【手続補正書】
【提出日】令和2年8月12日(2020.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のデバイス層、及び前記第１のデバイス層上の第１の誘電体層を含む第１の薄肉ダイであって、前記第１のデバイス層は、前記第１のデバイス層の底面に複数の第１のダイ接点を含む、前記第1の薄肉ダイと、
少なくとも１つの第１の支持パッド、複数のパッケージ接点、及び再分布相互接続を含む多層再分布構造であって、
前記第１の薄肉ダイは前記多層再分布構造の上面の上にあり、
前記少なくとも１つの第１の支持パッドは前記多層再分布構造の底面の上にあり、かつ前記第１の薄肉ダイと垂直に整列されて、前記少なくとも１つの第１の支持パッドが前記第１の薄肉ダイの下に垂直に配置され、
前記複数のパッケージ接点は前記多層再分布構造の前記底面にあり、
前記再分布相互接続は前記複数のパッケージ接点を前記複数の第１のダイ接点のうちのある特定のものに接続し、前記少なくとも１つの第１の支持パッドは、前記複数のパッケージ接点および前記再分布相互接続と接触しておらず、かつ前記複数のパッケージ接点、前記再分布相互接続および前記複数の第１のダイ接点から電気的に絶縁された、
前記多層再分布構造と、
前記多層再分布構造の上にかつ前記第１の薄肉ダイの周りにある第１のモールドコンパウンドであって、前記第１の薄肉ダイの上面を超えて広がって、前記第１のモールドコンパウンド内で前記第１の薄肉ダイの上に開口部を画定し、前記第１の薄肉ダイの前記上面は前記開口部の底部で露出している、前記第１のモールドコンパウンドと、
前記開口部を充填し、かつ前記第１の薄肉ダイの前記上面と接触している第２のモールドコンパウンドと、
を備える、装置。
【請求項２】
前記複数のパッケージ接点及び前記少なくとも１つの第１の支持パッドは、共通の導電層から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１の支持パッドの底面及び前記複数のパッケージ接点のそれぞれの底面は同じ平板内にある、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記多層再分布構造の底面にあり、前記第１の薄肉ダイの下に垂直に配置されない少なくとも１つの第２の支持パッドをさらに含み、
前記少なくとも１つの第２の支持パッドは前記複数のパッケージ接点および前記再分布相互接続から電気的に絶縁されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの第１の支持パッド及び前記少なくとも１つの第２の支持パッドは分離している、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１の支持パッド及び前記少なくとも１つの第２の支持パッドは互いに接続される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の薄肉ダイは微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）部品を提供する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の薄肉ダイはシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）構造から形成され、
前記第１の薄肉ダイの前記第１のデバイス層は前記ＳＯＩ構造のシリコンエピタキシ層から形成され、
前記第１の薄肉ダイの前記第１の誘電体層は前記ＳＯＩ構造の埋め込み酸化層である、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記多層再分布構造の前記上面の上にある第２の完全ダイをさらに含み、
前記第２の完全ダイは、第２のデバイス層、及び前記第２のデバイス層の上の完全シリコン基板を有し、
前記第１のモールドコンパウンドは前記第２の完全ダイを封入する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の薄肉ダイはＭＥＭＳ部品を提供し、前記第２の完全ダイは、前記ＭＥＭＳ部品を制御する相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）コントローラを提供する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記多層再分布構造の前記上面の上にある第３の薄肉ダイをさらに含み、前記第３の薄肉ダイは、
第３のデバイス層、及び前記第３のデバイス層の上の第２の誘電体層を有し、
前記第１のモールドコンパウンドは、前記第３の薄肉ダイの上面を超えて広がって、前記第１のモールドコンパウンド内で前記第３の薄肉ダイの上に第２の開口部を画定し、前記第３の薄肉ダイの前記上面は前記第２の開口部の底部で露出しており、
前記第２のモールドコンパウンドは前記第２の開口部を充填し、かつ前記第３の薄肉ダイの前記上面と接触している、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
少なくとも１つの第２の支持パッド及び少なくとも１つの第３の支持パッドをさらに含み、
前記少なくとも１つの第２の支持パッド及び前記少なくとも１つの第３の支持パッドは、前記多層再分布構造の前記底面の上にあり、
前記少なくとも１つの第２の支持パッド及び前記少なくとも１つの第３の支持パッドは、前記複数のパッケージ接点および前記再分布相互接続から電気的に絶縁され、
前記少なくとも１つの第２の支持パッドは、前記第１の薄肉ダイの下に垂直に配置されておらず、かつ前記第３の薄肉ダイの下に垂直に配置されておらず、
前記少なくとも１つの第３の支持パッドは、前記第３の薄肉ダイと垂直に整列されて、前記少なくとも１つの第３の支持パッドが前記第３の薄肉ダイの下に垂直に配置される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の薄肉ダイはＭＥＭＳ部品を提供し、前記第２の完全ダイは前記ＭＥＭＳ部品を制御するＣＭＯＳコントローラを提供し、前記第３の薄肉ダイはＳＯＩ構造から形成され、
前記第３の薄肉ダイの前記第３のデバイス層は前記ＳＯＩ構造のシリコンエピタキシ層から形成され、前記第３の薄肉ダイの前記第２の誘電体層は前記ＳＯＩ構造の埋め込み酸化層である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記多層再分布構造は少なくとも１つの構造パッドをさらに含み、
前記少なくとも１つの構造パッド及び前記再分布相互接続は共通の導電層から形成され、
前記少なくとも１つの構造パッドは、前記第１の薄肉ダイの下に垂直にあり、かつ前記再分布相互接続および前記複数の第１のダイ接点から電気的に絶縁されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２のモールドコンパウンドは２Ｗ／ｍ・Ｋを上回る熱伝導率を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２のモールドコンパウンドは１Ｅ６  Ｏｈｍ−ｃｍを上回る電気抵抗率を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１のモールドコンパウンドは前記第２のモールドコンパウンドと同じ材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１のモールドコンパウンド及び前記第２のモールドコンパウンドは異なる材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記多層再分布構造はガラス繊維がない、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記再分布相互接続と前記複数の第１のダイ接点との間の接続にははんだがない、請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
第１のデバイス層、及び前記第１のデバイス層の上の第１の誘電体層を含む第１の薄肉ダイであって、前記第１のデバイス層は、前記第１のデバイス層の底面に複数の第１のダイ接点を有する、前記第1の薄肉ダイと、
少なくとも１つの構造パッド、複数のパッケージ接点、及び再分布相互接続を含む多層再分布構造であって、
前記第１の薄肉ダイは前記多層再分布構造の上面の上にあり、
前記複数のパッケージ接点は前記多層再分布構造の底面の上にあり、
前記再分布相互接続は前記複数のパッケージ接点を前記複数の第１のダイ接点のうちのある特定のものに接続し、
前記少なくとも１つの構造パッド及び前記再分布相互接続は、共通の導電層から形成され、
前記少なくとも１つの構造パッドは、前記第１の薄肉ダイの下に垂直にあり、かつ前記再分布相互接続および前記複数の第１のダイ接点から電気的に絶縁されている、
前記多層再分布構造と、
前記多層再分布構造の上にかつ前記第１の薄肉ダイの周りにある第１のモールドコンパウンドであって、前記第１の薄肉ダイの上面を超えて広がって、前記第１のモールドコンパウンド内で前記第１の薄肉ダイの上に開口部を画定し、前記第１の薄肉ダイの前記上面は前記開口部の底部で露出している、前記第１のモールドコンパウンドと、
前記開口部を充填し、かつ前記第１の薄肉ダイの前記上面と接触している第２のモールドコンパウンドと、
を備える、装置。
【請求項２２】
第１のダイ及び第１のモールドコンパウンドを有するモールドウェハを提供することであって、
前記第１のダイは、第１のデバイス層、前記第１のデバイス層の上の第１の誘電体層、及び前記第１の誘電体層の上の第１のシリコン基板を備え、前記第１のデバイス層は前記第１のデバイス層の底面に複数の第１のダイ接点を備え、
前記第１のダイの上面は前記第１のシリコン基板の上面であり、前記第１のダイの底面は前記第１のデバイス層の前記底面であり、
前記第１のモールドコンパウンドは前記第１のダイの側部及び上面を封入し、前記第１のデバイス層の前記底面は露出している、
前記提供することと、
多層再分布構造を前記モールドウェハの下に形成することであって、
前記多層再分布構造は少なくとも１つの第１の支持パッド、複数のパッケージ接点、及び再分布相互接続を備え、
前記少なくとも１つの第１の支持パッドは、前記多層再分布構造の底面の上にあり、かつ前記第１のダイと垂直に整列されて、前記少なくとも１つの第１の支持パッドが前記第１のダイの下に垂直に配置され、
前記複数のパッケージ接点は、前記多層再分布構造の前記底面の上にあり、
前記再分布相互接続は、前記複数のパッケージ接点を前記複数の第１のダイ接点のうちのある特定のものに接続し、前記少なくとも１つの第１の支持パッドは、前記複数のパッケージ接点および前記再分布相互接続と接触しておらず、かつ前記複数のパッケージ接点、前記再分布相互接続および前記複数の第１のダイ接点から電気的に絶縁された、
前記形成することと、
前記第１のモールドコンパウンドを薄肉化して、前記第１のシリコン基板の前記上面を露出させることと、
第１の薄肉ダイを提供し、かつ前記第１のモールドコンパウンド内で前記第１の薄肉ダイの上に開口部を形成するために、前記第１のダイの前記第１のシリコン基板を実質的に除去することであって、前記少なくとも１つの第１の支持パッドは前記第１の薄肉ダイの下に垂直にあり、前記第１の薄肉ダイは前記開口部の底部で露出した上面を有する、前記除去することと、
実質的に前記開口部を充填し、かつ前記第１の薄肉ダイの前記上面に直接接触するように第２のモールドコンパウンドを塗布することと、
を含む、方法。