【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年12月3日(2019.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
化学蒸着（ＣＶＤ）および原子層析出（ＡＬＤ）は、半導体デバイス用の薄膜を製造するための主要な析出技術として応用されている。これらの方法は、析出プロセス間のパラメータの微細な調節によって、コンフォーマルフィルム（金属、酸化物、窒化物、ケイ化物など）の達成を可能にする。主にフィルムの成長は、金属含有化合物（前駆体）の化学反応によって制御され、そして最適前駆体の開発は、それらの特性および反応プロセスの予測下で不可欠である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
特に、マンガン、鉄、コバルトおよびルテニウムの、遷移金属および遷移金属ケイ化物のフィルムは、種々の電子および電気化学的応用のために重要となっている。例えば、コバルト薄膜は、それらの高い透磁率のため、興味深い。半導体デバイスのフロントエンドプロセスにおいて、その低い抵抗性によるオーム接触のため、二ケイ化コバルト（ＣｏＳｉ２）を形成するためにコバルト薄膜を使用するという多くの報告書がある。コバルト含有薄膜は、最近、Ｃｕ／低ｋバリア、不動態化層および超大規模集積化デバイスのためのキャッピング層として調査された。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
当業者は、Ｃｏ含有前駆体の液体形態が蒸着法に好ましく、開示された蒸気圧は、薄膜析出のための工業的利用のために非常に低いことを認識するであろう。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
入口導管および出口導管を有するキャニスターを含んでなり、かつ上記で開示されたいずれかのＣｏ含有フィルム形成組成物を含有する、Ｃｏ含有フィルム形成組成物デリバリーデバイスも開示される。開示されたデバイスは、次の態様の１つまたはそれ以上を有してもよい：
●Ｃｏ含有フィルム形成組成物は、１０ｐｐｍｗ未満の金属汚染物全濃度を有し；
●入口導管の端部は、Ｃｏ含有フィルム形成組成物の表面上に配置され、かつ出口導管の端部は、Ｃｏ含有フィルム形成組成物の表面下に配置され；
●入口導管の端部はＣｏ含有フィルム形成組成物の表面下に配置され、かつ出口導管の端部は、Ｃｏ含有フィルム形成組成物の表面上に配置され；
●入口および出口上にダイヤフラムバルブをさらに含んでなり；
●キャニスターの内面上に１層またはそれ以上のバリア層をさらに含んでなり；
●キャニスターの内面上に１〜４層のバリア層をさらに含んでなり；
●キャニスターの内面上に１層または２層のバリア層をさらに含んでなり；
●各バリア層が、酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、酸窒化ケイ素層、炭窒化ケイ素層、酸炭窒化ケイ素層またはその組合せを含んでなり；
●各バリア層が、１〜１００ｎｍの厚さであり；
●各バリア層が、２〜１０ｎｍの厚さであり；
●Ｃｏ含有フィルム形成組成物が、Ｃｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅ２Ｅｔ）を含んでなり；
●Ｃｏ含有フィルム形成組成物が、Ｃｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅＥｔ２）を含んでなる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
基体上にＣｏ含有層を析出する方法も開示される。上記で開示されたいずれかのＣｏ含有フィルム形成組成物の蒸気を、その中に基体が配置された反応器中に導入する。蒸着法を使用して、シリルアミド含有前駆体の少なくとも一部を基体上に析出させ、Ｃｏ含有層を形成する。開示された方法は、次の態様の１つまたはそれ以上を有してもよい：
●Ｃｏ含有フィルム形成組成物は、Ｃｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅ２Ｅｔ）、Ｃｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅＥｔ２）またはその組合せから選択されるシリルアミド含有前駆体を含んでなり；
●シリルアミド含有前駆体は、Ｃｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅ２Ｅｔ）であり；
●シリルアミド含有前駆体は、Ｃｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅＥｔ２）であり；
●第２の前駆体を含んでなる蒸気を反応器に導入し；
●第２の前駆体の元素が、第２族、第１３族、第１４族、遷移金属、ランタノイドおよびその組合せからなる群から選択され；
●第２の前駆体の元素が、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙまたはランタノイドから選択され；
●反応物を反応器に導入し；
●反応物が、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、ＮＯ、ＮＯ２、カルボン酸、そのラジカルおよびその組合せからなる群から選択され；
●反応物が、プラズマ処理酸素であり；
●反応物が、オゾンであり；
●反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、（ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２などの）ヒドリドシラン、（ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８などの）クロロシランおよびクロロポリシラン、（Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｅｔ２ＳｉＨ２、ＭｅＳｉＨ３、ＥｔＳｉＨ３などの）アルキルシラン、（Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅなどの）ヒドラジン、（エタノールまたはメタノールなどの）アルコール、（ＮＭｅＨ２、ＮＥｔＨ２、ＮＭｅ２Ｈ、ＮＥｔ２Ｈ、ＮＭｅ３、ＮＥｔ３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨなどの）有機アミン、ピラゾリン、ピリジン、（Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、トリメチルボロン、トリエチルボロン、ボラジンなどの）Ｂ含有分子、（トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛などの）アルキル金属、そのラジカル種およびその混合物からなる群から選択され；
●反応物が、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、その水素ラジカルおよびその混合物からなる群から選択され；
●反応物が、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、Ｎ（ＳｉＨ３）３、Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２、Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ、Ｎ（ＣＨ３）３、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ、（ＣＨ３）ＨＮＮＨ２、（ＣＨ３）２ＮＮＨ２、その窒素含有ラジカル種およびその混合物からなる群から選択され；
●反応物が、ＨＣＤＳまたはＰＣＤＳであり；
●反応物が、プラズマ処理Ｎ２であり；
●蒸着法が、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスであり；
●蒸着法が、ＡＬＤプロセスであり；
●蒸着法が、ＰＥＡＬＤプロセスであり；
●蒸着法が、空間的ＡＬＤプロセスであり；
●Ｃｏ含有層が、酸化コバルト層であり；
●Ｃｏ含有層が、窒化コバルト層であり；
●Ｃｏ含有層が、Ｃｏであり；かつ
●Ｃｏ含有層が、ＣｏＳｉである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
精製されたＣｏ含有フィルム形成組成物中の微量金属及びメタロイドの濃度は、それぞれ独立して、約０ｐｐｂｗ〜約１００ｐｐｂｗ、より好ましくは、約０ｐｐｂｗ〜約１０ｐｐｂｗの範囲であり得る。これらの金属またはメタロイド不純物としては、限定されないが、アルミニウム（Ａｌ）、ヒ素（Ａｓ）、バリウム（Ｂａ）、ベリリウム（Ｂｅ）、ビスマス（Ｂｉ）、カドミウム（Ｃｄ）、カルシウム（Ｃａ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、インジウム（Ｉｎ）、鉄（Ｆｅ）、鉛（Ｐｂ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、マンガン（Ｍｎ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）、スズ（Ｓｎ）、
チタン（Ｔｉ）、ウラン（Ｕ）、バナジウム（Ｖ）および亜鉛（Ｚｎ）が含まれる。精製されたＣｏ含有フィルム形成組成物中のＸ（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒである）の濃度は、約０ｐｐｍｗ〜約１００ｐｐｍｗ、より好ましくは、約０ｐｐｍｗ〜１０ｐｐｍｗの範囲であり得る。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
開示されたＣｏ含有フィルム形成組成物の水への曝露は、シリルアミド含有前駆体の分解をもたらし得るため、妨がれるように注意するべきである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
この方法は、特に、ｘが１〜４であり、かつＭが、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｎ、Ａｌ、ランタノイド（Ｅｒなど）またはその組合せであるＣｏＭＮｘフィルムの析出のため、蒸着プロセスを使用して基体上に二金属含有層を形成することを含み得る。開示された方法は、半導体、光起電力、ＬＣＤ−ＴＦＴまたはフラットパネル型デバイスの製造において有用であり得る。Ｎ２、ＮＨ３、ヒドラジン、アミン、そのＮラジカルおよびその組合せであるが、好ましくは、ＮＨ３またはプラズマ処理Ｎ２などのＨ２または窒素供給源も反応器に導入されてよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
Ｃｏ含有フィルム形成組成物の蒸気が生成し、次いで、基体を含有する反応チャンバーに導入される。反応チャンバー中の温度および圧力ならびに基体の温度は、基体上へのシリルアミド含有前駆体の少なくとも一部の蒸着に適切な条件において保持される。換言すれば、蒸発した組成物を反応チャンバーに導入した後、反応チャンバー内の条件は、前駆体の少なくとも一部が基体上に析出され、Ｃｏ含有層が形成されるように調節される。当業者は、「前駆体の少なくとも一部が析出する」とは、前駆体のいくつか、または全てが基体と反応するか、あるいは基体に接着することを意味することを認識するであろう。本明細書中、反応物は、Ｃｏ含有層の形成を助けるために使用されてもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
開示された前駆体に加えて、反応物も反応器に導入されてよい。反応物は、Ｏ２、Ｏ３
、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２の１つなどの酸素；Ｏ・またはＯＨ・などの酸素含有ラジカル；ギ酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸、ＮＯ、ＮＯ２またはカルボン酸のラジカル種；パラホルムアルデヒド；およびその混合物を含有し得る。好ましくは、酸素含有反応物は、Ｏ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ・またはＯＨ・などのその酸素含有ラジカル、ならびにその混合物からなる群から選択される。好ましくは、ＡＬＤプロセスが実行される場合、反応物は、プラズマ処理酸素、オゾンまたはその組合せである。酸素含有反応物が使用される場合、得られるコバルト含有フィルムも酸素を含有するであろう。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
代わりに、反応物は、Ｈ２、ＮＨ３、（ＳｉＨ３）３Ｎ、ヒドリドシラン（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０、Ｓｉ５Ｈ１０、Ｓｉ６Ｈ１２）、クロロシランおよびクロロポリシラン（例えば、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ３Ｃｌ、Ｓｉ２Ｃｌ６、Ｓｉ２ＨＣｌ５、Ｓｉ３Ｃｌ８）、アルキルシラン（例えば、（ＣＨ３）２ＳｉＨ２、（Ｃ２Ｈ５）２ＳｉＨ２、（ＣＨ３）ＳｉＨ３、（Ｃ２Ｈ５）ＳｉＨ３）、ヒドラジン（例えば、Ｎ２Ｈ４、ＭｅＨＮＮＨ２、ＭｅＨＮＮＨＭｅ）、有機アミン（例えば、Ｎ（ＣＨ３）Ｈ２、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｈ２、Ｎ（ＣＨ３）２Ｈ、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２Ｈ、Ｎ（ＣＨ３）３、Ｎ（Ｃ２Ｈ５）３、（ＳｉＭｅ３）２ＮＨ）、ピラゾリン、ピリジン、Ｂ含有分子（例えば、Ｂ２Ｈ６、９−ボラビシクロ［３，３，１］ノナン、トリメチルボロン、トリエチルボロン、ボラジン）、アルキル金属（例えば、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ジメチル亜鉛、ジエチル亜鉛）、アルコール（例えば、エタノールまたはメタノール）、そのラジカル種およびその混合物の１種であり得る。好ましくは、反応物は、Ｈ２、ＮＨ３、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＨ２Ｍｅ２、ＳｉＨ２Ｅｔ２、Ｎ（ＳｉＨ３）３、エタノール、その水素ラジカルおよびその混合物である。好ましくは、反応物は、ＳｉＨＣＩ３、Ｓｉ２ＣＩ６、Ｓｉ２ＨＣＩ５、Ｓｉ２Ｈ２ＣＩ４およびシクロ−Ｓｉ６Ｈ６ＣＩ６である。これらの反応物が使用される場合、結果として生じるＣｏ含有フィルムは、純粋なＣｏであり得る。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７２】
望ましいＣｏ含有フィルムは、例えば、限定されないが、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、ランタノイド（Ｅｒなど）またはその組合せなどの別の元素も含有する場合、反応物は、限定されないが、Ｌｎ（ＲＣｐ）３などのアルキル、Ｔｉ（ＮＥｔ２）４などのアルキルアミンまたはそのいずれかの組合せから選択される別の前駆体を含み得る。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
１つの非限定的な例示的ＡＬＤ型プロセスにおいて、Ｃｏ含有フィルム形成組成物の蒸気相は、反応チャンバー中に導入され、そしてそこで、シリルアミド含有前駆体の少なくとも一部が、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの適切な基体と反応して、吸着されたコバルト層を形成する。次いで、過剰量の組成物は、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去され得る。酸素供給源が反応チャンバーに導入され、そこで、それは自己制限的様式で、吸着されたコバルト層と反応する。いずれの過剰量の酸素供給源も、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去される。望ましいフィルムが酸化コバルトフィルムである場合、この２ステッププロセスによって望ましいフィルム厚さが提供され得るか、または必要な厚さを有するフィルムが得られるまで、繰り返されてよい。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
代わりに、望ましいフィルムが第２の元素を含有する場合（すなわち、ｘが１〜４であり得、かつＭが、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、ランタノイド（Ｅｒなど）またはその組合せであるＣｏＭＮｘ）、上記の２ステッププロセスの後、反応チャンバー中への第２の前駆体の蒸気の導入が実行されてよい。第２の前駆体は、析出されるフィルムの性質に基づいて選択されるであろう。反応チャンバー中への導入後、第２の前駆体は基体と接触する。いずれの過剰量の第２の前駆体も、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去される。再び、第２の前駆体と反応させるために、Ｎ供給源が反応チャンバーに導入されてよい。過剰量のＮ供給源は、反応チャンバーをパージおよび／または排気することによって、反応チャンバーから除去される。望ましいフィルム厚さが達成されたら、プロセスは終了されてよい。しかしながら、より厚いフィルムが望ましい場合、全４ステッププロセスが繰り返されてもよい。Ｃｏ含有フィルム形成組成物、第２の前駆体およびＮ供給源の供給を代えることによって、望ましい組成物および厚さのフィルムを析出することができる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
実施例６：熱応力試験
２週間〜３カ月、１トルの蒸気圧に相当する温度で試料を加熱した。特定の温度で維持された試料に対する、特定の期間でのいずれかの変化を示す１０１０ミリバール（大気圧）で実行されたＴＧＡグラフを図６〜１０に示す。図６は、１５０℃で０および１週間のＣｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ｐｙ）の結果を示す。図７は、９０℃で０；１、２および３週間ならびに１および２カ月のＣｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＭｅ２Ｅｔ）の結果を示す。図８は、８０℃で０、１、２および３週間のＣｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（ＮＥｔ２Ｍｅ）の結果を示す。図９は、１１０℃で０、１および２週間のＣｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ３）２］２（１−Ｍｅ−ピロリジン）の結果を示す。図１０は、１２０℃で０、１および２週間のＣｏ［Ｎ（ＳｉＭｅ２Ｅｔ）２］２（ＮＭｅ２Ｅｔ）の結果を示す。