【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年3月19日(2020.3.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
［−ＮＲ−Ｒ４Ｒ５Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＲ２Ｒ３−］ｎ  （ＩＩ）
（式中、ｔ＝１〜４であり；ｎ＝２〜４００であり；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、Ｃ６〜Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の少なくとも１つは、Ｈであり；及び
Ｒは、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、式ＳｉｘＲ’２ｘ＋１（ここで、ｘ＝１〜４であり、及び各Ｒ’は、独立して、＝Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６基、Ｃ６〜Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成する）を有するシリル基、又はＲ１’Ｒ２’Ｒ３’Ｓｉ（ＣＨ２）ｂＳｉＲ４’Ｒ５’基（ここで、ｂ＝１〜２である）であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６炭化水素、Ｃ６〜Ｃ１２アリール、又は式ＮＲ’’２を有するアルキルアミノ基であり、各Ｒ’’は、独立して、Ｈ、Ｃ１〜Ｃ６基、Ｃ６〜Ｃ１２アリールであるか、又はＮＲ’’２は、環状アミン基を形成し、ただし、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３’、Ｒ４’、及びＲ５’の少なくとも１つは、Ｈである）
を有する単位を含有する前駆体を含むＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項２】
前記前駆体は、式［−ＮＨ−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ（ここで、ｔ＝１〜２である）を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項３】
前記前駆体は、
［−Ｎ（ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ２Ｈ５）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ３Ｈ７）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（Ｓｉ４Ｈ９）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、
請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項４】
前記前駆体は、
［−Ｎ（Ｓｉ（Ｍｅ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（Ｅｔ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＰｒ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｎＰｒ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（Ｂｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｉＢｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ｔＢｕ）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（アミル）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｓｉ（ヘキシル）３−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎｘ（ＳｉＨ（Ｍｅ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｅｔ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＰｒ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｎＰｒ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（Ｂｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｉＢｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ｔＢｕ）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（アミル）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ヘキシル）２−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２（アミル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ＳｉＨ２（ヘキシル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項５】
前記前駆体は、
［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）−（ＣＨ２）ｔ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＣＨ２−ＳｉＨ２−］ｎ、［−Ｎ（ＳｉＭｅ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ＳｉＥｔ３−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＥｔ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項６】
前記前駆体は、
［−Ｎ（Ｍｅ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｅｔ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｉＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｎＰｒ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（Ｂｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｉＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ｔＢｕ）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（アミル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ヘキシル）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項７】
前記前駆体は、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮｎＰｒ２）−ＳｉＨ２−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ２ＮＭｅＥｔ）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、
［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＭｅ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ、及び
［−Ｎ（ＳｉＨ（ＮＥｔ２）２）−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項８】
前記前駆体は、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、
請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項９】
前記前駆体は、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＨ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＥｔ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＢｕ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＡｍ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（Ｓｉ（Ｎヘキシル２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピリジン）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピロール）２−］ｎ、
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（ピロリジン）２−］ｎ、及び
［−ＮＨ−Ｈ２Ｓｉ−（ＣＨ２）ｔ−Ｓｉ（イミダゾール）２−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項１０】
前記前駆体は、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−−ＳｉＨ（ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＣＨ２−ＣＨ２＝ＣＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＨ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＥｔ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙペンチル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（Ｎヘキシル２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＣｙＨｅｘ２）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＭｅＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＥｔＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｎＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＰｒＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｉＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮｔＢｕＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ＮＡｍＨ）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピリジン）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピリジン）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロール）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロール）−］ｎ、
［−ＮＨ−ＳｉＨ（ピロリジン）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（ピロリジン）−］ｎ、及び
［−ＮＨ−ＳｉＨ（イミダゾール）−（ＣＨ２）ｔ−ＳｉＨ（イミダゾール）−］ｎ
（ここで、ｔ＝１〜２である）からなる群から選択される式を有する単位を含有する、請求項１に記載のＳｉ含有膜形成用組成物。
【請求項１１】
基板上にＳｉ含有膜を形成する方法であって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のＳｉ含有膜形成用組成物を含む溶液を形成することと、前記溶液をスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、又はスリットコーティング法で前記基板と接触させて、前記Ｓｉ含有膜を形成することとを含む方法。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＨ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＥｔ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙペンチル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（Ｎヘキシル２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＣｙＨｅｘ２）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＭｅＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＥｔＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｎＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＰｒＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｉＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮｔＢｕＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＮＡｍＨ）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピロリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（イミダゾール）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピペリジン）３）２である；
・前駆体がＲＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ピリミジン）３）２である；
・ａ＝１であり、且つｍ＝２である；
・式（Ｉ）がＲＮ（ＳｉＲ４Ｒ５（ＣＨ２）２ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２である；
・Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈである；
・前駆体がＨＮ（ＳｉＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＨ３）２である；
・Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５＝Ｈであり、且つＲ＝ＳｉｘＨ２ｘ＋１（ｘ＝１〜４である）である；
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０５】
ジシラプロパン及びアンモニアを圧力反応器内で炭素上の白金で触媒させることにより、ＨＮ（ＤＳＰ）２及びＮ（ＤＳＰ）３を製造した。これは、ハロゲンフリーのルートである。０．３Ｌのオートクレーブにメカニカルスターラー、熱電対、圧力ゲージ、圧力変換器、及び３つの計量バルブを装着した。０．５ｇ／２．５６ｍｏｌの炭素上白金触媒をオートクレーブに入れた。その後、反応器を動的真空下で１４０℃まで一定に加熱し、この温度で３時間保持した。室温まで冷却した後、反応器をヘリウムで加圧した（８００ｔｏｒｒ）。グローブボックス内の反応器にペンタン（５０ｍＬ）を入れた。反応器を液体窒素浴に浸漬した後、真空下で大気窒素を除去した。アンモニア（３ｇ、０．１７６ｍｏｌ）及びジシラプロパン（５３．７ｇ、０．７０５ｍｏｌ）を反応器に移した。その後、反応器を５０℃に加熱した。４５７ｒｐｍで３０時間撹拌した後、室温に冷却後に約４８６ｐｓｉの圧力上昇が観察された。反応器の中身の揮発性成分をステンレス鋼製レクチャーボトル（ＳＳＬＢ）内へ１０Ｔｏｒｒの圧力まで冷却補集した。液体注入ＧＣＭＳによる反応器内容物の分析から、少量の高沸点成分を伴うＨＮ（ＤＳＰ）２とＮ（ＤＳＰ）３との７：１の混合物であることが明らかになった。図２は、生成したＮ（ＤＳＰ）２とＮ（ＤＳＰ）３との混合物の最終生成物のＧＣＭＳスペクトルである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１４】
実施例４において、非極性溶媒であるトルエンをＴＨＦなどの極性溶媒に置き換えて、副生成物のＨＮＤＳＰ２なしでＮＤＳＰ３を選択的に製造した（図７）。