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　特願２０１３−　４７５１１「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月１８日出願公開、特開２０１３−１４１００９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１２年６月３０日（優先権主張　平成１１年６月３０日　平成１２年４月６日）に出願した特願２００１−５０８４９８号の一部を平成１６年３月１５日に出願した特願２００４−７２５１８号の一部を平成２２年１０月５日に出願した特願２０１０−２２５５４２号の一部を平成２５年３月１１日に特願２０１３−４７５１１号として新たな特許出願をしたものであって、平成２６年１月２２日付けで拒絶理由が通知され、同年３月３１日付けで手続補正がなされたが、同年８月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２６年３月３１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有するリードと、
　主面、前記主面に形成されたパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記パッドと前記リードを電気的に接続するワイヤと、
　前記半導体チップの前記主面側に位置する表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有し、前記リード、前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止部と、
　を含み、
　前記リードの前記第１面は、前記封止部で覆われており、
　前記リードの前記第２面は、前記封止部の前記裏面から露出しており、
　前記リードの前記第１面における第１部分には、第１メッキ膜が形成されており、
　前記リードの前記第２面には、第２メッキ膜が形成されており、
　前記第２メッキ膜は、前記第１メッキ膜と重なる部分を有しており、
　断面視において、前記リードの延在方向に沿った前記第２メッキ膜の長さは、前記リードの延在方向に沿った前記第１メッキ膜の長さよりも長く、
　前記ワイヤは、前記第１メッキ膜を介して前記リードと電気的に接続されており、
　前記第２メッキ膜は、Ｐｂフリー半田である、半導体装置。」
３．引用例
　原査定で引用された特開平１１−７４４４０号公報（以下「引用例１」という。）には、「樹脂封止型半導体装置およびその製造方法」に関し、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、リードフレーム上に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子上面側を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。」
イ．「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止した構造である。そのため、インナーリード部にテーパー形状を形成したとしても、全体的にリードフレームと封止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、製品の信頼性が低下するという課題があった。また、実質的にリードフレームの片面のみを樹脂封止している構造であるため、封止樹脂の応力により半導体素子が悪影響を受けたり、封止樹脂にパッケージクラックが発生するという課題もあった。さらにインナーリード部と半導体素子とを金属細線で接続し、片面封止した際には、片面封止の構造の応力により、金属細線で接続されたインナーリード部に応力による負荷がかかり、接続部分が破壊されたりして、接続不良が発生するという課題もあった。
【０００８】したがって、
この発明の目的は、前記従来の課題を解決するものであり、リードフレームと封止樹脂の密着性を保持し、金属細線とインナーリード部の安定した接続が可能となり、高信頼性を有し、薄型化を実現した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することである。
ウ．「【００２６】図１および図２に示すように、この樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部１１に搭載された半導体素子１２と、この
半導体素子１２の上面の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、半導体素子１２の上面の金属細線１４領域とダイパッド部１１の下部領域とを含む半導体素子１２の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列されたインナリード部１３に連続して形成された外部端子であるアウターリード部１６とを備えている。
【００２７】また、図３および図４に示すように、インナーリード部１３はその先端部に幅広部１８を有しており、さらに表面に複数の溝部１９が形成されている。そしてインナーリード部の先端部の端面は厚み方向に逆テーパが形成されている。また、
アウターリード部１６は、その露出面が封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面上に配列され、従来のように封止樹脂１５よりも突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。
エ．「【００３０】次にダイパッド部１１上の半導体素子１２の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。この時、
インナーリード部１３側に接続する金属細線１４は、インナーリード部１３の表面に設けられた２本の溝部１９と溝部１９との間に存在するように接続する。
封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部１１の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１２の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように気密性よく封止する必要がある。」
オ．「【００３２】
また、インナーリード部１３表面に設けられた幅広部１８、溝部１９により、封止樹脂１５との密着性の向上、インナーリード部１３に加わる片面封止構造によるストレスを緩和できるとともに、封止樹脂１５との密着性（アンカー効果）も向上させることできる。すなわち、封止樹脂１５からインナーリード部１３の抜けを防止できる。
【００３３】
また、インナーリード部１３に対しては、封止樹脂１５は片面封止構造となっている
カ．「【００３５】さらにダイパッド部１１を小面積化したり、開口部を設けたりすることで、封止樹脂１５と
半導体素子１２裏面
・上記ア及びイによれば、引用例１は、リードフレームと封止樹脂の密着性を保持すると共に、金属細線とインナーリード部の安定した接続を可能とし、薄型化を実現した樹脂封止型半導体装置を提供することを目的としている。
・上記エ及び図３によれば、インナーリード部１３は、金属細線１４を接続する表面、前記表面とは反対側の底面を備えることが記載されている。
・上記ウ（段落【００２６】）及びカによれば、半導体素子１２は、上面に電極を備えるとともに、上面と反対側の裏面を備えることが記載されている。
・上記ウ（段落【００２６】）によれば、金属細線１４が、半導体素子１２の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続することが記載されている。
・上記ウ（段落【００２６】）及び図１によれば、封止樹脂１５は、金属細線１４と半導体素子１２とを全面封止することが記載されており、また、上記オ（段落【００３３】），図１及び図３によれば、インナーリード部１３に対しては片面封止構造を採用している。よって、封止樹脂１５が、金属細線１４，半導体素子１２、インナーリード部１３を封止することが記載されている。
・上記エ、オ（段落【００３２】）、図１及び図３によれば、封止樹脂１５は、インナーリード部１３の金属細線１４を接続する表面を覆っており、インナーリード部１３の底面は封止樹脂１５の底面から露出している。
・上記ウによれば、引用例１には、インナーリード部１３に連続して形成された外部端子であるアウターリード部１６を備えた面実装タイプの半導体装置について記載されており、アウターリード部１６は封止樹脂から突出していない。よって、封止樹脂１５は、アウターリード部１６の上面を覆っており、アウターリード部１６の底面は封止樹脂１５の底面から露出している。
　したがって、引用例１には、リードフレームと封止樹脂の密着性を保持すると共に、金属細線とインナーリード部の安定した接続を可能とし、薄型化を実現した樹脂封止型半導体装置を提供することを目的とした、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「金属細線１４を接続する表面、および前記表面とは反対側の底面を有するインナーリード部１３と、前記インナーリード部１３に連続して形成された外部端子であるアウターリード部１６と、
　上面、当該上面に形成された電極、および前記上面とは反対側の裏面を有する半導体素子１２と、
　前記半導体素子１２の前記電極と前記インナーリード部１３を電気的に接続する前記金属細線１４と、
　底面を有し、前記インナーリード部１３及びアウターリード部１６の片面を封止し、前記半導体素子１２および前記金属細線１４の全面を封止する封止樹脂１５と、
　を含む面実装タイプの樹脂封止型半導体装置。」
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「金属細線１４を接続する表面」「前記表面とは反対側の底面」は、それぞれ本願発明の「第１面」「第１面とは反対側の第２面」に相当する。また、引用発明の「インナーリード部１３」及び「アウターリード部１６は、本願発明の「リード」に相当する。よって、引用発明の「金属細線１４を接続する表面、および前記表面とは反対側の底面を有するインナーリード部１３と、前記インナーリード部１３に連続して形成された外部端子であるアウターリード部１６」は、本願発明の「第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有するリード」に相当する。
ｂ．引用発明の「上面」「上面に形成された電極」「半導体素子１２」は、それぞれ本願発明の「主面」「主面に形成されたパッド」「半導体チップ」に相当する。よって、引用発明の「上面、当該上面に形成された電極、および前記上面とは反対側の裏面を有する半導体素子１２」は、本願発明の「主面、前記主面に形成されたパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップ」に相当する。
ｃ．引用発明の「前記半導体素子１２の前記電極と前記インナーリード部１３を電気的に接続する前記金属細線１４」は、本願発明の「前記半導体チップの前記パッドと前記リードを電気的に接続するワイヤ」及び「前記ワイヤは、前記リードと電気的に接続」に相当する。
ｄ．引用発明の封止樹脂は半導体素子の両面を覆うから、当該封止樹脂が、半導体素子の上面側に位置する表面を備えることは明らかである。また、引用発明の「封止樹脂の底面」は、本願発明の封止部における「表面とは反対側の裏面」に相当する。
　よって、引用発明の「底面を有し、前記インナーリード部１３及びアウターリード部１６の片面を封止し、前記半導体素子１２および前記金属細線１４の全面を封止する封止樹脂１５」は、本願発明の「前記半導体チップの前記主面側に位置する表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有し、前記リード、前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止部」及び「前記リードの前記第１面は、前記封止部で覆われており、前記リードの前記第２面は、前記封止部の前記裏面から露出しており」に相当する。
ｅ．引用発明の「樹脂封止型半導体装置」は、本願発明の「半導体装置」に相当する。
ｆ．本願発明は、「前記リードの前記第１面における第１部分には、第１メッキ膜が形成」されており、当該第１メッキ膜を介して、ワイヤとリードが電気的に接続されるのに対し、引用発明はこのような特定を有していない。
ｇ．本願発明は、「前記リードの前記第２面には、第２メッキ膜が形成されており、前記第２メッキ膜は、前記第１メッキ膜と重なる部分を有しており、断面視において、前記リードの延在方向に沿った前記第２メッキ膜の長さは、前記リードの延在方向に沿った前記第１メッキ膜の長さよりも長く、前記第２メッキ膜は、Ｐｂフリー半田である」のに対し、引用発明はこのような特定を有していない。
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。
（一致点）
「第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有するリードと、
　主面、前記主面に形成されたパッド、および前記主面とは反対側の裏面を有する半導体チップと、
　前記半導体チップの前記パッドと前記リードを電気的に接続するワイヤと、
　前記半導体チップの前記主面側に位置する表面と、前記表面とは反対側の裏面とを有し、前記リード、前記半導体チップおよび前記ワイヤを封止する封止部と、
　を含み、
　前記リードの前記第１面は、前記封止部で覆われており、
　前記リードの前記第２面は、前記封止部の前記裏面から露出しており、
　前記ワイヤは、前記リードと電気的に接続されている、
　半導体装置。」
（相違点１）
　本願発明は、「前記リードの前記第１面における第１部分には、第１メッキ膜が形成」されており、当該第１メッキ膜を介して、ワイヤとリードが電気的に接続されるのに対し、引用発明はこのような特定を有していない点。
（相違点２）
　本願発明は、「前記リードの前記第２面には、第２メッキ膜が形成されており、前記第２メッキ膜は、前記第１メッキ膜と重なる部分を有しており、断面視において、前記リードの延在方向に沿った前記第２メッキ膜の長さは、前記リードの延在方向に沿った前記第１メッキ膜の長さよりも長く、前記第２メッキ膜は、Ｐｂフリー半田である」のに対し、引用発明はこのような特定を有していない点。
　そこで、上記相違点１について検討する。
　ワイヤーボンドを容易とするために、リード先端部のワイヤ接続部位にスポット状のメッキ膜を形成することは一般的な技術であって、原査定で引用された特開平１−１４７８４８号公報（以下「引用例２」という。）の第１ページ右下欄第６行−第２ページ左上欄第１０行に記載されている。よって、引用発明においてワイヤとリードとを電気的に接続するに際して、引用例２に記載された構成を適用し、相違点１の構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　なお、審判請求人は、審判請求書の第６ページ第１５−１７行、第７ページ第７−１３行において、引用例２にはリードフレームを封止部で覆うことが記載されていない点、引用例２の半導体装置はＱＦＰであるのに対して本願発明及び引用発明の半導体装置はＱＦＮである点を主張している。
　しかし、引用例２において、封止部が覆うのはリードフレームの一部であるとしても、本願発明も引用例２もリードとワイヤとの接続部を覆うことで足りるので、特別な相違とは認められない。
　また、たとえ引用例２がＱＦＰに関するものであったとしても、引用発明及び引用例２はリードとワイヤとの接続部をモールド樹脂で覆う技術で共通しており、ＱＦＰであるかＱＦＮであるかによらず、引用例２の構成は引用発明に適用可能である。
　よって、審判請求人の主張を採用することはできない。
　次に、上記相違点２について検討する。
　例えば、原査定で引用された特開平１０−９３００４号公報（以下「引用例３」という。）の段落【０００２】−【０００４】に記載されているように、外部接続する部位に対してＰｂフリー半田から成るメッキ層を形成することにより、プリント基板に容易に半田付けできるようにすることは一般的な技術である。よって、外部接続する部位である引用発明のリードの底面においても、引用例３に記載された技術事項を踏まえて相違点２に係る構成とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　なお、審判請求人は、審判請求書の第５ページ第２４−２７行、第７ページ第２４行−第８ページ第８行において、引用例３の半導体装置はＱＦＰである点を主張しており、仮に引用例３の技術を引用発明のリードに適用する場合は、引用発明のリードを封止樹脂の側面から突出させ、突出させた部分に対してＰｂフリー層を形成することになる旨主張している。
　しかし、外部と接続する部位にＰｂフリー層を設けることは、ＱＦＰであるかＱＦＮであるかによらず適用可能な技術であり、引用例３の「外部接続する部位にＰｂフリー層を備える」技術事項を引用発明に適用するのであって、引用例３のリード線そのものを引用発明に適用するものではない。
　よって、審判請求人の主張を採用することはできない。
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。