【事件の表示】
　特願２０１２−１３６５３５「電子線応用装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月２７日出願公開、特開２０１２−１８６１７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月２６日に出願した特願２００６−２９０７７２号の一部を平成２４年６月１８日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年８月９日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２６年３月３１日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年６月９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月２７日付けで平成２６年６月９日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２７年２月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２８年１月５日付けで拒絶理由が通知され、同年３月１４日付けで意見書及び手続補正書が提出された。
第２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
１　当審で通知した拒絶理由
　当審が平成２８年１月５日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）において、以下のとおり、拒絶理由を通知している。
　
「この審判事件に関する出願は、合議の結果、以下の理由によって拒絶をすべきものです。これについて意見がありましたら、この通知書の発送の日から６０日以内に意見書を提出してください。 
 　　　　　　　　　　　　　　　　理　由 
 　本願は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
  
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記 
  
 　本願の請求項１、２に係る発明における「前記試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を表示する第二の動作モード」、同請求項３、４に係る発明における「欠陥・異物の検出に用いる観察像を取得する際の前記電子光学カラムの動作モードである検査モード」について 
  
 　これら２つのモードは、本願の明細書段落【００３５】に記載された「試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を表示する動作モード（検査モード）」に対応するものであることは明らかである。 
 　そして、この「検査モード」は、本願の明細書の全記載、特に、同段落【０００９】の「低速成分には、一次ビームの侵入深さに相当する範囲の試料内部の情報（例えば、試料の材質、組成など）が多く含まれている。」、同段落【００３３】の「ＢＳＥ（厳密には、二次粒子の高速成分）が分離された二次粒子は、上段側反射部材に到達し、二次粒子衝突面１０９と衝突して三次粒子を発生する。上段側反射部材の側方に配置された中央検出器１１２の本体には、中央取り込み電源１２０により引き込み電界が形成されており、上記再放出された三次粒子を強力な電界で検出器内に取り込む。」、同段落【００３７】の「装置ユーザが、「検査モード」のボタンを選択すると、ホストコンピュータ１２１が、電子光学系制御装置１２４内の信号接続を制御して、中央検出器１１２の検出信号を読み出す。ホストコンピュータ１２１は、画像演算ユニットを備えており、中央検出器１１２の検出信号をもとに、二次粒子の低速成分像を形成する。」との記載から、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画を形成するモードであると認められる。 
 　しかし、特表２００２−５３０８３３号公報（段落【０００３】）に「従来のＳＥＭは、二次電子（ＳＥ）を検出してその像を生成する。一般的に、二次電子は、低エネルギーのものであり、試料の輪郭に関する情報を提供する。試料の材料のコントラストは、高エネルギーである後方散乱電子（ＢＳＥ）を用いて得られる。」、特開２００２−８３５６３号公報（段落【００１１】）に「反射電子像では前述したように形状の微妙な凹凸形状画像上で陰影をもって見え（図７では像右側に位置する検出器）、また反射電子では組成によるコントラストも期待できる」、特開２００１−１４３６４９号公報（段落【００４８】）に「従来の反射電子検出方法においては、エネルギーが高い高加速電圧の一次電子で試料を走査しているので試料の深部に入り込み、これに対応して試料の深部からエネルギーが高い反射電子（ほぼ加速電圧と同じエネルギー）を発生させるものである。このため一次電子線の試料内部散乱の影響で反射電子の発生領域が広がり空間分解能は低下するが、その信号は試料表面の凹凸状態の他に組成情報を多く含む特徴を持っているため、従来方法においては主に試料内の組成情報を得るためにエネルギーが高い反射電子を検出していた。」等と記載されるように、試料の材料（組成）に関する情報はエネルギーの高い反射電子（後方散乱電子（ＢＳＥ））から得るものであって、エネルギーの低い二次電子（ＳＥ）から得るものではないことが、当業者の技術常識である。 
 　この技術常識を考慮すると、本願の明細書に記載されるような、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を形成することは、当業者が実施できるものではないことが明らかである。 
 　すると、本願の請求項１、２に係る発明における「前記試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を表示する第二の動作モード」、同請求項３、４に係る発明における「欠陥・異物の検出に用いる観察像を取得する際の前記電子光学カラムの動作モードである検査モード」は、本願の明細書の記載を参照しても、当業者が実施することができないから、本願の請求項１〜４に係る発明を実施することはできない。 
  
 　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本願の請求項１〜４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていない。 
  
 　なお、平成２７年２月２７日付けの手続補正によっても、拒絶査定の理由１が解消しているものではないことも、併せて、指摘しておく。 
 　また、特許請求の範囲を補正する際は、請求項単位でなく全文単位です（特許法施行規則様式１３備考７）。 」
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明（以下、ぞれぞれ、「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は、平成２８年３月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１】
　試料を載せるステージと、電子光学系とを備えた電子線応用装置において、
  前記電子光学系は、
  一次電子ビームを生成する電子銃と、
  前記一次電子ビームを前記試料上に集束する電磁重畳型対物レンズと、
  前記一次電子ビームの前記試料への照射により生じる二次粒子を前記一次電子ビームの光軸から分離するＥ×Ｂ偏向器と、
  前記二次粒子を衝突させるための反射部材と、
  前記反射部材の下方に配置されたアシスト電極と、
  前記二次粒子の前記反射部材への衝突により生じる三次粒子を用いて速度成分と方位角成分を選別して検出する複数の粒子検出器と、
  前記反射部材の上方に配置された中央検出器と、
  前記複数の粒子検出器を用いて得られる前記試料表面の凹凸強調像を表示する第一の動作モードと、前記中央検出器を用いて得られる前記試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を表示する第二の動作モードとに応じて、前記アシスト電極および前記電磁重畳型対物レンズ下部電極に印加する電圧を設定する電源設定部と、を有し、
  前記Ｅ×Ｂ偏向器は、前記複数の粒子検出器と前記中央検出器との間に設けられることを特徴とする電子線応用装置。
　　【請求項２】
　請求項１記載の電子線応用装置において、
  前記Ｅ×Ｂ偏向器は、前記アシスト電極の上方に配置されていることを特徴とする電子線応用装置。
　　【請求項３】
　情報処理装置と、
  被検査試料である試料基板に対して一次電子ビームを照射して二次粒子信号あるいは二次粒子信号に起因する二次元強度分布データを検出する電子光学カラムと、
  欠陥マップ、分類マップ、形成画像、観察倍率、欠陥・異物の検出に用いる観察像を取得する際の前記電子光学カラムの動作モードである検査モード、前記欠陥・異物の詳細な観察像を取得する際の前記電子光学カラムの動作モードである観察モード、前記検査モード又は前記観察モードに付随する一次電子ビーム照射の設定条件である通常モード又は帯電モードの表示と選択の画面を有すると共に、欠陥の分類結果を表示する表示手段と、
  前記試料基板を格納する試料室と、
  前記試料室内に前記試料基板を搬送・搬出するための予備室と、
  前記予備室に前記試料基板を搬送するためのロボットと、を備え、
前記試料室内の前記試料基板を自動的に交換することができる電子線応用装置において、
  前記情報処理装置は、
  表示制御部と、
  ビーム走査制御部とカラム制御部とステージ制御部とポンプ制御部とロボット制御部とを有する電子顕微鏡制御部と、
  レシピ制御部と画像処理部と欠陥座標制御部とを有する表示データ演算部と、を含み、
  前記レシピ制御部は、前記表示制御部を介して登録された検査レシピに基づき、前記表示制御部、前記画像処理部、前記欠陥座標制御部、前記ビーム走査制御部、前記カラム制御部、前記ステージ制御部、前記ポンプ制御部、及び前記ロボット制御部と高速に通信を行い、且つ、各動作モードに対応する引数情報が格納されたビームモード切替条件フィールドと、アシスト電極および電磁重畳型対物レンズ下部電極への印加電圧を格納した電圧設定値フィールドにより構成され、
  前記ビームモード切替条件フィールドは、更に、前記検査モードと前記観察モードとを分類する大分類フィールドと前記通常モードと前記帯電モードとを分類する小分類フィールドに分けられ、前記検査モードと前記観察モード、前記通常モード或いは前記帯電モードに対応する引数情報が格納され、
  前記電圧設定値フィールドには、前記大分類フィールドと前記小分類フィールドに格納された前記引数情報の組合せにより構成される各条件に対応する前記アシスト電極および前記電磁重畳型対物レンズ下部電極へ印加される電圧値が格納されていることを特徴とする電子線応用装置。
　　【請求項４】
　請求項３において、
  前記帯電モードにおける前記アシスト電極への印加電圧は、前記通常モードにおける前記アシスト電極への印加電圧より大きいことを特徴とする電子線応用装置。」
３　当審の判断
（１）検討事項
　上記のとおり、本願発明１、２は、
「前記中央検出器を用いて得られる前記試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を表示する第二の動作モード」を、
　また、本願発明３、４は、
「欠陥マップ、分類マップ、形成画像、観察倍率、欠陥・異物の検出に用いる観察像を取得する際の前記電子光学カラムの動作モードである検査モード」を有する。
　これら「第二の動作モード」、「検査モード」は、当審拒絶理由で指摘したとおり、本願の明細書段落【００３５】に記載された「試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を表示する動作モード（検査モード）」に対応するものであることは明らかであり、この「動作モード（検査モード）」は、本願の明細書の全記載、特に、同段落【０００９】、同段落【００３３】、同段落【００３７】の記載（詳細は、上記「１」で摘記した当審拒絶理由の記載を参照）から、「中央検出器」の検出信号をもとに、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を形成するモードであると認められる。
　そして、このことは、平成２８年３月１４日付けの意見書の「
２．３．本願発明が特許されるべき理由
　なお、上記「試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像」の「コントラストを強調した画像」が示す技術事項について、「コントラストを
強調した
強い
　そこで、当審拒絶理由で通知したとおり、これら「第二の動作モード」、「検査モード」が、本願の発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かを、以下に、検討する。
（２）当業者の技術常識
　ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型電子顕微鏡）は、電子銃からの電子ビーム（一次電子ビーム）を試料に照射し、照射箇所からの二次電子（ＳＥ：比較的エネルギーの低い成分（低速成分））、後方散乱電子（ＢＳＥ：比較的エネルギーの高い成分（高速成分））を検出して、画像を得るものである。
　そして、二次電子から得られる画像では、試料表面の形状が画像のコントラストに反映され、後方散乱電子から得られる画像では、試料の内部組成（試料を構成する物質、密度、結晶の方位など）や試料表面の凹凸が画像のコントラストに反映されることから、試料表面の形状は二次電子から得られる画像で、試料の組成や凹凸は後方散乱電子から得られる画像で観察するのが、当業者の技術常識である。
　このことは、当審拒絶理由（上記「１」参照）で挙げた、特表２００２−５３０８３３号公報の段落【０００３】、特開２００２−８３５６３号公報の段落【００１１】、特開２００１−１４３６４９号公報の段落【００４８】の記載によって裏付けられる。
（３）本願の発明の詳細な説明
　本願の発明の詳細な説明には、二次電子（ＳＥ）について、「低速成分には、一次ビームの侵入深さに相当する範囲の試料内部の情報（例えば、試料の材質、組成など）が多く含まれている。」（段落【０００９】）という技術常識とは異なる事項が記載され、これに基づき、上記「（１）」で述べたとおり、「中央検出器」の検出信号をもとに、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を形成するモード（検査モード）が記載されているが、なぜ、あるいは、どのようにして、（技術常識とは異なる）二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像が得られるのかについての具体的な記載はないし、実際に、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像が得られたという実験例のようなものの記載もない。
（４）判断
　以上のように、本願の発明の詳細な説明の記載からは、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因するコントラストを強調した画像を得るための具体的な構成が明らかでないから、当業者の技術常識を参酌すれば、当業者といえども、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、本願発明１〜４の発明特定事項である「第二の動作モード」、「検査モード」を実施することができるとは認められない。
　したがって、本願発明１、２の「第二の動作モード」及び本願発明３、４の「検査モード」について、本願の発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは認められない
（５）請求人の主張
　請求人は、平成２８年３月２４日付け意見書の「
２．３．本願発明が特許されるべき理由
「一方、特表２００２−５３０８３３号公報には、マイクロカラムのアインツェル（対物）レンズの上流側に共に設けられる二次電子検出器と後方散乱電子検出器により、高効率の軸方向に対象の電子検出器が得られ、カラム長が短くなり、さらに動作距離が短くなる等の技術が開示され、特にその段落【０００３】には、「従来のＳＥＭは、二次電子（ＳＥ）を検出してその像を生成する。一般的に、二次電子は、低エネルギーのものであり、試料の輪郭に関する情報を提供する。試料の材料のコントラストは、高エネルギーのものである後方散乱電子（ＢＳＥ）を用いて得られる。」との記載があります。しかしながら、
本引用文献の「一般的に、二次電子は、低エネルギーのものであり、試料の輪郭に関する情報を提供する。」との一般的な記載はなされているものの、低速成分で内部情報が得られることを否定するものではなく、本願明細書の「二次粒子の低速成分（ＳＥ：二次電子）を用いて一次ビームの侵入深さに相当する範囲の試料内部情報（例えば、試料の材質、組成など）を得るための検査を行」うとの記載とは矛盾しない
　また、特開２００２−８３５６３号公報には、反射電子の収量を損なわないために、反射電子の対物レンズの磁場による回転角を反射電子のエネルギーについて考慮し、なるべく広いエネルギー範囲内で反射電子を捕らえられる位置に検出器を配置する走査電子顕微鏡が開示され、特にその段落【００１１】には、「反射電子像では前述したように形状の微妙な凹凸形状が像上で陰影をもって見え（図７では像右側に位置する検出器）、また反射電子では組成によるコントラストも期待できるために、二次電子像ではチャージアップにより判別のつきにくかった配線構造（４７）も該配線構造（４７）周辺との構造および組成の違いによりコントラストが得られる。」との記載があります。しかしながら、
本引用文献の記載は、低速成分で内部情報が得られることを否定するものではなく、本願明細書の記載とは矛盾しない
　また、特開２００１−１４３６４９号公報の段落【００４８】には、直交電磁界発生器によって偏向される電子の軌道上に二次電子変換電極を配置し、二次電子変換電極で変換された二次電子を偏向して検出する構成とした走査電子顕微鏡が開示され、特にその段落【００４８】には、「従来の反射電子検出方法においては、エネルギーが高い高加速電圧の一次電子で試料を走査しているので試料の深部に入り込み、これに対応して試料の深部からエネルギーが高い反射電子（ほぼ加速電圧と同じエネルギー）を発生させるものである。このため一次電子線の試料内部散乱の影響で反射電子の発生領域が広がり空間分解能は低下するが、その信号は試料表面の凹凸状態の他に組成情報を多く含む特徴を持っているため、従来方法においては主に試料内の組成情報を得るためにエネルギーが高い反射電子を検出していた。」と記載されています。しかしながら、
本引用文献の記載は、低速成分で内部情報が得られることを否定するものではなく、本願明細書の記載とは矛盾しない
と記載して、当審拒絶理由において、当業者の技術常識を示す文献として例示した、特開２００１−１４３６４９号公報、特開２００２−８３５６３号公報、特開２００１−１４３６４９号公報の各文献には、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））で内部情報（試料の材質、組成）が得られることを否定する記載はなく、本願明細書の記載とは矛盾しないと主張する。
　しかしながら、そもそも、これらの文献は当業者の技術常識を裏付ける文献として例示したものであって、各文献の記載と本願明細書の記載を個々に対比することに意味はない。さらに、各文献に、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））で内部情報（試料の材質、組成）が得られることを否定する明記がないことをもって、各文献が二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））で内部情報（試料の材質、組成）が得られることを開示あるいは示唆しているとは認められない。
　したがって、上記請求人の主張は、それによって当審拒絶理由が解消するものとは認められないから、採用することができない。
　なお、ＳＥＭの設定、試料の種類や表面状態等によっては、二次粒子の低速成分（二次電子（ＳＥ））により試料表面の材料の相違に起因する画像が得られることもあり得るが、このような画像は、通常、コントラストが低いものであって、試料表面の材料の相違に起因する
コントラストを強調した
　また、本願発明１、２の「前記複数の粒子検出器を用いて得られる前記試料表面の凹凸強調像を表示する第一の動作モード」、本願発明３、４の「前記欠陥・異物の詳細な観察像を取得する際の前記電子光学カラムの動作モードである観察モード」は、段落【００３５】に記載された「試料表面の凹凸強調像を表示する動作モード（観察モード）」に対応するものであることは明らかであり、この「観察モード」は、本願の明細書の全記載、特に、同段落【０００９】、同段落【００３３】、同段落【００３７】の記載から、「左検出器１１０」、「右検出器１１１」の検出信号をもとに、二次粒子の高速成分（後方散乱電子（ＢＳＥ））により試料表面の凹凸強調像を形成するモードであると認められ、この「観察モード」は、後方散乱電子から得られる画像では試料表面の凹凸が画像のコントラストに反映されることから、試料の凹凸は後方散乱電子から得られる画像で観察するという当業者の技術常識（上記「（２）」参照）に合致するものである。
（５）結論
　以上のとおり、本願発明１、２の「第二の動作モード」及び本願発明３、４の「検査モード」について、本願の発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものである認められないから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明１〜４を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。
　したがって、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
第３　むすび
　よって、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。