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　特願２０１３−　　　　８１「改良された電流拡散構造を有するスケーラブルＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月　４日出願公開、特開２０１３−　６２５４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、２０００年１１月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９９年１２月１日、２０００年１１月２１日、いずれも米国）を国際出願日とする特願２００１−５４２３９５号（以下「原出願」という。）の一部を平成２５年１月４日に新たな特許出願としたものであって、同年１月２９日に手続補正がなされ、平成２６年１月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２３日に手続補正がなされたが、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成２６年１２月４日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年１２月４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「電流拡散構造を有する半導体ＬＥＤであって、
　不純物をドープした２以上の隣接する層と、
　前記層のうち１または複数の層を通してエッチングされ、前記層の１つの上または内部に表面を露出する少なくとも１つの溝であって、前記層の第１の端部で始まり、反対の第２の端部に対して延びている前記少なくとも１つの溝と、
　前記少なくとも１つの溝の中の前記露出した面の上に少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトであって、前記
第１の
細長い第１の導電性
　前記隣接する層の表面の上に少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガを有する第２のコンタクトであって、前記第２のコンタクトから、前記少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガおよび前記隣接する層に電流が流れるようにし、前記第２のコンタクト及び前記少なくとも１つの
細長い
　
２以上の前記隣接する層の１つの上に隣接する
に隣接する
細長い
第２の
細長い第２の
隣接する
　前記スプレッダ層（１８）は、透過導電体又は金属のいずれかを備えていることを特徴とする半導体ＬＥＤ。」
と補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　ここで、本願補正発明は、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるものであるところ、本件補正後の請求項１の「２以上の前記隣接する層の１つの上に隣接する前記スプレッダ層（１８）」は、これより前に「スプレッダ層（１８）」の記載がないことから、「２以上の前記隣接する層の１つの上に隣接するスプレッダ層（１８）」の誤記と認められるので、当該事項により特定されるものとする。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２２４９６０号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。　
　
（１）「【００１４】図１ないし図３は、本発明の一実施の形態に係る改良されたＬＥＤ光源を示す。この光源１は、反射ボウル（ハウジング）の一部を構成し得る金属支持体３上に装着された
ＬＥＤチップ２
【００１５】
前記チップ２は、上にｎ導電型の半導体層６が形成された透明ベース（基板）５を有する。このｎ導電型の半導体層６の上にはｐ導電型の半導体層７が形成されている
【００１６】前記透明なカバー４の材料は、１．２５よりも、好ましくは、１．４よりも大きい屈折率ｎｃを有する。さらに、この屈折率ｎｃは、半導体８の屈折率ｎｓよりも小さい。また、この屈折率ｎｃは、ｎｓがｎｃよりも２０％以上、好ましくは３０％以上大きく、好ましくは設定されている。
【００１７】前記透明の基板５は、半導体８の屈折率ｎｓよりも少くとも２０％、好ましくは３０％以上小さい屈折率ｎｂを有する材料で形成されている。かくして、基板５並びにカバー４と共に半導体８が、平坦（ｐｌａｎｅ）な光ガイドとして機能し、光がコアとしての半導体８内を案内されるように、構成されている。
【００１８】
前記ｎ導電型層６には、この層の下面のコンタクトにより、ボンデングパッドのターミナル１１が電気的に接続されている。また、前記ｐ導電型層７には、この層の下面のコンタクトにより、ボンデングパッドのターミナル１２が電気的に接続されている。チップ２の上面１３には、例えば、エッチングにより、細長いキャビティ、即ち、溝（トレンチ）１４が形成されている。
この溝１４は、ｎ導電型層６内に位置し、チップの上面１３に平行な底部１５を有する。この底部１５に接続されるように、かくして、ｎ導電型層６に電気的に接続されるように、金もしくは他の低抵抗金属で形成された導電性のトラック１６が設けられている。
【００１９】前記溝１４内には、半導体の屈折率よりも８０％以下の屈折率ｎｔを有する透明な誘電体材１７が充填されている。この誘電材料１７は、好ましくは、エポキシ樹脂のような合成樹脂である。また、この誘電体材１７は、前記透明のカバー４の材料と同じでも、また別でも良い。溝１４は、ｎ導電型層６内に位置し、チップの上面１３に平行な底部１５を有する。この底部１５に接続されるように、かくして、ｎ導電型層６に電気的に接続されるように、金もしくは他の低抵抗金属で形成された導電性のトラック１６が設けられている
【００２０】
前記導電トラック１６によって、ボンデングパッドのターミナル１１と符号１８で示すようなｎ導電型層の如何なる点との間の電圧降下は減じられ
【００２１】前記導電トラック１６は、曲がりくねったトラックを含む。かくして、例えば、導電性トラック１６ａ，１６ｂは、一緒になって曲がりくねったトラック、即ち、その方向が変わるトラックを構成している。これら導電トラック１６は、複数のトラックを一緒に結合するノード点５０を有する。各トラック１６の幅は、５〜２０μｍで良く、また、厚さは０．５μｍ以上で良い。また、
これらトラック１６は、パッド１１を形成するために使用されるのと同じ製造工程によるか、類似した製造工程により形成され得る
【００２２】図２にのみ示すように、
導電性のトラック１９が、前記ｐ導電型層７に結合、かくしてｐ導電型層７に電気的に接続されている。これらトラック１９は、金もしくは他の金属で形成され得る。全てのトラック１９は、互いに、また、ボンデングパッドターミナル１２に、金属接続されている。かくして、ボンデングパッドターミナル１２に供給された電流は、ｐ導電型層のみを通る代わりに、トラック１９を主に通って、ターミナル１２から離れたｐ導電型層７内の点２１に達する。これら導電性のトラック１９は、複数のトラックを一緒に接続するノード点２２を有する。また、これらトラック１９は、パッド１２を形成するために使用されるのと同じ製造工程によるか、類似した製造工程により形成され得る。これらトラック１９のネットワークは、曲がりくねったトラックを含む。
【００２３】導電性のトラック１９により、ボンデングパッドターミナル１２と符号２１で示すようなｐ導電型層上の如何なる点との間の電圧降下は減じられる。
（２）上記（１）に照らして図２をみると、導電性のトラック１６もボンデングパッドのターミナル１１も点線で示される溝１４内に設けられていると認められる。
　　　　
　上記によれば、引用例１には、
「ｎ導電型の半導体層６の上にｐ導電型の半導体層７が形成されたＬＥＤチップ２であって、
　前記ｎ導電型の半導体層６には、ボンデングパッドのターミナル１１が電気的に接続され、前記ｐ導電型の半導体層７には、ボンデングパッドのターミナル１２が電気的に接続されており、
　ＬＥＤチップ２の上面１３には、エッチングにより、細長い溝１４が形成されており、
　この溝１４は、ｎ導電型の半導体層６内に位置し、ＬＥＤチップ２の上面１３に平行な底部１５を有し、この底部１５にｎ導電型の半導体層６に電気的に接続されるように、金もしくは他の低抵抗金属で形成された導電性のトラック１６が設けられており、
　導電性のトラック１６もボンデングパッドのターミナル１１も溝１４内に設けられており、
　前記導電性のトラック１６によって、ボンデングパッドのターミナル１１とｎ導電型の半導体層６との間の電圧降下が減じられ、
　これら導電性のトラック１６は、ボンデングパッドのターミナル１１を形成するために使用されるのと同じ製造工程により形成されるものであり、
　導電性のトラック１９が、前記ｐ導電型の半導体層７に結合されて電気的に接続されており、全ての導電性のトラック１９は、ボンデングパッドのターミナル１２に金属接続されており、ボンデングパッドのターミナル１２に供給された電流は、ｐ導電型の半導体層のみを通る代わりに、導電性のトラック１９を主に通って、ボンデングパッドのターミナル１２から離れたｐ導電型の半導体層７内の点２１に達し、
　これら導電性のトラック１９は、ボンデングパッドのターミナル１２を形成するために使用されるのと同じ製造工程により形成されるものであり、
　導電性のトラック１９により、ボンデングパッドのターミナル１２とｐ導電型の半導体層７上の点との間の電圧降下が減じられるＬＥＤチップ２。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　　                                                               
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明における「（ターミナル１１、１２と半導体層６、７を電気的に接続する）導電性のトラック１６、１９」が、本願補正発明の「電流拡散構造」に相当するところであり、引用発明の「ＬＥＤチップ２」は、本願補正発明と同様に「電流拡散構造を有する半導体ＬＥＤ」といえる。
（２）引用発明の「『ｎ導電型の半導体層６』と『ｐ導電型の半導体層７』」は、本願補正発明の「不純物をドープした２以上の隣接する層」に相当する。
（３）引用発明の「溝１４」は、「ｎ導電型の半導体層６」の上に「ｐ導電型の半導体層７」が形成された「ＬＥＤチップ２の上面１３」にエッチングにより形成されたものであり、その底部１５がｎ導電型の半導体層６内に位置するものであるから、本願補正発明の「前記層のうち１または複数の層を通してエッチングされ、前記層の１つの上または内部に表面を露出する少なくとも１つの溝」に相当する。
（４）引用発明の「（細長い溝１４の底部１５に設けられた）『ｎ導電型の半導体層６に電気的に接続されるように、金もしくは他の低抵抗金属で形成された導電性のトラック１６』」及び「（ｎ導電型の半導体層６に電気的に接続される）ボンデングパッドのターミナル１１」が、それぞれ、本願補正発明の「第１の導電性フィンガ」及び「第１のコンタクト」に相当するところであり、また、引用発明において、「導電性のトラック１６は、ボンデングパッドのターミナル１１を形成するために使用されるのと同じ製造工程により形成される」ものであり、「導電性のトラック１６もボンデングパッドのターミナル１１も溝１４内に設けられており」、さらに、引用発明は、「前記導電トラック１６によって、ボンデングパッドのターミナル１１とｎ導電型の半導体層との間の電圧降下が減じられ」るものであるから、引用発明の「（ｎ導電型の半導体層６に電気的に接続される）ボンデングパッドのターミナル１１」は、本願補正発明の「第１のコンタクト」と、「前記少なくとも１つの溝の中の前記露出した面の上に少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトであって、前記第１のコンタクトから、前記少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガおよび前記露出した面を有する前記層に電流が流れるようにする第１のコンタクト」の点で一致する。
（５）引用発明の「導電性のトラック１９」及び「（ｐ導電型の半導体層７に電気的に接続されている）ボンデングパッドのターミナル１２」が、それぞれ、本願補正発明の「第２の導電性フィンガ」及び「第２のコンタクト」に相当するところであり、引用発明において、「全ての導電性のトラック１９は、ボンデングパッドのターミナル１２に、金属接続されており」、「ボンデングパッドのターミナル１２に供給された電流は、ｐ導電型の半導体層のみを通る代わりに、導電性のトラック１９を主に通って、ボンデングパッドのターミナル１２から離れたｐ導電型の半導体層７内の点２１に達し」、「これら導電性のトラック１９は、ボンデングパッドのターミナル１２を形成するために使用されるのと同じ製造工程により形成されるもので」あることに鑑みれば、引用発明の「ボンデングパッドのターミナル１２」は、本願補正発明の「第２のコンタクト」と、「前記隣接する層の表面の上に少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガを有する第２のコンタクトであって、前記第２のコンタクトから、前記少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガおよび前記隣接する層に電流が流れるようにする第２のコンタクト」の点で一致する。
（６）以上によれば、両者は、
「電流拡散構造を有する半導体ＬＥＤであって、
　不純物をドープした２以上の隣接する層と、
　前記層のうち１または複数の層を通してエッチングされ、前記層の１つの上または内部に表面を露出する少なくとも１つの溝と、
　前記少なくとも１つの溝の中の前記露出した面の上に少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトであって、前記第１のコンタクトから、前記少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガおよび前記露出した面を有する前記層に電流が流れるようにする第１のコンタクトと、
　前記隣接する層の表面の上に少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガを有する第２のコンタクトであって、前記第２のコンタクトから、前記少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガおよび前記隣接する層に電流が流れるようにする前記第２のコンタクトを備えている半導体ＬＥＤ。」の点で一致する。
（７）一方、両者は、次の点で相違する。
　ａ　本願補正発明では、「前記少なくとも１つの溝」が「前記層の第１の端部で始まり、反対の第２の端部に対して延びて」おり、「前記第１のコンタクト及び前記少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガが前記第１の端部で始まり、前記第２の端部に対して延びて」おり、「前記第２のコンタクト及び前記少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガが前記第２の端部で始まり、前記第１の端部に対して延びている」のに対し、引用発明では、「溝１４」、「ボンデングパッドのターミナル１１」、「導電性のトラック１６」、「ボンデングパッドのターミナル１２」及び「導電性のトラック１９」がこのようなものでない点（以下「相違点ａ」という。）。
　ｂ　本願補正発明は、「２以上の前記隣接する層の１つの上に隣接する前記スプレッダ層（１８）を備え、前記スプレッダ層（１８）上に隣接する前記第２のコンタクト（１９）及び前記少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガ（２０ａ、２０ｂ）があり、前記第２のコンタクト（１９）に印加された電流が、前記少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガ（２０ａ、２０ｂ）に拡散し、前記スプレッダ層（１８）を通じて、前記隣接する層に拡散するようになっており、前記スプレッダ層（１８）は、透過導電体又は金属のいずれか」であるのに対し、引用発明は、このようなスプレッダ層（１８）を備えるか不明な点（以下「相違点ｂ」という。）。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）上記相違点ａについて検討するに、引用例１の図２には、引用発明の「溝１４」、「導電性のトラック１６」及び「導電性のトラック１９」が曲がりくねったものが示されているが、引用例１の図２における素子Ｅ２、Ｅ４、Ｅ７、Ｅ６、Ｅ９（引用例１の【００４８】の「図２を参照して、素子Ｅ２，Ｅ４，Ｅ５，Ｅ６，Ｅ７，Ｅ９の各々は、素子を励起するｐ導電型層用の個々の導電性トラック１９を有する。」の記載参照。）においては、「導電性のトラック１６」と「導電性のトラック１９」が平行で互いに逆の方向に伸びた構造とされており、また、原査定の拒絶理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−２６８３６０号公報（以下「引用例２」という。）には、例えば、第１図（ａ）にみられるように（ただし、同図中に「下部（Ｎ形）電極８」とあるのは、「下部（Ｎ形）電極１０」の誤記と認められる。）、素子の第１の端部で始まり、第２の端部に対して伸びる溝内のｎ型半導体層上の櫛歯状の下部電極１０と、第２の端部で始まり、第１の端部に対して延びているｐ型半導体層上の櫛歯状の上部電極９という構造が記載されていることに鑑みれば、引用発明において、「溝１４」、「導電性のトラック１６」及び「導電性のトラック１９」を曲がりくねったものとせずに、引用例２に示されるようなものとなし、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることに、格別の困難性は認められない。
（２）上記相違点ｂについて検討するに、半導体層に電流を供給する手段として、原査定の拒絶理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２５６６０２号公報（以下「引用例３という。」）には、低抵抗であるが光透過性でない線状の電極（図２におけるＡｌ層２０３）と半導体層（ｐ型ＧａＮ層１０５）の間に光透過性の薄い金属膜（Ｎｉ層２０１とＡｕ層２０２の層）を設けた構造が記載されている（特に、【００３４】〜【００４０】参照。）から、引用発明において、「導電性のトラック１９」から「ｐ導電型の半導体層７」への電流がより拡散するように、「導電性のトラック１９」と「ｐ導電型の半導体層７」との間に光透過性の薄い金属の薄膜層を設けることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、引用例３においても、図１（Ｃ）にみられるように、ボンディングパッド１１０は、ＳｉＯ２保護膜１０９に設けられた開口部を通じて、Ｎｉ層２０１とＡｕ層２０２の層の上に隣接して設けられていると認められるところであり、また、原査定の拒絶理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−９７９２２号公報（以下「引用例４」という。）には、その図４及び図５にみられるように、ｐ型ＧａＮ層１０３上に形成された透光性のｐ型側電極１０５上にボンデイング用パッド１０６が形成されている様子が示されていること、さらに、引用例１の【００２３】には、「ｐ導電型層は、これが全面に薄く光を通す金層を有するようになっていれば、ｐ導電型層にトラック１９を設けることにより、前記金層の厚さは、減じられ、この金層をより多くの光が透過することができ、かくして、ｐ導電型層への低抵抗接続を維持しながら、チップの上面からの射出光を増すことができる。」と、薄い金属層を設ける場合には、ｐ導電型層の全面に設ける旨の記載があることに鑑みれば、引用発明において、「導電性のトラック１９」と「ｐ導電型の半導体層７」との間に金属の薄膜層を設ける際に、導電性のトラック１９の形成と同じ製造工程で形成されるボンデングパッドのターミナル１２を、前記金属の薄膜層の上に、当該金属の薄膜層に隣接するように形成することは、当業者が普通に採用し得ることである。
　したがって、引用発明において、「導電性のトラック１９」と「ｐ導電型の半導体層７」との間に金属の薄膜層を設け、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項とすることに格別の困難性は、認められない。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例１ないし４に記載された事項から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び引用例１ないし４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年６月２３日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載される事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項によって特定されるものである。
「電流拡散構造を有する半導体ＬＥＤであって、
　不純物をドープした２以上の隣接する層と、
　前記層のうち１または複数の層を通してエッチングされ、前記層の１つの上または内部に表面を露出する少なくとも１つの溝であって、前記層の第１の端部で始まり、反対の第２の端部に対して延びている前記少なくとも１つの溝と、
　前記少なくとも１つの溝の中の前記露出した面の上に少なくとも１つの細長い第１の導電性フィンガを有する第１のコンタクトであって、前記コンタクトから、前記少なくとも１つの第１の導電性フィンガおよび前記露出した面を有する前記層に電流が流れるようにし、前記第１のコンタクト及び前記少なくとも１つのフィンガが前記第１の端部で始まり、前記第２の端部に対して延びている第１のコンタクトと、
　前記隣接する層の表面の上に少なくとも１つの細長い第２の導電性フィンガを有する第２のコンタクトであって、前記第２のコンタクトから、前記少なくとも１つの第２の導電性フィンガおよび前記隣接する層に電流が流れるようにし、前記第２のコンタクト及び前記少なくとも１つの第２の導電性フィンガが前記第２の端部で始まり、前記第１の端部に対して延びている第２のコンタクトと、
　ＬＥＤコア（１３）上の前記スプレッダ層（１８）を備え、前記スプレッダ層（１８）上に前記第２のコンタクト（１９）及び前記少なくとも１つの導電性フィンガ（２０ａ、２０ｂ）があり、前記コンタクト（１９）に印加された電流が、前記少なくとも１つの導電性フィンガ（２０ａ、２０ｂ）に拡散し、前記スプレッダ層（１８）を通じて、前記ＬＥＤコア（１３）に拡散するようになっており、
　前記スプレッダ層（１８）は、透過導電体又は金属のいずれかを備えていることを特徴とする半導体ＬＥＤ。」
　　
２．判断
　本願発明の「ＬＥＤコア（１３）」は、本願明細書の記載を参照すると、本願補正発明における「２以上の前記隣接する層」のことであると認められるから、本願発明は、実質的に、本願補正発明の「スプレッダ層（１８）上に隣接する前記第２のコンタクト（１９）」から「隣接する」との事項を省いたものと認められる（なお、本件補正前の請求項１と本件補正後の請求項１の記載には、前記の点以外の相違もあるが、これらは、記載を明瞭にするためのものであって、その意味するところを変更するものではない。）。
　してみると、本願発明は、本願補正発明に関する上記II．［理由］２．ないし４．における検討からみて、本願補正発明と同様に、引用発明及び引用例１ないし４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。　
　　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例１ないし４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。