【手続補正書】
【提出日】令和2年4月30日(2020.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的波形を有する電力源から電子的負荷に対して直流電流としてエネルギーを提供するシステムであって、
ａ）前記電力源によって駆動され、出力として時間変動する直流の整流電圧波形を提供し、半導体ダイオードアレイを有する、整流回路、
ｂ）直流形式でエネルギーを提供することができ、前記電子的負荷に対して接続された、エネルギー蓄積素子、
ｃ）閾値電圧を有し、前記整流回路と前記エネルギー蓄積素子との間に配置された、電子スイッチであって、
ｉ）前記電子スイッチは、前記整流電圧波形が前記閾値電圧値を超過しているとき開き、
ｉｉ）前記電子スイッチは、前記整流電圧波形が前記閾値によって超過されているとき閉じる、
電子スイッチ、
を備え、
ｄ）前記電子スイッチは、半導体比較器回路によって制御される半導体スイッチングデバイスを備え、
前記半導体比較器回路は、前記整流回路の出力に接続された第１入力と、電圧基準に接続された第２入力とを有し、
前記半導体比較器回路は、特性閾値ゲート−ソース電圧を有するＭＯＳ電界効果トランジスタと、共通ソース増幅器構成で接続された負荷デバイスとを備え、
前記電圧基準は、前記ＭＯＳ電界効果トランジスタの前記閾値ゲート−ソース電圧である
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記システムはさらに、前記エネルギー蓄積素子と前記電子的負荷との間に配置された電圧レギュレータ回路を備える
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記システムはさらに、前記電子スイッチと前記エネルギー蓄積素子との間に配置され、前記電子スイッチを流れる電流を制限する、電子回路を備える
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記整流回路は、全波ダイオードブリッジ整流器である
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記整流回路は半波整流回路であることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記エネルギー蓄積素子は、キャパシタと半導体ダイオードを備え、
前記ダイオードは、前記電子スイッチと前記キャパシタとの間に配置されている
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記半導体スイッチングデバイスは、ＭＯＳ電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記電子スイッチを流れる電流を制限する前記電子回路は、バイポーラトランジスタと電流検知レジスタを有する
ことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項９】
全ての半導体デバイスは、単一の集積回路チップ上に製造されている
ことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項１０】
前記電圧レギュレータ回路は、直列電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項２記載のシステム。
【請求項１１】
周期的波形を有する電力源から電子的負荷に対して直流電流としてエネルギーを提供するシステムであって、
ａ）直流形式でエネルギーを提供することができ、前記電子的負荷に対して接続された、エネルギー蓄積素子、
ｂ）前記電力源と前記エネルギー蓄積素子との間に配置された電子スイッチング回路、
を備え、
前記スイッチング回路は、
ｉ）前記電力源に接続された分圧器、
ｉｉ）電圧基準、
（１）比較器回路であって、前記比較器回路の第１入力は前記分圧器の出力に接続され、前記比較器回路の第２入力は前記電圧基準に接続され、前記比較器回路は出力を有し、前記比較器回路はＭＯＳ電界効果トランジスタであり、前記ＭＯＳ電界効果トランジスタは特性閾値ゲート−ソース電圧を有し、前記比較器回路は共通ソース増幅器構成で接続された負荷デバイスを有し、前記電圧基準は前記ＭＯＳ電界効果トランジスタの前記閾値ゲート−ソース電圧である、比較器回路、
ｉｉｉ）電子スイッチデバイスであって、閾値電圧を有し、前記電力源と前記エネルギー蓄積素子との間に接続され、前記比較器回路の出力が前記電子スイッチデバイスの状態を制御する、電子スイッチデバイス、
を備え、
（１）前記電子スイッチデバイスは、前記分圧器の出力が前記閾値電圧を超過しているとき開き、
（２）前記電子スイッチデバイスは、前記分圧器の出力が前記閾値電圧によって超過されているとき閉じる
ことを特徴とするシステム。
【請求項１２】
前記システムはさらに、前記エネルギー蓄積素子と前記電子的負荷との間に配置された電圧レギュレータ回路を備える
ことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記システムはさらに、前記電子スイッチと前記エネルギー蓄積素子との間に配置され、前記電子スイッチを流れる電流を制限する、電子回路を備える
ことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１４】
前記エネルギー蓄積素子は、キャパシタと半導体ダイオードを備え、
前記ダイオードは、前記電子スイッチと前記キャパシタとの間に配置されている
ことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１５】
前記分圧器は手動調整可能であることを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１６】
前記分圧器は電子的に調整可能であることを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１７】
前記電子スイッチデバイスは、ＭＯＳ電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項１１記載のシステム。
【請求項１８】
前記電子スイッチを流れる電流を制限する前記電子回路は、バイポーラトランジスタと電流検知レジスタを有する
ことを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項１９】
前記電圧レギュレータ回路は、直列電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項２０】
前記電圧レギュレータ回路は、シャント電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項２１】
周期的波形を有する電力源から電子的負荷に対して直流電流としてエネルギーを提供するシステムであって、
ａ）前記電力源によって駆動され、出力として時間変動する直流の整流電圧波形を提供し、半導体ダイオードアレイを有する、整流回路、
ｂ）直流形式でエネルギーを提供することができ、前記電子的負荷に対して接続された、エネルギー蓄積素子、
ｃ）閾値電圧を有し、前記整流回路と前記エネルギー蓄積素子との間に配置された電子スイッチであって、
ｉ）前記電子スイッチは、前記整流電圧波形が前記閾値電圧を超過しているとき開き、
ｉｉ）前記電子スイッチは、前記整流電圧波形が前記閾値電圧によって超過されているとき閉じる、
電子スイッチ、
を備え、
ｄ）前記電子スイッチは、半導体比較器回路によって制御される半導体スイッチングデバイスを備え、
前記半導体比較器回路は、前記整流回路の出力に接続された第１入力と、電圧基準に接続された第２入力とを有し、
前記半導体比較器回路は、特性ベース−エミッタターンオン電圧を有するバイポーラトランジスタと、共通エミッタ増幅器構成で接続された負荷デバイスとを備え、
前記電圧基準は、前記バイポーラトランジスタの前記ベース−エミッタターンオン電圧である
ことを特徴とするシステム。
【請求項２２】
前記システムはさらに、前記エネルギー蓄積素子と前記電子的負荷との間に配置された電圧レギュレータ回路を備える
ことを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項２３】
前記システムはさらに、前記電子スイッチと前記エネルギー蓄積素子との間に配置され、前記電子スイッチを流れる電流を制限する、電子回路を備える
ことを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項２４】
前記整流回路は、全波ダイオードブリッジ整流器である
ことを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項２５】
前記整流回路は半波整流回路であることを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項２６】
前記エネルギー蓄積素子は、キャパシタと半導体ダイオードを備え、
前記ダイオードは、前記電子スイッチと前記キャパシタとの間に配置されている
ことを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項２７】
前記半導体スイッチングデバイスは、ＭＯＳ電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項２８】
前記電子スイッチと前記エネルギー蓄積素子との間に配置され前記電子スイッチを流れる電流を制限する前記電子回路は、バイポーラトランジスタと電流検知レジスタを有する
ことを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２９】
全ての半導体デバイスは、単一の集積回路チップ上に製造されている
ことを特徴とする請求項２１記載のシステム。
【請求項３０】
前記電圧レギュレータ回路は、直列電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項２２記載のシステム。
【請求項３１】
前記電圧レギュレータ回路は、シャント電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項２２記載のシステム。
【請求項３２】
周期的波形を有する電力源から電子的負荷に対して直流電流としてエネルギーを提供するシステムであって、
ａ）直流形式でエネルギーを提供することができ、前記電子的負荷に対して接続された、エネルギー蓄積素子、
ｂ）前記電力源と前記エネルギー蓄積素子との間に配置された電子スイッチング回路、
を備え、
前記スイッチング回路は、
ｉ）前記電力源に接続された分圧器、
ｉｉ）電圧基準、
ｉｉｉ）比較器回路であって、前記比較器回路の第１入力は前記分圧器の出力に接続され、前記比較器回路の第２入力は前記電圧基準に接続され、前記比較器回路は出力を有し、前記比較器回路はバイポーラトランジスタであり、前記バイポーラトランジスタは特性ベース−エミッタターンオン電圧を有し、前記比較器回路は共通ソース増幅器構成で接続された負荷デバイスを有し、前記電圧基準は前記バイポーラトランジスタの前記ベース−エミッタターンオン電圧である、比較器回路、
ｉｖ）電子スイッチデバイスであって、閾値電圧を有し、前記電力源と前記エネルギー蓄積素子との間に配置され、前記比較器回路の出力が前記電子スイッチデバイスの状態を制御する、電子スイッチデバイス、
を備え、
（１）前記電子スイッチデバイスは、前記分圧器の出力が前記閾値電圧を超過しているとき開き、
（２）前記電子スイッチデバイスは、前記分圧器の出力が前記閾値電圧によって超過されているとき閉じる
ことを特徴とするシステム。
【請求項３３】
前記システムはさらに、前記エネルギー蓄積素子と前記電子的負荷との間に配置された電圧レギュレータ回路を備える
ことを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３４】
前記システムはさらに、前記電子スイッチと前記エネルギー蓄積素子との間に配置され、前記電子スイッチを流れる電流を制限する、電子回路を備える
ことを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３５】
前記エネルギー蓄積素子は、キャパシタと半導体ダイオードを備え、
前記ダイオードは、前記電子スイッチと前記キャパシタとの間に配置されている
ことを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３６】
前記分圧器は手動調整可能であることを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３７】
前記分圧器は電子的に調整可能であることを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３８】
前記電子スイッチデバイスは、ＭＯＳ電界効果トランジスタである
ことを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項３９】
前記電子スイッチデバイスは、バイポーラトランジスタである
ことを特徴とする請求項３２記載のシステム。
【請求項４０】
前記電圧レギュレータ回路は、直列電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項３３記載のシステム。
【請求項４１】
前記電圧レギュレータ回路は、シャント電圧レギュレータ回路である
ことを特徴とする請求項３３記載のシステム。