【事件の表示】
　特願２００９−１２４１４１「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月　２日出願公開、特開２０１０−２７２７３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２１年５月２２日の出願であって、平成２６年３月１７日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年７月２５日付けで手続補正がなされたが、平成２７年２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１５日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
 　 
第２　平成２７年６月１５日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２７年６月１５日付けの手続補正を却下する。 
［理　由］ 
１．補正後の本願発明 
　平成２７年６月１５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】
　開口部を有する絶縁基材と、
　前記開口部に設けられた半導体チップと、
　前記絶縁基材の一方の面に、前記開口部を覆うように積層され、前記開口部の内部で前記半導体チップが接着層を介して固定され
、前記開口部内に露出している表面が前記絶縁基材の一方の面と実質的に同一平面上にある
　前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と、
　前記絶縁基材の一
方の
　前記外部電極と前記半導体チップとを電気的に接続する導通体とを有する、半導体装置。」 
と補正された。
　上記補正は、実質的に請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「絶縁層」について、「前記開口部内に露出している表面が前記絶縁基材の一方の面と実質的に同一平面上にある」旨の限定を付加するものである。 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
２．独立特許要件について
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 
２−１．特許法第３６条第６項第２号違反
（１）請求項１において、「・・前記開口部内に露出している表面が前記絶縁基材の一方の面と
実質的に
　よって、本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
２−２．特許法第２９条第２項
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平８−２３６６６５号公報（以下、「引用例」という。）には、「樹脂封止型半導体装置」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
　ア．「【請求項１】  
両面銅張りした樹脂基板の上面側に設けたＩＣチップの接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極とをスル−ホ−ルを介して接続し、前記パッド電極には半田パンプを設けると共に前記樹脂基板の上面を樹脂封止してなる半導体装置に於いて、前記樹脂基板のＩＣチップ搭載部に貫通穴を設けると共に、該貫通穴内に前記ＩＣチップを配設し
た事を特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　 
　イ．「【００１０】
【実施例】図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の実施例であるＰＢＧＡの断面図であり図３に示すＰＢＧＡと同一部材には同一番号を付し説明を省略する。図１に示すＰＢＧＡ１５０に於いて図３にしめすＰＢＧＡ１５との違いは
樹脂基板１の貫通穴５０をＩＣチップ９の径よりも大きく形成し、その貫通穴５０の中にＩＣチップ９を直接配置する
２０はＩＣチップ９の裏面と半田バンプ１３との密着力を改善する為に塗布された銀ペ−スト層、２１は半田バンプ１３の形成と回路基板７の防湿処理を兼ねたレジスト・フィルム
　 
　ウ．「【００１４】更に前記図１に示す如く、
回路基板７の下面側に各パッド電極３及びＩＣチップ９の半田バンプ形成部に円形の窓穴を有する耐熱性のレジスト・フィルム２１を張り、該レジスト・フィルム２１の各窓穴に半田ボ−ルを供給した後、加熱処理を行って半田バンプ１３を形成する
　 
　・上記引用例に記載の「樹脂封止型半導体装置」は、上記「ア．」の記載事項、及び図１によれば、両面銅張りした樹脂基板１の上面側に設けたＩＣチップの接続電極２と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極３とをスル−ホ−ル４を介して接続し、パッド電極３には半田パンプ１３を設けると共に樹脂基板１の上面を封止樹脂１２で樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置に関し、樹脂基板１のＩＣチップ搭載部に貫通穴５０を設けると共に、貫通穴５０内にＩＣチップ９を配設してなるものである。
　・上記「イ．」、「ウ．」の記載事項、及び図１によれば、樹脂基板１（回路基板７）の下面側には、各パッド電極３の形成部に円形の窓穴を有するレジスト・フィルム２１が貫通穴５０を覆うように張られ、レジスト・フィルム２１の各窓穴に半田バンプ１３を形成してなるものである。
　・上記「イ．」の記載事項、及び図１によれば、ＩＣチップ９の裏面には銀ペースト層２０が塗布されている。そのため、ＩＣチップ９は、銀ペースト層２０を介してレジスト・フィルム２１上に配設されているといえる。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「両面銅張りした樹脂基板の上面側に設けたＩＣチップの接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極とをスル−ホ−ルを介して接続し、前記パッド電極には半田パンプを設けると共に前記樹脂基板の上面を封止樹脂で樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置であって、
　前記樹脂基板のＩＣチップ搭載部には貫通穴が設けられ、
　前記樹脂基板の下面側には、前記パッド電極の形成部に円形の窓穴を有するレジスト・フィルムが前記貫通穴を覆うように張られ、当該レジスト・フィルムの前記窓穴に前記半田バンプが形成され、
　前記樹脂基板の貫通穴内に銀ペースト層を介してＩＣチップが前記レジスト・フィルム上に配設されてなる樹脂封止型半導体装置。」 
　 
（２）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
　ア．引用発明における「前記樹脂基板のＩＣチップ搭載部には貫通穴が設けられ」によれば、
　引用発明における「樹脂基板」、「貫通穴」は、それぞれ本願補正発明における「絶縁基材」、「開口部」に相当し、
　本願補正発明と引用発明とは、「開口部を有する絶縁基材と」を有するものである点で一致する。
　
　イ．引用発明における「前記樹脂基板の貫通穴内に銀ペースト層を介してＩＣチップが前記レジスト・フィルム上に配設されてなる・・」によれば、
　引用発明における「ＩＣチップ」は、本願補正発明における「半導体チップ」に相当し、
　引用発明の「ＩＣチップ」は、樹脂基板の貫通穴内に配設されるものであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記開口部に設けられた半導体チップと」を有するものである点で一致する。
　
　ウ．引用発明における「前記樹脂基板の下面側には、前記パッド電極の形成部に円形の窓穴を有するレジスト・フィルムが前記貫通穴を覆うように張られ、・・・・前記樹脂基板の貫通穴内に銀ペースト層を介してＩＣチップが前記レジスト・フィルム上に配設されてなる・・」によれば、
　引用発明における、樹脂基板の「下面」は、本願補正発明でいう、絶縁基材の「一方の面」に相当し、
　引用発明における「レジスト・フィルム」は、絶縁性のものであることは技術常識であり、本願補正発明における「絶縁層」に相当するといえ、
　また、引用発明の「レジスト・フィルム」は、樹脂基板の貫通穴を覆うように張られてなるものであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記絶縁基材の一方の面に、前記開口部を覆うように積層され、前記開口部の内部で前記半導体チップが所定の層を介して配設された絶縁層と」を有するものである点では共通するということができる。
　ただし、本願補正発明では、所定の層が「接着層」であり、半導体チップがかかる「接着層」を介して絶縁層に「固定」されるものである旨特定するのに対し、引用発明では、所定の層が「銀ペースト層」であり、絶縁層に「固定」される旨の明確な特定を有していない点、及び、絶縁層について、本願補正発明では、「前記開口部内に露出している表面が前記絶縁基材の一方の面と実質的に同一平面上にある」と特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定を有していない点で相違するといえる。
　エ．引用発明における「・・前記樹脂基板の上面を封止樹脂で樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置であって」によれば、
　引用発明における、樹脂基板の「上面」は、本願補正発明でいう、絶縁基材の「他方の面」に相当し、
　また、引用発明における「封止樹脂」は、本願補正発明における「封止樹脂層」に相当し、
　引用発明にあっても、樹脂基板の貫通穴内にはＩＣチップが配設されており、当然、これらを含めて樹脂基板の上面が封止樹脂で樹脂封止されるものである（引用例の図１も参照）から、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と」を有するものである点で一致するといえる。
　
　オ．引用発明における「両面銅張りした樹脂基板の上面側に設けたＩＣチップの接続電極と、下面側に設けた外部接続用のパッド電極とをスル−ホ−ルを介して接続し、前記パッド電極には半田パンプを設けると共に・・」、「前記樹脂基板の下面側には、前記各パッド電極の形成部に円形の窓穴を有するレジスト・フィルムが前記貫通穴を覆うように張られ、当該レジスト・フィルムの前記窓穴に前記半田バンプが形成され」によれば、
 (a)引用発明における「半田バンプ」は、本願補正発明でいう「外部電極」に相当し、
　引用発明の「半田バンプ」も、当然、レジスト・フィルムから露出するように設けられてなるものであるから、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記絶縁基材の一方の面に配置され、前記絶縁層から露出するように設けられた外部電極と」を有するものである点で一致する。
 (b)また、引用発明における「ＩＣチップの接続電極」、「外部接続用のパッド電極」、及びこれら両電極を接続する「スルーホール」によって、ＩＣチップと半田ボールが電気的に接続されることから、これら両電極とスルーホールとから構成されるものが、本願補正発明でいう「導通体」に相当するといえ、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記外部電極と前記半導体チップとを電気的に接続する導通体と」を有するものである点でも一致する。
　
　カ．そして、引用発明における「樹脂封止型半導体装置」は、本願補正発明でいう「半導体装置」に相当するものである。
　　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、 
「開口部を有する絶縁基材と、
　前記開口部に設けられた半導体チップと、
　前記絶縁基材の一方の面に、前記開口部を覆うように積層され、前記開口部の内部で前記半導体チップが所定の層を介して配設された絶縁層と、
　前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と、
　前記絶縁基材の一方の面に配置され、前記絶縁層から露出するように設けられた外部電極と、
　前記外部電極と前記半導体チップとを電気的に接続する導通体とを有する、半導体装置。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
［相違点１］
　絶縁層への半導体チップの所定の層を介しての配設について、本願補正発明では、「接着層」を介して「固定」されたものである旨特定するのに対し、引用発明では、銀ペースト層を介して配設されたものである点。
　
［相違点２］
　絶縁層について、本願補正発明では、「前記開口部内に露出している表面が前記絶縁基材の一方の面と実質的に同一平面上にある」と特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定を有していない点。
　
（３）判断 
　上記相違点について検討する。 
［相違点１］について
　銀ペーストは、例えば原査定において提示した特開２００７−１９１１６号公報の段落【００１７】、さらには特開平２−１３５７４５号公報の２頁左上欄５〜９行に記載されているように「接着剤」といえるものでもあることは技術常識であり、請求人も審判請求書において認めているように、引用発明の「銀ペースト層」は、「接着層」としても機能するものであることから、引用発明においても、ＩＣチップが接着層を介してレジスト・フィルムに固定されたものとすることは当業者が容易に想到し得ることである。　
　
［相違点２］について
　引用発明におけるレジスト・フィルムにあっても、明確な特定はないが、引用例の段落【００１０】、【００１４】の記載及び図１によると、樹脂基板の下面側にレジスト・フィルムを張っていることから、樹脂基板の貫通穴内に露出している表面（上面）のうち、少なくとも樹脂基板の下面と接する近傍部分（ＩＣチップが配設されていない表面部分）については、樹脂基板の下面と同一平面上にあると認められ、この点において当該相違点２は実質的な相違点ではないといえる。
　なお、そもそも本願補正発明における、絶縁層における開口部内に露出している表面が絶縁基材の一方の面と実質的に同一平面上にあるとする上記特定事項でもって、格別の効果が得られるものでもない。
　
　そして、本願請求項１には、「絶縁層」と「封止樹脂層」についてその厚さと熱膨張係数の関係について何ら特定がなされていないばかりか、「絶縁層」についてはどのような材料からなるものであるのかさえ特定がなされていないことを考慮すれば、本願補正発明が奏するといえる効果（すなわち、薄型化）は、引用発明から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　 
（４）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３．本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について 
　平成２７年６月１５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年７月２５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　開口部を有する絶縁基材と、
　前記開口部に設けられた半導体チップと、
　前記絶縁基材の一方の面に、前記開口部を覆うように積層され、前記開口部の内部で前記半導体チップが接着層を介して固定された絶縁層と、
　前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と、
　前記絶縁基材の一面に配置され、前記絶縁層から露出するように設けられた外部電極と、
　前記外部電極と前記半導体チップとを電気的に接続する導通体とを有する、半導体装置。」
 　 
１．引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２　２−２．（１）」に記載したとおりである。 
 　 
２．対比・判断 
　本願発明は、実質的に前記「第２　２−２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「絶縁層」について、「前記開口部内に露出している表面が前記絶縁基材の一方の面と実質的に同一平面上にある」旨の限定を省いたものに相当する。 
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　２−２．（３）」に記載したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。