【事件の表示】
　特願２０１３−５４１１９１「トレイデバイスおよび結晶膜成長装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月　７日国際公開，ＷＯ２０１２／０７１９２９，平成２６年　１月　９日国内公表，特表２０１４−５００６２６，請求項の数（２６）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，２０１１年（平成２３年）９月２０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１０年１２月１日，２０１１年３月１１日，中国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。 
　平成２５年　７月１７日　審査請求・特許法１８４条の４第１項の規定による翻訳文提出
　平成２５年　７月２４日　手続補正書
　平成２５年　８月２１日　手続補正書
　平成２５年１０月２１日　手続補正指令書
　平成２５年１１月１４日　上申書
　平成２６年　５月　８日　拒絶理由通知
　平成２６年　８月１１日　期間延長請求書
　平成２６年　９月１１日　意見書・手続補正書　　
　平成２６年１０月　８日　拒絶査定
　平成２７年　２月　２日　審判請求・手続補正書
　平成２８年　７月　８日　補正の却下の決定
（平成２７年２月２日付け手続補正書でした補正を却下する。）
　平成２８年　７月　８日　拒絶理由通知
　平成２８年１０月１１日　意見書・手続補正書
　
　
第２　本願発明について
　
　平成２８年１０月１１日付け手続補正書による補正は，補正前の特許請求の範囲の請求項１の末尾における「を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。」との記載を，「を特徴とするトレイデバイス。」に補正するもので，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるから，上記手続補正書による補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する，適法なものと認める。
　そうすると，本願に係る発明は，上記手続補正書により補正された，特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載の以下のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　処理される基板を保持するように構成されるトレイデバイスであって，
　縦方向に積重ねられた複数のトレイを含み，前記各トレイはリング状構造であり，このリング状構造の本体部分上に処理予定の複数の基板を配置可能であり，２つの隣接するトレイ間に一定の距離が存在し，
　前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凸部分が，最下の層のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分が，その背面上に前記第１の凸部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，および，
　前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凹部分が，前記最下のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凹部分に嵌合する第２の凸部分が，その背面上に前記第１の凹部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，または，これらのいずれかが行われ，
　前記隣接するトレイは，前記第１の凸部分と前記第２の凹部分との間の嵌合および前記第２の凸部分と前記第１の凹部分との間の嵌合またはこれらのいずれかによって，該隣接するトレイ間に一定の距離がある状態で重ねられること
　を特徴とするトレイデバイス。
　　【請求項２】
　前記トレイの数が少なくとも４であるとき，最上の層のトレイおよび前記最下の層のトレイは，基板を保持しないアクセサリトレイとして働くこと
　を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。
　　【請求項３】
　前記トレイの材料は，グラファイト，モリブデン，又はモリブデン合金を含むこと
　を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。
　　【請求項４】
　前記トレイは，グラファイトから作られ，
　前記トレイの表面は，ＳｉＣでコーティングされること
　を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。
　　【請求項５】
　保持され得る基板の材料は，サファイア，Ｇｅ，ＧａＡｓ，ＧａＮ，ＳｉＣ，ＺｎＯまたはＳｉを含むこと
　を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。
　　【請求項６】
　同期回転運動または独立回転運動を行うように各トレイを駆動するための回転機構をさらに含むこと
　を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。
　　【請求項７】
　プロセスチャンバー，プロセスガス送出システムおよび排気システムを含む結晶膜成長装置であって，請求項１〜６のいずれかに記載のトレイデバイスが，プロセス中に基板を保持するために前記プロセスチャンバー内に配置されること
　を特徴とする結晶膜成長装置。
　　【請求項８】
　前記プロセスガス送出システムは，前記プロセスチャンバーの縁部分に配置され，
　前記プロセスガス送出システムは，プロセスガス入口およびプロセスガス出口を含み，
　前記プロセスガス入口は，前記プロセスチャンバーの外側から前記プロセスガス送出システム内に前記プロセスガスを導入し，前記プロセスガス送出システム内の前記プロセスガスは，前記プロセスガス出口を介して前記プロセスチャンバーに入り，前記トレイデバイスによって保持される各基板に達すること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項９】
　前記トレイはリング状であり，
　前記プロセスガス送出システムは，前記トレイが積重ねられる方向に沿って前記積重ねられたトレイの中空部分を通して貫通し，
　前記プロセスガス送出システムは，プロセスガス入口およびプロセスガス出口を含み，
　前記プロセスガス入口は，前記プロセスチャンバーの外側から前記プロセスガス送出システム内に前記プロセスガスを導入し，
　前記プロセスガス送出システム内の前記プロセスガスは，前記プロセスガス出口を介して前記プロセスチャンバーに入り，前記トレイデバイスによって保持される各基板に達すること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１０】
　各トレイに対応するプロセスガス出口が，前記プロセスガスが各トレイに直接出力されるように，前記プロセスガス送出システム上に配置されること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１１】
　前記プロセスガスを冷却するための水冷チューブが，同様に前記プロセスガス送出システム内に配置されること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１２】
　前記プロセスガス送出システム内に，プロセスガス補充（compensating）通路が，前記プロセスガスの輸送を補助するために更に配置されること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１３】
　前記プロセスガス送出システム内に，ガス誘導デバイスおよび複数のプロセスガス送出チューブが配置され，
　前記ガス誘導デバイスは，複数のフィンを含み，
　前記複数のフィンは，前記トレイが積重ねられる方向に沿って上から下へ順次配置されること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１４】
　前記プロセスガス送出チューブが通過するために使用される貫通穴が，前記フィン上に配置され，
　各プロセスガス送出チューブについて，前記プロセスガス送出チューブが通過するために使用される貫通穴は，前記出口の下の前記フィン上のみに配置され，
　前記複数のプロセスガス送出チューブは，各貫通穴を通過して，前記トレイが積重ねられる方向に沿って延在し，
　各プロセスガス送出チューブから流出する前記プロセスガスは，前記出口の上のフィンに衝突して，流れる方向が変化し，最終的に，対応する前記トレイの表面に達すること
　を特徴とする請求項１３に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１５】
　前記フィンの数と前記トレイの数とが同じであること
　を特徴とする請求項１３に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１６】
　冷却手段が，前記プロセスガス送出システム内に配置され，
　前記冷却手段は，水冷アウターチューブおよび該水冷アウターチューブの内部に配置された水冷インナーチューブを含み，
　冷却流体が，前記水冷インナーチューブを介して前記冷却手段に入り，前記水冷アウターチューブ上に設けられた出口を介して放出されること
　を特徴とする請求項１３に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１７】
　前記複数のフィンは，前記水冷アウターチューブの外壁上に配置されること
　を特徴とする請求項１６に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１８】
　パージガスで前記プロセスチャンバーを清浄化するためのパージガス入口をさらに含むこと
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項１９】
　雰囲気を遮断するためにチャンバー内壁およびチャンバー外壁をさらに含み，
　前記チャンバー内壁は，前記プロセスチャンバーおよび前記チャンバー外壁によって囲まれたキャビティ部分を形成するように周囲を囲み，
　前記チャンバー内壁は，パージガス通路を形成すること
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項２０】
　誘導加熱器をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項２１】
　前記プロセスガス送出システムおよび前記誘導加熱器またはこれらのいずれかに対して回転するように前記トレイデバイスを駆動するための回転機構をさらに含むこと
　を特徴とする請求項２０に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項２２】
　前記回転機構は，前記トレイデバイスに接続され，前記回転機構の回転軸の周りに回転するよう前記トレイデバイスを駆動して，各トレイ上の異なる位置の温度および／または空気流を均一にすること，
　前記回転機構は，前記プロセスガス送出システムに接続され，前記回転機構の回転軸の周りに回転するよう前記プロセスガス送出システムを駆動して，各トレイ上の異なる位置の温度および空気流またはこれらのいずれかを均一にすること，および
　前記回転機構は，前記誘導加熱器に接続され，前記回転機構の回転軸の周りに回転するよう前記誘導加熱器を駆動して，各トレイ上の異なる位置の温度および空気流またはこれらのいずれかを均一にすること，
　またはこれらの少なくとも１つを行うこと
　を特徴とする請求項２１に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項２３】
　前記排気システムは，
　１ｍ／ｓ以上でかつ３０ｍ／ｓ以下の速度で前記プロセスチャンバーからガスを圧送するためのポンピング機構を含むこと
　を特徴とする請求項７に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項２４】
　前記プロセスチャンバーと前記排気システムとの間に配置され，幾つかの貫通穴を介して前記プロセスチャンバーに連通するフィルターチャンバーをさらに含むこと
　を特徴とする請求項７に記載結晶膜成長装置。
　　【請求項２５】
　前記フィルターチャンバーは，
　複数の積重ねられたフィルターベースプレートを含み，
　各フィルターベースプレートは，多孔質材料で作られ，該フィルターベースプレート上に，複数の貫通穴が設けられること
を特徴とする請求項２４に記載の結晶膜成長装置。
　　【請求項２６】
　前記フィルターベースプレートは，グラファイトで作られ，
　前記フィルターベースプレートの表面は，ＳｉＣでコーティングされ，
　隣接するフィルターベースプレート上の貫通穴は，互いに変位すること
を特徴とする請求項２５に記載の結晶膜成長装置。」
　
　
第３　拒絶査定について
　
１　拒絶査定の概要
　平成２６年１０月１０日付けでした拒絶査定の概要は，以下のとおりである。
［拒絶査定の概要］
　この出願については，平成２６年５月８日付け拒絶理由通知書に記載した，下記の理由によって，拒絶をすべきものである。
　理由
　・この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　・この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
　本願の請求項１に係る発明の発明特定事項と引用文献１に記載された発明の発明特定事項との間に差異はなく，そうでないとしても，請求項１に係る発明は，引用文献２記載の発明に，引用文献１記載の発明を適用することにより，又は引用文献１記載の発明に，引用文献２記載の発明を適用することにより，当業者が容易に想到し得たものである。
　そして，本願の請求項２ないし１６，１８，及び２０ないし２６の各請求項に係る発明は，引用文献１記載の発明と同一であるか，又は引用文献１ないし６に基づいて，当業者が容易に想到し得たものである。
　
引用文献等一覧
　引用文献１　特開２００３−１１３４７３号公報
　引用文献２　特開平８−３３０３９７号公報
　引用文献３　特開平９−３３０８８４号公報
　引用文献４　実願平３−０７４５８４号（実開平５−０１９３５２号）のＣＤ−ＲＯＭ
　引用文献５　米国特許第４４２１７８６号明細書
　引用文献６　特開２０００−２０８４２５号公報
　
２　引用文献の記載と引用発明
（１）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１について
　本願の優先権主張の日（以下「本願優先日」という。）前に国内において頒布された刊行物である，特開２００３−１１３４７３号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。）
（ア）「【００１０】
【発明の実施の形態】図１乃至２を参照するに，本発明の実施態様にしたがうＣＶＤコーティング装置は，高温のＣＶＤコーティング温度で蒸留器１２を加熱するために使用される，概略的に示された耐火物が並べられた加熱炉１４に配置するように適合されたリアクター若しくは蒸留器１２を含む。炉１４は電気抵抗であるか，若しくは別の既知型の炉である。
コーティングされる金属基板ＳＢは，蒸留器１２に位置しているコーティングリアクターチャンバー２０に配置され，加熱された蒸留器の壁からの照射によって加熱される
・・・
【００１２】蒸留器蓋１６は，反応的なコーティングするガスが下記に記載されるリアクター２０の軸ガスの予熱及び分配導管１８に供給される中央のコーティングガス入り口導管２２を含んでいる。導管１８は内部軸ガス予熱導管５２を含んでいる。コーティングリアクターチャンバー２０は，蒸留器の異なる軸の高さで，コーティングガス予熱及び分配パイプ若しくは導管１８に関して配置されている，複数の個別の環状コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃ（図２）を含む。図２を参照するに，
コーティングされる基板ＳＢはコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃのトレイ２８に配置されている
（イ）「【００３０】コーティングガスの流れＳＴが一旦所望の反応若しくはコーティング温度に到達すると，
本発明の実施態様は，コーティングチャンバー２０のコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃ内に予熱されたコーティングガスの流れのより一定の分配を提供する改良型コーティング分配システムを提供する
【００３１】特に，予熱及び分配導管１８は，パイプ若しくは導管１８に関するはっきりした
環状のコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃをその間に確定する環状の基板サポートトレイ２８
【００３２】導管５２はまた，導管５２の長さに沿ってコーティングガスを排出するためのより低い主要なコーティングガス排出開口部５２ａ上に一つ以上のブリード開口部（ｂｌｅｅｄ  ｏｐｅｎｉｎｇｓ）５２ｂを含む。例えば，一つのブリード開口部５２ｂはコーティング帯域２４ｂに位置し，一つのブリード開口部５２ｂはコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃ内にコーティングガスの一般的に等しい流れを提供することを支援するためにコーティング帯域２４ｃに位置している。一つのブリード開口部５２ｂが各コーティング帯域２４ｂ，２４ｃの上部領域の各コーティング帯域２４ｂ及び２４ｃに示されているが，一つ以上のブリード開口部はコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃ内のコーティングガスの流れを一般的に一定にするために必要とされるようにコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃでの同一若しくは異なる位置にて提供できる。ブリード開口部５２ｂから排出されるコーティングガスは導管１８で上方に向かって流れる。０．１２５インチの直径を各々有するブリード開口部５２ｂは，ここに記載された大きさを有する導管１８，５２との使用において提供できる。
【００３３】
環状トレイ２８は，直立のスペーサー環状内部壁６４によって近隣のトレイの内部周囲及び直立の外部の穿孔された隔壁６６によって近隣のトレイの外部周囲で軸方法に離れて間隔が置かれる。
トレイ２８，スペーサー壁６４，及び隔壁６６は互いに上部に積層されて，パイプ若しくは導管１８の一番低い側面のフランジ１８ａに支持される。それによって，ガス分配パイプ若しくは導管１８，トレイ２８，スペーサー壁６４及び隔壁６６は，コーティングチャンバー２０の中央の縦軸に関して対称的に固定される位置で配置される
【００３４】スペーサー壁６４は，パイプ若しくは導管１８及び壁６４との間の各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃで環状ガスマニホールド６８を形成する。各スペーサー壁６４は，そのコーティング帯域でパイプ若しくは導管１８のガス排出開口部６２に反するか若しくは面している。
各スペーサー壁６４は，パイプ若しくは導管１８の開口部６２の高さと等しい距離の上下で位置している周辺に分かれて間隔が置かれたガスの流れの開口部６５の第一及び第二セットを含む。それによって，各スペーサー壁６４は，各コーティング帯域にガス排出開口部６２からガスの流れの開口部６５までの視線ガス流れ経路（ｌｉｎｅ−ｏｆ−ｓｉｇｈｔ  ｇａｓ  ｆｌｏｗ  ｐａｔｈ）が存在しないような各コーティング帯域でのガス排出開口部６２を備えた配列が欠乏している複数のガスの流れの開口部６５を備えて提供される
【００３５】制限するためではなく例証する目的において，０．２５インチの直径を有する４８のガスの流れの開口部６５は，導管１８が前述に記載の数と直径を含む場合に各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃにおいて各壁６４に提供できる。開口部６５のセットの中間にガス分配パイプ若しくは導管１８の開口部６２を位置することはガスジェットが各コーティング帯域を直接横切って流れることを防ぐ。さらに，各コーティング帯域での壁６４の内部のコーティングガスオフ（ｃｏａｔｉｎｇ  ｇａｓ  ｏｆｆ）の偏向は，各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃの周囲に関するより一定のガスの流れを生成する。
【００３６】
前述のガス分配システムは
コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃに一定で反復可能なガスの流れを提供する
【００３７】一旦コーティングガスの流れＳＴが各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃでのトレイ２８の基板ＳＢ上を流れて，
本発明のさらなる実施態様は，コーティング帯域でコーティングガスのより一定の流れのパターンを提供するように各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃへの入り口のコーティングガスの流れと各コーティングガスからの排出のガスの流れとの間のより少ない相互作用を提供するために改良型の費やされたガス排出システムを提供する
【００３８】特に，
穿孔された管状の隔壁６６は，図１乃至２に示されるようにトレイ２８間でその周囲に提供される
管状の隔壁６６は，ＩＮ−６００ニッケル基剤超合金を含み，コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃからの排出ガスが排出される排出開口部６６ａのパターンを含む
各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃの内部から外部の周囲により一定なガスの流れを提供し
（ウ）図２には，コーティングチャンバー２０において，
開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４によって近隣のトレイの内部周囲，及び排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６によって近隣のトレイの外部周囲で，軸方法に離れて間隔が置かれ，上部に積層された複数の環状トレイ２８それぞれに，複数のコーティングされる金属基板ＳＢが配置されていること
　イ　引用発明１
　上記アより，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「コーティングされる金属基板ＳＢが配置される基板サポートトレイ２８であって，
　基板サポートトレイ２８，スペーサー壁６４，及び隔壁６６は互いに上部に積層されて，パイプ若しくは導管１８の一番低い側面のフランジ１８ａに支持され，基板サポートトレイ２８は，開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４によって近隣のトレイの内部周囲，及び排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６によって近隣のトレイの外部周囲で，軸方法に離れて間隔が置かれ，基板サポートトレイ２８は環状であり，上部に積層された複数の基板サポートトレイ２８それぞれに，複数のコーティングされる金属基板ＳＢが配置されている，基板サポートトレイ２８。」
　
（２）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２について
　本願優先日前に国内において頒布された刊行物である，特開平８−３３０３９７号公報（以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，
半導体を製造するための各種の熱処理工程において用いられる熱処理用基板保持具
半導体ウエハの熱処理による応力集中を軽減させ，かつ，半導体ウエハの自重によるスリップの発生を防止する
に関する
・・・
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述したように，
従来の熱処理用基板保持具では，ウエハの自重がウエハ周縁部の特定の箇所にだけ集中するため，この応力集中がスリップ発生の原因やウエハの変形の原因になるという問題があった
・・・
【００１３】本発明は，かかる従来の問題を解消すべくなされたもので，その，主たる目的は，作業性を損なうことなく，
スリップ発生や変形の原因となる基板の縁部へ均等に応力が加わるようにした熱処理用基板保持具を提供することを目的とする
（イ）「【実施例】以下，本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】図１は，本発明の一実施例のタイプのボートユニットを示す斜視図，図２はその組み立てられた状態を示す正面図である。
【００４０】図１において，
ボートユニット１は全体として環状をなしており，その外周縁１ａは載置すべきウエハ２（鎖線で示す）の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂはウエハ２の外径よりも小径とされている。また，外周縁１ａ寄りには透孔３が穿設されており，ウエハ２は透孔３がオリエンテーションフラット２ａの中央に位置するように載置される
【００４１】ボートユニット１の下面には外周縁１ａに沿って等間隔で支持脚４が突設されている。
ボートユニット１の外径および支持脚４の厚さは，ウエハ２を同心的に載置して他のボートユニット１をその上に同心的かつ透孔３の位置が一致するように積み重ねたとき，上のボートユニット１の支持脚４が下のボートユニット１のウエハを囲んでその外側に位置するように設定されている
【００４２】図２は，このようにして８個のボートユニット１のそれぞれにウエハ２を載置して積み重ねた後，透孔３に係止ピン５を挿通して各ボートユニット１を固定した状態を示している。このように組み立てられた熱処理用基板保持具は，縦型熱処理炉などに装入されて熱処理される。
【００４３】図３は，本発明の他の実施例のボートユニットを示す斜視図，図４はその組み立て状態における支持脚の部分を拡大して示す断面図である。
【００４４】この実施例は，図１，２における透孔３と係止ピン５による固定手段の代わりに，
ボートユニットの支持脚４の下面に係合ボス５
を突設しする一方，その上面にこの係合ボス４ａが嵌合可能な大きさの凹部６を形成した点を除いて，図１，２のボートユニット１と同一構成である
【００４５】この実施例では，図４に示すように，
各ボートユニット１の基板載置部に半導体ウエハ２を載置し，一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして複数積み重ねて用いられる
【００４６】また，図３，４の実施例では，支持脚４の下面に係合ボス４ａを突設させ，この係合ボス４ａを凹部６に嵌合させているが，図５に示すように，係合ボス４ａを設けずに，上面に支持脚４が嵌合する凹部６を形成して，他のボートユニットの支持脚４をこの凹部６に嵌合させて固定するようにしてもよい。」
（ウ）「【００６９】
【発明の効果】
本発明の熱処理用基板保持具では，基板の自重が周縁部の全体に均一に加わるので応力集中によるスリップの発生やウエハの変形が防止される
（エ）図３及び４には，
一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして積み重ねられたボートユニット１間に，一定の距離が存在すること
　イ　引用発明２
　上記アより，引用文献２には，次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体を製造するための各種の熱処理工程において熱処理される半導体ウエハ２を載置するボートユニット１であって，
　各ボートユニット１の基板載置部に半導体ウエハ２を載置し，複数積み重ねて用いられ，
各ボートユニット１は，全体として環状をなしており，その外周縁１ａは載置すべき半導体ウエハ２の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂは半導体ウエハ２の外径よりも小径とされ，また，外周縁１ａ寄りには透孔３が穿設されており，半導体ウエハ２は透孔３がオリエンテーションフラット２ａの中央に位置するように載置され，積み重ねられたボートユニット１間に一定の距離が存在し，
　ボートユニット１の支持脚４の下面に係合ボス４ａを突設する一方，その上面にこの係合ボス４ａが嵌合可能な大きさの凹部６を形成し，一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして複数積み重ねて用いられ，
　一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして積み重ねられたボートユニット１間に，一定の距離が存在する，ボートユニット１。」
　
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　ア　引用文献３について
　本願優先日前に国内において頒布された刊行物である，特開平９−３３０８８４号公報（以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００２１】基板保持治具３０は，炭化ケイ素（ＳｉＣ）で表面が被覆された導電性材料（具体的には，グラファイト）から作製されている。
基板保持治具３０は，基板３２を垂直方向（エピタキシャル成長室の垂直方向の軸線に平行な方向）に複数枚保持し，しかも，各基板３２を水平に保持する
【００２２】以上に説明した構造を有するエピタキシャル成長装置において，
基板保持治具３０に複数の基板３２（具体的には，シリコン半導体基板）上に，シリコン単結晶薄膜から成るエピタキシャル層を形成する場合を例にとり，以下，エピタキシャル成長装置の操作を説明する
【００２３】先ず，複数の基板３２を載置した基板保持治具３０をエピタキシャル成長室１０の下方に搬入し，基板保持治具３０をリフター（図示せず）の上に乗せる。そして，リフターを上昇させて，基板保持治具３０をエピタキシャル成長室１０の内室１２内に収納する。そして，高周波コイルから成る誘導加熱装置２６に高周波電力を印加することによって基板保持治具３０に誘導電流を生ぜしめることにより，基板３２を例えば１０００゜Ｃに加熱する。これによって，基板３２上にエピタキシャル層を成長させることが可能になる。・・・」
（イ）図１及び２には，エピタキシャル成長室１０において，
複数の基板保持治具３０が縦方向に積重ねられ，２つの隣接する基板保持治具３０間に一定の距離が存在すること
　イ　引用発明３
　上記アより，引用文献３には，次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　「シリコン単結晶薄膜から成るエピタキシャル層が形成される基板を保持するように構成される基板保持治具３０であって，
　複数の基板保持治具３０が縦方向に積重ねられ，２つの隣接する基板保持治具３０間に一定の距離が存在する，基板保持治具３０。」
　
（４）引用文献４の記載と引用発明４
　ア　引用文献４について
　本願優先日前に国内において頒布された刊行物である，実願平３−０７４５８４号（実開平５−０１９３５２号）のＣＤ−ＲＯＭ（以下「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００７】
    【実施例】
　図１は本考案の一実施例の構成を示す。図において１，２，３，６，９は図３の同一符号と同一または相当するものを示し，５は複数の基板台３を取付けたガス放出管，８はガス放出管５内に反応ガスを導入するためのガス導入管である。
　　【０００８】
  図１の左右の両方向からマイクロ波を投入できる空胴共振器のアプリケータ１内に
真空気密構造にされたベルジャー２が設置され，ベルジャー２内に複数の基板台３をガス導入管５に取付けて設置され
基板台３が回転軸４の回転とともに回転する構造になっている
　　【０００９】
  ベルジャー２内を１０−５Ｔｏｒｒ程度に排気した後，ベルジャー２の反応ガス供給口から反応ガスをガス導入管８を経てガス放出管５の穴１０からベルジャー２内に供給し，管内圧力を１０〜４０Ｔｏｒｒ程度に調整する。そして，各基板台を４〜２０r.p.m.程度の回転速度で回転させながら，アプリケータ１内に左右の両方向からマイクロ波を導入し，
ベルジャー２内の反応ガスのプラズマを発生させ，基板台３に載置した複数の基板９の表面に物質を析出させる
（イ）図１には，ベルジャー２において，
複数の基板台３が縦方向に積重ねられ，２つの隣接する基板台３間に一定の距離が存在すること
　イ　引用発明４
　上記アより，引用文献４には，次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
　「ベルジャー２内に発生させた反応ガスのプラズマにより，表面に物質を析出させる基板を載置する基板台３であって，
　複数の基板台３が縦方向に積重ねられ，基板台３に複数の基板９が載置され，２つの隣接する基板台３間に一定の距離が存在する，基板台３。」
　
（５）引用文献５の記載と引用発明５
　ア　引用文献５について
　本願優先日前に米国内において頒布された刊行物である，米国特許第４４２１７８６号明細書（以下「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．訳は当審で作成した。）
（ア）「
A plurality of planar, circular wafer holders 44--44, each having a substantially annular shaped
are fixedly mounted in spaced, parallel, relation on the support member 43 and radially extend therefrom
（訳：それぞれが，外周面に温度依存性抵抗ヒータ４５を有し，
実質的に円環形状に形成された，複数の平らな円形ウェハ装着部４４−４４は，支持部材４３に対し，離間して平行に固定的に取り付けられ，半径方向に延在している
（イ）「
In operation, a plurality of silicon wafers 13--13 are placed on the electrical resistance heaters 45--45 associated with each of holders 44--44
The gas, upon coming in contact with the heated wafers 13--13, reacts to deposit a doped silicon layer thereon
（訳：
動作について説明すると，ホルダ４４−４４それぞれに，関連する電気抵抗ヒータ４５−４５上に載置されたシリコンウェハ１３−１３が設けられている
ガスは，加熱されたウェハ１３−１３に当接すると，反応してドープされたシリコン層を堆積させる
（ウ）図１には，
複数のウェハ装着部４４が縦方向に積重ねられ，ウェハ装着部４４それぞれに複数のウェハ１３が配置され，２つの隣接するウェハ装着部４４間に一定の距離が存在すること
　イ　引用発明５
　上記アより，引用文献５には，次の発明（以下「引用発明５」という。）が記載されていると認められる。
　「ドープされたシリコン層が堆積されるシリコンウェハ１３を保持するように構成されるウェハ装着部４４であって，
　複数のウェハ装着部４４が縦方向に積重ねられ，各ウェハ装着部４４は実質的に円環形状に形成され，複数のシリコンウェハ１３が配置され，２つの隣接するウェハ装着部４４間に一定の距離が存在する，ウェハ装着部４４。」
　
（６）引用文献６の記載と引用発明６
　ア　引用文献６について
　本願優先日前に国内において頒布された刊行物である，特開２０００−２０８４２５号公報（以下「引用文献６」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　「【００２５】
【実施例】図２は本発明法を実施する装置の一実施例を示し，
この装置は基本的には加熱炉１とウェーハ昇降機構３０から構成される
【００２６】
ウェーハ昇降機構３０は，
回転軸体３２に，ウェーハ５を上下に隔てて配列する石英ボート１８を棚状に配列したもの
　イ　引用発明６
　上記アより，引用文献６には，次の発明（以下「引用発明６」という。）が記載されていると認められる。
　「加熱炉１とともに用いられるウェーハ昇降機構３０において，加熱されるウェーハ５を保持する石英ボート１８であって，
　回転軸体３２に棚状に配列され，ウェーハ５を上下に隔てて配列する石英ボート１８。」
　
３　本願発明の新規性及び進歩性についての判断
（１）本願請求項１に係る発明と引用発明との対比・判断
　ア　本願請求項１に係る発明と引用発明１との対比・判断
（ア）対比
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」）の構成は，前記第２で認定したとおりであり，以下，本願発明と引用発明１とを対比する。
　ａ　引用発明１における「コーティングされる金属基板ＳＢ」及び「配置される」は，本願発明の「処理される基板」及び「保持するように構成される」に相当すると認められ，引用発明１における「基板サポートトレイ２８」は，後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「トレイデバイス」に相当するといえる。
　そうすると，引用発明１は，後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「処理される基板を保持するように構成されるトレイデバイス」に相当する構成を備えるといえる。
　ｂ　引用発明１における「基板サポートトレイ２８，スペーサー壁６４，及び隔壁６６は互いに上部に積層されて，パイプ若しくは導管１８の一番低い側面のフランジ１８ａに支持され，基板サポートトレイ２８は，開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４によって近隣のトレイの内部周囲，及び排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６によって近隣のトレイの外部周囲で，軸方法に離れて間隔が置かれ」ることは，後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「縦方向に積重ねられた複数のトレイを含み」，「２つの隣接するトレイ間に一定の距離が存在」することに相当するといえる。
　そして，引用発明１における「基板サポートトレイ２８は環状であ」ること，及び「上部に積層された複数の基板サポートトレイ２８それぞれに，複数のコーティングされる金属基板ＳＢが配置されている」ことは，後述する相違点に係る構成を除き，それぞれ，本願発明の「前記各トレイはリング状構造であ」ること，及び「このリング状構造の本体部分上に処理予定の複数の基板を配置可能であ」ることに，相当するといえる。
　ｃ　そうすると，本願発明と引用発明１との一致点及び相違点は，下記のとおりであると認められる。
　・一致点
「処理される基板を保持するように構成されるトレイデバイスであって，
　縦方向に積重ねられた複数のトレイを含み，前記各トレイはリング状構造であり，このリング状構造の本体部分上に処理予定の複数の基板を配置可能であり，２つの隣接するトレイ間に一定の距離が存在する，トレイデバイス。」
　・相違点
　本願発明の「トレイデバイス」は，「前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凸部分が，最下の層のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分が，その背面上に前記第１の凸部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，および，前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凹部分が，前記最下のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凹部分に嵌合する第２の凸部分が，その背面上に前記第１の凹部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，または，これらのいずれかが行われ，前記隣接するトレイは，前記第１の凸部分と前記第２の凹部分との間の嵌合および前記第２の凸部分と前記第１の凹部分との間の嵌合またはこれらのいずれかによって，該隣接するトレイ間に一定の距離がある状態で重ねられること」との構成を備えるのに対し，引用発明１における「基板サポートトレイ２８」は，上記の構成を備えていない点。
（イ）新規性及び進歩性の判断
　ａ　新規性について
　上記（ア）ｃのとおり，本願発明と引用発明１との間には相違点があると認められるから，本願発明は，引用発明１と同一であるとはいえない。
　ｂ　進歩性について
　上記２（２）イのとおり，引用文献２には，「半導体を製造するための各種の熱処理工程において熱処理される半導体ウエハ２を載置するボートユニット１であって，各ボートユニット１の基板載置部に半導体ウエハ２を載置し，複数積み重ねて用いられ，各ボートユニット１は，全体として環状をなしており，その外周縁１ａは載置すべき半導体ウエハ２の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂは半導体ウエハ２の外径よりも小径とされ，また，外周縁１ａ寄りには透孔３が穿設されており，半導体ウエハ２は透孔３がオリエンテーションフラット２ａの中央に位置するように載置され，積み重ねられたボートユニット１間に一定の距離が存在し，ボートユニット１の支持脚４の下面に係合ボス５を突設する一方，その上面にこの係合ボス４ａが嵌合可能な大きさの凹部６を形成し，一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして複数積み重ねて用いられ，一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして積み重ねられたボートユニット１間に，一定の距離が存在する，ボートユニット１。」（引用発明２）が記載されていると認められる。
　他方，上記２（１）ア（イ）より，引用発明１は，「コーティングチャンバー２０のコーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃ内に予熱されたコーティングガスの流れのより一定の分配を提供する改良型コーティング分配システムを提供」し（【００３０】），また，「コーティング帯域でコーティングガスのより一定の流れのパターンを提供するように各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃへの入り口のコーティングガスの流れと各コーティングガスからの排出のガスの流れとの間のより少ない相互作用を提供する」（【００３７】）ためのもので，「開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４」により，「コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃに一定で反復可能なガスの流れを提供」し，また，「排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６」により，「各コーティング帯域２４ａ，２４ｂ，２４ｃの内部から外部の周囲により一定なガスの流れを提供」するようにしたと認められる。
　してみれば，引用発明１は，「基板サポートトレイ２８，スペーサー壁６４，及び隔壁６６は互いに上部に積層されて，パイプ若しくは導管１８の一番低い側面のフランジ１８ａに支持され，基板サポートトレイ２８は，開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４によって近隣のトレイの内部周囲，及び排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６によって近隣のトレイの外部周囲で，軸方法に離れて間隔が置かれ」るとの構成を備えることで，引用文献１に記載の目的を達成するものと認められるところ，引用発明１に，引用発明２の「ボートユニット１の支持脚４の下面に係合ボス５を突設する一方，その上面にこの係合ボス４ａが嵌合可能な大きさの凹部６を形成し，一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして複数積み重ねて用いられ」るとの構成を適用すると，「開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４」及び「排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６」は用いられないこととなり，引用発明１の目的の達成は妨げられるから，引用発明１に引用発明２を適用することには，阻害要因があるといわざるを得ない。
　そうすると，相違点１に係る構成は，引用発明１において，引用発明２に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　そして，同様の理由により，相違点１に係る構成は，引用発明１において，引用発明３ないし６に基づいて，当業者が容易に想到し得たものともいえない。
（ウ）小括
　以上から，本願発明は，引用文献１記載の発明であるとはいえず，また，引用文献１記載の発明において，引用文献２ないし６にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものともいえない。
　
　イ　本願請求項１に係る発明と引用発明２との対比・判断
（ア）対比
　ａ　引用発明２における「半導体を製造するための各種の熱処理工程において熱処理される半導体ウエハ２」及び「載置する」は，本願発明の「処理される基板」及び「保持するように構成される」に相当すると認められ，引用発明１における「ボートユニット１」は，後述する相違点１に係る構成を除き，本願発明の「トレイデバイス」に相当するといえる。
　そうすると，引用発明２は，後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「処理される基板を保持するように構成されるトレイデバイス」に相当する構成を備えるといえる。
　ｂ　引用発明２における「各ボートユニット１の基板載置部に半導体ウエハ２を載置し，複数積み重ねて用いられ」ること，及び「各ボートユニット１は，全体として環状をなして」いることは，後述する相違点１に係る構成を除き，それぞれ，本願発明の「縦方向に積重ねられた複数のトレイを含」むこと，及び「前記各トレイはリング状構造であ」ることに相当するといえる。
　そして，本願発明の「このリング状構造の本体部分上に処理予定の複数の基板を配置可能であ」ることと，引用発明２における「その外周縁１ａは載置すべき半導体ウエハ２の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂは半導体ウエハ２の外径よりも小径とされ」ることとは，「このリング状構造の本体部分上に処理予定の」「基板を配置可能であ」る点で共通するといえる。
　また，引用発明２における「積み重ねられたボートユニット１間に一定の距離が存在」することは，後述する相違点に係る構成を除き，本願発明の「２つの隣接するトレイ間に一定の距離が存在」することに相当するといえる。
　そうすると，本願発明と引用発明２とは，「縦方向に積重ねられた複数のトレイを含み，前記各トレイはリング状構造であり，このリング状構造の本体部分上に処理予定の」「基板を配置可能であり，２つの隣接するトレイ間に一定の距離が存在し，」との点で共通するといえる。
　ｃ　引用発明２における「係合ボス４ａ」及び「この係合ボス４ａが嵌合可能な大きさの凹部６」は，それぞれ，本願発明の「第１の凸部分」及び「前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分」に相当するといえる。
　そうすると，本願発明の「前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凸部分が，最下の層のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分が，その背面上に前記第１の凸部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること」「が行われ」ることと，引用発明における「ボートユニット１の支持脚４の下面に係合ボス５を突設する一方，その上面にこの係合ボス４ａが嵌合可能な大きさの凹部６を形成し，一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして複数積み重ねて用いられ」ることとは，後述する相違点１に係る構成を除き，「前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凸部分が」，「前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分が，その背面上に前記第１の凸部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること」「が行われ」る点で共通するといえる。
　そして，引用発明２における「一つのボートユニット１の凹部６に他のボートユニット１の係合ボス４ａを係合させるようにして積み重ねられたボートユニット１間に，一定の距離が存在する」ことは，後述する相違点１に係る構成を除き，本願発明の「前記隣接するトレイは，前記第１の凸部分と前記第２の凹部分との間の嵌合」「によって，該隣接するトレイ間に一定の距離がある状態で重ねられること」に相当するといえる。
　以上から，本願発明と引用発明２とは，後述する相違点１に係る構成を除き，「前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凸部分が」，「前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分が，その背面上に前記第１の凸部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，および，前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凹部分が，前記最下のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凹部分に嵌合する第２の凸部分が，その背面上に前記第１の凹部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，または，これらのいずれかが行われ，前記隣接するトレイは，前記第１の凸部分と前記第２の凹部分との間の嵌合および前記第２の凸部分と前記第１の凹部分との間の嵌合またはこれらのいずれかによって，該隣接するトレイ間に一定の距離がある状態で重ねられること」との構成を備えている点で共通すると認められる。
　ｄ　上記ａないしｃより，本願発明と引用発明２との一致点及び相違点は，下記のとおりであると認められる。
（ａ）一致点
「処理される基板を保持するように構成されるトレイデバイスであって，
　縦方向に積重ねられた複数のトレイを含み，前記各トレイはリング状構造であり，このリング状構造の本体部分上に処理予定の基板を配置可能であり，２つの隣接するトレイ間に一定の距離が存在し，
　前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凸部分が，前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凸部分に嵌合する第２の凹部分が，その背面上に前記第１の凸部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，および，
　前記縦方向に積重ねられた前記複数のトレイの間で，第１の凹部分が，前記最下のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され，前記第１の凹部分に嵌合する第２の凸部分が，その背面上に前記第１の凹部分が配置される前記トレイに面するトレイの前面上に配置されること，または，これらのいずれかが行われ，
　前記隣接するトレイは，前記第１の凸部分と前記第２の凹部分との間の嵌合および前記第２の凸部分と前記第１の凹部分との間の嵌合またはこれらのいずれかによって，該隣接するトレイ間に一定の距離がある状態で重ねられる，トレイデバイス。」
（ｂ）相違点
　・相違点１
　本願発明は，各トレイのリング状構造の本体部分上に処理予定の複数の基板を配置可能であるとの構成を備えるのに対し，引用発明２の各「ボートユニット１」において，「その外周縁１ａは載置すべき半導体ウエハ２の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂは半導体ウエハ２の外径よりも小径とされ，また，外周縁１ａ寄りには透孔３が穿設されており，半導体ウエハ２は透孔３がオリエンテーションフラット２ａの中央に位置するように載置され」ており，各「ボートユニット１」は，「処理予定の複数の基板を配置可能」ではない点。
　・相違点２
　本願発明は，「第１の凸部分が，最下の層のトレイを除く前記トレイのそれぞれの背面上に配置され」ているのに対し，引用発明２における「係合ボス４ａ」は，最下の層の「ボートユニット１」を除いて配置されているものではない点。
（イ）進歩性の判断
　相違点１について検討する。
　上記（１）イのとおり，引用文献１には，　「コーティングされる金属基板ＳＢが配置される基板サポートトレイ２８であって，基板サポートトレイ２８，スペーサー壁６４，及び隔壁６６は互いに上部に積層されて，パイプ若しくは導管１８の一番低い側面のフランジ１８ａに支持され，基板サポートトレイ２８は，開口部６５を含む直立のスペーサー環状内部壁６４によって近隣のトレイの内部周囲，及び排出開口部６６ａを含む直立の外部の穿孔された隔壁６６によって近隣のトレイの外部周囲で，軸方法に離れて間隔が置かれ，基板サポートトレイ２８は環状であり，上部に積層された複数の基板サポートトレイ２８それぞれに，複数のコーティングされる金属基板ＳＢが配置されている，基板サポートトレイ２８。」（引用発明１）が記載されていると認められる。
　他方，上記（２）アより，引用発明２は，従来の熱処理用基板保持具では，ウエハの自重がウエハ周縁部の特定の箇所にだけ集中するため，この応力集中がスリップ発生の原因やウエハの変形の原因になるという問題があったので，作業性を損なうことなく，スリップ発生や変形の原因となる基板の縁部へ均等に応力が加わるようにした熱処理用基板保持具を提供することを目的とし（【０００９】，【００１３】），ボートユニット１は全体として環状をなしており，その外周縁１ａは載置すべきウエハ２の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂはウエハ２の外径よりも小径とされ，また，外周縁１ａ寄りには透孔３が穿設されており，ウエハ２は透孔３がオリエンテーションフラット２ａの中央に位置するように載置されたうえで，ボートユニット１の外径および支持脚４の厚さを，ウエハ２を同心的に載置して他のボートユニット１をその上に同心的かつ透孔３の位置が一致するように積み重ねたとき，上のボートユニット１の支持脚４が下のボートユニット１のウエハを囲んでその外側に位置するように設定すること（【００４０】，【００４１】）で，基板の自重が周縁部の全体に均一に加わるので応力集中によるスリップの発生やウエハの変形が防止される（【００６９】）との効果を奏するようにしたものと認められる。
　してみれば，引用発明２は，各「ボートユニット１」が１枚の「半導体ウエハ２」を載置することを前提とし，「その外周縁１ａは載置すべき半導体ウエハ２の外径よりも大径とされ，内周縁１ｂは半導体ウエハ２の外径よりも小径とされ，また，外周縁１ａ寄りには透孔３が穿設されており，半導体ウエハ２は透孔３がオリエンテーションフラット２ａの中央に位置するように載置され」るとの構成を備えることで，引用文献２に記載の従来技術の課題を解決し，所期の目的を達成すると認められるところ，引用発明２に，引用発明１の「基板サポートトレイ２８は環状であり，上部に積層された複数の基板サポートトレイ２８それぞれに，複数のコーティングされる金属基板ＳＢが配置されている」との構成を適用すると，引用発明２の目的の達成は妨げられ，引用発明１に引用発明２を適用することには，阻害要因があるといわざるを得ない。
　そうすると，相違点１に係る構成は，引用発明２において，引用発明１に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　そして，同様の理由により，相違点１に係る構成は，引用発明２において，引用発明３ないし６に基づいて，当業者が容易に想到し得たものともいえない。
（ウ）小括
　以上から，相違点２について検討するまでもなく，本願発明は，引用文献２記載の発明において，引用文献１，及び引用文献３ないし６にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　
４　まとめ
　したがって，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，拒絶査定の理由により，拒絶することはできない。
　また，本願の請求項１を引用する，本願の請求項２ないし２６の各請求項に係る発明も，拒絶査定の理由により，拒絶すべきものとすることはできない。
　
　
第４　当審で通知した拒絶理由について
　
１　当審で通知した拒絶理由の概要
　当審が平成２８年７月８日付けでした拒絶理由通知（以下「当審拒絶理由通知」という。）の概要は，以下のとおりである。
［当審拒絶理由通知の概要］
　平成２７年２月２日に提出された手続補正書による補正は却下されたので，本願の請求項１ないし２６に係る発明は，平成２６年９月１１日に提出された補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載された事項により特定されたとおりのものである。  
  
 理由１：この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
  
 　　　　　　　　　　　　　　記 
　
　請求項１には，「・・・特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。」との記載があるが，請求項１に係る発明は請求項１を引用しているので不明確である。請求項１を引用している請求項２ないし２６に係る発明も同様である。 
　
２　当審で通知した拒絶理由についての判断
　前記第２のとおり，平成２８年１０月１１日付け手続補正書による補正で，補正前の特許請求の範囲の請求項１の末尾における「を特徴とする請求項１に記載のトレイデバイス。」との記載は，「を特徴とするトレイデバイス。」に補正されたので，本願の特許請求の範囲の請求項１には，当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されていると認められ，また，請求項１を引用する，本願の特許請求の範囲の請求項２ないし２６にも，当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されていると認められる。
　
３　まとめ
　したがって，本願の請求項１ないし２６の各請求項に係る発明は，当審拒絶理由通知の理由により，拒絶すべきものとすることはできない。
　
　
第５　結言 
　
　以上のとおり，本願については，原査定の拒絶理由，及び当審で通知した拒絶理由を検討しても，これらの理由によって拒絶すべきものとすることはできない。 
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。 
　
　よって，結論のとおり審決する。