【事件の表示】
　特願２０１３−　９２５４４「密封されたコンデンサアセンブリ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月２５日出願公開、特開２０１３−１４５９２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年３月１２日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２０年４月１日　米国（ＵＳ））に出願した特願２００９−５９６８３号の一部を平成２５年４月２５日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年５月２７日付けで手続補正がなされ、平成２６年１月１５日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年４月２１日付けで手続補正がなされたが、同年９月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年１月２０日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされた。
　その後、当審の平成２７年１１月１３日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２８年２月１６日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１３に係る発明は、平成２８年２月１６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　タンタル又は酸化ニオブを含む多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードワイヤと、陽極酸化によって前記ペレットの上及び内部に形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、導電性ポリマーを有するカソードとを含む電解コンデンサと、
　不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入されたハウジングであって、該ハウジングは、２つの対向する側部の間に配置されて前記内部空洞を形成する下壁を含み、該下壁の内部空洞に面する表面は１つの平面内に存在する、前記ハウジングと、
　前記ハウジングの前記内部空洞に面する表面を形成する第１の導電トレースであって、前記アノードリードワイヤと電気的に接触する、前記第１の導電トレースと、
　前記ハウジングの前記内部空洞に面する表面を形成する第２の導電トレースであって、前記カソードと電気的に接触し、前記下壁が前記第１の導電トレース又は前記第２の導電トレースと直接接触している、前記第２の導電トレースと、
　前記第２の導電トレースと電気的に接続し、前記ハウジングの外部に位置するカソード端子と、
　前記下壁内の通路を通って前記第１の導電トレースと電気的に接続し、前記ハウジングの外部に位置するアノード端子と、
　を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。」
　
３．引用例
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された特開２００５−３９１６８号公報（以下、「引用例１」という。）には、「セラミック容器およびそれを用いたタンタル電解コンデンサ」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
（１）「【請求項１】 
上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、前記セラミック基体の外側面に上下方向に形成されるとともに内面に第一および第二の側面導体がそれぞれ形成された第一および第二の溝とを具備しており、前記第一のメタライズ層は第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されていることを特徴とするセラミック容器
　
（２）「【請求項５】 
請求項１
に記載のセラミック容器と、タンタル粉末の焼結体の側面に一端部が埋め込まれるとともに他端部が前記第一のメタライズ層に電気的に接続されている陽極リード端子、および前記焼結体の下面に被着されるとともに前記第二のメタライズ層に電気的に接続されている陰極層とを有するタンタル電解コンデンサ素子と、前記セラミック基体の上面に前記凹部を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするタンタル電解コンデンサ
  
（３）「【０００１】 
　
本発明は
特にセラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関する
　
（４）「【０００４】 
　以下に、この種の従来のタンタル電解コンデンサについて図５を用いて説明する。図５は従来のタンタル電解コンデンサの構成を示す断面図であり、同図において11はタンタル電解コンデンサ、Ｂはタンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リードを示し、
タンタル電解コンデンサ素子Ｂはタンタルなどから成る陽極リードＣの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体12に誘電体の酸化皮膜層（図示せず）を形成し、固体電解質層（図示せず）を酸化被膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層12ａを形成することにより得られる
　
（５）「【００１２】 
　したがって、本発明は上記問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、
タンタル電解コンデンサを半田付けをするときに高温に曝されても、タンタル電解コンデンサ素子の気密性を保持することができる
　
（６）「【００２５】 
　本発明のセラミック容器について以下に詳細に説明する。図１において、（ａ）は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は図（ａ）の断面図である。また、図２は本発明のセラミック容器の実施の形態の一例を下方から見た斜視図であり、図３は本発明のセラミック容器の実施の形態の他の例を下方から見た斜視図である。これらの図において、１はセラミック基体、１ａは凹部、１ｂは第二のメタライズ層、１ｃ−Ａは段差、２は切り欠き、２ａは第一のメタライズ層、３ａは第一の内部配線、３ｂは第二の内部配線、４ａは第一の導体層、４ｂは第二の導体層、４ｃは第一の側面導体、４ｄは第二の側面導体、５ａ，５ｂは第一および第二の突出部、６は蓋体、Ａはセラミック容器、Ｂはタンタル電解タンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リード端子、Ｄは陰極層、Ｅは導電性接合材である。 
【００２６】 
　本発明の
セラミック容器Ａは、セラミック基体１の上面中央部に直方体状の凹部１ａが形成され、この凹部１ａの１つの内側面と凹部１ａの底面との間に段差１ｃ−Ａが形成されており、例えば図１に示すように下面の段差１ｃ−Ａの直下の部位に第一の導体層４ａが、および段差１ｃ−Ａが形成された上記の１つの内側面に対向する内側面の直下の部位に第二の導体層４ｂがそれぞれ設けられている
【００２７】 
　また、
段差１ｃ−Ａの上面からその側面にかけて切り欠き２が形成され、切り欠き２の内面の側面および底面に第一のメタライズ層２ａが形成されており、また凹部１ａの底面には第二のメタライズ層１ｂが形成されている。さらに、第一のメタライズ層２ａと電気的に接続され、セラミック基体１の内部を貫通する第一の内部配線３ａと、セラミック基体１の下面の第一の導体層４ａとを電気的に接続する第一の側面導体４ｃ（いわゆるキャスタレーション導体）がセラミック基体１の外側面に形成された第一の溝内に形成されている。また、第二のメタライズ層１ｂと電気的に接続され、セラミック基体１の内部を貫通する第二の内部配線３ｂと、セラミック基体１の下面の第二の導体層４ｂとを電気的に接続する第二の側面導体４ｄ（キャスタレーション導体）がセラミック基体１の外側面に形成された第二の溝内に形成されている
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・ 
【００３４】 
　
セラミック基体１の下面には、第一および第二の導体層４ａ，４ｂが第一および第二の側面導体４ｃ，４ｄと第一および第二の内部配線３ａ，３ｂとを介して第一および第二のメタライズ層２ａ，１ｂとそれぞれ電気的に接続されて形成されている。これらの第一および第二の導体層４ａ，４ｂが外部電気回路基板（図示せず）の表面の配線導体に半田を介して接合される
（７）「【００４３】 
　そして、枠状部材７にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＡｌ合金等の金属製の
蓋体６をシーム溶接等により接合し、セラミック基体１の上面に凹部１ａを塞ぐように強固に取着することによって、セラミック基体１の凹部１ａを確実に気密封止できるようになる。従って、外部から水分や酸素等がセラミック基体１と蓋体６との間から凹部１ａに侵入するのをより有効に抑止することができるので、内部に封入されるタンタル電解コンデンサ素子Ｂに漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりするのを有効に防止できる
【００４４】 
　また、
タンタル電解コンデンサ素子Ｂが水分による腐食等で劣化するのを有効に防止できるので、タンタル電解コンデンサ素子Ｂの電気特性を長期間にわたって良好に維持できる
（８）「【００４５】 
　次に、本発明のタンタル電解コンデンサＦについて以下に詳細に説明する。図４は本発明のタンタル電解コンデンサＦの実施の形態の一例を示す断面図であり、Ｂはタンタル電解コンデンサ素子、Ｃは陽極リード端子、Ｄは陰極層、Ｅは導電性接合材である。 
【００４６】 
　本発明の
タンタル電解コンデンサＦは、タンタル粉末の焼結体の側面からこの焼結体内に一端部が埋め込まれて形成された陽極リード端子Ｃと焼結体の外周に形成された陰極層Ｄとを有するタンタル電解コンデンサ素子Ｂを内蔵している。そして、陽極リード端子Ｃがその他端部を切り欠き２に導電性接合材Ｅを介して接合されてなるとともに、段差１ｃ−Ａ上の切り欠き２が導電性接合材Ｅによって覆われることにより、陽極リード端子Ｃと第一のメタライズ層２ａとの接続部の電気抵抗を小さくすることができ、かつ陽極リード端子Ｃを強固に切り欠き２の第一のメタライズ層２ａに接合することができるとともに、さらに、陰極層Ｄが導電性接合材Ｅによって広い面積で第二のメタライズ層１ｂに電気的に接合される
（９）「【００５０】 
　さらに好ましくは、
セラミック容器Ａの内部に窒素またはアルゴン等の不活性気体を封入すると良く、タンタル電解コンデンサ素子Ｂがセラミック容器Ａの内部気体と反応して腐食等するのを確実に防止し、タンタル電解コンデンサ素子Ｂを長期にわたって極めて良好に作動させることができる
　・上記引用例１に記載の「セラミック容器およびそれを用いたタンタル電解コンデンサ」は、上記（２）、（３）の記載事項によれば、セラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサに関するものである。 
　・タンタル電解コンデンサＦは、上記（８）の記載事項によれば、陽極リード端子Ｃとタンタル電解コンデンサ素子Ｂとを含み、当該タンタル電解コンデンサ素子Ｂとしては、上記（４）に記載された従来例に係るタンタル電解コンデンサＢと同じものが用いられることは明らかであり、すなわち、上記（４）の記載事項によれば、タンタル電解コンデンサ素子Ｂは、陽極リードＣの一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出するように埋設されたタンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に誘電体の酸化皮膜層を形成し、固体電解質層を酸化皮膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層Ｄを形成することにより得られるものである。 
　・上記（１）、（６）の記載事項、及び図１、図４によれば、セラミック容器Ａは、上面の中央部に直方体状の凹部１ａが形成され、該凹部１ａの一内側面と底面との間に段差１ｃ−Ａが形成されており、下面に第一の導体層４ａおよび第二の導体層４ｂが互いに独立して設けられたセラミック基体１と、前記段差１ｃ−Ａの上面から側面にかけて形成された切り欠き２と、該切り欠き２の側面および底面に形成された第一のメタライズ層２ａと、前記凹部１ａの底面に形成された第二のメタライズ層１ｂと、前記セラミック基体１の側壁内部を貫通する第一の内部配線３ａおよび第二の内部配線３ｂと、前記セラミック基体１の外側面に設けられた第一の溝および第二の溝内にそれぞれ形成された第一の側面導体４ｃおよび第二の側面導体４ｄとを具備しており、前記第一のメタライズ層２ａは前記第一の内部配線３ａと前記第一の側面導体４ｃとを介して前記第一の導体層４ａに電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層１ｂは前記第二の内部配線３ｂと前記第二の側面導体４ｄとを介して前記第二の導体層４ｂに電気的に接続されてなるものである。 
　そして、上記（２）、（７）の記載事項、及び図４によれば、セラミック容器Ａの内部にタンタル電解コンデンサＦが封入され、凹部１ａを塞ぎ気密封止するように蓋体６が取着されるものである。 
　・上記（２）、（８）の記載事項、及び図４によれば、タンタル電解コンデンサＦにおける陽極リード端子Ｃの他端部が第一のメタライズ層２ａに電気的に接続され、タンタル電解コンデンサＦにおける陰極層Ｄが第二のメタライズ層１ｂに電気的に接続されるものである。 
　・さらに、上記（９）の記載事項によれば、セラミック容器Ａの内部には窒素またはアルゴン等の不活性気体が封入されるものである。 
　・そしてこれらにより、上記（５）、（７）、（９）に記載のように、高温に曝されてもセラミック容器Ａ内部に水分や酸素等が侵入することがなく気密性を保持でき、タンタル電解コンデンサ素子Ｂがセラミック容器Ａの内部気体と反応して腐食等で劣化し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりすることなく電気特性を長期間にわたって良好に維持できるものである。 
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に誘電体の酸化皮膜層を形成し、固体電解質層を酸化皮膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層を形成したタンタル電解コンデンサ素子と、前記焼結体内に一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出する陽極リードとを含むタンタル電解コンデンサと、 
　上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、当該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、前記セラミック基体の側壁内部を貫通する第一の内部配線および第二の内部配線と、前記セラミック基体の外側面に設けられた第一の溝および第二の溝内にそれぞれ形成された第一の側面導体および第二の側面導体とを具備し、前記凹部を塞ぎ気密封止するように蓋体が取着され、その内部には前記タンタル電解コンデンサとともに窒素またはアルゴン等の不活性気体が封入されたセラミック容器であって、前記陽極リード端子の他端部が前記第一のメタライズ層に電気的に接続され、前記陰極層が前記第二のメタライズ層に電気的に接続されたセラミック容器と、
　を含み、前記第一のメタライズ層は前記第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は前記第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されており、 
　高温に曝されても前記セラミック容器内部に水分や酸素等が侵入することがなく気密性を保持でき、前記タンタル電解コンデンサ素子が前記セラミック容器の内部気体と反応して腐食等で劣化し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりすることなく電気特性を長期間にわたって良好に維持できる、セラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサ。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に誘電体の酸化皮膜層を形成し、固体電解質層を酸化皮膜層外側に形成し、次いで外周に陰極層を形成したタンタル電解コンデンサ素子と、前記焼結体内に一端部が埋め込まれるとともに他端部が側面から突出する陽極リードとを含むタンタル電解コンデンサと」によれば、
 (a)引用発明における「タンタル粉末を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体」は、多孔性であることは自明であるから、本願発明における「タンタルを含む多孔性焼結ペレット」に相当し、 
 (b)引用発明における「誘電体の酸化皮膜層」、「陽極リード」、「タンタル電解コンデンサ」は、それぞれ本願発明における「誘電体層」、「アノードリードワイヤ」、「電解コンデンサ」に相当し、 
 (c)引用発明における「焼結体」が、本願発明でいう「アノード」に相当し、この焼結体に形成される誘電体の酸化皮膜層は、焼結体が多孔性であることから、その焼結体表面上のみならず焼結体内部の細孔表面にも形成されることは技術常識であり、
　また、本願発明における「導電性ポリマー」は、固体電解質として用いられるものであることは自明であることを踏まえると、引用発明における、酸化皮膜層外側に形成され、その外周に陰極層が形成された固体電解質が、本願発明でいう「導電性ポリマーを有するカソード」に対応するものである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「タンタルを含む多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードワイヤと、前記ペレットの上及び内部に形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、固体電解質を有するカソードとを含む電解コンデンサと」を含むものである点で共通するといえる。
　ただし、引用発明では、誘電体の酸化皮膜層が陽極酸化によって形成されるものであることや、固体電解質が導電性ポリマーであることの特定がない点で本願発明と一応相違している。
　
（２）引用発明における「上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、・・・前記凹部を塞ぎ気密封止するように蓋体が取着され、その内部には前記タンタル電解コンデンサとともに窒素またはアルゴン等の不活性気体が封入されたセラミック容器であって・・」によれば、
 (a)引用発明における「不活性気体」、「セラミック容器」は、それぞれ本願発明における「不活性ガス」、「ハウジング」に相当し、
 (b)引用発明の「セラミック容器」におけるセラミック基体に形成された直方体状の凹部は、２つの対向する内側面（側部）とその間に配置される底面及び段差の上面とを含み、これらによって内部空洞が形成されていることは明らかであり、また、セラミック基体は、凹部の底面と段差の上面とを表面とする、本願発明でいう「下壁」に相当する部分を有していることも明らかである。そして、凹部によって形成される内部空洞は不活性気体の気体雰囲気であるとともに、タンタル電解コンデンサが封入されてなるものであることから、 
　本願発明と引用発明とは、「不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入されたハウジングであって、該ハウジングは、２つの対向する側部の間に配置されて前記内部空洞を形成する下壁を含む、前記ハウジングと」を含むものである点で共通する。
　ただし、引用発明では凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下壁の内部空洞に面する表面が１つの平面内に存在するものではない点で本願発明と相違する。
　
（３）引用発明における「上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、前記段差の上面から側面にかけて形成された切り欠きと、当該切り欠きの側面および底面に形成された第一のメタライズ層と、前記凹部の底面に形成された第二のメタライズ層と、・・・前記陽極リード端子の他端部が前記第一のメタライズ層に電気的に接続され、前記陰極層が前記第二のメタライズ層に電気的に接続されたセラミック容器と」によれば、
 (a)引用発明における「第一のメタライズ層」、「第二のメタライズ層」は、それぞれ本願発明における「第１の導電トレース」、「第２の導電トレース」に相当し、
 (b)引用発明の「第一のメタライズ層」と「第二のメタライズ層」とは、セラミック基体の凹部内面に形成され、内部空洞に面する表面を形成していることは明らかであり、 
 (c)また、引用発明における、カソードが有する陰極層と電気的に接続される「第二のメタライズ層」は、凹部の底面に形成され、下壁と直接接触しているといえるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記ハウジングの前記内部空洞に面する表面を形成する第１の導電トレースであって、前記アノードリードワイヤと電気的に接触する、前記第１の導電トレースと、前記ハウジングの前記内部空洞に面する表面を形成する第２の導電トレースであって、前記カソードと電気的に接触し、前記下壁が前記第２の導電トレースと直接接触している、前記第２の導電トレースと」を含むものである点で一致する。 
　
（４）引用発明における「上面の中央部に直方体状の凹部が形成され、該凹部の一内側面と底面との間に段差が形成されており、下面に第一の導体層および第二の導体層が互いに独立して設けられたセラミック基体と、・・・前記セラミック基体の側壁内部を貫通する第一の内部配線および第二の内部配線と、前記セラミック基体の外側面に設けられた第一の溝および第二の溝内にそれぞれ形成された第一の側面導体および第二の側面導体とを具備し、・・」、「・・前記第一のメタライズ層は前記第一の内部配線と前記第一の側面導体とを介して前記第一の導体層に電気的に接続されており、前記第二のメタライズ層は前記第二の内部配線と前記第二の側面導体とを介して前記第二の導体層に電気的に接続されており」によれば、
 (a)引用発明における「第一の導体層」、「第二の導体層」は、それぞれ本願発明における「アノード端子」、「カソード端子」に相当し
 (b)引用発明の「第一の導体層」と「第二の導体層」とは、セラミック基体の下面に設けられるものであり、セラミック容器の外部に位置することは明らかである。 
 (b)そして、引用発明における「第一の導体層」は、第一のメタライズ層と電気的に接続され、同様に、引用発明における「第二の導体層」は、第二のメタライズ層と電気的に接続されてなるものである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記第２の導電トレースと電気的に接続し、前記ハウジングの外部に位置するカソード端子と、前記第１の導電トレースと電気的に接続し、前記ハウジングの外部に位置するアノード端子と」を含むものである点で共通する。
　ただし、引用発明では第一の導体層と第一のメタライズ層との電気的な接続が、第一の内部配線と第一の側面導体とを介して行われるものであり、下壁内の通路を通って行われるものではない点で本願発明と相違している。 
（５）そして、引用発明における「セラミック容器を用いて構成されたタンタル電解コンデンサ」は、本願発明における「コンデンサアセンブリ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「タンタルを含む多孔性焼結ペレットを含むアノードと、該アノードから延びるアノードリードワイヤと、前記ペレットの上及び内部に形成される誘電体層と、該誘電体層の上に重なり、固体電解質を有するカソードとを含む電解コンデンサと、
　不活性ガスを含有する気体雰囲気を有する内部空洞を形成し、前記電解コンデンサが内部に封入されたハウジングであって、該ハウジングは、２つの対向する側部の間に配置されて前記内部空洞を形成する下壁を含む、前記ハウジングと、
　前記ハウジングの前記内部空洞に面する表面を形成する第１の導電トレースであって、前記アノードリードワイヤと電気的に接触する、前記第１の導電トレースと、
　前記ハウジングの前記内部空洞に面する表面を形成する第２の導電トレースであって、前記カソードと電気的に接触し、前記下壁が前記第２の導電トレースと直接接触している、前記第２の導電トレースと、
　前記第２の導電トレースと電気的に接続し、前記ハウジングの外部に位置するカソード端子と、
　前記第１の導電トレースと電気的に接続し、前記ハウジングの外部に位置するアノード端子と、
　を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　ペレットの上及び内部に形成される誘電体層が、本願発明では、「陽極酸化によって」形成されるものである旨特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定がない点。
　
［相違点２］
　カソードが有する、誘電体層の上に重なる固体電解質について、本願発明では、「導電性ポリマー」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
［相違点３］
　ハウジングにおける、２つの対向する側部の間に配置されて内部空洞を形成する下壁について、本願発明では、「該下壁の内部空洞に面する表面は１つの平面内に存在する」と特定するのに対し、引用発明では、段差が形成されており、内部空洞に面する表面が１つの平面内に存在していない点。
　
［相違点４］
　第１の導電トレースとアノード端子との電気的接続について、本願発明では、「前記下壁内の通路を通って」行われる旨特定するのに対し、引用発明では、第一の内部配線と第一の側面導体とを介して行われるものであり、下壁内の通路を通って行われるものではない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　タンタル粉末のようなバルブ金属組成物を固めた成形体を焼結させて得られた焼結体に対して、誘電体層の形成を陽極酸化により行うことは、例えば当審の拒絶の理由に引用された特開２００２−２５８５８号公報（以下、「引用例２」という。段落【００１８】〜【００２０】を参照）、特開２００４−１１１４６０号公報（以下、「引用例３」という。段落【００１８】を参照）、特開２００７−３００１２３号公報（以下、「引用例４」という。特に段落【０００７】、【００１２】を参照）に記載のように技術的常套手段であり、引用発明においても、かかる常套手段に従い、誘電体の酸化皮膜層（誘電体層）を陽極酸化により形成するようにすることは当業者がごく普通になし得ることである。
　
［相違点２］について
　固体電解コンデンサにおける固体電解質として誘電体ポリマー（導電性高分子）を用いることは、例えば当審の拒絶の理由に引用された上記引用例３（【請求項４】、段落【００１８】を参照）、上記引用例４（段落【００１４】を参照）、特開平１１−８７１９２号公報（以下、「引用例５」という。特に、段落【０００４】、【００２６】を参照）、特開２００４−５５６９９号公報（以下、「引用例６」という。【請求項１５】、段落【００１８】を参照）、特開平５−１５９９８７号公報（以下、「引用例７」という。段落【０００２】〜【０００３】を参照）に記載のようにごく一般的な周知の技術事項であり、引用発明においても、固体電解質を誘電体ポリマーとすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　
［相違点３］について
　当審の拒絶の理由に引用された上記引用例２（特に段落【０００４】〜【０００６】、【０００８】〜【０００９】、【００２３】〜【００２４】、図４、図６を参照）には、下面（裏面）に一対の外部電極が設けられ、上面（表面）に一対の内部電極が設けられた基体（絶縁基板）に対して固体電解コンデンサ素子を搭載する構造の固体電解コンデンサにおいて、基体（絶縁基板）の厚さを陽極リード接続部分では厚くし、陰極接続部分では薄くして基体（絶縁基板）に段差を設けるようにしていた従来のもの（図６に示されるもの）に代えて、基体（絶縁基板）の上面（表面）の段差を無くして平坦面とし、陽極リードをフォーミングすることによって、当該陽極リードと内部電極とを直接電気的に接続するようにした技術事項が記載されており、引用発明においても、かかる技術事項を採用し、下壁の上面を平坦面、すなわち下壁の内部空洞に面する表面が１つの平面内に存在するものとし、相違点３に係る構成とすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　なお、請求人は平成２８年２月１６日付け意見書において、「要するに、引例１に記載されている発明は、タンタル電解コンデンサの容器において、従来技術とは異なり、容器の凹部１ａの一内側面と底面との間に段差１ｃ−Ａを形成したうえで、さらにこの段差１ｃ−Ａに切欠き２を形成することにより、このような容器にタンタルコンデンサ素子を収容することにより、電気的接続の信頼性が高く電気抵抗が低いタンタル電解コンデンサを提供しうるとするものです。したがって、引例１の開示内容にふれた当業者であれば、引例１に記載されている発明において、課題解決手段として採用されている段差を採用せず、さらにはその結果切欠きを設けることもしないとなれば、引例１に記載されている課題を解決することはできないと考えるのが通常であろうと思料します。それにもかかわらず、当業者が敢えて本発明のように、ハウジングの下壁の内部空洞に面する表面を１つの平面内に存在するようにする合理的理由は一切なく、またそのための動機づけとなるような開示あるいは示唆も、引例１、引例２その他いずれの引例の開示内容中にも見当たりません。」などと主張している。
　しかしながら、引用例１の例えば段落【００３５】に「このように構成された本発明のセラミック容器Ａによれば、第一および第二の内部配線３ａ，３ｂを有するセラミック基体１の気密性が従来の外装樹脂とリードフレームから成るものの気密性に比べて、格段に信頼性があり、またセラミック基体１の吸湿性がほとんどないことから、セラミック容器Ａ内部に水分が浸入することがなく、よってタンタル電解コンデンサＦを水分による腐食等で誤作動を発生させることのない、良好な電気特性を長期間にわたって保持できるものとすることができる。」と記載されているように、引用例１に記載された発明における、課題を解決するために真に必要不可欠な手段は、外装樹脂とリードフレームとを有する構造の従来技術のものとは異なり、気密性に優れた、内部配線を有するセラミック基体を備えたセラミック容器を用いるようにしたことであり、引用発明に対して上記引用例２に記載の技術事項を適用することに阻害要因があるというわけでもなく、また、適用することの動機付けは上記引用例２に十分開示されているいえる。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
［相違点４］について
　引用発明においては、第一のメタライズ層（本願発明における「第１の導電トレース」）と第一の導体層（本願発明における「アノード端子」）との電気的接続を、「第一の内部配線と第一の側面導体」によって行っており、これはセラミック容器の「側壁」側に形成されているといえ、「下壁」内に形成されてなるものではない点で本願発明と相違するとみることができるが、 
　当審の拒絶の理由に引用された上記引用例２（図４、図６に係るものを参照）には、固体電解コンデンサの陽極リードと電気的に接続され、基体（絶縁基板）上に形成された内部電極と、基体（絶縁基板）の下面（裏面）に形成された外部電極であるアノード端子との電気的接続を、内部電極と外部電極（アノード端子）との間の基体部分に対して設けたスルーホール内の導電部材を介して行うようにした技術事項が記載されており、引用発明において、かかる技術事項を採用し、第一のメタライズ層と第一の導電層との電気的接続を、セラミック容器の下壁に形成されたスルーホール内の導電部材を介して行うようにし、相違点４に係る構成とすることも当業者であれば容易になし得ることである。 
　
　そして、引用発明は「高温に曝されても前記セラミック容器内部に水分や酸素等が侵入することがなく気密性を保持でき、前記タンタル電解コンデンサ素子が前記セラミック容器の内部気体と反応して腐食等で劣化し、漏れ電流が発生したり、ショートによる不良が発生したりすることなく電気特性を長期間にわたって良好に維持できる」ものであることに加えて、例えば上記引用例３（段落【０００９】〜【００１０】を参照）、上記引用例５（段落【００１２】を参照）、上記引用例６（段落【０００５】、【００３１】を参照）、上記引用例７（段落【０００５】を参照）に記載のように、固体電解質層を形成する導電性ポリマー（導電性高分子）は、水分や酸素が存在すると劣化し易いという問題がある（したがって極力、固体電解質層に導電性ポリマー（導電性高分子）を用いた固体電解コンデンサは、水分や酸素に触れないようにする必要がある）ことは周知といえる技術事項であることを考慮すると、上記各相違点を総合的に判断しても本願発明が奏する効果は、引用発明、引用例２に記載の技術事項及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明、引用例２に記載の技術事項及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。