【事件の表示】
　特願２０１２−５１１３７８「超薄遮蔽層をもつ誘導型受信コイルを有する電子装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／１３３９９５、平成２４年１１月　８日国内公表、特表２０１２−５２７８１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１０年５月５日（パリ条約による優先権主張２００９年５月２０日，米国）を国際出願日とする出願であって，原審において平成２５年１０月８日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年１月１５日に意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ，同年５月２６日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年１０月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに，同日付けで手続補正がなされたものである。
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年１０月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本願発明と補正後の発明
　平成２６年１０月３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は，同年１月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された，
「誘導的に電力供給又は充電される電子装置であって，
　誘導型の受信コイルの第一の側で発生される交流磁場に応答して電流を生成する誘導型の受信コイルと，
　前記交流磁場が発生される前記第一の側とは反対にある，前記誘導型の受信コイルの第二の側に配置される軟質磁性遮蔽層とを備え，
　前記軟質磁性遮蔽層は，前記交流磁場により望まれない影響を受けるか又は前記交流磁場に望まれない影響を及ぼす付加的なエレメントから前記交流磁場を遮蔽し，前記軟質磁性遮蔽層及び前記付加的なエレメント内での渦電流の形成を
軽減し
　
前記軟質磁性遮蔽層は，ミューメタル及びナノ結晶性の金属からなるグループから選択される材料を含む，
ことを特徴とする電子装置。」
　という発明（以下「本願発明」という。）を，本件補正に係る手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された，
「誘導的に電力供給又は充電される電子装置であって，
　誘導型の受信コイルの第一の側で発生される交流磁場に応答して電流を生成する誘導型の受信コイルと，
　前記交流磁場が発生される前記第一の側とは反対にある，前記誘導型の受信コイルの第二の側に配置される軟質磁性遮蔽層とを備え，
　前記軟質磁性遮蔽層は，前記交流磁場により望まれない影響を受けるか又は前記交流磁場に望まれない影響を及ぼす付加的なエレメントから前記交流磁場を遮蔽し，前記軟質磁性遮蔽層及び前記付加的なエレメント内での渦電流の形成を軽減し，
　前記軟質磁性遮蔽層は，ミューメタル，ナノ結晶性の金属，
及び非晶質の金属
含み
　
前記軟質磁性遮蔽層は，100μｍ以下の厚さを有する超薄層，及び，前記軟質磁性遮蔽層内で形成される複数のスリットを含む少なくとも１つの渦電流を軽減する手段を有し，
　
前記複数のスリットは，渦電流の生成に対して大きなインピーダンスを加えるため，磁束線に平行であって，渦電流の流れに直交するように設けられ，
　
前記複数のスリットは，前記軟質磁性遮蔽層の外周から中心へ向けて延びるが，前記中心には到達せず，
　
前記複数のスリットは，複数の短いスリット及び複数の長いスリットを含み，前記複数の短いスリットは，前記複数の長いスリットよりも短い長さを持つ，
ことを特徴とする電子装置。」
という発明（以下「補正後の発明」という。）に補正することを含むものである。
　なお，下線は，請求人が手続補正書において補正箇所を示すものとして付加したものを援用したものである。
２．補正の適否
　補正前の請求項１に「軟質磁性遮蔽層」に関して「ミューメタル及びナノ結晶性の金属からなるグループから選択される材料を含む」と記載されていたところ，補正後の請求項１には，「ミューメタル，ナノ結晶性の金属，及び非晶質の金属からなるグループから選択される材料を含み，」と記載されており，「選択される材料」の選択肢として「非晶質の金属」が追加されているから，当該補正は，択一的記載の要素を付加するものであって，特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮には当たらない。
　そして，上記補正後の請求項１の補正が，同項第３号に規定する誤記の訂正や同項第４号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものでないことも明らかである。
３．結語
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２６年１０月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので，本願発明は，上記「第２　補正却下の決定」の項中の「１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりのものである。
２．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００７／０８０８２０号（以下「引用例」という。）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
イ．「[0013]　以下，本発明を実施するための形態について説明する。図１および図２は本発明の第１の実施形態による電子機器の構成を示している。図１および図２に示す電子機器１は非接触充電方式を適用した受電装置２と電子機器本体３とを具備している。受電装置２や電子機器本体３は筐体４内に配置されており，これらによって電子機器１が構成されている。
[0014]　受電装置２は，スパイラルコイルを有する受電コイル１１と，受電コイル１１に発生した交流電圧を整流する整流器１２と，整流器１２で整流された直流電圧が充電される二次電池１３とを備えている。電子機器本体３は，受電装置２の二次電池１３に充電された直流電圧が供給されて動作する電子デバイス１４と，電子デバイス１４が実装された回路基板１５とを備えている。電子機器本体３は電子デバイス１４や回路基板１５以外に電子機器１の機能や動作等に応じた部品や装置を備えていてもよい。」（４頁２７行−５頁１０行）
ロ．「[0018]　第１の実施形態の電子機器１は，例えば図１に示すように，スパイラルコイル（受電コイル）１１と二次電池１３との間に設置された磁性箔体１６を具備している。すなわち，スパイラルコイル１１と二次電池１３とは磁性箔体１６を挟んで配置されている。スパイラルコイル１１はその少なくとも一部として平面部を有し，この平面部は磁性箔体１６の表面に沿って配置されている。受電装置２として見た場合，それを構成するスパイラルコイル１１と二次電池１３との間に磁性箔体１６が配置されていることになる。」（６頁１行−７行）
ハ．「[0024]　上述したように，スパイラルコイル１１と二次電池１３との間，スパイラルコイル１１と整流器１２との間，スパイラルコイル１１と電子デバイス１４との間，スパイラルコイル１１と回路基板１５との間の少なくとも１箇所に磁性箔体１６を配置することによって，充電時にスパイラルコイル１１を通る磁束を磁性箔体１６でシールドすることができる。従って，電子機器１内部の回路基板１５等と鎖交する磁束が減少するため，電磁誘導による渦電流の発生を抑制することが可能となる。磁性箔体１６の厚さは設置性や磁束の遮断性等を考慮して５〜５００μｍの範囲とすることが好ましい。この厚さは複数の磁性シートを積層した際の絶縁層や基材等の厚さを含めたものである。
[0025]　渦電流の影響を抑制することによって，回路基板１５に実装された電子デバイス１４や整流器１２の発熱，また回路基板１５の回路の発熱，さらに渦電流に起因するノイズの発生を抑制することができる。電子機器１内部における発熱の抑制は，二次電池１３の性能や信頼性の向上に寄与する。さらに，渦電流による発熱を抑制することで，受電装置２に供給する電力を増大させることができる。磁性箔体１６はスパイラルコイル１１に対する磁心としても機能するため，受電効率ひいては充電効率を高めることが可能となる。これらは電子機器１に対する充電時間の短縮に寄与する。」（７頁１１行−２８行）
ニ．「[0026]　磁性箔体１６としては，磁性合金薄帯（磁性合金リボン），磁性粒子を樹脂フィルム中に分散させた磁性シート，樹脂フィルムのようなフレキシブル基材上に磁性薄膜を設けた磁性シート等が用いられる。磁性合金薄帯は樹脂フィルムのようなフレキシブル基材と接着して磁性シートとして用いてもよい。磁性箔体１６には各種の軟磁性材料を適用することができる。磁性箔体１６の具体的な構成としては以下に示すようなものが挙げられる。
[0027]　磁性合金薄帯は，Ｃｏ基アモルファス合金，Ｆｅ基アモルファス合金，またはＦｅ基微結晶合金で構成することが好ましい。これら磁性材料はいずれもロール急冷法（単ロールまたは双ロール）で作製できることから，平均板厚が５０μｍ以下の薄帯を容易に得ることができる。平均板厚が５０μｍ以下の磁性合金薄帯は，後述する折曲部や開放部の形成加工が行いやすいために好ましい。折曲等の加工性を考慮すると，平均板厚は３５μｍ以下がさらに好ましい。平均板厚は５μｍ以上とすることが好ましい。平均板厚が５μｍ未満の磁性合金薄帯は，折曲加工を行った際に薄帯の破断等の不具合が生じやすい。」（８頁１行−１５行）
ホ．「[0031]　Ｆｅ基微結晶合金薄帯としては，
　　一般式：Ｆｅ１００−ｃ−ｄ−ｅ−ｆ−ｇ−ｈＡｃＤｄＥｅＳｉｆＢｇＺｈ　…（２）
（式中，ＡはＣｕおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素を，ＤはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｏおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素を，ＥはＭｎ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎおよび白金族元素から選ばれる少なくとも１種の元素を，ＺはＣ，ＮおよびＰから選ばれる少なくとも１種の元素を示し，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇおよびｈは０．０１≦ｃ≦８ａｔ％，０．０１≦ｄ≦１０ａｔ％，０≦ｅ≦１０ａｔ％，１０≦ｆ≦２５ａｔ％，３≦ｇ≦１２ａｔ％，１５≦ｆ＋ｇ＋ｈ≦３５ａｔ％を満足する数である）
　で実質的に表される組成を有するＦｅ基合金からなり，かつ面積比で金属組織の２０％以上が粒径５０ｎｍ以下の微結晶粒からなるものが挙げられる。
[0032]　（２）式において，元素Ａは耐食性を高め，結晶粒の粗大化を防ぐと共に，鉄損や透磁率等の磁気特性を改善する元素である。元素Ａの含有量があまり少ないと結晶粒の粗大化抑制効果を十分に得ることができず，逆にあまり多すぎると磁気特性が劣化する。従って，元素Ａの含有量は０．０１〜８ａｔ％の範囲とすることが好ましい。元素Ｄは結晶粒径の均一化や磁歪の低減等に有効な元素である。元素Ｄの含有量は０．０１〜１０ａｔ％の範囲とすることが好ましい。
[0033]　元素Ｅは軟磁気特性や耐食性の改善に有効な元素である。元素Ｅの含有量は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。ＳｉおよびＢは薄帯製造時における合金のアモルファス化を助成する元素である。Ｓｉの含有量は１０〜２５ａｔ％の範囲，Ｂの含有量は３〜１２ａｔ％の範囲とすることが好ましい。ＳｉおよびＢ以外のアモルファス化助成元素として元素Ｚを含んでいてもよい。その場合，Ｓｉ，Ｂおよび元素Ｚの合計含有量は１５〜３５ａｔ％の範囲とすることが好ましい。微結晶構造は，特に粒径が５〜３０ｎｍの結晶粒を合金中に面積比で５０〜９０％の範囲で存在させた形態とすることが好ましい。」（９頁１４行−１０頁１４行）
ヘ．「[0044]　さらに，磁性箔体１６内の渦電流を抑制するために，磁性箔体１６にはスリットを設けることが好ましい。磁性箔体１６はスリットで複数に分割し，電気路（または電流路）を分断することがより有効である。スリットを設けた磁性箔体１６の例を図１０ないし図１４に示す。これらの図において，符号１７はスリットを示している。スリット１７が磁性箔体１６を切断している場合，それは磁性箔体１６の分割線に相当する。」（１３頁１２行−１７行）
ト．「[0050]　図１６は本発明の実施形態による非接触充電装置の構成を示している。図１７は図１６に示す非接触充電装置の回路図である。図１６および図１７に示す非接触充電装置２０において，電子機器１は前述した実施形態で示したものである。図１６において，矢印は磁束の流れを示している。図１７において，符号２１は平滑用のコンデンサである。給電装置３０は給電コイル３１と給電コイル用磁心３２と給電コイル３１に交流電圧を印加する電源３３とを備えている。電子機器１を給電装置３０上にセットした際，給電コイル３１は受電コイル１１と非接触で配置される。
[0051]　非接触充電装置２０による充電は以下のようにして行われる。まず，給電装置３０の給電コイル３１に電源３３から交流電圧を印加し，給電コイル３１に磁束を生じさせる。給電コイル３１に発生させた磁束は，給電コイル３１と非接触で配置された受電コイル１１に伝達される。受電コイル１１では磁束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる。この交流電圧は整流器１２で整流される。整流器１２で整流された直流電圧は二次電池１３に充電される。このように，非接触充電装置２０においては非接触で電力の伝送が行われる。」（１５頁３行−１８行）
　上記摘記事項イ．〜ト．の記載，図１，１６，１７及びこの分野における技術常識を考慮すると，以下のａ．〜ｄ．を指摘することができる。
ａ．上記摘記事項イ．，ロ．及びト．の記載，特に，ト．の磁束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる旨の記載によれば，電子機器１は電磁誘導で充電されるものであるといえる。また，同記載から，磁束は交流の磁束であり，受電コイル１１は，誘導型のものであって，交流の磁束に応答して電流を生成するものであることが理解される。
ｂ．上記摘記事項ト．の給電コイル３１に磁束を生じさせる旨の記載に関し，磁束の発生位置は，図１６において，受電コイル１１から見て第一の側であるといえる。また，磁性箔体１６の位置は，図１６において，受電コイル１１から見て第一の側と反対にある，第二の側であるといえる。
ｃ．上記摘記事項ハ．によれば，磁性箔体１６は，磁束により望まれない影響を受ける回路基板１５から，前記磁束をシールドし，かつ，回路基板１５内での渦電流の形成を軽減するものであり，また，同へ．によれば，磁性箔体１６は，スリットを設けることにより磁性箔体１６での渦電流の形成を軽減するものであるといえる。
ｄ．上記摘記事項ニ．，ホ．の記載によれば，磁性箔体１６の磁性材料として，Ｆｅ基微結晶が好ましいものである。
　したがって，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
（引用発明）
「電磁誘導で充電される電子機器１であって，
　誘導型の受電コイル１１の第一の側で発生される交流の磁束に応答して電流を生成する誘導型の受電コイル１１と，
　前記交流の磁束が発生される前記第一の側とは反対にある，前記誘導型の受電コイル１１の第二の側に配置される磁性箔体１６とを備え，
　前記磁性箔体１６は，前記磁束により望まれない影響を受ける回路基板１５から前記磁束をシールドし，前記磁性箔体１６及び前記回路基板１５内での渦電流の形成を軽減し，
　前記磁性箔体１６は，Ｆｅ基微結晶の金属の材料を含む，
電子機器１。」
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「電磁誘導で充電される」ことと，本願発明の「誘導的に電力供給又は充電される」こととは，「誘導的に充電される」という点で一致する。
　引用発明の「電子機器１」，「受電コイル１１」，「交流の磁束」，「シールド」することは，それぞれ，本願発明の「電子装置」，「受信コイル」，「交流磁場」，「遮蔽」することに相当する。
　引用発明の「磁性箔体１６」は，上記摘記事項ハ．，ニ．及びホ．の記載によれば，軟磁性及び遮蔽機能を有する層であるから，本願発明の「軟質磁性遮蔽層」に相当する。
　引用発明の「前記磁束により望まれない影響を受ける」ことと，本願発明の「前記交流磁場により望まれない影響を受けるか又は前記交流磁場に望まれない影響を及ぼす」こととは，「前記交流磁場により望まれない影響を受ける」という点で一致する。
　引用発明の「回路基板１５」は，本願明細書（段落【００２８】）の「付加的なエレメントは，導電性の筐体をもつ再充電可能なバッテリと電子回路とからなるグループから選択される１つを有する。」との記載を参酌すると，本願発明の「付加的なエレメント」に相当する。
　引用発明の「Ｆｅ基微結晶の金属の材料を含む」ことと，本願発明の「ミューメタル及びナノ結晶性の金属からなるグループから選択される材料を含む」こととは，「結晶性の金属の材料を含む」という点で共通する。
　したがって，両者は以下の点で一致し，また，相違する。
（一致点）
「誘導的に充電される電子装置であって，
　誘導型の受信コイルの第一の側で発生される交流磁場に応答して電流を生成する誘導型の受信コイルと，
　前記交流磁場が発生される前記第一の側とは反対にある，前記誘導型の受信コイルの第二の側に配置される軟質磁性遮蔽層とを備え，
　前記軟質磁性遮蔽層は，前記交流磁場により望まれない影響を受ける付加的なエレメントから前記交流磁場を遮蔽し，前記軟質磁性遮蔽層及び前記付加的なエレメント内での渦電流の形成を軽減し，
　前記軟質磁性遮蔽層は，結晶性の金属の材料を含む，
電子装置。」
（相違点）
　「結晶性の金属」が，本願発明では，「ナノ結晶性の金属」であるのに対し，引用発明では「Ｆｅ基微結晶の金属」である点。
４．判断
　そこで，上記相違点について検討する。
　上記２．の摘記事項ホ．によれば，引用発明の磁性箔体１６の磁性材料は，粒径５０ｎｍ以下のＦｅ基合金の微結晶粒からなるものであるところ，例えば，特開２００８−１７２０９９号公報（段落【００１３】等参照），国際公開第２００８／０９９８０３号（段落［０００８］等参照）に示されているように，結晶粒径が１００ｎｍ程度以下のナノオーダーサイズの微小な結晶は「ナノ結晶」と言えるから，引用発明のＦｅ基微結晶の金属を，ナノ結晶性の金属と称することは，当業者が適宜なしうる程度のことにすぎない。
　したがって，本願発明は，引用発明に上記周知事項を加味して，当業者が容易に想到することができたものである。
　そして，本願発明が奏する効果は，当業者が引用発明から容易に予測できる範囲内のものである。
５．結語
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。