【手続補正書】
【提出日】令和2年5月25日(2020.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面銀バスバーと、全面アルミニウム裏面電界と、裏面複合膜と、Ｐ型シリコンと、Ｎ型エミッタと、表面パッシベーション膜と、表面銀電極とを含み、前記全面アルミニウム裏面電界と、裏面複合膜と、Ｐ型シリコンと、Ｎ型エミッタと、表面パッシベーション膜と、表面銀電極とはこの順に下から上に積層され接合されており、
前記裏面複合膜は、酸化アルミニウム膜、二酸化ケイ素膜、酸窒化ケイ素膜、及び窒化ケイ素膜からなる群から選ばれる少なくとも１つを含み、管型ＰＥＣＶＤ装置によってシリコンウェハーの裏面に堆積されたものであり、前記管型ＰＥＣＶＤ装置は、シラン、アンモニアガス、トリメチルアルミニウム、及び笑気ガスをそれぞれ搬送する４つのガスラインを備えており、前記４つのガスラインは、前記酸化アルミニウム膜、前記二酸化ケイ素膜、前記酸窒化ケイ素膜、及び前記窒化ケイ素膜を形成するように、単独または組み合わせて使用され、前記管型ＰＥＣＶＤ装置において、グラファイトボートによってシリコンウェハーを着脱し、
前記裏面複合膜には、レーザーグルービングによって、平行に配置されたレーザーグルービング領域が３０〜５００個形成され、各レーザーグルービング領域内には少なくとも１組のレーザーグルービング部が配置され、前記全面アルミニウム裏面電界は、レーザーグルービング領域を介してＰ型シリコンに接続され、
前記グラファイトボートにおいて、係合凹溝部の深さは０．６〜０．８ｍｍであり、係合ベース部の直径は６〜１５ｍｍであり、係合キャップ部の斜面の角度は３５〜４５度であり、係合キャップ部の厚みは１〜１．３ｍｍである、ことを特徴とする管型ＰＥＲＣ片面太陽電池。
【請求項２】
電池の裏面には、３〜５個の係合マークが形成されている、ことを特徴とする請求項１に記載の管型ＰＥＲＣ片面太陽電池。
【請求項３】
前記裏面複合膜の最下層は前記酸化アルミニウム膜であり、最上層は前記二酸化ケイ素膜、前記酸窒化ケイ素膜、及び前記窒化ケイ素膜からなる群から選ばれる少なくとも１つからなる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の管型ＰＥＲＣ片面太陽電池。
【請求項４】
前記裏面複合膜の最下層は前記二酸化ケイ素膜であり、下からの第２層は前記酸化アルミニウム膜であり、最上層は前記二酸化ケイ素膜、前記酸窒化ケイ素膜、及び前記窒化ケイ素膜からなる群から選ばれる少なくとも１つからなる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の管型ＰＥＲＣ片面太陽電池。
【請求項５】
前記酸化アルミニウム膜の厚さは５〜１５ｎｍであり、前記窒化ケイ素膜の厚さは５０〜１５０ｎｍであり、前記酸窒化ケイ素膜の厚さは５〜２０ｎｍであり、前記二酸化ケイ素膜の厚さは１〜１０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１に記載の管型ＰＥＲＣ片面太陽電池。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の管型ＰＥＲＣ片面太陽電池の製造方法であって、
Ｐ型シリコンであるシリコンウェハーの表面及び裏面にテクスチャ構造を形成する工程（１）と、
Ｎ型エミッタを形成するように、シリコンウェハーの表面に拡散処理を施す工程（２）と、
拡散処理時に形成されたリンケイ酸ガラスと周辺のＰＮ接合とを除去し、裏面のエッチング深さが３〜６μｍになるようにシリコンウェハーの裏面を研磨する工程（３）と、
アニーリング温度６００〜８２０℃、窒素流量１〜１５Ｌ／分、酸素流量０．１〜６Ｌ／分という条件で、シリコンウェハーに対してアニーリング処理を行う工程（４）と、
前記管型ＰＥＣＶＤ装置によってシリコンウェハーの裏面に前記裏面複合膜を堆積させる工程（５）であって、
ＴＭＡのガス流量２５０〜５００ｓｃｃｍ、ＴＭＡとＮ２Ｏの比１：１５〜１：２５、プラズマ出力２０００〜５０００ｗという条件で、ＴＭＡとＮ２Ｏによって前記酸化アルミニウム膜を堆積させることと、
シランのガス流量５０〜２００ｓｃｃｍ、シランと笑気ガスの比１：１０〜１：８０、アンモニアガスの流量０．１〜５ｓｌｍ、プラズマ出力４０００〜６０００ｗという条件で、シラン、アンモニアガス及び笑気ガスによって前記酸窒化ケイ素膜を堆積させることと、
シランのガス流量５００〜１０００ｓｃｃｍ、シランとアンモニアガスの比１：６〜１：１５、窒化ケイ素の堆積温度３９０〜４１０℃、時間３００〜５００秒、プラズマ出力１００００〜１３０００ｗという条件で、シラン及びアンモニアガスによって前記窒化ケイ素膜を堆積させることと、
笑気ガスの流量０．１〜５ｓｌｍ、プラズマ出力２０００〜５０００ｗという条件で、笑気ガスによって前記二酸化ケイ素膜を堆積させることと、を含み、
前記管型ＰＥＣＶＤ装置は、シラン、アンモニアガス、トリメチルアルミニウム、及び笑気ガスをそれぞれ搬送する前記４つのガスラインを備えており、前記管型ＰＥＣＶＤ装置において、前記グラファイトボートによってシリコンウェハーを着脱し、前記グラファイトボートの係合凹溝部の深さは０．６〜０．８ｍｍであり、係合ベース部の直径は６〜１５ｍｍであり、係合キャップ部の斜面の角度は３５〜４５度であり、係合キャップ部の厚みは１〜１．３ｍｍである工程（５）と、
シリコンウェハーの表面にパッシベーション膜を堆積させる工程（６）と、
レーザー波長５３２ｎｍ、レーザー出力１４ｗ以上、レーザースクライブ速度２０ｍ／秒以上、周波数５００ＫＨｚ以上という条件で、シリコンウェハーの前記裏面複合膜にレーザーグルービングする工程（７）と、
シリコンウェハーの裏面に、前記裏面銀バスバーのペーストを印刷して乾燥させる工程（８）と、
スクリーン印刷によってシリコンウェハーの裏面にアルミニウムペーストを印刷して乾燥させる工程（９）と、
シリコンウェハーの表面に表面銀電極ペーストを印刷する工程（１０）と、
シリコンウェハーを高温で焼結することにより、前記裏面銀バスバーと前記全面アルミニウム裏面電界と表面銀電極とを形成する工程（１１）と、
シリコンウェハーに対して、ＬＩＤを抑制するためのアニーリング処理を施し、管型ＰＥＲＣ片面太陽電池の完成品を製造する工程（１２）と、を含む、ことを特徴とする管型ＰＥＲＣ片面太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記管型ＰＥＣＶＤ装置によってシリコンウェハーの裏面に前記裏面複合膜を堆積させる工程は、
ＴＭＡのガス流量２５０〜５００ｓｃｃｍ、ＴＭＡとＮ２Ｏの比１：１５〜１：２５、前記酸化アルミニウム膜の堆積温度２５０〜３００℃、時間５０〜３００秒、プラズマ出力２０００〜５０００ｗという条件で、ＴＭＡとＮ２Ｏによって前記酸化アルミニウム膜を堆積させることと、
シランのガス流量５０〜２００ｓｃｃｍ、シランと笑気ガスの比１：１０〜１：８０、アンモニアガスの流量０．１〜５ｓｌｍ、前記酸窒化ケイ素膜の堆積温度３５０〜４１０℃、時間５０〜２００秒、プラズマ出力４０００〜６０００ｗという条件で、シラン、アンモニアガス及び笑気ガスによって前記酸窒化ケイ素膜を堆積させることと、
シランのガス流量５００〜１０００ｓｃｃｍ、シランとアンモニアガスの比１：６〜１：１５、前記窒化ケイ素膜の堆積温度３９０〜４１０℃、時間３００〜５００秒、プラズマ出力１００００〜１３０００ｗという条件で、シラン及びアンモニアガスによって前記窒化ケイ素膜を堆積させることと、
笑気ガスの流量０．１〜５ｓｌｍ、プラズマ出力２０００〜５０００ｗという条件で、笑気ガスによって前記二酸化ケイ素膜を堆積させることと、を含む、ことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の管型ＰＥＲＣ片面太陽電池を製造するための専用装置であって、前記専用装置は前記管型ＰＥＣＶＤ装置であり、前記管型ＰＥＣＶＤ装置は、ウェハー載置領域と、炉体と、特殊ガスキャビネットと、真空システムと、制御システムと、前記グラファイトボートとを備え、前記特殊ガスキャビネットは、シランを導入するための第１のガスラインと、アンモニアガスを導入するための第２のガスラインと、トリメチルアルミニウムを導入するための第３のガスラインと、笑気ガスを導入するための第４のガスラインとを備え、
前記グラファイトボートは、シリコンウェハーの着脱に用いられ、前記グラファイトボートは、係合軸部と係合キャップ部と係合ベース部とを備える係合部を有し、前記係合軸部は係合ベース部に取り付けられ、前記係合キャップ部は前記係合軸部に接続され、前記係合軸部と前記係合キャップ部及び係合ベース部との間に係合凹溝部が形成され、
前記係合凹溝部の深さは０．６〜０．８ｍｍであり、係合ベース部の直径は６〜１５ｍｍであり、前記係合キャップ部の斜面の角度は３５〜４５度であり、前記係合キャップ部の厚みは１〜１．３ｍｍである、ことを特徴とする管型ＰＥＲＣ片面太陽電池を製造するための専用装置。