【事件の表示】
　特願２０１２−１０９４９６「ピクセル再生方法及びそれを利用したピクセル再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月　６日出願公開、特開２０１２−２３８５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）手続の経緯
　本願は、平成２４年５月１１日（パリ条約による優先権主張２０１１年５月１２日、韓国）の出願であって、平成２５年１２月２７日に手続補正がなされ、平成２６年２月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、当審において、平成２７年７月２１日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１０月２３日に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、当審拒絶理由に対して平成２７年１０月２３日に意見書を提出している。
　
（２）本願発明
　ア　本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２７年１０月２３日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載の事項により特定されるものであるところ、請求項１及び３に係る発明は、その特許請求の範囲に記載されたとおりの次のものであると認める。
　
「　【請求項１】
　基板上に有機発光層を挟んで互いに交差するように形成された第１の電極と第２の電極とを含む有機発光素子をステージ上にアラインする第１のステップと、
　前記第１の電極及び前記第２の電極間の有機発光層に存在する導電性異物存在領域に、前記レーザビームのサイズを変換するビームサイズ調節部を備えるピクセル再生装置を用いてレーザを照射する第２のステップと、
　を含み、
　前記第２のステップは、前記導電性異物に直接レーザを照射して前記導電性異物そのものを粉砕して微細な異物粒子に再配列し、または、前記導電性異物のサイズよりも大きくレーザを照射して前記導電性異物を有機発光層から隔離して、ピクセルを正常動作させるステップであり、
　前記ピクセル再生装置から照射されるレーザは、１０ｎｓ以下のパルス幅を有するものを用いており、
　前記ビームサイズ調節部は、
　　モータで駆動される、スリットと、
　　前記スリットのサイズ及び位置を確認することができる、スリット照明光源と、
　　レーザ照射時に光経路から離脱するように構成されている、前記スリット照明光源から入射される光の進路を変更させるための、スリット照明用ハーフミラーと、
を具備する、
ことを特徴とする有機発光素子のピクセル再生方法。」
「　【請求項３】
　前記第２のステップに代えて、前記導電性異物存在領域の周辺電極にレーザを照射して電極を切断し、前記導電性異物を電気的に隔離して正常動作を行うようにするステップであることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子のピクセル再生方法。」
　
　イ　請求項３に係る発明についてみると、請求項３に「前記第２のステップに代えて、前記導電性異物存在領域の周辺電極にレーザを照射して電極を切断し、前記導電性異物を電気的に隔離して正常動作を行うようにするステップである・・・」（以下「請求項３のステップ」という。）と記載されていることからみて、該請求項３のステップが、請求項３が引用する請求項１の「前記第１の電極及び前記第２の電極間の有機発光層に存在する導電性異物存在領域に、前記レーザビームのサイズを変換するビームサイズ調節部を備えるピクセル再生装置を用いてレーザを照射する第２のステップ」（以下「第２のステップＡ」という。）及び「前記第２のステップは、前記導電性異物に直接レーザを照射して前記導電性異物そのものを粉砕して微細な異物粒子に再配列し、または、前記導電性異物のサイズよりも大きくレーザを照射して前記導電性異物を有機発光層から隔離して、ピクセルを正常動作させるステップであり」（以下「第２のステップＢ」という。）の双方に換えてなされるものであるのか、それとも、第２のステップＡ及び第２のステップＢのうち、いずれか一方に換えてなされるものであるのかが特定されていないため、請求項３に係る発明がいずれの意味であるのか、以下検討する。
　
　ウ　請求項３のステップが、第２のステップＡ及び第２のステップＢの双方に換えてなされるものであるとすると、「第１の電極及び第２の電極間の有機発光層に存在する導電性異物存在領域に、レーザビームのサイズを変換するビームサイズ調節部を備えるピクセル再生装置を用いてレーザを照射する」という「ビームサイズ調節部を備えるピクセル再生装置」を用いるという第２のステップの前提が存在しなくなり、請求項１の「前記ピクセル再生装置から照射されるレーザは、・・・前記ビームサイズ調節部は、・・・を具備する、」という構成との整合がとれなくなるから、請求項３のステップは、第２のステップＡの構成を有していることを前提に、第２のステップＢに換えてなされるものであると解される。
　
　エ　上記イ及びウからみて、引用関係を整理した請求項３に係る発明は、次のとおりのものと認められる（下線は審決で付した。以下同様。）。
「基板上に有機発光層を挟んで互いに交差するように形成された第１の電極と第２の電極とを含む有機発光素子をステージ上にアラインする第１のステップと、
　前記第１の電極及び前記第２の電極間の有機発光層に存在する導電性異物存在領域に、前記レーザビームのサイズを変換するビームサイズ調節部を備えるピクセル再生装置を用いてレーザを照射する第２のステップと、
　を含み、
　前記第２のステップは、
前記導電性異物存在領域の周辺電極にレーザを照射して電極を切断し、前記導電性異物を電気的に隔離して正常動作を行うようにするステップ
　前記ピクセル再生装置から照射されるレーザは、１０ｎｓ以下のパルス幅を有するものを用いており、
　前記ビームサイズ調節部は、
　　モータで駆動される、スリットと、
　　前記スリットのサイズ及び位置を確認することができる、スリット照明光源と、
　　レーザ照射時に光経路から離脱するように構成されている、前記スリット照明光源から入射される光の進路を変更させるための、スリット照明用ハーフミラーと、
を具備する、
ことを特徴とする有機発光素子のピクセル再生方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
　オ　なお、本願の請求項３に係る発明は、当審拒絶理由の時点では、平成２７年１０月２３日付けでなされた手続補正前（以下単に「補正前」という。）の平成２６年６月２５日付けで補正された請求項４に係る発明であり、当審拒絶理由では、補正前の請求項４に係る発明は拒絶の対象となっているから、請求項３に係る発明を上記のように本願発明と認定し、この審決において、請求項３に係る発明に対する当審拒絶理由が妥当であるか否かを以下判断する。
　
２　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は概ね次のとおりである。
　
「本件出願の請求項１〜７に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１．特開２００９−２６６９１７号公報
　引用例２．特開２０１０−２５４３号公報
　引用例３．特開２００８−２２１２３７号公報
　引用例４．特開２００８−１４２７４７号公報
　引用例５．特開２００７−３２６１３２号公報
　引用例６．特開２００６−２７２４１６号公報
　引用例７．特開２００５−２７６６００号公報
　引用例８．特開２００６−２２１９８２号公報
　引用例９．特開平１１−２０４８１５号公報」
　
３　引用例の記載事項
（１）本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布され、当審拒絶理由で引用例１として引用された刊行物である特開２００９−２６６９１７号公報には、次の事項が図とともに記載されている。
　
　ア　「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
  従来知られているすべてのリペア方法は、レーザーのパルス幅（パルス時間）がナノ秒オーダーの長いパルス幅であり、欠陥箇所にレーザーを照射して被照射部を加熱し、アブレーション破壊により欠陥除去を行っている。このリペア方法は、液晶表示装置やプラズマディスプレイに適用した場合には、レーザーリペア時の熱的な影響はほとんど問題にならないが、有機発光素子の場合には有機層が熱的な影響を受けやすい。
【０００５】
  特に、有機発光素子の場合、封止法が缶封止（ハーメチック封止）では、放熱空間が有るためレーザーリペア時の熱的な影響はある程度緩和されるが、電極で挟まれた有機発光層を接着剤などの封止材で封止する固体封止した構造では欠陥救済箇所にレーザーを照射すると熱が放散されずに蓄積されるため、熱的な影響が非常に大きくなる。具体的には、ＹＡＧレーザーを照射した箇所で、Ａｌ電極薄膜が気泡状に浮き上がったり、有機発光層
と電極との界面に剥離が発生したり、有機発光層が熱で変質するなどのため、リペアに伴い欠陥領域が拡大してしまうという問題がある。
【０００６】
  加えて、上述の従来のリペア方法では、導電性異物によって電極間がショートしている有機ＥＬ照明装置では、全面的に発光しないため、欠陥領域を検出することができないものであった。
【０００７】
  そこで、本発明の主たる目的は、異物などによる電流リークおよびショートに起因する発光欠陥の発生を抑制した耐久性の高い有機発光素子を提供することにある。
【０００８】
  また、本発明の他の目的は、有機発光素子における、電流リークおよびショートの発生する欠陥領域を検出し、この欠陥領域を広げることなく最小限の範囲でリペアすることができる有機発光素子のリペア装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
  本発明の第１の特徴は、有機発光素子であって、基板と、この基板上に形成された第１電極と、この第１電極上に形成された有機発光層と、この有機発光層上に形成された第２電極と、基板上の第１電極、有機発光層、および第２電極を封止する封止材と、を備え、第１電極と第２電極との少なくとも一方に、局部的に素子内部の空洞領域となるリペア用の貫通孔が形成されていることを要旨とする。なお、有機発光層とは、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを含むものでもよいし、正孔および電子の輸送機能を備えた発光層のみであってもよい。
【００１０】
  貫通孔は、有機発光層における前記第１電極と前記第２電極との間の抵抗の面内均一性を阻害する欠陥領域に対応する領域に形成されており、例えば導電性異物が存在する領域である。導電性異物は、この貫通孔が形成された電極と電気的に遮断されるように部分的に破壊・除去されている。
【００１１】
  貫通孔は導電性異物（欠陥領域）に直接レーザーを照射せずに、
導電性異物の周辺近傍を取り囲むように環状にアノード膜（ITO膜）を加工する構成としてもよい。このような構成にすることにより、第１電極と第２電極との間ショートを取り除く事ができる
【００１２】
  欠陥領域は、第１電極と第２電極との間に存在した導電性異物が破壊・除去された除去空間であってもよく、この除去空間は貫通孔とともに素子内部の空洞領域を形成している構成であってもよい。
【００１３】
  また、貫通孔の周囲の電極の膜状態は、成膜時と変化していないことが特徴であり、具体的には、熱的な変形を起こしていない構成であることが好ましい。
【００１４】
  さらに、貫通孔ならびに導電性異物の破壊・除去は、貫通孔が形成された電極および有機発光層における熱の伝播するよりも短い、数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルスレーザー照射で行われたことにより達成されていることが好ましい。このような超短パルスレーザーを用いることで、部材の熱的な影響を抑制できるからである。
　
　・・・略・・・
　
【発明の効果】
【００１８】
  本発明の第１の特徴に係る発明によれば、異物などによる電流リークおよびショートに起因する発光欠陥の発生を抑制した耐久性の高い有機発光素子を実現することができる。
【００１９】
  また、本発明の第２の特徴に係る発明によれば、有機発光素子における、電流リークおよびショートの発生する欠陥領域を検出し、この欠陥領域を広げることなく最小限の範囲で確実にリペアすることができるリペア装置を実現することができる。」
　
　イ　「【００２１】
［有機発光素子］
（第１の実施の形態）
  図１および図２は、本発明の第１の実施の形態に係る有機発光素子１０を示している。図１は有機発光素子１０を示す図２のＩ−Ｉ断面図、図２は有機発光素子１０の平面図である。
【００２２】
  本実施の形態に係る有機発光素子１０は固体封止構造を有する
有機ＥＬ照明装置
【００２３】
  図１に示すように、
有機発光素子
第１透明基板１１と、第１透明基板１１上に形成された第１電極としての透明なアノード１２と、アノード１２上に形成された有機発光層１３と、この有機発光層１３上に形成された第２電極としてのカソード１４と、第１透明基板１１上に積層されたアノード１２、有機発光層１３、およびカソード１４を封止する封止材としての接着剤層１５と、接着剤層１５上に重ねられた第２透明基板１６と、を備えて
構成されている
【００２４】
  本実施の形態の有機発光素子１０において、第１透明基板１１および第２透明基板１６は透明なガラスでなる。アノード１２はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）でなる。有機発光層１３は、図示しない正孔輸送層、発光層、電子輸送層を含んでなる。カソード１４はアルミニウム（Ａｌ）でなる。接着剤層は、例えばエポキシ樹脂でなる。
　
　・・・略・・・
　
【００２８】
  特に、本実施の形態の有機発光素子１０の特徴は、アノード１２における、有機発光層１３に混入している導電性異物１７に対応する位置に導電性異物１７と略同径寸法または導電性異物１７よりもやや大きな径寸法のリペア用の貫通孔１２ａが形成されていることである。また、導電性異物１７は、貫通孔１２ａの外、すなわち有機発光層１３側に後退するように加工されている。貫通孔１２ａ内の空隙と、貫通孔１２ａの外側で導電性異物１７の端面までの僅かな空隙とで、空洞領域１８が構成されている。
【００２９】
  ここで、有機発光層１３内に混入されている導電性異物１７として、カーボンや金属などのパーティクルなどがある。このような導電性異物１７は、完全に混入しないようにすることは現実的に困難であり、従来より有機発光層１３に混入している。この導電性異物１７が存在する領域は、アノード１２とカソード１４との間の抵抗の面内均一性を阻害する欠陥領域である。このため、本実施の形態のように空洞領域１８を設けない場合は、有機発光素子２０の発光輝度の面内均一性をさらに悪化させたり、有機発光素子２０全体が発光（点灯）不能になるという不都合が生じる。
【００３０】
  本実施の形態の有機発光素子１０は、第１透明基板１１上に、順次、アノード１２、有機発光層１３、カソード１４、接着剤層１５、第２透明基板１６を重ね合わせて作製したものに対して、導電性異物１７が混入している欠陥領域を検出する工程と、この欠陥領域に、数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルスレーザー（例えば、ピコ秒レーザーやフェムト秒レーザー）を照射して空洞領域１８を加工する工程と、を経て上記の特徴的構造に作製されたものである。
【００３１】
  因みに、従来用いられていたナノ秒のYAGレーザーでは、被加工物の光吸収特性を利用し、最も吸収し易い加工部材料に合せて波長レーザー（1064/532/354/266nm）を選択することは有効である。ただし、フェムト秒レーザーのように、非常にパルス幅が小さい場合には、非加工物の光吸収特性に依存しない多光子吸収特性により従来非常に加工が困難であった透明材料でもレーザー光の吸収作用が現れ加工することが可能である。また、本実施の形態のように、超精密レーザー加工を目的とする場合は、対物レンズの高倍率化もしくはレーザー波長の短波長化で対応が可能となる。
【００３２】
  また、フェムト秒レーザーのパルス幅は、貫通孔１２ａが形成されたアノード１２および有機発光層１３において熱が伝播するよりも短い時間であるため、熱が伝播する間もなく加工を終了させるため、加工部分の周囲への熱的な影響がほとんどない。具体的には、フェムト秒レーザー照射された部分を確実な形状に加工でき、加工部分の周囲に熱的変形、すなわち有機発光層１３の劣化、アノード１２やカソード１４の熱による剥がれや盛り上がりなどの変形が起きることを抑制できる。このため、本実施の形態では、有機発光素子２０における貫通孔１２ａの周囲のアノード１２の膜状態が製造工程における成膜時とほぼ変化ない状態に保たれており、この部分（貫通孔の周辺）における発光特性を劣化させることも抑制できる。
【００３３】
  このような作用は、パルス幅が、貫通孔１２ａが形成されたアノード１２および有機発光層１３において熱が伝播するよりも短い時間数十ピコ秒レーザーにおいても同様の作用を有する。
【００３４】
  本実施の形態によれば、貫通孔１２ａを含む空洞領域１８がアノード１２と導電性異物１７を電気的に遮断しているため、この部分でリーク電流やショートが発生することがない。また、上記したような超短パルスレーザーを用いて空洞領域１８が加工されているため、超短パルスレーザーの照射に伴い、従来のような加熱加工でのジュール熱は発生せず、また従来のように発生したジュール熱の蓄積も起こらない。この理由は、貫通孔１２ａが形成されたアノード１２および有機発光層１３において熱が伝播するよりも短い時間、数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルスレーザーが照射されているからである。
【００３５】
  本実施の形態に係る有機発光素子１０の空洞領域１８を含めた構成は独特なものであり、このような構成により、導電性異物１７による電流リークおよびショートに起因する発光欠陥の発生を抑制できる。したがって、本実施の形態に係る有機発光素子１０は、経時的に導電性異物１７に起因した欠陥が発生しやすくなるという従来の問題を解決しており、高い耐久性を実現している。
【００３６】
  なお、空洞領域１８は、極微細な大きさであるため、有機ＥＬ照明装置の発光面全体としては無視できる大きさである。このように、極微細な空洞領域１８を形成した構成とすることで、有機発光素子１０の高い耐久性を実現するとともに、導電性異物１７によりショートを起こす構造の有機発光素子１０の不良品化を防止でき、パネル品質および歩留まりを向上させることができる。」
　
　ウ　「【００４１】
（第３の実施の形態）
  図５および図６は、本発明の第３の実施の形態に係る有機発光素子３０を示している。
図５は有機発光素子３０の図６におけるＶ−Ｖ断面図、図６は有機発光素子３０の平面図である。なお、本実施の形態において、上記第１の実施の形態と同一部分は、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４２】
  本実施の形態の有機発光素子３０は、
導電性異物１７には直接レーザーを照射せずに、アノード１２に、導電性異物１７の外側を周回するように取り囲む環状貫通孔１２ｂを、数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルスレーザー（例えば、ピコ秒レーザーやフェムト秒レーザー）を照射して加工されたものである
【００４３】
  また、本実施の形態では、封止材として、接着剤層１５に加えて、接着剤層１５の下に、第１電極であるアノード１２、有機発光層１３、および第２電極であるカソード１４でなる積層構造を覆う、薄膜保護膜１５ａを含む構成である。この薄膜保護膜１５ａは、単層無機膜、積層無機膜、単層有機膜、積層無機膜、有機膜/無機膜の積層膜などを挙げることができる。
【００４４】
  本実施の形態では、カソード１４や有機発光層１３には殆ど溝が及ばないように加工されている。アノード１２は、透明膜であるため、環状貫通孔１２ｂを形成しても更に目立ちにくいという利点がある。
【００４５】
  以上、有機発光素子について述べたが、上記した第１〜第３の実施の形態では、基板としてガラス基板を用いたが、可撓性を有する樹脂基板を適用してよい。この場合は、超短パルスレーザー照射を行うため樹脂基板の変質や変形も抑制できる。
【００４６】
  また、上記した第１〜第３の実施の形態では、貫通孔１２ａや環状貫通孔１２ｂをアノード１２に形成したが、カソード１４に形成する構成としても勿論よい。」
　
　エ　「【００４７】
［有機発光素子のリペア装置］
（リペア装置の構成）
  次に、図７〜図１１を用いて本発明の実施の形態に係る有機発光素子のリペア装置１００を説明する。なお、図７はリペア装置１００の概略構成を示すブロック図、図８および図９はリペア方法を示すフローチャート、図１０は導電性異物が混入した有機発光素子１０Ａの断面図、図１１は超短パルスレーザーを導電性異物に照射している状態を示す断面図である。なお、図１０および図１１において、図１に示した第１の実施の形態の有機発光素子１０と同一部分には、同一の符号を付して説明を省略する。
【００４８】
  図７に示すように、本実施の形態に係る有機発光素子の
リペア装置１００
有機発光素子１０Ａを載置する載置台１０１と、有機発光素子１０Ａのアノード１２およびカソード１４に
プローブにて接続されるテスト駆動電力供給部１０２と、発光表示検出部１０３と、温度分布検出部１０４と、超短パルスレーザー照射部１０５と、制御部１０６と、表示部１０７と、を備えて
構成されている
【００４９】
  載置台１０１は、図示しないＸＹＺ操作部を備えていて、発光表示検出部１０３と温度分布検出部１０４と超短パルスレーザー照射部１０５とに対して相対的に移動可能に設けられている。
【００５０】
  制御部１０６は、テスト駆動電力供給部１０２と、発光表示検出部１０３と、温度分布検出部１０４と、超短パルスレーザー照射部１０５とを制御する。
【００５１】
  テスト駆動電力供給部１０２は、制御部１０６からの制御信号により所定の電圧を図示しないプローブを介して有機発光素子１０Ａに印加するとともに、有機発光素子１０Ａの電圧電流特性を測定してそのデータを制御部１０６に出力する。
【００５２】
  発光表示検出部１０３は、図示しないＣＣＤ撮像素子と光学系とを備えており、有機発光素子１０Ａにテスト駆動電力供給部１０２から電力が供給されている間に有機発光素子１０Ａの表面の撮像データを制御部１０６に出力する。制御部１０６は、この撮像データに基づいて撮像された像を表示部１０７に出力する。
【００５３】
  温度分布検出部１０４は、サーモグラフィーを備えてなり、発光面の面内温度分布検出を行い検出データを制御部１０６に出力する。
【００５４】
  制御部１０６は、発光表示検出部１０３および温度分布検出部１０４からの検出データに基づいて、有機発光素子１０Ａの欠陥領域の位置を算出する。
【００５５】
  超短パルスレーザー照射部１０５は、制御部１０６からの制御信号に基づき、有機発光素子１０Ａにおける電極および有機発光層１３における熱の伝播するよりも短い、数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルスレーザーを有機発光素子１０Ａの表面に照射する。
【００５６】
  このとき、載置台１０１は、制御部１０６からの指令により駆動制御される図示しないＸＹＺ操作部によって、発光表示検出部１０３または温度分布検出部１０４の検出データにより得られた有機発光素子１０Ａの欠陥領域を超短パルスレーザー照射部１０５の直下に配置させることができる。」
　
　オ　「【００５７】
（リペア方法）
  次に、上記
リペア装置１００を用いたリペア方法
【００５８】
リペア方法（１）
  リペア方法（１）について以下に説明する。まず、図８に示すように、最初に、リペアの対象である
有機発光素子１０Ａを載置台１０１の上に載置
【００５９】
  次に、制御部１０６は、テスト駆動電力供給部１０２に、有機発光素子１０Ａに発光を開始する閾値電圧を印加するように指令信号を出力する。そして、有機発光素子１０Ａの発光状態を、発光表示検出部１０３で撮像して正常発光像を取得する（ステップＳ２）。
【００６０】
  次に、閾値未満の電圧をテスト駆動電力供給部１０２から印加させて、有機発光素子１０Ａの閾値未満素子画像を取得する（ステップＳ３）。
【００６１】
  次に、閾値未満素子画像の中に周囲に比べて輝度が高い部分があるか否かを制御部１０６で判定する（ステップＳ４）。このとき、有機発光素子１０Ａにリーク電流が発生していない場合は、閾値未満の電圧であるため発光箇所はない。しかし、リーク電流が発生している場合は、その部分が微弱な電流であっても発光して他の部分よりも輝度が高くなり、その結果輝点となって検出される。この工程でリーク電流に起因する発光像が無い場合は、終了する。図１０に示すように、導電性異物１７が存在して、リーク電流に起因する発光像が有る場合は、表示部１０７に表示されている発光像と制御部１０６で算出した欠陥領域の位置情報とを比較し、欠陥位置が一致していない場合は、マウスなどのインターフェイスを用いてリペア位置の情報を制御部１０６に取得させる（ステップＳ５）。
【００６２】
  次に、制御部１０６は、
リペア位置の情報に基づいて載置台１０１の位置を制御する信号を
ＸＹＺ操作部へ出力して有機発光素子１０Ａの位置決めを行う
超短パルスレーザー照射部１０５を駆動制御してリペア位置に向けてレーザー照射を行う
図１１中、符号１０５ａは、リペア位置の焦点深度や照射面積を設定するためのレンズを示している
【００６３】
  次に、有機発光素子１０Ａに再度閾値未満の電圧を印加して、閾値未満素子像を取得する（ステップＳ７）。
【００６４】
  次に、ステップＳ７で取得した閾値未満素子像にリーク発光像が有るか否かを判定する（ステップＳ８）。
【００６５】
  次に、閾値未満素子像にリーク発光像が発見されない場合は、閾値電圧を印加して正常発光画像を取得する（ステップＳ９）。一方、リーク発光像が発見された場合は、ステップＳ５に戻って再度レーザー照射を行う。
【００６６】
  ステップＳ９にて正常発光像を取得した後、正常発光像に異常がないかどうかの判定を行う（ステップＳ１０）。ここで、異常があると判定されるとステップＳ３に戻る。異常が無いと判定されると、有機発光素子１０Ａの電圧電流特性を計測してリーク電流値を取得する（ステップＳ１１）。
【００６７】
  次に、このリーク電流値を、レーザー照射前に取得したリーク電流値と比較する（ステップＳ１２）。リーク電流値が減少している場合は正しくリペアされたものとして終了する。リーク電流値が減少していない場合は、再度ステップＳ３に戻って再度欠陥領域の検出とリペアを行う。」
　
　カ　「【００８０】
  また、
上述の各実施の形態では、有機発光素子として、有機ＥＬ照明装置を適用したが、多数の画素領域を有する有機ＥＬ表示装置に適用しても勿論よい
　
　キ　ここで、引用例１の段落【００２１】ないし【００６７】の記載は、有機発光素子として、有機ＥＬ照明装置を適用した場合に関するものであるところ、引用例１の段落【００８０】には、「上述の各実施の形態では、有機発光素子として、有機ＥＬ照明装置を適用したが、多数の画素領域を有する有機ＥＬ表示装置に適用しても勿論よい。」と記載されている。したがって、引用例１には、有機発光素子として多数の画素領域を有する有機ＥＬ表示装置を適用した場合の発明も実質的に記載されている。
　そこで、上記アないしオに記載された事項を、有機発光素子として多数の画素領域を有する有機ＥＬ表示装置を適用した場合に読み替えてみると、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「第１透明基板と、第１透明基板上に形成された第１電極としての透明なアノードと、アノード上に形成された有機発光層と、この有機発光層上に形成された第２電極としてのカソードと、第１透明基板上に積層されたアノード、有機発光層、およびカソードを封止する封止材としての接着剤層と、接着剤層上に重ねられた第２透明基板とを備えて構成されている有機発光素子のリペア方法であって、
　有機発光素子を載置する載置台と、有機発光素子のアノードおよびカソードにプローブにて接続されるテスト駆動電力供給部と、発光表示検出部と、温度分布検出部と、超短パルスレーザー照射部と、制御部と、表示部と、を備えて構成されているリペア装置を用い、
　有機発光素子をリペア装置の載置台の上に載置し、
　リペア位置の情報に基づいて載置台の位置を制御する信号をＸＹＺ操作部へ出力して有機発光素子の位置決めを行い、
　リペア装置の超短パルスレーザー照射部を駆動制御してリペア位置に向けてレーザー照射を行い、導電性異物には直接レーザーを照射せずに、アノードに、導電性異物の外側を周回するように取り囲む環状貫通孔を、数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルスレーザー、例えば、ピコ秒レーザーやフェムト秒レーザーを照射して加工することにより、第１電極と第２電極との間のショートを取り除く、
　有機発光素子のリペア方法。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）本願の優先日前に頒布され、当審拒絶理由で引用例２として引用された刊行物である特開２０１０−２５４３号公報には、次の事項が図とともに記載されている。
　
　ア　「【背景技術】
【０００２】
  従来、レーザ加工によりフォトマスクやＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）などの修正を行うレーザ加工装置等には、レーザ光の光路内にモータ駆動の可変スリットが設けられており、その可変スリットのＸＹ方向の幅を調整して、レーザカットしたい範囲にスリット形状を一致させておくことで、レーザ光を出射させると、一致させたスリット形状の範囲のみがレーザカット出来るスリット幅調整装置が備えられていることが知られている。
【０００３】
  このようなスリット幅調整装置として、スリット部材が接触して、スリット幅が零の時に原点信号を発生する原点信号発生電極をステッピングモータ駆動の可変スリットに取り付けることにより、その原点に基づいて可変スリットを所定の幅に調整できる技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。」
　
　イ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
  以下、図を参照して、本発明に係るスリット幅調整装置及び顕微鏡レーザ加工装置の具体的な態様を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。
【００１３】
  図１は、本発明の
スリット幅調整装置３０を適用した顕微鏡レーザリペア装置１（顕微鏡レーザ加工装置）
【００１４】
  
顕微鏡レーザリペア装置１は、試料Ｗを載置するステージ２０と、このステージ２０に対して三次元方向（Ｘ、Ｙ，Ｚ方向）へ相対移動可能に設けられた筐体１０と、筐体１０の下端部に備え付けられ、倍率の異なる対物レンズ１２Ａ（１２Ｂ，１２Ｃ）が選択的に取り付けられるように構成された対物レンズ交換装置１１と、を備え
【００１５】
  図１に示すように、
筐体１０の内部には、Ｘ方向左側であってＺ方向下側に配置されたレーザ光出射装置１８と、レーザ光出射装置１８のＺ方向上側に配置されたミラー１７と、ミラー１７のＸ方向右側に配置されたミラー１６と、ミラー１６のＺ方向下側に配置されたスリット幅調整装置３０と、ミラー１６とスリット幅調整装置３０との間に配置されたビームスプリッタ１５と、ビームスプリッタ１５のＸ方向右側に配置されたスリット用照明２２と、スリット幅調整装置３０のＺ方向下側に配置されたビームスプリッタ１３と、ビームスプリッタ１３のＸ方向右側に配置された観察用照明２１と、スリット幅調整装置３０とビームスプリッタ１３との間に配置されたビームスプリッタ１４と、ビームスプリッタ１４のＸ方向のＸ方向右側に配置されたミラー２３と、ミラー２３のＺ方向上側に配置された観察用カメラ２４と、を備えて構成される
【００１６】
  レーザ光出射装置１８は、例えば、ＹＡＧレーザ等のレーザ加工用のレーザ光を出射する光源であり、Ｚ方向端部に備えられたビームエクスパンダ（図示省略）により、レーザ光を平行光束として拡大して、ミラー１７に向けて出射する。
【００１７】
  ミラー１７及びミラー１６は、レーザ光出射装置１８より出射されたレーザ光が、光路Ｌを辿り試料Ｗへ照射されるように、所定の方向へ反射させる。
  具体的には、ミラー１７は、レーザ光出射装置１８より出射されたＺ方向上向きのレーザ光をＸ方向左向きに反射させ、ミラー１６は、ミラー１７により反射されたレーザ光をＺ方向下向きに反射させる。
【００１８】
  スリット幅調整装置３０は、ミラー１６にて反射したレーザ光を、所定の幅に調整されるスリット開口部にのみ通過させる装置であり、このスリット幅調整装置３０を通過させることで、試料Ｗをスリット開口部の大きさに応じてレーザカット出来るようになっている。このスリット幅調整装置３０の構造については後に詳述する。
【００１９】
  
ビームスプリッタ１５は、光路（光軸線）Ｌ上に配置され、スリット用照明２２より照射される照明光をＺ方向下向きに反射させるとともに、ミラー１６を反射したレーザ光を透過させて、スリット幅調整装置３０のスリット開口部を通過させる
【００２０】
  ビームスプリッタ１３は、光路（光軸線）Ｌ上に配置され、観察用照明２１より照射される照明光をＺ方向下向きに反射させるとともに、スリット幅調整装置３０のスリット開口部を通過したレーザ光を透過させて、対物レンズ１２Ａに入射させる。
【００２１】
  ビームスプリッタ１４は、光路（光軸線）Ｌ上に配置され、スリット用照明２２又は観察用照明２１より試料Ｗに照射された照明光の反射光を、Ｘ方向右側に反射させるとともに、スリット幅調整装置３０のスリット開口部を通過したレーザ光を透過させて、ビームスプリッタ１３に入射させる。
  ミラー２３は、ビームスプリッタ１４により反射された照明光の反射光を、Ｚ方向上側に配置された観察用カメラ２４に向けて反射させる。
【００２２】
  観察用カメラ２４は、上記スリット用照明２２及び観察用照明２１より試料Ｗに照射された照明光の反射光が、ビームスプリッタ１４及びミラー２３を介して観察用カメラ２４に到達するように配置されている。
  つまり、ユーザは観察用カメラ２４により試料Ｗ及びそのレーザカット対象部を見ながら、スリット幅調整装置３０にてスリット開口部をレーザカットしたい範囲に調整し、レーザ光出射装置１８によりレーザ光を出射させて、調整したスリット開口部の範囲のみをレーザカットすることができる。
  さらに、観察用カメラ２４は、スリット幅調整装置３０のスリット開口部の画像（以下、スリット画像）を撮像することが出来るため、撮像手段として機能している。」
　
　ウ　「【図１】
」
　エ　上記アないしウから、引用例２には、以下の事項が記載されている。
「試料Ｗを載置するステージ２０と、このステージ２０に対して三次元方向（Ｘ、Ｙ，Ｚ方向）へ相対移動可能に設けられた筐体１０と、筐体１０の下端部に備え付けられ、倍率の異なる対物レンズ１２Ａ（１２Ｂ，１２Ｃ）が選択的に取り付けられるように構成された対物レンズ交換装置１１と、を備え、
　筐体１０の内部には、Ｘ方向左側であってＺ方向下側に配置されたレーザ光出射装置１８と、レーザ光出射装置１８のＺ方向上側に配置されたミラー１７と、ミラー１７のＸ方向右側に配置されたミラー１６と、ミラー１６のＺ方向下側に配置されたスリット幅調整装置３０と、ミラー１６とスリット幅調整装置３０との間に配置されたビームスプリッタ１５と、ビームスプリッタ１５のＸ方向右側に配置されたスリット用照明２２と、スリット幅調整装置３０のＺ方向下側に配置されたビームスプリッタ１３と、ビームスプリッタ１３のＸ方向右側に配置された観察用照明２１と、スリット幅調整装置３０とビームスプリッタ１３との間に配置されたビームスプリッタ１４と、ビームスプリッタ１４のＸ方向のＸ方向右側に配置されたミラー２３と、ミラー２３のＺ方向上側に配置された観察用カメラ２４と、を備えて構成された、顕微鏡レーザリペア装置において、
　ビームスプリッタ１５は、光路（光軸線）Ｌ上に配置され、スリット用照明２２より照射される照明光をＺ方向下向きに反射させるとともに、ミラー１６を反射したレーザ光を透過させて、スリット幅調整装置３０のスリット開口部を通過させていること。」（以下「引用例２の記載事項」という。）
　
（２）周知の事項
　ア　特開２００８−２２１２３７号公報の記載
　当審拒絶理由で引用例３として引用された特開２００８−２２１２３７号公報（以下「周知例１」という。）は、本願の優先日前に頒布された刊行物であって、当該周知例１には次の記載がある。
　（ア）「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、
レーザ加工装置
　（イ）「【００１５】
  
空間変調素子６は、レーザ光源部３０のコリメートユニット４から投射されたレーザ光３１を空間変調する反射型空間変調素子である
  各微小ミラー６ａの裏面側には、図２（ｂ）に示すように、微小ミラー６ａに電界を加えるミラー駆動部６ｂが設けられており、各微小ミラー６ａは、空間変調素子６に電気的に接続された空間変調素子駆動部７７からの制御信号によって発生する静電電界によって、オン状態では、例えば、基準平面から＋１２°回転され、オフ状態では、基準平面から−１２°回転される。以下では、
オン状態の微小ミラー６ａによって反射された光をオン光３２
  本実施形態では、コリメートユニット４から投射されたレーザ光３１は、反射ミラー５ａによって偏向され、空間変調素子６の基準平面に対して一定の入射角で照射されるようになっている。
【００１６】
  結像レンズ７、対物レンズ１０は、空間変調素子６で空間変調され、一定方向に向けて反射されたオン光３２による像を、基板１１の被加工面１１ａ上に結像するレンズまたはレンズ群からなる光学素子である。本実施形態では、対物レンズ１０は無限遠設計とされている。
  結像レンズ７は、本実施形態では、光軸が基板１１と平行となる姿勢に設けられており、空間変調素子６と結像レンズ７との間に、空間変調素子６のオン光３２を結像レンズ７の光軸に沿って入射させる反射ミラー５ｂが配置されている。
【００１７】
  対物レンズ１０は、その光軸が被加工面１１ａの法線方向に沿うように配置され、
結像レンズ７と対物レンズ１０との間には、結像レンズ７の光軸を、対物レンズ１０の光軸に折り曲げるビームスプリッタ８が設けられている
  
ビームスプリッタ８は、オン光３２の波長光を反射し、後述する観察用光３３の波長光を透過させるビームスプリッタ面を備えている
  また、対物レンズ１０は、倍率に応じた複数セットが、不図示のレボルバ機構などによって切り替え可能に設けられ、各対物レンズ１０の鏡筒１０ａは、対物レンズ１０が光軸上にセットされた状態で光軸方向に沿って移動可能とされている。
  このような対物レンズ１０の切り替え、および光軸方向の移動は、制御ユニット６０の対物レンズ制御部７３（図４参照）に電気的に接続された対物レンズ移動機構１５（結像位置移動機構）によって行われる。
【００１８】
  結像レンズ７、対物レンズ１０からなる結像光学系の投影倍率は、被加工面１１ａ上での必要な加工精度に応じて適宜設定される。例えば、変調領域Ｍ全体のＷ×Ｈの大きさの画像が、被加工面１１ａ上で、倍率βで、Ｗ’×Ｈ’の大きさに投影されるように設定する。すなわち、被加工面１１ａ上のＷ’×Ｈ’の範囲の領域が加工可能領域Ｒとなる。
  ここで、結像レンズ７のＮＡは、加工に必要な分解能を満たし、かつオフ光（不図示）として反射された光が、入射しない大きさとされる。
【００１９】
  
ビームスプリッタ８と対物レンズ１０との間の光路上には、対物レンズ１０を通して被加工面１１ａを落射照明するために、照明光源１４によって出射され、照明用レンズ１４ａによって略平行光に集光された観察用光３３を光路上に合成するハーフミラー９が設けられている
  照明光源１４は、加工形状を決定したり、加工結果を確認するために被加工面１１ａ上の加工可能領域内を照明する光源である。例えば、可視光を発生するキセノンランプやＬＥＤなど適宜の光源を採用することができる。
  
ハーフミラー９は、オン光３２を透過させ、観察用光３３の一部を反射する反射透過率特性を有するハーフミラーからなる。また、ハーフミラー９の反射透過率特性は、波長特性が付与されていてもよく、この場合、オン光３２の波長に対して高透過率、好ましくは略１００％の透過率にするとよい。このようにすれば、結像光学系での光量損失を低減することができる。また、レーザ光３１の照射時にはね上げや移動による光路から退避可能な構成としてもよい
　
　イ　特開２００７−３２６１３２号公報の記載
　当審拒絶理由で引用例５として引用された特開２００７−３２６１３２号公報（以下「周知例２」という。）は、本願の優先日前に頒布された刊行物であって、当該周知例２には次の記載がある。
　（ア）「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、
レーザ加工装置
【背景技術】
【０００２】
  従来、レーザ光を被加工物の所望領域に照射することにより加工を行うレーザ加工装置が知られている。例えば、液晶ディスプレイなどの製造において、ガラス基板上の配線パターンや、露光に用いるフォトマスクに存在する不要な残留物などの欠陥部を修正する手段として、レーザリペア装置が知られている。
  このレーザ加工装置は、レーザ光の照射領域の大きさを可変の矩形開口などで規定していたが、近年、マイクロミラーアレイなどの空間変調素子を用いた装置も知られている。
  例えば、特許文献１には、レーザ源と、被加工物を載置する加工テーブルと、微小ミラーアレイ（マイクロミラーアレイ）とを備え、微小ミラーアレイの複数のミラー片の角度を、ＯＮ／ＯＦＦ制御することで切り換えて、被加工物に任意のパターン形状を形成するレーザ加工装置が記載されている。
  このレーザ加工装置に使用されるレーザの波長は、加工対象によって適切な波長が選択される。例えば、レーザリペア装置では、金属膜の修正には可視〜赤外帯、透明膜には紫外帯、というように被加工物に吸収されやすい波長が使用される。波長を切り換えるために、複数のレーザを備えた装置や、１つの基本波長のレーザの複数の高調波をきりかえられるようにした装置などが存在する。」
　（イ）「【００２６】
  微小ミラーアレイ３と結像レンズ７との間の光路中には、被加工面１０ａの像を取得するために、投影光学系５１を透過した光の光路を分岐するビームスプリッタ６が配置されている。
 
 ビームスプリッタ６は、例えばハーフミラーでもよいが、ビームスプリッタ面にレーザ光Ｌ２、Ｌ３の波長光を透過し、それらの波長光を除く光を反射するような波長特性を有するコーティングが施されたものを採用してもよい
  また、
結像レンズ７と対物レンズ９との間の光路中には、その光路の側方に配置された観察用光源１１からの光を反射して対物レンズ９に導き、被加工面１０ａ上に照射するとともに、被加工面１０ａで反射された観察用光源１１からの光を透過して結像レンズ７に導くビームスプリッタ８が配置されている
  
ビームスプリッタ８は、例えばハーフミラーや偏光ビームスプリッタなどを採用することができる
  
ビームスプリッタ６、８は、常時光路中に配置してもよいが、例えば、それぞれを適宜の進退機構によって、光路上に進退可能に保持しておき、レーザ加工時に光路外に退避するようにしてもよい
　
　ウ　特開２００６−２７２４１６号公報の記載
　当審拒絶理由で引用例６として引用された特開２００６−２７２４１６号公報（以下「周知例３」という。）は、本願の優先日前に頒布された刊行物であって、当該周知例３には次の記載がある。
　（ア）「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、レーザ光を加工対象物に照射して該加工対象物を加工するレーザ加工装置に関するものである。」
　（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
  以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に従って説明する。
  図１は、本実施の形態のレーザ加工装置１０の構成ブロック図である。本実施の形態のレーザ加工装置１０は、加工対象物Ｗの表面に文字・記号・図形などをマーキング加工するものである。
【００３０】
  
レーザ加工装置１０は、加工用のレーザ光を出射するレーザ光源１１を備えている。レーザ光源１１は、レーザ発振器からなり、制御回路１２にてその発振が制御される
  
レーザ光源１１の後段には、ビームエキスパンダ１３が配設されている
　
　・・・略・・・
　
【００３３】
  また、上記した
ビームエキスパンダ１３は、具体的に、レーザ光を一定の倍率まで拡大するための入射レンズ１７と出射レンズ１８とを有している
入射レンズ１７と出射レンズ１８との間に生じる空間に着目し、その空間にガイド光照射装置２１の一部を構成するダイクロイックミラー２２と、モニタ装置２５の一部を構成するハーフミラー２６とを収容する構成としている
【００３４】
  ガイド光照射装置２１は、上記したダイクロイックミラー２２と、ガイド用レンズ２３と、可視光光源２４とを備えている。ダイクロイックミラー２２は、ビームエキスパンダ１３の入射レンズ１７の後段に配置されて固定されている。ダイクロイックミラー２２は、レーザ光の光路上（光軸上）において、その光軸に対して所定角度（本実施の形態では４５°）傾斜させて配置されている。このような
ダイクロイックミラー２２は、レーザ光を透過する一方、ガイド光を反射するように構成されている
　（ウ）「【００５１】
  ・上記実施の形態では、ダイクロイックミラー２２をビームエキスパンダ１３内に固定したが、ハーフミラー２６をアクチュエータ２８にて進退可能に作動させたように、ガイド光入射手段である
ダイクロイックミラー２２を進退駆動手段を用いてレーザ光の光路に進退可能に構成してもよい
【００５２】
  因みに、制御回路１２の制御により、
レーザ光による加工時にダイクロイックミラー２２等のガイド光入射手段をレーザ光の光路外に退避させ、ガイド光による投射時にガイド光入射手段をレーザ光の光路上に進入させるように制御してもよい
このようにすれば、レーザ光による加工時においてガイド光入射手段をレーザ光の光路上から確実に退避することができるため、ガイド光入射手段でのレーザ光の損失をより確実に低減することができる
　
　エ　周知例１ないし３から把握される周知技術
　上記アないしウからみて、本願の優先日前に、「レーザ加工装置において、レーザ光の損失を低減するために、光路上に設けられたハーフミラーやダイクロイックミラーをレーザ光の照射時に退避させること」は周知であったと認められる（以下「周知技術」という。）。
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「第１透明基板」、「有機発光層」、「第１電極としての透明なアノード」、「第２電極としてのカソード」、「有機発光素子」、「載置台」、「導電性異物」及び「レーザー」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「有機発光層」、「第１の電極」、「第２の電極」、「有機発光素子」、「ステージ」、「導電性異物」及び「レーザ」に相当する。
　
（２）引用発明の有機発光素子が各画素を含むことは当業者に自明であるから、引用発明の「有機発光素子」の画素は、本願発明の「ピクセル」に相当する。そして、引用発明の「リペア装置」及び「有機発光素子のリペア方法」は、それぞれ、本願発明の「ピクセル再生装置」及び「有機発光素子のピクセル再生方法」に相当する。
　
（３）ア　引用発明は、「基板（第１透明基板）」（引用発明の用語を本願発明の用語に置き換えた。（）内は置き換え前の引用発明の用語。以下同様。）と、「基板」上に形成された「第１の電極（第１電極としての透明なアノード）」と、「第１の電極」上に形成された「有機発光層（有機発光層）」と、この「有機発光層」上に形成された「第２の電極（第２電極としてのカソード）」と、「基板」上に積層された「第１の電極」、「有機発光層」、および「第２の電極」を封止する封止材としての接着剤層と、接着剤層上に重ねられた第２透明基板とを備えて構成されている「有機発光素子」の「ピクセル再生方法（リペア方法）」である。
　イ　引用発明の「有機発光素子」は、「基板（第１透明基板）」と、「基板」上に形成された「第１の電極（第１電極としての透明なアノード）」と、「第１の電極」上に形成された「有機発光層（有機発光層）」と、この「有機発光層」上に形成された「第２の電極（第２電極としてのカソード）」とを備えて構成されている。
　ウ　引用発明は、「有機発光素子」を「ピクセル再生装置（リペア装置）」の「ステージ（載置台）」の上に載置するものであり、有機発光素子をステージの上に載置する際に、位置合わせを一切せずに載置することは考えられないから、有機発光素子をステージ上に調整、すなわち、「アライン」して載置していることは当業者に自明である。
　エ　上記アないしウからみて、引用発明の「有機発光素子のピクセル再生方法（有機発光素子のリペア方法）」と、本願発明の「有機発光素子のピクセル再生方法」とは、「基板上に有機発光層を挟んで形成された第１の電極と第２の電極とを含む有機発光素子をステージ上にアラインする第１のステップ」を含む点で一致する。
　
（４）ア　引用発明は、「有機発光素子」のリペア位置に向けてレーザー照射を行い、「導電性異物（導電性異物）」には直接レーザーを照射せずに、「第１の電極（アノード）」に、「導電性異物」の外側を周回するように取り囲む環状貫通孔を数十ピコ秒以下のパルス時間に設定した超短パルス「レーザ（レーザー）」を照射して加工するのであり、前記環状貫通孔が加工される部分も導電性異物が存在する箇所の周辺領域であり、本願発明においても、「導電性異物存在領域に・・・レーザを照射する」としつつも、結局のところ「前記導電性異物存在領域の周辺電極にレーザを照射」しているものである。
　イ　また、引用発明は、「導電性異物」の外側を周回するように取り囲む環状貫通孔を超短パルス「レーザ（レーザー）」を照射して加工することにより、第１電極と第２電極との間のショートを取り除くのであるから、ショートを取り除くことにより、「ピクセル（有機発光素子）」を正常動作させていることは当業者に自明である。
　ウ　上記ア及びイからみて、引用発明の「有機発光素子のピクセル再生方法（有機発光素子のリペア方法）」と、本願発明の「有機発光素子のピクセル再生方法」とは、「前記第１の電極及び前記第２の電極間の有機発光層に存在する導電性異物存在領域に、ピクセル再生装置を用いてレーザを照射する第２のステップ」を含み、該「第２のステップ」が「導電性異物のサイズよりも大きくレーザを照射して前記導電性異物を有機発光層から隔離してピクセルを正常動作させ」ている点で一致する。
　
（５）引用発明において、照射する超短パルス「レーザ（レーザー）」が数十ピコ秒以下のパルス時間に設定したものであるから、引用発明の「有機発光素子のピクセル再生方法（有機発光素子のリペア方法）」と、本願発明の「有機発光素子のピクセル再生方法」とは、「ピクセル再生装置から照射されるレーザは、１０ｎｓ以下のパルス幅を有するものを用いて」いる点で一致する。
　
（６）上記（１）ないし（５）からみて、本願発明と引用発明とは、
「基板上に有機発光層を挟んで形成された第１の電極と第２の電極とを含む有機発光素子をステージ上にアラインする第１のステップと、
　前記第１の電極及び前記第２の電極間の有機発光層に存在する導電性異物存在領域に、ピクセル再生装置を用いてレーザを照射する第２のステップと、
　を含み、
　前記第２のステップは、前記導電性異物存在領域の周辺電極にレーザを照射して電極を切断し、前記導電性異物を電気的に隔離して正常動作を行うようにするステップであり、
　前記ピクセル再生装置から照射されるレーザは、１０ｎｓ以下のパルス幅を有するものを用いている、
　有機発光素子のピクセル再生方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：
　本願発明では、第１の電極と第２の電極とが有機発光層を挟んで互いに交差するように形成されたものであるのに対し、
　引用発明では、有機発光層を挟んで形成されたものであるが、互いに交差するように形成されたものであるかどうかが明らかでない点。
　
　相違点２：
　前記「ピクセル再生装置」が、
　本願発明では、レーザビームのサイズを変換するビームサイズ調節部を備え、前記ビームサイズ調節部は、モータで駆動される、スリットと、前記スリットのサイズ及び位置を確認することができる、スリット照明光源と、レーザ照射時に光経路から離脱するように構成されている、前記スリット照明光源から入射される光の進路を変更させるための、スリット照明用ハーフミラーと、を具備するのに対し、
　引用発明では、所定のビームサイズ調節部を備えているかどうかが不明な点。
　
５　判断
（１）上記相違点１について検討する。
　ア　本件出願の明細書の段落【００２０】には、「本発明にかかるピクセル再生方法に適用される有機発光素子は、受動型のＰＭ　ＯＬＥＤと能動型のＡＭ　ＯＬＥＤの両方に適用できる」と記載されているから、本願発明の要旨には、有機発光素子が、受動型のＰＭ　ＯＬＥＤである場合が含まれるものである。
　イ　ところで、多数の画素領域を有する有機ＥＬ表示装置として、互いに交差するように形成された第１の電極と第２の電極を具備する、いわゆるパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は例示するまでもなく周知である。また、引用例１の段落【００１８】に記載された「異物などによる電流リークおよびショートに起因する発光欠陥の発生を抑制した耐久性の高い有機発光素子を実現することができる」という発明の効果は、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置においても好適に奏されるものである。
　ウ　そうしてみると、引用発明の適用対象をパッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置とすることは、単なる用途限定にすぎないものであり、また、そのようにしてなる引用発明の第１のステップは、「基板上に有機発光層を挟んで互いに交差するように形成された第１の電極と第２の電極とを含む有機発光素子をステージ上にアラインする第１のステップ」に他ならない。
　エ　してみると、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が適宜なし得たことである。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　ア　引用例２の記載事項は、レーザ光出射装置１８と、レーザ光出射装置１８のＺ方向上側に配置されたミラー１７と、ミラー１７のＸ方向右側に配置されたミラー１６と、ミラー１６のＺ方向下側に配置されたスリット幅調整装置３０と、ミラー１６とスリット幅調整装置３０との間に配置されたビームスプリッタ１５と、ビームスプリッタ１５のＸ方向右側に配置されたスリット用照明２２と、を備えた顕微鏡レーザリペア装置において、ビームスプリッタ１５は、光路（光軸線）Ｌ上に配置され、スリット用照明２２より照射される照明光をＺ方向下向きに反射させるとともに、ミラー１６を反射したレーザ光を透過させて、スリット幅調整装置３０のスリット開口部を通過させているというものである。
　イ　レーザ加工装置において、レーザ光の損失を低減するために、光路上に設けられたハーフミラーやダイクロイックミラーをレーザ光の照射時に退避させることは周知である。
　ウ　引用発明の「有機発光素子のリペア方法」（有機発光素子のピクセル再生方法）に用いられる「有機発光素子のリペア装置」（ピクセル再生装置）は、引用例１の【００６２】（上記３（１）オ）に記載されているように、リペア位置の焦点深度や照射面積を設定するためのレンズを備えるものであるから、引用発明において、リペア位置の照射面積を設定する際に、引用例２の記載事項の「顕微鏡レーザリペア装置」のスリット幅調整装置等の構成を適用することは、上記アからみて、当業者が容易になし得ることである。
　エ　そして、引用発明に引用例２の記載事項を適用した際に、レーザ光の照射時における該レーザ光のビームスプリッタの通過による損失をできるだけ減らすこと（上記イ）が当業者にとって自明な課題であるところ、当該課題を解決するために、レーザ光の照射時にビームスプリッタを光路から退避するようになすことは、上記イからみて、当業者が周知技術に基づいて適宜なし得たことである。
　オ　してみると、引用発明において、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が引用例２の技術事項及び周知技術に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　
（３）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、引用例２の記載事項の奏する効果及び周知技術の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（４）したがって、本願発明は、当業者が引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、当業者が引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。