【手続補正書】
【提出日】令和2年10月15日(2020.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３２４】
実施形態１２７は、
基材を準備するステップと、
基材上にマスクを配設するステップと、
マスクされた基材をエッチングして、マスクを通して基材の中に開口部を形成し、それによりナノ構造化表面を有するナノ構造化基材を含む複製ツールを形成するステップであって、ナノ構造化表面は、２０００ｎｍ以下の平均中心間隔を有する複数のナノ構造を含み、各ナノ構造は、ナノ構造の平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、平均横方向寸法は５０ｎｍ以下である、ステップと、
ナノ構造化基材のナノ構造化表面に対して硬化性組成物をキャスティングするステップと、
硬化性組成物を硬化させて構造化層を形成するステップと、
ツールを構造化層から除去するステップと、を含み、
ナノ構造化表面は、実質的に方位対称のパワースペクトル密度（ＰＳＤ）及び波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積を有し、基材は第１の屈折率を有し、バックフィル材料は第２の屈折率を有し、波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は６ラジアン／マイクロメートルに第１及び第２の屈折率のうちの大きい方を乗じたものより大きい波数に対して最大値を有し、
６ラジアン／マイクロメートルに第１及び第２の屈折率のうちの大きい方を乗じたもの未満の全ての波数について、波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は最大値の０．３倍以下である、方法である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ構造化表面を含む第１の層であって、前記ナノ構造化表面は前記第１の層のベース表面から延びる複数のピラーを含み、前記ピラーは、前記ピラーの平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、ピラー間の平均中心間隔は２０００ｎｍ以下であり、前記平均横方向寸法は５０ｎｍ以上であり、前記複数のピラーの各ピラーは少なくとも下部及び上部を有し、前記下部は前記上部と前記ベース表面との間にあり、前記上部及び前記下部は異なる組成を有し、前記下部は第１の屈折率を有する、第１の層と、
前記複数のピラーを覆うように配設され前記ベース表面まで連続的に延び、気体層でも液体層でもなく、第２の屈折率を有する第２の層と、を備え、
前記第１の屈折率と前記第２の屈折率との間の差の絶対値が０．１〜１．５の範囲にある、ナノ構造化物品。
【請求項２】
ナノ構造化表面を含む第１の層であって、前記ナノ構造化表面は前記第１の層のベース表面から延びる複数のピラーを含み、前記ピラーは、前記ピラーの平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、ピラー間の平均中心間隔は２０００ｎｍ以下であり、前記平均横方向寸法は５０ｎｍ以上であり、前記複数のピラーの各ピラーは少なくとも下部及び上部を有し、前記下部は前記上部と前記ベース表面との間にあり、前記上部及び前記下部は異なる組成を有し、前記下部は第１の屈折率を有する、第１の層と、
前記複数のピラーを覆うように配設され前記ベース表面まで連続的に延び、第２の屈折率を有する第２の層と、
前記第２の層上に前記第１の層とは反対側に配設されたシール層と、を備え、
前記第１の屈折率と前記第２の屈折率との間の差の絶対値が０．１〜１．５の範囲にある、ナノ構造化物品。
【請求項３】
前記ナノ構造化表面は、パワースペクトル密度（ＰＳＤ）及び波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積を有し、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は、６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの大きい方を乗じたものよりも大きい波数に対して最大値を有し、
６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの前記大きい方を乗じたもの未満の全ての波数について、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は前記最大値の０．３倍以下である、請求項１又は２に記載のナノ構造化物品。
【請求項４】
１０ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの前記大きい方を乗じたものと、１３ラジアン／マイクロメートルに、前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの前記大きい方と０．８との和を乗じたもの、との間にある第１の大きさを有する任意の第１の波数ベクトルについて、前記第１の波数ベクトルにおける前記パワースペクトル密度の局所平均間の最大差が、前記第１の波数ベクトルにおける前記パワースペクトル密度の環状平均の０．７〜１．３倍であり、
前記局所平均は、フーリエ空間における、前記第１の波数ベクトルを中心とし、前記第１の大きさの０．９倍の内径、前記第１の大きさの１．１倍の外径、及び６０度の中心角を有する環状セクタ上の前記パワースペクトル密度の平均であり、
前記環状平均は、フーリエ空間における、前記第１の大きさの０．９倍の内径、及び前記第１の大きさの１．１倍の外径を有する円環上の前記パワースペクトル密度の平均である、請求項３に記載のナノ構造化物品。
【請求項５】
前記第１の層に隣接して前記第２の層とは反対側に配設された複数の層を更に含み、前記複数の層は、２つのポリマー層の間に配設された無機層を備える、請求項１又は２に記載のナノ構造化物品。
【請求項６】
複数の突出部及び複数の窪み部を含むナノ構造化表面を有するナノ構造化層であって、気体層でも液体層でもないナノ構造化層と、
前記ナノ構造化表面上に配設されたエッチングマスクと、
前記エッチングマスクを覆うように配設され、前記エッチングマスクを貫通して前記複数の窪み部の中に延びるバックフィル材料であって、気体層でも液体層でもないバックフィル層を形成するバックフィル材料と、を備えるナノ構造化物品。
【請求項７】
前記マスクと前記ナノ構造化表面との間に配設されたバインダーを更に含み、前記マスクは前記バインダーに共有結合している、請求項６に記載のナノ構造化物品。
【請求項８】
前記マスクは不連続な無機層を含む、請求項６に記載のナノ構造化物品。
【請求項９】
ナノ構造化表面を含む第１の層であって、前記ナノ構造化表面は前記第１の層のベース表面から延びる複数のピラーを含み、前記ピラーは２８０ｎｍ〜５１０ｎｍの平均高さを有し、ピラー間の平均中心間隔が３１０ｎｍ以下であり、前記複数のピラーの平均横方向寸法が１６０ｎｍ〜２２０ｎｍの範囲にあり、前記複数のピラーの各ピラーは、ポリマー下部、無機粒子、及び前記ポリマー下部と前記無機粒子との間に配設されたバインダーを有し、前記バインダーは前記無機粒子に共有結合しており、前記ポリマー下部は前記バインダーと前記ベース表面との間にあり、前記下部は第１の屈折率を有する、第１の層と、
前記複数のピラーを覆うように配設され前記ベース表面まで連続的に延びる第２の層であって、気体層でも液体層でもなく、第２の屈折率を有する第２の層と、を備え、
前記第１の屈折率と前記第２の屈折率との間の差の絶対値が０．３〜０．８の範囲にある、ナノ構造化物品。
【請求項１０】
発光層と、前記発光層のエバネッセント領域の外側に近接して配設された請求項１、２、又は６〜９のいずれかに記載のナノ構造化物品と、を含む有機発光ダイオードディスプレイ。
【請求項１１】
発光層と、
前記発光層のエバネッセント領域の外側に近接して配設されたナノ構造化層であって、前記ナノ構造化層はナノ構造化表面を含み、前記ナノ構造化表面は前記ナノ構造化層のベース表面から延びる複数のピラーを含み、前記ピラーは、前記ピラーの平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、ピラー間の平均中心間隔が２０００ｎｍ以下であり、前記平均横方向寸法が５０ｎｍ以上である、ナノ構造化層と、
前記複数のピラーを覆うように配設された第２の層と、
を含む有機発光ダイオードであって、
前記複数のピラーの各ピラーは、少なくとも下部及び上部を有し、前記下部は前記上部と前記ベース表面との間にあり、前記上部と前記下部とは異なる組成を有し、前記下部は第１の屈折率を有し、前記第２の層は第２の屈折率を有し、
前記ナノ構造化表面は、パワースペクトル密度（ＰＳＤ）及び波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積を有し、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は、６ラジアン／マイクロメートルに第１の屈折率及び第２の屈折率のうちの大きい方を乗じたものよりも大きい波数に対して最大値を有し、
６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの前記大きい方を乗じたもの未満の全ての波数について、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は前記最大値の０．３倍以下である、有機発光ダイオードディスプレイ。
【請求項１２】
基材を準備するステップと、
マスクを前記基材上に配設することによって、マスクされた基材を形成するステップと、
前記マスクされた基材をエッチングして、前記マスクを通して前記基材の中に開口部を形成し、それによりナノ構造化表面を有するナノ構造化基材を形成するステップであって、前記ナノ構造化表面は２０００ｎｍ以下の平均中心間隔を有する複数のナノ構造を含み、前記ナノ構造の各々は、前記ナノ構造の平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、前記平均横方向寸法は５０ｎｍ以下である、ナノ構造化基材を形成するステップと、
前記ナノ構造化基材をバックフィル材料でバックフィルするステップであって、前記バックフィル材料は前記マスクを越え前記開口部を通って延び、前記バックフィル材料は気体層でも液体層でもないバックフィル層を形成する、バックフィルするステップと、を含む方法。
【請求項１３】
基材を準備するステップと、
前記基材上にマスクを配設するステップと、
前記マスクされた基材をエッチングして、前記マスクを通して前記基材の中に開口部を形成し、それによりナノ構造化表面を有するナノ構造化基材を形成するステップであって、前記ナノ構造化表面は２０００ｎｍ以下の平均中心間隔を有する複数のナノ構造を含み、前記ナノ構造の各々は、前記ナノ構造の平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、前記平均横方向寸法は５０ｎｍ以下である、マスクを配設するステップと、
前記ナノ構造化基材をバックフィル材料でバックフィルするステップであって、前記バックフィル材料は前記開口部を通って延びる、バックフィルするステップと、を含み、
前記ナノ構造化表面は、実質的に方位対称のパワースペクトル密度（ＰＳＤ）及び波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積を有し、前記基材は第１の屈折率を有し、前記バックフィル材料は第２の屈折率を有し、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの大きい方を乗じたものよりも大きい波数に対して最大値を有し、
６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの前記大きい方を乗じたもの未満の全ての波数について、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は前記最大値の０．３倍以下である、方法。
【請求項１４】
基材を準備するステップと、
前記基材上にマスクを配設するステップと、
前記マスクされた基材をエッチングして、前記マスクを通して前記基材の中に開口部を形成し、それによりナノ構造化表面を有するナノ構造化基材を形成するステップであって、前記ナノ構造化表面は２０００ｎｍ以下の平均中心間隔を有する複数のナノ構造を含み、前記ナノ構造の各々は、前記ナノ構造の平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、前記平均横方向寸法は５０ｎｍ以下である、ナノ構造化基材を形成するステップと、
前記マスクされた基材を覆うようにバックフィル材料を適用するステップと、
前記バックフィル材料を覆うようにシール層を適用するステップと、を含む方法。
【請求項１５】
基材を準備するステップと、
前記基材上にマスクを配設するステップと、
前記マスクされた基材をエッチングして、前記マスクを通して前記基材の中に開口部を形成し、それによりナノ構造化表面を有するナノ構造化基材を含む複製ツールを形成するステップであって、前記ナノ構造化表面は２０００ｎｍ以下の平均中心間隔を有する複数のナノ構造を含み、前記ナノ構造の各々は、前記ナノ構造の平均横方向寸法よりも大きい平均高さを有し、前記平均横方向寸法は５０ｎｍ以下である、複製ツールを形成するステップと、
ナノ構造化基材の前記ナノ構造化表面に対して硬化性組成物をキャスティングするステップと、
前記硬化性組成物を硬化させて構造化層を形成するステップと、
前記ツールを前記構造化層から除去するステップと、を含み、
前記ナノ構造化表面は、実質的に方位対称のパワースペクトル密度（ＰＳＤ）及び波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積を有し、前記基材は第１の屈折率を有し、バックフィル材料は第２の屈折率を有し、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの大きい方を乗じたものよりも大きい波数に対して最大値を有し、
６ラジアン／マイクロメートルに前記第１の屈折率及び前記第２の屈折率のうちの前記大きい方を乗じたもの未満の全ての波数について、前記波数−パワースペクトル密度（ＰＳＤ）の積は前記最大値の０．３倍以下である、方法。