【事件の表示】
　特願２０１２−　　１６１１「貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月２２日出願公開、特開２０１３−１４３４０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年１月６日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年１２月１２日　審査請求
平成２７年　２月１０日　拒絶理由通知
平成２７年　３月２６日　意見書・手続補正
平成２７年　６月１２日　拒絶査定
平成２７年　７月１０日　審判請求・手続補正
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年７月１０日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１は本件補正後の請求項１へ補正された。
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
　前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、第１のＲＴＡ処理を行った後、第１の犠牲酸化処理を行い、その後、第２のＲＴＡ処理を行った後、第２の犠牲酸化処理を行う工程を有し、
　前記第１及び第２のＲＴＡ処理を、水素ガス含有雰囲気下、１１００℃以上の温度で行い、前記第１及び第２の犠牲酸化処理において、９００℃以上１０００℃以下の温度でバッチ式熱処理炉による熱酸化のみを行うことによって前記ＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去する処理を行い、
　前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハの少なくとも一方の表面にプラズマ処理を施した後に前記絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で機械的な外力を用いて剥離することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおりである。
「シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
　前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、第１のＲＴＡ処理を行った後、第１の犠牲酸化処理を行い、その後、第２のＲＴＡ処理を行った後、第２の犠牲酸化処理を行う工程を有し、
　前記第１及び第２のＲＴＡ処理を、水素ガス含有雰囲気下、１１００℃以上の温度で行い、前記第１及び第２の犠牲酸化処理において、９００℃以上１０００℃以下の温度でバッチ式熱処理炉による熱酸化のみを行うことによって前記ＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去する処理を行い、
　前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハの少なくとも一方の表面にプラズマ処理を施した後に前記絶縁膜を介して貼り合わせた後、
熱処理を行わずに、あるいは、剥離しない程度の低温の熱処理を加えた後に
（３）補正事項
　本件補正は，補正前請求項１の「前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で機械的な外力を用いて剥離すること」を「
熱処理を行わずに、あるいは、剥離しない程度の低温の熱処理を加えた後に
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００２６及び００３４の記載からみて，本件補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，前記補正事項は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正は前記１（３）のとおり，本件補正前の請求項１に記載された発明特定事項を限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
　前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、第１のＲＴＡ処理を行った後、第１の犠牲酸化処理を行い、その後、第２のＲＴＡ処理を行った後、第２の犠牲酸化処理を行う工程を有し、
　前記第１及び第２のＲＴＡ処理を、水素ガス含有雰囲気下、１１００℃以上の温度で行い、前記第１及び第２の犠牲酸化処理において、９００℃以上１０００℃以下の温度でバッチ式熱処理炉による熱酸化のみを行うことによって前記ＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去する処理を行い、
　前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハの少なくとも一方の表面にプラズマ処理を施した後に前記絶縁膜を介して貼り合わせた後、
熱処理を行わずに、あるいは、剥離しない程度の低温の熱処理を加えた後に
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である，国際公開第２０１０／１０６１０１号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（当審注：訳は，対応する日本出願の公表公報（特表２０１２−５２０５７９号公報）に基づいて当審で作成したものである。また，下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「The invention lies in the area of 
the fabrication of silicon-on- insulator substrates known to the man skilled in the art under the abbreviation SOI
 A SOI substrate comprises an oxide layer buried between a support substrate in silicon and a thin layer of silicon called the  active layer  since it is on or in this layer that components are to be fabricated notably for electronics, optics and/or opto-electronics.
 A SOI substrate is generally obtained by a layer transfer process using the following main steps:
- forming an oxide layer on a donor substrate and/or receiver substrate, these two substrates being in silicon;
- forming an area of embrittlement in the donor substrate, the area of embrittlement delimiting said above-mentioned active layer to be transferred;
- bonding together the donor and receiver substrates, so that the oxide layer lies at their bonding interface; 
- splitting the donor substrate along the area of embrittlement and transferring the active silicon layer onto the receiver substrate
 One example of said transfer process is the SMARTCUT(R) process of which a description can be found in.... 
In this case, the forming of the area of embrittlement is made by implanting atom and/or ion species
...
 
Irrespective of the method in which the SOI substrate is obtained, the structure that is obtained after these transfer and bonding steps is subjected to  finishing treatments which may for example comprise: polishing, planarization, cleaning, smoothing and thinning steps.
 The purpose of these different finishing steps is notably to improve the roughness of the active silicon layer, to bring it to its desired final thickness and to stabilize the bonding interface.
 Amongst these finishing steps for a substrate of SOI type, frequent use is made of a smoothing step conducted by rapid thermal annealing - RTA.
 RTA is conducted at high temperature for a short time, in a neutral or reducing atmosphere, for example hydrogen and/or argon. As an example, for a SOI substrate it may be conducted at a temperature in the order of 1200° C, for a time of less than three minutes.
...
 RTA is often coupled with one or more sacrificial oxidation steps.
 
A sacrificial oxidation step consists of an oxidation step followed by a de-oxidation step of the previously formed oxide.
 The oxidation step is generally performed using thermal treatment, by wet or dry process. The result is the formation of an oxide layer on the free surface of the active silicon layer of the SOI substrate..
 
The de-oxidation step is generally performed by immersing the oxidized SOI substrate into an acid bath, to remove the previously formed surface oxide
（訳：本発明は、
ＳＯＩという略称として当業者に知られている、シリコン−オン−インシュレーター基板の製造
　ＳＯＩ基板は、シリコンの支持基板と、とりわけ電子機器、光学機器、オプトエレクトロニクスのために製造される構成要素がこの層の上または中にあるために「活性層」と呼ばれるシリコンの薄膜との間に埋められた酸化物層を含む。
　
ＳＯＩ基板は一般的に、以下の主なステップを使用した層転写プロセスによって得られる：
−ドナー基板および／またはレシーバー基板上に酸化物層を形成するステップであって、これら２つの基板はシリコンでなる、ステップと；
−ドナー基板内に脆化領域を形成するステップであって、脆化領域は上述の活性層が転写される領域を定める、ステップと；
−酸化物層が接合部分にあるように、ドナーおよびレシーバー基板を互いに接合するステップと；
−ドナー基板を脆化領域に沿って分割し、活性シリコン層をレシーバー基板上に転写するステップ。
　転写プロセスの一例は，・・・に開示されているＳＭＡＲＴＣＵＴ（登録商標）プロセスである。この場合，
脆化領域の形成は原子および／またはイオンの種の埋め込みによってなされる
　・・・
　
ＳＯＩ基板を得る方法にかかわらず、転写および接合ステップのあとに得られる構造は、たとえば：研磨、平坦化、洗浄、平滑化、および薄くすること、の表面処理に依存する。
　これら異なる表面処理ステップの目的は、所望の最終的な厚さにし、接合面を安定化させるために、活性シリコン層の荒さを改善させることである。
　ＳＯＩタイプの基板に対するこれら表面処理の中で、ラピッドサーマルアニーリング−「ＲＴＡ」による平滑化ステップがしばしば使用される。
　ＲＴＡは短時間の間、たとえば水素および／またはアルゴンの中性もしくは還元した雰囲気中で、高温で行われる。例として、ＳＯＩ基板に対して１２００℃のオーダーの温度で、３分より短い時間で行われることができる。
・・・
　
ＲＴＡはしばしば１または複数の犠牲酸化ステップと組み合わされる。
　犠牲酸化ステップは、酸化ステップに続いて、形成された酸化物を脱酸素するステップから成る。
　酸化ステップは一般的に、ウエットまたはドライプロセスによって熱処理を利用して実行される。結果、酸化物層は、ＳＯＩ基板の活性シリコン層の自由表面上に形成される。
　脱酸素ステップは一般的に、酸化されたＳＯＩ基板を酸の溶液槽に浸してあらかじめ形成された表面の酸化物を除去し、厚みを減少させることによって活性シリコン層を所望の最終的な厚さにすることによって実行される。）
（イ）「As a result, the objective of the invention is to provide a finishing method for a substrate of silicon-on- insulator type SOI which notably comprises the implementing of two successive cycles: rapid thermal annealing RT A/sacrificial oxidation and which allows the above-cited advantageous properties of these steps to be maintained in terms of smoothing and thinning, whilst considerably reducing the flake contamination of said substrate.
　For this purpose, 
the invention concerns a finishing method for a substrate of silicon-on- insulator type SOI
this method comprising the application of the following finishing steps: a) rapid thermal annealing RTA of said substrate, 
b) a sacrificial oxidation step of its active silicon layer, 
c) rapid thermal annealing RTA of said substrate obtained after step b), 
d) a sacrificial oxidation step of said active silicon layer of the substrate which underwent step c)
（訳：結果的に、本発明の目的は、特に２つの連続的なサイクル：ラピッドサーマルアニーリングＲＴＡ／犠牲酸化の実行を含み、これらのステップの上記優位な特性を、基板の破片汚染を大きく減少させながら、平滑化と薄くすることの観点から、維持することを可能にする、シリコン−オン−インシュレータータイプＳＯＩの基板のための表面処理方法を提供することである。
　この目的のために、本発明は、活性シリコン層とシリコン内の支持層との間に埋められた酸化物層を含む
シリコン−オン−インシュレータータイプＳＯＩの基板のための表面処理方法に関し、この方法は次の表面処理ステップの応用を含む：
ａ）基板のラピッドサーマルアニーリングＲＴＡ、
ｂ）その活性シリコン層の犠牲酸化ステップ、
ｃ）ステップｂ）のあとに得られる基板のラピッドサーマルアニーリングＲＴＡ、
ｄ）ステップｃ）を経た活性シリコン層の犠牲酸化ステップ。
（ウ）「The finishing method according to the invention, for a substrate of SOI type, will now be described.
 
It
applies to a substrate of SOI type
as after annealing to split the substrate
 In figure IA, a SOI substrate 1 can be seen, comprising a silicon oxide layer SiO 2  denoted 3, buried between a support substrate 2 in silicon and a thin surface layer 4 in silicon, hereinafter called # active layer #. The free surface of the active layer called the # front face # carries reference number 40.
 
This substrate 1 is placed in an oven F inside which it is subjected to rapid thermal annealing RTA,
 
This RTA is typically conducted at 1200° C, more generally within a global temperature range of 900° C to 1300° C, for 30 seconds (more generally for an overall time of less than 3 minutes) and in a non-oxidizing atmosphere, typically an argon or hydrogen atmosphere.
 Its effect is to smooth the front face 40, i.e. to reduce its roughness. 
 As shown figure 1C, 
the SOI substrate 1 is then subjected to an oxidation step, during which a layer of silicon oxide 5 is formed on the surface and in the upper part of the active layer 4.
 
This oxidation step is preferably conducted by thermal oxidation, at a temperature of between 700° C and 1100° C, preferably at a temperature of 950° C
 This oxidation step can be conducted by wet or dry process.
 By dry process, the oxidation step is conducted for example by heating the SOI substrate in a gaseous oxygen atmosphere. By wet process, it is conducted for example by heating the SOI substrate in a water vapour atmosphere.
 Irrespective of the process chosen (wet or dry) the oxidation atmosphere can also contain hydrochloric acid.
 As shown figure ID, 
the previously formed oxide layer 5 is then deoxidized.
 
This de-oxidation is performed for example by immersing the SOI substrate 1 in an acid bath, such as diluted hydrofluoric acid HF, for example hydrofluoric acid HF diluted to between 10 and 20 % by volume in water, even diluted to 7 % by volume in water.
 This gives a SOI substrate 1' whose active layer referenced 4' has a thickness that is less than the thickness of the original substrate SOI. The front face of the substrate thus obtained carries reference 40'. The surface of the active layer 4' is also characterized by substantially reduced high frequency roughness compared with the  post splitting  surface of layer 4, due to the effect of the RTA step. 
 
The SOI substrate 1' is then again subjected to rapid thermal annealing RTA following identical or similar conditions to those described with reference to figure IB
 The effect of this treatment is again to smooth the front face 40'.
 
The substrate 1' is then subjected to a sacrificial oxidation step as described previously.
 Finally, a de-oxidation step is carried out according to any of the above-described methods, to obtain a SOI substrate 1 whose active layer  referenced 4 is thinned compared with that of the SOI substrate Y . The front face of this substrate is referenced 40.」（５頁１７行目−７頁２行目）
（訳：ＳＯＩタイプの基板に対する、本発明にかかる表面処理方法を述べる。
　必要ではないが、典型的に、「分割後」基板、
すなわちアニーリングをして分割した基板として知られるＳＯＩタイプの基板に適用される。
　図１ＡにＳＯＩ基板１が示され、シリコン内の支持基板２シリコン内の薄い表面層４との間に、以下「活性層」と呼ぶ、シリコン酸化物層ＳｉＯ2３を含む。「前面」と呼ばれる、活性層の自由表面は符号４０で表される。
　
この基板１は、オーブンＦの中に設置され、ラピッドサーマルアニーリングＲＴＡを受ける
　
このＲＴＡは、典型的に、１２００℃、さらに一般的には全体的な温度範囲９００℃から１３００℃で、３０秒間（さらに一般的には全体の時間が３分未満）、酸化されない雰囲気、典型的にはアルゴン、または水素雰囲気で行われる。
　この効果は、前面４０を平滑にする、すなわち荒さを減少させることである。
　図１Ｃに示すように、
ＳＯＩ基板１は、酸化ステップを受け、その間シリコン酸化物層５が表面上および活性層４の上部に形成される。
　この酸化物層５は、このステップによってもたらされる酸素と、表面に近い活性層４の部分の中のシリコンの消費によって成り立つ。生成されたＳｉＯ2層５の厚さと、層４内の消費されたシリコンの厚さとの間に、物理的な比０．４４４がある。
　
この酸化ステップは、７００℃と１１００℃との間の温度、望ましくは９５０℃の温度で、熱酸化によって行われることが望ましい。
　この酸化ステップは、ウェットまたはドライプロセスによって行われることができる。
　ドライプロセスによると、酸化ステップは、たとえば、気体酸素雰囲気中でＳＯＩ基板を熱することによって行われる。ウェットプロセスによると、たとえば、水蒸気雰囲気中でＳＯＩ基板を熱することによって行われる。
　選択したプロセス（ウェットまたはドライ）にかかわらず、酸化雰囲気は塩酸を含むことができる。
　図１Ｄに示すように、
前もって形成された酸化物層５が脱酸素される。
　この脱酸素は、たとえば、希フッ酸ＨＦ、水内の容量で１０から２０％の間、さらには水内の容積で７％に薄められたフッ酸ＨＦといった、ＳＯＩ基板１を酸のバス（ａｃｉｄ　ｂａｔｈ）に浸すことによって実行される。
　
これにより、活性層４’がはじめのＳＯＩ基板のときの厚さより薄い厚さを有する、ＳＯＩ基板１’が得られる。
　
ＳＯＩ基板１’は、図１Ｂを参照して記述されたものと同一または似た条件を受けて、再びラピッドサーマルアニーリングＲＴＡを受ける。
　この処理の効果は、前面４０’を平滑にすることである。
　
基板１’は、前述のように、犠牲酸化ステップを受ける。
　最終的に、活性層４”が ＳＯＩ基板１’のときより薄いＳＯＩ基板１”を得るために、上述したうちのいずれかの方法に従って脱酸素ステップが実行される。この基板の前面を４０”とする。）
　イ　引用発明
　前記アより，引用文献１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「−ドナー基板および／またはレシーバー基板上に酸化物層を形成するステップであって、これら２つの基板はシリコンでなる、ステップと；
−ドナー基板内に脆化領域を形成するステップであって、この脆化領域の形成はイオンの種の埋め込みによってなされ，脆化領域は活性層が転写される領域を定める、ステップと；
−酸化物層が接合部分にあるように、ドナーおよびレシーバー基板を互いに接合するステップと；
−ドナー基板を脆化領域に沿って分割し、活性シリコン層をレシーバー基板上に転写するステップとによってＳＯＩ基板を得て，
　前記ＳＯＩ基板はＲＴＡを受け，このＲＴＡは，典型的に，１２００℃で，水素雰囲気で行われ，
　犠牲酸化ステップを受け，その酸化ステップは，望ましくは９５０℃の温度によって行われ，酸化ステップに続いて，形成された表面の酸化物を除去し，
　その後で前記ＳＯＩ基板は同一の条件で再びＲＴＡを受け，
　前述のように，犠牲酸化ステップを受ける，
　ＳＯＩ基板の製造方法」
（３）引用文献２の記載と引用発明２
　ア　引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００７／０７４５５０号公報（以下，「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「技術分野 
【０００１】 本発明は、ＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハに関するものであり、特に透明絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法及びＳＯＩウェーハに関する。」
（イ）「【００２２】　図１は、本発明に係る
ＳＯＩウェーハの製造方法
【００２３】　まず、単結晶シリコンウェーハ及び透明絶縁性基板を用意する（工程Ａ）。
・・・
【００２４】　次に、
単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する
・・・
【００２５】　次に、この単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は透明絶縁性基板の表面をプラズマ及び／又はオゾンで処理する工程Ｃ）。
・・・
【００２８】　次に、この
単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と透明絶縁性基板の表面とを、プラズマ及び／又はオゾンで処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する
・・・
【００３０】　次に、
イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、
　水素イオン注入剥離法においては、接合ウェーハを不活性ガス雰囲気下５００℃程度で熱処理を行ない、結晶の再配列効果と注入した水素の気泡の凝集効果により熱剥離を行なうという方法であるが、
本発明においてはイオン注入層に衝撃を与えて機械的剥離を行なうので、加熱に伴う熱歪、ひび割れ、剥離等が発生するおそれがない。
　
イオン注入層に衝撃をあたえるためには、例えばガス又は液体等の流体のジェットを接合したウェーハの側面から連続的または断続的に吹き付ければよい
【００３１】　次に、このようにして得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下で、剥離面であるＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施す（工程Ｇ）。
　これによって、剥離工程により生じた表面粗れ又は、イオン注入により生じたＳＯＩ層表面近傍の結晶欠陥又はダメージを除去できる。
　なお、ＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理の温度を１１００〜１３５０℃とすることが好ましい。熱処理の温度を１１００℃以上とすれば、比較的短い時間で表面粗さを改善できるし、１３５０℃以下とすれば、熱処理時に重金属不純物による汚染又は熱処理炉の耐久性の問題が生じない。なお、すでにＳＯＩ層は十分に薄膜化されているので、このような高温熱処理を行なっても熱歪、剥離、ひび割れ等の発生のおそれはない。
【００３２】　また、熱処理時間は熱処理温度にも依存するが、
通常のヒータ加熱式の熱処理炉（バッチ式）により熱処理を行なう
　イ　引用発明２
　前記アより，引用文献２には，次の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ＳＯＩウェーハの製造方法において，単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方を注入し，ウェーハ中にイオン注入層を形成し，イオン注入面を接合し，加熱しないでイオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し，イオン注入層に衝撃をあたえるためには、例えばガス又は液体等の流体のジェットを接合したウェーハの側面から連続的または断続的に吹き付け，
通常のヒータ加熱式の熱処理炉（バッチ式）により熱処理を行う方法」
（４）周知例と周知技術
　ア　周知例１
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−２７００３９号公報（以下，「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は貼り合わせウエーハの製造方法及びその貼り合わせウエーハに関し、特に貼り合わせウエーハのテラス部に形成された酸化膜をエッチングする方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　高性能デバイス用のウエーハとして、半導体ウエーハを他のウエーハ等と接合させた後、素子を作製する側のウエーハを薄膜化した貼り合わせウエーハが使用されている。
　具体的には、例えば、
鏡面研磨された２枚のシリコンウエーハを用意し、
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層が形成された貼り合わせＳＯＩウエーハを製造する
【０００３】
　ボンドウエーハを薄膜化する方法としては、上記の研削・研磨による方法のほか、
貼り合わせる前のボンドウエーハに予め水素イオンなどのイオン注入層を形成しておき、ベースウエーハと貼り合わせた後にそのイオン注入層で剥離することによりボンドウエーハを薄膜化する方法
（イ）「【００６３】
　次に、上記とは異なる本発明の実施態様の一例として、図５を参照しながら、水素イオン剥離法（スマートカット法（登録商標））によりＳＯＩウエーハを製造する場合について説明する。
【００６４】
　まず、図５の工程（ａ）では、
２枚のシリコン鏡面ウエーハを準備するものであり、デバイスの仕様に合った基台となるベースウエーハ２１とＳＯＩ層となるボンドウエーハ２２を準備する。
【００６５】
　次に工程（ｂ）では、そのうちの少なくとも一方のウエーハ、ここではベースウエーハ２１を熱酸化し、その表面に約０．１μｍ〜２．０μｍ厚の酸化膜２３を形成する。用途
によっては４．０μｍ以上の酸化膜を形成することもある。
【００６６】
　工程（ｃ）では、ボンドウエーハ２２の片面に対して水素イオンまたは希ガスイオンのうち少なくとも一方、ここでは水素イオンを注入し、イオンの平均進入深さにおいて表面に平行な微小気泡層（封入層）２４を形成させるもので、この注入温度は２５〜４５０℃が好ましい。
【００６７】
　工程（ｄ）は、水素イオン注入したボンドウエーハ２２の水素イオン注入面に、ベースウエーハ２１を酸化膜を介して重ね合せて接合させる工程であり、常温の清浄な雰囲気下で２枚のウエーハの表面同士を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウエーハ同士が接着する。
【００６８】
　次に、工程（ｅ）は、封入層２４を境界として剥離することによって、剥離ウエーハ２５と、ベースウエーハ２１上に酸化膜２３を介してＳＯＩ層２７が形成されたＳＯＩウエーハ２６に分離する剥離工程で、例えば不活性ガス雰囲気下約５００℃以上の温度で熱処理を加えれば、結晶の再配列と気泡の凝集とによって剥離ウエーハ２５とＳＯＩウエーハ２６（ＳＯＩ層２７＋酸化膜２３＋ベースウエーハ２１）に分離される。
　尚、
工程（ｄ）において、両ウエーハの密着に供される面をプラズマ処理することにより密着強度を高めれば、密着後の熱処理を行うことなく封入層２４で機械的に剥離することも可能である。」
　イ　周知例２
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−１６３３３５号公報（以下，「周知例２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、貼り合わせウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話等の移動体通信においては、数１００ＭＨｚ以上の高周波信号を取り扱うのが一般的となっており、高周波特性の良好な半導体デバイスが求められている。例えば、ＣＭＯＳ−ＩＣや高耐圧型ＩＣ等の半導体デバイスには、
シリコン単結晶基板（ベースウェーハ）上にシリコン酸化膜絶縁体層を形成し、その上に別のシリコン単結晶層をＳＯＩ（Silicon on Insulator）層として積層形成した、いわゆるＳＯＩウェーハが使用されている。
【０００３】
ＳＯＩウェーハの代表的な製造方法として貼り合わせ法がある。この貼り合わせ法は、ベースウェーハとなる第一のシリコン単結晶基板と、デバイス形成領域であるＳＯＩ層となる第二のシリコン単結晶基板（ボンドウェーハ）の鏡面同士を、シリコン酸化膜を介して貼り合わせ
水素イオン等を注入した後に貼り合わせて剥離する方法（イオン注入剥離法）などがある。
（イ）「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる貼り合わせウェーハの製造方法について説明する。まず、ＦＺ法あるいはＣＺ法等の公知の方法にてシリコン単結晶インゴットを製造する。こうして得られる単結晶インゴットは、一定の抵抗率範囲のブロックに切断され、さらに外径研削が施される。外径研削後の各ブロックには、オリエンテーションフラットあるいはオリエンテーションノッチが形成される。このように仕上げられたブロックは、内周刃切断等によりスライシングされる。スライシング後のシリコン単結晶ウェーハの両面外周縁にはベベル加工により面取りが施される。」
（ウ）「【００３０】続いて、貼り合わせの工程について説明する。本実施形態においては、前述したイオン注入剥離法（スマートカット法）を採用している。図１に示すように、片面ポリッシング済みの改良ケミカルエッチウェーハ（ボンドウェーハ３１）に、公知の熱酸化法やＣＶＤ法により酸化膜３３を形成する。酸化膜３３を形成したボンドウェーハ３１に、水素イオンを貼り合わせの主表面側から注入し、イオン注入層４１を形成する。貼り合わせ側主表面は鏡面研磨された面である。酸化膜３３は、ベースウェーハ３１に形成することもできるし、両ウェーハに形成することもできる。
【００３１】次に、
内部にイオン注入層４１が形成されたボンドウェーハ３１と、ＳＯＩ層４０が形成される予定のベースウェーハ３２とを、酸化膜３３を介して密着させた状態で熱処理を行う。
貼り合わせ面をプラズマ処理することにより、剥離のための熱処理を省略することも可能である。
　ウ　周知技術
　前記（３）ア並びに前記ア及びイより，ＳＯＩウェーハの製造方法において，２枚のシリコン基板を貼り合わせる際に貼り合わせ面をプラズマ処理することは，本願の出願日前，周知技術と認められる。
（５）本願補正発明と引用発明との対比
　ア　引用発明の「ドナー基板」及び「レシーバ基板」は，それぞれ本願補正発明の「ボンドウェーハ」及び「ベースウェーハ」に相当すると認められる。なお，引用発明のドナー基板及びレシーバ基板は「シリコンでなる」もので，シリコン基板はシリコン単結晶インゴットから切り出されて製造されるという技術常識（前記（４）イ（イ）参照。）を踏まえれば，これらがシリコン単結晶からなることは自明である。
　引用発明の「脆化領域」は，イオンの種の埋め込みによって形成されているから，本願補正発明の「イオン注入層」に相当すると認められる。
　引用発明の「酸化物層」は，シリコン酸化物が絶縁体であることは技術常識である（前記（４）イ（ア）に「シリコン酸化膜絶縁体層」とある点参照。）から，本願補正発明の「絶縁膜」に相当すると認められる。
　引用発明の「活性シリコン層」は，酸化物層という絶縁体の上にあるから，本願補正発明の「ＳＯＩ層」に相当すると認められる。
　引用発明の「ＳＯＩ基板」は本願補正発明の「ＳＯＩウェーハ」に相当すると認められる。
　よって，本願補正発明の「シリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法」と，引用発明における「−ドナー基板および／またはレシーバー基板上に酸化物層を形成するステップであって、これら２つの基板はシリコンでなる、ステップと；−ドナー基板内に脆化領域を形成するステップであって、この脆化領域の形成はイオンの種の埋め込みによってなされ，脆化領域は活性層が転写される領域を定める、ステップと；−酸化物層が接合部分にあるように、ドナーおよびレシーバー基板を互いに接合するステップと；−ドナー基板を脆化領域に沿って分割し、活性シリコン層をレシーバー基板上に転写するステップとによってＳＯＩ基板を得る」とは，「シリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハとシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法」である点で共通すると認められる。
　そして，引用発明における「前記ＳＯＩ基板はＲＴＡを受け，このＲＴＡは，典型的に，１２００℃で，水素雰囲気で行われ，犠牲酸化ステップを受け，その酸化ステップは，望ましくは９５０℃の温度によって行われ，酸化ステップに続いて，形成された表面の酸化物を除去し，その後で前記ＳＯＩ基板は同一の条件で再びＲＴＡを受け，前述のように，犠牲酸化ステップを受ける」は，本願補正発明の「前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、第１のＲＴＡ処理を行った後、第１の犠牲酸化処理を行い、その後、第２のＲＴＡ処理を行った後、第２の犠牲酸化処理を行う工程を有し、前記第１及び第２のＲＴＡ処理を、水素ガス含有雰囲気下、１１００℃以上の温度で行い、前記第１及び第２の犠牲酸化処理において、９００℃以上１０００℃以下の温度でバッチ式熱処理炉による熱酸化のみを行うことによって前記ＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去する処理を行う」に相当すると認められる。
　してみると，本願補正発明と引用発明とは，下記（ア）の点で一致し，下記（イ）の点で相違すると認められる。
（ア）一致点
「シリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハとシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
　前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、第１のＲＴＡ処理を行った後、第１の犠牲酸化処理を行い、その後、第２のＲＴＡ処理を行った後、第２の犠牲酸化処理を行う工程を有し、
　前記第１及び第２のＲＴＡ処理を、水素ガス含有雰囲気下、１２００℃の温度で行い、前記第１及び第２の犠牲酸化処理において、９５０℃の温度で熱酸化のみを行うことによって前記ＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去する処理を行う、
　ことを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。」
（イ）相違点
　ａ　相違点１
　本願補正発明においては，ボンドウェーハの一部を剥離した貼り合わせＳＯＩウェーハを製造するまでの段階において，「表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンを」注入して「イオン注入層」を形成し，「前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハの少なくとも一方の表面にプラズマ処理を施した後に」「ボンドウェーハのイオン注入された側の表面を」貼り合わせた後、「熱処理を行わずに、あるいは、剥離しない程度の低温の熱処理を加えた後に前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で機械的な外力を用いて剥離する」のに対し，引用発明における「脆化領域を形成するステップ」，「ドナー及びレシーバー基板を互いに接合するステップ」及び「ドナー基板を脆化領域に沿って分割」するステップそれぞれの内容は明示されていない点。
　ｂ　相違点２
　本願補正発明では，「第１及び第２の犠牲酸化処理」における熱酸化を「バッチ式熱処理炉」による熱酸化のみを行うのに対して，引用発明においては，「犠牲酸化ステップ」での加熱手段については特定されていない点。
（６）相違点についての検討
　ア　相違点１について
　前記（３）イのとおり、引用文献２には、ＳＯＩウェーハの製造方法において、単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成し、イオン注入面を接合し、加熱しないでイオン注入層に流体のジェットの吹き付けによる衝撃を与えて、単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離することが記載されており（引用発明２）、引用発明の「脆化領域を形成するステップ」において、「ドナー基板」（本願補正発明の「ボンドウェーハ」に相当。）内に水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方を注入して「脆化領域」（本願補正発明の「イオン注入層」に相当。）を形成するようにすること、及び引用発明の「ドナー基板を脆化領域に沿って分割」するステップにおいて、「ドナー基板」の一部を、加熱しないで「脆化領域」で機械的な外力を用いて剥離するようにすることは、いずれも、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、前記（４）ウのとおり、ＳＯＩウェーハの製造方法において、２枚のシリコン基板を貼り合わせる際に貼り合わせ面をプラズマ処理することは、周知の技術であるから、引用発明における「ドナーおよびレシーバー基板を互いに接合するステップ」で、「ドナー基板」と「レシーバー基板（本願補正発明の「ベースウェーハ」に相当。）の少なくとも一方の表面にプラズマ処理を施した後に両者を接合することは、当業者が普通に行い得るものといえる。
　以上から、引用発明において、相違点１に係る構成とすることは、引用発明２及び前記周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　イ　相違点２について
　前記（３）イのとおり、引用文献２には、ＳＯＩウェーハの製造方法において、ヒータ加熱式の熱処理炉（バッチ式）により熱処理を行うことが記載されており（引用発明２）、引用発明の「犠牲酸化ステップ」（本願補正発明の「第１及び第２の犠牲酸化処理」に相当。）において、バッチ式熱処理炉による熱酸化を行うようにすることは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認められ、その際に、熱酸化をバッチ式熱処理炉のみによって行うことは、当業者が適宜なし得たものである。
　以上から、引用発明において、相違点２に係る構成とすることは、引用発明２に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
（７）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果は，引用発明の構成から当業者が予測できる程度のもので，格別なものではない。
（８）まとめ
　本願補正発明は，引用文献１及び２に記載の発明並びに周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　むすび 
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年７月１０日にされた手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２７年３月２６日付け手続補正による補正がされた特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。（再掲）
「シリコン単結晶からなるボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入して該ボンドウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とシリコン単結晶からなるベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、前記ベースウェーハ上にＳＯＩ層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する方法であって、
　前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対して、第１のＲＴＡ処理を行った後、第１の犠牲酸化処理を行い、その後、第２のＲＴＡ処理を行った後、第２の犠牲酸化処理を行う工程を有し、
　前記第１及び第２のＲＴＡ処理を、水素ガス含有雰囲気下、１１００℃以上の温度で行い、前記第１及び第２の犠牲酸化処理において、９００℃以上１０００℃以下の温度でバッチ式熱処理炉による熱酸化のみを行うことによって前記ＳＯＩ層表面に熱酸化膜を形成した後、該熱酸化膜を除去する処理を行い、
　前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハの少なくとも一方の表面にプラズマ処理を施した後に前記絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で機械的な外力を用いて剥離することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。」
２　引用発明及び引用発明２並びに周知技術
　引用発明及び引用発明２は，それぞれ前記第２の２（２）イ及び同（３）イで認定したとおりである。また，周知技術は，前記第２の２（４）で認定したとおりである。
３　対比及び判断 
　前記第２の１に記載したとおり，本願発明は，本願補正発明から，平成２７年７月１０日にされた手続補正による補正事項に係る技術的限定（前記第２の１（３）参照。）を取り除いたものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が，前記第２の２（５）ないし（８）に記載したとおり，引用文献１及び２に記載の発明並びに周知技術に基づいて，当業者が容易に発明することができたものであるから，本願発明も，同様の理由により，引用文献１及び２に記載の発明並びに引用文献２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明することができたものである。
　
第４　結言 
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。