【事件の表示】
　特願２０１２−　５６２０２「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月２６日出願公開、特開２０１３−１９１６９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年３月１３日に特許出願をしたものであって、平成２６年６月９日付け拒絶理由通知に対して同年８月１２日付けで手続補正がなされたが、平成２７年２月１６日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年５月１４日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年５月１４日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年５月１４日付の手続補正を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２７年５月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであって、請求項１については、
本件補正前に、
 「【請求項１】
　上金型及び下金型を有する成形金型を用いて半導体装置を製造する方法であって、
　室温〜２００℃に加熱された前記成形金型の前記上金型及び前記下金型のうち一方の金型に、半導体素子搭載基板を配置し、他方の金型に半導体素子非搭載基板を配置する配置工程、
　前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板が配置された前記成形金型で熱硬化性樹脂を成形することにより、前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板を一体化させる一体化工程、及び
　該一体化した基板を前記成形金型から取り出し、ダイシングすることで個片化する工程を有し、
　前記熱硬化性樹脂として、無機充填材を配合したものを用い、該無機充填材の最大粒径を７５μｍ以下とし、かつ、該無機充填材の充填量を、前記熱硬化性樹脂の組成物中の樹脂の総量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
とあったところを、
 「【請求項１】
　上金型及び下金型を有する成形金型を用いて
面積２０００ｍｍ
２
以上の大型の基板を一括封止する
　室温〜２００℃に加熱された前記成形金型の前記上金型及び前記下金型のうち一方の金型に、半導体素子搭載基板を配置し、他方の金型に半導体素子非搭載基板を配置する配置工程、
　前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板が配置された前記成形金型で熱硬化性樹脂を成形することにより、前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板を一体化させる一体化工程、及び
　該一体化した基板を前記成形金型から取り出し、ダイシングすることで個片化する工程を有し、
　前記熱硬化性樹脂として、無機充填材を配合したものを用い、該無機充填材の最大粒径を７５μｍ以下とし、かつ、該無機充填材の充填量を、前記熱硬化性樹脂の組成物中の樹脂の総量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部と
し、
　前記半導体素子非搭載基板として、線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、厚さが２０μｍ〜１ｍｍのものを用い
とするものである。
２．補正の目的要件について
　補正された請求項１に係る発明は、補正前の請求項１の成形金型によって「２０００ｍｍ２以上の大型基板を一括封止する」ことに限定し、また、補正前の請求項１の半導体素子非搭載基板を「線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、厚さが２０μｍ〜１ｍｍ」のものに限定したものである。
　そうすると、本件補正は、発明特定事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
３．引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００７−６６９３２号公報（平成１９年３月１５日公開。以下「引用例１」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【００１２】
　図１は実施例１の半導体装置の断面を示す説明図、図２は実施例１の配線基板の上面を示す説明図である。
　図１において、１は半導体装置である。
　
２は下部基板としての配線基板であり、
そのおもて面には図２に示す複数の配線３からなる配線パターン４が形成
 【００１３】
　
本実施例のガラスエポキシ樹脂からなる配線基板２の熱膨張率α
ａ
は１２〜１６×１０
−６
／℃程度である。
　６は半導体チップであり、その下面には複数のバンプ７が配置され、その上面には複数のチップボールパッド８が配置されており、
配線３に形成された基板ボールパッド５に最下層の半導体チップ６のバンプ７がフリップチップ方式で電気的に接続され
 【００１４】
　
９は中間部材としての封止樹脂層であり、樹脂材料を溶融させた封止剤９ａを積層された半導体チップ６の間、最下層の半導体チップ６と配線基板２との間および最上層の半導体チップ６と樹脂板１０との間、並びに積層された半導体チップ６の周囲に充填し、これを加熱硬化させて形成
 【００１５】
　この場合に、封止樹脂層９による封止は、多少のボイドが形成された状態であってもよい。要は前記の機能を果たすように実質的に封止していれば足りる。
　本実施例の封止樹脂層９は、射出成形に用いる粒状のエポキシ樹脂を溶融させた封止剤９ａを射出成形により充填して形成され、その熱膨張率αｂは６〜１０×１０−６／℃程度であり、上記のガラスエポキシ樹脂からなる配線基板２の熱膨張率αａより小さい熱膨張率αｂを有している。
 【００１６】
　
上部板としての樹脂板１０は、配線基板２とほぼ同等の厚さを有し、配線基板２と略同等の熱膨張率α
ｃ
を有する樹脂で形成された板状部材
　また、樹脂板１０の下面、つまり封止樹脂層９側の面には封止樹脂層９との密着性を向上させるためにエッチング等の化学的な方法やショットピーニング等の機械的な方法等により表面を梨子地状にするの表面処理が施されている。
 【００１７】
　
本実施例の樹脂板１０は、ガラスエポキシ樹脂で形成された配線基板２とほぼ同等の厚さを有する板状部材であり、その熱膨張率αｃは同じ材料からなる配線基板２と同一である。
　１１は外部端子であり、配線基板２の裏面に配置され、配線基板２のおもて面の所定の配線３と電気的に接続された半田合金等の材料で形成された端子であって、半導体装置１と図示しない実装基板の実装端子とを電気的に接続する機能を有している。」
 【００１８】
　本実施例の半導体装置１は、
厚さ０．１５ｍｍ
の配線基板２および樹脂板１０
　図３、図４は実施例１の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
　図３、図４において、
１５は下部金型であり、配線基板２を嵌合して搭載する
 【００１９】
　
１６は上部金型であり、樹脂板１０を嵌合して搭載する
　　・・・（中略）・・・
 【００２２】
　Ｐ３（図３）、積層された半導体チップ６を搭載した配線基板２を下部金型１５の基板搭載穴１５ａに嵌合して搭載する。
　Ｐ４（図４）、上部金型１６に、別に準備した樹脂板１０の下面を封止樹脂層９の側に向けて嵌合し、上部板搭載穴１６ａの底面に保持させて搭載する。
　Ｐ５（図４）、射出成形機に
配線基板２を搭載した下部金型１５と、樹脂板１０を搭載した上部金型１６とを組合せて設置した後に、溶融させた液状の封止剤９ａを注入口１７から注入して積層された半導体チップ６の間、最下層の半導体チップ６と配線基板２との間および最上層の半導体チップ６と樹脂板１０との間、並びに積層された半導体チップ６の周囲に封止剤９ａを充填し、その後封止剤９ａを１６０〜２００℃程度の温度で熱処理して加熱硬化させ、柱状の封止樹脂層９を形成する。
イ．「【００２４】
　このようにして、配線基板２と樹脂板１０との間に柱状の封止樹脂層９で封止された複数の半導体チップ６を積層した本実施例の半導体装置１が製造される。
　上記のようにして製造された
半導体装置１は、封止樹脂層９の加熱硬化時に封止樹脂層９の上面を全て樹脂板１０で覆った状態で硬化させ、その後に同一の熱膨張率を有し、ほぼ同じ大きさの樹脂板１０と配線基板２とに封止樹脂層９を挟んだ状態で冷却するので、配線基板２が比較的大きな熱膨張率により収縮したとしても、封止樹脂層９の上下に配置された配線基板２と樹脂板１０が同じ程度に収縮して半導体装置１の反りが防止され
ウ．「【００３２】
　
図７、図８は実施例２の半導体装置の製造方法を示す説明図である。
　図７、図８において、２５は下部金型であり、実施例１の下部金型１５と同様の金型であって、基板搭体載穴２５ａの開口が本実施例の配線基板２の大きさと略同等の大きさになっていることが異なる。
　２６は上部金型であり、実施例１の上部金型１６と同様の金型であって、樹脂板体２１を嵌合して搭載するための樹脂板体２１の大きさと略同等の大きさの開口を有する上部板搭載穴２６ａが設けられていることが異なる。
 【００３３】
　
２８はダイシングブレード
　以下に、図７、図８を用い、ＰＡで示す工程に従って本実施例の半導体装置の製造方法について説明する。
　・・・（中略）・・・
 【００３６】
　これにより、配線基板２および樹脂板体２１と封止樹脂層９との間が封止樹脂層９の接着作用により接合される。
　ＰＡ６（図８）、
封止樹脂層９の硬化後に、上部金型１６を開いて下部金型１５から樹脂板体２１との間に複数の積層された半導体チップ６を封止した封止樹脂層９を形成した配線基板２を取出し、
ダイシングブレードにより樹脂板体２１の接続部２２の略中央部を切断するように、つまり配線基板２の配線パターン４を一つ含むようにして樹脂板体２１と封止樹脂層９と配線基板２を切断して個片化する。
　上記アないしウの記載から、引用例１には以下の事項が記載されている。
・上記アによれば、半導体チップ６と接続された配線基板２を搭載した下部金型１５と、上部板としての樹脂板１０を搭載した上部金型１６とを組合せて設置した後に、配線基板２と樹脂板１０との間に封止剤９ａを充填し、その後加熱硬化させて封止樹脂層９を形成するものである。
・上記ウによれば、金型から封止樹脂層９を形成した配線基板２を取出し、樹脂板体２１と封止樹脂層９と配線基板２をダイシングブレードにより切断して個片化するものである。なお、上記ウ（実施例２）に記載された樹脂板体２１は、上記ア（実施例１）に記載された樹脂板１０と同様の機能を有するものであるから、以下「樹脂板」に統一する。
・上記ア、イによれば、熱膨張率が１２〜１６×１０−６／℃程度の配線基板２を用い、半導体装置の反り防止のため、樹脂板１０は、配線基板２とほぼ同等の厚さを有し、配線基板２と略同等の熱膨張率のものを用いている。また、配線基板２と樹脂板１０の厚さは、０．１５ｍｍ（１５０μｍ）である。
　したがって、上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　「半導体チップと接続された配線基板を搭載した下部金型と、上部板としての樹脂板を搭載した上部金型とを組合せて設置した後に、該配線基板と該樹脂板との間に封止剤を充填し、その後加熱硬化させて封止樹脂層を形成し、
　金型から取出した該配線基板と該封止樹脂層と該樹脂板をダイシングブレードにより切断して個片化するものであって、
　該配線基板と該樹脂板は、熱膨張率が１２〜１６×１０−６／℃程度であり、厚さが１５０μｍのものを用いる半導体装置の製造方法。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００８−６９２９１号公報（平成２０年３月２７日公開。以下「引用例２」という。）には、「半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
エ．「【００１２】
　本発明に係る半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物は、
（Ａ）液状エポキシ樹脂
（Ｂ）平均粒径が２〜２０μｍの
無機質充填剤
（Ｃ）硬化促進剤
（Ｄ）非反応性有機ケイ素化合物で表面処理された平均粒径が０．０１〜　　　　０．１μｍである無機質充填材
（Ｅ）熱可塑性樹脂粒子
を必須成分とするもので、以下これらの成分について詳しく説明する。
　　・・・（中略）・・・
 【００１６】
 ［（Ｂ）無機質充填剤 ］
　本発明においては、膨張係数を小さくする目的から、公知の各種無機質充填剤（Ｂ）を添加することができる。無機質充填剤として具体的には、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、窒化アルミニウム、窒化珪素、マグネシア、マグネシウムシリケートなどが挙げられる。中でも真球状の溶融シリカが低粘度化のため望ましい。
【００１７】
　
無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くする
【００１８】
　本発明の組成物を使用する場合、
無機質充填剤は、
最大粒径が７５μｍ以下、特に５０μｍ以下のものが望ましい。
【００１９】
　この場合、
（Ｂ）無機質充填剤の配合量としては、（Ａ）液状エポキシ樹脂総量１００質量部に対して１００〜１，０００質量部、特に２００〜８００質量部の範囲が好ましい。
　液状エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であるから、上記エによれば、引用例２には「半導体装置に使用する熱硬化性樹脂に無機質充填剤を配合し、該無機質充填剤の最大粒径を７５μｍ以下とし、該無機質充填剤の充填量を該熱硬化性樹脂１００質量部に対して１００〜１０００質量部とする」技術事項が記載されている。
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００９−２５６５８３号公報（平成２１年１１月５日公開。以下「引用例３」という。）には、「液状エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
オ．「【００６２】
 （実施例１）
　ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂とビスフェノールＦジグリシジル型エポキシ樹脂との
混合エポキシ樹脂
５０．０重量部とアミノフェノール型エポキシ樹脂
５０．０重量部と、
無機充填剤として最大粒径１０μｍ
２４５重量部とを混合し、
液状エポキシ樹脂組成物を得た。
　　・・・（中略）・・・
 【００７０】
 （実施例９）
　ビスフェノールＡジグリシジルエーテル型エポキシ樹脂とビスフェノールＦジグリシジル型エポキシ樹脂との
混合エポキシ樹脂
５０．０重量部と、アミノフェノール型エポキシ樹脂
５０．０重量部と、
無機充填剤として最大粒径５μｍ
３２８．５重量部とを混合し、
液状エポキシ樹脂組成物を得た。
　エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であるから、上記オによれば、引用例３には「半導体装置に使用する熱硬化性樹脂に無機質充填剤を配合し、該無機質充填剤の最大粒径を１０μｍまたは５μｍとし、該無機質充填剤の充填量を該熱硬化性樹脂１００重量部に対して２４５重量部または３２８．５重量部とする」技術事項が記載されている。
（４）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−２０１４１６号公報（平成１５年７月１８日公開。以下「引用例４」という。）には、「表面処理無機充填材、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置」について、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
カ．「【００１６】本発明に用いる無機充填材としては、表面に活性水素を含有している無機充填材全般を用いることができる。例えば溶融シリカ、結晶シリカ、タルク、アルミナ、窒化珪素等が挙げられる。無機充填材の表面は、元来化学的に活性であり大気中の水分と反応して活性水素を生成しやすく、特に溶融シリカや結晶シリカの表面にはＳｉ−ＯＨ基が多量に存在し、アルミナ表面にはＡｌ−ＯＨ基が存在する。これらの無機充填材は単独でも混合して用いてもよい。これらの内では球形度の高い溶融球状シリカを全量或いは一部破砕シリカを併用することが好ましい。
無機充填材の
最大粒径７４μｍ以下が好ましい。
　　　・・・（中略）・・・
 【００３３】
　実施例１
　
エポキシ樹脂
４７重量部
　
フェノール樹脂
４０重量部
　１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７（以下、ＤＢＵという）　５重量部
　
無機充填材
９００重量部
　カーボンブラック　３重量部
　カルナバワックス　５重量部
を混合し、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練して冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の方法で評価した。結果を表１に示す。」
　エポキシ樹脂およびフェノール樹脂は熱硬化性樹脂であるから、上記カによれば、引用例４には「半導体装置に使用する熱硬化性樹脂に無機質充填材を配合し、該無機質充填材の最大粒径を７４μｍ以下とし、該無機質充填材の充填量を該熱硬化性樹脂８７重量部に対して９００重量部とする」技術事項が記載されている。
４．対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「上型金型」及び「下型金型」は、本願補正発明の「上金型」及び「下金型」に相当する。
　引用発明の「半導体チップと接続された配線基板」は、半導体チップを搭載している基板であるから、本願補正発明の「半導体素子搭載基板」に相当する。また、引用発明の「上部板としての樹脂板」は、半導体チップの上部に位置するもので該半導体チップを搭載しているものではないから、本願補正発明の「半導体素子非搭載基板」に相当する。
　引用発明は、個片化する前の配線基板及び樹脂板を金型に搭載して基板間に封止樹脂層を形成するものであるから、「成形金型を用いて基板を一括封止する半導体装置を製造する方法」である。ここで、引用発明の封止樹脂層は、配線基板と樹脂板とを「一体化」するものといえる。また、引用発明の「封止樹脂」は、加熱硬化させて樹脂層となるものであるから、本願補正発明の「熱硬化性樹脂」に相当する。
　よって、引用発明の「半導体チップと接続された配線基板を搭載した下部金型と、上部板としての樹脂板を搭載した上部金型とを組合せて設置した後に、該配線基板と該樹脂板との間に封止剤を充填し、その後加熱硬化させて封止樹脂層を形成し」は、本願補正発明の「上金型及び下金型を有する成形金型を用いて基板を一括封止する半導体装置を製造する方法であって、前記成形金型の前記上金型及び前記下金型のうち一方の金型に、半導体素子搭載基板を配置し、他方の金型に半導体素子非搭載基板を配置する配置工程、前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板が配置された前記成形金型で熱硬化性樹脂を成形することにより、前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板を一体化させる一体化工程」に相当する。
　但し、本願補正発明は、成形金型を用いて「面積２０００ｍｍ２以上の大型の基板」を一括封止させているが、引用発明にはそのような大型基板を対象にする特定はされていない。また、本願補正発明は、「室温〜２００℃に加熱された」金型を用いているが、引用発明にはそのような特定はされていない。
ｂ．引用発明の「金型から取出した該配線基板と該封止樹脂層と該樹脂板」は、封止樹脂層を介して配線基板と樹脂板とが一体化されたものであるから、本願補正発明の「該一体化した基板」に相当する。
　よって、引用発明の「金型から取出した該配線基板と該封止樹脂層と該樹脂板をダイシングブレードにより切断して個片化する」は、本願補正発明の「該一体化した基板を前記成形金型から取り出し、ダイシングすることで個片化する工程を有し」に相当する。
ｃ．引用発明の「熱膨張率が１２〜１６×１０−６／℃程度」は、「熱膨張率が１２〜１６ｐｐｍ／℃」であり、ここでいう「熱膨張率」とは線膨張率か体積膨張率（線膨張率の約３倍）と認められるところ、どちらであっても本願補正発明の「線膨張が２５ｐｐｍ／℃以下」を満たすものである。
　よって、引用発明の「該配線基板と該樹脂板は、熱膨張率が１２〜１６×１０−６／℃程度であり、厚さが１５０μｍのものを用いる」は、本願補正発明の「前記半導体素子非搭載基板として、線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、厚さが２０μｍ〜１ｍｍのものを用いる」に相当する。
ｄ．本願補正発明の「前記熱硬化性樹脂として、無機充填材を配合したものを用い、該無機充填材の最大粒径を７５μｍ以下とし、かつ、該無機充填材の充填量を、前記熱硬化性樹脂の組成物中の樹脂の総量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部とし」は、引用発明の無機充填材にはその旨の特定はない。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致ないし相違する。
＜一致点＞
　「上金型及び下金型を有する成形金型を用いて基板を一括封止する半導体装置を製造する方法であって、
　前記成形金型の前記上金型及び前記下金型のうち一方の金型に、半導体素子搭載基板を配置し、他方の金型に半導体素子非搭載基板を配置する配置工程、
　前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板が配置された前記成形金型で熱硬化性樹脂を成形することにより、前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板を一体化させる一体化工程、及び
　該一体化した基板を前記成形金型から取り出し、ダイシングすることで個片化する工程を有し、
　前記半導体素子非搭載基板として、線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、厚さが２０μｍ〜１ｍｍのものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
＜相違点１＞
　本願補正発明は、成形金型で「面積２０００ｍｍ２以上の大型の基板を一括封止」しているのに対し、引用発明にはその旨の特定はない。
＜相違点２＞
　本願補正発明は、「室温〜２００℃に加熱された」金型を用いるのに対し、引用発明にはその旨の特定はない。
＜相違点３＞
　本願補正発明は、「前記熱硬化性樹脂として、無機充填材を配合したものを用い、該無機充填材の最大粒径を７５μｍ以下とし、かつ、該無機充填材の充填量を、前記熱硬化性樹脂の組成物中の樹脂の総量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部」としたのに対し、引用発明の無機充填材にはその旨の特定はない。
　上記相違点１ないし３について検討する。
＜相違点１＞について。
　金型に面積２０００ｍｍ２以上の大型の基板を搭載して一括封止を行うことは、例えば特開２００８−８４２６３号公報（背景技術として記載された段落【０００７】ないし【０００８】を参照。１６ｍｍ×１２．５ｍｍの配線基板の面積の数十倍の面積を有する大型配線基板を金型に装着し一括封止している点。）、特開２００３−２４６８４８号公報（段落【００６１】ないし【００６３】を参照。４０ｍｍ×１５０ｍｍの基板を封止成形し一括封止物を得ている点。）に記載されているように周知である。
　よって、引用発明の金型に搭載する基板として、周知技術を適用して相違点１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
＜相違点２＞について。
　引用発明には直接金型の温度は特定されていないものの、溶融した熱硬化性樹脂を金型に導くものであるから、金型を加熱しておくのが普通であり（例えば、特開２００９−１７０７４４号公報の背景技術である段落【０００９】、【００１２】を参照。）、例えそうでなくても金型は（わざわざ予め冷却させておくことはあり得ず）少なくとも室温レベルであることは自明であるから、引用発明の金型は、基板搭載時に少なくとも室温以上であるといえる。そして、上記ア（段落【００２２】の記載を参照。）に記載されているように、金型は最終的に１６０〜２００℃にされるものであるから、引用発明の金型は、基板搭載時に２００℃以下であるといえる。
　よって、相違点２の係る事項は、実質的な相違点ではない。
＜相違点３＞について。
　半導体装置に使用する熱硬化性樹脂に無機充填材を配合することは周知であるところ、無機充填材の最大粒子径や充填量を相違点３のように特定することも、引用例２（上記「３．（２）」を参照。）、引用例３（上記「３．（３）」を参照。）、引用例４（上記「３．（４）」を参照。）に記載されているように周知の技術事項である。
　よって、引用発明の熱硬化性樹脂として、周知技術を適用して相違点３の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用発明および周知技術により当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明および周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
５．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１に記載された発明および周知技術により容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２７年５月１４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２６年８月１２日付けの手続補正の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されたものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　上金型及び下金型を有する成形金型を用いて半導体装置を製造する方法であって、
　室温〜２００℃に加熱された前記成形金型の前記上金型及び前記下金型のうち一方の金型に、半導体素子搭載基板を配置し、他方の金型に半導体素子非搭載基板を配置する配置工程、
　前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板が配置された前記成形金型で熱硬化性樹脂を成形することにより、前記半導体素子搭載基板及び前記半導体素子非搭載基板を一体化させる一体化工程、及び
　該一体化した基板を前記成形金型から取り出し、ダイシングすることで個片化する工程を有し、
　前記熱硬化性樹脂として、無機充填材を配合したものを用い、該無機充填材の最大粒径を７５μｍ以下とし、かつ、該無機充填材の充填量を、前記熱硬化性樹脂の組成物中の樹脂の総量１００質量部に対し、１００〜１３００質量部とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びそれらの記載事項は、上記「第２　３．引用例」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から「２０００ｍｍ２以上の大型基板を一括封止する」こと、「前記半導体素子非搭載基板として、線膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以下であり、かつ、厚さが２０μｍ〜１ｍｍのものを用いる」ことを削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、更に上記の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　４．対比・判断」に記載したとおり、引用発明および周知技術により容易になし得たものであるから、本願補正発明から上記事項を省いた本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明および周知技術により容易になし得たものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明および周知技術から容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。