【事件の表示】
　特願２０１１−　２４９４１「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月３０日出願公開、特開２０１２−１６４８６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（１）　手続の経緯
　本願は平成２３年２月８日を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　　平成２５年　９月１９日　　審査請求
　　平成２６年　６月１２日　　拒絶理由通知
　　平成２６年　８月１２日　　意見書・手続補正書
　　平成２７年　２月　４日　　拒絶査定
　　平成２７年　５月　８日　　審判請求書
（２）　本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は平成２６年８月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　半導体基板と、
　前記半導体基板の主面上に形成され、互いに隣り合う第１ゲート電極および第２ゲート電極と、
　前記第１ゲート電極の前記第２ゲート電極に対向する側の第１側壁上に形成された第１サイドウォールスペーサと、
　前記第２ゲート電極の前記第１ゲート電極に対向する側の第２側壁上に形成された第２サイドウォールスペーサと、
　前記半導体基板の主面上に、前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように形成された第１絶縁膜と、
　前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
　前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように、前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
　を有する半導体装置であって、
　前記第１絶縁膜は、複数の窒化シリコン膜の積層膜からなり、かつ引張応力膜として機能し、
　前記第２絶縁膜は、単層の窒化シリコン膜からなり、かつ引張応力膜として機能し、　
　前記第３絶縁膜は、酸化シリコン系の絶縁膜からなり、
　前記第１サイドウォールスペーサと前記第２サイドウォールスペーサとの間の間隔をＬ０とし、前記第１絶縁膜の膜厚をＴ１とし、前記第１サイドウォールスペーサの側面上の前記第１絶縁膜と前記第２サイドウォールスペーサの側面上の前記第１絶縁膜との間の間隔をＬ１とし、前記第２絶縁膜の膜厚をＴ２としたときに、Ｌ０／２＞Ｔ１かつＬ１／２≦Ｔ２が成り立ち、
　前記第１絶縁膜を構成する前記複数の窒化シリコン膜のそれぞれの水素含有率は、前記第２絶縁膜の水素含有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。」
（３）引用文献の記載と引用発明
　ア　引用文献
　原査定で拒絶の理由に引用された、本願出願日前に日本国内でおいて頒布された刊行物である、特開２０１１−１４６９９号公報（以下「引用文献」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）　「【００１１】
　［第１実施形態］
　第１実施形態による半導体装置の製造方法を図１乃至図７を用いて説明する。図１乃至図６は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１２】
　まず、図１（ａ）に示すように、
半導体基板１０に、素子領域１２を確定する素子分離領域１４を形成する。
・・・・
【００２１】
　次に、全面に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学気相堆積）法により、ポリシリコン膜を形成する。
【００２２】
　次に、フォトリソグラフィ技術を用い、ポリシリコン膜をパターニングする。これにより、
ポリシリコン膜により形成されたゲート電極２２が形成される（図１（ｂ）参照）。
【００２３】
　次に、例えばイオン注入法により、ゲート電極２２をマスクとして、ゲート電極２２の両側の半導体基板１０内に、例えばＮ型のドーパント不純物を導入する。これにより、ゲート電極２２の両側の半導体基板１０内に、エクステンションソース／ドレイン構造のうちの浅い領域である低濃度拡散層（エクステンション領域）２４が形成される。
【００２４】
　次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、シリコン酸化膜を形成する。
【００２５】
　次に、シリコン酸化膜を異方性エッチングする。これにより、
ゲート電極２２の両側に、シリコン酸化膜により形成されたサイドウォール絶縁膜２６が形成される。
・・・・
【００３２】
　
こうして、ゲート電極２２とソース／ドレイン拡散層３０とを有するＮＭＯＳトランジスタ３４が形成される。
【００３３】
　次に、
以下のようにして、複数の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２の積層膜である第１の絶縁層４４を形成する。第１の絶縁層４４は、後述する層間絶縁膜（第２の絶縁層）４６をエッチングする際にエッチングストッパ膜として機能するとともに、ＮＭＯＳトランジスタ３４のチャネル領域３５に引っ張り応力を印加する応力膜（引っ張り応力膜）としても機能する。
【００３４】
　まず、
全面に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学気相堆積）法により、第１層目のシリコン窒化膜（部分膜）３６を形成する（図２（ｂ）参照）。より具体的には、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜３６を形成する。
成膜室内に導入する原料ガスは、例えばＳｉＨ
４
ガス、ＮＨ
３
ガス及びＮ
２
ガスとする。ＳｉＨ
４
ガスの流量は、例えば２０〜１００ｓｃｃｍとする。ＮＨ
３
ガスの流量は、例えば２０〜２０００ｓｃｃｍとする。Ｎ
２
ガスの流量は、例えば２０〜２０００ｓｃｃｍとする。成膜室内の圧力は、例えば３〜１０Ｔｏｒｒとする。印加する高周波電力は、例えば５０〜２００Ｗとする。これにより、膜中の水素濃度が所望の濃度に設定されたシリコン窒化膜３６が形成される。
【００３５】
　次に、
第１層目のシリコン窒化膜（部分膜）３６に対してキュア処理を行う。キュア処理は、膜中に含まれる水素等を膜中から放出させ、膜を収縮させる処理である。シリコン窒化膜３６に対してキュア処理を行うのは、シリコン窒化膜３６の膜ストレス（膜応力）を十分に増大させ、ＮＭＯＳトランジスタ３４のチャネル領域３５（図２（ａ）参照）に十分な引っ張り応力を印加するためである。
キュア処理により、シリコン窒化膜３６中の水素が放出され、シリコン窒化膜３６の体積が例えば１０％程度減少し、シリコン窒化膜３６の密度が増加する。基板温度４００℃で紫外線を照射することによりキュア処理を行った場合、シリコン窒化膜３６の収縮率は例えば８．３％程度となる。
キュア処理を行うことにより、シリコン窒化膜３６の膜ストレス（膜応力）は、例えば１．２〜１．８ＧＰａ程度にまで上昇する。
【００３６】
　図７は、ＳｉＨ４ガスの流量と膜ストレスとの関係を示すグラフである。図７における横軸は成膜室内に導入するＳｉＨ４ガスの流量を示している。図７における縦軸はシリコン窒化膜における膜ストレスを示している。
図７における◆印のプロットはキュア処理を行う前におけるシリコン窒化膜の膜ストレスを示している。図７における■印はキュア処理を行った後におけるシリコン窒化膜の膜ストレスを示している。
【００３７】
　
図７に示すように、シリコン窒化膜を形成する際のＳｉＨ
４
ガスの流量を適宜設定し、シリコン窒化膜に対してキュア処理を行うことにより、例えば１．２ＧＰａ〜１．８ＧＰａ程度の膜ストレスのシリコン窒化膜を得ることができる。
【００３８】
  こうして、半導体基板１０及びＮＭＯＳトランジスタ３４上に、
キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜（部分膜）３６ａが形成された状態となる（図２（ｃ）参照）。
【００３９】
　次に、
全面に、例えばＣＶＤ法により、第２層目のシリコン窒化膜（部分膜）３８を形成する（図３（ａ）参照）。より具体的には、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜３８を形成する。
【００４０】
　次に、
シリコン窒化膜３８に対してキュア処理を行う。キュア処理では、シリコン窒化膜３８を加熱しながら、シリコン窒化膜３８に対して紫外線を照射する。
【００４１】
　こうして、
半導体基板１０及びＮＭＯＳトランジスタ３４上に、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａと、キュア処理が行われた第２層目のシリコン窒化膜３８ａとが積層された状態となる（図３（ｂ）参照）。
【００４２】
　次に、
全面に、例えばＣＶＤ法により、第３層目のシリコン窒化膜（部分膜）４０を形成する（図３（ｃ）参照）。より具体的には、プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜４０を形成する。
【００４３】
　次に、
シリコン窒化膜４０に対してキュア処理を行う。キュア処理では、シリコン窒化膜４０を加熱しながら、シリコン窒化膜４０に対して紫外線を照射する。
【００４４】
　こうして、
半導体基板１０及びＮＭＯＳトランジスタ３４上に、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａが積層された状態となる（図４（ａ）参照）。
【００４５】
　
次に、全面に、例えばＣＶＤ法により、最上層のシリコン窒化膜（部分膜）４２を形成する。
【００４６】
　
最上層のシリコン窒化膜４２に対しては、キュア処理は行われない。
【００４７】
　
キュア処理が行われた複数のシリコン窒化膜（部分膜）３６ａ、３８ａ、４０ａ及びキュア処理が行われていないシリコン窒化膜（部分膜）４２により、第１の絶縁層（エッチングストッパ膜、引っ張り応力膜）４４が形成される。
【００４８】
　キュア処理が行われた複数のシリコン窒化膜（部分膜）３６ａ、３８ａ、４０ａを比較的厚く積層するのは、トランジスタ３４のチャネル領域３５に引っ張り応力を十分に印加するためである。
【００４９】
　
最上層のシリコン窒化膜（部分膜）４２に対してキュア処理を行わないのは、以下のような理由によるものである。
【００５０】
　
図１０は、シリコン窒化膜に大きな裂け目が生じる例を示す工程断面図である。図１０（ａ）に示すように、トランジスタ３４が形成された半導体基板１０上に、シリコン窒化膜１４４を比較的厚く堆積していくと、互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、シリコン窒化膜１４４の表面同士が互いに接触する。このようにして形成される合わせ目１４６は、シームと称される。
シリコン窒化膜１４４に対しては、キュア処理が行われる。シリコン窒化膜１４４に対してキュア処理を行うのは、シリコン窒化膜１４４を収縮させ、トランジスタ３４のチャネル領域３５に引っ張り応力を印加するためである。シリコン窒化膜１４４に対してキュア処理を行うと、シリコン窒化膜１４４が収縮するため、接触していたシリコン窒化膜１４４の表面同士が互いに離間する。そうすると、図１０（ｂ）に示すような裂け目１４６ａが、シリコン窒化膜に発生する場合がある。なお、このような裂け目１４６ａをシームと称することもある。シリコン窒化膜１４４ａに大きな裂け目１４６ａが発生すると、ボイド等の要因になり、後工程において短絡等が発生する要因になり、ひいては半導体装置の信頼性の低下を招くこととなる。
【００５１】
　これに対し、本実施形態では、
最上層のシリコン窒化膜４２に対してはキュア処理を行わない。最上層のシリコン窒化膜４２に対してキュア処理を行わなくても、キュア処理が行われたシリコン窒化膜３６ａ、３８ａ、４０ａが存在すれば、十分な引っ張り応力をＮＭＯＳトランジスタ３４のチャネル領域３５に印加することが可能である。
【００５２】
　一方、
第１の絶縁層４４のエッチングストッパとしての機能を十分に確保するためには、第１の絶縁層４４を比較的厚く形成することが好ましい。
本実施形態では、シリコン窒化膜３６ａ、３８ａ、４０ａ上に、更にシリコン窒化膜４２を形成している。シリコン窒化膜４２に対してはキュア処理が行われないため、シリコン窒化膜４２が著しく収縮することはなく、第１の絶縁層４４に大きなシームやボイドが生じるのを防止することができる。
【００５３】
　なお、キュア処理が行われたシリコン窒化膜４０ａに裂け目が生じたとしても、シリコン窒化膜４０ａに発生した裂け目はシリコン窒化膜４２により埋め込まれる。シリコン窒化膜４２に対してはキュア処理が行われないため、この場合にも、第１の絶縁層４４に大きなシームやボイドが生じるのを防止することができる。
【００５４】
　このような理由により、本実施形態では、最上層のシリコン窒化膜（部分膜）４２に対してキュア処理を行わない。
【００５５】
　
こうして、複数のシリコン窒化膜（部分膜）３６ａ、３８ａ、４０ａ、４２の積層膜である第１の絶縁層（エッチングストッパ膜、引っ張り応力膜）４４が形成される（図４（ｂ）参照）
【００５６】
　上述したように、最上層のシリコン窒化膜４２以外のシリコン窒化膜３６、３８、４０に対しては、シリコン窒化膜３６、３８、４０を形成する毎にキュア処理が行われ、最上層のシリコン窒化膜４２に対しては、キュア処理は行われない。
【００５７】
　
最上層のシリコン窒化膜４２以外のシリコン窒化膜３６、３８、４０に対してはキュア処理が行われているため、ＮＭＯＳトランジスタ３４のチャネル領域３５に対して十分な引っ張り応力が印加される。シリコン窒化膜４２を形成することにより第１の絶縁層４４が十分に厚く形成されるため、後工程において層間絶縁膜４６をエッチングする際に、第１の絶縁層４４はエッチングストッパ膜として十分に機能し得る。
【００５８】
　最上層のシリコン窒化膜４２に対してはキュア処理が行われていないため、最上層のシリコン窒化膜４２の密度は比較的低い。最上層のシリコン窒化膜４２の密度は、最上層を除くシリコン窒化膜３６ａ、３８ａ、４０ａの密度より低い状態のまま維持される。
【００５９】
　次に、
全面に、例えばＣＶＤ法により、層間絶縁膜（第２の絶縁層）４６を形成する。層間絶縁膜４６としては、例えばシリコン酸化膜を形成する。
【００６０】
　次に、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing、化学的機械的研磨）法により、層間絶縁膜４６の表面を平坦化する（図４（ｃ）参照）。
・・・・
【００６９】
　このように、本実施形態によれば、複数の部分膜３６、３８、４０、４２のうちの最上層の部分膜４２以外の部分膜に対してはキュア処理を行い、最上層の部分膜４２に対してはキュア処理を行わない。このため、本実施形態によれば、第１の絶縁層４４を比較的厚く形成するにもかかわらず、第１の絶縁層４４に大きなシームやボイドが生じるのを抑制し得る。第１の絶縁層４４が比較的厚く形成されるため、第１の絶縁層４４はエッチングストッパ膜としての機能を十分に確保し得る。また、キュア処理が行われた部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａによりトランジスタ３４のチャネル領域３５に十分な引っ張り応力が印加されるため、電気的特性の良好なトランジスタ３４を得ることができる。従って、本実施形態によれば、電気的特性が良好で、しかも信頼性の高い半導体装置を提供することが可能となる。」
（イ）「【００８１】
　［変形実施形態］
　上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
・・・・
【００８４】
　また、
上記実施形態では、最上層の部分膜４２、４３以外の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａの層数を３層とする場合を例に説明したが、最上層の部分膜４２、４３以外の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａの層数は３層に限定されるものではない。
また、最上層の部分膜４２、４３以外の部分膜の層数が、２層であってもよいし、４層以上であってもよい。
イ　引用発明
（ア）　上記ア（ア）の引用文献の記載（【００４４】，【００５５】）及び図４（ｃ）より、
半導体基板１０の主面上に、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆うように、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜が形成されている
（イ）　上記ア（ア）の引用文献の記載（【００４４】，【００４５】）及び図４（ｃ）より、
互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆うように、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜上に最上層のシリコン窒化膜４２が形成されている
（ウ）　上記ア（ア）の引用文献の記載（【００５９】）及び図４（ｃ）より、
互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆うように、最上層のシリコン窒化膜４２上に層間絶縁膜４６としてシリコン酸化膜が形成されている
（エ）　上記ア（ア）によると、引用文献（【００３５】）には、「シリコン窒化膜３６に対してキュア処理を行うのは、シリコン窒化膜３６の膜ストレス（膜応力）を十分に増大させ、ＮＭＯＳトランジスタ３４のチャネル領域３５（図２（ａ）参照）に十分な引っ張り応力を印加するためである。・・・・
キュア処理を行うことにより、シリコン窒化膜３６の膜ストレス（膜応力）は、例えば１．２〜１．８ＧＰａ程度にまで上昇する。
　また、上記ア（ア）の引用文献（【００３５】，【００３８】）の記載により、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａは、シリコン窒化膜３６がキュア処理されて形成された膜であり、上述の記載から、
キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａは引っ張り応力膜として機能している
　同様に、上記ア（ア）の引用文献（【００４０】，【００４３】）の記載から、
キュア処理が行われた第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａも引っ張り応力膜として機能している
（オ）　上記ア（ア）の引用文献（【００３４】）には、「成膜室内に導入する原料ガスは、例えばＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガス及びＮ２ガスとする。ＳｉＨ４ガスの流量は、例えば２０〜１００ｓｃｃｍとする。ＮＨ３ガスの流量は、例えば２０〜２０００ｓｃｃｍとする。Ｎ２ガスの流量は、例えば２０〜２０００ｓｃｃｍとする。成膜室内の圧力は、例えば３〜１０Ｔｏｒｒとする。印加する高周波電力は、例えば５０〜２００Ｗとする。これにより、膜中の水素濃度が所望の濃度に設定されたシリコン窒化膜３６が形成される。」との記載がある。
　また、上記ア（ア）の引用文献（【００３６】）には、「図７は、ＳｉＨ４ガスの流量と膜ストレスとの関係を示すグラフである。図７における横軸は成膜室内に導入するＳｉＨ４ガスの流量を示している。図７における縦軸はシリコン窒化膜における膜ストレスを示している。図７における◆印のプロットはキュア処理を行う前におけるシリコン窒化膜の膜ストレスを示している。・・・・なお、図７に示す関係を測定する際には、ＮＨ３ガスの流量は、１０００ｓｃｃｍとし、Ｎ２ガスの流量は１０００ｓｃｃｍとした。」との記載及び図７から、キュア処理前のシリコン窒化膜３６はある程度引っ張り応力を有していると認められる。
　また、上記ア（ア）によると、引用文献（【００４５】，【００４６】）には、「シリコン窒化膜
４２
４０
４２
　したがって、
最上層のシリコン窒化膜４２は引っ張り応力膜として機能すると認められる。
（カ）　上記ア（ア）の引用文献（【００３５】）には、「第１層目のシリコン窒化膜（部分膜）３６に対してキュア処理を行う。キュア処理は、膜中に含まれる水素等を膜中から放出させ、膜を収縮させる処理である。」との記載があるから、キュア処理されたシリコン窒化膜３６ａの水素含有率は、シリコン窒化膜３６の水素含有率より小さいと認められる。
　また、上記ア（ア）の引用文献（【００４５】，【００４６】）には、「シリコン窒化膜
４２
　したがって、
キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａは、最上層のシリコン窒化膜４２より水素含有率が小さい
（キ）　上記ア（ア）の引用文献（【００３９】，【００４２】）における、第２層目のシリコン窒化膜３８及び第３層目のシリコン窒化膜４０の成膜条件は、第１層目のシリコン窒化膜３６と同様であるとの記載から、第２層目のシリコン窒化膜３８及び第３層目のシリコン窒化膜４０の水素含有率は、第１層目のシリコン窒化膜３６と同等であると認められる。
　また、第２層目のシリコン窒化膜３８をキュア処理され形成された第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０をキュア処理され形成された第３層目のシリコン窒化膜４０ａの水素含有率は、上記（エ）より、第２層目のシリコン窒化膜３８及び第３層目のシリコン窒化膜４０の水素含有率より少ないと認められる。
　よって、キュア処理された第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの水素含有率は、第１層目のシリコン窒化膜３６の水素含有率より少ないと認められる。
　したがって、上記（カ）より、シリコン窒化膜４２の水素含有率は、シリコン窒化膜３６の水素含有率と同等と認められるから、
キュア処理された第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの水素含有率は、シリコン窒化膜４２の水素含有率よりも少ない
（ク）　以上から、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体基板１０と、
　半導体基板１０の主面上に形成され、互いに隣接するゲート電極２２と、
　互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６と、　
　半導体基板１０の主面上に、互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜と、
　互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜上に形成された最上層のシリコン窒化膜４２と、
　互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、最上層のシリコン窒化膜４２上に形成された層間絶縁膜４６と、
　を有する半導体装置であって、
　キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜は、引っ張り応力膜として機能し、
　最上層のシリコン窒化膜４２は、引っ張り応力膜として機能し、
　層間絶縁膜４６はシリコン酸化膜からなり、
　キュア処理された第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの水素含有率は、最上層のシリコン窒化膜４２の水素含有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。」
（４）本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「互いに隣接するゲート電極２２」は、本願発明の「互いに隣り合う第１ゲート電極および第２ゲート電極」に相当するといえる。
イ　引用発明における「互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６」は、互いに隣接する一方のゲート電極２２と他方のゲート電極２２の両側にサイドウォール絶縁膜２６が形成されているといえるので、前記一方のゲート電極の前記他方のゲート電極に対向する側にサイドウォール絶縁膜２６が形成され、前記他方のゲート電極の前記一方のゲート電極に対向する側にもサイドウォール絶縁膜２６が形成されているといえる。
　また、引用文献の図４（ｃ）より、サイドウォール絶縁膜２６はゲート電極２２の「側壁」に形成されていることは明らかである。
　したがって、上記アを考慮すると、引用発明における「互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６」は、本願発明の「前記第１ゲート電極の前記第２ゲート電極に対向する側の第１側壁上に形成された第１サイドウォールスペーサと、前記第２ゲート電極の前記第１ゲート電極に対向する側の第２側壁上に形成された第２サイドウォールスペーサ」に相当するといえる。
ウ　引用発明の「半導体基板１０の主面上に、互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜」は、「引っ張り応力膜として機能」するから、本願発明の「前記半導体基板の主面上に、前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように形成され」、「複数の窒化シリコン膜の積層膜からなり、かつ引張応力膜として機能」する「第１絶縁膜」に相当するといえる。
エ　引用発明の「互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜上に形成された最上層のシリコン窒化膜４２」は、「引っ張り応力膜として機能」するから、本願発明の「前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように、前記第１絶縁膜上に形成され」、「単層の窒化シリコン膜からなり、かつ引張応力膜として機能」する「第２絶縁膜」に相当するといえる。
オ　引用発明の「互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、最上層のシリコン窒化膜４２上に形成された層間絶縁膜４６」は、「シリコン酸化膜からな」るので、本願発明の「前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように、前記第２絶縁膜上に形成され」、「酸化シリコン系の絶縁膜からな」る「第３絶縁膜」に相当するといえる。
カ　上記ウ及びエより、引用発明の「キュア処理された第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの水素含有率は、最上層のシリコン窒化膜４２の水素含有率よりも小さいこと」は、本願発明の「前記第１絶縁膜を構成する前記複数の窒化シリコン膜のそれぞれの水素含有率は、前記第２絶縁膜の水素含有率よりも小さいこと」に相当するといえる。
カ　引用発明の「層間絶縁膜４６」及び「シリコン酸化膜」は、本願発明の「第３絶縁膜」及び「酸化シリコン系の絶縁膜」に相当するといえる。
キ　以上から、本願発明と引用発明とは下記の（ア）の点で一致し、下記（イ）の点で相違する。
（ア）一致点
「半導体基板と、
　前記半導体基板の主面上に形成され、互いに隣り合う第１ゲート電極および第２ゲート電極と、
　前記第１ゲート電極の前記第２ゲート電極に対向する側の第１側壁上に形成された第１サイドウォールスペーサと、
　前記第２ゲート電極の前記第１ゲート電極に対向する側の第２側壁上に形成された第２サイドウォールスペーサと、
　前記半導体基板の主面上に、前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように形成された第１絶縁膜と、
　前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜と、
　前記第１および第２ゲート電極と前記第１および第２サイドウォールスペーサとを覆うように、前記第２絶縁膜上に形成された第３絶縁膜と、
　を有する半導体装置であって、
　前記第１絶縁膜は、複数の窒化シリコン膜の積層膜からなり、かつ引張応力膜として機能し、
　前記第２絶縁膜は、単層の窒化シリコン膜からなり、かつ引張応力膜として機能し、
　前記第３絶縁膜は、酸化シリコン系の絶縁膜からなり、
　前記第１絶縁膜を構成する前記複数の窒化シリコン膜のそれぞれの水素含有率は、前記第２絶縁膜の水素含有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。」
（イ）相違点
・相違点１
　本願発明は、「前記第１サイドウォールスペーサと前記第２サイドウォールスペーサとの間の間隔をＬ０とし、前記第１絶縁膜の膜厚をＴ１」としたときに、「Ｌ０／２＞Ｔ１」が成り立つのに対し、引用発明は、その点を明示していない点。
・相違点２
　本願発明は、「前記第１サイドウォールスペーサの側面上の前記第１絶縁膜と前記第２サイドウォールスペーサの側面上の前記第１絶縁膜との間の間隔をＬ１とし、前記第２絶縁膜の膜厚をＴ２」としたときに、「Ｌ１／２≦Ｔ２」が成り立つのに対し、引用発明はその点を明示していない点。　
（５）相違点についての検討
　ア　相違点１について
（ア）上記（３）ア（イ）より、引用文献（【００５０】）及び図１０（ａ），（ｂ）には、互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面同士が互いに接触しているシリコン窒化膜１４４に対してキュア処理を行うと、接触していたシリコン窒化膜の表面同士が互いに離間し、シリコン窒化膜１４４に大きな裂け目１４６ａ（シームと称することもある）が発生し、ボイド等の要因になり、後工程において短絡等が発生する要因になり、ひいては半導体装置の信頼性の低下を招くこととなる旨の記載がある。
　そうすると、引用発明において、「半導体基板１０の主面上に、互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａ」それぞれを形成する際に、キュア処理によってシリコン窒化膜に裂け目が発生しないようにするために、第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜を、ゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面が接触しないように形成することは、引用文献の上記の記載に接した当業者が、当然に行い得るものといえる。
　そして、その結果、引用発明において、互いに隣接するゲート電極２２における一方のゲート電極２２の他方のゲート電極２２に対向する側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６と、前記他方のゲート電極２２の前記一方のゲート電極２２に対向する側にも形成されたサイドウォール絶縁膜２６との間隔をＬ０とし、第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜の厚さをＴ１としたときに、「Ｌ０／２＞Ｔ１」が成り立つことは明らかである。
　なお、引用文献には、「なお、キュア処理が行われたシリコン窒化膜４０ａに裂け目が生じたとしても、シリコン窒化膜４０ａに発生した裂け目はシリコン窒化膜４２により埋め込まれる。」（【００５３】）との記載があるが、当該記載は、キュア処理が行われたシリコン窒化膜４０ａに裂け目が生じるような構成を採用した場合におけるシリコン窒化膜４２の作用効果を記載したにとどまり、このことが、引用発明において、キュア処理によってシリコン窒化膜に裂け目が発生しないようにするために、第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜を、ゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面が接触しないように形成することを妨げる阻害要因になるとは認められない。
（イ）加えて、上記（３）ア（イ）によれば、引用文献１には、「上記実施形態では、最上層の部分膜４２、４３以外の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａの層数を３層とする場合を例に説明したが、最上層の部分膜４２、４３以外の部分膜３６ａ、３８ａ、４０ａの層数は３層に限定されるものではない。・・・また、最上層の部分膜４２、４３以外の部分膜の層数が、２層であってもよい」（【００８４】）との記載があり、当該記載から、最上層のシリコン窒化膜４２の下側に、キュア処理が行われた２層のシリコン窒化膜が形成される構成とすることは、当業者が当然に行い得ると認められ、また、引用文献の図２（ｂ）及び（ｃ）、並びに図３（ａ）及び（ｂ）には、引用発明の第１層目のシリコン窒化膜３６ａ及び第２層目のシリコン窒化膜３８ａの積層膜が、ゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面が接触しないように形成されることが記載されていると認められる。
　そうすると、引用発明において、最上層のシリコン窒化膜４２の下側に、シリコン窒化膜４０ａを除く、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ及び第２層目のシリコン窒化膜３８ａの２層のシリコン窒化膜が形成される構成とし、第１層目のシリコン窒化膜３６ａ及び第２層目のシリコン窒化膜３８ａの積層膜が、ゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面が接触しないように形成することは、上記（ア）で引用した引用文献の記載と、引用文献の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものといえる。
　そして、その結果、引用発明において、互いに隣接するゲート電極２２における一方のゲート電極２２の他方のゲート電極２２に対向する側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６と、前記他方のゲート電極２２の前記一方のゲート電極２２に対向する側にも形成されたサイドウォール絶縁膜２６との間隔をＬ０とし、第１層目のシリコン窒化膜３６ａ及び第２層目のシリコン窒化膜３８ａの積層膜の厚さをＴ１としたときに、「Ｌ０／２＞Ｔ１」が成り立つことは明らかである。
（ウ）以上から、相違点１に係る構成は、引用発明において、当業者が普通に行い得るものである。
イ　相違点２について
　上記（３）ア（ア）のとおり、引用文献には、「最上層のシリコン窒化膜４２に対しては、キュア処理は行われない。」（【００４６】）との記載「キュア処理が行われた複数のシリコン窒化膜（部分膜）３６ａ、３８ａ、４０ａ及びキュア処理が行われていないシリコン窒化膜（部分膜）４２により、第１の絶縁層（エッチングストッパ膜、引っ張り応力膜）４４が形成される。」（【００４７】）との記載、及び、「第１の絶縁層４４のエッチングストッパとしての機能を十分に確保するためには、第１の絶縁層４４を比較的厚く形成することが好ましい。このため、本実施形態では、シリコン窒化膜３６ａ、３８ａ、４０ａ上に、更にシリコン窒化膜４２を形成している。シリコン窒化膜４２に対してはキュア処理が行われないため、シリコン窒化膜４２が著しく収縮することはなく、第１の絶縁層４４に大きなシームやボイドが生じるのを防止することができる。」（【００５２】）との記載がある。
　また、引用発明において、互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内で表面同士が互いに接触しているシリコン窒化膜に対し、キュア処理を行うと当該シリコン窒化膜にシームやボイドが発生することは、上記ア（ア）で引用した引用文献の記載のとおりである。
　そうすると、引用発明において、互いに隣接するゲート電極２２と、互いに隣接するゲート電極２２の両側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６とを覆う、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜上に形成された最上層のシリコン窒化膜４２を、エッチングストッパとしての機能を十分に確保するために厚く形成することは、引用文献の上記の記載に接した当業者が普通に行い得るものであり、その際に、最上層のシリコン窒化膜４２はキュア処理されないことから、互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内においてシリコン窒化膜４２の表面同士が互いに接触するまで厚く形成しても、当該シリコン窒化膜にシームやボイドが発生しないことは、引用文献の上記の記載から当業者には自明な事項である。
　そして、その結果、引用発明において、互いに隣接するゲート電極２２における一方のゲート電極２２の他方のゲート電極２２に対向する側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６上の、第１層目のシリコン窒化膜３６ａ、第２層目のシリコン窒化膜３８ａ及び第３層目のシリコン窒化膜４０ａの積層膜と、前記他方のゲート電極２２の前記一方のゲート電極２２に対向する側に形成されたサイドウォール絶縁膜２６上の前記積層膜との間の間隔をＬ１とし、最上層のシリコン窒化膜４２の厚さをＴ２としたときに「Ｌ１／２≦Ｔ２」が成り立つ構成を特定していることは明らかである。
　また、これらのことは、上記ア（イ）のように、最上層のシリコン窒化膜４２の下側に、キュア処理が行われた第１層目のシリコン窒化膜３６ａ及び第２層目のシリコン窒化膜３８ａの２層のシリコン窒化膜が形成される構成とした場合においても、同様である。
　以上から、相違点２に係る構成は、引用発明において、当業者が普通に行い得るものである。
ウ　小括
　したがって、引用発明において、相違点１及び２に係る構成とすることは、引用文献の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。
（６）　本願発明の作用効果について
　本願明細書には、「このように、本実施の形態では、
上記界面１８が形成されないため亀裂（クラック）が生じにくい窒化シリコン膜５ａ，５ｂに対しては、成膜後のＵＶ照射を行うことで窒化シリコン膜５ａ，５ｂの引張応力を増大させ、上記界面１８が形成されることで亀裂（クラック）が発生しやすい窒化シリコン膜５ｃに対しては、成膜後のＵＶ照射を行わないことで窒化シリコン膜５ｃの亀裂（クラック）を防止する。
窒化シリコン膜５全体の引張応力を効率的に増大させることができるとともに、窒化シリコン膜５における亀裂（クラック）を防止できることで、窒化シリコン膜５によって半導体基板１（特にｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのチャネル領域）に作用させることができる引張応力を的確かつ効率的に向上させることができる。
引張応力膜としての窒化シリコン膜５を形成したことによるｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの特性向上の効果を、的確かつ効率的に向上させることができる。」
　本願発明は、「前記第１絶縁膜を構成する前記複数の窒化シリコン膜のそれぞれの水素含有率は、前記第２絶縁膜の水素含有率よりも小さい」との構成を特定するものの、窒化シリコン膜の成膜条件により、窒化シリコン膜の水素含有率を設定できることは技術常識であるので（例えば、上記（３）ア（ア）の引用文献（【００３４】）を参照されたい。）、当該構成のみで、窒化シリコン膜を成膜し、成膜後にＵＶ照射を行っていることを特定するとまで認められない。
　したがって、成膜後のＵＶ照射による窒化シリコン膜の引張応力増大や窒化シリコン膜の亀裂（クラック）を防止するという作用効果が、本願発明の構成によって得られた効果とは認められない。
　また、本願発明においては、「ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ」の構成を特定しいない。よって、「引張応力膜としての窒化シリコン膜５を形成したことによるｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの特性向上の効果を、的確かつ効率的に向上させることができる」という作用効果は本願発明の構成によって得られた効果とは認められない。
　したがって、本願発明は、格別の作用効果を奏するとは認められない。
　仮にそうではないとして、本願発明において、「上記界面１８が形成されないため亀裂（クラック）が生じにくい窒化シリコン膜５ａ，５ｂに対しては、成膜後のＵＶ照射を行うことで窒化シリコン膜５ａ，５ｂの引張応力を増大させ、上記界面１８が形成されることで亀裂（クラック）が発生しやすい窒化シリコン膜５ｃに対しては、成膜後のＵＶ照射を行わないことで窒化シリコン膜５ｃの亀裂（クラック）を防止する」という効果を奏すると認められるとしても、上記（５）のとおり、引用発明において、最上層のシリコン窒化膜４２の下側のキュア処理された複数のシリコン窒化膜をゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面が接触しないように形成し、シリコン窒化膜にキュア処理による裂け目が発生しないようにすること、及び、キュア処理されない最上層のシリコン窒化膜４２を互いに隣接するゲート電極２２とゲート電極２２との間の領域内において、表面同士が互いに接触するまで厚く形成し、エッチングストッパとしての機能を十分確保することは、引用文献の記載に基づいて、当業者が容易に想到し得るものであると認められるから、上記作用効果も引用発明に基づいて、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明が奏する作用効果は格別のものとは認められない。
（７）まとめ
　本願発明は、引用文献に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に基づいて特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。