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　特願２０１０−１０９１１３「へテロ接合およびインターフィンガ構造を有する半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月　５日出願公開、特開２０１０−１７１４６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年（２００６年）１月１８日（パリ条約による優先権主張　平成１７年１月２０日　フランス）を国際出願日とする特願２００７−５５１７１４号の一部を、平成２２年５月１１日に新たな特許出願とした特願２０１０−１０９１１３号であって、平成２５年２月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１０日付けで意見書が提出されたが、平成２６年６月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
　平成２３年８月１８日付けの手続補正による特許請求の範囲の補正は、請求項の削除を目的とする補正であり、適法な補正である。
　よって、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１０月２９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
「特定の導電型の結晶半導体層の少なくとも一つの表面上に、該結晶半導体層の導電型と反対の導電型にドープされたアモルファス半導体層を備えた半導体デバイスであって、前記アモルファス半導体層のドーピング部分の濃度が漸変的に変化していて、前記アモルファス半導体層のドーピング部分の濃度が、前記結晶半導体層から漸変的に増加していることを特徴とする半導体デバイス。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２７５９２２号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下記「２　引用例１に記載された発明の認定」において直接引用した記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜多結晶シリコン太陽電池や光センサ等の光電変換装置に関する。」
　
「【００２４】
【発明の実施形態】以下に、本発明の実施の形態について図面に基づいて詳細に説明する。図１に示すように、本発明の
光電変換装置
シリコン半導体層Ｓ１が順次積層されて成る
【００２５】なお、ガラス基板１としては、コーニング社の７０５９基板、１７３７基板、及び各ガラスメーカーによって最も一般的に商品化がなされているソーダガラス基板を用いる。以下ガラス基板による差が問題となる場合を除いて、７０５９基板を用いた例に基づき説明するが、これに限定されるものではない。また、結晶酸化物層としては、酸化アルミニウムを用いる例について説明する。
【００２６】まず、ガラス基板１上に、結晶酸化物層である酸化アルミニウム層２を、１０ｎｍ〜５０００ｎｍ程度の膜厚で形成する。この層の形成にあたっては、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法等の公知の真空成膜技術を用いることができる。
【００２７】次に上記酸化アルミニウム層２上に薄膜多結晶である第１のシリコン層３を、０．１〜５μｍ程度の膜厚で形成する。ただし、後に述べる第２のシリコン層４を形成しない場合は、この第１のシリコン層は、１〜５０μｍ程度の膜厚とする。この第一の薄膜多結晶シリコン層の形成にあたっては、比較的低温下での液相を介した結晶成長とし、比較的大粒径な結晶粒成長を行わせる。」
　
「【００３２】次に、第１のシリコン層３上へ、ＣＶＤ法やスパッタ法などの真空成膜技術を用いて
薄膜多結晶である第２のシリコン層４
本来ドーピングに関与しない元素を主体とし、Ａｌ（ｐ型ドーピング元素）やＳｂ（ｎ型ドーピング元素）は、必要な量だけ調節して導入するようにして
　
「【００３７】次に、
光活性層である第２のシリコン層４上の所定の領域に、第２のシリコン層４の導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン層５を成膜し、ｐｎ接合を形成する。
第３のシリコン層５は、
アモルファスシリコン膜であってもよい。
【００３８】次に、光活性層である第２のシリコン層４上の第３のシリコン層５を形成した領域とは別の特定の領域に、第２のシリコン層４の導電型と同一の導電型で、よりドーピング濃度の高い第４のシリコン層６を成膜する。第４のシリコン層６の形成については、ＣＶＤ法、スパッタ法等、公知の真空薄膜形成技術を用いることができる。ここで、第４のシリコン層６は、結晶シリコン膜であっても、アモルファスシリコン膜であってもよい。結晶シリコン膜である場合は、１００〜２０００ｎｍ程度の膜厚で形成し、アモルファスシリコン膜である場合は、５〜１０００ｎｍ程度の膜厚で形成する。後者の場合、いわゆるヘテロ接合となるが、第２のシリコン層４と第４シリコン層（アモルファスシリコン層）６の間に、真性型のアモルファスシリコン層を厚さ２〜４０ｎｍで挿入すると特性向上により好適である。なお、第４のシリコン層６を形成しなくとも、ｐｎ接合を有する素子の形成を妨げるものではない。
【００３９】次に、前述の第３及び第４のシリコン層５，６上へ、第１及び第２の取り出し電極となる第１及び第２金属電極７，８を、真空成膜技術、プリント及び焼成技術、さらにメッキ技術等の公知の技術を組み合わせて形成し、薄膜多結晶シリコン太陽電池を形成する。」
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記摘記事項の【００３２】の「本来ドーピングに関与しない元素を主体とし、Ａｌ（ｐ型ドーピング元素）やＳｂ（ｎ型ドーピング元素）は、必要な量だけ調節して導入するようにして」の記載にも示唆されるように、シリコン層にｐ型又はｎ型の導電型を与える場合、いずれの導電型も導電型決定不純物をドープされて与えられることは技術常識であるといえる。すなわち、第３のシリコン層５は「ドープされた」シリコン膜であるといえる。
　また、【図１】から、第３のシリコン層５は、第２のシリコン層４の「表面上」に形成されていることが見て取れる。
　上記記載（図面の記載も含む）を総合すれば、引用例１には、
「薄膜多結晶である第２のシリコン層４の表面上の所定の領域に、第２のシリコン層４の導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン層５が成膜されてｐｎ接合が形成され、
　第３のシリコン層５は、ドープされたアモルファスシリコン膜である、
　シリコン半導体層が順次積層されて成る光電変換装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
２　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平６−２９１３４３号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池や光センサ等の光起電力装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光起電力装置は、発電層として用いられる半導体の種類により、単結晶系、多結晶系、非晶質系に分類される。
【０００３】この中で、ここ数年、活発な研究開発がなされたのが、非晶質系からなる光起電力装置である。その理由として、従来の単結晶系のものと比較して、非晶質系は大面積の形成が容易であり、かつその製造工程に要するエネルギーが小さくてすむことなどから低コストが期待できたためである。
【０００４】しかし、これまで多くの研究成果を得たにもかかわらず、その性能面では単結晶系の光起電力装置には及んでいない。
【０００５】そこで、近年、光起電力装置の開発の新たな試みとして、非晶質半導体と結晶系半導体（単結晶半導体，多結晶半導体）とを組み合わせて半導体接合を形成させることにより、それぞれの物性が持つ長所を活かすことで、より高い光電変換効率を得る研究が進められている。
【０００６】しかし、通常、前記の各半導体を単に接触させるだけでは、良好な半導体接合を形成することはできない。例えば、図５（ｂ）に示すように、
ｎ型の単結晶半導体１１とｐ型の非晶質半導体１２とを直接接触させ、ｐｎ接合（ヘテロｐｎ接合）を形成したとしても、同図（ａ）のバンドプロファイルに示すように、ホールに対する高い障壁が形成されるため、光起電力装置として十分な光電変換効率を得ることはできない。
【０００７】これは、光照射により発生した半導体中の光生成キャリアの多くが前記ｐｎ接合界面での再結合により失われてしまい、前記光生成キャリアを外部に取り出せないためである。
【０００８】かかる再結合の原因は、前記非晶質半導体の局在準位によると考えられる。即ち、非晶質半導体では、一般に導電型決定不純物をドーピングすることにより、その膜質は著しく劣化する。この影響はバンドギャップ内の局在準位の増加として現れる。そして、この局在準位は、ｐｎ接合界面に界面準位を生成するように働きかけ、結果として前記光キャリアを再結合させることになる。」
　
３　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平５−２７５７２３号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に気相成長法において高温処理時間を短くすることによって、高温処理による損傷の小さい半導体装置を形成し得る半導体装置の製造方法に関するものである。」
　
「【０００６】そこで、気相成長法を用いることによって、より低温で上記のｎ型接合層１２を形成する試みがなされている。半導体素子における上記のｎ型接合層１２を形成する場合、そのｎ型接合層１２の不純物分布は、前述の熱拡散法を用いた場合には一義的に決まるが、気相成長法を用いた場合にはその不純物分布を自由にコントロールすることができる。
結晶系シリコン太陽電池において高濃度のｎ型接合層１２を形成する場合、このｎ型接合層１２全体を均一の高不純物濃度にする（以下、本明細書において「階段ドーピング」という）より、むしろ、ｎ型接合層１２における不純物濃度を低濃度から高濃度へ徐々に増加させる（以下、本明細書において「傾斜ドーピング」という）場合の方が得られる太陽電池の素子特性が良いという結果が得られている。
【０００７】
【表１】
【０００８】上記の表１には、傾斜ドーピングが施されることによってｎ型接合層１２が形成されている太陽電池と階段ドーピングが施されることによって形成されたｎ型接合層１２を備える太陽電池との種々の素子特性値を比較した結果が示されている。なお、表１において、Ｊsc（ｍＡ／ｃｍ2 ）は、短絡電流密度を示しており、ＶOC（ｍＶ）は、開放電圧を示している。また、ＦＦは、曲線因子を示しており、η（％）は、変換効率を示している。そして、これらの諸特性の値は、大きい方が素子特性が良いといえる。表１を参照して、上記の
傾斜ドーピングを行なった場合の方が、素子特性が良いというのがわかる。
　
第４　本願発明と引用発明の対比、及び、当審の判断
１　ここで、本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明における「薄膜多結晶である第２のシリコン層４」は、その「表面上の所定領域」に「成膜され」る「第３のシリコン層５」とともに「ｐｎ接合が形成され」るのであるから、本願発明の「特定の導電型の結晶半導体層」に相当する。
　また、引用発明の「ドープされたアモルファスシリコン膜である」「第２のシリコン層４の導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン層５」が本願発明の「該結晶半導体層の導電型と反対の導電型にドープされたアモルファス半導体層」に相当する。
　したがって、引用発明の「薄膜多結晶である第２のシリコン層４の表面上の所定の領域に、第２のシリコン層４の導電型とは逆の導電型を有する第３のシリコン層５が成膜されてｐｎ接合が形成され」、「第３のシリコン層５は、ドープされたアモルファスシリコン膜である」ことが、本願発明の「特定の導電型の結晶半導体層の少なくとも一つの表面上に、該結晶半導体層の導電型と反対の導電型にドープされたアモルファス半導体層を備えた」ことに相当する。
（２）引用発明の「シリコン半導体層が順次積層されて成る光電変換装置」が、本願発明の「半導体デバイス」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「特定の導電型の結晶半導体層の少なくとも一つの表面上に、該結晶半導体層の導電型と反対の導電型にドープされたアモルファス半導体層を備えた半導体デバイス」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
３　相違点
　アモルファス半導体層について、本願発明においては「ドーピング部分の濃度が」、「結晶半導体層から漸変的に増加している」のに対して、引用発明においては、その点の特定がない点。
　
４　当審の判断
（１）相違点の検討
　引用発明は、「薄膜多結晶」である第２のシリコン層４上の所定の領域に「アモルファスシリコン膜」である第３のシリコン層５を成膜し、いわゆるヘテロｐｎ接合を形成したたものであるから、その接合面に高い障壁が形成され十分な光電変換効率を得られないという素子特性に関する技術課題を有することは自明の事項である。そして、これは、アモルファス半導体に導電型決定不純物をドーピングすることによって膜質が劣化し、その影響が局在準位の増加として現れ、それによって、光生成キャリアがｐｎ接合面での再結合により失われてしまうことが原因である。（この点、必要とあらば、引用例２（【０００６】〜【０００８】）参照。）
　そして、一般に、ｐｎ接合層を備える半導体デバイスにおいて、ｐｎ接合層を含む素子の素子特性を向上させるために、ドーピング濃度を接合面から徐々に増加させることは、引用例３（【０００６】【０００８】参照）の他、審査過程において提示された刊行物である特開平１−２８９１７５号公報（第４ページ左上欄第７〜１３行、第２図等参照）にも記載されているように周知技術であるから、上記の自明の技術課題を解決するために、引用発明に、上記の周知技術を適用し、アモルファス半導体層のｐｎ接合面における局在準位の増加を抑えるため、「アモルファス半導体層」について「ドーピング部分の濃度が」、「結晶半導体層（接合面）から漸変的に増加」するようにして、上記の相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）本願発明によってもたらされる効果
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。