(57)【要約】【課題】寄生容量ができる限り小さくでき、センサ感度が高い容量センサを提供すること。【解決手段】本発明の容量センサは、絶縁基板１１上に設けられ、固定電極として機能する固定電極領域１２ａを含む第１シリコン層１２と、前記第１シリコン層１２上に絶縁層１３を介して配置され、前記固定電極と対向する領域に可動電極として機能する可動電極領域１４ａを含む第２シリコン層１４と、を具備し、前記第１シリコン層１２において、前記絶縁層１３を介して前記第１及び第２シリコン層１２，１４が積層される積層領域Ｂと、前記固定電極と前記可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが電気的に分離されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009300098.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に設けられ、固定電極として機能する領域を含む第１シリコン層と、前記第１シリコン層上に絶縁層を介して配置され、前記固定電極と対向する領域に可動電極として機能する領域を含む第２シリコン層と、を具備し、前記第１シリコン層において、前記絶縁層を介して前記第１及び第２シリコン層が積層される積層領域と、前記固定電極と前記可動電極とが対向する電極対向領域とが電気的に分離されていることを特徴とする容量センサ。
【請求項２】
前記絶縁基板は、前記電極対向領域に対応する領域に、前記絶縁基板の両主面で露出すると共に、前記第１シリコン層と電気的に接続された貫通電極を有することを特徴とする請求項１記載の容量センサ。
【請求項３】
前記絶縁層は、前記第１シリコン層又は前記第２シリコン層に形成された熱酸化膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の容量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて圧力などの物理量を検出する容量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力などの物理量を検出するセンサとして、例えば容量センサがある。この容量センサは、固定電極と、ダイヤフラムなどの可動電極とで構成され、固定電極と可動電極との間の静電容量の変化を検出することにより、物理量を求めることができる。
【０００３】
このような容量センサとしては、図１４に示すような構成のものがある。図１４に示す容量センサは、固定電極を構成する領域を持つ第１シリコン層１０１と、第１シリコン層１０１の固定電極を構成する領域以外の領域上に絶縁層１０２を介して設けられ、可動電極であるダイヤフラムを構成する領域を持つ第２シリコン層１０３とから主に構成されている。第１シリコン層１０１及び第２シリコン層１０３上には、それぞれ引き出し電極１０５，１０４が設けられている。
【０００４】
容量センサは、携帯電話やＰＤＡ（Personal Digital Assistance）のような電子機器に搭載されるようになってきている。電子機器においては、容量センサを実装する基板であるプリント配線板が寄生容量を持ち、また、電子機器を使用するユーザも寄生容量を持つ。このように容量センサ以外の部分が不可避的に寄生容量を持つので、容量センサ自体においては、寄生容量をできる限り小さくする必要がある。
【特許文献１】特開平１０−１１１２０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１４に示す容量センサにおいては、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域以外の領域においても寄生容量を持つので、ベースとして持つ容量値が大きいものとなる。このようにベースとして持つ容量値が大きいと、容量センサで検知する物理量に対応する容量変化量が相対的に小さく見えることになり、センサ感度が低いものとなってしまう。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、寄生容量ができる限り小さくでき、センサ感度が高い容量センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の容量センサは、絶縁基板上に設けられ、固定電極として機能する領域を含む第１シリコン層と、前記第１シリコン層上に絶縁層を介して配置され、前記固定電極と対向する領域に可動電極として機能する領域を含む第２シリコン層と、を具備し、前記第１シリコン層において、前記絶縁層を介して前記第１及び第２シリコン層が積層される積層領域と、前記固定電極と前記可動電極とが対向する電極対向領域とが電気的に分離されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、絶縁層を介して第１及び第２シリコン層が積層される積層領域と、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域とが電気的に分離されているので、積層領域の寄生容量は、電極対向領域の容量に影響を及ぼさない。このため、容量センサ全体の静電容量のうち、電極対向領域の静電容量が占める割合が相対的に大きくなり、その結果、センサ感度が高くなる。
【０００９】
本発明の容量センサにおいては、前記絶縁基板は、前記電極対向領域に対応する領域に、前記絶縁基板の両主面で露出すると共に、前記第１シリコン層と電気的に接続された貫通電極を有することが好ましい。
【００１０】
本発明の容量センサにおいては、前記絶縁層は、前記第１シリコン層又は前記第２シリコン層に形成された熱酸化膜であることが好ましい。この構成において、シリコン層の熱酸化膜の厚さは、可動電極と固定電極との間のギャップに相当する。この可動電極と固定電極との間のギャップは、センサ感度に大きく影響する。シリコン層の熱酸化膜の厚さは、１ｎｍ単位で膜厚制御することが可能であるので、このような構成を採ることにより、可動電極と固定電極との間のギャップの精度を高めることができ、結果として、センサの検出精度を高くすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の容量センサは、絶縁基板上に設けられ、固定電極として機能する領域を含む第１シリコン層と、前記第１シリコン層上に絶縁層を介して配置され、前記固定電極と対向する領域に可動電極として機能する領域を含む第２シリコン層と、を具備し、前記第１シリコン層において、前記絶縁層を介して前記第１及び第２シリコン層が積層される積層領域と、前記固定電極と前記可動電極とが対向する電極対向領域とが電気的に分離されているので、寄生容量をできる限り小さくすることができ、センサ感度を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る容量センサを示す図である。図１に示す容量センサは、絶縁基板１１を有する。この絶縁基板１１としては、ガラス基板や、ガラスエポキシ、セラミックスで構成されたプリント配線板などが挙げられる。この絶縁基板１１上には、第１シリコン層１２が設けられている。この第１シリコン層１２は、固定電極として機能する固定電極領域１２ａを含む。また、第１シリコン層１２は、分断領域（シリコン層が存在しない領域）Ｘを有しており、これにより、第１シリコン層１２と後述する第２シリコン層１４とが積層される積層領域Ｂと、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが電気的に分離されるようになっている。なお、分断領域Ｘの幅は、第１シリコン層１２と第２シリコン層１４とが積層される領域が持つ寄生容量が電極対向領域Ａに影響を及ぼさない程度に適宜設定することができる。また、第１シリコン層１２上には、固定電極側の引き出し電極１６が形成されている。なお、電極１６の材料としては、アルミニウム、金などの通常の電極材料を用いることができる。
【００１３】
第１シリコン層１２上には、絶縁層１３を介して第２シリコン層１４が設けられている。第２シリコン層１４は、固定電極（第１シリコン層１２の固定電極領域１２ａ）と対向する領域に可動電極として機能する可動電極領域１４ａを含む。固定電極領域１２ａと可動電極領域１４ａとで電極対向領域を構成している。この電極対向領域には、第１シリコン層１２、絶縁層１３及び第２シリコン層１４が積層して構成される支持部（本明細書においては積層領域には含まれない）と、この支持部を支点として変位可能であり、第１シリコン層１２と第２シリコン層１４とがギャップＧを有して対向してなるダイヤフラム部とが含まれている。このギャップＧは、絶縁層１３の厚さで制御されている。また、第２シリコン層１４上には、可動電極側の引き出し電極１５が形成されている。なお、電極１５の材料としては、アルミニウム、金などの通常の電極材料を用いることができる。
【００１４】
絶縁層１３は、第１シリコン層１２又は第２シリコン層１４に形成された熱酸化膜であることが好ましい。絶縁層１３をシリコン層の熱酸化膜で構成する場合、シリコン層の熱酸化膜の厚さは、ダイヤフラム部のギャップＧに相当する。このギャップＧは、センサ感度に大きく影響する。シリコン層の熱酸化膜の厚さは、１ｎｍ単位で膜厚制御することが可能であるので、このような構成を採ることにより、ダイヤフラム部のギャップＧの精度を高めることができ、結果として、センサの検出精度を高くすることが可能となる。なお、熱酸化膜の厚さは、０．３μｍ〜１．５μｍであることが好ましい。
【００１５】
図１に示す構成において、電極対向領域Ａの静電容量をＣ１とし、積層領域の静電容量をＣ２とすると、静電容量の模式図は図２に示すようになる。そして、容量センサ全体の静電容量Ｃは、Ｃ＝Ｃ１＋Ｃ２となる。静電容量Ｃ２は寄生容量であり、センサ感度を高めるためにできる限り小さくことが望ましい。すなわち、静電容量は面積に比例するので、絶縁層１３を介してシリコン層１２，１４が積層された積層領域Ｂの面積をできる限り小さくして静電容量Ｃ２を小さくし、容量センサ全体の静電容量Ｃを小さくすることが望ましい。電極対向領域Ａにおいては、支持部が積層領域Ｂと同じ構成を採るため、支持部の寄生容量がセンサ感度に影響を及ぼさないようにするために、支持部の面積Ｓ１が、ダイヤフラム部の面積Ｓ２の１／３０以下であることが望ましい。
【００１６】
本実施の形態に係る容量センサの構成において、物理量、例えば圧力を検出する場合、容量センサに圧力が加わると、ダイヤフラム部の第２シリコン層１４の可動電極領域１４ａを押圧する。可動電極領域１４ａを押圧すると、可動電極領域１４ａが変位して、第１シリコン層１２の固定電極領域１２ａとの間の距離が変わり、その距離の変化による静電容量の変化を容量差として検出することができ、その静電容量変化で圧力を測定することができる。
【００１７】
また、本実施の形態に係る容量センサの構成においては、絶縁層１３を介して第１及び第２シリコン層１２，１４が積層される積層領域Ｂと、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが電気的に分離されているので、積層領域Ｂの寄生容量は、電極対向領域Ａの容量に影響を及ぼさない。このため、容量センサ全体の静電容量のうち、電極対向領域Ａの静電容量が占める割合が相対的に大きくなり、その結果、センサ感度が高くなる。
【００１８】
次に、上記構成を有する容量センサの製造方法の一例について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態１に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【００１９】
図３（ａ）に示すように、絶縁基板１１であるガラス基板上に第１シリコン層１２を形成する。例えば、ガラス基板上にシリコン基板を接合することによりガラス基板上に第１シリコン層を形成する。次いで、図３（ｂ）に示すように、第１シリコン層１２の主面を熱酸化して絶縁層１３として熱酸化膜を形成し、少なくとも積層領域及び支持部の絶縁層１３を残存させるように熱酸化膜をエッチングしてパターニングする。次いで、図３（ｃ）に示すように、第１シリコン層１２の主面上に引き出し電極１６を形成する。すなわち、第１シリコン層１２の主面上にスパッタリングにより電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより電極１６を形成する。次いで、図３（ｄ）に示すように、第１シリコン層１２の分断領域Ｘ部分を異方性エッチングしてシリコン層を除去して、分断領域Ｘを形成する。
【００２０】
次いで、図４（ａ）に示すように、第１シリコン層１２の絶縁層１３上に、第２シリコン層２１ａ、第３シリコン層２１ｃ、並びに第２シリコン層２１ａ及び第３シリコン層２１ｃの間に介在する絶縁層２１ｂから構成されるＳＯＩ基板２１を、第２シリコン層２１ａが絶縁層１３に当接するようにして接合する。接合方法としては、プラズマ活性法や常温法などの通常の基板接合方法を用いることができる。次いで、図４（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板２１の第３シリコン層２１ｃをエッチングにより除去し、図４（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板２１の絶縁層２１ｂをエッチングにより除去する。次いで、図４（ｄ）に示すように、第２シリコン層２１ａの主面上に引き出し電極１５を形成する。すなわち、第２シリコン層２１ａの主面上にスパッタリングにより電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより電極１５を形成する。次いで、図４（ｅ）に示すように、可動電極用の引き出し電極１６が露出するように、第２シリコン層２１ａを異方性エッチングにより除去する。このようにして容量センサを作製する。
【００２１】
なお、上記説明においては、ＳＯＩ基板２１を用いた場合について説明しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第２シリコン層２１ａの厚さが６０μｍ程度ある場合においては、ＳＯＩ基板を用いずに、厚さ６０μｍ程度のシリコン基板を第１シリコン層１２上の絶縁層１３に接合しても良い。この場合においては、図４（ｃ）に示す構成となるので、その後に図４（ｄ），（ｅ）に示す工程を経て容量センサを作製することができる。
【００２２】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
図５は本発明の実施の形態１に係る容量センサを示す図であり、図５（ａ）は側面図であり、図５（ｂ）は平面図である。図６は本発明の参考例の容量センサを示す図であり、図６（ａ）は側面図であり、図６（ｂ）は平面図である。図５に示す本発明の実施の形態１に係る容量センサ（実施例）を上述した方法により作製した。この容量センサにおいては、絶縁層１３を介して第１及び第２シリコン層１２，１４が積層される積層領域Ｂと、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが分断領域Ｘにより電気的に分離されている。また、図６に示す参考例の容量センサを上述した方法において図３（ｄ）に示す工程を経ることなく作製した。この容量センサにおいては、絶縁層１３を介して第１及び第２シリコン層１２，１４が積層される積層領域Ｂと、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが電気的に分離されていない（すなわち、第１シリコン層１２に分断領域Ｘがない）。
【００２３】
なお、図５及び図６に示す容量センサにおいては、可動電極であるダイヤフラムの厚さを２０μｍとし、ダイヤフラムの直径を９００μｍとし、絶縁層の厚さを０．８５μｍとした。この場合において、実施例の容量センサでは、ダイヤフラム部の面積Ｓ２に対する支持部の面積Ｓ１の割合が０．５７であり、参考例の容量センサでは、ダイヤフラム部の面積に対する積層領域の面積の割合が１．９１であった。
【００２４】
このような実施例及び参考例の容量センサについて、それぞれ圧力変化による静電容量の変化を調べた。その結果を図７に示す。また、実施例及び参考例の容量センサについて、それぞれ圧力変化による静電容量比の変化を調べた。その結果を図８に示す。図８において静電容量比は、圧力が０の場合を１として算出した。図８から分かるように、実施例の容量センサは、圧力に対する静電容量比が大きくとれ、センサ感度が高いものであった。これは、絶縁層を介して第１及び第２シリコン層が積層される積層領域と、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域とが電気的に分離されて、積層領域の寄生容量が電極対向領域の容量に影響を及ぼさないためであると考えられる。一方、図８から分かるように、参考例の容量センサは、圧力に対する静電容量比が大きくとれず、センサ感度が低いものであった。これは、図７から分かるように、ベースとなる寄生容量が高いために、容量センサ全体の静電容量のうち、電極対向領域Ａの静電容量が占める割合が相対的に小さくなっているからであると考えられる。
【００２５】
（実施の形態２）
図９は、本発明の実施の形態２に係る容量センサを示す図である。図９に示す容量センサは、絶縁基板３１を有する。この絶縁基板３１としては、ガラス基板や、ガラスエポキシ、セラミックスで構成されたプリント配線板などが挙げられる。この絶縁基板３１上には、第１シリコン層３２が設けられている。この第１シリコン層３２は、固定電極として機能する固定電極領域３２ａを含む。また、第１シリコン層３２は、分断領域（シリコン層が存在しない領域）Ｘを有しており、これにより、第１シリコン層３２と後述する第２シリコン層３４とが積層される積層領域Ｂと、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが電気的に分離されるようになっている。なお、分断領域Ｘの幅は、第１シリコン層３２と第２シリコン層３４とが積層される領域が持つ寄生容量が電極対向領域Ａに影響を及ぼさない程度に適宜設定することができる。また、絶縁基板３１は、電極対向領域Ａに対応する領域に、絶縁基板３１の両主面で露出すると共に、第１シリコン層３２と電気的に接続された貫通電極３６を有する。このような貫通電極３６を設けることにより、固定電極側の引き出しラインを簡略化するとともに、プリント配線板に容量センサを容易に実装することができる。なお、貫通電極１６の材料としては、アルミニウム、金などの通常の電極材料を用いることができる。
【００２６】
第１シリコン層３２上には、絶縁層３３を介して第２シリコン層３４が設けられている。第２シリコン層３４は、固定電極（第１シリコン層３２の固定電極領域３２ａ）と対向する領域に可動電極として機能する可動電極領域３４ａを含む。固定電極領域３２ａと可動電極領域３４ａとで電極対向領域を構成している。電極対向領域では、第１シリコン層３２と第２シリコン層３４とがギャップＧを有して対向している。このギャップＧは、絶縁層３３の厚さで制御されている。また、第２シリコン層３４上には、可動電極側の引き出し電極３５が形成されている。なお、電極３５の材料としては、アルミニウム、金などの通常の電極材料を用いることができる。
【００２７】
絶縁層３３は、第１シリコン層３２又は第２シリコン層３４に形成された熱酸化膜であることが好ましい。絶縁層３３をシリコン層の熱酸化膜で構成する場合、シリコン層の熱酸化膜の厚さは、ダイヤフラム部のギャップＧに相当する。このギャップＧは、センサ感度に大きく影響する。シリコン層の熱酸化膜の厚さは、１ｎｍ単位で膜厚制御することが可能であるので、このような構成を採ることにより、ダイヤフラム部のギャップＧの精度を高めることができ、結果として、センサの検出精度を高くすることが可能となる。なお、熱酸化膜の厚さは、０．３μｍ〜１．５μｍであることが好ましい。
【００２８】
図９に示す構成において、電極対向領域Ａの静電容量をＣ１とし、積層領域の静電容量をＣ２とすると、静電容量の模式図は図２に示すようになる。そして、容量センサ全体の静電容量Ｃは、Ｃ＝Ｃ１＋Ｃ２となる。静電容量Ｃ２は寄生容量であり、センサ感度を高めるためにできる限り小さくことが望ましい。すなわち、静電容量は面積に比例するので、絶縁層３３を介してシリコン層３２，３４が積層された積層領域Ｂの面積をできる限り小さくして静電容量Ｃ２を小さくし、容量センサ全体の静電容量Ｃを小さくすることが望ましい。
【００２９】
本実施の形態に係る容量センサの構成において、物理量、例えば圧力を検出する場合、容量センサに圧力が加わると、ダイヤフラム部の第２シリコン層３４の可動電極領域３４ａを押圧する。可動電極領域３４ａを押圧すると、可動電極領域３４ａが変位して、第１シリコン層３２の固定電極領域３２ａとの間の距離が変わり、その距離の変化による静電容量の変化を容量差として検出することができ、その静電容量変化で圧力を測定することができる。
【００３０】
また、本実施の形態に係る容量センサの構成においては、絶縁層３３を介して第１及び第２シリコン層３２，３４が積層される積層領域Ｂと、固定電極と可動電極とが対向する電極対向領域Ａとが電気的に分離されているので、積層領域Ｂの寄生容量は、電極対向領域Ａの容量に影響を及ぼさない。このため、容量センサ全体の静電容量のうち、電極対向領域Ａの静電容量が占める割合が相対的に大きくなり、その結果、センサ感度が高くなる。
【００３１】
次に、上記構成を有する容量センサの製造方法の一例について説明する。図１０（ａ）〜（ｄ）、図１１（ａ）〜（ｃ）、図１２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【００３２】
図１０（ａ）に示すように、絶縁基板３１であるガラス基板上に第１シリコン層３２を形成する。例えば、ガラス基板上にシリコン基板を接合することによりガラス基板上に第１シリコン層を形成する。次いで、図１０（ｂ）に示すように、絶縁基板３１の固定電極形成領域に対応する領域をエッチングなどにより除去して開口部３１ａを形成する。次いで、図１０（ｃ）に示すように、絶縁基板３１の開口部３１ａに貫通電極３６を形成する。すなわち、絶縁基板３１の開口部３１ａを埋め込むようにスパッタリングにより電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより貫通電極３６を形成する。次いで、図１０（ｄ）に示すように、第１シリコン層３２の分断領域Ｘ部分を異方性エッチングしてシリコン層を除去して、分断領域Ｘを形成する。
【００３３】
次いで、図１１（ａ）に示すような第２シリコン層４１ａ、第３シリコン層４１ｃ、並びに第２シリコン層４１ａ及び第３シリコン層４１ｃの間に介在する絶縁層４１ｂから構成されるＳＯＩ基板４１の第２シリコン層４１ａの主面を熱酸化して絶縁層３３として熱酸化膜を形成し（図１１（ｂ））、図１１（ｃ）に示すように、少なくとも積層領域の絶縁層３３を残存させるように熱酸化膜をエッチングしてパターニングする。
【００３４】
次いで、図１２（ａ）に示すように、図１０（ｄ）に示す構造体上に、図１１（ｃ）に示す構造体を、絶縁層３３が第１シリコン層３２に当接するようにして接合する。接合方法としては、プラズマ活性法や常温法などの通常の基板接合方法を用いることができる。次いで、図１２（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板４１の第３シリコン層４１ｃをエッチングにより除去し、ＳＯＩ基板４１の絶縁層４１ｂをエッチングにより除去する。次いで、図１２（ｃ）に示すように、第２シリコン層４１ａの主面上に引き出し電極３５を形成する。すなわち、第２シリコン層４１ａの主面上にスパッタリングにより電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより電極３５を形成する。このようにして容量センサを作製する。
【００３５】
なお、上記説明においては、ＳＯＩ基板４１を用いた場合について説明しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、第２シリコン層４１ａの厚さが６０μｍ程度ある場合においては、ＳＯＩ基板を用いずに、厚さ６０μｍ程度のシリコン基板に熱酸化膜を形成したものを第１シリコン層３２上に接合しても良い。この場合においては、図１３（ａ）に示すように、シリコン基板５１の一方の主面を熱酸化して熱酸化膜５２を形成し、図１３（ｂ）に示すように、少なくとも積層領域の絶縁層５２を残存させるように熱酸化膜を等方性エッチングしてパターニングし、その後、シリコン基板５１の他方の主面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）などにより薄層化する。次いで、図１３（ｃ）に示すように、シリコン基板５１の他方の主面（薄層化した側）上に引き出し電極３５を形成する。すなわち、シリコン基板５１の主面上にスパッタリングにより電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより電極３５を形成する。そして、図１０（ｄ）に示す構造体上に、この図１３（ｃ）に示す構造体を、絶縁層３３が第１シリコン層３２に当接するようにして接合することにより、容量センサを作製することができる。
【００３６】
本発明は上記実施の形態１，２に限定されず、種々変更して実施することができる。上記実施の形態において、センサにおける電極や各層の厚さや材質については本発明の効果を逸脱しない範囲で適宜設定することができる。また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る容量センサを示す図である。
【図２】容量センサにおける静電容量を説明するための模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態１に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態１に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る容量センサを示す図であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の参考例の容量センサを示す図であり、（ａ）は側面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図７】実施例及び参考例の容量センサについての静電容量と圧力との間の関係を示す図である。
【図８】実施例及び参考例の容量センサについての静電容量比と圧力との間の関係を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る容量センサを示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態２に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る容量センサの製造方法を説明するための図である。
【図１４】従来の容量センサを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１，３１  絶縁基板
１２，３２  第１シリコン層
１２ａ，３２ａ  固定電極領域
１３，２１ｂ，３３，４１ｂ  絶縁層
１４，２１ａ，４１ａ，３４  第２シリコン層
１４ａ，３４ａ  可動電極領域
１５，１６，３５  引き出し電極
２１ｃ，４１ｃ  第３シリコン層
３１ａ  開口部
３６  貫通電極
５１  シリコン基板
５２  熱酸化膜
Ｘ  分断領域
Ａ  電極対向領域
Ｂ  積層領域
【図１】
2009300098.tif 000003
【図２】
2009300098.tif 000004
【図３】
2009300098.tif 000005
【図４】
2009300098.tif 000006
【図５】
2009300098.tif 000007
【図６】
2009300098.tif 000008
【図７】
2009300098.tif 000009
【図８】
2009300098.tif 000010
【図９】
2009300098.tif 000011
【図１０】
2009300098.tif 000012
【図１１】
2009300098.tif 000013
【図１２】
2009300098.tif 000014
【図１３】
2009300098.tif 000015
【図１４】
2009300098.tif 000016