【事件の表示】
　特願２０１１−１０３７２３「光電変換素子および太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月２９日出願公開、特開２０１２−２３５０２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年５月６日の出願であって、平成２６年７月９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年１０月１６日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２７年１月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置審査において、平成２７年３月５日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年５月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、平成２７年６月４日付けで前置報告がなされ、この後、平成２７年８月２１日付けで上申書が提出された。
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の特許請求の範囲は、平成２７年５月１８日付けの手続補正（以下、単に「本件補正」という。）により、本件補正前の請求項１が削除され、同請求項２〜４が新たな請求項１〜３とされ、新たな請求項１について、誤記の訂正を目的として、「前記光吸収層の伝導帯下端と前記バッファー層の伝導帯下端の差」を「前記バッファー層の伝導帯下端と前記光吸収層の伝導帯下端の差」と補正されたものであって、本件補正のうちの特許請求の範囲についての補正は、請求項の削除及び誤記の訂正を目的とするものである。
　そして、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである
「Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群より選ばれる少なくとも一つのＩＩＩｂ族元素と、Ｓ或いはＳｅとを含みカルコパイライト型構造を有する光吸収層と、Ｚｎと、Ｏ或いはＳから成るバッファー層を具備し、前記光吸収層と前記バッファー層の界面から１０ｎｍにおける前記バッファー層のＳ／（Ｓ＋Ｏ）比が０．７以上１．０以下であり、
　前記バッファー層の伝導帯下端と前記光吸収層の伝導帯下端の差が、０以上０．４以下であり、
　前記バッファー層はＺｎ、ＯおよびＳから成り、前記バッファー層の前記光吸収層とは反対側の面にＺｎとＯから成る層を有し、
　前記光吸収層のＧａ／ＩＩＩｂ族元素のモル比が、０．５以上１．０以下であることを特徴とする光変換素子。」
２　引用刊行物
（１）前置審査で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、
　峯元  高志，外２名，１８ｐ−ＴＫ−１６，ＺｎＯ１−ｘＳｘ／Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２太陽電池におけるバンドオフセットの影響，２０１０年春季第５７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集，２０１０年　３月　３日（以下「引用文献１」という。）
には、以下の事項が記載されている。
「
【はじめに】
【実験内容】
【結果と考察】
謝辞
　上記記載事項中の「ＣｄＳとＣＩＧＳとの伝導帯不連続量（ΔＥＣ）」、「ΔＥＣが負（つまり窓層の伝導帯がＣＩＧＳのそれよりも低い状態）であり」という記載及び当業者の技術常識から、「ΔＥＣ」がＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯とＣＩＧＳの伝導帯の差であることは明らかである。
　また、上記記載事項中の「ｘを増加させたｘ＝０．１〜０．４程度の範囲ではＶＯＣが増加し、これに伴い変換効率も増加した。ＣｄＳ／ＣＩＧＳ太陽電池には及ばないが、比較的高い変換効率が得られた。ｘをさらに増加させＸ＞０．５になると、ＶＯＣの顕著な低下はないが、短絡電流が大幅に減少したために、変換効率も大幅に減少した。ｘ＝０のときはΔＥＣが負（つまり窓層の伝導帯がＣＩＧＳのそれよりも低い状態）であり、これまでの結果と同様にＶＯＣが低くなった。ｘを増加させていくとＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯が上昇し、最適なΔＥＣの範囲（０〜＋０．４ｅＶ）に入ったためＶＯＣが増加したと考えられる。これは図２に示すように、ＣＩＧＳ表面（本計算ではＯｒｄｅｒｅｄ　Ｖａｃａｎｃｙ　Ｃｏｍｐｏｕｎｄ（ＯＶＣ）を考慮している）と窓層の界面における価電子帯と、ＣＩＧＳバルクの価電子帯のエネルギー差が、ΔＥＣが正の場合の方が負の場合よりも大きいために正孔の注入を抑えることができ、界面再結合を低減できるためである。さらにｘを増やしていくとΔＥＣが正に大きくなりすぎ、短絡電流が減少したと考えられる。」という記載及び図１、２の記載から、ｘ＝０．１〜０．４程度の範囲では、ＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯が上昇し、ＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯とＣＩＧＳの伝導帯の差であるΔＥＣが最適な範囲（０〜＋０．４Ｖ）に入るという技術事項が開示されていると認められる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）太陽電池であって、
　Ａｌ／ＮｉＣｒ／ＩＴＯ／ＺｎＯ１−ｘＳｘ／ＣＩＧＳ／Ｍｏ／青板ガラスという構造を持ち、
　ＣＩＧＳのバンドギャップは約１．１ｅＶであり、
　ｘ＝０．１〜０．４程度の範囲では、ＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯が上昇し、ＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯とＣＩＧＳの伝導帯の差であるΔＥＣが最適な範囲（０〜＋０．４Ｖ）に入る、ＣＩＧＳ太陽電池。」
　また、上記引用文献１の記載事項に加えて、特開２００４−２１４３００号公報（以下、「引用文献３」という。）の
「【０００７】
ＣＩＧＳ太陽電池の場合、実際に光吸収層材料ＣｕＩｎ１−ｘＧａｘＳｅ２のＥｇはｘの増加に伴って増大しｘ〜０．７のときにＥｇの最適値１．４ｅＶ〜１．５ｅＶになるが（図８参照）、・・・
【０００８】
・・・ΔＥｃ＝０が理想的な条件であるが、ΔＥｃ＞０のとき窓層側にできるバンドの曲がり（Ｖｂ２）は窓層材料のキャリア濃度を光吸収層材料のそれより若干大きくすれば大きな障壁とはならないので、ΔＥｃ＞０は許される条件である。・・・
【０００９】
ＣＩＧＳ太陽電池において光吸収層材料のＧａ組成比を増していくと価電子帯のエネルギーはほとんど変わらずにＥｇが大きくなることが知られている［例えば、非特許文献４参照］。すなわち、Ｇａ組成比の増大に応じて伝導帯のエネルギーが上昇して電子親和力は小さくなる。その結果、Ｇａ組成比とＥｇおよびΔＥｃとの関係を示す図８から分かるように、Ｇａ組成比を増していくとＣＩＧＳの電子親和力はあるところで、ＺｎＯのそれと逆転し、前述したように、ＺｎＯ／ＣＩＧＳ太陽電池の順方向電圧が制約されるようになる。この原理によって、図６に示されるように、実際のＣＩＧＳ太陽電池の開放電圧が例えば非特許文献２において期待されるようには増大しないことが推定された。
【００１０】
そこで、ＣＩＧＳ光吸収層材料のＧａ組成比に合わせてΔＥｃ≧０となるように窓層材料を調整しなければならないことになる。・・・」
「【図８】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
に示されるように、ＣＩＧＳ太陽電池において、光吸収材料のＧａ組成比を増していくと、ＣＩＧＳの伝導帯のエネルギーが上昇するから、該Ｇａ組成比に合わせて、ΔＥｃが条件を満たす値となるように窓層材料を調整しなければならないことが、当業者にはよく知られていることを考慮すれば、当業者であれば、上記引用文献１の記載事項から、下記の技術事項（以下「引用文献１の技術事項」という。）を読み取ることができると認められる。
「ＣＩＧＳの伝導帯に対して、ＺｎＯ１−ｘＳｘのｘを変えることによりＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯を変化させてΔＥＣを制御し、最適なΔＥＣの範囲（０〜＋０．４ｅＶ）とすることができる。」
（２）前置審査で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−３４２６７８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面にＣｕ−Ｓｅ系化合物が存在しないＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜の製造方法及びその膜を含む太陽電池に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（０＜ｘ≦１）（以下、ＣＩＧＳと略す。）は薄膜太陽電池の中で最も変換効率が高く、また、Ｇａを添加することで禁制帯幅を変化させることができるため、次世代薄膜太陽電池材料として有力視されている。これまで、この太陽電池材料においては、Ｇａ組成比が約３０％、禁制帯幅１．１〜１．２ｅＶにおいて高い変換効率が得られている。しかしながら、太陽光との整合性を考えた場合、禁制帯幅の最適値（１．４ｅＶ）とは約０．２ｅＶ程度の開きがある。
【０００３】
そこで、太陽光スペクトルとのマッチングを取るため、現在Ｇａ組成比６０％程度を有するＣＩＧＳが注目されている。
【０００４】
この多結晶Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）薄膜の成長は、三段階法を用いて行われている。三段階法では真空中で、はじめにＩｎ−Ｇａ−Ｓｅプリカーサを基板温度約３５０℃で形成し、次に約５５０℃でＣｕ−Ｓｅを照射してＣｕ過剰なＣＩＧＳ薄膜を形成する。最後に再びＩｎ−Ｇａ−Ｓｅを供給し、最終的にＩＩＩ族が少し過剰な多結晶ＣＩＧＳ薄膜を作製する。
【０００５】
しかし、ワイドギャップＣＩＧＳ膜を用いた太陽電池では、現在のところ高い変換効率を有する太陽電池の作製には成功していない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は上記従来技術の現状に鑑み、高い変換効率を有する太陽電池とそれを可能にするＣＩＧＳの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成するべく検討した結果、多結晶Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）薄膜は三段階法では作製上表面にＣｕ−Ｓｅ系化合物が残留することは避けられず、このＣｕ−Ｓｅ系化合物が表面に存在すると太陽電池の変換効率が低下すること、しかし、このＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２作製後、水素雰囲気中でアニールすることでＣｕ−Ｓｅ系化合物を表面に存在しない高い変換効率を有する太陽電池の作製に成功して、本発明を完成したものである。こうして、本発明は下記を提供する。
【０００８】
（１）基板上にＩｎ−Ｇａ−Ｓｅ膜を堆積し、次いで加熱下でＩｎ−Ｇａ−Ｓｅ膜にＣｕ−Ｓｅを供給してＩｎ−Ｇａ−ＳｅをＣｕ−Ｓｅ過剰のＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜に変換し、さらに当該Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜にＩｎ−Ｇａ−Ｓｅを供給して過剰のＣｕ−ＳｅをＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２に変換して基板上にＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（０＜ｘ≦１）膜を形成した後、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜の表面に残存するＣｕ−Ｓｅ系化合物を除去する工程をさらに有することを特徴とするＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜の形成方法。」
イ　「【００２５】
先に述べたように、現在、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜においてｘ＝０．３程度の膜についての報告が多い。この場合、禁制帯幅は１．１〜１．２ｅＶであり、最適値の１．４ｅＶ（ｘ＝約０．６）には及ばないが、従来０．４≦ｘ≦１では優れた光電変換効率を実現するＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜を形成することができていなかった。本発明によれば、好ましくは０．４≦ｘ≦１、より好ましくは０．５≦ｘ≦１、特にｘ＝０．６付近においても、高い光電変換効率を示す良好なＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜を成長することが可能にされる。ｘの上限値は０．７が好ましい。本発明の比較実験ではＣｕ−Ｓｅ系化合物を除去する前後で変換効率７％台から１１％台に向上した。この本発明により成長される良好なＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜の特徴は表面にＣｕ２−ｙＳｅなどのＣｕ−Ｓｅ系化合物が存在しないことである。これはラマン散乱分光法などで調べることができる。」
ウ　「【００２９】
【実施例】
多結晶ＣＩＧＳ薄膜の成長は、ＭＢＥ装置を用いて三段階法により行った。基板にはＭｏを１．５〜２．０μｍスパッタで堆積したソーダライム・ガラス（ＳＬＧ）基板を用いた。はじめに分子線エピタキシー蒸着装置でＩｎ−Ｇａ−Ｓｅプリカーサ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅの組成比はＩｎ：Ｇａ：Ｓｅ＝２（１−ｘ）：２ｘ：３（０＜ｘ≦１））を基板温度約３５０℃で膜厚１．８〜２．３μｍに堆積した。次に基板温度を５５０℃に上昇させて、同じく分子線エピタキシー蒸着装置でＣｕ−Ｓｅ（Ｃｕ−Ｓｅは基板温度をモニターしながら、図２に示すように約１度低下するまで）照射してＣｕ−ｒｉｃｈなＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）薄膜を形成した。第２段階が終了した後の膜厚は２．０〜２．５μｍである。最後に基板温度５５０℃のままで再びＩｎ−Ｇａ−Ｓｅを（照射後図２に示すように基板温度が極小値を取った後再び約１度上昇するまで）供給し、最終的にＩＩＩ　族が少し過剰な多結晶ＣＩＧＳ薄膜を作製した。最終的な膜厚は２．０〜２．５μｍであった。
【００３０】
上記のようにして形成した多結晶ＣＩＧＳ薄膜を用いて、図１に示した構成Ａｌ／ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ／Ｍｏ／ＳＬＧを有する太陽電池を作製した。ＣｄＳは溶液成長法で、ＺｎＯはＭＯＣＶＤ法で作製し、最後に真空蒸着法でＡｌを電極として蒸着した。また、この試料には反射防止膜を使用していない。
【００３１】
上記の如く、高いＧａ組成比を有するＣＩＧＳ薄膜の作製に、三段階法を用いた。しかし、ＣＩＧＳ膜中のＧａ組成比を高くすると、三段階法の二段階目と三段階目において、製膜時間が長くなるという現象が見られた。図２は、二段階目と三段階目の製膜時間を模式的に示したものである（図２中のＣＧＳはＣｕＧａＳｅ２である）。Ｇａの組成比が高くなるにつれて、二段階目及び三段階目の製膜時間、基板温度の低下及び上昇が、非常に遅くなっていることが分かる。特にＧａ組成比３０％のものに比べ、１００％のもの（ＣＧＳ）は二段階目以降の製膜時間が最大約３倍程度かかっている。三段階法においては、二段階目は液相であるＣｕ−Ｓｅと固相のＣＩＧＳの二相共存状態であると推定されており、Ｃｕ−Ｓｅがフラックスとして結晶薄膜表面に存在し、これを介してＣＩＧＳが成長すると考えられている。三段階目は、二段階目終了時に表面に存在する低抵抗Ｃｕ２−ｘＳｅ層を除去するために行う。二段階目以降の製膜時間が非常に長くなることから、三段階法における一段階目のＩｎ−Ｇａ−Ｓｅプリカーサと、二段階目の液相であるＣｕ−Ｓｅ層の反応が、Ｇａ組成比が高くなったことで遅くなったと考えられる。すなわち、Ｇａを介した反応の方が、Ｉｎを介した反応よりも遅いと推定される。
【００３２】
Ｇａ組成比を変化させたＣＩＧＳ膜について、Ｒａｍａｎ散乱分光法を用いて評価した。結果を図３（ａ）に示す。注目すべきところは、２５０〜３００ｃｍ−１付近の波数領域である。この拡大図を図３（ｂ）に示す。最も高い変換効率を得ている［Ｇａ］／［ＩＩＩ　］比が約３０％のものは、２６０〜２８０ｃｍ−１付近には、特徴的なピークは見られない。しかし、Ｇａ組成比を高くすると、この波数範囲にピークが確認された。このピークは、低抵抗層であるＣｕ２−ｙＳｅのピークである。この低抵抗層であるＣｕ２−ｙＳｅの存在は、太陽電池特性を劣化させる主な要因の一つであると考えられる。またＧａ組成比を高くすると、Ｃｕ２−ｙＳｅのピーク強度が増加する。成長時間の観測より、二段階目でＣｕ−ＳｅとＧａとの化学反応が遅いことを示した。このＲａｍａｎ測定結果は、この結果を示唆するものである。すなわち、Ｇａ組成比が高いＣＩＧＳ膜は、ＧａとＣｕ−Ｓｅの反応が遅いため、表面にＣｕ−Ｓｅ系の化合物が残留し易いと考えられる。またこのことは、断面ＳＥＭのＣｕの面分析によって確認した。これが禁制帯幅を増加させても開放電圧が上昇しない一因であると考えられ、ＣＩＧＳ製膜時にＣｕ２−ｙＳｅを形成させないことが、高いＧａ組成比を有するＣＩＧＳ薄膜太陽電池の高効率化につながると考えられる。
【００３３】
次に、ＣＩＧＳ薄膜製膜終了後に赤外ランプによるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行うことで、表面に残留しているＣｕ２−ｘＳｅを除去することを試みた。上記の如く、３段階堆積法で形成した、Ｃｕ−Ｓｅ系化合物が残留したＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２薄膜を真空容器内に封入した。残留ガスを除去するため、真空容器を真空ポンプにより排気した。真空容器内を、アニール時のガス（フォーミングガス）で充填した。この時のアニール時のガスは、水素を５％含む窒素ガスである。ガス充填後、赤外ランプを用いて当該試料を加熱した。この時の温度範囲は、基板裏面温度で４００℃であった。昇温時の温度上昇率は、１５０〜４５０℃／分であった。アニール温度保持時間は、１秒から５分であった。アニール後は、自然冷却により室温まで冷却した。
【００３４】
作製した試料はＳＥＭ、ＥＤＸ、Ｒａｍａｎ散乱分光法、及びＩ−Ｖ測定を用いて評価した。
【００３５】
図４は、基板裏面温度４００℃において  ＲＴＡ処理を行った前後のＲａｍａｎ散乱分光法による測定結果である。グラフより２６０〜２８０ｃｍ−１付近に存在するＣｕ２−ｙＳｅ層のピークが減少していることがわかる。ＳＥＭでの表面観察の結果、膜自身には損傷はなく、ＲＭＳ（ｒｏｏｔ  ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ）値にも変化はなかった。また、ＲＴＡ処理前後の膜のＥＤＸ測定を行った結果、ＲＴＡ処理前後でＣｕの濃度はあまり変化せず、Ｓｅ濃度が１０％程度減少していることが確認された。このことから、表面に存在しているＳｅが昇華したものと考えられる。
【００３６】
図５に、Ｇａ組成比約６０％における、上から順に開放端電圧、短絡光電流、曲線因子（Ｆ．Ｆ．）及び変換効率のＲＴＡ処理温度依存性を示す。ＲＴＡ処理温度の上昇に伴い、開放電圧及び曲線因子が向上している。これは表面の低抵抗層であるＣｕ２−ｙＳｅ化合物が除去された結果であると考えられる。
【００３７】
このＲＴＡ処理をＣＩＧＳ製膜後に施し、上記と同様に、太陽電池を作製した。太陽電池の構造はＡｌ／ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ／Ｍｏ／ＳＬＧである。ＲＴＡ処理を最適化することにより、Ｇａ含有量６０％（Ｅｇ＝１．４ｅＶ）のものにおいて、開放電圧７５０ｍＶ、変換効率１１．２％が達成された（図６）。
【００３８】
以上のことから下記のことが判明した。
【００３９】
ＣＩＧＳ薄膜中のＧａ組成比を増加させると、三段階法の二段階目と三段階目に要する製膜時間が長くなるという現象が見られた。これはＧａとＣｕの化学反応が、ＩｎとＣｕの化学反応よりも遅いためであると考えられる。また、Ｇａ組成比を高くすることによって、表面に低抵抗層であるＣｕ２−ｙＳｅ化合物が残留し、この低抵抗層が開放電圧の上昇を妨げていることが明らかとなった。
【００４０】
この低抵抗層を除去するために、Ｇａ組成比の高いＣＩＧＳ薄膜製膜後にＲＴＡ処理を施した。その結果、Ｃｕ２−ｙＳｅ層の除去に成功し、開放電圧の向上が図られた。さらにＲＴＡ処理を最適化したところ、ＲＴＡ処理温度４００℃で、１１．２％の変換効率が得られた。
【００４１】
【発明の効果】
本発明によれば、ＣＩＧＳ薄膜のＧａ組成比を高くして禁制帯幅を理想的な１．４ｅＶに近づけて、光電変換効率を向上させた太陽電池が提供される。」
　すると、上記引用文献２の記載事項から、下記の技術事項（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されていると認められる。
「Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜においてｘ＝０．３程度の膜について、禁制帯幅は１．１〜１．２ｅＶであり、最適値の１．４ｅＶ（ｘ＝約０．６）には及ばないところ、０．５≦ｘ≦１、特にｘ＝０．６付近においても、高い光電変換効率を示す良好なＣｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２膜を成長することを可能とするべく、
　高いＧａ組成比を有するＣＩＧＳ薄膜の作製に、三段階法を用い、
　次に、ＣＩＧＳ薄膜製膜終了後に赤外ランプによるＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎｎｅａｌｉｎｇ）を行うことで、表面に残留しているＣｕ２−ｘＳｅを除去することにより、
　Ａｌ／ＺｎＯ／ＣｄＳ／ＣＩＧＳ／Ｍｏ／ＳＬＧの構造を有し、Ｇａ含有量６０％（Ｅｇ＝１．４ｅＶ）である太陽電池において、１１．２％の高い変換効率が得られた。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）」である「／ＣＩＧＳ／」は、カルコパイライト構造を有し、光を吸収することは技術常識であるから、本願発明の「Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群より選ばれる少なくとも一つのＩＩＩｂ族元素と、Ｓ或いはＳｅとを含みカルコパイライト型構造を有する光吸収層」に相当する。
イ　引用発明の「／ＺｎＯ１−ｘＳｘ／」は、「／ＣＩＧＳ／」に接触する層であるから、本願発明の「Ｚｎと、Ｏ或いはＳから成るバッファー層」に相当する。
ウ　引用発明の「ｘ＝０．１〜０．４程度の範囲では、ＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯が上昇し、ＺｎＯ１−ｘＳｘの伝導帯とＣＩＧＳの伝導帯の差であるΔＥＣが最適な範囲（０〜＋０．４ｅＶ）に入る」ことと、本願発明の「前記光吸収層と前記バッファー層の界面から１０ｎｍにおける前記バッファー層のＳ／（Ｓ＋Ｏ）比が０．７以上１．０以下であり、前記バッファー層の伝導帯下端と前記光吸収層の伝導帯下端の差が、０以上０．４以下であり、前記バッファー層はＺｎ、ＯおよびＳから成」ることは、「前記バッファー層の伝導帯下端と前記光吸収層の伝導帯下端の差が、０以上０．４以下であり、前記バッファー層はＺｎ、ＯおよびＳから成」ることで、一致する。
エ　引用発明の「Ａｌ／ＮｉＣｒ／ＩＴＯ／ＺｎＯ１−ｘＳｘ／ＣＩＧＳ／Ｍｏ／青板ガラスという構造」は、本願発明の「光変換素子」に相当する。
（２）一致点
　以上のことから、両者は、
「Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群より選ばれる少なくとも一つのＩＩＩｂ族元素と、Ｓ或いはＳｅとを含みカルコパイライト型構造を有する光吸収層と、Ｚｎと、Ｏ或いはＳから成るバッファー層を具備し、
　前記バッファー層の伝導帯下端と前記光吸収層の伝導帯下端の差が、０以上０．４以下であり、
　前記バッファー層はＺｎ、ＯおよびＳから成る、光変換素子。」で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
ア　本願発明では、「前記光吸収層と前記バッファー層の界面から１０ｎｍにおける前記バッファー層のＳ／（Ｓ＋Ｏ）比が０．７以上１．０以下であ」るのに対して、引用発明では、「ｘ＝０．１〜０．４程度の範囲」である、すなわち、Ｓ／（Ｓ＋Ｏ）比が０．１以上０．４以下であり、また、「ｘ」が「／ＣＩＧＳ／」と「／ＺｎＯ１−ｘＳｘ／」の界面、すなわち、光吸収層とバッファ層の界面からどの程度離れた箇所で測定されたかが不明である点で相違する。
イ　引用発明の「ＣＩＧＳのバンドギャップは約１．１ｅＶであ」ることについて、引用文献３（特に、段落【０００７】〜【００１０】、図８：上記「２」「（１）」参照）に示されるように、「ＣＩＧＳのバンドギャップが約１．１ｅＶ程度であ」ると、Ｇａ／（Ｉｎ，Ｇａ）のモル比が０．３程度であることは当業者には普通に知られたことである。
　すると、本願発明では、「前記光吸収層のＧａ／ＩＩＩｂ族元素のモル比が、０．５以上１．０以下である」のに対して、引用発明では、「ＣＩＧＳのバンドギャップが約１．１ｅＶ程度であ」る、すなわち、Ｇａ／（Ｉｎ，Ｇａ）のモル比（本願発明の「Ｇａ／ＩＩＩｂ族元素のモル比」に相当）が０．３程度である点で相違する。
ウ　本願発明は、「前記バッファー層の前記光吸収層とは反対側の面にＺｎとＯから成る層を有」するのに対して、引用発明は、そのような層を有さない点で相違する。
４　判断
（１）相違点アのうちの、Ｓ／（Ｓ＋Ｏ）比の測定箇所について
　太陽電池において、ＺｎＯ１−ｘＳｘ／ＣＩＧＳ界面のようなヘテロ接合界面では、その両側の層の組成比や結晶構造が乱れることから、組成比を測定する際に、界面から離れた箇所で測定する方が正確に測定できることは技術常識であり、どの程度離して測定するかは当業者が適宜設定できるものであるから、引用発明において、「ｘ」の値、すなわち、ＺｎＯ１−ｘＳｘのＯとＳの組成比を測定する際に、ＺｎＯ１−ｘＳｘ／ＣＩＧＳ界面から離れた箇所で測定することは当業者が当然に行うことであって、その距離を１０ｎｍとすることは適宜設計し得ることにすぎない。
（２）相違点アのうちのＳ／（Ｓ＋Ｏ）比自体、及び、相違点イについて
　一般に太陽電池において、光吸収層のバンドギャップが１．４ｅＶ〜１．５ｅＶ程度が理想的であること、また、Ｃｕ（Ｉｎ１−ｘＧａｘ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）光吸収層において、バンドギャップが１．４ｅＶ〜１．５ｅＶ程度とするには、ｘを０．５〜０．８程度とすればよいことは、引用文献２（段落【００２５】：上記「２」「（２）」「イ」参照）の他にも、特開２０００−３２３７３３号公報（段落【０００３】）、特開２０１０−１９２６８９号公報（段落【０００５】〜【０００６】）にも示されるように、当業者には周知の技術事項である。
　すると、引用発明において、「ＣＩＧＳ」のバンドギャップを最適値の１．４ｅＶとするべく、引用発明の「ＣＩＧＳ」に、引用文献２の技術事項を適用して、Ｇａ／（Ｉｎ，Ｇａ）のモル比を０．６とすることは、当業者には容易なことである。
　さて、引用発明においては、バンドギャップが約１．１ｅＶであるＣＩＧＳに対して、「ｘ」が０．１〜０．４のときに、ΔＥＣが最適値０〜＋０．４ｅＶとなったものであるところ、上述のように、「ＣＩＧＳ」のバンドギャップを最適値の１．４ｅＶとするべく、Ｇａ／（Ｉｎ，Ｇａ）のモル比を０．６としたものにおいては、引用文献３の段落【０００９】の「Ｇａ組成比の増大に応じて伝導帯のエネルギーが上昇して」という記載，及び、図８の記載を参照すると、「ＣＩＧＳ」の伝導帯のエネルギーが上昇し、ΔＥＣの値が変わる（小さくなる）ことは自明なことである。
　ここで、引用文献１の技術事項によると、「ｘ」を変えることよりΔＥＣを制御し、ΔＥＣを最適値０〜＋０．４ｅＶとすることができるのであるから、「ＣＩＧＳ」のＧａ組成比の増加に合わせて、ＺｎＯ１−ｘＳｘの「ｘ」の値を最適化する必要があることは、当業者であれば、当然に想到し得ることである。そして、この最適化を行えば、「ｘ」が０．７〜１．０程度になると認められる。
（３）相違点ウについて
　ＣＩＧＳからなる光吸収層、バッファ層、ＺｎＯからなる層を、この順に積層した構造は、国際公開第２００９／１５１３９６号（「a CIGS-layer 7」、「the buffer layer 9, e.g. formed CdS or ZnOZS1-Z」、「the high resistivity thin layer 11, e.g. formed ZnO」：第６頁第１４〜２４行、図１ａ）、特表２００６−５２５６７１号公報（「ＣＩＧＳ層３」、「Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）を含む第１のバッファ層７」、「ＺｎＯを含む第２のバッファ層８」：段落【００２２】〜【００５１】、図２）、特開２００５−２２８９７５号公報（「ｐ型光吸収層８」（「ｐ−ＣＩＧＳ層」）、「ｎ型バッファ層１０」（［ＺｎＯ１−ｘ−ｙＳｘＳｅｙ］）、「半絶縁層１２」（「ＺｎＯ層」）：段落【００２４】〜【００４８】、図１）に示されるように周知であるから、引用発明において、「ＩＴＯ」と「ＺｎＯ１−ｘＳｘ」の間に、ＺｎＯからなる層を配置することは、当業者が容易に想到し得ることである。
（４）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献１の技術事項、引用文献２の技術事項及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　なお、請求人は、審判請求書の「２．」「（２）」「・特許法第３６条第４項第１号について」で、「本願明細書段落００１０欄に「ここで、バッファー層は、光吸収層とバッファー層の界面から１０ｎｍにおけるＳ／（Ｓ＋Ｏ）で表されるモル比が０．７以上、１．０以下であることが好ましい。このモル比が０．７より小さいと２相分離することがある。」という記載がございます。かかる記載に、「前記光吸収層と前記バッファー層の界面から１０ｎｍ」という特定の箇所において前記バッファー層のＳ／（Ｓ＋Ｏ）比を満足させる技術的意義が記載されております。」と、「１０ｎｍ」という数値が格別な技術的意義を有する旨、主張する。
　しかし、本願の明細書段落【００１０】の上記記載を含む本願明細書の全記載を参照しても、「１０ｎｍ」という特定の箇所でモル比を測定することが特別な技術的意義を有する、すなわち、１０ｎｍではなく、例えば、８ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍといった箇所で測定することに比べて、特別な技術的意義を有することが記載されているとは認められず、上記「（１）」で挙げた技術常識を踏まえると、「１０ｎｍ」という数値は、「バッファ層」のＯとＳの組成比が正確に測定できる箇所の一例を挙げるものにすぎないと認められる。
　すると、本願発明の「１０ｎｍ」という数値は、格別な効果を奏するものではないことは明らかである。
（５）結論
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献１の技術事項、引用文献２の技術事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。