【事件の表示】
　特願２０１１−５５３４２３「再構成ウエハ製造の間のチップの位置決め方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　９月１６日国際公開、ＷＯ２０１０／１０２９９６、平成２４年　９月　６日国内公表、特表２０１２−５２０５５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年３月９日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２１年３月１０日　フランス（ＦＲ））を国際出願日とする出願であって、平成２５年９月１８日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年３月１１日付けで手続補正がなされ、同年１１月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２７年３月２５日付けで拒絶査定不服の審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年３月２５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２７年３月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）のうち、特許請求の範囲の請求項１について、
本件補正前には、
「【請求項１】
 　前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を複数有する再構成ウエハ（１）の製造方法であって、次のステップ、すなわち、
 　−複数のチップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せるステップと、
 　−前記複数のチップを封止するために前記支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させるステップと、
 　−前記樹脂（５０）を硬化させるステップと、
 前記接着支持体（２０）を除去するステップと、
 前記前面側（１２）の上に再配線層を形成するステップと
 を含む方法において、
 　−前記樹脂堆積ステップの前に、前記複数のチップの上に、前記複数のチップを位置決めするための支持ウエハ（４０）であって、前記複数のチップの１つの面上（１２、１３）に載せられる部分を有する支持ウエハ（４０）を接合するステップを含み、かつ、
 　−前記硬化ステップの後に、前記支持ウエハ（４０）を完全にまたは部分的に除去するステップを含む、
ことを特徴とする、再構成ウエハ（１）の製造方法。」
とあったものを、
「【請求項１】
 　前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を複数有する再構成ウエハ（１）の製造方法であって、次のステップ、すなわち、
 　−複数のチップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せるステップと、
 　−前記複数のチップを封止するために前記支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させるステップと、
 　−前記樹脂（５０）を硬化させるステップと、
 前記接着支持体（２０）を除去するステップと、
 前記前面側（１２）の上に再配線層を形成するステップと
 を含む方法において、
 　−前記樹脂堆積ステップの前に、前記複数のチップの上に、前記複数のチップを位置決めするための
、開口（４４）を有する格子である支持ウエハ（４０）であって、
 　−前記硬化ステップの後に、前記支持ウエハ（４０）を完全にまたは部分的に除去するステップを含む、
ことを特徴とする、再構成ウエハ（１）の製造方法。」
と補正するものである。
２．補正の目的について
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の請求項１に記載された「支持ウエハ」を「開口（４４）を有する格子」に限定したものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３．独立特許要件について
　請求項１についての本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２７年３月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
 　前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を複数有する再構成ウエハ（１）の製造方法であって、次のステップ、すなわち、
 　−複数のチップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せるステップと、
 　−前記複数のチップを封止するために前記支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させるステップと、
 　−前記樹脂（５０）を硬化させるステップと、
 前記接着支持体（２０）を除去するステップと、
 前記前面側（１２）の上に再配線層を形成するステップと
 を含む方法において、
 　−前記樹脂堆積ステップの前に、前記複数のチップの上に、前記複数のチップを位置決めするための、開口（４４）を有する格子である支持ウエハ（４０）であって、前記複数のチップの１つの面上（１２、１３）に載せられる部分を有する支持ウエハ（４０）を接合するステップを含み、かつ、
 　−前記硬化ステップの後に、前記支持ウエハ（４０）を完全にまたは部分的に除去するステップを含む、
ことを特徴とする、再構成ウエハ（１）の製造方法。」
（２）引用例
　平成２５年９月１８日付け拒絶理由で引用した米国特許第６２７１４６９号明細書（以下「引用例１」という。）には、「DIRECT BUILD-UP LAYER ON AN ENCAPSULATED DIE PACKAGE（封止ダイパッケージ上の直接ビルドアップ層）」について、図面とともに以下の事項が記載されている。（なお、原文の後に括弧書きで当審による仮訳を付記し、下線も付与した。）
ア．「Although FIGS. 1a-1k, 2a-2d, 3a-3f, 4a-4e, 5a-5f, 6a-6e, and 7a-7e illustrate various views of the present invention, these figures are not meant to portray microelectronic assemblies in precise detail. Rather, these figures illustrate semiconductor assemblies in a manner to more clearly convey the concepts of the present invention. Additionally, 
elements common between the figures retain the same numeric designation.
　The present invention includes a packaging technology that fabricates build-up layers on an encapsulated microelectronic die that has expanded area larger than that of the microelectronic die. FIGS. 1a-1k illustrate a first embodiment of a process of forming a microelectronic package of the present invention. As shown in FIG. 1a, a protective film 104 is abutted against an active surface 106 of a microelectronic die 102 to protect the microelectronic die active surface 106 from any contaminants. 
The microelectronic die active surface 106 has at least one contact 108 disposed thereon.
　The microelectronic die 102 is then encapsulated with 
an encapsulating material 112, such as 
resins
that covers a back surface 114
of the microelectronic die 102. The encapsulation of the microelectronic die 102 may be achieved by any known process, including
injection, transfer, and compression molding.
（図1a〜1k、2a〜2d、3a〜3f、4a〜4e、5a〜5f、6a〜6e、及び7a〜7eは本発明の種々の形態を示すが、これらの図面は小型電子回路の組立を正しく詳細に描写している訳ではない。むしろ、これらの図は、より明確に本発明の概念を伝える手法で半導体の組立を示す図である。更に、
図中の共通要素は、継続して同じ数値を指定している。
　本発明は、小型電子回路用ダイよりも拡大した面積を持つ封止ダイ上に、ビルドアップ層を形成するパッケージング技術を含んでいる。図1a〜1kは、本発明での小型電子回路用パッケージ形成工程の第一の実施形態を図示している。図1aに示すように、保護膜104は小型電子回路用ダイ102の活性面106と接していて、前記活性面106を汚染から保護している。
前記活性面106は、その上に配置された少なくとも一つのコンタクト部108を有している。
　次に、小型電子回路用ダイ102は、例えばプラスチックや
樹脂
封止材料112
小型電子回路用ダイ102の背面114
小型電子回路用ダイ102の封止は、射出成形、トランスファー成形、圧縮成形を含む公知のプロセスで実施することができる
イ．「
The present invention also includes a methods for die alignment, attachment, and molding.
The active surfaces 106 of a plurality of microelectronic dice 102 are aligned on and attached to the protective film 104
As shown in FIG. 3b, a thermally conductive, heat dissipation device, such as heat slug 164, is then attached with a thermally conductive adhesive to the plurality of microelectronic dice 102. The heat slug 164
may have a webbed configuration, as shown in top view in FIG. 3c. After attachment of the heat slug 164 to the plurality of microelectronic dice 102, the encapsulation material 112 is molded around the microelectronic dice 102 and the heat slug 164, as shown in FIG. 3d. After encapsulation, as shown in FIG. 3e, the protective film 104 is removed
As illustrated in FIG. 3e, at least one dielectric layer (shown as a first dielectric layer 118 and a second dielectric layer 126), conductive traces 124, and conductive pads 134 are fabricated, such as described in FIGS. 1c-1i. It is, of course, understood that the plurality of microelectronic dice 102 and its associated portion of the heat slug 164 could be singulated
after the fabrication of the various
conductive traces
（５欄６２行〜６欄２４行）
（
本発明は、ダイの整列、取り付け及び成形に関する方法も含んでいる。
複数の小型電子回路用ダイ102の活性面106は、保護膜104上に並べられ、前記保護膜104に取り付けられる。
図3bに示すように、熱伝導性の放熱素子、例えば、ヒートスラグ164が、次に、複数の小型電子回路用ダイ102に熱伝導性の接着剤で取り付けられる。ヒートスラグ164は、
図3cにその平面図を示すように、網目状に構成されていてもよい。ヒートスラグ164を複数の小型電子回路用ダイ102に取り付け後、図3dに示すように、封止材料112が小型電子回路用ダイ102及びヒートスラグ164の周辺に成形される。封止後に、図3eに示すように、保護膜104は除去されて、
図3eに示すように、（第一絶縁層118及び第二絶縁層126として示した）絶縁層の少なくとも一つと、導電性のトレース124、及び導電性パッド134が、図1c〜1iに示すように形成される。勿論、小型電子回路用ダイ102及びヒートスラグ164の前記ダイに関連する部分は、様々な
導電性のトレース
形成
後にダイシングできることが理解される。
・上記イによれば、引用例１には、複数のダイ１０２の整列、取り付け、成形に関する方法について記載されており、また、上記アによれば、ダイ１０２の活性面１０６にはコンタクト部１０８が設けられている。
・上記イによれば、ダイ１０２の活性面１０６が、保護膜１０４上に並べられ、保護膜１０４に取り付けられる。
・上記ア、イ、図３ｂ及び図３ｃによれば、ヒートスラグ１６４は網目状の構成を有しており、ヒートスラグ１６４がダイ１０２の背面１１４に接着剤で取り付けられる。
・上記イによれば、ヒートスラグ１６４をダイ１０２に取り付けた後、ダイ１０２の周辺に封止材料１１２を成形している。また、上記アによれば、図中の共通要素は継続して同じ数値を指定しており、封止材料１１２の例として樹脂を用いることが記載されているから、上記イの封止材料１１２としても樹脂が用いられる。
・上記イによれば、封止後に保護膜１０４が除去される。
・上記イ及び図３ｅによれば、活性面１０６に導電性のトレース１２４を形成している。
・上記イによれば、導電性のトレース１２４を形成した後、ダイ１０２及びヒートスラグ１６４のダイに関連する部分がダイシングされる。
　したがって、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「活性面１０６にコンタクト１０８を有する複数のダイ１０２の整列、取り付け、成形に関する方法であって、
　複数のダイ１０２の活性面１０６を保護膜１０４上に並べて保護膜１０４に取り付け、
　網目状に構成されたヒートスラグ１６４を、ダイ１０２の背面１１４に接着剤で取り付け、
　ヒートスラグ１６４をダイ１０２に取り付けた後、ダイ１０２の周辺に樹脂のような封止材料１１２を成形し、
　保護膜１０４を除去し、
　活性面１０６に導電性のトレース１２４を形成し、
　導電性のトレース１２４を形成した後、ダイ１０２及びヒートスラグ１６４のダイ１０２に関連する部分をダイシングすること
を特徴とする方法。」
（３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「活性面１０６」「コンタクト１０８」「ダイ１０２」は、本願発明の「前面側（１２）」「接続パッド（１１）」「チップ（１０）」に相当する。また、引用発明の「複数のダイ１０２」を「整列、取り付け、成形」したものは、本願発明の「再構成ウエハ（１）」に相当する。よって、引用発明の「活性面１０６にコンタクト１０８を有する複数のダイ１０２の整列、取り付け、成形に関する方法」は、本願発明の「前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を複数有する再構成ウエハ（１）の製造方法」に相当する。
ｂ．引用発明の「保護膜１０４」は、本願発明の「接着支持体（２０）」に相当する。よって、引用発明の「複数のダイ１０２の活性面１０６を保護膜１０４上に並べて保護膜１０４に取り付け」は、本願発明の「複数のチップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せる」ステップに相当する。
ｃ．引用発明の「樹脂のような封止材料１１２」は、本願発明の「樹脂（５０）」に相当する。よって、引用発明の「ダイ１０２の周辺に樹脂のような封止材料１１２を成形」することは、本願発明の「前記複数のチップを封止するために前記支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させる」ステップ、及び、「前記樹脂（５０）を硬化させる」ステップに相当する。
ｄ．引用発明の「保護膜１０４を除去し」は、本願発明の「接着支持体（２０）を除去する」ステップに相当する。
ｅ．引用発明の「導電性トレース１２４」は、本願発明の「再配線層」に相当する。よって、引用発明の「活性面１０６に導電性トレース１２４を形成し」は、本願発明の「前記前面側（１２）の上に再配線層を形成する」ステップに相当する。
ｆ．引用発明において、複数のダイをヒートスラグ１６４に接着剤で取り付けているから、複数のチップをヒートスラグ１６４に対して位置決めしていると言える。また、引用発明の「網目状に構成されたヒートスラグ１６４」は、本願発明の「開口（４４）を有する格子である支持ウエハ（４０）」に相当する。さらに、本願発明のチップの１つの面上（１３）は、段落【００３４】を参酌するとチップの裏面側１３を指しているから、引用発明の「ダイ１０２の背面１１４」に相当する。また、引用発明において、成形の前にヒートスラグ１６４を取り付けることは、本願発明における「樹脂堆積ステップの前に」支持ウエハ（４０）を接合することに相当する。よって、引用発明の「網目状に構成されたヒートスラグ１６４を、ダイ１０２の背面１１４に接着剤で取り付け」は、本願発明の「前記樹脂堆積ステップの前に、前記複数のチップの上に、前記複数のチップを位置決めするための、開口（４４）を有する格子である支持ウエハ（４０）であって、前記複数のチップの１つの面上（１２、１３）に載せられる部分を有する支持ウエハ（４０）を接合する」ステップに相当する。
ｇ．引用発明は、活性面１０６に導電性トレース１２４を形成した後、ダイ１０２及びヒートスラグ１６４をダイシングすることを特定している。
　ただし、引用発明は、ヒートスラグ１６４を「完全にまたは部分的に除去する」ことを特定していない点で本願発明と相違する。
　したがって、本願補正発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。
（一致点）
「前面側（１２）と呼称されるチップの１つの面に接続パッド（１１）を有するチップ（１０）を複数有する再構成ウエハ（１）の製造方法であって、次のステップ、すなわち、
 　−複数のチップ（１０）を、接着支持体（２０）の上の所定位置に、前面側を下にして載せるステップと、
 　−前記複数のチップを封止するために前記支持体（２０）上に樹脂（５０）を堆積させるステップと、
 　−前記樹脂（５０）を硬化させるステップと、
 前記接着支持体（２０）を除去するステップと、
 前記前面側（１２）の上に再配線層を形成するステップと
 を含む方法において、
 　−前記樹脂堆積ステップの前に、前記複数のチップの上に、前記複数のチップを位置決めするための、開口（４４）を有する格子である支持ウエハ（４０）であって、前記複数のチップの１つの面上（１２、１３）に載せられる部分を有する支持ウエハ（４０）を接合するステップを含む、
ことを特徴とする、再構成ウエハ（１）の製造方法。」
（相違点）
　本願発明は、硬化ステップの後に「支持ウエハ（４０）を完全にまたは部分的に除去するステップ」を有するのに対し、引用発明はこのような特定を有していない。
　そこで、上記相違点について検討する。
　ダイシングを行う際に、ダイシング対象物を所定の幅で除去することは、例えば、特開２０００−１９６０２１号公報（段落【０１２１】）、特開２００８−１６６５４６号公報（段落【００１８】【図３】）、特開２００４−１４８１１号公報（段落【００２５】【図２】）に記載されているように周知技術であり、引用発明においてもダイシングの際にヒートスラグを所定の幅で除去することにより相違点の構成とすることは当業者が適宜なし得る設計的な事項にすぎない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できるものである。
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明
１．本願発明の認定
　平成２７年３月２５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２６年３月１１日付けの手続補正書に記載された請求項１ないし１６により特定されたものであるところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　１．」に本件補正の前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１の記載事項は、前記「第２　３．（２）」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の支持ウエハに関する要件「開口（４４）を有する格子である」を削除したものである。
　そして、本願発明における支持ウエハを限定した本件補正発明が、上記「第２　３．（３）」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。