【事件の表示】
　特願２０１２−５４９８７２「有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月２８日国際公開、ＷＯ２０１２／０８６７５８、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１２月２２日（国内優先権主張平成２２年１２月２４日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　６月１９日提出　：国内書面，出願審査請求書
　平成２５年　６月１９日提出　：手続補正書
　平成２６年　４月２１日付け　：拒絶理由通知書
　　　　　　　　　　　　　　　（同年４月２４日発送）
　平成２６年　６月１９日提出　：意見書，手続補正書
　平成２６年　８月１１日付け　：最後の拒絶理由通知書
　　　　　　　　　　　　　　　（同年８月１９日発送）
　平成２６年１０月２０日提出　：意見書，補正書
　平成２７年　３月　９日付け　：補正の却下の決定
　　　　　　　　（平成２６年１０月２０日提出の手続補正書による補正）
　平成２７年　３月　９日付け　：拒絶査定（同年３月１７日送達）
　平成２７年　６月１７日提出　：審判請求書，手続補正書
第２　平成２７年６月１７日付けの手続補正書による補正（以下「本件補正という。」）の適否
１．本件補正の適否
（１）本件補正は、特許請求の範囲の請求項１についての補正（以下、「補正事項１」）を含むものである。
　本件補正の補正事項１は、請求項１に記載した「補助電極」を構成する「低抵抗層」と「被覆層」について、「低抵抗層」が、「アルミニウムネオジム合金、アルミニウムニッケル合金、アルミニウム銀合金、アルミニウムコバルト合金、及びアルミニウムゲルマニウム合金から選ばれるいずれか１種以上を含む」こと、また、「被覆層」が、「モリブデンニオブ合金、モリブデンバナジウム合金、及びモリブデンタングステン合金から選ばれるいずれか１種以上を含み」、「低抵抗層の上面及び側面を被覆している」ことを付加し、限定的に減縮するものであって、本件補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項、第４項に違反するところはない。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下に検討する。
（２）本件発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜６のうち請求項１に係る発明は、請求項１に記載された次のとおりのものである。（なお、下線は補正箇所を示す。）
「透光性基板上に設けられる透光性電極層と、該透光性電極層と対をなす電極層と、これらの電極層に挟持され、有機エレクトロルミネッセンス物質を含有する有機層とを有し、該透光性電極層上に積層される該有機層の発光領域の該透光性電極層の一部に接触して設けられる遮光性の補助電極と、該補助電極を被覆する絶縁被膜とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該補助電極が、透光性電極層に対する比抵抗が低い低抵抗材料からなる低抵抗層と、該低抵抗層上に設けられ、該低抵抗材料より高融点を有する高融点材料からなる被覆層とを有
し、前記低抵抗層がアルミニウムネオジム合金、アルミニウムニッケル合金、アルミニウム銀合金、アルミニウムコバルト合金、及びアルミニウムゲルマニウム合金から選ばれるいずれか１種以上を含み、前記被覆層がモリブデンニオブ合金、モリブデンバナジウム合金、及びモリブデンタングステン合金から選ばれるいずれか１種以上を含み、前記被覆層は、前記低抵抗層の上面及び側面を被覆している
（３）引用例とその記載事項
ア　原査定の拒絶の理由で引用された特開２００９−１４０８１７号公報（以下「引用例１」という。）について
（ア）引用例１には、「有機ＥＬ面状発光装置」（発明の名称）に関して、図と共に次の記載がある（なお、下線は、後述する引用発明の認定に関連する箇所を示す。）。
ａ　【技術分野】
「【０００１】
  本発明は、たとえば照明用途あるいは広告表示用途に用いられる有機ＥＬ面状発光装置に関する。」
ｂ　【発明が解決しようとする課題】
「【０００７】
  本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、均一な輝度の面状光を出射することが可能な有機ＥＬ面状発光装置を提供することをその課題とする。」
ｃ【発明を実施するための最良の課題】
「【００１４】
  図１および図２は、本発明に係る有機ＥＬ面状発光装置の第１実施形態を示している。
本実施形態の有機ＥＬ面状発光装置Ａ１は、基板１、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を備えている
照明用途や広告表示用途に供される
【００１５】
 
 基板１は、たとえばガラスからなる透明基板であり
基板１は、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を支持する
【００１６】
 
 透明電極層２は
アノード電極である
たとえばＩＴＯからなり
【００１７】
  
有機層５は、有機材料からなり、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層が積層された構造
有機層５を基板１下面に投影した領域が、発光領域７となっている
【００１８】
  上記
発光層は、発光物質を含んでおり、透明電極層２からの正孔と金属電極層６からの電子とが再結合することにより励起子を生成
発光する
たとえばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体
などの蛍光またはりん光性発光物質
【００１９】
  上記電子輸送層は、上記発光層への電子の移動を効率良く行うとともに、上記発光層における電子と正孔との再結合効率を高める役割を有するものである。上記電子輸送層を構成する材料としては、たとえばアントラキノジメタン、・・（略）・・
【００２０】
　
金属層３は、透明電極層２と有機層５との間に介在しており
金属層３は、帯状であり
有機層５の端縁５ａに沿った
形状とされ
たとえばＭｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｇあるいはこれらを含む合金からなり、透明電極層２よりも低抵抗であり、かつ熱伝導率が高い層
【００２１】
 
 絶縁層４は、たとえばＳｉＯ
2
などの絶縁材料からなり、金属層３を覆っている。これにより、絶縁層４は、金属層３と有機層５および金属電極層６とを絶縁している
【００２２】
  
金属電極層６は
カソード電極である。
たとえばＡｌからなり、比較的反射率が高い層
【００２３】
  次に、有機ＥＬ面状発光装置Ａ１の作用について説明する。
【００２４】
  本実施形態によれば、
電源の＋極に導通する透明電極層２および金属層３を合わせた部分の抵抗分布
金属層３が設けられた領域が相対的に低抵抗となる
金属層３は有機層５の端縁５ａに沿うように配置され
有機層５の端縁５ａ付近の部分と電源との間の電圧降下を縮小する
ｄ　下記の図２から、有機ＥＬ面状発発光装置Ａ１の中央部分は、基板１、透明電極層２、有機層５、金属電極層６の順に積層されており、当該積層された層の端縁５ａでは、基板１、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６の順に積層されている
　また、
絶縁層４は、上記端縁５ａの透明電極層２、金属層３を覆い、当該絶縁層４によって、金属層３から有機層５、および金属電極層６を離間していること
【図２】
（イ）引用例１に記載された発明
　上記（ア）において摘記した記載事項ａ〜ｃと図２から看取した事項ｄとから、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていることが認められる。
　「基板１、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を備え、照明用途や広告表示用途に供される有機ＥＬ面状発光装置Ａ１であって、
　基板１は、たとえばガラスからなる透明基板であり、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６を支持し、
　透明電極層２は、たとえばＩＴＯからなる アノード電極であり、
　金属層３は、透明電極層２と有機層５との間に介在し、帯状であり、有機層５の端縁５ａに沿った形状とされ、たとえばＭｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｇあるいはこれらを含む合金からなり、透明電極層２よりも低抵抗であり、かつ熱伝導率が高い層であり、
　絶縁層４は、たとえばＳｉＯ２などの絶縁材料からなり、金属層３を覆っており、これにより、絶縁層４は、金属層３と有機層５および金属電極層６とを絶縁し、
　有機層５は、有機材料からなり、たとえば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、および電子輸送層が積層された構造であり、有機層５を基板１下面に投影した領域が、発光領域７となっており、
　上記発光層は、たとえば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体などの蛍光またはりん光性発光物質等の発光物質を含んでおり、透明電極層２からの正孔と金属電極層６からの電子とが再結合することにより生成された励起子により、発光し、
　金属電極層６は、たとえばＡｌからなり、比較的反射率が高い層からなる、カソード電極であり、
　有機ＥＬ面状発光装置Ａ１の中央部分は、基板１、透明電極層２、有機層５、金属電極層６の順に積層されており、当該積層された層の端縁５ａでは、基板１、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６の順に積層され、絶縁層４は、端縁５ａの透明電極層２、金属層３を覆い、当該絶縁層４によって、金属層３から有機層５、および金属電極層６を離間し、
　透明電極層２および金属層３を合わせた部分の抵抗分布が、金属層３が設けられた領域が相対的に低抵抗となり、有機層５の端縁５ａ付近の部分と電源との間の電圧降下を縮小する
 有機ＥＬ面状発光装置。」
イ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−２６４１９３号公報（以下「引用例２」という。）について
（ア）引用例２には、「配線構造、その製造方法、および光学装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
ａ　「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】また、アルミニウム等の低抵抗金属により構成された配線にモリブデン等の高融点金属により構成された保護層を設けることにより、ウィスカ・ヒロックが改善される。さらに、配線材料としてネオジウム等のランタノイド元素を含むアルミニウム合金を用いることによりエレクトロマイグレーションが改善される。」
ｂ　「【００１６】配線層は、ネオジウムをさらに含み、中間相はネオジウムをも含むことができる。また、配線層はランタノイド元素を含んでもよく、中間相はランタノイド元素を含むことができる。配線層中のネオジウム含有量は、好ましくは１ａｔｏｍｉｃ％以上、より好ましくは２ａｔｏｍｉｃ％以上とする。このようにすれば、エレクトロマイグレーション耐性を改善することができる。一方、上限については、好ましくは１０ａｔｏｍｉｃ％以下、より好ましくは５ａｔｏｍｉｃ％以下とする。このようにすることにより、配線層の比抵抗を低く保ちつつ、エレクトロマイグレーション耐性を改善することができる。また、ネオジウムと化学的性質が基本的に同じである他のランタノイドを用いても同様の効果が得られる。」
ｃ　「【００４９】また、配線層１１２は、ネオジウム等のランタノイド元素を含んでもよい。アルミニウム等の低抵抗金属にランタノイド元素を添加することにより、配線のエレクトロマイグレーション耐性が向上する。本実施の形態において、配線層１１２は、アルミニウムネオジウム合金（Ｎｄ−Ａｌ）により構成される。本実施の形態において、アルミニウムネオジウム合金中のネオジウムの含有量は、２ａｔｏｍｉｃ％である。」
ウ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−２７２２７０号公報（以下「引用例３」という。）について
（ア）引用例３には、「有機ＥＬ表示装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
ａ　「【００３８】
  ゲート電極１０５を覆って層間絶縁膜１０６がＳｉＮ等によって形成される。層間絶縁膜１０６の上には、ソース配線１０８、ドレイン配線１０７が形成される。本実施例では、映像信号線はドレイン配線１０７と同義である。ソース配線１０８、ドレイン配線１０７には有機ＥＬ層１１４を発光させるための電流が流れるので、抵抗が低い金属であるＡｌが用いられ、厚さも７００ｎｍ程度と、厚く形成される。なお、Ａｌ配線の下層には、Ａｌによる半導体等への汚染を防止するためのバリアメタルがＭｏあるいはＴｉ等の高融点金属で形成され、Ａｌ配線の上方には、Ａｌのヒロックを防止するためのキャップメタルがＭｏあるいはＴｉ等の高融点金属で形成される。」
エ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１０−１８５９０３号公報（以下「引用例４」という。）について
（ア）引用例４には、「表示装置、表示装置の製造方法、電子機器」（発明の名称）について、次の記載がある。
ａ　「【０００４】
  Ａｌはウェットエッチング、ドライエッチングどちらも可能であり、また安価である。しかし、Ａｌ配線を単層で用いた場合にはヒロック、スパイク等の不良発生が懸念される。」
ｂ　「【０００６】
  これらの不良に対する対策として、熱に強い高融点金属でＡｌ配線を挟む積層構造とすることが考えられている。その結果、Ａｌを電流供給金属層として用いた場合の上部金属層の表面は、対ヒロック、対スパイクを目的とした金属層が表れる。」
オ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−３１６２９１号公報（以下「引用例５」という。）について
（ア）引用例５には、「発光装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
ａ　「【００３７】図４はＡ−Ａ'線に対応する縦断面図であり、第１補助配線２０は抵抗率の小さい導電性材料で形成され、具体的には、アルミニウム、アルミニウムとチタン、スカンジウム、ニオブ、銅又はシリコンとの合金、或いはチタン、窒化チタン、タンタル、タングステン、モリブデンの単体又はこれらの合金で形成することができる。特に、アルミニウムを含む材料が適しているが、耐熱性や耐腐食性を考慮するとその上下にチタンなどの高融点金属層を形成しおくことが望ましい。第１補助配線２０は、側面部にテーパー部を形成し、第２補助配線の被覆性を確保している。これは厳密な意味で角度を規定されるテーパー形状とする必要はなく、シャドーマスクと組み合わせた蒸着又はスパッタリング法により必然的に作り込まれても良いし、勿論エッチング加工時に形成しても良い。」
カ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２１２４９３号公報（以下「引用例６」という。）について
（ア）引用例６には、「配線接続構造、配線接続構造の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス表示装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
ａ　「【００９６】
その後、ＤＣスパッタ法により、ＭｏＮｂ（１０原子％）、Ａｌ、ＭｏＮｂ（１０原子％）の順番で成膜した。例１のＭｏの代わりにＭｏＮｂを用いたのは、耐食性を改善することができるためである。膜厚はＭｏＮｂが１００ｎｍ、Ａｌが３５０ｎｍ程度とした。その後、フォトリソグラフィによりレジストをパターニングし、燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液を用いて、前記積層金属膜をエッチングし、レジスト剥離した。これにより、周辺配線３ａおよび引き出し配線３ｂと共に、コンタクトパターン２ａに重なる層２ｄを同一マスクで形成した。これにより、周辺配線３ａ、引き出し配線３ｂ、層２ｄの位置関係を精度よく形成することができた。」
キ　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−１４０３１９号公報（以下「引用例７」という。）について
（ア）引用例７には、「薄膜配線」（発明の名称）について、次の記載がある。
ａ　「【００２３】
耐熱性には物質の融点が大きく関係する。低融点の材料でかつ高い純度を有するほど、低い温度で原子の移動が起こり結晶粒の成長等によりその形態が変化し易く耐熱性は劣る。ＣｕまたはＡｇの融点は１０００℃前後であり、ＦＰＤ製造時等の数１００℃の加熱工程により、原子が移動し、凝集等により耐熱性が低下することは上述の通りである。一方、Ｍｏの融点はＣｕまたはＡｇの倍以上高く、数１００℃程度の加熱では原子が移動しにくいため、耐熱性に優れている。このため、ＣｕまたはＡｇを主成分とする膜の下層または上層、またはその両方にＭｏ合金膜を形成することは、加熱時のＣｕやＡｇの原子移動を抑制することから耐熱性を向上させる効果がある。しかし、Ｍｏのみでは上述のように耐食性が劣るために、ＭｏにＶおよび／またはＮｂを添加した合金膜を用いることが適している。」
（４）対比・判断
ア　引用発明の「有機ＥＬ面状発光装置Ａ１」、「基板１」及び「ガラスからなる透明基板」並びに「透明電極層２」及び「ＩＴＯからなる アノード電極」、そして「発光領域７」は、それぞれ本件発明１の「有機エレクトロルミネッセンス素子」、「透光性基板」並びに「透光性電極層」、そして「発光領域」に相当する　　　
イ　引用発明の「金属電極層６」は、「透明電極層２、有機層５、金属電極層６の順に」、或いは、「透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６の順に積層」されており、「透明電極層２」と「金属電極層６」とで「有機層５」を挟み、「透明電極層２からの正孔と金属電極層６からの電子とが再結合することにより生成された励起子により」、有機層５を構成する「発光層」を「発光」させることから、本件発明１の「透光性電極層と対をなす電極層」に相当し、引用発明の「発光層」を有する「有機層５」は、本件発明１の「これらの電極層に挟持され、有機エレクトロルミネッセンス物質を含有する有機層」に相当する。　
ウ　引用発明では、「有機層５を基板１下面に投影した領域が、発光領域７となっており」、「端縁５ａでは、基板１、透明電極層２、金属層３、絶縁層４、有機層５、および金属電極層６の順に積層され」ており、 「金属層３」は、「透明電極層２および金属層３を合わせた部分の抵抗分布が、金属層３が設けられた領域が相対的に低抵抗となり、有機層５の端縁５ａ付近の部分と電源との間の電圧降下を縮小する」ものであるから、引用発明の「金属層３」と、本件発明１の「透光性電極層上に積層される該有機層の発光領域の該透光性電極層の一部に接触して設けられる遮光性の補助電極」とは、「透光性電極層上に積層される該有機層の発光領域の該透光性電極層の一部に接触して設けられる補助電極」である点で一致する。
　また、引用発明の「金属層３」は、「たとえばＭｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｇあるいはこれらを含む合金からなり、透明電極層２よりも低抵抗であ」るから、本件発明１の「補助電極が、透光性電極層に対する比抵抗が低い低抵抗材料からなる低抵抗層と、該低抵抗層上に設けられ、該低抵抗材料より高融点を有する高融点材料からなる被覆層とを有し、前記低抵抗層がアルミニウムネオジム合金、アルミニウムニッケル合金、アルミニウム銀合金、アルミニウムコバルト合金、及びアルミニウムゲルマニウム合金から選ばれるいずれか１種以上を含み、前記被覆層がモリブデンニオブ合金、モリブデンバナジウム合金、及びモリブデンタングステン合金から選ばれるいずれか１種以上を含み」とは、「補助電極が、透光性電極層に対する比抵抗が低い低抵抗材料からなる低抵抗層」を含み、「Ａｌ，Ｎｉ，Ａｇ」を含む合金」を含んでいる点で一致する。
エ　上記ア〜ウから、本件発明１と引用発明とは、
 「透光性基板上に設けられる透光性電極層と、該透光性電極層と対をなす電極層と、これらの電極層に挟持され、有機エレクトロルミネッセンス物質を含有する有機層とを有し、該透光性電極層上に積層される該有機層の発光領域の該透光性電極層の一部に接触して設けられる補助電極と、該補助電極を被覆する絶縁被膜とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該補助電極が、透光性電極層に対する比抵抗が低い低抵抗材料からなる低抵抗層を有し、前記低抵抗層がＡｌ，Ｎｉ，Ａｇを含む合金から選ばれるいずれか１種以上を含んでいる有機エレクトロルミネッセンス素子。」
の点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：
　本件発明１は、「補助電極」が「遮光性」であるのに対して、引用発明は、「補助電極」が「遮光性」であるのかどうか記載されていない点。
相違点２：
　本件発明１は、「該補助電極が、透光性電極層に対する比抵抗が低い低抵抗材料からなる低抵抗層と、該低抵抗層上に設けられ、該低抵抗材料より高融点を有する高融点材料からなる被覆層とを有し、前記低抵抗層がアルミニウムネオジム合金、アルミニウムニッケル合金、アルミニウム銀合金、アルミニウムコバルト合金、及びアルミニウムゲルマニウム合金から選ばれるいずれか１種以上を含み、前記被覆層がモリブデンニオブ合金、モリブデンバナジウム合金、及びモリブデンタングステン合金から選ばれるいずれか１種以上を含み、前記被覆層は、前記低抵抗層の上面及び側面を被覆している」のに対して、引用発明は、「金属層３」 は、「たとえばＭｏ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｍｇあるいはこれらを含む合金からなり、透明電極層２よりも低抵抗」である層のみからなる点。
オ　上記相違点２についてまず検討する。
　本件発明１は、「透光性電極層上の一部に形成する補助電極を、透光性電極層と比較して比抵抗（または体積抵抗率）の小さい低抵抗材料からなる低抵抗層と、これを被覆する被覆層とを有し、該被覆層を低抵抗材料より高融点を有する高融点材料で形成することにより、透光性電極層の低抵抗化を図り、素子の中央部における電圧降下による発光効率の低下の抑制を図」（【００１０】る発明であって、引用発明との相違点２に係る構成に関し、「低抵抗層３１ａと、この低抵抗層３１ａの上面及び側面を被覆したインレイ形状、即ち、クラッド構造を有する被覆層３１ｂとからなる補助電極３１であってもよい。クラッド構造を形成する被覆層３１ｂは、低抵抗層のマイグレーションに対する抑制効果が高く、好ましい。」（【００２３】）との効果を有しているものである。
　一方、引用例２〜７には、「該補助電極が、透光性電極層に対する比抵抗が低い低抵抗材料からなる低抵抗層と、該低抵抗層上に設けられ、該低抵抗材料より高融点を有する高融点材料からなる被覆層とを有し、」「前記被覆層は、前記低抵抗層の上面及び側面を被覆している」との構成が記載されていない。
　また、前置報告書に挙げられた引用文献１０〜１７のうち、引用文献１４（特開平８−８２５５号公報）、引用文献１５（特開２０１０−１０８０００号公報）、引用文献１６（特開平２−１８４８２４号公報）（前置報告書に挙げられた「特開平５−１８４８２４号公報」は「インジェクタ用フィルター」に係るものであり、「薄膜トランジスタマトリクス」に係る「特開平２−１８４８２４号公報」の誤りと認められる。）及び引用文献１７（特開平９−１５２６２４号公報）には、いずれの引用文献にも、低抵抗材料から成る層の上面及び側面を覆う高融点金属層を有する配線構造が示されているが、液晶表示素子等に用いる薄膜トランジスタアレイのバス配線、ゲート配線等の配線構造自体に適用するものであり、引用発明の有機発光層の発光領域において用いられる透明電極層の上部に配置される補助電極に変えてそれらの構造を適用する動機づけはない。
　したがって、上記相違点１の容易想到性について判断を示すまでもなく、本件発明１は、引用例１〜７に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたといえない、或いは、引用例１〜７に記載された発明及び引用文献１０〜１７に記載された技術事項に基づいても、当業者が容易に発明をすることができたといえない。
　よって、本件補正の請求項１についての補正事項１は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合する。
　本件補正のその余の補正事項についても、特許法第１７条の２第３ないし第６項に違反するところはない。
３．むすび
　
　本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり、特許法第１７条の２第３項ないし第６項の規定に適合するから、本願の請求項１−６に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして、本願については、原査定の拒絶の理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。