【手続補正書】
【提出日】令和2年7月9日(2020.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴｉＮｘ、ＴａＮｘ、Ｚｒ３Ｎ４、及びＴｉＺｒｘＮｙからなる群から選択される拡散障壁層と、
ＹＦ３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＥｒＡｌｘＯｙ、ＹＯｘＦｙ、ＹＡｌｘＯｙ、ＹＺｒｘＯｙ及びＹＺｒｘＡｌｙＯｚからなる群から選択される浸食防止層であって、拡散障壁層を覆う浸食防止層とを含む多層コーティング。
【請求項２】
拡散障壁層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の厚さを有し、
浸食防止層は最大で約１マイクロメートルまでの厚さを有している、請求項１に記載の多層コーティング。
【請求項３】
多層コーティングは、亀裂を生じることなく約２０℃〜約４５０℃の温度サイクルに耐え得る、請求項１に記載の多層コーティング。
【請求項４】
多層コーティングを形成するための方法であって、
物品の表面に拡散障壁層を堆積させる工程であって、
拡散障壁層は、原子層堆積（ＡＬＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、及び化学蒸着（ＣＶＤ）からなる群から選択される第１の堆積プロセスを使用して堆積され、
拡散障壁層は、ＴｉＮｘ、ＴａＮｘ、Ｚｒ３Ｎ４、及びＴｉＺｒｘＮｙからなる群から選択されている工程と、
浸食防止層を拡散障壁層上に堆積させる工程であって、
浸食防止層は、ＡＬＤ、ＰＶＤ、及びＣＶＤからなる群から選択される第２の堆積プロセスを用いて堆積され、
浸食防止層は、ＹＦ３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＥｒＡｌｘＯｙ、ＹＯｘＦｙ、ＹＡｌｘＯｙ、ＹＺｒｘＯｙ及びＹＺｒｘＡｌｙＯｚからなる群から選択されている工程とを含む方法。
【請求項５】
第１の堆積プロセス及び第２の堆積プロセスは、両方ともＡＬＤ、両方ともＰＶＤ、又は両方ともＣＶＤである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
拡散障壁層はＴｉＮｘであり、
拡散障壁層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、
ビス（ジエチルアミド）ビス（ジメチルアミド）チタン（ＩＶ）、
テトラキス（ジエチルアミド）チタン（ＩＶ）、
テトラキス（ジメチルアミド）チタン（ＩＶ）、
テトラキス（エチルメチルアミド）チタン（ＩＶ）、
臭化チタン（ＩＶ）、
塩化チタン（ＩＶ）、及び
チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシドからなる群から選択される少なくとも１つのＴｉ前駆体から堆積されている、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
拡散障壁層はＴａＮｘであり、
拡散障壁層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、
ペンタキス（ジメチルアミド）タンタル（Ｖ）、
塩化タンタル（Ｖ）、
タンタル（Ｖ）エトキシド、及び
トリス（ジエチルアミノ）（ｔｅｒｔ−ブチルイミド）タンタル（Ｖ）からなる群から選択される少なくとも１つのＴａ前駆体から堆積されている、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
拡散障壁層はＴｉＺｒｘＮｙであり、
拡散障壁層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、少なくとも１つのＴｉ前駆体から、及び少なくとも１つのＺｒ前駆体から堆積され、
少なくとも１つのＴｉ前駆体は、
ビス（ジエチルアミド）ビス（ジメチルアミド）チタン（ＩＶ）、
テトラキス（ジエチルアミド）チタン（ＩＶ）、
テトラキス（ジメチルアミド）チタン（ＩＶ）、
テトラキス（エチルメチルアミド）チタン（ＩＶ）、
臭化チタン（ＩＶ）、
塩化チタン（ＩＶ）、及び
チタン（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシドからなる群から選択され、
少なくとも１つのＺｒ前駆体は、
臭化ジルコニウム（ＩＶ）、
塩化ジルコニウム（ＩＶ）、
ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシド、
テトラキス（ジエチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、
テトラキス（ジメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、及び
テトラキス（エチルメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）からなる群から選択されている、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
浸食防止層はＥｒＡｌｘＯｙであり、
浸食防止層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、少なくとも１つのＥｒ前駆体、及び少なくとも１つのＡｌ３前駆体から堆積され、
少なくとも１つのＥｒ前駆体は、
トリス−メチルシクロペンタジエニルエルビウム（ＩＩＩ）（Ｅｒ（ＭｅＣｐ）３）、
エルビウムボランアミド（Ｅｒ（ＢＡ）３）、
Ｅｒ（ＴＭＨＤ）３、
エルビウム（ＩＩＩ）トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）、及び
トリス（ブチルシクロペンタジエニル）エルビウム（ＩＩＩ）からなる群から選択され、
少なくとも１つのＡｌ前駆体は、
ジエチルアルミニウムエトキシド、
トリス（エチルメチルアミド）アルミニウム、
アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、
三臭化アルミニウム、
三塩化アルミニウム、
トリエチルアルミニウム、
トリイソブチルアルミニウム、
トリメチルアルミニウム、及び
トリス（ジエチルアミド）アルミニウムからなる群から選択されている、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
浸食防止層はＹＡｌｘＯｙであり、
浸食防止層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、少なくとも１つのＹ前駆体、及び少なくとも１つのＡｌ前駆体から堆積され、
少なくとも１つのＹ前駆体は、
トリス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）イットリウム（ＩＩＩ）、
イットリウム（ＩＩＩ）ブトキシド、
トリス（シクロペンタジエニル）イットリウム（ＩＩＩ）、及び
Ｙ（ｔｈｄ）３（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）からなる群から選択され、
少なくとも１つのＡｌ前駆体は、
ジエチルアルミニウムエトキシド、
トリス（エチルメチルアミド）アルミニウム、
アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、
三臭化アルミニウム、
三塩化アルミニウム、
トリエチルアルミニウム、
トリイソブチルアルミニウム、
トリメチルアルミニウム、及び
トリス（ジエチルアミド）アルミニウムからなる群から選択されている、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
浸食防止層はＹＯｘＦｙであり、
浸食防止層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、
トリス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）イットリウム（ＩＩＩ）、
イットリウム（ＩＩＩ）ブトキシド、
トリス（シクロペンタジエニル）イットリウム（ＩＩＩ）、及び
Ｙ（ｔｈｄ）３（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）からなる群から選択される少なくとも１つのＹ前駆体から堆積されている、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
浸食防止層はＹＺｒｘＯｙであり、
浸食防止層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、少なくとも１つのＹ前駆体、及び少なくとも１つのＺｒ前駆体から堆積され、
少なくとも１つのＹ前駆体は、
トリス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）イットリウム（ＩＩＩ）、
イットリウム（ＩＩＩ）ブトキシド、
トリス（シクロペンタジエニル）イットリウム（ＩＩＩ）、及び
Ｙ（ｔｈｄ）３（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）からなる群から選択され、
少なくとも１つのＺｒ前駆体は、
臭化ジルコニウム（ＩＶ）、
塩化ジルコニウム（ＩＶ）、
ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシド、
テトラキス（ジエチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、
テトラキス（ジメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、及び
テトラキス（エチルメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）からなる群から選択されている、請求項４に記載の方法。
【請求項１３】
浸食防止層はＹＺｒｘＡｌｙＯｚであり、
浸食防止層は、ＡＬＤ又はＣＶＤによって、少なくとも１つのＹ前駆体から、少なくとも１つのＺｒ前駆体から、及び少なくとも１つのＡｌ前駆体から堆積され、
少なくとも１つのＹ前駆体は、
トリス（Ｎ，Ｎ−ビス（トリメチルシリル）アミド）イットリウム（ＩＩＩ）、
イットリウム（ＩＩＩ）ブトキシド、
トリス（シクロペンタジエニル）イットリウム（ＩＩＩ）、及び
Ｙ（ｔｈｄ）３（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）からなる群から選択され、
少なくとも１つのＺｒ前駆体は、
臭化ジルコニウム（ＩＶ）、
塩化ジルコニウム（ＩＶ）、
ジルコニウム（ＩＶ）ｔｅｒｔ−ブトキシド、
テトラキス（ジエチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、
テトラキス（ジメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）、及び
テトラキス（エチルメチルアミド）ジルコニウム（ＩＶ）からなる群から選択され、
少なくとも１つのＡｌ前駆体は、
ジエチルアルミニウムエトキシド、
トリス（エチルメチルアミド）アルミニウム、
アルミニウムｓｅｃ−ブトキシド、
三臭化アルミニウム、
三塩化アルミニウム、
トリエチルアルミニウム、
トリイソブチルアルミニウム、
トリメチルアルミニウム、及び
トリス（ジエチルアミド）アルミニウムからなる群から選択されている、請求項４に記載の方法。
【請求項１４】
拡散障壁層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の厚さを有し、
浸食防止層は最大で約１マイクロメートルまでの厚さを有している、請求項４に記載の方法。
【請求項１５】
多層コーティングは、亀裂を生じることなく約２０℃〜約４５０℃の温度サイクルに耐え得る、請求項４に記載の方法。
【請求項１６】
拡散障壁層を堆積させる工程は、複数の前駆体を使用して複数の無傷の層を堆積させる工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１７】
複数の無傷の層をアニーリングして相互拡散された拡散障壁層を形成する工程をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
浸食防止層を堆積させる工程は、複数の前駆体を使用して複数の無傷の層を堆積させる工程を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項１９】
複数の無傷の層をアニーリングして相互拡散された浸食防止層を形成する工程をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
表面を有するプロセスチャンバコンポーネントと、
多層コーティングであって、
ＴｉＮｘ、ＴａＮｘ、Ｚｒ３Ｎ４、及びＴｉＺｒｘＮｙからなる群から選択される拡散障壁層と、
ＹＦ３、Ｙ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＥｒＡｌｘＯｙ、ＹＯｘＦｙ、ＹＡｌｘＯｙ、ＹＺｒｘＯｙ及びＹＺｒｘＡｌｙＯｚからなる群から選択される浸食防止層であって、拡散障壁層を覆う浸食防止層とを含む多層コーティングとを含む、コーティングされたプロセスチャンバコンポーネント。