【手続補正書】
【提出日】令和2年8月28日(2020.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体であって、前記半導体は、
基板と、
前記基板を覆っている核生成層であって、前記核生成層は、深準位ドーパントを有する、核生成層と、
前記核生成層を覆って形成されるＩＩＩ−Ｖ層と
を備え、
前記基板および前記核生成層のうちの少なくとも１つは、イオン化された汚染物質を含み、
前記深準位ドーパントの濃度は、少なくとも前記イオン化された汚染物質の濃度と同程度に高い、半導体。
【請求項２】
前記基板は、基板材料を備え、
前記深準位ドーパントは、前記基板材料の伝導帯および価電子帯から０．３ｅＶ〜０．６ｅＶ分離されている深準位状態を有する深準位ドーパント種を備えている、請求項１に記載の半導体。
【請求項３】
前記基板と前記核生成層との間にヘテロ構造をさらに備える、請求項１または請求項２のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項４】
前記深準位ドーパントは、バナジウム、鉄、または、硫黄のうちの少なくとも１つを備えている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項５】
前記イオン化された汚染物質は、第ＩＩＩ族種またはイオン化アクセプタ汚染物質のうちの少なくとも１つを備えている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項６】
前記深準位ドーパントの濃度は、１０１５ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３または１０１６ｃｍ−３〜１０１８ｃｍ−３である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項７】
前記基板内および前記核生成層内の自由正孔の濃度は、１０１６ｃｍ−３未満または１０１５ｃｍ−３未満である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項８】
前記核生成層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜１μｍ、または、１００ｎｍ〜１０μｍである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項９】
前記基板に最も近い前記核生成層の表面における前記深準位ドーパントの第１の濃度は、前記ＩＩＩ−Ｖ層に最も近い表面における前記深準位ドーパントの第２の濃度より高い、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項１０】
前記基板材料は、シリコンである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項１１】
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、ＩＩＩ族窒化物層である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体。
【請求項１２】
半導体を成長させる方法であって、前記方法は、
基板を覆って核生成層を成長させることであって、前記核生成層は、深準位ドーパントを有する、ことと、
前記核生成層を覆ってＩＩＩ−Ｖ層を成長させることと
を含み、
前記基板および前記核生成層のうちの少なくとも１つは、イオン化された汚染物質を含み、
前記深準位ドーパントの濃度は、少なくとも前記イオン化された汚染物質の濃度と同程度に高い、方法。
【請求項１３】
前記基板は、基板材料を備え、
前記深準位ドーパントは、前記基板材料の伝導帯および価電子帯から０．３ｅＶ〜０．６ｅＶ分離されている深準位状態を有する深準位ドーパント種を備えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板と前記核生成層との間にヘテロ構造を成長させることをさらに含む、請求項１２または請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記深準位ドーパントは、バナジウム、鉄、または、硫黄のうちの少なくとも１つを備えている、請求項１２〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記イオン化された汚染物質は、第ＩＩＩ族種またはイオン化アクセプタ汚染物質を備えている、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記深準位ドーパントの濃度は、１０１５ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３または１０１６ｃｍ−３〜１０１８ｃｍ−３である、請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板内および前記核生成層内の自由正孔の濃度は、１０１６ｃｍ−３未満または１０１５ｃｍ−３未満である、請求項１２〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記核生成層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜１μｍ、または、１００ｎｍ〜１０μｍである、請求項１２〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板に最も近い前記核生成層の表面における前記深準位ドーパントの第１の濃度は、前記ＩＩＩ−Ｖ層に最も近い表面における前記深準位ドーパントの第２の濃度より高い、請求項１２〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板材料は、シリコンである、請求項１２〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、ＩＩＩ族窒化物層である、請求項１２〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
有機金属気相成長法、分子ビームエピタキシ、ハライド気相エピタキシ、または、物理蒸着によって、前記核生成層およびＩＩＩ−Ｖ層を成長させることを含む、請求項１２〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
核生成層およびＩＩＩ−Ｖ層は、有機金属気相成長法、分子ビームエピタキシ、ハライド気相エピタキシ、および物理蒸着のうちの１つ以上のものによって成長させられ得る。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
半導体であって、前記半導体は、
基板と、
前記基板を覆っている核生成層であって、前記核生成層は、深準位ドーパントを有する、核生成層と、
前記核生成層を覆って形成されるＩＩＩ−Ｖ層と
を備え、
前記基板および前記核生成層のうちの少なくとも１つは、イオン化された汚染物質を含み、
前記深準位ドーパントの濃度は、少なくとも前記イオン化された汚染物質の濃度と同程度に高い、半導体。
（項目２）
前記基板は、基板材料を備え、
前記深準位ドーパントは、前記基板材料の伝導帯および価電子帯から０．３ｅＶ〜０．６ｅＶ分離されている深準位状態を有する深準位ドーパント種を備えている、項目１に記載の半導体。
（項目３）
前記基板と前記核生成層との間にヘテロ構造をさらに備える、項目１に記載の半導体。
（項目４）
前記深準位ドーパントは、バナジウムを備えている、項目１に記載の半導体。
（項目５）
前記深準位ドーパントは、鉄を備えている、項目１に記載の半導体。
（項目６）
前記深準位ドーパントは、硫黄を備えている、項目１に記載の半導体。
（項目７）
前記イオン化された汚染物質は、第ＩＩＩ族種を備えている、項目１に記載の半導体。
（項目８）
前記イオン化された汚染物質は、イオン化アクセプタ汚染物質を備えている、項目１に記載の半導体。
（項目９）
前記深準位ドーパントの濃度は、１０１５ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３である、項目１に記載の半導体。
（項目１０）
前記深準位ドーパントの濃度は、１０１６ｃｍ−３〜１０１８ｃｍ−３である、項目１に記載の半導体。
（項目１１）
前記基板内および前記核生成層内の自由正孔の濃度は、１０１６ｃｍ−３未満である、項目１に記載の半導体。
（項目１２）
前記基板内および前記核生成層内の自由正孔の濃度は、１０１５ｃｍ−３未満である、項目１に記載の半導体。
（項目１３）
前記核生成層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍである、項目１に記載の半導体。
（項目１４）
前記核生成層の厚さは、１０ｎｍ〜１μｍである、項目１に記載の半導体。
（項目１５）
前記核生成層の厚さは、１００ｎｍ〜１０μｍである、項目１に記載の半導体。
（項目１６）
前記基板に最も近い前記核生成層の表面における前記深準位ドーパントの第１の濃度は、前記ＩＩＩ−Ｖ層に最も近い表面における前記深準位ドーパントの第２の濃度より高い、項目１に記載の半導体。
（項目１７）
前記基板材料は、シリコンである、項目１に記載の半導体。
（項目１８）
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、ＩＩＩ族窒化物層である、項目１に記載の半導体。
（項目１９）
半導体を成長させる方法であって、前記方法は、
基板を覆って核生成層を成長させることであって、前記核生成層は、深準位ドーパントを有する、ことと、
前記核生成層を覆ってＩＩＩ−Ｖ層を成長させることと
を含み、
前記基板および前記核生成層のうちの少なくとも１つは、イオン化された汚染物質を含み、
前記深準位ドーパントの濃度は、少なくとも前記イオン化された汚染物質の濃度と同程度に高い、方法。
（項目２０）
前記基板は、基板材料を備え、
前記深準位ドーパントは、前記基板材料の伝導帯および価電子帯から０．３ｅＶ〜０．６ｅＶ分離されている深準位状態を有する深準位ドーパント種を備えている、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記基板と前記核生成層との間にヘテロ構造を成長させることをさらに含む、項目１９に記載の方法。
（項目２２）
前記深準位ドーパントは、バナジウムを備えている、項目１９に記載の方法。
（項目２３）
前記深準位ドーパントは、鉄を備えている、項目１９に記載の方法。
（項目２４）
前記深準位ドーパントは、硫黄を備えている、項目１９に記載の方法。
（項目２５）
前記イオン化された汚染物質は、第ＩＩＩ族種を備えている、項目１９に記載の方法。
（項目２６）
前記イオン化された汚染物質は、イオン化アクセプタ汚染物質を備えている、項目１９に記載の方法。
（項目２７）
前記深準位ドーパントの濃度は、１０１５ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３である、項目１９に記載の方法。
（項目２８）
前記深準位ドーパントの濃度は、１０１６ｃｍ−３〜１０１８ｃｍ−３である、項目１９に記載の方法。
（項目２９）
前記基板内および前記核生成層内の自由正孔の濃度は、１０１６ｃｍ−３未満である、項目１９に記載の方法。
（項目３０）
前記基板内および前記核生成層内の自由正孔の濃度は、１０１５ｃｍ−３未満である、項目１９に記載の方法。
（項目３１）
前記核生成層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍである、項目１９に記載の方法。
（項目３２）
前記核生成層の厚さは、１０ｎｍ〜１μｍである、項目１９に記載の方法。
（項目３３）
前記核生成層の厚さは、１００ｎｍ〜１０μｍである、項目１９に記載の方法。
（項目３４）
前記基板に最も近い前記核生成層の表面における前記深準位ドーパントの第１の濃度は、前記ＩＩＩ−Ｖ層に最も近い表面における前記深準位ドーパントの第２の濃度より高い、項目１９に記載の方法。
（項目３５）
前記基板材料は、シリコンである、項目１９に記載の方法。
（項目３６）
前記ＩＩＩ−Ｖ層は、ＩＩＩ族窒化物層である、項目１９に記載の方法。
（項目３７）
前記核生成層およびＩＩＩ−Ｖ層を有機金属気相成長法によって成長させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目３８）
前記核生成層および前記ＩＩＩ−Ｖ層を分子ビームエピタキシによって成長させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目３９）
前記核生成層および前記ＩＩＩ−Ｖ層をハライド気相エピタキシによって成長させることを含む、項目１９に記載の方法。
（項目４０）
前記核生成層および前記ＩＩＩ−Ｖ層を物理蒸着によって成長させることを含む、項目１９に記載の方法。