【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年4月24日(2020.4.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
＜発明の概要＞
前述の目的は、請求項１に係るレーザーダイオードにより達成することができる。よって、レーザーダイオードは、活性層、活性層の少なくとも一部を覆う導波路領域、後端面、レーザー放射をデカップリングするように構成された前端面、及び導波路領域と相互作用する格子、を含み、前記活性層は、第一の軸に沿って前記後端面及び前記前端面の間の少なくとも一部分において延伸し、前記格子は複数のリッジ及び複数のトレンチを含んで構成されている。本発明は、複数のトレンチが、格子に沿った当該複数のトレンチに関するカップリングパラメータＰの平均増加が０ではないように形成されることを特徴とする。ここで、トレンチのカップリングパラメータＰは以下の式により規定される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明のさらなる側面において、レーザーダイオードは、活性層、活性層の少なくとも一部を覆う導波路領域、後端面、レーザ放射をデカップリングするように構成された前端面、及び導波路領域と相互作用する格子、を含み、前記活性層は、第一の軸に沿って前記後端面及び前記前端面の間の少なくとも一部分において延伸し、前記格子は複数のリッジ及び複数のトレンチを含んで構成されている。本発明は、複数のトレンチが、格子に沿った当該複数のトレンチに関するカップリングパラメータＰの平均増加が０ではないように形成されることを特徴とし、ここで、トレンチのカップリングパラメータＰは式Ｐ＝ｗ・ｄ・ｎ（式中、ｄはトレンチの深さ又はトレンチから活性層までの距離であり、ｗはトレンチの幅であり、ｎはトレンチの屈折率である）により規定される。これはカップリングパラメータＰの別の定義である。異なる定義により得られる値は、互いに変換可能である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
具体的には、以下の決定変数を使用することが可能である：（１）局所反射率Ｒ（ｘ）及び（２）格子のカップリング定数と長さの積κＬ（ｘ）は、それぞれ長手方向の位置ｘに関する関数である。反射率Ｒ及び格子内の個々の格子リッジのカップリング定数と長さの積κＬは現実的に計算できないため、代わりに、キャビティ長全体に渡って延伸する対応の仮想均一格子の反射率を用いて位置ｘにおける反射率Ｒ又はカップリング定数と長さの積κＬが計算される。格子の反射率Ｒ又はカップリング定数と長さの積κＬは波長に依存するため、対応する最大値が常に用いられる。存在する格子パターンによって、格子構造の全反射率Ｒｍａｘ又はカップリング定数と長さの積κＬを同じタイプの二つの均一格子から決定することができ、それぞれ最小及び最大のカップリング強度を互いに関連付けて用いることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
本発明の別の側面は、上述の特性を有するレーザーダイオードの製造方法に関するものである。この方法に用いられる工程は、本発明の特定の実施形態に大きく依存し、必要に応じて選択することが可能である。例えば、格子のリッジは、格子を形成するのに適した材料の特定の構造を改変することにより形成することができる。具体的には、ＦＩＢの手法により不純物を導入することや材料の変更が可能であり、例えば局所的結晶成長を標的において開始させたりアモルファス化プロセスによって実施できる。このようなタイプのプロセスによって、カップリングパラメータ（深さ、幅、及び屈折率又は周囲のリッジとの屈折率の差）を決定する個々のパラメータと共振器に沿った格子強度（Ｒｍａｘ（ｘ）又はκＬ（ｘ）により決定）とに同時に影響を及ぼすことが一般に可能である。別のプロセスにおいては、トレンチを直接露出させることにより実施される。これは具体的には適切なエッチングプロセスを採用することにより達成できる。この場合に形成されるトレンチは、その周囲、例えば空気より低い屈折率を有する。しかしながら、カップリング強度の純粋な位置的調整に加えて、屈折率の変化をカップリングパラメータプロファイルにさらなる影響を及ぼすために用いることも可能であり、これは次にトレンチを別の材料又は絶縁体で満たす（例えば、の壁を選択的に過成長させる）ことにより達成できる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
＜本発明の詳細な説明＞
図１は、先行技術に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の空間的模式図である。活性層１０は、導波路領域１２により上下から直接挟まれている。レーザー放射の生成及び伝播は、好ましくは第一の軸Ｘ（同時に、光学軸でもある）に沿って起こる。この目的のため、第二の軸Ｙは活性層１０に並行に延伸している。レーザーダイオード１００の端部は第一の軸Ｘが後端面１４から前端面１６へ貫かれている。この場合、レーザーダイオード１００内で生成されたレーザー放射は前端面１６から放出される。これは、追加された反射防止膜により達成できる。後端面１４は、しかしながら、デカップリングを低減するためにミラーコーティングを施されることが多い。レーザーダイオードを操作する際、前端面１６と後端面１４との間で波２６が生成し、第一の軸Ｘに沿って導波路領域１２を通過するように誘導される。レーザーダイオード１００内で、位置依存性のパワー密度分布は内部構造によるものである。基礎となる分布係数は、レーザーダイオード１００の対応する減衰及びフィードバック特性に主に依存する。図において、前端面１６方向への内部パワー密度の増加は、誘導された波２６の振幅の増加により表されている。分布帰還型レーザーダイオード１００においては、導波路領域１２に導入された波２６は少なくとも格子１８の部分において相互作用し、ここで、格子１８は複数のリッジ２２及びトレンチ２４を有している。導入された波２６と格子１８との相互作用により、生成される放射の周波数が選択され、これによって放射は単一又は少数の増幅モードに制限される。従来技術による格子１８では、個々のトレンチ２４の深さ及び幅は製造上許容される限りにおいて実質的に一定である。従って、従来技術による格子１８は、通常は格子特性についての位置依存性が無いか、わずかにある。しかしながら、上記のパワー密度分布の位置依存性により、導波路領域１２に導入された波２６と格子１８との間の相互作用は位置にも大きく依存し、これはレーザーダイオード１００の放射特性に好ましくない影響を及ぼす。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
図３ａは本発明に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の好ましい実施形態の模式図である。参照符号と個々の参照符号の割当ては、主に図１のものに対応する。本質的な違いは、格子１８の構造設計である。図１の格子１８と比較して、本発明では導波路領域１２に導入された波２６のパワー密度と格子とのカップリングを適合可能なように調整されている。この目的のため、第一の軸Xに沿った格子１８の個々のトレンチ２４の深さｄは、後端面１４の近傍の最大トレンチ深さｄｍａｘから始まり、前端面１６の近傍の最小トレンチ深さｄｍｉｎへ連続的に減少するように設計されている。トレンチ深さｄを変化させることにより、パワー密度が高い領域においては導波路領域１２に導入された波２６と格子１８との間の相互作用が減少し、パワー密度が低い領域においては導波路領域１２に導入された波２６と格子１８との間の相互作用が増加するようになる。この結果として、増幅における飽和効果を防ぐか少なくとも減少させることができる。図３ａにおいて、格子１８の空間的特性をより明確にするため、その一部を強調している。リッジ２２により隔てられた二つの隣接するトレンチ２４が図示されている。トレンチ間の平均距離は格子定数Λに対応し、これは中央における格子１８の波長を規定するものである。他方、個々のトレンチ２４は平均幅ｗ、平均深さｄ、屈折率ｎ、及びこれらのパラメータから得られるＲｍａｘ（ｘ）及びκL（ｘ）によって規定することができる。具体的には、これらの三つのパラメータはそれぞれ互いに独立に変化させることができ、そのような変化は導波路領域１２に導入された波２６と格子１８との間の相互作用に対して影響を与える。提示の実施形態においては、Ｎ−エレメントの格子１８におけるトレンチ２４の深さｗと屈折率ｎは全て一定であると想定可能であり、ｗ１＝ｗ２＝ｗＮ及びｎ１＝ｎ２＝ｎＮが成立する。格子１８のトレンチ２４の深さは、他方、前端面１６に向かって減少され、従ってｄ１＞ｄ２＞ｄＮと表される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
図５は、本発明に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の格子構造１８の特に好ましい実施形態の模式図である。表示に際し、格子１８のリッジ２２とトレンチ２４の設計は、図４ａに対応するように選択されており、すなわち、格子１８のトレンチ２４の深さｄが後端面１４から前端面１６へ向けて減少するようになっている。上述の実施形態や実施例とは対照的に、個々のトレンチ２４の壁は上述の図面において例示的に用いられた長方形とは異なった形状を有している。特に好ましいのは図５ａに示される格子構造であり、トレンチ２４の幅ｗが連続的な∨字型となるように活性層１０の方向に傾斜したものである。このような設計により導波路領域１２に導入された波２６と格子１８との間の相互作用に活性層１０に垂直な方向に影響を及ぼすことが可能になり、よってこの方向に沿って格子１８をレーザーダイオード１００内で生じるパワー密度分布に適合させることが可能になる。この点において、この実施形態はトレンチ２４の深さｄを変化させたものに個々のトレンチ２４の幅ｗを変化させたものを重ね合わせたものを提示している。図５ｂには個々のトレンチ２４の深さの変化に個々のトレンチ２４の幅ｗを変化させたものを重ね合わせたものが示される。この実施形態は、例えば、エッチングされた壁が均一で平滑な構造を有しない異方性エッチング工程の結果であり得る。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
図６は本発明に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の好ましい実施形態を製造するためのエッチングマスク３０を平面視した模式図及びエッチング後の断面図である。図６ａに示されるエッチングマスク３０の平面図は、例えば、コンタクトリソグラフィーによって製造することができる。エッチングマスク３０は異なる複数の開口３２を有しており、これによって生成される格子１８の特性が定められる。ここに示されるエッチングマスク３０は第一の方向Ｘに沿って格子１８を形成するのに適しており、ここで、当該格子１８は後端面１４と前端面１６との間に延伸しており、個々のトレンチ２４の深さｄは図３に示される好ましい実施形態に従って第一の方向Ｘに沿って減少している。具体的には、本発明においてはエッチングマスク３０の個々の開口３２の幅を第一の方向Ｘに沿って減少させることによってこれを達成している。反応イオンエッチングの場合、マイクロローディング効果を活用することができ、エッチングマスク３０の開口３２の幅の変量がエッチング工程に置いて得られるトレンチ２４の深さの変量に影響を及ぼす。レジストの開口の変量は、他の方法、例えば電子ビームによっても生成することが可能である。マスク３０の対応する設計を用いることによって、生成するトレンチ２４の幅ｗ及び深さｄだけでなく結果として得られるＲｍａｘ（ｘ）及びκＬ（ｘ）にも目的とする影響を及ぼすことができる。この効果は、上述の本発明の分布帰還型レーザーダイオード１００の好ましい実施形態の個々の特性を組み合わせて用いることによってさらに効果を高めたり最適化させることが可能である。図６ｂは、本発明に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の好ましい実施形態を製造するためのエッチングマスク３０の断面図である。生成される格子１８のリッジ２２及びトレンチ２４と、エッチング工程において覆うようにして用いられる開口３２を有するエッチングマスク３０を確認することができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
図８は本発明に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の別の好ましい実施形態を平面視及び断面視した模式図である。図８ａは本発明に係る分布帰還型レーザーダイオード１００の格子１８の平面図である。この平面図は第一の方向Ｘ及び第二の方向Ｙに延伸しており、後端面１４と前端面１６がそれぞれ切られている。これらの二つの端面の間において、格子１８が第一の方向Ｘに沿って延伸している。前述の実施形態によれば、この格子は複数のリッジ２２とトレンチ２４とを有しており、これらのトレンチ２４の幅ｗは第一の方向Ｘ及び第二の方向Ｙの両方について異なっていても良い。このようにすることで、導波路領域１２に導入された波２６と格子１８との間の相互作用の変化を第二の方向Ｙに沿って付与することも可能となり、分布帰還型レーザーダイオード１００において当該方向においても格子１８と局所パワー密度分布との間のカップリグ強度を調整することが可能となる。反応イオンエッチングの際のマイクロローディング効果により得られる、図６ａの線Ａ-Ｂに沿った個々のトレンチの深さｄの変化が図６ｂに示される。前述の場合と同様に、トレンチ２４の深さｄは、トレンチの幅ｗが小さい領域においては浅く、トレンチの幅ｗが大きい領域においてはトレンチの深さｄも深くなっている。これにより、比較的高いＲｍａｘ（ｘ）及びκＬ（ｘ）が得られる。図５ａに示される∨字型のエッチングプロファイルとの組み合わせにより、導波路領域１２に導入された波２６と格子１８とのカップリング強度の調整が三つの空間方向の全てにおいて達成できる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
参照符号
１０  活性層
１２  導波路領域
１４  後端面
１６  前端面
１８  格子
２２  リッジ
２４  トレンチ
２６  導入された波
２８  パワー密度
３０  エッチングマスク
３２  マスク開口
１００  レーザーダイオード
ｄ  トレンチ深さ
ｄｒｅｓ  トレンチと活性層との距離
ｗ  トレンチ幅
ｎ  屈折率
Δｎ  屈折率の差（屈折率差とも称する）
Λ  格子定数
Ｉ  強度
Δλ  スペクトル線幅
Δλｄｅｔ  離調
Ｓ  電気光学的パワー増加Ｓ
Ｒ  反射率
κＬ  カップリング定数と長さの積
Ｘ  第一の軸又は方向
Ｙ  第二の軸又は方向
Ｐ  カップリングパラメータ
Ａ  アポダイゼーション係数（Apodisierungsmaβzahl）
∨  変量
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオード（１００）であって、
活性層（１０）、
前記活性層（１０）の少なくとも一部を覆う導波路領域（１２）、
後端面（１４）、
レーザー放射をデカップリングするように構成された前端面（１６）、及び
導波路領域（１２）と相互作用する格子（１８）、を含み、
前記活性層（１０）は、第一の軸（Ｘ）に沿って前記後端面（１４）及び前記前端面（１６）の間の少なくとも一部分において延伸し、
前記格子（１８）は複数のリッジ（２２）及び複数のトレンチ（２４）を含み、
前記格子（１８）は、前記格子（１８）のオーダーが１０〜１００の間の範囲である表面格子であり、
前記複数のトレンチ（２４）は、格子（１８）に沿った前記複数のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰの平均増加がゼロではないように設計されており、一のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰが式（１）
【数９】
2018519666.tif 000001
により規定され、
式中、ｄｒｅｓはトレンチ（２４）と活性層（１０）との距離であり、ｗはトレンチ（２４）の幅であり、Δｎは前記トレンチ（２４）の屈折率と前記トレンチ（２４）の周囲材料の屈折率との間の屈折率差である、
レーザーダイオード（１００）。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子（１８）のカップリングパラメータＰに基づくアポダイゼーション係数ＡＰは１．１以上であり、当該アポダイゼーション係数ＡＰは式（２）
【数１０】
2018519666.tif 000002
により得られる、前記格子（１８）の複数のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰの最大値及び最小値の比により規定される、レーザーダイオード（１００）。
【請求項３】
請求項１に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子（１８）の局所反射率Ｒ（ｘ）に基づくアポダイゼーション係数ＡＲは１．１以上であり、当該アポダイゼーション係数ＡＲは式（３）
【数１１】
2018519666.tif 000003
により得られる、前記格子（１８）の局所反射率Ｒ（ｘ）の最大値及び最小値の比により規定される、レーザーダイオード（１００）。
【請求項４】
請求項１に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子（１８）の局所カップリング定数と長さの積κＬに基づくアポダイゼーション係数ＡκＬは１．１以上であり、当該アポダイゼーション係数ＡκＬは式（４）
【数１２】
2018519666.tif 000004
により得られる、前記格子（１８）の局所カップリング定数と長さの積κＬ（ｘ）の最大値及び最小値の比により規定される、レーザーダイオード（１００）。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記個々のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰは前記導波路領域（１２）に導入された波（２６）のパワー密度に適合され、前記カップリングパラメータＰは、パワー密度が低い領域におけるカップリングパラメータＰと比較してパワー密度が高い領域におけるカップリングパラメータＰが減少している、レーザーダイオード（１００）。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子（１８）に沿った前記カップリングパラメータＰの機能的相関は、単調増加又は減少、線形増加又は減少、二次的増加又は減少、あるいは指数関数的増加又は減少のいずれかである、レーザーダイオード（１００）。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記個々のトレンチ（２４）と活性層（１０）との距離ｄｒｅｓの最大値及び最小値との間の比により得られる、式（５）により表される変数∨ｄｒｅｓが１．１以上である、レーザーダイオード（１００）。
【数１３】
2018519666.tif 000005
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記個々のトレンチ（２４）の幅ｗの最大値及び最小値との間の比により得られる、式（６）により表される変数∨ｗが１．１以上である、レーザーダイオード（１００）。
【数１４】
2018519666.tif 000006
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記個々のトレンチ（２４）の屈折率及び前記トレンチ（２４）の周囲材料の屈折率との間の屈折率差Δｎの最大値及び最小値との間の比により得られる、式（７）により表される変数∨Δｎが１．１以上である、レーザーダイオード（１００）。
【数１５】
2018519666.tif 000007
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子（１８）の長さＬが１００μｍ以上であるか、前記第一の軸（Ｘ）に沿った後端面（１４）と前端面（１６）との間の距離の少なくとも１０％に相当する、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子が共振器の全長に渡って延伸しているか、あるいは少なくとも二つのサブグレーティングに分けられており、前記少なくとも二つのサブグレーティングは前記第一の軸（Ｘ）に沿った後端面（１４）と前端面（１６）との間に延伸している、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１２】
請求項１１に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記格子（１８）のトレンチ（２４）が、光学利得がある領域又は光学利得が無い領域に完全に又は部分的に位置している、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記トレンチ（２４）が等間隔に配置されている、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記トレンチ（２４）の少なくとも一つにおいてトレンチ（２４）の幅ｗが前記活性層（１０）の方向に向かって傾斜している、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記トレンチ（２４）の壁が異なるプロファイルを有している、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載のレーザーダイオード（１００）であって、前記個々のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰが、前記第一の軸（Ｘ）に垂直な方向に延伸する第二の軸（Ｙ）に沿った位置に依存し、前記位置に依存するトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰが導波路領域（１２）に導入された波（２６）のパワー密度に適合しており、前記位置に依存するトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰの値は、パワー密度が低い領域における位置に依存するトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰの値と比較してパワー密度が高い領域における位置に依存するトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰの値が減少している、レーザーダイオード（１００）。
【請求項１７】
レーザーダイオード（１００）の製造方法であって、
活性層（１０）及び前記活性層（１０）の少なくとも一部を覆う導波路領域（１２）を設ける工程、
後端面（１４）及び前端面（１６）をレーザー放射可能に設ける工程、及び
複数のリッジ（２２）及び複数のトレンチ（２４）を有する格子（１８）を、前記格子（１８）が前記導波路領域（１２）と相互作用可能に設ける工程、を含み、
前記格子（１８）は、前記格子（１８）のオーダーが１０〜１００の間の範囲である表面格子であり、
前記活性層（１０）は少なくとも第一の軸（Ｘ）に沿って前記後端面（１４）及び前記前端面（１６）の間の一部において延伸し、
前記格子（１８）は、前記格子（１８）の局所反射率Ｒ（ｘ）に基づくアポダイゼーション係数ＡＲ又は前記格子（１８）の局所カップリング定数と長さの積κＬに基づくアポダイゼーション係数ＡκＬのうち少なくとも一つが１．１以上になるように設計され、前記アポダイゼーション係数ＡＲは、式（８）
【数１６】
2018519666.tif 000008
により得られる、前記格子（１８）の局所反射率Ｒ（ｘ）の最大値及び最小値の比により規定され、前記アポダイゼーション係数ＡκＬは、式（９）
【数１７】
2018519666.tif 000009
により得られる、前記格子（１８）の局所カップリング定数と長さの積κＬ（ｘ）の最大値及び最小値の比により規定される、製造方法。
【請求項１８】
請求項１７記載のレーザーダイオード（１００）の製造方法であって、
複数の開口（３２）を有するエッチングマスク（３０）を前記導波路領域（１２）に当てる工程、及び
マスクされた前記導波路領域（１２）をエッチング工程によりパターニングする工程、をさらに含み、
前記開口（３２）の幅が第一の軸（Ｘ）及び／又は前記第一の軸（Ｘ）に垂直な方向に延伸する第二の軸（Ｙ）に沿って変化する、製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載のレーザーダイオード（１００）の製造方法であって、前記エッチング工程は異方性反応性イオンエッチングである、製造方法。
【請求項２０】
レーザーダイオード（１００）であって、
活性層（１０）、
前記活性層（１０）の少なくとも一部を覆う導波路領域（１２）、
後端面（１４）、
レーザー放射をデカップリングするように構成された前端面（１６）、及び
導波路領域（１２）と相互作用する格子（１８）、を含み、
前記活性層（１０）は、第一の軸（Ｘ）に沿って前記後端面（１４）及び前記前端面（１６）の間の少なくとも一部分において延伸し、
前記格子（１８）は複数のリッジ（２２）及び複数のトレンチ（２４）を含み、
前記複数のトレンチ（２４）は、格子（１８）に沿った前記複数のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰの平均増加がゼロではないように設計されており、一のトレンチ（２４）のカップリングパラメータＰが式（１０）
【数１８】
2018519666.tif 000010
により規定され、
式中、ｄｒｅｓはトレンチ（２４）と活性層（１０）との距離であり、ｗはトレンチ（２４）の幅であり、Δｎは前記トレンチ（２４）の屈折率と前記トレンチ（２４）の周囲材料の屈折率との間の屈折率差であり、
格子強度の変数は長手方向軸に沿った二次的増加であり、
前記格子（１８）は、前記格子（１８）の局所反射率Ｒ（ｘ）に基づくアポダイゼーション係数ＡＲ又は前記格子（１８）の局所カップリング定数と長さの積κＬに基づくアポダイゼーション係数ＡκＬが３以上であり、前記アポダイゼーション係数ＡＲは、式（１１）
【数１９】
2018519666.tif 000011
により得られる、前記格子（１８）の局所反射率Ｒ（ｘ）の最大値及び最小値の比により規定され、前記アポダイゼーション係数ＡκＬは、式（１２）
【数２０】
2018519666.tif 000012
により得られる、前記格子（１８）の局所カップリング定数と長さの積κＬ（ｘ）の最大値及び最小値の比により規定される、
レーザーダイオード（１００）。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図７】
2018519666.tif 000013
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１１】
2018519666.tif 000014
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１２】
2018519666.tif 000015