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【手続補正書】
【提出日】令和2年11月11日(2020.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主表面と、第２の主表面と、厚さとを有する液晶層を備える光学デバイスであって、前記第１の主表面および第２の主表面は、横方向を横断して延在し、前記厚さは、前記第１の主表面または前記第２の主表面の面法線と平行な方向に沿って延在し、前記液晶層は、前記液晶層の厚さを横断して分散される複数のサブ層を備え、前記複数のサブ層のそれぞれは、液晶分子の単一層を備え、前記液晶分子のそれぞれは、縦軸を有し、
各サブ層は、
複数の液晶分子の縦軸が第１のパターンを形成するように配列される第１のドメインと、
複数の液晶分子の縦軸が第２のパターンを形成するように配列される第２のドメインと
を備え、
前記第１のドメインは、約１０ｎｍ〜約５０ｎｍの距離Ｄを有するドメイン間隙によって、前記第２のドメインから前記横方向に沿って側方に離間され、前記ドメイン間隙内の前記液晶分子の縦軸は、前記第１のパターンから前記第２のパターンに徐々に遷移する、デバイス。
【請求項２】
前記複数のサブ層のうちのあるサブ層の前記第１のドメインの分子の縦軸は、前記サブ層に隣接するサブ層の前記第１のドメインの分子の縦軸に対して捻転される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
第２の液晶層をさらに備え、前記第２の液晶層の液晶分子は、それぞれ、第１のドメインおよび第２のドメイン内において前記第１の方向および前記第２の方向に自己整合するように構成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記液晶層または前記第２の液晶層は、重合化可能液晶材料を備える、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第２の液晶層にわたる第３の液晶層をさらに備え、前記第３の液晶の複数の液晶分子は、第３の方向に沿って配列される、請求項３に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第３の液晶層にわたる第４の液晶層をさらに備え、前記第４の液晶層の複数の液晶は、前記第３の方向に自己整合するように構成される、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記液晶層、前記第２の液晶層、または前記第４の液晶層のうちの少なくとも１つは、導波管にわたって配置される、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第２の液晶層および／または前記第４の液晶層は、前記光の入射ビームが全内部反射によって前記導波管を通して伝搬するように光の入射ビームを前記導波管の中に内部結合するように構成される内部結合光学要素を備える、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記内部結合光学要素を介して光を前記導波管の中に指向するように構成される光変調デバイスをさらに備える、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記液晶層、前記第２の液晶層、または前記第４の液晶層のうちの少なくとも１つは、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬する光の入射ビームを外部結合するように構成される外部結合光学要素を備える、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記液晶層、前記第２の液晶層、または前記第４の液晶層のうちの少なくとも１つは、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬する光を再指向するように構成される直交瞳エクスパンダを備え、前記再指向される光は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬し続ける、請求項７に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記液晶層は、光の入射ビームが全内部反射によって前記導波管を通して伝搬するように光の入射ビームを導波管の中に内部結合するように構成される内部結合光学要素を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記液晶層は、全内部反射によって導波管を通して伝搬する光のビームを外部結合するように構成される外部結合光学要素を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第１のドメイン内の前記複数の液晶分子の縦軸は、第１の方向に沿って整合され、前記第２のドメイン内の前記複数の液晶分子の縦軸は、第２の方向に沿って整合され、
前記ドメイン間隙内の前記液晶分子の縦軸は、前記第１の方向から前記第２の方向に徐々に遷移する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１５】
液晶デバイスであって、
基板と、
前記基板に隣接する第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する液晶材料の層と
を備え、
前記第２の表面上の前記液晶材料の層の第１の複数の分子は、第１のパターンを形成するように配列され、前記第２の表面上の前記液晶材料の層の第２の複数の分子は、第２のパターンを形成するように配列され、前記第１の複数の分子は、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの距離を有する間隙によって、前記第２の複数の分子から離間され、前記間隙内の前記液晶材料の層の分子は、前記第１のパターンから前記第２のパターンに徐々に遷移するように配列される、液晶デバイス。
【請求項１６】
ディスプレイシステムの導波管とともに含まれ、多重化された光流からの少なくとも１つの光流を前記導波管の中に選択的に内部結合し、前記多重化された光流からの１つ以上の他の光流を透過させるように構成される、請求項１５に記載の液晶デバイス。
【請求項１７】
液晶デバイスであって、
基板と、
前記基板に隣接する第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する材料であって、前記材料は、
前記第２の表面上の第１のパターンと、
前記第２の表面上の第２のパターンと
を備え、前記第１のパターンは、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの距離を有する間隙によって、前記第２のパターンから離間される、材料と、
前記材料の第２の表面上の液晶材料と
を備える、液晶デバイス。
【請求項１８】
頭部搭載型ディスプレイの接眼レンズとともに含まれ、多重化された光流からの少なくとも１つの光流を前記接眼レンズの導波管の中に選択的に内部結合し、前記多重化された光流からの１つ以上の他の光流を透過させるように構成される、請求項１７に記載の液晶デバイス。
【請求項１９】
液晶レンズであって、
第１の方向に沿って配向される第１の複数の特徴を備える第１のゾーンと、第２の方向に沿って配向される第２の複数の特徴を備える第２のゾーンとを少なくとも備えるパターン化された基板であって、前記第１の複数の特徴および前記第２の複数の特徴は、約１００ｎｍ以下の寸法を有する、パターン化された基板と、
前記パターン化された基板にわたる液晶層と
を備え、
前記液晶層の分子は、前記第１の複数の特徴および前記第２の複数の特徴に自己整合される、液晶レンズ。
【請求項２０】
前記パターン化された基板は、パターン化されたその上に配置される層を有する基板を備える、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【請求項２１】
前記少なくとも第１のゾーンおよび第２のゾーンは、同心リング形状のゾーンを備える、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【請求項２２】
前記ゾーンの幅は、前記パターン化された基板の中心からの距離に伴って徐々に減少する、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【請求項２３】
前記ゾーンは、その間に間隙を有していない、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【請求項２４】
前記ゾーン間の間隙は、５ｎｍ以下である、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【請求項２５】
前記レンズは、回折レンズを備える、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【請求項２６】
屈折力を提供するように構成される、請求項１９に記載の液晶レンズ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月19日(2019.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多相モータの駆動電流を感知するための回路であって、
前記多相モータの各フェーズ用の前記駆動電流を生成するように構成されているドライバで、すべての前記駆動電流の瞬間合計がゼロになるドライバと、
前記多相モータの各フェーズ用の電流センサであり、各々が各フェーズの前記駆動電流を測定するように構成されている電流センサで、各電流センサが２つの電流センサ素子を含み、各電流センサ素子が該フェーズの該駆動電流を測定して駆動電流読取値を生成するように構成されており、該フェーズの測定駆動電流が前記２つの電流センサ素子の前記駆動電流読取値の組み合わせであり、測定すべき該駆動電流の外部の磁界が原因である、各電子センサ素子の該駆動電流の系統的な誤差の大きさが同じになるように、各電流センサの該２つの電流センサ素子が相対配置されている電流センサと、
前記多相モータの各フェーズについて、該フェーズの前記測定駆動電流からすべての前記フェーズの測定駆動電流の合計の１／ｎを引いたものとなるように該フェーズの該駆動電流の推定値を生成するように構成されたコントローラで、ｎが該多相モータのフェーズ数であるコントローラと、
を含んで構成されており、
各電流センサの前記２つの電流センサ素子が反対向きに配置されており、かつ、（ｉ）回路基板上で背中合わせに配置されているか、または（ｉｉ）回路基板上で並んで配置されて並列に配線されているか、のいずれかである回路。
【請求項２】
前記ドライバが、制御入力に応答して前記多相モータの各フェーズの後続の駆動電流を生成するように構成されており、前記制御入力が各フェーズの前記駆動電流の推定値を含む、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記コントローラが、すべての前記フェーズの前記測定駆動電流の合計の１／ｎに等しくなるように各測定駆動電流の誤差の推定値を生成するように構成される、請求項１または２に記載の回路。
【請求項４】
各電流センサの前記２つの電流センサ素子が前記回路基板上で背中合わせに配置されており、前記コントローラが、前記２つの電流センサ素子の前記駆動電流読取値の合計の半分になるように前記フェーズの前記測定駆動電流を計算するように構成されている、請求項１〜３の何れか１項に記載の回路。
【請求項５】
各電流センサの前記２つの電流センサ素子が前記回路基板上で並んで配置されて並列に配線されており、前記コントローラが、前記２つの電流センサ素子の前記駆動電流読取値の合計となるように、前記フェーズの前記測定駆動電流を計算するように構成されている、請求項１〜３の何れか１項に記載の回路。
【請求項６】
各電流センサ素子が、ホール電圧を出力するように構成されたホールセンサであり、前記駆動電流読取値が前記ホール電圧の関数である、請求項１〜５の何れか１項に記載の回路。
【請求項７】
回路温度を測定し、測定した回路温度を前記コントローラに出力するように構成された温度センサをさらに備える、請求項６に記載の回路。
【請求項８】
前記コントローラが、
回路切断時に同時に測定された、前記温度センサからの第１の較正温度測定値および前記多相モータの前記フェーズの前記電流センサ素子からの第１の較正ホール電圧を受信し、
回線接続時に同時に測定された、前記温度センサからの第２の較正温度測定値および前記電流センサ素子からの第２の較正ホール電圧を受信し、
受信した前記第１および第２の較正温度測定値から前記電流センサ素子の前記ホール電圧の熱較正プロファイルを導出する
ように構成されている、請求項７に記載の回路。
【請求項９】
前記コントローラが、前記フェーズの前記駆動電流の前記推定値を生成する前に、該フェーズの前記測定駆動電流を較正するように構成されている、請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
前記熱較正プロファイルが線形であり、前記電流センサ素子の該熱較正プロファイルに従って、前記フェーズの前記電流センサ素子の各駆動電流読取値から線形オフセットを差し引くことによって該フェーズの前記測定駆動電流を較正するように前記コントローラが構成される、請求項９に記載の回路。
【請求項１１】
前記コントローラが、起動時の回路切断中に測定された前記第１の較正温度測定値および前記第１の較正ホール電圧を受信するように構成されている、請求項８〜１０の何れか１項に記載の回路。
【請求項１２】
前記コントローラが、使用中のモータ切断期間中に測定された前記第１の較正温度測定値および前記第１の較正ホール電圧を受信するように構成されている、請求項８〜１０の何れか１項に記載の回路。
【請求項１３】
前記コントローラが、前記フェーズの前記駆動電流がゼロより高かった期間の後に、前記フェーズの該駆動電流が前記ドライバによって瞬間的にゼロにされた回路接続中に測定された前記第２の較正温度測定値および前記第２の較正ホール電圧を受信するように構成される、請求項８〜１０の何れか１項に記載の回路。
【請求項１４】
すべての前記電流センサを包囲する磁気シールドをさらに備える、請求項１〜１３の何れか１項に記載の回路。
【請求項１５】
前記磁気シールドが、前記電流センサの両側に配置された２つのシールド層と、前記モータと前記電流センサとの間に配置されたシールド要素を備える、請求項１４に記載の回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多相モータ駆動電流感知回路
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月25日(2019.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出と測距（ＬＩＤＡＲ）システムであって、前記システムは：
センサであって、
レーザ源を使用して送信信号を生成し、
前記送信信号を出力し、
前記送信信号に応答する戻り信号を受信し、および、
前記戻り信号に対応する物体を表す少なくとも１つの点群データ点を表すデータ信号を出力する、
ように構成されたセンサと；
処理回路であって、
前記少なくとも１つの点群データ点に基づいて少なくとも１つの特徴変数を特定し、
前記少なくとも１つの特徴変数に基づいて第１の分類統計を特定し、
前記少なくとも１つの特徴変数に基づいて第２の分類統計を特定し、
前記第１の分類統計と前記第２の分類統計を用いて、前記物体と複数の物体からの選択された物体クラスとの間の最も近い一致を特定することによって、複数の物体からの選択された物体クラスを前記物体に指定し、および、
前記選択された物体クラスに基づいて自律走行車の操作を制御するために制御信号を生成する、
ように構成された処理回路を含む、
光検出と測距（ＬＩＤＡＲ）システム。
【請求項２】
前記センサは光周波数帯域に光パルスを含む光信号として送信信号を提供するように構成される、請求項１に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項３】
前記処理回路は、
前記第１の分類統計を用いて、前記複数の物体クラスの第１の物体クラスと前記物体との間の第１の最も近い一致候補を特定し、
前記第２の分類統計を用いて、前記複数の物体クラスの第２の物体クラスと前記物体との間の第２の最も近い一致候補を特定し、および、
前記第２の物体クラスと同じ前記第１の物体クラスに応答して、前記物体に、前記選択された物体クラスとして前記第１の物体クラスを指定する、
ことによって前記選択された物体クラスとして、前記第１の物体クラスを指定するように構成される、請求項２に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項４】
前記処理回路は、
前記第２の物体クラスと同じではない前記第１の物体クラスに応答して、３Ｄ点群と、前記第１の物体クラスの第１のモデル点群または前記第２の物体クラスの第２のモデル点群の１つとの間の最も近いフィットを特定し、および、
前記最も近いフィットに対応する前記第１の物体クラスまたは前記第２の物体クラスの１つに基づいて、前記選択された物体クラスとして前記第１の物体クラスまたは前記第２の物体クラスの１つを、前記物体に指定する、
ことによって前記選択された物体クラスとして、前記第１の物体クラスを指定するように構成される、請求項３に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項５】
前記処理回路は、
前記少なくとも１つの特徴変数の範囲に対応する複数のビンの各々における前記少なくとも１つの点群データ点の少なくともサブセットのヒストグラムに基づいて、前記第１の分類統計を特定し、および、
前記少なくとも１つの特徴変数に基づく共分散行列に基づいて前記第２の分類統計を特定する、
ように構成される、請求項１に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項６】
前記複数の物体クラスの数Ｎは１００未満である、請求項１に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項７】
前記選択された物体クラスに基づいて情報を表示するように構成されたディスプレイ装置をさらに含む、請求項１に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項８】
前記センサは前記送信信号を生成するために、周波数変調または位相変調の少なくとも１つを実行するように構成される、請求項１に記載のＬＩＤＡＲシステム。
【請求項９】
請求項１−８のいずれか１つに記載のＬＩＤＡＲシステムを操作する方法であって、前記方法は、
複数の点群データ点を含む、物体を表す３次元（３Ｄ）点群を読み出すステップと、
３Ｄ点群の少なくとも１つの点群データ点に基づいて、少なくとも１つの特徴変数を特定するステップと、
前記少なくとも１つの特徴変数に基づいて、第１の分類統計を特定するステップと、
前記少なくとも１つの特徴変数に基づいて、第２の分類統計を特定するステップと、
前記第１の分類統計と前記第２の分類統計を用いて、前記物体と複数の物体からの選択された物体クラスとの間の最も近い一致を特定することによって、複数の物体からの選択された物体クラスを前記物体に指定するステップと、および、
前記選択された物体クラスに基づいて自律走行車の操作を制御するために制御信号を生成するステップ、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記選択された物体クラスを指定するステップは、
前記第１の分類統計を用いて、前記複数の物体クラスの第１の物体クラスと前記物体との間の第１の最も近い一致候補を特定するステップと、
前記第２の分類統計を用いて、前記複数の物体クラスの第２の物体クラスと前記物体との間の第２の最も近い一致候補を特定するステップと、
前記第２の物体クラスと同じ前記第１の物体クラスにして、前記物体に、前記選択された物体クラスとして前記第１の物体クラスを指定するステップと、
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記選択された物体クラスを前記物体に指定するステップは、
前記第２の物体クラスと同じではない前記第１の物体クラスに応答して、３Ｄ点群と、前記第１の物体クラスの第１のモデル点群または前記第２の物体クラスの第２のモデル点群の１つとの間の最も近いフィットを特定するステップと、
前記最も近いフィットに対応する前記第１の物体クラスまたは前記第２の物体クラスの１つに基づいて、前記選択された物体クラスとして前記第１の物体クラスまたは前記第２の物体クラスの１つを、前記物体に指定するステップと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のモデル点群または前記第２のモデル点群の少なくとも１つが、前記第１のモデル点群または前記第２のモデル点群に対応するモデル物体の第１の部分を表し、かつ、前記第１の部分とは異なる前記モデル物体の第２の部分を表さないように、前記第１のモデル点群または前記第２のモデル点群の少なくとも１つは閉塞される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の分類統計を特定するステップは、前記少なくとも１つの特徴変数の値の範囲に対応する複数のビンの各々における前記少なくとも１つの点群データ点の少なくともサブセットのヒストグラムに基づいて、前記第１の分類統計を特定するステップを含み、および、前記第２の分類統計を特定するステップは、前記少なくとも１つの特徴変数に基づく共分散行列に基づいて前記第２の分類統計を特定するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の物体クラスのいずれにも一致しない前記３Ｄ点群に応答して、対応する前記３Ｄ点群を用いて前記複数の物体クラスに対応するトレーニングデータベースを更新するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記選択された物体クラスに基づいて情報を、ディスプレイ装置によって表示するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月8日(2020.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図７を参照すると、一実施形態において、第１フォトレジスト層２０のベース基板から遠い側に絶縁材料層１０２を形成する工程と、絶縁材料層１０２の第１フォトレジスト層２０から遠い側に第１導電性金属材料層２０２を形成する工程と、を含む。次に、リフトオフ法により、チャネル領域Ｒ３に対応する領域以外の第１フォトレジスト層２０、絶縁材料層１０２、第１導電性金属材料層２０２を除去する。図２に示すように、リフトオフ後、チャネル領域Ｒ３に対応する領域の絶縁材料層１０２’の部分が残存して第１ゲート絶縁層１０２’が形成され、チャネルに対応する領域の第１導電性金属材料層２０２の部分が残存してゲート電極４が形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
別の態様では、本開示は、薄膜トランジスタを提供する。図２を参照すると、薄膜トランジスタは、ベース基板１０と、ベース基板１０にチャネル領域Ｒ３、ソース電極コンタクト領域Ｒ１、及びドレイン電極コンタクト領域Ｒ２を有する能動層１と、能動層１のベース基板１０から遠い側に位置する第１ゲート絶縁層１０２’と、第１ゲート絶縁層１０２’の能動層１から遠い側に位置するゲート電極４とを有する。ソース電極コンタクト領域Ｒ１とチャネル領域Ｒ３との境界Ｂ１およびドレイン電極コンタクト領域Ｒ２とチャネル領域Ｒ３との境界Ｂ２は、第１ゲート絶縁層１０２’およびゲート電極４の端部と大体に一致していることが好ましい。図２に示すように、第１ゲート絶縁層１０２’は、第１エッジｅ３及び第２エッジｅ４を有し、ゲート電極４は、第１エッジｅ１及び第２エッジｅ２を有する。図２に示すように、ゲート電極４の第１エッジｅ１と第１ゲート絶縁層１０２’の第１エッジｅ３は、ソース電極コンタクト領域Ｒ１及びチャネル領域Ｒ３の境界Ｂ１と一致し、ゲート電極４の第２エッジｅ２第１ゲート絶縁層１０２’の第２エッジｅ４は、ドレイン電極コンタクト領域Ｒ２及びチャネル領域Ｒ３の境界Ｂ２と一致している。リフトオフ法を用いることにより、ゲート電極４及び第１ゲート絶縁層１０２’は、同じパターン、例えば、能動層１のチャネル領域Ｒ３と同じパターンを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図２に示すように、ベース基板１０上のゲート電極４の投影とチャネル領域Ｒ３の投影とが大体に重なり合い、ベース基板１０上のゲート電極４の投影とチャネル領域Ｒ３の投影とがお互いに大体に同じ広がりを有する。同様に、ベース基板１０上の第１ゲート絶縁層１０２’の投影とチャネル領域Ｒ３の投影とが大体に重なり合い、ベース基板１０上の第１ゲート絶縁層１０２’の投影とチャネル領域Ｒ３の投影とがお互いに大体に同じ広がりを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
一実施形態において、前記薄膜トランジスタは、前記能動層１のチャネル領域Ｒ３と前記第１ゲート絶縁層１０２’との間に位置し、且つ前記チャネル領域Ｒ３に接触する第２ゲート絶縁層１０１をさらに含む。第２ゲート絶縁層１０１の抵抗率は、第１ゲート絶縁層１０２’よりも高い。図２に示すように、ソース電極コンタクト領域Ｒ１とチャネル領域Ｒ３との境界、及びドレイン電極コンタクト領域Ｒ２とチャネル領域Ｒ３との境界は、第２ゲート絶縁層１０１のエッジと大体に一致している。ベース基板１０上の第２ゲート絶縁層１０１の投影とチャネル領域Ｒ３の投影とが大体に重なり合い、ベース基板１０上の第２ゲート絶縁層１０１の投影とチャネル領域Ｒ３の投影とがお互いに大体に同じ広がりを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
第１ゲート絶縁層１０２’は、能動層１に直接接触していない。このように、第１ゲート絶縁層１０２’の絶縁材料に水素を導入するか否かはあまり問題にならない。これは、第２ゲート絶縁層１０１によって第１ゲート絶縁層１０２’が能動層１から分離されるためである。第１ゲート絶縁層１０２’は、耐酸化性および耐湿性が高い絶縁材料を含むことが好ましい。第１ゲート絶縁層は、ＳｉｘＯｙ、ＳｉｘＮｙ、またはＳｉｘＯｙＮｚ、またはそれらの組み合わせを含み、ただし、ｘ＞０、ｙ＞０であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
ベース基板１０上のゲート電極４の投影とチャネル領域Ｒ３、第１ゲート絶縁層１０２’及び第２ゲート絶縁層１０１の投影と大体に重なり合うことが好ましい。ベース基板１０上のゲート電極４の投影とチャネル領域Ｒ３、第１ゲート絶縁層１０２’及び第２ゲート絶縁層１０１の投影とがお互いに大体に同じ広がりを有することが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2019536255.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月27日(2019.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの発光部が、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、および前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層間に配置される活性層を含む複数個の発光部；
前記複数個の発光部上にそれぞれ配置される複数個の波長変換層；
前記複数個の発光部の間、および前記複数個の波長変換層の間に配置される隔壁；
前記複数個の波長変換層上にそれぞれ配置される複数個のカラーフィルタ；
前記複数個のカラーフィルタの間に配置されるブラックマトリックス；
前記複数個の発光部に共通して連結される第１バンプ電極；
前記複数個の発光部にそれぞれ電気的に連結される複数個の第２バンプ電極；
前記複数個の発光部の前記第１導電型半導体層を互いに電気的に連結する第１電極；および
前記複数個の発光部の下部を覆う第１絶縁層を含む、半導体素子。
【請求項２】
前記複数個の波長変換層の間の幅は前記複数個の発光部の間の最大幅より大きい、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記複数個の発光部の前記第２導電型半導体層の幅は前記波長変換層に近づくほど大きくなる、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１電極は前記第１絶縁層を貫通して前記第１導電型半導体層と電気的に連結され、
前記第１電極は前記第１バンプ電極と電気的に連結される、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記複数個の発光部にそれぞれ電気的に連結される複数個の第１バンプ電極；
前記複数個の発光部に共通して連結される第２バンプ電極；および
前記複数個の発光部の前記第２導電型半導体層を互いに電気的に連結する第２電極をさらに含み、
前記第２電極は前記第２バンプ電極と電気的に連結される、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記複数個の発光部の下部を覆う第１絶縁層、および
前記第１絶縁層を貫通し、前記複数個の発光部の前記第２導電型半導体層の下部にそれぞれ配置される複数個の反射電極をさらに含み、
前記第２電極は前記複数個の反射電極を互いに電気的に連結する、請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
隣り合う前記波長変換層の間の幅は３０μｍ〜５０μｍである、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記隔壁は反射粒子を含む、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記波長変換層と前記カラーフィルタの間に配置される第１中間層をさらに含む、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記波長変換層はシリコーン樹脂を含み、前記カラーフィルタはアクリル樹脂を含む、請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記第１中間層は酸化物または窒化物を含む、請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記複数個の発光部の前記第１導電型半導体層の幅は前記波長変換層に近づくほど狭くなる、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記複数個の発光部の前記活性層の幅は前記波長変換層に近づくほど大きくなる、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記ブラックマトリックスの厚さは５μｍ〜５５μｍである、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１５】
半導体素子を含み、
前記半導体素子は、
それぞれの発光部が、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、および前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層間に配置される活性層を含む複数個の発光部；
前記複数個の発光部上にそれぞれ配置される複数個の波長変換層；
前記複数個の発光部の間、および前記複数個の波長変換層の間に配置される隔壁；
前記複数個の波長変換層上にそれぞれ配置される複数個のカラーフィルタ；
前記複数個のカラーフィルタの間に配置されるブラックマトリックス；
前記複数個の発光部に共通して連結される第１バンプ電極；
前記複数個の発光部にそれぞれ電気的に連結される複数個の第２バンプ電極；
前記複数個の発光部の前記第１導電型半導体層を互いに電気的に連結する第１電極；および
前記複数個の発光部の下部を覆う第１絶縁層を含む、表示装置。
【請求項１６】
前記複数個の波長変換層の間の幅は前記複数個の発光部の間の最大幅より大きい、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記複数個の発光部の前記第２導電型半導体層の幅は前記波長変換層に近づくほど大きくなる、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１電極は前記第１絶縁層を貫通して前記第１導電型半導体層と電気的に連結され、
前記第１電極は前記第１バンプ電極と電気的に連結される、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記複数個の発光部にそれぞれ電気的に連結される複数個の第１バンプ電極；
前記複数個の発光部に共通して連結される第２バンプ電極；および
前記複数個の発光部の前記第２導電型半導体層を互いに電気的に連結する第２電極をさらに含み、
前記第２電極は前記第２バンプ電極と電気的に連結される、請求項１５に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記複数個の発光部の前記第１導電型半導体層の幅は前記波長変換層に近づくほど狭くなる、請求項１５に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月6日(2019.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非導電性遮水層の下に適用するための導電性材料（１）において、不織ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）またはＰＰ（ポリプロピレン）ポリマ層（２）と、０．１〜２０マイクロメートル、好ましくは０．２〜５マイクロメートルの範囲内の導電性カーボンおよび／または金属粒子（４）ならびにアクリル系バインダ（５）で構成された導電性粒子コーティング（３）と、を含み、
不織ＰＥＴまたはＰＰポリマ層の繊維が、０．９ｄｔｅｘ〜１６．０ｄｔｅｘ、好ましくは１．７ｄｔｅｘ〜６．０ｄｔｅｘの範囲内にあり、
アクリル系バインダ（５）の内部の導電性カーボンおよび／または金属粒子（４）が、導電性粒子コーティング（３）の抵抗が１０００Ω／ｓｑ以下となるような量でポリマ層（２）の表面全体を覆っている、
導電性材料（１）。
【請求項２】
アクリル系バインダ（５）が導電性カーボンおよび／または金属粒子（４）を包含し、導電性カーボンおよび／または金属粒子（４）がポリマ層（２）の全表面を均一に覆っている、請求項１に記載の導電性材料（１）。
【請求項３】
金属粒子（４）は、アルミニウム、銅、アルミニウム−銅合金、銀、金、錫、クロム、鉄、モリブデン、ニオブ、ニッケル、ニッケル−クロム合金、パラジウム、白金、ケイ素、タンタル、チタンおよびステンレス鋼を含む金属群から選択された金属粒子である、請求項１または２に記載の導電性材料（１）。
【請求項４】
導電性カーボン粒子（４）が、カーボンブラック、グラファイトおよびカーボンナノチューブを含む導電性カーボンの群から選択される、請求項１または２に記載の導電性材料（１）。
【請求項５】
不織ＰＥＴまたはＰＰポリマ層（２）は、導電性粒子コーティング（３）がポリマ層（２）の一方の側または両側にあり得るかまたはポリマ層（２）の内部に浸透させられ得るような形で、前記コーティング（３）により被覆されている、請求項１〜４のいずれか１つに記載の導電性材料（１）。
【請求項６】
前記材料（１）が、防水ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）材料シート（１０）に取付けられる、請求項１〜５のいずれか１つに記載の導電性材料（１）。
【請求項７】
ポリマ不織層上の導電性粒子コーティング（３）の重量％で表わした量が、１％〜５０％、好ましくは１０％〜４０％、より好ましくは１５％〜３０％の範囲内にある、請求項１〜６のいずれか１つに記載の導電性材料（１）。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の導電性材料（１）の製造方法において、
ａ）  不織ＰＥＴまたはＰＰポリマ層（２）を提供するステップと；
ｂ）  ０．２〜２０マイクロメートル、好ましくは０．２〜５マイクロメートルの範囲内の導電性カーボンまたは金属粒子（４）およびアクリル系バインダ（５）で構成された導電性粒子コーティング（３）を提供するステップと；
ｃ）  不織ＰＥＴまたはＰＰポリマ層（２）を導電性粒子コーティング（３）で被覆するステップと；
を含む方法。
【請求項９】
不織ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）またはＰＰ（ポリプロピレン）ポリマ層（２）の被覆ステップが、直接コーティング；発泡コーティング；圧延；転写；噴霧；回転スクリーニング；カーテンまたはスロットダイコーティングまたは浸漬、という技術的プロセス群から選択される技術的プロセスによって、好ましくは直接コーティングまたは発泡コーティングを使用することによって実施される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年5月21日(2019.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ（１）であって、
−  レーザ放射（Ｌ）を生成するための少なくとも１つの活性ゾーンを有する半導体積層体（４０）を備えており、かつ、前記半導体積層体（４０）の成長方向（Ｇ）に垂直な向きにある光出口面（４４）を備えている、少なくとも１個の面発光型半導体レーザチップ（４）と、
−  前記レーザ放射（Ｌ）を広げて分散させるように構成されている回折光学素子（３）と、
を備えており、
−  前記回折光学素子（３）の光学的に有効な構造（３３）が、前記レーザ放射（Ｌ）の最大強度の波長に対して少なくとも１．６５の屈折率を有する材料からなり、
−  前記回折光学素子（３）の光学的に有効な構造（３３）が、前記半導体レーザ（１）の側の回折光学素子の面に位置しており、
−  結合手段（５）が、前記光学的に有効な構造（３３）に少なくとも部分的に係合しており、かつ前記光学的に有効な構造（３３）を少なくとも部分的に完全に満たしている、
半導体レーザ（１）。
【請求項２】
前記回折光学素子（３）と前記半導体レーザチップ（４）との間に、少なくとも部分的に、前記回折光学素子（３）のための前記結合手段（５）のみが位置しているように、前記回折光学素子（３）が前記光出口面（４４）の上に位置している、
請求項１に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項３】
前記結合手段が前記光出口面（４４）を完全に覆っているように、前記結合手段（５）が、前記光出口面（４４）と前記回折光学素子（３）との間の領域全体にわたり延在している、
請求項２に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項４】
前記光出口面（４４）に前記結合手段（５）が存在しないように、かつ、前記回折光学素子（３）と前記光出口面（４４）との間に少なくとも部分的に隙間（６）が形成されるように、前記結合手段（５）が前記回折光学素子（３）の縁部に配置されている、
請求項２に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項５】
前記回折光学素子（３）がキャリア基板（３２）を備えており、
前記光学的に有効な構造（３３）が、前記光出口面（４４）の側の前記キャリア基板（３２）の面に位置している、
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項６】
前記光学的に有効な構造（３３）が半導体材料からなり、
前記キャリア基板（３２）が、前記光学的に有効な構造（３３）の前記半導体材料のための成長基板である、
請求項５に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項７】
前記半導体レーザチップ（４）が、前記半導体積層体（４０）の成長基板（２）を備えている、
請求項１に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項８】
前記結合手段（５）が、平面視において見たとき、前記半導体レーザチップ（４）の横のみに延在しておりかつ前記半導体レーザチップ（４）に接触していないように、前記半導体レーザチップ（４）と、前記回折光学素子（３）のための前記結合手段（５）とが、共通の実装支持体（８）の上に配置されており、
前記結合手段（５）が、前記実装支持体（８）および前記回折光学素子（３）に直接接触しており、前記回折光学素子（３）が前記半導体レーザチップ（４）を完全に覆っている、
請求項１に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項９】
複数の前記半導体レーザチップ（４）を備えており、
前記半導体レーザチップ（４）が、連続的かつ一体に形成されている前記回折光学素子（３）によって一緒にかつ完全に覆われている、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１０】
前記回折光学素子（３）と前記半導体レーザチップ（４）との間の距離が、前記レーザ放射（Ｌ）の最大強度の波長の最大で１０倍である、
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１１】
前記回折光学素子（３）が少なくとも部分的に注型材（７）によって直接囲まれており、
前記注型材（７）が前記光学的に有効な構造（３３）に接触している、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１２】
前記回折光学素子（３）の前記光学的に有効な構造（３３）が、少なくとも２．０の屈折率を有する材料からなる、
請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１３】
前記半導体積層体（４０）が少なくとも１つのブラッグミラー（４６ａ，４６ｂ）を備えており、
前記ブラッグミラー（４６ａ，４６ｂ）が電気的貫通接続部（９５）によって貫かれており、前記半導体レーザ（１）を表面実装することができるように前記活性ゾーン（４１）の共通の側に電気的接続面が形成されており、
動作時に電流狭窄部（４８）の少なくとも１つの電流伝達領域においてのみ前記活性ゾーン（４１）に電流が供給されるように、前記ブラッグミラー（４６ａ，４６ｂ）に前記電流狭窄部（４８）が作製されている、
請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１４】
前記活性ゾーン（４１）の相異なる側に位置する２つの前記ブラッグミラー（４６ａ，４６ｂ）を備えており、
前記ブラッグミラー（４６ａ，４６ｂ）それぞれが、前記貫通接続部（９５）によって貫かれている、
請求項１３に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１５】
前記光出口面（４４）が、前記回折光学素子（３）に面する側において、平面視において見たとき、前記アノードコンタクト（９１）の材料または前記カソードコンタクト（９２）の材料によって完全に囲まれているように、前記半導体積層体（４０）と前記回折光学素子（３）との間にアノードコンタクト（９１）またはカソードコンタクト（９２）が延在しており、
前記アノードコンタクト（９１）または前記カソードコンタクト（９２）が、前記生成されるレーザ放射（Ｌ）に対して不透過性であり、かつ金属性である、
請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の半導体レーザ（１）を製造する方法であって、以下のステップ、すなわち、
−  前記半導体レーザチップ（４）を設けるステップと、
−  前記半導体レーザチップ（４）に前記回折光学素子（３）を結合する、または、前記半導体レーザチップ（４）に前記回折光学素子（３）を形成する、ステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月13日(2020.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、および前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層間に配置される活性層、を含む複数個の半導体構造物；
前記複数個の半導体構造物の下部に沿って配置されて前記複数個の半導体構造物の間に配置される絶縁層；
前記第１導電型半導体層と電気的に連結される第１電極；および
前記第２導電型半導体層の下部に配置される反射層；を含み、
前記絶縁層は、前記半導体構造物の上部に配置される突出部；を含み、
前記複数個の半導体構造物の上面は、互いに離間配置され、
前記反射層の上面は、前記半導体構造物の上面の上に配置されている半導体素子。
【請求項２】
前記複数個の半導体構造物は、前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域まで配置される第１リセス；を含み、
前記複数個の半導体構造物の間に配置される第２リセスをさらに含む、
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
隣接した前記第２導電型半導体層の間の最短距離は９μｍ以上７４μｍ以下であり、
前記反射層の厚さは０．５μｍ〜１μｍである、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第２導電型半導体層と前記反射層の間に配置される第２電極をさらに含み、
前記第２リセスは段差部を含み、
前記第２電極の上面と前記段差部の間の距離は、前記第２電極の上面と前記第１電極が前記第１導電型半導体層と接する面の間の距離と同じである、請求項２に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第２導電型半導体層と前記反射層の間に配置される第２電極をさらに含み、
前記反射層は前記第２電極と電気的に連結される、請求項１に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月28日(2020.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）と、少なくとも１つの接続トラック（２２１）を備える電子回路（２２０）と、少なくとも１つの第１位置決め手段（２２３）とを備える電子デバイス（２００）と協働するよう構成されるテキスタイルデバイス（１００）であって、
少なくとも１つの導電域（１１０）を備えるテキスタイルと、
前記テキスタイルの第１側面に接続され、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）と共に吸引力を作り出すように、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）と協働するよう構成される少なくとも１つの第２磁気接続手段（１３０）と、
前記電子デバイス（２００）に対して前記テキスタイルデバイス（１００）を位置決めするために、前記電子デバイスの前記少なくとも１つの第１位置決め手段（２２３）と協働することができる少なくとも１つの第２位置決め手段（１５０）と、
を備え、
前記テキスタイルデバイスの前記少なくとも１つの第２位置決め手段（１５０）は、前記テキスタイルデバイスの前記少なくとも１つの導電域（１１０）が前記テキスタイルの第２側面で前記電子回路（２２０）の前記少なくとも１つの接続トラック（２２１）に接続されるような方途で配置される、テキスタイルデバイス（１００）。
【請求項２】
前記デバイスは、前記テキスタイルと前記少なくとも１つの第２磁気接続手段（１３０）の間に位置決めされる減衰層（１４０）を備える、請求項１に記載のテキスタイルデバイス（１００）。
【請求項３】
前記テキスタイルの前記少なくとも１つの導電域（１１０）は、導電性材料もしくは導電性材料で覆われたテキスタイル糸からなる導電糸を織るもしくは編むことにより、好ましくは、銀などの導電性金属で覆われた糸を織るもしくは編むことにより、又は導電性インクもしくは導電性ペイントを印刷することにより作られる、請求項１又は請求項２のいずれか１項に記載のテキスタイルデバイス（１００）。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のテキスタイルデバイス（１００）と協働するよう構成される電子デバイス（２００）であって、
前記少なくとも１つの接続トラック（２２１）を備える前記電子回路（２２０）と、
前記テキスタイルデバイス（１００）に対して前記電子デバイス（２００）を位置決めするために、前記テキスタイルデバイスの前記少なくとも１つの第２位置決め手段（１５０）と協働することができる前記少なくとも１つの第１位置決め手段（２２３）と、
前記電子回路（２２０）の前記少なくとも１つの接続トラック（２２１）と反対の側で前記電子回路（２２０）に接続される前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）であって、前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）と前記少なくとも１つの第２磁気接続手段（１３０）の間で吸引力を作り出すように、前記テキスタイルデバイス（１００）の前記少なくとも１つの第２磁気接続手段（１３０）と協働するよう構成される前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）と、
を備え、
前記電子デバイス（２００）の前記少なくとも１つの第１位置決め手段（２２３）は、前記電子デバイス（２００）の前記少なくとも１つの接続トラック（２２１）が前記テキスタイルデバイス（１００）の少なくとも１つの導電域（１１０）に接続されるように配置される、電子デバイス（２００）。
【請求項５】
前記電子回路は、フレキシブルプリント回路を備える、請求項４に記載の電子デバイス（２００）。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のテキスタイルデバイス（１００）と、請求項４または請求項５に記載の電子デバイス（２００）とを備える、システム。
【請求項７】
前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）及び前記少なくとも１つの第２磁気接続手段（１３０）は、２つの永久磁石、又は永久磁石と強磁性板である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの第１磁気接続手段（２１０）及び／又は前記少なくとも１つの第２磁気接続手段（１３０）は、好ましくはエラストマー製のオーバーモールドにより覆われる、請求項６又は請求項７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記電子デバイス（２００）の前記少なくとも１つの第１位置決め手段（２２３）は、雌型手段であり、前記テキスタイルデバイス（１００）の前記少なくとも１つの第２位置決め手段（１５０）は、前記テキスタイルを貫通する雄型手段である、請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記電子デバイス（２００）の前記少なくとも１つの第１位置決め手段（２２３）は、前記テキスタイルを貫通する雄型手段であり、前記テキスタイルデバイス（１００）の前記少なくとも１つの第２位置決め手段（１５０）は、雌型手段である、請求項６乃至請求項８のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月11日(2020.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１の光出力面から出射光方向に可視光を発するための、基板上に配設された複数の発光ダイオードＬＥＤと、
第２の光出力面から前記出射光方向にＵＶ光を発するための少なくとも１つの紫外線発光ダイオードＵＶ  ＬＥＤと、
蛍光体層であって、前記ＬＥＤが前記蛍光体層によって覆われるように少なくとも前記複数のＬＥＤ上に配設された蛍光体層と
を備える照明デバイスであって、
前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤからＵＶ光を発するための前記第２の光出力面が、前記出射光方向において前記基板に対して、前記少なくとも１つの第１の光出力面よりも高い位置に置かれており、
前記複数のＬＥＤが、有色光及び／又は白色光を生成するように構成されている、
照明デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤが、前記蛍光体層によって覆われており、前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤの上部にある前記蛍光体層が、前記ＬＥＤの上部にある前記蛍光体層よりも薄い、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記第２の光出力面が前記出射光方向において前記少なくとも１つの第１の光出力面よりも高くなるように、前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤが、前記基板上に配置されたベース上に配設されている、請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項４】
前記ベースが、前記蛍光体層の厚さよりも大きい厚さを有する、請求項３に記載の照明デバイス。
【請求項５】
前記ベースが、前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤを前記基板に電気的に接続するためのコネクタを備える、請求項３又は４に記載の照明デバイス。
【請求項６】
前記ベースが光透過性材料を含む、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記ベースが光反射性材料を含む、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の照明デバイス。
【請求項８】
前記基板の近くでの前記ベースの横幅が、前記蛍光体層の表面での前記ベースの横幅よりも大きい、請求項３乃至７のいずれか一項に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記第２の光出力面が前記出射光方向において前記少なくとも１つの第１の光出力面よりも高くなるように、光透過性材料の層が、前記ＵＶ  ＬＥＤの上部に配設されている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記基板が、前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤを保持するように構成された穴を備える、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
前記穴が、前記基板の縁部又は中心部に配置されている、請求項１０に記載の照明デバイス。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤが、個々の表面実装デバイスＳＭＤ  ＵＶ  ＬＥＤである、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の照明デバイスを備えるランプ又は照明器具。
【請求項１４】
照明デバイスを製造する方法であって、
少なくとも１つの第１の光出力面から出射光方向に可視光を発するための複数のＬＥＤを基板上に接合するステップと、
前記複数のＬＥＤ同士を電気的に接続するステップと、
第２の光出力面から前記出射光方向にＵＶ光を発するための少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤを前記基板上に実装するステップと、
少なくとも前記複数のＬＥＤ上に蛍光体層を設けるステップであって、前記ＬＥＤが前記蛍光体層によって覆われるようにする、ステップと、を含み、
前記少なくとも１つのＵＶ  ＬＥＤからＵＶ光を発するための前記第２の光出力面が、前記出射光方向において前記基板に対して、前記少なくとも１つの第１の光出力面よりも高い位置に置かれ、
前記複数のＬＥＤが、有色光及び／又は白色光を生成するように構成されている、
方法。