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【手続補正書】
【提出日】令和2年4月21日(2020.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炎症性腸疾患（ＩＢＤ）を有するヒト患者の部位特異的免疫療法（ＳＳＩ）治療の効力の、インビトロの決定方法であって、
治療を受けている前記患者に由来する試料におけるＩＬ−１８、ＩＰ−１０、ＩＦＮガンマ、ＩＬ−１２Ｐ７０、ＩＬ−１７Ａ、及びＴＧＦアルファのうちの１つまたは複数のレベルをインビトロで決定することを含み、
前記ＳＳＩが、Ｅ．ｃｏｌｉに由来する哺乳類パターン認識受容体（ＰＲＲ）アゴニストを含む製剤での治療を含む、方法。
【請求項２】
前記ＳＳＩ治療から前記患者が恩恵を受ける可能性の高さの程度を予測することを更に含む、請求項１に記載の方法であって、
前記方法が、エオタキシン１、ＧＲＯα、ＩＬ−１０、ＰＤＧＦ ＡＡ、及びＲＡＮＴＥＳのうちの１つまたは複数のレベルについて、前記患者から単離された試料をスクリーニングすることを更に含む、方法。
【請求項３】
エオタキシン１のレベルが所定の閾値レベルを下回るのであれば、前記患者が前記ＳＳＩ治療から恩恵を受ける可能性が高い、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ＰＲＲアゴニストを含む前記製剤がＥ．ｃｏｌｉのＰＲＲアゴニストシグネチャーの異なる部分を再現し、前記Ｅ．ｃｏｌｉが消化管において病原性であってもよい、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記製剤が、少なくとも５つの異なる哺乳類ＰＲＲに対するアゴニストである前記Ｅ．ｃｏｌｉの成分を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記製剤が前記Ｅ．ｃｏｌｉの全死滅細胞又は全弱毒化細胞を含み、前記Ｅ．ｃｏｌｉが組換えＥ．ｃｏｌｉ又は前記Ｅ．ｃｏｌｉの細胞画分であってもよい、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記組換えＥ．ｃｏｌｉが、前記ＰＲＲアゴニストの少なくとも１つの成分をコードする組換え遺伝子を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記細胞画分が、前記Ｅ．ｃｏｌｉの外膜画分、Ｅ．ｃｏｌｉの内膜画分、Ｅ．ｃｏｌｉ細胞成分の勾配遠心分離から得られるペレット、又はＥ．ｃｏｌｉ染色体ＤＮＡのうちの１つまたは複数である、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＰＲＲアゴニスト及び前記対応するＰＲＲが、以下の表に記載のものからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【表１】
2019514939.tif 000001
【表２】
2019514939.tif 000002
【請求項１０】
前記患者が、抗ＴＮＦαにナイーブな患者である、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記ＩＢＤが、クローン病である、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記ＩＢＤが、潰瘍性大腸炎である、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記ＩＢＤが、コラーゲン性大腸炎、リンパ球性大腸炎、虚血性大腸炎、便流変更性大腸炎、ベーチェット症候群、または分類不能の大腸炎である、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の方法であって、
前記方法が、診断ＳＮＰであるゲノム多型、または前記診断ＳＮＰと遺伝子連鎖不平衡にあるゲノム多型について、前記患者から単離された試料をスクリーニングすることを更に含み、
前記診断ＳＮＰが応答対立遺伝子を含むのであれば、前記患者が前記治療から恩恵を受ける可能性が高く、
前記診断ＳＮＰ及び前記対応する応答対立遺伝子が、以下の表に記載のもののうちの１つまたは複数である、方法。
【表３】
2019514939.tif 000003
【表４】
2019514939.tif 000004
【表５】
2019514939.tif 000005
【請求項１５】
前記患者が、前記応答対立遺伝子のホモ接合体であるか、又は前記応答対立遺伝子のヘテロ接合体である、請求１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月7日(2020.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構造
【化１】
2019514986.tif 000001
を有する、治療上有効な量のシクロヘキセノン化合物、またはその薬学的に許容可能な塩、代謝産物、溶媒和物、もしくはプロドラッグを含む、被験体における進行期の肺癌を処置する際に使用するための医薬組成物であり、
式中、ＸおよびＹの各々は、酸素であり；
Ｒは、水素、またはＣ（＝Ｏ）Ｃ１−Ｃ８アルキルであり；
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の各々は独立して、水素、メチル、または（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ３であり；
Ｒ４は、水素であり；
ｍ＝１−１２、ｎ＝１−１２である、医薬組成物。
【請求項２】
前記進行期の肺癌は、ＩＶ期の非小細胞肺癌である請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
以下の構造
【化２】
2019514986.tif 000002
を有する、治療上有効な量のシクロヘキセノン化合物、またはその薬学的に許容可能な塩、代謝産物、溶媒和物、もしくはプロドラッグを含む、ＩＶ期の非小細胞肺癌の個体を処置する際に使用するための、医薬組成物であり、
式中、ＸおよびＹの各々は、酸素であり；
Ｒは、水素、またはＣ（＝Ｏ）Ｃ１−Ｃ８アルキルであり；
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の各々は独立して、水素、メチル、または（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ３であり；
Ｒ４は、水素であり；
ｍ＝１−１２、ｎ＝１−１２である、医薬組成物。
【請求項４】
処置は、ＩＶ期の非小細胞肺癌を有する個体を選択することをさらに含む、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
以下の構造
【化３】
2019514986.tif 000003
を有する、治療上有効な量のシクロヘキセノン化合物、またはその薬学的に許容可能な塩、代謝産物、溶媒和物、もしくはプロドラッグを含む、ＩＶ期の非小細胞肺癌と診断された個体の生活の質を向上させる、または維持する際に使用するための、医薬組成物であり、
式中、ＸおよびＹの各々は、酸素であり；
Ｒは、水素、またはＣ（＝Ｏ）Ｃ１−Ｃ８アルキルであり；
Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３の各々は独立して、水素、メチル、または（ＣＨ２）ｍ−ＣＨ３であり；
Ｒ４は、水素であり；
ｍ＝１−１２、ｎ＝１−１２である、医薬組成物。
【請求項６】
前記個体はＫＲＡＳ陽性である、請求項１−５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記個体は、少なくとも２つの手法の抗癌治療に失敗した患者である、請求項１−５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記シクロヘキセノン化合物、またはその薬学的に許容可能な塩、代謝産物、溶媒和物、もしくはプロドラッグは、非経口的に、静脈内に、経口的に、または注射によって使用される、請求項１−７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記シクロヘキセノン化合物の投与量は、１日当たり約６００ｍｇである、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記化合物を１２週間投与した後、前記個体には癌が無い、請求項１−９のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記化合物は、ベニクスノキタケから単離される、請求項１−１０のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
Ｒは、水素、またはＣ（＝Ｏ）ＣＨ３である、請求項１−１１のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
Ｒ１は、水素またはメチルである、請求項１−１２のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
Ｒ２は、水素またはメチルである、請求項１−１３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記化合物は
【化４】
2019514986.tif 000004
である、請求項１−１４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月27日(2020.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１〜約４ｍｇのニコチン、約８〜約１００ｍｇのカンナビジオール、および薬学的に許容可能なビークルを含む医薬組成物を、それを必要としている個体に経粘膜的に投与することを含む、無煙タバコ中毒の処置方法。
【請求項２】
前記医薬組成物が経口剤形を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記医薬組成物が鼻内噴霧を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記医薬組成物が噛むことができるガムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記噛むことができるガムが、少なくともベース部分にニコチンおよび少なくともその外側部分にカンナビジオールを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記経口剤形がニコチンを含むコア層およびカンナビジオールを含む外層を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記医薬組成物の剤形が約３〜約４ｍｇのニコチンおよび約１０〜約８０ｍｇのカンナビジオールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記剤形が約１５〜約５０ｍｇのカンナビジオールを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
カンナビジオールとは別のモノアミンオキシダーゼ阻害剤を前記個体に投与しない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
約１〜約４ｍｇのニコチンおよび約８〜約１００ｍｇのカンナビジオールを含む薬学的に効果的な投与と、薬学的に許容可能なビークルとを、それを必要としている個体に経粘膜的に同時投与することを含む、無煙タバコ中毒の処置方法。
【請求項１１】
前記薬学的に効果的な投与が約３〜約４ｍｇのニコチンおよび約１０〜約８０ｍｇのカンナビジオールを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記薬学的に効果的な投与が約３〜約４ｍｇのニコチンおよび約１５〜約５０ｍｇのカンナビジオールを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記薬学的に効果的な投与が３ｍｇ以下のニコチンを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記薬学的に効果的な投与が１日１回またはそれ以上投与される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記薬学的に効果的な投与が経口剤形を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記薬学的に効果的な投与が鼻内噴霧を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記薬学的に効果的な投与が噛むことができるガムを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記経口剤形がニコチンを含むコア層およびカンナビジオールを含む外層を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
ニコチンおよびカンナビジオールが共通の薬学的組成物中に存在する、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月28日(2020.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セマグルチドを必要とする対象に対して治療上効果的な量のセマグルチドを含む、2型糖尿病を治療するための組成物であって、前記対象が、心血管疾患の臨床的エビデンス及び/又は心血管疾患の準臨床的エビデンスを有し、前記組成物が、主要心血管イベント(MACE)を遅延又は低減させる、組成物。
【請求項２】
非致死性のMI、非致死性の脳卒中、血行再建、又は不安定狭心症のための入院を遅延又は低減させる、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
セマグルチドが、1〜20mg/mlのセマグルチドを含み、7.0〜9.0の範囲のpHを有する医薬組成物の形態で投与されるためのものである、請求項1又は2に記載の組成物。
【請求項４】
セマグルチドの投与量が、0.1から5.0mgの範囲である、請求項1から3のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
セマグルチドが、週に1回、0.5又は1.0mgの量で投与されるためのものである、請求項1から4のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記MACEが、CV死、非致死性のMI、非致死性の脳卒中、血行再建、心不全のための入院、及び不安定狭心症のための入院からなる群から選択され、MACEが、プラセボと比較して20%から35%低減又は遅延される、請求項1から5のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記MACEが、CV死、非致死性のMI、及び非致死性の脳卒中からなる群から選択され、前記MACEが、プラセボと比較して20%から30%低減する、請求項1から6のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記MACEが、非致死性のMIであり、前記非致死性のMIが、(i)プラセボと比較して15%から35%、又は(ii)プラセボと比較して26%低減又は遅延される、請求項1から7のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
前記MACEが、非致死性の脳卒中であり、前記非致死性の脳卒中が、(i)プラセボと比較して30%から50%、又は(ii)プラセボと比較して39%低減又は遅延される、請求項1から8のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記MACEが血行再建であり、前記血行再建が、(i)プラセボと比較して30%から50%、又は(ii)プラセボと比較して38%低減又は遅延される、請求項1から9のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記MACEが、不安定狭心症のための入院であり、前記不安定狭心症のための入院が、(i)プラセボと比較して10%から30%、又は(ii)プラセボと比較して18%低減又は遅延される、請求項1から10のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記MACEが、セマグルチドの投与を開始した後の最初のMACEである、請求項1から11のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記対象が、(i)30kg/m2以下のBMIを有し、且つ/又は(ii)男性である、請求項1から12のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１４】
セマグルチドが少なくとも18ヶ月にわたり投与される長期治療のための、請求項1から13のいずれか一項に記載の組成物であって、前記組成物が血行再建を低減又は遅延させるためのものである、組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月30日(2020.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステップ［Ｃ］および［Ｄ］を含む方法であって、ここで
［Ｃ］一般式（ＸＩ）
【化１】
2019514948.tif 000001
の化合物であって、式中、Ｒ２は（Ｃ１−Ｃ４）−アルキル、好ましくはメチルである前記化合物を、連続的に、第一のステップ
［Ｃ−１］において、塩基の存在下で、一般式（ＸＩＩ）
【化２】
2019514948.tif 000002
の酸塩化物であって、式中、ＰＧは保護基、好ましくはアセチルである前記酸塩化物と反応させ、結果として生じる中間体を次いで、その後のステップ
［Ｃ−２］において、塩基の存在下で、一般式（ＸＩＩＩ）
【化３】
2019514948.tif 000003
のフェニルヒドラジン化合物であって、式中、Ｒ１ＡおよびＲ１Ｂは水素、フッ素、塩素、メチル、モノフルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、エチル、メトキシ、ジフルオロメトキシおよびトリフルオロメトキシよりなる群から独立して選択される前記フェニルヒドラジン化合物と反応させることで、一般式（ＸＩＶ）
【化４】
2019514948.tif 000004
の１，２，４−トリアゾリル化合物であって、式中、ＰＧ、Ｒ１ＡおよびＲ１Ｂは上で与えられる定義を持つ前記１，２，４−トリアゾリル化合物を与え、後者をその後のステップ
［Ｄ］において、保護基ＰＧの脱離により反応させることで、一般式（Ｉ）
【化５】
2019514948.tif 000005
の化合物であって、式中、Ｒ１ＡおよびＲ１Ｂは上で与えられる定義を持つ前記化合物を与える、前記方法。
【請求項２】
好適な溶媒の存在下でのワンポット反応として行われ、ステップ［Ｃ−１］から生じる中間体が次いで、その後のステップ［Ｃ−２］において、単離せずにすなわち溶液中で変換されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
好適な溶媒の存在下でのワンポット反応として行われ、ステップ［Ｃ−２］から得られる一般式（ＸＩＶ）の１，２，４−トリアゾリル化合物が、その後のステップ［Ｄ］において、単離せずにすなわち溶液中で一般式（Ｉ）の化合物に変換されることを特徴とする、請求項１および２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
Ｒ１ＡおよびＲ１Ｂが水素、フッ素および塩素よりなる群から独立して選択され、ここで置換基のうちの少なくとも１つは水素ではないことを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
ステップ［Ｃ］の前に、さらなるステップ［Ｂ］を含み、ここで
［Ｂ］式（Ｘ）
【化６】
2019514948.tif 000006
の化合物を、塩基性（Ｃ１−Ｃ４）−アルコキシレート、好ましくはナトリウムメトキシ
ドと反応させることで、一般式（ＸＩ）
【化７】
2019514948.tif 000007
のイミノエステル化合物であって、式中、Ｒ２は（Ｃ１−Ｃ４）−アルキル、好ましくはメチルである、前記イミノエステル化合物を与えることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
好適な溶媒の存在下でのワンポット反応として行われ、ステップ［Ｂ］から生じる一般式（ＸＩ）のイミノエステル化合物が次いで、その後のステップ［Ｃ］において、単離せずにすなわち溶液中で変換されることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ステップ［Ｂ］の前にさらなるステップ［Ａ］を含み、ここで
［Ａ］一般式（ＩＩ）
【化８】
2019514948.tif 000008
の化合物を、ニトリル化合物（ＩＸ）
【化９】
2019514948.tif 000009
であって、式中、Ｘは脱離基、好ましくはクロリドまたはブロミドである前記ニトリル化合物と反応させることで、一般式（Ｘ）
【化１０】
2019514948.tif 000010
の化合物を与えることを特徴とする、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
そのＸ線ディフラクトグラムが２θ角のピーク最大値を７．０、８．９、１６．８、１７．７、１７．９、１８．１、２１．６、２１．８、２２．４および２４．６において呈することを特徴とする、多形Ｉの結晶形態である式（Ｉ−Ａ−１）
【化１１】
2019514948.tif 000011
の（５−（４−クロロフェニル）−２−（｛１−（３−クロロフェニル）−５−［（１Ｓ）−１−ヒドロキシエチル］−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル｝メチル）−４−［（２Ｓ）−３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシプロピル］−２，４−ジヒドロ−３Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−オン。
【請求項９】
請求項８に記載の化合物および、多くない割合の式（Ｉ−Ａ−１）の化合物の任意の他の形態を含む、薬剤。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の化合物を、存在する式（Ｉ−Ａ−１）の化合物の総量を基にして９０重量％より多く含む、薬剤。
【請求項１１】
心血管障害または腎障害の治療のための薬剤の生産のための、請求項８に記載の化合物の使用。
【請求項１２】
請求項８に記載の化合物を含有する、心血管障害または腎障害を治療するための医薬組成物。
【請求項１３】
多形Ｉの結晶形態である式（Ｉ−Ａ−１）の（５−（４−クロロフェニル）−２−（｛１−（３−クロロフェニル）−５−［（１Ｓ）−１−ヒドロキシエチル］−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル｝メチル）−４−［（２Ｓ）−３，３，３−トリフルオロ−２−ヒドロキシプロピル］−２，４−ジヒドロ−３Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−オンを調製する方法であって、１または複数の多形または溶媒和物形態で存在する式（Ｉ−Ａ−１）の化合物を、メチル  ｔｅｒｔ−ブチルエーテル／ジイソプロピルエーテルの混合物またはメチル  ｔｅｒｔ−ブチルエーテル／ｎ−ヘプタンの混合物中で２０℃から８０℃の温度で撹拌し、次いでろ過し、洗浄し、減圧下で乾燥させることを特徴とする、前記方法。
【請求項１４】
一般式（Ｘ）
【化１２】
2019514948.tif 000012
の化合物。
【請求項１５】
一般式（ＸＩ）
【化１３】
2019514948.tif 000013
の化合物であって、式中、Ｒ２は（Ｃ１−Ｃ４）−アルキル、好ましくはメチルである、前記化合物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月10日(2020.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．抗体又はその抗原結合フラグメント、
ｂ．１％から２０％ｗ／ｖのスクロース、
ｃ．アミノ酸又はアミノ酸混合物、及び
ｄ．界面活性剤
を含み、
４．０から７．５のｐＨを有する、医薬組成物。
【請求項２】
前記抗体又はその抗原結合フラグメントは、１から２００ｍｇ／ｍＬ、好ましくは５０から１５０ｍｇ／ｍＬ、より好ましくは８０から１４０ｍｇ／ｍＬの濃度である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
５％から１３％ｗ／ｖのスクロース、好ましくは７％から１０％ｗ／ｖのスクロース、より好ましくは７％ｗ／ｖのスクロースを含む、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
ａ．前記アミノ酸は、ヒスチジン又はプロリンである、又は
ｂ．前記アミノ酸混合物は、ヒスチジン及びプロリンを含む、
請求項１から３までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
０．０１から１．０％ｗ／ｖ、好ましくは０．０１％から０．５％ｗ／ｖの界面活性剤を含む、請求項１から４までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記界面活性剤はポリソルベート８０である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記抗体又はその抗原結合フラグメントは特異的にヒトＦｃＲｎに結合する、請求項１から６までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記抗体はヒト又はヒト化抗体である、請求項１から７までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記抗体又はその抗原結合フラグメントは、配列番号７に定義された軽鎖可変領域及び配列番号８に定義された重鎖可変領域を含む、請求項１から８までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
１ｍｇ／ｍＬから２００ｍｇ／ｍＬの抗体又はその抗原結合フラグメント、１０ｍＭから５０ｍＭのヒスチジン、１０から３００ｍＭのプロリン、１％から２０％ｗ／ｖのスクロース、０．０１％から１．０％ｗ／ｖのポリソルベート８０を、ｐＨ５．６で含む、好ましくは、５０ｍｇ／ｍＬから１５０ｍｇ／ｍＬの抗体又はその抗原結合フラグメント、２０ｍＭから４０ｍＭのヒスチジン、５０から２８０ｍＭのプロリン、５％から１３％ｗ／ｖのスクロース、０．０１％から０．５％ｗ／ｖのポリソルベート８０を、ｐＨ５．６で含む、より好ましくは、８０ｍｇ／ｍＬから１４０ｍｇ／ｍＬの抗体又はその抗原結合フラグメント、３０ｍＭのヒスチジン、１８０ｍＭのプロリン、７％ｗ／ｖのスクロース、０．０３％ｗ／ｖのポリソルベート８０を、ｐＨ５．６で含む、さらにいっそう好ましくは、１００ｍｇ／ｍＬの抗体又はその抗原結合フラグメント、３０ｍＭのヒスチジン、１８０ｍＭのプロリン、７％ｗ／ｖのスクロース、０．０３％ｗ／ｖのポリソルベート８０を、ｐＨ５．６で含む、請求項１から９までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
マンニトール及び／又はアルギニン及び／又はグリシンをさらに含む、請求項１から１０までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
抗体又はその抗原結合フラグメント、スクロース、アミノ酸又はアミノ酸混合物、及び任意選択的に界面活性剤を含み、
１０％から４０％ｗ／ｗのスクロース、好ましくは２０％から４０％ｗ／ｗのスクロースを含む、フリーズドライ製剤。
【請求項１３】
配列番号７に定義された軽鎖可変領域及び配列番号８に定義された重鎖可変領域を含む抗体又は抗原結合断片と、１０％から４０％ｗ／ｗのスクロースとを含むフリーズドライ製剤。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載のフリーズドライ製剤及び溶媒を含む液体医薬製剤。
【請求項１５】
前記溶媒は水である、請求項１４に記載の液体医薬製剤。
【請求項１６】
請求項１２又は１３に記載のフリーズドライ製剤、又は請求項１４又は１５に記載の液体医薬製剤を含む容器。
【請求項１７】
治療用である、請求項１から１１までのいずれか一項に記載の医薬組成物、請求項１２又は１３に記載のフリーズドライ製剤、又は請求項１４又は１５に記載の液体医薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月1日(2020.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＮテンプレート層；
前記ＡｌＮテンプレート層の上に配置された第１超格子層；
前記第１超格子層の上に配置された第２超格子層；
前記第１超格子層と前記２超格子層との間に配置された第１半導体層；
前記第２超格子層の上に配置された第１導電型半導体層；
前記第１導電型半導体層の上に配置され、陽子井戸層および陽子壁層を有する活性層；
前記活性層の上に配置された電子ブロッキング層；および
前記電子ブロッキング層の上に配置された第２導電型半導体層を含み、
前記第１超格子層は、ＡｌＮ半導体を有する第１層およびＡｌＧａＮ系半導体を有する第２層を含み、
前記第１半導体層は、ＡｌＧａＮ系半導体を含み、
前記第２超格子層は、ＡｌＧａＮ系半導体を有する第３層およびＡｌＧａＮ系半導体を有する第４層を含み、
前記第１超格子層は、前記第１層と前記第２層が交番して配置され、
前記第２超格子層は、前記第３層と前記第４層が交番して配置され、
前記第３層のアルミニウム組成は、前記第４層のアルミニウム組成より高く、
前記第１半導体層のアルミニウム（Ａｌ）の組成は、ガリウム（Ｇａ）の組成以上であり、前記ガリウムの組成との差が１０％以下であり、
前記第２層のアルミニウム（Ａｌ）の組成は、ガリウム（Ｇａ）の組成以上であり、前記ガリウムの組成との差が１０％以下であり、
前記第３層のアルミニウム（Ａｌ）の組成は、ガリウム（Ｇａ）の組成以上であり、前記ガリウムの組成との差が１０％以下であり、
前記第１半導体層は、前記第１超格子層の第１層および第２層を有する単一ペアの厚さより厚い厚さを有し、
前記陽子井戸層は、ＡｌＧａＮ系半導体で形成され、
前記陽子壁層は、ＡｌＧａＮ系半導体で形成され、
前記陽子壁層のアルミニウム組成は、前記陽子井戸層のアルミニウム組成より２０％以上高く、
前記活性層は、波長が２９５ｎｍないし３１５ｎｍの紫外線光を放出する発光素子。
【請求項２】
前記第１半導体層、前記第２層および前記第３層は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．５≦ｘ≦０．６）の組成式を有し、
前記第４層は、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０．４５≦ｂ≦０．５５）の組成式を有し、
前記第１導電型半導体層は、ＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０．４５≦ｚ≦０．５５）の組成式を有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記陽子井戸層の厚さは、前記陽子壁層の厚さの２５％以下の厚さを有し、
前記第１超格子層、前記第１半導体層、前記第２超格子層および前記第１導電型半導体層において、アルミニウムの組成は前記活性層に隣接する層であるほどさらに低く、
前記活性層から放出された紫外線光は、１７ｎｍ以下のＦＷＨＭ（Ｆｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  ａｔ  Ｈａｌｆ  Ｍａｘｉｍｕｍ）を有する、請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記電子ブロッキング層は、複数のバリア層および複数のウェル層を含み、
前記複数のバリア層は、ＡｌＧａＮ系半導体を含み、
前記複数のウェル層は、ＡｌＧａＮ系半導体を含み、
前記複数のバリア層それぞれは、前記複数のウェル層それぞれのアルミニウム組成より高いアルミニウム組成を有し、
前記複数のバリア層それぞれは、前記活性層の陽子壁層のアルミニウム組成より高いアルミニウム組成を有し、
前記複数のウェル層それぞれは、前記活性層の陽子壁層のアルミニウム組成より低いアルミニウム組成を有し、
前記複数のバリア層は、前記活性層の上に第１バリア層および前記第２導電型半導体層の下に第２バリア層を含み、
前記複数のウェル層は、前記第１、２バリア層の間に配置され、
前記複数のバリア層は、前記第１、２バリア層と前記ウェル層との間に配置された複数の中間バリア層を含み、
前記中間バリア層それぞれのアルミニウム組成は、前記第１、２バリア層のアルミニウム組成より高い、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１バリア層は、ＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０．５０≦ｐ≦０．７４）の組成式を有し、
前記第２バリア層は、ＡｌｑＧａ１−ｑＮ（０．５０≦ｑ≦０．７４）の組成式を有し、
前記中間バリア層は、ＡｌｒＧａ１−ｒＮ（０．５５≦ｒ≦０．７４）の組成式を有し、
前記第１バリア層、前記第２バリア層および前記中間バリア層それぞれは、前記ウェル層の厚さより厚く、３ｎｍないし１０ｎｍの厚さを有し、
前記第２導電型半導体層の表面粗さは、１ｎｍ以下であり、
前記複数のウェル層は、前記第１バリア層と前記中間バリア層との間に配置された第１ウェル層、前記中間バリア層の間に配置された第２ウェル層および前記中間バリア層と前記第２バリア層との間の第３ウェル層を含み、
前記第１ウェル層は、ＡｌｅＧａ１−ｅＮ（０．２４≦ｅ≦０．４５）の組成式を有し、
前記第２ウェル層は、ＡｌｆＧａ１−ｆＮ（０．２４≦ｆ≦０．４８）の組成式を有し、
前記第３ウェル層は、ＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０．２４≦ｇ≦０．４８）の組成式を有し、
前記第２導電型半導体層は、前記電子ブロッキング層の上に第１伝導性半導体層および前記第１伝導性半導体層の上に第２伝導性半導体層を含み、
前記第１伝導性半導体層は、ＡｌｓＧａ１−ｓＮ（０．２０≦ｓ≦０．４５）の組成式を有する、請求項４に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月17日(2020.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをワークピースに照射して前記ワークピース内に凹部を形成し、
第２のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをシード材料に照射して前記凹部内にシード層を形成し、
前記シード層をシードとして用いてめっきプロセスを行って前記凹部内に導電フィーチャを形成する、
方法。
【請求項２】
前記ワークピースはガラス基板を含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記シード層は銅を含む、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項４】
前記めっきを行う際に、無電解めっきプロセスを行う、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項５】
前記導電フィーチャは銅を含む、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項６】
前記導電フィーチャは、12μmよりも小さな幅を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項７】
前記導電フィーチャは銅を含み、前記導電フィーチャは、バルク銅の抵抗率の1.5倍以下の抵抗率を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項８】
さらに、前記ワークピース内に貫通孔を形成し、
前記シード層を形成する際に、前記貫通孔内に前記シード層を形成する、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項９】
前記レーザエネルギービームは、550 nmよりも短い波長を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１０】
前記レーザエネルギービームは、200kHzより低いパルス繰り返し率と20Wよりも低い平均パワーとにより特徴付けられる、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１１】
前記シード層を形成する際に、
前記ワークピース上に金属酸化物を含むインクを供給し、
前記インクに前記レーザエネルギービームを照射することにより前記金属酸化物を化学的に還元する、
請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１２】
前記シード層を形成する際に、
前記レーザエネルギービームに対して透明なキャリア基板とドナー膜とを含むドナー構造を用意し、前記ドナー膜は前記ワークピースに面しており、
前記キャリア基板を透過して前記レーザエネルギービームが前記ドナー膜の一部に当たるように前記レーザエネルギービームを照射し、前記レーザエネルギービームが当たった前記ドナー膜の少なくとも一部が前記ワークピースに転写される、
請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１３】
前記ドナー構造は、前記シード層の形成中に前記ワークピースから離間している、請求項12の方法。
【請求項１４】
前記第２のレーザプロセスにおいて照射される前記レーザエネルギービームはパルスレーザエネルギービームである、請求項12の方法。
【請求項１５】
前記第２のレーザプロセスにおいて照射される前記レーザエネルギービームを供給するために準連続波（QCW）レーザが用いられる、請求項12の方法。
【請求項１６】
前記導電フィーチャは配線メッシュである、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１７】
前記ワークピースと前記導電フィーチャは、90％以上の光透過率を呈する、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１８】
前記ワークピースは柔軟性を有する、請求項１から２のいずれかの方法。
【請求項１９】
前記ワークピースは主面を有し、
前記凹部は、前記主面から延びる側壁面を含み、
前記第２のレーザプロセスにおいて、前記シード層が前記凹部の前記側壁面に形成される、
請求項１の方法。
【請求項２０】
前記凹部は、前記側壁面から延びる底面をさらに含み、
前記第２のレーザプロセスにおいて、前記シード層が前記凹部の前記底面に形成される、
請求項19の方法。
【請求項２１】
前記第２のレーザプロセスにおいて、さらに、前記凹部の外部に前記シード層を形成し、
さらに、前記めっきプロセスの前に前記凹部の外部の前記シード層を除去する、
請求項１の方法。
【請求項２２】
前記ワークピースは主面を有し、
前記凹部は、前記主面から前記ワークピースの内部に延び、
前記凹部を規定する面の粗さは、前記主面の粗さより大きい、
請求項１の方法。
【請求項２３】
ワークピースに隣接してドナー構造を配置し、前記ドナー構造は、レーザエネルギービームに対して透明なキャリア基板とドナー膜とを含み、前記ドナー膜は、前記ワークピースに面しており、
レーザ誘起前方転写（LIFT）プロセスを行って前記ワークピース上に前記ドナー膜における材料で形成されるフィーチャを生成し、
前記LIFTプロセスにおいて、前記キャリア基板を透過するように前記ドナー膜上に前記レーザエネルギービームを照射し、
前記ドナー膜上に照射される前記レーザエネルギービームは前記ドナー膜を加熱し、
前記レーザエネルギービームは、10MHzより高いパルス繰り返し率と100Wよりも高い平均パワーとにより特徴付けられる、
方法。
【請求項２４】
さらに、前記レーザエネルギービームを照射しつつ、前記レーザエネルギービームと前記ドナー膜との間で相対移動を生じさせる、請求項23の方法。
【請求項２５】
第１のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをワークピースに照射して前記ワークピース内に貫通孔を形成し、
第２のレーザプロセスにおいて、レーザエネルギービームをシード材料に照射して前記貫通孔内にシード層を形成し、
前記シード層をシードとして用いてめっきプロセスを行って前記貫通孔内に導電フィーチャを形成する、
方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
図13A〜図13Cは、厚さ150μmのホウケイ酸ガラスにおける（レーザ入射側（より大きな方）で）直径133μm及び直径87μmのめっき後の貫通孔ビア202を示している。いずれの場合においても、側壁角度は約82°であり、出口における直径は、それぞれ85μm及び41μmであった。図13Aは、ガラス基板においてレーザエッチングされた貫通孔ビアのUVレーザ走査型顕微鏡写真である。図13Bは、本明細書で述べられたプロセスを介してシーディングされめっきされた図13Aに示される貫通孔ビアの暗視野顕微鏡写真である。図13Cは、図13Bに示されるめっき後の貫通孔ビアの断面の顕微鏡写真である。また、LODESTONE（商標）レーザ加工システムを用いて厚さ50μmのSchott社のAF32 Ecoガラス（図示せず）にも貫通孔ビアが形成され、この形成されたビア202は、上部径が40μmで出口径が16μmであった。図13A〜図13Cは、2017年２月14日〜17日のIPC Apexカンファレンスでの論文において提示されたものである。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波機器であって、
少なくとも１つの静電容量型超音波トランスデューサと、
入力端子及び出力端子を有するパルサーであって、前記出力端子において前記静電容量型超音波トランスデューサに結合され、前記静電容量型超音波トランスデューサに、複数の選択可能な値から選択された値を有する入力信号を供給するように構成される、パルサーと、
前記パルサーの前記出力端子及び前記入力端子に結合されるフィードバック回路であって、前記入力信号を表す又は前記入力信号から導出された検出信号と、前記フィードバック回路によって生成された複数の比較閾値電圧のうちの第１の閾値電圧との比較に基づいて、制御信号を前記パルサーの前記入力端子に供給するように構成される、フィードバック回路と、
前記フィードバック回路に前記検出信号を供給するように構成された分割回路と、を備え、前記検出信号の電圧は、前記入力信号の電圧に比例する、超音波機器。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記パルサーは、前記静電容量型超音波トランスデューサに両極性入力信号を供給するように構成される、超音波機器。
【請求項３】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記パルサーは、ゼロより大きな直流（ＤＣ）成分を有する前記入力信号を供給するように構成される、超音波機器。
【請求項４】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記フィードバック回路は、前記複数の比較閾値電圧を生成するように構成された抵抗ラダーを備える、超音波機器。
【請求項５】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記フィードバック回路は、前記制御信号を制御して前記入力信号を時間的にアポダイズするように構成される、超音波機器。
【請求項６】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記フィードバック回路はデジタル制御される、超音波機器。
【請求項７】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記フィードバック回路は、前記制御信号を前記パルサーに非同期式に供給するように構成される、超音波機器。
【請求項８】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記静電容量型超音波トランスデューサは、複数の静電容量型超音波トランスデューサのうちの第１の静電容量型超音波トランスデューサであり、
前記パルサーは、複数のパルサーのうちの第１のパルサーであり、
前記フィードバック回路は、複数のフィードバック回路のうちの第１のフィードバック回路であり、
前記制御信号は、複数の制御信号のうちの第１の制御信号であり、
前記入力信号は、複数の入力信号のうちの第１の入力信号であり、
前記複数のフィードバック回路は、前記複数の制御信号を制御して、前記複数の静電容量型超音波トランスデューサに供給される前記複数の入力信号を空間的にアポダイズするように構成される、超音波機器。
【請求項９】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記静電容量型超音波トランスデューサは、バイアス回路に結合され、ゼロより大きな絶対値を有するバイアス電圧を受け取るように構成される、超音波機器。
【請求項１０】
請求項１に記載の超音波機器であって、
前記パルサーは、第１の導電型を示す第１のトランジスタと、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型を示す第２のトランジスタとを備える、超音波機器。
【請求項１１】
静電容量型超音波トランスデューサと、前記静電容量型超音波トランスデューサに結合されたパルサーと、分割回路と、フィードバック回路とを有する超音波機器を動作させる方法であって、
前記パルサーを用いて、前記静電容量型超音波トランスデューサに入力信号を供給することと、
前記分割回路を用いて、前記入力信号から検出信号を導出することであって、前記検出信号の電圧は、前記入力信号の電圧に比例することと、
前記フィードバック回路を用いて、複数の比較閾値電圧を生成し、制御信号を前記パルサーに供給して、前記検出信号と前記複数の比較閾値電圧のうちの第１の閾値電圧との比較により得られる結果に基づいて、前記入力信号の供給を制御することと、
を含む、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記パルサーは、前記静電容量型超音波トランスデューサに両極性入力信号を供給するように構成される、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記パルサーは、複数の選択可能な値から選択された値を有する入力信号を供給するように構成される、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記パルサーは、ゼロより大きな直流（ＤＣ）成分を有する前記入力信号を供給するように構成される、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記フィードバック回路は、前記制御信号を制御して前記入力信号を時間的にアポダイズするように構成される、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１６】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記制御信号を前記パルサーに供給して前記入力信号の供給を制御することは、非同期式に実行される、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１７】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記フィードバック回路はデジタル制御される、超音波機器を動作させる方法。
【請求項１８】
請求項１１に記載の超音波機器を動作させる方法であって、
前記静電容量型超音波トランスデューサは、複数の静電容量型超音波トランスデューサのうちの第１の静電容量型超音波トランスデューサであり、
前記パルサーは、複数のパルサーのうちの第１のパルサーであり、
前記フィードバック回路は、複数のフィードバック回路のうちの第１のフィードバック回路であり、
前記制御信号は、複数の制御信号のうちの第１の制御信号であり、
前記入力信号は、複数の入力信号のうちの第１の入力信号であり、
前記複数のフィードバック回路は、前記複数の制御信号を制御して、前記複数の静電容量型超音波トランスデューサに供給される前記複数の入力信号を空間的にアポダイズするように構成される、超音波機器を動作させる方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月25日(2020.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量型超音波トランスデューサと、
前記静電容量型超音波トランスデューサに結合され、かつ、出力端子から前記静電容量型超音波トランスデューサに両極性入力信号を供給するように構成された両極性パルサーと、
前記静電容量型超音波トランスデューサによって出力された電気信号を処理するように構成された受信回路と、
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを備える対称スイッチであって、前記両極性パルサーの前記出力端子と前記静電容量型超音波トランスデューサとの間に結合された入力端子を有し、かつ前記受信回路に結合された出力端子を有する、対称スイッチと、を備え、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート、第１のソース、及び、第１のドレインを有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート、第２のソース、及び、第２のドレインを有し、
前記第１のゲートは、前記第２のゲートに接続され、前記第１のソースは、前記第２のソースに接続され、
前記第１のゲート及び前記第１のソースは、第１の時間で第１の同じ電位に、或いは第２の時間で第２の同じ電位に結合されているか又は結合可能である、超音波機器。
【請求項２】
前記受信回路は、電流／電圧変換器を備える、請求項１に記載の超音波機器。
【請求項３】
前記電流／電圧変換器は、トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）を備える、請求項２に記載の超音波機器。
【請求項４】
前記対称スイッチの前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、ｐ型金属酸化膜半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタである、請求項１に記載の超音波機器。
【請求項５】
前記対称スイッチの前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、ｎ型金属酸化膜半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタである、請求項１に記載の超音波機器。
【請求項６】
静電容量型超音波トランスデューサと、
前記静電容量型超音波トランスデューサに結合され、かつ、出力端子から前記静電容量型超音波トランスデューサに両極性入力信号を供給するように構成された両極性パルサーと、
前記静電容量型超音波トランスデューサによって出力された電気信号を処理するように構成された受信回路と、
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを備える対称スイッチであって、前記両極性パルサーの前記出力端子と前記静電容量型超音波トランスデューサとの間に結合された入力端子を有し、かつ前記受信回路に結合された出力端子を有する、対称スイッチと、を備え、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート、第１のソース、及び、第１のドレインを有し、
前記第２のトランジスタは、第２のゲート、第２のソース、及び、第２のドレインを有し、
前記第１のゲートは、前記第２のゲートに接続され、前記第１のソースは、前記第２のソースに接続され、
前記対称スイッチは、前記第２のドレインに接続される第３のドレインを有する第３のトランジスタを更に備える、超音波機器。
【請求項７】
超音波機器を動作させる方法であって、
両極性パルサーから静電容量型超音波トランスデューサの第１の端子に両極性パルサー信号を前記超音波機器の送信動作モード中に供給することと、
前記静電容量型超音波トランスデューサの前記第１の端子と受信回路との間に結合されている対称スイッチを前記送信動作モード中に開状態で動作させることであって、前記対称スイッチは、第１のゲート、第１のソース、及び第１のドレインを有する第１のトランジスタと、第２のゲート、第２のソース、及び第２のドレインを有する第２のトランジスタとを備え、前記第１のゲートは、前記第２のゲートに接続され、前記第１のソースは、前記第２のソースに接続されている、ことと、
前記対称スイッチを前記超音波機器の受信動作モード中に閉状態で動作させることと、を含み、
前記対称スイッチを前記送信動作モード中に開状態で動作させることは、
前記第１のゲート、前記第２のゲート、前記第１のソース、及び前記第２のソースを第１の時間で第１の同じ電位に結合させること、
前記第１のゲート、前記第２のゲート、前記第１のソース、及び前記第２のソースを第２の時間で第２の同じ電位に結合させること、
前記第１のゲート、前記第２のゲート、前記第１のソース、及び前記第２のソースを第３の時間で前記第１の同じ電位に再び結合させること、
を含む、方法。
【請求項８】
前記受信回路の電流／電圧変換器を使用して、前記受信動作モード中に、前記静電容量型超音波トランスデューサからの電流を電圧に変換することを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記静電容量型超音波トランスデューサからの前記電流を前記電圧に変換することは、トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）を用いて行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記超音波機器の受信動作モード中に前記対称スイッチを閉状態で動作させることは、前記静電容量型超音波トランスデューサの出力信号を前記対称スイッチの前記第１のトランジスタの前記第１のドレイン上で受け取ることと、前記出力信号を前記対称スイッチの前記第２のトランジスタの前記第２のドレインから前記受信回路に供給することと、を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の同じ電位は、接地電位であり、前記第２の同じ電位は、前記両極性パルサーのバイアス電圧である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の同じ電位は、接地電位であり、前記第２の同じ電位は、前記両極性パルサーのバイアス電圧である、請求項１に記載の超音波機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月3日(2020.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気デバイスであって、
負入力と、正入力と、出力と、前記負入力に結合される第１のトリムノードと、前記正入力に結合される第２のトリムノードとを含む増幅器と、
前記第１のトリムノードに結合される第１の出力と、前記第２のトリムノードに結合される第２の出力と、接地接続と、複数のトリムデータ入力と、前記第１の出力と前記接地接続との間に結合される第１のインピーダンスマッチング要素と、前記第２の出力と前記接地接続との間に結合される第２のインピーダンスマッチング要素とを含む同相利得トリム回路であって、各インピーダンスマッチング要素が制御入力を含む、前記同相利得トリム回路と、
トリムデータのためのストレージと、前記制御入力に結合されるトリムデータ出力とを含むメモリと、
を含む、電気デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の電気デバイスであって、
前記トリムデータが、前記インピーダンスマッチング要素の各々の状態を制御するために利用可能である、電気デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の電気デバイスであって、
前記インピーダンスマッチング要素の各々がコンデンサとスイッチとの直列組み合わせを更に含み、前記スイッチが前記トリムデータにより制御され得るように構成される、電気デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の電気デバイスであって、
前記第１及び第２のインピーダンスマッチング要素内の前記コンデンサが全て共通の静電容量値を有する、電気デバイス。
【請求項５】
請求項３に記載の電気デバイスであって、
前記第１のインピーダンスマッチング要素内の前記コンデンサがバイナリ重み付けされた静電容量値を含み、前記第２のインピーダンスマッチング要素内の前記コンデンサがバイナリ重み付けされた静電容量値を含む、電気デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の電気デバイスであって、
前記増幅器が非対称な増幅器である、電気デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の電気デバイスであって、
前記電気デバイスが集積回路である、電気デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の電気デバイスであって、
電気モーターを駆動するためにモータードライバ回路を更に含み、
前記増幅器が前記モーターを介する電流レベルを示す電圧入力信号を受信するように構成される、電気デバイス。
【請求項９】
集積回路であって、
負入力と、正入力と、出力と、第１のノードと、第２のノードと、前記負入力と前記第１のノードとの間に結合される第１のトランジスタと、前記正入力と前記第２のノードとの間に結合される第２のトランジスタとを含む非対称な増幅器と、
前記第１のノードと接地との間に結合される第１の複数のインピーダンスマッチング要素と、前記第２のノードと接地との間に結合される第２の複数のインピーダンスマッチング要素とを含む同相利得トリム回路であって、各インピーダンスマッチング要素が制御入力を含む、前記同相利得トリム回路と、
トリムデータのためのストレージと、前記第１及び第２のインピーダンスマッチング要素を構成するために前記制御入力に結合されるトリムデータ出力とを含むメモリと、
を含む、集積回路。
【請求項１０】
請求項９に記載の集積回路であって、
前記第１及び第２の複数のインピーダンスマッチング要素の各々がコンデンサを更に含み、前記第１及び第２のインピーダンスマッチング要素内の前記コンデンサが全て共通の静電容量値を有する、集積回路。
【請求項１１】
請求項９に記載の集積回路であって、
前記第１及び第２の複数のインピーダンスマッチング要素の各々がコンデンサを更に含み、前記第１のインピーダンスマッチング要素内の前記コンデンサがバイナリ重み付けされた静電容量値を有し、前記第２のインピーダンスマッチング要素内の前記コンデンサがバイナリ重み付けされた静電容量値を有する、集積回路。
【請求項１２】
請求項９に記載の集積回路であって、
前記増幅器が感知増幅器である、集積回路。
【請求項１３】
請求項９に記載の集積回路であって、
前記第１及び第２の複数のインピーダンスマッチング要素の各インピーダンスマッチング要素が、コンデンサと、前記コンデンサと直列に結合される構成可能なスイッチとを更に含む、集積回路。
【請求項１４】
方法であって、
増幅器の同相利得を決定することであって、前記増幅器が、負入力と、正入力と、出力と、前記負入力に結合される第１のノードと、前記正入力に結合される第２のノードとを含む、前記同相利得を決定することと、
前記決定された同相利得を閾値と比較することと、
前記第１及び第２のノードのインピーダンスを調整して前記同相利得を前記閾値より下に削減することにより前記増幅器の前記同相利得を構成するためのトリムデータを生成することと、
前記トリムデータをメモリに格納することと、
前記メモリに格納された前記トリムデータに応答して同相利得トリム回路の構成を変えることであって、前記同相利得トリム回路が、前記第１のノードに結合される第１のインピーダンスマッチング要素と、前記第２のノードに結合される第２のインピーダンスマッチング要素とを含む、前記変えることと、
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記同相利得トリム回路の構成を変えることが、前記同相利得トリム回路のための新たなトリムデータを生成することを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記同相利得トリム回路の構成を変えることが、前記新たに生成されたトリムデータを前記増幅器を含むデバイスに送信することを更に含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記同相利得を決定することと、前記同相利得を閾値と比較することと、前記構成を変えることとが、前記増幅器と前記同相利得トリム回路とを含むデバイスのための初期化プロセスによりトリガされる、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、
ユーザーインタフェースを介して前記閾値を示す値を受け取ることを更に含む、方法。