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【手続補正書】
【提出日】令和2年11月6日(2020.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アリールアルキルカーボネートおよびジアリールカーボネートを電気化学的に調製するための方法であって、
下記式の化合物
【化１】
2020503432.tif 000001
が、下記式の芳香族化合物
【化２】
2020503432.tif 000002
（上記式中、前記ラジカルＲ１がアルキルラジカル、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、好ましくはメチル、エチル、もしくはｔｅｒｔ−ブチルからなる群より選択されるラジカル、またはシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシル、またはアリールラジカル、好ましくはｔｅｒｔ−ブチルフェニル、クミルフェニル、ナフチル、もしくはフェニル、特に好ましくはフェニルラジカルであり、および前記ラジカルＲ２、Ｒ３、およびＲ４が、それぞれ互いに独立して、水素またはアルキルラジカル、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、イソプロピル、もしくはｔｅｒｔ−ブチルからなる群より選択されるラジカル、またはシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシルである）
または、下記式の芳香族化合物
【化３】
2020503432.tif 000003
または、下記式の芳香族化合物
【化４】
2020503432.tif 000004
と、１つ以上の溶媒、特に非プロトン性溶媒の存在下でアノード反応する、方法。
【請求項２】
前記アノード反応が、アノードとしてホウ素ドープダイヤモンド電極で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アセトニトリル、またはアセトニトリルと他の溶媒、特にジメチルホルムアミドおよびジメチルスルホキシドの中から選択される溶媒との混合物が、溶媒として使用される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記式（１）の化合物の前記ラジカルＲ１が、メチルラジカル、エチルラジカル、またはフェニルラジカル、好ましくはメチルラジカルまたはエチルラジカルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記式（２）の化合物の前記ラジカルＲ２、Ｒ３、およびＲ４が、それぞれ互いに独立して、水素またはメチル、好ましくは水素である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
新規のアノード電気化学反応が、０．５〜１００ｍＡ／ｃｍ２の範囲の電流密度および１０〜８０℃の範囲の温度で行われる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記式（１）の化合物が、対イオンとしてのカチオン性四級アンモニウム化合物、特にテトラアルキルアンモニウム、好ましくはテトラブチルアンモニウムとの塩として使用される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
下記式（１）の化合物：
【化５】
2020503432.tif 000005
（式中、前記ラジカルＲ１が、アルキルラジカル、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ６−アルキル、またはシクロアルキル、好ましくはシクロヘキシル、またはアリールラジカル、好ましくはｔｅｒｔ−ブチルフェニル、クミルフェニル、ナフチル、もしくはフェニルからなる群より選択されラジカルである）
が、前記アノード反応に先行する二酸化炭素との反応によって対応するアルコールＲ１ＯＨからカソードで電気化学的に製造される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｎ−ヘキサノール、シクロヘキサノール、ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、クミルフェノール、ナフトール、またはフェノールからなる群より選択されるアルコールが、前記先行カソード反応におけるアルコールＲ１ＯＨとして使用される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月28日(2020.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機溶剤、この有機溶剤中に分散した金属酸化物ナノ粒子、この溶剤中に溶解した高炭素ポリマーを含むコーティング組成物であって、前記高炭素ポリマーが、構造（１）の繰り返し単位、構造（２）のヒドロキシビフェニル繰り返し単位、及び構造（３）の縮合芳香族部分を含む部分を含み、式中、Ｒ１及びＲ２は、独立して、水素、アルキル及び置換されたアルキルからなる群から選択され、Ａｒは、置換されていないもしくは置換された縮合芳香族環であり、そしてＸ１はアルキレンスペーサまたは直接原子価結合である、コーティング組成物。
【化１】
2020503409.tif 000001
【請求項２】
前記高炭素ポリマーが、構造（４）によって表される単位を含み、ここでＡは構造（３）を有し、Ｂは構造（１）を有し、そしてＣは構造（２）を有する、請求項１に記載のコーティング組成物。
【化２】
2020503409.tif 000002
【請求項３】
構造（３）においてＸ１がアルキレンスペーサである、請求項１または２に記載のコーティング組成物。
【請求項４】
構造（３）においてＸ１が直接原子価結合である、請求項１または２に記載のコーティング組成物。
【請求項５】
前記縮合芳香族部分が構造（３ａ）を有する、請求項１または２に記載のコーティング組成物。
【化３】
2020503409.tif 000003
【請求項６】
前記縮合芳香族含有部分が構造（３ｂ）を有する、請求項１または２に記載のコーティング組成物。
【化４】
2020503409.tif 000004
【請求項７】
前記縮合芳香族含有部分Ａｒが縮合芳香族環であり、そしてＸ１が直接原子価結合である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項８】
前記縮合芳香族含有部分Ａｒが２〜５個の芳香族環を有し、そしてＸ１が直接原子価結合である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項９】
前記高炭素ポリマーが構造（５）の単位を更に含み、ここでＡｒ’は、２〜５個の芳香族環を有する縮合芳香族環である、請求項１または２に記載の組成物。
【化５】
2020503409.tif 000005
【請求項１０】
前記高炭素ポリマーにおいて、構造（１）が構造（１ａ）を有する、請求項１または２に記載の組成物。
【化６】
2020503409.tif 000006
【請求項１１】
前記高炭素ポリマーにおいて、構造（２）が構造（２ａ）を有する、請求項１または２に記載の組成物。
【化７】
2020503409.tif 000007
【請求項１２】
前記金属酸化物ナノ粒子が、酸化ジルコニウムナノ粒子、酸化ハフニウムナノ粒子、酸化アルミニウムナノ粒子、タングステンナノ粒子、酸化チタンナノ粒子、酸化銅ナノ粒子、酸化第一銅ナノ粒子、酸化スズナノ粒子、酸化セリウムナノ粒子、酸化インジウムスズナノ粒子、酸化亜鉛ナノ粒子、酸化イットリウムナノ粒子、酸化ランタンナノ粒子及び酸化インジウムナノ粒子からなる群から選択される、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項１３】
５重量％〜２０重量％の金属酸化物ナノ粒子を含む、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項１４】
１重量％〜２０重量％の高炭素ポリマーを含む、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項１５】
金属酸化物ナノ粒子と高炭素ポリマーとの重量比が５０：５０〜９９：１の範囲である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項１６】
次のステップａ）〜ｂ）：
ａ）請求項１または２に記載の組成物を基材上に施与して、ハードマスクフィルムを形成するステップ；及び
ｂ）前記ハードマスクフィルムをベークするステップ、
を含む、基材上にハードマスク組成物をコーティングする方法。
【請求項１７】
基材が、トポグラフィ図形を含むパターン化された基材であり、そしてハードマスク組成物のコーティングが、前記トポグラフィを覆い、及びステップｂ）でフィルムをベークした後に、次のステップｃ）：
ｃ）パターン化された基材の上面を覆うハードマスクフィルムを化学的ストリッパまたはフッ素化プラズマエッチングで除去するステップ、
を更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ケイ素基材上にハードマスク組成物をコーティングする方法であって、
ａ３）請求項１または２に記載の組成物を前記基材上に施与して、ハードマスクフィルムを形成するステップ；
ｂ３）前記ハードマスクフィルムをベークするステップ；
ｃ３）前記ハードマスクフィルムの上面に底面反射防止コーティングをコーティングするステップ；
ｄ３）前記反射防止コーティングの上面にフォトレジストをコーティングするステップ；
ｅ３）前記レジストをパターン化してレジストパターンを形成するステップ；
ｆ３）フッ素化プラズマを用いて、前記ハードマスクコーティングに至るまで、前記レジストパターンで保護されていない底面反射防止コーティング中をエッチングするステップ；
ｇ３）塩素プラズマを用いて、ケイ素基材に至るまで、底面反射防止コーティング及びフォトレジストで保護されていないハードマスク層中をエッチングして、パターン化されたハードマスクフィルムを形成するステップ；
ｈ３）パターン化されたハードマスクフィルムによって保護されていない領域において、フッ素化プラズマによりケイ素基材中にエッチングして、トポグラフィ図形をケイ素図形中に形成するステップ、
を含む前記方法。
【請求項１９】
ケイ素基材上にハードマスク組成物をコーティングする方法であって、
ａ４）有機溶剤中に分散した金属酸化物ナノ粒子を含む組成物を基材上に施与してハードマスクフィルムを形成するステップ；
ｂ４）前記ハードマスクフィルムをベークするステップ；
ｃ４）前記ハードマスクフィルムの上面に底面反射防止コーティングをコーティングするステップ；
ｄ４）前記反射防止コーティングの上面にフォトレジストをコーティングするステップ；
ｅ４）前記レジストをパターン化してレジストパターンを形成するステップ；
ｆ４）フッ素化プラズマを用いて、前記ハードマスクコーティングに至るまで、前記レジストパターンで保護されていない底面反射防止コーティング中をエッチングするステップ；
ｇ４）塩素プラズマを用いて、ケイ素基材に至るまで、底面反射防止コーティング及びフォトレジストで保護されていないハードマスク層中をエッチングして、パターン化されたハードマスクフィルムを形成するステップ；
ｈ４）パターン化されたハードマスクフィルムによって保護されていない領域において、フッ素化プラズマによりケイ素基材中にエッチングして、トポグラフィ図形をケイ素図形中に形成するステップ、
を含む前記方法。
【請求項２０】
前記金属酸化物ナノ粒子が、酸化ジルコニウムナノ粒子、酸化ハフニウムナノ粒子、酸化アルミニウムナノ粒子、タングステンナノ粒子、酸化チタンナノ粒子、酸化銅ナノ粒子、酸化第一銅ナノ粒子、酸化スズナノ粒子、酸化セリウムナノ粒子、酸化インジウムスズナノ粒子、酸化亜鉛ナノ粒子、酸化イットリウムナノ粒子、酸化ランタンナノ粒子及び酸化インジウムナノ粒子からなる群から選択される、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月16日(2020.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２００℃以上の溶融温度を有するジカルボン酸を含む反応混合物を用いて熱可塑性ポリエステルを製造する方法であって、前記ジカルボン酸は、１００μｍ以上の平均粒径を有する粒子の形態で前記方法に導入され、前記反応混合物は、１，４−ブタンジオールであるジヒドロキシアルカンをさらに含み、ある量のテトラ（Ｃ１〜Ｃ８）チタネートが触媒として使用される、方法。
【請求項２】
前記ジカルボン酸粒子は２００μｍ以下の平均粒径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反応混合物は１００〜３００ｐｐｍの前記触媒を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒はチタン酸テトライソプロピルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ジカルボン酸は環状部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ジカルボン酸は、イソフタル酸、テレフタル酸、フランジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸またはそれらの組合せから選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記反応混合物は、コハク酸、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸またはそれらの組合せから選択される脂肪族ジカルボン酸をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記反応混合物は、該反応混合物中に存在するジカルボン酸の総重量に対して９５．０重量％以上の、テレフタル酸、フランジカルボン酸またはそれらの組合せから選択されるジカルボン酸を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記熱可塑性ポリエステルは、テレフタル酸と１，４−ブタンジオールであるジヒドロキシアルカンとに由来するポリマー単位を９５．０重量％以上含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ａ．ある量の前記ジカルボン酸粒子を反応容器中に導入する工程と、
ｂ．ある量の、１，４−ブタンジオールであるジヒドロキシアルカンを前記反応容器中に導入する工程と、
ｃ．ポリエステルの製造のためのある量の触媒を前記反応容器中に導入する工程と
をこの順序で含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記熱可塑性ポリエステルは、テレフタル酸と１，４−ブタンジオールとに由来する単位を９５重量％以上含むポリ（ブチレンテレフタレート）である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
表２の重合時間データからの結果を比較することにより、１００μｍ以上の平均粒径を有するテレフタル酸が使用される本発明に係る方法は、より迅速なプロセスをもたらしながら、表２の結果によって示されるように所望の生成物をもたらすことが実証される。
最後に、本発明の好ましい実施態様を項分け記載する。
［実施態様１］
２００℃以上の溶融温度を有するジカルボン酸を含む反応混合物を用いて熱可塑性ポリエステルを製造する方法であって、前記ジカルボン酸は、１００μｍ以上の平均粒径を有する粒子の形態で前記方法に導入される、方法。
［実施態様２］
前記ジカルボン酸粒子は、２００μｍ以下の平均粒径を有する、実施態様１に記載の方法。
［実施態様３］
前記反応混合物は、１，４−ブタンジオールであるジヒドロキシアルカンをさらに含む、実施態様１または２に記載の方法。
［実施態様４］
ある量のテトラ（Ｃ１〜Ｃ８）チタネートは、触媒として使用される、実施態様１〜３のいずれかに記載の方法。
［実施態様５］
前記反応混合物は、１００〜３００ｐｐｍの前記触媒を含む、実施態様４に記載の方法。
［実施態様６］
前記触媒は、チタン酸テトライソプロピルである、実施態様４または５に記載の方法。
［実施態様７］
前記ジカルボン酸は、環状部分を含む、実施態様１〜６のいずれかに記載の方法。
［実施態様８］
前記ジカルボン酸は、イソフタル酸、テレフタル酸、フランジカルボン酸、ナフタレンジカルボン酸またはそれらの組合せから選択される、実施態様１〜７のいずれかに記載の方法。
［実施態様９］
前記反応混合物は、コハク酸、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸またはそれらの組合せから選択される脂肪族ジカルボン酸をさらに含む、実施態様１〜８のいずれかに記載の方法。
［実施態様１０］
前記反応混合物は、前記反応混合物中に存在するジカルボン酸の総重量に対して９５．０重量％以上の、テレフタル酸、フランジカルボン酸またはそれらの組合せから選択されるジカルボン酸を含む、実施態様１〜９のいずれかに記載の方法。
［実施態様１１］
前記熱可塑性ポリエステルは、９５．０重量％以上の、テレフタル酸および１，４−ブタンジオールであるジヒドロキシアルカンに由来するポリマー単位を含む、実施態様１〜１０のいずれかに記載の方法。
［実施態様１２］
以下の工程：
ａ．ある量の前記ジカルボン酸粒子を反応容器中に導入する工程と、
ｂ．ある量の、１，４−ブタンジオールであるジヒドロキシアルカンを前記反応容器中に導入する工程と、
ｃ．ポリエステルの製造のためのある量の触媒を前記反応容器中に導入する工程と
をこの順序で含む、実施態様１〜１１のいずれかに記載の方法。
［実施態様１３］
前記熱可塑性ポリエステルは、９５重量％以上の、テレフタル酸および１，４−ブタンジオールに由来する単位を含むポリ（ブチレンテレフタレート）である、実施態様１〜１２のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月7日(2020.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2020503418.tif 000001
の置換無水フタル酸と、下記式：
【化２】
2020503418.tif 000002
のジアミンとを、反応中の無水物官能基の合計モルに対して１０〜５０モル％の量の芳香族二無水物、および任意選択的に連鎖停止剤の存在下で反応させるステップを含み；
反応性中間体組成物を生成するのに有効な条件下で、反応器内で、非プロトン性溶媒中で反応を実施し；
上記式中、Ｘは、ハロゲンまたはニトロ基を含み、
Ｒは、Ｃ６−２０芳香族炭化水素基もしくはそのハロゲン化誘導体、直鎖もしくは分岐鎖Ｃ２−２０アルキレンもしくはそのハロゲン化誘導体、またはＣ３−８シクロアルキレンもしくはそのハロゲン化誘導体を含むことを特徴とする反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項２】
相間移動触媒の存在下で、
モノ無水物、モノアミン、またはモノ官能化フタルイミド連鎖停止剤の存在下で、
少なくとも１１０℃の温度で、
最大３１０ｋＰａの圧力下で反応させる請求項１に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項３】
中間体組成物の成分が、前記芳香族二無水物がないこと以外は同じ条件の下で実施した同じ反応によって得られた中間体組成物の成分よりも少なく反応器の壁に付着する請求項１に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項４】
１８０℃での中間体反応組成物の成分の溶解度が、前記芳香族二無水物がないこと以外は同じ条件下で実施される同じ反応によって得られる中間体組成物の成分の１８０℃での溶解度を超える請求項１または２に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項５】
中間体反応組成物の１８０℃での固形分の質量％が、前記芳香族二無水物がないこと以外は同じ条件下で実施される同じ反応によって得られる中間体組成物の１８０℃での固形分の質量％より多い請求項１または２に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項６】
前記芳香族二無水物の量が、無水物官能基の合計モルに対して１０〜３５モル％であり、
好ましくは、前記芳香族二無水物の量が、無水物官能基の合計モルに対して２０〜３０モル％である請求項１または２に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項７】
反応性中間体の存在量が、反応質量の合計質量に対して１５〜４０質量％固形分であり、
好ましくは、反応性中間体の存在量が、反応成分の合計質量に対して２５〜４０質量％固形分である請求項１または２に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項８】
前記置換無水フタル酸が４−クロロフタル酸無水物を含み、
前記ジアミンが、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、またはこれらの少なくとも１つを含む組み合わせであり；
前記芳香族二無水物がビスフェノールＡ二無水物である請求項１または２に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項９】
前記置換無水フタル酸が３−クロロフタル酸無水物を含み、
前記ジアミンが、ｍ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、またはこれらの少なくとも１つを含む組み合わせであり；
前記芳香族二無水物がビスフェノールＡ二無水物である請求項１または２に記載の反応性中間体組成物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法によって得られた反応性中間体組成物と、ジヒドロキシ芳香族化合物のアルカリ金属塩とを、非プロトン性溶媒と相間移動触媒とを含む重合混合物中で、ポリエーテルイミドの製造に有効な条件下で反応させるステップを含むことを特徴とするポリエーテルイミドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年6月28日(2019.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リングスタック（９）と、連続的な複数の横断部材（１０）とを有する駆動ベルト（６）に用いられる横断部材（１０）であって、
前記横断部材（１０）は、前記リングスタック（９）に可動に配置されており、前記横断部材（１０）の各々には、前記リングスタック（９）を収容するための開口（３３）が設けられており、該開口（３３）は、該開口（３３）の下側で、前記横断部材（１０）のベース部分（１３）の上側に設けられた支持面（４２）により画定されており、前記横断部材（１０）の各々には、前記横断部材（１０）の前面（１１）の凸状に湾曲した領域としての揺動縁部（１８）と、前記支持面（４２）と前記横断部材（１０）の前記前面（１１）との間の、同様に凸状に湾曲した移行縁部（５０）とが設けられており、前記横断部材（１０）の各々には、前記横断部材（１０）の前記前面（１１）に突出部（４０）と、前記横断部材（１０）の、前記横断部材（１０）の前記前面（１１）に対して反対側に配置された、前記横断部材（１０）の後面（１２）に孔（４１）とがさらに設けられており、前記突出部（４０）および前記孔（４１）は、略円錐形にまたは少なくとも円筒形に成形されている、横断部材（１０）において、
前記突出部（４０）の中心軸線（ＣＡ４０）と前記孔（４１）の中心軸線（ＣＡ４１）との間にオフセット（Ｏ）が設けられており、該オフセット（Ｏ）により、前記孔（４１）は、前記後面（１２）に、前記前面（１１）における前記突出部（４０）よりも、より低く、つまり前記横断部材（１０）のより下側へ配置されていることを特徴とする、横断部材（１０）。
【請求項２】
湾曲した前記移行縁部（５０）の曲率半径（Ｒｔｅ）は、０．５ｍｍよりも小さく、特に０．３ｍｍよりも小さいことを特徴とする、請求項１記載の横断部材（１０）。
【請求項３】
前記揺動縁部（１８）は、前記支持面（４２）の下０．９ｍｍ未満に位置し、特に前記支持面（４２）の下０．７ｍｍ未満に位置し、特に前記支持面（４２）の下０．６ｍｍ未満に位置することを特徴とする、請求項１または２記載の横断部材（１０）。
【請求項４】
前記オフセット（Ｏ）は、１５マイクロメートル〜７５マイクロメートルであることを特徴とする、請求項１、２または３記載の横断部材（１０）。
【請求項５】
前記突出部（４０）の外周と前記孔（４１）の内周との間に隙間が形成されており、該隙間は、１０マイクロメートル〜５０マイクロメートルであることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の横断部材（１０）。
【請求項６】
前記オフセット（Ｏ）は、前記突出部（４０）の外周の直径と前記孔（４１）の内周の直径との差の半分よりも大きいことを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の横断部材（１０）。
【請求項７】
前記横断部材（１０）に適用される前記オフセット（Ｏ）は、式：
【数１】
2020503484.tif 000001
に従って、前記オフセットのための最小値（Ｏ＿ｍｉｎ）よりも大きく、
式中、Ｒｒ＿ｍｉｎは、前記駆動ベルト（６）の長手方向の最小の曲率半径を表し、Ｄは、前記横断部材（１０）の前記前面（１１）と前記後面（１２）との間で測定される前記横断部材（１０）の最大厚さを表す
ことを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の複数の横断部材（１０）が設けられた駆動ベルト（６）。
【請求項８】
前記横断部材（１０）に適用される前記オフセット（Ｏ）は、前記オフセットのための前記最小値（Ｏ＿ｍｉｎ）の５倍よりも小さく、好適には３倍よりも小さいことを特徴とする、請求項７記載の駆動ベルト（６）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月29日(2020.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理方法であって、
2つのスレッドを含むブロックチェーンノードによって、サービスコンセンサス段階において、現在のコンセンサス期間中に正当性確認の準備ができた前処理ブロックを取得するステップであって、前記ブロックチェーンノードは、プロセッサがサービス提案段階に関わる動作を行うように事前設定する、ステップと、
前記ブロックチェーンノードによって、前記2つのスレッドのうちの第1のスレッドを使用してサービスコンセンサス段階中に前記正当性確認の準備ができた前処理ブロックの正当性を確認するステップと、
前記ブロックチェーンノードによって、前記正当性が確認された正当性確認の準備ができた前処理ブロックに記憶されているサービスデータの処理と次の正当性確認の準備ができた前処理ブロックの正当性確認とを並列して行うステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記並列して前記正当性が確認された前処理ブロック中のサービスデータに対してデータ処理を行うステップは、
所定のプロセッサを使用して並列して前記正当性が確認された前処理ブロック中の前記サービスデータに対してデータ処理を行うステップを特に含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
所定のプロセッサを使用して前記正当性が確認された前処理ブロック中の前記サービスデータに対してデータ処理を行うステップは、
前記正当性が確認された前処理ブロックについて、
記憶パラメータを取得するようにプロセッサを起動するステップであって、前記記憶パラメータは、記憶場所を含む、ステップと、
前記記憶パラメータに基づいて、前記記憶パラメータに対応する処理の準備ができた前処理ブロックを決定し、前記記憶場所に前記決定した処理の準備ができた前処理ブロックのサービスデータを記憶するステップといった動作を行うステップを特に含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記方法は、
前記前処理ブロックの正当性が確認されたと決定された後に、前記前処理ブロックおよび前記前処理ブロックの前記記憶パラメータに基づいて、次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックの記憶パラメータを決定し、前記次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックの前記記憶パラメータを記憶するステップをさらに含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックの前記記憶パラメータを記憶するステップは、
先入れ先出し(FIFO)キューに前記次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックの前記記憶パラメータを記憶するステップを特に含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記記憶パラメータを取得するようにプロセッサを起動するステップは、
前記FIFOキューから前記記憶パラメータを取得するように前記プロセッサを起動するステップを特に含む、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、
前記前処理ブロックの正当性が確認されたと決定された場合には、前記前処理ブロックに対応するコンセンサスパラメータを決定し、前記前処理ブロックに対応する前記決定したコンセンサスパラメータに基づいて、次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックに対応するコンセンサスパラメータを取得するステップであって、前記コンセンサスパラメータは、前記正当性確認の準備ができた前処理ブロックの正当性を確認するように前記ブロックチェーンノードに命令するために使用される、ステップをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記次の正当性確認の準備ができた前処理ブロックの正当性を確認することを開始するステップは、
前記次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックに対応する前記コンセンサスパラメータを取得すると、前記取得したコンセンサスパラメータに基づいて、前記次の隣接する正当性確認の準備ができた前処理ブロックの正当性を確認することを開始するステップを含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
請求項1から8のいずれか一項に記載の方法を行うように構成される、複数のモジュールを含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月2日(2020.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームリファインメントプロトコル（ＢＲＰ）を行う方法であって、
レスポンダにおいて、
ＢＲＰのイニシエータからＢＲＰ測定フレームを受信するステップと、
前記ＢＲＰ測定フレームに関するフィードバックを生成するステップと、
前記ＢＲＰ測定フレームの受信の所定の時間内に前記ＢＲＰ測定フレームに対する応答を送信するステップと
を含み、送信する前記ステップは、
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能である場合に前記フィードバックを送信するステップと、
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能でない場合に前記ＢＲＰ測定フレームの受信の肯定応答において情報を送信するステップであって、前記情報を送信するステップは、前記フィードバックが利用可能になる時間の表示を送信するステップを含む、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記ＢＲＰ測定フレームの受信の肯定応答において情報を送信する前記ステップは、
明示的な肯定応答（ＡＣＫ）を送信するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項３】
前記フィードバックが利用可能になる時間の表示を送信する前記ステップは、
前記時間の前記表示をＢＲＰパケット内に含めて送信するステップを含む、請求項１の方法。
【請求項４】
前記フィードバックが利用可能になる時間の表示は、前記時間を示す所定の数のビットを含む、請求項１の方法。
【請求項５】
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能でない場合に、前記ＢＲＰ測定フレームの受信の肯定応答において情報を送信する前記ステップの後に前記フィードバックを送信するステップ
をさらに含む、請求項１の方法。
【請求項６】
前記ＢＲＰ測定フレームの受信の肯定応答において情報を送信する前記ステップの後に前記フィードバックを送信する前記ステップは、
前記フィードバックが利用可能になる時間の前記表示の経過後に前記イニシエータからポーリングフレームを受信するステップと、
前記ポーリングフレームに応答して前記フィードバックを送信するステップと
を含む、請求項５の方法。
【請求項７】
前記ポーリングフレームは、以前に送信されたＢＲＰ測定フレームに対するフィードバックの要求であり、追加のトレーニングフィールドを含まない、請求項６の方法。
【請求項８】
前記ＢＲＰのイニシエータからＢＲＰ測定フレームを受信する前記ステップは、前記ＢＲＰの前記イニシエータから複数のＢＲＰ測定フレームを受信するステップを含み、
応答を送信する前記ステップは、それぞれのＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に前記ＢＲＰ測定フレームのそれぞれへ応答を送信するステップを含む
請求項１の方法。
【請求項９】
前記レスポンダにおいて、
前記イニシエータとの間でＢＲＰパケットのデータフィールドの最小持続時間をネゴシエートするステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項１０】
ネゴシエートする前記ステップは、
前記レスポンダによってサポート可能であるＢＲＰフレームに関する最小パケットサイズを示す値をビームフォーミング能力フィールドに置くステップを含む、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記ＢＲＰパケットのデータフィールドの最小持続時間は、ＳＣブロックの数として提供される、請求項９の方法。
【請求項１２】
ネゴシエートする前記ステップは、ａＢＲＰｍｉｎＳＣｂｌｏｃｋｓパラメータの値を示すステップを含む、請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記レスポンダにおいて、ネゴシエートされた最小持続時間を満たすために追加のゼロパディングによって拡張されたデータフィールドを有する前記ＢＲＰパケットを受信するステップをさらに含む、請求項９の方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を行うように構成されている装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を行うための手段を含む装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を行うためのマシン。
【請求項１７】
複数の命令を含む少なくとも１つのマシン可読メディアであって、前記命令は、コンピューティングデバイス上で実行されたときに、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を前記コンピューティングデバイスに実行させる、少なくとも１つのマシン可読メディア。
【請求項１８】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を行うように構成されている通信デバイス。
【請求項１９】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を行うためのコンピュータシステム。
【請求項２０】
イニシエータとの間でのビームリファインメントプロトコル（ＢＲＰ）を行うように構成されているプロセッサおよびメモリを含むレスポンダを含む装置であって、前記ＢＲＰは、
前記ＢＲＰのイニシエータからＢＲＰ測定フレームを受信することと、
前記ＢＲＰ測定フレームに関するフィードバックを生成することと、
前記ＢＲＰ測定フレームの受信の所定の時間内に前記ＢＲＰ測定フレームに対する応答を送信することと
を含み、前記送信することは、
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能である場合に前記フィードバックを送信することと、
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能でない場合に前記ＢＲＰ測定フレームの受信の肯定応答において情報を送信することであって、前記フィードバックが利用可能になる時間の表示を送信することを含む、ことと
を含む装置。
【請求項２１】
イニシエータとの間でのビームリファインメントプロトコル（ＢＲＰ）をレスポンダのプロセッサに行わせるための命令を含むコンピュータプログラムでエンコードされている非一時的なコンピュータ可読メディアであって、前記ＢＲＰは、
前記ＢＲＰのイニシエータからＢＲＰ測定フレームを受信することと、
前記ＢＲＰ測定フレームに関するフィードバックを生成することと、
前記ＢＲＰ測定フレームの受信の所定の時間内に前記ＢＲＰ測定フレームに対する応答を送信することと
を含み、前記送信することは、
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能である場合に前記フィードバックを送信することと、
前記フィードバックが前記ＢＲＰ測定フレームの受信の前記所定の時間内に利用可能でない場合に前記ＢＲＰ測定フレームの受信の肯定応答において情報を送信することであって、前記フィードバックが利用可能になる時間の表示を送信することを含む、ことと
を含む非一時的なコンピュータ可読メディア。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月10日(2020.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピーカ装置であって、
第１のハウジング要素と前記第１のハウジング要素に結合するように構成された第２のハウジング要素とを含む丸みを帯びた筐体を備え、前記第１のハウジング要素と前記第２のハウジング要素との間の移行部は実質的に連続的であり、前記スピーカ装置はさらに、
スピーカユニットを備え、前記スピーカユニットは、前記スピーカユニットからの主音響放射経路が前記第１のハウジング要素に向かうように前記丸みを帯びた筐体内に配置され、前記スピーカ装置はさらに、
前記丸みを帯びた筐体内に配置され、前記スピーカユニットに電気的に結合された回路基板を備え、前記回路基板は、
前記スピーカユニットを駆動するように構成された１つ以上の電子部品と、
電源回路と、
信号を送受信するように構成されたワイヤレストランシーバとを含み、
前記第１のハウジング要素の少なくとも一部は、前記スピーカ装置からの音声の伝達を可能にするように構成された打ち抜き穴を含み、
前記第２のハウジング要素は、前記回路基板に電気的に結合され、外部電源から電力を受け取るように構成された電力コネクタを含み、
前記スピーカ装置の前記丸みを帯びた筐体は、第１の半径によって定義される円形断面を有し、前記第１のハウジング要素は、前記円形断面を含み、前記円形断面を通り越して延在し、前記第２のハウジング要素は、前記第１の半径よりも小さな第２の最大半径を有する、スピーカ装置。
【請求項２】
前記第１のハウジング要素は、第１の外面カバーを有し、前記第２のハウジング要素は、前記第１の外面カバーとは異なる第２の外面カバーを有し、前記第１の外面カバーは、実質的に音響透過性である、請求項１に記載のスピーカ装置。
【請求項３】
前記第１のハウジング要素の前記打ち抜き穴は、前記第１の外面カバーによって被覆され、前記第２のハウジング要素は、音声が前記スピーカ装置から伝わることを可能にするいかなる打ち抜き穴も含まない、請求項１または２に記載のスピーカ装置。
【請求項４】
前記スピーカ装置の前記筐体全体は、前記第１および第２のハウジング要素の中心を通る軸について放射状に対称である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項５】
前記第２のハウジング要素の少なくとも一部は、前記スピーカ装置が平坦な面上に確実に位置することができるように平坦化されている、請求項４に記載のスピーカ装置。
【請求項６】
前記第２のハウジング要素は、前記電力コネクタへのアクセスを可能にする開口を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項７】
前記開口は、前記第１のハウジング要素と前記第２のハウジング要素との間の交点の近くに位置決めされる、請求項６に記載のスピーカ装置。
【請求項８】
前記スピーカユニットからの音声伝搬を方向付けるように前記スピーカユニットの開口と前記第１の円形ハウジング要素との間に位置決めされた音声伝達要素をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項９】
前記第２のハウジング要素は電源スイッチを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１０】
前記電源スイッチは、前記第１のハウジング要素と前記第２のハウジング要素との間の交点の近くに位置決めされる、請求項９に記載のスピーカ装置。
【請求項１１】
前記電子装置は、短距離通信リンクを介してクライアント装置と通信するように構成される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１２】
前記短距離通信リンクは、ブルートゥースに基づいて確立される、請求項１１に記載のスピーカ装置。
【請求項１３】
前記電子装置の前記円形断面の直径は、前記電子装置の厚みよりも大きい、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１４】
限られた数の物理的なボタンをさらに備え、前記電子装置との対話は、前記限られた数の物理的なボタンのうちの少なくとも１つを押すことに基づく、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１５】
前記電子システムは、マイクロフォンを有し、音声またはタッチに基づいて制御される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１６】
前記電子システムは、ユーザ音声入力に対する可聴応答を出力し、メディアコンテンツの音声トラックを再生し、および／または、可聴警告を生成するように構成される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１７】
前記電子システムの状態を示すように構成された視覚的表示器をさらに備える、請求項１〜１６のいずれか１項に記載のスピーカ装置。
【請求項１８】
前記視覚的表示器はＬＥＤを含む、請求項１７に記載のスピーカ装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載のスピーカ装置を備える、電子装置。
【請求項２０】
請求項１〜１８のいずれか１項に記載のスピーカ装置を備える、電子システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個人の中心静脈圧を特定する装置であって、
（ａ）前記個人の肢の静脈内の壁内外圧差を変化させるための圧力機構と、
（ｂ）前記肢の計測領域内の血圧に応答し、複数の壁内外圧差の各々での血液量の計測値を特定するように構成された光学測定システムと、
（ｃ）解剖学的基準点に関する前記計測領域の高さを特定する高さ特定機器と、
（ｄ）前記特定された高さから、及び壁内外圧差と血液量との関係から中心静脈圧を特定するように構成された分析システムと、を備える装置。
【請求項２】
前記分析システムは、前記特定された高さから、及び、前記特定された血液量の計測値が壁内外圧差がゼロに到達したことを示す前記壁内外圧差から、中心静脈圧を特定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記圧力機構は、前記静脈への外部圧力を変化させる機構を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記圧力機構は、
（ａ）前記肢の第１部分を取り囲むように構成され、前記筐体によって取り囲まれていない前記肢の第２部分の圧力より高い圧力を前記肢の前記第１部分の静脈に付加するように構成された密閉機構を有する加圧可能な筐体と、
（ｂ）前記静脈に複数の圧力を付加するように構成された制御機構と、を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記密閉機構は、前記付加された圧力を使って係合するシールを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記制御システムは、前記筐体を出る空気の流速を変化させることにより、前記静脈に複数の圧力を付加する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記制御システムは、時間と共に増大する複数の圧力を前記静脈に付加するように構成される、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記制御システムは、時間と共に変調される圧力を前記静脈に付加するように構成される、請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記変調された圧力は１Ｈｚ〜０．０５Ｈｚの間の周波数を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記変調された圧力は、１０ｃｍ  Ｈ２Ｏ未満の変調振幅を有する、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記制御システムは、時間と共に離散増分で変化する複数の圧力を前記静脈に付加するように構成される、請求項４に記載の装置。
【請求項１２】
前記光学計測システムは、
（ａ）光を前記静脈へと案内するように構成される照明システムであって、前記光は、脱酸素化ヘモグロビンにより吸収される１つ又は複数の波長を含む、照明システムと、
（ｂ）前記１つ又は複数の波長に対して感度を有する光学感知機器と、を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記光学感知機器は、前記肢内の組織から反射した光を収集するように構成される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
スペクトル反射した光が前記光学感知機器に到達するのを阻止するように構成される第１及び第２の偏光板をさらに含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記光学感知機器は、前記肢内の前記組織を透過した光を収集するようにさらに構成される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記光学感知機器は、前記肢内の前記組織を透過した光を収集するように構成される、請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記光学測定システムは前記静脈の画像を捕捉する、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記分析システムは、前記静脈の画像から前記静脈の大きさ、容量、又は血液成分を特定するように構成される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記高さ特定機器は圧力計を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記高さ特定機器は、前記光学計測システムとは別のイメージングシステムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
前記イメージングシステムは、前記個人の解剖学的寸法を特定するように構成される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記イメージングシステムは、空間内での前記個人の体の体積を特定するように構成される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
前記イメージングシステムは、前記個人の頭の位置を特定するように構成される、請求項２０に記載の装置。
【請求項２４】
前記光学測定システムは、前記肢の領域に非接触圧力を付加するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項２５】
前記光学測定システムは、静脈血信号が動脈血信号よりも優位である前記肢の領域を測定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月20日(2020.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石本体と、
前記磁石本体の表面上に設けられてカバーする複合コーティングと、
を備えて、前記複合コーティングが、
（ａ）前記磁石本体上の金属層と、
（ｂ）オプションとして、前記金属層の前記磁石本体とは反対側の表面上の金属酸化物層と、
（ｃ）前記金属層又は前記金属酸化物層の上のリンカー層と、
（ｄ）前記リンカー層の上のポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレン）から形成される層と、
を備える、耐腐食性永久磁石。
【請求項２】
前記磁石本体が焼結された磁石本体である、請求項１に記載の磁石。
【請求項３】
前記磁石本体が希土類金属ベースである、請求項１又は２に記載の磁石。
【請求項４】
前記希土類金属がネオジムである、請求項３に記載の磁石。
【請求項５】
前記磁石本体が希土類金属・鉄・ホウ素磁石である、請求項１〜４のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項６】
前記磁石本体が、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶と前記Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶を取り囲むネオジム鉄ホウ素材料とを有する焼結磁石本体であり、前記ネオジム鉄ホウ素材料が、前記Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ結晶よりもネオジムリッチである、請求項４又は５に記載の磁石。
【請求項７】
前記磁石本体がロッド形状であって、全てのエッジが丸められている、請求項１〜６のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項８】
前記リンカー層を形成するリンカーが、シラン、メルカプタン、ホスフィン、ジスルフィド、及びチオール、ホスフィン、又はジスルフィド基を有するシランから選択される、請求項１〜７のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項９】
前記シランが、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ官能基を有するトリメトキシシラン及びトリエトキシシラン、あるいはビス-トリメトキシシリル官能基を有するリンカーから選択される、請求項８に記載の磁石。
【請求項１０】
前記シランが水酸化物官能基を有する、請求項８に記載の磁石。
【請求項１１】
前記リンカーが、３−（２−ピリジルエチル）チオプロピルトリメトキシシラン、３−（４−ピリジルエチル）チオプロピルトリメトキシシラン、２−（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、ビス（２−メタクリロイル）オキシエチルジスルフィド、及びジヘキサデシルジスルフィドから選択される、請求項８に記載の磁石。
【請求項１２】
前記金属層の金属が、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、白金、金、ならびにアルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、及びジルコニウムの合金から選択される、請求項１〜８のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１３】
前記金属層の金属が、アルミニウム、チタン、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、及びそれらの合金から選択され、前記金属層の前記磁石本体とは反対側の表面が、前記金属又は金属合金の酸化によって形成された酸化物層によってカバーされている、請求項１〜９のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１４】
前記金属層の金属が、白金、チタン、及びジルコニウムから選択される、請求項１〜１０のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１５】
前記金属層の金属が金である、請求項１または８または１１のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１６】
前記複合コーティングの全ての層が、前記磁石本体の全ての表面に渡って完全に延在している、請求項１〜１５のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１７】
前記金属層の厚さ又は前記金属層と前記金属酸化物層との合計の厚さが５μｍ〜２０μｍの範囲である、請求項１〜１６のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１８】
前記リンカー層の厚さが２０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲である、請求項１〜１７のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項１９】
ポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレン）から形成された前記層の厚さが５μｍ〜２０μｍの範囲である、請求項１〜１８のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項２０】
前記複合コーティングの厚さが２００μｍ未満、請求項１〜１９のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項２１】
前記複合コーティングの厚さが５０μｍ未満である、請求項１〜１９のいずれか一つに記載の磁石。
【請求項２２】
非磁化の磁石本体を準備するステップと、
前記磁石本体の表面に金属層を形成するステップと、
前記磁石本体の表面に形成された前記金属層又は金属酸化物層の上にリンカー層を形成するステップと、
前記リンカー層の上にポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレン）の層を形成するステップと、
前記磁石本体を磁化するステップと、
を包含する、耐腐食性永久磁石を製造する方法。
【請求項２３】
前記磁石本体が、請求項１〜７のいずれか一つに規定されたような磁石本体である、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記金属層が、イオン蒸着又はプラズマ堆積又は原子層堆積によって金属を付与することによって形成される、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記金属層が、イオン性液体からガルバニック堆積によって金属を付与することによって形成される、請求項２２又は２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記金属が請求項１２〜１５のいずれか一つに規定されたような金属である、請求項２２〜２５のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２７】
前記リンカー層が、プラズマを使用する物理蒸着によって、又はプラズマを使用しない物理蒸着によって、又は湿式プロセスによって、又はそれらの組み合わせによって、リンカーを付与することにより形成される、請求項２２〜２６のいずれか一つに記載の方法。
【請求項２８】
前記リンカーが請求項８〜１１のいずれか一つに規定されたようなリンカーである、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記ポリ（２−クロロ−ｐ−キシリレン）の層が、ジクロロ［２．２］パラシクロファンのプラズマ堆積によって形成される、請求項２２〜２８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３０】
前記層が請求項１７〜２０のいずれか一つに規定されたような厚さを有する、請求項２２〜２９のいずれか一つに記載の方法。
【請求項３１】
電気モータを備える血管内血液ポンプであって、前記電気モータが請求項１〜２０のいずれか一つに規定されたような永久磁石を備えている、血管内血液ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月5日(2020.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
８−メチルノナン酸（8-methyl nonanoic acid、８Ｍ）を生成するための生合成方法であって、
ａ）形質転換細胞系において（ｉ）ＫＡＳＩＩＩａ遺伝子またはＫＡＳＩＩＩｂ遺伝子、及び（ｉｉ）アシル−アシルキャリアタンパク質（ＡＣＰ）チオエステラーゼをコードする遺伝子を発現させることと、
ｂ）前記形質転換細胞系において、ＫＡＳＩＩＩａまたはＫＡＳＩＩＩｂのための基質として、イソブチリル−ＣｏＡを提供することと、および
ｃ）８−メチルノナン酸を生成することと、を含み、
ここで、前記ＫａｓＩＩＩａ遺伝子は、配列番号６と少なくとも９０％同一である核酸配列を含み、前記ＫＡＳＩＩＩｂ遺伝子は、配列番号７と少なくとも９０％同一である核酸配列を含む、生合成方法。
【請求項２】
前記アシル−ＡＣＰチオエステラーゼ遺伝子が、Ｃａｐｓｉｃｕｍ属の植物のＦＡＴＢおよびＦＡＴＢ２から選択される脂肪酸アシル−ＡＣＰチオエステラーゼＢをコードする、請求項１に記載の生合成方法。
【請求項３】
ＦＡＴＢ２が、前記形質転換細胞系において、配列番号５と少なくとも９０％同一である核酸配列によってコードされる、請求項２に記載の生合成方法。
【請求項４】
ＦＡＴＢが、前記形質転換細胞系において、配列番号４と少なくとも９０％同一である核酸配列によってコードされる、請求項２に記載の生合成方法。
【請求項５】
前記形質転換細胞系が、酵母、非カプサイシノイド生成植物、藻類、及び細菌から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の生合成方法。
【請求項６】
前記形質転換細胞系が、Ｅ．Ｃｏｌｉである、請求項５に記載の生合成方法。
【請求項７】
前記８Ｍを、７０％超の純度に精製することをさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の生合成方法。
【請求項８】
前記形質転換細胞系においてイソ酪酸を提供し、アシル−ＣｏＡシンセターゼ（ＡＣＳ）遺伝子を共発現させることによって、前記形質転換細胞系においてイソブチリル−ＣｏＡを提供する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の生合成方法であって、
ここで、前記ＡＣＳ遺伝子は、イソ酪酸をイソブチリル−ＣｏＡに変換するイソブチリル−ＣｏＡシンセターゼをコードする、方法。
【請求項９】
前記ＡＣＳ遺伝子が、配列番号８と少なくとも９０％同一である核酸配列を含むＣＣＬ４遺伝子である、請求項８に記載の生合成方法。
【請求項１０】
前記形質転換細胞系においてイソ酪酸およびアセチル−ＣｏＡを提供し、プロピオネートＣｏＡ−トランスフェラーゼ（ＰＣＴ）遺伝子を共発現させることによって、前記形質転換細胞系においてイソブチリル−ＣｏＡを提供し、それによって、プロピオネートＣｏＡ−トランスフェラーゼが、イソ酪酸およびアセチル−ＣｏＡをイソブチリル−ＣｏＡおよびアセテートに変換する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の生合成方法。
【請求項１１】
前記ＰＣＴ遺伝子が、配列番号９と少なくとも９０％同一である核酸配列を含む、請求項１０に記載の生合成方法。
【請求項１２】
前記形質転換細胞系においてグルコースを提供し、ａｌｓＳ、ｉｌｖＣ、ｉｌｖＤおよびｂｋｄ遺伝子を共発現させることによって、前記形質転換細胞系においてイソブチリル−ＣｏＡを提供する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の生合成方法。
【請求項１３】
前記形質転換細胞系が、Ｅ．Ｃｏｌｉである、請求項１２に記載の生合成方法。
【請求項１４】
カプサイシンを生成するための８Ｍの使用をさらに含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の生合成方法。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の生合成方法の実施において使用するための、（ｉ）ＫＡＳＩＩＩａ遺伝子またはＫＡＳＩＩＩｂ遺伝子、及び（ｉｉ）アシル−ＡＣＰチオエステラーゼをコードする遺伝子を発現することができる、形質転換細胞系。