【事件の表示】
　特願２０１０−２８６５８０「ＳｉＯ２膜を堆積する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月　７日出願公開、特開２０１１−１３５０８４、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年（２０１０年）１２月２２日の出願（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００９年１２月２４日，英国）であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年　２月２２日　審査請求・手続補正
平成２６年　３月２８日　拒絶理由通知
平成２６年　７月　１日　意見書・手続補正
平成２７年　２月２４日　拒絶査定（以下，「原査定」という）
平成２７年　７月　３日　審判請求・手続補正
平成２８年　６月２９日　拒絶理由通知（以下，「当審拒絶理由」という）
平成２８年　９年１５日　意見書・手続補正
　
第２　本願発明
　本願の請求項１−９に係る発明は，平成２８年９月１５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定されるものと認められる。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜をシリコン貫通電極に堆積する方法であって，オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間の流量がｓｃｃｍであるＯ2／ＴＥＯＳの流量比で供給し，前記前駆体を，ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し，前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを，１３．５６ＭＨｚの高周波成分及び３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚの低周波成分を用いて駆動することを含むことを特徴とする方法。」　
　
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　記
　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
引用文献１　特開２０００−００３９１１号公報
引用文献２　特開平１１−２３３５０２号公報
引用文献３　特開２０００−２７７５０７号公報
引用文献４　特開２００９−１６４４１１号公報
備考：
　引用文献１には，本願発明のように，「Ｏ2／ＴＥＯＳ」を「１５：１と２５：１との間」（ＴＥＯＳ／Ｏ2の流量比を０．０６７〜０．０４）に設定することについて記載されていないが，この点については，例えば，引用文献４の特に【００２６】に，１３．５６ＭＨｚ及び４００ｋＨｚで駆動するプラズマＣＶＤ装置を用い，ＴＥＯＳ及びＯ2を原料として，２００℃で，基板上にＳｉＯ2膜を堆積する方法において，前記ＳｉＯ2膜の割れや剥がれの低減化を図ることを課題として，前記Ｏ2／ＴＥＯＳの流量比を２０（ｓｃｃｍ）／１（ｓｃｃｍ）とすることが記載されているとおり周知となっている。
　引用文献１，及び引用文献４は，いずれも，原料としてＴＥＯＳ及びＯ2を用いるプラズマＣＶＤ法において，２００℃で基板上にＳｉＯ2膜を堆積する方法に関するものであるから，引用文献１に記載の発明においても，当該分野で周知の課題である，前記ＳｉＯ2膜の割れや剥がれの低減化を図ることを課題として，引用文献４に記載のように，前記Ｏ2／ＴＥＯＳの流量比を２０（ｓｃｃｍ）／１（ｓｃｃｍ）（ＴＥＯＳ／Ｏ2の流量比を０．０５）に設定することは，当業者が容易になし得たことである。
　さらに，原料としてＴＥＯＳ及びＯ2を用いるプラズマＣＶＤ法により基板上にＳｉＯ2膜を堆積する方法において，前記ＳｉＯ2膜の密度をより高くするとともに，Ｓｉ−ＯＨ基及びＣ＝Ｏ基の濃度の減少を図ることを課題として，１３．５６ＭＨｚの高周波成分及び１００〜６００ｋＨｚの低周波成分で駆動するシャワーヘッドを用いることは，例えば，引用文献２（特に【０００９】−【００１０】，参照）にも記載のとおり周知である。
　引用文献１，及び引用文献２は，いずれも，原料としてＴＥＯＳ及びＯ2を用いるプラズマＣＶＤ法により基板上にＳｉＯ2膜を堆積する方法であって，前記プラズマＣＶＤを，１３．５６ＭＨｚの高周波成分〜１００ｋＨｚの低周波成分を用いて駆動するものであるから，引用文献１に記載の発明においても，当該分野で周知の課題である，前記ＳｉＯ2膜の密度をより高くするとともに，前記Ｓｉ−ＯＨ基及びＣ＝Ｏ基の濃度を減少させることを目的として，引用文献２に記載の前記シャワーヘッドを用いることに格別の困難性を見いだせない。
２　原査定の理由の判断
（１）引用文献１の記載事項
　ア　引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，シリコン酸化膜の形成方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り，特に，低温でＣＶＤ法により薄く形成する場合であっても大きい絶縁耐力を得ることができるシリコン酸化膜の形成方法，及び記録ビットの微細化に対応しうる薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
・・・
【０００６】即ち，
ＭＲ素子は磁性体より成るものであるため，磁化の状態を維持するために，その磁性体のキュリー点より低い温度でギャップ絶縁膜を形成しなければならない。
【０００７】また，ＦｅＮｉ膜のキュリー点以下の低い温度でシリコン酸化膜より成るギャップ絶縁膜を形成する技術として，構造式・・・
【０００９】で示されるＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）とオゾンとを原料ガスとして用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition，化学気相堆積)法や，２周波励起によるプラズマＣＶＤ法（特開昭５９−２０７６２６号公報，特開平７−１８３２３６号公報，特開平６−１７５１１６号公報）等が提案されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の薄膜磁気ヘッドのギャップ絶縁膜は５０ｎｍ以上と膜厚の厚いものであり，これによりシールド膜間の間隔が広くなってしまっていた。図１４において左側は，微細化された磁気記録ディスクの記録ビット２５０に従来の薄膜磁気ヘッド２００を対向した場合を模式的に示したものであるが，記録ビット２５０の大きさに対してシールド膜２１２とシールド膜２２２との間隔が大きすぎ，このため十分な分解能を得ることはできない。
【００１１】そこで，図１４の右側に示すように，薄膜磁気ヘッド２００ａのギャップ絶縁膜２１４ａ，２２０ａを薄く形成してシールド膜２１２ａとシールド膜２２２ａとの間隔を小さくすることにより分解能を向上し，磁気記録ディスクの記録ビット２５０の微細化に対応することが考えられる。この場合，ギャップ絶縁膜２１４ａ，２２０ａの厚さは例えば５０ｎｍ以下にまで薄くすることが望ましいが，上記のようなギャップ絶縁膜の形成方法では，
５０ｎｍ以下まで薄く形成するとピンホールの数が増加してしまい，十分な絶縁耐力を確保することはできなかった。
【００１２】また，ＴＥＯＳとオゾンとを原料ガスとして用いたＣＶＤ法では，リーク電流等の電気的特性を向上するために後処理，即ち高温の熱処理を行わなければならず（特開平７−２６３４４１），ＭＲ素子の磁性体のキュリー温度より高い温度の熱処理を行うこととなるので，ＭＲ素子の磁化の状態を維持することができなかった。また，
２周波励起によるプラズマＣＶＤでは，高周波を発生するための電源が複数個必要であるため，高価な製造設備を用いなければならなかった。
【００１３】本発明の目的は，
低温でＣＶＤ法により薄く形成する場合であっても大きい絶縁耐力を得ることができるシリコン酸化膜の形成方法を提供することにある。また，本発明の目的は，記録ビットの微細化に対応しうる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
（イ）「【００２５】
【発明の実施の形態】本発明は，
ＴＥＯＳと酸素とを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成するものであって，励起周波数とＴＥＯＳ／Ｏ
2
流量比とを適切な値に設定してシリコン酸化膜を形成する
励起周波数を低く設定したプラズマＣＶＤ法を用いれば，プラズマ中のイオンが電場の変化に追従できるようになり，成膜中のシリコン酸化膜の表面へのイオンの入射が可能となる。
【００２６】また，ＴＥＯＳ／Ｏ2の流量比（ＴＥＯＳ流量：ＴＥＯＳ飽和蒸気圧×キャリアアルゴン流量／全圧）を低くすれば，良質なシリコン酸化膜を形成することができると考えられる。即ち，ＴＥＯＳ／Ｏ2の流量比を低くすれば，遅い速度でシリコン酸化膜が形成されることとなる。遅い速度でシリコン酸化膜を形成すれば，シリコン酸化膜の形成過程において十分な反応が生じるため，薄いシリコン酸化膜を形成する場合であってもピンホールの数の少ない良質なシリコン酸化膜を形成することができると考えられる。
【００２７】しかし，
単に励起周波数を低く設定したプラズマＣＶＤ法を用い，ＴＥＯＳ／Ｏ
2
の流量比を低くした場合には，絶縁耐力の大きい良質なシリコン酸化膜を形成することは困難である。即ち，シリコン酸化膜の表面にイオンが入射することによりシリコン酸化膜やシリコン酸化膜の下地がスパッタリングされてしまい，しかも成膜時間が長いため，シリコン酸化膜やシリコン酸化膜の下地が劣化してしまう。
【００２８】
シリコン酸化膜やシリコン酸化膜の下地を劣化させることなく，絶縁耐力の大きいシリコン酸化膜を形成するためには，ＴＥＯＳ／Ｏ
2
流量比と励起周波数とを適切な値に設定すればよいと考えられる。
（ウ）「【００４４】（薄膜磁気ヘッドの製造方法）次に，本実施形態による
薄膜磁気ヘッドの製造方法
【００４５】次に，
シールド膜１２上に，プラズマＣＶＤ法により，膜厚５０ｎｍのシリコン酸化膜より成るギャップ絶縁膜１４を形成する（図２（ｂ）参照）。この際，成膜装置としては，平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いることができる。成膜条件は，例えば，
ＴＥＯＳ／Ｏ
2
流量比０．０００１〜０．０５，励起周波数１０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚ，
基板温度２００℃とすればよい。なお，成膜室内の温度は適宜設定することが望ましく，
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「成膜室内で，薄膜磁気ヘッドにおけるシールド膜上に，ＴＥＯＳと酸素とを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する方法であって，平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用いて，成膜条件は，ＴＥＯＳ／Ｏ2流量比０．０００１〜０．０５，励起周波数１０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚ，成膜圧力０．５Ｔｏｒｒ，基板温度２００℃とすること。」
（２）引用文献２の記載事項
　ア　引用文献２
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００８】
【発明の実施の形態】通常の
ＰＥＣＶＤプロセスは，熱的に成長された酸化物の性質に近い性質を有する高品質の二酸化ケイ素膜を堆積させることができる。
【０００９】圧力＝０．５−３トール，
ヒータ温度＝１００−５００°Ｃ，
高周波＝１３．５６ＭＨｚ
低周波＝１００−６００ＫＨｚ
高周波電力及び低周波電力＝０．１−１ＫＷ，
Ｏ2流量＝　３−１０ｓｌｍ，
Ｏ2：ＴＥＯＳ流量比＝１０−１０3。
【００１０】例えば，ＨＦ（高周波）及びＬＦ（低周波）の（バイアス）電力レベルを増大させることにより，イオンエネルギ束を増大させると，より高い密度の膜が生じ，この膜の中のＳｉ−ＯＨ基及びＣ＝Ｏ基の濃度が減少する。しかしながら，原子及び分子の酸素カチオンの組み合わせを含むイオン束の上述のような単純な増大は，中程度及び高いアスペクト比を有する特徴部に空隙を形成するという特徴を有する，望ましくないステップ・カバレージ（段差被覆性）を生じさせる。また，バイアス電力を増大させることによりウエーハ表面に衝突する酸素イオンのエネルギを増大させると，成長する膜にプラズマによって生ずる損傷が多くなる。上述の条件は，高温のアニーリング処理を受けた膜の電荷レベルを高める原因になる（例えば，６００°Ｃでアニーリング処理を行った後には，１×１０11ｃｍ-2であり，また，１，１００°Ｃでアニーリング処理を行った後には，３×１０11ｃｍ-2である）。」
（イ）「【００１３】
気体のＴＥＯＳ及び分子の酸素が，これら気体の調節された加圧供給源（図示せず）から，流入導管１７及びガス分配マニホールドすなわち「シャワーヘッド」１９を通して供給される。
「シャワーヘッド」１９は，通常のＲＦ（高周波）発生装置及びインピーダンス整合回路網２１から高周波エネルギ源（約１３．５６ＭＨｚ）が供給される電極として作用するように，導電材料から形成することができる。
バイアスエネルギの低周波源（約１００−６００ＫＨｚ）２７をサセプタ／電極２３に接続して，該サセプタ／電極２３の上に支持されたウエーハ１５の表面に衝突する酸素イオンのエネルギを選択的に調節することができる。
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ＰＥＣＶＤプロセスは，二酸化ケイ素膜を堆積させるもので，ＴＥＯＳ及び酸素がシャワーヘッドを通して供給され，シャワーヘッドに高周波エネルギ（約１３．５６ＭＨｚ）が供給され，バイアスエネルギの低周波源（約１００−６００ＫＨｚ）がサセプタに接続されること。」
（３）引用文献３の記載事項
　ア　引用文献３
　引用文献３には，図面とともに，次の記載がある。
「【００２８】まず，図１（ａ）に示すように，シリコン基板１０１上にＢＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）膜１０２を形成する。そして，ＢＰＳＧ膜１０２上にアルミニウム膜を形成後，それをパターニングしてアルミニウム配線層１０３を形成する。このように形成されたシリコン基板１０１，ＢＰＳＧ膜１０２，及び，アルミニウム配線層１０３により，被形成体１０４が構成される。
【００２９】次ぎに，図１（ｂ）に示すように，被形成体１０４の上にＳｉＯ2 膜１０５（下地絶縁膜）を形成する。このＳｉＯ2 膜１０５は，プラズマＣＶＤ法により形成され，反応ガスとしてＳｉＨ4 とＮ2 Ｏを用いる。このＳｉＯ2 膜１０５の膜厚は１０００Åである。続いて，図１（ｃ）に示すように，ＳｉＯ2 膜１０５（下地絶縁膜）の上に，膜厚が５０００Åである，Ｂ（ホウ素）含有のＳｉＯ2 膜１０６を形成する。Ｂ（ホウ素）含有の
ＳｉＯ
2
 膜１０６は，ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｌ−Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ），Ｂ
2
 Ｈ
6
 ，Ｏ
2
 ，及びＡｒの雰囲気中において，シリコン基板１０１を１００℃に保持しながら，周波数が１３．５６ＭＨｚであるＲＦ電圧を印加し，圧力が１Ｔｏｒｒの下で，ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により形成される。
【００３０】次ぎに，図１（ｄ）に示すように，Ｂ（ホウ素）含有のＳｉＯ2 膜１０６に対し，Ｏ（酸素）プラズマ処理を行う。このとき，Ｂ（ホウ素）含有のＳｉＯ2 膜１０６の膜中に含まれているＣ（炭素），及びＯＨ基が，Ｏ（酸素）プラズマ中のＯ原子と反応し，ＣＯ2 ，及びＨ2 Ｏとなり，膜外に放出される。そして，Ｂ（ホウ素）含有のＳｉＯ2 膜１０６の膜中で，Ｃ（炭素），及びＯＨ基が含まれていた部分に空隙が形成される。これにより，Ｂ（ホウ素）含有のＳｉＯ2 膜１０６は多孔性を有するＢ（ホウ素）含有のＳｉＯ2 膜１０７となる。
【００３１】続いて，図２（ａ）に示すように，多孔性を有するＢ（ホウ素）含有の
ＳｉＯ
2
 膜１０７に対し，Ｈ（水素）プラズマ処理を行う。これにより，膜中のＳｉ−Ｏ結合のダングリングボンドがＳｉ−Ｈ結合に置換され，膜の耐吸湿性が良くなる。
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「ＳｉＯ2 膜は，ＲＦ電圧を印加し，ＣＶＤ法（化学的気相成長法）により形成され，ＳｉＯ2 膜に対し，Ｈ（水素）プラズマ処理を行う方法。」
（４）引用文献４の記載事項
　ア　引用文献４
　引用文献４には，図面とともに，次の記載がある。
「【００２３】
　図１（Ｂ）に示されるように，原料ガスＧ１を気相成長装置に供給して半導体積層１３上に，厚さ２マイクロメートル以上の
シリコン酸化膜２７を成長する。
【００２４】
　気相成長装置としては，例えば
誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ）ＣＶＤ装置２５ｂを用いる
【００２５】
　原料ガスＧ１は，シリコン有機化合物及び酸素を含む。シリコン有機化合物としては，例えば有機シラン系化合物である。具体的には，例えばテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４），ＴＥＦＳ：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３Ｆ，ＨＳｉ（ＯＣＨ３）３等を用いることができる。
【００２６】
　シリコン酸化膜２７の条件の一例は，
シリコン酸化膜２７：厚さ２μｍ
成膜ガスＧ１：テトラエトキシシラン及び酸素
ＴＥＯＳ流量：１０ｓｃｃｍ
Ｏ
２
流量：５００ｓｃｃｍ
流量比：ＴＥＯＳ／Ｏ２＝１／２０
パワー比：誘導結合ＰＩＰＣ／バイアスＰＢＩＡＳ＝７００Ｗ／１００Ｗ
高周波電力の周波数：
誘導結合＝１３．５６ＭＨｚ／バイアス＝４００ｋＨｚ
基板温度：摂氏２００度（バイアス電極内のヒータにより調整）
である。
流量比は，ＴＥＯＳ：Ｏ
２
＝１：２０
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には，次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「シリコン酸化膜を成長させる方法で，誘導結合型プラズマＣＶＤ装置を用いて，ｓｃｃｍにおいて流量比は，ＴＥＯＳ：Ｏ２＝１：２０とする方法。」
（５）本願発明と引用発明１との対比
　引用発明１の「成膜室内で，薄膜磁気ヘッドにおけるシールド膜上に，ＴＥＯＳと酸素とを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する方法」は，「基板温度２００℃とする」ものであるから，下記相違点を除いて，本願発明の「チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって，オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として供給し」に相当すると認められる。
　そして，本願発明１と引用発明１とは，下記アの点で一致しているが，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって，オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として供給することを含むことを特徴とする方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明は，無機ＳｉＯ2膜を「シリコン貫通電極に」堆積するのに対し，引用発明１は「薄膜磁気ヘッドにおけるシールド膜上に」シリコン酸化膜を形成する点。
（イ）相違点２
　本願発明においては「１５：１と２５：１との間の流量がｓｃｃｍであるＯ2／ＴＥＯＳの流量比」であるのに対し，引用発明１においては「ＴＥＯＳ／Ｏ2流量比０．０００１〜０．０５」であって流量がｓｃｃｍであるか不明である点。
（ウ）相違点３
　本願発明においては「前記前駆体を，ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し，前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを，１３．５６ＭＨｚの高周波成分及び３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚの低周波成分を用いて駆動する」のに対し，引用発明１においてはシャワーヘッドを用いずに平行平板電極を励起周波数１０ｋＨｚ〜１５０ｋＨｚで駆動する点。
（６）判断
　ア　相違点１について
　無機ＳｉＯ2膜をシリコン貫通電極に堆積すること及びそのための堆積条件についていずれの引用文献にも開示も示唆もない。本願発明においては「シリコン貫通電極は，金属層を堆積する前に誘電性ライナを必要とし，そのような膜が良好なコンフォーマルかつ吸水のない状態で膜を低温で堆積できること」（本願明細書段落【０００２】）を課題としており，この課題についてもいずれの引用文献にも開示も示唆もないので，相違点１に係る構成を想到することは当業者が容易になし得ることではない。
イ　相違点２について
　ＲＦ駆動シャワーヘッドを，１３．５６ＭＨｚの高周波成分及び３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚの低周波成分を用いて駆動することについていずれの引用文献にも開示も示唆もない。引用発明２のシャワーヘッドには高周波エネルギが供給され，低周波はサセプタに接続されるから，引用文献２にはシャワーヘッドを高周波成分及び低周波成分を用いて駆動することは記載されていない。
　引用発明１は「シリコン酸化膜やシリコン酸化膜の下地を劣化させることなく，絶縁耐力の大きいシリコン酸化膜を形成するためにＴＥＯＳ／Ｏ2流量比と励起周波数とを適切な値に設定」（前記（１）ア（イ）【００２８】）したものであって，引用発明１の励起周波数を変更すべき動機づけはないし，また引用文献１には「２周波励起によるプラズマＣＶＤでは，高周波を発生するための電源が複数個必要であるため，高価な製造設備を用いなければならなかった。」（前記（１）ア（ア）【００１２】）と記載されており，高周波成分と低周波成分による２周波励起は否定されているので，引用発明１において高周波成分及び低周波成分で駆動されるシャワーヘッドを採用することには阻害要因がある。
（７）小括
　したがって，本願発明は，引用発明１ないし４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　まとめ
　本願の請求項２ないし９に係る発明は本願発明をさらに限定したものであるので，本願発明と同様に，引用発明１ないし４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）当審拒絶理由１
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 （以下，「当審拒絶理由１」という。）
　　　　記 
　本願発明の課題は，「シリコン中のエッチングされたビア又はトレンチとすることができるシリコン貫通電極（ＴＶＳ）は，金属層を堆積する前に誘電性ライナ(dielectric liner)を必要とする。そのような膜が良好なコンフォーマル(conformal)膜であることは，通常の使用におけるリーク電流を回避するために誘電特性を十分良好にする必要がある厚さが最小となるために非常に望ましい。」（本願明細書段落０００２）ということを前提としており，この課題に対応して，シリコン貫通電極のＳｉＯ2 膜として求められる誘電特性を得るための成膜条件が課題解決手段となっていると認められる。 
　ところが，請求項１−９に係る発明においては，前記の前提である「ＳｉＯ2 膜をシリコン貫通電極に堆積する」ことが特定されていないから，前記課題解決手段が反映されていない。 
　したがって，請求項１−９に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものではない。
（２）当審拒絶理由２
　本願発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。（以下，「当審拒絶理由２」という。）
　　　　　　　　記　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
引用文献Ａ　特開２００７−１４２０６６号公報 
引用文献Ｂ　特開２０００−２７７５０７号公報（当審注：引用文献３と同じ。）
・備考
　本願発明と引用文献Ａ（段落００３３−００４３，００５２，図１，２）に記載された発明（以下，「引用発明Ａ」という。）とを対比すると，下記の点で相違する。 
 （相違点１）本願発明１の成膜温度は「２５０℃以下」であるのに対し，引用発明Ａの成膜温度は「４００℃」である点。 
 （相違点２）本願発明のＯ2／ＴＥＯＳの流量比は「１５：１と２５：１の間」であるのに対し，引用発明ＡのＯ2／ＴＥＯＳの流量比は「３以上１０未満程度」である点。
　本願発明における「ＳｉＯ2 膜」の用途は無限定でありその求められる特性も無限定であるから，引用発明Ａにおける成膜温度や流量比を適当に変化させて様々な用途に対応するようにすることで相違点１及び２に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得ることである。 
２　当審拒絶理由１についての判断
　平成２８年９月１５日付け手続補正書によって，本願の特許請求の範囲は次のように補正された。（下線は補正個所を示すものとして，当審で付加した。）
「【請求項１】
　チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を
シリコン貫通電極に
【請求項２】
　前記高周波成分で供給される電力は，前記低周波成分で供給される電力の２倍である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　堆積された膜にＨ2プラズマ処理を施すことを更に含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
　前記Ｈ2プラズマ処理を真空破壊後に施す請求項３に記載の方法。
【請求項５】
　前記Ｈ2プラズマ処理は，前記膜の表面にＳｉ−Ｈ結合を形成し又は再形成する請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
　前記膜を，１５０℃−２００℃の範囲の温度で堆積する請求項１から５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
　前記Ｈ2プラズマ処理に対して単一の無線周波数を用いる請求項３から５のうちのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
　前記単一の無線周波数は１３．５６ＭＨｚである請求項７に記載の方法。
【請求項９】
　Ｈ2プラズマ処理温度は，２００℃以下である請求項３から５のうちのいずれか一項に記載の方法。」
　そして，本願明細書における，本願に係る発明の課題に関する記載（【０００２】，【０００３】），及び課題解決手段に関する記載（【０００４】ないし【００１２】，【００１４】ないし【００１７】，【００２２】，【００２７】）より，補正後の請求項１ないし９に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものと認められる。
　よって，当審拒絶理由１は解消した。
３　当審拒絶理由２についての判断
（１）引用文献Ａの記載と引用発明Ａ
　ア　引用文献Ａ
　引用文献Ａには，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【００３３】
　（実施の形態１）
　本発明の実施の形態１では，
プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によってＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane：Ｓｉ（ＯＣ
２
Ｈ
５
）
4
）を原料として成膜された酸化シリコン膜（以下，ＴＥＯＳ膜という）の製造技術
【００３４】
　図１は，本発明に係るＴＥＯＳ膜を成膜するためのプラズマＣＶＤ製造装置５０を模式的に示す説明図である。プラズマＣＶＤ製造装置５０は，
反応室５１と，反応室内にそれぞれ対向して配置されたシャワーヘッド５２
シャワーヘッド５２の電極に高周波電力を供給する高周波電源５４，５５
高周波電源５４，５５をプラズマＣＶＤ製造装置５０に設置することによって２種類の高周波電力を供給することができ，高周波電源５４では例えば１３．５６ＭＨｚ（第１周波数）の高周波電力，高周波電源５５では高周波電源５４の周波数より低い，例えば３００ｋＨｚ以上，５００ｋＨｚ以下（第２周波数）の高周波電力を供給することができる。
【００３５】
　このプラズマＣＶＤ製造装置５０を用いて，ステージ５３上に配置された半導体ウエハ１Ｗ（半導体基板）の主面上にＴＥＯＳ膜が形成される。言い換えると，プラズマＣＶＤ製造装置５０は，反応室５１の圧力，ステージ５３の温度，例えば１３．５６ＭＨｚ（第１周波数）の高周波電力，例えば３５０ｋＨｚ（第２周波数）の高周波電力，並びに
混合ガス（ＴＥＯＳ，酸素（Ｏ２）およびヘリウム（Ｈｅ）を含む）の流量を調整（制御）して，ステージ５３に配置された半導体ウエハ１Ｗの主面上にＴＥＯＳ膜を成膜する
【００３６】
　図２は，本発明に係るＴＥＯＳ膜の成膜条件を説明するための表である。なお，図２の表中に記載した各数値は好ましい数値の一例を示したものであって，これらの数値に限定されることを意味するものではない。
【００３７】
　図２の表に示す成膜条件１によってＨＤ−ＴＥＯＳ膜，および成膜条件２によってＬＤ−ＴＥＯＳ膜が成膜される。また，これらＴＥＯＳ膜の比較対象として，ＴＥＯＳ，Ｏ２およびＨｅの混合ガスを用いずＳｉＨ４およびＮ２Ｏの混合ガスを用いた成膜条件３によってＳｉＯ膜を成膜している。なお，本願では，ＨＤ−ＴＥＯＳ膜とＬＤ−ＴＥＯＳ膜とは成膜速度において相違するため，成膜速度が高い（速い）ＴＥＯＳ膜をＨＤ（High Depo rate）−ＴＥＯＳ膜とし，成膜速度が低い（遅い）ＴＥＯＳ膜をＬＤ（Low Depo rate）−ＴＥＯＳ膜としている。また，前述の発明が解決しようとする課題のＴＥＯＳ膜は，成膜条件１で成膜されたＴＥＯＳ膜（ＨＤ−ＴＥＯＳ膜）である。
【００３８】
　ここで，前述のプラズマＣＶＤ製造装置５０によってＬＤ−ＴＥＯＳ膜が成膜される成膜条件２について説明する。成膜して得るＬＤ−ＴＥＯＳ膜の膜厚は，例えば１００ｎｍ程度とする。ヒータ５７を備えたステージ５３の温度を調整した
成膜温度は，例えば４００℃とする。
原料ガス（混合ガス）であるＴＥＯＳ，酸素（Ｏ２）およびヘリウム（Ｈｅ）の流量は，それぞれ１２００ｓｃｃｍ，６０００ｓｃｃｍおよび４０００ｓｃｃｍ程度とする。
【００３９】
　すなわち，ＬＤ−ＴＥＯＳ膜の成膜条件２では，ＴＥＯＳ流量をＨＤ−ＴＥＯＳ膜に比べ小流量とし，成膜速度を１００ｎｍ／ｍｉｎ程度としている。また，酸素（Ｏ２）の流量を，ＴＥＯＳの流量より多くし，例えば原料ガスの酸素／ＴＥＯＳ比を５程度とし，十分な酸素でＴＥＯＳを分解して成膜し，さらに比較的低周波である３５０ｋＨｚの高周波電力を印加することによって，緻密なＴＥＯＳ膜（酸化シリコン膜）を成膜している。」
（イ）「【００５２】
　また，本発明に係るＴＥＯＳ膜は，成膜条件２で示したＯ２／ＴＥＯＳ比を５程度することに限らず，
３以上，１０未満程度のＯ
２
／ＴＥＯＳ比としても良い。
　イ　前記アより，引用文献Ａには，次の発明（以下，「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「プラズマＣＶＤ法によってＴＥＯＳを原料として成膜された酸化シリコン膜の製造方法であって，反応室内のシャワーヘッドを用い，シャワーヘッドの電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力と３００ｋＨｚ以上，５００ｋＨｚ以下の高周波電力を供給し，ＴＥＯＳ成膜温度は４００℃で，原料ガスであるＴＥＯＳ，酸素およびヘリウムの流量はｓｃｃｍで，３以上，１０未満のＯ２／ＴＥＯＳ比である。」
（２）引用文献Ｂの記載と引用発明Ｂ
　引用文献Ｂには前記第３の２（３）アのとおりの記載があり，同イのとおりの発明（以下，「引用発明Ｂ」という。）が記載されていると認められる。
（３）本願発明と引用発明Ａとの対比
　引用発明Ａの「プラズマＣＶＤ法によってＴＥＯＳを原料として成膜された酸化シリコン膜の製造方法」は，「反応室内のシャワーヘッドを用い」，「原料ガスに酸素を含む」から，下記相違点を除いて，本願発明の「チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜をシリコン貫通電極に堆積する方法であって，オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として」に相当すると認められる。
　引用発明Ａの「シャワーヘッドの電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力と３００ｋＨｚ以上，５００ｋＨｚ以下の高周波電力を供給し」は，本願発明の「前記前駆体を，ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し，前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを，１３．５６ＭＨｚの高周波成分及び３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚの低周波成分を用いて駆動すること」を満たすものと認められる。
　すると，本願発明と引用発明Ａとは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって，オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として，前記前駆体を，ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し，前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを，１３．５６ＭＨｚの高周波成分及び３５０ｋＨｚ−２ＭＨｚの低周波成分を用いて駆動することを含むことを特徴とする方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明は「２５０℃よりも下の温度で」堆積するのに対し，引用発明Ａは「ＴＥＯＳ成膜温度は４００℃で」ある点。
（イ）相違点２
　本願発明は「無機ＳｉＯ2膜をシリコン貫通電極に堆積する」のに対し，引用発明Ａは「シリコン貫通電極に」成膜することが開示されていない点。
（ウ）相違点３
　本願発明は「１５：１と２５：１との間の流量がｓｃｃｍであるＯ2／ＴＥＯＳの流量比で供給」するのに対し，引用発明Ａは「流量はｓｃｃｍで，３以上，１０未満のＯ２／ＴＥＯＳ比である」点。
（４）判断
　ア　相違点２について
　無機ＳｉＯ2膜をシリコン貫通電極に堆積すること及びそのための堆積条件についていずれの引用文献にも開示も示唆もない。本願発明においては「シリコン貫通電極は，金属層を堆積する前に誘電性ライナを必要とし，そのような膜が良好なコンフォーマルかつ吸水のない状態で膜を低温で堆積できること」（本願明細書段落【０００２】）を課題としており，この課題についてもいずれの引用文献にも開示も示唆もないので，相違点１に係る構成を想到することは当業者が容易になし得ることではない。
　イ　相違点１，３について
　「２５０℃よりも下の温度で」堆積すること及び「１５：１と２５：１との間の流量がｓｃｃｍであるＯ2／ＴＥＯＳの流量比で供給」することは，いずれの引用文献にも開示も示唆もない。本願発明の課題（前記ア参照。）についていずれの引用文献にも開示も示唆もないので，その課題を解決する堆積条件を設定することは当業者が容易になし得ることではない。
（５）小括
　したがって，本願発明は，引用発明Ａ及びＢに基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（６）まとめ
　本願の請求項２ないし９に係る発明は，本願発明をさらに限定したものであるので，本願発明と同様に，引用発明Ａ及びＢに基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。