(57)【要約】  パルス信号のパルス幅を、ペルチェ素子の温度変化が所定の温度勾配を超えないように増減制御するパルス幅制御手段と、パルス幅制御手段によって制御されたパルス幅のパルス信号に基づいて、ペルチェ素子に供給する駆動電流をオン／オフ制御するスイッチング手段とを使用して、ペルチェ素子に供給する電力の電流変化率を制限する。これにより、ペルチェ素子各部位の膨張率・収縮率の急激な変動を抑制して、ペルチェ素子に加わるストレスを低減することができ、もってペルチェ素子において長寿命を維持することができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペルチェ素子に供給する駆動電流をオン／オフ制御しパルスとして供給し、
前記駆動電流のパルス幅を、当該ペルチェ素子の温度変化が所定の温度勾配を超えないように増減制御する、ことを特徴とするペルチェ素子の駆動方法。
【請求項２】
前記パルスの周期時間を、当該ペルチェ素子の熱時定数よりも十分に短くなるように所定の周期毎に制御する、ことを特徴とする請求項１記載のペルチェ素子の駆動方法。
【請求項３】
所定の制御信号に基づいて前記駆動電流のパルス幅を制御する、ことを特徴とする請求項１又は２記載のペルチェ素子の駆動方法。
【請求項４】
パルス信号のパルス幅を、ペルチェ素子の温度変化が所定の温度勾配を超えないように増減制御するパルス幅制御手段と、
前記パルス幅制御手段によって制御されたパルス幅のパルス信号に基づいて、ペルチェ素子に供給する駆動電流をオン／オフ制御するスイッチング手段とを備えた、
ことを特徴とするペルチェ素子の駆動回路。
【請求項５】
前記パルス幅制御手段は、前記パルス信号の周期時間を、当該ペルチェ素子の熱時定数よりも十分に短くなるように所定の周期毎に制御する、ことを特徴とする請求項４記載のペルチェ素子の駆動回路。
【請求項６】
前記パルス幅制御手段は、外部からの制御信号に基づいて前記パルス信号のパルス幅を制御する、ことを特徴とする請求項４記載のペルチェ素子の駆動回路。
【請求項７】
ペルチェ素子の被冷却／加熱物の温度を検出する温度検出手段をさらに備えており、前記温度検出手段からの温度信号に基づいて、前記被冷却／加熱物の温度が所定の温度となるように当該ペルチェ素子を制御する、ことを特徴とする請求項４記載のペルチェ素子の駆動回路。
【請求項８】
前記被冷却／加熱物は、電気的試験の対象となる被試験電子部品であり、
前記温度検出手段は、前記被試験電子部品自身が備えるダイオードの温度依存特性を当該被試験電子部品の温度の検出用に適用するものである、ことを特徴とする請求項７記載のペルチェ素子の駆動回路。
【請求項９】
ペルチェモジュールの被冷却／加熱物への取付構造であって、
前記ペルチェモジュールは、前記ペルチェモジュールに過大な圧力が恒常的に印加されないように前記被冷却／加熱物に取り付けられている、ことを特徴とするペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１０】
前記被冷却／加熱物は、電子部品の試験を行うために被試験電子部品をテストヘッドのコンタクト部に押圧することのできるプッシャであり、
前記ペルチェモジュールは、前記プッシャにおける被試験電子部品押圧側の反対側に取り付けられている、ことを特徴とする請求項９記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１１】
前記ペルチェモジュールは、冷却面を構成し得る基板と放熱面を構成し得る基板とを備えており、前記冷却面が前記プッシャにおける被試験電子部品押圧側の反対側に位置するように、前記ペルチェモジュールは前記プッシャに取り付けられている、ことを特徴とする請求項１０記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１２】
前記ペルチェモジュールは、前記冷却面を構成し得る基板が前記プッシャに固定されることにより前記プッシャに取り付けられている、ことを特徴とする請求項１１記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１３】
前記ペルチェモジュールは、前記プッシャに対して弾性的に押圧された状態で前記プッシャに取り付けられている、ことを特徴とする請求項１１記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１４】
前記ペルチェモジュールの放熱面には、当該放熱面からの放熱を促進させることのできる放熱手段が設けられている、ことを特徴とする請求項１１記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１５】
前記放熱手段は、温度調節媒体を介して前記ペルチェモジュールの放熱面から放熱させることのできるペルチェモジュール放熱装置である、ことを特徴とする請求項１４記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１６】
前記ペルチェモジュール放熱装置は、前記ペルチェモジュールの放熱面を覆うカバー部材と、前記カバー部材の内部に温度調節媒体を導入する温度調節媒体供給部とを備える、ことを特徴とする請求項１５記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１７】
前記プッシャは、被試験電子部品をテストヘッドのコンタクト部に押圧する方向及び前記テストヘッドのコンタクト部から離隔する方向に移動可能である、ことを特徴とする請求項１０記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１８】
前記プッシャは、テストヘッドのコンタクト部に設けられたソケットガイドに当該プッシャを位置決め案内するガイドピンを備えている、ことを特徴とする請求項１１記載のペルチェモジュールの取付構造。
【請求項１９】
テストヘッドのコンタクト部に被試験電子部品の電気端子を押し付けて電気的にコンタクトさせる電子部品ハンドリング装置であって、
請求項９〜１８のいずれか記載のペルチェモジュールの取付構造によってペルチェモジュールが取り付けられたプッシャを備えたことを特徴とする電子部品ハンドリング装置。
【請求項２０】
前記プッシャに取り付けられたペルチェモジュールには、請求項４〜８のいずれか記載の駆動回路が接続されている、ことを特徴とする請求項１９に記載の電子部品ハンドリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ペルチェ素子の駆動方法および駆動回路、ペルチェモジュールの取付構造、ならびにペルチェモジュール付きのプッシャを備えた電子部品ハンドリング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
冷却／加熱素子としてのペルチェ素子は、通常、直流電源のオン／オフによって駆動制御がなされている。しかし、直流電源のオン／オフによって駆動制御を行うと、ペルチェ素子に一気に電流が流れ、それによりペルチェ素子の温度が急激に変化して素子構成物に温度ストレスがかかる。ペルチェ素子の一方の面（冷却面）と他方の面（放熱面）との間の温度差は例えば５０℃以上になるため、急激な温度変化による温度ストレスは素子の劣化を招き易く、それによってペルチェ素子の寿命が短くなるという問題があった。【０００３】
ペルチェ素子の寿命を長くするために、可変電源を用いてアナログ的になだらかな勾配で電流を流すことも考えられるが、かかる可変電源装置は高価であり、コスト的に問題がある。【０００４】
ところで、ペルチェ素子は、Ｐ型熱電素子およびＮ型熱電素子からなり、当該熱電素子が電気的直列に接続されて一対の基板の間に挟持されることにより、ペルチェモジュールが構成される。かかるペルチェモジュールは、例えば、ＩＣデバイス等を試験する電子部品試験装置のハンドラ内に設けられたプッシャに取り付けられ、プッシャを介して被試験ＩＣデバイスを所望の温度に制御するために利用されている。【０００５】
この場合、プッシャの上面にシリコーングリス等を介してペルチェモジュールが圧着され、そのペルチェモジュールの上面にシリコーングリス等を介してヒートシンク等が圧着され、そのヒートシンク等がプッシャに対して別部材を使用して固定される構造が一般的に採用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のようなペルチェモジュールの取付構造では、ペルチェモジュールの基板間に挟持されたペルチェ素子には、非常に大きな圧力が恒常的に印加されることとなる。このようにペルチェ素子に過大な圧力が恒常的に印加されると、冷却および加熱による熱ストレスに対する耐力が低下し、ペルチェ素子の寿命が短くなると考えられる。【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、ペルチェ素子の寿命を長く維持することのできるペルチェ素子の駆動方法・駆動回路、ペルチェモジュールの取付構造、およびペルチェモジュール付きのプッシャを備えた電子部品ハンドリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、第１に本発明は、ペルチェ素子に供給する駆動電流をオン／オフ制御しパルスとして供給し、前記駆動電流のパルス幅を、当該ペルチェ素子の温度変化が所定の温度勾配を超えないように増減制御する、ことを特徴とするペルチェ素子の駆動方法を提供する（発明１）。【０００９】
ペルチェ素子に流す電流の電流変化率が大きすぎると、ペルチェ素子内部に不均一な熱分布ができ、それによって発生したペルチェ素子各部位の膨張率・収縮率のばらつきが機械的ストレスとなる。しかし、上記発明（発明１）によれば、ペルチェ素子の温度変化が所定の温度勾配を超えないようにパルス幅を増減制御することで、電流変化率を制限することができる。これにより、ペルチェ素子各部位の膨張率・収縮率の急激な変動を抑制することができる結果、ペルチェ素子に加わる機械的ストレスを低減でき、ペルチェ素子において長寿命を維持することができる。また、上記発明（発明１）を実施するにあたっては、高価な可変電源を用いる必要がなく、安価な直流電源および一般的に販売されている回路等を使用して駆動回路を構成することができる。【００１０】
上記発明（発明１）においては、前記パルスの周期時間を、当該ペルチェ素子の熱時定数よりも十分に短くなるように所定の周期毎に制御することが好ましい（発明２）。ペルチェ素子に一気に電流を流すと、ペルチェ素子の温度が急激に変化して素子構成物に熱ストレスがかかるが、上記発明（発明２）のようにパルスの周期時間を短くしてＯＮ／ＯＦＦスイッチングすることで、ペルチェ素子には急激な温度変化（熱ストレス）が生じ難くなり、ペルチェ素子の寿命に悪影響を与えない利点が得られる。【００１１】
上記発明（発明１，２）においては、所定の制御信号に基づいて前記駆動電流のパルス幅を制御してもよい（発明３）。所定の制御信号としては、例えば、ペルチェ素子の被冷却／加熱物の温度を検出する温度検出手段からの温度信号等が挙げられる。かかる発明によれば、被冷却／加熱物の温度制御を確実に行うことが可能となる。【００１２】
第２に本発明は、パルス信号のパルス幅を、ペルチェ素子の温度変化が所定の温度勾配を超えないように増減制御するパルス幅制御手段と、前記パルス幅制御手段によって制御されたパルス幅のパルス信号に基づいて、ペルチェ素子に供給する駆動電流をオン／オフ制御するスイッチング手段とを備えた、ことを特徴とするペルチェ素子の駆動回路を提供する（発明４）。【００１３】
上記発明（発明４）において、前記パルス幅制御手段は、前記パルス信号の周期時間を、当該ペルチェ素子の熱時定数よりも十分に短くなるように所定の周期毎に制御することが好ましい（発明５）。【００１４】
上記発明（発明４）において、前記パルス幅制御手段は、外部からの制御信号に基づいて前記パルス信号のパルス幅を制御してもよい（発明６）。【００１５】
上記発明（発明４）においては、ペルチェ素子の被冷却／加熱物の温度を検出する温度検出手段をさらに備えており、前記温度検出手段からの温度信号に基づいて、前記被冷却／加熱物の温度が所定の温度となるように当該ペルチェ素子を制御するようにしてもよい（発明７）。【００１６】
上記発明（発明７）において、前記被冷却／加熱物は、電気的試験の対象となる被試験電子部品であり、前記温度検出手段は、前記被試験電子部品自身が備えるダイオードの温度依存特性を当該被試験電子部品の温度の検出用に適用するものであってもよい（発明８）。かかる発明（発明８）によれば、被試験電子部品のジャンクション温度を直接検出することができるため、優れた温度制御を行うことが可能である。【００１７】
第３に本発明は、ペルチェモジュールの被冷却／加熱物への取付構造であって、前記ペルチェモジュールは、前記ペルチェモジュールに過大な圧力が恒常的に印加されないように前記被冷却／加熱物に取り付けられている、ことを特徴とするペルチェモジュールの取付構造を提供する（発明９）。なお、ここでいう「過大な圧力」とは、ペルチェモジュール固定時に、ペルチェモジュールの熱膨張に伴ってペルチェ素子に過度な応力が生じる程、ペルチェモジュールに印加される圧力をいう。【００１８】
ペルチェ素子に過大な圧力が恒常的に印加されると、冷却および加熱による熱ストレスに対する耐力が低下し、ペルチェ素子の寿命が短くなると考えられるが、上記発明（発明９）によれば、ペルチェ素子には過大な圧力が恒常的に印加されないため、冷却および加熱によるペルチェ素子への熱ストレスは少なく、したがってペルチェ素子の寿命を長く維持することができる。【００１９】
上記発明（発明９）において、前記被冷却／加熱物は、電子部品の試験を行うために被試験電子部品をテストヘッドのコンタクト部に押圧することのできるプッシャであってもよく、その場合、前記ペルチェモジュールは、前記プッシャにおける被試験電子部品押圧側の反対側に取り付けることができる（発明１０）。【００２０】
上記発明（発明１０）において、前記ペルチェモジュールは、冷却面を構成し得る基板と放熱面を構成し得る基板とを備えており、前記冷却面が前記プッシャにおける被試験電子部品押圧側の反対側に位置するように、前記ペルチェモジュールは前記プッシャに取り付けられていることが好ましい（発明１１）。【００２１】
上記発明（発明１１）において、前記ペルチェモジュールは、前記冷却面を構成し得る基板が前記プッシャに固定されることにより前記プッシャに取り付けられていてもよい（発明１２）。なお、ペルチェモジュールに流す電流の方向を変えることにより、冷却面は放熱面に変化し得る。かかる発明（発明１２）によれば、ペルチェモジュールの基板が加熱膨張した場合であっても、放熱面を構成し得る基板は移動可能であるため、ペルチェ素子には応力は殆ど発生せず、ペルチェ素子に加わる機械的ストレスは小さいので、ペルチェ素子を長寿命にすることができる。【００２２】
上記発明（発明１１）において、前記ペルチェモジュールは、前記プッシャに対して弾性的に押圧された状態で前記プッシャに取り付けられていてもよい（発明１３）。かかる発明（発明１３）によれば、ペルチェモジュールの基板が加熱膨張した場合であっても、ペルチェモジュールはプッシャから離隔移動可能であるため、ペルチェ素子には応力は殆ど発生せず、ペルチェ素子に加わる機械的ストレスは小さいので、ペルチェ素子を長寿命にすることができる。【００２３】
上記発明（発明１１）において、前記ペルチェモジュールの放熱面には、当該放熱面からの放熱を促進させることのできる放熱手段が設けられていることが好ましい（発明１４）。かかる発明（発明１４）によれば、ペルチェモジュールによる冷却効率を向上させることができる。【００２４】
上記発明（発明１４）において、前記放熱手段は、温度調節媒体を介して前記ペルチェモジュールの放熱面から放熱させることのできるペルチェモジュール放熱装置であってもよい（発明１５）。【００２５】
上記発明（発明１５）において、前記ペルチェモジュール放熱装置は、前記ペルチェモジュールの放熱面を覆うカバー部材と、前記カバー部材の内部に温度調節媒体を導入する温度調節媒体供給部とを備えるものであってもよい（発明１６）。かかる発明（発明１６）によれば、ペルチェモジュールに加わる重量を小さくすることが可能である。【００２６】
上記発明（発明１０）において、前記プッシャは、被試験電子部品をテストヘッドのコンタクト部に押圧する方向及び前記テストヘッドのコンタクト部から離隔する方向に移動可能であることが好ましい（発明１７）。また、上記発明（発明１０）において、前記プッシャは、テストヘッドのコンタクト部に設けられたソケットガイドに当該プッシャを位置決め案内するガイドピンを備えていることが好ましい（発明１８）。【００２７】
第４に本発明は、テストヘッドのコンタクト部に被試験電子部品の電気端子を押し付けて電気的にコンタクトさせる電子部品ハンドリング装置であって、前記ペルチェモジュールの取付構造（発明９〜１８）によってペルチェモジュールが取り付けられたプッシャを備えたことを特徴とする電子部品ハンドリング装置を提供する（発明１９）。【００２８】
上記発明（発明１９）において、前記プッシャに取り付けられたペルチェモジュールには、前記駆動回路（発明４〜８）が接続されていることが好ましい（発明２０）。かかる発明（発明２０）によれば、構造面および制御面の両方からペルチェ素子の寿命を長く維持することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、ペルチェ素子の寿命を長く維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
〔ペルチェ素子駆動回路〕
図１は本発明の一実施形態に係るペルチェ素子駆動回路の構成図、図２は同実施形態に係るペルチェ素子駆動回路によってペルチェ素子に供給するパルス電圧に対するペルチェ素子の温度推移を示すグラフである。【００３１】
本実施形態に係るペルチェ素子駆動回路は、ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１と、ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１に接続されたノコギリ波発生回路Ｃ２と、電流変化率生成回路Ｃ３と、電流変化率生成回路Ｃ３に接続された基準電圧変換回路Ｃ４と、ノコギリ波発生回路Ｃ２および基準電圧変換回路Ｃ４に接続された電圧コンパレータＣ５と、電圧コンパレータＣ５およびペルチェモジュール３００に接続されたトランジスタスイッチＣ６と、図示しない直流電源とから構成される。なお、ペルチェモジュール３００には、一対のＰ型熱電素子およびＮ型熱電素子からなるペルチェ素子が複数含まれている。【００３２】
上記構成中、ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１、ノコギリ波発生回路Ｃ２、電流変化率生成回路Ｃ３、基準電圧変換回路Ｃ４および電圧コンパレータＣ５が本発明のパルス幅制御手段に該当し、トランジスタスイッチＣ６が本発明のスイッチング手段に該当する。【００３３】
ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１は、当該ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１に入力された基準クロックから一定の周期（Ｗｔ）のパルス信号を発生する回路であり、例えば、プログラマブル分周器によって構成することができる。このプログラマブル分周器は、基準クロックを受けて所望の分周値に分周した一定の周期のパルス信号を発生する。【００３４】
上記パルス周期（Ｗｔ）は、ペルチェモジュール３００で使用されているペルチェ素子の熱時定数よりも十分に短い周期時間であることが好ましく、周波数（１／Ｗｔ）に換算すれば、例えば１０ｋＨｚ以上の周波数であることが好ましく、トランジスタスイッチＣ６はかかる周波数でＯＮ／ＯＦＦスイッチングされることとなる。ペルチェ素子に流す電流をこのように高い周波数でＯＮ／ＯＦＦスイッチングすることで、ペルチェ素子には急激な温度変化（熱ストレス）が生じ難くなるため、ペルチェ素子の寿命に悪影響を与えない利点が得られる。【００３５】
ノコギリ波発生回路Ｃ２は、ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１から入力されたパルス信号に基づいて、ノコギリ波状に経時変化するノコギリ波信号を繰り返し発生する回路である。このノコギリ波発生回路Ｃ２で発生したノコギリ波信号は、電圧コンパレータＣ５の＋側に出力される。【００３６】
一方、電流変化率生成回路Ｃ３は、外部からの制御信号を受けて、平均的な電流変化率をゼロから±最大電流変化率の範囲内に制限した変化率信号を生成する回路であり、生成した変化率信号は基準電圧変換回路Ｃ４に出力される。最大電流変化率は、ペルチェ素子の所望の寿命が維持できる範囲内で許容できる最大の電流変化率である。【００３７】
この電流変化率生成回路Ｃ３から出力される変化率信号の値がゼロの場合は、ペルチェ素子に供給される電力は直前の状態を保持し、変化率信号が＋の値（正値）の場合には、ペルチェ素子に供給される電力は当該正値に対応する増加率で増加し、変化率信号が−の値（負値）の場合には、ペルチェ素子に供給される電力は当該負値に対応する減少率で減少する。【００３８】
なお、電流変化率生成回路Ｃ３は、外部からの制御信号が最大電流変化率を超える条件で入力されたとしても、出力する変化率信号の変化率を最大電流変化率以下に制限する制限作用（リミッタ）を有している。【００３９】
ここで、最大電流変化率の値は、ペルチェ素子の温度勾配がペルチェ素子の寿命を維持できるような範囲内になるように規定する。例えば、ペルチェ素子の種類によって予め所定の最大電流変化率値を規定してもよいし、あるいはペルチェ素子の温度を直接的または間接的に測定した結果で得られる温度勾配に基づいて所定の最大電流変化率値を規定してもよい。【００４０】
ペルチェモジュール３００の被冷却／加熱物が、例えば、図５に示す試験対象としてのＩＣデバイス２である場合、電流変化率生成回路Ｃ３に入力される制御信号の例としては、（１）ＩＣデバイス２のパッケージ温度を温度センサにより検出し、検出した温度信号に基づいて、ＩＣデバイス２の温度が一定となるように変換された制御信号、（２）ＩＣデバイス２のジャンクション温度が直接検出できるようにＩＣチップ内に設けられた温度検出専用のダイオードの両端の順方向電圧特性を測定し、測定した電圧特性に基づいて、ＩＣデバイス２の温度が一定となるように変換された制御信号、（３）ＩＣチップの入出力端子に保護用として設けられたダイオードを温度検出用のダイオードとして適用し、このダイオードを使用して測定した電圧特性に基づいて、ＩＣデバイス２の温度が一定となるように変換された制御信号などが挙げられる。【００４１】
上記の例において、ＩＣデバイス２のパッケージ温度を検出する温度センサは、複数個のＩＣデバイス２の個々に設ける構成としてもよいし、代表して１つの温度センサのみを使用して、複数のＩＣデバイス２のパッケージ温度を検出する構成としてもよい。【００４２】
基準電圧変換回路Ｃ４は、電流変化率生成回路Ｃ３から入力された変化率信号に基づく電圧を直前の基準電圧に加算した結果を新たな基準電圧信号として出力する回路であり、この基準電圧信号は、電圧コンパレータＣ５の−側に出力される。【００４３】
電圧コンパレータＣ５は、ノコギリ波発生回路Ｃ２から入力されたノコギリ波信号と、基準電圧変換回路Ｃ４から入力された基準電圧信号とを比較して、その結果に基づいてハイレベル／ローレベルの２値のスイッチ信号を出力する回路である。【００４４】
電圧コンパレータＣ５から出力されるスイッチ信号は、例えば、図２のグラフ中のパルス幅（Ｗ０，Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４，…ＷＳ）で表される。このスイッチ信号においては、一定の周波数の下、パルス幅のデューティ比が漸次増加している。なお、図２では説明を容易とする為に、スイッチ信号を６個の少数パルスで示しているが、実際は多数のパルスからなる。図２におけるパルス幅の推移は、ペルチェ素子への印加電力が増加する一例であり、この印加電力の増加に伴って、ペルチェ素子の温度Ｔは、折れ線状に変化しながら除々に上昇していく。【００４５】
電圧コンパレータＣ５から出力されるスイッチ信号は、図２のグラフに示される波形にてトランジスタスイッチＣ６のベース電極に入力され、それによってＯＮ／ＯＦＦ制御されたコレクタ電流がペルチェモジュール３００に流れる。【００４６】
上記のように最大電流変化率を制限し、ペルチェ素子に加わる熱ストレスを抑制することで、ペルチェ素子各部位の膨張率・収縮率の急激な変動を抑制することができる結果、ペルチェ素子に加わる機械的ストレスを低減でき、ペルチェ素子において長寿命を維持することができる。【００４７】
以上のようにして、本実施形態に係るペルチェ素子駆動回路によれば、ペルチェ素子の寿命を長く維持することができる。また、本実施形態に係るペルチェ素子駆動回路は、高価な可変電源を用いる必要がなく、安価な直流電源および一般的に販売されている回路等を使用して構成することができる。【００４８】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。【００４９】
例えば、トランジスタスイッチＣ６は、Ｈブリッジ回路で構成して、ペルチェ素子に流れる電流方向を反転させてもよい。この場合には、ペルチェ素子の一方の面に冷却と加熱の両方を行わせることができる。また、トランジスタスイッチＣ６の替わりに、ＦＥＴ（Field Effect Transistor）、ＩＰＭ（Intelligent Power Module）、その他の電力用のスイッチング回路を適用してもよい。【００５０】
また、電流変化率生成回路Ｃ３及び基準電圧変換回路Ｃ４の構成は、制御ＣＰＵ及びＤＡ変換器の構成に置き換えることも可能である。すなわち、制御ＣＰＵが、外部からの制御信号を受けて上記と同様の変化率信号に基づいて生成したＤＡデータと直前にＤＡ変換器に出力したＤＡデータとを加算した結果を新たなＤＡデータとしてＤＡ変換器に出力することにより、当該ＤＡデータが入力されたＤＡ変換器にて、上記と同様の基準電圧信号を発生することができる。【００５１】
さらに、ＰＷＭ周期発生回路Ｃ１、ノコギリ波発生回路Ｃ２、電流変化率生成回路Ｃ３、基準電圧変換回路Ｃ４及びコンパレータＣ５の機能動作において、ソフトウエア処理が可能な回路部分については、制御ＣＰＵやＤＳＰ（Digital Signal Processor）に置き換えてソフトウエア処理を行ってもよい。【００５２】
〔プッシャ・電子部品ハンドリング装置〕
図３は本発明の一実施形態に係る電子部品ハンドリング装置（以下「ハンドラ」という。）を含むＩＣデバイス試験装置の全体側面図、図４は同実施形態に係るハンドラの斜視図、図５は同実施形態に係るハンドラのテストチャンバ内の要部断面図、図６は同実施形態に係るハンドラにおけるソケット付近の構造を示す分解斜視図、図７は本発明の一実施形態に係るプッシャの側面図である。【００５３】
まず、本発明の実施形態に係るハンドラを備えたＩＣデバイス試験装置の全体構成について説明する。図３に示すように、ＩＣデバイス試験装置１０は、ハンドラ１と、テストヘッド５と、試験用メイン装置６とを有する。ハンドラ１は、試験すべきＩＣデバイス（電子部品の一例）をテストヘッド５に設けたソケットに順次搬送し、試験が終了したＩＣデバイスをテスト結果に従って分類して所定のトレイに格納する動作を実行する。【００５４】
テストヘッド５に設けたソケットは、ケーブル７を通じて試験用メイン装置６に電気的に接続してあり、ソケットに脱着可能に装着されたＩＣデバイスを、ケーブル７を通じて試験用メイン装置６に接続し、試験用メイン装置６からの試験用電気信号によりＩＣデバイスをテストする。【００５５】
ハンドラ１の下部には、主としてハンドラ１を制御する制御装置が内蔵してあるが、一部に空間部分８が設けてある。この空間部分８に、テストヘッド５が交換自在に配置してあり、ハンドラ１に形成した貫通孔を通してＩＣデバイスをテストヘッド５上のソケットに装着することが可能になっている。【００５６】
このハンドラ１は、試験すべき電子部品としてのＩＣデバイスを、常温よりも高い温度状態（高温）または低い温度状態（低温）で試験するための装置であり、ハンドラ１は、図４に示すように、恒温槽１０１とテストチャンバ１０２と除熱槽１０３とで構成されるチャンバ１００を有する。図３に示すテストヘッド５の上部は、図５に示すようにテストチャンバ１０２の内部に挿入され、そこでＩＣデバイス２の試験が行われるようになっている。【００５７】
図４に示すように、本実施形態のハンドラ１は、これから試験を行うＩＣデバイスを格納し、また試験済のＩＣデバイスを分類して格納するＩＣ格納部２００と、ＩＣ格納部２００から送られる被試験ＩＣデバイスをチャンバ部１００に送り込むローダ部３００と、テストヘッドを含むチャンバ部１００と、チャンバ部１００で試験が行われた試験済のＩＣを取り出して分類するアンローダ部４００とから構成されている。ハンドラ１の内部では、ＩＣデバイスは、テストトレイに収納されて搬送される。【００５８】
ハンドラ１にセットされる前のＩＣデバイスは、図示しないカスタマトレイ内に多数収納してあり、その状態で、図４に示すハンドラ１のＩＣ収納部２００へ供給され、そして、カスタマトレイから、ハンドラ１内で搬送されるテストトレイＴＳＴにＩＣデバイス２が載せ替えられる。ハンドラ１の内部では、図５に示すように、ＩＣデバイスは、テストトレイＴＳＴに載せられた状態で移動し、高温または低温の温度ストレスが与えられ、適切に動作するかどうか試験（検査）され、当該試験結果に応じて分類される。以下、ハンドラ１の内部について、個別に詳細に説明する。【００５９】
第１に、ＩＣ格納部２００に関連する部分について説明する。
図４に示すように、ＩＣ格納部２００には、試験前のＩＣデバイスを格納する試験前ＩＣストッカ２０１と、試験の結果に応じて分類されたＩＣデバイスを格納する試験済ＩＣストッカ２０２とが設けてある。【００６０】
これらの試験前ＩＣストッカ２０１および試験済ＩＣストッカ２０２は、枠状のトレイ支持枠２０３と、このトレイ支持枠２０３の下部から侵入して上部に向かって昇降可能とするエレベータ２０４とを具備している。トレイ支持枠２０３には、カスタマトレイが複数積み重ねられて支持され、この積み重ねられたカスタマトレイのみがエレベータ２０４によって上下に移動される。【００６１】
図４に示す試験前ＩＣストッカ２０１には、これから試験が行われるＩＣデバイスが収納されたカスタマトレイが積層されて保持してある。また、試験済ＩＣストッカ２０２には、試験を終えて分類されたＩＣデバイスが収納されたカスタマトレイが積層されて保持してある。【００６２】
第２に、ローダ部３００に関連する部分について説明する。
試験前ＩＣストッカ２０１に格納してあるカスタマトレイは、図４に示すように、ＩＣ格納部２００と装置基板１０５との間に設けられたトレイ移送アーム２０５によってローダ部３００の窓部３０６に装置基板１０５の下側から運ばれる。そして、このローダ部３００において、カスタマトレイに積み込まれた被試験ＩＣデバイスを、Ｘ−Ｙ搬送装置３０４によって一旦プリサイサ（preciser）３０５に移送し、ここで被試験ＩＣデバイスの相互の位置を修正したのち、さらにこのプリサイサ３０５に移送された被試験ＩＣデバイスを再びＸ−Ｙ搬送装置３０４を用いて、ローダ部３００に停止しているテストトレイＴＳＴに積み替える。【００６３】
カスタマトレイからテストトレイＴＳＴへ被試験ＩＣデバイスを積み替えるＸ−Ｙ搬送装置３０４は、図４に示すように、装置基板１０５の上部に架設された２本のレール３０１と、この２本のレール３０１によってテストトレイＴＳＴとカスタマトレイとの間を往復する（この方向をＹ方向とする）ことができる可動アーム３０２と、この可動アーム３０２によって支持され、可動アーム３０２に沿ってＸ方向に移動できる可動ヘッド３０３とを備えている。【００６４】
このＸ−Ｙ搬送装置３０４の可動ヘッド３０３には、吸着ヘッドが下向に装着されており、この吸着ヘッドが空気を吸引しながら移動することで、カスタマトレイから被試験ＩＣデバイスを吸着し、その被試験ＩＣデバイスをテストトレイＴＳＴに積み替える。【００６５】
第３に、チャンバ１００に関連する部分について説明する。
上述したテストトレイＴＳＴは、ローダ部３００で被試験ＩＣデバイスが積み込まれたのちチャンバ１００に送り込まれ、当該テストトレイＴＳＴに搭載された状態で各被試験ＩＣデバイスがテストされる。【００６６】
図４に示すように、チャンバ１００は、テストトレイＴＳＴに積み込まれた被試験ＩＣデバイスに目的とする高温または低温の熱ストレスを与える恒温槽１０１と、この恒温槽１０１で熱ストレスが与えられた状態にある被試験ＩＣデバイスがテストヘッド上のソケットに装着されるテストチャンバ１０２と、テストチャンバ１０２で試験された被試験ＩＣデバイスから、与えられた熱ストレスを除去する除熱槽１０３とで構成されている。【００６７】
除熱槽１０３では、恒温槽１０１で高温を印加した場合は、被試験ＩＣデバイスを送風により冷却して室温に戻し、また恒温槽１０１で低温を印加した場合は、被試験ＩＣデバイスを温風またはヒータ等で加熱して結露が生じない程度の温度まで戻す。そして、この除熱された被試験ＩＣデバイスをアンローダ部４００に搬出する。【００６８】
図５に示すように、テストチャンバ１０２には、その下部にテストヘッド５が配置され、テストヘッド５の上にテストトレイＴＳＴが運ばれる。なお、テストトレイＴＳＴには、ＩＣデバイス２を収容したインサート１６（図６参照）が取り付けられている。そこでは、テストトレイＴＳＴにより保持された全てのＩＣデバイス２を順次テストヘッド５に電気的に接触させ、テストトレイＴＳＴ内の全てのＩＣデバイス２について試験を行う。一方、試験が終了したテストトレイＴＳＴは、除熱槽１０３で除熱され、ＩＣデバイス２の温度を室温に戻したのち、図４に示すアンローダ部４００に排出される。【００６９】
また、図４に示すように、恒温槽１０１と除熱槽１０３の上部には、装置基板１０５からテストトレイＴＳＴを送り込むための入口用開口部と、装置基板１０５へテストトレイＴＳＴを送り出すための出口用開口部とがそれぞれ形成してある。装置基板１０５には、これら開口部からテストトレイＴＳＴを出し入れするためのテストトレイ搬送装置１０８が装着してある。これら搬送装置１０８は、例えば回転ローラなどで構成してある。この装置基板１０５上に設けられたテストトレイ搬送装置１０８によって、除熱槽１０３から排出されたテストトレイＴＳＴは、アンローダ部４００に搬送される。【００７０】
本実施形態のインサート１６においては、図６に示すように、被試験ＩＣデバイス２を収納する矩形凹状のＩＣ収納部１９が中央部に形成されている。また、インサート１６の両端中央部には、後述するプッシャ３０のガイドピン３５が挿入されるガイド孔２０が形成されており、インサート１６の両端角部には、テストトレイＴＳＴの取付け片への取付け用孔２１が形成されている。【００７１】
図６に示すように、テストヘッド５の上には、ソケットボード５０が配置してあり、その上に接続端子であるプローブピン４４を有するソケット４０が固定してある。プローブピン４４は、ＩＣデバイス２の接続端子に対応する数およびピッチで設けられており、図外のスプリングによって上方向にバネ付勢されている。【００７２】
また、図６に示すように、ソケットボード５０の上には、ソケット４０に設けられているプローブピン４４が露出するように、ソケットガイド４１が固定されている。ソケットガイド４１の両側には、プッシャ３０に形成してある２つのガイドピン３５が挿入されて、これら２つのガイドピン３５との間で位置決めを行うためのガイドブッシュ４１１が設けられている。また、ソケットガイド４１には、プッシャ３０の下限を規定するためのことのできるストッパ部４１２が４つ形成されている。【００７３】
図５に示すように、テストヘッド５の上側には、ソケット４０の数に対応してプッシャ３０が設けてある。本実施形態に係るプッシャ３０は、図７に示すように、後述するアダプタ６２のロッド６２１に固定されるプッシャベース３１を有している。このプッシャベース３１の下側中央には、被試験ＩＣデバイス２を押し付けるための押圧子３２が下方に向かって設けられており、プッシャベース３１の下側両端部には、インサート１６のガイド孔２０およびソケットガイド４１のガイドブッシュ４１１に挿入されるガイドピン３３が設けられている。また、押圧子３２とガイドピン３３との間には、プッシャ３０がＺ軸駆動装置７０にて下降移動する際に、ソケットガイド４１のストッパ面４１２に当接して下限を規定することのできるストッパピン３４が設けられている。【００７４】
一方、プッシャベース３１の上側には、シリコーングリスＧを介してペルチェモジュール３００が設けられている。ペルチェモジュール３００は、プッシャベース３１側に位置する第１の基板３０１ａと、第１の基板３０１ａに対向する第２の基板３０１ｂと、それらの基板３０１ａ，３０１ｂの間に挟持されたＰ型熱電素子３０３ａおよびＮ型熱電素子３０３ｂ（これら一対の熱電素子をまとめてペルチェ素子と称する。）と、隣接するＰ型熱電素子３０３ａおよびＮ型熱電素子３０３ｂを電気的直列に接続する電極３０２とから構成されている。【００７５】
このペルチェモジュール３００は、第１の基板３０１ａの端部に係合する係合部材３１１が、当該係合部材３１１を貫通するボルト３１２でプッシャ３０のプッシャベース３１に固定されることにより、プッシャ３０に取り付けられている。【００７６】
ペルチェモジュール３００の第２の基板３０１ｂの上側には、第２の基板３０１ｂの上面を覆うカバー部材３２１が設けられており、カバー部材３２１には、当該カバー部材３２１内に温度調節媒体を供給するための供給管３２２が接続されている。供給管３２２は、ペルチェモジュール３００に余分な圧力を加えないためにも、十分に柔軟な材料から構成されることが好ましい。かかる供給管３２２としては、例えば、フレキシブルチューブや蛇腹構造のチューブを使用することができる。【００７７】
上記のようにしてプッシャ３０に取り付けられたペルチェモジュール３００では、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂに印加される圧力は、第２の基板３０１ｂおよびカバー部材３２１の重量によるもの程度である。したがって、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂには過大な圧力が恒常的に印加されていないため、冷却および加熱によるペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂへの熱ストレスは少ない。また、第１の基板３０１ａまたは第２の基板３０１ｂが加熱膨張した場合であっても、第２の基板３０１ｂは上側に移動し得るため、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂには応力は殆ど発生しない。このように、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂに加わる機械的ストレスは小さいので、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂを長寿命にすることができる。【００７８】
本実施形態では、ペルチェモジュール３００に所定方向の直流電流を供給すると、第１の基板３０１ａ側で吸熱が行われ、第２の基板３０１ｂ側で放熱が行われる。したがって、試験中にペルチェモジュール３００に上記電流を供給することで、ペルチェモジュール３００の第１の基板３０１ａ側でプッシャ３０を冷却することができる。また、ペルチェモジュール３００の第２の基板３０１ｂは、カバー部材３２１内に供給する冷却媒体によって冷却し得るため、ペルチェモジュール３００における第１の基板３０１ａ側の熱を外部に排出することができる。【００７９】
また、ペルチェモジュール３００に上記と逆方向の直流電流を供給すると、第２の基板３０１ｂ側で吸熱が行われ、第１の基板３０１ａ側で放熱が行われる。したがって、試験中にペルチェモジュール３００に上記電流を供給することで、ペルチェモジュール３００の第１の基板３０１ａ側でプッシャ３０を加熱することができ、プッシャ３０の押圧子３２の温度制御範囲を拡大することができるという利点が得られる。【００８０】
なお、ペルチェモジュール３００に供給する電力は、前述したペルチェ素子駆動回路を使用して供給することが好ましく、それによって、ペルチェ素子を長寿命で運用することができる。【００８１】
図７に示すように、アダプタ６２には、ロッド６２１（２本）が下方に向かって設けられており、このロッド６２１によってプッシャ３０のプッシャベース３１を支持固定する。図５に示すように、各アダプタ６２はマッチプレート６０に弾性保持してあり、マッチプレート６０は、テストヘッド５の上部に位置するように、かつプッシャ３０とソケット４０との間にテストトレイＴＳＴが挿入可能となるように駆動プレート７２に支持されている。かかるマッチプレート６０に保持されたプッシャ３０は、テストヘッド５方向および駆動プレート７２方向、すなわちＺ軸方向に移動自在となっている。【００８２】
なお、テストトレイＴＳＴは、図５において紙面に垂直方向（Ｘ軸）から、プッシャ３０とソケット４０との間に搬送されてくる。チャンバ１００内部でのテストトレイＴＳＴの搬送手段としては、搬送用ローラなどが用いられる。テストトレイＴＳＴの搬送移動に際しては、Ｚ軸駆動装置７０の駆動プレートは、Ｚ軸方向に沿って上昇しており、プッシャ３０とソケット４０との間には、テストトレイＴＳＴが挿入される十分な隙間が形成してある。【００８３】
図５に示すように、駆動プレート７２の下面には、押圧部７４が固定してあり、マッチプレート６０に保持してあるアダプタ６２の上面を押圧可能にしてある。駆動プレート７２には駆動軸７８が固定してあり、駆動軸７８にはモータ等の駆動源（図示せず）が連結してあり、駆動軸７８をＺ軸方向に沿って上下移動させ、アダプタ６２を押圧可能となっている。【００８４】
なお、マッチプレート６０は、試験すべきＩＣデバイス２の形状や、テストヘッド５のソケット数（同時に測定するＩＣデバイス２の数）などに合わせて、アダプタ６２およびプッシャ３０とともに、交換自在な構造になっている。このようにマッチプレート６０を交換自在にしておくことにより、Ｚ軸駆動装置７０を汎用のものとすることができる。【００８５】
本実施形態では、上述したように構成されたチャンバ１００において、図５に示すように、テストチャンバ１０２を構成する密閉されたケーシング８０の内部に、温度調節用送風装置９０が装着してある。温度調節用送風装置９０は、ファン９２と、熱交換部９４とを有し、ファン９２によりケーシング内部の空気を吸い込み、熱交換部９４を通してケーシング８０の内部に吐き出して循環させることで、ケーシング８０の内部を、所定の温度条件（高温または低温）にする。【００８６】
第４に、アンローダ部４００に関連する部分について説明する。
図４に示すアンローダ部４００にも、ローダ部３００に設けられたＸ−Ｙ搬送装置３０４と同一構造のＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４が設けられ、このＸ−Ｙ搬送装置４０４，４０４によって、アンローダ部４００に運び出されたテストトレイＴＳＴから試験済のＩＣデバイスがカスタマトレイに積み替えられる。【００８７】
図４に示すように、アンローダ部４００の装置基板１０５には、当該アンローダ部４００へ運ばれたカスタマトレイが装置基板１０５の上面に臨むように配置される一対の窓部４０６，４０６が二対開設してある。【００８８】
それぞれの窓部４０６の下側には、カスタマトレイを昇降させるためのエレベータ２０４が設けられており、ここでは試験済の被試験ＩＣデバイスが積み替えられて満杯になったカスタマトレイを載せて下降し、この満杯トレイをトレイ移送アーム２０５に受け渡す。【００８９】
次に、以上説明したＩＣデバイス試験装置１０において、プッシャ３０を介してＩＣデバイス２の温度制御を行いつつ、当該ＩＣデバイス２を試験する方法について述べる。【００９０】
ＩＣデバイス２は、テストトレイＴＳＴに搭載された状態、より詳細には個々のＩＣデバイス２は、図６のインサート１６のＩＣ収容部１９に落とし込まれた状態で、恒温槽１０１にて所定の設定温度に加熱された後、テストチャンバ１０２内に搬送されてくる。【００９１】
ＩＣデバイス２を搭載したテストトレイＴＳＴがテストヘッド５上で停止すると、Ｚ軸駆動装置が駆動し、駆動プレート７２に固定された押圧部７４が、アダプタ６２のロッド６２１を介してプッシャ３０のプッシャベース３３を押圧する。そうすると、プッシャ３０の押圧子３１は、ＩＣデバイス２のパッケージ本体をソケット４０側に押し付け、その結果、ＩＣデバイス２の接続端子がソケット４０のプローブピン４４に接続される。【００９２】
この状態で、試験用メイン装置６からテストヘッド５のプローブピン４４を介して被試験ＩＣデバイス２に対して試験用電気信号を送信し試験を行うが、被試験ＩＣデバイス２が自己発熱により所定の設定温度よりも高温になった場合には、プッシャ３０を冷却し得るようにペルチェモジュール３００に電力を供給するとともに、カバー部材３２１内に冷却媒体を供給する。被試験ＩＣデバイス２は、冷却媒体によって冷却されてより高い冷却作用を発揮するペルチェモジュール３００により、プッシャ３０を介して冷却されるため、被試験ＩＣデバイス２の過剰な温度上昇を防止することができる。【００９３】
また、テストチャンバ１０２内の熱がソケット４０から逃げて被試験ＩＣデバイス２が所定の設定温度よりも低温になった場合には、プッシャ３０を加熱し得るように電流方向を切り替えてペルチェモジュール３００に電力を供給することで、被試験ＩＣデバイス２を加熱することも可能である。このようにして、被試験ＩＣデバイス２の温度降下を防止することもできる。【００９４】
本実施形態に係るハンドラ１によれば、上記のようにして、被試験ＩＣデバイス２を設定温度付近の温度に制御しながら正確にテストすることができる。【００９５】
ＩＣデバイス２の試験が終了したら、Ｘ−Ｙ搬送装置４０４は、試験済みのＩＣデバイス２を試験結果に従ってカスタマトレイに格納する。【００９６】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。例えば、プッシャ３０に対するペルチェモジュール３００の取付構造およびペルチェモジュール３００の外部温度制御手段は、以下のように変更されてもよい。【００９７】
図８は、本発明の他の実施形態に係るプッシャの側面図である。図８に示すように、本実施形態に係るプッシャ３０におけるプッシャベース３１の上側には、シリコーングリスＧを介してペルチェモジュール３００が設けられている。ペルチェモジュール３００の構成は前述した通りである。【００９８】
そして、ペルチェモジュール３００の上側には、シリコーングリスＧを介して、エアジャケット３３０が設けられている。エアジャケット３３０内には、冷却エアまたは加熱エアが循環し得るようになっている。【００９９】
このエアジャケット３３０は、固定部材３４０によってペルチェモジュール３００側に付勢されつつプッシャ３０に取り付けられている。すなわち、固定部材３４０は、ウォータジャケット３３０の上面端部に係止される係止部材３４１と、係止部材３４１を貫通するボルト３４３と、ボルト３４３の頭部３４２と係止部材３４１との間に位置するスプリング３４４とから構成され、固定部材３４０のボルト３４３がプッシャ３０のプッシャベース３１に固定されることにより、エアジャケット３３０は、スプリング３４４によってプッシャ３０側に対し一定の押圧力を維持した状態でプッシャ３０に取り付けられる。【０１００】
上記のようにしてプッシャ３０に取り付けられたペルチェモジュール３００では、ペルチェ素子に印加される圧力は、第２の基板３０１ｂおよびエアジャケット３３０の重量ならびにスプリング３４４の付勢力によるもの程度である。したがって、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂには過大な圧力が恒常的に印加されていないため、冷却および加熱によるペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂへの熱ストレスは少ない。また、第１の基板３０１ａまたは第２の基板３０１ｂが加熱膨張した場合であっても、エアジャケット３３０は、スプリング３４４によってプッシャ３０側に対し一定の押圧力を維持しているに過ぎないので、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂには過度な機械的ストレスが加わらない。このようにして、ペルチェ素子３０３ａ，３０３ｂを長寿命にすることができる。【０１０１】
なお、上記実施形態では、ペルチェモジュール３００の外部温度制御手段としてエアジャケット３３０を例示したが、これに限定されるものではなく、ウォータジャケットであってもよいし、ヒートシンクであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明は、ペルチェ素子の寿命を長く維持するために極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】本発明の一実施形態に係るペルチェ素子駆動回路の構成図である。
【図２】同実施形態に係るペルチェ素子駆動回路によってペルチェ素子に供給するパルス電圧に対するペルチェ素子の温度推移を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態に係るハンドラを含むＩＣデバイス試験装置の全体側面図である。
【図４】同実施形態に係るハンドラの斜視図である。
【図５】同実施形態に係るハンドラのテストチャンバ内の要部断面図である。
【図６】同実施形態に係るハンドラにおけるソケット付近の構造を示す分解斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態に係るプッシャの側面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るプッシャの側面図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１…電子部品ハンドリング装置（ハンドラ）
１０…ＩＣデバイス（電子部品）試験装置
３０…プッシャ
３００…ペルチェモジュール
３０１ａ，３０１ｂ…基板
３０３ａ…Ｐ型熱電素子
３０３ｂ…Ｎ型熱電素子
【図１】
2006067838.tif 000002
【図２】
2006067838.tif 000003
【図３】
2006067838.tif 000004
【図４】
2006067838.tif 000005
【図５】
2006067838.tif 000006
【図６】
2006067838.tif 000007
【図７】
2006067838.tif 000008
【図８】
2006067838.tif 000009
【国際調査報告】
2006067838.tif 000010
2006067838.tif 000011
2006067838.tif 000012
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