【手続補正書】
【提出日】令和2年5月26日(2020.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハアセンブリであって、
第１表面及び集積回路を含む第１のウエハと、
第１表面及び第２表面を持つ第２のウエハであり、該第１表面が前記第１のウエハに接合され、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成する、第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
集積回路を含むとともに、前記第２のウエハの前記第２表面に接合された第１表面を持ち、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
を有し、
当該半導体ウエハアセンブリは、１つ以上の積層集積回路を生産するように構成されており、当該半導体ウエハアセンブリがダイシングされたときに各積層集積回路が１つ以上の封入された半導体ダイを含むことになり、前記第２のウエハは、前記第１のウエハの前記集積回路及び前記第３のウエハの前記集積回路に相互接続された能動集積回路を含む、
半導体ウエハアセンブリ。
【請求項２】
前記半導体ダイは、バンプボンド、ワイヤインターコネクト、超音波ボンド、及び酸化物ボンドのうちの少なくとも１つによって、前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続されている、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項３】
前記キャビティは、前記半導体ダイを封入するように気密封止されている、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項４】
前記第３のウエハの前記集積回路は、前記第３のウエハの前記第１表面に近接しており、且つ前記第１及び第２のウエハに電気的に接続されている、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項５】
前記第１のウエハの前記集積回路は、前記第２及び第３のウエハに電気的に接続された前記第１のウエハの前記第１表面に近接している、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項６】
前記第１、第２及び第３のウエハのうちの少なくとも１つを通って当該半導体ウエハアセンブリの外表面に至る、前記半導体ダイへの少なくとも１つの電気経路、を更に有する請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項７】
前記半導体ダイと前記第１、第２、及び第３のウエハのうちの１つ以上との間の１つ以上の熱インタフェース、を更に有する請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項８】
前記第２のウエハと前記第３のウエハとが、前記キャビティからの熱的分離を提供するエアギャップを画成するようにバンプ接合されている、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項９】
前記第１のウエハの前記集積回路は、前記第１のウエハの前記第１表面に近接しており、前記第１のウエハは、当該第１のウエハを貫いて該集積回路に至る電気経路を含む、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１０】
前記第２のウエハの前記第２表面及び前記第３のウエハの前記第１表面は各々、酸化物層を含み、且つ
前記第２のウエハと前記第３のウエハとが、それぞれの酸化物層で酸化物接合されている、
請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１１】
前記第１、第２、及び第３のウエハのうちの１つ以上が、当該半導体ウエハアセンブリの外部から前記キャビティへの導管を画成している、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１２】
前記導管及び前記キャビティが少なくとも部分的に熱伝導材料で充填されている、請求項１１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１３】
前記導管及び前記キャビティが排気及び封止されて真空パッケージを提供している、請求項１１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１４】
前記導管及び前記キャビティは、封止前に、排気され、液体又は気体で埋め戻されている、請求項１１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１５】
前記半導体ダイは更に、前記第１のウエハ及び前記第３のウエハのうちの少なくとも一方に酸化物接合された少なくとも１つの酸化物層を有する、請求項１に記載の半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１６】
集積回路及び第１表面を含む第１のウエハと、
第１表面及び第２表面を持つ第２のウエハであり、該第１表面が前記第１のウエハに接合され、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成する、第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
集積回路を含むとともに、前記第２のウエハの前記第２表面に接合された第１表面を持ち、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
を有し、
前記第３のウエハの前記集積回路は、前記第３のウエハの前記第１表面に近接しており、且つ前記第１及び第２のウエハに電気的に接続されている、
半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１７】
集積回路及び第１表面を含む第１のウエハと、
前記第１のウエハに接合された第２のウエハであり、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成するように前記第１のウエハに接合された第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
集積回路を含むとともに、前記半導体ダイが前記キャビティ内に封入されるように前記第２のウエハに接合されている第３のウエハと、
を有し、
前記第１のウエハの前記集積回路は、前記第２及び第３のウエハに電気的に接続された前記第１のウエハの前記第１表面に近接している、
半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１８】
第１のウエハと、
前記第１のウエハに接合された第２のウエハであり、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成するように前記第１のウエハに接合された第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
前記第２のウエハに接合され、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
前記半導体ダイと前記第１、第２、及び第３のウエハのうちの１つ以上との間の１つ以上の熱インタフェースと、
を有する半導体ウエハアセンブリ。
【請求項１９】
第１のウエハと、
前記第１のウエハに接合された第２のウエハであり、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成するように前記第１のウエハに接合された第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
前記第２のウエハに接合され、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
を有し、
前記第２のウエハと前記第３のウエハとが、前記キャビティからの熱的分離を提供するエアギャップを画成するようにバンプ接合されている、
半導体ウエハアセンブリ。
【請求項２０】
半導体ウエハアセンブリであって、
第１のウエハと、
前記第１のウエハに接合された第２のウエハであり、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成する、第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
前記第２のウエハに接合され、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
を有し、
前記第１、第２、及び第３のウエハのうちの１つ以上が、当該半導体ウエハアセンブリの外部から前記キャビティへの導管を画成している、
半導体ウエハアセンブリ。
【請求項２１】
集積回路を含む第１のウエハと、
前記第１のウエハに接合された第２のウエハであり、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成する、第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
集積回路を含むとともに、前記第２のウエハに接合され、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
を有し、
前記第２のウエハは、前記第１のウエハの前記集積回路及び前記第３のウエハの前記集積回路に相互接続された能動集積回路を含む、
半導体ウエハアセンブリ。
【請求項２２】
集積回路を含むとともに、酸化物層を含んだ第１表面を持つ第１のウエハと、
第１表面及び第２表面を持つ第２のウエハであり、該第１表面は、前記第１のウエハの前記酸化物層に接合された酸化物層を含み、前記第１のウエハと当該第２のウエハとでキャビティを画成する、第２のウエハと、
前記第１のウエハに機械的且つ電気的に接続された、前記キャビティ内の半導体ダイと、
集積回路を含むとともに、前記第２のウエハの前記第２表面に接合された第１表面を持ち、それにより、前記キャビティ内の前記半導体ダイを封入する第３のウエハと、
を有し、
前記半導体ダイは更に、前記第１のウエハ及び前記第３のウエハのうちの少なくとも一方に酸化物接合された少なくとも１つの酸化物層を有する、
半導体ウエハアセンブリ。