【事件の表示】
　特願２０１１−　２０２４８「弾性波デバイス及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月２３日出願公開、特開２０１２−１６０９７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年２月１日の出願であって、平成２６年１０月２２日付けで拒絶査定がなされ、平成２７年１月２０日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに、手続補正がなされたものである。
　
２．平成２７年１月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年１月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
２−１．補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１（以下、「補正後の請求項
１」という。）の記載は、以下のとおり補正された。
　
「　　【請求項１】
　圧電基板上に、外部接続用の電極パッドおよび櫛形電極を銅を含むアルミニウム合金で形成する工程と、
　前記電極パッドの表面、前記櫛形電極の電極指の表面および前記電極指間の前記圧電基板の表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、前記櫛型電極より薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
　前記電極パッドの上面に形成された前記酸化アルミニウム膜の一部を除去し、前記電極パッドの上面の一部を露出させる工程と、
　露出された前記電極パッドの上面の一部上と、前記電極パッドの上面の除去されていない前記酸化アルミニウム膜の一部上と、に金属層を形成する工程と、
　を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。」
　
２−２．補正の目的
　本件補正が、特許法第１７条の２第５項各号の目的に該当するかどうか検討する。
　本件補正前の平成２６年８月２０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の記載は以下のとおりである。
　
「　　【請求項１】
　圧電基板と、
　前記圧電基板上に形成された櫛形電極と、
　前記櫛形電極の電極指の表面および前記電極指間の前記圧電基板の表面に接するように、ＡＬＤ法により形成され、前記櫛型電極より薄い酸化アルミニウム膜と、
　を備えることを特徴とする弾性波デバイス。
　　【請求項２】
　前記櫛形電極は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の弾性波デバイス。
　　【請求項３】
　前記アルミニウム合金は、銅を含むことを特徴とする請求項２に記載の弾性波デバイス。
　　【請求項４】
　前記圧電基板上に、前記櫛形電極を覆うように設けられた封止部を備え、
　前記櫛形電極の上方には前記封止部により区画された空洞部が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波デバイ
ス。
　　【請求項５】
　前記櫛形電極の側面は、前記圧電基板の表面に対し垂直であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
　　【請求項６】
　前記櫛形電極は、複数の金属層を含む多層構造であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波デバイス。
　　【請求項７】
　圧電基板上に櫛形電極を形成する工程と、
　前記櫛形電極の電極指の表面および前記電極指間の前記圧電基板の表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、前記櫛型電極より薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
　を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。」
　
　補正後の請求項１は、「外部接続用の電極パッド」に関する事項を、新たに発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）としている。
　これに対して、補正前の特許請求の範囲には、「外部接続用の電極パッ
ド」に関して何らの記載もなく、補正後の請求項１の「外部接続用の電極
パッド」に関する事項は、補正前の発明特定事項を限定するものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の「特許請求の範囲の減縮（第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）」を目的とするものではない。
　また、補正後の請求項１のように、「外部接続用の電極パッド」に関する事項を、新たに発明特定事項とする補正が、請求項の削除（特許法第１７条の２第５項第１号）、誤記の訂正（特許法第１７条の２第５項第３号）、及び明りょうでない記載の釈明（特許法第１７条の２第５項第４号）のいずれかを目的としてされたものでないことは明らかである。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項各号のいずれの目的にも該当しない。
　
２−３．むすび
　以上のように、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
３−１．本願発明
　平成２７年１月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項７に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年８月２０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される、以下に再掲するとおりのものである。
　
「　　【請求項７】
　圧電基板上に櫛形電極を形成する工程と、
　前記櫛形電極の電極指の表面および前記電極指間の前記圧電基板の表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、前記櫛型電極より薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
　を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。」
　
３−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１６５５３７号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の記載がなされている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　複数のサイクルを含む反応室中で、基板上に金属酸化物の薄膜を堆積する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、各サイクルが、
　金属化合物を含む気体第１反応物を供給する工程であって、約１つを超えない金属化合物の単分子層を基板上に化学吸着させる工程と、
　水以外の酸素源を含む気体第２反応物を供給する工程であって、前記第２反応物が、前記第１反応物の前記基板上に吸着された部分を金属酸化物に変換する工程とを含み、
　前記基板が１９０℃未満の温度に維持される方法。」
　
（２）「【００４３】
　本発明の第２の好ましい実施形態によれば、好ましい堆積方法によってＳＡＷフィルターに保護層が設けられる。典型的なＳＡＷフィルターを図２に示す。フィルターは、一般的に石英、ニオブ酸リチウム、またはタンタル酸リチウムの電圧基板上に配置された、第１の音響吸収体２１と第２音響吸収体２２とを含む。入力された信号は入力変換器２３へ導かれ、出力信号は出力変換器２４から集められる。入力変換器２３は電気信号を小さな音響波に変換し、これは出力変換器２４によって再び電気信号に変換される。通常、構造は密封式に封入される。本発明は、説明した方法によってＳＡＷ構造の表面に堆積された薄い保護層で密封封入を置き換える。したがって、より安価な封入方法を保護構造に用いて完成ＳＡＷ製品を得ることができる。
【００４４】
　上記実施形態の各々において、金属酸化物パッシベーション層は厚さ約５ｎｍ〜１，０００ｎｍであることが好ましく、約２５ｎｍ〜７５ｎｍがさらに好ましい。
【００４５】
　ある実施形態において、保護金属酸化物層は、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２など
の単一金属酸化物、またはＡｌ２ＴｉＯ５などの三元金属酸化物を含む。他の実施形態において、金属酸化物層は異なる金属または金属酸化物をドープした金属酸化物を含む。例えば、酸化アルミニウム層または酸化チタン層はＴａなどの異なる金属をドープすることができる。他の実施形態において、金属酸化物層は、酸化アルミニウムと酸化チタン、または酸化アルミニウムと酸化タンタルなど、交互に異なる金属酸化物層を含むナノラミネート構造である。
【００４６】
　他の実施形態において、パッシベーション層は２種以上の金属酸化物を含む個溶体である。例えば、金属酸化物層はＴａ２ｘＮｂ２−２ｘＯ５または
ＴｉｍＺｒ１−ｍＯ２を含むことができる。
【００４７】
　低温加工を行うことのできるＡＬＤ反応器の例は、単一ウェーハ反応器、複数ウェーハまたは他の基板を平面または垂直基板ホルダーに備える反応
器、およびバッチ式加工反応器を含む。例えば、有機太陽電池は、基板当たりの製造コストを低く維持するために、バッチ加工反応器中の方法において保護層で被覆することが好ましい。
　本発明を以下の非制限的な実施例によってさらに説明する。
【実施例１】
【００４８】
　酸素源として水またはオゾンのいずれかを用いるＡｌ２Ｏ３薄膜の堆積
　ケースＡ：酸素源として水によるＡｌ２Ｏ３膜の堆積
　Ａｌ２Ｏ３薄膜は、フィンランドのＡＳＭ　Ｍｉｃｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｏｙによって製造された流動式ＡＬＤ反応器、モデルＦ−１２０中で堆積した。ＴＭＡとしても知られるトリメチルアルミニウム（ＣＨ３）３Ａｌをアルミニウム源化学物質として使用した。精製水を酸素源化学物質として使用した。原料化学物質は、外部原料から反応器中に導入した。」
　
（審決注：段落【００４３】の「
電圧
圧電
piezoelectric
　したがって、引用例には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　圧電基板上に配置された、電気信号を小さな音響波に変換する入力変換
器、及び前記音響波を再び電気信号に変換する出力変換器を有し、
　ＳＡＷ構造の表面に、原子層堆積（ＡＬＤ）方法により堆積された
Ａｌ２Ｏ３薄膜の薄い保護層で密封封入を置き換えたＳＡＷフィルター
　を得る方法。
３−３．対比
　引用発明は、ＳＡＷフィルターを得る方法であるから、弾性波デバイスの製造方法である点で、本願発明と共通する。
　引用発明の「入力変換器」及び「出力変換器」は、電気信号を小さな音響波に変換するもの及び音響波を再び電気信号に変換するものであるから、
「圧電基板」上に形成された電極から構成されるものである。したがって、引用発明は、圧電基板上に電極を形成する工程を備える点で、本願発明と共通する。
　引用発明が得るとする「ＳＡＷフィルター」は、ＳＡＷ構造の表面に、原子層堆積（ＡＬＤ）方法により堆積されたＡｌ２Ｏ３薄膜の薄い保護層を有するものであるから、引用発明は、弾性波デバイスの表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程を備える点で、本願発明と共通する。
　したがって、本願発明と引用発明とを対比すると、次の点で一致する。
　
　圧電基板上に電極を形成する工程と、
　弾性波デバイスの表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程と、
　を備えることを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
　
　また次の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明は電極が櫛形電極であるのに対して、引用発明ではどのような電極であるのか特定されていない点。
　相違点２
　弾性波デバイスの表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程が、本願発明では、「前記櫛形電極の電極指の表面および前記電極指間の前記圧電基板の表面に接するように」及び「前記櫛型電極より薄い」と、どのように形成するのか特定されているのに対して、引用発明ではそのような特定がされていない点。
３−４．相違点に対する判断
　相違点１について
　弾性波デバイスであるＳＡＷフィルターの入力変換器及び出力変換器を、櫛形電極で構成することは普通に行われていることであり、引用発明において入力変換器及び出力変換器を構成する電極を、櫛形電極で構成すること困難な点はない。
　
　相違点２について
　上記「相違点１について」のとおり、弾性波デバイスであるＳＡＷフィルターの入力変換器及び出力変換器を、櫛形電極で構成することは普通に行われていることであり、引用発明は「ＳＡＷ構造の表面に、原子層堆積（ＡＬＤ）方法により堆積されたＡｌ２Ｏ３薄膜の薄い保護層で密封封入を置き換えた」とするものであるから、櫛形電極の表面と櫛形電極以外の表面の両方に保護層を形成することはごく自然なことであり、また、薄い保護層とするものであるから、Ａｌ２Ｏ３薄膜を電極より薄いものとすることに困難な点はない。
　したがって、引用発明において、本願発明と同様に「前記櫛形電極の電極指の表面および前記電極指間の前記圧電基板の表面に接するように、ＡＬＤ法を用い、前記櫛型電極より薄い酸化アルミニウム膜を形成する工程」とすることに、困難な点はない。
　上記のように、引用発明において、各相違点を本願発明のようにすることに困難な点はないから、本願発明は引用発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３−５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。