【事件の表示】
　特願２００９−５０３１２４「ソフトリソグラフィーを使用するナノスケールの特徴形体の生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１８日国際公開、ＷＯ２００７／１１７８０８、平成２１年　９月　３日国内公表、特表２００９−５３１１９３、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、２００７年（平成１９年）３月９日（優先権主張外国庁受理　２００６年３月２９日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年４月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２６日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成２５年５月１６日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年８月１９日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成２６年３月１２日付けで、再度、最後の拒絶理由が通知され、同年７月１４日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年８月１１日付けで、同年７月１４日付けの手続補正書でした補正が却下され、同日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１２月２２日に拒絶査定不服審判が請求され、平成２７年１１月４日付けで、当審より拒絶理由が通知され、平成２８年１月２７日付けで、意見書が提出されるとともに手続補正がされたものである。
　
第２　本願発明
　本願発明は、平成２８年１月２７日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、それぞれ、「本願発明１」〜「本願発明９」といい、まとめて「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　ソフトリソグラフィによる、装置を製造する方法であって、
　基板上に、複数のマイクロスケールの特徴形体及び少なくとも１つのナノスケールの特徴形体を形成するステップであって、前記少なくとも１つのマイクロスケールの特徴形体は前記ナノスケールの特徴形体の少なくとも１つに近接するように形成する、ステップ、
　成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップ、
　前記成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、
　前記少なくとも部分的に硬化された成形性ポリマー組成物を基板から除去して、前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体を含む分子膜、ならびに前記マイクロスケールの特徴形体に対応する複数のマイクロチャネルを含み、流体が前記マイクロチャネルの少なくとも１つから前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体の少なくとも１つに流れるようなパターンが形成されているモールドを作成するステップ、
　１つまたは２つ以上の出入りウィンドウを前記マイクロチャネルの１つまたは２つ以上の部分上に開けるステップ、ならびに
　前記モールドを、表面に配置するステップ
を含む、装置を製造する方法。
【請求項２】
　前記少なくとも１つのナノスケールの特徴形体を基板上に生成するステップが、前記基板上に少なくとも１本の単層カーボンナノチューブを生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　前記成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップが、第１の硬化性組成物を前記基板に注型することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
　前記第１の硬化性組成物を基板に注型するステップが、シロキサンを含む前記第１の硬化性組成物を前記基板に注型することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
　前記成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化するステップが、前記第１の硬化性組成物を少なくとも部分的に硬化させることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
　前記成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップが、前記少なくとも部分的に硬化した第１の硬化性組成物に第２の硬化性組成物を注型することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
　前記少なくとも部分的に硬化した第１の硬化性組成物に前記第２の硬化性組成物を注型するステップが、前記少なくとも部分的に硬化した第１の硬化性組成物に、シロキサンを含む前記第２の硬化性組成物を注型することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　前記第２の硬化性組成物を硬化させることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
　前記モールドを表面に設置して、流体が前記パターン内を実質的に強制的に流動するようにすることを含む、請求項１に記載の方法。」
　
第３　拒絶理由の概要
１．原査定の拒絶理由の概要
　原査定の拒絶理由の概要は、概ね次のとおりである。
「［理由１］
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
［理由２］
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
引用文献１：特開２００４−４５３５７号公報
引用文献２：国際公開第２００５／１０１４６６号
引用文献３：国際公開第２００５／１０４７５６号
　
［理由３］
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　（平成２６年７月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された）請求項１９に係る発明は明確でない。
　（平成２６年７月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された）請求項２１、２９、３１に係る発明についても同様である。」
　
２．当審の拒絶理由の概要
　当審の拒絶理由の概要は、概ね次のとおりである。
「（１）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
 ・（平成２６年１２月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された）請求項１〜９について 
 　請求項１の記載では、「分子膜」及び「分子膜に近接して生成された複数のマイクロチャネル」のそれぞれが、「基板上」のどの「特徴形体」によって生成されるのか明確ではない。 
 　 
 　したがって、本願発明１及び本願発明１を直接的又は間接的に引用する本願発明２〜９は明確でない。 
 　 
 ・（平成２６年１２月２２日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された）請求項１０〜１６について 
 　本願発明１０は、「装置」という物の発明であるが、「成形性ポリマー組成物を基板に注型し、該成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化してモールド中に生成された複製されたパターン」との記載は、製造に関して技術的な特徴や条件が付された記載がある場合に該当するため、当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。 
 　したがって、本願発明１０及び本願発明１０を直接的又は間接的に引用する本願発明１１〜１６は明確でない。」
 　 
第４　当審の判断
１．原査定の拒絶理由１、２について
（１）引用文献の記載
　ア　引用文献１
　引用例１には、「分離装置およびその製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（注：下線は、当審により付与した。）。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　
本発明は、試料を分離する装置
「【０００７】
【課題を解決するための手段】
　本発明によれば、
試料の通る流路と、当該流路中に設けられた試料分離領域とを備える分離装置であって、上記試料分離領域は、複数の柱状体が配設された柱状体配設部を含むことを特徴とする分離装置
「【０１１９】
【実施例】
実施例１
（分離装置の作製）
　本発明に係る分離装置を、以下に示す手順で作製した。工程の詳細について図１１〜１５を参照して説明する。
【０１２０】
　まず、図１１（ａ）に示すように、
シリコン基板２０１上にシリコン酸化膜２０２、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト２０３（５５ｎｍ）をこの順で形成
電子ビーム（ＥＢ）を用い、試料の流路となるアレー領域を露光する。現像
を
行い、
パターニングされたレジスト２０４が得られる
【０１２１】
　つづいて
全面にポジフォトレジスト２０５を塗布
アレー領域が露光するようにマスク露光をし、現像を行う
【０１２２】
　
次に、シリコン酸化膜２０２を
エッチングする。
酸化プラズマ処理をする
シリコン基板２０１を
エッチングする。
ウェットエッチングを行い、シリコン酸化膜を除去する
【０１２３】
　次に、
シリコン基板２０１上にＣＶＤシリコン酸化膜２０６を堆積する
全面にポジフォトレジスト２０７を塗布する
流路領域をマスク露光し（アレー領域を保護）、現像する
ＣＶＤシリコン酸化膜２０６を
ウェットエッチングし
ポジフォトレジストを除去し
シリコン基板２０１をウェットエッチングする
ＣＶＤシリコン酸化膜２０６を
ウェットエッチングして除去する
シリコン熱酸化膜２０９を形成
ガラス２１０で静電接合を行いシーリングして分離装置を完成する
図１１
図１２
図１３
図１４
図１５
　
　イ　引用文献２
　引用文献２には、「METHODS FOR FABRICATING ISOLATED MICRO- AND NANO- STRUCTURES USING SOFT OR IMPRINT LITHOGRAPHY（当審仮訳：ソフト又はインプリントリソグラフィを用いた、分離されたマイクロ構造物又はナノ構造物の製造方法）」（発明の名称）についての記載がある。
　
　ウ　引用文献３
　引用文献３には、「COMPOSITE PATTERNING DEVICES FOR SOFT LITHOGRAPHY（当審仮訳：ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス）」（発明の名称）についての記載がある。
　
（２）引用発明の認定
　引用文献１の【０１１９】〜【０１２３】の記載と、図１１〜１４を参照すると、引用文献１の実施例１の図１５には、シリコン熱酸化膜２０９を表面に有するシリコン基板２０１の柱状体配設部の流路に、ガラス２１０が接合された分離装置が記載されていると認められる。
　そうすると、引用文献１には、
「試料の通る流路と、当該流路中に設けられた試料分離領域とを備える分離装置であって、上記試料分離領域は、複数の柱状体が配設された柱状体配設部を含む分離装置の製造方法であって、
　該複数の柱状体が配設された柱状体配設部は、
　シリコン基板２０１上に、シリコン酸化膜２０２、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト２０３（５５ｎｍ）をこの順で形成し、
　電子ビーム（ＥＢ）を用い、試料の流路となるアレー領域を露光し、現像して、パターニングされたレジスト２０４を得て、
　全面にポジフォトレジスト２０５を塗布し、アレー領域が露光するようにマスク露光をし、現像を行い、
　シリコン酸化膜２０２をエッチングし、
　酸化プラズマ処理をして、シリコン基板２０１をエッチングし、
　ウェットエッチングによってシリコン酸化膜２０２を除去し、
　シリコン基板２０１上にＣＶＤシリコン酸化膜２０６を堆積し、
　全面にポジフォトレジスト２０７を塗布し、流路領域をマスク露光し、現像を行い、
　ＣＶＤシリコン酸化膜２０６をウェットエッチングし、
　ポジフォトレジスト２０７を除去し、
　シリコン基板２０１をウェットエッチングし、
　ＣＶＤシリコン酸化膜２０６をウェットエッチングで除去し、
　シリコン熱酸化膜２０９を形成することで形成され、
　該複数の柱状体が配設された柱状体配設部を備えたシリコン基板２０１に、ガラス２１０で静電接合を行いシーリングして、
　シリコン熱酸化膜２０９を表面に有するシリコン基板２０１の柱状体配設部の流路に、ガラス２１０が接合された分離装置を製造する分離装置の製造方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（３）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「分離装置の製造方法」は、本願発明１の「装置を製造する方法」に相当する。
　引用発明の「シリコン基板２０１」及び「ガラス２１０」は、本願発明１の「モールド」及び「表面」にそれぞれ相当し、引用発明の「シリコン基板２０１に、ガラス２１０で静電接合を行いシーリング」することは、本願発明１の「モールドを、表面に配置するステップ」に相当する。
　また、引用発明の「試料分離領域」は、本願発明１の「分子膜」と、流体を分離する部材である点で共通する。
　
　そうすると、本願発明１と引用発明とは、「装置を製造する方法であって、
　モールドに流体を分離する部材を作成するステップと、
　モールドを、表面に配置するステップを含む、装置を製造する方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　「装置の製造」について、本願発明１は、「ソフトリソグラフィによる」ものであり、「流体を分離する部材」が「分子膜」であるのに対し、引用発明は、「装置の製造」について、「レジスト」の「露光」、「現像」、「エッチング」等によるもので、「ソフトリソグラフィ」ではなく、「流体を分離する部材」が「複数の柱状体が配設された柱状体配設部」を含むものであって、「分子膜」ではない点。
　さらに、「モールドに流体を分離する部材を作成するステップ」について、本願発明１は、
「基板上に、複数のマイクロスケールの特徴形体及び少なくとも１つのナノスケールの特徴形体を形成するステップであって、前記少なくとも１つのマイクロスケールの特徴形体は前記ナノスケールの特徴形体の少なくとも１つに近接するように形成する、ステップ、
　成形性ポリマー組成物を前記基板に注型するステップ、
　前記成形性ポリマー組成物を少なくとも部分的に硬化するステップ、
　前記少なくとも部分的に硬化された成形性ポリマー組成物を基板から除去して、前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体を含む分子膜、ならびに前記マイクロスケールの特徴形体に対応する複数のマイクロチャネルを含み、流体が前記マイクロチャネルの少なくとも１つから前記ナノスケールの特徴形体に対応する形体の少なくとも１つに流れるようなパターンが形成されているモールドを作成するステップ、
　１つまたは２つ以上の出入りウィンドウを前記マイクロチャネルの１つまたは２つ以上の部分上に開けるステップを含む」（以下、「本願発明１のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」という。）のに対し、引用発明１の「複数の柱状体が配設された柱状体配設部」は、
　「シリコン基板２０１上に、シリコン酸化膜２０２、カリックスアレーン電子ビームネガレジスト２０３（５５ｎｍ）をこの順で形成し、
　電子ビーム（ＥＢ）を用い、試料の流路となるアレー領域を露光し、現像して、パターニングされたレジスト２０４を得て、
　全面にポジフォトレジスト２０５を塗布し、アレー領域が露光するようにマスク露光をし、現像を行い、
　シリコン酸化膜２０２をエッチングし、
　酸化プラズマ処理をして、シリコン基板２０１をエッチングし、
　ウェットエッチングによってシリコン酸化膜２０２を除去し、
　シリコン基板２０１上にＣＶＤシリコン酸化膜２０６を堆積し、
　全面にポジフォトレジスト２０７を塗布し、流路領域をマスク露光し、現像を行い、
　ＣＶＤシリコン酸化膜２０６をウェットエッチングし、
　ポジフォトレジスト２０７を除去し、
　シリコン基板２０１をウェットエッチングし、
　ＣＶＤシリコン酸化膜２０６をウェットエッチングで除去し、
　シリコン熱酸化膜２０９を形成することで形成され」（以下、「引用発明のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」という。）る点。
　
　ここで、相違点について検討する。
　引用文献２、３には、「ソフトリソグラフィ」について開示されていると認められるところ、引用発明の「複数の柱状体が配設された柱状体配設部」は「柱状体」であって、該「柱状体」の形成に「ソフトリソグラフィ」を適用したとしても、「分子膜」が得られることはない。
　また、仮に、該「柱状体」が「分子膜」と同等の機能を有し、置換可能だとしても、上記「本願発明１のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」によって「分子膜」を得ることは、引用文献２、３には開示されていないし、しかも、当業者にとって周知ないし技術常識とも認められないことから、引用発明において、上記「引用発明のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」に代えて、上記「本願発明１のモールドに流体を分離する部材を作成するステップ」を採用すること、すなわち、引用発明において、本願発明１の上記相違点に係る構成を備えることを、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　
　したがって、本願発明１は、引用発明と同一ではないし、引用発明及び引用文献２、３の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（５）本願発明２〜９について
　本願発明２〜９は、本願発明１を直接的又は間接的に引用するものであって、本願発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、本願発明１と同様な理由から、引用発明と同一ではないし、引用発明及び引用文献２、３の記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。　
　
２．原査定の拒絶理由３について
　平成２６年７月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲に記載された請求項１９、２１、２９、３１は削除されたので、原査定の拒絶理由３は解消した。
　
３．当審の拒絶理由について
　「分子膜」及び「分子膜に近接して生成された複数のマイクロチャネル」のそれぞれが、「基板上」のどの「特徴形体」によって生成されるのかは、補正により明確となった。
　また、請求項１０〜１６は削除された。
　よって、当審の拒絶理由は解消した。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶理由及び当審の拒絶理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。