【事件の表示】
　特願２０１２−５３１１２３「量子ドット−フラーレン接合ベースの光検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月　７日国際公開、ＷＯ２０１１／０４１４２１、平成２５年　２月２１日国内公表、特表２０１３−５０６３０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２０１０年９月２９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００９年９月２９日、２０１０年３月１０日、いずれも米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２０日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたが、平成２６年３月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月２４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　平成２６年７月２４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、当該手続補正前の（平成２５年１２月２０日付けの手続補正により補正された）特許請求の範囲の請求項１２に係る発明であって、次のとおりのものである。
「フォトダイオードであって、透明な第１の電極、第２の電極、および該第１の電極と該第２の電極との間に挿入されるヘテロ接合を備え、該ヘテロ接合は量子ドット層、該量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層、および該第１の電極と該量子ドット層との間に挿入される電子ブロッキング層を備え、該量子ドット層は複数の量子ドットを備え、該フラーレン層は複数のフラーレンを備える、フォトダイオードと、
　該第２の電極と信号通信状態にある信号処理回路と、を備え、
　前記電子ブロッキング層は、不連続層を備える、
　光検出器。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である、Nanditha Dissanayake et al，“Organic:pbs-nanocrystal:Fullerene Hybrid Photovoltaics”，Material Research Society Symposia Proceedings，２００８年，V1102 N1102-LL07-06（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（和訳及び下線は当審にて付した。以下同じ。）。
ア　「ABSTRACT
 Single and multi junction hybrid devices comprising oligoacenes, PbS quantum dots(PbS-QD) and C60 are demonstrated.
（・・・途中省略・・・)
This work demonstrates new device systems which can be potentially be utilized to fabricate high efficient broad band absorbing hybrid photovoltaics.」（５９頁６ないし１９行）
（要約
　オリゴアセン、
ＰｂＳ量子ドット
この研究は、高効率で広帯域で吸収する新しい
ハイブリッド光電池
　
イ　「EXPERIMENT
（・・・途中省略・・・)
Devices were, fabricated on indium-tin oxide (ITO) (20 Ω/□) coated glass, cleaned using a three stage ultrasonic bath treatment in toluene, an aqueous surfactant solution and acetone. Immediately prior to use, the ITO substrates were subjected to oxygen plasma treatment for 10 minutes. Prior to device fabrication PEDOT:PSS (Aldrich) was spin coated at 3000 rpm for 1 min and subsequently backed at 130℃ for 15 minutes in the ambient. Single junction PbS-QD/C60 devices were fabricated by spin casting PbS-QD solution on top of the cleaned ITO (PEDOT coated) samples at 2000 rpm for 1 min under a N2 filled glove box (＜0.1 ppm O2 and H2O) to obtain a PbS-QD film approximately 100 nm. PbS-QD/C60 devices were fabricated by either annealing the PbS-QD coated ITO slides at 200 ℃ for 10 min or washing in a dry methanol solution for ten seconds and subsequently depositing a 30 nm layer of C60 by vacuum sublimation. Multijunctional acene/PbS-QD/C60 devices were fabricated by spin coating PbS-QD solution on 80 nm layers of (pentacene/tetracene) pre-deposited by vacuum sublimation on cleaned ITO substrates. All devices were fabricated by depositing 10 nm of BCP and 50 nm layers of Al with 10 mm2 device area. 」（６０頁１２行ないし３４行）
（実験
（・・・途中省略・・・)
トルエン、界面活性剤水溶液及びアセトンの中で３段階超音波液浸処理で洗浄され、インジウム−錫酸化物（
ＩＴＯ
で覆ったガラス
ＩＴＯ基板
にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ
を
ＰＥＤＯＴ
ＩＴＯ
上に
約１００ｎｍのＰｂＳ−ＱＤ膜を
３０ｎｍのＣ
６０
層を
１０ｎｍのＢＣＰと５０ｎｍのＡｌ層を
素子
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＩＴＯで覆ったガラスからなるＩＴＯ基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを備え、前記ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ上に約１００ｎｍのＰｂＳ量子ドット膜を備え、前記ＰｂＳ量子ドット膜上に３０ｎｍのＣ６０層を備え、前記Ｃ６０層上に１０ｎｍのＢＣＰと５０ｎｍのＡｌ層を備える、ハイブリッド光電池。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「ＩＴＯ」、「ＰｂＳ量子ドット膜」、「Ｃ６０層」及び「５０ｎｍのＡｌ層」は、本願発明の「透明な第１の電極」、「量子ドット層」、「フラーレン層」及び「第２の電極」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「ハイブリッド光電池」は、「ＩＴＯで覆ったガラスからなるＩＴＯ基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを備え、前記ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ上に約１００ｎｍのＰｂＳ量子ドット膜を備え、前記ＰｂＳ量子ドット膜上に３０ｎｍのＣ６０層を備え、前記Ｃ６０層上に１０ｎｍのＢＣＰと５０ｎｍのＡｌ層を備える」素子であるところ、「ＰｂＳ量子ドット膜」及び「Ｃ６０層」は続けて（直接）設けられるヘテロ接合であることは明らかである。
　また、「ＰｂＳ量子ドット膜」及び「Ｃ６０層」は、「ＩＴＯ」と「５０ｎｍのＡｌ層」の間に設けられるものである。
　さらに、「ＰｂＳ量子ドット膜」のＰｂＳ量子ドット、及び、「Ｃ６０層」のＣ６０分子が１つではなく複数であることは明らかである。
　そうすると、引用発明の、「ＰｂＳ量子ドット膜」及び「Ｃ６０層」は続けて（直接）設けられるヘテロ接合である点、「ＰｂＳ量子ドット膜」及び「Ｃ６０層」は、「ＩＴＯ」と「５０ｎｍのＡｌ層」の間に設けられる点、及び、「ＰｂＳ量子ドット膜」のＰｂＳ量子ドット及び「Ｃ６０層」のＣ６０分子が１つではなく複数である点は、本願発明の、「ヘテロ接合は量子ドット層、該量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層」の点、「該第１の電極と該第２の電極との間に挿入されるヘテロ接合を備え」る点、「該量子ドット層は複数の量子ドットを備え、該フラーレン層は複数のフラーレンを備える」点と一致する。
　
ウ　引用発明の「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」は、「ＩＴＯで覆ったガラスからなるＩＴＯ基板上」に備えるものであるところ、当該ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳが電子ブロッキングの機能を有することは本願最先の優先日当時周知の事項である（例えば、特開２００４−１６５５１６号公報　段落【００３５】の「電子阻止層５の材料として具体的には、・・・ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルフォネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）等の導電性高分子などの高分子材料を挙げることができる」、及び、特開２００９−７６６６８号公報　段落【００３９】の「導電性高分子層に用いられる導電性高分子材料は、上記の特性を満足し、光電変換層からメッシュ電極への正孔の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されるものではないが、比較的高い導電性を有するものであることが好ましい。・・・具体的には、導電性高分子材料としては、・・・ポリエチレンジオキシチオフェン（PEDOT）、トリフェニルジアミン（TPD）が好ましく用いられる。また、PEDOTとしては、特にポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（PEDOT/PSS）が好ましい。」との記載参照）から、引用発明の「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」は、電子ブロッキング層として機能し得るものであって、ＩＴＯとＰｂＳ量子ドット膜の間に設けられるものであるから、本願発明の「該第１の電極と該量子ドット層との間に挿入される電子ブロッキング層」に相当すると認められる。
　
エ　引用発明の「ＩＴＯで覆ったガラスからなるＩＴＯ基板上にＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを備え、前記ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ上に約１００ｎｍのＰｂＳ量子ドット膜を備え、前記ＰｂＳ量子ドット膜上に３０ｎｍのＣ６０層を備え、前記Ｃ６０層上に１０ｎｍのＢＣＰと５０ｎｍのＡｌ層を備える」「ハイブリッド光電池」がフォトダイオードであることは明らかであるから、引用発明の「ハイブリッド光電池」は、本願発明の「フォトダイオード」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「フォトダイオードであって、透明な第１の電極、第２の電極、および該第１の電極と該第２の電極との間に挿入されるヘテロ接合を備え、該ヘテロ接合は量子ドット層、該量子ドット層上に直接配置されるフラーレン層、および該第１の電極と該量子ドット層との間に挿入される電子ブロッキング層を備え、該量子ドット層は複数の量子ドットを備え、該フラーレン層は複数のフラーレンを備える、フォトダイオード。」
である点で一致し、下記点で相違する。
　
（ア）本願発明の「フォトダイオード」は、それとともに「第２の電極と信号通信状態にある信号処理回路と、を備え」て、「光検出器」をなすのに用いられる部材であるのに対して、引用発明の「ハイブリッド光電池」は、このように特定されない点（以下「相違点１」という）。
　
（イ）本願発明の「電子ブロッキング層」は、「不連続層を備える」のに対して、引用発明の「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」は、「不連続層を備える」と特定されない点（以下「相違点２」という）。
　
（２）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用発明は素子としての「ハイブリッド光電池」であるところ、素子としての「ハイブリッド光電池」を使用するに際して、電極と信号通信状態にある信号処理回路を設けて光検出器となすことは、例を挙げるまでもなく、本願最先の優先日当時周知の事項にすぎない。
　したがって、引用発明の「ハイブリッド光電池」において、「５０ｎｍのＡｌ層」に、信号通信状態にある信号処理回路を接続して光検出器となし、本願発明に係る上記相違点１の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　本願発明における「電子ブロッキング層は、不連続層を備える」との構成は、「電子ブロッキング層」と「不連続層」の関係が曖昧であるが、本願明細書の段落【００７１】の「いくつかの実装では、
電子ブロッキング層５７２が電極４１６を部分的にのみ被覆する
部分的被覆を提供する電子ブロッキング層５７２は、不連続層
と称されてもよい。
　これに対して、引用発明のように、ガラス基板（の全面）を覆うＩＴＯ上に電子ブロッキング層を設ける場合は、ＩＴＯ全面を覆うように設けることが通常であるが、電子ブロッキング層は一般に電極の形状に応じて適宜の範囲を覆うものとされることは本願最先の優先日当時周知の事項である（例えば、特開２００９−７６６６８号公報　段落【００３５】ないし【００３６】の「２．導電性高分子層　本発明に用いられる導電性高分子層は、少なくとも上記メッシュ電極の開口部に形成されるものであり、メッシュ電極および光電変換層と直接接触するように設けられる。また、導電性高分子層は、正孔を輸送しうるものであり、光電変換層からメッシュ電極への正孔の取出しが容易に行われるように設けられる層である。・・・導電性高分子層の配置としては、導電性高分子層が少なくともメッシュ電極の開口部に形成されていれば特に限定されるものではなく、例えば図１、図２および図４〜６に示すようにメッシュ電極２の開口部およびメッシュ電極２上に導電性高分子層３が形成されていてもよく、図３および図７に示すようにメッシュ電極２の開口部のみに導電性高分子層３が形成されていてもよい。」との記載、及び、図３
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」参照）から、引用発明のＩＴＯを適宜の形状として、その形状に合わせて、「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」を適宜の形状のＩＴＯを部分的にのみ被覆するものとなすことに格別の困難性は認められない。
　したがって、引用発明において、ＩＴＯとＰｂＳ量子ドット膜の間に設けられる「ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ」を、適宜の形状のＩＴＯを部分的にのみ被覆するものとなして、本願発明に係る上記相違点２の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　なお、本件請求人は、審判請求書の「（３−２−１−１−１）本願の特徴」において、「『不連続な電子ブロッキング層は、励起子および／または電子ブロッキング能力の最良の組み合わせを提供する一方、電極への正孔（正電荷）の効率的輸送を可能にし得る』という効果（以下、本願効果１。同明細書の段落００７１等参照。）を奏する」と主張するが、「励起子および／または電子ブロッキング能力の最良の組み合わせを提供する一方、電極への正孔（正電荷）の効率的輸送を可能にし得る」ことと、電子ブロッキング層が「不連続」であること関係についての説明はなく、単に電子ブロッキング層が「不連続」であれば奏する効果であるとも認められないため、上記効果に基づく主張は採用できない。
　
ウ　小括
　上記ア及びイでの検討によれば、引用発明において、相違点１及び２に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になし得ることと認められる。
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び上記周知の事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。