【事件の表示】
　特願２０１３−５２７７３２「共有膜熱電対列センサアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月１８日国際公開、ＷＯ２０１２／１４０５２１，平成２５年１１月１４日国内公表，特表２０１３−５４１７０４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成２４年４月１３日（パリ条約による優先権主張日　平成２３年４月１５日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２５年７月１８日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出され，同年１１月２９日付けで拒絶査定されたのに対し，平成２６年４月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，それと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定 
   
［補正却下の決定の結論］ 
　本件補正を却下する。 
   
［理由］
１　補正後の請求項１に係る発明 
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１は， 
「【請求項１】
　放射を監視する熱電対列センサアレイであって、
　半導体基板と、
　前記半導体基板に位置決めされる共有支持膜と、
　前記共有支持膜及び前記半導体基板上に配置される複数の熱電対列であって、前記複数の熱電対列のそれぞれの第１の部分は前記共有支持膜に接触し、前記複数の熱電対列のそれぞれの第２の部分は前記半導体基板上に配置される、複数の熱電対列と、
　前記複数の熱電対列のそれぞれに熱的に結合される１つ又は複数の吸収体と、
　
共
の
であって、前記複数の熱電体列のうち、最も外側の熱電体列の外側のエッジと前記半導体基板の内側のエッジとの間の前記共有支持膜の一部である、デッドスペース
　
前記デッドスペースは、前記半導体基板の前記内側の前記エッジと前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジとの間に断熱を提供するように構成され
　
前記デッドスペースは、前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上の距離に広がり
　前記複数の熱電対列における各熱電対列は、それぞれ、１つ又は複数の前記吸収体で受け取られた放射に応答して、別個独立の出力電圧を生成するように動作可能である、
　熱電対列センサアレイ。」（下線は補正箇所を示す。）と補正された。
　
２　請求項１の補正事項について 
（１）上記請求項１の補正箇所を示す部分においては「熱電
体
（２）請求項１において，補正前の「前記半導体基板と前記複数の熱電対列の最も外側の１つとの間に断熱を提供するために共有支持膜の端部に形成されるデッドスペース」を、「
前記複数の熱電体列のうち、最も外側の熱電体列の外側のエッジと前記半導体基板の内側のエッジとの間の前記共有支持膜の一部で
前記半導体基板の前記内側の前記エッジと前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジとの間に断熱を提供するように構成され
共
の
であって
前記デッドスペースは、前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上の距離に広が
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　特許法第２９条第２項について
（１）引用刊行物及びその記載事項 
　本願の出願前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である国際公開第０３／００６９３９号（以下「引用例」という。）には，次の事項が記載されている。なお，以下の摘記において，引用発明の認定に関連する箇所に下線を付与した。 
ア　引用例の１頁１７行〜２頁２３行には，「発明の開示」として以下の記載がある。　
（ア）「発明の開示
　本発明は、複数の赤外線検出画素を集積化すると共にそれらの検出感度を十分に高く且つ均一化することが可能な赤外線アレイ検出装置を提供することを目的とする。
　一般に、赤外線アレイ検出装置においては、検出感度が高く且つ均一であることが重要である。しかし、上記の従来の赤外線アレイ検出装置においては赤外線吸収膜から熱電対に熱が伝わる際にその一部が基板に伝わり、熱電変換効率が悪くなり、検出感度が低下してしまう場合がある。検出感度が低下するのを防ぐため、基板を裏面からエッチングすることにより、基板はダイヤフラム構造へ加工される。ダイヤフラム構造の場合には、基板の薄板部の上部に熱電対の温接点、厚板部の上部に熱電対の冷接点が配置され、これにより基板に伝わる熱量が低減される。」
（イ）「しかしながら、このようにダイヤフラム構造の基板に複数の赤外線検出器を並べた場合には、赤外線検出器の位置によって基板への熱の伝わり方が異なる。よって、各赤外線検出器の熱電変換効率にばらつきが生じ、均一な検出感度が得られないという問題を生じる。例えば一次元アレイ状に並んだ赤外線検出器においては、アレイの両端に位置する赤外線検出器はこれらを除く他の赤外線検出器よりも基板の厚板部に近いため、アレイの両端に位置する赤外線検出器では赤外線の吸収に伴い発生する熱は、厚板部に容易に伝わり、熱電変換効率が悪くなり検出感度が低下しやすい。」
（ウ）「なお、
基板の薄板部を非常に大きくすることにより両端部の赤外線検出器と厚板部との間に十分な距離を確保し
赤外線検出器の感度を均一化する
（エ）「本発明に係る赤外線アレイ検出装置は、絶縁材料からなるサポート膜、中空部分を有してサポート膜の周縁部を支持する枠体、温接点が中空部分の上部に形成されると共に冷接点が枠体の上部に形成された複数の熱電対が直列に接続され、前記温接点の上部を覆うように赤外線吸収層を形成することで１画素が構成され、サポート膜上にアレイ状に配置された３個以上の赤外線検出画素、並びに赤外線検出画素に赤外線を照射したときに取り出される起電力と位置との相関に基づいて、周端部に配置された第１の赤外線検出画素の検出感度と、中間部に配置された第２の赤外線検出画素の検出感度との差を補償する補償手段を備える。」
　
イ　引用例の６頁９行〜７頁１４行，同頁２６行〜８頁４行及び同頁１８行〜２１行には，「発明を実施するための最良の形態」として以下の記載がある。
（ア）「発明を実施するための最良の形態
　図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一または相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
　図１Ａは、第１実施形態にかかる
赤外線アレイ検出装置
ダイヤフラム構造の支持部材は、サポート膜１とシリコン製の枠体３とから構成されている
サポート膜１の周縁部は枠体３で支持されている。サポート膜１上には赤外線検出画素４ａ、４ｂが１次元アレイ状に並べられている
　
両端部に配置された赤外線検出画素４ａと、中間部に配置された赤外線検出画素４ｂとは、サーモパイルを構成する熱電対
同様の構成を有する
ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７とが接続され、このようにして熱電対が形成されている。この熱電対の複数個が直列に接続されてサーモパイルが形成されている
ポリシリコン膜５およびアルミニウム膜７は、枠体３の相対する２辺に設けられ、枠体３から中空部分２上部の中央に伸びている
　サポート膜１およびサーモパイルの露出表面は窒化シリコン（以下、ＳｉＮ）からなるパッシベーション膜８で被覆されている。パッシベーション膜８上には、中空部分２の上部に形成されたＳｉＯ２膜６の開口穴部を覆うように赤外線吸収膜９が形成されている。そして、ＳｉＯ２膜６の開口穴部における
ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７との接点のうち、中空部分２の上部に形成された接点は赤外線吸収膜９で覆われている。赤外線吸収膜９で覆われたこの接点が温接点として働く
赤外線の吸収により赤外線吸収膜９で熱が発生すると、熱電対の温接点と冷接点とで温度差が生じ、ゼーベック効果により起電力が生じる
（イ）「赤外線検出画素４ａ、４ｂが備えるサーモパイルの一端には赤外線検出画素毎に別個の取り出し電極１０ａが接続されており、他端には各赤外線検出画素の共通電極として共通取り出し電極１０ｂが接続されている。電極１０ａ，１０ｂにより、赤外線の吸収により熱電対で生じる起電力が画素情報信号として取り出され、１次元的な位置の違いによる赤外線照射量の違いが測定される。」
（ウ）「サポート膜１は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、またはＳｉＯ２から構成されることができる。或いは、サポート膜１は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ　Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）のいずれかを含む多層膜から構成されてもよい。」
　
ウ　図１Ａ及び１Ｂとして以下の図面が記載されている。
　図１Ａ及び１Ｂから，「サポート膜１の端部には，複数の赤外線検出画素のうち、最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと前記枠体３の内側のエッジとの間の前記サポート膜１の一部であるスペースがある」ことが見て取れる。
　
（２）引用発明について
ア　引用例における「本発明」は，上記摘記ア（イ）に記載されている「アレイの両端に位置する赤外線検出器はこれらを除く他の赤外線検出器よりも基板の厚板部に近いため、アレイの両端に位置する赤外線検出器では赤外線の吸収に伴い発生する熱は、厚板部に容易に伝わり、熱電変換効率が悪くなり検出感度が低下しやすい。」という技術課題を解決するために，上記摘記ア（エ）に記載されている補正手段を用いたものであるが，引用例には，上記摘記ア（ウ）に記載されている「基板の薄板部を非常に大きくすることにより両端部の赤外線検出器と厚板部との間に十分な距離を確保し」「赤外線検出器の感度を均一化する」発明も記載されているため，その発明を引用発明として認定することにする。この際，引用例における「発明を実施するための最良の形態」の記載において，補正手段に関する記載以外の部分すなわち上記摘記イ（ア）及び（イ）の記載，及び，上記図面である摘記ウの記載は，上記摘記ア（ウ）に記載されている「基板の薄板部を非常に大きくすることにより両端部の赤外線検出器と厚板部との間に十分な距離を確保し」「赤外線検出器の感度を均一化する」発明においても共通するものである。
　
イ　上記摘記ア（ウ）の「基板の薄板部を非常に大きくすることにより両端部の赤外線検出器と厚板部との間に十分な距離を確保し」「赤外線検出器の感度を均一化する」との記載を，上記摘記ウの図面に合わせて記載すると，「両端部の赤外線検出器」は「最も外側の赤外線検出画素４ａ」であり，「薄板部」は「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間のサポート膜１の一部」であるから，「両端部の赤外線検出器と厚板部との間の距離」は「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間の距離」となる。
　
ウ　上記ア及びイを踏まえ，上記（１）の記載事項を総合すると，引用例には，以下の発明が記載されていると認められる。
「赤外線アレイ検出装置であって，
　ダイヤフラム構造の支持部材は，サポート膜１とシリコン製の枠体３とから構成され，サポート膜１の周縁部は枠体３で支持され，サポート膜１上には赤外線検出画素４ａ，４ｂが１次元アレイ状に並べられており，両端部に配置された赤外線検出画素４ａと，中間部に配置された赤外線検出画素４ｂとは，サーモパイルを構成する熱電対があり，同様の構成を有し，
　上記熱電対は，ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７とが接続されて形成され，この熱電対の複数個が直列に接続されて上記サーモパイルが形成され，ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７は，枠体３の相対する２辺に設けられ，枠体３から中空部分２上部の中央に伸びており，ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７との接点のうち，中空部分２の上部に形成された接点は赤外線吸収膜９で覆われ，赤外線吸収膜９で覆われたこの接点が温接点として働き，赤外線の吸収により赤外線吸収膜９で熱が発生すると，熱電対の温接点と冷接点とで温度差が生じ，ゼーベック効果により起電力が生じる，赤外線アレイ検出装置において，
　サポート膜１の端部には，複数の赤外線検出画素のうち，最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと前記枠体３の内側のエッジとの間の前記サポート膜１の一部であるスペースがあり，
　最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間のサポート膜１の一部を非常に大きくすることにより，最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間の距離を確保し、赤外線検出画素の感度を均一化する，
　赤外線アレイ検出装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（３）対比・判断
ア　対比 
　補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）補正発明の「放射を監視する熱電対列センサアレイ」は，発明の詳細な説明に「熱電対列は、非接触温度測定を行うために一般に使用される赤外線放射（ＩＲ）検出器である。」（【０００２】）と記載されていることからみて，赤外線の放射を検出するものを含むから，引用発明の「赤外線アレイ検出装置」は，補正発明の「放射を監視する熱電対列センサアレイ」に相当する。
　
（イ）引用発明の「シリコン製の枠体３」は，補正発明の「半導体基板」に相当する。
　
（ウ）「周縁部」が「枠体３で支持されている」「サポート膜１」は，枠体３に位置決めされているといえることから，補正発明の「半導体基板に位置決めされる共有支持膜」に相当する。
　
（エ）引用発明の「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７とが接続されて形成され」た「熱電対」は，補正発明の「熱電対」に相当し，引用発明の「熱電対」の「複数個が直列に接続されて」「形成され」た「サーモパイル」である「赤外線検出画素」は，補正発明の「熱電対列」に相当する。そして，引用発明では，複数の「赤外線検出画素」を備えているから，引用発明の「赤外線検出画素４ａ、４ｂ」は，補正発明の「複数の熱電対列」に相当する。
　
（オ）引用発明の「サポート膜１上に」「１次元アレイ状に並べられている」「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」，及び，「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７」が「枠体３の相対する２辺に設けられ，枠体３から中空部分２上部の中央に伸びている」「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」は，補正発明の「前記共有支持膜及び前記半導体基板上に配置される複数の熱電対列」に相当する。
　さらに，「サポート膜１上に」「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」が「並べられている」のであるから，「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」のそれぞれが「サポート膜１」に接触している部分（補正発明の「第１の部分」に相当）があるといえ，また，「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７」が「枠体３の相対する２辺に設けられ，枠体３から中空部分２上部の中央に伸びている」「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」を形成する「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７」が「枠体３の相対する２辺に設けられ」ているのであるから，「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」のそれぞれが「枠体３」上に配置される部分（補正発明の「第２の部分」に相当）があるといえる。
　してみれば，引用発明の「サポート膜１上に」「１次元アレイ状に並べられている」「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」，及び，「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７」が「枠体３の相対する２辺に設けられ，枠体３から中空部分２上部の中央に伸びている」「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」は，補正発明の「前記複数の熱電対列のそれぞれの第１の部分は前記共有支持膜に接触し、前記複数の熱電対列のそれぞれの第２の部分は前記半導体基板上に配置される、複数の熱電対列」に相当するものでもある。
　
（カ）引用発明の「温接点として働く」「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７との接点」を「覆」う「赤外線吸収膜９」は，「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」のそれぞれに「ポリシリコン膜５とアルミニウム膜７との接点」において熱的に結合されているといえることから，補正発明の「前記複数の熱電対列のそれぞれに熱的に結合される１つ又は複数の吸収体」に相当する。
　
（キ）引用発明の「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」において「赤外線の吸収により赤外線吸収膜９で熱が発生すると，熱電対の温接点と冷接点とで温度差が生じ，ゼーベック効果により起電力が生じる」ことは，ここでの「ゼーベック効果」は「温度差が生じ」ることで起電圧を生じることからみて，「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」のそれぞれにおいて，「赤外線吸収膜９」で「吸収」された「赤外線」に応答して電圧を生じていることは明らかであり，それは「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」が出力電圧を生じるように動作可能であるともいえる。
　そして，上記摘記イ（イ）を参照するに，「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」が生じる出力電圧は，「赤外線吸収膜９」で「吸収」された「赤外線」に応答して画素毎に出力されるのであるから，別個独立のものといえる。
　してみれば，引用発明の「赤外線検出画素４ａ，４ｂ」は「赤外線の吸収により赤外線吸収膜９で熱が発生すると，熱電対の温接点と冷接点とで温度差が生じ，ゼーベック効果により起電力が生じる」ことは，補正発明の「前記複数の熱電対列における各熱電対列は、それぞれ、１つ又は複数の前記吸収体で受け取られた放射に応答して、別個独立の出力電圧を生成するように動作可能である」ことに相当する。
　
（ク）補正発明の「サポート膜１の端部」の「複数の赤外線検出画素のうち，最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと前記枠体３の内側のエッジとの間の前記サポート膜１の一部であるスペース」は，補正発明の「共有支持膜の端部のデッドスペースであって、前記複数の熱電体列のうち、最も外側の熱電体列の外側のエッジと前記半導体基板の内側のエッジとの間の前記共有支持膜の一部である、デッドスペース」に相当する。
　また，「サポート膜１」は，上記摘記イ（ウ）に記載のとおり，窒化シリコン（ＳｉＮ）、またはＳｉＯ２から構成，或いは，ＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ），ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ　Ｐｈｏｓｐｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）のいずれかを含む多層膜から構成されるもので，これらのＳｉＮ，ＳｉＯ２，ＰＳＧ，ＢＰＳＧはいずれも断熱性を示す材料であるから，引用発明の「サポート膜１の一部であるスペース」は断熱を提供しているといえる。
　してみれば，引用発明の「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと前記枠体３の内側のエッジとの間の前記サポート膜１の一部であるスペース」は，補正発明の「前記半導体基板の前記内側の前記エッジと前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジとの間に断熱を提供するように構成され」る「デッドスペース」に相当するといえる。
　
　してみれば，補正発明と引用発明とは， 
（一致点） 
「放射を監視する熱電対列センサアレイであって，
　半導体基板と，
　前記半導体基板に位置決めされる共有支持膜と，
　前記共有支持膜及び前記半導体基板上に配置される複数の熱電対列であって，前記複数の熱電対列のそれぞれの第１の部分は前記共有支持膜に接触し，前記複数の熱電対列のそれぞれの第２の部分は前記半導体基板上に配置される，複数の熱電対列と，
　前記複数の熱電対列のそれぞれに熱的に結合される１つ又は複数の吸収体と，
　共有支持膜の端部のデッドスペースであって，前記複数の熱電体列のうち，最も外側の熱電体列の外側のエッジと前記半導体基板の内側のエッジとの間の前記共有支持膜の一部である，デッドスペースと，を含み、
　前記デッドスペースは，前記半導体基板の前記内側の前記エッジと前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジとの間に断熱を提供するように構成され，
　前記複数の熱電対列における各熱電対列は，それぞれ，１つ又は複数の前記吸収体で受け取られた放射に応答して，別個独立の出力電圧を生成するように動作可能である，
　熱電対列センサアレイ。」 
　の点で一致し，以下の点で相違する。 
　
（相違点） 
　デッドスペースが，補正発明では，「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上の距離に広が」っているのに対して，引用発明では，どの程度広がっているのか不明である点。
　
イ　判断
　引用発明の「赤外線アレイ検出装置」は，「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間のサポート膜１の一部を非常に大きくすることにより，最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間の距離を確保」することにより「赤外線検出画素の感度を均一化する」ものである一方，上記引用例１の摘記ア（ウ）には，このような態様とすることにより「装置を小型化、集積化することが困難であり、実用上好ましくない。」ことも記載されている。
　しかしながら，赤外線アレイ検出装置において，装置の小型化、集積化よりも「赤外線検出画素の感度を均一化する」という目的が優先され得るものであることを考慮するに，その目的を達成するためには，引用発明において「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間の距離」が広い方が良いことは明らかであるから，「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間の距離」を，補正発明のように「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上の距離に広」げることは当業者が容易になし得たことである。
　そして，補正発明においては，デッドスペースの広がる距離について「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上」と特定しているが，「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離」との記載自体は発明の詳細な説明にはなく，本願に添付されている図４Ｂ及び図４Ｃの記載において，デッドスペースの広がる距離が「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上」であることが見て取れる程度である。してみれば，補正発明の「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離」に臨界的な技術上の意義があるとはいえず，補正発明におけるデッドスペースの広がる距離について「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離」以上と特定することに格別顕著な効果があるとはいえない。
　なお，請求人は，審判請求書で，引用例（審判請求書の「引用文献２」）について，
「引用文献２には、「基板の薄板部を非常に大きくすることにより両端部の赤外線検出器と厚板部との間に十分な距離を確保したり、・・・すれば、・・・均一化することは可能である。しかし、このような方法では、装置を小型化、集積化することが困難であり、実用上好ましくない」と明確に記載されています。この記載について、審査官殿は、「・・・欠点を述べながらも、両端部の赤外線検出器と前記枠体３との間に十分な距離を確保することで、赤外線検出器の感度を均一化することが可能であること自体は示されているのであるから、本願の『デッドスペース』に相当する事項は引用文献１に開示されている。」と判断されています。しかし、この記載は、「厚板部（枠体３）」と赤外線検出器との距離のことが記載されているのであって、請求項１に記載の「半導体基板の内側のエッジ」と「最も外側の熱電体列の外側のエッジ」との間のスペースのことではありません。さらに、この記載では、「このような方法では装置を小型化、集積化することが困難であり、実用上好ましくない」と断言しており、この記載を見た当業者は、目的にかかわらず、請求項１に記載の上記構成にするはずがありません。」（上記「引用文献１」は「引用文献２」の誤りである。）と主張している。
　しかし，上記（２）イで述べたとおり，薄板部は「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間のサポート膜１の一部」であるから，「両端部の赤外線検出器と厚板部との間の距離」は「最も外側の赤外線検出画素４ａの外側のエッジと枠体３の内側のエッジとの間の距離」と解することができるものである。
　また，上記（２）アで述べたように，上記引用発明の認定においては，引用例における「このような方法では装置を小型化、集積化することが困難であり、実用上好ましくない」ことに対応する補正手段を用いた「本発明」を引用発明としたのではないから，上記主張は，その前提を欠くものである。
   
（４）小括
　したがって，補正発明は，引用発明，及び，引用例１の記載事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　　
４　まとめ 
　以上のとおり，補正発明は，上記３で指摘したとおり，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから，特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
   
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されることとなるので，本願の請求項１ないし３１に係る発明は，平成２５年１０月２３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３１に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　放射を監視する熱電対列センサアレイであって、
　半導体基板と、
　前記半導体基板に位置決めされる共有支持膜と、
　前記共有支持膜及び前記半導体基板上に配置される複数の熱電対列であって、前記複数の熱電対列のそれぞれの第１の部分は前記共有支持膜に接触し、前記複数の熱電対列のそれぞれの第２の部分は前記半導体基板上に配置される、複数の熱電対列と、
　前記複数の熱電対列のそれぞれに熱的に結合される１つ又は複数の吸収体と、
　前記半導体基板と前記複数の熱電対列の最も外側の１つとの間に断熱を提供するために共有支持膜の端部に形成されるデッドスペースと、を含み、
　前記複数の熱電対列における各熱電対列は、それぞれ、１つ又は複数の前記吸収体で受け取られた放射に応答して、別個独立の出力電圧を生成するように動作可能である、
　熱電対列センサアレイ。」 
   
２　引用刊行物及びその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記引用例の記載事項は，上記第２の４（１）に記載したとおりである。 
   
３　対比・判断 
　上記第２の２に記載したとおり，補正発明は，本願発明の「デッドスペース」に，少なくともさらに「前記最も外側の熱電体列の前記外側のエッジから前記最も外側の熱電体列の内側のエッジまでの前記最も外側の熱電体列にわたる距離以上の距離に広が」るものに限定する補正を行ったものであるから，本願発明は，補正発明から少なくとも上記限定事項を省いた発明といえる。
　そして，上記第２の４（３）アの（相違点）で記載したように，補正発明は上記限定事項の点で引用発明と相違するものであるから，上記限定事項を省いた本願発明と引用発明とは，相違点がないことになる。
　してみれば，本願発明は，引用例に記載された発明である。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　よって，結論のとおり，審決する。