【事件の表示】
　特願２０１１−２４５５１９「ショットキーバリアダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月２３日出願公開、特開２０１３−１０２０８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年１１月９日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２６年１０月２１日　審査請求
平成２７年　２月　６日　拒絶理由通知
平成２７年　４月１３日　意見書
平成２７年　７月１４日　拒絶査定
平成２７年１０月２１日　審判請求・手続補正
平成２８年　７月２９日　上申書
　
第２　補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年１０月２１日にされた手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正により，本件補正前の特許請求の範囲の請求項４のうち，請求項１を引用する請求項３を引用した部分は本件補正後の請求項１へ補正（以下，「補正事項１」という。）された。
２　補正の適否
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の記載からみて，補正事項１は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので，補正事項１は，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして，本件補正は本件補正前の請求項４について引用請求項を減少させるものであるから，特許法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかであり，また，同法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項）につき，更に検討する。
（１）本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正後の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「ｎ型の導電性を有するＧａ２Ｏ３系化合物半導体からなるｎ型半導体層と，前記ｎ型半導体層に対してショットキー接触する電極層とを備え，
　前記ｎ型半導体層には，前記電極層にショットキー接触する第１の半導体層と，前記第１の半導体層よりも高い電子キャリア濃度を有する第２の半導体層とが形成されているショットキーバリアダイオードであって，
　前記第１の半導体層における電子キャリア濃度が１×１０１７ｃｍ−３よりも低く，前記第２の半導体層における電子キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３よりも高いショットキーバリアダイオード。」
（２）引用文献１の記載と引用発明
　ア　引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１０−２３３４０６号公報（以下，「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，スイッチング制御装置及びショットキーダイオードに関する。」
（イ）「【００１８】
（ショットキーダイオードの構成）
　図２は，本発明の実施の形態に係るショットキーダイオードの要部断面図である。この
ショットキーダイオード８は，一例として，寸法が１０×１０ｍｍであり，図２に示すように，ｎ型Ｇａ
２
Ｏ
３
基板８０と，オーミック電極８１と，ショットキー電極８２と，を備え
【００１９】
　ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板８０は，例えば，Ｇａ２Ｏ３系の半導体基板から構成され，その厚さは，一例として，１００μｍである。
【００２０】
　このＧａ２Ｏ３系の半導体基板が，ｎ型導電性を示すためには，半導体基板中のＧａがｎ型ドーパントと置換されるか，半導体基板中の酸素がｎ型ドーパントと置換されるか，またはβ−Ｇａ２Ｏ３単結晶中の酸素欠陥によらなければならない。Ｇａがｎ型ドーパントと置換されるガリウム置換型ｎ型ドーパントとして，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｃ，Ｓｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐｂ，Ｍｎ，Ａｓ，Ｓｂ及びＢｉ等が挙げられる。酸素がｎ型ドーパントと置換される酸素置換型ｎ型ドーパントとして，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等が挙げられる。
【００２１】
　また，
ｎ型Ｇａ
２
Ｏ
３
基板８０は，室温におけるバンドギャップがおよそ４．８ｅＶであり，Ｓｉのバンドギャップ（およそ１．１ｅＶ），ＳｉＣ（４Ｈ）のバンドギャップ（およそ３．０ｅＶ），及びＧａＮのバンドギャップ（およそ３．４ｅＶ）に比べて大きいバンドギャップを有することが知られている。
【００２２】
　バンドギャップは，ショットキーダイオードの動作温度に関係し，バンドギャップが大きいほど，動作温度は高くなる。また，
バンドギャップは，ショットキーダイオードの絶縁破壊電解強度に関係し，バンドギャップが大きいほど，絶縁破壊強度が大きくなる。
本実施の形態におけるショットキーダイオード８は，ＳｉＣ（４Ｈ）及びＧａＮから作られるショットキーダイオードに比べて高温動作が可能で，かつ，高耐圧である
【００２３】
　
オーミック電極８１は，ｎ型Ｇａ
２
Ｏ
３
基板８０の下面に形成された第１の膜８３と，第１の膜８３上に形成された第２の膜８４と，を有して概略構成される。
・・・
【００２７】
　ショットキー電極８２は，ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板８０の上面に形成される。また，ショットキー電極８２は，例えば，スパッタ法によって形成されたＡｕ膜である。なお，
ショットキー電極８２は，ｎ型Ｇａ
２
Ｏ
３
基板８０との間でショットキー接触する
（ウ）図２には，
層状の「ｎ型Ｇａ
２
Ｏ
３
基板８０」と層状の「ショットキー電極８２」
　イ　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板と，前記ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板との間でショットキー接触するショットキー電極と，を備えたショットキーダイオード。」
（３）周知例の記載及び周知技術
　ア　周知例１
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−０４２９９７号公報（以下，「周知例１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【０００３】
　パワーデバイスとしての半導体装置（たとえば整流素子）には，大きく分類してｐｎ接合ダイオードと
ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）
【０００４】
　以上により，ワイドバンドギャップ半導体を用いたＳＢＤは，高耐圧，高温動作，および高周波動作を実現し得る整流素子として期待されている。
【０００５】
　図５２は，従来の
ＳｉＣ−ＳＢＤ（整流素子）の構成を示す断面模式図である。図５２を参照して，整流素子１１０は，ｎ型のＳｉＣ基板１０１と，ＳｉＣ基板１０１の主表面上に形成され，ＳｉＣ基板１０１よりも不純物濃度の低いｎ型のドリフト層１０２と，ドリフト層１０２の表面上に形成されたアノード電極１０３と，ＳｉＣ基板１０１の裏面上に形成されたカソード電極１０４とを有している。整流素子１１０においては，アノード電極１０３とドリフト層１０２とによってショットキー障壁が構成され，この障壁によって整流特性が実現される。
　イ　周知例２
　原査定で引用された，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−０１６８７５号公報（以下，「周知例２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００１３】
　この新しい
ＧａＮショットキーダイオードは一般に，基板上にｎ＋ ＧａＮ層を含み，基板の反対側のｎ＋ ＧａＮ層上にｎ− ＧａＮ層を含む。ｎ＋ ＧａＮ層上に金属オーミックコンタクトが含まれ，ｎ− ＧａＮ層から分離され，ｎ− ＧａＮ層上にショットキー金属層が含まれる。整流すべき信号が，ダイオードのショットキー金属コンタクトと金属オーミックコンタクトの両端間に印加される。
　ウ　周知技術
　前記ア及びイより，次の事項は本願の出願前に周知技術であったと認められる。
「ショットキーダイオードにおいて，高濃度不純物半導体層側にオーミック接触した電極を形成し，低濃度不純物半導体層側にショットキー接合した電極を形成したショットキーダイオード。」
（４）本願補正発明と引用発明との対比
　引用発明の「ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板」及び「ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板との間でショットキー接触するショットキー電極」は，それぞれ層状のものである（前記（２）ア（ウ））から，それぞれ本願補正発明の「ｎ型の導電性を有するＧａ２Ｏ３系化合物半導体からなるｎ型半導体層」及び「前記ｎ型半導体層に対してショットキー接触する電極層」に相当すると認められる。
　引用発明の「ショットキーダイオード」は，下記相違点を除いて，本願補正発明の「ショットキーバリアダイオード」に相当すると認められる。
　してみると，本願補正発明と引用発明を対比すると，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「ｎ型の導電性を有するＧａ２Ｏ３系化合物半導体からなるｎ型半導体層と，前記ｎ型半導体層に対してショットキー接触する電極層とを備える
ショットキーバリアダイオード。」
　イ　相違点
　本願補正発明の「前記ｎ型半導体層には，前記電極層にショットキー接触する第１の半導体層と，前記第１の半導体層よりも高い電子キャリア濃度を有する第２の半導体層とが形成されて」おり，「前記第１の半導体層における電子キャリア濃度が１×１０１７ｃｍ−３よりも低く，前記第２の半導体層における電子キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３よりも高い」のに対し，引用発明の「ｎ型半導体層」は「ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板」であり，電子キャリア濃度について開示がない点。
（５）相違点についての検討
　ア　引用文献１の段落【００２３】には，ｎ型Ｇａ２Ｏ３基板８０の下面にオーミック電極８１を形成することが記載されているので，引用発明はオーミック電極を備えたショットキーダイオードの態様も含まれるところ，前記（３）ウで認定したとおり，ショットキーダイオードにおいて，高濃度不純物半導体層側にオーミック接触した電極を形成し，低濃度不純物半導体層側にショットキー接合した電極を形成することは，周知技術であるから，引用発明のオーミック電極とショットキー電極を，前記周知技術を採用することで実現することは，当業者が容易になし得ることである。
　イ　そして，前記周知技術の採用により，高濃度不純物半導体層と低濃度不純物半導体層を導入する際に，それぞれの層の不純物濃度をどの程度にするかは，求められる逆方向耐圧や順方向電圧，オーミックコンタクト抵抗に基づいて当業者が適宜設計すべき事項にすぎない。
　ウ　以上のとおりであるから，引用発明に前記周知技術を採用して，高濃度不純物半導体層と低濃度不純物半導体層を導入し，それぞれの半導体層の電子キャリア濃度について適宜の数値範囲を設定することは当業者が容易になし得ることである。
（６）本願補正発明の効果について
　本願補正発明の効果（本願明細書段落【００１１】参照。）は，バンドギャップの大きいＧａ２Ｏ３基板を採用した引用発明の構成及び高濃度不純物半導体層上にオーミック接触した電極を開示する周知技術から，当業者が予測できるものであり，格別のものではない。
（７）まとめ
　よって，本願補正発明は，引用発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明の特許性の有無について
１　本願発明について 
　平成２７年１０月２１日にされた手続補正は前記のとおり却下された。
　そして，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものと認める。
「ｎ型の導電性を有するＧａ２Ｏ３系化合物半導体からなるｎ型半導体層と，前記ｎ型半導体層に対してショットキー接触する電極層とを備え，
　前記ｎ型半導体層には，前記電極層にショットキー接触する第１の半導体層と，前記第１の半導体層よりも高い電子キャリア濃度を有する第２の半導体層とが形成されているショットキーバリアダイオード。」
２　判断
　前記第２の１のとおり，本願発明は，本願補正発明の一部の発明特定事項からなる部分を請求項１として記載したものであり，本願発明にさらに発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が，前記第２の２（７）のとおり，引用発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により引用発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び周知例１，２にみられるような周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　
第４　結言
　したがって，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。