(57)【要約】マルチバンド対応が可能な小型のマルチバンドアンテナを提供する。複数の周波数帯の高周波信号を放射可能なメインエレメント１０において給電時の電界の強さが相対的に大きくなる部位に第１サブエレメント１１を配置し、メインエレメント１０において給電時の電界の強さが相対的に小さくなる部位に第２サブエレメント１２を配置する。そして、スイッチ機構１４に第１レベルの制御信号を入力して第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２をその一端部を電気的に開放状態とすることにより無給電反射素子として作用させ、他方、第２レベルの制御信号を入力してその一端部を直接又は所定の共振回路を介して接地することによりメインエレメント１０に高周波結合する電気的短絡素子として作用させ、これにより、メインエレメント１０から放射される高周波信号を複数の周波数帯のいずれかに切り替える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の周波数帯の高周波信号を放射可能なメインエレメントと、
前記メインエレメントにおいて給電時の電界の強さが相対的に大きくなる部位に当該メインエレメントと所定の間隔で設けられた第１サブエレメントと、
前記メインエレメントにおいて給電時の電界の強さが相対的に小さくなる部位に当該メインエレメントおよび前記第１サブエレメントと所定の間隔で設けられた第２サブエレメントと、
前記メインエレメントに対する前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントの電気的な作用を変化させることにより、前記メインエレメントから放射される高周波信号を前記複数の周波数帯のいずれかに切り替えるスイッチ機構とを備えてなる、
マルチバンドアンテナ。
【請求項２】
前記スイッチ機構は、前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントの一端部と、予め形成された複数種類の電気回路要素とを外部より入力された制御信号により切替接続するための半導体スイッチを含む、
請求の範囲第１項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項３】
前記半導体スイッチは、第１レベルの制御信号の入力時に前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントを、それぞれその一端部を電気的に開放状態とすることにより前記メインエレメントに対する無給電反射素子として作用させ、他方、前記第１レベルと異なる第２レベルの制御信号の入力時に前記一端部を直接又は所定の共振回路を介して接地することにより前記メインエレメントに高周波結合する電気的短絡素子として作用させる、
請求の範囲第２項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項４】
前記半導体スイッチは、第１レベルの制御信号の入力時に前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントを、それぞれその一端部を第１共振回路を介して接地することにより前記メインエレメントに高周波結合する第１電気的短絡素子として作用させ、他方、前記第１レベルと異なる第２レベルの制御信号の入力時に前記一端部を前記第１共振回路と電気定数が異なる第２共振回路を介して接地することにより前記メインエレメントに高周波結合する第２電気的短絡素子として作用させる、
請求の範囲第２項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項５】
前記第１サブエレメントは、前記メインエレメントに容量結合することにより結合容量分のリアクタンスを当該メインアンテナに付与するリアクタンス調整用素子として作用し、前記第２サブエレメントは、前記メインエレメントと誘導結合することにより前記メインエレメントに高周波信号を励起させる無給電誘導素子として作用する、
請求の範囲第３項又は第４項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項６】
前記第１サブエレメントが、前記第２サブエレメントと前記メインエレメントとの間の結合容量値を相殺するサイズに成形されている、
請求の範囲第５項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項７】
前記メインエレメントの電気的な長さが、前記複数の周波数帯の中から選定された設定周波数の略ｎλ／８（ｎ＝１，２，…）であり、前記第２サブエレメントの電気的な長さが設定周波数の略（２ｎ＋１）λ／４（ｎ＝０，１，２，…）又は略ｎλ／２（ｎ＝１，２，…）である、
請求の範囲第６項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項８】
前記メインエレメント１０が逆Ｌ状、逆Ｆ状又は矩形状の導電薄板であり、前記第２サブエレメントがメアンダ状又は矩形状の導電薄板である、
請求の範囲第７項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項９】
通信装置に装着又は内蔵が可能なサイズの基体を備えており、
この基体には、接地導体と誘電体製のエレメント取付基体とが設けられており、
前記エレメント取付基体には、前記接地導体に対して所定の間隔を維持するメインエレメント取付層と、所定厚みの誘電体層と、サブエレメント取付層とがこの順に積層されており、
前記メインエレメント取付層には前記メインエレメントが取り付けられており、
前記サブエレメント取付層には、前記第１サブエレメントと前記第２サブエレメントとが所定の間隔で平行に取り付けられている、
請求の範囲第８項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項１０】
通信装置に内蔵される回路基板の表面部と裏面部の一方の面部に、前記メインエレメントが表装または導電パターンとして形成されており、前記回路基板の他方の面部のうち前記メインエレメントの電気的影響を受ける部位に、前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントが導電パターンとして形成されている、
請求の範囲第８項記載のマルチバンドアンテナ。
【請求項１１】
通信装置に内蔵され、前記通信装置の構成部品を実装するための誘電体製の回路基板であって、
その表面部と裏面部との間で電気的影響を受けるアンテナ領域を有しており、
前記アンテナ領域の表面部と裏面部の一方の面部に、請求の範囲第１０項に記載されたメインエレメントが表装または導電パターンとして形成されており、
前記アンテナ領域の表面部と裏面部の他方の面部に、請求の範囲第１０項に記載された第１サブエレメントおよび第２サブエレメントが導電パターンとして形成されている、
マルチバンドアンテナの機能を有する回路基板。
【請求項１２】
請求の範囲第１項〜第１０項のいずれかに記載されたマルチバンドアンテナを筐体内に収納してなり、このマルチバンドアンテナが備える前記スイッチ機構を制御信号で制御することにより、複数の周波数帯の中から選定した設定周波数の高周波信号を前記メインアンテナから放射させるように構成されている、通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、例えば、音、画像（静止画、動画）、データなどの複数のメディアに対応可能な携帯電話無線機、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）等の携帯型の通信装置及びそれに内蔵されるマルチバンドアンテナに関する。
【背景技術】  携帯電話無線機等に代表される携帯型の通信装置の進歩は目覚ましいものがある。最近は、これらの通信装置においても、単なる通話のみならず、データ通信ないし画像通信を含めたマルチメディア化の傾向がある。このような傾向に呼応して、携帯電話無線機又は移動通信装置のアンテナに対しても、小型で、かつ、複数の周波数帯（バンド）において通信可能なマルチバンドアンテナが要望されている。
従来のこの種のマルチバンドアンテナとしては、例えば、特開平１１−１３６０２５号公報に記載されたアンテナ装置（従来例１）、特開平１０−２０９７３３号公報に記載されたアンテナ装置（従来例２）、特開平１１−６８４５６号公報に記載されたアンテナ装置（従来例３）、特開２００２−３３５１１７号公報に記載されたアンテナ装置（従来例４）、特開２００３−１２４７３０号公報に記載されたアンテナ装置（従来例５）がある。
従来例１に記載されているアンテナ装置は、直方体状の基体の一方主面全面に形成されたグランド電極と、基体の他方主面上で一端が開放端で他端がグランド端（グランド電極に接続）となる放射電極と、放射電極の開放端に第１のギャップを介して近接して形成された給電電極と、放射電極の開放端に第２のギャップを介して近接して形成された１つ以上の制御電極と、制御電極とグランド電極との間を接続／非接続にするためのスイッチとを備え、このスイッチをオン−オフして全体の静電容量の大きさを変化させることにより、放射電極の共振周波数を切り替えて使用できるようにしたものである。
従来例２に記載されているアンテナ装置は、従来例１のようなグランド電極、放射電極、給電電極のほか、放射電極と連続して一体に形成された１つ以上の補助放射電極と、この補助放射電極とグランド電極との間を高周波的に接続／非接続にするためのスイッチを備え、このスイッチをオン−オフして放射電極のグランド部分のインダクタンス成分を変化させることにより、放射電極の共振周波数を切り替えて使用できるようにしたものである。
従来例３に記載されているアンテナ装置は、直方体状の基体の表面に、従来例１のようなグランド電極、放射電極、給電電極を備えたものにおいて、基体の表面上に、周波数切替手段（半導体スイッチ）を設け、この周波数切替手段を動作させてインダクタンス成分又は静電容量成分を変化させることにより、放射電極の共振周波数を切り替えるようにしたものである。
従来例４に記載されているアンテナ装置は、接地導体部を有する実装基板上に直方体状の基体を実装し、この基体の表面に、一端が開放端で他端がグランド端となる放射電極とアンテナ側制御用電極（従来例１の制御電極に相当）とを設けるとともに、実装基板上に、グランドから浮いた状態の基板側制御用電極と、この基板側制御用電極を接地導体部に高周波的に接続するための共振周波数調整手段（インダクタンス成分と静電容量成分の少なくとも一方をもつ半田ブリッジ、ストリップ等）とを設け、この共振周波数調整手段のインピーダンスを変えることにより、放射電極の共振周波数を可変にしたものである。
従来例５に記載されているアンテナ装置は、それぞれ、その一端が開放端で、二分岐された一方の他端がグランド端、他方の他端が給電端となる２種類のアンテナエレメント（上述の放射電極に相当）と、各々のアンテナエレメントと実装基板の接地導体部とを導通／非導通にするための２種類のスイッチとを備え、これらのスイッチの一方と他方とを相互排反的にオン−オフにすることにより、装置全体の共振周波数を切り替えるようにしたものである。
近年の移動通信装置に搭載されるマルチバンドアンテナには、ＡＭＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍｏｂｉｌ  Ｐｈｏｎｅ  Ｓｙｓｔｅｍ）（８２４ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚ）、ＧＳＭ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ  ｆｏｒ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）９００（８８０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）、ＧＳＭ１８００（１７１０ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚ）、ＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｅｌｌｕｌａｒ  Ｓｙｓｔｅｍ）（１７１０ＭＨｚ〜１８５０ＭＨｚ）、ＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ１９００（１８５０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）、ＵＭＴＳ（Ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  Ｍｏｂｉｌｅ  Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ  Ｓｙｓｔｅｍ）（１９２０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ）のような複数のバンドを複合的に使用できるものが望まれている。
従来例１〜従来例４のアンテナ装置は、それぞれ、表面実装型アンテナを主たる構成要素として含むため、非常に小型であり、携帯電話無線機、あるいは、移動通信装置に内蔵する場合に好都合となる。しかし、このようなアンテナ装置は、バンド数を多くすると、バンド切替機構が複雑になる。また、放射電極に大きなリアクタンスが付加されるので、アンテナの利得が低下する。さらに、共振周波数の狭帯域化が問題となる。
従来例５のアンテナ装置では、バンド数の増加には対応が可能であるが、２種類のアンテナエレメントを実質的に同一平面に配する必要があるなどの制約があり、さらに、各アンテナエレメントが特殊かつ複雑な形状になるため、アンテナエレメント用の面積を十分に確保しなければならず、小型化が困難であるという問題があった。
この発明は、このような問題を解決するために、マルチバンド対応が可能で、切替機構の複雑さも回避することができる小型且つ広帯域のマルチバンドアンテナ、このマルチバンドアンテナを有する通信装置およびこの通信装置の部品となる回路基板を提供することを、その課題とする。
【発明の開示】
本発明のマルチバンドアンテナは、複数の周波数帯の高周波信号を放射可能なメインエレメントと、前記メインエレメントにおいて給電時の電界の強さが相対的に大きくなる部位に当該メインエレメントと所定の間隔で設けられた第１サブエレメントと、前記メインエレメントにおいて給電時の電界の強さが相対的に小さくなる部位に当該メインエレメントおよび前記第１サブエレメントと所定の間隔で設けられた第２サブエレメントと、前記メインエレメントに対する前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントの電気的な作用を変化させることにより、前記メインエレメントから放射される高周波信号を前記複数の周波数帯のいずれかに切り替えるスイッチ機構とを備えてなる。
このようなマルチバンドアンテナにより、エレメント構造を何ら変えることなく、共振周波数を変化させて複数の共振周波数を得ることができる。
前記スイッチ機構は、例えば、前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントの一端部と、予め形成された複数種類の電気回路要素とを外部より入力された制御信号により切替接続するための半導体スイッチを含む。これにより、複数の共振周波数を外部から随時切り替えることができるようになる。
この半導体スイッチは、例えば、第１レベルの制御信号の入力時に前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントを、それぞれその一端部を電気的に開放状態とすることにより前記メインエレメントに対する無給電反射素子として作用させ、他方、前記第１レベルと異なる第２レベルの制御信号の入力時に前記一端部を直接又は所定の共振回路を介して接地することにより前記メインエレメントに高周波結合する電気的短絡素子として作用させる。あるいは、半導体スイッチは、第１レベルの制御信号の入力時に前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントを、それぞれその一端部を第１共振回路を介して接地することにより前記メインエレメントに高周波結合する第１電気的短絡素子として作用させ、他方、前記第１レベルと異なる第２レベルの制御信号の入力時に前記一端部を前記第１共振回路と電気定数が異なる第２共振回路を介して接地することにより前記メインエレメントに高周波結合する第２電気的短絡素子として作用させる。
本発明のある実施の態様では、  前記第１サブエレメントは、前記メインエレメントに容量結合することにより結合容量分のリアクタンスを当該メインアンテナに付与するリアクタンス調整用素子として作用し、前記第２サブエレメントは、前記メインエレメントと誘導結合することにより前記メインエレメントに高周波信号を励起させる無給電誘導素子として作用する。前記第１サブエレメントは、前記第２サブエレメントと前記メインエレメントとの間の結合容量値を相殺するサイズに成形される。
本発明のマルチバンドアンテナにおける具体的な態様としては、前記メインエレメントの電気的な長さは、前記複数の周波数帯の中から選定された設定周波数の略ｎλ／８（ｎ＝１，２，…）であり、前記第２サブエレメントの電気的な長さは、設定周波数の略（２ｎ＋１）λ／４（ｎ＝０，１，２，…）又は略ｎλ／２（ｎ＝１，２，…）である。また、前記メインエレメントが逆Ｌ状、逆Ｆ状又は矩形状の導電薄板であり、前記第２サブエレメントがメアンダ状又は矩形状の導電薄板である。
通信装置への実装を容易にする観点からは、通信装置に装着又は内蔵が可能なサイズの基体を備えるようにする。この基体には、接地導体と誘電体製のエレメント取付基体とが設けられている。前記エレメント取付基体には、前記接地導体に対して所定の間隔を維持するメインエレメント取付層と、所定厚みの誘電体層と、サブエレメント取付層とがこの順に積層されており、前記メインエレメント取付層には前記メインエレメントが取り付けられており、前記サブエレメント取付層には、前記第１サブエレメントと前記第２サブエレメントとが所定の間隔で平行に取り付けられている。
通信装置への実装を、より容易にする観点からは、通信装置に内蔵される回路基板の表面部と裏面部の一方の面部に、前記メインエレメントが表装または導電パターンとして形成されており、前記回路基板の他方の面部のうち前記メインエレメントの電気的影響を受ける部位に、前記第１サブエレメントおよび前記第２サブエレメントが導電パターンとして形成されているマルチバンドアンテナとする。
本発明の回路基板は、通信装置に内蔵され、前記通信装置の構成部品を実装するための誘電体製の回路基板であって、その表面部と裏面部との間で電気的影響を受けるアンテナ領域を有しており、前記アンテナ領域の表面部と裏面部の一方の面部に、メインエレメントが表装または導電パターンとして形成されており、前記アンテナ領域の表面部と裏面部の他方の面部に、第１サブエレメントおよび第２サブエレメントが導電パターンとして形成されている、マルチバンドアンテナの機能を有する回路基板である。
本発明の通信装置は、上述したマルチバンドアンテナを筐体内に収納してなり、このマルチバンドアンテナが備える前記スイッチ機構を制御信号で制御することにより、複数の周波数帯の中から選定した設定周波数の高周波信号を前記メインアンテナから放射させるように構成されているものである。
本発明によれば、小型、マルチバンドに対応ができて、通信装置への装着ないし内蔵にも適したマルチバンドアンテナを実現することができる。このようなマルチバンドアンテナを装着ないし内蔵することにより、通信装置の一例である携帯無線機及び移動無線機の用途を大幅に拡張することができる。その結果、携帯、移動端末などの多様化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明のマルチバンドアンテナの基本的な構成図である。
図２は、第１状態のときのメインエレメント、第１サブエレメントおよび第２サブエレメントの関係を示す図である。
図３は、第１状態のときのメインエレメント、第１サブエレメントおよび第２サブエレメントの関係を示す図である。
図４は、第１状態および第２状態におけるマルチバンドアンテナの周波数−ＶＳＷＲ特性図である。
図５は、第２サブエレメントに接続されるトラップ回路の構成例を示した図であり、図５（ａ）は誘導性素子および容量性素子の並列共振回路、図５（ｂ）は直列共振回路、図５（ｃ）は直並列共振回路の例を示す。
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、マルチバンドアンテナを携帯無線電話機に搭載した状態を示すための説明図である。
図７は、スイッチ機構の第１応用例を示す図である。
図８は、図７のスイッチ機構におけるＶＳＷＲ−周波数特性図である。
図９は、スイッチ機構の第２応用例を示す図である。
図１０は、図９のスイッチ機構におけるＶＳＷＲ−周波数特性図である。
図１１は、マルチバンドアンテナを通信装置に取り付ける基体の外観斜視図（主要部）である。
図１２は、図１１において基体を矢印方向から見た側面図である。
図１３は、アンテナエレメントの取付基体の構造及びサイズを説明するための図で、図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）はその側面図である。
図１４（ａ）は、エレメント取付カバー７０の正面図であり、図１４（ｂ）はその側面図である。
図１５（ａ）は設定可能なバンドおよびそのときの設定周波数（共振周波数）の関係を示す図表、図１５（ｂ）は所望のバンドを選択するときの制御信号ＣＯＮＴの電圧値を示した図表である。
図１６は、本発明の実施例によるマルチバンドアンテナの構成図である。
図１７（ａ）、図１７（ｂ）は、制御信号を０［Ｖ］と３［Ｖ］に切り替えた場合のＶＳＷＲ−周波数特性図である。
図１８（ａ）、図１８（ｂ）は、制御信号を０［Ｖ］と３［Ｖ］に切り替えた場合の利得特性図である。
図１９（ａ）はマルチバンドアンテナ機能を有する回路基板のアンテナ領域部分の正面図、図１９（ｂ）はその背面図、図１９（ｃ）はアンテナ領域部分の表裏面部の関係を明らかにするための断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】［アンテナの基本構成］
本発明のマルチバンドアンテナの基本的な構成図を図１に示す。本発明のマルチバンドアンテナは、音、画像（静止画、動画）、データなどの複数のメディアに対応可能な携帯電話無線機、ＰＤＡ等の移動可能な携帯型の通信装置に搭載される。
図１に示されるように、本発明のマルチバンドアンテナは、給電端子１８から供給された高周波信号を放射可能なメインエレメント１０を有する。メインエレメント１０は、例えば銅材を成形した導電性薄板で形成される。メインエレメント１０の表面部及び裏面部の一方、例えば表面部は、複数の周波数の信号を放射することができる放射面部である。
メインエレメント１０において、給電時の電界強度が最も大きくなる放射面部の外周端部付近には第１サブエレメント１１が設けられている。
第１サブエレメント１１の主面部、すなわち表面積が相対的に大きい面部とメインエレメント１０の放射面部とは、所定の間隔ｄ１で対向しており、これにより、給電時に、メインエレメント１０と第１サブエレメント１１とが容量結合するようになっている。図示のような長尺帯状に成形した第１サブエレメント１１の場合、その先端部は、メインエレメント１０の放射面部上で、自由端になっている。また、第１サブエレメント１１の他方の端部、すなわち基端部は、メインエレメント１０の一端部より延びて、スイッチ機構１４の一方端と導通している。
第１サブエレメント１１の主面部の面積は、調整しようとする結合容量の大きさで決まる。面積が大きくなるほど、結合容量は大きくなる。このように、第１サブエレメント１１は、その主面部の面積が重要であり、その形状、長尺方向の長さは、さほど重要ではない。主面部の面積をより大きく確保する必要がある場合は、図示のような長尺帯状のものに代えて、例えばメアンダ状（ジグザグ状）に成形すればよい。
メインエレメント１０の放射面のほぼ中央部、つまり給電時の電界強度が相対的に小さくなる部位には、第２サブエレメント１２が設けられている。図示のようにメインアンテナ１０が長尺薄板状に成形されている場合、第２サブエレメント１２の主面部は、メインエレメント１０の放射面と所定の間隔ｄ２で平行に対向しており、これにより、給電時に、メインエレメント１０と第２サブエレメント１１との間で誘導結合（磁界結合）するようになっている。第１サブエレメント１１と異なり、第２サブエレメント１２は誘導結合なので、長尺方向の長さが重要となる。
第２サブエレメント１２の先端部は、メインエレメント１０の放射面上で、自由端になっている。第２サブエレメント１２の他方の端部、すなわち基端部は、メインエレメント１０の端部より延びて、トラップ回路１３の一方端と導通している。第１サブエレメント１１の基端部と第２サブエレメント１２の基端部との間隔は、使用周波数の「まわり込み」を実用上回避できる間隔とする。これらのサイズ等については、後述する。
トラップ回路１３の他方端は、スイッチ機構１４の一方端と電気的に接続されている。
このトラップ回路１３は誘導性素子および容量性素子から成るもので、第２サブエレメント１２によるメインエレメント１０への高周波結合の度合いを緩和するものである。
スイッチ機構１４の他方端は、接地端子、すなわち給電時に接地電位となる端子に、電気的に接続されている。このスイッチ機構１４は、外部からの制御信号ＣＯＮＴに基づいて開閉動作を行う。「開」動作時には、第１サブエレメント１１の基端部およびトラップ回路１３の他方端が何らの電気的接続のない開放状態にし、他方、「閉」動作時には接地電位状態にする。説明の便宜上、開放状態を第１状態、接地電位状態を第２状態と称する。
なお、図１では、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２は、いずれもメインエレメント１０の放射面部の上方に設けた例を示しているが、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２の一方、あるいは、両方は、メインエレメント１０の裏面部側に設けてあってもよい。
＜マルチバンドアンテナの動作＞
以上のように構成されるマルチバンドアンテナは、以下のように動作する。
［第１状態］
第１状態のとき、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２は、メインエレメント１０に対する電気的影響が殆どない無給電反射素子となる。トラップ回路１３の影響もない。図２は、この状態を破線で示している。このとき、メインエレメント１０は、図４の周波数−ＶＳＷＲ特性図において実線で示されるように、給電端子１８から供給された高周波信号を、自己に設定されている第２共振周波数ｆ２で共振する「先端開放アンテナ」として動作する。
［第２状態］
第２状態のとき、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２は、いずれも無給電素子となる。従って、メインエレメント１０は、「無給電素子付きアンテナ」として動作する。図３は、この状態を実線で示している。このとき、メインエレメント１０は、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２と容量結合し、その容量結合の強さ（この強さを「結合容量値」という）に応じたリアクタンスが付加される。メインアンテナ１０と第１サブエレメント１１との結合容量値はＣ１である。メインアンテナ１０と第２サブエレメント１２との間にも結合容量値Ｃ０が生じる。
これらの結合容量値Ｃ１，Ｃ０の影響で、メインエレメント１０の共振周波数は、メインエレメント１０自体の共振周波数（第２共振周波数ｆ２）とは異なる第１共振周波数ｆ１となる。
メインエレメント１０における共振周波数の変化量は、付加されたリアクタンスの値、特に、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２により付加される結合容量値Ｃ０，Ｃ１に依存する。結合容量値が大きくなるにつれて、メインエレメント１０における共振周波数は低くなる方向に変化する。
また、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２の容量結合による結合容量値Ｃ０，Ｃ１は、ある周波数以上において高周波的に低インピーダンスとなり、各サブエレメント１１，１２がメインエレメント１０の電気的短絡点として作用する。そのため、マルチバンドアンテナは、第４共振周波数ｆ４で共振する先端短絡アンテナとしても動作する。
さらに、第２サブエレメント１２が無給電誘導素子として作用し、第２サブエレメント１２の第３共振周波数ｆ３がメインエレメント１０に励振される。このとき、第２サブエレメント１２が有するメインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２に対応した周波数になるようにその電気定数が定められたトラップ回路１３により、第２サブエレメント１２による第２共振周波数ｆ２への影響を小さくすることができる。
第２共振周波数ｆ２に対する第１共振周波数ｆ１，ｆ３，ｆ４の関係は、図４の周波数−ＶＳＷＲ特性図において、破線で示されている。
［エレメントの形状・構造等］
メインエレメント１０は、複数の周波数の高周波信号を放射できる構造であれば、その形状は任意であってよい。例えば、矩形状薄板のほか、高周波帯のアンテナ用エレメントとしてよく知られた逆Ｌ状、逆Ｆ状、メアンダ状その他の形状にすることができる。
メインエレメント１０の共振周波数（第２共振周波数ｆ２）は、使用周波数帯域内に実質的に入るように設計される。使用周波数帯域内に任意に設定した設定周波数となるようにするには、使用周波数帯の波長をλとすると、メインエレメント１０の電気的な長さを略ｎλ／８（ｎ＝１，２，…）にすればよい。
第１サブエレメント１１は、第１状態のときは無給電反射素子、第２状態のときは電気的短絡素子および無給電素子、特に、メインエレメント１０に対するリアクタンス調整素子として作用する。第２状態のときは上記のように作用することから、所望の共振周波数にするために比較的大きい結合容量値Ｃ１を必要とする場合がある。また、第２サブエレメント１２とメインエレメント１０との間の結合容量値Ｃ０を相殺するサイズに成形されている。
このために、第１サブエレメント１１は、電界が最適に結合するようにメインエレメント１０の電界が集中する部位に配置されるが、上記の間隔ｄ１と第１サブエレメント１１の表面部の面積も重要となる。結合容量値Ｃ１は、間隔ｄ１と上記の面積から決まるためである。
共振周波数が使用周波数帯において設定した周波数になるように結合容量値Ｃ１を設計する順序は、次のとおりとなる。まず、使用する通信装置の筐体内に収納できるアンテナ筐体の高さと、要求されるアンテナ性能から決まるエレメント間の間隔とから上記の間隔ｄ１を設定する。次に、必要な結合容量値Ｃ１が得られるように、第１サブエレメント１１の主面部の面積を調整する。
第２サブエレメント１２は、第１状態のときは無給電反射素子、第２状態のときは無給電誘導素子および電気的短絡素子として作用する。すなわち、第１サブエレメント１１の容量結合による結合容量値Ｃ１が、第２サブエレメント１２の容量結合による結合容量値Ｃ０よりも小さい場合、結合容量値Ｃ０が相対的に大きくなる第２サブエレメント１２がメインエレメント１０の電気的短絡点して作用する。
この第２サブエレメント１２は、メインエレメント１０へのリアクタンス付加の低減（容量結合低減）と、最適に誘導結合を可能にするために、メインエレメント１０の電界の集中が小さいメインエレメント１０の中央部付近に配置される。しかし、メインエレメント１０へのリアクタンス付加の低減（容量結合低減）が不十分な場合があるため、使用する周波数で高インピーダンスになるように、その電気定数が定められたトラップ回路１３を第２サブエレメント１２に挿入する。トラップ回路１３は、メインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２に設定される。これにより、第１状態および第２状態のとき、メインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２で高インピーダンスとなり、第２共振周波数ｆ２で無給電反射素子となる。よって、第２サブエレメント１２とメインエレメント１０との容量結合Ｃ０による第２共振周波数ｆ２への影響を小さくすることができる。
トラップ回路１３は、誘導性素子および容量性素子を主要部品として含み、図５（ａ）のようなこれらの素子の並列共振回路、図５（ｂ）のような直列共振回路、図５（ｃ）のような直並列共振回路のいずれかにより構成される。
図５（ａ）のような並列共振回路は、共振時に高インピーダンスとなるため、ある周波数を通過させないという用途に適している。図５（ｂ）のような直列共振回路は、共振時に低インピーダンスとなるため、ある周波数だけ通過させるという用途に適している。図５（ｃ）のような直並列共振回路は、ある周波数は通過させないが、他の２つの周波数を通過させるという用途に適している。
第２サブエレメント１２を所望の構造にするときの設計順序は、次のとおりである。まず、まず、使用する通信装置の筐体内に収納できるアンテナ筐体の高さと、要求されるアンテナ性能から決まるエレメント間の間隔とから上記の間隔ｄ２を決める。次に、メインエレメント１０に励振されるアンテナの共振周波数帯域幅及びＶＳＷＲから、最適に誘導結合するように第２サブエレメント１２のエレメント幅を設定する。このとき、容量結合による結合容量値Ｃ０が、概ね、第１共振周波数ｆ１および第２共振周波数ｆ２への影響を小さくするような値とする。
第２サブエレメント１２の共振周波数（第３共振周波数ｆ３）は、使用周波数帯域内に実質的に入るように設定される。使用周波数帯域内に実質的に入る周波数となるようにするには、第２サブエレメント１２の長さを略（２ｎ＋１）λ／４（ｎ＝０，１，２，…）又は、略ｎλ／２（ｎ＝１，２，…）になるようにすればよい。
各サブエレメント１１，１２は、互いに結合せず、性能に影響を与えないような間隔に設定される。また、メインエレメント１０と各サブエレメント１１，１２間は空気層あるいは誘電体を挟む構成にすることもできる。誘電率を上げれば、小さい面積で大きい容量を得ることができる。
［スイッチ機構の説明］
スイッチ機構１４は、制御端子に入力される制御信号ＣＯＮＴにより、通信装置の所定部位に配置されている接地導体と第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２の基端部とを導通又は非導通に切り替える。メカニカルなもののほか、半導体スイッチたとえば、汎用のショットキーダイオードの他、用途に応じて、アイソレーション重視する場合にはＰＩＮダイオード、低電流動作重視する場合にはＦＥＴスイッチ，ＩＣスイッチ、また、強電界，低ひずみ重視する場合にはＭＥＭＳスイッチなど用いることができる。
ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）、ＳＰ３Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  ３  Ｔｈｒｏｗ）、ＳＰ４Ｔ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  ４  Ｔｈｒｏｗ）等の複数経路を選択できるように構成することもできる。
＜マルチバンドアンテナが搭載される通信装置＞
本発明のマルチバンドアンテナは、種々の通信装置に搭載ないし内蔵される。通信装置が例えば携帯電話無線機の場合、図６（ａ）〜（ｃ）に示す箇所に本発明のマルチバンドアンテナの搭載が考えられる。図６（ａ）は、携帯電話無線機の操作部の背面側に接地導体、操作部の端部にマルチバンドアンテナ１ａを取り付けた例である。また、図６（ｂ）は、携帯電話無線機の表示部の背面側に接地導体、表示部の先端部にマルチバンドアンテナ１ｂを取り付けた例である。図６（ｃ）は操作部の背面側に接地導体、背面端部にマルチバンドアンテナ１ｃを取り付けた例である。筐体内部に収容（内蔵）する構成であってもよい。通信装置には、使用周波数帯の切替を上述した制御信号ＣＯＮＴの信号レベルの切替によって行う制御装置を設ける。
なお、マルチバンドアンテナは、求められる性能に応じて、適宜、交換して使用することも可能である。この場合は、通信装置の上記の部位に、それぞれ、マルチバンドアンテナを離脱自在に装着するための機構を設け、マルチバンドアンテナでは、上記機構に適合する装着機構を形成するようにする。
＜応用例＞
上述した例では、スイッチ機構１４の一方端には第１サブエレメント１１および第２サブエレメント２（トラップ回路１３）、他方端には接地端子がそれぞれ接続されており、スイッチ機構１４を「開」動作させることでマルチバンドアンテナを第１状態にし、「閉」動作させることでマルチバンドアンテナを第２状態にする場合の例を示したが、本発明は、このような例に限定されず、様々なアンテナ状態を形成することができる。以下の説明では、スイッチ機構１４に接続する電子回路の応用例を示す。
図７は、第１応用例を示す。スイッチ機構１４としては、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｐｏｌｅ  Ｄｏｕｂｌｅ  Ｔｈｒｏｗ）スイッチ素子を用いる。そして、それぞれ接地導体に接続されるスイッチ機構１４の２つの被選択端子のうち、第１端子１４１にリアクタンス素子（誘導性素子又は容量性素子）１４２とトラップ回路１４３の直列回路を挿入接続し、第２端子１４４は、接地導体に直接接続して、これらの２つの経路を制御信号ＣＯＮＴにより選択できるようにする。
第１端子１４１からリアクタンス素子１４２、トラップ回路１４３を経て接地導体に至る経路を「Ａ経路」、第２端子１４４から直接接地導体に至る経路を「Ｂ経路」とする。トラップ回路１４３の電気定数は、メインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２又は第２サブエレメント１２の略第３共振周波数ｆ３に設定し、設定した各周波数帯において高インピーダンスとなるようにすることで、経路選択のときに、それぞれの周波数帯での影響を少なくすることができる。
制御信号ＣＯＮＴによりスイッチ機構１４がＢ経路を選択したときは、上記の第２状態と同様となる。すなわち、メインエレメント１０と第１サブエレメント１１とが容量結合し、第１サブエレメント１１によりメインエレメント１０にリアクタンス（容量結合値）が付加される。よってメインエレメント１０の第２共振周波数ｆ２は、第１共振周波数ｆ１に変化する。このとき、同時に、容量結合によりメインエレメント１０が結合点を介して電気的に短絡され、この短絡点を周囲長にする第４共振周波数ｆ４で共振する。
また、第２サブエレメント１２が無給電誘導素子として作用し、第２サブエレメント１２の第３共振周波数ｆ３がメインエレメント１０に励振される。図８のＶＳＷＲ−周波数特性図における実線は、この状態での共振周波数とＶＳＷＲとの関係を示している。
他方、制御信号ＣＯＮＴによりスイッチ機構１４がＡ経路を選択したときは、トラップ回路１４３により、メインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２で高インピーダンスとなり、各サブエレメント１１，１２は、第２共振周波数ｆ２で無給電反射素子となる。よって各サブエレメント１１，１２による第２共振周波数ｆ２への影響が小さくなり、メインエレメント１０は、第２共振周波数ｆ２で動作する。また、第２サブエレメント１２は無給電誘導素子として作用し、第２サブエレメント１２の第３共振周波数ｆ３が、メインエレメント１０に励振される。
図８のＶＳＷＲ−周波数特性図における破線は、この状態での共振周波数とＶＳＷＲとの関係を示している。このように、各共振周波数の選択設定を変えることができ、また、リアクタンス素子の挿入により各共振周波数を可変し、繊細な設定を行なうことができる。
＜他の応用例＞
図９は、第２応用例を示す。ここでは、第１応用例における第２端子１４４にも、上記の第１応用例におけるものと同様のリアクタンス素子（誘導性素子又は容量性素子）１４５およびトラップ回路１４６の直列回路を挿入接続している。
第１端子１４１からリアクタンス素子１４２、トラップ回路１４３を経て接地導体に至る経路を「Ｃ経路（Ａ経路と同じ）」、第２端子１４４からリアクタンス素子１４５、トラップ回路１４６を経て接地導体に至る経路を「Ｄ経路」とする。トラップ回路１４３の電気定数は、第２サブエレメント１２の略第３共振周波数ｆ３に設定する。また、トラップ回路１４６の電気定数は、メインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２に設定する。そして、設定した各周波数帯において高インピーダンスとなるようにすることで、経路選択のときに、それぞれの周波数帯での影響を少なくすることができる。
制御信号ＣＯＮＴによりスイッチ機構１４がＤ経路を選択したときは、メインエレメント１０と第１サブエレメント１１が容量結合され、第１サブエレメント１１によりメインエレメント１０にリアクタンスが付加される。よって、メインエレメント１０の第２共振周波数ｆ２が変化して第１共振周波数ｆ１となる。このとき、トラップ回路１４３により、略第３共振周波数ｆ３で高インピーダンスとなり、第３共振周波数ｆ３で各サブエレメント１１，１２が無給電反射素子となる。したがって第３共振周波数ｆ３はメインエレメント１０に励振されない。このとき、同時に、容量結合によりメインエレメント１０が結合点を介して電気的に短絡され、この短絡点を周囲長にする第４共振周波数ｆ４で共振する。図１０のＶＳＷＲ−周波数特性図における実線は、この状態での共振周波数とＶＳＷＲとの関係を示している。
他方、制御信号ＣＯＮＴによりスイッチ機構１４がＣ経路を選択したときは、トラップ回路１４６により、メインエレメント１０の略第２共振周波数ｆ２で高インピーダンスとなり、第２共振周波数ｆ２で各サブエレメント１１，１２が無給電反射素子となる。各サブエレメント１１，１２による第２共振周波数ｆ２への影響が小さくなり、メインエレメント１０は第２共振周波数ｆ２で動作する。また、第２サブエレメント１２は無給電誘導素子として作用し、第２サブエレメント１２の第３共振周波数ｆ３がメインエレメント１０に励振される。
図１０のＶＳＷＲ−周波数特性図における破線は、この状態での共振周波数とＶＳＷＲとの関係を示している。
このように、各共振周波数の選択設定を変えることができ、また、リアクタンス素子の挿入により各共振周波数を可変し、繊細な設定を行なうことができる。
【実施例１】  次に、本発明のマルチバンドアンテナの実施例を具体的に説明する。
ここでは、通信装置への内蔵に適するように小型化されたマルチバンドアンテナの例を示す。図１１は、マルチバンドアンテナを通信装置に取り付ける基体の外観斜視図（主要部）、図１２は、図１１において基体を矢印方向から見た側面図である。これらの図において、既述したものと同一ないし同一視される要素については、便宜上、同一符号を用いている。
この例によるマルチバンドアンテナは、スイッチ機構１４における接地端子が接続される接地導体５０の先端部分に設けられた誘電体基体、例えばエポキシガラス材（ＦＲ−４）から成る基体６０上に、例えば逆Ｆ状のメインアンテナ１０を載せ、その上に、所定厚みのエポキシガラス材（ＦＲ−４）から成るエレメント取付カバー７０を積層するとともに、このエレメント取付カバー７０上に、第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２とを載せ、第１サブエレメント１１については、その基端部を直接、第２サブエレメント１２については配線１２１を通じて、それぞれ、周辺回路２０に接続し、メインエレメント１０については、給電ライン１８１を経て給電端子１８に接続し、所定部位は、接地ライン１９１を経て接地端子１９に接続して構成される。なお、メインエレメント１０として矩形薄板を用いた場合は、接地は不要となる。
周辺回路２０は、上述したトラップ回路１３（１４３，１４６）およびスイッチ機構１４を混載した回路である。この周辺回路２０には、通信装置の制御回路から、上記の第１状態と第２状態、Ａ経路とＢ経路、Ｃ経路とＤ経路を、それぞれ選択的に切り替えるための制御信号ＣＯＮＴが入力される。この制御信号ＣＯＮＴは、スイッチ機構１４を構成するスイッチング素子がＰＩＮダイオードである場合、例えば、０〜３［Ｖ］の電圧であり、消費電流は３．０［ｍＡ］として、０［Ｖ］（オフ）、３［Ｖ］（オン）と電圧を変化させることで、上記の各状態ないし経路を切り替え、これによって、複数の周波数帯域（バンド）の切替を可能にしている。
次に、本発明のマルチバンドアンテナを実装するときの取付基体の寸法の一例を説明する。図１３は、取付基体の構造及びサイズを説明するための図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はその側面図である。図１４（ａ）は、エレメント取付カバー７０の正面図、（ｂ）はその側面図である。
図１３において、接地導体の幅ａ１は例えば４０ｍｍ、高さａ３は例えば１００ｍｍ、厚みａ４は例えば１．０［ｍｍ］である。この接地導体に載せられる取付基体の幅ａ２は例えば３８［ｍｍ］、高さａ６は例えば１８［ｍｍ］、厚みａ５は例えば７．０［ｍｍ］である。
図１４（ａ）において、エレメント取付カバーの幅Ａは上記のａ２、高さＥは上記のａ６である。図１４（ｂ）における厚みＨ、すなわち、上記の間隔ｄ１およびｄ２に相当する寸法は、例えば０．５［ｍｍ］である。なお、この厚みＨは、必ずしも一定でなくてもよく、各サブエレメント１１，１２の取付部位に応じて厚みに変化があってもよい。
エレメント取付カバー上の第１サブエレメント１１の長さＧは例えば３．０［ｍｍ］第２サブエレメント１２の長さＢは例えば３０．０［ｍｍ］、メインエレメント１０の端部から第２サブエレメント１２の一方の端部までの長さＣは例えば８．０［ｍｍ］、メインエレメント１０の端部から第２サブエレメント１２の他方の端部までの長さＤは例えば１２．０［ｍｍ］である。
この実施例において設定可能なバンドおよびそのときの設定周波数（共振周波数）は、図１５（ａ）に示すとおりである。
すなわち、ＡＭＰＳ（８２４ＭＨｚ〜８９４ＭＨｚ）帯では上述した第１共振周波数ｆ１、ＧＳＭ９００（８８０ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）帯では上述した第２共振周波数ｆ２、ＧＳＭ１８００（１７１０ＭＨｚ〜１８８０ＭＨｚ）帯では上述した第３共振周波数ｆ３、ＰＣＳ１９００（１８５０ＭＨｚ〜１９９０ＭＨｚ）帯では上述した第４共振周波数ｆ４である。
所望のバンドを選択するときの制御信号ＣＯＮＴの電圧値は、図１５（ｂ）のようになる。すなわち、例えば図９のような構成において、ＡＭＰＳ帯又はＰＣＳ１９００帯を使用する場合は、制御信号ＣＯＮＴを０［Ｖ］とし、図１０に示されるように、第１共振周波数ｆ１および第４共振周波数ｆ４の高周波信号をメインエレメント１０の放射面部から放射させる。他方、ＧＳＭ９００）帯又はＧＳＭ１８００帯を使用する場合は、制御信号ＣＯＮＴを３［Ｖ］とし、第２共振周波数ｆ２又は第３共振周波数ｆ３の高周波信号をメインエレメント１０の放射面部から放射させる。
図１６は、本発明のアンテナ実施例の構成図を示す。
この例におけるメインエレメント１０は、逆Ｆ状の銅製の薄板エレメントであり、給電端子１８と接地端子１９とに接続されている。メインエレメント１０に設定されている共振周波数（設定周波数）はｆ２であり、電気長は、設定周波数の波長をλｆ２とすると、略λｆ２／８である。第２サブエレメント１２に設定されている共振周波数（設定周波数）はｆ３であり、電気長は、設定周波数の波長をλｆ３とすると、略λｆ３／２である。第２サブエレメント１２とメインエレメント１０との容量結合により生じる結合容量値Ｃ０は３．５［ｐＦ］である。第２サブエレメント１２に接続されるトラップ回路は、誘導性素子Ｌ２と容量性素子Ｃ２との並列回路であり、誘導性素子Ｌ２のリアクタンスは１５［ｎＨ］、容量性素子Ｃ１のリアクタンスは２［ｐＦ］である。第１サブエレメント１１によりメインエレメント１０に付与される容量結合値Ｃ１は、２．５［ｐＦ］である。
スイッチ機構１４は、図７に示したものが採用されている。すなわち、スイッチ素子として、ＳＰＤＴ半導体ＩＣスイッチが使用されており、共振周波数調整用のリアクタンス素子として誘導性素子Ｌ１、トラップ回路として誘導性素子Ｌ３と容量性素子Ｃ３との並列回路が使用されている。誘導性素子Ｌ１のリアクタンスは１．５［ｎＨ］、誘導性素子Ｌ３のリアクタンスは１５［ｎＨ］、容量性素子Ｃ３のリアクタンスは２［ｐＦ」である。
このように構成されるマルチバンドアンテナにおいて、制御信号を０［Ｖ］と３［Ｖ］に切り替えた場合のＶＳＷＲ−周波数特性は、図１７（ａ），（ｂ）のようになる。図１７（ａ）はＡＭＰＳ帯、ＧＳＭ１９００帯におけるＶＳＷＲ−周波数特性、同（ｂ）はＧＳＭ９００帯，ＧＳＭ１８００帯におけるＶＳＷＲ−周波数特性である。また、制御信号を０［Ｖ］と３［Ｖ］に切り替えた場合の利得特性は、図１８のようになる。図１８（ａ）はＡＭＰＳ帯、ＧＳＭ１９００帯における利得特性、同（ｂ）はＧＳＭ９００帯、ＧＳＭ１８００帯における利得特性である。
このように、本発明の実施形態及びそれを具体化した実施例によれば、第１サブエレメント１１を、無給電反射素子、リアクタンス調整素子および電気的短絡素子として作用させ、また、第２サブエレメント１２を、メインエレメント１０と異なる周波数に共振可能な無給電誘導素子、無給電反射素子又は電気的短絡素子として作用させることができるので、エレメント数を増加させることなく、より多くの共振周波数を持つことができ、小型でありながら、広帯域に対応可能なマルチバンドアンテナを容易に実現することができる。
なお、上記の実施形態及び実施例に示した各エレメントの形状、サイズを表す数値、配置等は例示であって、本発明の範囲をこれらに限定する趣旨でないことは、勿論である。
【実施例２】  次に、本発明の他の実施例を説明する。上述した例は、マルチバンドアンテナを、主として、通信装置等に組み込むアンテナ部品として実施する場合の例であるが、アンテナ部品としてではなく、通信装置等を構成している回路基板上に直接形成される導電メッキおよび導電パターンとして実施することもできる。
すなわち、図１９（ａ）に示すように、回路基板８０のアンテナ領域の表面部を、例えば導電メッキにより表装し、この表装部分をメインエレメント１０とし、他方、図１９（ｂ）に示すように、回路基板８０のアンテナ領域の裏面部の端部付近に略矩形状の導電パターン、略中央部付近に長尺薄板状の導電パターンを、それぞれエッチング等により形成して、前者を第１サブエレメント１１、後者を第２サブエレメント１２として機能させる。
図１９（ｃ）は、この回路基板８０のアンテナ領域部分の表裏面部の関係を明らかにするための断面図である。「アンテナ領域」は、誘電体から成る回路基板８０のうち、表面部と裏面部との間に金属層が存在しない領域をいう。この実施例の場合、回路基板８０の厚みが、上述した間隔ｄ１，ｄ２となる。このように、回路基板８０上に形成された導電メッキおよび導電パターンであっても、図１の基本構成と同じ関係となり、上述した実施例と同様の効果を奏することができる。図１に示したトラップ回路１３およびスイッチ機構１４は、回路基板８０のアンテナ領域以外の部位に実装すればよい。
この実施例では、回路基板８０の厚みを、ほぼマルチバンドアンテナの高さにすることができる。そのため、取付基体６０、エレメント取付カバー７０を設ける場合に比べて、通信装置を薄くすることができる利点が生じる。
なお、多層基板で構成され、これらの層の一部が金属層になっていて、その表面部と裏面部との間がシールドされている回路基板の場合は、この金属層を切り欠いてアンテナ領域とするか、別途、アンテナ領域を付加するようにすればよい。金属層が存在するが、その金属層が部分的であって、例えば、メインエレメント１０を例えば逆Ｆ型、逆Ｌ型とすることにより、メインエレメント１０と第１サブエレメント１１および第２サブエレメント１２との結合関係に大きな影響を与えない多層基板の場合は、そのままアンテナ領域として使用してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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