【事件の表示】
　特願２０１１−１１６３０５「有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を含む配線構造の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月１０日出願公開，特開２０１２−２４３７４１，請求項の数（３）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本件拒絶査定不服審判事件に係る出願（以下，「本願」という。）は，平成２３年５月２４日の出願であって，平成２６年７月２２日付けで拒絶理由が通知され，同年９月２９日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２７年２月５日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がなされたものである。
　本件拒絶査定不服審判は，これを不服として，同年５月１１日に請求されたものであって，本件審判の請求と同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２８年５月２５日付けで拒絶の理由（以下，「当審拒絶理由」という。）が通知され，同年６月１５日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は，それぞれ平成２８年６月１５日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，請求項１の記載は次のとおりであり，請求項２及び３は請求項１の記載を引用する形式で記載されている。
「基板上に，有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を構成するＡｌ合金膜，および発光層を含む有機層を有する配線構造であって，前記Ａｌ合金膜は，希土類元素を０．０５〜５原子％含有し，残部：Ａｌおよび不可避的不純物であり，且つ，ヤング率は８０〜２００ＧＰａであり，結晶粒の定方向接線径（Ｆｅｒｅｔ径）の最大値が１００〜３５０ｎｍであり，前記Ａｌ合金膜の上に前記有機層が直接接続している配線構造の製造方法であって，
　スパッタリング時の成膜温度を２３０℃以下，Ａｒガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以下に制御してスパッタリングした後，１５０〜２３０℃でアニールしてＡｌ合金膜を形成することを特徴とする配線構造の製造方法。」（以下，請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
第３　原査定の拒絶の理由について
１　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は，概略次のとおりである。
　本願の請求項１ないし７（審決注：平成２７年５月１１日提出の手続補正書による補正前の請求項１ないし７である。本願発明は，当該補正前の請求項７に係る発明のうち，請求項１の記載を引用する請求項７に係る発明を独立形式の記載に改めたものに概ね対応する。）に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公開された下記引用文献１ないし５に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１：特開２０１０−１９２４１３号公報
引用文献２：特開２００５−５６８４８号公報
引用文献３：特開２００４−３０３５２２号公報
引用文献４：国際公開第２０１０／１４０３８３号
引用文献５：国際公開第２０１１／０５９０９８号
　引用文献１には，アルミニウム合金層のＮｄの含有率は１０％以下であることが好ましい旨記載され，引用文献２及び３には，ＡｌとＮｄからなる合金により電極を形成する際に，Ｎｄの含有率を０．０５〜５原子％とすることが記載され，引用文献４には，電極のヤング率を用途に応じて調整することが記載されているところ，引用文献１に記載された発明において，引用文献２及び３の記載に基づき，ＡｌとＮｄからなる合金により電極を形成する際に，Ｎｄの含有率を０．０５〜５原子％とするとともに，引用文献４に記載の本願出願前周知の技術を採用することは，当業者が容易になし得ることであり，その際に，材料に応じてヤング率を最適化することは，当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。そして，本願の明細書の記載から，ヤング率を最適化することにより，結晶粒の定方向接線径の最大値は，請求項１に記載の数値範囲を満たすものになると考えられる。
　また，引用文献５に記載されているように，有機ＥＬ素子の技術分野において，ＡｌとＮｄからなる合金により電極を形成する際に，アルミニウム合金層をスパッタリング法で形成すること，スパッタリング時の成膜温度を２７０℃以下とすること，スパッタリング時のＡｒガス圧を１５ｍＴｏｒｒ以下とすることは，本願出願前周知の技術であるから，引用文献１に記載された発明において，ＡｌとＮｄからなる合金により電極を形成する際に，上記本願出願前周知の技術を採用することも，当業者が容易になし得ることである。
２　原査定の理由の判断
（１）引用例
　ア　引用文献１
（ア）引用文献１の記載
　引用文献１は，本願の出願前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献１には，次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
　ａ　「【技術分野】
【０００１】
  本発明は，陽極と陰極との間に発光層を含む有機層を有する有機電界発光素子，およびそのような有機電界発光素子を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
  有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence；ＥＬ）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は，陽極と陰極との間に，有機正孔輸送層や有機発光層等を積層させた有機層を設けた積層構造を有している。この有機電界発光素子は，低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。
・・・（中略）・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
  ところで，有機電界発光素子を用いた表示装置を駆動させる際に，表示部の中心において輝度が低下してしまう問題点があるため，解決策として，補助配線を形成する場合がある。そのような補助配線には，上記理由から低抵抗な材料が求められるため，アルミニウム合金よりもアルミニウムのほうが望ましい。しかしながら，プロセスの簡便化および低コスト化を図るには，陽極を構成する際に，同一層に（同一プロセスで）補助配線を形成することが求められる。
【００１０】
  ここで，アルミニウム合金はアルミニウムよりも抵抗が高いため，同一の配線幅でアルミニウム合金により形成した補助配線の抵抗を下げるには，補助配線の膜厚を厚くする必要がある。また，補助配線の膜厚が厚くなると，それに伴い，同一プロセスで形成している陽極の膜厚も厚くなる。ところが，陽極の膜厚を厚くすると，陽極表面のラフネスが悪化するため，反射率（発光効率）や信頼性等が低下してしまうことになる。
【００１１】
  すなわち，陽極としてアルミニウム合金を用いた場合，アルミニウム単体を用いた場合と比べて耐熱性に優れると共に耐ヒロック性を有し，かつアルミニウム単体を用いた場合と同等の高反射率であるという利点がある。その一方で，陽極としてアルミニウム合金を用いた場合，逆に，アルミニウム単体を用いた場合と比べて高抵抗であるという欠点があった。したがって，プロセスの簡便化や低コスト化のために陽極と補助配線とを同一プロセスで形成するような場合には，高発光効率と高信頼性とを両立させるのが困難であった。
【００１２】
  本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，安価な構成で高発光効率と高信頼性とを両立させることが可能な有機電界発光素子，およびそのような有機電界発光素子を備えた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
  本発明の有機電界発光素子は，陽極と陰極との間に，発光層を含む有機層を備えたものである。また，この陽極は，アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを主成分とする合金からなる第１の層と，この第１の層と上記有機層との間に設けられ，アルミニウムを主成分とする合金からなる第２の層とを含む積層構造を有しており，第１の層の抵抗率が第２の層の抵抗率よりも低くなっている。
・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００１６】
  本発明の有機電界発光素子および表示装置によれば，陽極が上記第１の層と上記第２の層とを含む積層構造を有するようにしたので，発光層から発せられた光を高い反射率で反射することができると共に，例えば陽極を補助配線と同一層に形成する場合であっても，陽極表面の凹凸化を軽減することができる。よって，安価な構成で高発光効率と高信頼性とを両立させることが可能となる。」
　ｂ　「【図面の簡単な説明】
【００１７】
・・・（中略）・・・
【図２】実施の形態の変形例に係る有機電界発光素子の構成を表す断面図である。
・・・（中略）・・・
【図５】本発明の実施例および比較例に係る有機電界発光素子における特性結果を表す図である。」
　ｃ　「【００１９】
＜１．実施の形態＞
［有機電界発光素子の構成例（上面発光型の例）］
  図１は，本発明の一実施の形態に係る有機電界発光素子（有機電界発光素子４）の断面構成を表すものである。この
有機電界発光素子
は，
カラーディスプレイなどの表示装置に用いられる
基板４０上に，陽極
と，発光層５３を含む有機層５０と，陰極６１とをこの順で備えている
発光層５３から発せられる
発光光
が陰極３１側から取り出される上面発光型
の有機電界発光素子
【００２０】
  基板４０は，例えば，ガラスなどの透明基板や，シリコン基板や，フィルム状のフレキシブル基板などを含んで構成されている。
【００２１】
（陽極４１）
  陽極４１は，基板４０側から順に，第１陽極層４１Ａ（第１の層），中間層である保護層４１Ｂおよび第２陽極層４１Ｃ（第２の層）を積層した三層構造を有している。なお，この
陽極
は，可視光（発光層５３からの発光光）の実質的な全波長成分を反射できるように形成されている
【００２２】
  
第１陽極層４１Ａは
アルミニウムにより構成されている
【００２３】
  
第２陽極層４１Ｃは，アルミニウムを主成分とする合金により構成されており，
副成分としては，希土類元素であるネオジウム（Ｎｄ）
副成分の含有量は，１０重量％以下である
第２陽極層４１Ｃは，上記第１陽極層４１Ａと比べ，
同等程度の高反射率を有している
【００２４】
  保護層４１Ｂは，成膜時の熱ストレスを遮断する役割を果たす中間層であり，これにより，ヒロックの作成を抑え，耐熱性を向上させることが可能となっている。このような保護層４１Ｂは，モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ）またはこれらを主成分とする合金により構成されている。
【００２５】
  なお，例えば
図２に示した有機電界発光素子５における陽極４１−１
陽極４１−１は，基板４０側から順に，第１陽極層４１Ａおよび第２陽極層４１Ｂを積層した二層構造を有している
【００２６】
（有機層２０）
  有機層２０は，陽極４１側から順に，正孔注入層５１，正孔輸送層５２，発光層５３および電子輸送層５４を積層した積層構造を有している。
・・・（中略）・・・
【００３３】
（陰極６１）
  陰極６１は，発光層５３に電界を印加する一方の電極であり，光透過性の材料（発光層５３からの発光光に対して透過性を有する材料）により構成されている。これにより，発光層５３からの発光光および陽極１１表面において反射した発光光が，陰極６１から外側へ取り出されることとなる。・・・（中略）・・・
【００３８】
［有機電界発光素子の製造方法例］
  このような有機電界発光素子４は，例えば，以下のように製造することができる。
【００３９】
  まず，
基板４０上に，前述した材料よりなる陽極
を，
スパッタリング法などにより形成する
この陽極
上に，有機層５０を形成する。
蒸着法
により
陰極６１を形成する
【００４０】
  なお，ここでは，有機層５０のうち，正孔輸送層５２，発光層５３および電子輸送層５４を真空蒸着法など気相方式により形成したが，湿式方式により形成してもよい。」
　ｄ　「【実施例】
【００５９】
  続いて，本発明の実施例について詳細に説明する。
【００６０】
（実施例１〜４）
  以下の手順により，図１に示した有機電界発光素子４（または図２に示した有機電界発光素子５）を作製した。なお，各実施例および後述する比較例においては，陽極４１（または陽極４１−１）として，図５に示す材料および積層構造を用いた。
【００６１】
  まず，２５ｍｍ×２５ｍｍのガラスからなる基板４０上に，陽極４１または陽極４１−１を形成した。
【００６２】
  ここで，実施例１では，ランタノイド系元素であるネオジム（Ｎｄ）を含むアルミニウム合金層を用いた二層構造の陽極４１−１を形成した。具体的には，図５に示すように，第１陽極層４１Ａ（下層）であるＡｌ層（膜厚：１５０ｎｍ）と，第２陽極層４１Ｂ（上層）であるＡｌ−Ｎｄ層（膜厚：１００ｎｍ）とより形成した。」
　ｅ　「【図２】
・・・（中略）・・・
【図５】
」
（イ）引用文献１に記載された発明
　前記（ア）ａないしｅの記載から，陽極４１−１をスパッタリング法により形成する，有機電界発光素子５の製造方法についての発明を把握することができるところ，当該発明の構成は次のとおりである。
「基板４０上に，陽極４１−１と，発光層５３を含む有機層５０と，陰極６１とをこの順で備え，
　前記陽極４１−１は，前記基板４０側から順に，第１陽極層４１Ａ及び第２陽極層４１Ｃを積層した二層構造を有し，前記発光層５３からの発光光の実質的な全波長成分を反射するよう形成されており，
　前記第１陽極層４１Ａは，アルミニウムにより構成されており，
　前記第２陽極層４１Ｃは，アルミニウムを主成分とし，ネオジウム（Ｎｄ）を副成分とし，当該副成分の含有量が１０重量％以下である合金により構成され，前記第１陽極層４１Ａと同等程度の高反射率を有しており，
　前記発光層５３から発せられる発光光が前記陰極３１側から取り出される上面発光型のものであり，
　カラーディスプレイなどの表示装置に用いられる有機電界発光素子５の製造方法であって，
　スパッタリング法により，基板４０上に陽極４１−１を形成し，
　前記陽極４１−１上に有機層５０を形成し，
　蒸着法により，前記有機層５０上に陰極６１を形成する，
　有機電界発光素子５の製造方法。」（以下，「引用発明」という。）
　イ　引用文献２
　引用文献２は，本願の出願前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献２には，次の記載がある。
（ア）　「【００１９】
  図示したように，本発明に係る有機ＥＬ素子において，基板１の上部に形成される陽極２は，反射膜９と正孔注入用薄膜１０とが順番に蒸着された複数の層で構成されている。陽極２は，正孔を注入し，有機発光層（Ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｌａｙｅｒ）５から発光された光を反射する役割をする。」
（イ）　「【００３１】
　図３は，本発明の第２実施形態であって，反射膜９をＡｌ薄膜の代わりにＡｌ−Ｎｄ合金で形成した時の反射率の変化を示す図である。
　すなわち，陽極２向けの反射膜９として，Ａｌ薄膜の代わりに２００Ｗ，１ｍＴｏｒｒの条件下でＡｌ−２原子パーセントＮｄ合金の４インチターゲットを用いて，１５０ｎｍの厚さの薄膜を形成した。」
　ウ　引用文献３
　引用文献３は，本願の出願前に頒布された刊行物であるところ，当該引用文献３には，次の記載がある。
「【００４２】
次いで，例えばスパッタ法により，例えば膜厚３００ｎｍ，Ｎｄ含有量２ａｔ％のＡｌ−Ｎｄ膜を堆積する。
【００４３】
次いで，フォトリソグラフィー及びドライエッチングによりＡｌ−Ｎｄ膜及びシリコン酸化膜をパターニングし，チャネル層１４上に，シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜１６と，Ａｌ−Ｎｄ膜よりなるゲート電極１８とを形成する。なお，図示しないが，アクティブマトリクス型の表示装置では，ゲート電極１８と同一導電層によりスキャン線を形成することができる。」
　エ　引用文献４
　引用文献４は，本願の出願前に電気通信回線を通じて公開されたものであるところ，当該引用文献４には，次の記載がある。
「［００６１］　また，図７Ａおよび図７Ｂに示すように，ヤング率の異なる金属材料を用いて，接続電極４０を金属２重構造にて形成しても良い。形成方法としては，２つの金属のクラッド材を金型により打ち抜き，１個の接続電極４０を形成する。駆動回路電極２４と接続される第１電極部分を硬部４７として，例えば円柱形状に形成し，発光回路電極３６と接続される第２電極部分を軟部４８として，例えば円錐形状に形成する。２つの金属材料はＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｂｉなどで形成され，２つの金属材料の比較で，ヤング率の低い材料を軟部４８に採用し，ヤング率の高い材料を硬部４７に採用する。駆動回路電極２４との接合は，例えば加熱超音波ヘッド４９を用いた超音波金属接合により行われる。この場合，駆動回路電極２４の表面もＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎなどで形成し，加熱と超音波エネルギにより，表面の酸化膜が破壊され，金属間の合金層が形成されて，金属接合を行うことができる。」
　オ　引用文献５
　引用文献５は，本願の出願前に電気通信回線を通じて公開されたものであるところ，当該引用文献５には，次の記載がある。
（ア）　「技術分野
［０００１］　本発明は有機ＥＬディスプレイ（特に，トップエミッション型）において使用される反射アノード電極に関するものである。
・・・（中略）・・・
発明が解決しようとする課題
・・・（中略）・・・
［００１４］　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり，その目的は，Ａｌ反射膜をＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物導電膜と直接接触させても低い接触抵抗と高い反射率を確保でき，しかも，酸化物導電膜との積層構造（上層＝酸化物導電膜／下層＝Ａｌ基合金）としたとき上層酸化物導電膜表面の仕事関数が，汎用のＡｇ基合金膜と酸化物導電膜との積層構造（酸化物導電膜／Ａｇ基合金）の仕事関数と同程度に高い，新規なＡｌ基合金反射膜を備えた有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供することにある。好ましくは，アルカリ溶液処理に対する耐食性にも優れた，新規なＡｌ基合金反射膜を備えた有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供することにある。
［００１５］  
　本発明は以下の態様を含む。
（１）基板上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって，
　前記反射アノード電極は，Ａｇを０．１〜６原子％含有するＡｌ基合金膜と，前記Ａｌ基合金膜の上に直接接触する酸化物導電膜との積層構造を含む有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極。
　なお，上記（１）において，基板上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって，前記反射アノード電極は，Ａｇを０．１〜６原子％含有するＡｌ基合金膜と，前記Ａｌ基合金膜の上に直接接触する酸化物導電膜との積層構造である有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極も，本発明の態様に含まれる。
（２）前記Ａｌ基合金膜と前記酸化物導電膜との界面に，Ａｇを含有する析出物または濃化層が形成されている（１）に記載の反射アノード電極。
（３）前記Ａｌ基合金膜が，更にＬａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｇｄ，およびＣｕよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で，０．１〜２原子％含有し，前記元素の合計量が１原子％以上のときは，前記元素は析出物として存在している（１）または（２）に記載の反射アノード電極。
・・・（中略）・・・
（６）前記Ａｌ基合金膜がスパッタリング法または真空蒸着法で形成される・・・（中略）・・・
発明の効果
［００１６］　本発明によれば，Ａｌ基合金反射膜として，所定量のＡｇを含有するＡｌ−Ａｇ合金膜を用いているため，ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物導電膜と直接接触させても低い接触抵抗と高い反射率を確保できると共に，酸化物導電膜との積層構造（上層＝酸化物導電膜／下層＝Ａｌ基合金）とした際の上層の酸化物導電膜表面の仕事関数が，汎用のＡｇ基合金膜との積層構造（上層＝酸化物導電膜／下層＝Ａｇ基合金）における上層の酸化物導電膜表面の仕事関数と同程度に高い反射アノード電極を提供することができた。本発明の反射アノード電極を用いれば，有機発光層に効率よく正孔を注入でき，更に有機発光層から放射された光を反射膜で効率よく反射できるので，発光輝度特性に優れた有機ＥＬディスプレイを実現できる。
［００１７］　更に本発明によれば，Ａｌ基合金反射膜として，上記のＡｇと；Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ，Ｓｍ，Ｇｅ，ＧｄおよびＣｕよりなる群（以下，Ｘ群で代表させる場合がある。）から選択される少なくとも１種の元素を所定量含むＡｌ−Ａｇ−Ｘ合金膜を用いることにより，耐アルカリ腐食性や耐熱性も高められた有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供することができた。」
（イ）　「発明を実施するための形態
［００１９］　まず図１を用いて，本発明の反射アノード電極を備えた有機ＥＬディスプレイの概略を説明する。以下では，本発明に用いられるＡｌ−Ａｇ合金またはＡｌ−Ａｇ−Ｘ合金を，まとめて「Ａｌ合金」で代表させる場合がある。
［００２０］　基板１上にＴＦＴ２およびパシベーション膜３が形成され，さらにその上に平坦化層４が形成される。ＴＦＴ２上にはコンタクトホール５が形成され，コンタクトホール５を介してＴＦＴ２のソース・ドレイン電極（図示せず）とＡｌ合金膜６とが電気的に接続されている。
［００２１］　Ａｌ合金膜は，好ましくはスパッタ法によって成膜することが好ましい。スパッタ法の好ましい成膜条件は以下の通りである。
　基板温度：２５℃以上，２００℃以下（より好ましくは１５０℃以下）
　Ａｌ合金膜の膜厚：５０ｎｍ以上（より好ましくは１００ｎｍ以上），３００ｎｍ以下（より好ましくは２００ｎｍ以下）
［００２２］　Ａｌ合金膜６の直上に酸化物導電膜７が形成される。このＡｌ合金膜６および酸化物導電膜７が，本発明の反射アノード電極を構成する。これを反射アノード電極と呼ぶこととしたのは，Ａｌ合金膜６および酸化物導電膜７が有機ＥＬ素子の反射電極として作用し，且つ，ＴＦＴ２のソース・ドレイン電極に電気的に接続されているためにアノード電極として働くためである。
・・・（中略）・・・
［００２４］　酸化物導電膜７の上に有機発光層８が形成され，さらにその上にカソード電極９が形成される。このような有機ＥＬディスプレイでは，有機発光層８から放射された光が本発明の反射アノード電極で効率よく反射されるので，優れた発光輝度を実現できる。なお反射率は高いほどよく，一般的には８５％以上，好ましくは８７％以上の反射率が求められる。
［００２５］　ここで，反射膜であるＡｌ合金膜上に酸化物導電膜を直接接触させるに当たっては，下記（Ｉ）〜（ＩＶ）のパターンが好ましく用いられる。
（Ｉ）Ａｌ合金膜→酸化物導電膜を順次成膜する（後記する表１のグループ分類Ａを参照）。
（ＩＩ）Ａｌ合金膜→真空または不活性ガス（例えば窒素）雰囲気下，１５０℃以上の温度で熱処理→酸化物導電膜を成膜する。本明細書では，酸化物導電膜の成膜前にＡｌ合金膜を熱処理することを「プレアニール」と呼ぶ場合がある。なお，プレアニール後であって酸化物導電膜の成膜前に，Ａｌ合金膜をアルカリ溶液と接触させても良い（後記する表３のグループ分類Ｃを参照）。
（ＩＩＩ）Ａｌ合金膜→酸化物導電膜を順次成膜した後に，真空または不活性ガス（例えば窒素）雰囲気下，１５０℃以上の温度で熱処理する（後記する表２のグループ分類Ｂを参照）。本明細書では，酸化物導電膜形成後に，反射アノード電極（Ａｌ合金膜＋酸化物導電膜）を熱処理することを「ポストアニール」と呼ぶ場合がある。
（ＩＶ）Ａｌ合金膜→上記の「プレアニール」→酸化物導電膜→上記の「ポストアニール」を行なう。ここでも，上記（ＩＩ）と同様に，プレアニール後であって酸化物導電膜の成膜前に，Ａｌ合金膜をアルカリ溶液と接触させても良い（後記する表４のグループ分類Ｄを参照）。
［００２６］　すなわち，本発明には，上記（Ｉ）のように「プレアニール」も「ポストアニール」も行なわない（すなわち，所定の熱処理なし）態様も包含されるし，上記（ＩＩ）〜（ＩＶ）のように所定の熱処理を行なう態様も包含される。プレアニールとポストアニールは，単独で行なっても良いし，両方を行っても良い。また，プレアニールの後に，アルカリ溶液との接触を行なっても良い。
［００２７］　上記（ＩＩ）〜（ＩＶ）における期待される効果をまとめると以下のようになる。
（ＩＩ）プレアニール・・・電気抵抗率の低減化，反射率の増加
　プレアニール＋アルカリ溶液処理・・・コンタクト抵抗の低減化
（ＩＩＩ）ポストアニール・・・電気抵抗率の低減化，反射率の増加
（ＩＶ）プレアニールおよびポストアニール・・・電気抵抗率の低減化，反射率の増加
　プレアニール＋アルカリ溶液処理・・・コンタクト抵抗の低減化
［００２８］　よって以下に詳述するように，酸化物導電膜との低いコンタクト抵抗や電気抵抗率の低減化，反射率の増加，更にはアルカリ溶液に対する耐食性や耐熱性を改善する目的で，これらのうち適切な態様を選択して採用することができる。
［００２９］　詳細には，上記（Ｉ）の態様は，「プレアニール」も「ポストアニール」も行なわない例であるが，例えば表１のＮｏ．３〜６のように所定量のＡｇのみを含むＡｌ−Ａｇ基合金を用いる場合は，熱処理を行なわなくても，仕事関数，反射率，電気抵抗率，耐熱性のすべての点で良好な結果が得られている。
［００３０］　また，Ａｌ合金膜上に酸化物導電膜を直接接触させるときの雰囲気は，接触前の雰囲気，すなわち，真空または不活性ガスの雰囲気に保ったまま，連続して成膜してもよい。これについては，以下の（ＩＩ）〜（ＩＶ）の態様でも同様である。
［００３１］　上記（ＩＩ）の態様は，「プレアニール」を行なう例である。このプレアニールによって，Ａｌ合金膜と酸化物導電膜との界面にＡｇを含有する析出物（Ａｇ単体のほか，Ａｌ２Ａｇ，ＡｌＡｇなどの金属間化合物も含まれる。）またはこれらの析出物を含む濃化層が形成され，Ａｌ合金膜と酸化物導電膜とのコンタクト抵抗が低減される。濃化層とは，Ａｇ濃度が，Ａｌ合金膜のＡｇ濃度よりも相対的に高い層を意味する。特に，有機ＥＬディスプレイの製品スペックによっては反射アノード電極を構成するＡｌ基合金膜と酸化物導電膜とのコンタクト抵抗を著しく下げる必要があるが，プレアニール処理は，そのような場合に特に好ましく用いられる。また，上記析出物によって電気抵抗率が低下するほか，それに伴って反射率も増加する。
［００３２］　更に，選択成分であるＸ元素を含むＡｌ−Ａｇ−Ｘ合金を用いたときは，上記のプレアニールにより，当該Ａｌ−Ａｇ−Ｘ合金膜と酸化物導電膜との界面に，少なくともＸ元素を含む析出物が形成されるようになるため，Ｘ元素添加による耐熱性および耐アルカリ腐食性の向上作用（詳細は後述する。）が一層顕著に発揮されるようになる。また，上述したＡｇ含有析出物と同様，Ｘ元素含有析出物の形成により，反射率は高くなり，電気抵抗率は低下するようになる。
［００３３］　プレアニールによる上記作用は，特にＸ元素の合計量が１原子％以上のときに発揮される。例えば，後記する表１はすべて「熱処理なし」の例であり，このうちＮｏ．８〜１２は，いずれもＸ元素としてＬａを，本発明の好ましい範囲（０．１〜２原子％）で含む例であるが，表１のＮｏ．８またはＮｏ．９のようにＬａを０．１原子％または０．５原子％含む場合は，熱処理を施さなくても電気抵抗率は合格レベル（判定Ｂ）であったのに対し，表１のＮｏ．１０〜１２のようにＬａを１原子％以上含む場合は，熱処理を施さないときは電気抵抗率は不合格レベル（判定Ｂ）であった（表１を参照）。これに対し，表３のようにプレアニールを行なったときは，表３のＮｏ．１０〜１２（Ａｌ合金の組成は，表１のＮｏ．１０〜１２と同じ）に示すとおり，電気抵抗率は合格レベル（判定Ｂ）になった。同様の傾向は，Ｌａ以外の他のＸ元素を含む場合にも見られた。また，熱処理パターンは表３のパターンに限定されず，表２や表４の熱処理パターンを採用したときも，同様の傾向が見られた。
［００３４］　本発明では，プレアニール時の温度は，Ａｌ合金に含まれるＡｇが析出する温度域である，２００℃以上とすることが好ましい。ただし，プレアニール温度が３００℃以上に高くなると，Ａｌ合金膜表面にヒロック（コブ状の突起物）が発生するおそれがあるため，３００℃以下とすることが好ましい。より好ましいプレアニール温度は，２００℃以上２７０℃以下である。
［００３５］　プレアニール時間は，好ましくは１０分程度以上，より好ましくは１５分程度以上である。プレアニールにより，所望の金属または金属間化合物を析出させるためである。ただし，プレアニール時間が長すぎると，工程に時間がかかり，製造上望ましくない。製造効率などを考慮すると，好ましくは１２０分程度以下，より好ましくは６０分程度以下である。
・・・（中略）・・・
［００３７］　上記では，前記（ＩＩ）のプレアニールについて詳述したが，同様の熱処理を，ポストアニールで行なっても良い。プレアニールとポストアニールとは，熱処理を行う時期が異なるだけで，熱処理方法の詳細（雰囲気，温度，時間など）は同じである。
［００３８］　プレアニールおよびポストアニールのいずれの熱処理を行なっても，析出による電気抵抗率の低減化と反射率の増加作用が得られる。一方，酸化物透明導電膜とのコンタクト抵抗の低減作用は異なり，プレアニールとアルカリ溶液処理の併用によりコンタクト抵抗を低減できるが，ポストアニール単独，およびポストアニールとアルカリ溶液処理の併用では，コンタクト抵抗の低減効果は得られない。これはポストアニールは酸化物透明導電膜の成膜後に行うので，透明導電膜とＡｌ合金膜界面の酸化状態を変えることができないからである。
［００３９］　次に，本発明の反射アノード電極に用いられるＡｌ合金膜について説明する。
［００４０］　Ａｌ合金膜は，Ａｇを０．１〜６原子％含有する。酸化物導電膜とのコンタクト抵抗を低減させると共に，酸化物導電膜とＡｌ合金膜の積層構造としたときの酸化物導電膜表面の仕事関数を，汎用のＡｇ基合金を用いた場合と同程度に高くするためには，Ａｇを０．１原子％以上添加する必要がある。ただし，Ａｇの含有量が６原子％を超えると，アルカリ溶液と接触する際にＡｇ析出物を起点とする腐食が多くなってしまい，有機発光層の発光不良を招く。好ましいＡｇ量は，０．１原子％以上６原子％以下であり，より好ましくは，０．１原子％以上４原子％以下である。上記含有量の上限及び下限を任意に組み合わせてＡｇの含有率の範囲とすることができる。
［００４１］　上記Ａｌ合金膜は，更に，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｇｄ，およびＣｕよりなる群（以下，Ｘ群と呼ぶ場合がある。）から選択される少なくとも１種の元素を合計で，０．１〜２原子％含有しても良く，これにより，Ａｌ合金膜の耐熱性が向上してヒロックの形成も有効に防止されるだけでなく，アルカリ溶液に対する耐食性も向上する。Ｘ群に属する元素は，単独で添加しても良いし，二種以上を併用しても良い。
［００４２］　Ｘ群に属する元素の含有量（単独の場合は単独の含有量であり，二種以上を併用する場合は合計量である。）が０．１原子％未満の場合，耐熱性向上作用および耐アルカリ腐食性向上作用の両方を，有効に発揮することができないおそれがある。これらの特性を向上するという観点のみからすれば，Ｘ群に属する元素の含有量は多い程良いが，その量が２原子％を超えると，Ａｌ合金膜自体の電気抵抗率が上昇してしまうおそれがある。そこで，Ｘ群に属する元素の含有量は，好ましくは０．１原子％以上（より好ましくは０．２原子％以上）であり，好ましくは２原子％以下（より好ましくは０．８原子％以下）である。上記含有率の上限及び下限を任意に組み合わせてＸ群に属する元素の含有量の範囲とすることができる。
［００４３］　Ｘ群に属する元素のうち，耐熱性向上作用に一層優れているのは，Ｌａ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｎｄ，Ｙ，Ｓｍであり；一方，耐アルカリ腐食性に一層優れているのは，Ｇｅ，Ｃｕである。これらの元素を二種以上組合わせることが好ましく，例えば，Ａｌ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｎｄ合金やＡｌ−Ａｇ−Ｇｅ−Ｎｄ合金などがより好ましい。
［００４４］　また，Ｘ群に属する元素による上記作用を有効に発揮させるためには，当該元素の合計量が１原子％以上のとき，上記元素は析出物として存在していることが好ましい。例えば前述したプレアニールおよび／またはポストアニールにより，上記元素は容易に析出物として存在する。なお，Ｘ群に属する元素の合計量が１原子％未満のときは，このような熱処理を行わなくても，良好な耐熱性や耐アルカリ腐食性を発揮することができる（表１のＮｏ．８および９を参照）。
［００４５］　本発明のＡｌ合金膜は，Ａｇを所定量含み，残部がＡｌおよび不可避不純物であるＡｌ合金膜や，更に，Ｘ群に属する元素を所定量含み，残部がＡｌおよび不可避不純物であるＡｌ合金膜であってもよい。
　不可避不純物としては，例えば，製造過程などで不可避的に混入する元素，例えば，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｃ，Ｏ，Ｎなどが挙げられる。
［００４６］　以上，本発明に用いられるＡｌ合金膜について説明した。
［００４７］　上記Ａｌ合金膜は，スパッタリング法または真空蒸着法で形成することが好ましく，特に，スパッタリング法にてスパッタリングターゲット（以下「ターゲット」ということがある）を用いて形成することがより好ましい。スパッタリング法によれば，イオンプレーティング法や電子ビーム蒸着法で形成された薄膜よりも，成分や膜厚の膜面内均一性に優れた薄膜を容易に形成できるからである。」
（ウ）　「［００５６］　実施例１
　本実施例では，種々のＡｌ合金反射膜を用い，熱処理なし（グループ分類Ａ，表１）またはポストアニールを行なったとき（グループ分類Ｂ，表２）における，仕事関数，反射率，および電気抵抗率に及ぼす影響，更には好ましい特性である耐熱性に及ぼす影響を検討した。
［００５７］　具体的にはまず，無アルカリ硝子板（板厚：０．７ｍｍ）を基板として，その表面にパシベーション膜であるＳｉＮ膜（膜厚：３００ｎｍ）をプラズマＣＶＤ装置によって成膜した。その成膜条件は，基板温度：２８０℃，ガス比：ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２＝１２５／６／１８５，圧力：１３７Ｐａ，ＲＦパワー：１００Ｗである。さらにその表面に，反射膜であるＡｌ合金膜（膜厚：約１００ｎｍ）をスパッタ法によって成膜した。Ａｌ合金膜の組成は表１および表２に示すとおりである。また，成膜条件は，基板温度：２５℃，圧力：２ｍＴｏｒｒ，ＤＣパワー：２６０Ｗである。比較のため，純Ａｌ膜（膜厚：約１００ｎｍ），および上記特許文献１を模擬したＡｌ−０．６原子％Ｎｄ（膜厚：約１００ｎｍ）を，同様にスパッタ法によって成膜した。反射膜の組成は，ＩＣＰ発光分析で同定した。
［００５８］　上記のようにして成膜した各反射膜を，ＡグループおよびＢグループに分類し，Ａグループについては，引き続き，ＩＴＯ膜を成膜した。Ｂグループについては，ＩＴＯ膜の成膜後に，窒素雰囲気下，２５０℃で３０分間熱処理（ポストアニール）を行なった。
［００５９］　ここで，ＩＴＯ膜の成膜に当たっては，大気開放せずに真空一貫にてスパッタ法により膜厚１０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜し，反射アノード電極（反射膜＋酸化物導電膜）を形成した。その成膜条件は，基板温度：２５℃，圧力：０．８ｍＴｏｒｒ，ＤＣパワー：１５０Ｗである。
・・・（中略）・・・
［００６８］［表１］
［００６９］
［表２］
［００７０］　表１は，所定の熱処理を行なわない例であり，本発明の要件を満足するＡｌ合金膜を用いたときは，仕事関数，反射率，電気抵抗率，および耐熱性の全ての項目において，良好な結果が得られた。なお，表１のＮｏ．１０〜１３，１６〜１８，２１〜２３，２６〜２８，３１〜３３，３７〜３８，および４３は，Ｘ群に属する元素の量が１原子％以上であり，熱処理を行なわないために当該元素を含む析出物が形成されず，電気抵抗率が低下した例である。
［００７１］　また，表１のＮｏ．３〜７は，Ａｇのみを本発明の範囲で含むＡｌ−Ａｇ合金を用いた例であるが，好ましい特性である耐熱性に関し，表１（熱処理なし）では良好であったのに対し，表２（ポストアニールあり）では低下した。よって，Ｘ群に属する元素を含まないＡｌ−Ａｇ合金を用いる場合において，更に耐熱性も高めたいときは，ポストアニールを行なわないことが推奨される。」
（エ）　「［００７２］　実施例２
　本実施例では，実施例１と同じ組成のＡｌ合金反射膜を用い，プレアニールとアルカリ溶液処理を行なったとき（グループ分類Ｃ，表３）またはプレアニールとアルカリ溶液処理とポストアニールを行なったとき（グループ分類Ｄ，表４）における，仕事関数，反射率，電気抵抗率，およびコンタクト抵抗に及ぼす影響，更には好ましい特性である耐熱性および耐アルカリ腐食性に及ぼす影響を検討した。
［００７３］　まず，前述した実施例１と同様にして各反射膜を成膜した。次に，成膜した各反射膜を，ＣグループおよびＤグループに分類し，Ｃグループについては，窒素雰囲気下，２５０℃で３０分間熱処理（プレアニール）を行なった後，アルカリ溶液として濃度０．４質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いたアルカリ溶液処理（ＴＭＡＨトリートメント）で２０秒間浸漬した後，実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。また，Ｄグループについては，Ｃグループと同様にＩＴＯ膜を成膜した後，前述したＢグループと同じポストアニールを行なった。
・・・（中略）・・・
［００７７］　これらの結果を表３および表４に併記する。
［００７８］
［表３］
［００７９］
［表４］
［００８０］　表３（プレアニールあり，ポストアニールなし）および表４（プレアニールあり，ポストアニールあり）より，本発明の要件を満足するＡｌ合金膜を用いたときは，熱処理条件にかかわらず，前述した表１および表２と同様に仕事関数，反射率，電気抵抗率，および耐熱性に優れているだけでなく，コンタクト抵抗および耐アルカリ腐食性も良好であった。
［００８１］　なお，表３および表４のＮｏ．３〜７は，Ａｇのみを本発明の範囲で含むＡｌ−Ａｇ合金を用いた例であるが，好ましい特性である耐熱性および耐アルカリ腐食性に関し，前述した表２（プレアニールなし，ポストアニールあり）と同様に，これらの特性が低下した。よって，Ｘ群に属する元素を含まないＡｌ−Ａｇ合金を用いる場合において，更に耐熱性や耐アルカリ腐食性も高めたいときは，プレアニールやポストアニールは行なわないことが推奨される。」
（２）本願発明との対比
　ア　引用発明の「基板４０」，「『発光層５３からの発光光の実質的な全波長成分を反射する』よう形成された『陽極４１−１』」，「『アルミニウムを主成分』とする『合金により構成』された『第２陽極層４１Ｃ』」，「発光層５３」及び「有機層５０」は，本願発明の「基板」，「反射アノード電極」，「Ａｌ合金膜」，「発光層」及び「有機層」にそれぞれ相当する。
　イ　引用発明が製造する「有機電界発光素子５」においては，陽極４１−１と陰極６１とに電圧が印加され，有機層５０に電流が流れることによって，発光層５３が発光するのであるから，当該「有機電界発光素子５」における，陽極４１−１と発光層５３を含む有機層５０と陰極６１とからなる構造を「配線構造」ということができる。
　また，引用発明が製造する「有機電界発光素子５」は，「カラーディスプレイなどの表示装置」に用いられるところ，「有機電界発光素子を用いた表示装置」は「有機ＥＬディスプレイ」に他ならないから，引用発明の「陽極４１−１」（本願発明の「反射アノード電極」に相当する。以下，「（２）本願発明との対比」の欄において，引用発明の構成に付したカッコ内の文言は，当該構成に相当する本願発明の発明特定事項を表す。）は，「有機ＥＬディスプレイ」用であるといえる。
　さらに，引用発明の「第２陽極層４１Ｃ」は，第１陽極層４１と二層構造にされることによって，「陽極４１−１」を構成しているから，当該「第２陽極層４１Ｃ」を，「陽極４１−１」（反射アノード電極）を構成する「第２陽極層４１Ｃ」（Ａｌ合金膜）ということができる。
　そうすると，引用発明が製造する「有機電界発光素子５」は，「基板４０」（基板）上に，「陽極４１−１」（有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極）を構成する「第２陽極層４１Ｃ」（Ａｌ合金膜）と，「発光層５３」（発光層）を含む「有機層５０」（有機層）を有する「配線構造」といえるから，引用発明が製造する「有機電界発光素子５」は，本願発明が製造する「配線構造」と，「基板上に，有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を構成するＡｌ合金膜，および発光層を含む有機層を有する配線構造」である点で一致し，引用発明と本願発明とは，「配線構造の製造方法」である点で一致する。
　ウ　引用発明が製造する「有機電界発光素子５」の「第２陽極層４１Ｃ」（Ａｌ合金膜）は，「アルミニウム」を主成分とし，「ネオジウム（Ｎｄ）」を副成分とし，当該副成分の含有量が１０重量％以下である合金により構成されているところ，「ネオジウム（Ｎｄ）」は本願発明の「希土類元素」に該当するから，引用発明が製造する「有機電界発光素子５」の「第２陽極層４１Ｃ」は，本願発明が製造する「配線構造」の「Ａｌ合金膜」と，「希土類元素を含有し，残部：Ａｌおよび不可避的不純物」である点で共通する。
　エ　引用発明が製造する「有機電界発光素子５」（配線構造）の「有機層５０」は，「陽極４１−１」上に形成され，当該「陽極４１−１」は，基板４０側から順に，第１陽極層４１Ａ及び「第２陽極層４１Ｃ」を積層した二層構造とされているから，「有機層５０」（有機層）と直接接続されているのが「第２陽極層４１Ｃ」（Ａｌ合金膜）であることは自明である。
　したがって，引用発明が製造する「有機電界発光素子５」は，本願発明が製造する「配線構造」と，「Ａｌ合金膜の上に有機層が直接接続している」点で一致する。
　オ　引用発明は，スパッタリング法により陽極４１−１を形成するものであって，「第２陽極層４１Ｃ」（Ａｌ合金膜）はスパッタリング法で形成されるのであるから，本願発明と，「スパッタリングによってＡｌ合金膜を形成する」点で共通する。
　カ　前記アないしオによれば，本願発明と引用発明とは，
「基板上に，有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を構成するＡｌ合金膜，および発光層を含む有機層を有する配線構造であって，前記Ａｌ合金膜は，希土類元素を含有し，残部：Ａｌおよび不可避的不純物であり，前記Ａｌ合金膜の上に前記有機層が直接接続している配線構造の製造方法であって，
　スパッタリングによってＡｌ合金膜を形成する配線構造の製造方法。」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点：
　本願発明では，「Ａｌ合金膜」における「希土類元素」の含有率が０．０５〜５原子％であり，成膜温度を２３０℃以下，Ａｒガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以下に制御してスパッタリングした後，１５０〜２３０℃でアニールすることによって，ヤング率が８０〜２００ＧＰａであり，結晶粒の定方向接線径（Ｆｅｒｅｔ径）の最大値が１００〜３５０ｎｍである「Ａｌ合金膜」を形成するのに対して，
　引用発明では，「第２陽極層４１Ｃ」における「ネオジウム（Ｎｄ）」の含有率が１０重量％以下であり，スパッタリング時の成膜温度や雰囲気の条件，アニールの有無やその温度は不明であり，形成後の「第２陽極層４１Ｃ」のヤング率や結晶粒の定方向接線径についても不明な点。
（３）本願発明の容易想到性の判断
　ア　アルミニウムの原子量は約２６．９８であり，ネオジウム（Ｎｄ）の原子量は約１４４．２４であるから，引用発明の「１０重量％以下」というネオジウム（Ｎｄ）の含有量は，原子％で表現すると，約２．０４（≒10/144.24÷（90/26.98＋10/144.24）×100）原子％以下になるところ，当該「約２．０４原子％以下」という範囲は，本願発明の「０．０５〜５原子％」という希土類元素の含有率と「０．０５〜約２．０４原子％」という範囲で重複するから，引用発明が，「Ａｌ合金膜は，希土類元素を０．０５〜５原子％含有し」という本願発明の発明特定事項（相違点の一部）に相当する構成を具備することは，引用文献１に記載されたも同然の事項であるか，少なくとも，引用発明を前記構成を具備したものとすることは，当業者が容易に想到し得たことであるということができる。
　イ　ここで，引用文献２及び３にはいずれにもＮｄの含有量が２原子％のＡｌ−Ｎｄ合金で電極を形成することが記載され，引用文献４にはヤング率の異なる金属材料を用いて硬部と軟部の２層からなる接続電極を形成することが記載されていると認められる。
　しかしながら，引用文献２ないし４のいずれにも，相違点に係る本願発明の発明特定事項のうち「成膜温度を２３０℃以下，Ａｒガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以下に制御してスパッタリングした後，１５０〜２３０℃でアニールする」というＡｌ合金膜の形成方法については，記載も示唆もされていない。
　したがって，引用文献２ないし４のそれぞれに記載された事項や，当該事項から把握される周知技術に基づいて，引用発明を，相違点に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることが，容易であったということはできない。
　ウ（ア）　また，引用文献５には，
　Ａｇのみを０．１原子％以上６原子％以下含有するＡｌ−Ａｇ基合金，又は，Ａｇを０．１原子％以上６原子％以下含有するとともにＬａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ，Ｓｍ，Ｇｅ，Ｇｄ，およびＣｕよりなるＸ群から選択される少なくとも１種の元素を合計で０．１〜２原子％含有するＡｌ−Ａｇ−Ｘ合金からなるＡｌ合金膜と，当該Ａｌ合金膜上に積層された酸化物導電膜とにより構成された反射アノード電極において，前記Ａｌ合金膜は，基板温度：２５℃以上２００℃以下（より好ましくは１５０℃以下）という成膜条件のスパッタ法によって成膜することが好ましいこと，
　さらには，電気抵抗率の低減化や反射率の増加という効果を得るために，Ａｌ合金膜の形成後であって酸化物導電膜の形成前や，Ａｌ合金膜及び酸化物導電膜の形成後に，２００℃以上３００℃以下の温度でかつ１０分程度以上６０分程度以下の時間で熱処理することができること，特に，Ａｌ合金膜がＸ群に属する元素の合計量が１原子％以上であるＡｌ−Ａｇ−Ｘ合金からなる場合には，熱処理を行わないと良好な電気抵抗率を確保できないこと，
が記載されており，その具体例として，基板温度：２５℃，圧力：２ｍＴｏｒｒ，ＤＣパワー：２６０Ｗという成膜条件のスパッタリングによりＡｌ合金膜を形成し，当該Ａｌ合金膜に，窒素雰囲気下，２５０℃で３０分間熱処理をすることが記載されていると認められる。
　そして，引用文献５に記載された，基板温度：２５℃，圧力：２ｍＴｏｒｒという成膜条件でスパッタリングによりＡｌ合金膜を成膜し，当該Ａｌ合金膜を，窒素雰囲気下，２５０℃で３０分間熱処理をするというＡｌ合金膜の形成方法の具体例は，相違点に係る本願発明の発明特定事項のうち「スパッタリング時の成膜温度を２３０℃以下，Ａｒガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以下に制御してスパッタリングした後，１５０〜２３０℃でアニールする」というＡｌ合金膜の形成方法に相当するといえる。
（イ）　しかしながら，引用文献５記載のＡｌ合金膜は，Ａｇを０．１原子％以上６原子％以下含有する合金で形成されること，及び，当該Ａｌ合金膜上に酸化物導電膜が形成され，Ａｌ合金膜と酸化物導電膜とで反射アノード電極が構成されることをその特徴の一つとしているものであって，「アルミニウムを主成分とし，ネオジウム（Ｎｄ）を副成分とし，当該副成分の含有量が１０重量％以下である合金」で形成された引用発明の第２陽極層４１Ｃとは，異なるＡｌ合金で形成され，かつ，有機層５０がその上に直接形成されるのか否かという点で，層構造も異なるものである。（なお，引用文献５には，表１ないし表４にＮｏ．２として反射膜をＡｌ−０．６Ｎｄ合金で形成した例が記載されているが，当該例は比較例として示されたものである。）
　そればかりか，引用文献５には，基板温度：２５℃，圧力：２ｍＴｏｒｒという成膜条件でスパッタリングによりＡｌ合金膜を成膜し，当該Ａｌ合金膜を，窒素雰囲気下，２５０℃で３０分間熱処理をするという方法で形成することによって，「ヤング率が８０〜２００ＧＰａであり，結晶粒の定方向接線径（Ｆｅｒｅｔ径）の最大値が１００〜３５０ｎｍである」Ａｌ合金膜を得られることについては，記載も示唆もない。
（ウ）　これに対して，本願発明は，本願明細書の発明の詳細な説明の記載からみて，希土類元素を０．０５〜５原子％含有し，残部：Ａｌおよび不可避的不純物であるＡｌ合金膜を，「スパッタリング時の成膜温度を２３０℃以下，Ａｒガス圧を２０ｍＴｏｒｒ以下に制御してスパッタリングした後，１５０〜２３０℃でアニールする」という方法で形成し，「ヤング率が８０〜２００ＧＰａであり，結晶粒の定方向接線径（Ｆｅｒｅｔ径）の最大値が１００〜３５０ｎｍである」ものにしたことによって，「特に，横向の変形に対する耐久性に優れており，その結果，当該Ａｌ反射膜を有機層と直接接続させても安定した発光特性を確保でき，信頼性の高い有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供することができる」という，引用発明や引用文献５に記載されたＡｌ合金膜と酸化物導電膜からなる反射アノード電極が有する効果とは，異質の効果が得られるものと認められる。
（エ）　したがって，引用文献５に記載された事項や，当該事項から把握される周知技術に基づいて，引用発明を，相違点に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることが，容易であったということはできない。
　エ　なお，前置報告書において報告された特開２０１０−１３５３００号公報，特開２００８−４１２６２号公報についても，基板温度：２５℃，圧力：２ｍＴｏｒｒという成膜条件でスパッタリングによりＡｌ合金膜を成膜し，当該Ａｌ合金膜を，窒素雰囲気下，２５０℃で３０分間熱処理をするという方法で形成することによって，「ヤング率が８０〜２００ＧＰａであり，結晶粒の定方向接線径（Ｆｅｒｅｔ径）の最大値が１００〜３５０ｎｍである」Ａｌ合金膜を得られることや，当該Ａｌ合金膜を用いることによって，「特に，横向の変形に対する耐久性に優れており，その結果，当該Ａｌ反射膜を有機層と直接接続させても安定した発光特性を確保でき，信頼性の高い有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供することができる」という効果が得られることについては，記載も示唆もないから，これら文献に記載された事項や，当該事項から把握される周知技術によっても，引用発明を，相違点に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることが，容易であったということはできない。
　オ　以上のとおりであるから，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び引用例２ないし５に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）請求項２及び３に係る発明の容易想到性の判断
　請求項２及び３は，請求項１の記載を引用する形式で記載されているから，請求項２及び３に係る発明は，いずれも，本願発明の発明特定事項をすべて含み，さらに限定を付加したものに相当するところ，前述したとおり，本願発明が，引用文献１に記載された発明及び引用例２ないし５に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，請求項２及び３に係る発明も同様の理由により，引用文献１に記載された発明及び引用例２ないし５に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（５）小括
　前記（３）及び（４）のとおりであって，本願の請求項１ないし３に係る発明は，いずれも引用文献１に記載された発明及び引用例２ないし５に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由は，概略次のとおりである。
　本願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法３６条６項１号及び２号に規定する要件を満たしていない。
 　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）明確性要件違反について 
　請求項１ないし５（審決注：平成２８年６月１５日提出の手続補正書による補正前の請求項１ないし５である。本願発明は，当該補正前の請求項６に係る発明に概ね対応する。）は，いわゆるＰＢＰクレームであるが，本願明細書等には不可能・非実際的事情について何ら記載がなく，当業者にとって不可能・非実際的事情が明らかであるともいえないから，請求項１ないし５に係る発明は明確でない。 
（２）明確性要件違反及びサポート要件違反
　ア　請求項１の「Ａｌ合金膜は，希土類元素を０．０５〜５原子％含有し，」という記載は，文言上，希土類元素を０．０５〜５原子％含有することのみを規定しており，当該希土類元素以外の元素（主成分であるＡｌを除く。）の存在は任意であると解するのが自然である一方，本願明細書の発明の詳細な説明の【００３０】の記載を参酌すると，Ａｌと不可避的不純物を除けば，希土類元素以外の元素を含まないことを規定していると解することが不可能とまではいえないところ，請求項１の前記記載が，どちらの意味を指しているのかが明確でないから，請求項１に係る発明，請求項１と同様の記載を有する請求項６に係る発明，及び請求項１又は６の記載を引用する形式で記載された請求項２ないし５，７，８に係る発明は明確でない。 
　イ 　仮に，前記アで述べた請求項１における記載が，希土類元素以外の副成分の存在が任意であることを意味しているのだとすると，本願明細書の発明の詳細な説明には，希土類元素以外の副成分を含有するＡｌ合金で形成された陽極についての実施例等の開示がないから，請求項１ないし８に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものでない。
２　当審拒絶理由の判断
　平成２８年６月１５日に提出された手続補正書による補正によって，いわゆるＰＢＰクレームであり不明確であった補正前の請求項１ないし５が削除され，かつ，補正前の請求項６（補正後の請求項１）のＡｌ合金膜について，「残部：Ａｌおよび不可避的不純物であり，」との発明特定事項が付加されることによって，各請求項に係る発明は明確なものとなり，各請求項に記載された発明が発明の詳細な説明に記載したものであることが明らかになった。
　したがって，当審拒絶理由は解消した。
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。