【事件の表示】
　特願２０１１−５２８１９６「ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月　８日国際公開、ＷＯ２０１０／０３７４３７、平成２４年　２月１６日国内公表、特表２０１２−５０４３１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、２００９年７月９日（パリ条約に基づく優先権主張　２００８年９月３０日　（ＤＥ）ドイツ連邦共和国）を国際出願日として出願された特許出願であって、平成２５年３月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１５日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２６年２月７日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年５月１３日付けで意見書が提出されるとともに同日付で手続補正がなされ、同年１１月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２７年３月１０日に該拒絶査定を不服として審判請求がなされたものである。 
第２　本願発明について 
　本願請求項１ないし１２に係る発明は、平成２６年５月１３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。  
「ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系（２）であって、
　０．０１ｍｍ２よりも大きいエタンデュを有する照明光（１０）が、照明系（２）の下流照明光学系（４）内を通過するように設計された光源（３）、
　を含み、
　前記照明光学系（４）は、前記照明光（１０）を前記光源（３）から物体視野（５）に誘導するように設計され、
　照明系（２）が、少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）を含み、
　前記物体視野（５）を照明するための照射時間の時間スケールで前記照明光の変調が起こるよう、前記変調構成要素（２５；３５；３７）が設計されており、
　前記変調構成要素（２５；３７）は、前記光源（３）に対する変位デバイスによって形成され、
　前記変調構成要素（２５）がプラズマ点火点（２４１から２４３）の制御式変位を生じるように設計されたＬＰＰ光源（３）を特徴とする、
　照明系（２）。」
第３　引用刊行物 
１　引用刊行物に記載された事項 
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１８５７９８号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の事項が記載されている。 
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、EUV露光装置、軟Ｘ線顕微鏡、軟Ｘ線分析装置などの軟Ｘ線光学機器に使用される軟Ｘ線光源装置及び、EUV露光装置ならびに被対象物の照明方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路素子の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代わってこれより波長の短いＸ線を使用した
投影リソグラフィ技術が開発されている。この技術に使用されるＸ線投影露光装置（X線露光転写装置）
【０００３】このEUV光源としては、放射光光源も検討されているが光量が低いため、レーザープラズマ光源、放電プラズマ光源が注目されている。現在、光源に要求されるEUV光の出力は、波長13〜14nm付近、バンド幅2％（約0.3nm）で、50〜150Wである。露光量制御（露光量均一性等）のための要請から、繰り返し周波数は5kHz以上にする必要がある。また、etendu（エテンデュ：光源の面積と立体角の積）と呼ばれる量が重要であり、etenduは照明領域の面積と照明光束の立体角の積を越えてはならない。EUV露光装置では、従来の光露光装置と比べて、照明領域の面積も照明光束の立体角も小さくなり、etenduの値は1mm２str程度以下に抑える必要がある。etenduがこれより大きくなると、その分の光束は照明領域へ導くことが原理的に不可能となる。放電プラズマ光源は、電極間の放電により電極材料あるいは電極の近傍に配置された標的物質をプラズマ化し、そのプラズマから軟Ｘ線を輻射させるものである。この放電プラズマ光源は、レーザープラズマ光源や放射光光源と比べて装置構成が単純で小型であり、放出される軟Ｘ線の量が比較的多く、さらに、供給される電力に対する軟Ｘ線への変換効率が高く、効率的で低コストである。このような放電プラズマ光源としては、Ｚ−ピンチプラズマ光源、キャピラリ放電プラズマ光源、プラズマフォーカス光源などの様々な形態が開発されている。」
（２）「【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明では複数の点光源と、複数の点光源からの光を一点に集光させる集光反射光学系と、前記集光反射光学系を通過した各光源からの光を反射させる角度可変ミラーと、前記角度可変ミラーに入射する光束に応じて角度可変ミラーの角度を変えることにより各点光源からの光束を同一の方向へ反射する角度制御部と、を有する事を特徴とする軟Ｘ線光源装置を提供する。
【０００８】尚、本発明で言う点光源や集光点等の点の意味は必ずしも真の点ではなく、実際には数十μｍから数百μｍの大きさを持っていて構わない。
【０００９】【発明の実施の態様】
　図３は本発明に係る実施の形態による軟Ｘ線光源装置S（詳細は後述）を備えたＸ線露光装置の一例を示す構成図である。
【００１０】　Ｘ線露光装置は、主に軟Ｘ線光源装置Ｓ、照明光学系、マスクＭのステージ（図示せず）、投影光学系、ウエハＷのステージ（図示せず）などにより構成されている。
軟Ｘ線光源装置Ｓには後述する光源装置が用いられ、光源Ｓからの照明光束ＩＢが照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）に向かう。
この照明光学系によってマスクＭ上を所望の波長の軟Ｘ線（ＥＵＶ光）で照明する。
【００１１】軟Ｘ線の波長域では透明な物質は存在しないので、マスクＭには従来の透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用される。投影結像光学系は複数の多層膜ミラー（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３およびＰＲ４）等により構成されている。マスクＭ上に形成された回路パターンは、投影結像光学系によりレジストが塗布されたウエハＷ上に結像して該レジストに転写される。なお、軟Ｘ線は大気に吸収されて減衰するため、その光路は全て所定の真空度（例えば、１×１０−５Ｔｏｒｒ以下）に維持されている。露光方式はステップアンドリピート方式やスキャン露光方式等が可能であり、不図示のマスクステージ、ウエハステージは各々相対的に移動が可能である。
【００１２】
図４に本発明の実施の形態による軟Ｘ線光源装置を示す。
レーザープラズマは、励起用レーザー光の発光のタイミングで制御すればよい。放射光は（厳密には非常に高速なパルス発光であるが）ほぼ連続発光光源であるので、放射光の場合は、異なる発光点（各点ではずっと発光しつづけている。）からの光を本発明によって集めることができる。このように、発光している点光源に合わせて角度可変平面ミラー５の角度を調整することにより、角度可変平面ミラー５で反射した後の光束の方向を常に一定に保つことが出来る
（３）図３
（４）図４
２　引用発明
（１）上記「１」「（１）」の【０００２】の「Ｘ線領域の波長が１０〜１５ｎｍのEUVと呼ばれる波長（軟Ｘ線）の光」との記載から、引用文献の「軟Ｘ線」と「ＥＵＶ」は同じものであるので、「軟Ｘ線光源装置Ｓ」を「ＥＵＶ光源装置Ｓ」と統一して用いることにする。
（２）上記「１」「（２）」の「軟Ｘ線（ＥＵＶ光）」及び「照明光束ＩＢ」が同じものであることは明らかであるので、「ＥＵＶ光」と統一して用いることにする。
（３）上記「１」「（２）」の「レーザープラズマは、励起用レーザー光の発光のタイミングで制御すればよい。」という記載では、「軟Ｘ線光源装置Ｓ」がレーザープラズマ光源であることは、当業者には明らかである。
（４）上記「１」「（２）」の【００１２】の「異なる発光点」「からの光」は、「ＥＵＶ光」であることは明らかである。
（５）上記「１」「（２）」の【００１２】の「レーザープラズマ」において、「発光している点光源に合わせて角度可変平面ミラー５の角度を調整すること」における「点光源」は「発光点」であることは明らかである。
　上記「１」「（１）」ないし「（４）」と、上記（１）ないし（５）より、引用文献には、 
「投影リソグラフィ技術に使用されるＥＵＶ光源装置Ｓ及び照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）であって、
　前記ＥＵＶ光源装置からのＥＵＶ光が前記照明光学系に向かい、
　前記照明光学系によってマスクＭ上を前記ＥＵＶ光で照明し、
　前記ＥＵＶ光源装置が、励起用レーザー光の発光のタイミングで制御することにより異なる発光点から前記ＥＵＶ光を発光させ、前記異なる発光点に合わせて角度可変平面ミラー５の角度を調整することにより、前記角度可変平面ミラー５で反射した後の光束の方向を常に一定に保つことが出来る、レーザープラズマ光源である、
　ＥＵＶ光源装置及び照明光学系。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
第４　本願発明と引用発明との対比
１　引用発明の「投影リソグラフィ」、「ＥＵＶ光」、「照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）」、「ＥＵＶ光源装置Ｓ」及び「レーザープラズマ光源」は、本願発明の「マイクロリソグラフィ」、「照明光（１０）」、「下流照明光学系（４）」、「光源（３）」及び「ＬＰＰ光源（３）」に、それぞれ相当する。
２　引用発明の「ＥＵＶ光源装置Ｓ及び照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）」は、本願発明の「照明系（２）」に相当する。
　すると、引用発明の「投影リソグラフィ技術に使用されるＥＵＶ光源装置Ｓ及び照明光学系（ＩＲ１、ＩＲ２、ＩＲ３およびＩＲ４等）」は、本願発明の「ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系（２）」に相当する。
３　引用発明の「前記ＥＵＶ光源装置からのＥＵＶ光が前記照明光学系に向か」うことは、本願発明の「照明光（１０）が、照明系（２）の下流照明光学系（４）内を通過するように設計された光源（３）」「を含む」ことに相当する。
４　引用発明の「前記照明光学系によってマスクＭ上を前記ＥＵＶ光で照明」することは、本願発明の「前記照明光学系（４）は、前記照明光（１０）を前記光源（３）から物体視野（５）に誘導するように設計され」ることに相当する。
５　本願発明の「照明系（２）が、少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）を含み、前記物体視野（５）を照明するための照射時間の時間スケールで前記照明光の変調が起こるよう、前記変調構成要素（２５；３５；３７）が設計されており、前記変調構成要素（２５；３７）は、前記光源（３）に対する変位デバイスによって形成され、前記変調構成要素（２５）がプラズマ点火点（２４１から２４３）の制御式変位を生じるように設計されたＬＰＰ光源（３）」が示す構成は必ずしも明確とはいえないところ、本願の明細書及び図面（特に、【００１３】、【００４６】〜【００５２】図２）を参照すると、「変調構成要素２５」によって、「レーザービーム２４」が「錫液滴２４」と「点火点２４１から２４３」において、空間的かつ時間的に重なるように、点火点の変位を誘導し、「放射源３」の変位をもたらす構成を示すものと解される。
　そして、引用発明の「励起用レーザー光の発光のタイミングで制御することにより異なる発光点から前記ＥＵＶ光を発光させ」ることは、発光点を変位させることにほかならないから、引用発明の「前記ＥＵＶ光源装置が、励起用レーザー光の発光のタイミングで制御することにより異なる発光点から前記ＥＵＶ光を発光させ、前記異なる発光点に合わせて角度可変平面ミラー５の角度を調整することにより、前記角度可変平面ミラー５で反射した後の光束の方向を常に一定に保つことが出来る、レーザープラズマ光源である」ことは、本願発明の「照明系（２）が、少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）を含み、前記物体視野（５）を照明するための照射時間の時間スケールで前記照明光の変調が起こるよう、前記変調構成要素（２５；３５；３７）が設計されており、前記変調構成要素（２５；３７）は、前記光源（３）に対する変位デバイスによって形成され、前記変調構成要素（２５）がプラズマ点火点（２４１から２４３）の制御式変位を生じるように設計されたＬＰＰ光源（３）」であることに相当する。
　上記１ないし５より、本願発明と引用発明とは、次の一致点で一致し、相違点で相違している。 
＜一致点＞ 
「ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の照明系（２）であって、
　照明光（１０）が、照明系（２）の下流照明光学系（４）内を通過するように設計された光源（３）、
　を含み、
　前記照明光学系（４）は、前記照明光（１０）を前記光源（３）から物体視野（５）に誘導するように設計され、
　照明系（２）が、少なくとも１つの光学変調構成要素（２５；３５；３７）を含み、
　前記物体視野（５）を照明するための照射時間の時間スケールで前記照明光の変調が起こるよう、前記変調構成要素（２５；３５；３７）が設計されており、
　前記変調構成要素（２５；３７）は、前記光源（３）に対する変位デバイスによって形成され、
　前記変調構成要素（２５）がプラズマ点火点（２４１から２４３）の制御式変位を生じるように設計されたＬＰＰ光源（３）を特徴とする、
　照明系（２）。」
である点。 
＜相違点＞ 
「照明光（１０）」が、本願発明では、「０．０１ｍｍ２よりも大きいエタンデュを有する」のに対して、引用発明の「ＥＵＶ光」は、エタンデュについて明らかでない点。 
第５　当審の判断 
１　上記相違点について検討する。
　上記「第３」「１」「（１）」の引用文献の【０００２】に「EUV露光装置では、従来の光露光装置と比べて、照明領域の面積も照明光束の立体角も小さくなり、etenduの値は1mm２str程度以下に抑える必要がある。」と記載されているように、ＥＵＶ露光装置においてエタンデュをある程度小さくすることは周知技術であり、照明領域の大きさに合わせて、適宜設計し得る事項である。
　してみると、引用発明の「ＥＵＶ光」が０．０１ｍｍ２よりも大きいエタンデュを有するようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
２　本願発明の奏する作用・効果に関する検討  
　本願発明の「０．０１ｍｍ２よりも大きいエタンデュを有する」の「０．０１ｍｍ２」という下限値に臨界的意義は認められず、本願発明によってもたらされる作用・効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものであって、格別なものではない。  
第６　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。