【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年7月17日(2020.7.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電気接点と、基板と、第１の分布ブラッグ反射器と、活性層と、第２の分布ブラッグ反射器と、第２の電気接点と、を備える垂直共振器型面発光レーザであって、前記垂直共振器型面発光レーザが０．９５≦ｙ≦１である、少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を含み、前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層が少なくとも１つの酸化制御層によって少なくとも２つの副層に分離され、前記少なくとも２つの副層の厚さと前記少なくとも１つの酸化制御層の厚さとを含む前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層の全厚さは少なくとも４０ｎｍの厚さを有し、前記少なくとも１つの酸化制御層の厚さが前記ＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層の全厚さの３％〜１０％を構成し、前記酸化制御層の材料が０．４≦ｘ≦０．６であるＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓを含む、垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項２】
前記第１又は前記第２の分布ブラッグ反射器が前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を含む、請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項３】
電流開口層をさらに備え、前記電流開口層が前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を含む、請求項１又は２に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項４】
前記活性層の下又は上に配置された少なくとも２つの電流開口層を備え、前記電流開口層のそれぞれが１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を含み、前記少なくとも２つの電流開口層の第１の電流開口層が前記少なくとも２つの電流開口層の第２の電流開口層よりも前記活性層により近く配置され、前記第１の電流開口層が前記第２の電流開口層の第２の電流開口よりも大きなサイズを有する第１の電流開口を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項５】
前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層がｙ＞０．９９を特徴とし、前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層が少なくとも２つの酸化制御層によって分離される、請求項１又は２に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項６】
前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層の少なくとも１つがテーパ付けされた酸化プロファイルを含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項７】
前記テーパ付けされた酸化プロファイルを有する前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層が少なくとも２つの酸化制御層を含み、前記少なくとも２つの酸化制御層が前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を少なくとも３つの副層に分離し、前記３つの副層の少なくとも１つが他の副層とは異なる厚さを有する、請求項６に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項８】
前記テーパ付けされた酸化プロファイルのウェストラインが、所定の電気的な駆動電流で駆動されたときに前記垂直共振器型面発光レーザの定在波パターンのノードの範囲内に配置されている、請求項６に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項９】
前記第１及び前記第２の分布ブラッグ反射器が複数の高屈折率層及び複数の低屈折率層を含み、前記低屈折率層が前記ＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を含む、請求項１又は２に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１０】
前記活性層の下又は上に配置された少なくとも２つの電流開口層を備え、前記電流開口層のそれぞれが１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を含み、前記少なくとも２つの電流開口層の第１の電流開口層が、前記少なくとも２つの電流開口層の第２の電流開口層の第２の電流開口よりも大きなサイズを有する第１の電流開口を含み、前記第２の電流開口層が、前記活性層に対して当該垂直共振器型面発光レーザの発光波長の２分の１の整数倍に相当する距離に配置される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の少なくとも１つの垂直共振器型面発光レーザと、前記垂直共振器型面発光レーザを電気的に駆動するための電気的な駆動回路と、を備えるレーザ素子。
【請求項１２】
第１の電気接点を設けるステップと、
基板を設けるステップと、
第１の分布ブラッグ反射器を設けるステップと、
活性層を設けるステップと、
第２の分布ブラッグ反射器を設けるステップと、
第２の電気接点を設けるステップと、
０．９５≦ｙ≦１である少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層を設けるステップであって、前記ＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層が少なくとも１つの酸化制御層によって少なくとも２つの副層に分離され、前記少なくとも２つの副層の厚さと前記少なくとも１つの酸化制御層の厚さとを含む前記少なくとも１つのＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層の全厚さは少なくとも４０ｎｍの厚さを有し、前記少なくとも１つの酸化制御層の厚さが前記ＡｌｙＧａ（１−ｙ）Ａｓ層の全厚さの３％〜１０％を構成し、前記酸化制御層の材料が０．４≦ｘ≦０．６であるＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ａｓを含む、ステップと、
を有する、垂直共振器型面発光レーザを製造する方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
図１は、第１のＶＣＳＥＬ１００の原理図を示す。第１のＶＣＳＥＬ１００は、基板１１０から離れる方向にレーザ光を放射する頂部発光ＶＣＳＥＬ１００である。基板１１０の底部側には、第１の電気接点１０５が設けられている。基板の頂部側には、第１及び第２の屈折率を有する３０対の層を含む第１のＤＢＲ１１５が設けられている。第１のＤＢＲ１１５の層の対は、高アルミニウム含有量及び低アルミニウム含有量を有するＡｌＧａＡｓ層を含む。アルミニウム含有量は、極端な場合、及びＶＣＳＥＬ１００の放射波長に応じて、高屈折率材料に対しては０％、低屈折率材料に対しては最大１００％である。層の厚さは、９９．９％よりも大きな要求反射率を提供するためにＶＣＳＥＬ１００の発光波長（１／４波長の厚さ）に適合される。第１のＤＢＲ１１５の頂部には、活性層１２０が設けられている。活性層１２０は、光生成のための量子井戸構造を備える。ｎ電流注入層（図示せず）が第１のＤＢＲ１１５と活性層１２０との間に配置されている。ＶＣＳＥＬ１００は、８５０ｎｍのＶＣＳＥＬ１００の発光波長の４分の１の範囲にある約７０ｎｍの厚さを有するＡｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層を含む、又はそのような層から構成された電流開口層１２５をさらに備える。Ａｌ０．９８Ｇａ０．０２Ａｓ層は、１ｎｍの厚さを有するＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ層を含む、又はそのような層から構成された５つの酸化制御層１２５ｂを含む。第２のＤＢＲ１３０は、第１のＤＢＲのＡｌＧａＡｓ層と同様の又は同一の高アルミニウム含有量及び低アルミニウム含有量を有するＡｌＧａＡｓ層を含む１５対の層を含む。層の対の厚さは、約９５％の要求反射率を提供するためにＶＣＳＥＬ１００の発光波長に適合される。リング状の第２の電気接点１３５は、導電性の第２のＤＢＲ１３０に電気的に接触している。ＶＣＳＥＬ１００は、第２のＤＢＲ１３０を介して矢印の方向にレーザ光を放射する。電流開口層１２５は、活性層１２０の上に配置されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
図７は、第４のＶＣＳＥＬ１００の層構造の原理図を示す。第４のＶＣＳＥＬ１００は、基板１１０から離れる方向にレーザ光を放射する頂部発光ＶＣＳＥＬ１００である。基板１１０の底部側には、第１の電気接点１０５が設けられている。基板の頂部側には、第１及び第２の屈折率を有する３０対の層を含む第１のＤＢＲ１１５が設けられている。第１のＤＢＲ１１５の層の対は、高アルミニウム含有量及び低アルミニウム含有量を有するＡｌＧａＡｓ層を含む。アルミニウム含有量は、極端な場合、及びＶＣＳＥＬ１００の放射波長に応じて、高屈折率材料に対しては０％、及び低屈折率材料に対しては最大１００％である。層の厚さは、９９．９％よりも大きな要求反射率を提供するためにＶＣＳＥＬ１００の発光波長（１／４波長の厚さ）に適合される。第１のＤＢＲ１１５の頂部には、活性層１２０が設けられている。活性層１２０は、光生成のための量子井戸構造を備える。ｎ電流注入層（図示せず）は、第１のＤＢＲ１１５と活性層１２０との間に配置されている。ＶＣＳＥＬ１００は、約３０ｎｍの厚さを有するＡｌ０．９０Ｇａ０．１Ａｓ層の平均組成を有するＡｌＧａＡｓを含む、又はそのようなＡｌＧａＡｓから構成された第１の電流開口層１２５ａをさらに含む。より高い酸化速度、したがって酸化時間の低減を可能にするために、少なくとも９５％のより高いアルミニウム含有量を有することが好ましい。第１の電流開口層１２５ａは、活性層１２０の頂部に配置された第１の電流開口１２２ａを備え、良好な電流の閉じ込めを可能にするために活性層１２０の上面に配置されている。第２のＤＢＲ１３０は、第１のＤＢＲのＡｌＧａＡｓ層と同様の、又は同一の高アルミニウム含有量及び低アルミニウム含有量を有するＡｌＧａＡｓ層を含む１５対の層を含む。層の対の厚さは、約９５％の要求反射率を提供するためにＶＣＳＥＬ１００の発光波長に適合される。第２の電流開口層１２５ｂは、第１のＤＢＲの層スタック内部に配置されている。第２の電流開口層１２５ｂは、第１のＤＢＲの低屈折率層１１７の１つであり、約８５０ｎｍのＶＣＳＥＬ１００の発光波長の４分の１に相当する約７０ｎｍの厚さを有する。第２の電流開口層１２５ｂは、第１の電流開口層１２５ａの第１の電流開口１２２ａよりも小さな直径を有する第２の電流開口１２２ｂを含む。第１の電流開口１２２ａ及び第２の電流開口１２２ｂの直径、及びＶＣＳＥＬ１００の層に垂直な第１の電流開口層１２５ａと第２の電流開口層１２５ｂとの間の距離、並びに第１の電流開口層１２５ａと活性層との間の距離は、良好な電流の閉じ込めが可能になるように、しかし、例えば、第１の電流開口１２２ａのエッジで１００ｋＡ／ｃｍ２を超える高い電流密度が回避されるように選択される。さらに、活性層１２０と最小の開口サイズを有する第２の電流開口１２２ｂとの間の距離は、低い光誘導が可能になるように、従来のＶＣＳＥＬ１００と比較してより大きい。通常、低い光誘導は、狭ビーム発散、より高い単一モードのパワー、スペクトル幅のより小さなＶＣＳＥＬ、高輝度設計などをサポートするため、好ましい。第１又は第２のＤＢＲ内部に電流開口層１２５を設けることは、電流開口層１２５が第１又は第２のＤＢＲの反射率に寄与するという利点を有する。加えて、そのような電流開口層１２５の製造は、アルミニウム・プロファイルがＤＢＲ設計の要求に合致するため、単純化される。リング状の第２の電気接点１３５は、導電性の第２のＤＢＲ１３０に電気的に接触している。ＶＣＳＥＬ１００は、第２のＤＢＲ１３０を介して矢印の方向にレーザ光を放射する。電流開口層１２５は、活性層１２０の上に配置されている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１２】
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