【事件の表示】
　特願２０１０−１３３４３５「荷電粒子線露光装置及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月２２日出願公開、特開２０１１−２５８８４２、請求項の数（１６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年６月１０日の出願であって、平成２６年１月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年３月１８日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年９月３日付けで再度最初の拒絶理由が通知され、同年１０月２７日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１１月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２７年３月２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２８年２月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年４月１８日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２８年４月１８日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「荷電粒子線でターゲットを露光する荷電粒子線露光装置であって、
　前記荷電粒子線からなる複数のビームを発生するビーム発生系と、
　前記ビームがそれぞれ照射される複数の長方形の開口が互いに長手方向が平行になるように形成されたアレイ部材と、
　前記複数の開口から選択された開口を通過する前記ビームを前記ターゲットに導く変調装置と、
　前記変調装置で選択された前記開口を通過した前記ビームによって前記開口を縮小した長方形の像を形成するとともに、前記開口を縮小した像を少なくとも該像の長手方向又は短手方向に沿った第１方向に偏向可能である偏向投影系と、
　前記偏向投影系による前記ビームの露光領域に対して前記ターゲットを前記第１方向に直交する第２方向に相対的に走査移動する移動機構と、
を備え、
　前記変調装置は、前記長方形の開口の短手方向に前記ビームを偏向する偏向部材と、前記偏向部材で前記短手方向に偏向された前記ビームを遮蔽するビーム遮蔽部材とを備え、
　前記偏向投影系は、前記移動機構による前記走査移動時に前記開口を縮小した像を前記第１方向に偏向することを特徴とする荷電粒子線露光装置。」（以下、「本願発明」という。）
　
第３　原査定の理由について
１　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
引用文献１：特開昭６０−０８０２２２号公報
引用文献２：特開平０２−０７９４１１号公報
引用文献３：特開２００１−２８４２３０号公報
引用文献４：特開平１０−２８４３７７号公報
引用文献５：特表２００６−５０５１２４号公報
引用文献６：国際公開第２００９／１４７２０２号
　
（１）請求項１乃至７
　引用文献１乃至３
　引用文献１には、マルチ電子ビームで試料３１４を露光する装置において、矩形のアレイ部材（第１の成形板３０７等）と、変調器（マトリクスブランカ３１０）と、照射位置設定用偏向器３１２等と、電子レンズ３０６等と、ステージ３１５とを備えた装置に関する発明が記載されている（第３頁左上欄第８行乃至第４頁右上欄第１３行等参照）。
　また、引用文献１では、矩形ビーム形状が長手及び短手を有しているのか不明であるものの、電子レンズ３０５及び３０６で縮小されている（第３頁右上欄第１２行等参照。）。
　引用文献２の第１頁右欄第１０行乃至第２頁左上欄第１８行、及び、引用文献３の段落００２０乃至００２５等にも、同様の発明が記載されている。引用文献３記載の発明では、矩形は長方形である（段落００２０等参照）。
　引用文献３には、第１の電子光学系と第２の電子光学系を有する電子光学系アレイによって長方形に形成されたビームは、投影電子光学系５０４によって縮小投影されている（段落００２５等参照）。
　本願請求項１に係る発明と引用文献１記載の発明とを比較すると、本願請求項１に係る発明は、ターゲットが、ビームを偏向する第１方向に直交する第２方向に相対的に走査移動するのに対して、引用文献１記載の発明は、ターゲットが、ビームを偏向する第１方向に直交する第２方向に相対的に走査移動するのか不明である点が相違する。
　しかしながら、走査偏向する方向と異なる方向に走査移動する露光方法は、周知である（刊行物５及び６等参照）。
　そして、走査方向を、走査偏向する方向に対して直交する方向にすることは、技術の具体化に伴う設計上の事項に過ぎない。
　引用文献１記載の発明に上記周知技術及び設計事項を採用して、請求項１の如くすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　その他の請求項の如くすることも、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）請求項８乃至１６
　引用文献１乃至３
　引用文献４には、電子線露光装置等で使用可能な、周期パターンの一部を露光して、周期的パターンを部分的に除去するデバイス製造方法に関する発明が記載されている（段落００３５乃至００３８等参照）。
　引用文献１乃至３記載の発明の装置を用いることに、格別な困難性はない。
　その他の請求項の如くすることも、当業者が容易に想到し得ることである。
　
２　原査定の理由の判断
（１）刊行物の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の出願前に頒布された引用文献１には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「〔発明の実施例〕
　以下、本発明の実施例を、電子ビームを使用するマルチ電子ビーム露光装置の場合について説明する。イオンビームを使用するマルチイオンビーム露光装置も同様の構成により可能である。第４図は本実施例
マルチ電子ビーム露光装置
電子銃、
陽極、
電子レンズ、
マトリクス状に配置された複数のビーム成形用スリット孔を持つ第１の成形板、
第１の成形板
のそれぞれのスリット孔に対応した複数のビーム成形用スリット孔を持つ第２の成形板、
可変成形用偏向器、
第１の成形板
の複数のスリット孔に対応した複数のブランカを持つマトリクスブランカ、
ブランキングアパーチャ、
主副２段の照射位置設定用偏向器、
試料、
ステージ
　
電子銃
からでた電子ビームは電子レンズ
により、第１の成形板
上を一様に照射
第１の成形板
のスリット孔の像は第２の成形板
上に等倍に投影され、第２の成形板
のスリット孔により生じる像は試料
に到達するまでに、電子レンズ
により１／１００に縮小されて投影され
　第５図はマルチ電子ビームの発生機構を示す斜視図である。４０１は
矩形
可変成形用偏向器
を用いて、第１の成形板
のスリット孔の、第２の成形板
上への投影位置を変化させることにより、試料
上で最大寸法が１μｍ
□
となる任意の大きさの矩形ビームを発生することかでき
この時、５×５本のビームのうち、必要なビームをマトリクスブランカ
で選択して照射
ビームをブランキングすると、矩形ビーム
はブランキングアパーチャ
で遮られ、試料
には到達しない
　第６図は、本実施例のマルチ電子ビームによる試料３１４上での描画方法を説明するための図である。５０１は１μｍ□パタン、５０２は１μｍ×０．５μｍパタンである。５０１で代表される１μｍ□パタンのみに着目すると、５×３個のパタンが配置されており、パタン間のＸ方向間隔は１μｍ、Ｘ方向間隔は３μｍである。５０２で代表される１μｍ×０．５μｍパタンのみに着目すると、４×５個のパタンが配置されており、パタン間のＸ方向間隔は１μｍ、Ｘ方向間隔は１．５μｍである。
　まず、試料３１４上で１μｍ□パタンが照射できるように、可変成形用偏向器３０９を動作させる。次に、マトリクスブランカ３１０により、パタンに対応した５×３本の矩形ビームを試料３１４上に一斉に照射する。続いて、次の一斉照射位置が、前述の照射位置からＸ方向に１μｍ、Ｘ方向に０．５μｍ移動した位置となるように、照射位置設定用偏向器３１２を動作させる。次に、試料３１４上で１μｍ×０．５μｍパタンが照射できるように、可変成形用偏向器３０９を動作させる。次に、マトリクスブランカ３１０でパタンに対応した４×５本の矩形ビームを試料３１４１に一斉に照射する。以上の２回の一斉照射により第６図に示したパタンの描画は全て終了する。
　第６図のパタンを、１μｍ×０．５μｍの固定成形ビーム１本で描画する場合には５０回の照射が必要である。また、１本の可変成形ビームを用いても、３５回の照射が必要である。一方、本実施例装置による場合は、前述のように、２回の照射で全パタンを描画することができる。このため、照射時間及び照射回数で決まる実描画時間、及びＤ／Ａ変換器の整定時間等の偏向むだ時間を大幅に減少させることができ、描画効率は飛躍的に向上する。
　第７図は本発明の別の実施例であり、ここでは、第２の成形板３０８及びマトリクスブランカ３１０の一部のみを示している。装置の全体構成は、第４図に示した構成と同じである。第５図実施例と異なる部分は、マトリクスブランカ３１０の内部の構成である。６０１は第２の成形板３０８の５×１個のスリット孔に対応して設置した組ブランカ、６０２はブランキングされた矩形ビーム、６０３はブランキングされていない矩形ビームである。マトリクスブランカ３１０は６０１に代表される組ブランカの５組より構成されている。即ち、第１の成形板３０７、第２の成形板３０８及び可変成形用偏向器３０９により成形された５×５本の矩形ビームを５×１本を組にして５組に分けてブランキングする。
　マトリクスブランカ３１０はブランカが密集しているため、小型のブランカの製造及びその配線は容易でない。しかし、第７図実施例によれば、第５図実施例の場合に比較して、組ブランカの寸法を個々のブランカの寸法より大きくし、かつ配線数をへらすことができるという利点かある。しかも、複数の寸法可変の矩形ビームを一部に照射できるので、描画効率を向上できる。」（３頁左上欄８行乃至４頁右上欄１３行）
　
（イ）上記（ア）で言及される図４、５及び７は、次のものである。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用文献１には、下記の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「電子銃、陽極、電子レンズ、マトリクス状に配置された複数のビーム成形用矩形スリット孔を持つ第１の成形板、前記第１の成形板のそれぞれのスリット孔に対応した複数のビーム成形用スリット孔を持つ第２の成形板、可変成形用偏向器、前記第１の成形板の複数の前記スリット孔に対応した複数のブランカを持つマトリクスブランカ、ブランキングアパーチャ、主副２段の照射位置設定用偏向器、試料及びステージからなるマルチ電子ビーム露光装置であって、
　前記電子銃からでた前記電子ビームは電子レンズにより、前記第１の成形板上を一様に照射し、前記第１の成形板の前記スリット孔の像は前記第２の成形板上に等倍に投影され、前記第２の成形板の前記スリット孔により生じる像は前記試料に到達するまでに、前記電子レンズにより１／１００に縮小されて投影され、
　前記可変成形用偏向器を用いて、前記第１の成形板の前記スリット孔の、前記第２の成形板上への投影位置を変化させることにより、前記試料上で最大寸法が１μｍ□となる任意の大きさの矩形ビームを発生することかでき、この時、５×５本のビームのうち、必要なビームを前記マトリクスブランカで選択して照射してビームをブランキングすると、前記矩形ビームは前記ブランキングアパーチャで遮られ、前記試料には到達しない、
　マルチ電子ビーム露光装置。」
　
イ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の出願前に頒布された引用文献２には、以下の記載がある。
（ア）「（従来の技術）
　集積回路素子等の製造におけるパターン描画方法として周知の荷電子ビーム露光法は、生産性が低いという欠点があったため、複数の荷電子ビームを用いて複数のチップを同時に描画し得るようにして、生産性を向上させたマルチ荷電子ビーム露光装置が従来提案されている。
　第１図は、この提案に係るマルチ荷電子ビーム露光装置におけるマルチビーム発生機構を示すものであって、マトリックス状に配置された複数の矩形スリット孔を有する第１の成形板１０１と、同じく矩形スリット孔を有する第２の成形板１０２と、これら間に第１の成形板のスリット孔の像の第２の成形板上へ投影する位置を可変に偏向させる可変成形用偏向器１０３とを備えると共に、第２の成形板１０２から下方に位置する試料（図示せず）側に放射する複数のビームを選択的に通過、遮断するマトリックスブランカ１０５を設けたものである（例えば、特開昭６０−８０２２２号公報）。この従来の露光装置によれば、第１図の上方から入射する荷電子ビームを、第１と第２の成形板１０１，１０２と偏向器１０３とにより、複数の任意の大きさの矩形ビームとして所望の方向に偏向して発生するので、任意に配置したパターンの露光が可能である上に、マトリックスブランカ１０５により不要のビームをブランキングしく更にブランキングアパーチャ１０４により遮断し）、必要なビームのみを第１図の下方に位置する試料に到達させて試料上に露光し、描画のための照射回数を減少させ、スルーブツトを向上させている。」（１頁右欄１０行ないし２頁左上欄１８行）
　
（イ）上記（ア）で言及される第１図は、次のものである。
　
ウ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の出願前に頒布された引用文献３には、以下の記載がある。
（ア）「【００２０】図６は、第２の実施例の電子光学系の配置とその電気結線を説明する図である。本例では電子光学系アレイを構成する各電極の開口の形状を矩形（一辺が他辺よりも長い長方形）であって、さらに電子光学系アレイを光軸にそって２つ配置した点が特徴である。すなわち、それぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、中間電極および下電極を備えた第１の電子光学系と、それぞれに矩形形状の開口が形成された上電極、中間電極および下電極を備えた第２の電子光学系とが光軸に沿って配置された電子光学系であって、第１の電子光学系の開口の矩形の長辺方向と、第２電子光学系の開口の矩形の長辺方向とが、光軸方向から見てほぼ直交していることを特徴とする。
【００２１】図６において、第１の電子光学系アレイ１０の各電極に形成された開口は、電子ビームが入射する光軸方向をＺ軸としたとき、短辺がX軸方向、長辺がＹ軸方向であるような矩形である。一方、第２の電子光学系アレイ１１の各電極に形成された開口は、短辺がＹ軸方向、長辺がＸ軸方向であるような矩形である。
【００２２】ここで、以下の説明で用いる表記法を図７に示す。同図(A)は第１の電子光学系アレイ１０を、（B）は第２の電子光学系アレイ１１をそれぞれ電子ビームの入射方向からみた平面図である。図中、二点鎖線はシールド４を、破線は中間電極２を示す。(C)は、(A)における全ての矩形開口をZ軸の回りに反時計回りにX軸を基準としてθ（０°=θ180°）だけ回転したものである。矩形の中間電極はX軸方向に沿って開口が配列されており、(C)で図示されたような矩形開口は「Xθ(θ=N°)」（Ｎ：0=N180）と表記する。一方、（Ｄ）は矩形の中間電極２の長辺（開口の配列方向）がＹ軸方向となっており、「Ｙθ(θ=N°)」（Ｎ：0=N180）と表記する。
【００２３】この表記法によれば、図６の第１の電子光学系アレイ１０は、「Ｘθ（θ=90°）」、第２の電子光学系アレイ１１は「Ｘθ（θ=0°）」となる。Ｘθ（θ=90°）の電子レンズはＸ軸方向でのビーム収束性があり、Ｘθ（θ=0°）のマルチ電子レンズはY軸方向でのビーム収束性がある。例えば、断面が矩形開口よりも小さな円形のビームがＸθ（θ=0°）レンズを通過すると、通過後のビームは図８で示すごとくＹ方向へのビーム収束した形状となる。よって、光軸に沿って２つの電子光学系アレイを離して配置し、収束方向が互いに直交するようにした本実施例によれば、これらの光学系を通過した電子ビームは、Ｘ方向及びＹ方向のいずれの方向にも収束する。例えば、電極の開口の寸法を８０×２００μｍ、中間電極の幅を５００μｍ、開口ピッチを６００μｍとし、Ｘθ（θ=90°）の電子レンズとＸθ（θ=0°）の電子レンズとを６００μｍ離して配置したとする。そしてこれを図６に示すように電気的に結線して、第１、第２電子光学系アレイ１０，１１のそれぞれの中間電極の一方に電位の−１０００[V]を与え、他方の中間電極に−９５０[V]を印加する。これに入射する電子ビーム（50kV、20μｍ径）が光学系を通過後のＹ軸方向のシフト角はほぼ零となり、クロストークが抑えられたマルチ電子レンズが実現できる。加えて開口形状を矩形として直交に組み合わせことで、Ｘ方向及びＹ方向のいずれにも収束性が得られる。なお本例においても、各電子光学系アレイは、図５と同様に中間電極の数を複数枚にすることができる。
【００２４】図９は電子光学系のさらなる変形例を示す。これは上述の第２実施例で示したＸθ（θ=90°）とＸθ（θ=0°）の２つの光学系ユニットに、更にＸθ（θ=45°）とＸθ（θ=135°）の光学系ユニットを付加して、光軸に沿って計４つのユニットを配している。θ（θ=45°）レンズはθ=135°方向内で、Ｘθ（θ=135°）レンズは、θ=45°方向内でビーム収束作用を持ち、結局、回転対称の４方向からの収束作用を与えることになり、通常電子ビーム装置で使用される非点収差補正レンズと同様の作用となる。従って図８の１２に示すようなビーム端部（各頂点）における広がりが抑えられ、より収束性の高い電子ビームとなる。なお本例においても、各電子光学系アレイは、図５と同様に中間電極の数を複数枚にすることができ、n枚(n=3)の電極でレンズを構成してもよい。光学系ユニットの数は４つに限らず任意のＮ段（Ｎ=とすることが可能であり、補正収差の許容値に応じて段数を決定すればよい。
【００２５】＜電子ビーム露光装置＞次に、上記電子光学系アレイを用いたシステム例として、マルチビーム型の荷電粒子露光装置（電子ビーム露光装置）の実施例を説明する。図１１は全体システムの概略図である。図中、荷電粒子源である電子銃501はカソード501ａ、グリッド501b、アノード501cから構成される。カソード501aから放射された電子はグリッド501b、アノード501cの間でクロスオーバ像を形成する（以下、このクロスオーバ像を電子源ESと記す）。この電子源ESから放射される電子ビームは、コンデンサーレンズである照射電子光学系502を介して補正電子光学系503に照射される。照射電子光学系502は、それそれが3枚の開口電極からなる電子レンズ（アインツェルレンズ）521,522で構成される。補正電子光学系503は電子源ESの中間像を複数形成するものであり、詳細は後述する。補正電子光学系503で形成された各中間像は投影電子光学系504によって縮小投影され、被露光面であるウエハ505上に電子源ES像を形成する。投影電子光学系504は、第1投影レンズ541(543)と第2投影レンズ542(544)とからなる対称磁気タブレットで構成される。506は補正電子光学系503の要素電子光学系アレイからの複数の電子ビームを偏向させて、複数の光源像を同時にウエハ505上でX,Y方向に変位させる偏向器である。507は偏向器506を作動させた際に発生する偏向収差による光源像のフォーカス位置のずれを補正するダイナミックフォーカスコイルであり、508は偏向により発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコイルである。509はウエハ505を載置して、光軸AX(Ｚ軸)方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージであって、その上にはステージの基準板510が固設されている。511はθ-Ｚステージを載置し、光軸AX(Ｚ軸)と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージである。512は電子ビームによって基準板510上のマークが照射された際に生じる反射電子を検出する反射電子検出器である。」
　
（イ）上記（ア）で言及される図６、７及び９は、次のものである。
　
エ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の出願前に頒布された引用文献４には、以下の記載がある。
（ア）「【００３５】また、一方向のみならず、図５（ａ）に示すように交差する２方向に周期的なレチクルパターンの像を露光する場合にも本発明が適用できる。図５（ａ）は、Ｘ方向及びＹ方向に周期的なレチクルパターン４０Ｒを示し、この図５（ａ）において、レチクルパターン４０Ｒは、Ｙ方向に細長い矩形の遮光パターン４１ＡＲ，４１ＢＲを、Ｙ方向に間隔ｄで配列してなる１列のパターンを、Ｘ方向に所定ピッチで５列配列したパターンである。また、２列目及び４列目のパターンは、他の列のパターンに対してＹ方向に半ピッチずれている。各遮光パターン４１ＡＲ，４１ＢＲは、それぞれＹ方向に長い縦横比の異なるパターンである。
【００３６】このレチクルパターン４０Ｒの像を露光する場合には、レチクルパターン４０Ｒを図５（ｂ）に示す短手方向の形状を規定する第１パターン４２と、図５（ｃ）に示す長手方向の形状を規定する第２パターン４４とに分解する。第１パターン４２は、遮光パターン４１ＡＲ，４１ＢＲと同じＸ方向の幅を有するＹ方向に細長い遮光パターン４３Ａを、Ｘ方向に所定ピッチで配列したパターンであり、遮光パターン４３ＡのＹ方向の長さは、レチクルパターン４０Ｒ中の対応する１列の遮光パターンの全長より長く設定されている。一方、第２パターン４４は、遮光膜を背景として、レチクルパターン４０Ｒの１列目の遮光パターン４１ＡＲ，４１ＢＲの端部及び境界部にそれぞれＹ方向の長さｅの開口パターン４５Ａ，４５Ｂ，４５Ｃを形成し、同様に他の列の遮光パターンの端部及び境界部にも同一の開口パターンを形成したものである。開口パターン４５Ａ，４５Ｂ，４５ＣのＸ方向の幅は、遮光パターン４１ＡＲ，４１ＢＲの幅より広く、Ｙ方向の長さｅは、遮光パターン４１ＡＲ，４１ＢＲの間隔ｄと同じに設定してある。」
　
（イ）上記（ア）で言及される図５は、次のものである。
　
オ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の出願前に頒布された引用文献５には、以下の記載がある。
（ア）「【００７８】
　すでに言及されたように、共に図６Ａと図６Ｂに示されている機械走査方向Ｍと偏向走査方向Ｓという２つの走査方向がある。機械的な走査は、３つの方法で実行できる。即ち、ターゲット露光面が移動するか、システムの残りが移動するか、これの両方とも異なる方向に移動するかである。偏向走査は、機械走査に比較されて別の方向で実行される。これは、走査偏向長Δｘが同じ偏向走査角度αｓｄの場合、さらに大きくなるため、機械的な走査方向に垂直、あるいはほぼ垂直であるが好ましい。明確にするために、共に図６に図示されている２つの好ましい走査軌跡がある。第１の走査軌跡は三角形形状の走査軌跡（図６Ａ）であり、第２の軌跡は鋸歯形状の走査軌跡（図６Ｂ）である。
【００７９】
　機械走査長がスループット制限要因であるとき、前述されたような電子ビーム露光装置のアセンブリは同時にウェハ全体を露光するために使用される。」
　
（イ）上記（ア）で言及される図６は、次のものである。
　
カ　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった上記引用文献６には、以下の記載がある（訳は特表２０１１−５２３７８６号公報に基づいて当審が作成した。）。
（ア）「[0048] FIG. 1 shows a simplified schematic drawing of an embodiment of 
a charged particle multi-beamlet lithography system
[0049] 
The electron beam 20 from the electron source 1 passes a collimator lens 3
a collimated electron beam 21
impinges on an aperture array 4, which blocks part of the beam and allows a plurality of beamlets 22 to pass through the aperture array 4
[0050] 
The plurality of electron beamlets 22 pass through a condenser lens array 5 which focuses each of the electron beamlets 22 in the plane of a beamlet blanker array 6
beamlet blanker array 6 comprises a plurality of blankers which are each capable of deflecting one or more of the electron beamlets 22
[0051] Subsequently, 
the electron beamlets 22 enter the end module 7
the end module comprises a beam stop array 8, a beam deflector array 9, and a projection lens arrangement 10
provide a demagnification of about 25 to 500 times
be arranged to deflect the beamlets 22
After leaving the end module 7, the beamlets 22 impinge on a surface of a target 11 positioned at a target plane
[0052] In the end module 7, the electron beamlets 22 first pass beam stop array 8. This beam stop array 8 largely determines the opening angle of the beamlets. In an embodiment, the apertures in beam stop array 8 are round, resulting in beamlets with a generally uniform opening angle.
[0053] The passages of the beam stop array 8 may be aligned with the elements of the beamlet blanker array 6. The beamlet blanker array 6 and beam stop array 8 then operate together to block or let pass the beamlets 22 in the following way. 
If beamlet blanker array 6 deflects a beamlet,
pass through the corresponding aperture in beam stop array 8
be blocked by the substrate of beam stop array 8
if beamlet blanker array 6 does not deflect a beamlet
pass through the corresponding aperture in beam stop array 8,
be projected as a spot on the surface of target 11
the individual beamlets 22 may be effectively switched on and off
[0054] Next, 
the beamlets 22 pass through a beam deflector array 9 which provides for deflection of each beamlet 22 in a direction
perpendicular to the direction of the  undeflected beamlets 22
pass through projection lens arrangement 10 and are projected onto a target 11 to be exposed,
a wafer, located in a target plane
[0055] FIG. 2 shows an embodiment of end module 7 in more detail, showing the beam stop array 8, the deflection array 9, and the projection lens arrangement 10, projecting an electron beamlet onto a target 11. The beamlets 22 are projected onto target 11, preferably resulting in a geometric spot size of about 10 to 30 nanometers in diameter. The projection lens arrangement 10 in such a design may provide a demagnification of about 100 to 500 times. In the embodiment of FIG. 2, a central part of a beamlet 22 first passes through beam stop array 8 (assuming it has not been deflected by beamlet blanker array 6). Then, the beamlet passes through a deflector or set of deflectors arranged in a sequence forming a deflection system, of beam deflector array 9. The beamlet 22 subsequently passes through an electro -optical system of projection lens arrangement 10 and finally impinges on a target 11 in the target plane. 
[0056] The projection lens arrangement 10 in the embodiment of the end module shown in FIG. 2, has three plates 12, 13 and 14 arranged in sequence, used to form an array of electrostatic lenses. The plates 12, 13, and 14 preferably comprise plates or substrates with apertures formed in them. 
The apertures are
formed as round holes though the plate,
other shapes can also be used
（［００４８］図１は、電子ビームレットすべての共通クロスオーバーのない電子ビーム光学系に基づく
荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステム
［００４９］
電子ソース１からの電子ビーム２０は、平行にされた電子ビーム２１
コリメータレンズ３を通過
開口アレイ４に入射し、開口アレイ４はビームの一部を遮断して、複数のビームレット２２が開口アレイ４を通過することを可能
［００５０］
複数の電子ビームレット２２は、ビームレットブランカーアレイ６の平面中に電子ビームレット２２のおのおのを合焦させるコンデンサーレンズアレイ５を通過
ビームレットブランカーアレイ６は、一つ以上の電子ビームレット２２をそれぞれ偏向することが可能である複数のブランカーを備え
［００５１］続いて、
電子ビームレット２２は端部モジュール７に入射
端部モジュールは、ビームストップアレイ８とビーム偏向器アレイ９と投影レンズ設備１０を備え
約２５ないし５００倍の範囲内の縮小率を提供
ビームレット２２を偏向するように配列され
端部モジュール７を抜けた後、ビームレット２２は、ターゲット面に配置されているターゲット１１の表面に入射
［００５２］モジュール７中において、電子ビームレット２２はまず、ビームストップアレイ８を通過する。このビームストップアレイ８は主として、ビームレットの開口角を決定する。ある実施形態では、ビームストップアレイ８の開口は円形であり、一般に均一な開口角度をビームレットにもたらす。
［００５３］ビームストップアレイ８の通路は、ビームレットブランカーアレイ６の素子と整列されてもよい。ビームレットブランカーアレイ６とビームストップアレイ８はそれから、下記のように一緒に動作してビームレット２２を遮断または通過させる。
ビームレットブランカーアレイ６がビームレットを偏向すると、
ビームストップアレイ８中の対応開口を通過
ビームストップアレイ８の基板によって遮断され
ビームレットブランカーアレイ６がビームレットを偏向しない
ビームストップアレイ８中の対応開口を通過し、
ターゲット１１の表面にスポットとして投影される
個々のビームレット２２のオン・オフが有効に切り替えられ
［００５４］次に、
ビームレット２２は、非偏向ビームレット２２の方向に
垂直である方向の各ビームレット２１の偏向を提供するビーム偏向器アレイ９を通過
投影レンズ設備１０を通過し、ターゲット面に配置された
ウェーハである露光されるべきターゲット１１上に投影され
［００５５］図２は、端部モジュール７の実施形態をより詳細に示し、ビームストップアレイ８と偏向アレイ９と投影レンズ設備１０を示し、ターゲット１１に電子ビームレットを投影している。ビームレット２２はターゲット１１に投影され、好ましくは直径が約１０ないし３０ナノメートルの幾何学的スポットサイズをもたらす。そのような設計の投影レンズ設備１０は、約１００ないし５００倍の縮小率を提供し得る。図２の実施形態では、ビームレット２１の中央部はまず、（ビームレットブランカーアレイ６によって偏向されていないと仮定して）ビームストップアレイ８を通過する。それから、ビームレットは、ビーム偏向器アレイ９の一つの偏向器または偏向システムを形成する順序で配列された一組の偏向器を通過する。ビームレット２１は、続いて投影レンズ設備１０の電気光学システムを通過す、最後にターゲット面中のターゲット１１に入射する。
［００５６］投影レンズ設備１０は、図２に示された端部モジュールの実施形態では、順に配列された三枚のプレート１２と１３と１４を有し、静電レンズのアレイを形成するために使用される。プレート１２と１３と１４は好ましくは、それらに開口が形成されたプレートまたは基板を備えている。
開口は、
プレートを貫通する丸穴として形成される
他の形が使用されることも可能である
　
（イ）「[0087] As schematically shown in FIGS. 4 and 5, 
a control unit 18 is arranged to actuate movement of a substrate support member or stage 16 arranged for supporting the target 11 to be exposed,
a wafer
a movement in a first direction or the X-direction or the mechanical scan direction
the target moves by mechanical movement of the substrate support member
（［００８７］図４と５に概略的に示されるように、
コントロールユニット１８は、露光されるべきターゲット１１
ウェーハを支持するために準備された基板支持部材またはステージ１６の移動を動作するように準備され
第一の方向またはＸ方向または機械的走査方向の移動
ターゲットが基板支持部材の機械的移動によって移動する
　
（ウ）「[0099] In order to expose the target with an exposure pattern, the pattern data may be rasterized corresponding to a virtual grid on the surface of the target. In a typical arrangement, 
the target is moved while the beamlets are scanned in a direction substantially perpendicular to the stage motion
The rasterized pattern data is supplied to the multi-beamlet system, timed so that the beamlets are modulated in synchronism with the beamlet deflection and target motion, so that the pattern represented by the pattern data is transposed as an exposure pattern onto the surface of the target
（［００９９］ターゲットを露光パターンで露光するために、パターンデータは、ターゲットの表面上の仮想グリッドに対応してラスター化され得る。一般的な設備では、
ビームレットがステージ移動に実質的に垂直な方向に走査されながら、ターゲットが移動され
ラスター化パターンデータは、ビームレット偏向とターゲット移動と同期してビームレットが変調されるように時間調節されて、マルチビームレットシステムに供給され、その結果、パターンデータによって表わされるパターンは、ターゲットの表面上に露光パターンとして転写される
　
（エ）図１及び２は次のものである。
　
（２）対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると、
「荷電粒子線でターゲットを露光する荷電粒子線露光装置であって、
　前記荷電粒子線からなる複数のビームを発生するビーム発生系と、
　前記ビームがそれぞれ照射される複数の開口が形成されたアレイ部材と、
　前記複数の開口から選択された開口を通過する前記ビームを前記ターゲットに導く変調装置と、
　前記変調装置で選択された前記開口を通過した前記ビームによって前記開口を縮小した像を形成するとともに、前記開口を縮小した像を偏向可能である偏向投影系と、
を備え、
　前記変調装置は、前記ビームを偏向する偏向部材と、前記偏向部材で偏向された前記ビームを遮蔽するビーム遮蔽部材とを備える、
　荷電粒子線露光装置。」
の点で一致している。
　他方、本願発明と引用発明１は、下記各点で相違する。
　
ア　本願発明の「アレイ部材」に形成された「開口」は、複数の「長方形の」開口が「互いに長手方向が平行になるように」形成されたものであって、「偏向投影系」は「長方形の」像を形成するとともに、前記開口を縮小した像を「少なくとも該像の長手方向又は短手方向に沿った第１方向に」偏向可能であり、「偏向部材」は「長方形の開口の短手方向に」前記ビームを偏向し、そして、「ビーム遮蔽部材」は「短手方向に」偏向された前記ビームを遮蔽するのに対して、引用発明１は、第１の成形板の「矩形スリット孔」は、このようなものとは特定されず、可変成形用偏向器、マトリクスブランカ、ブランキングアパーチャのいずれにおいても、「長方形」、「長手方向」ないし「短手方向」に係る特定がなされない点（以下、「相違点１」という。）。
　
イ　本願発明は「前記偏向投影系による前記ビームの露光領域に対して前記ターゲットを前記第１方向に直交する第２方向に相対的に走査移動する」「移動機構」を備え、「偏向投影系」は、「前記移動機構による前記走査移動時に前記開口を縮小した像を前記第１方向に偏向する」のに対して、引用発明１は、「移動機構」を備えると特定されず、そのため、「可変成形用偏向器」が、「移動機構」の走査移動時に特定の方向に偏向するとも特定されない点（以下、「相違点２」という。）。
　
（３）判断
　上記相違点１について検討する。
　引用発明１において、「第１の成形板」の「矩形スリット孔」の形状を「矩形」とする技術的意義は、引用文献１全体を通してみても明らかではない。
　したがって、「長方形の」スリット孔が引用文献２、３に見られるように周知のものであったとしても、引用発明１の「第１の成形板」の「矩形スリット孔」を長方形のスリット孔として複数の「長方形の」スリット孔が「互いに長手方向が平行になるように」形成した上で、可変成形用偏向器、マトリクスブランカ、ブランキングアパーチャの全てにおいて、「長方形」、「長手方向」ないし「短手方向」に係る特定をなす動機付けがなく、本願発明は、「長方形の電極膜４８，５０が開口３１の長手方向の辺に沿って配置されており、電極膜４８，５０の間隔を最も狭くできるため、電極膜５０に比較的低い電圧を印加するのみで開口３１を通過する小ビーム３６をオフにでき」（本願明細書　段落【００４０】）、「電極膜５０に印加する電圧の変化は比較的小さいため、開口３１の近傍のフォトダイード６０を小型化しても、小ビーム３６のオン／オフを高速に切り替えることができる」（本願明細書　段落【００４１】）との効果を奏するものであるから、上記相違点１の構成となすことが容易に想到し得たということはできない。
　また、引用文献４ないし６をみても、引用発明１において、「第１の成形板」の「矩形スリット孔」の形状を「矩形」とした上で、可変成形用偏向器、マトリクスブランカ、ブランキングアパーチャの全てにおいて、「長方形」、「長手方向」ないし「短手方向」に係る特定をなすことが容易に想到し得たことであることを示す記載は見当たらない。
　
（４）小括
　したがって、本願発明は、相違点２について検討するまでもなく、当業者が引用発明１及び引用文献２ないし６の記載に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　本願発明と同様の構成を方法発明としたものである請求項１３に係る発明も同様であって、当業者が引用発明１及び引用文献２ないし６の記載に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　本願の請求項２ないし１２及び１４ないし１６に係る発明は、本願発明または請求項１３に係る発明をさらに限定したものであるので、本願発明及び請求項１３に係る発明と同様に、当業者が引用発明１及び引用文献２ないし６の記載に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
　よって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　
第４　当審拒絶理由について
１　当審拒絶理由の概要
［理由１］
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となつた発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
・引用文献　国際公開第２００９／１４７２０２号（参考　特表２０１１−５２３７８６号公報）
　
［理由２］
　本件出願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）本願発明１ないし１６は、いずれも、「荷電粒子線」を用いた構成のみを発明特定事項とし、「紫外光露光装置」に係る構成を特定していないため、「露光時間（描画時間）が長くなり、スループット（単位時間当たりのウエハの処理枚数）が低下する」「電子ビーム露光装置を用いて、その非周期的な部分を含むパターンの全部の露光を行うもの」を含むから、上記２でいうところの本願発明の課題を解決できず、本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。
　
（２）本願発明１（本願発明１３も同様）における「偏向投影系」が、「開口を縮小した像を少なくとも該像の長手方向又は短手方向に沿った第１方向に偏向可能である」点及び「前記移動機構による前記走査移動時に前記開口を縮小した像を前記第１方向に偏向する」点は誤記であると認められる。
　
２　当審拒絶理由の判断
（１）［理由１］について
ア　引用文献６の記載事項
（ア）引用文献６の記載事項は、上記「第３」「２」「（１）」「カ」に示したとおりである。
　
（イ）引用発明
　上記イによれば、引用文献６には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「電子ソース１からの電子ビーム２０は、コリメータレンズ３を通過して平行にされた電子ビーム２１となって開口アレイ４に入射し、前記開口アレイ４はビームの一部を遮断して、複数のビームレット２２が開口アレイ４を通過することを可能とし、
　前記複数の電子ビームレット２２は、ビームレットブランカーアレイ６の平面に電子ビームレット２２の各々を合焦させるコンデンサーレンズアレイ５を通過し、前記ビームレットブランカーアレイ６は、一つ以上の電子ビームレット２２をそれぞれ偏向することが可能である複数のブランカーを備え、
　前記電子ビームレット２２は端部モジュール７に入射し、
　前記端部モジュール７は、ビームストップアレイ８とビーム偏向器アレイ９と投影レンズ設備１０を備え、約２５ないし５００倍の範囲内の縮小率を提供し、ビームレット２２を偏向するように配列され、
　前記端部モジュール７を抜けた後、ビームレット２２は、ターゲット面に配置されているターゲット１１の表面に入射し、
　前記ビームレットブランカーアレイ６がビームレット２２を偏向すると、ビームストップアレイ８中の対応開口を通過せず、ビームストップアレイ８の基板によって遮断され、前記ビームレットブランカーアレイ６がビームレット２２を偏向しない場合は、ビームストップアレイ８中の対応開口を通過し、ターゲット１１の表面にスポットとして投影されることにより、個々のビームレット２２のオン・オフが有効に切り替えられ、
　前記ビームレット２２は、非偏向ビームレット２２の方向に垂直である方向の各ビームレット２２の偏向を提供するビーム偏向器アレイ９を通過し、投影レンズ設備１０を通過し、ターゲット面に配置されたウェーハである露光されるべきターゲット１１上に投影され、
　前記開口は、プレートを貫通する丸穴として形成されるが、他の形が使用されることも可能である、
　荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステム。」
　
イ　対比
　本願発明と引用発明２とを対比すると、両者は
「荷電粒子線でターゲットを露光する荷電粒子線露光装置であって、
　前記荷電粒子線からなる複数のビームを発生するビーム発生系と、
　前記ビームがそれぞれ照射される複数の開口が形成されたアレイ部材と、
　前記複数の開口から選択された開口を通過する前記ビームを前記ターゲットに導く変調装置と、
　前記変調装置で選択された前記開口を通過した前記ビームによって前記開口を縮小した像を形成するとともに、前記開口を縮小した像を偏向可能である偏向投影系と、を備え、
　前記変調装置は、前記ビームを偏向する偏向部材と、前記偏向部材で偏向された前記ビームを遮蔽するビーム遮蔽部材とを備える、
　荷電粒子線露光装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（ア）本願発明の「開口」は、「長方形」であって「互いに長手方向が平行になるように」形成され、縮小した「長方形の」像を形成するのに対して、引用発明２の「開口」は、「プレートを貫通する丸穴として形成されるが、他の形が使用されることも可能である」点（以下、「相違点３」という。）。
　
（イ）本願発明は、
ａ　「ターゲット」は、「移動機構」により、「前記偏向投影系による前記ビームの露光領域に対して前記ターゲットを前記第１方向に直交する第２方向に相対的に走査移動する」ものであって、
ｂ　「偏向投影系」は、「少なくとも該像の長手方向又は短手方向に沿った第１方向に」偏向可能で、「前記移動機構による前記走査移動時に前記開口を縮小した像を前記第１方向に偏向」し、
ｃ　「偏向部材」は、長方形の開口の「短手方向に」ビームを偏向し、そして、
ｄ　「ビーム遮蔽部材」は、前記偏向部材で「短手方向に」偏向されたビームを遮蔽する
のに対して、
　引用発明２は、
ａ´　「ターゲット１１」は、このような機構を備えると特定されず、
ｂ´　「端部モジュール７」は、どの方向にどのようなタイミングで偏向するか特定されず、
ｃ´　「ブランカー」は、ビームレット２２を偏向する方向が特定されず、そして、
ｄ´　「ビームストップアレイ８の基板」は、特定の方向に偏向された「ビームレット２２」を遮断するとは特定されない
点（以下、「相違点４」という。）。
　
ウ　判断
　まず、上記相違点３について検討する。
　引用発明２の「開口」は、「プレートを貫通する丸穴として形成されるが、他の形が使用されることも可能であ」るとされる
　また、「長方形の」スリット孔は引用文献２、３に見られるように周知のものであったといえる。
　しかしながら、引用発明２の「開口」を長方形とし、複数の「長方形の」開口が「互いに長手方向が平行になるように」形成した上で、「ターゲット１１」、「端部モジュール７」、「ブランカー」及び「ビームストップアレイ８の基板」に係る特定をなす動機付けがなく、本願発明は、「長方形の電極膜４８，５０が開口３１の長手方向の辺に沿って配置されており、電極膜４８，５０の間隔を最も狭くできるため、電極膜５０に比較的低い電圧を印加するのみで開口３１を通過する小ビーム３６をオフにでき」（本願明細書　段落【００４０】）、「電極膜５０に印加する電圧の変化は比較的小さいため、開口３１の近傍のフォトダイード６０を小型化しても、小ビーム３６のオン／オフを高速に切り替えることができる」（本願明細書　段落【００４１】）との効果を奏するものであるから、上記相違点３の構成となすことが容易に想到し得たということはできない。
　
エ　小括
　したがって、相違点４について検討するまでもなく、本願発明は、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたもの（［理由１］）とはいえなくなった。
　本願発明と同様の構成を方法発明としたものである請求項１３に係る発明も同様であって、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたとはいえなくなった。
　本願の請求項２ないし１２及び１４ないし１６に係る発明は、本願発明または請求項１３に係る発明をさらに限定したものであるので、本願発明及び請求項１３に係る発明と同様に、当業者が引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたとはいえなくなった。
　
（２）［理由２］について
ア　上記「１」［理由２］「（１）」の理由について
　平成２８年４月１８日付け意見書によって、「従来の多数の電子ビームの円形スポットを偏向しながらオン／オフする電子ビーム露光装置を用いて、その非周期的な部分を含むパターンの全部の露光を行うものとすると、露光時間（描画時間）が長くなり、スループット（単位時間当たりのウエハの処理枚数）が低下する。』（【０００７】）、つまり、「従来の多数の電子ビームの円形スポットを偏向しながらオン／オフする電子ビーム露光装置よりも効率的に露光を行うこと」を本願発明の解決すべき課題として、本願発明では、開口を長方形としてパターンを露光することにより、従来の多数の電子ビームの円形スポットを偏向しながらオン／オフする電子ビーム露光装置に対してスループットを向上できるものであることが明確となった。
　
イ　上記「１」［理由２］「（２）」の理由について
　平成２８年４月１８日付け意見書によって、当初明細書等には、「小ビーム３６を個別にＸ方向及びＹ方向に所定範囲内で偏向可能な多数の静電偏向器よりなるビーム偏向器アレイ３４」（【００１９】）との記載があり、本願発明の「偏向投影系」が、「Ｘ方向」（第１方向）、「Ｙ方向」（第２方向）、「Ｘ方向及びＹ方向」（第１方向及び第２方向）」のいずれにもビームを偏向可能であることは、本願の発明の詳細な説明に記載されているものであることが明確となった。
　よって、当審拒絶理由の［理由２］は解消した。
　
（３）そうすると、もはや、当審で通知した拒絶理由によって本願を拒絶することはできない。
　
第５　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。