【手続補正書】
【提出日】令和2年9月14日(2020.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応装置の処理状態を制御するための方法であって、
望ましい処理状態値を達成するために近似される、前記プラズマ反応装置の調整ノブのための設定を使用して、前記プラズマ反応装置内の基板の処理を開始し、
前記基板の前記処理の間に、前記プラズマ反応装置からの複数のデータストリームを受信し、前記複数のデータストリームは現在の処理状態値を識別するために使用され、
前記現在の処理状態値と前記望ましい処理状態値との間の差を識別する補償ベクトルを生成し、
前記補償ベクトルを、前記調整ノブのための前記設定に対する調節に変換し、
前記調節を前記プラズマ反応装置の前記調整ノブに適用し、
前記プラズマ反応装置内の前記基板の前記処理のために使用されるべき、前記プラズマ反応装置のタイプ及びプロセスのタイプに対して、モデルデータベースにアクセスし、
前記モデルデータからのモデルを識別し、前記モデルは、望ましい処理状態値を達成するべく近似される、前記プラズマ反応装置の調整ノブのための前記設定を含むこと、を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法はさらに、
前記現在の処理状態値を前記望ましい処理状態値に向けて移動させることを支援するために、前記調整ノブの前記設定に対する前記調節を生成するために、前記基板の前記処理の間に前記プラズマ反応装置から前記複数のデータストリームを受信することを継続すること、
を備える、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記望ましい処理状態及び前記現在の処理状態は、前記プラズマ反応装置の処理体積内で検知されるプラズマ状態の物理的状態を記述する仮想空間において定義され、前記プラズマ状態は特定の反応装置の壁表面状態に対する前記基板の平面における一組のイオン、電子、及び中性粒子の束を含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記補償ベクトルは前記仮想空間における前記現在の処理状態値と前記望ましい処理状態値との間の違いを識別し、且つ前記補償ベクトルの前記変換は識別される物理的調節を有する一組の識別される物理的ノブとしての前記ノブのための前記設定に対する前記調節を識別し、前記プラズマ反応装置のコントローラは前記ノブに対する前記設定の前記調節を引き起こすプログラム命令を処理するように構成されている、方法。
【請求項５】
請求項２に記載の方法であって、
多変量プロセスが前記現在の処理状態値と前記望ましい処理状態値との間の前記違いを識別するように構成され、さらに、
前記基板の前記処理のエッチング速度性能又は監視ウエハ性能の一方又は両方から受け取る検証フィードバックに少なくとも部分的に基づいて、調節された望ましい処理状態値を生成するために、前記望ましい処理状態値に対する調節を行うために機械学習を処理すること備える、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の前記処理は、特定のプラズマ反応装置及び特定のプロセスレシピに対して識別され、
各特定のプロセスレシピ及び各特定のプラズマ反応装置は、調整ノブ及び望ましい処理状態値に対する設定を含む、関連付けられているモデルを有し、前記モデルは、モデルデータベースからアクセスされる、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記モデルデータベースからのモデルが使用されるにつれて、機械学習プロセスは、前記望ましい処理状態値を達成するために、前記特定のプラズマ反応装置に対する設定を改善するために、前記モデルの前記調整ノブのための前記設定に対する調節を行う、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法はさらに、
前記機械学習プロセスによって行われる前記調節に基づいて、前記モデルデータベースの中の前記モデルを更新すること、
を備える、方法。
【請求項９】
請求項５に記載の方法であって、
前記機械学習は、前記プラズマ反応装置の前記センサに関する感度データを入力として使用し、その結果として、作り出された補償ベクトルは、感度データに基づいて抑制される調節を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数のデータストリームは前記プラズマ反応装置とインターフェースで接続、又は前記プラズマ反応装置と通信しているコントローラとインターフェースで接続されているセンサから受信され、前記センサは、１つ以上の発光分光分析（ＯＥＳ）センサ、干渉法、圧力センサ、電圧センサ、電流センサ、温度センサ、流速センサ、周波数センサ、電力センサ、計測センサ、及びこれらの２つ以上の組み合わせの１つ以上を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記調整ノブは前記プラズマ反応装置とインターフェースで接続されている制御に関連し、前記制御はガス流メータを調節するための制御、電力設定を調節するための制御、温度設定を調節するための制御、前記プラズマ反応装置の上部電極と下部電極との間の物理的ギャップ間隔を調節するための制御、静電チャック（ＥＳＣ）の温度又は動作を調節するための制御、バイアス電力設定を調節するための制御、チャンバ圧力を設定するための制御、１つ以上の無線周波数発生器の周波数を設定するための制御、特定のレシピ動作の運転時間を設定するための制御、真空の排気速度を設定するための制御、ガス流の持続期間を設定するための制御、監視アルゴリズムを設定するための制御、ボアスコープ検査を誘発する制御、清掃動作間の間隔を設定する、若しくは決定するための制御、又は、これらの２つ以上の組み合わせの１つ以上を含む、方法。
【請求項１２】
プラズマ反応装置の処置状態を制御するための方法であって、
望ましい処理状態値を達成するために近似される前記プラズマ反応装置の調整ノブのための設定を使用して、前記プラズマ反応装置内の慣らし基板の処理を開始し、
前記慣らし基板の前記処理の間、前記プラズマ反応装置から複数のデータストリームを受信し、前記複数のデータストリームは現在の処理状態値を識別するために使用され、
前記現在の処理状態値が、前記望ましい処理状態値の予め定義された閾値の範囲内となるまで、前記プラズマ反応装置内で前記慣らし基板又は付加的な慣らし基板を処理することを継続し、
前記現在の処理状態値と前記望ましい処理状態値との間の違いを識別する補償ベクトルを生成し、
前記補償ベクトルを、前記調整ノブのための前記設定に対する調節に変換し、
前記調節を前記プラズマ反応装置の前記調整ノブに適用し、
前記調整ノブに対する前記調節が、前記プラズマ反応装置を、前記望ましい処理状態値を実質的に作り出す状態に置くと、製造基板の処理に対して準備が整っているとして前記プラズマ反応装置を識別し、
望ましい処理状態値を達成するべく近似される、前記基板の前記慣らしの間に設定される、前記プラズマ反応装置の調整ノブのための設定を使用して、前記プラズマ反応装置内の製造基板の処理を開始し、
前記製造基板の前記処理の間に、前記プラズマ反応装置から複数のデータストリームを受信し、前記複数のデータストリームは現在の処理状態値を識別するために使用され、
前記現在の処理状態値と前記望ましい処理状態値との間の違いを識別する補償ベクトルを生成し、
前記補償ベクトルを、前記調整ノブのための前記設定に対する調節に変換し、
時間と共に、前記プラズマ反応装置による処理における変動を補償するために、前記調節を前記プラズマ反応装置の前記調整ノブに適用すること、
を備える、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記望ましい処理状態及び前記現在の処理状態は、前記プラズマ反応装置の処理体積内で検知されるプラズマ状態の物理的状態を記述する仮想空間において定義され、前記プラズマ状態は、検出された反応装置の壁表面状態に対する、前記基板の平面における一組のイオン、電子、及び中性粒子の束を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記補償ベクトルは、前記仮想空間における前記現在の処理状態値と前記望ましい処理状態値との間の違いを識別し、且つ前記補償ベクトルの前記変換は、識別される物理的調節を有する一組の識別される物理的ノブとしての前記ノブのための前記設定に対する前記調節を識別し、前記プラズマ反応装置のコントローラは、前記ノブに対する前記設定の前記調節を引き起こすプログラム命令を処理するように構成されている、方法。
【請求項１５】
プラズマプロセスの処理状態を制御するためのシステムであって、
プラズマ反応装置の動作条件に対する設定を行うための複数の調整ノブを有するプラズマ反応装置と、
前記プラズマ反応装置の複数のセンサと、前記複数のセンサの各々は、前記プラズマプロセスを実行するために、前記プラズマ反応装置の動作中に、情報のデータストリームを作り出すように構成され、
前記プラズマ反応装置の処理環境内の意図された測定可能な状態を定義する、望ましい処理状態値を入力として使用するように構成されている多変量処理を実行すると共に、現在のプラズマ処理値を識別するように構成されている前記プラズマ反応装置のコントローラとを備え、前記多変量処理は、機械学習エンジンを使用し、前記機械学習エンジンは、
入力として前記望ましい処理状態値と、
前記プロズマプロセスの処理中の、前記複数のセンサからのデータストリームと、を受信し、
前記機械学習エンジンは、補償ベクトルが前記望ましい処理状態値と前記現在の処理状態値との間の違いを定義するように、前記補償ベクトルを生成するために使用される現在の処置状態値を識別するように構成され、
前記コントローラは、前記処理環境内の測定される状態の観点から表される前記補償ベクトルを前記プラズマ反応装置の前記調整ノブの特定の１つ以上の変化に変換する補償処理動作を実行するように更に構成されている、システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記反応装置の前記処理環境の前記測定可能な状態における変化を引き起こすために前記プラズマ反応装置の前記調整ノブの変化を生成するように更に構成されている、システム。
【請求項１７】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記機械学習エンジンは、エッチング速度測定又は監視ウエハ測定の一方又は両方に関する測定された基板性能データを定期的に受信するように構成され、前記測定された基板性能データは前記望ましい処理状態値に対する調節を行うために使用され、このことは、次に、前記補償ベクトルに対する調節、及び前記調整ノブの前記１つ以上に対する変化を引き起こす、システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のシステムであって、
前記機械学習エンジンは、エッチング速度測定又は監視ウエハ測定の一方又は両方から得られる実際のデータによって、前記現在の処理状態値の検証を実施するように構成されている、システム。
【請求項１９】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記機械学習エンジンは更に、調整ノブの補償に対するセンサ信号に関する感度データを受信する、システム。
【請求項２０】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記機械学習エンジンは更に、前記プラズマ反応装置の前記複数のセンサによって作り出される前記データストリームの観点から、前記処理環境内のプラズマ動力学を定義する現象論的モデルによって使用するための反応装置の壁表面の動力学を受信する、システム。
【請求項２１】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記システムは、１つ以上の動作段階において実行されるように構成され、１つの動作段階は、
製造基板でない基板を使用するプラズマ反応装置慣らし段階の間に、前記プラズマ反応装置慣らし段階は、いつ前記現在の処理状態値が、製造基板を処理する準備が整っている状態に前記プラズマ反応装置を置くために前記調整ノブと調整を可能にし、前記プラズマ反応装置慣らし段階の中止を可能にする範囲内に入るかを識別するために前記多変量処理を実行することにより前記コントローラによって監視される、
ことを含む、システム。
【請求項２２】
請求項１５に記載のシステムであって、
前記システムは、１つ以上の動作段階において実行されるように構成され、１つの動作段階は、
製造基板を使用する製造段階の間に、前記コントローラは、いつ前記現在の処理状態値が、前記プラズマプロセスにおける変動を補償するために前記調整ノブの調節を可能にする範囲内に入るかを識別するために前記多変量処理を実行する、ことを含む、システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のシステムであって、
変動に対する前記補償は前記製造段階の間に多数回起こり、前記調整ノブにおける前記調節は前記複数のセンサによって測定される際に、前記処理環境を前記望ましい処理状態値に対してより近くまで移動させるために計算される、システム。
【請求項２４】
プラズマプロセスの処理状態を制御するためのシステムであって、
プラズマ反応装置の動作条件に対する設定を行うための複数の調整ノブを有するプラズマ反応装置と、
前記プラズマ反応装置の複数のセンサと、前記複数のセンサの各々は、前記プラズマプロセスを実行するために、前記プラズマ反応装置の動作中に、情報のデータストリームを作り出すように構成され、
前記プラズマ反応装置の処理環境内の意図された測定可能な状態を定義する、望ましい処理状態値を入力として使用するように構成されている多変量処理を実行すると共に、現在のプラズマ処理値を識別するように構成されている前記プラズマ反応装置のコントローラとを備え、前記多変量処理は、機械学習エンジンを使用し、前記機械学習エンジンは、
入力として前記望ましい処理状態値と、
前記プロズマプロセスの処理中の、前記複数のセンサからのデータストリームと、
調整ノブの補償に対するセンサ信号に関する感度データと、
を取得し、
前記機械学習エンジンは、補償ベクトルを生成するために使用される現在の処置状態値を識別するように構成され、前記補償ベクトルは前記望ましい処理状態値と前記現在の処理状態値との間の違いを識別する、システム。
【請求項２５】
請求項２４に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記処理環境内の測定される状態の観点から表される前記補償ベクトルを前記プラズマ反応装置の前記調整ノブの特定の１つ以上の変化に変換する補償処理動作を実行するように更に構成されている、システム。
【請求項２６】
請求項２５に記載のシステムであって、
前記コントローラは、前記反応装置の前記処理環境の前記測定可能な状態における変化を引き起こすために前記プラズマ反応装置の前記調整ノブの１つ以上に対する変化を命令するように更に構成されている、システム。
【請求項２７】
請求項２４に記載のシステムであって、
前記機械学習エンジンは、エッチング速度測定又は監視ウエハ測定の一方又は両方に関する、測定された基板性能データを定期的に受信するように構成されている、システム。
【請求項２８】
請求項２７に記載のシステムであって、
計測ツールが、前記プラズマ反応装置によって処理される１つ以上の基板から基板性能データを測定するために用いられる、システム。
【請求項２９】
請求項２４に記載のシステムであって、
前記システムは、１つ以上の動作段階において実行されるように構成され、１つの動作段階は、
製造基板でない基板を使用するプラズマ反応装置慣らし段階の間に、前記プラズマ反応装置慣らし段階は、いつ前記現在の処理状態値が、製造基板を処理する準備が整っている状態に前記プラズマ反応装置を置くために前記調整ノブと調整を可能にし、前記プラズマ反応装置慣らし段階の中止を可能にする範囲内に入るかを識別するために前記多変量処理を実行することにより前記コントローラによって監視される、
ことを含む、システム。
【請求項３０】
請求項２４に記載のシステムであって、
前記システムは、１つ以上の動作段階において実行されるように構成され、１つの動作段階は、
製造基板を使用する製造段階の間に、前記コントローラは、いつ前記現在の処理状態値が、前記プラズマプロセスにおける変動を補償するために前記調整ノブの調節を可能にする範囲内に入るかを識別するために前記多変量処理を実行する、ことを含む、システム。