【事件の表示】
　特願２０１１−２５１１４９「光電変換素子及び太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月３０日出願公開、特開２０１３−１０６０１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 第１　手続の経緯　
　本願は、平成２３年１１月１６日の出願であって、平成２６年１０月９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１５日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２７年１月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２７年４月１５日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
 　平成２７年４月１５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
 ［理由］
 １　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「光透過性の第１電極と、
　第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光吸収層であって、第１１族の第１元素と、第１６族の第２元素と、を含み
カルコパイライト型構造を有する
　前記第１電極と前記ｎ形部との間に設けられ、
前記第１電極の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有し、
よりなる
　を備え、
　前記第１元素が前記ドーパントで置換されたときに、
　前記第１元素と前記第２元素との結合距離（オングストローム）をｒｉとし、
　イオン対の組み合わせ毎に決定される結合パラメータであって、前記ドーパントと前記第２元素との結合パラメータ（オングストローム）をｒ０とし、
　無機化合物の構造解析データに基づいて決定される固有定数であって、前記ドーパントと前記第２元素との組み合わせによって決定される固有定数（オングストローム）をＢｆとし、
　前記第１元素に対する前記第２元素の近接結合数をｎ（ｎは、１以上の整数）としたとき、
　前記第１元素は、Ｃｕであり、
　前記固有定数Ｂｆは、０．３７であり、
　前記ドーパントは、
　　【数１】
　
の数式で表される形式電荷Ｖｂが１．６０以上２．８３以下の元素である光電変換素子。」（下線は、審判請求人が補正箇所に付したものである。）
にする補正事項を含むものである。
　上記補正事項は、
ア　化合物半導体について、本件補正前の請求項１における「カルコパイライト型構造又はスタナイト型構造」を「カルコパイライト型構造」に限定する補正事項
イ　中間層について、「前記第１電極の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有し」との特定事項を追加する補正事項
ウ　中間層について、本件補正前の請求項１における「ＺｎＯを含む」を「ＺｎＯよりなる」に限定する補正事項
を含み、いずれも、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そうすると、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定にする特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むから、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）否かについて検討する。
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例の記載
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００８−２３５７９４号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載がある（下線は当審で付加した。以下同様。）。
ア　「【背景技術】
【０００２】
　カルコパイライト構造を有する化合物半導体（Ａｇ，Ｃｕ）（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2 は、直接遷移で、バンドギャップが１．０〜３．６ｅＶと大きな幅を有するため、赤外光、可視光から紫外光までの発光・受光材料として知られている。この中でも特に、Ｉ族原料に銅（Ｃｕ）、III 族原料にインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）、並びにVI族原料に硫黄（Ｓ）およびセレン（Ｓｅ）を用いた
いわゆるＣＩＧＳ化合物半導体とよばれるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）
2
化合物半導体
イ　「【００２３】
＜第１の実施形態＞
　
図１は、本発明の太陽電池の構成の一例を模式的に示す説明図である。
【００２４】
〔太陽電池〕
　
この太陽電池は、基板１１上に裏面電極層１３が形成された当該裏面電極層１３上にｐｎホモ接合界面を有する光電変換材１５が積層された半導体素子１０と、当該光電変換材１５上に積層されたｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７と、この半絶縁層１７上に積層された透明導電層１９と、この透明導電層１９上に接触して設けられた表面電極（図示せず）とよりなるものである。
　本発明の太陽電池において、半絶縁層１７を有することは必須ではないが、光電変換効率を向上させることができるため、半絶縁層１７を有する構成とされることが好ましい。
【００２５】
　そして、
光電変換材１５は、ｐｎホモ接合界面を有するものであって、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる母材薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域１５Ａが形成され、これによってｐｎホモ接合が形成されているものである。ｐ型カルコパイライト型化合物半導体において亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域１５Ａは、ｎ型導電性の半導体となっている。
　この光電変換材１５の厚みは、２μｍ程度とされることが好ましい。
　不純物が拡散されてｐ型カルコパイライト型化合物半導体中に不純物拡散領域１５Ａが形成されていることは、容量−電圧（Ｃ−Ｖ）法によって確認することができる。
　
以上においては、不純物としてII族金属の亜鉛および／またはカドミウムを挙げたが、カドミウムは人体に有害な物質であるので、亜鉛を用いることが好ましい。以下、不純物として亜鉛を用いることとして説明する。
【００２６】
  不純物（亜鉛）拡散領域１５Ａは、光電変換材１５の表面からの深さ５０〜５００ｎｍまで形成されていることが好ましく、より好ましくは１００〜３００ｎｍまでである。
　そして、ｐｎホモ接合界面は、光電変換材１５の表面からの深さが５０〜５００ｎｍのレベル位置に形成されていることが好ましい。
　一般に、このような太陽電池における光電変換材の厚さは２μｍ程度とされること、および、光電変換材の表面付近は大気中の酸素や水や塵などが吸着されて欠陥が発生したり不純物量が多くなっていることを考慮すると、光電変換材の表面からの深さ５０〜５００ｎｍ程度のレベル位置にｐｎホモ接合界面を形成することができれば、欠陥準位や不純物準位においてキャリアが捕獲されることなく、光電変換材において光エネルギーによって生成された電気エネルギーを高い効率で収集することができる。
【００２７】
　この太陽電池において、基板１１としては、例えばガラス基板、ステンレスなどの金属基板、またはプラスチック基板を用いることができる。基板の厚さは例えば１〜１０ｍｍである。
【００２８】
　また、裏面電極層１３は、例えばモリブデン（Ｍｏ）よりなるものであって、その厚さは例えば１μｍ程度とされる。裏面電極層１３は、例えばＲＦスパッタ法によってモリブデンターゲットをアルゴンプラズマガスでスパッタすることにより、得ることができる。
【００２９】
　また、
半絶縁層１７
ＺｎＯ焼結体をターゲットに用い
【００３０】
　また、
透明導電層１９は、ガリウム（Ｇａ）やインジウム（Ｉｎ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が添加された酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなるものとすることができ
例えば
ガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ焼結体をターゲットに用い
　以上において、半絶縁層１７および透明導電層１９の合計の厚みが３００ｎｍ程度となるよう調整されることが好ましい。
【００３１】
〔光電変換材の製造方法〕
　以上のような光電変換材１５は、図２に示されるような製膜装置において、以下の工程を経ることによって製造することができる。
（１）
母材積層工程
（２）
不純物拡散工程
　これらの母材積層工程（１）および不純物拡散工程（２）は、連続して行われることが好ましい。具体的には、ｐ型カルコパイライト型化合物半導体による母材薄膜を積層した後、当該母材薄膜を製膜装置から取り出して大気に曝すことなく、同一製膜装置の処理室２４内でただちに不純物拡散工程を行うことが好ましい。
　このように両工程を連続して行うことにより、製造プロセスが簡略化されて製造コストを低減させることができる。
【００３２】
〔母材積層工程〕
　
母材積層工程（１）においては、バブリングガスが有機金属硫黄化合物および／または有機金属セレン化合物よりなる液状の有機VI族金属化合物に供給されて有機VI族金属化合物を含有する蒸気が、後述するプレカーサの積層された被処理物Ｘが載置された処理室２４内に、流量がコントロールされた状態で導入され、ヒーター２５によってプレカーサの積層された基板１１および有機VI族金属化合物を含有する蒸気が加熱されて基板上において有機VI族金属化合物の分解が促進されると共に、プレカーサ中に有機VI族金属化合物を構成するVI族金属が熱拡散され、これにより基板１１上のプレカーサと硫黄および／またはセレン分子（原子）とが反応して被処理物ＸのプレカーサがVI族金属化されてｐ型カルコパイライト型化合物半導体による母材薄膜が得られる。
　VI族金属化の加熱処理の温度は、例えば、通常、４００〜５５０℃とされ、加熱処理の時間は３０〜９０分間、加熱処理の圧力は有機VI族金属の蒸気圧（分圧）が常圧換算で０．３〜０．５Ｔｏｒｒとなる条件とされる。
　なお、加熱処理における処理室２４内の全圧は、１００〜７６０Ｔｏｒｒ（常圧）とされる。
【００３３】
　被処理物Ｘの
プレカーサ
ｐ型カルコパイライト型化合物半導体を構成する元素のうち、VI族金属元素を除いた元素群
【００３４】
　このような有機VI族金属を含有する蒸気によってVI族金属化してｐ型カルコパイライト型化合物半導体を得る方法によれば、大面積の母材薄膜を低コストで積層することができる。
　また、VI族金属の供給源として、通常液化している有機金属化合物を用いることにより、気化させてガスにして使用するために流量のコントロールが容易であり、また、貯蔵タンク内で高圧にならないため爆発のおそれがなく、さらに特定高圧ガスに指定されていないため、装置設備も通常の安全管理範囲内で済むことなどから、取り扱いが容易である。
【００３５】
　図２の製膜装置において、２１はバブリングガスの封入されたガスボンベ、２２はバブリングガスの流量を調整する流量調整器、２３は液状の有機VI族金属化合物が封入された液状金属ボンベ、２６は処理室２４内の排ガスを強制的に排気する排気ポンプである。この排気ポンプを設けずに排ガスを自然に流す構成としてもよい。排ガスは、通常、排ガスフィルターを介して外部に排気されることが好ましい。
　また、処理室２４は、石英またはステンレス鋼によって形成されたものであることが好ましい。
・・・（中略）・・・
【００３７】
　バブリングガスは不活性ガスであって、不活性ガスとしては、窒素、水素、アルゴンおよびこれらの混合ガスを挙げることができる。
　また、有機VI族金属化合物を導入するべきバブリングガス量が少なく、被処理物Ｘに対して十分なガスを供給することができない場合には、別途、不活性ガスを、直接処理室２４内にキャリアガスとして導入してもよい。キャリアガスとして用いる不活性ガスとしては、上記のバブリングガスと同様のものを挙げることができる。図２において、２９はキャリアガスのガス流路である。
　有機VI族金属化合物のガスおよびバブリングガスの合計（または有機VI族金属化合物のガスおよびバブリングガス、並びにキャリアガスの合計）の流量は、被処理物Ｘの大きさや原料供給の均一性などを考慮して適宜に設定すればよく、例えば１ｃｍ×１ｃｍの大きさの被処理物Ｘに対して２Ｌ／ｍｉｎとすることができる。
【００３８】
　プレカーサは、VI族金属化後のｐ型カルコパイライト型化合物半導体による半導体薄膜に求められる厚みによっても異なるが、例えば得られるｐ型カルコパイライト型化合物半導体による半導体薄膜の求められる厚みが２μｍである場合、例えばプレカーサの厚みは６７０ｎｍとされることが好ましい。
　また、プレカーサの形成は、室温において行うことができる。なお、「室温」とは、通常、２０〜３５℃である。
【００３９】
　有機金属セレン化合物としては、例えば、ジメチルセレン、ジエチルセレン、ジメチルジセレン、ジエチルジセレン、ジイソプロピルジセレン、ジイソプロピルセレン、ジターシャリブチルセレンなどが挙げられ、この中では、ジメチルセレン、ジエチルセレン、ジメチルジセレン、ジエチルジセレンが好ましい。
【００４０】
　有機金属硫黄化合物としては、ジメチルサルファ、ジエチルサルファ、ジメチルジサルファ、ジエチルジサルファ、ジイソプロピルジサルファ、ジイソプロピルサルファ、ジターシャリブチルサルファなどが挙げられ、この中では、ジメチルサルファ、ジエチルサルファ、ジターシャリブチルサルファが好ましい。
【００４１】
〔不純物拡散工程〕
　
不純物拡散工程（２）においては、バブリングガス（およびキャリアガス）が有機II族金属である液状の有機金属亜鉛化合物に供給されて有機金属亜鉛化合物を含有する蒸気が、上記母材積層工程（１）においてｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる母材薄膜が積層された被処理物Ｘが載置された処理室２４内に導入され、ヒーター２５によって被処理物Ｘおよび有機金属亜鉛化合物を含有する蒸気が加熱されて当該被処理物Ｘ上において有機金属亜鉛化合物の分解が促進されると共に、母材薄膜の表面からその内部に当該亜鉛金属中の亜鉛（不純物）が熱拡散される熱処理が行われ、これにより、母材薄膜の表層部分におけるｐ型カルコパイライト型化合物半導体がｎ型化された亜鉛拡散領域１５Ａが形成され、これによってｐｎホモ接合界面が形成される。
【００４２】
　熱処理における加熱方法は、タングステンなどの抵抗加熱、各種ランプを用いた光加熱、高周波加熱などのいずれも用いることができる。
【００４３】
　熱処理は、有機金属亜鉛化合物の蒸気圧（分圧）が常圧換算で０．１〜１００Ｔｏｒｒである条件で行われることが好ましい。ここに、常圧換算とは、すなわち全圧が７６０Ｔｏｒｒ（常圧）であるときの分圧をいう。熱処理における圧力を高くすると、原料が基板上に滞留する時間が長くなるために原料の使用効率を向上させることができ、熱処理における圧力を低くすると、原料を含有したガスが高速で移動するため、原料の分解後に生成される炭化水素などの不純物が基板上に堆積することを抑止することができる。熱処理における圧力条件は、原料の分解効率や原料コストを考慮して決定すればよい。
　なお、熱処理における処理室２４内の全圧は、１００〜７６０Ｔｏｒｒ（常圧）とされる。
【００４４】
　また、熱処理は、温度３００〜４００℃の条件で行うことができる。熱処理を３００〜４００℃の温度範囲で行うことによって、確実に亜鉛が拡散された亜鉛拡散領域１５Ａを得ることができてｐｎホモ接合界面が形成された光電変換材１５を製造することができる。
　熱処理における温度が３００℃未満であると、有機金属亜鉛化合物が熱分解されにくく、母材薄膜中に亜鉛を拡散させてｐｎホモ接合を形成するためには多大な時間および原料を必要とするため非効率的であって製造コストが増大されることとなり、好ましくない。一方、熱処理における温度が４００℃を超える場合は、短時間であれば亜鉛が拡散されてｐｎホモ接合界面を形成させることができるが、熱処理時間の精密な制御が困難であるために亜鉛が母材薄膜中に過剰に供給されることとなってｎ型導電性の亜鉛化合物が形成されてｐｎヘテロ接合界面が形成されることとなる。
　この温度条件である場合に、熱処理にかける時間は、熱拡散させる元素の種類、および圧力によっても異なるが、１〜３分間であることが好ましい。
【００４５】
　有機金属亜鉛化合物としては、ビスアセチルアセトナト亜鉛、ジエチル亜鉛、ジイソプロピル亜鉛、ジメチル亜鉛、ジメチル亜鉛ビストリエチルアミンアダクトなどが挙げられ、この中では、ジエチル亜鉛、ジメチル亜鉛が特に好ましい。
【００４６】
　バブリングガスおよびキャリアガスとしては、上記の母材積層工程において挙げたものと同じものを挙げることができる。
・・・（中略）・・・
【００４８】
　以上説明したような光電変換材１５の製造方法によれば、特定の熱拡散法によって亜鉛および／またはカドミウムを母材薄膜に拡散させてｐｎ接合が形成されるので、バッファ層を不要とすることができてウェットプロセスを省略できるなど、従来の光電変換材の製造工程に比して工程数を低減させることができて低コストで高い均一性でｐｎ接合が形成された高品質な光電変換材１５を製造することができる。
　また、
このような光電変換材１５によれば、高い均一性でｐｎ接合が形成されてｐｎ接合界面における欠陥の存在が抑制された高品質のものであるために、ｐｎ接合界面付近で生じる発電ロスを低減させて高い光電変換効率を実現する半導体素子１０および太陽電池を提供することができる。
ウ　「【００５４】
＜実施例１＞
　図２に示す製膜装置を用い、
１μｍの厚さにモリブデン（Ｍｏ）がコーティングされた厚み２ｍｍのガラス基板上に、各層の膜厚が銅（Ｃｕ）が約８ｎｍ、インジウム（Ｉｎ）が約２２ｎｍ、ガリウム（Ｇａ）が約４ｎｍであるＣｕ／Ｉｎ／Ｇａを２０周期、合計の厚さが６７０ｎｍとなるよう、加熱されない状態で真空蒸着されて形成されたプレカーサを用い、これを有機金属セレン化合物であるジエチルセレン（（Ｃ
2
 Ｈ
5
 ）
2
 Ｓｅ）を用い、バブリングガスおよびキャリアガスとして窒素ガスを用い、熱処理温度５１５℃、熱処理時間９０分間、圧力を常圧、ガス流量を２Ｌ／ｍｉｎ（ジエチルセレンガスのみの流量：９２ｍＬ（３５μｍｏｌ）／ｍｉｎ）とした条件で熱処理してセレン化して母材薄膜を形成した。得られた母材薄膜の膜厚は２μｍであった。
【００５５】
　
この母材薄膜を、
有機金属亜鉛化合物であるジメチル亜鉛（（ＣＨ
3
 ）
2
 Ｚｎ）を用い、バブリングガスおよびキャリアガスとして窒素ガスを用い、熱処理温度３００℃、熱処理時間３分間、圧力を常圧、ガス流量を２Ｌ／ｍｉｎ（ジメチル亜鉛ガスのみの流量：９ｍＬ（７０μｍｏｌ）／ｍｉｎ）とした条件で熱処理し、亜鉛を熱拡散させて光電変換材を得た。得られた光電変換材の膜厚は２μｍのままであった。
【００５６】
　
上記の母材薄膜
異相のないｐ型カルコパイライト型化合物半導体によるものである
高品質のｐ型カルコパイライト型化合物半導体による薄膜
　また、
熱処理後の光電変換材
光電変換材の表面から３５０〜４００ｎｍ程度の深さまで亜鉛が拡散されている
【００５７】
　
この光電変換材を有する半導体素子上に、酸素およびアルゴンによるプラズマガスを用いたヘリコン波励起プラズマスパッタ法によって、ＲＦ出力５００ＷでＺｎＯ焼結体をターゲットに用い、加熱せずに１５０ｎｍ程度堆積させて半絶縁層を積層し、さらに、この半絶縁層上に、アルゴンによるプラズマガスを用いたヘリコン波励起プラズマスパッタ法によって、ＲＦ出力５００Ｗでガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ焼結体をターゲットに用い、１５０ｎｍ程度堆積させて透明導電層を積層し、さらに当該透明導電層上に表面電極を積層して太陽電池を得
エ　図１及び図２は以下のものである。
オ　上記ウの＜実施例１＞は、上記イの＜第１の実施形態＞において不純物として亜鉛を用いたときの具体例であると認められる。したがって、上記イの＜第１の実施形態＞の各段落に記載された事項は、上記ウの＜実施例１＞の段落【００５４】〜【００５７】に記載された製造方法により得られる太陽電池についても該当し、また、上記イの＜第１の実施形態＞の太陽電池の構成を模式的に示す図１（上記イ【００２３】および上記エ）は、上記ウの＜実施例１＞の太陽電池の構成を模式的に示すものでもあると認められる。
カ　そして、上記イの＜第１の実施形態＞には、
（ア）段落【００２４】に「
基板１１上に裏面電極層１３が形成された当該裏面電極層１３上にｐｎホモ接合界面を有する光電変換材１５が積層され
（イ）段落【００２５】に「
光電変換材１５は、ｐｎホモ接合界面を有するものであって、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる母材薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域１５Ａが形成され、これによってｐｎホモ接合が形成されているものである。ｐ型カルコパイライト型化合物半導体において亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域１５Ａは、ｎ型導電性の半導体となっている。
以上においては、不純物としてII族金属の亜鉛および／またはカドミウムを挙げたが、カドミウムは人体に有害な物質であるので、亜鉛を用いることが好ましい。以下、不純物として亜鉛を用いることとして説明する。
（ウ）段落【００４１】に「
母材薄膜の表層部分におけるｐ型カルコパイライト型化合物半導体がｎ型化された亜鉛拡散領域１５Ａが形成され、これによってｐｎホモ接合界面が形成される。
　ここで、
（エ）上記（ウ）における「
母材薄膜の表層部分におけるｐ型カルコパイライト型化合物半導体がｎ型化された亜鉛拡散領域１５Ａ
（オ）また、「光電変換材１５」における、上記「亜鉛拡散領域１５Ａ」以外の領域、すなわち、亜鉛が拡散されていないｐ型カルコパイライト型化合物半導体からなる領域は、上記（ア）、（イ）および図１を踏まえると、「光電変換材１５」における、「裏面電極層１３側の」、「亜鉛が拡散されていないｐ型カルコパイライト型化合物半導体からなる」「ｐ型導電性の半導体領域」といえるものである。
（カ）そして、「光電変換材１５」は、上記（オ）の「ｐ型導電性の半導体領域」と上記（エ）の「ｎ型導電性の半導体領域」とからなり、両者の「ｐｎホモ接合界面」を有する、といえる。
　以上によれば、上記イの＜第１の実施形態＞には、
（キ）「
光電変換材１５は、裏面電極層１３側の、亜鉛が拡散されていないｐ型カルコパイライト型化合物半導体からなるｐ型導電性の半導体領域と、裏面電極層１３とは反対側の、亜鉛が拡散されてｐ型カルコパイライト型化合物半導体がｎ型化されたｎ型導電性の半導体領域とからなり、両者のｐｎホモ接合界面を有する
　が記載されており、このことは、上記ウの＜実施例１＞にも該当すると認められる。
（２）引用発明
　以上を総合すると、引用例には、＜第１の実施形態＞の具体例である＜実施例１＞の太陽電池に関して、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板１１上に裏面電極層１３が形成された当該裏面電極層１３上にｐｎホモ接合界面を有する光電変換材１５が積層された半導体素子１０と、当該光電変換材１５上に積層されたｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７と、この半絶縁層１７上に積層された透明導電層１９と、この透明導電層１９上に接触して設けられた表面電極とよりなる太陽電池であって、
　前記光電変換材１５は、裏面電極層１３側の、亜鉛が拡散されていないｐ型カルコパイライト型化合物半導体からなるｐ型導電性の半導体領域と、裏面電極層１３とは反対側の、亜鉛が拡散されてｐ型カルコパイライト型化合物半導体がｎ型化されたｎ型導電性の半導体領域とからなり、両者のｐｎホモ接合界面を有し、
　前記太陽電池は、
　１μｍの厚さにモリブデン（Ｍｏ）がコーティングされた厚み２ｍｍのガラス基板上に、各層の膜厚が銅（Ｃｕ）が約８ｎｍ、インジウム（Ｉｎ）が約２２ｎｍ、ガリウム（Ｇａ）が約４ｎｍであるＣｕ／Ｉｎ／Ｇａを２０周期、合計の厚さが６７０ｎｍとなるよう、加熱されない状態で真空蒸着されて形成されたプレカーサを用い、これを有機金属セレン化合物であるジエチルセレン（（Ｃ2 Ｈ5 ）2 Ｓｅ）を用い、バブリングガスおよびキャリアガスとして窒素ガスを用い、熱処理温度５１５℃、熱処理時間９０分間、圧力を常圧、ガス流量を２Ｌ／ｍｉｎ（ジエチルセレンガスのみの流量：９２ｍＬ（３５μｍｏｌ）／ｍｉｎ）とした条件で熱処理してセレン化して、異相のない高品質のｐ型カルコパイライト型化合物半導体による膜厚２μｍの母材薄膜を形成し、
　この母材薄膜を、有機金属亜鉛化合物であるジメチル亜鉛（（ＣＨ3 ）2 Ｚｎ）を用い、バブリングガスおよびキャリアガスとして窒素ガスを用い、熱処理温度３００℃、熱処理時間３分間、圧力を常圧、ガス流量を２Ｌ／ｍｉｎ（ジメチル亜鉛ガスのみの流量：９ｍＬ（７０μｍｏｌ）／ｍｉｎ）とした条件で熱処理し、亜鉛を熱拡散させて、表面から３５０〜４００ｎｍ程度の深さまで亜鉛が拡散されている、膜厚が２μｍのままの、光電変換材を得、
　この光電変換材を有する半導体素子上に、酸素およびアルゴンによるプラズマガスを用いたヘリコン波励起プラズマスパッタ法によって、ＲＦ出力５００ＷでＺｎＯ焼結体をターゲットに用い、加熱せずに１５０ｎｍ程度堆積させて半絶縁層を積層し、
　この半絶縁層上に、アルゴンによるプラズマガスを用いたヘリコン波励起プラズマスパッタ法によって、ＲＦ出力５００Ｗでガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ焼結体をターゲットに用い、１５０ｎｍ程度堆積させて透明導電層を積層し、
　当該透明導電層上に表面電極を積層する
　ことによって得られる、
　太陽電池。」
３　対比・判断
（１）本願補正発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「透明導電層１９」は、「この透明導電層１９上に接触して設けられた表面電極」とともに電極として機能することが明らかであるから、本願補正発明の「光透過性の第１電極」に相当する。
イ　引用発明の「裏面電極層１３」は、本願補正発明の「第２電極」に相当する。
ウ　引用発明の「光電変換材１５」は、光を吸収して電気に変換する部材であることが明らかであり、かつ、「膜厚が２μｍ」の膜状のものであるから、本願補正発明の「光吸収層」に相当する。
エ　引用発明においては、「基板１１上に裏面電極層１３が形成され」、「当該裏面電極層１３上に」「光電変換材１５が積層され」、「当該光電変換材１５上に」「半絶縁層１７」が「積層され」、「この半絶縁層１７上に」「透明導電層１９」が「積層され」ることから、「光電変換材１５」（光吸収層）は、「透明導電層１９」（光透過性の第１電極）と「裏面電極層１３」（第２電極）との間に設けられているといえる。したがって、引用発明は、本願補正発明と同様に、「前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた」「光吸収層」を備えるといえる。
オ　
（ア）引用発明において、「当該裏面電極層１３上に」「積層された」「ｐｎホモ接合界面を有する光電変換材１５」は、「１μｍの厚さにモリブデン（Ｍｏ）がコーティングされた厚み２ｍｍのガラス基板上に、各層の膜厚が銅（Ｃｕ）が約８ｎｍ、インジウム（Ｉｎ）が約２２ｎｍ、ガリウム（Ｇａ）が約４ｎｍであるＣｕ／Ｉｎ／Ｇａを２０周期、合計の厚さが６７０ｎｍとなるよう、加熱されない状態で真空蒸着されて形成されたプレカーサ」を用い、これを「セレン化して」形成される、「異相のない高品質のｐ型カルコパイライト型化合物半導体」による「母材薄膜」に、「亜鉛を熱拡散させて」、「表面から３５０〜４００ｎｍ程度の深さまで亜鉛が拡散され」ることにより得られるものである。
（イ）ここで、上記「プレカーサ」は、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの３種類の元素からなるものであるから、当該「プレカーサ」を「セレン化して」形成される、「異相のない高品質のｐ型カルコパイライト型化合物半導体」による「母材薄膜」は、上記２（１）ア【０００２】における「いわゆるＣＩＧＳ化合物半導体とよばれるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2化合物半導体」のうち、「Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の元素からなる『Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2化合物半導体』」を意図したものであることは当業者にとって明らかである。また、当業者にとって周知のとおり、Ｃｕは第１１族の元素であり、Ｓｅは第１６族の元素である。
（ウ）そして、そのような「Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の元素からなる『Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2化合物半導体』」からなる「異相のない高品質のｐ型カルコパイライト型化合物半導体」による「母材薄膜」に、「亜鉛を熱拡散させて」、「表面から３５０〜４００ｎｍ程度の深さまで亜鉛が熱拡散され」ることにより、「ｎ型導電性の半導体領域」が形成されて、「裏面電極層１３側の、亜鉛が拡散されていないｐ型カルコパイライト型化合物半導体からなるｐ型導電性の半導体領域と、裏面電極層１３とは反対側の、亜鉛が拡散されてｐ型カルコパイライト型化合物半導体がｎ型化されたｎ型導電性の半導体領域とからなり、両者のｐｎホモ接合界面を有」する「光電変換材１５」が得られるところ、
ａ　前記「拡散され」た「亜鉛」はドーパントといえるものであって、「ｎ型導電性の半導体領域」は、前記ドーパントである「亜鉛」を含み、かつ、「ｐ型導電性の半導体領域」と「ホモ接合」するものである。
ｂ　また、「光電変換材１５」（光吸収層）が、「カルコパイライト型化合物半導体」を含み、当該「カルコパイライト型化合物半導体」が、第１１族の元素であるＣｕと、第１６族の元素であるＳｅとを含むことは明らかである。ここで、「カルコパイライト型化合物半導体」は、「カルコパイライト型構造を有する化合物半導体」といえる。
ｃ　また、「光電変換材１５」（光吸収層）は、「ｐ型導電性の半導体領域」と「ｎ型導電性の半導体領域」とからなることから、「ｐ型導電性の半導体領域」と「ｎ型導電性の半導体領域」とを含むといえる。
ｄ　さらに、引用発明は、「当該光電変換材１５上に積層されたｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７と、この半絶縁層１７上に積層された透明導電層１９と」を備えるものであるから、引用発明において、「ｎ型導電性の半導体領域」は、「ｐ型導電性の半導体領域」と「透明導電層１９」（第１電極）との間に設けられているといえる。
（エ）そうすると、
ａ　引用発明の「ｐ型導電性の半導体領域」、「ｎ型導電性の半導体領域」、「亜鉛」は、それぞれ、本願補正発明の「ｐ形部」、「ｎ形部」、「ドーパント」に相当し、
ｂ　引用発明は、本願補正発明と同様に、「第１１族の第１元素と、第１６族の第２元素と、を含みカルコパイライト型構造を有する化合物半導体を含み、ｐ形部と、前記ｐ形部と前記第１電極との間に設けられ前記ｐ形部とホモ接合しドーパントを含むｎ形部と、を含む」「光吸収層」を備えるといえる。
カ　
（ア）引用発明において、「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」は、「当該光電変換材１５上に積層された」ものであって、かつ、「この半絶縁層１７上に」「透明導電層１９」が「積層され」るものであるところ、当該「光電変換材１５」のうち、「裏面電極層１３とは反対側の」領域は「ｎ型導電性の半導体領域」であるから、当該「ｎ型導電性の半導体領域」上に「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」が「積層され」るといえる。したがって、「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」は、「透明導電層１９」（第１電極）と「ｎ型導電性の半導体領域」（ｎ形部）との間に設けられ、かつ、「透明導電層１９」（第１電極）と「ｎ型導電性の半導体領域」（ｎ形部）とのそれぞれに接触することが明らかである。
（イ）また、引用発明において、「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」は、「この光電変換材を有する半導体素子上に、酸素およびアルゴンによるプラズマガスを用いたヘリコン波励起プラズマスパッタ法によって、ＲＦ出力５００ＷでＺｎＯ焼結体をターゲットに用い、加熱せずに１５０ｎｍ程度堆積させて」得られるものであるから、ドーパントが添加されていない「ＺｎＯ」からなるものと認められる。これに対して、「透明導電層１９」は、「この半絶縁層上に、アルゴンによるプラズマガスを用いたヘリコン波励起プラズマスパッタ法によって、ＲＦ出力５００Ｗでガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ焼結体をターゲットに用い、１５０ｎｍ程度堆積させて」得られるものであるから、「ガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ」からなるものと認められる。
　ここで、引用発明において、「透明導電層１９」が「ガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ」からなるものであることの技術上の意義について検討するに、上記２（１）イ【００３０】には、「また、
透明導電層１９は、ガリウム（Ｇａ）やインジウム（Ｉｎ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）が添加された酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなるものとすることができ
例えば
ガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ焼結体をターゲットに用い
　したがって、引用発明において、このような「ガリウムを２ｗｔ％添加したＺｎＯ」からなる「透明導電層１９」（第１電極）よりも、ドーパントが添加されていない「ＺｎＯ」からなる「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」の方が、電気抵抗が高いことは、当業者にとって明らかである。
（ウ）そうすると、上記（ア）、（イ）より、
ａ　引用発明の「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」は、本願補正発明の「ＺｎＯよりなる中間層」に相当し、
ｂ　引用発明は、本願補正発明と同様に、「前記第１電極と前記ｎ形部との間に設けられ、前記第１電極の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有し、前記第１電極と前記ｎ形部とのそれぞれに接触し、ＺｎＯよりなる中間層」を備えるといえる。
キ　引用発明の「太陽電池」と、本願補正発明の「光電変換素子」とを対比する。
　最初に、本願補正発明の「光電変換素子」の意味について、本願の発明の詳細な説明を参酌する。本願の発明の詳細な説明には、「【０００６】また、本発明の本発明の他の実施形態の太陽電池は、光電変換素子と、前記光電変換素子と積層された基板と、前記第１電極に電気的に接続された第１端子と、前記第２電極に電気的に接続された第２端子と、を備えるものである。」との記載がある。したがって、本願補正発明の「光電変換素子」とは、前記「太陽電池」のうち、「前記光電変換素子と積層された基板」、「前記第１電極に電気的に接続された第１端子」、「前記第２電極に電気的に接続された第２端子」を除く、光透過性の第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光吸収層と、ＺｎＯよりなる中間層と、を備える部分、を指すものと認められる。
　そうすると、引用発明の「太陽電池」のうち、「基板１１」、「この透明導電層１９上に接触して設けられた表面電極」を除く、「透明導電層１９」と、「裏面電極層１３」と、「光電変換材１５」と、「ｎ型半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）よりなる半絶縁層１７」とからなる部分が、本願補正発明の「光電変換素子」に相当する。
（２）よって、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致する。
「光透過性の第１電極と、
　第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光吸収層であって、第１１族の第１元素と、第１６族の第２元素と、を含みカルコパイライト型構造を有する化合物半導体を含み、ｐ形部と、前記ｐ形部と前記第１電極との間に設けられ前記ｐ形部とホモ接合しドーパントを含むｎ形部と、を含む光吸収層と、
　前記第１電極と前記ｎ形部との間に設けられ、前記第１電極の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有し、前記第１電極と前記ｎ形部とのそれぞれに接触し、ＺｎＯよりなる中間層と、
　を備える光電変換素子。」
（３）一方、本願補正発明と引用発明とは以下の点で相違する。
＜相違点＞
　本願補正発明は、ドーパントに関し、
「前記第１元素が前記ドーパントで置換されたときに、
　前記第１元素と前記第２元素との結合距離（オングストローム）をｒｉとし、
　イオン対の組み合わせ毎に決定される結合パラメータであって、前記ドーパントと前記第２元素との結合パラメータ（オングストローム）をｒ０とし、
　無機化合物の構造解析データに基づいて決定される固有定数であって、前記ドーパントと前記第２元素との組み合わせによって決定される固有定数（オングストローム）をＢｆとし、
　前記第１元素に対する前記第２元素の近接結合数をｎ（ｎは、１以上の整数）としたとき、
　前記第１元素は、Ｃｕであり、
　前記固有定数Ｂｆは、０．３７であり、
　前記ドーパントは、
　　【数１】
　
の数式で表される形式電荷Ｖｂが１．６０以上２．８３以下の元素である」
　との事項が特定されているのに対して、引用発明は、「亜鉛」（ドーパント）に関し、上記事項が特定されておらず、ドーパントが、上記【数１】の数式で表される形式電荷Ｖｂが１．６０以上２．８３以下の元素であるか否か明らかでない点。
（４）上記＜相違点＞について検討する。
ア　引用発明において、上記（１）オで述べたとおり、「光電変換材１５」（光吸収層）の「ｎ型導電性の半導体領域」は、Ｃｕ（第１１族の第１元素）とＳｅ（第１６族の第２元素）とを含み「カルコパイライト型化合物半導体」である「Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の元素からなる『Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2化合物半導体』」の「表面から３５０〜４００ｎｍ程度の深さまで」「亜鉛（Ｚｎ）」（ドーパント）が「拡散され」ることにより形成されるところ、Ｃｕ（第１元素）が「亜鉛（Ｚｎ）」（ドーパント）で置換されることは、当業者にとって明らかである。
イ　そして、引用発明において、上記「Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の元素からなる『Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2化合物半導体』」は、言い換えると、「ＣｕＩｎ１−αＧａαＳｅ2化合物半導体（ただし、αは、引用発明における、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの３種類の元素からなる「プレカーサ」中のＩｎとＧａの原子数比に依存する所定値であって、０＜α＜１）」であるものと認められる。
ウ　ところで、本願の発明の詳細な説明には、ドーパントの形式電荷Ｖｂに関して、以下の記載がある。
（ア）「【００２２】
　カルコパイライト型の化合物半導体には、例えば、ＣＩＧＳが用いられる。ＣＩＧＳとは、例えば、Ｃｕε（Ｉｎ１−γＧａγ）σＳｅψ（０．６≦ε≦１．１、０．８≦σ≦１．２、１．５≦ψ≦２．５）であり、かつカルコパイライト構造を主相としている。ＣＩＧＳは、元来ｐ形を示すので、ｎ形化のためには、Ｃｕ欠損のサイトにドーパント（ＺｎやＭｇなど）が入る。また、Ｓｅの一部は、Ｓでもよい。すなわち、ＣＩＧＳは、Ｃｕε（Ｉｎ１−γＧａγ）σ（Ｓｅ１−φＳφ）ψでもよい。この際、γ及びφは、任意の定数でよい。
ＣＩＧＳとして、例えば、ＣｕＩｎ
１−γ
Ｇａ
γ
Ｓｅ
２
が用いられる。
（イ）「【００２５】
　以下、形式電荷Ｖｂについて説明する。  
　本実施形態のＢＶＳ計算では、光吸収層３０の化合物半導体は、第１１族の第１元素と、第１６族の第２元素と、を含む。第１元素がドーパントで置換されたと仮定する。
本実施形態において、第１元素は、例えば、Ｃｕである。そして、第２元素は、例えば、Ｓｅである。第１元素と第２元素との結合距離（オングストローム）をｒ
ｉ
とする。ドーパントと第２元素との結合パラメータ（オングストローム）をｒ
０
とする。ドーパントと第２元素との組み合わせによって決定される固有定数（オングストローム）をＢｆとする。第１元素に対する第２元素の近接結合数をｎ（ｎは、１以上の整数）とする。
【００２６】
　
結合パラメータｒ
０
は、イオン対の組み合わせごとに決定されたパラメータである。本実施形態では、例えば、２価のドーパントと、−２価のＳｅの４配位と、の組み合わせが用いられる。固有定数Ｂｆは、多数の無機化合物の構造解析データに基づいて決定された値であり、本願明細書においては、０．３７（オングストローム）とする。近接結合数ｎは、例えば本実施形態では、Ｃｕの周りにあるＳｅの数である。
　このとき、ＢＶＳ計算で求まる形式電荷Ｖｂは、下式１で表わされる。
【数１】
　
【００２７】
  イオン結晶に含まれる各イオンがもっている形式電荷Ｖｂは、配位している結合ごとに割り振ることができる。ＢＶＳ計算では、結晶格子中の元素の形式電荷Ｖｂを算出する。本実施形態においては、ＣＩＧＳ系の化合物半導体を用いた光吸収層３０に含まれる第１６族元素のＳｅ４配位サイトに対し、２価に近い値をとるドーパントの置換が容易であると考える。また、
ｒ
０
とＢｆは定数であるが、元素の組み合わせごとに設定され、これまでに結晶学的に解析され蓄積されてきた膨大な量のデータベースに基づいている。
【表１】
【００２８】
　
第１元素と第２元素との結合距離ｒ
ｉ
は、第１元素の種類、化合物半導体中における第１元素の組成比、第２元素の種類、化合物半導体中における第２元素の組成比、第３元素の種類、及び、化合物半導体中における第３元素の組成比により定まる。
【００２９】
　例えば、化合物半導体中における第３元素が、第４元素（例えばＩｎ）と、第５元素（例えばＧａ）と、を含み、第４元素の第３元素中における組成比をｘｘ１とし、第５元素の第３元素中における組成比をｘｘ２とする。例えば、表１において、ＣｕＩｎ０．７Ｇａ０．３Ｓｅ２の結合距離ｒｉは２．５０９オングストロームであり、ＣｕＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｓｅ２の結合距離ｒｉは２．４８４オングストロームである。このとき、ＣｕＩｎ０．６Ｇａ０．４Ｓｅ２の結合距離ｒｉは、これらの値を、組成比ｘｘ１及び組成比をｘｘ２とを用いて、補間した値（ｒｉ＝２．４９６）となる。
【００３０】
　具体例として、ＣｕＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｓｅ２の結晶構造中におけるＣｕサイトの配位数ｎはＳｅの４配位であり、結合距離ｒｉは、２．４８４（オングストローム）である。ｎ形ドーパントとしてＺｎを用いる場合、表１のデータベースからＢｆは０．３７（オングストローム）、ｒ０は２．２２（オングストローム）である。この場合、形式電荷Ｖｂは、１．９６と求めることができる。これは、想定するｎ形ドーパントの形式電荷Ｖｂである２価に近い。すなわち、２価のＺｎイオンは、ＣｕＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｓｅ２の中にドープされやすい。従って、ＣｕＩｎ０．５Ｇａ０．５Ｓｅ２を光吸収層３０に用い、Ｚｎをｎ形のドーパントとして用いた場合には、結晶構造を維持した良好なホモ接合を形成することができる。これにより、光電変換素子１００の変換効率を高めることができる。
【００３１】
　ＣＩＧＳにおけるｎ形ドーピングは、１価のＣｕサイトを２価のドーパントで置換することで成される。２価のイオンは、種類が多く存在し、それぞれイオン半径が異なる上、結晶構造のＣｕサイトにおける配位環境（Ｓｅの４配位）で存在しうるかどうか不明である。そこで、ＢＶＳ計算を用いてＳｅの４配位にあるＣｕサイトにドーパントが置換されると仮定して形式電荷Ｖを求め、２価に近い値をとるドーパントを有効なｎ形ドーパントとして選定し、可能性のある元素をスクリーニングする。」
（ウ）上記（イ）【００２５】〜【００２７】、【００３０】に記載された「Ｂｆ」に関して、イオン結晶において、「形式電荷Ｖｂ」の算出のために用いられる「固有定数Ｂｆ」を０．３７（オングストローム）とすることは、当業者の技術常識である。
エ　本願の発明の詳細な説明における上記記載に照らせば、引用発明においても、
（ア）第１元素（Ｃｕ）と第２元素（Ｓｅ）との結合距離（オングストローム）ｒｉ
（イ）イオン対の組み合わせ毎に決定される結合パラメータであって、ドーパント（Ｚｎ）と第２元素（Ｓｅ）との結合パラメータ（オングストローム）ｒ０
（ウ）ドーパント（Ｚｎ）と第２元素（Ｓｅ）との組み合わせによって決定される固有定数（オングストローム）Ｂｆ（Ｂｆ＝０．３７）
（エ）第１元素（Ｃｕ）に対する第２元素（Ｓｅ）の近接結合数ｎ（ｎ＝４）
　によって表される各パラメータの値が存在することは明らかである。
オ　また、引用発明においても、上記エ（ア）〜（エ）のｒｉ、ｒ０、Ｂｆ、ｎの値によって決まる、上記【数１】の数式で表される形式電荷Ｖｂの値が存在することは明らかである。
カ　しかるところ、本願の発明の詳細な説明の【００２７】の【表１】、【００２８】〜【００３０】によれば、カルコパイライト型の化合物半導体がＣＩＧＳ系のＣｕＩｎ１−γＧａγＳｅ２（０≦γ≦１）であって、ドーパントがＺｎである場合に、形式電荷Ｖｂは、ＣｕＩｎ１Ｓｅ２（γ＝０）のときに最小値１．７０７をとり、ＣｕＧａ１Ｓｅ２（γ＝１）のときに最大値２．１６０をとり、０≦γ≦１の範囲において、γの増大とともに単調に増大するものと認められる。したがって、カルコパイライト型の化合物半導体がＣＩＧＳ系のＣｕＩｎ１−γＧａγＳｅ２（０≦γ≦１）の場合に、ドーパントＺｎは、上記【数１】の数式で表される形式電荷Ｖｂが「１．６０以上２．８３以下」の元素に該当することが明らかである。
キ　してみれば、上記アおよびイで述べたように、引用発明においては、「ＣｕＩｎ１−αＧａαＳｅ2化合物半導体（ただし、αは、引用発明における、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａの３種類の元素からなる「プレカーサ」中のＩｎとＧａの原子数比に依存する所定値であって、０＜α＜１）」に対してドーパントとして「亜鉛（Ｚｎ）」を用いることから、上記【数１】の数式で表される形式電荷Ｖｂは、１．７０７よりも大きく、２．１６０よりも小さな、所定の値をとり、したがって、引用発明においても、本願補正発明と同様に、「前記ドーパントは、【数１】の数式で表される形式電荷Ｖｂが１．６０以上２．８３以下の元素である」ことは明らかである。
ク　以上の検討によれば、上記＜相違点＞は、実質的な相違点ではない。
（５）小括
　したがって、本願補正発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
４　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について 
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項に係る発明は、平成２６年１２月１５日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載される事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項によって特定されるものである。 
「光透過性の第１電極と、
　第２電極と、
　前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光吸収層であって、第１１族の第１元素と、第１６族の第２元素と、を含みカルコパイライト型構造又はスタナイト型構造を有する化合物半導体を含み、ｐ形部と、前記ｐ形部と前記第１電極との間に設けられ前記ｐ形部とホモ接合しドーパントを含むｎ形部と、を含む光吸収層と、
　前記第１電極と前記ｎ形部との間に設けられ、前記第１電極と前記ｎ形部とのそれぞれに接触し、ＺｎＯを含む中間層と、
　を備え、
　前記第１元素が前記ドーパントで置換されたときに、
　前記第１元素と前記第２元素との結合距離（オングストローム）をｒｉとし、
　イオン対の組み合わせ毎に決定される結合パラメータであって、前記ドーパントと前記第２元素との結合パラメータ（オングストローム）をｒ０とし、
　無機化合物の構造解析データに基づいて決定される固有定数であって、前記ドーパントと前記第２元素との組み合わせによって決定される固有定数（オングストローム）をＢｆとし、
　前記第１元素に対する前記第２元素の近接結合数をｎ（ｎは、１以上の整数）としたとき、
　前記第１元素は、Ｃｕであり、
　前記固有定数Ｂｆは、０．３７であり、
　前記ドーパントは、
　　【数１】
　
の数式で表される形式電荷Ｖｂが１．６０以上２．８３以下の元素である光電変換素子。」
２　引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された刊行物である引用例、その記載事項、及び引用発明は、上記「第２　２」に記載したとおりである。
３　対比・判断 
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明から、上記「第２　１」ア〜ウの限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２」に記載したとおり、引用発明と同一であるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明と同一である。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。