【事件の表示】
　特願２０１３−５３３４３７「半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２０１３年６月６日（特許法第４１条の規定による優先権主張　平成２４年８月１０日）を国際出願日とする出願であって，平成２５年７月２４日に手続補正がされ，同年９月１１日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月１０日に意見書が提出され，同年１２月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２６年３月５日に審判請求がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜２２に係る発明は，平成２５年７月２４日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１〜２２に記載された事項により特定されるものであり，そのうち請求項１２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項１２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
「【請求項１２】
　成長面が非極性面又は半極性面であり，且つ偏光光を発する半導体発光チップと，
　前記偏光光を反射する反射面を有する反射部材とを備え，
　前記偏光光の偏光方向に対して４５°の角度をなす平面をＬ４５平面とした場合に，
　前記反射面は，Ｌ４５平面上の光のうち少なくとも一部を，前記半導体発光チップの成長面の法線方向に反射する反射面であり，
　前記反射部材は複数の反射面を有し，該複数の反射面は，平面視において長方形状に配置されており，
　前記偏光光の偏光方向と前記複数の反射面が形成する形状の長辺とがなす角度をθ２とした場合に，
　角度θ２は，２０°以上且つ７０°以下である，半導体発光装置。」
　
３　刊行物の記載内容
（１）　特開２００９−５５０６６号公報
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００９−５５０６６号公報（以下「引用例１」という。）には，図１，２，１４，１５とともに次の記載がある（下線は当合議体において付加。以下同様。）。
　
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ディスプレイ・光通信やＯＡ機器又は携帯機器の光源に最適な紫外域光から赤色光を発光する発光ダイオードに係わり，特に優れた放熱経路を有し且つ外部からの機械的応力等の耐久性に優れた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　今日，発光装置としてＲＧＢ(赤，緑，青色)がそれぞれ高輝度に発光可能な発光ダイオードに加え紫外線が発光可能な発光ダイオード，白色発光が可能な発光ダイオードやレーザダイオードが開発された。これらの半導体発光素子は高輝度，低消費電力かつ長寿命という優れた特性を有している。そのため，屋外や屋内の各種ディスプレイ，交通や鉄道などの信号機，各種インジケータや標示や液晶装置のバックライトだけでなく，照明自体として利用されはじめている。
【０００３】
　このような発光装置として，図１４および１５に示す表面実装型発光装置が用いられている。図１４および１５の表面実装型発光装置は，フレームインサートタイプと呼ばれ，発光素子が電気的に接続される正負一対のリード電極が，樹脂によって上下方向から挟み込まれるように，射出成形によってリード電極が樹脂パッケージと一体化される。リード電極の端部は外部へ突出しており，後に端部が折り曲げられることによって配線パターン等と接続される。
この樹脂パッケージは開口部が形成され，リード電極上に発光素子が載置されるようにリード電極が露出している。この開口部はテーパー形状を有しており，内壁が傾斜されることで発光素子からの光を効率よく反射させることができる
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−８７７８０号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら，窒化ガリウム系化合物半導体など，両面に電極を形成することが困難である発光素子を用い，フレームインサートタイプの樹脂パッケージに載置する場合，フェイスアップによる実装形態であると同一面に電極を形成し２本のワイヤによって電気的に接続する必要がある。このように，ワイヤを２本形成すると，ワイヤが陰となり光の取りだし効率が悪くなるばかりか，ワイヤの断線等による不良が生じ歩留まりが低くなる。そのため，フェイスダウンによる発光素子の実装が好ましいものとなる。しかしながら，フレームインサートタイプでは，０．１５ｍｍ厚の銅合金属を用いる場合，正負のリード電極の間隔は約０．１５ｍｍとするのが限度であり，正負の電極間が０．１ｍｍ以下である発光素子をフェイスダウンで安定性良く載置可能な距離とすることは難しい。また，リード電極は樹脂パッケージとの密着性は，必ずしも良好なものとは言えず，発光素子とリード電極との接合時に与えられる熱，加重および超音波による影響を受け，対向する双方のリード電極がそれぞれ微振動してしまうことで充分に合金化することができない。そこで，本発明は，フリップチップ方式による発光素子を用いて，安定性がよく，極めて信頼性に富んだ表面実装型発光装置を提供することを目的とする。」
　
（イ）「【課題を解決するための手段】
【０００６】
　本発明の請求項１に関わる
半導体発光装置は，凹部を有し，その凹部の底面に正負一対のリード電極が露出するようインサート成形されてなるパッケージと，前記リード電極上にフェイスダウン実装されてなる発光素子とを有する発光装置であって，リード電極と発光素子との間に，該発光素子を実装可能なサブマウントを有し，サブマウントは少なくとも表面に導電性部材を有し，導電性部材は，発光素子およびリード電極と導電性接合部材によって電気的に接続されてなる
このような構成からなると，フェイスダウンによる実装で，発光素子とリード電極とを安定性良く電気的に接続することができるため，信頼性に富んだ表面実装型発光装置とすることができる。
【０００７】
　・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００１６】
　本発明は，リード電極間に対し，載置するのに十分な長さを有するサブマウントを用いることによって，発光素子をフェイスダウン実装により安定性良く電気的に接続することができるため，信頼性に富んだ表面実装型発光装置とすることができる。」
　
（ウ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
　　以下，図面を参照して，本発明に関わる実施の形態について説明する。
【００１８】
　図１および２に本発明の実施の形態に関わる発光装置を示す。
　リード電極が一体成形されたパッケージの内部に，リード電極の正負の両電極間を跨るようにサブマウントが配置されている。サブマウントの上面および下面には，導電性部材が形成されいる。サブマウント下面の導電性部材は，リード電極と導通された状態となっている。また，サブマウント上面の導電性部材は，発光素子が電極形成面側を対向させて載置され電気的に接続可能となるように，離間して形成されている。
【００１９】
　このような構成とすることで，発光素子をフェイスダウンで安定性良く載置することが可能となる。発光素子からの光は，基板側から外部へ出射されることで，外部への光のとりだし効率が良くなり，また，導通させるためのワイヤーを必要としないことから，断線等による不良を出さず，歩留まりを上げることもできる。さらに，サブマウントは比較的硬質な絶縁性基板などに薄い金属薄膜からなる導電性部材が形成されているため，発光素子の電極と導電性部材とを接合させる際に起こる微振動の影響を受けることなく合金化することができる。そのため，発光素子の剥離やずれ等を防ぐことができるため，極めて信頼性の良好な発光装置を提供することが可能となる。」
　
（エ）「【００２３】
（発光素子）
　
本発明において，発光素子　は特に限定されない
蛍光物質を効率よく励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体（Ｉｎ
Ｘ
Ａｌ
Ｙ
Ｇａ
１−Ｘ−Ｙ
Ｎ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）が好適に挙げられる
　
（オ）「【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の発光装置を示す模式的斜視図
【図２】本発明の発光装置を示す模式的平面図
　・・・（中略）・・・
【図１４】本発明と比較のために示す発光装置を示す模式的平面図
【図１５】図１４のＡ−Ａを示す模式的断面図
【符号の説明】
【００６０】
１．
発光素子
２．サブマウント
３．導電性部材
４．リード電極
５．第１の接合部材
６．第２の接合部材
７．パッケージ
８．ワイヤ
９．貫通孔
１０．透光性部材
１１．光反射部材を含む封止部材」
　
（カ）図１，図２，図１４，図１５はそれぞれ次のものである。
　
イ（ア）ここで，上記ア（ア）（特に段落【０００３】）及び同（イ）の記載，並びに図１４及び図１５を踏まえて，図１及び図２に示された発光装置を見ると，図１４及び図１５に示されている発光装置と同様に，パッケージが有する凹部には開口部が形成され，この開口部はテーパー形状を有して内壁が傾斜されていることが見て取れ，テーパー形状を有する内壁により発光素子からの光を効率よく反射させられることが理解できる。また，図２から，パッケージの開口部は，上面視で概略長方形となっていることも見て取れる。
（イ）また，上記ア（オ）の記載とともに図１及び図２に示された発光装置を見ると，発光素子１の端縁は上面視で概略正方形状であり，当該正方形状の各辺は，前記パッケージの開口部の上面視形状である概略長方形の各辺とは上面視でおおむね４５°傾斜するような位置関係となっていることが見て取れる。
（ウ）また，上記ア（エ）の記載によれば，図１及び２に示された発光装置における発光素子として，窒化物（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）半導体発光素子が好適であるものと認められる。
　
ウ　以上によれば，引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「開口部が形成された凹部を有し，その凹部の底面に正負一対のリード電極が露出するようインサート成形されてなるパッケージと，前記リード電極上にフェイスダウン実装されてなる発光素子とを有する発光装置であって，
　リード電極と発光素子との間に，該発光素子を実装可能なサブマウントを有し，サブマウントは少なくとも表面に導電性部材を有し，
　導電性部材は，発光素子およびリード電極と導電性接合部材によって電気的に接続されてなり，
　前記発光素子は窒化物（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）半導体発光素子であり，
　前記開口部は上面視で概略長方形であり，
　前記発光素子の端縁は上面視で概略正方形状であり，当該正方形状の各辺は，前記長方形の各辺とは上面視でおおむね４５°傾斜するような位置関係となっており，
　前記開口部におけるテーパー形状を有する内壁により発光素子からの光を効率よく反射させられる，
半導体発光装置。」
　
（２）国際公開第２０１２／２０５５９号
ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である国際公開第２０１２／２０５５９号（以下「引用例２」という。）には，図１〜４，１８とともに次の記載がある。
（ア）「【０００１】
　本発明は，偏光特性を有する窒化物半導体発光素子を備える半導体発光デバイスに関する。
【背景技術】
　【０００２】
　Ｖ族元素として窒素（Ｎ）を含む窒化物半導体は，そのバンドギャップの大きさから，短波長発光素子の材料として有望視されている。そのなかでも，窒化ガリウム系化合物半導体の研究が盛んに行われており，窒化ガリウム系化合物半導体を用いた青色発光ダイオード（ＬＥＤ），緑色ＬＥＤ，および青色半導体レーザも実用化されている。
　【０００３】
　以下，窒化ガリウム系化合物半導体を窒化物半導体と呼ぶ。窒化物半導体には，ガリウム（Ｇａ）の一部または全部を，アルミニウム（Ａｌ）およびインジウム（Ｉｎ）の少なくとも一方で置換した化合物半導体が含まれる。このため，
窒化物半導体は，組成式Ａｌ
x
Ｇａ
y
Ｉｎ
z
Ｎ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される
　【０００４】
　・・・（中略）・・・
　【０００７】
　従来，窒化物半導体を用いて半導体素子を作製する場合，窒化物半導体結晶を成長させる基板として，ｃ面基板すなわち（０００１）面を主面に有する基板が使用される。この場合，Ｇａ原子およびＮ原子の配置に起因して，窒化物半導体にはｃ軸方向に自発的な分極（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）が形成される。このため，「ｃ面」は「極性面」とも呼ばれている。分極の結果，窒化物半導体発光素子の活性層におけるＩｎＧａＮの量子井戸には，ｃ軸方向に沿ってピエゾ電界が発生する。この電界により，活性層内における電子およびホールの分布に位置ずれが生じるため，キャリアの量子閉じ込めシュタルク効果により，活性層の内部量子効率が低下する。
　【０００８】
　そこで，
非極性面と呼ばれるｍ面やａ面，あるいは半極性面と呼ばれる−ｒ面や（１１−２２）面を表面に有する基板を使用して，発光素子を製造することが検討されている
　【０００９】
　
ｍ面においては，図２（ｂ）に示されるように，Ｇａ原子およびＮ原子は同一原子面上に存在するため，ｍ面に垂直な方向に分極は発生しない。そのため，ｍ面上に形成した半導体積層構造を用いて発光素子を作製すれば，活性層にピエゾ電界が発生せず，キャリアの量子閉じ込めシュタルク効果による内部量子効率の低下という課題を解決することができる
　【００１０】
　さらに，
ｍ面やａ面，あるいは−ｒ面や（１１−２２）面に形成された活性層を有する窒化物半導体発光素子は，その価電子帯の構造に由来した偏光特性を有している（特許文献１参照）。例えばｍ面上に形成された窒化物半導体活性層は，ａ軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する
　【００１１】
　一方で，発光素子が偏光特性を持つ場合，偏光方向と垂直な方向に対して発光強度が大きくなるような配光分布を有することが理論的に予測される。すなわち，発光素子の放射パターン（配光分布）が不均一になるという課題が発生する。そのため，特許文献２では，窒化物半導体発光素子の面内方位角の違いによる強度の差が低減されるように構成された発光ダイオード装置が提案されている。特許文献２の第５実施形態では，パッケージの光の出射面を，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内方位角の違いによる強度の差を低減するように，発光強度の小さい方位角の方へ光の向きを変えるようにパッケージの光の出射面を構成している。」
　
（イ）「【００１７】
　特許文献１では，窒化物半導体発光素子の偏光特性を維持することを目的としている。しかしながら，偏光特性を有する発光素子を光源とする場合，偏光の向き，すなわちＬＥＤの設置方向によって物体表面での反射量が異なるため，物体の見え方が変わるという課題が発生する。これは，Ｐ偏光光とＳ偏光光によって反射率が異なる（Ｓ偏光のほうが反射率が高い）ためである。ここでＰ偏光光とは，入射面に対して平行な電界成分を有する光である。また，Ｓ偏光光とは，入射面に対して垂直な電界成分を有する光である。従って，偏光特性をそのまま利用するアプリケーションにおいては，偏光度の向上が重要であるが，一般的な照明用途では，偏光特性が邪魔になるという課題がある。
　【００１８】
　特許文献２では，偏光方向と垂直な方向に対して発光強度が大きくなるという課題を改善する構造であるが，配光分布の改善を目的としているため，パッケージから出射する光の偏光度に関しては考慮されていない。
　【００１９】
　従って，
本発明の主な目的は，偏光度の低減が実現された窒化物半導体発光デバイスを提供することである
　
（ウ）「【課題を解決するための手段】
　【００２０】
　
本発明の窒化物半導体発光デバイスは，活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子と，前記窒化物半導体発光素子を覆い，前記活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部とを備え，前記窒化物半導体発光素子の前記偏光方向は，前記透光性封止部の前記対称面に対して０度と９０度を含まない角度だけ傾いている
　
（エ）「【００５８】
　（実施形態１）
　図３および図４を参照しながら，本発明による窒化物半導体発光デバイスの第１の実施形態を説明する。
　【００５９】
　まず，図３（ａ）から（ｃ）を参照する。図３（ａ）は，本発明の実施形態における窒化物半導体発光デバイスを模式的に示した上面図である。図３（ｂ）は，図３（ａ）のＸ−Ｘ’線断面図，図３（ｃ）は，図３（ａ）のＹ−Ｙ’線断面図である。
　【００６０】
　本実施形態の窒化物半導体発光デバイスは，活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を活性層から放射する面発光型の窒化物半導体発光素子３００と，窒化物半導体発光素子３００を覆い，活性層に垂直な対称面を有する透光性封止部３２０とを備えている。そして，窒化物半導体発光素子３００の偏光方向は，透光性封止部３２０の対称面に対して０度と９０度を含まない角度だけ傾いている。
　【００６１】
　以下，本実施形態をより詳細に説明する。
　【００６２】
　
窒化物半導体発光素子３００は，実装基板３０１上の配線３０２にバンプ３０３を介して電気的に接続されている
　・・・（中略）・・・
　【００６３】
　本実施形態の窒化物半導体発光素子３００は，偏光特性を有する構成を備えていれば，その具体的な構造は特に限定されない。窒化物半導体発光素子３００は，例えば，少なくとも表面にｍ面ＧａＮ層を有する基板３０４と，ｍ面ＧａＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層３０５と，
窒化物半導体活性層３０６
　・・・（中略）・・・
　【００６６】
　活性層の面方位は，ｍ面に限定されず，非極性面や半極性面であればよい。非極性面の例はａ面であり，半極性面の例は，−ｒ面や（１１−２２）面である。
　【００６７】
　前述したように，ｍ面上に形成された窒化物半導体活性層は，ａ軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する。また，ａ面上に形成された窒化物半導体活性層は，ｍ軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する。半極性面である（１１−２２）面上に形成された窒化物半導体活性層は，窒化物半導体活性層のＩｎの組成が小さい場合にはｍ軸に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射し，窒化物半導体活性層のＩｎの組成が大きい場合には〔−１−１２３〕方向に平行な方向に電界強度が偏った光を主として出射する。このような半極性面上の窒化物半導体活性層３０６の偏光特性は，価電子帯の上部２つのバンド（ＡバンドおよびＢバンド）の振る舞いによって決まり，窒化物半導体活性層３０６に印加される歪量や，量子閉じ込め効果によって左右される場合がある。」
　
（オ）「【０１５０】
　（実施形態８）
　次に，図１８を参照しながら，本発明による窒化物系半導体発光デバイスの第８の実施形態を説明する。
　【０１５１】
　図１８は，本実施形態における窒化物半導体発光デバイスを模式的に示したもので，図１８（ａ）は上面図，図１８（ｂ）はＸ−Ｘ’での断面図，図１８（ｃ）はＹ−Ｙ’での断面図である。
　【０１５２】
　実施形態１と異なる点は，
実装基板３０１に凹部分が形成されている
　【０１５３】
　実装基板３０１は，ベース３０１ａと，ベース３０１ａ上に設けられた反射板３０１ｂとを有している。
反射板３０１ｂは，中央に窒化物半導体発光素子３００を収容する大きさの凹部（キャビティ）を有している
　【０１５４】
　本実施形態では，
実装基板３０１に凹部を設けることで，配光分布特性の制御が可能となる
　
（カ）「【０１７９】
　（実施例１）
　
ｍ面ｎ型ＧａＮ基板上に，厚さ２μｍのｎ型ＧａＮ層からなるｎ型窒化物半導体層，厚さ１５ｎｍのＩｎＧａＮ量子井戸層と厚さ３０ｎｍのＧａＮ障壁層からなる３周期の量子井戸構造を有する窒化物半導体活性層，厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＮ層からなるｐ型窒化物半導体層からなる窒化物系半導体発光素子
窒化物系半導体発光素子は，ｃ軸方向［０００１］とａ軸方向［１１−２０］にダイシングし，８００μｍ角の小片に分割した
　
（キ）図３及び図１８はそれぞれ次のものである。
　
イ　ここで，上記ア（オ）に記載された「実施形態８」においても，上記ア（エ）に記載された「実施形態１」と同様に，窒化物半導体発光素子３００が，実装基板３０１上の配線３０２にバンプ３０３を介して電気的に接続されていることは明らかである。この際，窒化物半導体発光素子３００の窒化物半導体活性層３０６は実装基板表面に略並行とされることも明らかである。
　また，上記ア（オ）の記載とともに図１８を参照すると，実装基板３０１に設けられた凹部は，上面視で円形となっていることが見て取れる。
　さらに，上記「実施例１」についての上記ア（カ）の記載も参照して図１８を参照すると，窒化物半導体発光素子３００は，ｍ面に形成された活性層を備え，ｃ軸方向［０００１］とａ軸方向［１１−２０］にダイシングし，８００μｍ角の小片に分割されたものということができ，これにより，
窒化物半導体発光素子３００は上面視正方形のものとなり，当該正方形はｃ軸方向［０００１］とａ軸方向［１１−２０］の辺を備えるところ，前記段落【００１０】に示されるとおり，放射される偏光光の偏光方向はａ軸に平行な方向であるから，前記ａ軸方向［１１−２０］の辺に平行となる
　
４　対比
　引用発明を本願発明と対比する。
　
（１）引用発明の「窒化物（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）半導体発光素子」であって，その「端縁は上面視で概略正方形状であ」るものと，本願発明の「成長面が非極性面又は半極性面であり，且つ偏光光を発する半導体発光チップ」とは，「光を発する半導体発光チップ」である点で一致する。
　
（２）引用発明においては「開口部におけるテーパー形状を有する内壁により発光素子からの光を効率よく反射させられる」。一方，本願発明の「前記偏光光を反射する反射面を有する反射部材」における「前記偏光光」とは「半導体発光チップ」が発する光であることは明らかである。それゆえ，引用発明の「発光素子からの光を効率よく反射させられる」「開口部におけるテーパー形状を有する内壁」と，本願発明の「前記偏光光を反射する反射面を有する反射部材」とは，「半導体発光チップが発する光を反射する反射面を有する反射部材」である点で一致する。
　
（３）引用発明においては「前記開口部におけるテーパー形状を有する内壁により発光素子からの光を効率よく反射させられる」ところ，「前記開口部は上面視で概略長方形で」あるから，当該凹部が「上面視で概略長方形」となるように「発光素子からの光を効率よく反射させられる」「テーパー形状を有する内壁」，すなわち反射面が複数配置されていることは明らかである。そうすると，引用発明の「前記開口部におけるテーパー形状を有する内壁」について，「前記開口部は上面視で概略長方形で」あることは，本願発明の「前記反射部材は複数の反射面を有し，該複数の反射面は，平面視において長方形状に配置されて」いることに相当する。
　
（４）引用発明の「半導体発光装置」は，本願発明の「半導体発光装置」に相当する。
　
　したがって，引用発明と本願発明とは以下の点で一致する。
「光を発する半導体発光チップと，
　半導体発光チップが発する光を反射する反射面を有する反射部材とを備え，
　前記反射部材は複数の反射面を有し，該複数の反射面は，平面視において長方形状に配置されている，
　半導体発光装置。」
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願発明は「成長面が非極性面又は半極性面であり，且つ偏光光を発する半導体発光チップと，前記偏光光を反射する反射面を有する反射部材とを備え」るのに対して，引用発明は「光を発する半導体発光チップと，半導体発光チップが発する光を反射する反射面を有する反射部材とを備え」るものの，「半導体発光チップ」が「成長面が非極性面又は半極性面であり，且つ偏光光を発する」ものであり，また「反射部材」が「前記偏光光を反射する」ことまでは特定されていない点。
　
《相違点２》
　本願発明は「前記偏光光の偏光方向に対して４５°の角度をなす平面をＬ４５平面とした場合に，前記反射面は，Ｌ４５平面上の光のうち少なくとも一部を，前記半導体発光チップの成長面の法線方向に反射する反射面であ」る構成を備えるのに対して，引用発明は「開口部におけるテーパー形状を有する内壁により発光素子からの光を効率よく反射させられる」構成を備えるものの，本願発明の上記構成までは備えない点。
　
《相違点３》
　本願発明は「前記偏光光の偏光方向と前記複数の反射面が形成する形状の長辺とがなす角度をθ２とした場合に，角度θ２は，２０°以上且つ７０°以下である」構成を備えるのに対して，引用発明においては「発光素子の端縁は上面視で概略正方形状であり，当該正方形状の各辺は，前記長方形の各辺とは上面視でおおむね４５°傾斜するような位置関係となって」いるものの，本願発明の上記構成までは備えない点。
　
５　判断
（１）相違点１について
ア　組成式ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される窒化物半導体からなり，非極性面と呼ばれるｍ面やａ面，あるいは半極性面と呼ばれる−ｒ面や（１１−２２）面に形成された活性層から，当該活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光を前記活性層から放射する窒化物半導体発光素子を用いることにより，キャリアの量子閉じ込めシュタルク効果による内部量子効率の低下という課題を解決することができることは，前記３（２）において摘示したとおり，引用例２の段落【０００９】及び【００２０】，並びに実施例として段落【０１７９】に記載されているほか，以下の周知例１にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
周知例１：　特開２００８−１０９０９８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−１０９０９８号公報（以下「周知例１」という。）には，図１〜
とともに次の記載がある。
・「【０００２】
　従来，発光ダイオードチップを備えた発光ダイオード装置において，窒化ガリウムＣ面（０００１）基板上に作製したＧａＩｎＮ量子井戸には，量子井戸面と垂直な方向に大きなピエゾ電場が生じることが知られている。このように，
ＧａＩｎＮ量子井戸にピエゾ電場が存在する場合，無電場時と比較してエネルギー準位が低エネルギー側にシフトする量子閉じこめシュタルク効果が起こったり，電子と正孔とが引き離されるために発光確率が低下して，発光効率が低下するなどの不都合があった
【０００３】
　
この不都合を解消するために，窒化ガリウムにおいてピエゾ効果を低減させた素子構造として，Ｃ面（０００１）ではなく，Ａ面｛１１−２０｝，Ｍ面｛１−１００｝または（２−１−１４）面で量子井戸を形成する発光ダイオードチップや，（１０−１−３）面を主面とする発光ダイオードチップが提案されている
上記Ａ面｛１１−２０｝，Ｍ面｛１−１００｝または（２−１−１４）面で量子井戸を形成する発光ダイオードチップや，（１０−１−３）面を主面とする発光ダイオードチップでは，量子井戸をＣ面以外の面に形成することによって，ピエゾ効果を低減することが可能である
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８７巻，２３１１１０（２００５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら，上記Ｃ面以外の量子井戸では，発光層（量子井戸）の主面の面内方向において，発光層の振動子強度が大きい異方性を有していることが報告されている。具体的には，Ｃ面を主面とするＧａＩｎＮ量子井戸は，ｃ軸が６回回転対称軸をなすため，＜１１−２０＞偏光と＜１−１００＞偏光との振動子強度は等しく，量子井戸面内の直線偏光に対する振動子強度の異方性はない。一方，
Ｃ面以外を主面とするＧａＩｎＮ量子井戸は，回転対称性がないので，一般的に，量子井戸面内の直線偏光に対する振動子強度は異方性を有する。すなわち，直線偏光に対する振動子強度は，量子井戸面内の直線偏光の方向に依存して複数の異なる大きさを有する。このため，Ｃ面以外の量子井戸では，井戸層の法線方向で量子井戸から出射する光を観測した場合，その光は直線偏光している
　なお，上記記載において「Ｍ面｛１−１００｝」がｍ面（１−１００）を指すことは明らかである。
　
イ　そして，前記３（１）において摘示したとおり，引用例１の段落【００２３】には「本発明において，発光素子　は特に限定されない」と記載されているから，引用発明における窒化物（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）半導体発光素子についても，任意のものを用いうるといえる。
　一方，一般に半導体発光装置において，できるだけ発光効率を高いものとすることは，従来より周知の技術課題といえるものであるから，引用発明に係る半導体発光装置において，より高い発光効率を得るために，前述の，非極性面と呼ばれるｍ面やａ面，あるいは半極性面と呼ばれる−ｒ面や（１１−２２）面のうち，引用例２に実施例として採用されているｍ面に形成された活性層を備える窒化物半導体発光素子を選択することは当業者が適宜になし得たことである。この際，活性層の製造時における成長面がｍ面となるのは当然のことである。
　また，前述のとおり，非極性面と呼ばれるｍ面に形成された活性層を備える窒化物半導体発光素子からは，前記活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した光が発せられるから，当該窒化物半導体発光素子を選択することに伴い，引用発明が備える「開口部の凹部におけるテーパー形状を有する内壁」は「発光素子からの」偏光「光を効率よく反射」ことになり，相違点１に係る「前記偏光光を反射する反射面を有する反射部材」に相当する構成となることは明らかである。
　よって，引用発明において，相違点１に係る本願発明の構成とすることは，当業者が適宜になし得た程度のことである。
　
（２）相違点２について
　上記（１）において検討したとおり，引用発明に係る半導体発光装置において，非極性面と呼ばれるｍ面に形成された活性層を備える窒化物半導体発光素子を選択することは当業者が適宜になし得たことである。ここで，引用例２の段落【０００９】及び【００２０】に記載されているとおり，当該窒化物半導体発光素子からは，当該活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光が前記活性層から放射されるものである。さらに，引用例２の図１８にも示されているように，半導体発光素子の活性層を実装される基板に対して略並行とすることも普通になされることである。
　そうすると，引用発明においては，「上面視で概略長方形であ」って発光素子を四方から取り囲む「開口部におけるテーパー形状を有する内壁により発光素子からの光を効率よく反射させられる」から，活性層が実装される基板に対して略並行とされた「発光素子」から発せられた，活性層に平行な面内に含まれる偏光方向に偏光した偏光光の少なくとも一部は，前記偏光方向に対して４５°の角度をなす平面上の光を含め，前記偏光方向に対してどのような角度をなす平面上の光であっても「効率よく反射させられる」ことは明らかである。また，前記３（２）において摘示した引用例２の段落【０１５４】に記載されているように，半導体発光装置において凹部を設けることで配光分布特性を制御することは周知の技術であるから，この際，発光素子の成長面の法線方向に光を集中させるようにすることは，当業者が適宜に設定できた設計事項といえるものである。
　よって，引用発明において，相違点２に係る本願発明の構成とすることは，当業者が適宜になし得た程度のことである。
　
（３）相違点３について
ア　上記（１）において検討したとおり，引用発明に係る半導体発光装置において，ｍ面に形成された活性層を備える窒化物半導体発光素子を選択することは当業者が適宜になし得たことであるところ，前記３（２）イにおいて引用例２の記載事項について検討したとおり，引用例２の段落【０１７９】には，窒化物半導体窒化物半導体発光素子３００として，ｍ面に形成された活性層を備え，ｃ軸方向［０００１］とａ軸方向［１１−２０］にダイシングし，８００μｍ角の小片に分割され，これにより，窒化物半導体発光素子３００は上面視正方形のものとなり，当該正方形はｃ軸方向［０００１］とａ軸方向［１１−２０］の辺を備え，放射される偏光光の偏光方向はａ軸方向［１１−２０］の辺に平行となることが示されている。
　一方，引用発明においては「前記発光素子の端縁は上面視で概略正方形状であり，当該正方形状の各辺は，前記長方形の各辺とは上面視でおおむね４５°傾斜するような位置関係となって」いるところ，「前記長方形の各辺」は反射面となる「開口部におけるテーパー形状を有する内壁」の辺でもあり，当該辺と前記発光素子の端縁とが，上面視でおおむね４５°，すなわち２０°以上且つ７０°以下の角度で傾斜するような位置関係となることは明らかである。
　そうすると，引用発明に係る，上面視で概略正方形状の半導体発光素子として，上記引用例２に記載された，ｍ面に形成された活性層を備える窒化物半導体発光素子を採用することで，放射される偏光光の偏光方向がａ軸方向［１１−２０］の辺に平行となり，相違点３に係る，「前記偏光光の偏光方向と前記複数の反射面が形成する形状の長辺とがなす角度をθ２とした場合に，角度θ２は，２０°以上且つ７０°以下である」構成を備えるようになることは明らかである。
　
イ　ところで，本願明細書の「第３の実施の形態」及び「第７実施例」に関する記載によれば，本願発明は「角度θ２は，２０°以上且つ７０°以下とすることにより，規格化偏光度を２分の１以下に低減することができ」（本願明細書の段落【０１３９】及び【０２１４】）るという効果がある旨が記載されている。
　しかしながら，上述のとおり，引用発明において上記相違点１〜３に係る本願発明の構成とすることは，当業者が適宜になし得た程度のことであり，本願発明に係る構成は，当業者が容易に発明をすることができたものといえる。そして，本願の図４５をみても，角度θ２を２０°以上且つ７０°以下とすることにより，規格化偏光度が顕著に低減されるというほどのものではなく，角度θ２に対してゆるやかに変化する規格化偏光度が１／２となる範囲を単に設定したという程度のものである。それゆえ，上記本願明細書に記載された事項は，当業者が容易に構成することができたものについて，規格化偏光度の変化を明らかとしたにとどまるというべきものである。
　
ウ　本願明細書に記載された本願発明の効果については，以下の点から見ても格別顕著な効果とはいえない。
　請求人は，請求の理由において，「本発明および文献１（特に図１８）の間の相違点は，反射部材が正方形か円形かという点です。」（審判請求書の【本願発明が特許されるべき理由】「ロ　引用例の説明および本発明との対比説明」欄）と記載され，更に「具体的には，「偏光度を低減する」という点では本発明と文献１とは共通するものの，本発明では偏光度を著しく低減させることができます。」（同欄；ここで，「文献１」は本審決における引用例２である。）とも記載されている。なお，審判請求書の同欄においては，「反射部材が正方形」としていることから，本願特許請求の範囲の請求項１に記載された発明が「本発明」であると解されるが，反射部材が長方形の場合についても，同欄の別の箇所において，「反射部材が長方形の場合も，本願明細書の段落０１４０において説明されているように，正方形の場合と同様に偏光度はさらに低下します」及び「従って，本発明は，正方形または長方形の頂点付近での偏光の挙動によって偏光度をさらに低減させるという効果を有しており，これを文献１から導出することは明らかに困難です。」として，反射部材が正方形のものと長方形のものを同様のものと取り扱っている。それゆえ，請求の理由における前記請求人の主張は，反射部材が長方形のものについても，引用例２（特に図１８）に記載されたものとの間の相違点が，反射部材が長方形か円形かという点であるとするものと解される。
　そこで，本願発明と引用例２（特に図１８）に記載されたものをそれらの効果について比較するに，引用例２には，反射板単独による効果は「配光分布特性の制御が可能となる」（引用例２の段落【０１５４】）としか記載されておらず，具体的数値による評価ができないので，以下においては，本願明細書の図４に示され，本願発明とは反射部材の形状のみが異なる，円形の反射板を備えたものとを比較する。
　ここで，本願の図４，図２４及び図４２は以下のものである。
【図４】
【図２４】
【図４２】
　
　本願の図４に示されたものについては，その偏光度及び光強度の分布については，本願の図２４に示されており，一方，本願発明に係る長方形の反射板を備えるものの偏光度及び光強度の分布については，本願の図４２に角度θ２が４５°の場合が示され，ここで「角度θ２が４５°の場合に，光の偏光度が最も小さくなる」（本願明細書の段落【０２１３】）ものである。上記図２４及び図４２に示された特性を比較すると，確かに図４２（ａ）に示された特性はχ＝０°付近の偏光度は０．１５程度であり，円形の反射板について図２４（ａ）に示された，χ＝０°付近の偏光度が０．２５程度であることに比べて一定の低減がなされているとはいえる。
　しかしながら，本願明細書の【発明が解決しようとする課題】欄には，「本発明は，上記に鑑みてなされ，その目的は，光の偏光度を低減しながら，配光分布特性をより適切に制御することにある。」と記載されているから，当該課題の解決には，単に偏光度だけを低減すれば足りるというものではなく，配光分布特性についてもより適切に制御するべきものである。そこで配光分布特性について両者を比較すると，円形の反射板の特性である図２４（ｂ）では，χ＝０°において０．１６W/Sr程度が得られているのに対して，本願発明に係る長方形の反射板の特性である図４２（ｂ）では，その半分の０．０８W/Srをも下回る程度であり，また，配光角についても，円形の反射板については４０°前後の値が得られるのに対して，長方形の反射板は少なくとも６０°程度まで拡がった配光しか得られないものであり，さらに，Ｌ４５平面については他の平面と比べて配光特性が異なるものであるから，配光分布特性については，本願発明に係る長方形の反射板のものよりも，円形の反射板のものの方が適切に制御されているというべきである。すなわち，長方形の反射板（θ２が２０°以上７０°以下の範囲内である，θ２＝４５°）のものは，円形の反射板のものに比べると，偏光度については一定の低減がされているが，その一方で，配光特性については劣っているといわざるを得ず，両特性を併せて見ると，前記長方形の反射板（θ２が２０°以上７０°以下の範囲内である，θ２＝４５°）のものが円形の反射板のものに比べて必ずしも優れているとはいえない。
　以上から，前記「光の偏光度を低減しながら，配光分布特性をより適切に制御することにある」という目的に照らすと，本願発明に係る長方形の反射板のものは，２０°以上７０°以下の範囲内のθ２に対応した特性が得られるにとどまるものであって，格別顕著な効果を奏するものとは認められない。
　
エ　よって，引用発明において，相違点３に係る本願発明の構成とすることは，当業者が適宜になし得た程度のことであり，相違点３に係る構成を備えることにより格別顕著な効果が奏されるともいえない。
　
６　むすび
　以上の検討によれば，本願発明は，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。