【事件の表示】
　特願２０１１−２３３５５３「反射型マスクブランクおよび反射型マスク」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月１６日出願公開、特開２０１３−　９３３９５、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、平成２３年１０月２５日の出願であって、 平成２７年６月３０日付けで拒絶理由（以下、単に「拒絶理由」という。）が通知され、同年９月３日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年９月２９日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、同年１２月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、平成２８年１月２２日付けで、前置報告（以下、単に「前置報告」という。）がなされた。
第２　平成２７年１２月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を
「　【請求項１】
　波長５ｎｍから１５ｎｍの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、
　基板と、
　前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、
　前記多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、
　前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、
　前記基板の、前記多層反射膜が形成された面とは反対面上に形成された導電膜とを備え、
　前記基板は、石英（ＳｉＯ２）を主成分とし酸化チタン（ＴｉＯ２）を含む材料で形成され、
　前記多層反射膜は、前記基板上にモリブデン（Ｍｏ）を材料とする層と珪素（Ｓｉ）を材料とする層とが重ねられた層が、複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、
　前記保護膜は、前記多層反射膜上に形成され、ルテニウム（Ｒｕ）またはシリコン（Ｓｉ）のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素（Ｓｉ）の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、
　前記吸収膜は、前記保護膜上に形成され、タンタル（Ｔａ）及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてタンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素（Ｓｉ）の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、
　前記導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であり、
　前記吸収膜から入射し、前記基板を透過して前記導電膜で反射し、再度前記基板を透過して前記吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％である、反射型マスクブランク。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の反射型マスクブランクにおいて、前記吸収膜を選択的に除去することで回路パターンが形成され、前記回路パターンを除く前記回路パターンの周囲の部分に、前記吸収膜と前記保護層と前記多層反射膜とを選択的に除去した枠状の領域が形成されて成る、反射型マスク。」
とするものである。
２　本件補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する請求項２、請求項１を引用する請求項２を引用する請求項３を、それぞれ、新たに請求項１、請求項２とするものであって、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし５項の規定に適合する。
第３　本願発明
　上述のとおりであるから、本願の請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明２」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるものと認められる。（上記「第２」「１」参照。）
第４　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
（１）原査定
「この出願については、平成２７年　６月３０日付け拒絶理由通知書に記載した理由１（特許法第２９条第２項）によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１（特許法第２９条第２項）について
・請求項　　：１，３
・引用文献等：１−３
　平成２７年　９月　３日付けの意見書において、出願人は、「・・・これに対し、引用文献１に記載の反射型マスクでは、シャドーイング抑制のため多層反射膜を適宜改質して遮光帯を形成し、光を吸収させます。すなわち、多層反射膜をそもそも光が通過しにくくなっております。また、引用文献２に記載の反射型マスクでは、導電膜（チャック層）として、金属材料とくにクロムが好ましいとの記載（段落〔００２５〕）があります。このように、いずれの引用文献も、導電膜として酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を用いて、多層反射膜を通過した光を導電膜で反射しにくくするという本願発明の課題解決を何ら示唆せず、これらの引用文献を組み合わせて本願請求項１の発明に想到する動機付けが全くありません。」と主張する。
　まず、「シャドーイング抑制のため多層反射膜を適宜改質して遮光帯を形成し、光を吸収させます。すなわち、多層反射膜をそもそも光が通過しにくくなっております。」と主張するものの、当該遮光帯は、周辺部遮光領域２２の一部に設けられるものであり、転写パターン領域２１には設けられていないから、「多層反射膜をそもそも光が通過しにくくなっております。」という主張は、的を射ていない（段落００２３，図２等参照）。
　次に、引用文献２には、ＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクにおいて、導電膜（チャック層）として、ＩＴＯを採用すること、積層構造とすることが記載されている（段落００２５等参照）。
　出願人は、「引用文献２に記載の反射型マスクでは、導電膜（チャック層）として、金属材料とくにクロムが好ましいとの記載（段落〔００２５〕）があります。」と主張して、引用文献２記載の発明では、導電膜がクロムで形成されるべきと主張するようであるものの、引用文献２には、「また、チャック層は、ＩＴＯや酸化スズなどの金属酸化物材料であってもよい。」ことも記載されており、クロムに限定されるものではない。
　また、引用文献２記載の発明のチャック層に用いられるＩＴＯは、引用文献１記載の発明の導電膜と作用機能も共通し、さらに、共にＥＵＶ用のマスク基板のチャック層に用いられるものであるから、互いに密接に関連した技術分野に属する発明である。
　そのため、出願人の上記主張は採用されない。
　その他の請求項の如くすることも、当業者が容易に想到し得ることである。
　なお、請求項２は、新たに追加された請求項であるので、当該請求項に係る発明については、審査を行っていない。
　　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１１−０４４５２０号公報
２．特表２００９−５２３３１１号公報
３．特開２００９−１４１２２３号公報
＜審査を行っていない請求項＞
　平成２７年　９月　３日付け手続補正書による補正後の請求項２に係る発明については、先の拒絶理由通知の際に審査対象としていないため、当該請求項に係る発明については審査を行っていない。」
（２）拒絶理由
　そして、上記「平成２７年　６月３０日付け拒絶理由通知書に記載した理由１（特許法第２９条第２項）」は、下記のとおりである。
「１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（進歩性）について
・請求項　　：１
・引用文献等：１−２
・備考
　引用文献１には、ＥＵＶ用の反射型マスクブランクであって、
　基板（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系の低熱膨張ガラスの基板１１）と、
　前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜（ＭｏとＳｉとの多層構造の多層反射膜１２）と、
　前記多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜（ＲｕやＳｉのキャッピング層１３）と、
　前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜（Ｔａ等で形成された吸収層１５）と、
　前記基板の、前記多層反射膜が形成された面とは反対面上に形成された導電膜（導電層１７）とを備える反射型マスクブランクに関する発明が記載されている（段落０００３，００２２乃至００３８及び図２等参照）。
　本願請求項１に係る発明と引用文献１記載の発明とを比較すると、本願請求項１に係る発明は、導電膜が、酸化インジウムスズまたは酸化亜鉛のいずれかを含む材料の層を有する積層構造を有するのに対して、引用文献１記載の発明は、導電膜を有するものの、導電膜が、酸化インジウムスズまたは酸化亜鉛のいずれかを含む材料の層を有する積層構造を有するのか不明である点が相違する。
　上記相違点について検討する。
　引用文献２には、ＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクにおいて、導電膜（チャック層）として、ＩＴＯや酸化スズを採用すること、積層構造とすることが記載されている（段落００２５等参照）。
　引用文献１記載のＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクの導電膜（導電層１７）と、引用文献２に記載のＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクの導電膜（チャック層）とは、互いに密接に関連した技術分野に属するものであるので、引用文献２に記載のＩＴＯ等の積層構造の導電膜を、引用文献１に記載の導電膜に適用することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
・請求項　　：２
・引用文献等：１−３
・備考
　引用文献３は、引用文献１が引用する先行技術文献である（段落０００８及び図１０（ｂ）等参照）。
　引用文献３には、ブランクから製造する反射型マスクとして、回路パターン（転写パターン領域１０）の周囲の部分に、吸収膜（吸収膜５）と保護層（保護層３）と多層反射膜（多層反射膜２）とを選択的に除去した枠状の領域（第１の遮光領域１１ａ）が形成される反射型マスクが記載されている（段落００４４−００５７，図１４，図１５等参照）。
　引用文献１記載のＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクは、反射型マスクの形成に用いられるものであり、引用文献１記載の発明の反射型マスクと、引用文献３に記載の反射型マスクとは、共に多重露光時のレジストダメージを軽減するという互いに密接に関連した技術分野に属するものであるので、引用文献１記載の発明の反射型マスクが、引用文献３記載の発明のように枠状の領域を備えることは、格別なことではない。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１１−０４４５２０号公報
２．特表２００９−５２３３１１号公報
３．特開２００９−１４１２２３号公報」
（３）前置報告
　さらに、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の（平成２７年９月３日付け手続補正書により補正された）請求項１を引用する請求項２であって、原査定において、
「＜審査を行っていない請求項＞
　平成２７年　９月　３日付け手続補正書による補正後の請求項２に係る発明については、先の拒絶理由通知の際に審査対象としていないため、当該請求項に係る発明については審査を行っていない。」
とされているところ、本願発明１について、前置報告で、以下のとおり、報告されている。
「この審判請求に係る出願については、下記のとおり報告します。
・根拠条文　第２９条第２項
　　　　　　第３６条第６項第２号
・請求項　　１−２
・引用文献等
　引用文献等一覧参照
・特許査定できない理由
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　請求項１に係る発明は、拒絶査定時に審査を行っていない請求項２を加入した。
　旧請求項２は削除され、旧請求項３は、従属先を請求項１に記載の発明に変更された。
（１）第２９条第２項の要件について
　本願請求項１に係る発明と引用文献１記載の発明とを比較すると、本願請求項１に係る発明は、導電膜が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であり、吸収膜から入射し、基板を透過して導電膜で反射し、再度基板を透過して吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％であるのに対して、引用文献１記載の発明は、導電膜を有するものの、導電膜が、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であるのか不明であり、また、吸収膜から入射し、基板を透過して導電膜で反射し、再度基板を透過して吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率も不明である点が相違する。
　上記相違点について検討する。
　引用文献２には、ＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクにおいて、導電膜（チャック層）として、ＩＴＯを採用すること、積層構造とすることが記載されている（段落００２５等参照）。そして、チャック層の厚さとして、例えば５０〜２００ｎｍであることが好ましいことも記載されている（段落００３０等参照）。
　また、引用文献２記載の発明の基板は、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラスであるから、石英（ＳｉＯ２）を主成分とし酸化チタン（ＴｉＯ２）を含む材料で形成されている（段落００１４，００２２−００２５等参照）。
　引用文献１−２記載発明では、ＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクの構成において、基板がＳｉＯ２−ＴｉＯ２ガラスであり、裏面に静電チャック用の導電膜を備えるものであるから、ＥＵＶリソグラフィ反射型マスクブランクという互いに密接に関連した技術分野に属する発明であり、その導電膜は静電チャックに用いるものであるから作用機能が共通するものであるので、引用文献１記載の発明に引用文献２記載の発明を採用し、引用文献２に記載のＩＴＯの積層構造の導電膜を、引用文献１に記載の導電膜に適用することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　このとき、引用文献２記載の発明の導電膜（チャック層）の厚さは、例えば５０〜２００ｎｍであり、この厚さに関し、例えば引用文献１記載の発明では、２０〜１５０ｎｍ程度（段落００３６等参照）であり、実施例では２０ｎｍの場合が例示（段落００７７等参照）されており、導電膜（チャック層）の厚さとしては、当業者が通常採用する程度の厚さである。
　そして、本願の請求項１に記載された発明では、導電膜の厚さは不明であるものの、明細書の段落００１５等を参酌して、１００ｎｍ程度の場合に、吸収膜から入射し、基板を透過して導電膜で反射し、再度基板を透過して吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率が１３．５％になることが記載されている。導電膜での反射率自体は、膜厚が極端に薄ければ下がること、ある程度以上厚ければ反射率がほぼ一定になることが技術常識として推定されるところ、本願の実施例に記載されている膜厚は、引用文献１−２に記載された発明の膜厚に対して格別な数値範囲になく、むしろ厚い位である。
　酸化インジウムスズの波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における反射率は、物質の性質上、本願の請求項１に係る発明と引用文献２記載の発明とで差はないと推定される。また、本願の請求項１に係る発明と引用文献２記載の発明とにおいて、基板と導電膜との構成は、共に石英（ＳｉＯ２）を主成分とし酸化チタン（ＴｉＯ２）を含む材料の基板と酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造の導電膜であるので、界面で生じる反射率に大差はないと推定される。
　また、吸収膜から基板までの構成に関し、請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明と差異がなく、本願の詳細な説明においても、当該吸収膜から基板までの構成によって波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲の波長の光を吸収膜側に出さないための構成について記載も示唆もされていないので、これらの構成によって、導電膜で反射した光を吸収膜側に出さないようにしているとも認められない。
　そのため、引用文献１記載の発明に引用文献２記載の発明を採用し、引用文献２に記載のＩＴＯの積層構造の導電膜を、引用文献１に記載の導電膜に適用すれば、その物質の性質上、吸収膜から入射し、基板を透過して導電膜で反射し、再度基板を透過して吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％程度になると推定され、この点についても格別なことではなくなる。
　そのため、これらの点に関し、進歩性は認められない。
　その他の請求項の如くすることも、当業者が容易に想到し得ることである。
・・・後略・・・」
２　当審の判断
（１）引用刊行物
ア　原査定に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２０１１−４４５２０号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ア）「【００２２】
  以下、本発明のＥＵＶ露光用の反射型マスクおよびその製造方法について、図面を参照しながら実施形態を説明する。
【００２３】
反射型マスク
１．第１の実施形態
　図１は、本発明の遮光帯を有する反射型マスクの第１の実施形態を示す図であり、図１（ａ）は概略断面図であり、パターン側から見た平面図である図１（ｂ）のＡ−Ａ線における断面図を示す。図１（ａ）に示すように、本実施形態の遮光帯を有する反射型マスク１０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するマスクであって、ウェハなどの被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターンの周囲の遮光領域に所定幅の遮光帯１８が設けられている。図１において、ウェハなどの被転写体へフィールドとして転写用パターンを形成する領域を転写パターン領域２１とし、転写用パターン形成領域以外の周囲の遮光領域を周辺部遮光領域２２としている。遮光帯１８は、周辺部遮光領域２２にあり露光時に多重露光となる領域に設けられている。したがって、周辺部遮光領域２２の遮光帯１８を設けた部分は、吸収層１５と遮光帯１８との２つの層で遮光性をより高めていることになる。なお、遮光帯１８よりもさらに外側は、露光時にブレードを用いて遮光することができる。
　以下、本発明の低反射型マスク１０を構成する遮光帯１８についてさらに詳しく説明する。
【００２４】
（遮光帯）
　本実施形態の遮光帯１８は、多層反射膜１２にレーザ光を照射して多層反射膜１２を破壊した層により構成されており、基板１１上の多層反射膜１２と同一平面上にあり、ＥＵＶ光に対する遮光帯１８の反射率は多層反射膜１２の反射率よりも低いことを特徴とするものである。さらに、図１（ａ）に示すように、遮光帯１８は、基板１１と吸収層１５（図１（ａ）では後述するキャッピング層１３、バッファ層１４を介している）との間に挟まれて反射型マスクに内蔵されていることを特徴とする。したがって、パターン側から見た平面図の図１（ｂ）では、遮光帯１８の存在は確認できない。図１（ｂ）では、点線と実線で囲まれた枠内に遮光帯１８が内蔵されていることを示している。しかし、基板１１が透過性の場合には、パターン形成した主面側と相対する他方の主面側から、遮光帯１８を確認することができる。本発明において、遮光帯１８の幅は、通常４倍マスクにおいて１ｍｍ〜１０ｍｍ程度の範囲内の所定値であり、転写用パターンの周囲に矩形トラック状に設けられる。
【００２５】
　本発明において、遮光帯１８は、レーザ光照射で多層反射膜を破壊した層により構成されている。多層反射膜１２は、通常、数１０層の複数の薄膜を交互に積層した多層構造で構成され、多層膜反射鏡の役割を果たしており、その材料としては代表的にはＭｏ／Ｓｉの多層反射膜がよく用いられている。しかし、多層構造を有する多層反射膜は、高熱に弱いことが知られている。
【００２６】
　本発明において、レーザ光照射された多層反射膜が破壊され、例えばＭｏとＳｉの多層反射膜の場合、レーザ光の熱により多層反射膜が融解してＭｏとＳｉが合金化しているか、あるいはＭｏとＳｉが拡散層を形成しているか、あるいは他の構造に変化しているかは不明であるが、レーザ光照射により多層反射膜としての機能が破壊され、レーザ光を照射された部分がＥＵＶ光に対して多層反射膜よりも低反射率な層となれば遮光帯として用いることができる。したがって、遮光帯１８は、必ずしも多層反射膜の全ての層が破壊されていなくてもよい。例えば、基板１１側からのレーザ光照射により数１０層に積層された多層反射膜のパターン側の層が損傷を受けていなくても、基板１１側の層が破壊されていれば、ＥＵＶ項に対する反射率は低下し、本発明の遮光帯として用いることができる。
【００２７】
（他の構成要素）
　反射型マスク１０は、パターンを形成する吸収層１５が必ずしも多層反射膜１２に直接に接していなくてもよい。吸収層１５をパターン状にドライエッチングする時に下層の多層反射膜１２に損傷を与えるのを防止するために、通常、多層反射膜１２と吸収層１８との間にバッファ層（エッチングストッパー層とも称する）１４が設けられる。さらに必要に応じて、多層反射膜１２の上に反射膜の酸化防止などのために、キャッピング層（保護層とも称する）１３が設けられる。また、マスク検査時の検査光（２５０ｎｍ）の反射コントラストを上げるために、吸収層１５の上に反射防止層１６を設ける場合もある。
　本実施形態の反射型マスクは、遮光帯１８以外の他の構成要素、材料として従来の反射型マスクの構成要素、材料をそのまま適用することが可能であるが、以下に説明する。
【００２８】
（基板）
　本発明の
反射型マスク１０の基板１１としては、
ＳｉＯ
２
−ＴｉＯ
２
系の低熱膨張ガラス
を用いることもできる。
【００２９】
（多層反射膜）
　
多層反射膜１２は、
２．７４ｎｍ厚のＭｏと４．１１ｎｍのＳｉを各４０層積層した多層膜よりなる反射膜が挙げられる。
【００３０】
（キャッピング層）
　多層反射膜１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏを最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易くて反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護膜として、
スパッタリング法などによりＳｉやＲｕを成膜し、キャッピング層１３を設けることがある。
【００３１】
（バッファ層）
　ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層１５をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の多層反射膜１２に損傷を与えるのを防止するために、通常、多層反射膜１２と吸収層１５との間にバッファ層１４が設けられる。
バッファ層１４の材料としてはＳｉＯ
２
が多用される
【００３２】
（吸収層）
  マスクパターンを形成し、
ＥＵＶ光を吸収する吸収層１５の材料としては、Ｔａ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料
用いられる。
【００３３】
（反射防止層）
　また、マスクパターン検査時の検出感度を上げるために、吸収層１５上に検査光（２５０ｎｍ）に対して低反射とした反射防止層１６を設ける場合もある。反射防止層１６の材料としては、例えば、タンタルの窒化物（ＴａＮ）、酸化物（ＴａＯ）、酸窒化物（ＴａＮＯ）、タンタルホウ素酸化物（ＴａＢＮ）、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）などが挙げられ、膜厚５ｎｍ〜３０ｎｍ程度の範囲で用いられる。
【００３４】
２．第１の実施形態の別な例
　図２は、本発明の遮光帯を有する反射型マスクの第１の実施形態における別な例を示す概略断面図である。図２において、図１と同じ部位と材料を示す場合には、図１と同じ符号を用いている。
図２に示す本実施形態の別な例においては、基板１１の一方の主面上に設けられたマスクパターンと相対する他方の主面上に、導電層１７が形成されている点が図１の場合と異なるが、他は図１と同じである。
【００３５】
　すなわち、図２に示すように、本実施形態の別な例を示す遮光帯を有する反射型マスク２０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有し、基板１１の他方の主面上に導電層１７が形成されており、ウェハなどの被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターン領域２１の周囲に所定幅の遮光帯１８が設けられている。遮光帯１８は、周辺部遮光領域２２にあり露光時に多重露光となる領域に設けられている。導電層１７を除く他の構成要素および遮光帯１８は、上記の第１の実施形態で述べた内容と同じなので、ここでの説明は省略する。以下、導電層１７について述べる。
【００３６】
（導電層）
  
導電層１７は、前述したように、ＥＵＶ露光用マスクの静電チャック用に設けるものであり、導電層１７の材料としては、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜を設けたものであり、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。
【００３７】
　図２に示す反射型マスク２０は、基板１１が透過性の場合であっても、パターン側あるいはパターン側と相対する他方の主面側のいずれからも遮光帯１８を確認することはできない。図２に示す反射型マスク２０は、後述する本発明の反射型マスクの製造方法において、図１に示す反射型マスク１０を製造した後に、パターン側と相対する他方の主面側に導電層１７を成膜形成して得ることができる。
【００３８】
　上記の第１の実施形態によるＥＵＶ露光用の反射型マスクによれば、遮光帯１８は、多層反射膜１２と同一平面上にあるので露光光のシャドーイングの影響が低減され、基板１１と吸収層１５との間に挟まれて反射型マスクに内蔵されているのでマスクの耐洗浄性に優れ、ＥＵＶ露光における転写パターンのフィールドの重なり部分の遮光性を高めて露光光の漏れを抑制する効果が得られ、良好な転写パターンを得ることができる。」
（イ）「 次に、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法について説明する。
【００４４】
反射型マスクの製造方法 
　本発明の反射型マスクの製造方法は、基板の一方の主面上に、ＥＵＶ光を反射する多層反射膜と、この多層反射膜上にＥＵＶ光を吸収する吸収層とを少なくとも設けて形成された転写用パターンを有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、被転写体への転写用パターンの形成領域を規定し、転写用パターンの形成領域以外へのＥＵＶ光の照射を防止するために、転写用パターンの周囲に遮光帯を設けるに際し、転写用パターンの周囲の遮光帯を形成する領域の多層反射膜にレーザ光を照射して多層反射膜を破壊し、上記の破壊した多層反射膜により遮光帯を形成することを特徴とするものである。
【００４５】
　本発明の反射型マスクの製造方法によれば、上記の特許文献２に記載された反射型マス
クのように、第２の吸収膜を成膜しパターン加工する工程が不要であり、あるいは４０層に及ぶ多層反射膜を深掘りエッチングして多層反射膜を除去する工程も不要であり、マスク作製時の加工方法を複雑にせずに簡単な工程で短時間に遮光帯を有する反射型マスクの製造が可能となる。
【００４６】
　以下、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法における実施形態について図面を用いて説明する。また、以下の図面において、同じ部位と材料を示す場合には、同じ符号を用いている。なお、本発明の製造方法における反射型マスクの各構成要素、材料は、上記の反射型マスクに記載した内容と同様であるので、説明は省略する。
【００４７】
　図４は、遮光帯を設けていない反射型マスクの製造工程の一例を示す断面模式図で、従来公知の反射型マスクの製造工程であり、本発明の反射型マスクの製造方法における第１の実施形態および第２の実施形態に共通する前工程となる工程である。
【００４８】
　先ず、
ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０を準備する（図４（ａ））。反射型マスクブランクス４０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５ａとを少なくとも設けてパターン形成層としている。図４（ａ）に示す反射型マスクブランクス４０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４ａが順に設けられ、吸収層１５ａ上には、反射防止層１６ａが設けられている。
【００４９】
　次に、吸収層１５ａをパターニングするために、レジストパターン１９を形成し（図４（ｂ））、反射防止層１６ａ、吸収層１５ａ、バッファ層１４ａの順にドライエッチングして、図４（ｃ）に示すように、反射型マスク５０を作製する。反射型マスク５０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５とを少なくとも設けてパターン形成層としており、転写パターン領域２１と周辺部遮光領域２２を有する。図４（ｃ）に示す反射型マスク５０は、さらに、多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４が順に設けられ、吸収層１５上には、反射防止層１６を設けた構成をしている。
【００５０】
　上記のように、図４（ｃ）に示す反射型マスク５０およびその製造方法は公知であるので、図４の製造方法の詳細は省略する。以下に説明する第１の実施形態および第２の実施形態に示す遮光帯を有する本発明の反射型マスクの製造方法は、吸収層１５ａをエッチングし転写用パターンを形成して反射型マスク５０を作製した後に遮光帯を形成することに特徴を有するものである。」
（ウ）「【図１】
【図２】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０であって、
　反射型マスクブランクス４０は、基板１１の一方の主面上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜１２と、その多層反射膜１２上にキャッピング層１３、バッファ層１４ａが順に設けられ、バッファ層１４ａ上にＥＵＶ光を吸収する吸収層１５ａを設けてパターン形成層としており、
　基板１１は、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系の低熱膨張ガラスが用いられ、
　多層反射膜１２は、２．７４ｎｍ厚のＭｏと４．１１ｎｍのＳｉを各４０層積層した多層膜よりなる反射膜であり、
　キャッピング層１３は、ＳｉやＲｕを成膜したものであり、
　バッファ層１４ａの材料として、ＳｉＯ２が用いられ、
　吸収層１５ａの材料として、Ｔａを主成分とする材料が用いられた、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０。」
イ　原査定に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特表２００９−５２３３１１号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ア）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
  
本発明のＥＵＶマスクブランク１は、図１のとおり、基板１０の表面１０ａに反射層２０を形成した構造となっている。また、基板１０の裏面１０ｂには、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層（以下、チャック層ともいう）５０が形成されている。
  なお、本発明において、「反射層付き基板」とは、反射層およびチャック層が形成された基板を意味し、「チャック層付き基板」とは、チャック層のみが形成された基板を意味する。
・・・（中略）・・・
【００２２】
  本発明の反射層付き基板およびＥＵＶマスクブランクは、前記反射層が形成されている表面とは反対の面（裏面）にチャック層を有している。チャック層は、成膜時またはマスクの露光時の保持手段として用いられる静電チャックのチャック部材として作用する。チャック層は、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層であり、静電チャックにより基板をチャックする方式にもよるが、導電性の高い導電膜や電界印加によって誘電分極を生じる誘電体膜であることが好ましい。具体的には、チャック層とは、体積抵抗率が１０６Ω・ｃｍ以下の膜、特に１０５Ω・ｃｍ以下の膜であることが好ましい。なお、体積抵抗率は、導電膜（体積抵抗率が１０−３Ω・ｃｍ以下の膜）の場合４端子法で測定し、誘電体膜の場合ＡＳＴＭ−Ｄ２５７を用いて測定する。チャック層が導電膜の場合、導電膜のシート抵抗は、反射層の絶縁破壊が生じないようにする点で、１００Ω／□以下であることが好ましい。
【００２３】
  また、チャック層の表面硬度は高いことが好ましい。チャック層付き基板を静電チャックにチャックして保持して反射層付き基板やＥＵＶマスクブランクの形成に使用した際に、静電チャックとチャック層との擦れによってパーティクルが発生することが防止することが可能となるからである。チャック層のビッカーズ硬度が２００以上であることが好ましい。チャック層のビッカーズ硬度が２００以上であれば、チャック層付き基板を静電チャックに固定してＥＵＶマスクブランクの製造に使用した際に、静電チャックとチャック層との擦れによってパーティクルが発生することを防止する効果に優れている。
【００２４】
  また、チャック層の表面は、静電チャックとチャック層との擦れによるパーティクルの発生防止の点で、平滑性に優れることが好ましい。具体的には、チャック層の表面の平滑性は、Ｒｍｓで２ｎｍ以下であることが好ましい。チャック層の表面の平滑性がＲｍｓで２ｎｍ以下であれば、チャック層付き基板を静電チャックに固定した場合に安定して十分なチャック保持力が得られるだけでなく、静電チャックとチャック層との擦れによってパーティクルが発生することを防止する効果に優れている。
【００２５】
  また、チャック層は、積層構造（例えば、２層構造であり、組成がＣｒであって、下層はＢを含有せず、上層はＢを含有する層）や、傾斜組成構造（例えば、Ｂの含有量を膜厚に従って変化させた層）とすることも可能である。
  
チャック層は、上記シート抵抗値を満たすものであれば特に限定されないが、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、ＳｉおよびＷからなる群から選ばれる１種以上の金属材料であることが好ましく、特にＣｒであることが以下の理由から好ましい。上記金属材料のチャック層中の含有率は、１０〜７０ａｔ％であることがチャック層能力の点で好ましい。また、チャック層は、ＩＴＯや酸化スズなどの金属酸化物材料であってもよい。
【００２６】
  導電膜は、基板を静電チャックで強固に固定することが好ましいため、シート抵抗が１００Ω／□以下であることが好ましい。導電膜のシート抵抗は、導電膜の電気伝導率、導電膜の面積および膜厚によって決定される。Ｃｒは、電気伝導率が高いため、導電膜のシート抵抗を１００Ω／□以下にするのに好都合である。また、Ｃｒで構成された導電膜は、基板との密着性に優れている。
【００２７】
  チャック層は、上記金属材料のみならず、平均濃度１〜７０ａｔ％でＢ（ホウ素）を含有してもよい。つまり、チャック層は、金属とＢからなる膜であることが好ましい。さらに、チャック層中にＮを含有させてもよい。Ｎを含有させることによって、チャック層で発生する応力（具体的には、圧縮応力）を高めることができるため好ましい。
【００２８】
  さらに、チャック層は、金属単体であるのみならず、金属窒化物であってもよい。また、チャック層が金属窒化物である場合、前記材料に酸素（Ｏ）を含まないことが好ましい。また、チャック層はチャック層の膜厚方向で組成が異なっていてもよく、チャック層の基板側には、窒素（Ｎ）を含み、前記チャック層のうち表面側には、酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）を含んでもよい。
【００２９】
  また、露光時に基板を静電チャックで固定する場合は、チャック層が導電膜の場合、上述のとおり、導電膜のシート抵抗が１００Ω／□以下であることが好ましい。しかし、これは、あくまで基板を固定するために必要な抵抗値であって、反射層を成膜する場合は、基板そのものを回転して成膜する場合があるため、回転しても基板が外れないような静電力がさらに必要になる場合がある。具体的には、導電膜のシート抵抗が２０Ω／□以下であることが好ましい。
【００３０】
  チャック層の膜厚は、１０〜５００ｎｍであることが好ましい。チャック層の膜厚が１０ｎｍ未満であると、チャック層付き基板を静電チャックに固定した際にチャック層力が不足するおそれがある。また、基板の成膜面にスパッタリング法を用いて成膜する際に、異常放電が起こり、パーティクルが発生するおそれがある。また、チャック層付き基板を静電チャックに固定し、高電圧を引加した際に基板が絶縁破壊するおそれがある。チャック層の膜厚が５００ｎｍ超である場合、これ以上の膜厚であってもチャック層力の向上にはもはや寄与せず、チャック層の形成に要する時間が増加し、チャック層の形成に要するコストが増加するため好ましくない。また、チャック層の膜厚が必要以上に大きくなるため、膜剥れが発生するおそれが増加する可能性がある。チャック層の膜厚は、３０〜４００ｎｍ、特に５０〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００３１】
  チャック層は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリングといったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法等を用いて形成することができる。」
（イ）「【図１】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（２）本願発明１について
ア　対比
　本願発明１と引用発明を対比すると、
「波長５ｎｍから１５ｎｍの光を露光光とするリソグラフィで用いられる反射型マスクブランクであって、
　基板と、
　前記基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、
　前記多層反射膜上に形成された多層反射膜を保護する保護膜と、
　前記保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収膜と、
　前記基板は、石英（ＳｉＯ２）を主成分とし酸化チタン（ＴｉＯ２）を含む材料で形成され、
　前記多層反射膜は、前記基板上にモリブデン（Ｍｏ）を材料とする層と珪素（Ｓｉ）を材料とする層とが重ねられた層が、複数重ねられることで構成された多層構造で形成され、
　前記保護膜は、前記多層反射膜上に形成され、ルテニウム（Ｒｕ）またはシリコン（Ｓｉ）のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてルテニウム（Ｒｕ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素（Ｓｉ）の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有し、
　前記吸収膜は、前記保護膜上に形成され、タンタル（Ｔａ）及びその酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料で形成された単層構造、または、当該単層構造に最上層としてタンタル（Ｔａ）の酸化物、窒化物、酸窒化物、および、珪素（Ｓｉ）の酸化物、窒化物、酸窒化物のいずれかを含む材料がさらに積層された積層構造を有する、反射型マスクブランク。」
で一致し、次の点で相違する。
　本願発明１では、
「前記導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であり、
　前記吸収膜から入射し、前記基板を透過して前記導電膜で反射し、再度前記基板を透過して前記吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％である」のに対して、引用発明は、そのような導電膜を有さない点。
イ　判断
　上記相違点について検討する。
　引用文献１には、「ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０」に、導電層を設けるとの記載はないが、「ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０」のパターンを形成した「反射型マスク１０」には、「ＥＵＶ露光用マスクの静電チャック用に設けるものであり」（段落【００３６】）、「反射型マスク１０」の「一方の主面上に設けられたマスクパターンと相対する他方の主面上に、導電層１７が形成されて」（段落【００３４】）おり、「導電層１７の材料としては、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜を設けたものであり、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる」（段落【００３６】）構成が示されている。
　また、引用文献２には、
「ＥＵＶマスクブランク１」は、「基板１０の表面１０ａに反射層２０を形成した構造となってい」て、「基板１０の裏面１０ｂには、基板を静電チャックによりチャックして保持するためのチャック層（以下、チャック層ともいう）５０が形成されて」おり（段落【００１２】）、
「チャック層」は、「Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、ＳｉおよびＷからなる群から選ばれる１種以上の金属材料であることが好ましく、特にＣｒであることが」「好ましい」が、「ＩＴＯや酸化スズなどの金属酸化物材料であってもよい」こと（段落【００２５】）が記載されている。
　しかし、引用文献１にも、引用文献２にも、ＥＵＶ露光用反射型マスクにおいて、半導体基板上のレジストに到達する真空紫外線から近赤外領域の光を低減させようとする技術事項はもとより、ＥＵＶ光源からはアウトオブバウンドと呼ばれる１３．５ｎｍ帯以外の真空紫外線から近赤外領域の光が放射され、この光が半導体基板上のレジストを感光して、配線パターンの寸法に影響を与えるという課題も、開示あるいは示唆されていないことは明らかである。また、他に、該技術事項や課題を開示あるいは示唆する証拠もない。
　すると、引用発明の「ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクス４０」において、「多層反射膜１２」等が設けられた「基材１１の一方の主面」と相対する他方の主面上に静電チャック用としての導電層を形成し、その際、該導電層をＩＴＯから形成することにより、アウトオブバウンドと呼ばれる１３．５ｎｍ帯以外の真空紫外線から近赤外領域の光の反射率を低減すること、すなわち、
「前記導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であり、
　前記吸収膜から入射し、前記基板を透過して前記導電膜で反射し、再度前記基板を透過して前記吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％である」という発明特定事項を採用することは、当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
　さらに、本願発明１は、
「前記導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であり、
　前記吸収膜から入射し、前記基板を透過して前記導電膜で反射し、再度前記基板を透過して前記吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％である」構成により、本願明細書に記載された、紫外線領域から近赤外領域の光の反射を低減することができるという格別な効果を奏し得ると認められる。
　したがって、本願発明１の
「前記導電膜は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を含む材料の層を有する積層構造であり、
　前記吸収膜から入射し、前記基板を透過して前記導電膜で反射し、再度前記基板を透過して前記吸収膜から射出する光である反射光の、波長２５０ｎｍから８５０ｎｍの範囲における平均反射率は１３．５％である」という発明特定事項は、引用発明、引用文献１及び２の記載事項から、当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
ウ　結論
　以上のとおり、本願発明１は、上記相違点において、当業者が引用発明、引用文献１及び２の記載事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（３）本願発明２について
　本願発明２は、本願発明１の発明特定事項をすべて有し、さらに限定したものであるから、本願発明１と同様、上記相違点において、引用発明、引用文献１及び２の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（４）小括
　上述のとおり、本願発明１、２は、引用発明、引用文献１及び２の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
（５）原査定についての結論
　したがって、原査定によって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。