Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月6日(2019.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＫＡＲＡＮＡＬを含まないかまたは実質的に含まず、以下から選択される少なくとも３種の香料原料の混合物を含む、ウッディ、アンバー様香料組成物：
（１’Ｒ、３Ｓ、６’Ｓ）−１−（２’、２’、６’−トリメチル−１’−シクロヘキシル）−３−ヘキサノール、（１’Ｓ、３Ｓ、６’Ｒ）−１−（２’、６’−トリメチル−１’−シクロヘキシル）−３−ヘキサノールまたはこれらの任意の混合物；ならびに
オクタヒドロ−２，２，５，８，８，９ａ−ヘキサメチル−４Ｈ−４ａ，９−メタノアズレノ［５，６−ｄ］−１，３−ジオキソールの異性体または異性体の混合物、限定されるものではないがこれには（４ａＲ、５Ｒ、７ａＳ、９Ｒ）−オクタヒドロ−２，２，５，８，８，９ａ−ヘキサメチル−４Ｈ−４ａ，９−メタノアズレン［５，６−ｄ］−１，３−ジオキソールが挙げられる；式
【化１】
2018538411.tif 000001
を有する２−（テトラメチルトリシクロ［６．２．１．０］ウンデカ−４／５−エン−５−イル）プロパノールの異性体または異性体の混合物；およびデカヒドロ−２，２，６，６，７，８，８−ヘプタメチルインデノフランの異性体または異性体の混合物からなる群から選択される少なくとも１種の第１香料原料；ならびに
（Ｚ）−４，１１，１１−トリメチル−８−メチレンビシクロ［７．２．０］ウンデカ−４−エン；３ａ，６，６，９ａ−テトラメチル−２，４，５，５ａ，７，８，９，９ｂ−オクタヒドロ−１Ｈ−ベンゾ［ｅ］［１］ベンゾフラン；（エトキシメトキシ）シクロドデカン；６−（ｓｅｃ−ブチル）キノリン；（１Ｒ，６Ｓ，８ａＳ）−６−メトキシ−１，４，４，６−テトラメチルオクタヒドロ−１Ｈ−５，８ａ−メタノアズレン；２−（ｔｅｒｔ−ペンチル）シクロヘキシルアセタート；２−（２−（３，３，５−トリメチルシクロヘキシル）アセチル）シクロペンタノン；（１ａＳ，２ａＲ，３Ｒ，５ａＳ，７Ｒ，７ａＲ）−オクタヒドロ−３，６，６，７ａ−テトラメチル−２Ｈ−２ａ，７−メタノズレノ５，６−ｂオキシレン；３ａ，６，６，９ａ−テトラメチルドデカヒドロナフト［２，１−ｂ］フラン；２，４ａ，５，８ａ−テトラメチル−１，２，３，４，４ａ，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン−１−イルホルマート；１−（１，２，８，８−テトラメチル−１，２，３，４，５，６，７，８−オクタヒドロナフタレン−２−イル）エタノン；２，２，７，７−テトラメチルトリシクロ［６．２．１．０１，６］ウンデカンエタン−５−オン；（Ｚ）−３，４，５，６，６−ペンタメチルヘプタ−３−エン−２−オン；３，４，５，６，６−ペンタメチルヘプタン−２−オール；１−（（１Ｓ，８ａＳ）−１，４，４，６−テトラメチル−２，３，３ａ，４，５，８−ヘキサヒドロ−１Ｈ−５，８ａ−メタノアズレン−７−イル）エタノン；２，４−ジメチル−２−（５，５，８，８−テトラメチル−５，６，７，８−テトラヒドロナフタレン−２−イル）−１，３−ジオキソラン；２’，２’，３，７，７−ペンタメチルスピロ［ビシクロ［４．１．０］ヘプタン−２，５’−［１，３］ジオキサン］；（１’Ｓ，３Ｒ，６’Ｒ）−１−（２’，２’，６’−トリメチル−１’−シクロヘキシル）−３−ヘキサノール、（１’Ｒ，３Ｒ，６’Ｓ）−１−（２’，２’，６’−トリメチル−１’−シクロヘキシル）−３−ヘキサノールの立体異性体またはこれらの混合物；１−（（２Ｅ，５Ｚ，９Ｚ）−２，７，８−トリメチルシクロドデカ−２，５，９−トリエン−１−イル）エタノン；１−（（１Ｓ，８ａＳ）−１，４，４，６−テトラメチル−２，３，３ａ，４，５，８−ヘキサヒドロ−１Ｈ−５，８ａ−メタノアズレン−７−イル）エタノン；２−メチル−４−（５，６，６−トリメチルビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２−イル−シクロヘキサノン；１−（（２−（ｔｅｒｔ−ブチル）シクロヘキシル）オキシ）ブタン−２−オール；３，８，８，１１ａ−テトラメチルドデカヒドロ−１Ｈ−３，５ａ−エポキシナフト［２，１−ｃ］オキセピン；３ａ，６，６，９ａ−テトラメチルドデカヒドロナフト［２，１−ｂ］フラン；（１Ｒ，２Ｓ，４Ｒ）−２’−イソプロピル−１，７，７−トリメチルスピロ［ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，４’−［１，３］ジオキサン］；２−（ｓｅｃ−ブチル）−１−ビニルシクロヘキシルアセタート；４−（１−エトキシビニル）−３，３，５，５−テトラメチルシクロヘキサノン；２−（ｓｅｃ−ブチル）−１−メチルシクロヘキシルアセタート；２−メチルウンデカン酸；２−シクロヘキシルヘプタ−１，６−ジエン−３−オン；デカヒドロ−２，６，６，７，８，８−ヘキサメチル−２Ｈ−インデノ［４，５−ｂ］フラン；およびヘキサヒドロ−１’，１’，５’，５’−テトラメチル−スピロ（１，３−ジオキソラン−２，８’（５’Ｈ）−（２Ｈ−２，４ａ）メタノナフタレン）からなる群から選択される少なくとも１種の第２香料原料。
【請求項２】
さらにＩＳＯ  Ｅ  ＳＵＰＥＲ、ＩＳＯ  ＧＡＭＭＡ  ＳＵＰＥＲおよびＳＹＬＶＡＭＢＲＥＮＥからなる群から選択される少なくとも１種の第３香料原料を含む、請求項１に記載の香料組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の香料組成物および少なくとも１種のさらなる香料共原料を含む、フレグランス配合物。
【請求項４】
請求項１または２に記載のウッディ、アンバー様香料組成物または請求項３に記載のフレグランス配合物を含有する、ファイン香料、布地ケア製品、ホームケア製品、パーソナルケア製品またはエアケア製品などの付香物品。
【請求項５】
フレグランス配合物にＫＡＲＡＮＡＬを連想させる香気アコードを付与する方法であって、請求項１または２に記載のウッディ、アンバー様香料組成物を、ＫＡＲＡＮＡＬを含まない前記フレグランス配合物に組み込む工程を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月2日(2019.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化鉛および硫酸鉛を含む蓄電池ペーストから継続的に鉛を回収する方法であって、
前記蓄電池ペーストを水性塩基に接触させて、水酸化鉛含有沈殿物および硫酸ナトリウム溶液を生成すること、
前記水酸化鉛含有沈殿物を前記硫酸ナトリウム溶液から分離すること、
少なくとも一部の前記水酸化鉛含有沈殿物を溶解性の亜鉛酸塩を形成するに十分なｐＨを有する濃縮水性塩基に溶解して、鉛含有電解質および不溶性二酸化鉛を産生すること、および
前記鉛含有電解質に接触する可動電極上で、前記ｐＨで接着性鉛を継続的に生成および除去することであって、前記鉛が少なくとも９５ｍｏｌ％の純度を有すること
を含む方法。
【請求項２】
前記水性塩基は、相当な亜鉛酸塩の生産がなく酸化鉛から水酸化鉛を生産するのに充分な量で添加される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記鉛含有電解質から前記不溶性二酸化鉛を分離すること、および前記二酸化鉛を酸化鉛に還元することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記二酸化鉛を酸化鉛に還元する前記工程が、亜硫酸ナトリウムを用いて実施されて、硫酸ナトリウムおよび酸化鉛を生産する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記生産された硫酸ナトリウムおよび前記硫酸ナトリウム溶液は、電気分解されて水酸化ナトリウムおよび硫酸を生産し、前記酸化鉛は、前記水性塩基と組み合わされる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記水酸化鉛含有沈殿物が、前記濃縮水性塩基に溶解されて、実質的に全ての水酸化鉛を前記溶解性の亜鉛酸塩に変換する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
接着性鉛を継続的に生成および除去する前記工程が、可動ディスク電極を用いて実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記可動電極は回転式または往復運動式の電極である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記電極はニッケルめっきされた鋼鉄を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着性鉛は、１１ｇ／ｃｍ３未満のかさ密度を有し、前記接着性鉛中の鉛は、少なくとも９９％の純度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
酸化鉛および硫酸鉛を含む蓄電池ペーストから鉛を継続的に回収する方法であって、
前記蓄電池ペーストを水性塩基に接触させて、鉛含有沈殿物および硫酸ナトリウム溶液を生成すること、
前記鉛含有沈殿物を前記硫酸ナトリウム溶液から分離すること、
少なくとも一部の前記鉛含有沈殿物を電解質液に溶解して、鉛含有電解質および不溶性二酸化鉛を産生することであって、前記電解質液が亜鉛酸を形成するに十分なｐＨを有すること、
前記硫酸ナトリウムの溶液を、前記水性塩基の少なくとも一部を形成する水酸化ナトリウムの溶液に変換することによって、前記不溶性二酸化鉛および硫酸ナトリウム溶液を加工処理し、前記蓄電池ペーストを前記水性塩基に接触させる工程での使用に適した構成成分を生じること、ならびに
前記鉛含有電解質に接触する可動電極上で、接着性鉛を継続的に生成および除去することであって、前記鉛が少なくとも９５ｍｏｌ％以上の純度を有すること
を含む方法。
【請求項１２】
前記水性塩基は、酸化鉛から炭酸鉛または水酸化鉛を生産するのに充分な量で添加される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電解質液は、水酸化ナトリウム溶液、炭酸ナトリウム溶液、およびメタンスルホン酸溶液からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記鉛含有沈殿物は、水酸化鉛または炭酸鉛を含み、前記二酸化鉛をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記不溶性二酸化鉛を前記鉛含有電解質から分離すること、および前記二酸化鉛を酸化鉛に還元することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記加工処理することが、前記不溶性二酸化鉛を酸化鉛に変換することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記酸化鉛は前記水性塩基に接触させられ、一部の前記水性塩基は前記水酸化ナトリウム溶液である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記電解質液は前記メタンスルホン酸溶液であり、前記電極はアルミニウムを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１９】
前記継続的に生成および除去される工程の後の少なくとも一部の前記鉛含有沈殿物は、ナトリウムイオン濃度を低減させるように処理される、請求項１１に記載の方法。
【請求項２０】
前記接着性鉛は、１１ｇ／ｃｍ３未満のかさ密度を有し、前記接着性鉛中の鉛は、少なくとも９９％の純度を有する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月18日(2019.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム含有ケイ酸塩鉱物からリチウムを回収する方法であって、
前記ケイ酸塩鉱物を硝酸と混合する工程、
混合物を、前記ケイ酸塩鉱物中のリチウム分が硝酸リチウムとして水相に浸出するような条件を有する浸出処理に供する工程、
前記硝酸リチウムを前記水相から分離する工程、
分離された硝酸リチウムを、硝酸リチウムが固体酸化リチウムに分解する温度で、窒素酸化物を含む気体流が生成するような熱処理に供する工程、
硝酸が前記侵出処理で再利用するために製造される硝酸製造段階に、前記窒素酸化物を含む気体流を送る工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記浸出処理条件は、前記ケイ酸塩鉱物からリチウム分が硝酸リチウムとして浸出することを促進するが、前記ケイ酸塩鉱物中の非リチウム分が前記ケイ酸塩鉱物からほとんど浸出されないような、高温および／または高圧の浸出処理を含み、前記浸出処理条件は、化学量論を超える硝酸中で、制御された期間、前記ケイ酸塩鉱物を反応させる工程を含み、前記制御された期間は、
（ｉ）残留遊離硝酸を中和すること、および／または
（ｉｉ）過剰な硝酸を水と共に蒸気として蒸留するように、浸出による生成物を加熱すること
によって停止されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、（ｉ）において、前記残留遊離硝酸は、リチウムを回収する前記方法の一部として生成されるアルカリ性リチウム化合物の一部を再循環することによって中和され、再循環される前記アルカリ性リチウム化合物は、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯＨ、およびＬｉ２ＣＯ３の１つ以上を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２に記載の方法であって、（ｉｉ）において、前記過剰な硝酸および水蒸気は、乾燥段階において蒸気として留去され、留去された硝酸および水蒸気は、前記浸出処理における再利用および／または前記硝酸製造段階における硝酸の再生のために回収されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載の方法であって、前記浸出処理によって生成される硝酸リチウム溶液が、濃縮され、結晶化して比較的純粋な結晶性ＬｉＮＯ３を形成する結晶化段階をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記結晶化ＬｉＮＯ３は、遠心分離によって溶液から分離され、分離された前記結晶性ＬｉＮＯ３を、Ｌｉ２Ｏへの前記ＬｉＮＯ３の分解を起こす温度で、窒素酸化物を含む気体流が生成するような前記熱処理に供することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記熱処理は、例えば過剰な空気中でアンモニアを触媒燃焼することなどによる、前記ＬｉＮＯ３の間接加熱を含み、前記気体流は、前記浸出処理における再利用および／または前記硝酸製造段階における硝酸の再生のために回収されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の方法であって、前記Ｌｉ２Ｏは、
（ａ）前記Ｌｉ２ＯをＬｉＯＨへ転換し、前記ＬｉＯＨを溶液に溶かすよう、消化段階において水を用いて消化され、
（ｂ）例えば炭素熱還元処理などによって、金属リチウムへ転換される
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、（ａ）からのＬｉＯＨ溶液は、前記ＬｉＯＨ溶液が濃縮され、結晶化して結晶性水酸化リチウム一水和物ＬｉＯＨ・Ｈ２Ｏを形成する、さらなる結晶化段階に供され、前記結晶化ＬｉＯＨ・Ｈ２Ｏは、次いで、遠心分離によって溶液から分離され、
前記結晶性水酸化リチウム一水和物から分離される前記水酸化リチウム水溶液は、
−  前記ケイ酸塩鉱物と前記硝酸の前記反応の停止に使用するために前記浸出処理へ再循環され、前記水酸化リチウム溶液が、残留、または残存する遊離硝酸を中和すること
−  方法の排気に由来する二酸化炭素を除去し、それによって炭酸リチウムに富む流れを生成し、この流れの一部が、固体形態の炭酸リチウムを含むこと
の１つ、または両方を目的として使用されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
リチウム含有ケイ酸塩鉱物からリチウムを回収するシステムであって、
前記ケイ酸塩鉱物と硝酸の混合物が、前記ケイ酸塩鉱物中のリチウム分が硝酸リチウムとして水相に浸出するような条件に供される浸出反応器、
前記硝酸リチウムを前記水相から分離する分離ステージ、
分離された硝酸リチウムが、通過し、硝酸リチウムが固体酸化リチウムに分解し、窒素酸化物を含む気体流が生成する温度で加熱する熱処理部、
前記窒素酸化物を含む気体流が通過する硝酸プラント、を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであって、前記浸出反応器は、
（ｉ）浸出のための前記条件が、高温および高圧を含む、オートクレーブなどの圧力容器、または
（ｉｉ）浸出のための前記条件が、高温であるが大気圧であることを含む、中空フライトスクリューコンベアなどの蒸解反応器
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載のシステムであって、前記硝酸リチウム溶液が濃縮され、結晶化して結晶性ＬｉＮＯ３を形成する結晶化装置、前記結晶性ＬｉＮＯ３が融解状態まで加熱される加熱保持容器をさらに含むことを特徴とするシステム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムであって、前記熱処理部は、融解ＬｉＮＯ３を固体Ｌｉ２Ｏに分解させる温度で作動するよう構成されることを特徴とするシステム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムであって、固体Ｌｉ２Ｏと炭素源の混合物が加熱される炭素熱還元炉をさらに含み、結果として得られる金属リチウムが凝縮される先細末広ノズルのフラッシュ冷却装置がそれに続くことを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれか１項に記載のシステムであって、前記硝酸プラントで生成される前記硝酸は、前記侵出反応器にリサイクルされることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月17日(2019.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素繊維を処理するための気相表面処理であって、
ａ）炭素繊維をガス状酸化性雰囲気に曝露して、酸化繊維表面を有する改質炭素繊維を形成するステップと、続いて、
ｂ）酸化繊維表面をガス状窒素含有雰囲気に曝露して、窒素富化表面を有する改質炭素繊維を形成するステップであって、ガス状窒素含有雰囲気が、少なくとも５０体積％のアンモニアガスを含み、窒素富化表面は、（ａ）での曝露前の炭素繊維の表面と比較して表面窒素対表面炭素（Ｎ／Ｃ）比の増加を示す、ステップと
を含み、
ステップ（ａ）および（ｂ）は、いかなる追加的な介在表面処理もなしに連続的に行われる、気相表面処理。
【請求項２】
Ｎ／Ｃ比の増加が、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定されて少なくとも３０％である、請求項１に記載の気相表面処理。
【請求項３】
窒素富化表面のＮ／Ｃ比が、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定されて０．０５〜０．０７の範囲である、請求項１に記載の気相表面処理。
【請求項４】
安定化ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）繊維前駆体を炭化して、前記炭素繊維を製造した後に、ステップ（ａ）および（ｂ）がいかなる介在ステップもなしに行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の気相表面処理。
【請求項５】
ガス状酸化性雰囲気が、オゾンと、空気、酸素、酸化窒素、およびそれらの組み合わせから選択される少なくとも１種のガス状成分とを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の気相表面処理。
【請求項６】
ガス状酸化性雰囲気が、少なくとも１０００ｐｐｍのオゾンを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の気相表面処理。
【請求項７】
ステップ（ａ）が、０．５〜２分の期間にわたって行われ、およびステップ（ｂ）が、０．５〜２分の期間にわたって行われる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の気相表面処理。
【請求項８】
ステップ（ａ）および（ｂ）が、約１００℃〜約２００℃の範囲の温度で行われる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の気相表面処理。
【請求項９】
ステップ（ａ）および（ｂ）が、１２０℃〜１６０℃の範囲の温度で行われる、請求項８に記載の気相表面処理。
【請求項１０】
炭素繊維を製造するための連続方法であって、
ｉ．連続ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）繊維を酸化ゾーンに通して、安定化ＰＡＮ繊維を形成するステップと、
ｉｉ．安定化ＰＡＮ繊維を炭化ゾーンに通して、連続炭素繊維を形成するステップと、
ｉｉｉ．連続炭素繊維を請求項１に記載の気相表面処理に曝露して、窒素富化表面を有する改質炭素繊維を形成するステップとを含み；
ステップ（ｉ）〜（ｉｉｉ）またはステップ（ｉｉ）〜（ｉｉｉ）は、連続的に行われる、連続方法。
【請求項１１】
（ｉ）での酸化ゾーンが、連続ＰＡＮ繊維を空気中に封入するように構成されたオーブンを含む、請求項１０に記載の連続方法。
【請求項１２】
酸化ゾーンのオーブンが、２００℃〜３００℃の範囲の温度で維持される、請求項１１に記載の連続方法。
【請求項１３】
（ｉｉ）での炭化ゾーンが、それぞれ少なくとも９９体積％の不活性ガスを含むガス状雰囲気を封入する１つ以上の炉を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の連続方法。
【請求項１４】
炭化ゾーンの１つ以上の炉が、３００℃〜１６５０℃の範囲の温度で維持される、請求項１３に記載の連続方法。
【請求項１５】
（ｉｉ）での炭化ゾーンが、３００℃〜９００℃の範囲のより低い温度で維持される予備炭化炉、および７００℃〜１６５０℃の範囲のより高い温度で維持される炭化炉を含む、請求項１３に記載の連続方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月16日(2019.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二重末端ポリアミドを与え；そして
二重末端ポリアミドを、３５００ｍ／分〜８０００ｍ／分の速度で紡糸して繊維を形成する；
ことを含む、複数の繊維の製造方法。
【請求項２】
二重末端ポリアミドを３５００ｍ／分〜８０００ｍ／分の速度で紡糸してポリアミド繊維を形成することによって製造されるポリアミド繊維。
【請求項３】
二重末端ポリアミドを３５００ｍ／分〜８０００ｍ／分の速度で紡糸して複数のポリアミド繊維を形成し；そして
複数のポリアミド繊維からヤーンを形成する；
工程によって製造される、複数の繊維を含むヤーン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
[0097]本発明を代表的なデザインに関するものとして記載したが、本発明はこの開示の精神及び範囲内で更に修正することができる。更に、本出願は、本開示からのかかる逸脱を、本発明が属する分野において公知又は通常の実施の範囲内に含まれるものとしてカバーすることを意図している。
本発明は以下の実施態様を含む。
［１］二重末端ポリアミドを与え；そして
二重末端ポリアミドを、３５００ｍ／分〜８０００ｍ／分の速度で紡糸して繊維を形成する；
ことを含む、複数の繊維の製造方法。
［２］ポリアミドが、ポリアミド−６（ＰＡ−６）、ポリアミド−６，６（ＰＡ−６６）、ポリアミド−６６６（ＰＡ−６６６）、ポリアミド−４６（ＰＡ−４６）、ポリアミド−６１０（ＰＡ−６１０）、ポリアミド−１２１２（ＰＡ−１２１２）、並びにこれらの混合物及びコポリマーからなる群から選択される、［１］に記載の方法。
［３］ポリアミドがポリアミド−６である、［２］に記載の方法。
［４］ポリアミド−６が、２５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇのアミン末端基濃度を有し、且つ１８ミリモル／ｋｇ〜５０ミリモル／ｋｇのカルボキシル末端基濃度を有する、［３］に記載の方法。
［５］ポリアミドが２．６ＲＶ〜３．０ＲＶの相対粘度を有する、［１］に記載の方法。
［６］ポリアミド−６が２．４ＲＶ〜２．６ＲＶの相対粘度を有する、［１］に記載の方法。
［７］紡糸が二重末端ポリアミド−６を２３０℃〜３００℃の温度に加熱することを含む、［１］に記載の方法。
［８］紡糸が三葉形状の孔を含む紡糸口金を通して二重末端ポリアミドを押出すことを含み、三葉形状の孔は０〜０．１ｍｍのＲ値を画定する、［１］に記載の方法。
［９］二重末端ポリアミドを３５００ｍ／分〜８０００ｍ／分の速度で紡糸してポリアミド繊維を形成することによって製造されるポリアミド繊維。
［１０］ポリアミドがポリアミド−６である、［９］に記載のポリアミド繊維。
［１１］ポリアミド−６が、２５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇのアミン末端基濃度を有し、且つ１８ミリモル／ｋｇ〜５０ミリモル／ｋｇのカルボキシル末端基濃度を有する、［１０］に記載のポリアミド繊維。
［１２］繊維が三葉形繊維である、［９］に記載のポリアミド繊維。
［１３］三葉形繊維が０〜０．１ｍｍのＲ値を有する紡糸口金から形成される、［９］に記載のポリアミド繊維。
［１４］ポリアミド繊維が複数のフィラメントを含み、ポリアミド繊維が１．５〜５のデニール／フィラメントを有する、［９］に記載のポリアミド繊維。
［１５］二重末端ポリアミドを３５００ｍ／分〜８０００ｍ／分の速度で紡糸して複数のポリアミド繊維を形成し；そして
複数のポリアミド繊維からヤーンを形成する；
工程によって製造される、複数の繊維を含むヤーン。
［１６］ポリアミドが、ポリアミド−６（ＰＡ−６）、ポリアミド−６，６（ＰＡ−６６）、ポリアミド−６６６（ＰＡ−６６６）、ポリアミド−４６（ＰＡ−４６）、ポリアミド−６１０（ＰＡ−６１０）、ポリアミド−１２１２（ＰＡ−１２１２）、並びにこれらの混合物及びコポリマーからなる群から選択される、［１５］に記載のヤーン。
［１７］ポリアミドがポリアミド−６である、［１６］に記載のヤーン。
［１８］ポリアミド−６が、２５ミリモル／ｋｇ〜４０ミリモル／ｋｇのアミン末端基濃度を有し、且つ１８ミリモル／ｋｇ〜５０ミリモル／ｋｇのカルボキシル末端基濃度を有する、［１７］に記載のヤーン。
［１９］複数のポリアミド繊維が三葉形繊維である、［１５］に記載のヤーン。
［２０］三葉形繊維が０〜０．１ｍｍのＲ値を有する紡糸口金から形成される、［１９］に記載のヤーン。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月19日(2019.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い部材を保護するための端部がほつれにくいテキスタイルスリーブであって、
緯糸とともに織られた経糸を有する細長い壁を備え、前記経糸は、両端部間を長手方向中心軸に概ね平行な関係で長手方向に延在し、前記緯糸は、前記経糸に対して概ね横方向に延在し、前記経糸は、少なくとも２つの異なる種類の経糸を含み、前記経糸のうちの一つの種類は、複数の活性化可能な経糸を含み、前記経糸の別の種類は、複数の活性化不能な経糸を含み、前記活性化可能な経糸は、熱、流体および／または圧力のうちの少なくとも１つによって活性化可能であり、前記活性化可能な経糸は、活性化され、前記活性化不能な経糸の隣り合うものおよび前記緯糸と結合され、前記活性化された経糸のうちの少なくともいくつかは、前記活性化不能な経糸のうちの少なくともいくつかによって互いから周方向に離間される、端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項２】
前記活性化された経糸は、複数の束に配置され、前記束の各々は、相互に隣り合って配置される複数の活性化された経糸を含み、前記束の各々は、複数の前記活性化不能な経糸によって互いから周方向に離間される、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項３】
前記束の前記活性化された経糸のうちの隣接するものは、前記緯糸の上下に互いに位相がずれるように起伏する、請求項２に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項４】
前記活性化された経糸は、モノフィラメントである、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項５】
前記活性化された経糸は、マルチフィラメントである、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項６】
前記活性化された経糸は、活性化可能な材料で被覆された活性化不能な材料のモノフィラメントおよび／またはマルチフィラメントを含む、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項７】
前記活性化可能な糸は、第１の溶融温度を有する材料の中央コアおよび第２の溶融温度を有する材料の外側シースを有する二成分モノフィラメントであり、前記第１の溶融温度は、前記第２の溶融温度よりも高い、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項８】
前記活性化可能な糸は、活性化可能な材料と絡み合った活性化不能な材料を含む絡み合った糸である、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項９】
前記活性化可能な糸は、活性化可能なモノフィラメントまたはマルチフィラメント糸とともにねじられたまたは供給された活性化不能なモノフィラメントまたはマルチフィラメント糸を含む、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項１０】
前記経糸および前記緯糸は、平織りパターン、リブ織りパターン、バスケット織りパターンまたはツイル織りパターンのうちの１つに織られる、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項１１】
前記緯糸は、マルチフィラメントを含む、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項１２】
前記細長い壁は、前記長手方向中心軸に対して概ね平行に延在する両縁部を有する巻き付け可能な壁である、請求項１に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項１３】
前記緯糸は、ヒートセット糸を含み、前記ヒートセット糸は、前記両縁部を互いに重なり合う関係にバイアスする、請求項１２に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項１４】
前記活性化された経糸のうちの少なくともいくつかは、前記両縁部に沿って延在する、請求項１２に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【請求項１５】
前記両縁部に沿って延在する前記活性化された経糸は、前記活性化不能な経糸によって互いから完全に離間される、請求項１４に記載の端部がほつれにくいテキスタイルスリーブ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図４Ａ〜図４Ｅでは、様々な異なる種類の活性化可能な経糸２０が示されており、１つまたは複数の異なる種類の活性化可能な経糸２０が単一のスリーブ１０、１０'に使用されることができる。図４Ａでは、活性化可能な経糸２０は、マルチフィラメント糸として示されており、マルチフィラメントは、その長さに沿って延在する少なくともいくつかのまたは全体的に、熱活性化可能な、圧力活性化可能な、または流体活性化可能な材料を含む。マルチフィラメントは、相互に撚り合わされた別々のフィラメントから形成されることができ、または相互に絡み合った繊維状材料といった活性化不能材料と絡み合った活性化可能材料を含む、絡み合った部材として形成されることができる。図４Ｂにおいて、活性化可能な経糸２０は、モノフィラメントとして示されており、モノフィラメントは、熱活性化可能な、圧力活性化可能な、または流体活性化可能な材料からなり、適切な熱、圧力、または流体源にさらされると、経糸２０は、活性化され、近くの隣接する経糸および緯糸１６、１８と結合する。図４Ｃでは、活性化可能な経糸２０は、互いに撚り合わされた糸の組み合わせとして示され、異なる糸が互いにねじられて示されているが、図４Ｄでは、異なる糸が互いに供給されるように示される。活性化可能な経糸２０を形成するために互いに組み合わされた異なる糸は、活性化可能なモノフィラメントまたはマルチフィラメント糸３６とねじられるかまたは供給される活性化不能モノフィラメントまたはマルチフィラメント糸３４を含んでもよい。図４Ｅでは、活性化可能な経糸２０は、二成分モノフィラメントとして示されており、二成分モノフィラメントは、第１の溶融温度を有する材料の中心コア３８と、第２の溶融温度を有する材料の外側シース４０とを含み、第１溶融温度は、第２溶融温度よりも高い。上述の各実施形態では、熱活性化可能な、圧力活性化可能な、または流体活性化可能な材料は、適切な熱、圧力または流体源にさらされると、活性化可能な経糸２０を活性化させ、近くの隣接する経糸および緯糸１６、１８と結合される。上述の実施形態に加えて、活性化可能な経糸２０は、その下にある活性化不能糸材料がマルチフィラメントまたはモノフィラメントであるかどうかに関わらず、そうでなければ活性化不能な糸を、活性化可能なコーティングまたは接着剤でコーティングすることによって形成されることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和1年12月12日(2019.12.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
螺旋ばねシール要素は、好ましくは形状結合または摩擦結合により保持要素の周方向溝内に保持されるように配置される。その結果、シール隙間の確実なシールが保証される。シール隙間が例えば油で加圧されている場合、螺旋ばね要素は、その全螺旋範囲にわたって低圧側の保持要素の溝側面上で支持され得る。この場合、保持要素の弾性特性は、保持要素上への螺旋ばね要素のシールされた軸方向当接を常に保証する。螺旋ばねシール要素の小さな凹凸は、保持要素によって確実に補償される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
シール要素は、螺旋ばねシール要素３４として構成されている。螺旋ばねシール要素３４は、回転軸１６と同軸に配置され、第２の機械部品１４を環状に取り囲んでいる。螺旋ばねシール要素３４は、内周側で、すなわちその内側の円周面３６で、第２の機械部品のシール面２８に対してする矢印で示す接触面圧３８によって、シール面２８に対して当接する。螺旋ばねシール要素３４のシール面２８に対する接触面圧３８は、螺旋ばね自体の弾性回復特性によって、及び／又は保持要素２４による螺旋ばねシール要素３４の径方向に配向された予張力によって生成されてもよい。この場合の螺旋ばねシール要素３４は、保持要素２４によって付加的に補助され、固有の弾性復元力によって予張力をかけられたシール状態でシール面２８に当接し、ている。したがって、螺旋ばねシール要素は、保持要素２４の周方向溝３２の溝底部４０に隙間なく当接する。螺旋ばねシール要素３４は、周方向溝３２の溝側面４２の間で軸方向に形状結合または摩擦結合により保持される。その結果、シール隙間２０の軸方向の確実なシールがこの領域で達成される。螺旋ばねシール要素３４と保持要素２４との間の摺動摩擦及び／又は静摩擦を低くするために、螺旋ばねシール要素３４は、減摩コーティングでコーティングされてもよい（図２には図示せず）。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−回転軸（１６）の周りに互いに対して回転可能に配置された２つの機械部品（１２、１４）であって、
前記２つの機械部品（１２、１４）のうちの一方がシール保持構造（２６）を形成し、前記２つの機械部品（１２、１４）のうちのそれぞれの他方がシール面（２８）を形成する機械部品（１２、１４）と、
−前記２つの機械部品（１２、１４）の間に形成されたシール隙間（２０）をシールする回転シール（２２）であって、
−前記一方の機械部品（１２、１４）の前記シール保持構造（２６）上に保持されたゴム弾性があり変形可能な材料からなる保持要素（２４）と、前記他方の機械部品（１２、１４）の前記シール面（２８）に対して、面圧（３８）によってシール方式で当接しているシール要素とを有する回転シール（２２）とを備え、
−前記シール要素が、前記回転軸（１６）と同軸に延在するように配置された螺旋ばねシール要素（３４）として設計され、前記螺旋ばねシール要素（３４）が、前記保持要素（２４）の周方向溝（３２）内に軸方向に形状結合または摩擦結合により保持されるように配置され、前記保持要素（２４）によって前記シール面（２８）に対して径方向に張力をかけられ、前記保持要素（２４）の前記周方向溝（３２）が一端において前記螺旋ばねシール要素（３４）のための第１の回転停止部（４６）を有し、前記螺旋ばねシール要素（３４）が前記機械部品の互いに対する回転運動によって前記螺旋ばねシール要素（３４）と前記シール面（２８）との間の摩擦抵抗に比例してねじれ、径方向に広げられる又は圧縮されることで、前記螺旋ばねシール要素（３４）と前記シール面（２８）との間で前記接触面圧（３８）が減少するように、前記螺旋ばねシール要素（３４）が周方向溝に配置されることを特徴とする回転シール装置（１０）。
【請求項２】
前記螺旋ばねシール要素（３４）は、前記シール面（２８）に対して内周側でシール状態で当接していることを特徴とする、請求項１に記載の回転シール装置。
【請求項３】
前記保持要素（２４）の前記周方向溝（３２）が他端において前記螺旋ばねシール要素（３４）の第２の回転停止部（４６）を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の回転シール装置。
【請求項４】
前記螺旋ばねシール要素（３４）は、前記シール面（２８）に対して外周側で当接していることを特徴とする、請求項１に記載の回転シール装置。
【請求項５】
前記螺旋ばねシール要素（３４）は、その自由端部分（５０）の１つによって、前記保持要素（２４）上の定位置に固定保持されることを特徴とする、請求項４に記載の回転シール装置。
【請求項６】
前記螺旋ばねシール要素は、その弾性復元力に起因する予張力をかけられることで、シール状態で前記シール面に当接していることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の回転シール装置。
【請求項７】
前記螺旋ばねシール要素（３４）は、前記シール面（２８）に当接する円周面（３６）にくぼみ（５４）を有することを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の回転シール装置。
【請求項８】
前記螺旋ばねシール要素（３４）は、熱可塑性又は熱硬化性のプラスチック材料、複合材料又は金属からなることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の回転シール装置。
【請求項９】
前記螺旋ばねシール要素（３４）及び／又は前記保持要素（２４）に減摩コーティングが設けられていることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の回転シール装置。
【請求項１０】
周方向溝（３２）と、螺旋ばねシール要素（３４）として構成され且つ前記周方向溝（３２）内に配置されたシール要素とを有する弾性的に変形可能な保持部分（２４）を備える、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の、回転シール装置（１０）用の回転シール（２２）。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月12日(2019.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
周波数変調連続波（ＦＭＣＷ）レーダーにより生成されるチャープ信号を直交信号にダウンコンバートすることと、
ＩＦ信号を生成させるために前記直交信号をデジタル化することと、
前記ＩＦ信号の瞬時周波数を判定することと、
前記チャープ信号の周波数線形性を判定するために前記ＩＦ信号の前記瞬時周波数を前記チャープ信号の所定の瞬時周波数と比較することと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＩＦ信号の瞬時周波数を判定することが、前記ＩＦ信号の導関数を計算することを含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＩＦ信号の瞬時周波数を生成させるために前記ＩＦ信号の位相の導関数を計算することと、
前記瞬時周波数を線に合わせることと、
前記周波数線形性を生成させるために前記瞬時周波数の線と所定の瞬時周波数を構成する線との間の差を判定することと、
を更に含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記ダウンコンバートすることが、スペクトル分析器を用いて前記チャープ信号を直交信号にダウンコンバートすることを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記チャープ信号のダイナミック位相ノイズを判定することを更に含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
ダイナミック位相ノイズを判定することであって、
前記ＩＦ信号の前記瞬時周波数サンプルを生成させるために前記ＩＦ信号の位相の導関数を計算することと、
周波数誤差サンプルを生成させるために前記瞬時周波数のサンプルと所定の周波数サンプルとの間の差を判定することと、
位相誤差サンプルを生成させるために前記周波数誤差サンプルを積分することと、
前記ダイナミック位相ノイズを生成させるために前記位相誤差サンプルのパワースペクトル密度関数を計算することと、
により、前記ダイナミック位相ノイズを判定することを更に含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
ダイナミック位相ノイズを判定することであって、
前記ＩＦ信号の位相サンプルを判定することと、
所定の位相サンプルを計算することと、
位相誤差サンプルを生成させるために前記所定の位相サンプルに対する前記位相サンプル間の差を判定することと、
ダイナミック位相ノイズを生成させるために前記位相誤差サンプルのパワースペクトル密度を判定することと、
により、前記ダイナミック位相ノイズを判定することを更に含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記チャープ信号を構成する複数の帯域幅を分析することと、
前記チャープ信号の分析を生成させるために前記複数の帯域幅を分析した結果を組み合わせることと、
を更に含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
濾胞性制御性Ｔ（ＴＦＲ）細胞、及びサイトカインを含む、増強された免疫活性を有する組成物であって、好ましくは
前記増強された免疫活性が、天然のＴＦＲ細胞と比較した、ｉｎ  ｖｉｔｒｏ及びｉｎ  ｖｉｖｏでの抗体産生の増強により特徴づけられる、または／および
前記増強された免疫活性が防御抗体応答である、または／および
前記サイトカインがＩＬ−２１又はＩＬ−６である、組成物。
【請求項２】
低減された活性を有するＴＦＲ細胞を含む組成物を調製する方法であって、
ａ）ＴＦＲ細胞、制御性Ｔ（Ｔｒｅｇ）前駆細胞、又はその両方を含む最初の細胞集団を得る工程；
ｂ）サイトカインの存在下、ｅｘ  ｖｉｖｏで前記細胞を接触させる工程；及び
ｃ）前記細胞集団からＴＦＲ細胞を単離する工程であって、単離されたＴＦＲ細胞は低減された免疫活性を有する、工程；
を有してなり、好ましくは
前記サイトカインがＩＬ−２１又はＩＬ−６である、または／および
前記低減された免疫活性が、抗体産生の増強をもたらす、または／および
前記最初の細胞集団が、１又は複数の対象の末梢血、組織又は器官から単離され、
好ましくはさらに、細胞をサイトカインと接触させる前に、前記細胞集団からＴＦＲ細胞及びＴｒｅｇ前駆細胞をソートする工程をさらに含む、または／および
前記細胞集団を拡大する工程をさらに含む、方法。
【請求項３】
必要とする対象における免疫応答の調節に使用するための、濾胞性制御性Ｔ（ＴＦＲ）細胞とサイトカインとを含む、有効量の組成物であって、好ましくは
前記サイトカインがＩＬ−２１又はＩＬ−６である、または／および
前記ＴＦＲ細胞が、前記サイトカインと一緒に又は組み合わせて投与される、または／および
前記対象に投与する前に、前記ＴＦＲ細胞を前記サイトカインと接触させる、または／および
前記ＴＦＲ細胞が、対象の末梢血から単離されたものである、または／および
ＴＦＲ細胞の調節が、増強された抗体産生をもたらし、
好ましくはさらに、ワクチンの使用を含む、または／および
ＴＦＨ細胞を含む組成物、及びワクチンを共投与することを含む、または／および
前記組成物が静脈内投与される、組成物。
【請求項４】
前記対象が、ウイルス感染、細菌感染、病原性感染、真菌感染、及びがんからなる群より選択される疾患又は状態を患っている、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
増強された免疫活性を有する、ＴＦＨ細胞及びサイトカインの組成物を含むアジュバントであって、好ましくは
前記サイトカインがＩＬ−２１又はＩＬ−６である、または／および
前記ＴＦＨ細胞が、対象の末梢血から精製されたものであり、
好ましくはさらに、対象の末梢血から精製されたＴＦＨ細胞、増強された刺激能を有するＴＦＨ細胞、又はそれらの任意の組合せをさらに含む、アジュバント。
【請求項６】
対象における免疫応答のアップレギュレートに使用するための有効量の、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物又は請求項５に記載のアジュバント。
【請求項７】
請求項１に記載の組成物又は請求項５に記載のアジュバントを含む、ワクチン。
【請求項８】
対象における抗体産生の増強に使用するための、請求項５に記載のアジュバント。
【請求項９】
対象における防御抗体応答の増加に使用するための、対象におけるＴＦＲ細胞媒介抗体抑制を低減させるのに有効な量のＴＦＲ細胞抑制を調節できる第１の作用物質であって、
好ましくはさらに、ＴＦＨ細胞媒介抗体産生を増加させるのに有効な量の選択的ＴＦＨ受容体を調節できる第２の作用物質の使用を含み、
前記防御抗体応答が、前記第１又は第２の作用物質の不在下での防御抗体応答と比較して高められる、第１の作用物質。
【請求項１０】
前記第２の作用物質が、前記第１の作用物質と一緒に、組み合わせて、又はその後に投与される、請求項９に記載の第１の作用物質。
【請求項１１】
前記第１の作用物質がサイトカインである、請求項９に記載の第１の作用物質。
【請求項１２】
前記サイトカインがＩＬ−２１又はＩＬ−６である、請求項１１に記載の第１の作用物質。
【請求項１３】
前記第２の作用物質がワクチンである、請求項１２に記載の第１の作用物質。
【請求項１４】
前記対象が、ウイルス感染、細菌感染、病原性感染、真菌感染、及びがんからなる群より選択される疾患又は状態を患っている、請求項１３に記載の第１の作用物質。
【請求項１５】
前記防御抗体応答が、疾患の病原又は病因を低減する又は排除する、請求項１４に記載の第１の作用物質。
【手続補正書】
【提出日】令和1年12月26日(2019.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図１Ａのクラスタツール１０は、デュアルバッファチャンバ、複数プロセスチャンバ半導体処理ツール、またはデュアルバッファチャンバクラスタツールとすることができる。クラスタツール１０は、カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な様々な付属チャンバを有するＥｎｄｕｒａ（登録商標）プラットフォームとすることができる。クラスタツール１０には、半導体製造工場の１つの区域から別の区域への基板の取扱いおよび輸送のための１つまたは複数の前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ７２）を有するファクトリインターフェース（ＦＩ７０）を取り付けることができる。各ＦＯＵＰは、固定のカセットを有するコンテナであり、自動化された材料取扱いシステムとともに使用される前方開口型インターフェースを有しており、ＦＯＵＰの内部が周囲の製造工場環境から分離されているため、基板上の粒子数を低減させるために使用することができる。
ＦＩ７０は、ＦＯＵＰ７２から基板を取り出して、処理シーケンスを開始する。クラスタツール１０は、多角形構造６０内に配置された第１のバッファチャンバ４０および第２のバッファチャンバ５０ならびに第１の基板移送位置２４および第２の基板移送位置２６を有する。第１のバッファチャンバ４０は、低品質の真空バッファとすることができ、第２のバッファチャンバ５０は、高品質の真空バッファとすることができる。基板移送位置はそれぞれ、チャンバとすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１のロードロックチャンバ３２および第２のロードロックチャンバ３４を、多角形構造６０の一方の側に配置することができる。第１のガス抜きチャンバ２８および第２のガス抜きチャンバ３０を、多角形構造の概して両側に、第１のロードロックチャンバ３２および第２のロードロックチャンバ３４に隣接して配置することができる。第１のプロセスチャンバ１２および第２のプロセスチャンバ１４を含む第１の対のプロセスチャンバを、多角形構造６０の概して両側に、第１のガス抜きチャンバ２８、第２のガス抜きチャンバ３０、および第１のバッファチャンバ４０に隣接して配置することができる。第１のプロセスチャンバ１２および第２のプロセスチャンバ１４はそれぞれ、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な基板上に膜を形成するためのＶｅｒｓａ（商標）Ｗプラズマ気相堆積（ＰＶＤ）チャンバとすることができる。第３のプロセスチャンバ１６および第４のプロセスチャンバ１８を含む第２の対のプロセスチャンバを、多角形構造６０の概して両側に、第２のバッファチャンバ５０に隣接して配置することができる。第３のプロセスチャンバ１６および第４のプロセスチャンバ１８はそれぞれ、例示を目的として、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．からやはり入手可能なＦａｌｃｏｎ  ＴＴＮ  ＰＶＤチャンバとすることができる。第５のプロセスチャンバ２０および第６のプロセスチャンバ２２を含む第３の対のプロセスチャンバを、多角形構造６０の概して両側に、第３のプロセスチャンバ１６、第４のプロセスチャンバ１８、および第２のバッファチャンバ５０に隣接して配置することができる。第３の対のプロセスチャンバは、たとえばＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．からやはり入手可能なシリコン含有層を堆積させるためのチャンバとすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
上部プロセスアセンブリ１０８はまた、ＲＦ電力供給（図示せず）、アダプタ１０２、モータ１９３、およびリッドアセンブリ１３０を備えることができる。リッドアセンブリ１３０は、概して、ターゲットアセンブリ１３２、マグネトロンシステム１８９、およびリッド囲壁１９１を備える。上部プロセスアセンブリ１０８は、図１Ｂに示すように、閉鎖位置にあるとき、側壁１０４によって支持される。リッドアセンブリの絶縁リングアセンブリ１８０と、ターゲットアセンブリ１３２と、アダプタ１０２との間には、これらの間の真空漏れを防止するために、セラミックターゲットアイソレータ１３６が配置される。アダプタ１０２は、側壁１０４に密封可能に結合することができ、上部プロセスアセンブリ１０８および下部プロセスキット１６５の取り外しを助けるように構成することができる。
処理位置にあるとき、ターゲットアセンブリ１３２のターゲット１３２Ａは、アダプタ１０２に隣接して配置され、チャンバ１００の処理領域１１０に露出される。ターゲット１３２Ａは、ＰＶＤまたはスパッタリングプロセス中に基板１０５上に堆積される材料を含む。絶縁リングアセンブリ１８０は、ターゲット１３２Ａをシールド１６０およびチャンバ本体１０１から電気的に絶縁するために、ターゲット１３２Ａとシールド１６０およびチャンバ本体１０１との間に配置される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
方法５００は５１４へ進み、更新された診断略図オーバレイとして、５０５で表示した図面とともに、判定した動作状態および／または判定した動作パラメータを表示する。５１６で、方法５００は、オーバレイのさらなるトラブルシューティングおよび動的更新が適当かどうかを判定する。さらなるトラブルシューティングおよび動的更新が適当な場合、方法５００は５１０に戻り、時間インスタンスカウンタＮを増分し、５１２〜５１６のさらなる反復を実行する。さらなるトラブルシューティングおよび動的更新が適当でない場合、方法５００は５１８で終了する。
いくつかの実施形態では、５１６は、サブプロセス（図示せず）として、第１の図面または診断略図オーバレイのうちの１つに示されている図形オブジェクトのユーザ選択に応答して、それぞれ複雑なシステムの１つの設計要素に対応する第２の組の静的図形オブジェクトを含む第２の図面を特定するステップと、第２の図面を表示するステップとを含むことができる。５１６で、同じユーザ入力に応答して、方法５００は、第２の診断略図オーバレイを特定し、第２の診断略図オーバレイを第２の図面に位置合わせして表示することができる。このような実施形態では、５１６により、方法５００は５０８へ戻り、時間インスタンスカウンタＮを再び初期化するはずである。
【手続補正書】
【提出日】令和1年11月20日(2019.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性軟質磁性材料の層を結合させた基材を備えた磁気遮断材であって、
導電性軟質磁性材料の前記層は、間隙によって互いに分離された導電性軟質磁性の複数の島を含み、
前記導電性軟質磁性の複数の島のうちの少なくともいくつかは、隣接する導電性軟質磁性の島から自らを電気的に絶縁する外側絶縁酸化層を有し、
前記間隙は、外部磁界によって導電性軟質磁性材料の前記層内で誘導される電気的な渦電流を少なくとも部分的に抑制する、磁気遮断材。
【請求項２】
前記外側絶縁酸化層は、鉄を含有する無機酸化層を含む、請求項１に記載の磁気遮断材。
【請求項３】
遠隔で生成された磁界と誘導結合するように適合された電子デバイスであって、
基板と、
前記基板に結合させたアンテナと、
前記基板上に配置され、前記アンテナに電気的に接続された集積回路と、
前記アンテナと前記基板との間に配置された、請求項１に記載の磁気遮断材と、
を備える、電子デバイス。
【請求項４】
磁気遮断材を製造する方法であって、
ａ）導電性軟質磁性材料の層を結合させた基材を準備するステップと、
ｂ）導電性軟質磁性材料の前記層に間隙を形成して、導電性軟質磁性の複数の島を画定するステップと、
ｃ）前記導電性軟質磁性の複数の島のうちの少なくともいくつかの上に、隣接する導電性軟質磁性の島から自らを電気的に絶縁するのに十分な外側絶縁酸化層を形成するステップと、を含み、
前記間隙は、外部磁界によって導電性軟質磁性材料の前記層内で誘導される渦電流を少なくとも部分的に抑制する、磁気遮断材を製造する方法。