【手続補正書】
【提出日】令和2年1月20日(2020.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
【表７】
2019532483.tif 000001
（態様）
（態様１）
（Ａ）スルホキシドからなる第１の構成成分と、
（Ｂ）グリコールエーテルからなる第２の構成成分と、
（Ｃ）Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、トリエチルホスフェート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、及びＮ−エチルプロピオンアミドのうちの少なくとも１つからなる第３の構成成分と、から本質的になる、溶媒。
（態様２）
前記スルホキシドが、ＤＭＳＯである、態様１に記載の溶媒。
（態様３）
前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノブチルエーテルである、態様１に記載の溶媒。
（態様４）
前記第１の構成成分が、ＤＭＳＯであり、前記第２の構成成分が、エチレングリコールモノブチルエーテルである、態様１に記載の溶媒。
（態様５）
前記溶媒の重量に基づいて、５０〜９０重量％の前記第１の構成成分と、９〜４０重量％の前記第２の構成成分と、１〜３０重量％の前記第３の構成成分と、から本質的になる、態様１〜４のいずれか一項に記載の溶媒。
（態様６）
前記第３の構成成分が、Ｎ−ホルミルモルホリンである、態様５に記載の溶媒。
（態様７）
前記第３の構成成分が、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、態様５に記載の溶媒。
（態様８）
前記第３の構成成分が、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドである、態様５に記載の溶媒。
（態様９）
前記第３の構成成分が、トリエチルホスフェートである、態様５に記載の溶媒。
（態様１０）
前記溶媒の重量に基づいて、１０〜３０重量％の前記第１の構成成分と、１０〜３０重量％の前記第２の構成成分と、７０〜９０重量％の前記第３の構成成分と、から本質的になる、態様１〜４のいずれか一項に記載の溶媒。
（態様１１）
前記第３の構成成分が、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、態様１０に記載の溶媒。
（態様１２）
−２５℃未満の凝固点を有する、態様１〜１１のいずれか一項に記載の溶媒。
（態様１３）
基板の表面を洗浄または剥離するためのプロセスであって、前記基板を、
（Ａ）スルホキシドからなる第１の構成成分と、
（Ｂ）グリコールエーテルからなる第２の構成成分と、
（Ｃ）Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、トリエチルホスフェート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、及びＮ−エチルプロピオンアミドのうちの少なくとも１つからなる第３の構成成分と、から本質的になる
溶媒に接触させるステップを含む、プロセス。
（態様１４）
前記基板が、電子部品であり、前記表面が、汚染物質または金属イオンを含有する、態様１３に記載のプロセス。
（態様１５）
前記汚染物質が、ポリ（アミド酸）残渣またはポリイミド残渣である、態様１３に記載のプロセス。
（態様１６）
前記基板が、電子部品であり、前記表面が、フォトレジストを含有する、態様１３に記載のプロセス。
（態様１７）
前記第１の構成成分が、ＤＭＳＯである、態様１３に記載のプロセス。
（態様１８）
前記第２の構成成分が、エチレングリコールモノブチルエーテルである、態様１３に記載のプロセス。
（態様１９）
前記第１の構成成分が、ＤＭＳＯであり、前記第２の構成成分が、エチレングリコールモノブチルエーテルである、態様１３に記載のプロセス。
（態様２０）
前記第３の構成成分が、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、態様１３に記載のプロセス。
（態様２１）
前記溶媒が、前記溶媒の重量に基づいて、１０〜３０重量％の前記第１の構成成分と、１０〜３０重量％の前記第２の構成成分と、７０〜９０重量％の前記第３の構成成分と、から本質的になる、態様１３〜２０のいずれか一項に記載のプロセス。
（態様２２）
前記溶媒が、−２５℃未満の凝固点を有する、態様１３〜２１のいずれか一項に記載のプロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）スルホキシドからなる第１の構成成分と、
（Ｂ）グリコールエーテルからなる第２の構成成分と、
（Ｃ）Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、トリエチルホスフェート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、及びＮ−エチルプロピオンアミドのうちの少なくとも１つからなる第３の構成成分と、から本質的になる、溶媒。
【請求項２】
前記スルホキシドが、ＤＭＳＯである、請求項１に記載の溶媒。
【請求項３】
前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノブチルエーテルである、請求項１に記載の溶媒。
【請求項４】
前記第１の構成成分が、ＤＭＳＯであり、前記第２の構成成分が、エチレングリコールモノブチルエーテルである、請求項１に記載の溶媒。
【請求項５】
前記溶媒の重量に基づいて、５０〜９０重量％の前記第１の構成成分と、９〜４０重量％の前記第２の構成成分と、１〜３０重量％の前記第３の構成成分と、から本質的になる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の溶媒。
【請求項６】
前記第３の構成成分が、Ｎ−ホルミルモルホリンである、請求項５に記載の溶媒。
【請求項７】
前記第３の構成成分が、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、請求項５に記載の溶媒。
【請求項８】
前記第３の構成成分が、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドである、請求項５に記載の溶媒。
【請求項９】
前記第３の構成成分が、トリエチルホスフェートである、請求項５に記載の溶媒。
【請求項１０】
前記溶媒の重量に基づいて、１０〜３０重量％の前記第１の構成成分と、１０〜３０重量％の前記第２の構成成分と、７０〜９０重量％の前記第３の構成成分と、から本質的になる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の溶媒。
【請求項１１】
前記第３の構成成分が、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、請求項１０に記載の溶媒。
【請求項１２】
−２５℃未満の凝固点を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の溶媒。
【請求項１３】
基板の表面を洗浄または剥離するためのプロセスであって、前記基板を、
（Ａ）スルホキシドからなる第１の構成成分と、
（Ｂ）グリコールエーテルからなる第２の構成成分と、
（Ｃ）Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、トリエチルホスフェート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド；Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、及びＮ−エチルプロピオンアミドのうちの少なくとも１つからなる第３の構成成分と、から本質的になる
溶媒に接触させるステップを含む、プロセス。
【請求項１４】
前記基板が、電子部品であり、前記表面が、汚染物質または金属イオンを含有する、請求項１３に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記汚染物質が、ポリ（アミド酸）残渣またはポリイミド残渣である、請求項１３に記載のプロセス。