【事件の表示】
　特願２０１１−　３３８４０「半導体発光装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月１５日出願公開、特開２０１１−１８１９２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年２月１８日（パリ条約による優先権主張２０１０年２月２６日、２０１０年９月１日、韓国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　２月１８日　特許出願
　平成２６年　１月２３日　手続補正書
　平成２６年１１月１４日　拒絶理由通知（平成２６年１１月１８日発送）
　平成２７年　２月１３日　意見書・手続補正書
　平成２７年　４月　１日　拒絶査定（平成２７年４月７日送達）
　平成２７年　８月　７日　本件審判請求・手続補正書
第２　平成２７年８月７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２７年８月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の概略
（１）　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０とする補正であり、補正前の特許請求の範囲の請求項１と、補正後の特許請求の範囲の請求項１は、それぞれ以下のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に配列され、それぞれが、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層とを有する複数の発光セルと、
　前記複数の発光セルの各々の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つを異なる発光セルの前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つに電気的に連結する配線構造と、
　前記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部と、を含み、
　前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有し、前記領域は前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われることを特徴とする半導体発光装置。」
（補正後）
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に配列され、それぞれが、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層とを有する複数の発光セルと、
　前記複数の発光セルの各々の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つを異なる発光セルの前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つに電気的に連結する配線構造と、
　前記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部と、を含み、
　前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有し、前記領域は前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われ、
前記配線構造は、第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有することを特徴とする半導体発光装置。」
（２）　補正事項の整理
　本件補正の、請求項１についての補正事項は、以下のとおりである。
ア　補正事項ア
　補正前の請求項１に「前記配線構造は、第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有する」との発明特定事項を追加すること。
（３）　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
ア　補正事項アについて
（ア）　補正事項アは、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の【００６６】〜【００７１】、図７〜１１に記載した事項に基づいており、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、補正事項アは、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであって、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
（イ）　補正事項アは、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「配線構造」について、「前記配線構造は、第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有する」との発明特定事項を付加する補正であり、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項アは、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
イ　そこで、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
２　本願補正発明
　本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明は、本件補正による特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に配列され、それぞれが、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層とを有する複数の発光セルと、
　前記複数の発光セルの各々の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つを異なる発光セルの前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つに電気的に連結する配線構造と、
　前記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部と、を含み、
　前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有し、前記領域は前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われ、
前記配線構造は、第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有することを特徴とする半導体発光装置。」
３　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
（１）　原査定の拒絶の理由で引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−３２４９１５号公報（平成１４年１１月８日公開。以下「引用文献１」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【００８３】本発明において、前記蛍光体は、少なくとも前記各発光素子の露出しているｐ側オーミック電極上に塗布されていればよいが、
各発光素子の側面に渡って前記蛍光体を塗布すると、前記側面から発光される光を効率良く色変換することができ、色むらが抑制される。
イ　実施の形態２
「【００９６】・・・
実施の形態２
本実施の形態２に係る集積型窒化物半導体発光素子を図４に示す。前記集積型窒化物半導体素子は、
青色の光を発光することが可能な発光層
【００９７】上記の集積型窒化物半導体素子は、同一基板上にて３原色の画素を有するので、演色性の優れた白色系発光素子が得られる。本発明で用いられる各発光素子は、同一材料からなる半導体層を有し、且つ発光層全体にほぼ均一に電流を注入されるため、前記発光層上に配置された蛍光体に均一に光を供給できる。これにより、発光ムラのない均一な画素を得ることができる。また、本発明に集積型窒化物半導体素子は、各発光素子間の距離は５０μｍ〜１５０μｍが好ましく、より好ましくは５０μｍ〜１００μｍ、更に好ましくは５０μｍ〜８０μｍである。また、このような分離溝はストライプ状に形成され、一方方向に長い発光層を有するため、各画素を均一に混色することができる。
【００９８】また、各素子において蛍光体の塗布量を調整することにより、今まで困難であった微妙な中間色を容易に得ることができる。
・・・」
ウ　「【０１０６】以上の実施の形態１，２，３では、発光素子が３つの場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、２つの発光素子を用いて構成した物であっても良いし、
３以上の発光素子で構成したものであってもよい。
エ　実施例１
「【０１０８】
【実施例】以下、本発明に係る実施例を示す。尚、本発明はこれに限定されるものではない。
［実施例１］
（基板１１）サファイア（Ｃ面）よりなる基板１１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。この基板１１としては他にＲ面、Ａ面を主面とするサファイア基板、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板などでもよい。
（ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２）基板をクリーニング後、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を
成長させる。
【０１０９】基板の温度を５１０℃まで下げ、
基板１１上に
【０１１０】次にバッファ層成長後、温度を１０５０℃まで上昇させ、アンドープＧａＮ層１２１を１．５μｍの膜厚で成長させる。
【０１１１】続いて１０５０℃で、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮ層１２２を２．２μｍの膜厚で成長させる。
【０１１２】続いて１０５０℃で、アンドープＧａＮ層１２３を３０００Åの膜厚で、さらにＳｉを４．５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮ層１２４を３００Å、さらにアンドープＧａＮ層１２５を５０Åの膜厚で成長させる。
【０１１３】続いて同様の温度で、アンドープＧａＮよりなる第１の層を４０Å、温度を８００℃にして、続いてアンドープＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第２の層を２０Åの膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返し、第１＋第２＋の順で交互に１０層ずつ積層させ、最後に第１の層を積層させた、ｎ型多層膜層１２６を成長させる。
（発光層１０）次に
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長後、
発光層１０を積層させる。
（ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１３）
発光層１０成長後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体１３を
成長させる。
【０１１４】次に１０５０℃で、Ｍｇを５×１０１９／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなる第３の層を２５Åの膜厚で成長させ、続いてアンドープＧａＮよりなる第４の層を２５Åの膜厚で成長させ、これらの操作を繰り返し、第３＋第４の順で交互に４層ずつ積層した超格子よりなるｐ型多層膜層を２００Åの膜厚で成長させる。
【０１１５】続いて１０５０℃で、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型ＧａＮよりなる層を２７００Åの膜厚で成長させる。
【０１１６】反応終了後、温度を室温まで下げ、窒素雰囲気中で７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。
【０１１７】以上のようにして窒化ガリウム系化合物半導体を成長させたウエハーを反応容器から取り出し、分離溝を形成する部分を除きウエハ全体にＳｉＯ２マスクを形成し、ＲＩＥによって、サファイア基板に到達するまでエッチングを行うことにより
分離溝を形成する。
【０１１８】さらに分離溝の形成に用いたＳｉＯ２マスクを剥離し、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を露出するために、露出させる部分を除くｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１３の上にＳｉＯ２マスクを形成し、ＲＩＥによって、エッチングを行い、
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２
の表面を露出させる。
【０１１９】次にｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１３のほぼ全面を開口させ、他の部分を覆うようにレジスト塗布し、開口させた
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に
ｐ側オーミック電極１５を形成する。
ｐ側オーミック電極の一部に
ｐ側パッド電極１６を形成する。
【０１２０】次にレジストを除去し、今度は
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に
ｎ側オーミック電極１４を形成する。
【０１２１】次に全面にＳｉＯ２よりなる絶縁保護膜１７を１．５μｍの膜厚で形成し、ｐ側パッド電極とｎ側オーミック電極の一部をＲＩＥにより露出させる。
【０１２２】さらに表面に接続電極を形成する部分を開口させるようにマスク形成して
分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミック電極とを電気的に接続する接続電極
形成する。
【０１２３】最後にＳｉＯ２からなる絶縁保護膜３０を１．５μｍの膜厚で形成し、外部と電気的に接続できるように接続電極２４、２６上の絶縁保護膜３０をＲＩＥでエッチングすることにより除去して集積型窒化物半導体素子を完成させる。
（蛍光体塗布）
次に、
蛍光体
を結着剤にて固着させる。
【０１２４】このようにして作製された複数の素子領域を有するサファイア基板（ウエハ）を、スクライビング及びダイシングし、１０００μｍ×１０００μｍの
第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子が直列に接続された
【０１２５】このような構成を有する
集積型窒化物半導体素子
・・・」
オ　実施例２
「【０１２５】・・・
［実施例２］実施例１において、
第１発光素子１の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して赤色光を発光することが可能な赤色蛍光体７２を結着剤にて固着させ
第３発光素子３の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して緑色光を発光することが可能な緑色蛍光体７４を結着剤にて固着させる
・・・」
カ　「【符号の説明】
１，２，３…発光素子、
１０…発光層、
１１…サファイア基板、
１２…ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層、
１３…ｐ型窒化ガリウム系半導体層、
１４…ｎ側オーミック電極、
１５…ｐ側オーミック電極、
１６…ｐパッド電極、
１７…絶縁保護膜、
７１，７２，７３，７４…蛍光体
２１
接続電極
２４，２６…外部接続電極、
３０…絶縁保護膜、
６１，６２…スルーホール、
４１…分離溝、
１２１…アンドープＧａＮ層、
１２２…ＳｉドープＧａＮ層、
１２３…アンドープＧａＮ層、
１２４…ＳｉドープＧａＮ層、
１２５…アンドープＧａＮ層、
１２６…多層膜層。」
キ　図１のＡ−Ａ’線についての模式的断面図である図２は、次のものである。
ク　本発明に係る実施例２の集積型窒化物半導体発光素子の平面図である図４は、次のものである。
（２）　引用発明１
ア　上記（１）イの「実施の形態２」及び上記（１）オの「実施例２」の記載から、「実施例２」は、「実施の形態２」の実施例であるから、「実施の形態２」の記載を参酌して、「実施例２」に記載された発明を認定する。
イ　上記（１）オの【０１２５】の記載から、「実施例２」は、「実施例１において、第１発光素子１の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して赤色光を発光することが可能な赤色蛍光体７２を結着剤にて固着させ、同様にして、第３発光素子３の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して緑色光を発光することが可能な緑色蛍光体７４を結着剤にて固着させる以外は実施例１と同様に構成する」ものである。
　また、上記（１）エの【０１２４】の記載から、「実施例１」は、「第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子が直列に接続された図１の素子を作製する」ものであり、上記（１）キの図２は、「図１のＡ−Ａ’線についての模式的断面図」である。
　してみれば、上記（１）キの図２は、「実施例１」の素子の「模式的断面図」であるといえる。
　以上より、「実施例２」に記載された発明を認定するにあたり、上記（１）エの「実施例１」の記載、及び上記（１）キの図２も参酌する。
ウ　上記イに鑑みて、上記（１）エの「実施例１」の記載から、引用文献１には、「実施例２」として、次の技術事項が記載されているといえる。
「基板１１上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長させ、
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長後、発光層１０を積層させ、
　発光層１０成長後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体１３を成長させ、
　分離溝を形成し、
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２の表面を露出させ、
　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｐ側オーミック電極１５を形成し、
　ｐ側オーミック電極の一部にｐ側パッド電極１６を形成し、
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｎ側オーミック電極１４を形成し、
　分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミック電極とを電気的に接続する接続電極を形成し、
　次に、蛍光体を結着剤にて固着させることにより形成された、集積型窒化物半導体素子であって、
　第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子が直列に接続された、
　集積型窒化物半導体素子。」
エ　上記アに鑑みて、上記（１）イの「実施の形態２」の記載から、上記ウの「発光層１０」は、「青色の光を発光することが可能な発光層」であるといえる。
オ　上記（１）オの「実施例２」の記載から、上記ウの「蛍光体を結着剤にて固着させ」ることは、「第１発光素子１の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して赤色光を発光することが可能な赤色蛍光体７２を結着剤にて固着させ、第３発光素子３の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して緑色光を発光することが可能な緑色蛍光体７４を結着剤にて固着させ」ることであるといえる。
カ　上記イに鑑みて、上記（１）カの記載及び上記（１）キの図２から、上記ウの「接続電極」は、「接続電極２１」であるといえる。
キ　以上より、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「基板１１上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長させ、
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長後、青色の光を発光することが可能な発光層１０を積層させ、
　発光層１０成長後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体１３を成長させ、
　分離溝を形成し、
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２の表面を露出させ、
　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｐ側オーミック電極１５を形成し、
　ｐ側オーミック電極の一部にｐ側パッド電極１６を形成し、
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｎ側オーミック電極１４を形成し、
　分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミック電極とを電気的に接続する接続電極２１を形成し、
　次に、第１発光素子１の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して赤色光を発光することが可能な赤色蛍光体７２を結着剤にて固着させ、
　第３発光素子３の上面及び端面に、前記青色発光素子からの光を吸収して緑色光を発光することが可能な緑色蛍光体７４を結着剤にて固着させることにより形成された、集積型窒化物半導体素子であって、
　第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子が直列に接続された、
　集積型窒化物半導体素子。」
４　対比
（１）　本願補正発明と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「基板１１」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
イ　引用発明１の「基板１１上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長させ、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２を成長後、青色の光を発光することが可能な発光層１０を積層させ、発光層１０成長後、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体１３を成長させ、分離溝を形成し」た「第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子」と、
　本願補正発明の「前記基板上に配列され、それぞれが、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層とを有する複数の発光セル」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子」は、「基板１１上」に形成したものであるから、本願補正発明の「前記基板上に配列され」た「複数の発光セル」に相当する。
（イ）　引用発明１の「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２」及び「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体１３」は、本願補正発明の「第１導電型半導体層」及び「第２導電型半導体層」に相当する。
（ウ）　引用発明１の「青色の光を発光することが可能な発光層１０」は、「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２」及び「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体１３」の間に積層されるものであるから、本願補正発明の「第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層」の「間に形成され、青色光を放出する活性層」に相当する。
（エ）　してみれば、両者は相当関係にある。
ウ　引用発明１の「分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミック電極とを電気的に接続する接続電極２１」と、
　本願補正発明の「前記複数の発光セルの各々の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つを異なる発光セルの前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つに電気的に連結する配線構造」とを対比する。
（ア）　引用発明１は、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｐ側オーミック電極１５を形成し、ｐ側オーミック電極の一部にｐ側パッド電極１６を形成」するものであるから、引用発明１の「ｐ側パッド電極」は、「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」と電気的に接続するものである。
　引用発明１は、「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層上にｎ側オーミック電極１４を形成」するものであるから、引用発明１の「ｎ側オーミック電極１４」は、「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」と電気的に接続するものである。
　引用発明１の「第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子」は、「分離溝」によって分離されているといえるから、引用発明１の「分離溝を挟むｐ側パッド電極とｎ側オーミック電極」は、１つの「窒化物半導体素子」の「ｐ側パッド電極」と、他の「窒化物半導体素子」の「ｎ側オーミック電極」であるといえる。
　以上より、引用発明１の「接続電極２１」は、１つの「窒化物半導体素子」の「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」と、他の「窒化物半導体素子」の「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」とを電気的に接続するものであるといえる。
（イ）　してみれば、両者は、「前記複数の発光セルの各々の前記第２導電型半導体層を異なる発光セルの前記第１導電型半導体層に電気的に連結する配線構造」である点で一致する。
エ　引用発明１の「『第１発光素子１の上面及び端面に・・・固着させ』た『前記青色発光素子からの光を吸収して赤色光を発光することが可能な赤色蛍光体７２』」及び「『第３発光素子３の上面及び端面に・・・固着させ』た『前記青色発光素子からの光を吸収して緑色光を発光することが可能な緑色蛍光体７４』」と、
　本願補正発明の「前記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部」とを対比する。
（ア）　引用発明１の「前記青色発光素子からの光を吸収して赤色光を発光することが可能な赤色蛍光体７２」は、「赤色の光変換物質」を有するといえるから、本願補正発明の「赤色の光変換物質を有する赤色光変換部」に相当する。
（イ）　引用発明１の「前記青色発光素子からの光を吸収して緑色光を発光することが可能な緑色蛍光体７４」は、「緑色の光変換物質」を有するといえるから、本願補正発明の「緑色の光変換物質を有する緑色光変換部」に相当する。
（ウ）　してみれば、両者は相当関係にある。
オ　引用発明１の「集積型窒化物半導体素子」は、本願補正発明の「半導体発光装置」に相当する。
（２）　以上より、本願補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「基板と、
　前記基板上に配列され、それぞれが、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層とを有する複数の発光セルと、
　前記複数の発光セルの各々の前記第２導電型半導体層を異なる発光セルの前記第１導電型半導体層に電気的に連結する配線構造と、
　前記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部と、を含む、
　半導体発光装置。」
　相違点１：
　本願補正発明では、「前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有し、前記領域は前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われ」るのに対し、
　引用発明１の「接続電極２１」は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点２：
　本願補正発明では、「前記配線構造は、第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有する」のに対し、
　引用発明１の「接続電極２１」は、そのようなものではない点。
５　判断
　以下、上記相違点１〜２について検討する。
（１）　相違点１について検討する。
ア　まず、「前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有」する点について、検討する。
（ア）　上記３（２）イによれば、引用発明１は、上記３（１）エの「実施例１」の記載、及び上記３（１）キの図２を参酌して認定されるものであるところ、引用文献１の【０１２２】の記載に照らして、引用文献１の図２を見ると、引用発明１の「接続電極２１」は、「発光素子」の上面と少なくとも一部の端面上に配置されていることが見てとれる。
　してみれば、引用発明１は、「前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有」する構成を実質的に備えているといえる。
イ　次に、「配線構造」が「配置される領域」は、「前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われ」る点について、検討する。
（ア）　上記３（２）イによれば、引用発明１は、上記３（１）エの「実施例１」の記載、及び上記３（１）キの図２を参酌して認定されるものであるところ、引用文献１の【０１２２】の記載に照らして、引用文献１の図２を見ると、引用発明１の「接続電極２１」は、「発光素子」の上面と少なくとも一部の端面上に配置されていることが見てとれる。
　また、引用発明１の「赤色蛍光体７２」は、「第１発光素子１の上面及び端面に・・・固着」され、「緑色蛍光体７４」は、「第３発光素子３の上面及び端面に・・・固着」されるものであり、しかも、「接続電極２１を形成し、次に、・・・蛍光体・・・を固着させ」るものである。
　してみれば、引用発明１の「接続電極２１」及び「蛍光体」は、ともに「発光素子」の上面及び端面に形成されるものであるところ、「接続電極２１を形成し、次に、・・・蛍光体・・・を固着させ」ることから、引用発明１の「接続電極２１」を覆うように、「蛍光体」を固着させるか否かは、当業者が適宜選択すべきことといえる。
（イ）　引用文献１の【００８３】には、「各発光素子の側面に渡って前記蛍光体を塗布すると、前記側面から発光される光を効率良く色変換することができ、色むらが抑制される。」と記載されており、蛍光体を塗布しない面から発光される光によって、色むらが生じることが示唆されているといえる。
　仮に、引用発明１の「接続電極２１」を覆わないように、「蛍光体」を固着させる場合、「接続電極２１」と「蛍光体」との位置合わせにズレが生じると、蛍光体を塗布しない面から光が放射され、色むらが生じることは、当業者にとって明らかである。
　一方、引用発明１の「接続電極２１」を覆うように、「蛍光体」を固着させる場合、「接続電極２１」と「蛍光体」との位置合わせのズレに関係なく、蛍光体を塗布しない面から光が放射されることはなく、色むらが抑制されることとなる。
（ウ）　そして、発光素子の上面及び端面に蛍光体を形成する発光装置において、配線が配置される領域が覆われるように蛍光体を形成することは、本願の最先の優先日時点で周知の技術（必要ならば、原査定で引用した特開２００６−３２４６６７号公報（特に「インターコネクション部７１７」、「蛍光体７１８」、【０１１３】〜【０１１６】、図１５）、原査定で引用した特開２００５−７９２０２号公報（特に「ブリッジ配線３０」、「蛍光体膜４８」、【００２４】〜【００３８】、図１〜２）、特開２００５−２５２２２２号公報（特に「ブリッジ配線２３４Ａ」、「ブリッジ配線２３４Ｂ」、「蛍光体膜２０８」、【００５６】〜【００７２】、図１５）参照。）（以下「周知技術１」という。）である。
（エ）　してみれば、引用発明１において、色むらを抑制すべく、上記周知技術１を採用して、「配線構造」が「配置される領域」は、「前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われ」る構成とすることに、格別の困難性はない。
ウ　以上より、引用発明１において、上記周知技術１を採用して、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（２）　相違点２について検討する。
ア　引用発明１は、「第１発光素子、第２発光素子、及び第３発光素子からなる３つの窒化物半導体素子が直列に接続された」ものであるが、引用文献１の【００９８】〜【０１０５】、図６の実施形態３には、「発光素子」を「並列接続」することが記載されており、引用文献１の【０１０６】には、「３以上の発光素子で構成したものであってもよい。」旨が記載されている。
イ　一般に、複数の発光素子を有する発光装置において、複数の発光素子の接続方法として、直列接続、並列接続以外に、直並列に接続することは常套手段であって、どのような接続方法とするかは、発光素子の輝度特性、電流−電圧特性等を考慮して、当業者が適宜決定すべきものといえる。
ウ　そして、複数の発光素子を直並列に接続する発光装置において、複数の発光素子を電気的に連結する配線構造として、「第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有する」ものは、本願の最先の優先日時点で周知の技術（必要ならば、特開２００５−２５２２２２号公報（特に「カソード給電端子２３０」及び「カソード給電端子２３０」に接続されている「配線２３６Ａ」、「ｎ側電極２２６」、図１５）、特開２００６−７３８１５号公報（特に「配線膜３」、図２〜３）、特開２００６−３２４４３３号公報（特に「配線膜３」、図１）、韓国公開特許第１０−２００７−００６３９７７号公報（特に、ステップカバー（Step Cover）によって形成された配線（７０）、図６）参照。）（以下「周知技術２」という。）である。
エ　してみれば、引用発明１において、発光素子の輝度特性、電流−電圧特性等を考慮して、複数の発光素子を直並列に接続する上記周知技術２の配線構造を採用して、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（３）　作用効果について
　本願補正発明が奏する作用効果は、引用発明１、引用文献１の記載事項及び上記周知技術１〜２に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。 
６　小括
　以上によれば、本願補正発明は、当業者が引用発明１、引用文献１の記載事項及び上記周知技術１〜２に基いて容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
７　本件補正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２７年８月７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２７年２月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に配列され、それぞれが、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層と、その間に形成され、青色光を放出する活性層とを有する複数の発光セルと、
　前記複数の発光セルの各々の前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つを異なる発光セルの前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層のうち少なくとも１つに電気的に連結する配線構造と、
　前記複数の発光セルが成す発光領域のうち少なくとも一部に形成され、赤色の光変換物質を有する赤色光変換部及び緑色の光変換物質を有する緑色光変換部のうち少なくとも１つを含む光変換部と、を含み、
　前記配線構造は、前記複数の発光セルのいずれか１つの上面と少なくとも一部の側面上に配置される領域とを有し、前記領域は前記赤色光変換部及び緑色光変換部のいずれか１つによって、覆われることを特徴とする半導体発光装置。」
２　引用文献１の記載事項、及び引用発明１
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項、及び引用発明１は、上記第２の［理由］「３　引用文献１の記載事項、及び引用発明１」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、上記第２の［理由］「２　本願補正発明」で検討した本願補正発明から、
「前記配線構造は、第１及び第２配線構造を有し、第１及び第２配線構造のうちの少なくとも１つは発光セルの幅より長く延長され、前記配線構造と複数の発光セルとを連結する連結部を有する」との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明１との相違点は、上記第２の［理由］「４　対比」（２）の相違点１のみとなり、上記第２の［理由］「５　判断」と同様の理由により、本願発明は、引用発明１、引用文献１の記載事項及び上記周知技術１から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　小括
　以上によれば、本願発明は、当業者が引用発明１、引用文献１の記載事項及び上記周知技術１に基いて容易に発明をすることができたものである。
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。