【事件の表示】
　特願２０１２−　８４６４１「チップの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　７月　５日出願公開、特開２０１２−１２９５７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年３月１日に出願した特願２００１−５６７５９号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年４月３日に新たな特許出願としたものであって、同年４月５日に上申書及び手続補正書が提出され、平成２５年１１月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年７月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２７年２月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月９日に審判請求がなされるとともに手続補正書が提出され、同年１１月１２日に上申書が提出されたものである。
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年６月９日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、本願の特許請求の範囲を補正するものであって、詳細には、請求項１を補正し、請求項４を削除し、補正前の請求項５ないし９を補正後の請求項４ないし８に繰り上げ、補正前の請求項１０を補正して補正後の請求項９とし、補正前の請求項１１ないし１６を補正後の請求項１０ないし１５に繰り上げ、請求項１７ないし２０を削除し、補正前の請求項２１を補正して補正後の請求項１６とし、補正前の請求項２２ないし２５を補正後の請求項１７ないし２０に繰り上げ、請求項２６ないし２７を削除し、補正前の請求項２８ないし２９を補正後の請求項２１ないし２２に繰り上げるとともに、補正前の請求項８、１１ないし１６、２２ないし２５及び２８ないし２９が引用していた請求項の項番を補正するものである。
　そして、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１０については、本件補正の前後で以下のとおりである。
　・補正前
「【請求項１０】
　チップの製造方法であって、該方法は、
　シリコン基板と、
　該シリコン基板の中または表面上の多数の装置と、
　前記シリコン基板上の第１の導電構造物であって、該第１の導電構造物は、電気メッキ法及びＣＭＰプロセスを含む方法によって形成される、第１の導電構造物と、
　前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出し、前記パッシベーション層は窒化物を含む、パッシベーション層と、
　前記パッシベーション層上の第１のポリマー層と、
　を提供するステップと；
　前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；
　を含み、
　前記第２の導電構造物は、前記第１の導電構造物より厚くて幅が広い、方法。」
　・補正後
「【請求項９】
　チップの製造方法であって、該方法は、
　シリコン基板と、
　該シリコン基板の中または表面上の多数の装置と、
　前記シリコン基板上の第１の導電構造物であって、該第１の導電構造物は、電気メッキ法及びＣＭＰプロセスを含む方法によって形成される、第１の導電構造物と、
　前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出し、前記パッシベーション層は窒化物を含む、パッシベーション層と、
　前記パッシベーション層上の第１のポリマー層と、
　を提供するステップと；
　前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；
　前記第２の導電構造物表面に第２のポリマー層を形成するステップと；
　を含み、
　前記第２の導電構造物は、前記第１の導電構造物より厚くて幅が広く、前記第２の導電構造物は、信号刺激、クロック刺激、接地配電、及び、配電、の内の１つのためのものである、方法。」
２　補正事項の整理
　本件補正による、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１０についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し、当審で付加したもの。）
　・補正事項１
　本件補正前の請求項１０の項番を請求項９にすること。
　・補正事項２
　本件補正前の請求項１０の「前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；を含み、」を、「前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；
前記第２の導電構造物表面に第２のポリマー層を形成するステップと；
　・補正事項３
　本件補正前の請求項１０の「前記第２の導電構造物は、前記第１の導電構造物より厚くて幅が広い」を、「前記第２の導電構造物は、前記第１の導電構造物より厚くて幅が広
く、前記第２の導電構造物は、信号刺激、クロック刺激、接地配電、及び、配電、の内の１つのためのものである
３　補正の適否について
（１）補正事項１について
　補正事項１は、本件補正前の他の請求項（請求項４）の削除に伴う項番の繰り上がりであるから、適法であることは明らかである。
（２）補正事項２について
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００３４】の記載から、補正事項２は本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので、補正事項２は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）の規定に適合する。
　そして、補正事項２は、本件補正前の請求項１０における「前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップ」について、当該ステップの後に「前記第２の導電構造物表面に第２のポリマー層を形成するステップ」を有するものに限定するものであり、本件補正前の請求項１０に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３）補正事項３について
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００４５】ないし【００４６】の記載から、補正事項３は本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので、補正事項３は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして、補正事項３は、本件補正前の請求項１０における 「第２の導電構造物」について、その用途を限定するものであり、本件補正前の請求項１０に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
４　独立特許要件について
（１）上記３で検討した通り、本件補正における、本件補正前の請求項１０についての補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから、本件補正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき、更に検討する。
（２）本件補正発明
　本件補正後の請求項９に係る発明（以下「本件補正発明」という）は、本件補正後の請求項９に記載された、次のとおりのものと認める。（再掲）
　「チップの製造方法であって、該方法は、
　シリコン基板と、
　該シリコン基板の中または表面上の多数の装置と、
　前記シリコン基板上の第１の導電構造物であって、該第１の導電構造物は、電気メッキ法及びＣＭＰプロセスを含む方法によって形成される、第１の導電構造物と、
　前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出し、前記パッシベーション層は窒化物を含む、パッシベーション層と、
　前記パッシベーション層上の第１のポリマー層と、
　を提供するステップと；
　前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；
　前記第２の導電構造物表面に第２のポリマー層を形成するステップと；
　を含み、
　前記第２の導電構造物は、前記第１の導電構造物より厚くて幅が広く、前記第２の導電構造物は、信号刺激、クロック刺激、接地配電、及び、配電、の内の１つのためのものである、方法。」
（３）引用例１の記載事項と引用発明１
　ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−０３１８２０号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）。
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、半導体装置に関し
・・・
【０００６】
この発明が解決しようとする課題は、１チップ内に
各機能ブロックを備え、しかも信号伝搬性能を向上した半導体装置を得るにはどのような手段を講じればよいか
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、
この発明は、複数の機能ブロックを備えた半導体装置において、配線材料の各主成分が異なる２種類以上の複数金属配線層を持つことを、その解決手段としている
【０００８】
【作用】
この発明においては、主成分が異なる金属配線層を備えることで、配線間で信号伝搬速度を変えることができる
チップ内の
比較的遠距離の機能ブロック間の配線を、伝搬速度の速いＣｕ等を主成分とする金属配線層で構成し、機能ブロックの内の配線を例えばＡｌ等を主成分とする金属配線層で構成する
（イ）「【００１０】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を示す断面説明図である。本実施例は、シリコン基板の上に、３層のＡｌ配線層及び３層のＣｕ配線層を形成したものである。
図中１はシリコン基板であり、この基板１に例えば各種トランジスタ、抵抗等の素子（図示省略する）が各機能ブロック毎に作り込まれている
このシリコン基板１の表面に、ＳｉＯ
2
でなる第１層間絶縁膜２が形成されている
第１層間絶縁膜２の上に第１層Ａｌ配線層３が形成されている
この第１層Ａｌ配線層３の上にはＳｉＯ
2
でなる第２層間絶縁膜４が例えばＣＶＤ法にて堆積されている
第２層間絶縁膜４の上に、例えばスパッタ法により堆積され、パターニングが行われた第２層Ａｌ配線５が形成されている
第２Ａｌ配線５の上にＳｉＯ
2
でなる第３層間絶縁膜６が堆積されている
この第３層間絶縁膜６の上には、第３層Ａｌ配線７が形成されている
第３Ａｌ配線７の上には、第４層間絶縁膜８が形成されている
【００１１】そして、
上記第４層間絶縁膜８の上には、例えばエポキシ樹脂でなる第１有機層間膜９が例えば１１μｍの膜厚に形成されている
この第１有機層間膜９及び第４層間絶縁膜８には、所定位置の第３Ａｌ配線７に上層配線層を接続するためのスルーホールが形成されおり、このスルーホールを介して上層配線層である第１層Ｃｕ配線１０が形成されている
第１層Ｃｕ配線１０の上には、第２有機層間膜１１が膜厚１１μｍ程度となるように形成されている
第２有機層間膜１１の上には、膜厚が４μｍ程度の第２層Ｃｕ配線１２がパターニングされ、その上に第３有機層間膜１３が１１μｍの膜厚に形成されている
第３有機層間膜１３の上には、第３層Ｃｕ配線１４がパターニングされ、その上に第４有機膜１５が形成されている
【００１２】ここで、
第１層Ｃｕ配線１０は、例えば各機能ブロック間の信号配線であり、第２層Ｃｕ配線１２、第３層Ｃｕ配線１４は、電源及びグランド配線となる
各機能ブロックを結ぶ配線が低抵抗のＣｕであり、層間膜厚が厚いためＣＲ時定数が小さく遅延もすくなくすることができる
Ａｌ系配線とＣｕ系配線との間はＳｉチップを保護するため、Ｐ−ＳｉＮ膜を介在させてもよい
（ウ）「【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発明によれば、
ＬＳＩの各機能ブロック内を通常のＡｌ又はＡｌ多層膜等の微細配線を用いて結線し、チップ内の比較的遠距離の配線をＣｕ系の配線を用いて結線できるため、伝搬性能を向上させる効果を奏する
　イ　引用発明１
　上記アの引用例１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「１チップ内に複数の機能ブロックを備えた半導体装置を形成する方法であって、
　シリコン基板１と、
　該シリコン基板１に各機能ブロック毎に作り込まれた各種トランジスタ、抵抗等の素子と、
　前記シリコン基板１の表面に順次形成された、第１層間絶縁膜２、第１層Ａｌ配線層３、第２層間絶縁膜４、第２層Ａｌ配線５、第３層間絶縁膜６、及び第３層Ａｌ配線７と、
　前記第３層Ａｌ配線７の上に形成された第４層間絶縁膜８であって、所定位置の第３層Ａｌ配線７に上層配線層を接続するためのスルーホールが形成された第４層間絶縁膜８と、
　前記第４層間絶縁膜８の上に形成された、例えばエポキシ樹脂でなる第１有機層間膜９であって、前記上層配線層を接続するためのスルーホールが形成された第１有機層間膜９
　を提供するステップと、
　前記第１有機層間膜９の上に前記上層配線層である第１層Ｃｕ配線１０、第２有機層間膜１１、第２層Ｃｕ配線１２、第３有機層間膜１３、及び第３層Ｃｕ配線１４を順次形成するステップと、
　前記第３層Ｃｕ配線１４上に第４有機膜１５を形成するステップと
　を含み、
　前記第１層Ｃｕ配線１０は各機能ブロック間の信号配線であり、第２層Ｃｕ配線１２、及び第３層Ｃｕ配線１４は、電源及びグランド配線となる、方法。」
（４）引用例２及び周知例と引用発明２及び周知技術
　ア　引用例２並びに周知例１及び２
（ア）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２７７６０８号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　ａ　「【００３０】
【発明の実施の形態】以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
シリコンなどの半導体基板上に形成された第１酸化シリコン膜３１には、まず、図１(a)に示すように、いわゆるダマシン法によって第１層目の銅配線層３２が形成される。すなわち、第１酸化シリコン膜３１には、配線パターンに対応した微細な溝３１ａが加工されており、この溝３１ａ内に銅配線層３２が埋設されている。銅配線層３２の埋設に際しては、溝３１ａが加工された第１酸化シリコン膜３１の全面に、バリアメタル層３３（たとえば、ＴｉＮなどからなる。）および図示しないシード層（銅からなる。）をたとえばスパッタ法により形成し、その後、電解めっきによって、溝３１ａの深さよりも厚い銅層を上記シード層上に堆積させる。続いて、ＣＭＰ処理によって、溝３１ａ外の銅層、シード層およびバリアメタル層を除去して第１酸化シリコン膜３１の表面が露出するまで表面の平坦化を行うと、溝３１ａ内にのみ銅配線層３２が埋設された状態となる。
　ｂ　「【００５１】
まず、図５(a)に示すように、半導体基板上の第１絶縁膜７１には、配線パターンに対応した溝７１ａが形成され、この溝７１ａ内に銅配線パッド７２（下地層を兼ねる内部配線層）が埋め込まれる。この銅配線パッド７２の代わりに、ポリシリコンやアルミニウムにより内部配線およびパッド（内部配線層）を形成し、このパッド上にスパッタ法などにより銅を被着して下地層を形成してもよい。
銅配線パッド７２に対応する開口７３を有するポリイミド膜７４（絶縁膜）が形成される。ポリイミド膜の代わりに窒化シリコン膜を用いてもよい。」
【００５２】
次に、図５(b)に示すように、ポリイミド膜７４の表面上で、予め定めた銅パッド７２同士を接続する銅再配線層７６が形成される。銅再配線層７６の形成には、たとえば、リフトオフ法が適用できる。すなわち、ポリイミド膜７４の全面に、スパッタリングにより銅のシード層を成膜し、その上に、レジストパターンを形成する。そして、銅の電解めっきを行った後に、レジストを除去することにより、不要な銅層部分を剥離する。その後、ウエットエッチングなどにより、銅のシード層を除去する。
（イ）周知例１
　原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−７７４０７号公報（以下「周知例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜１０５を剥離した後、全面に配線材料となる金属膜１０７を堆積する。金属膜１０７としては例えばアルミニウム膜を用いることができる
金属膜の形成には、例えばスパッタ法、ＣＶＤ法或いはメッキ法、さらにはこれらを組み合わせて用いることも可能である。
【００３１】次に、図３（ｄ）に示すように、
全面をＣＭＰ法を用いて研磨し、配線用溝１０６及び先に形成した配線用溝１０４に金属膜１０７を選択的に埋め込み（下層側の導電領域に達するコンタクトホールが形成されている場合には、このコンタクトホール内にも選択的に埋め込まれる）、膜厚の薄い配線領域１０８ａ及び膜厚の厚い配線領域１０８ｂを形成する。
（ウ）周知例２
　原出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１３８２１９号公報（以下「周知例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２６】次に、上述した樹脂層１０９の硬化処理と同様にして硬化処理を行い、図２（ｇ）に示すように、電極パッド１０３上にビアホール１０８が配置されそれを通過するように配線溝１１４が配置された低誘電率樹脂層１１５が形成される。次に、図２（ｈ）に示すように、ビアホール１０８および配線溝１１４を含む低誘電率樹脂層１１５上に、例えばスパッタ法などにより、
金属層１１６を１００ｎｍ程度に薄く形成し、加えて、その金属層１１６上に、銅からなる配線材料膜１１７をメッキ法で形成する。
なお、その配線材料１１７は、銅に限るものではなく、アルミや金もしくは銀などを用いることもできる。
・・・
【００２８】次に、図２（ｉ）に示すように、
化学的機械的研磨法（ＣＭＰ）によって金属層１１６の一部と配線材料層１１７とを研削研磨して除去し、低誘電率樹脂層１１５のビアホールと配線溝とがその配線材料で充填された状態とし、いわゆる、デュアルダマシン法により電極配線１１８を形成する。
イ　引用発明２と周知技術
（ア）引用発明２
　上記ア（ア）ｂより、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「アルミニウムなどによるパッド上に銅を被着して銅配線パッドを形成し、当該銅配線パッドに対応する開口を有する、窒化シリコン膜である絶縁膜を形成し、当該絶縁膜の表面に銅のシード層を成膜し、その上にレジストパターンを形成し、銅の電解めっきを行った後に、レジストを除去し、その後エッチングにより銅のシード層を除去することによって、銅再配線層を形成すること。」
（イ）周知技術
　上記アの（ア）ａ、（イ）及び（ウ）より、メッキ法とＣＭＰプロセスを含む方法によって、シリコン基板上に金属の配線を形成することは、引用例２、並びに周知例１及び２に記載されるように、原出願の出願前、当該技術分野では周知の技術と認められる。
（５）対比
　ア　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１における「１チップ内に複数の機能ブロックを備えた半導体装置」は、本件補正発明の「チップ」に相当するということができ、本件補正発明と引用発明１とは、「チップの製造方法」である点で共通するといえる。
（イ）引用発明１における「該シリコン基板１に各機能ブロック毎に作り込まれた各種トランジスタ、抵抗等の素子」は、本件補正発明の「該シリコン基板の中または表面上の多数の装置」に相当するといえる。
　そして、引用発明１における「第１層Ａｌ配線層３」、「第２層Ａｌ配線５」及び「第３層Ａｌ配線７」は、後述する「第１の導電構造物」の形成方法に関する相違点を除き、本件補正発明の「第１の導電構造物」に相当するといえる。
　また、引用発明１における「第４層間絶縁膜８」、「所定位置の第３層Ａｌ配線７」、及び「上層配線層を接続するためのスルーホール」は、それぞれ本件補正発明の「パッシベーション層」、「前記第１の導電構造物の接点」、及び「開口」に相当するということができ、引用発明１における「スルーホール」が「所定位置の第３層Ａｌ配線７」を露出することは明らかであるから、本件補正発明の「前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出し、前記パッシベーション層は窒化物を含む、パッシベーション層」と、引用発明１における「前記第３層Ａｌ配線７の上に形成された第４層間絶縁膜８であって、所定位置の第３層Ａｌ配線７に上層配線層を接続するためのスルーホールが形成された第４層間絶縁膜８」とは、「前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出する、パッシベーション層」である点で共通するといえる。
　そして、引用発明１における「例えばエポキシ樹脂でなる第１有機層間膜９」は、本件補正発明の「第１のポリマー層」に相当するといえる。
　そうすると、本件補正発明と引用発明１とは、「シリコン基板と、該シリコン基板の中または表面上の多数の装置と、前記シリコン基板上の第１の導電構造物と、前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出する、パッシベーション層と、前記パッシベーション層上の第１のポリマー層と、を提供するステップ」を含む点で共通するということができる。
（ウ）引用発明１における「前記上層配線層である第１層Ｃｕ配線１０」、「第２層Ｃｕ配線１２」、及び「第３層Ｃｕ配線１４」は、後述する「第２の導電構造物」の形成方法に関する相違点を除き、本件補正発明の「第２の導電構造物」に相当するということができる。
　そして、引用発明１において、「所定位置の第３層Ａｌ配線７」（本件補正発明の「前記第１の導電構造物の接点」に相当。）上に「前記上層配線層である第１層Ｃｕ配線１０」を形成することは明らかであり、また、「前記上層配線層である第１層Ｃｕ配線１０」、「第２層Ｃｕ配線１２」、及び「第３層Ｃｕ配線１４」は、「例えばエポキシ樹脂でなる第１有機層間膜９」（本件補正発明の「第１のポリマー層」に相当。）の上に形成される。
　そうすると、本件補正発明と引用発明１とは、「前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップ」を含む点で共通するといえる。
（エ）本件補正発明の「前記第２の導電構造物表面に第２のポリマー層を形成するステップ」と、引用発明１における「前記第３層Ｃｕ配線１４上に第４有機膜１５を形成するステップ」とは、「前記第２の導電構造物表面に、層を形成するステップ」である点で共通するといえる。
（オ）引用発明１において「前記第１層Ｃｕ配線１０は各機能ブロック間の信号配線であり、第２層Ｃｕ配線１２、及び第３層Ｃｕ配線１４は、電源及びグランド配線となる」から、本件補正発明と引用発明１とは、「前記第２の導電構造物は、信号刺激、クロック刺激、接地配電、及び、配電、の内の１つのためのものである」点で共通するといえる。
　イ　以上から、本件補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ア）一致点
　「チップの製造方法であって、該方法は、
　シリコン基板と、
　該シリコン基板の中または表面上の多数の装置と、
　前記シリコン基板上の第１の導電構造物と、
　前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出する、パッシベーション層と、
　前記パッシベーション層上の第１のポリマー層と、
　を提供するステップと；
　前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；
　前記第２の導電構造物表面に、層を形成するステップと；
　を含み、
　前記第２の導電構造物は、信号刺激、クロック刺激、接地配電、及び、配電、の内の１つのためのものである、方法。」
（イ）相違点
　・相違点１
　第１の導電構造物を形成する方法に関して、本件補正発明では、電気メッキ法及びＣＭＰプロセスを含む方法によって第１の導電構造物を形成するのに対し、引用発明１は、第１層Ａｌ配線、第２層Ａｌ配線及び第３層Ａｌ配線を上記の方法で形成するものではない点。
　・相違点２
　本件補正発明では、パッシベーション層が窒化物を含むのに対し、引用発明１では、第４層間絶縁膜が窒化物を含むとは特定されていない点。
　・相違点３
　第２の導電構造物を形成する方法に関して、本件補正発明では、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含むステップによって第２の導電構造物を形成するのに対して、引用発明１は、第１層Ｃｕ配線、第２層Ｃｕ配線及び第３層Ｃｕ配線を上記の方法で形成するものではない点。
　・相違点４
　本件補正発明では、第２の導電構造物表面に形成される層が、ポリマーからなる「第２ポリマー層」であるのに対し、引用発明１では、第１層Ｃｕ配線、第２層Ｃｕ配線及び第３層Ｃｕ配線上に形成される層が、「第４有機膜」であってポリマーからなることは特定されていない点。
　・相違点５
　本件補正発明では、第２の導電構造物が第１の導電構造物より厚くて幅が広いのに対し、引用発明１では、第１層Ｃｕ配線、第２層Ｃｕ配線及び第３層Ｃｕ配線が第１層Ａｌ配線、第２層Ａｌ配線及び第３層Ａｌ配線より厚くて幅が広いとは特定されていない点。
（６）判断
　以下、相違点について検討する。
　ア　相違点１について
　上記（４）イ（イ）のとおり、メッキ法とＣＭＰプロセスを含む方法によって、シリコン基板上に金属の配線を形成することは、当該技術分野では周知の技術であるから、引用発明において、第１層Ａｌ配線、第２層Ａｌ配線及び第３層Ａｌ配線をメッキ法とＣＭＰプロセスを含むステップにより形成することは、当業者であれば適宜なし得たことである。そして、メッキ法として電気メッキ法を用いることは、当業者が普通に行い得るものである。
　以上から、相違点１に係る構成は、引用発明１において、当業者が適宜なし得たものである。
　イ　相違点２について
　上記（４）イ（ア）より、配線構造における絶縁膜として窒化シリコン膜を用いることは、引用例２にみられるように当業者が普通に行い得るものであるから、引用発明１における第４層間絶縁膜８を、本件補正発明のように窒化物を含む構成とすること（相違点２に係る構成とすること）は、当業者が適宜なし得たものである。
　ウ　相違点３について
　上記（４）イ（ア）のとおり、引用例２には、アルミニウムなどによるパッド上に銅を被着して銅配線パッドを形成し、当該銅配線パッドに対応する開口を有する、窒化シリコン膜である絶縁膜を形成し、当該絶縁膜の表面に銅のシード層を成膜し、その上にレジストパターンを形成し、銅の電解めっきを行った後に、レジストを除去し、その後エッチングにより銅のシード層を除去することによって、銅再配線層を形成すること（引用発明２）が記載されていると認められる。
　そして、上記（３）イより、引用発明１は、第３層Ａｌ配線７の上に形成された第４層間絶縁膜８、及び該第４層間絶縁膜８の上に形成された第１有機層間膜９に、所定位置の第３層Ａｌ配線７に上層配線層を接続するためのスルーホールが形成され、上記第１有機層間膜９の上に上記上層配線層である第１層Ｃｕ配線１０が形成されるものといえる。
　そうすると、引用発明１及び２は、いずれも、下層の配線層上に絶縁膜が形成され、当該絶縁膜に開口を形成し、当該絶縁膜の上に形成した銅の配線層と上記下層の配線層とを、上記開口を介して接続する技術であると認められるから、引用発明１において、第１有機層間膜９の上に上記上層配線層となる第１層Ｃｕ配線１０を形成する際に、上記第１有機層間膜９上に銅のシード層（本件補正発明の「第１の導電層」に相当。）を成膜し、その上にレジストパターンを形成し、銅の電解めっきを行った後に、レジストを除去し、その後エッチングにより銅のシード層を除去することにより、上記上層配線層となる第１層Ｃｕ配線１０を、上記第１有機層間膜９の上に形成することは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たものといえる。
　以上から、引用発明１において、相違点３に係る構成とすることは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　エ　相違点４について
　引用発明１の「第４有機膜」の素材を、「第１有機層間膜」と同じ「エポキシ樹脂」等のポリマーとすること（相違点４に係る構成とすること）は、当業者であれば適宜なし得たことである。
　オ　相違点５について
　引用発明１において、第１層Ａｌ配線層３、第２層Ａｌ配線５、及び第３層Ａｌ配線７（以下、まとめて「Ａｌ配線」という。）と、第１層Ｃｕ配線層１０、第２層Ｃｕ配線１２、及び第３層Ｃｕ配線１４（以下、まとめて「Ｃｕ配線」という。）は異なる工程において形成されているのであるから（引用例１の段落【００１０】−【００１１】参照）、Ａｌ配線の厚さ及び幅と、Ｃｕ配線の厚さ及び幅を個別に設定しうることは、当業者にとって明らかである。
　そして、上記（３）アによれば、引用発明１は、チップ内の機能ブロック間を接続する遠距離の配線をＡｌ配線で行うと伝播遅延が生じるという課題を解決するために、遠距離の機能ブロック間の配線をＣｕ配線のような低抵抗な配線とするものである（段落【０００６】−【０００８】、【００１２】及び【００１８】）から、Ｃｕ配線をより低抵抗なものとすることが好適であることは、引用例１の記載に接した当業者にとっては自明な事項といえる。
　そうすると、引用発明１の実施に際して、Ｃｕ配線をＡｌ配線よりも厚くて幅が広いものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　以上から、相違点５に係る構成は、引用発明１において当業者が適宜なし得たものである。
　カ　本件補正発明の作用効果について
　相違点１ないし５を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明１及び２の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
（７）独立特許要件についてのむすび
　以上から、本件補正発明は、引用例１及び引用例２にそれぞれ記載の発明、並びに引用例２、周知例１及び２にみられるような周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そして、本件補正発明の効果も、上記周知技術を参酌すれば、引用例１及び２にそれぞれ記載の発明から当業者が予期し得たものと認められる。
　よって、本件補正発明は、特許法第２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
５　本件補正についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年６月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２９に係る発明は、平成２６年７月１５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２９に記載された事項により特定されるものであり、その内の請求項１０に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである
　「チップの製造方法であって、該方法は、
　シリコン基板と、
　該シリコン基板の中または表面上の多数の装置と、
　前記シリコン基板上の第１の導電構造物であって、該第１の導電構造物は、電気メッキ法及びＣＭＰプロセスを含む方法によって形成される、第１の導電構造物と、
　前記第１の導電構造物上のパッシベーション層であって、該パッシベーション層中の開口は、前記第１の導電構造物の接点の上にあり、前記接点を露出し、前記パッシベーション層は窒化物を含む、パッシベーション層と、
　前記パッシベーション層上の第１のポリマー層と、
　を提供するステップと；
　前記接点上に第２の導電構造物を形成するステップであって、該ステップは、第１の導電層を形成し、続いてパターン形成されたフォトレジスト層を形成し、続いて第２の導電層を電気メッキし、続いて前記パターン形成されたフォトレジスト層を除去し、続いて前記第１の導電層をエッチングするステップを含み、前記第２の導電構造物は、前記第１のポリマー層上に形成される、ステップと；
　を含み、
　前記第２の導電構造物は、前記第１の導電構造物より厚くて幅が広い、方法。」
２　引用例の記載事項
　引用例１及び２の記載事項は、それぞれ、第２の４（３）ア及び４（４）ア（ア）で摘記したとおりであり、引用発明１及び２は、それぞれ、第２の４（３）イ及び４（４）イ（ア）で認定したとおりのものである。
３　対比・判断
（１）本件補正後の請求項９に係る発明（すなわち、本件補正発明）は、本件補正前の請求項１０に係る発明（すなわち、本願発明）に対して、「前記第２の導電構造物表面に第２のポリマー層を形成するステップ」及び「前記第２の導電構造物は、信号刺激、クロック刺激、接地配電、及び、配電、の内の１つのためのものである」との事項を加入することで、本件補正前の請求項１０をより限定したものである。
　したがって、本願発明は、本件補正発明から上記の各限定をなくしたものである。
（２）そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本件補正発明が、第２の４（６）において検討したとおり、引用例１及び２にそれぞれ記載の発明、並びに引用例２、周知例１及び２にみられるような周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１及び２にそれぞれ記載の発明、並びに引用例２などにみられるような周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び２にそれぞれ記載の発明、並びに引用例２などにみられるような周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。