【事件の表示】
　特願２０１３−１１１６９１「電気光学装置及び電子機器」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月１７日出願公開、特開２０１３−２１４０８２、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
　本願は、平成２０年５月２７日に出願した特願２００８−１３７９１５号（優先権主張平成１９年８月９日）の一部を平成２５年５月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成２６年２月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１０月１７日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年１２月１８日付けで意見書が提出されたが、平成２７年３月２５日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がなされた。
　本件は、これに対して、平成２７年６月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２８年５月１１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年７月６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２８年７月６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願発明は、次のとおりのものである。
「第１方向に延在するデータ線と、
　該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
　該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
　前記トランジスタの半導体層と重なるように設けられた遮光部と、
　前記トランジスタの半導体層と電気的に接続された第１中継層と、
　前記第１中継層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続する第２中継層と、を備え、
　前記遮光部は、前記第１方向に延在する第１遮光部と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２遮光部と、該第１及び第２遮光部の各々から延設され、画素の開口領域の隅に張り出した第３遮光部とを有し、
　前記第１中継層と前記第２中継層とを電気的に接続する第１コンタクトホールは、前記第２遮光部と重なるように設けられ、
　前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続する第２コンタクトホールは、前記第３遮光部と重なるように設けられ、
　前記トランジスタは、前記トランジスタのチャネル領域と前記データ線とが平面視で重なるように設けられている
　ことを特徴とする電気光学装置。」
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　引用文献１：特開２００４−１７０９１９号公報
　引用文献２：特開平１０−１０５７４号公報
　引用文献３：特開平１０−３１２３５号公報
　引用文献１に記載された発明に、引用文献２、３に記載された発明／周知技術を採用することは当業者が容易に想到し得ることである。
２　原査定の理由の判断
（１）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
　引用文献１には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【発明を実施するための最良の形態】
【００８１】
  以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００８２】
  （第１実施形態）
  第一に、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の画素部における構成について、図１から図４を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図３は、図２のうち要部、具体的には、データ線、シールド層及び画素電極間の配置関係を示すために、主にこれらのみを抜き出した平面図である。図４は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００８３】
  図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００８４】
  また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００８５】
  画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００８６】
  ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。
【００８７】
  以下では、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、実際の構成について、図２から図４を参照して説明する。
【００８８】
  まず、図２において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８９】
  次に、電気光学装置は、図２のＡ−Ａ´線断面図たる図４に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００９０】
  ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図４に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、前記の配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、後述のシール材（図２０及び図２１参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した電気光学物質からなる。シール材は、ＴＦＴ基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサが混入されている。
【００９１】
  一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図４に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０から順に、下側遮光膜１１ａを含む第１層、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等を含む第２層、蓄積容量７０及びデータ線６ａ等を含む第３層、シールド層４００等を含む第４層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第５層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２及び４３には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。
【００９２】
  まず、第１層には、下側遮光膜１１ａが設けられている。この下側遮光膜１１ａは、平面的にみて格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定する（図２参照）。下側遮光膜１１ａの走査線３ａとデータ線６ａが交差する領域では、画素電極９ａの角を角取りするように突出した領域が形成されている。
【００９３】
  そして、本実施形態においては特に、この下側遮光膜１１ａは、その下層にメタル層Ｍ１、その上層にメタル層Ｍ１の酸化を防ぐバリア層Ｂ１を備えた二層構造からなる。これにより、積層構造中、この下側遮光膜１１ａよりも上の構成要素を形成する際に高温処理工程（例えば、後述のＴＦＴ３０を形成する際のアニール処理等）が行われるとしても、その上層にはバリア層Ｂ１が備えられているので、メタル層Ｍ１の酸化を未然に防止することが可能となる。なお、この下側遮光膜１１ａについては、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００９４】
  次に、第２層として、ＴＦＴ３０及び走査線３ａが設けられている。ＴＦＴ３０は、図４に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９５】
  なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図４に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００９６】
  以上説明した下側遮光膜１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００９７】
  そして、本実施形態においては特に、この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇にチャネル長と同じ幅、もしくは、チャネル長より長い溝（コンタクトホール状に形成された溝）１２ｃｖが掘られており、この溝１２ｃｖに対応して、その上方に積層される走査線３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる（図２では、複雑化を避けるため不図示とした。図５参照。）。また、この溝１２ｃｖ全体を埋めるようにして、走査線３ａが形成されていることにより、該走査線３ａには、これと一体的に形成された水平的突出部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図２によく示されているように、平面的に見て側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。なお、水平的突出部３ｂは、半導体層１ａの片側だけでもよい。なお、この溝１２ｃｖ並びにこの上に積層される走査線３ａ及び水平的突出部３ｂについては、後に図５以降を参照しながら、改めて詳しく触れることとする。
【００９８】
  さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０及びデータ線６ａが設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図２の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成され、換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されている。すなわち、蓄積容量７０は、隣接するデータ線６ａ間の走査線３ａに重なる領域と、走査線３ａとデータ線６ａが交差する角部で下側遮光膜１１が画素電極９ａの角を角取りする領域に形成されている。これにより、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００９９】
  より詳細には、第１中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１中継層７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。多層膜の場合は、下層を光吸収性の導電性のポリシリコン膜、上層を光反射性の金属又は合金にするとよい。また、この第１中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３、８５及び８９を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。この第１中継層７１は、図２に示すように、後述する容量電極３００の平面形状と略同一の形状を有するように形成されている。
【０１００】
  容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。第１実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされたシールド層４００とコンタクトホール８７を介して電気的接続が図られることによりなされている。
【０１０１】
  ただし、後述するように、容量電極３００とデータ線６ａとを別々の層として形成する形態では、好ましくは例えば、該容量電極３００を、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設し定電位源と電気的に接続する等という手段をとることにより、該容量電極３００を固定電位に維持するようにしてもよい。ちなみに、ここに述べた「定電位源」としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。
【０１０２】
  そして、本実施形態では特に、この容量電極３００と同一膜として、データ線６ａが形成されている。ここに「同一膜」とは、同一層として、あるいは製造工程段階において同時に形成されていることを意味している。ただし、容量電極３００及びデータ線６ａ間は平面形状的に連続して形成さているのではなく、両者間はパターニング上分断されている。
【０１０３】
  具体的には、図２に示すように、容量電極３００は、走査線３ａの形成領域に重なるように、すなわち図中Ｘ方向に沿って分断されつつ形成されており、データ線６ａは、半導体層１ａの長手方向に重なるように、すなわち図中Ｙ方向に延在するように形成されている。より詳しくは、容量電極３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図２中、半導体層１ａに隣接する領域において該半導体層１ａに沿って図中上方に突出した突出部（図中略台形状のように見える部分）と、後述するコンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。
【０１０４】
  他方、データ線６ａは、図２中Ｙ方向に沿って直線的に延びる本線部を有している。なお、半導体層１ａの図２中上端にある高濃度ドレイン領域１ｅは、蓄積容量７０の突出部の領域に重なるように、右方に９０度直角に折り曲がるような形状を有しているが、これはデータ線６ａを避けて、該半導体層１ａと蓄積容量７０との電気的接続を図るためである（図４参照）。
【０１０５】
  本実施形態では、以上のような形状が呈されるようにパターニング等が実施されて、容量電極３００及びデータ線６ａが同時に形成されることになる。
【０１０６】
  また、これら容量電極３００及びデータ線６ａは、図４に示すように、下層に導電性のポリシリコンからなる層、上層にアルミニウムからなる層の二層構造を有する膜として形成されている。このうちデータ線６ａについては、後述する誘電体膜７５の開口部を貫通するコンタクトホール８１を介して、ＴＦＴ３０の半導体層１ａと電気的に接続されることとなるが、該データ線６ａが上述のような二層構造をとり、また前述の第１中継層７１が導電性のポリシリコン膜からなることにより、該データ線６ａ及び半導体層１ａ間の電気的接続は、直接には、導電性のポリシリコン膜によって実現されることになる。すなわち、下から順に、第１中継層のポリシリコン膜、データ線６ａの下層のポリシリコン膜及びその上層のアルミニウム膜ということになる。したがって、両者間の電気的接続を良好に保つことが可能となる。本実施形態では、データ線６ａと容量線３００は、導電性ポリシリコン層とアルミニウム層の二層構造としたが、下層から順に導電性ポリシリコン層、アルミニウム層、窒化チタン層の三層構造にしてもよい。
この構成によれば、窒化チタン層はコンタクトホール８７の開口時のエッチングの突き抜けを防止するバリアメタルとして機能する。
【０１０７】
  また、容量電極３００及びデータ線６ａは、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、光吸収性能に比較的優れたポリシリコンを含むことから、遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図４参照）の進行を、その上側で遮ることが可能である。
【０１０８】
  誘電体膜７５は、図４に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。そして、本実施形態においては特に、この誘電体膜７５は、図４に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは遮光領域（非開口領域）内で収まるようにパターンニングされている。これにより、比較的誘電率の大きい窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、蓄積容量７０の容量値を増大させることが可能となる他、それにもかかわらず、酸化シリコン膜７５ａが存在することにより、蓄積容量７０の耐圧性を低下せしめることがない。このように、誘電体膜７５を二層構造とすることにより、相反する二つの作用効果を享受することが可能となる。また、着色性のある窒化シリコン７５ｂは光が透過する領域に形成されないようにパターンニングされているので、透過率が低下することを防止できる。また、窒化シリコン膜７５ｂが存在することにより、ＴＦＴ３０に対する水の浸入を未然に防止することが可能となっている。これにより、本実施形態では、ＴＦＴ３０におけるスレッショルド電圧の上昇という事態を招来することがなく、比較的長期の装置運用が可能となる。なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。
【０１０９】
  以上説明したＴＦＴ３０ないし走査線３ａの上、かつ、蓄積容量７０ないしデータ線６ａの下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する第１中継層７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。
【０１１０】
  なお、これら二つのコンタクトホールのうち、コンタクトホール８１の形成部分では、前述の誘電体膜７５が形成されないように、換言すれば、該誘電体膜７５に開口部が形成されるようになっている。これは、該コンタクトホール８１においては、第１中継層７１を介して、高濃度ソース領域１ｂ及びデータ線６ａ間の電気的導通を図る必要があるためである。ちなみに、このような開口部が誘電体膜７５に設けられていれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する水素化処理を行うような場合において、該処理に用いる水素を、該開口部を通じて半導体層１ａにまで容易に到達させることが可能となるという作用効果を得ることも可能となる。
【０１１１】
  また、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。
【０１１２】
  さて、前述の第３層に続けて第４層には、遮光性のシールド層４００が形成されている。このシールド層４００は、平面的にみると、図２及び図３に示すように、図２中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように格子状に形成されている。該シールド層４００のうち図２中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図２中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。さらには、図２中ＸＹ方向それぞれに延在するシールド層４００の交差部分の角部においては、前述の容量電極３００の略台形状の突出部に対応するように、略三角形状の部分が設けられている。シールド層４００は、下側遮光膜１１ａと同じ幅でもよいし、下側遮光膜１１ａより幅が広くても、あるいは幅が狭くてもよい。
  このシールド層４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。なお、ここに述べた「定電位源」としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源でも構わない。
【０１１３】
  このように、データ線６ａの全体を覆うように形成されているとともに（図３参照）、固定電位とされたシールド層４００の存在によれば、該データ線６ａ及び画素電極９ａ間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。すなわち、データ線６ａへの通電に応じて、画素電極９ａの電位が変動するという事態を未然に回避することが可能となり、画像上に該データ線６ａに沿った表示ムラ等を発生させる可能性を低減することができる。本実施形態においてはまた、シールド層４００は格子状に形成されているから、走査線３ａが延在する部分についても無用な容量カップリングが生じないように、これを抑制することが可能となっている。また、シールド層４００における上述の三角形状の部分は、容量電極３００と画素電極９ａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能であり、これによっても、上述と略同様な作用効果が得られることになる。
【０１１４】
  また、第４層には、このようなシールド層４００と同一膜として、本発明にいう「中継層」の一例たる第２中継層４０２が形成されている。この第２中継層４０２は、後述のコンタクトホール８９を介して、蓄積容量７０を構成する第１中継層７１及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これらシールド層４００及び第２中継層４０２間は、前述の容量電極３００及びデータ線６ａと同様に、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【０１１５】
  他方、上述のシールド層４００及び第２中継層４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。これにより、まず、窒化チタンはコンタクトホール８９の開口時のエッチングの突きぬけの防止のバリアメタルとして作用効果が期待される。また、第２中継層４０２において、下層のアルミニウムからなる層は、蓄積容量７０を構成する第１中継層７１と接続され、上層の窒化チタンからなる層は、ＩＴＯ等からなる画素電極９ａと接続されるようになっている。この場合、とりわけ後者の接続は良好に行われることになる。この点、仮に、アルミニウムとＩＴＯとを直接に接続してしまう形態をとると、両者間において電蝕が生じてしまい、アルミニウムの断線、あるいはアルミナの形成による絶縁等のため、好ましい電気的接続が実現されないこととは対照的である。このように、本実施形態では、第２中継層４０２と画素電極９ａとの電気的接続を良好に実現することができることにより、該画素電極９ａに対する電圧印加、あるいは該画素電極９ａにおける電位保持特性を良好に維持することが可能となる。
【０１１６】
  さらには、シールド層４００及び第２中継層４０２は、光反射性能に比較的優れたアルミニウムを含み、且つ、光吸収性能に比較的優れた窒化チタンを含むことから、遮光層として機能し得る。すなわち、これらによれば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する入射光（図２参照）の進行を、その上側でさえぎることが可能である。なお、このようなことについては、既に述べたように、上述の容量電極３００及びデータ線６ａについても同様にいえる。本実施形態においては、これらシールド層４００、第２中継層４０２、容量電極３００及びデータ線６ａが、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される積層構造の一部をなしつつ、ＴＦＴ３０に対する上側からの光入射を遮る上側遮光膜（あるいは、「積層構造の一部」を構成しているという点に着目すれば「内蔵遮光膜」）として機能しうる。なお、この「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」なる概念によれば、上述の構成のほか、走査線３ａや第１中継層７１等もまた、それに含まれるものとして考えることができる。要は、最も広義に解する前提の下、ＴＦＴアレイ基板１０上に構築される不透明な材料からなる構成であれば、「上側遮光膜」ないし「内蔵遮光膜」と呼びうる。
【０１１７】
  以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、シールド層４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、前記のシールド層４００と容量電極３００とを電気的に接続するためのコンタクトホール８７、及び、第２中継層４０２と第１中継層７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８５がそれぞれ開孔されている。なお、第１実施形態においては、前記の第２中継層４０２が形成されていることにより、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０間の電気的接続は、三つのコンタクトホール８３、８５及び８９を介して、、すなわち、三つの層間絶縁膜４１、４２及び４３を介して行われるようになっている。このように、比較的短小なコンタクトホールを連結して、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０間の電気的接続を図るようにすれば、比較的長大なコンタクトホールによりそれを実現するよりも、該短小なコンタクトホールの製造容易性により、より低コストに、且つ、より信頼性高く電気光学装置の製造を行うことができるという利点が得られる。
【０１１８】
  なお、第２層間絶縁膜４２に対しては、第１層間絶縁膜４１に関して前述したような焼成を行わないことにより、容量電極３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【０１１９】
  最後に、第５層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。この画素電極９ａは、角部がカットされた形状でもよい。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＢＰＳＧからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、画素電極９ａ及び前記の第２中継層４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。また、本実施形態では特に、第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すだけでなく、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。または、第３層間絶縁膜４３の平坦化処理をせずに、上述した溝だけで平坦化処理を行ってもよい。」
（イ）「【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項イの図２から、「コンタクトホール８５」は「下側遮光膜１１ａ」のＹ方向と直交するＸ方向に延在する部分と重なる構成、及び、「コンタクトホール８９」は「下側遮光膜１１ａ」のＹ方向と直交するＸ方向に延在する部分のみと重なっていて、「画素電極９ａ」の角を角取りするように突出した領域とは重なっていない構成を、それぞれ、読み取ることができる。
　すると、上記引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されており、
　下側遮光膜１１ａが、平面的にみて格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定しており、下側遮光膜１１ａの走査線３ａとデータ線６ａが交差する領域では、画素電極９ａの角を角取りするように突出した領域が形成されており、
　第１中継層７１が、コンタクトホール８３、８５及び８９を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもち、
　第２中継層４０２と第１中継層７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８５、画素電極９ａ及び前記の第２中継層４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されていて、
　コンタクトホール８５は、下側遮光膜１１ａのＹ方向と直交するＸ方向に延在する部分と重なっており、
　コンタクトホール８９は、下側遮光膜１１ａのＹ方向と直交するＸ方向に延在する部分のみと重なっていて、画素電極９ａの角を角取りするように突出した領域とは重なっておらず、
　データ線６ａは、チャネル領域１ａ’を含む半導体層１ａの長手方向に重なるように、Ｙ方向に延在するように形成されている、
　電気光学装置。」
イ　引用文献２には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図面に基づいて説明する。図１は本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の主要部を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ'線で示された部分の断面図である。図１及び図２ではスッチング素子としてコプラナー型ＴＦＴの例を示しており、以下の実施の形態でも同様にスッチング素子としてコプラナー型ＴＦＴを例として説明する。そのため以下の説明ではデータ信号配線はソース配線と呼び、走査信号配線はゲート配線と呼ぶ。本発明では絶縁性基板１上に金属薄膜等により遮光膜２を所定の形状に形成し、その上にベースコート膜３を堆積する。さらにその上方に半導体薄膜４、絶縁膜５、金属薄膜等を順に積層し、スイッチング素子と同時にソース配線１１及びゲート配線６を形成して行く。その上に平坦化膜１３を介して画素電極１５を形成する。ここで、画素電極１５の端部は平面視で遮光膜２と重なるように位置し、ソース配線付近では平面視でソース配線に間隔ｓだけ離間し、重ならないように形成されている。上記画素電極１５の端部と遮光膜２が平面視で重なる大きさは、アライメントずれが生じた場合にも実質的に光漏れがない大きさに設定される。また上記間隔ｓは、アライメントずれを考慮して設定されているが、アライメントずれのない理想的な場合は間隔ｓを０に近づけることができる。
【００２１】（実施の形態１）次に本発明の実施の形態１の詳細を説明する。図３（ａ）〜（ｅ）は本発明の製造方法の詳細を工程順に示す断面図であり、図４（ａ）〜（ｅ）は図３（ａ）〜（ｅ）に対応する平面図である。図５はスイッチング素子を形成した後、対向基板を貼り合わせて構成した液晶表示装置の断面図であり、図４（ａ）のＢ−Ｂ'線の断面図である。
【００２２】本発明の実施の形態では、透明かつ絶縁性基板の例としてガラス基板を用いて説明する。石英等を使用することも可能であるが、より大面積で、かつ安価な基板を用いようとする場合にはガラス基板の方が有利である。
【００２３】図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、まず初めにガラス基板等の絶縁性基板１上にスパッタリング法等により金属薄膜等を１００〜２００ｎｍ、例えば約１５０ｎｍの膜厚で堆積させ、ＴＦＴとソース配線及びゲート配線の形成予定領域を含み、それらより数μｍ大きく、例えば２〜５μｍ大きくなるように、所定形状にパターニングして遮光膜２を形成する。金属薄膜は後工程での熱処理等に対する耐久性や遮光性の観点から、高融点金属等を用いることが望ましい。本発明の実施の形態ではＴａを用いた。Ｔａ以外にＭｏ、Ｗ、Ｃｒ等を使用することも可能である。続いて遮光膜２が形成された絶縁性基板１の全面に減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法等によりＳｉＯ２膜を３００ｎｍ程度堆積させ、絶縁性基板からの不純物の拡散防止用としてベースコート膜３を形成する。
【００２４】次に図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、スイッチング素子の活性層４ａとなる半導体薄膜として、減圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法等によりノンドープ非晶質シリコン薄膜を１０〜１００ｎｍ、例えば約５０ｎｍの膜厚で堆積させる。本発明の実施の形態では、その後この非晶質シリコン薄膜にエキシマレーザー等を照射してあるいは熱処理工程を経て、結晶化させ多結晶シリコン薄膜を形成する工程を有しているが、その工程に関する記載は省略する。続いて半導体膜はＴＦＴを形成するのに必要な大きさ、形状にパターニングされる。この実施の形態では、ゲート配線をまたぎ、縦長に形成される。パターニングされた活性層４ａは遮光膜２からはみ出さない位置に形成される。
【００２５】次に図３（ｃ）及び図４（ｃ）に示すように、活性層４ａの上方にＳｉＯ２膜等からなるゲート絶縁膜５を全面に堆積させる。続いてスパッタリング法等により金属薄膜を堆積させ、所定の形状にパターニングしてゲート配線及びゲート電極６を形成する。この実施の形態では、ゲート電極はゲート配線の一部が使用され、図示のとおり一直線状に形成される。ゲート配線及びゲート電極６には低抵抗の配線材料であるＡｌ系の金属を用いることができる。耐熱性等を考慮してＡｌ−Ｔｉ等のＡｌ合金を用いることが望ましい。この他にＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等も使用可能である。次に活性層４ａにイオン注入法、レーザードーピング法、あるいはプラズマドーピング法等を用いて、Ｎチャネルトランジスタを作成するときにはＰ＋、Ｐチャネルトランジスタを作成するときにはＢ＋をドーピングしてソース領域及びドレイン領域７を形成する。その後の不純物の活性化工程に関する記載は省略する。
【００２６】次に図３（ｄ）及び図４（ｄ）に示すように、ゲート配線及びゲート電極６の上方を含む全面に層間絶縁膜８を堆積させる。層間絶縁膜８には段差被覆性のよい有機シランを材料としたプラズマＣＶＤ法等によるＳｉＯ２膜を数百ｎｍ〜数μｍ堆積させる方法が知られている。また、他には窒化シリコン膜を用いることもできる。続いて層間絶縁膜８及びゲート絶縁膜５にコンタクトホール９を開口する。続いてスパッタリング法等により金属薄膜を堆積させ、所定の形状にパターニングしてソース配線より分岐して形成されたソース電極１０、ソース配線１１及びドレイン電極１２を同時に形成する。ソース電極１０とソース配線１１は電気的に接続されており、ソース電極１０はソース配線１１から延在されている。ソース電極１０、ソース配線１１及びドレイン電極１２はゲート配線及びゲート電極６と同様にＡｌ系の金属で形成する。Ａｌ系の金属以外に高融点金属を用いても良い。高融点金属はＡｌに比べて段差被覆性に優れている。
【００２７】次に図３（ｅ）及び図４（ｅ）に示すように、ポリイミド樹脂またはアクリル樹脂等からなる平坦化膜１３を形成する。平坦化膜１３はポリイミド樹脂またはアクリル樹脂を基板上に塗布することにより形成することが可能であり、本発明の実施の形態では１〜３μｍ程度の膜厚に形成した。続いてドレイン電極１２の上方の平坦化膜１３にコンタクトホール１４を開口し、ＩＴＯ等からなる透明導電膜を堆積させ、ドレイン電極に電気的に接続させると共に所定の形状にパターニングして画素電極１５を形成する。画素電極１５の端部は遮光膜２に平面視で数μｍ、例えば２〜５μｍ程度重なるように形成されると共にソース配線１１に絶縁膜を介して平面視で１〜３μｍ離間し、重ならないように形成される。
【００２８】以上、本発明の実施の形態におけるスイッチング素子の製造方法はその一例を示したものであり、これに限定されるものではない。また本発明の実施の形態ではスイッチング素子の活性層に多結晶シリコン薄膜を用いたが、非晶質シリコン薄膜を用いても差し支えない。
【００２９】次に図５に示すように、カラーフィルタ１７及び対向電極１８を形成した対向基板１６を貼り合わせ、基板１と対向基板１６の周囲をシール材でシールして、基板間に液晶１９を充填する。
【００３０】本発明の実施の形態では画素電極１５の端部をソース配線１１から離間して形成したため、画素電極１５とソース配線１１が容量結合することがなく良好な表示品位を保つことができる。また、スイッチング素子を形成した基板側に遮光膜２を設け、遮光膜２上に画素電極１５の端部が重なるようにしたため、対向基板１６側にブラックストライプを形成する必要がない。従って対向基板を貼り合わせる際の位置ずれによる光漏れ等の不良が発生することがなく、対向基板１６を貼り合わせる際の位置ずれを考慮したマージンを設ける必要もないため、開口率を極めて大きくすることができる。
【００３１】本実施の形態において、遮光膜２に電位が印加されていない場合にはソース配線及びゲート配線が容量結合する等の悪影響が懸念されるため、遮光膜２には一定の電位が印加されていることが望ましい。尚、図５ではアクティブマトリクス基板と対向基板の内面に設けられる配向膜および両基板の外面に設けられる偏光板は図示していない。」
（イ）「【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
ウ　引用文献３には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【００１３】
【実施例】
〔実施例１〕  図１に本実施例の作製工程断面図、図２に本実施例の作製工程平面図をそれぞれ示す。基板１としては透明なガラス基板、例えば、本実施例ではコーニング７０５９を用いる。基板１上にはスパッタ法によってタンタル膜を１００〜３０００Å、例えば、１０００Å形成し、これを公知のフォトリソグラフィー法によって加工して、遮光膜２を得る。この段階で上方より見た様子を図２（Ａ）に示す。同図に示すように、遮光膜２のパターンは画素を分離するパターンである。なお遮光膜２は図示しないコモン電極に延在し、そこには液晶パネル外から適当な電位が与えられる。（図２（Ａ））
【００１４】次に、公知のプラズマＣＶＤ法によって厚さ５００〜５０００Å、例えば、２５００Åの酸化珪素膜３を堆積する。酸化珪素膜３はＴＦＴの下地絶縁膜として機能する。（図１（Ａ））
次いで、公知のプラズマＣＶＤ法もしくは減圧ＣＶＤ法により厚さ１００〜１５００Å、例えば、５００Åの非晶質珪素膜を堆積し、公知の熱アニール法もしくはレーザーアニール法等の手段によってこれを結晶化させる。さらに、公知のフォトリソグラフィー法によって、結晶化した珪素膜を島状に分離し、活性層（島状領域）４を得る。
【００１５】次に、公知のプラズマＣＶＤ法により、厚さ５００〜３０００Åの酸化珪素膜５を堆積する。酸化珪素膜５はＴＦＴのゲイト絶縁膜として機能する。さらに、厚さ２０００〜８０００Å、例えば、６０００Åのアルミニウム（もしくはアルミニウム合金）膜をスパッタ法によって堆積し、これを公知のフォトリソグラフィー法によって加工し、ゲイト電極と配線（ゲイトバスライン）６を形成する。（図１（Ｂ））
【００１６】図２（Ｂ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにゲイトバスライン６は平行に複数形成され、それらは先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン２上に存在する。また、活性層４は、その一部１５が先に形成された遮光膜のパターン２と重なるように形成される。（図２（Ｂ））
【００１７】次いで、公知の不純物拡散技術、例えば、イオンドーピング法によりゲイトバスライン６をマスクとして、活性層４にＮ型の不純物を導入する。ドーピング後は熱アニール法もしくはレーザーアニール法によって、再結晶化をおこなう。かくして、ソース７、ドレイン８が得られる。なお、以下の記述でドレインとは単に画素電極の接続される方の不純物領域のことを意味する。次に公知のプラズマＣＶＤ法により厚さ３０００〜８０００Å、例えば、５０００Åの窒化珪素膜９を堆積する。窒化珪素膜９は第１の層間絶縁物として機能する。窒化珪素の代わりに酸化珪素を用いてもよい。（図１（Ｃ））
【００１８】次いで、窒化珪素膜９にソース７およびドレイン８に通じるコンタクトホールを形成し、公知のスパッタ法によりアルミニウム合金膜もしくはアルミニウムとチタンの多層膜を堆積し、これを公知のフォトリソグラフィー法により加工し、ソースバスライン１０、ドレイン電極１１を形成する。図２（Ｃ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにソースバスライン１０は平行に複数形成され、また、個々の活性層４と各１つのコンタクトを有する。また、ソースバスライン１０は先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン２上に存在する。（図２（Ｃ））
【００１９】その後、公知のプラズマＣＶＤ法により厚さ３０００〜８０００Å、例えば、５０００Åの酸化珪素膜１２を堆積する。酸化珪素膜１２は第２の層間絶縁物として機能する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよい。（図１（Ｄ））
次に、ポリイミド膜を塗布し、表面の平坦化をおこなう。この工程でポリイミド膜１３が形成される。次いで、ポリイミド膜１３をエッチングして、ドレイン電極１１に通じるコンタクトホールを形成する。
【００２０】そして、公知のスパッタ法によって、透明導電性被膜、例えば、インディウム錫酸化物被膜を５００〜２０００、例えば、１０００Å堆積し、これを公知のフォトリソグラフィー法を用いて加工し、画素電極１４を得る。画素電極は遮光膜２と重なるようにパターンを形成する。かくすることにより漏光を防止することができる。（図１（Ｅ））
かくして、アクティブマトリクス回路が完成する。本実施例では、ＴＦＴがＮチャネル型であり、かつ、ＴＦＴのチャネルの下に遮光膜２が形成されている。ＴＦＴに印加される電位がいかなる場合にも遮光膜２によってＯＮ状態とならないためには、遮光膜２にはＴＦＴのソースもしくはドレインに印加される可能性のある最低電位よりも低い電位を付与することが望まれる。
【００２１】かくして、遮光膜２とドレイン８（活性層４）との間に容量が形成され、かつ、この容量は画素電極と並列に存在するので、画素容量の補助容量（保持容量）となる。もちろん、遮光膜２が存在するため、ＴＦＴのチャネルに光が入射することが防止され、ＴＦＴの特性が安定する。
【００２２】〔実施例２〕  図３を用いて本実施例を説明する。本実施例のＴＦＴ作製工程自体は実施例１と同じであるが、遮光膜、各バスライン、活性層等の配置が異なる。図３の番号は実施例１のものに対応する。まず、実施例１と同様にタンタルで遮光膜のパターン２を形成する。これを図３（Ａ）に示す。（図３（Ａ））
【００２３】次いで、活性層４とゲイトバスライン６を形成する。ここで、ゲイトバスライン６と活性層４は共に遮光膜２の内側に配置される。（図３（Ｂ））
さらに、データバスライン１０、ドレイン電極１１を形成する。ここでも、データバスライン１０、ドレイン電極１１は遮光膜２の内側に配置される。（図３（Ｃ））
かくして、活性層、ゲイトバスライン、データバスライン、ドレイン電極のいずれもが遮光膜２の内側に形成され、これらは遮光膜２によって遮光される。」
（イ）「【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（２）対比
　本願発明と引用発明を対比すると、
　引用発明の「Ｙ方向」、「Ｘ方向」、「コンタクトホール８５」、「コンタクトホール８９」、「下側遮光膜１１ａの・・画素電極９ａの角を角取りするように突出した領域」が、それぞれ、本願発明の「第１方向」、「第２方向」、「第１コンタクトホール」、「第２コンタクトホール」、「第３遮光部」に相当するから、
「第１方向に延在するデータ線と、
　該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
　該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
　前記トランジスタの半導体層と重なるように設けられた遮光部と、
　前記トランジスタの半導体層と電気的に接続された第１中継層と、
　前記第１中継層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記第１中継層と前記画素電極とを電気的に接続する第２中継層と、を備え、
　前記遮光部は、前記第１方向に延在する第１遮光部と、前記第１方向と交差する第２方向に延在する第２遮光部と、該第１及び第２遮光部の各々から延設され、画素の開口領域の隅に張り出した第３遮光部とを有し、
　前記第１中継層と前記第２中継層とを電気的に接続する第１コンタクトホールは、前記第２遮光部と重なるように設けられ、
　前記トランジスタは、前記トランジスタのチャネル領域と前記データ線とが平面視で重なるように設けられている
　電気光学装置。」
で一致し、次の点で相違する。
（相違点）
　本願発明では、「前記第２中継層と前記画素電極とを電気的に接続する第２コンタクトホールは、前記第３遮光部と重なるように設けられ」ているのに対して、引用発明では、「コンタクトホール８９は、下側遮光膜１１ａのＹ方向と直交するＸ方向に延在する部分のみと重なっていて、画素電極９ａの角を角取りするように突出した領域とは重なって」いない点。
（３）判断
　上記相違点について検討する。
　引用文献２（実施の形態１）には、「ドレイン電極１２」と「画素電極１５」とを電気的に接続する「コンタクトホール１４」が「遮光膜２」の画素の開口の隅に張り出した部分と重なる構成を有する「液晶表示装置」が、
　引用文献３（実施例２）には、「ドレイン電極１１」と「画素電極１４」とを電気的に接続するコンタクトホールが「遮光膜２」の画素の開口の隅に張り出した部分と重なる構成を有する「液晶表示装置」が、
それぞれ、記載されているように、ドレイン電極（本願発明の「第１中継層」及び「第２中継層」という記載に合わせると、中継層ということができる。）と画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールが、遮光膜の画素の開口の隅に張り出した部分と重なる構成を有する「液晶表示装置」は周知である。
　しかし、引用文献２、３にも、ドレイン電極（中継層）と画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールが遮光膜の画素の開口の隅に張り出した部分と重なる構成の目的、作用、効果は記載されていないように、該周知の構成が、目的、作用、効果と対応して把握される技術思想として、周知であるとはいえない。
　すると、引用発明に、該周知の構成を採用する動機付けはない。
　また、仮に、引用発明に、該周知の構成を採用しようとしても、引用発明と、引用文献２及び引用文献３の周知の「液晶表示装置」において、ドレイン電極（中継層）、画素電極、これらを接続するコンタクトホール以外の構成では、例えば、引用発明では、中継層として、「第１中継層」及び「第２中継層」の２層を有するのに対して、周知の「液晶表示装置」は１層のみ有すること、また、チャネル領域が、引用発明では、「データ線６ａは、チャネル領域１ａ’を含む半導体層１ａの長手方向に重なる」のに対して、周知の「液晶表示装置」では、「ソース配線１１」及び「ソースバスライン」（本願発明の「データ線」に相当）とは平面視で重ならないように設けられていること等の多くの点で異なっているから、単純に、採用することができないことは明らかである。
　また、他に、本願発明の上記相違点に係る構成が公知であることを示す証拠もない。
　すると、上記相違点は、引用発明に、引用文献２、３に記載された発明／周知技術を採用することにより当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
（４）小括
　したがって、本願発明は、上記相違点において、当業者が引用発明、引用文献２、３に記載された発明／周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
ア　請求項１の「かつ、前記画素電極と重ならないように設けられ、」と記載される構成は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。
イ　請求項３の「前記第１コンタクトホールは、平面視で前記画素電極と前記画素電極と隣り合う他の画素電極との間に設けられている」と記載される構成は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。
ウ　請求項４の「前記トランジスタの半導体層と前記第１中継層とを電気的に接続する第３コンタクトホールを備え、前記第３コンタクトホールは、平面視で前記画素電極と前記画素電極と隣り合う他の画素電極との間に設けられている」と記載される構成は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。
（２）本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　請求項４の「前記トランジスタの半導体層と前記第１中継層とを電気的に接続する第３コンタクトホールを備え、前記第３コンタクトホールは、平面視で前記画素電極と前記画素電極と隣り合う他の画素電極との間に設けられている」が示す構成が不明確である。
２　当審拒絶理由の判断
　平成２８年７月６日付けの手続補正により、請求項１は、「第１コンタクトホールは、前記第２遮光部と重なり、かつ、前記画素電極と重ならないように設けられ、」が「第１コンタクトホールは、前記第２遮光部と重なるように設けられ、」に補正され、また、請求項３及び４は削除された。
　これにより、当審拒絶理由はいずれも解消された。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。