【事件の表示】
　特願２０１４−１１１３２０「パターンの形成方法およびテンプレートの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１０月１６日出願公開、特開２０１４−１９７６９３、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続きの経緯　
　本願は、平成１７年１１月１０日に出願した特願２００５−３２５９２０号（以下、「親出願」という。）の一部を平成２３年５月１０日に新たな特許出願とした特願２０１１−１０４９１７号（以下、「子出願」という。）の一部を、さらに平成２４年１０月１９日に新たな特許出願とした特願２０１２−２３１６１３号（以下、「孫出願」という。）の一部を、さらに平成２６年５月２９日に新たな特許出願としたものであって、平成２７年３月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年７月３１日付けで、最後の拒絶理由が通知され、同年１０月２日付けで意見書が提出され、同年１１月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２８年２月１２日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものである。　
第２　平成２８年２月１２日付けの手続補正について
　上記手続補正は、補正前の請求項１を削除し、補正前の請求項２を請求項１としたものであるから、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的としたものに該当する。
　
第３　本願発明
　本願発明は、平成２８年２月１２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　「ナノインプリントによる、ナノインプリントに用いられるテンプレートの製造方法であって、
　透明のナノインプリント用テンプレートを準備する工程と、
　クロム薄膜が積層された石英基板上に光硬化性樹脂からなるナノインプリント用インプリントレジストを塗布する工程と、
　前記ナノインプリント用テンプレートを前記ナノインプリント用インプリントレジストに密着させ、前記ナノインプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンにより前記ナノインプリント用インプリントレジストを賦型する工程と、
　前記ナノインプリント用インプリントレジストを紫外光により硬化させ、前記ナノインプリント用インプリントレジストに前記第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程と、
　前記第２のパターンをマスクとして前記石英基板上に前記クロム薄膜で構成された第３のパターンを形成する工程と、
　前記第３のパターンをマスクとして、前記石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とするナノインプリント用テンプレートを用いたテンプレートの製造方法。」　
　
第４　原査定の拒絶理由の概要
１．原査定の拒絶の理由は次のとおりである。
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　１．特表２００５−５０８０７５号公報
　２．国際公開第２００４／０１３６９３号
　３．特開２０００−１９４１４２号公報
　４．特開２００４−２８８８０２号公報
　
２．なお、該拒絶理由において、引用文献１記載の発明と引用文献２記載の発明とは、以下の動機付けになり得る要因を有していることについて述べている。
（１）技術分野の関連性について
　引用文献１記載の発明と引用文献２記載の発明とは、基板の上に形成された転写層にパターンを形成し、転写層を利用して基板の表面に凹凸で構成されたパターンを形成するという点で、共通する技術分野に属する発明である。
（２）作用、機能の共通性について
　引用文献１記載の発明と引用文献２記載の発明とは、基板にエッチング処理を行うために、基板の上に形成された転写層上のレジスト等にパターニングを行うという点で、共通する作用、機能を有している。
　
第５　引用文献の記載事項及び引用発明の認定　
１．引用文献１
　親出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特表２００５−５０８０７５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は当審が付与した。）。　
（１）引用文献１の記載
　ア「【０００１】　
　
本発明は
リソグラフィックテンプレートを形成する方法
　イ　「【００１４】
　
本発明は
標準のインプリントリソグラフィにおける使用に適するテンプレートを実現させる
本発明によるリソグラフィックテンプレート２０を形成するプロセスにおける第１工程が示される。特に、表面２３を有する基板２２が示される。
【００１５】
　次に図３には
基板２２が示され、この基板は最上層表面２３上に画定されたテンプレート台２４を有する
テンプレート台２４は基板２２の表面２３から突出するように形成される
テンプレート台は最上層表面２５を形成する
【００１６】
　次に図４のように、レリーフ画像または
エッチングパターン２６がテンプレート台２４の最上層表面２５の上に形成される。
膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層が透明な石英プレート上に成膜される。レジスト層がこのクロムに塗布され、電子ビーム装置または光学露光装置を使用してパターニングされる。
レジストが現像液に浸されてクロム層上にパターンが形成される。このレジストはクロム層をエッチングするためのマスクとして使用する。次に、クロムが石英プレートをエッチングするためのハードマスクとして機能する。最後に、クロムが除去されると、石英にレリーフ画像を含んだ石英テンプレートが形成される
　ウ　図２
　エ　図３
　オ　図４　
　
（２）引用発明の認定
　ア　上記（１）アの【０００１】より、引用文献１には、インプリントリソグラフィに使用するテンプレートの形成方法が記載されている。
　イ　該テンプレートの形成方法は、上記（１）イの【００１４】より、まず、表面２３を有する基板２２を用意する工程を備えている。
　ウ　同形成方法は、上記（１）イの【００１５】より、次に、該基板２２の最上層表面２３上に、基板２２の表面２３から突出するように、最上層表面２５を有するテンプレート台２４を形成する工程を備えている。
　エ　上記（１）イの【００１６】より、該テンプレート台２４は、石英プレートであることがわかる。
　オ　同形成方法は、上記（１）イの【００１６】より、エッチングパターン２６をテンプレート台２４の最上層表面２５に形成するために、次の（ア）〜（キ）の工程を備えていることがわかる。
　（ア）膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層を透明な石英プレート上に成膜する工程、
　（イ）次に、レジスト層を該クロム層に塗布する工程、
　（ウ）次に、電子ビーム装置又は光学露光装置を使用して、レジスト層をパターニングする工程、
　（エ）次に、レジスト層が現像液に浸されてレジスト層によるパターンが、クロム層に形成される工程、
　（オ）次に、該レジスト層をマスクとして、クロム層をエッチングする工程、
　（カ）次に、エッチングされた該クロム層をハードマスクとして、石英プレートをエッチングする工程
　（キ）次に、クロムを除去して、石英テンプレートを形成する工程。　
　カ　そして、上記（エ）、（オ）及び（カ）では、それぞれ、レジスト層に凹凸で構成されたパターンが形成され、クロム層にパターンが形成され、石英プレートに凹凸で構成されたパターンが形成されていることは明らかである。
　
　キ　そうすると、上記ア〜カによれば、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　
　「石英テンプレートの形成方法であって、
　表面２３を有する基板２２を用意する工程（以下、「（工程ａ）」という。以下、同様。）、
　該基板２２の最上層表面２３上に、基板２２の表面２３から突出するように、最上層表面２５を有する透明な石英プレートのテンプレート台２４を形成する工程（工程ｂ）、
　膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層を該石英プレート上に成膜する工程（工程ｃ）、
　レジスト層を該クロム層に塗布する工程（工程ｄ）、
　電子ビーム装置又は光学露光装置を使用して、レジスト層をパターニングする工程（工程ｅ）、　
　レジスト層が現像液に浸され、クロム層上に、レジスト層の凹凸で構成されたパターンを形成する工程（工程ｆ）、
　パターンが形成されたレジスト層をマスクとして、クロム層をエッチングして、クロム層のパターンを形成する工程（工程ｇ）、
　エッチングされたクロム層をハードマスクとして、石英プレートをエッチングして、テンプレート台２４の最上層表面２５に凹凸で構成されたエッチングパターン２６を形成する工程（工程ｈ）、及び、
　クロム層を除去して、エッチングパターン２６がテンプレート台２４の最上層表面２５に形成された石英テンプレートを形成する工程（工程ｉ）を備えた、
　インプリントリソグラフィに使用される石英テンプレートの形成方法。」　
２．引用文献２
　親出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された国際公開２００４／０１３６９３号（以下、「引用文献２」という。）には、「SCATTEROMETRY ALIGNMENT FOR IMPRINT LITHOGRAPHY（当審仮訳：インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント）」（発明の名称）について、次の記載がある。　
「[0068] Imprint lithography processes have demonstrated the ability to replicate high-resolution (sub-50 nm) images on substrates using templates that contain images as topography on their surfaces. Imprint lithography may be used in patterning substrates in the manufacture of microelectronic devices, optical devices, MEMS, optoelectronics, patterned magnetic media for storage applications, etc. Imprint lithography techniques may be superior to optical lithography for making three- dimensional structures such as micro lenses and T-gate structures. Components of an imprint lithography system, including the template, substrate, liquid and any other materials that may affect the physical properties of the system, including but not limited to surface energy, interfacial energies, Hamacker constants, Van der Waals' forces, viscosity, density, opacity, etc., are engineered to properly accommodate a repeatable process.（当審仮訳：インプリント・リソグラフィ・プロセスは、表面にトポグラフィとして像を含むテンプレートを用いて、高分解能（５０ｎｍ以下）の像を基板上に複製できる能力を実証した。インプリント・リソグラフィは超小型電子デバイス、光学デバイス、ＭＥＭＳ、オプトエレクトロニクス、記憶用途のためのパターン化された磁気媒体等の製造において、基板をパターン化する際に使用できる。インプリント・リソグラフィ技術は、マイクロ・レンズやＴゲート構造体などの３次元構造体を製造するのに光リソグラフィよりも優れている。表面エネルギー、境界エネルギー、Ｈａｍａｃｋｅｒ定数、ファンデルワールス力、粘度、密度、不透明度等を含むが、これらには限定されない物理的特性に影響を及ぼすテンプレート、基板、液体、その他の任意の材料を含むインプリント・リソグラフィ・システムの構成要素が、繰り返すことができるプロセスを適切に適合するように設計される。）」
　 
３．引用文献３
　親出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１９４１４２号公報（以下、「引用文献３」という。）には、「パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下地基板上に、液体状の光硬化性物質からなる光硬化性物質層を形成する工程と、光透過性の物質からなり、一方の面側に所定のパターンの溝が形成されたモールドを、前記一方の面側が前記下地基板の前記光硬化性物質層が形成された面側に対向するようにして、前記下地基板に圧着させる工程と、前記モールドの他方の面側から光を照射することにより前記光硬化性物質層を硬化し、前記光硬化性物質からなり、前記所定のパターンに嵌合するパターンを有するレジストパターンを形成する工程と、前記下地基板から前記モールドを脱着する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法によって達成される。」
　
４．引用文献４
　親出願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２８８８０２号公報（以下、「引用文献４」という。）には、「光透過ナノスタンプ方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
「【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、レジストとしてポジ型レジストを用いることにより上記課題が解決されることを見出し、本発明に至った。
即ち、本発明は、光透過ナノスタンプ方法の発明であり、基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像する工程を含むことを特徴とする。」
　
第６　対比・判断　
１．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。　
（１）引用発明の「石英プレート」、「石英テンプレートの形成方法」、「膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層」、（工程ｇ）の「クロム層のパターン」、「透明な石英プレート」及び（工程ｉ）の「テンプレート台２４の最上層表面２５に形成された」「エッチングパターン２６」は、本願発明の「テンプレート」、「テンプレートの製造方法」、「クロム薄膜」、「クロム薄膜で構成された第３のパターン」、「石英基板」及び「石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターン」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明の「石英テンプレート」が使用される「インプリントリソグラフィ」と本願発明の「ナノインプリント」とは、「インプリント」である点で共通する。　
（３）引用発明の（工程ｃ）の「製膜」は、本願発明の「石英基板上」の「クロム薄膜」の「積層」に相当し、引用発明の（工程ｃ）において、「膜厚８０〜１００ｎｍのクロム層」が「製膜」された「石英プレート」は、本願発明の「クロム薄膜が積層された石英基板」に相当する。
（４）引用発明の「レジスト層を該クロム層に塗布する工程（工程ｄ）」と、本願発明「クロム薄膜が積層された石英基板上に光硬化性樹脂からなるナノインプリント用インプリントレジストを塗布する工程」とは、「クロム薄膜が積層された石英基板上にレジストを塗布する工程」である点で共通する。
（５）引用発明の（工程ｆ）の「クロム層上に」形成された「レジスト層のパターン」と、本願発明の「ナノインプリント用インプリントレジスト」に形成された「第２のパターン」とは、「レジストに形成された第２のパターン」である点で共通し、引用発明の「レジスト層が現像液に浸され、クロム層上に、レジスト層の凹凸で構成されたパターンを形成する工程（工程ｆ）」と本願発明の「前記ナノインプリント用テンプレートを前記ナノインプリント用インプリントレジストに密着させ、前記ナノインプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンにより前記ナノインプリント用インプリントレジストを賦型する工程、前記ナノインプリント用インプリントレジストを紫外光により硬化させ、前記ナノインプリント用インプリントレジストに前記第１のパターンの逆型形状である凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程」とは、「レジストに凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程」である点で共通する。
（６）引用発明の「パターンが形成されたレジスト層をマスクとして、クロム層をエッチングして、クロム層のパターンを形成する工程（工程ｇ）」は、本願発明の「第２のパターンをマスクとして石英基板上に前記クロム薄膜で構成された第３のパターンを形成する工程」に相当する。
（７）引用発明の「エッチングされたクロム層をハードマスクとして、石英プレートをエッチングして、テンプレート台２４の最上層表面２５に凹凸で構成されたエッチングパターン２６を形成する工程（工程ｈ）、クロム層を除去して、エッチングパターン２６がテンプレート台２４の最上層表面２５に形成された石英テンプレートを形成する工程（工程ｉ）」は、本願発明の「第３のパターンをマスクとして、前記石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターンを形成する工程」に相当する。
　
（８）上記（１）〜（７）より、本願発明と引用発明とは、　
「インプリントに用いられるテンプレートの製造方法であって、
　クロム薄膜が積層された石英基板上にレジストを塗布する工程と、
　前記レジストに凹凸で構成された第２のパターンを形成する工程と、
　前記第２のパターンをマスクとして前記石英基板上に前記クロム薄膜で構成された第３のパターンを形成する工程と、
　前記第３のパターンをマスクとして、前記石英基板の表面に凹凸で構成された第４のパターンを形成する工程と、を具備するテンプレートの製造方法。」である点で一致し、次の相違点で相違する。
　
（相違点１）
　テンプレートが用いられるインプリントについて、本願発明は、「ナノインプリント」であるのに対し、引用発明は、「ナノ」インプリントとは規定されない点。
（相違点２の１）
　テンプレートの製造方法について、本願発明は、「ナノインプリント」によるものであり、レジストに凹凸を構成するにあたり、「透明のナノインプリント用テンプレートを準備する工程」を備えるのに対し、引用発明は、レジストの凹凸の構成に、電子ビーム装置又は光学露光装置を使用したものであり、インプリント用テンプレートは用いない点。
（相違点２の２）
　上記相違点２の１に関連して、テンプレートの製造方法について、石英基板上に塗布されるレジストが、本願発明は「光硬化性樹脂からなるナノインプリント用インプリントレジスト」であり、該ナノインプリント用インプリントレジストに構成される凹凸は、「ナノインプリント用テンプレートを前記ナノインプリント用インプリントレジストに密着させ、前記ナノインプリント用テンプレートのパターンである第１のパターンにより前記ナノインプリント用インプリントレジストを賦型する工程と、前記ナノインプリント用インプリントレジストを紫外光により硬化させ」て形成された、「前記第１のパターンの逆型形状である凹凸」であるのに対し、引用発明のレジストは、「電子ビーム装置又は光学露光装置」によってパターニングされるレジストであり、該レジストに構成される凹凸は、「電子ビーム装置又は光学露光装置を使用して、レジスト層をパターニングする工程（工程ｅ）、レジスト層が現像液に浸され」ることによって形成される点。
　
２．判断
　事案に鑑み、まず、相違点２の１について、検討する。
　レジストの凹凸の形成は、テンプレートを用いるインプリントによるものと比べて、電子ビーム装置によるものは時間がかかり、光学露光装置によるものは高価な光学装置を必要とすることは、技術常識である。
　そして、引用発明のレジストの凹凸の形成は、「電子ビーム装置又は光学露光装置を使用して、レジスト層をパターニングする工程（工程ｅ）、レジスト層が現像液に浸され、クロム層上に、レジスト層の凹凸で構成されたパターンを形成する工程（工程ｆ）」によって行われており、テンプレートを用いるインプリントによるものと比べて、電子ビーム装置の使用によって時間がかかったり、光学露光装置の仕様によって高価な光学装置を必要とする工程を採用していることから、引用発明では、レジストの凹凸の形成に、テンプレートを用いるインプリントを採用することは想定されていない、というべきである。
　また、引用文献２〜４には、それぞれ、インプリント・リソグラフィ・プロセス、パターン形成方法、光透過ナノスタンプ方法について記載されているとしても、いずれの文献にも、テンプレートをインプリントによって製造することについては、記載も示唆もない。
　
　そうすると、引用発明の「石英テンプレートの形成」に、「ナノインプリント」を採用することは、当業者が容易に想到し得たこととはいえず、引用発明のレジスト層に凹凸のパターンを形成するにあたって、「透明のナノインプリント用テンプレートを準備する工程」を備えることを、当業者が容易に想到し得たものということはできない。
　
　そして、引用発明のような、「フォトリソグラフィでは、高価な光学装置を用い、工程数や使用材料の種類の多いプロセスを経る必要があ」（本願明細書【０００２】）ったところ、本願発明は、「インプリントによってテンプレートを製造することで、高精度の微細パターンを形成する」「テンプレートの製造方法等を提供」（同【０００１】）できるという、引用発明からは予測されない、格別顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明、引用文献２〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
　
第７　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。