【手続補正書】
【提出日】令和2年11月13日(2020.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学デバイスであって、
第１の偏光格子構造であって、
液晶分子を備える第１の複数の液晶サブ層であって、前記液晶分子は、側方軸に沿って第１の周期性を有する反復ユニットを形成する、第１の複数の液晶サブ層
を備え、前記反復ユニットは、前記第１の複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、第１の偏移距離だけ側方に偏移され、前記第１の偏移距離だけ偏移される前記反復ユニットは、前記側方軸に対する法線に対して第１の傾斜角度を画定し、前記法線は、前記第１の偏光格子構造の厚さ軸に沿って延在する、第１の偏光格子構造と、
前記第１の偏光格子構造にわたる第２の偏光格子構造であって、前記第２の偏光格子構造は、
液晶分子を備える第２の複数の液晶サブ層であって、前記液晶分子は、前記側方軸に沿って第２の周期性を有する反復ユニットを形成する、第２の複数の液晶サブ層
を備え、前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、第２の偏移距離だけ側方に偏移され、前記第２の偏移距離だけ偏移される前記反復ユニットは、前記側方軸に対する法線に対して第２の傾斜角度を画定する、第２の偏光格子構造と
を備え、
前記第１の傾斜角度および第２の傾斜角度の大きさは、異なり、
前記第１の偏移距離は、前記第２の偏移距離より大きく、
前記第１の複数の液晶サブ層は、前記第２の複数の液晶サブ層の第２の合計偏移より大きい第１の合計偏移だけ側方に偏移される、デバイス。
【請求項２】
前記第１の偏光格子構造の複数のサブ層のそれぞれ内の液晶分子は、第１の捻転角度だけ捻転され、
前記液晶分子の配向は、側方視または上下視において見られるように、前記サブ層のそれぞれを横断して反復パターンで側方に変動し、
前記第１の偏光格子構造の複数の液晶サブ層内の前記反復ユニットはそれぞれ、類似配向進行性を有する複数の液晶分子によって形成される、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の連続的により高いレベルの前記液晶サブ層の反復ユニットは、同一方向に偏移される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第２の偏光格子構造の複数のサブ層のそれぞれ内の液晶分子は、第２の捻転角度だけ捻転され、
前記液晶分子の配向は、側方視または上下視において見られるように、前記サブ層のそれぞれを横断して反復パターンで側方に変動し、
前記第２の偏光格子構造の複数の液晶サブ層内の前記反復ユニットはそれぞれ、類似配向進行性を有する複数の液晶分子によって形成される、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記複数のサブ層内の液晶分子は、重合液晶材料の一部である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記複数のサブ層内の液晶分子は、液晶性ジアクリレートを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記複数のサブ層は、キラルドーパントでドープされる、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記液晶分子は、約−８５度〜８５度の傾斜角度（θ１）を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記液晶分子は、前記傾斜角度に対して約−２０度〜２０度の入射角（θｉｎｃ）で前記偏光格子構造上に入射する光のビームの少なくとも４０％を回折するように構成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第２の偏光格子構造にわたる第３の偏光格子構造をさらに備え、前記第３の偏光格子構造は、液晶分子を備える複数の液晶サブ層を含み、
前記液晶分子は、第３の周期性を有する反復ユニットを形成し、
前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、第３の偏移距離だけ側方に偏移され、前記第３の偏移距離だけ偏移される前記反復ユニットは、前記側方軸に対する法線に対して第３の傾斜角度を画定し、
前記第１、第２、および第３の傾斜角度の大きさは、異なる、
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１、第２、および第３の偏光格子構造のそれぞれの液晶サブ層は、前記第１、第２、および第３の偏光格子構造のその他と異なる組成を有する、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、導波管にわたり、
前記導波管にわたるテンプレート層であって、前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造下にあるテンプレート層
をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、光の入射ビームが、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬するように、前記光の入射ビームを前記導波管の中に内部結合するように構成される内部結合光学要素である、請求項１２に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造を介して、光を前記導波管の中に指向するように構成される光変調デバイスをさらに備える、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬する光の入射ビームを外部結合するように構成される外部結合光学要素である、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬する光を再指向するように構成される直交瞳エクスパンダであり、前記再指向される光は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬し続ける、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１７】
導波管のスタックをさらに備え、各導波管は、異なる大きさの傾斜角度を有する複数の液晶サブ層を備える第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造を備える、請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１８】
光学デバイスであって、
第１の厚さを有する第１の偏光格子構造であって、前記第１の偏光格子構造は、
液晶分子およびキラルドーパントを備える第１の複数の液晶サブ層
を備える、第１の偏光格子構造と、
前記第１の偏光格子構造にわたる第２の偏光格子構造であって、前記第２の偏光格子構造は、第２の厚さを有し、
液晶分子およびキラルドーパントを備える第２の複数の液晶サブ層
を備える、第２の偏光格子構造と
を備え、
前記第１の偏光格子構造と第２の偏光格子構造との間では、
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の厚さ、
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造内のキラルドーパントの濃度、または
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造のキラルドーパント
のうちの少なくとも１つが異なり、前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の異なるキラルドーパントは、同一掌性を有する、デバイス。
【請求項１９】
前記液晶分子は、キラルネマチック液晶分子である、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造のキラルドーパント濃度は、約０．１重量％以上異なる、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の厚さは、約１０μｍ未満の量だけ異なる、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２２】
光学デバイスを加工するための方法であって、前記方法は、
整合層を基板にわたって提供することと、
前記整合層をパターン化することと、
第１の液晶層を前記整合層上に堆積させることと、
前記第１の液晶層の液晶分子と前記整合層を整合させ、それによって、第１の複数のレベルの反復液晶分子を形成し、第１の傾斜角度を画定することと、
第２の液晶層を前記第１の液晶層上に堆積させることと、
前記第２の液晶層の液晶分子と第１の液晶層の直下の液晶分子を整合させ、それによって、第２の複数のレベルの反復液晶分子を形成し、第２の傾斜角度を画定することと
を含み、
前記第１の傾斜角度および第２の傾斜角度の大きさは、異なる、方法。
【請求項２３】
前記整合層をパターン化することは、前記整合層内の溝のパターンを画定することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記整合層内の溝のパターンを画定することは、ナノインプリントを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記整合層をパターン化することは、干渉パターンを前記整合層内に記録することを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
付加的整合層を前記第１の液晶層にわたって堆積させることと、
前記付加的整合層をパターン化することと
をさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
ディスプレイシステムであって、
光学的に透過性の導波管と、
内部結合光学要素、射出瞳エクスパンダ、または直交瞳エクスパンダを前記導波管の表面上に形成する回折光学要素であって、
前記回折光学要素は、液晶分子を備える複数の液晶サブ層を備え、
前記液晶分子は、側方軸に沿って周期性を有する反復ユニットを形成し、
前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、ある偏移距離だけ側方に偏移され、前記偏移距離は、前記側方軸に対する法線に対してある傾斜角度を画定し、前記法線は、前記第１の偏光格子構造の厚さ軸に沿って延在する、回折光学要素と
を備える、システム。
【請求項２８】
導波管は、導波管のスタックの一部であり、
前記導波管はそれぞれ、液晶分子を備える複数の液晶サブ層を備える関連付けられた回折光学要素を有し、
前記液晶分子は、ある周期性を有する反復ユニットを形成し、前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、ある偏移距離だけ側方に偏移され、前記偏移距離は、前記側方軸に対する前記法線に対してある傾斜角度を画定する、請求項２７に記載のシステム。
【請求項２９】
光学デバイスを加工するための方法であって、前記方法は、
第１の液晶層を、基板と、第１のパターンで配列される複数の表面特徴を含む第１のインプリントテンプレートと接触して提供することと、
前記第１の液晶層の分子と前記表面特徴を整合させ、それによって、第１の複数のレベルの反復液晶分子を形成し、第１の傾斜角度を画定することと
を含む、方法。
【請求項３０】
前記第１の液晶層の分子を重合化することと、
前記第１のインプリントテンプレートを除去することと、
第２の液晶層を前記第１の液晶層と接触して堆積させることと、
前記第２の液晶層の分子と前記第１の液晶層の分子を整合させることと
をさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記第１の液晶層と第２の液晶層との間では、
前記第１の液晶層および第２の液晶層の厚さ、
前記第１の液晶層および第２の液晶層内のキラルドーパントの濃度、または
前記第１の液晶層および第２の液晶層のキラルドーパント
のうちの少なくとも１つが異なり、前記第１の液晶層および第２の液晶層の異なるキラルドーパントは、同一掌性を有する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
第１の液晶層を、基板と、第１のインプリントテンプレートと接触して提供することは、
前記第１の液晶層を前記基板上に堆積させることと、
前記第１の液晶層と前記第１のインプリントテンプレートを接触させることと
を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の液晶層の分子を重合化することと、
前記第１のインプリントテンプレートを除去することと、
第２の液晶層を前記第１の液晶層と接触して堆積させることと、
前記第２の液晶層と第２のインプリントテンプレートを接触させることと、
前記第２の液晶層の分子と前記第２のインプリントテンプレート内の表面特徴のパターンを整合させることと
をさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１の液晶層の分子を重合化することと、
前記第１のインプリントテンプレートを除去することと、
平面化層を前記第１の液晶層にわたって形成することと、
第２の液晶層を前記平面化層にわたって堆積させることと、
前記第２の液晶層と第２のインプリントテンプレートを接触させることと、
前記第２の液晶層の分子と前記第２のインプリントテンプレート内の表面特徴のパターンを整合させることと
をさらに含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３５】
前記第１の複数の液晶サブ層の隣接するサブ層間の前記厚さ軸に沿った間隔は、前記第２の複数の液晶サブ層の隣接するサブ層間の前記厚さ軸に沿った間隔より大きい、請求項１に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本明細書に説明される主題の１つ以上の実施形態の詳細は、付随の図面および下記の説明に記載される。他の特徴、側面、および利点は、説明、図面、および請求項から明白となるであろう。以下の図の相対的寸法は、正確な縮尺で描かれていない場合があることに留意されたい。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
光学デバイスであって、
第１の偏光格子構造であって、
液晶分子を備える第１の複数の液晶サブ層であって、前記液晶分子は、側方軸に沿って第１の周期性を有する反復ユニットを形成する第１の複数の液晶サブ層
を備え、前記反復ユニットは、前記第１の複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、第１の偏移距離だけ側方に偏移され、前記第１の偏移距離だけ偏移される前記反復ユニットは、前記側方軸に対する法線に対して第１の傾斜角度を画定し、前記法線は、前記第１の偏光格子構造の厚さ軸に沿って延在する、第１の偏光格子構造と、
前記第１の偏光格子構造にわたる第２の偏光格子構造であって、前記第２の偏光格子構造は、
液晶分子を備える第２の複数の液晶サブ層であって、前記液晶分子は、前記側方軸に沿って第２の周期性を有する反復ユニットを形成する、第２の複数の液晶サブ層
を備え、前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、第２の偏移距離だけ側方に偏移され、前記第２の偏移距離だけ偏移される前記反復ユニットは、前記側方軸に対する法線に対して第２の傾斜角度を画定する、第２の偏光格子構造と
を備え、
前記第１の傾斜角度および第２の傾斜角度の大きさは、異なる、デバイス。
（項目２）
前記第１の偏光格子構造の複数のサブ層のそれぞれ内の液晶分子は、第１の捻転角度だけ捻転され、
前記液晶分子の配向は、側方視または上下視において見られるように、前記サブ層のそれぞれを横断して反復パターンで側方に変動し、
前記第１の偏光格子構造の複数の液晶サブ層内の前記反復ユニットはそれぞれ、類似配向進行性を有する複数の液晶分子によって形成される、
項目１に記載のデバイス。
（項目３）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の連続的により高いレベルの前記液晶サブ層の反復ユニットは、同一方向に偏移される、項目１に記載のデバイス。
（項目４）
前記第２の偏光格子構造の複数のサブ層のそれぞれ内の液晶分子は、第２の捻転角度だけ捻転され、
前記液晶分子の配向は、側方視または上下視において見られるように、前記サブ層のそれぞれを横断して反復パターンで側方に変動し、
前記第２の偏光格子構造の複数の液晶サブ層内の前記反復ユニットはそれぞれ、類似配向進行性を有する複数の液晶分子によって形成される、
項目１に記載のデバイス。
（項目５）
前記複数のサブ層内の液晶分子は、重合液晶材料の一部である、項目１に記載のデバイス。
（項目６）
前記複数のサブ層内の液晶分子は、液晶性ジアクリレートを備える、項目１に記載のデバイス。
（項目７）
前記複数のサブ層は、キラルドーパントでドープされる、項目１に記載のデバイス。
（項目８）
前記液晶分子は、約−８５度〜８５度の傾斜角度（θ１）を有する、項目１に記載のデバイス。
（項目９）
前記液晶分子は、前記傾斜角度に対して約−２０度〜２０度の入射角（θｉｎｃ）で前記偏光格子構造上に入射する光のビームの少なくとも４０％を回折するように構成される、項目１に記載のデバイス。
（項目１０）
前記第２の偏光格子構造にわたる第３の偏光格子構造をさらに備え、前記第３の偏光格子構造は、液晶分子を備える複数の液晶サブ層を含み、
前記液晶分子は、第３の周期性を有する反復ユニットを形成し、
前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、第３の偏移距離だけ側方に偏移され、前記第３の偏移距離だけ偏移される前記反復ユニットは、前記側方軸に対する法線に対して第３の傾斜角度を画定し、
前記第１、第２、および第３の傾斜角度の大きさは、異なる、
項目１に記載のデバイス。
（項目１１）
前記第１、第２、および第３の偏光格子構造のそれぞれの液晶サブ層は、前記第１、第２、および第３の偏光格子構造のその他と異なる組成を有する、項目１０に記載のデバイス。
（項目１２）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、導波管にわたり、
前記導波管にわたるテンプレート層であって、前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造下にあるテンプレート層
をさらに備える、項目１に記載のデバイス。
（項目１３）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、前記光の入射ビームが、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬するように、光の入射ビームを前記導波管の中に内部結合するように構成される内部結合光学要素である、項目１２に記載のデバイス。
（項目１４）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造を介して、光を前記導波管の中に指向するように構成される光変調デバイスをさらに備える、項目１３に記載のデバイス。
（項目１５）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬する光の入射ビームを外部結合するように構成される外部結合光学要素である、項目１３に記載のデバイス。
（項目１６）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬する光を再指向するように構成される直交瞳エクスパンダであり、前記再指向される光は、全内部反射によって前記導波管を通して伝搬し続ける、項目１３に記載のデバイス。
（項目１７）
導波管のスタックをさらに備え、各導波管は、異なる大きさの傾斜角度を有する複数の液晶サブ層を備える第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造を備える、項目１３に記載のデバイス。
（項目１８）
光学デバイスであって、
第１の厚さを有する第１の偏光格子構造であって、前記第１の偏光格子構造は、
液晶分子およびキラルドーパントを備える第１の複数の液晶サブ層
を備える、第１の偏光格子構造と、
前記第１の偏光格子構造にわたる第２の偏光格子構造であって、前記第２の偏光格子構造は、第２の厚さを有し、
液晶分子およびキラルドーパントを備える第２の複数の液晶サブ層
を備える、第２の偏光格子構造と
を備え、
前記第１の偏光格子構造と第２の偏光格子構造との間では、
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の厚さ、
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造内のキラルドーパントの濃度、または
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造のキラルドーパント
のうちの少なくとも１つが異なり、前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の異なるキラルドーパントは、同一掌性を有する、デバイス。
（項目１９）
前記液晶分子は、キラルネマチック液晶分子である、項目１８に記載のデバイス。
（項目２０）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造のキラルドーパント濃度は、約０．１重量％以上異なる、項目１８に記載のデバイス。
（項目２１）
前記第１の偏光格子構造および第２の偏光格子構造の厚さは、約１０μｍ未満の量だけ異なる、項目１８に記載のデバイス。
（項目２２）
光学デバイスを加工するための方法であって、前記方法は、
整合層を基板にわたって提供することと、
前記整合層をパターン化することと、
第１の液晶層を前記整合層上に堆積させることと、
前記第１の液晶層の液晶分子と前記整合層を整合させ、それによって、第１の複数のレベルの反復液晶分子を形成し、第１の傾斜角度を画定することと、
第２の液晶層を前記第１の液晶層上に堆積させることと、
前記第２の液晶層の液晶分子と第１の液晶層の直下の液晶分子を整合させ、それによって、第２の複数のレベルの反復液晶分子を形成し、第２の傾斜角度を画定することと
を含み、
前記第１の傾斜角度および第２の傾斜角度の大きさは、異なる、方法。
（項目２３）
前記整合層をパターン化することは、前記整合層内の溝のパターンを画定することを含む、項目２２に記載の方法。
（項目２４）
前記整合層内の溝のパターンを画定することは、ナノインプリントを含む、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
前記整合層をパターン化することは、干渉パターンを前記整合層内に記録することを含む、項目２２に記載の方法。
（項目２６）
付加的整合層を前記第１の液晶層にわたって堆積させることと、
前記付加的整合層をパターン化することと
をさらに含む、項目２２に記載の方法。
（項目２７）
ディスプレイシステムであって、
光学的に透過性の導波管と、
内部結合光学要素、射出瞳エクスパンダ、または直交瞳エクスパンダを前記導波管の表面上に形成する回折光学要素であって、
前記回折光学要素は、液晶分子を備える複数の液晶サブ層を備え、
前記液晶分子は、側方軸に沿って周期性を有する反復ユニットを形成し、
前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、ある偏移距離だけ側方に偏移され、前記偏移距離は、前記側方軸に対する法線に対してある傾斜角度を画定し、前記法線は、前記第１の偏光格子構造の厚さ軸に沿って延在する、回折光学要素と
を備える、システム。
（項目２８）
導波管は、導波管のスタックの一部であり、
前記導波管はそれぞれ、液晶分子を備える複数の液晶サブ層を備える関連付けられた回折光学要素を有し、
前記液晶分子は、ある周期性を有する反復ユニットを形成し、前記反復ユニットは、前記複数のサブ層のうちの１つに直ぐ隣接する類似反復ユニットと比較して、ある偏移距離だけ側方に偏移され、前記偏移距離は、前記側方軸に対する法線に対してある傾斜角度を画定する、項目２７に記載のシステム。
（項目２９）
光学デバイスを加工するための方法であって、前記方法は、
第１の液晶層を基板および第１のパターンで配列される複数の表面特徴を含む第１のインプリントテンプレートと接触して提供することと、
前記第１の液晶層の分子と前記表面特徴を整合させ、それによって、第１の複数のレベルの反復液晶分子を形成し、第１の傾斜角度を画定することと
を含む、方法。
（項目３０）
前記第１の液晶層の分子を重合化することと、
前記第１のインプリントテンプレートを除去することと、
第２の液晶層を前記第１の液晶層と接触して堆積させることと、
前記第２の液晶層の分子と前記第１の液晶層の分子を整合させることと
をさらに含む、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
前記第１の液晶層と第２の液晶層との間では、
前記第１の液晶層および第２の液晶層の厚さ、
前記第１の液晶層および第２の液晶層内のキラルドーパントの濃度、または
前記第１の液晶層および第２の液晶層のキラルドーパント
のうちの少なくとも１つが異なり、前記第１の液晶層および第２の液晶層の異なるキラルドーパントは、同一掌性を有する、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
第１の液晶層を基板および第１のインプリントテンプレートと接触して提供することは、
前記第１の液晶層を前記基板上に堆積させることと、
前記第１の液晶層と前記第１のインプリントテンプレートを接触させることと
を含む、項目２９に記載の方法。
（項目３３）
前記第１の液晶層の分子を重合化することと、
前記第１のインプリントテンプレートを除去することと、
第２の液晶層を前記第１の液晶層と接触して堆積させることと、
前記第２の液晶層と第２のインプリントテンプレートを接触させることと、
前記第２の液晶層の分子と前記第２のインプリントテンプレート内の表面特徴のパターンを整合させることと
をさらに含む、項目２９に記載の方法。
（項目３４）
前記第１の液晶層の分子を重合化することと、
前記第１のインプリントテンプレートを除去することと、
平面化層を前記第１の液晶層にわたって形成することと、
第２の液晶層を前記平面化層にわたって堆積させることと、
前記第２の液晶層と第２のインプリントテンプレートを接触させることと、
前記第２の液晶層の分子と前記第２のインプリントテンプレート内の表面特徴のパターンを整合させることと
をさらに含む、項目２９に記載の方法。