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【手続補正書】
【提出日】令和2年6月19日(2020.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アイデンティティ認証のための方法であって、
ユーザに特有のアイデンティティ認証手順が開始されるとき、複数の仮想現実物品を表示するステップであって、前記アイデンティティ認証手順が、アカウントログイン、情報照会、情報修正、またはオンライン決済のうちの少なくとも1つのためである、ステップと、
前記複数の仮想現実物品についての前記ユーザの選択動作情報を判定するステップであって、前記複数の仮想現実物品の中の少なくとも1つの仮想現実物品が、複数回選択される、ステップと、
前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとき、前記ユーザのアイデンティティ認証が成功すると判定するステップとを含む、
方法。
【請求項２】
前記複数の仮想現実物品を表示するステップが、
前記標準選択動作情報によって示される候補仮想現実物品のみを表示するステップ、または、
前記標準選択動作情報によって示される候補仮想現実物品、および前記標準選択動作情報によって示されない錯乱用仮想現実物品の両方を表示するステップを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記錯乱用仮想現実物品が、所定の次元において前記候補仮想現実物品とは異なり、
前記所定の次元が、以下のうちの少なくとも1つ:
物品カテゴリ、物品仕様、空間的配置、および別の仮想現実物品との相対的な位置関係を含む、
請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記仮想現実物品についての前記ユーザの前記選択動作情報を判定するステップが、
前記ユーザによって選択される仮想現実物品を判定するステップと、
前記仮想現実物品を前記選択動作情報として追加するステップとを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとき、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップが、
前記ユーザによって選択される前記仮想現実物品が前記標準選択動作情報によって示される候補仮想現実物品と一致するとの判定に応答して、前記選択動作情報が前記標準選択動作情報に整合すると判定するステップと、
前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップとを含む、
請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記仮想現実物品についての前記ユーザの前記選択動作情報を判定するステップが、
前記仮想現実物品についての前記ユーザの選択順序を判定するステップと、
前記選択順序を前記選択動作情報として追加するステップとをさらに含む、
請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとき、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップが、
前記ユーザによって選択される前記仮想現実物品が前記標準選択動作情報によって示される前記候補仮想現実物品と一致し、かつ前記選択順序が前記標準選択動作情報によって示される前記候補仮想現実物品の標準順序と一致するとの判定に応答して、前記選択動作情報が前記標準選択動作情報に整合すると判定するステップと、
前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップとを含む、
請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとき、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップが、
前記選択動作情報が前記標準選択動作情報と同じであるとの判定に応答して、前記選択動作情報が前記標準選択動作情報に整合すると判定するステップ、および前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップを含む、または、
前記選択動作情報がいくつかの仮想現実物品についての前記ユーザの連続的な選択動作情報を含み、かつ前記連続的な選択動作情報が前記標準選択動作情報と同じであるとの判定に応答して、前記選択動作情報が前記標準選択動作情報に整合すると判定するステップ、および前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、
前記ユーザによって選択されるシーン選択肢を判定するステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の仮想現実物品を表示するステップが、
前記ユーザによって選択される前記シーン選択肢に対応する仮想現実シーン内に、前記表示された仮想現実シーンと事前に関連付けられた仮想現実物品を表示するステップを含み、
前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとき、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップが、
前記選択動作情報が前記表示された仮想現実シーンと事前に関連付けられた標準選択動作情報に整合するとの判定に応答して、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップを含む、
請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数の仮想現実物品を表示するステップが、
前記ユーザによって選択される前記シーン選択肢に対応する仮想現実シーン内に前記仮想現実物品を表示するステップを含み、
前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとき、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップが、
前記表示された仮想現実シーンが事前に規定された標準シーンであり、かつ前記選択動作情報が事前に規定された標準選択動作情報に整合するとの判定に応答して、前記ユーザの前記アイデンティティ認証が成功すると判定するステップを含む、
請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の仮想現実物品を表示するステップが、
前記ユーザによって選択される各仮想現実シーン内に同じ仮想現実物品を表示するステップを含む、
請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の仮想現実物品を表示するステップが、
前記ユーザによって選択される各仮想現実シーン内に、前記選択された仮想現実シーンと事前に関連付けられた仮想現実物品を別々に表示するステップを含む、
請求項11に記載の方法。
【請求項１４】
前記事前に規定された標準シーンが、前記アイデンティティ認証手順の開始プロセスに関連する、
請求項11に記載の方法。
【請求項１５】
アイデンティティ認証のための装置であって、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法を実行するように構成された、表示ユニット、判定ユニット、および判断ユニットを備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月21日(2020.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理機器によって実行される方法であって、
データソースからメタデータの一部を受信することであって、前記メタデータの一部はノード及び辺を記述し、前記辺の少なくとも一部は或るノードに対する別のノードの影響をそれぞれ表し、各辺は単一の方向を有する、受信すること、
前記メタデータの一部を表すデータ構造のインスタンスを生成することであって、前記データ構造の少なくとも１つのインスタンスは
対応するノードを識別する識別値、
前記対応するノードのそれぞれの特性を表す１つ又は複数の特性値、及び
それぞれの識別値に対する１つ又は複数のポインタであって、各ポインタは前記対応するそれぞれの識別値によって識別されるノードに関連する辺を表す、１つ又は複数のポインタ
を含む、生成すること、
前記データ構造の前記インスタンスをランダムアクセスメモリ内に記憶すること、
少なくとも１つの特定のデータ要素の識別を含むクエリを受信すること、及び
前記特定のデータ要素の系統の表現をコンピュータシステムのディスプレイに表示させるために前記データ構造の少なくとも１つのインスタンスを使用すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記クエリが系統の種類の識別、並びに前記識別される系統の種類にどの種類のノード及び辺が関連するのかを識別するウォークプランを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ウォークプランが、対応するノードのそれぞれの特性を表す１つ又は複数の特性値に基づいて辺をたどり又は収集するための条件を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記識別値の少なくとも１つが、前記クエリ内で識別される前記特定のデータ要素に対応するノードを表す、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記データ処理機器が前記クエリに対する応答を返すように構成され、前記応答は前記特定のデータ要素の系統を記述するメタデータを含む、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記特定のデータ要素の系統を記述する前記メタデータがノード及び辺のシーケンスを記述するメタデータを含み、前記シーケンスの前記ノードのうちの１つは前記特定のデータ要素を表す、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記１組のメタデータがそれぞれのノードに関連するテキスト文字列を含み、前記データ構造が前記テキスト文字列の少なくとも１つを省く、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記データ構造の前記インスタンスを生成することが、系統に関連するメタデータを識別すること及び前記識別したメタデータを前記データ構造によって定められる形式で記憶することを含む、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ポインタの少なくとも１つが前記ランダムアクセスメモリの一部に関連するメモリ位置への参照を含み、前記メモリ位置は前記識別値の１つに対応するノードの位置に対応する、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記クエリを受信することに応答し、
前記クエリによって識別される前記特定のデータ要素に対応する少なくとも１つの識別情報を含む前記データ構造のインスタンスにアクセスすることを含む、前記データ構造を使用して記憶されるデータにアクセスすること、及び
前記データ構造を使用して記憶される前記データに基づいて前記クエリに対する応答を生成することであって、前記応答は系統メタデータを含み、前記系統メタデータはノード及び辺のシーケンスを記述し、前記シーケンスの前記ノードのうちの１つは前記特定のデータ要素を表す、生成すること
を含む、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記データ構造の第１のインスタンスにアクセスすることであって、前記データ構造の前記第１のインスタンスは前記クエリによって識別される前記特定のデータ要素に対応する第１の識別情報によって識別される、アクセスすること、
前記第１の識別情報に関連するポインタにアクセスすることであって、前記ポインタは前記第１の識別情報に関連する、アクセスすること、
前記データ構造の第２のインスタンスにアクセスすることであって、前記データ構造の前記第２のインスタンスは第２の識別情報によって識別され、前記第２の識別情報は前記第１の識別情報に関連する前記ポインタによって参照されるメモリ位置に記憶されている、アクセスすること、及び
前記データ構造の前記第２のインスタンスのデータを収集すること
を含み、
前記応答が前記第２の識別情報に関連するノードを表すデータを含む、
請求項１〜１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
スケジュールされた間隔で前記データソースに要求を伝送することを含み、前記メタデータの一部は前記要求の１つに応答して前記データソースから受信される、請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
実行可能命令を記憶する少なくとも１つの非一時的コンピュータ可読記憶媒体と、
前記命令を実行するように構成される１つ又は複数のプロセッサと
を含むシステムであって、
前記命令を実行することが、請求項１〜１２の何れか一項に記載のステップの実施を引き起こす、システム。
【請求項１４】
非一時的コンピュータ可読記憶装置であって、
実行されるとき、請求項１〜１２の何れか一項に記載のステップを実施する、非一時的コンピュータ可読記憶装置。
【請求項１５】
ソフトウェアプログラムであって、
実行されるとき、請求項１〜１２の何れか一項に記載のステップを実施する、ソフトウェアプログラム。
【請求項１６】
システムであって、
データソースからメタデータの一部を受信するための手段であって、前記メタデータの一部はノード及び辺を記述し、前記辺の少なくとも一部は或るノードに対する別のノードの影響をそれぞれ表し、各辺は単一の方向を有する、受信するための手段と、
前記メタデータの一部を表すデータ構造のインスタンスを生成するための手段であって、前記データ構造の少なくとも１つのインスタンスは
対応するノードを識別する識別値、
前記対応するノードのそれぞれの特性を表す１つ又は複数の特性値、及び
それぞれの識別値に対する１つ又は複数のポインタであって、各ポインタは前記対応するそれぞれの識別値によって識別されるノードに関連する辺を表す、１つ又は複数のポインタ
を含む、生成するための手段と、
前記データ構造の前記インスタンスをランダムアクセスメモリ内に記憶するための手段と、
少なくとも１つの特定のデータ要素の識別を含むクエリを受信するための手段と、
前記特定のデータ要素の系統の表現をコンピュータシステムのディスプレイに表示させるために前記データ構造の少なくとも１つのインスタンスを使用するための手段と
を含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月19日(2020.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置のバックライトユニット（ＢＬＵ）であって、
光源と、
前記光源からの光を吸収し、前記光源から吸収された前記光を処理するように構成された、前記光源に光学的に結合された量子ドットフィルムであって、マトリックス材料を含む前記量子ドットフィルムと、
ＲＧＢ色空間の９０％を超える色域カバレッジを出力するために、前記量子ドットフィルムから受信された前記処理光のスペクトル発光幅を調整するように構成された、前記量子ドットフィルムに光学的に結合された、染料、インク、塗料、ポリマー材料又はそれらの組み合わせを含む放射吸収要素であって、前記染料、前記インク、前記塗料、前記ポリマー材料又はそれらの組み合わせのうちの１つ又は複数が前記量子ドットフィルムの前記マトリックス材料に組み込まれている前記放射吸収要素と、
を含むバックライトユニット（ＢＬＵ）。
【請求項２】
前記ＲＧＢ色空間が、赤、緑、青の原色の色度座標が（０．５６，０．５２）、（０．０６，０．５９）及び（０．１６，０．１３）のＲｅｃ．２０２０色空間である、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項３】
前記放射吸収要素が、前記処理光の輝度レベルにおける１０％未満の低減で、前記Ｒｅｃ．２０２０色空間の９０％を超える色域カバレッジを出力するために、前記処理光の前記スペクトル発光幅を調整するように構成される、請求項２のＢＬＵ。
【請求項４】
前記放射吸収要素が、前記Ｒｅｃ．２０２０色空間の９０％を超える色域カバレッジを出力するために、前記処理光からの波長又は波長範囲を吸収するように構成される、請求項２に記載のＢＬＵ。
【請求項５】
前記放射吸収要素が、非蛍光体ベースの材料を含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項６】
前記量子ドットフィルムが、バリア層被覆量子ドットを含む、
請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項７】
前記放射吸収要素が、有機Exciton P491染料を含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項８】
光キャビティを更に含み、
前記放射吸収要素が、前記光キャビティの上面上に配置され、前記光源からの前記光が前記上面を通って前記光キャビティから発光される、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項９】
前記放射吸収要素が、
第１の吸収特性を有する第１の材料と、
前記第１の吸収特性と相異なる第２の吸収特性を有する第２の材料と、
を含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１０】
前記放射吸収要素が、
前記処理光の第１の波長を吸収するように構成された第１の材料と、
前記処理光の第２の波長を吸収するように構成された第２の材料であって、前記第２の波長が、前記第１の波長と相異なる第２の材料と、
を含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１１】
前記放射吸収要素が、前記量子ドットフィルム上に配置される基板上に配置される、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１２】
導光板を更に含み、
前記放射吸収要素が、前記導光板の上面上に配置され、前記光源からの前記光が前記上面を通って前記導光板から発光される、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１３】
リフレクタを更に含み、
前記放射吸収要素が、前記リフレクタの上面上に配置される、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１４】
前記量子ドットフィルムが、赤色光を発光するように構成された複数の量子ドットを含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１５】
前記量子ドットフィルムが、緑色光を発光するように構成された複数の量子ドットを含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１６】
前記量子ドットフィルムが、
赤色光を発光するように構成された第１の複数の量子ドットと、
緑色光を発光するように構成された第２の複数の量子ドットと、
を含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１７】
前記量子ドットフィルムが、
コア−シェル構造と、
前記コア−シェル構造を囲むバリア層と、
を含む、請求項１に記載のＢＬＵ。
【請求項１８】
表示装置であって、
バックライトユニット（ＢＬＵ）であって、
上側と、底側と、側壁と、を有する光キャビティであって、光源からの光は、前記上側を通って前記光キャビティから発光される、前記光キャビティと、
前記光キャビティに結合された光源アレイと、
前記光源アレイからの光を吸収し、前記光源アレイから吸収された前記光を処理するように構成された、前記光キャビティ内に配置された量子ドットフィルムであって、マトリックス材料を含む前記量子ドットフィルムと、
ＲＧＢ色空間の９０％を超える色域カバレッジを出力するために、前記量子ドットフィルムから受信された前記処理光のスペクトル発光幅を調整するように構成された、前記光キャビティ内に配置された、染料、インク、塗料、ポリマー材料又はそれらの組み合わせを含む放射吸収要素であって、前記染料、前記インク、前記塗料、前記ポリマー材料又はそれらの組み合わせのうちの１つ又は複数が前記量子ドットフィルムの前記マトリックス材料に組み込まれている前記放射吸収要素と、
を含むバックライトユニット（ＢＬＵ）と、
前記バックライトユニットに結合された画像生成ユニット（ＩＧＵ）であって、前記バックライトユニットが、前記調整光を前記ＩＧＵへ通過させるように構成される画像生成ユニット（ＩＧＵ）と、
を含む表示装置。
【請求項１９】
前記量子ドットフィルムが、マトリックスを含み、
前記放射吸収要素が、前記マトリックスに埋め込まれる、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記放射吸収要素が、
前記処理光の第１の波長を吸収するように構成された第１の材料と、
前記処理光の第２の波長を吸収するように構成された第２の材料であって、前記第２の波長が、前記第１の波長と相異なる第２の材料と、
を含む、請求項１８に記載の表示装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年9月16日(2020.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
極値制御の、同程度に好ましい第２実施形態において、極値制御には、操作量および光強度に関する伝達関数の曲率特定が含まれており、ここでは目標値を、光強度の最大値に基づいて特定する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
極値制御は、好ましくは、オンオフ制御として、または操作量および光強度に関する伝達関数の曲率特定として実行される。本発明による方法についてのこれに関連する説明は、ランプシステムにも当てはまる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
【図１】低圧アマルガム放射器を備えた、紫外線ビームを形成するランプシステムを示す図である。
【図２】オンオフ制御に基づく、光強度の最大値探索を説明する線図である。
【図３】操作量および光強度に関する伝達関数の曲率特定に基づく制御による、光強度の最大値の設定を説明する線図である。
【図４】本発明による方法におけるＵＶ強度およびファン出力の時間的な経過を有する線図である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
光強度およびランプシステムの動作の目標値を特定する別の手順は、操作量および光強度に関する伝達関数における曲率特定の例で図３に説明されている。図３ａの線図は、（例えばファン回転数の）冷却出力ＰＷＭに対する、ＵＶ光強度ＵＶの依存性を略示している。ＵＶ光強度は、最適な冷却出力において顕著な最大値を示している。伝達関数（図３ａ）は、単調ではないため、光強度の変化において、正しい制御方向を推定することはできない。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス放電ランプ（１１）と、電子安定器（１４）と、出力に影響を及ぼす、ランプシステム（１０）の制御量を制御する制御ユニット（１６）と、を有するランプシステム（１０）を動作させる方法において、
光センサ（２４）を用いて、前記ガス放電ランプ（１１）によって放射される光強度の実際値を測定し、放射される前記光強度を制御量として使用する光強度制御を規定し、
前記光強度に影響を及ぼす、前記ガス放電ランプ（１１）の動作温度が、制御可能な温度制御出力を有する温度制御要素（１５）によって変更可能であり、
前記温度制御出力を、前記制御の操作量として使用し、
極値制御を用いて、前記光強度が最大値（ＵＶｍａｘ）または予め設定した閾値（ＵＶＤａｕｅｒ）をとる、操作量に対する目標値を特定することを特徴とする、ことを特徴とする、
方法。
【請求項２】
ＵＶビームを放射するガス放電ランプ（１１）を使用することを特徴とする、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記極値制御を、オンオフ制御として実行することを特徴とし、前記オンオフ制御では、スタートフェーズ中、前記操作量を少なくとも２つの出発値に設定し、前記少なくとも２つの出発値のうちの一方は、前記ガス放電ランプ（１１）の温度上昇を生じさせ、前記少なくとも２つの出発値のうちの他方は、温度下降を生じさせるものであり、
および、
前記操作量の目標値として、前記一方の出発値と前記他方の出発値との間の値を設定することを特徴とする、
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記極値制御には、操作量および前記光強度に関する伝達関数の曲率特定が含まれており、前記操作量の前記目標値を、前記光強度の前記最大値に基づいて特定することを特徴とする、
請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
温度制御要素（１５）として、ＰＷＭ制御される換気能力を有するファンを使用し、
前記換気能力を、前記制御の操作量として使用することを特徴とする、
請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
光強度として、前記ガス放電ランプ（１１）によって放射される、２５４ｎｍの波長のビームを含むＵＶビームの強度を使用することを特徴とする、
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記光強度の閾値（ＵＶＤａｕｅｒ）を予め設定し、前記閾値（ＵＶＤａｕｅｒ）を下回ると、前記ガス放電ランプ（１１）の寿命の終わりをマーキングし、
前記光強度制御の目標値として、前記閾値を利用することを特徴とする、
請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法を実行するランプシステムにおいて、
前記ランプシステムは、ガス放電ランプ（１１）と、電子安定器（１４）と、出力に影響を及ぼす、ランプシステム（１０）の制御量を制御する制御ユニット（１６）と、を有し、
前記ガス放電ランプ（１１）によって放射される光強度の実際値を特定する光センサ（２４）が設けられており、前記制御は、放射される前記光強度が制御量として使用される光強度制御として規定されており、
前記制御ユニット（１６）の信号入力側に前記光強度の前記実際値が、入力信号として加えられ、
前記光強度に影響を及ぼす、前記ガス放電ランプ（１１）の動作温度を変化させるのに適した、制御可能な温度制御出力を有する温度制御要素（１５）が設けられており、
前記動作温度または前記動作温度に相関付けられるパラメタが、前記制御ユニットの信号入力側に加えられ、前記光強度制御の操作量として使用され、
前記制御ユニット（１６）は、前記光強度が最大値（ＵＶｍａｘ）または予め設定した閾値（ＵＶＤａｕｅｒ）をとる操作量に対する目標値を特定する、極値制御のための装置を有することを特徴とする、ことを特徴とする、
ランプシステム。
【請求項９】
前記極値制御は、オンオフ制御として、または操作量および前記光強度に関する伝達関数の曲率特定として実行されることを特徴とする、
請求項８記載のランプシステム。
【請求項１０】
前記ガス放電ランプ（１１）は、ＵＶビームを放射するガス放電ランプであることを特徴とする、
請求項８または９記載のランプシステム。
【請求項１１】
制御可能な冷却出力または加熱出力を有する温度制御要素（１５）が、前記制御ユニット（１６）に接続されていることを特徴とする、
請求項８から１０までのいずれか１項記載のランプシステム。
【請求項１２】
ＰＷＭ制御される換気能力を有するファンが、前記制御ユニット（１６）に接続されていることを特徴とする、
請求項１１記載のランプシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月16日(2020.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像復号化方法であって、
現在ブロックのスキャニング単位を決定するステップと、
前記現在ブロックの変換係数を取得するステップと、
前記決定されたスキャニング単位に基づいて前記現在ブロックの変換係数をスキャンすることにより、前記現在ブロックの変換係数を整列するステップと、
を含み、
前記スキャンすることは、スキャニング順序に従って行われる、
画像復号化方法。
【請求項２】
前記現在ブロックの変換係数は、
逆量子化の入力、２次逆変換の入力、２次逆変換の出力、及び１次逆変換の入力のうちの一つである、
請求項１に記載の画像復号化方法。
【請求項３】
前記スキャニング順序は、
垂直スキャニング順序、水平スキャニング順序、右上側対角スキャニング順序、及び左下側対角スキャニング順序のうちの一つである、
請求項１に記載の画像復号化方法。
【請求項４】
前記スキャニング単位は、
前記現在ブロックのサイズに基づいて決定された係数グループ単位である、
請求項１に記載の画像復号化方法。
【請求項５】
前記現在ブロックが変換スキップされたブロックである場合、
前記スキャニング順序は左下側対角スキャニング順序である、
請求項１に記載の画像復号化方法。
【請求項６】
前記現在ブロックが変換スキップされたブロックではない場合、
前記スキャニング順序は右上側対角スキャニング順序である、
請求項１に記載の画像復号化方法。
【請求項７】
前記現在ブロックの変換係数が前記２次逆変換の入力である場合、
前記スキャニング順序は左下側対角スキャニング順序である、
請求項２に記載の画像復号化方法。
【請求項８】
前記現在ブロックの変換係数が前記２次逆変換の出力である場合、
前記スキャニング順序は、垂直スキャニング順序及び水平スキャニング順序のうちの一つである、
請求項２に記載の画像復号化方法。
【請求項９】
前記現在ブロックの変換係数が前記２次逆変換の出力である場合、
前記スキャニング順序は、前記現在ブロックの画面内予測モードに基づいて設定される、
請求項２に記載の画像復号化方法。
【請求項１０】
前記スキャニング順序は、
前記現在ブロックの量子化行列のスキャニング順序と同一である、
請求項１に記載の画像復号化方法。
【請求項１１】
画像符号化方法であって、
現在ブロックの変換係数を取得するステップと、
前記現在ブロックのスキャニング単位を決定するステップと、
前記決定されたスキャニング単位に基づいて前記現在ブロックの変換係数をスキャンすることにより、前記現在ブロックの変換係数を整列するステップと、
を含み、
前記スキャンすることは、スキャニング順序に従って行われる、
画像符号化方法。
【請求項１２】
前記現在ブロックの変換係数は、
逆量子化の入力、２次逆変換の入力、２次逆変換の出力、及び１次逆変換の入力のうちの一つである、
請求項１１に記載の画像符号化方法。
【請求項１３】
前記スキャニング順序は、
垂直スキャニング順序、水平スキャニング順序、右上側対角スキャニング順序、及び左下側対角スキャニング順序のうちの一つである、
請求項１１に記載の画像符号化方法。
【請求項１４】
前記スキャニング単位は、
前記現在ブロックのサイズに基づいて決定された係数グループ単位である、
請求項１１に記載の画像符号化方法。
【請求項１５】
前記現在ブロックが変換スキップされたブロックである場合、
前記スキャニング順序は左下側対角スキャニング順序である、
請求項１１に記載の画像符号化方法。
【請求項１６】
前記現在ブロックが変換スキップされたブロックではない場合、
前記スキャニング順序は右上側対角スキャニング順序である、
請求項１１に記載の画像符号化方法。
【請求項１７】
前記現在ブロックの変換係数が前記２次逆変換の入力である場合、
前記スキャニング順序は左下側対角スキャニング順序である、
請求項１２に記載の画像符号化方法。
【請求項１８】
前記現在ブロックの変換係数が前記２次逆変換の出力である場合、
前記スキャニング順序は、垂直スキャニング順序及び水平スキャニング順序のうちの一つである、
請求項１２に記載の画像符号化方法。
【請求項１９】
前記現在ブロックの変換係数が前記２次逆変換の出力である場合、
前記スキャニング順序は、前記現在ブロックの画面内予測モードに基づいて設定される、
請求項１２に記載の画像符号化方法。
【請求項２０】
符号化方法で生成されたビットストリームを保存した非一時的な記録媒体であって、
前記符号化方法は、
現在ブロックの変換係数を取得するステップと、
前記現在ブロックのスキャニング単位を決定するステップと、
前記決定されたスキャニング単位に基づいて前記現在ブロックの変換係数をスキャンすることにより、前記現在ブロックの変換係数を整列するステップと、
を含み、
前記スキャンすることは、スキャニング順序に従って行われる、
非一時的な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月4日(2020.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップを相互接続するための相互接続基板であって、
有機ベース基板と、
搭載されるべき第１のチップのための前記ベース基板上の電極の第１のグループと、
搭載されるべき第２のチップのための前記ベース基板上の電極の第２のグループと、
前記第１のチップに対応するパッドの第１のセット、前記第２のチップに対応するパッドの第２のセット、複数のトレース、および有機絶縁材料を含む相互接続層であって、前記相互接続層は、前記ベース基板上に配置され、電極の前記第１のグループと前記電極の前記第２のグループとの間の前記ベース基板上の画定された領域内に位置する、前記相互接続層と
を備える相互接続基板。
【請求項２】
前記相互接続層は、前記ベース基板上に接合された底部接着層をさらに含む、請求項１に記載の相互接続基板。
【請求項３】
前記有機絶縁材料は前記底部接着層上に配置され、前記複数のトレースは前記有機絶縁材料内に埋め込まれ、各トレースは前記第１のセット内の対応するパッドおよび前記第２のセット内の対応するパッドに電気的に接続される、請求項２に記載の相互接続基板。
【請求項４】
パッドの前記第１のセットおよび電極の前記第１のグループは、それぞれ周辺バンプのセットおよび前記第１のチップの他のバンプのセットを受け入れるように構成され、パッドの前記第２のセットおよび電極の前記第２のグループは、それぞれ周辺バンプのセットおよび前記第２のチップの他のバンプのセットを受け入れるように構成される、請求項１に記載の相互接続基板。
【請求項５】
パッドの前記第１のセットは、前記第１のチップの最も外側のバンプを受け入れるように構成されたパッドに加えて、前記第１のチップの２番目に最も外側のバンプを受け入れるように構成されたパッドを少なくとも含み、パッドの前記第２のセットは、前記第２のチップの最も外側のバンプを受け入れるように構成されたパッドに加えて、前記第２のチップの２番目に最も外側のバンプを受け入れるように構成されたパッドを少なくとも含む、請求項１に記載の相互接続基板。
【請求項６】
前記ベース基板はそれの上面上に半田レジスト層を有し、前記第１のグループおよび前記第２のグループ内の各電極は前記半田レジスト層から露出され、前記相互接続層が配置された前記画定された領域は前記半田レジスト層によって覆われない、請求項１に記載の相互接続基板。
【請求項７】
前記第１のセット内の各パッドおよび前記第２のセット内の各パッドは、前記相互接続層の前記上面において露出され、前記半田レジスト層および前記相互接続層は、前記半田レジスト層と前記相互接続層との間の高さの差が半田相互接続を形成するときにブリッジされることができる範囲内であるようなそれぞれの高さを有する、請求項６に記載の相互接続基板。
【請求項８】
前記相互接続層は、支持基板上に前記相互接続層の構造を製作し、前記支持基板がない前記構造を前記ベース基板上に移動させることによってもたらされる、請求項１に記載の相互接続基板。
【請求項９】
前記相互接続基板は、
搭載されるべき第３のチップのための前記ベース基板上の電極の第３のグループと、
前記第３のチップのためのパッドの第３のセットおよび前記第１のチップのためのパッドの第４のセットを含む第２の相互接続層であって、前記第２の相互接続層は前記ベース基板上に配置され、電極の前記第３のグループと電極の前記第１のグループとの間の前記ベース基板上の第２の画定された領域内に位置し、前記第２の相互接続層は前記相互接続層の一部として、または前記相互接続層とは分離されたものとして形成される、前記第２の相互接続層と
をさらに備える請求項１に記載の相互接続基板。
【請求項１０】
電子デバイスであって、
請求項１に記載の前記相互接続基板と、
前記相互接続基板上に搭載された前記第１のチップであって、前記第１のチップは、電極の前記第１のグループおよび前記相互接続層のパッドの前記第１のセットに対応する位置に位置する、前記第１のチップと、
前記相互接続基板上に搭載された第２のチップであって、前記第２のチップは、電極の前記第２のグループおよび前記相互接続層のパッドの前記第２のセットに対応する位置に位置する、前記第２のチップと
を備える電子デバイス。
【請求項１１】
相互接続層を基板上に移動させるための相互接続層担持構造であって、
支持基板と、
前記支持基板上の剥離層と、
前記剥離層上の相互接続層とを備え、前記相互接続層は、
有機絶縁材料と、
前記支持基板に向かって面するように構成されたパッドの第１のセットと、
前記支持基板に向かって面するように構成されたパッドの第２のセットと、
前記有機絶縁材料内に埋め込まれた複数のトレースと、
前記支持基板と反対の前記有機絶縁材料の側に形成された接着層と
を備える、相互接続層担持構造。
【請求項１２】
パッドの前記第１のセット内の各パッドは前記トレースの１つに接続し、パッドの前記第２のセット内の各パッドは前記トレースの対応する１つに接続し、パッドの前記第１のセットの前記パッドおよびパッドの前記第２のセットの前記パッドは、前記有機絶縁材料の底面において露出される、請求項１１に記載の相互接続層担持構造。
【請求項１３】
前記相互接続層担持構造は、
前記剥離層上の金属層をさらに備え、前記有機絶縁材料は前記金属層上に配置され、パッドの前記第１のセットおよびパッドの前記第２のセット内の各パッドは、前記金属層上に形成された金属スタックを含む、請求項１１に記載の相互接続層担持構造。
【請求項１４】
その上に搭載されたチップを相互接続するために用いられる相互接続基板を製作する方法であって、
その上の第１のチップのための電極の第１のグループおよび第２のチップのための電極の第２のグループが設けられた有機ベース基板を用意することと、
相互接続層が電極の前記第１のグループと前記電極の前記第２のグループとの間の前記ベース基板上の画定された領域に位置付けられるように、前記相互接続層を前記ベース基板に取り付けることであって、前記相互接続層は、前記第１のチップのためのパッドの第１のセット、前記第２のチップのためのパッドの第２のセット、複数のトレース、および有機絶縁材料を備える、前記取り付けることと
を含む方法。
【請求項１５】
前記相互接続層を取り付けることは、
相互接続層担持構造を前記ベース基板上に置くことであって、前記相互接続層担持構造は、相互接続層、前記相互接続層上の剥離層、および前記剥離層上の支持基板を含む、前記置くことと、
前記剥離層を除去することによって、前記相互接続層を前記支持基板から剥離することと
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記相互接続層は底部接着層を含み、前記相互接続層を取り付けることは、
前記相互接続層を剥離する前に、前記相互接続層を前記ベース基板に接合するように、前記底部接着層を硬化させること
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月30日(2020.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
2020529413.tif 000001
［式中、
Ｘは、Ｈ、またはヒドロキシルで任意に置換されたＣ１−Ｃ３アルキルであり、
Ｙは、Ｈ、ヒドロキシ、またはメチルであり、
Ｒは、エチル、ｎ−プロピル、シクロプロピル、または
【化２】
2020529413.tif 000002
であり、
Ａは、メチル、シクロプロピル、またはトリフルオロメチルである］
の化合物、またはその薬学的に許容可能な塩であって、
但し、ＸとＹが両方ともＨであり、Ｒがｎ−プロピルである場合、Ａはメチル以外である、化合物または塩。
【請求項２】
Ｘはメチルである、請求項１に記載の化合物または塩。
【請求項３】
ＹはＨである、請求項１または請求項２に記載の化合物または塩。
【請求項４】
Ｒはｎ−プロピルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物または塩。
【請求項５】
Ａはシクロプロピルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物または塩。
【請求項６】
前記化合物は遊離塩基形態である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項７】
前記化合物は、式：
【化３】
2020529413.tif 000003
の化合物である、請求項１に記載の化合物または塩。
【請求項８】
前記化合物は、式：
【化４】
2020529413.tif 000004
の化合物である、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
前記化合物は、式：
【化５】
2020529413.tif 000005
の化合物である、請求項１に記載の化合物または塩。
【請求項１０】
前記化合物は、式：
【化６】
2020529413.tif 000006
の化合物である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１１】
患者における慢性腎疾患を治療するための薬学的組成物であって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩を含む、薬学的組成物。
【請求項１２】
患者における糖尿病性腎疾患を治療する方法に用いるための薬学的組成物であって、前記方法が、治療を必要とする患者に、有効量の請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩を投与することを含む、薬学的組成物。
【請求項１３】
治療において使用するための、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１４】
慢性腎疾患の治療において使用するための、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１５】
糖尿病性腎疾患の治療において使用するための、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１６】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩を、１つ以上の薬学的に許容される担体、希釈剤、または賦形剤とともに含む、薬学的組成物。
【請求項１７】
薬学的組成物を調製するためのプロセスであって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩を、１つ以上の薬学的に許容される担体、希釈剤、または賦形剤と混合することを含む、プロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
表１２、１３、および１４のデータは、実施例１〜１３の化合物が、インビトロでヒトＰＤＥ３Ａ、ＰＤＥ４Ｄ、およびＰＤＥ６ＡＢと比較して、ヒトＰＤＥ１Ａ、ＰＤＥ１Ｂ、およびＰＤＥ１Ｃの選択的阻害剤であることを示している。
本発明は以下の態様を含みうる。
［１］式：
【化４１−１】
2020529413.tif 000007
［式中、
Ｘは、Ｈ、またはヒドロキシルで任意に置換されたＣ１−Ｃ３アルキルであり、
Ｙは、Ｈ、ヒドロキシ、またはメチルであり、
Ｒは、エチル、ｎ−プロピル、シクロプロピル、または
【化４１−２】
2020529413.tif 000008
であり、
Ａは、メチル、シクロプロピル、またはトリフルオロメチルである］
の化合物またはその薬学的に許容可能な塩であって、
但し、ＸとＹが両方ともＨであり、Ｒがｎ−プロピルである場合、Ａはメチル以外である、化合物または塩。
［２］Ｘはメチルである、上記［１］に記載の化合物または塩。
［３］ＹはＨである、上記［１］または上記［２］に記載の化合物または塩。
［４］Ｒはｎ−プロピルである、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の化合物または塩。
［５］Ａはシクロプロピルである、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の化合物または塩。
［６］前記化合物は遊離塩基形態である、上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の化合物。
［７］前記化合物は、式：
【化４１−３】
2020529413.tif 000009
の化合物である、上記［１］に記載の化合物または塩。
［８］前記化合物は、式：
【化４１−４】
2020529413.tif 000010
の化合物である、上記［１］に記載の化合物。
［９］前記化合物は、式：
【化４１−５】
2020529413.tif 000011
の化合物である、上記［１］に記載の化合物または塩。
［１０］前記化合物は、式：
【化４１−６】
2020529413.tif 000012
の化合物である、上記［１］に記載の化合物。
［１１］患者における慢性腎疾患を治療する方法であって、治療を必要とする患者に、有効量の上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩を投与することを含む、方法。
［１２］患者における糖尿病性腎疾患を治療する方法であって、治療を必要とする患者に、有効量の上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩を投与することを含む、方法。
［１３］治療において使用するための、上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
［１４］慢性腎疾患の治療において使用するための、上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
［１５］糖尿病性腎疾患の治療において使用するための、上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩。
［１６］上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩を、１つ以上の薬学的に許容される担体、希釈剤、または賦形剤とともに含む、薬学的組成物。
［１７］薬学的組成物を調製するためのプロセスであって、上記［１］〜［１０］のいずれか一項に記載の化合物またはその薬学的に許容される塩を、１つ以上の薬学的に許容される担体、希釈剤、または賦形剤と混合することを含む、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年2月4日(2020.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステーターと、
前記ステーター内に配置されるローターと、
前記ローターと結合するシャフトと、を含み、
前記ローターは、
前記シャフトの外側に配置されるローターコアと、
前記ローターコアの外側に配置されるマグネットと、
前記ローターコアおよび前記マグネットをモールディングするモールディング部と、を含み、
前記モールディング部は、
前記マグネットの上面に配置される上部と、
前記マグネットの下面に配置される下部と、
前記マグネットの側面に配置される側部と、
前記側部から前記シャフトの軸方向に突出する突出部と、を含み、
前記突出部は、前記側部と前記下部の連結部分に配置されるモーター。
【請求項２】
前記突出部は、内部に空間部を含む請求項１に記載のモーター。
【請求項３】
前記モールディング部の前記下部、前記上部、前記突出部および前記側部は、一体である請求項１に記載のモーター。
【請求項４】
前記モールディング部の突出部は、前記シャフト方向に、前記モールディング部の前記上部または前記下部よりもさらに突出する請求項１に記載のモーター。
【請求項５】
前記突出部の厚さは、前記上部の厚さ、前記側部の厚さおよび前記下部の厚さの平均値である請求項１に記載のモーター。
【請求項６】
前記モールディング部の上部の少なくとも一部は、前記ローターコアの外周面を基準に内側に配置される請求項１に記載のモーター。
【請求項７】
前記ローターコアは、前記シャフト方向に配置される複数のホールを含み、
前記モールディング部の前記上部の内側境界または前記モールディング部の前記下部の内側境界は、前記ローターコアの外周面と前記ホールとの間に配置される請求項１に記載のモーター。
【請求項８】
前記突出部は、前記ローターコアの円周方向に沿って配置される請求項１に記載のモーター。
【請求項９】
前記突出部は、リング形状である請求項８に記載のモーター。
【請求項１０】
前記突出部は、前記モールディング部の射出ゲートの反対側に形成される請求項１に記載のモーター。
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月31日(2020.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルデータ又は前記サンプルデータから算出された特徴量の時系列を記憶するデータ記憶部から時系列データを受け取る入力部と、
前記時系列データのサンプル値の分布に基づき、前記時系列データの変化および繰り返し特性を示す尺度を計算する計算部と、
前記尺度に基づき、完全接続状態モデルおよび一方向状態モデルを含む状態モデルから、モデルの学習および推定に使用する状態モデル構造を選択し、選択された状態モデルを記憶する記憶部に、前記選択された状態モデルを記憶する選択部と、
を含む、ことを特徴とする状態モデル構造選択装置。
【請求項２】
前記計算部は、前記時系列データの各マグニチュード値について、該マグニチュード値をとるサイクル数を前記時系列データのサイクル総数で除算することにより、前記時系列データにおける各マグニチュード値のサイクル数に関する第１の確率を計算し、
前記マグニチュード値の出現回数を前記時系列データの長さで除算することにより、前記時系列データにおける各マグニチュード値の出現回数の第２の確率を計算し、
前記計算部は、前記第１の確率と前記第２の確率との間の相関係数を計算し、
前記選択部は、前記尺度として、前記相関係数に基づいて、前記完全接続状態モデルまたは前記一方向状態モデルのいずれかを選択する、ことを特徴とする請求項１に記載の状態モデル構造選択装置。
【請求項３】
前記選択部は、
前記相関係数が第１の閾値よりも大きい場合、前記完全接続状態モデルを選択し、
前記相関係数が、前記第１の閾値よりも小さい第２の閾値未満の場合に、前記一方向状態モデルを選択する、ことを特徴とする請求項２に記載の状態モデル構造選択装置。
【請求項４】
前記選択部は、
前記相関係数が前記第２の閾値と前記第１の閾値との間にある場合、
前記第２の確率が第３の閾値よりも大きいか否かを確認し、
前記選択部は、
前記第２の確率が前記第３の閾値以下である場合、前記完全接続状態モデルを選択し、
前記相関係数が第３の閾値よりも大きい場合、前記一方向状態モデルを選択する、ことを特徴とする請求項３に記載の状態モデル構造選択装置。
【請求項５】
前記第３の閾値が前記第２の閾値に等しい、ことを特徴とする請求項４に記載の状態モデル構造選択装置。
【請求項６】
前記特徴量は、電流信号の二乗平均平方根（ＲＭＳ）値を含む、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の状態モデル構造選択装置。
【請求項７】
サンプルデータの特徴量の時系列を記憶するデータ記憶部と、
状態モデルを記憶するモデル記憶部と、
少なくとも１つの機器の波形データを取得するデータ取得部と、
前記波形サンプルデータによって構成されるか、または前記波形サンプルデータから計算された特徴量の時系列を格納するデータ前処理部と、
前記データ記憶部から前記時系列データを受け取り、前記時系列データのサンプル値分布に基づいて前記時系列データの変化および繰り返し特性を示す尺度を計算し、前記尺度に基づいて完全接続状態モデルおよび一方向状態モデルを含む状態モデルからモデルの学習および推定に使用する状態モデル構造を選択し、前記モデル記憶部に前記選択された状態モデルを記憶するモデル構造選択部と、
前記モデル記憶部に記憶された前記選択された状態モデルを用いて、前記データ記憶部により取得され記憶された前記波形時系列データから、前記選択された状態モデルについてのモデルパラメータを学習するモデル学習部と、
前記モデル記憶部に記憶された前記状態モデルを用いて、複数の機器の個別の波形が統合された波形から個別の波形を推定する推定部と、
を含む、ことを特徴とするディスアグリゲーションシステム。
【請求項８】
前記モデル構造選択部は、
前記時系列データの各マグニチュード値について、該マグニチュード値をとるサイクル数を前記時系列データのサイクル総数で除算することにより、前記時系列データにおける各マグニチュード値のサイクル数の第１の確率を計算し、
前記マグニチュード値の出現回数を前記時系列データの長さで除算することにより、前記時系列データにおける各マグニチュード値の出現回数の第２の確率を計算し、
前記モデル構造選択部は、前記第１の確率と前記第２の確率との間の相関係数を計算し、
前記モデル構造選択部は、前記尺度としての前記相関係数に基づいて、前記完全接続状態モデルまたは前記一方向状態モデルのいずれかを選択する、ことを特徴とする請求項７に記載のディスアグリゲーションシステム。
【請求項９】
状態モデル構造を選択する方法であって、
サンプルデータの時系列または前記サンプルデータから算出された特徴量を記憶するデータ記憶部から時系列データを受け取り、
前記受け取った時系列データのサンプル値分布に基づいて前記時系列データの変化および繰り返し特性を示す尺度を計算し、
前記尺度に基づいて完全接続状態モデルおよび一方向状態モデルを含む状態モデルからモデルの学習および推定に使用する状態モデル構造を選択し、
モデル記憶部に前記選択された状態モデルを記憶する、ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
サンプルデータの時系列または前記サンプルデータから算出された特徴量を記憶するデータ記憶部から時系列データを受け取り、
前記受け取った時系列データのサンプル値分布に基づいて前記時系列データの変化および繰り返し特性を示す尺度を計算し、
前記尺度に基づいて完全接続状態モデルおよび一方向状態モデルを含む状態モデルからモデルの学習および推定に使用する状態モデル構造を選択し、
モデル記憶部に前記選択された状態モデルを記憶すること、
を含む処理をコンピュータに実行させるプログラム。