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　特願２０１３−５４９８５２「基板転移単結晶ブラッグミラー」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　６月２７日国際公開、ＷＯ２０１３／０９１９８６、平成２６年　４月　３日国内公表、特表２０１４−５０８３１７、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は，２０１２年１１月８日（外国庁受理，パリ条約による優先権主張２０１１年１２月２２日，欧州特許庁）を国際出願日とする出願であって，平成２５年５月１０日付けで特許法第１８４条の５第１項に規定する書面が提出されるとともに特許法第１８４条の４第１項に規定する明細書，請求の範囲，図面，及び要約の翻訳文が提出され，平成２６年４月２５日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年１０月１６日付けで意見書及び手続補正書が提出され，平成２７年２月１９日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２７年６月２２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がされたものである。
第２　平成２７年６月２２日提出の手続補正書による補正の適否
　１　補正の内容
　平成２７年６月２２日提出の手続補正書による補正（以下，「本件補正」という。）は，平成２６年１０月１６日提出の手続補正書による補正（以下，「本件補正前」という。）の特許請求の範囲についてするものであって，そのうち特許請求の範囲の請求項１についての補正は，本件補正前の請求項１が次の(1)のとおりであったものを，次の(2)のとおりに補正するものであり（(1)及び(2)における下線は補正箇所を示す。）当該請求項１についての本件補正は，次の(3)の補正事項からなる。
　(1) 本件補正前の請求項１
「【請求項１】
　キャリア基板と，
　複数の第１タイプ及び第２タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって，第１タイプの層は第２タイプの層よりも高い屈折率を有し，それによりブラッグミラーを形成する結晶性スタックと，を備え，
　キャリア基板は，０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲し，
　結晶性スタックは，湾曲したキャリア基板に取り付けられ
る
　(2) 本件補正後の請求項１
「【請求項１】
　キャリア基板と，
　複数の第１タイプ及び第２タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって，第１タイプの層は第２タイプの層よりも高い屈折率を有し，それによりブラッグミラーを形成する結晶性スタックと，を備え，
　キャリア基板は，０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲し，
　結晶性スタックは，湾曲したキャリア基板に取り付けられ，
　
キャリア基板は，ＳｉＯ
２
，Ｓｉ，サファイア，又は超低膨張ガラスＵＬＥを含み，
　ミラーの単結晶性半導体層は，ＡｌＧａＡｓ三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり，前記第１タイプ及び第２タイプは，Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ，ただし０＜ｘ＜１，を含み，第１タイプの層に関するｘは第２タイプの層に関するｘよりも小さい
　(3) 補正事項
　本件補正前の請求項１に「結晶性スタックは，湾曲したキャリア基板に取り付けられ
る
キャリア基板は，ＳｉＯ
２
，Ｓｉ，サファイア，又は超低膨張ガラスＵＬＥを含み，ミラーの単結晶性半導体層は，ＡｌＧａＡｓ三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり，前記第１タイプ及び第２タイプは，Ａｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ，ただし０＜ｘ＜１，を含み，第１タイプの層に関するｘは第２タイプの層に関するｘよりも小さい
　２　新規事項の追加の有無について
　本件補正が，特許法１８４条の６第２項の規定により，本件出願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面とみなされる国際出願日における明細書又は請求の範囲の各翻訳文（以下「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内のものかについて検討すると，前記(3)の補正事項は，当初明細書等の【請求項３】，【請求項４】，【００１１】，【００１３】等に記載されている。したがって，前記補正事項は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものである。
　３　補正の目的について
　前記１(3)の補正事項は，本件補正前の請求項１について，その発明特定事項である「キャリア基板」及び「ミラーの単結晶性半導体層」の材料を限定するものであって，本件補正の前後で当該請求項１に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められるから，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　４　独立特許要件について
　前記３で述べたように，請求項１についての本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，本件補正後の請求項１に係る発明（以下，「本件補正発明」という。）について，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について検討する。
　(1) 本件補正発明
　本件補正発明は，前記１(2)にて本件補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　(2) 引用例
　ア　原査定の拒絶の理由に引用されたGarrett D. Cole Et.Al., Monocrystalline AlxGa1-xAs heterostructures for high-reflectivity high-Q micromechanical resonators in the megahertz regime, Applied Physics Letters, 2008, Vol.92, Article ID 261108（以下，「引用例１」という。）は，本願の優先権主張の日（以下，「優先日」という。）前に頒布された刊行物であって，当該引用例１には，次の記載がある。なお，括弧内に当審判体の翻訳を付ける。
　（ア）　要約
　「We present high-performance megahertz micromechanical oscillators based on freestanding epitaxial AlxGa1-xAs distributed Bragg reflectors. Compared with dielectric reflectors, the low mechanical loss of the monocrystalline heterostructure gives rise to significant improvements in the achievable mechanical quality factor Q while simultaneously exhibiting near unity reflectivity. Experimental characterization yields an optical reflectivity exceeding 99.98% and mechanical quality factors up to 20 000 at 4 K. This materials system is not only an interesting candidate for optical coatings with ultralow thermal noise, but also provides a promising path toward quantum optical control of massive micromechanical mirrors.」
（我々は，
自立型のエピタキシャルＡｌ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ａｓ分布ブラッグ反射器に基づく，高性能のメガヘルツマイクロメカニカルオシレーターを提供する
　（イ）　２頁左欄２２〜３０行「As shown in Fig. 1, the epitaxial materials structure for the monocrystalline oscillators consists of 32.5 periods of alternating Al0.12Ga0.88As high index and Al0.92Ga0.88As low index, followed by a 250-nm-thick high-aluminumcontent etch-protection layer, grown on a 3 in. semiinsulating GaAs substrate via MBE. In this design, the thick high-aluminum-content layer below the Bragg stack is included to protect the bottom of the mirror structure in subsequent processing steps. 」
（図１に示すように，
単結晶オシレーター用のエピタキシャル材料構造
半絶縁性ＧａＡｓ基板上に成長させた，３２周期のＡｌ
０．１２
Ｇａ
０．８８
Ａｓ（高屈折率）とＡｌ
０．９２
Ｇａ
０．０８
Ａｓ（低屈折率）との交互層と，厚さ２５０ｎｍの高アルミニウム含量のエッチング保護層とからなる
ブラッグスタックの下に厚い高アルミニウム含有層が含まれている
FIG. 1. Color online (a) Sketch of the initial layers constituting the Bragg mirror and illustration of the etch process used to fabricate freestanding structures. (b) Micrograph of a group of cantilevers. The beams shown have a width of 50 m and vary in length between 50 and 200 m. (c) The finesse of the cavity is obtained by measuring the reflected intensity as a function of laser detuning . The observed linewidth  of 1.1 MHz corresponds to an optical finesse of 5500.   
（図１（ａ）
ブラッグミラーを構成する最初の層群
　（ウ）　２頁右欄３〜２７行　「Fabrication of the resonators begins with the deposition of a SiNx hard mask via plasma enhanced chemical vapor deposition. Next, the device geometry is patterned lithographically using a standard positive photoresist. This pattern is then transferred into the SiNx via plasma etching with CF4 /O2. Definition of the resonator geometry in the AlxGa1?xAs epilayers relies on electron cyclotron resonance etching through the mirror stack using Cl2 / Ar, with masking provided by the resist/SiNx. To undercut the cantilevers, a buffered citric acid solution is utilized. This selective wet etch allows for the removal of the binary GaAs, in this case the substrate, over the low-aluminum content ternary Al0.12Ga0.88As layers with excellent selectivity. During the undercutting process, the SiNx coating protects the top of the mirror surface, while the thick Al0.92Ga0.08As layer protects the bottom, ensuring minimal surface roughness and maximum reflectivity. To complete the fabrication sequence, the protective SiNx and Al0.92Ga0.08As layers are removed in a dilute HF solution and the beams are allowed to air dry after soaking in methanol. The resonators characterized here consist of both fixed-fixed doubly clamped and cantilever singly clamped beams with a thickness of 5.5 m, a nominal width of 50 or 100 m, and nominal lengths between 50 and 400 m. A scanning electron micrograph highlighting a completed set of cantilevers is shown in Fig. 1.　]
（共振器の作製にあたり，まずプラズマＣＶＤによりＳｉＮｘハードマスクを堆積させた。次に，標準的なポジ型フォトレジストを用いて，リソグラフィーによりデバイス形状をパターニングした。ＣＦ４／Ｏ２を用いるプラズマエッチングにより，ＳｉＮｘの中にこのパターンを転写した。ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓのエピ層における共振器の形状の境界は，レジスト／ＳｉＮｘにより提供されるマスクと，Ｃｌ２／空気を用いて，ミラースタックに対して行う，電子サイクロトロン共鳴エッチングに依存する。片持ち梁のアンダーカットを行うために，緩衝クエン酸溶液を用いる。
この選択的湿式エッチングにより，二元系ＧａＡｓの除去を行うことができ，この場合，基板を，低アルミニウム含量の三元系Ａｌ
０．１２
Ｇａ
０．８８
Ａｓよりも高い選択性で除去できる
この共振器の特徴は，両端が固定された（二重固定）の梁と片持ち梁（一端固定）とからなり
　イ　上記（ア）ないし（ウ）から，引用例１には，以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
「半絶縁性ＧａＡｓ基板上に，両端が固定された梁と片持ち梁の，３２周期のＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ（高屈折率）とＡｌ０．９２Ｇａ０．０８Ａｓ（低屈折率）との交互層からなる単結晶のブラッグミラーを有するマイクロメカニカルミラー。」
　(3) 対比
　ア　引用発明における「Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ」，「Ａｌ０．９２Ｇａ０．０８Ａｓ」及び「交互層からなる単結晶のブラッグミラー」は，本件補正発明の「第１タイプ」の「交互式単結晶性半導体層」，「第２タイプ」の「交互式単結晶性半導体層」及び「結晶性スタック」に相当する。
　イ　本件明細書の段落【０００７】には，「ミラーアセンブリという用語は，湾曲した基板と一緒のマルチレイヤースタックに言及する」（当合議体注：国際出願日における明細書には，上記段落【０００７】の記載事項の翻訳前の原文として「The term mirror assembly 
refers to
　また，引用発明における「マイクロメカニカルミラー」は，「交互層からなる単結晶のブラッグミラー」により構成されるのであるから，本件補正発明と同程度に「低吸収」な「結晶性」を有するものと認められる。したがって，引用発明の「マイクロメカニカルミラー」は，本件補正発明の「ミラーアセンブリ」が「低吸収結晶性」であるとの要件を満たす。
　ウ　前記ア及びイから，本件補正発明と引用発明は，
「複数の第１タイプ及び第２タイプの交互式単結晶性半導体層を含む結晶性スタックであって，第１タイプの層は第２タイプの層よりも高い屈折率を有し，それによりブラッグミラーを形成する結晶性スタックを備え，
　ミラーの単結晶性半導体層は，ＡｌＧａＡｓ三元合金に基づく単結晶エピタキシャル層であり，前記第１タイプ及び第２タイプは，ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ，ただし０＜ｘ＜１，を含み，第１タイプの層に関するｘは第２タイプの層に関するｘよりも小さい低吸収結晶性ミラーアセンブリ。」
である点で一致し，次の点で相違する。
相違点１：本件補正発明は，「キャリア基板」を具備し，「キャリア基板は，０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲し」かつ「ＳｉＯ2，Ｓｉ，サファイア，又は超低膨張ガラスＵＬＥを含」むのに対して，引用発明は，「キャリア基板」を具備せず，したがって，「キャリア基板は，０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲し」かつ「ＳｉＯ2，Ｓｉ，サファイア，又は超低膨張ガラスＵＬＥを含」む構成も具備しない点。
相違点２：本件補正発明の「結晶性スタック」は，「湾曲したキャリア基板に取り付けられ」ているのに対して，引用発明の「ブラッグミラー」は，「両端が固定された梁と片持ち梁」である点。
　(4) 判断
　ア　引用発明では，要約に記載されるように，「
自立型の
　イ　なお仮に，引用発明の「半絶縁性ＧａＡｓ」を本件補正発明における「キャリア基板」に対応付けて検討したとしても，相違点１に係る本件補正発明は，引用発明に基づいて容易になし得たものであるとはいえない。何故なら，引用発明は，半絶縁性ＧａＡｓ基板上に交互層からなる単結晶を成長させ，その後ＧａＡｓ基板を選択的湿式エッチングによってアンダーカットし，自立型の分布ブラッグ反射器を構成するものである。すなわち，引用発明においては，キャリア基板はＧａＡｓである必要があり，当該ＧａＡｓ基板を，ＳｉＯ2，Ｓｉ，サファイア，又は超低膨張ガラスＵＬＥに置き換える理由が存在しない。また，引用発明は，「半絶縁性ＧａＡｓ基板上に交互層からなる単結晶を成長させ，その後ＧａＡｓ基板を選択的湿式エッチングによってアンダーカット」するものであるから，引用発明の「半絶縁性ＧａＡｓ基板」が「０．１ｍと１０ｍとの間又は１ｋｍと１０ｋｍとの間の曲率半径ＲＯＣを持って湾曲し」た構成を具備することもない。
　加えて，引用発明は，成長基板である半絶縁性ＧａＡｓ基板についても，また半絶縁性ＧａＡｓ基板上に形成された交互層からなる単結晶のブラッグミラーについても，曲率を持たせることは記載も示唆もされていない。また，当該技術分野において，交互層からなる単結晶のブラッグミラーに曲率を持たせることが，周知技術であったものとも認められない。
　したがって，相違点１及び２に係る構成を具備した本件補正発明は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　(5) 独立特許要件のまとめ
　よって，請求項１についての本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合する。
　５　請求項１以外を対象とする本件補正について
　請求項１以外を対象とする本件補正についても，特許法１７条の２第３項ないし６項に違反するところはない。
　６　むすび　            
　本件補正は，特許法１７条の２第３項ないし６項の規定に適合する。
第３　本願発明
　　本件補正は前記第２のとおり，特許法１７条の２第３項ないし６項の規定に適合するから，本願の請求項１ないし１０に係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　そして，本願については，原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。