【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年2月26日(2020.2.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
１つの態様では、発明が金属を含む基板の腐食抑制方法を提供する。方法は、両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体、リン酸エステル、イセチオナート、スルファート、スルホスクシナート、スルホシンナマートまたはそれらの任意の組み合わせを含む水性組成物と基板を接触させること、を含む、同からなる、若しくは同から実質的になる。いくつかの実施形態では組成物が約3〜約8.5のｐＨを有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
別の態様では、発明が化学機械研磨組成物を提供する。組成物は、(a)研磨剤、(b)速度促進剤、(c)両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体、リン酸エステル、イセチオナート、スルファート、スルホスクシナート、スルホシンナマート、またはそれらの任意の組み合わせ、(d)酸化剤、及び(e)水性担体を含む、同からなる、若しくは同から実質的になる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
別の態様では、発明が基板の研磨方法を提供する。方法は、(i)基板を提供する、(ii)研磨パッドを提供する、(iii)化学機械研磨組成物を提供する、(iv)基板と研磨パッド及び化学機械研磨組成物を接触させる、並びに(v)基板に対して研磨パッド及び化学機械研磨組成物を動かして少なくとも基板の一部を摩滅させて、基板を磨くことを備える、または同からなる、若しくは同から実質的になる。化学機械研磨組成物は、(a)研磨剤、(b)速度促進剤、(c)両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体、リン酸エステル、イセチオナート、スルファート、スルホスクシナート、スルホシンナマート、またはそれらの任意の組み合わせ、(d)酸化剤、及び(e)水性担体を含むことができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
別の態様では、発明は基板の研磨方法を提供する。方法は、(i)コバルト層を含む基板を提供する、(ii)研磨パッドを提供する、(iii)化学機械研磨組成物を提供する、(iv)基板と研磨パッド及び化学機械研磨組成物を接触させる、並びに(v)基板に対して研磨パッドと化学機械研磨組成物を動かし、少なくとも一部のコバルト層を摩滅させて基板を研磨することを含む、同からなる、若しくは同から実質的になる。化学機械研磨組成物は、(a)研磨剤、(b)速度促進剤、(c)両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体、リン酸エステル、イセチオナート、スルファート、スルホスクシナート、スルホシンナマート、またはそれらの任意の組み合わせ、(d)酸化剤、及び(e)水性担体を含むことができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
腐食抑制方法
１つの態様では、発明は金属を含む基板の腐食抑制方法を提供する。方法は、両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体、リン酸エステル、イセチオナート、スルファート、スルホスクシナート、スルホシンナマート、またはそれらの任意の組み合わせを含む水性組成物と基板を接触させることを備える。これらの各原料種の例が本明細書で提供されており、当業者には容易に理解されるであろう。いくつかの実施形態では、例えばコバルトを含む基板に関連する応用では抑制剤が約３〜約８．５のｐＨを有する水性組成物に含まれる。また、発明は以下の本明細書で更に記載したように、化学機械研磨組成物及び基板の研磨方法も提供する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
化学機械研磨組成物
別の態様では、発明は(a)アニオン性粒子を含む研磨剤、(b)速度促進剤、(c)両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体、リン酸エステル、イセチオナート、スルファート、スルホスクシナート、スルホシンナマート、またはそれらの任意の組み合わせ、(d)酸化剤、及び(e)水性担体を含む、同からなる、若しくは同から実質的になる化学機械研磨(ＣＭＰ)組成物を提供する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
表１は、発明の実施形態に従って代表的な腐食抑制剤の例を要約する。
表１
【表１】
2018500456.tif 000001
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
基板の研磨方法
別の態様では、(i)基板を提供する、(ii)研磨パッドを提供する、(iii)化学機械研磨組成物を提供する、(iv)基板と研磨パッド及び化学機械研磨組成物を接触させる、及び(v)基板に対して研磨パッド及び化学機械研磨組成物を動かして少なくとも基板の一部を摩滅させて、基板を研磨することを含む、またはこれらからなる、若しくはこれらから実質的になる基板の研磨方法を提供する。研磨組成物は、本明細書に記載したように、(a)アニオン性粒子を含む研磨剤、(b)速度促進剤、(c)両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体（例えば、脂肪酸アミノ酸アミド）、リン酸エステル、イセチオナート、サルフェート、スルホサクシネート、スルホシンナマート、またはそれらの任意な組み合わせを含む腐食抑制剤、(d)酸化剤、及び (e)水性担体を含む、これらからなる、またはこれらから実質的になる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
具体的には、発明は更に、(i)コバルト層を含む基板を提供する、(ii)研磨パッドを提供する、(iii)化学機械研磨組成物を提供する、(iv)基板と研磨パッド及び化学機械研磨組成物を接触させる、及び(v)基板に対して研磨パッド及び化学機械研磨組成物を動かして少なくとも基板の一部を摩滅させて、基板を研磨することを含む基板の研磨方法を提供する。研磨組成物は、本明細書に記載したように、(a)アニオン性粒子を含む研磨剤、(b)速度促進剤、(c)両性界面活性剤、スルホナート、ホスホナート、カルボキシラート、アミノ酸誘導体（例えば、脂肪酸アミノ酸アミド）、リン酸エステル、イセチオナート、サルフェート、スルホサクシネート、スルホシンナマート、またはそれらの任意な組み合わせを含む腐食抑制剤、(d)酸化剤、及び (e)水性担体を含む、これらからなる、またはこれらから実質的になる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
表３は、種々のｐＨレベルで各抑制剤溶液に曝露した後のＰＶＤコバルト正方形のＳＥＲを示す。表3で示すように、「ＮＴ」は未試験を示し、「ＩＳ」は不溶解性を示し、「ｈｉｇｈ」は試料が高度に腐食されたが、高レベルの腐食のために測定器（すなわち、上記の「ＲＳ‐７５」）が正確な読み取りを提供しなかったことを示す。比較の目的でベースライン値を与える対照と値を比較する。表３に記載した平均ＳＥＲ値は、２つのデータポイントを通常に平均化することによって得た。
表３
【表３】
2018500456.tif 000002
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８４】
更にまた、表３に記載したデータから明らかなように、１２個の炭素より大きい脂肪族鎖長を有するカルボキシラート基を含む界面活性剤が相当なコバルト腐食抑制を示した（対照と比較して、ＳＥＲで７０％以上減少）。少なくとも１２個の炭素の鎖長をもつグルタメートとサルコシナートが主に低ｐＨ（３と５）で効果的であった。    特定の理論に束縛されるものではないが、この効果は、これらのｐＨレベルにおける陰イオン性頭部基と酸化コバルト‐水酸化物表面との電荷引力によるとすることができると思量される。更に、コバルト酸化物の等電点（ＩＥＰ）の判定が約7-9であるため、９より大きいｐＨではこれらの抑制剤の作用は効果が弱いと考えられる。再び、いかなる特定の理論に束縛されるものではないが、陰イオン性頭部基が陽イオン性コバルト表面に約ｐＨ９以下で引き付けられ、コバルト表面に陰イオン界面活性剤の不動態化層が形成されるようになることが注目される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を含む基板の腐食抑制方法であって、前記方法が
１２個の炭素より大きい脂肪族鎖長を有する脂肪族尾部基を有するカルボキシラート、１２個の炭素より大きい脂肪族鎖長を有する脂肪族尾部基を有するアミノ酸誘導体またはそれらの任意の組み合わせを含む抑制剤を含む水性組成物と基板とを接触させることを含み、
前記金属がコバルトまたはコバルトを含む合金である、方法。
【請求項２】
前記基板が半導体ウエハーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抑制剤が６０g／ｍｏｌ〜５００g／ｍｏｌの分子量を有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記アミノ酸誘導体がアミノ酸アミドである、請求項１−３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記アミノ酸アミドは、Ｎ‐ココイルサルコシナート、Ｎ-ステアロイルサルコシナート、Ｎ-オレオイルサルコシナート、Ｎ-ミリストイルサルコシナート、Ｎ‐ミリストイルグリシン、Ｎ-パルミトイルグリシン、Ｎ‐ココイルグルタメート、カリウムＮ‐ココイルグルタメート、Ｎ-ミリストイルアラニナート、カリウムＮ‐ココイルアラニナート、Ｎ‐ココイルグルタメート、それらの任意な塩、またはそれらの任意な組み合わせである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記抑制剤はアミノ酸誘導体であり、かつ該アミノ酸誘導体がサルコシン誘導体である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記抑制剤は、Ｎ‐ココイルサルコシナート、Ｎ-ステアロイルサルコシナート、Ｎ-オレオイルサルコシナート、Ｎ-ミリストイルサルコシナート、またはそれらの任意な組み合わせである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記抑制剤はカルボキシラートであり、かつ該カルボキシラートがミリスチン酸、パルミチン酸、それらの任意な塩、それらの任意な構造異性体、またはそれらの任意な組み合わせである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項９】
前記抑制剤が０．００４〜０．０１０重量％の量で存在する、請求項１−８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基材を研磨するための化学機械研磨組成物であって、
(a)研磨剤
(b)速度促進剤
(c)１２個の炭素より大きい脂肪族鎖長を有する脂肪族尾部基を有するカルボキシラート、１２個の炭素より大きい脂肪族鎖長を有する脂肪族尾部基を有するアミノ酸誘導体、またはそれらの組み合わせを含む腐食抑制剤
(d)酸化剤、及び
(e)水性担体
を含み、前記基材がコバルトまたはコバルト含有合金を含む、化学機械研磨組成物。
【請求項１１】
前記酸化剤はコバルトを酸化する化合物である、請求項１０に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１２】
前記アミノ酸誘導体はアミノ酸アミドである、請求項１０または１１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１３】
前記アミノ酸アミドは、Ｎ‐ココイルサルコシナート、Ｎ-ステアロイルサルコシナート、Ｎ-オレオイルサルコシナート、Ｎ-ミリストイルサルコシナート、Ｎ‐ミリストイルグリシン、Ｎ-パルミトイルグリシン、Ｎ‐ココイルグルタメート、カリウムＮ‐ココイルグルタメート、Ｎ-ミリストイルアラニナート、カリウムＮ‐ココイルアラニナート、Ｎ‐ココイルグルタメート、それらの任意な塩、またはそれらの任意な組み合わせである、請求項１２に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１４】
前記抑制剤はアミノ酸誘導体であり、かつ該アミノ酸誘導体がサルコシン誘導体である、請求項１０または１１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１５】
前記抑制剤は、Ｎ‐ココイルサルコシナート、Ｎ-ステアロイルサルコシナート、Ｎ-オレオイルサルコシナート、Ｎ-ミリストイルサルコシナート、またはそれらの任意な組み合わせである、請求項１４に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１６】
前記抑制剤はカルボキシラートであり、かつ該カルボキシラートがミリスチン酸、パルミチン酸、それらの任意な塩、それらの任意な構造異性体、またはそれらの任意な組み合わせである、請求項１０または１１に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１７】
前記抑制剤は０．００４重量％の〜０．０１０重量％の量で存在する、請求項１０−１６のいずれか一項に化学機械研磨組成物。
【請求項１８】
前記研磨剤はアルミナ粒子、シリカ粒子、またはそれらの組み合わせである、請求項１０−１７のいずれか一項に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項１９】
前記研磨剤はシリカ粒子を含み、かつ該シリカ粒子がコロイダルシリカ粒子である、請求項１８に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項２０】
前記コロイダルシリカ粒子はアニオン性コロイダルシリカ粒子である、請求項１９に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項２１】
前記研磨剤はコロイダルシリカ粒子を含み、
前記抑制剤はＮ‐ココイルサルコシナート、Ｎ-ステアロイルサルコシナート、Ｎ-オレオイルサルコシナート、Ｎ-ミリストイルサルコシナート、またはそれらの任意な組み合わせを含み、及び
研磨組成物のｐＨは３〜８．５である、請求項１０に記載の化学機械研磨組成物。
【請求項２２】
(i) 基板を提供し、該基板がコバルト層を含み、
(ii) 研磨パッドを提供し、
(iii)請求項１０−２１のいずれか一項に記載の化学機械研磨組成物を提供し、
(iv)前記研磨パッド及び前記化学機械研磨組成物と前記基板を接触させる、及び
(v)前記基板に対して前記研磨パッドと前記化学機械研磨組成物を動かしてコバルト層の少なくとも一部を擦過させて前記基板を研磨することを備える基板の研磨方法。