(57)【要約】      （修正有）【課題】低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を提供する。【解決手段】第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８，１５のオン／オフによりＶＨＦローバンドとＶＨＦハイバンドの切替えを行い、ＶＨＦハイバンド切替え時にのみ高周波増幅器の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器の入力容量ＣＭＩＸのバラツキによる共振特性変化を補正する第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６を投入するようにした。【選択図】図１
0003130819.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
同調周波数が低域周波数帯又は高域周波数帯に切替えられるバンド切替え型の複同調回路であって、
入力端とグラウンドとの間に接続された第一の可変容量素子と、
直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第一の可変容量素子に並列に接続された第一のインダクタンス回路と、
前記第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第一のスイッチング素子と、
出力端とグラウンドとの間に接続された第二の可変容量素子と、
直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第二の可変容量素子に並列に接続された第二のインダクタンス回路と、
前記第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第二のスイッチング素子と、
前記第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子と、
を具備したことを特徴とする複同調回路。
【請求項２】
前記帯域補正用インダクタンス素子は、前記入力端に接続された回路要素及び又は前記出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正可能なインダクタンス値に設定されることを特徴とする請求項１記載の複同調回路。
【請求項３】
同調周波数として前記低域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせ、同調周波数として前記高域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の複同調回路。
【請求項４】
前記帯域補正用インダクタンス素子は、パターンで構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の複同調回路。
【請求項５】
前記低域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の低域側周波数帯であり、前記高域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の高域側周波数帯であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の複同調回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、同調周波数を低域側又は高域側に切替え可能なバンド切替え型の複同調回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドのテレビジョン信号を受信するテレビジョンチューナには、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドのそれぞれに同調可能なバンド切替え型の複同調回路が備えられていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図５は特許文献１に記載されたバンド切替え型の複同調回路を備えたテレビジョンチューナの回路構成図である。同図に示すテレビジョンチューナは、ＶＨＦ帯からＵＨＦ帯までの全てのテレビジョン信号が入力端３１を介して第一のチューナ３２と第二のチューナ３３とに入力される。第一のチューナ３２ではＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドとＵＨＦ帯の低域側の帯域のテレビジョン信号が受信され、第二のチューナ３３ではＵＨＦ帯の高域側の帯域のテレビジョン信号が受信される。
【０００４】
第一のチューナ３２の入力同調回路３４はバンド切替え型の同調回路によって構成され、４０数ＭＨｚから１３０乃至１５０ＭＨｚ（例えば１４０ＭＨｚ）までの低域の周波数帯のテレビジョン信号又は１３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚから４１０ＭＨｚ乃至４４０ＭＨｚまでの高域の周波数帯のテレビジョン信号に同調可能なように切り替えられる。この入力同調回路３４によって選択されたテレビジョン信号は高周波増幅器３５の増幅素子３５ａ（電界効果トランジスタ）の入力端子Ｇ１に入力される。増幅素子３５ａの出力端子Ｄにはチョークインダクタンス素子３６を介して電源端子Ｂから電圧が印加される。
【０００５】
高周波増幅器３５の次段には複同調回路３７が設けられる。複同調回路３７もバンド切替え型の同調回路で構成され、４０数ＭＨｚから１３０乃至１５０ＭＨｚ（例えば１４０ＭＨｚ）までの低域の周波数帯のテレビジョン信号又は１３０ＭＨｚ乃至１５０ＭＨｚから４１０ＭＨｚ乃至４４０ＭＨｚまでの高域の周波数帯のテレビジョン信号に同調可能なように切り替えられる。
【０００６】
複同調回路３７は、一次側に第一の高域同調用インダクタンス素子３７ａ、第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂ、第一のバラクタダイオード３７ｃ、第一のスイッチダイオード３７ｄを有し、二次側に第二の高域同調用インダクタンス素子３７ｅ、第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆ、第二のバラクタダイオード３７ｇ、第二のスイッチダイオード３７ｈを有し、図示のように接続されている。また、第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂと第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆとが結合用インダクタンス素子３７ｉによって接地される。
【０００７】
そして、第一及び第二のスイッチダイオード３７ｄ、３７ｈの各アノードがそれぞれ第一の高域同調用インダクタンス素子３７ａと第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂとの接続点、第二の高域同調用インダクタンス素子３７ｅと第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆとの接続点に高周波的に接続される。また、各アノードは第一の切替え端子Ｈｉに接続され、各カソードは第二の切替え端子Ｌｏに接続される。また、カソードは直流カットコンデンサ３７ｊによって高周波的に接地されると共に抵抗３７ｋによって接地される。複同調回路３７は結合用バラクタダイオード３８を介して混合器３９に接続される。
【０００８】
なお、第一のバラクタダイオード３７ｃのカソードと第二のバラクタダイオード３７ｇのカソードとには同調周波数を変化させるための同調電圧が印加されるがその構成の図示は省略している。
【０００９】
以上の構成において、第一の切替え端子Ｈｉにハイレベルの切替え電圧を印加すると、第一及び第二のスイッチダイオード３７ｄ、３７ｈがオンとなり、複同調回路３７において、第一の高域同調用インダクタンス素子３７ａと第一の低域同調用インダクタンス素子３７ｂとの接続点及び第二の高域同調用インダクタンス素子３７ｅと第二の低域同調用インダクタンス素子３７ｆとの接続点とが高周波的に接地される。この結果、複同調回路３７は前記高域の周波数帯に同調する。
【００１０】
また、第二の切替え端子Ｌｏにハイレベルの切替え電圧を印加すると、第一及び第二のスイッチダイオード３７ｄ、３７ｈがオフとなり、複同調回路３７は前記低域の周波数帯に同調する。
【００１１】
ところで、上記複同調回路３７の一次側に接続された高周波増幅器３５及び二次側に接続された混合器３９はそれぞれ内部容量を持っている。高周波増幅器３５の内部容量は複同調回路３７の一次側共振回路の容量（第一のバラクタダイオード３７ｃ）に対して並列接続され、混合器３９の内部容量は複同調回路３７の二次側共振回路の容量（第二のバラクタダイオード３７ｇ）に対して並列接続される。従来、高周波増幅器３５の出力容量を考慮して複同調回路３７の一次側共振回路の共振特性を設定し、混合器３９の入力容量を考慮して複同調回路３７の二次側共振回路の共振特性を設定していた。
【特許文献１】特開２００２−２４６９３２号公報
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、複同調回路３７に対する高周波増幅器３５の出力容量及び混合器３９の入力容量は部品によってバラツキがあるので、複同調回路３７の一次側共振回路及び二次側共振回路の共振特性が必ずしも設計通りの特性にならない可能性があった。特に、ＶＨＦハイバンドでは高周波増幅器３５の出力容量及び混合器３９の入力容量のバラツキにより共振特性に大きな影響を受けるといった問題があった。
【００１３】
本考案は、かかる点に鑑みてなされたものであり、低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を実現することができる複同調回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本考案の複同調回路は、同調周波数が低域周波数帯又は高域周波数帯に切替えられるバンド切替え型の複同調回路であって、入力端とグラウンドとの間に接続された第一の可変容量素子と、直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第一の可変容量素子に並列に接続された第一のインダクタンス回路と、前記第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第一のスイッチング素子と、出力端とグラウンドとの間に接続された第二の可変容量素子と、直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなり、前記第二の可変容量素子に並列に接続された第二のインダクタンス回路と、前記第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子の中間接続点とグラウンドとの間に設けられた第二のスイッチング素子と、前記第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子とを具備したことを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、第一のスイッチング素子と前記第二のスイッチング素子の少なくともどちらか一方に直列に接続された帯域補正用インダクタンス素子を設けたので、帯域補正用インダクタンス素子のインダクタンス値を調整して複同調回路の共振特性を所望の特性に補正することができる。
【００１６】
また本考案は、上記複同調回路において、前記帯域補正用インダクタンス素子は、前記入力端に接続された回路要素及び又は前記出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正可能なインダクタンス値に設定されることを特徴とする。
【００１７】
この構成により、帯域補正用インダクタンス素子のインダクタンス値を調整することで、入力端に接続された回路要素及び又は出力端に接続された回路要素の内部容量のバラツキによる共振特性のずれを補正することができる。
【００１８】
また本考案は、上記複同調回路において、同調周波数として前記低域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせ、同調周波数として前記高域周波数帯を選択するときは、前記第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることを特徴とする。
【００１９】
この構成により、第一及び第二のスイッチング素子を共にオフさせることで、一次側には第一の可変容量素子と第一の高域同調用インダクタンス素子と第一の低域同調用インダクタンス素子とからなる共振回路が形成されて低域周波数帯に同調し、二次側には第二の可変容量素子と第二の高域同調用インダクタンス素子と第二の低域同調用インダクタンス素子とからなる共振回路が形成されて低域周波数帯に同調する。また、第一及び第二のスイッチング素子を共にオンさせることで、帯域補正用インダクタンス素子が第一のスイッチング素子に直列に接続されている場合には、一次側に第一の可変容量素子と第一の高域同調用インダクタンス素子及び帯域補正用インダクタンス素子からなる一次側共振回路が形成されて一次側共振回路の共振特性が帯域補正用インダクタンス素子で補正される。また、帯域補正用インダクタンス素子が第二のスイッチング素子に直列に接続されている場合には、二次側に第二の可変容量素子と第二の高域同調用インダクタンス素子及び帯域補正用インダクタンス素子からなる二次側共振回路が形成されて二次側共振回路の共振特性が帯域補正用インダクタンス素子で補正される。
【００２０】
また上記複同調回路において、前記帯域補正用インダクタンス素子は、パターンで構成することができる。
【００２１】
また上記複同調回路において、前記低域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の低域側周波数帯であり、前記高域周波数帯は、ＶＨＦテレビジョン帯域の高域側周波数帯であることとする。これにより、テレビジョンチューナの複同調回路として用いることができる。
【考案の効果】
【００２２】
本考案によれば、低域同調時の共振特性には影響を与えずに、高域同調時にだけ共振特性を補正でき、高域同調時に所要の共振特性を実現することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本考案の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本考案の一実施の形態に係る複同調回路の構成図である。
複同調回路１の一次側には、入力端子２とグラウンドとの間に第一の可変容量素子３が接続されている。第一の高域同調用インダクタンス素子４の一端が入力端子２に接続され、第一の低域同調用インダクタンス素子５の一端が結合用インダクタンス素子６及びバイパスコンデンサ７を直列に介してグラウンドに接続されている。すなわち、直列接続された第一の高域同調用インダクタンス素子４と第一の低域同調用インダクタンス素子５とからなる第一のインダクタンス回路が、第一の可変容量素子３に対して並列に接続されている。第一の高域同調用インダクタンス素子４の他端と第一の低域同調用インダクタンス素子５の他端との中間接続点Ｐ１は第一のバンド切替え用ダイオード８を介してグラウンドに接続される。中間接続点Ｐ１とグラウンドとの間には、第一の帯域補正用インダクタンス素子９が第一のバンド切替え用ダイオード８に対して直列に接続されている。例えば、第一の高域同調用インダクタンス素子４、第一の低域同調用インダクタンス素子５が２０〜２５ｎＨ程度であるのに対して、第一の帯域補正用インダクタンス素子９は０〜５ｎＨ程度に設定される。第一の帯域補正用インダクタンス素子９は、第一の高域同調用インダクタンス素子４等に比べて微少であるので、パターンで構成することが望ましい。
【００２４】
複同調回路１の二次側には、出力端子１１とグラウンドとの間に第二の可変容量素子１２が接続されている。第二の高域同調用インダクタンス素子１３と第二の低域同調用インダクタンス素子１４とが直列接続され、第二の高域同調用インダクタンス素子１３の一端が出力端子１１に接続され、第二の低域同調用インダクタンス素子１４の一端が結合用インダクタンス素子６及びバイパスコンデンサ７を直列に介してグラウンドに接続されている。すなわち、直列接続された第二の高域同調用インダクタンス素子１３と第二の低域同調用インダクタンス素子１４とからなる第二のインダクタンス回路が、第二の可変容量素子１２に対して並列に接続されている。第二の高域同調用インダクタンス素子１３の他端と第二の低域同調用インダクタンス素子１４の他端との中間接続点Ｐ２は第二のバンド切替え用ダイオード１５を介してグラウンドに接続される。中間接続点Ｐ２とグラウンドとの間には、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６が第二のバンド切替え用ダイオード１５に対して直列に接続されている。例えば、第二の高域同調用インダクタンス素子１３、第一の低域同調用インダクタンス素子１４が２０〜２５ｎＨ程度であるのに対して、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６は０〜５ｎＨ程度に設定される。第二の帯域補正用インダクタンス素子１６は、第二の高域同調用インダクタンス素子１３等に比べて微少であるので、パターンで構成することが望ましい。
【００２５】
第一の帯域補正用インダクタンス素子９及び第二の帯域補正用インダクタンス素子１６の接地側端部は直流カットコンデンサ１７を介してグラウンドに接続される。また、第一の帯域補正用インダクタンス素子９と第二の帯域補正用インダクタンス素子１６との中間接続点はバイパスコンデンサ１８を介して高周波的に接地される。
【００２６】
さらに、第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６の接地側端部は、抵抗素子１９を介してバンド切替え用の電圧が印加されるバンド切替え用端子２０に接続されている。バンド切替え用端子２０は、高域同調時には図示していないＩＣ回路においてグラウンドに接続され、低域同調時には第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５をオフさせる程度の正電圧が上記ＩＣ回路から印加される。常にバイアス電圧が印加される端子２１はバイパスコンデンサ７のグラウンド側電極に接続されている。端子２１に印加されるバイアス電圧は、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５のアノードに印加される。したがって、バンド切替え用端子２０がＩＣ回路においてグラウンドに接続されれば第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５が共にオンし、バンド切替え用端子２０にＩＣ回路から上記正電圧が印加されれば第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５が共にオフすることになる。
【００２７】
以下、図５に示すテレビジョンチューナにおける第一のチューナ３２の複同調回路３７の代わりに本実施の形態の複同調回路１を備えたものとして説明する。この場合、高域の同調周波数がＶＨＦハイバンドに相当し、低域の同調周波数がＶＨＦローバンドに相当する。
【００２８】
テレビジョンチューナの第一のチューナ３２の入力同調回路３４でＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドを含んだテレビジョン信号が抽出され、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドのテレビジョン信号が高周波増幅器３５で増幅された後、複同調回路１の入力端子２に入力する。
【００２９】
先ず、ＶＨＦローバンドを受信する場合の動作について説明する。
ＶＨＦローバンドを受信する場合、ＩＣ回路からバンド切替え用端子２０に正電圧を印加して第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５をオフさせる。このとき、複同調回路１の一次側では第一の可変容量素子３、第一の高域同調用インダクタンス素子４及び第一の低域同調用インダクタンス素子５からなる共振回路が形成される。この結果、第一の可変容量素子３の可変容量に応じて選局されるＶＨＦローバンド内の所望の受信チャンネル周波数に同調し、受信チャンネル周波数が選択される。複同調回路１の二次側では第二の可変容量素子１２、第二の高域同調用インダクタンス素子１３及び第二の低域同調用インダクタンス素子１４からなる共振回路が形成される。一次側インダクタンス素子４，５と二次側インダクタンス素子１３，１４とがＭ結合して、受信チャンネル周波数信号が複同調回路１の二次側に入力する。二次側においても、一次側同様にＶＨＦローバンド内の受信チャンネル周波数に同調し、受信チャンネル周波数が選択されて出力端子１１から混合器３９へ出力される。
【００３０】
なお、ＶＨＦローバンドでは、一次側共振回路に並列接続される高周波増幅器３５の出力容量及び二次側共振回路に並列接続される混合器３９の入力容量の各バラツキは無視することができる。したがって、高周波増幅器３５の出力容量及び混合器３９の入力容量をその部品仕様にしたがって他の回路部品の定数を定めておけば、一次側共振回路及び二次側共振回路ともに設計通りの共振特性を実現できる。
【００３１】
次に、ＶＨＦハイバンドを受信する場合の動作について説明する。
ＶＨＦハイバンドを受信する場合、ＩＣ回路においてバンド切替え用端子２０をグラウンドに接続して、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８、１５をオンさせる。一次側では、第一のバンド切替え用ダイオード８がオンすることで、第一の高域同調用インダクタンス素子４の他端が、第一の帯域補正用インダクタンス素子９を経由してグラウンドに接続される。二次側では、第二のバンド切替え用ダイオード１５がオンすることで、第二の高域同調用インダクタンス素子１３の他端が、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６を経由してグラウンドに接続される。
【００３２】
図２は、ＶＨＦハイバンド同調時における複同調回路１の等価回路である。複同調回路１の一次側では、第一の可変容量素子３と第一の高域同調用インダクタンス素子４とが並列接続されると共に、第一の高域同調用インダクタンス素子４に対して第一の帯域補正用インダクタンス素子９が直列に接続された一次側共振回路が形成される。また、入力端子２には高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰが現れ、第一の可変容量素子３に対して並列接続される。
【００３３】
高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰのバラツキにより一次側共振回路の共振周波数（同調周波数）が所望周波数からずれる可能性があるが、第一の帯域補正用インダクタンス素子９のインダクタンス値を調節して出力容量ＣＡＭＰのバラツキ相当分を補正するようにしている。例えば、０〜５ｎＨ程度のインダクタンス値の小さい第一の帯域補正用インダクタンス素子９で一次側共振回路が所望の共振特性となるように補正する。
【００３４】
また、複同調回路１の二次側では、第二の可変容量素子１２と第二の高域同調用インダクタンス素子１３とが並列接続されると共に、第二の高域同調用インダクタンス素子１３に対して第二の帯域補正用インダクタンス素子１６が直列に接続された二次側共振回路が形成される。出力端子１１には混合器３９の入力容量ＣＭＩＸが現れ、第二の可変容量素子１２に対して並列接続される。
【００３５】
二次側においても、一次側と同様に、混合器３９の入力容量ＣＭＩＸのバラツキにより二次側共振回路の共振周波数（同調周波数）が所望周波数からずれる可能性があるが、第二の帯域補正用インダクタンス素子１６のインダクタンス値を調節して入力容量ＣＭＩＸのバラツキ相当分を補正するようにしている。例えば、０〜５ｎＨ程度のインダクタンス値の小さい第二の帯域補正用インダクタンス素子１６で所望の共振特性となるように補正する。
【００３６】
このように、本実施の形態では、第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８，１５のオン／オフによりＶＨＦローバンドとＶＨＦハイバンドの切替えを行い、ＶＨＦハイバンド切替え時にのみ高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器３９の入力容量ＣＭＩＸのバラツキによる共振特性変化を補正する第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６を投入するようにした。これにより、ＶＨＦローバンド切替時は第一及び第二のバンド切替え用ダイオード８，１５がオフになるのでカソード側の特性は影響しないようにでき、従来回路と同等の特性を実現できる。また、ＶＨＦハイバンド切替時は高周波増幅器３５の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器３９の入力容量ＣＭＩＸのバラツキによる共振特性の変動を補正できる。
【００３７】
次に、図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すシミュレーション回路を用いて、第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６が共振特性に与える影響について検証した結果を説明する。
【００３８】
図３（ａ）に示す複同調回路は、従来回路と同一の回路構成であるが、高周波増幅器の出力容量ＣＡＭＰ及び混合器の入力容量ＣＭＩＸは設計値通りであるものとする。図３（ａ）に示す複同調回路の共振特性を図４（ａ）に示す。
【００３９】
図３（ｂ）に示す複同調回路は、二次側にのみ第二の帯域補正用インダクタンス素子１６を挿入した回路構成となっている。図３（ｂ）に示す複同調回路の共振特性を図４（ｂ）に示す。同図に示すように、複同調回路の二次側共振回路にのみ第二の帯域補正用インダクタンス素子１６を挿入したことにより、共振周波数が低域側へシフトした共振特性へと変化していることが判る。
【００４０】
図３（ｃ）に示す複同調回路は、一次側にのみ第一の帯域補正用インダクタンス素子９を挿入した回路構成となっている。図３（ｃ）に示す複同調回路の共振特性を図４（ｃ）に示す。同図に示すように、複同調回路の一次側共振回路にのみ第一の帯域補正用インダクタンス素子９を挿入したことにより、共振周波数が高域側へシフトした共振特性へと変化していることが判る。
【００４１】
第一及び第二の帯域補正用インダクタンス素子９、１６のインダクタンス値を調整することにより、複同調回路の共振特性を所望の特性に可能であることは、以上のシミュレーション結果より確認された。
【００４２】
なお、図１に示す実施の形態では、複同調回路１の一次側及び二次側の双方に帯域補正用インダクタンス素子を設けているが、どちらか一方だけに帯域補正用インダクタンス素子を設ける構成としても良い。図３（ｂ）（ｃ）、図４（ｂ）（ｃ）に示すように、一次側又は二次側のどちらか一方だけであっても複同調回路の共振特性を補正可能である。
【００４３】
また、以上の説明ではＶＨＦハイバンドとＶＨＦローバンドを切り替える場合について説明したが、本発明はＶＨＦハイバンドとＶＨＦローバンドの切替え以外にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本考案の一実施の形態に係る複同調回路の構成図
【図２】上記一実施の形態においてＶＨＦハイバンド同調時の複同調回路の等価回路図
【図３】（ａ）帯域補正用インダクタンス素子を設けていない複同調回路の回路図、（ｂ）二次側にのみ帯域補正用インダクタンス素子を設けた複同調回路の回路図、（ｃ）一次側にのみ帯域補正用インダクタンス素子を設けた複同調回路の回路図
【図４】（ａ）図３（ａ）に示す複同調回路の共振特性のシミュレーション結果を示す特性図、図３（ｂ）に示す複同調回路の共振特性のシミュレーション結果を示す特性図、図３（ｃ）に示す複同調回路の共振特性のシミュレーション結果を示す特性図
【図５】従来のテレビジョンチューナの構成図
【符号の説明】
【００４５】
１…複同調回路、２…入力端子、３…第一の可変容量素子、４…第一の高域同調用インダクタンス素子、５…第一の低域同調用インダクタンス素子、６…結合用インダクタンス素子、７…バイパスコンデンサ、８…第一のバンド切替え用ダイオード、９…第一の帯域補正用インダクタンス素子、１１…出力端子、１２…第二の可変容量素子、１３…第二の高域同調用インダクタンス素子、１４…第二の低域同調用インダクタンス素子、１５…第二のバンド切替え用ダイオード、１６…第二の帯域補正用インダクタンス素子、１７…直流カットコンデンサ、１８…バイパスコンデンサ、１９…抵抗素子、２０…バンド切替え用端子、２１…端子
【図１】
0003130819.tif 000003
【図２】
0003130819.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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