【事件の表示】
　特願２０１３−５２７６０８「マイクロフルイディックセル及びマイクロフルイディックセルに用いられるスピン共鳴装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月２２日国際公開、ＷＯ２０１２／０３４９２４、平成２５年　９月３０日国内公表、特表２０１３−５３７３０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年９月８日（パリ条約による優先権主張　２０１０年９月１４日、米国（ＵＳ）、英国（ＧＢ））を国際出願日とする出願であって、平成２５年５月２日に手続補正書が提出され、同年８月２日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１３日に意見書が提出されたが、同年１２月１６日付けで拒絶査定がなされ、その謄本は同年１２月２６日に請求人に送達された。これに対し、平成２６年４月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成２５年５月２日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。
「マイクロフルイディックセルであって、
　流体サンプルを受け入れるマイクロフルイディックチャネルと、
　前記マイクロフルイディックチャネルに隣接して設けられたセンサとを有し、
　前記センサは、１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥を有するダイヤモンド材料から成り、
　前記ダイヤモンド材料は、前記マイクロフルイディックチャネルを構成する壁の少なくとも一部分を形成し、
　前記１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥は、前記マイクロフルイディックチャネルの前記壁から１００ｎｍ以下の距離を置いたところに配置され、
　前記１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥は、０．０５ｍｓ以上のデコヒーレンス時間Ｔ２を有する、マイクロフルイディックセル。」
第３　引用例の記載事項及び引用例に記載された発明
　１　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった「国際公開第２００９／１３８７６０号」（以下、「引用例」という。）
（１）引用例に記載の事項
　引用例には、つぎの事項が記載されている。（下線は当審により付加したもの。）
　ア「Typically, 
the pore extends through the diamond film substrate.
（当審仮訳：通常、
ポアは、ダイヤモンドフィルム基材を貫通して延びている。
　イ「
Often the pore will be of size in the range 1 nm to 100 μm. 
In many examples, the thickness of the diamond thin film substrate will be in the range 10 nm to 1 mm
（当審仮訳：
多くの場合、ポアは１ｎｍから１００μｍの範囲のサイズである。
　
多くの例では、ダイヤモンド薄フィルム基材の厚さは、１０ｎｍから１ｍｍの範囲であり
　ウ「It is known from papers by Taylor et al. that single colour centres in diamond such as negatively charged nitrogen vacancies (NV-) can be used for nano magnetometry20 . In an application of the invention, the NV- centre is interrogated optically such that the interaction with the local magnetic field is ascertained. Accordingly, 
in an embodiment of the invention, the sensor element is the NV
-
 centre.
The NV
-
 centre could be positioned close to a pore by techniques including ion implantation, or the pore could be created in a region of diamond with pre-existing NV
-
 centres.
（当審仮訳：Taylor et al.の文献より、負に帯電した窒素欠陥（ＮＶ−）などのダイヤモンド内の単一色中心（single colour centres）をナノ磁気測定に用いることができることが公知である（引用文献２０）。本願では、ＮＶ−中心からの光学的な応答によって静磁場と局所磁場との相互作用を検知する。よって、
本発明の態様では、センサー素子は、ＮＶ
−
中心である。
ＮＶ
−
中心を、イオン注入を含む技術によってポアの近傍に配置してよく、またはポアを既にＮＶ
−
中心が存在するダイヤモンドの領域内に作り出してもよい。
　エ　「Nano magnetometry: 
Magnetometry can be used to interrogate the negatively charged nitrogen centres in diamond (NV
-
 centres), Figure 11 is a schematic representation of the magnetic field local to the pore of the sensor device. The arrows within a diamond structure represent the local magnetic field and the arrow passing through the pore represents the ion current through the pore. A schematic magnetic/paramagnetic molecule is illustrated passing through the pore.
 （当審仮訳：ナノ磁気測定：  
ダイヤモンドの負に帯電した窒素中心（ＮＶ
−
中心）から応答信号を得るために、磁気測定を用いることができる。図１１は、センサーデバイスが有するポア近傍の磁場の概略図である。ダイヤモンド構造内の矢印は、局所磁場を表し、ポアを通る矢印は、ポアを流れるイオン電流を表す。概略的に磁性／常磁性分子がポアを通過したことが図示されている。
　オ　図１１
　
（２）引用例に記載された発明
　ア　上記（１）ア、イの記載から、ポアは、直径が１ｎｍから１００μｍであって、全長が１０ｎｍから１ｍｍの長さを有するものであるといえる。
　イ　上記（１）エ、オの記載から、「センサーデバイス」は、「ポア」を有するものであり、「ダイヤモンド」から構成されるものであり、「ＮＶ−中心」を有するものであるといえる。
　ウ　上記（１）エ、オの記載から、ポアを通過する測定対象である磁性／常磁性分子は、溶液（solution）中に含有されるものであるといえる。
　エ　上記（１）ウの記載から、「ダイヤモンド」は、「ポア」を構成する壁を形成しているものであるといえる。
　オ　以上のことから、引用例には、つぎの発明が記載されていると認められる。
　「センサーデバイスであって、
　『測定対象である磁性／常磁性分子を含有する溶液』が通過する『直径１ｎｍから１００μｍ、全長１０ｎｍから１ｍｍの長さを有するポア』と、
　前記ポアの近傍に配置されたセンサ素子とを有し、
　前記センサ素子は、ＮＶ−中心を有するダイヤモンドからなり、
　前記ダイヤモンドは、前記ポアを構成する壁を形成した、センサーデバイス。」（以下、「引用発明」という。）
第４　本願発明と引用発明との対比
　１　引用発明の「測定対象である磁性／常磁性分子を含有する溶液」、「直径１ｎｍから１００μｍ、全長１０ｎｍから１ｍｍの長さを有するポア」は、本願発明の「液体サンプル」、「マイクロフルイディックチャネル」に相当する。
　２　引用発明の「測定対象である磁性／常磁性分子を含有する溶液が通過する」とは、「測定対象である磁性／常磁性分子」を「ポア」の内部に受け入れる過程を含むものであるから、引用発明の「『測定対象である磁性／常磁性分子を含有する溶液』が通過する『直径１ｎｍから１００μｍ、全長１０ｎｍから１ｍｍの長さを有するポア』」は、本願発明の「流体サンプルを受け入れるマイクロフルイディックチャネル」に相当する。
　３　上記１で検討したとおり、引用発明の「ポア」は、本願発明の「マイクロフルイディックチャネル」に相当すること、「近傍」は「隣接」という概念を包含する用語であることから、引用発明の「前記ポアの近傍に配置されたセンサ素子」は、本願発明の「前記マイクロフルイディックチャネルに隣接して設けられたセンサ」に相当する。
　４　引用発明の「ＮＶ−中心」は、量子スピン欠陥の一種であるから、本願発明の「量子スピン欠陥」に相当する。よって、引用発明の「前記センサ素子は、ＮＶ−中心を有するダイヤモンドからなり」は、本願発明の「前記センサは、１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥を有するダイヤモンド材料から成り」に相当する。
　５　上記１、４で検討したとおり、引用発明の「ポア」、「ダイヤモンド」は、本願発明の「マイクロフルイディックチャネル」、「ダイヤモンド材料」に相当することから、引用発明の「前記ダイヤモンドは、前記ポアを構成する壁を形成」は、本願発明の「前記ダイヤモンド材料は、前記マイクロフルイディックチャネルを構成する壁の少なくとも一部分を形成」に相当する。
　６　本願発明の「マイクロフルイディックセル」は、発明の詳細な説明の段落【０００２】において用語の定義として、「１ｍｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ〜１ｍｍの少なくとも１つの寸法を備えた１つ又は２つ以上のチャネルを有する」ものであると記載されていること、引用発明の「センサーデバイス」は、「全長１０ｎｍから１ｍｍの長さを有するポア」を有するものであること、上記１で検討したとおり、引用発明の「ポア」は、本願発明の「マイクロフルイディックチャネル」に相当することから、引用発明の「センサーデバイス」は、本願発明の「マイクロフルイディックセル」に相当する。
　７　してみると、本願発明と、引用発明とは、つぎの一致点で一致し、各相違点において相違する。
＜一致点＞
「マイクロフルイディックセルであって、
　流体サンプルを受け入れるマイクロフルイディックチャネルと、
　前記マイクロフルイディックチャネルに隣接して設けられたセンサとを有し、
　前記センサは、１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥を有するダイヤモンド材料から成り、
　前記ダイヤモンド材料は、前記マイクロフルイディックチャネルを構成する壁の少なくとも一部分を形成した、マイクロフルイディックセル。」である点
＜相違点１＞
　本願発明においては、「１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥」が「マイクロフルイディックチャネル」の「壁から」「１００ｎｍ以下の距離を置いたところに配置され」るのに対して、引用発明においてはその距離が特定されない点
＜相違点２＞
　「１つ又は２つ以上の量子スピン欠陥」が、本願発明においては、「０．０５ｍｓ以上のデコヒーレンス時間Ｔ２」を有するのに対して、引用発明においてはデコヒーレンス時間Ｔ２が不明な点
第５　当審の判断
　１　相違点１について
　磁気測定に用いられるセンサにおいて、磁気を測定するにあたって、感度を高めるためには、センサ素子を被測定物にできるだけ近接させるように配置することが重要であることは技術常識である。また、引用発明の「ポア」は「直径１ｎｍから１００μｍ」の範囲を有するものであるところ、「ポア」の直径を「１００ｎｍ以下」とした場合、「ＮＶ−中心」を、「ダイヤモンド」の「壁から」「ポア」の直径以下の距離を置いたところに配置しようとすることは、当業者が当然想起し得ることというべきである。
　そして、ＮＶ−中心を、ダイヤモンドの表面から１００ｎｍ以下の距離を置いたところに配置したものは、本願の優先権主張日前に当業者に知られた技術常識（例えば、原審において拒絶査定時に引用文献２として提示された「J.R.Maze et al.，Nanoscale magnetic sensing with an individual electronic spin in diamond，nature (online)，２００８年１０月　２日，Vol.455，pp.644-647」の第６４４頁右欄第１０−１４行、さらには、原審において拒絶査定時に引用文献３として提示された「国際公開第２０１０／０１０３５２号」の第７頁第１１−２４行目、第４２頁第１１−１６行目等参照）であり、さらに、原審において拒絶査定時に引用文献３として提示された「国際公開第２０１０／０１０３５２号」の第４０頁第３２行目−第４２頁第１６行目には、ＮＶ−中心をダイヤモンドの表面から１μｍ以下の距離を置いたところに配置するための方法が記載されている。
　してみると、「ポアの近傍に」「ＮＶ−中心」を「配置」した引用発明において、「ＮＶ−中心」を「ポア」の「壁」から「１００ｎｍ以下の距離を置いたところに配置」することは、当業者が容易に為し得ることであるし、「１００ｎｍ以下」という限定に格別の臨界的意義もない。
　よって、上記相違点１は当業者が容易に想到し得ることである。
　２　相違点２について
　磁気測定のセンサとして用いられるＮＶ−中心を有するダイヤモンドにおいて、センサとしての有用性を高めるために、ＮＶ−中心のデコヒーレンス時間Ｔ２をできるだけ長くすることが重要であることは技術常識であり、「ＮＶ−中心」を有する「ダイヤモンド」からなる引用発明においても、「ＮＶ−中心」のデコヒーレンス時間Ｔ２をできるだけ長くしようとすることは、当業者が当然想起し得ることである。
　そして、量子スピン欠陥を、ダイヤモンドの表面から１００ｎｍ以下の距離を置いたところに配置した上で、量子スピン欠陥のデコヒーレンス時間Ｔ２を０．０５ｍｓ以上としたものは、本願の優先権主張日前に当業者に知られた技術常識（例えば、原審において拒絶査定時に引用文献２として提示された「J.R.Maze et al.，Nanoscale magnetic sensing with an individual electronic spin in diamond，nature (online)，２００８年１０月　２日，Vol.455，pp.644-647」の第６４４頁右欄第１０−１４行、さらには、原審において拒絶査定時に引用文献３として提示された「国際公開第２０１０／０１０３５２号」の第７頁第１１−２４行目、第４６頁第１３−２２行目等参照）であり、さらに、原審において拒絶査定時に引用文献３として提示された「国際公開第２０１０／０１０３５２号」の第７頁第１１−２４行目、第３０頁第１５−１９行目には、量子スピン欠陥をダイヤモンドの表面の近くに配置した上で長いデコヒーレンス時間を得るための方法が記載されている。
　してみると、「ポアの近傍に」「ＮＶ−中心」を「配置」した引用発明において、「ＮＶ−中心」の「デコヒーレンス時間Ｔ２を０．０５ｍｓ以上」とすることは、当業者が容易に為し得ることであるし、「０．０５ｍｓ」という限定に格別の臨界的意義もない。
　よって、上記相違点２は当業者が容易に想到し得ることである。
　３　そして、本願発明の効果は、引用発明及び技術常識に基づいて当業者が予測し得る程度のことであって格別のものとはいえない。
　４　小括
　してみると、本願発明は、本願優先権主張日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例に記載された発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、本願の優先権主張日前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用例に記載された発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その他の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。