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　特願２００９−５０２２１８「光検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日国際公開、ＷＯ２００７／１１３５０２、平成２１年　９月　３日国内公表、特表２００９−５３１８４７、請求項の数（１７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００７年３月３０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００６年３月３１日、英国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年８月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年２月１９日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年１０月３１日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年５月１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされたが、同年７月３１日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という）がされ、これに対し、同年１２月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同時に手続補正がされ、平成２７年１１月１８日付けで当審より拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２８年５月２０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正（以下、「本件補正」という。）及び誤訳訂正（以下、「本件誤訳訂正」という。）がされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１−１７に係る発明は、平成２８年５月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１７に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　光信号を搬送する光子を、対応する電気信号を搬送する電荷キャリアに変換する吸収体を含む、連続的に設けられた能動導波路と、
　電気信号を搬送する電荷キャリアを輸送し、加速させるキャリア収集層と、
　
前記
　
電極としての機能を果たし、かつ伝送線路の一部を構成する複数の金属コンタクトとを備える光検出器であって、
　
前記光検出器は、
を有し、前記進行波構造は、前記金属コンタクトの特性と、前記能動導波路、前記キャリア収集層、及び前記副導波路の材料の特性とに基づいて計算できる前記電極の間隔によって画定されるものであり、
　
前記光検出器は、
光検出器
前記
、
　
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　引用文献１　特開２００１−６８７１７号公報
　
　「引用文献１の段落【００２８】等に開示されているように、引用文献１の「ｐｉｎ型光検出器」は導波路構造であるから、引用文献１の『ｐｉｎ型光検出器』は本願請求項１に係る発明の『能動導波路』に相当する。
　また、引用文献１の『導波路』は、本願請求項１の『副導波路』に相当し、引用文献１の段落【００２９】には、引用文献１の能動導波路と副導波路とがエバネッセント結合することが示唆されていると認められる。」
　
２　原査定の理由の判断
（１）刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先日前に頒布された特開２００１−６８７１７号公報公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「【００２８】本発明に係わる
進行波型半導体光検出器
導波路上に周期的に配置された複数のｐｉｎ型光検出器で
ｐｉｎ型光検出器を導波路構造とし
各ｐｉｎ型光検出器の電極は、ＣＰＳ電極或いはＣＰＷ電極に接続され
【００２９】
前記の構成により、
導波路内を伝搬する光の閉じ込めを弱め、逆にｐｉｎ型光検出器が配置された導波路上ではｐｉｎ型光検出器の各層と伝搬する光の結合を強める
　
（イ）「【００３８】本発明の実施形態では、進行波電極としてＣＰＳ電極を用い、下部にｎ型層、上部にｐ型層を設けた構造を有するｐｉｎ型光検出器を用いた進行波型半導体光検出器を実施形態（実施例）１とし、また、ＣＰＷ電極を用いｐｉｎ型光検出器の構造に下部にｐ型層、上部にｎ型層を設けた構造を有するｐｉｎ型光検出器を用いた進行波型半導体光検出器を実施形態（実施例）１として説明する。
【００３９】（実施形態１）図１は、本発明による実施形態１の進行波型半導体光検出器の概略構成を示す斜視図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ’面で切った断面図である。
【００４０】まず、図１の進行波型半導体光検出器の構成を説明する。この進行波型半導体光検出器は、半絶縁性のＩｎＰからなる基板１０１上にノンドープのＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層１０２を備え、その上にノンドープのＩｎＡｌＧａＡｓからなる下部クラッド層１０３、ノンドープのＩｎＡｌＧａＡｓからなるコア層１０４、ノンドープのＩｎＡｌＧａＡｓからなる上部クラッド層１０５を有し、上部クラッド層１０５の一部をエッチングにより取り除いて形成した導波路を備えている。
【００４１】さらに、この進行波型半導体光検出器は、コア層１０４と同等の屈折率３.４２のＩｎＡｌＧａＡｓからなるｎ型層１０６及びｐ型層１０８、ノンドープのＩｎＧａＡｓからなる光吸収層１０７で構成されたｐｉｎ型光検出器が導波路上に周期的に配置されている。
【００４２】図１及び図２は、３個のｐｉｎ型光検出器が導波路上に配置された場合である。下部クラッド層１０３／コア層１０４／上部クラッド層１０５の構造は、ＩｎＡｌＧａＡｓの組成を変え屈折率を変化させ作製する。例えば、ＩｎＡｌＧａＡｓではクラッド層及びコア層の組成を、Ｉｎ0.52Ａｌ0.37Ｇａ0.11Ａｓ、Ｉｎ0.52Ａｌ0.18Ｇａ0.3Ａｓとする。屈折率は、クラッド層１０３及び１０５で３.２８、コア層１０４で３.４２である。ＩｎＧａＡｓ光吸収層１０７の屈折率の実部は３.６であり、ｎ型層１０６及びｐ型層１０８の屈折率３.４２より大きいため各ｐｉｎ型光検出器は導波路構造となる。
【００４３】また、本実施形態１では、上部クラッド層１０５と光吸収層１０７に挟まれた層（ここではｎ型層１０６）の導波路方向の長さを、光吸収層１０７よりも大きくし、その光吸収層から導波路方向にはみ出すようにこの層を設け、かつ光吸収層１０７の前後にこの層がある領域（図２上にＬで示される領域）を設ける。すなわち、光吸収層１０７をｎ型層上の中心位置に設け、光吸収層１０７の前後に長さＬのｎ型層のはみ出し領域を持たせる。このＬの領域は、導波路からの光吸収をより向上させるための光吸収補助領域である。
【００４４】ｐｉｎ型光検出器のＡｕＧｅＮｉ／Ａｕよりなるｎ型電極１１０は、導波路横のｎ型層１０６上に設け、ＡｕＺｎ／Ａｕよりなるｐ電極１０９はｐｉｎ型光検出器上部のｐ型層１０８上に形成される。
【００４５】各ｐｉｎ型光検出器のｎ型電極１１０及びｐ型電極１０９は導波路に平行して設けた
Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕよりなるＣＰＳ電極１１２
　
（ウ）「【００７２】また、本発明の各実施の形態では、ｐｉｎ型光検出器の場合に限ったが、導波路構造の単一走行キャリアー（ＵＴＣ）型光検出器（Ｔ.Ｉshibashi et.al.：ＩＥＥＥ ＰＨＯＴＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＬＥＴＴＥＲＳ ＶＯＬ.１０，ＮＯ.３，４１２（１９９８））を用いて進行波型半導体光検出器を構成しても良い。ＵＴＣ型光検出器は、ｐｉｎ型光検出器のノンドープのＩｎＧａＡｓからなる光吸収層をｐ型のＩｎＧａＡｓに置き換えることで可能であり、導波路構造もｎ型及びｐ型のＩｎＧａＡｓＰからなる層を用いることで可能である。」
　
（エ）図１は、次のものである。
　
イ　引用発明
　上記アによれば、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「導波路上に周期的に配置された複数のｐｉｎ型光検出器であって、
　前記ｐｉｎ型光検出器を導波路構造とし、
　各ｐｉｎ型光検出器の電極は、Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕよりなるＣＰＳ電極或いはＣＰＷ電極に接続され、
　前記の構成により、導波路内を伝搬する光の閉じ込めを弱め、逆にｐｉｎ型光検出器が配置された導波路上ではｐｉｎ型光検出器の各層と伝搬する光の結合を強める、
　進行波型半導体光検出器。」
　
（２）対比
ア　本願発明と引用発明とを対比すると、
「光信号を搬送する光子を、対応する電気信号を搬送する電荷キャリアに変換する吸収体を含む、能動導波路と、
　電極としての機能を果たし、かつ伝送線路の一部を構成する複数の金属コンタクトとを備える光検出器であって、
　前記光検出器は、進行波構造を有する、光検出器。」
の点で一致している。
　
イ　他方、本願発明と引用発明は、下記（ア）ないし（ウ）の点で相違する。
（ア）本願発明の「能動導波路」は、「連続的に設けられた」ものであるのに対して、引用発明の「ｐｉｎ型光検出器」は、「導波路上に周期的に配置された複数のｐｉｎ型光検出器」からなる点（以下、「相違点１」という。）。
　
（イ）本願発明の「光検出器」は、「電気信号を搬送する電荷キャリアを輸送し、加速させるキャリア収集層」及び「前記キャリア収集層にじかに隣接し、かつ５つよりも少ないモードを持続させる副導波路であって、前記副導波路は光信号を搬送する光子を受信し、かつ前記能動導波路とエバネッセント結合する、副導波路」を備えるのに対して、引用発明の「進行波型半導体光検出器」は、このような「キャリア収集層」と「副導波路」を備えない点（以下、「相違点２」という。）。
　
（ウ）本願発明の「光検出器」は、「前記進行波構造」が、「前記金属コンタクトの特性と、前記能動導波路、前記キャリア収集層、及び前記副導波路の材料の特性とに基づいて計算できる前記電極の間隔によって画定されるものであり」、「前記光検出器に沿った電気信号の位相速度が前記能動導波路における光信号の位相速度とほぼ整合するように構成される」のに対して、引用発明の「進行波型半導体光検出器」は、このようなものと特定されない点（以下、「相違点３」という。）。
　
（３）判断
ア　事案に鑑みて、まず、相違点２について検討する。
　引用文献の「【００２９】前記の構成により、本発明では、導波路内を伝搬する光の閉じ込めを弱め、逆にｐｉｎ型光検出器が配置された導波路上ではｐｉｎ型光検出器の各層と伝搬する光の結合を強める。」という記載からは、「ｐｉｎ型光検出器の各層」と「導波路」とは、光の伝搬について結合している程度のことは理解できても、両者がエバネッセント結合しているとまではいうことができない。
　そして、引用発明において、「導波路」又は「ｐｉｎ型光検出器の各層」に、「エバネッセント結合する、副導波路」を設けることは想定されていない。
　したがって、本願発明の上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項は、引用発明に基いて、当業者が容易に想到したものであるとはいうことができない。
　
イ　よって、相違点１、３について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、とすることはできない。
　
ウ　また、本願の請求項２−１７に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、同様に、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　
エ　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
「本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
（１）本願請求項１の『別の導波路』について
ア　本願請求項１に係る発明は、『能動導波路』と、『副導波路』と、『別の導波路を含む進行波構造』を備えることを発明特定事項とする。
　
イ　しかしながら、請求項１の記載では、当該『別の導波路を含む進行波構造』は、『副導波路』を特定するものなのか、更に別の導波路を備え、その導波路を特定するものであるのか、明確ではない。
（なお、平成２６年５月１日付けの意見書及び審判請求書の主張は、『副導波路』と『能動導波路』以外に第３の『導波路』があるかのような主張であるが、本願明細書には、このような、『副導波路』と『能動導波路』以外の第３の『導波路』を備える旨の記載は見当たらず、明細書の記載に基づかない主張と思われる。なお、原文は『a further waveguide』であって、『別の導波路』との訳が適切ではなく、『副導波路』が上記『進行波構造』を有すると思われる。）
　
ウ　請求項１の従属項である請求項２ないし１７に係る発明も、請求項１と同様に不明確である。」
　
２　当審拒絶理由の判断
（１）本件誤訳訂正によって、本願の発明の詳細な説明の段落【０００８】及び【００１１】における「別の導波路」との記載は、「さらなる導波路」に訂正された。
　
（２）本件補正により、
　補正前に「
別の導波路
別の導波路
別の導波路
「
電極としての機能を果たし、かつ伝送線路の一部を構成する複数の金属コンタクト
　前記光検出器は、進行波構造を有し、前記進行波構造は、前記
金属コンタクト
　前記光検出器は、前記光検出器に沿った電気信号の位相速度が前記能動導波路における光信号の位相速度とほぼ整合するように構成される」と補正して（下線は当審が付した。）、「別の導波路」を、「さらなる導波路」を意味する「金属コンタクト」に補正された。
　このことにより、請求項１に係る発明は明確となった。
　また、請求項２ないし１７に係る発明も明確となった。
　よって、当審拒絶理由は解消した。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。