【手続補正書】
【提出日】令和1年11月27日(2019.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８５】
本明細書に使用された言葉は、主に読みやすさ及び説明目的で選択され、本発明の主題を詳述又は限定するように選択されなかった可能性がある。したがって、本開示の範囲がこの詳細な説明により限定されず、むしろ本明細書に基づく用途に基づく(issue)あらゆる特許請求の範囲により限定されることが意図される。したがって、実施態様の開示は、以下の特許請求の範囲に述べられる本発明の範囲を限定するものではなく説明するものであることが意図される。
本件出願は、以下の構成の発明を提供する。
（構成１）
LixPySzIt（式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）を特徴とし;且つ
以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とし;
(式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数である）;
電荷中性である化合物を含む電解質。
（構成２）
LixPySzIt（式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）から基本的になり;且つ
以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するXRDパターンを特徴とし;
（式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数である）;
前記化合物が電荷中性である、構成１記載の電解質。
（構成３）
前記組成物が、以下の20、25、27、29、及び45±1°(2Θ)での反射を有するXRDパターンを特徴とする、構成１又は２記載の電解質。
（構成４）
前記組成物が、以下の20、25、27、29、及び45±1°(2Θ)での一次ピークを有するXRDパターンを特徴とする、構成１〜３のいずれか一項記載の電解質。
（構成５）
前記組成物がセミアモルファスである、構成１〜４のいずれか一項記載の電解質。
（構成６）
前記組成物が
(Li3PS4)3(LiI)、(Li3PS4)2(LiI)、(Li3PS4)(LiI)、2(Li3PS4)(LiI)、3(Li3PS4)(LiI)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバー;
Li7P2S8I、Li6PS5F、Li6PS5Cl、Li6PS5Br、Li6PS5I、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバー;
80(70L2S・30P2S5)20(LiI)、70(70L2S・30P2S5)30(LiI)、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるメンバー;
L3PS4、LiI、Li2S、P2S5、及びこれらの組み合わせの固溶体からなる群から選択されるメンバー;
(100-X)(80L2S・20P2S5)X(LiI)（式中、Xは、0、2、5、10、15、20、又は30である）;又は
Li2S、P2S5、LiF、LiCl、LiBr、LiIの混合物、若しくはこれらの組み合わせ
ではない、構成１〜５のいずれか一項記載の電解質。
（構成７）
前記組成物がLi7P2S8I又はLi6PS5Iではない、構成１〜６のいずれか一項記載の電解質。
（構成８）
前記組成物がアルジロダイト結晶構造を有さない、構成１〜７のいずれか一項記載の電解質。
（構成９）
前記組成物がゲルマニウム(Ge)又はあらゆるゲルマニウム種を含まない、構成１〜８のいずれか一項記載の電解質。
（構成１０）
前記組成物がヒ素(As)又はあらゆるヒ素種を含まない、構成１〜９のいずれか一項記載の電解質。
（構成１１）
前記組成物がLi7.4P1.6S7.2Iである、構成１〜１０のいずれか一項記載の電解質。
（構成１２）
前記組成物がLiaPbScId（式中、aは7.2〜7.6であり、bは1.4〜1.8であり、cは7.0〜7.4であり、dは0.8〜1.2である）であり、前記電解質が電荷中性である、構成１〜１０のいずれか一項記載の電解質。
（構成１３）
前記組成物がLi7.4P1.6S7.2I±記載の下付き文字の値の5%である、構成１〜１０のいずれか一項記載の電解質。
（構成１４）
前記組成物がLi7P2S8Iであり、該下付き数値が±5%変化し得る、構成１〜５又は８のいずれか一項記載の電解質。
（構成１５）
前記組成物がLi7P2S8Iであり、該下付き数値が±5%変化し得る、構成１〜５又は８のいずれか一項記載の電解質。
（構成１６）
ポリマーをさらに含む、構成１〜１５のいずれか一項記載の電解質。
（構成１７）
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLixPySzItの重量充填量が少なくとも50%(w/w)だが95%(w/w)未満である、構成１６記載の電解質。
（構成１８）
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLixPySzItの体積充填量が少なくとも50%(v/v)である、構成１７記載の電解質。
（構成１９）
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLixPySzItの体積充填量が少なくとも70%(v/v)である、構成１７記載の電解質。
（構成２０）
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLixPySzItの体積充填量が70%〜85%(v/v)である、構成１７記載の電解質。
（構成２１）
ポリマーをさらに含む前記組成物中のLixPySzItの体積充填量が75%〜85%(v/v)である、構成１７記載の電解質。
（構成２２）
前記ポリマーが、エポキシ、エポキシド、ポリプロピレン(PP)、アタクティックポリプロピレン(aPP)、アイソタクティブポリプロピレン(iPP)、ポリブチルジエン、ポリブタジエン(PBD)、ポリブタジエンラバー(PB)、架橋ポリブタジエン(cPBD)、ポリスチレン(PS)、エチレンプロピレンラバー(EPR)、エチレンペンテンコポリマー(EPC)、ポリイソブチレン(PIB)、スチレンブタジエンラバー(SBR)、ポリオレフィン、ポリエチレン-コ-ポリ-1-オクテン(PE-co-PO)、PE-コ-ポリ(メチレンシクロペンタン)(PE-co-PMCP)、ポリメチル-メタクリラート、アクリル樹脂、アクリロニトリル-ブタジエンラバー(NBR)、ポリビニルアセタアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、PVBステレオブロックポリプロピレン、ポリプロピレンポリメチルペンテンコポリマー、ポリエチレンオキシド(PEO)、PEOブロックコポリマー、ニトリル、ニトリルブタジエンラバー、カルボキシメチルセルロース(CMC)、ポリイソプレンラバー(PI)、ポリクロロプレンラバー(CR)、ポリエチルアクリラート(PEA)、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、水性適合ポリマー、シリコーン、PMX-200(ポリジメチルシロキサン、PDMS)、メチルメタクリラート、エチルメタクリラート、ポリビニルブチラール(PVB)、ポリエチルメタクリラート(PEMA)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ステレオブロックポリプロピレン、ポリプロピレンポリメチルペンテンコポリマー、ポリプロピレンカーボナート、ポリエチレン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、構成１６〜２１のいずれか一項記載の電解質。
（構成２３）
前記ポリマーが、前記LPSIに付着し、結合し、接着し、又は吸着する、構成１６〜２１のいずれか一項記載の電解質。
（構成２４）
前記ポリマーが前記LPSIの表面に結合している、構成１６〜２１のいずれか一項記載の電解質。
（構成２５）
前記ポリマーが約0.01〜50% w/wで存在する、構成１６〜２１のいずれか一項記載の電解質。
（構成２６）
約10nm〜約100μmの膜厚を有する薄膜として形成された、構成１〜２５のいずれか一項記載の電解質。
（構成２７）
約10nm〜約100ミクロンの平均モノリス厚さを有するモノリスとして形成された、構成１〜２４のいずれか一項記載の電解質。
（構成２８）
前記膜厚が約20μm〜約60μmである、構成２６記載の電解質。
（構成２９）
前記膜厚が、約10、20、30、40、50又は60ミクロンである、構成２６記載の電解質。
（構成３０）
LiIを含む、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３１）
Li2Sを含む、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３２）
約1×10-3 S/cm以上のイオン伝導性を有する、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３３）
LixPySzIt(式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）を特徴とする前記化合物が、SEM及び幾何学的測定により決定して、20%未満、15%未満、10%未満、5%未満、又は1%未満の多孔性を有する、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３４）
LixPySzIt（式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）を特徴とする前記化合物が、SEM及び幾何学的測定により決定して、少なくとも80%、少なくとも85%、少なくとも90%、少なくとも95%、又は少なくとも99%の密度を有する、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３５）
29°(2Θ)での第1の主要なXRDピークが3°±1°の半値全幅(FWHM)を有する、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３６）
前記組成物がセミアモルファスである、構成１〜２９のいずれか一項記載の電解質。
（構成３７）
Li7.4P1.6S7.2I又はLi11P2S6Iから選択される化学組成物を有する、構成１記載の電解質。
（構成３８）
LixPySzIt（式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）を特徴とし;且つ
以下の反射、21、28、33、34、及び／又は46(2Θ)の少なくとも1つを有さないXRDパターンを特徴とする化合物を含む電解質（式中、x、y、z、及びtは、該組成物が電荷中性であるように選択される）。
（構成３９）
構成１〜３８のいずれか一項記載の組成物を含む膜。
（構成４０）
0.5μm Rt〜30μm Rtの表面粗さを有する（式中、Rtは、標本とされた表面の最大表面粗さピーク高さである）、構成３９記載の膜。
（構成４１）
0.5μm Ra〜30μm Raの表面粗さを有する（式中、Raは、標本とされた表面粗さの平均ピーク高さである）、構成３９記載の膜。
（構成４２）
1.6μm Ra〜2.2μm Raの表面粗さを有する（式中、Raは、標本とされた表面粗さの平均ピーク高さである）、構成３９記載の膜。
（構成４３）
3.2μm Ra〜3.7μm Raの表面粗さを有する、構成３９記載の膜。
（構成４４）
1μm Rt〜28μm Rtの表面粗さを有する、構成３９記載の膜。
（構成４５）
LixPySzIt（式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）を特徴とし;且つ
以下の20、25、27、29、又は45(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するXRDパターンを特徴とする電解質を製造する方法であって
以下の工程:
硫化リチウム化合物を提供する工程、
硫化リン化合物を提供する工程、
ヨウ化リチウム化合物を提供する工程、
該硫化リチウム化合物と、硫化リン化合物と、ヨウ化リチウム化合物とを混合して、混合物を形成する工程、
該混合物を粉砕して、粉砕された混合物を形成する工程;及び
該混合物を約100〜約300℃に加熱する工程
を含む、前記方法。
（構成４６）
前記硫化リチウム化合物がLi2Sから選択される、構成４５記載の方法。
（構成４７）
前記硫化リン化合物がP2S5から選択される、構成４５記載の方法。
（構成４８）
前記ヨウ化リチウム化合物がLiIから選択される、構成４５記載の方法。
（構成４９）
前記ヨウ化リチウム化合物が、ナノ結晶性、ナノ寸法、又は非晶質のLiIから選択される、構成４５記載の方法。
（構成５０）
前記混合物がLi2S:P2S5を1:1〜5:1のモル比で含む、構成４５〜４９のいずれか一項記載の方法。
（構成５１）
前記混合物がP2S5:LiIを0.1:1〜2:1のモル比で含む、構成４５〜４９のいずれか一項記載の方法。
（構成５２）
前記混合物がLi2S:P2S5:LiIを3.2:0.8:1のモル比で含む、構成４５〜４９のいずれか一項記載の方法。
（構成５３）
前記粉砕工程が、前記混合物が0.5μm以下のd50粒径の粒子を有するまで、該混合物を粉砕することを含む、構成４５記載の方法。
（構成５４）
前記粉砕工程が、前記混合物が0.25μm以下のd50粒径の粒子を有するまで、該混合物を粉砕することを含む、構成４５記載の方法。
（構成５５）
前記粉砕工程が、結晶性LiIが観察されないXRDパターンを前記混合物が特徴とするまで、該混合物を粉砕することを含む、構成４５記載の方法。
（構成５６）
前記混合物を、約100〜約300℃で、窒素、アルゴン、ヘリウム、キセノンガス、又はこれらの混合物から選択される不活性雰囲気中で加熱することを含む、構成４５記載の方法。
（構成５７）
前記混合物を加熱することが、150、155、160、165、170、175、180、185、190、195、200、205、210、215、220、225、230、235、240、245、250、255、260、265、270、275、280、285、290、295、又は300℃に、2〜24時間である、構成５６記載の方法。
（構成５８）
ポリマーを前記混合物と混合して、第2の混合物を形成することをさらに含む、構成４５記載の方法。
（構成５９）
前記ポリマーを前記混合物と混合して、第2の混合物を形成する前記工程の前に、該ポリマーを凍結粉砕することをさらに含む、構成５８記載の方法。
（構成６０）
前記加熱が150〜250℃である、構成５７記載の方法。
（構成６１）
前記加熱が1〜16時間である、構成５７又は６０記載の方法。
（構成６２）
構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質を含む電解質膜を含む電気化学装置。
（構成６３）
構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質から基本的になる電解質膜を含む電気化学装置。
（構成６４）
正極集電体、正極活性材料領域、負極集電体、及び負極活性材料領域を含む、構成６３記載の電気化学装置。
（構成６５）
第2の電解質膜をさらに含む、構成６３〜６４記載の電気化学装置。
（構成６６）
前記第2の電解質膜が、LSTPS、LBS-POX、LTS、SLOPS、LiPON、LiBH4-LiX、LiBH4-LiNH2-LiX、又はLi3N（式中、Xは、F、Cl、I、又はBrから選択されるハライドである）から選択された化合物を含む、構成６５記載の電気化学装置。
（構成６７）
前記第2の電解質膜が、前記正極と、構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質を含むか、又は該電解質から基本的になる前記電解質膜との間に配置される、構成６６記載の電気化学装置。
（構成６８）
前記第2の電解質膜が、SLOPS、LBS-POX、LTS、リチウム充填ガーネット、リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイト、アンチペロブスカイト、リシコン、チオ-リシコン、Oharaガラス、リチウム伝導性リン酸塩、リチウムアルミニウムゲルマニウムリン酸塩、又はLiPONなどのオキシドガラスから選択される、構成６７記載の電気化学装置。
（構成６９）
前記リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイトが、Li3xLa2/3-xTiO3(式中、0.01≦x＜2/3）から選択される、構成６８記載の電気化学装置。
（構成７０）
前記アンチペロブスカイトがLiOClである、構成６８記載の電気化学装置。
（構成７１）
前記リシコンがLiM2(PO4)3(式中、Mは金属である）である、構成６８記載の電気化学装置。
（構成７２）
前記チオ-リシコンがLi4-xM1-xPxS4(式中、Mは、Si、Ge、Sn、又はこれらの組み合わせから選択され;式中、0≦x＜4）又はLi3.25Ge0.25P0.75S4である、構成６８記載の電気化学装置。
（構成７３）
前記リチウム伝導性リン酸塩が、Li1+xAlxTi2-x(PO4)3(LATP)又はLi1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3(LAGP)(式中、0≦x＜2）である、構成６８記載の電気化学装置。
（構成７４）
前記負極と、構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質を含むか、又は該電解質から基本的になる前記電解質膜との間に配置されたアノライトをさらに含む、構成６３〜６５記載の電気化学装置。
（構成７５）
前記アノライトが、Li2S-B2S5-LiX、LiBH4-LiNH2-LiX(式中、Xは、F、Cl、Br、又はIである）から選択される、構成７４記載の電気化学装置。
（構成７６）
前記アノライトが、LixSyOzNw(LISON)（式中、x、y、z、及びwは0.01〜1の範囲である）から選択される、構成７４記載の電気化学装置。
（構成７７）
前記アノライトが、Li0.29S0.28O0.35N0.09から選択されるLISONである、構成７４記載の電気化学装置。
（構成７８）
前記アノライトが、LiBH4、LiPON、Li3N、Li2S、Li2O、LiI、又はこれらの組み合わせから選択される、構成７４記載の電気化学装置。
（構成７９）
前記アノライトが、Li2S-B2S5-LiX、LiBH4-LiNH2-LiX、又はLiSON（式中、Xは、F、Cl、Br、又はIである）から選択される、構成７４記載の電気化学装置。
（構成８０）
10nm〜30μmの平均厚さを有する電解質セパレーターを含む、構成６２〜７９のいずれか一項記載の電気化学装置。
（構成８１）
10nm〜20μmの平均厚さを有するアノライトを含む、構成６２〜８０のいずれか一項記載の電気化学装置。
（構成８２）
前記第2の電解質膜が、10nm〜20μmの平均厚さを有する、構成６５〜８１のいずれか一項記載の電気化学装置。
（構成８３）
前記負極の厚さが10nm〜40μmである、構成６３〜８１のいずれか一項記載の電気化学装置。
（構成８４）
前記正極の厚さが10nm〜1mmである、構成６３〜８３のいずれか一項記載の電気化学装置。
（構成８５）
Li金属と接触している場合に化学的に安定である、構成１記載の電解質。
（構成８６）
Li金属に対して1V以下まで安定である、構成１記載の電解質。
（構成８７）
実質的に図4に示されるようなXRD粉末パターンを特徴とする、構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質。
（構成８８）
実質的に図9に示されるようなXRD粉末パターンを特徴とする、構成１〜４４記載の電解質。
（構成８９）
実質的に図8に示されるような示差走査熱量計(DSC)サーモグラムを特徴とする、構成１〜４４記載の電解質。
（構成９０）
実験式(1-x)(60:40 Li2S:SiS2)・(x)(Li3PO4)（式中、xは0.01〜0.99である）を有するSLOPSである、構成８９記載の電解質。
（構成９１）
前記モノリスが、構成１〜１５のいずれか一項記載の電解質の一面に第2の電解質を有し、該第2の電解質が実験式(1-x)(60:40Li2S:SiS2)・(x)(Li3PO4)を有し、xが0.01〜0.99であるSLOPSである、構成２６記載の電解質。
（構成９２）
構成１〜３８のいずれか一項記載の組成物を一面に、SLOPSをもう一面に含む膜。
（構成９３）
円板形状並びに上面及び底面を有する二層固体電解質膜であって、該上面が、構成１〜１５のいずれか一項記載の電解質を含み、該底面が、実験式(1-x)(60:40 Li2S:SiS2)・(x)(Li3PO4)（式中、xは0.01〜0.99である）を有するSLOPSを含む、前記二層固体電解質膜。
（構成９４）
500μm未満の厚さであるか、又は400μm未満の厚さであるか、又は300μm未満の厚さであるか、又は200μm未満の厚さであるか、又は100μm未満の厚さであるか、又は75μm未満の厚さであるか、又は50μm未満の厚さであるか、又は40μm未満の厚さであるか、30μm未満の厚さであるか、又は20μm未満の厚さであるか、10μm未満の厚さであるか、又は5μm未満の厚さである、構成９３記載の二層固体膜。
（構成９５）
LSTPS、LiPON、又はLi3Nをさらに含む、構成９４記載の二層固体膜。
（構成９６）
前記上面が、LixPySzIt（式中、5≦x≦12; 1≦y≦3; 5≦z≦9、及び0.1≦t≦2）を特徴とし;且つ、以下の20、25、27、29、又は45±1°(2Θ)での反射の少なくとも1つを有するX線粉末回折(XRD)パターンを特徴とする電解質を含み;(式中、下付き文字x、y、z、及びtは有理数である）;該化合物が電荷中性である、構成９３記載の二層固体電解質膜。
（構成９７）
構成９３又は９４記載の二層を含む電解質膜を含む電気化学装置。
（構成９８）
構成９４又は９５記載の二層を含む電解質膜から基本的になる電解質膜を含む電気化学装置。
（構成９９）
リチウム金属アノードを含む構成９７記載の電気化学装置であって、該リチウム金属が、該電気化学装置が少なくとも部分的に充電されている場合、構成９４記載の二層固体電解質膜の前記上面と接触している、構成９７記載の電気化学装置。
（構成１００）
リチウム金属アノードを含む構成９８記載の電気化学装置であって、該リチウム金属が、該電気化学装置が少なくとも部分的に充電されている場合、構成９４記載の二層固体電解質膜の前記上面と接触している、構成９８記載の電気化学装置。
（構成１０１）
LSTPSが、リチウム、硫黄、スズ、リン、及び硫黄を含む化合物である、構成６６記載の電気化学装置。
（構成１０２）
SLOPSが、リチウム、硫黄、酸素、リン、及び硫黄を含む化合物である、構成６６記載の電気化学装置。
（構成１０３）
少なくともリチウム、硫黄、及びリンを含む第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層の上に層状にされた第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
（ここで、該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層は、SLOPS、リチウム充填ガーネット、リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイト、アンチペロブスカイト、リシコン、チオ-リシコン、リチウム伝導性リン酸塩、リチウムアルミニウムゲルマニウムリン酸塩、又はオキシドガラスからなる群から選択される材料を含む）;及び
極性溶媒及びリチウム塩を含むゲル含有カソライト
を含む電気化学装置であって、
該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層が、該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層と該ゲル含有カソライトとの間に配置され、且つそれらと直接接触しており、且つ
該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層が、該ゲル含有層の該極性溶媒に対して不浸透性である、前記電気化学装置。
（構成１０４）
少なくともリチウム、硫黄、ハロゲン、及びリンを含む第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層の上に層状にされた第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層;
（ここで、該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層は、SLOPS、リチウム充填ガーネット、リチウムランタンチタン酸化物ペロブスカイト、アンチペロブスカイト、リシコン、チオ-リシコン、リチウム伝導性リン酸塩、リチウムアルミニウムゲルマニウムリン酸塩、又はオキシドガラスからなる群から選択される材料を含む）;及び
固体スルフィド含有カソライト
を含む電気化学装置であって;
該第2のリチウムイオン伝導性セパレーター層が、該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層と該ゲル含有カソライトとの間に配置され、且つそれらと直接接触しており;且つ
該第1のリチウムイオン伝導性セパレーター層が構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質を含む、前記電気化学装置。
（構成１０５）
前記カソライトがLXPSを含む、構成１０４記載の装置。
（構成１０６）
構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質の一面に、第2の電解質をさらに含む、構成１〜４４のいずれか一項記載の電解質。