【事件の表示】
　特願２００９−２１４４６１「半導体発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月　８日出願公開、特開２０１０−　８０９６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成２１年９月１６日（パリ条約による優先権主張２００８年９月２４日、米国）の出願であって、平成２５年８月７日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２７日に手続補正がなされ、平成２６年１月２０日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年４月２４日に手続補正がなされたが、当該手続補正は同年１０月２７日付けで却下され、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年２月２６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成２７年２月２６日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年２月２６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、本件補正前（平成２５年９月２７日提出の手続補正書に記載）の
「基板と、
　前記基板上に形成された結晶性半導体クラッド層と、
　前記結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造と、
　前記閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域と、
　前記閉じ込めヘテロ構造上に形成されかつ銀（Ａｇ）から構成される、電気抵抗率が１Ωｃｍよりも低い非エピタキシャル・クラッド層と、
　を備え、
　前記結晶性半導体クラッド層と、前記閉じ込めヘテロ構造と、前記非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、前記結晶性半導体クラッド層及び前記非エピタキシャル・クラッド層の平面において光を導く導波路を形成する、
　半導体発光デバイスであって、
　前記閉じ込めヘテロ構造は、
　前記活性領域の上に形成されたＩｎＧａＮ ＳＣＨ層と、
　前記活性領域の下に形成されたＩｎＧａＮ ＳＣＨ層と、
　を備え、
　前記活性領域の上及び下に形成された各ＩｎＧａＮ ＳＣＨ層は、
　バルク材料、又は、ＩｎＧａＮ短周期超格子（ＳＰＳＬ）で構成される
　半導体発光デバイス。」
を
「基板と、
　前記基板上に形成された結晶性半導体クラッド層と、
　前記結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造と、
　前記閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域と、
　前記閉じ込めヘテロ構造上に形成されかつ銀（Ａｇ）から構成される、電気抵抗率が１Ωｃｍよりも低い非エピタキシャル・クラッド層と、
　を備え、
　前記結晶性半導体クラッド層と、前記閉じ込めヘテロ構造と、前記非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、前記結晶性半導体クラッド層及び前記非エピタキシャル・クラッド層の平面において光を導く導波路を形成する、
　半導体発光デバイスであって、
　前記閉じ込めヘテロ構造は、
　前記活性領域の上に形成されたＩｎＧａＮ ＳＣＨ層と、
　前記活性領域の下に形成されたＩｎＧａＮ ＳＣＨ層と、
　を備え、
　前記活性領域の上及び下に形成された各ＩｎＧａＮ ＳＣＨ層は、
　バルク材料で構成される
　半導体発光デバイス。」
に補正することを含むものであって、活性領域の上及び下に形成された各ＩｎＧａＮ ＳＣＨ層をバルク材料で構成されるものに限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−１２９２３６号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。　
　ア　「【０００１】
  本発明は、半導体レーザ素子及びその製造方法に係り、さらに詳細には、クラッド層としてＡｌＧａＮ系物質の代わりに、金属コンタクト層と伝導性金属系物質とを使用した半導体レーザ素子及びその製造方法に関する。」
　
　イ　「【００４３】
  図２は、本発明の実施形態による金属層と金属系クラッド層とを備える半導体レーザ素子を表した断面図である。
【００４４】
  図２を参照すれば、本発明の半導体レーザ素子構造は、基板１００上に、ｎ−物質層１１０、ｎ−クラッド層１２０、ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０、金属層１６０、金属系クラッド層１７０が順次に積層されている。前記金属層１６０と前記金属系クラッド層１７０は、リッジ状に形成され、その側面と、露出された光導波層１５０表面とに電流遮断層１８０が形成されている。そして、金属系クラッド層１７０及び電流遮断層１８０には、ｐ−電極層１９０が形成されている。
【００４５】
  前記基板１００としては、サファイア基板、ＳｉＣまたはＧａＮ基板が主に利用される。
【００４６】
  前記ｎ−物質層１１０は、ＧａＮ系列のIII−Ｖ族窒化物化合物の半導体層により形成され、ここには示されていないが、ｎ−電極層とコンタクトされるコンタクト層として使われうる。例えば、前記ｎ−物質層１１０は、ｎ−ＧａＮ層から形成されうる。
【００４７】
  前記ｎ−クラッド層１２０は、所定の屈折率を有するＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子構造層であることが望ましいが、レージング（レーザ光を発すること）の可能な他の化合物半導体層であることもある。例えば、前記ｎ−クラッド層１２０は、ｎ−ＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ、ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮまたはＡｌＧａＮ／ｎ−ＧａＮ半導体層であり、またｎ−ＡｌＧａＮ半導体層であることもある。
【００４８】
  前記ｎ−光導波路層１３０及びｐ−光導波路層１５０は、ＧａＮ系列のIII−Ｖ族化合物の半導体層により形成されることが望ましい。例えば、ｎ−光導波路層１３０は、ｎ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層により、ｐ−光導波路層１５０は、ｐ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層により形成されうる。
【００４９】
  前記活性領域１４０は、レージングの起こりうる物質層ならば、いかなる物質層でも使用されうる。前記活性領域１４０は、多重量子ウェルまたは単一量子ウェルのうち、いずれか１つの構造を有することができる。
【００５０】
  例えば、前記活性領域１４０は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ及びＡｌＩｎＧａＮのうち、いずれか１つの物質から形成されうる。前記活性領域１４０とｐ−光導波路層１５０との間には、例えば、ｐ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮからなるＥＢＬ（図示せず）がさらに備わりうる。該ＥＢＬは、そのエネルギーギャップが他の結晶層に比べて最も大きく、ｐ型半導体層への電子の移動を防止する。前記金属系クラッド層１７０は、伝導性金属酸化物または伝導性金属窒化物から形成されうる。
【００５１】
  図２による半導体レーザ素子で、前記金属層１６０は、半導体である光導波路層１５０と金属系クラッド層１７０との接触抵抗を下げるために、金属コンタクト層として使われている。
【００５２】
  従って、前記伝導性金属酸化物または伝導性金属窒化物を金属系クラッド層１７０として使用する場合、前記金属層１６０を薄く形成することにより、半導体層と金属系クラッド層１７０との接触抵抗を小さくする。
【００５３】
  このとき、前記金属層１６０は、１００ｎｍ以下の厚さ範囲に形成されることを特徴とする。
【００５４】
  前記金属層１６０は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｕ、Ａｇ、ランタン系元素の金属、またはそれらのうち少なくとも一つを含む合金または固溶体のうちから選択された少なくとも１つの素材を使用して形成されうる。
【００５５】
  前記金属層１６０は、前記の金属またはそれらのうち少なくとも一つを含む合金または固溶体のうちから選択され、少なくとも一層以上により形成される。」
　
　ウ　「【００７１】
  図４は、本発明の他の実施形態による半導体レーザ素子の積層構造を表した断面図である。
【００７２】
  図４を参照すれば、本半導体レーザ素子は、基板１００、ｎ−物質層１１０、ｎ−クラッド層１２０、ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０、金属層１６０が順次に積層された構造を有する。前記金属層１６０は、リッジ状に形成され、その側面と露出された半導体表面とに電流遮断層１８０が形成される。その上に、ｐ−電極層１９０が形成されている。
【００７３】
  前記金属層１６０は、コンタクト層並びクラッド層、そして導波路の役割を同時に行うことができるように、リッジが５０ｎｍ以上ないし１，０００ｎｍ以下の厚さの範囲で形成されうる。
【００７４】
  図４の前記半導体レーザ素子の構造説明で言及されていない各層の構成物質及び厚さは、図２の詳細な説明で言及した各層の構成物質及び厚さと同一である。」
　　　
　上記ウの【００７２】及び【００７３】によれば、引用例には、
「基板１００、ｎ−物質層１１０、ｎ−クラッド層１２０、ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０、金属層１６０が順次に積層された構造を有し、
　前記金属層１６０は、リッジ状に形成され、その側面と露出された半導体表面に電流遮断層１８０が形成され、その上に、ｐ−電極層１９０が形成され、
　前記金属層１６０は、コンタクト層並びクラッド層、そして導波路の役割を同時に行うことができるように、リッジが５０ｎｍ以上ないし１，０００ｎｍ以下の厚さの範囲で形成されている半導体レーザ素子。」
が記載されているものと認められる。
　ここで、上記ウの【００７４】によれば、前記「ｎ−クラッド層１２０」は、上記イの【００４７】に記載されるものであり、例えば、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子構造層又はｎ−ＡｌＧａＮ半導体層であると認められる。
　また、「ｎ−光導波路層１３０」及び「ｐ−光導波路層１５０」は、上記イの【００４８】に記載されるように、ＧａＮ系列のIII−Ｖ族化合物の半導体層により形成されるものであり、例えば、ｎ−光導波路層１３０は、ｎ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層により形成され、ｐ−光導波路層１５０は、ｐ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層により形成されているものと認められる。
　また、金属層１６０は、上記イの【００５４】に記載されるように「Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｕ、Ａｇ、ランタン系元素の金属、またはそれらのうち少なくとも一つを含む合金または固溶体のうちから選択された少なくとも１つの素材を使用して形成されうる」ものであるから、引用例には、金属層１６０を「Ａｇ」としたものも記載されていると認められる。
　
　以上のことから、引用例には、図４に示された「他の実施形態」として、
「基板１００、ｎ−物質層１１０、ｎ−クラッド層１２０、ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０、金属層１６０が順次に積層された構造を有し、
　前記金属層１６０は、リッジ状に形成され、その側面と露出された半導体表面に電流遮断層１８０が形成され、その上に、ｐ−電極層１９０が形成され、
　前記金属層１６０は、コンタクト層並びクラッド層、そして導波路の役割を同時に行うことができるように、リッジが５０ｎｍ以上ないし１，０００ｎｍ以下の厚さの範囲で形成されている半導体レーザ素子であって、
　前記ｎ−クラッド層１２０は、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子構造層又はｎ−ＡｌＧａＮ半導体層であり、
　前記ｎ−光導波路層１３０は、ＧａＮ系列のIII−Ｖ族化合物の半導体層のｎ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層により形成され、
　前記ｐ−光導波路層１５０は、ＧａＮ系列のIII−Ｖ族化合物の半導体層のｐ−ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層により形成されており、
　前記金属層１６０は、Ａｇにより形成されている、
半導体レーザ素子。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「基板１００」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
（２）引用発明の「ｎ−クラッド層１２０」は、「ＧａＮ／ＡｌＧａＮ超格子構造層又はｎ−ＡｌＧａＮ半導体層」であるから、「結晶性半導体クラッド層」といえ、本願補正発明の「前記基板上に形成された結晶性半導体クラッド層」に相当する。
（３）引用発明の「ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０」及び「活性領域１４０」は、それぞれ、本願補正発明の「前記結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造」及び「前記閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域」に相当する。
（４）引用発明の「金属層１６０」は、「『クラッド層』の役割を行うことができる」ものであり、「『Ａｇ』により形成されている」から、本願補正発明の「前記閉じ込めヘテロ構造上に形成されかつ銀（Ａｇ）から構成される、電気抵抗率が１Ωｃｍよりも低い非エピタキシャル・クラッド層」に相当する（Ａｇで形成される金属層が非エピタキシャル層であること、また、その電気抵抗率が１Ωｃｍよりも低いことは、当業者に明らかな事項である。）。
（５）引用発明は、「半導体レーザ素子」であって、レーザ光が引用例の図４において紙面に垂直な方向に出射するものであることが明らかであるから、引用発明において、「ｎ−クラッド層１２０」と「ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０」と「金属層１６０」とが併せて、「ｎ−クラッド層１２０」と「金属層１６０」の平面において光を導く導波路を形成しているものと認められるところであり、引用発明と本願補正発明は、「前記結晶性半導体クラッド層と、前記閉じ込めヘテロ構造と、前記非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、前記結晶性半導体クラッド層及び前記非エピタキシャル・クラッド層の平面において光を導く導波路を形成する」ものである点で一致する。
（６）引用発明の「半導体レーザ素子」は、本願補正発明の「半導体発光デバイス」といえる。
（７）引用発明の「半導体レーザ素子」は、「ｎ−クラッド層１２０、ｎ−光導波路層１３０、活性領域１４０、ｐ−光導波路層１５０、金属層１６０が順次に積層された構造を有し」、「前記金属層１６０は、コンタクト層並びクラッド層、そして導波路の役割を同時に行うことができる」ものであるから、引用発明の「ｐ−光導波路層１５０」は、「活性領域１４０の上に形成されたＳＣＨ層」といえ、また、引用発明の「ｎ−光導波路層１３０」は、「活性領域１４０の下に形成されたＳＣＨ層」といえる。したがって、本補正発明と引用発明は、「前記活性領域の上に形成されたＳＣＨ層と、前記活性領域の下に形成されたＳＣＨ層と、を備え」るものである点で一致する。
（８）以上のことから、両者は、
「基板と、
　前記基板上に形成された結晶性半導体クラッド層と、
　前記結晶性半導体クラッド層上に形成された閉じ込めヘテロ構造と、
　前記閉じ込めヘテロ構造内に形成された活性領域と、
　前記閉じ込めヘテロ構造上に形成されかつ銀（Ａｇ）から構成される、電気抵抗率が１Ωｃｍよりも低い非エピタキシャル・クラッド層と、
　を備え、
　前記結晶性半導体クラッド層と、前記閉じ込めヘテロ構造と、前記非エピタキシャル・クラッド層とが併せて、前記結晶性半導体クラッド層及び前記非エピタキシャル・クラッド層の平面において光を導く導波路を形成する、
　半導体発光デバイスであって、
　前記閉じ込めヘテロ構造は、
　前記活性領域の上に形成されたＳＣＨ層と、
　前記活性領域の下に形成されたＳＣＨ層と、
　を備える
　半導体発光デバイス。」の点で一致する。
（９）一方、両者は、次の点で相違する。
　本願補正発明は、「前記活性領域の上及び下に形成された各ＳＣＨ層」がバルク材料で構成されたＩｎＧａＮ層であるのに対し、引用発明の「ｎ−光導波路層１３０」及び「ｐ−光導波路層１５０」がこのようなものであるか不明な点（以下「相違点」という。）。
　
４．判断
　上記相違点について検討するに、引用発明において、「ｎ−光導波路層１３０」及び「ｐ−光導波路層１５０」は、「ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層」とされ、「ＩｎＧａＮ層」とはされていないが、ＳＣＨ構造を有する半導体レーザ素子において、光導波路層をＩｎＧａＮのバルク材料で構成することは、本願の優先日時点で周知である（例えば、原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−１０９５２４号公報には、「ｎ側光導波層としてのアンドープＩｎＧａＮ光導波層６」、「ｐ側光導波層としてのアンドープＩｎＧａＮ光導波層８」（【００４３】）、「アンドープＩｎＧａＮ光導波層６は厚さが例えば３０ｎｍであり、Ｉｎ組成比は例えば０．０２である。」（【００４５】）、「アンドープＩｎＧａＮ光導波層８は厚さが例えば３０ｎｍであり、Ｉｎ組成比は例えば０．０２である。」（【００４６】）と記載され、「光導波層」を「バルク材料で構成」するものが開示されている一方、ＩｎＧａＮ光導波層について例えば超格子構造のような「『バルク材料で構成』しないもの」は開示されていない。また、同じく特開平１０−１９０１３２号公報に、「膜厚約０．１μｍ、電子濃度１×１０１８／ｃｍ３、シリコン（Ｓｉ）濃度２×１０１８／ｃｍ３のシリコン（Ｓｉ）ドープｎ−Ｉｎ０．０６Ｇａ０．９４Ｎから成るガイド層４１」（【０００９】）、「膜厚約０．１μｍ、ホール濃度２×１０１７／ｃｍ３、マグネシウム（Ｍｇ）濃度５×１０１９／ｃｍ３のマグネシウム（Ｍｇ）ドープｐ−Ｉｎ０．０６Ｇａ０．９４Ｎから成るガイド層６２」（【００１０】）と記載され、「ガイド層」を「バルク材料で構成」するものが開示されている一方、ＩｎＧａＮガイド層について例えば超格子構造のような「『バルク材料で構成』しないもの」は開示されていない。）から、引用発明の「ｎ−光導波路層１３０」及び「ｐ−光導波路層１５０」として、バルク材料で構成されたＩｎＧａＮ層を採用して上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることに格別の困難性はない。
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は却下され、平成２６年４月２４日にされた手続補正も却下されているので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年９月２７日提出の手続補正書における請求項１ないし３に記載される事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記II．［理由］１．に本件補正前の請求項１として記載した事項によって特定されるものである。
　　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明における「活性領域の上及び下に形成された各ＩｎＧａＮ ＳＣＨ層」に関し、「バルク材料で構成される」を、「バルク材料、又は、ＩｎＧａＮ短周期超格子（ＳＰＳＬ）で構成される」としたものといえるから、上記II．［理由］２．ないし４．における検討からみて、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　　　
３．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。