【事件の表示】
　特願２０１３−２６３８７７「太陽電池吸収層作製方法及びその熱処理デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月　３日出願公開、特開２０１４−１２３７３９、請求項の数（３０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１２月２０日（パリ条約による優先権主張　２０１２年１２月２１日、台湾、２０１３年１１月２２日、台湾）の出願であって、平成２６年１０月２８日付け（同年１１月４日発送）で拒絶理由が通知され、平成２７年２月４日付けで意見書が提出され、同日付けで手続補正がなされたが、同年３月３０日付け（同年４月７日送達）で拒絶査定（以下、「原査定」という）がなされ、これに対して、同年７月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審より平成２８年４月１５日付け（同年同月１９日発送）で拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年８月２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで特許請求の範囲についての補正がなされたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３０係る発明は、平成２８年８月２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　太陽電池吸収層作製方法において、
　温度が形成温度以下であるチャンバの内部におけるスズを含有する固相蒸気源と、前記チャンバの内における基板上の銅、亜鉛、スズ、及び硫黄を含有する吸収層前駆体と、の間の所定距離を維持するステップと、
　前記吸収層前駆体が前記基板上に吸収層を形成するように、前記チャンバの内部の温度を前記形成温度に上げるステップと、
　前記チャンバの内部に、硫黄蒸気を含む第１の気体を充填するステップと、
　前記チャンバの内部の温度が前記吸収層から放出されるスズの放出温度より低くなる前に、前記固相蒸気源と前記吸収層との間の距離が前記所定距離よりも長くなるように前記吸収層から前記固相蒸気源を離し、前記チャンバの内部の温度を下げるステップと、を備え、
　前記所定距離は、０．１ｃｍから４ｃｍの間であり、
　前記固相蒸気源は板状のキャリアにロードしたものであることを特徴とする太陽電池吸収層作製方法。」
　
第３　原査定の拒絶理由について
１　原査定の拒絶理由の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
１.国際公開第２０１２／０６６１１６号
２.Alex Redinger, et al.，The Consequences of Kesterite Equilibria for Efficient Solar Cells，Journal of the American Chemical Society，２０１１年，Vol. 133，pp. 3320-3323
３.国際公開第２０１１／０２８９５７号
　請求項１−３０に係る発明は、引用文献１−３から、進歩性を有しない。
２　原査定の拒絶理由の判断
（１）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
ａ　引用文献１には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。また、付記した日本語訳は、引用文献１のファミリー文献である特表２０１４−５０５９９３号公報を参考に、当審で作成したものである。）
（ａ）「Detailed description of the invention 
In accordance with the present invention, 
a method is provided for manufacturing and stabilizing (Ag 
ｘ
 Cu
１−ｘ
 )
２
 nSn(S
ｙ
Se
１−ｙ
 )
4
 thin films for solar cell applications
（ 発明の詳細な説明
  本発明に従って、
太陽電池用途のための（Ａｇ
ｘ
Ｃｕ
１−ｘ
）
２
ＺｎＳｎ（Ｓ
ｙ
Ｓｅ
１−ｙ
）
４
薄膜を製造及び安定化するための方法
（ｂ）「According to a first aspect of the present invention, with reference to Figs 1 a to 1 c, a tin-free or 
tin-deficient precursor thin film 20
is annealed / heat treated in a S/Se + Sn 
h
 (S/Se) 
k
  atmosphere 30 to form and stabilize the desired thin film  (Ag 
ｘ
 Cu
１−ｘ
 )
２
 nSn(S
ｙ
Se
１−ｙ
 )
4
   absorber layer, by supplying S/Se and Sn to the precursor thin film 20
（図１ａ〜１ｃを参照する本発明の第１の態様によれば、任意の方法によって作製された、残りの金属とカルコゲンとの任意の組合せのスズ不含又は
スズ不足前駆体薄膜２０は、
駆体薄膜２０にＳ／Ｓｅ及びＳｎを供給することによって、Ｓ／Ｓｅ＋Ｓｎ
ｈ
（Ｓ／Ｓｅ）
ｋ
雰囲気３０中でアニーリング／熱処理されて、所望の薄膜（Ａｇ
ｘ
Ｃｕ
１−ｘ
）
２
ＺｎＳｎ（Ｓ
ｙ
Ｓｅ
１−ｙ
）
４
吸収体層を形成及び安定化する
（ｃ）「With reference to Fig 2, 
the step of annealing
comprising Sn advantageously comprises providing a Sn source 40 in the form of elemental Sn or an Sn-containing composition and heating the Sn source 40 together with the thin film 20.
（図２を参照すると、Ｓｎを含む雰囲気３０中で上記薄膜２０を
アニールするステップは、
Ｓｎ元素又はＳｎ含有組成物の形態のＳｎ源４０を供給する工程と、上記薄膜２０と一緒に上記Ｓｎ源４０を加熱する工程とを有する
ｂ　そうすると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「太陽電池用途のための（ＡｇｘＣｕ１−ｘ）２ＺｎＳｎ（ＳｙＳｅ１−ｙ）４薄膜を製造及び安定化するための方法であって、
　スズ不足前駆体薄膜２０にＳ／Ｓｅ及びＳｎを供給することによって、Ｓ／Ｓｅ＋Ｓｎｈ（Ｓ／Ｓｅ）ｋ雰囲気３０中でアニーリング／熱処理されて、所望の薄膜（ＡｇｘＣｕ１−ｘ）２ＺｎＳｎ（ＳｙＳｅ１−ｙ）４吸収体層を形成及び安定化し、
　上記アニーリングは、Ｓｎ元素又はＳｎ含有組成物の形態のＳｎ源４０を供給する工程と、上記薄膜２０と一緒に上記Ｓｎ源４０を加熱する工程とを有する
　方法。」
イ　引用文献２
ａ　引用文献２には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。また、付記した日本語訳は、当審で作成したものである。）
（ａ）「Figure 1 shows the 
solar cell
(異なるアニーリング手順により形成された二つのサンプルの
太陽電池
（ｂ）「In a first experiment (process A) the film has been annealed in 1 mbar forming gas, and excess elemental sulfur is provided in the form of pellets. The current-voltage characteristics as shown in Figure 1 illustrate that the performance of the device is unacceptable.」（３３２０頁右欄２２行〜２６行）
(第１実験（Ａ手順）)において、その膜は、１ｍｂａｒの形成ガスと、ペレットの形で供給された過剰な硫黄の中でアニールされた。図１の電流電圧特性は、その装置の性能は受け入れられないものであることを示している。）
（ｃ）「In a second experiment (process B11) the annealing procedure has been repeated except that an additional 1 mg of Sn was present in the box.」（３３２０頁右欄第２８行〜３３２１頁左欄１行）
(第２実験（Ｂ11手順）において、１ｍｇの錫を箱の中に追加した以外は、前記アニーリング手順が繰り返された。)
（ｄ）「In experiment(B) the 
additional Sn
in the presence of S
annealing process
CZTS(e)
（実験（Ｂ）において、
追加の錫は、硫黄の存在下で
アニーリング過程
CZTS (e)
ｂ　そうすると、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　「アニーリング過程において硫黄の存在下で錫を追加することを含む太陽電池のCZTS (e)膜形成方法。」
ウ　引用文献３
ａ　引用文献３には次の事項が記載されている。（下線は当審において付したものである。また、付記した日本語訳は、引用文献１のファミリー文献である特表２０１３−５０４２１５号公報を参考に、当審で作成したものである。）
「 [00104] The above general background assumes 
Cu-In-Ga elemental or alloy precursor layers.
a layer of Se can be positioned on a surface directly adjacent or opposite the annealing film. 
 Se can be printed onto a substrate which can in turn be used as a vapor source
 [00105] Although the embodiment herein discusses the use of Se, it should be understood that this is non-limiting and that the use of S in place of Se is also envisioned by embodiments of the present invention. By way of nonlimiting example, 
in a fashion similar to the Se vapor embodiments, sulfur vapor can be provided in vapor form using a deposited film directly opposite the annealing/annealed film. 
（ [00104]上記の全般的背景は、
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ元素または合金前駆体層
アニール中の膜に直接隣接または対向した表面にＳｅの層を配置することができる。
Ｓｅを基板上にプリントし、次いでその基板を蒸気発生源として使用することができ
 [00105]本明細書の実施形態ではＳｅの使用について考察しているが、当然ながら、これは非限定的であり、また、Ｓｅの代わりにＳを使用することも本発明の実施形態によって想定される。非限定的な例として、
Ｓｅ蒸気の実施形態と同様の方法で、アニール中／アニール済みの膜に直接対向する形成膜を使用して硫黄蒸気を霧状に与えることができる。
ｂ　そうすると、引用文献３には、次の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ元素または合金前駆体層のアニール中の膜に直接隣接または対向した表面にＳｅの層を配置し、
Ｓｅを基板上にプリントし、次いでその基板を蒸気発生源として使用し、Ｓｅ蒸気と同様に、アニール中／アニール済みの膜に直接対向する形成膜を使用して硫黄蒸気を霧状に与える方法。」
（２）　対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、本願発明と、引用発明１は、
「太陽電池吸収層作製方法において、
　温度が形成温度以下であるチャンバの内部におけるスズを含有する固相蒸気源と、前記チャンバの内における基板上の銅、亜鉛、スズ、及び硫黄を含有する吸収層前駆体と、の間の所定距離を維持するステップと、
　前記吸収層前駆体が前記基板上に吸収層を形成するように、前記チャンバの内部の温度を前記形成温度に上げるステップと、
　前記チャンバの内部に、硫黄蒸気を含む第１の気体を充填するステップと、
　を備える太陽電池吸収層作製方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　本願発明は、「前記チャンバの内部の温度が前記吸収層から放出されるスズの放出温度より低くなる前に、前記固相蒸気源と前記吸収層との間の距離が前記所定距離よりも長くなるように前記吸収層から前記固相蒸気源を離し、前記チャンバの内部の温度を下げるステップ」を備えるのに対し、引用発明１は、そのようなステップを備えていない点。（以下、「相違点１」という。）
　固相蒸気源と吸収層前駆体との間の所定距離について、本願発明は、「０．１ｃｍから４ｃｍの間」であるのに対し、引用発明１は、所定距離について特定されていない点。（以下、「相違点２」という。）
　固相蒸気源について、本願発明は、「板状のキャリアにロードしたものである」のに対し、引用発明１は、そのような特定がない点。（以下、「相違点３」という。）
（３）　判断
　以下、上記相違点１について検討する。
ア　引用発明２は、「アニーリング過程において硫黄の存在下で錫を追加することを含む太陽電池のCZTS (e)膜形成方法」であり、また、引用発明３は、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ元素または合金前駆体層のアニール中の膜に直接隣接または対向した表面にＳｅの層を配置し、Ｓｅを基板上にプリントし、次いでその基板を蒸気発生源として使用し、Ｓｅ蒸気と同様に、アニール中／アニール済みの膜に直接対向する形成膜を使用して硫黄蒸気を霧状に与える方法」であるが、どちらも、本願発明のように「前記チャンバの内部の温度が前記吸収層から放出されるスズの放出温度より低くなる前に、前記固相蒸気源と前記吸収層との間の距離が前記所定距離よりも長くなるように前記吸収層から前記固相蒸気源を離し、前記チャンバの内部の温度を下げるステップ」を備えるものではない。
　また、引用文献１ないし３には、チャンバの内部の温度と、固相蒸気源と吸収層との間の距離についての関係について示唆する記載もないから、引用発明１に、チャンバの内部の温度が吸収層から放出されるスズの放出温度より低くなる前に、固相蒸気源と吸収層との間の距離が前記所定距離よりも長くなるように吸収層から固相蒸気源を離すステップを設けることは、当業者であっても、容易に想到し得ることであるとはいえない。
　さらに、引用文献１ないし３の他に、チャンバの内部の温度と、固相蒸気源と吸収層との間の距離についての関係について開示又は示唆する証拠もない。
　そして、本願発明は、上記の相違点１に係る構成を備えることによって、「固相蒸気源から発生した蒸気が冷却工程中に固化し、吸収層の上面上に蒸着することを回避することができる」（本願明細書段落【００６９】参照。）という顕著な効果を奏する。
　そうすると、相違点２，３について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明１，２及び３に基づいて当業者が容易に想到し得るものということはできない。
イ　小活
　したがって、本願発明は、引用発明１，２及び３に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるとすることはできない。
　また、請求項２〜１０、２１〜２４に係る発明は、本願発明の発明特定事項の全てを有し、さらに限定した発明であり、請求項１１〜１６、２５〜２８に係る発明、及び請求項１７〜２０、２９、３０は、本願発明の方法を実施するための熱処理デバイスに関する発明であり、いずれも引用発明１，２及び３に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるとすることはできない。
　すなわち、原査定の拒絶の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
（１）　本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記
ア　請求項８、９、１０は、請求項１を引用するが、請求項１に係る発明は、吸収層前駆体としてセレンを含まない場合もあることから、セレンを含まない場合に、請求項８、９、１０に記載されているように、セレンを含む固相蒸気源、蒸気及び気体を用いることは、技術的に整合するものではない。
　また、上記のように独立請求項である請求項１とそれに従属する請求項８、９、１０と同様なことが、独立請求項である請求項１２とそれに従属する請求項１６、１７、１８、及び独立請求項である請求項１９とそれに従属する請求項２４で生じており、技術的に整合していない。
イ　請求項１に記載された「固相蒸気源が板状」であることと、請求項５に記載された「アレイ状をなすドット形状固相蒸気源」であることは、文言上両立し得ないものである。
ウ　請求項３及び請求項１１が引用する請求項１には、「蒸発温度」は記載されていないため、請求項３及び請求項１１に記載の「前記蒸発温度」が示す事項は不明瞭である。
エ　請求項１２には、吸収層が形成温度未満の温度で形成されることも含まれているが、「形成温度未満で吸収層を形成すること」の示す事項は不明であるし、また、本願の明細書の記載を参酌しても、吸収層は形成温度未満で形成されることは記載されていないため、請求項１２の記載は、不明瞭である。
（２）　本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項１９に係る発明は、良好な光電効果を得られない場合を含む熱処理デバイスの発明であるといえるから、請求項１９は、課題を解決する手段が反映された記載になっていないものである。
　したがって、請求項１９に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない。
（３）　本願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　請求項１，１２，１９に係る発明を実施するにあたり、硫黄蒸気を充填することが、必要であるのか否か不明である。
２　当審拒絶理由の判断
（１）平成２８年８月２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲は、以下のアないしエのとおり補正された。
ア　請求項７〜９、１４〜１６、２０（補正前の請求項８〜１０、１６〜１８、２４）には、セレンに関する構成が削除されており、それぞれが引用する請求項１、請求項１１（補正前の請求項１２）、請求項１７（補正前の請求項１９）の記載と整合するものとなった。
イ　請求項１、１１、１７（補正前の請求項１、１２、１９）の「固相蒸気源は板状である」との記載は、「固相蒸気源は板状のキャリアにロードしたものである」へと補正された。これにより、従属する請求項５、１３、１９（補正前の５、１５、２３）に記載された「前記固相蒸気源は、平面状をなす固相蒸気源又はアレイ状をなすドット形状固相蒸気源である」とする構成の上位概念の構成として整合するものとなった。
ウ　請求項３、１０（補正前の請求項３、１１）の引用先請求項が「蒸発温度」の記載のある請求項に補正された。
エ　請求項１１（補正前の請求項１２）について、「吸収層を形成する形成温度以上に制御した後」と補正され、形成温度以上で吸収層を形成することが明確となり、また、「前記吸収層から放出されるスズの放出温度より低くなる前に、」と補正され、チャンバ内部の温度が低くなっていく過程におけるタイミングであることが明確になった。
　よって、当審拒絶理由（１）は解消した。
（２）平成２８年８月２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１７（補正前の請求項１９）は、「気体が前記第１の方向とは逆の第２の方向に沿って前記チャンバの内部を移動するように当該チャンバの内部に気体を導入する気体取入れユニット」を備えるように補正され、課題を解決する手段が反映された記載となった。
　よって、当審拒絶理由（２）は解消した。
（３）平成２８年８月２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１、１１、１７（補正前の請求項１、１２、１９）は、「前記チャンバの内部に、硫黄蒸気を含む第１の気体を充填するステップ」を備えるように補正され、請求項１、１１、１７に係る発明は実施可能な発明となった。
　よって、当審拒絶理由（３）は解消した。
第５　結論
　以上のとおりであり、原査定の拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。また、他に、本願を拒絶する理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。