Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月13日(2020.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線検出器タイルのシンチレータ層であって、
複数のシンチレータ画素と、
前記複数のシンチレータ画素の各々を囲む非シンチレーション材料及び光反射材料の複数の壁であって、前記複数のシンチレータ画素の１のシンチレータ画素を囲む前記壁が、互い絶縁されていない、壁と、
画素のための少なくとも一つの導電性相互接続部であって、前記少なくとも一つの導電性相互接続部は、前記壁の全深さに沿って前記画素の壁内に延在する、少なくとも一つの導電性相互接続部と
を有する、シンチレータ層。
【請求項２】
前記シンチレータ画素のための少なくとも一つの第２の導電性相互接続部であって、前記少なくとも一つの第２の導電性相互接続部は、前記シンチレータ画素の同じ壁において配置される、少なくとも一つの第２の導電性相互接続部
をさらに有する、請求項１に記載のシンチレータ層。
【請求項３】
前記シンチレータ画素のための少なくとも一つの第２の導電性相互接続部であって、前記少なくとも一つの第２の導電性相互接続部は、前記シンチレータ画素の第２の異なる壁において配置される、少なくとも一つの第２の導電性相互接続部
を更に有する、請求項１に記載のシンチレータ層。
【請求項４】
前記少なくとも一つの導電性相互接続部は、前記シンチレータ画素の２つの壁が交差する角に配置される、請求項１乃至３の何れか一項に記載のシンチレータ層。
【請求項５】
前記壁は前記シンチレータ層の外壁である、請求項１に記載のシンチレータ層。
【請求項６】
前記壁は前記シンチレータ層の内壁である、請求項１に記載のシンチレータ層。
【請求項７】
前記導電性相互接続部は、導電性ナノ材料又は導電性散乱防止材料のうちの少なくとも一つを含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載のシンチレータ層。
【請求項８】
マルチエネルギー検出器アレイであって、
上部シンチレータ層と、
前記上部シンチレータ層に光学的に結合される上部光センサと、
前記上部光センサに電気的に結合され、非シンチレーション材料及び光反射材料の複数の壁によって囲まれる少なくとも１つのシンチレータ画素を含む、下部シンチレータ層と、
前記下部シンチレータ層に光学的かつ電気的に結合される下部光検出器と
を含む検出器タイル
を有し、前記複数の壁は、前記上部光センサの前記壁の上端から前記下部光検出器の前記壁の下端にまで延在する少なくとも１つの導電性相互接続部を含み、前記壁が互いに絶縁されていない、マルチエネルギー検出器アレイ。
【請求項９】
前記少なくとも一つの導電性相互接続部は導電性金属を有する、請求項８に記載の検出器アレイ。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの導電性相互接続部は導電性ナノ材料を有する、請求項８に記載の検出器アレイ。
【請求項１１】
前記上部光センサは、前記少なくとも一つの導電性相互接続部と電気的に接触している電気的読み出し接点を含む、請求項８乃至１０の何れか一項に記載の検出器アレイ。
【請求項１２】
前記電気的読み出し接点は光センサ画素の端部に配置され、前記上部光センサは、光センサ画素の中央領域に配置される読み出し電極と、前記読み出し電極と前記電気的読み出し接点とを電気的に接続する導電性トレースとを含む、請求項１１に記載の検出器アレイ。
【請求項１３】
前記下部光検出器は、
光センサ画素の上端にあり、前記下部シンチレータ層の前記少なくとも一つの導電性相互接続部と電気的に接触する、上部電気的接点と、
前記光センサ画素の下端における底部電気的接点と、
前記上部電気的接点と前記底部電気的接点とを電気的に接続する、電気的相互接続部と、
前記光センサ画素の中央領域における読み出し電極と
を含む、請求項８乃至１２の何れか一項に記載の検出器アレイ。
【請求項１４】
前記下部光検出器に電気的に結合される処理電子回路
を更に有する、請求項８乃至１３の何れか一項に記載の検出器アレイ。
【請求項１５】
前記特定用途向け集積回路は、前記下部光検出器の前記底部電気的接点と前記下部光検出器の前記読み出し電極との両方と電気的に通信する、請求項１４に記載の検出器アレイ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月27日(2020.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
ａ）エピタキシャル堆積チャンバ内で基板を位置決めすることと、
ｂ）前記エピタキシャル堆積チャンバ内で前記基板の上に第１のドーパントを含むエピタキシャル層を堆積することと、
ｃ）移送チャンバの上部天井に隣接して配置された紫外線（ＵＶ）ランプモジュールを有する前記移送チャンバ内に、前記エピタキシャル層を含む基板を移送することと、
ｄ）前記移送チャンバのガスラインを通して、前記移送チャンバ内に酸素含有ガスを流すことと、
ｅ）前記移送チャンバの前記ガスラインを通して、前記移送チャンバ内に非反応性ガスを流すことと、
ｆ）前記基板の前記表面上に、前記第１のドーパントを含有するケイ素を含むガス放出バリア層を形成し、且つ前記第１のドーパントを含むガス副生成物を形成するために、前記ＵＶランプモジュールを作動させることと、
ｇ）前記酸素含有ガス及び非反応性ガスの前記移送チャンバ内への流れを止めることと、
ｈ）ガスをポンプで排出し、前記移送チャンバ内で酸化の後に生成される圧力を下げることと、
ｉ）前記ＵＶランプモジュールを作動停止にすることと
を含む方法。
【請求項２】
ｉ）の操作を行う前に、前記第１のドーパントの目標ガス放出レベルに達するまで操作ｄ）からｈ）を繰り返すことを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸素含有ガスの前記移送チャンバ内への流れを止めることと、ガスをポンプで排出し、前記移送チャンバ内で酸化の後に生成される圧力を下げることとの間で、前記移送チャンバ内に前記非反応性ガスを流すこと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＵＶランプモジュールを作動停止にした後に、前記非反応性ガスを前記移送チャンバ内に流すこと
を更に含み、チャンバ圧力が約８０Ｔｏｒｒで維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の前記表面上の残留物又は種を酸化させ、前記基板の前記表面上に前記ガス放出バリア層を形成するために、前記ＵＶランプモジュールを作動させる間、チャンバ圧力が約８０Ｔｏｒｒで維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記移送チャンバをポンピングする間、チャンバ圧力が約１Ｔｏｒｒで維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＵＶランプモジュールが、１００ｎｍから４００ｎｍの範囲の波長を有する放射を照射する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の前記表面上に前記ガス放出バリア層を形成するために、前記ＵＶランプモジュールを作動させることが、約１０秒から約３０秒間実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ガスをポンプで排出し、前記移送チャンバ内で酸化の後に生成される圧力を下げることが、約２０秒間実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＵＶランプモジュールが、互いに平行に配置された複数のＵＶランプを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＵＶランプの各々が、ＵＶ放射を前記基板に方向付けるために、前記ＵＶランプの上方に配置された半球状リフレクタを有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記リフレクタが反射コーティング層を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＵＶランプが四角形状に配置される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＵＶランプモジュールが、ハウジング内に配置された複数のＵＶランプを含み、前記複数のＵＶランプが、前記ハウジングの中心軸から半径方向外向きに延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
基板を処理する方法であって、
ａ）エピタキシャル堆積チャンバ内で基板を位置決めすることと、
ｂ）前記エピタキシャル堆積チャンバ内で前記基板の上にエピタキシャル層を堆積することと、
ｃ）エピタキシャル層を含む前記基板を複数のＵＶランプを含むＵＶランプモジュールを有する移送チャンバ内に移送することと、
ｄ）前記移送チャンバのガスラインを通して、前記移送チャンバ内に酸素含有ガス及び非反応性ガスを流すことと、
ｅ）前記基板の表面を酸化させ、前記基板の前記表面上に、第１のドーパントを含有するケイ素を含むガス放出バリア層を形成するために、ＵＶランプモジュールを作動させることと、
ｆ）前記酸素含有ガス及び非反応性ガスの流れを止めることと、
ｇ）ガスをポンプで排出し、前記移送チャンバ内で酸化の後に生成される圧力を下げることと、
ｈ）前記第１のドーパントの目標ガス放出レベルに達するまで操作ｄ）からｇ）を繰り返すこと
ｉ）前記ＵＶランプモジュールを作動停止にすることと
を含む方法。
【請求項１６】
基板を処理する方法であって、
ａ）移送チャンバの上部天井に隣接して配置された紫外線（ＵＶ）ランプモジュールを有する前記移送チャンバ内で、エピタキシャル層を含む基板を位置決めすることと、
ｂ）前記移送チャンバのガスラインを通して、前記移送チャンバ内に酸素含有ガスを流すことと、
ｃ）前記移送チャンバのガスラインを通して、前記移送チャンバ内に非反応性ガスを流すことと、
ｄ）チャンバ圧力が約６０Ｔｏｒｒから約１２０Ｔｏｒｒの移送圧力である間に、前記基板の前記表面上の残留物又は種を酸化させ、前記基板の前記表面上にガス放出バリア層を形成するために、約５秒から約４５秒間、前記ＵＶランプモジュールを作動させることと、
ｅ）前記ＵＶランプモジュールが作動状態に維持されている間に、前記酸素含有ガス及び非反応性ガスの前記移送チャンバ内への流れを止めることと、
ｆ）約１０秒から約４０秒の間、ガスをポンプで排出し、前記移送チャンバ内で酸化の後に生成される圧力を、前記移送圧力から、約０．５Ｔｏｒｒから約２０Ｔｏｒｒのより低いポンプ圧力に下げることと、
ｇ）前記ガスをポンプで排出した後に、前記ＵＶランプモジュールを作動停止にすることと、
ｈ）前記移送チャンバのガスラインを通して、前記移送チャンバ内に前記酸素含有ガスを流すことと、
ｉ）前記移送チャンバのガスラインを通して、前記移送チャンバ内に前記非反応性ガスを流すことと、
ｊ）チャンバ圧力が約６０Ｔｏｒｒから約１２０Ｔｏｒｒの移送圧力である間に、前記基板の前記表面上の残留物又は種を酸化させ、前記基板の前記表面上にガス放出バリア層を形成するために、約５秒から約４５秒間、前記ＵＶランプモジュールを作動させることと、
ｋ）前記ＵＶランプモジュールが作動状態に維持されている間に、前記酸素含有ガス及び非反応性ガスの前記移送チャンバ内への流れを止めることと、
ｌ）約１０秒から約４０秒の間、ガスをポンプで排出し、前記移送チャンバ内で酸化の後に生成される圧力を、前記移送圧力から、約０．５Ｔｏｒｒから約２０Ｔｏｒｒのより低いポンプ圧力に下げることと
を含む方法。
【請求項１７】
有毒種の目標ガス放出レベルに達するまで繰り返される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ガス、種又は残留物の解離を高めるために、前記ＵＶランプモジュールのＵＶランプが複数の異なる波長を照射する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１のドーパントがヒ素である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のドーパントがヒ素である、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月1日(2020.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験要素支持体（１０８）であって、前記試験要素支持体（１０８）が、試料の分析検査のための試験要素（１２４）を加熱する少なくとも１つの加熱要素（１３２）を備え、前記加熱要素（１３２）が、基体（１４６）を有し、前記基体（１４６）が、少なくとも１つの基体材料（１４８）から作られ、前記基体（１４６）が、加熱されるように構成される少なくとも１つのアクティブ区域（１３８）と、前記アクティブ区域（１３８）の外側の少なくとも１つの非アクティブ区域（１４０）とを備え、前記アクティブ区域（１３８）と前記非アクティブ区域（１４０）とが、少なくとも１つの熱絶縁要素（１５６）によって隔てられ、前記熱絶縁要素（１５６）が、前記基体材料（１４８）より小さい熱伝導率を有し、前記熱絶縁要素（１５６）が、全体的または部分的に前記基体（１４６）に埋め込まれ、前記試験要素支持体（１０８）が、少なくとも１つの加熱器（１４２）をさらに備え、前記加熱器（１４２）が、少なくとも１つの加熱器基体（１４３）を備え、前記加熱器基体（１４３）が、前記基体（１４６）に取り付けられ、前記加熱器基体（１４３）が、前記基体（１４６）の後面（１３６）に取り付けられ、前記後面（１３６）が、前記試験要素（１２４）に接触する前記基体（１４６）の前面（１３４）に対向し、前記加熱要素（１３２）の前記アクティブ区域（１３８）が、前記試験要素支持体（１０８）の一体型加熱表面（１７０）を形成する、試験要素支持体（１０８）。
【請求項２】
前記熱絶縁要素（１５６）が、前記基体（１４６）に少なくとも１つの穴（１６０、１６２）を備える、請求項１に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項３】
前記基体（１４６）が、少なくとも１つの本質的に平坦な前面（１３４）と、少なくとも１つの本質的に平坦な後面（１３６）とを備え、前記穴（１６０、１６２）が、前記前面（１３４）から前記後面（１３６）へと延在する、請求項２に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項４】
前記熱絶縁要素（１５６）が、空気、プラスチック材料、セラミック材料、複合材料からなる群から選択される少なくとも１つの材料で全体的または部分的に作られる、請求項１から３のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項５】
前記加熱器（１４２）が、プリント回路板として全体的または部分的に具体化される、請求項１から４のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項６】
前記加熱器（１４２）が、前記基体（１４６）の前記アクティブ区域（１３８）に対向する区域に位置付けられる、請求項１から５のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項７】
前記基体（１４３）の前記前面（１３４）に本質的に突出部がない、請求項１から６のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項８】
前記加熱要素（１３２）が、試験要素分析システム（１１０）の少なくとも１つの部分に前記加熱要素（１３２）をマウントするための少なくとも１つのマウント要素（１５２）をさらに備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項９】
前記加熱要素（１３２）が、少なくとも１つの熱センサ素子（１４４）をさらに備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項１０】
前記基体材料（１４８）が、前記熱絶縁要素（１５６）の熱伝導率の少なくとも５倍の熱伝導率を有する、請求項１から９のいずれか一項に記載の試験要素支持体（１０８）。
【請求項１１】
試料の分析検査用の試験要素分析システム（１１０）であって、前記試験要素分析システム（１１０）が、少なくとも１つの試験要素容器（１２２）を備え、前記試験要素分析システム（１１０）が、請求項１から１０のいずれか一項に記載の少なくとも１つの試験要素支持体（１０８）をさらに備え、前記試験要素支持体（１０８）が、少なくとも部分的に前記試験要素容器（１２２）に受けられる少なくとも１つの試験要素（１２４）を加熱するように配置構成される、試験要素分析システム（１１０）。
【請求項１２】
前記試験要素分析システム（１１０）が、前記試験要素（１２４）が含む少なくとも１つの試験化学品（１２８）を用いて前記試料の少なくとも１つの分析反応を検出する少なくとも１つの検出器（１２６）をさらに備える、請求項１１に記載の試験要素分析システム（１１０）。
【請求項１３】
前記試験要素分析システム（１１０）が、少なくとも１つの試験要素（１２４）をさらに備える、試験要素分析システム（１１０）に言及する請求項１１または１２に記載の試験要素分析システム（１１０）。
【請求項１４】
少なくとも１つの試験要素支持体（１０８）を製造する方法であって、
ａ）基体（１４６）を提供するステップであって、前記基体（１４６）が、少なくとも１つの基体材料（１４８）で作られている、ステップと、
ｂ）前記基体（１４６）の中に少なくとも１つのアクティブ区域（１３８）を提供するステップであって、前記アクティブ区域（１３８）が、加熱されるように構成される、ステップと、
ｃ）前記基体（１４６）の中に少なくとも１つの非アクティブ区域（１４０）を提供するステップであって、前記非アクティブ区域（１４０）が、前記アクティブ区域（１３８）の外側に位置付けられる、ステップと、
ｄ）前記非アクティブ区域（１４０）と前記アクティブ区域（１３８）とを隔てる少なくとも１つの熱絶縁要素（１５６）を提供するステップであって、前記熱絶縁要素（１５６）が、前記基体材料（１４８）より小さい熱伝導率を有し、前記熱絶縁要素（１５６）が、全体的または部分的に前記基体（１４６）に埋め込まれる、ステップと、
ｅ）少なくとも１つの加熱器基体（１４３）を有する少なくとも１つの加熱器（１４２）を提供するステップと、
ｆ）前記基体（１４６）の後面（１３６）に前記加熱器基体（１４３）を取り付けるステップであって、前記後面（１３６）が、前記試験要素（１２４）に接触する前記基体（１４６）の前面（１３４）に対向する、ステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月2日(2020.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明ユニットと投影レンズとを含む投影露光装置を用いてマスクの少なくとも一部をフォトレジストの領域上に投影することによって前記フォトレジストを露光し、それにより構造を有する露光されたフォトレジストを形成するステップと、
前記構造の少なくとも１つの構造特性の所定の所望の構造特性からのずれを確認するステップであって、この確認が、前記露光されたフォトレジストを形成するために使用される光視野の少なくとも１つの特性を決定することを含む、ステップと、
前記少なくとも１つの構造特性の前記確認されたずれに基づいて前記露光されたフォトレジストを処理し、それにより処理されたフォトレジストを形成するステップと、
前記処理されたフォトレジストを化学的に現像するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの構造特性が前記構造の構造サイズを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記露光されたフォトレジストを処理するステップが前記露光後の前記フォトレジスト中に存在する遊離水素イオンの濃度を変更するステップを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
遊離水素イオンの前記濃度を前記変更するステップが前記フォトレジストに酸または酸スカベンジャーを使うステップを含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
遊離水素イオンの前記濃度を前記変更するステップが前記投影露光装置の動作波長から逸脱する波長を有する光を用いた前記フォトレジストの後露光を含むことを特徴とする、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
前記フォトレジストの後露光を、マスクを使用せずに行うステップを含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記露光されたフォトレジストを前記処理するステップが前記構造の平均構造サイズの１０倍よりも粗い空間分解能を用いることを含むことを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記処理されたフォトレジストを化学的に現像する間に、前記確認されたずれに応じて温度を修正することを更に含むことを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの構造特性のずれを前記確認するステップが、
前記照明ユニットによる前記マスクの照明中に生成される強度分布の位置依存性測定、
前記投影レンズの透過特性の位置依存性測定、
前記投影レンズの透過特性の瞳依存性測定、
前記投影レンズの透過特性の偏光依存性測定、
前記光源の特性の測定、および
前記投影露光装置内の少なくとも１つの瞳平面の前記照明の測定
からなる一群から選択される少なくとも１つを確認することを含むことを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの構造特性のずれを前記確認するステップが、
前記照明ユニットによって前記マスクの位置に生成された強度分布、
前記投影レンズの位置依存性透過特性、
前記投影レンズの瞳依存性透過特性、
前記投影レンズの偏光依存性透過特性、
前記投影レンズの波面、および
前記投影露光装置内の少なくとも１つの瞳平面の照明
からなる一群から選択される少なくとも１つの計算もしくはモデル化を含むことを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの構造特性が前記構造の構造位置を含むことを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記露光されたフォトレジストを前記処理するステップがエッチングプロセスを行うステップを含むことを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記露光されたフォトレジストを前記処理するステップが、前記フォトレジストを加熱するステップと、前記フォトレジストの局所的な移動によって前記構造を移動させるステップと、を含むことを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの構造特性が前記構造の構造サイズを含み、
前記露光されたフォトレジストを処理するステップが前記露光後の前記フォトレジスト中に存在する遊離水素イオンの濃度を変更するステップを含み、
遊離水素イオンの前記濃度を前記変更するステップが前記投影露光装置の動作波長から逸脱する波長を有する光を用いた前記フォトレジストの後露光を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
遊離水素イオンの前記濃度を前記変更するステップが前記投影露光装置の動作波長から逸脱する波長を有する光を用いた前記フォトレジストの後露光を含むことを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
遊離水素イオンの前記濃度を前記変更するステップが前記フォトレジストに酸または酸スカベンジャーを使うステップを含むことを特徴とする、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
照明ユニットと投影レンズとを含む投影露光装置を用いてマスクの少なくとも一部をフォトレジストの領域上に投影し、それによって前記フォトレジストを露光し、構造を有する露光されたフォトレジストを形成するステップと、
前記フォトレジストを露光するために使用される光視野の特性を決定するステップと、
前記光視野の前記決定された特性を用いて前記露光されたフォトレジストの前記構造の構造特性の所定の所望の構造特性からのずれを確認するステップと、
前記特性の前記確認されたずれに基づいて前記露光されたフォトレジストを処理するステップと、
を含む、フォトレジストを処理するための方法。
【請求項１８】
前記露光されたフォトレジストを処理した後に、前記フォトレジストを化学的に現像するステップを更に含む、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月30日(2020.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて、端末（ＵＥ）が上りリンク（ｕｐｌｉｎｋ、ＵＬ）信号を送信する方法であって、
前記端末がＲＲＣ＿ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態から離れる段階に基づいて、前記端末がＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態のために時間整列タイマ（Ｉ−ＴＡＴ）を開始する段階；及び
前記端末が１）前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末、及び、２）前記Ｉ−ＴＡＴ動作段階に基づいて、任意接続（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ、ＲＡ）手順を開始せず、前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態のために構成されたＵＬグラントを使用してＵＬデータを送信する段階を含んでなる、方法。
【請求項２】
１）前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末、及び、２）前記Ｉ−ＴＡＴ非動作段階に基づいて、前記任意接続手順を除いて、ＵＬ送信を実行しない段階を更に含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末がシステム情報により前記Ｉ−ＴＡＴを再開始するという指示を受信する段階；及び
前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末が前記指示を受信する段階に基づいて前記Ｉ−ＴＡＴを再開始する段階を更に含んでなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｉ−ＴＡＴは、前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末が、ＵＬタイミングが同期化されたと判断する期間である、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＲＲＣ＿ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態から離れる段階は、前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態に進入する段階を含んでなる、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
１）前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末、及び、２）前記Ｉ−ＴＡＴ動作段階に基づいて、任意接続（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ、ＲＡ）手順を開始せず、前記ＵＬグラントを使用して前記ＵＬデータを送信する段階は、前記ＵＬデータを前記端末の識別子と共に送信する段階を含んでなる、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記端末が前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態から離れる段階に基づいて、前記端末が前記Ｉ−ＴＡＴを中断する、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記端末がＲＲＣ＿ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態から離れる段階のために、前記時間整列タイマ（Ｉ−ＴＡＴ）の値を含んでなる、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
無線通信システムにおいて上りリンク（ｕｐｌｉｎｋ、ＵＬ）信号を送信する端末であって、
ラジオ周波数（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）送受信装置；
プロセッサ；及び
前記プロセッサを動作実行させる少なくとも１つのプログラムを格納するメモリ；を備えてなり、
前記端末がＲＲＣ＿ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態から離れる段階に基づいて、ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態のために時間整列タイマ（Ｉ−ＴＡＴ）を開始する段階；及び
前記ＲＦ送受信装置により、１）前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末、及び、２）前記Ｉ−ＴＡＴ動作段階に基づいて、任意接続（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ、ＲＡ）手順を開始せず、前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態のために構成されたＵＬグラントを使用してＵＬデータを送信する段階を含んでなる、端末。
【請求項１０】
前記動作は、１）前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末、及び、２）前記Ｉ−ＴＡＴ非動作段階に基づいて、前記任意接続手順を除いて、ＵＬ送信を実行しない段階を含んでなる、請求項９に記載の端末。
【請求項１１】
前記動作は、
前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態において、システム情報により前記Ｉ−ＴＡＴを再開始するという指示を受信する段階；
前記指示を受信する段階に基づいて、前記Ｉ−ＴＡＴを再開始する段階；とを含んでなる、請求項９又は１０に記載の端末。
【請求項１２】
前記Ｉ−ＴＡＴは、前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末がＵＬタイミングが同期化されたと判断する期間である、請求項９〜１１の何れか一項に記載の端末。
【請求項１３】
前記ＲＲＣ＿ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態から離れる段階は、前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態に進入する段階を含んでなる、請求項９〜１２の何れか一項に記載の端末。
【請求項１４】
１）前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態における前記端末、及び、２）前記Ｉ−ＴＡＴ動作段階に基づいて、任意接続（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ、ＲＡ）手順を開始せず、前記ＵＬグラントを使用して前記ＵＬデータを送信する段階は、前記ＵＬデータを前記端末の識別子と共に送信する段階を含んでなる、請求項９〜１３の何れか一項に記載の端末。
【請求項１５】
前記動作は、前記端末が前記ＲＲＣ＿ＩＤＬＥ状態から離れる段階に基づいて、前記Ｉ−ＴＡＴを中断する段階を更に備えてなる、請求項９〜１４の何れか一項に記載の端末。
【請求項１６】
前記端末がＲＲＣ＿ＣＯＮＮＥＣＴＥＤ状態から離れる段階のために、前記時間整列タイマ（Ｉ−ＴＡＴ）の値を含んでなる、請求項９〜１５の何れか一項に記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月4日(2020.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピーカ（１０）であって：
・内部容積（１１）を画定する、エンクロージャ（８）と；
・少なくとも１つ音発生装置（７）であって、前記内部容積（１１）を出入りする空気が動作可能に通過する通気導管（１５）を画定する１つ以上の表面（１２，１３，２１，２２，１４，３５，３６，６４，６５，６６，６７，６８，６９）を備え、さらに、少なくとも１つの空気暴露電極（１，４）および少なくとも１つの絶縁電極（２，３）を備える、音発生装置（７）と；
・前記少なくとも１つの空気暴露電極（１，４）と、前記少なくとも１つの絶縁電極（２，３，７０）と、の間に電界を発生させ、前記複数の電極に近接して前記通気導管（１５）内にプラズマ（１００）を動作可能に生成するように構成された、電圧源手段（６）と；を備え、
・前記複数の電極は、前記発生した電界が前記生成されたプラズマ（１００）を動作可能に誘導して、前記通気導管（１５）を通る空気流を生じされるように、互いに、かつ前記通気導管（１５）に対して配置されており；かつ
・前記電圧源手段（６）は、提供された電気音声信号（２５）に応じて前記電界を変調することにより、前記通気導管（１５）を通る空気流を変調して前記スピーカ（１０）から対応する音声信号（４０）を生成するように構成されている、スピーカ（１０）。
【請求項２】
・前記少なくとも１つの絶縁電極（２，３，７０）は、前記通気導管（１５）を画定する前記１つ以上の表面（１２，１３，１４，６４，６５，６６，６８）の対応する１つの下に配置されており；
・前記少なくとも１つの空気暴露電極（１，４）は、前記少なくとも１つの絶縁電極（２，３，７０）に対してオフセットして前記通気導管（１５）内に配置されている、請求項１に記載のスピーカ（１０）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの空気暴露電極（１，４）は、前記少なくとも１つの絶縁電極（２，３，７０）に対応する前記表面（１２，１３，１４，６４，６５，６６，６８）と、前記通気導管（１５）への入口（１６）と、の間の前記通気導管（１５）内、または、前記少なくとも１つの絶縁電極（２，３，７０）に対応する前記表面（１２，１３，１４，６４，６５，６６，６８）に隣接し、かつ当該表面に対して傾斜する前記通気導管（１５）内の何れか一方に配置されている、請求項２に記載のスピーカ（１０）。
【請求項４】
前記１つ以上の表面（１２，１３，３６，６５，６６）は、前記通気導管（１５）がその端部で前記エンクロージャ（８）の前記内部容積（１１）に向かって拡大するように構成されている、請求項１に記載のスピーカ（１０）。
【請求項５】
・前記通気導管（１５）を画定する前記１つ以上の表面は、第１の表面（１２，６４）と第２の表面（１３，６６）とを含み、該第１の表面および該第２の表面は、それらの間に第１の隙間（１８，１８０）を画定するように互いに対向して隔てられており、
・前記少なくとも１つの絶縁電極は、前記第１の表面（１２，６４）の下に配置された第１の絶縁電極（２，７０）と、前記第２の表面（１３，６６）の下に配置された第２の絶縁電極（３）と、を少なくとも含み、かつ
・前記少なくとも１つの空気暴露電極は、前記通気導管（１５）内に前記第１の隙間（１８，１８０）に隣接して配置された、第１の空気暴露電極（１）を少なくとも含む、請求項１に記載のスピーカ（１０）。
【請求項６】
前記第１の表面（１２，６４）と第２の表面（１３，６６）との間の距離は、少なくとも前記第１および第２の表面の前記端部において、前記エンクロージャ（８）の前記内部容積（１１）に向かって増加している、請求項５に記載のスピーカ（１００）。
【請求項７】
前記少なくとも１つの空気暴露電極は、前記通気導管（１５）内に、前記第２の表面（１３）に隣接して配置された、第２の空気暴露電極（４）をさらに含む、請求項５に記載のスピーカ（１００）。
【請求項８】
・前記１つ以上の表面は、第３の表面（６５）と第４の表面（６８）とをさらに含み、該第３の表面および該第４の表面は、それらの間に第２の隙間（１８１）を画定するように互いに対向して隔てられており；
・前記少なくとも第１の空気暴露電極（１）は、前記通気導管（１５）内に、前記第２の隙間（１８１）に隣接して配置されている、請求項５に記載のスピーカ（１００）。
【請求項９】
前記１つ以上の表面（１４，３５，３６）は、前記通気導管（１５）の孔（１９）を画定する表面（１４）を含み、前記空気暴露および絶縁電極の配置は、前記孔（１９）を画定する前記表面（１４）の下に配置された少なくとも絶縁電極（２）と、前記通気導管（１５）内に配置されて前記孔（１９）に隣接する空気暴露電極（１）と、を含む、請求項１に記載のスピーカ（１００）。
【請求項１０】
前記電圧源手段（６）は、キャリア周波数を有する電圧源信号（４０）を生成するように構成されており、かつ前記複数の電極のための供給電圧（２６）を生成するように、前記電圧源信号（４０）を、前記電気音声信号（２５）で変調するようにさらに構成されている、請求項１に記載のスピーカ（１０）。
【請求項１１】
前記キャリア周波数を、前記生成されたプラズマ（１００）の実際のスパイク周波数に対応する値に調整するように構成された、制御手段（３０）を含む、請求項１０に記載のスピーカ（１０）。
【請求項１２】
前記電圧源手段（６）は：
・前記複数の電極に電源電圧（５０）を加えて、前記プラズマ（１００）を動作可能に生成し；
・前記プラズマの生成後に、前記電源電圧（５０）から直流電圧（５１）に切り替え；かつ
・前記電気音声信号（２５）で前記直流電圧（５１）を変調するように構成されている、請求項１に記載のスピーカ（１０）。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの音発生装置は、互いに直接にかつ／または段階的に配置された複数の音発生装置（７）を含む、請求項１に記載のスピーカ（１０）。
【請求項１４】
前記スピーカは、少なくとも１つの音発生装置（２’，３’）と共通の通気導管の周りに配置されて、前記音発生装置（２’，３’）の一方から軸方向に隔てられた、少なくとも１つのさらなる音発生装置（２’’，３’’）を備え、前記少なくとも１つのさらなる音発生装置は、前記少なくとも１つの音発生装置の前記一方と逆位相で駆動される、請求項１に記載のスピーカ。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の少なくとも１つのスピーカ（１０）を備える、ヘッドフォン。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理チャンバのためのペデスタルアセンブリであって、
誘電体材料を含み、基板を受容するための支持体面を有する基板支持体と、
前記基板支持体内に封入された抵抗加熱器と、
中空コアを有し、前記中空コアの第１の端部で前記基板支持体の支持体部材に連結されたシャフトと、
前記支持体部材と前記中空コアの前記第１の端部との間の界面に配置された、約４．０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する熱伝導材料と、
を備える、ペデスタルアセンブリ。
【請求項２】
前記シャフトは、内部冷却経路を介して前記ペデスタルから熱を取り除くため、前記シャフトの内部に配置された、前記中空コアを取り囲む冷却チャネルアセンブリを備える、請求項１に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項３】
前記基板支持体は、発熱体と前記冷却チャネルアセンブリとの間に配置された熱遮断部を有する、請求項２に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項４】
前記熱遮断部は、
上方壁と、
向かい合う下方壁と、
前記熱遮断部を取り囲む、円形の周壁と、
を備える、請求項３に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項５】
前記熱遮断部は、約７．６ｃｍから約１０．２ｃｍの間の直径と、約１ｃｍから約１．３ｃｍの間の高さを有する、請求項４に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項６】
前記支持体部材は、前記界面に隣接するその外縁に形成された複数の凹部を含む、請求項１に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項７】
半導体処理チャンバのためのペデスタルアセンブリであって、
誘電体材料を含み、基板を受容するための支持体面を有する基板支持体と、
前記基板支持体内に封入された抵抗加熱器と、
中空コアを有し、前記中空コアの第１の端部で前記基板支持体の支持体部材に連結されたシャフトと、
発熱体と冷却チャネルアセンブリとの間に配置された空隙を含む熱遮断部と、
を備えるペデスタルアセンブリ。
【請求項８】
前記熱遮断部は、
上方壁と、
向かい合う下方壁と、
前記熱遮断部を取り囲む周壁と、
を備える、請求項７に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項９】
前記周壁は円形である、請求項８に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項１０】
前記熱遮断部は、約７．６ｃｍから約１０．２ｃｍの間の直径と、約１ｃｍから約１．３ｃｍの間の高さを有する、請求項７に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項１１】
前記支持体部材は、界面に隣接するその外縁に形成された複数の凹部を含む、請求項７に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項１２】
前記支持体部材と前記中空コアの前記第１の端部との間の界面に配置された熱伝導材料を更に備える、請求項７に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項１３】
前記熱伝導材料は、約４．０Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する、請求項１２に記載のペデスタルアセンブリ。
【請求項１４】
半導体処理チャンバのためのペデスタルアセンブリであって、
誘電体材料を含み基板を受容するための支持体面を有する基板支持体と、
前記基板支持体内に封入された抵抗加熱器と、
中空コアを有し前記中空コアの第１の端部で前記基板支持体の支持体部材に連結されたシャフトと、
発熱体と冷却チャネルアセンブリとの間に配置された空隙を含む熱遮断部と、
前記支持体部材と前記中空コアの前記第１の端部との界面に配置された熱伝導材料と、
を備える、ペデスタルアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月18日(2020.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のワイヤレスデバイスによるワイヤレス通信の方法であって、
第2のワイヤレスデバイスと少なくとも1つの他のワイヤレスデバイスとを含む複数のワイヤレスデバイスの空間的な方向を決定するステップと、
前記決定された空間的な方向に基づいて前記第2のワイヤレスデバイスからの信号を受信するための1つまたは複数の角度領域を示す前記第1のワイヤレスデバイスの掃引パターンを選択するステップと、
前記第1のワイヤレスデバイスの前記掃引パターンと、前記第1のワイヤレスデバイスがその間に前記第2のワイヤレスデバイスからの送信を待ち受ける少なくとも1つのタイムスロットとを含む情報を、前記第2のワイヤレスデバイスに送信するステップと、
前記決定された空間的な方向および前記送信された情報に基づいて、1つまたは複数の送信要求(RTS)メッセージを受信するためにビーム掃引を実行するステップであって、前記ビーム掃引を実行するステップが、前記少なくとも1つのタイムスロットの間に前記選択された掃引パターンに基づいてRTSメッセージを待ち受けるステップを備える、ステップと、
データ送信のための前記RTSメッセージが、前記決定された空間的な方向の第1の空間的な方向において前記第2のワイヤレスデバイスから受信されると決定するステップであって、前記RTSメッセージが持続期間フィールドを含む、ステップと、
前記RTSメッセージの中の前記持続期間フィールドに基づいてネットワーク割振りベクトル(NAV)を設定するステップと、
前記第2のワイヤレスデバイスからの前記データ送信を認可するために、送信可(CTS)メッセージを送信するステップであって、前記CTSメッセージが、前記NAVが期限切れになった後で前記第2のワイヤレスデバイスへビームフォーミングされる、ステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記CTSメッセージが前記第1の空間的な方向においてビームフォーミングされた方式で送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記CTSメッセージが無指向性の方式で送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記CTSメッセージが前記第2のワイヤレスデバイスに送信されたことを示す追加の情報を、前記少なくとも1つの他のワイヤレスデバイスに送信するステップをさらに備え、前記追加の情報が、前記第1の空間的な方向以外の前記決定された空間的な方向の各々において、前記少なくとも1つの他のワイヤレスデバイスの各ワイヤレスデバイスへとビームフォーミングされる、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記追加の情報が、前記CTSメッセージと関連付けられる持続期間を含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記持続期間フィールドが少なくとも前記RTSメッセージの持続期間を示す、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記CTSメッセージとともに含まれるネットワーク割振りベクトル(NAV)がビームフォーミングを介して前記CTSメッセージにおいて送信され、前記方法が、前記CTSメッセージとともに含まれる前記NAVに基づいて前記データ送信を受信するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記CTSメッセージとともに含まれる前記NAVが前記CTSメッセージの持続期間を示す、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記第1のワイヤレスデバイスが、基地局、アクセスポイント、リレー、ユーザ機器(UE)、またはカスタマ構内設備(CPE)のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記第2のワイヤレスデバイスが、基地局、アクセスポイント、リレー、ユーザ機器(UE)、またはカスタマ構内設備(CPE)のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記情報が告知送信間隔の間に送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記情報が物理ダウンリンク制御チャネル(PDCCH)を介して送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記情報を示すために、前記PDCCHのダウンリンク制御情報(DCI)内でビットのセットが確保される、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための第1のワイヤレスデバイスであって、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法を行うための手段を備える、第1のワイヤレスデバイス。
【請求項１５】
コンピュータ実行可能コードを記憶した第1のワイヤレスデバイスのコンピュータ可読記憶媒体であって、プロセッサによって実行されると、請求項1から13のいずれか一項に記載の方法を行うためのコードを備える、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月26日(2020.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークが過負荷である場合のネットワークノードによるワイヤレス通信のための方法であって、
通信セッション中に、ユーザ機器(UE)から、データパケットを備えるメッセージを受信するステップと、
前記データパケットが、前記通信セッション中の前記UEによる送信または受信のための最後のデータパケットであるか否かを検出するステップと
を含み、
前記データパケットが前記最後のデータパケットである場合、前記方法が、
前記データパケットを処理するステップと、
バックオフタイマの指示を含む別のメッセージを前記UEに送信するステップであって、前記送信された別のメッセージが、受諾メッセージを備え、前記受諾メッセージが、前記データパケットが処理されたことを前記UEに示す、ステップと
をさらに備え、
前記データパケットが前記最後のデータパケットではない場合、前記方法が、
前記データパケットを破棄するステップと、
バックオフタイマの指示を含む別のメッセージを前記UEに送信するステップであって、その都度、前記バックオフタイマが、その間に前記UEが前記ネットワークノードへのデータ送信を延期するべきである時間期間を示す、ステップと
をさらに備える、方法。
【請求項２】
前記方法が、指示を受信するステップをさらに含み、前記データパケットが前記最後のデータパケットであるか否かの前記検出が、前記指示に基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記メッセージが前記指示を含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記指示が前記UEから受信される、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記データパケットが破棄される場合、前記送信された別のメッセージが、拒否メッセージを備え、前記拒否メッセージが、前記データパケットが処理されていないことを前記UEに示す、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
指示が前記UEから受信されない場合、前記検出が、前記データパケットが前記最後のデータパケットではないことを検出するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記データパケットが前記最後のデータパケットではないことを検出することを前記検出が含む場合、前記データパケットが破棄される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記データパケットを処理するステップが、前記データパケットを別のネットワークノードに転送するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記データパケットが、制御プレーンデータパケットを備え、前記メッセージが、非アクセス層(NAS)メッセージを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
通信セッション中に、ネットワークノードにデータパケットを送信するステップと、
前記データパケットに応答して、前記ネットワークノードから、バックオフタイマの指示を含むメッセージを受信するステップと、
前記メッセージが受諾メッセージを備えるか、または拒否メッセージを備えるかに基づいて、前記データパケットが前記ネットワークノードによって処理されたか否かを決定するステップと、
前記決定に基づいて、前記データパケットが処理されたか否かを、前記UEの上位レイヤに示すステップと、
前記バックオフタイマに基づいて、前記ネットワークノードへのデータ送信を延期するステップと
を含む、方法。
【請求項１１】
前記メッセージに基づいて、前記通信セッションを前記UEのユーザプレーンに移動させるステップと、
前記メッセージがサービス受諾メッセージを備える場合、前記通信セッションの前記ユーザプレーンへの前記移動を延期することを決定するステップであって、前記サービス受諾メッセージが、前記データパケットが前記ネットワークノードによって処理されたことを示す、ステップと、
前記決定に基づいて、前記通信セッションの前記移動を延期するステップと
をさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法が、
別のデータパケットが前記ネットワークノードへの送信のために保留中であると決定するステップをさらに含み、前記通信セッションの前記移動を延期するステップが、前記別のデータパケットが送信のために保留中であるとの前記決定の際に前記通信セッションを移動させるステップを含む、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記バックオフタイマが実行中である間、前記ネットワークノードからデータパケットを受信するステップと、
前記データパケットの前記受信に応答して、前記バックオフタイマを停止するステップと
をさらに含み、
前記受信されたデータパケットが、モバイル着信(MT)データパケットを備える、請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
ネットワークノードによるワイヤレス通信のための装置であって、
通信セッション中に、ユーザ機器(UE)から、データパケットを備えるメッセージを受信するための手段と、
ネットワークが過負荷である場合、バックオフタイマが前記UEに送られるべきであると決定するための手段と
を備え、
前記データパケットが最後のデータパケットである場合、前記装置が、
前記データパケットを処理するための手段と、
バックオフタイマの指示を含む別のメッセージを前記UEに送信するための手段であって、前記送信された別のメッセージが、受諾メッセージを備え、前記受諾メッセージが、前記データパケットが処理されたことを前記UEに示す、手段と
をさらに備え、
前記データパケットが前記最後のデータパケットではない場合、前記装置が、
前記データパケットを破棄するための手段と、
バックオフタイマの指示を含む別のメッセージを前記UEに送信するための手段であって、その都度、前記バックオフタイマが、その間に前記UEが前記ネットワークノードへのデータ送信を延期するべきである時間期間を示す、手段と
をさらに備える、装置。
【請求項１５】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための装置であって、
通信セッション中に、ネットワークノードにデータパケットを送信するための手段と、
前記データパケットに応答して、前記ネットワークノードから、バックオフタイマの指示を含むメッセージを受信するための手段と、
前記メッセージが受諾メッセージを備えるか、または拒否メッセージを備えるかに基づいて、前記データパケットが前記ネットワークノードによって処理されたか否かを決定するための手段と、
前記決定に基づいて、前記データパケットが処理されたか否かを、前記UEの上位レイヤに示すための手段と、
前記バックオフタイマに基づいて、前記ネットワークノードへのデータ送信を延期するための手段と
を備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月14日(2020.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信の方法であって、
情報ブロックを取得するステップと、
衛星の少なくとも1つの電力モードに基づいて、前記情報ブロックを区分するかどうかを決定するステップと、
前記決定に基づいて前記情報ブロックをセグメントへと区分するステップと、
前記セグメントを送信するステップとを備える、通信の方法。
【請求項２】
区分するかどうかの前記決定が、前記衛星が低電力モードにある場合に区分することを選ぶステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも1つの基準に基づいて前記セグメントのサイズを決定するステップをさらに備え、
前記少なくとも1つの基準が、前記衛星の前記少なくとも1つの電力モード、前記衛星の少なくとも1つの位置、割り振られたウィンドウサイズ、割り振られた帯域幅、前記情報ブロックのサイズ、またはこれらの任意の組合せを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも1つの基準に基づいて、前記セグメントを送信するための情報ウィンドウの量を決定するステップをさらに備え、
前記少なくとも1つの基準が、前記衛星の前記少なくとも1つの電力モード、前記衛星の少なくとも1つの位置、割り振られたウィンドウサイズ、割り振られた帯域幅、前記情報ブロックのサイズ、またはこれらの任意の組合せを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記セグメントのうちの少なくとも1つとともに前記セグメントの量の指示を送信するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記セグメントのうちの少なくとも1つとともにセグメント識別子を送信するステップをさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記区分化が複数のブロードキャスト情報ウィンドウにまたがる、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記区分化が複数のパケット境界にまたがる、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記区分化が複数のサブフレームにまたがる、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記情報ブロックが、衛星近隣セルリスト、エフェメリス情報、またはこれらの任意の組合せを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
通信のための装置であって、
情報ブロックを取得するための手段と、
衛星の少なくとも1つの電力モードに基づいて、前記情報ブロックを区分するかどうかを決定するための手段と、
前記決定に基づいて前記情報ブロックをセグメントへと区分するための手段と、
前記セグメントを送信するための手段とを備える、装置。
【請求項１２】
コンピュータ実行可能コードを記憶するコンピュータ可読記録媒体であって、前記コンピュータ実行可能コードが、
情報ブロックを取得し、
衛星の少なくとも1つの電力モードに基づいて、前記情報ブロックを区分するかどうかを決定し、
前記決定に基づいて前記情報ブロックをセグメントへと区分し、
前記セグメントを送信する
ためのコードを含む、コンピュータ可読記録媒体。
【請求項１３】
通信の方法であって、
情報ブロックを取得するステップと、
衛星の少なくとも1つの位置に基づいて、前記情報ブロックを区分するかどうかを決定するステップと、
前記決定に基づいて前記情報ブロックをセグメントへと区分するステップと、
前記セグメントを送信するステップとを備える、通信の方法。
【請求項１４】
通信のための装置であって、
情報ブロックを取得するための手段と、
衛星の少なくとも1つの位置に基づいて、前記情報ブロックを区分するかどうかを決定するための手段と、
前記決定に基づいて前記情報ブロックをセグメントへと区分するための手段と、
前記セグメントを送信するための手段とを備える、装置。
【請求項１５】
コンピュータ実行可能コードを記憶するコンピュータ可読記録媒体であって、前記コンピュータ実行可能コードが、
情報ブロックを取得し、
衛星の少なくとも1つの位置に基づいて、前記情報ブロックを区分するかどうかを決定し、
前記決定に基づいて前記情報ブロックをセグメントへと区分し、
前記セグメントを送信する
ためのコードを含む、コンピュータ可読記録媒体。