【事件の表示】
　特願２００１−５４２３９６「分極誘導電荷を低減させた高効率光エミッタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　６月　７日国際公開、ＷＯ０１／４１２２４、平成１５年　９月１６日国内公表、特表２００３−５２７７４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２０００年１１月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年１２月２日、２０００年１１月２８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１０月２６日付けで拒絶の理由が通知され、平成２３年５月１１日に手続補正がなされ、さらに、平成２４年３月２２日付けで拒絶の理由が通知され、同年１０月１日に手続補正がなされたが、平成２５年３月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２６年７月２２日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月２４日に手続補正がなされ、さらに、平成２７年１月１３日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年６月１５日に手続補正がなされたものである。
　　　         　
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年６月１５日付けの手続補正により補正された請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「ｎ型およびｐ型コンタクト層（３、７）と、活性光放出領域（５）を
間に挟むクラッド層（４、６）と、
　活性領域（５）の両端間に分極誘導電界を発生させる双極子とを具備した光エミッタであって、
　前記双極子は、前記活性領域と前記クラッド層との間の界面に沿った界面電荷シートから形成され、前記分極誘導電界は光エミッタの光放出効率を低減させ、
　活性領域（５）の両端間の前記分極誘導電界の効率低下作用を、ＩｎａＧａ１−ａＮ活性領域とＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層を備えた同様のデバイスの活性領域の両端間の分極誘導電界の効率低下作用と比較して、少なくとも部分的に緩和する手段を更に具備し、
　前記効率低下作用を緩和させるための手段は、ＩｎａＧａ１−ａＮを備えた前記活性領域（５）とＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ＜１；０＜ｙ≦０．１０；ｙ＜ｘ）を備えた前記クラッド層（４、６）の少なくとも１つを備えている光エミッタ。」　
　　　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
（１）当審拒絶理由に引用した、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６４−１７４８４号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は、当審で付した。以下同じ。）。 　
　　　　           
　ア　「【特許請求の範囲】
（１）ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）発光層と、これに格子整合条件で接し、発光層よリバンドギャップの大きいＡｌＸ′ＧａＹ′ＩｎＺ′Ｎ（Ｘ′＋Ｙ′＋Ｚ′＝１　Ｘ′＞Ｘ　Ｚ′＞０）からなる電流注入層とを有することを特徴とする半導体発光素子。」　
　      　
　イ　「しかして本発明の特徴とする点は、
半導体レーザにおいて、発光部は発光層と電流注入層より構成され、両者はいずれもＩＩＩ族窒化物より形成され
　      　
　ウ　「
ＩＩＩ族元素（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ）窒化物は、すべてウルツ鉱型結晶構造をしており、かつ直接遷移型のバンド構造を持っている
　
第４図に（００１）面上の格子定数とバンドギャップの関係を示す、この図からわかるように、ＩｎとＧａ又はＡｌを含む三元混晶および四元混晶等を用いることで格子整合条件でバンドギャップの異なる材料の層構造を形成でき、良質なヘテロ接合構造を得ることが可能である
　  　
　エ　「（実施例１）
　第１図は本発明の半導体発光素子の第１の実施例を説明する図であり、発光素子の断面を示したものである。
サファイア基板１の上に５μｍのＡｌ
０．２０
Ｇａ
０．２１
Ｉｎ
０．５９
Ｎ電流注入層（クラッド層）２と、０．５μｍののＧａ
０．４３
Ｉｎ
０．５７
Ｎ発光層３と、電流注入層および発光層に対するＡｕ電極４、５とを有している
　  　
　オ　「（実施例２）　
　第２図は本発明の第２の実施例を説明する図である。図において、
ＺｎＯ基板１の上に２μｍＡｌ
０．３３
Ｇａ
０．３９
Ｉｎ
０．２８
Ｎ第１の電流注入層（第１のクラッド層）２と、０．３μｍのＧａ
０．７６
Ｉｎ
０．２４
Ｎ発光層３、さらに０．１μｍのＡｌ
０．３３
Ｇａ
０．３９
Ｉｎ
０．２８
Ｎ第２の電流注入層（第２のクラッド層）２ａと両電流注入層２および２ａに対する電極４、５を有している。電極５を正の側として電圧を加えると、薄い電流注入層２ａを通してキャリアが発光層３に注入される
　これらの結果から明らかなように、従来の発光素子に比べ発光効率の著しい改善が得られた。」（第３頁左上欄第１２行ないし同頁右上欄第１２行）
　　　
　カ　上記オで引用する第２図は、以下のものである。
   　　
　キ　上記ウで引用する第４図は、以下のものである。
  　
（２）引用文献に記載された発明
　ア　上記（１）アないしウの記載によれば、
　引用文献には、
　「ウルツ鉱型結晶構造を持つＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）発光層と、これに格子整合条件で接し、発光層よリバンドギャップの大きいウルツ鉱型結晶構造を持つＡｌＸ′ＧａＹ′ＩｎＺ′Ｎ（Ｘ′＋Ｙ′＋Ｚ′＝１　Ｘ′＞Ｘ　Ｚ′＞０）からなる電流注入層とを有する、半導体発光素子。」　
　が記載されているものと認められる。　
　　
　イ　また、上記（１）イの記載によれば、
　上記アの「半導体発光素子」は、半導体レーザであってもよいものと認められる。　
　　
　ウ　上記（１）ウの記載によれば、
　上記アの「半導体発光素子」における、「格子整合条件」及び「バンドギャップの大小」は、第４図に示された（００１）面上の格子定数とバンドギャップの関係を利用することが理解できる。
　    　
　エ　上記（１）ウ及びエの記載によれば、
　上記アの「発光層」及び「電流注入層」は、それぞれ、「ＧａＩｎＮ」及び「ＡｌＧａＩｎＮ」であってもよいものと認められる。　
　　
　オ　上記（１）オの記載に照らして、第２図を見ると、以下のことが理解できる。
（ア）上記アの「電流注入層」は、
　発光層の両側に位置する「第１の電流注入層（第１のクラッド層）」及び「第２の電流注入層（第２のクラッド層）」であってもよいこと。
　　　　　
（イ）上記アの「半導体発光素子」は、
　「第１の電流注入層（第１のクラッド層）に対する負のＡｕ電極層」と「第２の電流注入層（第２のクラッド層）に対する正のＡｕ電極層」とを有するものであってもよいこと。　
　
　カ　上記アないしオから、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　  
        
　「ウルツ鉱型結晶構造を持つＧａＩｎＮ発光層と、
　発光層の両側に位置し、発光層と格子整合条件で接し、発光層よリバンドギャップの大きいウルツ鉱型結晶構造を持つＡｌＧａＩｎＮからなる第１の電流注入層（第１のクラッド層）及び第２の電流注入層（第２のクラッド層）と、
　第１の電流注入層（第１のクラッド層）に対する負のＡｕ電極層と、
　第２の電流注入層（第２のクラッド層）に対する正のＡｕ電極層と、
　を有する、
　半導体レーザ。」　　
　　　　　　　　　　　　　　                        
第４　対比・判断  
１　対比　 
　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明の「発光層」は、本願発明の「活性光放出領域」に相当し、以下同様に、
　「ＧａＩｎＮ」は、「ＩｎａＧａ１−ａＮ」に、
　「ＡｌＧａＩｎＮ」は、「ＡｌＸＩｎＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ」に、
　「第１の電流注入層（第１のクラッド層）」及び「第２の電流注入層（第２のクラッド層）」は、「クラッド層」に、
　「半導体レーザ」は、「光エミッタ」に、それぞれ、相当する。
　　　　　  　
（２）引用発明の「負のＡｕ電極層」及び「正のＡｕ電極層」は、半導体レーザに電流を供給するためのものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「ｎ型およびｐ型コンタクト部を具備する」
　点で一致する。
　  　
（３）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「ｎ型およびｐ型コンタクト部と、活性光放出領域を間に挟むクラッド層と、を具備した光エミッタ。」　
　　　　　　     　
（４）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞
　ｎ型およびｐ型コンタクト部に関し、
　本願発明は、「ｎ型及びｐ型コンタクト層」を具備するものであるのに対して、
　引用発明は、（半導体からなる）コンタクト層を備えていない点。　　
　    　
　＜相違点２＞
　光エミッタに関し、
　本願発明は、
　ア　「活性領域（５）の両端間に分極誘導電界を発生させる双極子とを具備した光エミッタ」であって、
　「前記双極子は、前記活性領域と前記クラッド層との間の界面に沿った界面電荷シートから形成され、前記分極誘導電界は光エミッタの光放出効率を低減させ」るものであり、
　
　イ　「活性領域（５）の両端間の前記分極誘導電界の効率低下作用を、ＩｎａＧａ１−ａＮ活性領域とＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層を備えた同様のデバイスの活性領域の両端間の分極誘導電界の効率低下作用と比較して、少なくとも部分的に緩和する手段を更に具備し」、
　
　ウ　「前記効率低下作用を緩和させるための手段は、ＩｎａＧａ１−ａＮを備えた前記活性領域（５）とＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ＜１；０＜ｙ≦０．１０；ｙ＜ｘ）を備えた前記クラッド層（４、６）の少なくとも１つを備えている」のに対して、
　      　　
　引用発明は、そのような「双極子」及び「分極誘導電界の効率低下作用を、少なくとも部分的に緩和する手段」を具備するものであるか否か不明である点。　
　　　                                    
２　判断 　  
（１）上記＜相違点１＞について検討する。 
　ア　ｐ側電極（ｎ側電極）とｐ型クラッド層（ｎ型クラッド層）との間に、ｐ型コンタクト層（ｎ型コンタクト層）を介在させた半導体レーザは、当審拒絶理由で引用した特開平１０−３２６９４０号公報（【要約】を参照。）に記載されているように、本願の最先の優先日時点であることに照らせば（以下「周知技術１」という。）、 
 　引用発明の「第１の電流注入層（第１のクラッド層）」と「負のＡｕ電極層」との間、及び「第２の電流注入層（第２のクラッド層）」と「正のＡｕ電極層」との間に、半導体からなるコンタクト層を介在させることは、当業者が適宜なし得た設計事項である。　　 
 　 　 
 　イ　したがって、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が周知技術１に基づいて容易になし得たことである。　　 　　
    　
（２）上記＜相違点２＞について検討する。  
　ア　まず、上記＜相違点２＞の「ア」について検討する。
（ア）本願明細書には、「双極子」に関連して、以下の記載がある。 
　ａ　「【００１１】 
　窒化物ダブルヘテロ構造は、下層のクラッド層上に在る活性層５として、一般にＩｎＧａＮを使用し、その厚さは１ｎｍから１００ｎｍである。……一般に、この構造が
０００１などの極性方向に成長するならば、異なる構成材料が原因で、層と層との界面に分極誘導シート電荷が生じる
 　   　
　ｂ　「【００１３】 
　
活性領域の対向する面に沿った界面電荷シートは、その領域の両端間に双極子を生成する
 　 
　ｃ　上記ａ及びｂによれば、 
　極性方向に成長させた組成の異なる半導体層の界面には分極誘導シート電荷が生じ、活性領域の両端間に双極子を生成することが理解できる。 
 　 
（イ）一方、引用文献に、図４が（００１）面上の格子定数とバンドギャップの関係を示すものであることが記載されている（摘記ウを参照。）ことに照らせば、 
　引用発明の「発光層」、「第１の電流注入層（第１のクラッド層）」及び「第２の電流注入層（第２のクラッド層）」も、極性方向に成長したものと解され、発光層と電流注入層との間の界面には、界面電荷シートから形成される双極子が存在するものと認められる。　 
 　　　　
（ウ）してみると、引用発明は、上記＜相違点２＞における「ア」の発明特定事項を備えたもの、すなわち、引用発明は、
　「活性領域（５）の両端間に分極誘導電界を発生させる双極子とを具備した光エミッタ」であって、
　「前記双極子は、前記活性領域と前記クラッド層との間の界面に沿った界面電荷シートから形成され、前記分極誘導電界は光エミッタの光放出効率を低減させ」るものであるといえる。　
　　
　イ　次に、上記＜相違点２＞の「イ」について検討する。　
（ア）本願明細書には、「発光層の両端間の分極誘導電界の効率低下作用を、少なくとも部分的に緩和する手段」に関連して、以下の記載がある。 
　ａ　「【００１８】 
　（発明の概要） 
　本発明は、キャリアの閉じ込めを改善するために結晶の自然発生的な分極誘導電荷の作用を減じまたは打ち消し、それらの空間分離を減少させ、キャリアのオーバーシュートを減少させることによって、極性方向に沿って層を成長させた化合物半導体ＬＥＤの動作効率を改善しようとするものである。【００１９】 
　
一実施形態では、これらの電荷は、活性領域に隣接する結晶層の材料組成の差を小さくすることによって低減される
 　 　
 　ｂ　「【００３２】 
　本発明の一態様では、それらの材料組成をより同様にすることによって、歪および分極の差を低減させる。三元ＡｌＧａＮクラッド層の一方または両方に窒化インジウム（ＩｎＮ）を添加して四元ＡｌＩｎＧａＮ層を生成するが、それによって、クラッド層および活性層の両方での結合の平均極性が同様になる。これらの層にインジウムが含まれると、活性層／クラッド層の界面で界面圧電分極誘導電荷が発生する際のアルミニウムの影響が打ち消される。すなわち、
四元ＡｌＩｎＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性領域との間には、三元ＡｌＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性領域との間にあるよりも小さい電荷シートがある
 　　 
　ｃ　上記ａ及びｂによれば、 
　　
三元
四元
 　        　
（イ）一方、引用発明の「『ＡｌＧａＩｎＮからなる』『電流注入層』」と「ＧａＩｎＮ発光層」は、本願明細書に記載された「四元ＡｌＩｎＧａＮクラッド層とＩｎＧａＮ活性領域」の関係にあり、両者の材料組成の差は小さく、分極誘導電荷の作用も小さくなっているものと認められる。 
   　
（ウ）してみると、引用発明は、上記＜相違点２＞における「イ」の発明特定事項を備えたもの、すなわち、引用発明は、
　「活性領域（５）の両端間の前記分極誘導電界の効率低下作用を、ＩｎａＧａ１−ａＮ活性領域とＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層を備えた同様のデバイスの活性領域の両端間の分極誘導電界の効率低下作用と比較して、少なくとも部分的に緩和する手段を更に具備し」たものであるといえる。　
　  　
　ウ　最後に、上記＜相違点２＞の「ウ」について検討する。　
（ア）引用発明の「『ＡｌＧａＩｎＮからなる』『電流注入層』」の具体的な元素組成比をどのように設定するかは、当業者が引用発明を実施する際に適宜定めるべき事項であるところ、
　引用発明の「『ＡｌＧａＩｎＮからなる』『電流注入層』」は、「ＧａＩｎＮ発光層」と格子整合条件で接し、発光層よリバンドギャップの大きいものであることに照らせば、その具体的な元素組成比は、「ＧａＩｎＮ発光層」の元素組成比に応じて定められるべきものであることは、当業者にとって明らかである。
　そして、「ＧａＩｎＮ発光層」におけるインジウム含有量の少ない半導体レーザは、当審拒絶理由で引用した特開平４−２３６４７８号公報（【００１０】及び図２を参照。）、特開平９−６３９６２号公報（【要約】を参照。）及び上記周知技術１で引用した特開平１０−３２６９４０号公報（【００３０】を参照。）に記載されているように、本願の最先の優先日時点で周知である（以下「周知技術２」という。）。　　
　       　
（イ）してみると、引用発明の「ＧａＩｎＮ発光層」の元素組成比を、例えば「Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ」等とし、この「発光層」と格子整合条件で接し、発光層よリバンドギャップの大きくなるような範囲内で、引用発明の「『ＡｌＧａＩｎＮからなる』『電流注入層』」の具体的な元素組成比を設定することは、当業者が容易になし得たことであって、その「Ｉｎ」の組成比を「０．１以下」とすることに何ら困難性は認められない。　
　　 　 　 　 　
　エ　以上のことから、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の発明特定事を採用することは、当業者が周知技術２に基づいて容易に容易になし得たことである。　 
 　 　 　                                                           
（３）効果  
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２から予測し得る範囲内のものである。  
   　　　                      
３　まとめ  
　本願発明は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。　 　  
              　　　
　なお、請求人は、平成２７年６月１５日提出の意見書において、活性層のインジウム量ａをクラッド層のインジウム量ｙよりも大きくした「代替請求項案」を提示しているが、当該「代替請求項案」の根拠とする【００３１】ないし【００３６】には、具体的な元素組成比で特定した「発光層」及び「クラッド層」が、それぞれ、例示的に記載されているだけで、本願明細書又は図面には、両者の大小関係を「代替請求項案」のように一般化して認識できるような記載はない。
　よって、代替請求項案を採用することはできない。　　
　　　　
第５　むすび 　 　  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　　 　 
    
　よって、結論のとおり審決する。