【事件の表示】
　特願２００９−５４９８０４「質量分析計」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２８日国際公開、ＷＯ２００８／１０１６６９、平成２２年　６月　３日国内公表、特表２０１０−５１９６８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年（平成２０年）２月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年２月１９日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１月７日に手続補正がなされ、平成２４年９月１３日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月１７日付けで意見書が提出されると共に同日付けで手続補正がなされ、同年９月３０日付けで最後の拒絶理由通知が通知され、平成２６年３月７日付けで意見書が提出されると共に同日付けで手続補正がなされ、同年７月２５日に平成２６年３月７日付けの手続補正に対する補正の却下の決定がされると共に拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年１２月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２５年１月１７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の、
「【請求項１】
　試験するガスのためのフィードチャンネル（ａ）を有するイオン化チャンバー（ｂ）と、
　試験するガスをイオン化するための電子源（ｄ、ｎ）と、
　イオン化する電子を加速する電極（ｃ）と、
　イオンの加速／減速によるイオンの質量に応じた分離のための電極（ｇ、ｈ、ｊ、ｍ）と、
　分離したイオンの検出器（ｌ）と、
　金属導体による配線と、
を有する質量分析計であって、
　該質量分析計の要素が平坦な非導電性基板（１）に配置され、
　イオンのためのエネルギーフィルター（ｋ）であって、該エネルギーフィルターは９０°の扇形として配置され、質量／エネルギーによるイオンの分離が電界によってのみもたらされるエネルギーフィルター（ｋ）を有し、
　前記質量分析計は完全に平坦な形態に構成され、
　イオン化チャンバー（ｂ）と電子およびイオンを加速するための電極（ｇ、ｈ、ｊ、ｍ）とイオンのための検出器（ｌ）とエネルギーフィルター（ｋ）とが、基板（１）に設けたドープした半導体ダイ（６）と配線（２）との単一工程のフォトリソグラフィーおよびエッチングにより作られ、イオン化チャンバー（ｂ）と電子およびイオンを加速するための電極（ｇ、ｈ、ｊ、ｍ）とイオンのための検出器（ｌ）とエネルギーフィルター（ｋ）とが、第２の平坦な非導電性基板（７）により覆われていることを特徴とする質量分析計。」が、
「【請求項１】
　試験するガスのためのフィードチャンネル（ａ）を有するイオン化チャンバー（ｂ）と、
　試験するガスをイオン化するための電子源（ｄ、ｎ）と、
　イオン化する電子を加速する電極（ｃ）と、
　
飛行時間型質量分離器として設置および配置される、
ｊ）
　分離したイオンの検出器（ｌ）と、
　金属導体による配線と、
を有する質量分析計であって、
　該質量分析計の要素が平坦な非導電性基板（１）に配置され、
　イオンのためのエネルギーフィルター（ｋ）であって、該エネルギーフィルターは９０°の扇形として配置され、質量／エネルギーによるイオンの分離が電界によってのみもたらされるエネルギーフィルター（ｋ）を有し、
　前記質量分析計は完全に平坦な形態に構成され、
　イオン化チャンバー（ｂ）と電子およびイオンを加速するための電極（ｇ、ｈ、
ｊ）
ｊ）
　そして、特許請求の範囲の請求項１についての上記補正は、「イオンの加速／減速によるイオン質量に応じた分離のための電極」を、「飛行時間型質量分離器として設置および配置される」構成に特定する補正事項及び、それに対応した、移動電界分離器の電極（ｍ）についての図面の符号の削除からなり、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含む。
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しないか）について、以下に検討する。
（１）　本願補正発明
　本願補正発明は、平成２６年１２月１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
（２）　引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表平９−５１１６１４号公報（以下、「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「イ　引用例１に記載された発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
（ア）　第５ページ第４行目ないし第６行目
「発明の分野
　本発明は、ガス検知センサに関し、特に、
半導体層上に微細加工を施したソリドステート型の質量分析器
（イ）　第７ページ第２４行目ないし第８ページ最終行
「　本発明の質量分析器１の機能図が第１図に示されている。この質量分析器１は、サンプルガス中の複数の組成成分を同時に検出できる。
サンプルガスは、ダストフィルタ３を介して分析器１に入
次いで、サンプルガスは、サンプルオリフィス５を介してガスイオン化装置に移動し、このサンプルオリフィスにおいて、
イオン化され
次に、イオン光学素子９は、質量フィルタ１１を介してイオンを加速し集束させ
質量フィルタ１１はウィーンフィルタであって
交差した電界と磁界とが一定速度でフィルタ処理されたイオンビーム１３を生じさせ
　真空ポンプ１５は、質量フィルタ１１中に真空を生じさせて、イオンに対して非衝突環境を提供する。これは、衝突によるイオン軌跡誤差を防ぐために必要である。
　
質量フィルタ処理されたイオンビームは、イオン検出器１７において集められ
（ウ）　第９ページ第１行目ないし第１８行目
「　
質量分析器１は、
半導体チップ２３で実施され
チップ２３は、長手方向に延びる分割面２７Ａ、２７ｂに沿って接合される両半部２５ａ、２５ｂに形成された半導体材料の基板を備えて
２つの基板半部２５ａ、２５ｂは、分割面２７ａ、２７ｂにおいて細長い空洞２９を形成している。この空洞２９は、入口部３１、ガスイオン化部３３、質量フィルタ部３５および検出部３７を有して
基板に形成された多数の仕切３９は、室４１を形成する空洞２９を横断して延び
空洞２９を介してガス経路を画成する半部２５ａの仕切３９の整合した孔４３によって、これらの室が相互に接続され
（エ）　第９ページ第１９行目ないし第２１行目
「　
空洞２９の入口部３１には、多孔性シリコンまたは焼結金属から構成可能なダストフィルタ４７を備え
孔付きの仕切３９を幾つか含み
（オ）  第９ページ第２２行目ないし第１０頁第２６行目
　空洞２９の
ガスイオン化部３３は、ガスイオン化器５１とイオン化器光学素子５３とを含むガスイオン化システム４９を収容し
電子ガン(e-gun)は、ガス分子に衝撃を与えて分裂的にイオン化する電子を加速
　質量分析計で最も普通の電子エミッタは、耐熱性金属ワイヤを用いている。このワイヤは、加熱されたときに、加熱熱電子放出をうける。フォトリソログラフィ(photolithrography)を用いて、これらをミクロン寸法までスケールダウンできる。しかしながら、熱電子放出は、酸化に耐えるための特殊な被覆を要するとともにパワーをくう。しかし、約１ｍＡの比較的大きい電子流を生じさせることができる。
　後述の、本分析器で用いる検出器の感度に起因して、および、ディファレンシャル真空ポンピングにより可能なイオン化部での高いガス圧に起因して、電子ガンでは、約１μＡという、より小さい電子ビーム流が必要になる。本発明の譲受人が開発した２つのエミッタは、この要件に合致する。最初のものは、電界効果冷陰極エミッタである。このものは、電子放出を促進する高電界領域を生じさせる尖ったポイントまたはエッジを用いている。その様な陰極は、５０μＡのビーム流までの試験を終えており、半導体リソグラフィ手法によって容易に製造される。電界放出冷陰極の一つの欠点は、試験ガス中の汚染物質により汚染される傾向があることである。従って、陰極のディファレンシャルポンピングが必要になるであろう。第２の
電子ガン機構は、逆バイアスp-n結合であ
　
イオン光学素子５３は、孔付き仕切３９の幾つかに電極５５を備え
イオンを加速し、質量フィルタ１１への導入のためにイオンビームを視準
（カ）　第１０ページ第２７行目ないし第１１ページ第１５行目
「　質量フィルタ１１は、空洞２９の質量フィルタ部３５に配されている。本発明の好適実施例は、パワー消費を低減する永久磁石５７を用いている。この永久磁石５７は、上側および下側極片５７ａ、５７ｂを有している。第３図を参照。極片は、基板半部２５ａ、２５ｂに跨っており、イオン経路に対して垂直の磁界を生じさせる。本発明の好適実施例で用いられるウィーンフィルタに対する直交電界は、空洞２９の質量フィルタ部３５の側壁６１に形成された両電極５９により形成される。第２図及び第３図に示すように、追加の一対のトリミング電極６３は、空洞２９の質量フィルタ部３５の頂壁および底壁に沿って離隔している。電圧スペクトルは、これらの追加電極に印加され、両電極感に電界を均一に形成する。追加電極６３は、金のような、非磁性の導電性材料からなり、永久磁石５７により形成される磁界と干渉しない。電極６３は、空洞２９をライニングするシリコン二酸化物の絶縁層にデポジットされる。
　永久磁石５７に代えて、第４図に示すように、
空洞２９の質量フィルタ部３５の頂壁および底壁の絶縁シリコン二酸化物層６４ａ、６４ｂにデポジットした磁性フィルム６５により、質量フィルタ１１用の磁界を生じさせ
（キ）　第１１ページ第１６行目ないし第１２ページ第１０行目
「　
イオン検出器１７は、
分散面７１内に方向づけられた検出器要素６９のリニア配列体６７で
　ファラデーケージの電極７３ａ、７３ｂは、基板半部２９ａ、２９ｂの切断面２７ａ、２７ｂに沿って空洞２９の端を越えて延びている。電極７３ａ、７３ｂは、２つの基板半部２５ａ，２５ｂに形成されたシリコン二酸化物の絶縁層６４ａ、６４ｂ上にメッキされている。電極７３ｂは、絶縁シリコン二酸化物層７７ｂの凹部７９内に延びて、基板半部２５ｂに形成された電荷結合装置（ＣＣＤ）または金属酸化物半導体（ＭＯＳ）スイッチ装置８１のための可変容量パッド(copacitor pad)を形成している。
イオンは、分散面７１において質量フィルタ１１により分散されて、質量／電荷比率により定められて検出要素をたた
　絶縁電極８３ａ、８３ｂは、検出器電極７３と質量フィルタ部の電極との間において空洞２９の上壁および下壁を横断して延びている。電極８３ａ、８３ｂはアースされて、検出器要素を質量フィルタの場から絶縁している。シーラント８５は、凹部７９を満たして、２つの基板半部２５ａ、２５ｂを接合している。」
（ク）　第１３ページ第２４行目ないし第１４ページ第２５行目
「　リニア検出配列体６７の一実施例の平面図が第７図に示されている。第７図及び第８図からわかるように、
各センサ要素６９についてのファラデーケージの一半部を形成するＣｒ／Ａｕイオンセンサ金属７３ｂは、チップの誘電体層９９の開口９７を介して延びており、基板１０３に埋設されたアルミニウム金属リード１０１に接触している
　第７図からわかるように、各検出器要素６９からのアース接触１０９のすべては開口１１５を介して横断アースリード１１３に接続されている。  各検出器要素６９に対するアルミニウムリード１０１は、ｐ−チャネルＭＯＳＦＥＴマルチプレクサスイッチ８７のｐ＋インプラント１１７へ延びてこれに接触している。各スイッチ１８７のゲート電極１１９は、ＣＭＯＳ制御回路９５へ延びるリード１２１に接続されている。スイッチ８７のすべてのｐ＋インプラント領域１１７は、共通リード１２３により、Ｐ−チャネルＭＯＳＦＥＴであるリセットスイッチ９３へ接続されている。リード１２３は、電位計増幅器ＦＥＴ８９のゲートに接続されている。
　参照符号１２５で示す、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴマルチプレクサスイッチ８７のすべてのｎ−ウエル(well)は、第７図及び第１０図に示すように、一端が接合している。第１０図に示すように、アルミニウムコンタクト１２７は、酸化物層１０７の開口１２９に設けられ、接続されたｎ−ウエルの両端電気抵抗を低減している。ｎ＋層は、ｎ−ウエル１２５とアルミニウムコンタクト１２７間の電気接触を向上させる。ｎ−ウエルに接続されたリード１３１はブルーミングコントロール信号を運ぶ。」
（ケ）　「【図１】
」
（コ）「【図２】
」
（サ）「【図３】
【図４】
」
（シ）「【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
」
イ　引用例１に記載された発明の認定
（ア）上記各摘記事項の「質量分析器」、「分析器１」及び「質量分析器１」は、いずれも同一構成要素を指していることは文脈上明らかである。なお、以下では、「質量分析器１」との表記で統一する。
　同様に、上記各摘記事項の「イオンビーム１３」及び「イオンビーム」、「半導体チップ２３」、「チップ２３」及び「チップ」、「イオン化器光学素子５３」及び「イオン光学素子５３」、「分割面２７Ａ」及び「分割面２７ａ」、「半部」及び「基板半部」、「基板」及び「基板１０３」、「検出器要素６９」、「検出器要素」、「チャネル６９」、「検出要素」及び「センサ要素６９」についても、それぞれ、同一構成要素を指していることは文脈上明らかである。以下では、「イオンビーム１３」「半導体チップ２３」、「イオン化器光学素子５３」、「分割面２７ａ」、「基板半部」、「基板１０３」、「検出器要素６９」との表記で統一する。
（イ）上記摘記事項（イ）及び（ケ）は、質量分析器１の機能を記載したものであって、その具体的実施態様については、摘記事項（ウ）ないし（ク）及び（コ）に記載されているところ、各構成要素の用語や図面の符号は両者で異なっている。
　両記載における各構成要素の機能及び配置を鑑みると、摘記事項（イ）、（ケ）における、「ダストフィルタ３」、「サンプルオリフィス５」、「ガスイオン化装置」及び「７」、「イオン光学素子９」、「質量フィルタ１１」、「イオン検出器１７」は、それぞれ、摘記事項（ウ）ないし（ク）及び（コ）の「ダストフィルタ４７」、「入り口部３１」に設けられた「半部２５ａの仕切３９の整合した孔４３」によって画成された「ガス経路」、「ガスイオン化器５１」、「イオン化器光学素子５３」、「質量フィルタ部３５」、「検出器要素６９のリニア配列体６７」により、実施されていることは明らかである。
　以下、引用例１の認定にあたっては、その実施態様である摘記事項（ウ）ないし（ク）及び（コ）で用いられた用語及び図面の符号を用いることとする。
　なお、「イオン化器光学素子５３」は、「孔付き仕切３９のいくつかに電極を備え」てなり、「オリフィス５」の実施態様である「入り口部３１」に設けられた「半部２５ａの仕切３９の整合した孔４３」によって画成された「ガス経路」と類似する用語及び同一の図面の符号を用いている。混乱を避けるため、以下では、前者については「いくつかに電極５５を備えた孔付き仕切」、後者については「入口部３１に設けられたガス経路」と区別して表記する。
（ウ）上記摘記事項（イ）には、「サンプルガスは、ダストフィルタ３を介して分析器１に入る。」と記載されているが、質量分析器１の機能を記載した摘記事項（イ）に対応する実施態様を記載した摘記事項（エ）及び（コ）の記載を参酌しても、ダストフィルタ３（摘記事項（エ）及び（コ）では、「ダストフィルタ４７」として記載）は、質量分析器１の構成要素の一つであることは明らかであって、摘記事項（イ）の上記記載は、「サンプルガスは、質量分析器１にダストフィルタ３から入る。」の誤訳であることは明らかである。
　なお、引用例１に係る国際公開第９６／１６４３０号には、「The sample gas enters the spectrograph 1 through dust filter 3 （後略）」（明細書第４ページ第１２行目ないし第１４行目）と、記載されている。
（エ）上記摘記事項（イ）には、「次いで、サンプルガスは、サンプルオリフィス５を介してガスイオン化装置に移動し、このサンプルオリフィスにおいて、電子ボンバード、核崩壊からのエナージェティクス粒子により、あるいは、高周波誘起プラズマ中でイオン化される。」と記載されているが、サンプルオリフィスではイオン化されないことは技術常識に照らして明らかであって、「サンプルオリフィスにおいて」「イオン化される」との記載は、「ガスイオン化装置７において」「イオン化される」との誤訳であることは明らかである。
　なお、引用例１に係る国際公開第９６／１６４３０号には、「The sample gas then moves （中略）to a gas ionizer 7 where it is ionized by （後略）」（明細書第４頁第１４行目ないし第１６行目）と、ガスイオン化装置７でイオン化が行われることが記載されている。
（オ）上記摘記事項（イ）には、「次に、イオン光学素子９は、質量フィルタ１１を介してイオンを加速し集束させる。」と記載されている。摘記事項（ケ）の記載を参酌しても、質量フィルタ１１は、イオン光学素子９の後段にあることは明らかであって、上記記載は、「次に、イオン光学素子９は、質量フィルタ１１にイオンを加速し集束させる。」の誤訳であることは明らかである。
　なお、引用例１に係る国際公開第９６／１６４３０号には、「Next, ion optics 9 accelerate and focus the ions through a mass filter 11.」（明細書第４頁第１６行目ないし第１７行目）と記載されている。
（カ）質量分析器１の構成要素であるガスイオン化器５１の具体的実施態様について記載した摘記事項（オ）には、電子ガンによって、イオン化する電子を加速する旨が記載されており、その電子ガン機構の電子エミッタとして、逆バイアスp-n結合が好適である旨が記載されている。
　また、上記（イ）で記載したとおり、ガスイオン化器５１の質量分析器１の機能を記載した摘記事項（イ）及び（ケ）の記載において、上記「ガスイオン化器５１」は、「ガスイオン化装置」及び「７」として記載されており、摘記事項（ケ）において、その構成として「＋」が左上に示され、中央を電子が通過する一組の白抜き線及び、上記白抜き線と平行かつ電子の進路方向後段に描かれ、「＋」が左下に示され、中央を電子が通過する一組の白抜き線が記載され、さらに、「＋」が左下に示され、中央に電子が衝突する白抜き線が記載されており、これらは、いずれも陽極電極を示し、これら陽極電極により、電子の引き出し、加速が行われることは当業者には明らかである。そして、上記で指摘したとおり、摘記事項（オ）において、電子ガンを備えたガスイオン化器において、イオン化する電子を加速することが挙げられていることからも明らかなとおり、上記摘記事項（ケ）の「７」における陽極電極の少なくとも一つは、電子を加速するための電極であることは、当業者には明らかである。
　すなわち、ガスイオン化器５１は、逆バイアスp-n結合である電子エミッタとイオン化する電子を加速するための電極を備えた電子ガンを備えていることが開示されていることは、上記摘記事項（イ）、（オ）、（ケ）から、当業者には明らかである。
（キ）　摘記事項（カ）及び（サ）の記載から、永久磁石５７に代えて、磁気フィルムを用いた図４に示す実施例では、少なくとも「質量フィルタ部３５」において、基板半部２５ａ、２５ｂの分割面２７ａ，２７ｂと正対する面に対しては、何ら加工がなされず、外部構成要素も備えないことが開示されていると認められる。
　その他、引用例１の記載全体を通して、基板半部２５ａ，２５ｂに対して、分割面２７ａ、２７ｂに加工を施すことは記載されていても、分割面と正対する面に加工を施すことは何ら記載されていない点、引用例１において基板半部を形成する半導体チップは、加工を加えない限り通常は平坦であるという技術常識に鑑みると、基板半部の分割面２７ａ，２７ｂと正対する面は平坦であると認められる。そして、両基板半部２５ａ，２５ｂを分割面２７ａ，２７ｂに沿って接合することで得られる質量分析器１の外面は分割面２７ａ，２７ｂと正対する面によって構成されることから、完全に平坦な形態に構成されていると認められる。
　上記の点も含めて、引用例１の記載事項（図面の記載を含む）を総合すると、引用例１には、
「半導体層上に微細加工を施したソリドステート型の質量分析器１であって、
サンプルガスは、質量分析器１にダストフィルタ４７から入り、
次いで、サンプルガスは、入口部３１に設けられたガス経路を介してガスイオン化器５１に移動し、ガスイオン化器５１においてイオン化され、
次に、イオン化器光学素子５３は、質量フィルタ部３５に至るまでにイオンを加速し集束させ、質量フィルタ部３５はウィーンフィルタであって、交差した電界と磁界とが一定速度でフィルタ処理されたイオンビーム１３を生じさせ、
質量フィルタ処理されたイオンビーム１３は、検出器要素６９のリニア配列体６７において集められ、
質量分析器１は、半導体チップ２３で実施され、
半導体チップ２３は、長手方向に延びる分割面２７ａ、２７ｂに沿って接合される両基板半部２５ａ、２５ｂに形成された半導体材料の基板１０３を備えており、
２つの基板半部２５ａ、２５ｂは、分割面２７ａ、２７ｂにおいて細長い空洞２９を形成し、
この空洞２９は、入口部３１、ガスイオン化部３３、質量フィルタ部３５および検出部３７を有しており、
基板１０３に形成された多数の仕切３９は、室４１を形成する空洞２９を横断して延び、空洞２９を介してガス経路を画成する基板半部２５ａの仕切３９の整合した孔４３によって、これらの室が相互に接続され、
空洞２９の入口部３１は、多孔性シリコンまたは焼結金属から構成可能なダストフィルタ４７を備え、入口部３１に設けられたガス経路を含み、
ガスイオン化部３３は、ガスイオン化器５１とイオン化器光学素子５３とを含むガスイオン化システム４９を収容し、
ガスイオン化器５１は、逆バイアスp-n結合である電子エミッタとイオン化する電子を加速するための電極を備えた電子ガンを備え、
イオン化器光学素子５３は、幾つかに電極５５を備えた孔付き仕切であり、イオンを加速し、質量フィルタ部３５への導入のためにイオンビーム１３を視準し、
質量フィルタ部３５は、その頂壁および底壁の絶縁シリコン二酸化物層６４ａ、６４ｂにデポジットした磁性フィルム６５により、質量フィルタ部３５用の磁界を生じさせ、
検出部３７は、分散面７１内に方向づけられた検出器要素６９のリニア配列体６７を備え、イオンは、分散面７１において質量フィルタ部３５により分散されて、質量／電荷比率により定められた検出器要素６９をたたき、
各検出器要素６９についてのファラデーケージの一半部を形成するＣｒ／Ａｕイオンセンサ金属７３ｂは、半導体チップ２３の誘電体層９９の開口９７を介して延びており、基板１０３に埋設されたアルミニウム金属リード１０１に接触しており、
基板半部２５ａ、２５ｂの分割面２７ａ、２７ｂと正対する面は平坦であり、両基板半部を分割面２７ａ，２７ｂに沿って接合することで得られる質量分析器１の外面は、完全に平坦な形態に構成されている、
質量分析器１。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
ウ　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−３２３０８８号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料から発生するイオンの飛行時間を計測して、イオンを質量分離することによって、試料を構成する分子種の同定や試料に含まれる微量な原子の分析を行う反射型飛行時間質量分析装置と分析方法およびこれらを応用した分析装置と分析方法に係り、特に超高感度分析に好適な反射型飛行時間質量分析装置と分析方法およびこれを応用した分析装置と分析方法に関する。」
（イ）　「【００１８】
ここで、上記エネルギの違いによってイオンを選別する手段は、静電型エネルギ分離器、あるいは静電型イオンレンズと静電型エネルギ分離器の組合せなどから構成することができる」
（ウ）　「【００２０】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態の一例を図１を用いて説明する。この例では本発明をスパッタ中性粒子質量分析計に応用した。
【００２１】本装置は次のよう動作させる。まず一次イオン源１から引き出されたイオンビーム２は、パルス電圧電源３、一組の静電偏向板４およびアパーチャ５で構成されるイオンビームパルス化機構６、走査電源７および互いに直交する二組の静電偏向板８で構成されるイオンビーム走査機構９およびイオンビームレンズ１０を通過して、最後に試料台１１上の試料１２に照射される。この試料１２には５ｋＶの電圧を印加してあり、質量分析計方向にイオンを導くために、１ｋＶ／mmの電界勾配が質量分析計方向にできている。
【００２２】そしてイオンビームが照射された試料１２からは、二次イオン１３および中性粒子１４が放出される。そして、レーザ装置１５から放出されたレーザビーム１６を試料上約１mmを通過させることによって、試料１２から放出された中性粒子１４にレーザビーム１６を照射する。レーザビーム１６の照射によってイオン化された光イオン１７は電界によって加速され飛行時間型質量分析計１８に導入される。
【００２３】次に各イオンは飛行時間型質量分析計内を軌跡１９にしたがって飛行し静電反射器２０に到着する。ここで静電反射器２０の最終段の電極２１はメッシュによって構成されており４．５ｋＶの電圧が印加されている。このようにすると、電圧５ｋＶが印加された試料１２から放出された二次イオン１３はすべて５ｋＶ以上のエネルギを持つため、メッシュ電極２１を通り抜け、試料上１mmの位置でイオン化された光イオン１７は約４ｋｖのエネルギを持つためそのほとんどがこの静電反射器２０で反射されることになる。しかしごく一部の二次イオン１３は静電反射器２０の最終段のメッシュ電極２１に衝突してそのままのエネルギでイオン検出器２２の方向に飛行することになる。
【００２４】イオン検出器２２の付近の詳細を図４に示す。この飛行質量分析計ではイオン検出器２２の前に球面型エネルギ分離器２３が設けてあり、４．５ｋＶ以上のエネルギを持つイオンはイオン検出器２２に到達しないように設定しておく。すると上記５ｋＶ以上のエネルギを持つ二次イオン１３は、図４の破線で示した軌跡２４を通りスリット２５によって除去される。約４ｋＶのエネルギを持つ光イオン１４は、図４の実線で示した軌跡２６を通り、スリット２５を通過する。そしてチャンネルプレート２７によって増幅され、その電流が測定される。以上のようにして二次イオンのバックグラウンドノイズの少ない超高感度の分析が可能になる。」
（エ）　「【図１】
【図４】
」
エ　本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−２７１３１号公報（以下、「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）　「【００１３】
  本発明は、低コストナノスプレー源における位置合わせおよび電極装着の問題の解決策を提供することによって、上記その他の問題に対処するものである。これは、微小電子機械システム技術を利用して、絶縁プラスチック基板上に、適切な機械的位置合わせフィーチャおよび導電電極フィーチャを一体に形成することによって行う。この手法により、流体排出、スプレー加熱、およびシースガス流用のフィーチャを一体化することもできる。」
（イ）　「【００２０】
  図１に、微細加工したナノスプレー電極システムの概念を示す。（例えば）ターボ分子ポンプ１０３によって、ポンプ排気した質量分析器１０１を高真空容器１０２内に設ける。このチャンバに、（この場合も、例として）ロータリポンプ１０５によってポンプ排気され、中間の圧力で保持された別のチャンバ１０４を介してイオンを注入する。この真空システムへの注入口は、キャピラリ１０６であるとする。入力キャピラリは別にして、これらのコンポーネントの厳密な構成は重要ではないことを理解されたい。例えば、質量分析器のフィルタ要素は、イオントラップ、４重極、磁気セクタ（magnetic sector）、交差電磁界、または飛行時間型装置とし得る。同様に、中間真空チャンバは、別のキャピラリおよびスキマー電極を含めて、ある範囲のコンポーネントを含むことができるはずである。
【００２１】
  このシステムへの全体的な入力は、ナノスプレーキャピラリ１０７によって提供される。ナノスプレーキャピラリ１０７と、質量分析計へのキャピラリ入力部１０６との位置合わせは、微細加工チップ１０８によって行われる。このチップは、ナノスプレーキャピラリ用の第１の組の機械的位置合わせフィーチャ１０９と、質量分析計へのキャピラリ入力部用の第２の組の位置合わせフィーチャ１１０と、を含む。このチップは、イオン経路に直交して設置された１組の電極１１１も含む。この１組の電極１１１は、（例えば）ダイアフラム電極とし得る（ただし、これに限定されるものではない）。排出およびガス注入用の穴を含めて、他のフィーチャをチップに一体化することもできる。
【００２２】
  図２に、チップ１０８の主要フィーチャを示す。このチップは、２つの別々の基板から構築され、各基板は、スタックアセンブリの形で配置された微細加工フィーチャを担持する。第１の基板は、絶縁材料で形成された基部２０１からなり、基部２０１は、図１のフィーチャ１０９に対応するナノスプレーキャピラリ用の機械的位置合わせフィーチャを担持する。この位置合わせフィーチャは、導電性または半導体のブロック２０３にエッチングされた（例えば）溝２０２とし得る（ただし、これに限定されるものではない）。この基板は、図１のフィーチャ１１０に対応する、質量分析計へのキャピラリ入力部用の位置合わせフィーチャも担持する。この場合も、この位置合わせフィーチャは、例えば、類似の材料２０５のブロックにエッチングされた別の溝２０４とし得る。この基板は、図１のフィーチャ１１１の一部に対応する、類似の材料２０７の直立プレートにエッチングされた溝２０６からなる１組の電極も担持する。
【００２３】
  第２の基板は、やはり絶縁材料で形成された基部２０８からなり、基部２０８は、図１のフィーチャ１１１の別の部分に対応する別の１組の電極を担持する。この別の１組の電極は、導電性または半導体の材料２１０の直立プレートにエッチングされた溝２０９からなる。これら２つの基板を重ね合わせると、これら部分電極の組が組み合わされて、閉じた瞳(pupils)２１１を備えた完全なダイアフラム電極が形成される。
【００２４】
  ３つのこのような電極を使用して、いわゆる「アインツェル(einzel)」または均一電位静電レンズが形成される。このタイプのレンズにより、電極スタックを貫通して軸方向に通過するイオンを、簡単に、かつ制御された状態で集束することができ、したがって、質量分析計へのキャピラリ入力部にイオンスプレーを集束して、凝縮された分析物イオンの流れを提供することができる。
【００２５】
  位置合わせ用の溝２０２および２０４、ならびに電極の溝２０６および２０９は全て、類似のフォトリソグラフィプロセスによって画定することができ、したがって、互いに位置合わせし得ることを理解されたい。この態様により、上記の本発明の背景技術の項目で特定した、正確に位置合わせされた１組の機械的なフィーチャおよび電極を構築するという第１の問題の解決策が得られる。排出用の穴と共にパターン化し得る絶縁基板を使用すると、湿潤環境で高電圧を維持するという問題の解決策が得られることも理解されよう。最後に、部分電極を重ね合わせることにより、基板に直交して配置されたダイアフラム電極を形成するという問題の解決策が得られることを理解されたい。
【００２６】
  様々な材料およびプロセスを用いて、図２に類似の構造を実現し得ることが当業者には理解されよう。図３に、あるプロセスを示すが、これは限定的なものではなく例示するためのものである。用いる材料は低コストであり、３つのリソグラフィステップしか必要とされない。このプロセスは、結晶質シリコン基板に基づくものであり、その上に、後でプラスチックの仮想基板を形成する。個々のプロセスのステップを、典型的なフィーチャを含む１組のウエハ断面によって、次々に展開されてゆくように示す。」
（ウ）「【図１】
【図２】
」
オ　本願補正発明と引用発明との対比
（ア）　対比
　ここで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ　引用発明の「サンプルガス」は、本願補正発明の「試験するガス」に相当する。そして、引用発明において、当該「サンプルガス」は、「入口部３１に設けられたガス経路を介してガスイオン化器５１に移動」するものであり、「入口部３１に設けられたガス経路」は、本願補正発明の「試験するガスのためのフィードチャネル」に相当する。そして、引用発明の上記「入口部３１に設けられたガス経路」及び「ガスイオン化器５１」とを備えた構成は、本願補正発明の「試験するガスのためのフィードチャンネルを有するイオン化チャンバー」に相当する。
ｂ　引用発明の「逆バイアスp-n結合である電子エミッタ」は、「サンプルガス」を「イオン化する」ガスの「ガスイオン化器５１」の構成要素である「電子ガン」の構成要素であって、上記ａも勘案すると、本願補正発明の「試験するガスをイオン化するための電子源」に相当する。
ｃ　引用発明の「イオン化する電子を加速するための電極」は、本願補正発明の「イオン化する電子を加速する電極」に相当する。
ｄ　質量の異なるイオンを電極により加速／減速した場合、その質量差によって分離されるのは、当業者には周知の物理現象であるところ、引用発明の「イオンを加速し、質量フィルタ部３５への導入のためにイオンビーム１３を視準」する「電極５５」と、本願補正発明の「飛行時間型質量分離器として設置および配置される、イオンの加速／減速によるイオンの質量に応じた分離のための電極」とは、「イオンの加速によるイオンの質量に応じた分離のための電極」である点で一致する。
ｅ　引用発明の「検出器要素６９のリニア配列体６７」は、「イオン」が、「分散面７１において質量フィルタ部３５により分散」されて、所定の「検出器要素６９」をたたくように構成したものであり、引用発明の「分散」された「イオン」は、本願補正発明の「分離したイオン」に相当し、引用発明の「検出器要素６９のリニア配列体６７」は、本願補正発明の「分離したイオンの検出器」に相当する。
ｆ　引用発明の「アルミニウム金属」及び「リード」は、本願補正発明の「金属導体」、「配線」にそれぞれ相当し、結果として、引用発明の「アルミニウム金属リード」は、本願補正発明の「金属導体による配線」に相当する。
ｇ　引用発明の「質量分析器１」は、本願補正発明の「質量分析計」に相当する。
ｈ　引用発明の「質量分析器１」は、「長手方向に伸びる分割面２７ａ、２７ｂに沿って接合される両基板半部２５ａ、２５ｂに形成された半導体材料の基板１０３を備え」る「半導体チップ２３」で実施されるものであって、「２つの基板半部２５ａ、２５ｂは、分割面２７ａ、２７ｂにおいて細長い空洞２９を形成し、この空洞２９は、入口部３１、ガスイオン化部３３、質量フィルタ部３５および検出部３７を有して」いる。
　そして、上記「入口部３１」は、「入口部３１に設けられたガス経路」を備え、「ガスイオン化部３３」は、「ガスイオン化器５１」を有する「ガスイオン化システム４９」を収容していることから、上記ａも勘案すると、引用発明の上記「空洞２９」は、本願補正発明の「イオン化チャンバー」に相当する構成を備えていると認められる。
　また、上記「ガスイオン化部３３」は、「ガスイオン化器５１」を有する「ガスイオン化システム４９」を収容していることから、上記ｃも勘案すると、引用発明の上記「空洞２９」は、本願補正発明の「電子」「を加速するための電極」に相当する構成を備えていると認められる。
　さらに、上記「ガスイオン化部３３」は、「イオン光学素子５３」を備え、「電極５５」を備えている。上記ｄも勘案すると、引用発明の上記「空洞２９」は、本願補正発明の「イオンを加速するための電極」に相当する構成を備えている。
　またさらに、引用発明の上記「検出部３７」は、「検出器要素６９のリニア配列体６７」を備えていることから、上記ｅも勘案すると、引用発明の「空洞２９」は、本願補正発明の「イオンのための検出器」に相当する構成を備えている。
　そしてまた、上記ｆにも記載のとおり、本願補正発明の「配線」に相当する「リード」は、「検出器要素６９のリニア配列体６７」を駆動するために基板１０３に埋設されており、他の構成も駆動に電気を用いることから、何らかの配線を備えていること明らかである。
　したがって、引用発明の「基板半部２５ａ、２５ｂ」の、空洞２９に設けられた各構成と、「基板１０３に埋設され」た「リード」と、「基板１０３」とを備えた構成と、本願発明の「該質量分析計の要素が平坦な非導電性基板（１）に配置され」る構成とは、「質量分析計の要素が基板に配置され」た点で一致する。
ｉ　引用発明の「質量分析器１」の「完全に平坦な形態に構成され」た構成は、上記ｇも勘案すると、本願発明の「前記質量分析計は完全に平坦な形態に構成され」た構成に相当する。
ｊ　上記ｈに加え、「基板半部２５ａ、２５ｂ」は、「半導体層上に微細加工を施」すことで形成されている。
　してみると、引用発明の「基板半部２５ａ、２５ｂ」の、空洞２９に設けられた各構成と、「基板１０３に埋設され」た「リード」と、「基板１０３」とを備え、基板半部２５ａ，２５ｂが「半導体層上に微細加工を施」ことで形成される構成と、本願補正発明の「イオン化チャンバー（ｂ）と電子およびイオンを加速するための電極（ｇ、ｈ、ｊ）とイオンのための検出器（ｌ）とエネルギーフィルター（ｋ）とが、基板（１）に設けたドープした半導体ダイ（６）と配線（２）との単一工程のフォトリソグラフィーおよびエッチングにより作られ」る構成とは、「イオン化チャンバーと電子およびイオンを加速するための電極とイオンのための検出器とが、基板に設けた半導体と配線との加工により作られ」た点で一致する。
ｋ　上記ｈに加え、引用発明の「質量分析器１」は、「両基板半部を分割面２７ａ、２７ｂに沿って接合することで得られる」ものであり、その際、上記「空洞２９」は、基板１０３により覆われることとなる。
　したがって、引用発明の「質量分析器１」が、「両基板半部を分割面２７ａ、２７ｂに沿って接合することで得られる」構成と、本願補正発明の「イオン化チャンバーと電子およびイオンを加速するための電極とイオンのための検出器とエネルギーフィルターとが、第２の平坦な非導電性基板により覆われている」構成とは、「イオン化チャンバーと電子およびイオンを加速するための電極とイオンのための検出器とが、第２の基板により覆われている」点で一致する。
（イ）　一致点
　そこで、本願補正発明と引用発明は、
「　試験するガスのためのフィードチャンネルを有するイオン化チャンバーと、
　試験するガスをイオン化するための電子源と、
　イオン化する電子を加速する電極と、
　イオンの加速によるイオンの質量に応じた分離のための電極と、
　分離したイオンの検出器と、
　金属導体による配線と、
を有する質量分析計であって、
　該質量分析計の要素が基板に配置され、
　前記質量分析計は完全に平坦な形態に構成され、
　イオン化チャンバーと電子およびイオンを加速するための電極とイオンのための検出器とが、基板に設けた半導体と配線との加工により作られ、イオン化チャンバーと電子およびイオンを加速するための電極とイオンのための検出器とが、第２の基板により覆われている
　質量分析計。」
である点で一致し、次の各点で相違する。
（ウ）　相違点
ａ　相違点１
　本願補正発明の「イオンの質量に応じた分離のための電極」が、「飛行時間型質量分離器として設置及び配置される、イオンの加速／減速による」ものであるのに対し、引用発明では、上記構成を特定していない点。
ｂ　相違点２
　本願補正発明の「エネルギーフィルタ」が、「イオンのためのエネルギーフィルター（ｋ）であって、該エネルギーフィルターは９０°の扇形として配置され、質量／エネルギーによるイオンの分離が電界によってのみもたらされる」ものなのに対し、引用発明では、上記構成を特定していない点。
ｃ　相違点３
  本願補正発明の「基板」及び「第２の基板」が「平坦な」、「非導電性」のものであるのに対し、引用発明の「基板１０３」は、基板半部２５ａ、２５ｂの分割面２７ａ、２７ｂについては平坦ではなく、また「半導体」である点。
ｄ　相違点４
　本願補正発明において、「基板」に作られる「イオン化チャンバー（ｂ）と電子およびイオンを加速するための電極（ｇ、ｈ、ｊ）とイオンのための検出器（ｌ）とエネルギーフィルター（ｋ）」が「ドープした半導体ダイ（６）と配線（２）との単一工程のフォトリソグラフィーおよびエッチング」により作られるのに対し、引用発明では、製造方法が特定されていない点。
オ　当審の判断
（ア）　上記の各相違点について検討する。
ａ　相違点１について
　イオンを用いた質量分析計の構成要素として、飛行時間型質量分離器（引用例２の「飛行時間型質量分析計１８」）は、引用例２に例示するとおり、イオンを用いた質量分析計の技術分野における周知の技術事項である。
　してみると、引用発明と引用例２で例示した周知の技術事項とは、いずれも、イオンを用いた質量分析計に関する技術分野に属するものであり、引用発明において、「イオンの質量に応じた分離のための電極」として、複数存在する形式からどの形式のものを選択するかは、当業者が適宜決定しうる設計的事項にすぎず、本願補正発明において、「飛行時間型質量分離器」の形式を採用することにより格別の効果を奏するとも認められない。
　してみると、引用発明において、「イオンの質量に応じた分離のための電極」として、複数存在する形式から、「飛行時間型質量分離器」のものを採用し、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、引用発明と引用例２に例示した周知の技術事項とに基いて、当業者が容易に想到し得たものにすぎない。
ｂ　相違点２について
　イオンの質量に応じた分離に加え、エネルギーフィルタを配置してノイズを低減することは、引用例２に例示するとおり、イオンを用いた質量分析計の技術分野における周知の技術事項である。
　そして、そのエネルギーフィルタの具体的構成として、扇形として配置され、質量／エネルギーによるイオンの分離が電界によってのみもたらされるものも、引用例２に例示するとおり、周知の技術事項であり、エネルギーフィルタの扇型の角度を何度とするかは、単なる設計的事項にすぎず、９０°という値は格別のものとは認められない。
  してみると、引用発明においても、ノイズの低減という一般的な課題を解決するために、引用例２に例示された「扇形として配置され、質量／エネルギーによるイオンの分離が電界によってのみもたらされる」「エネルギーフィルタ」を備えるようにし、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、引用発明と引用例２に例示した周知の技術事項とに基いて、当業者が容易に想到し得たものにすぎない。
ｃ　相違点３について
　一般に、低コストなシステムを実現するために、平坦な絶縁基板の間に、半導体のブロックを加工して得た各要素を配置することで、質量分析器を構成することは、引用例３でも例示するとおり、当該当該分野における周知の技術事項にすぎない。
　そして、引用例３に記載の質量分析計において、電気制御を行うためには、半導体のドープが必要なことも当業者には明らかである。
　してみると、引用例１に記載の発明においても、低コスト化という一般的な課題を解決するために、基板半部の基板１０３と要素とをいずれも半導体から形成する構成に代えて、引用例３で例示した周知の技術事項のように、平坦な絶縁基板の間にドープした半導体のブロックを加工して得た各要素を配置するようにして、上記相違点３にかかる本願補正発明の発明特定事項を得ることは、引用発明と引用例３に例示した周知の技術事項とに基いて、当業者が容易に想到し得たものにすぎない。
ｄ　相違点４について
　引用例３に記載の質量分析計において、電気制御を行うためには、半導体をドープしたものとすること及び配線が必要なことは当業者には明らかであるところ、質量分析器に用いられる構成要素を、ドープした半導体ダイ及び配線にフォトリソグラフィープロセスによってエッチングすることにより形成することは、引用例３にも記載のとおり、当業者には周知の技術事項にすぎない。
　そして、「単一工程」で行うかどうかはその実施に当たり当業者が作業効率を考慮して当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
　さらに、引用発明１に、上記引用例３の周知の技術事項を適用した場合に、本願補正発明の上記相違点４にかかる発明特定事項によって得られる物と、構造、特性上の差異が生じるとも認められない。
　してみると、上記相違点４に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、引用発明と引用例３に例示した周知の技術事項に基いて、当業者が容易に想到し得たものにすぎない。
（イ）　本願補正発明の奏する作用効果
　本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２，３で例示した周知の技術事項から当業者が予測しうる程度のものである。
（ウ）　上申書について
　請求人は、平成２７年５月２７日付けで上申書を提出し、本願補正発明の主要な構成である、以下の（ａ）、（ｂ）について、前置報告書で引用された文献１−７について記載及び示唆されておらず、文献１−７に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものではない旨主張する。
（ａ）イオン化チャンバー（ｂ）と電子およびイオンを加速するための電極（ｇ、ｈ、ｊ）とイオンのための検出器（ｌ）とエネルギーフィルター（ｋ）とが、平坦な非導電性基板（１）に設けたドープした半導体ダイ（６）と配線（２）との単一工程のフォトリソグラフィーおよびエッチングにより作られ、かつ、第２の平坦な非導電性基板（７）により覆われていること。
（ｂ）飛行時間型質量分離器として設置および配置される、イオンの加速／減速によるイオンの質量に応じた分離のための電極（ｇ、ｈ、ｊ）と、９０°の扇形として配置されたエネルギーフィルター（ｋ）と有し、イオンの分離が電界によってのみもたらされること。
　上記主張について検討するに、（ａ）、(ｂ）で示した発明特定事項は、それぞれ、引用発明と引用例２で例示した周知の技術事項又は引用発明と引用例３で例示した周知の技術事項から当業者が容易に相当しうるものにすぎず、出願人の上記主張は採用できない。なお、必要であれば、（ａ）については、上記（ア）の「ｃ　相違点３」及び「ｄ　相違点４」を、（ｂ）については上記（ア）の「ａ　相違点１」及び「ｂ　相違点２」をそれぞれ参照されたい。
（エ）　まとめ
　以上の通り、本願補正発明は、引用発明及び、引用例２，３で例示した周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年１２月１日付けの手続補正は、上記の通り却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年１月１７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２６年１２月１日付けの手続補正についての補正却下の決定）の「１　本件補正について」の記載参照。）
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２６年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）　引用例」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　上記「第２　平成２６年１２月１日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明において、「イオンの加速／減速によるイオンの質量に応じた分離のための電極」の構成を「飛行時間型質量分離器として設置および配置される」構成に限定したものが本願補正発明である。
　そして、前記「第２　平成２６年１２月１日付けの手続補正についての却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」に記載したとおり、本願補正発明は、引用発明、引用例２，３で例示した周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該本願補正発明を包含する本願発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例２，３で例示した周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上の通りであり、「第３　本願発明について」の「対比・判断」で述べたとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２，３で例示した周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論の通り審決する。