【事件の表示】
　特願２００９−１５４７８２「画像表示装置および画像表示装置の駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２０日出願公開、特開２０１１−　１３２６１、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２１年６月３０日の出願であって、平成２５年１１月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年２月２１日付けで手続補正（以下、「補正１」）という。）がなされたが、平成２６年８月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され、これに対し、平成２６年１２月２日付けで手続補正がなされたが、平成２７年５月２７日付けで、平成２６年１２月２日付けでした手続補正について、補正却下の決定がなされ、該補正却下の決定と同日付けで拒絶査定がなされ（送達日：同年６月２日）、これに対し、平成２７年１０月２日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正（以下、「補正２」）という。）がなされ、その後、当審において平成２８年４月２７日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２８年８月２６日付けで手続補正（以下、「本件補正」という。）がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（下線は、本件補正による補正箇所である。）。
「【請求項１】
　発光ダイオードと、前記発光ダイオードを駆動する第１駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに接続される第１の導電経路と、前記第１駆動トランジスタに接続される容量素子と、前記発光ダイオードに接続され、前記第１の導電経路とは異なる第２の導電経路と、を備えた複数の画素回路を有する画像表示装置の駆動方法において、
　前記容量素子の両端に前記第１駆動トランジスタの閾値電圧より高い第１電圧を印加する電圧印加工程と、
　前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程と、
　前記発光ダイオードと前記容量素子とを電気的に接続し、前記発光素子および前記容量素子に蓄積された電荷を放電することにより、前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの閾値電圧に設定する第１設定工程と、
　前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの前記閾値電圧よりも高い第２電圧に設定する第２設定工程と、
　前記第２電圧に基づいて前記第１駆動トランジスタを駆動することにより、前記発光ダイオードおよび前記第１の導電経路へ通電を行い、前記発光ダイオードを発光させる発光工程と、
を備え、
　前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路は、共通の電源線（Ｌｖｓ）と接続され、　前記第２の導電経路は、第２駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに対して順方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極と電気的に接続されており、前記発光ダイオードに対して逆方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されて
おり、
　前記電荷蓄積工程は、前記発光工程よりも前に実行される、
画像表示装置の駆動方法。」
第３　原査定の拒絶理由について
１　原査定の理由の概要（請求項３、４（補正１による）に対応する請求項（補正２による請求項２）は、本件補正により削除されているので、これらの請求項に対する拒絶の理由の記載は省略する。）
（１）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
（３）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
理由（１）について
　請求項１（補正１による）の「該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続されている」という記載は、
　ゲート電極が、いずれの方向に電流が流れる際のソース又はドレインの電極（段落【００２３】も参照されたい。）に対して、そのいずれの一方と接続されるのか、明確でない。
理由（３）について
・請求項１−２（補正１による）
・引用例１：特開２００２−３５８０４８号公報
・引用例２：特開２００８−２６７３４号公報
　駆動トランジスタを介して有機発光素子に逆バイアスを印加している、引用例２に記載された発明に対して、引用例１に記載された技術事項を用いることは、当業者が容易に想到できたものである。
２　原査定の理由の判断
（１）理由（１）について
　請求項１（補正１による）における「前記第２の導電経路は、第２駆動トランジスタを含み、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続されている」との記載は、本件補正により、「前記第２の導電経路は、第２駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに対して順方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極と電気的に接続されており、前記発光ダイオードに対して逆方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されており、」と補正された。
　よって、第２駆動トランジスのゲート電極が、他の２つの電極のうち、発光ダイオードに対して順方向に電流が流れる際のソース電極（つまり、発光ダイオードに対して逆方向に電流が流れる際のドレイン電極）と接続されることが明確なものとなった。
（２）理由（３）について
ア　刊行物の記載事項
（引用例１）
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３５８０４８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、有機発光素子を用いた表示装置及びその駆動方法に関する。より詳細には有機発光素子を交流で駆動する表示装置及びその駆動方法に関する。」
「【００１７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら有機発光素子を直流で駆動すると、有機発光素子が発光する光の輝度は経時的に低下する。直流で駆動すると輝度が劣化する原因は、有機化合物層の界面にイオン性不純物が蓄積すること、有機化合物層を構成する分子が電界に沿って一様な方向に分極することなどにより、有機発光素子の画素電極、対向電極から加わる電界と逆方向の電界が有機化合物層の内部に発生するためなどと考えられている。」
「【００１９】この輝度劣化を抑えるためには、有機発光素子を交流で駆動する必要がある。有機発光素子を交流で駆動するとは、有機発光素子に極性の異なる電圧を交互に加えることをいう。すなわち、発光に必要な順バイアスの他に、逆バイアスを加えることをいう。順バイアスと逆バイアスとは、強さや印加時間が必ずしも等しくなくてもよい。ごくわずかな逆バイアスしか印加しない場合であっても、交流と称することにする。
【００２０】しかしながら、上述した従来の回路では、たとえ交流電源を有機発光素子の対向電極、電源供給線に接続して設けたとしても、有機発光素子に充分な逆バイアスをかけられないことがある。以下、その説明をする。」
「【００２６】このように上述した従来の回路構成では、有機発光素子を交流で駆動することは困難であり、直流電圧の印加によって有機発光素子の輝度は経時的に大きく低下するという問題点が生じていた。
【００２７】そこで本発明は、有機発光素子に交流電圧を加えて駆動を行い、有機発光素子の輝度の低下を防止して、表示品位の向上を図る構成の表示装置及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決する手段】整流特性を有する素子（以降、整流素子と称する）を、従来の回路に付加することで有機発光素子を交流で駆動することができる。
【００２９】整流素子と電流制御用ＴＦＴの半導体層とが並列に接続されている回路であれば、整流素子と電流制御用ＴＦＴの半導体層との一方が高抵抗化しても、他方が低抵抗であれば、この低抵抗な抵抗に応じた電圧を有機発光素子にかけることができる。」
「【００５２】
【発明の実施の形態】[実施形態１]本発明の構成を時分割駆動による階調表示を行う有機発光ディスプレイに適用した例を説明する。時分割駆動による階調表示とは、発光時間の異なる期間を複数組み合わせて、各画素の階調を制御する階調の表示方法である。
【００５３】図１（Ａ）は画素の等価回路である。各画素１００にゲート信号線（Ｇj）、ソース信号線（Ｓi）から信号が入力される。各画素はスイッチング用ＴＦＴ１０１、電流制御用ＴＦＴ１０２、コンデンサー１０３、整流用ＴＦＴ１０４、有機発光素子１０５を有する。交流電源１０６は電源供給線（Ｖi）と有機発光素子１０５の対向電極に電位を与えている。
【００５４】スイッチング用ＴＦＴ１０１のゲート電極は、選択信号を入力するゲート信号線（Ｇj）に接続されている。スイッチング用ＴＦＴのソースとドレインとは、一方が「０」または「１」の情報を有するデジタルの画像データ信号（以降、デジタルデータ信号と称する）を入力するソース信号線（Ｓi）に、他方が電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電極及び各画素が有するコンデンサー１０３の一方の電極にそれぞれ接続されている。コンデンサーの他方の電極は電源供給線（Ｖi）に接続されている。コンデンサー１０３は、スイッチング用ＴＦＴ１０２が非選択状態にあるとき、電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電圧を保持するために設けられている。
【００５５】電流制御用ＴＦＴ１０２は、ソースとドレインとが、一方は電源供給線（Ｖi）に、他方は有機発光素子１０５の画素電極にそれぞれ接続されている。
【００５６】整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレインとは、一方が電源供給線（Ｖi）に、他方が有機発光素子１０６の画素電極にそれぞれ接続されている。整流用ＴＦＴ１０４のゲート電極は電源供給線（Ｖi）に接続されている。整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されているため、一方向へのみ電流が流れる整流特性を有する
【００５７】整流用ＴＦＴ１０４と、電流制御用ＴＦＴ１０２とは導電型を等しくすることが望ましい。本実施の形態では、電流制御用ＴＦＴと整流用ＴＦＴの導電型はｐチャネル型とする。なお、スイッチング用ＴＦＴ１０１の導電型はｎチャネル型にしてもよいしｐチャネル型にしてもよい。
【００５８】整流用ＴＦＴ１０４の整流特性は、整流用ＴＦＴがｐチャネル型であり、そのゲートとソースまたはドレインの一方が接続されているため、有機発光素子の側から電源供給線の側へのみ電流が流れやすい特性である。
【００５９】有機発光素子１０５は、有機化合物層と、有機化合物層を挟む陰極と陽極とからなる。本実施の形態では電流制御用ＴＦＴ１０２と整流用ＴＦＴ１０４とに接続する有機発光素子の画素電極を陽極とし、有機発光素子の対向電極を陰極とし、画素電極から対向電極へと電流を流し、有機発光素子を発光させる構成とする。
【００６０】交流電源１０６は、有機発光素子１０５の対向電極と、電源供給線（Ｖi）とに接続されている。本実施の形態では、対向電極の電位と、電源供給線の電位とは双方の電位を同時に変えて交流駆動を行う。対向電極の電位と、電源供給線の電位とは電流制御用ＴＦＴがオンの状態になったときに有機発光素子が発光する程度に電位差が設けられている。
【００６１】本実施の形態とは逆に、電流制御用ＴＦＴと整流用ＴＦＴをｎチャネル型として用い、有機発光素子の画素電極を陰極とし、対向電極を陽極として対向電極から画素電極へと有機発光素子に電流を流して発光させてもよい。」
「【００６６】次に、図１の画素部の回路を有する有機発光ディスプレイの駆動方法について説明する。まず、図２を用いて本実施の形態の時分割駆動による階調表示の一例について説明する。
【００６７】１フレーム期間（Ｆ）は、ｎ個のサブフレーム期間（ＳＦ1〜ＳＦn）に分割される。説明を簡略にするため、第１のサブフレーム期間（Ｆ1）と第２のサブフレーム期間（Ｆ2）だけを図示する。１フレーム期間とは、階調制御された1つの画像を形成する期間をいう。本実施形では、１秒間に６０以上のフレーム期間が設けられている。１秒間に表示される画像の数が６０より少なくなると、視覚的にフリッカ等の画像が目立ち始める。
【００６８】サブフレーム期間（ＳＦ1〜ＳＦn）は、１フレーム期間をさらに分割した期間である。階調数が多くなるにつれて１フレーム期間の分割数も増え、駆動回路を高い周波数で駆動しなければならない。
【００６９】１つのサブフレーム期間はアドレス期間（Ｔａ）とサブフレーム期間（Ｔｓ）とに分けられる。アドレス期間とは、１つのサブフレーム期間において全画素にデータを入力するのに要する期間であり、サステイン期間とは、画素に入力されたデータに応じて有機発光素子に一定の電流を流して表示を行う期間である。」
「【００７３】第１のサブフレーム期間（ＳＦ1）は、第１のアドレス期間（Ｔａ1）と第１のサステイン期間（Ｔｓ1）とからなる。アドレス期間は、第１のライン期間（Ｌ1）〜第ｎのライン期間（Ｌn）に分割される。
【００７４】第１のライン期間（Ｌ1）は、ゲート信号線（Ｇ1）に選択信号が入力され、ゲート信号線（Ｇ1）に接続されているスイッチング用ＴＦＴのすべてがオンの状態になる期間である。
【００７５】ゲート信号線（Ｇ1）に接続されているスイッチング用ＴＦＴがオンの状態で、ソース信号線（Ｓ1〜Ｓm）に順にデジタルデータ信号が入力される。デジタルデータ信号は、オン状態になったスイッチング用ＴＦＴを介して電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力される。
【００７６】そして、ソース信号線（Ｓ1〜Ｓm）に入力されたデジタルデータ信号は、オンの状態のスイッチング用ＴＦＴを介して電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力される。また、コンデンサーにもデジタルデータ信号が入力され保持される。
【００７７】コンデンサーにデジタルデータ信号が保持されているため、電流制御用ＴＦＴのゲート電極の電位は、ゲート信号線（Ｇ1）に接続されているスイッチング用ＴＦＴがオフの状態になっても保持される。」
「【００８０】上述した動作を第ｎのライン期間まで繰り返し、すべての画素にデジタルデータ信号が入力される。すなわち、すべての画素にデジタルデータ信号が入力されるまでの期間が、アドレス期間である。なお、すべての画素にデジタルデータ信号が入力される期間と垂直帰線期間とを合わせてアドレス期間としてもよい。
【００８１】アドレス期間は電源供給線（Ｖ1〜Ｖn）の電位が、電流制御用ＴＦＴのゲート電極の電位に比べて低電位に保たれている。このため、電流制御用ＴＦＴはオフの状態となる。しかし、整流用ＴＦＴには順方向に電圧がかかり、整流用ＴＦＴを介して、有機発光素子には逆バイアスがかかる。このとき、有機発光素子には電流が流れないため、有機発光素子は非発光の状態に保たれる。
【００８２】第１のアドレス期間（Ｔａ1）が終了すると第１のサステイン期間（Ｔｓ1）が始まる。サステイン期間が始まると、交流電源から出力される電圧の極性が変わる。交流電源から入力される波形が変わることで、電源供給線の電位（Ｖ1〜Ｖn）が対向電極の電位（Ｃ）に比べて高電位になる。
【００８３】サステイン期間に電流制御用ＴＦＴがオンの状態になり、有機発光素子にしきい値以上の電圧がかかると有機発光素子は発光する。ただし、電流制御用ＴＦＴのゲートに非発光のデジタルデータ信号が書きこまれていた画素においてはオフの状態が維持される。いずれにしても、アドレス期間に印加されていた有機発光素子の逆バイアスは除かれる。
【００８４】こうして、有機発光素子が発光する任意のサブフレーム期間においてアドレス期間とサステイン期間とで極性の異なる電圧が有機発光素子にかかる交流の駆動がされる。なお、本発明の回路を用いた交流の駆動の方法は、これに限定されるものではない。
【００８５】第１のサステイン期間が終わると、交流電源から出力される電圧の極性が変わり、第１のサブフレーム期間が終わる。第１のサブフレーム期間が終わると、第２のサブフレーム期間が始まる。
【００８６】第１のサステイン期間が終わり、交流電源から出力される電圧の極性が変わると、電源供給線の電位より電流制御用ＴＦＴのゲートの電位がしきい値以上低くなり、オフの状態になる。すると、整流用ＴＦＴがオンの状態になり、すべての画素の有機発光素子は逆バイアスがかかることで非発光の状態になる。」
「【００９１】本実施の形態によれば、整流用ＴＦＴを各画素に設け、交流電源を用いて電源供給線、対向電極の電位の双方を変えるだけの簡便な手段で、有機発光素子に加える電圧の極性を変えて、交流駆動をすることができる。」
　上記記載から、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる（括弧内に、認定に用いた引用箇所を記載した。）。
「有機発光素子に交流電圧を加えて駆動を行い、有機発光素子の輝度の低下を防止して、表示品位の向上を図る構成の有機発光ディスプレイの駆動方法（ 【００２７】、【００６６】）であって、
　各画素１００には、ゲート信号線（Ｇj）、ソース信号線（Ｓi）から信号が入力され、各画素はスイッチング用ＴＦＴ１０１、電流制御用ＴＦＴ１０２、コンデンサー１０３、整流用ＴＦＴ１０４、有機発光素子１０５を有し、交流電源１０６は電源供給線（Ｖi）と有機発光素子１０５の対向電極に電位を与えており（【００５３】）、
  スイッチング用ＴＦＴ１０１のゲート電極は、選択信号を入力するゲート信号線（Ｇj）に接続され、スイッチング用ＴＦＴのソースとドレインとは、画像データ信号（以降、デジタルデータ信号と称する）を入力するソース信号線（Ｓi）に、他方が電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電極及び各画素が有するコンデンサー１０３の一方の電極にそれぞれ接続され、コンデンサーの他方の電極は電源供給線（Ｖi）に接続され、コンデンサー１０３は、スイッチング用ＴＦＴ１０２が非選択状態にあるとき、電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電圧を保持するために設けられ（【００５４】）、
  電流制御用ＴＦＴ１０２は、ソースとドレインとが、一方は電源供給線（Ｖi）に、他方は有機発光素子１０５の画素電極にそれぞれ接続され（【００５５】）、
  整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレインとは、一方が電源供給線（Ｖi）に、他方が有機発光素子１０６の画素電極にそれぞれ接続され、整流用ＴＦＴ１０４のゲート電極は電源供給線（Ｖi）に接続され、整流用ＴＦＴ１０４は、ｐチャネル型であり、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されているため、有機発光素子の側から電源供給線の側へのみ電流が流れやすい特性であり（【００５６】、【００５８】）、
  交流電源１０６は、有機発光素子１０５の対向電極と、電源供給線（Ｖi）とに接続され、対向電極の電位と、電源供給線の電位とは双方の電位を同時に変えて交流駆動を行い、電流制御用ＴＦＴがオンの状態になったときに有機発光素子が発光し、（【００６０】）、
  １フレーム期間（Ｆ）は、ｎ個のサブフレーム期間（ＳＦ1〜ＳＦn）に分割され（【００６７】）、１つのサブフレーム期間はアドレス期間（Ｔａ）とサブフレーム期間（Ｔｓ）とに分けられ（【００６９】）、
　すべての画素にデジタルデータ信号が入力されるまでの期間が、アドレス期間であって（【００８０】）、デジタルデータ信号は、スイッチング用ＴＦＴを介して電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力され、また、コンデンサーにもデジタルデータ信号が入力され保持され（【００７９】）、アドレス期間は電源供給線（Ｖ1〜Ｖn）の電位が、電流制御用ＴＦＴのゲート電極の電位に比べて低電位に保たれており、このため、電流制御用ＴＦＴはオフの状態となるが、しかし、整流用ＴＦＴには順方向に電圧がかかり、整流用ＴＦＴを介して、有機発光素子には逆バイアスがかかり、このとき、有機発光素子には電流が流れず（【００８１】）、
  アドレス期間（Ｔａ1）が終了するとサステイン期間（Ｔｓ1）が始まり、サステイン期間が始まると、交流電源から出力される電圧の極性が変わり（【００８２】）、サステイン期間に電流制御用ＴＦＴがオンの状態になり、有機発光素子にしきい値以上の電圧がかかると有機発光素子は発光し（【００８３】）、
  サステイン期間が終わり、交流電源から出力される電圧の極性が変わると、電源供給線の電位より電流制御用ＴＦＴのゲートの電位がしきい値以上低くなり、オフの状態になり、すると、整流用ＴＦＴがオンの状態になり、すべての画素の有機発光素子は逆バイアスがかかることで非発光の状態になる（【００８６】）、
　有機発光ディスプレイの駆動方法 。」
（引用例２）
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００８−２６７３４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【００２６】 
　図４は、例えば図１に示した画像表示装置の発光部に設けられる画素回路（１画素）の構成を示す図である。同図に示す画素回路は、マトリックス状に配列されており、各画素回路は、有機ＥＬ素子の一つである有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＴｄ、閾値電圧検出用トランジスタＴｓおよび閾値電圧（Ｖｔｈ）や画像信号電位を保持する容量Ｃｓを備えるように構成されている。
　【００２７】 
　図４において、駆動トランジスタＴｄは、ゲート電極・ソース電極間に与えられる電位差に応じて有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流量を制御するためのドライバ素子である。また、閾値電圧検出用トランジスタＴｓは、オン状態となったときに、駆動トランジスタＴｄのゲート電極とドレイン電極とを電気的に接続することにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電極からドレイン電極に向かって電流を流し、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈに近づけ、結果的に、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を閾値電圧Ｖｔｈに近づけるもしくは閾値電圧Ｖｔｈとする機能（以下、「Ｖｔｈ検出機能」という）を有している。」
「【００３０】 
　第１電源線１１および第２電源線１２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤや駆動トランジスタＴｄに電圧を供給するためのものであり、供給電圧は可変可能となっている。走査線１３は、閾値電圧検出用トランジスタＴｓを制御するための信号を供給する。画像信号線１４は、有機発光素子ＯＬＥＤの発光輝度に対応する画像信号を容量Ｃｓに供給する。 
【００３１】 
　つぎに、図４に示す画素回路の動作について、図５〜図１１を参照して説明する。ここで、図５は、図４に示した画素回路の動作を説明するためのシーケンス図であり、図１に示した駆動ＩＣ５の制御下で行われる。また、図６〜図１１は、図５において区分された６つの期間であるＣｓリセット期間（図６）、準備期間（図７）、Ｖｔｈ検出期間（図８）、書き込み期間（図９）、Ｃｏｌｅｄリセット期間（図１０）および発光期間（図１１）の各区間の動作を説明するための図である。なお、図６〜図１１において、有機発光素子ＯＬＥＤに並列に接続されるＣｏｌｅｄは、有機発光素子ＯＬＥＤが固有に有している素子容量である。
【００３２】
　（Ｃｓリセット期間）
　Ｃｓリセット期間の動作については、図５および図６を参照して説明する。Ｃｓリセット期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２が高電位（ＶＤＤ）、走査線１３が高電位（ＶｇＨ）、画像信号線１４がゼロ電位（ＧＮＤ）とされる。これにより、図５に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオン、駆動トランジスタＴｄがオフとされ、第１電源線１１→有機発光素子ＯＬＥＤ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→容量Ｃｓという経路で電流が流れ、容量Ｃｓが充電されることにより、容量Ｃｓの電荷がリセットされる。なお、このＣｓリセット期間で容量Ｃｓを充電する理由は、容量Ｃｓに書き込まれている１フレーム前の画像信号電位をリセットするためである。
【００３３】
　ここで、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）および駆動トランジスタＴｄのドレイン（Ｂ点）の各電位をＶａ，Ｖｂとするとき、このＣｓリセット期間開始直後およびＣｓリセット期間終了時におけるＶａ，Ｖｂは、つぎのように表すことができる。なお、有機発光素子ＯＬＥＤの両端の電圧をＶｏｌｅｄとする。
【００３４】 
　・Ｃｓリセット期間の開始直後
　Va=VDD+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
　Vb=VDD-Voled
　…（１）
　・Ｃｓリセット期間の終了時
　Va=Vb=VDD
　…（２）
【００３５】
　なお、実際のトランジスタには、一般的にゲート・ソース間およびゲート・ドレイン間に寄生容量が存在し、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）、ドレイン（Ｂ点）の各電位は、これらの寄生容量の影響を若干受ける。しかしながら、本発明にかかる画像表示装置の駆動方法を説明する上で、これらの寄生容量の影響は無視することができる。そこで、上記式およびこれ以降に示す式においては、トランジスタに存在する寄生容量を含まない式を提示する。
【００３６】
　（準備期間）
　準備期間の動作については、図５および図７を参照して説明する。準備期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）、画像信号線１４が高電位（ＶｇＨ）とされる。これにより、図７に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオフ、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積される。なお、この準備期間で素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷を蓄積する理由は、後述するＶｔｈ検出期間に駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧を閾値電圧に近づける際に、素子容量Ｃｏｌｅｄを駆動トランジスタＴｄのドレイン・ソース間に流す電流の供給源として作用させるためである。
【００３７】
　なお、Ｃｓリセット期間と同様に、この準備期間における開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂを示すと、以下のように表すことができる。
【００３８】
　・準備期間の開始直後
　Va=VDD+VdH
　Vb=-VE
　…（３）
　・準備期間の終了時
　Va=VDD+VdH
　Vb=GND
　…（４）
【００３９】
　（Ｖｔｈ検出期間）
　つぎに、Ｖｔｈ検出期間の動作について図５および図８を参照して説明する。Ｖｔｈ検出期間では、第１電源線１１がゼロ電位（ＧＮＤ）、走査線１３が高電位（ＶｇＨ）とされる。一方で、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）に維持される。これにより、図８に示すように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンとなり、駆動トランジスタＴｄのゲートとドレインとが接続される。
【００４０】 
 また、容量Ｃｓおよび素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が放電され、容量Ｃｓ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２および素子容量Ｃｏｌｅｄ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れる。そして、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達すると、駆動トランジスタＴｄがオフとされるため、結果的に、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが検出される。
 【００４１】
 また、Ｖｔｈ検出期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
 【００４２】
 ・Ｖｔｈ検出期間の開始直後
 Va=VDD+VdH
 Vb=GND
 …（５）
 ・Ｖｔｈ検出期間の終了時
 Va=Vb=Vth
 …（６）
 【００４３】
 （書き込み期間）
 さらに、書き込み期間の動作について図５および図９を参照して説明する。書き込み期間では、画像信号電位（−Ｖｄａｔａ）を容量Ｃｓに反映させることにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電位を所望電位に変化させることが行われる。より詳細には、第１電源線１１がゼロ電位（ＧＮＤ）に、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）にそれぞれ維持される。また、画像信号線１４は、Ｖｔｈ検出期間時の印加電位（ＶｄＨ）から画像信号電位（Ｖｄａｔａ）を差し引いた分の電位（ＶｄＨ−Ｖｄａｔａ）とされ、走査線１３は、書き込み期間内の所定期間において、高電位（ＶｇＨ）とされる。
 【００４４】
 これにより、図９に示したように、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオン、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積された電荷が放電され、素子容量Ｃｏｌｅｄ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→容量Ｃｓという経路で電流が流れる。すなわち、素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が容量Ｃｓに移動する。この結果、容量Ｃｓには、画像信号電位（Ｖｄａｔａ）に基づいて決定される所定の電荷が蓄積される。
 【００４５】
 また、書き込み期間の開始直後および終了時におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
 【００４６】
 ・書き込み期間の開始直後
 Va=Vth-Vdata
 Vb=Vth
 …（７）
 ・書き込み期間の終了時
 Va=Vb=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata
 …（８）
【００４７】
　なお、書き込み期間では、容量Ｃｓと素子容量Ｃｏｌｅｄとが直列に接続されるので、容量Ｃｓの一端（駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される端）の電位（すなわちＡ点）の低下量は、画像信号線１４の電位低下量Ｖｄａｔａとはならず、上式のように容量Ｃｓと素子容量Ｃｏｌｅｄとの容量比の影響を受ける。」
「【００５２】
　（発光期間）
　最後に、発光期間の動作について図５および図１１を参照して説明する。発光期間では、第１電源線１１が高電位（ＶＤＤ）、第２電源線１２がゼロ高電位（ＧＮＤ）とされる。一方、走査線１３が低電位（ＶｇＬ）に、画像信号線１４が高電位（ＶｄＨ）に維持される。これにより、図１１に示したように、駆動トランジスタＴｄがオン、閾値電圧検出用トランジスタＴｓのオフが継続されるとともに、有機発光素子ＯＬＥＤに順バイアスの電圧が印加されるので、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、有機発光素子ＯＬＥＤが発光する。
【００５３】
　また、発光期間におけるＶａ，Ｖｂは、以下のとおりである。
　・発光期間の開始直後および終了時 
　Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata 
　Vb=VDD-Voled 
　…（１１）」 
　上記記載から、引用例２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる（括弧内に、認定に用いた引用箇所を記載した。）。
「画像表示装置の発光部に設けられる画素回路は、マトリックス状に配列されており、各画素回路は、有機ＥＬ素子の一つである有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＴｄ、閾値電圧検出用トランジスタＴｓおよび閾値電圧（Ｖｔｈ）や画像信号電位を保持する容量Ｃｓを備えるように構成され（【００２６】）、
　駆動トランジスタＴｄは、ゲート電極・ソース電極間に与えられる電位差に応じて有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流量を制御するためのドライバ素子であり、また、閾値電圧検出用トランジスタＴｓは、オン状態となったときに、駆動トランジスタＴｄのゲート電極とドレイン電極とを電気的に接続することにより、駆動トランジスタＴｄのゲート電極からドレイン電極に向かって電流を流し、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈに近づけ、結果的に、駆動トランジスタＴｄのゲート電極・ソース電極間の電位差を閾値電圧Ｖｔｈに近づけるもしくは閾値電圧Ｖｔｈとする機能（以下、「Ｖｔｈ検出機能」という）を有し（【００２７】）、 
　第１電源線１１および第２電源線１２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤや駆動トランジスタＴｄに電圧を供給するためのものであり、画像信号線１４は、有機発光素子ＯＬＥＤの発光輝度に対応する画像信号を容量Ｃｓに供給し（【００３０】）、
　画素回路の動作は、Ｃｓリセット期間、準備期間、Ｖｔｈ検出期間、書き込み期間、および発光期間の各区間の動作を含み、有機発光素子ＯＬＥＤに並列に接続されるＣｏｌｅｄは、有機発光素子ＯＬＥＤが固有に有している素子容量であり（【００３１】）、
　（Ｃｓリセット期間） 
　Ｃｓリセット期間では、容量Ｃｓが充電されることにより、容量Ｃｓの電荷がリセットされ（【００３２】）、ここで、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）の電位をＶａとするとき、Ｃｓリセット期間終了時におけるＶａは（【００３３】）、
　Va=VDD （【００３４】）であり、 
 
　（準備期間） 
　準備期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積され（【００３６】）、
　（Ｖｔｈ検出期間） 
　Ｖｔｈ検出期間では、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンとなり、駆動トランジスタＴｄのゲートとドレインとが接続され（【００３９】）、また、容量Ｃｓおよび素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が放電され、容量Ｃｓ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２および素子容量Ｃｏｌｅｄ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、そして、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達すると、駆動トランジスタＴｄがオフとされるため、結果的に、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが検出され（【００４０】）、Ｖｔｈ検出期間の終了時におけるＶａは（【００４１】）、
　Va=Vth （【００４２】）であり、
　（書き込み期間） 
　書き込み期間では、画像信号電位（−Ｖｄａｔａ）を容量Ｃｓに反映させることにより（【００４３】）、容量Ｃｓには、画像信号電位（Ｖｄａｔａ）に基づいて決定される所定の電荷が蓄積され（【００４４】）、書き込み期間の終了時におけるＶａは（【００４５】）、
　Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata （【００４６】）であり、 
　（発光期間） 
　発光期間では、駆動トランジスタＴｄがオンされるとともに、有機発光素子ＯＬＥＤに順バイアスの電圧が印加されるので、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、有機発光素子ＯＬＥＤが発光し（【００５２】）、発光期間におけるＶａは、
　Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata（【００５３】）である、
　画像表示装置の発光部に設けられる画素回路の動作。」
イ　対比
　本願発明１と、引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１における「有機発光素子１０５」が、本願発明１における「発光ダイオード」に相当する。
（イ）引用発明１における「電流制御用ＴＦＴ１０２」は、「電流制御用ＴＦＴがオンの状態になったときに有機発光素子が発光」するから本願発明１における「発光ダイオードを駆動する第１駆動トランジスタ」に相当する。
（ウ）引用発明１において「電流制御用ＴＦＴ１０２は、ソースとドレインとが、一方は電源供給線（Ｖi）に、他方は有機発光素子１０５の画素電極にそれぞれ接続され」ているから、引用発明１における、「電源供給線（Ｖi）」から「電流制御用ＴＦＴ１０２」の「ソースとドレイン」を介して「有機発光素子１０５の画素電極」に至る経路が、本願発明１における「発光ダイオードに接続される第１の導電経路」に相当する。
（エ）引用発明１において「スイッチング用ＴＦＴのソースとドレインとは」、「他方が電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電極及び各画素が有するコンデンサー１０３の一方の電極にそれぞれ接続され」ているから、「コンデンサー１０３の一方の電極」が「電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電極」に接続されていることがわかる。
　よって、引用発明１における「コンデンサー１０３」が、本願発明１における「第１駆動トランジスタに接続される容量素子」に相当する。
（オ）引用発明１において「整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレインとは、一方が電源供給線（Ｖi）に、他方が有機発光素子１０６の画素電極にそれぞれ接続され、整流用ＴＦＴ１０４のゲート電極は電源供給線（Ｖi）に接続され、整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている」から、引用発明１における、「電源供給線（Ｖi）」から「整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレイン」（整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている）を介して「有機発光素子１０６の画素電極」に至る経路が、本願発明１における「発光ダイオードに接続され、前記第１の導電経路とは異なる第２の導電経路」に相当する。
（カ）引用発明１において、「各画素１００」を有する「有機発光ディスプレイ」が、本願発明１における「複数の画素回路を有する画像表示装置」に相当する。
（キ）引用発明１における「アドレス期間」では、「デジタルデータ信号」（画像データ信号）は、「スイッチング用ＴＦＴを介して電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力され、また、コンデンサーにもデジタルデータ信号が入力され保持され」工程が、本願発明１における「前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの前記閾値電圧よりも高い第２電圧に設定する第２設定工程と、」に相当する。
（ク）引用発明１では「電流制御用ＴＦＴがオンの状態になったときに有機発光素子が発光」するものであるから、「コンデンサー１０３」が「保持」する「電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電圧」すなわち、「画像データ信号（以降、デジタルデータ信号と称する）」は、「電流制御用ＴＦＴ１０２」の閾値電圧よりも高い電圧であることは明らかである。
　よって、引用発明１における「アドレス期間」は、上述のとおり、「電流制御用ＴＦＴ１０２」の閾値電圧よりも高い電圧の「デジタルデータ信号」（画像データ信号）が「スイッチング用ＴＦＴを介して電流制御用ＴＦＴのゲート電極に入力され、また、コンデンサーにもデジタルデータ信号が入力され保持され」ているから、本願発明１における「前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの前記閾値電圧よりも高い第２電圧に設定する第２設定工程」に相当する。
（ケ）引用発明１における「コンデンサー１０３は、スイッチング用ＴＦＴ１０２が非選択状態にあるとき、電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電圧を保持するために設けられ」ているから、「アドレス期間（Ｔａ1）が終了」し「サステイン期間（Ｔｓ1）が始ま」っても、「サステイン期間」における「電流制御用ＴＦＴ１０２のゲート電圧」は、「電流制御用ＴＦＴ１０２」の閾値電圧よりも高い電圧の「デジタルデータ信号」（画像データ信号）に保持されていることは明らかである。
　そして、 引用発明１における「サステイン期間」では、「交流電源から出力される電圧の極性が変わり、サステイン期間に電流制御用ＴＦＴがオンの状態になり、有機発光素子にしきい値以上の電圧がかかると有機発光素子は発光」しており、また、そのとき「電源供給線（Ｖi）」から、「オンの状態」の「電流制御用ＴＦＴ１０２」の「ソースとドレイン」を介して「有機発光素子１０５の画素電極」に至る経路へ通電されていることは明らかであるから、引用発明１における「サステイン期間」が、本願発明１における「前記第２電圧に基づいて前記第１駆動トランジスタを駆動することにより、前記発光ダイオードおよび前記第１の導電経路へ通電を行い、前記発光ダイオードを発光させる発光工程」に相当する。
（コ）引用発明１において、「電流制御用ＴＦＴ１０２は、ソースとドレインとが、一方は電源供給線（Ｖi）に」「接続され」、「整流用ＴＦＴ１０４のゲート電極は電源供給線（Ｖi）に接続され」ていることは、「電源供給線（Ｖi）」から「電流制御用ＴＦＴ１０２」の「ソースとドレイン」を介して「有機発光素子１０５の画素電極」に至る経路と、「電源供給線（Ｖi）」から「整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレイン」（整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている）を介して「有機発光素子１０６の画素電極」に至る経路とが、共通の「電源供給線（Ｖi）」と接続されていることを意味するから、本願発明１における「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路は、共通の電源線（Ｌｖｓ）と接続され」ることに相当する。
（サ）引用発明１の「電源供給線（Ｖi）」から「整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレイン」（整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている）を介して「有機発光素子１０６の画素電極」に至る経路が「整流用ＴＦＴ１０４」を含み、該「整流用ＴＦＴ１０４は、ｐチャネル型であり、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されているため、有機発光素子の側から電源供給線の側へのみ電流が流れやすい特性であ」ること（接続関係に言い換えれば、「有機発光素子の側から電源供給線の側へ」電流を流すときには、整流用ＴＦＴ１０４のゲート電極がドレインと接続され、電源供給線の側から有機発光素子の側へ電流を流すときには、整流用ＴＦＴ１０４のゲート電極がソースと接続されること）が、本願発明１の「前記第２の導電経路は、第２駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに対して順方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極と電気的に接続されており、前記発光ダイオードに対して逆方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されて」いることに相当する。
（シ）引用発明１の「アドレス期間」において、「電源供給線（Ｖi）」から「電流制御用ＴＦＴ１０２」の「ソースとドレイン」を介して「有機発光素子１０５の画素電極」に至る経路については、「電流制御用ＴＦＴはオフの状態とな」り、「電源供給線（Ｖi）」から「整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレイン」（整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている）を介して「有機発光素子１０６の画素電極」に至る経路については、「整流用ＴＦＴには順方向に電圧がかかり、整流用ＴＦＴを介して、有機発光素子には逆バイアスがかか」ることと、本願発明１における「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程」とは、「前記第２の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加する工程」の点で共通する。
（ス）引用発明１において「アドレス期間（Ｔａ1）が終了するとサステイン期間（Ｔｓ1）が始まり」、「有機発光素子は発光」することと、本願発明１における「前記電荷蓄積工程は、前記発光工程よりも前に実行される」こととは、「前記逆バイアスを印加する工程は、前記発光工程よりも前に実行される」点で共通する。
　以上のことから、本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
「発光ダイオードと、前記発光ダイオードを駆動する第１駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに接続される第１の導電経路と、前記第１駆動トランジスタに接続される容量素子と、前記発光ダイオードに接続され、前記第１の導電経路とは異なる第２の導電経路と、を備えた複数の画素回路を有する画像表示装置の駆動方法において、
　前記第２の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加する工程と、
　前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの前記閾値電圧よりも高い第２電圧に設定する第２設定工程と、
　前記第２電圧に基づいて前記第１駆動トランジスタを駆動することにより、前記発光ダイオードおよび前記第１の導電経路へ通電を行い、前記発光ダイオードを発光させる発光工程と、
を備え、
　前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路は、共通の電源線（Ｌｖｓ）と接続され、
　前記第２の導電経路は、第２駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに対して順方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極と電気的に接続されており、前記発光ダイオードに対して逆方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されており、
　前記逆バイアスを印加する工程は、前記発光工程よりも前に実行される、
画像表示装置の駆動方法。」
（相違点１）
　本願発明１では、「前記容量素子の両端に前記第１駆動トランジスタの閾値電圧より高い第１電圧を印加する電圧印加工程」を備えているのに対し、引用発明１では、そのような工程を備えていない点。
（相違点２）
　本願発明１では、「前記発光ダイオードと前記容量素子とを電気的に接続し、前記発光素子および前記容量素子に蓄積された電荷を放電することにより、前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの閾値電圧に設定する第１設定工程」を備えているのに対し、引用発明１では、そのような工程を備えていない点。
（相違点３）
　本願発明１では、発光ダイオードに逆バイアスを印加する工程が、「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程」であるのに対し、
　引用発明１では、「電源供給線（Ｖi）」から「整流用ＴＦＴ１０４のソースとドレイン」（整流用ＴＦＴ１０４は、そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている）を介して「有機発光素子１０６の画素電極」に至る経路（本願発明１における「第２の導電経路」に相当する。）については、「整流用ＴＦＴには順方向に電圧がかかり、整流用ＴＦＴを介して、有機発光素子には逆バイアスがかか」っているものの、このとき「アドレス期間」において、「電源供給線（Ｖi）」から「電流制御用ＴＦＴ１０２」の「ソースとドレイン」を介して「有機発光素子１０５の画素電極」に至る経路（本願発明１における「第１の導電経路」に相当する。）については、「電流制御用ＴＦＴはオフの状態とな」り、該経路は、有機発光素子に逆バイアスをかけるのに寄与しておらず、また、「有機発光素子には逆バイアスがかか」ることが、前記有機発光素子に電荷を供給、蓄積する電荷蓄積工程であるか、明らかでない点。
ウ　判断
　上記相違点について検討するにあたり、まず、（相違点３）について検討する。
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された引用例２（特開２００８−２６７３４号公報）には、上記「ア　刊行物の記載事項」「（引用例２）」に記載したとおりの発明（引用発明２）が記載されている。
（イ）引用発明１は、「アドレス期間」において「有機発光素子に逆バイアスをかける」際、「電源供給線（Ｖi）」から「電流制御用ＴＦＴ１０２」の「ソースとドレイン」を介して「有機発光素子１０５の画素電極」に至る経路（本願発明１における「第１の導電経路」に相当する。）の「電流制御用ＴＦＴ１０２」が、回路の構成上、「オフの状態とな」り、電流制御用ＴＦＴを介してでは有機発光素子には十分な逆バイアスがかからないため、「整流用ＴＦＴ」を「ソースとドレインとが、一方は電源供給線（Ｖi）に、他方は有機発光素子１０５の画素電極にそれぞれ接続され」、「そのゲート電極とソースまたはドレインの一方が接続されている」ように設け（本願発明１における「第２の導電経路」に相当する。）、「電流制御用ＴＦＴはオフの状態とな」っても、整流用ＴＦＴには順方向に電圧がかかり、整流用ＴＦＴを介して、有機発光素子には逆バイアスがかか」るようにした発明である。
　これに対し、引用発明２は、「第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、駆動トランジスタＴｄがオンとされ」、「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（本願発明１における「第１の電流経路」）を導通させて有機発光素子ＯＬＥＤに逆バイアスを印加する発明である。
　よって、引用発明１に、引用発明２における構成を採用し、引用発明１の「アドレス期間」において「有機発光素子に逆バイアスをかける」際、引用発明１における「電流制御用ＴＦＴ」が「オン」するようにしたのでは、引用発明１の解決課題自体が失われる結果となり、引用発明１が「電流制御用ＴＦＴはオフの状態となるが、しかし、整流用ＴＦＴには順方向に電圧がかかり、整流用ＴＦＴを介して、有機発光素子には逆バイアスがかか」るようにしたことの技術的意義が無意味なものとなる。
（ウ）さらに、引用発明２の「（準備期間）」において「駆動トランジスタＴｄ」を「オン」とする理由は、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈを検出する準備を行うためであるから、引用発明１に引用発明２を適用し、引用発明１において「電流制御用ＴＦＴ１０２」の閾値電圧Ｖｔｈの検出の準備のための「（準備期間）」を新たに設け、「電流制御用ＴＦＴ」を「オン」の状態とする構成を採用したとしても、当該「（準備期間）」は、引用発明１の「アドレス期間」（引用発明２おける「（書き込み期間）」に相当する。）より以前に実行すべき期間であるから、引用発明１の「アドレス期間」内に、引用発明２の（準備期間）に倣って「電流制御用ＴＦＴ」をオンとすべき技術的理由はないものといえる。
（エ）よって、引用発明１において、（相違点３）に係る本願発明１の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことではない。
エ　まとめ
　本願発明１は、上記「（２）」「イ　対比」の（相違点１）及び（相違点２）について判断するまでもなく、引用発明１及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３）小括
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することができない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
　請求項１（補正２による）に対する当審拒絶理由の概要は、次のとおりである（なお、当審拒絶理由の対象とされた請求項２（補正２による）は、本件補正により削除された。また、当審における拒絶理由通知で引用した「引用例１」、「引用例２」を、以下、混乱の生じないよう、それぞれ「引用例Ａ」、「引用例Ｂ」と言い換える。）。
「理由２ 
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例Ａ：特開２００８−２６７３４号公報 
　引用例Ｂ：特開２００７−１７９０２１号公報
・請求項１に係る発明について
　トランジスタに流れる電流が少ないほどトランジスタの劣化が少ないことは、いうまでもないことであるから、引用例Ａに記載された発明において、引用例Ｂに記載された発明のように、「交流用トランジスタ１０３」を、その交流用トランジスタ１０３のソース電極もしくはドレイン電極を、一方が電源線Ｖ（引用例Ａに記載された発明における「第２電源線１２」）に、もう一方が発光素子１０４（引用例Ａに記載された発明における「有機発光素子ＯＬＥＤ」）の画素電極に接続し、引用例Ａに記載された発明の「準備期間」において、「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（つまり本願発明１でいう「第１の導電経路」）だけでなく、「第２電源線１２→交流用トランジスタ１０３→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（つまり、本願発明１でいう「第２の導電経路」）でも同時に電流が流れるようにし、本願発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。」
２　当審拒絶理由の判断
（１）刊行物の記載事項
（引用例Ａ）
　引用例Ａの記載事項及び引用例Ａに記載された発明（以下、「引用発明Ａ」という。）は、引用例２について、前記「第３」「２」「（２）」「ア」「（引用例２）」に記載したとおりである。
（引用例Ｂ） 
　本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００７−１７９０２１号公報（以下、「引用例Ｂ」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００３】 
　また、画素を発光ダイオード（ＬＥＤ）などの発光素子で形成した、いわゆる自発光型の表示装置が注目を浴びている。このような自発光型の表示装置に用いられる発光素子としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子などとも言う）が注目を集めており、有機ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。発光素子は自発光型であるため、液晶表示装置と違いバックライト等の光源を必要としない。このため表示装置の軽量化や薄型化を実現する手段として有望視され、近年液晶テレビに追随して大画面ＥＬディスプレイの開発も行われている。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　また画素電極と対向電極が短絡してしまい、画素領域に発光しない領域が形成されてしまう初期不良がある。短絡は、発光素子の形成前に異物（ゴミ）が付着することによって起こる場合と、陽極の形成時に、該陽極に微細な突起が生じてしまったために電界発光層にピンホールが生じて起こる場合と、電界発光層の膜厚が薄いために電界発光層が均一に成膜されずにピンホールが生じて起きる場合などがある。このような初期不良が発生した画素では、信号に応じた点灯及び非点灯が行われず、電流のほとんどすべてが短絡部を流れて素子全体が消光する現象が生じたり、特定の画素が点灯又は非点灯しない現象が生じたりして、画像の表示が良好に行われない。
【０００８】
　また上述の初期不良とは別に、時間の経過に伴って、新たに発生した陽極と陰極の短絡
に起因する進行性不良（経時劣化ともいう）が生じることがある。時間の経過に伴って新たに発生した陽極と陰極の短絡は、陽極の形成時に生じた微細な突起により発生する。つまり、一対の電極間に電界発光層が挟まれた積層体には、潜在的な短絡箇所が存在しており、時間の経過に伴って短絡箇所が露顕する。また進行性不良は、陽極と陰極の短絡の他に、電界発光層と陰極の間の微少な空隙が、時間と共に広がることで、電界発光層と陰極の間の接触不良を引き起こすことにより生じるとも言われている。
【０００９】
　逆方向の駆動電圧を印加することで、初期不良については、短絡箇所を炭化または酸化することで絶縁化し、更に進行するのを抑えることができる。進行性不良についても、短絡箇所を炭化または酸化することで絶縁化させたり、電界発光層と陰極の間の空隙の広がりを抑制させたりすることで、その発生及び進行を抑えることが可能である。
【００１０】
　不良の進行を抑えるためには、発光素子を交流で駆動する必要がある。発光素子を交流で駆動するとは、発光素子に極性の異なる電圧を交互に加えることをいう。すなわち、発光に必要な順方向の電圧の他に、逆方向の電圧を加えることをいう。順方向の電圧と逆方向の電圧とは、強さや印加時間が必ずしも等しくなくてもよい。ごくわずかな逆方向の電圧しか印加しない場合であっても、交流と称することにする。本発明は発光素子に逆方向の電圧を印加し、逆方向バイアスの電流を流すことで交流駆動を行い、発光素子の不良を抑制する。
【００１１】
　なお、短絡箇所を絶縁化するためには、短絡箇所を絶縁化するのに十分な大電流を流す必要がある。通常短絡箇所に絶縁化するのに十分な電流の値は、発光素子を発光させるために順方向に流れる電流値よりもはるかに大きいことが望ましいとされる。」
「【発明の効果】
【００３２】
　上記構成によって、発光素子に順方向の電圧を印加する際には、発光素子に一定の電流を流すことが可能であるとともに、発光素子に逆方向の電圧を印加する際には、短絡箇所を絶縁化するのに十分な電流を短絡箇所に流すことができ、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。つまり、発光素子に逆方向の電圧を印加することで、該発光素子の初期不良や進行性不良を抑制し、電界発光層の劣化による輝度の低下を防ぐことができる。」
「【００５２】 
　なお、本明細書中では、発光素子（ＥＬ素子）は、電界が生じると発光する電界発光層（ＥＬ層）を、陽極及び陰極で挟んだ構造を有する素子を示すものとして説明するが、これに限定されない。」
  
「【００８９】
　表示装置は、ディスプレイと、ディスプレイに信号を入力する周辺回路によって構成されている。 
【００９０】
　ディスプレイの構成について、図５にブロック図を示す。図５において、ディスプレイ３００は、信号線駆動回路３０１と、走査線駆動回路３０２と、画素部３０３とによって構成されている。画素部３０３は、マトリクス状に画素が配置された構成となっている。」
「【０２７２】
（実施の形態８）
（回路構成７）
　本実施の形態においては、実施の形態１で述べた図１の回路構成とは別の構成について述べる。
【０２７３】
　図２６に示す画素を構成する回路は、発光素子１０４と、映像信号の画素への入力を制御するためのスイッチング素子として用いるトランジスタ（スイッチング用トランジスタ１０１）と、発光素子１０４に流れる電流値を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタ１０２）と、発光素子１０４に逆方向の電圧を印加する際、発光素子１０４に逆方向のバイアス電流を流すトランジスタ（交流用トランジスタ１０３）とを有している。スイッチング用トランジスタ１０１、駆動用トランジスタ１０２及び交流用トランジスタ１０３は同じ極性を有し、本発明の特徴として、それらのトランジスタにＮ型のトランジスタを用いるものとする。さらに本実施の形態には容量素子を設けていないが、映像信号の電位を保持するための容量素子として設けても良い。
【０２７４】 
　図２６に示すように、スイッチング用トランジスタ１０１のゲート電極は、走査線Ｇに接続されている。また、スイッチング用トランジスタ１０１のソース電極もしくはドレイン電極は、一方が信号線Ｓに、もう一方が駆動用トランジスタ１０２のゲート電極に接続されている。そして、駆動用トランジスタ１０２のソース電極もしくはドレイン電極は、一方が電源線Ｖに、もう一方が発光素子１０４の画素電極に接続されている。
 【０２７５】 
 また、本実施の形態では、交流用トランジスタ１０３のソース電極もしくはドレイン電極は、一方が電源線Ｖに、もう一方が発光素子１０４の画素電極に接続される。また、交流用トランジスタ１０３のゲート電極は、発光素子１０４の画素電極と接続される交流用トランジスタ１０３のソース電極もしくはドレイン電極と接続される。 
【０２７６】
　また、スイッチング用トランジスタ１０１が非選択状態（オフの状態）にある時、駆動用トランジスタ１０２のゲート容量によって駆動用トランジスタ１０２のゲート電位が保持される。なお、図２６では容量素子を設けず、駆動用トランジスタのゲート容量によってゲート電位を保持させる構成を示したが、本発明はこの構成に限定されず、容量素子を設けた構成にしても良い。」
「【０２８５】
　次に、図２６の回路構成における動作について、図２７を用いて説明する。
【０２８６】
　まず図２７（Ａ）の書き込み期間において、走査線Ｇが選択されると、走査線Ｇにゲート電極が接続されているスイッチング用トランジスタ１０１がオンの状態になる。そして、信号線Ｓに入力された映像信号の電位Ｖｓｉｇが、スイッチング用トランジスタ１０１を介して駆動用トランジスタ１０２のゲート電極に入力され、駆動用トランジスタ１０２のゲート容量によってゲート電位が保持される。」
「【０２９０】
　次に図２７（Ｂ）の表示期間では、走査線Ｇの電位を制御することでスイッチング用トランジスタ１０１をオフの状態する。そして、書き込み期間において書き込まれた映像信号の電位Ｖｓｉｇを駆動用トランジスタ１０２のゲート容量によって保持しているため、駆動用トランジスタ１０２はオンの状態となる。
【０２９１】 
　また、電源線Ｖの電位Ｖｄｄ１は発光素子１０４の対向電極の電位Ｖｓｓよりも高い（つまり、Ｖｄｄ１＞Ｖｓｓを満たす）電位に設定されるため、発光素子１０４へ順方向のバイアス電流が流れ、発光素子１０４は発光する。
【０２９２】 
　一方、電源線Ｖの電位Ｖｄｄ１は発光素子１０４の対向電極の電位Ｖｓｓよりも高く設定されるため、電源線Ｖと接続される交流用トランジスタ１０３の電極はドレイン電極となり、発光素子１０４の画素電極と接続される電極はソース電極となる。さらに、該ソース電極と交流用トランジスタ１０３のゲート電極とが接続されるため、交流用トランジスタ１０３はオフの状態となる。
【０２９３】
　なお、書き込み期間において、映像信号の電位Ｖｓｉｇにより駆動用トランジスタ１０２がオンになる場合について説明したが、映像信号の電位Ｖｓｉｇにより駆動用トランジスタ１０２がオフの状態になる場合、発光素子１０４への順方向のバイアス電流の供給は行なわれないため、表示期間においても、発光素子１０４への順方向のバイアス電流の供給は行われない。
【０２９４】
　次いで、図２７（Ｃ）の逆方向バイアス期間（非点灯期間）において、走査線Ｇの電位を制御することでスイッチング用トランジスタ１０１をオフの状態する。
【０２９５】
　また、電源線Ｖの電位Ｖｓｓ１’を発光素子１０４の対向電極の電位Ｖｓｓよりも低い（つまり、Ｖｓｓ＞Ｖｓｓ１’を満たす）電位に設定する。それにより、電源線Ｖと接続される交流用トランジスタ１０３の電極はソース電極となり、発光素子１０４の画素電極と接続される電極はドレイン電極となる。さらに、該ドレイン電極と交流用トランジスタ１０３のゲート電極とが接続されるため、交流用トランジスタ１０３はオンの状態となる。これにより、発光素子１０４に逆方向の電圧が印加され、発光素子１０４、及び交流用トランジスタ１０３において、逆方向のバイアス電流が流れる。
【０２９６】
　なお、書き込み期間及び表示期間において、映像信号の電位Ｖｓｉｇにより駆動用トランジスタ１０２がオンの状態となる場合、逆バイアス期間においても、映像信号の電位Ｖｓｉｇをゲート容量が保持しているため、駆動用トランジスタはオンの状態となる。それにより、駆動用トランジスタ１０２に逆方向のバイアス電流が流れる。しかし、前述したように駆動用トランジスタ１０２のＬ／Ｗを、交流用トランジスタ１０３のＬ／Ｗよりも大きくすることで、交流用トランジスタ１０３に流れる電流値に比べて、駆動用トランジスタ１０２に流れる電流値は小さくなる。勿論、書き込み期間及び表示期間において、駆動用トランジスタ１０２がオフの状態となる場合は、駆動用トランジスタ１０２に電流は供給されない。」
「【０３００】
　以上により、本発明の構成では、逆方向の電圧を印加する際に、短絡箇所を絶縁化するのに十分な電流を流すことができ、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。また、回路構成において単極性のトランジスタで構成することができるため安価に製造することが可能となる。」
　上記記載から、引用例Ｂには、次の発明（以下、「引用発明Ｂ」という。）が記載されているものと認められる（括弧内に、認定に用いた引用箇所を記載した。）。
「画素を構成する回路構成における動作（【０２７３】、【０２８５】）であって、
画素を構成する回路は、発光素子１０４と、映像信号の画素への入力を制御するためのスイッチング素子として用いるトランジスタ（スイッチング用トランジスタ１０１）と、発光素子１０４に流れる電流値を制御するトランジスタ（駆動用トランジスタ１０２）と、発光素子１０４に逆方向の電圧を印加する際、発光素子１０４に逆方向のバイアス電流を流すトランジスタ（交流用トランジスタ１０３）とを有し（【０２７３】）、
　交流用トランジスタ１０３のソース電極もしくはドレイン電極は、一方が電源線Ｖに、もう一方が発光素子１０４の画素電極に接続され（【０２７５】）、
　回路構成における動作について（【０２８５】）は、書き込み期間（【０２８６】）の次の表示期間（【０２９０】）では、発光素子１０４へ順方向のバイアス電流が流れ、発光素子１０４は発光し、（【０２９１】）、
　次いで、発光素子に逆方向の電圧を印加し、逆方向バイアスの電流を流すことで交流駆動を行い、発光素子の不良を抑制する（【００１０】）ため、逆方向バイアス期間（非点灯期間）において、電源線Ｖの電位Ｖｓｓ１’を発光素子１０４の対向電極の電位Ｖｓｓよりも低い（つまり、Ｖｓｓ＞Ｖｓｓ１’を満たす）電位に設定し、それにより、電源線Ｖと接続される交流用トランジスタ１０３の電極はソース電極となり、発光素子１０４の画素電極と接続される電極はドレイン電極となり、さらに、該ドレイン電極と交流用トランジスタ１０３のゲート電極とが接続されるため、交流用トランジスタ１０３はオンの状態となり、これにより、発光素子１０４に逆方向の電圧が印加され、発光素子１０４、及び交流用トランジスタ１０３において、逆方向のバイアス電流が流れ（【０２９５】）、
　書き込み期間及び表示期間において、映像信号の電位Ｖｓｉｇにより駆動用トランジスタ１０２がオンの状態となる場合、逆バイアス期間においても、映像信号の電位Ｖｓｉｇをゲート容量が保持しているため、駆動用トランジスタはオンの状態となり、それにより、駆動用トランジスタ１０２に逆方向のバイアス電流が流れる（【０２９６】）、
　画素を構成する回路構成における動作（【０２７３】、【０２８５】）。」
（２）対比 
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と、引用発明Ａとを対比する。
（ア）引用発明Ａにおける「画像表示装置の発光部に設けられる画素回路の動作」において、「マトリックス状に配列され」た「画素回路」が、本願発明１における「複数の画素回路」に相当する。
（イ）引用発明Ａにおける「有機ＥＬ素子の一つである有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＴｄ」が、それぞれ本願発明１における「発光ダイオードと、前記発光ダイオードを駆動する第１駆動トランジスタ」に相当する。
（ウ）引用発明Ａの「（準備期間）」における「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ」る電流経路が、本願発明１における「前記発光ダイオードに接続される第１の導電経路」に相当する。
（エ）引用発明Ａにおける「画像信号電位を保持する容量Ｃｓ」は、引用例Ａの図４に記載されているとおり、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）に接続されているから、本願発明１における「前記第１駆動トランジスタに接続される容量素子」に相当する。
（オ）引用発明Ａにおける「VDD」が、「駆動トランジスタＴｄ」の「閾値電圧Ｖｔｈ」より高いことは明らかであるから、引用発明Ａの「（Ｃｓリセット期間）」において「Ｃｓリセット期間では、容量Ｃｓが充電されることにより、容量Ｃｓの電荷がリセットされ、ここで、駆動トランジスタＴｄのゲート（Ａ点）の電位をＶａとするとき、Ｃｓリセット期間終了時におけるＶａは、Va=VDDであ」ることが、本願発明１における「前記容量素子の両端に前記第１駆動トランジスタの閾値電圧より高い第１電圧を印加する電圧印加工程」に相当する。
（カ）引用発明Ａにおける「（準備期間）」において、「準備期間では、第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、駆動トランジスタＴｄがオンとされ、第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ、素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積され」ることと、本願発明１における「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程」とは、「前記第１の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程」の点で共通する。
（キ）引用発明Ａにおける「（Ｖｔｈ検出期間）」において、「Ｖｔｈ検出期間では、閾値電圧検出用トランジスタＴｓがオンとなり、駆動トランジスタＴｄのゲートとドレインとが接続され、また、容量Ｃｓおよび素子容量Ｃｏｌｅｄに蓄積されていた電荷が放電され、容量Ｃｓ→閾値電圧検出用トランジスタＴｓ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２および素子容量Ｃｏｌｅｄ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、そして、駆動トランジスタＴｄのゲート・ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに達すると、駆動トランジスタＴｄがオフとされるため、結果的に、駆動トランジスタＴｄの閾値電圧Ｖｔｈが検出され、Ｖｔｈ検出期間の終了時におけるＶａは、Va=Vth （【００４２】）であ」ることが、本願発明１における「前記発光ダイオードと前記容量素子とを電気的に接続し、前記発光素子および前記容量素子に蓄積された電荷を放電することにより、前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの閾値電圧に設定する第１設定工程」に相当する。
（ク）引用発明Ａにおける「（書き込み期間）」において、「書き込み期間では、画像信号電位（−Ｖｄａｔａ）を容量Ｃｓに反映させることにより、容量Ｃｓには、画像信号電位（Ｖｄａｔａ）に基づいて決定される所定の電荷が蓄積され、書き込み期間の終了時におけるＶａは、Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdata であ」ることが、本願発明１における「前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの前記閾値電圧よりも高い第２電圧に設定する第２設定工程」に相当する。 
（ケ）引用発明Ａにおける「（発光期間）」において、「発光期間では、駆動トランジスタＴｄがオンされるとともに、有機発光素子ＯＬＥＤに順バイアスの電圧が印加されるので、有機発光素子ＯＬＥＤ→駆動トランジスタＴｄ→第２電源線１２という経路で電流が流れ、有機発光素子ＯＬＥＤが発光し、発光期間におけるＶａは、Va=Vth+Coled/(Coled+Cs)×Vdataである」ことが、本願発明１における「前記第２電圧に基づいて前記第１駆動トランジスタを駆動することにより、前記発光ダイオードおよび前記第１の導電経路へ通電を行い、前記発光ダイオードを発光させる発光工程」に相当する。
（コ）引用発明Ａの「（準備期間）」における「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路で電流が流れ」る電流経路が、「第２電源線１２」から始まることと、本願発明１における「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路は、共通の電源線（Ｌｖｓ）と接続され」ることとは、「前記第１の導電経路は電源線（Ｌｖｓ）と接続され」る点で共通する。
（サ）引用発明Ａの「（準備期間）」は、引用発明Ａにおける「（発光期間）」より前に実行される「（Ｖｔｈ検出期間）」の準備期間であるから、「（発光期間）」よりも前に実行されていることは明らかである。よって、引用発明Ａの「（準備期間）」が「（発光期間）」よりも前に実行されることが、本願発明１における「前記電荷蓄積工程は、前記発光工程よりも前に実行される」ことに相当する。
　以上のことから、本願発明１と引用発明Ａとの一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
「発光ダイオードと、前記発光ダイオードを駆動する第１駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに接続される第１の導電経路と、前記第１駆動トランジスタに接続される容量素子と、を備えた複数の画素回路を有する画像表示装置の駆動方法において、
　前記容量素子の両端に前記第１駆動トランジスタの閾値電圧より高い第１電圧を印加する電圧印加工程と、
　前記第１の導電経路を介して前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程と、
　前記発光ダイオードと前記容量素子とを電気的に接続し、前記発光素子および前記容量素子に蓄積された電荷を放電することにより、前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの閾値電圧に設定する第１設定工程と、
　前記容量素子の両端に印加される電圧を前記第１駆動トランジスタの前記閾値電圧よりも高い第２電圧に設定する第２設定工程と、
　前記第２電圧に基づいて前記第１駆動トランジスタを駆動することにより、前記発光ダイオードおよび前記第１の導電経路へ通電を行い、前記発光ダイオードを発光させる発光工程と、
　を備え、
　前記第１の導電経路は電源線（Ｌｖｓ）と接続されており、
　前記電荷蓄積工程は、前記発光工程よりも前に実行される、
画像表示装置の駆動方法。」
（相違点） 
　本願発明１では、「発光ダイオードに接続され、第１の導電経路とは異なる第２の導電経路」を備え、「前記発光工程よりも前に実行される」、「前記発光ダイオードに電荷を蓄積する電荷蓄積工程」において、「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路を介して」、前記発光ダイオードに逆バイアスを印加するように電荷を同時に供給し、「前記第１の導電経路及び前記第２の導電経路は、共通の電源線（Ｌｖｓ）と接続され」、「前記第２の導電経路は、第２駆動トランジスタを含み、前記発光ダイオードに対して順方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのソース電極と電気的に接続されており、前記発光ダイオードに対して逆方向に電流が流れる際に、該第２駆動トランジスタのゲート電極が該第２駆動トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されている」のに対し、
　引用発明Ａでは、「（発光期間）」よりも前に実行される「（準備期間）」において、「第１電源線１１がマイナス電位（−ＶＥ）、第２電源線１２がゼロ電位（ＧＮＤ）、駆動トランジスタＴｄがオンとされ」（本願発明１における「前記発光ダイオードに逆バイアスを印加」することに相当する。）、「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（本願発明１における「第１の電流経路」に相当する。以下同様。）で電流が流れ、「素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積され」ることは示されているものの、「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（第１の電流経路）とは異なる「第２の導電経路」を備えることも、「（発光期間）」よりも前に実行される「（準備期間）」において、「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（第１の導電経路）だけでなく「第２の導電経路」を介して電流が流れ、「素子容量Ｃｏｌｅｄに電荷が蓄積され」ることも、示されていない点。
（３）判断
　そこで、上記相違点について検討すると、引用発明Ｂには、「交流用トランジスタ１０３のソース電極もしくはドレイン電極は、一方が電源線Ｖに、もう一方が発光素子１０４の画素電極に接続され」、「発光素子１０４、及び交流用トランジスタ１０３において、逆方向のバイアス電流が流れ」、「逆バイアス期間においても」、「駆動用トランジスタはオンの状態となり、それにより、駆動用トランジスタ１０２に逆方向のバイアス電流が流れる」ことが示されている。
　従って、引用発明Ｂの「交流用トランジスタ１０３」は、「逆方向バイアス期間（非点灯期間）」において、「駆動用トランジスタ」とともに、「発光素子１０４」に「逆方向のバイアス電流」を流していている点で、本願発明１における「第２駆動トランジスタ」に相当するといえる。
　しかし、引用発明Ｂの「交流用トランジスタ１０３」は、「発光素子に逆方向の電圧を印加し、逆方向バイアスの電流を流すことで交流駆動を行い、発光素子の不良を抑制する」ために設けられたトランジスタであって、より具体的には、「短絡箇所を絶縁化するためには、短絡箇所を絶縁化するのに十分な大電流を流す必要があ」（引用例Ｂの段落【００１１】）り、このため、「発光素子を発光させるために順方向に流れる電流値」（同段落【００１１】）（つまり、「第２駆動トランジスタ」が供給できる電流値）よりも「はるかに大きい」（同段落【００１１】）電流値を逆方向バイアスの電流として流すことを可能にする必要から設けられたトランジスタである。
　これに対し、引用発明Ａには、「発光素子に逆方向の電圧を印加し、逆方向バイアスの電流を流すことで交流駆動を行い、発光素子の不良を抑制する」ことは課題として挙げられていないから、引用発明Ａに引用発明Ｂを適用する動機付けがない。
　また、引用発明Ａにおける「第２電源線１２→駆動トランジスタＴｄ→素子容量Ｃｏｌｅｄという経路」（本願発明１における「第１の導電経路」）で通電がなされる「（準備期間）」と、引用発明Ｂのように、交流用トランジスタ１０３→発光素子１０４という経路（本願発明１における「第２の導電経路」）において逆方向のバイアス電流が流れる該期間（非発光期間）とは、「発光期間」の前後の別々の期間なのであるから、仮に、引用発明Ａに引用発明Ｂに記載された技術を適用し、引用発明Ａにおいて引用発明Ｂにおける「交流用トランジスタ１０３」を、第２電源線１２と有機発光素子ＯＬＥＤの電極との間に設けたとしても、引用発明Ａにおける「（準備期間）」に、引用発明Ｂにおける「発光素子に逆方向の電圧を印加し、逆方向バイアスの電流を流す」「交流駆動」を実行することにはならない。
３　小括
　したがって、本件補正により、本願発明１は当業者が引用発明Ａ及び引用発明Ｂに基づいて容易に発明をすることができたものとはいえなくなった。
　そうすると、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由、及び当審で通知した拒絶理由によって、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。