【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年8月26日(2020.8.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
いくつかの実施形態では、方法７００は、第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で一つ又は複数の保護層が形成される前には、第２グループの複数の半導体構造の少なくとも一部分のエッチングを差し控えることを含む（７２４）。例えば、いくつかの実施形態では、一つ又は複数の半導体構造をエッチングプロセスから保護するために一つ又は複数の半導体構造の上で一つ又は複数の保護層が形成された後でないと、第２グループの複数の半導体構造はエッチングされない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
いくつかの実施形態では、方法７００は、基板の上で第１グループの一つ又は複数の半導体構造のエピタキシャル成長を開始した後に、第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で一つ又は複数の保護層が形成されるまで、第２グループの複数の半導体構造の少なくとも一部分のエッチングを差し控えることを含む（７２６）。例えば、第２グループの複数の半導体構造の少なくとも一部分のエッチングが、第１グループの一つ又は複数の半導体構造のエピタキシャル成長中には、差し控えられる。いくつかの実施形態では、複数の半導体構造の少なくとも一部分のエッチングは、基板の上で第１グループの一つ又は複数の半導体構造のエピタキシャル成長を開始した後に、且つ一つ又は複数の半導体構造の上で一つ又は複数の保護層を形成する前には、差し控えられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
いくつかの実施形態では、第２グループの複数の半導体構造の少なくとも一部分をエッチングすることは、一つ又は複数のマスク層のエッチングを差し控えることを含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図７Ｂ
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図７Ｂ】
2018515904.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択エピタキシャル成長プロセス中に形成された核を除去するための方法であって、
一つ又は複数のマスク層が付いた基板の上で第１グループの一つ又は複数の半導体構造をエピタキシャル成長させ、前記一つ又は複数のマスク層の上に第２グループの複数の半導体構造が形成され、
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で一つ又は複数の保護層を形成し、前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも一部分が前記一つ又は複数の保護層から露出され、
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で前記一つ又は複数の保護層を形成した後に、前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分をエッチングし、
前記一つ又は複数の保護層を形成する前に、少なくとも前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で一つ又は複数の接着層を堆積し、
前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分をエッチングした後に、前記一つ又は複数の接着層を除去し、
前記一つ又は複数の保護層は、前記一つ又は複数の接着層の少なくとも一部が除去された後に除去される、
方法。
【請求項２】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で前記一つ又は複数の保護層が形成される前には、前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分のエッチングを差し控える、請求項１に記載の方法。
方法。
【請求項３】
前記基板の上で前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の前記エピタキシャル成長を開始した後に、前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の上で前記一つ又は複数の保護層が形成されるまで、前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分のエッチングを差し控える、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記第１グループの前記一つ又は複数の半導体構造は、単一のエピタキシャル成長プロセスにおいて形成される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記一つ又は複数の保護層は、一つ又は複数のフォトレジスト層を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記一つ又は複数の接着層は、ヘキサメチルジシラザン及び／又は低温熱酸化物を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分をエッチングした後に、前記一つ又は複数の保護層を除去する、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分をエッチングした後に、前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造の少なくとも一部分を平坦化する、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記一つ又は複数のマスク層が付いた基板の上に前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造をエピタキシャル成長させながら、前記一つ又は複数のマスク層の上に複数の半導体粒子を形成する、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２グループの複数の半導体構造は、前記一つ又は複数のマスク層の上の一つ又は複数の半導体膜を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造は、ＩＶ族材料を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造は、ゲルマニウムを含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の、前記一つ又は複数のマスク層から露出されている一つ又は複数の領域の上に、前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造が形成される、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造は結晶構造を有し、前記第２グループの複数の半導体構造はアモルファス及び／又は多結晶構造を有する、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記一つ又は複数のマスク層は、絶縁体材料を含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記一つ又は複数のマスク層は、二酸化ケイ素を含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分をエッチングすることは、前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分を第１の速度でエッチングすることと、前記一つ又は複数のマスク層を前記第１の速度より低い第２の速度でエッチングすることと、を含む、請求項１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２グループの複数の半導体構造の少なくとも前記一部分をエッチングすることは、前記一つ又は複数のマスク層のエッチングを差し控えることを含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板は、その上に複数の半導体デバイスを含む、請求項１から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の半導体デバイスは、前記基板の上で前記一つ又は複数のマスク層の下に位置する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板はその上に複数のトランジスタを含み、前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造のうちの一つの半導体構造が、前記複数のトランジスタのうちの一つのトランジスタのソース又はドレインに電気的に結合される、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板は、その上にｐ型金属酸化物半導体トランジスタ及びｎ型金属酸化物半導体トランジスタを含む複数の相補型金属酸化物半導体デバイスを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造のうちの第１の半導体構造を、前記ｐ型金属酸化物半導体トランジスタ及び前記ｎ型金属酸化物半導体トランジスタのうちの一つのソース又はドレインに電気的に結合する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造及び前記第２グループの複数の半導体構造は、同時に形成される、請求項１から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１グループの一つ又は複数の半導体構造のうちの第１の半導体構造は、前記第２グループの複数の半導体構造のうちの第２の半導体構造よりも大きい、請求項１から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
前記第２グループの複数の半導体構造の一部であって前記一つ又は複数の保護層から露出されている部分の全てをエッチングする、請求項１から２５のいずれか一項に記載の方法。