【事件の表示】
　特願２０１０−２３３８２４「トランジスタ型センサ、およびこれを用いた測定方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　５月１０日出願公開、特開２０１２−　８８１１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年１０月１８日の出願であって、平成２６年１１月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年２月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、それと同時に手続補正がなされた。
　その後、当審において、平成２７年９月３０日付けで拒絶理由の通知がなされ、これに対して、同年１２月４日付けで意見書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２７年２月２５日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。　
「基材と、
　薄膜トランジスタとしての機能を有するトランジスタ部と、
　検知用電極、および前記検知用電極上に形成され、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、タンタル酸化膜および酸化アルミニウム膜からなる群から選択される少なくとも１種を含む絶縁性材料からなるイオン感応膜、を有するセンサ部と、
を有するトランジスタ型センサであって、
　前記トランジスタ部と前記センサ部とが、前記基材の同一表面上に並列するように配置されており、
　前記トランジスタ部が複数用いられており、単一の前記センサ部に対して複数の前記トランジスタ部が電気的に接続されており、
　前記センサ部と、複数の前記トランジスタ部とが、平面視した場合に互いに重ならないように配置されており、
　測定対象となる試料が前記センサ部上のみに配置されるように、前記トランジスタ型センサが構成されていることを特徴とする、トランジスタ型センサ。」　
第３　当審の平成２７年９月３０日付け拒絶理由の概要
　当審の平成２７年９月３０日付け拒絶理由の概略は、次のとおりである。
　本願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００３−３２２６３３号公報、特開２００９−２８８２１４号公報及び特開２００７−１８７５８２号公報に記載された発明に基いて、請求項２及び３に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開２００３−３２２６３３号公報、特開２００９−２８８２１４号公報、特開２００７−１８７５８２号公報及び特開２００８−２５８５９４号公報に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　引用例記載の事項　
１　特開２００３−３２２６３３号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審において付加したものである。）。
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は遺伝子解析、生体情報解析等に用いられる
バイオセンサ
（２）「【００４７】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態１．以下、各図を参照して本実施の形態について説明する。」
（３）「【００５０】一方、反応ウェル１４内でＤＮＡ断片のハイブリダイズが生じると、相補結合により二本鎖ＤＮＡとなるため、キャパシタＣｓの誘電率及び電極間距離が変化する。キャパシタＣｓの容量値は誘電率に比例し、電極間距離に反比例するため、上記ハイブリダイズに起因してキャパシタＣｓの容量値は変動する。列選択線Ｘ1を介してトランジスタＴｒ２のゲート端子に印加される電源電圧は、キャパシタＣｓの容量値によって定まるため、キャパシタＣｓの容量値が変動すると、トランジスタＴｒ２の相互コンダクタンスも変動する。ハイブリダイゼーションの前後におけるセンサセル１０からの出力電流の値を読み取ることによって、反応ウェルでのＤＮＡハイブリダイゼーションをリアルタイムにモニタリングすることができる。」
（４）「【００５３】図３はセンサセル１０の反応ウェル１４を中心とする主要回路の断面構造図である。トランジスタＴｒ２はゲート絶縁膜２５と、ドレイン領域１５と、チャネル領域１６と、ソース領域１７とを含んで構成されるＭＯＳトランジスタである。また、ソース電極１９は上述した列ドライバ１２から電源電圧の供給を受け、トランジスタＴｒ２がピンチオフ領域で動作できる状態に設定されている。ドレイン電極１８はチャネル領域１６を流れるドレイン電流を外部回路に出力するための端子である。
トランジスタＴｒ２はプラズマＣＶＤなどで成膜された窒化シリコン膜などのパッシベーション膜２２で被覆されており、サンプル溶液２４がトランジスタ内部に浸水しないよう保護している。
（５）「【００６１】また、上記の構成において、ゲート絶縁膜２５上に形成された金属微粒子群は電極型センサにおける作用極をなすものであるが、トランジスタＴｒ２のゲート電極には電流が流れないため、説明の便宜上、対極を省略している（後述する実施形態２においても同様である）。また、上記の説明においては、バイオセンサの受容体としてプローブＤＮＡを用いることにより遺伝子解析を行う場合を例示したが、本発明はこれに限られず、例えば、抗原を受容体とすることで抗原抗体反応を検出したり、酵素を受容体とすることで酵素基質反応を検出することもできる。つまり、受容体の種類によって、酵素センサ、免疫センサ、微生物センサ、オルガネラセンサ、組織センサ、レセプタセンサなどに分類し、用途別に使い分けることができる。このように、バイオセンサの用途に応じて分子認識作用のある生体分子を受容体として適宜選択することにより、各種の生化学物質のセンシングを行うことができる。このようなバイオセンサは医療現場や個人で用いられるポイントオブケアデバイスや、ヘルスケアデバイスに応用することが可能である。」
（６）「【００６２】発明の実施の形態２．以下、各図を参照して本実施の形態について説明する。
【００６３】図５は第２の実施形態に係わるセンサセルの主要部分の平面図、図６は同センサセルのＡ−Ａ線断面図である。図６に示すように、
トランジスタＴｒ２は基板１１上に
形成されたゲート電極２６と、ゲート絶縁膜２５と、ドレイン領域１５と、チャネル領域１６と、ソース領域１７と、ドレイン電極１８と、ソース電極１９とを含んで構成されるＭＯＳトランジスタである。同トランジスタはパッシベーション膜２２で被覆されており、その上部には絶縁膜２３をエッチング加工して凹状に形成された反応ウェル１４内にターゲットＤＮＡを含むサンプル溶液２４が充填されている。
【００６４】図５に示すように、
トランジスタＴｒ２と平面的に重複しない位置
に
平面電極２７が形成されている。
平面電極２７の近傍には電位基準となる参照電極２１が形成されている。
平面電極２７の上部に成膜されているパッシベーション膜２２は
凹部２８が形成されている。この凹部２８内には多数の金属微粒子２０と絶縁性微粒子４０とが所定の分散密度で混在し、且つその表面にプローブＤＮＡ３０を結合した状態でパッシベーション膜２２上に固着されている。
（７）　【図５】
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（８）　【図６】
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（９）引用例１の図５（上記摘記事項（７）参照。）から、ゲート電極２６と平面電極２７とが電気的に接続されることが見てとれる。
（１０）引用例１の図６（上記摘記事項（８）参照。）から、平面電極２７がパッシベーション膜２２で覆われており、その上部に反応ウェル１４が形成されていることが見てとれる。
（１１）引用例１には、第２の実施形態におけるパッシベーション膜２２の材質については明記されていないが、実施の形態１におけるパッシベーション膜と同じ符号が用いられていること、実施の形態１と第２の実施形態とで異なる材料を用いなければならない理由は見あたらないため、第２の実施形態におけるパッシベーション膜２２は、実施の形態１と同様に、窒化シリコン膜などが用いられていると認められる。
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記１（１）ないし（１１）を含む引用例１全体の記載を総合すると、引用例１には、
「　基板１１上に形成されたゲート電極２６と、ゲート絶縁膜２５と、ドレイン領域１５と、チャネル領域１６と、ソース領域１７と、ドレイン電極１８と、ソース電極１９とを含んで構成されるＭＯＳトランジスタであるトランジスタＴｒ２と、
　トランジスタＴｒ２と平面的に重複しない位置に形成されている平面電極２７と、
　平面電極２７の近傍に形成されており、電位基準となる参照電極２１と、
を有し、
　ゲート電極２６と平面電極２７とが電気的に接続されており、
　トランジスタＴｒ２と平面電極２７とは窒化シリコン膜であるパッシベーション膜２２で被覆されており、その上部には絶縁膜２３をエッチング加工して凹状に形成され、ターゲットＤＮＡを含むサンプル溶液２４が充填される、反応ウェル１４を備え、
　平面電極２７の上部に成膜されているパッシベーション膜２２には凹部２８が形成されており、この凹部２８内には多数の金属微粒子２０と絶縁性微粒子４０とが所定の分散密度で混在し、且つその表面にプローブＤＮＡ３０を結合した状態でパッシベーション膜２２上に固着されている、バイオセンサ。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
３　特開２００９−２８８２１４号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審において付加したものである。）。
（１）「【０００１】
　本発明は、イオン感応型電界効果トランジスタにより電荷を検出することで物質の検出を行う電界効果型センサに関するものである。」
（２）「【０００５】
　しかし、ＩＳＦＥＴ型の電界効果型センサでは、外因的あるいは内因的なノイズにより、検出対象物質の検出が妨げられるという問題がある。」
（３）「【０００９】
　本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、
ノイズが存在する環境においても、ＩＳＦＥＴ型の電界効果型センサにより目的とする物質をより正確に検出できるようにする
（４）「【００１４】
　以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は、本発明の実施の形態における電界効果型センサの構成（回路）例を示す構成図である。この
電界効果型センサは、まず、複数のイオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０１および各ＩＳＦＥＴ１０１に共通に設けられてＩＳＦＥＴ１０１の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部１０２を備える。
ＩＳＦＥＴ１０１の各々のソース１１２とドレイン１１３との間の電流を検出する検出部１０４を備える。各ＩＳＦＥＴ１０１は、物質固定部１０２を共通のゲートとして各々のチャネルに容量接続し、
（５）「【００２５】
　物質固定層２０８を構成する材料は、検出しようとする物質に対応して適宜選択する。例えば、蛋白質を検出しようとする場合、検出対象となる蛋白質と反応する酵素を含む構成とすればよい。また、ＤＮＡを検出する場合であれば、検出対象となるＤＮＡの一部（ＤＮＡ断片）を含むものとすればよい。この場合、電極層２０７をＡｕから構成し、電極層２０７の表面にアルカンチオール自己組織化単分子膜を形成し、この膜にＤＮＡ断片を固定化して用いればよい。また、ガス検出の場合、検出対象となるガスと反応する材料から物質固定層２０８を構成すればよい。」
（６）「【００３２】
　しかしながら、図９中の矢印に示した瞬間に、どの電流も同時に変化している。オクタデカンチオールは金に選択的に付着し易い材料であり、オクタデカンチオールがＡｕからなる物質固定部に付着し、このことによって、３つのＩＳＦＥＴ１，ＩＳＦＥＴ２，ＩＳＦＥＴ３の電流が同時に変化したことを示している。このように、
全てのＩＳＦＥＴの電流をモニタする
４　引用例２に記載された技術の認定
　上記３（１）ないし（６）を含む引用例２全体の記載を総合すると、引用例２には、
「　イオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）型の電界効果型センサにおいて、ノイズが存在する環境においても、目的とする物質をより正確に検出できるようにするために、電界効果型センサを、複数のＩＳＦＥＴ及び各ＩＳＦＥＴに共通に設けられてＩＳＦＥＴの各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部を備えた電界効果型センサとし、ＩＳＦＥＴの各々のソースとドレインとの間の電流を検出する検出部を設け、全てのＩＳＦＥＴの電流をモニタする技術。」（以下「引用例２技術」という。）
が記載されている。
５　特開２００７−１８７５８２号公報（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審において付加したものである。）。
（１）「【０００１】
　本発明は、バイオチップ、バイオセンサ、及び検出システムに関し、特に、軽薄短小、高性能、かつ低コストのマイクロデバイスを実現可能な、バイオチップ、バイオセンサ、及び検出システムに関する。」
（２）「【００１２】
（第１の実施形態に係るバイオチップ）
　図１は、第１の実施形態に係るバイオチップとバイオセンサとの関係を示す図である。
　図１に示すように、
バイオチップ１０は
プラスチック基板１５と、この上に形成された複数の検出電極１２と、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７５と、を備えている
【００１３】
　図２に、バイオチップ１０の一部断面図を示す。図２に示すように、
バイオチップ１０は、プラスチック基板１５と、その上に積層されたアンダーコート層１６と、その上に設けられたソース領域／ドレイン領域１７、絶縁膜１８、ゲート電極１９、ゲート絶縁膜５２、配線層５３、及び絶縁層５４からなる薄膜トランジスタ７５と、を備える。さらに、バイオチップ１０は、試料溶液を収容する凹部を形成する複数のウェル６２と、各凹部内に備えられた複数の検出電極１２とを備えている。
　
検出電極１２は、作用電極
と参照電極
と対抗電極
の３本の配線
と、
電極パッド６１と、を備える。３本の配線は、
バイオチップ１０上に実装された薄膜トランジスタ７５に連通している。
【００１４】
　
電極パッド６１の表面には、生体に特異的な反応が効率良く起こるように、生化学反応場が構築されている。
（３）【図１】
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（４）【図２】
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（５）引用例３の図１及び２（上記摘記事項（３）及（４）参照。）から、プラスチック基板上において、試料溶液を収容する凹部を形成する複数のウェル６２と重ならない位置に薄膜トランジスタ７５を設けることが見てとれる。
（６）引用例３において、検出電極１２の３本の配線が薄膜トランジスタ７５と連通していることから、薄膜トランジスタ７５が検出電極１２からの信号を検出するためのものであることは、当業者にとって明らかである。
６　引用例３に記載された技術の認定
　上記５（１）ないし（６）を含む引用例３全体の記載を総合すると、引用例３には、
「　プラスチック基板と、この上に形成された複数の検出電極と、前記検出電極からの信号を検出するための複数の薄膜トランジスタと、を備えているバイオチップにおいて、
　前記検出電極は、作用電極、参照電極及び対抗電極の３本の配線と、電極パッドとを備え、電極パッドの表面には、生体に特異的な反応が効率良く起こるように、生化学反応場が構築されており、
　試料溶液を収容する凹部を形成する複数のウェルを備え、前記複数の検出電極は各凹部内に備えられ、前記複数の薄膜トランジスタは前記複数のウェルと重ならない位置に設けられ、前記検出電極の３本の配線を前記薄膜トランジスタと連通させている技術。」（以下「引用例３技術」という。）
が記載されている。
第５　本願発明と引用発明との対比
　
１　対比　
　
　本願発明と引用発明とを対比する。　
　
（１）引用発明の「基板１１」は、本願発明の「基材」に相当する。
（２）引用発明の「トランジスタＴｒ２」と、本願発明の「薄膜トランジスタとしての機能を有するトランジスタ部」とは、「センシングトランジスタとしての機能を有するトランジスタ部」である点において共通する。
（３）引用発明の「平面電極２７」は、本願発明の「検知用電極」に相当する。
（４）本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００２２】及び【００２３】の記載を参酌するに、本願発明におけるイオン感応膜は、バイオセンサとして用いられる場合に、ＤＮＡタンパク質を固定化するための、金チオール反応を使った表面修飾がなされたものなどを包含するものである。このような表面修飾がなされた場合には、イオン感応膜そのものがイオンと相互作用して電気的変化が生じるのではなく、金チオール反応を使った表面修飾部とイオンとの相互作用により電気的変化が生じるものと認められる。よって、本願発明におけるイオン感応膜は、表面修飾部とイオンとの相互作用により電気的変化をもたらすものを包含するものである。
　してみると、引用発明の「平面電極２７の上部に成膜されているパッシベーション膜２２」であり、「プローブＤＮＡ３０を結合した」「金属微粒子２０と絶縁性微粒子４０とが所定の分散密度で混在し」て「固着されている」「窒化シリコン膜であるパッシベーション膜２２」は、引用発明の作用機序から見て、本願発明の「検知用電極上に形成され」、「シリコン窒化膜」「を含む絶縁性材料からなるイオン感応膜」に相当する。
（５）引用発明の「平面電極２７」、「平面電極２７の上部に成膜されているパッシベーション膜２２」、及び、「パッシベーション膜２２上に固着され」、「表面にプローブＤＮＡ３０を結合した」「多数の金属微粒子２０と絶縁性微粒子４０」は、併せて、本願発明の「センサ部」に相当する。
（６）引用発明の「バイオセンサ」がトランジスタ型センサであることは明らかであるから、引用発明の「バイオセンサ」は、本願発明の「トランジスタ型センサ」に相当する。
（７）本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００５７】及び【００５８】の記載を参酌するに、本願発明における、トランジスタ部とセンサ部とが、基材の同一表面上に並列するように配置されている場合は、トランジスタ部を構成する要素とセンサ部を構成する要素とが一体として形成されている場合を包含するものである。
　よって、引用発明において、「トランジスタＴｒ２と平面的に重複しない位置に」「平面電極２７」が「形成されている」ことと、本願発明の「前記トランジスタ部と前記センサ部とが、前記基材の同一表面上に並列するように配置されており」、「前記センサ部と、複数の前記トランジスタ部とが、平面視した場合に互いに重ならないように配置されて」いることとは、「トランジスタ部とセンサ部とが、基材の同一表面上に並列するように配置されており」、「前記センサ部と、前記トランジスタ部とが、平面視した場合に互いに重ならないように配置されて」いることである点において共通する。
（８）引用発明の「ゲート電極２６と平面電極２７とが電気的に接続されて」いることと、本願発明の「単一の前記センサ部に対して複数の前記トランジスタ部が電気的に接続されて」いることとは、「単一のセンサ部に対してトランジスタ部が電気的に接続されて」いることである点において共通する。
（９）引用発明の「ターゲットＤＮＡを含むサンプル溶液２４」は、本願発明の「測定対象となる試料」に相当する。
（１０）引用発明において、「パッシベーション膜２２」の「上部には絶縁膜２３をエッチング加工して凹状に形成され、ターゲットＤＮＡを含むサンプル溶液２４が充填される、反応ウェル１４を備え」ていることと、本願発明において、「測定対象となる試料が前記センサ部上のみに配置されるように、前記トランジスタ型センサが構成されていること」とは、「測定対象となる試料がセンサ部上に配置されるように、トランジスタ型センサが構成されていること」である点において共通する。
２　一致点及び相違点
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基材と、
　センシングトランジスタとしての機能を有するトランジスタ部と、
　検知用電極、および前記検知用電極上に形成され、シリコン窒化膜を含む絶縁性材料からなるイオン感応膜、を有するセンサ部と、
を有するトランジスタ型センサであって、
　前記トランジスタ部と前記センサ部とが、前記基材の同一表面上に並列するように配置されており、
　単一の前記センサ部に対して前記トランジスタ部が電気的に接続されており、
　前記センサ部と、前記トランジスタ部とが、平面視した場合に互いに重ならないように配置されており、
　測定対象となる試料が前記センサ部上に配置されるように、前記トランジスタ型センサが構成されている、トランジスタ型センサ。
」
の発明である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）
　単一のセンサ部に対して電気的に接続されるトランジスタ部が、本願発明においては、複数であるのに対し、引用発明においては、そのような特定がなされていない点。
（相違点２）
　測定対象となる試料がセンサ部上に配置されるように構成されていることに関して、本願発明においては、「センサ部上のみに配置されるように」構成されているのに対し、引用発明においては、トランジスタＴｒ２の上部を含めて反応ウェル１４が形成されている点。
（相違点３）
　センシングトランジスタとしての機能を有するトランジスタ部が、本願発明においては、「薄膜トランジスタ」であるのに対し、引用発明においては、そのような特定がなされていない点。
第６　当審の判断
　
１　上記各相違点について検討する。
（１）相違点１について
　上記したように、引用例２には、「イオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）型の電界効果型センサにおいて、ノイズが存在する環境においても、目的とする物質をより正確に検出できるようにするために、電界効果型センサを、複数のＩＳＦＥＴ及び各ＩＳＦＥＴに共通に設けられてＩＳＦＥＴの各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部を備えた電界効果型センサとし、ＩＳＦＥＴの各々のソースとドレインとの間の電流を検出する検出部を設け、全てのＩＳＦＥＴの電流をモニタする技術。」である引用例２技術が記載されている。
　すなわち、引用例２技術は、共通の物質固定部における変化を複数の電界効果トランジスタで検出することにより、ノイズの影響を抑制しようとするものである。
　引用発明と引用例２技術とは、いずれも電界効果型センサに関するものであり、引用発明においても、ノイズが存在する環境においても目的とする物質をより正確に検出できることが好ましいことは明らかであるから、引用発明に引用例２技術を適用し、トランジスタＴｒ２を複数設け、各トランジスタＴｒ２のゲート電極２６を共通の平面電極２７に電気的に接続して、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項のように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
（２）相違点２について
　上記したように、引用例３には、「プラスチック基板と、この上に形成された複数の検出電極と、前記検出電極からの信号を検出するための複数の薄膜トランジスタと、を備えているバイオチップにおいて、前記検出電極は、作用電極、参照電極及び対抗電極の３本の配線と、電極パッドとを備え、電極パッドの表面には、生体に特異的な反応が効率良く起こるように、生化学反応場が構築されており、試料溶液を収容する凹部を形成する複数のウェルを備え、前記複数の検出電極は各凹部内に備えられ、前記複数の薄膜トランジスタは前記複数のウェルと重ならない位置に設けられ、前記検出電極の３本の配線を前記薄膜トランジスタと連通させている技術。」である引用例３技術が記載されている。
　すなわち、引用例３技術は、検出電極と薄膜トランジスタとを重ならない位置に設け、配線で連通させることにより、検出電極の上部には試料溶液が配置され、薄膜トランジスタの上部には試料溶液が配置されないようにするものである。
　引用発明と引用例３技術とは、いずれもサンプル溶液中の生化学反応を電気的に検出するバイオセンサに関するものである。
　そして、引用発明は、プローブＤＮＡ３０とターゲットＤＮＡとのハイブリダイズによるキャパシタの変化をゲート電圧の変化に変換し、ゲート電圧の変化によるドレイン電流の変化を検出するものであり、サンプル溶液２４がトランジスタＴｒ２に直接影響を及ぼすものではなく、ゲート電極２６と平面電極２７とが電気的に接続されていればよいものであるから、引用発明において、トランジスタＴｒ２上にサンプル溶液２４が配置されないようにすることを阻害する特段の要因は見あたらない。
　ここで、引用発明は「平面電極２７の近傍に形成され」た「参照電極２１」を有し、当該「参照電極２１」は、電位基準となるものであるから、サンプル溶液２４と接している必要があるものである。
　一方、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【００２９】の記載を参酌するに、本願発明におけるセンサ部は、検知用電極及びイオン感応膜以外の構成を有していてもよいものであり、同段落【００５９】の記載を参酌するに、本願発明は試料内に挿入される参照電極を必要とするものであると認められるから、本願発明は、センサ部が参照電極を含み、当該参照電極上に試料が配置される構成のものを排除するものではないといえる。
　また、引用発明において、参照電極２１はサンプル溶液２４と接していればよいものであるから、サンプル溶液２４と接することができる範囲で、どのように参照電極２１を設けるかは、当業者であれば適宜設定し得る設計的事項である。
　してみると、引用発明に引用例３に記載された技術を適用し、引用発明においてトランジスタＴｒ２の上部にはサンプル溶液２４が配置されないように反応ウェル１４を形成して、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項のように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
（３）相違点３について
　センシング電界効果トランジスタとして、薄膜トランジスタを用いることは、例えば、引用例３に記載されているように、本願出願前において周知である。
　よって、引用発明において、トランジスタＴｒ２を薄膜トランジスタで構成し、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項のように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
２　本願発明の奏する作用効果
　本願発明によってもたらされる効果は、引用例１ないし３の記載事項及び本願出願前において周知の事項から当業者が予測し得る程度のものである。
３　まとめ
　以上のとおりであり、本願発明は、引用発明、引用例２技術、引用例３技術、及び、本願出願前において周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。