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【手続補正書】
【提出日】令和2年4月7日(2020.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇｅ含有イオンビーム電流を生じさせるためのＧｅ含有ターゲットイオン種の生成用のイオン注入機で用いるのに好適な組成物であって、前記組成物が、
前記Ｇｅ含有ターゲットイオン種が由来するＧｅＦ４を含むドーパント源と、
ＣＨ３Ｆを含むアシスト種と、
前記組成物の全容量に基づき、前記アシスト種より多くの前記ドーパント源と、
を含み、
前記ドーパント源及び前記アシスト種が前記イオン注入機を占有し、その中で前記Ｇｅ含有ターゲットイオン種を生成するために相互作用する、組成物。
【請求項２】
前記Ｇｅ含有ターゲットイオン種が、前記ドーパント源のみから発生するより高いレベルで前記Ｇｅ含有イオンビーム電流を生じる、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記Ｇｅ含有ターゲットイオン種が、前記ドーパント源のみから発生したものと等しいレベルで前記Ｇｅ含有イオンビーム電流を生じる、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
ＣＨ３Ｆの濃度が、前記組成物の全容量に基づき、ＧｅＦ４でバランスを保って１０ｖｏｌ％〜４０ｖｏｌ％の範囲にわたる、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記ドーパント源ＧｅＦ４又は前記アシスト種ＣＨ３Ｆの任意の原子が、天然存在レベルを超えて同位体濃縮されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記ドーパント源及び／又は前記アシスト種が、吸着状態、遊離源状態、又は液化源状態で貯蔵及び分注組立体内に保持される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記Ｇｅ含有ターゲットイオン種が、標的基板の表面に注入される前記ＧｅＦ４ドーパント源由来のＧｅ含有の正又は負に帯電した原子若しくは分子フラグメント（複数可）を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が、ある電力レベル及びある流量で生じ、その際、前記電力レベル及び前記流量で前記ドーパント源のみから発生したＧｅ含有イオンビーム電流と比較して、前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が、５％以上である、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が、ある電力レベル及びある流量で生じ、その際、前記電力レベル及び前記流量で前記ドーパント源のみから発生したＧｅ含有イオンビーム電流と比較して、前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が１０％以上である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が、ある電力レベル及びある流量で生じ、その際、前記電力レベル及び前記流量で前記ドーパント源のみから発生したＧｅ含有イオンビーム電流と比較して、前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が２０％以上である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が、ある電力レベル及びある流量で生じ、その際、前記電力レベル及び前記流量で前記ドーパント源のみから発生したＧｅ含有イオンビーム電流と比較して、前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が２５％以上である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が、ある電力レベル及びある流量で生じ、その際、前記電力レベル及び前記流量で前記ドーパント源のみから発生したＧｅ含有イオンビーム電流と比較して、前記Ｇｅ含有イオンビーム電流が３０％以上である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記Ｇｅ含有ターゲットイオン種が、前記ドーパント源のみから発生するより低いレベルで前記Ｇｅ含有イオンビーム電流を生じる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１４】
ＣＨ３Ｆの前記濃度が、前記組成物の全容量に基づき、ＧｅＦ４でバランスを保って１５ｖｏｌ％〜４０ｖｏｌ％の範囲にわたる、請求項４に記載の組成物。
【請求項１５】
ＣＨ３Ｆの前記濃度が、前記組成物の全容量に基づき、ＧｅＦ４でバランスを保って２０ｖｏｌ％〜４０ｖｏｌ％の範囲にわたる、請求項４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ドーパント源及び前記アシスト種が、納入元で予め混合されている、請求項１に記載の組成物。
【請求項１７】
前記ドーパント源及び前記アシスト種が、前記イオン注入機の中へ並行して流れる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１８】
前記ドーパント源及び前記アシスト種が、イオンチャンバに連続して流れる、請求項１に記載の組成物。
【請求項１９】
前記組成物が、任意の希釈剤種を更に含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項２０】
前記任意の希釈剤種が、Ｈ２、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、及びＸｅからなる群から選択される、請求項１９に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月30日(2020.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平形線材を含み且つ第１直径を画定する開口を有した第１巻き線と、平形線材を含み且つ第２直径を画定する開口を有した第２巻き線と、
前記第２巻き線が前記第１巻き線の開口内に嵌め込んで組み重ねる大きさであり、そして、最下面および最上面を平坦面にして且つ前記第１巻き線および前記第２巻き線で構成した第１巻線セットと、
平形線材を含み且つ第３直径を画定する開口を有した第３巻き線と、平形線材を含み且つ第４直径を画定する開口を有した第４巻き線と、
前記第４巻き線が前記第３巻き線の開口内に嵌め込んで組み重ねる大きさであり、そして、最下面および最上面を平坦面にして且つ前記第３巻き線および前記第４巻き線で構成した第２巻線セットと、
を備え、
前記第１巻線セットは前記第２巻線セットの上側に隣接配置、かつ前記第１巻線セットに設けた前記最下面の平坦面が前記第２巻線セットに設けた前記最上面の平坦面に対面して隣接したことを特徴とする電磁装置。
【請求項２】
前記第１巻線セットの厚さが、前記第２巻線セットの厚さと異なる請求項１に記載の電磁装置。
【請求項３】
前記の各巻き線が第１端子端部、およびこれに対向する第２端子端部を有し、これら端子端部のうちの少なくとも一つが、前記の各巻き線からほぼ９０度の方向に捩じられている請求項１に記載の電磁装置。
【請求項４】
前記の巻き線のうちの少なくとも一つがマルチファイラ線材を有する請求項１に記載の電磁装置。
【請求項５】
前記第１直径と前記第３直径とは実質的に等しい請求項１に記載の電磁装置。
【請求項６】
前記第２直径と前記第４直径とは実質的に等しい請求項５に記載の電磁装置。
【請求項７】
前記第１巻線セットおよび前記第２巻線セットの位置が同軸整合している請求項１に記載の電磁装置。
【請求項８】
前記の巻き線のうちの少なくとも二つが同じ型の線材で形成された請求項１に記載の電磁装置。
【請求項９】
前記の巻き線の中で、少なくとも一つの巻き線は、その他の巻き線の少なくとも一つの線材と異なる型で形成された請求項１に記載の電磁装置。
【請求項１０】
さらに、
平形線材を含み且つ第５直径を画定する開口を有した第５巻き線と、
平形線材を含み且つ第６直径を画定する開口を有した第６巻き線と、
前記第６巻き線が前記第５巻き線の開口内に嵌め込んで組み重ねる大きさであり、そして、最下面および最上面を平坦面にして且つ前記第５巻き線および前記第６巻き線で構成した第３巻線セットと、
を備え、
前記第３巻線セットは前記第１巻線セットの上側に隣接配置、および前記第３巻線セットに設けた前記最下面の平坦面が前記第１巻線セットに設けた前記最上面の平坦面に対面して隣接する構成の請求項１に記載の電磁装置。
【請求項１１】
さらに外周巻線を有し、この外周巻線は外周巻線直径を画定する開口部を有しており、この外周巻線の前記開口部は、前記第１巻き線または前記第３巻き線の一つを取り囲こみ且つ受け入れるための嵌め込み組み重ねる構成である請求項１に記載の電磁装置。
【請求項１２】
嵌め込んで組み重ねる平面コイル巻線を組み込んだ変圧器の製造方法において、
平形線材を含み且つ第１直径を画定する開口を有する第１巻き線を形成し、
平形線材を含み且つ第２直径を画定する開口を有する第２巻き線であって、前記第１巻き線の開口内に嵌め込んで組み重ねる大きさで前記第２巻き線を形成し、
最下面および最上面を平坦面にした厚さを有する第１巻線セットを形成するために、前記第１巻き線の開口内に前記第２巻き線を位置付け、
平形線材を含み且つ第３直径を画定する開口を有する第３巻き線を形成し、
平形線材を含み且つ第４直径を画定する開口を有する第４巻き線であって、前記第３巻き線の開口内に嵌め込み組み重ねる大きさで前記第４巻き線を形成し、
最下面および最上面を平坦面にした厚さを有する第２巻線セットを形成するために、前記第３巻き線の開口内に前記第４巻き線を位置付け、そして
前記第１巻線セットを前記第２巻線セットの上側に隣接配置させて、かつ第１巻線セットに設けた前記最下面の平坦面を、前記第２巻線セットに設けた前記最上面の平坦面に対面して隣接配置させることを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
前記第１巻き線の開口内に前記第２巻き線を配置するさいに、前記第１巻き線あるいは前記第２巻き線のうちの一方を前記第１巻き線あるいは前記第２巻き線のうちの他方に対して所定の角度で傾ける請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第３巻き線の開口内に前記第４巻き線を配置するさいに、前記第３巻き線あるいは前記第４巻き線のうちの一方を前記第３巻き線あるいは前記第４巻き線のうちの他方に対して所定の角度で傾ける請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記の巻き線を異なる大きさのマンドレルに巻きつける請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記の各巻き線が第１端子端部、およびこれに対向する第２端子端部を有し、そしてさらに、前記端子端部のうちの少なくとも一つをほぼ９０度捩じることで外部接続部に接続する請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記第１巻線セットおよび前記第２巻線セットの位置が同軸整合している請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１８】
さらに、
平形線材を含み且つ第５直径を画定する開口を有する第５巻き線を形成し、
平形線材を含み且つ第６直径を画定する開口を有する第６巻き線を形成し、
前記第６巻き線は前記第５巻き線の開口内に嵌め込んで組み重ねる大きさであり、そして、前記第５巻き線および前記第６巻き線は共に最下面および最上面を平坦面にした第３巻線セットを構成し、
前記第３巻線セットは前記第１巻線セットの上側に隣接配置させて、かつ前記第３巻線セットに設けた前記最下面の平坦面を、前記第１巻線セットに設けた前記最上面の平坦面に対面し且つ隣接させて位置付ける請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記第１巻線セットの厚さが、前記第２巻線セットの厚さと異なる請求項１２に記載の製造方法。
【請求項２０】
さらに外周巻線を有し、この外周巻線は平形線材を含み且つ外周巻線直径を画定する開口部を有しており、この外周巻線の前記開口部は、前記第１巻き線または前記第３巻き線の一つを取り囲こみ且つ受け入れるために、嵌め込み組み重ねる構成を形成する請求項１２に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月18日(2020.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記コンタクト部材（５）は、前記固定セクション（８）によって、少なくとも１つの塑性変形可能な接続要素（１５）、特に少なくとも１つのリベット（１５）によって、前記固定スポット又は前記固定突起（３）に接続されており、前記接続要素（１５）は、前記コンタクト部材（５）と１つの部品として形成されていることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項記載のコンタクト要素（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記コンタクト部材（５）は、少なくとも１つのリベット（１４）によって前記固定セクション（８）における前記固定スポット又は前記固定突起（３）に接続されており、
前記リベット（１４）は、前記キャリアストリップの前記固定セクション（８）及び前記固定スポット又は固定突起（３）を貫通して突出していることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項記載のコンタクト要素（１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
図４ａ，図５ａ，図６ａ，図７ａ及び図８ａは、さらに、第１のコンタクト部材５ａが、固定突起３ａから見たときに、第１のコンタクトセクション６が、長手方向に対して横方向で見たときに、第２のコンタクト部材５ｂを超えて延びるように、延びていることを明らかに示している。過剰な長さは、矢印Ｄによって示されている。そうすることによって、第１のコンタクト部材５ａは、第２のコンタクト部材５ｂの側からの接点移動の際に、コンタクトが、まず、対応するコンタクト片によって第１のコンタクト部材５ａと形成されるように、第２のコンタクト部材５ｂを超えて延びている。つまり、図４ａ，図５ａ，図６ａ，図７ａ及び図８ａを見ると、コンタクト片が矢印Ｐ’の方向へコンタクト要素１に向かって押し付けられたとき、コンタクト片が第２のコンタクト部材５ｂと接触する前に、コンタクト片は、まず、第１のコンタクト部材５ａと接触する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
言い換えれば、第１のコンタクト部材５ａの第１のコンタクトセクション６は、第２のコンタクト部材５ｂの上側２２を超えて突出している。第２のコンタクト部材５ｂもこの形式で配置されていることは言うまでもない。すなわち、第２のコンタクト部材５ｂの第１のコンタクトセクション６は、第１のコンタクト部材５ａの上側２２を超えて突出するように、特に、第１のコンタクト部材５ａの側からの接点移動の際に、コンタクトが、まず、コンタクト片によって第２のコンタクト部材５ｂと形成されるように、配置されている。この移動は、図４ａに矢印Ｐによって示されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月18日(2020.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記コンタクト部材（５）は、前記固定セクション（８）によって、少なくとも１つの塑性変形可能な接続要素、特にリベット（１５）によって、前記固定スポット（３）に接続されており、前記接続要素（１５）は、前記コンタクト部材（５）と１つの部品として形成されていることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項記載のコンタクト要素（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
コンタクト部材５，５ａ，５ｂは、コンタクト部材５，５ａ，５ｂを、線Ｍに対して平行に配置された回動軸線Ｓを中心に回動させることができるように、キャリアストリップ２に対して配置されている。これは、特に、図４ａ，図５ａ，図６ａ，図７ａ及び図８ａに明らかに示されている。回動軸線Ｓは、ここでは図面の紙面に対して直角に向けられている。コンタクトが第１のコンタクト片Ｋ１によって形成されるとき、図１及び図２に示されているように、コンタクト部材５が回動させられ、回動運動は矢印Ｓ’によって示されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月24日(2020.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明は、上記提示された実施態様のみに限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲内で変更可能であることは明らかである。
本件出願は、以下の構成の発明を提供する。
（構成１）
マシンビジョンシステムの画像センサによって第1の画像取り込み頻度で、監視されるべき物体の画像を取り込むステップ；
該取り込まれた画像データをデータ処理装置に送信するステップ；及び
該受信された画像データを該データ処理装置によって解析するステップを含み、
該受信された画像データが異常を含むと検出された場合に、該データ処理装置が、異常を含む画像データを取り込んだ画像センサを少なくともトリガするためのトリガ信号を送信するように構成され、該画像センサのトリガにより、少なくとも該画像センサが、第2の画像取り込み頻度で画像バーストを取り込み、さらなる解析のために該取り込まれた画像バーストのデータを該データ処理装置に送信するように再構成され、該トリガ信号が、該画像バーストの継続時間を規定し、かつ該画像バーストの該第2の画像取り込み頻度が、該第1の画像取り込み頻度よりも高い、方法。
（構成２）
前記マシンビジョンシステムの周囲の音響環境を記録するステップ；
加工機械の音響表現を含む該記録された音響環境データを前記データ処理装置に送信するステップ；及び
該受信した音響環境データを該データ処理装置によって解析するステップをさらに含み、
該受信した音響環境データが、第1の画像取り込みモード中の加工機械の音響表現の変化を含むと検出された場合に、該データ処理装置が、画像センサをトリガするためのトリガ信号を送信するように構成され、該画像センサのトリガにより、少なくとも1つの画像センサが、前記第2の画像取り込み頻度で画像バーストを取り込み、該取り込まれた画像バーストのデータをさらなる解析のために該データ処理装置に送信するように再構成される、構成1記載の方法。
（構成３）
前記監視されるべき物体の異常とその原因との間の相互関係を規定するステップ；
該検出された異常の原因を決定するステップ；及び
該原因に基づいて前記画像バーストを取り込むように再構成された画像センサを決定するステップであって、該画像センサが、該原因が該検出された異常を引き起こした位置にある、該ステップをさらに含む、構成1又は2記載の方法。
（構成４）
前記画像センサが、前記画像バーストの後も前記第1の画像取り込み頻度で画像の取り込みを続ける、構成1〜3のいずれか一項記載の方法。
（構成５）
前記トリガ信号が、前記画像バーストの画像取り込み頻度を決定する、構成1〜4のいずれか一項記載の方法。
（構成６）
前記トリガ信号が、前記画像バーストの間に取り込まれる画像の画像解像度を決定する、構成1〜5のいずれか一項記載の方法。
（構成７）
前記トリガ信号が、前記画像バーストの時間の長さを決定する、構成1〜6のいずれか一項記載の方法。
（構成８）
画像センサ及びデータ処理装置を備える、監視されるべき物体を監視するためのマシンビジョンシステムであって、該画像センサが、該監視されるべき物体の画像を第1の画像取り込み頻度で取り込んで、該取り込まれた画像データを解析のために該データ処理装置に送信するように構成され、該受信した画像データが、異常を含むと検出された場合に、該データ処理装置が、該異常を含む画像データを取り込んだ画像センサを少なくともトリガするためのトリガ信号を送信するように構成され、該画像センサのトリガにより、少なくとも該画像センサが、第2の画像取り込み頻度で画像バーストを取り込み、該取り込まれた画像バーストのデータをさらなる解析のために該データ処理装置に送信するように再構成され、該トリガ信号が、該画像バーストの継続時間を規定し、かつ該画像バーストの該第2の画像取り込み頻度が、該第1の画像取り込み頻度よりも高い、前記マシンビジョンシステム。
（構成９）
音響センサをさらに備え、該音響センサが、前記マシンビジョンシステムの周囲の音響環境を記録するように構成され、該音響センサが、加工機械の音響表現を含む該記録された音響環境データを解析のために前記データ処理装置に送信するようにさらに構成され、該受信した音響環境データが第1の画像取り込みモード中の加工機械の音響表現の変化を含むと検出された場合に、該データ処理装置が、画像センサをトリガするためのトリガ信号を送信するように構成され、該画像センサのトリガにより、少なくとも1つの画像センサが、第2の画像取り込み頻度で画像バーストを取り込み、該取り込まれた画像バーストのデータをさらなる解析のために該データ処理装置に送信するように構成されている、構成8記載のマシンビジョンシステム。
（構成１０）
前記データ処理装置が：
前記監視されるべき物体の異常とその原因との間の相互関係を規定するステップ；
該検出された異常の原因を決定するステップ；及び
該原因に基づいて前記画像バーストを取り込むように再構成された画像センサを決定するステップであって、該画像センサが、該原因が該検出された異常を引き起こした位置にある、該ステップをさらに含む、構成8又は9記載のマシンビジョンシステム。
（構成１１）
前記画像センサが、前記画像バーストの後も前記第1の画像取り込み頻度で画像の取り込みを続ける、構成8〜10のいずれか一項記載のマシンビジョンシステム。
（構成１２）
前記トリガ信号が、前記画像バーストの画像取り込み頻度を決定する、構成8〜11のいずれか一項記載のマシンビジョンシステム。
（構成１３）
前記トリガ信号が、前記画像バーストの間に取り込まれる画像の画像解像度を決定する、構成8〜12のいずれか一項記載のマシンビジョンシステム。
（構成１４）
前記トリガ信号が、前記画像バーストの時間の長さを決定する、構成8〜13のいずれか一項記載のマシンビジョンシステム。
（構成１５）
コンピュータ可読媒体に格納された、計算装置で実行可能なコンピュータプログラム製品であって、構成1〜7のいずれか一項記載の方法を実施するための命令を含む、前記コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月21日(2020.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極および正極を含む電気化学反応を介して電気エネルギーを生むための電気化学電池であって、
前記負極および正極の少なくとも１つが固体イオン伝導性高分子材料を含み；
該固体イオン伝導性高分子材料がヒドロキシルイオンをイオン的に伝導することができ、それにより前記固体イオン伝導性高分子材料は前記電気化学反応の間にヒドロキシルイオンを伝導することができ、そして、
前記固体イオン伝導性高分子材料が少なくとも約３０％かまたはそれより高い結晶化度を有する、
電池。
【請求項２】
負極および正極を含む電気化学反応を介して電気エネルギーを生むための電気化学電池であって、
前記負極および正極の少なくとも１つが固体イオン伝導性高分子材料を含み；
該固体イオン伝導性高分子材料がヒドロキシルイオンをイオン的に伝導することができ、それにより前記固体イオン伝導性高分子材料は前記電気化学反応の間にヒドロキシルイオンを伝導することができ、
前記負極が固体イオン伝導性高分子材料を含み、さらに負極電気化学的活性材料を含み、前記固体イオン伝導性高分子材料および前記負極電気化学的活性材料は混合され、それにより前記固体イオン伝導性高分子材料はヒドロキシルイオンを負極電気化学的活性材料にイオン的に伝導することができる、
電池。
【請求項３】
前記固体イオン伝導性高分子材料の少なくとも一部が前記負極電気化学的活性材料と接触している、請求項２の電池。
【請求項４】
負極および正極を含む電気化学反応を介して電気エネルギーを生むための電気化学電池であって、
前記負極および正極の少なくとも１つが固体イオン伝導性高分子材料を含み；
該固体イオン伝導性高分子材料がヒドロキシルイオンをイオン的に伝導することができ、それにより前記固体イオン伝導性高分子材料は前記電気化学反応の間にヒドロキシルイオンを伝導することができ、
前記正極が固体イオン伝導性高分子材料を含み、さらに正極電気化学的活性材料を含み、ここで前記固体イオン伝導性高分子材料および正極電気化学的活性材料は混合され、それにより該固体イオン伝導性高分子材料はヒドロキシルイオンを前記正極電気化学的活性材料にイオン的に伝導することができる、
電池。
【請求項５】
前記固体イオン伝導性高分子材料の少なくとも一部が前記正極電気化学的活性材料と接触している、請求項４の電池。
【請求項６】
負極および正極を含む電気化学反応を介して電気エネルギーを生むための電気化学電池であって、
前記負極および正極の少なくとも１つが固体イオン伝導性高分子材料を含み；
該固体イオン伝導性高分子材料がヒドロキシルイオンをイオン的に伝導することができ、それにより前記固体イオン伝導性高分子材料は前記電気化学反応の間にヒドロキシルイオンを伝導することができ、
前記正極が固体イオン伝導性高分子材料を含み、該固体イオン伝導性高分子材料の量は正極の１〜４０重量パーセントの範囲である、
電池。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月8日(2020.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシー処理チャンバである少なくとも１つの処理チャンバに結合される第１の移送チャンバと、
第２の移送チャンバと、
前記第２の移送チャンバに結合される第１のプラズマ洗浄チャンバと、
前記第１の移送チャンバと前記第２の移送チャンバとの間に配置され、それらに連結され、かつ第２のプラズマ洗浄チャンバを含む、移行ステーションと、
前記第２の移送チャンバに結合されるロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバに結合されるファクトリインターフェースと、
を含む真空処理システム。
【請求項２】
前記第２のプラズマ洗浄チャンバが、
一又は複数の加熱要素を含む基板支持体を取り囲むチャンバ本体と、
前記基板支持体を垂直に移動させるために、前記基板支持体に結合されるアクチュエータと、
遠隔プラズマ源と、
前記遠隔プラズマ源を前記チャンバ本体に結合する通路チューブと、
前記通路チューブに隣接して配置される少なくとも１つの磁石と、
前記チャンバ本体内に配置されるガス供給プレートであって、前記ガス供給プレートが前記ガス供給プレートの厚さを貫通して形成される複数の開孔を有し、前記ガス供給プレート及び前記基板支持体が、それらの間に処理領域を画定する、ガス供給プレートと、
前記チャンバ本体に結合されるポンプと、
前記ポンプと前記チャンバ本体との間に配置されるスロットルバルブと
を含む、請求項１に記載の真空処理システム。
【請求項３】
前記一又は複数の加熱要素が、約４５０℃から約６５０℃の温度範囲まで対象物を加熱可能である、請求項２に記載の真空処理システム。
【請求項４】
前記通路チューブの内面が、石英でコーティングされる、又は石英から製造される、請求項２に記載の真空処理システム。
【請求項５】
前記ポンプ及び前記スロットルバルブが、処理中に、前記第２のプラズマ洗浄チャンバ内部の圧力を約０．００５Ｔｏｒｒから約５００Ｔｏｒｒの圧力範囲に維持可能である、請求項２に記載の真空処理システム。
【請求項６】
前記チャンバ本体が、
リッドと、
前記リッドの底面に沿って配置され、かつ石英でコーティングされる、又は石英から製造される、ライナープレートと、
前記リッドと前記チャンバ本体との間に配置された処理キットハウジングであって、前記処理キットハウジングの内面が前記ガス供給プレートを支持する、処理キットハウジングと、
前記処理キットハウジングの前記内面に沿って配置され、かつ石英でコーティングされ、又は石英から製造される上部ライナーであって、前記上部ライナー、前記ライナープレート、及び前記ガス供給プレートが、それらの中に第２のプレナムを画定する、上部ライナーと、
前記処理キットハウジングの前記内面に配置され、かつ石英でコーティングされ、又は石英から製造され、前記処理領域の外側境界を囲む、下部ライナーと
を更に含む、請求項２に記載の真空処理システム。
【請求項７】
前記第１のプラズマ洗浄チャンバが、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体に結合され、２つの電極の間にプラズマ空間を画定する２つの電極を含む、リッドアセンブリと、
前記チャンバ本体内に配置される基板支持体と、
前記リッドアセンブリと前記基板支持体との間に配置されるガス供給プレートと、
前記チャンバ本体に結合される真空ポンプと
を更に含む、請求項１に記載の真空処理システム。
【請求項８】
前記移行ステーションが、第１の通過ステーション及び第２の通過ステーションを含み、前記第２のプラズマ洗浄チャンバが、前記第１の通過ステーションに結合される、請求項１に記載の真空処理システム。
【請求項９】
第１の基板ハンドリング機構を含む第１の移送チャンバと、
前記第１の移送チャンバに結合された移行ステーションであって、移行ステーションに結合される又は移行ステーションの中に配置される第１のプラズマ洗浄チャンバを有する移行ステーションと、
前記第１の移送チャンバに結合され、エピタキシーチャンバである、少なくとも１つの処理チャンバと
を含む、真空処理システム。
【請求項１０】
前記第１のプラズマ洗浄チャンバが、
一又は複数の加熱要素を含む基板支持体を取り囲むエンクロージャを有するチャンバ本体と、
前記基板支持体を垂直に移動させるために、前記基板支持体に結合される駆動ユニットと、
遠隔プラズマ源と、
前記遠隔プラズマ源を前記チャンバ本体に結合する通路チューブと、
前記通路チューブに隣接して配置される少なくとも１つの磁石と、
前記チャンバ本体内に配置されるガス供給プレートであって、前記ガス供給プレートが前記ガス供給プレートの厚さを貫通して形成される複数の開孔を有し、前記ガス供給プレート及び前記基板支持体が、それらの間に第１のプレナムを画定する、ガス供給プレートと、
前記チャンバ本体に結合されるポンプと
を含む、請求項９に記載の真空処理システム。
【請求項１１】
前記第１の移送チャンバ及び前記移行ステーションに結合され、第２の基板ハンドリング機構を含む、第２の移送チャンバと、
前記第２の移送チャンバに結合される第２のプラズマ洗浄チャンバと、
前記第２の移送チャンバに結合されるロードロックチャンバと
を更に含む、請求項９に記載の真空処理システム。
【請求項１２】
前記第２のプラズマ洗浄チャンバが、
基板支持面を有する基板支持体を取り囲むチャンバ本体と、
第１の電極及び第２の電極を含むリッドアセンブリであって、前記第１の電極が前記第２の電極の垂直上方に配置され、前記第１及び第２の電極がそれらの間にプラズマ空間を画定する、リッドアセンブリと、
前記リッドアセンブリと前記基板支持体との間に配置されるガス供給プレートと、
前記チャンバ本体に結合されるポンプと
を更に含む、請求項１１に記載の真空処理システム。
【請求項１３】
少なくとも１つの処理チャンバに結合され、第１のロボット式搬送機構を含む第１の移送チャンバと、
第２のロボット式搬送機構を含む第２の移送チャンバと、
前記第２の移送チャンバに結合される第１のプラズマ洗浄チャンバと、
前記第１の移送チャンバと前記第２の移送チャンバとの間に配置され、それらに連結され、かつ第２のプラズマ洗浄チャンバを含む、移行ステーションと、
前記第２の移送チャンバに結合されるロードロックチャンバと、
前記ロードロックチャンバに結合されるファクトリインターフェースと、
を含む真空処理システムであって、
前記第２の移送チャンバの前記第２のロボット式搬送機構が、前記ロードロックチャンバ内に配置されるべき基板を、前記第１のプラズマ洗浄チャンバと前記第２のプラズマ洗浄チャンバに移動させるように動作可能であり、前記第１の移送チャンバの前記第１のロボット式搬送機構が、前記基板を前記第２のプラズマ洗浄チャンバから前記第１の移送チャンバの前記少なくとも１つの処理チャンバに移動させるように動作可能であり、前記基板が、真空を破壊せずに前記第２の移送チャンバと、前記第１のプラズマ洗浄チャンバ及び前記第２のプラズマ洗浄チャンバと、前記第１の移送チャンバの前記少なくとも１つの処理チャンバとの間を移動する、真空処理システム。
【請求項１４】
前記第１のプラズマ洗浄チャンバ及び前記第２のプラズマ洗浄チャンバのそれぞれが単一のチャンバ空間を有する、請求項１３に記載の真空処理システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月2日(2020.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
肺癌を有する個体の腫瘍の変異を追跡する方法であって、前記方法が、
前記個体由来のサンプルから、一組の患者特有の変異、及び、前記一組の患者特有の変異に対応する一組の一塩基バリアント遺伝子座を同定し、
前記個体からの血液又はそのフラクションのサンプルから単離した核酸に対して多重増幅反応を行うことによって、一組のアンプリコンを生成し、ここで前記アンプリコンの各々が、前記一組の一塩基バリアント遺伝子座のうちの少なくともひとつの一塩基バリアント遺伝子座に跨っていると共に、５０〜７０ｄｐの長さを有し、
前記一組のアンプリコンの各アンプリコンの少なくともひとつのセグメントであって、一塩基バリアント遺伝子座を含むセグメントの配列を決定することによって、前記肺癌中に存在する一塩基バリアントを決定することを含む、方法。
【請求項２】
前記肺癌は、ステージ１ａ、１ｂ又は２ａの扁平上皮癌である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記肺癌は、ステージ１ａ又は１ｂの扁平上皮癌である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記個体は外科手術を受けていない、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記個体は生検を受けていない、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記個体に化合物を投与することをさらに含むものであって、前記化合物は、決定された一塩基バリアントのうちの１つ又は複数を有する肺扁平上皮癌の治療に特に有効であることがわかっている、請求項１記載の方法。
【請求項７】
配列の決定から、前記一塩基バリアントのそれぞれに関して、バリアントアレル頻度（variant allele frequency）を決定することをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記バリアントアレル頻度の決定に基づいて、肺癌の治療計画を決める、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記一塩基バリアントのうちのひとつであって、決定されたその他の一塩基バリアントの少なくとも１／２よりも可変アレル頻度が高い、前記一塩基バリアントのうちのひとつを有する肺の扁平上皮癌の治療に特に有効であることがわかっている化合物を、前記個体に投与することをさらに含む、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
核酸は、前記個体の腫瘍から単離されたものであり、一塩基バリアントは、血液又はそのフラクションの前記サンプルに関して、前記一組のアンプリコンの各アンプリコンのうち少なくともひとつのセグメントの配列を決定する前に、前記一組の一塩基バリアント遺伝子座に対して腫瘍中で特定される、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
肺癌が疑われる個体からの血液又はそのフラクションのサンプル中において肺扁平上皮癌の患者特有の変異を検出する方法であって、前記方法は、
前記個体由来の腫瘍組織サンプルから、一組の患者特有の変異、及び、前記一組の患者特有の変異に対応する一組の一塩基バリアント遺伝子座を同定し、
前記サンプルから単離した核酸に対して多重増幅反応を実行することによって、一組のアンプリコンを生成し、ここで前記アンプリコンの各々が、前記一組の一塩基バリアント遺伝子座のうちの少なくともひとつの一塩基バリアント遺伝子座に跨っていると共に、５０〜７０ｄｐの長さを有し、
前記一組のアンプリコンの各アンプリコンの少なくともひとつのセグメントであって、一塩基バリアント遺伝子座を含むセグメントの配列を決定することによって、前記一組の一塩基バリアント遺伝子座のうち１つ又は複数の一塩基バリアント遺伝子座が存在するか否かを決定することを含み、ここで前記複数の一塩基バリアント遺伝子座のいずれかに関して、前記サンプル中に前記一塩基バリアント遺伝子が存在することが、扁平上皮癌が存在することの示唆である、方法。
【請求項１２】
前記セグメントの配列の決定が、前記一組のアンプリコンについてハイスループットＤＮＡシークエンシングを行うことを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
個体の肺腫瘍中においてクローン性一塩基バリアントを検出する方法であって、前記方法は、
前記個体由来の腫瘍組織サンプルから、一組の患者特有のクローン性変異、及び、前記一組の患者特有のクローン性変異に対応する一組のクローン性一塩基バリアント遺伝子座を同定し、
前記個体の血漿サンプルから単離した核酸に対して多重増幅反応を実行することによって、一組のアンプリコンを生成し、ここで前記一組のアンプリコンの各々が、前記一組の一塩基バリアント遺伝子座のうちの少なくともひとつの一塩基バリアント遺伝子座に跨っていると共に、５０〜７０ｄｐの長さを有し、
前記一組のアンプリコンの各アンプリコンのうちの少なくともひとつのセグメントであって、一塩基バリアント遺伝子座を含むセグメントの配列を決定し、
前記一連のアンプリコンの複数のコピーの配列に基づいて、前記一塩基バリアント遺伝子座のそれぞれに関して、バリアントアレル頻度を決定することを含むと共に、前記複数の一塩基バリアント遺伝子座のうちのあるクローン性一塩基バリアントのアレル頻度が、他の一塩基バリアントと比較して高いことが、前記腫瘍中に当該クローン性一塩基バリアントが存在することの示唆である、方法。
【請求項１４】
前記他の一塩基バリアント以外の１つ又は複数のクローン性一塩基バリアントを標的とする化合物を個体に投与することをさらに含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記バリアントアレル頻度が１．０％を超えることが、クローン性一塩基バリアントが存在することの示唆である、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月1日(2020.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔ細胞を１つまたは複数のＣａｓ９分子／ｇＲＮＡ分子複合体と接触させるステップを含んでなる、Ｔ細胞を改変する方法であって、前記１つまたは複数のＣａｓ９分子／ｇＲＮＡ分子複合体中のｇＲＮＡ分子が、ＰＤＣＤ１遺伝子由来の標的ドメインと相補的なターゲティングドメインを含み、前記ｇＲＮＡ分子が、前記標的ドメインを少なくとも４０％の切断効率で切断するように前記Ｃａｓ９分子を誘導する、前記方法。
【請求項２】
Ｔ細胞を２つのＣａｓ９分子／ｇＲＮＡ分子複合体と接触させるステップを含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｔ細胞が、がんに罹患している対象に由来し、
任意で前記がんが、リンパ腫、慢性リンパ球性白血病（ＣＬＬ）、Ｂ細胞急性リンパ球性白血病（Ｂ−ＡＬＬ）、急性リンパ芽球性白血病、急性骨髄性白血病、非ホジキンリンパ腫（ＮＨＬ）、びまん性大細胞リンパ腫（ＤＬＣＬ）、多発性骨髄腫、腎細胞がん（ＲＣＣ）、神経芽細胞腫、結腸直腸がん、乳がん、卵巣がん、黒色腫、肉腫、前立腺がん、肺がん、食道がん、肝細胞がん、膵臓がん、星細胞腫、中皮腫、頭頸部がん、および髄芽細胞腫からなる群から選択される、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｔ細胞が組換え受容体を含んでなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
核酸を細胞に導入させる条件下で、前記Ｔ細胞を、組換え受容体をコードする核酸と接触させるステップをさらに含んでなる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記組換え受容体が、機能性非ＴＣＲ抗原受容体もしくは遺伝子組換えＴＣＲである、および／または、キメラ抗原受容体（ＣＡＲ）である、
任意で、前記ＣＡＲが、抗体または抗体フラグメントである抗原結合ドメインを含んでなる、請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記抗原が疾患または障害に関連する、
任意で、前記疾患または障害が、感染性疾患もしくは病状、自己免疫疾患、炎症性疾患、または腫瘍もしくはがんである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記組換え受容体が、腫瘍抗原に特異的に結合する、
任意で、前記抗原が、ＲＯＲ１、Ｈｅｒ２、Ｌ１−ＣＡＭ、ＣＤ１９、ＣＤ２０、ＣＤ２２、メソテリン、ＣＥＡ、Ｂ型肝炎表面抗原、抗葉酸受容体、ＣＤ２３、ＣＤ２４、ＣＤ３０、ＣＤ３３、ＣＤ３８、ＣＤ４４、ＥＧＦＲ、ＥＧＰ−２、ＥＧＰ−４、ＥＰＨａ２、ＥｒｂＢ２、ＥｒｂＢ３、ＥｒｂＢ４、ＦＢＰ、胎児型アセチルコリンｅ受容体、ＧＤ２、ＧＤ３、ＨＭＷ−ＭＡＡ、ＩＬ−２２Ｒ−α、ＩＬ−１３Ｒ−α２、ｋｄｒ、κ軽鎖、ルイスＹ、Ｌ１−細胞接着分子（ＣＤ１７１）、ＭＡＧＥ−Ａ１、メソテリン、ＭＵＣ１、ＭＵＣ１６、ＰＳＣＡ、ＮＫＧ２Ｄリガンド、ＮＹ−ＥＳＯ−１、ＭＡＲＴ−１、ｇｐ１００、がん胎児性抗原（ｏｎｃｏｆｅｔａｌ  ａｎｔｉｇｅｎ）、ＴＡＧ７２、ＶＥＧＦ−Ｒ２、がん胎児性抗原（ｃａｒｃｉｎｏｅｍｂｒｙｏｎｉｃ  ａｎｔｉｇｅｎ；ＣＥＡ）、前立腺特異的抗原、ＰＳＭＡ、エストロゲン受容体、プロゲステロン受容体、エフリンＢ２、ＣＤ１２３、ＣＳ−１、ｃ−Ｍｅｔ、ＧＤ−２、ＭＡＧＥ  Ａ３、ＣＥ７、ウィルムス腫瘍１（ＷＴ−１）、サイクリンＡ１（ＣＣＮＡ１）、ＢＣＭＡ、およびインターロイキン１２から選択される、請求項６または請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ｇＲＮＡ分子が、配列番号４８１〜５５５、５６３〜１５１６、１５１７〜３７４８、１４６５７〜１６６７０、および１６６７１〜２１０３７のいずれかからのターゲティングドメインと同一の、または３ヌクレオチド以下が異なる、ターゲティングドメインを含んでなる、
任意で、前記ｇＲＮＡ分子が、配列番号５０８、５１４、５７６、５７９、５８２、および７２３から選択されるターゲティングドメインを含んでなり、または
前記ｇＲＮＡ分子が、配列番号５０８、５１０、５１１、５１２、５１４、５７６、５７９、５８１、５８２、７６６、および７２３から選択されるターゲティングドメインを含んでなる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｃａｓ９分子がニッカーゼであり、２つのＣａｓ９分子／ｇＲＮＡ分子複合体が、前記標的ドメインの対向する鎖上の２つの一本鎖切断で前記標的ドメインを切断するように２つの異なるｇＲＮＡ分子によって誘導される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記Ｃａｓ９分子がＳ．ピオゲネスＣａｓ９分子であり、
任意で、前記Ｓ．ピオゲネスＣａｓ９分子がＤ１０Ａ変異を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記２つのｇＲＮＡ分子が、
2019517788.tif 000001
のターゲティングドメイン対から選択されるターゲティングドメインを含んでなる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法
【請求項１３】
少なくとも６０％、少なくとも８０％、または少なくとも９０％の切断効率によって特徴付けられる、および／または
前記ｇＲＮＡ分子が５未満のオフターゲットによって特徴付けられる、および／または
前記ｇＲＮＡ分子が２未満のエクソンオフターゲットによって特徴付けられる、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法によって作製されたＴ細胞。
【請求項１５】
対象を治療する方法において使用するための、または治療において使用するための請求項１４に記載のＴ細胞であって、前記方法が前記対象に前記Ｔ細胞を投与するステップを含んでなる、前記Ｔ細胞。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月18日(2020.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理方法であって、
シリコン（Ｓｉ）隆起フィーチャを含んだ基板を用意することと、
前記Ｓｉ隆起フィーチャ上にコンフォーマル膜を堆積させることと、
前記Ｓｉ隆起フィーチャ上に側壁スペーサを形成するよう、前記コンフォーマル膜の垂直部分を実質的に残しながら前記コンフォーマル膜の水平部分を除去するスペーサエッチングプロセスを実行することであり、
ａ）Ｈ２ガス及びオプションの不活性ガスからなるプラズマ励起された第１のプロセスガスに前記基板を曝し、且つ
ｂ）ｉ）ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒ、ｉｉ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＨ２、ｉｉｉ）ＮＦ３及びＯ２、ｉｖ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＡｒ、ｖ）ＮＦ３及びＨ２、又は、ｖｉ）ＮＦ３、Ｈ２、及びＡｒ、を含有するプラズマ励起された第２のプロセスガスに、前記基板を曝す、
ことを含む、実行することと、
前記側壁スペーサを前記基板上に維持しながら前記Ｓｉ隆起フィーチャを除去することであり、
ｃ）Ｈ２ガス及びオプションの不活性ガスからなるプラズマ励起された第３のプロセスガスに前記基板を曝し、且つ
ｄ）ｉ）ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒ、ｉｉ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＨ２、ｉｉｉ）ＮＦ３及びＯ２、ｉｖ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＡｒ、ｖ）ＮＦ３及びＨ２、又は、ｖｉ）ＮＦ３、Ｈ２、及びＡｒ、を含有するプラズマ励起された第４のプロセスガスに、前記基板を曝す、
ことを含む、除去することと、
を有する方法。
【請求項２】
前記第１及び第３のプロセスガスは、Ｈ２及びＡｒからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２及び第４のプロセスガスは、ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｓｉ隆起フィーチャはＳｉ元素からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ元素は、多結晶Ｓｉ（ポリＳｉ）又は非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記コンフォーマル膜はＳｉＮを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマ励起されたプロセスガスは、上部プレート電極と、前記基板を支持する下部プレート電極とを含む容量結合プラズマ源を用いて形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマ励起されたプロセスガスは、高いラジカル対イオン束比を作り出す遠隔プラズマ源を用いて形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ａ）及びｂ）の工程、並びにｃ）及びｄ）の工程を少なくとも一度繰り返すこと、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基板処理方法であって、
Ｓｉ隆起フィーチャを含んだ基板を用意することと、
前記Ｓｉ隆起フィーチャ上にコンフォーマル膜を堆積させることと、
前記コンフォーマル膜の垂直部分を実質的に改質されないままにしながら前記コンフォーマル膜の水平部分を改質するプラズマプロセスを実行することであり、
ａ）Ｈ２ガス及びオプションの不活性ガスからなるプラズマ励起された第１のプロセスガスに前記基板を曝し、且つ
ｂ）ｉ）ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒ、ｉｉ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＨ２、ｉｉｉ）ＮＦ３及びＯ２、ｉｖ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＡｒ、ｖ）ＮＦ３及びＨ２、又は、ｖｉ）ＮＦ３、Ｈ２、及びＡｒ、を含有するプラズマ励起された第２のプロセスガスに、前記基板を曝す、
ことを含む、実行することと、
前記コンフォーマル膜の前記改質された水平部分と前記Ｓｉ隆起フィーチャとを除去することであり、
ｃ）Ｈ２ガス及びオプションの不活性ガスからなるプラズマ励起された第３のプロセスガスに前記基板を曝し、且つ
ｄ）ｉ）ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒ、ｉｉ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＨ２、ｉｉｉ）ＮＦ３及びＯ２、ｉｖ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＡｒ、ｖ）ＮＦ３及びＨ２、又は、ｖｉ）ＮＦ３、Ｈ２、及びＡｒ、を含有するプラズマ励起された第４のプロセスガスに、前記基板を曝す、
ことを含む、除去することと、
を有する方法。
【請求項１１】
前記第１及び第３のプロセスガスは、Ｈ２及びＡｒからなる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２及び第４のプロセスガスは、ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒからなる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｓｉ隆起フィーチャは、多結晶Ｓｉ（ポリＳｉ）又は非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記コンフォーマル膜はＳｉＮを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記プラズマ励起されたプロセスガスは、上部プレート電極と、前記基板を支持する下部プレート電極とを含む容量結合プラズマ源を用いて形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記プラズマ励起されたプロセスガスは、高いラジカル対イオン束比を作り出す遠隔プラズマ源を用いて形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
ａ）及びｂ）の工程、並びにｃ）及びｄ）の工程を少なくとも一度繰り返すこと、を更に含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
基板処理方法であって、
Ｓｉ隆起フィーチャ上にＳｉＮ側壁スペーサを含んだ基板を用意することと、
前記ＳｉＮ側壁スペーサを前記基板上に維持しながら前記Ｓｉ隆起フィーチャを除去することであり、
Ｈ２ガス及びオプションの不活性ガスからなる第１のプラズマ励起プロセスガスに前記基板を曝し、且つ
ｉ）ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒ、ｉｉ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＨ２、ｉｉｉ）ＮＦ３及びＯ２、ｉｖ）ＮＦ３、Ｏ２、及びＡｒ、ｖ）ＮＦ３及びＨ２、又は、ｖｉ）ＮＦ３、Ｈ２、及びＡｒ、を含有する第２のプラズマ励起プロセスガスに、前記基板を曝す、
ことを含む、除去することと、
を有する方法。
【請求項１９】
前記第１のプロセスガスは、Ｈ２及びＡｒからなり、前記第２のプロセスガスは、ＮＦ３、Ｏ２、Ｈ２、及びＡｒからなる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記曝す工程を少なくとも一度繰り返すこと、を更に含む請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月27日(2020.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共有通信媒体上で通信する方法であって、
アクセス端末において、前記共有通信媒体上でアクセスポイントからのダウンリンクサブフレームを受信するステップと、
前記ダウンリンクサブフレームを受信したことに応答して、前記アクセス端末によって、複数のUCIチャネルのうちの第1のUCIチャネルの第1のアップリンクサブフレーム上で、前記ダウンリンクサブフレームについてのアップリンク制御情報(UCI)を送信するステップと、
前記ダウンリンクサブフレームを受信したことに応答して、前記アクセス端末によって、前記複数のUCIチャネルのうちの第2のUCIチャネルの第2のアップリンクサブフレーム上で前記UCIを送信するステップと
を含み、
前記UCIが、構成された持続時間の満了前にのみ、前記第2のUCIチャネルの前記第2のアップリンクサブフレーム上で送信される、方法。
【請求項２】
前記第1のUCIチャネルが、前記複数のUCIチャネルのうちの第1の利用可能なUCIチャネルである、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記アクセス端末が、前記複数のUCIチャネルのうちの他のUCIチャネルの利用可能性にかかわらず、前記第1のUCIチャネル上ですべての受信されたダウンリンクフレームについてのすべてのUCIを送信するように構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記アクセス端末が、前記構成された持続時間の満了後に、前記複数のUCIチャネルのうちの別のチャネル上で前記UCIの送信を反復しない、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記構成された持続時間が、前記アクセスポイントによって構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記アクセス端末が、前記複数のUCIチャネルの特性に基づいて、前記アクセスポイントからの入力なしに前記第1のUCIチャネルを選択する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のUCIチャネルの前記特性が、前記複数のUCIチャネルのペイロード能力、前記複数のUCIチャネル上の干渉、前記複数のUCIチャネルのリンクバジェット条件、またはそれらの任意の組合せを含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記UCIがUCIペイロードに含まれ、前記UCIペイロードが複数のダウンリンクサブフレームについてのUCIを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記第1のUCIチャネル上のアップリンクリソースが、前記アクセス端末に半静的に割り振られる、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記第1のUCIチャネル上のアップリンクリソースが、前記ダウンリンクサブフレームにおいて動的に割り振られる、請求項8に記載の方法。
【請求項１１】
前記アップリンクリソースの前記動的割振りが、
前記ダウンリンクサブフレームにおいて第1の許可ベースのアップリンクリソースおよび第2の許可ベースのアップリンクリソースを示すか、
前記第1の許可ベースのアップリンクリソースおよび前記第2の許可ベースのアップリンクリソースを半静的に示すか、
前記ダウンリンクサブフレームにおいて前記第1の許可ベースのアップリンクリソースを示し、前記第2の許可ベースのアップリンクリソースを半静的に示すか、または
前記ダウンリンクサブフレームにおいて前記第2の許可ベースのアップリンクリソースを示し、前記第1の許可ベースのアップリンクリソースを半静的に示す、
請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
共有通信媒体上で通信するための装置であって、
前記共有通信媒体上でアクセスポイントからのダウンリンクサブフレームを受信するように構成された、アクセス端末の通信手段と、
前記通信手段に、
前記ダウンリンクサブフレームの受信に応答して、複数のUCIチャネルのうちの第1のUCIチャネルの第1のアップリンクサブフレーム上で、前記ダウンリンクサブフレームについてのアップリンク制御情報(UCI)を送信させ、
前記ダウンリンクサブフレームの受信に応答して、前記複数のUCIチャネルのうちの第2のUCIチャネルの第2のアップリンクサブフレーム上で、UCIを送信させる
ように構成された、前記アクセス端末の処理手段と
を備え、
前記UCIが、構成された持続時間の満了前にのみ、前記第2のUCIチャネルの前記第2のアップリンクサブフレーム上で送信される、装置。
【請求項１３】
前記通信手段がトランシーバであり、
前記処理手段が少なくとも1つのプロセッサである、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
前記構成された持続時間が前記アクセスポイントによって構成される、請求項12に記載の装置。
【請求項１５】
少なくとも1つのコンピュータに請求項1乃至11のいずれか1項に記載の方法を実行させるための命令を含むコンピュータプログラム。