【事件の表示】
　特願２０１１−１２６２３３「太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日出願公開、特開２０１２−２５３２６１、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年６月６日の出願であって、平成２６年１２月２６日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月１７日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされ、同年５月２２日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、これに対して、同年８月１２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２８年５月１３日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という）が通知され、同年７月５日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２８年７月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　一の導電型を有する半導体基板の第１の主面上に、蒸着法により一の導電型のアモルファスシリコン層を含む第１の半導体層を形成する工程と、
　前記半導体基板の第２の主面上に、蒸着法により他の導電型のアモルファスシリコン層を含む第２の半導体層を形成する工程と、
　前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程と、
　前記水素ラジカル処理を施す工程の後に、前記第１及び第２の半導体層が形成された前記半導体基板を大気に曝す工程と、
　前記第１及び第２の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程と、
を備える、太陽電池の製造方法。」
　
第３　原査定の拒絶理由について
１　原査定の拒絶理由の概要
（１）本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
（２）本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
請求項１，２
１.特開２００５−１５４７９５号公報（以下、「引用文献１という。）
　上記引用文献１の【００２１】等には、イオンを用いない水素ラジカル処理についての示唆があるといえるから、本願の請求項１，２に係る発明と上記引用文献１に記載された発明との間に格別の差異はない。
請求項３−５
１.特開２００５−１５４７９５号公報（引用文献１）
２.特開２００４−２８９０５８号公報（以下、「引用文献２」という。）
　上記引用文献２に記載された発明において、上記引用文献１に記載された技術を適用し、本願の請求項３−５に係る発明とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
２　原査定の拒絶理由の判断
（１）刊行物の記載事項
ア　引用文献１
（ア）引用文献１（特開２００５−１５４７９５号公報）には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
ａ「【００１３】
  
ここで、シリコン基板への水素の導入は、プラズマ法、フォーミングガスアニール法およびＣａｔ−ＣＶＤ法からなる群から選択され
【００１４】
  プラズマ法は、水素を含むガスまたは水素ガスに高周波電圧を印加することによって分解した
水素ラジカルおよび／または水素イオンを用い
【００１５】
  プラズマ法によるシリコン基板への水素の導入は、たとえば以下のようにして行なわれる。まず、真空雰囲気の反応容器内に設置された対向する２つの電極のいずれか一方にシリコン基板を設置し、この反応容器内に水素を含むガスまたは水素ガスを流入する。次に、高周波電源を用いてこれらの電極間に高周波電圧を印加することによって反応容器内の水素を分解し、水素ラジカルおよび／または水素イオンを発生させる。そして、発生した水素ラジカルおよび／または水素イオンがシリコン基板の表面および／または粒界に存在するダングリングボンドを終端することによって、シリコン基板に水素が導入される。
【００１６】
  ここで、プラズマ法においては、数ミリＴｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの真空雰囲気の反応容器内でシリコン基板を４００℃程度に加熱した後に水素ガス等を流入し、高い周波数（ＭＨｚ〜ＧＨｚ程度）の高周波電源によって電極間に電圧を印加して水素を分解することが望ましい。
【００１７】
  フォーミングガスアニール法は、反応容器内に存在する水素を含むガスまたは水素ガスを加熱することによって分解した
水素ラジカルおよび／または水素イオンを用い
【００１８】
  フォーミングガスアニール法によるシリコン基板への水素の導入は、たとえば以下のようにして行なわれる。まず、石英などでつくられた大気圧雰囲気の反応容器内にシリコン基板を設置し、反応容器内に水素を含むガスまたは水素ガスを流入する。そして、シリコン基板および反応容器内を４００℃程度に加熱して、反応容器内の水素を分解して発生した水素ラジカルおよび／または水素イオンがシリコン基板の表面および／または粒界に存在するダングリングボンドを終端することによって、シリコン基板に水素が導入される。
【００１９】
  フォーミングガスアニール法においては、薄膜形成の際に反応容器内が大気圧雰囲気にあるため、プラズマ法やＣａｔ−ＣＶＤ法に比べると安価に水素をシリコン基板に導入することができ、シリコン基板へのプラズマダメージもない。
【００２０】
  Ｃａｔ−ＣＶＤ法は、加熱された触媒に水素を含むガスまたは水素ガスを接触させることによって分解した
水素ラジカルおよび／または水素イオンを用い
【００２１】
  Ｃａｔ−ＣＶＤ法によるシリコン基板への水素の導入は、たとえば以下のようにして行なわれる。まず、反応容器内に設置された触媒となるタングステンワイヤを１７００〜２０００℃程度に加熱する。次に、加熱されたタングステンワイヤに水素を含むガスまたは水素ガスを噴きつけ、反応容器内の水素を水素ラジカルおよび／または水素イオンに分解する。そして、２００〜４００℃程度に加熱されたシリコン基板に水素ラジカルおよび／または水素イオンを接触させ、水素ラジカルおよび／または水素イオンがシリコン基板の表面および／または粒界に存在するダングリングボンドを終端することによって、シリコン基板に水素が導入される。」
ｂ「【００３４】
　（太陽電池）
　図２に本発明に係る
太陽電池の製造方法
ｐ型の多結晶シリコン基板の表面に、
テクスチャ構造を形成
【００３５】
　次に、ステップ２において、
ｐ型の多結晶シリコン基板にリン等のｎ型不純物を拡散してｐｎ接合を形成
【００３６】
　そして、ステップ３において、
ｐｎ接合が形成されたシリコン基板に水素を導入
ここで、シリコン基板に水素を導入する方法としては、
プラズマ法、フォーミングガスアニール法またはＣａｔ−ＣＶＤ法等の方法が用いられ
【００３７】
　その後、ステップ４において、シリコン基板の表面温度が３５０℃以上５００℃以下となるように、ヒータ等によってシリコン基板を加熱する。
【００３８】
　そして、ステップ５において、スプレーノズル等から薄膜の原料溶液を、３５０℃以上５００℃以下のシリコン基板の表面に噴霧することによって
薄膜が形成され
【００３９】
　最後に、ステップ６において、
薄膜が形成されたシリコン基板に表面電極と裏面電極とを形成
銀からなる表面電極とアルミニウムからなる裏面電極
（イ）そうすると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。なお、参考のため引用箇所を示す段落番号を付記する。
「ｐ型の多結晶シリコン基板の表面に、テクスチャ構造を形成し（段落００３４）、
　ｐ型の多結晶シリコン基板にリン等のｎ型不純物を拡散してｐｎ接合を形成し（段落００３５）、
　ｐｎ接合が形成されたシリコン基板に水素を導入し、ここで、シリコン基板への水素の導入は、プラズマ法、フォーミングガスアニール法およびＣａｔ−ＣＶＤ法からなる群から選択されたいずれか１つの水素ラジカルおよび／または水素イオンを用いる方法が用いられ（段落００３６、段落００１３ないし段落００２１）、
　薄膜が形成され（段落００３８）、
　薄膜が形成されたシリコン基板に、銀からなる表面電極とアルミニウムからなる裏面電極とを形成する（段落００３９）、
　太陽電池の製造方法（段落００３４）。」
イ　引用文献２
（ア）引用文献２（特開２００４−２８９０５８号公報）には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
ａ「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光起電力装置の製造方法に関し、特に、結晶系半導体上に、非晶質半導体層が形成された
光起電力装置の製造方法
ｂ「【００１０】
この場合、好ましくは、水素イオンを加速するための電界に加えられる加速電圧は、１ｅＶ以上５ｋｅＶ以下である。このように構成すれば、照射された水素イオンが、実質的に真性な非晶質半導体層と結晶系半導体との界面まで到達するのを抑制することができる。これにより、実質的に真性な非晶質半導体層と結晶系半導体との界面に水素イオン照射によるダメージが与えられるのを抑制することができる。」
ｃ「【００１６】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による光起電力装置の構造を示した断面図である。まず、図１を参照して、第１実施形態による光起電力装置の構造について説明する。
【００１７】
第１実施形態による光起電力装置では、図１に示すように、水素処理されたｎ型単結晶シリコン基板１の上面上に、非晶質シリコン層２、約７０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる表面電極３、および、数十μｍの厚みを有する銀からなる集電極４が順次形成されている。非晶質シリコン層２は、
ｎ型単結晶シリコン基板１の上面上に
実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａと、ｉ型非晶質シリコン層２ａ上に
ｐ型非晶質シリコン層２ｂとによって構成され
【００１８】
ここで、第１実施形態では、光入射側のｉ型非晶質シリコン層２ａは、ｉ型非晶質シリコン層２ａ中に、水素濃度のピークを有するように形成されている。なお、ｎ型単結晶シリコン基板１は、本発明の「結晶系半導体」の一例である。また、ｉ型非晶質シリコン層２ａは、本発明の「非晶質半導体層」の一例である。
【００１９】
また、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上には、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面に近い方から順に、非晶質シリコン層１２、約７０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯからなる裏面電極１３、および、数十μｍの厚みを有する銀からなる集電極１４が形成されている。非晶質シリコン層１２は、
ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に
実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層１２ａと、ｉ型非晶質シリコン層１２ａの裏面上
ｎ型非晶質シリコン層１２ｂとによって構成され
【００２０】
次に、図１を参照して、第１実施形態による光起電力装置の製造プロセスについて説明する。まず、図１に示すように、洗浄したｎ型単結晶シリコン基板１を真空チャンバ（図示せず）内に設置した後、約２００℃以下の温度条件下で、ｎ型単結晶シリコン基板１を加熱することによって、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に付着した水分を極力除去する。これにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に付着した水分中の酸素がシリコンと結合して欠陥になるのが抑制される。
【００２１】
次に、基板温度を約１７０℃に保持した状態で、水素（Ｈ２）ガスを導入するとともに、プラズマ放電を行うことによって、
ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を水素処理する
【００２２】
この後、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、基板温度：約１７０℃、
水素（Ｈ
２
）
の条件下で、
ｉ型非晶質シリコン層１２ａを形成
【００２３】
続いて、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、基板温度：約１７０℃、
水素（Ｈ
２
）
の条件下で
ｎ型非晶質シリコン層１２ｂを形成
ｄ「【００２５】
次に、上記したｎ型単結晶シリコン基板１の裏面の水素処理と同様の
水素処理をｎ型単結晶シリコン基板１の上面についても行う
ｉ型非晶質シリコン層２ａ中に水素濃度のピークが形成される
ｅ「【００２７】
上記のように
ｉ型非晶質シリコン層２ａを形成した後、
水素イオン（Ｈ
＋
）を、ｉ型非晶質シリコン層２ａの上面に照射する
ｆ「【００２９】
続いて、ＲＦプラズマＣＶＤ法を用いて、基板温度：約１７０℃、
水素（Ｈ
２
）
の条件下で
ｐ型非晶質シリコン層２ｂを形成
　
（イ）そうすると、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。なお、参考のため引用箇所を示す段落番号を付記する。
「ｎ型単結晶シリコン基板１の上面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａと、ｉ型非晶質シリコン層２ａ上にｐ型非晶質シリコン層２ｂとが形成され（段落００１７）、
　ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層１２ａと、ｉ型非晶質シリコン層１２ａの裏面上ｎ型非晶質シリコン層１２ｂとが形成され（段落００１９）、
　ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面は水素処理され（段落００２１）、
　ｉ型非晶質シリコン層１２ａの形成は、水素を含むように行われ（段落００２２）、
　ｎ型非晶質シリコン層１２ｂの形成は、水素を含むように行われ（段落００２３）、
　ｎ型単結晶シリコン基板１の上面は水素処理され（段落００２５）、
　ｉ型非晶質シリコン層２ａの形成は、水素を含むように行われ（段落００２５）
　ｉ型非晶質シリコン層２ａを形成した後、水素イオンがｉ型非晶質シリコン層２ａの上面に照射され（段落００２７）、
　ｐ型非晶質シリコン層２ｂの形成は、水素を含むように行われる（段落００２９）、
　光起電力装置の製造方法（段落０００１）。」
（２）対比
ア　本願発明と引用発明１とを対比すると、引用発明の「ｐ型」、「ｎ型」は、本願発明の「一の導電型」、「他の導電型」にそれぞれ相当するから、本願発明と、引用発明１は、
「第１の主面側に一の導電型の半導体層を形成する工程と、
　第２の主面側に他の導電型の半導体層を形成する工程と、
　前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、水素ラジカル処理を施す工程を備える
　太陽電池の製造方法。」の点で一致している。
イ　他方、本願発明と引用発明１とは、次の各点で相違する。
（ア）相違点１
　第１の主面側に一の導電型の半導体層を形成する工程と、第２の主面側に他の導電型の半導体層を形成する工程が、本願発明は、「一の導電型を有する半導体基板の第１の主面上に、蒸着法により一の導電型のアモルファスシリコン層を含む第１の半導体層を形成する工程と、前記半導体基板の第２の主面上に、蒸着法により他の導電型のアモルファスシリコン層を含む第２の半導体層を形成する工程」であるのに対し、引用発明１は、「ｐ型の多結晶シリコン基板にリン等のｎ型不純物を拡散してｐｎ接合を形成」する工程である点。
（イ）相違点２
　水素ラジカル処理を施す工程が、本願発明は、「イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程」であるのに対し、引用発明１は、「水素ラジカル処理を施す工程」ではあるものの、イオンを用いないとは、特定していない点。
（ウ）相違点３
　本願発明は、「前記水素ラジカル処理を施す工程の後に、前記第１及び第２の半導体層が形成された前記半導体基板を大気に曝す工程と、前記第１及び第２の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」を備えるのに対し、引用発明１は、そのような工程を備えるとの特定がない点。
（３）判断
　上記相違点１〜３のうちの相違点３について検討する。
　相違点３に係る構成のうち、「前記水素ラジカル処理を施す工程」は、「前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程」のことであるから、相違点３に係る構成は、「前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程」の後に、「前記第１及び第２の半導体層が形成された前記半導体基板を大気に曝す工程と、前記第１及び第２の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」を備えることを意味する。
　一方、引用文献２には、引用発明２が記載されているが、引用発明２は、相違点３に係る構成を有していない。
　そして、本願発明は、上記の相違点３に係る構成を備えることによって、本願明細書の【００３０】に記載された「半導体層１１，１３の形成後、半導体層１１，１３をそれぞれ大気に曝す前にイオンを用いない水素ラジカル処理を行う。このため、半導体層１１，１３とＴＣＯ層１５，１６との密着性を高めることができる。」という顕著な効果を奏する。
　すると、上記相違点３は、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に想到し得るものではない。
　よって、本願発明は、少なくとも相違点３により、引用発明１と相違し、かつ、容易であるとはいえない。したがって、本願発明は、引用発明１であるということはできず、また、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に想到し得るものということはできない。
（４）小活
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１であるということはできず、また、引用発明１及び引用発明２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、本願の請求項２ないし４に係る発明は、本願発明の発明特定事項の全てを有し、さらに限定した発明であるから、本願発明と同様に、引用発明１であるということはできず、引用発明１及び引用発明２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　すなわち、原査定の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）（進歩性）
　本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
＜引用刊行物等＞
　特開２００４−２８９０５８号公報（引用文献２）
　国際公開第２０１０／０５０３６３号（以下、「引用文献３」という。）
　請求項１ないし４に係る発明は、引用文献２に記載された発明（引用発明２）、引用文献３に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）（委任省令要件）
　本願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項５には、「前記第１及び第２の半導体層のうちの少なくとも一方の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」が記載されているが、請求項５が引用する請求項１には、「前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程」が記載されており、イオンを用いない水素ラジカル処理を施されていない半導体層が存在する場合もあることから、請求項５に係る発明は、イオンを用いない水素ラジカル処理を施していない半導体層のみに透明導電性酸化物層を形成することを含むものである。しかし、イオンを用いない水素ラジカル処理を施していない半導体層のみに透明導電性酸化物層を形成することに、技術的意義は認められない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、請求項５に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではない。
２　当審拒絶理由の判断
（１）当審拒絶理由（進歩性）について
ア　刊行物の記載事項
（ア）引用文献２
　引用文献２は、原査定の理由における「引用文献２」と同じ刊行物であるので、その記載事項、引用発明２は、上記「第３　原査定の拒絶理由について」の「２　原査定の理由の判断」の「（１）刊行物の記載事項」の「イ　引用文献２」参照のこと。
（イ）引用文献３
　引用文献３（国際公開第２０１０／０５０３６３号）には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。）
「【００５８】
　上述の通り、ラジカル生成室８と製膜室４の間は、複数の穴が設けられた開閉可能なシャッター９を介して接続されており、このシャッター９の穴を通って水素ラジカルは製膜室４に導入される。ここで、ラジカル生成室８で生成された水素イオン４２は正電荷を帯びており、シャッター９にはバイアス電圧印加用の配線４１により負の直流バイアス電圧が印加されている。このため、
ラジカル生成室８で発生した水素イオン４２は、ほぼ全て図１４に示すように負の直流バイアス電圧が印加されたシャッター９でクーロン力により吸引、トラップされて製膜室４内に入り込むことはできない。
「【００６２】
　上述したように、実施の形態２にかかる微結晶シリコン膜の製造装置によれば、シャッター９に負の直流バイアス電圧を印加することにより、
ラジカル生成室８で発生した水素イオン４２をシャッター９でトラップして製膜室４に混入することを防止し、水素イオン４２による微結晶シリコン膜３へのイオンダメージを抑制する
発電効率のより高い薄膜太陽電池を製造する
イ　対比
　本願発明と引用発明２とを対比すると、引用発明２における「ｎ型単結晶シリコン基板１」、「ｎ型非晶質シリコン層１２ｂ」、「ｐ型非晶質シリコン層２ｂ」及び「光起電力装置の製造方法」は、本願発明における「一の導電型を有する半導体基板」、「一の導電型のアモルファスシリコン層」、「他の導電型のアモルファスシリコン層」及び「太陽電池の製造方法」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明２の「ｎ型単結晶シリコン基板１の上面」、「ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面」は、それぞれ、本願発明の「半導体基板の第１の主面」、「半導体基板の第２の主面」に相当する。
　以上の相当関係を踏まえると、本願発明と引用発明２は、
「一の導電型を有する半導体基板の第１の主面上に、一の導電型のアモルファスシリコン層を含む第１の半導体層を形成する工程と、
　前記半導体基板の第２の主面上に、他の導電型のアモルファスシリコン層を含む第２の半導体層を形成する工程と、
を備える、太陽電池の製造方法。」で一致し、以下の点で相違する。
（相違点Ａ）
　一の導電型のアモルファスシリコン層、他の導電型のアモルファスシリコン層の形成を、本願発明は、蒸着法により行っているのに対し、引用発明Ａは、蒸着法で行うことは特定されていない点。
（相違点Ｂ）
　本願発明は、前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程を備えるのに対し、引用発明Ａにおいて、ｎ型非晶質シリコン層１２ｂ及びｐ型非晶質シリコン層２ｂの形成は、水素を含むように行われるものの、イオンを用いない水素ラジカル処理を施すことは特定されていない点。
（相違点Ｃ）
　本願発明は、「前記水素ラジカル処理を施す工程の後に、前記第１及び第２の半導体層が形成された前記半導体基板を大気に曝す工程と、前記第１及び第２の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」を備えるのに対し、引用発明Ａにおいて、そのような工程は特定されていない点。
ウ　判断
　上記各相違点について検討する。
（ア）相違点Ａについて
　蒸着法によりアモルファスシリコン層を形成することは、その例を挙げるまでもなく周知技術であることから、引用発明における「ｐ型非晶質シリコン層２ｂ」、「ｎ型非晶質シリコン層１２ｂ」の形成を、相違点Ａに係る構成の「蒸着法により」行うことは、当業者が容易に想到し得ることである。
（イ）相違点Ｂについて
　引用発明２は、ｎ型非晶質シリコン層１２ｂ及びｐ型非晶質シリコン層２ｂの形成において水素を導入しているが、層の形成と同時に水素を導入するか、層の形成後に導入するかは、当業者が適宜選択し得る事項であり、また、水素導入の際に、損傷しないように、水素イオンをトラップし、水素ラジカルを選択的に導入することは引用文献３に記載されている（特に段落００５８、００６２参照）ように、当業者において知られていることから、引用発明の水素を含むｎ型非晶質シリコン層１２ｂ及びｐ型非晶質シリコン層２ｂの形成を、引用文献３に記載されているように、層の形成後に、水素イオンをトラップし、水素ラジカルを選択的に導入することにより行うこと、つまり、イオンを用いない水素ラジカル処理を施すことは、当業者が容易に想到し得ることである。
（ウ）相違点Ｃについて
　相違点Ｃに係る構成のうち、「前記水素ラジカル処理を施す工程」は、「前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程」のことであるから、相違点３に係る構成は、「前記第１及び第２の半導体層の少なくとも一方に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す工程」の後に、「前記第１及び第２の半導体層が形成された前記半導体基板を大気に曝す工程と、前記第１及び第２の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」を備えることを意味する。
　ここで、これらの各工程は、周知の工程といえるが、これらの工程を、この順番で組合わせることについては、引用文献２及び３に記載はなく、また他に、公知又は周知の技術であることを示す証拠もない。
　また、本願発明は、上記の相違点Ｃに係る構成を備えることによって、本願明細書の【００３０】に記載された「半導体層１１，１３の形成後、半導体層１１，１３をそれぞれ大気に曝す前にイオンを用いない水素ラジカル処理を行う。このため、半導体層１１，１３とＴＣＯ層１５，１６との密着性を高めることができる。」という顕著な効果を奏する。
　よって、上記の相違点Ｃに係る構成は、引用発明２、引用文献３に記載された事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得るものということはできない。
　
エ　小活
　したがって、本願発明は、相違点Ｃにより、引用発明２、引用文献３に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、請求項２ないし４に係る発明は、本願発明の発明特定事項の全てを有し、さらに限定した発明であるから、本願発明と同様に、引用発明２、引用文献３に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　すなわち、当審で通知した進歩性についての当審拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。　
（２）当審拒絶理由（委任省令要件）について
　本願の特許請求項の範囲は、平成２８年７月５日付けの手続補正により、当該補正前の請求項１を引用する請求項５が新たに請求項１とされ、さらに、「前記第１及び第２の半導体層のうちの少なくとも一方の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」が、「前記第１及び第２の半導体層のうち、前記イオンを用いない水素ラジカル処理が施された半導体層の上に、透明導電性酸化物層を形成する工程」に補正された。
　よって、当審で通知した委任省令要件についての当審拒絶理由は、解消された。
第５　結論
　以上のとおりであり、原査定の拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。また、他に、本願を拒絶する理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。