【事件の表示】
　特願２０１０−２２３９２５「有機発光ダイオード装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月２６日出願公開、特開２０１２−　１８８９９、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１０月１日（パリ条約による優先権主張　２０１０年７月６日，韓国）の出願であって，平成２６年３月１２日付けで拒絶理由が通知され，同年７月８日に意見書及び手続補正書が提出され，同年１０月８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２７年２月１３日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がされ，その後，当審において平成２８年２月２２日付けで拒絶理由（以下，「当審拒絶理由」という）が通知され，同年５月２０日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は，平成２８年５月２０日に提出された手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものと認められるところ，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は以下のとおりである。
「第１電極，
前記第１電極と対向する第２電極，及び
前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層
を含み，前記第２電極は，
イッテルビウム（Ｙｂ）を含み，６０Å〜２００Åの厚さを有する第１層，及び
銀（Ａｇ）を含み，１００Å〜２２０Åの厚さを有する第２層を含み，
前記第２電極は，１０Ω／ｃｍ２より低い面抵抗を有し，
前記発光層，前記第１層，前記第２層の順で積層されてなる，有機発光ダイオード装置。」
第３　原査定の理由について
　１　原査定の理由の概要
　平成２６年７月８日に提出された手続補正書に記載の請求項１，５，８に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の引用例１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができない。
　また，平成２６年７月８日に提出された手続補正書に記載の請求項１〜８に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の引用例１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
引用例１：G.Z.Ran,et.al.(2006) Light extraction efficiency of a top-emission organic light-emitting diode with an Yb/Au double-layer cathode and an opaque Si anode, Applied Optics, Vol.45, No.23, pp.5871-5876
　２　原査定の理由についての当審の判断
　(1)　引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日（以下，「優先日」という。）前に頒布された引用例１には，以下の事項が記載されている。なお，括弧内に当審判体の翻訳を付けた。
　ア　タイトル
「Light extraction efficiency of a top-emission organic light-emitting diode with an Yb/Au double-layer cathode and an opaque Si anode」
（Ｙｂ／Ａｕ二層陰極と不透明Ｓｉ陽極を有するトップエミッション有機発光ダイオードの光抽出効率）
　イ　要約
「We have computed the transmittances of four types of cathode-Yb/Au, Al/Au, Yb/Ag, and Al/Ag double layers-and the light extraction efficiencies of the top-emission organic light-emitting diodes with these cathodes, respectively, based on the characteristic matrix method and the dissipation spectrum model.Computations show that the Yb/Au cathode has a markedly higher transmittance than the other three types of cathode when the Yb and Au thicknesses in the Yb/Au cathode are, respectively, equal to the Al (or Yb) and Au (or Ag) thicknesses in the other three types of cathode. The power lost to the Yb/Au cathode due to the surface plasmon polaritons is the lowest, and hence the device with the Yb/Au cathode has the highest extraction efficiency. The transmittances for the four cathodes are also measured experimentally.」
（我々は特性マトリックス法と散逸スペクトルモデルに基づき４つのタイプ（Ｙｂ／Ａｕ，Ａｌ／Ａｕ，Ｙｂ／Ａｇ，Ａｌ／Ａｇ二層）の陰極の透過率とこれらの陰極を使った
トップエミッション有機発光ダイオードの
陰極の透過率も実験的に測定した
　ウ　序論（５８７１頁左欄２行〜同頁右欄１５行）
「Transparent top electrodes are necessary for organic light-emitting diodes fabricated on silicon or other opaque substrates and also applied in high-resolution, full-color, and active-matrix displays. In earlier works, a single sufficiently thin layer of Al or Ca was frequently used as a cathode of the top emission organic light-emitting diodes (TOLEDs).
・・・（中略）・・・
 Here we introduce a novel transparent cathode composed of stacked layers of Yb and Au, which will be abbreviated as Yb/Au hereafter. Yb has a lowest work function (2.57 eV) in the rare-earth elements, very suitable for electron injections; it has a relatively lower melting point (824 °C), very suitable for thermal evaporation. A chemically stable Au capping layer ensures the stability of the device performance. In this paper, we focus on the unique optical characteristics of the Yb/Au cathode, and we compare it with some other reported bilayer metal cathodes.」
（シリコンや他の不透明基板の上に形成される有機発光ダイオードには透明なトップ電極が必要であり，高解像度，フルカラー，アクティブマトリックスディスプレイに応用される。これまでの研究では，トップエミッション有機発光ダイオード（ＴＯＬＥＤ）の陰極としてＡｌやＣａの単一の十分に薄い膜が頻繁に使用されてきた。
・・・（中略）・・・
　本論文で我々はＹｂとＡｕの積層からなる新規透明陰極を紹介する。以下Ｙｂ／Ａｕと略称する。Ｙｂは希土類元素の中で仕事関数が最も低く（２．５７ｅＶ），電子注入に非常に適している。Ｙｂの融点は比較的低いので（８２４℃），熱蒸発には非常に適している。化学的に安定なＡｕキャッピング層はデバイス性能の安定性を確保する。本論文では，Ｙｂ／Ａｕ陰極の特異な光学特性を取り上げ，それと他の報告されている二層金属陰極を比較する。）
　エ　計算と実験（５８７１頁右欄１７行〜同頁同欄２５行）
「Figure 1(a) is a schematic of the modeled TOLEDs. NPB (4,4-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino] biphenyl) is the hole-transporting layer, AlQ (tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum) is the electrontransporting and emissive layer, and the Yb/Au cathode is finally deposited. For the computations of the transmittances of the cathodes, the incident medium AlQ, Yb layer, Au layer, and exit medium air are considered as an assembly. 」
（図１（ａ）はモデルにしたＴＯＬＥＤの概略図である。ＮＰＢ（４，４-ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）は正孔輸送層であり，ＡｌＱ（トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム）は電子伝達および放出層である。そして最後にＹｂ／Ａｕ陰極が蒸着される。陰極の透過率の計算のために，入射媒体ＡｌＱ，Ｙｂ層，Ａｕ層，出射媒体として空気がアセンブリとして考慮された。）
Fig.1
 (a) Schematic for the TOLEDs, (b) schematic microcavity model. 」
（（a）　ＴＯＬＥＤの概略図，（b） マイクロキャビティモデルの概略図。）
　オ　結果と検討１（５８７３頁左欄１５行〜同頁右欄８行）
「Figures 2(a) and 2(b) depict the transmittances and reflectances at 525 nm, respectively, of the Yb (0-60 nm)/Au (1-30 nm) and Al (0-60 nm)/Au (1-30 nm) cathodes.
・・・（中略）・・・
As shown in Fig. 2, the Yb/Au cathodes have much higher transmittances than the Al/Au cathodes when the Yb and Au thicknesses in the Yb/Au cathode are, respectively, equal to the Al (or Yb) and Au (or Ag) thicknesses in the other three types of cathode. It is easy to obtain a transmittance of higher than 50% in many configurations with the Yb thickness less than 30 nm and the Au thickness less than 15 nm. For example, the transmittance of the Yb (5 nm)/Au (15 nm) cathode is 50%, higher than that of the Al (5 nm)/Au (15 nm) cathode by a factor of 2.5. More importantly, the transmittance of the Yb/Au cathode decreases much slower with the increasing Yb thickness, and thus the reproducibility of the devices would be much better than that of the devices with Al/Au cathodes. In addition, a greater thickness of the cathode guarantees a better electrical conductivity of the cathode and a longer operation time of the TOLEDs. Figure 2(b) shows the Al/Au cathodes have much higher reflectances, causing the lower transmittances in Fig. 2(a).」
（図２（ａ）と２（ｂ）はそれぞれ，５２５ｎｍにおけるＹｂ（０−６０ｎｍ）／Ａｕ（１−３０ｎｍ）とＡｌ（０−６０ｎｍ）／Ａｕ（１−３０ｎｍ）陰極の透過率と反射率を示している。
・・・（中略）・・・
図２のように，Ｙｂ／Ａｕ陰極のＹｂとＡｕの厚さがそれぞれ他の３つのタイプの陰極のＡｌ（またはＹｂ）およびＡｕ（またはＡｇ）の厚さと同じ場合，Ｙｂ／Ａｕ陰極はＡｌ／Ａｕ陰極よりも遙かに高い透過率を持つ。Ｙｂの厚みが３０ｎｍよりも薄く，Ａｕの厚さが１５ｎｍよりも薄い多くの構成で，５０％以上の透過率を得ることは容易である。例えばＹｂ（５ｎｍ）／Ａｕ（１５ｎｍ）陰極の透過率は５０％であり，Ａｌ（５ｎｍ）／Ａｕ（１５ｎｍ）陰極の透過率よりも２．５倍高い。さらに重要なのはＹｂ／Ａｕ陰極の透過率はＹｂの厚みが増加するにつれて大幅に遅く減衰することである。従って，デバイスの再現性はＡｌ／Ａｕ陰極を持つデバイスよりも遙かに向上する。さらに陰極の厚さが大きければ陰極の電気伝導性は増加し，ＴＯＬＥＤの作動時間は長くなる。図２（ｂ）はＡｕ／Ａｕ陰極の反射率は大幅に高く，図２（ａ）の低い透過率の原因となっていることを示している。）
Fig.2
　(a) Simulated intensity transmittances and (b) reflectances at 525 nm for the Yb/Au and Al/Au cathodes as functions of the thicknesses of Yb, Al, and Au.
（図2（a）シミュレートされた強度透過率と（b）525nmでのYb，Al，Auの厚さの関数としてのYb/AuおよびAl/Au陰極の反射率。）
　カ　結果と検討２（５８７３頁右欄１１行〜同頁同欄１７行）
「We further compare the effect of the capping layer on the transmittance and reflectance of the cathode. In Fig. 3, the Yb (0-60 nm)/Au (5-30 nm) and Yb (0-60 nm)/Ag (5-30 nm) cathodes are illustrated. As a whole, the Yb/Au cathodes have higher transmittances than the Yb/Ag cathodes, which are more evident at greater thicknesses of Au and Ag. 」
（我々はさらに陰極の透過率と反射率に与えるキャッピング層の効果を比較した。図３ではＹｂ（０−６０ｎｍ）／Ａｕ（５−３０ｎｍ）とＹｂ（０−６０ｎｍ）／Ａｇ（５−３０ｎｍ）陰極が描かれている。全体としてＹｂ／Ａｕ陰極は透過率がＹｂ／Ａｇ陰極よりも高く，ＡｕとＡｇの厚さが増せばこのことは一層顕著になる。）
Fig.3
 (a) Simulated intensity transmittances and (b) reflectances at 525 nm for the Yb/Au and Yb/Ag cathodes as functions of the thicknesses of Yb, Au, and Ag.
（（ａ）Ｙｂ，Ａｕ，Ａｇの厚さの関数としての５２５ｎｍでのシミュレートされたＹｂ／ＡｕとＹｂ／Ａｇ陰極の強度透過率と（ｂ）反射率）
　キ　結果と検討３（５８７３頁右欄３２行〜５８７４頁左欄５行）
「Experimentally the transmittances of some Yb/Au, Al/Au, Yb/Ag, and Al/Ag cathodes are measured on a UV-300 spectrometer, as shown in Fig. 5. The computation of transmittance is performed with the incident medium of AlQ (with a semi-infinite thickness), so in our experimental structure for transmittance measurement, the medium under the double-layer cathode is also AlQ (with an actual thickness of 60 nm), which is deposited on an optical glass. After the measurement of transmittance, the data are calibrated by eliminating the effect of the glass substrate experientially. The Au thickness is fixed to be 15 nm, and the thicknesses of the other layers vary discretely in a range from 2 to 50 nm.」
（図５に示すように実験的に一部のＹｂ／Ａｕ，Ａｌ／Ａｕ，
Ｙｂ／Ａｇ
陰極
二層陰極の下の媒体もまたＡｌＱ
であった
これを光学ガラスの上に蒸着した
Ａｕの厚さは１５ｎｍに固定されている。他の層の厚さは２〜５０ｎｍの範囲で離散的に変化する
Fig. 5. 
Comparison between the measured transmittances　(scattered) and the simulated data (solid curve) for the　Yb/Au, Al/Au, Yb/Ag, and Al/Au cathodes at a fixed Au or Ag　thickness of 15 nm and a varying Yb or Al thickness
（
ＡｕやＡｇの厚さを１５ｎｍに固定し，ＹｂやＡｌの厚さを変化させた場合の
Ｙｂ／Ａｇ
陰極の測定された透過率（散乱）とシミュレートされたデータ（実線の曲線）の比較
　ク　結果と検討４（５８７５頁左欄１０行〜同頁右欄７行）
「The other advantages of the Yb/Au cathodes are that Yb has lower chemical reactivity than Ca, Mg, Li, etc. and that the chemically stable Au capping layer protects the device from damage from oxygen and humidity. The Yb/Au cathode is a satisfying choice for a TOLED, which has achieved the highest efficient TOLEDs with a silicon anode.」
（Ｙｂ／Ａｕ陰極の他の利点は，ＹｂはＣａ，Ｍｇ，Ｌｉなどよりも化学反応性が低いことが挙げられる。化学的に安定なＡｕキャッピング層はデバイスを酸素と湿度の損傷から守る。Ｙｂ／Ａｕ陰極はＴＯＬＥＤにとって満足すべき選択である。これはシリコン陰極を使ったＴＯＬＥＤで最高の効率を達成した。）
　ケ　結論（５８７５頁右欄９行〜同頁同欄２０行）
「The choice of the cathode metals has important consequences or light extraction efficiency. The Yb/Au cathode can meet the rigorous requirements of good transparency and electrical conductivity due to the low work functions of Yb and the low reflectances of the assembly of Yb and Au layers. Their simulated transmittances based on the characteristic matrix generally agree with the measured transmittances. The Si-based TOLEDs with a Yb/Au cathode have a higher extraction efficiency than the other bilayer metal cathodes considered in this paper, but lower than a conventional bottom-emission OLED.」
（陰極金属の選択は，光抽出効率に重要な影響をもたらす。Ｙｂ／Ａｕ陰極は良好な透明性と電気伝導性の厳しい要件を満たす。これはＹｂの低い仕事関数とＹｂとＡｕ層の組み合わせの低い反射率によるものである。特性マトリックスに基づくこれらのシミュレートされた透過率は，測定された透過率と一致する。Ｙｂ／Ａｕ陰極を持つＳｉベースのＴＯＬＥＤは，本論文で考察した他の二層金属陰極よりも抽出効率が高いが，従来のボトムエミッションＯＬＥＤよりも低い。）
　コ　前記キに示すように，引用例１には，実験例として，以下の発明が記載されているものと認められる（以下，「引用発明１」という。）。
　なお，引用例１には「Ａｕの厚さは１５ｎｍに固定されている。他の層の厚さは２〜５０ｎｍの範囲で離散的に変化する」との記載がある一方で，Fig.5及びFig.5の説明の記載から明らかなように，Ａｇの厚さを１５ｎｍに固定し，他の層（ＡｌやＹｂ）の厚さを２〜５０ｎｍの範囲で離散的に変化させる実験も行われていることは明らかであるので，引用発明１も，そのように認定している。
「トップエミッション有機発光ダイオードの陰極の透過率を実験的に測定するための実験的構造であって，光学ガラス上に蒸着されたＡｌＱに，Ｙｂ／Ａｇ陰極が設けられた電極構造であって，Ａｇの厚さを１５ｎｍに固定し，Ｙｂの厚さを２〜５０ｎｍの範囲で離散的に変化させた，実験的構造。」
　(2)　対比
　ア　引用発明１の「Ｙｂ／Ａｇ陰極」は，本願発明の第２電極に相当する。
　イ　引用発明１において，電子注入効率を高めるための手段としてＹｂを使用していることは，技術的にみて明らかである（なお，前記(1)ウの「Ｙｂは希土類の中で仕事関数が最も低く（２．５７），電子注入に非常に適している。」との記載からも理解できる事項である。）。
　そうしてみると，ＹｂはＡｌＱ側になるものと認められる。
　したがって，引用発明１の「Ｙｂ／Ａｇ陰極」のうち「Ｙｂ」の部分は本願発明の「Ｙｂ」を含む「第１層」に相当し，「Ａｇ」の部分は本願発明の「Ａｇ」を含む「第２層」に相当する。
　ウ　前記(1)エに示されるように，引用発明１の「ＡｌＱ」は「発光層」として機能することが意図されているのであるから，本願発明の「発光層」に相当する。
　エ　引用発明１は，「Ａｇ」の厚さが「１５ｎｍ」すなわち「１５０Å」なのであるから，本願発明の「１００Å〜２２０Åの厚さを有する第２層を含」むとの要件を満たす。
　オ　引用発明１の「Ｙｂ」の厚さは「２ｎｍ〜５０ｎｍ」，すなわち「２０Å〜５００Å」であって，この範囲内で離散的な値をとるものであるところ，引用例１のＦｉｇ．５（特に，Ｙｂ／Ａｇの実験点のうち，左から３〜５番目の実験点を参照されたい。）からみて，実験的構造として，Ｙｂの範囲が「６０Å〜２００Å」のものも存在していることは明らかである。
　したがって，引用発明１の特定の実験的構造における「Ｙｂ／Ａｇ陰極」のうち「Ｙｂ」の部分は，本願発明の「６０Å〜２００Åの厚さを有する第１層」を含むとの要件を満たす。
　カ　上記イで検討したように，引用発明１は，「ＡｌＱ」側に「Ｙｂ」が存在するように「Ｙｂ／Ａｇ陰極」が形成されているが，「ＡｌＱ」，「Ｙｂ」，「Ａｇ」の順で積層されることは記載されていない。
　しかし，上記(1)コで認定したように，「ＡｌＱ」は光学ガラス上に蒸着，すなわち「積層」されたものである。そして，技術常識を踏まえれば，これにＹｂ／Ａｇ陰極を設ける場合には，積層された「ＡｌＱ」に対して「Ｙｂ」と「Ａｇ」とを順に積層することは明らかである。またそうでないとしても，「ＡｌＱ」，「Ｙｂ」，「Ａｇ」の順で積層することは，引用例１に接した当業者が技術常識を参酌することにより直ちに導き出せる事項にすぎず，引用例１に記載されているに等しい事項であるといえる。
　したがって，引用発明１は，本願発明の「前記発光層は，前記第１層，前記第２層の順で積層されてなる」との要件を満たす。
　キ　引用発明１は，発光層及び第２電極を有するものではあるが，「トップエミッション有機発光ダイオードの陰極の透過率を実験的に測定するための実験的構造」にすぎないため，実際に正孔を注入するための陽極（本願発明の「第１電極」に相当する部材）は有していない。したがって，引用発明１は，あくまで「実験的構造」といわざるを得ず，「有機発光ダイオード装置」とはいえない。しかし，引用発明１も，本願発明と同様に「有機」物を用いた装置であるから，引用発明１と本願発明とは，「有機物を用いた装置」である点で，一致するといえる。
　
　したがって，本願発明と引用発明１とは，
「第２電極は，イッテルビウム（Ｙｂ）を含み，６０Å〜２００Åの厚さを有する第１層，及びＡｇ（銀）を含み，１００Å〜２２０Åの厚さを有する第２層を含み，発光層，前記第１層，前記第２層の順で積層されてなる，有機物を用いた装置」である点で一致し，以下の点で相違している。
相違点１：有機物を用いた装置が，本願発明は「有機発光ダイオード装置」であるのに対し，引用発明１は，「実験的構造」であり，「有機発光ダイオード装置」としての装置とはなっていない点。また，本願発明は，「第１電極，前記第１電極と対向する第２電極，及び前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層」を含むのに対し，引用発明１は，第１電極を有さない点。
相違点２：本願発明は，第２電極の面抵抗が「１０Ω／ｃｍ２より低い」のに対し，引用発明１は，面抵抗が不明である点。
　(3) 判断
　前記相違点１について検討する。
　前記(1)コで認定したように，引用発明１は「トップエミッション有機発光ダイオードの陰極の透過率を実験的に測定するための実験的構造」にすぎず，実際に電流を注入することによって発光することが可能な「有機発光ダイオード装置」ではない。しかも，Ｙｂ／Ａｇは，好ましくない実験的構造であることが記載されている。Ｆｉｇ．５を参照するに，Ｙｂ／Ａｇとの場合には，Ｙｂ／Ａｕの場合と比べ，シミュレーションでは約０．０５程度，実験結果では約０．２程度，透過率が減少してしまうことが示されている。またＦｉｇ．３においても，同様の傾向が示されているものと認められる。
　そして，引用例１には，「計算によれば他の３つのタイプの陰極におけるＹｂ／Ａｕ陰極のＹｂとＡｕの厚さがそれぞれＡｌ（またはＹｂ）とＡｕ（またはＡｇ）の厚さと等しいとき，Ｙｂ／Ａｕ陰極は他の３つのタイプの陰極よりも著しく高い透過率を持っていることが分かった。」（前記(1)イを参照）と記載されている。さらに，引用例１には，「全体としてＹｂ／Ａｕ陰極は透過率がＹｂ／Ａｇ陰極よりも高く，ＡｕとＡｇの厚さが増せばこのことは一層顕著になる」（前記(1)カを参照），「Ｙｂ／Ａｕ陰極はＴＯＬＥＤにとって満足すべき選択である」（前記(1)クを参照）とも記載されている。
　そうしてみると，引用例１に接した当業者がＴＯＬＥＤを具体化するに際して採用する構成は，Ｙｂ／Ａｕであり，Ｙｂ／Ａｇは採用しないものと認められる。
　したがって，相違点１に係る構成を具備する本願発明は，引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　(4) 小括
　したがって，相違点２について検討するまでもなく，本願発明は，引用発明１に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願の請求項２〜６に係る発明は，本願発明をさらに限定したものであるので，本願発明と同様に，当業者が引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
　１　当審拒絶理由の概要
　本願発明は，その優先日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の引用例に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
引用例２：特開２００８−１６６２８３号公報
　２　当審拒絶理由についての判断
　(1) 引用例２の記載事項
　本願の優先日前に頒布された引用例２には，以下の事項が記載されている。
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　基板と，
　前記基板上に形成された第１電極と，
　前記第１電極上に形成され，発光層を含む有機膜層と，
　前記有機膜層上に形成され，イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極と，
　を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
　前記第２電極に含まれる前記イッテルビウム（Ｙｂ）層の厚さは，２０ないし３０Åであり，
　前記第２電極に含まれる前記銀（Ａｇ）層の厚さは，７０ないし９０Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
　前記第２電極の厚さは，９０ないし１２０Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。」
　イ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に係り，さらに詳細には前面発光構造において，イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む上部電極を形成することによって，発光層の全体発光波長に対して高い透過率を有する有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
　【０００２】
　一般的に，有機電界発光表示装置は，電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）注入電極（ｃａｔｈｏｄｅ）と正孔（ｈｏｌｅ）注入電極（ａｎｏｄｅ）からそれぞれ電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）を発光層内部に注入させて，注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する発光表示装置である。」
　ウ　「【０００６】
　従来，前面発光有機電界発光表示装置では光が放出される上部電極をＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成したり，マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のような金属膜を非常に薄く形成したりすることによって，光を放出できるように形成していた。
【０００７】
　しかし，前記のようにＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成する場合，透過率は良いが高い仕事関数値によって上部電極がカソードである構造には不適合であって，上部電極がカソードである構造に好適であるようにするためにマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のような半透過金属膜で形成する場合，透過率を向上させるために薄く形成するようになれば抵抗値が高くなって電極で不適合になる問題点がある。」
　エ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　したがって本発明は前記した従来技術の問題点を解決するために，イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層構造で上部電極を形成することによって発光層の全体発光波長に対して高い透過率を有する上部電極を具備する前面発光有機電界発光表示装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
　上記目的を達成するために本発明は，基板と，前記基板上に形成された第１電極と，前記第１電極上に形成され，発光層を含む有機膜層と，前記有機膜層上に形成され，イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極と，を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
【００１０】
　また，本発明は基板を提供する段階と，提供された基板上に第１電極を形成する段階と，前記第１電極上に発光層を含む有機膜層を形成する段階と，前記有機膜層上にイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成する段階と，を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
　本発明によると，前面発光有機電界発光表示装置において，上部電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜で形成することによって，全体発光波長領域に対して透過率を向上させることができ，さらに発光効率を改善することができる。また共振効果を最小化することによって，特に相異なる波長領域の光を混合して白色発光を具現する場合，共振効果による色の偏りを改善することができて白色を具現するのに好適である。」
　オ　「【００１３】
　図１は本発明の第１実施形態による前面発光型有機電界発光表示装置を示した断面図である。
【図１】
【００１４】
　図１を参照すると，基板１００上に第１電極１１０が形成される。前記基板１００は前記第１電極１１０に接続する少なくとも一つの薄膜トランジスタ（図示せず）を具備することができる。
・・・（中略）・・・
【００１６】
　前記第１電極１１０上に発光層を含む有機膜層１２０を形成する。前記発光層は白色発光層または青色発光層から成ることがあり，前記白色発光層は単一層または多重層から成ることがある。
・・・（中略）・・・
【００３１】
　前記有機膜層１２０上にイッテルビウム（Ｙｂ）層１３０ａと銀（Ａｇ）層１３０ｂとを含んで成る積層膜を含む第２電極１３０を形成する。前記第２電極１３０はスパッタリング法または真空蒸着法を用いてイッテルビウム（Ｙｇ）と銀（Ａｇ）をそれぞれ蒸着することによって形成する。この時，前記第２電極１３０は９０ないし１２０Åの厚さに形成することが望ましい。前記第２電極の厚さが９０Å以上では４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下の面抵抗値を有することができるようになり，上部電極として用いることが望ましく，１２０Å以下では発光層の全体発光波長領域内で４０％以上の透過率を有することができて透過率面で望ましい。さらに具体的には，
イッテルビウム（Ｙｂ）層は２０ないし３０Åの厚さで，銀（Ａｇ）層は７０ないし９０Åで形成することが望ましい。
【００３２】
　前記イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極１３０は全体発光波長領域に対して透過率が優れているので，従来第２電極で半透過金属膜を利用する場合に比べて顕著に高い発光効率を有することができる。また，第２電極を半透過金属膜を用いた場合に発生する共振効果を除去できるようになって，特定波長領域に光の色が偏する現象を除去できる。したがって，相異なる領域の波長を混合することで白色を具現する白色発光層を具備した有機電界発光表示装置において，第２電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜で形成すれば，各波長領域に該当する光を均等に透過させるようになって色の偏りなく白色を具現することができる。また，一定の厚さを備えた膜を電極に用いるため，好適な適正値以下の面抵抗値を有することになり，前面発光構造において上部電極として好適である。」
　カ　「【００４３】
　（実験例１）
　
基板上に
第１電極を形成し
第１電極上に
正孔注入層を形成し
前記正孔注入層上に
正孔輸送層を形成し
前記正孔輸送層上
青色発光層を形成し
前記青色発光層上に
緑色発光層を形成し
前記緑色発光層上に
赤色発光層を形成し
これによって青色，緑色及び赤色発光層が積層された白色発光層を形成し
前記赤色発光層上に
正孔阻止層，電子輸送層，電子注入層を順に形成し
前記電子注入層上にイッテルビウム（Ｙｂ）を１０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した
【００４４】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００４５】
　（実験例２）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００４６】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００４７】
　（実験例３）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を３０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００４８】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００４９】
　（実験例４）
　
実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を４０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した
【００５０】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５１】
　（実験例５）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を５０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５２】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５３】
　（実験例６）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を６０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５４】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５５】
　（実験例７）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を８０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５６】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５７】
　（実験例８）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ，銀（Ａｇ）を９０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５８】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５９】
　（比較例１）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１２０Åの厚さに形成する。
【００６０】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６１】
　（比較例２）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１４０Åの厚さに形成する。
【００６２】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６３】
　（比較例３）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１６０Åの厚さに形成する。
【００６４】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６５】
　（比較例４）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１８０Åの厚さに形成する。
【００６６】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６７】
　（比較例５）
　実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成し，第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして２００Åの厚さに形成する。
【００６８】
　前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６９】
　下記表１は前記実験例１ないし実験例８と比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置の上部電極の面抵抗を測定したものである。
【表１】
【００７０】
　下記表１を参照すると，前記実験例１ないし実験例８のうちで実験例２ないし実験例３及び実験例７ないし実験例８は
面抵抗値が
実験例
４
は４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅを超過する
【００７１】
　図３ないし図５は前記実験例１ないし実験例８と比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置の透過率を示したグラフである。
【００７２】
　図３を参照すると，前記実験例１は全体発光波長に対して５０％ないし８０％の透過率を示し，前記実験例２は６０％ないし８０％の透過率を示す。また，前記実験例３は５７％ないし８７％の透過率を示し，前記実験例４は６２％ないし９０％の透過率を示す。
【図３】
【００７３】
　図４を参照すると，前記実験例５は全体発光波長に対して５２％ないし８１％の透過率を示し，前記実験例６は４６％ないし７６％の透過率を示し，前記実験例７は５０％ないし７５％の透過率を示す。また，前記実験例８は４６％ないし７８％の透過率を示す。
【図４】
【００７４】
　図５を参照すると，前記比較例１は全体発光波長に対して２５％ないし６１％の透過率を示し，前記比較例２は１８％ないし５０％の透過率を示し，前記比較例３は１５％ないし４５％の透過率を示す。また，前記比較例４は１０％ないし３５％の透過率を示し，前記比較例５は９％ないし３３％の透過率を示す。
【図５】
【００７５】
　結果的に，第２電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜で形成した前記実験例１ないし実験例８による有機電界発光表示装置は第２電極をマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）で形成した前記比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置より発光層の全体発光波長領域に対して高い透過率を有する。特に前記実験例２ないし実験例３及び実験例７ないし実験例８による有機電界発光表示装置は，従来技術による比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置の透過率より高い透過率を有し，さらに４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下の面抵抗値を有するので第２電極として用いることがさらに望ましい。
【００７６】
　また実験例８及び比較例１を比較すると，実験例８による第２電極の総厚さは１１０Åであって比較例１による第２電極の総厚さである１２０Åより薄いにもかかわらず，全体発光波長に対して２０％程度さらに高い透過率を有し，１５．５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ程度さらに低い面抵抗値を有する。　 
【００７７】
　また，実験例１ないし実験例８による有機電界発光表示装置は，前記第２電極が全体発光波長に対して高い透過率を示すので，共振（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）効果を最小化することができる。それゆえ発光層を二つ以上の色の発光波長が混合されて白色を発光する発光層で形成する場合，それぞれの色に該当する発光波長が共振効果の抑制によっていずれか一方に偏らずに全体発光波長に対して高い透過率で透過できて白色を具現することにおいてさらに望ましい。」
　キ　前記カに示すように，引用例２には，実験例１と同じ方法で基板，第１電極，発光層を形成した実験例４として，以下の発明が記載されているものと認められる（以下，「引用発明２」という。）。なお，段落番号は，引用発明２の認定に活用した引用例２の記載箇所を示すために併記したものである。
「【００４３】
　基板上に第１電極を形成し， 
　前記第１電極上に正孔注入層を形成し， 
　前記正孔注入層上に正孔輸送層を形成し， 
　前記正孔輸送層上に青色発光層を形成し，前記青色発光層上に緑色発光層を形成し，前記緑色発光層上に赤色発光層を形成し，これによって，青色，緑色及び赤色発光層が積層された白色発光層を形成し， 
　前記赤色発光層上に，正孔阻止層，電子輸送層，電子注入層を順に形成し，
【００４９】
　前記電子注入層上に，イッテルビウム（Ｙｂ）を４０Å，銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによって，イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成したものであって，
【００７０】
　前記第２電極の面抵抗が４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅを超過する，
　有機電界発光表示装置。」
　(2)　対比
　ア　引用発明２の「第１電極」，「第２電極」，「Ｙｂ層」，「Ａｇ層」及び「白色発光層」は，それぞれ，本願発明の「第１電極」，「第２電極」，「第１層」，「第２層」及び「発光層」に相当する。
　イ　引用発明２の「有機電界発光表示装置」は，技術的にみて，本願発明の「有機発光ダイオード装置」に相当する（なお，引用例２の段落【０００２】の記載からも理解できる事項である。）。
　ウ　引用発明２は，基板上に第１電極を形成した後に，正孔注入層，正孔輸送層，青色発光層，緑色発光層，赤色発光層，正孔阻止層，電子輸送層，電子注入層が順に形成され，前記電子注入層の上部にＹｂ層とＡｇ層とを含んで成る第２電極が形成されるのであるから，引用発明２における「青色，緑色及び赤色発光層が積層された白色発光層」は，第１電極と第２電極の間に位置することは明らかである（このことは，図１からも直ちに見て取れる事項である）。したがって，引用発明２は，本願発明の「第１電極と第２電極との間に位置する発光層を含」むとの要件を満たす。
　エ　引用発明２は，「正孔輸送層上に青色発光層を形成し，前記青色発光層上に緑色発光層を形成し，前記緑色発光層上に赤色発光層を形成し，これによって，青色，緑色及び赤色発光層が積層された白色発光層を形成し，前記赤色発光層上に前記電子注入層上に，Ｙｂを４０Å，Ａｇを７０Åの厚さに真空蒸着することによって，Ｙｂ層とＡｇ層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成」するのであるから，本願発明の，「前記発光層，前記第１層，前記第２層の順で積層されてなる」との要件を満たす。
　したがって，本願発明と引用発明２とは，
「第１電極，
　前記第１電極と対向する第２電極，及び
　前記第１電極と前記第２電極との間に位置する発光層
を含み，前記第２電極は，
　イッテルビウム（Ｙｂ）を含む第１層，及び
　銀（Ａｇ）を含む第２層を含み，
　前記発光層，前記第１層，前記第２層の順で積層されてなる，有機発光ダイオード装置」
である点で一致し，以下の点で相違している。
相違点１：本願発明の第１層は，厚さが６０〜２００Åの厚さを有するのに対し，引用発明２のＹｂ層は，厚さが４０Åである点。
相違点２：本願発明の第２層は，１００Å〜２２０Åの厚さを有するのに対し，引用発明２のＡｇ層は，７０Åである点。
相違点３：本願発明の第２電極は，１０Ω／ｃｍ２より低い面抵抗であるのに対し，引用発明２の第２電極は，面抵抗が４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅを超過するものである点。
　(3) 判断
　前記相違点１，２について検討する。
　引用例２には，Ｙｂ層の厚さを６０〜２００Åにすること，及びＡｇ層の厚さを１００〜２２０Åにすることについて，記載も示唆もされていない。さらには，引用例２の段落【００３１】には「
イッテルビウム（Ｙｂ）層は２０ないし３０Åの厚さ
銀（Ａｇ）層は７０ないし９０Å
　してみれば，引用発明２において，Ｙｂ層の厚さが４０Å，Ａｇ層の厚さが７０Åであったものを，それぞれ「６０Å〜２００Å」及び「１００Å〜２２０Å」へと変更する動機は存在せず，むしろ，そのように変更することには阻害要因があったものと認められる。
　したがって，相違点１，２の構成を具備する本願発明は，引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　(4) 小括
　したがって，相違点３について検討するまでもなく，本願発明は，引用発明２に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願の請求項２〜６に係る発明は，本願発明をさらに限定したものであるので，本願発明と同様に，当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　そうすると，もはや，当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。