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【手続補正書】
【提出日】令和2年2月3日(2020.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信の方法であって、
1つまたは複数の重複基本サービスセット(OBSS)協調パラメータを含む設定メッセージを受信するステップであって、前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、OBSSプリアンブル検出(PD)しきい値のセットと送信電力レベルのセットとの間のマッピングの範囲を含む、ステップと、
前記設定メッセージの前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータに少なくとも部分的に基づいて、OBSS  PDしきい値を選択するステップと、
前記マッピングに従って、前記選択されたOBSS  PDしきい値に対応する送信電力を選択するステップと、
前記OBSS PDしきい値および前記送信電力を使用してアクセスポイント(AP)と通信するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、前記OBSS PDしきい値または前記送信電力の指示を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、OBSS PDしきい値選択基準を含み、前記OBSS PDしきい値が、前記OBSS PDしきい値選択基準に少なくとも部分的に基づいて選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記OBSS  PDしきい値が、前記範囲内から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、前記OBSS PDしきい値のセットと前記送信電力レベルのセットとの間の前記マッピングに対応する範囲選択基準を含み、前記OBSS PDしきい値が、前記範囲選択基準を使用して選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
OBSS内のデバイスからの送信のためのプリアンブルを検出するステップと、
前記OBSS PDしきい値に少なくとも部分的に基づいて、メッセージを送信することまたは前記メッセージを送信するのを控えることを決定するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記OBSS PDしきい値が、前記検出されたプリアンブルに少なくとも部分的に基づいて選択される、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記OBSS PDしきい値のセットと前記送信電力レベルのセットとの間の前記マッピングを識別するステップであって、前記OBSS PDしきい値または前記送信電力を選択することが、前記マッピングに少なくとも部分的に基づく、ステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
ワイヤレス通信の方法であって、
1つまたは複数の重複基本サービスセット(OBSS)協調パラメータを決定するステップであって、前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、OBSSプリアンブル検出(PD)しきい値のセットと送信電力レベルのセットとの間のマッピングの範囲を含む、ステップと、
設定メッセージを局(STA)に送信するステップであって、前記設定メッセージが、前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータを含む、ステップと、
前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記STAと通信するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記設定メッセージに含めるために前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータを送るステップ
をさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記STAとの通信が、前記設定メッセージに少なくとも部分的に基づく、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
ワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数の重複基本サービスセット(OBSS)協調パラメータを含む設定メッセージを受信するための手段であって、前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、OBSSプリアンブル検出(PD)しきい値のセットと送信電力レベルのセットとの間のマッピングの範囲を含む、手段と、
前記設定メッセージの前記OBSS協調パラメータに少なくとも部分的に基づいて、OBSS  PDしきい値を選択するための手段と、
前記マッピングに従って、前記選択されたOBSS  PDしきい値に対応する送信電力を選択するための手段と、
前記OBSS PDしきい値および前記送信電力を使用してアクセスポイント(AP)と通信するための手段と
を備える装置。
【請求項１３】
前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、OBSS PDしきい値選択基準を含み、前記選択するための手段が、前記OBSS PDしきい値選択基準に少なくとも部分的に基づいて、前記OBSS PDしきい値を選択するように動作可能である、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数の重複基本サービスセット(OBSS)協調パラメータを決定するための手段であって、前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータが、OBSSプリアンブル検出(PD)しきい値のセットと送信電力レベルのセットとの間のマッピングの範囲を含む、手段と、
設定メッセージを局(STA)に送信するための手段であって、前記設定メッセージが、前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータを含む、手段と、
前記1つまたは複数のOBSS協調パラメータに少なくとも部分的に基づいて、前記STAと通信するための手段と
を備える装置。
【請求項１５】
コンピュータに請求項1乃至8または9乃至11のいずれか1項に記載の方法を実行させるための命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月26日(2020.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路であって、
互いに離間されるトランジスタ領域を有する基板であって、
前記トランジスタ領域の各々が、縦寸法と横寸法とによって画定され、前記トランジスタ領域の各々が、
前記横寸法に沿って配置されるチャネル領域であって、前記縦寸法に沿ってチャネルエッジ領域を有する、前記チャネル領域と、
前記チャネル領域の近隣に配置される端子領域であって、第１の導電型の第１のドーパントによってドープされる、前記端子領域と、
前記縦寸法に沿って前記チャネルエッジ領域の近隣に配置されるエッジブロック領域であって、前記第１の導電型とは反対の第２の導電型の第２のドーパントによってドープされる、前記エッジブロック領域と、
を含む、前記基板と、
前記トランジスタ領域の各々の前記チャネル領域の上方に配置されるゲート電極と、
を含む、集積回路。
【請求項２】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記端子領域が、ドレイン領域と、前記チャネル領域によって前記ドレイン領域から分離されるソース領域とを含み、
前記エッジブロック領域が、前記ソース領域の近隣に配置され、前記チャネルエッジ領域に沿って前記ドレイン領域に対向する、集積回路。
【請求項３】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記端子領域が、ドレイン領域と、前記チャネル領域によって前記ドレイン領域から分離されるソース領域とを含み、
前記エッジブロック領域が、前記ドレイン領域の近隣に配置され、前記チャネルエッジ領域に沿って前記ソース領域に対向する、集積回路。
【請求項４】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記端子領域が、ドレイン領域と、前記チャネル領域によって前記ドレイン領域から分離されるソース領域とを含み、
前記エッジブロック領域が、前記ソース領域の近隣に配置される第１のエッジブロック領域と、前記ドレイン領域の近隣に配置される第２のエッジブロック領域であって、前記チャネルエッジ領域に沿って前記第１のエッジブロック領域に対向する、前記第２のエッジブロック領域とを含む、集積回路。
【請求項５】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記エッジブロック領域が前記端子領域に結合される、集積回路。
【請求項６】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記エッジブロック領域が前記端子領域から隔離される、集積回路。
【請求項７】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記ゲート電極が、
前記チャネル領域の上方に前記チャネル領域に沿って延在する第１の部分と、
前記第１の部分から前記基板のスペーサ領域の上方に延在する第２の部分であって、前記エッジブロック領域から前記端子領域を分離する、前記スペーサ領域と、
を含む、集積回路。
【請求項８】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記チャネル領域が、第１のドーピング濃度を有するチャネルメイン領域を含み、
前記チャネルエッジ領域が、前記チャネルメイン領域の近隣に配置され、前記チャネルエッジ領域が、前記第１のドーピング濃度より低い第２のドーピング濃度を有する、集積回路。
【請求項９】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記ゲート電極がサブスレッショルド電圧を受け取るときに、前記エッジブロック領域によって前記チャネルエッジ領域が電流を導通するのが防止される、集積回路。
【請求項１０】
請求項１に記載の集積回路であって、
前記第１の導電型がｎ型を含み、前記第２の導電型がｐ型を含む、集積回路。
【請求項１１】
集積回路であって、
互いに離間されるトランジスタ領域を有する基板であって、
前記トランジスタ領域の各々が、縦寸法と横寸法とによって画定され、前記トランジスタ領域の各々が、
前記横寸法に沿って配置されるチャネル領域であって、前記縦寸法に沿ってチャネルエッジ領域を有する、前記チャネル領域と、
前記チャネル領域の近隣に配置される端子領域であって、ｎ型ドーパントによってドープされる、前記端子領域と、
前記縦寸法に沿って前記チャネルエッジ領域の近隣に配置されるエッジブロック領域であって、ｐ型ドーパントによってドープされる、前記エッジブロック領域と、
を含む、前記基板と、
前記トランジスタ領域の各々の前記チャネル領域の上方に配置されるゲート電極と、
を含む、集積回路。
【請求項１２】
請求項１１に記載の集積回路であって、
前記端子領域が、ドレイン領域と、前記チャネル領域によって前記ドレイン領域から分離されるソース領域とを含み、
前記エッジブロック領域が、前記ソース領域の近隣に配置され、前記チャネルエッジ領域に沿って前記ドレイン領域に対向する、集積回路。
【請求項１３】
請求項１１に記載の集積回路であって、
前記端子領域が、ドレイン領域と、前記チャネル領域によって前記ドレイン領域から分離されるソース領域とを含み、
前記エッジブロック領域が、前記ドレイン領域の近隣に配置され、前記チャネルエッジ領域に沿って前記ソース領域に対向する、集積回路。
【請求項１４】
請求項１１に記載の集積回路であって、
前記エッジブロック領域が前記端子領域に結合される、集積回路。
【請求項１５】
請求項１１に記載の集積回路であって、
前記エッジブロック領域が前記端子領域から隔離される、集積回路。
【請求項１６】
請求項１１に記載の集積回路であって、
前記ゲート電極が、
前記チャネル領域の上方に前記チャネル領域に沿って延在する第１の部分と、
前記第１の部分から前記基板のスペーサ領域の上方に延在する第２の部分であって、前記端子領域から前記エッジブロック領域を分離する、前記スペーサ領域と、
を含む、集積回路。
【請求項１７】
請求項１１に記載の集積回路であって、
前記チャネル領域が、第１のドーピング濃度を有するチャネルメイン領域を含み、
前記チャネルエッジ領域が、前記チャネルメイン領域の近隣に配置され、前記チャネルエッジ領域が、前記第１のドーピング濃度より低い第２のドーピング濃度を有する、集積回路。
【請求項１８】
集積回路であって、
互いに離間されるランジスタ領域を有する基板であって、
前記トランジスタ領域の各々が、縦寸法と横寸法とによって画定され、前記トランジスタ領域の各々が、
前記横寸法に沿って配置されるチャネル領域であって、前記縦寸法に沿ってチャネルエッジ領域を有し、ドーパントによってドープされ、第１のドーピング濃度を有する、前記チャネル領域と、
前記チャネルエッジ領域と重なるエッジリカバリ領域であって、前記ドーパントによってドープされ、前記第１のドーピング濃度より高い第２のドーピング濃度を有する、前記エッジリカバリ領域と、
を含む、前記基板と、
前記トランジスタ領域の各々の前記チャネル領域の上方に配置されるゲート電極と、
を含む、集積回路。
【請求項１９】
請求項１８に記載の集積回路であって、
前記ゲート電極がサブスレッショルド電圧を受け取るときに、前記エッジリカバリ領域によって前記チャネルエッジ領域が電流を導通するのが防止される、集積回路。
【請求項２０】
請求項１８に記載の集積回路であって、
前記エッジリカバリ領域が、前記縦寸法に沿って前記チャネルエッジ領域を越えて延在する、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月7日(2020.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記ゲイン領域（１０２）が、井戸層（１０８、３０６）と障壁層（１１０、３０８）と
の積層体を含んでいること；および
前記正孔阻止エリア（３０４）における井戸層（３０６）または障壁層（３０８）の少な
くとも１つ、特にはそれぞれが、Ｎドープされたタイプであること；
を特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載のレーザ（３００）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月10日(2019.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英キャリア基板、
前記石英キャリア基板の表面上に圧電層、及び
前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上に少なくとも１つの交差指電極、
を備え、前記少なくとも１つの交差指電極の伝搬方向は、前記石英キャリア基板の水晶振動子のｚ軸または−ｚ軸に関して１０度未満の角度を形成する、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス。
【請求項２】
前記圧電層の厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極のトランスデューサ電極周期の４倍未満である、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項３】
前記圧電層の厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極のトランスデューサ電極周期の２倍未満である、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項４】
前記ＳＡＷデバイスは少なくとも１つのＳＡＷ共振子を備える、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項５】
前記圧電層は、ＹからＹ＋６０度の間の配向、及びＸ沿いの伝搬を有するタンタル酸リチウムから形成される、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項６】
前記圧電層の前記厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極の前記トランスデューサ電極周期の６０％未満である、請求項５に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項７】
前記石英キャリア基板の法線は、前記石英キャリア基板の前記水晶振動子のｘ軸またはｙ軸沿いに配向される、請求項６に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項８】
前記圧電層の前記厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極の前記トランスデューサ電極周期の３０％から５０％の間にある、請求項７に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項９】
前記石英キャリア基板の法線は、前記石英キャリア基板の前記水晶振動子のｘ軸に関して３０から５５度の間の角度を形成する、請求項６に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１０】
前記圧電層の前記厚さは、前記少なくとも１つの交差指電極の前記トランスデューサ電極周期の２０％から４０％の間にある、請求項９に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１１】
前記圧電層は、ＹからＹ＋６０度の間の配向を有するタンタル酸リチウムから形成される、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１２】
前記圧電層は、Ｙ−２０度からＹ＋６０度の間の配向を有するニオブ酸リチウムから形成される、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１３】
前記石英キャリア基板と前記圧電層との間の前記石英キャリア基板の前記表面上に１層以上の追加の層をさらに含む、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１４】
前記１層以上の追加の層は、１層以上の誘電体層を含む、請求項１３に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１５】
前記１層以上の誘電体層は、少なくとも１層の酸化ケイ素を含む、請求項１４に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの交差指電極は、１層以上の誘電体層内側に埋め込まれる、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１７】
前記１層以上の誘電体層は、酸化ケイ素を含む、請求項１６に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１８】
前記圧電層に対向する前記少なくとも１つの交差指電極の表面上に１層以上の誘電体層をさらに含む、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項１９】
前記石英キャリア基板と前記圧電層との間の前記石英キャリア基板の前記表面上に少なくとも１層の酸化ケイ素をさらに含み、そこで前記少なくとも１層の酸化ケイ素は、その温度感度を低下させるようにドーピングされる、請求項１に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項２０】
前記少なくとも１層の酸化ケイ素は、フッ化物またはホウ素原子を含むドーパントによりドーピングされる、請求項１９に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項２１】
石英キャリア基板、
前記石英キャリア基板の表面上に圧電層、及び
前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上の少なくとも１つの交差指電極、
を含む、弾性表面波（ＳＡＷ）共振子、
を備え、前記少なくとも１つの交差指電極の伝搬方向は、前記石英キャリア基板の水晶振動子のｚ軸または−ｚ軸に関して１０度未満の角度を形成する、フィルタリング回路。
【請求項２２】
石英キャリア基板を提供し、
前記石英キャリア基板の表面上に圧電層を提供し、
前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上に少なくとも１つの交差指電極を提供する、
ことを備え、前記少なくとも１つの交差指電極の伝搬方向は、前記石英キャリア基板の水晶振動子のｚ軸または−ｚ軸に関して１０度未満の角度を形成する、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイスを製造する方法。
【請求項２３】
石英キャリア基板、
前記石英キャリア基板の表面上に圧電層、及び
前記石英キャリア基板に対向する前記圧電層の表面上の少なくとも１つの交差指電極、
を備え、前記圧電層の結晶学的なｘ軸は、前記石英キャリア基板の結晶学的なｚ軸とアライメントを取る、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス。
【請求項２４】
前記圧電層は、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムから形成される、請求項２３に記載のＳＡＷデバイス。
【請求項２５】
前記石英キャリア基板内のバルクカットオフ周波数が前記ＳＡＷデバイスの共振周波数よりも高い、請求項２３に記載のＳＡＷデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強スチール構造構成要素の製造方法であって、
方法は、
超高強度スチールブランクを提供することと、
前記スチールブランクの１以上の補強領域を選択することと、
前記スチールブランクの第１の面に、局部的な補強を作り出すために、前記補強領域において材料を局部的に堆積することであって、
前記補強領域において材料を局部的に堆積することは、
選択された前記補強領域に補強材料を供給し、
前記補強材料と前記スチールブランクの一部を溶かすためにレーザ加熱を与え、溶けた前記補強材料を溶けた前記スチールブランクの一部と混合することを備えて、前記補強領域において材料を局部的に堆積することと、
さらに、
局部的に堆積した材料を備えた前記スチールブランクを成形して、前記補強スチール構造構成要素を形作ることであって、成形は、局部的に堆積した材料を備える前記スチールブランクをオーステナイト化する温度に加熱した後になされることを備える、方法。
【請求項２】
さらに、前記局部的に堆積した材料を備える加熱した前記スチールブランクをスタンピングすることを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
方法は、さらに前記局部的に堆積した材料を備える加熱した前記スチールブランクを焼き入れすることを備える、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
選択された前記補強領域へ前記補強材料を供給することと、前記補強材料と前記スチールブランクの一部を溶かすためのレーザ加熱を与えることが同時になされる、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記補強領域に材料を局部的に堆積することは、さらに、前記補強材料を備える前記スチールブランクの第１の面に、特定の幾何学的形状を描くことと、レーザ加熱することを備える、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記補強材料を供給することは、ガス粉の流れにおいて、金属ガスを供給することを備える、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記補強材料を供給することは、金属配線を供給することを備える、請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記補強材料は、ステンレススチールを含む、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記超高強度スチールブランクは、ボロンスチールでできている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記超高強度スチールブランクは、スチール基板と金属コーティング層を備え、方法はさらに、前記補強領域において材料を局部的に堆積する前に、前記補強領域のコーティング層の少なくとも一部を除去するために、前記補強領域に沿って、溶発レーザビームを案内し、照射することを備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記溶発レーザビームを照射することは、前記補強領域に材料を局部的に堆積することと同時に行われ、前記溶発レーザビームは、前記加熱レーザビームから上流２ｍｍから５０ｍｍの距離で照射される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記超高強度スチールブランクは、０．７ｍｍから５ｍｍの範囲の厚さを有する、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記局部的に堆積された材料は、最小で０．２ｍｍ、特に０．２ｍｍから１０ｍｍの厚さを有する、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
補強スチール構造構成要素を製造する、製造システムであって、
前記製造システムは、補強材堆積システムと成形システムを備え、
前記補強材堆積システムは、
加熱レーザビームを発生するレーザビーム源と、
補強材料堆積機と、
前記レーザビーム源及び前記補強材料堆積機と接続するコントローラと、を有するレーザシステムを備え、
前記コントローラは、補強領域を選択し、レーザ加熱を与えるために前記補強領域に沿って加熱レーザビームを案内し、前記レーザ加熱が補強材料と超高強度スチールブランクの一部を溶かして、溶けた前記補強材料と溶けた前記超高強度スチールブランクの一部を混合するように、前記補強材料堆積機に、前記補強領域に前記補強材料を局部的に堆積することを指示するように構成され、
成形システムは、
補強材堆積システムから下流に配置された加熱システムであって、前記加熱システムは、前記補強材料を備える前記ブランクを、オーステナイト化温度に加熱するように構成されている、加熱システムと、
前記加熱システムから下流に配置された、対の金型の組であって、前記対の金型の組は、使用において、加熱された前記補強超高強度スチールブランクに面する１以上の作業面を備え、前記１以上の作業面は、適用された前記補強材料に対して逆配置を備える、対の金型の組と、を備え、
前記成形システムは、さらに前記超高強度スチールブランクを前記補強材堆積システムから前記加熱システムへ移動し、また、加熱された前記補強超高強度スチールブランクを前記加熱システムから前記対の金型の組へ移動する、コンベヤまたは移動装置が設けられる、製造システム。
【請求項１５】
前記レーザシステムは、さらに溶発レーザビームを発生する溶発レーザ源を備え、前記溶発レーザ源は、また、前記コントローラに接続され、前記加熱レーザビームの前に前記溶発レーザビームを向けるように前記補強領域に沿って案内される、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか１項による方法によって得られることができる生産物。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月12日(2019.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2019507029.tif 000001
［式中、Ｒ１は水素又はＣ１〜Ｃ７アルキル基である］を有する重合単位を含む、（メタ）アクリルポリマー及びポリビニルアセタールポリマー組成物を含み、構造化層を備えた、フィルム。
【請求項２】
前記構造化層は、ベースフィルム層と、前記ベースフィルム層の主表面上に配置された構造体とを備え、前記ベースフィルム層及び前記構造体は、前記（メタ）アクリルポリマー及びポリビニルアセタールポリマー組成物を含む、請求項１に記載のフィルム。
【請求項３】
前記構造化層は、ベースフィルム層と、前記ベースフィルム層の主表面上に配置された構造体とを備え、前記ベースフィルム層又は前記構造体が、前記（メタ）アクリルポリマー及びポリビニルアセタールポリマー組成物を含む、請求項１に記載のフィルム。
【請求項４】
前記構造化層は、ベースフィルム層と、前記ベースフィルム層の主表面上に配置された山及び谷を含む構造体と、前記谷を少なくとも部分的に充填する充填材料とを備え、前記ベースフィルム層、前記構造体又は前記充填材料が、前記（メタ）アクリルポリマー及びポリビニルアセタールポリマー組成物を含む、請求項１に記載のフィルム。
【請求項５】
前記フィルムは、前記ベースフィルム層に隣接したバッキングを備えており、且つ、前記バッキングは、前記（メタ）アクリルポリマー及びポリビニルアセタールポリマー組成物を含むか、又は前記バッキングは、ポリマーフィルム、織布又は不織布、金属箔、発泡体、紙及びこれらの組み合わせから選択される基材を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項６】
前記構造体は装飾用パターンを形成するか、又はマット表面を提供する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項７】
前記ベースフィルム層、前記構造体又は前記充填材料のうちの少なくとも１つは、着色剤、不透明化剤、装飾用添加剤、充填剤又はこれらの組み合わせを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項８】
前記ベースフィルム層の反対側の面上又はバッキング上に配置された構造化感圧接着剤層を更に備えた、請求項１〜７のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項９】
前記フィルムの外側の露出表面上に配置された剥離コーティングを更に含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項１０】
前記フィルム、前記ベースフィルム層、前記構造体、前記充填材料又は前記バッキングは、少なくとも３０℃のＴｇを有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項１１】
前記フィルム、前記ベースフィルム層、前記構造体、前記充填材料又は前記バッキングは、少なくとも２０％のゲル含有量を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項１２】
前記フィルム、前記ベースフィルム層、前記構造体、前記充填材料又は前記バッキングは、０℃未満のＴｇを有する単官能性アルキル（メタ）アクリレートモノマーの重合単位を少なくとも１０重量％含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項１３】
前記フィルム、前記ベースフィルム層、前記構造体、前記充填材料又は前記バッキングは、酸官能性、ヒドロキシル官能性モノマー、窒素含有モノマー、及びこれらの組み合わせから選択される極性モノマーの重合単位を、１０重量％以上、かつ６５重量％以下更に含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項１４】
前記フィルム、前記ベースフィルム層、前記構造体、前記充填材料又は前記バッキングは、多官能性架橋剤の重合単位を更に含み、前記架橋剤が、（メタ）アクリレート、アルケニル、及びヒドロキシル反応性基から選択される官能基を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項１５】
前記フィルムの前記（メタ）アクリルポリマー及びポリビニルアセタールポリマー組成物は単一の相を有する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のフィルム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月2日(2020.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴堆積ヘッドのためのマニホールド構成要素であって、前記マニホールド構成要素は、
複数の層であって、そのうちの各々が第１の方向に略垂直である、複数の層を備え、
前記複数の層が、前記層に平行な複数の平面の各々において、複数の湾曲流体経路、及び異なる平面の湾曲流体経路を一緒に流体的に接続する、前記層に直角な複数の流体経路を提供し、
前記直角流体経路及び前記湾曲流体経路が、前記マニホールド構成要素内に２つ以上の分岐流体経路を提供し、前記分岐流体経路のうちの各々は、
主分岐を有し、
１つ以上の分岐点において２つ以上の副分岐に分岐し、
複数の末端副分岐になり、
前記第１の方向から見ると、１つの分岐流体経路の副分岐が、別の分岐流体経路の副分岐と交差する、
マニホールド構成要素。
【請求項２】
各分岐流体経路の前記主分岐が、前記第１の方向に対して、前記マニホールド構成要素の第１の端部に向かって位置し、各分岐流体経路の前記末端副分岐は、前記マニホールド構成要素の第２の端部に向かって位置している、請求項１に記載のマニホールド構成要素。
【請求項３】
前記直角流体経路が、前記層内で貫通孔によって画定される、請求項１又は２に記載のマニホールド構成要素。
【請求項４】
各主分岐が、前記マニホールド構成要素の外側に提供された流体入口又は流体出口ポートに流体的に接続されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマニホールド構成要素。
【請求項５】
前記第１の方向から見ると、各分岐流体経路のフットプリントが、別の分岐流体経路のフットプリントと重なり合い、
好ましくは、前記第１の方向から見ると、前記分岐流体経路の全ての前記フットプリントが重なり合う、請求項１に記載のマニホールド構成要素。
【請求項６】
前記分岐経路のうちの少なくとも１つが、別の分岐流体経路と絡み合い、好ましくは、各分岐流体経路が、別の分岐流体経路と絡み合う、請求項１又は５に記載のマニホールド構成要素。
【請求項７】
前記第１の方向から見ると、各分岐流体経路のうちの少なくとも１つの副分岐が、別の分岐流体経路の副分岐と交差する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のマニホールド構成要素。
【請求項８】
第１の分岐流体経路の第１の副分岐が、前記第１の方向に対して一方の側の第２の分岐流体経路の第１の副分岐と交差し、前記第１の分岐流体経路の第２の副分岐が、前記第１の方向に対して他方の側の前記第２の分岐流体経路の第２の副分岐と交差し、
好ましくは、前記第１の分岐流体経路の前記第１及び第２の副分岐、並びに前記第２の分岐流体経路の前記第１及び第２の副分岐は、少なくとも第２のレベルの副分岐である、請求項７に記載の液滴堆積ヘッド。
【請求項９】
前記同じ平面にある前記湾曲流体経路のＮ＋１が、合流部で交わり、前記合流部は、前記分岐流体経路のうちの１つがＮの副分岐に分岐する分岐点を提供する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１０】
第１の直角流体経路が、その長さの途中で合流部において、第１の湾曲流体経路と交わり、前記合流部は、前記分岐流体経路のうちの１つの分岐点を提供する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１１】
第２及び第３の直角流体経路が、その端部において第１の湾曲流体経路と交わり、好ましくは、前記第２及び第３の直角流体経路は、前記吐出方向に対して、前記第１の直角流体経路に対して前記第１の湾曲流体経路の反対側に配列されている、請求項１０に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１２】
前記層に平行に延在する略平面状のフィルタを更に備え、前記フィルタが、前記分岐流体経路のうちの少なくともいくつかを横切り、好ましくは、前記フィルタが、メッシュで形成され、好ましくは、前記層のうちの１つが前記フィルタを提供する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか一項に従属する場合、前記フィルタが、前記合流部のうちの１つ又は前記合流部と同じ平面にある、請求項１２に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１４】
前記フィルタが、複数の湾曲流体経路がこれらの湾曲流体経路の各々をそれらの長さに沿って分割するように、複数の湾曲流体経路と同じ平面にある、請求項１２に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１５】
前記このように分割された湾曲流体経路のうちの１つ以上が、各々、前記分岐流体経路のうちのそれぞれの１つの主分岐の部分を形成する、請求項１４に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１６】
各分岐流体経路が、少なくとも４つの末端副分岐になる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のマニホールド構成要素。
【請求項１７】
各分岐流体経路が、少なくとも２つのレベルの分岐化を含む、請求項１６に記載のマニホールド構成要素。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月13日(2019.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属含有収着剤であって、
ａ）
１）メソ細孔を有する多孔性ケイ酸質材料及び
２）前記多孔性ケイ酸質材料１グラムあたり０．１〜４．５ｍｍｏｌｅの範囲の量の表面処理剤
を含む混合物の反応生成物を含む前駆体であり、
前記表面処理剤が、
（ａ）式（Ｉ）
Ｒ１−Ｓｉ（Ｒ２）３−ｘ（Ｒ３）ｘ
（Ｉ）
［式中、
Ｒ１は、炭化水素基又はフッ素化炭化水素基であり、
Ｒ２は、加水分解性基であり、
Ｒ３は、非加水分解性基であり、
ｘは、０、１又は２に等しい整数である］のシラン、又は
（ｂ）式（ＩＩ）
（Ｒ４）３−Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（Ｒ４）３
（ＩＩ）
［式中、各Ｒ４は、炭化水素基である］のジシラザン、又は
（ｃ）式（Ｉ）の前記シランと式（ＩＩ）の前記ジシラザンとの混合物
を含む、前駆体と、
ｂ）前記収着剤の総重量に基づいて少なくとも５重量パーセントに等しい量で前記前駆体に組み込まれている二価の金属と
を含む、金属含有収着剤。
【請求項２】
前記多孔性ケイ酸質材料が細孔を有し、前記細孔の少なくとも５０体積パーセントがメソ細孔である、請求項１に記載の金属含有収着剤。
【請求項３】
前記二価の金属が、二価の亜鉛又は銅である、請求項１〜２のいずれか一項に記載の金属含有収着剤。
【請求項４】
複合体であって、
ａ）
１）メソ細孔を有する多孔性ケイ酸質材料及び
２）前記多孔性ケイ酸質材料１グラムあたり０．１〜４．５ｍｍｏｌｅの範囲の量の表面処理剤
を含む混合物の反応生成物を含む前駆体であり、前記表面処理剤が、
（ａ）式（Ｉ）
Ｒ１−Ｓｉ（Ｒ２）３−ｘ（Ｒ３）ｘ
（Ｉ）
［式中、
Ｒ１は、炭化水素基又はフッ素化炭化水素基であり、
Ｒ２は、加水分解性基であり、
Ｒ３は、非加水分解性基であり、
ｘは、０、１又は２に等しい整数である］のシラン、又は
（ｂ）式（ＩＩ）
（Ｒ４）３−Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（Ｒ４）３
（ＩＩ）
［式中、各Ｒ４は、炭化水素基である］のジシラザン、又は
（ｃ）式（Ｉ）の前記シランと式（ＩＩ）の前記ジシラザンとの混合物
を含む、前駆体と、
ｂ）前記前駆体に組み込まれている金属錯体であり、
１）二価の金属及び
２）少なくとも１つの塩基性窒素含有化合物
の反応生成物を含む、金属錯体と、
を含み、
前記二価の金属が複合体の総質量に基づいて少なくとも５重量パーセントに等しい量で含まれる、複合体。
【請求項５】
前記塩基性窒素含有化合物が、１５０グラム／モル以下の分子量を有する、請求項４に記載の複合体。
【請求項６】
塩基性窒素含有化合物を捕捉する方法であって、
ａ）請求項１に記載の金属含有収着剤を準備することと、
ｂ）前記金属含有収着剤を塩基性窒素含有化合物に曝露して、金属錯体含有複合体を形成することと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月22日(2019.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記膜が、片側の上でのみ複素環式化合物を含む、請求項１４に記載の電気化学電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
いくつかの実施態様において、膜はバナジウムのレドックスフロー電池内のセパレータとして有用である。バナジウムイオンの透過性は、表面アミノ化されたスルホン酸ポリマーにおいて非常に低いにもかかわらず、アミンが、ポリマーの第一級または第二級アミン、例えばポリエチレンイミンまたはポリアミドアミン超分岐デンドリマーであり、また、アミンがスルホン酸ポリマーへの結合後に約９．０より高いｐＫａを有する場合、上述の双極性膜は、容認できないほど低いプロトン透過性を有することがあることが判明した。広範な研究を通じて、発明者らは、アミンが、複素環式の複数の窒素を含有する分子、任意に複数の窒素を含有する複素環式アミンであり且つ／またはスルホン酸ポリマーへの結合後に約９．０未満のｐＫａを有するのであれば、高いプロトン透過性と低いバナジウムイオン透過性との両方を達成できることを見出した。特定の理論に束縛されることはないが、約９．０未満のｐＫａを有する、スルホン酸ポリマーに結合される複素環式分子は、酸性ＶＲＢ電解質中でのプロトン化後に、約９．０よりも高いｐＫａを有する改質材分子よりも弱いドナン反発を有し、従ってより高いプロトン透過性が達成される一方で、高いバナジウムイオン阻止が保持されると考えられる。さらに、特定の理論に束縛されることを望むものではないが、膜表面上のスルホン酸プロトンを、約９．０未満のｐＫａを有する１つまたはそれより多くの複素環式分子で置き換えることにより、水素結合／破壊機構により、結合された１つの複素環式部位から次のところへの、グラタウス(Grothaus)のプロトン「ホッピング」輸送が強化される可能性がある。水和されたバナジウムイオンはグラタウス輸送には関与せず、その代わりにビヒクル輸送によると考えられることから、それらの透過は強化されず、バナジウムカチオンの輸送よりもプロトンの輸送に有利である。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月23日(2020.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の区画を備える容器における在庫を管理するための在庫管理システムであって、
電気的なリーダと、前記電気的なリーダと通信する少なくとも１つのアンテナと、制御器と、プロセッサと、を備え、
前記電気的なリーダは、前記容器の複数の区画内の複数の電気的なラベルを読み取るように構成され、
前記電気的なラベルの各々は、前記容器の複数の区画の各々の中の物品に紐付けられ、
前記電気的なラベルの各々は、前記物品を識別し、
前記少なくとも１つのアンテナは、２つ以上の区画に紐付けられ、
前記少なくとも１つのアンテナは、前記２つ以上の区画内の電気的なラベルを一度に読み取るように構成され、これにより前記電気的なリーダは、前記２つ以上の区画に紐付けられたラベルのグループを識別し、
前記制御器は、選択された１つの区画へのアクセスを一度に制御し、
前記プロセッサは、前記ラベルのグループおよび前記選択された１つの区画に応答して、各区画の中身および各物品の区画位置を決定する。
在庫管理システム。
【請求項２】
複数の区画を備える容器における在庫を管理するための在庫管理システムであって、
電気的なリーダと、制御器と、プロセッサと、を備え、
前記電気的なリーダは、前記容器の複数の区画内の複数の電気的なラベルを一度に読み取るように構成され、
前記電気的なラベルの各々は、前記容器の複数の区画の各々の中の物品に紐付けられ、
前記電気的なラベルの各々は、前記物品を識別し、
前記電気的なリーダは、少なくとも１つのアンテナを備え、
前記制御器は、選択された１つの区画へのアクセスを一度に制御し、
前記プロセッサは、前記ラベルのグループおよび前記選択された１つの区画に応答して、各区画の中身および各物品の区画位置を決定する、
在庫管理システム。
【請求項３】
少なくとも前記容器の区画は、前記少なくとも１つのアンテナから放射された電磁放射に対して実質的に透明である、
請求項１または２に記載の在庫管理システム。
【請求項４】
前記電気的なリーダは、前記複数の電気的なラベルを継続的に読み取る、
請求項１から３のいずれか一項に記載の在庫管理システム。
【請求項５】
前記電気的なリーダは、前記選択された１つの区画がアクセスされたときに、または、アクセスされた後に、前記複数の電気的なラベルを周期的に読み取る、
請求項１から３のいずれか一項に記載の在庫管理システム。
【請求項６】
前記プロセッサは、前記選択された１つの区画がアクセスされたときに、または、アクセスされた後に、決定された区画の中身および前記物品の区画位置を更新する、
請求項１から５のいずれか一項に記載の在庫管理システム。
【請求項７】
前記少なくとも１つのアンテナは、前記電気的なラベル方向に対して応答しない、
請求項１から６のいずれか一項に記載の在庫管理システム。
【請求項８】
前記少なくとも１つのアンテナは区画間にあり、これにより、前記電気的なリーダは、前記少なくとも１つのアンテナの上部または下部の区画内の前記電気的なラベルを一度に読み取る、
請求項７に記載の在庫管理システム。
【請求項９】
前記制御器は、ユーザにより設定され、ユーザ識別機能により起動される、物品の候補リストに基づいて、前記複数の区画へのアクセスを制御する、
請求項１から８のいずれか一項に記載の在庫管理システム。
【請求項１０】
複数の区画を備える容器における在庫を管理するための在庫管理方法であって、
前記容器の複数の区画内の複数の電気的なラベルを読み取るステップと、
前記複数の区画へのアクセスを制御するステップと、
アクセスされた区画および読み取られたラベルに基づいて、各区画の中身および各物品の区画位置を決定するステップと、を備え、
前記電気的なラベルの各々は、前記容器の複数の区画の１つの中の物品に紐付けられ、
前記読み取るステップは、複数の区画内の電気的なラベルを一度に読み取る少なくとも１つのアンテナを用いて実行される、
在庫管理方法。
【請求項１１】
前記複数の区画へのアクセスを制御するステップは、選択された１つの区画へのアクセスを一度に制御するステップを含む、
請求項１０に記載の在庫管理方法。
【請求項１２】
複数の区画を備える容器における在庫を管理するための在庫管理方法であって、
読み取られた前記容器の複数の区画内の複数の電気的なラベルの識別データを、前記複数の区画に紐付けられた単一のアンテナから受信するプロセスと、
前記複数の区画へのアクセスをモニタするプロセスと、
前記受信された識別データにおよびモニタされたアクセスに応答して、各区画の中身および各物品の区画位置を決定するプロセスと、を備え、
前記電気的なラベルの各々は、前記容器の複数の区画の各々の中の物品に紐付けられ、
前記電気的なラベルの各々は、前記物品を識別し、
前記受信するステップは、複数の容器の複数の区画内の複数の電気的なラベルを一度に読み取るステップを含む、
在庫管理方法。
【請求項１３】
前記決定するステップは、区画がアクセスされたときに、または、アクセスされた後に実行される、
請求項１２に記載の在庫管理方法。
【請求項１４】
選択された１つの区画へのアクセスを一度に制御するステップをさらに備える、
請求項１２または１３に記載の在庫管理方法。
【請求項１５】
前記読み取るステップは継続的である、
請求項１４に記載の在庫管理方法。
【請求項１６】
前記読み取るステップは、前記選択された１つの区画がアクセスされたときに、または、アクセスされた後に、周期的に実行される、
請求項１４に記載の在庫管理方法。
【請求項１７】
前記物品の決定された区画位置に関する位置データベースを生成または更新するステップをさらに含む、
請求項１２から１６のいずれか一項に記載の在庫管理方法。
【請求項１８】
複数の区画を備える容器における在庫を管理するための在庫管理方法であって、
ユーザが設定した物品の候補リストを受信するステップと、
各物品のための区画位置を位置データベースから取得するステップと、
前記区画位置に基づいて、アクセス制御設定を与えるステップと、
アクセスがあった場合、どの区画がアクセスされたかをモニタするステップと、
前記容器の複数の区画内の読み取られた複数の電気的なラベルの識別データを、前記複数の区画に紐付けられた単一のアンテナから受信するステップと、
前記識別データにおよびモニタされたアクセスおよび前記区画へのアクセスのモニタに応答して、各区画の中身および各物品の区画位置を決定するプロセスと、
前記物品の決定された区画位置に関する位置データベースを更新するステップと、
を備え、
前記電気的なラベルの各々は、前記容器の１つの区画の中の物品に紐付けられ、
前記電気的なラベルの各々は、前記物品を識別し、
前記読み取られた複数の電気的なラベルを受信するステップは、前記複数の区画内の複数の電気的なラベルを一度に読み取るステップを含む、
在庫管理方法。
【請求項１９】
前記アクセス制御設定に応答して、選択された１つの区画へのアクセスを一度に制御するステップをさらに含む
請求項１８に記載の在庫管理方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月21日(2020.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
缶の蓋、特に飲料用の缶の蓋であって、
蓋表面（３）の金属蓋材にも受けられかつ特に材料脆弱部によって境界付けされたタンタブの態様の開口領域（４）と、
前記開口領域（４）を開放するためのツーアームレバー部材（５，６）と、を含み、前記ツーアームレバー部材（５，６）は、特にリベット接続（７）または溶接接合によって前記開口領域（４）内の前記蓋材に堅固に接続されており、前記ツーアームレバー部材（５，６）は、開栓作業の間に前記タンタブ（４）の上方への回動をもたらし、
実質的にリング状の成形プラスチック部（１５）は、前記蓋表面（３）の下側に固定され、開口領域（４）を囲んで再度封止可能な開口を形成し、
プラスチックのストッパー部（１６）は前記開栓作業の間に回動自在に開けられる前記タンタブ（４）の下側に堅固に接続され、前記成形部（１５）内に封止態様で係合し、
前記タンタブ（４）の周囲輪郭は、好ましくは前記ストッパー部（１６）から所定の空間において前記成形部（１５）の領域内に配されていることを特徴とする缶の蓋。
【請求項２】
請求項１に記載の缶の蓋であって、前記ストッパー部（１６）は、凹状の基部壁を有する空洞ストッパーとして構成されかつスナップイン接続を介して前記ストッパー部（１６）を受ける前記成形部（１５）に結合され得ることを特徴とする缶の蓋。
【請求項３】
請求項１または２に記載の缶の蓋であって、前記成形部（１５）及び前記ストッパー部（１６）は、前記蓋の下側全体に亘って延在しているのが好ましい封止層（１０）を介して前記蓋材に封止態様で接続されていることを特徴とする缶の蓋。
【請求項４】
請求項１乃至３の１または複数に記載の缶の蓋であって、前記リング状の成形部（１５）は、前記タンタブの端部（７）の領域に付随しており端部領域（２１）が前記封止層（１０）を介して前記蓋材に堅固に接続されている鼻部（２０）を有していることを特徴とする缶の蓋。
【請求項５】
請求項１乃至４の１または複数に記載の缶の蓋であって、前記成形部（１５）及び前記ストッパー部（１６）は、柔軟で分離可能なタブ（２２）を介して接続されている射出成形部を含んでいることを特徴とする缶の蓋。
【請求項６】
請求項１乃至５の１または複数に記載の缶の蓋であって、前記下側において前記ストッパー部（１６）に接続されている前記タンタブ（４）は、前記タンタブの周囲に亘って伸長している微小なギャップ（８）、特に型打ちによって形成されたギャップによって前記蓋表面（３）から分離されており、
前記蓋表面（３）に接続されている前記タンタブ基部は、前記開栓作業の間に機能する回動ベアリング（９）を形成し、
前記金属の蓋（１）の前記下側は、封止プラスチック材によって堅固に接着によって覆われていることを特徴とする缶の蓋。
【請求項７】
請求項１乃至５の１または複数に記載の缶の蓋であって、
前記金属の缶の蓋（１）のタンタブ（４）は、前記タンタブを囲んでいる前記蓋表面（３）から分離され、切断処理、特にパンチ処理によって相互に係合する凸部（１２）及び凹部（１３）を形成し、
前記タンタブ（４）及びこれに隣接する前記蓋表面（３）は、形状マッチングの態様でかつ力が伝達する態様で前記凸部（１２）及び前記凹部（１３）を介して接続されつつ微小なギャップ（８）を形成し、
缶の蓋の完全な未開栓の漏出耐性が前記微小なギャップ（８）を覆う成形プラスチック
部上の封止部によって保証されることを特徴とする缶の蓋。
【請求項８】
請求項７に記載の缶の蓋であって、前記凸部（１２）と前記凹部（１３）とはアンダーカットによって結合されていることを特徴とする缶の蓋。
【請求項９】
請求項８に缶の蓋であって、前記凸部（１２）と前記凹部（１３）とは、蟻継の態様、トラピーズの態様または破線の態様で互いに係合することを特徴とする缶の蓋。
【請求項１０】
請求項１乃至９の１または複数に記載の缶の蓋であって、ラッチ要素が、回動して開いた最終姿勢において前記ストッパー部（１６）を支持する回動して開いたタンタブ（４）の着脱可能保持のためにもたらされることを特徴する缶の蓋。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の１または複数に記載の缶の蓋であって、前記ストッパー部（１６）を支持する前記タンタブ（４）を再保持するために、前記蓋表面（３）の前記回動ベアリング領域（９）内に安定化ビード形成されることを特徴とする缶の蓋。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の１または複数に記載の缶の蓋であって、前記金属のツーアームレバー部材（５，６）は、前記ストッパー部（１６）を支持する前記タンタブ（４）の中心から外れて、特に周縁部に接続され、前記ツーアームレバー部材（５，６）のうちの長い方のアーム（５）は把持タブによって、特にリングタブによって形成されていることを特徴とする缶の蓋。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の１または複数に記載の缶の蓋を有する缶であって、前記缶の蓋はビードリム（２）によって前記缶に接続されていることを特徴とする缶。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月19日(2019.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約５０ミクロン〜約２ｍｍの範囲の平均寸法を有する、複数の多孔質無機アグロメレートを含み、前記多孔質アグロメレートが、それぞれ、炭素又はシリカのネットワークと、前記ネットワーク中に埋め込まれた金属酸化物粒子とを含む、物品。
【請求項２】
前記炭素又はシリカのネットワークが、４００〜１０００℃の範囲の高温におけるポリマーバインダーの熱分解生成物である、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記金属酸化物粒子が、酸化アルミニウム又は水酸化アルミニウムを含む、請求項１または２に記載の物品。
【請求項４】
約５〜約２５重量％の炭素又はシリカと、約９５〜約７５重量％の金属酸化物粒子とを含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の物品。
【請求項５】
前記多孔質アグロメレートが、０．０５〜１．０ｇ／ｃｃの範囲の充填密度を有する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の物品。
【請求項６】
実質的量のゼオライトを含まない、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の物品。
【請求項７】
キャビティの存在下で、トランスデューサーと、前記キャビティによって受け入れられた、請求項１〜６のいずれか一項に記載の物品とを含む音響デバイスであって、前記多孔質無機アグロメレートが、前記音響デバイスの共振周波数が約５０Ｈｚ〜約１５００Ｈｚの範囲内にある場合に、前記共振周波数を低下させることが可能であり、かつ前記多孔質無機アグロメレートが、空気の体積弾性率未満又は約１００，０００Ｐａ未満の有効体積弾性率を有する、音響デバイス。
【請求項８】
多孔質無機アグロメレートを含む物品を形成する方法であって、
１００ｎｍ〜１０ミクロンの範囲の平均粒子径を有する金属酸化物粉末を準備することと、
前記金属酸化物粉末を、炭素又はケイ素を含有する１つ以上の反応性モノマー又はポリ
マー及び水と混合して、混合物を形成することと、
前記混合物を重合させて、複数の複合ビーズを形成することであって、前記複合ビーズが、それぞれ、ポリマーバインダーの内部に分散された前記金属酸化物粉末を含み、かつ約５０ミクロン〜約２ｍｍの範囲の平均サイズを有する、前記複合ビーズを形成することと、
前記複合ビーズを、約４００〜約１０００℃の範囲の高温で加熱して、前記多孔質無機アグロメレートを形成することと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記金属酸化物粉末を混合することが、前記金属酸化物を混合して油相にすることを更に含み、前記油相が、（ｉ）５〜３０重量％の金属酸化物粉末と、（ｉｉ）十分な量のフリーラジカル開始剤と、（ｉｉｉ）炭素又はケイ素を含有する５〜９５重量％の前記反応性モノマー又はポリマーとの混合物を含む、請求項８に記載の方法。