【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（１００）のｐｎ接合を共に形成する少なくとも１つのｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）及びｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１−Ｘｐ）Ｎ層（１０４）、並びに前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）及び前記ｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１−Ｘｐ）Ｎ層（１０４）の間に配される活性領域（１０５）を含む発光ダイオード（１００）であって、
放射再結合が生じることができ、
前記活性領域（１０５）が、少なくとも
−発光層を形成し、１モノレイヤから３モノレイヤの間の厚さｅＩｎＮ１０６を有する第１のＩｎＮ層（１０６）、
−正孔蓄積を形成し、厚さｅＩｎＮ１０８を有する第２のＩｎＮ層（１０８）、
−前記第１のＩｎＮ層（１０６）及び前記第２のＩｎＮ層（１０８）の間に配される分離層（１１０）であって、前記第１のＩｎＮ層（１０６）が、前記分離層（１１０）及び前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）の間に配され、前記分離層（１１０）が、ＩｎＸｂＧａ（１−Ｘｂ）Ｎを含み、約３ｎｍ以下の厚さを有する、分離層（１１０）、
−前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）及び前記第１のＩｎＮ層（１０６）の間に配されるＩｎＸ１Ｇａ（１−Ｘ１）Ｎ層（１１２）、
−前記ｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１―Ｘｐ）Ｎ層（１０４）及び前記第２のＩｎＮ層（１０８）の間に配されるＩｎＸ２Ｇａ（１−Ｘ２）Ｎ層（１１４）、
を含み、
前記インジウムの組成Ｘｎ、Ｘｐ、Ｘ１及びＸ２が、０から０．２５の間であり、前記インジウムの組成Ｘｂが０．０５以上、０．２５以下であり、前記厚さｅＩｎＮ１０６及び前記厚さｅＩｎＮ１０８がｅＩｎＮ１０６＜ｅＩｎＮ１０８である、発光ダイオード（１００）。
【請求項２】
前記厚さｅＩｎＮ１０８が、１モノレイヤから３モノレイヤの間である、請求項１に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項３】
前記第１のＩｎＮ層（１０６）及び前記第２のＩｎＮ層（１０８）の１つ又は各々が、２モノレイヤから３モノレイヤの厚さを有するとき、前記インジウムの組成Ｘｂが、約０．１５以上であり、又は、前記インジウムの組成Ｘｂが約０．１５未満であるとき、前記第１のＩｎＮ層（１０６）及び前記第２のＩｎＮ層（１０８）の前記１つ又は各々の厚さが、２モノレイヤ以下である、請求項２に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項４】
前記インジウムの組成Ｘ１及びＸ２が、Ｘ１≦Ｘ２であり、又は、前記インジウムの組成Ｘｎ、Ｘｐ、Ｘｂ、Ｘ１及びＸ２が、Ｘｎ＜Ｘ１＜Ｘ２＜Ｘｐ、若しくは、Ｘｎ＝Ｘｐ＝０及び／又はＸ１＝Ｘｂ＝Ｘ２である、請求項１から３の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項５】
前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）の厚さ及び／又は前記ｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１−Ｘｐ）Ｎ層（１０４）の厚さが、約２０ｎｍから１０μｍであり、及び／又は、前記ＩｎＸ１Ｇａ（１−Ｘ１）Ｎ層（１１２）の厚さ及び／又は前記ＩｎＸ２Ｇａ（１−Ｘ２）Ｎ層（１１４）の厚さが、約１ｎｍから２００ｎｍの間である、請求項１から４の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項６】
前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）上に形成される第１の金属電極（１０１）及び前記ｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１−Ｘｐ）Ｎ層（１０４）上に形成される第２の金属電極（１０３）をさらに含む、請求項１から５の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項７】
前記活性領域（１０５）が、前記第１のＩｎＮ層（１０６）及び前記第２のＩｎＮ層（１０８）に加えて、少なくとも１つの追加のＩｎＮ層を含み、前記追加のＩｎＮ層が、ＩｎＧａＮ又はＧａＮを含み、約３ｎｍ以下の厚さを有する追加の分離層によって前記第１のＩｎＮ層（１０６）及び前記第２のＩｎＮ層（１０８）から分離される、請求項１から６の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項８】
前記活性領域（１０５）に加えて、前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）及び前記ｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１−Ｘｐ）Ｎ層（１０４）の間に配され、放射再結合が生じることができる追加の活性領域を含む、請求項１から７の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項９】
前記ｎ型ドーピングＩｎＸｎＧａ（１―Ｘｎ）Ｎ層（１０２）及び前記活性領域（１０５）の間に、ｎ型ドーピングＩｎＧａＮバッファ層（１１０）をさらに含み、前記バッファ層（１１０）のｎ型ドーピングＩｎＧａＮが、前記ｐ型ドーピングＩｎＸｐＧａ（１−Ｘｐ）Ｎのバンドギャップエネルギーの約９７％以下のバンドギャップエネルギーを有する、請求項１から８の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）。
【請求項１０】
前記発光ダイオード（１００）の層が、互いの上に成長することによって作られた平坦な層であり、又は、前記発光ダイオード（１００）の層が、半径方向又は軸方向のナノワイヤとして成長することによって作られた、請求項１から９の何れか一項に記載の発光ダイオード（１００）の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
量子井戸内の転位を低減するために、非特許文献２には、多重量子井戸のＬＥＤが開示されており、これらの量子井戸の各々は、その厚さが１モノレイヤ又は２モノレイヤに等しいＩｎＮ層によって形成され、各々のＩｎＮ層は、約１５ｎｍの厚さを有する２つのＧａＮ障壁層の間に配される。図１は、２モノレイヤの厚さに等しい厚さを有するＩｎＮ層によって形成され、各々が約１０ｎｍの厚さを有する２つのＧａＮ障壁層の間に配される量子井戸を含むＬＥＤにおいて得られる、対数目盛上の放射再結合レート（／ｃｍ３・ｓ）を示す。しかし、この図において、ＩｎＮ層における放射再結合レートが、ＬＥＤのｎ側に位置するＧａＮ障壁層におけるものと同程度であり、ＩｎＮ層における非常に低い密度の状態のために、比較的低い（１０２１再結合・ｃｍ−３・ｓ−１程度）ことが見られる。さらに、このような量子井戸に関して、緑色に対応する波長範囲における発光を有することが困難である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
図２は、２モノレイヤの厚さに等しい厚さを有するＩｎＮ層によって形成され、各々が約１０ｎｍの厚さを有する２つのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ障壁層の間に配される量子井戸において得られる、対数目盛上の放射再結合レート（／ｃｍ３・ｓ）を示す。しかし、その放射再結合レートが図１に示される量子井戸に関しては、ＩｎＮ層における放射再結合レートはまた、ＬＥＤのｎ側に位置するＩｎＧａＮ障壁層におけるものと同程度であり、ＩｎＮ層における非常に低い密度の状態のために、比較的低い（１０２１再結合・ｃｍ−３・ｓ−１程度）。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
前記厚さｅＩｎＮ１０６及び前記厚さｅＩｎＮ１０８が、１モノレイヤから３モノレイヤの間であり、有利には、１モノレイヤから２モノレイヤの間である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
前記第１のＩｎＮ層及び前記第２のＩｎＮ層の１つ又は各々が、２モノレイヤから３モノレイヤの厚さを有するとき、前記インジウムの組成Ｘｂが、約０．１５以上であり得る。前記インジウムの組成Ｘｂが約０．１５未満であるとき、前記第１のＩｎＮ層及び前記第２のＩｎＮ層の前記１つ又は各々の厚さが、２モノレイヤ以下であり得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
それぞれｅＩｎＮ１０６及びｅＩｎＮ１０８で示されるＩｎＮ層１０６及び１０８の厚さ（図３において示される軸Ｚに沿った寸法）は、ｅＩｎＮ１０６≦ｅＩｎＮ１０８である。これらの厚さｅＩｎＮ１０６及びｅＩｎＮ１０８の各々は、１モノレイヤから３モノレイヤの間であり（ＩｎＮの１モノレイヤが、約０．２５ｎｍの厚さに対応する）、好ましくは、１モノレイヤから２モノレイヤである。しかしながら、両方の厚さｅＩｎＮ１０６及びｅＩｎＮ１０８の１つ又は各々が、２モノレイヤから３モノレイヤの間であるとき、例えば、Ｘｂ≧０．１５を有することが可能である。補足的方法において、Ｘｂ＜０．１５であるとき、これらの層の１つ又は各々の厚さは、好ましくは、約２モノレイヤ以下であるように選択される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
ｎ型ドーピング層１０２は、約５００ｎｍの厚さを有し、約３×１０１８ドナー／ｃｍ３のドナー濃度を有するＧａＮ−ｎを含む。ｐ型ドーピング層１０４は、約５００ｎｍの厚さを有し、約２×１０１９アクセプタ／ｃｍ３のアクセプタ濃度を有するＧａＮ−ｐを含む。これらの層１１２及び１１４の各々は、約５ｎｍの厚さを有し、非意図的にドーピングされた、約１０１７ｃｍ−３の残留ドナー濃度ｎｎｉｄを有するＧａＮ（ＧａＮ−ｎｉｄ）を含む。ＩｎＮ層１０６及び１０８の各々は、約２モノレイヤの厚さを有し、ＩｎＮ−ｎｉｄを含む。最後に、分離層１１０は、約１ｎｍの厚さを有し、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ−ｎｉｄを含む。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
ｎ型ドーピング層１０２は、約５００ｎｍの厚さを有し、約３×１０１８ドナー／ｃｍ３のドナー濃度を有するＧａＮ−ｎを含む。ｐ型ドーピング層１０４は、約５００ｎｍの厚さを有し、約２×１０１９アクセプタ／ｃｍ３のアクセプタ濃度を有するＧａＮ−ｐを含む。これらの層１１２及び１１４の各々は、約２ｎｍの厚さを有し、約１０１７ｃｍ−３の残留ドナー濃度ｎｎｉｄを有する、非意図的にドーピングされたＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ（Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ−ｎｉｄ）を含む。２つのＩｎＮ層１０６及び１０８の両方は、ＩｎＮ−ｎｉｄを含む。しかしながら、例示的なこの第２の実施形態において、両方のＩｎＮ層１０６及び１０８は、異なる厚さを有する。そのため、ｎ型ドーピング層１０２の側部に位置する第１のＩｎＮ層１０６は、約１モノレイヤの厚さを有し、ｐ型ドーピング層１０４の側部に位置する第２のＩｎＮ層１０８は、約３モノレイヤの厚さを有する。最後に、分離層１１０は、約２ｎｍの厚さを有し、Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ−ｎｉｄを含む。例示的な第２の実施形態によるＬＥＤ１００において得られる放射再結合レートは、図６に示される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
初めに、約２μｍの厚さを有する第１のＧａＮ層の成長は、例えば、約１０００℃の温度でＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｕｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によってサファイア基板上で行われる。この成長は、約５００ｎｍの厚さを有する、３×１０１８ドナー／ｃｍ３でシリコンがドーピングされたｎ−ＧａＮ層１０２を形成することによって完成される。次いで、この温度は、約８３０℃まで低下し、約１０ｎｍの非意図的にドーピングされたＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを成長させ、層１１２を形成する。次いで、この温度は、約６００℃まで低下し、非意図的にドーピングされたＩｎＮの３モノレイヤを成長させ、第１のＩｎＮ層１０６を形成する。この温度は、約７２０℃まで上昇し、１ｎｍの非意図的にドーピングされたＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎを成長させ、分離層１１０を形成する。この温度は、約６００℃まで再び低下し、非意図的にドーピングされたＩｎＮの２モノレイヤを成長させ、第２のＩｎＮ層１０８を形成する。この温度は、約７５０℃まで再び上昇し、約１０ｎｍの非意図的にドーピングされたＩｎ０．１２Ｇａ０．８８Ｎを成長させ、層１１４を形成する。この温度は、約７３０℃まで低下し、５００ｎｍのマグネシウムドーピングされたＩｎ０．１８Ｇａ０．８２Ｎを成長させ、層１０４を形成する。次いで、第２の金属電極１０３は、ｐ型ドーピング層１０４にＮｉ／Ａｕ層として作られ、第１の金属電極１０１は、最後に、ｎ型ドーピング層１０２にＴｉ／Ａｕ層として作られる（ｎ型ドーピング層１０２が約２μｍの厚さを有する第１のＧａＮ層から固定されない後に）。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
約３×１０１８ドナー／ｃｍ３のドナー濃度を有するシリコンドーピングされたＧａＮナノワイヤは、サファイア基板上に、例えばＭＯＣＶＤによって約１０５０℃の温度で成長し、また、ナノワイヤ間にシリコンドーピングされたＧａＮ層を形成することによって作られ、この組立体は、第１のｎ型ドーピング層１０２に対応する。次いで、この温度は、約８３０℃まで低下し、約５０ｎｍの厚さの非意図的にドーピングされたＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎのシェルを成長させ、層１１２を形成する。次いで、この温度は、約６００℃まで低下し、非意図的にドーピングされたＩｎＮの約３モノレイヤに等しい厚さを有するシェルを成長させ、第１のＩｎＮ層１０６を形成する。この温度は、約７２０℃まで増加し、約１ｎｍの厚さの非意図的にドーピングされたＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎのシェルを成長させ、分離層１１０を形成する。この温度は、約６００℃まで再び低下し、非意図的にドーピングされたＩｎＮの約２モノレイヤの厚さを有するシェルを成長させ、第２のＩｎＮ層１０８を形成する。この温度は、約７５０℃まで再び増加し、約１０ｎｍの厚さの非意図的にドーピングされたＩｎ０．１２Ｇａ０．８８Ｎを有するシェルを成長させ、層１１４を形成する。活性領域１０５は、ここで、互いの上にシェルのスタックを形成する。この温度は、約７２０℃まで低下し、約５００ｎｍの厚さのマグネシウムドーピングＩｎ０．１８Ｇａ０．８２Ｎを有するシェルを成長させ、ｐ型ドーピング層１０４を形成する。第２の金属電極１０３は、次いで、ＭｇドーピングＩｎ０．１８Ｇａ０．８２Ｎシェル上にＮｉ／Ａｕとして作られ、第１の金属電極１０１は、次いで、ＧａＮナノワイヤ（前述のＳｉ−ｎ型ドーピング層１０２）の間に位置するＳｉドーピングされたＧａＮ層上にＴｉ／Ａｕ層として作られる。金属電極１０１を堆積する前に、ワイヤ間に堆積されたＮｉ／Ａｕ電極１０３は、ニッケル用にフッ素化反応イオンエッチングによってエッチングされ、金用にＫＩ化学エッチングによってエッチングされる。この実施形態によれば、ｎ型ドーピングされたＧａＮの連続的な２Ｄ層によって接続されたｎ型ドーピングされたナノワイヤが得られる。この場合、電極は、ナノワイヤのｐ型外部シェルに接触し、電極は、ナノワイヤ間のｎ型ＧａＮ層に接触する。