【手続補正書】
【提出日】令和2年3月5日(2020.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に表面の特徴を提供するステップであって、前記表面の特徴は、特徴の形状と、特徴の位置と、基板の平面内の第１の方向に沿う寸法とを備える、ステップと、
前記表面の特徴の上に、層の材料を備える層を堆積するステップと、
イオン照射において、イオンを入射角で前記基板の方へ向けるステップであって、前記入射角は、前記基板の平面に対する垂線に対して、非ゼロの角度を形成する、ステップと、を有し、
前記イオン照射は、前記イオンと反応中性種とを備え、前記イオン照射は、前記層の材料を反応エッチングし、
前記イオンは、前記表面の特徴の第１の部分に衝突し、前記表面の特徴の第２の部分に衝突せず、
変えられた表面の特徴が生成され、該変えられた表面の特徴は、前記第１の方向に沿う前記寸法、前記特徴の形状、又は、前記特徴の位置の内の少なくとも１つの前記表面の特徴と異なる、基板を処理する方法。
【請求項２】
前記基板の特徴は、空洞を備え、該空洞は、前記第１の方向に沿う第１の寸法と、前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿う第２の寸法とを備え、
前記層を堆積する前記ステップは、前記空洞の収縮を実施するステップを有し、前記第１の寸法及び前記第２の寸法を低減する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記イオン照射は、前記層を前記第１の方向に沿って第１の量をエッチングするステップと、前記層を前記第２の方向に沿って第２の量をエッチングするステップとを有し、前記第２の量は前記第１の量より少ない、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記空洞は、前記イオン照射の前に円の形状を備え、前記イオン照射の後に細長い形状を備える、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記層の材料は、前記エッチングするステップの後に、前記空洞の底面から除去される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記空洞は、前記イオン照射の前に基板の材料内に形成され、前記イオン照射は、細長い形状を形成するために、前記第１の方向に沿って前記基板の材料をエッチングするステップを有し、前記細長い形状は前記第１の方向に沿って第３の寸法を備え、該第３の寸法は前記第１の寸法より大きい、請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記空洞は、前記層を堆積する前記ステップの前に、トレンチを備え、前記第１の寸法は前記第２の寸法より大きく、
前記層を堆積する前記ステップの後で、かつ、前記イオン照射の後に、前記トレンチは前記第２の方向に沿って第３の寸法を備え、該第３の寸法は前記第１の寸法より小さく、前記トレンチは、さらに、前記第１の方向に沿って前記第１の寸法を備える、請求項３記載の方法。
【請求項８】
前記空洞は、前記層を堆積する前記ステップの前に、トレンチを備え、前記第１の寸法は前記第２の寸法より大きく、
前記層を堆積する前記ステップの後で、かつ、前記イオン照射の後に、前記トレンチは前記第２の方向に沿って第３の寸法を備え、該第３の寸法は前記第１の寸法より小さく、前記トレンチは、さらに、前記第１の方向に沿って第４の寸法を備え、前記第４の寸法は前記第１の寸法より大きい、請求項３記載の方法。
【請求項９】
前記空洞の位置は、前記層を堆積する前記ステップの前の前記基板内の第１の位置から、前記イオン照射の後の前記基板内の第２の位置へ、シフトされる、請求項３記載の方法。
【請求項１０】
前記表面の特徴は前記基板の平面の上に広がり、
前記層を堆積する前記ステップの前に、前記表面の特徴は、前記第１の方向に沿う第１の特徴の寸法と、前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿う第２の特徴の寸法とを備え、
前記層を堆積する前記ステップは、前記第１の特徴の寸法を第３の特徴の寸法へ増大するステップと、前記第２の特徴の寸法を第４の特徴の寸法へ増大するステップとを有し、
前記イオン照射は、前記第３の特徴の寸法を前記第４の特徴の寸法より小さい第５の特徴の寸法へ低減するステップを有する、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記イオンは、リボンイオンビームとして向けられ、前記第１の方向に平行な軌跡を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記層を堆積する前記ステップは、前記層を前記基板の上に選択的に堆積するステップを有し、
前記層は、前記基板の第１の領域の上に第１の厚さを備え、前記基板の第２の領域の上に前記第１の厚さと異なる第２の厚さを備え、
前記層を堆積する前記ステップの後に、前記第１の方向に沿う前記表面の特徴の寸法は、前記第１の領域において第１の量だけ変えられ、前記第２の領域において第２の量だけ変えられる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
基板の中に空洞を提供するステップであって、前記空洞は、基板の平面内の第１の方向に沿う第１の寸法と、前記基板の平面内の第２の方向に沿う第２の寸法とを有し、前記第２の方向は前記第１の方向に垂直である、ステップと、
前記空洞内に、層の材料を備える層を堆積するステップと、
イオン照射において、イオンを入射角で前記基板の方へ向けるステップであって、前記入射角は、前記基板の平面に対する垂線に対して、非ゼロの角度を形成する、ステップと、を有し、
前記イオン照射は、前記イオンと反応中性種とを備え、前記イオン照射は、前記層の材料を反応エッチングし、
前記イオンは、前記空洞の第１の部分に衝突し、前記空洞の第２の部分に衝突せず、
前記第１の寸法は、前記第２の寸法に対して、選択的に変えられる、基板を処理する方法。
【請求項１４】
前記第１の寸法は低減されるが、前記第２の寸法は低減されない、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
基板の中に空洞を提供するステップであって、前記空洞は、前記基板内の第１の空洞の位置に配置される、ステップと、
前記空洞内に、層の材料を備える層を堆積するステップと、
イオン照射において、イオンを入射角で前記基板の方へ向けるステップであって、前記入射角は、基板の平面に対する垂線に対して、非ゼロの角度を形成する、ステップと、を有し、
前記イオン照射は、前記イオンと反応中性種とを備え、前記イオン照射は、前記層の材料を反応エッチングし、
前記イオンは、前記空洞の第１の部分に衝突し、前記空洞の第２の部分に衝突せず、
前記空洞は、前記イオン照射の後に、前記基板内の第２の空洞の位置に配置される、基板を処理する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板を処理する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明の目的は、パターン化された特徴の正しい配置だけでなく、パターン化された特徴の正しい形状も得るための機能を有する実施形態の基板を処理する方法を提供することである。
これらの及び他の考慮に対して、本発明の実施形態は有用であり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
別の実施態様において、基板を処理する方法は、基板の中に空洞を提供するステップであって、前記空洞は、前記基板内の第１の空洞の位置に配置される、ステップと、前記空洞内に、層の材料を備える層を堆積するステップと、イオン照射において、イオンを入射角で前記基板の方へ向けるステップであって、前記入射角は、基板の平面に対する垂線に対して、非ゼロの角度を形成する、ステップと、を含んでもよく、前記イオン照射は、前記イオンと反応中性種とを備え、前記イオン照射は、前記層の材料を反応エッチングし、前記イオンは、前記空洞の第１の部分に衝突し、前記空洞の第２の部分に衝突せず、前記空洞は、前記イオン照射の後に、前記基板内の第２の空洞の位置に配置される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【図１】図１Ａ〜１Ｄは、本発明の様々な実施形態による、デバイス構造の処理の一例を示す。
【図２】図２Ａ〜２Ｄは、本発明の実施形態による、デバイス構造の処理の別の例を示す。
【図３】図３Ａ〜３Ｇは、本発明のさらなる実施形態による、デバイス構造の処理を示す。
【図４】図４Ａ〜４Ｂは、本発明の他の実施形態による、デバイス構造の処理を示す。
【図５】図５Ａ〜５Ｃは、本発明の追加の実施形態による、デバイス構造の処理を示す。
【図６】図６Ａ〜６Ｆは、本発明のさらに他の実施形態による、デバイス構造の処理を例示する。
【図７】図７Ａ〜７Ｃは、本発明のいくつかの実施形態による、デバイスの処理の別の例を例示する。
【図８】図８Ａ〜８Ｇは、本発明のいくつかの追加の実施形態による、デバイスの処理の別の例を例示する。
【図９Ａ】本発明の実施形態による、例示的処理装置を例示する。
【図９Ｂ】本発明の実施形態による、例示的抽出プレート装置の詳細を示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
結果として、図１Ｂ及び１Ｄに示すように、堆積層、層１０６の選択エッチングは、側壁１０８として示す、図１Ｂに示すように、右の側壁に沿って行うことができる。層１０６の堆積及び空洞１０２の層１０６の部分の選択指向性エッチングのための堆積プロセスの結果は、Ｙ軸に沿う長さの低減だけでなく、Ｘ軸に沿う幅Ｗ１から幅Ｗ２への空洞１０２の幅の低減でもある。さらに、図１Ｃに示すように、Ｘ軸に沿うなどの、Ｘ−Ｙ平面に対する第１の方向に沿って、イオン１１０を向けることができる。このように、第１の部分１１２を、Ｙ軸に平行な右の側壁に沿っている空洞１０２の領域とすることができるのは、この領域が、イオン１１０に面し、イオン１１０の方向に垂直であり、したがって、イオンを遮るように配置されるためである。第２の部分１１４を、Ｘ軸に平行な側壁に沿っている空洞１０２の領域とすることができるのは、イオンがこれらの領域の表面に平行に進むので、これらの領域はほとんど又は全く衝突を受けないことができるためである。図１Ｃに示すように、第２の部分１１４が、左の側壁に沿って空洞１０２の領域へも伸びることができるのは、この領域がイオン１１０から遮断されるためである。右の側壁に沿う層１０６のみが、イオン１１０の方向（Ｘ−Ｙ平面内のイオン１１０の方向付けのための図１Ｃも参照）により除去されるため、Ｘ軸に平行な方向に沿うＷ１からＷ２への空洞１０２の幅の低減は、本例において、層１０６の厚さに対応することができ、一方、Ｙ軸に平行な方向に沿うＬ１からＬ２への空洞１０２の長さの低減は、層１０６の厚さの２倍に対応する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３Ａ〜３Ｇは、本発明のさらなる実施形態による、デバイス構造の処理を示す。明確化のために、後に続く図において、反応中性種１２４は示さない。図３Ａ及び３Ｂにおいて、層２０６の堆積後の基板２００が示される。さて、図３Ｃ及び３Ｄを見るに、層２０６の選択エッチングの例が示され、イオン２１０は、Ｙ軸に平行な軌跡を形成し、必ずしもＹ軸に平行ではない反対の側壁部分を含む、通常、Ｘ軸に沿って方向付けられた空洞２０２の表面へ向けられる。本例において、イオン２１０は、Ｙ軸に平行に進み、したがって、通常、Ｙ軸に沿って方向付けられた領域の層２０６に衝突しないが、Ｘ軸に平行にもっと方向付けられた層２０６の領域に衝突する。したがって、結果として生じる構造は、図３Ｃに示すように、（Ｙ軸に平行な）垂直な切断面に沿っている層２０６の材料を有しないで、一方、水平な切断面に沿っている空洞２０２の側壁の部分において、層２０６は、少なくとも部分において保存される。異なる実施形態において、イオン２１０の入射角θ、空洞２０２の幅、及び、（Ｚ軸に沿う）空洞２０２の高さに依存して、イオン２１０は、空洞２０２の底２１２に衝突し、又は、衝突しなくすることができる。図３Ｄ及び図３Ｆの例において、イオン２１０は、空洞２０２の底２１２に衝突せず、層２０６は完全なままであり、一方、図３Ｅ及び図３Ｇの例において、イオン２１０は、空洞２０２の底面に衝突し、層２０６を除去する。図２〜３の動作の結果として、空洞２０２の形状及びサイズは、図３Ｃに示すように、円形から、卵形又は楕円形などの細長い形状に変えられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図８Ａ〜８Ｇは、本発明のいくつかの追加の実施形態による、基板の処理の別の例を例示する。図８Ａ及び図８Ｄの例において、ベース８０４の上に伸びる柱８０２を有する基板８００が提供される。柱８０２は、ベース８０４の材料と異なる必要はないが、異なるようにすることができる。図８Ｂ及び図８Ｅにおいて、一般的に上述で述べたように、層８０６が堆積される。図８Ｃにおいて、イオン８１２は、２つの対向方向８１０に柱８０２の方へ向けられ、図示のように、対向方向はＹ軸に平行であり、図８Ｆ及び図８Ｇの切断部で更に示すように、Ｘ軸に沿って一般的にもっと平行な領域から層８０６を除去する結果となる。したがって、図８Ｆに示すように、元の直径Ｄ１はＸ軸に沿って直径Ｄ２へ増大され、一方、図８Ｇに示すように、元の直径Ｄ１はＹ軸に沿って維持することができる。この指向性エッチングにより、柱８０２の元の円形は、図８Ｃに例示されるように、楕円形に変換することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
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