【事件の表示】
　特願２０１４−５０７０１４「炭化珪素半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月　３日国際公開、ＷＯ２０１３／１４５０２２、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年３月３０日を国際出願日とする日本語特許出願であって、平成２６年５月２８日に国内書面が提出され、平成２７年３月３日付けで拒絶理由が通知され、これに対して同年４月２４日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月２０日に拒絶査定不服の審判請求がなされると同時に手続補正書が提出されたものである。
第２　平成２７年１０月２０日付け手続補正について
１　補正の内容
　平成２７年１０月２０日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、同年４月２４日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の記載をさらに補正するものであり、その内容は、請求項１の「前記キャップ材が形成されていた前記炭化珪素層にプラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成し、前記犠牲酸化膜を希釈フッ酸で除去する犠牲酸化の工程を繰り返した後に、」との記載を、「前記キャップ材が形成されていた前記炭化珪素層にプラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成し、前記犠牲酸化膜を希釈フッ酸で除去する犠牲酸化の工程を繰り返し
て前記キャップ材の炭素と前記炭化珪素層が反応して形成された炭素化合物を除去し
２　補正の適否
（１）特許法第１７条の２第３項
　本件補正により追加された事項は、特許法第１８４条の６第２項の規定により本願の願書に添付して提出された明細書とみなされた国際出願日における明細書の段落【００３２】に記載されているから、本件補正は願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
（２）特許法第１７条の２第４項
　平成２７年３月３日付け拒絶理由通知において特許をすることができないものか否かについての判断が示された発明と、本件補正後の請求項１ないし５に係る発明とは、特許法第３７条の発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
（３）特許法第１７条の２第５項
　本件補正は、本件補正前の請求項１ないし５に係る発明を限定的に減縮し、犠牲酸化の工程においてキャップ材の炭素と炭化珪素層が反応して形成された炭素化合物を除去するものに限定するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、同項柱書の規定に適合する。
（４）特許法第１７条の２第６項
　上記（３）のとおり、本件補正は特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とするものであるから、本件補正が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か、すなわち、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　ア　本件補正発明
　本件補正後の請求項１ないし５に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　炭化珪素層の上にゲート酸化膜を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法において、
　前記炭化珪素層に不純物イオンを注入する工程と、
　前記炭化珪素層上に炭素を含むキャップ材を形成した後、アニールをする工程と、
　前記キャップ材を除去する工程と、
　前記キャップ材が形成されていた前記炭化珪素層にプラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成し、前記犠牲酸化膜を希釈フッ酸で除去する犠牲酸化の工程を繰り返して前記キャップ材の炭素と前記炭化珪素層が反応して形成された炭素化合物を除去した後に、ゲート酸化膜を形成する工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　イ　引用例１の記載事項と引用発明１
（ア）引用例１
　原査定の理由に引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である国際公開第２０１１／１５８５３３号（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）。
　「[0051]　図２は、本発明の実施の形態１における
ＳｉＣ半導体装置の製造方法
・・・
[0056]　これにより、図３に示す表面２ａを有するＳｉＣ基板２を準備することができる。このようなＳｉＣ基板２として、たとえば導電型がｎ型であり、抵抗が０．０２Ωｃｍの基板を用いる。
[0057]　次に、図２および図４に示すように、
ＳｉＣ基板２の表面２ａ上に、気相成長法、液相成長法などにより、エピタキシャル層１２０を形成する（ステップＳ２）。
[0058]　具体的には、図４に示すように、
ＳｉＣ基板２の表面２ａ上に、バッファ層１２１を形成する。バッファ層１２１は、たとえば導電型がｎ型のＳｉＣからなり、
[0059]　その後、図４に示すように、
バッファ層１２１上に耐圧保持層１２２を形成する。耐圧保持層１２２として、
導電型がｎ型のＳｉＣからなる層を形成する。
[0060]　次に、図２および図５に示すように、
エピタキシャル層１２０にイオン注入する（ステップＳ３）。
導電型がｐ型の不純物を耐圧保持層１２２の一部に選択的に注入することで、ウエル領域１２３を形成する。その後、ｎ型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってソース領域１２４を形成し、また導電型がｐ型の導電性不純物を所定の領域に選択的に注入することによってコンタクト領域１２５を形成する。
[0061]　
このようなイオン注入するステップＳ３の後、活性化アニール処理が行われてもよい。
[0062]　またイオン注入するステップＳ３の後、さらに、有機洗浄、酸洗浄、ＲＣＡ洗浄などの表面洗浄化を行ってもよい。
[0063]　
これらの工程により、図５に示すように、ＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２上に形成されたエピタキシャル層１２０とを備えたエピタキシャルウエハ１００を準備することができる。
[0064]　次に、エピタキシャルウエハ１００（ＳｉＣ半導体）の表面１００ａ（第１の表面）を洗浄する。具体的には、図２および図６に示すように、
エピタキシャルウエハ１００の表面１００ａに、第１の酸化膜３を形成する（ステップＳ４）。
[0065]　
第１の酸化膜３の形成方法は、
Ｏプラズマ
を用いて、エピタキシャルウエハ１００の表面１００ａを酸化する方法が用いられる。
・・・
[0068]　また、
Ｏプラズマとは、酸素を含むガスから生成されるプラズマを意味し、たとえば酸素ガス（Ｏ
２
）をプラズマ発生装置に供給することにより発生させることができる。「Ｏプラズマにより第１の酸化膜３を形成する」とは、酸素を含むガスを用いたプラズマにより第１の酸化膜３を形成することを意味する。言い換えると、酸素を含むガスから生成されるプラズマによって処理されることにより、第１の酸化膜３を形成することを意味する。
[0069]　
このステップＳ４において、表面１００ａに付着した不純物、パーティクルを除去する
[0070]　
エピタキシャルウエハ１００にイオン注入や活性化アニール処理などにより表面１００ａがダメージを受け、エピタキシャルウエハ１００の表面１００ａに形成されたダメージ層を除去することを目的とする場合には、このステップＳ４においてダメージ層を酸化する。
・・・
[0072]　次に、図２および図７に示すように、
第１の酸化膜３を除去する（ステップＳ５）
[0073]　
第１の酸化膜３の除去方法は、
ウエットエッチング、
を用いることができる。
[0074]　
ウエットエッチングは、
ＨＦ
の溶液を用いて第１の酸化膜３を除去する。
・・・
[0078]　
このステップＳ５を実施することにより、ステップＳ４で不純物、パーティクルなどを取り込んだ第１の酸化膜３を除去するので、エピタキシャルウエハ１００の表面１００ａの不純物、パーティクルなどを除去できる。
[0079]　また、
ステップＳ４でダメージ層を酸化させた第１の酸化膜３を形成した場合には、ステップＳ５を実施することにより、ダメージ層もさらに除去できる。これにより、図７に示すように、不純物、パーティクルなどが低減された表面１０１ａを有するエピタキシャルウエハ１０１を形成することができる。これにより、図７に示すように、不純物、パーティクルなどが低減され、かつダメージ層が除去された表面１０１ａを有するエピタキシャルウエハ１０１を形成することができる。
[0080]　なお、
上記ステップＳ４およびＳ５を繰り返してもよい。
・・・
[0082]　次に、図２および図８に示すように、
エピタキシャルウエハ１０１において第１の酸化膜３が除去されることにより露出した表面１０１ａ（第２の表面）に、ＳｉＣ半導体装置を構成する第２の酸化膜としてのゲート酸化膜１２６を形成する（ステップＳ６）
・・・
[0092]　
以上の工程（ステップＳ１〜Ｓ８）を実施することにより、図１０に示すＳｉＣ半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴ１０２を製造することができる。
（イ）引用発明１
　上記（ア）の引用例１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「ＳｉＣ半導体装置の製造方法において、
　ＳｉＣ基板の表面上に導電型がｎ型のＳｉＣからなるエピタキシャル層を形成し、前記エピタキシャル層に導電型がｐ型の不純物をイオン注入し、活性化アニール処理を行うことにより、エピタキシャルウエハを準備する工程と、
　前記エピタキシャルウエハの表面に酸素を含むガスを用いたプラズマにより第１の酸化膜を形成し、当該第１の酸化膜をＨＦの溶液を用いたウエットエッチングにより除去する工程を繰り返して、前記エピタキシャルウエハの表面の不純物、パーティクル、又はイオン注入や活性化アニール処理により前記エピタキシャルウエハの表面に形成されたダメージ層を除去する工程と、
　前記エピタキシャルウエハにおいて前記第１の酸化膜が除去されることにより露出した表面に第２の酸化膜としてのゲート酸化膜を形成する工程と、
　を備えたＳｉＣ半導体装置の製造方法。」
　ウ　引用例２の記載事項と引用発明２
（ア）引用例２
　原査定の理由に引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１１−２３４３１号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００１８】
  ＜実施の形態１＞
    ＜製造方法＞
  本発明に係る実施の形態１の
炭化珪素半導体装置の製造方法について、一例として、パワーＭＯＳＦＥＴ（Power Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）１００の製造工程を順に示す図１〜図８を用いて説明する。
・・・
【００２２】
  まず、図１に示す工程において、
ｎ型（第１導電型）不純物を比較的高濃度（ｎ
＋
）に含む半導体基板１の一方主面上に、エピタキシャル結晶成長法を用いて、ｎ型不純物を比較的低濃度（ｎ
−
）に含む炭化珪素層２を形成する。
この半導体基板１と炭化珪素層２とで、炭化珪素ウエハＷＦが構成される。
【００２３】
  次に、図２に示す工程において、炭化珪素ウエハＷＦの表面内、具体的には
炭化珪素層２の表面内に、レジスト（図示せず）をマスクとしてｐ型（第２導電型）の不純物をイオン注入して、互いに離間した複数のウェル領域３を選択的に形成する。
【００２４】
  次に、
それぞれのウェル領域３の表面内に、レジスト（図示せず）をマスクとしてｎ型の不純物をイオン注入して、ソース領域４を選択的に形成する。
【００２５】
  次に、
レジスト（図示せず）をマスクとして、ソース領域４が周囲に接するようにｐ型の不純物をイオン注入して、ｐ型不純物を比較的高濃度（ｐ+）に含むコンタクト領域５を形成する。
【００２６】
  次に、図３に示す工程において、
ソースガスとして一酸化炭素を使用し、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの化学気相成長法によって、炭化珪素ウエハの全表面にカーボン保護膜６を形成する。
・・・
【００３７】
  次に
全表面にカーボン保護膜６が成膜された炭化珪素ウエハＷＦをアニール処理装置に入れて、不活性ガスの雰囲気中でアニール処理を行う。
・・・
【００４５】
  アニールは、具体的には、アニール炉４１内を排気後に、アルゴンガスをガス導入管４２から導入し、所定の圧力に設定されたアルゴン雰囲気中で、コイル４６により誘導加熱されたヒータ４４の熱で予備加熱（１０００℃程度）を行った後、所定の温度（１５００℃以上，好ましくは１７００℃程度）で所定の時間加熱し、その後速やかに冷却する。
これにより、注入イオンが電気的に活性化され、
・・・
【００４７】
  
アニール処理の後、カーボン保護膜６を、９５０℃程度の酸素雰囲気中で３０分程度曝すことにより除去する。あるいは、レジスト除去に用いられる酸素プラズマを用いたアッシングにより除去する。
【００４８】
  
ここで、炭化珪素ウエハＷＦは、全表面にカーボン保護膜６が形成されているために、アニール処理の際に炭化珪素ウエハＷＦの表面にステップバンチングが発生することがない。
【００４９】
  カーボン保護膜６を除去した後の炭化珪素ウエハＷＦの表面の凹凸をＡＦＭ（原子間力顕微鏡：Atomic Force Microscopy）で測定したところ、カーボン保護膜６を設けなかった場合は、数１０ｎｍ程度の凹凸が炭化珪素ウエハの全面に発生するのに対して、カーボン保護膜６を用いた場合は、１ｎｍ以下の凹凸しか発生せず、その効果が確認できた。
【００５０】
  また、
本発明に係る製造方法によれば、不純物の少ない高純度なカーボン保護膜６が形成されるため、炭化珪素半導体装置を汚染することがない。
【００５１】
  次に、図４に示す工程において、
カーボン保護膜６が除去された炭化珪素ウエハＷＦの一方主面、具体的にはイオン注入によりウェル領域３等が形成された側の主面上に、熱酸化法によって二酸化珪素（ＳｉＯ
２
）で構成されるゲート酸化膜７を形成する。
・・・
【００５９】
  以上の工程を経て、図８に示すようにパワーＭＯＳＦＥＴ１００の主要部が完成する。」
（イ）引用発明２
　上記（ア）の引用例２の記載と当該技術分野における技術常識より、引用例２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「炭化珪素半導体装置の製造方法において、
　炭化珪素基板上に炭化珪素層を形成し、炭化珪素ウエハを構成する工程と、
　前記炭化珪素層に不純物をイオン注入する工程と、
　前記炭化珪素ウエハの全表面にカーボン保護膜を形成する工程と、
　前記炭化珪素ウエハをアニール処理する工程と、
　前記カーボン保護膜を除去する工程と、
　を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　エ　引用例３の記載事項
　原査定の理由に引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００５−２８６３３９号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００６５】
  図３は、ＳｉＣ基板上にＳｉＯ２を成長させる本発明の方法を示すフローチャートである。本発明は、ステップ３００から始まる。
ステップ３０２は、３６０℃以下で、ＳｉＣ基板を提供する。ステップ３０４は、酸素を含む雰囲気を供給する。ステップ３０６は、ＨＤプラズマ酸化プロセスを実行する。ＨＤ酸化プロセスを受けて、ステップ３０８は、反応酸素種を作成する。ステップ３１０は、ＳｉＣ基板のＳｉ―Ｃ結合はずし、ＳｉＣ基板に遊離ＳｉおよびＣ原子を形成する。ステップ３１２は、ＳｉＣ基板の遊離Ｓｉ原子をＨＤプラズマ生成反応酸素種と結合し、ＳｉＯ
２
層を成長させる。
　オ　引用例４の記載事項
　原査定に引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−１４０９３９号公報（以下「引用例４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００１６】
  ＜Ａ．実施の形態１＞
  以下、本実施の形態１に係る
炭化珪素半導体装置の製造方法の一例として、炭化珪素ショットキダイオード（ＳｉＣ−ＳＢＤ）の製造工程
【００１７】
  ＜Ａ−１．ｐ型終端構造の形成方法＞
  まず図１の様に、（０００１）シリコン面を有する４Ｈ−ＳｉＣからなる例えば高濃度のｎ型の炭化珪素（ＳｉＣ）基板１を準備する。炭化珪素基板１の抵抗率は、例えば０．０２Ω・ｃｍ程度である。
【００１８】
  次に炭化珪素基板１の（０００１）シリコン面において、
炭化珪素層である不純物濃度が５×１０
１５
／ｃｍ
３
程度の低濃度ｎ型のエピタキシャル層（以後、エピ層と呼ぶ）２を成長させる。
【００１９】
  次にｋＶ超級の耐圧を確保するｐ型終端構造を作成するために、
エピ層２の表層に、ｐ型ドーパントである例えばＡｌ（アルミニウム）イオンを注入して、イオン注入された領域であるｐ型イオン注入層３を０．８μｍ程度の深さで選択的に形成する。
【００２０】
  尚ここでは、ｐ型イオン注入層３は、ｐ型終端構造となる環状のＧＲ（Ｇｕａｒｄ  Ｒｉｎｇ）と、そのＧＲの外側に連続して形成され、表面電界を低減するためのＪＴＥ（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ  Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ）とから構成される。ＪＴＥのＡｌイオン濃度は、ＧＲのそれよりも若干薄く設定されている。
【００２１】
  
ｐ型終端構造として完成させるためには、ｐ型イオン注入層３を活性化する必要がある。そのため、例えばＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ）タイプのアニール炉を用いて、エピ層２全体を、常圧Ａｒ（アルゴン）雰囲気で１６００℃、１０分程度、高温熱処理（活性化アニール）する。
【００２２】
  そして、
活性化アニールされたエピ層２の表層には、活性化アニールによる変質層（活性化アニール後最表面変質層）４が発生する。
【００２３】
  ＜Ａ−２．変質層の除去方法＞
  次にこの変質層４を除去する方法を説明する。以下では、説明の便宜上、変質層４の厚さが１５０ｎｍの場合を想定する。
・・・
【００２８】
  変質層６ｂの除去について図４の様に、プラズマ・アッシング装置またはアセトン溶液でフォトレジスト５を除去し、表面を硫酸で洗浄する。
【００２９】
  次に、図５の様に、
エピ層２の新たな表面の表層を犠牲酸化して、その表層に厚さ２０ｎｍ程度の犠牲酸化膜（ＳｉＯ
２
酸化膜）７を形成する。
この時の犠牲酸化の条件は、乾式酸化で、１１５０℃で、酸化時間２時間とする。この犠牲酸化により、エピ層２の表層には、新たな変質層６ｂを取り込む様にして犠牲酸化膜７が形成される。
【００３０】
  次に図６の様に、
この犠牲酸化膜７を例えば１０倍希釈のフッ酸中で例えば５分間ウエットエッチングして除去することで、その犠牲酸化膜７と共に新たな変質層６ｂを除去する。
【００３１】
  この様に、ドライエッチングによって変質層４を除去し、その後ドライエッチングによって新たに発生した変質層６ｂを、犠牲酸化膜７の形成およびウエットエッチングによって除去することにより、エピ層２の表面は変質層の無い状態にされる。」
　カ　対比
（ア）本件補正発明と引用発明１とを対比する。
　ａ　引用発明１の「ＳｉＣ半導体装置」は、本件補正発明の「炭化珪素半導体装置」に相当するといえる。また、引用発明１の「エピタキシャル層」は、ＳｉＣからなる層であるから、本件補正発明の「炭化珪素層」に相当するといえる。また、引用発明１の「第２の酸化膜としてのゲート酸化膜」は、本件補正発明の「ゲート酸化膜」に相当するといえる。そして、引用例１の［図８］の記載から、引用発明１の「第２の酸化膜としてのゲート酸化膜」は、「エピタキシャル層」の上に形成されるといえる。
　そうすると、本件補正発明と引用発明１とは、「炭化珪素層の上にゲート酸化膜を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法」である点において共通するといえる。
　ｂ　引用発明１の「エピタキシャル層に導電型がｐ型の不純物をイオン注入」する工程は、本件補正発明の「炭化珪素層に不純物イオンを注入」する工程に相当するといえる。
　ｃ　引用発明１の「活性化アニール処理を行う」工程は、本件補正発明の「アニールをする工程」に相当するといえる。
　ｄ　引用発明１の「第１酸化膜」は、エピタキシャルウエハの表面の不純物、パーティクル、又はダメージ層を除去する目的で形成され、「第１酸化膜」自体も、後工程のウエットエッチングにより除去される。したがって、引用発明１の「第１酸化膜」と本件補正発明の「犠牲酸化膜」とは、「犠牲酸化膜」である点において共通するといえる。
　また、引用例１の図６から、引用発明１の「第１酸化膜」は「エピタキシャル層」に形成されるといえ、引用発明１の「酸素を含むガスを用いたプラズマにより第１の酸化膜を形成」する工程は、本件補正発明の「プラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成」する工程に相当するといえる。
　そうすると、本件補正発明と引用発明１は、「炭化珪素層にプラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成」する点において共通するといえる。
　ｅ　引用発明１の「第１の酸化膜をＨＦの溶液を用いたウエットエッチングにより除去する」工程と、本件補正発明の「犠牲酸化膜を希釈フッ酸で除去する」工程は、「犠牲酸化膜を除去する」工程である点において共通するといえる。
　ｆ　引用発明１では、「第１の酸化膜」を形成する工程と、当該「第１の酸化膜」を除去する工程を繰り返し行っている。
　そうすると、引用発明１と本件補正発明とは、「犠牲酸化の工程を繰り返」す点において共通するといえる。
　ｇ　引用発明１の「エピタキシャルウエハにおいて第１の酸化膜が除去されることにより露出した表面に第２の酸化膜としてのゲート酸化膜を形成する工程」は、本件補正発明の「ゲート酸化膜を形成する工程」に相当するといえる。
（イ）以上から、本件補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
　ａ　一致点
　「炭化珪素層の上にゲート酸化膜を備えた炭化珪素半導体装置の製造方法において、
　前記炭化珪素層に不純物イオンを注入する工程と、
　アニールをする工程と、
　前記炭化珪素層にプラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成し、前記犠牲酸化膜を除去する犠牲酸化の工程を繰り返した後に、ゲート酸化膜を形成する工程とを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本件補正発明は、アニールをする工程の前に炭化珪素層の上に炭素を含むキャップ材を形成する工程を備え、アニールをする工程の後に当該キャップ材を除去する工程を備えるのに対し、引用発明１は、炭化珪素層の上に炭素を含むキャップ材を形成する工程、及び当該キャップ材を除去する工程を備えない点。
　・相違点２
　本件補正発明では、プラズマ酸化による犠牲酸化膜を形成し、当該犠牲酸化膜を除去する犠牲酸化の工程において、キャップ材の炭素と炭化珪素層が反応して形成された炭素化合物を除去するのに対し、引用発明１では、エピタキシャルウエハの表面の不純物、パーティクル、又はイオン注入や活性化アニール処理によりエピタキシャルウエハの表面に形成されたダメージ層を除去する点。
　・相違点３
　本件補正発明では、犠牲酸化膜を「希釈フッ酸」で除去するのに対し、引用発明１では「ＨＦの溶液を用いたウエットエッチング」により除去しており、「希釈フッ酸」を用いるとは特定されていない点。
　キ　判断
（ア）本件補正発明の進歩性について
　上記相違点１及び２について検討する。
　引用発明２は上記ウ（イ）において認定したとおりのものであって、引用例２の図３から、引用発明２のカーボン保護膜は、炭化珪素層の上に形成されるものと認められる。そうすると、引用発明２は、アニールをする工程の前に炭化珪素層の上にカーボン保護膜（本件補正発明の「炭素を含むキャップ材」に相当）を形成する工程を備え、アニールをする工程の後に当該カーボン保護膜を除去する工程を備えているから、上記相違点１に係る構成を備えたものであるといえる。しかしながら、引用発明２は、上記相違点２に係る構成を備えていない。
　また、引用例１ないし４の記載事項は上記イ（ア）、ウ（ア）、エ及びオに摘記したとおりであって、上記相違点１及び２に係る構成を備えたものについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件補正発明は、上記相違点１及び２に係る構成を備えることにより、「キャップ材の炭素と前記炭化珪素層が反応して形成された炭素化合物を除去するための犠牲酸化の工程をプラズマ酸化に置き換えることで、高いチャネル移動度と高いVthを両立することができる」という、引用例１ないし４に記載された発明にはない格別の効果を奏するものである（本願明細書段落［０００２］、［０００９］、［００１０］、［００１３］、［００３７］ないし［００４０］）。
　したがって、相違点３について検討するまでもなく、本件補正発明は引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（イ）本件補正後の請求項２ないし５に係る発明の進歩性について
　本件補正後の請求項２ないし５はいずれも請求項１を引用しており、本件補正後の請求項２ないし５に係る発明は本件補正発明の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本件補正発明が引用例１ないし４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件補正後の請求項２ないし５に係る発明も、引用例１ないし４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ク　特許法第１７条の２第６項についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正後の請求項１ないし５に係る発明は、引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、他に本件補正後の請求項１ないし５に係る発明を拒絶すべき理由を発見しない。
　したがって、本件補正後の請求項１ないし５に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものである。
（５）補正の適否についてのまとめ
　以上から、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に規定する要件を満たす適法なものである。
第３　本願発明について
　上記第２の２（５）のとおり、本件補正は特許法１７条の２第３項ないし第６項に規定する要件を満たす適法なものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものとはいえない。
　したがって、本願の請求項１ないし５に係る発明は、本件補正後の請求項１ないし５に記載されたとおりのものである。
　そして、上記第２の２（４）クのとおり、本件補正後の請求項１ないし５に記載された発明は、原査定の理由に引用された引用例１ないし３に記載された発明、及び原査定に引用された引用例４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　結言
　上記第３のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。