【事件の表示】
　特願２０１０−５４３３７３「ＭＥＭＳ部品、及びＭＥＭＳ部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月３０日国際公開、ＷＯ２００９／０９２３６１、平成２３年　４月２１日国内公表、特表２０１１−５１２２６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は，２００９年１月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年１月２３日，ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって，平成２５年２月６日付け拒絶理由通知に応答して平成２５年７月１０日付けで意見書及び手続補正書が提出され，平成２５年１２月２５日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し，平成２６年５月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，同時に手続補正がなされ，平成２６年１１月２６日付けで上申書が提出された。
　
　
第２．平成２６年５月１日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年５月１日付け手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容の概要 
　本件補正は，平成２５年７月１０日付けで補正された特許請求の範囲を更に補正するものであって，特許請求の範囲の請求項１に関する以下の補正を含んでいる。なお，下線部は補正箇所を示す。
　　
（１）本件補正前の請求項１ 
「　　【請求項１】
　少なくとも１つの空洞（２）を有する基板（１）と、
　前記空洞（２）が封止されている前記基板（１）の活性面と、
　前記基板（１）の前記活性面の反対側に位置する不活性面と、
　前記基板（１）の前記不活性面上にあって前記基板（１）を覆い、実質的にその全体を覆う接着剤（４）により前記基板（１）に貼り付けられている、ポリマーフィルムであるカバーフィルム（３）と、を備え、
　前記空洞（２）は、前記基板（１）の前記活性面側が被膜（２１）によって封止されており、
　前記カバーフィルム（３）がＭＥＭＳ部品の外側末端部分において除去されていることを特徴とするＭＥＭＳ部品。」
　
（２）本件補正後の請求項１ 
「　　【請求項１】
　少なくとも１つの空洞（２）を有する基板（１）と、
　前記空洞（２）が封止されている前記基板（１）の活性面と、
　前記基板（１）の前記活性面の反対側に位置する不活性面と、
　前記基板（１）の前記不活性面上にあって前記基板（１）を覆い、実質的にその全体を覆う接着剤（４）により前記基板（１）に貼り付けられている、ポリマーフィルムであるカバーフィルム（３）と、を備え、
　前記空洞（２）は、前記基板（１）の前記活性面側が被膜（２１）によって封止されており、
　前記カバーフィルム（３）
及び前記接着剤（４）
レーザーアブレーション法によって前記基板（１）に到達するまで
おり、
　前記基板（１）は、基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されており、
　実装基板（１０）に配置され、前記活性面と前記実装基板（１０）の間の前記実装基板（１０）の開口部の上部にバンプ（１２）により固定されており、
　マイクロフォンとして実施されて
、
　
　
２．補正の適否
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項１についてする補正は，ＭＥＭＳ部品の外側末端部分について，補正前はカバーフィルムが単に除去された状態にあったものを，補正によりカバーフィルム及び接着剤がレーザーアブレーション法によって基板に到達するまで除去された状態であることを限定している。さらに，請求項１についてする補正により，基板が、基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されたものであることや，基板を実装基板に配置するにあたり，活性面と実装基板の間の実装基板の開口部の上部にバンプにより固定すること，ＭＥＭＳ部品をマイクロフォンとして実施することを限定しているから，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下，「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか。）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物の記載事項及び引用刊行物記載の発明
　本願優先日前に日本国内において頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００５−３２４３２０号公報（以下，「刊行物１」という。）及び国際公開第２００７／０５４０７０号（以下，「刊行物２」という。），並びに本願優先日前に日本国内において頒布され，新たに引用する特開２００６−８６５０９号公報には，以下の事項及び発明が記載されている。なお，記載事項における下線は，理解を容易にするために当審で付したものである。また，刊行物２についての括弧内は，当該刊行物に係る国際出願に基づいて出願した，日本国特許出願の公表公報（特表２００９−５１４６９１号公報）を参照した当審における日本語翻訳文，及び同公報における該当箇所である。さらに，刊行物２のドイツ語表記については，ａ，ｏ，ｕのウムラウトを，それぞれａ#，ｏ#，ｕ#で代替表記し，エスツェットを，ｓ#で代替表記する。
　
　ア．刊行物１記載の事項及び刊行物１発明
（ア）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、少なくとも１つのダイアフラムを有しており、素子構造部が基板上に層構造体として実現されており、基板内にその後面に向かって開放された少なくとも１つの空洞部が設けられており、これによりダイアフラムが露出されているマイクロメカニカル素子に関する。」
　
（イ）
「【００１４】
　前述したように、本発明の素子は多様な分野で使用することができる。特に有利な利用分野として、
圧力センサ
　
（ウ）
「【００１６】
　前述したように、マイクロメカニカル素子は一般に複数の同種の素子構造部を１つの基板（例えば金属ウェハまたは
シリコンウェハ
【００１７】
　図１にはウェハ１が示されている。このウェハに対しては前面２からも後面３からもプロセスが施され、ダイアフラム４を備えた素子構造部が形成される。ダイアフラム４は層としてウェハ１を完全に貫通する複数の空洞部５の上に架けわたされるように基板前面２に配置される。空洞部５はウェハ後面３から形成される。本発明によればシートまたは積層体６がウェハ後面３に被着され、空洞部５は完全にカバーされる。このようにしてダイアフラムの後面は周囲影響に対して遮蔽される。
【００１８】
　図示の実施例では、積層体６の両側に接着層７，８が設けられている。ウェハ後面３に向かう側の第１の接着層７は積層体６とウェハ後面３との接合のために用いられる。第２の接着層８は素子の実装のために用いられる。後者については図２に則して説明する。
【００１９】
　図１にはソーによる素子のダイシング前のウェハ１が示されている。このウェハはテープ状支持体９上に配置されており、このテープ状支持体はダイシング中にはウェハ１を固定し、またダイシング後には個別の素子を固定する。積層体６は層構造体の全体とともに分離され、後面に個々の素子が残る。このことは図中では分離線１０としての破線によって表されている。有利にはＵＶテープがテープ状支持体９として使用される。なぜならＵＶテープの接着力は紫外光の照射により著しく低減され、テープ状支持体９から個々の素子を取り出したり、積層体６を分離したりすることが簡単になるからである。」
　
（エ）図１
　図１には，４つの同種の素子構造部を１つの基板上に形成することや，個々の素子に分離するための分離線１０，空洞部５が４つ存在することが示されている。
　
（オ）刊行物１発明
　以上の記載事項を，技術常識を踏まえて整理すると，刊行物１には次の発明（以下，「刊行物１発明」という。）が記載されていると認める。
「４つの空洞部５を有するウェハ１と，
　前記空洞部５が封止されている前記ウェハ１の前面２と，
　前記ウェハ１の前記前面２の反対側に位置する後面３と，
　前記ウェハ１の前記後面３上にあって前記ウェハ１を覆い，実質的にその全体を覆う接着剤７により前記ウェハ１に貼り付けられている，シート６と，を備え，
　前記空洞部５は，前記ウェハ１の前記前面２がダイヤフラム４によって封止されており，
　前記ウェハ１は，ソーによってダイシングされているマイクロメカニカル素子。」
　
　イ．刊行物２記載の事項及び刊行物２事項
（ア）第１２ページ第１８から２８行まで
「Der MEMS-Chip kann als Mikrofon ausgebildet sein, bei dem entweder in Abdeckung und/oder Schirmungsschicht eine Durchbrechung vorgesehen ist oder bei dem der MEMS-Chip u#ber einer Schallo#ffnung im Tra#gersubstrat angeordnet ist. Zusa#tzlich kann das MEMS-Package auf der der Schallo#ffnung oder dem Durchbruch gegenu#berliegenden Seite ein ausreichend dicht abgeschlossenes Ru#ckvolumen aufweisen, welches einen Referenzdruck fu#r den MEMS-Chip darstellt und die Messung eines Druckunterschieds relativ zu diesem Referenzdruck ermo#glicht. Dies ist fu#r Anwendungen als Drucksensor oder Mikrofon erforderlich. 」
（【００３５】
　
ＭＥＭＳチップをマイクロフォンとして構成することができる
ＭＥＭＳパッケージは
密閉されたバックチャンバを有することができる。これはＭＥＭＳチップのための基準圧力であり、この基準圧力に対して相対的な圧力の相違を測定することが可能である。これは圧力センサとしてまたはマイクロフォンとしての使用に必要である
　
（イ）第１５ページ第２６行から第１６ページ第２６行まで
「Figur 1 zeigt eine einfache Ausfu#hrungsform des MEMS-Packages, bei der MEMS-Chip MC und Chipbauelement CB nebeneinander auf der Oberseite des Tra#gersubstrats TS montiert und dort beispielsweise mittels Klebstoff befestigt sind. Die elektrische Kontaktierung der beiden Komponenten zum Tra#gersubstrat erfolgt mit Bonddra#hten BD. Die Abdeckung AB besteht aus einer auf dem Tra#gersubstrat aufsitzenden Kappe, die unter sich einen Hohlraum HR einschlies#t. Die Kappe kann beispielsweise auf das Tra#gersubstrat TS aufgeklebt werden und besteht beispielsweise aus einem vorgeformten Kunststoffteil . Die Schirmungsschicht SL wird in einem Du#nnschichtverfahren auf die Kappe und die Oberfla#che des Tra#gersubstrats aufgebracht und gegebenenfalls nasschemisch oder galvanisch versta#rkt. Geeignet ist beispielsweise ein zweistufiges Vorgehen, bei dem zuna#chst eine metallische Haftschicht - beispielsweise aus Titan, Nickel, Chrom, Wolfram oder Kupfer - aufgesputtert und anschlies#end aus der Lo#sung galvanisch oder stromlos mit Kupfer oder Nickel versta#rkt wird.
　
Geeignete Schichtdicken zum Erfu#llen der Schirmungsfunktion liegen dann im Bereich zwischen 10 und 100 μm. Vorzugsweise weist das Tra#gersubstrat TS eine mit Masse verbundene Anschlussfla#che auf, die mit der Schirmungsschicht abschlies#t und diese somit erdet . Der Hohlraum HR unter der als Kappe ausgebildeten Abdeckung AB wird als Ru#ckvolumen fu#r die Funktion des MEMS-Chips benutzt. Der MEMS-Chip MC weist auf der zum Tra#gersubstrat weisenden passiven Seite eine Ausnehmung AN auf, in der der MEMS-Chip soweit gedu#nnt ist, dass die MEMS Strukturen der aktiven Seite frei liegen. Unterhalb der Ausnehmung ist im Tra#gersubstrat eine als Durchbruch ausgebildete O#ffnung OE vorgesehen, sodass die (passive) Unterseite des MEMS-Chips im Bereich der Ausnehmung AN mit einer Umgebungsatmospha#re bzw. einem Umgebungsdruck in Verbindung steht.  」
（【００４３】
　図１は、ＭＥＭＳパッケージの簡単な実施形態を示している。ここではＭＥＭＳチップＭＣとチップデバイスＣＢが相互に隣り合って、
担体基板ＴＳ
【００４４】
　遮蔽機能を満たすのに適している層厚は、１０〜１００μｍの間の領域にある。有利には担体基板ＴＳはアースと接続された接続面を有している。この接続面は遮蔽層と終端を成しており、これをアースする。中空空間ＨＲは、キャップとして構成された被覆部ＡＢの下方で、ＭＥＭＳチップの機能のためのバックチャンバとして使用される。
ＭＥＭＳチップＭＣは、担体基板の方を向いているパッシブ面上に切り欠きＡＮを有している。この切り欠き内では、ＭＥＭＳチップが薄くされており、アクティブ面のＭＥＭＳ構造体が露出している
　
（ウ）第１７ページ第３１行から第２０ページ第２行まで
「Figur 2 zeigt ein weiteres MEMS-Package, bei dem im Unterschied zu Figur 1 der MEMS-Chip MC in Flip-Chip-Anordnung z.B. mittels Bumps BU auf dem Tra#gersubstrat TS befestigt ist. Dazu ist der MEMS-Chip gegenu#ber der Figur 1 vertikal gekippt, sodass nun die aktive Seite des MEMS-Chips zur Oberfla#che des Tra#gersubstrats weist. Die elektrische und mechanische Verbindung kann u#ber Bumps oder u#ber elektrisch leitenden Kleber erfolgen. Sofern der Kleber keine ausreichende Abdichtung des Ru#ckvolumens unter der als Kappe ausgebildeten Abdeckung AB erzeugt, sodass der dort vorliegende Referenzdruck nicht lange genug aufrecht erhalten werden kann, so wird, wie in Figur 2 gezeigt, zusa#tzlich ein Dichtrahmen DR (siehe Figur) oder alternativ ein Underfiller oder eine sonstige Fugenabdichtung so vorgesehen, dass die Kante des MEMS-Chips umlaufend gegen das Tra#gersubstrat TS abgedichtet ist. Der Dichtrahmen kann auch ein nach dem Auflo#ten des MEMS-Chips MC applizierter Klebstoff sein. Ein anisotrop leitender Klebstoff kann die dargestellten Bumps BU ersetzen und gleichzeitig eine Abdichtung vornehmen. Gegenu#ber Figur 1 ist das Ru#ckvolumen hier weiter vergro#s#ert . 
　
Figur 3 zeigt eine Anordnung, bei der MEMS-Chip MC und Chipbauelement CB wie in Figur 2 aufgebracht sind. Anders als dort ist das Chipbauelement CB hier jedoch mit einer direkt aufgebrachten Schutzabdeckung, beispielsweise einer Glob-Top-Masse LG abgedeckt. Sowohl u#ber MEMS-Chip MC als auch u#ber mit der Schutzabdeckung LG versehenes Chipbauelement CB ist als weitere Abdeckung AB eine Abdeckschicht aufgebracht, beispielsweise eine auflaminierte Laminatfolie. Diese schmiegt sich dicht an den MEMS-Chip MC an und kann, wie dargestellt, die Ausnehmung AN auf der (passiven) Unterseite des MEMS-Chips MC u#berspannen. Die Schirmungsschicht SL ist wiederum als metallische Schicht auf die Oberfla#che der Abdeckschicht aufgebracht und schlies#t rundum mit dem Tra#gersubstrat TS ab. Wegen des gegenu#ber den Figuren 1 und 2 verkleinerten Ru#ckvolumens ist, falls fu#r den MEMS-Chip MC u#berhaupt ein Ru#ckvolumen erforderlich ist, dieses ausreichend hoch gewa#hlt. Dazu ist die Ausnehmung AN entweder vergro#s#ert oder die Dicke des MEMS-Chips erho#ht, bis ein ausreichend gros#es Ru#ckvolumen erhalten ist. Bei geeigneter Prozessfu#hrung, insbesondere wenn die Abdeckschicht das Ru#ckvolumen dicht am MEMS-Chip abschlies#t, kann hier auf den Dichtrahmen DR verzichtet werden. 
　
Figur 4 zeigt eine Ausfu#hrung fu#r ein MEMS-Package, bei der auch das Chipbauelement CB in Flip-Chip-Anordnung neben dem MEMS-Chip MC auf dem Tra#gersubstrat TS aufgebracht ist. Da dadurch die elektrischen Kontakte des Chipbauelements CB im Zwischenraum zwischen Chipbauelement und Tra#gersubstrat geschu#tzt sind, ist hier keine zusa#tzliche Abdeckung des Chip-Bauelements wie in Figur 3 erforderlich. Die als Abdeckschicht ausgebildete Abdeckung AB kann direkt auf der Ru#ckseite des Chipbauelements aufliegen. 
　
Als weitere Ausgestaltung ist u#ber dem MEMS-Chip MC ein Deckel DL aufgebracht. Dieser erleichtert das Aufbringen der Abdeckschicht, insbesondere das Auflaminieren der Laminatfolie, indem es die Ausnehmung auf der Oberseite des MEMS-Chips MC abdeckt und dabei Ru#ckvolumen einschlies#t. Fu#r den Deckel DL kann eine Glas- oder Kunststofffolie eingesetzt werden, alternativ eine entsprechend gedu#nnte Halbleiterschicht. Eine ausreichende Dicke wird bei ca. 100 μm erhalten. Vorzugsweise wird der MEMS-Chip bereits auf Waferebene mit dem Deckel versehen, indem eine entsprechend gros#fla#chige Deckelschicht oder ein entsprechender Deckelwafer mit dem Wafer verbunden wird, in dem die MEMS-Chips MC im Nutzen hergestellt werden. Das Verbinden des MEMS-Wafers mit dem Deckel-wafer kann beispielsweise mittels Waferbondens erfolgen. Auch Kleben ist mo#glich. 」
（【００４８】
  図２は、別のＭＥＭＳパッケージを示している。ここでは図１とは異なり、ＭＥＭＳチップＭＣはフリップチップ配置構成で、例えば
バンプＢＵによって、担体基板ＴＳ上に固定されている
従ってここではＭＥＭＳチップのアクティブ面は担体基板の表面の方を向いている
【００４９】
　
図３は、ＭＥＭＳチップＭＣおよびチップデバイスＣＢが図２と同じように被着されている配置構成を示している
【００５０】
　図１および２に比べてバックチャンバが小さくなっているので、ＭＥＭＳチップＭＣに対してバックチャンバが必要である場合には、これは充分に高く選択される。このために、充分に大きいバックチャンバが得られるまで、切り欠きＡＮが拡大されるか、またはＭＥＭＳチップが厚くされる。適切なプロセスが実行される場合、殊に被覆層がバックチャンバをＭＥＭＳチップで密封する場合には、シールドフレームＤＲを省くことができる。
【００５１】
　図４は、チップデバイスＣＢもフリップチップ装置で、ＭＥＭＳチップＭＣの隣に、担体基板ＴＳ上に被着されている配置構成を示している。これによってチップデバイスＣＢの電気的コンタクトがチップデバイスと担体基板との間の空間において保護されるので、ここでは、図３に示されたようなチップデバイスの付加的な被覆は必要ない。被覆層として構成された被覆部ＡＢは直接的にチップデバイスの背面に載置される。
【００５２】
　別の実施形態として、
ＭＥＭＳチップＭＣ上にカバーＤＬが被着される
これはカバーが、ＭＥＭＳチップＭＣの上面で切り欠きを覆い、この際にバックチャンバを封じることによって行われる
カバーＤＬとしてはガラスフィルムまたはプラスチックフィルムが使用可能であり
　
（エ）Ｆｉｇ１（図１）からＦｉｇ４（図４）まで
　Ｆｉｇ４（図４）には，Ｆｉｇ１（図１）において「ＴＳ」の符号で示された長方形状の部材や，Ｆｉｇ２（図２）において「ＢＵ」の符号で示された黒色楕円形状の部材，並びに切り欠きＡＮ，開口部ＯＥ及びカバーＤＬが示されており，黒色楕円形状の部材は，開口部ＯＥの上方の左右に設けられていることを看取できる。
　また，Ｆｉｇ３（図３）とＦｉｇ４（図４）の切り欠きＡＮは，いずれも倒立台形状に表されている。
　
（オ）刊行物２事項
　上記（エ）に摘示するように，刊行物２の図４には，図１において「ＴＳ」の符号で示された長方形状の部材が示されており，上記（イ）に摘示する記載からみて，当該部材は担体基板ＴＳであると理解できる。また，刊行物２の図４には，図２において「ＢＵ」の符号で示された黒色楕円形状の部材が示されており，上記（ウ）に摘示する記載からみて，当該部材はバンプＢＵであると理解できる。
　また，上記（ウ）に摘示するように，「図３は、ＭＥＭＳチップＭＣおよびチップデバイスＣＢが図２と同じように被着されている配置構成を示している」との記載があるところ，図２について，「ＭＥＭＳチップのアクティブ面は担体基板の表面の方を向いている」と記載されていることからみて，図３のＭＥＭＳチップのアクティブ面についても，図２と同様に担体基板の表面の方を向いていると理解できる。さらに，上記（エ）に示すように，図３と図４の切り欠きＡＮは，いずれも倒立台形状に表されているから，図４におけるＭＥＭＳチップの配置は，図３のＭＥＭＳチップと同様に配置されているということができ，結局，図４のＭＥＭＳチップのアクティブ面は，図２及び３と同様に，担体基板の表面の方を向いているといえる。そして，上記（イ）に摘示する「ＭＥＭＳチップＭＣは、担体基板の方を向いているパッシブ面上に切り欠きＡＮを有している。この切り欠き内では、ＭＥＭＳチップが薄くされており、アクティブ面のＭＥＭＳ構造体が露出している」との記載からみて，アクティブ面の反対側がパッシブ面であるといえるから，図４のＭＥＭＳチップにおいて，担体基板の表面の方を向いた面（図４の下方の面）とは反対の面（図４の上方の面）がパッシブ面であると理解できる。
　以上の記載事項を，技術常識及び上記の理解を踏まえて整理すると，刊行物２には次の技術的事項（以下，「刊行物２事項」という。）が記載されていると認める。
「１つの切り欠きＡＮを有するＭＥＭＳチップＭＣと，
　前記切り欠きＡＮが封止されている前記ＭＥＭＳチップＭＣのアクティブ面と，
　前記ＭＥＭＳチップＭＣの前記アクティブ面の反対側に位置するパッシブ面と，
　前記ＭＥＭＳチップＭＣの前記パッシブ面上にあって前記ＭＥＭＳチップＭＣを覆い，前記ＭＥＭＳチップＭＣに被着されている、ガラスフィルムまたはプラスチックフィルムであるカバーＤＬと、を備え，
　前記切り欠きＡＮは、前記ＭＥＭＳチップＭＣの前記アクティブ面側が封止されており，
　担体基板ＴＳに配置され、前記アクティブ面と前記担体基板ＴＳの間の前記担体基板ＴＳの開口部ＯＥの上部にバンプＢＵにより固定されており，、
　マイクロフォンとして構成されているＭＥＭＳパッケージ。」
　
　ウ．刊行物３記載の事項及び刊行物３事項
（ア）第３ページ第４２から４６行まで
「従来、この種の半導体基板の分断方法として、高速回転するダイヤモンドブレードにより、シリコンウェハなどの半導体基板を切断して半導体チップを得る方法が用いられていた。しかし、この方法では、切断幅分のシリコンの損失により、半導体チップの収量が制限されるという問題や、切断時に半導体チップの一部が欠けるチッピングにより歩留まりが低下するという問題などがあった。」
　
（イ）第４ページ第１から７行まで
「 図４（ａ）に示すように、半導体基板１の裏面（素子が形成されていない面）には、分断により生成された半導体チップ１ｅを実装するための貼着フィルム（フィルム状接着剤）である
ダイアタッチフィルム（ダイボンドフィルムともいう。以下、ＤＡＦという）２
ＤＡＦ２およびダイシングフィルム５は、例えば合成樹脂製フィルム上に接着剤を塗工して形成されている
　
（ウ）第１２ページ第３７行から第１３ページ第１２行まで
「まず、
レーザ光７を半導体基板１の裏面１ｇに貼着されているＤＡＦ２の表面から、分断予定ラインＬ１に沿って、集光点がＤＡＦ２に合うように照射し、ＤＡＦ２を溶融して分断する
【００４８】
（図２（ｂ）に示す工程）
　次に、ＤＡＦ２の裏面（実装側の面）にダイシングフィルム５を貼着する（本願請求項３の貼着工程に対応）。次に、半導体基板１を裏返し、
レーザ光４をその集光点Ｐが半導体基板１の内部の下方に位置するように設定したレーザ照射条件で、分断予定ラインＬ１に沿って半導体基板１の表面から照射し、集光点Ｐに改質領域１ｃを形成する
【００４９】
（図２（ｃ）に示す工程）
　次に、ダイシングフィルム５を両方向（図中矢印Ｆ２，Ｆ３で示す方向）へ引っ張り、
半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させる
【００５０】
（図２（ｄ）に示す工程）
　続いて、割れ１ｂ，１ｂにより挟まれた部分の裏面１ｇに押圧部材６の先端を当接させ、その押圧部材６を上方（図中矢印Ｆ４で示す方向）へ移動させ、半導体チップ１ｅをピックアップする（本願請求項３の半導体基板分断工程に対応）。」
　
（エ）刊行物３事項
　刊行物３には，上記（ウ）に摘示するように，レーザ光７の集光点がＤＡＦ２に合うように照射し、ＤＡＦ２を溶融して分断することが記載されているところ，上記（イ）に摘示する記載からみて，ＤＡＦ２がダイアタッチフィルムを意味し，当該フィルムは，合成樹脂製フィルム上に接着剤を塗工して形成されているから，ＤＡＦ２を溶融して分断することは，ダイアタッチフィルムを形成する合成樹脂製フィルムと接着剤の両方を溶融させることによって，分断することであると理解できる。
　以上の記載事項を，技術常識及び上記の理解を踏まえて整理すると，刊行物３には次の技術的事項（以下，「刊行物３事項」という。）が記載されていると認める。
「半導体基板１と，
　前記半導体基板１の裏面１ｇ上にあって前記半導体基板１を覆い，実質的にその全体を覆う接着剤により前記半導体基板１に貼り付けられている，合成樹脂フィルムであるダイアタッチフィルム２とを備えたものにおいて，
　前記ダイアタッチフィルム２及び前記接着剤が半導体チップ１ｅの分断予定ラインＬ１に沿ってその集光点がダイアタッチフィルム２に合うようにレーザ光７が照射されて溶融されることによって分断されており，
　前記半導体基板１は，レーザ光４をその集光点Ｐが半導体基板１の内部の下方に位置するように設定したレーザ照射で集光点Ｐに改質領域１ｃが形成されて，半導体基板１の内部にせん断応力を発生させることにより、改質領域１ｃを形成するクラックを成長させ、改質領域１ｃに沿ったライン上に割れ１ｂを形成させて分断されること。」
　
（２）対比
　本件補正発明と刊行物１発明とを対比すると，刊行物１発明の「４つの空洞部５」が本件補正発明の「少なくとも１つの空洞」に相当することは明らかであり，以下同様に，「ウェハ１」が「基板」に相当し，「前面２」が「活性面」に相当し，「後面３」が「不活性面」に相当し，「接着剤７」が「接着剤」に相当し，「ダイヤフラム４」が「皮膜」に相当し，「マイクロメカニカル素子」が「ＭＥＭＳ部品」に相当する。
　また，刊行物１発明の「シート６」と本件補正発明の「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」とは，「被覆部材」という点で共通し，刊行物１発明において「ソーによってダイシングされて」いることと，本件補正発明において「基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されて」いることとは，「切断されて」いるという点で共通する。
　
　以上から，本件補正発明と刊行物１発明とは，以下の点で一致及び相違する。
　
＜一致点Ａ＞
「少なくとも１つの空洞を有する基板と，
　前記空洞が封止されている前記基板の活性面と，
　前記基板の前記活性面の反対側に位置する不活性面と，
　前記基板の前記不活性面上にあって前記基板を覆い，実質的にその全体を覆う接着剤により前記基板に貼り付けられている，被覆部材と，を備え，
　前記空洞は，前記基板の前記活性面側が被膜によって封止されており，
　前記基板は，切断されている，ＭＥＭＳ部品。」
　
＜相違点１＞
　本件補正発明は，被覆部材が「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」であり，また，ＭＥＭＳ部品が「実装基板に配置され，活性面と実装基板の間の実装基板の開口部の上部にバンプにより固定されており，マイクロフォンとして実施されて」いるのに対して，刊行物１発明は，被覆部材が「シート６」であり，ＭＥＭＳ部品が「実装基板に配置され，活性面と実装基板の間の実装基板の開口部の上部にバンプにより固定されており，マイクロフォンとして実施されて」いるものかどうか不明な点。
　
＜相違点２＞
　本件補正発明では，「カバーフィルム及び接着剤がＭＥＭＳ部品の外側末端部分においてレーザーアブレーション法によって基板に到達するまで除去されており，基板は，基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されて」いるのに対して，刊行物１発明では，ウェハ１は，ソーによってダイシングされており「カバーフィルム及び接着剤がＭＥＭＳ部品の外側末端部分においてレーザーアブレーション法によって基板に到達するまで除去されており，基板は，基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されて」いるものではない点。
　
（３）各相違点の判断
ア．相違点１について
　刊行物２には，上記（１）イ．（オ）に示す刊行物２事項が記載されているということができるところ，上記相違点１に係る構成は，いずれも刊行物２事項に示されている。
　より具体的にいえば，本件補正発明における「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」は，上記（１）イ．（ウ）に摘示するように刊行物２に記載されており，本件補正発明のＭＥＭＳ部品が「実装基板に配置され，活性面と実装基板の間の実装基板の開口部の上部にバンプにより固定されて」いることは，上記（１）イ．（エ）に摘示するように刊行物２に記載されており，また，本件補正発明のＭＥＭＳ部品が「マイクロフォンとして実施されて」いることは，上記（１）イ．（ア）に摘示するように刊行物２に記載されている。
　上記（１）イ．（ア）に示すように，刊行物２には，ＭＥＭＳパッケージが密閉されたバックチャンバを有することができ，当該バックチャンバから生じる基準圧力により，相対的な圧力の相違を測定することが可能となり，このことは，ＭＥＭＳパッケージを圧力センサやマイクロフォンとして使用する際に必要である旨の記載がある。
　当該記載におけるバックチャンバは，上記（１）イ．（ウ）に示す「これはカバーが、ＭＥＭＳチップＭＣの上面で切り欠きを覆い、この際にバックチャンバを封じることによって行われる」という記載からみて，ＭＥＭＳチップＭＣ（本件補正発明でいう基板）の切り欠き（本件補正発明でいう空洞）をカバー（本件補正発明でいうカバーフィルム）で覆うことにより構成されるチャンバを含むものといえるところ，刊行物２におけるこれらの記載に接した当業者であれば，刊行物１発明も，基板の空洞部５をシート６で覆うことにより構成されるチャンバを有していることから，刊行物１発明も圧力センサやマイクロフォンとして使用できることを理解するはずであるし，そのような理解は，上記（１）ア．（イ）に示すように，刊行物１発明の用途として圧力センサが記載されていることとも符合する。
　当業者であれば，刊行物１発明の用途の多様化を図り，販路の拡大を企図することは当然であるから，刊行物１発明の用途として，圧力センサのほかにマイクロフォンが存在することを理解した当業者であれば，当然に刊行物１発明をマイクロフォンに適用しようと試みるはずである。
　そして，刊行物２事項は，ＭＥＭＳ部品をマイクロフォンとして実施する際に，活性面と実装基板の間の実装基板の開口部の上部にバンプにより固定することや，基板の不活性面をポリマーフィルムであるカバーフィルムで覆うことを示しているから，刊行物１発明をマイクロフォンとして実施する際に，刊行物２事項を適用することは，当業者が容易に想到し得る事項といえる。
　以上から，刊行物１発明において，被覆部材を「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」として構成し，また，ＭＥＭＳ部品が「実装基板に配置され，活性面と実装基板の間の実装基板の開口部の上部にバンプにより固定されており，マイクロフォンとして実施されて」いるように構成することは，刊行物２の記載事項に基づいて，当業者が容易に想到できた事項である。
　
イ．相違点２について
　刊行物３には，上記（１）ウ．（エ）に示す刊行物３事項が記載されているということができるところ，上記相違点２に係る構成は，いずれも刊行物３事項に示されている。
　より具体的にいえば，本件補正発明において「カバーフィルム及び接着剤がＭＥＭＳ部品の外側末端部分においてレーザーアブレーション法によって基板に到達するまで除去されて」いることは，上記（１）ウ．（イ）及び（ウ）に摘示するように刊行物３に記載されており，本件補正発明において「基板は，基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されて」いることは，上記（１）ウ．（ウ）に摘示するように刊行物３に記載されている。
　そして，刊行物３事項は，上記（１）ウ．（ア）に示すように，ダイヤモンドブレードによる分割では，半導体チップの一部が欠けるチッピングが生じるという課題を解決するものであるところ，上記（１）ア．（ウ）に示すように，刊行物１には，基板として「シリコンウェハ」が示されている上に，上記（１）ア．（オ）に示すように，刊行物１発明は，ソー，すなわちブレードによって分断を行っているから，刊行物１発明は，刊行物３事項が解決しようとするチッピングに関する課題を内在していると理解できる。
　また，上記（１）ア．（オ）に示すように，刊行物１発明はマイクロメカニカル素子，すなわちＭＥＭＳ部品であるところ，ＭＥＭＳ部品は，半導体装置の製造技術を応用した微細加工により構成されるものであることは，当業者にとって自明である。そして，刊行物３事項は，半導体装置の製造技術に関する技術的事項である。
　これらを踏まえると，刊行物３の記載に接した当業者であれば，刊行物１発明がチッピングに関する課題を内在していることを理解し，当該課題を解決するように，刊行物３事項を適用しようと試みるはずであって，半導体装置の製造技術に関する刊行物３事項を，ＭＥＭＳ部品である刊行物１発明に適用することは，当業者が容易に想到できた事項である。
　以上から，刊行物１発明において，「カバーフィルム及び接着剤がＭＥＭＳ部品の外側末端部分においてレーザーアブレーション法によって基板に到達するまで除去されており，基板は，基板表面下部の焦点面へのエネルギー注入法によって切断されて」いるように構成することは，刊行物３の記載事項に基づいて，当業者が容易に想到できたものである。
　
　ウ．作用効果について
　本件補正発明が奏する作用や効果は，刊行物１発明並びに刊行物２及び３の記載事項から当業者であれば予測し得る範囲のものであって格別のものとはいえない。
　
（４）補正の適否についてのむすび
　以上のとおり，本件補正発明は，刊行物１発明並びに刊行物２及び３の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記［補正却下の決定の結論］のとおり，決定する。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という）は，上記第２．１．（１）に示すとおりのものである。
　
２．引用刊行物の記載事項及び引用刊行物記載の発明
　本願優先日前に日本国内において頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１及び２の記載事項は，上記第２．２．（１）ア．及びイ．に記載したとおりである。
　また，本願優先日前に日本国内において頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−２５１４９３号公報（以下，「刊行物４」という。）には，以下の事項及び発明が記載されている。
　
（１）「【００８２】尚、本実施例で説明する半導体装置の製造方法は、基板５１を分離して個々の半導体素子２１に分離する分離工程に特徴を有するものであり、この分離工程が実施される前に行われる処理（突起電極２３が配設された複数の半導体素子２１が形成された基板を封止樹脂層２２により封止し、続いて突起電極２３の一部を封止樹脂層２２から露出させる処理）は、従来方法（例えば、本出願人により出願された特願平９−１０６８３号に開示した方法）と同一である。このため、以下の説明では、分離工程についてのみ説明するものとする。また、以下説明する半導体装置の各製造方法においても同様とする。
【００８３】先ず、図５を用いて、本発明の第１実施例である半導体装置２０Ａの製造方法について説明する。本実施例に係る製造方法における分離工程では、図５（Ａ）に示すように、先ず角度θを有した角度付き刃２６を用い、図５（Ｂ），（Ｃ）に示すように、封止樹脂層２２及び基板５１の一部を切削して面取り部用溝５６を形成する（溝形成工程）。この時形成される面取り部用溝５６は、角度付き刃２６により形成されるため、両側部に面取り部２４Ａが形成された構造となっている。尚、この時の基板５１の切削深さをＺ１とする。
【００８４】上記の溝形成工程が終了後すると、続いて図５（Ｄ）に示すように、面取り部用溝の溝幅（図中、矢印Ｗで示す）より幅狭な寸法（図中、矢印Ｚ２で示す）を有すると共に角度を有していない角度なし刃２７Ａを用い、図５（Ｅ）に示されるように面取り部用溝５６の中央位置を切削する（切削工程）。この際、溝形成工程において、面取り部用溝５６の形成位置には封止樹脂層２２が存在しない構成となっている。よって、角度なし刃２７Ａによる切削は、基板５１のみを切削する処理となる。これにより、切削工程において封止樹脂層２２と基板５１を同時に切削する必要がなくなり、切削処理を容易に行うことができる。」
　
（２）図５（Ａ）から（Ｆ）まで
　図５（Ａ）から（Ｆ）までには，基板５１の切断予定位置において，角度付き刃２６を用いて封止樹脂層２２を切除し，角度なし刃２７Ａを用いて基板５１を切断することが示されている。
（３）刊行物４事項
　以上の記載事項を，技術常識を踏まえて整理すると，刊行物４には次の技術的事項（以下，「刊行物４事項」という。）が記載されていると認める。
「基板５１と，
　基板５１の突起電極２３を封止する封止樹脂層２２とを備え，
　封止樹脂層２２が基板５１の切断予定位置において角度付き刃２６を用いて除去され，角度なし刃２７Ａを用いて基板５１を切断すること。」
　
３．対比
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると，刊行物１発明の「４つの空洞部５」が本願発明の「少なくとも１つの空洞」に相当することは明らかであり，以下同様に，「ウェハ１」が「基板」に相当し，「前面２」が「活性面」に相当し，「後面３」が「不活性面」に相当し，「接着剤７」が「接着剤」に相当し，「ダイヤフラム４」が「皮膜」に相当し，「マイクロメカニカル素子」が「ＭＥＭＳ部品」に相当する。
　また，刊行物１発明の「シート６」と本件補正発明の「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」とは，「被覆部材」という点で共通する。
　
　以上から，本願発明と刊行物１発明とは，以下の点で一致及び相違する。
　
＜一致点Ｂ＞
「少なくとも１つの空洞を有する基板と，
　前記空洞が封止されている前記基板の活性面と，
　前記基板の前記活性面の反対側に位置する不活性面と，
　前記基板の前記不活性面上にあって前記基板を覆い，実質的にその全体を覆う接着剤により前記基板に貼り付けられている，被覆部材と，を備え，
　前記空洞は，前記基板の前記活性面側が被膜によって封止されているＭＥＭＳ部品。」
　
＜相違点３＞
　本願発明は，被覆部材が「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」であるのに対して，刊行物１発明は，被覆部材が「シート６」である点。
　
＜相違点４＞
　本願発明では，「カバーフィルムがＭＥＭＳ部品の外側末端部分において除去されている」のに対して，刊行物１発明では，ウェハ１は，ソーによってダイシングされている点。
　
４．各相違点の判断
（１）相違点３について
　本願明細書の段落【００１６】を参照すると，本願発明のＭＥＭＳ部品の用途として，マイクロフォンが示されている。
　そして，刊行物２には，上記（１）イ．（オ）に示す刊行物２事項が記載されているということができるところ，上記相違点１に係る構成は，いずれも刊行物２事項に示されている。
　より具体的にいえば，本願発明における「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」は，上記（１）イ．（ウ）に摘示するように刊行物２に記載されている。
　上記第２．（１）イ．（ア）に示すように，刊行物２には，ＭＥＭＳパッケージが密閉されたバックチャンバを有することができ，当該バックチャンバから生じる基準圧力により，相対的な圧力の相違を測定することが可能となり，このことは，ＭＥＭＳパッケージを圧力センサやマイクロフォンとして使用する際に必要である旨の記載がある。
　当該記載におけるバックチャンバは，上記第２．（１）イ．（ウ）に示す「これはカバーが、ＭＥＭＳチップＭＣの上面で切り欠きを覆い、この際にバックチャンバを封じることによって行われる」という記載からみて，ＭＥＭＳチップＭＣ（本願発明でいう基板）の切り欠き（本願発明でいう空洞）をカバー（本願発明でいうカバーフィルム）で覆うことにより構成されるチャンバを含むものといえるところ，刊行物２におけるこれらの記載に接した当業者であれば，刊行物１発明も，基板の空洞部５をシート６で覆うことにより構成されるチャンバを有していることから，刊行物１発明も圧力センサやマイクロフォンとして使用できることを理解するはずであるし，そのような理解は，上記第２．（１）ア．（イ）に示すように，刊行物１発明の用途として圧力センサが記載されていることとも符合する。
　当業者であれば，刊行物１発明の用途の多様化を図り，販路の拡大を企図することは当然であるから，刊行物１発明の用途として，圧力センサのほかにマイクロフォンが存在することを理解した当業者であれば，当然に刊行物１発明をマイクロフォンに適用しようと試みるはずである。
　そして，刊行物２事項は，ＭＥＭＳ部品をマイクロフォンとして実施する際に，基板の不活性面をポリマーフィルムであるカバーフィルムで覆うことを示しているから，刊行物１発明をマイクロフォンとして実施する際に，刊行物２事項を適用することは，容易に想到し得る事項といえる。
　以上から，刊行物１発明において，被覆部材を「ポリマーフィルムであるカバーフィルム」として構成することは，刊行物２の記載事項に基づいて，当業者が容易に想到できた事項である。
　
（２）相違点４について
　上記第２．（１）ア．（オ）に示すように，刊行物１発明はマイクロメカニカル素子，すなわちＭＥＭＳ部品であるところ，ＭＥＭＳ部品は，半導体装置の製造技術を応用した微細加工により構成されるものであることは，当業者にとって自明である。そして，上記２．（３）に示す刊行物４事項は，半導体装置の製造技術に関する技術的事項である。
　また，上記第２．（１）ア．（ウ）に示すように，刊行物１には，基板として「シリコンウェハ」が示されている上に，上記第２．（１）ア．（オ）に示すように，刊行物１発明は，ソー，すなわち刃によって切断を行っている。
　上記２．（３）に示すように，刊行物４事項には，封止樹脂層２２が基板５１の切断予定位置において角度付き刃２６を用いて除去され，角度なし刃２７Ａを用いて基板５１を切断することが示されており，半導体装置の製造技術に関する当該刊行物４事項に接した当業者であれば，刊行物１発明の基板をソー，すなわち刃によって切断する際に，その基板に貼り付けられている被覆部材を除去するように試みることは当然である。
　以上から，刊行物１発明において，「カバーフィルムがＭＥＭＳ部品の外側末端部分において除去されている」ように構成することは，刊行物４事項に基づいて，当業者が容易に想到できた事項である。
　
（３）作用効果について
　本願発明が奏する作用や効果は，刊行物１発明並びに刊行物２及び４の記載事項から当業者であれば予測し得る範囲のものであって格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり，本願発明は，刊行物１発明並びに刊行物２及び４の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　したがって，本願は，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。