【事件の表示】
　特願２０１０−２６３０１７「有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月　５日出願公開，特開２０１２−　　４５２９，請求項の数（１５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，平成２２年１１月２５日（優先権主張平成２２年１月１５日，平成２２年５月２０日）の出願であって，平成２５年１１月１日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年２月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年２月２５日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がなされた。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，平成２６年７月４日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２７年７月２８日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月１６日に意見書及び手続補正書が提出され，同年１２月３日付けで拒絶理由が通知され，平成２８年６月７日に意見書及び手続補正書が提出され，同年７月６日付けで拒絶理由が通知され，同年７月１５日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１ないし１５に係る発明は，平成２８年７月１５日提出の手続補正書によって補正された請求項１ないし１５に記載された事項によって特定されるとおりのものと認められるところ，請求項１の記載は次のとおりである。
　なお，請求項２ないし１０，１３ないし１５は，請求項１の記載を引用する形式で記載された請求項である。
　また，請求項１１及び１２は，いずれも独立形式で記載され，末尾がそれぞれ「発光層」及び「組成物」とされた請求項であるが，請求項１と同じく，「少なくとも一種の一般式（ＰＩ−１）で表される化合物と少なくとも一種の一般式（１）で表される化合物を含有する」との発明特定事項が記載されている。
「基板上に，一対の電極と，該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって，
　前記発光層に，少なくとも一種の一般式（ＰＩ−１）で表される化合物と少なくとも一種の一般式（１）で表される化合物を含有する，有機電界発光素子。
　　【化１】
［一般式（ＰＩ−１）中，Ｒ１〜Ｒ９はそれぞれ独立に，水素原子，置換されていてもよいアルキル基，置換されていてもよいアルケニル基，置換されていてもよいアリール基又はフッ素原子を表すが，Ｒ３〜Ｒ６の少なくとも１つは置換されていてもよいアルキル基である。Ｒ１〜Ｒ９で表される置換基は，互いに結合して環を形成してもよい。
（Ｘ−Ｙ）はモノアニオン性の二座配位子を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。］
　　【化２】
［一般式（１）中，Ｒ１はアルキル基，アリール基，又はシリル基を表し，更に置換基Ｚを有していてもよい。但し，Ｒ１がカルバゾリル基又はペルフルオロアルキル基を表すことはない。Ｒ１が複数存在する場合，複数のＲ１は，それぞれ同一でも異なっていてもよい。また複数のＲ１は，互いに結合して置換基Ｚを有していてもよいアリール環を形成してもよい。
　Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ独立に，アルキル基，アリール基，シリル基，シアノ基又はフッ素原子を表し，更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒ２〜Ｒ５がそれぞれ複数存在する場合，複数のＲ２〜複数のＲ５は，それぞれ同一でも異なっていてもよい。
　置換基Ｚはアルキル基，アルケニル基，アリール基，芳香族ヘテロ環基，アルコキシ基，フェノキシ基，フッ素原子，シリル基，アミノ基，シアノ基又はこれらを組み合わせて成る基を表し，複数の置換基Ｚは互いに結合してアリール環を形成しても良い。
　ｎ１は０〜５の整数を表す。
　ｎ２〜ｎ５はそれぞれ独立に，０〜４の整数を表す。］」（以下，「本願発明」という。）
第３　原査定の拒絶の理由について
１　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は，概略，次のとおりである。
　本願の請求項１ないし１６（平成２６年２月１２日提出の手続補正書による補正後の請求項１ないし１６）に係る発明は，その優先権主張の日より前に電気通信回線を通じて公開された引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないか，少なくとも当該発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　また，本願の請求項１ないし１６に係る発明は，その優先権主張の日より前に頒布された又は電気通信回線を通じて公開された引用文献２及び３に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１：国際公開第２００８／０７２５３８号
引用文献２：国際公開第２００４／０７４３９９号
引用文献３：国際公開第２００７／０９５１１８号
　引用文献１に開示された発明は，請求項１−１６に係る発明と，発明特定事項において格別の差異は無い。化合物に任意の置換基を付加する程度は当業者が発明の実施にあたり適宜なし得た設計変更であり，当業者の通常の創作能力の発揮の範囲内である。したがって，「Ｒ３〜Ｒ６の少なくとも１つは置換基である」点に進歩性を認めることはできない。
　また，有機ＥＬ素子の技術分野においては，公知のホストやドーパントを組み合わせることは，当業者の通常の創作能力の発揮といえるから，引用文献２に開示された発明において，引用文献３に開示されている燐光ドーパントを採用することにより，請求項１−１６に係る発明とすることは，当業者であれば容易に推考し得たことである。
２　原査定の拒絶の理由に対する判断
（１）引用文献１に基づく新規性・進歩性欠如に対する判断
　ア　引用文献１
（ア）引用文献１の記載
　引用文献１は，本願の優先権主張の日（以下，「優先日」という。）より前に電気通信回線を通じて公開されたものであって，当該引用文献１には次の記載がある。（下線は，後述する引用文献１発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
　ａ　「技術分野
［０００１］　本発明は
有機エレクトロルミネッセンス素子
背景技術
［０００２］　有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は，電界を印加することより，陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。・・・（中略）・・・
　また，近年，有機ＥＬ素子の発光層に，発光材料の他に有機リン光材料を利用することも提案されている（例えば，非特許文献１〜２参照）。
・・・（中略）・・・
　このような有機ＥＬ素子においては，３重項の励起状態又は３重項の励起子が消光しないように順次，陽極，正孔輸送層，有機発光層，電子輸送層（正孔阻止層），電子注入層，陰極のように層を積層する構成が用いられ，有機発光層にホスト化合物と燐光発光性の化合物が用いられてきた（例えば，特許文献４〜５参照）。これらの特許文献では，ホスト化合物として，４，４−Ｎ，Ｎジカルバゾールビフェニルが用いられてきたが，この化合物はガラス転移温度が１１０℃以下であり，さらに対称性がよすぎるため，結晶化しやすく，また，素子の耐熱試験を行った場合，短絡や画素欠陥が生じるという問題があった。また，燐光発光性の錯体として，特許文献６〜１４にアゾール系錯体が開示されている。
　また，その蒸着した際，異物や電極の突起が存在する箇所などで結晶成長が生じ，耐熱試験前の初期の状態より欠陥が生じることも見出された。また，３回対称性を保有するカルバゾール誘導体もホストとして用いられている。しかしながら，対称性がよいため，蒸着した際，異物や電極の突起が存在する箇所などで結晶成長が生じ，耐熱試験前の初期の状態より欠陥が生じることは免れていない。
・・・（中略）・・・
発明の開示
発明が解決しようとする課題
［０００４］　本発明は，前記の課題を解決するためになされたもので，画素欠陥が無く，発光輝度及び発光効率が高く，寿命が長い有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
［０００５］　本発明者等は，前記目的を達成するために，鋭意研究を重ねた結果，有機ＥＬ素子の発光層において，以下に示す特定のホスト材料とドーパントとを組み合わせて用いることにより，前記の課題を解決することを見出し，本発明を完成するに至った。
［０００６］　すなわち，本発明は，
陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において，発光層が下記一般式（１）で表される化合物をホスト材料として，
をドーパントとして含有する有機ＥＬ素子
［０００７］［化１］
［０００８］
（式中，Ｃｚは，カルバゾリル基，炭素数１８〜６０アリールカルバゾ−ルイル基，アザカルバゾリル基，炭素数１８〜６０のアリールアザカルバゾ−ルイル基，アクリジニル基，フェノキサジニル基又はジベンゾアゼピニル基であり置換されていてもよい。Ａｒ
１
及びＡｒ
２
は，それぞれ独立に，置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜６０の複素環基である。Ａｒ
３
は，炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜６０の複素環基である。Ａｒ
４
は，置換もしくは無置換のベンゼン残基，置換もしくは無置換のチオフェン残基，置換もしくは無置換のトリアゾール残基，置換もしくは無置換のフルオレン残基又は置換もしくは無置換のスピロビフルオレン残基である。
　ａは０〜１の整数，ｂは０〜４の整数，ｃは１〜３の整数であり，Ｃｚ及びＡｒ
４
が複数の時は，それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
　ただし，ａ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ
３
及びＡｒ
４
がベンゼン残基であり，かつＡｒ
２
がフェニルカルバゾリル基又はカルバゾリル基である場合を除く。また，ａ＝１，ｂ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ
３
がベンゼン残基であり，かつＡｒ
１
及びＡｒ
２
がフェニルカルバゾリル基である場合を除く。さらに，ｂ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ
３
がベンゼン残基であり，かつＡｒ
１
，Ａｒ
２
及びＣｚがカルバゾリル基又はフェニルカルバゾリル基である場合を除く。）
［０００９］［化２］
［００１０］
（一般式（ａ）及び（ｂ）において，Ｒ
１
〜Ｒ
７
は，それぞれ独立に，水素原子，シアノ基，ニトロ基，ハロゲン原子，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基，置換もしくは無置換のアミノ基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシル基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルシリル基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアシル基，置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基，又は置換もしくは無置換の炭素数３〜３０の芳香族複素環基を表す。また，Ｒ
１
〜Ｒ
７
のうち隣接するものは，互いに結合して環構造を形成していてもよい。
　Ｍは，イリジウム（Ｉｒ），ロジウム（Ｒｈ），白金（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子である。
　ｎは１〜３の整数である。
　ただし，ＭがＩｒの場合，ｎ＝３である。）
発明の効果
［００１１］　本発明の有機ＥＬ素子は，画素欠陥が無く，発光輝度及び発光効率が高く，寿命が長い。」
　ｂ　「［００２７］　本発明において一般式（１）で表される化合物の具体例を以下に示すが，これら例示化合物に限定されるものではない。
［化６］
［００２８］［化７］
［００２９］［化８］
［００３０］［化９］
［００３１］［化１０］
・・・（中略）・・・
［００３６］
　一般式（ａ）〜（ｂ）において，Ｒ１〜Ｒ３及びＲ７が水素原子であり，Ｒ４，Ｒ５及びＲ６が，それぞれ独立に，置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族複素環基であると好ましい。
　一般式（ａ）〜（ｂ）において，Ｒ１〜Ｒ４及びＲ７が水素原子であり，Ｒ５及びＲ６が，それぞれ独立に，置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族複素環基であると好ましい。
　また，一般式（ａ）〜（ｂ）において，Ｒ１〜Ｒ４及びＲ７が水素原子であり，Ｒ５及びＲ６が，それぞれ独立に，置換もしくは無置換のフェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，ターフェニル基，クォーターフェニル基，フェナントレニル基又はトリフェニレニル基であると好ましい。
　さらに，一般式（ａ）において，Ｒ１〜Ｒ４が水素原子であり，Ｒ５が無置換又は炭素数１〜３０の置換基を有するフェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，ターフェニル基，クォーターフェニル基，フェナントレニル基又はトリフェニレニル基であり，Ｒ６〜Ｒ７は，それぞれ独立に，水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基又は炭素数１〜１０の芳香族炭化水素基であると好ましい。
　一般式（ａ）及び（ｂ）において，Ｍは，イリジウム（Ｉｒ），ロジウム（Ｒｈ），白金（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子であり，Ｉｒ，Ｐｔが好ましく，Ｉｒがさらに好ましい。
　一般式（ａ）及び（ｂ）において，ｎは１〜３の整数であり，２〜３が好ましい。
　一般式（ａ）及び（ｂ）において，ＭがＩｒの場合，ｎ＝３である。
［００３７］　前記一般式（ａ）で表される化合物の具体例を以下に示すが，これら例示化合物に限定されるものではない。
［化１３］
［００３８］　前記一般式（ｂ）で表される化合物の具体例を以下に示すが，これら例示化合物に限定されるものではない。
［化１４］
」
　ｃ　「［００３９］　以下，本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
　
本発明の有機ＥＬ素子は，前記したように陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機薄膜層を形成した素子である
［００４０］　発光層には，必要に応じて，本発明の一般式（１）のホスト材料及び一般式（ａ）及び／又は（ｂ）のドーパントに加えてさらなる公知のホスト材料，発光材料，ドーピング材料，正孔注入材料や電子注入材料を使用し，組み合わせて使用することもできる。有機ＥＬ素子は，多層構造にすることにより，クエンチングによる輝度や寿命の低下を防ぐことができ，発光輝度や発光効率を向上させたり，燐光発光に寄与する他のドーピング材料と組み合わせて用いることにより，従来の発光輝度や発光効率を向上させることができる。・・・（中略）・・・
［００４８］　本発明の有機ＥＬ素子は，効率良く発光させるために，少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また，
基板も透明である
［００４９］　本発明の有機ＥＬ素子の
各層の形成は，真空蒸着，スパッタリング，プラズマ，イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング，ディッピング，フローコーティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる
　ｄ　「実施例
［００５０］　以下，本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが，本発明はその要旨を越えない限り，以下の実施例に限定されない。
実施例１（有機ＥＬ素子の作製）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後，ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し，まず透明電極ラインが形成されている側の面上に，前記透明電極を覆うようにして膜厚９５ｎｍのＨＴＭ（下記構造式参照）を成膜した。該ＨＴＭ膜は正孔注入輸送層として機能する。さらに，該正孔注入輸送層の成膜に続けて，この膜上に膜厚３０ｎｍで，ホスト化合物として（４３）とドーパントとして錯体（Ａ４）を抵抗加熱により共蒸着成膜した。錯体（Ａ４）の濃度は７．５ｗｔ％であった。このホスト化合物：（４３）膜は，発光層として機能する。そして，該発光層成膜に続けて，下記材料ＥＴＭ１を膜厚２５ｎｍ，さらに該ＥＴＭ１の上に下記材料ＥＴＭ２を５ｎｍ積層成膜した。該ＥＴＭ１層及びＥＴＭ２層は電子輸送層，電子注入層として機能する。そして，この後ＬｉＦを電子注入性電極（陰極）として成膜速度１Å／ｍｉｎで膜厚０．１ｎｍ形成した。このＬｉＦ層上に金属Ａｌを蒸着させ，金属陰極を膜厚１５０ｎｍ形成し有機ＥＬ素子を形成した。
（有機ＥＬ素子の発光性能評価）
　以上のように作製した有機ＥＬ素子を直流電流駆動（電流密度Ｊ＝１ｍＡ／ｃｍ２）により発光させ，外部量子効率（％），輝度（Ｌ）を測定し，発光効率（Ｌ／Ｊ）を求め，その結果を下記表１に示す。また，初期輝度１５００ｃｄ／ｃｍ２で半減寿命を測定した結果を示す。
［００５１］［化１５］
［００５２］実施例２〜８
　実施例１において，ホスト化合物（４３）と錯体（Ａ４）の組合せの代わりに表１のホスト化合物欄とドーパント欄に記載した各化合物の組合せを用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られたそれぞれの有機ＥＬ素子について，実施例１と同様にして評価した結果を表１に示す。
・・・（中略）・・・
［００５４］［表１］
」
　ｅ　「請求の範囲 
［１］　
陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレク トロルミネッセンス素子において，発光層が下記一般式（１）で表される化合物をホスト材料として，下記一般式（ａ）及び/又は（ｂ）で表される金属錯体化合物をドーパントとして含有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。
［化１］
（式中，Ｃｚは，カルバゾリル基，炭素数１８〜６０アリールカルバゾ−ルイル基，アザカルバゾリル基，炭素数１８〜６０のアリールアザカルバゾ−ルイル基，アクリジニル基，フェノキサジニル基又はジベンゾアゼピニル基であり置換されていてもよい。Ａｒ
１
及びＡｒ
２
は，それぞれ独立に，置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜６０の複素環基である。Ａｒ
３
は，炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜６０の複素環基である。Ａｒ
４
は，置換もしくは無置換のベンゼン残基，置換もしくは無置換のチオフェン残基，置換もしくは無置換のトリアゾール残基，置換もしくは無置換のフルオレン残基又は置換もしくは無置換のスピロビフルオレン残基である。
　ａは０〜１の整数，ｂは０〜４の整数，ｃは１〜３の整数であり，Ｃｚ及びＡｒ
４
が複数の時は，それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
　ただし，ａ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ
３
及びＡｒ
４
がベンゼン残基であり，かつＡｒ
２
がフェニルカルバゾリル基又はカルバゾリル基である場合を除く。また，ａ＝１，ｂ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ
３
がベンゼン残基であり，かつＡｒ
１
及びＡｒ
２
がフェニルカルバゾリル基である場合を除く。さらに，ｂ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ
３
がベンゼン残基であり，かつＡｒ
１
，Ａｒ
２
及びＣｚがカルバゾリル基又はフェニルカルバゾリル基である場合を除く。）
［化２］
（一般式（ａ）及び（ｂ）において，Ｒ
１
〜Ｒ
７
は，それぞれ独立に，水素原子，シアノ基，ニトロ基，ハロゲン原子，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基，置換もしくは無置換のアミノ基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシル基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルシリル基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアシル基，置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基，又は置換もしくは無置換の炭素数３〜３０の芳香族複素環基を表す。また，Ｒ
１
〜Ｒ
７
のうち隣接するものは，互いに結合して環構造を形成していてもよい。
　Ｍは，イリジウム（Ｉｒ），ロジウム（Ｒｈ），白金（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子である。
　ｎは１〜３の整数である。
　ただし，ＭがＩｒの場合，ｎ＝３である。）
（イ）　引用文献１に記載された発明
　引用文献１の［０００６］の記載中の「発光層」が，当該［０００６］の記載中の「有機薄膜層」の一つであることが自明であり，また，引用文献１の［００４８］の「基板も透明であることが望ましい。」との記載，及び［００４９］の各層の形成方法の記載や［００５０］の実施例１についての記載等から，引用文献１に記載された有機エレクトロルミネッセンス素子の各層が，基板上に形成されていることを理解できる。
　そして，前記（ア）ａないしｅの記載から，一般式（１）で表される化合物として，［００２７］に（１）として示された化合物（以下，「化合物（１）」という。）を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の発明を把握できるところ，当該発明の構成は次のとおりである。
「陰極と陽極間に一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持され，各層が基板上に形成されており，
　前記有機薄膜層中の発光層が下記一般式（１）で表される化合物をホスト材料として，下記一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物をドーパントとして含有する，有機エレクトロルミネッセンス素子であって，
　前記一般式（１）で表される化合物として，下記化合物（１）を用いた，
　有機エレクトロルミネッセンス素子。
［一般式（１）］
（式中，Ｃｚは，カルバゾリル基，炭素数１８〜６０アリールカルバゾ−ルイル基，アザカルバゾリル基，炭素数１８〜６０のアリールアザカルバゾールイル基，アクリジニル基，フェノキサジニル基又はジベンゾアゼピニル基であり置換されていてもよい。Ａｒ１及びＡｒ２は，それぞれ独立に，置換もしくは無置換の炭素数６〜６０のアリール基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜６０の複素環基である。Ａｒ３は，炭素数６〜６０の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の炭素数３〜６０の複素環基である。Ａｒ４は，置換もしくは無置換のベンゼン残基，置換もしくは無置換のチオフェン残基，置換もしくは無置換のトリアゾール残基，置換もしくは無置換のフルオレン残基又は置換もしくは無置換のスピロビフルオレン残基である。
　ａは０〜１の整数，ｂは０〜４の整数，ｃは１〜３の整数であり，Ｃｚ及びＡｒ４が複数の時は，それぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。　
　ただし，ａ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ３及びＡｒ４がベンゼン残基であり，かつＡｒ２がフェニルカルバゾリル基又はカルバゾリル基である場合を除く。また，ａ＝１，ｂ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ３がベンゼン残基であり，かつＡｒ１及びＡｒ２がフェニルカルバゾリル基である場合を除く。さらに，ｂ＝０かつｃ＝１のときは，Ａｒ３がベンゼン残基であり，かつＡｒ１，Ａｒ２及びＣｚがカルバゾリル基又はフェニルカルバゾリル基である場合を除く。）
［一般式（ａ）及び（ｂ）］
（一般式（ａ）及び（ｂ）において，Ｒ１〜Ｒ７は，それぞれ独立に，水素原子，シアノ基，ニトロ基，ハロゲン原子，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基，置換もしくは無置換のアミノ基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシル基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキルシリル基，置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアシル基，置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基，又は置換もしくは無置換の炭素数３〜３０の芳香族複素環基を表す。また，Ｒ１〜Ｒ７のうち隣接するものは，互いに結合して環構造を形成していてもよい。　
　Ｍは，イリジウム（Ｉｒ），ロジウム（Ｒｈ），白金（Ｐｔ）又はパラジウム（Ｐｄ）の金属原子である。　
　ｎは１〜３の整数である。
　ただし，ＭがＩｒの場合，ｎ＝３である。）
［化合物（１）］　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
」（以下，「引用文献１発明」という。）
　イ　対比・判断
（ア）本願発明について
　ａ　対比
　引用文献１発明の「基板」，「『陰極』及び『陽極』」，「発光層」，「有機薄膜層」及び「有機エレクトロルミネッセンス素子」は，本願発明の「基板」，「一対の電極」，「発光層」，「有機層」及び「有機電界発光素子」に，それぞれ相当する。
　また，引用文献１発明の「一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物」と，本願発明の「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」は，ともに金属錯体であるから，本願発明と引用文献１発明は，「少なくとも一種の金属錯体」を含有する点で共通する。
　さらに，引用文献１発明の「化合物（１）」は，本願発明の「一般式（１）」において，「ｎ１として２を選択し，２つのＲ１として置換基を有していないアリール基に該当するフェニル基という同一の基を選択し，ｎ２ないしｎ５としていずれも０を選択した化合物」に該当するから，引用文献１発明は，本願発明の「少なくとも一種の一般式（１）で表される化合物を含有する」なる要件を満足する。
　したがって，本願発明と引用文献１発明は，
「基板上に，一対の電極と，該電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層とを有する有機電界発光素子であって，
　前記発光層に，少なくとも一種の金属錯体と少なくとも一種の一般式（１）で表される化合物を含有する，有機電界発光素子。
［一般式（１）中，Ｒ１はアルキル基，アリール基，又はシリル基を表し，更に置換基Ｚを有していてもよい。但し，Ｒ１がカルバゾリル基又はペルフルオロアルキル基を表すことはない。Ｒ１が複数存在する場合，複数のＲ１は，それぞれ同一でも異なっていてもよい。また複数のＲ１は，互いに結合して置換基Ｚを有していてもよいアリール環を形成してもよい。
　Ｒ２〜Ｒ５はそれぞれ独立に，アルキル基，アリール基，シリル基，シアノ基又はフッ素原子を表し，更に置換基Ｚを有していてもよい。Ｒ２〜Ｒ５がそれぞれ複数存在する場合，複数のＲ２〜複数のＲ５は，それぞれ同一でも異なっていてもよい。
　置換基Ｚはアルキル基，アルケニル基，アリール基，芳香族ヘテロ環基，アルコキシ基，フェノキシ基，フッ素原子，シリル基，アミノ基，シアノ基又はこれらを組み合わせて成る基を表し，複数の置換基Ｚは互いに結合してアリール環を形成しても良い。
　ｎ１は０〜５の整数を表す。
　ｎ２〜ｎ５はそれぞれ独立に，０〜４の整数を表す。］」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点１：
　発光層が含有する「少なくとも一種の金属錯体」について，
　本願発明では，「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」としているのに対して，
　引用文献１発明では，「一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物」としている点。
　ｂ　相違点１の容易想到性の判断
　引用文献１の［００３６］には，一般式（ａ）及び（ｂ）中のＭがイリジウム（Ｉｒ）であるのが好ましい（その場合，ｎ＝３である）ことが記載されているものの，「一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物」の中でも，一般式（ａ）で表される金属錯体化合物であって，一般式（ａ）中のＲ４とＲ５が互いに結合してベンゼン環を形成しており，当該ベンゼン環が置換基として少なくとも一つの「置換されていてもよいアルキル基」を有するような金属錯体化合物（すなわち本願発明の一般式（ＰＩ−１）で表されるような化合物）が好適であることは，引用文献１には記載も示唆もされていない。
　また，引用文献１の［００３７］には，一般式（ａ）の具体例として，金属錯体化合物（Ａ１）ないし（Ａ２８）が例示されており，これらのうち金属錯体化合物（Ａ２４）は，一般式（ａ）中のＲ４とＲ５が互いに結合してベンゼン環を形成した金属錯体化合物であって，本願発明における一般式（ＰＩ−１）で表される化合物と基本構造は共通しているものの，前記ベンゼン環が，置換基を有していないから，本願発明の「Ｒ３〜Ｒ６の少なくとも１つは置換されていてもよいアルキル基である」との要件を満足しない。
　さらに，引用文献１発明の一般式（ｂ）の分子構造は，本願発明の一般式（ＰＩ−１）の分子構造と，ヘテロ原子Ｎの位置について合致しないから，当該一般式（ｂ）で表される金属錯体化合物中に，本願発明の一般式（ＰＩ−１）で表される化合物に該当するものは存在しない。
　そうすると，引用文献１発明において，発光層に含有させる金属錯体化合物として，無数に存在する一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属化合物の中から，引用文献１に例示のない本願発明の「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」に該当する物質を選択することには，動機付けがない。
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明の実施例についての記載等からみて，本願発明は，「一般式（１）で表される化合物」をホスト材料とし，「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」をドーパントとして組み合わせることで，「高温駆動時の外部量子効率及び耐久性が高く，かつ，高温駆動後の色度変化及び電圧上昇が小さい」（【０００５】及び【００１６】を参照。）という技術上の効果を奏するものと認められる。
　ｃ　本願発明の新規性，進歩性についてのまとめ
　前記ａ及びｂのとおりであって，本願発明と引用文献１発明との間には，相違点があるから，本願発明は，引用文献１発明と同一発明であるとはいえず，かつ，引用文献１発明を，相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることが，当業者といえども容易に想到し得たことでないから，本願発明は，引用文献１記載発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
（イ）請求項２ないし１５に係る発明について
　請求項２ないし１０，１３ないし１５は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているから，請求項２ないし１０，１３ないし１５に係る発明は，いずれも，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当する。
　そして，前記（ア）で述べたとおり，本願発明は，引用文献１発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，請求項２ないし１０，１３ないし１５に係る発明も同様の理由により，引用文献１発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　さらに，請求項１１及び１２は，それぞれ「発光層」及び「組成物」についての発明であるところ，当該請求項１１及び１２には，いずれにも，相違点１に係る本願発明の発明特定事項と同じ発明特定事項が記載されているから，請求項１１及び１２に係る発明も，本願発明と同様の理由により，引用文献１発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）引用文献２，３に基づく進歩性欠如に対する判断
　引用文献２には，発光層を形成する材料として用いるホスト材料の具体例中に本願発明の「一般式（１）で表される化合物」に該当する化合物が開示され，ドーパントとしてはイリジウム錯体が好適であることは記載されているものの，本願発明の「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」に該当する化合物は記載されておらず，ホスト材料である「一般式（１）で表される化合物」に該当する化合物と組み合わせるドーパントについて，イリジウム錯体の中でも本願発明の「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」に該当するイリジウム錯体が好適であることについては，記載も示唆もされていない。
　また，引用文献３には，発光層を形成する材料として用いるドーパントの具体例中に本願発明の「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」に該当する化合物が開示されているものの，本願発明の「一般式（１）で表される化合物」に該当する化合物は記載されておらず，ドーパントである「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」に該当する化合物と組み合わせるホスト材料について，本願発明の「一般式（１）で表される化合物」に該当する化合物が好適であることについては，記載も示唆もされていない。
　そうすると，引用文献２に記載された発光層を形成する材料について，ホスト材料として記載された多数の具体例の中から本願発明の「一般式（１）で表される化合物」に該当する化合物を選択するとともに，ドーパントとして，引用文献３に記載された多数の具体例の中から「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」を選択して，両者を組み合わせることには，動機付けがないというべきである。
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明の実施例についての記載等からみて，本願発明は，「一般式（１）で表される化合物」をホスト材料とし，「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」をドーパントとして組み合わせることで，「高温駆動時の外部量子効率及び耐久性が高く，かつ，高温駆動後の色度変化及び電圧上昇が小さい」（【０００５】及び【００１６】を参照。）という技術上の効果を奏するものと認められる。
　したがって，本願発明は，引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（イ）請求項２ないし１５に係る発明について
　請求項２ないし１０，１３ないし１５は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているから，請求項２ないし１０，１３ないし１５に係る発明は，いずれも，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当する。
　そして，前記（ア）で述べたとおり，本願発明は，引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，請求項２ないし１０，１３ないし１５に係る発明も同様の理由により，引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　さらに，請求項１１及び１２は，それぞれ「発光層」及び「組成物」についての発明であるところ，当該請求項１１及び１２には，いずれにも，「少なくとも一種の一般式（ＰＩ−１）で表される化合物と少なくとも一種の一般式（１）で表される化合物を含有する」との本願発明の発明特定事項と同じ発明特定事項が記載されているから，請求項１１及び１２に係る発明も，本願発明と同様の理由により，引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）小括
　前記（２）及び（３）のとおりであって，本願の請求項１ないし１５に係る発明は，いずれも，引用文献１発明と同一でなく，かつ，引用文献１発明に基づいて，又は，引用文献２に記載された発明及び引用文献３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものでもないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第４　当審において通知された拒絶理由について
１　当審において通知された拒絶理由の概要
（１）平成２７年７月２８日付けで通知された拒絶理由
　平成２７年７月２８日付けで通知された拒絶理由（以下，「第１当審拒絶理由」という。）は，概略，次のとおりである。
　ア　サポート要件・明確性要件違反
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法３６条６項１号及び２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　一般式（１）で表される化合物を含有する有機層の種類等に関して，本願の請求項１，２，４ないし１１，１４ないし１６（平成２６年７月４日提出の手続補正書による補正後の請求項１，２，４ないし１１，１４ないし１６。以下，「（１）平成２７年７月２８日付けで通知された拒絶理由」における請求項は，平成２６年７月４日提出の手続補正書による補正後の請求項を指す。）に係る発明にまで，本願明細書の発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないので，本願の請求項１，２，４ないし１１，１４ないし１６に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものでない。
　一般式（ＰＩ−１）中のＲ１〜Ｒ９の定義中の置換基に関して，本願の請求項１，２，４ないし１１，１４ないし１６（平成２６年７月４日提出の手続補正書による補正後の請求項１，２，４ないし１１，１４ないし１６）に係る発明にまで，本願明細書の発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえないので，本願の請求項１，３ないし１６に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものでない。
　請求項１２，１３の記載は，他の請求項の記載を引用する記載に関して不明確な点が存在するから，請求項１２，１３に係る発明は明確でない。
　イ　進歩性欠如
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は，本願の優先日より前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用例１：国際公開第２００８／０７２５３８号
引用例２：国際公開第２００８／１４３０５９号
引用例３：特表２００９−５２６０７１号公報
引用例４：国際公開第２０１０／００４８８７号
　引用例１に記載された発明において，引用例２ないし４の記載事項を適用し，一般式（ａ）で表される金属錯体化合物として，一般式（ＰＩ−１）で表される化合物を用いることは，当業者であれば容易に想到し得たことである。
　本願明細書の発明の詳細な説明の実施例等の記載からは，本願の各請求項に係る発明が，「高温駆動時の外部量子効率と耐久性に優れ，高温駆動時の色度変化と電圧上昇を抑えうる」という効果を有するものとは認められない。
（２）平成２７年１２月３日付けで通知された拒絶理由
　平成２７年１２月３日付けで通知された拒絶理由（以下，「第２当審拒絶理由」という。）は，概略，次のとおりである。
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　一般式（ＰＩ−１）中のＲ１〜Ｒ９の定義中のアルキル基及びアリール基やＲ３〜Ｒ６の定義中のアルキル基における置換の有無に関して，不明確な点が存在するから，請求項１ないし１５（平成２７年１１月１６日提出の手続補正書による補正後の請求項１ないし１５。以下，本欄における請求項は，平成２７年１１月１６日提出の手続補正書による補正後の請求項を指す。）に係る発明は明確でない。
　請求項２記載の化合物１６及２１は，請求項１記載の一般式（ＰＩ−１）に該当する化合物でないから，請求項２ないし４，８ないし１０，１３ないし１５に係る発明は明確でない。
（３）平成２８年７月６日付けで通知された拒絶理由
　平成２８年７月６日付けで通知された拒絶理由（以下，「第３当審拒絶理由」という。）は，概略，次のとおりである。
　この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　Ｒ１〜Ｒ９の定義中のアルキレン基は一般式（ＰＩ−１）と技術的に整合しないから，各請求項（平成２８年６月７日提出の手続補正書による補正後の請求項）に係る発明は明確でない。
２　第１当審拒絶理由ないし第３当審拒絶理由に対する判断
（１）第１当審拒絶理由のうち「サポート要件・明確性要件違反」，第２当審拒絶理由及び第３当審拒絶理由について
　第１当審拒絶理由のうち「サポート要件・明確性要件違反」，第２当審拒絶理由及び第３当審拒絶理由については，平成２８年７月１５日提出の手続補正書による補正によって不備が解消し，本願が，サポート要件に違反するとも，明確性要件に違反するとも，もはやいえなくなった。
（３）第１当審拒絶理由のうち「進歩性欠如」について
　第１当審拒絶理由の「進歩性欠如」で引用された引用例１は，原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１であるところ，当該引用例１の記載事項及び引用例１に記載された発明（引用文献１発明）は，前記第３　２（１）ア（ア）及び（イ）に記載したとおりであり，本願発明との一致点及び相違点（相違点１）は，前記第３　２（１）イ（ア）ａに記載したとおりである。
　そして，前記第３　２（１）イ（ア）ｂで述べたように，引用例１には，発光層が含有する「一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物」について，その中でも本願発明の一般式（ＰＩ−１）で表されるような化合物であることが好ましいことは，記載も示唆もされていない。
　一方，第１当審拒絶理由の「進歩性欠如」で引用された引用例２ないし４は，いずれも，本願の優先日より前に頒布され，又は電気通信回線を通じて公開されたものであるところ，引用例２ないし引用例４には，それぞれ，有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に用いる金属錯体化合物の具体例が例示されており，それぞれの具体例中に，本願発明の「一般式（ＰＩ−１）」に該当する金属錯体化合物は存在するものの，当該本願発明の「一般式（ＰＩ−１）」に該当する金属錯体化合物と組合せるホスト材料として，本願発明の「一般式（１）で表される化合物」が好適であることは，記載も示唆もされていない。
　そうすると，引用文献１発明の発光層が含有する「一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物」に該当する多数の金属錯体化合物の中から，引用例２ないし４に記載された本願発明の「一般式（ＰＩ−１）」に該当する金属錯体化合物を選択して，引用文献１発明の発光層が含有する「化合物（１）」と組み合わせることには，動機付けがないというべきである。
　そして，本願明細書の発明の詳細な説明の実施例についての記載等からみて，本願発明は，「一般式（１）で表される化合物」をホスト材料とし，「一般式（ＰＩ−１）で表される化合物」をドーパントとして組み合わせることで，「高温駆動時の外部量子効率及び耐久性が高く，かつ，高温駆動後の色度変化及び電圧上昇が小さい」（【０００５】及び【００１６】を参照。）という技術上の効果を奏するものと認められる。
　したがって，引用文献１発明において，発光層が含有する「一般式（ａ）及び／又は（ｂ）で表される金属錯体化合物」に該当する多数の金属錯体化合物の中から，本願発明の「一般式（ＰＩ−１）」に該当する金属錯体化合物を選択して，「化合物（１）」と組み合わせることは，たとえ引用例２ないし４の存在をもってしても，当業者が容易に容易に想到し得たこととはいえないから，本願発明は，引用文献１発明及び引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　請求項２ないし１０，１３ないし１５は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているから，請求項２ないし１０，１３ないし１５に係る発明は，いずれも，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当するところ，前述したとおり，本願発明が，引用文献１発明及び引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，請求項２ないし１０，１３ないし１５に係る発明も同様の理由により，引用文献１発明及び引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　さらに，請求項１１及び１２は，それぞれ「発光層」及び「組成物」についての発明であるところ，当該請求項１１及び１２には，いずれにも，相違点１に係る本願発明の発明特定事項と同じ発明特定事項が記載されているから，請求項１１及び１２に係る発明も，本願発明と同様の理由により，引用文献１発明及び引用例２ないし４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
３　小括
　以上のとおりであるから，第１当審拒絶理由ないし第３当審拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。