Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年8月27日(2020.8.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
したがって、本発明は、
成分Ａとして、１〜９６質量％の一つまたは二つ以上の熱可塑性ポリアミド、
成分Ｂとして、２〜２５質量％の式（Ｉ）のジアルキルホスフィン酸塩および／または式（ＩＩ）のジホスフィン酸塩および／またはこれらのポリマー、
【化１】
2016509114.tif 000001
ここで、
Ｒ１およびＲ２は、同一または異なっており、直鎖もしくは分岐鎖である、Ｃ１−Ｃ６−アルキル、またはＨであり；
Ｒ３は、Ｃ１−Ｃ１０−アルキレン、直鎖もしくは分岐鎖である、Ｃ６−Ｃ１０−アリーレン、Ｃ７−Ｃ２０−アルキルアリーレン、または、Ｃ７−Ｃ２０−アリールアルキレンであり；
Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、および／またはプロトン化窒素塩基であり；
ｍは、１〜４；
ｎは、１〜４；
ｘは、１〜４であり，
成分Ｃとして、１〜２０質量％の亜リン酸の塩、
成分Ｄとして、１〜５０質量％のフィラーまたは強化材、
成分Ｅとして、０〜２質量％のカルボン酸エステルアミド、
成分Ｆとして、０〜１質量％の亜ホスホン酸塩または、亜ホスホン酸塩および亜リン酸塩の混合物、ならびに、
成分Ｇとして、０〜１質量％典型的に鎖長がＣ１４〜Ｃ４０である長鎖脂肪族カルボン酸（脂肪酸）のエステルまたは塩を含み、
ここで全成分は常に１００質量％である、
難燃性ポリアミド組成物を提供する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
亜リン酸塩（成分Ｃ）は、亜リン酸アルミニウム［Ａｌ（Ｈ２ＰＯ３）３］、第二亜リン酸アルミニウム［Ａｌ２（ＨＰＯ３）３］、塩基性亜リン酸アルミニウム［Ａｌ（ＯＨ）（Ｈ２ＰＯ３）２＊２ａｑ］、亜リン酸アルミニウム四水和物［Ａｌ２（ＨＰＯ３）３＊４ａｑ］、ホスホン酸アルミニウム、Ａｌ７（ＨＰＯ３）９（ＯＨ）６（１，６−ヘキサンジアミン）１．５＊１２Ｈ２Ｏ、Ａｌ２（ＨＰＯ３）３＊ｘＡｌ２Ｏ３＊ｎＨ２Ｏ、ここでｘ＝２．２７〜１、および／またはＡｌ４Ｈ６Ｐ１６Ｏ１８であることが好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
亜リン酸塩（成分Ｃ）が、式（Ｉ）、（ＩＩ）、および／または（ＩＩＩ）の亜リン酸アルミニウムであり、
ここで式（Ｉ）は、Ａｌ２（ＨＰＯ３）３ｘ（Ｈ２Ｏ）ｑを含み、ｑは０〜４であり、
ここで式（ＩＩ）は、Ａｌ２．００Ｍｚ（ＨＰＯ３）ｙ（ＯＨ）ｖｘ（Ｈ２Ｏ）ｗであり、Ｍはアルカリ金属イオンであり、
ｚは０．０１〜１．５であり、かつ、ｙは２．６３〜３．５であり、かつ、ｖは０〜２であり、かつ、ｗは０〜４であり、；
ここで式（ＩＩＩ）は、Ａｌ２．００（ＨＰＯ３）ｕ（Ｈ２ＰＯ３）ｔｘ（Ｈ２Ｏ）ｓであり、ｕは２〜２．９９であり、かつ、ｔは２〜０．０１であり、かつ、ｓは０〜４であり、
および／または
発泡性可溶性アルミニウム塩および外来窒素遊離イオンとの式（Ｉ）の亜リン酸アルミニウムの混合物、アルミニウム塩と式（ＩＩＩ）の亜リン酸アルミニウムの混合物であり、または、亜リン酸アルミニウム［Ａｌ（Ｈ２ＰＯ３）３］、第二亜リン酸アルミニウム［Ａｌ２（ＨＰＯ３）３］、塩基性亜リン酸アルミニウム［Ａｌ（ＯＨ）（Ｈ２ＰＯ３）２＊２ａｑ］、亜リン酸アルミニウム四水和物［Ａｌ２（ＨＰＯ３）３＊４ａｑ］、ホスホン酸アルミニウム、Ａｌ７（ＨＰＯ３）９（ＯＨ）６（１，６−ヘキサンジアミン）１．５＊１２Ｈ２Ｏ、Ａｌ２（ＨＰＯ３）３＊ｘＡｌ２Ｏ３＊ｎＨ２Ｏ、ここでｘ＝２．２７〜１であり、および／またはＡｌ４Ｈ６Ｐ１６Ｏ１８であることもまた好ましい。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年10月27日(2020.10.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
一般的に用いられるＴａＣ素材のＣＶＤ法を利用した蒸着方法は、８００℃から９００℃程度の温度を保持するチャンバー内で蒸着工程を行ったり、又は数百℃程度の温度で原料ガスを噴射し始め、チャンバー内の温度を次第に上げながら蒸着を行う方法を用いる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
ＣＶＤ方式によって、本発明の一側面で提供する特有のＸＲＤ回折ピーク値のあるＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料を複数製造した。本発明の一側面に係る炭素母材の表面から深度１００μｍまでの平均気孔率（１５体積％以上）を有する炭素母材に対して、直径４００ｍｍ及び厚さ１０ｍｍの炭素基材に、ＣＶＤ処理条件でＴａＣコーティング層を形成した。ここで、炭化タンタル被覆膜のＣ／Ｔａの組成比は１：１．０５に調整した。それぞれの炭素母材の平均気孔率は、水銀ポロシメータで測定した。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素母材と、
前記炭素母材の表面上に形成される平均結晶粒の大きさが１０μｍから５０μｍであるＴａＣを含むコーティング層と、
を含み、
前記ＴａＣを含むコーティング層は、ＸＲＤ分析のＸ線回折によって発生する（１１１）面の回折ピーク値対比（２００）面の回折ピーク値の比が０．４０以下であり、
前記ＴａＣを含むコーティング層は、ＸＲＤ分析のＸ線回折によって発生するピーク値のうち、（１１１）面のピーク値が最大である、ＴａＣを含み、
前記ＴａＣを含むコーティング層が、ＣＶＤ法を用いて形成されてなる、コーティング層を有する炭素材料。
【請求項２】
前記ＣＶＤ法が、１５００℃以上の温度による、請求項１に記載のコーティング層を有する炭素材料。
【請求項３】
前記ＴａＣを含むコーティング層の表面硬度は、１５ＧＰａ以上であり、
前記ＴａＣを含むコーティング層の表面硬度は、下記の数式（１）によるものである、請求項１又は２に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料。
表面硬度値（ＧＰａ）＝−３８Ａ２＋１２Ａ＋１４から１７    （１）
Ａ：ＸＲＤ分析時にＴａＣを含むコーティング層の（２００）面の回折ピーク値／（１１１）面の回折ピーク値
【請求項４】
前記ＴａＣを含むコーティング層は、ＸＲＤ分析の回折線の半値幅が０．１５°以下である、請求項１又は２に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料。
【請求項５】
前記ＴａＣを含むコーティング層は、表面スクラッチの試験値が３．５Ｎ以上である、請求項１又は２に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料。
【請求項６】
前記炭素母材は、前記炭素母材の表面から深度８０μｍから１５０μｍまでの領域のＴａＣの含量が１５体積％から２０体積％である、請求項１又は２に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料。
【請求項７】
前記ＴａＣを含むコーティング層の表面スクラッチ値は、下記の数式（２）によるものである、請求項１又は２に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料。
表面スクラッチ値（Ｎ）＝前記炭素母材の表面から８０μｍから１５０μｍまでの領域のＴａＣの含量（体積％）×（１．４から１．６）−１９．５    （２）
【請求項８】
前記炭素母材の熱膨張係数は、７．０×１０−６／Ｋから７．５×１０−６／Ｋである、請求項１又は２に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料。
【請求項９】
炭素母材を備えるステップと、
前記炭素母材上に１５００℃以上の温度でＣＶＤ法を用いてＴａＣを含むコーティング層を形成するステップと、
を含む、請求項１に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
【請求項１０】
前記ＴａＣを含むコーティング層を形成するステップの後に、１８００℃以上の温度で熱処理するステップをさらに含む、請求項９に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
【請求項１１】
前記ＴａＣを含むコーティング層を形成するステップと前記熱処理するステップとの間に冷却するステップをさらに含む、請求項１０に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
【請求項１２】
前記ＴａＣを含むコーティング層を形成するステップは、前記ＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の必要な表面硬度値に応じてＴａＣを含むコーティング層が下記の数式（１）を満足する（１１１）面の回折ピーク値対比（２００）面の回折ピーク値を有するように形成する、請求項９に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
表面硬度値（ＧＰａ）＝−３８Ａ２＋１２Ａ＋１４から１７    （１）
Ａ：ＸＲＤ分析時にＴａＣを含むコーティング層の（２００）面の回折ピーク値／（１１１）面の回折ピーク値
【請求項１３】
前記ＴａＣを含むコーティング層を形成するステップは、前記ＴａＣを含むコーティング層を含む炭素材料の必要な表面スクラッチ値に応じてＴａＣを含むコーティング層が下記の数式（２）を満足するＴａＣ含量を有するようにする、請求項９に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
表面スクラッチ値（Ｎ）＝前記炭素母材の表面から８０μｍから１５０μｍまでの領域のＴａＣの含量（体積％）×（１．４から１．６）−１９．５    （２）
【請求項１４】
前記炭素母材を備えるステップは、平均気孔率が１５体積％から２０体積％である炭素母材を備えることを含む、請求項９に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
【請求項１５】
前記炭素母材を備えるステップは、熱膨張係数が７．０×１０−６／Ｋから７．５×１０−６／Ｋである炭素母材を備えることを含む、請求項９に記載のＴａＣを含んでいるコーティング層を有する炭素材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月22日(2020.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｖ２Ｘ通信装置のデータ通信方法において、
誤動作の検出（ＭＢＤ）に対するＭＢＤ状態情報を外部のＶ２Ｘ通信装置から取得する段階と、
前記ＭＢＤ状態情報は、外部のＶ２Ｘ通信装置の誤動作が検出されたかを表し、
前記ＭＢＤ状態情報に基づいて認証書廃棄リスト（ＣＲＬ）情報を生成する段階を含み、前記Ｖ２Ｘ通信装置は、前記Ｖ２Ｘ通信装置が前記ＣＲＬ情報を生成する誤動作のブローカー（ＭＢＢ）として動作するために要求される予め設定された保安レベルを有する、Ｖ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項２】
前記ＭＢＤ状態情報を要求するためのＭＢＤ情報要請メッセージを送信する段階をさらに含み、
前記ＭＢＤ情報要請メッセージは、前記Ｖ２Ｘ通信装置が前記ＭＢＢに該当することを知らせるためのＭＢＢアナウンスメント情報を含む、請求項１に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項３】
前記ＭＢＤ情報要請メッセージは周期的に送信される、請求項２に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項４】
前記Ｖ２Ｘ通信装置が第１モードで動作する時、前記ＣＲＬ情報をＣＲＬ分配装置に伝達する段階をさらに含み、前記ＣＲＬ情報は、前記ＣＲＬ分配装置によって放送される、請求項１に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項５】
前記ＣＲＬ情報を前記ＣＲＬ分配装置に伝達する段階において、
前記ＣＲＬ情報はインフラストラクチャーのＶ２Ｘ通信装置を介して前記ＣＲＬ分配装置に伝達されるか、又は長距離ネットワークを介して前記ＣＲＬ分配装置に直接伝達される、請求項４に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項６】
前記Ｖ２Ｘ通信装置が第２モードで動作する時、前記ＣＲＬ情報を放送する段階をさらに含む、請求項１に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項７】
Ｖ２Ｘ通信装置であって、
データを格納する保安／非保安の格納装置と、
無線信号を送受信するＲＦユニットと、
前記ＲＦユニットを制御するプロセッサとを含み、
前記プロセッサは、
誤動作の検出（ＭＢＤ）に対するＭＢＤ状態情報を外部のＶ２Ｘ通信装置から取得し、前記ＭＢＤ状態情報は、外部のＶ２Ｘ通信装置の誤動作が検出されたかを表し、
前記ＭＢＤ状態情報に基づいて認証書廃棄リスト（ＣＲＬ）情報を生成し、
前記Ｖ２Ｘ通信装置は、前記Ｖ２Ｘ通信装置が前記ＣＲＬ情報を生成する誤動作のブローカー（ＭＢＢ）として動作するために要求される予め設定された保安レベルを有する、Ｖ２Ｘ通信装置。
【請求項８】
前記プロセッサは、前記ＭＢＤ状態情報を要求するためのＭＢＤ情報要請メッセージを送信し、
前記ＭＢＤ情報要請メッセージは、前記Ｖ２Ｘ通信装置が前記ＭＢＢに該当することを知らせるためのＭＢＢアナウンスメント情報を含む、請求項７に記載のＶ２Ｘ通信装置。
【請求項９】
前記ＭＢＤ情報要請メッセージは周期的に送信される、請求項８に記載のＶ２Ｘ通信装置。
【請求項１０】
前記プロセッサは、
前記Ｖ２Ｘ通信装置が第１モードで動作する時、前記ＣＲＬ情報をＣＲＬ分配装置に伝達することをさらに含み、前記ＣＲＬ情報は、前記ＣＲＬ分配装置によって放送される、請求項７に記載のＶ２Ｘ通信装置。
【請求項１１】
前記ＣＲＬ情報を前記ＣＲＬ分配装置に伝達するにおいて、
前記ＣＲＬ情報をインフラストラクチャーのＶ２Ｘ通信装置を介して前記ＣＲＬ分配装置に伝達するか、又は前記ＣＲＬ情報を長距離ネットワークを介して前記ＣＲＬ分配装置に直接伝達するものである、請求項１０に記載のＶ２Ｘ通信装置。
【請求項１２】
前記プロセッサは、
前記Ｖ２Ｘ通信装置が第２モードで動作する時、前記ＣＲＬ情報を放送することをさらに含む、請求項７に記載のＶ２Ｘ通信装置。
【請求項１３】
前記予め設定された保安レベルは、認証プロセス(authentication process）により取得された認証チェット（ＡＴ）及び登録認証書（ＥＣ）に基づいて決定される、請求項１に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【請求項１４】
前記ＥＣは、Ｖ２Ｘ通信装置を認証し、Ｖ２Ｘ通信に対するアクセスを許諾する登録局（ＥＡ）から取得され、
前記ＡＴは、前記ＡＴを発行し、前記ＡＴの利用を監視する認証局（ＡＡ）から取得される、請求項１３に記載のＶ２Ｘ通信装置のデータ通信方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビール抽出物を醸造ビール又はハード・サイダーから生成するための方法であって、
前記醸造ビール又はハード・サイダーのストリームを、前記醸造ビール又はハード・サイダーの前記ストリームが通過するラインを有して成る前処理ステーションに導入すること、
前記前処理ステーションのラインを窒素ガスでパージして、窒素パージした醸造ビール又はハード・サイダーから、処理された飲料ストリームを生成すること、
前記処理された飲料ストリームを、正浸透（ＦＯ）装置内へと前記ＦＯ装置の濾過膜の一方の側と接触するように導入すること、
駆動溶液のストリームを、前記ＦＯ装置内へと前記濾過膜の反対側と接触するように導入すること、                                                                      前記処理された飲料ストリーム及び前記駆動溶液を連続的に流し、ＦＯにより、水が前記処理された飲料ストリームから前記駆動溶液中へと濾過膜を通過して、前記処理された飲料ストリームから水を除去すること、
前記処理された飲料ストリームから水を除去してビール抽出物を生成し、前記ビール抽出物を前記ＦＯ装置から出し、及び
前記ＦＯ装置から出る前記ビール抽出物をパッケージングのためにパッケージング・ステーションへと送ること、
を含む、
方法。
【請求項２】
前記ＦＯ装置に入る前記処理された飲料ストリームの温度を約−１℃から２０℃の範囲内に維持することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水の漸次的追加により前記ビール抽出物の最終ＡＢＶを調整することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記前処理ステーションのラインを窒素ガスでパージすることにより、前記醸造ビール又はハード・サイダーから溶存酸素が除去される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記前処理ステーションで、前記醸造ビール又はハード・サイダーから前記溶存酸素を除去することにより、約２５ｐｐｂ未満の溶存酸素のレベルを有する前記処理された飲料ストリームが生成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記前処理ステーションのラインを窒素ガスでパージすることにより、前記醸造ビール又はハード・サイダーから溶存二酸化炭素の量が減じられる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記前処理ステーションで、前記醸造ビール又はハード・サイダーから前記溶存二酸化炭素の量が減じられることにより、１リットルあたり１．０ｇ未満の溶存二酸化炭素のレベルを有する前記処理された飲料ストリームが生成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＦＯ装置に入る前に、前記方法が７２時間までの間で−５℃から−１℃の温度で、前記処理された飲料ストリームのチルプルーフィングにより、物理的安定化を実施することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
チルプルーフィングが、タンニン酸、ＳｉＯＨ、及び／又はＰＶＰＰのいずれか１つもしくは選択された組合せの選択的な追加を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
醸造ビール又はハード・サイダーからビール抽出物を生成するためのシステムであって、
前記醸造ビール又はハード・サイダーのストリームを受容し、前記醸造ビール又はハード・サイダーの前記ストリームを前処理ステーションのラインに通し、前記前処理ステーションのラインを窒素ガスでパージし、処理された飲料ストリームを窒素パージされた醸造ビール又はハード・サイダーから生成する、前処理ステーション、
前記処理された飲料ストリームを前記前処理ステーションから受容し、前記処理された飲料ストリームをＦＯ装置の濾過膜の一方の側と接触するように導入する正浸透（ＦＯ）装置、
前記ＦＯ装置中へと流れ、及び前記濾過膜の反対側と接触する駆動溶液のストリーム、並びに
前記処理された飲料ストリームを加圧し、前記処理された飲料ストリームを連続的に前記ＦＯ装置に流す少なくとも一つのポンプ
を有して成り、
ＦＯにより前記濾過膜が、濾過膜を介して水を処理された飲料ストリームから駆動溶液中へと通過させ、
前記処理された飲料ストリームから水を除去してビール抽出物を生成する、システム。
【請求項１１】
前記ＦＯ装置の下流側に配置されたパッケージング・ステーションをさらに有してなり、前記パッケージング・ステーションが２４体積％から３３体積％のアルコールで前記ビール抽出物を受容する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記前処理ステーションのラインを窒素ガスでパージすることにより、前記醸造ビール又はハード・サイダーから溶存酸素が除去される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記前処理ステーションで、前記醸造ビール又はハード・サイダーから前記溶存酸素を除去することにより、２５ｐｐｂ未満の溶存酸素レベルを有する前記処理された飲料ストリームが生成される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記前処理ステーションのラインを窒素ガスでパージすることにより、前記醸造ビール又はハード・サイダーから溶存二酸化炭素の量が減じられる、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記前処理ステーションで、前記醸造ビール又はハード・サイダーから前記溶存二酸化炭素の量が減じられることにより、１リットルあたり１．０グラム未満の溶存二酸化炭素のレベルを有する前記処理された飲料ストリームが生成される、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月22日(2020.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料を含む固体基材の表面上にフォトニック構造を製造する方法であって、
前記第１の材料の変形可能層を前記固体基材の前記表面上に堆積させることと、
フォトニック構造パターンと光学修正層を保持する型で前記変形可能層をエンボス加工することと、
前記型を所定の位置においた状態で、前記固体基材の前記表面と一体化するように前記変形可能層を固化して、前記固化された層に永久的なフォトニック構造を形成することと、
前記変形可能層から前記型を取り外すことと、を含み、
前記型の前記光学修正層は、エンボス加工の際に前記変形可能層に転写され、固化された前記変形可能層を有する前記固体基材の前記表面上のフォトニック構造パターンの光学特性に影響を与えるように機能することができ、
前記固化するステップが、結晶化、溶媒蒸発、ガラス化、磁気レオロジー転移、および凝縮のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項２】
前記フォトニック構造が、少なくとも１次元に沿って配置された周期的特徴を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記周期的特徴が、回折格子を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記周期的特徴が、２次元で配置される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記変形可能層が、前記層が前記基材上に堆積される時点で、流体、半粘性、または粘性のうちの１つの形態で堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の材料が、ポリマー樹脂を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記変形可能層が、ＰＤＭＳ型を使用してエンボス加工するのに十分低い粘度を大気温度で有するように選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記変形可能層が、前記樹脂が前記基材上に堆積される時点で、１００〜５０００ｃＰの範囲の粘度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記型が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記固化された層が、前記基材の表面の前記第１の材料と架橋を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記型と、前記光学修正層および前記第１の材料の前記固化された層のうち少なくとも一方と、の間の接着を防ぐために、エンボス加工の前に前記型に接着防止層を追加することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記接着防止層が、単層を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
固化時に前記変形可能層の特性を修正するために、エンボス加工の前に前記変形可能層に層を追加することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記追加された層が、保護コーティングを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記追加された層が、前記フォトニック構造の光学特性を修正する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
固体基材の表面上にフォトニック構造を製造する方法であって、
前記固体基材の前記表面上に変形可能層を堆積させることと、
フォトニック構造パターンと光学修正層を保持する型で前記変形可能層をエンボス加工することと、
前記型を所定の位置においた状態で、前記固体基材の前記表面と一体化するように前記変形可能層を固化して、前記固化された層に永久的なフォトニック構造を形成することと、
前記変形可能層から前記型を取り外すことと、を含み、
前記型の前記光学修正層は、エンボス加工の際に前記変形可能層に転写され、固化された前記変形可能層を有する前記固体基材の前記表面上のフォトニック構造パターンの光学特性に影響を与えるように機能することができ、
前記変形可能層が、前記固化された層を前記基材にしっかりと埋め込むように、固化中に前記基材と架橋結合を形成し、
前記固化するステップが、結晶化、溶媒蒸発、ガラス化、磁気レオロジー転移、および凝縮のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１７】
ステップを実行することによって、第１の材料を含む固体基材の表面上に形成されたフォトニック構造であって、前記ステップが、
前記第１の材料の変形可能層を前記固体基材の前記表面上に堆積させることと、
フォトニック構造パターンと光学修正層を保持する型で前記変形可能層をエンボス加工することと、
前記型を所定の位置においた状態で、前記固体基材の前記表面と一体化するように前記変形可能層を固化して、前記固化された層に永久的なフォトニック構造を形成することと、
前記変形可能層から前記型を取り外すことと、を含み、
前記型の前記光学修正層は、エンボス加工の際に前記変形可能層に転写され、固化された前記変形可能層を有する前記固体基材の前記表面上のフォトニック構造パターンの光学特性に影響を与えるように機能することができ、
前記固化するステップが、結晶化、溶媒蒸発、ガラス化、磁気レオロジー転移、および凝縮のうちの少なくとも１つを含む、フォトニック構造。
【請求項１８】
ステップを実行することによって、固体基材の表面上に形成されるフォトニック構造であって、前記ステップが、
前記固体基材の前記表面上に変形可能層を堆積させることと、
フォトニック構造パターンと光学修正層を保持する型で前記変形可能層をエンボス加工することと、
前記型を所定の位置においた状態で、前記固体基材の前記表面と一体化するように前記変形可能層を固化して、前記固化された層に永久的なフォトニック構造を形成することと、
前記変形可能層から前記型を取り外すことと、を含み、
前記型の前記光学修正層は、エンボス加工の際に前記変形可能層に転写され、固化された前記変形可能層を有する前記固体基材の前記表面上のフォトニック構造パターンの光学特性に影響を与えるように機能することができ、
前記変形可能層が、前記固化された層を前記基材にしっかりと埋め込むように、固化中に前記基材と架橋結合を形成し、
前記固化するステップが、結晶化、溶媒蒸発、ガラス化、磁気レオロジー転移、および凝縮のうちの少なくとも１つを含む、フォトニック構造。
【請求項１９】
前記変形可能層と前記基材が同じ材料で構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月2日(2020.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置されている第１および第２高分子フィルム基板と、前記第１および第２高分子フィルム基板の間に光変調層を有する光変調フィルム層とを含み、
前記第１および第２高分子フィルム基板は、それぞれ、５５０ｎｍ波長の光に対する面内位相差が４，０００ｎｍ以上であり、
前記第１および第２高分子フィルム基板は延伸高分子フィルムであり、
前記第１および第２高分子フィルム基板の第１方向は、ＴＤ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向であり、
前記第１および第２高分子フィルム基板の第２方向は、ＭＤ（Ｍａｃｈｉｎｅ  Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）方向であり、
前記第１高分子フィルム基板の第１方向と前記第２高分子フィルム基板の第１方向とのなす角度が０度〜１０度の範囲内となるように配置されている光変調デバイス。
【請求項２】
第１および第２高分子フィルム基板は、それぞれ、一面に電極層が形成された電極フィルム基板であり、前記各電極層が対向するように第１および第２高分子フィルム基板が配置されている、請求項１に記載の光変調デバイス。
【請求項３】
第１および第２高分子フィルム基板は、ポリエステルフィルム基板である、請求項１または２に記載の光変調デバイス。
【請求項４】
第１および第２高分子フィルム基板のそれぞれの第１方向における伸び率が１５％以上である、請求項１から３のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項５】
前記第１および第２高分子フィルム基板はそれぞれ、前記第１方向における延伸率Ｅ１と前記第１方向と垂直をなす前記第２方向における延伸率Ｅ２との比率Ｅ１／Ｅ２が３以上である、
請求項１から４のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項６】
第１および第２高分子フィルム基板のそれぞれは、第１および第２方向の両方と４０度〜５０度の範囲内の角度をなす第３方向における伸び率Ｅ３が、前記第１方向における伸び率Ｅ１に比べて大きく、前記第３方向における伸び率Ｅ３と前記第２方向における伸び率Ｅ２との比率Ｅ３／Ｅ２が５以上である、請求項１から５のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項７】
第１および第２高分子フィルム基板は、それぞれ、第２方向における熱膨張係数ＣＴＥ２と第１方向における熱膨張係数ＣＴＥ１との比率ＣＴＥ２／ＣＴＥ１が１．５以上である、請求項１から６のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項８】
第２方向における熱膨張係数ＣＴＥ２が５〜１５０ｐｐｍ／℃の範囲内である、請求項７に記載の光変調デバイス。
【請求項９】
第１および第２高分子フィルム基板は、それぞれ、第２方向における弾性率ＹＭ２と第１方向における弾性率ＹＭ１との比率ＹＭ１／ＹＭ２が１．５以上である、請求項１から８のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項１０】
第１方向における弾性率ＹＭ１が２〜１０ＧＰａの範囲内である、請求項９に記載の光変調デバイス。
【請求項１１】
第１および第２高分子フィルム基板は、それぞれ、第２方向における最大応力ＭＳ２と第１方向における最大応力ＭＳ１との比率ＭＳ１／ＭＳ２が１．５以上である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項１２】
第１方向における最大応力ＭＳ１が１５０〜２５０ＭＰａの範囲内である、請求項１１に記載の光変調デバイス。
【請求項１３】
光変調フィルム層の少なくとも一側に配置された偏光子をさらに含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項１４】
偏光子の透過軸と前記第１および第２高分子フィルム基板の第１方向とのなす角度が０度〜１０度または８０度〜１００度の範囲内である、請求項１３に記載の光変調デバイス。
【請求項１５】
光変調フィルム層を２層含み、前記各光変調フィルム層に含まれるすべての前記第１および第２高分子フィルム基板の第１方向がなす角度が、０度〜１０度の範囲内にある、請求項１から１４のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項１６】
光変調層は、液晶層、電気変色物質層、光変色物質層または電気泳動物質層、分散粒子配向層またはゲストホスト液晶層である、請求項１から１５のいずれか一項に記載の光変調デバイス。
【請求項１７】
左眼用レンズと右眼用レンズと、前記左眼用レンズと右眼用レンズを支持するフレームとを含むアイウェアであって、
前記左眼用レンズおよび右眼用レンズは、それぞれ、請求項１から１６のいずれか一項に記載の光変調デバイスを含むアイウェア。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融シリカベースのマルチクラッド光ファイバであって、
第１のクラッディング層によって取り囲まれているコアであって、前記第１のクラッディング層及びコアがシリカガラスからなり、それにより前記光ファイバが高いＮＡを有し、前記光ファイバがＭ２＞＞１．５の低いビーム品質の可視光又はＵＶ光を、Ｍ２＜１．５を有する高いビーム品質の光へ変換するようにする第１のクラッディング層によって取り囲まれているコアと、
前記光ファイバが前記可視光又は前記ＵＶ光における低い伝搬損失を提供するようにする水素ドーパントと、を備え、
前記コアはＧＲＩＮ(グレーデッドインデックス)構造を有している、
溶融シリカベースのマルチクラッド光ファイバ。
【請求項２】
請求項１に記載の光ファイバにおいて、前記ＧＲＩＮ構造は、屈折率を改変するための前記シリカガラスへの改質剤、前記屈折率を改変するための前記シリカガラスで構成される構造、及び前記コアをＵＶ照射から遮蔽するための前記シリカガラスへの改質剤、から成る群より選択された構成要素を有している、光ファイバ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の光ファイバにおいて、前記第１のクラッディング層は第２のクラッディング層によって取り囲まれ、前記第２のクラッディング層は外側クラッディング層によって取り囲まれ、前記クラッディング層のそれぞれは溶融シリカガラスからなる、光ファイバ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の光ファイバにおいて、前記第１のクラッディング層は第２のクラッディング層によって取り囲まれ、前記第２のクラッディング層は外側クラッディング層によって取り囲まれ、前記クラッディング層のそれぞれは化学的改質剤を含む溶融シリカガラスを有している、光ファイバ。
【請求項５】
請求項１に記載の光ファイバにおいて、前記低いビーム品質の光は希土類イオンの直接レージングを通じて前記高いビーム品質の光へ変換される、光ファイバ。
【請求項６】
請求項１に記載の光ファイバにおいて、前記低いビーム品質の光は非線形光学によって誘導されるエネルギー交換プロセスを通じて前記高いビーム品質の光へ変換される、光ファイバ。
【請求項７】
請求項１に記載の光ファイバにおいて、前記伝搬損失は可視光とＵＶ光の両方で低い、光ファイバ。
【請求項８】
請求項１に記載の光ファイバにおいて、前記ＧＲＩＮ構造は、リン、アルミニウム、及びアルミニウムとリン、から成る群より選択された構成要素を備えている、光ファイバ。
【請求項９】
請求項１に記載の光ファイバにおいて、前記ＧＲＩＮ構造は、純粋溶融シリカの屈折率を増加させ、また、青色光によって照射されたときに感光変化しない材料から成る群より選択された構成要素を備えている、光ファイバ。
【請求項１０】
請求項９に記載の光ファイバであって、前記光ファイバのＬＰ０１モードである基本モードに対する最も高い非線形利得を呈するように構成されている光ファイバ。
【請求項１１】
請求項１に記載の光ファイバであって、前記第１のクラッディング層を取り囲むシリカガラスからなる第２のクラッディング層を有していて、前記第２のクラッディング層は、前記第１のクラッディング層の屈折率より低い有効屈折率を有している、光ファイバ。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光ファイバにおいて、前記第２のクラッディング層は前記シリカガラスへの改質剤を備え、それにより前記第２のクラッディング層の屈折率を前記第１のクラッディング層についての屈折率未満へ下げている、光ファイバ。
【請求項１３】
請求項１１に記載の光ファイバにおいて、前記第２のクラッディング層は非固体構造を備え、それにより前記第２のクラッディング層の屈折率を前記第１のクラッディング層についての屈折率未満へ下げている、光ファイバ。
【請求項１４】
請求項１１に記載の光ファイバにおいて、前記第２のクラッディング層は低屈折率ポリマーを備え、それにより前記第２のクラッディング層の屈折率を前記第１のクラッディング層についての屈折率未満へ下げている、光ファイバ。
【請求項１５】
請求項１に記載の光ファイバであって、第２のクラッディング層及び第３のクラッディング層を備えていて、前記第２のクラッディング層及び第３のクラッディング層がシリカガラスからなり、前記第３のクラッディング層の有効屈折率は前記第２のクラッディング層の有効屈折率より高い、光ファイバ。
【請求項１６】
請求項１１に記載の光ファイバであって、シリカガラスからなる第３のクラッディング層を備えていて、前記第３のクラッディング層の有効屈折率は前記第２のクラッディング層の有効屈折率より高い、光ファイバ。
【請求項１７】
請求項１５に記載の光ファイバにおいて、前記第１のクラッディング層と前記第２のクラッディング層と前記第３のクラッディング層のうちの１つ又はそれ以上は、前記第１のクラッディング層及び前記コアをＵＶ照射から保護するために化学的改質剤を備えている、光ファイバ。
【請求項１８】
請求項１１に記載の光ファイバであって、シリカガラスからなる第３のクラッディング層を備えていて、前記第３のクラッディング層の有効屈折率は前記第２のクラッディング層の有効屈折率より低い、光ファイバ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月23日(2020.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンナビジオール；並びに
脂質、水、エタノール、グリセリン、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール４００及びこれらの組合せからなる群から選択されるビヒクル
を含む、
プラダー−ウィリー症候群を治療するための、医薬製剤。
【請求項２】
カンナビジオールが、９８％より高い純度を有する、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
カンナビジオールが、合成的に合成される、請求項１に記載の製剤。
【請求項４】
ビヒクルが中鎖グリセリドである、請求項１に記載の製剤。
【請求項５】
中鎖グリセリドが、トリ（カプリル酸／カプリン酸）グリセリルである、請求項４に記載の製剤。
【請求項６】
アルファ−トコフェロールをさらに含む、請求項５に記載の製剤。
【請求項７】
ビヒクルがゴマ油である、請求項１に記載の製剤。
【請求項８】
ビヒクルが、エタノール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール及び水の組合せである、請求項１に記載の製剤。
【請求項９】
アルファ−トコフェロール及びパルミチン酸アスコルビルをさらに含む、請求項８に記載の製剤。
【請求項１０】
製剤が、
約８％〜約３１％ｗ／ｗのカンナビジオール；並びに
約６０％〜約９０％ｗ／ｗの脂質からなるビヒクル、又は約４０％〜約６０％ｗ／ｗのエタノール、約１％〜約５％ｗ／ｗのポリエチレングリコール、約５％〜約１０％ｗ／ｗのプロピレングリコール及び約２０％〜約４０％ｗ／ｗの水の組合せからなるビヒクル
を含み、ここでｗ／ｗが、製剤の重量に対する重量を示す、請求項１に記載の製剤。
【請求項１１】
カンナビジオールが、約１０％ｗ／ｗの濃度であり、ビヒクルが、約８９％ｗ／ｗの濃度のトリ（カプリル酸／カプリン酸）グリセリルである、請求項１０に記載の製剤。
【請求項１２】
カンナビジオールが、約３１％ｗ／ｗの濃度であり、ビヒクルが、約６８％ｗ／ｗの濃度のトリ（カプリル酸／カプリン酸）グリセリルである、請求項１０に記載の製剤。
【請求項１３】
カンナビジオールが、約１１％ｗ／ｗの濃度であり、ビヒクルが、約８０％ｗ／ｗの濃度のゴマ油である、請求項１０に記載の製剤。
【請求項１４】
カンナビジオールが、約８．８％ｗ／ｗの濃度であり、ビヒクルが、約５０％ｗ／ｗの濃度のエタノール、約３％ｗ／ｗの濃度のポリエチレングリコール、約７．５％ｗ／ｗの濃度のプロピレングリコール及び約３０％ｗ／ｗの濃度の水の組合せである、請求項１０に記載の製剤。
【請求項１５】
有効量が、１日当たり１キログラム当たり約０．５〜約１００ミリグラムである、請求項１に記載の製剤。
【請求項１６】
有効量が、１日当たり１キログラム当たり約１０〜約４０ミリグラムである、請求項１に記載の製剤。
【請求項１７】
カンナビジオール；並びに
脂質、水、エタノール、グリセリン、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール４００及びこれらの組合せからなる群から選択されるビヒクル
を含む、
プラダー−ウィリー症候群の１つ以上の症状を治療するための、医薬製剤。
【請求項１８】
プラダー−ウィリー症候群の症状が、過食症である、請求項１７に記載の製剤。
【請求項１９】
カンナビジオール；並びに
脂質、水、エタノール、グリセリン、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール４００及びこれらの組合せからなる群から選択されるビヒクル
を含む、
幼児痙攣を治療するための、医薬製剤。
【請求項２０】
医薬製剤の投与の前に、ビガバトリン又は副腎皮質刺激ホルモンが患者に投与される、請求項１９に記載の製剤。
【請求項２１】
実質的に純粋なカンナビジオール；並びに
脂質、水、エタノール、グリセリン、プロピレングリコール、ポリエチレングリコール４００及びこれらの組合せからなる群から選択されるビヒクル
を含む、
小児欠神てんかんを治療するための、医薬製剤。
【請求項２２】
カンナビジオールが、９８％より高い純度を有する、請求項２０に記載の製剤。
【請求項２３】
カンナビジオールが合成カンナビジオールである、請求項２０に記載の製剤。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月25日(2020.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニューラル・ネットワークの更新管理のためのコンピュータ実装方法であって、
抵抗型処理ユニット（ＲＰＵ）を使用して前記ニューラル・ネットワークに対して、乗算の被乗数と乗数とを使用する等方的更新プロセスを実行するステップを含み、
前記実行するステップは、前記被乗数と前記乗数とを同じ桁を有するようにスケーリングするステップを含む、コンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記被乗数および前記乗数が、前記スケーリングの前と後とで同じ積を維持するようにスケーリングされる、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項３】
前記スケーリングするステップは、前記等方的更新プロセスの入力に適用される入力調整プロセスにおいて実行される、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項４】
前記入力調整プロセスは、前記被乗数と前記乗数との桁の相違の結果として生じる偽空間相関を解消する、請求項３に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項５】
前記等方的更新プロセスは、単一の更新サイクルのみを使用して実行される、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項６】
ＲＰＵアレイがアナログ・ベクトル行列乗算を実行するように構成された、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項７】
１つまたは複数の確率的変換器によって、前記ニューラル・ネットワークのニューロンに対応する数値の組を確率的ビット・ストリームに変換することをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項８】
前記等方的更新プロセスが、１つまたは複数の所定の基準を満たすビット長を有する前記確率的ビット・ストリームのそれぞれに対して実行される、請求項７に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数の所定の基準が最小ビット・ストリーム長を含む、
請求項８に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１０】
スケーリング係数が、前記１つまたは複数の確率的変換器の増幅係数に適用される、請求項７に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１１】
前記１つまたは複数の確率的変換器が第１の確率的変換器と第２の確率的変換器とを含み、前記スケーリングするステップが、前記第１の確率的変換器の増幅係数に前記スケーリング係数を乗じることと、前記第２の確率的変換器の増幅係数を前記スケーリング係数で割ることとを含む、請求項７に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１２】
１つまたは複数の決定論的変換器によって、前記ニューラル・ネットワークのニューロンに対応する数値の組を決定論的ビット・ストリームに変換することをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１３】
前記等方的更新プロセスが、１つまたは複数の所定の基準を満たすビット長を有する前記決定論的ビット・ストリームのそれぞれに対して実行される、請求項１２に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１４】
前記１つまたは複数の所定の基準が最小ビット・ストリーム長を含む、請求項１３に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１５】
前記スケーリング係数が、前記１つまたは複数の決定論的変換器の増幅係数に適用される、請求項１２に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１６】
前記１つまたは複数の決定論的変換器が第１の決定論的変換器と第２の決定論的変換器とを含み、前記スケーリングするステップが、前記第１の決定論的変換器の増幅係数に前記スケーリング係数を乗じることと、前記第２の決定論的変換器の増幅係数を前記スケーリング係数で割ることとを含む、請求項１２に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６の何れか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータ・ハードウェアによる手段として構成した、コンピュータ処理システム。
【請求項１８】
請求項１〜１６の何れか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のコンピュータ・プログラムをコンピュータ可読記録媒体に記録した、コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月12日(2020.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のピクセルのアレイを備え、前記複数のピクセルの各々は、異なる色の光を放出するいくつかの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスを備え、各ＯＬＥＤデバイスは、少なくとも反射面を有する第１電極と、発光層と、半透過反射面を有する第２電極とを含む表示基板であって、
前記各ＯＬＥＤデバイスは、前記反射面と前記半透過反射面との間の物理的距離に基づく光学的長さを有するマイクロキャビティを備え、前記複数のピクセルの同じ色の光を放出するＯＬＥＤデバイスは、異なる光学的長さを有する少なくとも２つのマイクロキャビティを有する、
表示基板。
【請求項２】
請求項１に記載の表示基板において、
隣接する２つのピクセルにおいて前記同じ色の光を放出するＯＬＥＤデバイスは、異なる光学的長さを有するマイクロキャビティを有し、１つのピクセルにおいて前記ＯＬＥＤデバイスは、同じ光学的長さを有するマイクロキャビティを有する、
表示基板。
【請求項３】
請求項１に記載の表示基板において、
隣接する２つのピクセルにおいて前記同じ色の光を放出するＯＬＥＤデバイスは、異なる光学的長さを有するマイクロキャビティを有し、１つのピクセルにおいて前記ＯＬＥＤデバイスの少なくとも１つは、異なる光学的長さを有するマイクロキャビティを有する、
表示基板。
【請求項４】
請求項１に記載の表示基板において、
隣接する２つのピクセルにおいて前記同じ色の光を放出するＯＬＥＤデバイスは、異なる光学的長さを有するマイクロキャビティを有し、前記各ＯＬＥＤデバイスは、異なる光学的長さを有する少なくとも２つのマイクロキャビティを有する、
表示基板。
【請求項５】
請求項１に記載の表示基板において、
前記各ＯＬＥＤデバイスは、第１電極と第２電極との間に、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、および電子注入層の少なくとも１つを含む光学機能層をさらに備え、
前記第１電極は、少なくとも透明電極層を含み、
少なくとも１つの前記透明電極層、少なくとも１つの前記光学機能層、及び前記各ＯＬＥＤデバイスの前記発光層が、異なる厚さで調整されることにより、前記複数のピクセルの隣接する２つのピクセルにおいて同じ色の光を放出する２つのＯＬＥＤデバイスに対して異なるマイクロキャビティを提供する、
表示基板。
【請求項６】
請求項５に記載の表示基板において、
前記複数のピクセルの隣接する２つのピクセルにおいて同じ色の光を放出する２つのＯＬＥＤデバイスの前記透明電極層は、異なる厚さを有する、
表示基板。
【請求項７】
請求項６に記載の表示基板において、
前記透明電極層の厚さは、１つのピクセルから次の隣接するピクセルまで周期的に変化する、
表示基板。
【請求項８】
請求項６に記載の表示基板において、
前記透明電極層の厚さは、前記複数のピクセルのうちの１対以上の隣接するピクセル上のラダー分布に応じて変化する、
表示基板。
【請求項９】
請求項８に記載の表示基板において、
前記ラダー分布は、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲のステップサイズを含む、
表示基板。
【請求項１０】
請求項５に記載の表示基板において、
前記第１電極は、前記発光層から遠い側に前記透明電極層と積層された反射電極層をさらに備える、
表示基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の表示基板において、
前記透明電極層は、インジウムガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、およびインジウムガリウムスズ酸化物から選択される少なくとも１つの材料を含み、
前記反射電極層は、銀、マグネシウム及びアルミニウムから選択される少なくとも１つの材料を含み、
前記第２電極は、銀、マグネシウムおよびアルミニウムから選択される少なくとも１つの材料を含む、
表示基板。
【請求項１２】
請求項５に記載の表示基板において、
任意の隣接する２つのピクセルにおいてそれぞれ同じ色の光を放出する２つのＯＬＥＤデバイスの前記光学機能層は、異なる厚さを有する、
表示基板。
【請求項１３】
請求項１２に記載の表示基板において、
前記光学機能層の厚さは、１つのピクセルから次の隣接するピクセルまで周期的に変化する、
表示基板。
【請求項１４】
請求項１２に記載の表示基板において、
前記光学機能層の厚さは、前記複数のピクセルのうちの１対以上の隣接するピクセル上のラダー分布に応じて変化する、
表示基板。
【請求項１５】
請求項１４に記載の表示基板において、
前記ラダー分布は、１ｎｍ〜８ｎｍの範囲のステップサイズを含む、
表示基板。
【請求項１６】
請求項５に記載の表示基板において、
隣接する２つのピクセルにおいてそれぞれ同じ色の光を放出する２つのＯＬＥＤデバイスの前記発光層は、異なる厚さを有する、
表示基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の表示基板において、
前記発光層の厚さは、１つのピクセルから次の隣接するピクセルまで周期的に変化する、
表示基板。
【請求項１８】
請求項１６に記載の表示基板において、
前記発光層の厚さは、前記複数のピクセルのうちの１対以上の隣接するピクセル上のラダー分布に応じて変化する、
表示基板。
【請求項１９】
請求項５に記載の表示基板において、
異なる厚さを有する前記透明電極層がお互いに離れ配置される、
表示基板。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか一項に記載の表示基板において、
各ピクセルは、赤色、緑色および青色の光をそれぞれ放出する３つのＯＬＥＤデバイスを備え、
前記赤色、緑色および青色の光をそれぞれ放出する３つのＯＬＥＤデバイスは、行、列またはペンタイル配列で空間的に配置される。
【請求項２１】
請求項１から１９のいずれか一項に記載の表示基板を備える表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月4日(2020.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研削機械であって、
ハウジングと、
前記ハウジングの内部に配置されたモータと、
前記ハウジングの内部で前記モータのモータシャフトに配置されたファンと、
研削板を取り付けるための支持板であって、前記モータシャフトに結合し、前記ハウジングの内部に研削ダストを吸い込むための開口部を有する支持板と、
前記ハウジングの壁に配置され、前記ハウジングの内部から研削ダストを吸引するための出口であって、前記研削機械の前記ハウジングの内部で負圧を発生可能な吸引装置に接続可能である出口と、
前記ハウジングの前記壁に配置され、前記ハウジングの内部から空気を逃がすことが可能で、前記ハウジングの内部への空気の流入を阻止する逆止弁と、
を有する研削機械。
【請求項２】
前記研削ダストを搬出する、前記支持板の前記開口部から前記出口への空気流が前記モータを冷却するように前記モータが前記ハウジングの内部に配置されている請求項１に記載の研削機械。
【請求項３】
前記支持板が軌道運動をすることができるように前記モータシャフトを前記支持板に接続する偏心ベアリングを有し、前記研削ダストを搬出する、前記支持板の前記開口部から前記出口への空気流が前記偏心ベアリングを冷却する請求項１又は請求項２に記載の研削機械。
【請求項４】
前記出口からの吸引力が不足している場合に、前記ファンにより、前記支持板の開口部を介して吸引された空気が前記逆止弁を介して流出する請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の研削機械。
【請求項５】
前記ファンによって引き起こされる、前記ハウジングの内部の停滞圧力の場合には、空気は、前記ハウジングの内部から前記逆止弁を介して周囲に流出する請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の研削機械。
【請求項６】
前記モータに電力を供給するためのケーブルをさらに有し、前記ケーブルは、前記ハウジングの周りにほぼ螺旋状に案内される請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の研削機械。
【請求項７】
研削板を取り付けるための回転可能な支持板を有する研削機械を冷却する方法であって、
前記研削機械のハウジングの壁に設けられた空気出口を介して前記ハウジングの内部に接続されている吸引装置によって前記ハウジングの内部に負圧を生成するステップを有し、
前記負圧により前記支持板の開口部を通る空気流が生成され、前記空気流が研削ダストを前記ハウジングの内部に搬送し、前記研削ダストが前記壁の前記空気出口を介して吸引され、
前記空気流により前記ハウジングの内部に配置されたモータが冷却され、
前記方法は、前記吸引装置が非アクティブな場合には、
前記支持板の前記開口部を通過し、前記モータを冷却するための更なる空気流をファンにより生成するステップを有し、このステップにより前記ハウジングの内部に停滞圧力が生成されて前記壁に配置された逆止弁が開き、前記更なる空気流が流出する方法。
【請求項８】
前記ファンは、前記モータのモータシャフトに固定され、軸ファンを構成している請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記吸引装置がアクティブな場合には、前記逆止弁が閉じられている請求項７又は請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ロボット支援研削装置であって、
マニピュレータと、
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の研削機械と、
前記研削機械を前記マニピュレータのＴＣＰと結合するリニアアクチュエータと、
前記研削機械の前記ハウジングの前記出口に接続された吸引装置と、
を有するロボット支援研削装置。
【請求項１１】
前記リニアアクチュエータの作用方向は、前記モータの回転軸に実質的に平行である請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記吸引装置は、前記研削装置の前記ハウジングと前記リニアアクチュエータの周りにほぼ螺旋状に配置されたホースを介して前記出口に接続されている請求項１０又は請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記研削機械の動作に必要なケーブルが、前記研削装置の前記ハウジングと前記リニアアクチュエータの長軸の周りに、ほぼ螺旋状のカーブに沿って配置され、前記ケーブルの一端は、前記マニピュレータに機械的に接続されている請求項１０乃至請求項１２の何れか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記ケーブルは、ケーブルホース内に、他のケーブルとともに配置されている請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
ロボット支援研削装置であって、
マニピュレータと、
研削機械と、
前記研削機械を前記マニピュレータのＴＣＰと結合するリニアアクチュエータと、
前記研削機械のハウジングの出口に接続された吸引装置と、
を有し、
前記吸引装置は、前記研削装置の前記ハウジングと前記リニアアクチュエータの周りにほぼ螺旋状に配置されたホースを介して前記研削機械の前記出口に接続され、前記ホースの一端は、前記マニピュレータに接続されている
ロボット支援研削装置。