Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月5日(2020.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）重鎖ＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３配列を含み、前記重鎖ＣＤＲ１配列がＧＦＴＦＳＮＨＤＬＮ（配列番号１２）であり、前記重鎖ＣＤＲ２配列がＹＩＳＳＡＳＧＬＩＳＹＡＤＡＶＲＧ（配列番号１４）であり、前記重鎖ＣＤＲ３配列がＤＰＡＹＴＧＬＹＡＬＤＦ（配列番号２６）またはＤＰＰＹＳＧＬＹＡＬＤＦ（配列番号１６）である、重鎖可変領域、ならびに
（ｉｉ）軽鎖ＣＤＲ１、ＣＤＲ２およびＣＤＲ３配列を含み、前記軽鎖ＣＤＲ１配列がＴＬＳＳＥＬＳＷＹＴＩＶ（配列番号２５）であり、前記軽鎖ＣＤＲ２配列がＬＫＳＤＧＳＨＳＫＧＤ（配列番号２１）であり、前記軽鎖ＣＤＲ３配列がＣＧＡＧＹＴＬＡＧＱＹＧＷＶ（配列番号２３）である、軽鎖可変領域
を含む、抗ＴＮＦＲＳＦ２５抗体またはその抗原結合フラグメント。
【請求項２】
式（ＦＷ１）−（ＣＤＲ１）−（ＦＷ２）−（ＣＤＲ２）−（ＦＷ３）−（ＣＤＲ３）−（ＦＷ４）の、ＣＤＲ間に並置された可変領域フレームワーク（ＦＷ）配列を更に含み、前記重鎖可変領域の前記可変領域ＦＷ配列が重鎖可変領域ＦＷ配列であり、前記軽鎖可変領域の前記可変領域ＦＷ配列が軽鎖可変領域ＦＷ配列である、請求項１に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項３】
前記可変領域ＦＷ配列がヒトである、請求項２に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項４】
ヒト重鎖および軽鎖定常領域を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項５】
前記定常領域が、ヒトＩｇＧ１、ＩｇＧ２、ＩｇＧ３およびＩｇＧ４からなる群から選択される、請求項４に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項６】
前記定常領域がＩｇＧ１である、請求項５に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項７】
前記定常領域がＩｇＧ４である、請求項４に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項８】
対象の腫瘍細胞のアポトーシスが、約０．１ｍｇ／ｋｇ〜約５０ｍｇ／ｋｇの用量で抗体または抗原結合フラグメントを対象に投与した後に増加する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項９】
薬学的に許容される担体、および請求項１〜８のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメントを含む医薬組成物。
【請求項１０】
癌を治療するための請求項９に記載の医薬組成物および少なくとも１つの追加の薬剤を含む製造品。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの追加の薬剤が、ＣＴＬＡ−４、ＰＤ−１、ＰＤ−Ｌ１、ＬＡＧ−３、Ｔｉｍ−３、ＴＮＦＲＳＦ４、ＴＮＦＲＳＦ９、ＴＮＦＲＳＦ１８、ＣＤ２７、ＣＤ３９、ＣＤ４７、ＣＤ７３もしくはＣＤ２７８を標的とする薬剤であるか、またはＡ２Ａ受容体アンタゴニストもしくはＴＧＦ−βアンタゴニストである請求項１０に記載の製造品。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの追加の薬剤が、Ｂ７ファミリー共刺激分子、ＴＮＦ受容体スーパーファミリー共刺激分子、ワクチン組成物または化学療法剤である、請求項１０に記載の製造品。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの追加の薬剤が、インビトロまたは対象における養子Ｔ細胞療法での使用のためのキメラ抗原受容体トランスフェクトＴ細胞または増殖腫瘍浸潤リンパ球を含む、請求項１０に記載の製造品。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの追加の薬剤が、自己Ｔ細胞療法のインビトロ製造方法において用いられる、請求項１０に記載の製造品。
【請求項１５】
対象の腫瘍を治療する方法において使用するための組成物であって、前記方法は、腫瘍においてＴＮＦＲＳＦ２５発現腫瘍細胞のアポトーシスを誘導するのに有効な量の前記組成物を対象に投与することを含む、請求項９に記載の組成物。
【請求項１６】
対象のＣＤ８＋Ｔ細胞の増殖を刺激する方法において使用するための組成物であって、前記方法は、治療有効量の前記組成物を対象に投与することを含む、請求項９に記載の組成物。
【請求項１７】
ＣＤ８＋Ｔ細胞の増殖が、抗原特異的ＣＤ８＋Ｔ細胞のフローサイトメトリー分析により測定されるように、投与前の増殖のベースラインレベルと比較して少なくとも約２０％増加する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
治療有効量の前記組成物を対象に投与することにより、対象の免疫応答を誘導するための、請求項９に記載の組成物。
【請求項１９】
治療有効量の前記組成物を対象に投与することにより、対象のＣＤ４＋ＦｏｘＰ３＋制御性Ｔ細胞の増殖を刺激するための、請求項９に記載の組成物。
【請求項２０】
前記重鎖可変領域は、配列番号５と９５％同一性を有するアミノ酸を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項２１】
前記軽鎖可変領域は、配列番号６と９５％同一性を有するアミノ酸を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の抗体または抗原結合フラグメント。
【請求項２２】
前記重鎖可変領域は、配列番号５と９５％同一性を有するアミノ酸を含む、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２３】
前記軽鎖可変領域は、配列番号６と９５％同一性を有するアミノ酸を含む、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月19日(2020.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体であって、ヒトインスリンアナログのアシル化誘導体は、式：
S-W-X-Y-Z
(I)
［式中、
Sは、B鎖上のアミノ酸30におけるスレオニンが存在しないヒトインスリンであり；-W-X-Y-Zは、インスリンアナログのアシル化修飾基であり；
Wは、-OC(CH2)nCO-を有するジアシル構造であり、ここで、nは、2〜10の整数であり、アミド結合は、該構造のアシル基の1つにより、親インスリンもしくはそのアナログのA鎖もしくはB鎖のN末端におけるアミノ酸残基のα-アミノ基とまたはB鎖上に存在するリシン残基のε-アミノ基と形成され；
Xは、カルボン酸基を含むジアミノ化合物であり、アミド結合は、該化合物のアミノ基の1つをWにおけるアシル基の1つと結合することにより形成され；
Yは、-A(CH2)m-であり、ここで、mは、6〜32の整数、好ましくは10〜16の整数、特に好ましくは12〜14の整数であり、Aは、存在しないかまたはCO-であり；
Zは、-COOHである］
により表される構造を有する、ヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体。
【請求項２】
アミド結合が、Wにより、B鎖上に存在するリシン残基のε-アミノ基と形成される、請求項1に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体。
【請求項３】
nが、2〜5の整数、好ましくは2である、請求項1に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体。
【請求項４】
Xが、-HN(CH2)pCH(COOH)NH-であり、pが、2〜10の整数、好ましくは2〜6の整数、特に好ましくは2〜4の整数、最も好ましくは4である、請求項1に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体。
【請求項５】
-W-X-Y-Zが、
【化１】
2019526537.tif 000001
で示される構造を有し、好ましくは
【化２】
2019526537.tif 000002
である、請求項1に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体。
【請求項６】
Nα-(HOOC(CH2)14CO)-Nε-(OCCH2CH2CO-(NεB29-デス(B30)ヒトインスリン))-Lys-OHまたはその亜鉛錯体、好ましくはリシンB29(Nε-(Nα-ヘキサデカン二酸-L-リシン-Nε-オキソブチリル))デス(B30)ヒトインスリンまたはその亜鉛錯体。
【請求項７】
請求項1〜5のいずれか一項に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体を製造するための方法であって、B鎖上のアミノ酸30におけるスレオニンが存在しないヒトインスリンと、式(III)：
R-W-X-Y-Z
(III)
［式中、Rは、脱離基、好ましくは活性化エステル基であり、より好ましくは
【化３】
2019526537.tif 000003
からなる群より選択される］
で示される化合物を反応させる工程を含む、方法。
【請求項８】
式(III')で示される化合物からカルボキシル保護基を除去し、式(III)で示される化合物を得る工程：
【化４】
2019526537.tif 000004
［式中、X'およびZ'が、XおよびZのすべてのカルボキシル基がそれぞれ保護基により保護された形態を表し、該保護基が、好ましくはC1-C6アルキル基、好ましくはC1-C4アルキル基、特に好ましくはメチルまたはtert-ブチルであり；Rが、請求項7に定義されるとおりである］
をさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
式(III)：
R-W-X-Y-Z
(III)
［式中、W、X、YおよびZは、請求項1〜5のいずれか一項に定義されるとおりであり、
Rは、脱離基、好ましくは活性化エステル基であり、より好ましくは
【化５】
2019526537.tif 000005
からなる群より選択される］
で示される化合物。
【請求項１０】
請求項9に記載の式(III)で示される化合物のXおよびZにおけるすべてのカルボキシル基をカルボキシル保護に供することにより得られる、式(III')：
R-W-X'-Y-Z'
(III')
［式中、X'およびZ'は、XおよびZのすべてのカルボキシル基がそれぞれ保護基により保護された形態を表し、該保護基は、好ましくはC1-C6アルキル基、好ましくはC1-C4アルキル基、特に好ましくはメチルまたはtert-ブチルである］
で示される化合物。
【請求項１１】
【化６】
2019526537.tif 000006
好ましくは
【化７】
2019526537.tif 000007
［式中、Rが、請求項9に定義されるとおりである］
である、請求項9に記載の化合物。
【請求項１２】
4個超の亜鉛原子が、6個すべてのアシル化インスリン分子に含まれる、請求項1〜6のいずれか一項に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体の亜鉛錯体。
【請求項１３】
請求項1〜5のいずれか一項に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体；または請求項12に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体の亜鉛錯体を含み、医薬的に許容される担体をさらに含む、医薬組成物。
【請求項１４】
速効型インスリンをさらに含む、請求項13に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
糖尿病を治療するための医薬の製造における、請求項1〜6のいずれか一項に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体、または請求項12に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体の亜鉛錯体、または請求項13または14に記載の医薬組成物の使用。
【請求項１６】
糖尿病を治療するための医薬の製造における、速効型インスリンと組み合せた、請求項1〜6のいずれか一項に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体、または請求項12に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体の亜鉛錯体、または請求項13または14に記載の医薬組成物の使用。
【請求項１７】
治療を必要とする患者における、糖尿病を治療するための医薬組成物であって、請求項1〜6のいずれか一項に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体またはその亜鉛錯体、または請求項12に記載のヒトインスリンアナログのアシル化誘導体の亜鉛錯体を含む、医薬組成物。
【請求項１８】
速効型インスリンをさらに含む、請求項１７に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月20日(2020.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害を治療する方法に使用するための、抗体を含む医薬組成物であって、該方法は妊娠した対象に該抗体を投与することを含み、該抗体は、（１）ＣＤＲ  Ｌ１、ＣＤＲ  Ｌ２及びＣＤＲ  Ｌ３を含む軽鎖可変領域と、（２）ＣＤＲ  Ｈ１、ＣＤＲ  Ｈ２及びＣＤＲ  Ｈ３を含む重鎖可変領域とを含むものであり、
前記ＣＤＲ  Ｌ１は、配列
2019526540.tif 000001
を含み、
前記ＣＤＲ  Ｌ２は、配列ＧＤＳＥＲＰＳ（ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２）を含み、
前記ＣＤＲ  Ｌ３は、配列
2019526540.tif 000002
を含み、
前記ＣＤＲ  Ｈ１は、配列ＴＹＡＭＧ（ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：４）を含み、
前記ＣＤＲ  Ｈ２は、配列
2019526540.tif 000003
を含み、かつ
前記ＣＤＲ  Ｈ３は、配列ＬＡＩＧＤＳＹ（ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１１）を含む、
前記医薬組成物。
【請求項２】
前記軽鎖可変領域が、
2019526540.tif 000004
である配列と少なくとも９０％の同一性を有する配列を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記重鎖可変領域が、
2019526540.tif 000005
である配列と少なくとも９０％の同一性を有する配列を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記軽鎖可変領域が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１９の配列と少なくとも９５％、９７％、９９％又は１００％の同一性を有する配列を含み、かつ前記重鎖可変領域が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と少なくとも９５％、９７％、９９％又は１００％の同一性を有する配列を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
（ｉ）前記抗体が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と比べて、アミノ酸置換Ｎ２９７Ａをさらに含む；
（ｉｉ）前記抗体が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２０〜２４の配列と比べて、アミノ酸置換Ｄ３５５Ｅ及びＬ３５７Ｍをさらに含む；
（ｉｉｉ）前記抗体が、次のアミノ酸置換のいずれか一つ又は複数をさらに含む：
ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と比べて、Ａ２３Ｖ、Ｓ３０Ｒ、Ｌ８０Ｖ、Ａ８４Ｔ、Ｅ８５Ｄ、Ａ９３Ｖ、並びに、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１９の配列と比べて、Ｑ３８Ｈ、Ｖ５８Ｉ及びＧ９９Ｄ；及び／又は
（ｉｖ）前記抗体が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と比べて、残基４４６においてＣ末端リシンを含有しない、
請求項１から４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記軽鎖可変領域が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１９の配列を含み、かつ
前記重鎖可変領域が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列を含む、
請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記対象が、以前に胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害を有したことがあるという経歴を有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記対象が、胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害を有する危険性がある、請求項１から６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害は、胎児及び新生児の同種免疫性血小板減少症、胎児及び新生児の溶血性疾患、同種免疫性の汎血小板減少症（ｐａｎ−ｔｈｒｏｍｂｏｃｙｔｏｐｅｎｉａ）、先天性心ブロック、胎児の関節拘縮症、新生児重症筋無力症、新生児自己免疫性溶血性貧血、新生児抗リン脂質抗体症候群、新生児多発筋炎、皮膚筋炎、新生児ループス、新生児強皮症、ベーチェット病、新生児バセドウ病、新生児川崎病、新生児自己免疫性甲状腺疾患ならびに新生児Ｉ型糖尿病からなる群から選択される、請求項１から８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害は、胎児及び新生児の溶血性疾患である、請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害は、胎児及び新生児の同種免疫性血小板減少症である、請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記胎児及び新生児の同種免疫障害及び／又は自己免疫障害は、先天性心ブロックである、請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１３】
治療により、流産の危険性が軽減される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
胎児及び新生児の溶血性疾患に関連する胎児貧血を治療する方法に使用するための、抗体を含む医薬組成物であって、該方法は妊娠した対象に該抗体を投与することを含み、該抗体は、（１）ＣＤＲ  Ｌ１、ＣＤＲ  Ｌ２及びＣＤＲ  Ｌ３を含む軽鎖可変領域と、（２）ＣＤＲ  Ｈ１、ＣＤＲ  Ｈ２及びＣＤＲ  Ｈ３を含む重鎖可変領域とを含むものであり、
前記ＣＤＲ  Ｌ１は、配列
2019526540.tif 000006
を含み、
前記ＣＤＲ  Ｌ２は、配列ＧＤＳＥＲＰＳ（ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２）を含み、
前記ＣＤＲ  Ｌ３は、配列
2019526540.tif 000007
を含み、
前記ＣＤＲ  Ｈ１は、配列ＴＹＡＭＧ（ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：４）を含み、
前記ＣＤＲ  Ｈ２は、配列
2019526540.tif 000008
を含み、かつ
前記ＣＤＲ  Ｈ３は、配列ＬＡＩＧＤＳＹ（ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１１）を含む、
前記医薬組成物。
【請求項１５】
前記軽鎖可変領域が、
2019526540.tif 000009
である配列と少なくとも９０％の同一性を有する配列を含む、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記重鎖可変領域が、
2019526540.tif 000010
である配列と少なくとも９０％の同一性を有する配列を含む、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記軽鎖可変領域が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１９の配列と少なくとも９５％、９７％、９９％又は１００％の同一性を有する配列を含み、かつ前記重鎖可変領域が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と少なくとも９５％、９７％、９９％又は１００％の同一性を有する配列を含む、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
（ｉ）前記抗体が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と比べて、アミノ酸置換Ｎ２９７Ａをさらに含む；
（ｉｉ）前記抗体が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２０〜２４の配列と比べて、アミノ酸置換Ｄ３５５Ｅ及びＬ３５７Ｍをさらに含む；
（ｉｉｉ）前記抗体が、次のアミノ酸置換のいずれか一つ又は複数をさらに含む：
ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と比べて、Ａ２３Ｖ、Ｓ３０Ｒ、Ｌ８０Ｖ、Ａ８４Ｔ、Ｅ８５Ｄ、Ａ９３Ｖ、並びに、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：１９の配列と比べて、Ｑ３８Ｈ、Ｖ５８Ｉ及びＧ９９Ｄ；及び／又は
（ｉｖ）前記抗体が、ＳＥＱ ＩＤ ＮＯ：２４の配列と比べて、残基４４６においてＣ末端リシンを含有しない、
請求項１４から１７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月14日(2020.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剛体ウェハ基板上にパターンを作成する方法であって、
溶媒及び一以上の非溶媒成分を含む液体レジスト製剤において所望膜厚を取得するために用いるプロセスパラメータを決定するために逆最適化スキームを実施する工程と、
スピンコーティングを用いて、前記溶媒に希釈された前記液体レジスト製剤の実質的連続膜で基板を被覆する工程と、
前記溶媒を実質的に前記液体レジスト製剤から蒸発させて膜を形成する工程と、
テンプレートと前記基板との隙間を閉じる工程と、
前記膜を硬化して前記膜を重合する工程と、
前記基板を前記テンプレートから分離して、前記基板上に前記重合した膜を残す工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記液体レジスト製剤は、その溶媒は既に蒸発されているが、前記テンプレートと前記基板との前記隙間を閉じる前に所望厚さプロファイルに一致させるために、意図的に不均一プロファイルを有する前記膜を形成するように選択的に蒸発されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択的な蒸発は、温度制御基板チャック、個別制御可能な赤外線電灯アレイ、空気流を制御するための個別制御可能なファンアレイ、前記基板上の複数の個別制御可能なマイクロヒータ又はクーラ、及び一以上の電磁放射線源を制御するための空間光変調器のうちの一又は複数により実施されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ループ制御下の機械を用いて前記逆最適化スキームにフィードバックするために、インライン計測学を用いることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記テンプレートと前記基板との前記隙間を閉じる前に膜厚プロファイルを局所的に変更するために、インクジェットを用いて、実質的連続膜を形成しない希釈モノマーの不連続液滴を分配することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記テンプレートを横方向寸法５００ｎｍ未満でパターン化することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
剛体ウェハ基板上にパターンを平坦化する方法であって、
溶媒及び一以上の非溶媒成分を含む液体レジスト製剤において所望膜厚を取得するために用いるプロセスパラメータを決定するために用いられる入力として既存の基板トポグラフィ（凸凹）を有する逆最適化スキームを実施する工程と、
スピンコーティングを用いて、前記溶媒に希釈された前記液体レジスト製剤の実質的連続膜でパターン化基板を被覆する工程と、
前記溶媒を実質的に前記液体レジスト製剤から蒸発させて膜を形成する工程と、
前記膜を硬化して前記膜を重合する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記液体レジスト製剤は、その溶媒は既に蒸発されているが、所望厚さプロファイルに一致させるために、意図的に不均一プロファイルを有する前記膜を形成するように選択的に蒸発されることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記選択的な蒸発は、温度制御基板チャック、個別制御可能な赤外線電灯アレイ、空気流を制御するための個別制御可能なファンアレイ、前記基板上の複数の個別制御可能なマイクロヒータ又はクーラ、及び一以上の電磁放射線源を制御するための空間光変調器のうちの一又は複数により実施されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記膜の所望の発展動力学を得るために、スーパーストレートを用いて前記膜の上を被覆することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記スーパーストレートのスーパーストレート厚さプロファイル及び幾何学は、所与の基板トポグラフィ（凹凸）の所望の発展動力学を得るように最適化されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ループ制御下の機械を用いて前記逆最適化スキームにフィードバックするために、インライン計測学を用いることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記インライン計測学は、各原子間顕微鏡（ＡＦＭ）のチップ位置を個別制御した、微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）に基づくＡＦＭアレイを用いて実行されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記テンプレートと前記基板との前記隙間を閉じる前に膜厚プロファイルを局所的に変更するために、インクジェットを用いて、実質的連続膜を形成しない希釈モノマーの不連続液滴を分配することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
インシチュ計測学を実行する方法であって、
個別アドレス指定可能位置を有する原子間顕微鏡（ＡＦＭ）チップアレイを有する工程と、
パターン、トポグラフィ（凹凸）変化、又は膜厚変化を有するウェハ上で前記ＡＦＭチップアレイ、ここでＡＦＭチップアレイの各ＡＦＭチップが、前記パターン、前記トポグラフィ（凹凸）変化、又は前記膜厚変化を推測するために集められるデータを提供する、の最適位置合わせを決定する工程と、
前記パターン、前記トポグラフィ（凹凸）変化、又は前記膜厚変化を測定するために前記ウェハを走査する工程と、
前記パターン、前記トポグラフィ（凹凸）変化、又は前記膜厚変化を推測するために、前記測定されたパターン、前記測定されたトポグラフィ（凹凸）変化、又は前記測定された膜厚変化を集めて分析する工程と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記ＡＦＭチップアレイの各ＡＦＭチップは、同じウェハ上の異なる装置にあり、前記同じウェハ上の前記異なる装置の夫々は、実質的に同じであることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月6日(2020.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の直交する第１方向及び第２方向に沿って延在し、セル境界を有する第１セルを備え、
前記第１セルは、
Ｍ１金属層の第１金属トラックにおける第１金属セグメントであって、前記第１方向に沿って延在し、前記セル境界の第１端部を越えた所定の第１距離の位置において終端する第１金属セグメントと、
前記第１セルの前記セル境界の外側に延在するピンであって、前記第１金属セグメントに接続されたピンと、を含む、
集積回路構造。
【請求項２】
前記第１セルは、
前記第１方向に沿って延在し、前記第１端部の前方の少なくとも特定の第２距離の位置において終端する第２金属セグメントを、前記Ｍ１金属層の第２金属トラックに含む、
請求項１の集積回路構造。
【請求項３】
前記第１距離と前記第２距離とが実質的に等しい、
請求項２の集積回路構造。
【請求項４】
前記第１金属セグメントは、前記セル境界の第２端部の前方の少なくとも前記第２距離の位置において終端し、前記第２端部は前記第１端部の反対側にある、
請求項２の集積回路構造。
【請求項５】
前記第２金属セグメントは、前記セル境界の前記第２端部の前方の少なくとも前記第２距離の位置において終端する、
請求項４の集積回路構造。
【請求項６】
前記第１距離と前記第２距離とが実質的に等しい、
請求項５の集積回路構造。
【請求項７】
前記第１方向及び第２方向に沿って延在し、前記第１セルの前記セル境界の前記第１端部に隣接する第２端部を有するセル境界を含む第２セルを備え、
前記第１金属セグメントは、前記Ｍ１金属層の前記第２セルの第１金属トラック内に延在する、
請求項１の集積回路構造。
【請求項８】
前記第２セルは、
前記第１方向に沿って延在し、前記第２端部を越えた前記特定の第１距離の位置において終端する第２金属セグメントを、前記Ｍ１金属層の第２金属トラックに含み、
前記第２金属セグメントは、前記Ｍ１金属層の前記第１セルの第２金属トラック内に延在する、
請求項７の集積回路構造。
【請求項９】
前記第１セルの前記第１金属トラックの残りの部分は、前記Ｍ１金属層で金属が欠けている、
請求項７の集積回路構造。
【請求項１０】
前記第１セルの前記第１金属トラックの残りの部分は、前記Ｍ１金属層においてスタブ配線を含む、
請求項７の集積回路構造。
【請求項１１】
集積回路構造を製造するための実行可能な命令のセットを具現化するコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記実行可能な命令のセットは、
第１セルのセル境界を直交する第１方向及び第２方向に沿って延在させることによって、集積回路構造を構築することと、
第１金属セグメントを第１金属層の第１金属トラックに形成することであって、前記第１金属セグメントは、第１方向に沿って延在し、前記セル境界の第１端部を越えた所定の第１距離の位置において終端する、ことと、
前記第１セルの前記セル境界の外側の前記第１金属層のピンを、前記第１金属セグメントに接続することと、を行う、
コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記実行可能な命令のセットは、
前記第１方向に沿って延在し、前記第１端部の前方の所定の第２距離の位置において終端する第２金属セグメントを、前記第１金属層の第２金属トラックに形成することを行う、
請求項１１のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記第１金属セグメントは、前記セル境界の第２端部の前方の前記第２距離の位置において終端し、前記第２端部は前記第１端部の反対側にある、
請求項１２のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
前記第２金属セグメントは、前記セル境界の前記第２端部の前方の前記第２距離の位置において終端する、
請求項１３のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記第１距離と前記第２距離とが実質的に等しい、
請求項１４のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
前記実行可能な命令のセットは、
第２セルのセル境界の第２端部を、前記第１セルの前記セル境界の前記第１端部に当接させることを行い、
前記第１金属セグメントは、前記第１金属層の第２セルの第１金属トラック内に延在する、
請求項１１のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１７】
前記第２セルは、前記第１方向に沿って延在し、前記第２端部を越えた前記所定の第１距離の位置において終端する第２金属セグメントを、前記第１金属層の第２金属トラックに含み、
前記第２金属セグメントは、前記第１金属層の前記第１セルの第２金属トラック内に延在する、
請求項１６のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１８】
前記実行可能な命令のセットは、
前記第１金属トラックの残りの部分を使用して、前記第１金属層にスタブを配線することを行う、
請求項１６のコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月11日(2020.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングを貫通して垂直に延在するスルーホールを有する試験ソケットハウジングであって、
ａ）４０ｗｔ％〜８０ｗｔ％のポリイミドポリマー、および
ｂ）２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％のルチル形二酸化チタンまたは針状二酸化チタンを含む、試験ソケットハウジング。
【請求項２】
ａ）４０ｗｔ％〜８０ｗｔ％のポリイミドポリマー、および
ｂ）２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％のルチル形二酸化チタンまたは針状二酸化チタンを含む、ポリイミド組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４６】
開示された本発明に従って、ここに説明される利点を満たすポリイミド組成物、特に、ルチル形二酸化チタンまたは針状二酸化チタンを含有するポリイミド組成物が提供された。
以下、本明細書に記載の主な発明について列記する。
（１）ハウジングを貫通して垂直に延在するスルーホールを有する試験ソケットハウジングであって、
ａ）４０ｗｔ％〜８０ｗｔ％のポリイミドポリマー、および
ｂ）２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％のルチル形二酸化チタンまたは針状二酸化チタンを含む、試験ソケットハウジング。
（２）前記ポリイミドポリマーが、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、およびｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）に由来する硬質ポリ芳香族ポリイミドである、（１）に記載の試験ソケットハウジング。
（３）前記ルチル形二酸化チタンが０．２５ミクロン〜０．５０ミクロンの範囲のメジアン粒度を有する、（１）に記載の試験ソケットハウジング。
（４）前記針状二酸化チタンが約１．７ミクロン〜約５．１５ミクロンの長さを有する、（１）に記載の試験ソケットハウジング。
（５）ルチル形二酸化チタンおよび前記針状二酸化チタンがアルミナで表面仕上げ処理される、（１）に記載の試験ソケットハウジング。
（６）前記ポリイミドポリマーが４０ｗｔ％〜６０ｗｔ％の範囲であり、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤ）、およびｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）に由来する硬質ポリ芳香族ポリイミドである、（２）に記載の試験ソケットハウジング。
（７）ルチル形二酸化チタンまたは針状二酸化チタンが４０ｗｔ％〜６０ｗｔ％の範囲である、（１）に記載の試験ソケットハウジング。
（８）（１）に記載の試験ソケットハウジングを含む試験ソケット。
（９）ａ）４０ｗｔ％〜８０ｗｔ％のポリイミドポリマー、および
ｂ）２０ｗｔ％〜６０ｗｔ％のルチル形二酸化チタンまたは針状二酸化チタンを含む、ポリイミド組成物。
（１０）前記ポリイミドポリマーが、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）およびｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）に由来する硬質ポリ芳香族ポリイミドである、（９）に記載のポリイミド組成物。
（１１）前記ルチル形二酸化チタンが０．２５ミクロン〜０．５０ミクロンの範囲のメジアン粒度を有する、（９）に記載のポリイミド組成物。
（１２）前記針状二酸化チタンが、約１．７ミクロン〜約５．１５ミクロンの長さを有する、（９）に記載のポリイミド組成物。
（１３）前記ルチル形二酸化チタンおよび前記針状二酸化チタンがアルミナで表面仕上げ処理される、（９）に記載のポリイミド組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月17日(2020.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の照明デバイス電力状態において動作可能な照明デバイスであって、前記照明デバイス電力状態の各々が、前記照明デバイスの異なる機能をサポートし、前記照明デバイスが、
照明を供給するための少なくとも１つの光源と、
電動のものであり、独立して電源オン状態と電源オフ状態との間で制御可能である少なくとも第１モジュール及び第２モジュールと、
各電力プロファイルが、前記少なくとも第１モジュール及び第２モジュールのためのモジュール電力状態を定義することによって、前記複数の異なる照明デバイス電力状態のうちの１つを定義する、電力プロファイルのデータを記憶するためのメモリであって、前記電力プロファイルが、前記少なくとも第１モジュール及び第２モジュールのために再プログラム可能であるメモリと、
前記メモリに記憶された電力プロファイルに対応するよう前記第１モジュール及び第２モジュールの前記モジュール電力状態を制御し、それによって、前記複数の照明デバイス電力状態のうちの１つにおいて動作するよう前記照明デバイスを制御するよう適合されるコントローラとを有し、
前記コントローラが、更に、１つ以上のトリガ事象に応じて、前記第１モジュール及び／又は第２モジュールの前記モジュール電力状態を変更し、それによって、前記照明デバイスが動作する前記照明デバイス電力状態を変更するよう適合される照明デバイス。
【請求項２】
前記第１モジュールが、前記デバイスを制御するための制御信号を受信するよう適合される通信モジュールである請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記第２モジュールが、センサである請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項４】
前記センサが、動きセンサ、光センサ、温度センサ、湿度センサ、ガスセンサ、オーディオセンサ又は画像センサのうちの１つである請求項３に記載の照明デバイス。
【請求項５】
トリガ事象が、前記デバイスの１つ以上のセンサからの出力である請求項３に記載の照明デバイス。
【請求項６】
トリガ事象が、受信される制御信号である請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記コントローラが、前記記憶された電力プロファイルの中から、電力消費が最も少なく、且つ前記照明デバイスの要求される前記機能を依然として満たす前記電力プロファイルを選択するよう適合される請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項８】
前記コントローラが、更に、受信される制御信号及び／又は前記デバイスの以前の状態に基づいて、適切な電力プロファイルを導き出すよう適合される請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記電力プロファイルが、前記照明デバイスの位置及び／又は前記照明デバイスが実施すべきである機能に基づいて、前記照明デバイスにプログラムされる請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記電力プロファイルが、前記通信モジュールを用いて、遠隔でプログラムされる請求項１又は２に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
複数の照明デバイス電力状態のうちの１つにおいて動作するよう照明デバイスを制御する方法であって、前記照明デバイス電力状態の各々が、前記照明デバイスの異なる機能をサポートし、前記照明デバイスが、照明を供給するための少なくとも１つの光源と、電動のものであり、独立して電源オン状態と電源オフ状態との間で制御可能である少なくとも第１モジュール及び第２モジュールとを有し、前記方法が、
電力プロファイルのデータを記憶するステップであって、各電力プロファイルが、前記少なくとも第１モジュール及び第２モジュールのためのモジュール電力状態を定義することによって、前記複数の異なる照明デバイス電力状態のうちの１つを定義し、前記電力プロファイルが、前記少なくとも第１モジュール及び第２モジュールのために再プログラム可能であるステップと、
１つ以上のトリガ事象を検出するステップと、
検出された前記１つ以上のトリガ事象に応じて、記憶された前記電力プロファイルの中から電力プロファイルを選択するステップと、
選択された前記電力プロファイルに対応するよう前記第１モジュール及び第２モジュールの前記モジュール電力状態を制御し、それによって、前記複数の照明デバイス電力状態のうちの１つにおいて動作するよう前記照明デバイスを制御するステップとを有する方法。
【請求項１２】
前記第１モジュール及び第２モジュールのうちの少なくとも１つが、センサであり、トリガ事象が、前記デバイスの１つ以上のセンサからの出力である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１モジュール及び第２モジュールのうちの少なくとも１つが、通信モジュールであり、トリガ事象が、受信される制御信号である請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
電力プロファイルを選択するステップ、及び前記デバイスの前記照明デバイス電力状態を制御するステップが、他のデバイスの出力に基づいて実施される請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
電力プロファイルを選択するステップが、ルールに基づく論理を用いて複数のトリガ事象を組み合わせるステップを含む請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
元素炭素とアゾール含有腐食防止剤とを含む導電性コーティング材料を含む層と、スズの層、あるいはニッケル、アンチモン、インジウムまたはガリウムの１つ以上とスズとの二元もしくは三元スズ合金の層、あるいはスズおよび前記二元もしくは三元スズ合金の層とを含む導電性複合コーティングと、
を含む被覆した物品を含むことを特徴とする電気化学的装置。
【請求項２】
前記導電性複合コーティングが、
元素炭素とアゾール含有腐食防止剤とを含む導電性コーティング材料を含む２層以上の層と、
スズの層、あるいはニッケル、アンチモン、インジウムまたはガリウムの１つ以上とスズとの二元もしくは三元スズ合金の層、あるいはスズおよび前記二元もしくは三元スズ合金の層の２層以上の層と、
を含む請求項１に記載の電気化学的装置。
【請求項３】
前記導電性コーティング材料が、カーボンブラック、石炭、木炭、グラファイト、炭素繊維、カーボンナノチューブ、グラフェンまたはそれらの混合物を含む元素炭素を含む請求項１または２に記載の電気化学的装置。
【請求項４】
前記導電性コーティング材料が有機バインダーをさらに含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項５】
前記導電性コーティング材料が、前記元素炭素と前記有機バインダーとを含むカーボンインクを含む請求項４に記載の電気化学的装置。
【請求項６】
前記導電性コーティング材料が、前記元素炭素を５０ｗｔ％〜９０ｗｔ％含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項７】
前記アゾール含有腐食防止剤が、ベンゾトリアゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、５−フェニルテトラゾール、ビス［４−アミノ−５-ヒドロキシ-１，２，４−トリアゾール−３−イル］メタン、ビス［４−アミノ−５-ヒドロキシ-１，２，４−トリアゾール−３−イル］ブタン、またはそれらの混合物である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項８】
前記導電性コーティング材料中の前記アゾール含有腐食防止剤の存在量が、前記元素炭素および前記有機バインダーの量の１０ｗｔ％以下である請求項４〜７のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項９】
前記スズの層、あるいは前記二元もしくは三元スズ合金の層、あるいは前記スズおよび前記二元もしくは三元スズ合金の層が、前記基板と接触している請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項１０】
ａ）前記導電性コーティング材料を含む層が１〜５０μｍ厚さであり、かつ／または
ｂ）前記スズの層、あるいは前記二元もしくは三元スズ合金の層、あるいは前記スズおよび前記二元もしくは三元スズ合金の層が１〜２０μｍ厚さである請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項１１】
前記導電性複合コーティングの面積固有電気抵抗（ａｒｅａ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が１０ｍΩｃｍ２未満である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電気化学的装置
【請求項１２】
前記基板が、金属基板、好ましくは銅、鉄、チタン、アルミニウム、ニッケルまたはステンレス鋼板基板である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項１３】
前記基板が、燃料電池アセンブリ、バッテリー、レドックスフロー電池、電解槽またはスーパーキャパシタの部品である請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電気化学的装置。
【請求項１４】
基板を用意するステップと；
前記基板の表面上に、スズの層、あるいはニッケル、アンチモン、インジウムまたはガリウムの１つ以上とスズとの二元もしくは三元スズ合金の層、あるいはスズおよび前記二元もしくは三元スズ合金の層を堆積させるステップと、
前記基板の前記表面上の層として、元素炭素とアゾール含有腐食防止剤とを含む導電性コーティング材料を含む層を堆積させるステップと、
を含むことを特徴とする電気化学的装置用の被覆した物品を提供する方法。
【請求項１５】
被覆した基板の表面上に、スズのさらなる層、あるいはニッケル、アンチモン、インジウムまたはガリウムの１つ以上とスズとの二元もしくは三元スズ合金のさらなる層、あるいはスズおよび前記二元もしくは三元スズ合金のさらなる層を堆積させるステップと、
元素炭素とアゾール含有腐食防止剤とを含む導電性コーティング材料を含むさらなる層を前記基板の前記表面上に堆積させるステップと、
をさらに含む請求項１４に記載の電気化学的装置用の被覆した物品を提供する方法。
【請求項１６】
電気化学的装置の基板または部品用の耐食コーティングとしての、元素炭素とアゾール含有腐食防止剤とを含む導電性コーティング材料を含む層と、スズの層、あるいはニッケル、アンチモン、インジウムまたはガリウムの１つ以上とスズとの二元もしくは三元スズ合金の層、あるいはスズおよび前記二元もしくは三元スズ合金の層とを含む導電性複合コーティングの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月8日(2020.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明システムの第１センサを較正するための方法であって、前記第１センサは、サーマルイメージャを含み、
前記照明システムの光源によって、ターゲット面を照明するステップと、
前記第１センサによって、前記ターゲット面の第１領域からセンサデータを取得するステップであって、前記センサデータは熱データを含む、ステップと、
第２センサによって、第２領域からセンサデータを取得するステップであって、前記第２領域は前記第１領域内のより小さな領域である、ステップと、
前記第２センサによって取得された前記センサデータを使用して、前記第１センサを較正するステップと、
較正された前記第１センサからのデータに基づき、前記照明ユニットのパラメータを調整するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記第２領域を手動で選択するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２センサから取得された前記センサデータに少なくとも部分的に基づき、前記第２領域を選択するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
較正された前記第１センサによって、前記ターゲット面の第１領域から付加的なセンサデータを取得するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２センサは、光センサ、カメラ、飛行時間カメラ、マルチスペクトルイメージャ、占有センサ、サーマルイメージャ、ＲＦセンサ、及びマイクロホンから成る群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記較正するステップは、前記第１センサによって取得された前記センサデータと、前記第２センサによって取得された前記センサデータとの比較を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記センサデータは、特定の環境条件下でのみ前記第２領域から取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
サーマルイメージャを含む第１センサを較正するように構成されている照明ユニットであって、
光源と、
ターゲット面の第１領域からセンサデータを取得するように構成されている第１センサであって、前記センサデータは熱データを含む、第１センサと、
第２領域からセンサデータを取得するように構成されている第２センサであって、前記第２領域は前記第１領域内のより小さな領域である、第２センサと、
前記第２センサによって取得された前記センサデータを使用して、前記第１センサを較正し、較正された前記第１センサからのデータに基づき、前記照明ユニットのパラメータを調整するように構成されているコントローラと、
を含む、照明ユニット。
【請求項９】
前記コントローラは、前記第２センサから取得された前記センサデータに少なくとも部分的に基づき、前記第２領域の位置を選択するように構成されている、請求項８に記載の照明ユニット。
【請求項１０】
前記第２センサは、光センサ、カメラ、飛行時間カメラ、マルチスペクトルイメージャ、占有センサ、サーマルイメージャ、ＲＦセンサ、及びマイクロホンから成る群から選択される、請求項８に記載の照明ユニット。
【請求項１１】
サーマルイメージャを含む第１センサを較正するように構成されている照明システムであって、
光源と、コントローラと、第１センサと、を含む照明ユニットであって、前記第１センサは、ターゲット面の第１領域からセンサデータを取得するように構成されており、前記センサデータは熱データを含む、照明ユニットと、
第２領域からセンサデータを取得するように構成されている第２センサであって、前記第２領域は前記第１領域内のより小さな領域である、第２センサと、
を含む、照明システムであり、
前記コントローラは、前記第２センサによって取得された前記センサデータを使用して、前記第１センサを較正し、較正された前記第１センサからのデータに基づき、前記照明ユニットのパラメータを調整するように構成されている、
照明システム。
【請求項１２】
前記第２センサは、光センサ、カメラ、飛行時間カメラ、マルチスペクトルイメージャ、占有センサ、サーマルイメージャ、ＲＦセンサ、及びマイクロホンから成る群から選択される、請求項１１に記載の照明システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月4日(2020.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療用結合ユニットと、センサ側コネクタを介して前記医療用結合ユニットに着脱可能に結合される医療用センサとの間で電気信号を伝送するための当該医療用結合ユニットであって、前記医療用結合ユニットは、
第１の表面内又は第１の表面上にある複数の第１の電気式接点と、前記第１の表面の反対側にある第２の表面内又は第２の表面上にある複数の第２の電気式接点とを備える、結合ユニット側コネクタと、
複数の前記第１及び第２の電気式接点のうちの１つ又は複数の接点で得られる電気信号を分析し、所定の電気式接点間のインピーダンス及び／又は電圧を評価することによって、前記医療用結合ユニットに結合された医療用センサの存在、及び前記医療用結合ユニットに結合された前記医療用センサの前記センサ側コネクタの向き、のうちの１つ又は複数を検出するためのコネクタインタフェースとを備える、医療用結合ユニット。
【請求項２】
前記コネクタインタフェースは、存在検出用接点として働く１つの第１の電気式接点と１つの第２の電気式接点との間のインピーダンスを評価して、医療用センサが前記医療用結合ユニットに結合されているかどうかを検出するか、及び／又は、前記医療用センサの種類を検出する、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項３】
前記コネクタインタフェースは、存在検出用接点として働く１つの第１の電気式接点と１つの第２の電気式接点との間の電圧を、前記存在検出用接点の１つに送られるテスト電流に応答して、測定する、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項４】
前記存在検出用接点は、それぞれ前記複数の第１の電気式接点及び前記複数の第２の電気式接点の間の中央の電気式接点である、請求項２又は３に記載の医療用結合ユニット。
【請求項５】
前記コネクタインタフェースは、短絡した接点数を検出して、前記医療用結合ユニットに結合された医療用センサの存在及び／若しくは種類を検出するか、並びに／又は前記医療用結合ユニットに結合された前記医療用センサのセンサ側コネクタの向きを検出する、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項６】
前記コネクタインタフェースは、一対又は複数の対の電気式接点間のインピーダンスを評価して、前記医療用結合ユニットに結合された医療用センサの存在及び／若しくは種類を検出するか、並びに／又は前記医療用結合ユニットに結合された前記医療用センサのセンサ側コネクタの向きを検出する、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項７】
前記複数の第１及び第２の電気式接点のうちの１つ又は複数の接点で受信された電気信号を評価するための測定ユニットと、
前記医療用結合ユニットに結合された医療用センサの検出された種類及び／又は向きに基づいて、前記測定ユニットの構成及び／又は評価を管理するための測定管理ユニットとをさらに備える、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項８】
前記結合ユニット側コネクタを介して、接続された医療用センサを管理するためのセンサ管理ユニット、並びに／又は前記結合ユニット側コネクタを介して、接続された医療用センサ及び／若しくは接続されたセンサ側コネクタに電力供給するための電源ユニットをさらに備える、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項９】
前記結合ユニット側コネクタが、ソケットとして構成されたセンサ側コネクタにプラグ接続するためのプラグとして構成されるか、又は、前記結合ユニット側コネクタが、プラグとして構成されたセンサ側コネクタをプラグ接続するためのソケットとして構成される、請求項１に記載の医療用結合ユニット。
【請求項１０】
医療用結合ユニットとセンサ側コネクタに接続された医療用センサユニットとの間で電気信号を伝送するための、及び、前記医療用結合ユニットに着脱可能に結合するための、当該センサ側コネクタであって、前記センサ側コネクタは、
第１の表面内又は第１の表面上にある複数の第１の電気式接点、及び前記第１の表面と反対側にある、第２の表面内又は第２の表面上にある複数の第２の電気式接点と、
１つ又は複数の第１の電気式接点を第２の電気式接点のそれぞれに点対称に接続するための１つ又は複数の内部接続部と、
前記医療用センサユニットからの入力信号が入力される１つ又は複数の入力端子間に結合された保護抵抗及び／又は基準接点と、前記第１及び第２の電気式接点の１つ又は複数との間に結合された、１つ又は複数の保護サイリスタを備える、保護回路と
を備える、センサ側コネクタ。
【請求項１１】
１つの第１の電気式接点及び１つの第２の電気式接点が、前記医療用センサユニットを前記センサ側コネクタに接続するケーブルのシールド接点に接続する、請求項１０に記載のセンサ側コネクタ。
【請求項１２】
前記１つの第１の電気式接点及び前記１つの第２の電気式接点は、それぞれ前記複数の第１の電気式接点及び前記複数の第２の電気式接点の間の中央の電気式接点である、請求項１１に記載のセンサ側コネクタ。
【請求項１３】
前記第１及び第２の電気式接点の間に結合されるダイオードと、
第１の電気式接点と第２の電気式接点との間の第１のインピーダンス測定抵抗と、
一対の第１の電気式接点間又は一対の第２の電気式接点間の第２のインピーダンス測定抵抗と、
電子メモリとのうちの１つ又は複数をさらに備える、請求項１１に記載のセンサ側コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月17日(2020.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡張された現実シーンを作成する方法であって、
プロセッサとメモリとを有するコンピュータデバイスにより、
複数のフレームを含むカメラから発生される画像データをネットワーク上で受信する段階と、
前記受信画像データの複数のフレームのキーフレームの深度マップを該キーフレーム内のピクセルの推定深度値を使用して推定する段階と、
前記キーフレームの推定深度マップを使用して点クラウドを発生させる段階と、
単一テクスチャに融合された重複キーフレームである複数のキーフレーム画像を含む３Ｄメッシュを前記発生された点クラウドを使用して発生させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記キーフレームは、深度マップと位置とを有するフレームであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンピュータにより、
キーフレームではないフレームに対して、キーフレームに対する相対位置を該キーフレームの前記深度マップ及び位置を使用して計算する段階と、
前記キーフレーム深度マップを精緻化する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記３Ｄメッシュは、
近傍点に基づいて前記点クラウド内の各点に対する法線ベクトルを計算する段階と、
各点の前記計算法線ベクトルを該点が属する前記キーフレームのカメラポーズに向けて方位付けする段階と、
によって発生される、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
単一テクスチャへの複数のキーフレームの前記融合は、メッシュ面までのキーフレーム距離と該メッシュ面に対するキーフレーム角度とを重み付けすることによるものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記コンピュータにより、
前記ネットワーク上で第２の画像データを受信する段階と、
前記第２の画像データに対する第２の追跡マーカを受信する段階と、
前記第２の画像データに対する第２のオブジェクトを受信する段階と、
前記第２の追跡マーカを使用して前記画像と、前記第２の画像データと、前記受信した第２のオブジェクトとの表示を引き起こす段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法を実施するように構成された装置。
【請求項８】
プロセッサによって実行された時に該プロセッサに請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法を実施させるコンピュータプログラム。