【手続補正書】
【提出日】令和2年7月13日(2020.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）であって、該足場は、
高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層；
該ＭＳＲ基部層上に層化された連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）；ならびに
該足場に吸着された１種またはこれより多くの機能的分子であって、Ｔ細胞活性化分子、Ｔ細胞共刺激分子およびＴ細胞ホメオスタシス因子からなる群より選択される、１種またはこれより多くの機能的分子、
を含む足場。
【請求項２】
前記Ｔ細胞は、ナチュラルキラーＴ細胞、ガンマデルタＴ細胞、ＣＤ３＋  Ｔ細胞、ＣＤ４＋  Ｔ細胞、ＣＤ８＋  Ｔ細胞、および調節性Ｔ細胞（Ｔｒｅｇ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の足場。
【請求項３】
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、前記ＳＬＢ層上に吸着される、請求項１または２に記載の足場。
【請求項４】
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、前記ＭＳＲ基部層上に吸着される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の足場。
【請求項５】
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、各々、独立して、前記流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）上に吸着される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の足場。
【請求項６】
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、親和性対形成または化学的カップリングを介して吸着される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の足場。
【請求項７】
前記足場は、Ｆｃ融合タンパク質に特異的に結合する免疫グロブリン分子をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の足場。
【請求項８】
前記足場は、顆粒球マクロファージコロニー刺激因子（ＧＭ−ＣＳＦ）、ケモカイン（Ｃ−Ｃモチーフ）リガンド２１（ＣＣＬ−２１）、ケモカイン（Ｃ−Ｃモチーフ）リガンド１９（ＣＣＬ−１９）、ケモカイン（Ｃ−Ｘ−Ｃモチーフ）リガンド１２（ＣＸＣＬ１２）、インターフェロンγ（ＩＦＮγ）、またはＦＭＳ様チロシンキナーゼ３（Ｆｌｔ−３）リガンドからなる群より選択される動員化合物をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の足場。
【請求項９】
前記動員化合物は、顆粒球マクロファージコロニー刺激因子（ＧＭ−ＣＳＦ）を含む、請求項８に記載の足場。
【請求項１０】
前記足場は、抗原をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の足場。
【請求項１１】
前記支持脂質二重層（ＳＬＢ）  対  前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）の重量比は、約１０：１〜約１：２０の間である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の足場。
【請求項１２】
前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）  対  前記Ｔ細胞活性化／共刺激分子の乾燥重量比は、約５００：１〜約１：１である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の足場。
【請求項１３】
複数の請求項１〜１２のいずれか一項の足場を含むデバイスであって、ここで該足場は、前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）へのＴ細胞の浸潤を選択的に可能にするように積み重ねられる、デバイス。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の足場および薬学的に受容可能なキャリアを含む、薬学的組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の足場および該足場の中にクラスター化されたＴ細胞を含む、組成物。
【請求項１６】
前記Ｔ細胞は、ナチュラルキラーＴ細胞、ＣＤ３＋  Ｔ細胞、ＣＤ４＋  Ｔ細胞、ＣＤ８＋  Ｔ細胞、および調節性Ｔ細胞（Ｔｒｅｇ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
必要性のある被験体において疾患を処置するための方法において使用するための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）を含む組成物であって、該方法は、
Ｔ細胞集団を含むサンプルと、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）とを接触させる工程であって、それによって、該Ｔ細胞の集団を活性化し、共刺激し、ホメオスタシス的に維持する工程；
該Ｔ細胞の集団を必要に応じて拡大する工程；および
該活性化され、共刺激され、維持され、そして必要に応じて拡大されたＴ細胞を、該被験体へと投与するステップであって、それによって、該被験体において該疾患を処置する工程、
を包含する、組成物。
【請求項１８】
Ｔ細胞の操作のための方法であって、該方法は、
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の足場と、被験体の生物学的サンプルとを接触させる工程であって、それによって、該サンプル内に存在するＴ細胞の集団を活性化し、共刺激し、ホメオスタシス的に維持し、そして必要に応じて拡大し、それによって該Ｔ細胞を操作する工程、
を包含する方法。
【請求項１９】
前記Ｔ細胞は、エフェクターメモリー、エフェクター、セントラルメモリーおよび／またはナイーブＴ細胞）のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記操作は、消耗したＴ細胞を同定または単離することおよび必要に応じて該消耗したＴ細胞を除去することを包含する、請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記消耗したＴ細胞は、ＣＤ８＋／ＰＤ−１＋および／またはＬＡＧ３＋／ＴＩＭ３＋の細胞表面発現に基づいて同定または単離される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
生物学的サンプルは、被験体から得られ；そして請求項１〜１２のいずれか一項に記載の足場は、該被験体のＴ細胞をエキソビボで操作するために、該生物学的サンプルとエキソビボで接触される、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記操作されたＴ細胞における細胞表面マーカーの発現を検出する工程をさらに包含する、請求項１８〜２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記細胞表面マーカーは、ＣＤ６９、ＣＤ４、ＣＤ８、ＣＤ２５、ＣＤ６２Ｌ、ＦＯＸＰ３、ＨＬＡ−ＤＲ、ＣＤ２８、およびＣＤ１３４、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
請求項１に記載の足場を作製するための方法であって、該方法は、
（ａ）高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層を提供する工程；
（ｂ）Ｔ細胞ホメオスタシス因子を該ＭＳＲ上に必要に応じて負荷する工程；
（ｃ）連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）を、該ＭＳＲを含む基部層上に層化する工程であって、それによって、ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材を生成する工程；
（ｄ）工程（ｂ）が行われなかった場合に、該Ｔ細胞ホメオスタシス因子を、該ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材上に負荷する工程；
（ｅ）該ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材における１またはこれより多くの非特異的組み込み部位を、遮断因子で必要に応じて遮断する工程；ならびに
（ｆ）前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を、該ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材上に負荷する工程であって、それによって、請求項１に記載の足場を作製する工程、
を包含する方法。
【請求項２６】
抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）であって、該足場は、
高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層；
該ＭＳＲ基部層上に層化された連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）；ならびに
該足場に吸着されたＴ細胞活性化分子およびＴ細胞共刺激分子、
を含む足場。
【請求項２７】
抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）であって、該足場は、
高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層；
該ＭＳＲ基部層上に層化された連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）；該足場に吸着されたＴ細胞活性化分子およびＴ細胞共刺激分子；ならびにＴ細胞ホメオスタシス因子であって、ｉ）該足場に吸着される、ｉｉ）該足場に吸着され、該ＡＰＣ−ＭＳが懸濁された培地中に存在する、またはｉｉｉ）該ＡＰＣ−ＭＳが懸濁された培地中に存在する、Ｔ細胞ホメオスタシス因子、
を含む足場。
【請求項２８】
必要性のある被験体において疾患の処置において使用するための、請求項２６に記載の抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）を含む組成物であって、該処置は、
Ｔ細胞集団を含むサンプルと、請求項２６に記載のＡＰＣ−ＭＳとを接触させる工程であって、それによって、該Ｔ細胞の集団を活性化し、共刺激する工程；
該Ｔ細胞の集団を必要に応じて拡大する工程；および
該活性化され、共刺激され、維持され、そして必要に応じて拡大されたＴ細胞を、該被験体へと投与するステップであって、それによって、該被験体において該疾患を処置する工程、
を包含する、組成物。
【請求項２９】
必要性のある被験体において疾患の処置において使用するための、請求項２７に記載の抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）を含む組成物であって、該処置は、
Ｔ細胞集団を含むサンプルと、請求項２７に記載のＡＰＣ−ＭＳとを接触させる工程であって、それによって、該Ｔ細胞の集団を活性化し、共刺激し、ホメオスタシス的に維持する工程；
該Ｔ細胞の集団を必要に応じて拡大する工程；および
該活性化され、共刺激され、維持され、そして必要に応じて拡大されたＴ細胞を、該被験体へと投与するステップであって、それによって、該被験体において該疾患を処置する工程、
を包含する、組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４４８】
均等論
当業者は、慣用的実験法のみを使用して、本明細書で記載される具体的な実施形態および方法に対する多くの均等物を認識するかまたは確認することができる。このような均等物は、以下の特許請求の範囲によって包含されることが意図される。
特定の実施形態では、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）であって、該足場は、
高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層；
該ＭＳＲ基部層上に層化された連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）；
該足場に吸着された、複数のＴ細胞活性化分子およびＴ細胞共刺激分子；ならびに
該足場上に吸着された複数のＴ細胞ホメオスタシス因子、
を含む足場。
（項目２）
前記Ｔ細胞は、ナチュラルキラー（ＮＫ）細胞、ＣＤ３＋  Ｔ細胞、ＣＤ４＋  Ｔ細胞、ＣＤ８＋  Ｔ細胞、および調節性Ｔ細胞（Ｔｒｅｇ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目１に記載の足場。
（項目３）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、前記ＳＬＢ層上に吸着される、項目１に記載の足場。
（項目４）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、前記ＭＳＲ基部層上に吸着される、項目１に記載の足場。
（項目５）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、放出制御様式において前記足場から放出される、項目１に記載の足場。
（項目６）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、少なくとも３０日間にわたって持続様式において前記足場から放出される、項目１に記載の足場。
（項目７）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、ＩＬ−１、ＩＬ−２、ＩＬ−４、ＩＬ−５、ＩＬ−７、ＩＬ−１０、ＩＬ−１２、ＩＬ−１５、ＩＬ−１７、ＩＬ−２１、およびトランスフォーミング増殖因子β（ＴＧＦ−β）、またはこれらのアゴニスト、これらの模倣物、これらの改変体、その機能的フラグメント、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目１に記載の足場。
（項目８）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、ＩＬ−２、そのアゴニスト、その模倣物、その改変体、その機能的フラグメント、またはこれらのＩＬ−７、ＩＬ−２１、ＩＬ−１５、およびＩＬ−１５スーパーアゴニストからなる群より選択される第２のホメオスタシス因子との組み合わせである、項目７に記載の足場。
（項目９）
前記Ｔ細胞ホメオスタシス因子は、ＩＬ−２の最初の３０アミノ酸（ｐ１−３０）を含むＮ末端ＩＬ−２フラグメント、ＩＬ−２スーパーカインペプチド、およびＩＬ−２部分アゴニストペプチド、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目７に記載の足場。
（項目１０）
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、各々、独立して、前記流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）上に吸着される、項目１に記載の足場。
（項目１１）
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、親和性対形成または化学的カップリングを介して吸着される、項目１０に記載の足場。
（項目１２）
前記親和性のカップリングは、ビオチン−ストレプトアビジンの対、抗体−抗原の対、抗体−ハプテンの対、親和性の対、捕捉タンパク質の対、Ｆｃレセプター−ＩｇＧの対、金属−キレート化脂質の対、またはこれらの組み合わせを含む、項目１１に記載の足場。
（項目１３）
前記化学的カップリングは、アジド−アルキン化学（ＡＡＣ）反応、ジベンゾ−シクロオクチン連結（ＤＣＬ）、またはテトラジン−アルケン連結（ＴＡＬ）を含む、項目１１に記載の足場。
（項目１４）
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、各々、独立して、前記流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）上に被覆される、項目１０に記載の足場。
（項目１５）
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、各々、独立して、前記流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）に部分的に埋め込まれる、項目１０に記載の足場。
（項目１６）
前記Ｔ細胞活性化分子およびＴ細胞共刺激分子は、各々、独立して、前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）上に吸着される、項目１に記載の足場。
（項目１７）
前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子は、各々、独立して、抗体分子またはその抗原結合フラグメントである、項目１に記載の足場。
（項目１８）
前記Ｔ細胞活性化分子は、抗ＣＤ３抗体もしくはその抗原結合フラグメント、抗マクロファージスカベンジャーレセプター（ＭＳＲ１）抗体もしくはその抗原結合フラグメント、抗Ｔ細胞レセプター（ＴＣＲ）抗体もしくはその抗原結合フラグメント、抗ＣＤ２抗体もしくはその抗原結合フラグメント、抗ＣＤ４７抗体もしくはその抗原結合フラグメント、ＭＨＣペプチドを負荷した主要組織適合遺伝子複合体（ＭＨＣ）分子もしくはそのマルチマー、およびＭＨＣ−免疫グロブリン（Ｉｇ）結合体もしくはそのマルチマー、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目１に記載の足場。
（項目１９）
前記Ｔ細胞共刺激分子は、ＣＤ２８、４．１ＢＢ（ＣＤ１３７）、ＯＸ４０（ＣＤ１３４）、ＣＤ２７（ＴＮＦＲＳＦ７）、ＧＩＴＲ（ＣＤ３５７）、ＣＤ３０（ＴＮＦＲＳＦ８）、ＨＶＥＭ（ＣＤ２７０）、ＬＴβＲ（ＴＮＦＲＳＦ３）、ＤＲ３（ＴＮＦＲＳＦ２５）、ＩＣＯＳ（ＣＤ２７８）、ＣＤ２２６（ＤＮＡＭ１）、ＣＲＴＡＭ（ＣＤ３５５），ＴＩＭ１（ＨＡＶＣＲ１、ＫＩＭ１）、ＣＤ２（ＬＦＡ２、ＯＸ３４）、ＳＬＡＭ（ＣＤ１５０、ＳＬＡＭＦ１）、２Ｂ４（ＣＤ２４４、ＳＬＡＭＦ４）、Ｌｙ１０８（ＮＴＢＡ、ＣＤ３５２、ＳＬＡＭＦ６）、ＣＤ８４（ＳＬＡＭＦ５）、Ｌｙ９（ＣＤ２２９、ＳＬＡＭＦ３）およびＣＲＡＣＣ（ＣＤ３１９、ＢＬＡＭＥ）からなる群より選択される共刺激抗原に特異的に結合する抗体、またはその抗原結合フラグメントである、項目１に記載の足場。
（項目２０）
前記Ｔ細胞活性化分子およびＴ細胞共刺激分子は、二重特異的抗体またはその抗原結合フラグメントを含む、項目１に記載の足場。
（項目２１）
前記Ｔ細胞活性化分子およびＴ細胞共刺激分子は、ＣＤ３／ＣＤ２８、ＣＤ３／ＩＣＯＳ、ＣＤ３／ＣＤ２７、およびＣＤ３／ＣＤ１３７、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される対を含む、項目１に記載の足場。
（項目２２）
前記足場は、Ｆｃ融合タンパク質に特異的に結合する免疫グロブリン分子をさらに含む、項目１に記載の足場。
（項目２３）
前記足場は、顆粒球マクロファージコロニー刺激因子（ＧＭ−ＣＳＦ）、ケモカイン（Ｃ−Ｃモチーフ）リガンド２１（ＣＣＬ−２１）、ケモカイン（Ｃ−Ｃモチーフ）リガンド１９（ＣＣＬ−１９）、ケモカイン（Ｃ−Ｘ−Ｃモチーフ）リガンド１２（ＣＸＣＬ１２）、インターフェロンγ（ＩＦＮγ）、またはＦＭＳ様チロシンキナーゼ３（Ｆｌｔ−３）リガンドからなる群より選択される動員化合物をさらに含む、項目１に記載の足場。
（項目２４）
前記動員化合物は、顆粒球マクロファージコロニー刺激因子（ＧＭ−ＣＳＦ）を含む、項目２３に記載の足場。
（項目２５）
前記足場は、抗原をさらに含む、項目１に記載の足場。
（項目２６）
前記抗原は、腫瘍抗原を含む、項目２５に記載の足場。
（項目２７）
前記腫瘍抗原は、ＭＡＧＥ−１、ＭＡＧＥ−２、ＭＡＧＥ−３、ＣＥＡ、チロシナーゼ、ミッドカイン、ＢＡＧＥ、ＣＡＳＰ−８、β−カテニン、β−カテニン、γ−カテニン、ＣＡ−１２５、ＣＤＫ−１、ＣＤＫ４、ＥＳＯ−１、ｇｐ７５、ｇｐ１００、ＭＡＲＴ−１、ＭＵＣ−１、ＭＵＭ−１、ｐ５３、ＰＡＰ、ＰＳＡ、ＰＳＭＡ、ｒａｓ、ｔｒｐ−１、ＨＥＲ−２、ＴＲＰ−１、ＴＲＰ−２、ＩＬ１３Ｒα、ＩＬ１３Ｒα２、ＡＩＭ−２、ＡＩＭ−３、ＮＹ−ＥＳＯ−１、Ｃ９ｏｒｆ  １１２、ＳＡＲＴ１、ＳＡＲＴ２、ＳＡＲＴ３、ＢＲＡＰ、ＲＴＮ４、ＧＬＥＡ２、ＴＮＫＳ２、ＫＩＡＡ０３７６、ＩＮＧ４、ＨＳＰＨ１、Ｃ１３ｏｒｆ２４、ＲＢＰＳＵＨ、Ｃ６ｏｒｆ１５３、ＮＫＴＲ、ＮＳＥＰ１、Ｕ２ＡＦ１Ｌ、ＣＹＮＬ２、ＴＰＲ、ＳＯＸ２、ＧＯＬＧＡ、ＢＭＩ１、ＣＯＸ−２、ＥＧＦＲｖＩＩＩ、ＥＺＨ２、ＬＩＣＡＭ、Ｌｉｖｉｎ、Ｌｉｖｉｎβ、ＭＲＰ−３、ネスチン、ＯＬＩＧ２、ＡＲＴ１、ＡＲＴ４、Ｂ−サイクリン、Ｇｌｉ１、Ｃａｖ−１、カテプシンＢ、ＣＤ７４、Ｅ−カドヘリン、ＥｐｈＡ２／Ｅｃｋ、Ｆｒａ−１／Ｆｏｓｌ  １、ＧＡＧＥ−１、ガングリオシド／ＧＤ２、ＧｎＴ−Ｖ、β１，６−Ｎ、Ｋｉ６７、Ｋｕ７０／８０、ＰＲＯＸ１、ＰＳＣＡ、ＳＯＸ１０、ＳＯＸ１１、サバイビン、ＵＰＡＲ、ＷＴ−１、ジペプチジルペプチダーゼＩＶ（ＤＰＰＩＶ）、アデノシンデアミナーゼ結合タンパク質（ＡＤ  Ａｂｐ）、シクロフィリンｂ、結腸直腸関連抗原（ＣＲＣ）−Ｃ０１７−１Ａ／ＧＡ７３３、Ｔ細胞レセプター／ＣＤ３−ζ鎖、腫瘍抗原のＧＡＧＥファミリー、ＲＡＧＥ、ＬＡＧＥ−Ｉ、ＮＡＧ、ＧｎＴ−Ｖ、ＲＣＡＳｌ、α−フェトプロテイン、ｐｌ２０ｃｔｎ、Ｐｍｅｌ１１７、ＰＲＡＭＥ、脳型グリコーゲンホスホリラーゼ、ＳＳＸ−Ｉ、ＳＳＸ−２（ＨＯＭ−ＭＥＬ−４０）、ＳＳＸ−Ｉ、ＳＳＸ−４、ＳＳＸ−５、ＳＣＰ−Ｉ、ＣＴ−７、ｃｄｃ２７、腺腫様多発結腸ポリープタンパク質（ＡＰＣ）、フォドリン、ＰｌＡ、コネキシン３７、Ｉｇ−イディオタイプ、ｐｌ５、ＧＭ２、ＧＤ２ガングリオシド、腫瘍抗原のＳｍａｄファミリー、ｌｍｐ−１、ＥＢＶコード核抗原（ＥＢＮＡ）−Ｉ、ＵＬ１６結合タンパク質様転写物１（Ｍｕｌｔ１）、ＲＡＥ−１タンパク質、Ｈ６０、ＭＩＣＡ、ＭＩＣＢ、およびｃ−ｅｒｂＢ−２、患者特異的ネオアンチゲン、またはこれらの免疫原性ペプチド、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目２５に記載の足場。
（項目２８）
前記支持脂質二重層（ＳＬＢ）  対  前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）の重量比は、約１０：１〜約１：２０の間である、項目１に記載の足場。
（項目２９）
前記連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）は、（ＤＭＰＣ）、ジパルミトイルホスファチジルコリン（ＤＰＰＣ）、ジステアロイルホスファチジルコリン（ＤＳＰＣ）、パルミトイル−オレオイルホスファチジルコリン（ＰＯＰＣ）、ジオレオイルホスファチジルコリン（ＤＯＰＣ）、ジオレオイルホスファチジルエタノールアミン（ＤＯＰＥ）、ジミリストイルホスファチジルエタノールアミン（ＤＭＰＥ）およびジパルミトイルホスファチジルエタノールアミン（ＤＰＰＥ）またはこれらの組み合わせからなる群より選択される脂質を含む、項目１に記載の足場。
（項目３０）
前記メソポーラスシリカマイクロロッド−脂質二重層（ＭＳＲ−ＳＬＢ）足場は、連続流体体系を少なくとも１４日間にわたって保持する、項目１に記載の足場。
（項目３１）
前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）  対  前記Ｔ細胞活性化／共刺激分子の乾燥重量比は、１：１〜５０：１の間である、項目１に記載の足場。
（項目３２）
複数の項目１の足場を含むデバイスであって、ここで該足場は、前記メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）へのＴ細胞の浸潤を選択的に可能にするように積み重ねられる、デバイス。
（項目３３）
前記Ｔ細胞活性化分子および／または共刺激分子は、Ｔ細胞のインサイチュ操作を可能にするために十分な濃度で前記足場上に存在する、項目３２に記載のデバイス。
（項目３４）
項目１に記載の足場および薬学的に受容可能なキャリアを含む、薬学的組成物。
（項目３５）
前記組成物は、静脈内投与、皮下投与、腹腔内投与、または筋肉内投与のために製剤化される、項目３４に記載の薬学的組成物。
（項目３６）
項目１に記載の足場および該足場の中にクラスター化されたＴ細胞を含む、組成物。
（項目３７）
前記Ｔ細胞は、ナチュラルキラー（ＮＫ）細胞、ＣＤ３＋  Ｔ細胞、ＣＤ４＋  Ｔ細胞、ＣＤ８＋  Ｔ細胞、および調節性Ｔ細胞（Ｔｒｅｇ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目３６に記載の組成物。
（項目３８）
必要性のある被験体において疾患を処置するための方法であって、該方法は、
該被験体から得られたＴ細胞集団を含むサンプルと、項目１に記載の抗原提示細胞模倣足場（ＡＰＣ−ＭＳ）とを接触させる工程であって、それによって、該Ｔ細胞の集団を活性化し、共刺激し、ホメオスタシス的に維持する工程；
該Ｔ細胞の集団を必要に応じて拡大する工程；および
該活性化され、共刺激され、維持され、そして必要に応じて拡大されたＴ細胞を、該被験体へと投与するステップであって、それによって、該被験体において該疾患を処置する工程、
を包含する方法。
（項目３９）
前記方法は、前記投与する工程の前に、前記Ｔ細胞の集団を再刺激する工程をさらに包含する、項目３８に記載の方法。
（項目４０）
前記サンプルは、血液サンプル、骨髄サンプル、リンパ液サンプル、または脾臓サンプルである、項目３８に記載の方法。
（項目４１）
前記被験体は、ヒトである、項目３８に記載の方法。
（項目４２）
前記疾患は、がんであり、前記足場は、少なくとも１種の細胞傷害性Ｔ細胞特異的活性化分子および少なくとも１種の細胞傷害性Ｔ細胞特異的共刺激分子を含む、項目３８に記載の方法。
（項目４３）
前記がんは、頭頚部がん、乳がん、膵臓がん、前立腺がん、腎臓がん、食道がん、骨がん、精巣がん、子宮頚がん、消化器がん、膠芽腫、白血病、リンパ腫、マントル細胞リンパ腫、肺における前癌病変、結腸がん、黒色腫、および膀胱がんからなる群より選択される、項目４２に記載の方法。
（項目４４）
前記方法は、前記サンプルおよび／または前記拡大された細胞集団から、前記細胞傷害性Ｔ細胞をさらにソートする工程であって、必要に応じて富化する工程を包含する、項目４３に記載の方法。
（項目４５）
前記疾患は、免疫不全障害であり、前記足場は、少なくとも１種のヘルパーＴ細胞特異的活性化分子および少なくとも１種のヘルパーＴ細胞特異的共刺激分子を含む、項目３８に記載の方法。
（項目４６）
前記免疫不全障害は、原発性免疫不全障害および後天性免疫不全障害からなる群より選択される、項目４５に記載の方法。
（項目４７）
前記後天性免疫不全障害は、後天性免疫不全症候群（ＡＩＤＳ）に起因する、項目４６に記載の方法。
（項目４８）
前記免疫不全障害は、ディジョージ症候群（ＤＧＳ）、染色体切断症候群（ＣＢＳ）、毛細血管拡張性運動失調症（ＡＴ）およびウィスコット−オルドリッチ症候群（ＷＡＳ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される遺伝性障害に起因する、項目４５に記載の方法。
（項目４９）
前記方法は、前記サンプルに由来するヘルパーＴ細胞および／または前記拡大された細胞集団をさらにソートする工程であって、必要に応じて富化する工程を包含する、項目４５に記載の方法。
（項目５０）
前記疾患は、自己免疫障害である、項目３８に記載の方法。
（項目５１）
前記活性化され、共刺激され、ホメオスタシス的に維持され、そして必要に応じて拡大されたＴ細胞は、前記被験体へと皮下投与される、項目３８に記載の方法。
（項目５２）
前記活性化され、共刺激され、ホメオスタシス的に維持され、そして必要に応じて拡大されたＴ細胞は、前記被験体へと静脈内投与される、項目３８に記載の方法。
（項目５３）
前記Ｔ細胞の集団は、前記サンプルと前記足場とを、１日間〜約２０日間の間の期間にわたって接触させることによって、活性化され、共刺激され、ホメオスタシス的に維持され、そして必要に応じて拡大される、項目３８に記載の方法。
（項目５４）
Ｔ細胞の操作のための方法であって、該方法は、
項目１に記載の足場と、被験体の生物学的サンプルとを接触させる工程であって、それによって、該サンプル内に存在するＴ細胞の集団を活性化し、共刺激し、ホメオスタシス的に維持し、そして必要に応じて拡大し、それによって該Ｔ細胞を操作する工程、
を包含する方法。
（項目５５）
前記操作は、Ｔ細胞の成長、分裂、分化、拡大、増殖、活性、生存性、消耗、アネルギー、静止、アポトーシス、または死滅を促進することを包含する、項目５４に記載の方法。
（項目５６）
前記操作は、Ｔ細胞の拡大または増殖を促進することを包含する、項目５５に記載の方法。
（項目５７）
前記方法は、前記高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層および前記連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）を含むが、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含まないコントロール足場と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の増大した拡大を付与する、項目５４に記載の方法。
（項目５８）
前記方法は、前記高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層および前記連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）を含むが、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含まないコントロール足場と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の拡大において約５０倍〜５００倍の増大を付与する、項目５７に記載の方法。
（項目５９）
前記方法は、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含む超常磁性球状ポリマー粒子（ＤＹＮＡＢＥＡＤ）と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の増大した拡大を付与する、項目５７に記載の方法。
（項目６０）
前記方法は、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含む超常磁性球状ポリマー粒子（ＤＹＮＡＢＥＡＤ）と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の拡大において約５倍〜２０倍の増大を付与する、項目５９に記載の方法。
（項目６１）
前記操作は、Ｔ細胞の代謝活性を改善することを包含する、項目５４に記載の方法。
（項目６２）
前記方法は、前記高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層および前記連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）を含むが、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含まないコントロール足場と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の改善された代謝活性を付与する、項目５４に記載の方法。
（項目６３）
前記方法は、前記高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層および前記連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）を含むが、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含まないコントロール足場と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の約５倍〜２０倍改善された代謝活性を付与する、項目６２に記載の方法。
（項目６４）
前記方法は、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含む超常磁性球状ポリマー粒子（ＤＹＮＡＢＥＡＤ）と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の改善された代謝活性を付与する、項目６１に記載の方法。
（項目６５）
前記方法は、前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を含む超常磁性球状ポリマー粒子（ＤＹＮＡＢＥＡＤ）と比較して、前記足場との約１週間の接触後に前記Ｔ細胞の集団の拡大において約１倍〜１０倍の増大をさらに付与する、項目６４に記載の方法。
（項目６６）
前記拡大されたＴ細胞は、前記足場との接触後少なくとも約７日間にわたって代謝的に活性である、項目５４に記載の方法。
（項目６７）
前記拡大されたＴ細胞は、前記足場との接触後少なくとも約７日間にわたって凝集物を形成する、項目５４に記載の方法。
（項目６８）
前記Ｔ細胞は、ＣＤ８＋  細胞のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目６９）
前記Ｔ細胞は、ＣＤ４＋  細胞のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目７０）
前記Ｔ細胞は、ＣＤ４＋／ＦＯＸＰ３−細胞のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目７１）
前記Ｔ細胞は、ＣＤ４４＋／ＣＤ６２Ｌ−Ｔ細胞（エフェクターメモリーおよび／またはエフェクターＴ細胞）のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目７２）
前記Ｔ細胞は、ＣＤ８＋／ＣＤ６９＋  Ｔ細胞（活性化Ｔ細胞）のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目７３）
前記Ｔ細胞は、グランザイムＢ＋  ＣＤ８＋  Ｔ細胞（サイトトキシン分泌Ｔ細胞）のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目７４）
前記Ｔ細胞は、ＩＦＮγ＋  Ｔ細胞（アクチベーターサイトカイン分泌Ｔ細胞）のポリクローナル集団を生成するように選択的に拡大される、項目５４に記載の方法。
（項目７５）
前記細胞の集団は、約３日間にわたる前記足場との接触後に拡大される、項目６８〜７４のいずれかに記載の方法。
（項目７６）
前記細胞の集団は、約５日間にわたる前記足場との接触後に拡大される、項目６８〜７４のいずれかに記載の方法。
（項目７７）
前記操作は、消耗したＴ細胞を同定または単離することおよび必要に応じて該消耗したＴ細胞を除去することを包含する、項目５４に記載の方法。
（項目７８）
前記消耗したＴ細胞は、ＣＤ８＋／ＰＤ−１＋の細胞表面発現に基づいて同定または単離される、項目７７に記載の方法。
（項目７９）
生物学的サンプルは、被験体から得られ；そして項目１に記載の足場は、該被験体のＴ細胞をエキソビボで操作するために、該生物学的サンプルとエキソビボで接触される、項目５４に記載の方法。
（項目８０）
前記サンプルは、約１日間〜約２０日間の期間にわたって前記足場と接触される、項目７９に記載の方法。
（項目８１）
前記操作されたＴ細胞によって生成される１種またはこれより多くのサイトカインまたはサイトトキシンの生成を検出する工程をさらに包含する、項目７９に記載の方法。
（項目８２）
インターフェロンγ（ＩＦＮγ）、組織壊死因子α（ＴＮＦα）、ＩＬ−２、ＩＬ−１、ＩＬ−４、ＩＬ−５、ＩＬ−１０、およびＩＬ−１３、またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるサイトカインの生成をさらに検出する工程をさらに包含する、項目８１に記載の方法。
（項目８３）
前記操作されたＴ細胞は、Ｔヘルパー１（Ｔｈ１）細胞であり、前記方法は、ＩＬ−２、インターフェロンγ（ＩＦＮγ）および組織壊死因子α（ＴＮＦα）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるサイトカインの生成を検出する工程を包含する、項目８２に記載の方法。
（項目８４）
前記操作されたＴ細胞は、Ｔヘルパー２（Ｔｈ２）細胞であり、前記方法は、ＩＬ−４、ＩＬ−５、ＩＬ−１０およびＩＬ−１３、またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるサイトカインの生成を検出する工程を包含する、項目８２に記載の方法。
（項目８５）
前記操作されたＴ細胞は、細胞傷害性Ｔ（Ｔｃ）細胞であり、前記方法は、インターフェロンγ（ＩＦＮγ）およびリンホトキシンα（ＬＴα／ＴＮＦβ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるサイトカインの生成を検出する工程を包含する、項目５４に記載の方法。
（項目８６）
前記操作されたＴ細胞は、細胞傷害性Ｔ（Ｔｃ）細胞であり、前記方法は、グランザイムまたはパーフォリン、またはこれらの組み合わせからなる群より選択されるサイトトキシンの分泌を検出する工程を包含する、項目５４に記載の方法。
（項目８７）
前記操作されたＴ細胞における細胞表面マーカーの発現を検出する工程をさらに包含する、項目７９に記載の方法。
（項目８８）
前記細胞表面マーカーは、ＣＤ６９、ＣＤ４、ＣＤ８、ＣＤ２５、ＣＤ６２Ｌ、ＦＯＸＰ３、ＨＬＡ−ＤＲ、ＣＤ２８、およびＣＤ１３４、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、項目８７に記載の方法。
（項目８９）
前記細胞表面マーカーは、ＣＤ３６、ＣＤ４０、およびＣＤ４４、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される非Ｔ細胞マーカーである、項目８７に記載の方法。
（項目９０）
前記被験体は、ヒトである、項目５４に記載の方法。
（項目９１）
前記足場は、Ｔ細胞を含む前記生物学的サンプルが該足場とインビボで接触することを可能にするために、前記被験体に投与される、項目５４に記載の方法。
（項目９２）
前記足場は、約７日間の期間にわたって前記被験体において維持される、項目９１に記載の方法。
（項目９３）
項目１に記載の足場を作製するための方法であって、該方法は、
（ａ）高表面積メソポーラスシリカマイクロロッド（ＭＳＲ）を含む基部層を提供する工程；
（ｂ）Ｔ細胞ホメオスタシス因子を該ＭＳＲ上に必要に応じて負荷する工程；
（ｃ）連続流体支持脂質二重層（ＳＬＢ）を、該ＭＳＲを含む基部層上に層化する工程であって、それによって、ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材を生成する工程；
（ｄ）工程（ｂ）が行われなかった場合に、該Ｔ細胞ホメオスタシス因子を、該ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材上に負荷する工程；
（ｅ）該ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材における１またはこれより多くの非特異的組み込み部位を、遮断因子で必要に応じて遮断する工程；ならびに
（ｆ）前記Ｔ細胞活性化分子および前記Ｔ細胞共刺激分子を、該ＭＳＲ−ＳＬＢ複合材上に負荷する工程であって、それによって、項目１に記載の足場を作製する工程、
を包含する方法。
（項目９４）
複数の足場をアセンブリルする工程であって、Ｔ細胞の浸潤を可能にするために十分な多孔性を有する積み重ねを生成する工程をさらに包含する、項目９３に記載の方法。
（項目９５）
増殖因子、サイトカイン、インターロイキン、接着シグナル伝達分子、インテグリンシグナル伝達分子、またはこれらのフラグメント、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１種のさらなる薬剤を負荷する工程をさらに包含する、項目９３に記載の方法。