【手続補正書】
【提出日】令和2年10月16日(2020.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導結合プラズマ処理チャンバを動作させるための方法であって、
前記誘導結合プラズマ処理チャンバのプラズマ処理空間内の基板支持構造上に基板を配置し、
第１高周波信号発生器から前記誘導結合プラズマ処理チャンバの前記プラズマ処理空間の外側に配置されているコイルへ第１高周波信号を供給し、前記第１高周波信号は、前記基板に暴露するプラズマを生成し、
前記第１高周波信号発生器から前記コイルへ前記第１高周波信号を供給するのと同時に、第２高周波信号発生器から前記基板支持構造内の電極へ第２高周波信号を供給し、前記第１および第２高周波信号発生器は、互いに独立して制御され、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ以上の周波数を有し、前記第２高周波信号は、前記基板のレベルでバイアス電圧を実質的に変化させることなく、前記プラズマ処理空間内に前記基板の前記レベルで補充プラズマ密度を生成すること、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第１高周波信号は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第１高周波信号は、約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツの周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約６０メガヘルツの周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、前記コイルは、複数の独立制御可能な半径方向区画を備え、前記方法は、さらに、前記第２高周波信号によって前記基板の前記レベルで生成された前記補充プラズマ密度によって引き起こされる前記基板にわたるプラズマ密度プロファイルにおける摂動を補償するために、前記コイルの前記複数の独立制御可能な半径方向区画に供給される高周波信号を制御する工程を備える、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
前記基板に実行される処理レシピに従って、第３高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ第３高周波信号を供給することを備え、
前記第１および第２および第３高周波信号発生器は、互いに独立して制御され、前記第３高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第３高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第３高周波信号は、前記基板の前記レベルで約２００ボルトより大きいバイアス電圧を生成する、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記第１高周波信号は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第１高周波信号は、約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力で供給され、
前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、前記第３高周波信号は、約１３．５６メガヘルツの周波数を有する、方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法であって、前記第３高周波信号は、前記基板の指向性イオンによる処理中に前記第３高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ供給され、前記第３高周波信号は、前記基板の等方性処理中には前記第３高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ供給されない、方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の方法であって、さらに、
前記基板に実行される前記処理レシピに従って、第４高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ第４高周波信号を供給することを備え、
前記第１および第２および第３および第４高周波信号発生器は、互いに独立して制御され、前記第４高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第４高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第４高周波信号は、前記基板の前記レベルでイオンの方向性を制御する、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、前記第１高周波信号は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第１高周波信号は、約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力で供給され、
前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記第３高周波信号は、約１３．５６メガヘルツの周波数を有し、前記第４高周波信号は、約１メガヘルツの周波数を有する、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約６０メガヘルツの周波数を有する、方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツの周波数を有する、方法。
【請求項１６】
誘導結合プラズマ処理システムであって、
プラズマ処理空間を囲み、上側窓構造を有するチャンバと、
コイルであって、前記コイルから前記上側窓構造を通して前記プラズマ処理空間へ至る高周波信号の伝送を可能にするような位置で前記チャンバの外側に配置されているコイルと、
前記チャンバ内に配置されている基板支持構造であって、前記プラズマ処理空間へ露出させて基板を保持するよう構成されている基板支持構造と、
前記基板支持構造内に配置されている電極と、
前記コイルへ第１高周波信号を供給するように接続されている第１高周波信号発生器と、
前記基板支持構造内の前記電極へ第２高周波信号を供給するように接続されている第２高周波信号発生器であって、前記第１高周波信号発生器に対して独立制御可能な第２高周波信号発生器と、を備え、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ以上の周波数を有し、前記第２高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板のレベルで補充プラズマ密度を生成するよう規定され、前記第２高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板の前記レベルでバイアス電圧を実質的に変化させることなく、前記プラズマ処理空間内に前記基板の前記レベルで前記補充プラズマ密度を生成する、誘導結合プラズマ処理システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、前記第１高周波信号発生器は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数かつ約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力の前記第１高周波信号を生成するように構成され、
前記第２高周波信号発生器は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数かつ約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力の前記第２高周波信号を生成するように構成されている、誘導結合プラズマ処理システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、さらに、
前記基板支持構造内の前記電極へ第３高周波信号を供給するように接続されている第３高周波信号発生器を備え、
前記第３高周波信号発生器は、前記第１および第２高周波信号発生器に対して独立制御可能であり、前記第３高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第３高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第３高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板の前記レベルで約２００ボルトより大きいバイアス電圧を生成する、誘導結合プラズマ処理システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、さらに、
前記基板支持構造内の前記電極へ第４高周波信号を供給するように接続されている第４高周波信号発生器を備え、
前記第４高周波信号発生器は、前記第１および第２および第３高周波信号発生器に対して独立制御可能であり、前記第４高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第４高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第４高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板の前記レベルでイオンの方向性を制御する、誘導結合プラズマ処理システム。
【請求項２０】
請求項１６記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、前記コイルは、複数の独立制御可能な半径方向区画を備え、前記誘導結合プラズマ処理システムは、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に前記第２高周波信号によって前記基板の前記レベルで生成された前記補充プラズマ密度によって引き起こされる前記基板にわたるプラズマ密度プロファイルにおける摂動を補償するために、前記コイルの前記複数の独立制御可能な半径方向区画に供給される高周波信号を制御するよう構成されている制御システムを備える、誘導結合プラズマ処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
理解を深めるために、本発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更と変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、これらの実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、記載された実施形態の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
［適用例１］誘導結合プラズマ処理チャンバを動作させるための方法であって、
前記誘導結合プラズマ処理チャンバのプラズマ処理空間内の基板支持構造上に基板を配置し、
第１高周波信号発生器から前記誘導結合プラズマ処理チャンバの前記プラズマ処理空間の外側に配置されているコイルへ第１高周波信号を供給し、前記第１高周波信号は、前記基板に暴露するプラズマを生成し、
前記第１高周波信号発生器から前記コイルへ前記第１高周波信号を供給するのと同時に、第２高周波信号発生器から前記基板支持構造内の電極へ第２高周波信号を供給し、前記第１および第２高周波信号発生器は、互いに独立して制御され、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ以上の周波数を有し、前記第２高周波信号は、前記プラズマ処理空間内の前記基板のレベルで補充プラズマ密度を生成し、前記第２高周波信号は、前記基板の前記レベルで約２００ボルト未満のバイアス電圧を生成すること、
を備える、方法。
［適用例２］適用例１に記載の方法であって、前記第１高周波信号は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第１高周波信号は、約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
［適用例３］適用例１に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
［適用例４］適用例１に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツの周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
［適用例５］適用例１に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約６０メガヘルツの周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
［適用例６］適用例１記載の方法であって、前記コイルは、複数の独立制御可能な半径方向区画を備え、前記方法は、さらに、前記第２高周波信号によって前記基板の前記レベルで生成された前記補充プラズマ密度によって引き起こされる前記基板にわたるプラズマ密度プロファイルにおける摂動を補償するために、前記コイルの前記複数の独立制御可能な半径方向区画に供給される高周波信号を制御する工程を備える、方法。
［適用例７］適用例１に記載の方法であって、さらに、
前記基板に実行される処理レシピに従って、第３高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ第３高周波信号を供給することを備え、
前記第１および第２および第３高周波信号発生器は、互いに独立して制御され、前記第３高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第３高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第３高周波信号は、前記基板の前記レベルで約２００ボルトより大きいバイアス電圧を生成する、方法。
［適用例８］適用例７に記載の方法であって、前記第１高周波信号は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第１高周波信号は、約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力で供給され、
前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
［適用例９］適用例８に記載の方法であって、前記第３高周波信号は、約１３．５６メガヘルツの周波数を有する、方法。
［適用例１０］適用例７に記載の方法であって、前記第３高周波信号は、前記基板の指向性イオンによる処理中に前記第３高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ供給され、前記第３高周波信号は、前記基板の等方性処理中には前記第３高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ供給されない、方法。
［適用例１１］適用例７に記載の方法であって、さらに、
前記基板に実行される前記処理レシピに従って、第４高周波信号発生器から前記基板支持構造内の前記電極へ第４高周波信号を供給することを備え、
前記第１および第２および第３および第４高周波信号発生器は、互いに独立して制御され、前記第４高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第４高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第４高周波信号は、前記基板の前記レベルでイオンの方向性を制御する、方法。
［適用例１２］適用例１１に記載の方法であって、前記第１高周波信号は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第１高周波信号は、約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力で供給され、
前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数で供給され、前記第２高周波信号は、約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力で供給される、方法。
［適用例１３］適用例１２に記載の方法であって、前記第３高周波信号は、約１３．５６メガヘルツの周波数を有し、前記第４高周波信号は、約１メガヘルツの周波数を有する、方法。
［適用例１４］適用例１３に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約６０メガヘルツの周波数を有する、方法。
［適用例１５］適用例１３に記載の方法であって、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツの周波数を有する、方法。
［適用例１６］誘導結合プラズマ処理システムであって、
プラズマ処理空間を囲み、上側窓構造を有するチャンバと、
コイルであって、前記コイルから前記上側窓構造を通して前記プラズマ処理空間へ至る高周波信号の伝送を可能にするような位置で前記チャンバの外側に配置されているコイルと、
前記チャンバ内に配置されている基板支持構造であって、前記プラズマ処理空間へ露出させて基板を保持するよう構成されている基板支持構造と、
前記基板支持構造内に配置されている電極と、
前記コイルへ第１高周波信号を供給するように接続されている第１高周波信号発生器と、
前記基板支持構造内の前記電極へ第２高周波信号を供給するように接続されている第２高周波信号発生器であって、前記第１高周波信号発生器に対して独立制御可能な第２高周波信号発生器と、を備え、前記第２高周波信号は、約２７メガヘルツ以上の周波数を有し、前記第２高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板のレベルで補充プラズマ密度を生成するよう規定され、前記第２高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板の前記レベルで約２００ボルト未満のバイアス電圧を生成する、誘導結合プラズマ処理システム。
［適用例１７］適用例１６に記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、前記第１高周波信号発生器は、約１０メガヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数かつ約１キロワット〜約４キロワットの範囲内の電力の前記第１高周波信号を生成するように構成され、
前記第２高周波信号発生器は、約２７メガヘルツ〜約１４０メガヘルツの範囲内の周波数かつ約５ワット〜約１キロワットの範囲内の電力の前記第２高周波信号を生成するように構成されている、誘導結合プラズマ処理システム。
［適用例１８］適用例１７に記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、さらに、
前記基板支持構造内の前記電極へ第３高周波信号を供給するように接続されている第３高周波信号発生器を備え、
前記第３高周波信号発生器は、前記第１および第２高周波信号発生器に対して独立制御可能であり、前記第３高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１５メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第３高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第３高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板の前記レベルで約２００ボルトより大きいバイアス電圧を生成する、誘導結合プラズマ処理システム。
［適用例１９］適用例１８に記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、さらに、
前記基板支持構造内の前記電極へ第４高周波信号を供給するように接続されている第４高周波信号発生器を備え、
前記第４高周波信号発生器は、前記第１および第２および第３高周波信号発生器に対して独立制御可能であり、前記第４高周波信号は、約１００キロヘルツ〜約１メガヘルツの範囲内の周波数を有し、前記第４高周波信号は、約５ワット〜約６キロワットの範囲内の電力で供給され、前記第４高周波信号は、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に、前記基板の前記レベルでイオンの方向性を制御する、誘導結合プラズマ処理システム。
［適用例２０］適用例１６記載の誘導結合プラズマ処理システムであって、前記コイルは、複数の独立制御可能な半径方向区画を備え、前記誘導結合プラズマ処理システムは、前記基板が前記基板支持構造上に存在する時に前記第２高周波信号によって前記基板の前記レベルで生成された前記補充プラズマ密度によって引き起こされる前記基板にわたるプラズマ密度プロファイルにおける摂動を補償するために、前記コイルの前記複数の独立制御可能な半径方向区画に供給される高周波信号を制御するよう構成されている制御システムを備える、誘導結合プラズマ処理システム。