【事件の表示】
　特願２０１１−　４０５０７「化合物半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１３日出願公開、特開２０１２−１７８４５４、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年２月２５日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２５年１１月　６日　審査請求
平成２６年１０月３１日　拒絶理由通知
平成２７年　１月　９日　意見書・手続補正
平成２７年　８月３１日　拒絶査定
平成２７年１２月　８日　審判請求
　
第２　本願発明
１　本願発明１
　本願の請求項１ないし１０に係る発明は，平成２７年１月９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものと認められるところ，本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明１」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板と，
　前記基板の上方に形成された第１の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された上部電極と，
　前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極と
　を含み，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されることを特徴とする化合物半導体装置。」
２　本願発明５
　同じく，本願の請求項５に係る発明（以下，「本願発明５」という。）は以下のとおりである。
「【請求項５】
　基板の上方に第１の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に上部電極と，前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極とを形成する工程と
　を含み，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
３　本願発明９
　同じく，本願の請求項９に係る発明（以下，「本願発明９」という。）は以下のとおりである。
「【請求項９】
　基板の上方に第１の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に上部電極と，前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極とを形成する工程と
　を含み，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成され，
　前記第２の化合物半導体層を形成する工程は，
　前記第２の化合物半導体層の形成部位を開口するマスクを形成する工程と，
　分子線エピタキシャル成長法により，前記基板の法線を基準として前記上部電極の逆側に傾斜する第１の角度でアルミニウム又はインジウムを入射し，前記法線を基準として前記上部電極側に傾斜する第２の角度で他の材料元素を入射する工程と
　を含み，
　前記２の角度を前記第１の角度よりも大きくすることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
４　本願発明１０
　同じく，本願の請求項１０に係る発明（以下，「本願発明１０」という。）は以下のとおりである。
「【請求項１０】
　ダイオード及びスイッチ素子を有するＰＦＣ回路を備えた電源装置であって，
　前記ダイオード及び前記スイッチ素子の少なくとも一方は，
　基板と，
　前記基板の上方に形成された第１の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された上部電極と，
　前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極と
　を含む化合物半導体装置であって，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されることを特徴とする電源装置。」
　
第３　原査定の理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　　　　　　　１−２，５
・引用文献等　　　　　１−２
・備考
　引用文献１の第１４頁第２５行〜第１５頁第２７行や引用文献２に記載されているように化合物半導体層の膜厚を調整することによって，正孔密度を調整しうることが記載されている。
　引用文献１の第１１頁第７行〜第１９行等の記載より，引用文献１に記載された発明も枠状に取り囲む構成であることは明らかであるので，本願発明と引用文献１に記載された発明に格別の相違点を有するものとは認められない。
・請求項　　　　　　　　３，７
・引用文献等　　　　　１−３
・備考
　引用文献３には，組成比によって正孔密度を調整することが記載されている。
・請求項　　　　　　　４，８
・引用文献等　　　　　１−２
・備考
　断面形状を変更するための手段として溝を用いることに困難性があるものとは認められない。
・請求項　　　　　　　１０
・引用文献等　　　　　１−４
・備考
　ＲＦＣ回路を用いたスイッチング電源回路は引用文献４の図１４に記載されているように一般的なスイッチング電源用の回路であり，当該素子として引用文献１〜３に記載された素子を用いることに困難性はない。
＜拒絶の理由を発見しない請求項＞
　請求項９に係る発明については，現時点では，拒絶の理由を発見しない。拒絶の理由が新たに発見された場合には拒絶の理由が通知される。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特表２００１−５０８９５０号公報
２．特開２０１０−００３９５９号公報
３．特開２０１０−０５６１３７号公報
４．特開２０１０−２３８８３５号公報
　
第４　当審の判断
１　請求項１ないし４について
（１）　引用文献２の記載と引用装置発明
　ア　引用文献２
　引用文献２には，図面とともに，次の記載がある。（下線は当審において付加した。以下同じ。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体装置に関し，特に窒化物系半導体機能層を有する半導体装置に関する。」
（イ）「【００１４】
［ＨＥＭＴの構成］
　図１に示すように，第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ（半導体装置）１は，キャリア領域（チャネル領域）として機能する第１の窒化物系半導体領域２１上に第１の窒化物系半導体領域２１より格子定数が小さく，バンドキャップが大きく，引張応力が生じるヘテロ接合により配設されたキャリア発生領域として機能する第２の窒化物系半導体領域（バリア領域）２２を有し，
第１の窒化物系半導体領域２１のヘテロ接合近傍に二次元キャリアガスチャネル（
二次元正孔ガス層）
【００１５】
　
窒化物系半導体機能層２は，図示しないが，シリコン基板，炭化シリコン基板，サファイア基板等の基板上に直接的に又は窒化物系半導体機能層２の結晶性の整合のためにバッファ層を介して間接的に形成されている。
窒化物系半導体機能層２の第１の窒化物系半導体領域２１にはＧａＮ層が使用され，第２の窒化物系半導体領域２２にはＡｌＧａＮ層が使用される。
（ウ）【００２４】
［ＨＥＭＴの製造方法］
　前述のＨＥＭＴ１は，特に図面を用いてその
製造方法を説明しないが，第２の窒化物系半導体領域２２を形成した後に，レジスト（マスク）を併用したエッチングを用いることにより簡易に製造することができる。すなわち，膜厚ｔ１の第２の窒化物系半導体領域２２を全面に形成した後に，レジストを形成し，このレジストをマスクとして用い，レジストのサイドエッチングを行いながら第２の窒化物系半導体領域２２の第２の主電極４とゲート電極５が配設される間の所定領域を第２の主電極４に向かって徐々に薄くなるように第２の窒化物系半導体領域２２の上面からエッチングを行うことによって，第２の窒化物系半導体領域２２に傾斜面を形成することができる。
（エ）「【００４５】
（第４の実施の形態）
　本発明の第４の実施の形態は，
半導体装置としてショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に本発明を適用し，このＳＢＤの耐圧を向上した例を説明するものである。
【００４６】
［ＳＢＤの構成］
　
図９に示すように，
ＳＢＤ（半導体装置）１１は，キャリア通過領域として機能する第１の窒化物系半導体領域２１上にヘテロ接合により配設されたキャリア発生領域として機能する第２の窒化物系半導体領域２２を有し，第１の窒化物系半導体領域２１のヘテロ接合近傍に二次元キャリアガスチャネル２３を有する窒化物系半導体機能層２と，第２の窒化物系半導体領域２２上に互いに離間されて配設された第１の主電極３及び第２の主電極４と，を備え，第２の窒化物系半導体領域２２の第１の主電極３の第２の主電極４側端の膜厚ｔ１に比べて，第２の窒化物系半導体領域２２の第２の主電極４の第１の主電極３側端の膜厚ｔ２が薄く設定されている。第４の実施の形態において，第１の主電極３は二次元キャリアガスチャネル２３にオーミック接続するカソード電極として使用され，
【００４７】
　
窒化物系半導体機能層２は，ここでは前述の第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ１の窒化物系半導体機能層２
【００４８】
　ＳＢＤ１１においては，ショットキー接続となる第２の主電極（カソード電極）４側に電界が集中し易い。従って，前述の第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ１と同様に，
第２の窒化物系半導体領域２２の第２の主電極４側を薄い膜厚ｔ２に設定することにより，ＳＢＤ１１においては，二次元キャリアガスチャネル２３の第２の主電極４の近傍のキャリア密度を低下させ，電界強度Ｅを減少することができる。」
（オ）図９には，
第１の主電極３から離間するほど第２の窒化物系半導体領域２２の膜厚が薄く設定されている
　イ　前記アより，引用文献２には次の発明（「引用装置発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体装置は，基板と，基板上の第１の窒化物半導体領域と，第１の窒化物系半導体領域上の第２の窒化物系半導体領域を有し，第１の窒化物系半導体領域のヘテロ接合近傍に二次元正孔ガス層を有し，第２の窒化物系半導体領域上に第１の主電極を備え，第１の主電極から離間するほど第２の窒化物系半導体領域の膜厚が薄く設定されている。」
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　引用文献１には，図面とともに，次の記載がある。
（ア）「技術分野
　本発明は，金属接合部を取り囲む半導体層中の
電荷または電荷密度が接合部から離れるにしたがって漸減するエッジ止端を有し
強い電界によって絶縁破壊が発生する可能性を低減できる，炭化珪素を母材としたショットキーダイオード
（イ）「請求項に記載されたショットキー接合を得るためのさらに別の第３の方法によれば，
第１の導電材料で弱くドープした第１層を有する炭化珪素の平坦なウエハから始めて，この第１層の上に第２のタイプの導体材料からなる第２層をエピタキシアルに成長させる。
周囲の第２層を厚さが段階的に薄くなるように単一のステップ又は複数のステップでエッチングし，接続から外に向かって蓄積電荷が減少するショットキー接続接触延長JTEを形成する。エピタキシアル成長によって形成された第２層は，ショットキー接続の周囲のガードリングとして機能する。
（ウ）「図４を参照して本発明のさらに別の実施例を説明する。図４に示したコンポーネントは
ダイオード
低ドープｎ導体層１からなるSiC基板上に形成されている。この層１の上部に，低ドープｐ型の第２層４をエピタキシアル成長させる。次に，マスキングとエッチング工程によって，この第２層４を蝕刻し，この例の場合には，ダイオードから外に向かって４段階に厚さが薄くなる階段状部分s1ないしs4を形成して，連続ステップでチャージレベルが漸減するガードリングを形成する。
ショットキー金属コンタクト層２が前記ｎ
-
層１と接触して層１と２との間にショットキー接続を形成する。
　４領域JTEの階段部s1ないしs4の相対的チャージレベルは以下の関係を有する。
　Q1:Q2:Q3:Q4=100:(50-100):(25-75):(0-50)　　　(Q1=Q0)
　２領域の場合にはQ1:Q2=100:(25-75)
　３領域の場合にはQ1:Q2:Q3=100:(30-100):(0-60)
　
図４はまた，図に示した実施例の逆バイアス接続における欠乏領域の延長を示している。最大電界強さEmaxの位置もあわせて示した。
　これらの変更例について共通な点は、金属コンタクト２の外側表面を被覆する不活性層10存在である。不活性層は例えば、SiO2であってもよい。」（１４頁２５行−１５頁２４行）
（エ）図４には
低ドープｎ導体層１内の第２層４との境界付近に点線で示される欠乏領域が外に向かって延長されること
　イ　引用発明１
　前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ダイオードにおいて，低ドープｎ導体層からなるSiC基板の上部に，低ドープｐ型の第２層をエピタキシアル成長させ，ショットキー金属コンタクト層が低ドープｎ導体層と接触しており，低ドープｐ型の第２層を蝕刻しダイオードから外に向かって４段階に厚さが薄くなる階段状部分を形成して，連続ステップでチャージレベルが漸減するガードリングを形成する。」
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　ア　引用文献３
　引用文献３には，図面とともに次の記載がある。
「【００７９】
（第６の実施の形態）
　本発明の第６の実施の形態は，半導体装置として２端子素子であるショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）に本発明を適用し，このＳＢＤの耐圧を向上した例を説明するものである。
【００８０】
［ＳＢＤの構成］
　図１２に示すように，第４の実施の形態に係る
ＳＢＤ（半導体装置）１１は，二次元キャリアガスチャネル２３を有する第１の化合物半導体層２１と，第１の化合物半導体層２１上にヘテロ接合により配設された第２の化合物半導体層２２と，二次元キャリアガスチャネル２３の一端に接続された第１の主電極３と，二次元キャリアガスチャネル２３の一端に離間する他端に接続された第２の主電極４とを備え，第１の主電極３と第２の主電極４との間において，第２の化合物半導体層２２の組成元素の組成比が二次元キャリアガスチャネル２３方向に異なる。
【００８１】
　化合物半導体機能層２は，ここでは前述の第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ１の化合物半導体機能層２と同様に窒化物系半導体機能層である。そして，
第２の化合物半導体層２２の第１の主電極３と第２の主電極４との間において第１の主電極３（アノード電極）側の組成元素であるＡｌの組成比ｘ２が，第２の主電極（カソード電極）４側の組成元素であるＡｌの組成比ｘ２に対して高く設定されている。
【００８２】
　ＳＢＤ１１においては，ショットキー接続となる第２の主電極（カソード電極）４側に電界が集中し易い。従って，前述の第１の実施の形態に係るＨＥＭＴ１と同様に，第２の化合物半導体層２２の第２の主電極４側のＡｌの組成比ｘ２を低く設定することにより，ＳＢＤ１１においては，
二次元キャリアガスチャネル２３の第２の主電極４の近傍のキャリア密度を低下させ，
　イ　引用発明３
　前記アより，引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「半導体装置は，二次元キャリアガスチャネルを有する第１の化合物半導体層と，第１の化合物半導体層上にヘテロ接合により配設された第２の化合物半導体層と，二次元キャリアガスチャネルの一端に接続された第１の主電極と，二次元キャリアガスチャネルの一端に離間する他端に接続された第２の主電極とを備え，第１の主電極と第２の主電極との間において，第２の化合物半導体層の組成元素の組成比が二次元キャリアガスチャネル方向に異なる。」
（４）引用文献４の記載と引用発明４
　ア　引用文献４
　引用文献４には，図面とともに次の記載がある。
（ア）「【００１５】
 ・・・
　
図１４は本発明にかかる複合半導体整流素子１を使用したスイッチング電源の昇圧型力率改善回路（ＰＦＣ：Ｐｏｗｅｒ　Ｆａｃｔｏｒ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ回路）を示す。
（イ）図１４には，
ダイオードＤとトランジスタ素子であるスイッチＱとを有するＰＦＣ回路
　イ　引用発明４
　前記アより，引用文献４には次の発明（以下，「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「ダイオードとトランジスタ素子であるスイッチとを有するＰＦＣ回路からなるスイッチング電源。」
（５）本願発明１と引用装置発明との対比
　引用装置発明の「基板上の第１の窒化物半導体領域」，「第１の窒化物系半導体領域上の第２の窒化物系半導体領域」及び「第１の主電極」は，それぞれ本願発明１の「前記基板の上方に形成された第１の化合物半導体層」，「前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層」及び「上部電極」に相当すると認められる。
　また，引用装置発明の「第１の窒化物系半導体領域のヘテロ接合近傍」の「二次元正孔ガス層」は「第１の主電極から離間するほど第２の窒化物系半導体領域の膜厚が薄く設定されている」ことにより，第１の主電極から離間するほど正孔濃度が低くなるものと認められるから，本願発明１の「前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されること」を満たすものと認められる。
　よって，本願発明１と引用装置発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「基板と，
　前記基板の上方に形成された第１の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層と，
　上部電極と，
　を含み，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されることを特徴とする化合物半導体装置。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１の「上部電極」は「第１の化合物半導体層上に」形成されるのに対し，引用装置発明の「第１の主電極」は「第２の窒化物系半導体領域上に」備えられる点。
（イ）相違点２
　本願発明１が「第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」を含むのに対し，引用装置発明は前記「浮遊電極」を含まない点。
（６）相違点２についての検討
　相違点２について検討する。
　「第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」は，引用文献１，３，４いずれにも記載も示唆もされていない。
　引用発明１の「ガードリング」は，低ドープｐ型の半導体層からなるものであって「電極」ではないし，その機能は欠乏領域（以下，「空乏層」という。）を延長させるためのもの（前記（２）ア（ウ）（エ））である。
　そして，引用装置発明は耐圧の向上のために，二次元キャリアガスチャネルのキャリア密度を低下させるもので，空乏層を用いるものでないから，引用装置発明において空乏層を延長させるべく引用発明１の「ガードリング」を採用する理由がない。
　さらに，本願発明１におけるＪＴＥ構造の電位の安定化という課題（本願明細書段落００５３）がいずれの引用文献にも記載も示唆もされていないから，引用装置発明において「浮遊電極」を採用すべき動機づけに欠けるというべきである。
　よって，相違点２に係る「浮遊電極」を想到することは，当業者が容易になし得ることではない。
（７）本願発明１と引用発明１との対比
　引用発明１の「低ドープｎ導体層」はSiC基板であるから，下記相違点１を除いて，本願発明１の「第１の化合物半導体層」に相当すると認められる。
　引用発明１の「低ドープｐ型の第２層」は「低ドープｎ導体層からなるSiC基板の上部に」「エピタキシアル成長させ」たものであるから，本願発明１の「前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層」に相当すると認められる。
　引用発明１の「ショットキー金属コンタクト層」は「低ドープｎ導体層と接触して」いるから，本願発明１の「前記第１の化合物半導体層上に形成された上部電極」に相当すると認められる。
　引用発明１の「ダイオード」は「SiC基板」上に形成されるものであるから，下記相違点を除いて，本願発明１の「化合物半導体装置」に相当すると認められる。
　よって，本願発明１と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「第１の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された上部電極と，
　を含むことを特徴とする化合物半導体装置。」
　イ　相違点
（ア）相違点１’
　本願発明１の「第１の化合物半導体層」は「基板の上方に形成され」，「基板」とは別体であるのに対し，引用発明１の「低ドープｎ導体層」は「SiC基板」である点。
（イ）相違点２’
　本願発明１は「前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」を含むのに対し，引用発明１は前記「浮遊電極」を含まない点。
（ウ）相違点３’
　本願発明１においては「前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成される」のに対し，引用発明１においては「２次元正孔ガス」が生成されない点。
（８）相違点３’についての検討
　相違点３’について検討する。
　引用発明１においては，低ドープｎ導体層と低ドープｐ型の第２層のｐｎ接合に形成される空乏層を，低ドープｐ型の第２層を蝕刻することで形成されるガードリングにより延長すること（前記（２）ア（ウ）（エ））で耐圧を高めるものである。引用発明１の「連続ステップでチャージレベルが漸減する」とは，ｐ型の第２層におけるアクセプタイオンによるチャージレベルが漸減する（空乏層の厚さがアクセプタ濃度により決定されることは技術常識である。）という意味であり，固定されたチャージではなくキャリアである２次元正孔ガスとは無関係のものである。
　そして，２次元正孔ガスを用いて耐圧を高めることは引用装置発明において開示されているが，引用発明１における電流を阻止している空乏層を導電性の高い引用装置発明の２次元正孔ガスに置き換えることは，発想からして全く逆の方向であり，動機づけに欠けるものであるから，容易に想到しうるとはいえない。
（９）本願発明１についてのまとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（１０）請求項２ないし４について
　本願の請求項２ないし４に係る発明は，本願発明１の発明特定事項をすべて含みさらに別の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明１が前記（９）のとおり，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項２ないし４に係る発明も同様の理由で，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
２　請求項５ないし８について
（１）引用文献２の記載と引用方法発明
　ア　引用文献２
　引用文献２には，前記１（１）アのとおりの記載がある。
　イ　引用方法発明
　半導体装置は基板の上方に半導体層を形成して製造されることは技術常識であるから，前記アより，引用文献２には次の発明（以下，「引用方法発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板上に第１の窒化物半導体領域を形成する工程と，第１の窒化物系半導体領域上に第２の窒化物系半導体領域を形成する工程と，第２の窒化物系半導体領域上に第１の主電極を形成する行程を含み，第１の窒化物系半導体領域のヘテロ接合近傍に二次元正孔ガス層を有し，第１の主電極から離間するほど第２の窒化物系半導体領域の膜厚が薄く設定されている半導体装置の製造方法。」
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　ア　引用文献１
　引用文献１には，前記１（２）アのとおりの記載がある。
　イ　引用発明１’
　半導体装置は基板の上方に半導体層を形成して製造されることは技術常識であるから，前記アより，引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１’」という。）が記載されているものと認められる。
「ダイオードの製造方法において，低ドープｎ導体層からなるSiC基板の上部に，低ドープｐ型の第２層をエピタキシアル成長させ，ショットキー金属コンタクト層を低ドープｎ導体層と接触するように形成し，低ドープｐ型の第２層を蝕刻しダイオードから外に向かって４段階に厚さが薄くなる階段状部分を形成して，連続ステップでチャージレベルが漸減するガードリングを形成する。」
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　前記１（３）のとおり，引用文献３には引用発明３が記載されていると認められる。
（４）引用文献４の記載と引用発明４
　前記１（４）のとおり，引用文献４には引用発明４が記載されていると認められる。
（５）本願発明５と引用方法発明との対比
　前記１（５）と同様であるから，本願発明５と引用方法発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「基板の上方に第１の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成する工程と，
　上部電極を形成する工程と
　を含み，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
　イ　相違点１
　本願発明５の「上部電極を形成する行程」は「前記第１の化合物半導体層上に上部電極と，前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極とを形成する行程」であるのに対し，引用方法発明においては「第１の主電極」は「第２の窒化物系半導体領域上に」形成され，「前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」は形成されない点。
（６）相違点１についての検討
　「第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」を形成することは，引用文献１，３，４いずれにも記載も示唆もされていない。
　引用発明１の「ガードリング」は，低ドープｐ型の半導体層からなるものであって「電極」ではないし，その機能は空乏層を延長させるためのもの（前記１（２）ア（ウ）（エ））である。
　そして，引用方法発明は耐圧の向上のために，二次元キャリアガスチャネルのキャリア密度を低下させるもので，空乏層を用いるものでないから，引用方法発明において空乏層を延長させるべく引用発明１の「ガードリング」を形成することを採用する理由がない。
　さらに，本願発明５におけるＪＴＥ構造の電位の安定化という課題（本願明細書段落００５３）がいずれの引用文献にも記載も示唆もされていないから，引用方法発明において「浮遊電極」を形成することを採用すべき動機づけに欠けるというべきである。
　よって，相違点に係る「浮遊電極」を形成することを想到することは，当業者が容易になし得ることではない。
（７）本願発明５と引用発明１’との対比
　前記１（７）と同様であるから，本願発明５と引用発明１’とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に上部電極を形成する工程と
　を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点１’
　本願発明５は「基板の上方に第１の化合物半導体層を形成する工程」を含むのに対し，引用発明１’においては「SiC基板は低ドープｎ導体層からなって」おり，基板の上方に低ドープｎ導体層を形成する工程は含まない点。
（イ）相違点２’
　本願発明５においては，「前記第１の化合物半導体層上に上部電極を形成する工程」が，「前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」も「形成する」のに対し，引用発明１’においては「ショットキー金属コンタクト層を低ドープｎ導体層と接触するように形成」は，「浮遊電極」を形成しない点。
（ウ）相違点３’
　本願発明５においては，「前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成される」のに対し，引用発明１’においては，「２次元正孔ガス」が生成されない点。
（８）相違点３’についての検討
　相違点３’について検討する。
　引用発明５においては，低ドープｎ導体層と低ドープｐ型の第２層のｐｎ接合に形成される空乏層を，低ドープｐ型の第２層を蝕刻することで形成されるガードリングにより延長すること（前記１（２）ア（ウ）（エ））で耐圧を高めるものである。引用発明１’の「連続ステップでチャージレベルが漸減する」とは，ｐ型の第２層におけるアクセプタイオンによるチャージレベルが漸減する（空乏層の厚さがアクセプタ濃度により決定されることは技術常識である。）という意味であり，固定されたチャージではなくキャリアである２次元正孔ガスとは無関係のものである。
　そして，２次元正孔ガスを用いて耐圧を高めることは引用方法発明において開示されているが，引用発明１’における電流を阻止している空乏層を導電性の高い引用方法発明の２次元正孔ガスに置き換えることは，発想からして全く逆の方向であり，動機づけに欠けるものであるから，容易に想到しうるとはいえない。
（９）本願発明５についてのまとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明５は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（１０）請求項６ないし８について
　本願の請求項６ないし８に係る発明は，本願発明５の発明特定事項をすべて含みさらに別の発明特定事項を付加したものに相当するから，本願発明５が前記（９）のとおり，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない以上，請求項６ないし８に係る発明も同様の理由で，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
３　請求項９について
（１）引用文献２の記載と引用方法発明
　前記２（１）のとおり，引用文献２には引用方法発明が記載されていると認められる。
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　前記２（２）のとおり，引用文献１には引用発明１’が記載されていると認められる。
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　前記１（３）のとおり，引用文献３には引用発明３が記載されていると認められる。
（４）引用文献４の記載と引用発明４
　前記１（４）のとおり，引用文献４には引用発明４が記載されていると認められる。
（５）本願発明９と引用方法発明との対比
　前記１（５）と同様であるから，本願発明９と引用方法発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「基板の上方に第１の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成する工程と，
　上部電極を形成する工程と
　を含み，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されること
　を特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明９の「上部電極を形成する行程」は「前記第１の化合物半導体層上に上部電極と，前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極とを形成する行程」であるのに対し，引用方法発明においては「第１の主電極」は「第２の窒化物系半導体領域上に」形成され，「前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」は形成されない点。
（イ）相違点２
　本願発明９の「第２の化合物半導体層を形成する工程は，前記第２の化合物半導体層の形成部位を開口するマスクを形成する工程と，分子線エピタキシャル成長法により，前記基板の法線を基準として前記上部電極の逆側に傾斜する第１の角度でアルミニウム又はインジウムを入射し，前記法線を基準として前記上部電極側に傾斜する第２の角度で他の材料元素を入射する工程とを含み，前記第２の角度を前記第１の角度よりも大きくすること」であるのに対し，引用方法発明の「第２の窒化物系半導体領域を形成する行程」は前記具体的な工程を含まない点。
（６）相違点１についての検討
　相違点１について検討する。
　「第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」を形成することは，引用文献１，３，４いずれにも記載も示唆もされていない。
　引用発明１の「ガードリング」は，低ドープｐ型の半導体層からなるものであって「電極」ではないし，その機能は空乏層を延長させるためのもの（前記１（２）ア（ウ）（エ））である。
　そして，引用方法発明は耐圧の向上のために，二次元キャリアガスチャネルのキャリア密度を低下させるもので，空乏層を用いるものでないから，引用方法発明において空乏層を延長させるべく引用発明１の「ガードリング」を形成することを採用する理由がない。
　さらに，本願発明５におけるＪＴＥ構造の電位の安定化という課題（本願明細書段落００５３）がいずれの引用文献にも記載も示唆もされていないから，引用方法発明において「浮遊電極」を形成することを採用すべき動機づけに欠けるというべきである。
　よって，相違点１に係る「浮遊電極」を形成することを想到することは，当業者が容易になし得ることではない。
（７）本願発明９と引用発明１’との対比
　前記１（７）と同様であるから，本願発明９と引用発明１’とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「前記第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を形成する工程と，
　前記第１の化合物半導体層上に上部電極を形成する工程と
　を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。」
　イ　相違点
（ア）相違点１’
　本願発明９は「基板の上方に第１の化合物半導体層を形成する工程」を含むのに対し，引用発明１’においては「SiC基板は低ドープｎ導体層からなって」おり，基板の上方に低ドープｎ導体層を形成する工程は含まない点。
（イ）相違点２’
　本願発明９においては，「前記第１の化合物半導体層上に上部電極を形成する工程」が，「前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」も「形成する」のに対し，引用発明１’においては「ショットキー金属コンタクト層を低ドープｎ導体層と接触するように形成」は，「浮遊電極」を形成しない点。
（ウ）相違点３’
　本願発明９においては，「前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成される」のに対し，引用発明１’においては，「２次元正孔ガス」が生成されない点。
（エ）相違点４’
　本願発明９の「前記第２の化合物半導体層を形成する工程は，前記第２の化合物半導体層の形成部位を開口するマスクを形成する工程と，分子線エピタキシャル成長法により，前記基板の法線を基準として前記上部電極の逆側に傾斜する第１の角度でアルミニウム又はインジウムを入射し，前記法線を基準として前記上部電極側に傾斜する第２の角度で他の材料元素を入射する工程とを含み，前記２の角度を前記第１の角度よりも大きくすること」であるのに対し，引用発明１’の「第２の窒化物系半導体領域を形成する行程」は前記具体的な工程を含まない点。
（８）相違点３’についての検討
　相違点３’について検討する。
　引用発明９においては，低ドープｎ導体層と低ドープｐ型の第２層のｐｎ接合に形成される空乏層を，低ドープｐ型の第２層を蝕刻することで形成されるガードリングにより延長すること（前記１（２）ア（ウ）（エ））で耐圧を高めるものである。引用発明１’の「連続ステップでチャージレベルが漸減する」とは，ｐ型の第２層におけるアクセプタイオンによるチャージレベルが漸減する（空乏層の厚さがアクセプタ濃度により決定されることは技術常識である。）という意味であり，固定されたチャージではなくキャリアである２次元正孔ガスとは無関係のものである。
　そして，２次元正孔ガスを用いて耐圧を高めることは引用方法発明において開示されているが，引用発明１’における電流を阻止している空乏層を導電性の高い引用方法発明の２次元正孔ガスに置き換えることは，発想からして全く逆の方向であり，動機づけに欠けるものであるから，容易に想到しうるとはいえない。
（９）本願発明９についてのまとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明９は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
４　請求項１０について
（１）引用文献２の記載と引用装置発明
　前記１（１）のとおり，引用文献２には引用装置発明が記載されていると認められる。
（２）引用文献１の記載と引用発明１
　前記１（２）のとおり，引用文献１には引用発明１が記載されていると認められる。
（３）引用文献３の記載と引用発明３
　前記１（３）のとおり，引用文献３には引用発明３が記載されていると認められる。
（４）引用文献４の記載と引用発明４
　前記１（４）のとおり，引用文献４には引用発明４が記載されていると認められる。
（５）本願発明１０と引用装置発明との対比
　前記１（５）と同様であるから，本願発明１０と引用装置発明とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「基板と，
　前記基板の上方に形成された第１の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層と，
　上部電極と，
　を含む化合物半導体装置であって，
　前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成されることを特徴とする。」
　イ　相違点
（ア）相違点１
　本願発明１０は「電源装置」であって，「ダイオード及びスイッチ素子を有するＰＦＣ回路を備えた電源装置であって，前記ダイオード及び前記スイッチ素子の少なくとも一方は」「化合物半導体装置」であるのに対し，引用装置発明においては「半導体装置」を「ダイオード及びスイッチ素子を有するＰＦＣ回路を備えた電源装置」に応用することは明示されていない点。
（イ）相違点２
　本願発明１０の「上部電極」は「第１の化合物半導体層上に」形成されるのに対し，引用装置発明の「第１の主電極」は「第２の窒化物系半導体領域上に」備えられる点。
（ウ）相違点３
　本願発明１０が「第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」を含むのに対し，引用装置発明は前記「浮遊電極」を含まない点。
（６）相違点３についての検討
　相違点３について検討する。
　「第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」は，引用文献１，３，４いずれにも記載も示唆もされていない。
　引用発明１の「ガードリング」は，低ドープｐ型の半導体層からなるものであって「電極」ではないし，その機能は空乏層を延長させるためのもの（前記１（２）ア（ウ）（エ））である。
　そして，引用装置発明は耐圧の向上のために，二次元キャリアガスチャネルのキャリア密度を低下させるもので，空乏層を用いるものでないから，引用装置発明において空乏層を延長させるべく引用発明１の「ガードリング」を採用する理由がない。
　さらに，本願発明１０におけるＪＴＥ構造の電位の安定化という課題（本願明細書段落００５３）がいずれの引用文献にも記載も示唆もされていないから，引用装置発明において「浮遊電極」を採用すべき動機づけに欠けるというべきである。
　よって，相違点３に係る「浮遊電極」を想到することは，当業者が容易になし得ることではない。
（７）本願発明１０と引用発明１との対比
　前記１（７）と同様であるから，本願発明１０と引用発明１とは，下記アの点で一致し，下記イの点で相違すると認められる。
　ア　一致点
「第１の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された第２の化合物半導体層と，
　前記第１の化合物半導体層上に形成された上部電極と
　を含む化合物半導体装置」
　イ　相違点
（ア）相違点１’
　本願発明１０は「電源装置」であって，「ダイオード及びスイッチ素子を有するＰＦＣ回路を備えた電源装置であって，前記ダイオード及び前記スイッチ素子の少なくとも一方は」「化合物半導体装置」であるのに対し，引用発明１においては「ダイオード」を「ダイオード及びスイッチ素子を有するＰＦＣ回路を備えた電源装置」に応用することは明示されていない点。
（イ）相違点２’
　本願発明１０の「第１の化合物半導体層」は「基板の上方に形成され」，「基板」とは別体であるのに対し，引用発明１の「低ドープｎ導体層」は「SiC基板」である点。
（ウ）相違点３’
　本願発明１０は「前記第２の化合物半導体層の周囲を囲む枠状の電極であって，電気的に浮遊状態とされた浮遊電極」を含むのに対し，引用発明１は前記「浮遊電極」を含まない点。
（エ）相違点４’
　本願発明１０においては「前記第１の化合物半導体層の前記第２の化合物半導体層との界面に，前記上部電極から離間するほど正孔濃度が低くなるように，２次元正孔ガスが生成される」のに対し，引用発明１０においては「２次元正孔ガス」が生成されない点。
（８）相違点４’についての検討
　相違点４’について検討する。
　引用発明１においては，低ドープｎ導体層と低ドープｐ型の第２層のｐｎ接合に形成される空乏層を，低ドープｐ型の第２層を蝕刻することで形成されるガードリングにより延長すること（前記１（２）ア（ウ）（エ））で耐圧を高めるものである。引用発明１の「連続ステップでチャージレベルが漸減する」とは，ｐ型の第２層におけるアクセプタイオンによるチャージレベルが漸減する（空乏層の厚さがアクセプタ濃度により決定されることは技術常識である。）という意味であり，固定されたチャージではなくキャリアである２次元正孔ガスとは無関係のものである。
　そして，２次元正孔ガスを用いて耐圧を高めることは引用装置発明において開示されているが，引用発明１における電流を阻止している空乏層を導電性の高い引用装置発明の２次元正孔ガスに置き換えることは，発想からして全く逆の方向であり，動機づけに欠けるものであるから，容易に想到しうるとはいえない。
（９）本願発明１０についてのまとめ
　したがって，他の相違点について検討するまでもなく，本願発明１０は，引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第５　むすび
　以上のとおり，本願については，原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。