【手続補正書】
【提出日】令和2年10月14日(2020.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある量のＸ線放射を生成するよう構成されたＸ線照射源と、
前記ある量のＸ線放射を用いて、測定目標物に対して複数の向きで、ウェハ表面上に形成された前記測定目標物を照射するよう構成されたＸ線照射光学素子サブシステムと、
各向きにおける前記入射するＸ線放射に応答して前記測定目標物から散乱した、ある量の放射の、ゼロ回析次数に関連付けられた強度、およびより高い回析次数に関連付けられた強度を同時に検出するよう構成されたＸ線検出器であって、前記ゼロ回析次数および前記より高い回析次数が、前記複数の向きのうちの少なくとも１つで前記Ｘ線検出器で重複する、Ｘ線検出器と、
前記複数の異なる向きにおける前記回析次数の前記検出した強度に基づく、前記測定目標物のモデルに関連付けられた対象のパラメータ値を判定するよう構成されたコンピュータシステムと
を備える計測システム。
【請求項２】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記測定目標物の前記モデルが、前記Ｘ線照射源から前記Ｘ線検出器までの前記Ｘ線放射の発散の値を含む計測システム。
【請求項３】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
前記検出したゼロ回析次数の特性に基づいて、測定品質および性能の表示を判定するようさらに構成される計測システム。
【請求項４】
請求項３に記載の計測システムであって、
測定品質および性能の前記表示は、前記Ｘ線検出器の前記入射するＸ線放射の軸への位置合わせと、前記Ｘ線照射源の輝度と、前記Ｘ線照射源か、前記Ｘ線照射光学素子サブシステムの要素か、またはこれらの両方の位置合わせと、のうちのいずれかである計測システム。
【請求項５】
請求項３に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
測定品質および性能の前記表示に基づいて前記計測システムを調整するために、コマンド信号を前記計測システムの要素と通信させるようさらに構成される計測システム。
【請求項６】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
前記ゼロ回析次数の測定したビームプロファイルに基づいて、前記より高い回析次数のビームプロファイルのモデルを判定するようさらに構成される計測システム。
【請求項７】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
前記ゼロ回析次数の前記測定した強度によって、前記より高い回析次数の前記測定した強度を分割することにより、前記より高い回析次数の強度を前記ゼロ回析次数の前記測定した強度に対して推定するようさらに構成される計測システム。
【請求項８】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記Ｘ線検出器の感光性体積が、テルル化カドミウム、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、またはこれらの任意の組み合わせを含む計測システム。
【請求項９】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記測定目標物が１つ以上の高アスペクト比の構造を含む計測システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の計測システムであって、
前記１つ以上の高アスペクト比の構造は、スピントランスファートルクランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＲＡＭ）、三次元ＮＡＮＤメモリ（３Ｄ−ＮＡＮＤ）、動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、三次元フラッシュメモリ（３Ｄ−ＦＬＡＳＨ（登録商標））、抵抗性ランダムアクセスメモリ（Ｒｅ−ＲＡＭＰＣ）、および相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣ−ＲＡＭ）のうちのいずれかである計測システム。
【請求項１１】
ある量のＸ線放射を生成するよう構成されたＸ線照射源と、
前記ある量のＸ線放射を用いて、測定目標物に対して複数の向きで、ウェハ表面上に形成された前記測定目標物を照射するよう構成されたＸ線照射光学素子サブシステムと、
各向きにおける前記入射するＸ線放射に応答して前記測定目標物から散乱した、ある量の放射の、ゼロ回析次数に関連付けられた強度、およびより高い回析次数に関連付けられた強度を同時に検出するよう構成されたＸ線検出器と、
前記複数の異なる向きにおける前記ゼロ回析次数の前記検出した強度及び前記より高い回析次数の前記検出した強度との前記測定目標物のモデルの回帰に基づいて、前記測定目標物の前記モデルに関連付けられた対象のパラメータ値を判定するよう構成されたコンピュータシステムと
を備える特徴とする計測システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載の計測システムであって、
前記ゼロ回析次数および前記より高い回析次数が前記Ｘ線検出器で重複する計測システム。
【請求項１３】
請求項１１に記載の計測システムであって、
前記測定目標物の前記モデルが、前記Ｘ線照射源から前記Ｘ線検出器までの前記Ｘ線放射の発散の値を含む計測システム。
【請求項１４】
請求項１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
前記検出したゼロ回析次数の特性に基づいて、測定品質および性能の表示を判定するようさらに構成される計測システム。
【請求項１５】
請求項１１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
前記ゼロ回析次数の測定したビームプロファイルに基づいて、前記より高い回析次数のビームプロファイルのモデルを判定するよう
さらに構成される計測システム。
【請求項１６】
請求項１１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムは、
前記ゼロ回析次数の前記測定した強度によって、前記より高い回析次数の前記測定した強度を分割することにより、前記より高い回析次数の強度を前記ゼロ回析次数の前記測定した強度に対して推定するようさらに構成される計測システム。
【請求項１７】
請求項１１に記載の計測システムであって、
前記測定目標物が１つ以上の高アスペクト比の構造を含む計測システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の計測システムであって、
前記１つ以上の高アスペクト比の構造は、スピントランスファートルクランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＲＡＭ）、三次元ＮＡＮＤメモリ（３Ｄ−ＮＡＮＤ）、動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、三次元フラッシュメモリ（３Ｄ−ＦＬＡＳＨ（登録商標））、抵抗性ランダムアクセスメモリ（Ｒｅ−ＲＡＭＰＣ）、および相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣ−ＲＡＭ）のうちのいずれかである計測システム。
【請求項１９】
請求項１１に記載の計測システムであって、
前記コンピュータシステムが、一般的な電子密度のメッシュとして一般化されたフルビームＸ線スキャトロメトリ応答機能モデルを、前記複数の異なる向きにおいて前記回析次数の前記検出した強度に適合させることにより、前記複数の異なる向きにおいて前記回析次数の前記検出した強度に基づいて、前記測定目標物の多次元画像を判定するようさらに構成される計測システム。
【請求項２０】
ある量のＸ線放射を生成するよう構成されたＸ線照射源と、
前記ある量のＸ線放射を用いて、測定目標物に対して複数の向きで、ウェハ表面上に形成された前記測定目標物を照射するよう構成されたＸ線照射光学素子サブシステムと、
各向きにおける前記入射するＸ線放射に応答して前記測定目標物から散乱した、ある量の放射の、ゼロ回析次数に関連付けられた強度、およびより高い回析次数に関連付けられた強度を同時に検出するよう構成されたＸ線検出器と、
前記ゼロ回析次数の測定したビームプロファイルに基づいて、前記より高い回析次数のビームプロファイルのモデルを判定し、前記複数の異なる向きにおける前記回析次数の前記検出した強度に基づく、前記測定目標物のモデルに関連付けられた対象のパラメータ値を判定するよう構成されたコンピュータシステムと
を備える計測システム。