Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月22日(2020.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水とアミノ酸配列
2020524671.tif 000001
からなるペプチドとを含む疼痛軽減用製剤： 
ここで、水と該ペプチドが、対象の関節に注射するための水性注射製剤に組み合わされている。
【請求項２】
前記疼痛が関節痛である、請求項1記載の製剤。
【請求項３】
前記関節痛が膝関節痛である、請求項2記載の製剤。
【請求項４】
前記関節痛が、関節に負荷のかかる活動を行っている際の関節痛である、請求項2または3記載の製剤。
【請求項５】
前記関節に負荷のかかる活動が、平らな面を歩くために必要とされるよりも大きな程度の膝曲げである、請求項4記載の製剤。
【請求項６】
前記活動が、階段を昇るかまたは降りることである、請求項5記載の製剤。
【請求項７】
前記製剤の投与対象が、疼痛を伴う関節において変形性関節症、関節リウマチ、または関節外傷のうちの少なくとも1つを患っている、請求項2〜6のいずれか一項記載の製剤。
【請求項８】
前記関節痛軽減が、階段を昇るかまたは降りる際に経験する疼痛の軽減である、請求項6記載の製剤。
【請求項９】
前記製剤がヒアルロン酸をさらに含み、かつ前記ペプチドが、1回の注射当たり20mg〜1,200mgの範囲の用量で使用される、請求項1〜8のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１０】
前記関節痛軽減が、対象が経験する全体的関節痛の頻度の低下である、請求項2〜9のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１１】
関節内注射用である、請求項2〜10のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１２】
前記関節痛軽減が、ウエスタンオンタリオ・マクマスター大学変形性関節症指数(Western Ontario and McMaster Universities Osteoarthritis Index)(WOMAC)の疼痛尺度を用いて評価される、請求項2〜11のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１３】
前記関節痛軽減が、膝損傷および変形性膝関節症病状評価スコア(knee injury and osteoarthritis outcome score)(KOOS)の疼痛尺度を用いて評価される、請求項2〜11のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１４】
前記関節痛軽減が、関節に対する適切な患者報告アウトカムを用いて評価される、請求項2〜11のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１５】
前記関節痛軽減が、変形性股関節症病状評価スコア(Hip Osteoarthritis Outcome Score)(HOOS)の疼痛尺度を用いて評価される、請求項2〜11のいずれか一項記載の製剤。
【請求項１６】
前記製剤が、水と、アミド化C末端を含むアミノ酸配列
2020524671.tif 000002
のみからなるペプチドのナトリウム塩凍結乾燥粉末とを組み合わせて水性注射製剤を作製することによって、製造される、請求項1〜15のいずれか一項記載の製剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
関節に圧迫または圧力を及ぼす活動に関連する関節痛を緩和する方法が、開示される。この方法は、治療的有効量のSEQ ID NO: 1のペプチドの製剤を患者に注射する段階を含む。
[1]  水とアミノ酸配列
2020524671.tif 000003
からなるペプチドとを含む製剤の、対象の関節痛を管理するための使用であって、
水と該ペプチドが、対象の関節に注射するための水性注射製剤に組み合わされており、該製剤が対象の関節痛を軽減する、前記使用。
[2]  膝関節痛のための、[1]記載の使用。
[3]  前記患者が、関節を圧迫する活動を行っている際に関節痛を経験していると診断されている、[1]または[2]記載の使用。
[4]  前記関節を圧迫する活動が、平らな面を歩くために必要とされるよりも大きな程度の膝曲げである、前記のいずれか一項記載の使用。
[5]  前記活動が、階段を上るかまたは下りることである、前記のいずれか一項記載の使用。
[6]  前記患者が、疼痛を伴う関節において変形性関節症、関節リウマチ、または関節外傷のうちの少なくとも1つを患っている、前記のいずれか一項記載の使用。
[7]  前記患者が、注射後に、階段を上るかまたは下りる際に経験する疼痛が軽くなっていると診断される、前記のいずれか一項記載の使用。
[8]  前記製剤がヒアルロン酸をさらに含み、かつ前記ペプチドが、1回の注射当たり20mg〜1,200mgの範囲の用量で使用される、前記のいずれか一項記載の使用。
[9]  前記使用が、対象が経験する全体的関節痛の頻度を低下させるためのものであり、前記製剤が、関節の軟骨中に観察可能な変化が存在しない対象の関節痛を軽減する、前記のいずれか一項記載の使用。
[10]  関節内における、前記のいずれか一項記載の使用。
[11]  前記使用が、ウエスタンオンタリオ・マクマスター大学変形性関節症指数(Western Ontario and McMaster Universities Osteoarthritis Index)(WOMAC)の疼痛下位尺度を用いて患者の膝疼痛の1回目の評価を行った後に患者に対して実施され、
その後、WOMACを用いて患者の膝疼痛の2回目の評価が行われ、
前記製剤が、WOMACに基づく1回目の評価と2回目の評価の差に基づき、対象の関節痛を軽減する、
前記のいずれか一項記載の使用。
[12]  前記使用が、膝損傷および変形性関節症転帰スコア(knee injury and osteoarthritis outcome score)(KOOS)の疼痛下位尺度を用いて患者の膝疼痛の1回目の評価を行った後に患者に対して実施され、
その後、KOOSを用いて患者の膝疼痛の2回目の評価が行われ、
前記製剤が、KOOSに基づく1回目の評価と2回目の評価の差に基づき、対象の膝関節痛を軽減する、
前記のいずれか一項記載の使用。
[13]  前記使用が、関節に対する適切な患者報告アウトカムを用いて患者の関節痛の1回目の評価を行った後に患者に対して実施され、
その後、同じ患者報告アウトカムを用いて患者の膝疼痛の2回目の評価が行われ、
前記製剤が、患者報告アウトカムに基づく1回目の評価と2回目の評価の差に基づき、対象の膝関節痛を軽減する、
前記のいずれか一項記載の使用。
[14]  前記使用が、変形性股関節症転帰スコア(Hip Osteoarthritis Outcome Score)(HOOS)の疼痛下位尺度を用いて患者の股関節痛の1回目の評価を行った後に患者に対して実施され、
その後、HOOSを用いて患者の股関節痛の2回目の評価が行われ、
前記製剤が、HOOSに基づく1回目の評価と2回目の評価の差に基づき、対象の股関節痛を軽減する、
前記のいずれか一項記載の使用。
[15]  前記製剤が、水と、アミド化C末端を含むアミノ酸配列
2020524671.tif 000004
のみからなるペプチドのナトリウム塩凍結乾燥粉末とを組み合わせて水性注射製剤を作製することによって、製造される、前記のいずれか一項記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月22日(2020.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープドライブシステムにおいて第１のリールモータを有する第１のテープリールから第２のリールモータを有する第２のテープリールへのテープ輸送を制御するための閉ループ制御システムであって、
テープ速度、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径、及びテープ張力を表す１つ又は複数の信号を出力するように適合された回路と、
前記テープ速度、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径、及び前記テープ張力を表す前記１つ又は複数の信号を受け取るように適合された制御回路であって、受け取った信号に基づいて、前記第１のリールモータ又は前記第２のリールモータの少なくとも一方を制御する少なくとも１つの制御信号を生成し、経時変化するリール回転周波数に対応する最低でも１つの周波数における張力擾乱を、前記テープ速度と、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径と、に依存するコントローラパラメータに基づいて、低減させるようになっている、制御回路と、
を含む、システム。
【請求項２】
前記テープ張力を表す信号を出力するように適合された前記回路は、
テープヘッド上に配置されるとともにテープ上の隣接するサーボバンドから読み出した信号を出力するように構成された２つのサーボリーダから、信号を受け取るように適合された２つのサーボチャネルと、
前記２つのサーボリーダから出力された前記信号に基づいて、前記２つのサーボチャネルの各々について横方向位置推定値を決定するように適合された回路と、
前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値間の差に基づいて前記テープ張力を決定するように適合された回路と、
を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記テープ張力は、前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値間の差に基づいて決定され、前記システムは、
【数１】
2020524872.tif 000001
を含み、ここでｙｃｈ１及びｙｃｈ０は、隣接する前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値であり、εはテープ厚さであり、Ｅはテープ媒体のヤング率であり、νは前記テープ媒体のポアソン比である、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記制御回路は、２つの二次多項式の比によって定められる伝達関数を有するピークフィルタに基づいて張力擾乱を低減するようにさらに構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記ピークフィルタの分子の中心周波数及び減衰比は、いくつかの等間隔のテープ長手方向位置における制御システム式のＨ∞ノルム最小化に基づくものであり、前記ピークフィルタの分母は、選択された経時変化する中心周波数及び一定の減衰比に基づくものである、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記制御回路は、前記テープ輸送システムの伝達関数、前記テープ速度の誤差、前記テープ張力の誤差、及び出力された前記制御信号に基づく制御システム式のＨ∞ノルムの最小化に基づく伝達関数を有するピークフィルタに基づいて、張力擾乱を低減するようにさらに構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
第１のリールモータを有する第１のテープリールと、第２のリールモータを有する第２のテープリールと、テープヘッドと、
テープ速度、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径、及びテープ張力を表す１つ又は複数の信号を出力するように適合された回路と、
前記テープ速度、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径、及び前記テープ張力を表す前記１つ又は複数の信号を受け取るように適合された制御回路であって、受け取った信号に基づいて、前記第１のリールモータ又は前記第２のリールモータの少なくとも一方を制御する少なくとも１つの制御信号を生成し、経時変化するリール回転周波数に対応する最低でも１つの周波数における張力擾乱を、前記テープ速度と、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径と、に依存するコントローラパラメータに基づいて、低減させるようになっている、制御回路と、
を含む、テープ輸送システム。
【請求項８】
前記テープ張力を表す信号を出力するように適合された前記回路は、
テープヘッド上に配置されるとともにテープ上の隣接するサーボバンドから読み出した信号を出力するように構成された２つのサーボリーダから、信号を受け取るように適合された２つのサーボチャネルと、
前記２つのサーボリーダから出力された前記信号に基づいて、前記２つのサーボチャネルの各々について横方向位置推定値を決定するように適合された回路と、  
前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値間の差に基づいて前記テープ張力を決定するように適合された回路と、
を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
テープ輸送システムのための方法であって、
テープ速度、第１のテープリール又は第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径、及びテープ張力を表す１つ又は複数の信号を生成することと、
前記テープ速度、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径、及び前記テープ張力を表す１つ又は複数の信号を受け取ることと、  受け取った信号に基づいて、前記第１のリールモータ又は前記第２のリールモータの少なくとも一方を制御する少なくとも１つの制御信号を生成することであって、経時変化するリール回転周波数に対応する最低でも１つの周波数における張力擾乱を、前記テープ速度と、前記第１のテープリール又は前記第２のテープリールのいずれかの少なくとも一方の半径と、に依存するコントローラパラメータに基づいて、低減させるようになっている、制御信号を生成することと、を含む、方法。
【請求項１０】
前記テープ張力を表す信号を生成することは、
テープヘッド上に配置されるとともにテープ上の隣接するサーボバンドから読み出した信号を出力するように構成された２つのサーボリーダから信号を受け取る２つのサーボチャネルから、信号を受け取ることと、
受け取った前記信号に基づいて、前記２つのサーボリーダの各々について横方向位置推定値を決定することと、
前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値間の差に基づいて前記テープ張力を決定することと、を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記テープ張力は、前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値間の差に基づいて決定され、
【数２】
2020524872.tif 000002
を含み、ここでｙｃｈ１及びｙｃｈ０は、隣接する前記２つのサーボチャネルからの前記横方向位置推定値であり、εはテープ厚さであり、Ｅはテープ媒体のヤング率であり、νは前記テープ媒体のポアソン比である、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月22日(2020.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エラーがあったと判定されたビットのアドレスを記憶するように構成された不審ビット・レジスタと、
（ｉ）第１のエラーが原因で前記不審ビット・レジスタに現れ、かつ（ｉｉ）第２のエラーがあったと判定されたビットのアドレスを記憶するように構成された不良ビット・レジスタと、
を含む、不揮発性ランダム・アクセス・メモリ
を備える、メモリ・デバイス。
【請求項２】
前記不審ビット・レジスタが、バーンイン・プロセス後に前記エラーが発生したと判定された前記ビットの前記アドレスを記憶するように構成され、前記メモリ・デバイスが、バーンイン・プロセス中にエラーがあると判定されたビットを識別するように構成されたメイン・レジスタをさらに備える、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項３】
前記メイン・レジスタおよび前記不良ビット・レジスタがヒューズ・ビット・レジスタとして構成されている、請求項２に記載のメモリ・デバイス。
【請求項４】
前記メイン・レジスタおよび前記不良ビット・レジスタが前記不揮発性ランダム・アクセス・メモリに含まれている、請求項３に記載のメモリ・デバイス。
【請求項５】
前記バーンイン・プロセス中に不良であると判定された前記ビットが電気的短絡状態および電気的開回路状態に対応する、請求項２に記載のメモリ・デバイス。
【請求項６】
前記メイン・レジスタが前記不揮発性ランダム・アクセス・メモリに含まれている、請求項２に記載のメモリ・デバイス。
【請求項７】
前記メイン・レジスタがワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイスに含まれている、請求項２に記載のメモリ・デバイス。
【請求項８】
前記不揮発性ランダム・アクセス・メモリが磁気トンネル接合を有するスピントルク磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリである、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項９】
前記不審ビット・レジスタのアドレスの最も古いアドレスが、前記不審ビット・レジスタが満杯であること、および前記不審ビット・レジスタに書き込むためのアドレスが保留になっていることに応じて、上書きされる、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項１０】
前記不良ビット・レジスタのアドレスの最も古いアドレスが、前記不良ビット・レジスタが満杯であること、および前記不良ビット・レジスタに書き込むためのアドレスが保留になっていることに応じて、上書きされる、請求項１に記載のメモリ・デバイス。
【請求項１１】
エラーがあると判定されたビットのアドレスを記憶する不審ビット・レジスタを不揮発性ランダム・アクセス・メモリ内に構成することと、
（ｉ）第１のエラーが原因で不審ビット・レジスタに現れ、かつ（ｉｉ）第２のエラーがあると判定されたビットのアドレスを記憶するための不良ビット・レジスタを前記不揮発性ランダム・アクセス・メモリ内に構成することと、を含むメモリ・デバイスの実装方法。
【請求項１２】
許容できない書き込みエラー率があると判定されたビットを含むワードのアドレスを記憶するように構成された不良ビット・レジスタと、
不良ビットを識別して前記不良ビット・レジスタに書き込むように構成された不審ビット・レジスタと、
プロセッサであって、
エラー訂正コードを使用してエラーを検出したことに応答して、前記不審ビット・レジスタ内の前記エラーに関連するビットのアドレスを検索し、
一致するものが存在するということに応答して、前記エラーに関連する前記ビットの前記アドレスを前記不審ビット・レジスタから削除し、前記エラーに関連する前記ビットの前記アドレスを前記不良ビット・レジスタに書き込むように構成された、前記プロセッサと、
を備える、メモリ・システム。
【請求項１３】
前記プロセッサが、前記一致するものが存在しないということに応答して、前記エラーに関連する前記ビットの前記アドレスを前記不審ビット・レジスタに書き込むように構成されている、請求項１２に記載のメモリ・システム。
【請求項１４】
バーンイン・プロセス中に不良であると判定されたビットを識別するように構成されたメイン・レジスタをさらに備える、請求項１２に記載のメモリ・システム。
【請求項１５】
前記メイン・レジスタおよび前記不良ビット・レジスタがヒューズ・ビット・レジスタとして構成され、前記プロセッサが前記ヒューズ・ビット・レジスタを使用して、不良であると判定されたワードをヒューズ作動し、不良であると判定された前記ワードのそれぞれをそれぞれの冗長なアドレスで置き換えるように構成されている、請求項１４に記載のメモリ・システム。
【請求項１６】
前記不良ビット・レジスタ、前記不審ビット・レジスタ、および前記メイン・レジスタが同じ不揮発性メモリ・デバイスに含まれている、請求項１２に記載のメモリ・システム。
【請求項１７】
前記不良ビット・レジスタおよび前記不審ビット・レジスタが同じ不揮発性メモリ・デバイスに含まれ、前記メイン・レジスタが異なる不揮発性メモリ・デバイスに含まれている、請求項１２に記載のメモリ・システム。
【請求項１８】
（ｉ）許容できない書き込みエラー率があると判定されたビットを含むワードのアドレスを記憶するための不良ビット・レジスタと、（ｉｉ）不良ビットを識別して前記不良ビット・レジスタに書き込むための不審ビット・レジスタと、を構成することを含み、
エラー訂正コードを使用してエラーを検出することに応答して、前記不審ビット・レジスタ内の前記エラーに関連するビットのアドレスに一致するものを検索することをさらに含み、
前記一致するものが存在するということに応答して、前記エラーに関連する前記ビットの前記アドレスを前記不審ビット・レジスタから削除し、前記エラーに関連する前記ビットの前記アドレスを前記不良ビット・レジスタに書き込むことをさらに含む、メモリ・システムの実装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月2日(2020.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
【表１】
2020524886.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
＜実験例２＞
架橋剤の反応温度による物性測定
前記実施例１、実施例３、比較例２及び比較例３で製造された分離膜を用いて体積絶縁抵抗（ｖｏｌｕｍｅｔｒｉｃ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）、引張強度（ｔｅｎｓｉｌｅ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）及び寸法変化率（ｓｗｅｌｌｉｎｇ）を測定し、その結果を下記表２及び図２に示した。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月22日(2020.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ・ツールの実効照射量一貫性または均一性を判断する方法であって、
レジストに１組の制御された露光照射量ブロックを生成するために基板に対して前記リソグラフィ・ツールを使用して一連のオープン・フレーム露光を行うことと、
露光された前記基板のベークと現像とを行うことと、
得られたオープン・フレーム画像を斜光によって走査し、斜光検査装置を使用して前記基板表面からの散乱光を捕捉することと、
捕捉された前記散乱光のデータからヘイズ・マップを作成することと、
前記ヘイズ・マップをグラフィカル画像ファイルに変換することと、
前記リソグラフィ・ツールの実効照射量を判断するために前記グラフィカル画像ファイルを解析することとを含み、ここで、前記グラフィカル画像ファイルの輝度は前記リソグラフィ・ツールの実効照射量に関係する、方法。
【請求項２】
前記一連のオープン・フレーム露光を行うことは、
前記基板上にフォトレジストを堆積させることと、
前記基板のパターンなし露光を行うこととを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パターンなし露光を行うことは、
前記基板を複数のフィールド、行または列に分割することと、
前記基板の各フィールド、行または列に異なる量の実効照射を与えることとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記グラフィカル画像ファイルを解析することは、
前記グラフィカル画像ファイルの複数の点について前記画像ファイルの輝度を判断することと、
前記輝度を使用して前記リソグラフィ・ツールのエネルギー出力を判断することとを含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記エネルギー出力の判断を使用して、前記リソグラフィ・ツールのウエハ間照射量一貫性を特性評価することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記エネルギー出力の判断を使用して、前記リソグラフィ・ツールのフィールド内照射量均一性を特性評価することをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記斜光検査装置は欠陥検査ツールである、請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィ・ツールの実効照射量を判断するシステムであって、
レジストに１組の制御された露光照射量ブロックを生成するために基板に対して一連のオープン・フレーム露光を行うようになされたリソグラフィ・ツールと、
露光された前記基板のベークと現像とを行うプロセス・ツールと、
得られたオープン・フレーム画像を斜光によって走査し、前記基板表面からの散乱光を捕捉する検査ツールと、
前記散乱光データの背景信号からヘイズ・マップを作成し、前記ヘイズ・マップをグラフィカル画像ファイルに変換するソフトウェアと、
前記グラフィカル画像ファイルから前記リソグラフィ・ツールの実効照射量を判断するためのオフライン解析とを含み、前記グラフィカル画像ファイルの輝度は前記リソグラフィ・ツールの実効照射量に関係する、システム。
【請求項９】
リソグラフィ・ツールの実効照射量一貫性および均一性を判断するためのコンピュータ・プログラム製品であって、
処理回路によって読み取り可能であって、請求項１ないし７のいずれかに記載の方法を行うために前記処理回路による実行のための命令を記憶するコンピュータ可読記憶媒体を含む、コンピュータ・プログラム製品。
【請求項１０】
コンピュータ可読媒体上に記憶され、デジタル・コンピュータの内部メモリにロード可能なコンピュータ・プログラムであって、前記プログラムがコンピュータ上で実行されて、請求項１ないし７のいずれかに記載の方法を行うためのソフトウェア・コード部分を含むコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月23日(2019.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
証明カードの第一顔画像を含む第一画像を取得することと、
被認証者の顔を含む第二画像を取得することと、
前記第一画像と前記第二画像の顔を照合し、第一照合結果を得ることと、
前記第一照合結果に基づいて身元認証結果を得ることと、を含む身元認証方法。
【請求項２】
前記証明カードの第一画像を取得するステップの前に、さらに、
前記証明カードの属性を取得することであって、前記属性はチップ内蔵型証明カードおよび非チップ内蔵型証明カードを含むことと、
前記証明カードが非チップ内蔵型証明カードの場合、前記証明カードの第一顔画像を含む第一画像を取得することと、とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記証明カードがチップ内蔵型証明カードの場合、前記証明カードの真贋を識別することと、
前記証明カードの真贋識別結果は証明カードが本物である場合、被認証者の顔を含む第二画像を取得することと、をさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記証明カードの真贋を識別することは、
前記証明カードの外付け顔画像を含む第三画像を取得することと、
前記証明カードのプリセットされた第二顔画像を含むチップ情報を取得することと、
前記外付け顔画像と前記第二顔画像を照合し、第二照合結果を得ることと、
前記第二照合結果に基づいて前記証明カードの真贋を判定することと、を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第一画像と前記第二画像の顔を照合し、第一照合結果を得ることは、
前記第一画像における顔画像の顔特徴を抽出し、第一顔特徴データを得ることと、
前記第二画像の顔特徴を抽出し、少なくとも一セットの第二顔特徴データを得ることと、
前記第一顔特徴データを前記少なくとも一セットの第二顔特徴データの任意の一セットとそれぞれ照合し、第三照合結果を得ることと、を含む請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第一顔特徴データを前記少なくとも一セットの第二顔特徴データの任意の一セットとそれぞれ照合し、第三照合結果を得ることは、
前記第一顔特徴データと前記少なくとも一セットの第二顔特徴データの任意の一セットとの第一類似度をそれぞれ計算することと、
算出した少なくとも一セットの第一類似度を第三照合結果とすることと、を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第一照合結果に基づいて身元認証結果を得ることは、
前記少なくとも一セットの第一類似度の任意の一セットが設定閾値より大きい場合、身元認証に成功したと判定することと、
前記少なくとも一セットの第一類似度がいずれも前記設定閾値以下である場合、身元認証に失敗したと判定することと、を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第一照合結果に基づいて身元認証結果を得ることの後に、さらに、
前記第一画像における顔画像、前記第二画像および前記身元認証結果を表示することを含む請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第一画像と前記第二画像の顔を照合し、第一照合結果を得ることの前に、さらに、
前記第一画像を処理し、前記第一画像における第一顔画像および／または文字部分を分離することを含む請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第一画像における顔画像および／または文字部分を分離することの前に、さらに、
前記第一画像が顔画像を含んでいるかどうかを判定することと、
前記第一画像が顔画像を含んでいない場合、ユーザに前記証明カードを改めて置くように指示することと、を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第一画像が文字部分を含んでいるかどうかを判定することと、
前記第一画像が前記文字部分を含んでいる場合、前記第一画像における文字部分を認識し、前記証明カードにおける文字情報を得ることと、をさらに含む請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第一画像における文字部分を認識し、前記証明カードにおける文字情報を得ることは、
前記第一画像における文字部分の特徴を抽出し、前記文字部分の特徴データを得ることと、
前記文字部分の特徴データと設定データベース内の設定文字に対応する特徴データとの第二類似度を特定することと、
前記第二類似度が類似度閾値より大きい場合、前記第二類似度に対応する設定文字を、文字認識結果とすることと、
前記文字認識結果に基づいて前記証明カードにおける文字情報を得ることと、を含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第一画像における顔画像、前記第二画像、前記身元認証結果および前記証明カードにおける文字情報を表示することをさらに含む請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の身元認証方法を実行するように構成される、身元認証装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の身元認証装置を含む電子機器。
【請求項１６】
プロセッサによって実行可能なコンピュータプログラムを記憶するためのメモリ、および前記コンピュータプログラムを実行するために用いられる時、請求項１から１３のいずれか一項に記載の身元認証方法を実行するプロセッサを含む電子機器。
【請求項１７】
機器において運用される時、前記機器内のプロセッサは請求項１から１３のいずれか一項に記載の身元認証方法を実現するための命令を実行するコンピュータ読み取り可能コードを含むコンピュータプログラム。
【請求項１８】
実行される時に請求項１から１３のいずれか一項に記載の身元認証方法を実現するコンピュータ読み取り可能命令を記憶するためのコンピュータ記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月20日(2019.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム合金板材全体１００重量％に対してＡｌ：２．７〜５．０重量％、Ｚｎ：０．７５〜１．０重量％、Ｃａ：０．１〜１．０重量％、Ｍｎ：１．０重量％以下（０重量％除外）、残部Ｍｇおよびその他不可避不純物を含み、
前記マグネシウム合金板材全体の結晶粒１００体積％に対して底面結晶粒の体積分率は３０％以下であり、
前記底面結晶粒は＜０００１＞／／Ｃ軸方位の結晶粒である、
マグネシウム合金板材。
【請求項２】
前記マグネシウム合金板材は、Ａｌ−Ｃａ二次相粒子を含み、
前記マグネシウム合金板材の表面から１／４地点であるクォーター部と、前記マグネシウム合金板材の表面から１／２地点である中心部とのＡｌ−Ｃａ二次相粒子の面積分率の差は１０％以下である、
請求項１に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項３】
前記マグネシウム合金板材の圧延方向への全体長さに対して中間偏析の長さの比率は５％未満である、請求項１または２に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項４】
前記マグネシウム合金板材の厚さ方向全体厚さに対して、中間偏析の厚さ比率は２．５％未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項５】
前記マグネシウム合金板材の限界ドーム高さ（ＬＤＨ）が７ｍｍ以上であり、
前記マグネシウム合金板材（０００１）面を基準に最大集合強度が１〜４である、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項６】
マグネシウム合金板材全体１００重量％に対してＡｌ：２．７〜５．０重量％、Ｚｎ：０．７５〜１．０重量％、Ｃａ：０．１〜１．０重量％、Ｍｎ：１．０重量％以下（０重量％除外）、残部Ｍｇおよびその他不可避不純物を含み、
前記マグネシウム合金板材全体の面積１００％に対して双晶組織の面積分率は３５％以下である、
マグネシウム合金板材。
【請求項７】
前記マグネシウム合金板材全体の面積１００％に対して双晶組織の面積分率は５〜３５％である、請求項６に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項８】
前記マグネシウム合金板材全体の結晶粒１００体積％に対して底面結晶粒の体積分率は３０％以下であり、
前記底面結晶粒は＜０００１＞／／Ｃ軸方位の結晶粒である、
請求項６または７に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項９】
前記マグネシウム合金板材の限界ドーム高さは、７ｍｍ以上であり、
前記マグネシウム合金板材（０００１）面を基準に最大集合強度が１〜４である、
請求項６〜８のいずれか一項に記載のマグネシウム合金板材。
【請求項１０】
前記マグネシウム合金板材の降伏強度は、２００〜３００ＭＰａである、 請求項６〜９のいずれか一項に記載のマグネシウム合金板材。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ビニル系単量体、ビニルシアン系単量体及びアルキル（メタ）アクリレート系単量体からなる群から選択される１つ以上を乳化重合してシードを製造する段階；
前記シード及びアルキル（メタ）アクリレート系単量体を乳化重合してコアを製造する段階；及び
前記コア、芳香族ビニル系単量体及びビニルシアン系単量体を乳化重合してシェルを製造する段階を含み、
前記シード、コア及びシェルを製造する段階からなる群から選択される一つ以上の段階で、下記化学式（１）で表される化合物を含む乳化剤を投入するグラフト共重合体の製造方法。
【化３】
2020524204.tif 000001
前記化学式（１）において、
Ｒ1は、Ｃ1からＣ20のアルキル基またはＣ1からＣ20のアルキル基で置換されたＣ6からＣ20のアリール基であり、
Ｍは、水素またはアルカリ金属であり、
ｍは、１または２であり、
ｎ1は、１から１８のいずれか一つである。
【請求項２】
前記Ｒ1は、Ｃ10からＣ20のアルキル基である、請求項１に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項３】
前記Ｍは、ナトリウムまたはカリウムである、請求項１または２に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項４】
前記ｎ1は、２から１０のいずれか一つである、請求項１〜３のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項５】
前記化学式（１）で表される化合物は、ラウリルエーテルヘキサエチレンオキシドリン酸、ミリスチンエーテルヘキサエチレンオキシドリン酸、パルミチンエーテルヘキサエチレンオキシドリン酸、ステアリンエーテルヘキサエチレンオキシドリン酸、ラウリルエーテルオクタエチレンオキシドリン酸、ミリスチンエーテルオクタエチレンオキシドリン酸、パルミチンエーテルオクタエチレンオキシドリン酸、ステアリンエーテルオクタエチレンオキシドリン酸、ジ（ラウリルエーテルヘキサエチレンオキシド）リン酸、ジ（ミリスチンエーテルヘキサエチレンオキシド）リン酸、ジ（パルミチンエーテルヘキサエチレンオキシド）リン酸、ジ（ステアリンエーテルヘキサエチレンオキシド）リン酸、ジ（ミリスチンエーテルオクタエチレンオキシド）リン酸、及びジ（パルミチンエーテルオクタエチレンオキシド）リン酸、ジ（ステアリンエーテルオクタエチレンオキシド）リン酸からなる群から選択される１つ以上またはこれらのアルカリ金属塩である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項６】
前記乳化剤は、下記化学式（２）で表される化合物をさらに含むものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
Ｒ2（ＯＣ2Ｈ4）ｎ2ＯＨ    （２）
前記化学式（２）において、
Ｒ2は、Ｃ1からＣ20のアルキル基またはＣ1からＣ20のアルキル基で置換されたＣ6からＣ20のアリール基であり、
ｎ2は、１から１８のいずれか一つである。
【請求項７】
前記シードを製造する段階において、前記乳化剤が前記グラフト共重合体の製造時に投入される単量体等の総合１００重量部に対して、０．０１から０．２９重量部で投入される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項８】
前記コアを製造する段階において、前記乳化剤が前記グラフト共重合体の製造時に投入される単量体等の総量１００重量部に対して、０．１から１重量部で投入される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項９】
前記シェルを製造する段階において、前記乳化剤が前記グラフト共重合体の製造時に投入される単量体等の総量１００重量部に対して、０．１から３重量部で投入される、請求項１〜８のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項１０】
前記シードの平均粒径は、９０から４００ｎｍである、請求項１〜９のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項１１】
前記コアの平均粒径は、１８０から６００ｎｍである、請求項１に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項１２】
前記グラフト共重合体の平均粒径は、２５０から７００ｎｍである、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のグラフト共重合体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の製造方法で製造されたグラフト共重合体；及び
芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含む共重合体を含む熱可塑性樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月19日(2019.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含む第１共重合体と、
アルキル（メタ）アクリレート系単量体由来単位、芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含み、屈折率が１．５１から１．５３である第２共重合体と、
平均粒径が０．０５から０．１５μｍである共役ジエン系重合体、芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含む第３共重合体とを含む熱可塑性樹脂組成物。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂組成物は、
前記第１共重合体５０から７０重量％と、
前記第２共重合体５から３０重量％と、
前記第３共重合体１５から３５重量％とを含む、請求項１に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項３】
前記第１共重合体は、屈折率が１．５５から１．５７である、請求項１または２に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項４】
前記第３共重合体は、屈折率が１．５１から１．５３である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項５】
前記第２共重合体は、
前記アルキル（メタ）アクリレート系単量体由来単位６５から８０重量％と、
前記芳香族ビニル系単量体由来単位３から１５重量％と、
前記ビニルシアン系単量体由来単位１０から２５重量％とを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項６】
前記第２共重合体は、重量平均分子量が５０，０００から１５０，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項７】
前記第３共重合体は、
前記共役ジエン系重合体４５から６０重量％と、
前記芳香族ビニル系単量体由来単位３０から４５重量％と、
前記ビニルシアン系単量体由来単位５から２０重量％とを含むものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂組成物は、ＵＶ安定剤及び酸化防止剤からなる群から選択される１つ以上の添加剤をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項９】
前記添加剤は、前記第１共重合体、第２共重合体及び第３共重合体の合計１００重量部に対して、０．２から１．１重量部で含まれる、請求項８に記載の熱可塑性樹脂組成物。
【請求項１０】
芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含む第１共重合体と、
アルキル（メタ）アクリレート系単量体由来単位、芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含み、屈折率が１．５１から１．５３である第２共重合体と、
平均粒径が０．０５から０．１５μｍである共役ジエン系重合体、芳香族ビニル系単量体由来単位及びビニルシアン系単量体由来単位を含む第３共重合体とを含み、
前記第１及び第２共重合体を含むマトリックス領域と、前記第３共重合体を含む衝撃補強領域との屈折率の差が０．０１から０．０４である、熱可塑性樹脂成形品。
【請求項１１】
前記マトリックス領域は、屈折率が１．５３から１．５５である、請求項１０に記載の熱可塑性樹脂成形品。
【請求項１２】
前記衝撃補強領域は、屈折率が１．５１から１．５２である、請求項１０または１１に記載の熱可塑性樹脂成形品。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極及び負極を含む電極と分離膜が交互に積層される電極組立体と、
前記電極組立体を収容する電池ケースと、
前記電極と連結され前記電極組立体の一側から突出する電極タブと、
一端が前記電極タブと連結される第１電極リードと、
一端が前記第１電極リードの他端と連結され、他端が前記電池ケースの外部に突出する第２電極リードと、
前記第１及び第２の電極リードを互いに連結する連結部と、
前記第１及び第２の電極リードの一部を覆って融着され、前記第１及び第２の電極リードを前記電池ケースに接着させる絶縁部と、
前記連結部に並んで前記第１電極リードの一面の特定位置に形成され、前記第１電極リードと前記絶縁部の間の融着を防止する融着防止部とを含み、
前記第１電極リードの前記特定位置又は前記絶縁部と前記融着防止部の間の接着力は、前記第１又は第２の電極リードと前記連結部の間の接着力より弱いパウチ型二次電池。
【請求項２】
前記融着防止部は、
前記連結部の一端から前記電池ケースの内側に向かう方向に形成される、請求項１に記載のパウチ型二次電池。
【請求項３】
前記融着防止部は、
前記特定位置に摩耗工程を行うことで形成される、請求項１に記載のパウチ型二次電池。
【請求項４】
前記融着防止部は、
前記特定位置に表面処理を行わないことで形成される、請求項１に記載のパウチ型二次電池。
【請求項５】
前記融着防止部は、
前記特定位置に第１テープを付着し表面処理を行ってから前記第１テープを剥離して形成される、請求項４に記載のパウチ型二次電池。
【請求項６】
前記絶縁部は、
酸処理されたポリオレフィン系樹脂を含む、請求項１〜５の何れか一項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項７】
前記ポリオレフィン系樹脂は、
ポリプロピレンを含む、請求項６に記載のパウチ型二次電池。
【請求項８】
前記融着防止部は、
前記特定位置に第２テープを付着して形成される、請求項１〜７の何れか一項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項９】
前記第２テープは、
酸処理されていないノーマルポリプロピレンを含む、請求項８に記載のパウチ型二次電池。
【請求項１０】
前記融着防止部は、
前記特定位置に対応される前記絶縁部の位置にフィルムを付着して形成される、請求項１〜９の何れか一項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項１１】
前記フィルムは、
酸処理されていないノーマルポリプロピレンを含む、請求項１０に記載のパウチ型二次電池。
【請求項１２】
前記連結部は、
導電材を含む伝導性ポリマーで製造される、請求項１〜１１の何れか一項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項１３】
前記連結部は、
厚さが１から５００μｍである、請求項１〜１２の何れか一項に記載のパウチ型二次電池。
【請求項１４】
前記絶縁部は、
前記第１及び第２の電極リードが前記連結部を介して連結された部分を覆う、請求項１〜１３の何れか一項に記載のパウチ型二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサに動作可能に結合されたセンサを用いて、イベントが悪化するか否かを判定するためのコンピュータ実装方法であって、前記方法は、
前記センサから、前記イベントの種類を特定するイベント情報と、前記イベントが発生している位置を特定する位置情報とを受信することと、
前記センサから、前記位置情報に応じて、前記位置の周辺の情報を収集することと、
前記プロセッサにおいて、前記位置の周辺の前記情報を分析することと、
前記プロセッサにおいて、前記分析の結果に基づいて、前記イベントが悪化するか否かを判定することと、を含む方法。
【請求項２】
プロセッサに動作可能に結合されたセンサを用いて、イベントが悪化するか否かを判定するためのシステムであって、前記システムは、
前記イベントの種類を特定するイベント情報と、前記イベントが発生している位置を特定する位置情報とを受信する受信機と、
前記位置情報に応じて、前記位置の周辺の情報を収集するセンサと、
前記位置の周辺の前記情報を分析する分析器と、
前記分析の結果に基づいて、前記イベントが悪化するか否かを判定する判定モジュールと、を備えるシステム。
【請求項３】
前記位置の周辺の前記情報は、携帯電話、ビデオ監視システム及びインターネットから収集される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記分析器は、前記イベントの前記種類を考慮して、前記位置の周辺の前記情報のそれぞれを、前記イベントの悪化に対する、エスカレート要因、中立要因又は緩和要因に分類する分類モジュールを含み、
前記分析器は、前記分類された要因に基づいて将来の結果をさらに予測する、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記分析器は、ビデオ分析及び音響分析を用いて、前記位置の周辺の前記情報をさらに分析する、請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記分析器は、サイズ、流れ、ムード、年齢及び性別の少なくとも１つを含む群衆情報を特定する識別器を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記分析器は、前記イベントの前記位置の周囲の交通状況を特定する識別器を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記分析器は、保護される潜在的な犠牲者の位置及び状態を特定する識別器を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
分析の前記結果に基づいて警報を出す警報モジュールをさらに含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項１０】
イベントが悪化するか否かを判定するための非一時的なコンピュータ可読媒体に組み込まれたコンピュータプログラムであって、前記プログラムは、
前記イベントの種類を特定するイベント情報と、前記イベントが発生している位置を特定する位置情報とを受信し、
前記位置情報に応じて、前記位置の周辺の情報を収集し、
前記位置の周辺の前記情報を分析し、
前記分析の結果に基づいて、前記イベントが悪化するか否かを判定する、ことをコンピュータに指示するための、前記コンピュータにより実行可能な少なくとも１つのコードセグメントを含む、プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イベントを判定するためのシステム、方法及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサによって、輸送事業者によって管理されている車両の第１地点での第１出発時間を受信し、
前記プロセッサによって、前記第１地点の後に位置する第２地点での前記車両の第２出発時間を受信し、
前記プロセッサによって、前記第１出発時間と第２出発時間との差を決定し、
前記プロセッサによって、前記差の決定に応じて、前記第２地点の後の地点の前記車両の更新された推定到着時間を示す、更新されたスケジュールを提供するために、現在のスケジュールを更新する、
輸送事業者の効率を最適化するための方法。
【請求項２】
前記更新されたスケジュールを提供するために前記現在のスケジュールを更新する工程が、前記プロセッサによって、前記輸送事業者によって管理されている少なくとも１台の他の車両の更新された推定第１出発時間を提供するために、該少なくとも１台の他の車両の推定第１出発時間を更新することを含み、該少なくとも１台の他の車両の前記推定第１出発時間は該少なくとも１台の他の車両が前記第１地点を出発することが予想される時間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセッサによって、前記少なくとも１台の他の車両の第１出発時間を受信することをさらに含み、前記少なくとも１台の他の車両の前記第１出発時間が該少なくとも１台の他の車両が前記第１地点を出発する時間である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記プロセッサによって、前記少なくとも１台の他の車両の前記更新された推定第１出発時間と前記少なくとも１台の他の車両の記録された第１出発時間との差を決定することをさらに含み、前記差が制御方策データである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記制御方策データの決定に応じて前記更新されたスケジュールを提供するために、前記現在のスケジュールが更新される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセッサによって、前記更新されたスケジュールに応じて前記車両と前記少なくとも１台の他の車両との間の運行間隔を最適化することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記運行間隔を最適化する工程が、
前記プロセッサによって、少なくとも前記車両に関連する所定のデータを受信すること、及び
前記プロセッサによって、前記所定のデータを受信する工程に応じて前記運行間隔を最適化すること、を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１台の他の車両が移動中の車両である、請求項２〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記更新されたスケジュールを提供するために前記現在のスケジュールを更新する工程が、前記プロセッサによって、前記車両に関する速度情報を受信することを含み、
前記車両に関する前記速度情報を受信する工程に応じて前記更新されたスケジュールを提供するために、前記現在のスケジュールが更新される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
輸送事業者の効率を最適化するための装置であって、
該輸送事業者によって管理されている車両の第１地点での第１出発時間を受信する手段と、
前記第１地点の後に位置する第２地点での前記車両の第２出発時間を受信する手段と、
前記第１出発時間と第２出発時間との差を決定する手段と、
前記差の決定に応じて、前記第２地点の後の地点の前記車両の更新された推定到着時間を示す、更新されたスケジュールを提供するために、現在のスケジュールを更新する手段と、
を有する装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年3月24日(2020.3.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
一次有効性エンドポイントは、ＰＲＯ１４０単独療法を開始した後のウイルス学的応答の欠如までの時間であり、ウイルス学的応答の欠如は、４００コピー／ｍｌ以上であるＨＩＶ−１ ＲＮＡレベルが、少なくとも３日間隔てて、２回連続することとして定義された。２次有効性エンドポイントには以下の項目が含まれていた：（１）１４週間またはそれ以前にＰＲＯ１４０単独療法を開始した後の参加者の割合（２）１４週間の処置期間内の各来院時のウイルス負荷（ＨＩＶ−１ＲＮＡレベル）の平均変化；（３）１４週間の処置期内におけるウイルス負荷（ＨＩＶ−１ＲＮＡレベル）の平均変化；（４）１４週間の処置期間内の各来院時のＣＤ４細胞数の平均変化；（５）１４週間の処置期間内のＣＤ４細胞数の平均変化；および（６）任意のＱＯＬメトリックスの変化。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
ウイルス学的応答の欠如が発生した場合または対象が研究処置の中止のための他の基準を満たしている場合、全ての研究対象は、１４週間の処置フェーズの終了の１週間前または期間中に以前の抗レトロウイルス療法を再開するように設定された。処置フェーズ中の任意の時点でウイルス学的応答の欠如（４００コピー／ｍｌ以上であるＨＩＶ−１ ＲＮＡレベルが、少なくとも３日間隔てて、２回連続することとして定義される）を経験した対象は、ウイルス学的応答の欠如（ＶＦ）アセスメントにアクセスし、その後、処置フェーズを終了して、研究のフォローアップフェーズに入る。ＶＦを経験しなかった対象は、１４週間の処置フェーズの終わりに研究のフォローアップフェーズに入るように設定された。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年1月29日(2020.1.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０２】
割り当て伝達ファセット群２８上の強度分布への照明事前定義ファセット２５の割り当ては、低めの強度で照明される伝達ファセット群２８が、割り当て照明事前定義ファセット２５を通して物体視野８を完全に照明するようなものとすることができる。従って、伝達ファセット群２８上の強度を考慮することで、物体視野全体が１つの同じ照明事前定義ファセット２５を通して照明され、その際、この照明事前定義ファセット２５上で限界照明強度が超過されることのない照明チャネル割り当てが可能である。そのような場合に、照明事前定義ファセット２５のうちの全部ではないが複数が物体視野８の部分視野を照明するだけで十分であるとすることができる。しかし、原理的には、実際に照明事前定義ファセット２５の全てが、そのそれぞれの最大部分視野を照明することも可能である。この場合、特に望ましい最低瞳充填度を維持することができる。