(57)【要約】  可動ステージの加速中に、ステージの位置決め制動の向上を図ると共に、ステージの内部振動の発生を抑えてスループットの向上させることができる位置決め装置等を提供する。位置決め対象物（Ｗ）を載置するとともに少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部（４３）と、テーブル部（４３）に一軸方向への駆動力（Ｆ）を付加する駆動部と、テーブル部の一軸方向における位置を計測する位置計測部（４８）と、を有する位置決め装置において、テーブル部（４３）は、駆動力（Ｆ）が付加される力点（９１）と位置決め対象物Ｗが載置される位置決め対象点（９２）との二点間、位置計測部による被計測点（９３）と位置決め対象点（９２）との二点間、及び力点（９１）と被計測点（９３）との二点間のうちの１つ以上に、それぞれの二点の相対位置を略一定に維持するアクチュエータ（９６，９７）を備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置決め対象物を載置するとともに少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部と、前記テーブル部に前記一軸方向への駆動力を付加する駆動部と、前記テーブル部の前記一軸方向における位置を計測する位置計測部と、を有する位置決め装置において、
前記テーブル部は、前記駆動力が付加される力点と前記位置決め対象物が載置される位置決め対象点との二点間、前記位置計測部による被計測点と前記位置決め対象点との二点間、及び前記力点と前記被計測点との二点間のうちの１つ以上に、それぞれの二点の相対位置を略一定に維持するアクチュエータを備えることを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】
前記テーブル部は、前記テーブル部における所定部材と前記力点の二点の相対位置を略一定に維持するアクチュエータを備えることを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】
前記アクチュエータは、前記テーブル部の加速時及び／又は減速時に駆動されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の位置決め装置。
【請求項４】
前記アクチュエータは、それぞれの前記二点間の剛性を変化させることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
【請求項５】
前記アクチュエータは、それぞれの前記二点間に所定の力を作用させることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
【請求項６】
前記それぞれの二点間のうちの少なくとも１つは、前記アクチュエータ自身で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
【請求項７】
前記アクチュエータは、圧電アクチュエータであることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の位置決め装置。
【請求項８】
位置決め対象物を少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部に載置すると共に、前記テーブル部に前記一軸方向への駆動力を付加しつつ、前記テーブル部の前記一軸方向における位置を計測して、前記位置決め対象物を所定の位置に移動させる位置決め方法において、
前記テーブル部の加速時及び／又は減速時に、
前記テーブル部における前記駆動力が付加される力点と前記位置決め対象物が載置される位置決め対象点との二点間、前記テーブル部における前記位置計測部による被計測点と前記位置決め対象点との二点間、及び前記力点と前記被計測点との二点間のうちの１つ以上の相対位置を略一定に維持することを特徴とする位置決め方法。
【請求項９】
同時に、前記テーブル部における所定の部材と前記力点との二点の相対位置を略一定に維持することを特徴とする請求項８に記載の位置決め方法。
【請求項１０】
前記二点間の剛性を変化させることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の位置決め方法。
【請求項１１】
前記二点間に所定の力を作用させることを特徴とする請求項８から請求項１０のうちいずれか一項に記載の位置決め方法。
【請求項１２】
マスクを保持するマスクステージと、基板を保持する基板ステージとを有し、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光装置であって、
前記マスクステージと前記基板ステージの少なくとも一方に、請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の位置決め装置を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
基板上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記基板の位置決めに請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の位置決め装置を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
前記基板を移動しつつ該基板に露光光を照射する走査型の露光装置であって、
前記露光光が、前記基板の加速中または減速中の少なくとも一方において前記基板に照射されることを特徴とする請求項１２または請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
マスクステージに載置したマスクと基板ステージに載置した基板とをそれぞれ位置決めしつつ、前記マスクに形成されたパターンを前記基板に露光する露光方法であって、
前記マスクの位置決め方法と前記基板の位置決め方法の少なくとも一方に、請求項８から請求項１１のうちいずれか一項に記載の位置決め方法を用いることを特徴とする露光方法。
【請求項１６】
基板上に所定のパターンを形成する露光方法であって、
前記基板の位置決めに請求項８から請求項１１のうちいずれか一項に記載の位置決め方法を用いることを特徴とする露光方法。
【請求項１７】
前記基板を移動しつつ該基板に露光光を照射する走査型の露光方法であって、
前記露光光が、前記基板の加速中または減速中の少なくとも一方において前記基板に照射されることを特徴とする請求項１５または請求項１６に記載の露光方法。
【請求項１８】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフィ工程において請求項１２から請求項１４のいずれか一項に記載の露光装置、或いは請求項１５から請求項１７のいずれか一項に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項１９】
物体を載置するテーブル部と、該テーブル部を移動させる駆動装置とを備えた位置決め装置であって、
前記駆動装置の駆動力が付加される前記テーブル部の力点と、前記物体における位置決め対象点との間の相対位置が略一定に維持されることを特徴とする位置決め装置。
【請求項２０】
前記駆動装置によって発生する駆動力に応じて前記力点と前記位置決め対象点との間に所定の力を作用させるアクチュエータを備えたことを特徴とする請求項１９に記載の位置決め装置。
【請求項２１】
基板上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記基板の位置決めに請求項１９に記載の位置決め装置を用いることを特徴とする露光装置。
【請求項２２】
物体をテーブル部に載置して駆動装置によって前記テーブル部を移動させる位置決め方法であって、
少なくとも前記テーブル部が移動している間は、前記駆動装置の駆動力が付加される前記テーブル部の力点と、前記物体における位置決め対象点との間の相対位置を略一定に維持することを特徴とする位置決め方法。
【請求項２３】
前記駆動装置によって発生する駆動力に応じて、該駆動力とは別に前記力点と前記位置決め対象点との間に所定の力を作用させることを特徴とする請求項２２に記載の位置決め方法。
【請求項２４】
基板上に所定のパターンを形成する露光方法であって、
前記基板の位置決めに請求項２２に記載の位置決め方法を用いることを特徴とする露光方法。
【請求項２５】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法であって、前記リソグラフィ工程において請求項２１に記載の露光装置、或いは請求項２４に記載の露光方法を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体を保持しつつ高加速で移動する位置決め装置、及びこれを備える露光装置等に関する。
本願は、２００４年６月２５日に出願された特願２００４−１８８１１３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィエ程では、マスク又はレチクル（以下「レチクル」と総称する）に形成されたパターンを投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の感光物体（以下、「ウエハ」と総称する）上に転写するステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置（いわゆるスキャヤニング・ステッパ）などが主として用いられている。
ステッパなどの投影露光装置では、レチクルやウエハを載置してレーザ干渉計による位置サーボ制御の下で平面（ＸＹ平面）内で精密に１次元或いは２次元移動するステージ装置が設けられており、高スループットでかつ高精度な露光を実現する必要から、ステージ装置の高加速度化及び高速化に加え、高い位置制御性能（位置決め性能を含む）が要求されている。
このような要請に応じて、可動ステージを駆動する際に生じる運動エネルギーをカウンターマスで吸収して反力や振動を抑える技術や、移動中の可動ステージに生じる重心を中心とした左右方向の回転運動を気体静圧軸受（いわゆるヨーベアリング）を用いて抑制する技術（特許文献１参照）が知られている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、下記公報の開示を援用して本明細書の一部とする。
【特許文献１】特開２００４−８０８７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した技術では、今後量産化が進むと予測されている１Ｇ〜４Ｇビットクラス（最小線幅で０．２μｍ以下）の電子デバイスチップを製造する走査型の露光装置（ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置）への適用には必ずしも十分ではない。
すなわち、可動ステージに付加される加速度（駆動力）が大きくなると、可動ステージ自体が変形してしまうという新たな問題が発生する。特に、可動ステージの加速中に、駆動力が付加される領域（力点）、レーザ干渉計による計測対象物（被計測点）、及びレチクルやウエハの載置領域（位置決め対象点）の間に歪みが発生すると、これらの部材（二点）の相対位置が変動してしまい、可動ステージの位置決め制御を正確に行うことが困難になると共に、加速終了後に可動ステージに発生した歪みが解放されて、内部振動が発生してしまうという問題が生じうる。このため、可動ステージの内部振動が収まるまで露光処理を行うことができず、スループットの向上に悪影響を与える可能性がある。【０００４】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、ステージの加速中に、ステージの位置決め精度の向上を図ると共に、ステージの内部振動の発生を抑えてスループットの向上させることができる位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
本発明の位置決め装置は、位置決め対象物（Ｗ）を載置するとともに少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部（４３）と、テーブル部に一軸方向への駆動力（Ｆ）を付加する駆動部（４６）と、テーブル部の一軸方向における位置を計測する位置計測部（４８）と、を有する位置決め装置（４０）において、テーブル部は、駆動力が付加される力点（９１）と位置決め対象物が載置される位置決め対象点（９２）との二点間、位置計測部による被計測点（９３）と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との二点間のうちの１つ以上に、それぞれの二点の相対位置を略一定に維持するアクチュエータ（８６，９６，９７）を備えるようにした。
この発明によれば、位置決め対象物を載置するテーブル部に対して駆動部から駆動力が付加された際に、力点と位置決め対象点との二点間、被計測点と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との二点の相対位置がそれぞれ一定に保たれるので、位置決め対象物の位置決めを精度よく行うことができる。また、テーブル部の移動時に二点間に歪みが殆ど発生しないので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動を防止することができる。【０００６】
また、テーブル部（４３）は、テーブル部における所定部材（８２）と力点（９１）の二点の相対位置を略一定に維持するアクチュエータ（８７）を備えるものでは、所定部材と力点の二点の相対位置を一定に保つことにより、テーブル部内の歪みの発生を抑えることができるので、内部振動の発生を防止することができる。
また、アクチュエータ（８６，８７，９６，９７）は、テーブル部（４３）の加速時及び／又は減速時に駆動されるものでは、大きな駆動力が付加された場合であっても、テーブル部の内部振動の発生を防止することができる。
また、アクチュエータ（８６，８７，９６，９７）は、それぞれの二点間の剛性を変化させるものでは、テーブル部の二点間の剛性を高くすることにより、テーブル部内の歪みの発生が抑えられるので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動の発生を防止できる。
また、アクチュエータ（８６，８７，９６，９７）は、それぞれの二点間に所定の力を作用させるものでは、テーブル部の移動時に二点間に加わる駆動力に対向して略同一の大きさの力を作用させることにより、テーブル部内の歪みの発生が防止されるので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動を抑えることができる。
アクチュエータ（９６，９７）としては、例えば、圧電アクチュエータ（８６，８７）を用いることにより、容易に上記構成を実現することができる。
また、本発明の異なる態様の位置決め装置は、物体（Ｗ）を載置するテーブル部（４３）と、テーブル部を移動させる駆動装置（４６）とを備えた位置決め装置であって、駆動装置の駆動力（Ｆ）が付加されるテーブル部の力点（９１）と、物体における位置決め対象点（９２）との間の相対位置が略一定に維持されるようにした。【０００７】
本発明の位置決め方法は、位置決め対象物（Ｗ）を少なくとも一軸方向に移動可能なテーブル部（４３）に載置すると共に、テーブル部に一軸方向への駆動力（Ｆ）を付加しつつ、テーブル部の一軸方向における位置を計測して、位置決め対象物を所定の位置に移動させる位置決め方法において、テーブル部の加速時及び／又は減速時に、テーブル部における駆動力が付加される力点（９１）と位置決め対象物が載置される位置決め対象点（９２）との二点間、テーブル部における位置計測部による被計測点（９３）と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との二点間のうちの１つ以上の相対位置を略一定に維持するようにした。
この発明によれば、位置決め対象物を載置するテーブル部に対して駆動部から駆動力が付加された際に、力点と位置決め対象点との二点間、被計測点と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との二点の相対位置がそれぞれ一定に保たれるので、位置決め対象物の位置決めを精度よく行うことができる。また、テーブル部の移動時に二点間に歪みが殆ど発生しないので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動を防止することができる。【０００８】
また、同時に、テーブル部（４３）における所定の部材（８２）と力点（９１）との二点の相対位置を略一定に維持するものでは、所定部材と力点の二点の相対位置を一定に保つことにより、テーブル部内の歪みの発生を抑えることができるので、内部振動の発生を防止することができる。
また、二点間の剛性を変化させるものでは、テーブル部の二点間の剛性を高くすることにより、テーブル部内の歪みの発生が抑えられるので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動の発生を防止できる。
また、二点間に所定の力を作用させるものでは、テーブル部の移動時に二点間に加わる駆動力に対向して略同一の大きさの力を作用させることにより、テーブル部内の歪みの発生が防止されるので、歪みの解放に伴うテーブル部の内部振動を抑えることができる。
また、本発明の異なる態様の位置決め方法は、物体（Ｗ）をテーブル部（４３）に載置して駆動装置（４６）によってテーブル部を移動させる位置決め方法であって、少なくともテーブル部が移動している間は、駆動装置の駆動力（Ｆ）が付加されるテーブル部の力点（９１）と、物体における位置決め対象点（９２）との間の相対位置が略一定に維持されるようにした。【０００９】
本発明の露光装置は、マスク（Ｒ）を保持するマスクステージ（２０）と、基板（Ｗ）を保持する基板ステージ（４０）とを有し、マスクに形成されたパターン（ＰＡ）を基板に露光する露光装置（ＥＸ）において、マスクステージ（２０）と基板ステージ（４０）の少なくとも一方に、本発明の位置決め装置を用いるようにした。
この発明によれば、マスク或いは基板の位置決めを高精度に行うことができ、またステージが加速或いは減速する際に内部振動の発生が防止されているので、マスクと基板との位置決めを効率よく行うことができる。
また、本発明の露光装置は、基板（Ｗ）上に所定のパターンを形成する露光装置（ＥＸ）であって、基板の位置決めに本発明の位置決め装置を用いるようにした。【００１０】
本発明の露光方法は、マスクステージ（２０）に載置したマスク（Ｒ）と基板ステージ（４０）に載置した基板（Ｗ）とをそれぞれ位置決めしつつ、マスクに形成されたパターン（ＰＡ）を基板に露光する露光方法において、マスクの位置決め方法と基板の位置決め方法の少なくとも一方に、本発明の位置決め方法を用いるようにした。
この発明によれば、マスク或いは基板の位置決めを高精度に行うことができ、またステージが加速或いは減速する際に内部振動の発生が防止されているので、マスクと基板との位置決めを効率よく行うことができる。【００１１】
また、本発明の露光方法は、基板（Ｗ）上に所定のパターンを形成する露光方法であって、基板の位置決めに本発明の位置決め方法を用いるようにした。
この発明によれば、微細なパターンを高精度にかつ高スループットに製造することができる。
本発明のデバイス製造方法は、上記露光装置（ＥＸ）または露光方法を用いるようにした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば以下の効果を得ることができる。
本発明の位置決め装置及び位置決め方法では、テーブル部に駆動力が付加された際に、力点と位置決め対象点との二点間、被計測点と位置決め対象点との二点間、及び力点と被計測点との二点の相対位置がそれぞれ一定に保たれることにより、テーブル部の位置決め精度を向上させることができるとともに、テーブル部の内部振動を防止することができる。
本発明の露光装置及び露光方法では、マスク又は基板の位置決めを高精度に、また、無駄な待ち時間を必要とせずに行うことができるので、微細なパターンの露光処理を高スループットに行うことができる。
本発明のデバイスの製造方法では、微細なパターンを高精度にかつ高スループットに製造することができるので、高性能かつ低価格なデバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】露光装置ＥＸの一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】ＸＹテーブル４３の拡大模式図である。
【図３Ａ】ＸＹテーブル４３に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す概念図である。
【図３Ｂ】ＸＹテーブル４３に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す概念図である。
【図３Ｃ】ＸＹテーブル４３に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す概念図である。
【図４Ａ】従来のＸＹテーブル４３´に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す模式図である。
【図４Ｂ】従来のＸＹテーブル４３´に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す模式図である。
【図４Ｃ】従来のＸＹテーブル４３´に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す模式図である。
【図５Ａ】従来のＸＹテーブル４３´に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す概念図である。
【図５Ｂ】従来のＸＹテーブル４３´に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す概念図である。
【図５Ｃ】従来のＸＹテーブル４３´に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す概念図である。
【図６】ＸＹテーブル４３の変形例を示す模式図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図８】半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００１４】
２０  レチクルステージ（マスクステージ）  ４０  ウエハステージ（位置決め装置、基板ステージ）  ４３  ＸＹテーブル（テーブル部）  ４６  駆動部  ４８  レーザ干渉計（位置計測部）  ８２  下側部材（所定部材）  ８６，８７  圧電アクチュエータ  ９１  力点  ９２  位置決め対象点  ９３  被計測点  ９６，９７  アクチュエータ  Ｆ  駆動力  ＰＡ  パターン  Ｒ  レチクル（マスク）  Ｗ  ウエハ（位置決め対象物、基板）  ＥＸ  露光装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の位置決め装置、位置決め方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の露光装置ＥＸの一実施形態を示す概略構成図である。
露光装置ＥＸは、レチクル（マスク）Ｒとウエハ（位置決め対象物、基板）Ｗとを一次元方向に同期移動しつつ、レチクルＲに形成されたパターンＰＡを投影光学系３０を介してウエハＷ上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置、すなわちいわゆるスキャニング・ステッパである。
そして、露光装置ＥＸは、露光光ＥＬによりレチクルＲを照明する照明光学系１０、レチクルＲを保持するレチクルステージ２０、レチクルＲから射出される露光光ＥＬをウエハＷ上に投射する投影光学系３０、ウエハＷを保持するウエハステージ４０、露光装置ＥＸを統括的に制御する制御装置５０等を備える。
そして、これらの各装置は、本体フレーム１００或いは基礎フレーム２００上に防振ユニット６０，７０等を介して支持される。
なお、以下の説明において、投影光学系３０の光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向、Ｚ軸方向に垂直な平面内でレチクルＲとウエハＷとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、Ｚ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（非走査方向）をＸ軸方向とする。更に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわり方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。【００１６】
照明光学系１０は、レチクルステージ２０に支持されているレチクルＲを露光光ＥＬで照明するものであり、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、露光光ＥＬによるレチクルＲ上の照明領域をスリット状に設定する可変視野絞り等（いずれ不図示）を有している。
照明光学系１０から射出される露光光ＥＬとしては、水銀ランプから射出される紫外域の輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）が用いられる。
そして、光源５から射出されたレーザビームは、照明光学系１０に入射され、レーザビームの断面形状がスリット状又は矩形状（多角形）に整形されるとともに照度分布がほぼ均一な照明光（露光光）ＥＬとなってレチクルＲ上に照射される。
そして、この照明光学系１０は、本体フレーム１００を構成する第２支持盤１２０の上面に固定された照明系支持部材１２によって支持される。【００１７】
レチクルステージ（マスクステージ）２０は、レチクルＲを支持しつつ、投影光学系３０の光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内の２次元移動及びθＺ方向の微小回転を行うものであって、レチクルＲを保持するレチクル微動ステージと、レチクル微動ステージと一体に走査方向であるＹ軸方向に所定ストロークで移動するレチクル粗動ステージと、これらを移動させるリニアモータ等（いずれも不図示）を備える。そして、レチクル微動ステージには、矩形開口が形成されており、開口周辺部に設けられたレチクル吸着機構によりレチクルが真空吸着等により保持される。
レチクルステージ２０上には移動鏡２１が設けられ。また、移動鏡２１に対向する位置にはレーザ干渉計２２が設けられる。そして、レチクルステージ２０上のレチクルＲの２次元方向の位置及び回転角は、レーザ干渉計２２によりリアルタイムで計測され、その計測結果は制御装置５０に出力される。そして、制御装置５０がレーザ干渉計２２の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することで、レチクルステージ２０に支持されているレチクルＲの位置決め等が行われる。
このレチクルステージ２０は、本体フレーム１００を構成する第２支持盤１２０の上面に不図示の非接触ベアリング（例えば気体静圧軸受）を介して浮上支持される。【００１８】
投影光学系３０は、レチクルＲのパターンＰＡを所定の投影倍率βでウエハＷに投影露光するものであって、ウエハＷ側の先端（下端）部に設けられた光学素子３２を含む複数の光学素子で構成されており、これら光学素子は鏡筒３１で支持される。本実施形態において、投影光学系３０は、投影倍率βが例えば１／４あるいは１／５の縮小系である。なお、投影光学系３０は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。
そして、鏡筒３１の外壁にはフランジ３３が設けられ、フランジを有する円筒形のセンサ支持架台３５に挿入される。更に、鏡筒３１及びセンサ支持架台３５は、本体フレーム１００を構成する第１支持盤１１０に設けられた穴部１１３に挿入、支持される。そして、第１支持盤１１０は、防振ユニット６０を介して、基礎フレーム２００上にほぼ水平に支持される。
なお、センサ支持架台３５は、オートフォーカスセンサ等のセンサ類を支持する部材である。また、第１支持盤１１０とセンサ支持架台３５との間には、不図示のキネマティックマウントが設けられ、投影光学系３０のあおり角を調整することが可能である。【００１９】
ウエハステージ（位置決め装置、基板ステージ）４０は、ウエハＷを支持しつつ、ＸＹ平面内の２次元移動及びθＺ方向の微小回転を行うものであって、ウエハＷを保持するウエハホルダ４１、ウエハＷのレベリング及びフォーカシングを行うためにウエハホルダ４１をＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向の３自由度方向に微小駆動するＺテーブル４２、Ｚテーブル４２をＹ軸方向に連続移動するとともにＸ軸方向にステップ移動するＸＹテーブル（テーブル部）４３、ＸＹテーブル４３をＸＹ平面内で移動可能に支持するウエハ定盤４４、Ｚテーブル４２及びＸＹテーブル４３とを一体として平行移動させるリニアモータ等からなる駆動部４６（図２参照）等を備える。
また、Ｚテーブル４２上には移動鏡４７が設けられ、これに対向する位置にはレーザ干渉計（位置計測部）４８が設けられる。ウエハステージ４０上のウエハＷの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計４８によりリアルタイムで計測され、計測結果は制御装置５０に出力される。そして、制御装置５０がレーザ干渉計４８の計測結果に基づいてリニアモータ等を駆動することでウエハステージ４０に支持されているウエハＷの位置決めを行う。
ＸＹテーブル４３の底面には、非接触ベアリングである複数のエアパッド４５が固定されており、これらのエアパッド４５によってＸＹテーブル４３がウエハ定盤４４上に、例えば数ミクロン程度のクリアランスを介して浮上支持される。また、ウエハ定盤４４は、基礎フレーム２００の支持盤２１０上に、防振ユニット７０を介してほぼ水平に支持されている。【００２０】
制御装置５０は、露光装置ＥＸを統括的に制御するものであり、各種演算及び制御を行う演算部の他、各種情報を記録する記憶部や入出力部等を備える。
そして、例えば、レーザ干渉計２２，４８の検出結果に基づいてレチクルＲ及びウエハＷの位置を制御して、レチクルＲに形成されたパターンＰＡの像をウエハＷ上のショット領域に転写する露光動作を繰り返し行う。【００２１】
図２は、ＸＹテーブル４３の拡大模式図である。
ＸＹテーブル４３は、Ｚステージを載置する上側部材８１と、下面にエアパッド４５が配置される下側部材（所定部材）８２と、駆動部４６の可動子４６ａの一部が固定される可動子固定部材８３等から構成される。
上側部材８１及び下側部材８２は、それぞれ平板形の部材であって、上側部材８１と下側部材８２とは複数の連結部材８５を介して連結される。
また、可動子固定部材８３は、上側部材８１と下側部材８２との間に配置され、上側部材８１の下面に複数の連結部材８４を介して連結される。そして、上側部材８１の下面及び可動子固定部材８３の上面には、ＸＹテーブル４３をＸ軸方向或いはＹ方向に移動させるリニアモータ（駆動部４６）の可動子４６ａが対向するようにそれぞれ配置される。なお、一対の可動子４６ａの間には、ウエハステージ定盤４４又は支持盤２１０に連結された固定子４６ｂが配置される。
連結部材８４，８５は、それぞれＺ方向に延設された四角柱形の部材である。このため、上側部材８１、下側部材８２、及び可動子固定部材８３に比べると、Ｘ方向及びＹ方向の剛性が低くなっている。そして、連結部材８４，８５のＸ方向及びＹ方向のそれぞれの面には、圧電アクチュエータ８６，８７が貼り付けられる。四方の面に貼り付けられた圧電アクチュエータ８６，８７のうち、対向する面に貼り付けられた一対の圧電アクチュエータ８６，８７は、後述する制御装置５０からの指令により差動的に伸縮する。例えば、連結部材８４の＋Ｘ方向の面に貼り付けた圧電アクチュエータ８６が伸びると、−Ｘ方向の面に貼り付けた圧電アクチュエータ８６は同じ量だけ縮む。このように、対向する面に貼り付けられた圧電アクチュエータ８６，８７が差動的に伸縮することにより、連結部材８４，８５をＸ方向に湾曲させるように微少変形させることが可能となっている。同様に、Ｙ方向の対向する面に貼り付けた圧電アクチュエータ８６，８７も同様に互いに差動的に動作して、連結部材８４，８５をＹ方向に湾曲させるように微少変形させることが可能となっている。【００２２】
本体フレーム１００は、投影光学系３０を支持する第１支持盤１１０と、投影光学系３０の上方に配置されるレチクルステージ２０等を支持する第２支持盤１２０と、第１支持盤１１０と第２支持盤１２０との間に立設する複数の支柱１３０とから構成される。第１支持盤１１０は、上述したように、円筒状の投影光学系３０の外径よりもやや大きく形成された穴部１１３が形成される。なお、第１支持盤１１０或いは第２支持盤１２０と複数の支柱１３０とは、締結手段等で連結される構造としてもよいし、これらを一体に形成した構造としてもよい。
そして、上述したように、本体フレーム１００は、防振ユニット６０を介して基礎フレーム２００上に支持される。【００２３】
基礎フレーム２００は、その上面に防振ユニット７０を介してウエハステージ４０を支持する支持盤２１０と、支持盤２１０上に立設するとともに防振ユニット６０を介して本体フレーム１００を支持する複数の支柱２２０とから構成される。支持盤２１０と支柱２２０とは、締結手段等で連結される構造であっても、一体に形成される構造であってもよい。
そして、基礎フレーム２００は、クリーンルームの床面上に足部２１５を介して略水平に設置される。【００２４】
続いて、上述した露光装置ＥＸを用いてレチクルＲのパターンＰＡの像をウエハＷに露光する方法について説明する。図３Ａ〜Ｃは、ＸＹテーブル４３に駆動力Ｆを付加した際の動作を示す模式図である。また、図４Ａ〜Ｃ及び図５Ａ〜Ｃは、従来のＸＹテーブル４３´の場合の模式図及び概念図である。
まず、レチクルＲがレチクルステージ２０にロードされるとともに、ウエハＷがウエハステージ４０にロードされる。続いて、各種の露光条件が設定された後に、制御装置５０の管理の下で、レチクル顕微鏡及びオフアクシス・アライメントセンサ等（ともに不図示）を用いたレチクルアライメント、アライメントセンサのベースライン計測等の所定の準備作業が行われる。その後、アライメントセンサを用いたウエハＷのファインアライメント（エンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）等）が終了し、ウエハＷ上の複数のショット領域の配列座標が求められる。
ウエハＷの露光のための準備作業が終了すると、制御装置５０は、アライメント結果に基づいてウエハＷ側のレーザ干渉計４８の計測値をモニタしつつ、ウエハＷのファーストショット（第１番目のショット領域）の露光のための加速開始位置（走査開始位置）にウエハステージ４０を移動させる。
次いで、制御装置５０は、レチクルステージ２０及びウエハステージ４０とのＹ軸方向の走査を開始させ、レチクルステージ２０、ウエハステージ４０がそれぞれの目標走査速度に達すると、露光光ＥＬによってレチクルＲのパターン領域が照射され、走査露光が開始される。
そして、レチクルＲのパターン領域の異なる領域が露光光ＥＬで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより、ウエハＷ上のファーストショット領域に対する走査露光が終了する。これにより、レチクルＲのパターンＰＡが投影光学系３０介してウエハＷ上のファーストショット領域のレジスト層に縮小転写される。
このファーストショット領域に対する走査露光が終了すると、制御装置５０は、ウエハステージ４０をＸ，Ｙ軸方向にステップ移動させて、セカンドショット領域の露光のための加速開始位置に移動させる。すなわち、ショット間ステッピング動作が行われる。そして、セカンドショット領域に対して上述したような走査露光を行う。
このようにして、ウエハＷのショット領域の走査露光と次ショット領域の露光のためのステッピング動作とが繰り返し行われて、ウエハＷ上の全ての露光対象ショット領域にレチクルＲのパターンＰＡが順次転写される。
そして、このような処理を繰り返し行うことにより、複数のウエハＷの露光が行われる。【００２５】
上述したように、ウエハステージ４０は、露光処理の際に加速と減速を繰り返し行っているが、スループットを向上させるために加速度の絶対値は、年々大きくなってきている。このため、ＸＹテーブル４３に付加される駆動力（加速度）も大きくなってきている。
ＸＹテーブル４３に大きな駆動力（加速度）を付加すると、従来のＸＹテーブル４３´では、剛性が低い（弱い）部分に歪みが発生していた。具体的には、図４Ａ，４Ｂに示すように、紙面右方向に大きな駆動力Ｆを付加すると、ＸＹテーブル４３´におけるＸＹ方向の剛性が弱い部位、すなわち連結部材８４に歪み（微少変形）が発生していた。
これを模式的に表すと、図５Ａに示すように、駆動力Ｆが付加される部材（力点）９１とウエハＷが載置される部材（位置決め対象点）９２の二点間にバネ要素９４が存在し、更に図５Ｂに示すように、ＸＹテーブル４３の力点９１に大きな駆動力Ｆが付加されるとこのバネ要素９４が圧縮された状態となる。そして、加速或いは減速が終了し、駆動力Ｆの付加がなくなると、バネ要素９４に発生した歪みが解放されるために、図５Ｃに示すように、ＸＹテーブル４３内に振動（内部振動）が発生していた。
このため、露光を開始するために停止状態から加速させた際には、目標走査速度に到達しても、露光不良を防止するためにＸＹテーブル４３´に発生した内部振動（図４Ｃ参照）が収まるのを待ってから露光光の照射を開始する必要がある。したがって、短時間ではあるが、露光処理中に無駄な待ち時間が存在しており、スループットを低下させる原因となっていた。【００２６】
同様に、ウエハＷの位置計測に用いられる移動鏡４７が固定される部材（被計測点）９３と位置決め対象点９２との間の部材が低剛性の場合には、位置決め対象点９２と被計測点９３の二点間にバネ要素９５が存在し、ＸＹテーブル４３の力点９１に大きな駆動力Ｆが付加された際には、バネ要素９５が圧縮された状態となる。したがって、加速或いは減速が終了し、駆動力Ｆの付加がなくなると、バネ要素９４と同様に、バネ要素９５に発生した歪みが解放されて、ＸＹテーブル４３´に内部振動を発生させる。
このように、位置決め対象点９２と被計測点９３との相対位置にずれが生じると、位置決め対象物であるウエハＷの位置決めが不正確となる。また、駆動力Ｆが付加される力点９１と被計測点９３との相対位置にずれが生じると、位置決めの制御系が不安定になってしまう。したがって、上述した場合と同様に、露光不良を防止するためにＸＹテーブル４３´に発生した内部振動が収まるのを待ってから露光処理を開始する必要がある。【００２７】
一方、本実施形態のＸＹテーブル４３では、図３Ａに示すように、力点９１と位置決め対象点９２の二点間、及び位置決め対象点９２と被計測点９３の二点間には、それぞれバネ要素９４，９５及びアクチュエータ９６，９７が並列に配置される。すなわち、連結部材８４に圧電アクチュエータ８６が貼り付けられた状態である。
そして、ＸＹテーブル４３の力点９１に大きな駆動力Ｆが付加された際には、駆動力Ｆの付加と同時にアクチュエータ９６，９７を駆動する。具体的には、連結部材８４における移動方向に直交する面に貼り付けられた圧電アクチュエータ８６を差動的に動作させて、駆動力Ｆの付加により湾曲した連結部材８４を元に戻すように微少変形させる。これにより、大きな駆動力Ｆが付加されても、連結部材８４の変形（湾曲）を抑えることができる。すなわち、図３Ｂに示すように、アクチュエータ９６を駆動して、力点９１と位置決め対象点９２との間に加わる力Ｆ２の向きに対向し、略同一の大きさを持つ力（−Ｆ２）を発生させる。同様に、アクチュエータ９７を駆動して、位置決め対象点９２と被計測点９３の間に加わる力Ｆ３の向きに対向し、略同一の大きさを持つ力（−Ｆ３）を発生させる。
なお、力点９１に付加される駆動力Ｆは、力点９１，位置決め対象点９２，被計測点９３が存在する部材の質量をそれぞれｍ１，ｍ２，ｍ３とし、加速度をαとすると、Ｆ＝（ｍ１＋ｍ２＋ｍ３）×αである。また、力点９１と位置決め対象点９２の間には、駆動力Ｆ２＝（ｍ２＋ｍ３）×αが伝達される。更に、位置決め対象点９２と被計測点９３の間には、駆動力Ｆ３＝ｍ３×αが伝達される。したがって、上述したように、アクチュエータ９６，９７により、力点９１と位置決め対象点９２との間に−Ｆ２の力を、位置決め対象点９２と被計測点９３の間に−Ｆ３の力を発生させる（−Ｆ２，−Ｆ３は、駆動力Ｆと反対方向の力であり、図３Ｂにおいては実線の矢印で示されている）。これにより、ＸＹテーブル４３の加速時に力点９１と位置決め対象点９２との間及び位置決め対象点９２と被計測点９３の間の見かけ上の剛性が強くなり、内部歪みの発生が抑えられる。つまり、それぞれの相対位置が変形する（歪む）ことなく、一定に維持される。
そして、ＸＹテーブル４３への駆動力Ｆの付加が終了する、すなわち、加速が終了するのに連動して、アクチュエータ９６，９７の駆動を停止する。これにより、図３Ｃに示すように、力点９１と位置決め対象点９２の二点間、及び位置決め対象点９２と被計測点９３の二点間が引き続き一定に維持されつづける。なお、力点９１と被計測点９３の二点間の相対位置も間接的に一定に維持されつづけ、歪みの発生と内部振動の発生が防止されている。
このように、ＸＹテーブル４３の歪みの発生が抑えることにより、位置決め対象点９２、すなわちウエハＷの位置決め制御を高精度に行うことができる。また、内部振動が防止されているので、加速の終了と同時に露光光を照射して露光を開始することができる。そして、この結果、無駄な待ち時間が解消されて、スループットを向上させることができる。【００２８】
なお、加速時に限らず、減速時にも同様の動作を行うができる。減速直後に再度加速して次の露光処理を行う場合等は、内部振動が防止されているので、ウエハＷの位置決め精度を高精度に維持しつつ、露光を行うことができる。
また、本発明は、ＸＹテーブル４３だけでなく、レチクルステージ２０に対しても適用可能である。
本発明では、ＸＹテーブル４３の加減速中においても、位置決め対象点９２と被計測点９３の二点問が一定に維持されるので、ウエハ（基板）Ｗの位置決めを正確に行うことができる。したがって、前記スキャン方式で露光を行う場合は、ウエハＷを保持したＸＹテーブル４３が等速で移動しているときだけでなく、加減速中においてもウエハＷに対して露光動作が行われるようにしてもよい。つまり、走査露光において、ＸＹテーブル４３やレチクルステージ２０が加速した後、目標走査速度に到達する前の段階でウエハＷに対する露光光の照射を開始する。そして、ＸＹテーブル４３やレチクルステージ２０がそれぞれの目標走査速度で等速移動している間と、その後のＸＹテーブル４３やレチクルステージ２０が減速している間で任意に設定されたタイミングまで、露光光ＹのウエハＷへの照射を維持する。これにより、さらなるスループットの向上が可能となる。この場合、露光光のウエハＷへの照射は、制御装置５０がアクチュエータ９６、９７を駆動している間に行うように設定することができる。また、基板Ｗへの露光光の照射は、基板Ｗの加速中と等速移動中のみに行われるようにしてもよいし、等速移動中と減速中のみに行われるようにしてもよい。なお、このようなウエハ（基板）の加減速中に走査露光を行う露光方法は、例えば、米国特許５，９９５，２０３号および特開平７−５７９８５号公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記米国特許または公報における開示を援用して本明細書の一部とする。【００２９】
また、ＸＹテーブル４３において、力点９１と他の部材との間にアクチュエータを設置し、この間の剛性を向上させることにより、内部振動の防止を図ってもよい。すなわち、連結部材８５に圧電アクチュエータ８７を貼り付け（図２参照）、圧電アクチュエータ８７を上述した説明と同様に動作させることにより、連結部材８５における歪みの発生を抑えることができる。
このように、力点９１と他の部材（連結部材８５）との間にアクチュエータ（圧電アクチュエータ８７）を設けることにより、ＸＹテーブル４３に駆動力Ｆが付加された際に、これらの二点間に伝達される力に対向する力を加えて見かけ上の剛性を向上させて、二点間の相対位置を一定に維持することができる。これにより、二点間に歪みの発生を抑えて、内部振動の発生を防止することができる。【００３０】
なお、上述した実施形態では、力点９１と位置決め対象点９２の二点間、及び位置決め対象点９２と被計測点９２の二点間に、それぞれバネ要素９４，９５とアクチュエータ９６，９７が並列に存在するように説明したが、これら二点間をアクチュエータ９６，９７のみが存在するようにしてもよい。すなわち、連結部材８４等の剛性が弱い部材を圧電アクチュエータのみで構成してもよい。例えば、図２に示すＸＹテーブル４３において、このＸＹテーブル４３の構造材の一部をなす連結部材８４，８５自身を圧電アクチュエータ（圧電素子）によって構成してもよい。また、連結部材８４，８５以外の構造材を圧電アクチュエータによって置き換えるようにしてもよい。【００３１】
なお、圧電アクチュエータとしては、積層型、バイモルフ型のいずれであってもよい。
また、アクチュエータ９６，９７は、通常状態時においては、必ずしも剛性が高い必要はない。二つの部材間（二点間）に加わる力に対向する大きな力を発生できれば見かけ上の剛性を高くすることができるからである。したがって、非接触式電磁アクチュエータ等であってもよい。【００３２】
なお、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。【００３３】
上述した実施形態では、力点９１と位置決め対象点９２の二点間、及び位置決め対象点９２と被計測点９３の二点間の相対位置を一定に保つことにより、力点９１と被計測点９３の二点間の相対位置を間接的に一定に保つ場合について説明したが、これに限らない。力点９１と被計測点９３の二点間に、直接アクチュエータ一を配置してもよいことは、勿論である。
また、被計測点９３を設けずに、力点９１と位置決め対象点９２との二点間の相対位置のみを一定に保つようにしてもよい。例えば、パルスモータのように駆動部４６自身が位置決め対象点９２の目標位置に関する情報に基づいて駆動力を発生させる場合は、パルスモータの駆動力が付加される力点９１と位置決め対象点９２との二点間の相対位置が略一定であれば、位置決め対象点９２を正確に位置決めすることかできる。【００３４】
また、図６に示すように、ＸＹテーブル４３に複数の駆動部４６の可動子４６ａが連結部材８４を介して連結される場合であっても、各連結部材８４にそれぞれ複数の圧電アクチュエータ８６を固定すればよい。そして、ＸＹテーブル４３に加えられる駆動力Ｆの方向に応じて、選択的に圧電アクチュエータ８６を駆動することにより、各移動方向に対して内部振動の発生を防止することができる。【００３５】
本発明は、例えば、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報及びこれらに対応する米国特許６，４００，４４１号と、特表２０００−５０５９５８号公報及びこれに対応する米国特許５，９６９，４４１号及び米国特許６，２６２，７９６号に記載されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の一部とする。
また、本発明は、特開平１１−１３５４００号に開示されているように、ウエハ等の被処理基板を保持して移動可能な露光ステージと、各種の計測部材やセンサを備えた計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報及び対応する米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
上述の実施形態においては、光透過性の基根上に所定の遮光パターン（または位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク、あるいは光反射性の基板上に所定の反射パターン光反射型マスクを用いたか、それらに限定されるものではない。例えば、そのようなマスクに代えて、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターンまたは反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（光学系の一種とする）を用いるようにしても良い。このような電子マスクは、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記各米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。なお、上述の電子マスクとは、非発光型画像表示素子と自発光型画像表示素子との双方を含む概念である。
また、例えば、２光束干渉露光と呼ばれているような、複数の光束の干渉によって生じる干渉縞を基板に露光するような露光装置にも適用することかできる。そのような露光方法及び露光装置は、例えば、国際公開第０１／３５１６８号パンフレットに開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。【００３６】
また、上述の実施形態においては、投影光学系とウエハとの間が気体（空気や窒素）で満たされている露光装置について説明しているが、液浸式の露光装置に本発明を適用することができる。
そのような液浸露光装置としては、例えば、投影光学系３０と基板Ｗとの間を局所的に液体で満たす方式として、国際公開第２００４／０５３９５８号パンフレットに開示されているものが知られている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
また、露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置や、ステージ上に所定深さの液体槽を形成しその中に基板を保持する液浸露光装置にも本発明を適用可能である。露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置の構造及び露光動作については、例えば、特開平６−１２４８７３号公報に、ステージ上に所定深さの液体槽を形成してその中に基板を保持する液浸露光装置については、例えば特開平１０−３０３１１４考公報や米国特許第５，８２５，０４３号にそれぞれ開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記公報または米国特許における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
また、投影光学系３０の終端光学部材の射出側の光路空間を液体（純水）で満たして基板Ｗ（ウエハ）を露光する構成に限るものではなく、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、投影光学系の終端光学部材の入射側の光路空間も液体（純水）で満たすようにしてもよい。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレットにおける開示を援用して本明細書の記載の一部とする。【００３７】
また、前述した実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも本発明を適用することができる。更に、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウエハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。【００３８】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図７に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。【００３９】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。【００４０】
図８は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。【００４１】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。【００４２】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、国際公開第９９／３４２５５号、国際公開第９９／５０７１２号、および国際公開第９９／６６３７０号の各パンフレット、及び特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号の各公報に開示されている。本国際出願で指定した指定国（又は選択した選択国）の国内法令で許される限りにおいて、上記パンフレット及び公報における開示を援用して本明細書の一部とする。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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