【手続補正書】
【提出日】令和2年2月13日(2020.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプラントを処理する方法であって、以下のステップ：
−  インプラントの表面を、超音波処理下、約５０℃〜約９０℃の温度で、少なくとも１種のホスホン酸化合物または薬学的に許容されるその塩、エステルもしくはアミドで処理するステップ
を含む、方法。
【請求項２】
ホスホン酸化合物で処理するステップが、超音波処理下、約６０℃〜約７０℃の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ホスホン酸化合物で処理するステップの前に、インプラントの表面を洗浄剤で前処理するステップであって、
洗浄剤がホスフェートを含まないアルカリ性液体濃縮物の０．５％（ｖ／ｖ）〜５％（ｖ／ｖ）水溶液であり、液体濃縮物のｐＨが１２よりも高く、液体濃縮物が約５％（ｗ／ｗ）〜約１５％（ｗ／ｗ）のメチルグリシンジアセテートおよび約１％（ｗ／ｗ）〜約５％（ｗ／ｗ）の無機塩基を含み、前記０．５％（ｖ／ｖ）〜５％（ｖ／ｖ）水溶液のｐＨが１１に等しいかそれよりも高い、ステップをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
洗浄剤で前処理するステップが、
（i）約５０℃〜約９０℃の温度で；及び／又は
（ii）超音波処理下で
行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されているＣ１〜３０炭化水素であって、任意選択で、ヒドロキシおよびハロゲンから独立して選択される１つまたは複数の基で置換されており、さらに、前記炭化水素に含まれる１個または複数の炭素原子が、任意選択で、窒素、酸素および硫黄から独立して選択されるヘテロ原子でそれぞれ置き換えられている、炭化水素である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ホスホン酸化合物が、３〜６つのホスホン酸基で置換されているＣ１〜１０アルカンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ホスホン酸化合物が、メタンホスホン酸、エタンホスホン酸、プロパン−１−ホスホン酸、プロパン−２−ホスホン酸、メタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，２−ジホスホン酸、プロパン−１，１−ジホスホン酸、プロパン−２，２−ジホスホン酸、プロパン−１，２−ジホスホン酸、プロパン−１，３−ジホスホン酸、エタン−１，１，１−トリホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、プロパン−１，１，１−トリホスホン酸、プロパン−１，１，２−トリホスホン酸、プロパン−１，１，３−トリホスホン酸、プロパン−１，２，２−トリホスホン酸、プロパン−１，２，３−トリホスホン酸、ブタン−１，１，１−トリホスホン酸、ブタン−１，１，２−トリホスホン酸、ブタン−１，１，３−トリホスホン酸、ブタン−１，１，４−トリホスホン酸、ブタン−１，２，２−トリホスホン酸、ブタン−２，２，３−トリホスホン酸、ブタン−１，３，３−トリホスホン酸、ブタン−１，２，３−トリホスホン酸、ブタン−１，２，４−トリホスホン酸、ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、ペンタン−２，２，５−トリホスホン酸、ヘキサン−１，１，６−トリホスホン酸、ヘキサン−２，２，６−トリホスホン酸、プロパン−１，１，１，２−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，１，３−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，２，２−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，２，３−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，３，３−テトラホスホン酸、プロパン−１，２，２，３−テトラホスホン酸、ブタン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、ペンタン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、ヘキサン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、ヘプタン−１，４，４，７−テトラホスホン酸、オクタン−１，４，４，８−テトラホスホン酸、ノナン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、ペンタン−１，１，３，５，５−ペンタホスホン酸、ペンタン−１，１，２，４，５，５−ヘキサホスホン酸、ｔｅｒｔ−ブチルホスホン酸、２−メチル−プロパン−１，１，１−トリホスホン酸、２−メチル−プロパン−１，１，３−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−プロパン−１，３−ジホスホン酸、２−メチル−プロパン−１，１，３，３−テトラホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，１−トリホスホン酸、３−メチル−ブタン−１，１，１−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−プロパン−１，１−ジホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，３−トリホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，４−トリホスホン酸、３−メチル−ブタン−２，２，４−トリホスホン酸、３−メチル−ブタン−１，１，４−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ブタン−１，３−ジホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ブタン−１，４−ジホスホン酸、３−メチル−ブタン−１，１，２−トリホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，１−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，１−ジホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，３−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，４−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，３，３−トリホスホン酸、４−メチル−ペンタン−２，２，５−トリホスホン酸、４−メチル−ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，３−ジホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，３，４−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，４−ジホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，５−ジホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，３，５−トリホスホン酸、４−メチル−ペンタン−１，２，５−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、３−メチル−ペンタン−１，１，１−トリホスホン酸、３−メチル−ペンタン−１，１，２−トリホスホン酸、３−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，１−ジホスホン酸、３−メチル−ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、３−（トリホスホノ−メチル）−ペンタン、３−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，５−ジホスホン酸、３−メチル−ペンタン−２，２，５−トリホスホン酸、２−メチル−ヘキサン−１，１，１−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ヘキサン−１，６−ジホスホン酸、２−メチル−ヘキサン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、４−メチル−ヘプタン−１，１，１−トリホスホン酸、４−メチル−ヘプタン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、２−メチル−オクタン−１，１，１−トリホスホン酸、２−メチル−オクタン−１，１，８，８−テトラホスホン酸、３−（ビスホスホノ−メチル）−ブタン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、３−（ビスホスホノ−メチル）−ペンタン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビニルホスホン酸、１−プロペン−３−ホスホン酸、２−プロペン−３−ホスホン酸、１−プロペン−２−ホスホン酸、エテン−１，１−ジホスホン酸、エテン−１，２−ジホスホン酸、１−プロペン−１，１−ジホスホン酸、１−プロペン−３，３−ジホスホン酸、１−プロペン−１，２−ジホスホン酸、１−プロペン−２，３−ジホスホン酸、１−プロペン−１，３−ジホスホン酸、１−エテン−１，１，２−トリホスホン酸、１−プロペン−３，３，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，１，２−トリホスホン酸、１−プロペン−２，３，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，１，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，３，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，２，３−トリホスホン酸、１−ブテン−４，４，４−トリホスホン酸、２−ブテン−４，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，１，２−トリホスホン酸、２−ブテン−３，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−３，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，１，３−トリホスホン酸、２−ブテン−１，１，３−トリホスホン酸、１−ブテン−２，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，１，４−トリホスホン酸、２−ブテン−１，１，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−３，３，４−トリホスホン酸、１−ブテン−２，３，３−トリホスホン酸、１−ブテン−１，３，３−トリホスホン酸、１−ブテン−１，２，３−トリホスホン酸、２−ブテン−２，３，４−トリホスホン酸、１−ブテン−２，３，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，２，４−トリホスホン酸、２−ブテン−１，２，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，３，４−トリホスホン酸、２−ペンテン−１，１，５−トリホスホン酸、２−ペンテン−１，５，５−トリホスホン酸、１−ペンテン−１，５，５−トリホスホン酸、２−ペンテン−１，４，４−トリホスホン酸、１−ペンテン−１，４，４−トリホスホン酸、１−ヘキセン−１，１，６−トリホスホン酸、２−ヘキセン−１，１，６−トリホスホン酸、３−ヘキセン−１，１，６−トリホスホン酸、２−ヘキセン−１，６，６−トリホスホン酸、１−ヘキセン−１，６，６−トリホスホン酸、１−ヘキセン−１，５，５−トリホスホン酸、２−ヘキセン−１，５，５−トリホスホン酸、３−ヘキセン−２，２，６−トリホスホン酸、１−プロペン−２，３，３，３−テトラホスホン酸、１−プロペン−１，３，３，３−テトラホスホン酸、１−プロペン−１，２，３，３−テトラホスホン酸、１−プロペン−１，１，３，３−テトラホスホン酸、１−ブテン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、２−ブテン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、１−ペンテン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、２−ペンテン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、１−ヘキセン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、２−ヘキセン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、３−ヘキセン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、１−ヘプテン−１，４，４，７−テトラホスホン酸、２−ヘプテン−１，４，４，７−テトラホスホン酸、１−オクテン−１，４，４，８−テトラホスホン酸、２−オクテン−１，４，４，８−テトラホスホン酸、３−オクテン−１，５，５，８−テトラホスホン酸、１−ノネン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、２−ノネン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、３−ノネン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、１−シクロペンチル−ホスホン酸、１，１−シクロペンチル−ジホスホン酸、１，２−シクロペンチル−ジホスホン酸、１，３−シクロペンチル−ジホスホン酸、１−シクロヘキシル−ホスホン酸、１，１−シクロヘキシル−ジホスホン酸、１，２−シクロヘキシル−ジホスホン酸、１，３−シクロヘキシル−ジホスホン酸、１，４−シクロヘキシル−ジホスホン酸、およびフェニル−１−ホスホン酸から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ホスホン酸化合物が、プロパン−１，１，３，３−テトラホスホン酸である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ホスホン酸化合物が、
（i）ビスホスホン酸であるか；または
（ii）ホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されているアミノ酸であるか；または
（iii）ホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されている、２〜１５アミノ酸残基のペプチドである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
インプラントの表面が、
（i）チタン、クロム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム、アルミニウム、コバルト、ニッケル、ステンレス鋼または前述の金属のうちの任意のものの合金製であるか；または、
（ii）チタンまたはチタン合金製であるか；または、
（iii）グレード４チタン、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ合金、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ  ＥＬＩ合金、チタン−ニオブ合金またはチタン−ジルコニウム合金製であるか；または、
（iv）コバルト−クロム合金製であるか；または、
（v）金属または金属合金の酸化物、カーバイド、窒化物、酸窒化物、炭窒化物またはオキシカーバイドであるセラミック製であって、前記金属または金属合金が、チタン、クロム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム、アルミニウム、コバルト、ニッケル、ステンレス鋼およびそれらの合金から選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
これらの結果は、ディスクの最外側面にホスホン酸化合物が結合していることを示している。リンピークは、１０秒のスパッタリング後、検出限界（０．５％）に近い％原子濃度で測定された。このことは、ホスホン酸化合物が、厚さ約１ｎｍ（これは、分子のサイズである）の単層を形成したことを示した。このことは、図６にも示されている。
本発明の態様には以下のものも含まれる。
態様１
インプラントを処理する方法であって、以下のステップ：
−  インプラントの表面を、超音波処理下、約５０℃〜約９０℃の温度で、少なくとも１種のホスホン酸化合物または薬学的に許容されるその塩、エステルもしくはアミドで処理するステップ
を含む、方法。
態様２
ホスホン酸化合物で処理するステップが、超音波処理下、約６０℃〜約７０℃の温度で行われる、態様１に記載の方法。
態様３
ホスホン酸化合物で処理するステップの前に、インプラントの表面を洗浄剤で前処理するステップであって、
洗浄剤がホスフェートを含まないアルカリ性液体濃縮物の０．５％（ｖ／ｖ）〜５％（ｖ／ｖ）水溶液であり、液体濃縮物のｐＨが１２よりも高く、液体濃縮物が約５％（ｗ／ｗ）〜約１５％（ｗ／ｗ）のメチルグリシンジアセテートおよび約１％（ｗ／ｗ）〜約５％（ｗ／ｗ）の無機塩基を含み、前記０．５％（ｖ／ｖ）〜５％（ｖ／ｖ）水溶液のｐＨが１１に等しいかそれよりも高い、ステップをさらに含む、態様１または２に記載の方法。
態様４
洗浄剤で前処理するステップが、約５０℃〜約９０℃の温度で行われる、態様３に記載の方法。
態様５
洗浄剤で前処理するステップが、超音波処理下で行われる、態様３または４に記載の方法。
態様６
表面が金属、金属合金またはセラミック製であるインプラントであって、ホスホン酸化合物または薬学的に許容されるその塩、エステルもしくはアミドがインプラントの表面に結合しており、Ｘ線光電子分光法によって決定される金属含有対リン含有量比で表したインプラント表面被覆率が基準最大表面被覆率の少なくとも７０％である単層を形成しており、
基準最大表面被覆率が、Ｘ線光電子分光法によって決定される金属含有量対リン含有量比で表した表面被覆率であって、インプラントを、まず、超音波処理下、６５℃の温度で３０分の期間、ｐＨが１２よりも高い、ホスフェートを含まないアルカリ性液体洗浄濃縮物の２％（ｖ／ｖ）水溶液で前処理し、次いで、超音波処理下、６５℃の温度で、使用した水のすすぎ後のｐＨが６．２±０．５になるまで水ですすぎ、次いで、超音波処理下、６５℃の温度で６０分の期間、ホスホン酸化合物または薬学的に許容されるその塩、エステルもしくはアミドの５ｍＭ水溶液で処理した場合に得られ、前記液体洗浄濃縮物が、５％（ｗ／ｗ）〜１５％（ｗ／ｗ）のメチルグリシンジアセテートおよび１％（ｗ／ｗ）〜５％（ｗ／ｗ）の水酸化カリウムを含み、前記液体濃縮物のｐＨが１２よりも高い、表面被覆率を指す、インプラント。
態様７
ホスホン酸化合物または薬学的に許容されるその塩、エステルもしくはアミドがインプラントの表面に結合しており、Ｘ線光電子分光法によって決定される金属含有量対リン含有量比で表したインプラント表面被覆率が前記基準最大表面被覆率の少なくとも約９０％である単層を形成している、態様６に記載のインプラント。
態様８
ホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されているＣ１〜３０炭化水素であって、任意選択で、ヒドロキシおよびハロゲンから独立して選択される１つまたは複数の基で置換されており、さらに、前記炭化水素に含まれる１個または複数の炭素原子が、任意選択で、窒素、酸素および硫黄から独立して選択されるヘテロ原子でそれぞれ置き換えられている、炭化水素である、態様１〜５のいずれか一項に記載の方法または態様６もしくは７に記載のインプラント。
態様９
ホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されているＣ１〜１５炭化水素である、態様１〜５もしくは８のいずれか一項に記載の方法または態様６〜８のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１０
前記炭化水素が、３〜６つのホスホン酸基で置換されている、態様８もしくは９に記載の方法または態様８もしくは９に記載のインプラント。
態様１１
ホスホン酸化合物が、３〜６つのホスホン酸基で置換されているＣ１〜１０アルカンである、態様１〜５もしくは８〜１０のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１０のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１２
ホスホン酸化合物が、３または４つのホスホン酸基で置換されている直鎖状Ｃ２〜６アルカンである、態様１〜５もしくは８〜１１のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１１のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１３
ホスホン酸化合物が、メタンホスホン酸、エタンホスホン酸、プロパン−１−ホスホン酸、プロパン−２−ホスホン酸、メタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，２−ジホスホン酸、プロパン−１，１−ジホスホン酸、プロパン−２，２−ジホスホン酸、プロパン−１，２−ジホスホン酸、プロパン−１，３−ジホスホン酸、エタン−１，１，１−トリホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、プロパン−１，１，１−トリホスホン酸、プロパン−１，１，２−トリホスホン酸、プロパン−１，１，３−トリホスホン酸、プロパン−１，２，２−トリホスホン酸、プロパン−１，２，３−トリホスホン酸、ブタン−１，１，１−トリホスホン酸、ブタン−１，１，２−トリホスホン酸、ブタン−１，１，３−トリホスホン酸、ブタン−１，１，４−トリホスホン酸、ブタン−１，２，２−トリホスホン酸、ブタン−２，２，３−トリホスホン酸、ブタン−１，３，３−トリホスホン酸、ブタン−１，２，３−トリホスホン酸、ブタン−１，２，４−トリホスホン酸、ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、ペンタン−２，２，５−トリホスホン酸、ヘキサン−１，１，６−トリホスホン酸、ヘキサン−２，２，６−トリホスホン酸、プロパン−１，１，１，２−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，１，３−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，２，２−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，２，３−テトラホスホン酸、プロパン−１，１，３，３−テトラホスホン酸、プロパン−１，２，２，３−テトラホスホン酸、ブタン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、ペンタン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、ヘキサン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、ヘプタン−１，４，４，７−テトラホスホン酸、オクタン−１，４，４，８−テトラホスホン酸、ノナン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、ペンタン−１，１，３，５，５−ペンタホスホン酸、ペンタン−１，１，２，４，５，５−ヘキサホスホン酸、ｔｅｒｔ−ブチルホスホン酸、２−メチル−プロパン−１，１，１−トリホスホン酸、２−メチル−プロパン−１，１，３−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−プロパン−１，３−ジホスホン酸、２−メチル−プロパン−１，１，３，３−テトラホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，１−トリホスホン酸、３−メチル−ブタン−１，１，１−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−プロパン−１，１−ジホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，３−トリホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，４−トリホスホン酸、３−メチル−ブタン−２，２，４−トリホスホン酸、３−メチル−ブタン−１，１，４−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ブタン−１，３−ジホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ブタン−１，４−ジホスホン酸、３−メチル−ブタン−１，１，２−トリホスホン酸、２−メチル−ブタン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，１−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，１−ジホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，３−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，４−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，３，３−トリホスホン酸、４−メチル−ペンタン−２，２，５−トリホスホン酸、４−メチル−ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，３−ジホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，３，４−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，４−ジホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，５−ジホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，３，５−トリホスホン酸、４−メチル−ペンタン−１，２，５−トリホスホン酸、２−メチル−ペンタン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、３−メチル−ペンタン−１，１，１−トリホスホン酸、３−メチル−ペンタン−１，１，２−トリホスホン酸、３−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，１−ジホスホン酸、３−メチル−ペンタン−１，１，５−トリホスホン酸、３−（トリホスホノ−メチル）−ペンタン、３−（ホスホノ−メチル）−ペンタン−１，５−ジホスホン酸、３−メチル−ペンタン−２，２，５−トリホスホン酸、２−メチル−ヘキサン−１，１，１−トリホスホン酸、２−（ホスホノ−メチル）−ヘキサン−１，６−ジホスホン酸、２−メチル−ヘキサン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、４−メチル−ヘプタン−１，１，１−トリホスホン酸、４−メチル−ヘプタン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、２−メチル−オクタン−１，１，１−トリホスホン酸、２−メチル−オクタン−１，１，８，８−テトラホスホン酸、３−（ビスホスホノ−メチル）−ブタン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、３−（ビスホスホノ−メチル）−ペンタン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビニルホスホン酸、１−プロペン−３−ホスホン酸、２−プロペン−３−ホスホン酸、１−プロペン−２−ホスホン酸、エテン−１，１−ジホスホン酸、エテン−１，２−ジホスホン酸、１−プロペン−１，１−ジホスホン酸、１−プロペン−３，３−ジホスホン酸、１−プロペン−１，２−ジホスホン酸、１−プロペン−２，３−ジホスホン酸、１−プロペン−１，３−ジホスホン酸、１−エテン−１，１，２−トリホスホン酸、１−プロペン−３，３，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，１，２−トリホスホン酸、１−プロペン−２，３，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，１，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，３，３−トリホスホン酸、１−プロペン−１，２，３−トリホスホン酸、１−ブテン−４，４，４−トリホスホン酸、２−ブテン−４，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，１，２−トリホスホン酸、２−ブテン−３，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−３，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，１，３−トリホスホン酸、２−ブテン−１，１，３−トリホスホン酸、１−ブテン−２，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，１，４−トリホスホン酸、２−ブテン−１，１，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，４，４−トリホスホン酸、１−ブテン−３，３，４−トリホスホン酸、１−ブテン−２，３，３−トリホスホン酸、１−ブテン−１，３，３−トリホスホン酸、１−ブテン−１，２，３−トリホスホン酸、２−ブテン−２，３，４−トリホスホン酸、１−ブテン−２，３，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，２，４−トリホスホン酸、２−ブテン−１，２，４−トリホスホン酸、１−ブテン−１，３，４−トリホスホン酸、２−ペンテン−１，１，５−トリホスホン酸、２−ペンテン−１，５，５−トリホスホン酸、１−ペンテン−１，５，５−トリホスホン酸、２−ペンテン−１，４，４−トリホスホン酸、１−ペンテン−１，４，４−トリホスホン酸、１−ヘキセン−１，１，６−トリホスホン酸、２−ヘキセン−１，１，６−トリホスホン酸、３−ヘキセン−１，１，６−トリホスホン酸、２−ヘキセン−１，６，６−トリホスホン酸、１−ヘキセン−１，６，６−トリホスホン酸、１−ヘキセン−１，５，５−トリホスホン酸、２−ヘキセン−１，５，５−トリホスホン酸、３−ヘキセン−２，２，６−トリホスホン酸、１−プロペン−２，３，３，３−テトラホスホン酸、１−プロペン−１，３，３，３−テトラホスホン酸、１−プロペン−１，２，３，３−テトラホスホン酸、１−プロペン−１，１，３，３−テトラホスホン酸、１−ブテン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、２−ブテン−１，１，４，４−テトラホスホン酸、１−ペンテン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、２−ペンテン−１，１，５，５−テトラホスホン酸、１−ヘキセン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、２−ヘキセン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、３−ヘキセン−１，１，６，６−テトラホスホン酸、１−ヘプテン−１，４，４，７−テトラホスホン酸、２−ヘプテン−１，４，４，７−テトラホスホン酸、１−オクテン−１，４，４，８−テトラホスホン酸、２−オクテン−１，４，４，８−テトラホスホン酸、３−オクテン−１，５，５，８−テトラホスホン酸、１−ノネン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、２−ノネン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、３−ノネン−１，５，５，９−テトラホスホン酸、１−シクロペンチル−ホスホン酸、１，１−シクロペンチル−ジホスホン酸、１，２−シクロペンチル−ジホスホン酸、１，３−シクロペンチル−ジホスホン酸、１−シクロヘキシル−ホスホン酸、１，１−シクロヘキシル−ジホスホン酸、１，２−シクロヘキシル−ジホスホン酸、１，３−シクロヘキシル−ジホスホン酸、１，４−シクロヘキシル−ジホスホン酸、およびフェニル−１−ホスホン酸から選択される、態様１〜５もしくは８のいずれか一項に記載の方法または態様６〜８のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１４
ホスホン酸化合物が、プロパン−１，１，３，３−テトラホスホン酸である、態様１〜５もしくは８〜１３のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１３のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１５
ホスホン酸化合物が、ビスホスホン酸であり、
ビスホスホン酸が、好ましくは、エチドロン酸、クロドロン酸、アレンドロン酸、チルドロン酸、ネリドロン酸、オルパドロン酸、リセドロン酸、パミドロン酸、イバンドロン酸、ゾレドロン酸、インカドロン酸、ミノドロン酸およびＥＢ−１０５３から選択される、態様１〜５のいずれか一項に記載の方法または態様６もしくは７に記載のインプラント。
態様１６
ホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されているアミノ酸であるか、またはホスホン酸化合物が、１〜６つのホスホン酸基で置換されている、２〜１５アミノ酸残基のペプチドである、態様１〜５のいずれか一項に記載の方法または態様６もしくは７に記載のインプラント。
態様１７
インプラントが、歯科用アバットメント、冠動脈ステント、歯科インプラント、股関節インプラント、脊柱インプラント、小関節インプラント、肩インプラントまたは膝インプラントである、態様１〜５もしくは８〜１６のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１６のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１８
インプラントの表面が、チタン、クロム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム、アルミニウム、コバルト、ニッケル、ステンレス鋼または前述の金属のうちの任意のものの合金製である、態様１〜５もしくは８〜１７のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１７のいずれか一項に記載のインプラント。
態様１９
インプラントの表面が、チタンまたはチタン合金製である、態様１〜５もしくは８〜１８のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１８のいずれか一項に記載のインプラント。
態様２０
インプラントの表面が、グレード４チタン、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ合金、Ｔｉ−６Ａｌ−４Ｖ  ＥＬＩ合金、チタン−ニオブ合金またはチタン−ジルコニウム合金製である、態様１〜５もしくは８〜１９のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１９のいずれか一項に記載のインプラント。
態様２１
インプラントの表面が、コバルト−クロム合金製である、態様１〜５もしくは８〜１８のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１８のいずれか一項に記載のインプラント。
態様２２
インプラントの表面が、金属または金属合金の酸化物、カーバイド、窒化物、酸窒化物、炭窒化物またはオキシカーバイドであるセラミック製であり、前記金属または金属合金が、チタン、クロム、ニオブ、タンタル、バナジウム、ジルコニウム、アルミニウム、コバルト、ニッケル、ステンレス鋼およびそれらの合金から選択される、態様１〜５もしくは８〜１７のいずれか一項に記載の方法または態様６〜１７のいずれか一項に記載のインプラント。
態様２３
態様１〜５または８〜２２のいずれか一項に記載の方法によって得ることができるインプラント。