の製造において，シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜２及び高融点金属膜１８をそれぞれ形成した後，多元系酸化物高誘電率膜のＰＬＺＴ（ＰｂＬａＺｒＴｉＯ３）膜３を形成し，処理室５の内部にＰＬＺＴ膜３を形成したシリコン基板１を配置し，エッチングガスを処理室５内に供給し，マグネトロン放電を発生させてプラズマを形成して，当該プラズマによりＰＬＺＴ膜３をエッチングする方法」は，本願補正発明の「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法」に相当するといえる。
（イ）引用発明１における「ＣＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆ１０等のフッ素系ガス，塩素系ガス，臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガス」は，本願補正発明の「ハロゲン化合物ガス」に相当するといえる。
　また，本願補正発明の「還元ガス」と，引用発明１における「メタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガス」とは，ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガスである点で共通するといえる。
　そして，引用発明１における「エッチングガス」が，「メタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガス」，及び「ＣＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆ１０等のフッ素系ガス，塩素系ガス，臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガス」を必ず含むことは明らかであるから，引用発明１における「混合した」は，本願補正発明における「必ず含み」に相当するといえる。
　そうすると，本願補正発明と引用発明１とは，処理ガスはハロゲン化合物ガスと，ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガスとを必ず含む点で共通するということができる。
（ウ）以上から，本願補正発明と引用発明１とは，下記ａの点で一致し，下記ｂの点で相違すると認める。
　ａ　一致点
　「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはハロゲン化合物ガスと，ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガスとを必ず含む，プラズマ処理方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　一致点における「ハロゲン化合物ガス及び希ガス以外のガス」が，本願補正発明では「還元ガス」であるのに対し，引用発明１は，メタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガスであること。
　・相違点２
　本願補正発明は，「処理ガス」に「キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス」を必ず含み，「前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされる」のに対し，引用発明１におけるエッチングガス（本願補正発明の「処理ガス」に相当。）は，「キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス」を含んでおらず，本願補正発明の上記の構成を備えていない点。
　
　カ　相違点についての検討
（ア）相違点１について
　上記イのとおり，本願補正発明における「還元ガス」は，水素ガス，一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか，又はこれらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたガスを含み得るものと解されるから，引用発明１のエッチングガスに含まれるメタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガスとの間に実質的な相違があるとは認められない。
　そして，本願補正発明において，水素ガス，一酸化炭素ガス及びメタンガスのいずれか，又はこれらから選択された２種類以上のガスを組み合わせたガスが，その機序は明確でないにしても，「還元ガス」としてハロゲン化物の還元を行うというのであれば，引用発明１においても，メタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガスと，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆ１０等のフッ素系ガス，塩素系ガス，臭素系ガス又は沃素系ガスであるハロゲン基を含むガスとを混合したエッチングガスを用いることで，本願補正発明と同様に，メタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガスによるハロゲン化物の還元が行われると認められる。
　そうすると，本願補正発明の「還元ガス」と引用発明１のエッチングガスに含まれるメタン（ＣＨ４），水素ガス，一酸化炭素，又は二酸化炭素のいずれかのガスとの間に実質的な相違があるとは認められないから，相違点１は，本願補正発明と引用発明１との実質的な相違点とはいえない。
（イ）相違点２について
　上記ウ（ア）ｂによれば，引用発明１は，マスクとの選択性の高い多元系酸化物高誘電率膜の加工を行なうことのできるエッチング方法を提供することを目的とする（【００１８】）ものであるが，上記ウ（ア）ｄより，引用文献１には，多元系酸化物高誘電率膜（ＰＬＺＴ膜）のエッチング速度を上昇させ，マスクとの選択性が低下しないよう調整すること（【００７８】ないし【００８０】）も記載されていると認められる。
　また，上記ウ（ア）ｂより，引用文献１には，引用発明１におけるエッチングガスに，ヘリウム，ネオン，アルゴン，クリプトン，及びキセノンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む希ガスを添加したものを使用することが示唆（【００２１】ないし【００２３】）されていると認められ，また，上記ウ（ア）ｅによれば，引用文献１には，希ガスを添加した方がエッチング速度が上昇すること（【００８９】及び【００９０】）が記載されている。
　してみれば，引用発明１において，多元系酸化物高誘電率膜のエッチング速度を上昇させるために，エッチングガスに，ヘリウム，ネオン，アルゴン，クリプトン，及びキセノンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む希ガスを添加することは，引用文献１の記載に接した当業者が普通に行い得るものと認められる。
　そして，上記エ（イ）のとおり，引用文献２には，「チャンバにガスを供給し，プラズマを形成して，当該プラズマにより酸化物をエッチングするプロセスにおいて，エッチャント／ポリマ前駆物質であるフッ素系ガスと，非反応性希釈ガスとを混合して上記チャンバに供給する際に，上記非反応性希釈ガスとしてキセノンを用いると，より多くのエッチング前駆種，すなわちフッ素が得られ，エッチング速度は極めて高くなるが，酸化物−フォトレジスト間のエッチング選択比は悪くなり，アルゴンを用いると良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方を与えることができること，及び非反応性希釈ガスのガス流量をエッチャント／ポリマ前駆物質のガス流量に対して調節することで，エッチング速度およびエッチング選択比を最適化できること。」（引用文献２記載の技術的事項）が記載されていると認められる。
　そうすると，引用発明１において，多元系酸化物高誘電率膜のエッチング速度を上昇させるために，エッチングガスに，ヘリウム，ネオン，アルゴン，クリプトン，及びキセノンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含む希ガスを添加する際に，上記の希ガスの中から，エッチング速度が極めて高くなるキセノンと，良好なエッチング速度と良好なエッチング選択比の双方が得られるアルゴンとを選択し，エッチング速度とエッチング選択比とを考慮のうえ，両者のガス流量を調節してエッチングガスに添加することは，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得るものと認める。
　そして，その結果，引用発明１において，エッチングガスに添加されたキセノンガスが，ＣＦ４，Ｃ２Ｆ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆ１０等のフッ素系ガスからのフッ素の解離のように，ハロゲン基を含むガスからのハロゲンの解離を促進させ，この解離したハロゲンによって多元系酸化物高誘電率膜が高いエッチレートでエッチングされることも，引用文献２記載の技術的事項から，当業者が容易に予測し得るものと認められる。
　以上によれば，引用発明１において，エッチングガスが，キセノンガス，及びキセノンガス以外の希ガスを必ず含むようにし，多元系酸化物高誘電率膜へ施されるエッチング処理では，上記エッチングガスに添加された上記キセノンガスが，ハロゲン基を含むガスからのハロゲンの解離を促進させ，この解離したハロゲンによって上記多元系酸化物高誘電率膜が高いエッチレートでエッチングされるようにすること（相違点２に係る構成とすること）は，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得るものである。
　
　キ　本願補正発明の作用効果について
　本願明細書の記載により，本願補正発明は，コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板にプラズマ処理を施す際に，高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を向上することができるとの作用効果を奏するものと認められる。
　しかし，上記カ（イ）のとおり，引用発明１において，キセノン及びアルゴンを，エッチング速度とエッチング選択比とを考慮のうえ，両者のガス流量を調節してエッチングガスに添加することは，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得るものと認められ，その結果，引用発明１における多元系酸化物高誘電率膜のエッチング制御性を向上できるとの作用効果が得られることは，当業者には自明な事項というべきである。
　そうすると，本願補正発明が奏する作用効果は，引用発明１において，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に予測し得るものと認められ，格別のものとはいえない。
　
　ク　まとめ 
　本件補正後の請求項７に係る発明（本願補正発明）は，引用文献１記載の発明（引用発明１），及び引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　以上から，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反する。
 
（３）むすび 
　したがって，本件補正は，上記（１）の理由により，特許法第１７条の２第５項の規定に違反し，仮にそうでないとしても，上記（２）の理由により，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
  
第３　本願発明の特許性の有無について
　
１　本願発明について 
　平成２７年２月２５日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明は，平成２６年６月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
  処理容器内で高誘電率絶縁膜，並びにＳｉＯ２膜を有する基板において，処理ガスのプラズマを用いて前記高誘電率絶縁膜をエッチングするプラズマ処理方法であって，
　前記処理容器内に前記基板を搬入し，
　前記処理容器内にハロゲン化合物ガス，還元ガス，キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む前記処理ガスを供給し，
　前記処理容器内で前記処理ガスから前記プラズマを生成し，前記プラズマにより前記高誘電率絶縁膜をエッチングし，
　前記高誘電率絶縁膜のエッチングでは，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　また，本願の請求項７に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２６年６月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項７に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
　「【請求項７】
　コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはハロゲン化合物ガス，キセノンガス，前記キセノンガス以外の希ガス，及び還元ガスを含み，
　前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
２　分割要件について
　本願の特許請求の範囲の請求項１に記載の「処理容器内で高誘電率絶縁膜，並びにＳｉＯ２膜を有する基板において，処理ガスのプラズマを用いて前記高誘電率絶縁膜をエッチングするプラズマ処理方法であって，前記処理容器内に前記基板を搬入し，前記処理容器内にハロゲン化合物ガス，還元ガス，キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む前記処理ガスを供給し，前記処理容器内で前記処理ガスから前記プラズマを生成し，前記プラズマにより前記高誘電率絶縁膜をエッチングし，」との記載は，ＳｉＯ２膜の上に形成される高誘電率絶縁膜を有する基板において，ハロゲン化合物ガス，還元ガス，キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む処理ガスから生成したプラズマにより，上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることだけでなく，高誘電率絶縁膜の上に形成されるマスクとなるＳｉＯ２膜をを有する基板において，上記処理ガスから生成したプラズマにより，上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることも含まれ得ると認められる。
　ここで，原出願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「原出願の当初明細書等」という。）には，本願の特許請求の範囲の請求項１に記載の「高誘電率絶縁膜，並びにＳｉＯ２膜を有する基板」について，以下の記載がある。
　・「【００４７】
　ここで上述したように，高誘電率絶縁膜は希ガス系の混合ガス，例えば，アルゴンガスが混合された混合ガスのプラズマによってエッチングすることが可能であるが，低スパッタのエッチング処理装置ではアルゴンのプラズマによるスパッタ力が小さいため，エッチレートが低く，要求されるエッチレートを実現することができない。また，
高誘電率絶縁膜はその用途に応じてＳｉＯ
２
層の上に形成される場合があるが，低スパッタのエッチング処理装置では高誘電率絶縁膜の削り残し（残滓）がＳｉＯ
２
層の上に発生する。該発生した高誘電率絶縁膜の残滓はＳｉＯ
２
層のエッチングの際にマスクとして機能するため，ＳｉＯ
２
層には針状の突起が形成される。すなわち，円滑なＳｉＯ
２
層の表面を形成することができない
　・「【００５０】
　また，
本実施の形態に係るプラズマ処理方法は高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングすることができるため，高誘電率絶縁膜の残滓の発生を防止することができる
ＳｉＯ
２
層に針状の突起が形成されるのを抑制し
円滑なＳｉＯ
２
層の表面を形成することができる
　・「【００６９】
  実施例２
　まず，実施例１と同様に，ハフニウム酸化膜のブランケットウエハを準備した。次いで，実施例１と同様の方法で該ブランケットウエハをエッチングした。このとき，処理空間ＳにはＣ４Ｆ８ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスを流量比２７／３００／４８０／１２０ｓｃｃｍで供給した。すなわち，キセノンの添加量は希ガス全体に対する流量比で２０％であった。そして，計測されたエッチレートを図２のグラフに示した。
【００７０】
　また，本実施例２のエッチング条件で
ハフニウム酸化物の膜がＳｉＯ
２
層を介してＳｉ層の上
に形成されたウエハにエッチング処理を施し，該エッチング処理が施されたウエハの表面形状を計測し，計測された形状を図３（Ｂ）の断面図に示した
　
　そして，原出願の当初明細書等の記載によれば，ハロゲン化合物ガス，還元ガス，キセノンガス及び前記キセノンガス以外の希ガスを含む処理ガスから生成したプラズマにより，上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることは，原出願の当初明細書等に記載されているが，高誘電率絶縁膜の上に形成されるマスクとなるＳｉＯ２膜をを有する基板において，上記処理ガスから生成したプラズマにより，上記高誘電率絶縁膜をエッチングすることは，原出願の当初明細書等に記載されておらず，また，当該技術分野における技術常識を参酌しても，原出願の当初明細書等の記載から自明とは認められない。
　そうすると，本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は，原出願の当初明細書等に記載されたものとは認められないから，本願は，分割要件を満たしているとはいえない。
　以上によれば，本願は適法な分割出願であるとはいえないから，出願日の遡及を認めることはできず，本願の出願日は，現実の出願日である平成２４年１月１０日と認める。
　
３　引用文献１の記載と引用発明１
　引用文献１の記載は，前記第２の３（２）ウ（ア）のとおりであり，引用発明１は，前記第２の３（２）ウ（イ）で認定したとおりである。
　
４　引用文献２の記載と当該文献記載の技術的事項
　引用文献２の記載は，前記第２の３（２）エ（ア）のとおりであり，引用文献２記載の技術的事項は，前記第２の３（２）エ（イ）で認定したとおりである。
　
５　引用文献３の記載と引用発明２
　ア　本願の原査定の拒絶の理由に引用文献５として引用された，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００７−１６５８２７号公報（当審注．原出願の公開特許公報である。以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００４８】
　本実施の形態に係るプラズマ処理方法は，これに鑑みて，Ｃ４Ｆ８ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマによって高誘電率絶縁膜をエッチングする。このとき，一酸化炭素はＣ４Ｆ８からのフッ素の還元を行い，アルゴン及びキセノンはＣ４Ｆ８からのフッ素の解離を促進する。
ここでキセノンはハロゲン化合物の解離力がアルゴンよりも大きいため，該キセノンはＣ
４
Ｆ
８
からのフッ素の解離をより促進し，これにより，解離したフッ素による高誘電率絶縁膜のエッチングの進行が促進される。したがって，本実施の形態に係るプラズマ処理方法は，アルゴンのプラズマのみによる高誘電率絶縁膜のエッチングよりも高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングする
【００４９】
　本実施の形態に係るプラズマ処理方法によれば，
半導体デバイスに形成されたコンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成されたウエハＷに，Ｃ
４
Ｆ
８
ガス，一酸化炭素ガス，アルゴンガス及びキセノンガスが所定の流量比で混合された処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理が施される
膜のエッチングよりも高いエッチレートで高誘電率絶縁膜をエッチングすることができ，もって，低スパッタのエッチング処理装置であっても，要求されるエッチレートを確実に実現することができ，これにより，高誘電率絶縁膜のエッチング制御性を確実に向上することができる。」
　イ　当該技術分野における技術常識を参酌すれば，上記アより，引用文献３には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはＣ４Ｆ８ガス，キセノンガス，アルゴンガス，及び一酸化炭素ガスを含み，
　前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
３　本願発明と引用発明１との対比及び判断 
（１）対比
　前記第２の３（１）及び（２）アから明らかなように，本願発明は，本願補正発明と実質的に同一の内容であるか，又は平成２７年２月２５日に提出された手続補正書による補正事項１に係る限定（前記第２の２）を取り除いたものである。
　そして，上記のいずれの場合でも，本願発明と引用発明１とを対比すると，両者は，本願補正発明と引用発明１との相違点１及び２（前記第２の３（２）オ（ウ））の点で相違し，その余の点で一致すると認められる。
　
（２）判断
　本願発明と引用発明１との相違点１は，前記第２の３（２）カ（ア）のとおり，実質的な相違点であるとは認められない。
　そして，本願発明と引用発明１との相違点２は，前記第２の３（２）カ（イ）のとおり，引用発明１において，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また，前記第２の３（２）キのとおり，本願発明が奏する作用効果は，引用発明１において，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に予測し得るものと認められ，格別のものとはいえない。
　そうすると，本願発明は，引用発明１において，引用文献２記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　以上から，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
４　本願発明と引用発明２との対比及び判断 
　引用発明２における「Ｃ４Ｆ８ガス」，「アルゴンガス」，及び「一酸化炭素ガス」は，それぞれ，本願発明の「ハロゲン化合物ガス」，「前記キセノンガス以外の希ガス」，及び「還元ガス」に相当するといえるから，本願発明と引用発明２とは，
「コンデンサの誘電体部分としての高誘電率絶縁膜が形成された基板に処理ガスのプラズマを用いてエッチング処理を施すプラズマ処理方法であって，
　前記処理ガスはＣ４Ｆ８ガス，キセノンガス，アルゴンガス，及び一酸化炭素ガスを含み，
　前記高誘電率絶縁膜へ施される前記エッチング処理では，前記処理ガスに添加された前記キセノンガスが，前記ハロゲン化合物ガスからのハロゲンの解離を促進させ，前記解離したハロゲンによって前記高誘電率絶縁膜が高いエッチレートでエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。」
である点で一致し，両者の間に相違点があるとは認められない。
　そうすると，本願発明は，引用発明２と同一であると認められ，また，引用発明２に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとも認められる。
　以上から，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号の規定，及び同法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
第４　結言 
　
　したがって，本願の請求項７に係る発明は，特許法第２９条第１項第３号の規定，及び同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。