【事件の表示】
　特願２０１１−５４５５３４「電子／正孔励起阻止層を用いた有機太陽電池の開路電圧の向上」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２１日国際公開、ＷＯ２０１０／１２０３９３、平成２４年　７月　５日国内公表、特表２０１２−５１５４３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯 
　本願は、２０１０年１月１２日（パリ条約による優先権主張　２００９年１月１２日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月２３日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年４月３０日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年７月１０日付けで拒絶査定がなされ、本件は、これに対して同年１１月１７日に審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。 
第２　平成２６年１１月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２６年１１月１７日付けの手続補正を却下する。 
［理由］
１　平成２６年１１月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本件補正前の平成２６年４月３０日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項２２である 
「【請求項２２】
　暗電流を抑制することによる感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法であって、デバイスに以下を組み込むことを含む：
　第一電極および光活性領域の間の少なくとも一の電子阻止層；この際、前記少なくとも一の電子阻止層は、
　前記光活性領域内のドナー物質に隣接し、
　前記ドナー物質の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルよりも少なくとも０．２ｅＶ高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有し、
　２０Å〜５００Åの範囲の厚みを有し、
　有機半導体、無機半導体、高分子、金属酸化物、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含む、方法。」が、
「【請求項１８】
　暗電流を抑制することによる感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法であって、デバイスに以下を組み込むことを含む：
　第一電極および光活性領域の間の少なくとも一の電子阻止層；この際、前記少なくとも一の電子阻止層は、
　前記光活性領域内のドナー物質に隣接し、
　前記ドナー物質の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルよりも少なくとも０．２ｅＶ高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有し、
　２０Å〜５００Åの範囲の厚みを有し、
　有機半導体、無機半導体
、ま
含み、
　前記有機半導体は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ
３
）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）、サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、ペンタセン、スクアレイン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）、クロロアンモニウムフタロシアニン（ＣｌＡｌＰｃ）、トリス（２−フェニルピリジン）（Ｉｒ（ｐｐｙ）
３
）から選択される少なくとも一であり、
　前記無機半導体は、Ｓｉ、ＩＩ−ＶＩ、およびＩＩＩ−Ｖの少なくとも一である、
　を含む、方法。」
 と補正された（下線は請求人が付与したものである。）。 
  
２　本件補正の目的 
　本件補正により、補正前の請求項２２において、「電子阻止層」が含む「物質」の選択肢から「高分子、金属酸化物」を削除することによって「電子阻止層は、」「有機半導体、無機半導体、高分子、金属酸化物、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含む」ことを「電子阻止層は、」「有機半導体、無機半導体、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含」むことと限定し、さらに、「電子阻止層」が含む「物質」の選択肢のうちの「有機半導体、無機半導体」について、「前記有機半導体は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）、サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、ペンタセン、スクアレイン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）、クロロアンモニウムフタロシアニン（ＣｌＡｌＰｃ）、トリス（２−フェニルピリジン）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）から選択される少なくとも一であり、前記無機半導体は、Ｓｉ、ＩＩ−ＶＩ、およびＩＩＩ−Ｖの少なくとも一である」と限定するものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものである。 
３　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１８に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）を新規性（特許法第２９条第１項第３号）について以下に検討する。 
  
（１）本願補正発明の認定 
　本願補正発明は、上記１において、本件補正後の請求項１８として記載したとおりのものと認める。 
（２）刊行物の記載事項及び引用発明の認定 
　本願の優先日前に頒布された文献である、国際公開第２００７／５５９３１号（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（訳文は、ファミリーである特表２００９−５１５３３９号の記載を摘記した。また、下線は当審にて付与した。）。 
ア　「[0003] The present invention generally relates to organic photosensitive optoelectronic devices. More specifically, it is directed to organic photosensitive optoelectronic devices including an ultra-thin low mobility active layer that is responsive to near infrared.」
【０００３】
  本発明は概して有機感光性オプトエレクトロニクス装置に関する。より詳細には、近赤外に応答する超薄低移動性活性層を含む有機感光性オプトエレクトロニクス装置に関する。
イ　「[0019] A photosensitive device comprises a series of organic photoactive layers disposed between a first electrode and a second electrode. Each layer in the series is in direct contact with a next layer in the series. The series of organic photoactive layers is arranged to form at least one donor-acceptor heterojunction. The series of organic photoactive layers includes a first organic photoactive layer comprising a first host material serving as a donor, a second organic photoactive layer comprising a second host material disposed between the first organic photoactive layer and a third organic photoactive layer, and the third organic photoactive layer comprising a third host material serving as an acceptor. The first host material, the second host material, and the third host material are different. The second organic photoactive layer serves as an acceptor relative to the first organic photoactive layer or as a donor relative to the third photoactive layer. A distance from any point within the second host material of the second organic photoactive layer to a boundary of that layer is not more than one exciton diffusion length over a majority of the area of the second organic photoactive layer. Preferably, the distance from any point within the second host material of the second organic photoactive layer to a boundary of that layer is not more than one exciton diffusion length over an entirety of the area of the second organic photoactive layer.
 
[0020] The second organic photoactive layer may be a unitary layer having openings there through, the first organic photoactive layer being in direct contact with the third organic photoactive layer through said openings, or the second organic photoactive layer may a discontinuous layer having a plurality of islands comprising the second host material, the first organic photoactive layer being in direct contact with the third organic photoactive layer in- between the islands.
 
[0021] The second host material is preferably a small molecule. The first host material and said third host material are also preferably small molecules. The small molecule second host material preferably has an absorption coefficient of at least 5 x 10 4  cm -1  across a wavelength band from 600 nm to 900 nm.
 
[0022] Each of the first organic photoactive layer, the second organic photoactive layer, and the third organic photoactive layer may have a different absorption spectra. 
[0023] The second organic photoactive layer may serve as a donor, with the first host material and the second host material having different absorption spectra. Serving as a donor, the HOMO of the second host material is preferably no more than 0.16 eV above a HOMO of the first host material, and the band gap of the second host material is preferably less than a band gap of the first host material. If serving as a donor, the second host material may have a hole mobility of less than 1 x 10-9  cm2 /Vs and an absorption coefficient of at least 5 x 104  cm-1  across a wavelength band from 600 nm to 900 nm. Examples of the second host material to serve as a donor include tin (II) phthalocyanine (SnPc) and lead phthalocyanine (PbPc). An example of a third host material for the third host material to serve as an acceptor with the SnPc or PbPc donor is C60.」
【００１９】
　感光性装置は第１電極と第２電極との間に配置される一連の有機光活性層を備える。一つの配列中の各々の層は配列中の隣の層と直接接触している。有機光活性層の配列は、少なくとも一つのドナー・アクセプターへテロ接合を形成するように配置される。有機光活性層の配列は、ドナーとしてはたらく第１ホスト材料を含む第１有機光活性層、前記第１有機光活性層と第３有機光活性層との間に配置された第２ホスト材料を含む第２有機光活性層、及びアクセプターとしてはたらく第３ホスト材料を含む第３有機光活性層を含む。第１ホスト材料、第２ホスト材料、及び第３ホスト材料は異なる。第２有機光活性層は第１有機光活性層に対してアクセプターとして働き、第３光活性層に対してドナーとして働く。第２有機光活性層の第２ホスト材料内部の任意の点からその層の境界までの距離は、第２有機光活性層の大部分の領域にわたって１励起子拡散長以下である。好ましくは、第２有機光活性層の第２ホスト材料内部の任意の点からその層の境界までの距離は、第２有機光活性層の全領域にわたって１励起子拡散長以下である。
【００２０】
　第２有機光活性層は、それを通る開口部を有する一体の層であってよく、第１有機光活性層は前記開口部を通じて第３有機光活性層と直接接触し、又は第２有機光活性層は第２ホスト材料を含む複数の島を有する不連続層であり、第１有機光活性層が前記島の間で第３有機光活性層と直接接触させられてよい。
【００２１】
　第２ホスト材料は好ましくは低分子である。第１ホスト材料及び前記第３ホスト材料も、好ましくは低分子である。低分子第２ホスト材料は、好ましくは６００ｎｍから９００ｎｍまでの波長帯にわたって吸収係数が少なくとも５×１０４ｃｍ−１である。
【００２２】
　第１有機光活性層、第２有機光活性層及び第３有機光活性層の各々は異なる吸収スペクトルを有してよい。
【００２３】
　第２有機光活性層は、第１ホスト材料と第２ホスト材料とが異なる吸収スペクトルを持つ状態で、ドナーとして働いてよい。ドナーとして働くとき、第２ホスト材料のＨＯＭＯは好ましくは第１ホスト材料のＨＯＭＯよりも０．１６ｅＶを超えずに高く、第２ホスト材料のバンドギャップは好ましくは第１ホスト材料のバンドギャップよりも低い。ドナーとして働く場合、第２ホスト材料は１×１０−９ｃｍ２／Ｖｓ未満の正孔移動度を有して、及び６００ｎｍから９００ｎｍまでの波長帯にわたって吸収係数が少なくとも５×１０４ｃｍ−１であってよい。第２ホスト材料がドナーとして働く例は、スズ（ＩＩ）フタロシアニン（ＳｎＰｃ）及び銅フタロシアニン（ＰｂＰｃ）を含む。ＳｎＰｃ又はＰｂＰｃドナーと共にアクセプターとして働く第３ホスト材料に関する第３ホスト材料の例はＣ６０である。
ウ　「[0077] Research into developing a small molecule photosensitive device has yielded a new architecture which, in addition to achieving NIR responsivity, may be used to tune and/or broaden the sensitivity of any donor-acceptor heterojunction.  By incorporating a thin sensitizing layer between donor and acceptor, this new architecure enables the construction of photosensitive devices which retain their overall device thickness, but which can produce photocurrent in a part of the spectrum otherwise inaccessible using other materials.
[0078] In addition, a larger array of different materials are available for use as the thin sensitizing layer than would otherwise be viable as either a conventional donor or acceptor layer. For example, a material having low charge carrier mobility can be employed without a loss of device performance. By pairing the thin sensitizing layer with an energetically favorable donor or acceptor layer, the thin sensitizing layer contributes to photocurrent, without impeding carrier transport between the donor and acceptor.」
【００８０】
　低分子感光性装置を開発するための研究は、ＮＩＲ応答性を達成することに加えて、任意のドナー・アクセプターへテロ接合の感度を調整及び／又は広げるために使用される可能性がある新たな構造を生んだ。
ドナー及びアクセプターの間に増感薄層を組み込む
【００８１】
  さらに、
別の方法では従来のドナー又はアクセプター層のどちらかとして実施可能である
増感薄層をエネルギー的に好ましいドナー又はアクセプター層と対にすることによって、増感薄層はドナーとアクセプターとの間のキャリア輸送を妨げることなく光電流に貢献する。
エ　「[0085] Referring to FIG. 11, the thin sensitizing layer 980 may serve as a donor, having a different host material than donor layer 152. Preferably, the HOMO of the thin sensitizing layer 980 is no more than 5kT above the HOMO of the donor layer 152 (k being the Boltzmann constant and T being the operating temperature), thereby avoiding the trapping of holes at the donor layer (152)-sensitizing layer (980) interface. This difference in HOMO levels is illustrated as ΔE1 in FIG. 11.」
【００８８】
　図１１を参照すると、
増感薄層９８０はドナー層１５２とは異なるホスト材料を有するドナーとして働いてよい。
オ　「[0090] Referring to FIG. 12, the thin sensitizing layer 980 may serve as an acceptor, having a different host material than acceptor layer 154. Preferably, the LUMO of the thin sensitizing layer 980 is no more than 5kT below the LUMO of the acceptor layer 154, thereby avoiding the trapping of electrons at the acceptor layer (154)-sensitizing layer (980) interface. This difference in LUMO levels is illustrated as △E 2  in FIG. 12.」
【００９３】
　図１２を参照すると、
増感薄層９８０はアクセプター層１５４とは異なるホスト材料を有するアクセプターとして働いてよい。
カ　「[00101] The photogeneration process in organic materials starts with the absorption of a photon that creates an exciton, or bound electron-hole pair. In efficient organic photovoltaic devices, the exciton is then dissociated at a donor-acceptor interface into free charge carriers, which are subsequently collected at their respective electrodes. Using a tin(II) phthalocyanine (SnPc) layer as the electron donor in double heterostructure organic solar cells, the SnPc layer efficiently converts incident NIR light to photocurrent. Power conversion efficiencies of  ηp = (1.0 ±0.1)% under 1 sun standard AM1.5G (air mass 1.5 global) solar illumination are possible. The high efficiency results since the fill factor is FF = 0.5 for ultrathin SnPc layers, whereas previously demonstrated devices (X. J. Wang et al., Applied Physics Letters 85, 5081 (2004)) had FF = 0.32. This high FF is achieved through control of SnPc layer thickness such that its low hole mobility does not negatively impact device performance.」
【０１０４】
　有機材料における光生成プロセスは、励起子を生成するフォトンの吸収又は電子・正孔対の結合で開始する。
効率的な有機光起電性装置において、
電子ドナーとしてスズ（ＩＩ）フタロシアニン（ＳｎＰｃ）層を用いると、ＳｎＰｃ層は効率的に入射ＮＩＲ光を光電流に変換する。１ｓｕｎ標準ＡＭ１．５Ｇ（ａｉｒ  ｍａｓｓ  １．５  ｇｌｏｂａｌ）太陽照度の下でη
ｐ
＝（１．０±０．１）％の電力変換効率が可能である。超薄ＳｎＰｃ層に関する曲線因子がＦＦ＝０．５であるので高効率が結果として得られる
キ　「[00105] FIG. 18 illustrates the J- V characteristics of a device with the structure ITO/CuPc(100Å)/SnPc(50Å)/C60(540Å)/BCP(75Å)/Ag (here CuPc denotes copper phthalocyanine, and BCP is bathocuproine) in the dark and under various illumination intensities (Po) of AM1.5G standard solar illumination. The donor-acceptor heterojunction is defined at the SnPc/C 60 interface and BCP serves as an exciton blocking layer. Fitting the dark current to classical p-n junction diode theory (see J. Xue et al., Applied Physics Letters 84, 3013-3015 (2004)) yields a series resistance of Rs = 0.17Ωcm2  and an ideality factor of n = 1.96 ±0.05. An energy level scheme is shown in the inset to FIG. 18, where the highest occupied molecular orbital energy levels are measured by ultraviolet photoelectron spectroscopy. The lowest unoccupied molecular orbital energies are estimated using the optical energy gap of each material.」
【０１０８】
　図１８は、暗所において、及びＡＭ１．５Ｇ標準太陽照度の様々な照明強度（Ｐ０）の下で、
ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ
６０
（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造
を有する装置
ク　図１１
ケ　図１２
コ　図１８
　上記キの記載も参酌すると、上記コの図１８から、ＣｕＰｃの最低空分子軌道エネルギーは３．６ｅＶであって、ＳｎＰｃの最低空分子軌道エネルギーは４．０ｅＶであることが看取できる。
サ　上記キの「ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造（ここでＣｕＰｃは銅フタロシアニンを、及びＢＣＰはバトクプロインを表す）を有する」「装置」が、上記カの「有機光起電性装置」であることは明らかである。
シ　上記キの「ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造（ここでＣｕＰｃは銅フタロシアニンを、及びＢＣＰはバトクプロインを表す）を有する装置」において、上記イ、エないしカ、クないしコの記載を参酌すると、「ＣｕＰｃ（１００Å）」はドナーとして働き、「Ｃ６０（５４０Å）」はアクセプターとして働き、「ＳｎＰｃ（５０Å）」は「Ｃ６０（５４０Å）」に対してドナーとして働き、「ＣｕＰｃ（１００Å）」に対してアクセプターとして働くことは、明らかである。
ス　ドナー及びアクセプターの間に増感薄層を組み込むことによって光電流が増える（上記ウ）。増感薄層には、ドナーとして働くもの（上記エ、ク）、アクセプターとして働くもの（上記オ、ケ）の２種類がある（上記ウ）。また、上記カより、電子ドナーとしてＳｎＰｃを用いると、高効率の電力変換効率が得られる。
　そして、上記キの「ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造（ここでＣｕＰｃは銅フタロシアニンを、及びＢＣＰはバトクプロインを表す）を有する装置」においても「ＳｎＰｃ（５０Å）」を有するものであり、「ＳｎＰｃ（５０Å）」は、上記シより、ドナーとして働く増感薄層である。
　すると、上記キの「ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造（ここでＣｕＰｃは銅フタロシアニンを、及びＢＣＰはバトクプロインを表す）を有する装置」によって、高い電力変換効率が得られることは明らかである。
　したがって、引用文献１には、「ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造（ここでＣｕＰｃは銅フタロシアニンを、及びＢＣＰはバトクプロインを表す）を有する装置」において「高い電力変換効率を得る方法」が記載されているといえる。
　上記アないしスより、引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。 
「有機光起電性装置において高い電力変換効率を得る方法であって、
　前記有機光起電性装置は、ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造を有し、
　前記ＣｕＰｃ（１００Å）は、ドナーとして働き、前記Ｃ６０（５４０Å）はアクセプターとして働き、前記ＳｎＰｃ（５０Å）はドナーとして働く増感薄層であり、
　前記ＣｕＰｃの最低空分子軌道エネルギーは３．６ｅＶであり、前記ＳｎＰｃの最低空分子軌道エネルギーは４．０ｅＶである、方法。」
（３）対比・判断 
ア　本願補正発明と引用発明１を対比する。 
（ア）引用発明１の「有機光起電性装置」及び「ＩＴＯ」は、本願補正発明の「感光性光電子デバイス」及び「第一電極」に、それぞれ相当する。 
（イ）引用発明１の「有機光起電性装置において高い電力変換効率を得る方法」は、本願補正発明の「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法」に相当する。
（ウ）引用発明１の「ＳｎＰｃ（５０Å）はドナーとして働く増感薄層であり、」「Ｃ６０（５４０Å）はアクセプターとして働」くものであるから、引用発明１の「ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）」が、本願補正発明の「光活性領域」に相当し、また、引用発明１の「ＳｎＰｃ（５０Å）」は、本願補正発明の「ドナー物質」に相当する。
（エ）引用発明１において、ＣｕＰｃの最低空分子軌道エネルギーは３．６ｅＶであって、ＳｎＰｃの最低空分子軌道エネルギーの４．０ｅＶよりも少なくとも０．２ｅＶ高いことから、引用発明１の「ＳｎＰｃ（５０Å）」から「ＣｕＰｃ（１００Å）」への電子の移動が抑制されることは明らかであるので、引用発明１の「ドナーとして働」く「ＣｕＰｃ（１００Å）」は、本願補正発明の「電子阻止層」に相当する。
（オ）上記（ウ）及び（エ）での検討を踏まえると、引用発明１の「前記有機光起電性装置は、ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（１００Å）／ＳｎＰｃ（５０Å）／Ｃ６０（５４０Å）／ＢＣＰ（７５Å）／Ａｇ構造を有し、
　前記ＣｕＰｃ（１００Å）は、ドナーとして働き、前記Ｃ６０（５４０Å）はアクセプターとして働き、前記ＳｎＰｃ（５０Å）はドナーとして働く増感薄層であり、
　前記ＣｕＰｃの最低空分子軌道エネルギーは３．６ｅＶであり、前記ＳｎＰｃの最低空分子軌道エネルギーは４．０ｅＶである」ことは、本願補正発明の「デバイスに以下を組み込むことを含む：
　第一電極および光活性領域の間の少なくとも一の電子阻止層；この際、前記少なくとも一の電子阻止層は、
　前記光活性領域内のドナー物質に隣接し、
　前記ドナー物質の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルよりも少なくとも０．２ｅＶ高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有し、
　２０Å〜５００Åの範囲の厚みを有し、
　有機半導体、無機半導体、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含み、
　前記有機半導体は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）、サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、ペンタセン、スクアレイン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）、クロロアンモニウムフタロシアニン（ＣｌＡｌＰｃ）、トリス（２−フェニルピリジン）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）から選択される少なくとも一であり、
　前記無機半導体は、Ｓｉ、ＩＩ−ＶＩ、およびＩＩＩ−Ｖの少なくとも一である、
　を含む」ことに相当する。
イ　上記（ア）ないし（オ）より、本願補正発明と引用発明１は、 
「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法であって、デバイスに以下を組み込むことを含む：
　第一電極および光活性領域の間の少なくとも一の電子阻止層；この際、前記少なくとも一の電子阻止層は、
　前記光活性領域内のドナー物質に隣接し、
　前記ドナー物質の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルよりも少なくとも０．２ｅＶ高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有し、
　２０Å〜５００Åの範囲の厚みを有し、
　有機半導体、無機半導体、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含み、
　前記有機半導体は、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ３）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（ＮＰＤ）、サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、ペンタセン、スクアレイン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、亜鉛フタロシアニン（ＺｎＰｃ）、クロロアンモニウムフタロシアニン（ＣｌＡｌＰｃ）、トリス（２−フェニルピリジン）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）から選択される少なくとも一であり、
　前記無機半導体は、Ｓｉ、ＩＩ−ＶＩ、およびＩＩＩ−Ｖの少なくとも一である、
　を含む、方法。」
の点で一致し、以下の相違点１で相違している。
＜相違点１＞ 
　「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法」が、本願補正発明では、「暗電流を抑制することによる」のに対して、引用発明１では明らかでない点。
ウ　上記の相違点１について検討する。
　上記ア（エ）で示したように、引用発明１の「前記ＣｕＰｃの最低空分子軌道エネルギーは３．６ｅＶであって、前記ＳｎＰｃの最低空分子軌道エネルギーは４．０ｅＶである」ことから、引用発明１の「ＳｎＰｃ（５０Å）」から「ＣｕＰｃ（１００Å）」への電子の移動が抑制されることは明らかであり、「ＳｎＰｃ（５０Å）」から「ＣｕＰｃ（１００Å）」への電子の移動が抑制されることにより、暗電流が抑制されることは、当業者には自明のことである。
　そうすると、引用発明１において、「有機光起電性装置において高い電力変換効率を得る方法」には、「暗電流を抑制することによ」り、「高い電力変換効率を得る方法」も含まれているといえるので、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
エ　結論 
　以上アないしウでの検討によれば、引用発明１は本願補正発明の構成をすべて備えている。 
　よって、本願補正発明は、引用発明１である。 
（４）独立特許要件についての小括 
　以上検討のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たさないものである。 
  
４　本件補正についての結び 
　上記３の検討によれば、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は、平成２６年４月３０日付けで補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項２２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２」「１」において、本件補正前の特許請求の範囲の請求項２２として示したとおりのものである。
２　刊行物の記載事項及び引用発明の認定 
（１）原査定の拒絶の理由に用いられた、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００８−９１３８１号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある（下線は当審で付与した。）。 
ア　「【０００１】
　本発明は、有機半導体材料の光起電力効果を利用した有機光電変換素子及びその製造方法に関するものである。」
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
  本発明の目的は、開放電圧を高め、光電変換効率を向上させることができる有機光電変換素子及びその製造方法を提供することにある。」
ウ　「【００２３】
  （実施例１）
　ＩＴＯ膜を表面に形成したガラス基板（３０ｍｍ×３０ｍｍ）を用い、このＩＴＯ膜を陽極として用いた。ＩＴＯ膜を、イソプロピルアルコール洗浄及びＵＶ−オゾン処理した。その表面抵抗値は８５Ω／ｃｍ２であった。
ＩＴＯ膜の上に、真空蒸着装置を用いて、三酸化モリブデン（ＭｏＯ
３
）を膜厚１０ｎｍとなるまで形成し、金属酸化物層とした。真空度は５×１０
−５
Ｐａとし、室温の条件で金属酸化物層を形成した。引き続き、金属酸化物層の上に、銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）からなる電子供与層（膜厚３０ｎｍ）、フラーレン（Ｃ６０）からなる電子受容層（膜厚４０ｎｍ）、ＢＣＰからなる励起子ブロック層（膜厚１０ｎｍ）、及びアルミニウム（Ａｌ）からなる陰極（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で積層し、光電変換素子
【００２４】
　図１は、作製した光電変換素子の各層のエネルギーレベルを示す図である。図１に示すように、陽極１であるＩＴＯ膜の仕事関数は−４．７ｅＶであり、金属酸化物層２を形成する三酸化モリブデンの仕事関数は−５．６ｅＶであり、
電子供与層３を形成するＣｕＰＣのＨＯＭＯエネルギーレベルは−５．２ｅＶであり、ＬＵＭＯエネルギーレベルは−３．５ｅＶである。
ウ　図１
エ　上記イより、引用文献２には、「有機光電変換素子」の光電変換効率を向上させる方法が記載されているといえる。
　上記アないしエより、引用文献２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。 
「有機光電変換素子の光電変換効率を向上させる方法であって、
　前記前記有機光電変換素子は、ＩＴＯ膜の上に、真空蒸着装置を用いて、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を膜厚１０ｎｍとなるまで形成し、金属酸化物層とし、引き続き、前記金属酸化物層の上に、ＬＵＭＯエネルギーレベルは−３．５ｅＶである銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）からなる電子供与層（膜厚３０ｎｍ）、フラーレン（Ｃ６０）からなる電子受容層（膜厚４０ｎｍ）、ＢＣＰからなる励起子ブロック層（膜厚１０ｎｍ）、及びアルミニウム（Ａｌ）からなる陰極（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で積層した、方法。」
３　対比・判断 
ア　対比 
（ア）引用発明２の「有機光電変換素子」及び「ＩＴＯ」は、本願発明の本願補正発明の「感光性光電子デバイス」及び「第一電極」に、それぞれ相当する。 
（イ）引用発明２の「有機光電変換素子の光電変換効率を向上させる方法」は、本願発明の「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法」に相当する。
（ウ）引用発明２の「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）からなる電子供与層（膜厚３０ｎｍ）、フラーレン（Ｃ６０）からなる電子受容層（膜厚４０ｎｍ）」は、本願発明の「光活性領域」に相当し、引用発明２の「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）」は本願発明の「ドナー物質」に相当する。
（エ）三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）の電子親和力（ＬＵＭＯエネルギーレベル）は−２．４ｅＶ程度であることが技術常識（特開２００８−２７０７３１号公報の【０１２０】参照。）であるから、引用発明２において、「三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）」のＬＵＭＯエネルギーレベルは、「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）」の「ＬＵＭＯエネルギーレベル」の「−３．５ｅＶ」よりも少なくとも０．２ｅＶ高いので、引用発明２の「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）からなる電子供与層」から「三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）」から形成される「金属酸化物層」への電子の移動が抑制されることは明らかである。
　すると、引用発明２の「金属酸化物層」は、本願発明の「電子阻止層」に相当する。
（オ）上記（ウ）及び（エ）での検討を踏まえると、引用発明２の「前記前記有機光電変換素子は、ＩＴＯ膜の上に、真空蒸着装置を用いて、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）を膜厚１０ｎｍとなるまで形成し、金属酸化物層とし、引き続き、前記金属酸化物層の上に、ＬＵＭＯエネルギーレベルは−３．５ｅＶである銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）からなる電子供与層（膜厚３０ｎｍ）、フラーレン（Ｃ６０）からなる電子受容層（膜厚４０ｎｍ）、ＢＣＰからなる励起子ブロック層（膜厚１０ｎｍ）、及びアルミニウム（Ａｌ）からなる陰極（膜厚５０ｎｍ）をこの順序で積層した」ことは、本願発明の「デバイスに以下を組み込むことを含む：
　第一電極および光活性領域の間の少なくとも一の電子阻止層；この際、前記少なくとも一の電子阻止層は、
　前記光活性領域内のドナー物質に隣接し、
　前記ドナー物質の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルよりも少なくとも０．２ｅＶ高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有し、
　２０Å〜５００Åの範囲の厚みを有し、
　有機半導体、無機半導体、高分子、金属酸化物、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含む」ことに相当する。
イ　上記（ア）ないし（オ）より、本願発明と引用発明２は、 
「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法であって、
　デバイスに以下を組み込むことを含む：
　第一電極および光活性領域の間の少なくとも一の電子阻止層；この際、前記少なくとも一の電子阻止層は、
　前記光活性領域内のドナー物質に隣接し、
　前記ドナー物質の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーレベルよりも少なくとも０．２ｅＶ高いＬＵＭＯエネルギーレベルを有し、
　２０Å〜５００Åの範囲の厚みを有し、
　有機半導体、無機半導体、高分子、金属酸化物、またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも一の物質を含む、方法。」
の点で一致し、以下の相違点２で相違している。
＜相違点２＞ 
　「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法」が、本願発明は、「暗電流を抑制することによる」のに対して、引用発明２では明らかでない点。
ウ　上記相違点２について検討する。
　上記ア（エ）で示したように、引用発明２の「三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）」の電子親和力（ＬＵＭＯエネルギーレベル）は−２．４ｅＶ程度であって、「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）」の「ＬＵＭＯエネルギーレベル」は「−３．５ｅＶ」であることから、引用発明２の「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）」から「三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）」への電子の移動が抑制されることは明らかであり、「銅フタロシアニン（ＣｕＰＣ）」から「三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）」への電子の移動が抑制されることにより、暗電流が抑制されることは、当業者には自明のことである。
　そうすると、引用発明２において、「感光性光電子デバイスの電力変換効率を増加させる方法」には、「暗電流を抑制することによ」り、「電力変換効率を増加させる方法」も含まれているといえるので、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
エ　結論 
　以上アないしウでの検討によれば、引用発明２は本願発明の構成をすべて備えている。 
４　結び 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明２であり、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができないものであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。