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　特願２０１４−１２１９９１「渦電流監視用研磨パッド」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月６日出願公開、特開２０１４−２０８４０１、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年（平成１３年）５月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０００年５月１９日　（ＵＳ）アメリカ合衆国、２０００年７月１０日　（ＵＳ）アメリカ合衆国、２０００年７月２７日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日として出願した特願２００１−５８５９９１号の一部を、平成２４年１０月３日に新たに分割出願した特願２０１２−２２１４１７号の一部を、平成２６年６月１３日に新たに特許出願したものであって、平成２７年１２月１６日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２８年４月２２日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がされたものである。
第２　平成２８年４月２２日付けの手続補正の適否
１．補正の内容
（１）請求項１について
　平成２８年４月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１を、
「研磨面と裏面とを有する研磨層と、
　前記研磨層の裏面に固定され且つ当接する裏当て層であって、該層を貫通する開口を有する裏当て層と、
　渦電流の測定と干渉しない透磁率を有する薄肉化された領域を含む、前記研磨層における透明プラグと、
を備え、
　前記薄肉化された領域は、前記研磨面と同一平面内にある頂面と前記裏面から離隔した底面とを有して、前記研磨層を完全にではなく部分的に通って延びる凹部を形成し、前記凹部は前記裏当て層の前記開口と並び、
　前記薄肉化された領域の頂面の一部の、前記薄肉化された領域を取り囲む前記研磨面の一部に対する垂直方向への移動が拘束されるように、前記薄肉化された領域が前記研磨層に結合されている、化学機械研磨装置における渦電流監視システムとともに用いるための研磨パッド。」
とする補正（以下、「補正事項１」という。）を含んでいる。
２．補正の適否
（１）補正事項１について
　本件補正の補正事項１は、請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「透明プラグ」の「薄肉化された領域」について、「薄肉化された領域の頂面の一部の、前記薄肉化された領域を取り囲む前記研磨面の一部に対する垂直方向への移動が拘束されるように」「前記研磨層に結合されている」との事項を新たに付加するものであって、当該事項は本願の発明の詳細な説明の特に【００３９】及び図１５から認められる事項であって新規な事項を追加するものではなく（特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものではなく）、また、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものではない。
　また、前記事項を追加することにより、補正前の「透明プラグ」の「薄肉化された領域」は、当該補正により限定されると認められるので、当該補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「補正発明１」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
ア　刊行物の記載事項
（ア）　刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−７９８５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図１ないし図２１とともに、次の記載がある。（下線は当審で付与、以下同じ。）
ａ「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の製造に関し、特に、
ケミカルメカニカルポリシング(chemical mechanical polishing ：ＣＭＰ)及びＣＭＰプロセス中のインシチュウ(in-situ)終点検出
ｂ「半導体ウエハの平坦化又は局所構造の除去を実現する方法の１つに、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）がある。一般的には、ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）プロセスは、圧力を制御した状態で、回転する研磨プラーテンに対してウエハを保持し又は回転させる。図１に示されるように、典型的なＣＭＰ装置１０は、研磨プラーテン１６に対してウエハ１４を保持するための研磨ヘッド１２を有している。研磨プラーテン１６は、パッド１８によって覆われている。この
パッド１８は典型的には裏張り層２０を有し、これは、ウエハ１４を研磨するためにケミカルポリシングスラリと共に用いられるカバー層２２とプラーテンとの間のインターフェースとなっている。
ｃ「【課題を解決するための手段】本発明は、研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を目指すものである。本発明の装置及び方法は、
ＣＭＰプロセスの最中に、除去された材料の厚さ又はウエハ表面の平坦度をインシチュウに決定するための、干渉による技術
ｄ「
データ取得装置によるデータ信号の出力は、ＣＭＰプロセスの最中に酸化物層が薄くなるにつれて、ウエハの酸化物層の表面から反射されるレーザービームの部分とこの下のウエハ基板の表面から反射される部分との間で干渉が生じる事により、周期的なものである。従って、ブランク酸化物(blank oxide)ウエハの酸化物層を薄くするＣＭＰプロセスの終点は、データ信号によって現れるサイクルの数を計数し、レーザービームの波長とウエハの酸化物層の反射係数とから出力信号の１サイクルの間に除去される材料の厚さを計算し、酸化物から除去されるべき材料の所望の厚さを、データ信号により現れるサイクルの数と１サイクルの間に除去される材料の厚さとの積を備えた除去厚さと比較し、この除去厚さが除去されるべき材料の所望の厚さ以上になったときにＣＭＰを終了させるための、付加的な装置要素を用いて、決定することが可能である。
ｅ「概説的に、また別の特徴として、本発明は、上述のケミカルメカニカルポリシングシステムにおいて用いるための研磨パッドである。
この研磨パッドは、研磨面と；底面とを有している。
ｆ「図３（ｂ）は、プラーテン１６とパッド１８の別の具体例である。この具体例では、クオーツインサートは排除され、パッド１８には貫通穴は存在しない。その代わりに、
プラーテン１６のホール３０の上の領域では、パッド１８の裏張り層２０（存在すれば）が除去された。このことにより、ウエハ１４とプラーテン１６の底部との間には、パッド１８のポリウレタンカバー層２２だけが残っている。カバー層２２に用いられるポリウレタン材料が、レーザー干渉計３２からのレーザービームを実質的に透過させるだろうことが、見出されている。
ｇ「パッドのカバー層に用いられるポリウレタン材料は、レーザービームに対して実質的に透過性を有しているものの、透過性を阻害する添加物を含有している。この問題点は、図３（ｃ）に描かれている本発明の具体例において排除される。この具体例では、
プラーテンホール３０の上の領域における典型的なパッド材料は、ソリッドな（中空ではない）ポリウレタンプラグ４２に置き換えられる。このプラグ４２は、レーザービームのウィンドウとして機能し、パッド材料を包囲するグルーブ（又はオープンセル構造）を有しないポリウレタン材料製であり、透過性を阻害する添加物を含有していない。従って、プラグ４２を通ることによるレーザービームの弱化は最小になる。好ましくは、プラグ４２はパッドと一体で成形される。
　上記摘記事項ａ〜ｇを、技術常識を考慮しながら整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認められる。
「研磨面と裏面とを有するカバー層２２と、
　前記カバー層２２の裏面に固定され且つ当接する裏張り層２０であって、プラーテン１６のホール３０の上の領域を除去した裏張り層２０と、
　レーザービームを実質的に透過させる、プラーテン１６のホール３０の上の領域で裏張り層２０が除去されてカバー層２２だけが残る領域を含む、前記カバー層２２におけるレーザービームに対して透過性を有するポリウレタンプラグ４２と、
を備え、
　前記プラーテン１６のホール３０の上の領域で裏張り層２０が除去されてカバー層２２だけが残る領域は、前記研磨面と同一平面内にある頂面と裏面とを有し、
　前記ポリウレタンプラグ４２が前記カバー層２２と一体で成形されることで、前記ポリウレタンプラグ４２が前記カバー層２２に結合されている、ケミカルメカニカルポリシング装置１０におけるレーザー干渉計３２とともに用いるためのパッド１８。」（以下、「引用発明」という。）
（イ）　刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１０−２０２５２０公報（以下、「刊行物２」という。）には、図１ないし図８とともに、次の記載がある。
「上述の図１に示した容量センサ６０は、この容量センサ６０の検出面の位置を基準位置として、この検出面からウェーハ５０の研磨面５０Ａまでの距離を測定する。また、上述の裏面測定基準部材７４はその表面によって裏面測定基準を設定し、
渦電流センサ６２は、この渦電流センサ６２の検出面から裏面測定基準部材７４までの距離を測定
（ウ）　刊行物３
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−１９８０２５号公報（以下、「刊行物３」という。）には、図１ないし図１２とともに、次の記載がある。
「前記センサ７０によって、ウェーハ５０の研磨量は概ね検出できるが、本実施の形態では、前記センサ７０で検出された検出値を、前記センサ７２、７２、７２で検出された検出値で補正することによりウェーハ５０の研磨量を正確に得るようにしている。
前記センサ７２は、渦電流センサ等の非接触センサ
ウェーハ５０の上面との距離を検出する
イ　対比
　補正発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「研磨面」を有する「カバー層２２」は、補正発明１の「研磨面」を有する「研磨層」に相当する。また、引用発明の「カバー層２２の裏面に固定され且つ当接する裏張り層２０」は、補正発明１の「研磨層の裏面に固定され且つ当接する裏当て層」に相当する。そして、引用発明の「プラーテン１６のホール３０の上の領域を除去した裏張り層２０」は、裏張り層２０について、プラーテン１６のホール３０の上の領域の部分がカバー層２２だけが残るように除去されており、当該裏張り層２０を貫通する開口が設けられた構造となっているといえるため、補正発明１の「該層を貫通する開口を有する裏当て層」に相当する。
　次に、引用発明の「プラーテン１６のホール３０の上の領域で裏張り層２０が除去されてカバー層２２だけが残る領域」は、裏張り層２０が存在せずにカバー層２２のみが存在することで、パッド１８としてみると、裏張り層２０とカバー層２２との両方がある部分と比べて厚みが薄くなっており、薄肉化された領域であると認められる。
　そうすると、引用発明の「レーザービームを実質的に透過させる、プラーテン１６のホール３０の上の領域で裏張り層２０が除去されてカバー層２２だけが残る領域」と補正発明１の「渦電流の測定と干渉しない透磁率を有する薄肉化された領域」とは、「測定を行える薄肉化された領域」という点で一致するといえる。
　また、補正発明１の「透明プラグ」は、本願の発明の詳細な説明の特に【００３９】及び【００５６】を参照すると、「透明」であることについては、測定対象物の表面を測定できる程度にレーザービームに対して透過性を有することを特定していると認められる。一方、引用発明の「レーザービームに対して透過性を有するポリウレタンプラグ４２」も、測定対象物の表面を測定できる程度にレーザービームに対して透過性を有するものであるため、引用発明の「カバー層２２におけるレーザービームに対して透過性を有するポリウレタンプラグ４２」は、補正発明１の「研磨層における透明プラグ」に相当すると認められる。
　さらに、引用発明の「ポリウレタンプラグ４２」は、薄肉化された領域に設けられているとともに研磨面を構成するカバー層２２と一体で成形されているため、薄肉化された領域である「ポリウレタンプラグ４２」の頂面の一部の、「ポリウレタンプラグ４２」を取り囲む研磨面の一部に対する垂直方向への移動は拘束されているといえる。
　そうすると、引用発明の「前記ポリウレタンプラグ４２が前記カバー層２２と一体で成形されることで、前記ポリウレタンプラグ４２が前記カバー層２２に結合されている」ことは、補正発明１の「前記薄肉化された領域の頂面の一部の、前記薄肉化された領域を取り囲む前記研磨面の一部に対する垂直方向への移動が拘束されるように、前記薄肉化された領域が前記研磨層に結合されている」ことに相当する。
　また、引用発明の「ケミカルメカニカルポリシング装置１０」及び「パッド１８」は、補正発明１の「化学機械研磨装置」及び「研磨パッド」に相当する。
　そうすると、引用発明の「ケミカルメカニカルポリシング装置１０におけるレーザー干渉計３２とともに用いるためのパッド１８」と補正発明１の「化学機械研磨装置における渦電流監視システムとともに用いるための研磨パッド」とは、「化学機械研磨装置における測定システムとともに用いるための研磨パッド」という点で一致する。
　したがって、補正発明１と引用発明とは、以下の点で一致している。
＜一致点＞
「研磨面と裏面とを有する研磨層と、
　前記研磨層の裏面に固定され且つ当接する裏当て層であって、該層を貫通する開口を有する裏当て層と、
　測定を行える薄肉化された領域を含む、前記研磨層における透明プラグと、
を備え、
　前記薄肉化された領域の頂面の一部の、前記薄肉化された領域を取り囲む前記研磨面の一部に対する垂直方向への移動が拘束されるように、前記薄肉化された領域が前記研磨層に結合されている、化学機械研磨装置における測定システムとともに用いるための研磨パッド。」
　そして、補正発明１と引用発明とは、以下の３点で相違している。
＜相違点１＞
　補正発明１では、薄肉化された領域が「渦電流の測定と干渉しない透磁率を有する」のに対して、引用発明では、薄肉化された領域相当を備えるものの、その透磁率及び渦電流の測定に関する干渉発生の有無はともに不明である点。
＜相違点２＞
　薄肉化された領域について、補正発明１では、「前記研磨面と同一平面内にある頂面と前記裏面から離隔した底面とを有して、前記研磨層を完全にではなく部分的に通って延びる凹部を形成し、前記凹部は前記裏当て層の前記開口と並」ぶのに対して、引用発明は、研磨面と同一平面内にある頂面と裏面とを有するものであって、裏面は当然裏面と離隔していないため、当該領域に開口と並ぶ凹部が形成されていない点。
＜相違点３＞
　測定システムについて、補正発明１では、「渦電流監視システム」であるのに対して、引用発明では、レーザー干渉計である点。
ウ　判断
　上記相違点１〜３について検討する。
（ア）相違点１について
　渦電流センサから測定対象物までの距離を渦電流センサで測定することは、刊行物２や刊行物３にも記載されているように従来周知の事項である。
　ところで、引用発明において、研磨パッドから研磨対象物の表面までの距離は、研磨の進行にかかわらず一定である。よって、研磨パッド側から渦電流センサを用いて測定対象物の表面まで距離を測定することは不可能である。
　なぜならば、引用発明において、研磨パッドの下方に渦電流センサを配置したとしても、渦電流センサから研磨対象物の表面までの距離は研磨の進行にかかわらず一定であるためである。
　よって、引用発明において、研磨パッドの下方に渦電流センサを配置して渦電流センサから研磨対象物の表面までの距離を測定する動機付けはない。
　そのため、渦電流センサから測定対象物までの距離を渦電流センサで測定することが、従来周知の事項であったとしても、引用発明において、研磨パッドの下方に渦電流センサを配置することは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　したがって、引用発明において、薄肉化された領域であるポリウレタンプラグ４２の性質として、渦電流の測定と干渉しない透磁率とを関連付けることは、当業者が容易に想到し得たことではない。よって、引用発明において、薄肉化された領域を、渦電流の測定と干渉しない透磁率を有するものとすることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
（イ）相違点２について
　補正発明１においては、薄肉化された領域の研磨層に凹部が設けられているが、これは、本願の発明の詳細な説明の特に【００７３】を参照すると、薄肉化された領域を渦電流の測定と干渉しない透磁率を有するような薄さにするためである。
　上記相違点１にて検討したとおり、引用発明において、研磨パッドの下方に渦電流センサを配置することは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　そうすると、引用発明において、薄肉化された領域を渦電流の測定と干渉しない透磁率を有するような薄さにすることは、当業者が容易に着想し得たことではないため、引用発明において、薄肉化された領域に凹部を設けることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
（ウ）相違点３について
　上記相違点１にて検討したとおり、引用発明において、研磨パッドの下方に渦電流センサを配置することは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　そうすると、引用発明における測定システムを渦電流監視システムとすることは、当業者が容易に想到し得たことであるとはいえない。
　したがって、補正発明１は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、他に補正発明１が独立して特許を受けることができるものではないとする理由もない。
　よって、本件補正の補正事項１は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
３．むすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合するから、本願の請求項１−７に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−７に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、補正発明１は、上記第２の２．のとおり、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　また、補正発明１を直接又は間接的に引用する請求項２−７に係る発明は、補正発明１に係る発明をさらに限定した発明であるから、補正発明１と同様に、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。