【事件の表示】
　特願２０１１−５２３２９８「気体の充填された鏡を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／０２０２１３、平成２４年　１月１２日国内公表、特表２０１２−５０１０６５、請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００９年８月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年８月２２日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月２３日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２６年２月２８日に明細書及び特許請求の範囲の補正がなされたが、同年３月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされ、当審において平成２７年３月３１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月６日に誤訳訂正書が提出されたものである。
　本願の請求項１ないし１６に係る発明（以下、請求項の番号に応じて「本願発明１」ないし「本願発明１６」という。）は、平成２７年１０月６日に提出された誤訳訂正書の特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　活性領域（１０）を含む半導体ボディ（１）と、
　鏡面層（２）と、
　前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだに配置され、前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだの距離（Ｄ）を定める複数のコンタクト点（３）とを有する、
オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、
　前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだに少なくとも１つの中空室（４）が形成されており、
　該少なくとも１つの中空室（４）に気体（４０）が含まれており、
　前記鏡面層（２）は水平方向において全てのコンタクト点（３）を超えて延在しており、
　前記鏡面層（２）は、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡である
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項２】
　前記複数のコンタクト点（３）のうち少なくとも１つは閉じた導体路を形成している、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項３】
　前記複数のコンタクト点（３）のうち少なくとも１つを介して、当該オプトエレクトロニクス半導体チップの動作中に所定の電流が前記活性領域（１０）へ注入される、請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項４】
　前記少なくとも１つの中空室（４）がパシベーション材料（５）によって封止されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項５】
　前記気体（４０）は前記少なくとも１つの中空室（４）内に常圧よりも小さい圧力で封入されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項６】
　前記複数のコンタクト点（３）は前記半導体ボディ（１）に直接に接している、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項７】
　前記鏡面層（２）と前記半導体ボディ（１）とのあいだの距離（Ｄ）は１０ｎｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項８】
　前記鏡面層（２）は、ブラッグ鏡と金属鏡との組み合わせであり、
　前記金属鏡は、前記活性領域（１０）に面する向きで、前記ブラッグ鏡上に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項９】
　前記複数のコンタクト点（３）は、はんだ材料Ｓｎ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂｉのうち少なくとも１つを含んでいる、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項１０】
　前記鏡面層（２）は支持体（７）上に被着されており、該支持体（７）は前記鏡面層（２）の、前記中空室（４）および前記半導体ボディ（１）から遠い側に位置する、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項１１】
　前記支持体（７）と前記鏡面層（２）とのあいだに阻止層（６）が配置されている、請求項１０記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
　　【請求項１２】
　少なくとも１つの活性領域（１０）を備えた半導体ボディ（１）を用意するステップ、
　鏡面層（２）を備えた支持体（７）を用意するステップ、
　複数のコンタクト点（３）を前記鏡面層（２）の上面（２ａ）および／または前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）に被着するステップ、
　熱圧着により、前記複数のコンタクト点（３）を介して前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とを接続し、前記複数のコンタクト点（３）によって前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだの距離（Ｄ）を定めるステップ、ならびに、
　前記半導体ボディ（１）と前記鏡面層（２）とのあいだに少なくとも１つの中空室（４）を形成し、該中空室に気体（４０）を封入するステップ
を有し、
　前記鏡面層（２）は、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡である
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
　　【請求項１３】
　前記鏡面層（２）は、ブラッグ鏡と金属鏡との組み合わせであり、
　前記金属鏡は、前記活性領域（１０）に面する向きで、前記ブラッグ鏡上に配置されている、請求項１２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
　　【請求項１４】
　前記複数のコンタクト点（３）をプリンティングプロセスにより被着する、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
　　【請求項１５】
　前記複数のコンタクト点（３）を蒸着プロセスにより被着する、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。
　　【請求項１６】
　前記複数のコンタクト点（３）を、小さな部材として被着する、請求項１２または１３記載のオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法。」
２．引用例及び引用発明
（１）引用例１
　これに対して、当審の平成２７年３月３１日付け拒絶理由通知に引用された特開２００６−２６９６７８号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに、以下の記載がある。（下線は、当審による。）
ア　「【００２２】
　［第１実施形態］
　まず、本発明の第１実施形態に係る
発光モジュール
ＬＥＤチップ及び基台
【００２３】
　図１Ｃに示すように、第１実施形態に係る発光モジュール１は、凹部１１ａを有するベース１１と、ベース１１と接合するキャップ１２とからなるパッケージ１０を含む。ベース１１とキャップ１２との接合は、例えば不活性ガス雰囲気下において、ベース１１及びキャップ１２のそれぞれの外縁部同士を押さえつけた状態でシーム溶接（数アンペア程度のパルス電流を用いた溶接）すればよい。また、
パッケージ１０内には、図１Ａに示すように、複数の基台１３と、各基台１３上に設けられた、半導体多層膜５０（図１Ｄ参照）を含むＬＥＤチップ１４とが収容されている。
・・・
【００２５】
　図１Ｄに示すように、
ＬＥＤチップ１４は、半導体多層膜５０と、半導体多層膜５０を支持するｎ−ＧａＮ基板５１と、半導体多層膜５０に設けられた電極５２及び電極５３とを含む
半導体多層膜５０は
ｎ型半導体層５０ａ、発光層５０ｂ及びｐ型半導体層５０ｃからなる
電極５２，５３は、それぞれ基台１３上に設けられた給電端子５５とＡｕバンプ５４を介して電気的に接続され
給電端子５５の構成材料としては
発光層５０ｂから発せられた光の少なくとも一部を反射する材料(例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｌ等)を使用するのが好ましい
【００２６】
　このように構成された発光モジュール１によれば、ＬＥＤチップ１４から発生する熱を基台１３、Ｔｉ／Ａｕめっき膜５６、半田１７及び金属製支持部１１ｂを介して放熱することができる。また、基台１３が無機材料からなるため、耐熱性及び耐光性の高い発光モジュール１とすることができる。更に、貫通孔１１ｃがベース１１の側面に設けられているため、ベース１１の側面からＬＥＤチップ１４へ給電することができる。よって、ベース１１の底面（金属製支持部１１ｂの底面）に放熱体（図示せず）を直に接触させることが可能となるため、発光モジュール１の放熱性を良好に維持できる。なお、
パッケージ１０内において水分で加速される金属マイグレーションを抑制するためには、パッケージ１０内に乾燥ガス（乾燥空気、乾燥窒素ガス、乾燥アルゴン等）が封入され
イ　図１は、次のものである。
（２）引用発明１
ア　上記（１）アによれば、引用例１には、
　「パッケージ１０内に、基台１３と、半導体多層膜５０を含むＬＥＤチップ１４とが収容されており、
　ＬＥＤチップ１４は、半導体多層膜５０と、半導体多層膜５０を支持するｎ−ＧａＮ基板５１と、半導体多層膜５０に設けられた電極５２及び電極５３とを含み、
　半導体多層膜５０は、ｎ型半導体層５０ａ、発光層５０ｂ及びｐ型半導体層５０ｃからなり、
　電極５２，５３は、それぞれ基台１３上に設けられた給電端子５５とＡｕバンプ５４を介して電気的に接続され、
　給電端子５５の構成材料として、発光層５０ｂから発せられた光の少なくとも一部を反射する材料(例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｌ等)を使用し、
　パッケージ１０内において水分で加速される金属マイグレーションを抑制するために、パッケージ１０内に乾燥ガス（乾燥空気、乾燥窒素ガス、乾燥アルゴン等）が封入されている、
　発光モジュール１。」が記載されている。
イ　上記（１）アの記載とともに、図１をみれば、Ａｕバンプ５４は複数設けられ、給電端子５５は、複数のＡｕバンプ５４が配置された領域よりも外側まで延在していることが見て取れる。
ウ　したがって、引用文献１には、（パッケージ１０内に収容された、給電端子５５が設けられた基台１３と、半導体多層膜５０を含むＬＥＤチップ１４と、それらを接続するＡｕバンプ５４に着目すれば、）以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「パッケージ１０内に収容された、給電端子５５が設けられた基台１３と、半導体多層膜５０を含むＬＥＤチップ１４と、それらを接続するＡｕバンプ５４であって、
　ＬＥＤチップ１４は、半導体多層膜５０と、半導体多層膜５０を支持するｎ−ＧａＮ基板５１と、半導体多層膜５０に設けられた電極５２及び電極５３とを含み、
　半導体多層膜５０は、ｎ型半導体層５０ａ、発光層５０ｂ及びｐ型半導体層５０ｃからなり、
　電極５２，５３は、それぞれ基台１３上に設けられた給電端子５５とＡｕバンプ５４を介して電気的に接続され、
　給電端子５５の構成材料として、発光層５０ｂから発せられた光の少なくとも一部を反射する材料(例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｌ等)を使用し、
　パッケージ１０内において水分で加速される金属マイグレーションを抑制するために、パッケージ１０内に乾燥ガス（乾燥空気、乾燥窒素ガス、乾燥アルゴン等）が封入されており、
　Ａｕバンプ５４は複数設けられ、給電端子５５は、複数のＡｕバンプ５４が配置された領域よりも外側まで延在した、
　給電端子５５が設けられた基台１３と、半導体多層膜５０を含むＬＥＤチップ１４と、それらを接続するＡｕバンプ５４。」
　
（３）本願発明１と引用発明１との対比
ア　引用発明１の「発光層５０ｂ」、「（ｎ型半導体層５０ａ、発光層５０ｂ及びｐ型半導体層５０ｃからなる）半導体多層膜５０と、半導体多層膜５０を支持するｎ−ＧａＮ基板５１」、「Ａｕバンプ５４」は、それぞれ、本願発明１の「活性領域（１０）」、「半導体ボディ（１）」、「コンタクト点（３）」に相当する。
イ　引用発明１の「（発光層５０ｂから発せられた光の少なくとも一部を反射する材料(例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｌ等)からなる）給電端子５５」は、本願発明１の「鏡面層」と、光反射層である点で一致する。
ウ　引用発明１の「給電端子５５が設けられた基台１３と、半導体多層膜５０を含むＬＥＤチップ１４と、それらを接続するＡｕバンプ５４」は、本願発明１の「オプトエレクトロニクス半導体チップ」に相当する。
エ　引用発明１において、「Ａｕバンプ５４」は「給電端子５５が設けられた基台１３」と「半導体多層膜５０を含むＬＥＤチップ１４」とを接続しているから、引用発明１において、半導体多層膜５０と給電端子５５とのあいだに配置され、半導体多層膜５０と給電端子５５とのあいだの距離を定めるＡｕバンプ５４を有するといえる。
オ　引用発明１において、「Ａｕバンプ５４は複数設けられ、給電端子５５は、複数のＡｕバンプ５４が配置された領域よりも外側まで延在し」ているから、給電端子５５は水平方向において全てのＡｕバンプ５４を超えて延在しているといえる。
カ　以上によれば、本願発明１と引用発明１とは、　
「活性領域（１０）を含む半導体ボディ（１）と、
　光反射層と、
　前記半導体ボディと前記光反射層とのあいだに配置され、前記半導体ボディと前記反射層とのあいだの距離（Ｄ）を定める複数のコンタクト点（３）とを有する、
オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、
前記反射層は水平方向において全てのコンタクト点（３）を超えて延在している、
オプトエレクトロニクス半導体チップ。」
で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明１の光反射層は「鏡面層」であるのに対し、引用発明１の「（発光層５０ｂから発せられた光の少なくとも一部を反射する材料(例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｌ等)からなる）給電端子５５」が、そのようなものか否か明らかではない点
［相違点２］
　本願発明１は、「前記半導体ボディと前記光反射層とのあいだに少なくとも１つの中空室（４）が形成されており、該少なくとも１つの中空室に気体（４０）が含まれている」のに対し、引用発明１がそのようなものか否か明らかではない点
［相違点３］
　本願発明１の光反射層は、「高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡である」のに対し、引用発明１では、「（発光層５０ｂから発せられた光の少なくとも一部を反射する材料(例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｌ等)からなる）給電端子５５」である点。
　
４．判断
ｑ　上記相違点について検討する。
　事案に鑑み、まず相違点３について検討する。
　引用例１には、引用発明１における「給電端子５５」を「高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡」とすることについて、記載も示唆もされていない。
　また、当審の拒絶理由通知で引用された他の引用文献をみても、引用発明１における「給電端子５５」を「高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡」とすることについて、示唆する記載は認められない。
　さらに、引用発明１において、「給電端子５５」として、「高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡」を適用する理由を認めることができない。
　したがって、相違点１及び２についての検討するまでもなく、上記相違点３に係る事項を発明特定事項に含む本願発明１は、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　本願発明２ないし１１は、本願発明１をさらに限定したものであるから、本願発明１と同様に、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法に係る本願発明１２ないし１６についても、発明特定事項として「前記鏡面層（２）は、高屈折率材料の層と低屈折率材料の層とを交互に配置して成るブラッグ鏡である」との事項を含んでいるから、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　また、原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００７／１３６３９２号（以下「引用例２」という。）に記載された発明（以下「引用発明２」という。）は、本願発明１の「前記鏡面層（２）は水平方向において全てのコンタクト点（３）を超えて延在」するとの事項を備えるものでなく、さらに、上記相違点３に係る事項を示唆するものではないから、本願発明１ないし本願発明１６について、引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１ないし１６に係る発明について、引用例１又は引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。