【事件の表示】
　特願２０１２−５０３３２６「太陽光発電装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月　７日国際公開、ＷＯ２０１０／１１４２９４、平成２４年　９月２０日国内公表、特表２０１２−５２２３９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年（２０１０年）３月３０日（優先権主張　平成２１年３月３１日　大韓民国）を国際出願日とする出願（特願２０１２−５０３３２６号）であって、平成２５年１１月１日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月１２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、同年３月３日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年６月３日付けで意見書が提出され、同年６月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年２月１２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおり次のように特定されるものである。
　
「基板と、
　前記基板の上に配置され、第１貫通溝が形成された電極層と、
　前記電極層の上に配置され、第２貫通溝が形成された光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置され、前記第２貫通溝と重畳する第３貫通溝が形成されたウィンドウ層と、
を含み、
　前記第１貫通溝は、前記第２貫通溝と重畳し、
　前記第２貫通溝に対応する領域の電極層の厚さは、前記第２貫通溝の横の領域の電極層の厚さより薄いことを特徴とする、太陽光発電装置。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−１０７１１８号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、種々の３次元形状の基板上に少なくとも非晶質薄膜半導体等の薄膜半導体を形成した半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜半導体の１例である水素化非晶質シリコン半導体等の薄膜非晶質半導体は、液晶表示パネルの駆動用トランジスタとして基板に形成されて表示パネルと一体化して用いられたり、太陽電池等の光起電力装置の起電力層として基板に形成されたり、さらには、コピー機の感光体材料として円筒形基板上に形成されたりしている。」
　
「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の１形態につき、図１及び図２を参照して説明する。
（構成）図１は波形形状の基板上に薄膜半導体構成の複数個の単位起電力素子を直列接続して設けた集積形の光起電力装置の拡大断面図を示し、同図において、１は波形の形状を記憶した形状記憶合金の基板であり、１００℃より高温のときは平板形状になり、１００℃以下では傾斜面を有する波形形状になる。２は基板１上に形成されたＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 の絶縁膜、３は絶縁膜１上の各単位起電力素子４の位置に形成されたＡｌ膜の複数の裏面電極（第２電極）である。
【００１５】５は各裏面電極３上に設けられた単位起電力素子４の薄膜半導体構成の光起電力層であり、それぞれ裏面電極３上にｎ層６，ｉ層７，ｐ層８を順に積層してｐｉｎ型シングルタイプに形成され、ｎ層６及びｉ層７は水素化非晶質シリコン半導体薄膜からなり、ｐ層８は水素化非晶質シリコン−カーボン半導体膜からなる。
【００１６】なお、ｎ層６，ｉ層７，ｐ層８は左端部が裏面電極３間に位置し、ｎ層６の一部が裏面電極３間に充填されている。
【００１７】９は各単位起電力素子４の透明な表面電極（第１電極）であり、ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 又はＩｎ2 Ｏ3 にＳｎを添加したＩＴＯ等の透明導電性膜からなり、左端部が左隣りの単位起電力素子４の裏面電極３に接合し、この接合により左右方向の各列の単位起電力素子４が直列に接続されている。なお、各列の左端の単位起電力素子４は、例えば、表面電極９が前隣りの単位起電力素子４の裏面電極３に接合して直列接続されている。
【００１８】１０は各表面電極１０上に基板表面を一体に覆うように形成された透明樹脂の保護膜である。そして、基板１は製造後（完成後）、その形状に基づき、１００℃以下で所定の形状，すなわち図１の波形形状になる。
【００１９】このとき、基板１上の各単位起電力素子４も、起電力層５の各薄膜半導体及び電極３，９が基板１に一体に波形形状になり、装置全体が所望の３次元形状（波形形状）になる。
【００２０】（製造方法）つぎに、図１の
光起電力装置の製造方法
【００２１】まず、図２の（ａ）〜（ｅ）に示す製造の各工程中は、図中の矢印線に示すように基板１を１００℃より十分に高い温度に加熱し、波形形状（所定の形状）から最も製造し易い平板形状に変化させてこの形状に保持する。
【００２２】そして、図２の（ａ）の第１の工程により、
平坦な基板１上に絶縁膜２及び電極用のアルミニウム膜（以下Ａｌ膜という）１１を順に積層して形成する。
【００２３】つぎに、図２の（ｂ）の第２の工程に移行し、
レーザ加工又はエッチングによりＡｌ膜１１を各裏面電極３に加工する。
【００２４】
さらに、
各裏面電極３を含んで基板１上に光起電力層５のｎ層６，ｉ層７，ｐ層８を順に形成し、各層をレーザ加工またはエッチングにより各単位光起電力素子４毎に加工する。
【００２５】
つぎに、
各光起電力層５上に一体に透明導電性膜を形成し、この膜をレーザ加工等して各単位起電力素子４の表面電極９を形成する。
【００２６】そして、図２の（ｅ）の第５の工程に移行し、いわゆるラミネート加工により保護膜１０を形成し、光起電力装置を形成する。」　
　
　
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例に記載された発明の認定
　引用例の【図２】の記載から、（ｂ）の工程でＡｌ膜１１に溝を設けて各裏面電極３が形成されることが見て取られ、当該裏面電極３を形成するための溝を、以下において「裏面電極間溝」という。同様に、（ｃ）の工程で光起電力層５に溝を設けて各裏面電極に対応した光起電力層５が形成されることが見て取られ、当該各裏面電極に対応した光起電力層５を形成するための溝を、以下において「光起電力層間溝」という。また、同様に、（ｄ）の工程で透明導電成膜に溝を設けて各表面電極９が形成されることが見て取られ、当該表面電極９を形成するための溝を、以下において「表面電極間溝」という。そうすると、【図２】の（ｂ）（ｃ）（ｄ）の工程の図から、「裏面電極間溝」と「光起電力層間溝」は相互に重畳し、「光起電力層間溝」と「表面電極間溝」は相互に重畳していることが見て取れる。
　よって、上記記載（図面の記載も含む）を総合すれば、引用例には、
「平坦な基板１上に絶縁膜２及び電極用のＡｌ膜１１を順に積層して形成し、レーザ加工又はエッチングにより裏面電極間溝を設けてＡｌ膜１１を各裏面電極３に加工し、
　さらに、各裏面電極３を含んで基板１上に光起電力層を形成し、当該光起電力層にレーザ加工またはエッチングにより光起電力層間溝を設けて、各裏面電極に対応した光起電力層５に加工し、
　つぎに、各光起電力層５上に一体に透明導電性膜を形成し、この膜をレーザ加工等して表面電極間溝を設けて各単位起電力素子４の表面電極９を形成することにより製造された光起電力装置であって、
　上記の裏面電極間溝と光起電力層間溝は相互に重畳し、また、上記の光起電力層間溝とと表面電極間溝は相互に重畳している光起電力装置。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
第４　本願発明と引用発明の対比
１　ここで、本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「平坦な基板１」が、本願発明の「基板」に相当する。
　
（２）引用発明の「裏面電極間溝」及び「各裏面電極３」が、それぞれ、本願発明の「第１貫通溝」及び「電極層」に相当するといえるから、引用発明の「平坦な基板１上に絶縁膜２及び電極用のＡｌ膜１１を順に積層して形成し、レーザ加工又はエッチングにより裏面電極間溝を設けてＡｌ膜１１を加工し」て形成された「各裏面電極３」が、本願発明の「前記基板の上に配置され、第１貫通溝が形成された電極層」に相当する。
　
（３）引用発明の「光起電力層間溝」及び「各裏面電極に対応した光起電力層５」が、それぞれ、本願発明の「第２貫通溝」及び「光吸収層」に相当するといえるから、引用発明の「各裏面電極３を含んで基板１上に光起電力層を形成し、当該光起電力層にレーザ加工またはエッチングにより光起電力層間溝を設けて」「加工」された「各裏面電極に対応した光起電力層５」が、本願発明の「前記電極層の上に配置され、第２貫通溝が形成された光吸収層」に相当する。
　
（４）引用発明の「光起電力層間溝」「と相互に重畳している」「表面電極間溝」及び「各単位起電力素子４の表面電極９」が、それぞれ、本願発明の「前記第２貫通溝と重畳する第３貫通溝」及び「ウィンドウ層」に相当するといえるから、引用発明の「各光起電力層５上に一体に透明導電性膜を形成し、この膜をレーザ加工等して」「光起電力層間溝」「と相互に重畳している」「表面電極間溝を設けて」「形成」された「各単位起電力素子４の表面電極９」が、本願発明の「前記光吸収層の上に配置され、前記第２貫通溝と重畳する第３貫通溝が形成されたウィンドウ層」に相当する。
　
（５）引用発明の「上記の裏面電極間溝と光起電力層間溝は相互に重畳」することが、本願発明の「前記第１貫通溝は、前記第２貫通溝と重畳」することに相当する。
　
（６）引用発明の「光起電力装置」が、本願発明の「太陽光発電装置」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「基板と、
　前記基板の上に配置され、第１貫通溝が形成された電極層と、
　前記電極層の上に配置され、第２貫通溝が形成された光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置され、前記第２貫通溝と重畳する第３貫通溝が形成されたウィンドウ層と、
を含み、
　前記第１貫通溝は、前記第２貫通溝と重畳する、太陽光発電装置。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
３　相違点
　電極層の厚さに関し、本願発明においては「第２貫通溝に対応する領域の電極層の厚さは、前記第２貫通溝の横の領域の電極層の厚さより薄い」のに対し、引用発明においてはその点の特定がない点。
　
第５　当審の判断
１　相違点についての検討
　一般に、積層体の開溝加工において、下側の層を露出させるために上側の層に開溝を設けるためのレーザ加工又はエッチングなどをするに際して、開溝の底に上側の層が残らないように下側の層の上面をえぐって露出させることは、種々の技術分野で慣用されている周知の技術である。必要とあらば、例えば、特開昭６０−１４４７９号公報（第４ページ右上欄第５〜６行）、特開昭６２−２３００６４号公報（第３ページ右上欄下から第２行〜左下欄第２行）参照のこと。そして、上記のように、開溝の底に上側の層が残らないように下側の層の上面をえぐって露出させると、下の層においては、当該開溝の底の直下の部分が、その横の隣接する部分より厚さが薄くなることは当然のことである。
　引用発明の光起電力層間溝の加工においても、当該光起電力層間溝の底に光起電力層が少しでも残ると、その下の裏面電極と、光起電力層間溝に配置される表面電極との接続が悪くなり、その間の電気抵抗が非常に大きくなるか、最悪の場合には断線状態となるという問題が生じ得る。よって、光起電力層間溝の底に光起電力層が全く残らないようにすることは必要であり、そのために上記の周知の技術を用いて、光起電力層間溝の開溝加工において、その下の裏面電極の上面をえぐって露出させること、すなわち、光起電力層間溝（本願発明の「第２貫通溝」に相当）に対応する領域の裏面電極（本願発明の「電極層」に相当）の厚さを、光起電力層間溝（本願発明の「第２貫通溝」に相当）の横の領域の裏面電極（本願発明の「電極層」に相当）の厚さより薄くなるようにして、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得たことにすぎない。
　
２　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。