【事件の表示】
　特願２０１２−１９３０４６「絶縁電線及びそれを用いたコイル」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月１７日出願公開、特開２０１４−　４９３７７、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２４年９月３日の出願であって、平成２６年１２月３日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月２日付けで手続補正がなされたが、平成２７年２月１７日付けで拒絶査定がなされたものである。これに対し、平成２７年５月２１日に拒絶査定不服審判が請求され、同時に手続補正がなされた。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１、２に係る発明は、平成２７年２月２日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「導体と、前記導体の外周に設けられたポリイミドからなる絶縁層とを備えた絶縁電線であって、
　前記絶縁層は、下記式（１）で示される繰り返し単位と、下記式（２）で示される繰り返し単位とを有するポリイミドで構成され、
　前記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分と、前記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分とは、モル比（第１の酸成分：第２の酸成分）で表した場合、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で配合されており、
　前記式（１）及び前記式（２）におけるジアミン成分の残基であるＲは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、下記式（６）、（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、前記４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基とは、モル比（４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基：前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、９９：１〜２５：７５（ただし、前者がジアミンの全量に対して５６モル％以下の場合を除く）のモル比の範囲で構成され、かつ、
　前記ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率は、５０ＭＰａ以上である絶縁電線。
　　【化１】
　　【化２】
　　【化３】
」
　
第３　原査定の理由の概要
『１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願の日前の日本語特許出願であって、その出願後に国際公開がされた下記の日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の日本語特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記日本語特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない（同法第１８４条の１３参照）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）特願２０１４−５０４７１３号（国際公開第２０１３／１３６８０７号）
　
（請求項１乃至３について）
　特願２０１２−０５７３１５号（出願日：平成２４年３月１４日）を基礎とする優先権が主張されている上記国際出願１（特に、特許請求の範囲の欄、発明が解決しようとする課題の欄にある記載を参照）の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明は、
　導体と、前記導体を被覆する絶縁被覆材と、を具備する絶縁電線であって、
　導体を被覆する絶縁被覆材として用いるポリイミド樹脂のポリイミド前駆体は、ジアミンと酸二無水物を重縮合することによって得られたものであり、
　前記ジアミンは、少なくとも、当該ジアミンの全量に対して１９モル％以上５６モル％以下であるジアミン成分Ａ（例：４，４’−ジアミノフェニルエーテル）、及び当該ジアミンの全量の対して４４モル％以上８１モル％以下であるジアミン成分Ｂ（例：ＢＡＰＢ、ＢＡＰＰ、ＢＡＰＳ）を構成部分とし、
　前記酸二無水物は、少なくとも、当該酸二無水物の全量に対して６０モル％以上１００モル％以下である酸二無水物成分Ｃ（ピロメリット酸無水物）、及び当該酸二無水物の全量に対して０モル％以上４０モル％以下である酸二無水物成分Ｄ（例：３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸無水物）を構成成分とすることを特徴とする絶縁電線、
　である。
（なお、ポリイミド樹脂を用いた絶縁電線の利用用途としてコイルがあることは技術常識である。）
　
　そうすると、本願の請求項１乃至３に係る発明と、上記国際出願１の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明とは、構造が同様であることからその特性（ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以上）も同様であると認められることから、両者は実質的に同一である。
　
・・・（省略）・・・』
　
第４　当審の判断
１．引用発明
　本願の拒絶の理由に引用された特願２０１４−５０４７１３号（国際公開第２０１３／１３６８０７号）の優先権主張の基礎とされた特願２０１２−５７３１５号（出願日：平成２４年３月１４日）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「先願明細書等」という）には、次の技術事項が記載されている。
　なお、先願明細書等に記載された技術事項は、後の出願であるＰＣＴ／ＪＰ２０１３／００１７４３（国際公開第２０１３／１３６８０７号）の明細書、特許請求の範囲又は図面に全て記載されている。
　
「【請求項１】
　ポリイミド前駆体、及び溶媒を含む組成物からなるポリイミド前駆体ワニスであって、
　前記組成物を塗布して得られた塗膜をイミド化することにより得られるポリイミド膜は、
　前記組成物を塗膜し、昇温５℃／ｍｉｎ、３００℃で１時間、窒素雰囲気下で加熱処理して得られた乾燥後の塗膜厚みが２０〜６０μｍとなるポリイミドフィルムのガラス転移温度が２８５℃以上、吸水率が２．０％以下、及び引張破断伸度が５５％以上であるポリイミド前駆体ワニス。
【請求項２】
　前記ポリイミド前駆体は、
　ジアミンと、酸二無水物を重縮合することによって得られたものであり、
　前記ジアミンは、少なくとも
　化学式（１）で示されるジアミン成分Ａ、及び化学式（２）で示されるジアミン成分Ｂを構成成分とし、
　前記酸二無水物は、少なくとも
　当該酸二無水物の全量に対して６０モル％以上、１００モル％以下である化学式（３）で示される酸二無水物成分Ｃ、及び
　当該酸二無水物の全量に対して０モル％以上、４０モル％以下である化学式（４）で示される酸二無水物成分Ｄを構成成分とすることを特徴とする請求項１に記載のポリイミド前駆体ワニス。
　　【化１２】
　　【化１３】
（式中、Ｘは単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、メチレン基、イソプロピリデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２価の基を示す）
　　【化１４】
　　【化１５】
（式中、Ｙは単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、メチレン基、イソプロピリデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２価の基を示す）
【請求項３】
　前記ジアミンの全量に対して１９〜５６モル％が前記ジアミン成分Ａであり、
　前記ジアミンの全量に対して４４〜８１モル％が前記ジアミン成分Ｂであることを特徴とする請求項２に記載のポリイミド前駆体ワニス。
【請求項４】
　前記ポリイミド前駆体は、
　前記ジアミンと前記酸無水物の合計に対し、前記ジアミン成分Ａと前記ジアミン成分Ｂの合計が４７．５〜５２．５ｍｏｌ％、前記酸二無水物成分Ｃと前記酸二無水物成分Ｄの合計が４７．５〜５２．５ｍｏｌ％を満たす範囲で共重合されたものであることを特徴とする請求項２又は３に記載のポリイミド前駆体ワニス。
【請求項５】
　前記ジアミン成分Ｂが、化学式（５）で記載される４，４'−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニルであることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体ワニス。
　　【化１６】
【請求項６】
　前記ジアミン成分Ａが、化学式（６）で記載される４，４'−ジアミノジフェニルエーテルであることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体ワニス。
　　【化１７】
【請求項７】
　前記酸二無水物成分Ｄが、化学式（７）で記載される３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物であることを特徴とする請求項２〜６のいずれか１項に記載のポリイミド前駆体ワニス。
　　【化１８】
【請求項８】
　請求項１〜７のポリイミド前駆体ワニスから得られた塗膜をイミド化することにより形成したポリイミド樹脂。
【請求項９】
　導体表面を被覆する絶縁被覆材として用いることを特徴とする請求項８に記載のポリイミド樹脂。
【請求項１０】
　導体と、
　前記導体を被覆する絶縁被覆材と、を具備する電子部品であって、
　前記絶縁被覆材の少なくとも一部が、請求項８又は９に記載のポリイミド樹脂からなる電子部品。」
　
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、導体の絶縁被覆材を形成するのに好適なポリイミド前駆体ワニス、ポリイミド樹脂に関する。また、前記ポリイミド樹脂を具備する電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
　電線配線やケーブル等は、金属導体表面を絶縁被覆材によってコーティングし、導体部を保護している。絶縁被覆材は、用途に応じて様々な製品が開発されているが、電線やモーター巻線などの絶縁被覆材用途としては、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリイミドなどのエンジニアリングプラスチックが使われている。なかでも、耐熱性、電気絶縁性、機械強度などの観点から極めて優れた特性を示すポリイミドは、特に使用環境が厳しいモーター巻線などに利用されている。」
　
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　エレクトロニクス産業の目覚ましい発展は、各種電子部品・電子部品に用いる素材の開発によって支えられてきた。絶縁素材においても、前述したとおり、精力的な研究開発により優れた素材が提案されてきた。しかしながら、市場ではさらに高性能な素材として、優れた絶縁特性、及び機械的強度に加え、耐熱性と低吸水率化の両者を満足できる素材が求められていた。耐熱性と低吸水率化の両者を実現できれば、高温環境下における耐久性を高め、さらに、例えば、絶縁電線の絶縁被覆材として利用した場合に低伝送損失化を実現することが期待できる。
【０００９】
　本発明は、上記背景に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、優れた絶縁特性および機械強度を有し、耐熱性と低吸水率化を両立する素材を提供可能なポリイミド前駆体ワニス、ポリイミド樹脂、及び電子部品を提供することである。」
　
「【００１６】
　本発明に係るポリイミド前駆体ワニスは、ポリイミド前駆体、及び溶媒を含む組成物からなるものである。そして、この組成物は、塗布して得られた塗膜をイミド化することにより得られるポリイミド膜が以下の物性を満足するものである。即ち、組成物を塗膜し、昇温５℃／ｍｉｎ、３００℃で１時間、窒素雰囲気下で加熱処理することにより得た、乾燥後の塗膜厚みが２０μｍ以上、６０μｍ以下の範囲となるポリイミドフィルム（以下、単に「ポリイミドフィルム」と云う）が、（ｉ）ガラス転移温度が２８５℃以上、（ｉｉ）吸水率が２．０％以下、及び（ｉｉｉ）引張破断伸度が５５％以上を満たすものである。乾燥後の塗膜厚みが２０〜６０μｍとなるようにするためには、例えば、ポリイミド前駆体ワニスの塗膜を３００〜４００μｍに塗膜すればよい。ガラス転移温度は、２９０℃以上であることがより好ましい。また、吸水率は、１．９％以下とすることがより好ましく、１．８％以下とすることがさらに好ましい。また、引張破断伸度は、７０％以上であることがより好ましい。また、絶縁材として部分放電電圧耐性を向上させる観点から、ポリイミド樹脂の測定周波数１Ｈｚでの誘電率は、３．６以下であることが好ましく、３．５以下であることがより好ましく、３．４以下であることがさらに好ましい。なお、本発明に係るポリイミド樹脂は、上記ポリイミドフィルムを作製した際に上記範囲を満たすものであればよく、乾燥後の塗膜厚みが２０〜６０μｍの範囲のものに限定されるものではなく、種々の膜厚に対して好適に適用できるものである。」
　
「【００１８】
　また、本明細書においてガラス転移温度は、以下の方法により測定した値をいう。即ち、上記ポリイミドフィルムの固体粘弾性の温度分散測定を、ＴＡ　instruments社製のＲＳＡ−ＩＩを用いて引張モードで測定周波数１Ｈｚの条件で行い、貯蔵弾性率Ｅ'と損失弾性率Ｅを測定する。そして、得られた損失正接ｔａｎδ＝Ｅ／Ｅ'のピーク値から「ガラス転移温度」を導出した値とする。」
　
「【００２９】
　ジアミンは、ジアミン成分Ａをジアミン全量に対して１９〜５６モル％とし、ジアミン成分Ｂをジアミン全量に対して４４〜８１モル％とすることが好ましい。この範囲とすることにより、より効果的に低吸水性と高Ｔｇを両立させることができる。より好ましくは、ジアミン成分Ａをジアミン全量に対して１９〜５１モル％、ジアミン成分Ｂをジアミン全量に対して４９〜７６モル％である。」
　
「【００４５】
　図１Ａに、本発明に係る絶縁電線の一例を示す模式的断面図を示す。絶縁電線１は、導体１０、絶縁被覆材によって形成された絶縁被覆層２０を有する。導体１０は、特に限定されないが、例えば、無酸素銅、銅、アルミニウム、アルミニウム合金、又はそれらの組み合わせ等の金属等の導電材料からなる。絶縁被覆層２０は、導体１０の表面を被覆しており、ポリイミド前駆体ワニスを用いて形成されるポリイミド樹脂からなる。図１Ａの例においては、絶縁被覆層２０が１層のポリイミド樹脂から形成される例を示しているが、図１Ｂに示すように第１絶縁被覆層２１、第２絶縁被覆層２２等の２層の積層構造からなる絶縁被覆層２０であってもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。この場合には、本発明に係るポリイミド前駆体ワニスを用いて形成されるポリイミド樹脂からなる層を複数層積層したものでもよいし、他の絶縁層との積層体であってもよい。他の絶縁層は、特に限定されないが、例えば、導体との密着性を向上させる材料や、柔軟性の高い材料等など、ニーズに応じて適宜設計することができる。」
　
　以上の記載から、先願明細書等には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「導体と、
　前記導体を被覆する絶縁被覆材とを具備し、
　前記絶縁被覆材が、ポリイミド前駆体ワニスから得られた塗膜をイミド化することにより形成したポリイミド樹脂からなる絶縁電線であって、
　前記ポリイミド前駆体ワニスは、
　ポリイミド前駆体、及び溶媒を含む組成物からなるポリイミド前駆体ワニスであって、
　前記組成物を塗布して得られた塗膜をイミド化することにより得られるポリイミド膜は、
　前記組成物を塗膜し、昇温５℃／ｍｉｎ、３００℃で１時間、窒素雰囲気下で加熱処理して得られた乾燥後の塗膜厚みが２０〜６０μｍとなるポリイミドフィルムのガラス転移温度が２８５℃以上、吸水率が２．０％以下、及び引張破断伸度が５５％以上であり、
　前記ポリイミド前駆体は、
　ジアミンと、酸二無水物を重縮合することによって得られたものであり、
　前記酸二無水物は、少なくとも
　当該酸二無水物の全量に対して６０モル％以上、１００モル％以下である化学式（３）で示される酸二無水物成分Ｃ、及び
　当該酸二無水物の全量に対して０モル％以上、４０モル％以下である化学式（７）で示される酸二無水物成分Ｄを構成成分とし、
　　【化１４】
　　【化１８】
　前記ジアミンは、少なくとも
　４，４'−ジアミノジフェニルエーテルであるジアミン成分Ａ、及び化学式（２）で示されるジアミン成分Ｂを構成成分とした、
　　【化１３】
（式中、Ｘは単結合、酸素原子、硫黄原子、スルホン基、カルボニル基、メチレン基、イソプロピリデン基またはヘキサフルオロイソプロピリデン基の２価の基を示す）
　
ことを特徴とする絶縁電線。」
　
２．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると次のことがいえる。
　
・引用発明における「化学式（３）で示される酸二無水物成分Ｃ」、「化学式（７）で示される酸二無水物成分Ｄ」、「４，４'−ジアミノジフェニルエーテルであるジアミン成分Ａ」、「化学式（２）で示されるジアミン成分Ｂ」を重縮合することによって得られたポリイミド前駆体、及び溶媒を含む組成物からなるポリイミド前駆体ワニスから得られた塗膜をイミド化することにより形成したポリイミド樹脂は、化学式（２）において、Ｘは単結合、スルホン基の２価の基であるから、本願発明の「式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分」、「式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分」、「４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基」、「式（６）、（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基」を有するポリイミドからなる絶縁層に相当する。
　
・引用発明の「酸二無水物成分Ｃ」、「酸二無水物成分Ｄ」は、それぞれ、「酸二無水物の全量に対して６０モル％以上、１００モル％以下」、「酸二無水物の全量に対して０モル％以上、４０モル％以下」であるから、本願発明の「第１の酸成分：第２の酸成分が８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲」と重なる範囲を含んでおり、この範囲で両者は一致している。
　
・引用発明では、「４，４'−ジアミノジフェニルエーテルであるジアミン成分Ａ」と、「化学式（２）で示されるジアミン成分Ｂ」とのモル比については特定されていない。
　また、明細書の【００２９】には、「ジアミンは、ジアミン成分Ａをジアミン全量に対して１９〜５６モル％とし、ジアミン成分Ｂをジアミン全量に対して４４〜８１モル％とすることが好ましい。この範囲とすることにより、より効果的に低吸水性と高Ｔｇを両立させることができる。」と記載されているが、この記載は、ジアミン成分のモル％をこれらの範囲のみに限定しているのではなく、ジアミン成分のモル％のより好ましい範囲について言及しているにすぎないと理解できる。
　よって、引用発明は、ジアミン成分Ａをジアミンの全量に対して５６モル％以下の場合に限定したものとはいえず、５６モル％以上の場合も含むと考えられ、この範囲は、本願発明の「４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基とは、モル比（４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基：前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、９９：１〜２５：７５（ただし、前者がジアミンの全量に対して５６モル％以下の場合を除く）のモル比の範囲」と重なる範囲を含んでおり、この範囲で両者は一致しているといえる。
　
・引用発明では、ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率については特定されておらず、また、先願明細書等にもそれを示唆する記載はない。
　先願明細書等の【００１６】、【００１８】には、ガラス転移温度を２８５℃以上とし２９０℃以上であることがより好ましいこと、ガラス転移温度の測定方法として、ポリイミドフィルムの固体粘弾性の温度分散測定を、ＴＡ　instruments社製のＲＳＡ−ＩＩを用いて引張モードで測定周波数１Ｈｚの条件で行い、貯蔵弾性率Ｅ'と損失弾性率Ｅを測定し、得られた損失正接ｔａｎδ＝Ｅ／Ｅ'のピーク値から導出した値とすることは記載されているが、これらのことから、引用発明のポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率が５０ＭＰａ以上であることを直ちに導くことはできない。
　
　したがって、本願発明と引用発明との一致点、相違点は次のとおりである。
　
（一致点）
　導体と、前記導体の外周に設けられたポリイミドからなる絶縁層とを備えた絶縁電線であって、
　前記絶縁層は、下記式（１）で示される繰り返し単位と、下記式（２）で示される繰り返し単位とを有するポリイミドで構成され、
　前記式（１）で示される繰り返し単位中の第１の酸成分と、前記式（２）で示される繰り返し単位中の第２の酸成分とは、モル比（第１の酸成分：第２の酸成分）で表した場合、８５：１５〜４０：６０のモル比の範囲で配合されており、
　前記式（１）及び前記式（２）におけるジアミン成分の残基であるＲは、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、下記式（６）、（８）に示されるジアミンの群から選ばれるジアミンの残基とからなり、前記４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基と、前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基とは、モル比（４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの残基：前記式（６）、（８）に示されるジアミンの残基）で表した場合、９９：１〜２５：７５（ただし、前者がジアミンの全量に対して５６モル％以下の場合を除く）のモル比の範囲で構成される絶縁電線。
　　【化１】
　　【化２】
　　【化３】
」
　
（相違点）
　本願発明では、「前記ポリイミドの３２５℃の貯蔵弾性率は、５０ＭＰａ以上である」のに対し、引用発明では、そのような特定はなされていない点。
　
３．判断
　本願発明と引用発明とは上記相違点があり、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は、課題解決のための具体化手段における微差であるともいえないから、両者が実質的に同一であるとはいえない。
　また、本願の請求項２に係る発明は、本願発明をさらに限定したものであるので、本願発明と同様に、引用発明と同一であるとはいえない。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１、２に係る発明は、引用発明と同一ではないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。