【事件の表示】
　特願２０１１−１０３７１８「光電変換素子および太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月２９日出願公開、特開２０１２−２３５０１９、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年５月６日の出願であって、平成２６年７月９日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１６日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１０月８日付けで拒絶査定（以下「原査定」という）がなされた。これに対し、平成２７年１月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされ、その後、当審において同年１２月１０日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由１」という。）が通知され、平成２８年２月１５日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年３月２９日付けで再度拒絶理由（以下「当審拒絶理由２」という。）が通知され、同年４月８日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２８年４月８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１及び２に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明２」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＩＩＩｂ族元素と、Ｏ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＶＩｂ族元素を含むｐ型光吸収層と、前記ｐ型光吸収層上に形成されるＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ、またはＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ（ＭはＢ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素）で表されるｎ型半導体層と、を備え、
　前記ｎ型半導体層がＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘである場合、前記Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘにおいて、ｘ、ｙは０．７≦ｘ≦０．８、及び、０．０１≦ｙ≦０．０５の関係を満たし、前記ｐ型光吸収層が、Ｃｕと、Ｇａと、Ｓｅとを少なくともを含み、かつ、前記ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下である、又は、
　前記ｎ型半導体層がＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯである場合、Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯにおいて、ｙ、ｚは０．３１≦ｙ＋ｚ≦０．３３、０．０１≦ｙ≦０．０５、及び、０．２８≦ｚ≦０．３の関係を満たし、前記ｐ型光吸収層が、Ｃｕと、Ｇａと、Ｓｅとを少なくとも含み、かつ、前記ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下である光電変換素子。
【請求項２】
　請求項１記載の光電変換素子を用いてなる太陽電池。」　
　
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
「理由１　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１−４
・引用文献１
備考：
　引用文献１には，光吸収層である半導体層１３をｐ型のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２などで形成すること，また，その上の酸化物層１４をＺｎ０．８７Ｍｇ０．１０Ａｌ０．０２Ｏなどで形成することが記載されており（特に図２及び【００３３】−【００３７】等を参照），請求項１に係る発明と同一である。請求項４についても同様である。
　よって，請求項１，４に係る発明は，引用文献１により，新規性を有しない。
　また，請求項２，３については，これらの請求項が引用する請求項１に含まれる３つのｎ型半導体層材料のうち，第３の選択肢であるＧａＰの特性に関するものであるが，少なくとも第１，２の選択肢であるＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘやＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯの場合について上述のとおり新規性が認められない以上，第３の選択肢のみをさらに限定しても，請求項２，３に係る発明と引用文献１に記載された発明との間に，やはり特段の相違は認められない。
　
理由２　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１−４
・引用文献１−６
備考：
　引用文献１には，光吸収層である半導体層１３をｐ型のＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２などで形成すること，また，その上の酸化物層１４をＺｎ０．８７Ｍｇ０．１０Ａｌ０．０２Ｏなどで形成することが記載されており（特に図２及び【００３３】−【００３７】等を参照），請求項１に係る発明と同一である。請求項４についても同様である。
　よって，請求項１，４に係る発明は，引用文献１により，進歩性を有しない。
　また，引用文献２には，ｐ型ＣＩＧＳ膜３の上に，Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）膜（ｎ型バッファ層）５を形成した構成の太陽電池が開示されるとともに，当該ｎ型バッファ層の形成に際しては不純物としてＢやＡｌ等を含有させてもよい旨の記載もある（特に図１及びその説明，【００２４】，【００７１】−【００７２】等）。他に，ＣＩＧＳ光吸収層を有する太陽電池のバッファ層として，引用文献３ではＺｎＩｎｘＳｙやＺｎＧａｘＳｙを用いてよい旨の記載（特に【００１６】等），引用文献４では酸化亜鉛系薄膜であって若干のＢ，Ａｌ，Ｇａを含むと共にＳが混入した混晶であってもよい旨の記載がある（特に[００４５]等）。
　これらの引用文献に開示されたように，Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ（ＭはＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）を用いてもよいことは従来周知であるところ，ｘ，ｙの値については，適切なＣＢＭを得ることなどに鑑みて，当業者が適宜設定できる設計的事項である。必要であれば，ｐ型ＣＩＧＳ層と（材料は若干異なるが）ｎ型バッファ層とのＣＢＭの関係を最適化する必要があるという技術思想が開示された例として，引用文献５，６を参照されたい。
　よって，請求項１，４に係る発明は，引用文献２−６からも進歩性を有しない。
　また，請求項２，３については，これらの請求項が引用する請求項１に含まれる３つのｎ型半導体層材料のうち，第３の選択肢であるＧａＰの特性に関するものであるが，少なくとも第１，２の選択肢であるＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘやＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯの場合について上述のとおり新規性・進歩性が認められない以上，第３の選択肢のみをさらに限定しても，請求項２，３に係る発明と引用文献１に記載された発明との間に，やはり特段の相違は認められない。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開２００４−１５８６１９号公報
２.特開２００５−２２８９７５号公報
３.特開２００３−８０３９号公報
４.国際公開第２００９／０６９５８２号
５.特開２０１０−１９２６８９号公報
６.特開２００４−２１４３００号公報
　
２　原査定の理由の判断
（１）刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された特開２００４−１５８６１９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスおよびその製造方法に関し、特にたとえば
太陽電池
　
（イ）「【００３３】
半導体層１３
光吸収層として機能する
Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主要な構成元素とするカルコパイライト構造半導体
で
Ｉｂ族元素には
Ｃｕを用いることができ
ＩＩＩｂ族元素には、
ＩｎおよびＧａからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を用いることができ
ＶＩｂ族元素には、ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも１つの元素を用いることができる
ｐ形
半導体
【００３４】
また、半導体層１３と酸化物層１４との間に第２の半導体層を配置する場合には、この第２の半導体層は、たとえば、半導体層１３とは組成比が異なるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体で形成できる。なかでも、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素の組成比がほぼ１：３：５である欠陥スタナイト構造半導体はｎ形伝導を示す場合があり、ｐ形伝導を示すＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（半導体層１３）と擬ホモｐｎ接合を形成できるため太陽電池に好適である。
【００３５】
また、第２の半導体層は、たとえば、ＩＩｂ族元素をドーピングしたＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体で形成することもできる。Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素をほぼ１：１：２の組成比で含むカルコパイライト構造半導体はｐ形伝導を示すが、これにＩＩｂ族元素をドープすることでｎ形となる。従って、このようなｎ形の第２の半導体層とｐ形である半導体層１３とを用いることによってホモｐｎ接合を形成でき、太陽電池の高電圧化が可能となる。また、半導体層１３をＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体で形成した場合、第２の半導体層は、半導体層１３とはＶＩｂ族元素のみが異なるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ族化合物半導体で形成してもよい。たとえば、光吸収層となる半導体層１３にＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とからなるＣｕＩｎＳｅ２層を用いた場合、第２の半導体層としてＶＩｂ族元素のみが異なるＣｕＩｎＳ２層を用いることができる。この時、ＣｕＩｎＳｅ２よりもＣｕＩｎＳ２の方が禁制帯幅が広く、価電子帯レベルが深い（真空準位から遠い）ため、両者の界面にはホールに対する障壁（ホールバリア）が形成される。このホールバリアによってＣｕＩｎＳ２層表面（界面）での再結合が低減することから太陽電池の高効率化に好適である。なお、第２の半導体層は、上述した３つの例を組み合わせて形成してもよい。
【００３６】
窓層として機能する酸化物層１４
Ｚｎ
ｘ
Ｍｇ
ｙ
Ａｌ
ｚ
Ｏ、Ｚｎ
ｘ
Ｍｇ
ｙ
Ｇａ
ｚ
Ｏ、Ｚｎ
ｘ
Ｍｇ
ｙ
Ｉｎ
ｚ
Ｏ、Ｚｎ
ｘ
Ｍｇ
ｙ
Ｂ
ｚ
Ｏといった組成式で表される酸化物
ｘ、ｙおよびｚは、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、２Ｘ＋２Ｙ＋３Ｚ≒２を満たす
特に、Ｚｎ
０．８７
Ｍｇ
０．１０
Ａｌ
０．０２
Ｏ、Ｚｎ
０．７７
Ｍｇ
０．１３
Ｇａ
０．０６
Ｏ
を用いる
【００３７】
ここで、ＩＩａ族元素とＩＩｂ族元素とＩＩＩｂ族元素を含む酸化物は、金属元素の組成比や、酸素の欠損量や、微量にドープするＶｂ族元素（たとえばＮやＰ）のドーズ量を変化させることによって、その導電率を制御できる。その結果、低抵抗の酸化物層から絶縁に近い高抵抗の酸化物層まで、さまざまな抵抗値の酸化物層が得られる。従って、太陽電池の高効率化に適した窓層を提供することができる。」
　
（ウ）図２は、次のものである。
　
（エ）上記（イ）の記載を踏まえて、上記（ウ）の図２を見ると、ｐ型半導体層１３上に酸化物層１４が形成されていることがみてとれる。
　
（オ）そうすると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「Ｉｂ族元素にはＣｕを用いることができ、ＩＩＩｂ族元素には、ＩｎおよびＧａからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を用いることができ、ＶＩｂ族元素には、ＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも１つの元素を用いることができる、Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＶＩｂ族元素とを主要な構成元素とするカルコパイライト構造半導体であって、光吸収層として機能するｐ型半導体層と
　ＺｎｘＭｇｙＡｌｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＧａｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＩｎｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＢｚＯ（ｘ、ｙおよびｚは、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、２Ｘ＋２Ｙ＋３Ｚ≒２を満たす）といった組成式で表される酸化物、特に、Ｚｎ０．８７Ｍｇ０．１０Ａｌ０．０２Ｏ、Ｚｎ０．７７Ｍｇ０．１３Ｇａ０．０６Ｏを用いる、窓層として機能する酸化物層とを備え、
　前記ｐ型半導体層上に前記酸化物層１４が形成されている太陽電池。」
　
イ　同じく、本願出願前に頒布された特開２００５−２２８９７５号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、太陽電池に関する。特に、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＶＩｂ族元素を含有する化合物半導体層を光吸収層として備えたエネルギー変換効率の高い太陽電池に関する。」
　
（イ）「【００２４】
　ｎ形バッファー層としては、Ｚｎ（亜鉛）を含有する化合物膜（以下において、Ｚｎ系化合物膜と称する）が好ましい。従来の太陽電池のｎ形バッファー層に含まれていたＣｄとは異なり、Ｚｎは有害ではないため、Ｚｎ系化合物膜の形成に用いる溶液の処理も容易であるからである。Ｚｎ系化合物膜としては、例えば、ＺｎＯ（酸化亜鉛）膜、ＺｎＳ（硫化亜鉛）膜及びＺｎ（Ｏ，Ｓ）系化合物膜が挙げられる。ここで、Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）系化合物膜としては、例えば、ＺｎＯとＺｎＳとの混晶で構成されたＺｎ（Ｏ，Ｓ）膜及びＺｎＯとＺｎＳとＺｎ（ＯＨ）2（水酸化亜鉛）との混晶で構成されたＺｎ（Ｏ，Ｓ，ＯＨ）膜が挙げられる。なお、Ｚｎ系化合物膜には、キャリア濃度を増加させるためのｎ形不純物が含まれていてもよい。Ｚｎ系化合物膜に対するｎ形不純物としては、例えば、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）等の元素が挙げられる。」
　
（ウ）「【００７１】
　本実施例１の太陽電池の製造方法を説明する。まず、基板１としてのソーダライムガラス基板上に、導電層２としてＭｏ膜をスパッタ法により約０．４μｍの膜厚まで成膜する。例えば、ソーダライムガラス基板は加熱しないで、投入電力は１．５ｋＷ、雰囲気圧力は１Ｐａの製膜条件で製膜を行う。次に、Ｍｏ膜上に、ｐ形ＣＩＧＳ結晶を蒸着法により約２μｍの膜厚まで成膜する。蒸着源として、Ｃｕ蒸着源，Ｉｎ蒸着源，Ｇａ蒸着源，Ｓｅ蒸着源を備えた蒸着装置を用い、まず、Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．８５〜０．９、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．２５の設定で、ソーダライムガラス基板温度３５０℃で形成し、次にソーダライムガラス基板温度を５００℃にして、Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．７、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．２５の設定で製膜を行った。次に、ｎ形バッファー層として、温度が８０℃に保持された材料溶液に、ソーダライムガラス基板、Ｍｏ膜及びｐ形ＣＩＧＳ膜を有する積層体を浸漬してＺｎ（Ｏ，Ｓ，ＯＨ）膜を約０．１μｍの膜厚まで成膜した。材料溶液は、ＺｎＳＯ4、ＳＣ（ＮＨ2）2、ＮＨ3の混合溶液であり、ＺｎＳＯ4濃度は０．１６Ｍ（モル）、ＳＣ（ＮＨ2）濃度は０．６Ｍ、ＮＨ3濃度は７．５Ｍとした。また、混合溶液にはドーパントとしてＡｌを０．０１ｍｇ入れて、十分に溶かしたものを用いた。次に、Ｚｎ（Ｏ，Ｓ，ＯＨ）膜が更に形成された積層体に対して、窒素ガス雰囲気中において２００℃で１０分間アニール処理を行った。これにより、実質的にＯＨ基を含有しないＺｎ（Ｏ0.78Ｓ0.22）膜５が形成され、かつ、ｐ形ＣＩＧＳ結晶の表面層にＺｎを含有するｎ型ＣＩＧＳ膜４（ｎ形化合物半導体層）が形成された。次に、Ｚｎ（Ｏ，Ｓ）膜５上に、スパッタ法によりｎ形窓層としてＺｎＯ膜６を約０．１μｍの膜厚まで成膜する。ソーダライムガラス基板を加熱しないで、投入電力２００Ｗ、雰囲気圧力３Ｐａの条件で製膜した。次に、ＺｎＯ膜６上に、スパッタ法によりｎ形透明導電層７としてＩＴＯ膜を約０．４μｍの膜厚まで成膜する。ソーダライムガラス基板を加熱しないで、投入電力１．５ｋＷ、雰囲気圧力０．３Ｐａの条件で製膜した。これにより、図１に示された構造を有する本実施例１の太陽電池の製造が完了した。
【００７２】
　本実施例１の太陽電池のｐ形ＣＩＧＳ膜３において、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅの含有率は、それぞれ、２５原子％、１８原子％、７原子％及び５０原子％であり、エネルギーギャップは１．１２ｅＶであり、キャリア濃度は、１×１０16ｃｍ-3であった。また、本実施例１の太陽電池のｎ形ＣＩＧＳ膜４において、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｅの含有率は、それぞれ、２５原子％、１８原子％、７原子％及び５０原子％であり、エネルギーギャップは１．１２ｅＶであり、第２のエネルギー差（ＥC−ＥF）は０．２１ｅＶであり、表面層近傍の平均キャリア濃度は２×１０14ｃｍ-3であり、膜厚は約０．３μｍであった。また、本実施例１の太陽電池のＺｎ（Ｏ，Ｓ）膜５において、Ｚｎ、Ｏ、及びＳの含有率は、それぞれ、５０原子％、３９原子％、及び１１原子％であり、第１のエネルギー差（ＥC−ＥF）は０．２１ｅＶであり、キャリア濃度は１×１０15ｃｍ-3であった。また、ＺｎＯ膜６において、ｎ形不純物によるキャリア濃度は１×１０15ｃｍ-3であった。」
　
（エ）図１は、次のものである。
　
ウ　同じく、本願出願前に頒布された特開２００３−８０３９号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物太陽電池の製造方法に関し、特に、スーパーストレート型の化合物太陽電池の製造方法に関する。」
　
（イ）「【００１６】本発明において、バッファ層を構成する化合物は、周期律表の第２族元素（特に第２Ｂ族元素）、第３族元素（特に第３Ｂ族元素）および第６族元素（特に第６Ｂ族元素）からなり、そのような化合物は、ＩＩ−ＩＩＩx−ＶＩy族化合物と表現することができる。より好ましい態様において、ＩＩ−ＩＩＩx−ＶＩy族化合物はＩＩ−ＩＩＩ2−ＶＩ4族化合物である。本発明において、バッファ層を構成する化合物の第２族元素は、典型的にＺｎである。特に、バッファ層の化合物において、第２族元素はＺｎとすることができ、第３族元素はＩｎおよびＧａよりなる群から選択される少なくとも１種とすることができ、かつ第６族元素はＳｅおよびＳよりなる群から選択される少なくとも１種とすることができる。そのような化合物には、ＺｎＩｎxＳｅy、ＺｎＧａxＳｅy、ＺｎＩｎxＳy、およびＺｎＧａxＳyがある。より具体的には、そのような化合物は、ＺｎＩｎ2Ｓｅ4、ＺｎＧａ2Ｓｅ4、ＺｎＩｎ2Ｓ4、およびＺｎＧａ2Ｓ4を含む。本発明の好ましい態様において、バッファ層の化合物は、セレン化亜鉛インジウム（ＺｎＩｎxＳｅy、典型的にＺｎＩｎ2Ｓｅ4）である。」
　
エ　同じく、本願出願前に頒布された国際公開第２００９／０６９５８２号（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「［０００１］　本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の積層構造及び、ＣＩＳ系太陽電池の製造方法に関する。」
　
（イ）「［００４５］　高抵抗バッファ層１４は、透明且つ高抵抗（５×１０２Ω・ｃｍ以上）の酸化亜鉛系薄膜である。
　この高抵抗バッファ層１４は、基本的にはノンドープで製膜される（原料としてドーパントを入れない）が、製膜する際の基板保持用のトレイ等からのオートドープや後工程で製膜される透明導電膜からのドーパントの熱拡散により若干のドーピング不純物（硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ））を含んだ構造となっている。
　これら不純物の濃度としては、硼素（Ｂ）濃度１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、アルミニウム（Ａｌ）濃度１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、ガリウム（Ｇａ）濃度１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となっている。
　また、高抵抗バッファ層１４は、光吸収層１３側から窓層１５側に向けて増加するように硼素濃度、アルミニウム濃度、ガリウム濃度がそれぞれ傾斜している。つまり、高抵抗バッファ層１４の硼素、アルミニウム、ガリウムなどの不純物は、光吸収層１３に接触している側から窓層１５に接触している側に向かって序々にその濃度が増加するようになっている。
　また、高抵抗バッファ層１４には、硫黄（Ｓ）が混入した混晶層としてもよい。この場合の混晶層の硫黄濃度は、０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲内とすることにより、高抵抗バッファ層１４の抵抗率を高くすることができる。
　また、高抵抗バッファ層１４は、光吸収層１３側から窓層１５側に向けて減少するように硫黄濃度が傾斜しても良い。即ち、高抵抗バッファ層１４の硫黄濃度は、光吸収層１３に接触している側から窓層１５に接触している側に向かって序々に減少するようになっている。」
　
オ　同じく、本願出願前に頒布された特開２０１０−１９２６８９号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の記載がある。
「【０００８】
　一般的に、ＣＩＧＳ太陽電池は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）から構成されるｎ型バッファ層を備える。このようなＣＩＧＳ太陽電池では、ｐ−ＣＩＧＳ層をワイドギャップ化するためにＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）を０．５以上にすると、図３Ｂに示すように、ＣＢＭオフセットΔＥｃが負となる。すなわちｐ−ＣＩＧＳ層のＣＢＭがｎ型バッファ層のＣＢＭより大きくなる。このようなバンド構造の場合、ｐｎ接合界面の欠陥準位Ｅｄを介して、多数キャリアの再結合が増加し、開放電圧が大きく低下してしまう。したがって、開放電圧の低下を抑制するためには、ＣＢＭオフセットが負にならないように、ｐ−ＣＩＧＳ層のＣＢＭとｎ型バッファ層のＣＢＭを整合させる必要がある。一方、ＣＢＭオフセットを正にした場合、ＣＢＭオフセットが光生成キャリアの障壁として働く。この障壁が大きくなり過ぎると、取り出せるキャリアの数が減少してしまい、短絡電流が著しく低下してしまう。短絡電流の低下を引き起こすＣＢＭオフセットは、シミュレーションによれば＋０．４ｅＶ程度である。したがって、開放電圧と短絡電流を両立させるための適切なＣＢＭオフセットは０〜＋０．４ｅＶ程度である。
【０００９】
　以上の事情から、ワイドギャップ化したｐ−ＣＩＧＳ層のＣＢＭとｎ型バッファ層のＣＢＭオフセットが最適化されるように両層のバンドアライメントを行うことにより、変換効率を向上させることが望まれる。本発明者らは、ＣｄＳ以外の物質から構成されるｎ型バッファ層を用いることにより、変換効率を向上させる可能性がある、と考えた。しかし、本発明者らは、ＣｄＳ以外の物質として、従来知られている物質をｎ型バッファ層に用いた場合、以下のような問題があることを見出した。」
　
カ　同じく、本願出願前に頒布された特開２００４−２１４３００号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】
シリコン太陽電池以外の太陽電池は２種の異なった化合物半導体のｐｎ接合（ヘテロ接合）によることが普通であり、禁制帯幅（Ｅg）の大きい方が窓層として受光側に位置し、Ｅgの小さい方が主たる光吸収（光電変換）層となる。大きい光電変換効率を得るには光吸収層のＥgが太陽光スペクトルに対して最適化されることが重要であって、その値として理論的に示される１．４ｅＶ〜１．５ｅＶが最適値であると一般に信じられている［例えば、非特許文献１、２参照］。窓層については太陽光スペクトルの大部分を透過させるに十分な大きさのＥgであること（およそ３ｅＶ以上）が第一の条件で、その上で透過領域における光吸収係数が小さいことに主として注意が払われてきた。」
　
（２）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、
「Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＩＩＩｂ族元素と、Ｏ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＶＩｂ族元素を含むｐ型光吸収層と、前記ｐ型光吸収層上に形成されるＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ（ＭはＢ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素）で表されるｎ型半導体層と、を備え、
　前記ｐ型光吸収層が、Ｃｕと、Ｇａと、Ｓｅとを少なくとも含む光電変換素子。」の点で一致する。
　他方、本願発明１と引用発明は、本願発明１が、Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯにおいて、「ｙ、ｚは０．３１≦ｙ＋ｚ≦０．３３、０．０１≦ｙ≦０．０５、及び、０．２８≦ｚ≦０．３の関係を満たし」、かつ、「ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下である」のに対して、引用発明は、ＺｎｘＭｇｙＡｌｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＧａｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＩｎｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＢｚＯ（ｘ、ｙおよびｚは、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、２Ｘ＋２Ｙ＋３Ｚ≒２を満たす）といった組成式で表される酸化物、特に、Ｚｎ０．８７Ｍｇ０．１０Ａｌ０．０２Ｏ、Ｚｎ０．７７Ｍｇ０．１３Ｇａ０．０６Ｏを用いるものであるから、引用発明において、特にＺｎ、Ｍｇ、並びに、Ａｌ、Ｇａ、ＩｎないしＢが上記本願発明１の範囲に特定されず、また、「ｐ型半導体層」の伝導帯下端が特定されない点（以下、「相違点」という。）で相違する。
　
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　本願発明１は、「ｐ型光吸収層の伝導帯下端」を「３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下」としつつ、「Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２のような化合物系薄膜光電変換素子の場合、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が異なる材料系（ヘテロ構造）であるため、ｐ型半導体層、ｎ型半導体層のそれぞれの伝導帯下端であるＣＢＭ（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ　Ｂａｎｄ　Ｍｉｎｉｍｕｍ）の位置関係と、ｐ型半導体層とｎ型半導体層のフェルミ準位の位置が開放電圧を上げるために重要となる。」（本願明細書【０００４】）から、「ｐ型光吸収層３とｎ型半導体層の材料選定について・・・ｐ型光吸収層３のＣＢＭの位置Ｅｃｐ（ｅＶ）、ｎ型半導体層のＣＢＭの位置Ｅｃｎ（ｅＶ）・・・として・・・ｐ、ｎ層間の伝導帯下端の位置（ＣＢＭ）の差ΔＥｃ（＝｜Ｅｃｐ−Ｅｃｎ｜）がバンドギャップの小さい層の半分以上」（本願明細書【００１９】）となるようｎ型半導体層の材料選定を行うものであるところ、引用発明は「ｐ型半導体層」の伝導帯下端を考慮するものではない。
　したがって、引用発明の「ｐ型半導体層」の伝導帯下端を「３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下」としつつ、ＺｎｘＭｇｙＡｌｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＧａｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＩｎｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＢｚＯ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、２Ｘ＋２Ｙ＋３Ｚ≒２を満たす）において、ｘ、ｙ及びｚを上記相違点の範囲に特定することが容易に想到し得たということはできない。
　また、引用文献２ないし６をみても、引用発明において、「ｐ型半導体層」の伝導帯下端を「３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下」としつつ、ＺｎｘＭｇｙＡｌｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＧａｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＩｎｚＯ、ＺｎｘＭｇｙＢｚＯ（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｚ＜１、２Ｘ＋２Ｙ＋３Ｚ≒２を満たす）において、ｘ、ｙおよびｚを上記相違点の範囲に特定することが容易に想到し得たことであることを示す証拠は見当たらない。
　
（４）小括
　したがって、本願発明１は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし６の記載に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　また、本願発明２は、本願発明１をさらに限定したものであるので、同様に、当業者が引用発明及び引用文献２ないし６の記載に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由１の概要
「［理由１］
　本件出願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号及び同第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
（１）特許法第３６条第６項第２号について
ア　本願請求項１は次のものである。
「Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＩＩＩｂ族元素と、Ｏ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＶＩｂ族元素を含むｐ型光吸収層と、前記ｐ型光吸収層上に形成されるＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ、またはＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ（ＭはＢ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素）、または、キャリア濃度を制御したＧａＰで表されるいずれかのｎ型半導体層と、を備え、
　前記Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ及びＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯにおいて、ｘ、ｙ、ｚは０．５５≦ｘ≦１．０、０．００１≦ｙ≦０．０５、及び、０．１５≦ｚ≦０．５の関係を満たし、
　前記ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下であることを特徴とする光電変換素子。」
　
イ　上記アによれば、「ｎ型半導体層」に係る発明特定事項は、
（ア）Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ、
（イ）Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ
（ウ）キャリア濃度を制御したＧａＰ
のいずれかであると認められる。
　
ウ　しかるところ、上記アによれば、本願請求項１は上記イに加えて、
（ア）「前記Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ及びＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯにおいて、ｘ、ｙ、ｚは０．５５≦ｘ≦１．０、０．００１≦ｙ≦０．０５、及び、０．１５≦ｚ≦０．５の関係を満たし」ていること、及び
（イ）「前記ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下であること」
も発明特定事項とするものである。
　
エ　しかしながら、発明の詳細な説明の記載に照らせば、
（ア）「ｎ型半導体層」が上記イ（ウ）の場合は、上記ウ（ア）の発明特定事項は意味をなさず、
（イ）「ｎ型半導体層」が上記イ（ア）または（ウ）の場合は、上記ウ（イ）の発明特定事項は意味をなさないか、あるいは、そのような発明は発明の詳細な説明に記載されたものではない、
と解される。
　
オ　したがって、本願請求項１は、「ｎ型半導体層」に係り、異質な組成である、「Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ」、「Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ」及び「キャリア濃度を制御したＧａＰ」を並列のものとして１つの請求項に記載していることにより、本願請求項１に係る発明の発明特定事項が不明確となっていると認められる。
　
（２）特許法第３６条第６項第１号について
ア　上記（１）アによれば、本願請求項１に係る発明は、「ｎ型半導体層」に係り、「Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ、またはＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ（ＭはＢ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素）」において、「前記Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ及びＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯにおいて、ｘ、ｙ、ｚは０．５５≦ｘ≦１．０、０．００１≦ｙ≦０．０５、及び、０．１５≦ｚ≦０．５の関係を満たし」ていることを発明特定事項とするものである。
　
イ　しかしながら、発明の詳細な説明の記載に照らせば、本願の課題を解決できたものとして開示されているのは、
（ア）「ｎ型半導体層」が「Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ」の場合
　表１（実施例１Ａないし１Ｄ、及び、１Ｈ）、及び、表３（実施例３Ｆ、３Ｇ及び３Ｈ）に記載された、「０．７≦ｘ≦０．８」及び「０．０１≦ｙ≦０．０５」である（なお、ｚの特定は不要。）。
（イ）「ｎ型半導体層」が「Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ」の場合
　表１の実施例１Ｅないし１Ｇに記載された、「０．３１≦ｙ＋ｚ≦０．３３」、「０．０１≦ｙ≦０．０５」及び「０．２８≦ｚ≦０．３」である（なお、ｘの特定は不要。）。
　
ウ　上記ア及びイによれば、上記（１）で述べたとおり、本願請求項１は、「ｎ型半導体層」に係り、異質な組成である、「Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ」、「Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ」及び「キャリア濃度を制御したＧａＰ」を並列のものとして１つの請求項に記載し、そのｘ、ｙ、ｚに係る数値範囲もまとめて記載し、上記（１）アに記載のとおりのものとしているが、当該記載により、本願請求項１に係る発明の発明特定事項が、発明の詳細な説明に記載されていない範囲を含むものとなっていると認められる。
　
　よって、本願請求項１に係る発明が本願明細書の発明の詳細な説明に記載されているものとは認められないから、本願は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。」
　
２　当審拒絶理由２の概要
「本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　本件の特許請求の範囲の請求項１は、「伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下である」「ｐ型光吸収層」と、「前記ｐ型光吸収層上に形成される」「Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘである場合」の「ｎ型半導体層」ないし「前記ｐ型光吸収層上に形成される」「Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯである場合」の「ｎ型半導体層」との関係が曖昧で、記載が不明確であるため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。」
　
３　当審拒絶理由１及び２の判断
（１）平成２８年４月８日付け手続補正書によって、本願の請求項１は
「Ｃｕと、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＩＩＩｂ族元素と、Ｏ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれる少なくとも１種以上のＶＩｂ族元素を含むｐ型光吸収層と、前記ｐ型光吸収層上に形成されるＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘ、またはＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯ（ＭはＢ、Ａｌ、Ｉｎ及びＧａからなる群から選ばれる少なくとも１つの元素）で表されるｎ型半導体層と、を備え、
　前記ｎ型半導体層がＺｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘである場合、前記Ｚｎ１−ｙＭｙＯ１−ｘＳｘにおいて、ｘ、ｙは０．７≦ｘ≦０．８、及び、０．０１≦ｙ≦０．０５の関係を満たし、前記ｐ型光吸収層が、Ｃｕと、Ｇａと、Ｓｅとを少なくともを含み、かつ、前記ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下である、又は、
　前記ｎ型半導体層がＺｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯである場合、Ｚｎ１−ｙ−ｚＭｇｚＭｙＯにおいて、ｙ、ｚは０．３１≦ｙ＋ｚ≦０．３３、０．０１≦ｙ≦０．０５、及び、０．２８≦ｚ≦０．３の関係を満たし、前記ｐ型光吸収層が、Ｃｕと、Ｇａと、Ｓｅとを少なくとも含み、かつ、前記ｐ型光吸収層の伝導帯下端が３．８ｅＶ以上４．３ｅＶ以下である光電変換素子。」
と補正された。このことにより、請求項１に係る発明は明確となった。
　よって、当審拒絶理由１及び２は解消した。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。