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　特願２００８−２２５９５４「シンチレータプレート」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月１８日出願公開、特開２０１０−　６０４１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、平成２０年９月３日の出願であって、平成２５年１月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２７日付けで意見書が提出され、同年８月
１日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月３日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２６年４月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月７日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 
　その後、当審において、平成２７年７月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２日付けで意見書が提出されたものである。
第２　本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２６年７月７日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものであるところ、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものであると認められる。
「【請求項１】
　基材上に蒸着結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、
　前記蒸着結晶が、ヨウ化セシウムとタリウムを含有する柱状結晶であり、
　該基材の該シンチレータ層と接触する接触面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、０．００１≦Ｒａ≦０．１μｍであり、
　該接触面の最大粗さ（Ｒｔ）と該Ｒａが、５≦Ｒｔ／Ｒａ≦１５０である関係を有する平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）に用いられることを特徴とするシンチレータプレート。」
第３　当審の拒絶理由通知
　当審の拒絶の理由２の概略は、以下のとおりである。
　本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　刊行物の記載及び引用発明の認定 
１　当審の拒絶の理由に引用され、この出願前に頒布された刊行物である、特開２００８−１０７２７９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（１)「【００１４】 
　本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、その解決課題は、基板フィルムの熱収縮による変形やシンチレータの柱状結晶性低下及び剥がれの発生がなく、発光効率及び発光取り出し効率の高いシンチレータパネルであって、かつ該シンチレータパネルと
平面受光素子面
（２）「【００２７】 
　（シンチレータパネルの構成） 
　本発明の
シンチレータパネルは、高分子フィルム基板上に反射層及びシンチレータ層を設けて成るシンチレータパネルであるが、該反射層とシンチレータ層の間に下引層を有する
【００２８】 
　また、本発明においては、反射層、下引層、及びシンチレータ層の他に後述する保護層を設けることが好ましい。 
【００２９】 
　以下、各構成層及び構成要素等について説明する。 
【００３０】 
　（シンチレータ層） 
　シンチレータ層（「蛍光体層」ともいう。）を形成する材料としては、種々の公知の蛍光体材料を使用することができるが、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、
蒸着によって容易に蛍光体を柱状結晶構造に形成
【００３１】 
　但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いために、各種の賦活剤が添加される。例えば、特公昭５４−３５０６０号の如く、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものが挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているようなＣｓＩを蒸着で、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）な 
　どの賦活物質を含有するＣｓＩが好ましい。本発明においては、特に、タリウム（Ｔｌ）、ユウロピウム（Ｅｕ）が好ましい。更に、タリウム（Ｔｌ）が好ましい。」 
（３）「【００７８】 
　（放射線画像検出器） 
　以下に、上記放射線用シンチレータパネル１０の一適用例として、図４及び図５を参照しながら、
当該放射線用シンチレータプレート１０を具備した放射線画像検出器１００の構成
（４）「【０１０４】 
　（反射層を有する基板１の作製） 
　厚さ２５，５０，７５，１２５μｍのポリイミドフィルム（ガラス転移温度は２８５℃）（宇部興産製ユーピレックス）にアルミをスパッタして反射層を形成した。 
【０１０５】 
　また，上記ポリイミドフィルムを積層化した厚さ２５０、５００、７５０μｍのポリイミドボード（宇部興産製ユーピレックスボード）に同様にアルミをスパッタして反射層を形成した。 
【０１０６】 
　（反射層を有する基板２の作製） 
　厚さ２５，５０，７５，１２５，２５０，５００、７５０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（ガラス転移温度は１１３℃）に上記と同様にしてアルミをスパッタして反射層を形成した。 
【０１０７】 
　（下引層の作製） 
　バイロン６３０（東洋紡社製：高分子ポリエステル樹脂） １００質量部 
　メチルエチルケトン（ＭＥＫ） １００質量部 
　トルエン １００質量部 
　上記処方を混合し、ビーズミルにて１５時間分散し、下引き塗設用の塗布液を得た。この塗布液を上記基板１、及び２のアルミをスパッタ面に乾燥膜厚が１．０μｍになるようにバーコーターで塗布したのち１００℃で８時間乾燥することで下引層を作製した。 
【０１０８】 
　（シンチレータ層の形成） 
　基板の光吸収層側に
シンチレータ蛍光体（ＣｓＩ：０．００３Ｔｌ）を、図３に示した蒸着装置を使用して蒸着させシンチレータ層（蛍光体層）を形成した。
【０１０９】 
　すなわち、まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、また回転する支持体ホルダに基板を設置し、基板と蒸発源との間隔を４００ｍｍに調節した。 
【０１１０】 
　続いて蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で基板を回転しながら基板の温度を１００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して蛍光体を蒸着しシンチレータ層の膜厚が４５０μｍとなったところで蒸着を終了させシンチレータパネルを得た。 
【０１１１】 
　（熱処理） 
　上記で作製したシンチレータパネルに表１及び表２に示した温度と時間の熱処理をした。（尚熱処理は、Ｎ２ガス雰囲気下で実施した。） 
　（評価） 
　得られた各試料を封止した後、ＣＭＯＳフラットパネル（ラドアイコン社製Ｘ線ＣＭＯＳカメラシステムＳｈａｄ−ｏ−Ｂｏｘ４ＫＥＶ）にセットし、１２ｂｉｔの出力データより鮮鋭性を、以下に示す方法で測定し、以下に示す方法により評価した結果を表１及び２に示す。 
【０１１２】 
　尚、放射線入射窓のカーボン板とシンチレータパネルの放射線入射側（蛍光体のない側）にスポンジシートを配置し、平面受光素子面とシンチレータパネルを軽く押し付けることで両者を固定化した。」 
（５）図１ 
　図１より、基板１上に反射層３、下引層４、シンチレータ層２を設けて成るシンチレータパネル１０が、看取できる。 
（６）図２ 
　上記（１）ないし（６）と、放射線画像検出器１００が平面受光素子面を有することは自明であることにより、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「高分子フィルム基板１上に反射層３及び蒸着により形成された結晶構造のシンチレータ層２を設けて成るシンチレータパネル１０であって、 
　前記蒸着により形成された結晶構造が、ＣｓＩ：０．００３Ｔｌからなる柱状結晶であり、 
　前記反射層３と前記シンチレータ層２の間に下引層４を有し、 
　平面受光素子面を有する放射線画像検出器１００に用いられるシンチレータパネル１０。」 
２　当審の拒絶の理由に引用され、この出願前に頒布された刊行物である、特開２００５−２９２１３０号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。 
（１)「【００１０】 
　本発明者の研究により、
蒸着法などの気相堆積法により金属シート（基板）の表面に柱状結晶構造の蛍光体層を堆積形成する
用いる金属シートの表面が滑らかでなく、小さなものであっても凹凸が存在すると、即ち、粗面であると、その基板表面の凹凸が起点となって蛍光体結晶の異常成長が現われ、
金属シート表面の凹凸が直接、再生される放射線画像上に現れて、構造モトル（画素間の粒子ゆらぎ）を増大させ、再生放射線画像の粒状性の低下を招くことが判明した。
【００１１】 
　従って、本発明は、高画質の放射線画像を与える放射線像変換パネルを提供することを目的とする。 
【課題を解決するための手段】 
【００１２】 
　本発明者は、上記の問題点について検討を重ねた結果、金属シート（金属製基板）の表面に気相堆積法により蛍光体層を形成して放射線像変換パネルを得る場合に、
金属シートの表面粗さ（Ｒａ）を一定値以下とすることによって、再生放射線画像の粒状性に影響を及ぼす構造モトルを低減し、再生放射線画像に現われる点欠陥を減少させることができることを見い出し、本発明に到達したものである。
（２）「【００２７】 
　支持体（金属シート）１１の蛍光体層側表面１１ａは、表面粗さＲａが０．１μｍ以下である。金属シート１１の蛍光体層側表面１１ａの表面粗さＲａは、０．００５μｍ以上であることが好ましい。表面粗さＲａを０．００５μｍ未満にするには超精密研磨が必要で、そのような超精密研磨は、コストがかかる割には効果が大きくない。特に好ましいのは、表面粗さＲａは０．００５μｍ以上で、０．０６μｍ以下である。」 
（３）「【００５９】 
［実施例１］ 
（１）蒸発源 
　蒸発源として、純度４Ｎ以上の臭化セシウム（ＣｓＢｒ）粉末、および純度３Ｎ以上の臭化ユーロピウム（ＥｕＢｒ２）溶融物を用意した。ＥｕＢｒ２溶融物は、酸化を防ぐために、ＥｕＢｒ２粉末を白金製坩堝に入れ、これを十分なハロゲン雰囲気としたチューブ炉中にて８００℃に加熱して溶融した後、冷却し、炉から取り出して得た。各蒸発源中の微量元素をＩＣＰ−ＭＳ法（誘導結合高周波プラズマ分光分析質量分析法）により分析した結果、ＣｓＢｒ中のＣｓ以外のアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ）は各々１０ｐｐｍ以下であり、アルカリ土類金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）など他の元素は２ｐｐｍ以下であった。また、ＥｕＢｒ２中のＥｕ以外の希土類元素は各々２０ｐｐｍ以下であり、他の元素は１０ｐｐｍ以下であった。これらの蒸発源は、吸湿性が高いので露点２０℃以下の乾燥雰囲気を保ったデシケータ内で保管し、使用直前に取り出すようにした。 
【００６０】 
（２）支持体の調製 
　支持体として、１ｍｍ厚のアルミニウムシート（圧延成型品、圧延記号：ＳＬ（圧延による表面粗さの特に良好なもの）、住友金属工業(株)製）を用意した。アルミニウム基板の表面を、界面活性剤を含む弱アルカリ性洗浄液を用いて脱脂洗浄し、脱イオン水で水洗し、そして乾燥した。 
【００６１】 
（３）蛍光体層の形成 
　上記のアルミニウム基板を蒸着装置内の基板ホルダーに設置した。上記ＣｓＢｒ蒸発源およびＥｕＢｒ２蒸発源を装置内の抵抗加熱用坩堝容器に充填した。基板と各蒸発源との距離は１５０ｍｍとした。次に、メイン排気バルブを開いて装置内を排気して１×１０−３Ｐａの真空度とした。このとき、真空排気装置としてロータリーポンプ、メカニカルブースタおよびディフュージョンポンプの組合せを用いた。さらに、水分除去のために水分排気用クライオポンプを使用した。その後、排気をメイン排気バルブからバイパス排気バルブに切り換え、装置内にＡｒガスを導入して０．５Ｐａの真空度とした後、プラズマ発生装置（イオン銃）によりＡｒプラズマを発生させ、基板表面の洗浄を行った。その後、排気をメイン排気バルブに切り換えて１×１０−３Ｐａの真空度まで排気し、そして再度排気をバイパス排気バルブに切り換え、Ａｒガスを導入して１Ｐａの真空度（Ａｒガス圧）とした。基板と各蒸発源の間に設けられたシャッタを閉じた状態で、蒸発源それぞれを抵抗加熱器で加熱溶融した後、まずＣｓＢｒ蒸発源側のシャッタだけを開き、基板の表面にＣｓＢｒ蛍光体母体を堆積させて被覆層を形成した。その３分後に、ＥｕＢｒ２蒸発源側のシャッタも開き、被覆層上にＣｓＢｒ：Ｅｕ輝尽性蛍光体を堆積させた。堆積は８μｍ／分の速度で行った。また、各加熱器の抵抗電流を調整して、輝尽性蛍光体におけるＥｕ／Ｃｓモル濃度比が０．００３／１となるように制御した。蒸着終了後、装置内を大気圧に戻し、装置から基板を取り出した。基板の被覆層上には、蛍光体の柱状結晶がほぼ垂直方向に密に林立した構造の蓄積性蛍光体層（層厚：５００μｍ、面積１０ｃｍ×１０ｃｍ）が形成されていた。 
　このようにして、
共蒸着により金属シート（支持体）と蓄積性蛍光体層とからなる本発明の放射線像変換パネルを製造した
（４）「【００７１】 
（１）支持体表面の表面粗さＲａと表面粗さの最大高さＲｚ 
　アルミニウム基板の表面（表面処理した面）の形状を、超深度形状測定顕微鏡（VK-8550、キーエンス社製）を用いて、高さ測定ピッチ（測定分解能）０．０１μｍで１００μｍ×１００μｍの領域に渡って測定し、得られた測定データから画像計測・解析ソフト（VK-H1A7）を用いて、ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１に準じた計算式により表面粗さ（算術平均粗さ）Ｒａと表面粗さの最大高さＲｚとを求めた。」 
（５）「【００７５】 
表１ 
──────────────────────────────────
　　支持体／表面処理　　　 Ｒａ／Ｒｚ　　粒状性　点欠陥数　総合判定
──────────────────────────────────
実施例１　ＳＬ（なし）　　　0.074/1.20μm　 　Ａ　　　８　　　　Ａ 
実施例２　ＳＬ（電解研磨）　0.048/0.46μm　 ＡＡ　　　２　　　ＡＡ 
実施例３　ＳＬ（Ｎｉめっき）0.054/0.45μm　 ＡＡ　　　３　　　ＡＡ 
実施例４　ＳＬ（Ｃｒめっき）0.052/0.43μm　 ＡＡ　　　３　　　ＡＡ 
実施例５　ＳＬ（電解研磨＋ＳｉＯ２被膜） 
 　　　　　　　　　　　　　 0.040/0.25μm　 ＡＡ　　　１　　　ＡＡ 
実施例６ ＹＨ−７５（ラッピング研磨） 
 　　　　　　　　　　　　　 0.044/0.52μm　 ＡＡ　　　３　　　ＡＡ 
実施例７ ＹＨ−７５（ラッピング研磨＋ＳｉＯ２被膜） 
 　　　　　　　　　　　　　 0.038/0.21μm　 ＡＡ　　　１　　　ＡＡ 
──────────────────────────────────
比較例１ ＭＦ（なし）　　　 0.196/5.05μm　　 Ｃ　　２０　　　　Ｃ 
比較例２ ＬＦ（なし）　　　 0.130/1.84μm　 　Ｂ　　１２　　　　Ｂ 
──────────────────────────────────
」 
（６）上記（５）の支持体表面の表面粗さＲａと表面粗さの最大高さＲｚとの値により、実施例１ないし７の比Ｒｚ／Ｒａは、それぞれ１６、９．６、８．３、８．３、６．２５、１１．８、５．５である。 
  
　上記（１）ないし（６）より、引用文献２には、以下の事項（以下「引用文献２に記載された事項」という。）が記載されていると認められる。 
「支持体表面の粗さによって現れる異常結晶によって生じる構造モトルを低減するために、 
　支持体の表面に蒸着により柱状結晶構造を堆積形成した蓄積性蛍光体層であって、 
　該支持体表面の表面粗さＲａが、一定値以下である、０．０７４、０．０４８、０．０５４、０．０５２、０．０４０、０．０４４、０．０３８μｍであり、表面粗さの最大高さＲｚと該Ｒａの比Ｒｚ／Ｒａが、１６、９．６、８．３、８．３、６．２５、１１．８、５．５である、放射線像変換パネル。」 
  
第５　対比・判断 
１　本願発明と引用発明とを対比する。　
（１）引用発明の「高分子フィルム基板１」、「蒸着により形成された結晶」、「シンチレータ層２」、「シンチレータパネル１０」、「ＣｓＩ：０．００３Ｔｌからなる柱状結晶」、及び「平面受光素子面を有する放射線画像検出器１００」は、本願発明の「基材」、「蒸着結晶」、「シンチレータ層」、「シンチレータプレート」、「ヨウ化セシウムとタリウムを含有する柱状結晶」及び「平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）」に、それぞれ相当する． 
（２）引用発明の「高分子フィルム基板１上に反射層３及び蒸着により形成された結晶構造のシンチレータ層２を設けて成るシンチレータパネル１０」は、本願発明の「基材上に蒸着結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレート」に相当する。 
  
　上記（１）及び（２）より、本願発明と引用発明とは、 
「基材上に蒸着結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、 
　前記蒸着結晶が、ヨウ化セシウムとタリウムを含有する柱状結晶であり、
　平板Ｘ線検出装置（ＦＰＤ）に用いられることを特徴とするシンチレータプレート。」の点で一致し、以下の点で相違している。 
  
＜相違点＞ 
　本願発明では、「基材のシンチレータ層と接触する接触面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が、０．００１≦Ｒａ≦０．１μｍであり、該接触面の最大粗さ（Ｒｔ）と該Ｒａが、５≦Ｒｔ／Ｒａ≦１５０である関係を有する」のに対して、引用発明では「シンチレータ層２」と接触する「下引層４」の中心線平均粗さ（Ｒａ）、最大粗さ（Ｒｔ）と該Ｒａとの関係が不明な点。 
２　上記相違点について検討する。
（１）引用文献２には、「支持体表面の粗さによって現れる異常結晶によって生じる構造モトルを低減するために」、「蒸着により柱状結晶構造を堆積形成」する「該支持体表面の表面粗さＲａ」が０．００１以上、０．１μｍ以下の範囲内にあり、「表面粗さの最大高さＲｚと該Ｒａの比」が、５以上、１５０以下の範囲内にあることが記載されている（上記「第４」「２」）。
（２）引用文献１の【００１４】には、「その解決課題は、基板フィルムの熱収縮による変形やシンチレータの柱状結晶性低下」であると示されている（上記「第４」「１」「（１）」）。これについて、審判請求人は、意見書で、「引用文献１の『柱状結晶性の低下』とは、『下引層の厚さが２μｍより大きくなると熱処理より柱状結晶性の乱れが発生する。』（［００４４］）と記載されているように、蒸着後の熱処理によって基板の収縮等によって生じる『柱状結晶性の低下』を意味します（［００３９］）。」と主張する。しかし、下引層の厚さや熱処理と柱状結晶性の乱れの因果関係が明らかでないことから、引用文献１の記載において、柱状結晶性の低下という課題が必ずしも、下引層の厚さや熱処理にのみ起因するとは認められず、かつ、蒸着結晶層の接触面の粗さが大きいことによって蒸着結晶の異常成長が生じることも周知（特開平５−１５０１００号公報の【００１７】〜【００２２】、特開平６−３４０８７３号公報の【００２２】〜【００２６】、特開２００６−６４３８３号公報の【００２５】、【００２７】参照。）であることを勘案すれば、引用文献１の柱状結晶性の低下という課題には、周知の蒸着結晶層の接触面の粗さが大きいことに起因するものも含まれると解するのが相当である。
　そして、引用文献２の【００１０】には、支持体表面の粗さによって、異常結晶が生じることが記載されている（上記「第４」「２」「（１）」）から、引用文献１及び引用文献２には、柱状結晶性低下という共通する課題を有しているといえる。
（３）また、蒸着結晶層と基板との接着性をよくするためには蒸着結晶層の接触面が平滑面より粗面の方がよいことは周知（特開２００５−１４８０６０号公報の【００１４】、特開２００６−５２９８２号公報の【０００７】、特開２００８−１８５５７１号公報の【００２２】参照。）である。
　すると、蒸着結晶層と基板との接着性や蒸着結晶の異常成長を考慮して、蒸着結晶層の接触面の粗さを設計することは周知の技術事項であるといえる。
（４）してみると、蒸着結晶層と基板との接着性や蒸着結晶の異常成長を考慮して、引用発明の「蒸着により形成された結晶構造が」「柱状結晶であ」る「シンチレータ層２」と接触する「下引層４」に、引用文献２に記載された事項を適用して、上記相違点にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明が奏する作用効果も、当業者が予測できる域を超えるものではない。
３　審判請求人の主張について
　審判請求人は、平成２７年１０月２日付けで提出された意見書において、「引用文献１および２のいずれにも、蒸着時の基板または反射層の表面粗さ（Ｒａ、Ｒｔ）を制御することで、シンチレーター層と基材との接着性を向上させるとともに、柱状結晶の結晶性を向上させ、それによりＭＴＦ値を向上させ、鮮鋭性に優れたシンチレータープレートとすることは、記載も示唆もありませんので、引用文献１および２の記載から本願発明を想到することは、いかに当業者といえども困難であります。」と主張している。
　しかしながら、上述したように、まず、引用文献２には、異常結晶を低減するために、支持体表面の表面粗さＲａを一定値以下とすることが記載されており、さらに、蒸着結晶層と基板との接着性や蒸着結晶の異常成長を考慮して、蒸着結晶層の接触面の粗さを設計することは周知の技術事項であることから、引用文献１および２のいずれにも、蒸着時の基板または反射層の表面粗さ（Ｒａ、Ｒｔ）を制御することで、シンチレーター層と基材との接着性を向上させる
とともに、
　また、審判請求人は、平成２７年１０月２日付けで提出された意見書において、「引用文献２の課題には、『（柱状結晶）の剥がれの発生がないこと』は、記載も示唆もされていないため、異常結晶による点欠陥および粒状性の低下を抑制するために採用された引用文献２の表面粗さの値を、『柱状結晶性低下がないこと』と『（柱状結晶）の剥がれの発生がないこと』とを両立することを課題とする引用文献１の発明に当てはめることはできません。・・・中略・・・引用文献２の開示からは、表面粗さの調整が蒸着結晶と基板との膜付にどのような影響を与えるのか不明でありますので、当業者が引用文献１の発明において、引用文献２の表面粗さの値を下引層に採用することを試みることはないのであり、『発明の特徴点に到達するためにしたはずである』ということはできないのであります」と主張している。
　しかしながら、上述したように、引用文献２には、柱状結晶性低下という課題が記載されており、また、蒸着結晶層と基板との接着性をよくするという課題は周知である。
　したがって、審判請求人の上記主張は、採用されない。
４　結論
　以上から、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。