(57)【要約】  式（１）で表される有機ホウ素π電子系化合物（例えばＡｒ１はチオフェンであり、Ａｒ２はチアゾール）は、Ａｒ２の環状骨格に含まれる窒素がホウ素へ分子内配位するため、従来の電子輸送材料と比べて、（ａ）ＬＵＭＯのエネルギーレベルが低下し電子受容性が高くなり、電子の注入効率が向上し、（ｂ）Ａｒ１とＡｒ２とが高い共平面性をとることで、固体状態での分子間の配向を制御することができ、注入された電子の移動度が高くなる。したがって、これらの有機ホウ素π電子系化合物は、電子輸送材料（有機ＥＬ素子の電子輸送層やＦＥＴの電子輸送層など）として適している。2006070817.tif 000021
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される構成単位を１〜４００個鎖状に結合した構造を有する有機ホウ素π電子系化合物。
2006070817.tif 000016
（但し、Ａｒ１は、ベンゼン、置換ベンゼン、チオフェン、置換チオフェン、１，１−ジオキシドチオフェン、置換１，１−ジオキシドチオフェン、チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、テトラセン、置換テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であり、
Ａｒ２は，チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であって窒素のホウ素への配位結合を介して縮環する基であり、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立にアリール基、置換アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、水酸基、ボリルオキシ基、ハロゲン原子及び水素原子からなる群より選ばれた１種であるか、Ｘ１及びＸ２が結合してなる２，２’−ビフェニル基又は置換２，２’−ビフェニル基である）
【請求項２】
下記式（２）で表される、請求項１に記載の有機ホウ素π電子系化合物。
2006070817.tif 000017
（但し、ｎは、１〜４００の値である）
【請求項３】
下記式（３）で表される、請求項１に記載の有機ホウ素π電子系化合物。
2006070817.tif 000018
（但し、ｎは、１〜２００の値である）
【請求項４】
下記式（４）で表される、請求項１に記載の有機ホウ素π電子系化合物。
2006070817.tif 000019
（但し、ｎは、１〜２００の値である）
【請求項５】
ｎが１又は２である、請求項２〜４のいずれかに記載の有機ホウ素π電子系化合物。
【請求項６】
Ａｒ１がチオフェン又は置換チオフェンであり、Ａｒ２がチアゾール又は置換チアゾールである、請求項１〜５のいずれかに記載の有機ホウ素π電子系化合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の有機ホウ素π電子系化合物であって、
両末端に結合している基が、それぞれ独立に水素原子、アリール基、置換アリール基、オリゴアリール基、置換オリゴアリール基、１価の複素環基、１価の置換複素環基、１価のオリゴ複素環基、１価の置換オリゴ複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アリル基、アミノ基、置換アミノ基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、スタンニル基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれた１種である、有機ホウ素π電子系化合物。
【請求項８】
電子輸送材料として用いられる、請求項１〜７のいずれかに記載の有機ホウ素π電子系化合物。
【請求項９】
下記式（５）で表される、請求項１〜８のいずれかに記載の有機ホウ素π電子系化合物の合成中間体。
2006070817.tif 000020
（但し、Ａｒ１は、ベンゼン、置換ベンゼン、チオフェン、置換チオフェン、１，１−ジオキシドチオフェン、置換１，１−ジオキシドチオフェン、チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、テトラセン、置換テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であり、
Ａｒ２は，チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であって窒素のホウ素への配位結合を介して縮環する基であり、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立にアリール基、置換アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、水酸基、ボリルオキシ基、ハロゲン原子及び水素原子からなる群より選ばれた１種であるか、Ｘ１及びＸ２が結合してなる２，２’−ビフェニル基又は置換２，２’−ビフェニル基であり、
Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立にＨ，Ｌｉ，ＭｇＸ，ＺｎＸ，ＳｎＲ１Ｒ２Ｒ３，Ｂ（ＯＨ）２，Ｂ（ＯＲ）２，ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３，Ｘ，ＳＲ，ＯＴｆ及び置換トリアゼニル基（Ｘはハロゲン原子、Ｒはアルキル基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよいアルキル基）からなる群より選ばれた１種である）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な有機ホウ素π電子系化合物及びその合成中間体に関する。  
【背景技術】
【０００２】
近年、有機電界発光素子（以下、有機ＥＬという）や電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）といった有機エレクトロニクス分野が脚光を浴びており、優れた電子輸送能を有する有機電子輸送材料を開発しようとする試みが行われている。この有機電子輸送材料の特性としては、電極からの電子の注入効率が高いこと及び注入された電子の移動度が高いことが求められ、例えば、有機ＥＬ素子に使用される電子輸送材料として、チエニルチアゾールのポリマーやトリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム（以下、Ａｌｑ３という）といった含窒素π共役電子系化合物が知られている（例えば非特許文献１、特許文献１参照）。そして、この含窒素π共役電子系化合物の中でも特に、Ａｌｑ３が、電子輸送材料として広く用いられている。このＡｌｑ３では、キノリン部分の窒素がアルミニウムに分子内配位してキノリン部分に広がる最低空軌道（以下、ＬＵＭＯという）のエネルギーレベルが低下するため、電子受容性が高くなり、電子を効率的に受け取ることができる。
【非特許文献１】Macromolecules 2003,36,7986-7993
【特許文献１】特許第２８２８８２１号公報
【発明の開示】
【０００３】
しかしながら、上述したＡｌｑ３は、電子移動度が十分高いとはいえず、電子受容性の向上と併せてより優れた電子輸送材料の開発が重要な課題となっていた。また、上述したＡｌｑ３以外に電子輸送材料としていくつか報告されているものの有機分子のアニオン種は大気中では不安定なために有機分子を用いた電子輸送材料の研究開発例は少なく、真に優れた電子輸送材料、つまり電子の注入効率が高く且つ注入された電子の移動度が高い電子輸送材料の開発が望まれていた。
【０００４】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、電子輸送材料に適する新規な有機ホウ素π電子系化合物を提供することを目的の一つとする。また、そのような有機ホウ素π電子系化合物の合成中間体を提供することを目的の一つとする。
【０００５】
本発明者らは、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として広く用いられているＡｌｑ3の電子構造に着目し、そのＤＦＴ計算（Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ（ｄ））を行った結果、ルイス酸であるアルミニウムへの分子内配位により、キノリン部分に広がるＬＵＭＯのエネルギーレベルが著しく低下することがこのＡｌｑ3の電子構造の本質であることがわかった。そこで、この事実を新たな分子設計のコンセプトとし、アルミニウムの代わりにより安定なホウ素を用い、これを含窒素π共役系骨格に組み込むことにより、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明の有機ホウ素π電子系化合物は、下記式（１）で表される構成単位を１〜４００個鎖状に結合した構造を有する化合物である。ここで、下記式（１）の構成単位同士は、Ａｒ１とＡｒ２とが結合していてもよいし、Ａｒ１とＡｒ１とが結合していてもよいし、Ａｒ２とＡｒ２とが結合していてもよい。また、各構成単位のＡｒ１とＡｒ２とが規則正しく配列されるよう構成単位同士が結合していてもよいし、あるいは、Ａｒ１とＡｒ２との結合、Ａｒ１とＡｒ１との結合及びＡｒ２とＡｒ２との結合が不規則に配列されるよう構成単位同士が結合していてもよい。この有機ホウ素π電子系化合物は、Ａｒ２の環状骨格に含まれる窒素がホウ素へ分子内配位するため、従来の電子輸送材料と比べて、（ａ）ＬＵＭＯのエネルギーレベルが低下し電子受容性が高くなり、電子の注入効率が向上し、（ｂ）Ａｒ１とＡｒ２とが高い共平面性をとることで、固体状態での分子間の配向を制御することができ、注入された電子の移動度が高くなる。したがって、これらの有機ホウ素π電子系化合物は、電子輸送材料（有機ＥＬ素子の電子輸送層やＦＥＴの電子輸送層など）として適している。また、下記式（１）でＸ１及びＸ２が互いに結合してなる２，２’−ビフェニル基又は置換２，２’−ビフェニル基の場合には、強固でかさ高いスピロ構造を持つことになるため、アモルファス膜形成能が高くなる。
【０００７】
2006070817.tif 000002
【０００８】
（但し、Ａｒ１は、ベンゼン、置換ベンゼン、チオフェン、置換チオフェン、１，１−ジオキシドチオフェン、置換１，１−ジオキシドチオフェン、チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、テトラセン、置換テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であり、
Ａｒ２は，チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であって窒素のホウ素への配位結合を介して縮環する基であり、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立にアリール基、置換アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、水酸基、ボリルオキシ基、ハロゲン原子及び水素原子からなる群より選ばれた１種であるか、Ｘ１及びＸ２が結合してなる２，２’−ビフェニル基又は置換２，２’−ビフェニル基である）
【０００９】
また、本発明の有機ホウ素π電子系化合物は、下記式（２）〜（４）のいずれかで表される化合物であってもよい。なお、本明細書では、式（１）の構成単位のＡｒ１をヘッド、Ａｒ２をテールと称し、式（２）をヘッド・ツウ・テール型、式（３）をテール・ツウ・テール型、式（４）をヘッド・ツウ・ヘッド型と称するものとする。
【００１０】
2006070817.tif 000003
【００１１】
2006070817.tif 000004
【００１２】
2006070817.tif 000005
【００１３】
（但し、Ａｒ１は、ベンゼン、置換ベンゼン、チオフェン、置換チオフェン、１，１−ジオキシドチオフェン、置換１，１−ジオキシドチオフェン、チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、テトラセン、置換テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であり、
Ａｒ２は，チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であって窒素のホウ素への配位結合を介して縮環する基であり、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立にアリール基、置換アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、水酸基、ボリルオキシ基、ハロゲン原子及び水素原子からなる群より選ばれた１種であるか、Ｘ１及びＸ２が結合してなる２，２’−ビフェニル基又は置換２，２’−ビフェニル基であり、
ｎは１〜２００の値（但し式（２）ではｎは１〜４００の値）である。）
【００１４】
本発明の有機ホウ素π電子系化合物は、上記式（２）〜（４）において、ｎを１又は２としてもよい。上記式（１）〜（４）において、ホウ素と直接結合するＡｒ１内の原子は炭素であることが、化合物の安定性（例えば熱安定性、水や空気に対する安定性）が良好になるため好ましい。また、上記式（１）〜（４）において、Ａｒ１をチオフェン又は置換チオフェンとし、Ａｒ２をチアゾール又は置換チアゾールとしてもよい。例えば、２−（２−チエニル）チアゾールと、この化合物のチアゾールに含まれる窒素がホウ素へ分子内配位した２−（３−ジフェニルボリル−２−チエニル）チアゾール（式（２）でＡｒ１をチオフェン、Ａｒ２をチアゾール、Ｘ１及びＸ２を共にフェニル、ｎを１とした化合物）のＬＵＭＯのエネルギーレベル（Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ（ｄ））を比較すると、前者が−１．５７ｅＶであるのに対して後者が−２．０１ｅＶであり、後者は前者に比べて電子受容性が向上することがわかる。
【００１５】
本発明の有機ホウ素π電子系化合物は、両末端に結合している基が、それぞれ独立に水素原子、アリール基、置換アリール基、オリゴアリール基、置換オリゴアリール基、１価の複素環基、１価の置換複素環基、１価のオリゴ複素環基、１価の置換オリゴ複素環基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、置換アルケニル基、アルキニル基、置換アルキニル基、アリル基、アミノ基、置換アミノ基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、シリル基、置換シリル基、スタンニル基、置換スタンニル基、ボリル基、置換ボリル基、ホスフィノ基、置換ホスフィノ基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基及びハロゲン原子からなる群より選ばれた１種としてもよい。
【００１６】
次に、本発明の有機ホウ素π電子系化合物の合成ルートについて説明する。上記式（１）を構成単位としている化合物は、例えば下記式（５）の合成中間体を利用して製造することができる。この式（５）の合成中間体を合成するルートの一例としては、まず、Ａｒ１とＡｒ２とをクロスカップリング反応により結合させて含窒素π共役系化合物を合成し、続いて含窒素ヘテロ環（Ａｒ２）のオルトメタル化を経由したホウ素置換基の導入を行う、というルートが挙げられる。また、式（５）の合成中間体を利用して本発明の有機ホウ素π電子系化合物を合成するルートとしては、式（５）でＸ３がハロゲン原子（例えばヨウ素原子）でＸ４が水素原子である化合物と式（５）でＸ３が水素原子でＸ４がトリアルキルスタンニル基である化合物とをパラジウム錯体を用いてクロスカップリングさせるルートや、式（５）でＸ３が水素原子でＸ４がリチウムイオンである化合物同士を銅錯体を用いて酸化的にホモカップリングさせるルート、式（５）でＸ３がハロゲン原子（例えばヨウ素原子）でＸ４が水素原子である化合物同士をニッケル錯体を用いてホモカップリングさせるルートなどが挙げられる。ここで、Ｘ３、Ｘ４は、Ｘ３又はＸ４と結合している炭素に求核性を持たせるよう機能するＬｉやＭｇＸ，ＺｎＸ，ＳｎＲ１Ｒ２Ｒ３，Ｂ（ＯＨ）２，Ｂ（ＯＲ）２，ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３としてもよいし、脱離基としての機能を有するＸ，ＳＲ，ＯＴｆ及び置換トリアゼニル基としてもよい（Ｘはハロゲン原子、Ｒはアルキル基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよいアルキル基）。なお、下記式（５）の合成中間体は、本発明の有機ホウ素π電子系化合物のうち、上記式（１）で表される構成単位を２以上含有しているものを合成する際に用いられる化合物とする。
【００１７】
2006070817.tif 000006
【００１８】
（但し、Ａｒ１は、ベンゼン、置換ベンゼン、チオフェン、置換チオフェン、１，１−ジオキシドチオフェン、置換１，１−ジオキシドチオフェン、チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、テトラセン、置換テトラセン、ペンタセン、置換ペンタセン、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であり、
Ａｒ２は，チアゾール、置換チアゾール、オキサゾール、置換オキサゾール、イミダゾール、置換イミダゾール、ピラゾール、置換ピラゾール、ピリジン、置換ピリジン、ピリダジン、置換ピリダジン、ピラジン、置換ピラジン、ピリミジン、置換ピリミジン、キノリン、置換キノリン、イソキノリン及び置換イソキノリンからなる群より選ばれた１種であって窒素のホウ素への配位結合を介して縮環する基であり、
Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立にアリール基、置換アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールアルコキシ基、シリル基、水酸基、ボリルオキシ基、ハロゲン原子及び水素原子からなる群より選ばれた１種であるか、Ｘ１及びＸ２が結合してなる２，２’−ビフェニル基又は置換２，２’−ビフェニル基であり、
Ｘ３及びＸ４は、それぞれ独立にＨ，Ｌｉ，ＭｇＸ，ＺｎＸ，ＳｎＲ１Ｒ２Ｒ３，Ｂ（ＯＨ）２，Ｂ（ＯＲ）２，ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３，Ｘ，ＳＲ，ＯＴｆ及び置換トリアゼニル基（Ｘはハロゲン原子、Ｒはアルキル基、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ同じであっても異なっていてもよいアルキル基）からなる群より選ばれた１種である）
【００１９】
本発明の有機ホウ素π電子系化合物において、Ａｒ１又はＡｒ２として列記した物質のうち、接頭語に「置換」の付いているものの具体的な置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの分岐があってもよいアルキル基；シクロペンチル基やシクロヘキシル基などの環状アルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、スチリル基などのアルケニル基；エチニル基、プロパギル基、フェニルアセチニル基などのアルキニル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基などのアルコキシ基；ビニルオキシ基やアリルオキシ基などのアルケニルオキシ基；エチニルオキシ基やフェニルアセチルオキシ基などのアルキニルオキシ基；フェノキシ基、ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基、ピレニルオキシ基などのアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基などのパーフルオロ基およびさらに長鎖のパーフルオロ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基などのアミノ基；ジフェニルボリル基、ジメシチルボリル基、ビス（パーフルオロフェニル）ボリル基などのボリル基；アセチル基やベンゾイル基などのカルボニル基；アセトキシ基やベンゾイルオキシ基などのカルボニルオキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基；メチルスルフィニル基やフェニルスルフィニル基などのスルフィニル基；トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基、トリメトキシシリル基、トリフェニルシリル基などのシリル基；フェニル基、２，６−キシリル基、メシチル基、デュリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、トルイル基、アニシル基、フルオロフェニル基、ジフェニルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、フェナンスレニル基などのアリール基；チエニル基、フリル基、シラシクロペンタジエニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、アクリジニル基、キノリル基、キノキサロイル基、フェナンスロリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ピロリル基、ベンゾオキサゾリル基、ピリミジル基、イミダゾリル基などのヘテロ環基などが挙げられる。そのほかに、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、シアノ基などもあげられる。さらに、これらの置換基がお互いに任意の場所で結合して環を形成していてもよい。
【００２０】
本発明の有機ホウ素π電子系化合物の性能評価は、例えば有機ホウ素π電子系化合物の薄膜に電圧を印加した状態で窒素パルスレーザを照射することにより得られる光電流波形に基づいて算出される電荷移動度（電子移動度やホール移動度）によって行うことができる。具体的には、前出のＡｌｑ３は電荷移動度が１×１０−５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ程度であるため、この値と比較することによりＡｌｑ３に比べて電子輸送材料としての適正が高いか否かを判定することができる。
【００２１】
本発明の有機ホウ素π電子系化合物は、例えば有機ＥＬ素子やＦＥＴの電子輸送材料として用いることができる。ここでは、一例として、有機ＥＬ素子の電子輸送材料として用いる場合について説明する。有機ＥＬ素子は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の３つの薄膜を２つの電極で挟んだ構造であり、陽極から注入された正孔が正孔輸送層を介して発光層に入り、陰極から注入された電子が電子輸送層（電子輸送材料を主体とする層）を介して発光層に入ることにより、正孔と電子とが発光層中で再結合して発光する。有機ＥＬ素子を構成する各層は、各層を構成すべき材料を公知の蒸着法やスピンコート法で薄膜とすることにより形成する。蒸着法を用いて薄膜化する場合、その蒸着条件は、各層を構成すべき材料の種類や分子累積膜の目的とする結晶構造及び会合構造などにより異なるが、例えば、ボート加熱温度５０〜４００℃、真空度１０〜１０Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／ｓ、基板温度−５０〜＋３００℃、膜厚５〜５０００ｎｍの範囲で適宜選択してもよい。
【００２２】
次に、本発明の有機ホウ素π電子系化合物を用いて有機ＥＬ素子を作製する方法を説明する。適当な基板上に陽極物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着法により形成させて陽極を作製した後、この陽極上に正孔輸送材料からなる薄膜を蒸着法により形成させて正孔輸送層とする。続いて、形成した正孔輸送層の上に発光物質からなる薄膜を蒸着法により形成させて発光層とし、更にその上に本発明の有機ホウ素π電子系化合物からなる薄膜を蒸着法により形成させて電子輸送層とする。そして、形成した電子輸送層の上に陰極物質からなる薄膜を１μｍ以下の膜厚になるように蒸着法により形成させて陰極を作製することにより、有機ＥＬ素子が得られる。なお、上述した有機ＥＬ素子の作製においては、作製順序を逆にして、陰極、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極の順に作製してもよい。
【００２３】
有機ＥＬ素子の陽極は、例えば、仕事関数の大きな電極材料から構成されていてもよく、具体的には、金などの金属、ヨウ化銅などの合金、インジウムチンオキシド、酸化亜鉛などの誘電性透明材料から構成されていてもよい。有機ＥＬ素子の陰極は、例えば、仕事関数の小さな電極材料から構成されていてもよく、具体的には、カルシウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム合金、アルミニウム／リチウム混合物、マグネシウム／銀混合物、インジウムから構成されていてもよい。有機ＥＬ素子の正孔輸送層は、例えば、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ＴＰＤ、芳香族第３級アミンを主鎖又は側鎖に持つポリマー、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサンやＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−４，４’−ジアミノビフェニルなどのトリアリールアミン誘導体、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、ポリシランなどであってもよい。有機ＥＬ素子の発光層は、例えば、昼光蛍光材料、蛍光増白剤、レーザ色素、有機シンチレータ、各種の蛍光分析試薬を用いてもよく、具体的には、アントラセン、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレンなどの多環縮合化合物、クオーターフェニルなどのオリゴフェニレン系化合物、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチル−５−フェニル−２−オキザゾリル）ベンゼンなどの液体シンチレーション用シンチレータ、クマリン染料、ジシアノメチレンピラン染料、ジシアノメチレンチオピラン染料、オキソベンズアントラセン染料、キサンテン染料、カルボスチリル染料、ペリレン染料、オキサジン化合物、スチルベン誘導体、オキサジアゾール系化合物、シラシクロペンタジエン誘導体などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】化合物（１２）のＸ線結晶解析結果の説明図である。
【図２】化合物（１２）のサイクリックボルタンメトリー測定結果の説明図である。
【図３】化合物（１３）のＸ線結晶解析結果の説明図である。
【図４】化合物（１７）のＸ線結晶解析結果の説明図である。
【図５】化合物（１７）のサイクリックボルタンメトリー測定結果の説明図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明を実施するための最良の形態を、実施例を用いて以下に説明する。【００２６】
［実施例１］
２−（トリブチルスタンニル）チアゾール（２０．０ｇ，５３．５ｍｍｍｏｌ，アルドリッチ社製）と３−ブロモ−２−ヨードチオフェン（１５．４ｇ，５３．５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦという）溶液（２５０ｍＬ）に、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（０．５５７ｇ，０．５３８ｍｍｏｌ）とトリフリルホスフィン（０．５０１ｇ，２．１５ｍｍｏｌ）を加え、アルゴンガス雰囲気下で７２時間還流した。１０ｗｔ％フッ化カリウム水溶液（２００ｍＬ）を加えた後、トルエン（１００ｍＬ）で３回抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、減圧下で溶媒を留去した。これにトルエン（２０ｍＬ）を加え、不要物をろ過により取り除いた。ろ液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒トルエン、Ｒｆ＝０．５２）で分離精製することにより、２−（３−ブロモ−２−チエニル）チアゾール（下記式の化合物（１１）参照）を収率８９％（１１．７ｇ，４７．５ｍｍｏｌ）で得た。この生成物について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０
ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ７．０９（ｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝５．３Ｈｚ，１Ｈ），７．４０（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝３．３Ｈｚ，１Ｈ）であった。【００２７】
2006070817.tif 000007
【００２８】
２−（３−ブロモ−２−チエニル）チアゾール（化合物（１１）、６．６１ｇ，２６．９ｍｍｏｌ）のエーテル溶液（１５０ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６０Ｍ，１６．８ｍＬ，２６．９ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。温度を−７８℃に保ったまま１．５時間攪拌した後、フルオロジメシチルボラン（７．２７ｇ，２６．９ｍｍｏｌ）のエーテル溶液（５０ｍＬ）をキャニュラで加え、ゆっくりと室温まで昇温しながら４時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去した。ジクロロメタン（１０ｍＬ）を加え、溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ジクロロメタン、Ｒｆ＝０．５３）で分離精製し、更に、ジクロロメタン／ヘキサンの混合溶液からの再結晶を行い、２−（３−ジメシチルボリル−２−チエニル）チアゾール（下記式の化合物（１２）参照）を収率７５％（８．３６ｇ，２０．１ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１２）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ１．８５（ｓ，１２Ｈ），２．１８（ｓ，６Ｈ），６．６４（ｓ，４Ｈ），７．０４（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ），７．２３（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，１Ｈ），７．４６（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，１Ｈ），７．６９（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ）であった。【００２９】
2006070817.tif 000008
【００３０】
この化合物（１２）についてＸ線結晶構造解析を行ったところ、図１に示すように、チアゾール環の窒素がホウ素へ分子内配位することによりチアゾール環とチオフェン環とが平面に固定化されていることが確認された。また、この化合物（１２）についてサイクリックボルタンメトリー測定を行ったところ、図２に示すように、−２．２９Ｖ（ｖｓ  Ｆｃ／Ｆｃ＋）に可逆な還元波を示した。この値について、電子輸送材料として知られているシラシクロペンタジエン誘導体（特開平９−１９４４８７号公報参照）の還元電位と比較すると、シラシクロペンタジエン誘導体では−２．０９〜−２．３０Ｖ（ｖｓ  Ａｇ／Ａｇ＋）の還元電位を示すのに対し（Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，ｖｏｌ６，ｐ１６８３（２０００））、化合物（１２）の還元電位は、ｖｓ  Ａｇ／Ａｇ＋に換算すると−２．０５Ｖ（ｖｓ  Ａｇ／Ａｇ＋）となることから、化合物（１２）はより高い還元電位を有すること即ちＬＵＭＯのエネルギーレベルが低いことから、良好な電子受容性を有することが確認された。【００３１】
［実施例２］
２−（３−ブロモ−２−チエニル）チアゾール（化合物（１１）、２５２ｍｇ，１．０２ｍｍｏｌ）のヘキサン溶液（１０ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６０Ｍ，０．７００ｍＬ，１．１２ｍｍｏｌ）を室温で滴下した。室温で１．５時間攪拌した後、９−ブロモジベンゾボロール（２４８ｍｇ，１．０２ｍｍｏｌ）のトルエン溶液（５ｍＬ）をキャニュラで加え、更に室温で１２時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去した後、ジクロロメタン（３０ｍＬ）を加え、溶液をセライトに通してろ過した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ジクロロメタン）で分離精製し、２−［（３−ジベンゾボロリル）−２−チエニル］チアゾール（上記式の化合物（１３）参照）を収率４５％（１５２ｍｇ，０．４６２ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１３）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ６．９１（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），６．９８（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，１Ｈ），７．０３（ｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，１Ｈ），７．１４（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ），７．２７（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），７．５８（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，１Ｈ），７．７３（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）であった。【００３２】
この化合物（１３）についてＸ線結晶構造解析を行ったところ、図３に示すように、チアゾール環の窒素がホウ素へ分子内配位することによりチアゾール環とチオフェン環とが平面に固定化されていることが確認された。【００３３】
［実施例３］
２−（３−ジメシチルボリル−２−チエニル）チアゾール（化合物（１２）、１．４８ｇ，３．５６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３５ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．４７Ｍ，２．４２ｍＬ，３．５６ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。温度を−７８℃に保ったまま１時間攪拌した後、トリブチルスタンニルクロライド（０．９６６ｍＬ，３．５６ｍｍｏｌ）を加え、ゆっくりと室温まで昇温しながら２時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去した後、トルエン（５０ｍＬ）を加え、溶液をフロリジルを用いてろ過した。更に、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１／１，Ｒｆ＝０．５３）で分離精製し、２−（３−ジメシチルボリル−２−チエニル）−５−トリブチルスタンニルチアゾール（下記式の化合物（１４）参照）を収率８２％（２．０６ｇ，２．９２ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１４）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ０．８８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，９Ｈ），１．１２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，６Ｈ），１．１５（ｍ，６Ｈ），１．５２（ｍ，６Ｈ），１．８４（ｓ，１２Ｈ），２．１７（ｓ，６Ｈ），６．６３（ｓ，４Ｈ），７．２２（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，１Ｈ），７．４１（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，１Ｈ）７．５３（ｓ，１Ｈ）であった。【００３４】
2006070817.tif 000009
【００３５】
［実施例４］
２−（３−ジメシチルボリル−２−チエニル）チアゾール（化合物（１２）、８．３５ｇ，２０．１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２５０ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６０Ｍ，２５．２ｍＬ，４０．２ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。温度を−７８℃に保ったまま１．５時間攪拌した後、ヨウ素（２０．４ｍｇ，８０．４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（５０ｍＬ）を加え、ゆっくりと室温まで昇温しながら２時間攪拌した。１０ｗｔ％チオ硫酸ナトリウム水溶液を加え、トルエン（２００ｍＬ）で３回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、減圧下で溶媒を留去した。ジクロロメタンとヘキサンの混合溶液から再結晶し、２−（３−ジメシチルボリル−５−ヨード−２−チエニル）−５−ヨードチアゾール（下記式の化合物（１５）参照）を収率８７％（１１．７ｇ，１７．５ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１５）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ１．８３（ｓ，１２Ｈ），２．１９（ｓ，６Ｈ），６．６６（ｓ，４Ｈ），７．３６（ｓ，１Ｈ），７．６４（ｓ，１Ｈ）であった。【００３６】
2006070817.tif 000010
【００３７】
［実施例５］
２−（３−ジメシチルボリル−５−ヨード−２−チエニル）−５−ヨードチアゾール（化合物（１５）、８０ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２．０ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６０Ｍ，０．０７５ｍＬ，０．１２ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。温度を−７８℃に保ったまま１時間攪拌した後、ゆっくりと室温まで昇温しながら１時間攪拌した。水（１．０ｍＬ）を加え、トルエン（５０ｍＬ）で３回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、減圧下で溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝２／１，Ｒｆ＝０．３１）で分離精製し、２−（３−ジメシチルボリル−５−ヨード−２−チエニル）チアゾール（下記式の化合物（１６）参照）を収率７２％（４７ｍｇ，０．０８６ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１６）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ１．８３（ｓ，１２Ｈ），２．１８（ｓ，６Ｈ），６．６５（ｓ，４Ｈ），７．０６（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ），７．３９（ｓ，１Ｈ），７．６７（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ）であった。【００３８】
2006070817.tif 000011
【００３９】
［実施例６］
２−（３−ジメシチルボリル−２−チエニル）−５−トリブチルスタンニルチアゾール（化合物（１４）、１．０６ｇ，１．５０ｍｍｏｌ）、２−（３−ジメシチルボリル−５−ヨード−２−チエニル）チアゾール（化合物（１６）、０．８１３ｇ，１．５０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣｌ３（０．０３１１ｇ，０．０３ｍｍｏｌ）、トリフリルホスフィン（０．０２８１ｇ，０．１２ｍｍｏｌ）をアルゴンガス雰囲気下でトルエン（１５ｍＬ）に溶かし、１００℃で１５時間攪拌し、水（１０ｍＬ）を加えた後、ジクロロメタン（１５０ｍＬ）で３回抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過後、減圧下で溶媒を留去した。ジクロロメタン（１００ｍＬ）を加え、溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ジクロロメタン）で分離精製し、更にジクロロメタン溶液からの再結晶により下記式の化合物（１７）で表されるヘッド・ツウ・テール型化合物を収率６８％（０．８４５ｇ，１．０２ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１７）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ１．８４（ｓ，１２Ｈ），１．８８（ｓ，２４Ｈ），２．１８（ｓ，１２Ｈ），７．６６（ｓ，８Ｈ），７．１０（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ），７．２１（ｓ，１Ｈ），７．２１（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，１Ｈ），７．７０（ｓ，１Ｈ），７．７１（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ）であった。【００４０】
2006070817.tif 000012
【００４１】
また、この化合物（１７）についてＸ線結晶構造解析を行ったところ、図４に示すように、チアゾール環の窒素がホウ素へ分子内配位することによりチアゾール環とチオフェン環とが平面に固定化されていることが確認された。この化合物（１７）についてサイクリックボルタンメトリー測定を行ったところ、図５に示すように、−２．０８Ｖ（ｖｓ  Ｆｃ／Ｆｃ＋）に可逆な還元波を示した。この値について、前出のシラシクロペンタジエン誘導体の還元電位と比較すると、シラシクロペンタジエン誘導体では−２．０９〜−２．３０Ｖ（ｖｓ  Ａｇ／Ａｇ＋）の還元電位を示すのに対し、化合物（１７）の還元電位は、ｖｓ  Ａｇ／Ａｇ＋に換算すると−１．８４Ｖ（ｖｓ  Ａｇ／Ａｇ＋）となり、化合物（１７）はより高い還元電位を有すること即ちＬＵＭＯのエネルギーレベルが低いことから、良好な電子受容性を有することが確認された。【００４２】
［実施例７］
２−（３−ジメシチルボリル−２−チエニル）チアゾール（１３３ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６０Ｍ，０．２ｍＬ，０．３２ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。温度を−７８℃に保ったまま１．５時間攪拌した後、塩化第一銅（９１ｍｇ，０．６７ｍｍｏｌ）を加え、ゆっくりと室温まで昇温しながら１２時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去し、得られた混合物にジクロロメタン（１０ｍＬ）を加え、溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ジクロロメタン）で分離精製し、更にトルエン溶液からの再結晶を行うことにより下記式の化合物（１８）で表されるテール・ツウ・テール型化合物を収率３１％（８２ｍｇ，０．０９９ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１８）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ１．８９（ｓ，２４Ｈ），２．１８（ｓ，１２Ｈ），６．６６（ｓ，８Ｈ），７．１９（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），７．５９（ｓ，２Ｈ）であった。【００４３】
2006070817.tif 000013
【００４４】
［実施例８］
２−（３−ジメシチルボリル−５−ヨード−２−チエニル）チアゾール（２００ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）、Ｎｉ２Ｂｒ２（ＰＰｈ３）２（８２．４ｍｇ，０．１１ｍｍｏｌ）、亜鉛（３６．７ｍｇ，０．５５ｍｍｏｌ）、Ｅｔ４ＮＩ（９５．５ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）をアルゴンガス雰囲気下でＴＨＦ（２ｍＬ）に溶かし、５０℃で２４時間攪拌し、ジクロロメタン（１００ｍＬ）を加え、セライトを用いてろ過した。得られた混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサン／トルエン＝１／１，Ｒｆ＝０．５４）で分離精製し、下記式の化合物（１９）で表されるヘッド・ツウ・ヘッド型化合物を収率２５％（３７．６ｍｇ，０．０４５ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（１９）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ１．８５（ｓ，２４Ｈ），２．１８（ｓ，１２Ｈ），６．６５（ｓ，８Ｈ），７．０５（ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，２Ｈ），７．３１（ｓ，２Ｈ），７．６７（ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，２Ｈ）であった。【００４５】
2006070817.tif 000014
【００４６】
この化合物（１９）の電子輸送性材料としての性能を評価するために、まず電荷移動度を測定するための移動度素子を作製し、次いでその移動度素子の電荷移動度を測定した。【００４７】
移動度素子の作製は以下のようにして行った。即ち、基板として、２ｍｍ幅のＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜がストライプ状にパターニングされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板（シート抵抗：２０Ω／Ｓｑ）を用意し、この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で化合物（１９）の真空蒸着を行った。具体的には、洗浄後の基板を真空蒸着装置（東京真空社製、ＥＧ−２４０）にセットして１．３×１０−６Ｔｏｒｒまで減圧した後、抵抗加熱方式により加熱した化合物（１９）を０．３〜０．５ｎｍ／ｓｅｃの蒸着レートで前記基板上に真空蒸着した。触針式表面形状測定器（アルバック社製、ＤＥＫＴＡＫ３０３０）で測定した成膜後の膜厚は、２．９６μｍであった。次に、フタロシアニンを電荷発生層として１０ｎｍ蒸着した。この基板上にＩＴＯストライプと直交するように、２ｍｍ幅のＡｌ膜を１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。これによって、移動度測定用の２ｍｍ角の動作エリアが得られた。この基板を酸素・水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、紫外線硬化型エポキシ樹脂ＸＮＲ５５１６（ナガセケムテックス社製）を用いた。【００４８】
このようにして作製した移動度素子の電荷移動度の測定を以下のようにして行った。即ち、作製した移動度素子をタイムオブフライト装置（オプテル社製、ＴＯＦ−４０１）にセットし、波長３３７ｎｍの窒素パルスレーザをＡｌ電極側から照射したときに発生した電荷のＩＴＯ電極への移動速度から電荷移動度を求めたところ、電界強度約６００（Ｖ／ｃｍ）１／２での電荷移動度は０．８〜１．５×１０−４ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。なお、測定時、分散型の電子輸送が見られた。一方、化合物（１９）の代わりにＡｌｑ３を使用して移動度素子を作製し、その電荷移動度を測定したところ、１×１０−５ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃであった。【００４９】
［実施例９］
２−［（３−ジベンゾボロリル）−２−チエニル］チアゾール（９８．９ｍｇ，０．３０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３ｍＬ）にｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６０Ｍ，０．１８８ｍＬ，０．３０ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。温度を−７８℃に保ったまま１．５時間攪拌した後、塩化第一銅（９０．４ｍｇ，０．６７ｍｍｏｌ）を加え、ゆっくりと室温まで昇温しながら１２時間攪拌した。減圧下で溶媒を留去し、混合物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒トルエン）で分離精製した。更に、トルエン溶液からの再結晶を行うことにより下記式の化合物（２０）で表されるテール・ツウ・テール型化合物を収率７７％（７６．０ｍｇ，０．１２ｍｍｏｌ）で得た。この化合物（２０）について１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）を行ったところ、δ６．８８（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），６．９９（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），７．０２（ｔ，Ｊ＝４．０Ｈｚ，４Ｈ），７．１３（ｓ，２Ｈ），７．２７（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝４．４Ｈｚ，２Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ）であった。【００５０】
2006070817.tif 000015
【産業上の利用の可能性】
【００５１】
本発明は、有機エレクトロニクスに関連する産業に利用可能であり、具体的には有機ＥＬやＦＥＴに関連する電気分野や化学分野の産業に利用可能である。
【図１】
2006070817.tif 000022
【図２】
2006070817.tif 000023
【図３】
2006070817.tif 000024
【図４】
2006070817.tif 000025
【図５】
2006070817.tif 000026
【国際調査報告】
2006070817.tif 000027
2006070817.tif 000028