Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年1月16日(2020.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を第１の導波路の出力ポートへ導くための第１の導波路と、
少なくとも第１の反射面および第２の反射面を含む光学系と、
回折格子と、
を備え、
前記第１の反射面は、前記第１の導波路の前記出力ポートからの光を前記第２の反射面へ反射するように配置されており、
前記第２の反射面は、前記第１の反射面からの光を、前記第１の反射面を通して前記回折格子へ後方反射するように配置されており、
前記回折格子は、前記第２の反射面からの光を０でない回折次数で第１の方向に回折する、
内視鏡。
【請求項２】
前記第１の反射面は、前記第１の反射面が前記第１の導波路の前記出力ポートから受光する光の少なくとも一部分のための内部全反射面である、請求項１に記載の内視鏡。
【請求項３】
前記第１の反射面と前記回折格子の構成要素の一部分とが同じ平面上にあり、どちらも単一の支持構造上にある、請求項１に記載の内視鏡。
【請求項４】
前記第２の反射面は、曲面である、請求項１に記載の内視鏡。
【請求項５】
前記光学系は、前記第１の導波路の前記出力ポートと前記第１の反射面との間に位置するスペーサをさらに含む、請求項１に記載の内視鏡。
【請求項６】
前記スペーサは、ＧＲＩＮレンズを含む、請求項５に記載の内視鏡。
【請求項７】
前記第１の導波路の光軸は、前記ＧＲＩＮレンズの光軸と同一直線上にある、請求項６に記載の内視鏡。
【請求項８】
前記内視鏡の端部部分は、前記第１の導波路の前記出力ポートと照明面との間にあり、
前記照明面は、照明光が前記内視鏡から出てくる前記内視鏡の最終表面であり、
前記内視鏡の端部部分の直径は、３５０μｍ未満である、
請求項１に記載の内視鏡。
【請求項９】
前記内視鏡が複数の伝搬モードを有し、
前記複数の伝搬モードのうちの第１の伝搬モードでは、前記第１の導波路の前記出力ポートからの光が前記第１の反射面によって反射され、次に、前記第２の反射面によって反射され、次に、前記回折格子によって回折され、
前記複数の伝搬モードのうちの第２の伝搬モードでは、前記第１の導波路の前記出力ポートからの光が前記回折格子によって回折され、前記第１の反射面または前記第２の反射面によって反射されない、
請求項１に記載の内視鏡。
【請求項１０】
検出器とスイッチとをさらに備える、請求項９に記載の内視鏡。
【請求項１１】
前記第１の反射面は、前記出力ポートからの光を前記第１の反射面の法線に対して第１の角度で受光するように構成されており、
前記第１の角度は、内部全反射のための臨界角よりも大きい、
請求項１に記載の内視鏡。
【請求項１２】
前記第１の反射面および前記回折格子の構成要素は、実質的に平行な平面上にある、請求項１に記載の内視鏡。
【請求項１３】
前記第１の反射面は、単一の支持構造と薄膜または薄層との間の境界面であり、前記回折格子は、前記薄膜または薄層上にある、請求項１２に記載の内視鏡。
【請求項１４】
前記第２の反射面は、ボールレンズの表面である、請求項１に記載の内視鏡。
【請求項１５】
前記内視鏡は、カラー内視鏡であり、
前記回折格子は、前記第２の反射面からの光を、０でない回折次数の、前記回折次数が相互に異なる青色、緑色および赤色の波長光で前記第１の方向に回折する、
請求項１に記載の内視鏡。
【請求項１６】
前記光学系は、ＧＲＩＮレンズを含むスペーサをさらに含み、前記スペーサは、前記第１の導波路の前記出力ポートと前記第１の反射面との間に位置し、前記ＧＲＩＮレンズの光出射端部は、前記第１の反射面が内部全反射面になるよう、所定の方向に傾斜している、請求項１５に記載の内視鏡。
【請求項１７】
前記内視鏡の端部部分の回転中心と、前記回折格子から出てくる光ビームの中心との間のギャップは、前記内視鏡の前記端部部分に外接する円の直径の１／１０未満である、請求項１５に記載の内視鏡。
【請求項１８】
前記第１の反射面は、単一の支持構造と薄層との間の境界面であり、前記回折格子は、前記薄層上にあり、前記支持構造の屈折率Ｎ１および前記薄層の屈折率Ｎ２は、Ｎ２／Ｎ１＜０．８を満足する、請求項１５に記載の内視鏡。
【請求項１９】
前記薄層は、空隙であり、前記薄層の前記屈折率Ｎ２は、Ｎ２＝１を満足する、請求項１８に記載の内視鏡。
【請求項２０】
前記回折格子は、カバーガラスによって支持されている、請求項１９に記載の内視鏡。
【請求項２１】
前記回折格子を形成する部材は、前記薄層を兼ねている、請求項１８に記載の内視鏡。
【請求項２２】
光源と、
検出器と、
前記光源からの光を第１の導波路の出力ポートへ導くための第１の導波路と、
少なくとも第１の反射面および第２の反射面を含む光学系と、
回折格子と、
を備え、
前記第１の反射面は、前記第１の導波路の前記出力ポートからの光を前記第２の反射面へ反射するように配置されており、
前記第２の反射面は、前記第１の反射面からの光を、前記第１の反射面を通して前記回折格子へ後方反射するように配置されており、
前記回折格子は、前記第２の反射面からの光を０でない回折次数で第１の方向に回折し、
さらに、光を集光し、前記集光された光を前記検出器へ送るための第２の導波路を備える、
撮像装置。
【請求項２３】
第１の導波路と、
少なくとも、第１の反射面、第２の反射面および回折格子を含む光学系と、
を備え、
前記回折格子は、光を受光し、前記受光された光を、前記第１の反射面を通して回折するように配置されており、
前記第２の反射面は、前記回折格子によって回折された前記第１の反射面を通過した回折光を受光し、前記回折光を前記第１の反射面に向けて後方反射するように配置されており、
前記第１の反射面は、前記第２の反射面からの前記回折光を前記第１の導波路に向けて反射するように配置されており、
前記第１の導波路は、前記第１の反射面が前記第２の反射面から反射する前記回折光を受光するように配置されている、
プローブ。
【請求項２４】
前記第１の反射面は、前記第２の反射面からの光を前記第１の反射面の法線に対して第１の角度で受光するように構成されており、
前記第１の角度は、内部全反射のための臨界角よりも大きい、
請求項２３に記載のプローブ。
【請求項２５】
前記第１の反射面と前記回折格子の構成要素とが実質的に平行な平面上にある、請求項２３に記載のプローブ。
【請求項２６】
光源からの光を第１の導波路の出力ポートへ導くための第１の導波路と、
少なくとも、第１の反射面、第２の反射面、第１の回折格子および第２の回折格子を含む光学系と、
を備え、
前記第１の反射面は、前記第１の導波路の前記出力ポートからの光を前記第２の反射面へ反射するように配置されており、
前記第２の反射面は、前記第１の反射面からの光の第１の部分を第１の回折格子に向けて反射するように配置されており、
前記第２の反射面は、前記第１の反射面からの前記光の第２の部分を、第２の回折格子を通して透過させるように配置されており、
前記第１の回折格子は、前記第２の反射面から反射された光を０でない回折次数で第１の方向に回折し、
前記第２の回折格子は、前記第２の反射面を通して透過された光を０でない回折次数で前記第１の方向と異なる第２の方向に回折する、
プローブ。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月19日(2019.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このために、本発明は、第１の部分及び第２の部分から構成されるパワーモジュールであって、第１の部分は、導体層及び絶縁層から構成され、第１の導体層は第１の部分の底にあり、第２の部分は少なくとも１つの第２の導体層から構成され、第１の導体層及び／又は第２の導体層は壁が金属めっきされたパイプを形成するキャビティを構成し、金属めっきは第１の導体層及び第２の導体層を接合して防水導管を形成する、パワーモジュールに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の部分及び第２の部分から構成されるパワーモジュールであって、
前記第１の部分は、導体層及び絶縁層から構成され、
第１の導体層は前記第１の部分の底にあり、前記第２の部分は少なくとも１つの第２の導体層から構成され、前記第１の導体層及び／又は前記第２の導体層は、壁が金属めっきされたパイプを形成するキャビティを構成し、
前記金属めっきは、前記第１の導体層及び前記第２の導体層を接合して防水導管を形成する、パワーモジュール。
【請求項２】
前記接合の機械的、電気的及び／又は熱的特性を改善するために、前記パイプは材料で満たされている、請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記パイプは二相の材料で満たされている、請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
前記導体層の材料は、前記金属めっきの材料と同一である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項５】
前記導体層の材料及び前記金属めっきの材料は、銅である、請求項４に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記パイプの前記壁は、表面パッシベーション材料によって更に金属めっき加工されている、請求項５に記載のパワーモジュール。
【請求項７】
前記表面パッシベーション材料はニッケル及び金で表面処理されている、請求項６に記載のパワーモジュール。
【請求項８】
前記第２の部分は導体層及び絶縁層から構成され、パワーダイ及び／又は受動素子は、前記第１の部分及び／又は前記第２の部分に埋め込まれている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項９】
第１の部分及び第２の部分から構成されるパワーモジュールを製造する方法であって、前記第１の部分は導体層及び絶縁層から構成され、第１の導体層は前記第１の部分の底にあり、前記第２の部分は少なくとも１つの第２の導体層から構成される、方法において、
前記方法は、
キャビティを前記第１の導体層上及び／又は前記第２の導体層上に形成するステップと、
前記第１の導体層及び前記第２の導体層を重ね、前記第１の導体層及び前記第２の導体層が接触するとき、前記キャビティはパイプを形成するステップと、
前記第１の部分及び前記第２の部分を接合するために、前記第１の導体層及び前記第２の導体層によって形成される前記パイプの壁を金属めっき加工するステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
前記接合の機械的、電気的、及び／又は熱的特性を改善するために、前記パイプは材料によって満たされている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法は、表面パッシベーション材料を用いて前記パイプの前記壁をめっき加工するステップを更に含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月1日(2020.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
いくつかの連続する測定サイクルに関する閾値との第１関係を有するグラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）における現在のワークロードの処理に関連する第１パフォーマンスメトリクスを識別することであって、前記いくつかの連続する測定サイクルは、現在の測定サイクルと、少なくとも１つの以前の測定サイクルと、を含み、前記第１パフォーマンスメトリクスは、現在のワークロードを処理している間のＧＰＵパフォーマンスを示す、ことと、
前記連続する測定サイクルの数がアップヒステリシスレベル及びダウンヒステリシスレベルの何れかを超えたことに応じて、前記現在のワークロードを処理する現在のコンピューティング環境のハードウェア構成を表すデータに基づいて、将来の測定サイクルで前記ＧＰＵに適用される推定された最適化を決定することと、
前記アップヒステリシスレベル及び前記ダウンヒステリシスレベルの何れかを調整することによって、前記将来の測定サイクルでの前記ＧＰＵの電力レベル設定を前記推定された最適化に基づいて調整することと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記電力レベル設定を調整することは、前記ＧＰＵのコアクロック周波数及びメモリクロック周波数のうち少なくとも一方を変更することを含む、
請求項１の方法。
【請求項３】
前記第１パフォーマンスメトリクスを識別することは、前記ＧＰＵの平均利用率、前記ＧＰＵの平均動作温度、及び、前記現在の測定サイクルの間に消費された平均蓄積電力のうち少なくとも１つを識別することを含む、
請求項１の方法。
【請求項４】
前記第１パフォーマンスメトリクスを識別することは、前記現在の測定サイクルに関する前記ＧＰＵの現在の処理ワークロードと、前記将来の測定サイクルに関する前記ＧＰＵの予測された将来の処理ワークロードと、に基づいて、前記第１パフォーマンスメトリクスを識別することを含む、
請求項１の方法。
【請求項５】
前記電力レベル設定を調整することは、前記アップヒステリシスレベルを調整することを含む、
請求項１の方法。
【請求項６】
前記電力レベル設定を調整することは、前記ダウンヒステリシスレベルを調整することを含む、
請求項１の方法。
【請求項７】
前記ＧＰＵの電力レベル設定を調整することは、識別された前記第１パフォーマンスメトリクスとパフォーマンスメトリクス閾値との間の差に基づく前記ＧＰＵの現在の電力レベルの大きさによって、前記将来の測定サイクルでの電力レベル設定を調整することを含む、
請求項１の方法。
【請求項８】
実行可能命令のセットを具体化するコンピュータ可読記憶媒体であって、
前記実行可能命令のセットは、
いくつかの連続する測定サイクルに関する閾値との第１関係を有するグラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）における現在のワークロードの処理に関連する第１パフォーマンスメトリクスを識別することであって、前記いくつかの連続する測定サイクルは、現在の測定サイクルと、少なくとも１つの以前の測定サイクルと、を含み、前記第１パフォーマンスメトリクスは、現在のワークロードを処理している間のＧＰＵパフォーマンスを示す、ことと、
前記連続する測定サイクルの数がアップヒステリシスレベル及びダウンヒステリシスレベルの何れかを超えたことに応じて、
将来の測定サイクルで前記ＧＰＵに適用される推定された最適化を決定することと、
前記アップヒステリシスレベル及び前記ダウンヒステリシスレベルの何れかを調整することによって、前記推定された最適化に基づいて、前記将来の測定サイクルでの前記ＧＰＵの電力レベル設定を調整することと、
を行うようにプロセッサを操作する、
コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
前記電力レベル設定を調整することは、前記ＧＰＵのコアクロック周波数及びメモリクロック周波数のうち少なくとも一方を変更することを含む、
請求項８のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記第１パフォーマンスメトリクスを識別することは、前記ＧＰＵの平均利用率、前記ＧＰＵの平均動作温度、及び、前記現在の測定サイクルの間に消費された平均蓄積電力のうち少なくとも１つを識別することを含む、
請求項８のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記電力レベル設定を調整することは、前記アップヒステリシスレベルを調整することを含む、
請求項８のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１２】
前記電力レベル設定を調整することは、前記ダウンヒステリシスレベルを調整することを含む、
請求項８のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
グラフィックス処理ユニット（ＧＰＵ）を備えるデバイスであって、
前記ＧＰＵは、
複数のコンピュートユニット（ＣＵ）を含むグラフィックスパイプラインと、
パフォーマンスモジュールと、
電力及びクロックコントローラモジュールと、を備え、
前記パフォーマンスモジュールは、
いくつかの連続する測定サイクルに関する閾値との第１関係を有する前記ＧＰＵにおける現在のワークロードの処理に関連する第１パフォーマンスメトリクスを識別することであって、前記いくつかの連続する測定サイクルは、現在の測定サイクルと、少なくとも１つの以前の測定サイクルと、を含み、前記第１パフォーマンスメトリクスは、現在のワークロードを処理している間のＧＰＵパフォーマンスを示す、ことと、
前記連続する測定サイクルの数がアップヒステリシスレベル及びダウンヒステリシスレベルの何れかを超えたことに応じて、前記デバイスのハードウェア構成を表すデータに基づいて、将来の測定サイクルで前記ＧＰＵに適用される推定された最適化を決定することと、を行い、
前記電力及びクロックコントローラモジュールは、
前記アップヒステリシスレベル及び前記ダウンヒステリシスレベルの何れかを調整することによって、前記推定された最適化に基づいて、前記ＧＰＵの電力レベル設定を調整する、
デバイス。
【請求項１４】
前記推定された最適化は、パフォーマンスが最適化された複数の設定と、省電力が最適化された複数の設定と、を含む事前定義された電力レベル設定のセットから選択される、
請求項１３のデバイス。
【請求項１５】
前記電力及びクロックコントローラモジュールは、前記推定された最適化に基づいて、前記ＧＰＵのコアクロック周波数及びメモリクロック周波数のうち少なくとも一方を調整するようにさらに構成されている、
請求項１４のデバイス。
【請求項１６】
前記パフォーマンスモジュールは、前記ＧＰＵの平均利用率、前記ＧＰＵの平均動作温度、及び、前記現在の測定サイクルの間に消費された平均蓄積電力のうち少なくとも１つを識別するようにさらに構成されている、
請求項１３のデバイス。
【請求項１７】
前記デバイスは、前記パフォーマンスモジュールでキャプチャされたセンサデータに基づいて前記第１パフォーマンスメトリクスを計算するように構成されたＧＰＵファームウェアをさらに備える、
請求項１３のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月12日(2020.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
誘電体材料を有する基板と、
前記誘電体材料内に形成された狭い相互接続開口と、
前記誘電体材料内に形成された広い相互接続開口であって、前記狭い相互接続開口と比較してより大きいフィーチャサイズを有する広い相互接続開口と、
前記狭い相互接続開口を完全に充填して第１相互接続構造を形成し、前記誘電体材料内に形成された前記広い相互接続開口の表面をコンフォーマルに覆う第１金属と、
前記第１金属上に形成されており、前記第１金属によってカプセル化されており、前記広い相互接続開口内に第２相互接続構造を形成する第２金属と、
を備え、
前記第２金属は、底部、頂部及び側部を有し、
前記第２金属の前記底部、前記頂部及び側部は、前記第１金属と直接接触しており、
前記第２金属の前記頂部は、前記誘電体材料によって前記第２相互接続構造から分離している、半導体デバイス。
【請求項２】
前記相互接続開口は、トレンチ開口、ビア開口、又はデュアルダマシン開口を含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記第１金属は、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ、又はＣｏを含み、前記誘電体材料に直接接触しており、前記第２金属へのバリア／ライナとして作用する、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記第２金属は、Ｃｕ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｗ及びＣｏの群のうちの少なくとも１つを含み、前記第１金属よりも低い抵抗率を有する、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記誘電体材料内に形成された複数の導電層をさらに備え、
前記複数の導電層は前記第１相互接続構造及び前記第２相互接続構造の底部にあり、前記複数の導電層のうちの少なくとも１つは前記第１相互接続構造及び前記第２相互接続構造のうちの１つと直接接触している、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記導電層はＲｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ａｌ及びＣｏの群のうちの少なくとも１つを含む、
請求項５記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記誘電体材料は、層間絶縁層（ＩＬＤ）、金属間絶縁層（ＩＭＤ）及び低Ｋ材料層の群のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１相互接続構造及び前記第２相互接続構造の頂部表面は前記誘電体材料の頂部表面よりも低い、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記第１金属は、前記誘電体材料に直接接触し、前記第２金属の頂部表面は、前記第１金属の頂部表面と同じ高さである、
請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
半導体デバイスを製造する方法であって、
基板上に誘電体材料を設けるステップと、
前記誘電体材料内に相互接続開口を形成するステップと、
前記相互接続開口の表面をコンフォーマルに覆うために第１金属を堆積するステップと、
前記相互接続開口を充填するために前記第１金属上に第２金属を堆積させるステップと、
前記相互接続開口内の前記第２金属を凹部形成するステップと、
前記相互接続開口を完全に充填するために、前記第１金属及び前記第２金属上に第３金属を堆積するステップと、
前記半導体デバイスを平坦化するステップであって、前記誘電体材料の頂部表面は前記第３金属の頂部表面と同じ高さとする、ステップと、
を有する方法。
【請求項１１】
前記第３金属を凹部形成するステップであって、前記相互接続開口内の前記第３金属の頂部表面は、前記誘電体材料の頂部表面よりも低い、ステップをさらに含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体材料を形成するステップは、前記誘電体材料内に複数の導電層を形成するステップを含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体材料内に前記導電層を形成するステップは、前記相互接続開口の底部に前記導電層を形成するステップを含み、
前記複数の導電層のうちの少なくとも１つは、前記相互接続開口内に充填された金属と直接接触する、
請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記相互接続開口を形成するステップは、トレンチ開口、ビア開口又はデュアルダマシン開口を形成するステップを含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１５】
前記誘電体材料内に相互接続開口を形成するステップは、
前記誘電体材料上にハードマスク積層体を形成するステップと、
前記ハードマスク積層体をエッチングしてハードマスクパターンを形成する第１エッチングプロセスを実行するステップと、
パターニングされた前記ハードマスク積層体上にスピンオンカーボン層（ＳＯＣ層）をコーティングし、前記ＳＯＣ層をパターニングするステップと、
パターニングされた前記ＳＯＣ層をマスクとして使用することにより前記誘電体材料内へエッチングダウンする第２エッチングプロセスを実行するステップと、
前記ＳＯＣ層を除去するステップと、
トレンチ開口、ビア開口又はデュアルダマシン開口を有する相互接続開口の形成を完了するために、パターニングされた前記ハードマスク積層体をマスクとして使用することにより、前記誘電体材料内へエッチングダウンする第３エッチングプロセスを実行するステップと、
を含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１６】
前記第１金属の上に前記第２金属を堆積するステップは、前記誘電体材料の頂部表面上に、前記相互接続開口内のトレンチの底部上に、及び、前記相互接続開口内の前記トレンチの側壁に沿って、前記第２金属を堆積するステップを含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１７】
前記第２金属を凹部形成するステップは、
前記誘電体材料の頂部表面上の部分及び前記相互接続開口内のトレンチの側壁に沿った部分を完全に除去するステップと、
前記相互接続開口内のトレンチの底部上の部分を部分的に除去するステップと、を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１８】
前記第２金属を堆積するステップは、前記第１金属と同じ金属を堆積されるステップを含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１９】
前記第１金属及び前記第３金属で前記第２金属をカプセル化するステップをさらに含み、
前記第２金属は、前記相互接続開口内で、前記第１金属上に形成されており、前記第３金属によって覆われている、
請求項１０記載の方法。
【請求項２０】
前記第１金属を堆積するステップは、
原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はコンフォーマルＣＶＤプロセスを介して前記第１金属を堆積するステップを含み、
前記第１金属は、前記相互接続開口の表面をコンフォーマルに覆い、前記誘電体材料と直接接触し、前記第２金属に対するバリア／ライナとして作用する、
請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月11日(2020.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
異なる特徴を有しおよび本発明に従う複数の支持体が準備された。これらの支持体は、３００ｍｍの直径および１７.６ｋΩ・ｃｍの抵抗率を有するケイ素ウエハ（silicon wafer）からなるベース基板を含む。ベース基板には、各々、１４５ｎｍの厚さを有する二酸化ケイ素絶縁層が熱酸化によって備えられている。多結晶ケイ素製のトラップ層は、ＲＰＣＶＤによってこの絶縁層上に形成されており、この層は、２ミクロン、７ミクロン、および１６ミクロンの厚さを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
ドナー基板が単純な半導体基板、すなわち集積デバイスを含まないものであるとき、絶縁体上半導体基板（semiconductor-on-insulator substrate）は、このように形成され、その中で、図２に示されるように、有用層５は、本発明の支持体を含む未加工（virgin）半導体層である。基板は、次いで、集積デバイスを形成するために使用されてもよい。
【手続補正書】
【提出日】令和1年10月3日(2019.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子構成素子（２０）を、第２の電子構成素子（３０）に機械的に接続させる方法であって、
前記第１の電子構成素子（２０）は、第１の方向（９０）で第１の貫通開口部（２５，２６）を有し、前記第２の電子構成素子（３０）は、前記第１の方向（９０）で第２の貫通開口部（３５，３６）又は盲孔を有する、方法において、
前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔が前記第１の方向（９０）で少なくとも部分的に前記第１の貫通開口部（２５，２６）の下方に配置されるように、前記第１の電子構成素子（２０）を前記第１の方向（９０）で前記第２の電子構成素子（３０）の上方に配置して位置決めするステップと、
前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）とに、又は、前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記盲孔とに、注封材料（５０）を導入するステップと、
前記第２の電子構成素子（３０）に対する前記第１の電子構成素子（２０）のロックのために前記注封材料（５０）を硬化させるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の電子構成素子（２０）は、
前記第２の貫通開口部（３５，３６）若しくは前記盲孔が前記第１の方向（９０）で完全に前記第１の貫通開口部（２５，２６）の下方に配置されるように、
又は、
前記第１の貫通開口部（２５，２６）が前記第１の方向（９０）で完全に前記第２の貫通開口部（３５，３６）若しくは前記盲孔の上方に配置されるように、
前記第１の方向（９０）で前記第２の電子構成素子（３０）の上方に配置される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔とは、それぞれ前記第１の方向（９０）に対して垂直な断面で見て楕円形状を有し、前記第１の電子構成素子（２０）は、前記第２の電子構成素子（３０）に対して、前記第１の貫通開口部（２５，２６）が前記第２の貫通開口部（３５，３６）と同軸に位置決めされるように又は前記盲孔と同軸に位置決めされるように、位置決めされる、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔とは、それぞれ前記第１の方向（９０）に対して垂直な断面で見て円形形状を有する、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の電子構成素子（２０）を、前記第１の貫通開口部（２５，２６）、前記第２の貫通開口部（３５，３６）及び前記盲孔のうちの少なくとも１つから最大で０．７５ｍｍのところに位置する箇所において、前記第２の電子構成素子（３０）に電気的に接続させるステップをさらに含む、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の電子構成素子（２０）を、前記第１の貫通開口部（２５，２６）、前記第２の貫通開口部（３５，３６）及び前記盲孔のうちの少なくとも１つから最大で０．５５ｍｍのところに位置する箇所において、前記第２の電子構成素子（３０）に電気的に接続させるステップをさらに含む、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の貫通開口部（２５，２６）を取り囲むダム材料（６０）を、前記第１の電子構成素子（２０）の、前記第２の電子構成素子（３０）とは反対側の第１の側（２１）に被着させるステップと、
前記注封材料（５０）としての充填材料を、前記第１の電子構成素子（２０）の前記第１の側（２１）の、前記ダム材料（６０）によって取り囲まれた部分に、当該充填材料が前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔とに導入されるように、被着させるステップと、
をさらに含む、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の電子構成素子（２０）は、第１のプリント回路基板素子であり、前記第２の電子構成素子（３０）は、第２のプリント回路基板素子である、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
第１の電子構成素子（２０）と、第２の電子構成素子（３０）とを含む電子構成素子（２０，３０）アセンブリ（１０）において、
前記第１の電子構成素子（２０）が、第１の方向（９０）で第１の貫通開口部（２５，２６）を有し、前記第２の電子構成素子（３０）は、前記第１の方向（９０）で第２の貫通開口部（３５，３６）又は盲孔を有し、
前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔が前記第１の方向（９０）で少なくとも部分的に前記第１の貫通開口部（２５，２６）の下方に配置されるように、前記第２の電子構成素子（３０）は、前記第１の方向（９０）で前記第１の電子構成素子（２０）の下方に配置されており、
前記第１の電子構成素子（２０）を前記第２の電子構成素子（３０）に接続させる一体型注封材料（５０）が、前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔とに配置されている、
ことを特徴とするアセンブリ（１０）。
【請求項１０】
前記第２の貫通開口部（３５，３６）若しくは前記盲孔は、前記第１の方向（９０）で完全に前記第１の貫通開口部（２５，２６）の下方に配置されている、
又は、
前記第１の貫通開口部（２５，２６）は、前記第１の方向（９０）で完全に前記第２の貫通開口部（３５，３６）若しくは前記盲孔の上方に配置されている、
請求項９に記載のアセンブリ（１０）。
【請求項１１】
前記第２の電子構成素子（３０）の、前記第１の電子構成素子（２０）とは反対側に、前記注封材料（５０）の一部が配置されている、
請求項９又は１０に記載のアセンブリ（１０）。
【請求項１２】
前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔とは、それぞれ前記第１の方向（９０）に対して垂直な断面で見て楕円形状を有し、前記第１の貫通開口部（２５，２６）は、前記第２の貫通開口部（３５，３６）と同軸に又は前記盲孔と同軸に位置決めされている、
請求項９乃至１１のいずれか一項に記載のアセンブリ（１０）。
【請求項１３】
前記第１の貫通開口部（２５，２６）と前記第２の貫通開口部（３５，３６）又は前記盲孔とは、それぞれ前記第１の方向（９０）に対して垂直な断面で見て円形形状を有する、
請求項１２に記載のアセンブリ（１０）。
【請求項１４】
前記注封材料（５０）は、前記第１の電子構成素子（２０）を前記第２の電子構成素子（３０）に面状に接続させるために、前記第１の電子構成素子（２０）と前記第２の電子構成素子（３０）との間に部分的に配置されている、
請求項９乃至１３のいずれか一項に記載のアセンブリ（１０）。
【請求項１５】
前記第１の電子構成素子（２０）は、第１のプリント回路基板素子であり、前記第２の電子構成素子（３０）は、第２のプリント回路基板素子である、
請求項９乃至１４のいずれか一項に記載のアセンブリ（１０）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年7月18日(2019.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共役ジエン系単量体由来の繰り返し単位、エチレン性不飽和ニトリル系単量体由来の繰り返し単位およびエチレン性不飽和酸単量体由来の繰り返し単位を含む主単量体由来の繰り返し単位；および下記化学式１で表される単量体由来の繰り返し単位を含むカルボン酸変性ニトリル系共重合体を含む、カルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックス。
【化５】
2020505492.tif 000001
前記化学式１中、
Ｒ1は、ヒドロキシ基またはメルカプト基であり、
Ｒ2は、炭素数１〜１０のアルキレン基であり、
Ａは、不飽和基であり、
ｎは、１〜５から選択される整数である。
【請求項２】
Ｒ1はヒドロキシ基であり、Ｒ2は炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ａは（メタ）アクリルアミド基、アリルアミド基、α−アミノ酸基またはβ−アミノ酸基であり、ｎは２〜３から選択される整数である、請求項１に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックス。
【請求項３】
前記化学式１で表される単量体は、下記化学式２で表される、請求項１または２に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックス。
【化６】
2020505492.tif 000002
前記化学式２中、
Ｒ1は、ヒドロキシ基またはメルカプト基であり、
Ｒ2は、炭素数１〜１０のアルキレン基であり、
Ｒ3およびＲ4は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、またはアミン基であり、
Ｚは、炭素原子または窒素原子であり、且つＺが炭素原子である場合、Ｒ3およびＲ4のうち必ず一つ以上はアミン基であり、Ｚが窒素原子である場合、Ｒ3は存在せず、
Ｘは、ヒドロキシ基、ビニル基、アリル基または２−イソプロペニル基であり、
ｎは、１〜５から選択される整数である。
【請求項４】
前記化学式１で表される単量体は、ドーパミン（メタ）アクリルアミド（ｄｏｐａｍｉｎｅ（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ）、３，４−ジヒドロキシフェニルアラニン（３，４−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｌｙａｌａｎｉｎｅ）、Ｎ−アセチルドーパミン（Ｎ−ａｃｅｔｙｌｄｏｐａｍｉｎｅ）、Ｎ−（３，４−ジヒドロキシフェネチル）アクリルアミド（Ｎ−（３，４−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｅｔｈｙｌ）ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ）、ドーパミンアリルアミド（ｄｏｐａｍｉｎｅ  ａｌｌｙｌａｍｉｄｅ）およびチロシン（ｔｙｒｏｓｉｎｅ）からなる群から選択される１種である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックス。
【請求項５】
前記化学式１で表される単量体由来の繰り返し単位の含量は、前記主単量体由来の繰り返し単位の全含量１００重量部に対して、０．５重量部〜５重量部である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックス。
【請求項６】
共役ジエン系単量体、エチレン性不飽和ニトリル系単量体およびエチレン性不飽和酸単量体を含む主単量体；および下記化学式１で表される単量体または下記化学式１で表される単量体由来の繰り返し単位を含む重合体を投入し、重合するステップ（Ｓ１０）を含む、カルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックスの製造方法。
【化７】
2020505492.tif 000003
前記化学式１中、
Ｒ1はヒドロキシ基またはメルカプト基であり、Ｒ2は炭素数１〜１０のアルキレン基であり、
Ａは不飽和基であり、ｎは１〜５から選択される整数である。
【請求項７】
前記（Ｓ１０）ステップの重合時に、共役ジエン系単量体、エチレン性不飽和ニトリル系単量体、エチレン性不飽和酸単量体、前記化学式１で表される単量体および前記化学式１で表される単量体由来の繰り返し単位を含む重合体は、それぞれ独立して、重合開始の前に全量投入；重合開始の前に一部を投入し、重合開始の後に重合転化率が１０％〜５０％である時点で残量投入；または、重合開始の後に重合転化率が１０％〜５０％である時点で全量投入する、請求項６に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックスの製造方法。
【請求項８】
前記（Ｓ１０）ステップの重合時に、共役ジエン系単量体、エチレン性不飽和ニトリル系単量体およびエチレン性不飽和酸単量体を含む主単量体は、重合開始の前に全量投入し、前記化学式１で表される単量体または前記化学式１で表される単量体由来の繰り返し単位を含む重合体は、重合開始の後に重合転化率が１０％〜５０％である時点で全量投入する、請求項７に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックスの製造方法。
【請求項９】
前記化学式１で表される単量体由来の繰り返し単位を含む重合体は、重量平均分子量が１００ｇ／ｍｏｌ〜２００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項６〜８のいずれか一項に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれか１項に記載のカルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックスおよび多価金属カチオン化合物を含む、ディップ成形用ラテックス組成物。
【請求項１１】
前記多価金属カチオン化合物は、水酸化アルミニウム、硫酸アルミニウム、塩化アルミニウム、乳酸アルミニウムおよびアルミニウムアセチルアセトネートからなる群から選択される１種以上である、請求項１０に記載のディップ成形用ラテックス組成物。
【請求項１２】
前記多価金属カチオン化合物の含量は、前記カルボン酸変性ニトリル系共重合体ラテックス（固形分基準）１００重量部に対して、０．１重量部〜５重量部である、請求項１０または１１に記載のディップ成形用ラテックス組成物。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のディップ成形用ラテックス組成物由来層を含む成形品。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月2日(2020.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の物質の収納部としての第一室（１６）を有する第一容器（１１）、前記第一容器（１１）に少なくとも一部が入り込み、第二の物質の収納部としての第二室（５２）を有する第二容器（１２）、および前記第二室（５２）の遠位端を閉止するためのバルブ手段（６８）を有するカートリッジ（１０）から薬剤を投与するための薬剤投与装置システム（１００）であって、
前記カートリッジ（１０）を受け入れる本体（１０４）を含むカセット（１０２）と、
投与動作として前記第一室（１６）から前記薬剤を押し出すための作動要素（２０８）、および前記投与動作を開始させるためのトリガ構造（２４０）を含む発射ユニット（２００）と、を含み、
前記カセット（１０２）は使い捨て可能なカセット（１０２）であり、
混合動作として前記第二の物質を前記バルブ手段（６８）を介して前記第一室（１６）へ移動させ前記第一の物質と混合させて前記薬剤を形成するための混合要素（１４８）と、
前記混合要素（１４８）を付勢して前記カセット本体（１０４）に対して移動させるための混合バネ（１５０）と、
を更に含み、
前記発射ユニット（２００）は再使用可能であって前記カセット（１０２）に着脱可能な発射ユニット（２００）であることを特徴とする、
システム（１００）。
【請求項２】
前記カセット（１０２）は、前記混合要素（１４８）を開始位置に保持し、かつ前記混合要素（１４８）を解放して前記混合動作を開始させるための解放構造（１２５、１５６）を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記解放構造は、前記混合要素（１４８）と係合することにより前記混合要素（１４８）を前記開始位置に保持し、かつ前記混合要素（１４８）から解放されることにより前記混合動作を開始させることが可能な保持部材（１２５）を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記保持部材（１２５）は前記カセット（１０２）から取り外されることにより前記混合動作を開始可能である、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記保持部材（１２５）は、前記混合要素（１４８）と係合している状態において、前記カセット（１０２）の前記発射ユニット（２００）への装着を防止する、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記カセット（１０２）は前記第二容器（１２）への装着のための接続要素（１３２）を含み、前記接続要素（１３２）は前記発射ユニット（２００）の前記作動要素（２０８）と協働可能である、請求項１から５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記カセット（１０２）は、前記薬剤の投与用の針（１１８）を保持するための針ホルダ（１１２）を含み、
前記針ホルダ（１１２）は、前記カセット本体（１０４）に対して移動することにより、前記針（１１８）を前記カセット（１０２）の遠位端から延出させて注射部位（Ｓ）へ挿入可能である、請求項１から６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記カセット（１０２）は、前記カセット（１０２）を注射部位（Ｓ）から取り外す際に前記針（１１８）を被覆するシュラウド（１７２）を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記カセット（１０２）は、前記カセット（１０２）の初期状態において前記針（１１８）を密閉するシールド（１６６）を含む、請求項７または請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
カセットホルダ（１９４）を更に含み、前記シールド（１６６）は、前記カセット（１０２）を前記カセットホルダ（１９４）から取り外す際に、前記カセット（１０２）から退避するように前記カセットホルダ（１９４）に取り付けられている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記発射ユニット（２００）は、前記作動要素（２０８）を遠位方向に付勢するための作動バネ（２１０）を備える、請求項１から１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載のシステムにて使用されるためのカセット（１０２であって、
第一の物質の収納部としての第一室（１６）を有する第一容器（１１）、前記第一容器（１１）に少なくとも一部が入り込み、第二の物質の収納部としての第二室（５２）を有する第二容器（１２）、および前記第一および第二室（１６、５２）を分離するためのバルブ手段（６８）を有するカートリッジ（１０）と、
前記カートリッジ（１０）を受け入れる本体（１０４）と、
混合動作として前記第二の物質を前記バルブ手段（６８）を介して前記第一室（１６）へ移動させ前記第一の物質と混合させて前記薬剤を形成するための混合要素（１４８）と、
前記混合要素（１４８）を付勢して前記カセット本体（１０４）に対して移動させるための混合バネ（１５０）を含む、カセット（１０２）。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれかに記載のシステムにおいて、または請求項１２に記載のカセット（１０２）と共に、使用するための発射ユニット（２００）であって、
投与動作として前記第一室（１６）から前記薬剤を押し出すための作動要素（２０８）と、
前記投与動作を開始させるためのトリガ構造（２４０）と、を含む、発射ユニット（２００）。
【請求項１４】
請求項１２に記載のカセット（１０２）、および請求項１３に記載の発射ユニット（２００）を含む、薬剤投与装置（３００）。
【請求項１５】
第一の物質および第二の物質の混合物を投与するための請求項１４に記載の薬剤投与装置（３００）を組み立てる方法であって、前記第一および第二の物質は前記カセット（１０２）内に収納されており、前記方法は、
前記カセット（１０２）の混合要素（１４８）を始動させ、前記第一および第二の物質を混合させること、および
前記混合要素（１４８）の始動後に、前記カセット（１０２）に発射ユニット（２００）を取り付けること、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月22日(2020.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オリゴマー型であるＴａｕタンパク質に対するナノボディであって、軽鎖を欠いている前記ナノボディ。
【請求項２】
（ｉ）アミノ酸Ｘ1がＳ又はＲであり、アミノ酸Ｘ2がＤ又はＹであり、且つ、アミノ酸Ｘ3がＴ又はＡであるアミノ酸配列ＧＲＴＦＳＸ1Ｘ2Ｘ3（配列番号１）をＣＤＲ１として含み、
（ｉｉ）アミノ酸Ｘ1がＰ又はＲであり、且つ、アミノ酸Ｘ2がＳ又はＶであるアミノ酸配列ＩＳＸ1ＳＧＧＸ2Ｔ（配列番号２）をＣＤＲ２として含み、且つ、
（ｉｉｉ）アミノ酸配列ＮＲＤＰＫＹＧＮＴＲＹ（配列番号５）又はＴＡＲＲＲＩＳＧＴＰＱＷＨＹ（配列番号８）をＣＤＲ３として含む
ナノボディとオリゴマー型Ｔａｕタンパク質への結合について競合するものである、請求項１に記載のナノボディ。
【請求項３】
（ａ）ＣＤＲ１としてのアミノ酸配列（ｉ）ＧＲＴＦＳＳＤＴ（配列番号３）、ＣＤＲ２としてのアミノ酸配列（ｉｉ）ＩＳＰＳＧＧＶＴ（配列番号４）、及びＣＤＲ３としてのアミノ酸配列（ｉｉｉ）ＮＲＤＰＫＹＧＮＴＲＹ（配列番号５）を含むナノボディ、又は
（ｂ）ＣＤＲ１としてのアミノ酸配列（ｉ）ＧＲＴＦＳＲＹＡ（配列番号６）、ＣＤＲ２としてのアミノ酸配列（ｉｉ）ＩＳＲＳＧＧＳＴ（配列番号７）、及びＣＤＲ３としてのアミノ酸配列（ｉｉｉ）ＴＡＲＲＲＩＳＧＴＰＱＷＨＹ（配列番号８）を含むナノボディ
から選択されるナノボディとオリゴマー型Ｔａｕタンパク質への結合について競合するものである、請求項１又は２に記載のナノボディ。
【請求項４】
（ｉ）アミノ酸Ｘ1がＳ又はＲであり、アミノ酸Ｘ2がＤ又はＹであり、且つ、アミノ酸Ｘ3がＴ又はＡであるアミノ酸配列ＧＲＴＦＳＸ1Ｘ2Ｘ3（配列番号１）をＣＤＲ１として含み、
（ｉｉ）アミノ酸Ｘ1がＰ又はＲであり、且つ、アミノ酸Ｘ2がＳ又はＶであるアミノ酸配列ＩＳＸ1ＳＧＧＸ2Ｔ（配列番号２）をＣＤＲ２として含み、且つ、
（ｉｉｉ）アミノ酸配列ＮＲＤＰＫＹＧＮＴＲＹ（配列番号５）又はＴＡＲＲＲＩＳＧＴＰＱＷＨＹ（配列番号８）をＣＤＲ３として含む
ものである、請求項１〜３の何れか一項に記載のナノボディ。
【請求項５】
（ａ）ＣＤＲ１としてのアミノ酸配列（ｉ）ＧＲＴＦＳＳＤＴ（配列番号３）、ＣＤＲ２としてのアミノ酸配列（ｉｉ）ＩＳＰＳＧＧＶＴ（配列番号４）、及びＣＤＲ３としてのアミノ酸配列（ｉｉｉ）ＮＲＤＰＫＹＧＮＴＲＹ（配列番号５）、又は
（ｂ）ＣＤＲ１としてのアミノ酸配列（ｉ）ＧＲＴＦＳＲＹＡ（配列番号６）、ＣＤＲ２としてのアミノ酸配列（ｉｉ）ＩＳＲＳＧＧＳＴ（配列番号７）、及びＣＤＲ３としてのアミノ酸配列（ｉｉｉ）ＴＡＲＲＲＩＳＧＴＰＱＷＨＹ（配列番号８）
を含むものであるか、又は
配列番号３、配列番号４、及び配列番号５の配列、又は配列番号６、配列番号７、及び配列番号８の配列のうちの１つ、２つ、又は３つの配列においてそれぞれ１アミノ酸又は２アミノ酸の保存的置換を含む、（ａ）又は（ｂ）において規定されるナノボディの機能保存的変異体である、請求項１〜４の何れか一項に記載のナノボディ。
【請求項６】
配列番号９又は配列番号１０のアミノ酸配列からなる群より選択されるアミノ酸配列を含むものである、請求項１〜５の何れか一項に記載のナノボディ。
【請求項７】
配列番号９のアミノ酸配列を含むものである、請求項６に記載のナノボディ。
【請求項８】
検出可能マーカーに結合しているものである、請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディ。
【請求項９】
前記検出可能マーカーが放射性元素である、請求項８に記載のナノボディ。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載のナノボディを含む、非侵襲的インビボ医用イメージングの造影剤として使用するための医薬組成物。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れか一項に記載のナノボディを含む、診断又は予後診断のための方法に使用するための医薬組成物。
【請求項１２】
タウオパチーの診断又は予後診断のための方法に使用するための請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディを含む、医薬組成物。
【請求項１４】
試料中のオリゴマー型Ｔａｕタンパク質のインビトロ検出のための請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディの使用。
【請求項１５】
請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディを薬学的に許容可能な担体と組み合わせて含む医薬組成物。
【請求項１６】
請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディをコードする核酸配列を備える核酸。
【請求項１７】
請求項１６に記載の核酸を含むベクター。
【請求項１８】
請求項１６に記載の核酸又は請求項１７に記載のベクターによって形質移入、形質導入、又は形質転換された細胞。
【請求項１９】
請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディを発現する組換え宿主細胞を作製するための方法であって、
（ｉ）請求項１６に記載の核酸又は請求項１７に記載のベクターをコンピテント宿主細胞にインビトロ又はエクスビボで導入する工程、
（ｉｉ）得られた前記組換え宿主細胞をインビトロ又はエクスビボで培養する工程、及び
（ｉｉｉ）所望により前記ナノボディを発現及び／又は分泌する前記細胞を選別する工程
を含む前記方法。
【請求項２０】
請求項１〜７の何れか一項に記載のナノボディを発現する組換え宿主細胞を作製するための方法であって、
（ｉ）前記ナノボディを発現させるために適切な条件下で請求項１８に記載の形質導入細胞又は形質移入細胞又は形質転換細胞を培養する工程、及び
（ｉｉ）発現した前記ナノボディを回収する工程
を含む前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月6日(2020.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１のアミノ酸配列からなるアセトヒドロキシ酸シンターゼの大サブユニット（acetolactate synthase large subunit; IlvBタンパク質）において、９６番目の位置のアミノ酸（トレオニン）がセリン（serine）、システイン（cysteine）またはアラニン（alanine）に置換されている、アセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体。
【請求項２】
配列番号１のアミノ酸配列の５０３番目のアミノ酸（トリプトファン）が、グルタミン（glutamine）にさらに置換された、請求項１に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体。
【請求項３】
配列番号２８〜３０のいずれか一つのアミノ酸配列を含む、請求項１に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体。
【請求項４】
配列番号１のアミノ酸配列のアセトヒドロキシ酸シンターゼの大サブユニットにおいて、Ｎ端から５０３番目のアミノ酸（トリプトファン）が、グルタミン（glutamine）、アスパラギン（asparagine）、またはロイシン（leucine）に置換されている、アセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体。
【請求項５】
配列番号３１〜３３のいずれか一つのアミノ酸配列からなる、請求項４に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体をコードする、ポリヌクレオチド。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体をコードするポリヌクレオチドを含む、ベクター。
【請求項８】
請求項７に記載のベクターが導入された、形質転換体。
【請求項９】
請求項１に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体、又は前記変異体をコードするポリヌクレオチドを含むベクターを含む、Ｌ−分岐鎖アミノ酸を生産する、コリネバクテリウム属（Corynebacterium sp．）の微生物。
【請求項１０】
請求項４又は５に記載のアセトヒドロキシ酸シンターゼ変異体；前記変異体をコードするポリヌクレオチド；及び前記ポリヌクレオチドを含むベクターの少なくとも１つを含む、Ｌ−分岐鎖アミノ酸を生産する、コリネバクテリウム属（Corynebacterium sp．）の微生物。
【請求項１１】
前記コリネバクテリウム属微生物が、コリネバクテリウム・グルタミカム（Corynebacterium glutamicum）である、請求項９又は１０に記載のＬ−分岐鎖アミノ酸を生産する微生物。
【請求項１２】
前記Ｌ−分岐鎖アミノ酸が、Ｌ−バリン、またはＬ−ロイシンである、請求項９又は１０に記載のＬ−分岐鎖アミノ酸を生産する微生物。
【請求項１３】
（ａ）請求項９又は１０に記載のＬ−分岐鎖アミノ酸を生産する微生物を培地で培養する段階；及び
（ｂ）前記（ａ）段階の微生物または培養した培地からＬ−分岐鎖アミノ酸を回収する段階を含む、Ｌ−分岐鎖アミノ酸の生産方法。
【請求項１４】
前記Ｌ−分岐鎖アミノ酸が、Ｌ−バリン、またはＬ−ロイシンである、請求項１３に記載のＬ−分岐鎖アミノ酸の生産方法。