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　特願２０１１−５２３５７０「放射線画像検出器」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２７日国際公開、ＷＯ２０１１／０１０４８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年２月２３日（優先権主張２００９年７月２４日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年３月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１９日付けで意見書が提出されたが、同年１１月２８日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２７年２月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の特許請求の範囲は、平成２７年２月２７日付けの手続補正により、該手続補正前の（本願の出願当初の）特許請求の範囲の請求項１が削除され、請求項２〜１０が新たに請求項１〜９とされたものであって、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、該手続補正により請求項の削除を目的として補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「光電変換素子を備えた光電変換パネルと、蛍光体層を備え且つ前記光電変換パネルと貼り合わされるシンチレータパネルとを有する放射線画像検出器であって、
　前記シンチレータパネルは、一方の面に前記蛍光体層が形成される樹脂フィルムを主成分とする支持体と、前記支持体の他方の面と接合される剛性板とを備え、前記剛性板は前記光電変換パネルとの熱膨張係数の差が４．０ｐｐｍ以内であり、前記支持体と前記剛性板とが、接着剤である接着剤層により接合されていることを特徴とする放射線画像検出器。」
２　引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第２００８／１２９４７３号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳を記載する。翻訳は、ファミリー文献である特表２０１０−５２５３５９号公報を参考にして、当審で作成した。また、下線は、当審が付した。）
ア　「図１は、それぞれの電子部品と共に検出器フロントエンドの模式図を示す。図１から分かるように、
シンチレータ基板２１３、ＣｓＩシンチレータ２０１（基板２１３とシンチレータ２０１との間に部分的に透明な、不透明／反射層２０６が図２に描かれている（が、図１には描かれていない）ように配置されている）
　参照符号３０，３０４は、電子部品ハウジングを表す。検出器の電子部品は、ハウジング３０２，３０４内に配置されて、プリント回路基板３０３を有し、その上に対応する電子素子（例えば素子３０５）が配置される。
　検出器フロントエンド２１３，２０１，２０５は、結線２１６を介して電子回路に接続される。図１に示される説明は単に模式図であって、詳細な又はスケーリングされた説明ではないことに留意すべきである。
　さらに、Ｘに対して透明な検出器カバー２１４が設けられており、裏面カバー又はグラウンドプレート２１５と共に、検出器のケーシングを提供する。
　
図２は、検出器フロントエンド２００の模式図を示す。図２から分かるように、フロントエンド２００は、とりわけ、シンチレータ層２０１、及び、Ｘ線によってシンチレータ中で生成される電磁放射を検出するように適応される検出素子又はピクセル２０２，２０３，２０４を有するセンサアレイ２０５を有する。
　さらにフロントエンド２００は、複数の小さなホール２０７，２０８，２０９，２１０，２１１及び２１２を有する反射層２０６を含む。
　
反射層２０６は、シンチレータ基板２１３上に配置される。
　それぞれのレイヤ２０１，２０２，２０６は、保護層によって又は検出器カバー２１４によって覆われることができる。さらに、シンチレータ２０１、反射層２０６及び検出層２０２，２０３，２０４，２０５を保護するために、センサアレイ基板２０５とシンチレータ基板２１３との間にハードシールが設けられていることができる（図２には描かれていない）。
　さらに、電子回路は図２に示されていない。
　Ｘ線フラット検出器に用いられるシンチレータのシンチレータ基板（又は基板と反射層との組み合わせ）は、可視放射線及びＵＦに対して不透明であることができる。これは、Ｘ線で生成された光を、ガラス上のａ−Ｓｉによって一般に形成されるセンサマトリクスによって読み出されることができるように変換層中に保つための要件である。
　センサアレイとその基板上の（ＣｓＩで形成されることができる）Ｘ線変換層との組み合わせは、通常、フラット検出器のフロントエンドを形成する密封されたユニットである。
　ａ−Ｓｉフォトダイオードの又はＣｓＩシンチレータの特性を変えるためにＸ線フラット検出器のこのフロントエンドに光が適用される場合、これは、ａ−Ｓｉガラスプレートの裏面から光を適用することによって実行されることができる。リフレッシュ光は、ピクセルマトリクス中の開いた領域を介してアレイを通過する。
　他のタイプのフラットＸ線検出器において、センサアレイの基板は、リフレッシュ光の意図された波長に対して不透明である場合がある。その場合、シンチレータの光収率及びＭＴＦが必要とされるレベルに維持されることができるように、リフレッシュ光は半透明のシンチレータ基板を用いて適用されることができる。
　そのような半透明のシンチレータ基板は、参照符号２０６，２１３に関して図２に示される。
　シンチレータ基板２０６，２１３の機能は、以下のとおりである。
-必要とされる特性を獲得するように制御された成長プロセスでシンチレータ材料がその上に堆積される基板。
−基板の表面特性は、堆積されるシンチレータ層の構造にとって重要である。
−さらに、シンチレータ基板２０６及び２１３は、それが検出器フロントエンドの一部であるときに、シンチレータ層のためのキャリアプレートを提供しなければならない。
−またさらに、デポジションプロセスの後、後処理の後、又はフラット検出器の寿命の間の、シンチレータの基板からの剥離は回避されなければならない。基板の特性及び準備はこの能力にとって重要である。
−さらに、基板は、反射体を提供しなければならず、そこから、シンチレータによって生成される光のうちの予定された割合が、センサアレイの方へ反射される。
−さらに、基板材料は、一次Ｘ線のうちのわずかな割合のみを吸収又は散乱させなければならない。
　用いられることができる基板材料は、アルミニウム及び/若しくはアモルファス炭素又は銀からなることができ、又はそれらを含むことができる。これらの層は、光に対して不透明である。
　ＣｓＩ層がその上に成長される図２に示される基板２１３は、ＣｓＩの挙動を「リフレッシュする」又は変化／改善するために用いられる光に対して透明である。
　部分的に透明である不透明な反射層２０６は、ＣｓＩのためのベース層（すなわちＣｓＩの基板）を形成する。
　参照符号２０２，２０３，２０４は、センサアレイ２０５のピクセルを示す。
　図３は、本発明の例示的な実施の形態による方法のフローチャートを示す。この方法はステップ１から始まり、ガラスプレートが出発材料として用いられる。種々の種類のガラスが利用可能である。ほうけい酸塩ガラスのようなａ−Ｓｉ基板として使用されるのと同じ材料が特に適用可能である。
　
ステップ２において、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）が成長する側のガラス基板の表面構造
　
ステップ３において、反射層（例えばアルミニウム又は銀）は、例えば蒸着つまり化学蒸着プロセスの助けを借りて、粗くされたガラス表面上に堆積される。この層は、ガラスとＣｓＩ層との間の不透明な反射型の又は非反射型の分離を形成する。
　そして、ステップ４において、多数の小さなホールが、例えばレーザ除去によって反射層中に作成される。これは、ホール毎に又は多数のホールが設けられたマスクによって実行されることができ、このマスクを用いると、基板の一部が一度に加工されることができる。
　あるいは、必要とされるホールは、例えばリフトオフ技術を用いて作成される。
　ホールは、シンチレータがその上で用いられるセンサのピクセルサイズより非常に小さい（好ましくは、ホール径は、ピクセルサイズの５〜１０％より小さい）。ピクセルサイズは、アプリケーションや検出器のデザインに依存する。それは、高分解能検出器では、例えば２０μｍ〜２００μｍの範囲であることができ、例えばコンピュータ断層撮影法に用いられる検出器のためのピクセルでは２００μｍ〜２ｍｍの範囲であることができる。
　光に対して透明である表面の割合（すなわち除去された反射体領域の相対面積密度）は、数％と約３０％との間である（例えば２％と２０％との間）。これらの条件の下で、ホールを介してシンチレータ材料に導入されることができる光の量は、シンチレータ及び/又はセンサ素子の必要とされる変化を起こすために十分に大きいことができる。同時に、基板中のホールを通して検出器のフロントエンドから失われる光の割合は、予定された小さな値に維持されて、検出器感度は予定されたレベルで影響されるだけである。
　ＣｓＩ基板の上に形成される不透明な層中のホールを光が通過するときに、この光の一部はガラスプレート中及び/又はリフレッシュ光を導入するための光学システム中で反射される。このシンチレータによって生成された光は、不透明層中のホールを通して検出器フロントエンドに部分的に再び入る可能性があり、検出器のＭＴＦを劣化させる可能性がある。またこのために、レーザ除去によって開かれる表面の割合は、シンチレータ層のＭＴＦが著しく低下しないように、小さくなければならない。この条件は、上で説明されたように基板上の光を透過する領域のサイズ及び数を選択することによって達成されることができる。
　
シンチレータ用の基板としてガラスを使用することの更なる利点は、熱膨張率が、センサアレイ（例えば、ガラス又はシリコン）のそれと整合することができることである。
　シンチレータ用の基板としてのガラスの代替物として、センサアレイをリフレッシュするため及び/又はシンチレータの挙動を変えるために必要とされる（用いられることができる）放射線（例えばシンチレータの時間挙動及び光収率を変えるための紫外線）に対して透明である他の材料が用いられることができる。
　本発明は、Ｘ線フラット検出器のフロントエンド中にリフレッシュ光を導入するために用いられることができ、そのようなフロントエンドを有する検出器の感度及びＭＴＦに関する負の影響を及ぼすことはない。このリフレッシュ光は、例えば、時間あたりのその信号遅延に関する検出器の挙動を変更して/改善するために、及び/又はＸ線露光（ブライトバーン）の後のシンチレータ感度の変化を低減して/改善するために、用いられることができる。」（第６頁第１８行〜第１０頁第２９行）
イ　「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項アの「シンチレータ基板２１３、ＣｓＩシンチレータ２０１（基板２１３とシンチレータ２０１との間に部分的に透明な、不透明／反射層２０６が図２に描かれている（が、図１には描かれていない）ように配置されている）」、「反射層２０６は、シンチレータ基板２１３上に配置される。」、「この方法はステップ１から始まり、ガラスプレートが出発材料として用いられる。種々の種類のガラスが利用可能である。・・・ステップ２において、ＣｓＩ（ヨウ化セシウム）が成長する側のガラス基板の表面構造は、」、「ステップ３において、反射層（例えばアルミニウム又は銀）は、例えば蒸着つまり化学蒸着プロセスの助けを借りて、粗くされたガラス表面上に堆積される。この層は、ガラスとＣｓＩ層との間の不透明な反射型の又は非反射型の分離を形成する。」、上記記載事項イのＦＩＧ．２の記載から、引用文献１には、ガラス基板であるシンチレータ基板２１３上にアルミニウム又は銀からなる反射層２０６が堆積され、反射層２０６上にＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１が配置され、シンチレータ層２０１とセンサアレイ２０５が重ね合わされている構成が記載されていると認められる。
　また、上記記載事項アの「シンチレータ用の基板としてガラスを使用することの更なる利点は、熱膨張率が、センサアレイ（例えば、ガラス又はシリコン）のそれと整合することができることである。」という記載から、引用文献１には、ガラス基板であるシンチレータ基板２１３の熱膨張率は、センサアレイ２０５の熱膨張率と整合する構成が記載されていると認められる。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「シンチレータ層２０１、及び、Ｘ線によってシンチレータ中で生成される電磁放射を検出するように適応される検出素子又はピクセル２０２，２０３，２０４を有するセンサアレイ２０５を有する検出器フロントエンド２００であって、
　ガラス基板であるシンチレータ基板２１３上にアルミニウム又は銀からなる反射層２０６が堆積され、反射層２０６上にＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１が配置され、シンチレータ層２０１とセンサアレイ２０５が重ね合わされており、
　ガラス基板であるシンチレータ基板２１３の熱膨張率はセンサアレイ２０５の熱膨張率と整合する、検出器フロントエンド２００。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１６４３１２号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
ア　「【０００７】
　最近では、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線パネルが提案され、特にＥｕを賦活剤とすることで従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になり、医療用のＸ線画像診断機器等にも多く用いられている。
【０００８】
　
放射線画像変換パネルは、上記の輝尽性蛍光体を基板上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を設けている。放射線画像変換パネルに用いられる基板としては、各種高分子材料、硝子、金属等が知られている
【０００９】
　
基板の素材によっては、表面に凹凸があり、輝尽性蛍光体を蒸着させる際に成形性が悪いという問題があった。また基板として熱に弱い樹脂を用いた場合には、輝尽性蛍光体を蒸着する際に、基板が蒸気流の熱により変形する恐れがあった。このため、輝尽性蛍光体を蒸着する基板には、その蒸着面の表面性の改善や基板の保護のために表面に樹脂層を設けることが本出願人により実施されている。
【特許文献１】特開２００３−０２８９９５号公報
【特許文献２】特開２００１−８３２９９号公報（第５頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　
しかし、基板と輝尽性蛍光体層との間に樹脂層を設けた場合でも、放射線画像変換パネルを急激な温度変化を加えると、基板から輝尽性蛍光体層がはがれたり、割れたりする場合があった。
【００１１】
　本発明の課題は、
高輝度、高鮮鋭性を示し、輝尽性蛍光体層の膜割れがない放射線画像変換パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
　以上の課題を解決するため、本発明の請求項１に記載の発明は、例えば図１に示すように、基板１１ａと該基板１１ａの少なくとも一方の面に塗設された耐熱性樹脂層１１ｂとからなる支持体１１の前記耐熱性樹脂層１１ｂ側に輝尽性蛍光体層１２が気相堆積法により形成されてなる放射線画像変換パネルにおいて、前記耐熱性樹脂はポリイミドまたはポリアミドイミドであり、そのイミド化率が２０〜７０％であることを特徴とする。」
イ　「【００２４】
　以下に、本発明の実施の形態例について詳細に述べる。本発明の実施の形態例の放射線像変換パネルは、図１に示すように、基板１１ａの少なくとも一方の面に耐熱性樹脂層１１ｂの塗設された支持体１１と、支持体１１の耐熱性樹脂層１１ｂ側の面に形成された輝尽性蛍光体層１２と、輝尽性蛍光体層１２を被覆して保護する保護層２０とからなる。
【００２５】
　
基板１１ａとしては、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなどの板ガラス
があげられる。
【００２６】
　これら基板１１ａの厚みは用いる材質等によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の観点から、更に好ましいのは２５０μｍ〜４０００μｍである。
【００２７】
　
基板１１ａの少なくとも輝尽性蛍光体層１２を形成する面には、耐熱性樹脂層１１ｂを設ける。
【００２８】
　
耐熱性樹脂としては、
ポリイミドまたはポリアミドイミドのうち少なくとも１つを用いることができる。
【００２９】
　
ポリイミドまたはポリアミドイミドのイミド化率は２０〜７０％であることが好ましく
【００３０】
　
基板１１ａ上に耐熱性樹脂層１１ｂを設ける方法としては、樹脂製のシートを貼り合わせる方法
【００３１】
　耐熱性樹脂の塗布方法としては、スプレーコーターやバーコーター、ダイコーター等を用いる方法があるが、スプレーコーターを用いることが好ましい。スプレーコーターを用いて耐熱性樹脂層１１ｂを設けるには、基板１１ａを固定し、スプレーガン（図示せず）を一定スピードで動かす方法、基板１１ａを一定スピードで動かし、一個または複数の固定スプレーノズルで行う方法、いずれでもよいが、基板１１ａサイズが３５０ｍｍ四方以上の大きなものになる場合は、基板１１ａを一定スピードで動かし、複数の固定スプレーノズルで行う方法が好ましい。基板１１ａとスプレーガン（図示せず）との距離は約２０ｃｍとし、ノズル圧は約４ｋｇｆ／ｃｍ2とすることが好ましい。
【００３２】
　耐熱性樹脂を基板１１ａに塗布したら、基板１１ａを、７０〜９０℃で２０〜４０分と、１２０〜１８０℃で２０〜６０分の２段階で乾燥する。乾燥時の温度と時間を調整することにより、耐熱性樹脂層１１ｂを構成するポリイミドまたはポリアミドイミドのイミド化率を適当な値に調整することができる。
【００３３】
　耐熱性樹脂層１１ｂの乾燥膜厚としては１０〜１５０μｍが好ましく、特に２０〜１００μｍが好ましい。薄すぎると基板１１ａの凹凸が表面で顕著にわかり、厚すぎると重ね塗りになるために膜厚分布が悪くなる。
【００３４】
　以上のようにして
基板１１ａに耐熱性樹脂層１１ｂを設けたら、その耐熱性樹脂層１１ｂの基板１１ａと反対側の面に、輝尽性蛍光体層１２を設ける。
ウ　「【図１】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　すると、上記引用文献２の記載事項から、引用文献２には、以下の技術事項（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されている。
「輝尽性蛍光体を基板上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を設けた放射線画像変換パネルにおいて、放射線画像変換パネルに用いられる基板としては、各種高分子材料、硝子、金属等が知られているが、基板の素材によっては、表面に凹凸があり、輝尽性蛍光体を蒸着させる際に成形性が悪いという問題や、また基板として熱に弱い樹脂を用いた場合には、輝尽性蛍光体を蒸着する際に、基板が蒸気流の熱により変形する恐れがあったため、輝尽性蛍光体を蒸着する基板には、その蒸着面の表面性の改善や基板の保護のために表面に樹脂層を設けることが実施されている。
　しかし、基板と輝尽性蛍光体層との間に樹脂層を設けた場合でも、放射線画像変換パネルを急激な温度変化を加えると、基板から輝尽性蛍光体層がはがれたり、割れたりする場合があった。
　そこで、高輝度、高鮮鋭性を示し、輝尽性蛍光体層の膜割れがない放射線画像変換パネルを提供するために、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなどの板ガラスである基板１１ａの輝尽性蛍光体１２を形成する面に、イミド化率が２０〜７０％であるポリイミドまたはポリアミドイミドのうち少なくとも１つを用いた耐熱性樹脂製のシートを貼り合わせて、耐熱性樹脂層１１ｂを設け、その耐熱性樹脂層１１ｂの基板１１ａと反対側の面に、輝尽性蛍光体層１２を設ける。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「Ｘ線によってシンチレータ中で生成される電磁放射を検出するように適応される検出素子又はピクセル２０２，２０３，２０４を有するセンサアレイ２０５」、「ＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１」及び「検出器フロントエンド２００」が、それぞれ、本願発明の「光電変換素子を備えた光電変換パネル」、「蛍光体層」及び「放射線画像検出器」に相当する。
イ　引用発明の「ガラス基板」が剛性を有することは明らかであるから、「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」は、本願発明の「剛性板」に相当する。
ウ　上記ア及びイから、引用発明の「シンチレータ基板２１３上にアルミニウム又は銀からなる反射層２０６が堆積され、反射層２０６上にＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１が配置され」た構成は、本願発明の「蛍光体層を備え」「るシンチレータパネル」に相当し、引用発明の「シンチレータ基板２１３」が「ガラス基板である」ことは、本願発明の「前記シンチレータパネルは、」「剛性板」「を備え」ることに相当する。
エ　上記ア、イ及びウから、引用発明の「シンチレータ層２０１、及び、Ｘ線によってシンチレータ中で生成される電磁放射を検出するように適応される検出素子又はピクセル２０２，２０３，２０４を有するセンサアレイ２０５を有する検出器フロントエンド２００であって、」「シンチレータ層２０１とセンサアレイ２０５が重ね合わされて」いることと、本願発明の「光電変換素子を備えた光電変換パネルと、蛍光体層を備え且つ前記光電変換パネルと貼り合わされるシンチレータパネルとを有する放射線画像検出器」とは、「光電変換素子を備えた光電変換パネルと、蛍光体層を備え且つ前記光電変換パネルと重ね合わされるシンチレータパネルとを有する放射線画像検出器」で一致する。
（２）一致点
　してみると、両者は、
「光電変換素子を備えた光電変換パネルと、蛍光体層を備え且つ前記光電変換パネルと重ね合わされるシンチレータパネルとを有する放射線画像検出器であって、
　前記シンチレータパネルは、剛性板を備える、放射線画像検出器。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
ア　本願発明では、「光電変換パネルと貼り合わされるシンチレータパネル」であるのに対して、引用発明では、「シンチレータ層２０１とセンサアレイ２０５が重ね合わされて」いると特定されるのみで、貼り合わされるか否かが明らかでない点。
イ　本願発明では、「前記シンチレータパネルは、一方の面に前記蛍光体層が形成される樹脂フィルムを主成分とする支持体と、前記支持体の他方の面と接合される剛性板とを備え、」「前記支持体と前記剛性板とが、接着剤である接着剤層により接合されている」のに対して、引用発明では、「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３上にアルミニウム又は銀からなる反射層２０６が堆積され、反射層２０６上にＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１が配置され」ている点。
ウ　本願発明では、「前記剛性板は前記光電変換パネルとの熱膨張係数の差が４．０ｐｐｍ以内であ」るのに対して、引用発明では、「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３の熱膨張率はセンサアレイ２０５の熱膨張率と整合する」点。
４　判断
（１）相違点アについて
　シンチレータパネルと光電変換パネルを貼り合わせることは、特開平１０−２３３４９６号公報（段落【００３４】等）、特開２００２−１１６２５８号公報（段落【００１０】等）、特開２００７−２８５７０９号公報（段落【００３６】等）に示されるように周知であるから、引用発明において、「シンチレータ層２０１」と「センサアレイ２０５」を貼り合わせることは、当業者が適宜なし得ることである。
（２）相違点イについて
　引用発明２の技術事項の「石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス、結晶化ガラスなどの板ガラスである基板１１ａ」が、本願発明の「剛性板」、引用発明の「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」に相当する。
　また、引用発明２の技術事項の「輝尽性蛍光体層１２」と、本願発明の「蛍光体層」、引用発明の「ＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１」は、蛍光体層である点で一致する。
　一般に、輝尽性蛍光体を含む蛍光体を基板上に蒸着したシンチレータパネルにおいて、蒸着した蛍光体を基板から剥離しないようにすることは、当業者には周知の課題であるから、引用発明においても、「ＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１」が「アルミニウム又は銀からなる反射層２０６」が堆積された「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」から剥離しないようにする課題が存在することは、当業者には自明である。
　そして、引用発明の「アルミニウム又は銀からなる反射層２０６」が堆積された「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」は、引用発明２の技術事項の「放射線画像変換パネルに用いられる基板としては、各種高分子材料、硝子、金属等が知られている」とされる基板と同材料であるから、引用発明の「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３上にアルミニウム又は銀からなる反射層２０６が堆積され、反射層２０６上にＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１が配置され」ている構成に換えて、引用発明２の技術事項のように、「アルミニウム又は銀からなる反射層２０６」が堆積された「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」と「ＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１」との間に樹脂層を設けること、具体的には、引用発明２の技術事項のように、「アルミニウム又は銀からなる反射層２０６」が堆積された「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」の「ＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１」を形成する面に、イミド化率が２０〜７０％であるポリイミドまたはポリアミドイミドのうち少なくとも１つを用いた耐熱性樹脂製のシートを貼り合わせて、その耐熱性樹脂製のシートの「アルミニウム又は銀からなる反射層２０６」が堆積された「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３」と反対側の面に、「ＣｓＩが成長したシンチレータ層２０１」を設けることは、当業者が容易に想到し得ることである。そして、この耐熱性樹脂製のシートが、本願発明の「樹脂フィルムを主成分とする支持体」に相当する。なお、基板に耐熱性樹脂製のシートを貼り合わせる手段として接着剤を用いることは普通に採用される手段にすぎない。
（３）相違点ウについて
　引用発明の「ガラス基板であるシンチレータ基板２１３の熱膨張率はセンサアレイ２０５の熱膨張率と整合する」は、「シンチレータ基板２１３」と「センサアレイ２０５」の熱膨張率が同一であるか、少なくとも、ほぼ同一であることを示すことは明らかであるところ、両者の熱膨張率の差をどの程度にするかは、「シンチレータ基板２１３」、「センサアレイ２０５」それぞれの具体的構成や両者を貼り合わせた検出器としての具体的構成を勘案して当業者が適宜設計し得ることであるから、両者の熱膨張率の差を４．０ｐｐｍ以内とすることは、当業者が適宜設計し得ることである。
（４）効果について
　本願発明の「前記剛性板は前記光電変換パネルとの熱膨張係数の差が４．０ｐｐｍ以内であ」る構成の「４．０ｐｐｍ」という数値に格別な技術的意義（特に、臨界的意義）は認められない。
　すると、本願発明が奏し得る効果は、引用発明、引用発明２の技術事項及び周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
（５）請求人の主張について
　請求人は、審判請求書の【請求の理由】「３．」「（３）」「（３−２）」において、
「これらのことから、引用文献１に記載された発明では、結局、シンチレータ基板213とセンサアレイ205とが同程度の熱膨張率を持ち、シンチレータ基板213とセンサアレイ205が熱（温度）に対して同じように伸び縮みする際に、
シンチレータ基板213やセンサアレイ205とともにシンチレータ層201や検出層202, 203, 204、反射層206も同じように伸び縮みする
ハードシールが破壊されずに
 　一方、引用文献２に記載されたパネルでは、「耐熱性樹脂はポリイミドまたはポリアミドイミドであり、そのイミド化率が２０〜７０％である」ように構成されます（請求項１参照）。これは、「イミド化率が低すぎると（支持体１１を構成する耐熱性樹脂層１１ｂと）輝尽性蛍光体層１２との熱膨張係数の差が大きくなり、…膜割れを引き起こす」（同文献の段落［００２９］参照）ためであります。それでは、イミド率を高くして耐熱性樹脂層１１ｂと輝尽性蛍光体層１２との熱膨張係数の差をなくすることができるかというと、そうではなく、「イミド化率が高すぎると、輝尽性蛍光体層１２の形成時に輝尽性蛍光体の結晶の耐熱性樹脂層１１ｂに対する接着力が低下し、輝尽性蛍光体層１２の膜はがれや割れを引き起こす」ことになります。 
 　すなわち、引用文献２に記載されたパネルでは、
耐熱性樹脂層１１ｂと輝尽性蛍光体層１２との熱膨張係数の差は０ではなく、有意の差が存在します。
 　以上のように、引用文献１に記載された発明は、シンチレータ基板213やセンサアレイ205、シンチレータ層201、検出層202, 203, 204、反射層206が
同じように伸び縮みする
耐熱性樹脂層１１ｂと輝尽性蛍光体層１２との熱膨張係数の差は０ではなく有意の差が存在
 　そして、審査官が認定するように、これらの発明を組み合わせるとどのような事態が生じるでしょうか。熱耐性樹脂層（本願の「樹脂フィルムを主成分とする支持体」に相当）の構成を有しない引用文献１に記載の発明に、引用文献２に記載された熱耐性樹脂層を適用すると、少なくとも熱耐性樹脂層と輝尽性蛍光体層（引用文献１ではシンチレータ（層）201）との間で熱膨張率（係数）に差があり、熱耐性樹脂層とシンチレータ（層）201との間で延び縮みに差が生じますから、
熱耐性樹脂層とシンチレータ（層）201の部分に作成されたハードシールは破壊される
 　いずれにせよ、引用文献１に記載された発明と引用文献２に記載された発明とを組み合わせると、上記のようにシンチレータパネルは使い物にならなくなるという結果しか得られません。そのため、引用文献１、２に記載された発明の内容を理解する当業者であれば、そもそもそれらを組み合わせることは考えないはずであります。このように、引用文献１に記載された発明に引用文献２に記載された発明を組み合わせること自体に無理があり、引用文献１に記載された検出器に引用文献２に記載された熱耐性樹脂層を適用することには阻害要因があると思料致します。」
と主張している。（なお、上記主張中の「有意の差」は、「耐熱性樹脂層１１ｂ」や「輝尽性蛍光体層１２」等に膜割れや膜はがれといった不具合が生じるような熱膨張係数の差を意味すると解される。）
　確かに、引用発明については、請求人の主張のとおりであるが、引用文献２の技術事項については、まず、引用文献２の
「【００２８】
　耐熱性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミドまたはポリアミドイミドのうち少なくとも１つを用いることができる。
ポリイミド、ポリアミドイミドの熱膨張係数は、後述する輝尽性蛍光体層１２の熱膨張係数と近いため、輝尽性蛍光体層１２のひび割れが発生する恐れがなく好ましい。
【００２９】
　
ポリイミドまたはポリアミドイミドのイミド化率は２０〜７０％であることが好ましく
イミド化率が高すぎると、
イミド化率が低すぎると
との記載からは、引用文献２の技術事項の「イミド化率が２０〜７０％であるポリイミドまたはポリアミドイミドのうち少なくとも１つを用いた耐熱性樹脂製のシート」の熱膨張係数は輝尽性蛍光体層１２の熱膨張係数と近く、輝尽性蛍光体層１２のひび割れが発生する恐れがないのであるから、両者の熱膨張係数の差が必ずしも０ではないとしても、請求人の「０ではなく
有意の
　すると、耐熱性樹脂層１１ｂと輝尽性蛍光体層１２との熱膨張係数の差は０ではなく有意の差が存在することを前提とする、上記請求人の主張は、その前提が誤りであって、採用し得るものではない。
（６）結論
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２の技術事項及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。