Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月27日(2020.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属の平坦な連続ピースから形成したジグザグ形状で単一の第１のコイルを有する誘導子において、
このコイルは、この誘導子の第１側部に隣接する第１端部およびこの誘導子の前記第１側部から離間して延在する第２端部を有する第１部分、および、
この誘導子の第２側部に隣接する第一端部およびこの誘導子の前記第２側部から離間して延在する第二端部を有する第３部分が在って、
この誘導子の前記第１側部とこの誘導子の前記第２側部とは互いにこの誘導子の反対側の側部になり、
前記第１部分の少なくとも一部の内側部分は前記第３部分の少なくとも一部の内側部分に対向しており、且つ前記第１部分と前記第３部分との間に空間を形成してあり、
前記第１部分の前記第２端部と前記第３部分の前記第二端部とを接続する第２部分が在って、この第２部分は前記第１部分と前記第３部分との間の前記空間を横断しており、そして、前記第２部分は第１部位で前記第１部分に接続して且つ前記第２部分は第２部位で前記第３部分に接続し、前記第１部位は前記第２部位よりもこの誘導子の前記第２側部の近くにあり、
さらに、
この誘導子の第３側部とこの誘導子の第４側部とは互いにこの誘導子の反対側の側部になり、前記第１部分にはこの誘導子の外側の前記第３側部に向けて円弧を描く形状があり且つ前記第３部分にはこの誘導子の外側の前記第４側部に向けて円弧を描く形状があり、
そしてさらに、
前記コイルの前記第１部分の前記第１端部から延在する第１リード部、
前記コイルの前記第３部分の前記第一端部から延在する第２リード部、および
前記コイルの周囲と、前記第１リード部および前記第２リード部の一部の周囲とを取り囲んでプレスされた磁性粉体プレス材を有する本体を構成することを特徴とする誘導子。
【請求項２】
前記第２部分が前記コイルの中心領域を横断する請求項１に記載の誘導子。
【請求項３】
前記第１部分および前記第３部分が前記コイルの中心領域から円弧状に離間する請求項２に記載の誘導子。
【請求項４】
前記コイルが全体としてＳ字形、Ｚ字形またはＮ字形を取る請求項１に記載の誘導子。
【請求項５】
前記コイルが前記第１リード部の少なくとも一部および前記第２リード部の少なくとも一部での厚さに比べて厚さを増やした領域を有する請求項１に記載の誘導子。
【請求項６】
前記厚さを増やした領域が前記第１リード部の一部と前記第２リード部の一部との間に延在する請求項５に記載の誘導子。
【請求項７】
前記コイルを折りたたまれた導体から形成し、第１層および第２層を形成した請求項１に記載の誘導子。
【請求項８】
さらに、前記第１層と前記第２層との間に絶縁材を有する請求項７に記載の誘導子。
【請求項９】
前記第１リード部および第２リード部の一部を前記本体から延在させ、前記本体の周囲に折り曲げ、前記本体の表面に表面実装部分を形成した請求項１に記載の誘導子。
【請求項１０】
前記リード部が前記コイルから別々に形成し、前記コイルに取り付ける表面実装リード部として形成された請求項１に記載の誘導子。
【請求項１１】
前記コイルを平面にそって設ける請求項１に記載の誘導子。
【請求項１２】
前記コイルおよび前記リード部の少なくとも一部を同じ平面にそって設ける請求項１１に記載の誘導子。
【請求項１３】
抵抗を最小化し、かつインダクタンスを最適化した状態で前記誘導子の前記本体内で利用できる前記空間に嵌合するように前記コイルの経路長さが最適化するようにコイル形状を構成する請求項１に記載の誘導子。
【請求項１４】
前記第２部分が、前記誘導子の第１角部の近くから前記誘導子の反対側にある第２角部の近くまで延在する請求項１に記載の誘導子。
【請求項１５】
誘導子を製造する方法において、
この誘導子の第１側部に対してこの誘導子の反対側になる側部をこの誘導子の第２側部とし、且つ、この誘導子の第３側部に対してこの誘導子の反対側になる側部をこの誘導子の第４側部とし、
コイルから第１リード部および第２リード部が延在し、前記コイルは、
この誘導子の前記第１側部に隣接する第１端部とこの誘導子の前記第１側部から離間して延在する第２端部とを有する第１部分に、この誘導子の外側の前記第３側部に向けて円弧を描く形状があり、且つ、
この誘導子の前記第２側部に隣接する第一端部とこの誘導子の前記第２側部から離間して延在する第二端部とを有する第３部分に、この誘導子の外側の前記第４側部に向けて円弧を描く形状が在って、
平坦な導電材を成形することによってジグザグ形状に連続する単一の第１の前記コイルの導体を形成する工程、
前記第１部分の少なくとも一部の内側部分を前記第３部分の少なくとも一部の内側部分に対向させて前記第１部分と前記第３部分との間に空間を形成する工程、
前記第１部分の前記第２端部と前記第３部分の前記第二端部とを接続する第２部分が在って、そして、この第２部分が第１部位で前記第１部分に接続して且つ前記第２部分が第２部位で前記第３部分に接続し、さらに、前記第１部位が前記第２部位よりもこの誘導子の前記第２側部の近くにあるように、前記第２部分が前記第１部分と前記第３部分との間の前記空間を横断する工程、
前記コイルと前記第１リード部の一部と前記第２リード部の一部との周囲に磁性粉体をプレスすることによって、前記コイルと前記第１リード部の一部と前記第２リード部の一部とを取り囲む本体を形成する工程、
前記第１リード部および前記第２リード部の外側部分を前記本体の周囲に設け、表面実装部分を形成する工程を有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記コイルをスタンピング、切断、折りたたみ、またはそれらの組み合わせによって形成する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記コイルが前記第１リード部の少なくとも一部および前記第２リード部の少なくとも一部での厚さに比べて厚さを増やした領域を有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記厚さを増やした領域が前記第１リード部の一部と前記第２リード部の一部との間に延在する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、前記導体を折りたたんで第１層および第２層を形成してから、前記第１のコイルを形成する請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、前記第１層と前記第２層との間に絶縁材を設ける請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
さらに、前記コイルから別々に前記第１リード部および前記第２リード部を形成し、これら第１リード部および第２リード部を前記コイルに取り付ける請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
ジグザグ形状の第１のコイルの導体を形成する工程で、この導体をＳ字形、Ｚ字形、あるいはＮ字形に形成する請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２部分が前記コイルの中心領域を横断する請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１部分および第３部分が前記コイルの中心領域から円弧状に離間する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記コイルを平面にそって設ける請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月10日(2020.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のゲートフィンガーを含むゲートと、
前記複数のゲートフィンガーとインターロックする複数の半導体ピラーを含むボディと、
前記ボディに結合された複数の裏面接点と、
前記複数の裏面接点を介して前記ボディに結合された裏面金属被覆とを備える、集積回路。
【請求項２】
前記複数のゲートフィンガーがポリシリコン材料を含む、請求項1に記載の集積回路。
【請求項３】
前記複数のゲートフィンガーと前記複数の半導体ピラーとの間のゲート誘電体と、
第1のプレートとして前記複数のゲートフィンガーと、第2のプレートとして前記複数の半導体ピラーと、キャパシタ誘電体として前記ゲート誘電体とを含むキャパシタと、をさらに含む、請求項1に記載の集積回路。
【請求項４】
前記複数の裏面接点が複数の接点プラグを備え、各接点プラグが前記ボディと前記裏面金属被覆との間に結合され、前記裏面金属被覆が前記複数の接点プラグに直接結合される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項５】
前記複数の裏面接点と前記ボディとの間に直接、裏面シリサイドをさらに備え、
前記裏面シリサイドが、前記ボディ上に直接、複数の離散要素を備えるか、または前記裏面シリサイドが前記ボディ上に連続層を備える、請求項1に記載の集積回路。
【請求項６】
前記ゲートの第1の側に近接した前記ボディの第1のドープ領域と、
前記ゲートの前記第1の側に対向する第2の側に近接した前記ボディの第2のドープ領域とをさらに備え、
前記第1のドープ領域がソース領域であり、前記第2のドープ領域がドレイン領域である、請求項1に記載の集積回路。
【請求項７】
埋込み酸化物(BOX)層と、
前記埋込み酸化物層を支持する裏面誘電体層であって、前記ボディが前記埋込み酸化物層を通って延びて前記裏面誘電体層によって支持され、前記複数の裏面接点および前記裏面金属被覆が前記裏面誘電体層内にある、裏面誘電体層、又は、
前記埋込み酸化物層を支持する裏面誘電体層であって、前記ボディが前記埋込み酸化物層内に延び、前記複数の裏面接点が前記埋込み酸化物層内に延びて、前記ボディおよび前記裏面金属被覆に結合する、裏面誘電体層、とをさらに備える、請求項1に記載の集積回路。
【請求項８】
埋込み酸化物層を通して前記ゲートの第1の部分が延びる埋込み酸化物層であって、前記第1の部分が前記複数のゲートフィンガーに結合する、埋込み酸化物層と、
前記埋込み酸化物層を支持する裏面誘電体層とをさらに備える、請求項1に記載の集積回路。
【請求項９】
無線周波数(RF)フロントエンドモジュールに組み込まれ、前記RFフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも1つに組み込まれる、請求項1に記載の集積回路。
【請求項１０】
集積回路を構築する方法であって、
複数の半導体ピラーを含むボディを形成するために絶縁層内部の半導体層をエッチングするステップと、
前記絶縁層の前面上および前記複数の半導体ピラーの表面上に誘電体材料層を堆積させるステップと、
複数のゲートフィンガーを含むゲートを形成するために、前記誘電体材料層上および前記複数の半導体ピラーを分離する複数のトレンチ内に半導体材料を堆積させるステップであって、前記複数のゲートフィンガーが前記複数の半導体ピラーとインターロックする、ステップと、
前記絶縁層の前記前面上の前面誘電体層にハンドル基板を接合するステップと、
前記絶縁層の裏面を支持する裏面誘電体層内に裏面金属被覆を製作するステップとを含み、前記裏面金属被覆が複数の裏面接点を介して前記ボディに結合される、方法。
【請求項１１】
前記半導体材料を堆積させるステップが、前記複数のゲートフィンガーを含む前記ゲートを形成するために、前記誘電体材料層上および前記複数の半導体ピラーを分離する前記複数のトレンチ内にポリシリコン材料を堆積させるステップを含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記ボディ上に直接、複数の離散要素として、または前記ボディ上に連続層として、前記複数の裏面接点と前記ボディとの間に直接、裏面シリサイドを堆積させるステップをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１３】
前記ゲートの第1の側に近接した前記ボディの第1のドープ領域をドープするステップと、
前記ゲートの前記第1の側に対向する第2の側に近接した前記ボディの第2のドープ領域をドープするステップとをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体材料を堆積させるステップが、埋込み酸化物層を通って延びる前記ゲートの第1の部分を堆積させるステップをさらに含み、前記ゲートの前記第1の部分が前記複数のゲートフィンガーに結合する、請求項10に記載の方法。
【請求項１５】
複数のゲートフィンガーを含むゲートと、前記複数のゲートフィンガーとインターロックする複数の半導体ピラーを含むボディとを含むディープトレンチスイッチトランジスタを備える集積RF回路であって、複数の裏面接点が前記ボディに結合され、裏面金属被覆が前記複数の裏面接点を介して前記ボディに結合される、集積RF回路と、
前記スイッチトランジスタの出力に結合されたアンテナとを備える、無線周波数(RF)フロントエンドモジュールであって、
前記RFフロントエンドモジュールは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも1つの中に組み込まれる、無線周波数(RF)フロントエンドモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月6日(2020.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４０ｍｇ用量の酢酸グラチラマー（ＧＡ）を含み、２〜６週間毎の単回筋肉内注射のレジメンに適しており、再発寛解型多発性硬化症（ＲＲＭＳ）に罹患しているヒト患者または最初の臨床症状を発現したことがありかつ臨床的に明白な多発性硬化症を発症するリスクが高いと判定されるヒト患者においてＲＲＭＳの少なくとも１つの症状を軽減するのに使用するための、デポ製剤であって、前記症状が前記患者の再発の頻度、脳ＭＲＩの増強病変の数または新たな病変画像の数、および総合障害度評価尺度（ＥＤＳＳ）スコアからなる群より選択される、デポ製剤。
【請求項２】
４週間毎に１回の投与に適している、請求項１に記載のデポ製剤。
【請求項３】
症状を軽減することが、
前記再発の頻度を低下させること、
脳における増強病変の数もしくは体積または新たな病変の数を減少させること、
前記患者において、脳萎縮を減少させること、Ｇｄ増強病変の数もしくは体積を減少させること、Ｔ１強調増強病変の数もしくは体積を減少させること、または新たなＴ２強調病変の数を減少させること、または
前記患者のＥＤＳＳスコアを減少させること、
を含む、請求項１または２に記載のデポ製剤。
【請求項４】
２０ｍｇのＧＡの連日皮下投与または４０ｍｇのＧＡの週３回の皮下注射と少なくとも同程度に効果的に前記症状を軽減する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデポ製剤。
【請求項５】
前記患者が前記レジメンの開始前にＧＡ療法を受けたことがある、請求項１または４に記載のデポ製剤。
【請求項６】
ポリ（乳酸−ｃｏ−グリコール酸）（ＰＬＧＡ）、ポリ（乳酸）（ＰＬＡ）、ポリ（グリコール酸）（ＰＧＡ）、およびその任意の組合せからなる群より選択される薬学的に許容される生分解性担体をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のデポ製剤。
【請求項７】
水中油中水型（ｗ／ｏ／ｗ）二重乳化工程によって調製される微粒子の形態である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のデポ製剤。
【請求項８】
２０％〜３０％の固体を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のデポ製剤。
【請求項９】
前記ＧＡと前記薬学的に許容される生分解性担体の間の重量比が１：１〜１：１００である、または
前記ＧＡと前記薬学的に許容される生分解性担体の間の重量比が１：５〜１：２５である、
請求項６〜８のいずれか１項に記載のデポ製剤。
【請求項１０】
実質的に同じ用量のグラチラマーの即放製剤と比較して対象においてグラチラマーの長時間の放出または長時間の作用をもたらす、
前記グラチラマーの約８０％が常時攪拌下３７℃にてＰＢＳ中で２２日以内に前記デポ製剤から放出される、または
前記グラチラマーの約２０％が常時攪拌下３７℃にてＰＢＳ中で５日以内に前記デポ製剤から放出される、
請求項１〜９のいずれか１項に記載のデポ製剤。
【請求項１１】
４０ｍｇ用量の酢酸グラチラマー（ＧＡ）を含み、２〜６週間毎の単回筋肉内注射のレジメンに適しており、再発寛解型多発性硬化症に罹患しているヒト患者においてＧＡ治療の耐容性を増大させるのに使用するための、デポ製剤であって、皮下注射の頻度を２０ｍｇ用量のＧＡの連日皮下注射または各注射間に少なくとも１日を有して７日の期間にわたる４０ｍｇ用量のＧＡの３回の皮下注射から、２〜６週間毎の４０ｍｇ用量のＧＡのデポ製剤の単回筋肉内注射の治療上有効なレジメンに減らすことによって、前記患者においてＧＡ治療の耐容性を増大させる、デポ製剤。
【請求項１２】
４０ｍｇ用量の酢酸グラチラマー（ＧＡ）を含み、２〜６週間毎の単回筋肉内注射のレジメンに適しており、再発寛解型多発性硬化症（ＲＲＭＳ）に罹患しているヒト患者においてＲＲＭＳの進行を抑えるまたは遅延させるのに使用するための、デポ製剤。
【請求項１３】
前記レジメンが前記患者の（ａ）再発の頻度、（ｂ）増強病変の数もしくは体積、（ｃ）新たな病変の数、または（ｄ）総合障害度評価尺度（ＥＤＳＳ）スコアを改善するのに十分である、または
前記レジメンが前記患者の再発の頻度、増強病変の数もしくは体積、新たな病変の数、および総合障害度評価尺度（ＥＤＳＳ）スコアを改善するのに十分である、
請求項１２に記載のデポ製剤。
【請求項１４】
４０ｍｇ用量の酢酸グラチラマー（ＧＡ）を含み、２〜６週間毎の単回筋肉内注射のレジメンに適しており、再発寛解型多発性硬化症に罹患しているヒト患者において疾患活動性を抑えるのに使用するための、デポ製剤であって、前記レジメンが前記患者において再発、１２週間の確定された能力障害進行（ＣＤＰ）、新たな病変形成および既存の病変の増強を抑えるのに十分である、デポ製剤。
【請求項１５】
ポリ（乳酸−ｃｏ−グリコール酸）（ＰＬＧＡ）と封入されるＧＡを含む第一の容器と、注射用の薬学的に許容される賦形剤を含む第二の別個の容器とを含み、
４０ｍｇのＧＡと注射用の水（ＷＦＩ）とを含む、または
前記第一の容器と前記第二の容器の内容物を混合することが希釈剤２ｍＬ当たり４０ｍｇのＧＡをもたらす、
キット。
【請求項１６】
再発寛解型多発性硬化症（ＲＲＭＳ）の少なくとも１つの症状を軽減する方法、ＧＡ治療の耐容性を増大させる方法、ＲＲＭＳの進行を抑えるもしくは遅延させる方法、またはＲＲＭＳの活動性を抑えるのに使用するための、請求項１５に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月18日(2020.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一群で又は個別に供給される製品（１１）を、延伸性フィルムで包装する完成包装機であって、前記包装機は、
前記製品（１１）を供給するコンベア（１２）と、
前記製品（１１）の位置決めユニット（１３）と、
一群で又は個別に供給される前記製品（１１）のフィルム巻装ユニット（１４）と、
前記巻装ユニット１４のアウトレットに位置する排出コンベア（１５）と、を備え、
前記巻装ユニット（１４）は、支持枠（１９）に設けられたガイドロール（２１）に対して回転するリング、又は旋回リング（２０）を備えるリング巻装機であり、
前記リング（２０）は、前記製品（１１）の進行方向に対して直角な平面に設けられ、
前記巻装ユニット（１４）の下方に棚（１６）が設けられ、前記棚（１６）は、前記製品（１１）の進行方向に延在して片持ち状態であり、前記供給コンベア（１２）を前記巻装ユニット（１４）と接続し、
前記棚（１６）の下方には、前記フィルムを把持及び運搬するために、真空作用を有する把持ユニット（１８；１１８）が配置され、前記把持ユニット（１８；１１８）は、切断要素（３１；１３１）と連動し、
前記真空作用を有する把持ユニット（１８；１１８）、及び、前記連動する切断ユニット（１３；１１３）は、前記棚（１６）から後退した休止位置と、前記棚（１６）の下方で前記フィルムを把持及び切断する延出位置との間を交互に、そして選択的に移動可能であることを特徴とする、包装機。
【請求項２】
前記真空作用を有する把持ユニット（１８；１１８）は、前記フィルムを把持位置で制止するための吸引孔又は吸引領域（３０；１３０）を下部に有する、中空チューブ（２９；１２９）を備えることを特徴とする、請求項１に記載の包装機。
【請求項３】
前記真空作用を有する把持ユニット（１８；１１８）は、前記フィルムを切断するための切断刃（３１）を備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の包装機。
【請求項４】
前記真空作用を有する把持ユニット（１８；１１８）は、フィルム把持位置と、フィルム切断位置との間で回転可能であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の包装機。
【請求項５】
前記真空作用を有する把持ユニット（１８）は、前記２つの位置の間を、アクチュエータ（４０）によって移動され、第２のアクチュエータ（４３）によって回転され、真空ポンプにも接続されることを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の包装機。
【請求項６】
切断ワイヤ（１３１）が、前記真空作用を有する把持ユニット（１１８）と連動し、前記フィルムの切断に用いられることを特徴とする、請求項１又は２に記載の包装機。
【請求項７】
前記切断ワイヤ（１３１）は、前記把持ユニット（１１８）の構造内の支持エクステンション（４７）に設けられた、エンドピン（４６）を備えるバー（４８）に支持されて、その両端を留められ、前記切断ワイヤ及び前記バー（４８）は、前記真空作用を有する把持ユニット（１１８）に対して回転可能であることを特徴とする、請求項６に記載の包装機。
【請求項８】
前記把持ユニット（１１８）の前記構造に接続された、少なくとも１つのアクチュエータ（１４３）は、少なくとも１つのアーム（４５）を回転させ、前記切断ワイヤ（１３１）をフィルムに接触するよう移動させることを特徴とする、請求項７に記載の包装機。
【請求項９】
延伸性プラスチック材料からなるフィルムの少なくとも１つのリール（２５）用のリールホルダ（２４）は、前記巻装ユニット（１４）の前記リングと一体に組み立てられ、ゴム引きのテンションローラ（２７）の支持体（２６）、及びフィルム用の一対のリターンローラ（２８）は、前記リールホルダ（２４）に連動することを特徴とする、請求項１から８のいずれか１項に記載の包装機。
【請求項１０】
前記リールホルダ（２４）は、離間した複数のリール（２５）を支持することを特徴とする、請求項９に記載の包装機。
【請求項１１】
前記把持ユニット（１８）は、前記リールホルダ（２４）に設けられた複数の前記リール（２５）の様々な端部を制止可能なように、複数の領域を有することを特徴とする、請求項１０に記載の包装機。
【請求項１２】
前記製品（１１）の前記供給コンベア（１２）は、位置決めユニット（１３）に対して、一直線状、又は９０度の角度に設けられるコンベアベルト（１）であることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の包装機。
【請求項１３】
一群で又は個別に供給される製品（１１）を延伸性フィルムで包装する、完成包装方法であって、
‐前記単一の、又は整列した複数の製品（１１）を、供給ステーションに対して直線方向に、又は横方向に送る工程と、
‐前記単一の、又は複数の製品（１１）を、位置決めユニット（１３）によって巻装ユニット（１４）の下方に配置される棚（１６）の上に押し出す工程と、
‐前記単一の、又は複数の製品（１１）を載置した前記棚（１６）の下方に移動可能な、真空作用を有する把持ユニット（１８；１１８）によって、巻回する前記フィルムの始端を把持する工程を実施する工程と、
‐前記単一の、又は複数の製品（１１）のフィルム巻装を開始し、前記単一の、又は複数の製品（１１）のフィルム巻装の少なくとも１周目を行った後で、前記把持ユニット（１８,１１８）に保持されている巻回した前記フィルムを解放し、前記把持ユニットを前記棚（１６）の下方から後退させる工程と、
‐プログラムされた前記単一の、又は複数の製品（１１）の前記フィルム巻装を完了した後、前記把持ユニット（１８；１１８）を、前記棚（１６）から後退した前記休止位置から、前記単一の、又は複数の製品（１１）を載置した前記棚（１６）の下方の延出位置まで、再び移動させる工程と、
‐前記把持ユニット（１８；１１８）の吸引を作動させて、巻回した前記フィルムの端部を制止し、その直後に、前記把持ユニット（１８；１１８）と連動する少なくとも１つの切断ワイヤ（３１；１３１）を回転させ、前記単一の、又は複数の製品（１１）を巻装した前記フィルムの終端を切断する工程と、
‐巻装された前記単一の、又は複数の製品（１１）を、続く排出ベルト（１５）へと移動させ、それと同時に、前記巻装グループ（１４）の下方の前記棚（１６）の上に、別の巻装される製品を配置し、前の工程を繰り返す、工程と、
‐既に記載した、続く工程を繰り返す工程と、
を備える、包装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月28日(2020.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2019530692.tif 000001
［式中、
Ｒ１Ａは、水素、置換または非置換のＣ１〜３アルキル、複素環、または置換もしくは非置換のホスホロアミデートから選択され、
Ｒ１Ｂは、水素、置換または非置換のＣ１〜３アルキル、複素環、または置換もしくは非置換のホスホロアミデートから選択され、
ただし、Ｒ１ＡおよびＲ１Ｂの両方ともが水素ではないことを条件とし、
Ｒ２は、任意選択的にヒドロキシル基で置換されている、Ｃ１〜８アルキルである］
の化合物、またはその薬学的に許容可能な塩、溶媒和物もしくは多形体。
【請求項２】
Ｒ１Ａおよび／またはＲ１Ｂが、置換または非置換のホスホロアミデートであり、Ｒ２が、Ｃ１〜６アルキル、好ましくはヒドロキシル基で置換されているＣ１〜６アルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１Ａおよび／またはＲ１Ｂがメチルであり、Ｒ２がヒドロキシル基で置換されているＣ６−アルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物、またはその薬学的に許容可能な塩、溶媒和物もしくは多形体を、１種または複数種の薬学的に許容可能な添加剤、希釈剤または担体とともに含む医薬組成物。
【請求項５】
薬剤として使用するための、請求項１〜３のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物、もしくはその薬学的に許容可能な塩、溶媒和物もしくは多形体、または請求項４に記載の、前記式（Ｉ）の化合物、もしくはその薬学的に許容可能な塩、溶媒和物もしくは多形体を含む医薬組成物。
【請求項６】
インターフェロンの誘導が関与する障害の処置に使用するための、請求項１〜３のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物、もしくはその薬学的に許容可能な塩、溶媒和物もしくは多形体、または請求項４に記載の、前記式（Ｉ）の化合物、もしくはその薬学的に許容可能な塩、溶媒和物もしくは多形体を含む医薬組成物。
【請求項７】
以下からなる群より選択される化合物：
【化２】
2019530692.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月5日(2020.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オリゴヌクレオチド組成物であって、
（１）塩基配列；
（２）骨格の架橋パターン；
（３）骨格のキラル中心のパターン；および
（４）骨格のリン修飾のパターン
によって定義される特定のオリゴヌクレオチド種類の第１の複数のオリゴヌクレオチドを含み、
組成物は、前記特定のオリゴヌクレオチド種類のオリゴヌクレオチドについて、同じ塩基配列を有するオリゴヌクレオチドの実質的にラセミ体の調製物と比較して豊富に含むという点でキラリティが制御されており、
前記特定のオリゴヌクレオチド型のオリゴヌクレオチドはそれぞれ、
１）２’−Ｆ修飾糖部分を含む１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０個またはそれ以上のヌクレオシド単位を含む５’末端領域、
２）２’−Ｆ修飾糖部分を含む１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０個またはそれ以上のヌクレオシド単位を含む３’末端領域、および
３）１個以上の天然リン酸架橋と、１個以上のＲｐまたはＳｐヌクレオチド間架橋を含む、５’末端領域と３’末端領域の間の中間領域、または
糖修飾を含む修飾糖部分を１個以上含む５’末端領域と３’末端領域の間の中間領域であって、前記糖修飾を含む修飾糖部分は連続的ではない、前記中間領域、
を含む、前記組成物
【請求項２】
前記中間領域が、１個以上のＳｐヌクレオチド間架橋を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記中間領域が、天然リン酸架橋の間に１個以上のＳｐまたはＲｐのヌクレオチド間架橋を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記特定のオリゴヌクレオチド型のオリゴヌクレオチドが、２、３、４、５、６、７、８、９または１０個以下の連続的な天然リン酸架橋を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記オリゴヌクレオチド組成物が、転写スプライシング系において転写物と接触すると、転写物のスプライシングが、前記組成物が存在しないこと、リファレンス組成物が存在すること、およびこれらの組み合わせからなる群から選択されるリファレンス条件下で観察されるものに対して、変更されることを特徴とする、
請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記リファレンス条件が、前記組成物が存在しないことである、
請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記骨格の架橋パターンが、ホスホジエステル架橋、ホスホロチオエート架橋およびホスホジチオアート架橋から選択される１個以上の骨格架橋を含む、
請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
前記特定のオリゴヌクレオチド型のオリゴヌクレオチドがそれぞれ１個以上の糖修飾をさらに含む、
請求項３に記載の組成物。
【請求項９】
前記５’末端領域と３’末端領域の間の中間領域が、２個以上の２’−ＯＲ１修飾された糖部分を含み、前記中間領域中の２’−ＯＲ１修飾糖部分が連続的ではない、
請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
Ｒ１がメチルである、
請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記中間領域中の２’−ＯＲ１修飾糖部分は、１個以上の２’−Ｆ修飾糖部分が２つの２’−ＯＲ１修飾糖部分の間にあるという点で連続的ではない、
請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記５’末端領域が、２’−Ｆ修飾糖部分を含む、２、３、４、５、６、７、８、９、１０個またはそれ以上の連続的なヌクレオシド単位を含み、前記３’末端領域が、２’−Ｆ修飾糖部分を含む、２、３、４、５、６、７、８、９、１０個またはそれ以上の連続的なヌクレオシド単位を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記糖前記５’末端領域が、２’−Ｆ修飾糖部分を含む、４、５、６、７、８、９、１０個またはそれ以上の連続的なヌクレオシド単位を含み、前記３’末端領域が、２’−Ｆ修飾糖部分を含む、４、５、６、７、８、９、１０個またはそれ以上の連続的なヌクレオシド単位を含む、
請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
前記特定のオリゴヌクレオチド型のオリゴヌクレオチドは、ジストロフィン遺伝子のエキソン５１のスキップを介在することができる、
請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記第一の複数のオリゴヌクレオチドの各キラルヌクレオチド間架橋は独立してキラル制御され、前記第一の複数のオリゴヌクレオチドの各オリゴヌクレオチドは独立して、少なくとも４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、または２０個のキラル制御されたヌクレオチド間架橋を含む、
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１６】
前記特定のオリゴヌクレオチド型の塩基配列を有するオリゴヌクレオチドの少なくとも１０％が、前記特定のオリゴヌクレオチド型のオリゴヌクレオチドである、
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１７】
前記特定のオリゴヌクレオチド型の塩基配列、骨格の架橋パターン、および骨格リン修飾のパターンを有するオリゴヌクレオチドの少なくとも１０％が、前記特定のオリゴヌクレオチド型のオリゴヌクレオチドである、
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載のオリゴヌクレオチド組成物を投与することを含む、
標的転写物のスプライシングを変更させる方法。
【請求項１９】
前記標的転写物のスプライシングが、前記組成物が存在しない場合と比較して変更される、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記標的転写物が、ジストロフィンのプレｍＲＮＡであり、前記変更が、前記組成物が存在しない場合と比較して、１つ以上のエキソンが増加した量でスキップされることである、
請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
ジストロフィンのエキソン５１が、前記組成物が存在しない場合と比較して、増加した量でスキップされる、
請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の組成物を、罹患しやすい被験体または罹患している被験体に投与することを含む、
デュシェンヌ型筋ジストロフィーを治療するための方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月1日(2020.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
認知症の処置を必要とする対象において認知症を処置するための方法において用いるための、アピリモド又は薬学的に許容できるその塩を含む医薬組成物であって、当該方法が、当該対象の細胞においてアミロイド前駆体タンパク質（ＡＰＰ）がプロセシングされてアミロイドベータ（Ａｂ）ペプチドになるのを阻害するのに有効な量の当該医薬組成物を当該対象に投与することを含む、前記組成物。
【請求項２】
前記細胞が神経細胞である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
経口剤形である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記方法が、さらに、少なくとも１種類の追加薬剤を前記対象に投与することを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
少なくとも１種類の追加薬剤が療法薬である、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記療法薬がコリンエステラーゼ阻害薬である、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記方法が、少なくとも１種類の追加薬剤を、アピリモド又は薬学的に許容できるその塩と同じ剤形で投与することを含む、請求項４〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記方法が、少なくとも１種類の追加薬剤を、アピリモド又は薬学的に許容できるその塩と異なる剤形で投与することを含む、請求項４〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
剤形が経口剤形である、請求項７または８に記載の組成物。
【請求項１０】
認知症がアルツハイマー病である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記方法が患者においてアルツハイマー病の少なくとも１つの症状を軽減するのに有効
であるか、あるいは患者においてアルツハイマー病の進行を遅延させるのに有効である、
請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
アピリモドが２−［２−ピリジン−２−イル）−エトキシ］−４−Ｎ’−（３−メチル
−ベンジリデン）−ヒドラジノ］−６−（モルホリン−４−イル）−ピリミジン（ＩＵＰ
ＡＣ名：（Ｅ）−４−（６−（２−（３−メチルベンジリデン）ヒドラジニル）−２−（
２−ピリジン−２−イル）エトキシ）ピリミジン−４−イル）モルホリン）である、請求
項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
インビトロで、細胞においてアミロイド前駆体タンパク質（ＡＰＰ）がプロセシングされてアミロイドベータ（Ａｂ）ペプチドになるのを阻害するための方法であって、その細胞をＡＰＰがプロセシングされてＡｂペプチドになるのを阻害するのに有効な量のアピリモド又は薬学的に許容できるその塩と接触させることを含む方法。
【請求項１４】
認知症を治療する方法において用いるための、アピリモド又は薬学的に許容できるその塩を含む医薬組成物であって、当該方法が、細胞においてアミロイド前駆体タンパク質（ＡＰＰ）がプロセシングされてアミロイドベータ（Ａｂ）ペプチドになるのを、ＡＰＰがプロセシングされてＡｂペプチドになるのを阻害するのに有効な量の当該アピリモド又は塩と当該細胞を接触させることによって、インビボで阻害することを含む、前記組成物。
【請求項１５】
前記細胞が組織の一部である、請求項１３に記載の方法又は請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記組織が神経組織である、請求項１５に記載の方法又は組成物。
【請求項１７】
アピリモドが２−［２−ピリジン−２−イル）−エトキシ］−４−Ｎ’−（３−メチル
−ベンジリデン）−ヒドラジノ］−６−（モルホリン−４−イル）−ピリミジン（ＩＵＰ
ＡＣ名：（Ｅ）−４−（６−（２−（３−メチルベンジリデン）ヒドラジニル）−２−（
２−ピリジン−２−イル）エトキシ）ピリミジン−４−イル）モルホリン）である、請求
項１３、１５及び１６のいずれか１項に記載の方法、又は請求項１４〜１６のいずれか1項に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
[05]  複数の態様において、対象はヒト  アルツハイマー病患者である。複数の態様に
おいて、本開示のアピリモド組成物で処置する必要があるヒト  アルツハイマー病患者は
そのアルツハイマー病が標準治療計画に対して治療抵抗性である者である。
以下に、出願時の特許請求の範囲の記載を示す。
［請求項１］
認知症の処置を必要とする対象において認知症を処置するための方法であって、対象の
細胞においてアミロイド前駆体タンパク質（ＡＰＰ）がプロセシングされてアミロイドベ
ータ（Ａｂ）ペプチドになるのを阻害するのに有効な量のアピリモドを含む医薬組成物を
対象に投与することを含む方法。
［請求項２］
細胞が神経細胞である、請求項１に記載の方法。
［請求項３］
医薬組成物が経口剤形である、請求項１に記載の方法。
［請求項４］
さらに、少なくとも１種類の追加薬剤を対象に投与することを含む、請求項１に記載の
方法。
［請求項５］
少なくとも１種類の追加薬剤が療法薬である、請求項４に記載の方法。
［請求項６］
療法薬がコリンエステラーゼ阻害薬である、請求項５に記載の方法。
［請求項７］
少なくとも１種類の追加薬剤がアピリモドと同じ剤形で投与される、請求項４〜６のい
ずれか１項に記載の方法。
［請求項８］
少なくとも１種類の追加薬剤がアピリモドと異なる剤形で投与される、請求項４〜６の
いずれか１項に記載の方法。
［請求項９］
剤形が経口剤形である、請求項７または８に記載の方法。
［請求項１０］
認知症がアルツハイマー病である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
［請求項１１］
その方法が患者においてアルツハイマー病の少なくとも１つの症状を軽減するのに有効
であるか、あるいは患者においてアルツハイマー病の進行を遅延させるのに有効である、
請求項１０に記載の方法。
［請求項１２］
アピリモドが２−［２−ピリジン−２−イル）−エトキシ］−４−Ｎ’−（３−メチル
−ベンジリデン）−ヒドラジノ］−６−（モルホリン−４−イル）−ピリミジン（ＩＵＰ
ＡＣ名：（Ｅ）−４−（６−（２−（３−メチルベンジリデン）ヒドラジニル）−２−（
２−ピリジン−２−イル）エトキシ）ピリミジン−４−イル）モルホリン）である、請求
項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
［請求項１３］
細胞においてアミロイド前駆体タンパク質（ＡＰＰ）がプロセシングされてアミロイド
ベータ（Ａｂ）ペプチドになるのを阻害するための方法であって、その細胞をＡＰＰがプ
ロセシングされてＡｂペプチドになるのを阻害するのに有効な量のアピリモドと接触させ
ることを含む方法。
［請求項１４］
細胞がインビトロまたはインビボにある、請求項１３に記載の方法。
［請求項１５］
細胞が組織の一部である、請求項１４に記載の方法。
［請求項１６］
組織が神経組織である、請求項１５に記載の方法。
［請求項１７］
アピリモドが２−［２−ピリジン−２−イル）−エトキシ］−４−Ｎ’−（３−メチル
−ベンジリデン）−ヒドラジノ］−６−（モルホリン−４−イル）−ピリミジン（ＩＵＰ
ＡＣ名：（Ｅ）−４−（６−（２−（３−メチルベンジリデン）ヒドラジニル）−２−（
２−ピリジン−２−イル）エトキシ）ピリミジン−４−イル）モルホリン）である、請求
項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月12日(2020.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト患者における胆管癌の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、であって、
ｉ）前記ＴＰＣＳ2aが、前記患者へ０．０５〜０．５ｍｇ／ｋｇの用量まで全身投与され、
ｉｉ）３〜５日後に、前記ゲムシタビンが、５００〜１５００ｍｇ／ｍ2の用量まで全身投与され、かつ前記胆管癌が、１０〜６０Ｊ／ｃｍの光線量を提供するために前記胆管癌の３ｃｍ以内に配置された光ファイバーを用いて６４０〜６６５ｎｍの波長の光を照射され、かつ場合によっては
ｉｉｉ）１〜４０日後に（好ましくは７〜２１日後に）ゲムシタビンおよび／または別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、が、前記患者へ全身投与される、
ゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン。
【請求項２】
前記ＴＰＣＳ2aは、０．０５〜０．３ｍｇ／ｋｇ、好ましくは０．２〜０．３ｍｇ／ｋｇの用量まで投与される、請求項１に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項３】
ステップｉｉ）における前記ゲムシタビンは、９００〜１１００ｍｇ／ｍ2の用量まで投与される、請求項１または２に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項４】
前記照射は、ゲムシタビン投与の開始の４時間以内に実施される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項５】
前記光の波長は６５２ｎｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項６】
前記光線量は、１０〜４５Ｊ／ｃｍ、好ましくは２５〜３５Ｊ／ｃｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項７】
ステップｉｉｉ）において、ゲムシタビンおよび別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、はいずれも投与される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項８】
ステップｉｉｉ）において、前記ゲムシタビンは、５００〜１５００ｍｇ／ｍ2、好ましくは９００〜１１００ｍｇ／ｍ2の用量まで投与される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項９】
ステップｉｉｉ）において、前記細胞毒性薬は、１０〜５０ｍｇ／ｍ2、好ましくは２０〜３０ｍｇ／ｍ2の用量まで投与されるシスプラチンである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１０】
ステップｉｉｉ）において、前記ゲムシタビンおよび／または別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、は、１回超投与される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１１】
前記ゲムシタビンおよび／または別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、は、ステップｉ）およびｉｉ）の１〜４０日後に続く１４〜３０日周期において１回超（好ましくは２回）投与される、請求項１０に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１２】
前記ゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、は、１４〜３０日周期の少なくとも３周期、好ましくは５周期において、１回以上（好ましくは２回）投与され、該第１の１４〜３０日周期は、ステップｉ）およびｉｉ）の１〜４０日後に続く、請求項９または１０に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１３】
ステップ（ｉ）、（ｉｉ）および（ｉｉｉ）は、少なくとも２回実施されることになっており、好ましくはステップ（ｉ）、（ｉｉｉ）および（ｉｉｉ）の各回において、ステップ（ｉｉｉ）が少なくとも２回実施される、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１４】
ゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬、好ましくはシスプラチン、のうちの１つ以上の全身投与は、静脈内である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１５】
シスプラチンは、前記処置において使用されない、請求項１〜８および１０〜１４のいずれか１項に記載の処置に使用するためのゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬。
【請求項１６】
好ましくは、患者における胆管癌を処置するために、同時に、別個に、または連続して使用される、請求項１〜３、８または９のいずれか１項で規定されるゲムシタビンおよびＴＰＣＳ2a、ならびに場合によっては別の細胞毒性薬を含む、キットであって、好ましくは、前記使用が請求項１〜１５のいずれか１項で規定されるものである、キット。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月8日(2020.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）合成ジエンゴム及び天然ゴムからなる群から選択されるゴム成分；
（ｂ）約５〜２５０ｐｈｒの量の少なくとも１つの充填剤；及び
（ｃ）（ｉ）約８０℃〜約１３０℃の軟化点；（ｉｉ）約５００ｇ／ｍｏｌ〜約７７５ｇ／ｍｏｌの範囲の数平均分子量（Ｍｎ）；（ｉｉｉ）約３８℃〜約８１℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有するテルペン系樹脂であって、（ｉｖ）該樹脂がリモネンを実質的に含まない、テルペン系樹脂
を含むタイヤトレッド組成物。
【請求項２】
前記テルペン系樹脂が、α−ピネンホモポリマーである、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項３】
前記テルペン系樹脂が、該テルペン系樹脂の総重量に基づいて少なくとも９９重量％のα−ピネンを含む、請求項２に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項４】
前記テルペン系樹脂が、α−ピネンとβ−ピネンとの混合物であり、ここでα−ピネンが、前記テルペン系樹脂の総重量に基づいて少なくとも８０重量％の量で存在する、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項５】
前記テルペン系樹脂が、６５：３５〜８５：１５の範囲の比で存在するα−ピネンとβ−ピネンとの混合物である、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項６】
前記テルペン系樹脂が、約５００ｇ／ｍｏｌ〜約７７５ｇ／ｍｏｌの範囲の数平均分子量（Ｍｎ）を有する、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項７】
前記テルペン系樹脂が、約１３００ｇ／ｍｏｌ〜約１６００ｇ／ｍｏｌの範囲のｚ平均分子量（Ｍｚ）を有する、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項８】
前記テルペン系樹脂が、約６０℃〜約１５０℃の軟化点、約８００ｇ／ｍｏｌ〜約１１００ｇ／ｍｏｌ、約５００ｇ／ｍｏｌ〜約７７５ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量、約１３００ｇ／ｍｏｌ〜約１６００ｇ／ｍｏｌのｚ平均分子量、及び約３８℃〜約８１℃のガラス転移温度（Ｔｇ）を有する、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項９】
前記テルペン系樹脂が約１〜約５０ｐｈｒの範囲で存在する、請求項１に記載のタイヤトレッド組成物。
【請求項１０】
成分ｃ）がオレフィン性不飽和非酸性テルペン化合物である、請求項１記載のタイヤトレッド組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダー形工具をパターニングする方法であって、
ベースと前記ベース上の固体状態イオン伝導体の層とを備えるスタンプを用意することと、
前記固体状態イオン伝導体の主面に所定の形体のパターンのネガを付与することと、
金属表面を有するシリンダー形工具を前記スタンプに近接させて提供することと、
前記スタンプを前記金属表面に対して転がり線接触させた状態で動かしながら、前記金属表面とカソードとの間に電界を印加して、前記金属表面上に前記所定の形体のパターンを与えることを含み、
前記カソードは前記ベース又は前記ベースに隣接して位置する伝導性要素のいずれかであり、
更に、前記金属表面の一部分が酸化されることによって金属イオン及び自由電子が発生し、
更に、前記金属イオンは前記固体状態イオン伝導体を通って前記カソードまで移動して前記カソードで還元され、前記自由電子は前記金属表面まで移動することによって前記所定の形体のパターンのポジを前記金属表面に与え、
任意に、前記所定の形体のパターンの前記ポジは、複数のナノサイズの形体を含む、方法。
【請求項２】
前記金属表面は、銀、銅、クロム、チタン、金、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される１つ以上の金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定の形体のパターンは、複数の３次元レリーフ構造を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記固体状態イオン伝導体の少なくとも一部分の下の前記ベース内にスペースを形成することを更に含み、そのウィンドウは、前記パターンと反対側の前記固体状態イオン伝導体の側面を露出する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記金属表面に対する前記固体状態イオン伝導体の前記パターニングされた表面の接触圧力を維持するように前記スペースを加圧することを更に含み、
任意に、前記カソードが前記ウィンドウの一部分を画定し、前記スペースは少なくとも部分的に電解液又はゲルにより充填されている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記固体状態イオン伝導体は、ガラス状イオン伝導体又は高分子イオン伝導体である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記電界によって生じた電流を測定することと、前記測定値に応じて、前記転がり線接触の速度、前記スタンプと前記金属表面との間の力、前記スタンプと前記金属表面との間の位置合わせ、及び前記電界の大きさのうちの少なくとも１つを調整することと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記所定の形体のパターンの前記ネガを前記固体状態イオン伝導体の前記主面に付与することは、前記所定の形体のパターンの前記ネガを前記固体状態イオン伝導体の前記主面上にレーザ加工すること、前記所定の形体のパターンの前記ネガを前記固体状態イオン伝導体の前記主面上にパターニング及びエッチングすること、又は前記固体状態イオン伝導体の前記主面にマスターテンプレートの主面を接触させて、前記固体状態イオン伝導体の前記主面に前記所定の形体のパターンの前記ネガをエンボス又はキャストすることのうち
の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記イオン伝導体と前記ベースとの間に第１の伝導性中間層を配置することを更に含み、前記第１の伝導性中間層は、伝導性箔層及び弾性層を含み、任意に、前記第１の伝導性中間層は、複数の伝導性区分を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第２の伝導性中間層を前記第１の伝導性中間層に隣接させて配置することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記スタンプを前記金属表面に対して転がり線接触させた状態で動かしながら、前記金属表面とカソードとの間に電界を印加して、前記金属表面上に前記所定の形体のパターンを付与することが、前記シリンダー形工具上の第１の位置における第１のインスタンスにおいて、及び前記シリンダー形工具上の第２の位置における少なくとも第２のインスタンスにおいて、実行され、
任意に、前記第２の位置は、前記第１の位置と重なる位置、前記第１の位置に隣接する位置、又は前記第１の位置から離れた位置からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属表面に基準マークを付与することを更に含み、前記基準マークは前記所定のパターンの位置に対する所定の位置を有し、任意選択的に、前記金属表面に前記基準マークを付与することは、前記スタンプによって実行される、請求項１に記載の方法。