【事件の表示】
　特願２０１１−５４６６１０「レーザーエネルギーによって半導体材料の表面を照射するための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　７月２９日国際公開、ＷＯ２０１０／０８３８６７、平成２４年　７月１２日国内公表、特表２０１２−５１６０４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年１２月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年１月２６日、欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　９月１４日　翻訳文提出書
　平成２４年１２月２１日　審査請求
　平成２６年　２月１３日　拒絶理由通知
　平成２６年１０月１７日　拒絶査定
　平成２７年　２月２０日　審判請求・手続補正書
　平成２７年　５月２８日　名義変更
第２　補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２７年　２月２０日になされた手続補正を却下する。
〔理由〕
　１　補正の内容
　平成２７年　２月２０日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６に補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項は、以下のとおりである。（注．補正箇所に当審で下線を付した。）
（補正前）
「【請求項１】
　半導体材料を照射するための方法であって：
　　　半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；
　　　該照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；
を具え、前記方法が該融解した領域部分の深度を定量するステップを更に具えることを特徴とする方法。
【請求項２】
　請求項１に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記照射プロセスが、定量した前記融解した領域部分の深度を標的の深度と比較することにより、前記照射パラメータを構成することによって制御されることを特徴とする方法。
【請求項３】
　請求項１又は２に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記融解した領域部分の深度を定量するステップが、照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項４】
　請求項３に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記融解した領域部分の融解時間を測定するステップが、照射中の該照射した表面の屈折率の変化を測定するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項５】
　請求項４に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記融解した領域部分の融解時間を測定するステップが、照射中の前記照射した表面の反射率を測定するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項６】
　請求項５に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記反射率を測定するステップが、前記照射した表面での前記第１のレーザーから反射を検出するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項７】
　請求項５に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記反射率を測定するステップが、前記照射した表面での第２のレーザーから反射を検出するステップを具えることを特徴とする方法。
【請求項８】
　半導体材料を照射するための装置であって：
　　　半導体層の表面領域を、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するための第１のレーザーであって、当該レーザーがレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーと；
　　　前記レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；
を具え、前記装置が該融解した領域部分の深度を定量する手段を更に具えることを特徴とする装置。
【請求項９】
　請求項８に記載の半導体材料を照射するための装置において、前記コントローラが、定量した前記融解した領域部分の深度を標的の深度と比較することにより、前記照射パラメータを構成することによって前記照射プロセスを制御するように構成されることを特徴とする装置。
【請求項１０】
　請求項８又は９に記載の半導体材料を照射するための装置において、前記融解した領域部分の深度を定量する手段が、照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定する手段を具えることを特徴とする装置。
【請求項１１】
　請求項１０に記載の半導体材料を照射するための装置において、前記融解した領域部分の融解時間を測定する手段が、照射中の該照射した表面の屈折率の変化を測定する手段を具えることを特徴とする装置。
【請求項１２】
　請求項１１に記載の半導体材料を照射するための装置において、前記融解した領域部分の融解時間を測定する手段が、照射中の前記照射した表面の反射率を測定する手段を具えることを特徴とする装置。
【請求項１３】
　請求項１２に記載の半導体材料を照射するための装置において、前記照射した表面の反射率を測定する手段が、第２のレーザーを具えることを特徴とする装置。
【請求項１４】
　半導体材料を生成するための請求項８ないし１３に記載の装置の使用。」
（補正後）
「　　【請求項１】
　半導体材料を照射するための方法であって：
　　　半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；
　　　
照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定することにより該融解した領域部分の深度を定量するステップであって、前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定することを含む、ステップと、
　　　
前記溶解した領域部分の深度に基づいて
　
前記反射率の変化の測定は、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップを
　　【請求項２】
　請求項１に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記照射プロセスが、定量した前記融解した領域部分の深度を標的の深度と比較することにより、前記照射パラメータを構成することによって制御されることを特徴とする方法。
　　【請求項３】
　請求項１又は２に記載の半導体材料を照射するための方法において、
前記反射率の変化の測定は、さらに前記第１のレーザーの反射ビームと入射ビームの正規化信号を減算するステップを含む
　　【請求項４】
　半導体材料を照射するための装置であって：
　　　半導体層の表面領域を、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するための第１のレーザーであって、当該レーザーがレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーと；
　　　
前記装置が該融解した領域部分の深度を定量する手段であって、照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定する手段を具え、当該融解した領域部分の溶解時間を測定する手段が、照射中の前記照射した表面の反射を測定する手段を有して前記照射中の照射した表面の反射率の変化を測定する手段を具える、手段と、
　　　前記レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；を具え、
　　　
前記照射中の前記照射した表面の反射を測定する手段が、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出する反射検出器を
　　【請求項５】
　請求項
４
　　【請求項６】
　半導体材料を生成するための請求項
４または５
　２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
（補正事項ａ）補正前の請求項１の
「　　　該照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；
を具え、前記方法が該融解した領域部分の深度を定量するステップを更に具える」
との記載を、補正後の請求項１の
「　　　
照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定することにより該融解した領域部分の深度を定量するステップであって、前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定することを含む、ステップと、
　　　
前記溶解した領域部分の深度に基づいて
を具え、
　前記反射率の変化の測定は、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップを
と補正するとともに、補正前の請求項３の
「請求項１又は２に記載の半導体材料を照射するための方法において、前記融解した領域部分の深度を定量するステップが、照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定するステップを具える」
との記載を、補正後の請求項３の
「請求項１又は２に記載の半導体材料を照射するための方法において、
前記反射率の変化の測定は、さらに前記第１のレーザーの反射ビームと入射ビームの正規化信号を減算するステップを含む
と補正すること。
（補正事項ｂ）補正前の請求項４〜７を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
（補正事項ｃ）補正前の請求項８の
「　　　前記レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；
を具え、前記装置が該融解した領域部分の深度を定量する手段を更に具える」
との記載を、補正後の請求項４の
「　　　
前記装置が該融解した領域部分の深度を定量する手段であって、照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定する手段を具え、当該融解した領域部分の溶解時間を測定する手段が、照射中の前記照射した表面の反射を測定する手段を有して前記照射中の照射した表面の反射率の変化を測定する手段を具える、手段と、
　　　前記レーザー照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するためのコントローラと；を具え、
　　　
前記照射中の前記照射した表面の反射を測定する手段が、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出する反射検出器を
（補正事項ｄ）補正前の請求項１０〜１３を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　３　新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「該融解した領域部分の深度を定量するステップ」を「照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定することにより該融解した領域部分の深度を定量するステップであって、前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定することを含む、ステップ」、「前記反射率の変化の測定は、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップを具える」と限定的に減縮し、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「該照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップ」を「前記溶解した領域部分の深度に基づいて照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップ」と限定的に減縮するとともに、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定するステップ」が含む「反射率の変化を測定する」との事項について「前記反射率の変化の測定は、さらに前記第１のレーザーの反射ビームと入射ビームの正規化信号を減算するステップを含む」ものであると限定的に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。 
（２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（２）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項８に係る発明の発明特定事項である「該融解した領域部分の深度を定量する手段」を「該融解した領域部分の深度を定量する手段であって、照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定する手段を具え、当該融解した領域部分の溶解時間を測定する手段が、照射中の前記照射した表面の反射を測定する手段を有して前記照射中の照射した表面の反射率の変化を測定する手段を具え」、「前記照射中の前記照射した表面の反射を測定する手段が、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出する反射検出器を具える」と限定的に減縮する補正であるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
（４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（５）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第５項に規定する要件を満たすものである。
　４　独立特許要件について 
（１）はじめに 
　上記３において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて、検討する。
（２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１〜６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、次のとおりのものと認める。（再掲）
「　　【請求項１】
　半導体材料を照射するための方法であって：
　　　半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；
　　　照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定することにより該融解した領域部分の深度を定量するステップであって、前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定することを含む、ステップと、
　　　前記溶解した領域部分の深度に基づいて照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；を具え、
　前記反射率の変化の測定は、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップを具えることを特徴とする方法。」
（３）引用文献及び周知例の記載と引用発明及び周知技術
　ア　引用文献の記載と引用発明
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日の前である２００８年９月１１日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−２１１１３６号公報（以下「引用文献」という。）には、図１〜１１とともに、以下の事項が記載されている。（下線は、当審において付与したものである。以下同じ。）
「【背景技術】
【０００２】
　半導体基板の表層部にイオン注入を行った後、注入した不純物を活性化させるためにアニール処理が行われる。このアニール処理として、一般に、ランプアニールのようなラピッドサーマルアニール（Rapid Thermal Annealing）が用いられる。半導体集積回路装置の高集積化が進むに従って、より浅いｐｎ接合が要求されている。ところが、ラピッドサーマルアニールを行うと、半導体基板の表層部に注入した不純物が深く拡散するため、浅いｐｎ接合を形成することが困難である。
【０００３】
　注入された不純物の拡散が生じにくいレーザアニールが注目されている。半導体基板にパルスレーザビームを入射させると、入射部分が一時的に溶融し、その後固化するときに不純物が活性化される。半導体基板の表面内でパルスレーザビームの入射位置を移動させることにより、広い領域において不純物を活性化させることができる。
【０００４】
　
半導体基板の表面に形成される複数の半導体素子の特性を揃えるために、溶融部分の深さを基板面内で一定にする必要がある
・・略・・
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　上記特許文献１に開示された発明では、被加工物が溶融したか否かを検出することはできるが、溶融部分の深さを計測することはできない。特許文献２に開示された発明では、非晶質シリコン薄膜の結晶化の進行や結晶粒の成長の変遷をピコ秒単位に知ることができるが、溶融部分の深さを計測することはできない。特許文献３に開示された発明では、レーザビームの入射位置の温度を計測することはできるが、溶融部分の深さを計測することはできない。非特許文献１に開示された技術では、溶融部分の深さを算出するために、シリコン薄膜に電極を接触させてコンダクタンスを測定しなければならない。半導体基板を移動させながら、基板全面を高速でアニールする際には、非接触で溶融部分の深さを測定する技術が望まれる。
【００１１】
　
本発明の目的は、アニール対象物のレーザビーム入射位置の溶融部分の深さを、非接触で計測する技術を提供することである
・・略・・
【００１３】
  本発明の他の観点によると、
  
（ａ）アニール対象物の表面にアニール用パルスレーザビームを入射させて、該アニール対象物の表層部を一時的に溶融させると共に、アニール用パルスレーザビームの入射領域に、該アニール用パルスレーザビームと同一の経路を通って測定用のレーザビームを入射させ、その反射光の強度を計測する工程と、
  （ｂ）前記工程ａで計測された反射光の強度の時間変化から、前記アニール対象物の表層部が溶融している溶融時間を算出する工程と、
  （ｃ）前記工程ｂで算出された溶融時間に基づいて、前記アニール対象物が一時的に溶融していた部分の溶融深さを算出する工程と
を有するレーザアニール方法
・・略・・
【００１５】
　図１に、第１の実施例によるレーザアニール装置の概略図を示す。ＸＹステージ１０がアニール対象である半導体基板５０を保持し、その表面に平行な２次元方向に移動させる。
・・略・・
【００３６】
　図３に、実施例によるレーザアニール装置内の各種信号のタイミングチャートを示す。制御装置３が、ＸＹステージ１０を駆動して、半導体基板５０を、主走査方向（ビーム断面の長手方向と直交する方向）に一定速度で移動させるとともに、１つの主走査が終了すると副走査方向（ビーム断面の長手方向）に移動させる。この主走査と副走査を行いながら、アニール用レーザ光源１に、周波数１ｋＨｚのトリガ信号ｓｉｇ１を送信する。アニール用レーザ光源１は、トリガ信号ｓｉｇ１に同期して、アニール用パルスレーザビームＬａを出射する。
【００３７】
　
アニール用パルスレーザビームＬａの１つのレーザパルスが半導体基板５０に入射すると、その表層部が一時的に溶融し、レーザパルスの入射が終了すると、溶融した部分が再結晶化する。表層部が溶融している期間、反射率が高くなるため、反射光強度信号ｓｉｇ２が大きくなる
・・略・・
【００４０】
  次に、
反射光検出器４１で検出された反射光の強度の時間変化から、半導体基板５０の一時的に溶融した部分の深さ（溶融深さ）を求める
・・略・・
【００６１】
  上記実施例では、反射光強度が、バックグランドレベルから最大値までの上昇分の１／２の大きさまで上昇した時点から、１／２の大きさまで低下した時点までの経過時間を、溶融時間としたが、他の定義を採用してもよい。採用する定義が異なると、得られる定数Ｃ１及びＣ２の値が異なってくる。いずれの定義を採用した場合でも、
反射光の強度の時間変化に基づいて、溶融深さが算出される
・・略・・
【００９６】
　図１１に、第５の実施例によるレーザアニール装置の光検出部分の概略図を示す。
第５の実施例では、測定用レーザビームＬｍの反射光Ｌｒ及び黒体放射光Ｂｒのみならず、アニール用パルスレーザビームＬａの反射光Ａｒの強度も測定する
【００９７】
　誘電体多層膜ミラー５は、アニール用パルスレーザビームＬａを反射するが、その反射率は１００％ではなく、実際には９９．５％〜９９．９％程度である。従って、誘電体多層膜ミラー５に入射するアニール用パルスレーザビームＬａの一部は、誘電体多層膜ミラー５を透過する。誘電体多層膜ミラー５を透過したアニール用パルスレーザビームＬａが、光検出器９４に入射する。光検出器９４は、アニール用パルスレーザビームＬａの強度の時間変化を計測する。また、半導体基板５０の表面で反射したアニール用パルスレーザビームＬａの反射光Ａｒの一部が、誘電体多層膜ミラー５を透過する。図１に示した第１の実施例の場合と同様に、測定用レーザビームＬｍの反射光Ｌｒ及び黒体放射光Ｂｒも、誘電体多層膜ミラー５を透過する。
【００９８】
　測定用レーザビームＬｍが、反射鏡９５で反射した後、部分反射鏡３１、誘電体多層膜ミラー９０、及び広帯域反射ミラー２５を透過して誘電体多層膜ミラー５に入射する。測定用レーザビームＬｍの反射光Ｌｒは、誘電体多層膜ミラー５を透過した後、広帯域反射ミラー２５及び誘電体多層膜ミラー９０を透過し、部分反射鏡３１で反射する。その後、レンズ３９及び光ファイバ４０を経由して、反射光検出器４１に入射する。
【００９９】
　誘電体多層膜ミラー５を透過した黒体放射光Ｂｒが、広帯域反射ミラー２５で反射し、レンズ２１及び光ファイバ２０を経由して、放射光検出器１９に入射する。広帯域反射ミラー２５を透過したアニール用パルスレーザビームＬａの反射光Ａｒは、誘電体多層膜ミラー９０で反射し、レンズ９１及び光ファイバ９２を経由して、反射光検出器９３に入射する。
【０１００】
　
光検出器９４で計測されたアニール用パルスレーザビームＬａの強度の時間変化と、反射光検出器９３で計測された反射光Ａｒの強度の時間変化とに基づいて、反射率の時間変化を求めることができる
【０１０１】
　半導体基板５０の表面が溶融している時間が、アニール用パルスレーザビームＬａのパルス幅に比べて十分長い場合には、観測用レーザビームＬｍを入射させて、アニール用パルスレーザビームＬａの入射が終了した後の反射率を求める必要がある。
アニール用パルスレーザビームＬａのレーザパルスの立ち下がりとほぼ同時に、半導体装置５０の表面が固化する場合には、測定用レーザビームＬｍを入射させることなく、アニール用パルスレーザビームＬａの反射光Ａｒの検出のみで、必要な期間の反射率を計測することができる
（イ）そうすると、引用文献には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「 （ａ）半導体基板５０の表面にアニール用パルスレーザビームを入射させて、該半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させ、その反射光の強度を計測する工程と、
 （ｂ）前記工程ａで計測された反射光の強度の時間変化から、前記半導体基板５０の表層部が溶融している溶融時間を算出する工程と、
 （ｃ）前記工程ｂで算出された溶融時間に基づいて、前記アニール対象物が一時的に溶融していた部分の溶融深さを算出する工程と、
を有するレーザアニール方法。」
　イ　周知例の記載と周知技術
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日の前である２００４年７月８日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−１９３５８９号公報（以下「周知例１」という。）には、図１〜３とともに、以下の事項が記載されている。
「【００４５】
  図３は、図１に示した薄膜の処理状態または加工状態監視装置１に接続される信号処理装置７の構成の一例を示している。
図３に示されるように、信号処理装置７は、例えばＰＣ（パーソナルコンピュータ）である制御装置７１と信号入力部７３とデータ記憶部（メモリ）７５および表示装置７７を有する
【００４６】
  
なお、信号入力部７３は、ストリークカメラ５５の蛍光板６５に到達した電子Ｅに対応する光、すなわち蛍光板６５に到達した電子Ｅが蛍光板６５により、その位置で再び光に変換されて出力された光の位置に対応する位置信号をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換部を含み、ストリークカメラ５５の出力（位置信号）を、メモリ７５（データ記憶部）に、順次格納させることができる
【００４７】
  
また、必要に応じて信号出力部７９が設けられ、信号出力部７９の出力信号により、例えばレーザアニール装置１０１の光源であるレーザ装置１１１の出力がフィードバック制御されてもよい
・・略・・
【００６７】
  
このことから、溶融および固化時におけるシリコン薄膜の反射光強度の時間的変化を、例えばストリークカメラ５５により、モニタ用レーザ光ＬＭの角度分布の時間的変化から検出することにより、基板Ｓ上の薄膜Ｆの特性をモニタ（検知）できる
（イ）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日の前である２００４年１２月２日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−３４２８７５号公報（以下「周知例２」という。）には、図１〜３とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１８】
しかし従来のレーザアニール装置は、単にレーザ照射を行なうのみで、偶発的結晶化がなされており、
アニール処理されている位置で固液界面状態や結晶性の情報を検出し、この情報をフィードバックしてレーザ出力、レーザ強度分布、走査速度等を調整
【００１９】
本発明は上述の事実を考慮し、
レーザビームを対象物に照射してアニール処理を行っている位置でアニール状態の情報を検出し、この情報に基づいてフィードバック制御を行って適切なアニール処理を可能としたレーザアニール装置を新たに提供する
（ウ）本願の優先権主張の日の前である１９８０年９月４日に日本国内において頒布された刊行物である特表昭５５−５００６１５号公報（以下「周知例３」という。）には、第１図、第２図とともに、以下の事項が記載されている。
「詳細な説明
　プロセスの定性的な説明は、第１図により補足される。同図は基板材料１０を示し、これは好ましい実施例ではシリコン、ヒ化ガリウムのような半導体又は不純物がすでに注入さている他の材料である。基板はマスク層１１、たとえばＳｉＯ２により、図示された窓を除き被覆されている。レーザアニーリングエネルギーは、概念的なビーム１３により示されており、窓に照射される。数字１２は（この実施例では）イオン注入後（しかもこの場合はアニール前）の不純物境界の最初の位置を示す。レーザビームで露光すると、線１４により境界が示された図の部分は、溶融状態になる。不純物は液相中に拡散し、１５で示された境界を有する最終的な領域を形成する。本発明の一視点に従うと、アニーリングプロセスが適用でき、再分布を最小にするか、不純物の制御された移動を行うことができる。それはまたイオン注入していない非結晶材料（無定形又は多結晶）のレーザアニール中のエビタキシャル再成長や、たとえばサファイア基板へ堆積されるシリコンの形成などのモニタに使用できる。第２図の装置を参照すると、溶融領域の存在及び持続が、レーザ２０からのビーム又は他の過当なエネルギービームを、アニーリングレーザ２１からのビームで露光されている表面に向けることにより、検出される。その表面から反射される光の強度を測定するための検出器２２は、反射されたビームを受けるように配置される。アニーリングレーザ２１からウエハに浸透するエネルギー（”透過する“エネルギー）を受けるのに適した検出器２３は、以下に述べるデータを得るために用いられるが、本発明の実施には必要ではない。
タイミング回路２４は図示されているように、検出器２２及びレーザ２１間に帰還ループとして接続されている。これを用いると、レーザアニールの程度又は不純物領域の制御された深さが、溶融領域の測定された寿命に、自動的に応答する好ましい実施例が構成される
（エ）上記（ア）〜（ウ）より、検出した情報により、レーザ装置の出力等のパラメータをフィードバック制御することは、本願の優先日前、当該技術分野では周知技術であるといえる。
（４）対比
　ア　引用発明の「半導体基板５０」は、補正後の発明の「半導体材料層」に相当し、引用発明の「半導体基板５０の表層部」は、補正後の発明の「半導体材料層の表面領域」に相当する。
　また、引用発明の「アニール用パルスレーザビーム」は、補正後の発明の「レーザー照射パラメータを有する第１のレーザー」相当する。
　したがって、引用発明の「半導体基板５０の表面にアニール用パルスレーザビームを入射させて、該半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させ」は、補正後の発明の「半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップ」に相当する。
　イ　引用発明の「その反射光の強度を計測する工程」は、「アニール用パルスレーザビーム」の反射光の強度を計測する工程であることから、補正後の発明の「前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップ」を具える「反射率の変化の測定」に相当する。
　また、引用発明の「前記工程ａで計測された反射光の強度の時間変化から、前記半導体基板５０の表層部が溶融している溶融時間を算出する工程」は、補正後の発明の「前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定することを含む、ステップ」に相当する。
　したがって、引用発明の「（ａ）」「アニール用パルスレーザビーム」「の反射光の強度を計測する工程」と、「（ｂ）前記工程ａで計測された反射光の強度の時間変化から、前記半導体基板５０の表層部が溶融している溶融時間を算出する工程」と、「（ｃ）前記工程ｂで算出された溶融時間に基づいて、前記アニール対象物が一時的に溶融していた部分の溶融深さを算出する工程」は、補正後の発明の「照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定することにより該融解した領域部分の深度を定量するステップであって、前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定することを含む、ステップ」、「前記反射率の変化の測定は、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップを具える」に相当する。
　ウ　引用発明の「レーザアニール方法」と、補正後の発明の「半導体材料を照射するための方法」とは、「半導体材料を照射するための方法」である点で共通する。
　エ　以上によれば、補正後の発明と引用発明との一致点と相違点は、次のとおりであると認められる。
（ア）一致点
「　半導体材料を照射するための方法であって：
　　　半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；
　　　照射中の前記融解した領域部分の融解時間を測定することにより該融解した領域部分の深度を定量するステップであって、前記溶解時間の測定は、照射中の前記照射した表面の反射を測定することにより照射中の前記照射した表面の反射率の変化を測定すること
を含む、ステップと；を具え、
　前記反射率の変化の測定は、前記照射した表面での前記第１のレーザーからの反射を検出するステップを具えることを特徴とする方法。」
（イ）相違点
　補正後の発明は、「前記溶解した領域部分の深度に基づいて照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップ」を具えるものであるのに対して、引用発明は、対応するステップを具えるものであるか不明な点。
（５）相違点についての検討
　上記（３）ア（ア）のとおり、引用文献１には、「半導体基板の表面に形成される複数の半導体素子の特性を揃えるために、溶融部分の深さを基板面内で一定にする必要がある。」（段落０００４）と記載されている。
　そして、半導体基板５０の溶融部分の深さを計測するのみでは、溶融部分の深さや半導体素子の特性が基板面内で一定にならないことは、当業者にとって自明なことである。
　したがって、引用発明において、溶融部分の深さや半導体素子の特性を基板面内で一定とするために、半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させるアニール用パルスレーザビームの照射パラメータを、算出した溶融深さに基づいて調整することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　加えて、上記（３）イ（エ）のとおり、検出した情報により、レーザ装置の出力等をフィードバック制御することは、本願の優先日前、当該技術分野では周知技術であることからも、引用発明において、溶融部分の深さや半導体素子の特性を基板面内で一定とするために、半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させるアニール用パルスレーザビームの照射パラメータを、算出した溶融深さに基づいて調整することは、当業者であれば適宜なし得たことであるといえる。
（６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と引用発明との相違点は、当業者が適宜なし得たものであることから、補正後の発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであることから、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明
　平成２７年２月２０日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２３年　９月１４日提出の明細書の翻訳文、特許請求の範囲の翻訳文及び図面（の翻訳文）の記載からみて、その請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、次のとおりのものと認める。（再掲）
「【請求項１】
　半導体材料を照射するための方法であって：
　　　半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップと；
　　　該照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップと；
を具え、前記方法が該融解した領域部分の深度を定量するステップを更に具えることを特徴とする方法。」
第４　引用文献と引用発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された上記の引用文献には、上記第２（３）アに記載したとおりの事項及び引用発明が記載されているものと認められる。
第５　対比
（１）引用発明の「半導体基板５０」は、本願発明の「半導体材料層」に相当し、引用発明の「半導体基板５０の表層部」は、本願発明の「半導体材料層の表面領域」に相当する。
　また、引用発明の「アニール用パルスレーザビーム」は、本願発明の「レーザー照射パラメータを有する第１のレーザー」相当する。
　したがって、引用発明の「半導体基板５０の表面にアニール用パルスレーザビームを入射させて、該半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させ」は、本願発明の「半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップ」に相当する。
（２）引用発明の「（ａ）」「アニール用パルスレーザビーム」「の反射光の強度を計測する工程」と、「（ｂ）前記工程ａで計測された反射光の強度の時間変化から、前記半導体基板５０の表層部が溶融している溶融時間を算出する工程」と、「（ｃ）前記工程ｂで算出された溶融時間に基づいて、前記アニール対象物が一時的に溶融していた部分の溶融深さを算出する工程」は、本願発明の「前記方法が該融解した領域部分の深度を定量するステップ」に相当する。
（３）引用発明の「レーザアニール方法」と、本願発明の「半導体材料を照射するための方法」とは、「半導体材料を照射するための方法」である点で共通する。
（４）以上によれば、本願発明と引用発明との一致点と相違点は、次のとおりであると認められる。
（ア）一致点
「　半導体材料を照射するための方法であって、
　　　半導体材料層の表面領域をレーザー照射パラメータを有する第１のレーザーで、該領域の少なくとも一部を融解するように照射するステップ
　を具え、前記方法が該融解した領域部分の深度を定量するステップを更に具えることを特徴とする方法。」
（イ）相違点
　本願発明は、「該照射パラメータを構成することによって照射プロセスを制御するステップ」を具えるものであるのに対して、引用発明は、対応するステップを具えるものであるか不明な点。
第６　相違点についての検討
　引用発明の「半導体基板５０の表面にアニール用パルスレーザビームを入射させて、該半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させ」る工程を行う際に、アニール用パルスレーザビームの出力エネルギー等の照射パラメータを調整することは、必ず行われることである。
　したがって、上記の相違点は、実質的な相違点とはいえない。
　また、そうでないとしても、引用発明において、「半導体基板５０の表面にアニール用パルスレーザビームを入射させて、該半導体基板５０の表層部を一時的に溶融させ」る工程を行う際に、アニール用パルスレーザビームの出力エネルギー等の照射パラメータを調整することは、当業者が当然に行うことである。
　以上から、上記の相違点は、本願発明と引用発明との実質的な相違点であるとはいえず、また、そうでないとしても、引用発明において当業者が当然に行うことである。
　以上検討したとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、引用文献に記載の発明（引用発明）と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、そうでないとしても、引用文献に記載の発明（引用発明）に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。