【事件の表示】
　特願２０１０−１３６１７０「トンネル磁気抵抗再生素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月　３日出願公開、特開２０１１−　２３０９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年６月１５日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２１年７月１３日　米国（ＵＳ））の出願であって、平成２２年１０月２０日付けで手続補正がなされ、平成２４年５月１７日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年１１月１３日付けで手続補正がなされ、平成２５年６月６日付け最後の拒絶理由通知に対する応答時、同年１１月８日付けで意見書が提出されたが、平成２６年６月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１０日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１０月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年１０月１０日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２６年１０月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　トンネル磁気抵抗再生素子であって、
　上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み、
　前記センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、膜面垂直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と、前記自由磁気要素から前記基準磁気要素を隔てるスペーサ層とを含み、
前記スペーサ層は非磁性であり、
　
前記自由磁気要素は第１の層および第２の層のみから成り、前記第１の層は前記スペーサ層と前記第２の層との間にあり、
　前記トンネル磁気抵抗再生素子はさらに、
　前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第１のサイド磁気シールドおよび第２のサイド磁気シールドを含み、
　前記センサスタックは前記第１のサイド磁気シールドと前記第２のサイド磁気シールドとの間にあり、
　前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含み、
　前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、非磁性スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記非磁性スペーサ層は電気絶縁性である、トンネル磁気抵抗再生素子。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「自由磁気要素」について、「第１の層および第２の層のみから成り、前記第１の層は前記スペーサ層と前記第２の層との間にあり」との限定を付加するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の上記請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて、以下検討する。
２．独立特許要件について
２−１．特許法第２９条第２項
（１）引用例
（１−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００７−５８０３号公報（以下「引用例１」という。）には、「磁気抵抗素子」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）
　ア．「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
磁気抵抗素子であって、
　
第１の自由副層と、
前記第１の自由副層と
第１のスペーサによって分離された第２の自由副層とを含み、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する自由層と
　
固定された磁化方向を有し、第２のスペーサによって前記自由層から分離されたピン層と、を含み
　前記第２の自由副層が前記第１のスペーサと前記第２のスペーサの間にある
磁気抵抗素子
　イ．「【請求項６】
　
前記第２のスペーサが、（ａ）トンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）型スピンバルブの場合は絶縁体
　ウ．「【００２０】
　本発明は、本明細書で説明する例示的かつ非限定的な実施形態による、平面外磁化を有する交換結合型自由層ならびに当業者によって理解されるようなその等価物を含む磁気抵抗素子である。限定ではない例として、
磁気抵抗素子は、読み取りヘッド
に使用される
　エ．「【００２１】
　図４は、スピンバルブの例示的かつ非限定的な実施形態を示す。
合成自由層１０１は、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する
合成自由層１０１は、高い垂直磁気異方性と低いスピン分極を有する第１の自由副層１１１と、非磁性自由副層スペーサ１０９（「第１のスペーサ」とも呼ばれる）と、低い垂直磁気異方性と高分極を有する第２の自由副層１１３とを有する
　オ．「【００２３】
　
第１の自由副層１１１と第２の自由副層１１３の間の交換結合によって、第２の自由副層の磁化方向が、平面内の方向から平面と垂直な方向（すなわち約９０度）に変更される
　カ．「【００２５】
　
自由層１０１は、スペーサ１０３（「第２のスペーサ」とも呼ばれる）によってピン層１０５（すなわち、実質的に固定された磁化方向を有する）から分離される
　キ．「【００３１】
　バッファ層１３２は、
下部シールド１３５
スピンバルブと下部シールド１３５の上側面に
絶縁体１４１ａが提供される
絶縁体１４１ａ上に、隣りのトラックの磁界からセンサを保護する側面シールド１４３が提供される。側面シールド１４３上には、センス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのさらに別の絶縁体１４１ｂが付着される
　ク．「【００３２】
　
このシールド構造は、スピンバルブの左側と右側の側面に沿って存在する
　・上記引用例１に記載の「磁気抵抗素子」は、上記「ア．」、「エ．」、「カ．」の記載事項、及び図４によれば、第１の自由副層１１１と、第１の自由副層１１１と非磁性自由副層スペーサ１０９によって分離された第２の自由副層１１３とを含み、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する合成自由層１０１と、固定された磁化方向を有し、スペーサ１０３によって合成自由層１０１から分離されたピン層１０５と、からなるスピンバルブを含む磁気抵抗素子に関するものである。
　・上記「イ．」の記載事項によれば、トンネル磁気抵抗型スピンバルブの場合、スペーサ１０３は絶縁体であり、非磁性であることは自明といえることである。
　・上記「キ．」の記載事項、及び図５によれば、磁気抵抗素子は、スピンバルブの上下に上部シールド１３７と下部シールド１３５とを有する。
・上記「オ．」の記載事項によれば、第１の自由副層と第２の自由副層の間の交換結合によって、第２の自由副層の磁化方向が、平面内の方向から平面と垂直な方向に変更されている。
・上記「キ．」の記載事項によれば、スピンバルブと下部シールド上側面にに絶縁体１４１ａが設けられ、絶縁体１４１ａ上に隣りのトラックの磁界からセンサを保護する側面シールド１４３が設けられ、側面シールド１４３上にセンス電流が側面シールド１４３に流れるのを有効に防ぐためのさらに別の絶縁体１４１ｂが付着されている。
・上記「ク．」の記載事項によれば、側面シールド１４３はスピンバルブの左側と右側の側面に存在している。
　したがって、特に磁気抵抗素子がトンネル磁気抵抗型スピンバルブであり、読み取りヘッドに使用される場合に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「読み取りヘッドに使用される磁気抵抗素子であって、
　トンネル磁気抵抗型スピンバルブと、その上下にそれぞれ設けられた上部シールドと下部シールドとを含み、
　前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブは、固定された磁化方向を有するピン層と、外部磁界に応じて調整可能な磁化方向を有する自由層と、前記ピン層から前記自由層を分離する非磁性絶縁体のスペーサとを含み、
　前記自由層は、垂直異方性を有する第１の自由副層と、当該第１の自由副層１１１と非磁性自由副層スペーサによって分離された第２の自由副層とを含み、前記第１の自由副層と前記第２の自由副層の間の交換結合によって、前記第２の自由副層の磁化方向が、平面と垂直な方向に変更され、
　当該磁気抵抗素子はさらに、
　前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブと前記下部シールドの上側面に絶縁体１４１ａが設けられ、
　前記絶縁体１４１ａ上に隣りのトラックの磁界からセンサを保護する側面シールドが提供され、
　前記側面シールド上にセンス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのさらに別の絶縁体１４１ｂが付着され、
　前記側面シールドは、前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブの左側と右側の側面に存在する、磁気抵抗素子。」
　
（１−２）引用例２
　本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００３−２２９６１２号公報（以下「引用例２」という。）には、「磁気抵抗効果センサ」について、図面とともに以下の技術事項が記載されている。
　ク．「【００４４】
　この
磁気抵抗効果膜１５は
磁化自由層１５１と
非磁性中間層１５２と
磁化固着層１５３と
を有する
磁化自由層１５１は
垂直磁気異方性を有する強磁性材料で形成され
膜面に対してほぼ垂直に配向している
　ケ．「【００５２】
　図３に示す磁気抵抗効果センサーは、磁気抵抗効果膜１５の
磁化自由層１５１に接して硬磁性層３１を設けている以外は、図１に示す磁気抵抗効果センサーと同様の構成を有する
硬磁性層３１は、膜面に対してほぼ垂直に磁化され
、その結果、磁化自由層１５１の磁化は膜面にほぼ垂直に配向している
　コ．「【００６０】
　図４に示す磁気抵抗効果センサーは、
硬磁性層３１と磁気抵抗効果膜１５の磁化自由層１５１との間に非磁性層３２を設けている以外は、図３に示す磁気抵抗効果センサーと同様の構成を有する
（２）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア．引用発明における「上部シールド」、「下部シールド」、「トンネル磁気抵抗型スピンバルブ」は、それぞれ本願補正発明における「上部磁気シールド」、「下部磁気シールド」、「センサスタック」に相当し、そして、トンネル磁気抵抗型スピンバルブは、上部シールドと下部シールドの間に配置されてなるものであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み」の点で一致する。
　イ．引用発明における「ピン層」は、本願補正発明の「基準磁気要素」に相当し、そして、引用発明の「ピン層」は、「固定された磁化方向を有する」ものであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と」を含む点で一致する。
　ウ．引用発明における「自由層」は、本願補正発明における「自由磁気要素」に相当し、そして、引用発明の「自由層」は、「平面と垂直な方向」に垂直異方性を有するものであるから、膜面垂直異方性を有し、また、「ピン層」と実質的に垂直な自由磁化配向方向を有しているといえる。
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「膜面垂直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と」を含む点で一致する。
　エ．引用発明における「スペーサ」は、本願補正発明における「スペーサ層」に相当し、そして、引用発明の「スペーサ」は、「非磁性絶縁体」であるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記スペーサ層は非磁性であり」の点で一致する。
　オ．引用発明における「第２の自由副層」、「第１の自由副層」は、それぞれ本願補正発明における「第１の層」、「第２の層」にそれぞれ相当し、そして、引用発明の「自由層」は、「第１の自由副層」と「第２の自由副層」とを含み、「第２の自由副層」は、スペーサと第１の自由副層との間に位置している（図４を参照）ことから、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記自由磁気要素は第１の層および第２の層」「から成り、前記第１の層は前記スペーサ層と前記第２の層との間にあり」の点で共通する。
　ただし、引用発明では、第１の自由副層と第２の自由副層の間に非磁性自由副層スペーサを有し、第１の自由副層および第２の自由副層「のみ」から成るものではない点で本願補正発明と相違する。
　カ．引用発明における「側面シールド」は、「前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブの左側と右側の側面に存在する」ものであり、本願補正発明における「第１のサイド磁気シールド」及び「第２のサイド磁気シールド」に相当し、また、「側面シールド」は、上部シールドと下部シールドの間との間に配置されている（図５を参照）から、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第１のサイド磁気シールドおよび第２のサイド磁気シールドを含み、前記センサスタックは前記第１のサイド磁気シールドと前記第２のサイド磁気シールドとの間にあ」る点で一致する。
　キ．引用発明における「絶縁体１４１ａ」は、本願補正発明における「電気絶縁層」に相当し、そして、引用発明の「絶縁体１４１ａ」は、「前記トンネル磁気抵抗型スピンバルブと下部シールドの上側面に」配置され、また、「前記絶縁体１４１ａ」上に「側面シールド」が配置されるものであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含」む点で一致する。
　ク．そして、引用発明における「磁気抵抗素子」は、トンネル磁気抵抗型スピンバルブからなり、読み取りヘッドに使用されるものであるから、本願補正発明における「トンネル磁気抵抗再生素子」に相当する。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「トンネル磁気抵抗再生素子であって、
　上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み、
　前記センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、膜面垂直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と、前記自由磁気要素から前記基準磁気要素を隔てるスペーサ層とを含み、
前記スペーサ層は非磁性であり、
　前記自由磁気要素は第１の層および第２の層から成り、前記第１の層は前記スペーサ層と前記第２の層との間にあり、　
　前記トンネル磁気抵抗再生素子はさらに、
　前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第１のサイド磁気シールドおよび第２のサイド磁気シールドを含み、
　前記センサスタックは前記第１のサイド磁気シールドと前記第２のサイド磁気シールドとの間にあり、
　前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含む、トンネル磁気抵抗再生素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　第１の層および第２の層から成る自由磁気要素について、本願補正発明では、第１の層および第２の層「のみ」から成ると特定するのに対し、引用発明では、第１の自由副層と第２の自由副層の間に非磁性自由副層スペーサを有し、第１の自由副層および第２の自由副層「のみ」から成るものではない点。
［相違点２］
　本願補正発明では、「前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、非磁性スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記非磁性スペーサ層は電気絶縁性である」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２（上記「（１−２）」を参照）には、磁化自由層と、非磁性中間層と、磁化固着層とを有する磁気抵抗効果膜において、磁化自由層が垂直異方性を有する強磁性材料で形成され、膜面に対して垂直に配向しているものが記載され（上記「ク．」）、そして、磁化自由層に接して硬磁性層を設けた磁気抵抗効果膜が記載されている（上記「ケ．」、図３）。また、磁化自由層と硬磁性層との間に非磁性層を設けた磁気抵抗効果膜も記載されている（上記「コ．」、図４）。ここで、引用例２に記載された「磁化固着層」、「非磁性中間層」、「磁化自由層」及び「硬磁性層」は、それぞれ本願補正発明における「基準磁気要素」、「スペーサ層」、「第１の層」及び「第２の層」に相当している。
　ところで、引用発明における自由層は、第１の自由副層と第２の自由副層の間に非磁性自由副層スペーサを有しており、引用例２の図４の例に対応するものであるが、引用例２の図３の例のように非磁性層である非磁性自由副層スペーサを省き、第１の自由副層と第２の自由副層とからなる自由層の構成として、第１の自由副層と第２の自由副層「のみ」から成るものとし、相違点１に係る構成とすることは引用例２の上記記載事項から当業者が容易になし得ることである。　
［相違点２］について
　本願明細書段落【００２８】の記載によれば、非磁性の絶縁体である「非磁性スペーサ層」は、電気絶縁層が上部磁気シールドを下部磁気シールドから電気的に絶縁するのを助けるためのものである。
　一方、引用発明は、側面シールド上にセンス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのさらに別の「絶縁体１４１ｂ」を付着させたものであり、引用発明の「絶縁体１４１ｂ」についても、上記のように、センス電流が側面シールドに流れるのを有効に防ぐためのもの、換言すれば、絶縁体１４１ａが上部シールドを下部シールドから絶縁するのを助けるものであり、本願補正発明の「非磁性スペーサ層」と引用発明の「絶縁体１４１ｂ」とは技術的に目的を共通にしているといえる。
　そうすると、引用発明において、上部シールドを下部シールドから絶縁するのを助けるために「絶縁体１４１ａ」とは別の「絶縁体１４１ｂ」を設けるものであるところ、当該「絶縁体１４１ｂ」の配置位置は適宜選択し得るものであり、側面シールド上に配置することに代えて側面シールド内に配置すること、すなわち相違点２のように、「前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記スペーサ層は電気絶縁性である」とする構成は、当業者であれば容易になし得ることである。
　なお、「絶縁体１４１ｂ」や「絶縁体１４１ａ」は電気的絶縁を目的とするのであり、Ａｌ２Ｏ３などの「非磁性」の無機酸化物を用いるのが普通である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００９−３２３８２号公報の段落【００２１】及び図２Ａ、さらには特開２００３−２６４３２４号公報の段落【００５７】〜【００５９】及び図１を参照）。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願補正発明が奏する効果は引用例１，２から当業者が予測できたものであって格別なものとはいえない。
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
２−２．特許法第３６条第６項第２号違反
　請求項１において、「前記自由磁気要素は第１の層および第２の層のみから成り、前記第１の層は前記スペーサ層と前記第２の層との間にあり」とあるが、「第１の層」と「第２の層」との違いが不明であり、そのため、自由磁気要素を第１の層と第２の層の２層としたことの技術的意味も明らかでなく、この点において請求項１に係る発明は明確なものでない。
　よって、本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２６年１０月１０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　トンネル磁気抵抗再生素子であって、
　上部磁気シールドを下部磁気シールドから隔てるセンサスタックを含み、前記センサスタックは、基準磁化配向方向を有する基準磁気要素と、膜面垂
直異方性を有するとともに前記基準磁化配向方向に対して実質的に垂直な自由磁化配向方向を有する自由磁気要素と、前記自由磁気要素から前記基準磁気要素を隔てるスペーサ層とを含み、前記スペーサ層は非磁性であり、前記トンネル磁気抵抗再生素子はさらに、
　前記上部磁気シールドと前記下部磁気シールドとの間に配置された第１のサイド磁気シールドおよび第２のサイド磁気シールドを含み、前記センサスタックは前記第１のサイド磁気シールドと前記第２のサイド磁気シールドとの間にあり、前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、前記上部磁気シールドを前記下部磁気シールドから電気的に絶縁する電気絶縁層を含み、
　前記第１のサイド磁気シールドおよび前記第２のサイド磁気シールドは、非磁性スペーサ層によって隔てられた複数の磁性層を含み、さらに、前記非磁性スペーサ層は電気絶縁性である、トンネル磁気抵抗再生素子。」
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２　２−１．（１）」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　２−１．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「自由磁気要素」について、「第１の層および第２の層のみから成り、前記第１の層は前記スペーサ層と前記第２の層との間にあり」との限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項（上記相違点１に係る構成）を付加したものに相当する本願補正発明が上記「第２　２−１．（３）」に記載したとおり、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明から上記他の限定事項（上記相違点１に係る構成）を省いたものである本願発明も、同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。