【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年9月4日(2020.9.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
特定の実施態様では、第１の陽極色合い付与する材料及び第２の陽極色合い付与する材料のそれぞれは、該少なくとも１つの遷移金属及び他の非アルカリ金属を含んでよい。一部の係る実施態様では、第１の陽極色合い付与する材料及び第２の陽極色合い付与する材料はそれぞれニッケル及びタングステンを含んでよい。第２の陽極色合い付与する材料はさらにタンタルを含んでよい。第２の陽極色合い付与する材料はさらにニオブを含んでよい。第２の陽極色合い付与する材料はさらにスズを含んでよい。一部の実施形態では、第２の陽極色合い付与する材料は、該少なくとも１つの遷移金属、該他の非アルカリ金属、及び第２の非アルカリ金属を含んでよく、第１の陽極色合い付与する材料は該少なくとも１つの遷移金属及び該他の非アルカリ金属をその唯一の金属として含む。特定の場合、第１の陽極色合い付与する材料及び第２の陽極色合い付与する材料はそれぞれ、該少なくとも１つの遷移金属、該他の非アルカリ金属、及び第２の非アルカリ金属を含んでよく、第２の陽極色合い付与する材料は、第１の陽極色合い付与する材料と比較してより高い原子濃度の第２の非アルカリ金属を有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
一部の実施形態では、第１の陽極色合い付与する材料及び第２の陽極色合い付与する材料はそれぞれ第１の遷移金属、第２の遷移金属、及び酸素を含んでよく、第１の遷移金属対第２の遷移金属の割合は第１の陽極色合い付与する材料及び第２の陽極色合い付与する材料で異なる。これらの実施形態または他の実施形態では、対電極層は第３の陽極色合い付与するエレクトロクロミック材料を含む第３の副層をさらに含んでよく、第１の陽極色合い付与する材料、第２の色合い付与する材料、及び第３の色合い付与する材料は異なる組成物を有するが、それぞれが該少なくとも１つの遷移金属を含み、第２の副層は第１の副層と第３の副層との間に配置される。第１の陽極色合い付与する材料は該少なくとも１つの遷移金属、第２の遷移金属を含んでよいが、他の遷移金属を含まず及び酸素を含むことがあり、第２の陽極色合い付与する材料は該少なくとも１つの遷移金属、第２の遷移金属、第３の遷移金属、及び酸素を含んでよく、第３の陽極色合い付与する材料は該少なくとも１つの遷移金属、第２の金属、第３の遷移金属、及び酸素を含んでよく、第２の陽極色合い付与する材料及び第３の陽極色合い付与する材料は第３の遷移金属と異なる濃度を有してよい。特定の実施態様では、対電極層の第１の副層及び第２の副層は互いと物理的に接触してよい。対電極層の第１の副層及び第２の副層は、一部の場合、欠陥軽減絶縁層（ｄｅｆｅｃｔ−ｍｉｔｉｇａｔｉｎｇ−ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）によって互いに分離されてよく、欠陥軽減絶縁層は約１と５×１０１０オーム‐ｃｍの間の電子抵抗を有する。多様な実施形態では、第１の陽極色合い付与する材料はリチウムに対する第１の親和性を有し、第２の陽極色合い付与する材料はリチウムに対する第２の親和性を有し、リチウムに対する第１の親和性及びリチウムに対する第２の親和性は異なってよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）及びタンタル（Ｔａ）を備える、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項２】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）及びニオブ（Ｎｂ）を備える、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項３】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）及びスズ（Ｓｎ）を備える、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項４】
前記第１の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも１つの遷移金属及び他の非アルカリ金属を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、他の非アルカリ金属を備える、
請求項１から３のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項５】
前記第１の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、タングステン（Ｗ）を備える、
請求項４に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項６】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料は、他の非アルカリ金属をさらに備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料は、前記少なくとも１つの遷移金属、前記他の非アルカリ金属、及び第２の非アルカリ金属を備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料は、前記少なくとも１つの遷移金属及び前記他の非アルカリ金属を、その唯一の金属として含む、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項７】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が、それぞれ、前記少なくとも１つの遷移金属、他の非アルカリ金属、及び第２の非アルカリ金属を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、前記第１の陽極色合い付与する材料と比較して、より高い原子濃度の前記第２の非アルカリ金属を有する、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項８】
前記他の非アルカリ金属が、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ヒ素（Ａｓ）、金（Ａｕ）、ホウ素（Ｂ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、セリウム（Ｃｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、水銀（Ｈｇ）、インジウム（Ｉｎ）、イリジウム（Ｉｒ）、ランタン（Ｌａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、プロトアクチニウム（Ｐａ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラセオジム（Ｐｒ）、プロメチウム（Ｐｍ）、ポロニウム（Ｐｏ）、プラチナ（Ｐｔ）、ラジウム（Ｒａ）、レニウム（Ｒｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アンチモン（Ｓｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、セレン（Ｓｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、サマリウム（Ｓｍ）、スズ（Ｓｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、タンタル（Ｔａ）、テルビウム（Ｔｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、テルル（Ｔｅ）、トリウム（Ｔｈ）、チタン（Ｔｉ）、タリウム（Ｔｌ）、ウラン（Ｕ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、イットリウム（Ｙ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びその組合せから成るグループから選択される、請求項４から７のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項９】
前記他の非アルカリ金属が、銀（Ａｇ）、ヒ素（Ａｓ）、金（Ａｕ）、ホウ素（Ｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、銅（Ｃｕ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、水銀（Ｈｇ）、オスミウム（Ｏｓ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、ポロニウム（Ｐｏ）、プラチナ（Ｐｔ）、ラジウム（Ｒａ）、テルビウム（Ｔｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、トリウム（Ｔｈ）、タリウム（Ｔｌ）、及びその組合せから成るグループから選択される、請求項８に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１０】
前記他の非アルカリ金属が、タンタル（Ｔａ）、スズ（Ｓｎ）、及びニオブ（Ｎｂ）から成るグループから選択される、請求項８または９に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１１】
前記他の非アルカリ金属がタンタル（Ｔａ）である、請求項１０に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１２】
前記他の非アルカリ金属がスズ（Ｓｎ）である、請求項１０または１１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１３】
前記他の非アルカリ金属がニオブ（Ｎｂ）である、請求項１０から１２のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの遷移金属の１つが、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、バナジウム（Ｖ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びその組合せから成るグループから選択される、請求項１から１３のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１５】
前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料がそれぞれ、第１の遷移金属、第２の遷移金属、及び酸素を備え、前記第１の遷移金属に対する前記第２の遷移金属の比率が前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料で異なる、請求項１から１４のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１６】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記対電極層が、第３の陽極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備える第３の副層をさらに備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料、前記第２の陽極色合い付与する材料、及び前記第３の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが前記少なくとも１つの遷移金属を備え、
前記第２の副層が前記第１の副層と前記第３の副層との間に配置される、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項１７】
前記第１の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも１つの遷移金属、第２の遷移金属を備えるが、他の遷移金属を備えず、及び酸素を備え、前記第２の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも１つの遷移金属、前記第２の遷移金属、第３の遷移金属、及び酸素を備え、前記第３の陽極色合い付与する材料が、前記少なくとも１つの遷移金属、前記第２の遷移金属、前記第３の遷移金属、及び酸素を備え、前記第２の陽極色合い付与する材料及び前記第３の陽極色合い付与する材料が、前記第３の遷移金属と異なる濃度を有する、請求項１６に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１８】
前記第１の陽極色合い付与する材料がニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、及び酸素（Ｏ）を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料がニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び酸素（Ｏ）を備える、
請求項１６または１７に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項１９】
前記第１の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、及び酸素（Ｏ）を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料がニッケル（Ｎｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び酸素（Ｏ）を備える、
請求項１６から１８のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２０】
前記第２の副層及び前記第３の副層は、ニッケルタングステンタンタル酸化物（ＮｉＷＴａＯ）であり、
タンタル（Ｔａ）の濃度は、前記第２の副層においてより、前記第３の副層において、より高い、
請求項１６から１９のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２１】
前記第２の副層及び前記第３の副層は、ニッケルタングステンスズ酸化物（ＮｉＷＳｎＯ）であり、
スズ（Ｓｎ）の濃度は、前記第２の副層においてより、前記第３の副層において、より高い、
請求項１６から１９のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２２】
前記対電極層の前記第１の副層及び前記第２の副層が互いと物理的に接触する、請求項１から２１のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２３】
前記対電極層の前記第１の副層及び前記第２の副層が、欠陥軽減絶縁層によって互いに分離され、前記欠陥軽減絶縁層が約１と５×１０１０オーム‐ｃｍとの間の電子抵抗を有する、請求項１から２２のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２４】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料がリチウム（Ｌｉ）に対する第１の親和性を有し、前記第２の陽極色合い付与する材料がリチウム（Ｌｉ）に対する第２の親和性を有し、
リチウム（Ｌｉ）に対する前記第１の親和性及びリチウム（Ｌｉ）に対する前記第２の親和性が異なる、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項２５】
前記エレクトロクロミックデバイスの透過ｂ＊値は、前記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約１４以下である、請求項１から２４のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２６】
前記エレクトロクロミックデバイスの透過ｂ＊値は、前記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約１０以下である、請求項１から２５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２７】
前記エレクトロクロミックデバイスの可視透過率が、前記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに少なくとも約５５％である、請求項１から２６のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２８】
前記対電極層が約５０ｎｍと約６５０ｎｍとの間の全厚を有する、請求項１から２７のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項２９】
前記対電極層が約１００ｎｍと約４００ｎｍとの間の全厚を有する、請求項１から２８のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３０】
前記対電極層が約１５０ｎｍと約３００ｎｍとの間の全厚を有する、請求項１から２９のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３１】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記対電極層の前記第１の副層及び前記第２の副層がそれぞれ、非晶相及びナノ結晶相の、約５０ｎｍ未満の直径を有するナノ微結晶との混合物である形態を有する、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項３２】
前記第２の副層が、約１と５×１０１０オーム‐ｃｍの間の電子抵抗を有する欠陥軽減絶縁層である、請求項１から３１のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３３】
前記エレクトロクロミック層及び前記対電極層の上にまたは前記エレクトロクロミック層及び前記対電極層を覆って配置される透明導電層をさらに備える、請求項１から３２のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３４】
前記透明導電層がドープ酸化インジウムを備える、請求項３３に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３５】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料がニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、及び酸素（Ｏ）を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料がニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び酸素（Ｏ）を備える、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項３６】
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
前記基板上にまたは前記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、前記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、前記第１の陽極色合い付与する材料及び前記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、前記第１の副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の副層との間に配置される、前記対電極層と、
を備え、
前記第１の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、及び酸素（Ｏ）を備え、
前記第２の陽極色合い付与する材料がニッケル（Ｎｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び酸素（Ｏ）を備える、
エレクトロクロミックデバイス。
【請求項３７】
前記対電極層の前記第１の副層が、約５ｎｍと約１００ｎｍとの間の厚さを有する、請求項１から３６のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３８】
前記対電極層の前記第１の副層が、約１０ｎｍと約８０ｎｍとの間の厚さを有する、請求項３７に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項３９】
前記対電極層の前記第１の副層が、約１０ｎｍと約３０ｎｍとの間の厚さを有する、請求項３８に記載のエレクトロクロミックデバイス。
【請求項４０】
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第１の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第２の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第１の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第１の陽極色合い付与する副層及び前記第２の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える、前記第２の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
を含み、
前記第２の陽極色合い付与する材料が、ニッケル（Ｎｉ）と、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、及びスズ（Ｓｎ）の少なくとも１つと、を備える、
方法。
【請求項４１】
前記対電極層を成膜することが、少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える第３の陽極色合い付与する副層を成膜することをさらに含み、前記第２の陽極色合い付与する副層が前記第１の陽極色合い付与する副層と前記第３の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第１の陽極色合い付与する副層が酸化ニッケルタングステンから実質的に成り、前記第２の陽極色合い付与する副層及び前記第３の陽極色合い付与する副層が、ニッケルタングステンタンタル酸化物から実質的に成る、請求項４０に記載の方法。
【請求項４２】
タンタル（Ｔａ）の濃度が、前記第２の陽極色合い付与する副層においてよりも前記第３の陽極色合い付与する副層においての方が高い、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第１の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第２の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第１の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第１の陽極色合い付与する副層及び前記第２の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える、前記第２の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
を含み、
前記第１の陽極色合い付与する副層が、前記第２の陽極色合い付与する副層よりも高い成膜速度で成膜される、
方法。
【請求項４４】
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第１の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第２の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第１の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第１の陽極色合い付与する副層及び前記第２の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える、前記第２の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
を含み、
前記第１の陽極色合い付与する副層が、前記第２の陽極色合い付与する副層を成膜するために使用されるよりも低いスパッタ出力で成膜される、
方法。
【請求項４５】
前記第１の陽極色合い付与する副層が約５〜２０ｋＷ／ｍ２の間のスパッタ出力で成膜され、前記第２の陽極色合い付与する副層が約２０〜４５ｋＷ／ｍ２の間のスパッタ出力で成膜される、請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
部分的に製造された前記エレクトロクロミックデバイスの温度が、前記第２の陽極色合い付与する副層の成膜中よりも前記第１の陽極色合い付与する副層の成膜中の方が低い、請求項４０から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４７】
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第１の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第２の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第１の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第１の陽極色合い付与する副層及び前記第２の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える、前記第２の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
前記第２の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、次いで
前記第２の陽極色合い付与する副層の上に第３の陽極色合い付与する副層を成膜することと、
を含む、
方法。
【請求項４８】
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第１の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び
前記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第２の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、前記第１の陽極色合い付与する副層が前記エレクトロクロミック層と前記第２の陽極色合い付与する副層との間に配置され、前記第１の陽極色合い付与する副層及び前記第２の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える、前記第２の陽極色合い付与する副層を成膜すること
によって対電極層を成膜することと、
前記第２の陽極色合い付与する副層の上に第３の陽極色合い付与する副層を成膜することと、次いで
前記第３の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、
を含む、
方法。
【請求項４９】
前記対電極層の前記第１の陽極色合い付与する副層が、約５ｎｍと約１００ｎｍとの間の厚さを有する、請求項４０から４８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５０】
前記対電極層の前記第１の陽極色合い付与する副層が、約１０ｎｍと約８０ｎｍとの間の厚さを有する、請求項４９に記載の方法。
【請求項５１】
前記対電極層の前記第１の陽極色合い付与する副層が、約１０ｎｍと約３０ｎｍとの間の厚さを有する、請求項５０に記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８８】
上記の実施形態は理解を容易にするために、ある程度詳細に説明されてきたが、説明されている実施形態は例示的と見なされるべきであり、制限的と見なされるべきではない。特定の変更及び変更形態が添付の特許請求の範囲の範囲内で実施できることは当業者に明らかである。
［項目１］
エレクトロクロミックデバイスであって、
基板と、
上記基板上にまたは上記基板を覆って配置され、陰極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層と、
上記基板上にまたは上記基板を覆って同様に配置される対電極層であって、上記対電極層が（ａ）第１の陽極色合い付与する材料を備える第１の副層、及び（ｂ）第２の陽極色合い付与する材料を備える第２の副層を備え、上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備え、上記第１の副層が上記エレクトロクロミック層と上記第２の副層との間に配置される、上記対電極層と、
を備える、エレクトロクロミックデバイス。
［項目２］
上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料のそれぞれが、上記少なくとも１つの遷移金属及び他の非アルカリ金属を備える、項目１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３］
上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料がそれぞれニッケル及びタングステンを備える、項目２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目４］
上記第２の陽極色合い付与する材料がさらにタンタルを備える、項目３に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目５］
上記第２の陽極色合い付与する材料がさらにニオブを備える、項目３または４に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目６］
上記第２の陽極色合い付与する材料がさらにスズを備える、項目３から５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目７］
上記第２の陽極色合い付与する材料は、上記少なくとも１つの遷移金属、上記他の非アルカリ金属、及び第２の非アルカリ金属を備え、上記第１の陽極色合い付与する材料は上記少なくとも１つの遷移金属及び上記他の非アルカリ金属をその数少ない金属として含む、項目２から６のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目８］
上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料がそれぞれ、上記少なくとも１つの遷移金属、上記他の非アルカリ金属、及び第２の非アルカリ金属を備え、上記第２の陽極色合い付与する材料が、上記第１の陽極色合い付与する材料と比較して、より高い原子濃度の上記第２の非アルカリ金属を有する、項目２から７のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目９］
上記少なくとも１つの遷移金属の１つが、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、バナジウム（Ｖ）、イリジウム（Ｉｒ）、及びその組合せから成るグループから選択される、項目２から８のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１０］
上記他の非アルカリ金属が、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ヒ素（Ａｓ）、金（Ａｕ）、ホウ素（Ｂ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カルシウム（Ｃａ）、カドミウム（Ｃｄ）、セリウム（Ｃｅ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、水銀（Ｈｇ）、インジウム（Ｉｎ）、イリジウム（Ｉｒ）、ランタン（Ｌａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、プロトアクチニウム（Ｐａ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、プラセオジム（Ｐｒ）、プロメチウム（Ｐｍ）、ポロニウム（Ｐｏ）、プラチナ（Ｐｔ）、ラジウム（Ｒａ）、レニウム（Ｒｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、アンチモン（Ｓｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、セレン（Ｓｅ）、ケイ素（Ｓｉ）、サマリウム（Ｓｍ）、スズ（Ｓｎ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、タンタル（Ｔａ）、テルビウム（Ｔｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、テルル（Ｔｅ）、トリウム（Ｔｈ）、チタン（Ｔｉ）、タリウム（Ｔｌ）、ウラン（Ｕ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、イットリウム（Ｙ）、亜鉛（Ｚｎ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びその組合せから成るグループから選択される、項目９に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１１］
上記他の非アルカリ金属が、銀（Ａｇ）、ヒ素（Ａｓ）、金（Ａｕ）、ホウ素（Ｂ）、カドミウム（Ｃｄ）、銅（Ｃｕ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、水銀（Ｈｇ）、オスミウム（Ｏｓ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、ポロニウム（Ｐｏ）、プラチナ（Ｐｔ）、ラジウム（Ｒａ）、テルビウム（Ｔｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、トリウム（Ｔｈ）、タリウム（Ｔｌ）、及びその組合せから成るグループから選択される、項目１０に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１２］
上記他の非アルカリ金属が、タンタル（Ｔａ）、スズ（Ｓｎ）、及びニオブ（Ｎｂ）から成るグループから選択される、項目１０または１１に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１３］
上記他の非アルカリ金属がタンタル（Ｔａ）である、項目１２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１４］
上記他の非アルカリ金属がスズ（Ｓｎ）である、項目１２または１３に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１５］
上記他の非アルカリ金属がニオブ（Ｎｂ）である、項目１２から１４のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１６］
上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料がそれぞれ、第１の遷移金属、第２の遷移金属、及び酸素を備え、上記第１の遷移金属に対する上記第２の遷移金属の比率が上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料で異なる、項目１から１５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１７］
上記対電極層が、第３の陽極色合い付与するエレクトロクロミック材料を備える第３の副層をさらに備え、上記第１の陽極色合い付与する材料、上記第２の陽極色合い付与する材料、及び上記第３の陽極色合い付与する材料が異なる組成物を有するが、それぞれが上記少なくとも１つの遷移金属を備え、上記第２の副層が上記第１の副層と上記第３の副層との間に配置される、項目１から１６のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１８］
上記第１の陽極色合い付与する材料が、上記少なくとも１つの遷移金属、第２の遷移金属を備えるが、他の遷移金属及び酸素を備えず、上記第２の陽極色合い付与する材料が、上記少なくとも１つの遷移金属、上記第２の遷移金属、第３の遷移金属、及び酸素を備え、上記第３の陽極色合い付与する材料が、上記少なくとも１つの遷移金属、上記第２の遷移金属、上記第３の遷移金属、及び酸素を備え、上記第２の陽極色合い付与する材料及び上記第３の陽極色合い付与する材料が、上記第３の遷移金属と異なる濃度を有する、項目１７に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目１９］
上記対電極層の上記第１の副層及び上記第２の副層が互いと物理的に接触する、項目１から１８のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２０］
上記対電極層の上記第１の副層及び上記第２の副層が、欠陥軽減絶縁層によって互いに分離され、上記欠陥軽減絶縁層が約１と５×１０１０オーム‐ｃｍの間の電子抵抗を有する、項目１から１９のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２１］
上記第１の陽極色合い付与する材料がリチウムに対する第１の親和性を有し、上記第２の陽極色合い付与する材料がリチウムに対する第２の親和性を有し、リチウムに対する上記第１の親和性及びリチウムに対する上記第２の親和性が異なる、項目１から２０のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２２］
上記エレクトロクロミックデバイスの透過ｂ＊値は、上記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約１４以下である、項目１から２１のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２３］
上記エレクトロクロミックデバイスの透過ｂ＊値は、上記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに約１０以下である、項目１から２２のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２４］
上記エレクトロクロミックデバイスの可視透過率が、上記エレクトロクロミックデバイスがその最も澄んだ状態にあるときに少なくとも約５５％である、項目１から２３のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２５］
上記対電極層が約５０ｎｍと約６５０ｎｍとの間の全厚を有する、項目１から２４のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２６］
上記対電極層が約１００ｎｍと約４００ｎｍとの間の全厚を有する、項目１から２５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２７］
上記対電極層が約１５０ｎｍと約３００ｎｍとの間の全厚を有する、項目１から２６のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２８］
上記対電極層の上記第１の副層及び上記第２の副層がそれぞれ、非晶相及びナノ結晶相の、約５０ｎｍ未満の直径を有するナノ微結晶との混合物である形態を有する、項目１から２７のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目２９］
上記第２の副層が、約１と５×１０１０オーム‐ｃｍの間の電子抵抗を有する欠陥軽減絶縁層である、項目１から２８のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３０］
上記エレクトロクロミック層及び上記対電極層の上にまたは上記エレクトロクロミック層及び上記対電極層を覆って配置される透明導電層をさらに備える、項目１から２９のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３１］
上記透明導電層がドープ酸化インジウムを備える、項目３０に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３２］
上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料の少なくとも１つがニッケル、アルミニウム、及び酸素を備える、項目１から３１のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３３］
上記第１の陽極色合い付与する材料がニッケル、タングステン、及び酸素を備え、上記第２の陽極色合い付与する材料がニッケル、アルミニウム、及び酸素を備える、項目３２に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３４］
上記第１の陽極色合い付与する材料及び上記第２の陽極色合い付与する材料の少なくとも１つが、ニッケル、ケイ素、及び酸素を備える、項目１から３３のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３５］
上記第１の陽極色合い付与する材料が、ニッケル、タングステン、及び酸素を備え、上記第２の陽極色合い付与する材料がニッケル、ケイ素、及び酸素を備える、項目３４に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３６］
上記対電極層の上記第１の副層が、約５ｎｍと約１００ｎｍとの間の厚さを有する、項目１から３５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３７］
上記対電極層の上記第１の副層が、約１０ｎｍと約８０ｎｍとの間の厚さを有する、項目３６に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３８］
上記対電極層の上記第１の副層が、約１０ｎｍと約３０ｎｍとの間の厚さを有する、項目３７に記載のエレクトロクロミックデバイス。
［項目３９］
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって、
陰極着色するエレクトロクロミック材料を備えるエレクトロクロミック層を成膜することと、
第１の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
上記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化すること、及び、
上記第１の陽極色合い付与する副層をリチオ化した後に、第２の陽極色合い付与する副層を成膜することであって、上記第１の陽極色合い付与する副層が上記エレクトロクロミック層と上記第２の陽極色合い付与する副層との間に配置され、上記第１の陽極色合い付与する副層及び上記第２の陽極色合い付与する副層が異なる組成物を有し、それぞれが少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える、上記第２の陽極色合い付与する副層を成膜すること、
によって対電極層を成膜することと、
を含む、方法。
［項目４０］
上記対電極層を成膜することが、少なくとも１つの遷移金属の酸化物を備える第３の陽極色合い付与する副層を成膜することをさらに含み、上記第２の陽極色合い付与する副層が上記第１の陽極色合い付与する副層と上記第３の陽極色合い付与する副層との間に配置され、上記第１の陽極色合い付与する副層が酸化ニッケルタングステンから実質的に成り、上記第２の陽極色合い付与する副層及び上記第３の陽極色合い付与する副層が、ニッケルタングステンタンタル酸化物から実質的に成り、タンタルの濃度が、上記第２の陽極色合い付与する副層においてよりも上記第３の陽極色合い付与する副層においての方が高い、項目３９に記載の方法。
［項目４１］
上記第１の陽極色合い付与する副層が、上記第２の陽極色合い付与する副層よりも高い成膜速度で成膜される、項目３９または４０に記載の方法。
［項目４２］
上記第１の陽極色合い付与する副層が、上記第２の陽極色合い付与する副層を成膜するために使用されるよりも低いスパッタ出力で成膜される、項目３９から４１のいずれか一項に記載の方法。
［項目４３］
上記第１の陽極色合い付与する副層が約５〜２０ｋＷ／ｍ２の間のスパッタ出力で成膜され、上記第２の陽極色合い付与する副層が約２０〜４５ｋＷ／ｍ２の間のスパッタ出力で成膜される、項目４２に記載の方法。
［項目４４］
部分的に製造された上記エレクトロクロミックデバイスの温度が、上記第２の陽極色合い付与する副層の成膜中よりも上記第１の陽極色合い付与する副層の成膜中の方が低い、項目３９から４３のいずれか一項に記載の方法。
［項目４５］
上記第２の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、次いで、
上記第２の陽極色合い付与する副層の上に第３の陽極色合い付与する副層を成膜することと、
をさらに含む、項目３９から４４のいずれか一項に記載の方法。
［項目４６］
上記第２の陽極色合い付与する副層の上に第３の陽極色合い付与する副層を成膜することと、次いで、
上記第３の陽極色合い付与する副層の上にリチウムを成膜することと、
をさらに含む、項目３９から４４のいずれか一項に記載の方法。
［項目４７］
上記対電極層の上記第１の陽極色合い付与する副層が、約５ｎｍと約１００ｎｍとの間の厚さを有する、項目３９から４６のいずれか一項に記載の方法。
［項目４８］
上記対電極層の上記第１の陽極色合い付与する副層が、約１０ｎｍと約８０ｎｍとの間の厚さを有する、項目４７に記載の方法。
［項目４９］
上記対電極層の上記第１の陽極色合い付与する副層が、約１０ｎｍと約３０ｎｍとの間の厚さを有する、項目４８に記載の方法。