【事件の表示】
　特願２０１０−２９０５６５「タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　７月１９日出願公開，特開２０１２−１３８５００〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１２月２７日を出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年１０月　２日　審査請求・手続補正書・上申書
　平成２６年　６月　９日　拒絶理由通知
　平成２６年　８月１２日　意見書・手続補正書
　平成２６年１２月１７日　拒絶査定
　平成２７年　３月２４日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　７月２１日　上申書
　
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年３月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，特許請求の範囲の請求項１については，本件補正の前後で以下のとおりである。 
　・補正前
　「【請求項１】
　（１）　タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体を，成膜装置の処理室内に収容し，
　（２）　前記被処理体を加熱し，前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給し，
　（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成することを特徴とするタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法。」
　・補正後
　「【請求項１】
　（１）　タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体を，成膜装置の処理室内に収容し，
　（２）　前記被処理体を加熱し，前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給し，
　（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成し，
　前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短いことを特徴とするタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による，補正前の特許請求の範囲の請求項１についての補正を整理すると次のとおりとなる。（当審注．下線は補正箇所を示し，当審で付加したもの。） 
　・補正事項
　補正前の請求項１に，「
前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い
　
３　本件補正の適否
　以下，補正事項について，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてされたものであるか否かについて検討する。
　
（１）当初明細書等の記載
　当初明細書等には，本願に係る発明における「（２）　前記被処理体を加熱し，前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給」する工程（以下「（２）工程」という。）と「前記（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間」，及び「（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成」する工程（以下「（３）工程」という。）と「前記（３）工程におけるシリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間」について，以下の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　ア「【発明を実施するための形態】
【００１１】
　　　（成膜方法）
　図１Ａはこの発明の一実施形態に係るタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の酸化物膜の成膜方法の一例を示す流れ図，図１Ｂは図１Ａ中のステップ３の一例を示す流れ図，図２Ａ〜図２Ｃは，図１Ａ及び図１Ｂに示すシーケンス中の被処理体の状態を概略的に示す断面図である。
【００１２】
　まず，図１Ａ中のステップ１に示すように，被処理体上にタングステン膜又は酸化タングステン膜を形成する。・・・また，本例では，被処理体として半導体ウエハ，例えば，シリコンウエハＷを用いた。このシリコンウエハＷのシリコン基板１上に，本例ではタングステン膜２を形成した（図２Ａ）。
【００１３】
　次に，
図１Ａ中のステップ２に示すように，タングステン膜２上にシード層３を形成する
【００１４】
　まず，タングステン膜２が形成されたシリコンウエハＷを成膜装置の処理室内に搬入する。次いで，処理室内の温度を上げ，タングステン膜２が形成されたシリコンウエハＷを加熱し，加熱されたタングステン膜２の表面にアミノシラン系ガスを供給する。これにより，タングステン膜２の表面上にシード層３を形成する。
【００１５】
　アミノシラン系ガスの例としては，
    ・・・
　　ＤＩＰＡＳ（ジイソプロピルアミノシラン）
等を挙げることができる。本例では，ＤＩＰＡＳを用いた。
【００１６】
　
ステップ２における処理条件の一例は
　　　ＤＩＰＡＳ流量：　５００ｓｃｃｍ  
　　　
処　理　時　間：　　　５ｍｉｎ
　　　処　理　温　度：　　２５℃  
　　　処　理　圧　力：　５３２Ｐａ（４Ｔｏｒｒ）  
である。ステップ２の工程を，本明細書では以下プリフローと呼ぶ。
【００１７】
　ステップ２は，シリコン原料を，タングステン膜２に吸着させやすくする工程である。なお，本明細書では，ステップ２においてシード層３を形成する，と記載しているが，実際にはほとんど成膜されることはない。シード層３の厚さは，好ましくは単原子層レベルの厚さ程度であることが良い。具体的なシード層３の厚さを言及すれば，０．１ｎｍ以上０．３ｎｍ以下である。
【００１８】
　次に，
図１Ａ中のステップ３に示すように，シード層３上に酸化物膜，本例では，酸化シリコン膜４を形成する
【００１９】
　
ステップ３の一例を図１Ｂに示す。本例では，酸化シリコン膜４の成膜に，シリコンを含むシリコン原料ガスと，シリコンを酸化させる酸化剤を含むガスとを交互に供給しながら成膜する
【００２０】
　まず，ステップ３１に示すように，処理室内に不活性ガス，例えば，窒素（Ｎ２）ガスを供給し，アミノシラン系ガスをパージする。
【００２１】
  次に，
ステップ３２に示すように，シリコン原料ガスを処理室内に供給し，シード層３上にシリコン層を形成する
　・・・
　の少なくとも一つを含むガスを挙げることができる。
【００２２】
　なお，本例では，アミノシラン系ガス，例えば，ＤＩＰＡＳを用いた。
【００２３】
　
ステップ３２における処理条件の一例は
　　　ＤＩＰＡＳ流量：　５００ｓｃｃｍ 
　　　
処　理　時　間：　０．１ｍｉｎ
　　　処　理　温　度：　　２５℃ 
　　　処　理　圧　力：　５３２Ｐａ（４Ｔｏｒｒ）
である。
【００２４】
　次に，ステップ３３に示すように，処理室内に不活性ガス，例えば，窒素ガスを供給し，シリコン原料ガスをパージする。
【００２５】
　
次に，ステップ３４に示すように，酸化剤を含むガスを処理室内に供給し，ステップ３２で形成されたシリコン層を酸化し，酸化シリコン膜４を形成する
【００２６】
　次に，ステップ３５に示すように，処理室内に不活性ガス，例えば，窒素ガスを供給し，酸化剤を含むガスをパージする。
【００２７】
　
次に，ステップ３６に示すように，繰り返し回数が設定回数か否かを判断する
【００２８】
　
設定回数に達していない場合（ＮＯ），ステップ３２に戻り，ステップ３２からステップ３５を繰り返す
【００２９】
　
設定回数に達した場合（ＹＥＳ），図１Ａに示すように，処理終了となる
　イ「【００３９】
　　　（酸化シリコン膜のＳＥＭ観察）
　次に，酸化シリコン膜をＳＥＭ観察した結果を示す。
【００４０】
　
図５は上記一実施形態に係るタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法を用いて酸化シリコン膜４を形成した場合であり
酸化シリコン膜４は，成膜する際の繰り返し回数をともに２０サイクルとして成膜した
【００４１】
　図５Ａ及び図５Ｂに示すように，上記一実施形態によれば，タングステン膜２上に，膜厚１．３ｎｍの酸化タングステン膜５を介して膜厚３．９ｎｍ（シード層３の酸化膜厚込み）の酸化シリコン膜４が形成される。
【００４２】
　対して，図６Ａ及び図６Ｂに示すように，プリフロー無しの比較例によれば，タングステン膜２上に，膜厚１．５ｎｍの酸化タングステン膜５を介して膜厚３．０ｎｍの酸化シリコン膜４しか形成されていない。
【００４３】
　このように，上記一実施形態によれば，プリフローをしない場合に比較して，インキュベーション時間が短縮され，同じ２０サイクルでも，約３０％膜厚が厚い酸化シリコン膜４を，タングステン膜２上に形成することができた。
【００４４】
　また，上記一実施形態によれば，酸化タングステン膜５の膜厚が１．３ｎｍであるが，比較例では，酸化タングステン膜５の膜厚が１．５ｎｍに増膜している。
【００４５】
　このことから，上記一実施形態によれば，タングステン膜２上への酸化シリコン膜４の成膜に際し，界面の酸化タングステン膜５の増膜をも抑制できる，という利点も併せて得ることができる。これは，上記一実施形態では，シード層３がタングステン膜２の表面上に形成されるため，酸化剤が直接にタングステン膜２や酸化タングステン膜５に接触することを抑制できるためである，と考えられる。」
　ウ「【００５４】
　　　（成膜方法の他例）
　次に，タングステン膜上への酸化物膜の成膜方法の他例を説明する。
【００５５】
　図９Ａ〜９Ｃは，図１Ｂ中のステップ３の他例を示す流れ図である。
【００５６】
　　　（第１例）
　
図９Ａに示すように，第１例は，図１Ｂに示したステップ３２，３３と，ステップ３４，３５とを，入れ替えた例である
このように，アミノシラン系ガスをパージ（ステップ３１）した後，酸化剤を供給（ステップ３４）するようにしても良い
　
（２）新規事項の追加の有無について
　ア　はじめに，補正後の請求項１に記載の「（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成」する工程の意味内容について検討する。
　補正後の請求項１における上記の記載を，その文言のとおりに解釈すれば，（３）工程は，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給し，その後，酸化剤を含むガスを供給すること，又は酸化剤を含むガスを供給し，その後，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給することのいずれかを，繰り返し行うことによって，被処理体に酸化シリコン膜を形成するものと理解できる。
　そして，（３）工程についての上記の理解は，上記（１）ア及びウより，当初明細書等における「ステップ３２に示すように，シリコン原料ガスを処理室内に供給し，シード層３上にシリコン層を形成する。」（【００２１】），「次に，ステップ３４に示すように，酸化剤を含むガスを処理室内に供給し，ステップ３２で形成されたシリコン層を酸化し，酸化シリコン膜４を形成する。」（【００２５】），「次に，ステップ３６に示すように，繰り返し回数が設定回数か否かを判断する。」（【００２７】），「設定回数に達していない場合（ＮＯ），ステップ３２に戻り，ステップ３２からステップ３５を繰り返す。」（【００２８】），及び「設定回数に達した場合（ＹＥＳ），図１Ａに示すように，処理終了となる。」（【００２９】）との記載，並びに「ステップ３２，３３と，ステップ３４，３５とを，入れ替えた例である。このように，アミノシラン系ガスをパージ（ステップ３１）した後，酸化剤を供給（ステップ３４）するようにしても良い。」（【００５６】）との記載によっても裏付けられる。
　イ　次に，補正後の請求項１に記載の「前記（３）工程におけるシリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間」の意味内容について検討する。
　上記アのとおり，補正後の請求項１に記載の（３）工程は，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給し，その後，酸化剤を含むガスを供給すること，又は酸化剤を含むガスを供給し，その後，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給することのいずれかを，繰り返し行うことによって，被処理体に酸化シリコン膜を形成するものと理解できる。
　してみれば，補正後の請求項１に記載の「前記（３）工程におけるシリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間」は，（３）工程の開始から終了までの間，シリコンを含むシリコン原料ガスの供給を繰り返すことで費やされる時間と解するのが相当といえる。
　ウ　そうすると，上記ア及びイより，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことは，（３）工程の開始から終了までの間，シリコンを含むシリコン原料ガスの供給を繰り返すことで費やされる時間が，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間よりも短いことを特定したものと認められる。
　エ　他方，本願の当初明細書等の記載について検討すると，本願の当初明細書等には，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことそのものの記載はない。
　そして，上記（１）アより，本願の当初明細書等には，本願に係る発明の一実施形態である，タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の酸化物膜の成膜方法として，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間を５分とすること（【００１６】），及び（３）工程で繰り返されるシリコンを含むシリコン原料ガスの１回毎の供給時間を０．１分とすること（【００２３】）とすることが，それぞれ記載されていると認められる。
　しかし，（３）工程で繰り返されるシリコンを含むシリコン原料ガスの１回毎の供給時間が，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間より短いとの本願の当初明細書等の記載では，（３）工程の開始から終了までの間，シリコンを含むシリコン原料ガスの供給を繰り返すことで費やされる時間が，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間より短いとの技術的事項が，本願の当初明細書等に記載されているとはいうことはできないし，上記の技術的事項は，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願の当初明細書等の上記の記載から自明であるともいえない。
　また，上記（１）イより，本願の当初明細書等には，プリフロー（（２）工程）の有無による酸化シリコン膜及び酸化タングステン膜それぞれの膜厚の差を測定するために，上記一実施形態に係るタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法を用いて酸化シリコン膜を形成した場合であって，酸化シリコン膜は，成膜する際の繰り返し回数を２０サイクルとして成膜したこと（【００４０】）が記載されていると認められる。
　しかし，当該記載は，（２）工程の有無による作用効果の相違を評価するためのサンプルとして，（３）工程の繰り返し回数を２０サイクルとしたものを使用したことが記載されているにとどまり，本願の当初明細書等の上記の記載では，（３）工程の繰り返し回数を２０サイクルとすることによって，（３）工程の開始から終了までの間，シリコンを含むシリコン原料ガスの供給を繰り返すことで費やされる時間が，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間より短くなるようにしたとの技術的事項が記載されているということはできないし，上記の技術的事項は，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願の当初明細書等の上記の記載から自明であるともいえない。
　そうすると，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」こと，すなわち，（３）工程の開始から終了までの間，シリコンを含むシリコン原料ガスの供給を繰り返すことで費やされる時間が，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間よりも短いことは，本願の当初明細書等に記載されておらず，また，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願の当初明細書等の記載から自明であるとも認められない。
　オ　以上より，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことは，本願の当初明細書等に記載されておらず，また，本願の当初明細書等の記載から自明であるとも認められないから，補正事項による補正は，当業者によって，本願の当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものといわざるを得ない。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は，平成２７年７月２１日付け上申書で，本願に係る発明は，シリコンの吸着が不十分な状態のとき，酸化剤がタングステンに直接接触してタングステンが酸化されてしまうという不都合や，被処理体の被処理面上に，シリコンとタングステンとの双方が露出している場合，酸化シリコン膜の膜厚のばらつきが大きくなるという不都合を解消するとの効果を得るものであるところ，「シリコン原料ガスと酸化剤を含むガスとの交互供給によるシリコン酸化膜の形成に先立って，シリコン酸化膜を形成する際の１回のシリコン原料ガスの供給時間よりも十分に長い時間シリコン原料であるアミノシラン系ガスのプリフローを行ってシード膜を形成することにより，上記効果が得られる」とし，この点は，本願の当初明細書等の段落【００１６】及び【００２３】の記載から明らかであるから，本願の当初明細書等の段落【００１６】及び【００２３】の記載を根拠に，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」と補正する，審判請求時の補正が，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」を意図するものであることは明確であると主張する。
　しかし，請求人の上記の主張は採用できない。その理由は，以下のとおりである。
　ア　上記（３）アないしウのとおり，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことは，（３）工程の開始から終了までの間，シリコンを含むシリコン原料ガスの供給を繰り返すことで費やされる時間が，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間よりも短いことを特定したものと認められ，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことを特定したものとは認められない。
　イ　仮に，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことが，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことを特定したものであるとした場合に，補正事項による補正が，当業者によって，本願の当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものであるか否かについて，以下，予備的に検討する。
　上記の場合，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」との技術的事項は，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間」が，「前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間」を上限とすることを特定するものと解される。
　そして，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された上記の技術的事項には，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間」と「前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間」との差に関係なく，前者が後者よりも短いもの全てが含まれ得ると認められる。
　他方，本願の当初明細書等には，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間」が，「前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間」よりも短いことそのものの記載はないが，上記（１）アより，本願の当初明細書等には，本願に係る発明の一実施形態である，タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の酸化物膜の成膜方法として，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間を５分とすること（【００１６】），及び（３）工程で繰り返されるシリコンを含むシリコン原料ガスの１回毎の供給時間を０．１分とすること（【００２３】）とすることが，それぞれ記載されていると認められる。
　しかし，本願の当初明細書等における上記の記載は，本願に係る発明の一実施形態で採用された，（２）工程におけるアミノシラン系ガスの供給時間，及び（３）工程で繰り返されるシリコンを含むシリコン原料ガスの１回毎の供給時間の一例にとどまり，本願の当初明細書等における上記の記載から，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間」は，「前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間」を上限とするとの技術思想が記載されているとはいえず，また，当該技術思想は，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本願の当初明細書等の上記の記載から自明であるとも認められない。
　また，請求人は，「シリコン原料ガスと酸化剤を含むガスとの交互供給によるシリコン酸化膜の形成に先立って，シリコン酸化膜を形成する際の１回のシリコン原料ガスの供給時間よりも
十分に長い時間
　そうすると，仮に，補正事項による補正で補正前の請求項１に追加された上記の技術的事項が，「前記（３）工程における前記シリコンを含むシリコン原料ガスの１回の供給時間は，前記（２）工程における前記アミノシラン系ガスの供給時間よりも短い」ことを特定したものであるとしても，補正事項による補正は，当業者によって，本願の当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものといわざるを得ない。
　
（４）小括
　上記（２）及び（３）より，上記補正事項による補正は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものといわざるを得ないから，上記補正事項による補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであるとは認められない。
　以上から，本件補正における上記補正事項による補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものであるとは認められないから，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてされたものとはいえず，特許法第１７条の２第３項に規定に違反するものと認める。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するから，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明の新規性の有無について
　
１　本願発明について
　平成２７年３月２４日に提出された手続補正書による手続補正は前記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし７に係る発明は，平成２６年８月１２日に提出された手続補正書に記載されたとおりのものであり，その請求項１の記載は，再掲すると次のとおりである。（以下，本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　「【請求項１】
　（１）　タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体を，成膜装置の処理室内に収容し，
　（２）　前記被処理体を加熱し，前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給し，
　（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成することを特徴とするタングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法。」
　
２　引用発明
（１）引用文献の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に国内において頒布された刊行物である，特開２００６−５４４３２号公報（以下「引用文献」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
　ア「【０００１】
  
本発明は，半導体ウエハ等の被処理体の表面にシリコン酸化膜を堆積させる成膜方法
に係り
　イ「【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　以下に，本発明に係る成膜方法，成膜装置及び記憶媒体の一例を添付図面に基づいて詳述する。
　図１は本発明方法を実施するための成膜装置の一例を示す構成図である。まずこの成膜装置について説明する。図示するように，
この成膜装置２０は下端が開放されて上下方向に所定の長さを有して円筒体状になされた縦型の処理容器２２を有している
  
この処理容器２２の下方より複数枚の被処理体としての半導体ウエハＷを複数段に亘って所定のピッチで載置した保持手段としてのウエハボート２４が昇降可能に挿脱自在になされている
・・・
【００１７】
　
上記処理容器２２の側部には，これを取り囲むようにしてた例えばカーボンワイヤ製のヒータよりなる加熱手段４２が設けられており，この内側に位置する処理容器２２及びこの中の上記半導体ウエハＷを加熱し得るようになっている
・・・
【００１９】
　具体的には，上記Ｓｉ含有ガス供給手段６０，酸化性ガス供給手段６２，還元性ガス供給手段６４及び不活性ガス供給手段６６の各ガス通路６０Ａ，６２Ａ，６４Ａ，６６Ａは，それぞれ上記第１，第２，第３及び第４のガスノズル４６，４８，５０，５２へ接続されると共に，各ガス通路６０Ａ，６２Ａ，６４Ａ，６６Ａには，マスフローコントローラのような流量制御器６０Ｂ，６２Ｂ，６４Ｂ，６６Ｂ及び開閉弁６０Ｃ，６２Ｃ，６４Ｃ，６６Ｃがそれぞれ順次介設されており，必要に応じて上記各ガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。
ここでは上記Ｓｉ含有ガスとしてはＤＣＳ（ジクロロシラン）が用いられ
・・・
【００２１】
　次に，以上のように構成された成膜装置２０を用いて行なわれる成膜方法について説明する。上述したように，以下に説明する動作は，上記記憶媒体８２に記憶されたプログラムに基づいて行われる。
　まず，例えばシリコンウエハよりなる
半導体ウエハＷの表面には例えばタングステン等よりなる金属の表面が露出している
常温の多数枚，例えば５０枚のウエハＷが載置された状態のウエハボート２４をホットウォール状態になされた処理容器２２内にその下方より上昇させてロードし，蓋部２６で処理容器２２の下端開口部を閉じることにより処理容器２２内を密閉する
【００２２】
　そして，処理容器２２内を真空引きして所定のプロセス圧力に維持すると共に，
加熱手段４２への供給電力を増大させることにより，ウエハ温度を上昇させて成膜処理用のプロセス温度まで昇温して安定させ
・・・
【００２４】
＜第１実施例＞
　まず，本発明方法の第１実施例について説明する。
　図２は本発明方法の第１実施例において処理容器内へ供給される各ガスのタイミングチャートを示す図である。
　まず，本発明では上記各ガスは連続的に供給されるのではなく，
図２に示すように，上記処理容器２２内へＳｉ含有ガスであるＤＣＳガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程と，上記処理容器２２内へ酸化性ガスであるＮ
２
Ｏガスと還元性ガスであるＨ
２
ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程とを，間欠的に交互に繰り返し行うようにする
【００２５】
　すなわち，
図２（Ａ）に示すようにＤＣＳガスを供給するＳｉ含有ガス供給工程を間欠的に行い，Ｓｉ含有ガス供給工程を行っていない期間にタイミングを合わせて，図２（Ｂ）及び図２（Ｃ）に示すようにＮ
２
ＯガスとあるＨ
２
ガスとを同時に供給する酸化還元ガス供給工程を間欠的に行っている
上記Ｓｉ含有ガス供給工程の時間Ｔ１，酸化還元ガス供給工程の時間Ｔ２及びパージ工程の時間Ｔ３
【００２６】
　
上記Ｓｉ含有ガス供給工程では，供給されたＤＣＳガスが，成膜条件にもよるが，例えば分子状態のガスが，或いは分解したＳｉ原子が，ウエハ表面全体に吸着することになり，この状態で酸化還元供給工程でＮ
２
ＯガスとあるＨ
２
ガスとが同時に供給されると
酸化性ガスであるＮ
２
Ｏガスの作用で上記吸着していたＤＣＳガス分子やＳｉ原子がそれぞれ酸化されてここに酸化膜である薄いＳｉＯ
２
膜が原子層レベル，或いは分子層レベルで堆積して形成されることになる
　ウ「【００３６】
  尚，
上記実施例ではＳｉ含有ガスとしてＤＣＳガスを用いて場合を例にとって説明したが，これに限定されず
ビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）
よりなる群より選択される１以上のガスを用いることができる
  またここでは酸化性ガスとしてＮ２ＯガスまたはＯ２ガスを用いた場合を例にとって説明したが，これに限定されず，Ｎ２Ｏ，Ｈ２Ｏ，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ＊（活性種），ＮＯ，ＮＯ２，ＣＯ２，ＣＯよりなる群から選択される１以上のガスを用いることができる。この場合，活性種やオゾンは，イオナイザーやリモートプラズマ機構等で形成することができる。」
　エ「図２（Ａ）ないし（Ｃ）には，Ｓｉ含有ガスであるＤＣＳガスの供給開始時の時刻を時刻０とした時に，
時刻０からＴ１の間にＤＣＳガスを供給し，時刻（Ｔ１＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２）の間に，酸化性ガスであるＮ
２
Ｏガスと還元性ガスであるＨ
２
ガスとからなる酸化還元ガスを供給し，時刻（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ１）の間にＳｉ含有ガスを供給し，以後，酸化還元ガスの供給とＳｉ含有ガスの供給とを間欠的に交互に繰り返し行うことが記載されていると認められる。
　
（２）引用発明
　上記（１）ウによれば，引用文献には，実施例ではＳｉ含有ガスとしてＤＣＳガスを用いた場合を例にとって説明したが，これに限定されず，Ｓｉ含有ガスとしてビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスを選択することができる旨の記載があるから，当該記載に鑑みれば，上記（１）ア，イ及びエより，引用文献には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「タングステン等よりなる金属の表面が露出しているウエハＷが載置された状態のウエハボート２４を，成膜装置２０の処理容器２２内にその下方より上昇させてロードし，処理容器２２内を密閉し，
　処理容器２２の側部に設けられた加熱手段４２への供給電力を増大させることにより，ウエハ温度を上昇させて成膜処理用のプロセス温度まで昇温して安定させ，時刻０からＴ１の間に，上記処理容器２２内へＳｉ含有ガスであるビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスを供給し，
　時刻（Ｔ１＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２）の間に，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスと還元性ガスであるＨ２ガスとからなる酸化還元ガスを供給し，時刻（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ１）の間にＢＴＢＡＳガスを供給し，以後，酸化還元ガスの供給とＢＴＢＡＳガスの供給とを間欠的に交互に繰り返し行い，分子状態のＢＴＢＡＳガス，或いは分解したＳｉ原子が，ウエハ表面全体に吸着し，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスの作用で上記吸着していたＢＴＢＡＳガス分子やＳｉ原子がそれぞれ酸化されてここに酸化膜である薄いＳｉＯ２膜が形成される，半導体ウエハ等の被処理体の表面にシリコン酸化膜を堆積させる成膜方法。」
　
３　本願発明と引用発明との対比及び判断
（１）引用発明における「タングステン等よりなる金属の表面が露出しているウエハＷ」，「成膜装置２０」及び「処理容器２２」は，それぞれ，本願発明の「タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体」，「成膜装置」及び「処理室」に相当するということができ，また，引用発明における「ウエハＷが載置された状態のウエハボート２４を，成膜装置２０の処理容器２２内にその下方より上昇させてロードし，処理容器２２内を密閉」することは，本願発明の「被処理体を，成膜装置の処理室内に収容」することに相当するといえる。
　そうすると，引用発明における「タングステン等よりなる金属の表面が露出しているウエハＷが載置された状態のウエハボート２４を，成膜装置２０の処理容器２２内にその下方より上昇させてロードし，処理容器２２内を密閉し，」は，本願発明の「（１）　タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体を，成膜装置の処理室内に収容し，」に相当するといえる。
　
（２）引用発明における「処理容器２２の側部に設けられた加熱手段４２への供給電力を増大させることにより，ウエハ温度を上昇させて成膜処理用のプロセス温度まで昇温して安定させ」ることは，本願発明の「前記被処理体を加熱」することに相当するといえる。
　また，引用発明における「ビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガス」は，本願発明の「アミノシラン系ガス」に相当するといえる。
　そして，引用発明において，「ビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガス」は，「処理容器２２内」にある「成膜処理用のプロセス温度まで昇温して安定させ」た「タングステン等よりなる金属の表面が露出しているウエハＷ」に供給されることは明らかであるから，引用発明における「時刻０からＴ１の間に，上記処理容器２２内へＳｉ含有ガスであるビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスを供給」することは，本願発明の「前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給」することに相当するといえる。
　そうすると，引用発明における「処理容器２２の側部に設けられた加熱手段４２への供給電力を増大させることにより，ウエハ温度を上昇させて成膜処理用のプロセス温度まで昇温して安定させ，時刻０からＴ１の間に，上記処理容器２２内へＳｉ含有ガスであるビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスを供給し，」は，本願発明の「（２）　前記被処理体を加熱し，前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給し，」に相当するといえる。
　
（３）引用発明における「酸化性ガスであるＮ２Ｏガスと還元性ガスであるＨ２ガスとからなる酸化還元ガス」及び「ＢＴＢＡＳガス」は，それぞれ，本願発明の「酸化剤を含むガス」及び「シリコンを含むシリコン原料ガス」に相当するといえる。
　そして，前記第２の３（２）アのとおり，本願発明の「（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成すること」は，その文言のとおりに解釈すれば，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給し，その後，酸化剤を含むガスを供給すること，又は酸化剤を含むガスを供給し，その後，シリコンを含むシリコン原料ガスを供給することのいずれかを，繰り返し行うことによって，被処理体に酸化シリコン膜を形成するものと理解することができ，このことは，本願明細書の記載（【００２１】，【００２５】，【００２７】ないし【００２９】，及び【００５６】）によっても裏付けられる。
　してみれば，引用発明における「時刻（Ｔ１＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２）の間に，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスと還元性ガスであるＨ２ガスとからなる酸化還元ガスを供給し，時刻（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ１）の間にＢＴＢＡＳガスを供給し，以後，酸化還元ガスの供給とＢＴＢＡＳガスの供給とを間欠的に交互に繰り返し行」うことは，本願発明の「シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給」することに相当するといえる。
　また，引用発明において，「時刻０からＴ１の間に，上記処理容器２２内へＳｉ含有ガスであるビスターシャルブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）ガスを供給し」，「時刻（Ｔ１＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２）の間に，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスと還元性ガスであるＨ２ガスとからなる酸化還元ガスを供給」することで，「分子状態のＢＴＢＡＳガス，或いは分解したＳｉ原子が，ウエハ表面全体に吸着し，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスの作用で上記吸着していたＢＴＢＡＳガス分子やＳｉ原子がそれぞれ酸化されてここに酸化膜である薄いＳｉＯ２膜が形成される」から，ＢＴＢＡＳガスが供給されたウエハ表面全体にＳｉＯ２膜が形成されることは明らかである。
　そうすると，引用発明における「分子状態のＢＴＢＡＳガス，或いは分解したＳｉ原子が，ウエハ表面全体に吸着し，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスの作用で上記吸着していたＢＴＢＡＳガス分子やＳｉ原子がそれぞれ酸化されてここに酸化膜である薄いＳｉＯ２膜が形成される」は，本願発明の「前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成する」に相当するといえる。
　以上から，引用発明における「時刻（Ｔ１＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２）の間に，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスと還元性ガスであるＨ２ガスとからなる酸化還元ガスを供給し，時刻（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３）から（Ｔ１＋Ｔ３＋Ｔ２＋Ｔ３＋Ｔ１）の間にＢＴＢＡＳガスを供給し，以後，酸化還元ガスの供給とＢＴＢＡＳガスの供給とを間欠的に交互に繰り返し行い，分子状態のＢＴＢＡＳガス，或いは分解したＳｉ原子が，ウエハ表面全体に吸着し，酸化性ガスであるＮ２Ｏガスの作用で上記吸着していたＢＴＢＡＳガス分子やＳｉ原子がそれぞれ酸化されてここに酸化膜である薄いＳｉＯ２膜が形成される」は，本願発明の「（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成する」に相当するといえる。
　
（４）上記（１）のとおり，引用発明における「タングステン等よりなる金属の表面が露出しているウエハＷ」は，本願発明の「タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体」に相当するといえるから，この点に鑑みれば，引用発明における「半導体ウエハ等の被処理体の表面にシリコン酸化膜を堆積させる成膜方法」は，本願発明の「タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法」に相当するということができる。
　
（５）上記（１）ないし（４）より本願発明と引用発明とは，以下の点で一致すると認める。
「（１）　タングステン膜又は酸化タングステン膜が形成された被処理体を，成膜装置の処理室内に収容し，
　（２）　前記被処理体を加熱し，前記加熱された前記被処理体に，アミノシラン系ガスを供給し，
　（３）　シリコンを含むシリコン原料ガスと，酸化剤を含むガスとを交互に供給し，前記アミノシラン系ガスが供給された前記被処理体に酸化シリコン膜を形成する，タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法。」
　そうすると，本願発明と引用発明との間に構成上の相違があるとは認められないから，両者は同一であるといえる。
　以上から，本願発明は，引用文献に記載された発明であると認める。
　
４　むすび
　したがって，本願の請求項１に係る発明（本願発明）は，引用文献に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定により，特許を受けることができないものである。
　
　
第４　結言
　以上検討したとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。