【事件の表示】
　特願２０１０−２３５９８８「感放射線性樹脂組成物及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年５月１０日出願公開，特開２０１２−　８８５７３，請求項の数（３）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続の経緯
　特願２０１０−２３５９８８号（以下「本件出願」という。）は，平成２２年１０月２０日の特許出願であって，その手続の概要は，以下のとおりである。
平成２６年　４月１７日起案：拒絶の理由（同年５月７日発送）
平成２６年　７月　２日差出：手続補正
平成２６年　７月　２日差出：意見書
平成２６年１０月２０日起案：拒絶査定（同年同月２８日送達）
平成２７年　１月１９日差出：手続補正
平成２７年　１月１９日差出：審判請求
平成２７年　３月　４日差出：前置報告
平成２８年　１月２６日起案：当合議体の拒絶の理由（同年２月２日発送）
平成２８年　３月３１日差出：手続補正（以下「本件補正」という。）
平成２８年　３月３１日差出：意見書
　２　本願発明
　本件出願の請求項３に係る発明（以下「本願発明３」という。）は，次のものである。
「【請求項３】
　［Ａ］塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）と酸解離性基を含む構造単位（ｐ）とを有する含フッ素重合体，
　［Ｃ］感放射線性酸発生剤，及び
　水
を含有する感放射線性樹脂組成物の製造方法であって，
　上記構造単位（ｆ）が，下記式（１−１）で表される構造単位であり，
　上記水の含有量が３質量％以下であり，
　上記［Ａ］含フッ素重合体を含む溶液を脱水処理する工程を有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物の製造方法。
　　【化４】
（式（１−１）中，Ｒは水素原子，フッ素原子又は炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基であり，この炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｆはフッ素原子で置換されていてもよい１価の鎖状炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。Ｒａは置換基で置換されていてもよい２価の鎖状の有機基又は芳香族炭化水素基である。Ｘは少なくとも１個のフッ素原子で置換された２価の炭化水素基である。）」
　３　当合議体の拒絶の理由について
　当合議体の拒絶の理由は，概略，本件補正前の請求項３に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の引用例１に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用例１：特開２０１０−２８７０号公報
　なお，当合議体の拒絶の理由は，本件補正前の請求項３に係る発明のうち，本件補正により削除された，式（１−２）で表される構造単位を選択肢とする発明に対するものである。
（参考）本件補正前の請求項３に係る発明は，次のものである。
「【請求項３】
　［Ａ］塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）と酸解離性基を含む構造単位（ｐ）とを有する含フッ素重合体，
　［Ｃ］感放射線性酸発生剤，及び
　水
を含有する感放射線性樹脂組成物の製造方法であって，
　上記構造単位（ｆ）が，下記式（１−１）及び（１−２）でそれぞれ表される構造単位群より選ばれる少なくとも１種であり，
　上記水の含有量が３質量％以下であり，
　上記［Ａ］含フッ素重合体を含む溶液を脱水処理する工程を有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物の製造方法。
　　【化４】
（式（１−１）中，Ｒは水素原子，フッ素原子又は炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基であり，この炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｆはフッ素原子で置換されていてもよい１価の鎖状炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。Ｒａは置換基で置換されていてもよい２価の鎖状の有機基又は芳香族炭化水素基である。Ｘは少なくとも１個のフッ素原子で置換された２価の炭化水素基である。）
　　【化５】
（式（１−２）中，Ｒは水素原子，フッ素原子又は炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基であり，この炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｆはフッ素原子で置換されていてもよい１価の鎖状炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。Ｒａは置換基で置換されていてもよい２価の鎖状の有機基又は芳香族炭化水素基である。）」
　４　原査定の理由について
　原査定の理由は，概略，本件出願の請求項１から３に係る発明は，その出願前日本国内又は外国において頒布された前記引用例１に記載された発明に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　なお，原査定の拒絶の理由も，本件補正前の請求項１から３に係る発明のうち，式（１−２）で表される構造単位を選択肢とする発明に対するものである。
第２　当合議体の判断
　１　当合議体の拒絶の理由について
　本件補正により，当合議体の拒絶の理由の対象となった発明，すなわち，式（１−２）で表される構造単位を選択肢とする発明が，請求項３から削除された。
　当合議体の拒絶の理由は，その前提が失われたことにより，解消した。
　２　原査定の拒絶の理由について
　本件補正により，原査定の拒絶の理由の対象となった発明，すなわち，式（１−２）で表される構造単位を選択肢とする発明が，請求項３から削除された。
　原査定の拒絶の理由も，その前提が失われたことにより，解消した。
　ところで，当合議体の拒絶の理由と原査定の拒絶の理由は，本願発明３の「［Ａ］含フッ素重合体を含む溶液を脱水処理する工程」について，周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものと判断したか，引用例１の「乾燥」に相当すると判断したかにおいては異なるとしても，引用文献として上記引用例１を挙げた点においては共通する。そこで，引用例１に記載された発明に基づく容易推考について，以下，確認する。
　(1) 引用例１の記載
　引用例１には，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものである。
　ア　「【請求項１】
　
塩基解離性基を有する構成単位（ｆ１）および下記一般式（ｆ２−１）で表される構成単位（ｆ２）を有する含フッ素高分子化合物（Ｆ）
【化１】
［式中，Ｒは水素原子，低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり；
Ｗは下記一般式（ｗ−１）
【化２】
［
式（ｗ−１）中，Ｒ
２１
は炭素数２以上のアルキル基であり，Ｒ
２２
およびＲ
２３
は相互に結合して炭素数７以上の単環式の脂肪族環式基を形成している。
【請求項２】
　前記塩基解離性基がフッ素原子を含む請求項１に記載の液浸露光用レジスト組成物。
【請求項３】
　
前記構成単位（ｆ１）が，下記一般式（ｆ１−１）
で表される構成単位である
【化３】
［式中，Ｒはそれぞれ独立して水素原子，低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり，Ａａｒｙｌは置換基を有していてもよい二価の芳香族環式基であり，Ｘ０１は単結合または二価の連結基であり，Ｒ２はそれぞれ独立してフッ素原子を有する有機基である。］」
　イ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，液浸露光（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）用レジスト組成物，該液浸露光用レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法，および液浸露光用レジスト組成物用の添加剤として有用な含フッ素化合物に関する。」
　ウ　「【００１５】
＜（Ｆ）成分＞
［構成単位（ｆ１）］
　構成単位（ｆ１）における「塩基解離性基」とは，塩基の作用により解離しうる有機基である。塩基としては，一般的にリソグラフィー分野において用いられているアルカリ現像液が挙げられる。すなわち，「塩基解離性基」は，アルカリ現像液（たとえば，２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液（２３℃））の作用により解離する基である。
　塩基解離性基は，アルカリ現像液の作用により加水分解が生じることにより解離する。そのため，該塩基解離性基が解離すると同時に親水基が形成され，（Ｆ）成分の親水性が高まり，アルカリ現像液に対する親和性が向上する。
　塩基解離性基としては，上記定義に該当する有機基であれば特に限定されるものではなく，フッ素原子を含むものであってもよく，フッ素原子を含まないものであってもよい。構成単位（ｆ１）中の塩基解離性基以外の部位にフッ素原子が含まれていない場合には，フッ素原子を含む塩基解離性基であることを要する。一方，
構成単位（ｆ１）中の塩基解離性基以外の部位にフッ素原子が含まれている場合には，フッ素原子を含む塩基解離性基であってもよく，フッ素原子を含まない塩基解離性基であってもよい。
　なお，フッ素原子を含む塩基解離性基は，塩基解離性基における水素原子の一部または全部がフッ素原子で置換された基をいう。
【００１６】
　構成単位（ｆ１）において，塩基解離性基はフッ素原子を含むことが好ましい。特に，
構成単位（ｆ１）中に含まれるフッ素原子が，塩基解離性基のみに存在することが好ましい。塩基解離性基がフッ素原子を含む場合，アルカリ現像液の作用により該塩基解離性基が解離した際，フッ素原子も構成単位（ｆ１）から解離するため，アルカリ現像液に対する親和性がより高くなる。
　フッ素原子を含む塩基解離性基の具体例としては，たとえば，下記一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）で表される基が挙げられる。本発明において，塩基解離性基は，下記一般式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−４）で表される基からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましく，本願発明の効果に優れ，かつ合成が容易である点から，下記一般式（ＩＩ−１）または（ＩＩ−４）で表される基が特に好ましい。
【００１７】
【化５】
［式中，Ｒ２はそれぞれ独立してフッ素原子を有する有機基である。］」
　エ　「【００８３】
　本発明の液浸露光用レジスト組成物がポジ型レジスト組成物である場合，（Ａ）成分としては，酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分が用いられる。該（Ａ）成分は，露光前はアルカリ現像液に対して難溶性であり，露光により前記（Ｂ）成分から酸が発生すると，該酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する。そのため，
レジストパターンの形成において，当該ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると，露光部は，アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で，未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないので，アルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる
　オ　「【０１９９】
　次に，実施例により本発明をさらに詳細に説明するが，本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
＜合成例１：［化合物５］の合成＞
　窒素雰囲気下０℃で，メタクリル酸３０ｇ（３４８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液３００ｍｌに，トリエチルアミン６１ｇ（６００ｍｍｏｌ），ブロモ酢酸メチル６４ｇ（４１８ ｍｍｏｌ）を加え，室温まで戻し，３時間撹拌した。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）にて原料の消失を確認後，反応液を減圧下溶媒留去した。得られた反応物に水を加え，酢酸エチルで３回抽出した。有機層を水で２回洗浄し，減圧下で溶媒を留去して，化合物（２）−１を無色液体として４７ｇ得た（収率８５％）。
　次に，窒素雰囲気下０℃で，化合物（５−１）３０ｇ（１９０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液７００ ｍｌに，２．３８質量％ＴＭＡＨ水溶液７００ ｍｌを加え，室温で３時間撹拌した。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）にて原料の消失を確認後，減圧下でＴＨＦ溶媒を留去した。得られた反応水溶液に０℃下１０Ｎ塩酸５０ｍｌを加え，酸性に調整した後，酢酸エチルで３回抽出した。得られた有機層を水で２回洗浄し，減圧下で溶媒を留去して化合物（５−２）を無色液体として２６ｇ得た（収率９５％）。
　次に，窒素雰囲気下０℃で，２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール２７ｇ（１７７ｍｍｏｌ），エチルジイソプロピルアミノカルボジイミド（ＥＤＣＩ）塩酸塩３７ｇ（１９５ｍｍｏｌ），ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１００ｍｌに）化合物（５−２）１７ｇ（１１８ｍｍｏｌ）を加え，室温まで戻し，３時間撹拌した。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）にて原料の消失を確認後，反応液を０℃に冷やし，水を加えて反応を停止した。酢酸エチルで３回抽出し得られた有機層を水で２回洗浄した。減圧下溶媒留去して得られた粗生成物をシリカゲルろ過（酢酸エチル）により精製し，［化合物５］を無色液体として１９ｇ得た（収率５８％）。
【０２００】
【化６３】
」
　カ　「【０２２７】
＜合成例９：高分子化合物１の合成＞
　
温度計，還流管を繋いだ３つ口フラスコに，７１．８０ｇ（２５９．９９ｍｍｏｌ）の［化合物５］，１９．４１ｇ（８６．６６ｍｍｏｌ）の［化合物６］を１３６．８２ｇのテトラヒドロフランを加えて溶解させた。この溶液に，重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチル（Ｖ−６０１）を２０．８０ｍｍｏｌ添加し溶解させた。これを窒素雰囲気下，３時間かけて，６７℃に加熱したテトラヒドロフラン７６．００ｇに滴下し，重合反応を行った。滴下終了後，反応液を４時間加熱攪拌し，その後，反応液を室温まで冷却した。得られた反応重合液を大量のｎ−ヘプタンに滴下し，重合体を析出させる操作を行い，沈殿した高分子化合物をろ別，洗浄，乾燥して，目的物である高分子化合物１を３２ｇ得た。
　この高分子化合物１について，ＧＰＣ測定により求めた標準ポリスチレン換算の質量平均分子量（Ｍｗ）は２５，５００であり，分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５６であった。また，カーボン１３核磁気共鳴スペクトル（６００ＭＨｚ＿１３Ｃ−ＮＭＲ）により求められた共重合組成比（構造式中の各構成単位の割合（モル比））は，ｌ／ｍ＝７７．３／２２．７であった。
【０２２８】
【化７７】
」
　キ　「【０２５１】
＜実施例１〜１６，比較例１〜２＞
　下記の
表１〜２に示す各成分を混合し，溶解して，ポジ型のレジスト組成物を調製した。
【０２５２】
【表１】
【０２５３】
【表２】
【０２５４】
　表１中，各略号はそれぞれ以下のものを示し，［　］内の数値は配合量（質量部）である。
　（Ａ）−１：下記化学式（Ａ）−１で表される，Ｍｗ７０００，Ｍｗ／Ｍｎ１．８の共重合体。式中，（　）の右下の数値は各構成単位の割合（モル％）を示す。
　（Ｂ）−１：（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート。
　（Ｆ）−１：前記［高分子化合物１］。
…（省略）…
　（Ｄ）−１：トリ−ｎ−ペンチルアミン。
　（Ｓ）−１：ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ＝６／４（質量比）の混合溶剤。
【０２５５】
【化８５】
」
　(2) 引用発明
　引用例１の【請求項３】には，塩基解離性基を有する構成単位（ｆ１）の選択肢として（ｆ１−１）が示され，また，【請求項３】が引用する【請求項１】には，構成単位（ｆ−２）の「Ｗ」の選択肢として，（ｗ−１）が示されている。
　そして，引用例１の段落【０２５１】の【表１】及び【０２５２】には，上記選択肢の要件を満たす液浸露光用レジスト組成物の調整例として，実施例１のポジ型のレジスト組成物を調整したことが開示されている。
　そうしてみると，引用例１には，以下の「ポジ型のレジスト組成物の調整方法」の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
「【０２５１】【表１の実施例１】　（Ａ）成分，（Ｂ）成分，（Ｆ）成分，（Ｄ）成分及び（Ｓ）成分を混合し，溶解したポジ型のレジスト組成物の調製方法であって，
（Ａ）成分は，下記化学式（Ａ）−１で表される，Ｍｗ７０００，Ｍｗ／Ｍｎ１．８の共重合体であって，式中，（　）の右下の数値は各構成単位の割合（モル％）を示し，
（Ａ）−１：
（Ｂ）成分は，（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートであり，
（Ｆ）成分は，高分子化合物１であり，
（Ｄ）成分は，トリ−ｎ−ペンチルアミンであり，
（Ｓ）成分は，ＰＧＭＥＡ／ＰＧＭＥ＝６／４（質量比）の混合溶剤であり，
　ここで，高分子化合物１は，
【０２２７】　温度計，還流管を繋いだ３つ口フラスコに，７１．８０ｇ（２５９．９９ｍｍｏｌ）の下記［化合物５］，１９．４１ｇ（８６．６６ｍｍｏｌ）の下記［化合物６］を１３６．８２ｇのテトラヒドロフランを加えて溶解させ，
　この溶液に，重合開始剤としてアゾビスイソ酪酸ジメチル（Ｖ−６０１）を２０．８０ｍｍｏｌ添加し溶解させ，
　これを窒素雰囲気下，３時間かけて，６７℃に加熱したテトラヒドロフラン７６．００ｇに滴下し，重合反応を行い，
　滴下終了後，反応液を４時間加熱攪拌し，その後，反応液を室温まで冷却し，
　得られた反応重合液を大量のｎ−ヘプタンに滴下し，重合体を析出させる操作を行い，沈殿した高分子化合物をろ別，洗浄，乾燥して得た下記高分子化合物１である，
　ポジ型のレジスト組成物の調製方法。
化合物５，化合物６，高分子化合物１：
」
　(3) 対比
　本願発明３と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）
　まず，本願発明の「塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）」に関して，本件出願の発明の詳細な説明の段落【００２９】から【００３１】には，以下のとおり記載されている。
「【００２９】
［構造単位（ｆ）］
　構造単位（ｆ）は，塩基解離性基を含む。塩基解離性基とは，塩基との接触によって解離する基を意味し，例えばヒドロキシル基，カルボキシル基等の極性官能基中の水素原子を置換する基であって，アルカリの存在下（例えば，２３℃のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８質量％水溶液中）で解離する基をいう。構造単位（ｆ）における塩基解離性基としては，そのような性質を有する基である限り特に限定されないが，具体例として，下記式（ｆ−ａ）〜（ｆ−ｃ）で表される基を挙げることができる。
【００３０】
【化８】
【００３１】
　上記式（ｆ−ａ）及び（ｆ−ｂ）中，Ｒｂはフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である。
　上記式（ｆ−ｃ）中，Ｒｃは，置換基を有していてもよい１価の芳香族炭化水素基である。Ｒｄはハロゲン原子で置換されていてもよい１価の脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。」
　ここで，引用発明の高分子化合物１の［化合物５］から誘導された構成単位は，上記式（ｆ−ｂ）の要件を満たす基を有する。すなわち，「Ｒｂ」をフッ素原子を有していてもよい炭化水素基である「ＣＨ２Ｃ２Ｆ５」としたものである。
　したがって，引用発明の高分子化合物１の［化合物５］から誘導された構成単位は，本願発明の「塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）」に相当する。
　イ　酸解離性基を含む構造単位（ｐ）
　本願発明の「酸解離性基を含む構造単位（ｐ）」に関して，本件出願の発明の詳細な説明の段落【０１２８】から【０１３０】には，以下のとおり記載されている。
「【０１２８】
　酸解離性基としては，下記式（Ｙ−１）で表される基であることが好ましい。
【０１２９】
【化２５】
【０１３０】
　上記式（Ｙ−１）中，Ｒｐ１は炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基又は炭素数４〜２０の１価の脂肪族環状炭化水素基である。Ｒｐ２及びＲｐ３はそれぞれ独立して炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基又は炭素数４〜２０の１価の脂肪族環状炭化水素基であるか，又はＲｐ２及びＲｐ３が互いに結合して，それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数４〜２０の２価の脂肪族環状炭化水素基を形成する。」
　ここで，引用発明の高分子化合物１の［化合物６］から誘導された構造単位は，上記式（Ｙ−１）の要件を満たす基を有する。すなわち，「Ｒｐ１」を炭素数２の１価の鎖状炭化水素基である「Ｃ２Ｈ５」とし，また，「Ｒｐ２及びＲｐ３」を，両者が互いに結合して，それぞれが結合している炭素原子と共に炭素数８の２価の脂肪族環状炭化水素基を形成している「Ｃ８Ｈ１４」としたものである。
　したがって，引用発明の高分子化合物１の［化合物６］から誘導された構成単位は，本願発明の「酸解離性基を含む構造単位（ｐ）」に相当する。
　ウ　［Ａ］含フッ素重合体
　引用発明の高分子化合物１は，フッ素（Ｆ）を含む重合体であるから，「含フッ素重合体」といえる。
　上記ア及びイを併せて考慮すると，引用発明の「高分子化合物１」は，本願発明３の「［Ａ］塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）と酸解離性基を含む構造単位（ｐ）とを有する含フッ素重合体」の要件を満たす。
　エ　［Ｃ］感放射線性酸発生剤
　引用発明の（Ｂ）成分，すなわち，「（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート」は，技術的にみて，露光により酸を発生する酸発生剤成分である（引用例１の【請求項１】からも確認できる事項である。）。
　したがって，引用発明の「（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート」は，本願発明３の「［Ｃ］感放射線性酸発生剤」に相当する。
　オ　感放射線性樹脂組成物の製造方法
　引用発明の「ポジ型のレジスト組成物」は，「レジストパターンの形成において，当該ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布して得られるレジスト膜に対して選択的に露光すると，露光部は，アルカリ現像液に対して難溶性から可溶性に変化する一方で，未露光部はアルカリ難溶性のまま変化しないので，アルカリ現像することによりレジストパターンが形成できる」（段落【００８３】）ものであるから，「感放射線性樹脂組成物」に該当する。
　したがって，引用発明の「ポジ型のレジスト組成物の調製方法」は，本願発明３の「感放射線性樹脂組成物の製造方法」に相当する。
　(4) 相違点
　ア　本願発明３と引用発明は，以下の点で一致する。
「　［Ａ］塩基解離性基を含む構造単位（ｆ）と酸解離性基を含む構造単位（ｐ）とを有する含フッ素重合体，
　［Ｃ］感放射線性酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物の製造方法。」
　イ　本願発明３と引用発明は，少なくとも，以下の点で相違する。
（相違点）
　本願発明３の「構造単位（ｆ）」は，下記式（１−１）で表される構造単位であるのに対し，引用発明のものは，下記式（１−１）の「−Ｒａ−Ｘ−」の部分が「−ＣＨ２−」であり，「Ｘ」の要件を満たすものが存在しない点。
　　【化４】
（式（１−１）中，Ｒは水素原子，フッ素原子又は炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基であり，この炭素数１〜４の１価の鎖状炭化水素基が少なくとも１個のハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒｆはフッ素原子で置換されていてもよい１価の鎖状炭化水素基又は芳香族炭化水素基である。Ｒａは置換基で置換されていてもよい２価の鎖状の有機基又は芳香族炭化水素基である。Ｘは少なくとも１個のフッ素原子で置換された２価の炭化水素基である。）
　(5) 判断
　上記相違点を克服するためには，引用発明の高分子化合物１の前駆体である［化合物５］を，本願発明３の式（１−１）に対応する前駆体（以下「代替前駆体」という。）に替えることが必要である。
　しかしながら，引用例１には，このような代替前駆体は，記載も示唆もされていない。例えば，引用発明の［化合物５］の製造方法（引用例１の段落【０１９９】及び【０２００】）を参照しても，このような代替前駆体について，記載も示唆もない。
　なお，引用例１の段落【００１５】には，「構成単位（ｆ１）中の塩基解離性基以外の部位にフッ素原子が含まれている場合には，フッ素原子を含む塩基解離性基であってもよく，フッ素原子を含まない塩基解離性基であってもよい。」と記載されている。すなわち，引用例１には，一応，構成単位（ｆ１）中の塩基解離性基以外の部位にフッ素原子が含まれていることを許容する記載がある。しかしながら，この記載は，構成単位（ｆ１）中の塩基解離性基以外のどこかにフッ素原子が含まれていることを示唆するにとどまり，引用発明の「−ＣＨ２−」の位置にフッ素原子を含むことを示唆するものではない。そもそも，この「−ＣＨ２−」の水素原子をフッ素原子に置換しただけでは，代替前駆体にならない。
　引用例１には，相違点を克服することについて，記載も示唆もない。
　そればかりか，引用例１の段落【００１６】には，「構成単位（ｆ１）中に含まれるフッ素原子が，塩基解離性基のみに存在することが好ましい。塩基解離性基がフッ素原子を含む場合，アルカリ現像液の作用により該塩基解離性基が解離した際，フッ素原子も構成単位（ｆ１）から解離するため，アルカリ現像液に対する親和性がより高くなる。」と記載されている。このような引用例１の記載に接した当業者ならば，仮に，引用発明において代替前駆体を採用した場合には，「アルカリ現像液の作用により該塩基解離性基が解離した際，フッ素原子も構成単位（ｆ１）から解離するため，アルカリ現像液に対する親和性がより高くなる」という効果が失われ，好ましくないと理解する。
　引用発明において相違点を克服することについては，阻害要因がある。
　(6) 小括
　以上のとおりであるから，本願発明３は，当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということができない。
　本件出願の請求項１及び２に係る発明についても，構造単位（ｆ）が，式（１−１）で表される構造単位であることが規定されているので，同様に，当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるということができない。
第３　むすび
　以上のとおり，当合議体の拒絶の理由及び原査定の理由によっては，本件出願を拒絶することはできない。また，他に本件出願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。