(57)【要約】  ＴＦＴアレイ基板１０のトランジスタの駆動状態を検出する駆動状態検出装置（例えば、電子ビーム源２と二次電子検出器５を備える手段、又は電子ビーム源１２と二次電子検出器１５を備える手段、若しくは光源２２と光検出器２５を備える手段又は装置、或いは光源３２と光検出器３５を備える手段又は装置）を備えている。また、ＴＦＴアレイ基板検査装置は、前記ＴＦＴアレイ基板１０を構成するトランジスタの特性を変化させるトランジスタ特性変化装置（可視光照射装置４，加熱器１４，電磁波照射装置２４，加熱器３４）を備えている。更に、ＴＦＴアレイ基板検査装置は、前記トランジスタの特性が変化した状態の前記ＴＦＴアレイ基板１０の駆動状態を駆動状態検出装置の出力から検査する検査装置（６，１６，２６，３６）を備えている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴアレイ基板のトランジスタの駆動状態を検出する駆動状態検出装置と、
前記ＴＦＴアレイ基板を構成するトランジスタの特性を変化させるトランジスタ特性変化装置と、
前記トランジスタの特性が変化した状態の前記ＴＦＴアレイ基板の駆動状態を前記検出器の出力から検査する検査装置とを備えることを特徴とするＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項２】
前記駆動状態検出装置は、電子ビームを前記ＴＦＴアレイ基板に照射するビーム照射装置と、当該電子ビーム照射により発生する二次電子の強度を検出して前記検査装置に入力する二次電子検出器とを備えることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項３】
前記トランジスタ特性変化装置は前記ＴＦＴアレイ基板に電磁波を照射する電磁波照射装置であることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項４】
前記電磁波照射装置は可視光領域の光を照射する可視光照射装置であることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項５】
前記トランジスタ特性変化装置は前記ＴＦＴアレイ基板の温度を上昇させる加熱器であることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項６】
前記駆動状態検出装置は、前記ＴＦＴアレイ基板の上部に間隔を開けて配置された電気光学素子と、前記電気光学素子に上部から光を照射する光照射装置と、前記電気光学素子の反射膜で反射される前記光がＴＦＴアレイ基板と電気光学素子との間の電場により受ける光学的変化を検出して検出出力を前記検査装置に入力する光検出器を備えることを特徴とする請求項1に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項７】
前記トランジスタ特性変化装置は前記ＴＦＴアレイ基板に電磁波を照射する電磁波照射装置であることを特徴とする請求項６に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項８】
前記電磁波照射装置は可視光領域の光を照射する可視光照射装置であることを特徴とする請求項７に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【請求項９】
前記トランジスタ特性変化装置はＴＦＴアレイ基板の温度を上昇させる加熱器であることを特徴とする請求項６に記載のＴＦＴアレイ基板検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ（例えば、薄膜トランジスタアレイ）基板等の基板上に形成されたアレイを検査するＴＦＴアレイ基板検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアレイ基板検査装置は、欠陥検出用信号パターンでＴＦＴアレイ基板を駆動し、このときの駆動状態を検出することによって欠陥位置や欠陥の種類等を検査し、ＴＦＴアレイ全体の良否判定を行う。このＴＦＴアレイの駆動状態の検出は、例えば、電子ビームあるいは光を照射することによって行う方法、ＴＦＴを流れる信号を検出する方法等、種々の方法により行うことができる。【０００３】
電子ビームを照射することによってＴＦＴアレイを検査する装置では、例えば、電子ビームをＴＦＴアレイに照射することで発生する二次電子強度を検出する（例えば、特許文献１参照）。また、光の照射を用いた検査装置では、例えば、ＴＦＴアレイ基板との間に隙間を空けて電気光学素子を配置し、照射光の反射状態を検出する装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。【０００４】
二次電子強度を検出するＴＦＴアレイ基板検査装置は、ＴＦＴアレイ基板を駆動することで発生するＩＴＯの電圧の状態を、ＴＦＴアレイ基板から発生する二次電子の強度に基づいて判定を行うものである。また、照射光の反射状態を検出するＴＦＴアレイ基板検査装置は、ＴＦＴアレイ基板が発生する電界により電気光学素子の屈折率を変化させて、この屈折率の変化を照射光の反射角等を検出することにより判定を行うものである。
【特許文献１】特開２００５−２４３７８号公報
【特許文献２】特開平１１−２７１８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＴＦＴアレイの欠陥には様々な欠陥が存在する。例えば、結線されるべき配線が開放状態となるオープン欠陥や、絶縁されるべき配線間が短絡状態となるショート欠陥等がある。【０００６】
配線が完全に開放した状態である場合や、配線間が完全に短絡した状態の場合には、前記した二次電子の強度や、照射光の反射角度からＴＦＴアレイの欠陥を容易に判定することができる。【０００７】
しかしながら、オープン欠陥には配線が完全に開放した状態の他に切れかけの状態が含まれ、また、ショート欠陥には配線が完全に短絡した状態の他につながりかけの状態が含まれおり、このような不完全な欠陥はウィークリークと呼ばれる従来の検査方法では欠陥判定が難しくなるという問題がある。【０００８】
そこで、本発明は、上記課題を解決し、ウィークリークと呼ばれる欠陥の判定を容易にできるＴＦＴアレイ基板検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を解決するために、本発明は、ＴＦＴアレイ基板のトランジスタの駆動状態を検出する駆動状態検出装置と、前記ＴＦＴアレイ基板を構成するトランジスタの特性を変化させるトランジスタ特性変化装置と、前記トランジスタの特性が変化した状態の前記ＴＦＴアレイ基板の駆動状態を前記駆動状態検出装置の出力から検査する検査装置とを備えるＴＦＴアレイ基板検査装置としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置によれば、ウィークリークと呼ばれる欠陥の判定を容易とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】は、本発明の第１の実施形態の構成例を説明するための図である。
【図２】は、本発明の二次電子検出器の一構成例を説明するための図である。
【図３】は、電子が持つエネルギーと、その電子がアルミ中を移動する移動距離との関係を示す図である。
【図４】は、アルミの膜厚による可視光の透過率を示している。
【図５】は、アルミの膜厚と電子と可視光の透過波長範囲を説明するための図である。
【図６】は、本発明の第２の実施形態の構成例を説明するための図である。
【図７】は、本発明の第３の実施形態の構成例を説明するための図である。
【図８】は、本発明の第４の実施形態の構成例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００１２】
１…ＴＦＴアレイ基板検査装置
２…電子ビーム源
３…電子ビーム
４…可視光照射装置
５…二次電子検出器
５ａ…光電子増倍管
５ｂ…ガラス基板
５ｃ…シンチレータ材
５ｄ…アルミ薄膜
６…検査装置
７…可視光
８…二次電子
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１…ＴＦＴアレイ基板検査装置
１２…電子ビーム源
１３…電子ビーム
１４…加熱器
１５…二次電子検出器
１６…検査装置
１８…二次電子
２１…ＴＦＴアレイ基板検査装置
２２…光源
２３…光
２４…電磁波照射装置
２５…光検出器
２６…検査装置
２８…光
２９…電気光学素子
３１…ＴＦＴアレイ基板検査装置
３２…光源
３３…光
３４…加熱器
３５…光検出器
３６…検査装置
３８…光
３９…電気光学素子
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。【００１４】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１，２の実施形態は電子ビームを照射して得られる二次電子を検出する形態である。また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第３，４の実施形態は電気光学素子による光の光学的変化を検出する形態である。【００１５】
これらの実施形態において、第１，３の実施形態は可視光等の電磁波をＴＦＴアレイ基板１０に照射することによってシリコンのトランジスタ特性を変化させる構成である。また、第２，４の実施形態は加熱器（加熱手段）でＴＦＴアレイ基板１０を加熱することによってシリコンのトランジスタ特性を変化させる構成である。【００１６】
はじめに、本発明の第１の実施形態の構成例について図１を用いて説明する。図１において、ＴＦＴアレイ基板検査装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０に向けて電子ビーム３を照射する電子ビーム源２と、電子ビーム３の照射によってＴＦＴアレイ基板１０から放出される二次電子８を検出してトランジスタ駆動状態を検出する二次電子検出器（二次電子検出手段）５と、二次電子検出器５で検出した二次電子の強度信号に基づいて、ＴＦＴアレイの欠陥等の検査を行う検査装置６とを備えている。【００１７】
ＴＦＴアレイ基板検査装置１は、さらに、ＴＦＴアレイ基板１０のトランジスタ特性を変化させるトランジスタ特性変化装置をトランジスタ特性変化手段として備えている。実施形態では、トランジスタ特性変化手段として可視光照射装置（可視光照射手段）４を備えている。可視光照射装置４は、電子ビーム３がＴＦＴアレイ基板１０上を照射する電子ビーム照射領域に向かって可視光７を照射する。検査装置６は、トランジスタ特性変化装置としての可視光照射装置４によってトランジスタ特性を変化させた状態でＴＦＴアレイ基板１０の欠陥等を検査する。【００１８】
ＴＦＴアレイ基板１０が備えるシリコンのトランジスタ特性は、照射された可視光７によって変化する。【００１９】
可視光照射装置４は、ＬＥＤの他、白色灯を用いることができる。なお、白色灯は広い波長範囲を有しているため、欠陥の種類による波長依存性を考慮して、波長フィルタを併用する構成とすることができる。また、ＬＥＤを用いる構成の場合には、欠陥の波長依存性に応じて波長を選択することができる。【００２０】
例えば、ａ−Ｓi（アモルファスシリコン）型のＴＦＴのドレイン電流対ゲート電圧特性（トランスファ特性）は、オン電流とオフ電流の比率は７桁以上となる。また、ａ−Ｓiは、光導電度が大きいため、光が照射されると大きな光電界効果が現れる。この光電界効果により、例えば、2000lxの白色光をＴＦＴに照射した場合、オフ電流は電流比で２桁以上大きくなる。【００２１】
本発明のＴＦＴアレイ基板検査装置１は、この光照射による光電界効果によって、欠陥によって生じる弱いオフ電流リークを増大させることでリークを強調し、欠陥検査を容易とする。【００２２】
欠陥のない部分のオフ電流も増大されるが、欠陥部分と正常部分のオフ電流は、欠陥部分ほどより強調されて増大する。【００２３】
このオフ電流の変化に応じてＴＦＴアレイ基板１０の電圧が変化するため、本発明のＴＦＴアレイ基板検査装置は、この電圧に応じて放出される二次電子を二次電子検出器５で検出する。検出される二次電子の強度は、欠陥部分と正常部分とで強調されて検出されることになるため、ウィークリークと呼ばれる不完全な欠陥であっても良好に識別して欠陥検査を行うことができる。【００２４】
なお、ここでは、ａ−Ｓi（アモルファスシリコン）型のＴＦＴを例としているが、ｐ−Ｓi（ポリシリコン）型のＴＦＴやｃ−Ｓi（単結晶シリコン）型のＴＦＴの場合においても、ａ−Ｓi型のＴＦＴと同様とすることができる。また、照射する電磁波の波長は、そのシリコンの特性に応じた波長を選択する。【００２５】
図１に示す構成例において、二次電子検出器５には、二次電子８と共に、可視光照射装置４から直接、あるいはＴＦＴアレイ基板１０や検査装置内の壁面で反射することによって、可視光７が入射する場合がある。【００２６】
通常、ＳＥＭ等の機能を備える二次電子検出装置では、二次電子検出器として電子を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換する光電子倍増管等の光電変換装置（光電変換手段）を用いた構成であるため、検出対象である二次電子以外の光についても反応する。そのため、本発明のＴＦＴアレイ基板検査装置において、検査対象のＴＦＴアレイ基板１０に対して光を照射すると、この光がノイズ成分として二次電子検出時に混入し、正常な二次電子検出に支障が生じることになる。【００２７】
これを防ぐために、二次電子検出器５のシンチレータの表面にアルミのコーティングを施し、このアルミによって光を遮蔽し、検出すべき二次電子のみを貫通（透過）させる。【００２８】
図２は、二次電子検出器５の一構成例を説明するための図である。図２において、二次電子検出器５は、光電子増倍管５ａの光入射側にガラス基板５ｂを有する。また、このガラス基板５ｂの外表面にはＣsＩ等のシンチレータ材５ｃが設けられている。この光電子増倍管５ａとガラス基板５ｂ及びシンチレータ材５ｃを有する構成は通常の二次電子検出器と同じである。この構成に加えて二次電子検出器５は、シンチレータ材５ｃの表面側にスパッタリング等によって蒸着させたアルミ薄膜５ｄを有する。【００２９】
なお、光を電気信号に変換する装置としては、光電子増倍管５ａの他に、ＣＣＤイメージセンサやＭＯＳ型イメージセンサ等の半導体光電変換素子を用いても良い。【００３０】
可視光７と二次電子８が二次電子検出器５のアルミ薄膜５ｄに入射すると、可視光７はアルミ薄膜５ｄによって遮蔽され、二次電子８のみがアルミ薄膜５ｄを通過してシンチレータ材５ｃに到達する。そして、この二次電子８はシンチレータ材５ｃによって光に変換される。この変換された光は光電子増倍管５ａによって電気信号に変換され、検査装置に送られる。【００３１】
以下、図３，図４を用いてアルミ膜厚と電子エネルギーとの関係を説明する。図３は、電子が持つエネルギーと、その電子がアルミ中を移動する移動距離との関係を示している。なお、二次電子のエネルギーは数eVであるが、シンチレータには数kV〜10kVの正電圧を印加するため、二次電子は加速され、シンチレータには高い電圧ネルギーで入射する。【００３２】
図３から、10eVのエネルギーを持つ電子のアルミ中の移動距離は0.16mg/cm２である。一方、アルミの比重は27000mg/cm３であるので、6000Å（＝0.16mg/cm２／27000mg/cm３）である。【００３３】
したがって、二次電子が10kVで加速されたときには6000Åのアルミ膜厚で遮蔽することができる。【００３４】
図４は、λ＝6500Å及びλ＝2200Åの光において、アルミの膜厚による透過率を示している。λ＝6500Åは可視光の赤の長波長に相当し、λ＝2200Åは可視光の青の短波長に相当する。図４から、可視光の領域では、400Åのアルミ膜厚で遮蔽することができる。【００３５】
図５は上記したアルミ膜厚の関係を示しており、図５（ａ）は可視光の透過と非透過のアルミ膜厚の境界を示し、図５（ｂ）は二次電子の透過と非透過のアルミ膜厚の境界を示し、図５（ｃ）は図５（ａ）と図５（ｂ）を組み合わせた、可視光を通さず二次電子を通すアルミ膜厚の範囲を示している。したがって、アルミ膜厚を400Å〜6000Åの範囲とすることで、可視光を遮蔽し、かつ二次電子をシンチレータに通すことができる。【００３６】
本発明の第２の実施形態の構成例について図６を用いて説明する。図６において、ＴＦＴアレイ基板検査装置１１は、ＴＦＴアレイ基板１０に向けて電子ビーム１３を照射する電子ビーム源１２と、電子ビーム１３の照射によってＴＦＴアレイ基板１０から放出される二次電子１８を検出する二次電子検出器１５と、二次電子検出器１５で検出した二次電子の強度信号に基づいて、ＴＦＴアレイの欠陥等の検査を行う検査装置１６と、トランジスタ特性変化装置としての加熱器（加熱手段である加熱装置）１４を備える。この加熱器１４は、ＴＦＴアレイ基板１０を所定温度に加熱する。しかも、この加熱器１４には、シースヒータやランプを用いることができる。【００３７】
この加熱器１４にランプを用いて、このランプによりＴＦＴアレイ基板１０を加熱する場合には、ＴＦＴアレイ基板１０の温度に斑が発生するおそれがある。しかし、このランプによりＴＦＴアレイ基板１０を所定温度に加熱する構成と、前記した光照射の構成とを併用することができる。また、加熱温度は、欠陥の波長依存性に応じて設定することができる。【００３８】
本発明の第３の実施形態の構成例について図７を用いて説明する。図７において、ＴＦＴアレイ基板検査装置２１は、ＴＦＴアレイ基板１０に向けて光２３を照射する光源２２と、ＴＦＴアレイ基板１０との間にわずかな隙間を空けて配置する電気光学素子２９と、電気光学素子２９が有した反射面で反射された光２８を検出する光検出器２５とを備えている。また、ＴＦＴアレイ基板検査装置２１は、光検出器２５で検出した光の強度信号に基づいてＴＦＴアレイの欠陥等の検査を行う検査装置２６と、電磁波照射手段であるトランジスタ特性変化装置としての電磁波照射装置（電磁波照射手段）２４を備える。この電磁波照射装置２４は、前記第１の実施形態で示した白色灯やＬＥＤ等の可視光照射装置（可視光照射手段）とすることができる。【００３９】
また、電磁波照射装置２４は、光２３がＴＦＴアレイ基板１０上を照射する照射領域に向かって可視光等の電磁波２７を照射する。【００４０】
ＴＦＴアレイ基板１０が備えるシリコンのトランジスタ特性は、照射された電磁波２７によって変化する。【００４１】
このトランジスタ特性の変化により、ＴＦＴアレイ基板１０上の電圧分布が変化して、電気光学素子２９に印加される電界も変化する。電気光学素子２９に印加される電界が変化すると、電気光学素子２９の屈折率が変化し、電気光学素子２９の反射面で反射した光２３の出射方向が変わる。この光２３の出射方向の変化は光検出器２５の検出強度変化として検出され、これによって欠陥検査を行うことができる。【００４２】
また、ＴＦＴアレイ基板１０に電磁波２７を照射することによって、欠陥による電圧分布のずれが強調され、欠陥の識別が容易となる。【００４３】
本発明の第４の実施形態の構成例について図８を用いて説明する。図８において、ＴＦＴアレイ基板検査装置３１は、ＴＦＴアレイ基板１０に向けて光３３を照射する光源３２と、ＴＦＴアレイ基板１０との間にわずかな隙間を空けて配置する電気光学素子３９と、電気光学素子３９が有した反射面で反射された光３８を検出する光検出器３５を備えている。また、ＴＦＴアレイ基板検査装置３１は、光検出器３５で検出した光の強度信号に基づいてＴＦＴアレイの欠陥等の検査を行う検査装置３６と、トランジスタ特性変化装置としての加熱器（加熱手段である加熱装置）３４を備える。この加熱器３４は、ＴＦＴアレイ基板１０を所定温度に加熱するようになっている。しかも、この加熱器３４には、シーズヒータやランプを用いることができる。【００４４】
また、ＴＦＴアレイ基板１０が備えるシリコンのトランジスタ特性は、加熱温度によって変化する。【００４５】
この加熱によるトランジスタ特性の変化により、ＴＦＴアレイ基板１０上の電圧分布が変化して電気光学素子３９に印加される電界も変化し、電界により電気光学素子３９の屈折率が変化し、電気光学素子３９の反射面で反射した光３８の出射方向が変わる。この光３８の出射方向の変化は光検出器３５の検出強度変化として検出され、これによって欠陥検査を行うことができる。【００４６】
また、ＴＦＴアレイ基板１０に加熱器３４で高温とすることによって、欠陥による電圧分布のずれが強調され、欠陥の識別が容易となる。【００４７】
以上説明したように、この発明の実施の形態のＴＦＴアレイ基板検査装置は、ＴＦＴアレイ基板１０のトランジスタの駆動状態を検出する駆動状態検出装置（例えば、電子ビーム源２と二次電子検出器５を備える手段、又は電子ビーム源１２と二次電子検出器１５を備える手段、若しくは光源２２と光検出器２５を備える手段、或いは光源３２と光検出器３５を備える手段）を備えている。また、ＴＦＴアレイ基板検査装置は、前記ＴＦＴアレイ基板１０を構成するトランジスタの特性を変化させるトランジスタ特性変化装置（可視光照射装置４，加熱器１４，電磁波照射装置２４，加熱器３４）を備えている。更に、ＴＦＴアレイ基板検査装置は、前記トランジスタの特性が変化した状態の前記ＴＦＴアレイ基板１０の駆動状態を前記駆動状態検出装置の出力から検査する検査装置（６，１６，２６，３６）を備えている。【００４８】
この構成のＴＦＴアレイ検査装置によれば、ウィークリークと呼ばれる欠陥の判定を容易とすることができる。【００４９】
また、この発明の実施の形態のＴＦＴアレイ基板検査装置の前記駆動状態検出装置は、電子ビームを前記ＴＦＴアレイ基板１０に照射するビーム照射装置（電子ビーム源２、１２）と、当該電子ビーム照射により発生する二次電子の強度を検出して前記検査装置（６，１６）に入力する二次電子検出器（５、１５）を備えている。【００５０】
この構成のＴＦＴアレイ検査装置によれば、電子ビームの照射によりＴＦＴアレイ基板１０から発生する二次電子の強度を検出することで、ウィークリークと呼ばれる欠陥の判定を容易とすることができる。【００５１】
更に、この発明の実施の形態のＴＦＴアレイ基板検査装置の前記駆動状態検出装置は、前記ＴＦＴアレイ基板１０の上部に間隔を開けて配置された電気光学素子（２９，３９）と、前記電気光学素子（２９，３９）に上部から光を照射する光照射装置（光源２２，３２）と、前記電気光学素子（２９，３９）の反射膜で反射される前記光がＴＦＴアレイ基板１０と電気光学素子（２９，３９）との間の電場により受ける光学的変化を検出して検出出力を前記検査装置（２６，３６）に入力する光検出器（２５，３５）を備えている。【００５２】
この構成のＴＦＴアレイ検査装置によれば、電気光学素子（２９，３９）の反射膜で反射される光の光学的変化を検出することにより、ウィークリークと呼ばれる欠陥の判定を容易とすることができる。【００５３】
更に、この発明の実施の形態のＴＦＴアレイ基板検査装置では、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのトランジスタ特性を、通常のＴＦＴアレイ基板１０を駆動するときの状態から変化させ、このトランジスタ特性を変化させた状態で、ＴＦＴアレイ基板１０を検査することによって、ウィークリークと呼ばれる欠陥の判定を容易としている。【００５４】
例えば、シリコンに電磁波を照射したり、熱を加えると、シリコンのトランジスタ特性は、通常状態から変化する。また、シリコンは光電界効果が大きいという特性を備えており、可視光領域の光を照射すると、オフ電流が増大する。本発明の一態様では、この特性を利用し、可視光領域の光を照射しない状態では弱いオフ電流リークを生じる欠陥に対して、可視光領域の光を照射することでオフ電流を増大させ、これによってリークを強調させる。これによって、ウィークリークと呼ばれる欠陥についても容易に欠陥検出を行うことができる。【００５５】
また、上述したようにＴＦＴアレイ基板検査装置は、ＴＦＴアレイ基板１０を検査するＴＦＴアレイ基板検査装置において、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのトランジスタ特性を変化させるトランジスタ特性変化装置を備えた構成とする。このトランジスタ特性変化装置により、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのトランジスタ特性を変化させ、このトランジスタ特性が変化した状態のＴＦＴアレイ基板１０を検査する。【００５６】
更に、上述したようにＴＦＴアレイ基板検査装置の第１の態様は、電子ビームをＴＦＴアレイ基板１０に照射し、この電子ビーム照射により発生する二次電子の強度を二次電子検出器で検出し、この二次電子強度によってＴＦＴアレイ基板１０を検査するＴＦＴアレイ基板検査装置において、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのトランジスタ特性を変化させるトランジスタ特性変化装置を備え、トランジスタ特性が変化した状態のＴＦＴアレイ基板１０に電子ビームを照射して得られる二次電子の強度を検出する。【００５７】
トランジスタ特性変化装置の第１の形態として、ＴＦＴアレイ基板１０に電磁波を照射する電磁波照射装置とすることができる。電磁波照射装置は、電磁波をＴＦＴアレイ基板１０に照射することでＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンにトランジスタ特性を変化させ、このときのＴＦＴアレイ基板１０から発生する二次電子強度を検出する。【００５８】
電磁波照射装置は可視光領域の光を照射する可視光照射装置とする。可視光照射装置からＴＦＴアレイ基板１０に可視光を照射することで、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのオフ電流を増大させ、ＴＦＴアレイ基板１０から発生する二次電子強度を検出する。照射する電磁波は、可視光領域の光の他に、赤外光、紫外光、放射線等を用いることができる。【００５９】
トランジスタ特性変化装置の第２の形態として、ＴＦＴアレイ基板１０の温度を上昇させる加熱器とすることができる。加熱器は、ＴＦＴアレイ基板１０を加熱することで、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンにトランジスタ特性を変化させ、このときのＴＦＴアレイ基板１０から発生する二次電子強度を検出する。【００６０】
本発明のＴＦＴアレイ基板検査装置の第２の態様は、照射した光ビームの反射を検出するものであり、ＴＦＴアレイ基板１０の上部に間隔を開けて電気光学素子を配置し、電気光学素子の上部から光を照射し、ＴＦＴアレイ基板１０と電気光学素子との間の電場によって、電気光学素子の反射膜で反射される光が受ける光学的変化を検出することによってＴＦＴアレイ基板１０を検査するＴＦＴアレイ基板検査装置において、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのトランジスタ特性を変化させるトランジスタ特性変化装置を備え、トランジスタ特性が変化した状態のＴＦＴアレイ基板１０と電気光学素子との間の電場により受ける光の光学的変化を検出する。【００６１】
トランジスタ特性変化装置の第１の形態は、ＴＦＴアレイ基板１０に電磁波を照射する電磁波照射装置とすることができる。電磁波照射装置によって、電磁波をＴＦＴアレイ基板１０に照射することでＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンにトランジスタ特性を変化させ、この状態によるＴＦＴアレイ基板１０と電気光学素子との間の電場により受ける光の光学的変化を検出する。【００６２】
電磁波照射装置は可視光領域の光を照射する可視光照射装置とすることができる。可視光を照射したＴＦＴアレイ基板１０と電気光学素子との間の電場により受ける光の光学的変化を検出する。照射する電磁波は、可視光領域の光の他に、赤外光、紫外光、放射線等を用いることができる。【００６３】
また、トランジスタ特性変化装置の第２の形態は、ＴＦＴアレイ基板１０の温度を上昇させる加熱器とすることができる。加熱器によってＴＦＴアレイ基板１０を加熱することでＴＦＴアレイ基板１０を構成するシリコンのトランジスタ特性を変化させ、この状態によるＴＦＴアレイ基板１０と電気光学素子との間の電場により受ける光の光学的変化を検出する。【００６４】
以上、本発明を例示的な実施例の観点から説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。当業者であれば、本発明の範囲または精神から逸脱することなく本発明の構成に対して様々な改良や変更が可能であることは容易に理解することができる。上記記載の観点から、本発明はこの発明の改良や変更を包含することを意図しており、そのような改良や変更は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲内に含まれる。【００６５】
本願は、２００５年５月２日に出願された日本特許出願番号２００５−１３４５９２に基づき優先権主張をするものであり、同出願の明細書、図面および特許請求の範囲を含む出願内容は、すべてを参照してここに含める。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明のアレイ検査は、液晶アレイ基板や有機ＥＬアレイ基板の検査等に適用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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