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【手続補正書】
【提出日】令和2年8月13日(2020.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
付加製造プロセスで使用するための着色硬化性組成物であって、前記組成物は、
放射線硬化性成分を含む硬化性樹脂組成物と、
光開始剤と、
染料Ｄ１及び染料Ｄ２を含む染料組成物と、を含み、
染料Ｄ１は、４００〜５３０ｎｍの波長範囲内で光吸収極大を有し、
染料Ｄ２は、５４０〜６５０ｎｍの波長範囲内で光吸収極大を示す、着色硬化性組成物。
【請求項２】
染料Ｄ１若しくは染料Ｄ２のいずれか、又は染料Ｄ１及び染料Ｄ２は、４００〜６５０ｎｍの波長範囲内での前記各染料の光吸収の強度と比較して少なくとも２０％の強度で、３００〜４００ｎｍの波長範囲内での更なる光吸収を有する、請求項１に記載の着色硬化性組成物。
【請求項３】
以下の特徴：
粘度：２３℃で２００ｍＰａ＊ｓ未満；
４００〜６５０ｎｍの範囲内での光吸収：５ｍｍの経路長で９０％超；
光透過率：１ｍｍの経路長で２５％未満；
色の印象：１ｍｍ以上の経路長で濃い着色；
湿らせたｐＨ感受性紙と前記硬化性組成物を接触させた場合のｐＨ値：６〜８；
任意に、６００〜９００℃の温度範囲内で残留物を残さず燃焼可能である、
のうちの１つ又は複数によって特徴付けられる、請求項１又は２に記載の硬化性組成物。
【請求項４】
染料Ｄ１は、以下の特徴：
分子量：５０〜１０００ｇ／ｍｏｌ；
前記硬化性組成物中の溶解度：２３℃で少なくとも０．１ｇ／ｌ；
アントラキノン部分、アゾ部分、ナフトキノリンジオン部分、イソキノリン部分又はキサンテノン部分を含む、
のうちの１つ又は複数によって特徴付けられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項５】
染料Ｄ２は、以下の特徴：
分子量：５０〜１０００ｇ／ｍｏｌ；
５４０〜６５０ｎｍの波長範囲内での光吸収の強度と比較して少なくとも２０％の強度を有する３００〜４００ｎｍの波長範囲内での光吸収；
前記硬化性組成物中の溶解度：２３℃で少なくとも０．０５ｇ／ｌ；
アントラキノン部分、アゾ部分、フェノキサジン部分、又はトリフェニルメタン部分を含む、
のうちの１つ又は複数によって特徴付けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項６】
前記放射線硬化性成分は、主鎖及び前記主鎖に結合した反応性基を含み、前記放射線硬化性成分は、以下の特徴（化学的性質）：
反応性基として１つ又は複数の（メタ）アクリレート部分を有する；
前記主鎖中に芳香族部分、脂肪族部分、又は芳香族−脂肪族部分を有する；
任意に、前記主鎖中に１つ又は複数のウレタン部分を有する；
任意に、前記主鎖中に１つ又は複数のヒドロキシル基を有する、
のうちの１つ又は複数によって特徴付けられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項７】
以下の成分：
１重量％を超える量のフィラー；
１重量％を超える量の無機顔料；
１重量％を超える量の、Ｃ、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｈａｌ以外の元素を含む成分；
（ここでの重量％は、組成物全体の重量に対する重量％である。）
のうちの１つ又は複数を含まない、請求項１〜６のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項８】
５０〜９８重量％の放射線硬化性成分と、
０．５〜１０重量％の光開始剤と、
０．０１〜１重量％の染料Ｄ１と、
０．０１〜１重量％の染料Ｄ２と、
０〜２０重量％の高沸点添加剤と、
（ここでの重量％は、組成物全体の重量に対する重量％である。）
を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項９】
（メタ）アクリレート部分を含み、５０〜９６重量％の量で存在する放射線硬化性成分と、
ホスフィンオキシド部分を含み、０．５〜１０重量％の量で存在する、光開始剤と、
アントラキノン部分を含み、０．０１〜１重量％の量で存在する、染料Ｄ１と、
アントラキノン部分を含み、０．０１〜１重量％の量で存在する、染料Ｄ２と、
１００〜５００ｇ／ｍｏｌの分子量を有し、１〜１５重量％の量で存在する高沸点添加剤と、を含み、
１重量％を超える量のフィラーと、
１重量％を超える量の無機顔料と、
１重量％を超える量の、Ｃ、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｈａｌ以外の元素を含む成分と、を含まない、
（ここでの重量％は、組成物全体の重量に対する重量％である。）
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の硬化性組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の硬化性組成物を、付加製造技術によって処理する工程を含む、３次元物品の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法によって得られる又は得ることが可能な３次元複合材物品であって、前記物品は、以下の特徴：
光透過率：１ｍｍの経路長で２０％未満；
色の印象：２ｍｍ以上の層の厚さで黒色；
色相ｈ°：ＣＩＥＬＣｈ表色系に従って透過モードにおいて５ｍｍの経路長で測定して３０未満；
彩度Ｃ＊：ＣＩＥＬＣｈ表色系に従って透過モードにおいて５ｍｍの経路長で測定して２０未満；
８００〜９５０℃の温度範囲内で残留物を残さず燃焼可能である、
のうちの１つ又は複数によって特徴付けられる、物品。
【請求項１２】
３次元鋳造物品を製造する方法であって、前記方法は、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の硬化性組成物を、付加製造プロセスにおいて処理して、３次元複合材物品を得る工程と、
インベストメント材料中に前記３次元複合材物品を埋め込む工程と、
前記３次元複合材物品の材料を鋳造材料で置き換えて、前記インベストメント材料中に埋め込まれた３次元鋳造物品を得る工程と、
前記３次元鋳造物品から前記インベストメント材料を取り外す工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月17日(2020.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粒子フィルタ材からなる少なくとも１つの層と、
織布、ニット地、経編み地、及びクロッシェ地からなる群から選択される布地材料からなる２つの外側層であって、前記微粒子フィルタ材からなる少なくとも１つの層を挟む布地材料からなる２つの外側層と
を備え、
前記布地材料からなる２つの外側層は、布地材料を製造するプロセスであって、
１以上の抗菌剤を前記布地材料に付与する吸尽プロセスからなる第１の抗菌剤付与プロセスを用いて前記布地材料を処理し、
前記処理された布地材料を熱処理する
ことを含むプロセスによって得られる構造を有する、
洗浄耐久性のあるフェイスマスク。
【請求項２】
前記外側層の前記布地材料の生地はマルチフィラメントからなる、請求項１のフェイスマスク。
【請求項３】
前記外側層の前記布地材料は、セルロース系布地材料と合成布地材料との混合物である、請求項１又は２のフェイスマスク。
【請求項４】
前記微粒子フィルタ材は、N90/R90/P90等級以上の不織布である、請求項１から３のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項５】
前記微粒子フィルタ材からなる少なくとも１つの層は２層である、請求項４のフェイスマスク。
【請求項６】
前記微粒子フィルタ材からなる少なくとも１つの層と前記布地材料からなる２つの外側層とは、とじ目により互いに付着される、請求項１から５のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項７】
前記とじ目は、２ミリメートル以上、２センチメートル以下の幅を有する、請求項６のフェイスマスク。
【請求項８】
前記とじ目は、前記フェイスマスクの長手方向に沿った縁部の一方又は両方に位置する、請求項６又は７のフェイスマスク。
【請求項９】
前記微粒子フィルタ材からなる少なくとも１つの層と前記布地材料からなる２つの外側層とは、スティッチにより互いに付着される、請求項１から８のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項１０】
前記第１の抗菌剤付与プロセスの液剤は、45℃以上の温度を有し、さらに、前記液剤は、沸点よりも低い温度を有する、請求項１から９のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項１１】
前記熱処理は、前記布地材料のキュアリングを含み、前記キュアリングは、140℃以上のキュアリング周囲温度で少なくとも部分的に行われ、さらに、前記熱処理は、200℃以下の周囲温度で行われる、請求項１から10のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項１２】
前記布地材料からなる２つの外側層のうち少なくとも１つについて、前記布地材料を製造するプロセスは、前記第１の抗菌剤付与プロセスと前記熱処理との間に、
前記布地材料を乾燥させ、
１以上の着色除去剤を前記布地材料に付与する着色除去液剤付与プロセスを用いて前記布地材料を処理する
ことを含む、
請求項１から11のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項１３】
前記布地材料を製造するプロセスは、前記第１の抗菌剤付与プロセスと前記熱処理との間に、
前記布地材料を乾燥させ、
１以上の抗菌剤を前記布地材料に付与する第２の抗菌剤付与プロセスを用いて前記布地材料を処理する
ことを含む、
請求項１から12のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項１４】
前記布地材料を製造するプロセスは、前記第１の抗菌剤付与プロセスと前記熱処理との間に、
前記布地材料を乾燥させ、
１以上の抗菌剤を前記布地材料に付与する第２の抗菌剤付与プロセスを用いて前記布地材料を処理し、
その後、前記布地材料からなる２つの外側層のうち少なくとも１つについて、
前記布地材料を乾燥させ、
１以上の着色除去剤を前記布地材料に付与する着色除去液剤付与プロセスを用いて前記布地材料を処理する
ことを含む、
請求項１から11のいずれか一項のフェイスマスク。
【請求項１５】
前記１以上の抗菌剤は、第４級アンモニウムオルガノシラン化合物、金属、アゾール系化合物、ポリグルコサミン、及びポリヘキサメチレンビグアニドからなる群から選択される抗菌剤のうち１つ以上を含む、請求項１から14のいずれか一項のフェイスマスク。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー基板と、
前記センサー基板の第１の表面上の複数のセンサー回路と、
前記複数のセンサー回路および前記センサー基板の前記第１の表面の上に位置するトランシーバ層とを備え、前記トランシーバ層が、
実質的に共面な一又は複数の圧電層と、
前記一又は複数の圧電層の上に配置された一又は複数のトランシーバ電極とを備え、前記実質的に共面な一又は複数の圧電層および前記一又は複数のトランシーバ電極は、１つまたは複数の超音波を生成し、１つまたは複数の超音波を受け取るように構成される、指紋センサーデバイス。
【請求項２】
前記センサー基板は少なくとも１つのビアを含み、前記ビアはスルー基板ビア（ＴＳＶ）又は成形されたビアバーを備える、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項３】
前記センサー基板に結合されたキャップと、前記センサー基板と前記キャップとの間に形成されたキャビティとをさらに備える、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項４】
前記キャビティは前記センサー基板の前記第１の表面と反対の第２の表面の間であり、前記センサー基板の前記第２の表面とキャビティ領域との間の界面は遮音壁として働く、請求項３に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項５】
前記キャビティは、高さが０．０５ミクロンから１５０ミクロンの間である、請求項３又は４に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項６】
前記キャップは、ウエハ、基板、パネル、サブパネル、プリント回路板（ＰＣＢ）、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）、カプセル化層、金属層、およびプラスチック層からなるグループから選択される、請求項３から５のいずれか一項に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項７】
前記センサー基板は、プラテン接着剤によってプラテンに結合され、前記トランシーバ電極は、複数のセンサー回路と前記プラテンとの間に配置される、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項８】
前記センサー基板は、前記第１の表面の反対側に第２の表面を備え、前記センサー基板の前記第２の表面は、プラテン接着剤によってプラテンに結合される、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項９】
前記センサー基板はシリコンまたはガラスを含む、又は、
前記指紋センサーデバイスが前記トランシーバ電極の上に配設されたコーティング層を更に備える、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項１０】
前記センサー基板は、厚さが５０ミクロンから５００ミクロンの間である、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項１１】
前記実質的に共面な一又は複数の圧電層は、第１のセグメント化圧電層と前記第１のセグメント化圧電層と実質的に共面である第２のセグメント化圧電層とを備え、前記一又は複数のトランシーバ電極は、前記第１のセグメント化圧電層に結合されたトランスミッタ電極と前記第２のセグメント化圧電層に結合されたレシーバ電極とを備える、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項１２】
前記第１のセグメント化圧電層および前記トランスミッタ電極は、１つまたは複数の超音波を生成するように構成され、前記第２のセグメント化圧電層および前記レシーバ電極は１つまたは複数の超音波を受け取るように構成される、請求項１１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項１３】
前記指紋センサーデバイスは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定ロケーション端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、装着型デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両内のデバイスからなるグループから選択されるデバイスに組み込まれる、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項１４】
プラテンをさらに備え、前記プラテンは、画面カバーガラス、ＬＣＤディスプレイパネル、ＯＬＥＤディスプレイパネル、ディスプレイモジュール、モバイルデバイスエンクロージャ、または超音波認証ボタンのカバーの少なくとも一部を備える、請求項１に記載の指紋センサーデバイス。
【請求項１５】
指紋センサーデバイスを製作するための方法であって、
センサー基板を設けるステップと、
前記センサー基板の第１の表面の上に複数のセンサー回路を形成するステップと、
前記複数のセンサー回路および前記センサー基板の前記第１の表面の上にトランシーバを設けるステップとを含み、前記トランシーバを設ける前記ステップが、
実質的に共面な一又は複数の圧電層を設けるステップと、
前記一又は複数の圧電層の上に配置された一又は複数のトランシーバ電極を設けるステップとを含み、前記実質的に共面な一又は複数の圧電層および前記一又は複数のトランシーバ電極は、１つまたは複数の超音波を生成し、１つまたは複数の超音波を受け取るように構成される、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月13日(2020.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水流体電解物と直接物理的に接触する構成の負極；
前記非水流体電解物と直接物理的に接触する正極；
前記負極及び前記正極を隔離するように構成された電子絶縁セパレータ；並びに
リチウムイオンが主要な電荷担体である非水電解物；
を含み、
前記非水電解物が、
少なくとも一つの有機溶媒；
以下の元素：ホウ素、フッ素、炭素、窒素、又は酸素の内の少なくとも二つを含む、少なくとも一つの塩；及び
以下：ピロリドン、スルホンイミド、カルボジイミド、スルホニルフルオリド、ニトリル、イソシアネート、フルオロアセテート、シラン、トリフレート、ハライド、又は有機ボレートからの少なくとも一つの添加剤；
を含む、充電式電気化学セル。
【請求項２】
少なくとも一つの電解活性なリチウム塩が、リチウムビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）イミド、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミド、リチウムビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、リチウムビス（ペルフルオロエチルスルホニル）イミド、リチウムジシアナミド、リチウムトリシアノメチド、リチウムテトラシアノボレート、リチウムビス（オキサラト）ボレート、リチウムジフルオロ（オキサラト）ボレート、リチウムジフルオロ（マロナト）ボレート、リチウムテトラフルオロボレート、リチウムビス（ベンゼンスルホニル）イミド、リチウムトリフレート、リチウムビス（ペルフルオロピナコラト）ボレート、リチウムビス（サリチラト）ボレート、リチウムペルフルオロブタンスルホネート、リチウムチオシアネート、リチウムトリフリネート、及びリチウムナイトレートからなる塩の群から選択される、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項３】
請求項２に列挙された塩から選択される少なくとも二つの電解活性なリチウム塩を含む、請求項２に記載の充電式電気化学セル。
【請求項４】
少なくとも一つの添加剤が、１‐エチル‐２‐ピロリドン、二酸化炭素、Ｎ‐フルオロベンゼンスルホンイミド、アリルトリフルオロアセテート、ビニルトリメチルシラン、テトラ（イソシアナト）シラン、リチウムビス（サリチラト）ボレート、リチウムトリフレート、リチウムフルオリド、ペルフルオロブタンスルホニルフルオリド、リチウムペルフルオロブタンスルホネート、リチウムビニルトリフルオロボレート、リチウムハライド、ベンゾニトリル類、４‐フルオロベンゾニトリル、４‐トリフルオロメチルベンゾニトリル、ベンゾニトリル、アリールイソシアネート類、４‐メトシキフェニルイソシアネート、１，３‐フェニレンジイソシアネート、１，４‐フェニレンジイソシアネート、３，５‐ビス（トリフルオロメチル）フェニルイソシアネート、２‐トリフルオロメトキシフェニルイソシアネート、アルキルイソシアネート類、エチルイソシアネート、ペンチルイソシアネート、オクチルイソシアネート、ドデシルイソシアネート、４‐フルオロベンジルイソシアネート、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、１‐フェニルピロリジン、Ｎ‐ニトロソピロリジン、ジスクシンイミジルカーボネート、リチウムトリフルオロアセテート、メチルジフルオロアセテート、エチルジフルオロアセテート、エチル４，４，４‐トリフルオロ（アセト）アセテート、メチル２，２‐ジフルオロ‐２‐（フルオロスルホニル）アセテート、リチウムノナフルオロブタンスルホネート、リチウム１，１，２，２，３，３‐ヘキサフルオロプロパン‐１，３‐ジスルホンイミド、Ｎ‐フルオロベンゼンスルホンイミド、メチルシアノアセテート、クロロスルホニルイソシアネートからなる化学物質の群から選択される、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項５】
請求項４に列挙された化学物質の群から選択される少なくとも二つの添加剤を含む、請求項４に記載の充電式電気化学セル。
【請求項６】
各添加剤が、全電解物質量の０質量％超１０質量％未満を構成する、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項７】
電解析出及び電解溶解間のアノード分極が２５°Ｃで５００ｍＶ未満である、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項８】
セルのクーロン効率が２５°Ｃで９９．３５％超である、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項９】
電解液が一つ以上の液体注入ポリマー又はゲルを含む、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１０】
前記負極及び前記正極が、前記負極の容量が前記正極の容量よりも厳密に小さくなるように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１１】
前記負極と前記正極との可逆容量比がＱ（負極）／Ｑ（正極）＜０．９となる、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１２】
４．３Ｖ以上まで充電するように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１３】
−２．５Ｖまで放電するように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１４】
定格容量を≦１０Ｃ‐レートで充放電するように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１５】
−２０°Ｃ〜２００°Ｃの範囲の温度で放電及び充電するように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１６】
３０回超の充放電サイクルに対して初期容量の少なくとも８０％をもたらすように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１７】
前記負極が＞１０００ｍＡｈ／ｃｃをもたらすように構成された、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１８】
活性カチオンがリチウムである、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項１９】
アノードのクーロン効率が２５°Ｃで９９．３５％超である、請求項１８に記載の充電式電気化学セル。
【請求項２０】
前記非水電解物が塩、又は塩の組合せを０．５Ｍ〜飽和の範囲の濃度で含む、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項２１】
前記負極又は正極の内の少なくとも一つが、金属、合金、及び金属間化合物の内の一つを含む、請求項２に記載の充電式電気化学セル。
【請求項２２】
前記負極又は正極の内の少なくとも一つが、挿入反応、合金化、インターカレーション、不均化、コンバージョン反応、又はこれらの組合せからなる反応の群から選択される反応を経るように構成された材料を含む、請求項２に記載の充電式電気化学セル。
【請求項２３】
正極及び負極の界面に垂直な圧力が０．０６ＭＰａ超である、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項２４】
ゲート電極電気端子を有する少なくとも一つのゲート電極を更に含み、
前記ゲート電極が前記非水流体電解物と通じており且つ前記正極又は前記負極の内の少なくとも一つにおいて酸化還元活性である少なくとも一つの移動種に対して透過性があり、
前記ゲート電極が前記正極と前記負極との間に位置する、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【請求項２５】
充電中に、負極集電体上にめっきするように構成されたリチウム金属を含む、請求項１に記載の充電式電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月21日(2020.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数のスーパーキャパシタをプリントにより形成することと、
少なくとも１つの再充電可能な電池をプリントにより形成することと、
前記スーパーキャパシタを前記少なくとも１つのプリントされた再充電可能な電池に制御電子装置によって結合することとを含む、
再充電可能な電力デバイスの製造方法。
【請求項２】
複数の前記スーパーキャパシタが、スーパーキャパシタのアレイの各スーパーキャパシタ間に物理的ギャップが存在するように、実質的に平面のアレイ状に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スーパーキャパシタが電解質を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
電解質が水性媒体中に配合されていることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの再充電可能な電池が、Ｎｉイオン、ＺｎイオンまたはＡｌイオンのうちの少なくとも１つの化学作用に基づくことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記再充電可能な電池が、アノードおよびカソードを含み、
前記アノードおよびカソードがそれぞれの集電体基板上にプリントされたスラリーから作製されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記スラリーが水性バインダー系を含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記アノードおよびカソードが、大気環境にある前記集電体基板上に前記スラリーをスクリーン印刷することによって作成されることを特徴とする、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記アノードが、Ｎｉ、Ｚｎ、またはＡｌのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記再充電可能な電池が水性の不燃性電解質を含むことを特徴とする、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記電解質が、Ｎｉ、Ｚｎ、またはＡｌの１つまたは複数の塩類を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記電解質が、ＮｉＳＯ４、ＺｎＳＯ４、ＡｌＣｌ３、またはＡｌ２（ＳＯ４）３のいずれかを含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
制御電子装置が、前記スーパーキャパシタに送られるエネルギーの量を管理するように構成された入力電力制御電子装置を含むことを特徴とする、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記制御電子装置が、電荷を前記スーパーキャパシタから直接出力管理電子装置に向けるように、または電荷を前記スーパーキャパシタから前記少なくとも１つの再充電可能な電池に向けるように構成された電荷管理電子装置を含むことを特徴とする、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの再充電可能な電池が、電荷を出力管理電子装置に向けるように構成されており、そして前記制御電子装置が、前記スーパーキャパシタまたは前記少なくとも１つの再充電可能な電池のいずれかから外部デバイスに電力を供給するように構成されていることを特徴とする、請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月11日(2020.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
平面の第１の側と平面の第２の側とを含む第１の導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の側に形成される前記第１の導電型の第１の半導体層と、
前記半導体基板の前記第２の側に形成される前記第１の導電型の第２の半導体層と、
を含み、
第２の導電型の領域が、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との一方のみに形成され、
前記第２の導電型の領域のどれも、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との他方と前記半導体基板とを介して電気的に接続されない、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第１及び第２の半導体層が前記半導体基板より軽くドープされている、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記第１の導電型がｐ型であり、前記第２の導電型がｎ型である、デバイス。
【請求項４】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記第１の導電型がｎ型であり、前記第２の導電型がｐ型である、デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第２の導電型の領域の第１の領域と第２の領域とが、それぞれ、トランジスタのソースとドレインとを形成する、デバイス。
【請求項６】
集積回路（ＩＣ）デバイスであって、
平面の第１の側と平面の第２の側とを含む第１の導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の第１の側に形成される前記第１の導電型の第１のエピタキシャル半導体層と、
前記半導体基板の第２の側に形成される前記第１の導電型の第２のエピタキシャル半導体層と、
少なくとも部分的に前記第１のエピタキシャル半導体層の表面に形成される複数のトランジスタと、
を含み、
前記第２のエピタキシャル半導体層に如何なるトランジスタも形成されず、
前記第１のエピタキシャル半導体層のトランジスタのどれも、前記半導体基板と前記第２のエピタキシャル半導体層とを介して電気的に接続されない、ＩＣデバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のＩＣデバイスであって、
前記第１及び第２のエピタキシャル半導体層が前記半導体基板より軽くドープされている、ＩＣデバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のＩＣデバイスであって、
前記第１の導電型がｐ型である、ＩＣデバイス。
【請求項９】
請求項７に記載のＩＣデバイスであって、
前記第１の導電型がｎ型である、ＩＣデバイス。
【請求項１０】
半導体デバイスを製造するための方法であって、
第１の導電型の半導体基板の第１の側に前記第１の導電型の第１のエピタキシャル半導体層を形成することと、
前記半導体基板の第２の側に前記第１の導電型の第２のエピタキシャル半導体層を形成することと、
少なくとも部分的に前記第１のエピタキシャル半導体層内に第２の導電型の領域を形成することと、
を含み、
前記第２のエピタキシャル半導体層内に如何なる前記第２の導電型の領域も形成されず、
前記半導体基板が、それを介する、前記第１のエピタキシャル半導体層から前記第２のエピタキシャル半導体層への如何なる導電経路も含まない、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２のエピタキシャル半導体層を形成する前に、前記第１のエピタキシャル半導体層の頂部側に保護層を形成することと、
前記第２のエピタキシャル半導体層を形成した後に、前記第１のエピタキシャル半導体層から前記保護層を取り除くことと、
を更に含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記保護層を形成することが、前記第２のエピタキシャル半導体層を形成する前に、前記第１のエピタキシャル半導体層の頂部側に窒化物材料を形成すること、又は、前記第２のエピタキシャル半導体層を形成する前に、前記第１のエピタキシャル半導体層の頂部側に酸化物層を形成することを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記第１及び第２のエピタキシャル半導体層が前記半導体基板より軽くドープされている、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記少なくとも部分的に前記第１のエピタキシャル半導体層内に第２の導電型の領域を形成することが、前記第１のエピタキシャル半導体層から前記保護層を取り除くことの後に行われる、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第１及び第２のエピタキシャル半導体層が前記半導体基板より軽くドープされている、方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第１及び第２のエピタキシャル半導体層が前記半導体基板より軽くドープされている、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１の導電型がｐ型であり、前記第２の導電型がｎ型である、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１の導電型がｎ型であり、前記第２の導電型がｐ型である、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第２のエピタキシャル半導体層を形成する前に、前記第１のエピタキシャル半導体層の頂部側に窒化物又は酸化物の保護層を形成することと、
前記第２のエピタキシャル半導体層を形成した後に、前記第１のエピタキシャル半導体層から前記保護層を取り除くことと、
を更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２のエピタキシャル半導体層内に隔離構造を形成せずに前記第１のエピタキシャル半導体層内に隔離構造を形成ことを更に含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月12日(2020.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションバイナリコードの更新バージョンに関するターゲットアプリケーション機能の仮想メモリアドレスを更新するための方法であって、
複数の仮想アドレスマッピングテーブルを記憶するステップであって、各仮想アドレスマッピングテーブルは、ハイレベルオペレーティングシステムに登録された複数のアプリケーションのうちの対応する1つのアプリケーションのアプリケーションバイナリコードに関連付けられ、各仮想アドレスマッピングテーブルは、前記アプリケーションバイナリコードにおける対応するターゲットアプリケーション機能にマッピングされた前記アプリケーションバイナリコードの複数の仮想アドレスを含み、前記複数の仮想アドレスが、アプリケーションソースコードにおける対応するターゲットアプリケーション機能ポイントにもマッピングされる、ステップと、
前記アプリケーションバイナリコードの更新バージョンを受信したことに応答して、前記仮想アドレスマッピングテーブルにおける前記複数の仮想アドレスのうちの1つまたは複数に関連付けられた疑似バイナリコードテンプレートを選択するステップであって、前記疑似バイナリコードテンプレートが、局所変数のためのメモリおよび疑似レジスタにおける記憶ロケーションのための記号表現を使用する演算ステートメントのシーケンスを含む、ステップと、
前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンにおけるバイナリ命令に前記疑似バイナリコードテンプレートをマッチングするステップであって、正確な機能を実施する前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンにおける領域を識別するために演算ステートメントのシーケンスを使用するステップを含む、マッチングするステップと、
マッチングが検出されたとき、新しい仮想アドレスが前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンに対応すると決定するステップと、
前記新しい仮想アドレスにより前記仮想アドレスマッピングテーブルを更新するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンにおける前記バイナリ命令に前記疑似バイナリコードテンプレートをマッチングするステップは、前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンの焦点領域を探索するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記焦点領域は、前記ターゲットアプリケーション機能の前記仮想アドレスに関連付けられたベース/オフセットメタデータによって定義される、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記ベース/オフセットメタデータは前記仮想アドレスマッピングテーブルに記憶される、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記仮想アドレスマッピングテーブルは、前記ターゲットアプリケーション機能の前記複数の仮想アドレスのうちの前記1つまたは複数に関連付けられたベース/オフセットメタデータを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記ベース/オフセットメタデータは、前記マッチングするバイナリ命令を探索するために前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンの焦点領域を定義する、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記疑似バイナリコードテンプレートは、前記ターゲットアプリケーション機能のうちの1つまたは複数に関係するバイナリコード命令と同等の疑似コード命令を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
アプリケーションバイナリコードの更新バージョンに関するターゲットアプリケーション機能の仮想メモリアドレスを更新するためのシステムであって、
複数の仮想アドレスマッピングテーブルを記憶するための手段であって、各仮想アドレスマッピングテーブルは、ハイレベルオペレーティングシステムに登録された複数のアプリケーションのうちの対応する1つのアプリケーションのアプリケーションバイナリコードに関連付けられ、各仮想アドレスマッピングテーブルは、前記アプリケーションバイナリコードにおける対応するターゲットアプリケーション機能にマッピングされた前記アプリケーションバイナリコードの複数の仮想アドレスを含み、前記複数の仮想アドレスが、アプリケーションソースコードにおける対応するターゲットアプリケーション機能ポイントにもマッピングされる、記憶するための手段と、
前記アプリケーションバイナリコードの更新バージョンを受信したことに応答して、前記仮想アドレスマッピングテーブルにおける前記複数の仮想アドレスのうちの1つまたは複数に関連付けられた疑似バイナリコードテンプレートを選択するための手段であって、前記疑似バイナリコードテンプレートが、局所変数のためのメモリおよび疑似レジスタにおける記憶ロケーションのための記号表現を使用する演算ステートメントのシーケンスを含む、選択するための手段と、
前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンにおけるバイナリ命令に前記疑似バイナリコードテンプレートをマッチングするための手段であって、正確な機能を実施する前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンにおける領域を識別するために演算ステートメントを使用するための手段を含む、マッチングするための手段と、
マッチングが検出されたとき、新しい仮想アドレスが前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンに対応すると決定するための手段と、
前記新しい仮想アドレスにより前記仮想アドレスマッピングテーブルを更新するための手段と
を含むシステム。
【請求項９】
前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンにおける前記バイナリ命令に前記疑似バイナリコードテンプレートをマッチングするための手段が、前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンの焦点領域を探索するための手段を含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項１０】
前記焦点領域は、前記ターゲットアプリケーション機能の前記仮想アドレスに関連付けられたベース/オフセットメタデータによって定義される、請求項9に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ベース/オフセットメタデータは前記仮想アドレスマッピングテーブルに記憶される、請求項10に記載のシステム。
【請求項１２】
前記仮想アドレスマッピングテーブルは、前記ターゲットアプリケーション機能の前記複数の仮想アドレスのうちの前記1つまたは複数の仮想アドレスに関連付けられたベース/オフセットメタデータを含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ベース/オフセットメタデータは、前記マッチングするバイナリ命令を探索するために前記アプリケーションバイナリコードの前記更新バージョンの焦点領域を定義する、請求項12に記載のシステム。
【請求項１４】
前記疑似バイナリコードテンプレートは、前記ターゲットアプリケーション機能のうちの1つまたは複数を表すバイナリコード命令と同等の疑似コード命令を含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項１５】
請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の方法を実行するための命令を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月18日(2020.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプタマーであって、当該アプタマーが、
配列番号:1および配列番号:2と少なくとも70％配列同一性を有するポリヌクレオチド、または
5’から3’に向けて、3ヌクレオチドを含む第一のステム形成領域、ヌクレオチド配列AACを含む第一のループ領域、3ヌクレオチドを含む第二のステム形成領域、ヌクレオチド配列CCを含む第二のループ領域、2−8ヌクレオチドから成る第三のステム形成領域、1−12ヌクレオチドから成る第三のループ領域またはスペーサー配列、2−8ヌクレオチドから成り第三のステム形成領域とともにステムを形成する第四のステム形成領域、ヌクレオチドCを含む第四のループ領域、3ヌクレオチドを含み第二のステム形成領域とともにステムを形成する第五のステム形成領域、ヌクレオチド配列CAGAを含む第五のループ領域、および3ヌクレオチドを含み第一のステム形成領域とともにステムを形成する第六のステム形成領域を含むポリヌクレオチドと少なくとも70％配列同一性を有するポリヌクレオチドを含み、
ここで、当該ポリヌクレオチドが非改変形を含むか、または少なくとも1つのヌクレオチド塩基改変を含む改変形を含み、
当該アプタマーが長さにおいて53ヌクレオチドを超えない、前記アプタマー。
【請求項２】
5’から3’に向けて配列番号:1、1−18ヌクレオチドから成る変動可能ヌクレオチド配列またはスペーサー配列、および配列番号:2を含むポリヌクレオチドと少なくとも70％配列同一性を有するポリヌクレオチドを含む、請求項１に記載のアプタマー。
【請求項３】
配列番号:3−9のいずれか1つと少なくとも90％配列同一性を有するポリヌクレオチドを含む、請求項１〜２のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項４】
ヒトVWFタンパク質に対する当該アプタマーの解離定数（KD）が100ナノモル（nM）未満である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項５】
ポリヌクレオチドの5’末端または3’末端にテールヌクレオチドをさらに含み、当該テールヌクレオチドが当該ポリヌクレオチドの連続する3つ以上のヌクレオチドと対を形成することができず、当該テールヌクレオチド配列が2−12ヌクレオチドから成る、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項６】
テールヌクレオチド配列がポリヌクレオチドの3’末端に存在し、さらにヌクレオチド配列(U/T)(U/T)(U/T)(U/T)(U/T)から成る、請求項５に記載のアプタマー。
【請求項７】
長さにおいて39ヌクレオチドを超えない、請求項１〜６のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項８】
ポリヌクレオチドが、2’フルオロ改変、2’O-メチル改変、5’改変、および3’改変から成る群から選択される少なくとも1つのヌクレオチド塩基改変を含む改変形を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項９】
ポリヌクレオチドが5’リンカーおよび/または3’リンカーを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項１０】
ポリヌクレオチドが安定性作用物質をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項１１】
安定性作用物質が、ポリエチレングリコール（PEG）、コレステロール、アルブミン、およびエラスチン様ポリペプチドから成る群から選択される、請求項１０に記載のアプタマー。
【請求項１２】
安定性作用物質がポリヌクレオチドの5’末端に連結される、請求項１０〜１１のいずれか１項に記載のアプタマー。
【請求項１３】
請求項１〜１２に記載のアプタマーのいずれか1つを含むダイマー、トリマーまたはテトラマー。
【請求項１４】
配列番号:103−180のいずれか1つと少なくとも70％配列同一性を有するポリヌクレオチドを含む、解毒剤。
【請求項１５】
請求項１〜１２に記載のアプタマーのいずれか1つの少なくとも8ヌクレオチドに対して逆相補性であり、かつ前記少なくとも8ヌクレオチドとハイブリダイズすることができる配列を有するポリヌクレオチドを含む解毒剤。
【請求項１６】
医薬担体と、請求項１〜１２に記載のアプタマー、請求項１３に記載のダイマー、トリマーもしくはテトラマーまたは請求項１４〜１５に記載の解毒剤のいずれか1つとを含む医薬組成物。
【請求項１７】
対象動物で血餅形成を予防するための医薬の製造における、請求項１〜１２に記載のアプタマー、請求項１３に記載のダイマー、トリマーもしくはテトラマーまたは請求項１６に記載の組成物のいずれか1つの使用。
【請求項１８】
対象動物が心房細動を罹患するか、または深部静脈血栓症、卒中、心臓発作、または肺塞栓症を有するリスクがある、請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
対象動物で血餅を減少させるための医薬の製造における、VWF標的薬剤の使用。
【請求項２０】
VWF標的薬剤がアプタマーを含む、請求項１９に記載の使用。
【請求項２１】
VWF標的薬剤が請求項１〜１２に記載のアプタマー、請求項１３に記載のダイマー、トリマーもしくはテトラマーまたは請求項１６に記載の組成物のいずれか1つを含む、請求項１９に記載の使用。
【請求項２２】
対象動物が深部静脈血栓症、卒中、心臓発作、または肺塞栓症を罹患する、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の使用。
【請求項２３】
当該アプタマーまたは当該VWF標的薬剤を中和するための医薬の製造における解毒剤の使用をさらに含む、請求項１７〜２２のいずれか１項に記載の使用。
【請求項２４】
解毒剤が請求項１４−１５に記載の解毒剤のいずれか1つを含む、請求項２３に記載の使用。
【請求項２５】
当該対象動物が哺乳動物である、請求項１７〜２４のいずれか１項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月18日(2020.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
精製ヒトミルクオリゴ糖組成物を作製する方法であって、
（ａ）人乳透過液を、前記人乳透過液中のラクトースの消化に好適な条件下でラクターゼと混合して、透過液／ラクターゼ混合物を作り出すことと、
（ｂ）前記透過液／ラクターゼ混合物から前記ラクターゼを除去することと、
（ｃ）前記混合物を濾過して、ヒトミルクオリゴ糖を精製及び濃縮することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記透過液のｐＨが、前記ラクターゼの添加前又はそれと同時に、約４．３〜約４．７のｐＨに調整され、
任意に、前記ｐＨが、前記ラクターゼを添加する前に４．５に調整される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記透過液が、前記ラクターゼの添加前又はそれと同時に、約４５℃〜約５５℃の温度に加熱され、
任意に、前記透過液が、前記ラクターゼを添加する前に約５０℃に加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ラクターゼが、約０．１％〜約０．５％重量／重量で添加され、
任意に、ラクターゼが、約０．１％重量／重量で添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記混合物を、ラクターゼの除去の前に約２０℃〜約３０℃の温度に冷却することを更に含み、
任意に、前記温度が、約２５℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
デプスフィルタを通して前記ラクターゼ消化透過液を浄化することを更に含み、
任意に、前記デプスフィルタが、約０．１〜約１０ミクロンのフィルタまたは約１〜約５ミクロンのフィルタである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記濾過が、任意に５０，０００ダルトン以下の孔径を有する膜を通して、工程（ｂ）の前記混合物を限外濾過して、限外濾過混合物を作り出すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
６００ダルトン以下の孔径を有する膜を通して、前記限外濾過混合物を濾過することを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記濾過が、約２，０００〜約３，０００ダルトンの膜を含むフィルタ、続いて６００ダルトン以下の膜を通した濾過の両方を通して、工程（ｂ）の前記混合物を濾過することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｃ）における精製後のヒトミルクオリゴ糖の濃度が、約０．５％〜約７．５％または約１％〜約５％重量／重量であり、
任意に、ヒトミルクオリゴ糖の前記濃度が、約５％重量／重量である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法に従って作製された精製ヒトミルクオリゴ糖組成物。
【請求項１２】
５％以下のラクトースを含む、請求項１１に記載の精製ヒトミルクオリゴ糖組成物。
【請求項１３】
それを必要とする対象において全身性炎症を減少させるために用いられる精製ヒトミルクオリゴ糖組成物であって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により作製された、精製ヒトミルクオリゴ糖組成物。
【請求項１４】
それを必要とする対象において感染を治療又は予防するための精製ヒトミルクオリゴ糖組成物であって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により作製された、精製ヒトミルクオリゴ糖組成物。
【請求項１５】
移植を受けている対象において移植片対宿主病のリスクを減少するための精製ヒトミルクオリゴ糖組成物であって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により作製された、精製ヒトミルクオリゴ糖組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月14日(2020.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）接触活性化系に関連する疾患を有する、有することが疑われる、またはそのリスクがある、対象から得られた生体サンプルを用意することと、
（ｉｉ）表１から選択される少なくとも１種のＲＮＡバイオマーカーを含むＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルを測定することと、
を含む、サンプルを分析するための方法であって、前記ＲＮＡバイオマーカーのセットが１種のＲＮＡバイオマーカーからなる場合には前記ＲＮＡバイオマーカーはｈｓａ−ｍｉＲ−１６−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１７−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１９ａ−３ｐおよびｈｓａ−ｍｉＲ−２０ａ−５ｐのいずれでもない、方法。
【請求項２】
前記バイオマーカーのセットは、２〜１０種のＲＮＡバイオマーカーからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生体サンプルは血清サンプルまたは血漿サンプルである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記接触活性化系に関連する疾患は遺伝性血管性浮腫（ＨＡＥ）であり、前記ＨＡＥはＩ型ＨＡＥまたはＩＩ型ＨＡＥであってもよい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ＲＮＡバイオマーカーは、ミトコンドリアにコードされたシトクロムＣオキシダーゼＩＩＩ（ＭＴ−ＣＯ３）またはミトコンドリアにコードされたＮＡＤＨ：ユビキノンオキシドレダクターゼコアサブユニット３（ＭＴ−ＮＤ３）であるミトコンドリアタンパク質をコードするメッセンジャーＲＮＡである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ＲＮＡバイオマーカーはマイクロＲＮＡであり、前記マイクロＲＮＡは、ｈｓａ−ｍｉＲ−１６−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１９ａ−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−２０ａ−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１７−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−２８−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−４２３−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−２６ａ−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１３０７−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−３３５−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１３９−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−４８５−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−２６ｂ−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−８８５−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−３６１−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−７６９−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−１４０−５ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−４８５−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−８８９−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−９４１、ＲＰＬ２３、ｈｓａ−ｍｉＲ−３２８−３ｐおよびｈｓａ−ｍｉＲ−４８４からなる群より選択されてもよい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｉｉ）は、ポリメラーゼ連鎖反応または核酸ハイブリダイゼーションを伴う、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記対象はヒト患者である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記対象の前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルが、対照となる対象の同じＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルから逸脱する場合に、前記対象が接触系に関連する疾患を有すると特定すること；および前記対象が前記疾患を有すると特定された場合に、前記疾患を治療するための治療薬の有効量を前記対象に投与すること、をさらに含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
治療薬は血漿カリクレイン（ｐＫａｌ）阻害剤、ブラジキニン２受容体（Ｂ２Ｒ）阻害剤および／またはＣ１エステラーゼ阻害剤であり、前記ｐＫａｌ阻害剤は抗ｐＫａｌ抗体または阻害性ペプチドであってもよい、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記治療薬はラナデルマブ、エカランチド、イカチバントまたはヒト血漿由来Ｃ１エステラーゼインヒビターである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記対象は、前記疾患の治療を受けているヒト患者であり、前記方法は、前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルに基づいて前記治療の有効性を評価することをさらに含み、前記対象の前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルが対照となる対象のものから逸脱することが前記治療の有効性を示す、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルに基づいて前記対象に適している治療を特定することをさらに含む、または前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルに基づいて前記対象を前記疾患の治療の候補として特定することをさらに含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ヒト患者は前記疾患の病歴を有し、前記疾患は遺伝性血管性浮腫（ＨＡＥ）であってもよい、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＲＮＡバイオマーカーのセットは、ｈｓａ−ｍｉＲ−１３０７−３ｐ、ｈｓａ−ｍｉＲ−３３５−３ｐおよびｈｓａ−ｍｉＲ−４８５−５ｐからなる群より選択される１種以上のＲＮＡバイオマーカーを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルに基づいて前記対象における疾患の発作のリスクを評価することをさらに含み、前記対象の前記ＲＮＡバイオマーカーのセットのレベルが対照となる対象のものから逸脱することが疾患の発作のリスクを示し、前記対象が、疾患の発作のリスクがあると特定された場合に、前記対象に治療薬を投与することをさらに含んでもよい、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記治療薬は、予防的治療のためのものである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
接触系に関連する疾患を有する、有することが疑われる、またはそのリスクがある、対象のサンプルを分析するためのキットであって、
（ｉ）表１から選択される第１のＲＮＡバイオマーカーに対して特異的な第１の結合物質と、
（ｉｉ）表１から選択される第２のＲＮＡバイオマーカーに対して特異的な第２の結合物質と、
を含み、前記第１のＲＮＡバイオマーカーと前記第２のＲＮＡバイオマーカーは異なる、キット。
【請求項１９】
前記第１の結合物質は、前記第１のＲＮＡバイオマーカーまたはそのフラグメントに対して相補的なオリゴヌクレオチドである、および／または前記第２の結合物質は、前記第２のＲＮＡバイオマーカーまたはそのフラグメントに対して相補的なオリゴヌクレオチドである、請求項１８に記載のキット。
【請求項２０】
前記第１の結合物質、前記第２の結合物質またはその両方が標識にコンジュゲートされている、および／または前記第１の結合物質および前記第２の結合物質は、支持部材上に固定化されている、請求項１８または１９に記載のキット。