【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５００９４４７号発明「磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　平成２７年１０月３０日付け訂正請求において、特許第５００９４４７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔４、６ないし８〕について訂正することを認める。
　特許第５００９４４７号の請求項１ないし３、５に係る発明についての特許を無効とする。
　特許第５００９４４７号の請求項４、６ないし８に係る発明についての審判請求は、成り立たない。
　審判費用は、その８分の４を請求人の負担とし、８分の４を被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本件特許第５００９４４７号に係る出願は、２０１１年１０月１９日（優先権主張　２０１０年１２月２１日）を国際出願日とする特許出願であって、平成２４年６月８日に特許権の設定登録がなされたものである。
　
　そして、以後の本件に係る手続の概要は以下のとおりである。
　平成２６年１０月３１日　本件無効審判の請求
　平成２６年１１月　６日　上申書（請求人）の提出
　平成２７年　１月２６日　審判事件答弁書の提出
　平成２７年　１月２６日　訂正請求（１回目）
　平成２７年　３月　６日　審判事件弁駁書の提出
　平成２７年　４月　２日　審理事項の通知
　平成２７年　５月２２日　口頭審理陳述要領書（請求人）の提出
　平成２７年　５月２２日　上申書（請求人）の提出
　平成２７年　５月２２日　口頭審理陳述要領書（被請求人）の提出
　平成２７年　５月２５日　口頭審理陳述要領書（２）（被請求人）の提出
　平成２７年　６月　５日　口頭審理
　平成２７年　６月１９日　上申書（請求人）の提出
　平成２７年　６月１９日　上申書（被請求人）の提出
　平成２７年　８月２７日　審決の予告
　平成２７年１０月３０日　訂正請求（２回目）
　平成２７年１０月３０日　意見書（被請求人）の提出
　平成２７年１１月１８日　手続補正書（被請求人）の提出
　平成２７年１２月２５日　審判事件弁駁書の提出
　
　なお、先にした平成２７年１月２６日付けの訂正請求は、特許法第１３４条の２第６項の規定により取り下げられたものとみなす。
第２　当事者の主張
　
１．請求人の主張
　請求人は、審判請求書、平成２７年３月６日付け審判事件弁駁書、口頭審理陳述要領書、平成２７年６月１９日付け上申書、及び平成２７年１２月２５日付け審判事件弁駁書において、「特許第５００９４４７号の請求項１乃至８に記載された発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする、との審決を求める。」ことを請求の趣旨とし、甲第１〜１７号証を提出して、次の無効理由を主張する。
　
［無効理由の概要］
（１）訂正請求について
　請求項１において新たに追加された「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項（訂正事項１）は、
　ア．新規事項の追加に該当し、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法１２６条第５項の規定に違反するものであり、
　イ．また、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当せず、特許法第１３４条の２第１項ただし書きの規定に違反するものである。
　したがって、当該訂正事項１は訂正要件を満たしておらず、認められないものである。
　
（２）訂正が認められない場合
（２−１）無効理由１（新規性欠如）
　訂正前の請求項１及び３に係る発明は、甲１号証に記載された発明であるから、特許法２９条１項３号に該当し、特許を受けることができないものであり、その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
（２−２）無効理由２（進歩性欠如）
　訂正前の請求項２及び５に係る発明は、甲１号証に記載された発明に基づいて、あるいは、甲１号証に記載された発明及び甲３号証に記載の技術事項に基づいて、あるいは甲１号証に記載された発明及び甲２，３号証に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり，その特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
（２−３）無効理由３（サポート要件）
　訂正前の請求項１〜８に係る発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものでないから、特許法３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
（２−４）無効理由４（実施可能要件）
　本件特許明細書の発明の詳細な説明は、訂正前の請求項１〜８に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、特許法３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
（３）訂正が認められる場合
（３−１）訂正事項１が認められる場合
（３−１−１）新たな無効理由Ａ（サポート要件）
　訂正後の請求項１〜３及び５に係る発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものでないから、特許法３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
（３−１−２）新たな無効理由Ｂ（明確性要件）
　訂正後の請求項１〜３及び５に係る発明は明確でないから、特許法３６条第６項２号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
（３−１−３）新たな無効理由Ｃ（実施可能要件）
　本件特許明細書の発明の詳細な説明は、訂正後の請求項１〜３及び５に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、特許法３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
（３−１−４）無効理由１及び２
　訂正後であっても、訂正後の請求項１〜３及び５に係る発明は依然として上記無効理由１及び２が存在する。
（３−２）訂正事項２〜５が認められる場合
（３−２−１）新たな無効理由Ａ’（サポート要件）
　訂正後の請求項６及び７に係る発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものでないから、特許法３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
（３−２−２）新たな無効理由Ｂ’（明確性要件）
　訂正後の請求項６及び７に係る発明は明確なものでないから、特許法３６条第６項２号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
（３−２−３）新たな無効理由Ｃ’（実施可能要件）
　本件特許明細書の発明の詳細な説明は、訂正後の請求項６及び７に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでないから、特許法３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきである。
　
［証拠方法］
　甲１号証：特開２００６−３１３５８４号公報
　甲２号証：特開２００７−３１８０８号公報
　甲３号証：特開２００６−４５５８７号公報
　甲４号証：ＩＣＤＤカード　石英
　甲５号証：ＩＣＤＤウェブサイトの紹介記事
　甲６号証：ＩＣＤＤウェブサイト2008年4月23日アーカイブ
　甲７号証：国際公開第２００７／０８０７８１号
　甲８号証：森本信男「造岩鉱物学」東京大学出版会、1989年5月31日
　甲９号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事件
　　　　　　平成２７年２月２６日付け提出の原告準備書面（１１）
　甲10号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件平成２７年４月１３日付け提出の原告準備書面（１４)
　甲11号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件において被請求人が平成２５年７月１０日付けで提出した
　　　　　　 実験結果報告書
　甲12号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件において被請求人が提出した甲１０号証「The Silica Grou
　　　　　　 p」
　甲13号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件において被請求人が提出した甲１２号証「二酸化珪素の結
　　　　　　 晶構造について」
　甲14号証：実験成績証明書
　甲15号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件において請求人が提出した乙５号証「セラミック基礎講座
　　　　　　 ３　Ｘ線回折分析（第６版）」
　甲16号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件において請求人が提出した乙６号証「Ｘ線回折要論（第１
　　　　　　 ０版）」
　甲17号証：東京地方裁判所に係属中の平成２５年（ワ）第３３６５号事
　　　　　　 件において請求人が提出した乙４号証「Ｘ線回折装置の原理
　　　　　　 と応用」一般社団法人日本分析機器工業会ウェブページ
　
２．被請求人の主張
　被請求人は、訂正請求をしたうえで、審判事件答弁書、口頭審理陳述要領書、口頭審理陳述要領書（２）、平成２７年６月１９日付け上申書、及び同年１０月３０日付け意見書において、「本件審判の請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求める。」ことを答弁の趣旨とし、次のように主張している。
　
［答弁の概要］
（１）訂正請求について
（１−１）訂正事項１　
　請求項１において新たに追加した「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項は、「磁気記録膜用スパッタリングターゲット」という物の構造や特性として、ターゲットの密度が高いこと（ターゲットの密度が所望の値であること）をさらに特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲の拡張または変更にも該当しない。
（１−２）訂正事項２
　訂正事項２に係る訂正は、引用関係を解消する訂正を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲の拡張または変更にも該当しない。
（１−３）訂正事項３ないし５
　訂正事項３ないし５に係る訂正は、独立請求項に書き換えた訂正後の請求項４にのみ従属させるように訂正するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、実質上特許請求の範囲の拡張または変更にも該当しない。
　
（２）無効理由についての反論
（２−１）無効理由１（新規性欠如）について
　「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項が追加された訂正後の請求項１及び３に係る各発明は、各公知文献（甲１〜３、７）との関係において新規性を有する。
（２−２）無効理由２（進歩性欠如）について
　「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項が追加された訂正後の請求項１〜３、５に係る各発明は、各公知文献（甲１〜３、７）を組み合わせても当業者といえども容易に想到することはできない。
　甲１号証に記載された発明は、ＳｉＯ２が相転移しない低温で焼結することを前提とする発明であり、甲１号証に記載された発明に、甲２、甲３及び甲７に記載の焼結温度条件に関する技術事項を採用することに阻害要因がある。
　
（２−３）無効理由３及び４、新たな無効理由Ａ〜Ｃ（サポート要件、実施可能要件、明確性要件）について
　訂正後の請求項１〜８に係る発明は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて特許を請求するものではなく、本件特許明細書に記載されたものであり、また、明確である。
　そして、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、訂正後の請求項１〜８に係る発明について、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものであり、実施可能要件は満たしている。
　
［証拠方法］
　乙１号証：「石英ガラス技術ガイド−１　石英ガラスの化学的、物理的特
　　　　　　性」信越石英株式会社
　乙２号証：「イットリア安定化ジルコニアの焼結メカニズム：イットリウ
　　　　　　ムイオン（III）の粒界偏析効果」東ソー研究・技術報告、第
　　　　　　５５巻
　乙３号証：「ＳｉＯ２の熱力学解析　解析結果報告書」株式会社 計算力
　　　　　　学研究センター
　乙４号証：特許第４８３７８０１号公報
　
第３　訂正の適否についての当審の判断
　
１．訂正の内容
　本件審判の手続において被請求人がした平成２７年１０月３０日付けの訂正請求は、特許第５００９４４７号の明細書、特許請求の範囲（以下、「本件特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲のとおり一群の請求項ごとに訂正しようとするものであり、その訂正の内容は、次のとおりである（下線は訂正箇所）。
　なお、一群の請求項は、請求項１ないし３、５からなる一群の請求項と、請求項４、６ないし８からなる一群の請求項の２つである。
　
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に
「ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、」とあるのを、
「ＳｉＯ２を含有
し、クリストバライトが形成される条件で焼結され
　
（２）訂正事項２
　請求項４に
「Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が２０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」とあるのを、
「
ＳｉＯ
２
を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、
り、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である
磁
　
（３）訂正事項３
　請求項６に
「請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」とあるのを、
「請求項
４
　
（４）訂正事項４
　請求項７に
「請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。とあるのを、
「請求項
４
（５）訂正事項５
　請求項８に
「請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。」とあるのを、
「請求項
４
　
２．訂正の適否
２−１．訂正事項１（請求項１ないし３、５からなる一群の請求項に係る訂正）について
　上記訂正事項１について、まず、訂正の目的制限（特許法第１３４条の２第１項ただし書き）の要件を満たしているか否かを検討し、次いで他の訂正要件について検討する。
　なお、当該訂正事項１は、平成２７年１月２６日付け訂正請求における訂正事項１と同じである。
　
（１）訂正の目的制限（特許法第１３４条の２第１項ただし書き）について
　
　平成２７年１０月３０日付け訂正請求書には、訂正の理由として「訂正事項１に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする。」と記載され、
　また、被請求人は上記訂正請求書において、「クリストバライトが形成される条件」とは、ターゲットの密度を左右する焼結温度条件を意味し、クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項は、「磁気記録用スパッタリングターゲット」という物の構造や特性として、密度が高いこと（密度が所望の値であること）を特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、特許法１３４条の２第１項ただし書の規定には違反しない旨主張している。
　
　しかしながら、訂正後の請求項１には「クリストバライトが形成される条件」で焼結されると記載されているのみであり、かかる「クリストバライトが形成される条件」というのが焼結温度やその他のどのような条件まで含めて意味するのか不明であり、そのため、「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るという製造条件に係る訂正事項でもって、「磁気記録用スパッタリングターゲット」という物の発明に係る請求項１に記載された発明について、当該物の構造や特性を如何に限定しようとするものであるのかも不明であるので、かかる訂正が特許法１３４条の２第１項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当するとみることはできない。
　そして、同項第２号の「誤記又は誤訳の訂正」や、同項第３号の「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当しないことも明らかである。
　
　よって、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第１項ただし書の規定に違反するものである。
　
　ここで、「クリストバライトが形成される条件」について、被請求人は、平成２７年１０月３０日付け訂正請求書においては、本件特許明細書の段落【００２３】の記載を根拠に「ターゲットの密度を左右する焼結温度条件」を意味する旨説明しているが、同条件について、平成２７年６月１９日付け上申書においては、焼結前の混合時の条件も含まれ得る旨の説明がなされている。
　そして、本件特許明細書によれば、段落【００２３】の記載を踏まえても「クリストバライトが形成される条件」を一義的に特定できるような記載はなく、ましてや焼結前の混合時の条件に着目した記載は一切なく、また、「実施例７」は９００℃という比較的低い焼結温度とされおり、焼結時の条件として高い焼結温度（クリストバライトが生成される蓋然性の高い焼結温度）であることを必須としないとも解されることなどからして、技術常識を考慮しても、依然として「クリストバライトが形成される条件」というのが具体的にはどのような条件まで含めて意味するのか不明であると言わざるを得ない。
　したがって当然ながら、「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るという製造条件に係る訂正事項が、磁気記録用スパッタリングターゲット」という物の構造や特性として、密度が高いこと（密度が所望の値であること）を特定するものであると認めることはできない。
　
　なお、被請求人は、上記訂正請求書において、「ターゲットの密度は、焼結温度に左右され、焼結温度を制御することによってターゲットに現れる特性であるが、望ましい密度を特定し、その密度を達成するための焼結温度の特定は不可能であるか、又はおよそ実際的ではない。・・・したがって、『磁気記録用スパッタリングターゲット』という物の構造や特性として、密度が高いこと（密度が所望の値であること）を特定するには、『クリストバライトが形成される条件で焼結され』るとする以外に方法がない。」と主張している。
　しかしながら、一般に、ターゲットの密度を測定して特定することは可能なものである（例えば、甲３号証の段落【００６２】〜【００６３】、甲７号証の段落【００２２】、乙４号証の段落【００３３】を参照）。また、本件特許明細書の段落【００４５】には、望ましい焼結温度の範囲が記載されており、このような範囲を満たす焼結温度を用いて製造した各ターゲット（例えば表１の各実施例）についてその密度を測定することによって、「所望の値」を特定することも十分にできたはずである。
　したがって、請求人の上記主張は技術常識からして合理的でなく、採用することはでない。
　　
（２）新規事項の追加禁止（特許法第１３４条の２第９項で準用する同法１２６条第５項）について
　
　訂正後の請求項１に係る発明の「磁気記録用スパッタリングターゲット」は、「クリストバライトが形成される」条件で焼結されてなるものであるから、前記（１）で記載したように当該条件は具体的にどのような条件であるのか不明であるが、このような条件で焼結された当該磁気記録用スパッタリングターゲットには当然文言通り、クリストバライトが形成されている（含まれる）ものであると理解できる。
　一方、本件特許明細書には、以下のような各記載がある（下線は当審で付与した。）。
　ア．「【課題を解決するための手段】
【００２４】
  上記の課題を解決するために、本発明者らはさらに研究を行った結果、
ＳｉＯ
２
の原料として石英を使用することにより、スパッタリング時のパーティクル発生の原因となるクリストバライトの形成を防止
　
　イ．「【発明の効果】
【００２８】
  このように調整した本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットターゲットは、
石英を使用することにより、焼結温度を下げずにクリストバライト化を妨げる
　
　ウ．「【発明を実施するための形態】
【００３１】
  本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであり、
ＳｉＯ
２
として石英を使用する
  
結晶化したＳｉＯ
２
であるクリストバライトは存在しないか、または大きく低減できる
　
　エ．「【００３５】
  このように、
結晶化したクリストバライトを発生し難い石英を使用する
  スパッタリングターゲット原料としての石英に言及すると、ＳｉＯ２の材料として石英があることは知られているが、アモルファスＳｉＯ２粉末は、微粉末として容易に入手できる材料なので、特別な理由が存在しない限り、石英粉末を使用する理由がなかったと言える。
【００３６】
  しかしながら、石英の粉末を使用することにより、焼結温度を高くすることが可能となり、この結果、焼結密度を向上させることが可能となった。因みに、アモルファスＳｉＯ２の密度は２．２ｇ／ｃｍ３、クリストバライトの密度は２．３３ｇ／ｃｍ３、石英の密度は２．６５ｇ／ｃｍ３であり、石英自体が高密度である。石英の存在比率を高めることは、アモルファスＳｉＯ２及びクリストバライトの存在比率を低減させることを意味する。また、
石英は、アモルファスＳｉＯ
２
よりも、高温で焼結してもクリストバライトは発生し難い
【００３７】
  上記のように、磁気記録膜用スパッタリングターゲットとしては、磁性材料に特に制限はないのであるが、・・・・・（中　略）・・・・
  この場合も、
ターゲット中に結晶化したクリストバライトを発生させず、石英としてターゲット中に存在させる
　
　これらの記載によれば、ＳｉＯ２の原料として石英を使用することにより、クリストバライトの形成を防止する、つまり、ＳｉＯ２の原料として石英を使用するという「クリストバライトが
形成されない
　また、本件特許明細書中の表１と当該表１に関連する記載によると、ＳｉＯ２の粉末原料としてクリストバライトを用いたスパッタリングターゲットや、焼結後にクリストバライト化したスパッタリングターゲットは全て比較例（比較例１，２，４，５，６，７，８，１０，１１）とされている。
　以上のように本件特許明細書には、「クリストバライトが
形成されない
形成される
　したがって、ＳｉＯ２を含有する「磁気記録膜用スパッタリングターゲット」について、「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの限定を付加する訂正事項１は、本件特許明細書に記載された事項でなく、本件特許明細書に記載した事項の範囲を超えた内容を含むものであって、新たな技術的事項を導入するものである。
　
　よって、訂正事項１は、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法１２６条第５項の規定に違反するものである。
　
　なお、被請求人は平成２７年１０月３０日付け訂正請求書において、「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項は、「磁気記録用スパッタリングターゲット」という物の構造や特性として、密度が高いこと（密度が所望の値であること）をさらに特定するものであり、積極的にクリストバライトが含まれるようにするものではない旨主張している。
　しかしながら、「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るとの訂正事項は、「磁気記録用スパッタリングターゲット」という物の構造や特性として、密度が高いこと（密度が所望の値であること）を特定するものであると認めることはできないことは前記（１）で述べたとおりであり、また、
訂正により追加された「クリストバライトが形成される条件で焼結され」るという記載の文言によれば、上述したように「クリストバライトが形成される」条件で焼結されるのであるから、このような条件で焼結された当該磁気記録用スパッタリングターゲットには当然、クリストバライトが含まれると解釈するのが自然である。
　したがって、被請求人の上記主張は採用できない。
２−２．訂正事項２ないし５（請求項４、６ないし８からなる一群の請求項に係る訂正）について
（１）訂正事項２
　訂正事項２は、請求項４の記載が請求項１の記載を引用するものであったのを、請求項間の引用関係を解消して請求項１の記載を引用しないものとし、独立形式の請求項へ改める訂正であるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正に該当する。
　また、当該訂正は、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものにも該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件を満たすものである。
　
（２）訂正事項３ないし５
　訂正事項３ないし５の各訂正事項は、多数項引用形式の請求項６ないし８の各請求項について、引用請求項を減少し、請求項４のみを引用するようにする訂正であるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号の「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　また、当該訂正は、本件特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものにも該当せず、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件を満たすものである。
　
３．まとめ
　以上のとおりであるから、訂正事項１（請求項１ないし３、５からなる一群の請求項に係る訂正）は、特許法第１３４条の２第１項ただし書の規定に違反し、また、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、さらに他の訂正要件（特許請求の範囲の実質拡張・変更禁止）について検討するまでもなく、当該訂正を認めない。
　一方、訂正事項２ないし５（請求項４、６ないし８からなる一群の請求項に係る訂正）は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号または第４号に規定する事項を目的とする訂正に該当し、かつ、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項に規定する要件を満たすものであるから、当該訂正を認める。
　
第４　本件特許発明
　平成２７年１０月３０日付け訂正請求は上記のとおり、訂正事項１（請求項１ないし３、５からなる一群の請求項に係る訂正）は認められず、訂正事項２ないし５（請求項４、６ないし８からなる一群の請求項に係る訂正）は認められるので、本件の請求項１ないし８に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明８」という。）はそれぞれ、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３、５に記載された事項、及び平成２７年１０月３０日付け訂正請求書に添付した特許請求の範囲の請求項４、６ないし８に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
  ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
  Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）、ＳｉＯ２が１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
  Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）、Ｐｔが１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
  ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が２０ｍｏｌ％以下、残余がＦｅであり、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項５】
  Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである請求項１記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項６】
  添加元素として、Ｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下含有することを特徴とする請求項４に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項７】
  添加材料として、炭素、ＳｉＯ２を除く酸化物、窒化物、炭化物から選択した１成分以上の無機物材料を含有することを特徴とする請求項４に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
【請求項８】
  ＳｉＯ２の粉末原料として石英を使用し、この石英の粉末原料と磁性金属粉末原料とを混合し、焼結温度を１３００°Ｃ以下で焼結することを特徴とする請求項４に記載の磁気記録膜用スパッタリングターゲットの製造方法。」
　
第５　無効理由に対する当審の判断
　
１．甲１号証及び甲３号証の記載事項（なお、下線は当審で付与した。）
　
（１）甲１号証（特開２００６−３１３５８４号公報）
　ア．「【請求項１】
  非磁性基板上に、非磁性の下地層を形成する工程と、前記非磁性の下地層の上に少なくともＣｏと珪素と酸素とを含む記録層をスパッタリング法で形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法において、
  前記
記録層を形成する工程で用いるスパッタリングターゲットは、少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金と二酸化珪素粉末とを含み、前記二酸化珪素粉末は結晶質である
　
　イ．「【課題を解決するための手段】
【０００８】
  上記目的を達成するために、本発明は、非磁性基板上に、
磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻くＳｉ酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成される記録層をスパッタリング法で形成する際、少なくともＣｏを含む合金と、結晶質ＳｉＯ
2
粉末を混合したターゲットを用いて、スパッタリング法によって記録層を成膜する
　
　ウ．「【００１２】
  図３は、実施例１の製造方法により作製した垂直磁気記録媒体の断面構造の模式図である。この
垂直磁気記録媒体は
グラニュラー記録層１５
を右有する
　
　エ．「【００１７】
  次に、記録層形成チャンバ２０８に搬送後、アルゴン酸素混合ガスを導入し、膜厚１４ｎｍの記録層１５を形成後、０．５Ｐａ以下まで排気を行い、チャンバ内に残留する酸素を低減した。
記録層１５の形成には、Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と粒子径１μｍの結晶質ＳｉＯ
2
を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合し、焼結法で形成した合金-酸化物複合型のターゲットを用いた
　
　オ．「【００２２】
  
図５に、実施例１で用いた記録層のターゲットに添加した結晶質ＳｉＯ
2
粉末のＸ線回折ダイアグラムを示す
本発明の製造方法に用いた記録層のターゲットに添加したＳｉＯ
2
粉末において、ブラッグ角度２θ＝２６．６±０．１°に最大強度のピークを有している
【００２３】
  
図７に、実施例１の製造方法で用いた記録層のターゲットのＸ線回折ダイアグラムを示す
図７に示すように、本発明の製造方法に用いた記録層のターゲットにおいても、ブラッグ角度２θ＝２６．６±０．１°にピークを有している
　
　カ．「【００２９】
  なお、ターゲットに添加するＳｉＯ2粉末において、結晶質ＳｉＯ2粉末と非晶質ＳｉＯ2粉末を混合した場合、非晶質ＳｉＯ2粉末から大きな粒子が飛来して突起欠陥を生ずるため、十分な歩留まり改善効果が得られない。従って、
本発明の磁気記録媒体の製造方法において、グラニュラー記録層を形成するターゲットに添加するＳｉＯ
2
粉末の全量を結晶質ＳｉＯ
2
粉末にすることによって最大の効果が得られる
　
　キ．図７
　　　
　・上記甲１号証に記載されたターゲットは、上記「ア．」〜「ウ．」、「カ．」の記載事項によれば、磁気記録媒体における、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻くＳｉ酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成される記録層（いわゆるグラニュラー記録層）をスパッタリング法によって形成するためのものであって、少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金と結晶質ＳｉＯ2粉末を混合したターゲットである。
　・上記「エ．」の記載事項によれば、当該ターゲットは具体的には、Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と結晶質ＳｉＯ2を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合した合金-酸化物複合型ターゲットである。
　・上記「オ．」の段落【００２３】の記載事項、上記「キ．」の図７（上記「キ．」）によれば、当該ターゲットは、Ｘ線回折ダイアグラムにおいて、ブラッグ角度２θ＝２６．６±０．１°にピークを有してなるものであり、かかるピークが石英の（０１１）面のピークであることは技術常識といえることである（例えば本件特許明細書の段落【００３１】の記載、甲４号証を参照）。
　そして、図７（上記「キ．」）のターゲットのＸ線回折ダイアグラムを示したグラフをもとに、石英ピーク強度と本件特許明細書の段落【００３１】に記載された算出方法に従ってバックグラウンド強度とをそれぞれ求め、ピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）を計算するとおよそ２．５前後である。
　
　したがって、実施例１で用いたターゲットに着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、甲１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
「磁気記録媒体における、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻くＳｉ酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成される記録層（いわゆるグラニュラー記録層）をスパッタリング法によって形成するための少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金と結晶質ＳｉＯ2粉末を混合した合金-酸化物複合型ターゲットであって、
　Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と結晶質ＳｉＯ2を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合したものからなり、
　Ｘ線回折ダイアグラムにおいて、ブラッグ角度２θ＝２６．６±０．１°に石英の（０１１）面のピークを有し、ピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）はおよそ２．５前後である合金-酸化物複合型ターゲット。」
　
（２）甲３号証（特開２００６−４５５８７号公報）
　ア．「【０００１】
  本発明は、
セラミックス−金属複合材料であるスパッタリングターゲット材
に関し
　
　イ．「【００３６】
  
本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法では、前記複合粒子と、金属粉とを混合した後、加圧焼結するが、本発明に用いられる金属粉としては、少なくともＣｏを含有してなる金属粉が挙げられ、好ましくは、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とＣｏとからなる金属粉が挙げられる。具体的には、たとえば、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａや、
Ｃｏ−Ｐｔなどの組み合わせが好ましく挙げられる
【００３７】
  また、本発明に用いられる
複合粒子の芯材となるセラミックス粒子としては、Ｃｏ酸化物よりも生成自由エネルギーの小さい酸化物からなるものが挙げられ、該酸化物としては、たとえば、ＳｉＯ
2
、ＭｇＯ、Ａｌ
2
Ｏ
3
、ＴｉＯ、ＺｒＯ
2
、ＨｆＯ、Ｖ
2
Ｏ
3
、Ｎ
2
Ｏ
5
、Ｃｒ
2
Ｏ
3
などが挙げられる。これらは１種単独であるいは２種以上を混合して用いてもよい
　
　ウ．「【００６０】
 
［実施例１］
＜複合粒子の製造＞
  
Ｃｏ粉（添川理化学製、純度９９．９重量％、平均粒径６μｍ）と、ＳｉＯ
2
粉（東芝セラミックス製溶融石英粉、純度９９．９重量％、平均粒径３５μｍ）とを用いて下記の条件でメカニカルアロイングを行い、平均粒径１．５μｍの複合粒子を得た
【００６１】
  メカニカルアロイング条件；  ボールミル（伊藤製作所製）、２Ｌのポリエチレン製ミル容器、φ５ｍｍのジルコニア製ボール１８００ｇ、Ｃｏ粉３４ｇ、ＳｉＯ2粉６６ｇ、大気雰囲気下、回転数５０ｒｐｍ、１２０時間。
＜スパッタリングターゲット材の製造＞
  
上記メカニカルアロイングにより得られた平均粒径１．５μｍの複合粒子３０ｇに、前記Ｃｏ粉１５５ｇ、Ｔａ粉（スタルク製、純度９９．９重量％（3N）、平均粒径５μｍ）１２３ｇ、Ｃｒ粉（添川理化学製、純度９９．９重量％(3N)、平均粒径５μｍ）２２ｇを加え、攪拌混合、整粒し、原料粉体を得た
【００６２】
  
得られた原料粉体を、所定の型に入れ、アルゴン雰囲気下、１２００℃で１時間、面圧１５０ｋｇｆ/ｃｍ
2
の条件でホットプレスし、平面研削盤でスパッタに供する面とボンディングに供する面の両面を研削しスパッタリングターゲット材を得た
　
　・上記甲３号証に記載されたターゲットは、上記「ア．」の記載事項によれば、セラミックス−金属複合材料かならるスパッタリングターゲットである。
　・上記「イ．」の段落【００３６】、「ウ．」の段落【００６０】の記載事項によれば、上記スパッタリングターゲットは、Ｃｏ粉とＳｉＯ２粉から得られる複合粒子と、少なくともＣｏを含有してなる金属粉、好ましくはＣｏとＣｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とからなる金属粉とを混合し、加圧焼結したものである。
　したがって、上記記載事項を総合勘案すると、甲３号証には、次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されている。
「セラミックス−金属複合材料かならるスパッタリングターゲットにおいて、
　Ｃｏ粉とＳｉＯ２粉から得られる複合粒子と、少なくともＣｏを含有してなる金属粉、好ましくはＣｏとＣｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とからなる金属粉とを混合し、加圧焼結したスパッタリングターゲット。」
　また、上記「イ．」の段落【００３６】には、金属粉としてＣｏ−Ｐｔの例も挙げられており、この場合、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２系ターゲットであり、甲３号証には、次の発明（以下、「甲３発明’」という。）も記載されている。
「ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２系のセラミックス−金属複合材料かならるスパッタリングターゲット。」
　
２．無効理由１（新規性欠如）
　
（１）本件特許発明１について　
　
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、
　ア．甲１発明における「磁気記録媒体における、磁性を有する結晶粒子とそれを取り巻くＳｉ酸化物を主成分とする非磁性結晶粒界から構成される記録層（いわゆるグラニュラー記録層）をスパッタリング法によって形成するための少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金と結晶質ＳｉＯ2粉末を混合した合金-酸化物複合型ターゲットであって、Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と結晶質ＳｉＯ2を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合したものからなり」によれば、
 (a)甲１発明の「合金-酸化物複合型ターゲット」は、磁気記録媒体における記録層をスパッタリング法により形成するためのものであるから、本件特許発明１でいう「磁気記録用スパッタリングターゲット」に相当するものであり、
 (b)また、甲１発明の「合金-酸化物複合型ターゲット」は、Ｓｉ酸化物である結晶質ＳｉＯ2を含有するものである。
　したがって、本件特許発明１と甲１発明とは、「ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲット」である点で一致する。
　
　イ．甲１発明における「Ｘ線回折ダイアグラムにおいて、ブラッグ角度２θ＝２６．６±０．１°に石英の（０１１）面のピークを有し、ピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）はおよそ２．５前後である」によれば、
　甲１発明の合金-酸化物複合型ターゲットにおける、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）は、およそ２．５前後であり、図７から求めるにあたっての誤差分を考慮しても、本件特許発明１における「１．４０以上」の条件を満たしているといえ、
　本件特許発明１と甲１発明とは、「Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である」点で一致するということができる。
　
　したがって、本件特許発明１と甲１発明とは、
「ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット。」
である点で一致し、相違するところがない。
　
　よって、本件特許発明１は、甲１号証に記載された発明である。
　
（２）本件特許発明３について　　
　
　さらに本件特許発明３と甲１発明とを対比すると、
　ウ．甲１発明における「Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と結晶質ＳｉＯ2を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合したものからなり」によれば、
　甲１発明の合金-酸化物複合型ターゲットの組成は、
　Ｃｒ：８８×（１３／１００）＝１１．４４ｍｏｌ％
　Ｐｔ：８８×（２０／１００）＝１７．６ｍｏｌ％
　結晶質ＳｉＯ２：１２ｍｏｌ％
　Ｃｏ：残余
であり、Ｃｒについては本件特許発明３における「２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）」を満たし、Ｐｔについては本件特許発明３における「１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下」を満たし、ＳｉＯ２については本件特許発明３における「１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下」を満たし、そして、Ｃｏについて「残余」である点で本件特許発明３と共通する。
　したがって、本件特許発明３と甲１発明とは、「Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）、Ｐｔが１ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである」点でも一致し、相違するところがない。
　
　よって、本件特許発明３は、甲１発明に記載された発明である。
　
（３）まとめ
　以上のとおり、本件特許発明１及び３は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
３．無効理由２（進歩性欠如）
　
（１）本件特許発明２について
　
　本件特許発明２と甲１発明とを対比すると、以下の点において相違する。
［相違点］
　磁気記録膜用スパッタリングターゲットの組成について、本件特許発明２では、「Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）、ＳｉＯ２が１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである」と特定するのに対し、甲１発明では、Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と結晶質ＳｉＯ2を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合したものである点。
　
　上記［相違点］について検討すると、
　甲１号証の【請求項１】、段落【０００８】の記載（上記「１．（１）ア．」及び上記「１．（１）イ．」を参照）によれば、ターゲットの組成としては「少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金と結晶質ＳｉＯ2粉末」を混合したものであれば任意に選択し得ることが示唆されているといえるところ、
　甲３号証には、「セラミックス−金属複合材料かならるスパッタリングターゲットにおいて、Ｃｏ粉とＳｉＯ２粉から得られる複合粒子と、少なくともＣｏを含有してなる金属粉、好ましくはＣｏとＣｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属とからなる金属粉とを混合し、加圧焼結したスパッタリングターゲット。」という甲３発明が記載されており、これによれば、金属粉としてＣｏとＣｒのみの組み合わせも示唆されており、甲１発明においても、少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金として、ＣｏＣｒＰｔの組み合わせに代えてＣｏＣｒの組み合わせを採用することは当業者であれば容易になし得ることである。
　なお、各構成物質の含有量についても、本件特許発明２で特定する「Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）、ＳｉＯ2が１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ」の範囲を満たすような値を選択することも、当該ターゲットを用いて成膜される磁気記録膜を有する磁気記録媒体としての特性を考慮して当業者が適宜なし得ることである。
　また、本件特許発明２で特定する「Ｃｒが２０ｍｏｌ％以下（０ｍｏｌ％を除く）」、「ＳｉＯ2が１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下」、「残余がＣｏ」という各構成物質の含有量の範囲について、本件特許明細書（特に段落【００３７】〜【００３８】）を参照しても、その上限値や下限値を定めたことに格別の技術的意義（臨界的意義）は認められない。
　
　したがって、本件特許発明２は、甲１発明及び甲３号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２）本件特許発明５について
　
　本件特許発明５と甲１発明とを対比すると、以下の点において相違する。
［相違点］
　磁気記録膜用スパッタリングターゲットの組成について、本件特許発明５では、「Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである」と特定するのに対し、甲１発明では、Ｃｏ−１３ａｔ．％Ｃｒ−２０ａｔ．％Ｐｔ合金と結晶質ＳｉＯ2を８８：１２ｍｏｌ％の比率で混合したものである点。
　
　上記［相違点］について検討すると、
　甲１号証の【請求項１】、段落【０００８】の記載（上記「１．（１）ア．」及び上記「１．（１）イ．」を参照）によれば、ターゲットの組成としては「少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金と結晶質ＳｉＯ2粉末」を混合したものであれば任意に選択し得ることが示唆されているといえるところ、
　甲３号証には、「ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２系のセラミックス−金属複合材料かならるスパッタリングターゲット。」なる甲３発明’が記載されており、甲１発明において、少なくともＣｏ又はＣｏを含む合金として、ＣｏＣｒＰｔの組み合わせ代えてＣｏＰｔの組み合わせを採用することは当業者であれば容易になし得ることである。
　その際、各構成物質の含有量について、甲３号証には具体数値の明記はないが、本件特許発明５で特定する「Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下、ＳｉＯ２が２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ」の範囲を満たすような値は通常採用される値にすぎない（例えば、特開２００５−２７６３６３号公報の段落【００７０】、【００７１】の表２に記載された実施例２−７の「９０（Ｃｏ５０Ｐｔ５０）−１０ＳｉＯ２」の例、特開２００６−２０２４７６号公報の段落【００７２】、【００７３】の表８に記載された実施例５８の「７５Ｃｏ−１７Ｐｔ−８ＳｉＯ２」の例を参照）。
　また、本件特許発明５で特定する「Ｐｔが５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下」、「ＳｉＯ2が２０ｍｏｌ％以下」、「残余がＣｏ」という各構成物質の含有量の範囲について、本件特許明細書（特に段落【００３７】）を参照しても、その上限値や下限値を定めたことに格別の技術的意義（臨界的意義）は認められない。
　
　したがって、本件特許発明５は、甲１発明及び甲３号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）その他
　請求項４に係る発明である本件特許発明４、及び請求項４のみに従属する請求項６〜８に係る各発明である本件特許発明６〜８については、無効理由２の主張はなされていない。
（４）まとめ
　以上のとおり、本件特許発明２及び５は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
４．無効理由３（サポート要件）
　
　請求人による審判請求書、弁駁書及び口頭審理陳述要領書での主張を総合すると、以下の（１）〜（３）の点で特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない旨主張している。
（１）本件請求項１に係る発明特定事項は、磁気記録膜用ターゲットの成分組成を特定せず、単に「ＳｉＯ２を含有する」としているのみであるが、ＳｉＯ２は非磁性材料であり、「ＳｉＯ２を含有する」とするだけでは磁気記録用スパッタリングターゲットとして機能することはできない。
　したがって、本件請求項１に係る発明及び請求項１を引用する請求項２〜８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて特許を請求するものであり、本件特許明細書に記載されたものとはいえない。
　
（２）本件請求項１の発明特定事項である「Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である」ことについて、
 (a)「バックグラウンド強度」とはどこの強度を意味するのか不明であり、
 (b)ピーク強度比が「１．４０以上」との数値は、ノイズか石英の（０１１）面のピークかの判別がつかない場合を含むものであり、臨界的意義は認められない。
　したがって、本件請求項１に係る発明及び請求項１を引用する請求項２〜８に係る発明は、本件特許明細書に記載されたものではない。
　
（３）少なくとも原料粉末として「石英」を用いてクリストバライトの形成が防止されて初めて本件発明の課題を解決することができるものであって、そのための限定を有さない本件請求項１〜８に係る発明は、発明の詳細な説明に開示されている発明の範囲を逸脱して権利を求めるものである。
　
　そこで、上記（１）〜（３）について検討する。
（１）について
　本件特許発明１は「磁気記録膜用」スパッタリングターゲットであるから、当然、何らかの磁性金属材料を含むことを前提としていると理解できるものであり、本件特許発明１において磁性金属材料の具体的な成分組成を特定していないからといって、発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて特許を請求するものであるとまではいえない（なお、磁性金属材料の具体的な成分組成は、従属する請求項２〜５で特定されている。）。
　
（２）について
　(a)「バックグラウンド強度」については、本件特許明細書の段落【００３１】にその定義（算出方法）が具体的に記載されている。
　(b)本件特許明細書の表１には、組成等が各々異なるターゲットについて「Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）」が「１．４０以上」の条件を満たす実施例や、１．４０未満の比較例も一応示されている。
　そして、ピーク強度比が「１．４０以上」との数値について臨界的意義があるか否かはいわゆる進歩性の判断においてかかわる問題であって、いわゆるサポート要件を満たすか否かにかかわる問題ではない。
　したがって、本件特許発明１において、発明の課題を解決するための手段として反映された「Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である」なる発明特定事項が、発明の詳細な説明に記載さたれものでないとまではいえない。
　
（３）について
　まず、本件特許発明８については、ＳｉＯ２の粉末原料として「石英」を使用することが明確に特定されている。
　また、本件特許発明１〜７については、そもそもこれら発明は「物」の発明に係るものであるから、当該物の構造又は特性でもって直接特定すべきものであって、その物の製造方法（製造条件）に関する事項といえる原料粉末についての特定をすべき必然性はない。
　したがって、本件特許発明１〜７において、原料粉末として「石英」を用いることの特定（限定）がなされていないからといって、発明の詳細な説明に記載された範囲を超えて特許を請求するものであるとはいえない。
　
　以上のとおり、（１）〜（３）の点によっては本件特許発明１〜８は、特許法３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないものであるということはできない。
　
　よって、請求人の主張する無効理由３には理由がない。
　
５．無効理由４（実施可能要件） 
　
　請求人による審判請求書、弁駁書及び口頭審理陳述要領書での主張を総合すると、以下の（１）及び（２）の点で特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない旨主張している。
（１）本件請求項１の発明特定事項である「Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である」ことに関して、
 (a)本件特許明細書の段落【００３１】には、「前記バックグラウンド強度の算出方法は、（（２５．１°〜２６．１°の平均）＋（２７．１°〜２８．１°の平均））／２である」と記載されているが、通常のＸ線回折においては、ピーク強度は、ノイズを考慮してベースラインを定める平滑化処理を行って求めるのであり、当該算出方法は一般的ではなく、その根拠及び技術的意味が不明であり、
 (b)また、本件特許明細書には、実施例として独自に設定したピーク強度比の数値が記載されているが、石英（０１１）面のピークとして出現したのか、あるいは単なるノイズであったのか不明である。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、請求項１〜８に係る発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。
　
（２）訂正前の本件請求項１〜８についても、訂正後の本件請求項１〜８と同様に、本件特許明細書の記載は、原料粉末として石英を用いてクリストバライトの形成を防止した場合のみ課題が解決できたことを示すのみであり、原料粉末として石英を用いない場合にも効果が得られることは記載されていないから、原料粉末として石英を用いることを要件としていない本件請求項１〜８に記載の発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に開示されているとはいえない。
　
　そこで、上記（１）及び（２）について検討する。
（１）について
　(a)「バックグラウンド強度」は、本件特許明細書の段落【００３１】にその算出方法（定義）が明確に記載されている（これによれば、石英の（０１１）面のピークがシフトしてもそのピークが入らない範囲でバックグラウンドの範囲を定めていると解される）以上、たとえその算出方法が一般的ではないとしても、そのことをもって当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではないとはいえない。
　(b)結局のところこの点については、本件請求項１で規定する「ピーク強度比」について、「１．４０以上」との数値は石英の（０１１）面のピークかノイズか判別がつかない場合も含み、臨界的意義が認められないとする上記「４．（２）(a)」と同趣旨であると解されるところ、臨界的意義があるか否かはいわゆる進歩性の判断においてかかわる問題であって、いわゆる実施可能要件を満たすか否かにかかわる問題ではない。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、本件特許発明１〜８について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないとまではいえない。
　
（２）について
　まず、本件特許発明８については、ＳｉＯ２の粉末原料として「石英」を使用することが明確に特定されているから、請求人の上記主張は当を得ないものであることは明らかであり、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
　
　一方、本件特許発明１〜７については物の発明に係るものであるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすること、すなわちその物を製造することができる程度に明確かつ十分に記載したものでなければならないところ、本件特許明細書の発明の詳細な説明をみると、以下の各記載がなされている（下線は当審が付与した。）。
　ア．「【００２４】
  上記の課題を解決するために、本発明者らはさらに研究を行った結果、
ＳｉＯ
２
の原料として石英を使用することにより、スパッタリング時のパーティクル発生の原因となるクリストバライトの形成を防止して、ターゲットにマイクロクラック及びスパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であるスパッタリングターゲットを得ることができると共に、さらに記録密度の向上を図ることができるとの知見を得た
【００２５】
  
このような知見に基づき
  １）ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであって、Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上であることを特徴とする磁気記録膜用スパッタリングターゲット、を提供する。」
　
　イ．「【発明の効果】
【００２８】
  このように調整した本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットターゲットは、
石英を使用することにより、焼結温度を下げずにクリストバライト化を妨げることが可能となり、ターゲットのマイクロクラックの発生を抑制すると共に、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であるという優れた効果を有する
　
　ウ．「【発明を実施するための形態】
【００３１】
  本発明の磁気記録膜用スパッタリングターゲットは、ＳｉＯ２を含有する磁気記録膜用スパッタリングターゲットであり、
ＳｉＯ
２
として石英を使用する。これによって、スパッタリングターゲットのＸ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である磁気記録膜用スパッタリングターゲットを得ることができる
　
　エ．「【００３５】
  このように、
結晶化したクリストバライトを発生し難い石英を使用することにより、焼結温度を高くすることができ、ターゲットの密度を向上させることができる
　
　これらの記載事項によれば、クリストバライトの形成を防止するためにＳｉＯ２の粉末原料として「石英」を使用することが本件特許発明１〜７を実施するにあたっての必要不可欠な技術事項であるように解される（なお、実施例９を除く他の全ての実施例において「石英」が用いられている）が、本件特許明細書に記載された実施例９（段落【０１２６】〜【０１２８】）ではＳｉＯ２の粉末原料として「石英」ではなく「アモルファス」を使用しており、そして、被請求人は口頭審理陳述要領書や平成２７年６月１９日付け上申書において、かかる実施例９を根拠にＳｉＯ２の粉末原料として「石英」を用いなければならないものではない旨も主張している。
　しかしながら、実施例９（段落【０１２６】〜【０１２９】）と比較例１１（段落【０１３０】〜【０１３４】）とを比較してみると、両者は、同じ組成（Ｆｅ−Ｐｔ−ＳｉＯ２−Ｃ）であり、同じくＳｉＯ２の粉末原料として「アモルファス」が用いられており、しかも同じ焼結条件（温度１２００℃、保持時間１２０分（２時間）、加圧力３０ＭＰａ）であるにもかかわらず、一方（実施例９）では「Ｘ線回折におけるバックグラウンド強度に対する石英の（０１１）面のピーク強度比（石英ピーク強度／バックグラウンド強度）が、１．４０以上である」という本件特許発明１〜７の発明特定事項に係る条件を満たし、他方（比較例１１）は当該条件を満たしていない。
　そして、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、このように同じ製造条件でありながら、本件特許発明１〜７の発明特定事項に係る上記条件を満たす場合と、満たさない場合とが生じることの技術的理由について一切説明がなされていない。
　なお、被請求人は平成２７年６月１９日付け上申書において、「・・このような違いが生じた原因は、焼結前の混合工程の違いである。混合工程の違いが、焼結後のＳｉＯ２の相状態に大きく影響するのである。本件特許明細書の【０１３１】に示すとおり、『比較例１１』では原料粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。一方、『実施例９』では『この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１２００℃、保持時間１２０分、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。』（本件特許明細書、【０１２７】）とあり、原料粉末を混合しているが、ジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルで２０時間混合することまでは行われていない。・・・・・（中　略）・・・・・以上のとおり、同じアモルファスＳｉＯ２の原料を用い、同じ焼結条件で焼結されても、原材料の混合条件によってはアモルファスＳｉＯ２は石英になったり、クリストバライトになったりする。」などと主張しているが、そもそも、「実施例９」の混合条件（混合時間など）について具体的な記載は何らなされておらず（当然、混合条件が「比較例１１」とは異なることの明記もない）、混合条件が具体的に記載された実施例（実施例１）、比較例（比較例１〜１１）の全てにおいて「ジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。」とあり、「実施例９」においても単に混合条件の記載が省略されているだけであって、実施例１や比較例１１などと同じ混合条件であったと解するのが合理的であるといえ、被請求人の主張は採用できない。
　したがって、
ＳｉＯ
２
の粉末原料として「石英」を用いない場合（「アモルファス」を用いる場合）に限ってみれば
　
　しかし一方で、例えば本件特許明細書に記載された実施例１（段落【００４】〜【００４９】）では、ＳｉＯ２の粉末原料として「石英」を用いており、混合条件や焼結条件なども具体的に記載されており、これによれば、当業者であればその実施をすることができるものと認められる。
　
　したがって、たとえ当業者が実施できない実施の形態（実施例９）を含んでいるとしても、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、少なくとも一つの当業者が実施可能な実施の形態（実施例１など）が記載されているといえるのであるから、本件特許発明１〜７について、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないとまではいえない。
　
　以上のとおり、（１）及び（２）の点によっては本件特許明細書の発明の詳細な説明は、本件特許発明１〜８について、特許法３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないということはできない。
　
　よって、請求人の主張する無効理由４には理由がない。
６．新たな無効理由Ａ’（サポート要件）、新たな無効理由Ｂ’（明確性要件）及び新たな無効理由Ｃ’（実施可能要件）
　
　請求人は、平成２７年１２月２５日付け審判事件弁駁書において、訂正後の請求項６及び７に係る発明に関して新たな無効理由Ａ’ないしＣ’を主張している。
　しかしながら、これら新たな無効理由Ａ’ないしＣ’は、多数項引用形式であった訂正前の請求項６及び７の各請求項について、引用請求項を減少し、請求項４のみを引用するようにした訂正の請求に起因して必要になったものとはいえず、また、審判請求の当初から主張する機会があったにもかかわらず、主張しなかったことの合理的な理由があるともいえないから、これら新たな無効理由Ａ’ないしＣ’の主張は請求の理由の要旨を変更するものであって、認められない。
　
第６　むすび
　
　以上のとおり、
　平成２７年１０月３０日付け訂正請求において、訂正事項１（請求項１ないし３、５からなる一群の請求項に係る訂正）は、特許法第１３４条の２第１項ただし書きの規定に違反し、また、特許法第１３４条の２第９項の規定によって準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するから、当該訂正を認めない。
　一方、平成２７年１０月３０日付け訂正請求において、訂正事項２ないし５（請求項４、６ないし８からなる一群の請求項に係る訂正）については、当該訂正を認める。
　
　そして、本件特許発明１及び３は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また、本件特許発明２及び５は、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　また、本件特許発明４、６ないし８については、請求人の主張する理由（無効理由３，４）及び証拠方法によっては無効とすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、その８分の４を請求人の負担とし、８分の４を被請求人の負担とすべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。