【事件の表示】
　特願２００９−１８９３２０号「部品内蔵配線板」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月　２日出願公開、特開２０１０−　７４１５１号、請求項の数（１２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年８月１８日（優先権主張平成２０年８月２１日）の出願であって、平成２５年５月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年７月２２日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに平成２６年３月１０日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年５月１９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２６年１２月１９日付け（発送日：平成２７年１月６日）で拒絶査定がされ、これに対し、平成２７年４月２日に拒絶査定不服審判が請求がされたものである。
 　　　　　 
第２　本願発明 
　本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２６年５月１９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層に埋設され、かつ、端子パッドを有する半導体チップと、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子と、
　前記第２の絶縁層にさらに埋設された、チップコンデンサ、チップ抵抗、およびチップインダクタからなる群より選択された一種の電気／電子部品と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体素子用の第１の実装用ランドと前記電気／電子部品用の第２の実装用ランドとを含む配線パターンと、
　前記半導体素子の前記表面実装用端子と前記第１の実装用ランドとを電気的に接続する第１の接続部材と、
　前記電気／電子部品の端子と前記第２の実装用ランドとを電気的に接続する第２の接続部材と、を具備し、
　前記第１の接続部材および前記第２の接続部材のうちの少なくとも前記第２の接続部材が、硬化された樹脂部と、該樹脂部に含有された融点が２４０℃以下の金属と、該金属の組成金属のひとつである第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相により表面が覆われた前記第２の金属の粒子を含有しかつ前記樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部と、を有し、
　前記第２の接続部材が、前記樹脂部として、該第２の接続部材の前記金属の前記融点より高い熱硬化温度を有する熱硬化性樹脂を有すること
　を特徴とする部品内蔵配線板。
　【請求項２】
　前記第１の接続部材が、すずを主成分とするはんだであることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項３】
　前記第１の接続部材が、導電性組成物であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項４】
　前記半導体素子における前記表面実装用端子と前記端子パッドとの前記電気的接続が、前記半導体チップ上に形成された再配線層によりなされていることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項５】
　前記半導体素子の前記表面実装用端子が、ＬＧＡの端子であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項６】
　前記半導体素子の前記表面実装用端子が、表層としてＮｉ／Ａｕめっき層を有することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項７】
　前記半導体素子の前記表面実装用端子が、表層としてすずめっき層を有することを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項８】
　前記半導体素子の前記表面実装用端子が、表層としてＣｕであることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項９】
　前記第２の接続部材の前記樹脂部が、その材料としてエポキシ変性ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項１０】
　融点が２４０℃以下である前記金属が、Ｓｎ−Ｉｎ組成系、Ｓｎ−Ｂｉ組成系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ組成系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ組成系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ組成系、Ｓｎ−Ａｇ組成系、Ｓｎ−Ｃｕ組成系、およびＳｎ−Ｓｂ組成系、ならびにＳｎからなる群より選択された１種の組成系または金属であり、
　前記第２の金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＦｅ、ならびにＣｕ−Ｎｉ組成系、Ｃｕ−Ｓｎ組成系、Ａｇ−Ｓｎ組成系、Ｃｕ−Ｚｎ組成系、およびＣｏ−Ｓｂ組成系からなる群より選択された１種以上の金属または組成系であること
　を特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項１１】
　前記第２の接続部材の前記導電部の前記複数元素系相が、ＣｕｘＳｎｙ、ＣｏｘＳｎｙ、ＣｕｘＺｎｙ、ＣｕｘＳｂｙ、ＣｏｘＳｂｙ、ＮｉｘＢｉｙ、ＡｇｘＳｎｙ、ＦｅｘＳｎｙ、ＡｇｘＣｕｙＳｎｚ、およびＡｕｘＳｎｙからなる群から選択された１種以上による相であることを特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。
　【請求項１２】
　融点が２４０℃以下である前記金属が、Ｓｎと、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選択された１種以上とを含む第１の合金と、Ｓｎと、Ａｇと、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｉｎ、およびＺｎからなる群より選択された１種以上とを含む第２の合金とを有し、
　前記第２の金属が、Ｃｕと、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、およびＳｎからなる群より選択された１種以上とを含む合金であること
　を特徴とする請求項１記載の部品内蔵配線板。」
（以下「本願発明１」〜「本願発明１２」という。）
第３　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定における拒絶の理由の概要は、以下のとおりのものである。
「この出願の請求項１〜１２に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　　　　　　　　　　　　　　記　 
　１．特開２００７−３２９２１３号公報
　２．特開２００５−３９０９４号公報
　３．特開２００３−２１１２８９号公報
　４．特開２００７−７３８６６号公報
　周知例．特開２００２−３１４２４１号公報」
 　　　　　 
 第４　当審の判断
 　１　引用文献及びその記載事項
（１）原査定の拒絶の理由において刊行物１として引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−３２９２１３号公報（以下「引用文献１」という。）には、部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法に関して、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層に埋め込まれた電気／電子部品と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品の実装用ランドを含む配線パターンと、
　前記電気／電子部品の端子と前記実装用ランドとを接続し、かつ、硬化された樹脂部と該樹脂部中に混在された溶融後半田とを有する接続部と
　を具備することを特徴とする部品内蔵配線板。
　・・・（中略）・・・
【請求項１５】
　前記加熱が、２２０℃ないし２５０℃の温度による加熱であることを特徴とする請求項１３記載の部品内蔵配線板の製造方法。」
　　　　　
　イ　「【０００６】
　本発明は、絶縁板中に電気／電子部品を埋設して有する部品内蔵配線板およびその製造方法において、内蔵部品接続用の半田が再溶融しても配線板としての信頼性が低下することのない部品内蔵配線板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　上記の課題を解決するため、本発明に係る部品内蔵配線板は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に埋め込まれた電気／電子部品と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品の実装用ランドを含む配線パターンと、前記電気／電子部品の端子と前記実装用ランドとを接続し、かつ、硬化された樹脂部と該樹脂部中に混在された溶融後半田とを有する接続部とを具備することを特徴とする。」
　　　　　
　ウ　「【００２４】
　また、実施態様として、前記加熱が、２２０℃ないし２５０℃の温度による加熱である、とすることができる。このような温度ならば、半田粒としてＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの組成のものを分散させた導電性接着性樹脂を使用したとき、半田の融点が２１７℃ないし２２０℃であることから、分散された半田粒が溶融して樹脂中に混在する構成となり、かつ樹脂を硬化させる温度たり得るので樹脂の硬化により溶融後の半田を流出させることがない。すなわち、半田の溶融と樹脂硬化を同一の工程として行い製造の効率化が達せられる。」
　　　　　
　エ　「【００２５】
　以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を模式的に示す断面図である。図１に示すように、この部品内蔵配線板は、絶縁層１１（第１の絶縁層）、同１２、同１３、同１４、同１５（１２、１３、１４、１５で第２の絶縁層）、配線層２１（第２の配線パターン）、同２２（配線パターン）、同２３（もうひとつの第２の配線パターン）、同２４、同２５、同２６（＝合計６層）、層間接続体３１、同３２、同３４、同３５、スルーホール導電体３３、チップ部品４１（電気／電子部品）、接続部５１を有する。
【００２６】
　チップ部品４１は、ここでは例えばチップコンデンサであり、その平面的な大きさは例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍである。両端に端子（電極）４１ａを有し、その下側が配線層２２による内蔵部品実装用ランドに対向位置している。チップ部品４１の端子４１ａと実装用ランドとは接続部５１により電気的・機械的に接続されている。
【００２７】
　ここで、チップ部品４１の端子４１ａと配線層２２の実装用ランドとを接続する接続部５１の微細な構造について図２を参照して説明する。図２は、図１に示した部品内蔵配線板における接続部５１周辺の構成およびその形成過程を模式的に示す拡大図である。接続部５１は、図２右側に示すように、微細な構造として、硬化後樹脂部５１ｂ中に溶融後半田５１ａが混在した構成を有する。このような微細構造には、接続部５１の形成過程が関連している。
【００２８】
　すなわち、接続部５１は硬化前の導電性接着性樹脂５１Ａを硬化させたものであるが、この硬化前の導電性接着性樹脂５１Ａは、図２左側に示すように、硬化前の接着性樹脂５０２中に半田（成分は例えばＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリー）粒５０１が分散された構成をもともと有している。このような樹脂硬化・半田溶融前の導電性接着性樹脂５１Ａが加熱（例えば２２０℃から２５０℃）されると半田粒５０１はリフロー（溶融）される。溶融により半田粒５０１が互いに連結して溶融後半田５１ａになりかつ硬化前の接着性樹脂５０２は熱硬化して硬化後樹脂部５１ｂになるので、硬化後樹脂部５１ｂ中に溶融後半田が混在する状態となる。」
　　　　　
　上記の各記載事項及び図１の記載を総合すると、引用文献１には、図１〜５の実施形態として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「第１の絶縁層１１と、
　前記第１の絶縁層１１に対して積層状に位置する第２の絶縁層１２〜１５と、
　前記第２の絶縁層１２〜１５に埋め込まれたチップコンデンサである電気／電子部品４１と、
　前記第１の絶縁層１１と前記第２の絶縁層１２〜１５とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品４１の実装用ランドを含む配線パターン２２と、
　前記電気／電子部品４１の端子４１ａと前記実装用ランドとを接続し、かつ、硬化された樹脂部５１ｂと該樹脂部５１ｂ中に混在された溶融後半田５１ａとを有する接続部５１とを具備し、
　接続部５１は、硬化前の接着性樹脂５０２中に半田（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリー）粒５０１が分散された構成を有し、加熱（２２０℃から２５０℃）されると半田粒５０１はリフロー（溶融）され、
　溶融により半田粒５０１が互いに連結して溶融後半田５１ａになりかつ硬化前の接着性樹脂５０２は熱硬化して硬化後樹脂部５１ｂになり、硬化後樹脂部５１ｂ中に溶融後半田が混在する状態となっている、
　部品内蔵配線板。」
　　　　　 
（２）原査定の拒絶の理由において刊行物３として引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−２１１２８９号公報（以下「引用文献２」という。）には、導電性接合材料、それを用いた接合方法及び電子機器に関して、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ素子や電子部品を回路実装基板に接続する実装構造における導電性接合材料及びそれを用いた接合方法に関する。」
　　　　　
　イ　「【００１２】次に、本発明の接合材料による接合の原理を、第１の金属としてＣｕ、第２の金属としてＳｎ−Ｂｉ合金を使用し、そして熱硬化性樹脂を加えた接合材料を例に、説明することにする。本発明の接合材料により接合を実施する際には、まず、接合しようとする部材の接合部位どうしの間に接合材料を配置する。このときの様子を図１（ａ）に示し、同図において、接合しようとする二つの部位１ａ、１ｂの間にある３が本発明の接合材料である。この接合材料３は、第１の金属のＣｕ粉末４、第２の金属のＳｎ−Ｂｉ合金粉末５、及び熱硬化性樹脂６から構成されている。
【００１３】Ｓｎ−Ｂｉ合金は、Ｂｉ濃度が５７％のとき１３７℃の共晶温度を示し、そしてＢｉの濃度が２１〜９９ｗｔ％の範囲内において１３７℃より液相を生じる。そしてこのＳｎ−Ｂｉ粉末のほかにＣｕ粉末と熱硬化性樹脂を含む接合材料を室温から加熱していくと、上述のとおりＳｎ−Ｂｉ合金系では１３７℃より液相を生じるため、この接合材料を１３７℃以上の温度に加熱すると最初にＳｎ−Ｂｉ合金が溶融する。Ｓｎ−Ｂｉ溶融相は隣接のＣｕ粉末に接触してＣｕ−Ｓｎ金属間化合物相を形成し、その後更に温度を上昇させると、熱硬化性樹脂の硬化が始まり、その硬化の完了とともに接合が完了する。このように熱硬化性樹脂の硬化開始温度をＳｎ−Ｂｉの共晶温度より高くすることによって、Ｓｎ−Ｂｉ相のＣｕ粉末への溶融溶着並びにＣｕ−Ｓｎ金属間化合物形成を伴う金属接合、そしてその後の熱硬化性樹脂の硬化の順にプロセスが進行することから、熱硬化性樹脂の硬化が終了した時点では、接合部は金属材料による電気的接続（電気的導通性）を確保しながら、樹脂により強固に固定される。
【００１４】接合後の様子を図１（ｂ）に示す。Ｃｕ粉末４の周りにＳｎ−Ｂｉ粉末が溶融してできた連続の被覆層８が存在し、上下の部位１ａ、１ｂ間の電気的接続を確保していて、且つ、熱硬化した樹脂６’により強固な接合が確保されている。
【００１５】接合完了後の接合部の一部を拡大したものを図２に示す。Ｃｕ粉末４の周りには、接合プロセス中に最初に溶融したＳｎ−Ｂｉ合金がＣｕ粉末４と接触し反応することで形成されたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物相１１があり、更にその周囲を、第２の金属材料のうちのＳｎ分が減少したＢｉリッチ相１２が取り囲んでいる。第２の金属としてＳｎ−ＢｉではなくＳｎを使用した場合には、この相１２は余剰のＳｎで形成される。
【００１６】第２の金属としてＳｎ−Ｂｉを使用した場合、Ｓｎが第１の金属との金属間化合物形成のために失われた後にできる連続の被覆層を構成する相１２は、Ｂｉ単相に近い組成になることがある。このような場合、Ｂｉは壁解しやすい脆い材料であるため、機械的性質の劣化によって接合部の信頼性低下を招くことになる。本発明の接合材料に加えられる樹脂成分は、その接着作用により、そのような脆い部分のある接合部の強度を補うのに有効である。一方、例えばダイボンディングのように、貼り合わせるだけでよくそれほど強固な接合の必要とされない用途では、樹脂による接合強度の確保は必ずしも必要ではなく、この場合本発明の接合材料は樹脂成分を含まなくてもよい。
【００１７】更に、接合部断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した写真を図３に示す。この図で、灰色の丸い部分がＣｕ粉末であり、その周りに薄くＣｕ−Ｓｎ金属間化合物がある。更にその外側に見られる白い部分はＢｉリッチ相、そして黒く見える部分は樹脂である。」
　　　　　
 （３）原査定において周知例として引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−３１４２４１公報（以下「引用文献３」という。）には、電子機器に関して、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ア　「【００１８】図２の例では、金属ボール６はCuを用いていて、はんだ７はSn、その化合物８はCu-Sn化合物により構成される。この図１に示した実装構造体１９の製造方法を、図４、図５を用いて説明する。第１工程において、中間基板２の電極４に、混合ペースト９を印刷によって供給し、第２工程において、半導体チップ１を搭載する。この時の混合ペースト９の供給の状態を拡大して図６に示したが、混合ペースト９は、Cuからなる金属ボール６と、Snからなるはんだボール１０とをフラックス成分１１を用いて、混合してある。第３工程でこれらをリフロー加熱し、接続部５を得る。これに第４工程において、封止樹脂１２によりチップ周囲を封止する。第５工程で、半導体チップ１が実装された面と反対側の中間基板２の電極１３にはんだボール１４を供給し、第６工程で、プリント配線基板１５の配線ランド１６に迎えはんだ１７を行い、第７工程で、これらをリフロー加熱を行い、はんだボール１４と迎えはんだ１７を接続１８し、実装構造体１９を得る。」
　　　　　
　イ　「【００２０】このように図６に示した構成のものを加熱すると、はんだボール１０のSnが溶融して、金属ボール６のCuとの界面で金属間化合物を形成し、Cuの金属ボール６間が連結された。この時の接続部５の金属顕微鏡による観察結果を図８に示し、模式図を図９に示したが、界面には、CuとSnの化合物８の層が形成されている。また、溶融したSnは、半導体チップ１の電極３、中間基板２の電極４とも金属間化合物を形成するため、Cuによる金属ボール６と電極３、電極４がそれぞれ連結された。このようにして、半導体チップ１の電極３と中間基板２の電極４が連結される。従って、これらの化合物層形成により、250℃以上での高温でも強度を保つことができる。最終的には、図１中の接続部５は、はんだボール１０のSnがCu-Sn金属間化合物（Cu6Sn5、融点：約630℃）となって、接触部及びその近傍は高融点化する。たとえSnの一部が残っても、他の部分が溶融しなければ、後付けのはんだ接続時のプロセスに耐えられる強度を十分に確保できる。」
 　　　　　 
　２　対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「第１の絶縁層１１」は、本願発明１の「第１の絶縁層」に相当する。
　以下同様に、「第１の絶縁層１１に対して積層状に位置する第２の絶縁層１２〜１５」は、「第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層」に、
　「第２の絶縁層１２〜１５に埋め込まれたチップコンデンサである電気／電子部品４１」は、「第２の絶縁層にさらに埋設された、チップコンデンサ、チップ抵抗、およびチップインダクタからなる群より選択された一種の電気／電子部品」に、
　「第１の絶縁層１１と前記第２の絶縁層１２〜１５とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品４１の実装用ランドを含む配線パターン２２」は、「前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品用の第２の実装用ランドとを含む配線パターン」に、
　「電気／電子部品４１の端子４１ａと前記実装用ランドとを接続」する「接続部５１」は、「電気／電子部品の端子と前記第２の実装用ランドとを電気的に接続する第２の接続部材」に、
　「硬化された樹脂部５１ｂ」は、「硬化された樹脂部」に、
　「部品内蔵配線板」は、「部品内蔵配線板」に、それぞれ相当する。
　　　　　
　また、Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕからなる半田の融点は２１７℃ないし２２０℃であるから（前記「１（１）ウ」を参照。）、引用発明の「半田（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリー）粒５０１」は、「融点が２４０℃以下の金属」といえる。
　そして、引用発明では、「溶融により半田粒５０１が互いに連結して溶融後半田５１ａになりかつ硬化前の接着性樹脂５０２は熱硬化して硬化後樹脂部５１ｂになり、硬化後樹脂部５１ｂ中に溶融後半田が混在する状態となっている」から、引用発明は本願発明１の「樹脂部に含有された融点が２４０℃以下の金属」に相当する構成、及び「樹脂部中で導電性の導電部」に相当する構成を備えている。
　　　　　
　以上のことから、本願発明１と引用発明とは次の点で一致する。
「第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層にさらに埋設された、チップコンデンサ、チップ抵抗、およびチップインダクタからなる群より選択された一種の電気／電子部品と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品用の第２の実装用ランドとを含む配線パターンと、
　前記電気／電子部品の端子と前記第２の実装用ランドとを電気的に接続する第２の接続部材と、を具備し、
　少なくとも前記第２の接続部材が、硬化された樹脂部と、該樹脂部に含有された融点が２４０℃以下の金属と、前記樹脂部中で導電性の導電部と、を有する、
　部品内蔵配線板。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明１では、「第２の絶縁層に埋設され、かつ、端子パッドを有する半導体チップと、該端子パッドに電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子」を有し、また、第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品用の第２の実装用ランドとを含む配線パターンが、「半導体素子用の第１の実装用ランド」を含んでおり、さらに、「半導体素子の前記表面実装用端子と前記第１の実装用ランドとを電気的に接続する第１の接続部材」を有している構成を備えているのに対して、
　引用発明では、かかる構成を備えていない点。
　　　　　
［相違点２］
　「第２の接続部材」に関して、本願発明１では、「硬化された樹脂部と、該樹脂部に含有された融点が２４０℃以下の金属と、該金属の組成金属のひとつである第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相により表面が覆われた前記第２の金属の粒子を含有しかつ前記樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部と、を有し、前記第２の接続部材が、前記樹脂部として、該第２の接続部材の前記金属の前記融点より高い熱硬化温度を有する熱硬化性樹脂を有する」のに対して、
　引用発明では、「硬化前の接着性樹脂５０２中に半田（Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリー）粒５０１が分散された構成を有し、加熱（２２０℃から２５０℃）されると半田粒５０１はリフロー（溶融）され、溶融により半田粒５０１が互いに連結して溶融後半田５１ａになりかつ硬化前の接着性樹脂５０２は熱硬化して硬化後樹脂部５１ｂになり、硬化後樹脂部５１ｂ中に溶融後半田が混在する状態となっている」点。
　　　　　
　まず、上記相違点２について検討する。
　本願発明１では、第２の接続部材が、「硬化された樹脂部と、該樹脂部に含有された融点が２４０℃以下の金属と、該金属の組成金属のひとつである第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相により表面が覆われた前記第２の金属の粒子を含有しかつ前記樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部と、を有し、前記第２の接続部材が、前記樹脂部として、該第２の接続部材の前記金属の前記融点より高い熱硬化温度を有する熱硬化性樹脂を有する」ことにより、２次実装時加熱での溶融を回避できるから、再溶融による接続不良や短絡を防止できるとともに、骨格構造の隙間は樹脂部５０３Ａにより埋められているから、接続部材５１中にボイドが発生して信頼性が損なわれることが生じないようにしたものである。（本願明細書段落【００７４】、及び【００７５】を参照。）
　　　　　
　ア　引用文献２記載の事項について
　引用文献２（前記「１（２）」、図２、及び図３を参照。）には、 ＬＳＩ素子や電子部品を回路実装基板に接続する実装構造における導電性接合材料において、第１の金属としてのＣｕと、第２の金属としてのＳｎ−Ｂｉ合金と、熱硬化性樹脂とからなる導電性接合材料を加熱すると、最初にＳｎ−Ｂｉ合金が溶融し、Ｓｎ−Ｂｉ溶融相は隣接のＣｕ粉末に接触してＣｕ−Ｓｎ金属間化合物相（本願発明の「複数元素系相」に相当。）を形成し、その後更に温度を上昇させると、熱硬化性樹脂の硬化が始まり、その硬化の完了とともに接合が完了することが記載されている。
　また、接合完了後は、Ｃｕ粉末４（本願発明の「第２の金属の粒子」に相当。）及びＣｕ粉末４の周りの薄いＣｕ−Ｓｎ金属間化合物相１１（本願発明の「複数元素系相」に相当。）を含有している、周囲の第２の金属材料Ｓｎ−ＢｉのうちのＳｎ分が減少したＢｉリッチ相１２（本願発明の「連接」するものに相当。）により形成される接合部（本願発明の「骨格構造」に相当。）が、上下の部位１ａ、１ｂ間の電気的接続を確保しており、更に、これらの隙間を熱硬化した樹脂が埋めているものが記載されている。（以下「引用文献２記載の事項」という。）
　　　　　
　しかし、導電性の骨格構造を形成するために「連接」するものが、本願発明１では、「第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相」であるのに対して、引用文献２記載の事項では、「薄いＣｕ−Ｓｎ金属間化合物相１１」（本願発明１の「複数元素系相」に相当。）ではなく、「第２の金属材料Ｓｎ−ＢｉのうちのＳｎ分が減少したＢｉリッチ相１２」である点で、相違している。
　したがって、引用文献２記載の事項には、上記相違点２に係る構成の「第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相」、及び「樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部」との構成について、記載も示唆もされていない。
　　　　　
　イ　引用文献３記載の事項について
　引用文献３（前記「１（３）」、及び図９を参照。）には、混合ペースト９として、Ｃｕからなる金属ボール６と、Ｓｎからなるはんだボール１０とをフラックス成分１１を用いて混合した構成のものを加熱すると、はんだボール１０のＳｎが溶融して、金属ボール６のＣｕとの界面で金属間化合物８を形成し、Ｃｕの金属ボール６間が連結されること、並びにＣｕの金属ボール６（本願発明の「第２の金属の粒子」に相当。）、金属間化合物８（本願発明の「複数元素系相」に相当。）、及びはんだ７とから形成される接合部により、半導体チップ１の電極３と中間基板２の電極４が連結することが記載されている。（以下「引用文献３記載の事項」という。）
　　　　　
　しかし、上記引用文献３記載の事項では、接合部は、全て金属であって、樹脂部中で連接し「導電性の骨格構造」を形成するものではない。
　したがって、引用文献３記載の事項には、上記相違点２に係る構成の「第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相」、及び「樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部」との構成について、記載も示唆もされていない。
　　　　　
　ウ　引用文献４記載の事項について
　原査定の拒絶の理由において刊行物２として引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−３９０９４号公報（以下「引用文献４」という。特に、段落【００５０】〜【００５３】、【００５８】〜【００５９】、及び図６を参照。）には、半導体チップ内蔵配線板、半導体チップ内蔵配線板の製造方法に関して、絶縁板６１、硬化絶縁板８１Ａ、絶縁板７１、配線パターン６２、配線パターン７２、及び配線パターン７３からなる配線板に、チップコンデンサ８５のような表面実装型電気・電子部品（本願発明１の「電気／電子部品」に相当。）及び半導体チップ１３（本願発明１の「半導体素子」に相当。）を内蔵すること、並びに表面実装型電気・電子部品と配線パターン６２との接続は、クリーム半田の溶融、固化による半田８６、または乾燥された導電性ペースト（本願発明１の「第２の接続部材」に相当。）によることが記載されている。（以下「引用文献４記載の事項」という。）
　しかし、引用文献４記載の事項では、半田または導電性ペーストの具体的な構造は明らかでなく、樹脂部中で連接し「導電性の骨格構造」を形成するものとはいえない。
　したがって、引用文献４記載の事項には、上記相違点２に係る構成の「第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相」、及び「樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部」との構成について、記載も示唆もされていない。
　　　　　　
　エ　引用文献５記載の事項について
　原査定の拒絶の理由において刊行物４として引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−７３８６６号公報（以下「引用文献５」という。特に、【請求項１】、段落【００２３】〜【００２５】、図１、及び図２を参照。）には、部品内蔵配線板に関して、第１の絶縁層、第２の絶縁層、第２の絶縁層に埋め込まれた電気／電子部品（本願発明の「電気／電子部品」に相当。）、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電気／電子部品の実装用ランドを含む配線パターンと、前記電気／電子部品の端子と前記実装用ランドとを接続し、かつ、すずとすずよりも高融点の金属とからなる化合物により表面が覆われた前記金属の粒を含有する半田からなる接続部（本願発明１の「第２の接続部材」に相当。）とを具備する部品内蔵配線板が記載されているとともに、接続部５１となるクリーム半田５１Ａは、半田（成分は例えばＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの鉛フリー）粒５０１と銅粒５０２とをフラックス５０３中に分散させた構成を有し、加熱（例えば２３０℃から２５０℃）でリフローされると半田粒５０１が例えば２１７℃から２２１℃で溶融し銅粒５０２の表面を覆い、このとき銅粒５０２の表面を覆った半田のすず成分が銅との化合物Ｃｕ６Ｓｎ５を形成し、これにより半田部分５０１Ａのすず成分は減少することが記載されている。（以下「引用文献５記載の事項」という。）
　しかし、引用文献５記載の事項では、接続部５１は、全て金属であって、樹脂部中で連接し「導電性の骨格構造」を形成するものではない。
　したがって、引用文献５記載の事項には、上記相違点２に係る構成の「第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相」、及び「樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部」との構成について、記載も示唆もされていない。　
　　　　　
　オ　相違点２についてのまとめ
　以上のように、引用文献２〜５記載の事項には、上記相違点２に係る構成の「第１の金属が該第１の金属と異なる第２の金属を含む複数元素系相に変化することで融点が２６０℃以上となる性質の前記第１の金属の該複数元素系相」、及び「樹脂部中で該複数元素系相が連接し導電性の骨格構造を形成している導電部」との構成について、記載も示唆もされていなから、たとえ引用発明に引用文献２〜５記載の事項を適用したとしても、本願発明１の上記相違点２に係る構成に至らない。 
　したがって、当業者が引用発明に引用文献２〜５記載の事項を組み合わせて、本願発明１の上記相違点２に係る構成に至るのが容易であるとはいえない。
 　　　　　  
　カ　本願発明１についての小括
　このように、本願発明の上記相違点２に係る構成に至ることが容易であるとはいえないから、上記相違点１について検討するまでもなく、上記相違点２に係る構成を具備する本願発明１は、引用発明及び引用文献２〜５記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　　　　　 
（２）本願発明２〜１２について
　本願発明２〜１２は、本願発明１を引用し、本願発明１にさらに限定を付加するものであるので、本願発明１と同様に、引用発明及び引用文献２〜５記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
 　　　　　 
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明１〜１２は、引用発明及び引用文献２〜５記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。