【事件の表示】
　特願２００９−２７７６９６「低位相速度のための構造，方法，および設計構造（低位相速度のためのミリメートル波伝送線）」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月　８日出願公開，特開２０１０−１５４５２５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２１年１２月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００８年１２月２３日　米国）を出願日とする出願であって，原審において平成２５年１１月１２日付けで手続補正され，平成２６年４月８日付けで最後の拒絶理由が通知され，同年６月１３日付けで手続補正され，同年１０月１６日付けで同年６月１３日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２７年２月２０日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正されたものである。
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年２月２０日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本願補正と補正後の発明
　上記手続補正（以下「本件補正」という。）は，本件補正前の平成２５年１１月１２日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された
「構造であって，
　基板の頂上面に直隣接的に配置された少なくとも１つの第１の誘電材料層と，
　前記少なくとも１つの第１の誘電材料層の頂上面に直隣接的に配置された接地金属面と，
　前記接地金属面上に配置された少なくとも１つの第２の誘電材料層と，
　前記少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれ，且つ第１の幅を有する第１の伝送線部分と第２の幅を有する第２の伝送線部分とを含む金属伝送線であって，前記第１の幅および前記第２の幅が異なり，前記第１の伝送線部分および前記第２の伝送線部分が交互に交差されている，前記金属伝送線と，
　前記基板上に配置された金属フィン・アレイであって，前記金属フィン・アレイの各金属フィンが，前記第２の伝送線部分の下にあるかまたは上にあり，且つ，前記第１の伝送線部分の下になく上にもない，前記金属フィン・アレイと
　を備えている，前記構造。」
という発明（以下「本願発明」という。）を
「構造であって，
　基板の頂上面に直隣接的に配置された少なくとも１つの第１の誘電材料層と，
　前記少なくとも１つの第１の誘電材料層の頂上面に直隣接的に配置された接地金属面と，
　前記接地金属面上に配置された少なくとも１つの第２の誘電材料層と，
　前記少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれ，且つ第１の幅を有する第１の伝送線部分と第２の幅を有する第２の伝送線部分とを含む金属伝送線であって，前記第１の幅および前記第２の幅が異なり，前記第１の伝送線部分と前記第２の伝送線部分とが相互に横方向に当接して繰り返し単位構造を構成し，前記繰り返し単位構造が長さ方向に繰り返されることにより，前記第１の伝送線部分および前記第２の伝送線部分が交互に交差されている，前記金属伝送線と，
　前記基板上に配置された金属フィン・アレイであって，前記金属フィン・アレイの独立した各金属フィンが，前記第２の伝送線部分の下にあるかまたは上にあり，且つ，前記第１の伝送線部分の下になく上にもない，前記金属フィン・アレイと
　を備えている，前記構造。」
という発明（以下「補正後の発明」という。）に変更する補正を含むものである。
　なお，本件補正後の請求項１の，第５段落に記載の「前記第１の伝送部分」及び「前記第２の伝送部分」はそれぞれ指し示すものが存在しないため，「前記第１の伝送線部分」及び「前記第２の伝送線部分」の誤記と認め，上記のとおり認定した。
２．新規事項の有無，シフト補正，補正の目的要件について
　上記補正は，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面に記載した事項の範囲内において，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記第１の伝送線部分および前記第２の伝送線部分が交互に交差されている，金属伝送線」及び「各金属フィン・アレイの各金属フィン」のそれぞれを，「前記第１の伝送部分と前記第２の伝送部分とが相互に横方向に当接して繰り返し単位構造を構成し，前記繰り返し単位構造が長さ方向に繰り返されることにより，前記第１の伝送線部分および前記第２の伝送線部分が交互に交差されている，金属伝送線」及び「各金属フィン・アレイの独立した各金属フィン」に限定して，特許請求の範囲を減縮するものである。
　また，本件補正は，上記補正以外に，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面に記載した事項の範囲内において，本件補正前の特許請求の範囲の請求項２０の記載に上記補正と同様の限定を加える補正（以下「補正１」という。）を含むものであって，当該補正１は，特許請求の範囲を減縮するものである。
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に適合するとともに，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３．独立特許要件について
　本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするのものであるから，本件補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するかどうか）について以下に検討する。
（１）補正後の発明
　補正後の発明は，上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で「補正後の発明」として認定したとおりのものと認める。
（２）引用発明
ア．引用発明１
　原審の拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開平５−２５１９１４号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１５】
【実施例】以下，図面を参照して本発明に係る実施例について以下に説明する。
【００１６】＜マイクロ波遅波回路の構成及び動作＞図１は本発明に係る一実施例であるマイクロ波遅波回路の斜視図であり，図２は図１のＡ−Ａ’線についての縦断面（以下，第１の縦断面という。）を示す断面図であり，図３は図１のＢ−Ｂ’線についての縦断面（以下，第２の縦断面という。）を示す断面図である。なお，図１ないし図３において図２０と同様のものについては同一の符号を付している。
【００１７】本実施例のマイクロ波遅波回路は，第１の縦断面においてストリップ導体６ａから突出する２個の突出導体６ｂを備えることによりストリップ導体６ａの幅Ｗｓよりも広い中心導体６の幅Ｗｓｔを備える第１の縦断面を有して容量性の比較的低い特性インピーダンスＺLを有する図２に示すトリプレートマイクロストリップ線路で構成された複数の第１の伝送線路１００と，第２の縦断面を有して誘導性の比較的高い特性インピーダンスＺHを有する図３に示すエレベーテッドコプレーナ線路で構成された複数の第２の伝送線路２００とを備え，上記第１の伝送線路１００と上記第２の伝送線路２００とを交互に，かつ中心導体６の長手方向と平行な方向である各伝送線路１００，２００の延伸接続方向に縦続して接続することによって構成されたことを特徴としている。以下，本実施例においては，当該マイクロ波遅波回路の半導体基板４の平面をＸ−Ｙ平面とし，各線路１００，２００の長手方向をＹ軸方向とし，Ｙ軸方向と垂直な方向をＸ軸方向とする。
【００１８】本実施例のマイクロ波遅波回路は以下の工程で形成される。
【００１９】まず，図４に示すように，ＧａＡｓにてなる半導体基板４の全面上に，Ｘ軸方向に平行な長手方向を有する長さＬｇの辺とＹ軸方向に平行な長さＬｂの辺を有する複数の矩形スロット５ｓが互いに所定の間隔Ｌａだけ離れてＹ軸方向に並置されて形成された接地導体５が形成される。次いで，上記接地導体５及び矩形スロット５ｓを介して露出した半導体基板４の全面上に，誘電体層３ａが形成された後，図５に示すように，当該誘電体層３ａ上に，Ｘ軸方向の幅Ｗｓを有するとともにＹ軸方向が長手方向となり各矩形スロット５ｓの中心を通過するストリップ導体６ａと，各矩形スロット５ｓの間に位置する接地導体５の直上に位置しかつストリップ導体６ａからＸ軸方向及びＸ軸方向と反対の方向に突出するＹ軸方向の幅Ｌａの矩形形状の突出導体６ｂとからなる中心導体６が形成される。ここで，ストリップ導体６ａと２つの突出導体６ｂからなるＸ軸方向の長さはそれぞれ，図１及び図２においてＷｓｔ，Ｗｓｔで示されている。なお，図５において，ＰＩは当該マイクロ波遅波回路の入力端であり，ＰＯはその出力端である。
【００２０】さらに，中心導体６及び露出している誘電体層３ａの全面上に誘電体層３ｂが形成された後，誘電体層３ｂ上に，ストリップ接地導体１の一部が各矩形スロット５ｓの間に位置する接地導体５の直上に位置しかつＸ軸方向が長手方向となり幅Ｌａを有する複数のストリップ接地導体１が，互いに所定のＬｂだけ離れかつ接地導体５の直上に位置するように，言い換えれば，各矩形スロット５ｓの直上に位置しないように，いわゆる枕木形状又は格子形状で形成される。
【００２１】以上のように形成されたマイクロ波遅波回路の第１の縦断面においては，図２に示すように，ストリップ導体６ａと突出導体６ｂからなる中心導体６が接地導体５とストリップ接地導体１との間にそれぞれ誘電体層３ａ，３ｂを介して挟設されてなるトリプレートマイクロストリップ線路で構成された第１の伝送線路１００が形成されている。この第１の伝送線路１００は，容量性の比較的低い特性インピーダンスＺLを有する。一方，当該マイクロ波遅波回路の第２の縦断面においては，図３に示すように，接地導体５よりも誘電体層３ａの厚さだけ上側に位置するストリップ導体６ａが，図３の図上左右方向に位置する各接地導体５から所定の同一の間隔だけ離れて形成されてなるエレベーテッドコプレーナ線路で構成された第２の伝送線路２００が形成されている。この第２の伝送線路２００は，中心導体６と接地導体５との間で比較的多い磁力線が鎖交するため，誘導性の比較的高い特性インピーダンスＺHを有する。ここで，周期長（Ｌａ＋Ｌｂ）が管内波長に比べて十分に短くかつＺH≫ＺLであるように上記各導体が形成される。なお，好ましい実施例においては，Ｌａ＝Ｌｂであり，このとき，遅波率が最大になる。
【００２２】上記のように構成されたマイクロ波遅波回路の入力端ＰＩにマイクロ波信号が入力されたとき，その電気エネルギーが主として第１の伝送線路１００に蓄積される一方，その磁気エネルギーが主として第２の伝送線路２００に蓄積され，その結果，光の速度よりも遅い位相速度を有する遅波が伝搬する。」（第３〜４ページ）
ｂ．「【００３４】一方，本実施例のマイクロ波遅波回路は，第１の縦断面においてストリップ導体６ａから突出する２個の突出導体６ｂを備えることによりストリップ導体６ａの幅Ｗｓよりも広い中心導体６の幅Ｗｓｔを備える第１の縦断面を有して容量性の比較的低い特性インピーダンスＺLを有する図２に示すトリプレートマイクロストリップ線路で構成された複数の第１の伝送線路１００と，第２の縦断面を有して誘導性の比較的高い特性インピーダンスＺHを有する図３に示すエレベーテッドコプレーナ線路で構成された複数の第２の伝送線路２００とを備え，上記第１の伝送線路１００と上記第２の伝送線路２００とを交互に，かつ中心導体６の長手方向と平行な方向である各伝送線路１００，２００の延伸接続方向に縦続して接続することによって構成されている。すなわち，以下の３つの特徴を有する。
（…中略…）
【００３６】以上説明したように，本実施例のマイクロ波遅波回路においては，上記３つの特徴を備えることによって，同一の遅波率及び同一の特性インピーダンスを有するように遅波回路を構成したときに，矩形スロット４の長手方向の長さＬｇすなわち接地導体５のＸ軸方向の間隔を，図２０に図示した従来例のマイクロ波遅波回路の接地導体５ａ，５ｂのＸ軸方向の間隔（Ｗｓ＋２Ｗｐ）に比較して大幅に短縮することができる。実際には，上述のように，同一の遅波率を有する従来例に比較してＸ軸方向の線路幅を１／１０以下に減少させることができ，これによって，当該マイクロ波遅波回路を大幅に小型化することができる。従って，本実施例のマイクロ波遅波回路を，ハイブリッド回路，電力合成回路，電力分岐回路，遅延回路などの各種マイクロ波回路に適用することによって，これら各種の回路を大幅に小型化することができる。また，本実施例のマイクロ波遅波回路は半導体ドープ層を用いていないので，ＦＥＴなどの能動素子と容易に集積化することができ，上述の各種のマイクロ波回路を組み込んだＭＭＩＣを同一の基板に形成することができる。これによって，ＭＭＩＣの小型化，高機能化に寄与できる。」（第５〜６ページ）
ｃ．「
」（図１，第８ページ）
ｄ．「
」（図２，第８ページ）
ｅ．「
」（図３，第８ページ）
　以下，上記ａ．ないしｅ．の記載及びこの分野における技術常識を考慮しつつ，引用例１に記載された技術事項について検討する。
（ａ）上記ａ．の【００１６】からして，引用例１は，「マイクロ波遅波回路」に関するものである。
（ｂ）上記ａ．の【００１９】及び【００２０】並びに上記ｃ．（図１）からして，引用例１の「マイクロ波遅波回路」は，「半導体基板」（４）と，当該「半導体基板」の頂上面に直隣接的に配置された「接地導体」（５）と，当該「接地導体」の上に配置された２つの「誘電体層」（３ａ，３ｂ）と， 下層側の 「誘電体層」（３ａ）上に配置された，すなわち，２つの「誘電体層」に埋め込まれた，「中心導体」（６）と，上層側の「誘電体層」（３ｂ）上に配置された，すなわち，前記「半導体基板」の上に配置された「ストリップ接地導体」（１）とを備えている。
（ｃ）上記ａ．の【００１７】及び【００１９】並びに上記ｃ．（図１）ないしｅ．（図３）には，上記「中心導体」が，Ｘ軸方向の幅Ｗｓを有するとともにＹ軸方向が長手方向となるストリップ導体（６ａ）と，当該ストリップ導体からＸ軸方向及びＸ軸方向と反対の方向に突出する，Ｙ軸方向の幅Ｌａの矩形形状の２つの突出導体（６ｂ）部分とからなること，「中心導体」の幅が，突出導体がある部分はＷｓｔであること，が記載されている。
　さらに，上記ａ．の【００１７】，【００２１】，上記ｄ．（図２）及びｅ．（図３）には，引用例１の「マイクロ波遅波回路」が，ストリップ導体とストリップ接地導体との間に誘電体層を介して狭設されてなるトリプレートマイクロストリップ線路で構成された第１の伝送線路（１００）と，接地導体から下層側の誘電体層（３ａ）の厚さだけ上側に位置するストリップ導体が，左右方向に位置する各接地導体から所定の同一の間隔だけ離されて形成されてなるエレベーテッドコプレーナ線路で構成された第２の伝送線路（２００）とで構成され，中心導体のうち，第１の伝送線路に含まれる部分の幅がＷｓｔであり，第２の伝送線路に含まれる部分の幅がＷｓであり，幅Ｗｓｔが幅Ｗｓより広いこと，すなわち，幅Ｗｓｔと幅Ｗｓとが異なることが記載されている。
　ここで，前記「中心導体」は，伝送線路の一部を構成していることから，中心導体のうち，第１の伝送線路に含まれる部分を「第１の伝送線路の部分」，第２の伝送線路に含まれる部分を「第２の伝送線路の部分」と称するのは任意である。
　そうすると，前記「中心導体」は，幅Ｗｓを有する第２の伝送線路の部分と幅Ｗｓｔを有する第１の伝送線路の部分とを含むものである。
（ｄ）上記ａ．の【００１７】には，第１の伝送線路と，第２の伝送線路とが，交互に，かつ中心導体の長手方向と平行な方向である各伝送線路の延伸接続方向に縦続して接続することによって構成されることが記載されており，上記ｃ．を参照すると，第１の伝送線路と第２の伝送線路とが，中心導体の長手方向に，繰り返し接続してなる構造を有することが見て取れ，第１の伝送線路及び第２の伝送線路のそれぞれに対応している，前記「中心導体」を構成する上記「第１の伝送線路の部分」及び「第２の伝送線路の部分」も，同様の構造を有している。
　そうすると，前記（ｃ）を加味すると，上記「中心導体」は，前記「第２の伝送線路の部分」と前記「第１の伝送線路の部分」とが前記「中心導体」の長手方向と平行な方向に縦続した構造が，前記長手方向に繰り返し接続されることにより，前記「第２の伝送線路の部分」及び前記「第１の伝送線路の部分」が交互に配置されたものである。
（ｅ）上記ａ．の【００２１】，上記ｄ．（図２）及び上記ｅ．（図３）と，上記（ｂ）からすると，基板上に配置された「ストリップ接地導体」は，前記「第１の伝送線路の部分」の上にあり，且つ，前記「第２の伝送線路の部分」の下になく上にもない。
（ｆ）上記ａ．の【００２０】には，「複数のストリップ接地導体」（１）が，互いに距離Ｌｂだけ離れ，枕木形状又は格子形状であることが記載されており，また，上記ｃ．（図１）を参照すると，前記「複数のストリップ接地導体」を構成する各「ストリップ接地導体」は，互いに並行に配置されており，各「ストリップ接地導体」は互いに独立しているといえる。
（ｇ）上記ｂ．の【００３６】には，「マイクロ波遅波回路」を，同一の基板に，ＦＥＴなどの能動素子と一緒に集積化できることが記載されている。
　したがって，上記（ａ）ないし（ｇ）より，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認める。
「マイクロ波遅波回路であって，
　半導体基板の頂上面に直隣接的に配置された接地導体と，
　前記接地導体上に配置された２つの誘電体層と，
　前記２つの誘電体層に埋め込まれ，且つ幅Ｗｓを有する第２の伝送線路の部分と幅Ｗｓｔを有する第１の伝送線路の部分とを含む中心導体であって，前記幅Ｗｓおよび前記幅Ｗｓｔが異なり，前記第２の伝送線路の部分と前記第１の伝送線路の部分とが前記中心導体の長手方向と平行な方向に縦続した構造が，前記長手方向に繰り返し接続されることにより，前記第２の伝送線路の部分及び前記第１の伝送線路の部分が交互に配置されている，前記中心導体と，
　前記基板上に互いに平行に配置された複数のストリップ接地導体であって，前記複数のストリップ接地導体の独立した各ストリップ接地導体が，前記第１の伝送線路の部分の上にあり，且つ，前記第２の伝送線路の部分の下になく上にもない，前記複数のストリップ接地導体と
　を備えている，同一の基板に能動素子とともに集積化可能な，前記マイクロ波遅波回路。」
イ．引用発明２
　原審の拒絶理由に引用された，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特許第３７８１１７８号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
ｈ． 「【０００２】
【従来の技術】
ＨＥＭＴやＨＢＴ等の高速半導体素子をキャパシタや抵抗等の受動素子とともに半導体基板上に集積化したＭＭＩＣでは，素子間における信号伝送用配線として高周波帯域における信号伝送特性の良好なマイクロストリップ型の伝送線路が用いられる。また，ＭＭＩＣの高密度化のためこれらの伝送線路は，通常多層化される。
【０００３】
図５は多層配線構造を有する従来のＭＭＩＣを示す断面図であり，図５(a) は平面図，図５(b) はＡＡ断面図である。同図に見られるように，GaAs基板１の表面にはＨＥＭＴ等の能動素子２，キャパシタや抵抗等の受動素子３が形成されており，これらのデバイスは表面絶縁膜４で覆われ，この表面絶縁膜４の上に接地電位に固定された接地プレート５が形成される。そして，接地プレート５の上には，必要とされる配線層数に応じて層間絶縁膜と配線層が交互に積層形成される。」（第２ページ）
ｊ．「【００１４】
【発明の実施の形態】
以下，図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１(a) は本発明の実施例に係るＭＭＩＣの平面図，図１(b) はＡＡ断面図である。同図に見られるように，GaAs基板１の表面にＨＥＭＴ等の能動素子２，ＭＩＭキャパシタや抵抗等の受動素子３が形成されており，この上にこれらのデバイスを外部雰囲気から保護するための表面絶縁膜４が形成される。表面保護膜４として窒化シリコン等の安定な材料が用いられる。そして，表面保護膜４の上に接地電位に固定された接地プレート５を形成し，この上に第１層目の層間絶縁膜６，第１層目の配線層７，第２層目の層間絶縁膜８，分離電極９，第３層目の層間絶縁膜10，第２層目の配線層11が形成される。
【００１５】
層間絶縁膜６，８，10の材料として，ポリイミド等の誘電率の低い有機樹脂が用いられる。また，接地プレート５，配線層７，11及び分離電極９の材料として金等の導電性材料が用いられる。分離電極９はスルーホール12を介して接地プレート５と接続される。」（第４ページ）
ｋ．「
」（図１（ｂ），第６ページ）
　以下，上記ｈ．ないしｋ．の記載及びこの分野における技術常識を考慮しつつ，引用例２に記載された技術事項について検討する。
（ｈ）上記ｈ．ないしｋ．からして，引用例２には，マイクロストリップ型の伝送線路を能動素子とともに同一の基板に集積化したマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）において，基板（１）の表面に能動素子（２）が形成されるとともに，当該基板の頂上面に直隣接的に配置された１つの表面絶縁膜（４）（表面保護膜）と，前記１つの表面絶縁膜上の頂上面に直隣接的に配置された接地プレート（５）と，前記接地プレート上に配置された少なくとも１つの層間絶縁膜（６，８，１０）と，少なくとも１つの層間絶縁膜に埋め込まれた配線層（７）である伝送線路を備えることが記載されている。
　上記ｊ．の【００１４】には，表面絶縁層の材料の例として窒化シリコンが挙げられているが，窒化シリコンが，所定の誘電率を有する誘電材料であることは自明である。また，上記ｊ．の【００１５】には，層間絶縁膜として，誘電率の低い有機樹脂が用いられることが記載されているが，有機樹脂の誘電率は０ではないことから，当該層間絶縁膜は，誘電率の低い誘電材料層であるといえる。また，上記ｊ．の【００１５】によると，接地プレートの材料の例として金（金属）が挙げられているところ，当該接地プレートは，接地金属面を構成しているといえる。
　したがって，上記（ｈ）より，引用例２には，以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認める。
「マイクロストリップ型の伝送線路を能動素子とともに同一の基板に集積化したマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）において，基板の表面に能動素子が形成されるとともに，当該基板の頂上面に直隣接的に配置された少なくとも１つの第１の誘電材料層と，前記１つの第１の誘電材料層の頂上面に直隣接的に配置された接地金属面と，前記接地金属面上に配置された少なくとも１つの第２の誘電材料層と，少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれた伝送線路を備えること。」
（３）対比・判断
ア．対比
　補正後の発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「マイクロ波遅波回路」が，構造であることは自明である。
　よって，引用発明１の「マイクロ波遅波回路」は，補正後の発明の「構造」に相当する。
（イ）引用発明１の「半導体基板」は，補正後の発明の「基板」に相当する。
（ウ）「導体」として金属を用いることは出願時の技術常識であることから，引用発明１の「接地導体」は，金属により構成されたものを含んでいる。また，引用発明１の「接地導体」が，面を有していることは自明である。すると，引用発明１の「接地導体」は，以下で挙げる相違点を除いて，補正後の本願発明の「接地金属面」に相当する。
　また，補正後の発明の「接地金属面」は，第１の誘電材料層を介して基板の上にあることから，引用発明１の「接地導体」と，補正後の本願発明の「接地金属面」とは，基板上に配置される点において共通している。
（エ）前記（ウ）を加味すると，引用発明１の「前記接地導体上に配置された２つの誘電体層」は，補正後の発明の「前記接地金属面上に配置された少なくとも１つの第２の誘電材料層」に相当する。
（オ）引用発明１の「中心導体」は，伝送線路を構成するものであり，かつ，「導体」として金属を用いることは出願時の技術常識であることから，補正後の発明の「金属伝送線」に相当する。
（カ）前記（オ）を加味すれば，引用発明１において，「中心導体」が，「２つの誘電体層に埋め込まれ」ることは，補正後の発明において，「金属伝送線」は，「少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれ」ることに相当する。
（キ）引用発明１の「中心導体」は，「第１の伝送線路の部分」と，「第２の伝送線路の部分」とが，前記中心導体の長手方向と平行な方向（補正後の発明の「横方向」に相当。）に縦続（補正後の発明の「当接」に相当。）した構造を単位構造として，この単位構造が，前記長手方向（補正後の発明の「長さ方向」に相当。）に繰り返されることにより，前記「第２の伝送線路の部分」及び前記「第１の伝送線路の部分」が交互に配置（補正後の発明の「交互に交差」に相当。）されたものである。
　すると，引用発明１の「第２の伝送線路の部分」及び「第１の伝送線路の部分」はそれぞれ，補正後の発明の「第１の伝送線部分」及び「第２の伝送線部分」に相当し，また，引用発明１の「幅Ｗｓ」及び「幅Ｗｓｔ」はそれぞれ補正後の発明の「第１の幅」及び「第２の幅」に相当する。 
　そして，前記（オ）及び（カ）を加味すれば，引用発明１の「前記２つの誘電材料層に埋め込まれ，且つ幅Ｗｓを有する第２の伝送線路の部分と幅Ｗｓｔを有する第１の伝送線路の部分とを含む中心導体であって，前記幅Ｗｓおよび前記幅Ｗｓｔが異なり，前記第２の伝送線路の部分と前記第１の伝送線路の部分とが前記中心導体の長手方向と平行な方向に縦続した構造が，前記長手方向に繰り返し接続されることにより，前記第２の伝送線路の部分及び前記第１の伝送線路の部分が交互に配置されている，前記中心導体」は，
補正後の発明の
「前記少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれ，且つ第１の幅を有する第１の伝送線部分と第２の幅を有する第２の伝送線部分とを含む金属伝送線であって，前記第１の幅および前記第２の幅が異なり，前記第１の伝送線部分と前記第２の伝送線部分とが相互に横方向に当接して繰り返し単位構造を構成し，前記繰り返し単位構造が長さ方向に繰り返されることにより，前記第１の伝送線部分および前記第２の伝送線部分が交互に交差されている，前記金属伝送線」
に相当する。
（ク） 「導体」として金属を用いることは出願時の技術常識であることから，引用発明１の「複数のストリップ接地導体」は，金属により構成されたものを含んでいる。また，引用発明１の「互いに平行に配置された複数のストリップ接地導体」は，複数の「ストリップ接地導体」が，互いに平行に配置された配列，すなわち，「アレイ」を構成している。
　そうすると，引用発明１の「複数のストリップ接地導体」と補正後の本願の「金属フィン・アレイ」は，金属からなるアレイ，すなわち「金属アレイ」である点において共通し，また，引用発明の「ストリップ接地導体」と，補正後の発明の「金属フィン」とは，「金属」である点において共通する。
　そして，前記（キ）を加味すると，引用発明１と補正後の発明とは，上記「金属アレイ」及び「金属」に関し，金属アレイの独立した各金属が，前記第２の伝送線部分の下にあるかまたは上にあり，且つ，前記第１の伝送線部分の下になく上にもない点において共通する。
イ．一致点・相違点
　前記ア．から，補正後の発明と引用発明１とは，以下の点で一致ないし相違している。
［一致点］
「構造であって，
　基板上に配置された接地金属面と，
　前記接地金属面上に配置された少なくとも１つの第２の誘電材料層と，
　前記少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれ，且つ第１の幅を有する第１の伝送線部分と第２の幅を有する第２の伝送線部分とを含む金属伝送線であって，前記第１の幅および前記第２の幅が異なり，前記第１の伝送線部分および前記第２の伝送線部分が交互に交差されている，前記金属伝送線と，
　前記基板上に配置された金属アレイであって，前記金属フィン・アレイの各金属が，前記第２の伝送線部分の下にあるかまたは上にあり，且つ，前記第１の伝送線部分の下になく上にもない，前記金属アレイと
　を備えている，前記構造。」
［相違点１］
　補正後の発明は，「基板の頂上面に直隣接的に配置された少なくとも１つの第１の誘電材料層」を備え，「接地金属面」が，当該「少なくとも１つの第１の誘電材料層」の「頂上面に直隣接的に配置されている」のに対し，引用発明１は，前記「第１の誘電材料層」に相当するものを備えず，「接地導体」（接地金属面）が，「基板」の頂上面に直隣接的に配置されている点。
［相違点２］
　「金属アレイ」及び「金属」が，補正後の発明は，「金属フィン・アレイ」及び「金属フィン」であること，すなわち，「フィン」状のものであるのに対し，引用発明は，「フィン」状であるとの限定がないこと。
ウ．判断
　前記イ．の各相違点について検討する。
［相違点１について］
　引用発明１は，同一の基板に能動素子とともに集積化可能なマイクロ波遅波回路であるものの，能動素子と他の回路要素とをどのように集積化するのかについては具体的に特定していないが，引用発明２にあるように，マイクロストリップ型の伝送線路を能動素子とともに同一の基板に集積化したマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）において，基板の表面に能動素子が形成されるとともに，当該基板の頂上面に直隣接的に配置された少なくとも１つの第１の誘電材料層と，前記１つの第１の誘電材料層の頂上面に直隣接的に配置された接地金属面と，前記接地金属面上に配置された少なくとも１つの第２の誘電材料層と，少なくとも１つの第２の誘電材料層に埋め込まれた伝送線路を備えることは，出願時に公知の技術である。
　すると，引用発明１において，能動素子を他の回路要素ととも同一の基板に集積化するにあたり，引用発明２に係る公知技術を採用し，能動素子を半導体基板の表面に実装するとともに，半導体基板と接地導体との間に，能動素子を保護するための誘電体層を設けることにより，補正後の発明のように，「基板の頂上面に直隣接的に配置された少なくとも１つの第１の誘電材料層」を備え，「接地金属面」が，当該「少なくとも１つの第１の誘電材料層」の「頂上面に直隣接的に配置された」構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　よって，当該［相違点１］は，当業者にとって格別のものではない。
［相違点２について］
　補正後の発明において，「金属フィン」は，形状が数値等で具体的に特定されていないが，一般に，「フィン」（ｆｉｎ）とは，鰭（ひれ）を意味する語であり，該鰭（ひれ）が，偏平な板状の形状を有することは，出願時の技術常識である。
　すると，補正後の発明において，「金属フィン」は，金属で形成された，偏平な板状の形状のものと解するのが合理的である。
　一方，引用発明１の「ストリップ接地導体」は，枕木の形状を有することが例として挙げられており（上記ａ．の【００２０】参照。），一般的に，枕木は，厚みが小さい，偏平な板状の形状を有することが出願時の技術常識であり，実際，図１（上記ｃ．の図１参照。）を見ても，偏平な板状の形状を有している。
　よって，引用発明１の「ストリップ接地導体」は，補正後の発明の「金属フィン」との差異が認められず，同様に，引用発明１の「互いに平行に配置された複数のストリップ接地導体」は，補正後の発明の「金属フィン・アレイ」との差異が認められない。また，本願の明細書の段落【００２２】には，「様々な金属フィン部分（５２，５４，５６，５８）の各々の厚さは，５０ｎｍから２０００ｎｍとすれば良く，典型的には１００ｎｍから５００ｎｍであるが，
これよりも小さい厚さ
も本発明において想定されている
　なお，具体的な実施例を参酌して対比すると，本願の明細書及び図面（特に，図５及び図６）においては，「金属フィン」（５２〜５８）は，長さ方向の長さＬ２に対して，幅方向の幅Ｗ３と厚み方向の厚さ（対応する記号なし）が大きく，基板側の面に対して，垂直方向に壁状に立設して設けられているのに対し，引用発明の「ストリップ接地導体」は，図１（上記ｃ．の図１参照。）からして，基板側の面に対する垂直方向の厚さが薄く，基板側の面に貼り付いたように設けられている点で具体的に相違しているともいえる。
　しかしながら，マイクロ波の伝送路は，伝送路を構成する導体の幅・厚さ，導体に介在する誘電体の厚さ・素材，誘電体と導体との距離などに応じて特性が変化することは出願時の技術常識であり，引用発明１において，所望の特性を得るために，「ストリップ接地導体」の厚さを，適宜厚くして，本願の実施例に開示されたものと同等の「フィン」の形状とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　よって，当該［相違点２」は，実質的なものではなく，また，本願の具体的な実施例を加味して当該［相違点２］について判断しても，当業者にとって格別なものとはいえない。
　そして，補正後の発明の作用効果も，引用発明１及び引用発明２から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　以上のとおり，補正後の発明は，引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（４）結語
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２７年２月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願発明は，上記「第２　補正却下の決定」の「１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりのものである。
２．引用発明
　引用発明１及び引用発明２は，上記「第２　補正却下の決定」の「３．独立特許要件について」の「（２）引用発明」の項で認定したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は，上記補正後の発明から本件補正に係る，「金属伝送線」についての「前記第１の伝送部分と前記第２の伝送部分とが相互に横方向に当接して繰り返し単位構造を構成し，前記繰り返し単位構造が長さ方向に繰り返されることにより，」との限定と，「各金属フィン」についての「独立した」との限定を省いたものである。
　そうすると，本願発明は，上記「第２　補正却下の決定」の「３．独立特許要件について」の項で検討したとおり，引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，その余の請求項に論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。