【事件の表示】
　特願２０１２−５１５１９２「磁気トンネル接合デバイスおよびその製造」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月１６日国際公開、ＷＯ２０１０／１４４８３６、平成２４年１１月２９日国内公表、特表２０１２−５３０３６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２２年６月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年６月１１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月９日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１１月１２日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年１１月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年４月３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、当審において、平成２７年４月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年８月５日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされたものである。
　
　
２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は、平成２７年８月５日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　　　　  
「磁気トンネル接合デバイスを備える装置であって、
　前記磁気トンネル接合デバイスが、
　自由層と、
　前記自由層に応答するスピントルク強化層であって、前記スピントルク強化層が、酸化物層を含む、スピントルク強化層と、
　前記スピントルク強化層に隣接するキャッピング層と、
を含む、装置。」
　　　　
　
　　　　 　　　
３　引用文献 
（１）引用文献１について
　平成２７年４月２３日付けの拒絶理由通知において引用された特表２００７−５３７６０８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、下記の事項が記載されている。
　　
Ａ　「【００２３】
　本発明に係る方法とシステムをさらに詳しく説明するため、スピン移動スイッチング用書き込み電流密度を低減した本発明の第１実施形態に係る磁気素子１００の一部を示す図２Ａを参照する。磁気素子１００は、ＣＰＰ構成でＭＲＡＭ等の磁気メモリに用いるのが好ましい。したがって、磁気素子１００は、絶縁トランジスタ（不図示）を備えたメモリセル、およびその他の構成の磁気メモリに使用することができる。さらにまた、磁気素子１００は、その上部および下部それぞれの近傍に２つの端子１０２および１０４を用いるのが好ましい。ただし、上記と異なる端子数、例えば、磁気素子の中央近傍に第３の端子を用いることを妨げるものではない。磁気素子１００は、ピン止め層１２０、スペーサ層１３０、および自由層１４０を備える。また、磁気素子１００は通常、ピン止め層１２０の磁化１２２のピン止めに用いるピニング層１１０と、シード層（不図示）、キャッピング層（不図示）を備える。さらに、磁気素子１００は、スピン移動を用いて自由層１４０が書き込み可能となるように構成されている。したがって、好適な実施形態において、自由層１４０の幅ｗ等の横方向寸法は小さく、２００ｎｍ未満とするのが好ましい。また、自由層１４０がその面内に特定の容易軸を有するように、横方向の寸法を相違させることが好ましい。
【００２４】
　ピニング層１１０は、交換結合によってピン止め層１２０の磁化１２２をピン止めするＡＦＭ層１１０であることが好ましい。ピン止め層１２０は強磁性である。また、一実施形態において、ピン止め層１２０は合成層である。このような実施形態において、ピン止め層１２０は、非磁性層によって分離された強磁性層を備えており、この強磁性層が逆平行となるように構成されている。なお、ピン止め層１２０は、磁気素子１００の性能向上に用いられる他の特性を有していてもよい。スペーサ層１３０は非磁性である。また、一実施形態において、スペーサ層１３０は、例えばＣｕを含む導電性層であってもよい。別の実施形態において、スペーサ層１３０は、アルミナ等の絶縁体を含むバリア層である。このような実施形態において、バリア層１３０は、電荷キャリアが自由層１４０とピン止め層１２０との間でトンネリング可能なように構成されている。さらに別の実施形態において、スペーサ層１３０は、電流閉じ込め層である。したがって、スペーサ層１３０は、図１Ａ、図１Ｂ、または図１Ｃにそれぞれ示すスペーサ層１６、１６' 、または１６’’に相当する。以上から、再度図２Ａを参照して、磁気素子１００は電流閉じ込め磁気抵抗構造とすることができる。
【００２５】
　自由層１４０は強磁性である。上述の通り、自由層１４０は、その磁化１４２がピン止め層１２０の磁化１２２と平行または逆平行のときに安定するように、形状異方性を有するのが好ましい。さらに、自由層１４０は、図２Ａに示すように単一層であるか、または合成層であってもよい。
【００２６】
　また、磁気素子１００は、スピンバリア層１５０を備える。スピンバリア層１５０は、自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減するように構成されている。スピンバリア層１５０は、大きな面抵抗ｒｂを有するのが好ましい。好適な実施形態において、この面抵抗は少なくとも０．１Ωμｍ２以上である。図示の実施形態において、スピンバリア層１５０は実質的に、絶縁マトリクス１５４中に導電チャネル１５２を具備した電流閉じ込め層である。減衰定数に対する外側表面の寄与を低減するスピンバリア層１５０が存在するため、自由層１４０の磁化１４２が切り替わる閾値である臨界電流は小さくなる。
【００２７】
　スピンバリア層１５０の効果は、上述した一般的なスピン移動のスピン−トルクモデルを用いて理解することができる。特に、スピンバリア層１５０は、自由層１４０の外側インターフェースを変更するために用いられるため、減衰パラメータひいては総減衰パラメータに対する外側表面の寄与δαｏｕｔを低減させる。その結果、臨界電流は小さくなる。」
　
Ｂ　「【００３１】
　本発明の好適な実施形態において、スピンバリア層１５０は、少なくとも０．１Ωμｍ２以上の大きな面抵抗ｒｂを有する。このように大きな面抵抗は、スピンバリア層１５０を跨る自由層１４０の時間依存性磁化と外側電極１０４における伝導電子との結合を限定する。その結果、自由層１４０の磁化の減衰に対するこの結合の寄与分は、もはや大きなものではなくなる可能性がある。別の言い方をすれば、スピンバリア層１５０の面抵抗が大きいと、スピンポンピングによって誘発される付加的な減衰が効果的に相殺されるため、減衰パラメータに対する表面の寄与δαｏｕｔは低減される。その結果、自由層の磁化１４２のスイッチングに必要な臨界電流値Ｉｃの低減を効果的に実現することができる。
【００３２】
　図２Ａに示す磁気素子１００において、スピンバリア層１５０は、電流閉じ込めスピンバリア層である。スピンバリア層１５０は、その平面全体で不均一な薄い層である。したがって、スピンバリア層１５０は、導電チャネル１５２と呼ばれる金属（抵抗）導電領域および絶縁マトリクス１５４と呼ばれる高抵抗領域を有する。絶縁マトリクス１５４は、実際には絶縁領域、または導電チャネル１５２よりも高い抵抗率を単に有する領域であってもよい。結果として、スピンバリア層１５０を通る電流の導通は、主に導電チャネル１５２内に限定される。磁気素子１００において、スピンバリア層１５０の面抵抗は、導電チャネル１５２の大きさと密度を変えることによって調節可能であり、ｒｂの目標とする仕様を比較的容易に満足することができる。
【００３３】
　磁気素子１００の好適な実施形態において、電流閉じ込めスピンバリア層１５０は、好ましくは０．２〜５ｎｍの厚さを有する。また、好適な実施形態において、スピンバリア層１５０は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから成る群から選択された１または複数の材料の酸化物で主に構成されている。また、導電チャネル１５２は、低酸素原子濃度領域に相当する領域であってもよい。好適な実施形態においては、酸素原子濃度が３０ａｔｏｍ％未満の領域が、導電チャネル１５２に相当すると考えられる。高抵抗領域である絶縁マトリクス１５４は、高酸素原子濃度領域に相当する領域であってもよい。好適な実施形態において、絶縁マトリクス１５４は、酸素原子濃度が４０ａｔｏｍ％超の領域に相当する。さらにまた、スピンバリア層１５０全体にわたる酸素原子濃度の横方向変動は、容易に酸化しない金属元素または酸素偏析因子をスピンバリア層１５０に添加することによって生じさせるのが好ましい。例えば、導電チャネル１５２は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓから成る群から選択された元素を含む構成であってもよい。
【００３４】
　電流閉じ込めスピンバリア層１５０の別の実施形態において、電流閉じ込めスピンバリア層１５０は、好ましくは０．２〜５ｎｍの厚さを有する。また、そのような実施形態において、スピンバリア層１５０は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉから成る群から選択された元素（マトリクス元素）の窒化物で主に構成されている。また、導電チャネル１５２は、低窒素原子濃度領域に相当する。好適な実施形態において、導電チャネル１５２は、窒素原子濃度が３０ａｔｏｍ％未満の領域に相当する。絶縁マトリクス１５４は、高抵抗の領域、好ましくは、窒素原子濃度が４０ａｔｏｍ％超の領域に相当する。さらにまた、スピンバリア層１５０全体にわたる窒素原子濃度の横方向変動は、窒素と容易に反応しない金属元素または窒素偏析因子をスピンバリア層１５０に添加することによって生じさせるのが好ましい。例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｏｓから成る群から選択された元素が挙げられる。
【００３５】
　動作においては、読み出しと書き込みで異なる電流が用いられる。読み出し時は、より低い読み出し電流を利用する。例えば、１００〜５００μＡの電流を読み出し電流として用いてもよい。このような読み出し電流により、スピン移動によって誘発される自由層１４０のスイッチングに至らない磁気素子１００の状態を判定することができる。書き込み時は、少なくとも臨界電流Ｉｃに等しい書き込み電流を適切な方向（すなわち、図２Ａの上下いずれか）に印加して、磁気素子１００への書き込みを行う。これにより、自由層１４０の磁化１４２は、ピン止め層１２０の磁化１２２と平行または逆平行な方向へ切り替えることができる。このような書き込み電流は、１０〜２０００μＡであってもよい。
【００３６】
　上述のように、スピンバリア層１５０は、自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減させる。結果として、自由層１４０の磁化１４２が切り替わる閾値である臨界電流は小さくなる。したがって、磁気素子１００の性能を向上させることができる。」
Ｃ　図２Ａには、磁気素子１００が、底部接触部１０２、ピンニング層１１０、ピン止め層１２０、スペーサ層１３０、自由層１４０、スピンバリア層１５０、上部接触部１０４を順に積層した構成であることが記載されている。
　ここで、上記引用文献１の記載事項について検討する。
Ｄ　磁気メモリに用いられる磁気素子について　
　上記Ａには、「磁気素子１００は、ＣＰＰ構成でＭＲＡＭ等の磁気メモリに用いるのが好ましい。」こと、「磁気素子１００は、ピン止め層１２０、スペーサ層１３０、および自由層１４０を備える。また、磁気素子１００は通常、ピン止め層１２０の磁化１２２のピン止めに用いるピニング層１１０と、シード層（不図示）、キャッピング層（不図示）を備える。」こと、「また、磁気素子１００は、スピンバリア層１５０を備える。」ことが記載されている。
　よって、引用文献１には、「磁気素子が用いられる磁気メモリであって、前記磁気素子は、ピン止め層、スペーサ層、自由層、キャッピング層、スピンバリア層を含む」構成が記載されている。
　
Ｅ　磁気素子の積層構成について　
　上記Ｃにおいて図２Ａには、磁気素子１００が、ピン止め層１２０、スペーサ層１３０、自由層１４０、スピンバリア層１５０、上部接触部１０４を順に積層した構成であることが記載されている。
　よって、引用文献１には、「ピン止め層、スペーサ層、自由層、スピンバリア層の順に積層」した積層構成が記載されている。
Ｆ　磁気素子のピン止め層、スペーサ層、自由層について
　上記Ａには、「ピン止め層１２０は強磁性である。」こと、「スペーサ層１３０は、アルミナ等の絶縁体を含むバリア層である。」であり、「電荷キャリアが自由層１４０とピン止め層１２０との間でトンネリング可能なように構成されている。」こと、「自由層１４０は強磁性である。」ことが記載されている。
　よって、引用文献１には、「ピン止め層は強磁性であり、スペーサ層は、絶縁体のバリア層であって、電荷キャリアが自由層とピン止め層との間でトンネリング可能であり、自由層は強磁性」であることが記載されている。
Ｇ　磁気素子のスピンバリア層について
　上記Ｂには、「スピンバリア層１５０は、導電チャネル１５２と呼ばれる金属（抵抗）導電領域および絶縁マトリクス１５４と呼ばれる高抵抗領域を有する」こと、「スピンバリア層１５０を通る電流の導通は、主に導電チャネル１５２内に限定される」こと、「スピンバリア層１５０は、Ａｌ、Ｂ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから成る群から選択された１または複数の材料の酸化物で主に構成されている」こと、「スピンバリア層１５０は、自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減させる。結果として、自由層１４０の磁化１４２が切り替わる閾値である臨界電流は小さくなる」ことが記載されている。
　よって、引用文献１には、「スピンバリア層は、金属（抵抗）導電領域である導電チャネルと高抵抗領域である絶縁マトリクスを有し、複数の材料の酸化物で主に構成され、自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減させて臨界電流を小さくさせ、スピンバリア層を通る電流の導通は、主に導電チャネル内に限定される」ものであることが記載されている。
　よって、Ａ乃至Ｇ及び図２Ａの記載から、引用文献１には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「磁気素子が用いられる磁気メモリであって、
　前記磁気素子は、ピン止め層、スペーサ層、自由層、キャッピング層、スピンバリア層を含み、前記ピン止め層、前記スペーサ層、前記自由層、前記スピンバリア層の順に積層され、
　前記ピン止め層は強磁性であり、
　前記スペーサ層は、絶縁体のバリア層であって、電荷キャリアが前記自由層と前記ピン止め層との間でトンネリング可能であり、
　前記自由層は強磁性であり、
　前記スピンバリア層は、金属（抵抗）導電領域である導電チャネルと高抵抗領域である絶縁マトリクスを有し、複数の材料の酸化物で主に構成され、前記自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減させて臨界電流を小さくさせ、前記スピンバリア層内を通る電流の導通は、主に導電チャネル内に限定される、
磁気メモリ。」
（２）引用文献２について
　平成２７年４月２３日付けの拒絶理由通知において引用された特開２００７−１５７８４０号公報（以下、「引用文献２」という。）には、下記の事項が記載されている。
　　
Ｈ　「【００６６】
　このような構成のスピンバリア層は、例えば、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれた１種以上の材料から成る層（高抵抗層）と、非磁性金属層とを積層した後に、熱処理を行って、非磁性金属元素を高抵抗層へ拡散させることにより形成することができる。
【００６７】
　スピンバリア層に含有させる非磁性金属元素としては、Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｃｕ等の遷移金属元素やＡｕ，Ｐｄ，Ｐｔ等の貴金属が挙げられる。
　Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ等の遷移金属元素の場合には、絶縁層と接することにより、高濃度酸素固溶体或いは窒素固溶体が形成され、絶縁層との混合が進行して、絶縁状態から導電状態に変化して不完全な絶縁層になり、抵抗値が低減される。
　一方、ＡｕやＰｔ等の貴金属の場合には、絶縁層と金属層が各層のまま２相に分離した状態となり、絶縁物が金属相中に孤立した状態、或いは、穴の開いた絶縁層となり、抵抗上昇が抑制される。これら金属層の厚さは絶縁層と同等以上であれば問題ない。
　非磁性金属層の厚さの上限については特にないが、製造工程の面で制限され、５ｎｍ程度で充分であると考えられる。
【００６８】
　また、上述したように絶縁層と金属層とを積層して、熱処理により非磁性金属元素を拡散させる形成方法の代わりに、最初から、絶縁材料と非磁性金属材料とが混合した不完全な絶縁層を形成する方法も可能である。
　この場合には、上述した絶縁層の材料と金属層の材料とを混合した材料を用いて、成膜を行う。
　この場合のスピンバリア層の膜厚は、５ｎｍ程度で充分と考えられる。
【００６９】
　スピンバリア層の抵抗値が非常に大きい（高い）場合には、記憶素子の抵抗値も大きく（高く）なるため、記憶素子に対して情報の記録や情報の読み出しを行う際に、大きい電圧を必要とすることになる。また、ＭＴＪ素子のトンネル磁気抵抗効果による抵抗値の変化が、記憶素子の抵抗値に対して相対的に小さくなるため、ＭＲ比が目減りして、情報の読み出しが難しくなる。
【００７０】
　これに対して、上述のように非磁性金属元素を含有するスピンバリア層を構成した場合には、スピンバリア層を設けたことによる記憶素子の抵抗値の増大を抑えることができるため、記憶素子に対して情報の記録や情報の読み出しを行う際に、余分な電圧を必要とせ
ず、ＭＲ比の目減りもない。」
Ｉ　「【００８７】
　また、本実施の形態のメモリの記憶素子３の断面図を図２に示す。
　図２に示すように、この記憶素子３は、スピン注入により磁化Ｍ１の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層３１を設けている。
　記憶層１７と磁化固定層３１との間には、トンネルバリア層（トンネル絶縁層）となる絶縁層１６が設けられ、記憶層１７と磁化固定層３１とにより、ＭＴＪ素子が構成されている。
　また、磁化固定層３１の下には下地層１１が形成され、最上層にはキャップ層１９が形成されている。」
Ｊ　「【００９２】
　本実施の形態においては、特に、記憶素子３の記憶層１７に対して、磁化固定層３１とは反対側、即ち記憶層１７の上層に、スピン偏極した電子の拡散を抑制するスピンバリア層１８が設けられている。このスピンバリア層１８は、記憶層１７とキャップ層１９との間に配置され、記憶層１７と接している。
【００９３】
　さらに、スピンバリア層１８が、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる１種以上の材料から構成されている。
　即ち、スピンバリア層１８が、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる１種以上の材料、もしくは、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる１種以上の材料を主成分として、少量の他の元素（例えば、金属元素等）が添加された材料、によって構成されている。」
Ｋ　図２には、記憶素子として、磁化固定層３１、トンネル絶縁層１６、記憶層１７、スピンバリア層１８、キャップ層１９の順に積層された構成が記載されている。
　ここで、上記引用文献２の記載事項について検討する。
Ｌ　記憶素子の積層構成について　
　記憶素子の積層構成について、上記Ｉに「この記憶素子３は、スピン注入により磁化Ｍ１の向きが反転する記憶層１７に対して、下層に磁化固定層３１を設けている。記憶層１７と磁化固定層３１との間には、トンネルバリア層（トンネル絶縁層）となる絶縁層１６が設けられ、記憶層１７と磁化固定層３１とにより、ＭＴＪ素子が構成されている」ことが記載され、上記Ｊに「このスピンバリア層１８は、記憶層１７とキャップ層１９との間に配置され、記憶層１７と接している」ことが記載され、上記Ｋから図２に、記憶素子が、磁化固定層３１、トンネル絶縁層１６、記憶層１７、スピンバリア層１８、キャップ層１９の順に積層された構成であることが記載されている。
　よって、引用文献２には、記憶素子が、磁化固定層３１、トンネル絶縁層１６、記憶層１７、スピンバリア層１８、キャップ層１９の順に積層された構成が記載されている。
Ｍ　スピンバリア層について
　上記Ｈには、「非磁性金属元素を含有するスピンバリア層を構成した場合には、スピンバリア層を設けたことによる記憶素子の抵抗値の増大を抑えることができるため、記憶素子に対して情報の記録や情報の読み出しを行う際に、余分な電圧を必要とせず、ＭＲ比の目減りもない」こと、上記Ｊには、「スピンバリア層１８が、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる１種以上の材料、もしくは、酸化物、窒化物、フッ化物から選ばれる１種以上の材料を主成分として、少量の他の元素（例えば、金属元素等）が添加された材料、によって構成」されることが記載されている。
　よって、引用文献２には、スピンバリア層が酸化物を主成分とし、非磁性金属元素を含有することで、スピンバリア層を設けたことによる記憶素子の抵抗値の増大を抑え、ＭＲ比の目減りがないことが記載されている。
　よって、上記Ｈ乃至Ｍ及び図２の記載から、引用文献２には、下記の事項が記載されていると認められる。
　
「磁化固定層、トンネル絶縁層、記憶層、スピンバリア層、キャップ層の順に積層された記憶素子において、前記スピンバリア層が酸化物を主成分とし、非磁性金属元素を含有することで、スピンバリア層を設けたことによる記憶素子の抵抗値の増大を抑え、ＭＲ比の目減りがないこと。」
　　　
　　　　　　　　　　  
４　対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
ａ　本願発明の「磁気トンネル接合デバイス」と引用発明の「磁気素子」との対応
　引用発明では、強磁性の「ピン止め層」と「自由層」の間に絶縁体のバリア層である「スペーサ層」が設けられ、該「スペーサ層」は、「電荷キャリアが前記自由層と前記ピン止め層との間でトンネリング可能」とするものであるから、引用発明の「磁気素子」は、磁気トンネル接合の構造を有している。
　よって、引用発明の「磁気素子」は、本願発明の「磁気トンネル接合デバイス」に相当している。
ｂ　本願発明の「スピントルク強化層」と引用発明の「スピンバリア層」との対応
　本願発明の「スピントルク強化層」は、「自由層に応答する」ものであり、「酸化物層を含む」ものである。一方、引用発明の「スピンバリア層」は、「自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減させて臨界電流を小さくさせ」るものであり、「複数の材料の酸化物で主に構成」されるものであるところ、上記の「自由層の減衰定数αに対する外側表面の寄与を低減させて臨界電流を小さくさせ」ることは「自由層に応答する」ことに相当しているので、引用発明の「スピンバリア層」は本願発明の「スピントルク強化層」に相当している。
ｃ　本願発明の「装置」と引用発明の「磁気メモリ」との対応
　「磁気メモリ」とは、情報を記憶するための装置であることを踏まえれば、引用発明の「磁気メモリ」は、本願発明の「装置」に相当する。　
　
（２）本願発明と引用発明の一致点及び相違点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明は、下記の点で一致し及び相違する。
（一致点）
「磁気トンネル接合デバイスを備える装置であって、
　前記磁気トンネル接合デバイスが、
　自由層と、
　前記自由層に応答するスピントルク強化層であって、前記スピントルク強化層が、酸化物層を含む、スピントルク強化層と、
　キャッピング層と
を含む、装置。」
（相違点）
　「キャッピング層」について、本願発明は「前記スピントルク強化層に隣接するキャッピング層」としているのに対し、引用発明は「キャッピング層」の配置が定かでない点。
　　
　　
５　当審の判断 
（１）相違点について
　磁気トンネル接合デバイスでは、自由層等を保護するためにキャッピング層（キャップ層）を備えることは、特開２００６−２１６９６５号公報（段落【００３４】及び図６には、キャッピング層５８が、下部に順次積層されたフリー磁性層等の物質層を保護する役割を行うことが記載されている。）、特開２００７−２８８１９６号公報（段落【０００９】には、キャップ層の目的が、「エッチングやＣＭＰ（化学機械研磨）のプロセス中にＭＴＪエレメントにおける下方にある層を保護すること」が記載されている。）に記載されているように周知技術である。
　また、引用文献２には、上記「３　引用文献」「（２）引用文献２について」に記載したように、
「磁化固定層、トンネル絶縁層、記憶層、スピンバリア層、キャップ層の順に積層された記憶素子において、前記スピンバリア層が酸化物を主成分とし、非磁性金属元素を含有することで、スピンバリア層を設けたことによる記憶素子の抵抗値の増大を抑え、ＭＲ比の目減りがないこと。」
が記載されており、引用文献２の「磁化固定層」、「トンネル絶縁層」、「記憶層」は、引用発明の「ピン止め層」、「スペーサ層」、「自由層」に相当し、引用文献２の「スピンバリア層」は「非磁性金属元素」を含有するものであるところ、引用文献１には、上記「３　引用文献」「（１）引用文献１について」「Ｂ」に、「スピンバリア層１５０」に「Ｃｕ」、「Ａｕ」、「Ｐｔ」、「Ｐｄ」を添加することが記載されていることから、引用文献２の「スピンバリア層」は、引用発明の「スピンバリア層」に相当している。
　してみると、引用文献１には、キャッピング層の配置については記載されていないものの、キャッピング層が自由層等を保護するための層であることを鑑みれば、引用発明において「スピンバリア層」に隣接して配置されるものであることは明らかであり、さらに、引用発明の「ピン止め層」、「スペーサ層」、「自由層」、「スピンバリア層」に相当する「磁化固定層」、「トンネル絶縁層」、「記憶層」、「スピンバリア層」を備えた引用文献２には、「キャッピング層」に相当する「キャップ層」が「スピンバリア層」に隣接して配置することが記載されていることから、引用発明の「キャッピング層」をスピンバリア層に隣接して配置することは、当業者が適宜なし得たことに過ぎない。
　よって、引用発明において、「キャッピング層」を「スピンバリア層」に隣接して配置することで、相違点の構成とすることは、引用文献２に記載された事項及び周知技術から当業者が容易になし得たものである。
（２）本願発明の作用効果について　　　
　本願発明の作用効果も、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　　　　
　　
　
　　
６むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。