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　特願２０１２−５１３２５７「研磨パッド、それを用いた組成物および、その製造と使用方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月　２日国際公開、ＷＯ２０１０／１３８７２４、平成２４年１１月１２日国内公表、特表２０１２−５２８４８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年（平成２２年）５月２７日（パリ条約による優先権主張、２００９年（平成２１年）５月２７日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年　１月２４日　　　翻訳文提出
　平成２４年　５月１７日　　　手続補正書の提出
　平成２６年　３月２６日付け　拒絶理由の通知
　平成２６年　６月３０日　　　意見書、手続補正書の提出
　平成２６年１０月２３日付け　拒絶査定（同年同月２８日発送）
　平成２７年　２月２６日　　　審判請求書の提出
　平成２７年　９月　７日付け　拒絶理由の通知
　平成２８年　２月２５日　　　意見書の提出
第２　本願発明
　平成２６年６月３０日に提出された手続補正書による補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１ないし１１は、次のとおり補正された。以下、請求項１ないし１１に係る発明を、それぞれ、「本願発明１」ないし「本願発明１１」という。
「【請求項１】
　半導体ウエハ研磨のための研磨パッドを作成するためのポリウレタン層であって、
　前記ポリウレタン層が、ポリウレタンフォームを含み、
　前記ポリウレタンフォームは、７２４〜１１０５ｋｇ／ｍ３の密度と、
　平均直径が２０〜２００マイクロメートルの複数のセルと、を有しており、
　前記ポリウレタン層は、
　５０℃で５６．７〜１３５Ｌ／ＰａのＫＥＬと、
　２０℃〜５０℃の範囲で３９４〜１０２０ＭＰａの貯蔵弾性率と、
　２０℃〜５０℃の範囲で０．０３２〜０．０５３であるｔａｎ　δと、
　５０℃でのｔａｎ　δ：２０℃でのｔａｎ　δが１．１２〜１．３１の比率であり、
　前記ポリウレタンフォームは、粒径のメジアン値が３〜１００マイクロメートルの疎水性ポリマーを含むものである、
ポリウレタン層。
　　【請求項２】
　製造時の前記ポリウレタン層の表面エネルギーが、２０〜２５ｍＮ／ｍである、請求項１に記載のポリウレタン層。
　　【請求項３】
　前記ポリウレタン層は、界面活性剤をさらに含み、前記界面活性剤は、非加水分解性のシリコーングリコールコポリマーを含む、請求項１〜２のいずれか１項に記載のポリウレタン層。
　　【請求項４】
　前記疎水性ポリマーが、フルオロカーボン繰り返し単位またはシロキサン繰り返し単位を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリウレタン層。
　　【請求項５】
　前記疎水性ポリマーが、ポリ（テトラフルオロエチレン）である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のポリウレタン層。
　　【請求項６】
　請求項１〜５のいずれか１項に記載のポリウレタンフォームを含む層を含む、半導体ウエハのための研磨パッド。
　　【請求項７】
　前記パッドが、０．２５μｍのカットオフ値を基準として、３５００未満の欠陥率を示す、請求項６に記載の研磨パッド。
　　【請求項８】
　前記研磨パッドの研磨表面が磨かれ、研磨表面から外皮を取り除いた、請求項６〜７のいずれか１項に記載の研磨パッド。
　　【請求項９】
　研磨層の研磨表面が、溝をさらに有する、請求項６〜８のいずれか１項に記載の研磨パッド。
　　【請求項１０】
　前記研磨パッドが、研磨パッド上部に一体的に結合する別のポリウレタン層またはエラストマー材料から作られる基板層の上の研磨パッド上部としてポリウレタン層を有するコンポジットパッドである、請求項６〜９のいずれか１項に記載の研磨パッド。
　　【請求項１１】
　シリコンウエハを研磨する方法であって、シリコンウエハの表面に対して粒状媒体を適用することと、前記表面に対して、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の研磨パッドを回転させることとを含む、方法。」
第３　当審における拒絶の理由
　当審において、平成２７年９月７日付けで通知した拒絶の理由の概略は、以下のとおりである。
「本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
 　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　特許請求の範囲の請求項１の数値範囲に入る実施例４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、６Ａ、６Ｂにおいて、どの程度の欠陥数となるかも不明であり、欠陥度が低いＣＭＰパッドを得るという効果を奏することが明確になっていない。このため、請求項１の数値範囲が技術的意味があるものか明確でないから、請求項１に係る発明は、詳細な説明によりサポートされていない。
　請求人は、平成２６年６月３０日付けの意見書において、実施例１の組成物は、実施例４及び６の組成物の中間にある物であるから、実施例１の特性は、合理的に実施例４及び６の間にあると予想できると主張するが、当該意見書の表Ａをみると、実施例１は界面活性剤、イソシアネートの量において、実施例４及び６の中間の値をとるものではないので、その点で、必ずしも、実施例１の特性が実施例４及び６の間にあって、実施例４及び６が実施例１と同様に効果を有するという根拠になるとは認められない。
　また、請求人は、審判請求書において、実施例４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、６Ａ、６Ｂにおいて、研磨における欠陥数の評価を具体的に示す実験結果を用意する予定である旨述べているが、意見書等で、その実験結果を提出されたい。」 
第４　請求人の主張
　上記拒絶理由に対し、請求人は、平成２８年２月２５日に提出された意見書において、以下のように主張している。
「拒絶査定において、審査官殿は、前記数値範囲を満足するポリウレタン層からなる研磨パッドが、本願課題の「欠陥数が少ない研磨表面を与えるパッド」であるかどうかは解らないと示唆されている。
　そこで、実施例４Ａ、４Ｂ、４Ｃについて、欠陥数を示すデータを次に示す。
　実施例４
　上記表に示す、SS25は使用した研磨剤の種類を示し、TEOS RRは使用した架橋剤を示すものである。
　上記表に示すように、欠陥数においては、比較例の欠陥数に対して、実施例４Ａ、実施例４Ｂ、及び実施例４Ｃの欠陥数が減少している。これにより、請求項１の数値範囲を満足するポリウレタン層からなる研磨パッドが、欠陥数が少ない研磨表面を与えるパッドであることは明らかである。
　また、実施例６Ａ及び実施例６Ｂについては、欠陥数が減少することを直接的に示すデータは無いが、出願明細書中の段落０１２６において、「これらの性質（比較的低いｔａｎ　δまたは／および低いＫＥＬ）は、低い欠陥レベルで、研磨中に作られる熱が少ない状態で、有効な研磨効率と関係が有ることが分かった」という記載がある。
　そして、比較的低いｔａｎ　δまたは／および低いＫＥＬが低い欠陥レベルであることが、研磨中に作られる熱が少ない状態で、有効な研磨効率と関係が有るという記述に基づけば、実施例６Ａ及び実施例６Ｂについても、表８及び表１０に示すように、比較例と比べて、ＫＥＬの値が低く、ｔａｎ　δが低いため、同様に欠陥数の少ない研磨表面を与えるパッドであることは、当初明細書中に記載されているものと言えると思料する。
　また、実施例６Ａ及び実施例６ＢのＫＥＬの値は、実施例４Ａ、実施例４Ｂ及び実施例４ＣのＫＥＬの値とほぼ同様の範囲内にあり、実施例６Ａ及び実施例６Ｂのｔａｎ　δの値は、実施例４Ａ、実施例４Ｂ及び実施例４Ｃのｔａｎ　δの値のいずれよりも低いことから、実施例６Ａ及び実施例６Ｂについても、実施例４Ａ、実施例４Ｂ及び実施例４Ｃと少なくとも同等若しくはより欠陥数が少ない研磨表面を与えるパッドであることは推測し得る。」
第５　当審の判断
１　特許法第３６条第６項第１号に規定する要件について
（１）発明が解決しようとする課題
　本願明細書には次の記載がある。下線は、理解の便のため当審にて付した。
　「【０００６】
　ＣＭＰパッドに関する集中的な開発にもかかわらず、
特に、低い欠陥数で特徴づけられるような、研磨効率および研磨有効性を継続的に高めていく
除去速度と、研磨されたウエハの欠陥度との関係は、トレードオフの関係となることが多い
パッドを堅くすると研磨はおそらく速くなるが、欠陥数が多くなる
すばやく研磨し、非常に効率がよく、それでいて欠陥度が低いＣＭＰパッドを得ることが望ましい
　【０００７】
　さらに、半導体ウエハを研磨するのにきわめて有効な研磨組成物を用いると、ＣＭＰパッドの化学特性と機械構造を悪化させることがある。その結果、研磨パッドの有効性が低下することがある。例えば、研磨速度が低下し、表面粗さが増し、起伏が生じ、および／または傷が生じることがある。高価なパッドを、費用がかさむ新しいパッドで頻繁に交換することは望ましくない。さらに、時間経過にともなってパッドがほんのわずか劣化した場合でさえ、半導体ウエハ表面を望ましい状態で研磨するためには、劣化の程度に合わせて、作業時の圧力、研磨板の回転速度、研磨板のための冷却水の温度および流速のような研磨条件を連続的に制御する必要があるだろう。ウエハを繰り返し研磨した後でも、高い対劣化性を有するＣＭＰパッドを得ることが望ましいだろう。
　【０００８】
　
したがって、当該技術分野では、依然として、改良されたＣＭＰパッド、詳細には、欠陥数が少ない研磨表面を与えるパッドの需要がある。
望ましくないひっかき傷または他の傷を生じずに
　この記載から、本願発明が解決しようとする課題は、欠陥数を少なくすることであると認められる。
（２）課題を解決するための手段
ア　実施例１
　発明の詳細な説明には、実施例１として次の（ア）−（ウ）の記載がされている。
（ア）「【０１０３】
　［実施例１］
　表３に示される配合物を用い、上述のプロセスによって、ポリウレタン層を調製した。
（イ）「【０１０６】
　ＣＭＰ研磨での使用について材料を試験するために、実施例１の配合物から作られた研磨パッド（実施例Ｐ−Ｉ）を用いて銅の平坦化を行い、次いで、これをＲｏｈｍ　ａｎｄ　Ｈａａｓによって製造された
従来のＩＣ１０００　ＣＭＰパッドと比較した。
（ウ）「【０１１０】
　銅モニターウエハを、所定の研磨前の順序で研磨し、除去速度のプロフィールを測定した。Ｐ−ＩパッドおよびＣ−Ｉパッドによって研磨されたウエハについて、欠陥分析のスクリーンキャプチャを得た。結果を表４に示す。
　【０１１１】
　　【表４】
　【０１１２】
　これらの実験結果は、銅平坦化の場合、ＩＣ　１０００　ＣＭＰパッドは、除去速度が約９，４００Å／分であり、ＷＩＷＮＵが約４％、合計欠陥数が約４，０００（０．２５μｍカットオフ値）であることを示す。本発明のパッドＰ−Ｉは、匹敵する除去速度（約９，５００Å／分）、ＷＩＷＮＵ（約４％）を示し、
合計欠陥数は非常に減少した（８００〜１，０００）。この値は、１０００パッドで研磨したウエハと比べて４分の１の減少であった。欠陥分析のカットオフ値が、０．２５マイクロメートルから０．２０マイクロメートルに変更されると（合格するのがさらに困難な試験）、本発明のサンプルの欠陥数の減少は、もっと顕著である。従来技術の上部パッドでは、合計欠陥数が約３１，０００、本発明のパッドでは、２，６００〜４，０００であった。
　【０１１３】
　表４に示される結果に加え、研磨中のパッド表面温度を、ＩＲ温度計を用いて測定した。比較例のパッドＣ−Ｉは、温度が１２５°Ｆ（５２．７℃）であり、一方、本発明のパッドＰ−Ｉは、１１９°Ｆ（４８．３℃）と温度が低かった。比較例のパッドＣ−Ｉと、表３の配合物を用いて製造されたパッドを用いた別の操作では、研磨中の表面温度は、１２０°（４８．９℃）および１１０°Ｆ（４３．３℃）であった。
　【０１１４】
　長期間の研磨が、本発明のパッドの欠陥度、除去速度または均一性に影響を与えるかどうかを判定するために、実施例１の配合物を用いて製造し、以前試験したパッドＰ−Ｉを用い、表５に示されるようなさらなるウエハを順次研磨した。この手順は、さらなる２個の酸化物フィラー、次いで、さらなる２個の銅フィラー、次いで、銅モニターフィラーを順次研磨することであった。このサイクルを４回繰り返した。したがって、例えば、最後のモニターウエハ７、パッドＰ−Ｉについて、表４で順次研磨することに加え、以下の順序でウエハをさらに研磨した。２個の酸化物フィラー、２個の銅フィラー、番号４のモニターウエハ、２個の酸化物フィラー、２個の銅フィラー、番号５のモニターウエハ、２個の酸化物フィラー、２個の銅フィラー、番号６のモニターウエハ、２個の酸化物フィラー、２個の銅フィラー、番号７のモニターウエハ。結果を以下の表５に示す。
　【０１１５】
　　【表５】
　【０１１６】
　表５の結果からは、外観の悪化または他の傾向は示されていない。ウエハ７の除去速度は約１０，０００Å／分であり、他の平均である約９，５００よりもわずかに大きい。また、
１つのウエハ（ウエハ番号５）の合計欠陥数は、約２，０００であり、この値は、他のものの欠陥数の２倍であり、研磨パッドではなく、サンプルウエハで生じているようである。
（エ）上記（ア）−（ウ）の記載からすると、従来のＩＣ１０００ＣＭＰパッドが欠陥数約４０００であるのに対して、実施例１は、欠陥数が８００−１０００と４分の１か、分析のカットオフ値によってはそれ以上の減少となっている。
　さらに、サンプルウエハによっては欠陥数に２倍くらいの差が生じることがあることも理解できる。
　しかしながら、本件補正により、「ＫＥＬ」、「貯蔵弾性率」、「ｔａｎδ」等が限定された結果、これらの数値が不明な実施例１は、本願発明１の実施例とは認められないこととなった。
イ　実施例４及び６
　平成２６年６月３０日に提出された意見書に、次の記載がされている。
「表Ａは、実施例１の配合組成が本質的に実施例４と６との間にあることを示している。
実施例１の物理的特性は、充分に知られてはいないが、実施例１の特性は実施例４と６との間にあると予想することは妥当である。実施例４および６のサンプルの異なる特性は、下記の表Ｂに記載されており、表Ｂは明細書の表１０より作成されたものである。ポンド／立方フィートの密度は、引例のものと比較するためにメートル単位（ｋｇ／ｍ３およびｇ／ｃｍ３）に変換している。Ｔａｎδの比（Ｔａｎδ　５０°Ｃ／Ｔａｎδ　２０°Ｃ）も計算されている。
表Ｂ
　表Ｂにおける各性質の値が高いか低いかにより、各性質の範囲が決まる。これらを表Ｃにまとめている。表Ｃは実施例４および６に基づくものである。
表Ｃ
」
　この記載から、本願発明１は、上記表Ｃの数値の範囲であり、上記表Ｂに記載された、実施例４及び６のものであると認められる。
　しかしながら、実施例４及び６が、本願発明が解決しようとする課題である、欠陥数を少なくすることを達成できたかどうか不明である。
２　請求人の主張について
　実施例４及び６が、本願発明が解決しようとする課題である、欠陥数を少なくすることを達成できたかどうか不明であるため、当審にて通知した拒絶理由に対し、上記「第４　請求人の主張」がなされた。
　ここでは、実施例６について「実施例６Ａ及び実施例６Ｂについては、欠陥数が減少することを直接的に示すデータは無いが」として、数値が示されず、実施例４のみの数値が示されている。
　しかしながら、数値が示された実施例４については、上記実施例１に係る表４に示された「合計欠陥数」と測定方法が、同一であるのか否かについては言及されていない。したがって、実施例４を実施例１と単純に比較するのが困難ではあるものの、「SS25 TEOS RR欠陥数」とされた評価項目について見ると、比較例が３６８２であるのに対し、実施例４Ａが３６８１となっている。また、「SS25欠陥数」とされた評価項目について見ると、比較例が４４８であるのに対し、実施例４Ｃが４１７となっている。
　これらの数値を対比した場合、実施例１が比較例に対して４分の１の減少を示している事実と比べると、実施例４で見られる変化は明らかに実施例１と同様の傾向を呈するものではない。加えて請求人は、どの程度の欠陥数の減少を有意な差異と見るべきかについて特段の言及も無い。してみると、実施例４が、従来技術の「ＩＣ１０００」と比較して、実施例１のように欠陥数が４分の１に減少するような有意な差異があるものとは認められない。
　また、実施例６に係るデータを示さずとも自明とする請求人の主張についても検討してみたが、これをもっともと扱うべき具体性に欠けており、実施例６が本願発明が解決しようとする課題である、欠陥数を少なくすることを達成できたと認めるに足りない。
　よって請求人の主張は採用できない。
３　小括
　よって、本願発明１は、発明の詳細な説明に記載された、発明の課題を解決するための手段が反映されていないため、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものとされ、当審にて通知した拒絶理由は解消されていない。
　したがって、本願発明２−１１を検討するまでもなく、本願は依然として、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。