【事件の表示】
　特願２０１３−２６５７６１「半導体装置の製造方法、半導体装置、包埋用接着フィルム、及びダイシング・ダイボンドフィルム」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月　２日出願公開、特開２０１５−１２２４２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２５年１２月２４日に出願したものであって、平成２６年１１月１７日付け拒絶理由通知に対して平成２７年１月１５日付けで手続補正がなされたが、同年２月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月８日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成２７年１月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１半導体素子を被着体に固定する第１固定工程と、
　前記被着体及び前記被着体に固定された前記第１半導体素子をボンディングワイヤーにより電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、
　第２半導体素子及び前記第２半導体素子上に配置された包埋用接着フィルムを準備する素子準備工程と、
　前記包埋用接着フィルムにより、前記ボンディングワイヤー、及び前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を前記被着体に固定する第２固定工程と、
　前記第２固定工程の後に、前記包埋用接着フィルムを加圧雰囲気下で熱硬化させる熱硬化工程とを含み、
　前記包埋用接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さＴ１より厚い厚さＴを有し、
　前記厚さＴと前記厚さＴ１との差が４０μｍ以上２６０μｍ以下である半導体装置の製造方法。」
３．先願明細書等
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の特許出願であって、その出願日後に出願公開された特願２０１３−４６６６７号（平成２５年３月８日出願、特開２０１４−１７５４５９号公報を参照。）の願書の最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「先願明細書等」という。）には、半導体装置の製造方法に関し、図面と共に、以下の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００１】
　本発明は、半導体装置及び
半導体装置の製造方法
イ．「【００２８】
（フィルム状接着剤）
　図１は、本実施形態に係るフィルム状接着剤１０を模式的に示す断面図である。
フィルム状接着剤１０は、熱硬化性であり
　　　・・・（中略）・・・
 【００４０】
  半導体素子を圧着時に良好な埋込性が得られ、
加圧オーブンで良好にボイドを消失させるためには、ずり粘度が５０００Ｐａ・ｓ以下となる温度が６０〜１７５℃のいずれかの温度とすることが好ましい。
ウ．「【００８９】
（
半導体装置の製造方法
　本実施形態に係る半導体装置２００は、以下の手順により製造される。まず、図７に示すように、
基板１４上の回路パターン９４上に、接着剤４１付き第１の半導体素子Ｗａａを圧着
 【００９０】
　次に、厚み５０μｍの半導体ウェハ（サイズ：８インチ）の片面に、接着シート１００をラミネートし、基材フィルム２０を剥がすことで、半導体ウェハの片面にフィルム状接着剤１０（厚み１３５μｍ）を貼り付ける。そして、フィルム状接着剤１０にダイシングテープ６０を貼り合わせた後、７．５ｍｍ角にダイシングすることにより、図８に示すように、
フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを得る（ラミネート工程）。
　　　・・・（中略）・・・
 【００９３】
　そして、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを、第１の半導体素子Ｗａがワイヤ８８を介してボンディング接続された基板１４に圧着する。具体的には、
図９に示すように、フィルム状接着剤１０が貼付した第２の半導体素子Ｗａａを、フィルム状接着剤１０が第１の半導体素子Ｗａを覆うように載置し、次いで、図１０に示すように、第２の半導体素子Ｗａａを基板１４に圧着させることで基板１４に第２の半導体素子Ｗａａを固定する（ダイボンド工程）。
ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤１０を６０〜１７５℃、０．３〜０．７ＭＰａの条件で、５分間以上加圧及び加熱する。
　　　・・・（中略）・・・
 【００９５】
　以上説明したように、この半導体装置２００では、基板１４上に第１のワイヤ８８を介して第１の半導体素子Ｗａがワイヤボンディング接続されると共に、
第１の半導体素子Ｗａ上に、第１の半導体素子Ｗａの面積よりも大きい第２の半導体素子Ｗａａがフィルム状接着剤１０を介して圧着されることで、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａがフィルム状接着剤１０に埋め込まれてなるワイヤ埋込型の半導体装置
フィルム状接着剤１０は、硬化
エ．「【００９８】
　本実施形態に係る
半導体装置の製造方法は、基板１４上に第１のワイヤ８８を介して第１の半導体素子Ｗａを電気的に接続する第１のダイボンディング工程と、第２の半導体素子Ｗａａの片面に、第２の半導体素子Ｗａａの形状に合わせてフィルム状接着剤１０を貼付するラミネート工程と、フィルム状接着剤１０が貼付された第２の半導体素子Ｗａａを、フィルム状接着剤１０が第１の半導体素子Ｗａを覆うように載置し、フィルム状接着剤１０を８０〜１８０℃、０．０１〜０．５０ＭＰａの条件で、０．５〜３．０秒間圧着することで、第１のワイヤ８８及び第１の半導体素子Ｗａをフィルム状接着剤１０に埋め込むダイボンド工程と、を備える。
 【００９９】
　また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、
ダイボンド工程の直後の工程として、フィルム状接着剤１０を６０〜１７５℃、０．３〜０．７ＭＰａの条件で、５分間以上加圧及び加熱する工程を備えている。
ボイドを消失させることができる
半導体装置を製造することができる
　上記アないしエから、先願明細書等には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、半導体装置の製造方法に係わるものである。
・上記ウによれば、第１の半導体素子を基板に載置し圧着する工程を備えているものである。
・上記エによれば、基板にワイヤを介して第１の半導体素子を電気的に接続するダイボンディング工程を備えているものである。
・上記ウ及びエによれば、第２の半導体素子にフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程を備えているものである。
・上記ウ及びエによれば、ワイヤ及び第１の半導体素子をフィルム状接着剤で覆うように第２の半導体素子を基板に固定するダイボンド工程を備えるものである。
・上記ウ及びエによれば、ダイボンド工程の後、フィルム状接着剤を加圧及び加熱する工程を備えているものである。
　また、図６等を参酌すると、フィルム状接着剤１０は、第１の半導体素子Ｗａの厚さより厚い厚さを有していることは明らかである。
　そうすると、上記摘示事項及び図面の記載を総合勘案すると、先願明細書等には、次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認める。
　「第１の半導体素子を基板に圧着する工程と、
　前記基板にワイヤを介して前記第１の半導体素子を電気的に接続するダイボンディング工程と、
　第２の半導体素子にフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程と、
　前記ワイヤ及び前記第１の半導体素子を前記フィルム状接着剤で覆うように前記第２の半導体素子を前記基板に載置し固定するダイボンド工程と、
　前記ダイボンド工程の後、前記フィルム状接着剤を加圧及び加熱する工程とを備え、
　前記フィルム状接着剤は、前記第１の半導体素子の厚みより厚い厚さを有する半導体装置の製造方法。」
４．対比・判断
　本願発明と先願発明とを対比する。
ａ．先願発明の「第１の半導体素子」及び「基板」は、本願発明の「第１半導体素子」及び「被着体」に相当する。そして、先願発明の「第１の半導体素子」は、基板に圧着、すなわち固定されるものである。
　よって、先願発明の「第１の半導体素子を基板に圧着する工程」は、本願発明の「第１半導体素子を被着体に固定する第１固定工程」に相当する。
ｂ．先願発明の「ワイヤ」は、本願発明の「ボンディングワイヤー」に相当する。
　よって、先願発明の「前記基板にワイヤを介して前記第１の半導体素子を電気的に接続するダイボンディング工程」は、本願発明の「前記被着体及び前記被着体に固定された前記第１半導体素子をボンディングワイヤーにより電気的に接続するワイヤーボンディング工程」に相当する。
ｃ．先願発明の「第２の半導体素子」及び「フィルム状接着剤」は、本願発明の「第２半導体素子」及び「包理用接着フィルム」に相当する。そして、先願発明の「ラミネート工程」は、第２の半導体素子にフィルム状接着剤を貼付する工程であるから、第２の半導体素子及び前記第２の半導体素子上に配置されたフィルム状接着剤を準備しているともいえる。
　よって、先願発明の「第２の半導体素子にフィルム状接着剤を貼付するラミネート工程」は、本願発明の「第２半導体素子及び前記第２半導体素子上に配置された包埋用接着フィルムを準備する素子準備工程」に相当する。
ｄ．先願発明の「ダイボンド工程」は、ワイヤ及び第１の半導体素子を前記フィルム状接着剤により覆っているから、包理するともいえる。
　よって、先願発明の「前記ワイヤ及び前記第１の半導体素子を前記フィルム状接着剤で覆うように前記第２の半導体素子を前記基板に載置し固定するダイボンド工程」は、本願発明の「前記包埋用接着フィルムにより、前記ボンディングワイヤー、及び前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を前記被着体に固定する第２固定工程」に相当する。
ｅ．先願発明の「フィルム状接着剤を加圧及び加熱する工程」とは、上記イ、ウ及びコによれば、加圧しながら（加圧オーブンで）フィルム状接着剤を熱硬化することと認められる。
　よって、先願発明の「前記ダイボンド工程の後、前記フィルム状接着剤を加圧及び加熱する工程」は、本願発明の「前記第２固定工程の後に、前記包埋用接着フィルムを加圧雰囲気下で熱硬化させる熱硬化工程」に相当する。
ｆ．先願発明の「前記フィルム状接着剤は、前記第１の半導体素子の厚みより厚い厚さを有」することは、本願発明の「前記包埋用接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さより厚い厚さを有」することに相当する。
　但し、先願発明は、本願発明のような厚さの差を特定していない。
　以上のことから、本願発明と先願発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「第１半導体素子を被着体に固定する第１固定工程と、
　前記被着体及び前記被着体に固定された前記第１半導体素子をボンディングワイヤーにより電気的に接続するワイヤーボンディング工程と、
　第２半導体素子及び前記第２半導体素子上に配置された包埋用接着フィルムを準備する素子準備工程と、
　前記包埋用接着フィルムにより、前記ボンディングワイヤー、及び前記被着体に固定された前記第１半導体素子を包埋しながら前記第２半導体素子を前記被着体に固定する第２固定工程と、
　前記第２固定工程の後に、前記包埋用接着フィルムを加圧雰囲気下で熱硬化させる熱硬化工程とを含み、
　前記包埋用接着フィルムは、前記第１半導体素子の厚さより厚い厚さを有す半導体装置の製造方法。」
　そして、以下の点で一応相違する。
＜相違点＞
　包理用接着フィルムの厚さと第１半導体素子の厚さとの差について、本願発明は「４０μｍ以上２６０μｍ以下」であるのに対し、先願発明はそのような特定がなされていない。
　そこで、＜相違点＞について検討する。
　本願明細書の段落【０１１０】に「本実施形態では、前記被着体１と前記第１半導体素子１１との電気的接続がワイヤーボンディング接続により達成されることから、前記厚さＴと前記厚さＴ１との差を４０μｍ以上２６０μｍ以下が好ましい。前記厚さＴと前記厚さＴ１との差の下限は４０μｍ以上が好ましいものの、５０μｍ以上がより好ましく、６０μｍ以上がさらに好ましい。また、前記厚さＴと前記厚さＴ１との差の上限は２６０μｍ以下が好ましいものの、２００μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましい。これにより、半導体装置全体の薄型化を図りながらも、第１半導体素子１１と第２半導体素子１２との接触を防止しつつ第１半導体素子１１全体を包埋用接着フィルム２２の内部に包埋することができ、コントローラとしての第１半導体素子１１の被着体１上への固定（すなわちワイヤー長が最短となる最下段での固定）を可能にする。」と記載されているように、本願発明における包理用接着フィルムの厚さと第１半導体の厚さとの差として特定した「４０μｍ以上２６０μｍ以下」は、特別な臨界的意義を備えた範囲を示したものではなく、包理用接着フィルム２２の厚さによって第１半導体素子１１とボンディングワイヤーが包理できるような範囲を設定したに過ぎないものである。
　ここで、本願発明の第１半導体素子の厚さは、本願明細書の段落【０１００】に「第１半導体素子１１の厚さは特に限定されないものの、通常１００μｍ以下の場合が多い。また、近年の半導体パッケージの薄型化に伴い７５μｍ以下、さらには５０μｍ以下の第１半導体素子１１も用いられつつある。」と記載され、本願発明の包理用フィルムの厚さは、段落【０１１１】に「包埋用接着フィルム２２の厚さＴは第１半導体素子１１を包埋可能なように第１半導体素子１１の厚さＴ１及びワイヤー突出量を考慮して適宜設定すればよいが、その下限は８０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましく、１２０μｍ以上がさらに好ましい。一方、厚さＴの上限は３００μｍ以下が好ましく、２００μｍ以下がより好ましく、１５０μｍ以下がさらに好ましい。」と記載されている。
　一方、先願明細書等には、段落【００８７】に「第１の半導体素子Ｗａの厚みは、１０〜１７０μｍであり、・・・フィルム状接着剤１０の厚みは、２０〜２００μｍであり、好ましくは３０〜２００μｍであり、より好ましくは４０〜１５０μｍである。」と記載されているように、本願発明の第１半導体および包理用フィルムの厚さを含んだものが記載されている。なお、先願発明におけるフィルム状接着剤（本願発明の「包理用接着フィルム」に相当。）も、第１の半導体素子とワイヤを包理するものである。
　そうすると、先願明細書等には、本願発明で使用される第１半導体素子及び包埋用接着フィルムの厚さと同程度のものが記載されていることから、包理用接着フィルムの厚さと第１半導体の厚さとの差が「４０μｍ以上２６０μｍ以下」であるものが当然に含まれていると認められる。
　よって、先願発明には、相違点に係る事項が実質的に記載されている。
　したがって、本願発明は、先願発明と実質的に同一であり、しかも、本願の発明者が先願発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時に、その出願人が先願の出願人と同一でもない。
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。