【事件の表示】
　特願２０１１−　８１８５３「発光ダイオード装置の製造方法および発光ダイオード素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月　８日出願公開、特開２０１２−２１６７１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年４月１日（優先権主張平成２３年３月２８日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　４月　１日　特許出願
　平成２４年　１月２７日　手続補正書
　平成２６年　４月３０日　拒絶理由通知（平成２６年　５月　７日発送）
　平成２６年　６月２７日　意見書・手続補正書
　平成２６年１１月２８日　拒絶査定（平成２６年１２月　２日送達）
　平成２７年　２月２５日　本件審判請求・手続補正書
　平成２７年　７月１５日　上申書
　平成２７年　８月１３日　拒絶理由通知（平成２７年　８月１８日発送）
　平成２７年１０月１４日　意見書・手続補正書
第２　本願発明４について
１　本願発明４
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年１０月１４日付けの手続補正による特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項４に係る発明（以下「本願発明４」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項４】
　シート状に形成された蛍光体層と、
　前記蛍光体層の厚み方向一方面に形成される光半導体層と、
　前記光半導体層の前記厚み方向一方面に、前記光半導体層と接続されるように形成される電極部と、
　前記光半導体層および前記電極部を被覆し、かつ、前記電極部の前記厚み方向一方面を露出する、光反射成分を含有する封止樹脂層と
を備え、
　前記蛍光体層は、前記光半導体層の前記厚み方向他方面、および、前記封止樹脂層の前記厚み方向他方面の全てと接触し、
　前記電極部の前記厚み方向一方面と、前記封止樹脂層の前記厚み方向一方面とは、面一に形成されていることを特徴とする、発光ダイオード素子。」
２　引用文献２の記載事項、及び引用発明２Ａ
（１）　引用文献２の記載事項
　当審による平成２７年８月１３日付け拒絶理由通知書（以下「先の拒絶理由通知書」という。）で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−３６３３８０号公報（平成１６年１２月２４日公開。以下「引用文献２」という。）には、図とともに、次の記載がある（当審注：下線は、当審が付与した。）。
ア　「【請求項１】
受光素子または発光素子を含む回路部が表面に形成された光半導体素子と、
前記光半導体素子の裏面に設けられ且つ前記回路部と電気的に接続された端子部と、
前記光半導体素子の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層と、
前記光半導体素子の側面を被覆する封止樹脂とを有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記封止樹脂により前記光半導体素子の裏面は被覆され、前記端子部は前記封止樹脂から露出することを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
・・・
【請求項９】
受光素子または発光素子を含む複数の回路部が表面に形成されたウェハを準備する工程と、
前記ウェハの裏面から前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する工程と、
前記光半導体素子の裏面に前記回路部と電気的に接続された端子部を設ける工程と、
少なくとも前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する工程と、
前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程とを有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
・・・
【請求項１６】
前記端子電極および前記ウェハの裏面を被覆されるように前記封止樹脂が形成され、前記封止樹脂を研磨することで前記端子電極を露出させることを特徴とする請求項９記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記回路部が被覆されるように前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程を有することを特徴とする請求項９記載の光半導体装置の製造方法。
イ　「【０００２】
【従来の技術】
従来、
電子機器にセットされる回路装置
回路装置として半導体装置
ウ　「【００１２】
図１（Ａ）を参照して、本発明の光半導体装置１０Ａは、受光素子または
発光素子を含む回路部２１が表面に形成された光半導体素子１１と、光半導体素子１１の裏面に設けられ且つ回路部２１と電気的に接続された端子部１７と、光半導体素子１１の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層１２と、光半導体素子１１の側面を被覆する封止樹脂１６とを有する
【００１３】
被覆層１２は、光半導体素子１１の表面に形成された回路部２１を保護するように、接着樹脂１３を介して光半導体素子１１の表面に貼着されている。被覆層１２の材料としては、光半導体素子１１に入力される光または光半導体素子１１から出力される光に対して透明なものが用いられる。例えば、光半導体素子１１が可視光線を感知する素子であれば、可視光線に対して透明性を有する材料が被覆層１２として採用される。具体的には、ガラスまたはアクリル板等を被覆層１２として用いることができる。更に、光半導体素子１１がＣＣＤイメージセンサ等の撮像素子である場合は、フィルタ等が付加される。
【００１４】
光半導体素子１１としては、
発光素子を採用することができる。
発光素子としては、発光ダイオード
を
採用することができる。
【００１５】
・・・
【００１７】
封止樹脂１６は、光半導体素子１１および被覆層１２の側面部を被覆している。更に、
光半導体素子１１の裏面も封止樹脂１６により被覆され
封止樹脂１６は、機械的強度の向上および耐湿性の向上のために、無機フィラーが混入された遮光性のものを採用することができる。
【００１８】
・・・
【００２０】
端子部１７は、半導体素子１１の裏面まで延在する再配線１５と外部とを電気的に接続する働きを有する。
端子部１７の
他方は封止樹脂１６から露出している。
端子部１７が露出する封止樹脂１６の外面と端子部１７の露出面とは、同一の面に位置している。
エ　「【００２７】
次に図２から図７を参照して、光半導体装置１０の製造方法を説明する。本発明に斯かる光半導体装置１０の製造方法は、受光素子または発光素子を含む複数の回路部２１が表面に形成されたウェハ２０を準備する工程と、ウェハ２０の裏面からウェハ２０が分離されるように分離溝２４を形成して個々の光半導体素子１１に分離する工程と、光半導体素子１１の裏面に回路部２１と電気的に接続された端子部１７を設ける工程と、少なくとも分離溝２４に充填されるように封止樹脂１６を形成する工程と、分離溝２４に沿った個々の光半導体装置１０に分離する工程とを有する。これら各工程を以下にて説明する。
【００２８】
先ず図２から図５を参照して、図１（Ａ）に示した光半導体装置１０Ａの製造方法を説明する。
【００２９】
先ず図２を参照して、受光素子または発光素子を含む複数の回路部２１が表面に形成されたウェハ２０を準備し、回路部２１が被覆されるようにウェハの表面に透明な被覆層１２を貼着する。
【００３０】
図２（Ａ）を参照して、シリコン等の半導体より成るウェハ２０には、マトリックス状に多数個の回路部２１が周知の拡散工程等により形成されている。各回路部２１には同一の回路が形成され。受光素子または発光素子を含む回路が形成されている。更に各回路部２１は再配線１５と電気的に接続されている。
【００３１】
図２（Ｂ）を参照して、接着樹脂１３を介して、回路部２１が形成されたウェハ２０の面に被覆層１２を貼着する。
被覆層１２としては透明な
アクリル樹脂
を採用することができる。
被覆層の表面には、シート２２が貼り付けられる。このシート２２により、後の工程で被覆層１２に傷が付いてしまうのを防止することができる。
【００３２】
・・・
【００３９】
次に、図５を参照して、少なくとも分離溝２４に充填されるように封止樹脂１６を形成し、分離溝２４に沿った個々の光半導体装置１０に分離する。
【００４０】
図５（Ａ）を参照して、分離溝２４に充填され
端子部１７が被覆されるように封止樹脂１６を形成する。
【００４１】
図５（Ｂ）を参照して、
封止樹脂１６から端子部１７を露出させる。この工程は、封止樹脂１６を研磨装置で研磨することにより行うことができる。
【００４２】
最後に、図５（Ｃ）を参照して、分離溝２４に沿ってダイシングを行うことにより、
各半導体装置に分離する
後に、
シート２２からの剥離を行った
光半導体装置
オ　「【００４４】
上記の説明では、本発明に斯かる光半導体装置およびその製造方法について説明を行ったが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【００４５】
例えば、図６を参照して、ウェハ２０を分離する工程に於いて、被覆層１２が分離されない程度に分離溝２４を設けることもできる。図７（Ａ）は、ダイシングを行って光半導体素子１１の分離を行う工程を示す。図７（Ｂ）は、再配線１５を光半導体素子１１の裏面まで延在させて端子部１７を設ける工程を示す。図７（Ｃ）は、樹脂封止を行った後に端子部１７を露出させてバンプ電極１８を形成した状態を示す。図７（Ｄ）は、分離溝２４の箇所で封止樹脂１６および被覆層１２をダイシングして個々の光半導体装置１０に分離する状態を示す。」
カ　本発明の光半導体装置の製造方法を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である図２は、次のものである。
キ　本発明の光半導体装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）である図５は、次のものである。
ク　本発明の光半導体装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）、断面図（Ｃ）、断面図（Ｄ）である図６は、次のものである。
（２）　引用発明２Ａ
ア　以下では、上記（１）オの【００４５】及び上記（１）クの図６に記載された発明を認定する。
　なお、上記（１）オの【００４４】〜【００４５】には、「上記の説明では、本発明に斯かる光半導体装置およびその製造方法について説明を行ったが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。・・・例えば、図６を参照して、ウェハ２０を分離する工程に於いて、被覆層１２が分離されない程度に分離溝２４を設けることもできる」と記載されていることから、「ウェハ２０を分離する工程」以外の工程については、「上記の説明」である、上記（１）ウの記載、上記（１）エの記載、上記（１）カの図２及び上記（１）キの図５を参酌して発明を認定する。
イ　上記（１）アの請求項１、２の記載から、引用文献２には、次の技術事項が記載されているといえる。
「受光素子または発光素子を含む回路部が表面に形成された光半導体素子と、
　前記光半導体素子の裏面に設けられ且つ前記回路部と電気的に接続された端子部と、
　前記光半導体素子の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層と、
　前記光半導体素子の側面を被覆する封止樹脂とを有し、
　前記封止樹脂により前記光半導体素子の裏面は被覆され、前記端子部は前記封止樹脂から露出する、
　光半導体装置。」
ウ　上記（１）ウの【００１４】の記載から、上記イの「光半導体素子」としては、「発光素子」を採用することができ、上記イの「発光素子」としては、「発光ダイオード」を採用することができるといえる。
エ　上記（１）ウの【００１７】の記載から、上記イの「封止樹脂」は、「封止樹脂１６」であり、「機械的強度の向上および耐湿性の向上のために、無機フィラーが混入された遮光性のもの」であるといえる。
オ　上記（１）エの【００４１】の記載から、上記イの「端子部」は、「端子部１７」であり、「封止樹脂１６を研磨装置で研磨することにより」、「封止樹脂１６から・・・露出させる」ものであるといえる。
カ　上記（１）ウの【００２０】の記載から、上記オの「端子部１７」は、「端子部１７が露出する封止樹脂１６の外面と端子部１７の露出面とは、同一の面に位置している」ものであるといえる。
キ　以上より、引用文献２には、上記（１）オの【００４５】及び上記（１）クの図６に記載された発明として、次の発明（以下「引用発明２Ａ」という。）が記載されている。
「発光素子を含む回路部が表面に形成された光半導体素子と、
　前記光半導体素子の裏面に設けられ且つ前記回路部と電気的に接続された端子部１７と、
　前記光半導体素子の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層と、
　前記光半導体素子の側面を被覆する封止樹脂１６とを有し、
　前記封止樹脂１６により前記光半導体素子の裏面は被覆され、前記端子部１７は前記封止樹脂１６から露出し、
　前記発光素子は、発光ダイオードであり、
　前記封止樹脂１６は、機械的強度の向上および耐湿性の向上のために、無機フィラーが混入された遮光性のものであり、
　前記端子部１７は、封止樹脂１６を研磨装置で研磨することにより、封止樹脂１６から露出させるものであり、
　前記端子部１７が露出する封止樹脂１６の外面と端子部１７の露出面とは、同一の面に位置する、
　光半導体装置。」
３　対比
（１）　本願発明４と引用発明２Ａを対比する。
ア　引用発明２Ａの「前記光半導体素子の表面を被覆し且つ透明な材料から成る被覆層」と、
　本願発明４の「シート状に形成された蛍光体層」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ａの「被覆層」と、本願発明４の「蛍光体層」とを対比する。
ａ　本願の発明の詳細な説明の【０００２】によれば、一般に「蛍光体層」は、「ＬＥＤを被覆する・・・層」であるといえる。
ｂ　上記ａに照らして、本願の図１を見ると、本願発明４の「蛍光体層」１７は、「被覆層」であるといえる。
ｃ　してみれば、引用発明２Ａの「被覆層」と、本願発明４の「蛍光体層」とは、「被覆層」である点で一致する。
（イ）　以上より、両者は、「被覆層」である点で一致する。
イ　引用発明２Ａの「発光素子を含む回路部が表面に形成された光半導体素子」と、
　本願発明４の「前記蛍光体層の厚み方向一方面に形成される光半導体層」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ａの「光半導体素子」は、技術常識から「層」をなしているといえるから、本願発明４の「光半導体層」に相当する。
（イ）　引用発明２Ａの「被覆層」は、「前記光半導体素子の表面を被覆」するものであるから、引用発明２Ａの「光半導体素子」は、「被覆層」の裏面に設けられているといえるところ、当該裏面は、本願発明４の「厚み方向一方面」に相当する。
（ウ）　してみれば、両者は、「前記被覆層の厚み方向一方面に形成される光半導体層」である点で一致する。
ウ　引用発明２Ａの「前記光半導体素子の裏面に設けられ且つ前記回路部と電気的に接続された端子部１７」と、
　本願発明４の「前記光半導体層の前記厚み方向一方面に、前記光半導体層と接続されるように形成される電極部」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ａの「端子部１７」は、本願発明４の「電極部」に相当する。
（イ）　引用発明２Ａの「光半導体素子」は、「回路部が表面に形成された」ものであるから、引用発明２Ａの「端子部１７」は、「光半導体素子」と「電気的に接続された」ものといえる。
（ウ）　してみれば、両者は相当関係にある。
エ　引用発明２Ａの「前記光半導体素子の側面を被覆する封止樹脂１６」と、
　本願発明４の「前記光半導体層および前記電極部を被覆し、かつ、前記電極部の前記厚み方向一方面を露出する、光反射成分を含有する封止樹脂層」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ａの「封止樹脂１６」は、「光半導体素子・・・を被覆する」ものであり、「層」をなしているといえるから、本願発明４の「封止樹脂層」に相当する。
（イ）　引用発明２Ａの「封止樹脂１６」は、「光半導体素子の側面を被覆」し、「前記光半導体素子の裏面」を被覆するものであるから、「光半導体素子」を被覆するものであるといえる。
（ウ）　引用発明２Ａの「端子部１７」は、「前記光半導体素子の裏面に設けられ」るものであるところ、「前記封止樹脂１６により前記光半導体素子の裏面は被覆され、前記端子部１７は前記封止樹脂１６から露出」するから、引用発明２Ａの「封止樹脂１６」は、「端子部１７」を被覆し、「端子部１７」の「裏面」（「厚み方向一方面」）を「露出」するものであるといえる。
（エ）　してみれば、両者は、「前記光半導体層および前記電極部を被覆し、かつ、前記電極部の前記厚み方向一方面を露出する、封止樹脂層」である点で一致する。
オ　引用発明２Ａの「光半導体装置」と、
　本願発明４の「発光ダイオード素子」とを対比する。
　引用発明２Ａの「光半導体装置」は、「発光ダイオード」である「発光素子」を含むから、両者は相当関係にある。
（２）　以上より、本願発明４と引用発明２Ａとの一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「被覆層と、
　前記被覆層の厚み方向一方面に形成される光半導体層と、
　前記光半導体層の前記厚み方向一方面に、前記光半導体層と接続されるように形成される電極部と、
　前記光半導体層および前記電極部を被覆し、かつ、前記電極部の前記厚み方向一方面を露出する、封止樹脂層と
を備える、
　発光ダイオード素子。」
　相違点４−１：
　「被覆層」は、
　本願発明４では、「シート状に形成された蛍光体層」であり、「前記光半導体層の前記厚み方向他方面、および、前記封止樹脂層の前記厚み方向他方面の全てと接触」するものであるのに対し、
　引用発明２Ａの「被覆層」は、そのようなものではない点。
　相違点４−２：
　「封止樹脂層」は、
　本願発明４では、「光反射成分を含有する」ものであるのに対し、
　引用発明２Ａの「封止樹脂１６」は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
　相違点４−３：
　「電極部」は、
　本願発明４では、「前記電極部の前記厚み方向一方面と、前記封止樹脂層の前記厚み方向一方面とは、面一に形成されている」のに対し、
　引用発明２Ａでは、「前記端子部１７が露出する封止樹脂１６の外面と端子部１７の露出面とは、同一の面に位置」する点。
４　判断
　以下、相違点４−１〜４−３について検討する。
（１）　相違点４−１について検討する。
ア　引用文献２の図６（Ｄ）によれば、引用発明２Ａの「被覆層」１２は、「光半導体素子」の表面（下面）、および、「封止樹脂１６」の表面（下面）の全てと接触するものであることが見てとれる。
イ　引用文献２の【００１３】には、「被覆層」１２に関連して、「光半導体素子１１が・・・撮像素子である場合は、フィルタ等が付加される」旨が記載されているところ、「光半導体素子１１」が「発光ダイオード」である場合にも、「フィルタ等」の光学要素を付加しても良いことは、当業者にとって明らかである。
ウ　発光ダイオードの表面を覆う被覆層として蛍光体層を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した韓国公開特許第１０−２００９−００４０７７０号公報（以下「引用文献１」という。）（特に図２）、先の拒絶理由通知書で引用した特開２０１１−９５７２号公報（以下「引用文献３」という。）（特に【００４５】〜【００５３】、図６）参照。）（以下「周知技術１」という。）である。
エ　してみれば、引用発明２Ａにおいて、上記周知技術１を採用して、上記相違点４−１に係る本願発明４の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（２）　相違点４−２について検討する。
ア　引用発明２Ａの「封止樹脂１６」は、「無機フィラーが混入された遮光性のものである」。
イ　発光ダイオードに用いられる遮光性の樹脂として、光反射成分を含有する樹脂を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、先の拒絶理由通知書で引用した特開２００６−８６１９１号公報（以下「引用文献４」という。）（特に【００２７】〜【００３０】）参照。）（以下「周知技術２」という。）である。
ウ　また、発光ダイオードの封止樹脂として、光反射成分を含有する封止樹脂を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、引用文献１（特に図２）、引用文献３（特に【００４５】〜【００５３】、図６）参照。）（以下「周知技術３」という。）である。
エ　してみれば、引用発明２Ａの「遮光性の」「封止樹脂１６」として、上記周知技術２、３を採用して、上記相違点４−２に係る本願発明４の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（３）　相違点４−３について検討する。
ア　引用発明２Ａの「端子部１７」は、「前記光半導体素子の裏面に設けられ」るものであるところ、「前記封止樹脂１６により前記光半導体素子の裏面は被覆され、前記端子部１７は前記封止樹脂１６から露出し」、「端子部１７が露出する封止樹脂１６の外面と端子部１７の露出面とは、同一の面に位置する」から、引用発明２Ａの「封止樹脂１６」の裏面と、「端子部１７」の裏面とは、同一の面に位置するものであるといえる。
　してみれば、引用発明２Ａは、上記相違点４−３に係る本願発明４の発明特定事項を実質的に備えているといえる。
　よって、上記相違点４−３は実質的な相違点ではない。
イ　引用文献２の【００４１】には、「露出した端子部１７には、半田等から成るバンプ電極１８が形成される。」と記載されているから、「バンプ電極１８」について、念のため検討する。
（ア）　引用文献２の【００４１】には、「また、出した端子部１７に、メッキを施しても良いし、ボール状の電極を形成しても良い。」と記載されているから、「バンプ電極１８」は必須の構成ではないといえる。
（イ）　引用発明２Ａの「端子部」は、「封止樹脂１６を研磨装置で研磨することにより、封止樹脂１６から露出させるもの」である。
（ウ）　発光ダイオードの端子電極を、研磨することにより露出させ、露出した端子電極に別途バンプ電極等を設けないものは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、特開２００２−１１８２９３号公報（特に【００３６】、【００５９】、【００６８】、図３）、特表２００６−５０５１１８号公報（特に【００２６】〜【００３３】、【００３８】、図１Ａ〜１Ｆ）、特表２０１０−５１７２９０号公報（特に【００４６】、【００７９】〜【００８６】、図１４、図１５ａ〜１５ｄ）参照。）（以下「周知技術４」という。）である。
（エ）　してみれば、引用発明２Ａの「端子部１７」において、上記周知技術４を採用して、「バンプ電極１８」等を設けないことにより、上記相違点４−３に係る本願発明４の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
５　まとめ
　以上によれば、本願発明４は、当業者が引用発明２Ａ、引用文献２の記載事項及び上記周知技術１〜４に基いて容易に発明をすることができたものである。
第３　本願発明１について
１　本願発明１
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年１０月１４日付けの手続補正による特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　端子が設けられたベース基板と、前記ベース基板にフリップ実装される発光ダイオード素子とを備える発光ダイオード装置の製造方法であって、
　シート状の離型基材の厚み方向一方面に、蛍光体層を、前記厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程、
　光半導体層を、前記蛍光体層の前記厚み方向一方面に形成する工程、
　電極部を、前記光半導体層の前記厚み方向一方面に、前記光半導体層と接続されるように形成する工程、
　光反射成分を含有する封止樹脂層を、前記光半導体層および前記電極部を被覆するように形成する工程、
　前記封止樹脂層を、前記電極部の前記厚み方向一方面が露出されるように、部分的に除去することにより、前記蛍光体層、前記光半導体層および前記電極部を備える前記発光ダイオード素子を製造する工程、
　前記発光ダイオード素子を製造する工程の後に、前記発光ダイオード素子と前記ベース基板とを厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光ダイオード素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程、および、
　前記フリップチップ実装をする工程の後に、前記離型基材を、前記蛍光体層から引き剥がす工程
を備えることを特徴とする、発光ダイオード装置の製造方法。」
２　引用文献２の記載事項、及び引用発明２Ｂ
（１）　引用文献２の記載事項
　先の拒絶理由通知書で引用した引用文献２の記載事項は、上記第２の２（１）に記載したとおりである。
（２）　引用発明２Ｂ
ア　以下では、上記第２の２（１）オの【００４５】及び上記第２の２（１）クの図６に記載された発明を認定する。
　なお、上記第２の２（１）オの【００４４】〜【００４５】には、「上記の説明では、本発明に斯かる光半導体装置およびその製造方法について説明を行ったが、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。・・・例えば、図６を参照して、ウェハ２０を分離する工程に於いて、被覆層１２が分離されない程度に分離溝２４を設けることもできる」と記載されていることから、「ウェハ２０を分離する工程」以外の工程については、「上記の説明」である、上記第２の２（１）ウの記載、上記第２の２（１）エの記載、上記第２の２（１）カの図２及び上記第２の２（１）キの図５を参酌して発明を認定する。
イ　上記第２の２（１）アの請求項９、１６の記載、上記第２の２（１）エの【００３９】〜【００４１】及び上記第２の２（１）キの図５（Ａ）（Ｂ）から、引用文献２には、次の技術事項が記載されているといえる（なお、上記第２の２（１）アの請求項１６の「前記端子電極」（２箇所）は「前記端子部」の誤記と認めた。）。
「受光素子または発光素子を含む複数の回路部が表面に形成されたウェハを準備する工程と、
　前記ウェハの裏面から前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する工程と、
　前記光半導体素子の裏面に前記回路部と電気的に接続された端子部を設ける工程と、
　少なくとも前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する工程と、
　前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程とを有し、
　上記封止樹脂を形成する工程は、前記端子部および前記ウェハの裏面が被覆されるように前記封止樹脂を形成し、前記封止樹脂を研磨することで前記端子部を露出させる工程である、
　光半導体装置の製造方法。」
ウ　上記第２の２（１）アの請求項１７の記載、上記第２の２（１）エの【００３１】の記載及び上記第２の２（１）カの図２から、上記イの「受光素子または発光素子を含む複数の回路部が表面に形成されたウェハを準備する工程」と「前記ウェハの裏面から前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する工程」との間に、「前記回路部が被覆されるように前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程」を有するといえる。
エ　上記第２の２（１）イの【０００２】の記載から、上記イの「光半導体装置」は、「回路装置」としての「半導体装置」と同様に「電子機器にセットされる」ことは明らかであるから、引用文献２には、「光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法」が記載されているといえる。
オ　上記第２の２（１）ウの【００１４】の記載から、上記イの「光半導体素子」としては、「発光素子」を採用することができ、上記イの「発光素子」としては、「発光ダイオード」を採用することができるといえる。
カ　上記第２の２（１）エの【００３１】の記載から、上記ウの「被覆層」の「表面に」、「シート２２」を「貼り付け」る工程を有するといえる。
キ　上記第２の２（１）エの【００３１】の記載から、上記カの「シート２２」により、「後の工程で被覆層・・・に傷が付いてしまうのを防止することができる」といえる。
ク　上記第２の２（１）エの【００４２】の記載から、上記イの「分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程」の「後に・・・シート２２から」「光半導体装置」「の剥離を行」う工程を有するといえる。
ケ　上記第２の２（１）ウの【００１７】の記載から、上記イの「封止樹脂」は、「機械的強度の向上および耐湿性の向上のために、無機フィラーが混入された遮光性のもの」であるといえる。
コ　以上より、引用文献２には、上記第２の２（１）オの【００４５】及び上記第２の２（１）クの図６に記載された発明として、次の発明（以下「引用発明２Ｂ」という。）が記載されている。
「発光素子を含む複数の回路部が表面に形成されたウェハを準備する工程と、
　前記回路部が被覆されるように前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程と、
　前記被覆層の表面に、シート２２を貼り付ける工程と、
　前記ウェハの裏面から前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する工程と、
　前記光半導体素子の裏面に前記回路部と電気的に接続された端子部を設ける工程と、
　少なくとも前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する工程と、
　前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程と、
　前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程の後に、シート２２から光半導体装置の剥離を行う工程とを有し、
　前記封止樹脂を形成する工程は、前記端子部および前記ウェハの裏面が被覆されるように前記封止樹脂を形成し、前記封止樹脂を研磨することで前記端子部を露出させる工程である、
　光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法であって、
　前記発光素子は、発光ダイオードであり、
　前記シート２２により、後の工程で被覆層に傷が付いてしまうのを防止することができ、
　前記封止樹脂は、機械的強度の向上および耐湿性の向上のために、無機フィラーが混入された遮光性のものである、
　光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法。」
２　対比
（１）　本願発明１と引用発明２Ｂを対比する。
ア　引用発明２Ｂの「発光素子を含む」「光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法」と、
　本願発明１の「端子が設けられたベース基板と、前記ベース基板にフリップ実装される発光ダイオード素子とを備える発光ダイオード装置の製造方法」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「発光素子」は、「発光ダイオード」であるから、引用発明２Ｂの「発光素子を含む」「光半導体装置」は、本願発明１の「発光ダイオード素子」に相当する。
（イ）　引用発明２Ｂの「電子機器」は、「光半導体装置がセットされる」ものであるから、本願発明１の「発光ダイオード装置」に相当する。
（ウ）　してみれば、両者は、「発光ダイオード素子を備える発光ダイオード装置の製造方法」である点で一致する。
イ　引用発明２Ｂの「被覆層の表面に、シート２２を貼り付ける工程」と、
　本願発明１の「シート状の離型基材の厚み方向一方面に、蛍光体層を、前記厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「シート２２」は、「前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程の後に・・・光半導体装置の剥離を行」うものであるから、本願発明１の「シート状の離型基材」に相当する。
（イ）　引用発明２Ｂは、「被覆層の表面に、シート２２を貼り付ける」から、「シート２２」の裏面に「被覆層」を貼り付けるといえるところ、当該裏面は、本願発明１の「厚み方向一方面」に相当する。
（ウ）　引用発明２Ｂの「貼り付ける工程」と、本願発明１の「形成する工程」とを対比する。
ａ　まず、本願発明１の「形成する工程」の技術的意味について検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、蛍光体層を「形成する工程」について、「例えば、上記した蛍光体組成物を、仮想線で示す離型基材１８の表面に塗布して、シート状の蛍光体皮膜（図示せず）を形成する。」（【０１００】）ことが例示されているものの、「形成する工程」が、上記「塗布」工程に限定されるとの明確な定義はない。
　一方、平成２７年２月２５日付け手続補正書による補正後の本願の発明の詳細な説明には、「光半導体層３は、蛍光体層１７の上面において、面方向に互いに間隔を隔てて複数
形成する
積層する
　また、平成２７年２月２５日付け手続補正書により、補正前の本願の発明の詳細な説明の【０１４４】に「蛍光体層の上に、・・・半導体層を、上記したパターンで順次
形成した
配置した
　してみれば、本願発明１の「形成する工程」は、「積層」又は「配置」する工程を含む工程であるといえる。
ｂ　そして、引用発明２Ｂの「貼り付ける工程」は、「被覆層」と「シート２２」とを積む又は置く工程であるといえ、「積層」又は「配置」する工程であるといえるから、両者は相当関係にある。
（エ）　引用発明２Ｂの「被覆層」と、本願発明１の「蛍光体層」とを対比する。
ａ　本願の発明の詳細な説明の【０００２】によれば、一般に「蛍光体層」は、「ＬＥＤを被覆する・・・層」であるといえる。
ｂ　上記ａに照らして、本願の図１を見ると、本願発明１の「蛍光体層」１７は、「被覆層」であるといえる。
ｃ　してみれば、引用発明２Ｂの「被覆層」と、本願発明１の「蛍光体層」とは、「被覆層」である点で一致する。
（オ）　以上より、両者は、「シート状の離型基材の厚み方向一方面に、被覆層を形成する工程」である点で一致する。
ウ　引用発明２Ｂの「『前記回路部が被覆されるように前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程』及び『前記ウェハの裏面から前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する工程』」と、
　本願発明１の「光半導体層を、前記蛍光体層の前記厚み方向一方面に形成する工程」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「光半導体素子」は、技術常識から「層」をなしているといえるから、本願発明１の「光半導体層」に相当する。
（イ）　引用発明２Ｂは、「前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する」から、引用発明２Ｂの「光半導体素子」は、「ウェハ」を分離したものといえる。
　また、引用発明２Ｂは、「前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する」から、「ウェハ」を「被覆層」の裏面に「貼着する」といえる。
　してみれば、引用発明２Ｂは、「光半導体素子」を「被覆層」の裏面に「貼着する」といえるところ、当該裏面は、本願発明１の「厚み方向一方面」に相当する。
（ウ）　引用発明２Ｂの「貼着する工程」と、本願発明１の「形成する工程」とを対比する。
ａ　まず、本願発明１の「形成する工程」の技術的意味について検討する。
　平成２７年２月２５日付け手続補正書による補正後の本願の発明の詳細な説明には、「光半導体層３は、蛍光体層１７の上面において、面方向に互いに間隔を隔てて複数
形成する
積層する
　また、平成２７年２月２５日付け手続補正書により、補正前の本願の発明の詳細な説明の【０１４４】に「蛍光体層の上に、・・・半導体層を、上記したパターンで順次
形成した
配置した
　してみれば、本願発明１の「形成する工程」は、「積層」又は「配置」する工程を含む工程であるといえる。
ｂ　そして、引用発明２Ｂの「貼着する工程」は、「光半導体素子」と「被覆層」とを積む又は置く工程であるといえ、「積層」又は「配置」する工程であるといえるから、両者は相当関係にある。
（エ）　してみれば、両者は、「光半導体層を、被覆層の前記厚み方向一方面に形成する工程」である点で一致する。
エ　引用発明２Ｂの「前記光半導体素子の裏面に前記回路部と電気的に接続された端子部を設ける工程」と、
　本願発明１の「電極部を、前記光半導体層の前記厚み方向一方面に、前記光半導体層と接続されるように形成する工程」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「端子部」は、本願発明１の「電極部」に相当する。
（イ）　引用発明２Ｂの「端子部」は、「前記光半導体素子の裏面」に設けるものであるところ、該裏面は、本願発明１の「厚み方向一方面」に相当する。
（ウ）　引用発明２Ｂは、「前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する」から、引用発明２Ｂの「光半導体素子」は、「回路部が表面に形成された」「ウェハ」を分離したものといえる。
　よって、引用発明２Ｂの「端子部」は、「回路部が表面に形成された」「光半導体素子」と「電気的に接続された」ものといえる。
（エ）　してみれば、両者は相当関係にある。
オ　引用発明２Ｂの「前記端子部および前記ウェハの裏面が被覆されるように」、「少なくとも前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する工程」と、
　本願発明１の「光反射成分を含有する封止樹脂層を、前記光半導体層および前記電極部を被覆するように形成する工程」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「封止樹脂」は、「前記端子部および前記ウェハの裏面」を「被覆」するものであり、「層」をなしているといえるから、本願発明１の「封止樹脂層」に相当する。
（イ）　引用発明２Ｂは、「前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する」から、引用発明２Ｂの「光半導体素子」は、「ウェハ」を分離したものといえる。
　よって、引用発明２Ｂの「封止樹脂を形成する工程」は、「端子部」および「光半導体素子」の「裏面を被覆されるように」、「封止樹脂を形成する工程」であるといえる。
（ウ）　してみれば、両者は、「封止樹脂層を、前記光半導体層および前記電極部を被覆するように形成する工程」である点で一致する。
カ　引用発明２Ｂの「『前記封止樹脂を研磨することで前記端子部を露出させる工程』及び『個々の光半導体装置に分離する工程』」と、
　本願発明１の「前記封止樹脂層を、前記電極部の前記厚み方向一方面が露出されるように、部分的に除去することにより、前記蛍光体層、前記光半導体層および前記電極部を備える前記発光ダイオード素子を製造する工程」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「封止樹脂」は、「前記端子部・・・の裏面を被覆されるように」形成するものであるから、「前記端子部を露出させる工程」は、「前記端子部」の裏面（厚み方向一方面）を「露出させる工程」であるといえる。
（イ）　引用発明２Ｂの「前記封止樹脂を研磨する」工程は、「端子部を露出させる」工程であるから、「封止樹脂」をすべて研磨することではないことは明らかであり、「封止樹脂」を部分的に除去する工程であるといえる。
（ウ）　引用発明２Ｂの「光半導体装置」は、「被覆層」、「光半導体素子」および「端子部」を含むものであり、引用発明２Ｂの「個々の光半導体装置に分離する工程」は、「個々の光半導体装置」を製造する工程であるといえる。
（エ）　してみれば、両者は、「前記封止樹脂層を、前記電極部の前記厚み方向一方面が露出されるように、部分的に除去することにより、前記被覆層、前記光半導体層および前記電極部を備える前記発光ダイオード素子を製造する工程」である点で一致する。
キ　引用発明２Ｂの「前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程の後に、シート２２から光半導体装置の剥離を行う工程」と、
　本願発明１の「前記フリップチップ実装をする工程の後に、前記離型基材を、前記蛍光体層から引き剥がす工程」とを対比する。
（ア）　引用発明２Ｂの「シート２２」は、「被覆層の表面に・・・貼り付ける」ものであるから、引用発明２Ｂの「シート２２から光半導体装置の剥離を行う工程」は、「シート２２から被覆層の剥離を行う工程」であり、「シート２２」を「被覆層」から剥離する工程であるといえる。
（イ）　してみれば、両者は、「前記離型基材を、前記被覆層から引き剥がす工程」である点で一致する。
（２）　以上より、本願発明１と引用発明２Ｂとの一致点及び相違点は、次のとおりである。
　一致点：
「発光ダイオード素子を備える発光ダイオード装置の製造方法であって、
　シート状の離型基材の厚み方向一方面に、被覆層を形成する工程、
　光半導体層を、被覆層の前記厚み方向一方面に形成する工程、
　電極部を、前記光半導体層の前記厚み方向一方面に、前記光半導体層と接続されるように形成する工程、
　封止樹脂層を、前記光半導体層および前記電極部を被覆するように形成する工程、
　前記封止樹脂層を、前記電極部の前記厚み方向一方面が露出されるように、部分的に除去することにより、前記被覆層、前記光半導体層および前記電極部を備える前記発光ダイオード素子を製造する工程、および、
　前記離型基材を、前記被覆層から引き剥がす工程
を備える、発光ダイオード装置の製造方法。」
　相違点１−１：
　本願発明１における「被覆層」は、「蛍光体層」であるとともに、
　本願発明１における「離型基材・・・に、被覆層を形成する工程」及び「光半導体層を、被覆層・・・に形成する工程」は、「シート状の離型基材の厚み方向一方面に、蛍光体層を、前記厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程」及び「光半導体層を、前記蛍光体層の前記厚み方向一方面に形成する工程」であり、
　本願発明１の「発光ダイオード装置」は、「端子が設けられたベース基板と、前記ベース基板にフリップ実装される発光ダイオード素子とを備える」ものであるとともに、
　本願発明１の「発光ダイオード装置の製造方法」は、「前記発光ダイオード素子を製造する工程の後に、前記発光ダイオード素子と前記ベース基板とを厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光ダイオード素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程」及び「前記フリップチップ実装をする工程の後に、前記離型基材を、前記蛍光体層から引き剥がす工程」を備えるのに対し、
　引用発明２Ｂの「被覆層」は、「蛍光体層」ではないとともに、
　引用発明２Ｂにおける「離型基材・・・に、被覆層を形成する工程」及び「光半導体層を、被覆層・・・に形成する工程」は、「厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程」を備えるのか否か明らかでないとともに、両工程の順序が明らかではなく、
　引用発明２Ｂの「光半導体装置がセットされる電子機器」は、「端子が設けられたベース基板」を備え、「光半導体装置」が「前記ベース基板にフリップ実装される」ものではないとともに、
　引用発明２Ｂの「光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法」は、「前記発光ダイオード素子を製造する工程の後に、・・・前記発光ダイオード素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程」及び「前記フリップチップ実装をする工程の後に、前記離型基材を、・・・引き剥がす工程」を備えない点。
　相違点１−２：
　「封止樹脂層」は、
　本願発明１では、「光反射成分を含有する」ものであるのに対し、
　引用発明２Ｂの「封止樹脂」は、そのようなものであるのか否か明らかでない点。
３　判断
　以下、相違点１−１〜１−２について検討する。
（１）　相違点１−１について検討する。
ア　「蛍光体層」について
（ア）　引用文献２の図２（Ｂ）によれば、引用発明２Ｂの「前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程」における「被覆層」１２は、被覆層の裏面（被覆層のウェハ側の面）が平坦なシート状に形成するものであることが見てとれる。
（イ）　引用文献２の【００１３】には、「被覆層」１２に関連して、「光半導体素子１１が・・・撮像素子である場合は、フィルタ等が付加される」旨が記載されているところ、「光半導体素子１１」が「発光ダイオード」である場合にも、「フィルタ等」の光学要素を付加しても良いことは、当業者にとって明らかである。
　そして、発光ダイオードの表面を覆う被覆層として蛍光体層を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、上記周知技術１参照。）である。
（ウ）　してみれば、引用発明２Ｂにおいて、上記周知技術１を採用して、引用発明２Ｂの「被覆層」１２を、「蛍光体層」とするともに、「シート状の離型基材の厚み方向一方面に、蛍光体層を、前記厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程」を備えることに、格別の困難性はない。
イ　「フリップ実装」について
（ア）　引用発明２Ｂの「光半導体装置」は、「端子部」を「光半導体素子の裏面」に設ける「発光ダイオード」を含むものである。
（イ）　端子部を裏面に設ける発光ダイオードを、「発光ダイオードを製造する工程の後に、発光ダイオードとベース基板とを厚み方向に対向配置させ、発光ダイオードの電極部とベース基板の端子とを電気的に接続して、発光ダイオードをベース基板にフリップチップ実装する」ことは、本願の優先日時点における周知技術（必要ならば、引用文献１（特に図９）参照。）（以下「周知技術５」参照。）である。
（ウ）　してみれば、引用発明２Ｂにおいて、上記周知技術５を採用して、引用発明２Ｂの「光半導体装置」を、「端子が設けられたベース基板と、前記ベース基板にフリップ実装される発光ダイオード素子とを備える」ものとし、「前記発光ダイオード素子を製造する工程の後に、前記発光ダイオード素子と前記ベース基板とを厚み方向に対向配置させ、前記電極部と前記端子とを電気的に接続して、前記発光ダイオード素子を前記ベース基板にフリップチップ実装する工程」を備えることは、当業者にとって明らかである。
ウ　「離型基材」について
（ア）　引用発明２Ｂの「シート２２」は、「後の工程で被覆層１２に傷が付いてしまうのを防止する」ものである。
　してみれば、引用発明２Ｂの「光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法」において、より多くの工程で「被覆層１２に傷が付いてしまうのを防止する」ために、引用発明２Ｂの「シート２２」を、最初の工程で貼り付け、最後の工程で剥離することは、当業者が適宜なしうることである。
（イ）　そして、上記アを踏まえると、引用発明２Ｂの「シート２２」を、最初の工程で貼り付け、「シート状の離型基材の厚み方向一方面に、蛍光体層を、前記厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程」の後に、「光半導体層を、前記蛍光体層の前記厚み方向一方面に形成する工程」を行うことは、当業者が容易に想到しうることである。
　また、上記イを踏まえると、引用発明２Ｂの「シート２２」を、「光半導体装置がセットされる電子機器の製造方法」の最後の工程で剥離するために、「前記分離溝に沿った個々の光半導体装置に分離する工程」（引用文献２の図６（Ｄ））で「シート２２」を切断して個々の光半導体装置に分離し、個々に分離した光半導体装置を「フリップチップ実装をする工程の後に、前記離型基材を、前記蛍光体層から引き剥がす工程」を備えることは、当業者が容易に想到しうることである。
エ　以上より、引用発明２Ｂにおいて、引用文献２の記載事項を参酌し、上記周知技術１、５を採用して、上記相違点１−１に係る本願発明１の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
（３）　相違点１−２について検討する。
ア　引用発明２Ｂの「封止樹脂」は、「無機フィラーが混入された遮光性のものである」。
イ　発光ダイオードに用いられる遮光性の樹脂として、光反射成分を含有する樹脂を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、上記周知技術２参照。）である。
ウ　また、発光ダイオードの封止樹脂として、光反射成分を含有する封止樹脂を用いることは、本願の優先日時点で周知の技術（必要ならば、上記周知技術３参照。）である。
エ　してみれば、引用発明２Ｂの「遮光性の」「封止樹脂」として、上記周知技術２、３を採用して、上記相違点１−２に係る本願発明１の発明特定事項となすことに、格別の困難性はない。
４　請求人の主張について
（１）　請求人は、平成２７年１０月１４日付け意見書において、
「つまり、引用文献２の被覆層１２は、その上面が、分離溝２４によって凹凸状に形成されており、本発明の蛍光体層のように平坦状ではありません。
　一方、本発明は、蛍光体層を、厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程を備えるので、簡便に蛍光体層を形成でき、そのため、発光ダイオード装置の製造方法の製造コストを低減することができます。
　しかも、本発明は、蛍光体層を形成した後に、光半導体層を、蛍光体層の平坦な厚み方向一方面において、いずれの場所にも配置することができます。つまり、光半導体層を、蛍光体層の厚み方向一方面に対して、高い自由度で配置することができます。
　一方、引用文献２には、上記した製造コストの低減を図ることができません。また、引用文献２の図６（Ａ）に示すように、光半導体素子１１を、被覆層１２の凸部（分離溝２４に仕切られた部分）の上面に設ける必要があり、本発明のように、高い自由度で、被覆層１２を設置することができません。」と主張している。
（２）　しかし、上記「３　判断」（１）アで検討したように、引用発明２Ｂの「前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程」における「被覆層１２」は、被覆層の裏面（被覆層のウェハ側の面）が平坦なシート状に形成するものであり、「シート状の離型基材の厚み方向一方面に、蛍光体層を、前記厚み方向一方面が平坦なシート状に形成する工程」を備えることに、格別の困難性はない。
　一方、請求人が主張している「分離溝２４」は、引用発明２Ｂの「前記ウェハの裏面から前記ウェハが分離されるように分離溝を形成して個々の光半導体素子に分離する工程」（引用文献２の図６（Ａ））において形成されるものであって、「前記ウェハの表面に透明な被覆層を貼着する工程」（引用文献２の図２（Ｂ））よりも後の工程において形成されるものである。
　また、上記「発光ダイオード装置の製造方法の製造コストを低減する」作用効果、及び上記「光半導体層を、蛍光体層の厚み方向一方面に対して、高い自由度で配置する」作用効果については、引用文献２に明記がないものの、平坦なシート状の被覆層に、ウェハを貼着していることから、同様の作用効果を奏しているものと認められる。
５　まとめ
　以上によれば、本願発明１は、当業者が引用発明２Ｂ、引用文献２の記載事項及び上記周知技術１〜３、５に基いて容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明１及び本願発明４は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。