【事件の表示】
　特願２００９−１７５０７６「プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月１０日出願公開、特開２０１１−　２９４７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年７月２８日を出願日とする出願であって、平成２４年７月２５日に手続補正がなされ、平成２６年１月２０日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月１３日に手続補正がなされるとともに、同日に意見書が提出され、同年８月５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
２．補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２６年１１月７日になされた手続補正を却下する。
〔理由〕
（１）　補正の内容
　平成２６年１１月７日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】
　大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
　内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、
　マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、
　前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
　前記放電管と前記処理容器とを連通させる輸送管と、
　前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、
　前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記放電管の温度を制御する第１の制御部と、を備え、
　前記第１の温度検出部は、前記放電管の温度を前記被処理物の生産過程において検出し、
　前記第１の制御部は、前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記放電管の温度を制御する必要性を判定し、前記放電管の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記放電管の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記ガス供給部は、前記プラズマ処理を行う場合にはプロセスガスを供給し、クリーニング処理を行う場合にはクリーニングガスを供給し、
　前記第１の制御部は、前記放電管の温度の制御を前記クリーニング処理中に実行することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
　前記プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
　前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
　前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部と、
　前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部と、
　を備え、
　前記第２の温度検出部は、前記部材の温度を前記被処理物の生産過程において検出し、
　前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材は、前記電磁エネルギーを透過させる透過窓であり、
　前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部により検出された温度が前記透過窓の内壁面温度または前記透過窓における平均温度となるように補正することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　前記ガス供給部は、前記プラズマ処理を行う場合にはプロセスガスを供給し、クリーニング処理を行う場合にはクリーニングガスを供給し、
　前記第２の制御部は、前記部材の温度の制御を前記クリーニング処理中に実行することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　大気圧よりも減圧された雰囲気においてプラズマを発生させ、前記プラズマに向けて供給されたプロセスガスを励起させてプラズマ生成物を生成し、前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
　プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度に基づいてプラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第１の処理工程と、
　前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行う第２の処理工程と、
　を備え、
　前記第１の処理工程において、前記部材の温度は前記被処理物の生産過程において検出されるものであり、検出された温度に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理方法。」
（補正後）
「【請求項１】
　大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
　内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、
　マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、
　前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
　前記放電管と前記処理容器とを連通させる輸送管と、
　前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、
　前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記放電管の温度を制御する第１の制御部と、を備え、
　前記第１の温度検出部は、プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記放電管の温度を検出し、
　前記第１の制御部は、前記第１の温度検出部からの検出信号に基づいて前記放電管の温度を制御する必要性を判定し、前記放電管の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記放電管の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　前記ガス供給部は、前記プラズマ処理を行う場合にはプロセスガスを供給し、クリーニング処理を行う場合にはクリーニングガスを供給し、
　前記第１の制御部は、前記放電管の温度の制御を前記クリーニング処理中に実行することを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
　前記プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
　前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
　前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部と、
　前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部と、
　を備え、
　前記第２の温度検出部は、プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記部材の温度を検出し、
　前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材は、前記電磁エネルギーを透過させる透過窓であり、
　前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部により検出された温度が前記透過窓の内壁面温度または前記透過窓における平均温度となるように補正することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　前記ガス供給部は、前記プラズマ処理を行う場合にはプロセスガスを供給し、クリーニング処理を行う場合にはクリーニングガスを供給し、
　前記第２の制御部は、前記部材の温度の制御を前記クリーニング処理中に実行することを特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　大気圧よりも減圧された雰囲気においてプラズマを発生させ、前記プラズマに向けて供給されたプロセスガスを励起させてプラズマ生成物を生成し、前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
　プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度に基づいてプラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第１の処理工程と、
　前記プラズマ生成物を用いて被処理物に対するプラズマ処理を行う第２の処理工程と、
　を備え、
　前記第１の処理工程において、前記部材の温度は、プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において検出されるものであり、検出された温度に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理方法。」
（２）　補正事項の整理
（補正事項ａ）　補正前の請求項１の「前記第１の温度検出部は、前記放電管の温度を前記被処理物の生産過程において検出し」を、補正後の請求項１の「前記第１の温度検出部は、プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記放電管の温度を検出し」と補正すること。
（補正事項ｂ）　補正前の請求項３の「前記第２の温度検出部は、前記部材の温度を前記被処理物の生産過程において検出し」を、補正後の請求項３の「前記第２の温度検出部は、プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記部材の温度を検出し」と補正すること。
（補正事項ｃ）　補正前の請求項６の「前記第１の処理工程において、前記部材の温度は前記被処理物の生産過程において検出されるものであり」を、補正後の請求項６の「前記第１の処理工程において、前記部材の温度は、プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において検出されるものであり」と補正すること。
（３）　新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）　補正事項ａについて
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００４３の記載から、補正事項ａは本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので、補正事項ａは、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして、補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記放電管の温度を前記被処理物の生産過程において検出」するものである「第１の温度検出部」について、「プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記放電管の温度を検出」するものであると限定的に減縮するから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
（３−２）　補正事項ｂについて
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００６９、００９５の記載から、補正事項ｂは本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので、補正事項ｂは、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして、補正事項ｂは、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「前記部材の温度を前記被処理物の生産過程において検出」するものである「第２の温度検出部」について、「プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記部材の温度を検出」するものであると限定的に減縮するから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
（３−３）　補正事項ｃについて
　本願の願書に最初に添付した明細書の段落００４３、００６９、００９５の記載から、補正事項ｃは本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてされたものであることは明らかであるので、補正事項ｃは、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　そして、補正事項ｃは、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「第１の処理工程」における「前記被処理物の生産過程において検出されるものであ」る「部材の温度」について、「プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において検出されるものであ」ると限定的に減縮するから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、同法第１７条の２第４項の規定に適合することは明らかである。
（３−４）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ 
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項、第４項及び第５項の規定に適合するものである。
（４）　独立特許要件について
（４−１）　はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて、検討する。
（４−２）　補正後の請求項３に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項３に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その請求項３に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項３として記載したとおりのものである。
（４−３）
（４−３−１）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日の前である平成１１年２月２日に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−０３１５９９号公報（以下「引用文献」という。）には、図１ないし４とともに、以下の事項が記載されている。（当審注．下線は当審において付加した。以下同じ。）
　ア　「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。
図１は本発明に係るプラズマ処理装置を示す模式的側断面図及びその制御系を示すブロック図であり、図２は図１に示したプラズマ処理装置の上部部分破断図である
反応器１の上部には、マイクロ波導入窓が開設してあり、マイクロ波導入窓は封止板７で気密状態に封止されている。なお、封止板７は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有すると共に誘電損失が小さい、石英ガラス（ＳｉＯ
2
 ）又はアルミナ（Ａｌ
2 
Ｏ
3
）等の誘電体で形成されている
【００２１】
反応器１には、該反応器１の上部を覆う箱状の容器20が連結してあり、この容器20内の天井部分には誘電体線路21が設けてある。この誘電体線路21には誘電体として、テフロン（登録商標）といったフッ素樹脂，ポリエチレン樹脂又はポリスチレン樹脂等が用いられている。容器20の周面には導波管22の一端が連結してあり、導波管22の他端にはマイクロ波発振器23が連結してある。マイクロ波発振器23が発振したマイクロ波は、導波管22を経て誘電体線路21に導入され、そこに定在波を生成する。この定在波によって、封止板７の表面に表面波が生成されると共に、該表面波にカップリングして封止板７の裏面にも表面波が生成される。これによって、反応器１内にプラズマ発生に必要な電界が形成される
【００２２】
反応器１の内部は処理室２になっており、処理室２の周囲壁を貫通する貫通穴に嵌合させたガス導入管６から処理室２内に所要のガスが導入される。処理室２の底部壁中央を貫通する昇降棒10の上端には、試料Ｓを載置する載置台４が封止板７と平行に設けてあり、載置台４には熱媒又は冷媒を循環させる循環路が埋設してある。また、処理室２の底部壁には排気口５が開設してあり、排気口５は図示しない排気装置に連結してある
【００２３】
ところで、前述した封止板７の表面の略中央には、該封止板７の温度を光学的に測定すべく、蛍光物質を封止板７の表面に塗布してなるセンサ30が設けてある。また、容器20の周面には前記センサ30を臨む測定用窓11が開設してあり、測定用窓11は透明板12で封止されている。透明板12は測定用窓11の周囲に固定したホルダ13内に嵌合されており、ホルダ13には非接触式のプローブ31が、センサ30の中央と透明板12の中央とを結ぶ直線上に位置するように固定してある。プローブ31は光ファイバ32によって温度測定器33に連結してある
【００２４】
温度測定器33は３４０〜５１０ｎｍのスペクトルの光を発光する発光器34を内蔵しており、発光器34の発光はビームスプリッタ35で反射されて光ファイバ32へ入射され、プローブ31からセンサ30上へ照射される。センサ30は、このスペクトルの光が照射されると６００〜７００ｎｍの固有スペクトルを発光する。この固有スペクトルはプローブ31に入射され、光ファイバ32を経て温度測定器33に与えられ、前記ビームスプリッタ35を透過して光検出器36に与えられ、そこで固有スペクトルの強度が検出され、その検出値が温度算定器37に与えられる。固有スペクトルの減衰時間はセンサ30の温度、即ち該センサ30を設けた封止板７の温度に比例して短くなる。温度算定器37には、減衰時間−温度特性曲線が予め設定してあり、温度算定器37は、光検出器36の検出値に基づいて減衰時間を求め、減衰時間−温度特性曲線を用いて、減衰時間に対応する温度を算定することによって封止板７の温度を得、それをプラズマ処理装置の運転を制御する制御装置40に与える
【００２５】
図３及び図４は、図１に示した制御装置40による制御手順を示すフローチャートである
制御装置40は、排気口５から排気を行って（ステップＳ３）、処理室２内を所要の真空度にする
【００２６】
制御装置40は、温度測定器33から与えられる封止板７の温度を取り込み（ステップＳ４）、取り込んだ温度と予め設定された閾値温度とを比較し（ステップＳ５）、前者が後者より低い場合、ガス導入管６から予熱用のガスを供給しつつ、マイクロ波発振器23で発振させたマイクロ波を誘電体線路21を経て封止板７から反応器１内へ導入することによって、反応器１内にプラズマを生成し（ステップＳ６）、生成したプラズマによって反応器１，載置台４と共に封止板７を加熱して、処理室２内の温度を上昇させる
【００２７】
制御装置40は、ステップＳ５で、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断するまで、プラズマを生成して予熱を行い、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断すると、予熱用のガスの供給及びマイクロ波の発振を停止し（ステップＳ７）て、予熱終了の合図を出力する（ステップＳ８）
【００２８】
制御装置40は、載置台４に試料Ｓが載置され、試料Ｓへのプラズマ処理開始の指令が与えられるまで待機し（ステップＳ９）、それが与えられると、反応器１内へ、反応ガス及びマイクロ波を予め設定された時間だけ導入して、試料Ｓの表面に、エッチング又はアッシング等、所要のプラズマ処理を施す（ステップＳ10）。制御装置40は、運転停止指令が与えられたか否かを判断し（ステップＳ11）、それが与えられるまで、ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返す
　イ　「【００３０】
【実施例】次に比較試験を行った結果について説明する。図６は比較試験の結果を示すグラフであり、縦軸はエッチングレートを横軸は試料を処理した枚数をそれぞれ示している。また、○印は本発明方法によって複数枚の試料を処理した場合を、●印は従来の方法によって複数枚の試料を処理した場合を示している。従来の方法では、２５枚の試料を所定時間ずつ連続的にエッチングし、試料の入れ替えを行い、次の２５枚の試料を所定時間ずつ連続的にエッチングした。
【００３１】一方、本発明方法では、マイクロ波導入窓を封止する封止板の温度が所定の温度になるまで、シーズニングを行った後、２５枚の試料を所定時間ずつ連続的にエッチングした。そして、再び、封止板の温度が所定の温度になるまで、シーズニングを行った後、２５枚の試料を前同様、エッチングした。
【００３２】図６から明らかな如く、従来の方法では、連続的なプラズマ処理の処理枚数が増加するに従ってエッチングレートが低下し、試料の入れ替えに伴ってエッチングレートが上昇した。前述した如く、エッチングは所定時間ずつ行っているため、エッチングレートが変動した場合、試料の表面に施されるエッチングの程度が変動し、試料間で品質にバラツキが生じる。
【００３３】一方、本発明方法にあっては、２５枚の試料の連続的なエッチングを２回繰り返しても、エッチングレートは略一定であった。」
（４−３−２）　そうすると、引用文献には、発明の実施の形態として、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「上部にマイクロ波導入窓が開設してあり、マイクロ波導入窓はマイクロ波透過性を有する封止板７で気密状態に封止されており、内部が処理室２になっている反応器１と、
　処理室２の底部壁に開設してある排気口５に連結しており、処理室２内を所要の真空度にする排気装置と、
　処理室２の底部壁中央を貫通する昇降棒10の上端に設けてある、試料Ｓを載置する載置台４と、
　反応器１の上部を覆う箱状の容器20であって、天井部分に誘電体線路21が設けてあり、マイクロ波発振器23が発振したマイクロ波が、導波管22を経て誘電体線路21に導入され、そこに定在波が生成され、この定在波によって、封止板７の表面に表面波が生成されると共に、該表面波にカップリングして封止板７の裏面にも表面波が生成されることによって、反応器１内にプラズマ発生に必要な電界を形成する箱状の容器20と、
　処理室２内に所要のガスを導入するガス導入管６と、
　封止板７の表面の略中央の表面に塗布してなるセンサ30が発光した固有スペクトルの強度を検出する光検出器36の検出値に基づいて温度を算定する温度算定器37と、
　温度算定器37が算定した封止板７の温度を取り込み（ステップＳ４）、取り込んだ温度と予め設定された閾値温度とを比較し（ステップＳ５）、前者が後者より低い場合、マイクロ波発振器23で発振させたマイクロ波を誘電体線路21を経て封止板７から反応器１内へ導入することによって、反応器１内にプラズマを生成し（ステップＳ６）、ステップＳ５で、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断するまで、プラズマを生成して予熱を行い、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断すると、予熱用のガスの供給及びマイクロ波の発振を停止し（ステップＳ７）て、予熱終了の合図を出力し（ステップＳ８）、載置台４に試料Ｓが載置され、試料Ｓへのプラズマ処理開始の指令が与えられるまで待機し（ステップＳ９）、それが与えられると、反応器１内へ、反応ガス及びマイクロ波を予め設定された時間だけ導入して、試料Ｓの表面に、エッチング又はアッシング等、所要のプラズマ処理を施す（ステップＳ10）、運転停止指令が与えられたか否かを判断し（ステップＳ11）、それが与えられるまで、ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返すものである制御装置40と、
を備えるプラズマ処理装置。」
（４−４）　対比
（４−４−１）　引用発明の「反応器１」は、「上部にマイクロ波導入窓が開設してあり、マイクロ波導入窓はマイクロ波透過性を有する封止板７で気密状態に封止され」た構成であること、及び、「排気装置」により「処理室２内を所要の真空度」にされることから、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能であると認められる。
　また、引用発明は、「反応器１の上部を覆う箱状の容器20であって、天井部分に誘電体線路21が設けてあり、マイクロ波発振器23が発振したマイクロ波が、導波管22を経て誘電体線路21に導入され、そこに定在波が生成され、この定在波によって、封止板７の表面に表面波が生成されると共に、該表面波にカップリングして封止板７の裏面にも表面波が生成されることによって、反応器１内にプラズマ発生に必要な電界を形成する箱状の容器20」を備えていることから、引用発明の「反応器１」は、内部にプラズマを発生させる領域を有しているものと認められる。
　よって、引用発明の「上部にマイクロ波導入窓が開設してあり、マイクロ波導入窓はマイクロ波透過性を有する封止板７で気密状態に封止されており、内部が処理室２になっている反応器１」は、補正後の発明の「内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器」に相当する。
（４−４−２）　引用発明の「処理室２の底部壁に開設してある排気口５に連結しており、処理室２内を所要の真空度にする排気装置」は、補正後の発明の「前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部」に相当する。
（４−４−３）　引用発明の「試料Ｓ」は、補正後の発明の「被処理物」に相当する。また、引用発明の「載置台４」は、「処理室２の底部壁中央を貫通する昇降棒10の上端に設けてある」ことから、「内部が処理室２になっている反応器１」の内部に設けられているものと認められる。よって、引用発明の「処理室２の底部壁中央を貫通する昇降棒10の上端に設けてある、試料Ｓを載置する載置台４」は、補正後の発明の「前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部」に相当する。
（４−４−４）　引用発明の「反応器１の上部を覆う箱状の容器20であって、天井部分に誘電体線路21が設けてあり、マイクロ波発振器23が発振したマイクロ波が、導波管22を経て誘電体線路21に導入され、そこに定在波が生成され、この定在波によって、封止板７の表面に表面波が生成されると共に、該表面波にカップリングして封止板７の裏面にも表面波が生成されることによって、反応器１内にプラズマ発生に必要な電界を形成する箱状の容器20」と、「マイクロ波発振器23」と、「導波管22」とは、補正後の発明の「前記プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマを発生させるプラズマ発生部」に相当する。
（４−４−５）　引用発明の「処理室２内に所要のガスを導入するガス導入管６」には、所要のガスを供給するためのガス源が接続されているものであることは明らかであることから、引用発明も、補正後の発明の「前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部」を備えているものと認められる。
（４−４−６）　引用発明の「運転停止指令が与えられたか否かを判断し（ステップＳ11）、それが与えられるまで、ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返す」ことは、「反応器１内へ、反応ガス及びマイクロ波を予め設定された時間だけ導入して、試料Ｓの表面に、エッチング又はアッシング等、所要のプラズマ処理を施す（ステップＳ10）」を繰り返すことを意味していることから、補正後の発明の「プラズマ処理が繰り返される」ものである「前記被処理物の生産過程」に相当するものと認められる。
　そして、引用発明の「封止板７の表面の略中央の表面に塗布してなるセンサ30が発光した固有スペクトルの強度を検出する光検出器36の検出値に基づいて温度を算定する温度算定器37」は、補正後の発明の「プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記部材の温度を検出」する「前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部」と、「前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部」である点で共通する。
（４−４−７）　引用発明の「制御装置40」は、「取り込んだ温度と予め設定された閾値温度とを比較し（ステップＳ５）、前者が後者より低い場合、マイクロ波発振器23で発振させたマイクロ波を誘電体線路21を経て封止板７から反応器１内へ導入することによって、反応器１内にプラズマを生成し（ステップＳ６）、ステップＳ５で、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断するまで、プラズマを生成して予熱を行い、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断すると、予熱用のガスの供給及びマイクロ波の発振を停止し（ステップＳ７）て、予熱終了の合図を出力し（ステップＳ８）」するものであることから、予熱の必要性を判定し、予熱の必要性があると判定した場合に反応器１内にプラズマを生成して予熱を行うものであると認められる。よって、引用発明の「温度算定器37が算定した封止板７の温度を取り込み（ステップＳ４）、取り込んだ温度と予め設定された閾値温度とを比較し（ステップＳ５）、前者が後者より低い場合、マイクロ波発振器23で発振させたマイクロ波を誘電体線路21を経て封止板７から反応器１内へ導入することによって、反応器１内にプラズマを生成し（ステップＳ６）、ステップＳ５で、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断するまで、プラズマを生成して予熱を行い、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断すると、予熱用のガスの供給及びマイクロ波の発振を停止し（ステップＳ７）て、予熱終了の合図を出力し（ステップＳ８）、載置台４に試料Ｓが載置され、試料Ｓへのプラズマ処理開始の指令が与えられるまで待機し（ステップＳ９）、それが与えられると、反応器１内へ、反応ガス及びマイクロ波を予め設定された時間だけ導入して、試料Ｓの表面に、エッチング又はアッシング等、所要のプラズマ処理を施す（ステップＳ10）、運転停止指令が与えられたか否かを判断し（ステップＳ11）、それが与えられるまで、ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返すものである制御装置40」は、補正後の発明の「前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行する」「前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部」と、「第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行する」「第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部」である点で共通する。
（４−４−８）　引用発明の「プラズマ処理装置」は、補正後の発明の「プラズマ処理装置」と、「プラズマ処理装置」である点で共通する。
（４−４−９）　そうすると、補正後の発明と引用発明とは、
「内部にプラズマを発生させる領域を有し、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
　前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、
　前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、
　前記プラズマを発生させる領域に電磁エネルギーを供給することでプラズマを発生させるプラズマ発生部と、
　前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、
　前記プラズマを発生させる領域に面する位置に設けられた部材の温度を検出する第２の温度検出部と、
　前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記プラズマの発生を制御することで、前記部材の温度を制御する第２の制御部と、
　を備え、
　前記第２の制御部は、前記第２の温度検出部からの検出信号に基づいて前記部材の温度を制御する必要性を判定し、前記部材の温度の制御を行う必要があると判定した場合には前記部材の温度の制御を実行することを特徴とするプラズマ処理装置。」
である点で一致し、次の１点で相違する。
（相違点１）　補正後の発明は、「第２の温度検出部」が「プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記部材の温度を検出」するものであるのに対して、引用発明は、「ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返す」際に、温度算定器37が算定した封止板７の温度を取り込むステップを行うか不明な点。
（４−５）　判断
（４−５−１）　相違点１について
　上記（４−３−２）のとおり、引用発明は、「ステップＳ５で、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断するまで、プラズマを生成して予熱を行」うものである。
　そして、仮に、反応器１内にプラズマを生成して予熱を行なうステップＳ６の後に封止板７の温度を取り込むステップを行わずに、取り込んだ温度が閾値温度以上であると判断するステップＳ５を行う場合、ステップＳ５には、ステップＳ６による予熱の効果が反映されないこととなる。
　したがって、ステップＳ５において、ステップＳ６による予熱の効果を反映するためには、ステップＳ６とステップＳ５との間に、封止板７の温度を取り込むステップを行なう必要があるものと認められる。
　すなわち、引用発明において、「ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返す」際に、ステップＳ10とステップＳ５との間に、封止板７の温度を取り込むステップを行なう必要があるものと認められる。
　よって、相違点１は、実質的な相違点であるとはいえない。また、仮にそうでないとしても、引用発明において、ステップＳ５の判断にステップＳ６による予熱の効果を反映するために、「ステップＳ５〜ステップＳ10の動作を繰り返す」際に、ステップＳ10とステップＳ５との間に、封止板７の温度を取り込むステップを行なうことは、当業者が適宜なし得たことであると認められる。
（４−６）　独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と引用発明との相違点は、実質的な相違点であるとはいえないものであるか、あるいは、当業者が適宜なし得たものである。したがって、補正後の発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものであるか、仮にそうでないとしても、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであることから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
３．本願発明
　平成２６年１１月７日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２６年３月１３日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項３に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項３として記載したとおりのものである。
４．引用文献に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された上記の引用文献には、上記２．（４−３−１）に記載したとおりの事項及び上記２．（４−３−２）に記載したとおりの発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
５．対比、判断
　補正後の請求項３は、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「前記部材の温度を前記被処理物の生産過程において検出」するものである「第２の温度検出部」を、補正後の請求項１の「プラズマ処理が繰り返される前記被処理物の生産過程において、前記部材の温度を検出」するもの、と限定的に減縮したものである。逆に言えば本件補正前の請求項３に係る発明（本願発明）は、補正後の発明から上記限定事項をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明は、引用文献に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用文献に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。また、仮にそうでないとしても、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、引用文献に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本件は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。