【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４５５００８０号発明「半導体装置および液晶モジュール」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件に係る手続は以下のとおりである。
　平成１５年　６月３０日　　本件特許出願の原出願（特願２００３−１８
　　　　　　　　　　　　　　８８５４号）の出願
　平成１９年　３月２６日　　本件特許の出願
　平成２２年　７月１６日　　本件特許の設定登録（特許４５５００８０号
　　　　　　　　　　　　　　）
　平成２６年　６月１０日　　無効審判請求
　平成２６年　８月２９日　　審判事件答弁書提出
　平成２６年１０月　７日　　審理事項通知書発送
　平成２６年１１月２０日　　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
　平成２６年１１月２０日　　証拠説明書（１）提出（請求人）
　平成２６年１１月２０日　　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
　平成２６年１２月　４日　　口頭審理
　平成２６年１２月１１日　　上申書提出（請求人）
　平成２６年１２月１９日　　上申書提出（被請求人）
　
　なお、本件特許については、平成２３年１１月２１日付けで本件無効審判請求の請求人である住友金属鉱山株式会社より無効審判（無効２０１１−８００２４１号、以下「第１無効審判」という。）が請求されている。
　
　また、本件特許について、平成２４年１月３０日に本件無効審判請求の請求人より無効審判の請求（無効２０１２−８００００６号、以下「第２無効審判請求」という。）がなされ、同年９月１９日付けで「特許第４５５００８０号の請求項１ないし請求項６に係る発明についての特許を無効とする。」との審決がなされたところ、同年１０月２６日に本件無効審判請求の被請求人であるシャープ株式会社により審決取消訴訟（平成２４年（行ケ）第１０３７３号）が提起され、知的財産高等裁判所において前記審決を取り消す旨の判決（平成２５年９月３０日判決言渡）があり、当該判決は確定したので、特許庁において更に審理され、同年６月２６日付けで「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決がなされ、この審決（以下「第２無効審判確定審決」という。）は同年８月４日に確定し登録されている。
　
　
第２．本件特許発明
　本件特許第４５５００８０号の請求項１ないし請求項６に係る発明（以下「本件特許発明１」〜「本件特許発明６」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜請求項６に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　絶縁性を有するベースフィルム、該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層、および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有する半導体キャリア用フィルムと、前記配線層に接続された突起電極を有する半導体素子とを備える半導体装置であって、
　前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍであり、
　前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有し、
　前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制することを特徴とする半導体装置。」（以下「本件特許発明１」という。）
　
【請求項２】
　前記半導体素子接合用配線の端子間ピッチが１００μｍ以下となる箇所を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。」（以下「本件特許発明２」という。）
　
【請求項３】
　前記バリア層のクロム含有率が１５〜３０重量％であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。」（以下「本件特許発明３」という。）
　
【請求項４】
　前記バリア層の厚みが１０〜３５ｎｍであることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体装置。」（以下「本件特許発明４」という。）
　
【請求項５】
　前記ベースフィルムの厚みが２５〜５０μｍであることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の半導体装置。」（以下「本件特許発明５」という。）
　
【請求項６】
　請求項１から５の何れか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする液晶モジュール。」（以下「本件特許発明６」という。）
　
　
第３．当事者の主張及び証拠方法
　１．請求人
　請求人は、「特許第４５５００８０号の特許を無効とする。審判請求費用は被請求人の負担とする。」との審決を求めており、請求人の主張する無効理由の概要及び証拠方法は以下のとおりである。
　（１）無効理由
　　Ａ．無効理由１
　本件特許発明１ないし６は、特開２００２−２５２２５７号公報（甲第１号証）に開示された発明（以下「引用発明１」という。）に対して、甲第６号証記載事項及び甲第２号証、甲第１８号証又は甲第２２号証記載事項を適用することにより出願前に当業者が容易に発明できたものであり、あるいは、引用発明１に対して、甲第２号証ないし甲第２２号証及び甲第２４号証ないし甲第２９号証に示されたような周知技術を適用することによっても出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とされるべきものである。
　
　　Ｂ．無効理由２
　本件特許発明１ないし６は、特開平６−１２０６３０号公報（甲第２号証）に開示された発明（以下「引用発明２」という。）に対して、甲第１号証記載事項及び甲第６号証記載事項を適用することにより出願前に当業者が容易に発明できたものであり、あるいは、引用発明２に対して、甲第１号証、甲第３号証ないし甲第２２号証及び甲第２４号証ないし甲第２９号証に示されたような周知技術を適用することによっても出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許は同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　
　（２）証拠方法
　請求人は、証拠方法として、審判請求書とともに、以下の甲第１号証ないし甲第２５号証を、写しを原本として提出した。
　また、平成２６年１１月２０日付け口頭審理陳述要領書において甲第２３号証の提出を撤回するとともに、前記口頭審理陳述要領書とともに、以下の甲第２６号証ないし甲第２９号証を、写しを原本として新たに提出した。
　
　甲第１号証　　　特開２００２−２５２２５７号公報
　甲第２号証　　　特開平６−１２０６３０号公報
　甲第３号証　　　平成１５（２００３）年５月２０日に技術情報協会によ
　　　　　　　　　り頒布されたテキスト「セミナーテキストNO.1」
　甲第４号証　　　２００２（平成１４）年８月に被請求人により頒布され
　　　　　　　　　た製品カタログ「ＳＨＡＲＰ液晶用ＬＳＩ 2002.8」
　甲第５号証　　　２００１（平成１３）年１２月に(株)工業調査会により
　　　　　　　　　発行された雑誌「Ｍ＆Ｅ」２００１年１２月号第９４〜
　　　　　　　　　９９頁
　甲第６号証　　　２００３（平成１５）年５月１５日に日本材料学会によ
　　　　　　　　　り発行された学会誌「材料」VOL.52 NO.5 MAY 2003の第
　　　　　　　　　５２９〜５３４頁に掲載された論文「プリント配線板の
　　　　　　　　　耐イオンマイグレーション性に関する研究」
　甲第７号証　　　平成１５（２００３）年１月２０日に(株)技術調査会に
　　　　　　　　　より発行された雑誌「エレクトロニクス実装技術」２０
　　　　　　　　　０３年２月号Vol.19 No.12 第58〜61頁「ＴＡＢ材料の
　　　　　　　　　現状と今後」
　甲第８号証　　　平成１２年２月２９日に丸善株式会社により発行された
　　　　　　　　　書籍「腐食・防食ハンドブック」第８４１〜８４９頁
　甲第９号証　　　平成１１年９月３０日に丸善株式会社により発行された
　　　　　　　　　書籍「金属の百科事典」第５１３頁
　甲第１０号証　　２００１（平成１３）年８月２０日に岩波書店により発
　　　　　　　　　行された書籍「岩波　理化学辞典　第５版」第７８５頁
　　　　　　　　　、９９２頁
　甲第１１号証　　特開平７−２８３５２５号公報
　甲第１２号証　　昭和４８年８月３０日に日刊工業新聞社により発行され
　　　　　　　　　た書籍「ステンレス鋼便覧」第２０１〜２０５頁
　甲第１３号証　　昭和４１年９月３０日に(株)地人書館により発行された
　　　　　　　　　書籍「非鉄材料の選定と加工」第２８２頁
　甲第１４号証　　１９９６年１２月に回路実装学会（(社)プリント回路学
　　　　　　　　　会）により発行された信頼性解析技術委員会絶縁信頼性
　　　　　　　　　評価研究会技術報告「イオンマイグレーションの試験方
　　　　　　　　　法ノウハウ集」第４５〜６３頁
　甲第１５号証　　２０００年に発行された溶接学会論文集第18巻第１号
　　　　　　　　　p.146〜152の論文
　　　　　　　　　「ウォータドロップ試験における電気化学反応電気量よ
　　　　　　　　　るマイグレーション感受性評価」
　甲第１６号証　　２００１年に発行されたエレクトロニクス実装学会誌
　　　　　　　　　Vol.４ No.３(2001)p.237〜240の論文
　　　　　　　　　「紙フェノール基材プリント配線板の表面を進展するイ
　　　　　　　　　オンマイグレーション」
　甲第１７号証　　特開平５−１４４８８７号公報
　甲第１８号証　　「Adhesiveless Copper on Polyimide Substrate with
　　　　　　　　　Nickel-Chromium Tiecoat」Paper presented at IPC
　　　　　　　　　Printed Circuits Expo 2003, Long Beach, CA, March
　　　　　　　　　23-27, 2003.
　甲第１９号証　　特開昭５８−６４３６４号公報
　甲第２０号証　　１９８９年に産業図書より発行された書籍
　　　　　　　　　「腐食反応とその制御（第３版）」第３６９〜３７３頁
　甲第２１号証　　１９８５年に歯科材料・機械学会から発行された学会誌
　　　　　　　　　歯科材料・器械 Vol.４ No.5 p.455〜480
　　　　　　　　　「歯科鋳造用Ni-Cr系合金のNi溶出と電気化学的腐食挙
　　　　　　　　　動について」
　甲第２２号証　　特表２０００−５０８２６５号公報
　甲第２３号証　　特開平１１−２７８９４１号公報
（審決注：甲第２３号証は、請求人提出の平成２６年１１月２０日付け口頭審理陳述要領書にて撤回）
　甲第２４号証　　２００２年１１月に溶接構造シンポジウムで発行された
　　　　　　　　　講演論文集の論文「プリント配線板の耐イオンマイグレ
　　　　　　　　　ーション性に関する研究」
　甲第２５号証　　１９９９年７月１日にタバイエスペック株式会社により
　　　　　　　　　発行された技術情報誌「ＥＳＰＥＣ技術情報」No.18 p.
　　　　　　　　　1〜5
　甲第２６号証　　岩波　理化学辞典　第５版第１１７１頁
　甲第２７号証　　化学大辞典(東京化学同人)　第１９８８頁
　甲第２８号証　　化学大辞典(共立出版)　第７巻第８０２頁
　甲第２９号証　　現代電気化学(培風館　昭和６２年９月１０日　初版
　　　　　　　　　第１５刷発行１８７頁)
　
　被請求人は、甲第１号証ないし甲第２２号証、及び、甲第２４号証ないし甲第２９号証の成立を認めている
　
　（３）請求人の主張の要点
　審判請求書、請求人提出の平成２６年１１月２０日付け口頭審理陳述要領書の内容からして、請求人の主張の要点は以下のとおりである。
　　Ａ．無効理由１に関して
　　ア．引用発明１
　甲第１号証には、以下の発明（「引用発明１」）が開示されている。
「絶縁性を有するベースフィルムであるポリイミド系フィルム1、
　該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが30nm(=0.03μｍ)のスパッタ層３、および
　該スパッタ層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面に無電解スズメッキが施された厚付け銅メッキ層２
　を有する半導体キャリア用フィルムと、
　前記厚付け銅メッキ層２に接続された突起電極を有する半導体チップとを備える半導体装置であって、
　前記スパッタ層３と前記厚付け銅メッキ層２とを配線回路パターンに形成した半導体チップ実装用（櫛形）配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体チップ実装用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が２．４×１０６Ｖ／ｍであり、
　前記半導体チップ実装用配線（櫛形電極）の配線間距離が２５μmとなる箇所を有し、
　前記スパッタ層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値においても、マイグレーションを抑制する半導体装置。」
　
　　イ．本件特許発明１と引用発明１との一致点及び相違点
　引用発明１は、本件特許発明１とは、以下の事項について一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「絶縁性を有するベースフィルム(10)、
　該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層(2)、および
　該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層(3)
　を有する半導体キャリア用フィルム(1)と、
　前記配線層に接続された突起電極(22)を有する半導体素子(21)とを備える半導体装置(20)であって、
　前記バリア層(2)と前記配線層(3)とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍであり、
　前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μm以下となる箇所を有し、
　前記バリア層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値において、マイグレーションを抑制することを特徴とする半導体装置。」
　
（相違点１−１）
　本件特許発明１では、「マイグレーションを抑制する」効果におけるマイグレーションがバリア層の溶出によるマイグレーションであるとしているのに対して、引用発明１では、マイグレーション抑制効果におけるマイグレーションがスパッタ層の溶出によるマイグレーションであるか否かについて明記していない点。
　
（相違点１−２）
引用発明１では、クロム含有率が１０重量％を超えた値においてもマイグレーションを抑制するがクロム含有率を１５〜５０重量％に設定していないのに対して、本件特許発明１では、バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とするものである点。
　
　　ウ．相違点１−１について
　引用発明１の効果に対して甲第６号証に記載された「Ni溶出によるマイグレーション」という技術事項を適用することにより、相違点１−１は、当業者に容易に認識することができ容易想到である。
　或いは、甲第６号証等の複数の公知文献に示されているように、マイグレーションがバリア層の溶出によるものであることは周知ないしは技術常識である。引用発明１の効果に対してこの周知な技術事項又は技術常識を適用することにより、相違点１−１は、当業者に容易に認識することができ容易想到である。
　
　　エ．相違点１−２について
　「前記スパッタ層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値においても、マイグレーションを抑制する」引用発明１に、「マイグレーション現象が金属の腐食現象の一種であること」、「半導体キャリア用フィルムのニッケル−クロム合金層及び銅層から成る配線回路パターン間におけるマイグレーションは、銅の溶出だけでなく、ニッケルの溶出を伴うもの」であり「ニッケル−クロム合金層の上に銅層が形成されている構造であることからして、先ずニッケルが溶出して、その後銅が溶出していくという一連の腐食現象であること」、「ニッケル−クロム合金層のクロムの含有率を高くすればする程、腐食を防ぐ効果があること」、及び、「引用発明１と同じ微細化配線基板技術において、ニッケル−クロム合金層中のクロム含有率を２０重量％前後とする基板が開示されていること」が示された、甲第８号証、甲第６号証、甲第９号証、甲第２号証、甲第１８号証、甲第２２号証記載の技術事項、ないし、周知技術を組合わせれば（適用すれば）、前記甲第２号証、前記甲第９号証、甲第１０号証、甲第１２号証、甲第１３号証、前記甲第１８号証、甲第１９号証、甲第２０号証、甲第２１号証に記載されるように、クロム含有率を１５〜５０重量％の範囲に設定することは容易想到である。
　
　　オ．平成２６年１１月２０日付け口頭審理陳述要領書における主張
　仮に本件特許発明１と引用発明１との相違点を構成と効果とに分割することなく把握したとしても、無効審判請求書（以下、単に「請求書」という。）において述べたように、本件特許発明１は、引用発明１に対して公知技術、周知技術乃至技術常識を適用することにより想到容易である。
　
　　カ．平成２６年１２月１１日付け上申書における主張
　請求人は、平成２６年１２月１１日付け上申書で、甲第１号証との関係において、以下のように主張している。
ａ．「口頭審理において、「本件特許発明１が抑制すべきとしているマイグレーションではバリア層の溶出に加え銅層も溶出するのでしょうか？」との請求人の質問に対して」被請求人は『本件との関連性がないので、回答する必要はありません。』と「回答した」が、「請求人の質問事項が本件の争点である「マイグレーションの抑制」の解釈に関連」している。
ｂ．「結語
……本件特許発明１に係る半導体キャリア用フィルムにおいて抑制すべき電極間のマイグレーション現象には銅の溶出が伴うということを捨象し、かつ引用発明１に係る半導体キャリア用フィルムにおいて抑制すべき電極間のマイグレーション現象はバリア層の溶出が先に生じるということを捨象して論じた被請求人の強弁に誤導されることにより、甲第１号証には銅の溶出しか開示されておらず、バリア層の溶出によるマイグレーションが開示されていないと判断することは、誤りである。
　……（中略）……
　本件特許発明１が抑制すべき「マイグレーション」は、本件特許明細書にも明記されているように、バリア層の溶出だけでなく銅の溶出によって生じる現象である。したがって、本件特許発明１の「マイグレーション」がバリア層の溶出によることを理由として甲第１号証記載のマイグレーションとは異なると判断することは、誤りである。」
　
　　キ．本件特許発明２ないし６について
　本件特許の請求項２ないし６に係る本件特許発明２〜６の各構成要素は、特開２００２−２５２２５７号公報に開示された引用発明１に一致し、あるいは引用発明１に対して、甲第２号証、甲第１８号証又は甲第２２号証に記載の技術事項を適用することにより当業者に容易に発明できたものであり、あるいは引用発明１に対して、甲第２乃至２５号証に示されたような周知・慣用技術を適用することによっても当業者に容易に発明できたものである。
　
　　Ｂ．無効理由２に関して
　　ア．引用発明２
　甲第２号証には、以下の発明（「引用発明２」）が開示されている。
「厚さ５０μmの絶縁性を有するポリイミドから成る支持基板１；
　該支持基板１上に形成されたNi-Cr合金層２からなり、厚さ２００ÅのNi-Cr合金層２；
　該Ni-Cr合金層２の上に形成された銅層３及び銅層３上に電解メッキ法で形成した銅層４からなる銅層３、４；
を有する素子搭載用プリント配線基板と、
　前記銅層４に接続された突起電極を有する素子とを備える半導体装置であって、
　前記Ni-Cr合金層２と前記銅層３、４とを所定の配線パターンに形成した素子接合用配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記配線の間において、ラインスペース（配線間距離）が２０μmであり、
　前記素子接合用配線間距離（ラインスペース）が２０μmとなる箇所を有し；
　前記Ni-Cr合金層２におけるCr含有率を１８重量％とし、微細化プリント配線基板の信頼性を高めた半導体装置。」
　
　　イ．本件特許発明１と引用発明２との一致点及び相違点
　引用発明２は、本件特許発明１とは、以下の事項について一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「絶縁性を有するベースフィルム(10)、
　該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層(2)、および
　該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層(3)
を有する半導体キャリア用フィルム(1)と、
　前記配線層に接続された突起電極(22)を有する半導体素子(21)とを備える半導体装置(20)であって、
　前記バリア層(2)と前記配線層(3)とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、
　前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μm以下となる箇所を有し、
　前記バリア層におけるクロム含有率を１８重量％とし、微細化配線基板の信頼性を高めることを特徴とする半導体装置。」
　
（相違点２−１）
　本件特許発明１では、該バリア層の上に形成された導電物の表面にスズメッキが施されているのに対して、引用発明２ではその点が不明である点。
　
（相違点２−２）
　本件特許発明１では、少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍであるのに対して、引用発明２ではその点が不明である点。
　
（相違点２−３）
　本件特許発明１における微細化半導体キャリア用フィルム製品の信頼性は、より詳細にはバリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するという効果である。これに対して、引用発明２においては、微細化プリント配線基板製品の信頼性は、支持基板と銅層との密着強度が高く、微細パターンの形成ができることであり、Ni-Cr合金層２（バリア層）の溶出によるマイグレーションを抑制するという効果が明記されていない点。
　
　　ウ．相違点２−１について
　引用発明２において銅層３、４の表面にスズメッキを施すことは当業者がきわめて容易になし得ることである。
　
　　エ．相違点２−２について
　本件特許発明１で特定された電界強度の数値範囲は周知又は標準的な範囲であるということができ、相違点２−２は容易想到である。
　さらに、本件特許発明１で特定された電界強度の数値範囲は、引用発明２（甲第２号証）を通常の使用環境の下で実施され得る技術事項に過ぎないということができる。
　
　　オ．相違点２−３について
　甲第６号証に開示されているNiの溶出によるマイグレーション及び甲第１号証に開示されているクロム含有率を増加させることによりマイグレーションを抑制するという技術事項を引用発明２に適用することにより、相違点２−３は、当業者に容易想到である。
　或いは、甲第６号証及び甲第１号証等の複数の公知文献に示されているように、マイグレーションがバリア層（＝ニッケル−クロム合金層）の溶出によるものであること及びクロム含有率を増加させることによりマイグレーションを抑制するという技術事項は周知であり、これらの周知な技術事項を引用発明２に適用することにより、相違点２−３は、当業者に容易想到である。
　
　　カ．本件特許発明２ないし６について
　本件特許の請求項２ないし６に係る本件特許発明２〜６の各構成要素は、特開平６−１２０６３０号公報に開示された引用発明２に一致し、あるいは引用発明２に対して、甲第１号証及び甲第３号乃至２５号証に示されたような周知・慣用技術を適用することにより、当業者に容易に発明できたものである。
　
　２．被請求人
　被請求人は、「本件審判請求は成り立たない。審判費用は請求人の負担とする。」との審決を求める。」との審決を求めており、被求人の主張する答弁の理由の概要及び証拠方法は以下のとおりである。
　（１）答弁の理由の概要
　　Ａ．無効理由１に対して
　本件特許発明１は、甲１発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本件特許発明２ないし６は、本件特許発明１を直接または間接的に引用するものであるから、本件特許発明２ないし６も、甲１発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　　Ｂ．無効理由２に対して
　以上のとおり、本件特許発明１は、甲２発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本件特許発明２ないし６は、本件特許発明１を直接または間接的に引用するものであるから、本件特許発明２ないし６も、甲２発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないのである。
　無効理由２についての請求人の主張は、別件判決の既判力に抵触し、紛争を蒸し返すものに他ならない。
　
　（２）証拠方法
　被請求人は、平成２６年８月２９日付け審判事件答弁書とともに、以下の乙第１号証ないし乙第２号証を、写しを原本として提出した。
　
　乙第１号証　　　平成２５年９月３０日判決（平成２４年（行ケ）
　　　　　　　　　第１０３７３号）
　乙第２号証　　　無効２０１２−８００００６号事件の平成２６年６月
　　　　　　　　　２６日付審決
　
　請求人は乙第１号証及び乙第２号証の成立を認めている。
　
　（３）被請求人の主張の要点
　審判事件答弁書、被請求人提出の平成２６年１１月２０日付け口頭審理陳述要領書の内容からして、被請求人の主張の要点は、以下のとおりである。
　　Ａ．無効理由１に関して
　　ア．一致点及び相違点の認定の誤り
　甲第１号証に記載された発明において、パターン形成時の銅の足残りが多くなる問題があると明記されたクロム含有量が１０重量％を超える範囲は、配線回路パターンのエッチング性を低下させているので、実質的にはクロム含有量を１０重量％を超える範囲とすることは除外されている。したがって、本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明とは、クロム含有率が１０重量％を超えた値においてマイグレーションを抑制するという点において一致しないのであり、請求人の主張する一致点は誤りである。
　また、本件特許発明１では、ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることによって、バリア層を形成している成分の水分中への溶出を抑制することができマイグレーションの発生を抑制することができるものであるから、技術的にも一体不可分のものである。よって、本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明との相違点は、「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制すること」が開示されていない点（以下、この相違点を「相違点Ａ」という。）であり、これを２つに分割した請求人の相違点の認定は誤りである。
　
　　イ．相違点の容易想到性について
　本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明のようなクロム含有率３〜１０重量％の範囲内の７重量％であっても、マイグレーションの問題がある事を発見し、その作用機序がバリア層にあることを解明してなされたものであり、かかる課題及び作用機序を認識していない甲第１号証に記載された発明には、本件発明１を想到する動機付けは存在しない。
　また、甲第１号証に記載された発明において、パターン形成時の銅の足残りが多くなる問題があると明記されたクロム含有量が１０重量％を超える範囲は、配線回路パターンのエッチング性を低下させていることから、クロム含有量を１０重量％を超える範囲とすることは実質的に除外されており、当業者は、１０重量％を超えた値とした場合に耐マイグレーション性の向上効果が増大することが確認されるとは予測しないものである。
　したがって、甲第１号証に記載された発明において、相違点Ａに係る構成を採用することは阻害要因が存在し、動機付けがなく、また、甲第１号証に記載された発明において相違点Ａに係る構成を採用することで予測できない顕著な効果が存在するのであるから、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に想到できたものではない。
　よって、本件特許発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　　ウ．本件特許発明２ないし６について
　本件特許発明２ないし６は、本件発明１を直接または間接的に引用するものであるから、本件特許発明２ないし６も、甲第１号証に記載された発明及び甲各号証の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　　Ｂ．無効理由２に関して
　　ア．本件発明１と甲第２号証に記載された発明との間の相違点
　別件審決（乙第２号証）に相違点４として記載されているとおり、本件特許発明１と甲第２号証に記載された発明とは、本件特許発明１は、バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであるのに対し、甲第２号証に記載された発明は、Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率は１８〜９４重量％であるが、バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであるか否か特定されていない点で相違する（以下「相違点Ｂ」という。）。
　
　　イ．相違点Ｂに係る構成の想到困難性
　甲第２号証に記載された発明に接した当業者は、原出願日当時の技術水準に基づき、甲第２号証に記載された発明において本件特許発明１に係る構成を採用することにより、バリア層の溶出によるマイグレーションの発生を抑制する効果を奏することは、予測し得なかったというべきであり、本件特許発明１は容易に想到することができないのである。
　
　　ウ．一致点及び相違点の認定の誤り
　請求人は、「前記バリア層におけるクロム含有率を１８重量％とし、微細化配線基板の信頼性を高めること」を、本件特許発明１と甲第２号証に記載された発明との一致点として挙げるが、この点は一致点ではない。
　また、甲第２号証には、Ｎｉ−Ｃｒ合金層２（バリア層）の溶出によるマイグレーションを抑制するという効果が明記されていない点で、本件特許発明１と相違すると主張するが、かかる相違点は自己に都合良く相違点の内容を変更しており、失当である。
　
　　エ．相違点２−３の容易性について
　甲第１号証、甲第３号証ないし甲第２５号証は、いずれもマイグレーションの発生メカニズムが解明できておらず、その解決手段も見出していなかったのであり、ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を調整することにより、バリア層の表面抵抗率・体積抵抗率を向上させ、また、バリア層の表面電位を標準電位に近くすることによって、マイグレーションの発生を抑制することについて記載も示唆もしていない。
　よって、甲２発明に接した当業者は、原出願日当時の技術水準に基づき、甲２発明において本件発明１に係る構成を採用することにより、バリア層の溶出によるマイグレーションの発生を抑制する効果を奏することは、予測し得なかったというべきであるとして、本件発明１は容易に想到することができないのである。
　
　
第４．甲第１〜２２号証及び甲第２４〜２９号証の記載事項
　１．甲第１号証の記載事項
　甲第１号証（特開２００２−２５２２５７号公報）には、「半導体キャリア用フィルム及びその製造方法」（発明の名称）に関し、図１〜図３とともに以下の事項が記載されている（下線は参考のため当審が付したものである。以下同じ。）。
ａ．「【請求項１】  ポリイミド系フィルムの表面に、厚さ７０〜５００Åのニッケル−クロム合金のスパッタ層及び銅のメッキ層が設けられ、さらにその上に銅層が設けられていることを特徴とする半導体キャリア用フィルム。」
ｂ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体キャリア用フィルム及びその製造方法に関し、詳しくはベースフィルムであるポリイミド系フィルムと銅層との間に、一定厚のニッケル−クロム合金のスパッタ層（シード層）を設けることによって、耐マイグレーション性を向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ＬＳＩ等からなる半導体チップ（電子部品）の実装技術には、チップオンフィルム（ＣＯＦ；Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）等がある
ｃ．「【０００３】ここに用いられるチップオンフィルム基板は、ベースフィルムであるポリイミド系フィルム上にシード層を形成後、銅メッキして得られる２層基材を用いる。
【０００４】従来、銅メッキ法では、成形されたポリイミドフィルム上の密着強化層（シード層）として金属のスパッタ層を形成し、銅メッキ後、電解銅を厚付けメッキして銅を析出させ厚さ８μｍ程度の銅メッキ層を形成し、２層基材を作成していた。このスパッタ層は、金属としてニッケル単体が使用されており、その厚さは３０〜７０Åであった。
　……（中略）……
【０００６】しかし、このような回路基板の電気特性を評価すると、短時間で配線回路パターン間に銅のマイグレーションが生じるという問題があった。液晶ドライバー用ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）では、従来から信頼性確認条件として、８５℃、８５％ＲＨ、ＤＣ６０Ｖ、１０００時間の電圧印加試験を行い、マイグレーションに関する材料評価をしているが、上記のようにして得られた回路基板は、この試験に合格するものではなかった。また、スパッタ層の厚さを６００Åと厚くしても、得られた回路基板は、上記と同様に銅のマイグレーションが生じた。」
ｄ．「【０００７】従って、本発明の目的は、配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法を提供することにある。」
ｅ．「【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体キャリア用フィルム及びその製造方法の実施の形態について詳細に説明する。
【００１２】本発明の半導体キャリア用フィルムの概略断面図を図１に示す。図１に示されるように、
本発明の半導体キャリア用フィルムは、ポリイミド系フィルム１と銅層２の間に、ニッケル−クロム合金のスパッタ層３
が設けられている
【００１３】ポリイミド系フィルム１は、ベースフィルムとして用いられるもので、厚さは３８〜５０μｍのものが一般的に用いられ、具体的にはＫａＥＮ（商品名：東レ・デュポン社製）、ユーピレクス（商品名：宇部興産社製）、アピカル（商品名：カネカ社製）等が用いられる。このポリイミド系フィルムは、表面がプラズマ処理されている。
【００１４】
ポリイミド系フィルム１の表面に設けられたニッケル−クロム合金のスパッタ層３は、その厚さが７０〜５００Å、好ましくは１００〜５００Å、さらに好ましくは１５０〜４００Åである
【００１５】また、
ニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３〜１０重量％であることが望ましい。クロム含有量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる
【００１６】
ニッケル−クロム合金のスパッタ層３の上に設けられる銅のメッキ層４は、その厚さが０．５〜１．５μｍである
【００１７】
銅層２は厚付け銅メッキ層であり、その厚さは５〜１５μｍである
ｆ．「【００２３】
【実施例】以下、実施例等に基づいて本発明を具体的に説明する。
【００２４】〔比較例１〜４〕厚さ３８μｍのポリイミド系フィルム（商品名：ＫａＥＮ、東レ・デュポン社製）の表面をプラズマ処理した後、表面処理面にニッケル単体をスパッタリングにより付着させ、厚さ３０Å（比較例１）、７０Å（比較例２）、３００Å（比較例３）、６００Å（比較例４）のニッケルのスパッタ層をそれぞれ形成した。次いで、その上に銅をメッキ法により付着させ、厚さ１μｍの銅のメッキ層を形成した。さらに、その上に電解銅厚付けメッキによって、厚さ８μｍの厚付け銅メッキ層を形成し、半導体キャリア用フィルム（２層基材）とした。
【００２５】
これらの半導体キャリア用フィルム（２層基材）を使用し、通常の方法によって、銅メッキ層側にフォトレジストを塗布し乾燥後、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の工程により、櫛形電極パターンを形成し、無電解スズメッキを行い回路基板とした
【００２６】エッチングは、２層基材を３５ｍｍ幅にスリットした長尺テープを使用し、フォトレジスト（商品名：ＦＲ−２００、シプレー社製）を塗布後、乾燥し、その後、５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成したガラスフォトマスクで露光し、さらにアルカリ（ＫＯＨ）で現像した。次に、ＨＣｌとＨ２Ｏ２を含む塩化第二銅のエッチングラインで、４０℃、２ｋｇ／ｃｍ２のスプレー圧でエッチングし、
図２に示されるような５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成後、０．５μｍ厚に無電解スズメッキを行った。
【００２７】図２に示されるように、櫛形電極は、負極５ａ及び陽極５ｂの一対で、ポリイミド系フィルム１上に形成される。また、無電解スズメッキは、電解液としてＬＴ−３４（商品名、シプレー社製）を用い、７０℃、約３分の条件で行った。」
ｇ．「【００２８】
〔実施例例１〜３及び比較例５〕厚さ３８μｍのポリイミド系フィルム（商品名：ＫａＥＮ、東レ・デュポン社製）の表面
ニッケル−クロム合金のスパッタ層をそれぞれ形成した。次いで、その上に銅をメッキ法により付着させ、厚さ１μｍの銅のメッキ層を形成した。さらに、その上に電解銅厚付けメッキによって、厚さ８μｍの厚付け銅メッキ層を形成し、半導体キャリア用フィルム（２層基材）とした
【００２９】これらの半導体キャリア用フィルム（２層基材）を使用し、
比較例１と同様にして、図２に示されるようなポリイミド系フィルム１の上に、櫛形電極５ａ、５ｂを形成した
ｈ．「【００３０】実施例１〜３及び比較例１〜５で得られた櫛形電極に、電圧（ＤＣ６０Ｖ）を付加し、恒温恒湿槽（ＦＸ４１２Ｐタイプ、エタック社製）の中に入れて、８５℃、８５％ＲＨの条件で、マイグレーション評価を行った。評価は、電圧負荷状態のまま５分毎に絶縁抵抗値を算出してマイグレーション評価とした。結果を表１に示す。また、比較例１において、２００時間経過後のマイグレーションの発生状態を示す模式平面図を図３に示す。
　……（中略）……
【００３２】表１に示されるように、１５０、３００Åのニッケル−クロム合金のスパッタ層を有する実施例２〜３は、比較例１〜５に比較して、マイグレーション発生の時間が長くなっていることが分かる。また、７０Åのニッケル−クロム合金のスパッタ層を有する実施例１は、７０Åのニッケルのスパッタ層を有する比較例２に比較して、マイグレーション発生の時間が長い。
【００３３】また、図３に示されるように、比較例１では、櫛形電極５ａ、５ｂ間にマイグレーション６の発生が顕著であった。
【００３４】
【発明の効果】本発明の半導体キャリア用フィルムによって、配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させることができる。また、本発明の製造方法によって、上記半導体キャリア用フィルムが経済性をもって、工業的規模で製造できる。」
ｉ．表１には、
・実施例１〜３の「スパッタ層」は、すべて「Ｎｉ−Ｃｒ（５重量％）」の「組成」を持ついこと、
・「スパッタ層厚み」は、実施例１が「７０」Åであること、実施例２が「１５０」Åであること、実施例３が「３００」Åであること、
・「マイグレーション発生時間」は、実施例１が「３００」ｈｒであること、実施例２が「８００＜」ｈｒであること、実施例３が「８００＜」ｈｒであること、
が記載されている。
ｊ．「ポリイミド系フィルム上に形成された櫛形電極の平面図」（図面の簡単な説明）を図示する図２には、櫛形電極の各電極が互い違いに交差する部分では、電極幅と、隣り合う電極間距離は、略等しいことが図示されている。
　
　２．甲第２号証の記載事項
　甲第２号証（特開平６−１２０６３０号公報）には、「プリント配線基板用の銅箔」（発明の名称）に関し、図１〜図４とともに次の事項が記載されている。
ａ．「【請求項１】プリント配線基板用の銅箔において，支持基板と銅層との間に中間層としてＮｉが５at％〜８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層を設けたことを特徴とするプリント配線基板用の銅箔。」
ｂ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線基板用の銅箔に関し、更に詳しくは、配線パターンを形成するためのエッチング処理を容易に行うことが出来、支持基板に対して優れた密着性を有するプリント配線基板用の銅箔に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、プリント配線用の銅箔を被覆するための支持基板としては、
テープ自動ボンデイング（ＴＡＢ）用、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）用には、配線パターンと素子をハンダ付けを必要とする場合は耐熱性の要求性からポリイミド、ポリアミド等の耐熱性の高分子フィルムが、またハンダ付けを必要としない場合はポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムが知られており
ｃ．「【０００５】また、高分子フィルム、セラミック等の支持基板と、その表面に被覆せる銅層との密着性は、その界面に酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）等の脆弱層が発生するために非常に弱く、プリント配線基板に要求される銅層との密着強度１０００ｇ／cmを維持するために通常、支持基板と銅層との間に中間層としてクロム層を設けていた。」
ｄ．「【００１２】しかしながら、クロムは耐食性に優れているから銅層と同じエッチング溶液ではパターンを形成することが出来ず、塩化第２鉄と塩酸との混合液で行うようにしているので、１種類のエッチング溶液で銅箔とクロム層のエッチング処理を連続的に行えず、従って、エッチング処理が２工程となり、しかもクロム層へのエッチング処理は短時間で行わなければならないから、エッチング処理は複雑となるばかりではなく、全体のエッチング処理が長時間となるため、クロム層ｂへのエッチング処理時に既にエッチングされている銅層ｃ，ｄの側壁にオーバーエッチングが進行して配線パターンに欠陥部が生じて断線に至るという問題がある。」
ｅ．「【００１４】本発明はかかる問題点を解消し、１種類のエッチング溶液で配線パターンを形成することが出来、中間層としてクロム層を介在させた場合と同等の密着強度を有するプリント配線基板用の銅箔を提供することを目的とする。」
ｆ．「【００２５】実験例
本実験例では支持基板１上へのＮｉ−Ｃｒ合金層２、銅層３、銅層４の形成を次のように行った。
【００２６】先ず、厚さ５０μmのポリイミドから成る支持基板１をＮｉ−ＣｒカソードとＣｕカソードを２台有する連続巻取式スパッタ装置を備えた真空成膜室内に載置した後、該真空成膜室内を真空ポンプ等を介して真空度１×１０−５Torr以下に設定し、続いて該成膜室内が５×１０−３Torrとなるようにアルゴンガスを導入した。次いで、支持基板１にＤＣマグネトロンスパッタ法で該支持基板１上に厚さ２００Åの図２示すようなＮｉの含有量が異なった種々のＮｉ−Ｃｒ合金層２を形成し、続いて該Ｎｉ−Ｃｒ合金層２上に厚さ２０００Åの銅層３を連続形成した後、該支持基板１を真空成膜室内より取り出した。
【００２７】尚、支持基板１上に形成するＮｉ−Ｃｒ合金層２のＮｉの含有量調整は、Ｎｉ−Ｃｒ合金の組成（ＣｒへのＮｉドープ量）を変化させたターゲットを用いて行い、また、Ｎｉ−Ｃｒ合金層２上に形成する銅層３は９９．９９％の無酸素銅をターゲットとした。
【００２８】続いて、該支持基板１を２０wt％の硫酸銅溶液中に浸漬し、電解メッキ法で銅層３上に厚さ２０μmのメッキ銅層４を形成した後、該支持基板１を電解メッキ槽より取り出し、洗浄処理を行って、中間層としてＮｉ含有量の異なるＮｉ−Ｃｒ合金層を有する各基板用銅箔を作成した。
【００２９】
作成された各基板用銅箔の銅層３，４に配線パターンを形成すべく、常法に従い、レジスト材を塗布して露光し、ラインスペース２０μmのレジストパターンを形成した
【００３０】そして、各基板用銅箔の支持基板１と銅層３，４との密着強度（ｇ／cm）を１８０°反転剥離法（ＪＰＣＡ−ＦＣ０１−４．４に準拠）により測定し、その測定結果を図２に示す。
【００３１】また、配線パターンが形成された各基板用銅箔の断面形状を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、その模式を図３に示した。尚、図３にはＮｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉ含有量が０at％、４at％、５at％並びに８０at％の場合のみを示した。
【００３２】図２から明らかなように、Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉが１at％〜８０at％の範囲で、Ｎｉを全く含まないクロム層のみの場合と同等の密着強度が得られることが確認された。また、図３から明らかなように、Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉが４at％の場合、Ｎｉを全く含まないクロム層の場合は、エッチング処理時に中間層であるクロム層またはＮｉが４at％のＮｉ−Ｃｒ合金層がエッチングされることなくそのまま残渣として残存するが、Ｎｉが５at％、８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層はエッチング時に、その上に形成されている銅層と一緒に除去されて配線パターンが確実に形成出来ることが確認された。
【００３３】前記の如く、本発明の中間層としてＮｉが５at％〜８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層を有する銅箔は、１０００ｇ／cmの高い密着強度を有し、かつ１種類のエッチング溶液で配線パターンを確実に形成することが可能となり、プリント配線基板の配線パターン形成の際、工程の簡略化、製品の歩留まりアップ、コストの削減に大きく寄与出来る。」
ｇ．図３には、Ｎｉ＝０at％（従来の銅箔）、Ｎｉ＝４at％、Ｎｉ＝５at％及びＮｉ＝８０at％の４つの場合について、それぞれエッチング処理後の模式図が示されている。
　同図から、Ｎｉ＝０at％及び４at％の場合、支持基板上のＮｉ−Ｃｒ合金が除去しきれず、銅層間に残存していることが、図示されている。
　また、Ｎｉ＝０at％の模式図中に記載された所要の寸法によれば、銅層の配線幅が２０μｍであること、また、隣り合う銅層の配線間の距離が２０μｍであることが見て取れる。
　
　３．甲第３号証の記載事項
　甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「ＬＣＤパネルの高精細化とドライバＩＣパッケージの動向」を示す第２頁（右上の頁数。以下、同じ。）に描かれた「ＣＯＦ」の配線ピッチ（μｍ）の推移によると、2001年ごろの「ドライバＩＣパッケージ」の「配線ピッチ」は「４４μm」である。
ｂ．「ＬＣＤドライバ用ＴＣＰ／ＣＯＦテープの比較」を示す第３頁の右上には「ＣＯＦ」の構造図が示されている。そこでは、「ＰＩ」フィルムの下方にある「ＩＣ」の「金バンプ」が、上方の前記「ＰＩ」フィルム上の「インナーリード」に接続されることが示されている。
ｃ．「ＣＯＦテープの種類と仕様例」を示す第６頁の「めっきの種類」の欄には、「大型ＬＣＤパネル用」及び「携帯機器用」とも、『無電解Ｓｎめっき』と記載されている
ｄ．「ＣＯＦ２層テープの絶縁信頼性試験結果」を示す第２１頁には、「評価パターン：櫛形電極、Ｌ／Ｓ＝２５／２５μｍ」と、「試験条件：８５℃／８５％ＲＨ、ＤＣ５５Ｖ印加」と記載されている。
ｄ．「基板・パッケージの長期絶縁信頼性における主な劣化要因」を示す第２０頁の表には、「環境条件」を「要因」として、「電気化学的腐食反応の促進」及び「イオン(銅)マイグレーション」が生じることが記載されている。
　
　４．甲第４号証の記載事項
　甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．第８頁の「ノートＰＣ／ＰＣモニタ用ＴＦＴ液晶ドライバ」の頁には、様々な液晶ドライバの仕様が示されており、「ソースドライバ（ドット反転駆動＊１）」の液晶ドライバの「液晶駆動電圧(Ｖ)ＭＡＸ」は１２〜１５Ｖの範囲にあることが記載されている。
　そして、前記液晶ドライバのうち、例えば、出力数が４８０ピンである型名「ＬＨ１６８Ｖ」の液晶ドライバの「液晶駆動電圧(Ｖ)ＭＡＸ」は「１３」Ｖであることが示されている。
ｂ．第１１頁の「液晶ドライバパッケージ技術」の頁の右上には、「ＳＯＦ（System On Film）」の「断面構造」が示されている。そこでは、上方にある「ベアチップ」の「金バンプ」が下方の「フィルム」の「銅配線パターン」に接続されていることが描かれている。
　また、同頁の第３行には、「お客様の用途に応じてパッケージタイプをＴＣＰ、もしくはＳＯＦよりご選択いただけます。」と記載されている。
　さらに、同頁左欄中程の「ＴＣＰ例」として、「超多ピン・ファインピッチＴＣＰ」には、「４８０出力（パッドピッチ５０μｍ…）」と記載されている。
　
　５．甲第５号証の記載事項
　甲第５号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．第９５頁の表２には、２００１年及び２００２年における「Ｔ−ＣＯＦ」の「インナーリードピッチ」は、それぞれ、「４０／（３０）μｍ」及び「３０／（２０）μｍ」であることが記載されている。
　
　６．甲第６号証の記載事項
　甲第６号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「近年，モバイルコンピュータや携帯電話に代表される電子機器は小型化・軽量化が急速に進められている．それに伴い，プリント配線板のファインパターン化が推進され，バイアス電圧が低いにも関わらず，高電界強度による絶縁層への負担が増している．このため絶縁信頼性が重要視されている．特に，隣接配線間においてイオン化した金属が絶縁間隙を移行・析出するイオンマイグレーション（Ionic Migration, 以下ＩＭと称する）現象による絶縁劣化は，製品寿命を律速し電子機器の著しい信頼性低下を招いている」（第５２９頁左欄第２〜１１行）
ｂ．「吸湿防止のための樹脂塗膜が有効であると考えられる……ＩＭ抑制のため樹脂コーティングを施し、狭ピッチでの耐ＩＭ性の評価試験を実施し……具体的には、電極間隙が２０〜５０μｍの狭ピッチにある櫛形銅電極に樹脂コーティングを施し…（中略）…電機抵抗値測定ならびに試験片表面状態に観察により，狭ピッチにおける電子機器の絶縁信頼性確保に寄与する知見を得ることを本研究目的とする．」（第５２９頁右欄第１８行〜第５３０頁左欄第６行）
ｃ．「　　２　イオンマイグレーション現象
　ＩＭ発生原理の基本は電気化学反応に基づく電極金属のイオン化である．電解質（多くの場合は水）を介した二つの電極間に直流電圧が印可されると陽極から電極の金属イオンが溶出する．溶出した金属イオンは電界の作用により電解質中を陰極に向かって移行するが，その間に酸化・還元反応を繰り返しながら金属の水酸化物あるいは酸化物を経て金属として析出する．銅の電気化学反応は以下のように示される．陽極では，
　　　　　Ｃｕ→Ｃｕ２＋＋２ｅ−　　　　(1)
　　　　　Ｈ２Ｏ→Ｈ＋＋ＯＨ−　　　　　(2)
といった電気化学反応を示し，溶出したＣｕ２＋が陰極へ移動する．陰極では，
　　　　　……（中略）……
　　　　　Ｃｕ２＋＋２ｅ−　→Ｃｕ　　　 (7)
により銅が析出する．」（第５３０頁左欄第７〜２５行）
ｄ．「３　耐イオンマイグレーション性評価試験方法
　３．１　試験片作成
　本研究で用いた試験片の形状をFig.１に示す．電極としてはＣｕを用いた櫛形電極，基板としては耐熱性・耐薬品性・寸法安定性に優れフレキシビリティが高いポリイミド基板を用いている．試験片の作成手順は，以下の通りである．ポリイミドフィルムにFig.１(ｂ)に示すＮｉ−Ｃｒ接着層をおよそ７ｎｍ程度蒸着した後，銅めっきを施し，ポリイミドと銅箔のテープを作成する．次にフォトリソグラフィによって配線パターンを形成し，エッチング処理により櫛形電極を作成する．櫛形電極の電極幅／電極間隙について，Ｌ／Ｓ＝２０／２０，３０／３０，５０／５０(μｍ／μｍ)の３水準を用いた．なお，エッチング後は試験片に洗浄を施して残渣を除去し，デシケータ内において室温・乾燥状態で管理した．したがって，マイグレーションに及ぼす残渣の影響は無いものと考える．」と記載されている。（第５３０頁左欄第３２〜４７行）
ｅ．「コーティング材の膜厚については…（中略）…Ｌ／Ｓ＝３０／３０μｍにおける膜厚をＣＣＤマイクロスコープにより計測した結果をFig.２に示す．基板からの膜厚は平均で１０μｍ前後であり，銅電極とほぼ同程度の厚さに塗布されていることが確認される．」（第５３０頁右欄第７〜１３行）
ｆ．「試験システムの構成は…（中略）…試験片に直流電圧を印可し，その電圧を利用して櫛型電極部の絶縁抵抗値を連続的に測定し，抵抗値の時刻歴変化を調査する．試験後は，ＩＭの状況を詳細に調査するため，試験片の表面観察を行う．」（第５３１頁左欄第７〜１３行）
ｇ．「３・３試験条件
　Table１は試験条件である．…（中略）…印可電圧について一般的なプリント配線板の信頼性試験では３〜５Ｖ程度が使用されるが，加速のため２０Ｖとしている．試験片数は櫛形電極のＬ／Ｓの各水準（２０／２０，３０／３０，５０／５０μｍ)について各々３本であり，また，比較のためコーティングを施していない試験片(Ｌ／Ｓ＝２０／２０μｍ)も１本準備した．」（第５３１頁左欄第１４〜２２行）
ｈ．「しかしながら今回の試験では，１０００時間後においていずれの試験片においても１０７Ωを下回る絶縁抵抗低下は確認できなかった．」（第５３１頁左欄の下から３行目〜末行）
ｉ．第５３１頁左欄のTable 1. には、“Test condition”として、
　「Temperature　　 ８５℃
　　Humidity　　　　８５％ＲＨ
　　Voltage　　　　 ２０Ｖ」
と記載されている。
ｊ．「いずれの試験片においても１０７Ωを下回る絶縁劣化または急激な劣化が確認されなかったが，表面観察によれば全ての試験片で析出物が確認されている．したがって，従来のＩＭ評価法で実施されている絶縁抵抗値の変化のみでＩＭの初期段階を検出することは適切ではないと考える．」（第５３１頁右欄第４行〜第５３２頁左欄第２行）
ｋ．「コーティングを施した試験片では，Ｌ／Ｓ比がより狭ピッチに進むにつれ，針状からデンドライト状へと移行しており，狭ピッチ化に伴うＩＭの成長促進が確認できる」（第５３２頁左欄第５行〜同頁右欄第２行）
ｌ．「また，ＩＭによる析出物はＣｕだけでなく，Ｎｉも関与している．そこでＥＰＭＡによる面分析を行った結果をFig.８に示す．Ｃｕ電極とポリイミド基板との密着性向上のためのＮｉ−Ｃｒ層からＮｉが溶出したと考えられる．過去にも，集積回路の気密封止パッケージにおいて，Ｎｉのデンドライト状析出物の確認が報告されている．一般にＮｉは耐ＭＩ請求項が良好であるとされているが，本試験結果より狭ピッチにおいてはＮｉ−Ｃｒ層等の界面処理についても注意が必要であると考える．」（第５３３頁左欄第１〜９行）
ｍ．「６　結語
　……（中略）……
　ＩＭを析出物の発生と進展の２つに大別して考えると，従来の耐ＩＭ性評価試験方法では，電気抵抗のみの計測により析出物進展後の電極間の短絡を間接的に評価している．しかしながら，ＩＭによって発生する析出物が電極間をブリッジすることにより，初めて絶縁抵抗の低下が検知されるため，析出物の発生から成長における進行過程を把握することが劣化寿命予測において重要である．特に，狭ピッチでの実験結果のように，ＩＭが発生しているにも関わらず絶縁抵抗はそれほどの低下を示さないことから，絶縁抵抗値の変化のみでＩＭの初期段階を検出することは適切ではないと考える．」（第５３３頁右欄第１５〜２４行）
　
　７．甲第７号証の記載事項
　甲第７号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「ＣＯＦ材料の製法にはカプトンやユーピレックスなどの基材にニッケルやクロムを蒸着し（厚さは１００Å前後），これをシード層として，その上に銅めっきを行うスパッタ方式…（中略）…がある（図１）．」（第５８頁右欄第１６〜２０行）
ｂ．「スパッタ材はエッチングだけでは銅の下のニッケルやクロムのシード層を完全に除去できないことがある．特にファインピッチになるとその部分は残りやすく，無電解すずめっき仕上げの場合，この部分からすずの異常析出が起こりやすい（図６）．またウィスカの発生もよりおおくなることがわかっている．このシード層の残りはマイグレーション発生の原因にもなり，電機特性上も好ましくない．よってシード層の除去剤などで適切な処理をする必要がある．なお，電解金めっき仕上げの場合もスパッタ材はシード層が溶け出し細線ではパターン剥がれを引き起こすことがあるので注意が必要である．」（第５９頁右欄第１７行〜末行）
　
　８．甲第８号証の記載事項
　甲第８号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「６．１．１　電子材料の腐食メカニズム
　電子材料の腐食は，水溶液中での腐食と同様に水と酸素の存在下で電気化学的に生じる．」（第８４１頁右欄第４〜６行）
ｂ．「図６．１に電子材料に特徴的な腐食メカニズムを示す．銅，銀などではアノードで溶出した金属イオンがカソードに移行，還元，再析出し，デンドライト成長が起こる。これがメタルマイグレーションで，短絡・絶縁不良を起こす。」（第８４１頁右欄第１６〜２０行）
ｃ．第８４２頁の「表６．１　主な電子材料で問題となる腐食損傷」である「損傷」には、「皮膜形成（接触不良）」、「クリープ（接触不良）」、「マイグレーション（短絡，絶縁不良）」及び「環境劣化（機構不良，断線）」があること、前記「環境劣化（機構不良，断線）」により起こる事象に「孔食」があることが記載されている。
ｄ．「６．１．３　電子部品の腐食防止技術
　前述したように，電子材料の腐食は水分，塵埃，腐食性ガスが共存する環境下で進行する．したがって雰囲気からの水分や腐食性ガスの除去，および塵芥や水分の電子部品内への浸入を遮断することが有効である．さらに耐食材料を使用することにより腐食損傷を低減することが期待できる．」（第８４６頁右欄第２１〜２６行）
　
　９．甲第９号証の記載事項
　甲第９証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「ニッケル−クロム合金
　…（中略）…ＮｉにＣｒを添加していくと，○１電気抵抗が急増するがその温度変化は小さい，○２耐酸化性・耐食性が向上する，○３純Ｎｉに対する熱起電力が急増する，などの変化がおこる．」（第５１３頁右欄第１〜７行、○１〜○３は、それぞれ、丸付き数字を示す。以下同じ。）
　
　１０．甲第１０号証の記載事項
　甲第１０号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「耐食合金……酸化，硫化などのガス反応や，電解液による電気化学的溶解作用などの腐食作用を受けにくい合金の総称．金属材料の耐食性は，材料固有の性質のほかにも雰囲気条件，表面条件，使用条件などに左右されやすい．健全な保護皮膜の形成（→不動態），均一な組織，均一な応力分布，異種材料との電気化学的接触をさけることや湿度の調節などは特に重要な事項である．耐食合金としては，鋼材ではステンレス鋼，銅合金ではCu-Ni系，Cu-Al系，アルミニウム合金では，Al-Mg系,Al-Mn系，Al-Si系など，ニッケル合金ではニクロム，モネルメタルがある．」（第７８５頁右欄第１０〜２１行）
　
　１１．甲第１１号証の記載事項
　甲第１１号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００５】本発明は上記の問題に着目して、電子回路基板上のハンダ表面に、絶縁体で水に難溶な不動態皮膜を形成することにより、マイグレーションの発生を防ぐ」
　
　１２．甲第１２号証の記載事項
　甲第１２号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「３．１．１　環境の酸化性と腐食
　環境の酸化性が高くなれば金属の腐食は起こりやすくなることが一般的である．ところが，ある種の金属は酸化性がある程度以上強くなるとかえって腐食が起こらなくなってしまうことがある．このようなときに、その金属は不動態（passivity）になったという．……不動態になりやすい金属としては、Ｆe，Ｎi、Ｃr……などがある。」（第２０１頁第３〜９行）
ｂ．「３．１．２　鉄の不動態の合金成分添加による変化
　……Ｃr ％が増すとともに不動態化電位Ｅｐは低く……不動態は起こりやすくなっていて，酸化性のさほど強くない環境中でも不動態化することがわかる．……中性からpＨ＝０くらいまでの多くの環境中ではＣr 12〜14％以上で自己不動態化するようになる．」（第２０２頁第２３〜３５行）
ｃ．「これに対してＮｉは不動態化する電位はＦｅと似たようなものであるが，山の高さはＦｅの１０分の１以下で不動態化しやすい．ＦｅやＮｉに比べてＣｒは不動態化電位ははるかに低く，山も低いのであるから弱い酸化力でも容易に不動態化するうえに，不動態になってからの保持電流もＦｅやＮｉの数百分の一で，きわめて安定な不動態を生じる。…またＣｒを18％に増やせばさらにその程度が大きくなる」（第２０４頁第１８〜２４行）
　
　１３．甲第１３号証の記載事項
　甲第１３号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．第２８２頁の「Ｎｉ−Ｃｒ合金の比抵抗」と題する図５・１７には、「比抵抗（μΩ・cm）」は、Ｃｒ７％ではおおよそ６０μΩｃｍであるのに対して、Ｃｒ１５〜５５％の範囲では９０μΩｃｍ以上であることが図示されている。
　
　１４．甲第１４号証の記載事項
　甲第１４号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「１．　電圧加速
　……
　ガラスエポキシ樹脂のプリント配線板で、
　　実使用印可電圧：　５Ｖ
　　試験印加電圧　：２０Ｖ」（第５９頁第４〜１０行）
ｂ．「２．　温度加速
　……
　たとえば、銅導体を使用して、
　　実使用環境温度　　　：　ｔ１＝５０℃
　　試験温度　　　　　　：　ｔ２＝６０℃」（第５９頁第１７〜２７行）
ｃ．「３．　湿度加速
　……
　ガラスエポキシ樹脂のプリント配線板で1)式を適用した場合、
　　実使用環境温度　：　Ｈ１＝５０％
　　試験湿度　　　　：　Ｈ２＝８５％」（第６０頁第４〜１５行）
　
　１５．甲第１５号証の記載事項
　甲第１５号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「エレクトロケミカルマイグレーションは，Fig.１に示すように，電極金属が溶解，イオン化し，陰極へ向かって移動，析出する現象である．……このように，マイグレーションは電極表面における電荷授受による電気化学反応に結果として，電極材料が析出することになる．この電荷授受は与えられた電界内において，電位勾配とそこに流れる電流により求めることができる．」（第１４６頁右欄下から第５行〜第１４７頁左欄第１７行）
ｂ．「陰極エッジ部からマイグレーションが発生(a)・成長(b)し，短絡(c)に至るようになる．」（第１４８頁左欄下から第１４〜１３行）
ｃ．「このマイグレーション発生時点の評価方法としては、光学的観察の他に絶縁抵抗値、誘電特性などの測定によるものもある。」（146頁右欄第３〜５行）
　
　１６．甲第１６号証の記載事項
　甲第１６号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「イオンマイグレーションは，水を介した電気化学反応と考えられ，測定中に結露や水滴の飛散などによりプリント配線板に水滴が付着した場合，イオンマイグレーションは急速に進展する。」（第２３９頁右欄下から第２行〜第２４０頁左欄第２行）
　
　１７．甲第１７号証の記載事項
　甲第１７号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、導電性、強度、耐熱性、耐マイグレーション性および半田耐熱剥離性に共に優れたフィルムキャリア用銅合金箔を開発すべく研究を行なった結果、
（１）Ｆｅ：０．０３〜０．２５重量％、
Ｐ：０．０１０〜０．０８０重量％、
Ｐｂ：０．０００５〜０．０１０重量％、
を含有し、残りが銅および不可避不純物からなる組成をする銅合金……は８０％ＩＡＣＳ以上の導電率があり、上記電解純銅箔および圧延純銅箔に比べて、強度、耐熱性、耐マイグレーション性および半田耐熱剥離性に優れているという知見を得たのである。」
ｂ．「【００２６】……光学顕微鏡により観察し……腐食およびＣｕの樹枝状成長が少し生じているものを耐マイグレーション性あり…と区別して評価した。」
　
　１８．甲第１８号証の記載事項
　甲第１８号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．“Adhesiveless Copper on Polyimide Substrate with Nickel-Chromium Tiecoat”（title）
ｂ．“In this work,characteristics of copper on polyimide substrates with nickel-chromium tiecoat are investigated.”（第１頁第１１〜１２行、訳：本研究では、ニッケル−クロムタイコートを備えた銅ポリイミド基板の特性を調査する。）
ｃ．“Target materials were copper (99.99+ % Cu) and nickel-chromium (79.9+ % Ni, 20.0+ % Cr).”(第２頁左欄第１４〜１６行、訳：対象である材料は、銅(99.99%Cu)とニッケル−クロム(ニッケル79.9%,クロム20.0%)であった。)
ｄ．“As with monel, NiCr can be etched in a single process using cupric chloride. However, the NiCr is slightly less readily etched as compared to monel. Adjusting and maintaining a slightly higher acid level, about 60g/L HCl, is recommended.”（第５頁右欄第５〜９行、訳：モネル(審決注；ニッケルと銅を主体とする耐食性合金)におけると同様に、塩化第２銅水溶液を用いた単一の工程でニッケル−クロム合金もエッチングできる。しかしながら、ニッケル−クロム合金はモネルに比較してわずかにエッチングしにくい。酸性度を調整してわずかに高めた酸性度（約60g/L 塩酸）に維持することが推奨される。）
ｅ．“The NiCr tiecoat acts as a barrier between copper and polyimide and reduces adhesion loss after thermal aging as compared to no tiecoat.”（第５頁右欄第２２〜２４行、訳：ニッケル−クロムタイコートは、銅とポリイミドとの間でバリアとして機能し、タイコート不存在の場合に比較して熱エイジング後の接着性損失を減少させる。）
　
　１９．甲第１９号証の記載事項
　甲第１９号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「本発明は、Ni−Cr合金の製造法、特に耐食性にすぐれたNi−Cr合金の製造法に関する。
　Ni−Cr合金、例えばAlloy600(75Ni−15Cr−Fe)、A11oy690(60Ni−30Cr−Fe)等は原子力プラント、あるいは化学プラント等の圧力容器やその付属品の材料として使用される。」（第１頁下右欄第２〜７行）
ｂ．「Niは耐食性を向上させるに有効な元素であり、特にCl-を含む高温水におけるSCC性(耐応力腐食割れ性)を改善させる。このためNiは50％以上が必要。一方、80％を越えるとその効果は飽和し、添加できるCr量が制限を受けるもので80％以下とした。
　……（中略）……
　Crは耐食性向上に必須の元素である。15％未満ではその効果は少ない。一方、35％を越えると熱間加工性が著しく劣化する。」（第２頁下左欄第１１〜２０行）
　
　２０．甲第２０号証の記載事項
　甲第２０号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「ニッケルにクロムを加えると，HNO3，H2CrO4などの酸化性環境における耐食性が生じる。H2SO4中でアノード分極した時の不動態化の臨界電流密度から求めたクロムの最少必要量は14wt％である……重要な市販の耐熱合金の一つに，20％Cr-80％Niの組成をつものがある」（第３７１頁第２〜７行）
　
　２１．甲第２１号証の記載事項
　甲第２１号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「本研究は，Ni-Cr系合金の耐食性を総合的に検討するためにNi-Cr二元合金を作製し，Cr量と耐食性との関連を明らかにするとともに，このNi-Cr二元合金にMn,Si,CuおよびMoを添加した三元合金を作製し，これらの合金からのNi溶出量および電気化学的腐食挙動の測定を行ない，添加元素と耐食性との関連について明らかにした．」（第４５６頁右欄第７〜１３行）
ｂ．「浸漬には，インキュベータ（大洋工業社製Ｍ-100N）を使用し，浸漬温度を37±１℃に保持して毎分70回振盪を行ない10週間浸漬した．実験期間中浸漬溶液を１週間ごとに交換し，１週間に溶出したNi量を測定し，これを積算して10週間後のNi総溶出量を求めた．
　Ni溶出量は，Ni濃度1,000ppmの標準溶液（和光純薬工業社製，Lot　ALJ　8927）を希釈しO.1,0.2,0.5および1.Oppmの溶液を作製し，検量線法により算出した．
　測定には，原子吸光フレーム分光光度計（島津製作所製ＡＡ-630-11）を使用した．」（第４５７頁右欄第３行〜第４５８頁左欄第４行）
ｃ．「１．　Ni溶出試験
　1.1　リンゲル液中におけるNi溶出量
　Table3.4およびFig.１〜11は，Ni-Cr二元合金および三元合金をリンゲル液中に10週間浸漬した場合のNi溶出量を示したものである．
　Tableの上段には、１週間のNi溶出量を積算したNi溶出量の平均値を示し，下段には，その標準偏差を表した．
　Fig. 12〜14には，Ni-Cr二元合金および三元合金を10週間リンゲル液中に浸漬した後のNi総溶出量と合金組成との関係を示した．
　1.1.1　Ni-Cr二元合金
　Fig.１〜３に見られるように，Cr量5.5wt％以下の合金のNi溶出量は，浸漬時間とともに増加し，ほぼ直線的に増加していく傾向を示した．
　Cr量10.8〜21.0wt％の合金のNi溶出量は，浸漬６週間までは比較的少ないが，６週間から増加する傾向が見られた．
　一方，Cr量26.3wt％以上の合金のNi溶出量は，他の合金と比較してきわめて少なかった．
　Fig.12に見られるようにCr含有量の違いによる浸漬10週間後のNi総溶出量を比較してみると，Cr量5.5wt％以下の合金のNi総溶出量は，Cr量10.8〜21.0％の合金のおよそ10倍の値を示し，Cr量26.3〜39.8％の合金のおよそ100倍の値を示した。
　このように，Cr含有量の多い合金程Ni溶出量は減少し，Cr量5.5wt％と10.8wt％および21.0％と26.3wt％の合金では，Ni総溶出量に大きな差が認められ，リンゲル液におけるNi-Cr二元合金からのNi溶出傾向は，Cr量.5.5wt％以下，10.8〜21.0wt％および26.3〜39.8wt％の合金の３つのグループに分類することができた。」（第４６０頁左欄第３行〜第４６１頁右欄第３行）
ｄ．「1.2　１％乳酸溶液中におけるNi溶出量
　リンゲル液中におけるNi溶出試験において，Ni溶出が多く認められたCr量21.0wt％以下の合金およびNi-5％Cr系三元合金において，Ni溶出の減少傾向の認められた合金について，Crの臨界濃度および添加元素の影響をリンゲル液の場合と比較するため，１％乳酸溶液に１週間浸漬した後のNi溶出量を測定した．
　1.2.1　Ni-Cr二元合金
　Table５およびFig.１にCr量21.0wt％以下のNi-Cr二元合金からのNi溶出量を示した．
　Cr量5.5wt％の合金からのNi溶出量は，純Niからの溶出量よりも多く認められた．しかし，Cr量10.8wt％ 以上の合金では，Cr量の増加にともないNi溶出量が減少した．リンゲル液に浸漬した場合は，Cr量10.8wt％から21.Owt％の合金の間にほとんど差が認められなかったが，１％乳酸溶液ではこの間に明らかな差が認められ，Cr量10.8wt％，15.7wt％および21.Owt％の合金からのNi溶出量は……Cr量の増加にともなってNi溶出量が減少した．」（第４６３頁左欄第２０行〜第４６３頁右欄第１８行）
ｅ．「２．　自然電極電位
　2.1　NiCr二元合金
　Table６およびFig.17に，Ni-Cr二元合金の37℃リンゲル液中における24時間後の自然電極電位の測定結果を示した．
　純Niの自然電極電位は，実験に使用した29種合金中最も卑な値を示し，次いでCr量5.5wt％の合金が卑な電位を示した．
　Cr量10.8〜39.8wt％の合金の場合は，Cr量5.5wt％の合金の電位よりも貴な側に移行する傾向が見られたが，本実験におけるCr量の範囲ではCr量の違いによる自然電極電位の変化はほとんど認められなかった．」（第４６４頁右欄第１〜１１行）
ｆ．「４．　試料表面の観察
　Fig.29〜32は，Ni溶出試験において，浸漬前と10週間リンゲル液中に浸漬した後のNi-Cr二元およびNi-Cr-M三元合金の試料表面の反射電子像（組成像） を示したものである．
　Fig，29 に示したようにCr量5.5wt％の合金では，浸漬10週間後に孔食が認められたが，Cr量21.Owt％および39.8wt％の合金には変化が認められなかった．」（第４６８頁右欄第１５〜２２行）
　
　２２．甲第２２号証の記載事項
　甲第２２号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【特許請求の範囲】
  １．プラズマ処理された表面を有するポリマーフィルムと、
  該プラズマ処理された表面に付着した、ニッケルまたはニッケル合金を含むニッケルタイコート層と、
  該ニッケル層に付着した銅シードコート層と、
を含む、無接着剤フレキシブルラミネート。」（第２頁第１〜６行）
ｂ．「ニッケルタイコート層は、ニッケルまたはニッケルベース合金により形成される。合金に用いられる金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ，Ｍｎ，Ｃｏおよびこれらの２以上の混合物からなる群より選択される。好適な合金用金属は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｖ、ＴｉおよびＣｒを含む。ニッケルタイコート層は、約３０〜約５００オングストロームの範囲の厚みを有し、一つの実施の形態においては約５０〜約３００オングストロームの範囲の厚みを有する。」（第９頁第１０〜１７行）
ｃ．「工程（Ｂ）において、堆積すべき金属は、ＮｉまたはＮｉベースの合金である。有用な合金用金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、およびこれらの２つ以上の組み合わせである。好適な合金用金属は、Ｃｕ、Ｆｅ、ＣｒおよびＶを含む。特に有用な市販されているＮｉ合金は、Monel（約６７％Ｎｉ、３０％Ｃｕ）、Inconel約（７６％Ｎｉ，１６％Ｃｒ、８％Ｆｅ）……（約８０％Ｎｉ,２０％Ｃｒ）、（約６０％Ｎｉ、２４％Ｆｅ、１６％Ｃｒ）、（約３５％Ｎｉ、４５％Ｆｅ、２０％Ｃｒ）、（約４５％Ｎｉ、５５％Ｃｕ）などを含む。」（第１３頁第５行〜第１４頁第３行）
ｄ．「工程（Ｂ）および（Ｃ）に関連して上記のＰＶＤおよびＣＶＤの両方の蒸着技術はまた、本発明の方法の工程（Ｄ）にも適用される。但し、工程（Ｄ）において堆積される銅層は、上記のように約７０μｍまでの厚みを有する。
　本発明の方法の工程（Ｄ）において生成される銅層が一旦形成されると、回路パターンを形成することによりプリント回路基板が形成され得る。パターンは、銅を選択的に除去してパターンを残すためにレジストとエッチャント浴が用いられるエッチングプロセスにより形成され得る。」（第１５頁第１５〜２１行）
ｅ．「本発明のフレキシブルラミネートは、従来の技術に対して多くの利点を有する。これらは、初期の良好な付着、熱または化学物質に曝した後の良好な付着、エッチング可能なタイコート層、良好な寸法安定性、および均一な付着を含む。」（第２２頁第３〜５行）
　
　２３．甲第２４号証の記載事項
　甲第２４号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「本研究目的は，ＩＭ抑制のため樹脂コーティングを施し，狭ピッチでの耐ＩＭ性の評価試験を実施し，そのコーティング材の特性評価を行うことにある．」（第１頁第１２〜１３行）
ｂ．「２．イオンマイグレーション現象
　ＩＭ発生原理の基本は電気化学反応に基づく電極金属のイオン化である.電解質（多くの場合は水）を介した二つの電極間に直流電圧が印可されると陽極から電極の金属イオンが溶出する．溶出した金属イオンは電界の作用により電解質中を陰極に向かって移行するが，その間に酸化・還元反応を繰り返しながら金属の水酸化物あるいは酸化物を経て金属として析出する．」（第１頁第１７〜２１行）
ｃ．「本研究で用いた試験片の形状をFig.１に示す．電極としてはＣｕを用いた櫛形電極，基板としては耐熱性・耐薬品性・寸法安定性に優れフレキシビリティが高いポリイミド基板を用いている．Ｎｉ−Ｃｒ層は基盤と電極の密着性向上を目的としている．」（第１頁下から２行〜第２頁第１行）
ｄ．「また，ＩＭによる析出物はＣｕだけではなく，Ｎｉも関与している．そこで，EPMAによる面分析を行った結果をFig.６に示す．Ｃｕ電極とポリイミド基板との密着性向上のためのＮｉ-Ｃｒ層からＮｉが溶出したと考えられる．過去にも，集積回路の気密封止パッケージにおいて，Ｎｉのデンドライト状析出物の確認が報告されている」（第４頁第７〜９行）
　
　２４．甲第２５号証の記載事項
　甲第２５号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「水が電気分解する理論電圧以下の１ＶＤＣ付近でも銅イオンは溶出するが、電圧が高いほど、銅イオン溶出量が増加する。……環境試験中におけるプリント配線板からの金属イオンの溶出は、印加電圧や水の吸着が加速要因であると考える。」（第４頁左欄第１３〜１８行）
ｂ．「ＩＭ発生は金属イオンの溶出、拡散と還元過程からなり、印加電圧およびｐＨなどの影響を受ける。図１０に銅イオンマイグレーションの発生メカニズムを示す。
　環境試験中の絶縁抵抗変化およびＩＭ発生の関係を図１１に示す。絶縁抵抗値の変化は、○１抵抗値の上昇過程（水の吸着と電気分解による金属イオン溶出、図10、反応１と２）、○２抵抗値安定過程（金属イオン溶出と拡散、図10、反応３）、○３抵抗値の低下と短絡（金属イオンの還元、図10、反応４）の３過程からなると考察される。」（第５頁左欄第６行〜第５頁右欄第７行）
　
　２５．甲第２６号証の記載事項
　甲第２６号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「腐食……
さまざまな材料，とくに金属材料が使用環境との化学反応によって表面から金属でない状態になって失われていくことをいう.……常温付近では水分を伴う条件下での腐食(湿食)が問題になる．この場合，水中に含まれる酸化剤(水素イオン，溶存酸素)が金属表面で還元され，それと当量だけ金属がイオン化(酸化)して失われる.」（第1171頁の「腐食」）
　
　２６．甲第２７号証の記載事項
　甲第２７号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「腐食（corrosion）金属材料が環境と反応して酸化消耗する（さびる, rusting）現象.」（第1988頁の「腐食」）
　
　２７．甲第２８号証の記載事項
　甲第２８号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「ふしょく　腐食……金属が純科学的反応または電気化学的反応によって変質破壊される現象.」(第８０２頁の「ふしょく　腐食」)
　
　２８．甲第２９号証の記載事項
　甲第２９号証には、以下の事項が記載されている。
ａ．「金属の腐食（corrosion）とは,金属が周囲の環境によって化学的あるいは電気化学的に侵食されることである。」（第１８７頁第１〜２行）
　
　
第５．当審の判断
　Ａ．無効理由１について
　Ａ１．甲第１号証に記載された発明
　ア．第４．１．ｅ．で摘記した、段落【００１２】の「本発明の半導体キャリア用フィルムは、ポリイミド系フィルム１と銅層２の間に、ニッケル−クロム合金のスパッタ層３……が設けられている。」、段落【００１４】の「ポリイミド系フィルム１の表面に設けられたニッケル−クロム合金のスパッタ層３は、その厚さが７０〜５００Å、好ましくは１００〜５００Å、さらに好ましくは１５０〜４００Åである。」、段落【００１６】の「ニッケル−クロム合金のスパッタ層３の上に設けられる銅のメッキ層４は、その厚さが０．５〜１．５μｍであることが好ましい。」及び段落【００１７】の「銅層２は厚付け銅メッキ層であり、その厚さは５〜１５μｍであることが好ましい。」という記載、第４．１．ｆ．で摘記した段落【００２５】の「これらの半導体キャリア用フィルム（２層基材）を使用し、通常の方法によって、銅メッキ層側にフォトレジストを塗布し乾燥後、露光、現像、エッチング、フォトレジスト剥離の工程により、櫛形電極パターンを形成し、無電解スズメッキを行い回路基板とした。」、及び、第４．１．ｇ．で摘記した段落【００２８】の「〔実施例例１〜３及び比較例５〕厚さ３８μｍのポリイミド系フィルム（商品名：ＫａＥＮ、東レ・デュポン社製）の表面……ニッケル−クロム合金のスパッタ層をそれぞれ形成した。次いで、その上に銅をメッキ法により付着させ、厚さ１μｍの銅のメッキ層を形成した。さらに、その上に電解銅厚付けメッキによって、厚さ８μｍの厚付け銅メッキ層を形成し、半導体キャリア用フィルム（２層基材）とした」という記載から、甲第１号証には、「ポリイミド系フィルム１」と、「ポリイミド系フィルム１の表面に設けられた」「その厚さが７０〜５００Å」である「ニッケル−クロム合金のスパッタ層３」と、「ニッケル−クロム合金のスパッタ層３の上に設けられる」「銅のメッキ層４」及び「厚付け銅メッキ層」である「銅層２」とからなり、「スパッタ層３」と「銅のメッキ層４」と「銅層２」とを「エッチング」して「櫛形電極パターン」を形成した後に「無電解スズメッキ」を行った「半導体キャリア用フィルム」が記載されている。
　
　イ．第４．１．ｂ．で摘記した段落【０００２】に「ＬＳＩ等からなる半導体チップ（電子部品）の実装技術には、チップオンフィルム（ＣＯＦ；Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）等がある。」との記載があることから、甲第１号証には、前記アの「半導体キャリア用フィルム」に形成され前記「無電解スズメッキ」が行われた「櫛形電極パターン」の適所に「半導体チップ」が実装されて半導体装置とすることが、実質的に記載されているといえる。
　
　ウ．第４．１．ｆ．で摘記した段落【００２６】における「比較例１〜４」を説明した「図２に示されるような５０μｍピッチの櫛形電極パターンを形成後、０．５μｍ厚に無電解スズメッキを行った。」という記載、第４．１．ｇ．で摘記した段落【００２９】における「実施例例１〜３及び比較例５」を説明した「比較例１と同様にして、図２に示されるようなポリイミド系フィルム１の上に、櫛形電極５ａ、５ｂを形成した。」という記載から、甲第１号証には、「櫛形電極パターン」は「５０μｍピッチ」であり、その上の「無電解スズメッキ」層は「０．５μｍ厚」であることが記載されている。
　
　エ．第４．１．ｅ．で摘記した段落【００１５】における「ニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３〜１０重量％であることが望ましい。クロム含有量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる」という記載から、甲第１号証には、前記「スパッタ層３」の「ニッケル−クロム合金中のクロム含有量」は、「３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる」ことから「３〜１０重量％であることが望ましい」ことが記載されている。
　
　オ．以上のア〜エを総合すると、甲第１号証には次の発明（以下「甲第１号証発明」という。）が記載されている。
「ポリイミド系フィルム１と、前記ポリイミド系フィルム１の表面に設けられた厚さが７０〜５００Åであるニッケル−クロム合金のスパッタ層３と、前記ニッケル−クロム合金のスパッタ層３の上に設けられる銅のメッキ層４及び厚付け銅メッキ層である銅層２とからなり、前記スパッタ層３、前記銅のメッキ層４及び前記銅層２とをエッチングして櫛形電極パターンを形成した後に無電解スズメッキを行った半導体キャリア用フィルムと、
　前記半導体キャリア用フィルムに形成され前記無電解スズメッキが行われた前記櫛形電極パターンの適所に半導体チップが実装された半導体チップと、
を備える半導体装置であって、
　前記櫛形電極パターンは５０μｍピッチであり、その上の無電解スズメッキ層は０．５μｍ厚であり、
　前記スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなることから、３〜１０重量％であることが望ましいことを特徴とする半導体装置。」
　
　カ．なお、第３．１．（３）Ａ．ア．のとおり、請求人は、甲第１号証に記載された発明の認定において、「スパッタ層」の「クロム含有量」について、「前記スパッタ層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値においても、マイグレーションを抑制する」と認定している。
　しかしながら、甲第１号証には、「スパッタ層」のニッケル−クロム合金中の「クロム含有量」については、第４．１．ｅ．で摘記した「【００１５】また、ニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３〜１０重量％であることが望ましい。クロム含有量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる問題がある。」という記載があるだけである。そして、この記載のみからでは、直ちに「スパッタ層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値」になることが甲第１号証に記載されているとすることはできない。
　したがって、「スパッタ層」の「クロム含有量」については、甲第１号証発明のとおりに認定した。
　
　Ａ２．本件特許発明１についての判断
　　１．対比
　　（１）本件特許発明１と甲第１号証発明との対比
　本件特許発明１と甲第１号証発明とを対比する。
　ア．甲第１号証発明の「ポリイミド系フィルム１」、「前記ポリイミド系フィルム１の表面に設けられた厚さが７０〜５００Åであるニッケル−クロム合金のスパッタ層３」、「前記ニッケル−クロム合金のスパッタ層３の上」に設けられる「銅のメッキ層４」及び「厚付け銅メッキ層である銅層２」とを併せた層は、それぞれ、本件特許発明１の「絶縁性を有するベースフィルム」、「該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層」、「該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物」に相当する。
　甲第１号証発明の「前記スパッタ層３、前記銅のメッキ層４及び前記銅層２とをエッチングして櫛形電極パターン」は、その上に「無電解スズメッキ」が行われていることから、本件特許発明１の「表面にスズメッキ」が施された「半導体キャリア用フィルム」上の「配線層」に相当する。
　ここで、甲第１号証発明の「半導体チップ」は、「前記半導体キャリア用フィルムに形成され前記無電解スズメッキが行われた前記櫛形電極パターンの適所」に接続される電極を有することは自明である。そうすると、甲第１号証発明の「前記半導体キャリア用フィルムに形成され前記無電解スズメッキが行われた前記櫛形電極パターンの適所に半導体チップが実装された半導体チップ」と、本件特許発明１の「前記配線層に接続された突起電極を有する半導体素子」とは、「前記配線層に接続」された「電極を有する半導体素子」である点で共通する。
　
　以上から、甲第１号証発明の「ポリイミド系フィルム１と、前記ポリイミド系フィルム１の表面に設けられた厚さが７０〜５００Åであるニッケル−クロム合金のスパッタ層３と、前記ニッケル−クロム合金のスパッタ層３の上に設けられる銅のメッキ層４及び厚付け銅メッキ層である銅層２とからなり、前記スパッタ層３、前記銅のメッキ層４及び前記銅層２とをエッチングして櫛形電極パターンを形成した後に無電解スズメッキを行った半導体キャリア用フィルム」と「前記半導体キャリア用フィルムに形成され前記無電解スズメッキが行われた前記櫛形電極パターンの適所に半導体チップが実装された半導体チップ」とを備える「半導体装置」と、本件特許発明１の「絶縁性を有するベースフィルム、該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層、および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有する半導体キャリア用フィルムと、前記配線層に接続された突起電極を有する半導体素子とを備える半導体装置」とは、「絶縁性を有するベースフィルム、該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層、および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有する半導体キャリア用フィルムと、前記配線層に接続」された「電極を有する半導体素子とを備える半導体装置」である点で共通する。
　
　イ．甲第１号証発明の「前記スパッタ層３、前記銅のメッキ層４及び前記銅層２とをエッチング」して「形成」した「櫛形電極パターン」は、「５０μｍピッチ」であるから、当然に、「半導体キャリア用フィルム」上に複数存在するものであり、また、相隣り合っているものと認められる。
　したがって、甲第１号証発明において「前記スパッタ層３、前記銅のメッキ層４及び前記銅層２とをエッチング」して「形成」した「櫛形電極パターン」が「５０μｍピッチ」であることと、本件特許発明１において「前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍ」であることとは、「前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線」を備える点で共通する。
　
　ウ．甲第１号証発明の「前記前記スパッタ層３と前記銅のメッキ層４と前記銅層２とをエッチングして形成した櫛形電極パターン」の「ピッチは５０μｍ」である。
　ここで、第４．１．ｅ．で指摘した図２の図示態様から、「櫛形電極パターン」の「ピッチは５０μｍ」であるということは、前記「櫛形電極パターン」の各電極が相隣り合う部分での電極間距離が２５μｍであるということである。
　さらに、「前記櫛形電極パターン」の上の「無電解スズメッキ層は０．５μｍ厚であ」るから、「その上」に前記「無電解スズメッキ層」が形成された前記相隣合う「前記櫛形電極パターン」の電極間距離は、２５μｍを下回ることは明らかである。
　したがって、甲第１号証発明の「前記櫛形電極パターンは５０μｍピッチであり、その上の無電解スズメッキ層は０．５μｍ厚であ」ることは、本件特許発明１が「前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有し」ていることに相当する。
　
　エ．以上から、本件特許発明１と甲第１号証発明とは、以下の点で一致し、以下の点で相違している。
（一致点）
「絶縁性を有するベースフィルム、該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層、および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなると共に表面にスズメッキが施された配線層を有する半導体キャリア用フィルムと、前記配線層に接続された電極を有する半導体素子とを備える半導体装置であって、
　前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、そのうちの少なくとも隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線を備え、
　前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有することを特徴とする半導体装置。」
　
（相違点Ａ１）
　本件特許発明１の「半導体素子」は前記配線層に接続された「突起電極」を有するのに対して、甲第１号証発明の前記櫛形電極パターンの適所に接続される「半導体チップ」の電極が「突起電極」であるかどうかは不明である点。
　
（相違点Ａ２）
　本件特許発明１は「隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍ」であるが、甲第１号証発明は、この点は不明である点。
　
（相違点Ａ３）
　本件特許発明１においては「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」が、甲第１号証発明においては「前記スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなることから、３〜１０重量％であることが望ましい」点。
　
　　（２）一致点と相違点の認定について
　ア．なお、請求人は、第３．１．（３）Ａ．イ．で示したとおり、本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明とは「前記バリア層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値において、マイグレーションを抑制する」点で一致すると主張するとともに、本件特許発明１の「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」という発明特定事項に係る相違点を、「本件特許発明１では、「マイグレーションを抑制する」効果におけるマイグレーションがバリア層の溶出によるマイグレーションであるとしているのに対して、引用発明１では、マイグレーション抑制効果におけるマイグレーションがスパッタ層の溶出によるマイグレーションであるか否かについて明記していない点。」という「相違点１−１」と、「引用発明１では、クロム含有率が１０重量％を超えた値においてもマイグレーションを抑制するがクロム含有率を１５〜５０重量％に設定していないのに対して、本件特許発明１では、バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とするものである点。」という「相違点１−２」という２つに分割している。
　
　イ．しかし、第３．２．（３）Ａ．ア．で示したとおり、被請求人は、「本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明とは、クロム含有率が１０重量％を超えた値においてマイグレーションを抑制するという点において一致しないのであり、請求人の主張する一致点は誤りである。」と主張するとともに、「本件特許発明１では、ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることによって、バリア層を形成している成分の水分中への溶出を抑制することができマイグレーションの発生を抑制することができるものであるから、技術的にも一体不可分のものである。よって……これを２つに分割した請求人の相違点の認定は誤りである。」と主張している。
　
　ウ．そこで、まず、一致点の認定について検討する。
　甲第１号証には、段落【００１５】に「また、ニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３〜１０重量％であることが望ましい。クロム含有量が３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる問題がある。」と記載されているだけであり、実際に、「ニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「３重量％未満」ないし「１０重量％を超えて」設定したものを製造したことは記載されていない。実際、段落【００２８】には、「〔実施例例１〜３及び比較例５〕厚さ３８μｍのポリイミド系フィルム（商品名：ＫａＥＮ、東レ・デュポン社製）の表面をプラズマ処理した後、表面処理面にニッケル−クロム（５重量％）合金をスパッタリングにより付着させ」と、すべての実施例及びニッケル−クロム合金を用いるすべての比較例におけるニッケル−クロム合金層中のクロム含有量は「５重量％」であることが記載されている。
　そして、甲第１号証の記載から、「バリア層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値」とすることが、当業者が容易に想起したかどうかは別として、第５．Ａ．Ａ１．カ．で指摘したとおり、当業者に自明である又は記載されているに等しいとは認められない。
　したがって、請求人が、本件特許発明１と甲第１号証に記載された発明とは「前記バリア層におけるクロム含有率が１０重量％を超えた値において、マイグレーションを抑制する」点で一致するとした点は、適当でない。
　
　エ．本件特許明細書の段落【００３７】に、「本実施の形態に特徴的な部分は、バリア層２を形成しているニッケル−クロム合金のクロム含有率を従来の７重量％から１５〜５０重量％に増加させたことである。これにより、従来のクロム含有率が７重量％であるバリア層と比較して、バリア層２の表面抵抗率および体積抵抗率を増大させ、半導体キャリア用フィルム１における配線（端子）間のマイグレーションの発生を抑制し、端子間の絶縁劣化を防止している。」と記載されている。
　したがって、本件特許発明１の「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」との発明特定事項において、「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とする」ことと、「前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」とは、一体不可分であると認められる。
　よって、請求人が、相違点の認定において、本件特許発明１の「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」という発明特定事項に係る相違点を２つに分割したことは、適当でない。
　
　オ．したがって、本件特許発明１と甲第１号証発明との一致点及び相違点は、第５．Ａ．Ａ２．１．（１）エ．で記載したとおりに認定する。
　
　　２．相違点Ａ３についての判断
　ア．以上のとおり、請求人が主張する一致点及び相違点の認定には誤りがある。
　しかし、第３．１．（３）Ａ．オ．で示したとおり、請求人は、「仮に本件特許発明１と引用発明１との相違点を構成と効果とに分割することなく把握したとしても……本件特許発明１は、引用発明１に対して公知技術、周知技術乃至技術常識を適用することにより想到容易である。」とも主張している。
　そこで、以下では、前記相違点Ａ１〜Ａ３のうち、相違点Ａ３について検討する。
　
　イ．甲第１号証には、段落【０００７】に「本発明の目的は、配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させた半導体キャリア用フィルム及びその製造方法を提供することにある。」と記載され、「配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させることなく、耐マイグレーション特性を著しく向上させ」ることは、解決しようとする課題であることが記載されている。
　甲第１号証発明が「前記スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量は、３重量％未満では耐マイグレーション性の向上効果がなく、１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなることから、３〜１０重量％であることが望ましい」としたのは、前記課題を解決するためである。
　ここで、「パターン形成時の銅の足残り」とは、請求人が審判請求書の第５１頁第１９〜２１行で指摘したとおり、「配線回路パターンをエッチングにより形成する際に、配線回路パターン以外の場所において金属を完全にはエッチング除去できずに、不要な金属が残ること」をいう。
　したがって、「パターン形成時の銅の足残り」が発生すると、配線回路パターン以外の場所に金属が残存することになるから、配線回路のパターン間の絶縁不良等の重大な欠陥が生じるおそれが生じ、前記「配線回路パターンのエッチング性」という点で重大な欠点となると認められる。
　そして、甲第１号証には、上記のとおり「１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一」であると記載されているから、甲第１号証に接した当業者が、「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を、敢えて「パターン形成時の銅の足残りが多くなる」というリスクを有する「１０重量％」を超えた値に設定することを想起したとは、認められない。
　むしろ、甲第１号証において、前記「クロム含有量」を「１０重量％」を超えて設定すると、「配線回路パターンのエッチング性やメッキ耐性を低下させること」がないという甲第１号証に記載された課題に反する結果をもたらすから、「クロム含有量」を「１０重量％」を超えて設定することには阻害要因があるということができる。
　
　ウ．ただ、甲第１号証には、「耐マイグレーション特性を著しく向上させ」ることも解決しようとする課題であることが記載されている。
　そこで、甲第１号証発明において、たとえ「パターン形成時の銅の足残りが多く」なるという問題があっても「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて設定することを当業者に発想させるように、「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて「１５〜５０重量％」にすると「耐マイグレーション性」が「向上」するという事項が、請求人が提出した証拠に記載されているか否かを検討する。
　
　エ．まず、甲第１号証は段落【００１５】に「クロム含有量が……１０重量％を超えても耐マイグレーション性の向上効果はほぼ同一で、かえってパターン形成時の銅の足残りが多くなる問題がある。」と記載されており、「クロム含有量」が「１０重量％」を超えると「耐マイグレーション性」が「向上」するという記載はない。
　甲第２号証を参照すると、第４．２．ｆ．で摘記したように、「Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉが１at％〜８０at％の範囲で、Ｎｉを全く含まないクロム層のみの場合と同等の密着強度が得られることが確認された。図３から明らかなように、Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉが４at％の場合、Ｎｉを全く含まないクロム層の場合は、エッチング処理時に中間層であるクロム層またはＮｉが４at％のＮｉ−Ｃｒ合金層がエッチングされることなくそのまま残渣として残存するが、Ｎｉが５at％、８０at％のＮｉ−Ｃｒ合金層はエッチング時に、その上に形成されている銅層と一緒に除去されて配線パターンが確実に形成出来ることが確認された。」と記載され、Ｎｉ−Ｃｒ合金層の密着強度とエッチング残渣を考慮して、当該Ｎｉ−Ｃｒ合金層中のＮｉを５at％〜８０at％に設定することが記載されている。しかし、甲第２号証には、クロム含有率とイオンマイグレーションの関係は記載されていないだけでなく、プリント配線基板に生じるイオンマイグレーション現象についての記載が存在せず、イオンマイグレーションに対して何ら考慮していない。
　甲第３号証には、液晶モジュールにおけるＣＯＦにおいて、長期絶縁信頼性を劣化させる「要因」として「電気化学的腐食反応の促進」及び「イオン(銅)マイグレーション」があることは記載されているが、その機序や発生抑制方法等に関しては記載も示唆もない。
　甲第６号証には、イオンマイグレーションの発生メカニズムについて説明されており、イオンマイグレーション現象による絶縁劣化が電子機器の信頼性低下を招いていることや、狭ピッチ配線ではイオンマイグレーションによる析出物の成長速度が急激に加速されること、イオンマイグレーション抑制手法として吸湿防止のための樹脂コーティングを行うことは記載されているが、Ｎｉ−Ｃｒ接着層におけるクロム含有率を調整することによってマイグレーションの発生を抑制することができることについては記載も示唆もない。
　甲第７号証には、銅の下のニッケルやクロムのシード層のエッチング残りはマイグレーション発生の原因になり、電気特性上も好ましくないことは記載されているが、その発生抑制方法等に関しては記載も示唆もない。
　甲第８号証には、マイグレーションは電子材料の腐食損傷の１つであること、メタルマイグレーションの発生メカニズムについて記載されている。そして、電子部品の腐食を防止するには、塵芥や水分の電子部品内への浸入を遮断するや耐食材料を使用することが有効であると記載されている。しかし、ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を調整することによってマイグレーションの発生を抑制することができることについては記載も示唆もない。
　甲第１１号証には、不動態皮膜を形成することによりマイグレーションの発生を防ぐことが記載されているだけで、ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を調整することによってマイグレーションの発生を抑制することができることについては記載も示唆もない。
　甲第１２号証には、一般的にＣｒが腐食性に優れていることや、鉄にＣｒを添加して不動態化することは記載されているが、半導体キャリア用フィルムにおいて、ニッケル−クロム合金におけるクロム含有率を調整することによってマイグレーションの発生を抑制することができることについては記載も示唆もない。
　甲第１３号証には、Ｎｉ−Ｃｒ合金はＣｒの含有量が１５〜５０％のときに比抵抗が大きいことは記載されているものの、マイグレーションに関する記載はなく、したがって、Ｎｉ−Ｃｒ合金からなるバリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、マイグレーションの発生を抑制することができることについては記載も示唆もない。
　甲第１４号証には、イオンマイグレーションの試験方法が記載されているだけで、半導体キャリア用フィルムにおけるマイグレーションの発生防止方法に関する記載ないし示唆はない。
　甲第１５号証には、マイグレーションの発生機序と評価方法について記載されているだけであり、半導体キャリア用フィルムにおけるマイグレーションの発生防止方法に関する記載ないし示唆はない。
　甲第１６号証には、プリント配線板に水滴が付着した場合にイオンマイグレーションは急激に進展することが記載されているだけである。
　甲第１７号証には、銅に少なくともＦｅ、Ｐ及びＰｂをそれぞれ所定量含有させた銅合金からなるフィルムキャリア用銅合金箔は耐マイグレーション性に優れているという知見と、その耐マイグレーション性の評価方法について記載されているだけである。
記載されているだけである。
　甲第２４号証には、イオンマイグレーション現象の発生原理を説明するとともに、ポリイミド基板上にＮｉ−Ｃｒ層を介してＣｕ櫛形電極を形成した試験片におけるイオンマイグレーションによる析出物を分析したところ、Ｃｕのほか、Ｎｉ-Ｃｒ層から溶出したＮｉのデンドライト状析出物を確認したことが記載されている。しかし、Ｎｉ-Ｃｒ層におけるＣｒ含有率を調整することによってイオンマイグレーションの発生を抑制することができることについては記載も示唆もない。
　甲第２５号証には、銅イオンマイグレーションの発生メカニズムが記載されているだけである。
　そして、甲第４号証〜甲第５号証、甲第９号証〜甲第１０号証、甲第１８号証〜甲第２０号証、甲第２２号証、及び、甲第２６号証〜甲第２９号証には、イオンマイグレーションに関する記載はない。そして、これらの証拠にニッケルクロム合金の耐食性についての記載があるとしても、イオンマイグレーションは金属の腐食の現象の１つであるから、前記耐食性の記載があるからといって、ニッケルクロム合金のマイグレーションについての記載があるとまでは言えない。
　以上のとおり、甲第１号証〜甲第２０号証、甲第２２号証、及び、甲第２４号証〜甲第２９号証には、「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて「１５〜５０重量％」にすると「耐マイグレーション性」が「向上」できることも、「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて所定の範囲に設定すると、前記「ニッケル−クロム合金」の成分の溶出による「マイグレーション」を抑制できることも、記載されていない。
　よって、甲第１号証〜甲第２０号証、甲第２２号証、及び、甲第２４号証〜甲第２９号証に接した当業者が、たとえ「パターン形成時の銅の足残りが多く」なるという問題があるとしても、甲第１号証発明において、「耐マイグレーション性の向上」のため「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて１５〜５０重量％とすること想起したとは、認められない。
　
　オ．さて、甲第２１号証には、歯科用合金であるNi-Cr系合金の耐食性を検討するため、Cr含有量の違いによるNi溶出量および電気化学的腐食挙動の測定を行ったところ、リンゲル液中へのNi溶出量は、Cr含有量の多い合金程Ni溶出量は減少し、Cr量5.5wt％以下の合金のNi総溶出量は、Cr量10.8〜21.0％の合金のおよそ10倍の値を示し、Cr量26.3〜39.8％の合金のおよそ100倍の値を示したことが記載されている。
　また、Ni-Cr二元合金の37℃リンゲル液中における24時間後の自然電極電位の測定によれば、Cr量10.8?39.8wt％の合金の場合は、Cr量5.5wt％の合金の電位よりも貴な側に移行する傾向が見られたが、Cr量の違いによる自然電極電位の変化はほとんど認められなかったことが記載されており、Fig.17には、Cr量が10wt％を超えるとリンゲル液中における自然電極電位の有意な増加は観察されないことが記載されている。
　そして、10週間リンゲル液中に浸漬した後のNi-Cr二元合金の試料表面を観察すると、Cr量5.5wt％の合金では浸漬10週間後に孔食が認められたが、Cr量21.Owt％および39.8wt％の合金には変化が認められなかったことが記載されている。
　
　カ．甲第２１号証は、歯科用合金であるNi-Cr系合金に関する文献であり、「半導体チップ」を「実装」する「ポリイミド系フィルム１」上の「スパッタ層３」を構成する「ニッケル−クロム合金」に関する発明である甲第１号証発明とは、技術分野を異にする。
　また、請求人が提出した証拠には、イオンマイグレーションは電解質を介した２つの電極間に電圧が印加されることで陽極から金属イオンは溶出することを契機として生じる現象であることが記載されている（甲第６号証の第５３０頁左欄第７〜１１行、甲第１５号証の第１４６頁右欄下から第５行〜第１４７頁左欄第１７行、甲第２４号証の第１頁第１７〜２１行、及び、甲第２５号証の図１０）。また、陽極からの金属イオンが負極方向に移動するには２つの電極間に電圧を印加する必要がある。すなわち、イオンマイグレーションは、２つの電極間に電圧が印加されてはじめて生じる現象であることは、当業者の技術常識である。
　これに対して、甲第２１号証のNi-Cr系合金は歯科用合金であるから、これを使用する場所は口腔内であり、その使用において当該Ni-Cr系合金に電圧が印加されることは想定されない。実際、甲第２１号証には、隣合う歯科用合金間に電圧を印加した状態でのNi溶出量を測定することは、記載されていない。
　Ni-Cr系合金のNiがイオン化してリンゲル液に溶出するのは、確かに酸化による電気化学的腐食挙動である。しかし、甲第２１号証が問題としている腐食損傷は孔食であり、甲第８号証の表６．１に記載されるとおり、マイグレーションが溶出した金属イオンが析出して絶縁不良を引き起こす腐食損傷であるのとは異なり、金属がイオン化して失われることにより表面が損傷を受けるという事象である。
　さらに、甲第２１号証において、リンゲル液中へのNi溶出量は、Cr量26.3〜39.8％の場合が、記載されたCr量の中では最小である。しかし、甲第２１号証には、Cr量が39.8％を超える場合にリンゲル液中へのNi溶出量が具体的にどうなるかは記載されていないが、第４．２１．ｂ．で摘記したように「Cr含有量が多い合金程Ni溶出量は減少し」たとのは記載はある。したがって、甲第２１号証には、リンゲル液中へのNiの溶出が少なくなるCr含有量の範囲は記載されているものの、これが、リンゲル液中へのNiの溶出を抑制するために最も適しているCr含有量の範囲であるかどうかは不明である。
　そして、甲第２１号証には、イオン化しやすさを表すリンゲル液中におけるNi-Cr二元合金の自然電極電位は、Cr量が10wt％を超えるとほとんど増加しないことが記載されている。
　
　キ．以上のとおり、甲第２１号証は、甲第１号証発明とは技術分野を異にし、Ni-Cr系合金の成分の溶出に着目したとしても、それは、甲第１号証発明とは全く異なる環境・条件下におけるものであり、甲第２１号証が着目する前記溶出によって引き起こされる腐食挙動による損傷もイオンマイグレーションとは異なる事象である。さらに、水溶液への前記成分の溶出を抑制するために適しているCr含有量の範囲が、甲第２１号証に開示されているかどうかも不明である。
　すなわち、甲第２１号証の記載からでは、甲第１号証発明において、「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて「１５〜５０重量％」にすると「耐マイグレーション性」が「向上」すること、あるいは、「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて所定の範囲に設定すると、前記「ニッケル−クロム合金」の成分の溶出による「マイグレーション」を抑制できることを、当業者が予期し得たとは認められない。
　したがって、甲第２１号証に接した当業者が、たとえ「パターン形成時の銅の足残りが多く」なるという問題があるとしても、甲第１号証発明において、「耐マイグレーション性の向上」のため「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて１５〜５０重量％とすること想起したとは、認められない。
　
　　３．請求人の上申書における主張について
　ア．第３．１．（３）Ａ．カ．で指摘したとおり、請求人は、平成２６年１２月１１日付け上申書で、甲第１号証との関係において、
ａ．「口頭審理において、「本件特許発明１が抑制すべきとしているマイグレーションではバリア層の溶出に加え銅層も溶出するのでしょうか？」との請求人の質問に対して」被請求人は『本件との関連性がないので、回答する必要はありません。』と「回答した」。
ｂ．「本件特許発明１が抑制すべき「マイグレーション」は、本件特許明細書にも明記されているように、バリア層の溶出だけでなく銅の溶出によって生じる現象である。したがって、本件特許発明１の「マイグレーション」がバリア層の溶出によることを理由として甲第１号証記載のマイグレーションとは異なると判断することは、誤りである。」
と特に主張している。
　
　イ．しかし、請求人の上記の主張は採用できない。その理由は、以下のとおりである。
　甲第１号証発明において、「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」こと（相違点Ａ３に係る構成とすること）には、阻害要因があり当業者が容易に想到し得たものとはいえず、また、そうでないとしても、甲第１号証発明において、甲第２号証から甲第２２号証、及び甲第２４号証〜甲第２９号証に基づいて、当業者が容易に想到し得たものともいえないことは、上記２．で検討したとおりであり、本件特許発明１の「マイグレーション」がバリア層の溶出だけでなく銅の溶出にもよるか否かとの点が、相違点Ａ３に関する上記の判断に影響を及ぼすとは認められない。
　そうすると、請求人の上記の主張は、審決の結論に影響を及ぼすものとはいえないから、これを採用することはできない。
　
　　４．本件特許発明１についてのまとめ
　ア．以上のとおりであるから、甲第１号証〜甲第２２号証、及び、甲第２４号証〜甲第２９号証に接した当業者が、甲第１号証発明において、たとえ「パターン形成時の銅の足残りが多く」なるという問題があるとしても、「耐マイグレーション性の向上」のため「スパッタ層３のニッケル−クロム合金中のクロム含有量」を「１０重量％」を超えて１５〜５０重量％とすること想起したとは、認められない。
　
　イ．したがって、相違点Ａ１及びＡ２について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第２号証〜甲第２２号証、及び、甲第２４号証〜甲第２９号証に記載された技術を参酌すれば、当業者が甲第１号証発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできない。
　以上から、本件特許発明１は、甲第１号証発明に対して、甲第６号証記載事項及び甲第２号証、甲第１８号証又は甲第２２号証記載事項を適用することにより出願前に当業者が容易に発明できたものとも、また、甲第１号証発明に対して、甲第２号証ないし甲第２２号証及び甲第２４号証ないし甲第２９号証に示されたような周知技術を適用することによっても出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとも、認めることはできない。
　
　Ａ３．本件特許発明２〜６についての判断
　前述のとおり、本件特許発明１は、甲第１号証〜甲第２２号証、及び、甲第２４号証〜甲第２９号証に記載された技術を参酌すれば、当業者が甲第１号証発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできない。
　したがって、本件請求項１を引用し、本件特許発明１の発明特定事項をすべて有する本件特許発明２〜６についても、同様の理由により、甲第１号証発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
　Ａ４．無効理由１についてのまとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし６は、甲第１号証に記載された発明に対して、甲第６号証記載事項及び甲第２号証、甲第１８号証又は甲第２２号証記載事項を適用することにより出願前に当業者が容易に発明できたものとも、また、甲第１号証に記載された発明に対して、甲第２号証ないし甲第２２号証及び甲第２４号証ないし甲第２９号証に示されたような周知技術を適用することによっても出願前に当業者が容易に発明をすることができたものとも認められないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとは認められず、本件特許発明１ないし６の特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすることはできない。
　
　Ｂ．無効理由２について
　Ｂ１．甲第２号証に記載された発明
　ア．第４．２．ｂ．で摘記した段落【０００２】に「テープ自動ボンデイング（ＴＡＢ）用、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）用には、配線パターンと素子をハンダ付けを必要とする場合は耐熱性の要求性からポリイミド，ポリアミド等の耐熱性の高分子フィルムが，またハンダ付けを必要としない場合はポリエチレンテレフタレート，ポリエチレンナフタレート等の高分子フィルムが知られており」との記載があること、前記ＦＰＣに実装する前記「素子」が半導体素子であることは一般であることから、甲第２号証には、前記ＴＡＢないし前記ＦＰＣ上の電極に半導体素子を実装・接続して半導体装置とすることが実質的に記載されているといえる。
　
　イ．第４．２．ｆ．で摘記した段落【００３１】〜【００３３】及び図３には、Ｎｉ−Ｃｒ合金層におけるＮｉの含有率を５at％、２０at％、８０at％とした例、すなわちＣｒの含有率を９５at％、８０at％、２０at％とした例が記載されているところ、原子数割合で表された該Ｃｒの含有率は、重量割合に変換すると、Ｃｒの原子量を５２、Ｎｉの原子量を５８．６９として、それぞれ、約９４重量％（＝５２×９５／（５２×９５＋５８．６９×５））、約７８重量％（＝５２×８０／（５２×８０＋５８．６９×２０））、約１８重量％（＝５２×２０／（５２×２０＋５８．６９×８０））である。
　
　ウ．第４．２．ｇ．で指摘した、Ｎｉ＝０at％の模式図中に記載された、隣り合う銅層の配線間の距離の寸法である２０μｍは、Ｎｉ＝４at％、Ｎｉ＝５at％及びＮｉ＝８０at％の場合でも共通することは明らかである。また、第４．２．ｆ．で摘記した段落【００２９】の「配線パターンを形成すべく，常法に従い，レジスト材を塗布して露光し，ラインスペース２０μｍのレジストパターンを形成」するという記載から、配線が複数あることも明らかである。
　
　エ．以上のア〜ウを総合すると、甲第２号証には、次の発明（以下「甲第２号証発明」という。）が記載されていると認める。
　
「厚さ５０μｍのポリイミドから成る支持基板１、前記支持基板１の上に形成された厚さ２００Å（２０ｎｍ）のＮｉ−Ｃｒ合金層２、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金層２の上に形成された銅層３、４を有するプリント配線基板を備え、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金層２と前記銅層３、４をエッチング処理により所定の配線パターンに形成した複数の配線に半導体素子を接続した半導体装置であって、
　前記複数の配線は、配線幅及び配線間距離がいずれも２０μｍの配線パターンを有し、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率が１８〜９４重量％である半導体装置。」
　
　Ｂ２．本件特許発明１についての判断
　　１．対比
　　（１）本件特許発明１と甲第２号証発明との対比
　ア．甲第２号証発明の「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２」、「銅層３、４」、「プリント配線基板」は、それぞれ、本件特許発明１の「ニッケル−クロム合金」からなる「バリア層」、「銅を含んだ導電物」からなる「配線層」、「半導体キャリア用フィルム」に相当する。
　
　イ．そして、甲第２号証発明の「ポリイミドからなる支持基板１」は、ポリイミドが絶縁性を有することから、本件特許発明１の「絶縁性を有するベースフィルム」に相当する。
　
　ウ．甲第２号証発明のＮｉ−Ｃｒ合金層２は、厚さが２０ｎｍであって、本件特許発明１のバリア層の厚みの数値範囲の７ｎｍ以上に含まれる。
　
　エ．甲第２号証発明の「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２と銅層３、４をエッチング処理により所定の配線パターンに形成した複数の配線」は、本件特許発明１の「前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あ」ることに相当する。
　
　オ．甲第２号証発明の「配線」は「配線間距離」が「２０μｍの配線パターン」を有しているから、甲第２号証発明は、本件特許発明１における「半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有し」との要件を備える。
　
　カ．以上から、本件特許発明１と甲第２号証発明とは、
（一致点）
「絶縁性を有するベースフィルム、該ベースフィルム上に形成されたニッケル−クロム合金からなり厚みが７ｎｍ以上のバリア層、および該バリア層の上に形成された銅を含んだ導電物からなる配線層を有する半導体キャリア用フィルムと、前記配線層に接続された半導体素子とを備える半導体装置であって、前記バリア層と前記配線層とを所定パターンに形成した半導体素子接合用配線が複数あり、前記半導体素子接合用配線の配線間距離が５０μｍ以下となる箇所を有する半導体装置。」の点で一致し、
次の点で相違する。
　
（相違点Ｂ１）
　本件特許発明１は、「配線層」の表面に「スズメッキ」が施されるのに対して、甲第２号証発明は、「銅層３、４」の表面にスズメッキが施されていない点。
　
（相違点Ｂ２）
　本件特許発明１は、「半導体素子」が「配線層」に接続された「突起電極」を有するのに対して、甲第２号証発明は、「半導体素子」が「銅層３、４」に接続される突起電極を有するか否か不明である点。
　
（相違点Ｂ３）
　本件特許発明１は、「隣り合う二つの前記半導体素子接合用配線の間において、配線間距離及び出力により定まる電界強度が３×１０５〜２．７×１０６Ｖ／ｍ」であるのに対して、甲第２号証発明は、隣り合う二つの「配線」の間における電界強度が不明である点。
　
（相違点Ｂ４）
　本件特許発明１は、「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％であるとすることにより、前記バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制する」ものであるのに対して、甲第２号証発明は、「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率が１８〜９４重量％である」が、バリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するものであるか否か特定されていない点。
　
　　（２）一致点と相違点の認定について
　ア．請求人は、第３．１．（３）Ｂ．イ．で、本件特許発明１と甲第２号証に記載された発明とは「前記バリア層におけるクロム含有率を１８重量％とし、微細化配線基板の信頼性を高めること」の点で一致し、甲第２号証にはＮｉ−Ｃｒ合金層２（バリア層）の溶出によるマイグレーションを抑制するという効果が明記されていない点で本件特許発明１と相違すると主張する。
　
　イ．しかしながら、被請求人は、第３．２．（３）Ｂ．ウ．で示したとおり、請求人による一致点と相違点の認定には誤りがあると主張している。
　
　ウ．そこで、第５．Ｂ．Ｂ１．ア〜エ．では、甲第２号証発明を甲第２号証の記載のとおりに認定し、第５．Ｂ．Ｂ２．１．（１）ア〜オ．では、本件特許発明１と甲第２号証発明との一致点と相違点とを、その文言とおりに対比して認定した。
　
　エ．以下の検討は、この第５．Ｂ．Ｂ２．１．（１）カ．で認定した一致点と相違点に基づいて行う。
　
　　２．相違点Ｂ４についての判断
　前記相違点Ｂ１〜Ｂ４のうち、相違点Ｂ４について検討する。
　ア．甲第２号証には、「半導体装置」にイオンマイグレーションが生じるとの記載は存在せず、したがって、「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率」を調整してイオンマイグレーションを抑制しようとすることは、記載も示唆もされていない。
　しかし、甲第２号証発明の「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２におけるＣｒ含有率が１８〜９４重量％である」ことと、本件特許発明１の「前記バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％である」こととは、「層」の「クロム含有率」が１８〜５０重量％である点で一致する。
　そこで、甲第２号証発明において、「クロム含有率」が１８〜５０重量％である「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２」を用いると、「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２」からの成分の溶出によるマイグレーションを抑制できることを、当業者が予期できたかを検討する。
　
　イ．ここで、第２無効審判請求で審判請求人が証拠提出した甲第２号証〜甲第１４号証と、本件無効審判請求で請求人が証拠提出した甲第２号証〜甲第１４号証とは、それぞれ、同一の証拠である。
　そして、前記第２無効審判請求に対して「特許第４５５００８０号の請求項１ないし請求項６に係る発明についての特許を無効とする。」とした審決がなされたところ、この審決についての審決取消訴訟（平成２４年（行ケ）第１０３７３号）において、「原出願日当時，半導体キャリア用フィルムにおいてマイグレーションの問題があることは，当業者に周知であったと認められるが，マイグレーションの発生を抑制するために，バリア層としてクロムの含有量を高めた抵抗値の高いニッケル−クロム層材料を選択するという技術が周知であったと認めるに足りる証拠はない。したがって，上記のとおり，当業者が，ニッケル−クロム合金からなるバリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることにより，マイグレーションの発生を抑制する効果を奏すると予測し得たとは認められない。」として前記審決を取り消した判決（平成２５年９月３０日判決言渡）がなされ、この判決は確定した。
　そうすると、本件無効審判請求で請求人が新たに証拠提出した甲第１号証、甲第１５号証〜甲第２２号証及び甲第２４号証〜甲第２９号証が、「マイグレーションの発生を抑制するために，バリア層としてクロムの含有量を高めた抵抗値の高いニッケル−クロム層材料を選択するという技術が周知であったと認めるに足りる証拠」であるかが問題となる。
　
　ウ．しかしながら、第５．Ａ．Ａ２．２．（２）エ〜キ．で検討したように、甲第１号証、甲第１５号証〜甲第２２号証及び甲第２４号証〜甲第２９号証には、Ｎｉ−Ｃｒ合金層におけるＣｒ含有率を、１０重量％を超えて所定の範囲に設定すると、前記Ｎｉ−Ｃｒ合金層の成分の溶出によるマイグレーションを抑制できることは記載されていない。
　したがって、甲第１号証、甲第１５号証〜甲第２２号証及び甲第２４号証〜甲第２９号証に接した当業者が、甲第２号証発明の「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２」における「Ｃｒ含有率」を、１０重量％を超える１５〜５０重量％に設定すると、前記「Ｎｉ−Ｃｒ合金層２」の成分の溶出によるマイグレーションを抑制できることを予期できたとは認められない。
　
　エ．よって、甲第２号証発明において、相違点Ｂ４に係るバリア層の溶出によるマイグレーションを抑制するために、バリア層におけるクロム含有率を１５〜５０重量％とすることは、甲第１号証、甲第３号証〜甲第２２号証及び甲第２４号証〜甲第２９号証に記載の事項を勘案しても、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　
　　３．本件特許発明１についてのまとめ
　よって、相違点Ｂ１〜Ｂ３について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第２号証発明に対して、甲第１号証記載事項及び甲第６号証記載事項を適用することにより出願前に当業者が容易に発明できたものであるとも、甲第２号証発明に対して、甲第１号証、甲第３号証ないし甲第２２号証及び甲第２４号証ないし甲第２９号証に示されたような周知技術を適用することによって出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるとも、認めることはできない。
　
　Ｂ３．本件特許発明２〜６についての判断
　前述のとおり、本件特許発明１は甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　したがって、本件請求項１を引用し、本件特許発明１の発明特定事項をすべて有する本件特許発明２〜６についても、同様の理由により、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
　Ｂ４．無効理由２についてのまとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし６は、甲第２号証に記載された発明に対して、甲第１号証記載事項及び甲第６号証記載事項を適用することにより出願前に当業者が容易に発明できたものであるとも、甲第２号証に記載された発明に対して、甲第１号証、甲第３号証ないし甲第２２号証及び甲第２４号証ないし甲第２９号証に示されたような周知技術を適用することによって出願前に当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認められないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものとは認められず、本件特許発明１ないし６の特許は特許法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすることはできない。
　
　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び提出した証拠方法によっては、本件特許発明１〜６に係る特許は，特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるとすることはできないので、同法第１２３条第１項第２号に該当せず、無効とされるべきものではない。
　
 　本件審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項の規定により準用する民事訴訟法第６１条の規定により，請求人が負担すべきものとする。
 　よって，結論のとおり審決する。