Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月24日(2020.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ統合またはその他のコンピューティング環境で使用される方法であって、
１つ以上のデータソースからデータにアクセスするステップと、
前記アクセスしたデータをサンプリングするステップと、
サンプリングされたデータまたはアクセスされたデータのうちの少なくとも一方の一時スライスを特定するステップと、
ナレッジソースにアクセスすることにより、前記一時スライスによって表される前記サンプリングされたデータまたはアクセスされたデータのうちの少なくとも一方に関するメタデータを取得するステップと、
前記一時スライスによって表される前記サンプリングされたデータまたはアクセスされたデータのうちの少なくとも一方を管理するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記１つ以上のデータソースはＨＵＢであり、前記ナレッジソースはシステムＨＵＢである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
インターフェイスを通して受信したメタデータは、システムがデータフローの処理のためにアクセスする前記システムＨＵＢに格納される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
データ再構成および系統トラッキング情報は履歴情報および系統情報を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
後の時点において前記データ再構成および系統トラッキング情報はアップデートされてアップデートされた履歴情報および系統情報を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記システムは、前記データが処理された場所を含む系統トラッキングに基づくデータフローのライフサイクルを示すことができるグラフィカルユーザインターフェイスを提供する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、クラウドまたはクラウドベースのコンピューティング環境で実行される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
データ統合またはその他のコンピューティング環境で使用されるデータガバナンス機能を提供するためのシステムであって、
前記システムは１つ以上のプロセッサを備え、
前記１つ以上のプロセッサは、
１つ以上のデータソースからデータにアクセスし、
前記アクセスしたデータをサンプリングし、
サンプリングされたデータまたはアクセスされたデータのうちの少なくとも一方の一時スライスを特定し、
ナレッジソースにアクセスすることにより、前記一時スライスによって表される前記サンプリングされたデータまたはアクセスされたデータのうちの少なくとも一方に関するメタデータを取得し、
前記一時スライスによって表される前記サンプリングされたデータまたはアクセスされたデータのうちの少なくとも一方を管理する、ように動作可能である、システム。
【請求項９】
コンピュータシステムに、請求項１〜７のいずれかに記載の方法を実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法を実行するための手段を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月28日(2020.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記導電性の行がそれぞれ銀添加インクまたは炭素添加インクの少なくとも１つを含む請求項１記載の可撓性センサ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月23日(2020.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タスク完了のために装置ペアリングをなす方法であって、該方法は、
第１のユーザ装置にて、完了すべきタスクの指示を識別するステップと、
完了すべき前記タスクに対応し、第２のユーザ装置のユーザによって入力されるべきパスコードを生成するステップと、
完了すべき前記タスクを指し示す第１の情報と、前記第１のユーザ装置を識別する第２の情報と、要求識別子と、完了すべき前記タスクに対応し、前記第２のユーザ装置の前記ユーザによって入力されるべき前記パスコードとを、前記第１のユーザ装置によって、サーバへと、送信するステップであって、前記要求識別子は、前記パスコードとは異なる、送信するステップと、
前記第２のユーザ装置によって、前記第２のユーザ装置の前記ユーザから前記パスコードを受け付けるステップと、
前記第２のユーザ装置によって、前記パスコードに対応する係属中のタスク要求があるか否かを決定するステップと、
第１の既定の期間が経過したか否かを決定するステップと、
前記第１の既定の期間が経過したとの決定に応答して、前記第１のユーザ装置から前記サーバへと、前記第２のユーザ装置によって前記タスクが完了されたか否かを決定するための第１の要求を、送信するステップと、
前記第２のユーザ装置によって前記タスクが完了されたとの指示を前記サーバから受信したことに応答して、前記タスクに対応するデータを前記サーバから検索するステップとを含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、完了すべき前記タスクを指示するアルファニューメリック識別子を生成するステップをさらに含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、前記第１のユーザ装置によって、前記第１のユーザ装置と関連付けられているインターネットプロトコル（ＩＰ）アドレスを示す第３の情報を前記サーバに送信するステップをさらに含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記第２のユーザ装置は前記第１のユーザ装置との関係でローカルにある、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記タスクが前記第２のユーザ装置によって完了されていないとの指示を前記サーバから受信したことに応答して、第２の既定の期間が経過したか否かを決定するステップと、
前記第２の既定の期間が経過したとの決定に応答して、前記第２のユーザ装置によって前記タスクが完了されたか否かを決定するための第２の要求を前記第１のユーザ装置から前記サーバへと送信するステップとをさらに含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、検索された前記データは、前記第２のユーザ装置と関連付けられているカメラによって撮像された画像データを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月22日(2020.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受動デバイスであって、
複数の平行プレートキャパシタであって、前記複数の平行プレートキャパシタの各々が、一対の導電プレートの間に誘電体層を有する、複数の平行プレートキャパシタ
を備え、
少なくとも１つの相互接続されたトレースセグメントを有する２次元スパイラルインダクタが、前記平行プレートキャパシタのうちの１つのみに重複することを特徴とする、受動デバイス。
【請求項２】
前記受動デバイスが、パッシブオンガラスＰＯＧデバイスを備える、請求項１に記載の受動デバイス。
【請求項３】
前記複数の平行プレートキャパシタが、異なる誘電定数を有する金属絶縁体金属ＭＩＭキャパシタを備える、請求項１に記載の受動デバイス。
【請求項４】
前記金属絶縁体金属ＭＩＭキャパシタが、異なる誘電材料から構成される、請求項３に記載の受動デバイス。
【請求項５】
前記金属絶縁体金属ＭＩＭキャパシタが、異なる誘電体厚さを有する、請求項３に記載の受動デバイス。
【請求項６】
前記平行プレートキャパシタが、共通平面における金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタのセットであって、前記ＭＩＭキャパシタのセットのうちの第１のＭＩＭキャパシタが、第１の誘電定数の第１の誘電材料の単一層を有し、前記ＭＩＭキャパシタのセットのうちの第２のＭＩＭキャパシタが、前記第１の誘電定数とは異なる第２の誘電定数の第２の誘電材料の単一層を有する、共通平面における金属絶縁体金属（ＭＩＭ）キャパシタのセットである、請求項１に記載の受動デバイス。
【請求項７】
前記第１のＭＩＭキャパシタと同じ誘電材料の単一層と誘電定数とを有する、第３のＭＩＭキャパシタをさらに備え、前記第３のＭＩＭキャパシタが、前記第１のＭＩＭキャパシタと直列に接続される、請求項６に記載の受動デバイス。
【請求項８】
前記受動デバイスが、マルチプレクサの一部である、請求項６に記載の受動デバイス。
【請求項９】
前記平行プレートキャパシタが、共通平面における金属絶縁体金属ＭＩＭキャパシタのセットであって、第１のキャパシタが、第１の誘電体層の第１の誘電体厚さと第１の誘電定数とを有し、第２のキャパシタが、第２の誘電体層の第２の誘電体厚さを有し、前記第１の誘電体厚さが前記第２の誘電体厚さとは異なり、前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層が同じ材料のものである、共通平面における金属絶縁体金属ＭＩＭキャパシタのセットである、請求項１に記載の受動デバイス。
【請求項１０】
前記第１のＭＩＭキャパシタと同じ誘電体厚さと誘電定数とを有する、第３のＭＩＭキャパシタをさらに備え、前記第３のＭＩＭキャパシタが、前記第１のＭＩＭキャパシタと直列に接続される、請求項９に記載の受動デバイス。
【請求項１１】
前記誘電体層が、窒化ケイ素ＳｉＮ、酸化アルミニウムＡｌＯ、および五酸化タンタルＴａ２Ｏ５を含む、請求項９に記載の受動デバイス。
【請求項１２】
前記受動デバイスが、マルチプレクサの一部である、請求項９に記載の受動デバイス。
【請求項１３】
前記受動デバイスが、モバイルデバイスの一部である、請求項９に記載の受動デバイス。
【請求項１４】
前記第１の厚さおよび前記第２の厚さの範囲が、０．１ミクロンから１ミクロンを含む、請求項９に記載の受動デバイス。
【請求項１５】
無線周波数ＲＦフロントエンドモジュールであって、
請求項１から５の何れか一項に記載の受動デバイスを備えるマルチプレクサと、
前記マルチプレクサの出力に結合されたアンテナと
を備えるＲＦフロントエンドモジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月24日(2020.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを無線で制御するためのヒューマンマシンインタフェースシステムであって、
人の指によって押される複数の物理的なボタンであって、
前記複数の物理的なボタンのうちの第１のボタンを押下することに基づく第１の入力値と、
前記複数の物理的なボタンのうちの第２のボタンを押下することに基づく第２の入力値と、
前記第２のボタンを押下する前に前記第１のボタンを押下することに基づく第３の入力値と、
前記第１のボタンを押下する前に前記第２のボタンを押下することに基づく第４の入力値と、
を生成する複数の物理的なボタンと、
前記複数の物理的なボタンと通信するプロセッサであって、前記複数の物理的なボタンから前記第１、第２、第３、および第４の入力値を受信し処理するプロセッサと、
前記プロセッサから前記第１、第２、第３、および第４の入力値のうちの少なくとも１つを通信するワイヤレスコミュニケータであって、前記第１、第２、第３、および第４の入力値のそれぞれは、前記デバイスに向けられた固有のコマンドを含む、ワイヤレスコミュニケータと、
を有することを特徴とするヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項２】
前記複数の物理的なボタン、前記プロセッサ、および前記コミュニケータがすべて配置されるハウジングを更に有する、ことを特徴とする請求項１に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項３】
前記コミュニケータは、無線で、または物理ケーブルを介して、通信する、ことを特徴とする請求項１に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項４】
前記無線による通信は、Bluetooth、BLE、Z-Wave、NFC、RFID、SigFox、ANTまたはANT+のうちの１つ以上を用いて行われ、前記コマンドは、ＭＯＳＦＥＴまたはリレーデバイスを備えるスイッチング構成要素を制御するための制御情報を含む非データコマンドである、ことを特徴とする請求項３に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項５】
前記ヒューマンマシンインタフェースシステムは、（ａ）前記デバイスを制御するためのマスタ、および、（ｂ）ソフトウェアまたはファームウェアコンフィグレーションを修正するための別のコンピュータまたはプロセッサへの接続中のスレーブとして動作する、ことを特徴とする請求項１に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項６】
コンピュータによって実行される、デバイスを無線で制御する方法であって、
人の指によって押されることが可能な複数の物理的なボタンから生じる入力を受信するステップと、ここで、前記入力は、（ａ）前記複数の物理的なボタンのうちの第２のボタンを押下する前に第１のボタンを押下することに基づく第１の入力値と、（ｂ）前記複数の物理的なボタンのうちの前記第１のボタンを押下する前に前記第２のボタンを押下することに基づく第２の入力値と、のうちの少なくとも１つを含み、
前記入力を処理して前記デバイスに対するコマンドを決定するステップと、
前記第１および第２の入力値のうちの少なくとも１つに基づいて、コミュニケータを用いて前記コマンドを前記デバイスに無線で通信するステップであって、前記第１および第２の入力値のそれぞれは、前記デバイスに向けられた固有のコマンドを含む、ステップと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項７】
前記無線による通信は、Bluetooth、BLE、Z-Wave、NFC、RFID、SigFox、ANTまたはANT+のうちの１つ以上を用いて行われ、前記コマンドは、ＭＯＳＦＥＴまたはリレーデバイスを備えるスイッチング構成要素を制御するための制御情報を含む非データコマンドである、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記コミュニケータは、物理ケーブルを介して前記デバイスと通信する、ことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
時系列的に連続する第１および第２の入力値を処理して、入力値のサブセットを決定するステップと、
少なくとも１つの時系列的に連続する入力値を処理して、後続する入力値を決定するステップと、
を更に有することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記時系列的に連続する第１および第２の入力値は、前記複数の物理的なボタンのうちの１つの前記人の指による所定期間にわたるアクティベーションがないことを含む、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１の処理ステップは、制御する電子デバイスの選択を決定し、第２の処理ステップは、該デバイスに対するコマンドを決定する、ことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
第１のサブ入力の時間を記録するステップと、
前記第１のサブ入力から所定の経過時間値に達するまでの経過時間を監視するステップと、
前記所定の経過時間値より前に後続のサブ入力が受信されない場合、後続の入力がないことを所定の入力値として処理するステップと、
を更に有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の経過時間値は、約２秒未満、約１．５秒未満、約１秒未満、任意選択で約０．５から１秒、または、約０．５秒である、ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
デバイスを制御するためのヒューマンマシンインタフェースシステムであって、
ヒューマンマシンインタフェースを有し、前記ヒューマンマシンインタフェースは、
ハウジングと、
複数の押下可能な物理的なボタンと、
前記複数の押下可能な物理的なボタンと通信し、前記複数の押下可能な物理的なボタンのうちの少なくとも１つからの入力を受信し処理するプロセッサと、
前記プロセッサからの出力を通信するように構成されたコミュニケータと、ここで、前記出力は、前記デバイスに向けられたコマンドを含み、
前記ヒューマンマシンインタフェースと通信して前記デバイス上で前記コマンドを実行するデバイスコントローラと、を含み、前記プロセッサは、前記複数の押下可能な物理的なボタンのうちの少なくとも１つからの第１のサブ入力を時系列的に処理して、出力のサブセットを決定し、少なくとも１つの時系列的に連続するサブ入力を処理して前記出力の値を決定する、ことを特徴とするヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項１５】
前記プロセッサは、
前記入力から１つ以上のサブ入力を識別し、
各サブ入力に対する個別の値を決定し、
各個別の値を数学的に処理して出力値を決定し、
前記出力値から出力コマンドを識別する、
ことを特徴とする請求項１４に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項１６】
前記複数の押下可能な物理的なボタン、前記プロセッサ、および前記コミュニケータはすべて、前記ハウジングの周りに配置されるか、前記ハウジングの内部に配置されるか、または、前記ハウジングに接続される、ことを特徴とする請求項１４に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【請求項１７】
前記コミュニケータは、無線で、または物理ケーブルを介して、通信する、ことを特徴とする請求項１４に記載のヒューマンマシンインタフェースシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月28日(2020.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーティションのサイズを動的に決定するための方法であって、
コンピューティングデバイスが、アプリケーションに関する連続データストリームを受信するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記連続データストリームに関連付けられた入力ジオメトリを特定するステップとを含み、前記入力ジオメトリは、前記連続データストリームにおけるパーティション分割される領域を指定し、前記方法は、さらに、
前記コンピューティングデバイスが、前記入力ジオメトリに少なくとも部分的に基づいて、ジオメトリクラスタを生成するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記ジオメトリクラスタおよび前記ジオメトリクラスタに含まれる各クラスタにおけるジオメトリの数に、少なくとも部分的に基づいて出力ジオメトリを生成するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記ジオメトリクラスタおよび前記ジオメトリクラスタに含まれる各クラスタにおけるジオメトリの数に基づいて、前記出力ジオメトリの１つ以上のパーティションを決定するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記出力ジオメトリの１つ以上のパーティションのサイズを動的に変更するステップと、
前記コンピューティングデバイスが、前記連続データストリームに関連付けられた前記出力ジオメトリを送信するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記出力ジオメトリの１つ以上のパーティションを決定するステップは、前記ジオメトリクラスタにおける変化を検出するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ジオメトリクラスタにおける前記変化を検出するステップは、前記ジオメトリクラスタのバウンディングボックスをインデックスにロードするステップと、前記ジオメトリクラスタを前記インデックス内の他のジオメトリクラスタと比較するステップと、前記ジオメトリクラスタが前記インデックスに含まれる前記他のジオメトリクラスタと比較して変化したかどうかを判断するステップとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ジオメトリクラスタにおける前記変化を検出するステップは、前記ジオメトリクラスタが前記インデックスから見つからなかった場合、前記ジオメトリクラスタは新しいクラスタであると判断され、前記ジオメトリクラスタが前記インデックスから見つかった場合、前記ジオメトリクラスタは既存クラスタであると判断されることをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ジオメトリクラスタにおける前記変化を検出するステップは、前記ジオメトリクラスタが前記新しいクラスタであった場合、前記他のジオメトリクラスタからの１つ以上のパラメータなしに、前記ジオメトリクラスタおよび前記ジオメトリクラスタに含まれる各クラスタにおけるジオメトリの数に基づいて前記出力ジオメトリの１つ以上のパーティションが決定されるステップと、前記ジオメトリクラスタが前記既存クラスタであった場合、サイズ閾値を特定して前記出力ジオメトリの前記１つ以上のパーティションの前記サイズを動的に変更するステップとをさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上のパーティションのサイズを変更するステップは、グリッド範囲を決定するステップと、インデックステーブルをパーティション分割するためのグリッドインデックスを作成するステップと、インデックスに格納されたクラスタオブジェクトがパーティション識別子を割り当てる際に利用できるよう、前記インデックステーブルをパーティション分割するためのグリッドインデックスを前記クラスタオブジェクトに設定するステップとを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記グリッド範囲の決定は、構成パラメータ、グリッドサイズ、グリッドサイズ効果要素、および前記ジオメトリクラスタに含まれる各クラスタにおけるジオメトリの数によって実施される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータによって実行可能な命令を格納するように構成されたメモリと、
前記メモリにアクセスして前記コンピュータによって実行可能な命令を実行するように構成されたプロセッサとを備え、前記コンピュータによって実行可能な命令は、
アプリケーションに関する連続データストリームを受信するための命令と、
前記連続データストリームに関連付けられた入力ジオメトリを特定するための命令とを含み、前記入力ジオメトリは、前記連続データストリームにおけるパーティション分割される領域を指定し、前記コンピュータによって実行可能な命令は、さらに、
前記入力ジオメトリの少なくとも一部に基づいてジオメトリクラスタを生成するための命令と、
前記ジオメトリクラスタおよび前記ジオメトリクラスタにおける各クラスタに含まれるジオメトリの数に、少なくとも部分的に基づいて出力ジオメトリを生成するための命令と、
前記ジオメトリクラスタおよび前記ジオメトリクラスタに含まれる各クラスタにおけるジオメトリの数に基づいて、前記出力ジオメトリの１つ以上のパーティションを決定するための命令と、
前記出力ジオメトリの１つ以上のパーティションのサイズを動的に変更するための命令と、
前記連続データストリームに関連付けられた前記出力ジオメトリを送信するための命令とを含む、システム。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法をプロセッサに実行させるためのコンピュータ読み取り可能なプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月28日(2020.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズ状態検出回路であって、
供給電圧からヒューズ素子及び基準素子それぞれへの、ヒューズ経路を通る電流及び基準経路を通る電流を、前記供給電圧の適用時と実質的に同時に有効信号を受信したときに有効にするべく構成された有効ブロックと、
前記ヒューズ経路を通る電流の量及び前記基準経路を通る電流の量を制御するべくあつらえられた電流制御ブロックと、
前記ヒューズ素子の状態を表す出力を、前記ヒューズ経路を通る電流及び前記基準経路を通る電流に基づいて生成するべく実装された決定ブロックと
を含み、
前記出力は、前記供給電圧の適用のランプアップ部分の間に生成され、
前記ヒューズ経路は、
前記決定ブロックに関連付けられた決定トランジスタと、
前記電流制御ブロックに関連付けられた電流制御トランジスタと、
前記供給電圧に関連付けられた供給電圧ノードと前記ヒューズ素子に関連付けられたヒューズ素子ノードとの間に直列に実装された、前記有効ブロックに関連付けられた有効トランジスタと
を含むヒューズ状態検出回路。
【請求項２】
前記決定ブロックは、前記決定ブロックが前記供給電圧を受信するべく、前記供給電圧ノードを含む請求項１のヒューズ状態検出回路。
【請求項３】
前記有効ブロックは、前記ヒューズ素子に接続されたヒューズ素子ノードを含む請求項１のヒューズ状態検出回路。
【請求項４】
前記基準素子は基準抵抗を含む請求項１のヒューズ状態検出回路。
【請求項５】
前記ヒューズ素子の一端が前記ヒューズ経路に接続され、
前記ヒューズ素子の他端がグランドに接続され、
前記基準素子の一端が前記基準経路に接続され、
前記基準素子の他端が前記グランドに接続され、
前記ヒューズ経路及び前記基準経路は、前記供給電圧ノードと前記グランドとの間に電気的に並列に存在する請求項１のヒューズ状態検出回路。
【請求項６】
前記決定トランジスタは前記供給電圧ノードに接続され、
前記有効トランジスタは前記ヒューズ素子ノードに接続され、
前記電流制御トランジスタは、前記決定トランジスタと前記有効トランジスタとの間に存在する請求項１のヒューズ状態検出回路。
【請求項７】
前記基準経路は、
前記決定ブロックに関連付けられた決定トランジスタと、
前記電流制御ブロックに関連付けられた電流制御トランジスタと、
前記供給電圧ノードと前記基準素子に関連付けられたノードとの間に直列に実装された、前記有効ブロックに関連付けられた有効トランジスタと
を含む請求項１のヒューズ状態検出回路。
【請求項８】
前記決定トランジスタは前記供給電圧ノードに接続され、
前記有効トランジスタは前記基準素子に接続され、
前記電流制御トランジスタは前記決定トランジスタと前記有効トランジスタとの間に存在する請求項７のヒューズ状態検出回路。
【請求項９】
前記ヒューズ経路の決定トランジスタ及び前記基準経路の決定トランジスタは前記決定ブロックの部品である請求項７のヒューズ状態検出回路。
【請求項１０】
前記決定ブロックはさらに、
前記基準経路に沿った第１出力ノードと、
前記ヒューズ経路に沿った第２出力ノードと
を含み、
前記第１出力ノード及び第２出力ノードは、前記ヒューズ素子の状態に基づいてそれぞれの出力電圧を与えるべく構成される請求項９のヒューズ状態検出回路。
【請求項１１】
前記ヒューズ経路の決定トランジスタと前記基準経路の決定トランジスタとはそれぞれがゲート、ソース及びドレインを含み、
各決定トランジスタのソースが前記供給電圧ノードに接続され、
各決定トランジスタのドレインが前記第１出力ノード及び第２出力ノードのそれぞれ一つに接続される請求項１０のヒューズ状態検出回路。
【請求項１２】
前記基準経路の決定トランジスタと前記ヒューズ経路の決定トランジスタとは交差結合され、
一方の決定トランジスタのゲートが他方の決定トランジスタのドレインに接続される請求項１１のヒューズ状態検出回路。
【請求項１３】
前記決定ブロックの出力は、第１の出力電圧と第２の出力電圧との差分を含む請求項１２のヒューズ状態検出回路。
【請求項１４】
前記決定ブロックは、前記ヒューズ素子が無傷状態にあるときに前記出力が正値を有し、前記ヒューズ素子が吹き飛び状態にあるときに前記出力が負値を有するように構成される請求項１３のヒューズ状態検出回路。
【請求項１５】
半導体ダイであって、
半導体基板と、
前記半導体基板に実装されたヒューズ素子と、
前記半導体基板に実装されて前記ヒューズ素子と通信するヒューズ検出回路と
を含み、
前記ヒューズ検出回路は、供給電圧からヒューズ素子及び基準素子それぞれへの、ヒューズ経路を通る電流及び基準経路を通る電流を、前記供給電圧の適用時と実質的に同時に有効信号を受信したときに有効にするべく構成された有効ブロックを含み、
前記ヒューズ検出回路はさらに、前記ヒューズ経路を通る電流の量及び前記基準経路を通る電流の量を制御するべくあつらえられた電流制御ブロックを含み、
前記ヒューズ検出回路はさらに、前記ヒューズ素子の状態をあらわす出力を、前記ヒューズ経路を通る電流及び前記基準経路を通る電流に基づいて生成するべく実装された決定ブロックを含み、
前記出力は、前記供給電圧の適用のランプアップ部分の間に生成され、
前記ヒューズ経路は、
前記決定ブロックに関連付けられた決定トランジスタと、
前記電流制御ブロックに関連付けられた電流制御トランジスタと、
前記供給電圧に関連付けられた供給電圧ノードと前記ヒューズ素子に関連付けられたヒューズ素子ノードとの間に直列に実装された、前記有効ブロックに関連付けられた有効トランジスタと
を含む半導体ダイ。
【請求項１６】
電子モジュールであって、
複数のコンポーネントを受容するべく構成されたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板に取り付けられて集積回路及びヒューズ素子を含む半導体ダイと、
前記ヒューズ素子と通信して有効ブロックを含むヒューズ検出回路と、
前記ヒューズ検出回路と通信して前記ヒューズ検出回路の出力を表す入力信号を受信するべく構成された制御器と
を含み、
前記有効ブロックは、供給電圧からヒューズ素子及び基準素子それぞれへの、ヒューズ経路を通る電流及び基準経路を通る電流を、前記供給電圧の適用時と実質的に同時に有効信号を受信したときに有効にするべく構成され、
前記ヒューズ検出回路はさらに、前記ヒューズ経路を通る電流の量及び前記基準経路を通る電流の量を制御するべくあつらえられた電流制御ブロックを含み、
前記ヒューズ検出回路はさらに、前記ヒューズ素子の状態を表す出力を、前記ヒューズ経路を通る電流及び前記基準経路を通る電流に基づいて生成するべく実装された決定ブロックを含み、
前記出力は、前記供給電圧の適用のランプアップ部分の間に生成され、
前記ヒューズ経路は、
前記決定ブロックに関連付けられた決定トランジスタと、
前記電流制御ブロックに関連付けられた電流制御トランジスタと、
前記供給電圧に関連付けられた供給電圧ノードと前記ヒューズ素子に関連付けられたヒューズ素子ノードとの間に直列に実装された、前記有効ブロックに関連付けられた有効トランジスタと
を含み、
前記制御器はさらに、前記入力信号に基づいて制御信号を生成するべく構成される電子モジュール。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月21日(2020.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン系活物質粒子の調製方法であって、
シリコン粉末を提供する工程と、
酸化防止剤を含有する分散用溶媒中に前記シリコン粉末が分散された、粉砕前混合物を提供する工程と、
前記粉砕前混合物の前記シリコン粉末に機械的圧縮及び剪断応力を加えて前記シリコン粉末を粒状にし、それによって前記酸化防止剤により制御された酸素含有量を有するシリコン粒子を形成する工程と、
前記シリコン粒子を含む生成物を乾燥して、シリコン系活物質粒子を得る工程と、を備える調製方法。
【請求項２】
前記酸化防止剤は、α−リポ酸、オクテン、没食子酸プロピル、トコフェロール、グルタチオン、ブチルヒドロキシアニソール、ブチル化ヒドロキシトルエン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、ノルジヒドログアイアレチン酸、セサモール、ビタミンＥ、ビタミンＣ、及びケルセチンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記酸化防止剤は、前記シリコン粉末の重量に対して１重量％〜１０重量％の量で使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記分散用溶媒は、水、脱イオン水、アルコール溶媒、又はそれらの２種以上の混合物をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アルコール溶媒は、エチルアルコール、メチルアルコール、グリセリン、プロピレングリコール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ポリビニルアルコール、シクロヘキサノール、オクチルアルコール、デカノール、ヘキサデカノール、エチレングリコール、１，２−オクタンジオール、１，２−ドデカンジオール、及び１，２−ヘキサデカンジオール、又はそれらの混合物、からなる群から選択されるいずれか１種を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
機械的圧縮及び剪断応力を加える前記工程が、回転研磨プレートと固定プレートとの間に前記粉砕前混合物を供給しながらプレス及び研磨を行う研削によって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン系活物質粒子は、シリコン粒子のコア上に形成された化学酸化物層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン系活物質粒子中、前記シリコン粒子の前記コア及び前記化学酸化物層の総重量に対する前記酸素含有量は、５重量％〜１５重量％の範囲又は６重量％〜１０重量％の範囲内に制限される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記化学酸化物層は、前記機械的圧縮及び剪断応力を加える工程の間、前記酸化防止剤を含む前記分散用溶媒によって低い温度で形成された酸化シリコン層である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコン粒子の前記コアは、低い結晶性を有する又は非晶質である、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン系活物質粒子の平均粒子径は、３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲又は３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン粒子を含む前記生成物と炭素前駆体溶媒とを混合して分散溶液を形成する工程と、
前記分散溶液由来の炭素前駆体マトリックス内に、前記シリコン粒子が分散された固体二次粒子を形成する工程と、
前記固体二次粒子を熱処理して前記炭素前駆体マトリックスを炭化し、それによってシリコン系二次活物質粒子を形成する工程をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月11日(2020.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の表面と第1の表面の反対側の第2の表面とを含む導波路とを含む装置であって、
第1の表面は、略平面部分と、略平面部分と接線方向に隣接する湾曲した縁部分とを含み、
湾曲した縁部は、断面で見たときに、
湾曲した縁部は、略平面部に直接隣接する凸部を含み、
凸部は、その凸部が略平面部に直交する位置まで延びており、
凸部は、凸部が略平面部に直交する位置を越えて凸部となり、
湾曲した縁部は、凸部に接線方向に隣接する凹部をさらに含む
ように成形される、
装置。
【請求項２】
前記導波路は、前記第1の表面の前記湾曲した縁部に隣接し、前記凹部とコーナーを形成する入射表面をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記入射表面は、前記第1の表面の前記略平面部分に対して略平行である、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第2の表面は、前記第1の表面の前記略平面部分に略平行である第2の略平面部分を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記第2の表面は、前記入射表面に隣接する第2の湾曲した縁部をさらに含む、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第2の湾曲した縁部は、前記断面で見たとき、前記第2の略平面部分と前記入射表面との間に第2の凹部を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第1の表面の湾曲したエッジ部分が、光の少なくとも一部の全反射を介して反射し、前記第1の表面の前記略平面部分に近接する前記導波路の一部の方へ反射部分を向けるように、前記入射表面を通して前記導波路に実質的に光を向けるように配置された第1の発光ダイオードをさらに備える、請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記導波路の前記第1の表面の前記略平面部分は、前記光の少なくとも一部が前記略平面部分を通って前記導波路を出ることを可能にするように構成される、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記導波路は、第1の導波路であり、
第1の導波路に隣接して配置された第2の導波路をさらに含み、
第2の導波路は、第3の表面と、第3の表面に対向する第4の表面とを含み、  第3の表面は、第1の導波路の第1の表面の略平面部分に略平行である第2の略平面部分を含み、
前記第3の表面は、前記第2の略平面部分に接して接線方向に隣接する第2の湾曲したエッジ部分をさらに含み、
第2の湾曲した縁部は、断面で見たときに
第2の湾曲した縁部は、第2の略平面部に直接隣接する第2の凸部を含み、
第2の凸部は、第2の略平面部に直交する第2の位置まで延びており、
第2の凸部は、第2の略平面部に直交する第2の位置を越えて凸状に延びているように成形される、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第2の凸部の前記第2の位置は、前記凸部の位置に向かう、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第2の凸部の前記第2の位置は、前記凸部の前記位置に直接隣接する、
請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記第2の凸部の前記第2の位置は、前記凸部の前記位置に直接当接する、
請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
前記第1の導波路の前記第1の表面の前記凸部と、前記第2の導波路の前記第3の表面の前記第2の凸部との間に配置されるフレーム要素をさらに備え、前記フレーム要素は、前記第1の導波路の前記第1の表面の前記凸部と、前記第2の導波路の前記第3の表面の前記第2の凸部とに対向する対向する凹面を有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記湾曲した縁部は、前記第2の湾曲した縁部に対して略平行に延在する、
請求項９に記載の装置。
【請求項１５】
前記湾曲した縁部及び前記第2の湾曲した縁部は、互いに略平行であるそれぞれの線に沿って延在する、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記第1の導波路及び前記第2の導波路は、略矩形形状である、
請求項９に記載の装置。
【請求項１７】
発光ダイオードからの光を略平面導波路の縁部に向けるステップであって、前記導波路は、第1の表面と、前記第1の表面の反対側の第2の表面とを含み、前記第1の表面は、略平面部分と、略平面部分と接線方向に隣接する湾曲した縁部とを含み、前記湾曲した縁部は、断面で見たときに整形される、ステップと、
湾曲した縁部は、略平面部に直接隣接する凸部を含み、
凸部は、その凸部が略平面部に直交する位置まで延びており、
凸部は、凸部が略平面部に直交する位置を越えて凸部となり、
湾曲した縁部は、凸部に接線方向に隣接する凹部をさらに含み、
第1の表面の湾曲したエッジ部分からの全内部反射を介して、導波路のエッジから導波路の内部に向かって光の少なくとも一部を反射するステップとを含む、
方法。
【請求項１８】
前記導波路の前記第1の表面の前記略平面部分を通って前記導波路を出るように前記光の少なくとも一部を指向するステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
装置であって、
第1の導波路と、前記第１の導波路に隣接して配置される第２の導波路とを有し、
前記第１の導波路は、
第1の略平坦な出射面であって、凸状の断面形状を有する第1の湾曲部に延在する第1の略平坦な出射面と、
第1の略平坦な出射面に対向し、略平行な第1の対向する表面とを有し、
前記第2の導波路は、
第2の略平面出射面は、第1の略平面出射面と略同一平面であり、第2の略平面出射面は、凸状の断面形状を有する第2の湾曲部に延在する、第2の略平面出射面と、
第2のほぼ平坦な出射面に対向し、ほぼ平行な第2の対向する面とを有し、
第1の湾曲部及び第2の湾曲部は、第1の略平面の出射面と一致する第1の平面において第1の値だけ離間されており、
第1の湾曲部と第2の湾曲部とは、第1の平面と第1の対向する表面との間に配置された第2の平面において、第1の値よりも小さい第2の値だけ離間され、
第1の湾曲部と第2の湾曲部とは、第2の平面と第1の対向する表面との間に配置された第3の平面において、第2の値よりも大きい第3の値だけ離間されている、
装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月25日(2020.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
火花点火式内燃機関を潤滑にするために使用される潤滑組成物の酸化安定性を向上させる方法であって、前記火花点火式機関がハイブリッド電気自動車のパワートレイン内に含まれ、前記方法が前記火花点火式機関の燃焼室にガソリン組成物を導入するステップを含み、前記ガソリン組成物が、炭化水素基本燃料であって、前記基本燃料を基準として、１０〜２０体積％のオレフィン、５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有するオレフィン、および５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有する芳香族化合物を含有する、３０〜４０℃の範囲の初期沸点、４５〜５７℃の範囲のＴ１０、８２〜１０４℃の範囲のＴ５０、１４０〜１５０℃の範囲のＴ９０、および２２０℃以下の最終沸点である炭化水素基本燃料を含む、方法。
【請求項２】
前記ガソリン組成物が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、およびイソブタノールから選択される少なくとも１つの含酸素添加剤を０〜１０体積％含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記炭化水素基本燃料が１２〜１８体積％のオレフィンを含有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハイブリッド電気自動車がプラグインハイブリッド電気自動車である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
エンジンクランクケース潤滑油の酸化安定性を向上させるため、および／またはエンジン潤滑油の交換頻度を低減するための、火花点火式機関用の燃料としてのガソリン組成物の使用であって、前記火花点火式機関がハイブリッド電気自動車のパワートレイン内に含まれ、前記ガソリン組成物が、炭化水素基本燃料であって、前記基本燃料を基準として、１０〜２０体積％のオレフィン、５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有するオレフィン、および５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有する芳香族化合物を含有する、３０〜４０℃の範囲の初期沸点、４５〜５７℃の範囲のＴ１０、８２〜１０４℃の範囲のＴ５０、１４０〜１５０℃の範囲のＴ９０、および２２０℃以下の最終沸点である炭化水素基本燃料を含む、ガソリン組成物の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
加速試験（１２００〜３５００ｒｐｍ、５速、全開スロットル（ＷＯＴ）、１２００〜３５００ｒｐｍ、４速、ＷＯＴ、および１２００〜３５００ｒｐｍ、４速、７５％スロットル）の下で、実施例４は、比較例ＥおよびＦのいずれ対しても、一貫して優れた性能（加速時間）を示した。エンジンが比較例Ｅまたは比較例Ｆに対して、実施例４を燃料とする場合、１５００ｒｐｍおよび２５００ｒｐｍの両方で有意に高い動力が発生した。
以下に、実施態様を記載する。
態様１
火花点火式内燃機関を潤滑にするために使用される潤滑組成物の酸化安定性を向上させる方法であって、前記火花点火式機関がハイブリッド電気自動車のパワートレイン内に含まれ、前記方法が前記火花点火式機関の燃焼室にガソリン組成物を導入するステップを含み、前記ガソリン組成物が、炭化水素基本燃料であって、前記基本燃料を基準として、１０〜２０体積％のオレフィン、５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有するオレフィン、および５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有する芳香族化合物を含有する、３０〜４０℃の範囲の初期沸点、４５〜５７℃の範囲のＴ１０、８２〜１０４℃の範囲のＴ５０、１４０〜１５０℃の範囲のＴ９０、および２２０℃以下の最終沸点である炭化水素基本燃料を含む、方法。
態様２
前記ガソリン組成物が、メタノール、エタノール、イソプロパノール、およびイソブタノールから選択される少なくとも１つの含酸素添加剤を０〜１０体積％含有する、態様１に記載の方法。
態様３
前記炭化水素基本燃料が１０〜２０体積％のオレフィンを含有する、態様１または２に記載の方法。
態様４
前記炭化水素基本燃料が１２〜１８体積％のオレフィンを含有する、態様１〜３のいずれか一項に記載の方法。
態様５
前記基本燃料が、２８〜４２℃の範囲の初期沸点、４２〜５８℃の範囲のＴ１０、８０〜１０５℃の範囲のＴ５０、１３５〜１７０℃の範囲のＴ９０、および２００℃以下の最終沸点を有する、態様１〜４のいずれか一項に記載の方法。
態様６
前記基本燃料が、３０〜４０℃の範囲の初期沸点、４５〜５７℃の範囲のＴ１０、８２〜１０４℃の範囲のＴ５０、１４０〜１５０℃の範囲のＴ９０、および１８０℃以下の最終沸点を有する、態様１〜５のいずれか一項に記載の方法。
態様７
前記ガソリン組成物である、態様１〜６のいずれか一項に記載の方法。
態様８
前記燃料組成物が１つ以上の酸化防止剤を含む、態様１〜７のいずれか一項に記載の方法。
態様９
前記ガソリン組成物がヒンダードフェノール型の酸化防止剤を含む、態様１〜８のいずれか一項に記載の方法。
態様１０
前記ハイブリッド電気自動車がプラグインハイブリッド電気自動車である、態様１〜９のいずれか一項に記載の方法。
態様１１
エンジンクランクケース潤滑油の酸化安定性を向上させるため、および／またはエンジン潤滑油の交換頻度を低減するための、火花点火式機関用の燃料としてのガソリン組成物の使用であって、前記火花点火式機関がハイブリッド電気自動車のパワートレイン内に含まれ、前記ガソリン組成物が、炭化水素基本燃料であって、前記基本燃料を基準として、１０〜２０体積％のオレフィン、５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有するオレフィン、および５体積％以下の少なくとも１０個の炭素原子を有する芳香族化合物を含有する、３０〜４０℃の範囲の初期沸点、４５〜５７℃の範囲のＴ１０、８２〜１０４℃の範囲のＴ５０、１４０〜１５０℃の範囲のＴ９０、および２２０℃以下の最終沸点である炭化水素基本燃料を含む、ガソリン組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月24日(2020.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外線吸収ハードコートであって、
結合剤、及び
前記ハードコートの総重量を基準として、１〜９０重量％の範囲のＺｎＯナノ粒子の混合物を含み、
前記ＺｎＯナノ粒子の数の少なくとも５０パーセントが、Ｌ−リシンで表面改質されており、かつその上にシリカコーティングを有し、
前記ＺｎＯナノ粒子自体が、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の平均粒径を有し、
前記シリカコーティングが少なくとも２ｎｍの平均厚さを有する、紫外線吸収ハードコート。
【請求項２】
前記シリカコーティングが、表面改質されている、請求項１に記載のハードコート。
【請求項３】
前記結合剤が、前記結合剤の総重量を基準として、２０重量％〜８０重量％を占める、請求項１又は２に記載のハードコート。
【請求項４】
実施例の試験によって決定される、３％未満のヘイズ値及び０．２％未満のΔヘイズ値を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のハードコート。
【請求項５】
表面を有する基材、及び
前記基材の前記表面上に配置された、請求項１〜４のいずれか一項に記載のハードコート層
を含む物品。
【請求項６】
前記基材がフィルムである、請求項５に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
Ｎ，Ｎ−メチレンビスアクリルアミド、グリシンおよびアグマチンの共重付加によって得られ、以下の式（Ｉ）：
【化１】
2019533072.tif 000001
［式中、ｎおよびｍは、値（ｎ＋ｍ）が、５〜１，０００の範囲、好ましくは２０〜２００の範囲、さらにより好ましくは４５〜５５の範囲となり得るような２つの数である］
を有する、１，０００Ｄａ〜２００，０００Ｄａの間の範囲の数平均分子量を有するポリアミドアミン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【化２】
2019533072.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【化３】
2019533072.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月16日(2020.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
架橋性組成物であって、
（メタ）アクリレートポリマーと、
以下の式（Ｉ）、（ＩＩ）、又は（ＩＩＩ）：
【化１】
2019533065.tif 000001
［式中、
Ｒ１及びＲ２は、アルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基、ヘテロ芳香族基、アルキル置換ヘテロ芳香族基から独立して選択され、Ｒ１及びＲ２は一緒になって、最大７個の炭素の環を形成してもよく、
Ｒ３及びＲ４は、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、及びカルボキシル基から独立して選択され、
Ｒ５及びＲ６は、フェニル基、アルキル置換フェニル基、ヘテロ芳香族基、アルキル又は塩素置換ヘテロ芳香族基、及び式（ＩＶ）から独立して選択され、
【化２】
2019533065.tif 000002
式中、
Ｒ７はハロゲンであり、
Ｒ８はＨであり、
Ｒ９はヘテロアリールであり、
Ｒ１０はＨであり、
Ｒ１１はハロゲンである］
のうちの１つの可視光吸収化合物と、を含み、
前記架橋性組成物中の炭素−炭素結合の２％以下は二重結合である、架橋性組成物。
【請求項２】
（メタ）アクリレートポリマーを含む感圧性接着剤を含む、請求項１に記載の架橋性組成物。
【請求項３】
前記２％以下の炭素−炭素二重結合は、（メタ）アクリレートポリマー主鎖結合、（メタ）アクリレートポリマーペンダント基結合、又は（メタ）アクリレートモノマー結合のうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の架橋性組成物。
【請求項４】
前記可視光吸収化合物は、４００ｎｍ〜５００ｎｍの間にピーク吸収を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の架橋性組成物。
【請求項５】
Ｒ１及びＲ２はアルキル基及びフェニル基から独立して選択され、Ｒ１及びＲ２は、一緒になって最大７個の炭素の環を形成してもよい、請求項１〜４のいずれか一項に記載の架橋性組成物。
【請求項６】
Ｒ３及びＲ４はＨ及びハロゲンから独立して選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の架橋性組成物。
【請求項７】
Ｒ５及びＲ６はそれぞれ式（ＩＶ）のものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の架橋性組成物。
【請求項８】
前記（メタ）アクリレートポリマーは、連鎖移動剤、極性モノマー、及び少なくとも１つのアルキル（メタ）アクリレートを含む重合性組成物の反応生成物を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の架橋性組成物。
【請求項９】
前記重合性組成物は紫外線吸収化合物を更に含むか、前記（メタ）アクリレートポリマーは少なくとも１つの紫外線吸収官能基を含むか、又はその両方である、請求項８に記載の架橋性組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の架橋性組成物を得ることと、
前記架橋性組成物を４００ｎｍ以上の波長を有する放射線に晒すこととを含む、架橋組成物を製造する方法。
【請求項１１】
前記放射線は４００ｎｍ以上のピーク波長を有する発光ダイオードによってもたらされる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記架橋性組成物を前記放射線に晒す間に、ＵＶ吸収及び可視光透過ポリマー又はガラスの層が、前記架橋性組成物と前記放射線との間に配置される、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
架橋組成物を製造する方法であって、
（メタ）アクリレートポリマーと、紫外線吸収架橋剤化合物と、以下の式（Ｉ）、（ＩＩ）、又は（ＩＩＩ）：
【化３】
2019533065.tif 000003
［式中、
Ｒ１及びＲ２は、アルキル基、フェニル基、アルキル置換フェニル基、ヘテロ芳香族基、アルキル置換ヘテロ芳香族基から独立して選択され、Ｒ１及びＲ２は一緒になって最大７個の炭素の環を形成してもよく、
Ｒ３及びＲ４は、Ｈ、ハロゲン、アルキル基、及びカルボキシル基から独立して選択され、
Ｒ５及びＲ６は、フェニル基、アルキル置換フェニル基、ヘテロ芳香族基、アルキル又は塩素置換ヘテロ芳香族基、及び式（ＩＶ）から独立して選択され、
【化４】
2019533065.tif 000004
式中、
Ｒ７はハロゲンであり、
Ｒ８はＨであり、
Ｒ９はヘテロアリールであり、
Ｒ１０はＨであり、
Ｒ１１はハロゲンである］
のうちの１つの可視光吸収化合物を含む架橋性組成物であって、前記架橋性組成物中の炭素−炭素結合の２％以下は二重結合である、架橋性組成物を得ることと、
前記架橋性組成物を第１の放射線に晒して、部分的に架橋された架橋性組成物を形成することと、
前記部分的に架橋された架橋性組成物を第２の放射線に晒すこと、を含み、
前記第１の放射線と前記第２の放射線とは異なり、前記第１の放射線及び前記第２の一方は、４００ｎｍ以上の波長を有し、他方は４００ｎｍ未満の波長を有する、方法。