【事件の表示】
　特願２０１２−　４８９５５「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月１９日出願公開、特開２０１３−１８７２２４、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年３月６日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　５月１５日　審査請求
　平成２６年　５月２８日　拒絶理由通知
　平成２６年　７月２２日　意見書・手続補正書
　平成２６年１２月２５日　拒絶査定
　平成２７年　４月　３日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　６月１０日　前置報告
　平成２７年　８月２４日　上申書
　平成２８年　４月　８日　拒絶理由通知（当審）
　（平成２８年４月８日付けで当審により通知された拒絶理由を、以下では「当審拒絶理由１」という。）
　平成２８年　５月２６日　意見書・手続補正書
　平成２８年　６月１６日　電話応対（当審）
　平成２８年　６月２１日　最後の拒絶理由通知（当審）
　（平成２８年６月２１日付けで当審により通知された拒絶理由を、以下では「当審拒絶理由２」という。）
　平成２８年　８月１７日　手続補正書
第２　平成２８年８月１７日付け手続補正について
１　補正の内容
　平成２８年８月１７日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、同年５月２６日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲及び明細書の記載をさらに補正するものであり、その内容は、請求項１の「前記半導体基板の裏面側に、前記第１表面配線に到達する第１貫通孔および前記第２表面配線に到達する第２貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成する工程」との記載を、「前記半導体基板の裏面側に、
孔径の異なる
２
２
ＩｎＰからなる
孔径の異なる
、ヨウ化水素ガス，臭化水素ガス，またはこれらの混合ガスを用いたドライエッチングにより
２　補正の適否
（１）特許法第１７条の２第３項
　補正事項１は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落［００１８］、［００２５］及び［００２６］に記載されている。また、補正事項２は、単なる表記の訂正にすぎない。また、補正事項３は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落［００１８］、［００２５］、［００２６］及び［００４７］に記載されている。
　したがって、本件補正は願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであるから、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
（２）特許法第１７条の２第４項
　平成２８年６月２１日付け拒絶理由通知において特許をすることができないものか否かについての判断が示された発明と、本件補正後の請求項１ないし７に係る発明とは、特許法第３７条の発明の単一性の要件を満たす一群の発明に該当するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
（３）特許法第１７条の２第５項
　補正事項１は、本件補正前の請求項１ないし７に記載された発明を特定するために必要な事項のうち、「前記半導体基板の裏面側に、前記第１表面配線に到達する第１貫通孔および前記第２表面配線に到達する第２貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成する工程」を限定し、「前記半導体基板の裏面側に、
孔径の異なる
　したがって、本件補正のうち、特許請求の範囲についてする補正は、特許法第１７条の２第５項第２号及び第３号に掲げる事項を目的とするものに該当するから、同項柱書の規定に適合する。
（４）特許法第１７条の２第６項
　上記（３）のとおり、本件補正は特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる事項を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か、すなわち、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、更に検討する。
　ア　本件補正発明
　本件補正後の請求項１ないし７に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載される事項により特定されるとおりであって、そのうち請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】
　ＩｎＰからなる半導体基板の表面に絶縁材料からなるエッチング停止層を形成する工程と、
　前記エッチング停止層の上に第１表面配線および第２表面配線を形成する工程と、
　前記半導体基板の裏面側に、孔径の異なる前記第１表面配線に到達する第１貫通孔および前記第２表面配線に到達する第２貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成する工程と、
　前記マスクパターンをマスクとし、ヨウ化水素ガス，臭化水素ガス，またはこれらの混合ガスを用いたドライエッチングにより前記半導体基板を選択的にエッチングして前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を前記エッチング停止層まで到達する状態に形成する工程と、
　前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を前記第１表面配線および前記第２表面配線まで到達する状態に形成する工程と、
　前記第１貫通孔内に第１貫通配線を形成し、前記第２貫通孔内に第２貫通配線を形成し、前記第１貫通配線に接続する第１裏面配線、および前記第２貫通配線に接続する第２裏面配線を前記半導体基板の裏面に形成する工程と
　を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　イ　引用例
（ア）引用例１の記載事項と引用発明
　ａ　引用例１の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由２において引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１０−１６１２１５号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）。
（ａ）「【０００１】
　
本発明は、配線用接続孔を有する半導体装置及びその製造方法に関する。
・・・
【０００５】
　しかしながら、貫通孔(接続孔)１０９は半導体基板の主表面に対して垂直でかつ平坦な壁面を有して形成されるわけではなく、実際には図６に示すように、オーバーハング形状２０２、ノッチ形状２０３や表面ラフネス２０４を有する。
このような貫通孔の内壁面上に形成した絶縁膜１０４には、オーバーハング形状部やノッチ形状部で膜厚が薄くなって十分な高抵抗値(絶縁性)を確保できずにリークが生じ、また表面ラフネスによって貫通孔内壁(半導体基板表面)との密着性が不足して膜剥がれによるリークが生じるという課題があった。
【０００６】
　加えて、
絶縁膜１０４は、貫通孔１０９の側壁面上にも十分な膜厚で形成されることが必要であるが、成膜条件の変更によるステップカバレッジの制御のみでは、貫通孔のサイズ(開口径や深さ)によっては十分な膜厚を確保できないという課題があった。
【０００７】
　本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、
貫通孔(接続孔)内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
（ｂ）「【００３４】
＜半導体装置の製造方法＞
　
本発明の半導体装置の製造方法は、
　ａ)
一方の面上に第１の絶縁層を介して位置する第１の配線層を有する半導体基板に、他方の面から該第１の配線層に至る接続孔を形成する工程
　ｂ)
前記接続孔の内面及び前記半導体基板の他方の面上に、膜質の異なる２種又はそれ以上の絶縁膜を積層して第２の絶縁層を形成する工程
　ｃ)
前記接続孔内の前記第１の配線層上の前記第２の絶縁層を一部除去して該第１の配線層を露出させる工程
　ｄ)
前記第２の絶縁層及び前記接続孔内に露出した前記第１の配線層上に第２の配線層を形成する工程
　を含んでなることを特徴とする。
【００３５】
　本発明の製造方法に使用し得る半導体基板は、本発明の半導体装置について記載したような、一方の面上に第１の絶縁層を介して第１の配線層が形成された半導体基板である。
【００３６】
　
第１の絶縁層は、
半導体基板上全面(一方の面)に、
形成することができる。
・・・
【００３７】
　
第１の配線層は、
第１の絶縁層上に
形成することができる。
・・・
【００３８】
　
上記のような半導体基板に他方の面から第１の配線層に至る接続孔を形成する(工程ａ)。
　
接続孔は、
半導体基板の他方の面上に形成したレジストパターンをエッチングマスクとして用い、先ず半導体基板を第１の絶縁層が露出するまで、次いで該第１の絶縁層を第１の配線層が露出するまで、エッチングすることにより形成する。半導体基板のエッチングの際には第１の絶縁層をストッパとして利用し、第１の絶縁層のエッチングの際には第１の配線層をストッパとして利用することができる。
・・・
【００４０】
　
接続孔を形成するためのエッチングとしては、
ドライエッチングであることが好ましい。
（ｃ）「【００４２】
　次に、
接続孔の内面(底面(すなわち、接続孔内で露出した第１の配線層の表面)及び側壁面)及び半導体基板の他方の面上に、膜質の異なる２種又はそれ以上の絶縁膜を積層して第２の絶縁層を形成する(工程ｂ)。
　
第２の絶縁層を膜質の異なる２種又はそれ以上の絶縁膜を積層して形成することにより、層厚を接続孔の径、深さに合わせて調整することが可能となる。」
（ｄ）「【００５６】
　続いて、
接続孔内の第１の配線層上(すなわち、接続孔の底面上)の第２の絶縁層を一部(接続孔の深さ方向には全部)除去して第１の配線層を露出させる(工程ｃ)
・・・
【００６０】
　次いで、
接続孔内に露出した第１の配線層及び第２の絶縁層上に、第２の配線層を形成する(工程ｄ)。
（ｅ）「【００６４】
＜具体的な実施形態＞
　以下に、本発明の
半導体装置及びその製造方法
・・・
【００６６】
　次に、図１を参照して
本発明の半導体装置(実施形態１)の製造方法
　図１(ａ)は、
一方の面上に第１の絶縁層１２を介して第１の配線層１３が位置する半導体基板(例えばシリコン基板)１１を示す。
【００６７】
　
この半導体基板１１の他方の面(該一方の面とは反対側の面)上に形成した所定パターンのレジスト(図示せず)をマスクとし、
図１(ｂ)に示すように、接続孔１９を形成して第１の絶縁層１２を露出させる。
【００６８】
　更に、例えばＣ５Ｆ８＋Ｏ２＋Ａｒ混合ガスを用いるプラズマエッチング法により、
図１(ｃ)に示すように、露出した第１の絶縁層１２を除去して第１の配線層１３を露出させることによって、半導体基板１１の他方の面から第１の配線層１３に至る接続孔１９(口径５０μｍ×深さ１００μｍ)を形成する。
【００６９】
　次いで、
図１(ｄ)に示すように、接続孔１９の内面(側壁面及び底面(すなわち、該接続孔内で露出した第１の配線層１３の表面))から半導体基板１１の他方の面を覆って、膜質が異なる２種類の絶縁膜１４ａ及び１４ｂを
順次積層して第２の絶縁層１４を形成する。
・・・
【００７１】
　続いて、
図１(ｅ)に示すように、
接続孔１９内で第１の配線層１３(すなわち、該接続孔の底面)を覆っている第２の絶縁層１４(絶縁膜１４ａ及び１４ｂ)の一部(深さ方向には全部)を除去して、第１の配線層１３を一部露出させる。
【００７２】
　次いで、
図１(ｆ)に示すように、
接続孔１９内に露出した第１の配線層１３と内接すると共に接続孔１９の側面上から半導体基板１１の他方の面上に亘って第２の絶縁層１４上に、
第２の配線層１６を形成する。
・・・
【００７３】
　最後に、図１(ｇ)に示すように、第２の配線層１６に接続する外部端子１８を設け、更に、外部端子１８を除き第２絶縁層１４及び第２の配線層１６上に保護層１７を被覆することによって、本発明の実施形態１の半導体装置が製造される。」
（ｆ）「【００７７】
　このように、
第２の絶縁層を膜質の異なる絶縁膜の積層体として形成することにより、接続孔を覆う絶縁膜の膜厚を貫通孔の径、深さに合わせて調整でき、その結果、所望の電気的及び/機械的特性を有する半導体装置を製造することができる。
　ｂ　引用発明
　上記ａの引用例１の記載と当該技術分野における技術常識より、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体基板の一方の面に第１の絶縁層を形成する工程と、
　前記第１の絶縁層上に第１の配線層を形成する工程と、
　前記半導体基板の他方の面に所定パターンのレジストを形成する工程と、
　前記レジストをエッチングマスクとして用い前記第１の絶縁層をストッパとして利用することにより前記半導体基板を前記第１の絶縁層が露出するまでドライエッチングし、次いで前記第１の絶縁層を前記第１の配線層が露出するまでドライエッチングすることにより、前記半導体基板に他方の面から第１の配線層に至る接続孔を形成する工程と、
　前記接続孔の内面及び前記半導体基板の他方の面上に、膜質の異なる２種又はそれ以上の絶縁膜を積層して第２の絶縁層を形成する工程と、
　前記接続孔内の前記第１の配線層上の前記第２の絶縁層を一部除去して前記第１の配線層を露出させる工程と、
　前記接続孔の側面上から前記半導体基板の他方の面上にわたって、前記接続孔内に露出した前記第１の配線層に内接する第２の配線層を形成する工程と
　を含む、半導体装置の製造方法。」
（イ）引用例２の記載事項
　原査定及び当審拒絶理由２において引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２０１１−２５８６９５号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【要約】
【課題】低温でＩｎＰ基板をドライエッチング法により高速でエッチングする。
【解決手段】ＩｎＰ基板１０１の上に無機絶縁材料からなる第１絶縁層１０４を形成し、第１絶縁層１０４の上に有機絶縁材料からなる第２絶縁層１０５を形成し、第１絶縁層１０４および第２絶縁層１０５をパターニングしてＩｎＰ基板１０１の表面が露出する開口部１０７を備えるマスクパターン１０８を形成し、
ヨウ化水素ガスまたは臭化水素ガスを用いたドライエッチング法によりマスクパターン１０８をマスクとしてＩｎＰ基板１０１を選択的にエッチングしてＩｎＰ基板１０１に開口パターン１０９を形成する。
（ウ）引用例３の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由２において引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００７−１８０３９５号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２０】
　まず、図１に示すように、その表面に不図示の電子デバイス（例えば、ＣＣＤや赤外線センサー等の受光素子や発光素子）が形成された半導体基板１を準備する。半導体基板１は、例えば３００μｍ〜７００μｍ程度の厚さになっている。そして、半導体基板１の表面に第１の絶縁膜２（例えば、熱酸化法やＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜やＢＰＳＧ膜）を例えば２μｍの膜厚に形成する。
・・・
【００２３】
　次に、
パッド電極３を含む半導体基板１の表面上に、エポキシ樹脂，レジスト，アクリル等の接着層５を介して支持体６を貼り合わせる。
【００２４】
　次に、
半導体基板１の裏面に対して裏面研削装置（グラインダーやエッチング装置）を用いてバッググラインドを行い、半導体基板１の厚さを所定の厚さ（例えば、５０〜２０μｍ程度）に研削する。
・・・
【００２９】
　次に、図６に示すように、
ビアホール８を含む半導体基板１の裏面の第２の絶縁膜９上にバリア層１５を形成する。さらに、バリア層１５上に不図示のシード層を形成する。
上記シード層は、後述する配線層１７をメッキ形成するための電極となる
（エ）引用例４の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由２において引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開平０９−１４８３１３号公報（以下「引用例４」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、
感光性ポリミイド１２をマスクとしてドライエッチング法にて
エッチングを行い、トレンチ１３を形成する。
（オ）引用例５の記載事項
　原査定の理由及び当審拒絶理由２において引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００８−１８７０７２号公報（以下「引用例５」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００３３】
  そして、第２段階でも
銅マンガンシード層３０を続けて形成する。
雰囲気圧力が１０
−５
〜１０Ｐａで、ターゲット投入電力を１６〜１６０ｍＷ／ｍ
２
とし、
（カ）引用例６の記載事項
　当審拒絶理由２において引用され、本願の出願の前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である特開２００９−１０３３６号公報（以下「引用例６」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【０２３２】
＜（ａ４−１）工程＞
・・・
【０２４２】
−レジスト層の形成−
　
レジスト層は、感光性レジストを用いて形成することができる。
・・・
【０２４３】
　
感光性レジストとしては、
２．液状レジスト
を使用することができる。
・・・
【０２４４】
　上記の各感光性レジストを用いる場合、金属膜上へのレジストの配置は以下のごとく行う。
・・・
【０２４６】
２．液状レジスト
　
塗布方法はスプレーコート
・・・
【０２５１】
＜（ａ４−２）工程＞
　（ａ４−２）工程は、（ａ３）工程において形成された無電解めっき層を有する基板に対しセミアディティブ法を用いて配線パターンを形成する。（ａ４−２）工程は、例えば以下のごとく実施する。
【０２５２】
　即ち、先ず、（ａ３）工程で形成された無電解めっき層上に、
パターン状のレジスト層を形成する。次いで、電解めっきを行い、レジスト層の非存在領域における無電解めっき層上に任意の厚みを有するパターン状の金属膜を形成した後、レジスト層を剥離する。さらに、レジスト層で保護されていた領域に存在する無電解めっき層を除去する。以上により配線パターンが形成される。
【０２５３】
−レジスト層の形成−
　
レジスト層の形成は、（ａ４−１）工程においてサブトラクティブ法を用いて配線パターンを形成する場合におけるレジスト層の形成と同様にして行うことができる。
【０２５４】
−電解めっき−
　電解めっきは、（ａ４−１）工程と同様にして行うことができる。
・・・
【０２５５】
−レジスト層の剥離−
　レジスト層の剥離は、（ａ４−１）工程におけるレジスト層の剥離と同様にして行うことができる。
【０２５６】
−レジスト層で保護されていた領域に存在する無電解めっき層の除去−
　レジスト層で保護されていた領域に存在する無電解めっき層の除去は、当該めっき膜を溶解除去することで行われる。・・・」
　ウ　対比
（ア）本件補正発明と引用発明とを対比する。
　ａ　引用発明における「第１の絶縁層」は、絶縁層であるから、「絶縁材料からなるもの」であるといえる。また、上記「第１の絶縁層」は、半導体基板をエッチングする際のストッパとして用いられているから、「エッチング停止層」であるといえる。また、引用発明における「半導体基板の一方の面」は、本件補正発明における「半導体基板の表面」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明における「半導体基板の一方の面に第１の絶縁層を形成する工程」と、本件補正発明における「ＩｎＰからなる半導体基板の表面に絶縁材料からなるエッチング停止層を形成する工程」は、「半導体基板の表面に絶縁材料からなるエッチング停止層を形成する工程」である点において共通するといえる。
　ｂ　引用発明における「第１の配線層」は、「半導体基板の一方の面」に形成される配線層であり、当該「半導体基板の一方の面」は、本件補正発明における「半導体基板の表面」に相当するものといえるから、引用発明における「第１の配線層」と、本件補正発明における「第１表面配線」及び「第２表面配線」は、「表面配線」である点において共通するといえる。
　そうすると、引用発明における「前記第１の絶縁層上に第１の配線層を形成する工程」と本件補正発明における「前記エッチング停止層の上に第１表面配線および第２表面配線を形成する工程」は、「前記エッチング停止層の上に表面配線を形成する工程」である点において共通するといえる。
　ｃ　引用発明における「半導体基板の他方の面」は、本件補正発明における「半導体基板の裏面」に相当するといえる。また、引用発明における「接続孔」は、「半導体基板の他方の面」から、「半導体基板」及び「第１の絶縁層」を貫通し、「第１の配線層」に至っているから、「表面配線に到達する貫通孔」であるといえる。また、引用発明における「所定パターンのレジスト」は、「接続孔」を形成する際のエッチングマスクとして用いられていることから、「マスクパターン」であるといえる。
　そうすると、引用発明における「前記半導体基板の他方の面に所定パターンのレジストを形成する工程」と、本件補正発明における「前記半導体基板の裏面側に、孔径の異なる前記第１表面配線に到達する第１貫通孔および前記第２表面配線に到達する第２貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成する工程」は、「前記半導体基板の裏面側に、表面配線に到達する貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成する工程」である点において共通するといえる。
　ｄ　引用発明においては、「半導体基板」及び「第１の絶縁層」をエッチングする際に、「レジストをエッチングマスクとして用い」ているから、「半導体基板」及び「第１の絶縁層」は「選択的にエッチング」されているといえる。また、引用発明において「前記半導体基板を前記第１の絶縁層が露出するまでドライエッチング」することは、貫通孔の数に係る相違を除き、本件補正発明の「半導体基板を選択的にエッチングして前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を前記エッチング停止層まで到達する状態に形成する」ことに相当するといえ、引用発明において「次いで前記第１の絶縁層を前記第１の配線層が露出するまでドライエッチングする」ことは、貫通孔の数に係る相違を除き、本件補正発明の「エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を前記第１表面配線および前記第２表面配線まで到達する状態に形成する工程」に相当するといえる。
　そうすると、引用発明における「前記レジストをエッチングマスクとして用い前記第１の絶縁層をストッパとして利用することにより前記半導体基板を前記第１の絶縁層が露出するまでドライエッチングし、次いで前記第１の絶縁層を前記第１の配線層が露出するまでドライエッチングすることにより、前記半導体基板に他方の面から第１の配線層に至る接続孔を形成する工程」と、本件補正発明における「前記マスクパターンをマスクとし、ヨウ化水素ガス，臭化水素ガス，またはこれらの混合ガスを用いたドライエッチングにより前記半導体基板を選択的にエッチングして前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を前記エッチング停止層まで到達する状態に形成する工程」及び「前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔を前記第１表面配線および前記第２表面配線まで到達する状態に形成する工程」は、「前記マスクパターンをマスクとし、ドライエッチングにより前記半導体基板を選択的にエッチングして前記貫通孔を前記エッチング停止層まで到達する状態に形成する工程」及び「前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記貫通孔を前記表面配線まで到達する状態に形成する工程」である点において共通するといえる。
　ｅ　引用発明における「第２の配線層」は、「半導体基板の一方の面」に形成された「第１の配線層」に内接し、「接続孔」の側面上から「半導体基板の他方の面」上にわたって形成されていることから、「貫通配線」であると同時に、当該「貫通配線」に接続された「裏面配線」であるといえる。
　そうすると、引用発明における「前記接続孔の側面上から前記半導体基板の他方の面上にわたって、前記接続孔内に露出した前記第１の配線層に内接する第２の配線層を形成する工程」と、本件補正発明における「前記第１貫通孔内に第１貫通配線を形成し、前記第２貫通孔内に第２貫通配線を形成し、前記第１貫通配線に接続する第１裏面配線、および前記第２貫通配線に接続する第２裏面配線を前記半導体基板の裏面に形成する工程」は、「前記貫通孔内に貫通配線を形成し、前記貫通配線に接続する裏面配線を前記半導体基板の裏面に形成する工程」である点において共通するといえる。
（イ）以上から、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
　ａ　一致点
　「半導体基板の表面に絶縁材料からなるエッチング停止層を形成する工程と、
　前記エッチング停止層の上に表面配線を形成する工程と、
　前記半導体基板の裏面側に、前記表面配線に到達する貫通孔を形成するためのマスクパターンを形成する工程と、
　前記マスクパターンをマスクとし、ドライエッチングにより前記半導体基板を選択的にエッチングして前記貫通孔を前記エッチング停止層まで到達する状態に形成する工程と、
　前記エッチング停止層を選択的にエッチングし、前記貫通孔を前記表面配線まで到達する状態に形成する工程と、
　前記貫通孔内に貫通配線を形成し、前記貫通配線に接続する裏面配線を前記半導体基板の裏面に形成する工程と
　を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本件補正発明では、「半導体基板」は「ＩｎＰからなる半導体基板」であり、当該「ＩｎＰからなる半導体基板」を「ヨウ化水素ガス、臭化水素ガス又はこれらの混合ガスを用いたドライエッチング」によりエッチングするのに対し、引用発明では、「半導体基板」が「ＩｎＰからなる半導体基板」であるとは特定されておらず、また、当該「ＩｎＰからなる半導体基板」を「ヨウ化水素ガス、臭化水素ガス又はこれらの混合ガスを用いたドライエッチング」によりエッチングするとは特定されていない点。
　・相違点２
　本件補正発明では、「表面配線」、「貫通孔」、「貫通配線」及び「裏面配線」が二組形成され、また、「貫通孔を形成するためのマスクパターン」が、「孔径の異なる」２つの貫通孔を形成するためのものであるのに対し、引用発明では、「第１の配線層」、「接続孔」及び「第２の配線層」が二組形成されるとは特定されておらず、また、「所定パターンのレジスト」が、「孔径の異なる」２つの接続孔を形成するためのものであるとは特定されていない点。
　エ　判断
（ア）本件補正発明の進歩性について
　上記相違点２について検討する。
　上記イ（ア）ａ（ａ）、（ｃ）及び（ｆ）のとおり、引用発明は、接続孔内に形成された絶縁膜上に設けられる配線層と半導体基板との間の電気的絶縁性の不良の発生が低減された半導体装置を提供することを目的とするものであり、接続孔の内面に膜質の異なる２種以上の絶縁膜を積層して第２の絶縁層を形成することにより、当該第２の絶縁層の層厚を接続孔の径、深さに合わせて調整することを可能としたものである。そして、引用発明において孔径の異なる複数の貫通孔を形成した場合には、第２の絶縁層の層厚を接続孔の径、深さに合わせて調整することが困難となり、引用発明の上記目的を達成することが困難となることは明らかであるから、引用発明において孔径の異なる複数の貫通孔を形成することには、阻害事由があるといえる。
　上記イ（ア）ａに摘記した引用例１のその他の記載事項、及び上記イ（イ）ないし（カ）に摘記した引用例２ないし６の記載事項を考慮しても、引用発明において、上記相違点２に係る構成とすることを当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
　したがって、相違点１について検討するまでもなく、本件補正発明は引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（イ）本件補正後の請求項２ないし７に係る発明の進歩性について
　本件補正後の請求項２ないし７はいずれも請求項１を引用しており、本件補正後の請求項２ないし７に係る発明は本件補正発明の発明特定事項を全て有する発明である。
　してみれば、本件補正発明が引用例１ないし６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件補正後の請求項２ないし７に係る発明も、引用例１ないし６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　オ　特許法第１７条の２第６項についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正後の請求項１ないし７に係る発明は、引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、他に本件補正後の請求項１ないし７に係る発明を拒絶すべき理由を発見しない。
　したがって、本件補正後の請求項１ないし７に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するものである。
（５）補正の適否についてのまとめ
　以上から、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項に規定する要件を満たす適法なものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記第２の２（５）のとおり、本件補正は特許法１７条の２第３項ないし第６項に規定する要件を満たす適法なものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものとはいえない。
　したがって、本願の請求項１ないし７に係る発明は、本件補正後の請求項１ないし７に記載されたとおりのものである。
２　原査定の理由について
　原査定の理由は、本願発明は引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、上記第２の２（４）エ（ア）及び（イ）のとおり、本件補正後の請求項１ないし７に係る発明は引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、原査定の理由及び原査定において引用された引用例１ないし５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
３　当審拒絶理由１について
　当審拒絶理由１は、請求項１の「
一部の前記第１貫通孔および一部の前記第２貫通孔の形成
　しかしながら、本件補正後の請求項１では、「一部の前記第１貫通孔および一部の前記第２貫通孔の形成に続いて」との記載が削除されており、また、請求項６及び７の「第１裏面配線」との記載が「前記第１裏面配線」との記載に補正されていることから、当審拒絶理由１は解消している。
　したがって、当審拒絶理由１によっては、本願を拒絶することはできない。
４　当審拒絶理由２について
　当審拒絶理由２は、本願発明は引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら、上記第２の２（４）エ（ア）及び（イ）のとおり、本件補正後の請求項１ないし７に係る発明は引用例１ないし６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、当審拒絶理由２によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　結言
　上記第３の２ないし４のとおり、原査定の理由、当審拒絶理由１及び当審拒絶理由２によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。