(57)【要約】使用されるゲッタ層が、画像表示領域にストライプ状の不連続部を含む領域を有し、不連続部は、表面に凹凸を設けた下地層上にゲッタ層を形成することにより設けられるか、あるいはその蛍光面が、一定の間隔をおいて配列された赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする画素が、２次元配列され、画素間の間隔（Ｗ２）は、ＲＧＢ蛍光体素子間の間隔（ｔ１）よりも大きい平面型表示装置。【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板、及び該前面基板に対向して配置された背面基板を含む真空の外囲器を有し、前記前面基板の画像表示領域の背面基板側表面上に、蛍光面、メタルバック層、下地層、及びゲッタ層が順に形成された平面型表示装置であって、
前記ゲッタ層は、前記画像表示領域にストライプ状の不連続部を含む領域を有し、該不連続部は、表面に凹凸を設けた下地層上にゲッタ層を形成することにより設けられることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
前記ゲッタ層は、前記不連続部を含む領域と交差する方向に、一定の間隔の間隙を有することを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
前記蛍光面は、一定の間隔をおいて配列された赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする画素が２次元配列され、前記不連続部は、該画素の周囲の領域に設けられる請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
前記不連続部は、前記間隙により分断されていることを特徴とする請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
前記間隙の幅は、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項２記載の平面型表示装置。
【請求項６】
前記間隙の幅は、ゲッタ層成膜時のマスキングの幅により決定されていることを特徴とする請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項７】
前記間隙の幅は、赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする１画素の幅の整数倍の幅であることを特徴とする請求項１記載の平面型表示装置。
【請求項８】
前記下地層の凹凸は、段差により形成されていることを特徴とする請求項１記載の平面型表示装置。
【請求項９】
前記蛍光面は、行及び列のいずれか一方の領域が他方よりも幅広く形成された格子状パターンを有するブラックマトリクス、及び該ブラックマトリクス間に設けられた蛍光体層を有し、該蛍光面上の該メタルバック層は、該ブラックマトリクスに対応した領域が電気的に分断されており、
前記ゲッタ層の不連続部は、幅広い領域に形成され、前記間隙は、幅が狭い領域に形成されることを特徴とする請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項１０】
前面基板、及び該前面基板に対向して配置され、背面基板を含む真空の外囲器を有し、前記前面基板の画像表示領域の背面基板側表面上に、蛍光面、メタルバック層、下地層、及びゲッタ層が順に形成された平面型表示装置であって、
前記蛍光面は、一定の間隔をおいて配列された赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする画素が、２次元配列され、
前記画素間の間隔（Ｗ２）は、前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子間の間隔（ｔ１）よりも大きいことを特徴とする平面型表示装置。
【請求項１１】
前記背面基板には、前記画素の前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子に対応する位置に、それぞれ前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子用の電子放出素子が形成されていることを特徴とする請求項１０記載の平面型表示装置。
【請求項１２】
前記ゲッタ層は、１つの赤色発光蛍光体素子、１つの緑色発光蛍光体素子、及び１つの青色発光蛍光体素子からなる１単位の画素の周囲に不連続部を含む領域を有し、該不連続部は、表面に凹凸を設けた下地層上にゲッタ層を形成することにより設けられることを特徴とする請求項１０記載の平面型表示装置。
【請求項１３】
前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子は、前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子が配列される方向の幅よりも、該素子が配列される方向と交差する方向の幅が大きいことを特徴とする請求項１０記載の平面型表示装置。
【請求項１４】
前記電子放出素子から放出され、前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子上に形成される各電子ビームのスポットの形状は、その長手方向の径が、前記各蛍光体素子の長手方向の径と同様の大きさを有する楕円形状であることを特徴とする請求項１０記載の平面型表示装置。
【請求項１５】
前面基板の画像表示領域上に、蛍光面を形成する工程、該蛍光面上にメタルバック層を形成する工程、該メタルバック層上に下地層を形成する工程、及び該下地層上にゲッタ層を形成する工程、及び得られた前面基板と背面基板とを対向配置させて真空封止する工程を具備する平面型表示装置の製造方法であって、
前記下地層は、その表面の少なくとも一部に凹凸が設けられ、該下地層上にゲッタ材料を蒸着することにより、該凹凸が設けられた領域上で部分的に破断された不連続部を有するゲッタ層を形成することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記下地層に、凹凸が設けられたストライプ状の領域を少なくとも１つ形成し、かつ該凹凸が設けられた領域と交差する方向に、一定の幅を持つストライプ状のマスクを少なくとも１つ設け、蒸着を行うことにより、該ストライプ状の領域にストライプ状の不連続部、該ストライプ状の不連続部と交差する方向に、該ストライプ状のマスクに対応した一定の間隔を持つ間隙を有するゲッタ層を形成することを特徴とする請求項１５に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ストライプ状の不連続部は、前記一定の間隔を持つ間隙により分断されていることを特徴とする請求項１６に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記間隙の間隔は、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項１６記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記間隙の間隔は、ゲッタ層成膜時のマスクの幅により決定されていることを特徴とする請求項１６に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記マスクとして、ワイヤを用いることを特徴とする請求項１６に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記間隙の幅は、赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする画素の幅の整数倍の幅であることを特徴とする請求項１６に記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記下地層の凹凸は、段差により形成されていることを特徴とする請求項１６記載の平面型表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記蛍光面は、行又は列のいずれか一方の領域が他方よりも幅広く形成された格子状パターンを有するブラックマトリクス、及び該ブラックマトリクス間に設けられた蛍光体層を有し、該蛍光面上の該メタルバック層は、該ブラックマトリクスに対応した領域が電気的に分断されており、前記ゲッタ層の不連続層は、幅広い領域の方向に形成され、前記間隙は、幅が狭い領域の方向に設けられることを特徴とする請求項１６に記載の平面型表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  近年、次世代の画像表示装置として、電子放出素子を多数並べ、蛍光面と対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界放出を用いており、これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。ＦＥＤの内、表面伝導型エミッタを用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、本願においてはＳＥＤも含む総称としてＦＥＤという用語を用いる。【０００３】  ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。真空外囲器の内部は、真空度が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。【０００４】  前面基板の画素領域の内面には赤色発光（Ｒ）、青色発光（Ｂ）、及び緑色発光（Ｇ）蛍光体層を含む蛍光面が形成されている。一方、背面基板の内面には、蛍光体を励起して発光させるための電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線および信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。走査線及び信号線を介して、映像信号に相当する電圧が電子放出素子に印加される。【０００５】  蛍光面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し、映像が表示される。【０００６】  このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基板との隙間を数ｍｍ以下に設定することができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。【０００７】  上記のように構成されたＦＥＤにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を有する蛍光面を用いることが必要となる。【０００８】  この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。しかし、前面基板と背面基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。そのため、ＦＥＤでは、高いアノード電圧を蛍光面に印加すると、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となっていた。【０００９】  放電が起こると、瞬間的に１００Ａ以上の電流が流れることがあり、電子放出素子や蛍光面の破壊あるいは劣化、さらには駆動回路の破壊を引き起こす可能性もある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶ。このような不良発生につながる放電は製品としては許容されない。したがって、ＦＥＤを実用化するためには、長期間に渡り、放電によるダメージが発生しないように構成しなければならない。しかしな��ら、放電を長期間に渡って完全に抑制するのは非常に難しかった。【００１０】  一方、放電が発生しないようにするのではなく、放電が起きても電子放出素子への影響を無視できるよう、放電の規模を抑制するという対策も考えられる。このような考え方に関連する技術として、例えば、特開２０００−３１１６４２号公報には、蛍光面に設けられたメタルバックに切り欠きを入れてジグザグなどのパターンを形成し、蛍光面の実効的なインダクタンス及び抵抗を高める技術が開示されている。また、特開平１０−３２６５８３号公報には、メタルバックを分割、あるいは分断する技術が開示されている。【００１１】  これらの技術を適用する場合には、予め形成したメタルバックの一部領域を何らかの手段で取り除く必要があった。あるいは、メタルバックを形成する際に、例えばマスキングを行って所定の領域のみにメタルバックが分断して形成されるような製造方法とする必要があった。【００１２】  また、真空度を長期に渡って維持するためにはパネルを封着後に排気するのではなく、真空チャンバー中で、通常ゲッタと呼ばれるガス吸着膜を蛍光面上に形成し、そのまま大気暴露することなく、前面基板と背面基板を封着するという方法が好適である。【００１３】  このような場合、先のようにメタルバックを分断しても、今度は、ゲッタ層が連続膜になってしまい、実質的にメタルバック層の分断効果がなくなるという問題があった。そこでゲッタ層も分断することが必要であった。
【発明の開示】
【００１４】  本発明は、このような課題を解決するためのものであり、その目的は、放電の規模を小さくし、電子放出素子や蛍光面の破壊及び劣化、及び回路の破壊を防止することが可能な平面型表示装置、及びその製造方法を提供することにある。
【００１５】  本発明の第１の観点に係る平面型表示装置は、前面基板、及び該前面基板に対向して配置された背面基板を含む真空の外囲器を有し、前記前面基板の画像表示領域の背面基板側表面上に、蛍光面、メタルバック層、下地層、及びゲッタ層が順に形成された平面型表示装置であって、前記ゲッタ層は、前記画像表示領域にストライプ状の不連続部を含む領域を有し、該不連続部は、表面に凹凸を設けた下地層上にゲッタ層を形成することにより設けられることを特徴とする。
【００１６】  本発明の第２の観点に係る平面型表示装置は、前面基板、及び該前面基板に対向して配置され、背面基板を含む真空の外囲器を有し、前記前面基板の画像表示領域の背面基板側表面上に、蛍光面、メタルバック層、下地層、及びゲッタ層が順に形成された平面型表示装置であって、
前記蛍光面は、一定の間隔をおいて配列された赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする画素が、２次元配列され、前記画素間の間隔（Ｗ２）は、前記赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子間の間隔（ｔ１）よりも大きいことを特徴とする。
【００１７】  本発明の第３の観点に係る平面型表示装置の製造方法は、前面基板の画像表示領域上に、蛍光面を形成する工程、該蛍光面上にメタルバック層を形成する工程、該メタルバック層上に下地層を形成する工程、及び該下地層上にゲッタ層を形成する工程、及び得られた前面基板と背面基板とを対向配置させて真空封止する工程を具備する平面型表示装置の製造方法であって、
前記下地層は、その表面の少なくとも一部に凹凸が設けられ、該下地層上にゲッタ材料を蒸着することにより、該凹凸が設けられた領域上で部分的に破断された不連続部を有するゲッタ層を形成することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、この発明の実施の形態に係るＦＥＤを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の線Ａ−Ａに沿った上記ＦＥＤの断面図である。
【図３】図３は、図２の蛍光面とメタルバック層の構成の一例を説明するための模式的な平面図である。
【図４】図４は、図３の一部の断面図である。
【図５】図５は、本発明に用いられるゲッタ層の一例を説明するための模式図である。
【図６】図６は、図５の一部を表す図である。
【図７】図７は、図５の不連続層を説明するための図である。
【図８】図８は、図５の不連続層を説明するための図である。
【図９】図９は、図２の蛍光面とメタルバック層の構成の他の一例を説明するための模式的な平面図である。
【図１０】図１０は、図９の一部分の断面図である。
【図１１】図１１は、本発明に用いられるゲッタ層の他の一例を説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、本発明に係る装置の電子放出素子とＲＧＢ蛍光体との関係を示す説明図である。
【図１３】図１３は、本発明に係る装置の電子ビームスポット形状の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】  以下、図面を参照しながら、本発明について詳細に説明する。【００２０】  図１に、本発明にかかる平面型表示装置としてＦＥＤの一例を表す斜視図を示す。【００２１】  また、図２に、そのＡ−Ａ’断面図を示す。【００２２】  図１および図２に示すように、このＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラスからなる前面基板２、および背面基板１を備え、これらの基板は１〜２ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。そして、前面基板２および背面基板１は、矩形枠状の側壁３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器４を構成している。【００２３】  前面基板２の画像領域の内面には蛍光面６が形成されている。この蛍光面６は、後述するように、赤、緑、青色に発光する蛍光体層とマトリックス状の黒色遮光層とで構成されている。蛍光体層は、例えばストライプ状あるいはドット状に形成されている。蛍光面６上には、アノード電極として機能するメタルバック層７が形成されている。表示動作時には、メタルバック層７に所定のアノード電圧が印加される。【００２４】  背面基板１の内面上には、蛍光体層を励起する電子ビームを放出する多数の電子放出素子８が設けられている。これらの電子放出素子８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。電子放出素子は図示しないマトリックス配線（走査線、信号線）からの信号により駆動される。【００２５】  背面基板１および前面基板２の間には、これらの基板に作用する大気圧荷重を支えるために、板状あるいは柱状に形成された多数のスペーサ１０が配置されている。【００２６】  蛍光面６にはメタルバック層７を介してアノード電圧が印加され、電子放出素子８から放出された電子ビームはアノード電圧により加速され、蛍光面６に衝突する。これにより、対応する蛍光体層が発光し、画像が表示される。【００２７】  次に、上記ＦＥＤに適用し得る蛍光面６およびメタルバック層７の第１の態様について詳細に説明する。なお、本発明では、メタルバック層という用語を用いているが、この層の材質は、金属（メタル）に限定されるものではなく、種々の導電性材料を使うことが可能である。【００２８】  図３に、図２の蛍光面とメタルバック層の構成の一例を説明するための模式的な平面図を示す。【００２９】  また、図４に、その部分的な断面図を示す。【００３０】  図３において、斜線で示される領域は、黒色遮光層２２のパターンに相当する。蛍光面３６は、図２の蛍光面２の一例であり、メタルバック３７は、図２のメタルバック層７の一例である。【００３１】  この黒色遮光層２２のパターンは、例えば、例えば行又は列のいずれか一方の領域が他方よりも幅広く形成された格子状パターン２２ａ及び蛍光面３６の周縁に沿って延びた矩形枠パターン２２ｂで構成されている。また、黒色遮光層２２上のほぼ全面にわたりメタルバック層３７が形成されている。なお、格子状パターンは、いずれの領域も幅が同じであっても良い。【００３２】  断面から見ると、図４に示すように、例えばガラス基板２上に、蛍光面３６として、黒色遮光層２２と、蛍光体層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂとが設けられ、この蛍光面３６上にメタルバック層３７が��成されている。蛍光体層５は、この黒色遮光層２２のパターンにより区画された複数のドット形状の領域内に、各々、赤色発光蛍光体層５Ｒ、緑色発光蛍光体層５Ｇ、及び青色発光蛍光体層５Ｂを規則正しく配列して形成されている。【００３３】  メタルバック層３７は、真空薄膜プロセスにより、蛍光面３６のほぼ全面上に一括して形成される。例えば、メタルバック層３７は、真空雰囲気中で、蛍光面３６上にアルミニウムを蒸着することにより形成される。この際、赤色発光蛍光体層５Ｒ、緑色発光蛍光体層５Ｇ、及び青色発光蛍光体層５Ｂ上に直接成膜すると、蛍光体層の蒸着面は凸凹しているため、鏡面を形成することができない。そこで、赤色発光蛍光体層５Ｒ、緑色発光蛍光体層５Ｇ、及び青色発光蛍光体層５Ｂの表面をラッカーなどにより平滑化処理した後、メタルバック層３７を成膜する方法が周知である。【００３４】  メタルバック層３７の分断は、例えば、黒色遮光層２２上に位置した領域３７ｂだけ選択的に酸化させることで実現できる。この場合、領域３７ｂだけメタルバック層３７を酸化させ得るペーストを印刷し、焼成により所望の領域のみ酸化させることができる。【００３５】  このような手法でメタルバック層３７を分断すると、島状に取り残された領域３７ａが電気的に孤立し、高圧供給端子部３１からの高電圧を画像領域全域まで伝達することが出来なくなる。このため、領域３７ｂは、放電のダメージを軽減するが高電圧の伝導には支障の無い範囲で、高抵抗の導電性を付与している。例えば、領域３７ｂには高抵抗材料（図示せず）を印刷成膜し、領域３７ａ、３７ｂのシート抵抗差を１０５Ω／□程度としている。【００３６】  本発明では、電気的に分断という表現を用いているが、一般に絶縁体といえども抵抗値は無限大ではなく、厳密な意味で電気的に分断されるということはありえない。しかし、本発明では、不連続膜になることで、連続膜の状態に比べ著しく抵抗が高くなること（高抵抗）を、電気的に分断と表現している。【００３７】  上記のように構成されたＦＥＤによれば、導電性薄膜としてのメタルバック層３７は、黒色遮光層２２と重なった領域に電気的に不連続な領域３７ｂを有しているため、前面基板２と背面基板１との間で放電が生じた場合でも、その際の放電電流を十分に抑制でき、放電によるダメージを回避することが可能となる。【００３８】  これにより、放電のダメージを抑制し、信頼性の高い製品を供給することができる。【００３９】  上記の説明は、メタルバック層３７を形成するときに、黒色遮光層２２上に位置した不連続な導電性薄膜部３７ｂを形成する一例を説明した。この不連続な導電性薄膜部３７ｂの形成方法は、種々可能である。【００４０】  例えば、メタルバック層３７の蒸着成膜を蛍光体層のみが開口したマスクを介して行うことでも、同様の分断を行うことができる。【００４１】  ここで、メタルバック層３７の分断領域は、領域３７ｂの部分である。この領域３７ｂについて着目すると、縦方向に画素間隔を持って配列された複数の行（幅Ｙ１）と、横方向に画素間隔を持って配列された複数の列（幅Ｘ１）とを有する。この行と、列は、発光素子の間に位置する。ブラックマトリックスの領域でもある。【００４２】  図５ないし図８は、本発明に用いられるゲッタ層の一例を説明するための模式図を示す。【００４３】  本発明では、ゲッタ層は、メタルバック層３７上に、画像表示領域全域にわたり成膜され、大気にさらされることなく封着される。ゲッタ層の材質は金属なので、成膜に際してはメタルバックと同様に縦横に分断しなければならない。【００４４】  図５ないし図８において、ゲッタ分断領域５１は、５１Ｙ１、５１Ｙ２…、５１Ｘ１、５１Ｘ２…の各領域である。【００４５】  図６は、図５の一部を取り出して示し、一定の間隔の間隙“マスキングした領域ゲッタ層なし”の部分を示している。メタルバック層の領域３７ｂは５１Ｙ１、５１Ｙ１、５１Ｘ１、及び５１Ｘ２の一部の部分に相当し、領域３７ａはそれらにより矩形に取り残される領域に相当する。ゲッタ層なしの部分の幅は、１００μｍ以上に設定される。間隙の幅は、ゲッタ層成膜時のマスキングの幅により決定され得る。【００４６】  ゲッタ層の縦方向に沿った分断については、ゲッタ成膜時に縦方向に張ったワイヤマスクにより領域５１Ｘ１、５１Ｘ２．．．にゲッタ層を成膜しないことで実現している。ワイヤマスクは位置あわせを行っておらず、非常に簡単な装置構成でマスク蒸着を実現している。ゲッタ層が成膜されない画素部では、ゲッタ層による電子エネルギーロスが無くなり、ゲッタ成膜画素部に対して若干輝度が明るくなるが、本実施例では、５１Ｙ１，５１Ｙ２…等によりマスクされる５１Ｘ１，５１Ｘ２…等の幅をＲＧＢ各１色画素幅にあわせており、輝度差による色ずれが出ないようにしている。【００４７】  一方、ゲッタ層の横方向に沿った分断のために、図７に示すように、蛍光体層の無い横線領域Ｙ１の下地層１２に、粒状の凸凹５２を設けるか、あるいは図８に示すように、蛍光体層の無い横線領域Ｙ１の下地層１３に、段差状の凸凹５３をあらかじめ形成しておくことができる。ゲッタ成膜例えば蒸着の際に、この下地凸凹に起因してゲッタ層の一部が５１Ｘのように破断され、不連続部となる。不連続部を含む領域のゲッタ層は、この領域以外の領域の連続的なゲッタ層よりも電気的に高抵抗になる。これにより、放電の規模を小さくし、電子放出素子や蛍光面の破壊、劣化や回路の破壊を防止することができる。【００４８】  これにより、ゲッタ成膜に際しても、領域３７ｂに相当する部分５１Ｘ１，５１Ｘ２…等、５１Ｙ１，５１Ｙ２…等を分断し、島状の領域３７ａを形成することができる。【００４９】  また、ワイヤマスクでマスキングする領域は上記幅に限るものではないが、色ムラの防止を考慮すれば、ＲＧＢ色画素の整数倍単位が好ましい。【００５０】  また、上述のような蛍光体層構成、すなわち、蛍光体画素間隔が縦方向に沿った幅が狭く、横方向に沿った幅が広いような場合、幅広の横方向に沿って下地に凸凹を形成し、幅狭の縦方向についてはマスキングすることが好ましい。これは、凸凹形成を行う場合、形成プロセスのマージンが必要なためであり、幅が広いことで容易に安価なプロセスを利用することができる。実施例では印刷により凸凹を形成した。また、マージンが取りにくい縦方向に沿った分断については、位置あわせなしのマスキングを用いることで安価に実現で���る。すなわち、２次元分断において、１次元方向を下地凸凹、残る１次元方向をマスキングという２種の分断方法に分けることにより、両者の欠点を補うことができる。蛍光体層の配列が９０度回転しているような構成では、縦横の分断方向を取り替えればよい。【００５１】  またゲッタ層の成膜時には、マスキング領域にワイヤを、メタルバック層と間隔をおいて配置するようにしている。これは、ワイヤを密着させるとメタルバック層に損傷を与える危険があるからである。実際には、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．２〜１ｍｍの範囲に近接させている。１ｍｍ以上広がるとゲッタ蒸着源のサイズによる反映で分断性が低下してしまう。【００５２】  この発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。上記の例では、縦方向のゲッタ層分断５１Ｙ１，５１Ｙ２，…が複数あるように説明した。しかしながら、画像表示領域の面積によっては、少なくとも１列があればよい。また、カラー画素の配列方向は、上記の実施の形態に限るものではなく、縦方向にＲＧＢ配列が存在しても良い。またこの発明では、ゲッタ層成膜時は、真空中で成膜し、そのまま真空中で封着して外囲器構成を得るようにしている。【００５３】  上述のように、第１の態様によれば、前面基板、及び前面基板に対向して配置された背面基板を含む真空の外囲器を有し、前面基板の画像表示領域の背面基板側表面上に、蛍光面、メタルバック層、下地層、及びゲッタ層が順に形成された平面型表示装置において、すくなゲッタ層が、少なくとも、画像表示領域の行または列方向に不連続部を含む領域を有し、この不連続部が、表面に凹凸を設けた下地層上にゲッタ層を形成することにより設けられた平面型表示装置が得られる。【００５４】  また、第１の観点に係る発明のさらなる態様によれば、不連続部を含む領域と交差する方向に、一定の間隔の間隙をさらに設けることができる。不連続部を含む高抵抗な領域と一定の間隔の間隙による電気的分断により、放電の規模をより小さくせしめ、電子放出素子及び蛍光面の破壊及び劣化、回路の破壊等をより効果的に防止することができる。【００５５】  上記構成の平面型表示装置によると、ゲッタ層に対して２次元的に高抵抗部分を設けることができ、まず（１）効果的に放電の規模を小さくすることができ、（２）一方の方向の高抵抗部分は、下地の凹凸により不連続部を形成され、他方の方向の高抵抗部分は、ゲッタ層の無い領域が略一定の幅を持って形成される構造であり、製造手段として容易な方法及び装置を選択できる。【００５６】  次に、上記ＦＥＤに用いられる蛍光面６およびメタルバック層７の第２の態様について詳細に説明する。【００５７】  図９に、図２の蛍光面とメタルバック層の構成の他の一例を説明するための模式的な平面図を示す。【００５８】  図１０には、図９の一部分の断面図である。【００５９】  図９に、メタルバック３７が形成される領域は、黒色遮光層２２のパターンに相当する。蛍光面４６は、図２の蛍光面２の一例であり、メタルバック層４７は、図２のメタルバック層７の一例である。【００６０】  図９、図１０に示すように、前面基板２の内面に設けられた蛍光面４６は、図１０に示すように、断面から見ると、蛍��体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および黒色遮光層（ブラックマトリックス）３２を有し、電気的に絶縁性の材料で形成されている。ここで、蛍光体層はＲ、Ｇ、及びＢの組み合わせ毎に寄せて配列している。【００６１】  黒色遮光層３２は、矩形で一定間隔に配列された蛍光体Ｒ，Ｇ，Ｂ層以外を覆うように配置されている。これは、外光反射を抑制し、黒しずみを改善するために用いている。蛍光体Ｒ，Ｇ，Ｂに対応する背面基板には、電子ビーム放出素子が設けられ、同素子からの電子ビーム照射により、赤、緑、青に発光する。ここで、電子放出素子についても、上記蛍光体層はＲ、Ｇ、及びＢの組み合わせ毎に寄せて配列している。図９に示すように、１画素内の蛍光体層間の間隔ｔ１は例えば２０μｍ、画素間の距離Ｗ２を例えば３００μｍにすることができる。【００６２】  上述のように、本発明の第２の態様によれば、前面基板、及び該前面基板に対向して配置され、背面基板を含む真空の外囲器を有し、前面基板の画像表示領域の背面基板側表面上に、蛍光面、メタルバック層、下地層、及びゲッタ層が順に形成された平面型表示装置であって、蛍光面は、一定の間隔をおいて配列された赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子を１単位とする画素が、２次元配列され、画素間の間隔（Ｗ２）は、赤色発光蛍光体素子、緑色発光蛍光体素子、及び青色発光蛍光体素子間の間隔（ｔ１）よりも大きい平面型表示装置が得られる。これにより、十分なプロセスマージンを稼いだ領域でゲッタ膜に対して２次元的に高抵抗部分を設けることができ、放電の規模を小さくすることができる。【００６３】  メタルバック層４７は、真空薄膜プロセスにより、蛍光面３６のほぼ全面上に一括して形成されている。例えば、メタルバック層４７は、真空雰囲気中で、蛍光面３６上にアルミニウムを蒸着することにより形成される。この際、メタルバック層４７は、Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光体素子の一塊毎に島状に分断して形成し得る。メタルバック層４７の分断は、上記第１の態様と同様に、酸化させ得るペーストを印刷し、焼成により所望の領域のみ酸化させる方法、あるいはメタルバック層の蒸着成膜を蛍光体層のみが開口したマスクを介して行う方法等により行うことができる。分断された領域は、放電ダメージを抑制し、かつ図示しない高圧端子からの高電圧が画像領域全域に伝達する程度の抵抗に形成される。具体的には、適切な抵抗を持つ抵抗層を設けるなどして調節する。【００６４】  上記のように構成されたＦＥＤによれば、導電性薄膜としてのメタルバック層４７は、蛍光体層Ｒ，Ｇ，Ｂと重なった領域に連続的な導電部４７ａを有し、一方、黒色遮光層３２と重なった領域に電気的に不連続な導電性薄膜部４７ｂを有している。、前面基板２と背面基板１との間で放電が生じた場合でも、電気的に不連続な導電性薄膜部４７ｂにより、その際の放電電流を十分に抑制でき、放電によるダメージを回避することが可能となる。【００６５】  この黒色遮光層、蛍光体層、及びメタルバック層を含む前面基板には、さらに、図１１に示すように、Ｒ、Ｇ、及びＢ蛍光体の組み合わせの周囲の幅広部分に凸凹を有するゲッタ分断層１１ａ，１１ｂを設けている。【００６６】  このゲッタ分断層は、印刷法���リソグラフィー法等により、下地層のうち上記幅広部分の少なくとも１部に、図７及び図８に示すような粒状あるいは段差による構造を形成し、この下地層上にゲッタを成膜する時に、この凸凹に起因してゲッタ層の一部を破断させ、かつ電気的に分断するものである。このゲッタ分断層形成にあたっては、例えば５０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以上の下地層の幅が必要である。この幅は、横方向分断領域１１ａについては従来構成でも確保できるが、縦方向分断領域１１ｂについては従来構成では確保できなかった。そこで、本発明においてはＲＧＢ蛍光体層を１組で寄せて配置することにより、Ｒ，Ｇ，Ｂ  ３色毎に分断領域１１ｂの十分な下地層の幅を確保するものである。【００６７】  上述のように、第２の観点に係る平面型表示装置のさらなる態様によれば、ゲッタ層は、１つの赤色発光蛍光体素子、１つの緑色発光蛍光体素子、及び１つの青色発光蛍光体素子からなる１単位の周囲に不連続部を含む領域を有し、不連続部は、表面に凹凸を設けた下地層上にゲッタ層を形成することにより設けられ得る。【００６８】  この前面基板にゲッタ層を成膜し、大気にさらすことなく封着する。ゲッタは分断領域１１ａ，１１ｂで電気的に分断され、上述の放電ダメージ効果を維持することができる。【００６９】  図１０に示すように、画素内の蛍光素子間隔はｔ１であり、画素間隔Ｗ２は、それより十分に広い。このような構成において、上記のブラックマトリックス３２の層上、実際には、メタルバック層４７の上にゲッタ層を形成した場合、一画素間で、ゲッタ層の高抵抗部分の沿面距離を大きくすることができるからである。実施例では、ｗ１を０．４５ｍｍ、ｔ１を０．０５ｍｍ、ｗ２を０．１５ｍｍとした。【００７０】  上記の例は、下地の凹凸部分に高抵抗のゲッタ層が形成される例を説明した。しかしこの発明は上記の実施形態に限定されるものではない。上記の例では、下地の凹凸部分のすべてに高抵抗のゲッタ層が形成されるとしているが、少なくとも１部にこのような高抵抗の部分が形成されても本発明の範疇である。つまり本発明では、ＲＧＢ蛍光体の２次元配列に着目し、ゲッタ層の高抵抗部分の沿面距離を得られるようにした点に特徴を有するからである。したがって、分断部分は１列、あるいは１行であってもよい。【００７１】  さらに、本発明では、背面基板１には、１画素のＲＧＢ蛍光体に対応する位置に、それぞれＲＧＢ用の電子放出素子が形成されている。即ち、図１２に示すように、前面基板２に形成されるＲＧＢ蛍光体に対応して電子放出素子ＥＲ，ＥＧ，ＥＢが形成されている。したがって、電子放出素子の配列に関しても、３つの電子放出素子ＥＲ，ＥＧ，ＥＢが１単位となって、画素の１単位に対応している。【００７２】  またＲＧＢ蛍光体は、ＲＧＢ配列される横方向の幅よりも、該配列方向と直交する縦方向の幅が大きい。これは、図１３に示すように、電子放出素子ＥＲ，ＥＧ，ＥＢから放出される電子ビームスポットＢＲ，ＢＧ，ＢＢが縦長となるからである。つまり、ＲＧＢ蛍光体上のスポット形状は、電子ビームスポットＢＲ，ＢＧ，ＢＢのその長手方向の径が、ＲＧＢ蛍光体の縦長方向に一致する楕円形状である。したがって、この形状であると���率的な発光を得ることができる。【００７３】  この発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。カラー画素の配列方向は、上記の実施の形態に限るものではなく、縦方向にＲＧＢ蛍光体層配列が存在しても良い。またこの発明では、ゲッタ層成膜時は、真空中で成膜し、そのまま真空中で封着して外囲器構成を得るようにしている。また、各構成要素の寸法、材料等は、上述の実施の形態で示した数値、材料に限定されることなく、必要に応じて種々選択可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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