Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月12日(2020.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＢＣＢＡブロックコポリマーを含む多孔質膜であって、前記多孔質膜は複数の細孔を含み、
ＡブロックはＢブロック及びＣブロックのそれぞれに対して不混和性であり、
Ｂブロックは９０℃以上のＴｇを有し、ブロックコポリマー全体の３０重量％〜８０重量％（両端を含む）の範囲の量で存在し、且つＢブロックはビニル芳香族を含み、
Ｃブロックは２５℃以下のＴｇを有し、ブロックコポリマー全体の１０重量％〜４０重量％（両端を含む）の範囲の量で存在する、多孔質膜。
【請求項２】
前記細孔が、前記膜の表面において１ナノメートル（ｎｍ）〜５００ｎｍ（両端を含む）の範囲の平均細孔径を有する、請求項１に記載の多孔質膜。
【請求項３】
前記膜が等孔性であり、平均表面細孔径が５〜１５ｎｍの範囲である場合、前記膜の表面の細孔径の標準偏差は、前記膜の前記表面の平均細孔径から４ｎｍ以下であり、前記膜の前記表面の前記平均細孔径が１５超〜２５ｎｍの範囲である場合、前記膜の前記表面の細孔径の前記標準偏差は、前記膜の前記表面の前記平均細孔径から６ｎｍ以下であり、前記膜の前記表面の前記平均細孔径が２５超〜５０ｎｍの範囲である場合、前記膜の前記表面の細孔径の前記標準偏差は、前記膜の前記表面の前記平均細孔径の２５％以下である、請求項１に記載の多孔質膜。
【請求項４】
前記Ａブロックが、ポリ（アルキレンオキシド）、置換エポキシド、ポリラクタム、又は置換カーボネートを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の多孔質膜。
【請求項５】
前記膜が、前記膜の応力−歪み曲線下の面積を積分することによって測定したとき、乾燥時に自立型フィルムとして３０ｋＪ／ｍ３以上の靭性を示す、請求項１〜４のいずれか一項に記載の多孔質膜。
【請求項６】
前記Ａブロックが、ポリ（Ｄ−ラクチド）、ポリ（Ｌ−ラクチド）、ポリ（Ｄ／Ｌ−ラクチド）、ポリエチレンオキシド、ポリ（プロピレンオキシド）、ポリ（エトキシエチルグリシジルエーテル）、ポリ（４−ビニルピリジン）、ポリ（２−ビニルピリジン）、ポリヒドロキシスチレン、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、ポリ（メタクリル酸）、ポリジメチルアクリルアミド、ポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド）、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ−ε−カプロラクトン、及びポリ（プロピレンカーボネート）からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の多孔質膜。
【請求項７】
前記Ｂブロックが、スチレン、ｐ−メチルスチレン、α−メチルスチレン、ポリ（ｔｅｒｔ−ブチルスチレン）、及びポリメチルメタクリレートからなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の多孔質膜。
【請求項８】
前記Ｃブロックが、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ポリイソブチレン、ポリジメチルシロキサン、ポリエチレン、ポリ（エチレン−ａｌｔ−プロピレン）、ポリ（エチレン−ｃｏ−ブチレン−ｃｏ−プロピレン）、ポリブチレン、及びポリ（エチレン−ｓｔａｔ−ブチレン）からなる群から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の多孔質膜。
【請求項９】
多孔質膜の製造方法であって、
溶媒と、ＡＢＣＢＡブロックコポリマーを含む固形物と、任意に固形物全体の１〜４９重量％の範囲の量（両端を含む）の少なくとも１種の添加剤とを含む溶液からフィルム又は中空繊維を形成すること；
前記フィルム又は前記中空繊維から前記溶媒の少なくとも一部を除去すること；及び
前記フィルム又は前記中空繊維を非溶媒と接触させ、それによって複数の細孔を有する前記多孔質膜を形成することを含む、方法。
【請求項１０】
前記溶媒が、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロチオフェン１，１−ジオキシド、メチルエチルケトン、メチルテトラヒド
ロフラン、スルホラン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フィルムを形成することが、基材上に前記溶液をキャストすることを含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記中空繊維を形成することが、前記溶液を前記中空繊維に紡糸することを含む、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記溶媒がメチルエチルケトンを含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月9日(2020.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
染料昇華インク組成物を使用して吸収性基体の上に画像を直接インクジェット印刷する方法であって、
前記方法が、基体の少なくとも一部分を固定化組成物と接触させ、前記基体の少なくとも一部分の上に染料昇華インク組成物を直接印刷し、基体を加熱し、それによって基体の表面の上に画像を形成することを含み、
前記染料昇華インク組成物が、昇華性染料、特性感受性剤、及びキャリアを含み、前記固定化組成物が、特性調整剤及びキャリアを含み、
前記染料昇華インク組成物が、前記固定化組成物に接触すると前記基体の少なくとも一部分の上で凝固するように配合され、それによって前記染料昇華インク組成物が吸収性基体に浸透することを実質的に防止し、
前記固定化組成物及び前記染料昇華インク組成物が、ノズル及び印刷ヘッドからなる群から選択される別個のアプリケーターによって前記基体の少なくとも一部分の上にそれぞれ独立して付与され、
前記染料昇華インク組成物が、前記基体が前記固定化組成物でまだ湿潤している間に前記基体の上に付与される、方法。
【請求項２】
前記特性感受性剤が、アルカリ可溶性剤である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記特性調整剤が、酸、金属酸化物、及び二価金属カチオンからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記染料昇華インク組成物が、フィルム形成剤を本質的に欠いている、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記固定化組成物及び／又は前記染料昇華インク組成物がそれぞれ印刷ヘッドからの付与のために配合され、
１ミクロン未満の最大粒子サイズ；
２〜２５センチポアズの範囲の剪断動粘度；
２５センチポアズ未満の印刷温度ブルックフィールド粘度；
２４〜３２ｍＮ／ｍの範囲の表面張力；及び
５０〜２０００オーム／センチメートルの電気抵抗
の少なくとも一つによって特徴づけられる、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記固定化組成物がノズルからの付与のために配合され、
１００ミクロン未満の最大粒子サイズ；
２〜４００センチポアズの範囲の剪断動粘度；
４００センチポアズ未満の室温ブルックフィールド粘度；
１５〜７０ｍＮ／ｍの範囲の表面張力；及び
５０〜２０００オーム／センチメートルの電気抵抗
の少なくとも一つによって特徴づけられる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記印刷が、０．０１秒〜１５分の範囲の時間期間内に付随して実施される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
昇華性染料、特性感受性剤及び水性キャリアを含む、染料昇華インク組成物。
【請求項９】
前記特性感受性剤が、酸、金属酸化物、及び二価金属カチオンからなる群から選択される特性調整剤に接触すると、前記キャリア中で溶解できなくなり、前記特性感受性剤が、前記特性調整剤に接触すると、染料昇華インク組成物の凝固を実施する、請求項８に記載の染料昇華インク組成物。
【請求項１０】
前記特性感受性剤が、アルカリ可溶性剤、酸感受性剤、金属酸化物感受性剤、二価金属カチオン感受性剤、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項９に記載の染料昇華インク組成物。
【請求項１１】
７．５より高いｐＨを有する、請求項８〜１０のいずれかに記載の染料昇華インク組成物。
【請求項１２】
フィルム形成剤を実質的に欠いている、請求項８〜１１のいずれかに記載の染料昇華インク組成物。
【請求項１３】
インクジェット印刷ヘッドからの直接インクジェット印刷のために好適な、請求項８〜１２のいずれかに記載の染料昇華インク組成物であって、
１ミクロン未満の最大粒子サイズ；
２〜２５センチポアズの範囲の剪断動粘度；
２５センチポアズ未満の印刷温度ブルックフィールド粘度；
２４〜３２ｍＮ／ｍの範囲の表面張力；及び
５０〜２０００オーム／センチメートルの電気抵抗
の少なくとも一つによって特徴づけられる、染料昇華インク組成物。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれかに記載の染料昇華インク組成物、及び特性調整剤及びキャリアを含む固定化組成物を含むインクジェット印刷キットであって、前記特性調整剤が、酸、金属酸化物、及び二価金属カチオンからなる群から選択される、インクジェット印刷キット。
【請求項１５】
前記固定化組成物に接触すると染料昇華インク組成物を固定化しながら、染料昇華インク組成物を使用して吸収性基体の上に画像を印刷するのに使用するための前記包装材料の中又はその上に、印刷で識別される、請求項１４に記載のインクジェット印刷キット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月6日(2020.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属マトリックス成分と、
前記金属マトリックス成分内に分散された研磨粒子成分と、
前記金属マトリックス成分内に分散されたフィラー粒子成分と、
を含み、前記フィラー粒子成分の一部が、第１の金属層によって少なくとも部分的にコーティングされていて、前記研磨粒子成分の硬度が、前記フィラー粒子成分の硬度よりも高い、
研磨物品。
【請求項２】
前記金属マトリックス成分が複数の金属粒子を含む、請求項１に記載の研磨物品。
【請求項３】
約５０重量％〜約１００重量％の前記金属粒子の硬度が前記研磨粒子成分の硬度よりも低い、請求項２に記載の研磨物品。
【請求項４】
前記金属マトリックス成分が、ブロンズと、元素状銀、元素状銅、及び元素状錫の合金とを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項５】
前記フィラー粒子成分が複数のフィラー粒子を含み、前記フィラー粒子が、グラファイト粒子、窒化ホウ素粒子、ガラス粒子、窒化ケイ素粒子、バインダーコークス粒子、又はこれらの混合物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項６】
前記第１の金属層によって少なくとも部分的にコーティングされているフィラー粒子成分の部分が、前記フィラー粒子の約１重量％〜約１００重量％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項７】
前記第１の金属層によって少なくとも部分的にコーティングされる前記フィラー粒子成分の部分の各フィラー粒子の表面積の約２０％〜約１００％が、前記第１の金属層によってコーティングされている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項８】
前記第１の金属層が金属を含み、前記金属が、元素状銅、元素状錫、元素状銀、ブロンズ、又はこれらの合金である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項９】
前記フィラー粒子成分を少なくとも部分的にコーティングする第２の金属層を更に含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項１０】
前記研磨粒子成分が複数の研磨粒子を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の研磨物品。
【請求項１１】
前記研磨粒子がダイヤモンド粒子及び立方晶窒化ホウ素粒子のうちの少なくとも１つである、請求項１０に記載の研磨物品。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の研磨物品を形成する方法であって、
前記フィラー粒子成分を前記第１の金属層で少なくとも部分的にコーティングすることと、
前記少なくとも部分的にコーティングされたフィラー粒子成分、前記金属マトリックス、及び樹脂を混合して、混合物を形成することと、
前記研磨粒子成分を前記混合物に添加し、前記混合物を更に混合することと、
前記混合物を型と接触させることと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記フィラー粒子成分が、プラズマ蒸着によって前記金属でコーティングされている、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月9日(2020.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【図１−４】本開示の第１の実施形態によるドリル装置の概略図である。
【図５−６】本開示の第２の実施形態によるドリル装置の概略図である。
【図７ａ】本開示の第１の代替形態によるテクスチャ付き領域の概略図である。
【図７ｂ】本開示の第２の代替形態によるテクスチャ付き領域の概略図である。
【図８】本開示によるドリル装置のマージンの凹部の概略図である。
【図９ａ−９ｂ】本開示によるドリル装置のマージンの概略図である。
【図１０ａ−１０ｃ】本開示によるドリル装置のＳＥＭ画像である。
【図１１ａ−１１ｃ】本開示によるドリル装置の凹部のＳＥＭ画像である。
【図１２ａ−１２ｃ】機械加工テスト後の、本開示による第１の組のドリル装置のＳＥＭ画像である。
【図１３ａ−１３ｂ】機械加工テスト後の、本開示による第２の組のドリル装置のＳＥＭ画像である。
【図１４ａ−１４ｃ】機械加工テスト前後の、比較のドリル装置のＳＥＭ画像である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月28日(2020.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック粒子であって：
イットリア安定化ジルコニア、部分安定化ジルコニア、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、および酸化セリウムから選択されるコア基板と；そして
３ナノメートル未満の厚さを有し、前記コア基板を覆う焼結助剤フィルムのコンフォーマルコーティングと；
を有することを特徴とするセラミック粒子。
【請求項２】
前記コア基板を覆う前記焼結助剤フィルムの前記コンフォーマルコーティングが、１ナノメートル未満から１ナノメートルまでの厚さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック粒子。
【請求項３】
前記コア基板を覆う前記焼結助剤フィルムの前記コンフォーマルコーティングが、原子層堆積によって形成される、ことを特徴とする請求項１および２に記載のセラミック粒子。
【請求項４】
前記コア基板を覆う前記焼結助剤フィルムの前記コンフォーマルコーティングが、流動層反応器、振動反応器、回転反応器、前駆体ガスが空間的に分離されている空間システム、バッチ反応器、およびそれらの任意の所望の組み合わせから選択されるシステムを用いた原子層堆積によって形成される、ことを特徴とする請求項１、２および３に記載のセラミック粒子。
【請求項５】
前記コアがイットリア安定化ジルコニアを含み、前記焼結助剤フィルムがアルミナを含む、ことを特徴とする請求項１、２、３および４に記載のセラミック粒子。
【請求項６】
前記コアが部分安定化ジルコニアを含み、前記焼結助剤フィルムがアルミナを含む、ことを特徴とする請求項１、２、３および４に記載のセラミック粒子。
【請求項７】
前記コアが酸化セリウムを含み、前記焼結助剤フィルムがアルミナ、酸化チタン、酸化イットリウム、およびそれらの任意の所望の組み合わせから選択される、ことを特徴とする請求項１、２、３および４に記載のセラミック粒子。
【請求項８】
前記コアが窒化アルミニウムを含み、前記焼結助剤フィルムが酸化イットリウムを含む、ことを特徴とする請求項１、２、３および４に記載のセラミック粒子。
【請求項９】
前記コアが窒化ケイ素および炭化ケイ素から選択され、前記焼結助剤フィルムが酸化イットリウム、アルミナ、およびそれらの組み合わせから選択される、ことを特徴とする請求項１、２、３および４に記載のセラミック粒子。
【請求項１０】
前記イットリア安定化ジルコニアの酸化イットリウムドーピングが約８モルパーセントである、ことを特徴とする請求項１、２、３、４および５に記載のセラミック粒子。
【請求項１１】
前記部分安定化ジルコニアの酸化イットリウムドーピングが約３モルパーセントである、ことを特徴とする請求項１、２、３、４および６に記載のセラミック粒子。
【請求項１２】
前記部分安定化ジルコニアの酸化イットリウムドーピングが、約４モルパーセントである、ことを特徴とする請求項１、２、３、４および６に記載のセラミック粒子。
【請求項１３】
焼結助剤フィルム中のアルミナの質量または重量が、セラミック粒子の約０．２重量パーセントから約２重量パーセントまでである、ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、および６に記載のセラミック粒子。
【請求項１４】
前記セラミック粒子が水と非反応性である、ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかおよびそれらの組み合わせに記載のセラミック粒子。
【請求項１５】
前記コア基板を覆う前記焼結助剤フィルムの前記コンフォーマルコーティングが、前記セラミック粒子の表面全体に均一に分布したフィルムの島を含む、ことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のセラミック粒子。
【請求項１６】
焼結助剤フィルムのコンフォーマルコーティングを有するセラミック粒子が、原子層堆積の１サイクルで調製され、空気中において２時間約１３５０℃で焼結される、ことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか、およびそれらの組み合わせに記載のセラミック粒子。  
【請求項１７】
セラミック粒子が、約１サイクル〜約９サイクルの原子層堆積で調製される、ことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか、およびそれらの組み合わせに記載のセラミック粒子。
【請求項１８】
セラミック粒子が約５サイクルの原子層堆積で調製される、ことを特徴とする請求項１〜１７のいずれか、およびそれらの組み合わせに記載のセラミック粒子。
【請求項１９】
請求項１〜請求項１８のいずれか、およびそれらの任意の所望の組み合わせに記載のセラミック粒子を含む、三次元印刷用の３Ｄインクを製造するのに適したコロイド状ゲルまたはスラリー。
【請求項２０】
請求項１〜請求項１８のいずれか、およびそれらの任意の所望の組み合わせに記載のセラミック粒子を含む固体酸化物型燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月6日(2020.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
明かりを備えた発光器移動体装置のような発光装置（Ｂ）を、カメラ（１４２）を備えた受信機装置（Ａ）によって検出する方法であって、
発光器装置（Ｂ）は、光変調識別信号を発信し、
受信機装置（Ａ）は、当該カメラで一連のフレームをキャプチャし、
変調信号は、当該フレームから検出され、
当該フレームの一つ上の発光器装置（Ｂ）の画素位置（Ｘｓ、Ｙｓ）が検出されることを備える、方法。
【請求項２】
複数の発光器装置（Ｂ１、Ｂ２、…）は、各装置自身の識別情報又は情報を示すべく異なる光変調を伴う複数の信号を発し、
当該受信機装置（Ａ）は当該光変調から複数の発光器装置の識別情報又は状態を決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数の発光器装置（Ｂ）は同時に信号を発し、受信機装置（Ａ）は、一つのフレーム又は複数の連続的なフレームで複数の光変調信号を検出し、変調から複数の変調信号を区別し、検出した各変調信号を１つの発光器装置（Ｂ）に指定する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
当該フレーム上に関心領域を画定することと、当該変調信号を当該関心領域内に限って検索することと、をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
関心領域は、受信機装置のユーザにより選択され、受信機装置のディスプレイで印が付けられる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
変調信号は、最後のＮ個のフレームの少なくとも一部の画素における変換を伴って検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
関心領域の全画素について、当該変換は、最後のＮ個のフレームの画素強度についての離散フーリエ変換である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
変調信号の位相は、発光器装置と受信装置との間で共有される時間ベースに相対的に設定され、変調信号は、最後のＮ個のフレームの少なくとも一部の画素について、位相敏感検出又は検索された信号の相関関係を通して検出される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
関心領域内の、最後のＮ個（Ｎは１以上）のフレームについて、画素強度について離散フーリエ変換の最大絶対値を持つ画素を識別することと、
最大絶対値が、事前に画定されたしきい値を超えるか否かを、決定することと、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの当該発光器装置（Ｂ）は、カメラ（１４２）と、明かり（１４８）とを備え、複合発光器−受信機装置（ＡＢ１）として動作し、
少なくとも１つの受信機移動体装置（Ａ）は、明かり（１４８）を備え、受信機装置自身の識別情報を示し、別の複合発光器−受信機装置（ＡＢ２）として動作すべく、第２の光変調識別信号を発する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
シーンのビデオストリームの中で、拡張現実要素が識別された発光器装置の位置に表示される、拡張現実射撃ゲームに使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
発光器装置の絶対位置は、衛星ベースの位置情報システムと、Ｗｉ−Ｆｉベースの位置情報システムと、ビーコンとのいずれかを用いて決定され、少なくとも１つの受信機装置と共有される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
受信機装置の位置は、少なくとも１つの発光器装置の画素位置に基づいて決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
発光器装置（Ｂ）の識別情報は、受信機装置（Ａ）と、サーバ又はクラウド（Ｃ）とのいずれかにより、発光器装置に無線インタフェースを経由して通信される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
明かり（１４８）と、
カメラ（１４２）と、
ディスプレイ（１５４）と、
プロセッサ（１４１）と、
装置（ＡＢ）の識別情報を示す光変調識別信号を出させるためと、当該カメラにキャプチャされた画像内の他の装置に対応し点滅する画素を検出するためとに、当該明かりを制御するコンピュータモジュールを格納するメモリ（１４１）と
を備える装置（ＡＢ）。
【請求項１６】
当該明かりは、赤外線の明かりであり、当該カメラは赤外線カメラである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
スマートフォンと、スマートグラスと、ドローンと、車用設備とからなる群の一つである、請求項１５に記載の装置。
【請求項１８】
実行されると、明かり及びカメラを備える移動体装置に請求項１に記載の方法を行わせるプログラムを備える、コンピュータ装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月13日(2020.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液化ガスの再ガス化ラインにおける機械的又は電気的エネルギー及び熱エネルギーを生成するためのプロセスであって、
１）内燃機関エンジン（ＩＣＥ）又はガスタービン（ＧＴ）によって示される原動機によって機械的又は電気的エネルギー及び熱エネルギーを生成するステップと、
２）ステップ１）で生成された熱エネルギーによって第１の熱交換器（ＨＥ１）において加熱された温水によって示される第１の中間媒体液を備える前記液化ガスの再ガス化のステップを作動させるステップと、
３）第２の中間媒体液（ＨＰＦ２）の冷却及び第３の中間媒体液（ＨＰＦ３）の加熱に作用する冷却流体を備えるヒートポンプを実施するステップと、
を含み、
前記第３の中間媒体液（ＨＰＦ３）は、前記液化ガスの再ガス化のステップに作用する、プロセス。
【請求項２】
前記冷却流体は、水−グリコール及び他の冷却流体、例えば、Ｒ１３４ａ，Ｒ３２，Ｒ１４３ａ，Ｒ１２５などを含む群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記第２の中間媒体液（ＨＰＦ２）は、海水又は周囲空気である、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記第１の中間媒体液及び／又は前記第３の中間媒体液（ＨＰＦ３）は、互いに独立した温水である、請求項１〜３のいずれか１つに記載のプロセス。
【請求項５】
前記液化ガスは、液化天然ガス（ＬＮＧ）、空気、窒素、炭化水素化合物、例えば、プロパン及びブタンなどのアルカン、もしくはエチレン、プロピレンなどのアルケン、水素を含む群から選択され、好ましくは液化天然ガス（ＬＮＧ）である、請求項１〜４のいずれか１つに記載のプロセス。
【請求項６】
前記ヒートポンプの凝縮器（ＣＰＣ）において、前記第１の中間媒体液に熱が伝達され、冷却流体と前記第１の中間媒体液との間で熱交換が行われる、請求項１〜５のいずれか１つに記載のプロセス。
【請求項７】
液化ガスの再ガス化ラインであって、
前記液化ガスの気化セクションと、
内燃機関エンジン（ＩＣＥ）又はガスタービン（ＧＴ）によって示される原動機と、
第１の中間媒体液の回路に作用する第１の熱交換器（ＨＥ１）と、
ヒートポンプ（ＨＰ）と、
を備え、
前記ヒートポンプ（ＨＰ）は、気化器（ＶＰＣ）と凝縮器（ＣＰＣ）とを備え、前記気化器（ＶＰＣ）内で第２の中間媒体液（ＨＰＦ２）から熱を取得し、前記凝縮器（ＣＰＣ）内で第３の中間媒体液（ＨＰＦ３）に熱を伝達する冷却流体に作用し、
前記第３の中間媒体液（ＨＰＦ３）は、液化ガスに熱を伝達する更なる熱交換に作用し、
前記原動機は、前記ヒートポンプ（ＨＰ）に機械的エネルギー又は電気的エネルギーを供給するとともに、前記第１の中間媒体液に熱エネルギーを供給する、
液化ガスの再ガス化ライン。
【請求項８】
前記冷却流体は、水−グリコール及び他の冷却流体、例えば、Ｒ１３４ａ，Ｒ３２，Ｒ１４３ａ，Ｒ１２５などを含む群から選択される、請求項７に記載の液化ガスの再ガス化ライン。
【請求項９】
前記第２の中間媒体液（ＨＰＦ２）は、海水又は周囲空気である、請求項７又は８に記載の液化ガスの再ガス化ライン。
【請求項１０】
前記第１の熱交換器（ＨＥ１）は、前記原動機によって生成される熱エネルギーと前記第１の中間媒体液との間の熱交換を行う、請求項７〜９のいずれか１つに記載の液化ガスの再ガス化ライン。
【請求項１１】
前記第１の中間媒体液及び／又は第３の中間媒体液（ＨＰＦ３）は、互いに独立した温水である、請求項７〜１０のいずれか１つに記載の液化ガスの再ガス化ライン。
【請求項１２】
前記液化ガスの気化セクションは、水中燃焼型気化器（ＳＣＶ）又はオープンラック型気化器である、請求項７〜１１のいずれか１つに記載の液化ガスの再ガス化ライン。
【請求項１３】
請求項７〜１２のいずれか１つに係る複数の再ガス化ラインを備える、液化ガス用の再ガス化ターミナル。
【請求項１４】
前記複数の再ガス化ラインは並列である、請求項１３に記載の液化ガス用の再ガス化ターミナル。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月30日(2020.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路システムであって、
周波数とノイズとを含むアナログ信号を受信する入力であって、前記ノイズが或る範囲で変動する入力参照ノイズを含む、前記入力と、
信号経路であって、
フィードバックノードと、
クロック周期に応答してデジタル出力値を提供し、前記アナログ信号と前記フィードバックノードにおける信号スウィングとに応答して前記デジタル出力値を更に提供するアナログ・デジタルコンバータと、
前記クロック周期の期間の間に前記ノイズのＲＭＳ値より大きくならないように前記フィードバックノードにおける信号スウィングを制限する回路要素であって、
第１の状態を有する前記デジタル出力値に応答して前記フィードバックノードに電流をソースする第１の電流源と、
前記第１の状態と異なる第２の状態を有する前記デジタル出力値に応答して前記フィードバックノードから電流をシンクする第２の電流源と、
を含む、前記回路要素と、
を含む、前記信号経路と、
を含む、電子回路システム。
【請求項２】
電子回路システムであって、
周波数とノイズとを含むアナログ信号を受信する入力であって、前記ノイズが或る範囲で変動する入力参照ノイズを含む、前記入力と、
信号経路であって、
フィードバックノードと、
クロック周期に応答してデジタル出力値を提供し、前記アナログ信号と前記フィードバックノードにおける信号スウィングとに応答して前記デジタル出力値を更に提供するアナログ・デジタルコンバータと、
前記クロック周期の期間の間に前記ノイズのＲＭＳ値より大きくならないように前記フィードバックノードにおける信号スウィングを制限する回路要素と、
を含む、前記信号経路と、
エントロピーソースに応答して前記アナログ信号を提供する回路要素と、
を含む、電子回路システム。
【請求項３】
電子回路システムであって、
周波数とノイズとを含むアナログ信号を受信する入力であって、前記ノイズが或る範囲で変動する入力参照ノイズを含む、前記入力と、
信号経路であって、
フィードバックノードと、
クロック周期に応答してデジタル出力値を提供し、前記アナログ信号と前記フィードバックノードにおける信号スウィングとに応答して前記デジタル出力値を更に提供するアナログ・デジタルコンバータであって、コンパレータを含む、前記アナログ・デジタルコンバータと、
前記クロック周期の期間の間に前記ノイズのＲＭＳ値より大きくならないように前記フィードバックノードにおける信号スウィングを制限する回路要素と、
を含む、前記信号経路と、
を含み、
前記周波数が第１の周波数を含み、前記クロック周期が前記第１の周波数より小さい第２の周波数を有する、電子回路システム。
【請求項４】
請求項３に記載の電子回路システムであって、
前記デジタル出力値を入力し、前記第２の周波数より小さい第３の周波数でクロックされるフィリップロップを更に含む、電子回路システム。
【請求項５】
請求項３に記載の電子回路システムであって、
前記第２の周波数が、前記コンパレータによる比較動作が完了したとの前記コンパレータにおける内部指示に応答する、電子回路システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月10日(2020.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性半導体材料をドナー基板上に成長する工程であって、前記材料の貫通転位密度（ＴＤＤ）が厚さと共に低下する、工程；
複数の粒子を前記材料の露出面に注入して、表面下劈開領域を作製する工程；
前記露出面を基板に接合する工程；
エネルギーを適用して、前記材料を前記劈開面に沿って劈開し、前記基板に接合された層を残す工程；及び
前記層をマイクロ発光ダイオード（ＬＥＤ）構造に組み込むために加工する工程、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月5日(2020.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
おおよそ平行な２つの主要な表面であって、前記表面の一方は、単結晶半導体ハンドル基板の前面であり、前記表面の他方は、前記単結晶半導体ハンドル基板の裏面である表面と、前記前面と前記裏面との間の仮想中央平面と、前記単結晶半導体ハンドル基板の前記前面及び前記裏面を接合する周縁エッジと、前記単結晶半導体ハンドル基板の前記前面及び前記裏面の間のバルク領域と、を備える単結晶半導体ハンドル基板であって、前記単結晶半導体ハンドル基板は、少なくとも約５００Ωｃｍの最小バルク領域抵抗率を有する、単結晶半導体ハンドル基板と、
多結晶シリコン層を備える電荷捕獲層であって、前記電荷捕獲層は、前記単結晶半導体ハンドル基板の前面と界面接触し、前記電荷捕獲層は、少なくとも約１０００Ωｃｍの最小抵抗率を有する電荷捕獲層と、
前記多結晶シリコン層を備える前記電荷捕獲層と界面接触する窒化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む絶縁層と、
前記絶縁層と界面接触する誘電体層であって、前記誘電体層は、二酸化ケイ素を含む、誘電体層と、
前記誘電体層と界面接触する単結晶シリコン装置層と、を備える多層構造。
【請求項２】
前記単結晶半導体ハンドル基板は、単結晶シリコンを含む、請求項１に記載の多層構造。
【請求項３】
前記単結晶半導体ハンドル基板は、チョクラルスキ法またはフロートゾーン法によって成長された単結晶シリコンインゴットからスライスされた単結晶シリコンウエハを備える、請求項１に記載の多層構造。
【請求項４】
前記単結晶半導体ハンドル基板は、約５００Ωｃｍから約１０００００Ωｃｍのバルク抵抗率を有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項５】
前記単結晶半導体ハンドル基板は、約１０００Ωｃｍから約１０００００Ωｃｍのバルク抵抗率を有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項６】
前記単結晶半導体ハンドル基板は、約１０００Ωｃｍから約６０００Ωｃｍのバルク抵抗率を有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項７】
前記単結晶半導体ハンドル基板は、約３０００Ωｃｍから約５０００Ωｃｍのバルク抵抗率を有する、請求項１乃至３のいずれか１項記載の多層構造。
【請求項８】
前記電荷捕獲層は、少なくとも約３０００Ωｃｍの最小抵抗率を有する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項９】
前記電荷捕獲層は、少なくとも約７０００Ωｃｍの最小抵抗率を有する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項１０】
前記絶縁層は、窒化ケイ素を含む、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項１１】
前記絶縁層は、酸窒化ケイ素層を備える、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項１２】
前記絶縁層は、約２０００Åから約１００００Åの厚さを有する、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の多層構造。
【請求項１３】
前記誘電体層は、さらに窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化バリウム及びそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の多層構造。
【請求項１４】
前記誘電体層は、さらに窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、及びそれらの組み合わせからなるグループから選択された材料を含む、請求項１に記載の多層構造。
【請求項１５】
前記誘電体層は、少なくとも約１０ｎｍ、例えば、約１０ｎｍから約１００００ｎｍ、約１０ｎｍから約５０００ｎｍ、約５０ｎｍから約４００ｎｍ、または約１００ｎｍから約４００ｎｍ、例えば約５０ｎｍ、１００ｎｍ、または２００ｎｍの厚さを有する絶縁層を備える、請求項１に記載の多層構造。
【請求項１６】
おおよそ平行な２つの主要な表面であって、前記表面の一方は、単結晶半導体ハンドル基板の前面であり、前記表面の他方は、前記単結晶半導体ハンドル基板の裏面である表面と、前記前面と前記裏面との間の仮想中央平面と、前記単結晶半導体ハンドル基板の前記前面及び前記裏面を接合する周縁エッジと、前記単結晶半導体ハンドル基板の前記前面及び前記裏面の間のバルク領域と、を備える単結晶半導体ハンドル基板であって、前記単結晶半導体ハンドル基板は、少なくとも約５００Ωｃｍの最小バルク領域抵抗率を有する、単結晶半導体ハンドル基板と、
前記単結晶半導体ハンドル基板の前記前面と界面接触する半導体酸化物と、
多結晶シリコン層を備える電荷捕獲層であって、前記電荷捕獲層は、前記半導体酸化物と界面接触し、前記電荷捕獲層は、少なくとも約１０００Ωｃｍの最小抵抗率を有する電荷捕獲層と、
前記多結晶シリコン層を備える前記電荷捕獲層と界面接触する窒化ケイ素または酸窒化ケイ素を含む絶縁層と、
前記絶縁層と界面接触する誘電体層であって、前記誘電体層は、２またはそれ以上の層を含み、前記２またはそれ以上の層のそれぞれは、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、及び窒化ケイ素から選択された材料を含み、少なくとも１つの層は、二酸化ケイ素を含む、誘電体層と、
前記誘電体層と界面接触する単結晶シリコン装置層と、を備える多層構造。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月6日(2020.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式：
【化１】
2020513047.tif 000001
（式中、
ａ＝６〜１０；
ｂ＝６〜１０；
ｃ＝６〜１０；
ｄ＝６〜１０；
ｘ＝８０〜４００；
ｍ＝１〜４００である）
を有するポリアミド組成物であって、
前記ポリアミドはダイマー酸を含み、該ダイマー酸の炭素鎖は両方とも８個より多い炭素を有し；
前記ポリアミド組成物は、前記ポリアミド組成物の全重量を基準として１重量％〜４０重量％の間のダイマージアミン又はダイマー酸の組成を有し；
前記ポリアミド組成物はアミン末端基及びカルボキシル末端基で末端停止されており；
そして
前記ポリアミド組成物は、ＧＢ／Ｔ−１２００６．１−２００９／ＩＳＯ−３０７：２００７によって求めて３．０〜７．０ＲＶの間の相対粘度を有する上記ポリアミド組成物。
【請求項２】
前記アミン末端基の濃度が１５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇの間であり、前記カルボキシル末端基の濃度が１５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇの間である、請求項１に記載のポリアミド組成物。
【請求項３】
前記ポリアミド組成物が、ＧＢ／Ｔ−１２００６．１−２００９／ＩＳＯ−３０７：２００７によって求めて４．０ＲＶ〜７．０ＲＶの相対粘度を有する、請求項１又は２に記載のポリアミド組成物。
【請求項４】
前記ポリアミド組成物が、ＡＳＴＭ−Ｄ７８９によって求めて２３０ＦＡＶ〜９５０ＦＡＶのギ酸粘度を有する、請求項１〜３のいずれかに記載のポリアミド組成物。
【請求項５】
前記ポリアミド組成物が、ＡＳＴＭ−Ｄ７８９によって求めて２３０ＦＡＶ〜２６０ＦＡＶのギ酸粘度を有する、請求項１〜４のいずれかに記載のポリアミド組成物。
【請求項６】
分岐末端停止ポリアミド組成物の製造方法であって、
反応容器中でカプロラクタムとアジピン酸又はヘキサメチレンジアミンとを反応させてポリアミドプレポリマーを形成すること；
前記ポリアミドプレポリマーをダイマーアミン又はダイマー酸と反応させて分岐ポリアミド組成物を形成すること；及び
前記分岐末端停止ポリアミド組成物が形成されるように反応容器に末端停止剤を添加すること；
を含む上記方法。
【請求項７】
前記分岐末端停止ポリアミド組成物が、１５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇのアミン末端基濃度を有し、１５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇのカルボキシル末端基濃度を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記分岐末端停止ポリアミド組成物が、ＧＢ／Ｔ−１２００６．１−２００９／ＩＳＯ−３０７：２００７によって求めて２．４ＲＶ〜７．０ＲＶの相対粘度を有する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記分岐末端停止ポリアミド組成物が、ＧＢ／Ｔ−１２００６．１−２００９／ＩＳＯ−３０７：２００７によって求めて４．０ＲＶ〜７．０ＲＶの相対粘度を有する、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記分岐末端停止ポリアミド組成物が、ＡＳＴＭ−Ｄ７８９によって求めて２３０ＦＡＶ〜２６０ＦＡＶのギ酸粘度を有する、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記分岐末端停止ポリアミド組成物が、４．０ＲＶ〜７．０ＲＶの相対粘度、及びＡＳＴＭ−Ｄ７８９によって求めて２３０ＦＡＶ〜２６０ＦＡＶのギ酸粘度を有する、請求項６〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記分岐末端停止ポリアミド組成物中のカプロラクタムとダイマー酸との比が８８：１２である、請求項６〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
アミン末端基及びカルボキシル末端基で二重末端停止されたポリアミド組成物であって、４．０ＲＶ〜７．０ＲＶの相対粘度、及びＡＳＴＭ−Ｄ７８９によって求めて２３０ＦＡＶ〜９７０ＦＡＶのギ酸粘度を有する上記ポリアミド組成物。
【請求項１４】
前記アミン末端基の濃度が１５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇの間であり、前記カルボキシル末端基の濃度が１５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇの間である、請求項１３に記載のポリアミド組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月25日(2020.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
動作４０２において、基板は、還元剤層を形成するために還元剤ガスに暴露される。いくつかの実施形態において、還元剤ガスは、シラン、ボラン、もしくは、シランおよびジボランの混合物であってよい。シランの例は、ＳｉＨ４およびＳｉ２Ｈ６を含み、ボランの例は、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、および、ＢｎＨｎ＋４、ＢｎＨｎ＋６、ＢｎＨｎ＋８、ＢｎＨｍを含み、ここで、ｎは、１〜１０の整数であり、ｍは、ｎとは異なる整数である。その他のホウ素含有化合物、例えば、アルキルボラン、アルキルホウ素、アミノボラン（ＣＨ３）２ＮＢ（ＣＨ２）２、カルボラン（Ｃ２ＢｎＨｎ＋２など）が用いられてもよい。いくつかの実施例において、還元剤層は、タングステン前駆体を還元できるシリコンまたはシリコン含有材料、リンまたはリン含有材料、ゲルマニウムまたはゲルマニウム含有材料、ホウ素またはホウ素含有材料、ならびに、それらの組みあわせを含んでよい。かかる層を形成するのに利用できる還元剤ガスのさらなる例は、ＰＨ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、および、ＧｅＨ４を含む。様々な実施形態によると、水素が、バックグラウンドで流されても流されなくてもよい。（水素は、タングステン前駆体を還元しうるが、シランおよびジボランなどの十分な量のより強い還元剤とのガス混合物中では還元剤として機能しない）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
ブロック４５２で用いられる還元剤は、後続の動作で用いられるＭｏ含有前駆体を還元すると共に、結果として得られる膜に組み込まれる化合物を提供する。かかる還元剤の例は、ホウ素含有、シリコン含有、および、ゲルマニウム含有還元剤を含む。ホウ素含有還元剤の例は、ＢｎＨｎ＋４、ＢｎＨｎ＋６、ＢｎＨｎ＋８、ＢｎＨｍなどのボランを含み、ここで、ｎは、１〜１０の整数であり、ｍは、ｎとは異なる整数である。特定の例において、ジボランが用いられてもよい。その他のホウ素含有化合物、例えば、アルキルボラン、アルキルホウ素、アミノボラン（ＣＨ３）２ＮＢ（ＣＨ２）２、および、カルボラン（Ｃ２ＢｎＨｎ＋２など）が用いられてもよい。シリコン含有化合物の例は、シラン（ＳｉＨ４およびＳｉ２Ｈ６など）を含む。ゲルマニウム含有化合物の例は、ＧｅｎＨｎ＋４、ＧｅｎＨｎ＋６、ＧｅｎＨｎ＋８、および、ＧｅｎＨｍなどのゲルマンを含み、ここで、ｎは、１〜１０の整数であり、ｎは、ｍとは異なる整数である。その他のゲルマニウム含有化合物、例えば、アルキルゲルマン、アルキルゲルマニウム、アミノゲルマン、および、カルボゲルマンが用いられてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
蒸着サイクルが、通例、Ｍｏ含有層の一部を蒸着する。ブロック４５７の後、蒸着サイクルが、いくつかの実施例において完了し、蒸着される膜は、ＭｏＢｘ、ＭｏＳｉｘ、および、ＭｏＧｅｘといったモリブデン含有の２成分膜であり、ここで、ｘはゼロより大きい。かかる実施形態において、処理は、所望の厚さが蒸着されるまで、ブロック４５２〜４５７のサイクルを繰り返して、ブロック４６２に進んでよい。成長速度の例は、サイクルあたり約１００Åでありうる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
いくつかの実施形態において、図４Ｂの処理は、Ｂ、Ｓｉ、または、Ｇｅが膜に組み込まれず、Ｃおよび／またはＮを組み込んで、例えば、ＭｏＣ、ＭｏＮ、または、ＭｏＣＮ膜を形成するために、ブロック４５８を実行するように、変形されてもよい。Ｃおよび／またはＮ含有反応物質が、かかる実施形態で用いられてよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月22日(2020.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用者の手の滅菌及び滅菌の品質管理の方法であって、
−滅菌物質と光反射修正物質との既定の量の混合物を滅菌対象の手に供給するステップと、
−前記使用者がその手に前記混合物を塗って擦り込めるようにするステップと、
−滅菌品質管理のために装置（１０）の画像化コンパートメント（１１）の中へ前記手を１つずつ挿入するステップと、
−既定のスペクトル分布及び強度を有する光を発する光源（１４）で挿入された手を照射するステップと、
−カメラ（１６）によって両側から手（９）の画像を記録するステップと、
−前記混合物が触れた前記手のエリアと触れていないエリアとの間を区別するために記録された画像を処理するステップと、
を含み、
前記光反射修正物質が、少なくとも既定の範囲の波長の光を吸収する光吸収物質であり、前記混合物によって処置されたエリアの光吸収を増加させ同時に滅菌特性を維持する量だけ前記滅菌物質に添加される物質であり、前記光源（１４）が、前記既定の範囲の光を発し、前記カメラ（１６）が、前記範囲において感度を有し、更に、前記処理のステップにおいて、前記混合物が以前に触れなかった前記手（９）のエリアがより明るくなる、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記処理するステップの後に、前記使用者が２回目の滅菌を実施できるようにするために手の処理された画像を前記使用者に示し、前記２回目の滅菌において、表示された以前に処置されていないエリアに前記混合物を触れさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＣＡＳ登録番号第１５５６３３-５４-８を有するアボベンゾンが紫外線（ＵＶ）波長範囲の吸収特性を有する光吸収物質として使用され、この物質が約１０％の濃度で前記滅菌物質に添加される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ＣＡＳ登録番号第３５９９-３２-４を有するインドシアニングリーンが赤外線（ＩＲ）波長範囲の吸収特性を有する光吸収物質として使用され、この物質が約１％の濃度で前記滅菌物質に添加される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
ＣＡＳ登録番号第２３２１-０７-０５を有するフルオレセインが可視光線波長範囲の吸収特性を有する光吸収物質として使用され、約２％の濃度で前記滅菌物質に添加される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法を実施するための手の滅菌の品質管理のための装置（１０）であって、
−ハウジング（１２）と、
−前記ハウジング（１２）の前面に形成され使用者の手（９）を受け入れて画像化コンパートメント（１１）へ導くように適合された手検査キャビティ（８０）と、
−前記光吸収物質の吸収スペクトル波長範囲の光を発する複数の光源（１４）であって、前記画像化コンパートメント（１１）において前記手（９）の表面全体に光を向けるために前記画像化コンパートメントの中に配列される、複数の光源と、
−前記画像化コンパートメント（１１）の中に配列され、照射された手（９）の画像を撮るために前記吸収スペクトル波長範囲において感度を有する、デジタルカメラ（１６）と、
−前記混合物が触れていないエリアを前記混合物が触れたエリアに比べて明るいエリアとして示す、前記手の画像又は視覚的表示を提供するための画像処理及び評価プロセッサユニット（３０）と、
−前記処理された画像を示すための表示手段（５０）と、
を備えることを特徴とする、装置（１０）。
【請求項７】
−前記装置の動作を局地的に制御するための入力手段（４０）と、
−内部データ記憶ユニット（２４）と、
−前記手検査キャビティ（８０）内の使用者の手の存在を検出するように構成された手近接センサ（１８）と、
を更に備え、
前記画像処理及び評価プロセッサユニット（３０）が、
−手の衛生化の許容レベルを判定するために既定の又は使用者固有の評価アルゴリズムを使用することによって前記視覚的表示を処理し、評価に基づいて、検査済みの手の滅菌の質が許容できるか否かを判定する、
ように更に構成される、
請求項６に記載の装置（１０）。
【請求項８】
前記画像化コンパートメント（１１）の内壁が前記吸収スペクトル波長範囲において反射防止特性を有する反射防止材料で被覆される、請求項６又は７に記載の装置（１０）。
【請求項９】
前記装置の動作モード及び／又は滅菌品質管理テスト結果を表す視覚的又は可聴ステータス信号を生成するために１つ又は複数のステータス指示器を更に備える、請求項６〜８のいずれか１項に記載の装置（１０）。
【請求項１０】
前記装置を有線又は無線接続を介して外部プロセッサ装置に接続するためのインターフェイスユニット（７０）を更に備える、請求項６に記載の装置（１０）。
【請求項１１】
その手が滅菌品質管理の対象である使用者を識別するためにユーザー近接センサ（６１）を有するユーザー識別モジュールを更に備える、請求項６に記載の装置（１０）。
【請求項１２】
前記ユーザー識別モジュールが、磁気カード、スマートカード、ＲＦＩＤ、ＮＦＣ、指紋、超音波又は赤外線（ＩＲ）識別の群から選択された個人識別テクノロジーに基づく、請求項１１に記載の装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月9日(2020.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の血管構造に展開かつ挿入されて、管腔壁と接触する血管腔のモニタリング位置に配置されるように適合される、無線の血管モニタリングインプラントであって、前記インプラントが、前記管腔壁の自然な動きによって寸法的に伸縮するように構成される、弾性センサー構造物を含み、
前記弾性センサー構造物は、インダクタンスを有する共振回路を含み、
前記弾性センサー構造物の寸法の伸縮との周知の関係で前記インダクタンスが変化し、
前記共振回路は、遠隔でエネルギーを加えられたとき、前記インダクタンスを示す共振周波数を生成するように適合され、
前記血管腔の外側にて無線で前記共振周波数を読み込み可能であり、前記血管腔の寸法を測定する、
無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項２】
前記弾性センサー構造物は、前記管腔壁上または前記管腔壁の中に実質的に永久に埋入するように構成される、
請求項１に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項３】
前記弾性センサー構造物は、前記血管腔の実質的に任意の横軸に沿って前記管腔壁によって伸縮するように構成される、
請求項１または２に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項４】
前記弾性センサー構造物は、フレームとコイルとをさらに含み、
前記フレームは、少なくとも１つの弾性部分を有し、
前記少なくとも１つの弾性部分は、前記センサー構造物が前記管腔壁と接触する前記モニタリング位置に配置されるとき、前記血管腔壁の対向面を係合するように互いの反対側に配置されるように構成される少なくとも２つの点で形成され、
前記コイルは、前記血管腔壁の少なくとも２つの対抗する点を係合するように構成され、
前記コイルは、前記コイルの前記２つの対抗する点の間の距離に基づいて変化するインダクタンスを有し、
前記コイルは、前記フレーム周辺に複数の隣接するワイヤのストランドを形成するように前記フレーム周辺に配置される少なくとも１つのワイヤによって前記フレーム上に形成される、
請求項１から３のいずれか１項に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項５】
前記コイルは、前記患者の身体の外側から前記コイルに向けられる磁場によりエネルギーを加えられるように構成される、
請求項４に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項６】
前記コイルは、少なくとも１つのキャパシタ要素を含む、
請求項４または５に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項７】
前記コイルは、ワイヤの複数のストランドの束を有し、
前記ワイヤの複数のストランドの束は、前記フレームの周囲に複数回巻きつけられて、ワイヤの複数のストランドの複数の平行束の複数の巻きになり、ワイヤの平行のストランドを撚り合わせて前記束にすることによって形成される、
請求項４または５に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項８】
前記共振回路の静電容量は、隣接するワイヤの束の間の間隙によって作成される前記コイルの固有の静電容量からなる、
請求項７に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項９】
前記弾性センサー構造物は、ループ状のジグザグ型である、
請求項１から８のいずれか１項に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項１０】
前記弾性センサー構造物は、鋭角を形成する丸みをおびた頂部によりその両端で接合したまっすぐな支柱を含む、
請求項９に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項１１】
前記弾性センサー構造物は、送達カテーテルによる送達のために折り畳み可能である、
請求項１から１０のいずれか１項に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項１２】
前記無線の血管モニタリングインプラントは、埋入した後、患者の身体の外側の位置への物理的な接続を必要としない、
請求項１から１１のいずれか１項に記載の無線の血管モニタリングインプラント。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の無線の血管モニタリングインプラントを含む、無線の血管検出システムであって、
励起に相関して一度に前記管腔の寸法を示す共振周波数応答信号を生成する、前記弾性センサー構造物の前記励起のための手段と、
前記患者の身体の外側において前記インプラントからの前記共振周波数応答信号を受信するように構成されるアンテナモジュールと、
を更に含む、
無線の血管検出システム。
【請求項１４】
前記アンテナモジュールは、前記モニタリング位置の前記モニタリングインプラントに隣接する位置で前記患者を囲むように構成される、少なくとも１つのアンテナ線を含む、
請求項１３に記載の無線の血管検出システム。
【請求項１５】
前記アンテナモジュールは、前記患者の腰部または胴体の周囲を包むように構成されるベルトを更に含む、
請求項１３または１４に記載の無線の血管検出システム。
【請求項１６】
前記アンテナモジュールは、送信及び受信モード間で切り替え可能な単一コイルアンテナを含む、
請求項１３から１５のいずれか１項に記載の無線の血管検出システム。