【手続補正書】
【提出日】令和2年10月5日(2020.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変の深度パターンを加工する方法であって、前記方法は、
所定のパターンに従って、基板の表面上に、インプリント流体を分注することと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させることと、
前記インプリント流体をパターン化された層に凝固させ、それによって、前記パターン化された層内で、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの特徴に対応する構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記パターン化された層の第１の部分の第１のＲＬＴは、前記パターン化された層の第２の部分の第２のＲＬＴと異なる、残留層と
を形成することと
を含み、
前記所定のパターンは、均一なＲＬＴを有するインプリントリソグラフィ回折パターンから生成される、方法。
【請求項２】
前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内のＲＬＴは、徐々に、前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまで変動する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまでのＲＬＴの変化は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内の段階的変化である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリント流体を液滴のパターンで分注することを含み、前記基板の表面を横断して分注される液滴の体積は、前記所定のパターンに従って変動する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記液滴のパターンは、所定の領域内の固定された液滴密度に対応する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記液滴のパターンは、所定の領域内の種々の液滴密度に対応する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記インプリント流体を分注することは、ジェット分注システムを用いて前記インプリント流体を分注することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記パターン化された層および前記基板をエッチングすることをさらに含み、前記基板の中にエッチングされる特徴の深度は、前記ＲＬＴにおける変動に従って変動する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、均一な特徴深度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記インプリントリソグラフィテンプレートは、マスタテンプレートであり、エッチングの後、前記基板は、サブマスタリソグラフィテンプレートとなり、
前記方法は、
第２の基板の表面上に、第２のインプリント流体を分注することであって、前記第２のインプリント流体の体積は、前記基板の表面を横断して実質的に均一である、ことと、
前記インプリント流体が、前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記第２のインプリント流体を前記サブマスタテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記第２のインプリント流体内に、構造と、前記サブマスタテンプレートの中にエッチングされる特徴の寸法の変動に従って変動するＲＬＴを有する残留層とを形成することと
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、種々の特徴深度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記所定のパターンは、回折効率出力マップに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記構造は、ナノ構造である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記構造は、マイクロ構造である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のＲＬＴと前記第２のＲＬＴとの間の差異は、５ｎｍ〜５００ｎｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
インプリント流体をパターン化する方法であって、前記方法は、
基板の表面上に、インプリント流体を分注することであって、前記インプリント流体の体積は、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動し、前記所定のパターンは、均一なＲＬＴを有するインプリントリソグラフィ回折パターンから生成される、ことと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記インプリント流体内に、構造と、前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層とを形成することであって、前記ＲＬＴは、前記インプリント流体の単位面積あたりの体積に従って前記基板の表面を横断して変動する、ことと
を含む、方法。
【請求項１７】
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴を充填するために必要とされる体積に対応する所定のパターンで前記インプリント流体を分注することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
光学デバイスであって、
基板と、
前記基板の表面上のポリマーインプリントレジストであって、前記ポリマーインプリントレジストは、
回折パターンを形成する複数の構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記ＲＬＴは、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動し、前記所定のパターンは、均一なＲＬＴを有するインプリントリソグラフィ回折パターンから生成される、残留層と
を備える、ポリマーインプリントレジストと
を備える、デバイス。
【請求項１９】
前記ＲＬＴにおける変動は、均一なＲＬＴを有する異なる回折格子の回折効率マップに対応する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記ポリマーインプリントレジストは、紫外線光硬化ナノインプリントリソグラフィ（ＵＶ−ＮＩＬ）レジストである、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
可変の深度パターンを加工する方法であって、前記方法は、
所定のパターンに従って、基板の表面上に、インプリント流体を分注することと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させることと、
前記インプリント流体をパターン化された層に凝固させ、それによって、前記パターン化された層内で、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの特徴に対応する構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記パターン化された層の第１の部分の第１のＲＬＴは、前記パターン化された層の第２の部分の第２のＲＬＴと異なり、前記第１のＲＬＴと前記第２のＲＬＴとの間の差異は、均一なＲＬＴ回折パターンから生産される回折パターンにおける非効率性を補償する、残留層と
を形成することと
を含む、方法。
【請求項２２】
前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内のＲＬＴは、徐々に、前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまで変動する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまでのＲＬＴの変化は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内の段階的変化である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリント流体を液滴のパターンで分注することを含み、前記基板の表面を横断して分注される液滴の体積は、前記所定のパターンに従って変動する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記液滴のパターンは、所定の領域内の固定された液滴密度に対応する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記液滴のパターンは、所定の領域内の種々の液滴密度に対応する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
前記インプリント流体を分注することは、ジェット分注システムを用いて前記インプリント流体を分注することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記パターン化された層および前記基板をエッチングすることをさらに含み、前記基板の中にエッチングされる特徴の深度は、前記ＲＬＴにおける変動に従って変動する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、均一な特徴深度を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
前記インプリントリソグラフィテンプレートは、マスタテンプレートであり、エッチングの後、前記基板は、サブマスタリソグラフィテンプレートとなり、
前記方法は、
第２の基板の表面上に、第２のインプリント流体を分注することであって、前記第２のインプリント流体の体積は、前記基板の表面を横断して実質的に均一である、ことと、
前記インプリント流体が、前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記第２のインプリント流体を前記サブマスタテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記第２のインプリント流体内に、構造と、前記サブマスタテンプレートの中にエッチングされる特徴の寸法の変動に従って変動するＲＬＴを有する残留層とを形成することと
をさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、種々の特徴深度を有する、請求項２１に記載の方法。
【請求項３２】
前記所定のパターンは、均一なＲＬＴを有するインプリントリソグラフィ回折パターンから生成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項３３】
前記構造は、ナノ構造、マイクロ構造、またはこれらの組み合わせである、請求項２１に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１のＲＬＴと前記第２のＲＬＴとの間の差異は、５ｎｍ〜５００ｎｍである、請求項２１に記載の方法。
【請求項３５】
インプリント流体をパターン化する方法であって、前記方法は、
基板の表面上に、インプリント流体を分注することであって、前記インプリント流体の体積は、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動する、ことと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記インプリント流体内に、構造と、前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層とを形成することであって、前記ＲＬＴは、前記インプリント流体の単位面積あたりの体積に従って前記基板の表面を横断して変動し、ＲＬＴ変動は、均一なＲＬＴ回折パターンの色分布、輝度分布またはその両方における不均一性を補償する対応するインプリント流体分注パターンから生産される、ことと
を含む、方法。
【請求項３６】
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴を充填するために必要とされる体積に対応する所定のパターンで前記インプリント流体を分注することを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
光学デバイスであって、
基板と、
前記基板の表面上のポリマーインプリントレジストであって、前記ポリマーインプリントレジストは、
回折パターンを形成する複数の構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記ＲＬＴは、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動し、ＲＬＴ変動は、均一なＲＬＴ回折パターンの色分布、輝度分布またはその両方における不均一性を補償する対応するインプリント流体分注パターンから生産される、残留層と
を備える、ポリマーインプリントレジストと
を備える、デバイス。
【請求項３８】
前記ＲＬＴにおける変動は、均一なＲＬＴを有するインプリントリソグラフィ回折パターンから生成される、請求項３７に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記第１のＲＬＴと前記第２のＲＬＴとの間の差異は、均一なＲＬＴ回折パターンの色分布、輝度分布またはその両方における不均一性を補償する対応するインプリント流体分注パターンから生産される、請求項２１に記載の方法。
【請求項４０】
前記所定のパターンは、均一なＲＬＴを有するインプリントリソグラフィ回折パターンから生成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項４１】
可変の深度パターンを加工する方法であって、前記方法は、
所定のパターンに従って、基板の表面上に、インプリント流体を分注することであって、前記所定のパターンは、回折効率出力マップに対応する、ことと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させることと、
前記インプリント流体をパターン化された層に凝固させ、それによって、前記パターン化された層内で、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの特徴に対応する構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記パターン化された層の第１の部分の第１のＲＬＴは、前記パターン化された層の第２の部分の第２のＲＬＴと異なる、残留層と
を形成することと
を含む、方法。
【請求項４２】
前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内のＲＬＴは、徐々に、前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまで変動する、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまでのＲＬＴの変化は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内の段階的変化である、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリント流体を液滴のパターンで分注することを含み、前記基板の表面を横断して分注される液滴の体積は、前記所定のパターンに従って変動する、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
前記液滴のパターンは、所定の領域内の固定された液滴密度に対応する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
前記液滴のパターンは、所定の領域内の種々の液滴密度に対応する、請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
前記インプリント流体を分注することは、ジェット分注システムを用いて前記インプリント流体を分注することを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
前記パターン化された層および前記基板をエッチングすることをさらに含み、前記基板の中にエッチングされる特徴の深度は、前記ＲＬＴにおける変動に従って変動する、請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、均一な特徴深度を有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項５０】
前記インプリントリソグラフィテンプレートは、マスタテンプレートであり、前記基板は、第１の基板であり、前記インプリント流体は、第１のインプリント流体であり、前記残留層は、第１の残留層であり、
前記方法は、
前記第１の基板をエッチングし、サブマスタリソグラフィテンプレートを生じさせることと、
第２の基板の表面上に、第２のインプリント流体を分注することであって、前記第２のインプリント流体の体積は、前記第２の基板の表面を横断して実質的に均一である、ことと、
前記第２のインプリント流体が、前記サブマスタリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記第２のインプリント流体を前記サブマスタリソグラフィテンプレートの表面と接触させることと、
前記第２のインプリント流体を第２のパターン化された層に凝固させ、それによって、前記第２のインプリント流体内に、構造と、前記サブマスタリソグラフィテンプレートの中にエッチングされる特徴の寸法の変動に従って変動するＲＬＴを有する第２の残留層とを形成することと
をさらに含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、種々の特徴深度を有する、請求項４１に記載の方法。
【請求項５２】
前記構造は、ナノ構造である、請求項４１に記載の方法。
【請求項５３】
前記構造は、マイクロ構造である、請求項４１に記載の方法。
【請求項５４】
前記第１のＲＬＴと前記第２のＲＬＴとの間の差異は、５ｎｍ〜５００ｎｍである、請求項４１に記載の方法。
【請求項５５】
インプリント流体をパターン化する方法であって、前記方法は、
基板の表面上に、インプリント流体を分注することであって、前記インプリント流体の体積は、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動し、前記所定のパターンは、回折効率出力マップに対応する、ことと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記インプリント流体内に、構造と、前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層とを形成することであって、前記ＲＬＴは、前記インプリント流体の単位面積あたりの体積に従って前記基板の表面を横断して変動する、ことと
を含む、方法。
【請求項５６】
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴を充填するために必要とされる体積に対応する所定のパターンで前記インプリント流体を分注することを含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
光学デバイスであって、
基板と、
前記基板の表面上のポリマーインプリントレジストであって、前記ポリマーインプリントレジストは、
回折パターンを形成する複数の構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記ＲＬＴは、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動し、前記ＲＬＴにおける変動は、均一なＲＬＴを有する異なる回折格子の回折効率マップに対応する、残留層と
を備える、ポリマーインプリントレジストと
を備える、デバイス。
【請求項５８】
前記ポリマーインプリントレジストは、紫外線光硬化ナノインプリントリソグラフィ（ＵＶ−ＮＩＬ）レジストである、請求項５７に記載のデバイス。
【請求項５９】
可変の深度パターンを加工する方法であって、前記方法は、
所定のパターンに従って、第１の基板の表面上に、第１のインプリント流体を分注することと、
前記第１のインプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記第１のインプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させることであって、前記インプリントリソグラフィテンプレートは、マスタテンプレートであり、前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴は、均一な特徴深度を有する、ことと、
前記第１のインプリント流体を第１のパターン化された層に凝固させ、それによって、前記第１のパターン化された層内で、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの特徴に対応する構造と、
前記第１の基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する第１の残留層であって、前記第１のパターン化された層の第１の部分の第１のＲＬＴは、前記第１のパターン化された層の第２の部分の第２のＲＬＴと異なる、第１の残留層と
を形成することと、
前記第１の基板をエッチングし、サブマスタリソグラフィテンプレートを生じさせることと、
第２の基板の表面上に、第２のインプリント流体を分注することであって、前記第２のインプリント流体の体積は、前記第２の基板の表面を横断して実質的に均一である、ことと、
前記第２のインプリント流体が、前記サブマスタリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記第２のインプリント流体を前記サブマスタリソグラフィテンプレートの表面と接触させることと、
前記第２のインプリント流体を第２のパターン化された層に凝固させ、それによって、前記第２のインプリント流体内に、構造と、前記サブマスタリソグラフィテンプレートの中にエッチングされる特徴の寸法の変動に従って変動するＲＬＴを有する第２の残留層とを形成することと
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本明細書に説明される主題の１つ以上の実施形態の詳細が、付随する図面および下記の説明に記載される。本主題の他の潜在的な特徴、側面、および利点が、説明、図面、および請求項から明白となるであろう。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
可変の深度パターンを加工する方法であって、前記方法は、
所定のパターンに従って、基板の表面上に、インプリント流体を分注することと、
前記インプリント流体が、インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体をインプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させることと、
前記インプリント流体をパターン化された層に凝固させ、それによって、前記パターン化された層内で、
前記インプリントリソグラフィテンプレートの特徴に対応する構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記パターン化された層の第１の部分の第１のＲＬＴは、前記パターン化された層の第２の部分の第２のＲＬＴと異なる、残留層と
を形成することと
を含む、方法。
（項目２）
前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内のＲＬＴは、徐々に、前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまで変動する、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記第１のＲＬＴから前記第２のＲＬＴまでのＲＬＴの変化は、前記第１の部分と前記第２の部分との間の領域内の段階的変化である、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリント流体を液滴のパターンで分注することを含み、前記基板の表面を横断して分注される液滴の体積は、前記所定のパターンに従って変動する、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記液滴のパターンは、所定の領域内の固定された液滴密度に対応する、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記液滴のパターンは、所定の領域内の種々の液滴密度に対応する、項目４に記載の方法。
（項目７）
前記インプリント流体を分注することは、ジェット分注システムを用いて前記インプリント流体を分注することを含む、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記パターン化された層および前記基板をエッチングすることをさらに含み、前記基板の中にエッチングされる特徴の深度は、前記ＲＬＴにおける変動に従って変動する、項目１に記載の方法。
（項目９）
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、均一な特徴深度を有する、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記インプリントリソグラフィテンプレートは、マスタテンプレートであり、エッチングの後、前記基板は、サブマスタリソグラフィテンプレートとなり、
前記方法はさらに、
第２の基板の表面上に、第２のインプリント流体を分注することであって、前記第２のインプリント流体の体積は、前記基板の表面を横断して実質的に均一である、ことと、
前記インプリント流体が、前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記第２のインプリント流体を前記サブマスタテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記第２のインプリント流体内に、構造と、前記サブマスタテンプレートの中にエッチングされる特徴の寸法の変動に従って変動するＲＬＴを有する残留層とを形成することと
を含む、項目９に記載の方法。
（項目１１）
前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴は、種々の特徴深度を有する、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記所定のパターンは、回折効率出力マップに対応する、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記構造は、ナノ構造である、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記構造は、マイクロ構造である、項目１に記載の方法。
（項目１５）
前記第１のＲＬＴと前記第２のＲＬＴとの間の差異は、５ｎｍ〜５００ｎｍである、項目１に記載の方法。
（項目１６）
インプリント流体をパターン化する方法であって、前記方法は、
基板の表面上に、インプリント流体を分注することであって、前記インプリント流体の体積は、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動する、ことと、
前記インプリント流体が、前記インプリントリソグラフィテンプレートの表面内の特徴を充填するように、前記インプリント流体をインプリントリソグラフィテンプレートの表面と接触させ、それによって、前記インプリント流体内に、構造と、前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層とを形成することであって、前記ＲＬＴは、前記インプリント流体の単位面積あたりの体積に従って前記基板の表面を横断して変動する、ことと
を含む、方法。
（項目１７）
前記インプリント流体を分注することは、前記インプリント流体を前記インプリントリソグラフィテンプレート内の前記特徴を充填するために必要とされる体積に対応する所定のパターンで分注することを含む、項目１６に記載の方法。
（項目１８）
光学デバイスであって、
基板と、
前記基板の表面上のポリマーインプリントレジストであって、前記ポリマーインプリントレジストは、
回折パターンを形成する複数の構造と、
前記基板の表面から構造の基部まで延在する残留層厚（ＲＬＴ）を有する残留層であって、前記ＲＬＴは、所定のパターンに従って前記基板の表面を横断して変動する、残留層と
を備える、ポリマーインプリントレジストと
を備える、デバイス。
（項目１９）
前記ＲＬＴにおける変動は、均一なＲＬＴを有する異なる回折格子の回折効率マップに対応する、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
前記ポリマーインプリントレジストは、紫外線光硬化ナノインプリントリソグラフィ（ＵＶ−ＮＩＬ）レジストである、項目１８に記載のデバイス。