【手続補正書】
【提出日】令和2年5月28日(2020.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイナリ格子構造とブレーズド格子構造との組み合わせを有する導波管を製造する方法
であって、前記方法は、
基板を軸外で切断することと、
第１の層を前記基板上に堆積させることと、
レジスト層を前記第１の層上に堆積させることであって、前記レジスト層は、パターン
を含む、ことと、
前記レジスト層をマスクとして使用して、前記パターン内の前記第１の層をエッチング
することであって、前記パターンは、第１の領域と、第２の領域とを含む、ことと、
前記レジスト層を除去することと、
前記パターンの第１の領域内の第１のポリマー層をコーティングすることと、
前記パターンの第２の領域内の前記基板をエッチングし、前記バイナリ格子構造を前記
第２の領域内の前記基板に作成することと、
前記第１のポリマー層を除去することと、
前記パターンの第２の領域内の第２のポリマー層をコーティングすることと、
前記パターンの第１の領域内の基板をエッチングし、前記ブレーズド格子構造を前記第
１の領域内の前記基板に作成することと、
前記第２のポリマー層を除去することと、
前記第１の層を前記基板から除去することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基板は、シリコンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層は、二酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レジスト層は、リソグラフィを使用して堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パターンの第２の領域内の前記基板をエッチングすることは、前記基板をドライエ
ッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
金属層を前記パターンの第２の領域内の第２のポリマー層上に堆積させることをさらに
含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記金属層は、チタニウムを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記金属層は、物理蒸着を使用して堆積される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記パターンの第１の領域内の基板をエッチング後、前記金属層を除去することをさら
に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記パターンの第１の領域内の基板をエッチングすることは、前記パターンの第１の領
域内の前記基板をウェットエッチングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、水酸化カリウムを使用してウェットエッチングされる、請求項１０に記載
の方法。
【請求項１２】
前記第１の領域内の前記基板内の前記ブレーズド格子構造をトリミングすることをさら
に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本開示のこれらおよび他の実施形態は、その利点および特徴の多くとともに、以下の文
章および添付の図と併せてより詳細に説明される。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
バイナリ格子構造とブレーズド格子構造との組み合わせを有する導波管を製造する方法
であって、前記方法は、
基板を軸外で切断することと、
第１の層を前記基板上に堆積させることと、
レジスト層を前記第１の層上に堆積させることであって、前記レジスト層は、パターン
を含む、ことと、
前記レジスト層をマスクとして使用して、前記パターン内の前記第１の層をエッチング
することであって、前記パターンは、第１の領域と、第２の領域とを含む、ことと、
前記レジスト層を除去することと、
前記パターンの第１の領域内の第１のポリマー層をコーティングすることと、
前記パターンの第２の領域内の前記基板をエッチングし、前記バイナリ格子構造を前記
第２の領域内の前記基板に作成することと、
前記第１のポリマー層を除去することと、
前記パターンの第２の領域内の第２のポリマー層をコーティングすることと、
前記パターンの第１の領域内の基板をエッチングし、前記ブレーズド格子構造を前記第
１の領域内の前記基板に作成することと、
前記第２のポリマー層を除去することと、
前記第１の層を前記基板から除去することと
を含む、方法。
（項目２）
前記基板は、シリコンを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記第１の層は、二酸化ケイ素を含む、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記レジスト層は、リソグラフィを使用して堆積される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記パターンの第２の領域内の前記基板をエッチングすることは、前記基板をドライエ
ッチングすることを含む、項目１に記載の方法。
（項目６）
金属層を前記パターンの第２の領域内の第２のポリマー層上に堆積させることをさらに
含む、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記金属層は、チタニウムを含む、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記金属層は、物理蒸着を使用して堆積される、項目６に記載の方法。
（項目９）
前記パターンの第１の領域内の基板をエッチング後、前記金属層を除去することをさら
に含む、項目６に記載の方法。
（項目１０）
前記パターンの第１の領域内の基板をエッチングすることは、前記パターンの第１の領
域内の前記基板をウェットエッチングすることを含む、項目１に記載の方法。
（項目１１）
前記基板は、水酸化カリウムを使用してウェットエッチングされる、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
前記第１の領域内の前記基板内の前記ブレーズド格子構造をトリミングすることをさら
に含む、項目１に記載の方法。
（項目１３）
多段階バイナリ格子構造を有する導波管を製造する方法であって、前記方法は、
第１の基板上の第１のエッチング停止層をコーティングすることと、
第２の基板を前記第１のエッチング停止層上に追加することと、
第１のレジスト層を前記第２の基板上に堆積させることであって、前記第１のレジスト
層は、少なくとも１つの第１の開口部を含む、ことと、
第２のエッチング停止層を前記少なくとも１つの第１の開口部内の前記第２の基板上に
堆積させることと、
前記第１のレジスト層を前記第２の基板から除去することと、
第３の基板を前記第２の基板および前記第２のエッチング停止層上に追加することと、
第２のレジスト層を前記第３の基板上に堆積させることであって、前記第２のレジスト
層は、少なくとも１つの第２の開口部を含む、ことと、
第３のエッチング停止層を前記少なくとも１つの第２の開口部内の前記第３の基板上に
堆積させることと、
前記第２のレジスト層を前記第３の基板から除去することと、
前記第２の基板および前記第３の基板をエッチングし、前記第１の基板、前記第１のエ
ッチング停止層、前記第２のエッチング停止層、および前記第２の基板を前記少なくとも
１つの第１の開口部内に、前記第３のエッチング停止層および前記第３の基板を前記少な
くとも１つの第２の開口部内に残すことと、
前記第１のエッチング停止層の暴露された部分、前記第２のエッチング停止層の暴露さ
れた部分、および前記第３のエッチング停止層をエッチングし、前記多段階バイナリ格子
を形成することと
を含む、方法。
（項目１４）
前記第１の基板は、シリコンまたは石英を含む、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
前記第２の基板および前記第３の基板は、ケイ素、二酸化ケイ素、および窒化ケイ素の
うちの少なくとも１つを含む、項目１３に記載の方法。
（項目１６）
前記第１のレジスト層および前記第２のレジスト層のうちの少なくとも１つは、リフト
オフによって除去される、項目１３に記載の方法。
（項目１７）
前記第１のレジスト層および前記第２のレジスト層のうちの少なくとも１つは、エッチ
ングによって除去される、項目１３に記載の方法。
（項目１８）
前記第１のレジスト層および前記第２のレジスト層のうちの少なくとも１つは、溶解に
よって除去される、項目１３に記載の方法。
（項目１９）
接眼レンズ層によって光を操作する方法であって、前記方法は、
格子パラメータの第１のセットによって特徴付けられる第１の格子構造を有する入力結
合格子において、光源からの光を受光することと、
格子パラメータの第２のセットによって特徴付けられる第２の格子構造を有する拡張格
子において、前記入力結合格子からの光を受光することと、
格子パラメータの第３のセットによって特徴付けられる第３の格子構造を有する出力結
合格子において、前記拡張格子からの光を受光することと
を含み、
前記第１の格子構造、前記第２の格子構造、または前記第３の格子構造のうちの少なく
とも１つは、段階的なデューティサイクルを有する、方法。
（項目２０）
前記デューティサイクルは、前記光を受光する第１の表面から前記光を出力する第２の
表面まで増加する、項目１９に記載の方法。