【事件の表示】
　特願２０１２−５０６４２２「リソグラフィ装置および検出装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月　４日国際公開、ＷＯ２０１０／１２４９１０、平成２４年１０月１８日国内公表、特表２０１２−５２４９８９、請求項の数（１１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、２０１０年３月２３日（優先権主張　２００９年４月２７日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年２月７日付けで拒絶理由が通知され、同年５月９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月２６日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 
　その後、当審において、平成２７年１２月１１日付けで拒絶理由が通知され、平成２８年３月９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
第２　本願発明 
　本願発明は、平成２８年３月９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１１により特定される次のとおりのものである（以下、これらの請求項に係る発明を項番号に対応して「本願発明１」などという。）。
「【請求項１】
　検出装置であって、
　シンチレーション材料層と、前記シンチレーション材料上に設けられたスペーサ材料層と、前記スペーサ材料層上に設けられたスペクトル純度フィルタ層と、を備えるディテクタを含み、
　前記スペクトル純度フィルタ層はジルコニウムであり、
　前記スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンであり、前記スペーサ材料層の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、
検出装置。
　　【請求項２】
　前記スペーサ材料層の厚さは少なくとも５０ｎｍである、請求項１に記載の装置。
　　【請求項３】
　前記スペーサ材料層は、当該材料の５０ｎｍ以内でＥＵＶ放射の５０％未満を吸収する、請求項１に記載の装置。
　　【請求項４】
　前記スペーサ材料層は、当該材料の１００ｎｍ以内でＥＵＶ放射の５０％未満を吸収する、請求項３に記載の装置。
　　【請求項５】
　前記スペーサ材料層は、前記シンチレーション材料層によって放出されたシンチレーション放射の波長で実質的に透過性を示す、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
　　【請求項６】
　前記シンチレーション材料層はＧｄ２Ｏ２Ｓ：ＴｂまたはＹＡＧ：Ｃｅである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
　　【請求項７】
　前記ディテクタは結像ディテクタである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
　　【請求項８】
　前記結像ディテクタはＣＣＤアレイである、請求項７に記載の装置。
　　【請求項９】
　リソグラフィ装置であって
　基板を保持する基板テーブルと、
　パターン形成された放射ビームを前記基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、を含み、
　さらに請求項１〜８のいずれか一項に記載の検出装置を含む、リソグラフィ装置。
　　【請求項１０】
　前記検出装置は、前記リソグラフィ装置の前記基板テーブル内に設けられる、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
　　【請求項１１】
　検出方法であって、
　ＥＵＶ放射を、ジルコニウムであるスペクトル純度フィルタ層を通して、前記スペクトル純度フィルタ層の下に設けられたスペーサ材料層を通して、シンチレーション材料層上
に誘導することと、
　次いでディテクタを使用して前記シンチレーション材料層によって放出されたシンチレーション放射を検出することと、を含み、
　前記スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンであり、前記スペーサ材料層の厚さは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である、
検出方法。」
第３　原査定の拒絶理由についての当審の判断
１　原査定の拒絶理由の概要は以下のとおりである。
「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１−３、７、９−１１、１４
・引用文献　１
・備考
　上記請求項に係る発明については、引用文献１から進歩性を有さない。
・請求項　４−５
・引用文献　１−２
・備考
　引用文献２（特に、【００３５】を参照）には、１ｎｍ厚の層を通過するＥＵＶ透過率は、Ｓｉにおいて９９．８３％であることが記載されている。
　そうすると、引用文献１のシリコン層４において、例えば１００ｎｍ厚でのＥＵＶ放射線の透過率は、８０％以上であることが計算できる。
・請求項　８、１２−１３
・引用文献　１、３
・備考
　引用文献３（特に、図８、【００５３】を参照）には、ＥＵＶ光の計測部材を基板ステージに設けたリソグラフィ装置、及び当該計測部材の波長選択フィルムとしてジルコニウムを用いることが記載されている。
　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００７−２０１４７５号公報
２．特表２００７−５２８６０８号公報
３．特開２００８−１９２９８７号公報」
２　本願発明１について
（１）引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明
ア　引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
（ア）「【０００１】
  ＥＵＶ放射線及びビームプロフィールを特徴付ける技術がＥＵＶリソグラフィーで必要とされる。これらの技術は、ＥＵＶ源の特徴づけに直接関連し、またコレクタ光学系、照射光学系、画像光学系及びマスクなどの下流ビームデリバリー装置の特徴づけにも関連する。一方で、これらの構成要素は仕様を満たすように特徴付けられなければならず、他方で、対応する測定方法が全装置内のプロセス制御のために必要とされる。これに関連して、１３．５ｎｍのＥＵＶ帯域内領域におけるこれら構成要素の挙動は特に関心が高い。」
（イ）「【００１３】
  特に有利な態様では、
透過したＥＵＶ放射線で照射される際可視スペクトル領域の蛍光放射線を放出する少なくとも１つの蛍光材料の層
（ウ）「【００１８】
  
可視スペクトル領域で作動するレシーバ
（エ）「【００２１】
  図１によれば、ウラン、この例では１００ｎｍの厚さを有するウラン層が透過におけるＥＵＶ帯域内放射線のスペクトルフィルタリングのための際立った特徴を示す。透過率は吸収端の長波側で急に上昇している。ウランは、１３ｎｍ〜１６ｎｍの範囲の近くにさらなる特徴的な透過率ウィンドウを示す。特徴付けるべきＥＵＶ源の放出スペクトルに依存して、これらの特徴的な透過率ウィンドウは非常に破壊的な効果を有し、十分に抑制されなければならない。層厚さの増加は、透過率が絶対的により小さい全ての領域を相対的に抑制し、より大きい透過率を有する領域を相対的に強める。加えて、層厚さの増加はより狭いスペクトル透過率ウィンドウをもたらす。当然、絶対的な透過率はかなり減少する。これらの効果は、０．５ｎｍ〜１２０ｎｍ及び５ｎｍ〜２０ｎｍの波長領域における３００ｎｍの厚さを有するウラン層の透過率を示す図２に示されている。
【００２２】
  特徴付けるべきＥＵＶ源の放出スペクトルに依存して、ウラン層と他の元素の透過層を組み合わせると有利である。
【００２３】
  特に、９ｎｍ以下、１１ｎｍ〜１２ｎｍ、６５ｎｍ〜１１０ｎｍの波長のために純粋なウランのために図１に示された透過率範囲と、１２．５ｎｍ〜２０ｎｍの所望の透過率ウィンドウの長波側は、１３．３６５ｎｍ〜１３．６３５ｎｍのＥＵＶ帯域内領域の狭帯域スペクトルフィルタリングのために抑制されなければならない。
【００２４】
  図３は、１５０ｎｍの厚さを有するウラン層が４００ｎｍの厚さを有するシリコン層と１５０ｎｍの厚さを有するルテニウム層と組み合わされた、特に有利な透過層装置を示す。１３．５ｎｍの波長における所望の透過率ウィンドウの他に、顕著な透過率を有する領域は示されていない。１３．３６５ｎｍ〜１３．６３５ｎｍの帯域内領域がハイライト領域で示される（ｂ）。ルテニウムの他に、モリブデンなどの他の元素もさらなる層として適する。
【００２５】
  別な構造としては、図示していないが、透過層装置（６）は、２８０ｎｍ〜５２０ｎｍの範囲の厚さを有するシリコン層、１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さを有するウラン層、及び７０ｎｍ〜１３０ｎｍの範囲の厚さを有するルテニウム層を有してもよい。
【００２６】
  透過のための層の順序は重要でないので、化学的に安定しない元素や結合をより安定した元素でコーティングすることでそれらを有害な環境の影響（例えば、酸化）から保護することができる。
【００２７】
  本発明によれば、広域なスペクトルバンドで放射する、試験されているビームプロフィール１においてウラン含有層がＥＵＶ感知放射線検出器２の前に配置され、狭く画定されるＥＵＶ波長領域の放射線を特徴付けるための適切な受信装置が得られる。
【００２８】
  図４に従う有利な構造では、
ウラン含有層３、シリコン層４及びルテニウム層５の組み合わせを有するフォイル状の透過層装置６が放射線検出器２の前に配置される
【００２９】
  図５によれば、放射線検出器２のアクティブ表面を直接コーティングすることも可能である。層３，４及び５は固定した基板に配置されるので、機械的安定性がかなり増加する。
【００３０】
  
本発明の他の構造では、透過したＥＵＶ放射線７が可視放射線に変えられ、ＶＩＳ範囲で感知できるレシーバ２’で検出される。
【００３１】
  これは、透過したＥＵＶ放射線７で照射される際可視スペクトル領域の蛍光放射線８を放出する少なくとも１つの
蛍光材料の層１１
【００３２】
  例えば、ＣＥ：ＹＡＧ結晶が蛍光材料として使用されるとき、それは層３，４及び５でコーティングされるキャリア９として働く（図６）。
【００３３】
  蛍光材料が自立していないとき（例えば、Ｐ４３）、可視スペクトル領域のための透過性のキャリア１０が図７に従い層３，４，５及び蛍光材料の層１１のために使用される。
【００３４】
  最後に、
層３，４，５及び蛍光材料がレシーバ２’に直接配置されることで、レシーバ自体をキャリアとして使用することができる
【００３５】
  適切な検出器は、例えば、フォトダイオード、ＣＣＤ及び蛍光スクリーンである。しかしながら、透過層装置と、ＥＵＶビームプロフィールの空間の特徴づけを可能にするＣＣＤアレー又は蛍光スクリーンなどの空間分解検出器との組み合わせは特に有利である。」
（オ）図８
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（カ）図８より、蛍光体材料層の層１１と、前記蛍光体材料層上に設けられたシリコン層４と、前記シリコン層４上に設けられたウラン含有層３と、前記ウラン含有層３上に設けられたルテニウム層５が、レシーバ２’上に配置される検出器が看取できる。
　上記（ア）ないし（カ）より、引用文献１には、
「蛍光体材料層の層１１と、前記蛍光体材料層上に設けられたシリコン層４と、前記シリコン層４上に設けられたウラン含有層３と、前記ウラン含有層３上に設けられたルテニウム層５が、レシーバ２’上に配置される検出器。」の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
イ　引用文献２には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）
「【００３５】
  代替的に、シリコンベースの高温多層膜ミラーを式中のＺが薄い障壁層を表しているＭｏ／Ｚ／Ｙ／Ｚで被覆するのではなく、本出願人は、本発明の実施形態の態様に従って、シリコン層を使用せずに最上部層として例えばイットリウムを有するＭｏ／Ｚ／Ｙ／Ｚ多層膜ＭＬＭスタックのみを用いるリチウム適合性の高温ＭＬＭを構成することを提案する。更に、障壁層Ｚは削除することができる。本出願人は、そのような構成においては、高温においても層の混合は殆どないことになると考えており、従って、薄い中間層に対する少なくとも１つの必要性、すなわち、熱的不安定性をもたらすそのような混合の抑止が恐らく解消される。
１ｎｍ厚の層を通過するワンパスＥＵＶ透過率は、シリコンベースの材料については、Ｓｉに対して９９．８３％、ＳｉＯ
２
に対して９９．０％であり、
ウ　引用文献３には、以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）
（ア）「【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
  ところで、デバイスパターンの更なる微細化の要求に対応するために、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。極端紫外光は、ガラス部材を透過しないため、センサは極端紫外光を受光することが困難となる。そのため、例えばガラス部材を省略することが考えられる。ところが、
ガラス部材を省略すると、遮光膜を支持する部材が無くなるので、遮光膜の形状を維持することが困難となる可能性がある。その場合、センサの計測精度が劣化する可能性がある。
【０００４】
  本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、計測精度の劣化を抑制できるセンサを提供することを目的とする。また、計測精度の劣化が抑制されたセンサの検出結果を用いて基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイスの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、計測精度の劣化を抑制できるセンサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
  上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
  本発明の第１の態様に従えば、露光装置（ＥＸ）に用いられるセンサであって、少なくとも一つの開口（１６）を有する遮光膜（１７）と、遮光膜（１７）の開口（１６）より入射した電磁波（波長１ｎｍ〜１０００ｎｍ）を所定信号に変換する変換部材（２２）とを備え、
遮光膜（１７）の一方の面が変換部材（２２）に密着して形成されているセンサ（７）が提供される
（イ）「【００３９】
  本実施形態においては、遮光膜１７は、クロム（Ｃｒ）で形成されている。なお、遮光膜１７は、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びタンタル（Ｔａ）の少なくとも１つで形成されていてもよい。」
（ウ）「【００５２】
  ＜第２実施形態＞
  次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００５３】
  図８は、第２実施形態に係る計測部材１８を示す図である。図８において、計測部材１８は、シンチレータ２２と、そのシンチレータ２２の表面に形成された開口１６を有する遮光膜１７とを備えている。本実施形態においては、投影光学系ＰＬとシンチレータ２２との間に、ＥＵＶ光以外の波長の光がシンチレータ２２に入射することを抑制する波長選択部材２７が配置される。本実施形態においては、
計測部材１８には、波長選択部材２７として、入射面２４及び遮光膜１７の表面を覆うように波長選択フィルムが配置されている。波長選択フィルム２７は、例えばジルコニウム（Ｚｒ）で形成可能である。
【００５４】
  光源８は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。以下の説明において、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光を適宜、非露光光、と称する。すなわち、光源８から射出される光は、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波（光）であるＥＵＶ光（露光光）と、ＥＵＶ光以外の波長を有する非露光光とを含む。
【００５５】
  光源８から射出された非露光光は、照明系ＩＬの各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４、マスクＭ、及び投影光学系ＰＬの各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を介して、投影光学系Ｐの像面側に配置された計測部材１８に到達する可能性がある。非露光光のうち、特に可視光成分は、空間像計測システム７に対するノイズ成分として作用する可能性がある。例えば、非露光光がシンチレータ２２を通過し、受光装置１９に入射すると、空間像計測システム７の計測精度が劣化する可能性がある。
【００５６】
  本実施形態においては、露光光（ＥＵＶ光）ＥＬを通過させ、非露光光の通過を遮ることができる波長選択フィルム２７が配置されているので、非露光光がシンチレータ２２に入射することを抑制できる。したがって、空間像計測システム７の計測精度が劣化することを抑制できる。
【００５７】
  なお、本実施形態においては、露光光（ＥＵＶ光）ＥＬを通過させ、非露光光の通過を遮ることができるジルコニウムの膜を配置しているが、露光光（ＥＵＶ光）ＥＬを通過させ、非露光光の通過を遮ることができる機能を有する材料でれば、任意の材料を使用可能である。また、波長選択部材は、計測部材１８の上面に接続（密着）されている必要は無く、計測部材１８から離れた状態で、投影光学系ＰＬと計測部材１８との間に配置されていてもよい。」
（エ）図８
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）対比・判断
ア　対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「検出器」、「蛍光体材料の層１１」、「シリコン層４」、「ウラン含有層３」及び「レシーバ２’」は、本願発明１の「検出装置」、「シンチレーション材料層」、「スペーサ材料層」、「スペクトル純度フィルタ層」及び「ディテクタ」に、それぞれ相当する。
（イ）引用発明１「シリコン層４」が「設けられ」ることは、本願発明１の「前記スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンであ」ることに相当する。
　上記（ア）及び（イ）より、本願発明１と引用発明１は、
「検出装置であって、
　シンチレーション材料層と、前記シンチレーション材料上に設けられたスペーサ材料層と、前記スペーサ材料層上に設けられたスペクトル純度フィルタ層と、を備えるディテクタを含み、
　前記スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンである、検出装置。」
である点で一致し、以下の相違点１、２で相違する。
＜相違点１＞
「スペクトル純度フィルタ層」が、本願発明１では、「ジルコニウムであ」るのに対して、引用発明１では、「ウラン含有層３」である点。
＜相違点２＞
「スペーサ材料層の厚さ」が、本願発明１では、「２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である」のに対して、引用発明１の「シリコン層４」の厚さは明確でない点。
イ　判断
　相違点１について検討する。
　引用文献３に記載の計測部材１８について、引用文献３には、「波長選択フィルム２７は、例えばジルコニウム（Ｚｒ）で形成可能である。」（上記「（１）」「ウ」「（ウ）」）と記載されている。そして、引用文献３に記載のセンサ（７）は、「ガラス部材を省略すると、遮光膜を支持する部材が無くなるので、遮光膜の形状を維持することが困難となる可能性がある。その場合、センサの計測精度が劣化する可能性がある」（上記「（１）」「ウ」「（ア）」）ことを課題として、「遮光膜（１７）の一方の面が変換部材（２２）に密着して形成されているセンサ（７）が提供される」（上記「（１）」「ウ」「（ア）」）ものである。すると、引用文献３に記載の計測部材１８は、遮光膜が必須であるといえる。
　してみると、引用文献１には、「ウラン含有層３」を「ジルコニウム」に置き換える動機付けはない上、引用発明１の「シリコン層４上に設けられた」「ウラン含有層３」を、引用文献３に記載の計測部材１８の遮光膜１７上に設けられた「ジルコニウム」に置き換えることは、容易に想到し得ることとはいえない。
　また、引用文献２にも、「スペクトル純度フィルタ層」を「ジルコニウム」とすることは、記載されていない。
　したがって、引用発明１において、「ウラン含有層３」を「ジルコニウム」に置き換えることは、引用発明１、引用文献２、３の記載からは、当業者が容易に想到し得ないものであるから、引用発明１において、上記相違点１にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　よって、相違点２について検討するまでもなく、本願発明１は、引用発明１、引用文献２、３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
３　本願発明２〜１０について
　本願発明２〜１０は、本願発明１をさらに限定するものであるから、本願発明１と同様に、引用発明１、引用文献２、３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４　本願発明１１について
（１）引用文献、引用文献の記載事項及び引用発明
　引用文献、引用文献の記載事項は、上記「２」で示したとおりである。
ア　引用文献１の「透過したＥＵＶ放射線で照射される際可視スペクトル領域の蛍光放射線を放出する少なくとも１つの蛍光材料の層」（上記「２」「（１）」「ア」「（イ）」）との記載と、図８（上記「２」「（１）」「ア」「（オ）」）も参酌すると、引用文献１の検出器は、ＥＵＶ放射線を、ルテニウム」層５を通して、前記ルテニウム層５の下に設けられたウラン含有層３を通して、前記ウラン含有層の下に設けられたシリコン層４を通して、蛍光体材料層の層１１に誘導することは、明らかである。
イ　引用文献１の「透過したＥＵＶ放射線で照射される際可視スペクトル領域の蛍光放射線を放出する少なくとも１つの蛍光材料の層」（上記「２」「（１）」「ア」「（イ）」）、「可視スペクトル領域で作動するレシーバ」（上記「２」「（１）」「ア」「（ウ）」）との記載と、図８（上記「２」「（１）」「ア」「（オ）」）も参酌すると、引用文献１の検出器は、レシーバ２’を使用して前記蛍光体材料層の層１１によって放出された蛍光放射線を検出することは、明らかである。
　上記「２」「（１）」「ア」、上記ア及びイより、引用文献１には、
「ＥＵＶ放射線を、ルテニウム層５を通して、前記ルテニウム層５の下に設けられたウラン含有層３を通して、前記ウラン含有層の下に設けられたシリコン層４を通して、蛍光体材料層の層１１に誘導することと、
　次いでレシーバ２’を使用して前記蛍光体材料層の層１１によって放出された蛍光放射線を検出することと、含む、検出方法。」
の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
（２）対比・判断
ア　対比
　本願発明１１と引用発明２とを対比する。
（ア）引用発明２の「ＥＵＶ放射線」、「ウラン含有層３」、「シリコン層４」、「蛍光体材料の層１１」及び「レシーバ２’」は、本願発明１１の「ＥＵＶ放射」、「スペクトル純度フィルタ層」、「スペーサ材料層」、「シンチレーション材料層」及び「ディテクタ」に、それぞれ相当する。
（イ）引用発明２の「シリコン層４」が「設けられ」ることは、本願発明１の「前記スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンであ」ることに相当する。
　上記（ア）及び（イ）より、本願発明１１と引用発明２は、
「検出方法であって、
　ＥＵＶ放射を、スペクトル純度フィルタ層を通して、前記スペクトル純度フィルタ層の下に設けられたスペーサ材料層を通して、シンチレーション材料層上に誘導することと、
　次いでディテクタを使用して前記シンチレーション材料層によって放出されたシンチレーション放射を検出することと、を含み、
　前記スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンである、
検出方法。」
である点で一致し、以下の相違点３、４で相違する。
＜相違点３＞
「スペクトル純度フィルタ層」が、本願発明１１では、「ジルコニウムである」のに対して、引用発明２では、「ウラン含有層３」である点。
＜相違点４＞
「スペーサ材料層の厚さ」が、本願発明１１では、「２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である」のに対して、引用発明２の「シリコン層４」の厚さは明確でない点。
イ　判断
　相違点３について検討すると、上記「２　本願発明１について」「（２）」「イ」で示したのと同様の理由により、引用発明２において、「ウラン含有層３」をジルコニウムに置き換えることは、引用発明２、引用文献２、３の記載からは、当業者が容易に想到し得ないものであるから、引用発明２において、上記相違点３にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　よって、相違点４について検討するまでもなく、本願発明１１は、引用発明２、引用文献２、３の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
５　まとめ
　以上のとおり、本願発明１〜１１は、引用文献１〜３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
第４　当審の拒絶理由についての当審の判断
１　当審の拒絶理由の概要
「理由１（サポート要件） 
 　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
理由２（明確性要件） 
 　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
  
　　　　　　　　　　　　　　　　記
理由１（サポート要件）について 
　請求項１、１２において、「スペクトル純度フィルタ層はジルコニウムまたはクロム」と記載されている。また、請求項１ないし５、７ないし１２においては、「スペーサ材料層」は特定されていない。 
　しかしながら、発明の詳細な説明の【００５７】〜【００５６】の発光量子効率について記載されている「スペクトル純度フィルタ層」の具体的な材料は、ジルコニウムのみであり、「スペーサ材料層」の具体的な材料は、窒化シリコンのみである。そして、特開２００８−１９２９８７号公報の【００３９】に記載されているようにクロムは遮光膜として用いられることが一般的である。また、透過性や密着性は材料によって異なることが技術常識であって、それらが量子効率に影響を及ぼすことは明らかである。そうすると、スペクトル純度フィルタ層としてクロムを用い、シンチレータ層の表面に設けられる層としてシリコン系以外の無機材料や有機材料からなるスペーサ材料層を用いることで、高い量子効率が得られることが、出願時の技術常識であるとも認められられない。 
　したがって、出願時の技術常識に照らしても、請求項１ないし１２に係る発明の「スペクトル純度フィルタ層は」「クロムであ」ることまで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。また、出願時の技術常識に照らしても、請求項１ないし５、７ないし１２に係る発明の「スペーサ材料層」の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。 
　よって、請求項１ないし１２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。 
理由２（明確性要件）について 
　請求項１、１２において、「スペーサ材料層はＥＵＶ放射に対して実質的に透過性」との記載は、スペーサ材料層がＥＵＶ放射をどの程度透過するのか不明であるので、「スペーサ材料層」が不明確なものとなっている。 
　請求項１を引用する請求項も同様に不明確である。 
　よって、請求項１ないし１２に係る発明は明確でない。」 
２　当審の判断
　請求項１、１１において、「スペクトル純度フィルタ層はジルコニウムであ」ること、「スペーサ材料層は、シリコン、窒化シリコン、または二酸化シリコンであ」ることに補正されたので、当審の拒絶理由は解消された。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。