Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月22日(2020.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下：
ａ）  式Ａ−Ｌ−Ｂを有する第一のポリペプチドであって、式中、
ｉ）  Ａは第一のＦｃドメイン単量体からなり、
ｉｉ）  Ｌはリンカーであり、
ｉｉｉ）  Ｂは第二のＦｃドメイン単量体からなる、
前記第一のポリペプチドと；
ｂ）  式Ａ’−Ｌ’−Ｂ’を有する第二のポリペプチドであって、式中、
ｉ）  Ａ’は第三のＦｃドメイン単量体からなり、
ｉｉ）  Ｌ’はリンカーであり、
ｉｉｉ）  Ｂ’は第四のＦｃドメイン単量体からなる、
前記第二のポリペプチドと；
ｃ）  第五のＦｃドメイン単量体からなる第三のポリペプチドと；
ｄ）  第六のＦｃドメイン単量体からなる第四のポリペプチドと
からなるＦｃコンストラクトであって、
ＡとＡ’とが結合して第一のＦｃドメインを形成し、Ｂと前記第五のＦｃドメイン単量体とが結合して第二のＦｃドメインを形成し、Ｂ’と前記第六のＦｃドメイン単量体とが結合して第三のＦｃドメインを形成し、
前記第一のＦｃドメイン単量体及び前記第三のＦｃドメイン単量体のそれぞれが、前記第一のＦｃドメイン単量体及び前記第三のＦｃドメイン単量体間での二量体形成を促進する相補的な二量体形成選択性モジュールを含み、
前記第二のＦｃドメイン単量体及び前記第五のＦｃドメイン単量体のそれぞれが、前記第二のＦｃドメイン単量体及び前記第五のＦｃドメイン単量体間での二量体形成を促進する相補的な二量体形成選択性モジュールを含み、
前記第四のＦｃドメイン単量体及び前記第六のＦｃドメイン単量体のそれぞれが、前記第四のＦｃドメイン単量体及び前記第六のＦｃドメイン単量体間での二量体形成を促進する相補的な二量体形成選択性モジュールを含み、
前記Ｆｃコンストラクトが、三つ以下のＦｃドメインを含有し、
前記Ｆｃドメイン単量体が、ＩｇＧ１  Ｆｃドメイン単量体であり、前記Ｆｃドメインのうちの少なくとも一つが、（ｉ）一つ又は複数のＦｃ受容体に対する結合親和性、（ｉｉ）エフェクタ機能、（ｉｉｉ）Ｆｃドメインの硫酸化のレベル、（ｉｖ）半減期、（ｖ）プロテアーゼ耐性、（ｖｉ）Ｆｃドメイン安定性、及び／又は、（ｖｉｉ）分解に対する感受性、のうちの一つ又は複数を変える少なくとも一つのアミノ酸修飾を含む、
前記Ｆｃコンストラクト。
【請求項２】
前記Ｆｃドメイン単量体が、Ｋ３２６Ａ変異またはＥ３３３Ａ変異を有する、請求項１記載のＦｃコンストラクト。
【請求項３】
リンカーＬ及び／又はＬ’が、長さ３〜２００アミノ酸である、請求項１記載のＦｃコンストラクト。
【請求項４】
リンカーＬ及び／又はＬ’が、配列番号：１、２、及び３のうちのいずれか一つの配列からなる、請求項１から３のいずれか一項記載のＦｃコンストラクト。
【請求項５】
Ｆｃドメイン単量体が、ＩｇＧヒンジドメイン、ＩｇＧ  ＣＨ２抗体定常ドメイン、及びＩｇＧ  ＣＨ３抗体定常ドメインを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のＦｃコンストラクト。
【請求項６】
各Ｆｃドメイン単量体が、１０個以下のアミノ酸修飾を有する、請求項１記載のＦｃコンストラクト。
【請求項７】
Ｆｃコンストラクトの第一のポリペプチド及び第二のポリペプチドが、同一のアミノ酸配列を有し、Ｆｃコンストラクトの第三のポリペプチド及び第四のポリペプチドが、同一のアミノ酸配列を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のＦｃコンストラクト。
【請求項８】
ＩｇＧ１がヒトＩｇＧ１である、請求項１に記載のＦｃコンストラクト。
【請求項９】
請求項１記載のＦｃコンストラクトを発現する宿主細胞であって、該宿主細胞が、前記ポリペプチドをコードするポリヌクレオチドを含み、前記ポリヌクレオチドが前記宿主細胞内で発現される、前記宿主細胞。
【請求項１０】
請求項１記載のＦｃコンストラクトと薬剤的に許容できる担体とを含む、医薬組成物。
【請求項１１】
それを必要とする対象において、自己抗体のクリアランスを促進すること、抗原提示を抑制すること、免疫応答を軽減すること、又は、免疫複合体に基づく免疫応答の活性化を軽減することにおいて使用するための、請求項１記載のＦｃコンストラクト。
【請求項１２】
炎症性疾患又は自己免疫疾患又は免疫疾患（例えば、関節リウマチ（ＲＡ）；全身性エリテマトーデス（ＳＬＥ）；ＡＮＣＡ関連血管炎；抗リン脂質抗体症候群；自己免疫性溶血性貧血；慢性炎症性脱髄性ニューロパシー；移植における抗アロ（ａｎｔｉ−ａｌｌｏ）、ＧＶＨＤにおける抗自己（ａｎｔｉ−ｓｅｌｆ）、抗置換、ＩｇＧ治療、ＩｇＧパラプロテインのクリアランス；皮膚筋炎；グッドパスチャー症候群；抗体依存性細胞媒介性細胞障害により媒介される器官系を標的とするＩＩ型過敏症症候群、例えばギラン・バレー症候群、ＣＩＤＰ、皮膚筋炎、フェルティ症候群、抗体媒介性拒絶反応、自己免疫性甲状腺疾患、潰瘍性大腸炎、自己免疫性肝疾患；突発性血小板減少性紫斑病；重症筋無力症、視神経脊髄炎；天疱瘡及び他の自己免疫性水疱性疾患；シェーグレン症候群；抗体依存性ファゴサイトーシスにより媒介される自己免疫性血球減少症及び他の障害；例えば滑膜炎、皮膚筋炎、全身性血管炎、糸球体炎、又は血管炎である他のＦｃＲ依存性炎症症候群）を治療することにおいて使用するための、請求項１記載のＦｃコンストラクト。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月22日(2020.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リンカーを介して薬物に結合した葉酸受容体結合リガンドを含む化合物の１以上を含む、葉酸受容体陰性癌を治療するための医薬組成物であって、ここで、骨髄由来サプレッサー細胞が阻害されまたは枯渇されるものである、医薬組成物。
【請求項２】
葉酸受容体結合リガンドが葉酸受容体βに特異的であり、葉酸受容体結合リガンドが骨髄由来サプレッサー細胞上の葉酸受容体βに結合する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
骨髄由来サプレッサー細胞がＣＤ１１ｂマーカーを有する、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
骨髄由来サプレッサー細胞がＧｒ１マーカーを有する、請求項１〜３の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項５】
癌が非小細胞肺癌、頭頸部癌、トリプルネガティブ乳癌、乳癌、卵巣癌、結腸癌、前立腺癌、肺癌、子宮内膜癌および腎臓癌から選択される、請求項１〜４の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
薬物がＣＩ３０７、ＢＥＺ２３５、ワートマニン、ＡＭＴ、ＰＦ−０４６９１５０２、ＣｐＧオリゴヌクレオチド、ＢＬＺ９４５、レナリドマイド、ＮＬＧ９１９、５,１５−ＤＰＰ、ピロロベンゾジアゼピン、メトトレキサート、エベロリムス、ツブリシン、ＧＤＣ−０９８０、ＡＳ１５１７４９９、ＢＩＲＢ７９６、ｎ−アセチル−５−ヒドロキシトリプタミンおよび２,４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジンから選択される、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
薬物が微小管阻害剤である、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
薬物がＰＩ３Ｋ阻害剤、ＳＴＡＴ６阻害剤、ＭＡＰＫ阻害剤、ｉＮＯＳ阻害剤および抗炎症剤から選択される、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項９】
薬物がＴＬＲアゴニストである、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項１０】
ＴＬＲアゴニストがＴＬＲ７アゴニストおよびＴＬＲ９アゴニストから選択される、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
薬物が骨髄由来サプレッサー細胞を初期化する、請求項９または１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
化合物が式
【化１】
2019519524.tif 000001
で表される、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項１３】
化合物が式
【化２】
2019519524.tif 000002
で表される、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項１４】
化合物が式
【化３】
2019519524.tif 000003
で表される、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【請求項１５】
化合物が式
【化４】
2019519524.tif 000004
で表される、請求項１〜５の何れかに記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月14日(2020.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切除不能または転移性のＢＲＡＦ６００突然変異陽性メラノーマを有する対象を処置するための、ＢＶＤ−５２３または薬学的に許容されるその塩を含む組成物であって、前記組成物が、６００ｍｇのＢＶＤ−５２３または薬学的に許容されるその塩の用量でＢＩＤで前記対象に投与されることを特徴とする、組成物。
【請求項２】
前記突然変異がＢＲＡＦＶ６００Ｅ突然変異である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
哺乳動物が、ヒト、霊長類、畜産動物および家畜からなる群から選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
哺乳動物がヒトである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記メラノーマがＭＡＰＫ活性を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
切除不能または転移性のＢＲＡＦ６００突然変異陽性メラノーマを有する対象を処置するための組成物であって、ＢＶＤ−５２３または薬学的に許容されるその塩の６００ｍｇ、および任意選択で薬学的に許容される担体、アジュバントまたはビヒクルを含む、組成物。
【請求項７】
前記対象が哺乳動物である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
哺乳動物が、ヒト、霊長類、畜産動物および家畜からなる群から選択される、請求項６に記載の組成物。
【請求項９】
哺乳動物がヒトである、請求項６に記載の組成物。
【請求項１０】
前記メラノーマがＭＡＰＫ活性を有する、請求項６に記載の組成物。
【請求項１１】
前記突然変異がＢＲＡＦＶ６００Ｅ突然変異である、請求項６に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の別の実施形態は、切除不能または転移性のＢＲＡＦ６００突然変異陽性メラノーマを有する対象を処置するための組成物であって、ＢＶＤ−５２３または薬学的に許容されるその塩の６００ｍｇ、および任意選択で薬学的に許容される担体、アジュバントまたはビヒクルを含む組成物である。
本発明は、例えば以下を提供する。
（項目１）
切除不能または転移性のＢＲＡＦ６００突然変異陽性メラノーマを有する対象を処置する方法であって、ＢＶＤ−５２３または薬学的に許容されるその塩を６００ｍｇ  ＢＩＤで前記対象に投与することを含む、方法。
（項目２）
前記突然変異がＢＲＡＦＶ６００Ｅ突然変異である、項目１に記載の方法。
（項目３）
哺乳動物が、ヒト、霊長類、畜産動物および家畜からなる群から選択される、項目１に記載の方法。
（項目４）
哺乳動物がヒトである、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記メラノーマがＭＡＰＫ活性を有する、項目１に記載の方法。
（項目６）
切除不能または転移性のＢＲＡＦ６００突然変異陽性メラノーマを有する対象を処置するための組成物であって、ＢＶＤ−５２３または薬学的に許容されるその塩の６００ｍｇ、および任意選択で薬学的に許容される担体、アジュバントまたはビヒクルを含む、組成物。
（項目７）
前記対象が哺乳動物である、項目６に記載の組成物。
（項目８）
哺乳動物が、ヒト、霊長類、畜産動物および家畜からなる群から選択される、項目６に記載の組成物。
（項目９）
哺乳動物がヒトである、項目６に記載の組成物。
（項目１０）
前記メラノーマがＭＡＰＫ活性を有する、項目６に記載の組成物。
（項目１１）
前記突然変異がＢＲＡＦＶ６００Ｅ突然変異である、項目６に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月21日(2020.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体において、アルツハイマー病を処置、予防またはその可能性を減らし、アルツハイマー病の症状を緩和し、シナプスの構造および／または認知機能を救い、病的なアミロイドβ型の除去を増強し、またはニューロンの構造と機能の衰退を阻害し、あるいはこれらの組み合わせのための、治療上有効な量の細胞集団であって、
前記細胞集団は生来の免疫細胞を含み、生来の免疫細胞は生来の免疫細胞においてオステオポンチン（ＯＰＮ）の発現を増加させる組成物で刺激された、治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２】
生来の免疫細胞は、単球、マクロファージ、または単球とマクロファージを含む、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項３】
生来の免疫細胞は単球を含み、単球は骨髄由来の単球、脾臓由来の単球、ＣＤ１１５陽性の単球（ＣＤ１１５＋単球）、浸潤性単球、またはそれらの組み合わせを含む、請求項２に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項４】
組成物はグラチラマー酢酸塩（ＧＡ）を含む、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項５】
被験体はグラチラマー酢酸塩（ＧＡ）を投与される、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項６】
被験体はグラチラマー酢酸塩（ＧＡ）を投与された、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項７】
生来の免疫細胞はエクスビボで刺激された、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項８】
養子細胞移入、骨髄移植、被験体への直接送達、ウイルスベクター送達、リポソーム送達システム、またはナノ薬物送達システムによって被験体に投与されるように構成された、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項９】
記憶喪失、認知の非記憶面の減少、推論または判断の低下、行動の変化、多段階の作業の実行不能、幻覚、妄想、あるいは、パラノイア、およびこれらの組み合わせを含む、アルツハイマー病の症状を緩和するための、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１０】
細胞集団の投与は被験体においてＭＭＰ−９の増加をもたらす、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１１】
細胞集団の投与は被験体においてミスフォールドタンパク質のレベルの低下をもたらす、請求項１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１２】
ミスフォールドタンパク質はアミロイドベータ（Ａβ）である、請求項１１に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１３】
ＡβはＡβ４０および／またはＡβ４２である、請求項１２に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１４】
被験体の認知機能を改善するための治療上有効な量の細胞集団であって、
細胞集団は生来の免疫細胞を含み、生来の免疫細胞は生来の免疫細胞においてオステオポンチン（ＯＰＮ）の発現を増加させる組成物で刺激された、治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１５】
生来の免疫細胞は単球、マクロファージ、または単球とマクロファージを含む、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１６】
生来の免疫細胞は単球を含み、単球は、骨髄由来の単球、脾臓由来の単球、ＣＤ１１５陽性の単球（ＣＤ１１５＋単球）、浸潤性単球、またはそれらの組み合わせを含む、請求項１５に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１７】
生来の免疫細胞は食細胞である、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１８】
組成物はグラチラマー酢酸塩（ＧＡ）を含む、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項１９】
被験体はグラチラマー酢酸塩（ＧＡ）を投与される、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２０】
被験体はグラチラマー酢酸塩（ＧＡ）を投与された、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２１】
生来の免疫細胞はエクスビボで刺激された、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２２】
養子細胞移入、骨髄移植、被験体への直接送達、ウイルスベクター送達、リポソーム送達システム、またはナノ薬物送達システムによって被験体に投与されるように構成された、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２３】
記憶喪失、認知の非記憶面の減少、推論または判断の低下、行動の変化、多段階の作業の実行不能、幻覚、妄想、あるいは、パラノイア、またはこれらの組み合わせを含む、アルツハイマー病の症状を緩和するための、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２４】
細胞集団の投与は被験体においてＭＭＰ−９の増加をもたらす、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２５】
細胞集団の投与は被験体においてミスフォールドタンパク質のレベルの低下をもたらす、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２６】
ミスフォールドタンパク質はアミロイドベータ（Ａβ）である、請求項２５に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２７】
ＡβはＡβ４０および／またはＡβ４２である、請求項２６に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【請求項２８】
細胞集団の投与は、被験体におけるミスフォールドタンパク質のレベルの減少、被験体の炎症の低減、被験体におけるシナプス再生の増加、あるいは被験体におけるアミロイドベータ（Ａβ）プラーク部位へのマクロファージの動員、またはこれらの組み合わせをもたらす、請求項１４に記載の治療上有効な量の細胞集団。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のメッセンジャーＲＮＡ（ｍＲＮＡ）を含む脂質ナノ粒子（ＬＮＰ）であって、１つ以上の前記ｍＲＮＡが、（ｉ）ヒトＩＬ−１５ポリペプチドをコードするオープンリーディングフレーム（ＯＲＦ）を含む第１のｍＲＮＡ及びヒトＩＬ−１５受容体アルファ（ＩＬ−１５Ｒα）ポリペプチドをコードするＯＲＦを含む第２のｍＲＮＡ、ならびに（ｉｉ）ヒトＩＬ−１５Ｒαポリペプチドに作動可能に連結しているヒトＩＬ−１５ポリペプチドを含む融合タンパク質をコードするＯＲＦを含むｍＲＮＡから選択される、ＬＮＰ。
【請求項２】
１つ以上の前記ｍＲＮＡが、（ｉ）の前記ｍＲＮＡを含む、請求項１に記載のＬＮＰ。
【請求項３】
１つ以上の前記ｍＲＮＡが、（ｉｉ）の前記ｍＲＮＡを含む、請求項１に記載のＬＮＰ。
【請求項４】
前記ＩＬ−１５ポリペプチドが、配列番号８１０に記載される配列を含む、請求項１に記載のＬＮＰ。
【請求項５】
前記ＩＬ−１５Ｒαポリペプチドが、膜貫通ドメインを含む、請求項１に記載のＬＮＰ。
【請求項６】
前記ＩＬ−１５Ｒαポリペプチドが、配列番号８０８に記載される配列を含む、請求項５に記載のＬＮＰ。
【請求項７】
１つ以上の前記ｍＲＮＡの少なくとも１つが、ｍｉＲ結合部位を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＬＮＰ。
【請求項８】
１つ以上の前記ｍＲＮＡがウリジンヌクレオシドを含み、１つ以上の前記ｍＲＮＡにおける前記ウリジンヌクレオシドが、化学的に修飾されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のＬＮＰ。
【請求項９】
化学的に修飾されている前記ヌクレオシドが、Ｎ１−メチルシュードウリジン（ｍ１Ψ）である、請求項８に記載のＬＮＰ。
【請求項１０】
モル比で約５０％のイオン性アミノ脂質、約１０％のリン脂質、約３８．５％のステロール及び約１．５％のＰＥＧ修飾脂質を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＬＮＰ。
【請求項１１】
モル比で約５０％の化合物２５、約１０％のＤＳＰＣ、約３８．５％のコレステロール及び約１．５％のＰＥＧ−ＤＭＧを含む、請求項１０に記載のＬＮＰ。
【請求項１２】
２つ以上のＬＮＰを含む組成物であって、２つ以上の前記ＬＮＰが、（ｉ）ヒトＩＬ−１５ポリペプチドをコードするＯＲＦを含むｍＲＮＡを含む第１のＬＮＰ、（ｉｉ）ヒトＩＬ−１５ＲαポリペプチドをコードするＯＲＦを含むｍＲＮＡを含む第２のＬＮＰ、及び（ｉｉｉ）前記第１及び第２のＬＮＰの両方から選択される、組成物。
【請求項１３】
２つ以上の前記ＬＮＰが、（ｉ）の前記ＬＮＰを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
２つ以上の前記ＬＮＰが、（ｉｉ）の前記ＬＮＰを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１５】
２つ以上の前記ＬＮＰが、（ｉｉｉ）の前記ＬＮＰを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ＩＬ−１５ポリペプチドが、配列番号８１０に記載される配列を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１７】
前記ＩＬ−１５Ｒαポリペプチドが、膜貫通ドメインを含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１８】
前記ＩＬ−１５Ｒαポリペプチドが、配列番号８０８に記載される配列を含む、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記ｍＲＮＡが、ｍｉＲ結合部位を含む、請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２０】
前記ｍＲＮＡがウリジンヌクレオシドを含み、前記ｍＲＮＡにおける前記ウリジンヌクレオシドが、化学的に修飾されている、請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２１】
化学的に修飾されている前記ヌクレオシドが、Ｎ１−メチルシュードウリジン（ｍ１Ψ）である、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
モル比で約５０％のイオン性アミノ脂質、約１０％のリン脂質、約３８．５％のステロール及び約１．５％のＰＥＧ修飾脂質を含む、請求項１２〜２１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項２３】
前記ＬＮＰが、モル比で約５０％の化合物２５、約１０％のＤＳＰＣ、約３８．５％のコレステロール及び約１．５％のＰＥＧ−ＤＭＧを含む、請求項２２に記載の組成物。
【請求項２４】
対象における免疫細胞活性化の増加において使用するための、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月18日(2020.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、少なくとも１つの電気的インターフェースと、前記少なくとも１つの電気的インターフェースを除く前記基板上に配置された非導電性拡散反射材料と、を含むサブマウントと、
少なくとも１つの接点を有する少なくとも１つのＬＥＤチップと、を有し、
前記ＬＥＤチップは、前記反射面の上で、前記少なくとも１つの接点が前記少なくとも１つの電気的インターフェースに電気的に接続されるように、前記サブマウントにフリップチップ実装され、それにより、前記ＬＥＤチップと前記反射面と間のギャップを規定し、前記ＬＥＤチップは、前記少なくとも１つの電気的インターフェースの実質的な部分を覆っていることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記反射材料は、白色反射材料または二色性反射体を含む請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記基板は、セラミックを含んでいる請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
前記ＬＥＤチップは、４３０ｎｍより短いピーク波長で発光するように構成されている請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記ＬＥＤチップは、体積型である請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
前記パッケージの少なくとも一方の側面に前記反射材料から上方に延びる反射カップをさらに含む請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項７】
前記ＬＥＤは、ポンプ光を放射し、
前記ポンプ光の少なくとも２０％は、前記ＬＥＤの前記側面から放射される請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項８】
前記少なくとも１つの電気インターフェースは、前記サブマウント上に配置された少なくとも１つの導電トレースと、前記少なくとも１つの導電トレースの第１の部分上に配置された少なくとも１つのパッドとを含み、それにより、前記少なくとも１つのパッドが配置されていない前記少なくとも１つ導電性トレースの第２の部分を規定し、
前記第１部分は、前記第２部分よりも小さい面積を有し、
前記非導電性反射材料は、前記第２部分上に配置され、
前記少なくとも１つの接点は、前記少なくとも１つのパッドに電気的に接続され、
前記チップは、前記少なくとも１つのパッドの実質的な部分を覆う請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項９】
前記少なくとも１つのトレースは、少なくとも１つのパッドを有する２つのトレースを含み、
一方のトレースのパッドは、他方のトレースのパッドから一定の距離にあり、
前記一定の距離は、１００μｍ以下である請求項８に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの導電トレースは、第１の金属を含み、
前記少なくとも１つのパッドは、第２の金属を含み、
前記第１の金属および前記第２の金属は、銀よりも高い導電率および低い反射率を有する請求項８に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１１】
２つ以上の導電トレースを有するサブマウントと、
フリップチップ構成で前記サブマウントに取り付けられ、前記導電トレースの一部を覆い、４３０ｎｍ未満のピーク波長で発光するＬＥＤと、
前記チップが取り付けられた状態で、前記導電トレースが覆われるように、前記サブマウント上に配置された非金属反射材料と、を含むことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項１２】
前記サブマウントは、基板を含み、
前記反射材料は、前記基板上および前記トレース上に配置されている請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項１３】
前記反射材料は、前記ピーク波長において少なくとも９０％の反射率を有する請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項１４】
前記ＬＥＤは、体積型である請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項１５】
前記ＬＥＤは、側面および上面と、前記反射材料とを有し、
前記側面は、前記反射材料の上に延在する請求項１１に記載のパッケージ。
【請求項１６】
サブマウントと、
前記サブマウント上に配置された少なくとも１つの導電体と、
前記少なくとも１つの導電体の主要な部分上に配置された反射材料と、
前記反射材料の一部上に配置された保護層と、
少なくとも１つの接点を有する紫色ＬＥＤチップとを有し、
前記少なくとも１つの接点は、前記反射層を介して前記少なくとも１つの導電体に電気的に接続されていることを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの紫色ＬＥＤダイは、フリップチップ実装されている請求項１６に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１８】
前記サブマウントは、リードフレームである請求項１６に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項１９】
前記サブマウントは、セラミック材料を含む基板を含む請求項１６に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項２０】
前記保護層は、多層反射スタックである請求項１６に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項２１】
前記保護層は、薄膜である請求項１６に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項２２】
絶縁基板上に２つ以上のトレースを堆積する工程と、
各トレースの一部に少なくとも１つのパッドを配置する工程と、
前記基板および前記トレースを覆うが前記パッドを覆わないように、非導電性反射材料を堆積する工程と、前記非導電性反射材料は、前記パッドの下にあるか、前記パッドと同一平面上にあり、
ＬＥＤチップを２つの前記パッドにフリップチップ実装する工程と、を含むことを特徴とするフリップチップＬＥＤ用のパッケージを製造する方法。
【請求項２３】
前記基板上に反射材料を噴射する工程をさらに含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記反射材料を堆積する工程は、カップを形成する工程を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記カップ内に蛍光体を堆積させる工程をさらに含む請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
基板と、
前記基板に取り付けられる少なくとも１つの集積回路と、
前記少なくとも１つの集積回路に取り付けられるアンテナと、
誘電材料でつくられて前記アンテナに取り付けられる第１の放熱器と、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記基板に取り付けられる第２の放熱器を更に含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記基板に取り付けられる少なくとも１つの電気部品を更に含む、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の放熱器が熱導電性エポキシを用いて前記アンテナに取り付けられる、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の放熱器が並行板放熱器である、装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の放熱器が平坦板放熱器である、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１の放熱器が並行支柱放熱器である。装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記誘電材料が、窒化アルミニウムと酸化ベリリウムと酸化アルミニウムと炭化シリコンと窒化ボロンの１つである、装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
前記少なくとも１つの集積回路が無線周波数チップとベースバンドチップとの１つである、装置。
【請求項１０】
請求項２に記載の装置であって、
前記第２の放熱器が、並行板放熱器と平坦板放熱器と並行支柱放熱器の１つである、装置。
【請求項１１】
請求項２に記載の装置であって、
前記第２の放熱器が誘電材料でつくられる、装置。
【請求項１２】
装置であって、
基板と、
前記基板に取り付けられる少なくとも１つの集積回路と、
前記少なくとも１つの集積回路に取り付けられるアンテナ構造であって、アンテナと、誘電材料でつくられて前記アンテナに取り付けられる第１の放熱器とを含む、前記アンテナ構造と、
を含む、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記基板に取り付けられる第２の放熱器を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の装置であって、
前記基板に取り付けられる少なくとも１つの電気部品を更に含む、装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載の装置であって、
前記誘電材料が、窒化アルミニウムと酸化ベリリウムと酸化アルミニウムと炭化シリコンと窒化ボロンの１つである、装置。
【請求項１６】
請求項１２に記載の装置であって、
前記アンテナがアンテナのアレイである、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月5日(2020.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｆｉｎｆｅｔベースの論理セルによって設計される集積回路を含む装置であって、前記集積回路が少なくとも第１の論理セルを含み、前記第１の論理セルが、
ｙ方向に積み重ねられた２つ以上のｐ拡散領域の各々がｘ方向に延びる２つ以上のフィンを含み、前記２つ以上のｐ拡散領域の各々がｎ型ウェル内にｐ型ドーピングを有するアイランドである、２つ以上のｐ拡散領域、または
ｙ方向に積み重ねられた２つ以上のｎ拡散領域の各々がｘ方向に延びる２つ以上のフィンを含み、前記２つ以上のｎ拡散領域の各々がｐ型ウェル内にｎ型ドーピングを有するアイランドである、２つ以上のｎ拡散領域のうちの少なくとも１つを含み、
前記拡散領域の各々がｙ方向に積み重ねられている、装置。
【請求項２】
前記第１の論理セルが、
同じまたは異なるレベルのｐ型インプラントで形成された第１のｐ拡散領域および第２のｐ拡散領域、または
同じまたは異なるレベルのｎ型インプラントで形成された第１のｎ拡散領域および第２のｎ拡散領域のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記２つ以上のｐ拡散領域のうちの少なくとも１つに関連する少なくとも第１のローカル電力レール、または
前記２つ以上のｎ拡散領域のうちの少なくとも１つに関連する少なくとも第２のローカル電力レール
のうちの少なくとも１つを含む分散された電力レールネットワークをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のローカル電力レールが、前記２つ以上のｐ拡散領域のうちの１つに専用され、かつ／または
前記第２のローカル電力レールが、前記２つ以上のｎ拡散領域のうちの１つに専用される、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記集積回路が第２の論理セルをさらに含み、前記第１の論理セルおよび前記第２の論理セルがそれぞれ、
第１のフィンカウントを有するｐ拡散領域上に形成された少なくとも１つのｐ−ｆｅｔ、または
第２のフィンカウントを有するｎ拡散領域上に形成された少なくとも１つのｎ−ｆｅｔを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の論理セルが第１の論理セル境界を有しかつ前記第２の論理セルが第２の論理セル境界を有し、前記第１の論理セルが、前記第１の論理セル境界と前記第２の論理セル境界との間の共通縁部において前記第２の論理セルと当接し、
前記第１の論理セルが、前記第１のフィンカウントを有する第１のｐ拡散領域上に形成された少なくとも１つのｐｆｅｔおよび前記第２のフィンカウントを有する第１のｎ拡散領域上に形成された少なくとも１つのｎｆｅｔを含み、
前記第２の論理セルが、前記第１のフィンカウントを有する第２のｐ拡散領域上に形成された少なくとも１つのｐｆｅｔおよび前記第２のフィンカウントを有する前記第２のｎ拡散領域上に形成された少なくとも１つのｎｆｅｔを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記集積回路が、
前記共通縁部を横断し、前記第１の論理セルの前記第１のｐ拡散領域および前記第２の論理セルの前記第２のｐ拡散領域を接合するための第１のｐ拡散フィル、または
前記共通縁部を横断し、前記第１の論理セルの前記第１のｎ拡散領域および前記第２の論理セルの前記第２のｎ拡散領域を接合するための第１のｎ拡散フィルのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の論理セルの前記第１のｐ拡散領域および前記第２の論理セルの前記第２のｐ拡散領域が、共通の第１の電位にあり、かつ／または
前記第１の論理セルの前記第１のｎ拡散領域および前記第２の論理セルの前記第２のｎ拡散領域が、共通の第２の電位にあり、
前記集積回路が、
前記共通の第１の電位における前記第１のｐ拡散フィルと第１の金属層との間の接続、または
前記共通の第２の電位における前記第１のｎ拡散フィルと第２の金属層との間の接続
のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記共通の第１の電位が電力レールの電位に相当するか、または前記共通の第２の電位が接地レールまたはローカル相互接続の電位に相当する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記電力レールまたは前記接地レールのうちの少なくとも１つが、前記第１の論理セルおよび前記第２の論理セルの各々の内の前記拡散領域間の空間内に分散される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記集積回路が、フローティング電位における前記第１の論理セルまたは前記第２の論理セルの少なくとも１つのポリ線をさらに含み、前記少なくとも１つのポリ線が前記共通縁部に隣接し、前記第１のｐ拡散領域、前記第２のｐ拡散領域、前記第１のｎ拡散領域、または前記第２のｎ拡散領域のうちの少なくとも１つと交差する、請求項５に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１の論理セルが比率論理を有する２入力ＮＡＮＤゲートであり、前記第１のフィンカウントが前記第２のフィンカウントと異なり、前記２入力ＮＡＮＤゲートが、
２つのｐｆｅｔの各々が、前記第１のｐ拡散領域上に形成された２フィンに等しい前記第１のフィンカウントを有する、並列に接続された２つのｐｆｅｔと、
２つのｎｆｅｔの各々が４フィンに等しい前記第２のフィンカウントを有し、前記第１の論理セルの前記第１のｎ拡散領域上に形成された前記４フィンのうちの２つと別のｎ拡散領域上に形成された前記４フィンのうちの２つとが、前記第１のｎ拡散領域と直列に接続される、直列の２つのｎｆｅｔとを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項１３】
前記集積回路が、
前記２つのｐｆｅｔのうちの１つと前記２つのｎｆｅｔのうちの１つとの間で共有されるポリ線、
前記第１の論理セルの前記第１のｐ拡散領域と別のｐ拡散との間の少なくとも１つのポリ線上のポリカット、または
前記２つのｐｆｅｔのうちの１つと前記２つのｎｆｅｔのうちの１つとの間の少なくとも１つのポリ線上の少なくとも１つのゲートビア
のうちの少なくとも１つをさらに含み、前記集積回路が、前記少なくとも１つのゲートビアに接続された金属−拡散（ＭＤ）層をさらに含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２の論理セルが、各ｐｆｅｔが２フィンに等しい前記第１のフィンカウントを有し、少なくとも前記第２のｐ拡散領域を含む２つのｐ拡散領域内に形成される２つのｐｆｅｔと、各ｎｆｅｔが２フィンに等しい前記第２のフィンカウントを有し、少なくとも前記第２のｎ拡散領域を含む２つのｎ拡散領域内に形成される２つのｎｆｅｔとを含むインバータである、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
データを含む非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、前記データが、請求項１から１４のいずれか一項による集積回路の設計を含む、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月29日(2020.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロックチェーンシステムの第１のエンティティが、前記第１のエンティティが所与のタスクを実行するために選択されていることを、前記ブロックチェーンシステムに関連付けられた他のエンティティに対して証明することを可能にする方法であって、
第１の暗号化手順に従って、ブロックチェーンの既存のブロックのシーケンスに基づいて最初のストリングを生成することと、
秘密暗号鍵を用いて、前記最初のストリングに一意に関連付けられている証明のストリングを計算することと、
第２の暗号化手順に従って、前記証明のストリングに基づいて数量を決定することと、
前記数量が所与の閾値を満たすかを判定することと、
前記判定に応答して、前記証明のストリングを前記ブロックチェーンに伝播させることと、を含む方法。
【請求項２】
前記第１のエンティティは潜在的なブロック提案者を含み、前記タスクは、前記ブロックチェーンに追加される新しいブロックを提案することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のエンティティは、前記ブロックチェーンに追加される前記提案された新しいブロックとともに、前記証明のストリングを伝播させる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のエンティティは、潜在的な検証者を含み、前記タスクは、前記ブロックチェーンに投稿される情報の一部が正しいことを検証することを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ブロックチェーンに投稿される前記情報の一部は、前記ブロックチェーンに追加される新しいブロックを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記潜在的な検証者は、前記証明のストリングを、その検証の結果とともに伝播させる、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のエンティティは潜在的な検証者を含み、前記タスクは、一組のトランザクションを正しく処理すること、を含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記トランザクションは、前記ブロックチェーンに投稿される提案されたトランザクションのブロックの一部である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記潜在的な検証者は、前記証明のストリングを、その検証の結果とともに伝播させる、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記証明のストリングはデジタル署名を含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記証明のストリングは、前記ブロックチェーンに関連付けられた他のエンティティによって検証可能であり、前記秘密暗号鍵は前記他のエンティティには利用できない、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の暗号化手順は、前記ブロックチェーンの前記既存のブロックのシーケンスの過去の最初のストリングに基づいて定義されたランダムな数量を決定することを含む、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の暗号化手順はランダムオラクルを含む、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の暗号化手順は暗号学的ハッシュ関数を含む、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記数量が所与の閾値を満たすかを判定することは、前記数量が前記所与の閾値よりも小さいかを判定することを含む、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の方法を実施する実行可能コードを含む、コンピュータソフトウェア。
【請求項１７】
ブロックチェーンシステムの第１のエンティティが、前記第１のエンティティが所与のタスクを実行するために選択されていることを、前記ブロックチェーンシステムに関連付けられた他のエンティティに対して証明することを可能にするシステムであって、
第１の暗号化手順に従って、ブロックチェーンの既存のブロックのシーケンスに基づいて最初のストリングを生成する手段と、
秘密暗号鍵を用いて、前記最初のストリングに一意に関連付けられている証明のストリングを計算する手段と、
第２の暗号化手順に従って、前記証明のストリングに基づいて数量を決定する手段と、
前記数量が所与の閾値を満たすかを判定する手段と、
前記判定に応答して、前記証明のストリングを前記ブロックチェーンに伝播させる手段と、を備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月12日(2020.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムであって、
モジュールであって、基板と、前記基板上の導波路結合器と、前記基板上の無線周波数（ＲＦ）回路であって、前記導波路結合器に結合される、前記ＲＦ回路と、前記基板を囲んで収容するバウジングであって、ポート領域を有する表面を含む、前記ハウジングとを含む、前記モジュールと、
前記導波路結合器と前記ポート領域との間で前記モジュール内に配置され、その端部に結合される第１の共振器を有する第１の導波路であって、前記導波路結合器から発せられる近接場及び／又はエバネセント的に結合される電磁エネルギーを前記ポート領域を介して伝搬する、前記第１の導波路と、
それ自身に結合される第２の共振器を有する第２の導波路であって、前記第２の共振器が前記第１の共振器から或るギャップ距離により離間され、前記ギャップ距離の一部が前記ポート領域により形成される、前記第２の導波路と、
を含む、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第２の共振器が前記第２の導波路の端部に結合される、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第２の導波路が前記第１の導波路に対して前記第１及び第２の導波路の間の前記ギャップ距離を有する「Ｔ」交差構成で整合され、前記第２の共振器が前記Ｔ交差部において前記第２の導波路の或る側に配置される、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１の導波路と前記第２の導波路とが金属導波路である、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１の共振器と前記第２の共振器との間のギャップに配置される１つ又は複数の付加的な共振器を更に含む、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、
前記第１の共振器が導電性開ループである、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、
前記導波路結合器が、前記ＲＦ回路要素からのシングルエンドフィードを備える短絡ループである、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、
前記導波路結合器が差動的にフィードされるループである、システム。
【請求項９】
システムであって、
基板と、
その端部に結合される第１の共振器を有する第１の導波路と、
前記基板に形成され、それ自身に結合される第２の共振器を有する第２の導波路と、
前記基板上に形成される誘電体層と、
を含み、
前記第１の導波路が前記誘電体層上に配置され、
前記第１の共振器が、前記第２の共振器に近接して配置されて前記誘電層のギャップ距離により前記第２の共振器から離間される、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、
前記誘電体層がガラスである、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月23日(2020.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鍵管理方法であって、
暗号解読能力を有するシステムにおいて、各エンティティの鍵の組が該エンティティの秘密暗号鍵と該エンティティの該秘密暗号鍵に対応する偽の秘密鍵とを有する、前記エンティティの複数の鍵の組をエンティティから遠隔に保管するステップと、
前記エンティティから暗号文コンテンツ及び偽の秘密鍵を受け取るステップと、
前記暗号文コンテンツが特定のエンティティについて前記秘密暗号鍵を用いて暗号解読されている時に、前記特定のエンティティの前記偽の秘密鍵に基づいて前記特定のエンティティについての遠隔に保管された前記鍵の組から前記エンティティの前記秘密暗号鍵を取得するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記暗号要素が、前記特定のエンティティの新たな秘密鍵と、前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵に対応する偽の秘密鍵とを生成するステップと、
前記暗号要素が、前記偽の秘密鍵を前記特定のエンティティに送信するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エンティティの前記新たな秘密鍵を用いて前記暗号文コンテンツを暗号解読するステップをさらに含み、
前記特定のエンティティの前記偽の秘密鍵は、前記特定のエンティティの新たな秘密鍵へのポインタをさらに含むものである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記特定のエンティティの前記秘密鍵を取得するステップは、前記暗号要素のユニフォームリソースロケータを鍵情報から抽出するステップと、前記暗号要素の前記ユニフォームリソースロケータと前記偽の秘密鍵とに基づいて前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵を取り出すステップとをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
各エンティティは、暗号解読能力を有するアプリケーション、暗号解読能力を有する装置、及び暗号解読能力を有するアプリケーションを使用するユーザのうちの１つである、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
鍵管理システムであって、
それぞれが自身の秘密暗号鍵と鍵ストレージとを用いた公開鍵暗号解読能力を有する１又は２以上のエンティティと、
特定のエンティティの新たな秘密暗号鍵と、該新たな秘密暗号鍵に対応する偽の秘密鍵とを生成するメタデータエンコーダを有する、コンピュータネットワークによって前記エンティティに接続された暗号要素と、
を備え、前記暗号要素は、前記特定のエンティティに前記偽の秘密鍵を送信する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項７】
前記暗号要素は、前記特定のクライアントからの暗号文と前記偽の秘密鍵とを含む要求に基づいて暗号解読プロセスを実行し、前記暗号要素は、前記偽の秘密鍵に基づいて前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵を取得して、前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵を用いた前記暗号文の前記暗号解読を可能にする、
請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
各エンティティは、前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵を用いた前記暗号文の前記暗号解読を実行する暗号解読モジュールを有し、
前記暗号解読モジュールは、鍵情報を受け取る構文解析器モジュール、及び前記偽の秘密鍵に基づいて前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵を取得するメタ情報抽出器モジュール、をさらに含む、
請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記メタ情報抽出器モジュールは、前記鍵情報から前記暗号要素のユニフォームリソースロケータを抽出し、該暗号要素の該ユニフォームリソースロケータに基づいて前記特定のエンティティの前記新たな秘密鍵を取り出す、
請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
各エンティティは、暗号解読能力を有するアプリケーション、暗号解読能力を有する装置、及び暗号解読能力を有するアプリケーションを使用するユーザのうちの１つである、
請求項６に記載のシステム。
【請求項１１】
前記特定のエンティティの前記偽の秘密鍵は、前記特定のエンティティの新たな秘密鍵へのポインタをさらに含む、
請求項６に記載のシステム。
【請求項１２】
鍵管理方法であって、
エンティティに送信される暗号文を暗号解読する前記エンティティの秘密暗号鍵を生成するステップと、
前記生成した秘密暗号鍵を、前記エンティティから離れた、鍵ストレージを有する鍵管理要素に保管するステップと、
鍵管理要素において、前記秘密暗号鍵を使用して、前記生成された秘密暗号鍵へのポインタとしての役割を果たす偽の秘密鍵を生成するステップと、
前記偽の秘密鍵を前記エンティティに送信して鍵ストレージに保管するステップと、
を含み、前記エンティティは、前記偽の秘密鍵を用いて要求を行うことによって暗号文を暗号解読する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
新たなエンティティである前記エンティティの公開鍵を生成するステップをさらに含み、
エンティティの前記秘密鍵を生成するステップは、既存のエンティティの新たな秘密鍵を生成するステップをさらに含む、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エンティティは、暗号解読能力を有するアプリケーション、暗号解読能力を有する装置、及び暗号解読能力を有するアプリケーションを使用するユーザのうちの１つである、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記特定のエンティティの前記偽の秘密鍵は、前記特定のエンティティの新たな秘密鍵へのポインタをさらに含む、
請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月5日(2019.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリー組立体において、
高さより長い幅および長さを有するバッテリー区画を形成するバッテリーハウジングと、
互いに平行であり、軸を前記バッテリー区画の前記高さに垂直にして方向づけられた第１の列の円筒形バッテリーセル、第２の列の円筒形バッテリーセル、および第３の列の円筒形バッテリーセルを含むバッテリーアレイと、
前記バッテリーセルの前記軸に垂直に方向づけられ、前記第１の列の円筒形バッテリーセルと前記第２の列の円筒形バッテリーセルとの間に位置づけられている第１の冷却プレートと、
前記軸に垂直に方向づけられ、前記第２の列の円筒形バッテリーセルと前記第３の列の円筒形バッテリーセルとの間に位置づけられている第２の冷却プレートであって、
前記第１および第２の冷却プレートは、エンドプレートに流体連結され、冷却剤が、前記エンドプレートを介して前記第１および第２の冷却プレートを通じて導かれる、
第２の冷却プレートと、
前記第１の列の円筒形バッテリーセルと前記第１の冷却プレートとの間に位置づけられ、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちのセルそれぞれの電極を電気的に接続する第１の導電性プレートであって、
前記第１の導電性プレートは、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちの前記セルそれぞれの前記電極にそれぞれが対応する複数の切り抜き部分を含み、
特定の切り抜き部分が、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちの前記セルそれぞれの前記電極に電気的に連結されている、
第１の導電性プレートと、
前記第１の導電性プレートに隣接して、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちの前記セルそれぞれの前記電極と、前記第１の冷却プレートとの間に位置づけられた電気絶縁性の熱層と、
を含む、バッテリー組立体。
【請求項２】
請求項１に記載のバッテリー組立体において、
前記第１および第２の冷却プレートは、前記第１の列および前記第２の列内部のバッテリーセルから熱を引き出す、バッテリー組立体。
【請求項３】
請求項１に記載のバッテリー組立体において、
前記複数列のうちの１つの列が、１つのバッテリーセルの長さに対応する幅、および積み重ねたバッテリーセルの高さに対応する高さを含む、バッテリー組立体。
【請求項４】
請求項１に記載のバッテリー組立体において、
冷却剤ポンプと、水および冷却用物質のうちの１つ以上を含む流体冷却剤と、をさらに含み、
前記冷却剤ポンプは、前記エンドプレートならびに前記第１および第２の冷却プレートを通じて前記流体冷却剤を供給して、前記バッテリー組立体の温度を、定めた温度範囲内に保つ、バッテリー組立体。
【請求項５】
電気ユーティリティ・タスク・ビークル（ＵＴＶ）において、
バッテリー組立体を含み、前記バッテリー組立体は、
高さより長い幅および長さを有するバッテリー区画を形成するバッテリーハウジングと、
互いに平行であり、軸を前記バッテリー区画の前記高さに垂直にして方向づけられた第１の列の円筒形バッテリーセル、第２の列の円筒形バッテリーセル、および第３の列の円筒形バッテリーセルを含むバッテリーアレイと、
前記バッテリーセルの前記軸に垂直に方向づけられ、前記第１の列の円筒形バッテリーセルと前記第２の列の円筒形バッテリーセルとの間に位置づけられている第１の冷却プレートと、
前記軸に垂直に方向づけられ、前記第２の列の円筒形バッテリーセルと前記第３の列の円筒形バッテリーセルとの間に位置づけられている第２の冷却プレートであって、
前記第１および第２の冷却プレートは、エンドプレートに流体連結され、冷却剤が、前記エンドプレートを介して前記第１および第２の冷却プレートを通じて導かれる、
第２の冷却プレートと、
前記第１の列の円筒形バッテリーセルと前記第１の冷却プレートとの間に位置づけられ、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちのセルそれぞれの電極を電気的に接続する第１の導電性プレートであって、
前記第１の導電性プレートは、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちの前記セルそれぞれの前記電極にそれぞれが対応する複数の切り抜き部分を含み、
特定の切り抜き部分が、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちの前記セルそれぞれの前記電極に電気的に連結されている、
第１の導電性プレートと、
前記第１の導電性プレートに隣接して、前記第１の列の円筒形バッテリーセルのうちの前記セルそれぞれの前記電極と、前記第１の冷却プレートとの間に位置づけられた電気絶縁性の熱層と、
を含む、電気ユーティリティ・タスク・ビークル（ＵＴＶ）。
【請求項６】
請求項５に記載の電気ＵＴＶにおいて、
前記第１および第２の冷却プレートは、前記第１の列および前記第２の列内部のバッテリーセルから熱を引き出す、電気ＵＴＶ。
【請求項７】
請求項５に記載の電気ＵＴＶにおいて、
前記複数列のうちの１つの列が、１つのバッテリーセルの長さに対応する幅、および前記複数列のうちの１つの列内部の積み重ねたバッテリーセルの高さに対応する高さを含む、電気ＵＴＶ。
【請求項８】
請求項５に記載の電気ＵＴＶにおいて、
冷却剤ポンプをさらに含み、
前記冷却剤ポンプは、前記エンドプレートならびに前記第１および第２の冷却プレートを通じて冷却用物質を供給して、前記バッテリー組立体の温度を、定めた温度範囲内に保つ、電気ＵＴＶ。
【請求項９】
請求項５に記載の電気ＵＴＶにおいて、
前記バッテリーハウジングは、バッテリーボックスと、蓋と、を含み、
前記バッテリー組立体は、前記ＵＴＶの運転台の床に支持を提供するか、またはその下に位置する、電気ＵＴＶ。