【事件の表示】
　特願２０１２−１３４８９２「一体型定電流駆動回路を有するＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　１日出願公開、特開２０１２−２１２９０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００８年７月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年７月１７日、米国）を国際出願日とする特願２０１０−５１６９９２号の一部を平成２４年６月１４日に新たな特許出願としたものであって、同年７月１７日に明細書及び特許請求の範囲の補正がなされ、平成２５年７月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２日に特許請求の範囲の補正がなされたが、平成２６年５月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされ、当審において平成２７年４月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２８日に特許請求の範囲の補正がなされたものであり、本願の請求項に係る発明は、当該補正後の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項により特定されるものである。
　
「発光デバイスパッケージであって、
　前記パッケージ内の少なくとも１つのＬＥＤと、
　前記パッケージに組み込まれる内部素子を備える回路であって、該内部素子が、第１の電圧を有する直流を脈動電圧に変換したのち、変換された該脈動電圧を前記少なくとも１つのＬＥＤに供給される第２の電圧を有する直流に変換する電流変換器の一部を形成する、回路と、
　前記少なくとも１つのＬＥＤの電源を前記電流変換器に接続するように構成された第１のピン配列の組と、
　前記電流変換器の一部を形成し、前記パッケージに組み込まれない少なくとも１つの外付け素子に接続するように構成された第２のピン配列の組と
　を備えることを特徴とする発光デバイスパッケージ。」
　
２．引用例
　原審における上記平成２５年７月２３日付けの拒絶理由に引用された特開２００６−１９５９４号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。　
　
　ア　「【００２６】
《実施の形態》
  図１〜１１、１５を用いて、本発明の実施の形態の発光素子駆動用半導体チップ、発光装置（半導体装置）、半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法について説明する。図１〜１１において、同じ構成要素については同じ符号を用いている。図１は、本発明の実施の形態における発光装置の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ’破線で切断した断面図である。図１５は、本発明の実施の形態の発光装置の回路構成を示す図である。
  図１及び図２において、
１０１は発光モジュール
１０２は基板
１０３は基板配線
１１１は発光素子
１１２はドライバＩＣチップ（発光素子駆動用半導体チップ）
１２１はＶＣＣ端子
１２２はＧＮＤ端子
１２３は制御端子
１２４はスイッチング端子
１２５は電圧帰還端子
１４１はコイル
１４２はショットキーダイオード
１４３は入力コンデンサ
１４４は出力コンデンサ
【００２７】
  本発明の実施の形態の
発光装置は
発光モジュール１０１
を基板１０２上に実装し
  
発光モジュール１０１は、
発光素子１１１、ドライバＩＣチップ１１２、
ＶＣＣ端子１２１、ＧＮＤ端子１２２、制御端子１２３、スイッチング端子１２４、電圧帰還端子１２５を有する
　イ　「【００２９】
  発光モジュール１０１の各素子について説明する。
  
発光素子１１１は、可視発光ダイオード（ＬＥＤ）である
【００３０】
  ドライバＩＣチップ１１２は、リードフレーム１１４上に固定されている。ドライバＩＣチップ１１２は、Ｐ型シリコン基板１３２の上面をアルミ配線１１８と絶縁膜１３１とで覆われて、形成される。
  実施の形態において、絶縁膜１３１は酸化膜（ＳｉＯ２）である。なお、絶縁膜１３１の材質は、酸化膜（ＳｉＯ２）に限定されず、窒化膜（ＳｉＮ）、高分子化合物（ポリイミド等）、樹脂（エポキシ等）等であっても良い。
【００３１】
  ドライバＩＣチップ１１２上には、バンプ１１５を設けるためのバンプ用パターン１１３とボンディングワイヤ１１６を接続するためのワイヤボンディング用パターン１２０とがある。バンプ用パターン１１３及びワイヤボンディング用パターン１２０とは、ドライバＩＣチップ１１２上において、絶縁層１３３が存在しない部分のことである。
  アルミ配線１１８と絶縁膜１３１の上面は、バンプ用パターン１１３及びワイヤボンディング用パターン１２０を除いて、絶縁層１３３で覆われている。
【００３２】
  アルミ配線１１８上のバンプ用パターン１１３には、バンプ１１５が設けられ、発光素子１１１はバンプ１１５の上に実装される。
発光素子１１１は、
ドライバＩＣチップ１１２の内部回路素子と接続する
  アルミ配線１１８に代えて、金属配線層又は拡散層等で形成された導電経路により、ドライバＩＣチップ１１２及び複数の発光素子１１１の相互の接続をしても良い。金属配線層は、例えばアルミ、金又は銅で形成される。
【００３３】
  
ドライバＩＣチップ１１２は、
内部回路素子と外部接続端子（ＶＣＣ端子１２１、ＧＮＤ端子１２２、制御端子１２３、スイッチング端子１２４、電圧帰還端子１２５）とを電気的に接続する
【００３４】
  
ドライバＩＣチップ１１２は、実施の形態において、入力電圧を昇圧し、発光素子１１１に所定の電流を流す定電流回路である
発光素子のそれぞれに所定の電流を流す定電流回路とを有していても良い。
ドライバＩＣチップは、入力電圧を降圧し、発光素子１１１に所定の電流を流す定電流回路、又は発光素子１１１に所定の電圧を印加する定電圧回路であっても良い
　
　ウ　「【００３６】
  
スイッチング端子１２４は、ショットキーダイオード１４２のアノード端子とコイル１４１とに接続している。電圧帰還端子１２５は、基板配線１０３によって、ショットキーダイオード１４２のカソード端子と出力コンデンサ１４４とに接続している
【００３７】
  
スイッチング端子１２４、コイル１４１、ショットキーダイオード１４２、入力コンデンサ１４３、及び出力コンデンサ１４４は、昇圧回路を構成する。外部電源からの入力電圧をコイル１４１とショットキーダイオード１４２を用いて昇圧動作を行い、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力する。出力コンデンサ１４４の電圧は、発光素子１１１に印加される
【００３８】
  発光素子１１１は、ドライバＩＣチップ１１２から電気信号を供給され発光する。」　
　
　エ　「【００４０】
  図１５の実施の形態の発光装置（半導体装置）の回路図を説明する。
ドライバＩＣチップ１１２は、
駆動回路５０２、電圧検出回路５０３、及び電流検出抵抗５０４を有する
１４０は外部電源である
  第１の保護回路５０１は、電圧帰還端子１２５へのサージ電圧の印加で電圧検出回路５０３が静電破壊されることを防止すると共に、サージ電圧の印加で発光素子１１１が静電破壊されることを防止する。実施の形態において、第１の保護回路５０１は、ツェナダイオードである。  
  
駆動回路５０２は、ＡＮＤ回路５１１、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２を有する。
  電圧検出回路５０３は、第１の分圧抵抗５２１、第２の分圧抵抗５２２、第２の基準電圧５２３、コンパレータ５２４、第１の基準電圧５２５、誤差アンプ５２６、鋸波発振器５２７、及びＰＷＭコンパレータ５２８を有する。
【００４１】
  
駆動回路５０２は、外部電源１４０からの入力電圧をコイル１４１、ショットキーダイオード１４２、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ５１２を用いて昇圧し、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力する。出力コンデンサ１４４の電圧は、電圧帰還端子１２５を通して、発光素子１１１のアノードに印加される。発光素子１１１のカソードは、電流検出抵抗５０４に接続される
【００４２】
  出力コンデンサ１４４に昇圧出力が発生し、
発光素子１１１を流れる電流は電流検出抵抗５０４によって検出されて、電圧検出回路５０３により一定電流が流れるように制御される
  電圧検出回路５０３において、誤差アンプ５２６、発振器５２７、及びＰＷＭコンパレータ５２８は、電流検出抵抗５０４の端子間電圧が誤差アンプ５２６の非反転入力端子に入力される第１の基準電圧５２５と等しくなるように、負帰還の動作を行う。このように電流検出抵抗５０４に流れる電流を一定にすることで、発光素子１１１に流れる電流を一定に制御し、発光の明るさを一定に保つことができる。
  電圧検出回路５０３において、第１、第２の分圧抵抗５２１、５２２、第２の基準電圧５２３、及びコンパレータ５２４は、出力コンデンサ１４４の出力電圧（電圧帰還端子１２５の電圧）が規定値を超えないように出力電圧の検出及び制御を行う保護回路である。」
　　　　　　
　上記によれば、引用例には
「発光装置の基板１０２上に実装される発光モジュール１０１であって、
　発光モジュール１０１は、発光素子１１１、ドライバＩＣチップ１１２、ＶＣＣ端子１２１、ＧＮＤ端子１２２、制御端子１２３、スイッチング端子１２４、電圧帰還端子１２５を有し、
　発光素子１１１は、可視発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、ドライバＩＣチップ１１２の内部回路素子と接続されており、
　ドライバＩＣチップ１１２の内部回路素子は、外部接続端子（ＶＣＣ端子１２１、ＧＮＤ端子１２２、制御端子１２３、スイッチング端子１２４、電圧帰還端子１２５）と電気的に接続され、
　ドライバＩＣチップ１１２は、入力電圧を昇圧し、発光素子１１１に所定の電流を流す定電流回路であり、
　スイッチング端子１２４は、ショットキーダイオード１４２のアノード端子とコイル１４１とに接続し、電圧帰還端子１２５は、基板配線１０３によって、ショットキーダイオード１４２のカソード端子と出力コンデンサ１４４とに接続しており、
　スイッチング端子１２４、コイル１４１、ショットキーダイオード１４２、入力コンデンサ１４３、及び出力コンデンサ１４４は、昇圧回路を構成し、外部電源からの入力電圧をコイル１４１とショットキーダイオード１４２を用いて昇圧動作を行い、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力し、出力コンデンサ１４４の電圧は、発光素子１１１に印加され、
　ドライバＩＣチップ１１２は、駆動回路５０２、電圧検出回路５０３、及び電流検出抵抗５０４を有し、
　駆動回路５０２は、ＡＮＤ回路５１１、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ５１２を有し、
  電圧検出回路５０３は、第１の分圧抵抗５２１、第２の分圧抵抗５２２、第２の基準電圧５２３、コンパレータ５２４、第１の基準電圧５２５、誤差アンプ５２６、鋸波発振器５２７、及びＰＷＭコンパレータ５２８を有し、
  駆動回路５０２は、外部電源１４０からの入力電圧をコイル１４１、ショットキーダイオード１４２、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ５１２を用いて昇圧し、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力し、出力コンデンサ１４４の電圧は、電圧帰還端子１２５を通して、発光素子１１１のアノードに印加され、発光素子１１１のカソードは、電流検出抵抗５０４に接続され、発光素子１１１を流れる電流は、電流検出抵抗５０４によって検出されて、電圧検出回路５０３により一定電流が流れるように制御される発光モジュール１０１。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　                                                             
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「発光モジュール１０１」は、本願発明の「発光デバイスパッケージ」に相当する。
（２）引用発明の「発光素子１１１」は、「可視発光ダイオード（ＬＥＤ）であり」、引用発明の「発光モジュール１０１」がこの「発光素子１１１」を有している。
　したがって、引用発明の「発光素子１１１」は、本願発明の「前記パッケージ内の少なくとも１つのＬＥＤ」に相当する。
（３）引用発明の「ドライバＩＣチップ１１２」は、「内部回路素子」を有するものであり、引用発明の「発光モジュール１０１」がこの「ドライバＩＣチップ１１２」を有している。
　したがって、引用発明の「ドライバＩＣチップ１１２」は、本願発明の「前記パッケージに組み込まれる内部素子を備える回路」に相当する。
（４）引用発明において、「スイッチング端子１２４、コイル１４１、ショットキーダイオード１４２、入力コンデンサ１４３、及び出力コンデンサ１４４は、昇圧回路を構成し、外部電源からの入力電圧をコイル１４１とショットキーダイオード１４２を用いて昇圧動作を行い、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力し、出力コンデンサ１４４の電圧は、発光素子１１１に印加され」るところ、これは、スイッチング端子１２４のスイッチングにより、外部電源からの直流を脈動電圧に変換して昇圧動作を行っているものと理解される。そして、具体的には、引用発明の「ドライバＩＣチップ１１２」が有する「駆動回路５０２」が「外部電源１４０からの入力電圧をコイル１４１、ショットキーダイオード１４２、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ５１２を用いて昇圧し、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力し」、「出力コンデンサ１４４の電圧は、電圧帰還端子１２５を通して、発光素子１１１のアノードに印加され」、「発光素子１１１を流れる電流は、電流検出抵抗５０４によって検出されて、電圧検出回路５０３により一定電流が流れるように制御され」ている。
　ここで、引用発明の「駆動回路５０２」、「電圧検出回路５０３」及び「電流検出抵抗５０４」は、「ドライバＩＣチップ１１２」の「内部回路素子」と認められるから、結局、引用発明の「ドライバＩＣチップ１１２」は、本願発明の「前記パッケージに組み込まれる内部素子を備える回路であって、該内部素子が、第１の電圧を有する直流を脈動電圧に変換したのち、変換された該脈動電圧を前記少なくとも１つのＬＥＤに供給される第２の電圧を有する直流に変換する電流変換器の一部を形成する、回路」に相当する。
（５）引用発明の「ドライバＩＣチップ１１２の内部回路素子」は、「外部端子（ＶＣＣ端子１２１、ＧＮＤ端子１２２）」と電気的に接続されており、「ＶＣＣ端子１２１」及び「ＧＮＤ端子１２２」は、引用発明の「外部電源１４０」に電気的に接続するための接続手段の組であるところ、本願発明の「ピン配列の組」も「電気的接続手段の組」と認められるから、本願発明と引用発明は、「前記少なくとも１つのＬＥＤの電源を前記電流変換器に接続するように構成された第１の電気的接続手段の組」を備えるものである点で一致する。
（６）引用発明において「スイッチング端子１２４、コイル１４１、ショットキーダイオード１４２、入力コンデンサ１４３、及び出力コンデンサ１４４は、昇圧回路を構成し、外部電源からの入力電圧をコイル１４１とショットキーダイオード１４２を用いて昇圧動作を行い、出力コンデンサ１４４へ入力電圧より高い電圧を出力し、出力コンデンサ１４４の電圧は、発光素子１１１に印加され」るから、「コイル１４１、ショットキーダイオード１４２、入力コンデンサ１４３、及び出力コンデンサ１４４」は、本願発明でいう「電流変換器」の一部を形成するものであり、また、これらは、「発光モジュール１０１」が有するものではないから、本願発明の「前記電流変換器の一部を形成し、前記パッケージに組み込まれない少なくとも１つの外付け素子」に相当する。
　そして、引用発明の「スイッチング端子１２４」及び「電圧帰還端子１２５」は、それぞれ、「ショットキーダイオード１４２のアノード端子（とコイル１４１）」及び「ショットキーダイオード１４２のカソード端子（と出力コンデンサ１４４）」に接続されるものであるから、「（電流変換器の一部を形成し、前記パッケージに組み込まれない少なくとも１つの外付け素子に接続する）電気的接続手段の組」であるといえ、また、本願発明の「第２のピン配列の組」も「第２の電気的接続手段の組」といえる。
　したがって、本願発明と引用発明は、「前記電流変換器の一部を形成し、前記パッケージに組み込まれない少なくとも１つの外付け素子に接続するように構成された第２の電気的接続手段の組」を備えるものである点で一致する。　
（７）以上のことから、両者は、
「発光デバイスパッケージであって、
　前記パッケージ内の少なくとも１つのＬＥＤと、
　前記パッケージに組み込まれる内部素子を備える回路であって、該内部素子が、第１の電圧を有する直流を脈動電圧に変換したのち、変換された該脈動電圧を前記少なくとも１つのＬＥＤに供給される第２の電圧を有する直流に変換する電流変換器の一部を形成する、回路と、
　前記少なくとも１つのＬＥＤの電源を前記電流変換器に接続するように構成された第１の電気的接続手段の組と、
　前記電流変換器の一部を形成し、前記パッケージに組み込まれない少なくとも１つの外付け素子に接続するように構成された第２の電気的接続手段の組と
　を備える発光デバイスパッケージ。」の点で一致する。
（８）一方、両者は、次の点で相違する。
　上記「電気的接続手段」につき、本願発明では、「ピン配列」とされているのに対し、引用発明では、「端子」とされ、「ピン配列」とはされていない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明において、電気的接続手段（「ＶＣＣ端子１２１」、「ＧＮＤ端子１２２」、「スイッチング端子１２４」及び「電圧帰還端子１２５」）の構造や配置は、当業者が適宜に設定し得る設計的事項である。そして、発光デバイスパッケージにおいて、電気的接続手段を「ピン配列」とすることは、周知の技術である（例えば、原査定において引用された特開平５−１２９６６１号公報（段落００１３〜００１８）の「ピン４０」参照）。したがって、引用発明における電気的接続手段を「ピン配列」として、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願発明によって、当業者が予期し得ない格別顕著な効果が奏されるとは認められない。
　以上のことから、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。