【事件の表示】
　特願２０１２−５１５５０９「構造化された金属性被覆物を製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月２９日国際公開、ＷＯ２０１０／１４９５７９、平成２４年１２月　６日国内公表、特表２０１２−５３１０３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年（２０１０年）６月１８日（パリ条約による優先権主張　平成２１年６月２２日　欧州特許庁）を国際出願日とする特願２０１２−５１５５０９号であって、平成２５年１２月１７日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年６月２日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされたが、同年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年６月２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「太陽電池の製造用の半導体材料を含むウエハー上に、構造化された導電性被覆物を製造するための方法であって、以下の工程：
（ａ）ウエハーの表面に、表面−疎水化物質の単層又はオリゴ層を施す工程、
（ｂ）予め規定されたパターンに従って、ウエハー上に、導電性粒子を含む物質を印刷する工程、
　を含むことを特徴とする方法。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−８０６９４号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、素子製造方法及び製造装置に係り、特にインクジェット式記録装置などの液体塗布装置を用いて、基板上に任意のパターンを形成する方法及び装置の改良に関する。
【０００２】また、本発明は、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、並びに非接触型カード媒体に関する。」
　
「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明のパターン形成方法は、
機能性成分を含有した液体を基板上にインクジェットにより吐出して機能性膜パターンを形成する方法
　
「【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態による膜パターン形成方法について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態による膜パターンの形成方法による製造工程の説明図である。
【００２７】＜１−１．第１実施形態：導電膜＞第１実施形態として、本発明の膜パターン形成方法の一例である導電膜パターン形成方法について説明する。本実施形態に係る導電膜パターン形成方法は、表面処理工程と塗布工程と熱処理工程から構成される。
【００２８】（表面処理工程）まず、図１（Ｓ１）に示すように、
導電膜パターンを形成すべき基板１０１の表面にフルオロアルキルシランなどからなる自己組織化膜を形成することにより、導電性微粒子を含有した液体に対する所定の接触角を持つように処理する。
【００２９】
基板１０１としては、Ｓｉウエハー
を用いることができ
【００３０】
基板表面を処理するための有機分子膜は、基板に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基板の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基と、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００３１】自己組織化膜とは基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００３２】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００３３】このような自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組合せて使用しても、本発明の所期の目的を損なわなければ制限されない。また、本発明においては、前記の自己組織化膜を形成する化合物として、前記ＦＡＳを用いるのが、基板との密着性及び良好な撥液性を付与する上で好ましい。
【００３４】ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板（ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００３５】次いで、親液部について述べる。後述する紫外光などにより自己組織化膜が除去された領域は、ヒドロキシル基が表面に存在する。このため、ＦＡＳの領域に比べて非常に濡れ易い性質を示す。従って、基板全面にＦＡＳを形成した後に、一部の領域のＦＡＳを除去すると、その領域は親液性を示す。
【００３６】自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板１０１とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板１０１上に形成される（Ｓ１）。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板１０１上に形成される。以上に述べたのは、気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。
【００３７】なお、自己組織化膜を形成する前に、基板表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりして、前処理を施すことが望ましい。」
　
「【００３８】（塗布工程）次に、図１（Ｓ２）に示すように、
導電性微粒子を含有する液体２１を上記基板１０１上にインクジェット方式で塗布する。
【００３９】ここで用いられる微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。本実施形態では、これらの微粒子を溶媒に分散させた液体を用いる。微粒子を分散させるために、微粒子表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。また、基板に塗布するにあたり、溶剤への分散しやすさとインクジェット法の適用の観点から、微粒子の粒径は５０ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。」
　
「【００４７】（熱処理工程）図１（Ｓ３）に示すように、微粒子分散液２１が所定パターンに塗布された基板１０１は、溶媒を除去し、微粒子間の電気的接触をよくするために、熱処理に供される。熱処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行なうこともできる。上記の熱処理の処理温度は溶媒の沸点（蒸気圧）、圧力および微粒子の熱的挙動により適宜定めればよく、特に限定されるものではないが室温以上３００℃以下で行なうことが望ましい。プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。」
　
「【００４９】以上の工程により
導電膜２２
導電膜パターン
　
「【０１０７】＜４−１．応用例１：導電膜を用いた液晶装置＞第１の応用例として、
本発明の電気光学装置の一例である液晶装置
　
「【０１１１】本応用例では、上記第１基板３００上に設けられた信号配線部分３１０ｂ…、第１引き回し配線３３１…、第２引き回し配線３３２…が、各々上記膜パターン形成装置を用いて、第１実施形態に係る導電膜パターン形成方法によって形成されている。本液晶装置によれば、上記各配線類の断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な液晶装置とすることができる。」
　
「【０１４４】また、本発明によれば、配線部やアンテナの断線や短絡等の不良が生じにくく、しかも、小型化、薄型化が可能な
電気光学装置、及びこれを用いた電子機器、並びに非接触型カード媒体
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載（図面の記載も含む）を総合すれば、引用例１には、
「液晶装置等の電気光学装置におけるＳｉウエハー基板１０１の表面に導電膜パターンを形成する方法であって、
　基板１０１の表面に、基板に結合して自己組織化し、膜の表面に撥液性を付与する単分子膜を形成し、
　導電性微粒子を含有する液体２１を上記基板１０１の上記の膜上にインクジェット方式で塗布し、機能性膜パターンである導電膜２２を形成する方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
第４　本願発明と引用発明の対比、及び、当審の判断
１　ここで、本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明における「液晶装置等の電気光学装置」と、本願発明の「太陽電池」は、「電気光学装置」である点で一致する。また、引用発明の「Ｓｉウエハー基板１０１」及び「導電膜パターン」が、それぞれ、本願発明の「半導体材料を含むウエハー」及び「構造化された導電性被覆物」に相当するから、引用発明の「液晶装置等の電気光学装置におけるＳｉウエハー基板１０１の表面に導電膜パターンを形成する方法」と、本願発明の「太陽電池の製造用の半導体材料を含むウエハー上に、構造化された導電性被覆物を製造するための方法」とは、「電気光学装置の製造用の半導体材料を含むウエハー上に、構造化された導電性被覆物を製造するための方法」である点で一致する。
　
（２）本願発明の「表面−疎水化物質の単層又はオリゴ層」という選択的記載を勘案すれば、引用発明の「膜の表面に撥液性を付与する単分子膜」が、本願発明の「表面−疎水化物質の単層又はオリゴ層」に相当するから、引用発明の「基板１０１の表面に、基板に結合して自己組織化し、膜の表面に撥液性を付与する単分子膜を形成」すること（工程）が、本願発明の「ウエハーの表面に、表面−疎水化物質の単層又はオリゴ層を施す工程」に相当する。
　
（３）引用発明の「導電性微粒子を含有する液体２１」が、本願発明の「導電性粒子を含む物質」に相当し、また、引用発明の「インクジェット方式で塗布」することが、本願発明の「印刷する」ことに相当するから、引用発明の「導電性微粒子を含有する液体２１を上記基板１０１の上記の膜上にインクジェット方式で塗布し、機能性膜パターンである導電膜２２を形成する」こと（工程）が、本願発明の「予め規定されたパターンに従って、ウエハー上に、導電性粒子を含む物質を印刷する工程」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「電気光学装置の製造用の半導体材料を含むウエハー上に、構造化された導電性被覆物を製造するための方法であって、以下の工程：
（ａ）ウエハーの表面に、表面−疎水化物質の単層又はオリゴ層を施す工程、
（ｂ）予め規定されたパターンに従って、ウエハー上に、導電性粒子を含む物質を印刷する工程、
　を含む方法。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
３　相違点
　発明の適用対象である電気光学装置が、本願発明においては「太陽電池」であるのに対して、引用発明においては、「液晶装置等」である点。
　
４　当審の判断
（１）相違点の検討
　「太陽電池」及び「液晶装置」は、基板上に微細化した電極の形成を必要とする点で共通しており（太陽電池において微細化した電極の形成が必要な点については、必要とあらば、特開２００１−１８９４７１号公報（【０００３】）、特開平６−２０９９９号公報（【０００５】）参照）、電極の形成などについての技術が相互に適用され合うことが知られている（特開２００９−１０４８０７号公報（【０００３】、【００４２】）参照）。
　液晶装置等の電気光学装置に用いられる引用発明についても、微細な電極を形成する技術であるといえるから、微細化した電極の形成を必要とする太陽電池に適用し、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）本願発明によってもたらされる効果
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　結言
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。