【事件の表示】
　特願２０１１−５４５４０６「電磁放射センサおよび製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月１５日国際公開、ＷＯ２０１０／０８０８１５、平成２４年　６月２８日国内公表、特表２０１２−５１４７５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２２年１月６日（パリ条約による優先権主張２００９年１月７日，米国（ＵＳ））を国際出願日とする出願であって，平成２５年７月９日付けで拒絶理由が通知され，同年９月２６日に意見書の提出及び手続補正がなされ，平成２６年１月１６日付けで拒絶査定がなされ，同年４月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項５に係る発明は，平成２５年９月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項５に記載された次のとおりのものと認める。（以下「本願発明」という。）（下線は補正箇所を示す。）
「　　【請求項５】
　相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）基板と，
　前記基板の上に形成された少なくとも１つの反射型コンポーネントと，
　前記少なくとも１つの反射型コンポーネントから間隔を隔てて配置された少なくとも１つの吸収体であって，原子層堆積によって形成され
て前記ＣＭＯＳ基板と電気的に接続される
　を備えた相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）センサデバイス。」
　
第３　引用刊行物およびその記載事項（下線は当審により付与した。）
（１）本願の優先権主張日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特表２００３−５０９６８２号公報（以下，「刊行物１」という。）には，「熱検出器及びその製造方法」について次の事項が記載されている。　
（１−ア）
「　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は，米国特許第Re36,136号に説明された２レベルの赤外線ディレクタを製造する方法に関する，２レベルの赤外線感熱装置の改良に関する。」　
　
（１−イ）
「　　【０００３】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は，１つの実施形態において，
半導体基板にピクセル素子を有する２レベルのマイクロブリッジ赤外線熱検出器
下方部分が集積回路装置を含む基板の表面に下方部分を有す
下方部分から離れ，そのすぐ上に上方検出器平面部分を有する。上方検出器平面部分は，バナジウム酸化物の温度検出器を有し
　
（１−ウ）
「　　【０００７】
　本発明の技術によって使用されるピクセル素子３０を図２に示す。従来技術の装置に示すように，ピクセル素子は，半導体基板３１を有する下方部分３３を有し，この
半導体基板３１は，集積回路装置３２を含み
　　【０００８】
　
反射層３４は，基板３１の上面に設けられ
ピクセル素子の下方部分３３と上方検出器部分３８とを機械的電気的に接続するために垂直ポスト部分３６が提供される。
ポスト部分３６は，集積回路装置３２に電気的に接続され
ポスト部分３６及び３６ＡＡの上端は，
検出器４０の脚部部分４１及び４２の端部に接続される
　　【０００９】
　図２において，
上方検出器平面部分３８は，下方部分３３から離れており，下方部分３３のすぐ上に配置される
　
上方検出器平面部分３８は，
一部にＶＯｘ（バナジウム酸化物）の感温検出器を有する。
　　【００１０】
　参照符号４０′及び４０″は，センサ４０の間隔を置いている領域を示している。さらに詳細には，領域４０′は，ポスト部分３６′に最も近く，領域４０″は，ポスト部分３６ＡＡの上方部分３６Ａ′３６′に最も近い位置にある。
検出器４０と一体的に接続（機械的電気的に）されているのは，バナジウム酸化物でつくられた一対の脚部４１及び４２である
　　【００１１】
　同様の態様で，脚部４２は，参照符号４０″でセンサ層４０に接続されており，図３に示すように上方に延びる短い垂直部分４２′，水平方向部分４２′，水平方向に延びる部分４２″垂直方向に下に延びる部分４２′″を有し，垂直方向に下に延びる部分４２′″は，アルミニウムポスト部分３６の上部に電気的に接続されるようになっているほぼ中空の形状部分またはコネクタ４２′″で終結している。
　　【００１２】
　脚部４１及び４２を含むセンサ層４０の下側に誘電層４９が設けられている。それは，脚部４１及び４２によってセンサの機械的支持に寄与する。
　センサの感度を増大するために図２に示すように吸収層５４が誘電層の下側に設けられている。
　窒化シリコンの上方誘電層５０は，図２及び図４に示すように層４０の上部に付加される。図４に示すように，コネクタ４２″″及び４１″″の上部にポストキャップ５２及び５２ＡＡが付加され，中間層５２は，Ｃｆのような適当な材料である。」
　
（１−エ）
「    【００１５】
  本発明の利点は、米国再発行特許第36,136号に一部説明されている従来技術のマイクロボロメータの「ウエットエッチ」が、基板のリードアウト電子機器または半導体装置の製造に続いて１２のフォトリソグラフィ工程と、１４工程の堆積とを必要とすることに対比して評価される。比較的多数の工程及び堆積は、一致したエッジフィーチャーを避けようとするとき、フィーチャーの密度を通して、構成のための装置の製造コスト並びに最小限の寸法の拘束として直接現れる。
    【００１６】
  それに対し、「ドライエッチ」（酸素プラズマ）を用いる本発明は、少数の独立した処理工程を有する。さらに、従来技術の装置/処理は、高いTCRVOx材料１４とリードアウト電子部品１２′との間に相互接続を形成するために非常に狭いＮｉＣｒ層１４を使用した。本発明は、センサ４０を支持し、センサ用の断熱を行い、電気接続装置を提供する脚部４１及び４２を設けることによって高価な複雑な構造を回避する。」
　
　上記（１−ア）〜（１−エ）の記載を参照すると，上記刊行物１には，
　「集積回路装置３２を含む半導体基板３１と，
半導体基板３１の上面に設けられた反射層３４と，
ＶＯｘ（バナジウム酸化物）の感温検出器４０と，
垂直ポスト部分３６と，
を備え，
ＶＯｘ（バナジウム酸化物）の感温検出器４０は，半導体基板３１の表面から離れてすぐ上に配置され，
ポスト部分３６は，集積回路装置３２に電気的に接続され，
ポスト部分３６及び３６ＡＡの上端は感温検出器４０の脚部部分４１及び４２の端部に接続され，
集積回路装置を含む基板と感温検出器４０とを機械的電気的に接続する，
マイクロブリッジ赤外線熱検出器。」（以下，「引用発明」という。）
　
（２）本願の優先権主張日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００２−７１４５２号公報（以下，「刊行物２」という。）には，「熱型赤外線検出器」について次の事項が記載されている。
（２−ア）
「【０００２】
【従来の技術】
熱型の赤外線検出器
マイクロブリッジ構造のダイアフラムを構成するボロメータ薄膜
　
（２−イ）
「【００４２】まず，本実施例の
熱型赤外線検出器の構造
【００４３】より具体的には，
基板13は
その内部にCMOSプロセスにより読出回路17が作り込まれている
　
（３）本願の優先権主張日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特表２００３−５１７７３１号公報（以下，「刊行物３」という。）には，「原子層堆積中の寄生化学気相成長を最小限に抑える装置と方法」について次の事項が記載されている。
（３−ア）
「　　　【０００２】
　　発明の背景
　
集積回路の製造
　　【０００３】
　
ＣＶＤを改変した方法である原子層堆積は，特に低温堆積に関して，均一性および共形性を改善するために考えられたものである
　　　【０００４】
　原子層堆積
　ＣＶＤの分野において，原子層堆積（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＡＬＤ）と呼ばれるプロセスは，ＣＶＤ技術の能力を拡大するための有望な候補として現われ，化学気相成長の特性をさらに改善するために，半導体製造設備メーカーによって急速に開発されている。」
　
（３−イ）
「【００４２】まず，本実施例の
熱型赤外線検出器の構造
【００４３】より具体的には，
基板13は
その内部にCMOSプロセスにより読出回路17が作り込まれている
　
第４　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「集積回路装置３２を含む半導体基板３１」と，本願発明の「相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）基板」とは，「集積回路を含む半導体基板」である点で共通する。
　そして，引用発明の「集積回路装置３２を含む半導体」と，本願発明の「相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）」とは，「集積回路を含む半導体」である点で共通する。
　
イ　引用発明の「反射層３４」は，「半導体基板３１の上面に設けられ」ているので，本願発明の「反射型コンポーネント」に相当する。
　
ウ　マイクロボロメータにおいて、酸化バナジウム等の感熱素子は赤外光を吸収する吸収体としても機能するものであるから、引用発明の「ＶＯｘ（バナジウム酸化物）の感温検出器４０」は，本願発明の「吸収体」に相当する。
　そうすると，引用発明の「半導体基板３１の表面から離れてすぐ上に配置され」ている「ＶＯｘ（バナジウム酸化物）の感温検出器４０は，本願発明の「前記少なくとも１つの反射型コンポーネントから間隔を隔てて配置された少なくとも１つの吸収体」に相当する。
　
エ　上記アを踏まえれば，引用発明の「集積回路装置を含む基板」と「機械的電気的に接続する」「感温検出器４０」と，本願発明の「前記ＣＭＯＳ基板と電気的に接続される少なくとも１つの吸収体」とは「集積回路を含む半導体基板に接続される少なくとも１つの吸収体」である点で共通する。
　
オ　引用発明の「マイクロブリッジ赤外線熱検出器」は「集積回路装置３２を含む半導体基板３１」を備えるセンサデバイスであるから，上記アを踏まえれば，引用発明の「マイクロブリッジ赤外線熱検出器」と本願発明の「相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）センサデバイス」とは「集積回路を含む半導体センサデバイス」の点で共通する。
　
　そうすると，本願発明と引用発明とは，
　「集積回路を含む半導体基板と，
　前記基板の上に形成された少なくとも１つの反射型コンポーネントと，
　前記少なくとも１つの反射型コンポーネントから間隔を隔てて配置された少なくとも１つの吸収体であって，前記集積回路を含む半導体基板と電気的に接続される少なくとも１つの吸収体と
　を備えた集積回路を含む半導体センサデバイス。」で一致し，次の点で相違している。
　
（相違点１）
　集積回路を含む半導体基板と，集積回路を含む半導体について，それぞれ，本願発明では「相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）基板」と，「相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）」であるのに対して，引用発明ではそのような特定がない点。
　
（相違点２）
　吸収体について，本願発明が「原子層堆積によって形成され」るのに対して，引用発明は，そのような特定をしていない点。
　
（１）相違点１についての検討
　上記項摘記事項（２−イ）の記載「【００４２】まず，本実施例の熱型赤外線検出器の構造・・・。【００４３】より具体的には，基板13は・・・その内部にCMOSプロセスにより読出回路17が作り込まれている」から，刊行物２には「熱型赤外線検出器にCMOS基板を用いること」が記載されている。
　そうすると，引用発明の「集積回路装置３２を含む半導体基板３１」を具体化するに当たって，同じ赤外線熱検出器に関する刊行物２に記載のCMOS基板を用い，それに合わせて「集積回路装置３２を含む半導体」を具体化するに当たってCMOSを用いること，すなわち，相違点１に記載の本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到するものといえる。
　
（２）相違点２についての検討
　集積回路の製造において原子層堆積は，特に低温堆積に関して，均一性および共形性を改善するためにに考えられた周知技術である（例えば，上記摘記事項（３−ア）参照）。
　そして，その作成に集積回路の製造技術が用いられる赤外線熱検出器においても，より正確な測定のために，吸収体により良い均一性および共形性が求められることは，自明の課題である。
　してみると，引用発明の感熱検出器４０の形成に，上記周知技術を適用して，相違点２に記載の本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到するものといえる。
（３）そして，本願発明の効果も，刊行物１，２の記載事項及び周知技術から，当業者が予測し得る範囲のものであり，格別顕著なものといえない。　　
　
（４）したがって，本願発明は，引用発明，刊行物２の記載事項及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。　　
　
第５　まとめ　　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その他の請求項について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。　　
　よって，結論のとおり審決する。