【事件の表示】
　特願２０１１−１８１７５６「電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月　４日出願公開、特開２０１３−　４４８８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成２３年８月２３日の出願であって、平成２７年１月３０日付け（発送　同年２月３日）で拒絶理由が通知され、同年４月１日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年８月３１日付け（送達：同年９月８日）で拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月３日に拒絶査定不服審判請求ががなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２７年１２月３日になされた手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、本件補正前（平成２７年４月１日になされたもの）の特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項３を、以下のとおりに補正する内容を含むものである（下線は請求人が付したとおりである。）。
「【請求項１】
　基板と、前記基板の表面に形成された電極を備えた電子部品の製造方法であって、
　前記基板上に、反射防止膜を形成する工程と、
　前記反射防止膜上に、レジスト膜を形成する工程と、
　所定の形状からなるマスクを介して、ＫｒＦレーザまたはｉ線を照射して、前記レジスト膜を露光する工程と、
　前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンを用いて、前記基板上に前記電極膜を形成する工程を備え、
　前記反射防止膜の膜厚が、８０ｎｍ以上、１０５ｎｍ以下、または、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下である電子部品の製造方法。
【請求項３】
　前記レジスト膜を形成する工程が、前記基板をコーターチャックに保持しておこなわれる、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。」
とあったものを、独立形式の請求項１として、
「【請求項１】
　基板と、前記基板の表面に形成された電極を備えた電子部品の製造方法であって、
　前記基板上に、反射防止膜を形成する工程と、
　前記反射防止膜上に、レジスト膜を形成する工程と、
　所定の形状からなるマスクを介して、ＫｒＦレーザまたはｉ線を照射して、前記レジスト膜を露光する工程と、
　前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンを用いて、前記基板上に前記電極膜を形成する工程とを備え、
　前記反射防止膜の膜厚が、８０ｎｍ以上、１０５ｎｍ以下、または、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であ
り、
　
前記レジスト膜を形成する工程は、前記基板をコーターチャックに真空吸着して行われる、
に補正。
　
２　補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項３において、「レジスト膜を形成する工程」に関して、「基板をコーターチャックに保持しておこなわれる」とあったものを、「基板をコーターチャックに真空吸着して行われる」と補正し、「保持」を「真空吸着」に限定するものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか否か）について検討する。
（１）本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記１（１）において、本件補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
（２）刊行物の記載及び引用発明
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２１７０８０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
基板上に金属からなる電極パターンを形成する方法
　
（イ）「【００１４】反射防止膜を
酸またはアルカリのどちらにも可溶である無機物
【００１５】また、有機高分子材料からなる反射防止膜を形成したときのようなミキシングの問題がなく、ベーキングを必要としないため基板が割れる問題もない。したがって、きわめて信頼性が高い電極パターンを形成することが可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例である電極パターンの形成方法を、図２および図３を用いて説明する。図２は、本発明の第１実施例の電極パターンの形成方法を示す図である。まず、図２（ａ）に示すように、厚み０．１から０．５ｍｍの例えばＬｉＴａＯ3からなる
基板１の表面に
反射防止膜２を
形成する
【００１７】次に、図２（ｂ）に示すように、
反射防止膜２上に
フォトレジスト３を塗布し、
硬化させる
所望の形状に孔が設けられたマスク１０を介して、波長３６５ｎｍの紫外光を基板１表面の上方向から露光する
【００１８】波長３６５ｎｍの紫外光は、約３．４ｅＶのエネルギーを有する。一般に半導体に光が照射されるとき、半導体の有するバンドギャップエネルギーが光のエネルギーより小さいときに、その半導体は光のエネルギーを吸収しやすいという特性を有している。反射防止膜２であるＺｎＯの有するバンドギャップエネルギーは約３．２ｅＶであるので、紫外光を吸収し、不所望な部分への紫外光の乱反射を防止することができる。
【００１９】次に、図２（ｃ）に示すように、
アルカリ性現像液で現像を行うことで露光された部分のフォトレジスト３を除去し、レジストパターン４を形成する
【００２０】なお、この工程において、アルカリ性現像液による現像をあまりに長い時間行うと、フォトレジスト３が除去された部分の直下以外の反射防止膜２も溶けてしまう。そのため、現像時間には十分に注意を払う必要がある。
【００２１】次に、図２（ｄ）に示すように、
のちに電極パターン６を形成する金属膜５を露出した基板１上と、レジストパターン４上とに成膜する
【００２２】最後に、図２（ｅ）に示すように、酸性またはアルカリ性の溶液中に基板を浸漬することにより、反射防止膜２を溶解させ、反射防止膜２とその上層のレジストパターン４とを、レジストパターン４上に成膜された金属ごと一括して除去し、電極パターン６を形成する。さきにも述べたが、ＺｎＯは、酸またはアルカリのどちらにも可溶である無機物であるので、酸性またはアルカリ性の溶液によりレジストパターン４と同時に除去することが可能である。
【００２３】図３は、本発明の第２実施例である電極パターンの形成方法を示す図である。図３に示す第２実施例は、反応防止膜２０としてＺｎＯに、２％のＮｉを含有させたものである。反応防止膜２０以外の使用する材料および工程は、第１実施例と同様であるので詳しい説明を省略する。
【００２４】反応防止膜２０として、ＺｎＯにＮｉを含有させたものを用いることにより、反射防止膜２０が有するエネルギーが減少し、紫外光の吸収効率が向上するので、より薄い膜厚で反射防止効果を得ることができる。本実施例では、０．１μｍの膜厚の反射防止膜２を形成した。
【００２５】ここで、反射防止膜２，２０の好ましい膜厚について説明する。
反射防止膜２，２０の膜厚が薄すぎると反射防止の効果を十分に発揮できなくなる
ため反射防止膜２，２０の膜厚は少なくとも０．０５μｍ以上であ
また、膜厚が厚すぎると、
反射防止膜２，２０を除去する工程において、除去に要する時間が増大し、
形成される電極パターン６の幅が所望の幅よりも太くなってしまい微細な電極パターン６が形成できないという問題がある
ため、反射防止膜の膜厚は多くとも０．５μｍ以下である
【００２６】なお、基板１として、ＬｉＴａＯ3からなるものを用いたが、これに限定するものではなく、たとえば水晶などの他の基板にも適用可能である。またフォトレジスト３は、ポジ型レジストに限定されるものではなく場合に応じてネガ型、ポジ型のいずれも使用することができる。」
　
（ウ）図２は次のものである。
　
（エ）引用発明
　上記（イ）に記載された各構成は、電極パターンの形成方法の構成であるので、それぞれ「工程」をなすといえる。
　そうすると、上記（ア）ないし（ウ）によれば、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板１の表面に反射防止膜２を形成する工程、
　前記反射防止膜２上にフォトレジスト３を塗布し、硬化させる工程、
　所望の形状に孔が設けられたマスク１０を介して、波長３６５ｎｍの紫外光を前記基板１表面の上方向から露光する工程、
　アルカリ性現像液で現像を行うことで露光された部分のフォトレジスト３を除去し、レジストパターン４を形成する工程、
　のちに電極パターン６を形成する金属膜５を露出した基板１上と、レジストパターン４上とに成膜する工程とを備え、
　前記反射防止膜２の膜厚が薄すぎると反射防止の効果を十分に発揮できなくなるため反射防止膜２，２０の膜厚は少なくとも０．０５μｍ以上であり、また、膜厚が厚すぎると、反射防止膜２を除去する工程において、除去に要する時間が増大し、形成される電極パターン６の幅が所望の幅よりも太くなってしまい微細な電極パターン６が形成できないという問題があるため、反射防止膜の膜厚は多くとも０．５μｍ以下である、
　前記基板１上に金属からなる電極パターンを形成する方法。」
　
イ　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−３２４９６号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、反射防止膜の形成方法及び塗膜形成装置、特にフォトリソグラフィ法で用いるフォトレジストの下層に塗布形成される反射防止膜の形成方法及びその方法の実施に適用される塗膜形成装置に関する。」
　
（イ）「【００２２】
　
図１は、本発明に係る塗膜形成装置の
　本実施の形態に係る塗膜形成装置は、基板を回転させるいわゆる回転塗布機構と、基板を加速度をもって上昇させることができる昇降機構とを有して成る。すなわち、本実施の形態に係る塗膜形成装置１は、チャンバー２内に、塗膜材料を塗布すべき基板すなわち被塗布基板、本例では、シリコン半導体基板２１を保持する基板保持手段３と、
塗膜材料（所要の粘度を有する液体）
基板保持手段３は、半導体基板２１を真空吸着で保持するための真空チャック５を有し
【００２３】
　次に、この塗膜形成装置１を用いて、本発明の一実施の形態に係る反射防止膜の形成方法を説明する。
（・・・途中省略・・・）
【００３１】
　次に、
図１の塗膜形成装置１を用いて
反射防止膜３１上にフォトレジスト層３２を形成する
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用文献２には下記の事項（以下、「引用文献２に記載の事項」という。）が記載されているものと認められる。
「反射防止膜上にフォトレジスト層を形成する塗膜形成装置の基板保持手段が、半導体基板を真空吸着で保持するための真空チャックを有する点。」
　
ウ　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−２６９１６０号公報（以下、「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
半導体装置の製造方法
　
（イ）「【００２９】ところで、上記した反射防止膜の材料としてアモルファスカーボンを使用したがＢＡＲＣ(bottom antirflection coating)と呼ばれる有機樹脂、例えばＤＵＶ−４２（商品名、ブリューワーサイエンス社製）を用いてもよい。そのような
有機樹脂の膜厚と反射率とレジストの露光波長との関係は
図７では波長３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線を用い
た。
【００３０】反射防止膜５の反射率としては１０％以下が望ましいので、図７、図８によれば、露光波長が３６５ｎｍの場合には反射防止膜５の膜厚として６００Å（６０ｎｍ）以上が必要となり、また、露光波長が２４８ｎｍの場合には反射防止膜５の膜厚として４２０Å（４２ｎｍ）以上が必要となる。さらに、微細化のために浅い不純物拡散層を形成するためには反射防止膜５の膜厚は１５００Å（１５０ｎｍ）よりも薄いことが好ましい。
【００３１】図７と図８を比べると
反射防止膜の下地層の種類によって反射率が変わり、また、波長が短い方が反射率の下地依存性は小さくなる
【００３２】これに対して、図８の露光波長２４８ｎｍでは、それらの膜の種類にほとんど依存せずに膜厚約４２ｎｍで反射率が１０％以下になった。なお、露光光として波長１９３ｎｍ（ＡｒＦ）を使用する場合には、特に図には示していないが、下地層がシリコン、タングステンシリサイド、多結晶シリコン、単結晶シリコンの場合に反射率を１０％以下にするためには、３０〜１５０ｎｍの範囲の厚さでアモルファスカーボンを形成したり、或いは、３５〜１５０ｎｍの範囲の厚さでＢＡＲＣを形成するのが好ましい。
【００３３】ところで、上記した図５〜図８は、イオン注入工程でレジストパターン形成に影響を与える下地層からの反射を一般的な光強度シュミレーションから求めたものである。
下地層の条件、
厚さや材料
、その都度、最適な反射防止膜の膜厚を求めればよい。
　
（ウ）上記（イ）で言及される図７は次のものである。
　【図７】
　
（エ）上記（イ）の記載を踏まえて、上記（ウ）の図７をみると、波長（λ）３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線を用いた際の、反射防止膜の反射率が、膜厚が０から増加するに従って反射率が減少し、膜厚が７５〜８５ｎｍの場合に反射率の極小値を有し、膜厚が１２０〜１３０ｎｍの場合に反射率の極大値を有することが見て取れる。
　したがって、当該図７からは、波長（λ）３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線を用いた際は、反射防止膜の膜厚を増大させると反射率の極小値の後に極大値が現れることがわかる。
　
（オ）上記（ア）ないし（エ）によれば、引用文献３には下記の事項（以下、「引用文献３に記載の事項」という。）が記載されているものと認められる。
「反射防止膜の下地層の種類によって反射率が変わり、また、波長が短い方が反射率の下地依存性は小さくなるため、下地層の条件、厚さや材料に応じて、その都度、最適な反射防止膜の膜厚を求めればよく、特に波長（λ）３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線を用いた際の、反射防止膜（有機樹脂）の膜厚と反射率との関係は、反射率は、膜厚が０から増加するに従って反射率が減少し、膜厚が７５〜８５ｎｍの場合に反射率の極小値を有し、膜厚が１２０〜１３０ｎｍの場合に反射率の極大値を有することを考慮する必要がある点。」
　
（３）対比・判断
ア　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「基板１」、「反射防止膜２」、「フォトレジスト３を塗布し、硬化させる」こと、「所望の形状に孔が設けられたマスク１０」、「レジストパターン４」及び「電極パターン６を形成する金属膜５」は、本願補正発明の「基板」、「反射防止膜」、「レジスト膜」を形成すること、「所定の形状からなるマスク」、「レジストパターン」及び「電極膜」にそれぞれ相当する
　
（イ）引用発明は、「基板１上に金属からなる電極パターンを形成する方法」の発明であるところ、「基板１上に金属からなる電極パターンを形成」することは、「基板の表面に形成された電極を備えた電子部品」の製造方法であるといえるから、引用発明の、「基板１上に金属からなる電極パターンを形成する方法」は、本願補正発明の「基板の表面に形成された電極を備えた電子部品の製造方法」に相当する。
　
（ウ）引用発明は、「波長３６５ｎｍの紫外光」を基板１表面の上方向から露光するところ、水銀のスペクトル線であるｉ線の波長は３６５ｎｍである。
　したがって、引用発明の「所望の形状に孔が設けられたマスク１０を介して、波長３６５ｎｍの紫外光を前記基板１表面の上方向から露光する工程」は、本願補正発明の「所定の形状からなるマスクを介して、ｉ線を照射して、前記レジスト膜を露光する工程」に相当する。
　
（エ）引用発明の、「アルカリ性現像液で現像を行うことで露光された部分のフォトレジスト３を除去し、レジストパターン４を形成する工程」及び「のちに電極パターン６を形成する金属膜５を露出した基板１上と、レジストパターン４上とに成膜する工程とを備え」は、本願補正発明の「前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程」及び「前記レジストパターンを用いて、前記基板上に前記電極膜を形成する工程とを備え」に、それぞれ相当する。
　
（オ）以上（ア）ないし（エ）を総合すると、本願補正発明と引用発明は、
「基板と、前記基板の表面に形成された電極を備えた電子部品の製造方法であって、
　前記基板上に、反射防止膜を形成する工程と、
　前記反射防止膜上に、レジスト膜を形成する工程と、
　所定の形状からなるマスクを介して、ｉ線を照射して、前記レジスト膜を露光する工程と、
　前記レジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する工程と、
　前記レジストパターンを用いて、前記基板上に前記電極膜を形成する工程とを備える、電子部品の製造方法。」
である点で一致し、下記各点で相違する。
　
ａ　本願補正発明の「反射防止膜の膜厚」は、「８０ｎｍ以上、１０５ｎｍ以下、または、１６０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下であ」ると特定されるのに対して、引用発明の「反射防止膜２の膜厚」は、「少なくとも０．０５μｍ以上であり、また、」「多くとも０．５μｍ以下である」と特定される点（以下、「相違点１」という。）。
　
ｂ　本願補正発明の「レジスト膜を形成する工程」は、「基板をコーターチャックに真空吸着して行われる」のに対して、引用発明の「反射防止膜２上にフォトレジスト３を塗布し、硬化させる工程」では基板１の扱いが特定されない点（以下、「相違点２」という。）。
　
イ　判断
（ア）上記相違点１について検討する。
　波長（λ）３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線を用いた際の、反射防止膜（有機樹脂）の膜厚と反射率とレジストの露光波長との関係は、膜厚が７５〜８５ｎｍの場合に極小値を有し、膜厚が１２０〜１３０ｎｍの場合に極大値を有するから、膜厚としては１００〜１５０ｎｍ付近を避けた方がよいこと（引用文献３に記載の事項）は周知の事項であるといえる。
　ここで、引用発明の「反射防止膜２」は、引用文献１によれば、実施例においては、具体的には「ＺｎＯ」（上記「（２）」「ア」「（イ）」　段落【００１６】）が用いられているが、段落【００１４】から、「酸またはアルカリのどちらにも可溶である無機物」（上記「（２）」「ア」「（イ）」）であればよく、ＺｎＯである必要はない。
　そして、「反射防止膜の下地層の種類によって反射率が変わり、また、波長が短い方が反射率の下地依存性は小さくなるため、下地層の条件、厚さや材料に応じて、その都度、最適な反射防止膜の膜厚を求めればよ」いこと（引用文献３に記載の事項）が周知の事項であるから、下地層の条件、厚さや材料に応じて、その都度、最適な反射防止膜の膜厚を求めることは、発明を実施するに際して当然に考慮すべきことである。
　そうすると、上記引用文献３に記載の事項から、波長（λ）３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線の特性として、より反射率が低くなる「反射防止膜」を得るために、反射防止膜の膜厚を波長３６５ｎｍ（ｉ線）の反射率の特定値以下となる所定の範囲とすることは適宜定める事項にすぎないから、反射防止膜の膜厚を反射率が極小値を取る所定の範囲付近（上記（２）ウ（ウ）の引用文献３の図７の例においては、７５〜８５ｎｍ）以上とし、また、上記引用文献３に記載の事項から、極大値付近（上記（２）ウ（ウ）の引用文献３の図７の例においては、１００〜１５０ｎｍ）を除外した範囲を選択すればよいと理解できる。
　よって、引用発明の「反射防止膜２」において、このような波長（λ）３６５ｎｍ（ｉ線）の放射線の特性を考慮して、極小値付近以上であって、極大値付近を除外した範囲を選択して、適宜の範囲を反射防止膜の膜厚と設定することに格別の困難性はない。
　そして、その具体的数値範囲として、反射防止膜の材質に応じて８０ｎｍ以上、１０５ｎｍ以下、または、１６０ｎｍ以上とすることは単なる設計的事項にすぎない。
　さらに、「膜厚が厚すぎると、反射防止膜２を除去する工程において、除去に要する時間が増大し、形成される電極パターン６の幅が所望の幅よりも太くなってしまい微細な電極パターン６が形成できないという問題がある」（引用発明）という、製造上の観点から所定の厚み（２００ｎｍ）以下として、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことに格別の困難性はなく、当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）上記相違点２について検討する。
　引用発明の「反射防止膜２上にフォトレジスト３を塗布し、硬化させる工程」において、基板１を適宜の保持手段で保持することは発明を実施するに際して当然に考慮すべきことであるところ、「反射防止膜上にフォトレジスト層を形成する塗膜形成装置の基板保持手段が、半導体基板を真空吸着で保持するための真空チャックを有する点」（引用文献２に記載の事項）が周知の事項であるから、引用発明の「反射防止膜２上にフォトレジスト３を塗布し、硬化させる工程」において上記反射防止膜上にフォトレジスト層を形成する塗膜形成装置（コーター）の基板保持手段が、半導体基板を真空吸着で保持するための真空チャックを有する構成を適用して、上記相違点２に係る本願補正発明の構成となすことに格別の困難性はなく、当業者が容易になし得たことである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　補正却下の決定についてのむすび
　上記３の検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、平成２７年４月１日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、上記「第２」［理由］「１　補正の内容」において、本件補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　上記「第２」［理由］「３　独立特許要件について」「（２）」のとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明について
　上記「第２」［理由］「２　補正の目的」のとおり、本願発明は、上記「第２」［理由］「３　独立特許要件について」で検討した本願補正発明を特定するための事項である、「前記レジスト膜を形成する工程は、前記基板をコーターチャックに真空吸着して行われる」との限定を省いたものである。
　これに対して、上記「第２」［理由］「３」「（３）」「イ」で検討したとおり、上記限定を省いた本願補正発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記「第２」［理由］「３」での検討と同様の理由により、本願発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明し得るものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。