(57)【要約】半導体装置内に付着している異物を簡便、確実に除去できるとともに、ロット管理を行うためのマークを鮮明に読み取ることができ、またウエハケースの保持部分との接触によるパーティクルの発生を防ぐことができる半導体装置用クリーニング部材を提供することを目的とする。  ウエハ（１）の少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層（２）が設けられ、このクリーニング層（２）の一部にウエハ表面が露出する部分（１２）を有することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材、とくに、クリーニング層（２）におけるウエハ表面が露出する部分（１２）が、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅のクリーニング層が円周方向の全周にわたり除去された部分である上記構成の半導体装置用クリーニング部材。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層が設けられ、このクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を有することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材。
【請求項２】
クリーニング層におけるウエハ表面が露出する部分は、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅のクリーニング層が円周方向の全周にわたり除去された部分である請求項１に記載の半導体装置用クリーニング部材。
【請求項３】
ポリアミック酸溶液からなるワニスを製造する第一の工程と、このワニスをウエハ表面に塗布する第二の工程と、ウエハ上に塗布されたワニスを乾燥する第三の工程と、溶剤の滴下によりウエハ上のワニスの一部を除去してウエハ表面が露出する部分を形成する第四の工程と、２００℃以上の温度でキュアを行う第五の工程により、請求項１または２に記載の半導体装置用クリーニング部材を製造することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の製造方法。
【請求項４】
半導体装置内に、請求項１または２に記載の半導体装置用クリーニング部材を搬送して、半導体装置内に付着する異物をクリーニング除去することを特徴とする半導体装置のクリーニング方法。
【請求項５】
（１）ポリアミック酸溶液からなるワニスを得る工程と、（２）このワニスをウエハ上に塗布する工程と、（３）ウエハ上に塗布されたワニスを乾燥する工程と、（４）乾燥後に２００℃以上の温度でキュアする工程とを具備し、
上記（２）の工程において、ウエハをテーブル上に水平にかつ回転可能に固定し、その上方に水平移動可能な塗布用ノズルを配置し、上記ウエハを回転させかつ上記ノズルを水平移動させながら、上記ノズルからワニスを吐出して、ウエハ上に螺旋状にしかも螺旋条間で隙間が生じないように塗布するとともに、ウエハ上での上記塗布位置を規制してウエハ表面が露出する未塗布部分を一部設けることにより、
ウエハの少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層が設けられ、このクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を有する半導体装置用クリーニング部材を製造することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の製造方法。
【請求項６】
ウエハ表面が露出する未塗布部分として、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅を円周方向の全周にわたり未塗布部分とした請求項５に記載の半導体装置用クリーニング部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体の製造装置や検査装置などに付着する異物をクリーニング除去するための半導体装置用クリーニング部材、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  基板処理装置では、各搬送系と基板とを吸着機構や静電吸引などの手段により物理的に接触させながら搬送する。その際、基板や搬送系に異物が付着していると、後続の基板をつぎつぎに汚染するため、定期的に装置を停止して洗浄処理する必要があり、その結果、稼動率の低下や多大な労力が必要という問題があった。【０００３】  この問題に対して、基板処理装置内に、粘着性物質を固着した基板を搬送して、装置内に付着する異物をクリーニング除去する方法（特許文献１参照）、板状部材を搬送して、基板裏面に付着する異物を除去する方法（特許文献２参照）が提案されている。
【特許文献１】持開平１０−１５４６８６号公報
【特許文献２】特開平１１−８７４５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】  上記の提案方法は、装置を停止して洗浄処理する必要がなく、稼動率の低下や多大な労力を回避する有効な方法である。しかし、粘着性物質を固着した基板を搬送する方法は、粘着性物質が装置内の接触部と強く接着し、装置内をうまく搬送させにくい難点があり、また板状部材を搬送する方法は、異物の除去性に劣りやすい。【０００５】  このようなことから、本出願人は、半導体の製造装置や検査装置などの半導体装置においては、ウエハ搬送装置やウエハ固定用チャックテーブルなどのクリーニングのため、ウエハ（ベアウエハ）の少なくとも片面にクリーニング層としてポリイミド樹脂からなる樹脂コート層を設けることにより、半導体装置用クリーニング部材を作製し、この部材を半導体装置内に搬送して、上記クリーニングを行う方法を提案している。【０００６】  このような半導体装置用クリーニング部材の作製においては、ウエハ上にポリイミド樹脂形成用のワニスを塗布する方法として、塗布膜の均一化をはかるため、スピンコータによる塗布方法が好ましく採用される。この塗布方法は、ウエハ上に滴下したワニスをウエハの回転による遠心力でウエハ全面に拡げて、塗布膜の均一化をはかるものであるが、この場合、遠心力で余剰ワニスを吹き飛ばすため、樹脂材料の歩留りは通常１０〜２０重量％という低い値となり、材料ロスが大きくなる。【０００７】  また、この半導体装置用クリーニング部材においては、通常、そのロットを管理するための番号がレーザマークされており、これがクリーニング部材のロット確認のために重要な役割を果たしている。すなわち、このマークをＣＣＤカメラなどの画像認識装置により、自動的に読み取り、ロット番号を解析して、数値化する処理を経て、クリーニング部材の素性を確認し、クリーニング処理に関する履歴を記録する。
しかし、このクリーニング部材の片面または両面の全面にクリーニング層として樹脂コート層を設けたものでは、上記マークが樹脂コート層により被覆され、樹脂の遮光により、マークを認識することが難しくなるという不具合を生じる。【０００８】  さらに、ウエハの片面または両面の全面に上記樹脂コート層を設けると、これをウエハケースに収納保管している状態で、樹脂コート層がケースの保持部分（棚）に接触し、この接触による摩擦にて樹脂コート層が削り取られる現象が起きやすい。
このように削り取られた樹脂の細かなパーティクルは、ウエハケース中に収納保管している他のクリーニング部材の表面に付着する。この部材を使用すると、上記パーティクルがクリーニングしようとする半導体装置の搬送用ハンドラーや固定用のチャックテーブル上に転着し、パーティクル汚染を引き起こす結果となる。【０００９】  本発明は、このような事情に照らし、ウエハの少なくとも片面にクリーニング層として特定の樹脂コート層を特定の形状で設けることにより、半導体装置内に付着している異物を簡便、確実に除去できるとともに、ロット管理を行うためのマークを鮮明に読み取ることができ、またウエハケースの保持部分との接触によるパーティクルの発生を防ぐことができる半導体装置用クリーニング部材を提供することを目的とする。
また、本発明は、上記の事情に照らし、ウエハの少なくとも片面にクリーニング層として樹脂コート層を設ける際の材料ロスを回避するとともに、半導体装置内に付着している異物を簡便、確実に除去でき、しかもロット管理を行うためのマークを鮮明に読み取ることができ、またウエハケースの保持部分との接触によるパーティクルの発生を防げる半導体装置用クリーニング部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  本発明者らは、上記目的に対し、鋭意検討した結果、ウエハの少なくとも片面にクリーニング層として特定の樹脂コート層を設けて、半導体装置内に付着している異物を簡便、確実に除去できるようにするとともに、上記樹脂コート層の一部にウエハ表面が露出する部分を設ける、とくにウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅の樹脂コート層が円周方向の全周にわたり除去された部分を設けることにより、このウエハ表面の露出部分にロット管理を行うためのマークを位置させることで、上記マークを鮮明に読み取ることができ、またウエハケースの保持部分に上記ウエハ表面の露出部分が接触するようにすることで、上記保持部分と樹脂コート層との接触が防がれ、この接触摩擦に起因した樹脂のパーティクルの発生を防止できることを見出し、本発明を完成した。【００１１】  また、本発明者らは、ウエハの少なくとも片面にクリーニング層としてポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる特定の樹脂コート層を設けるにあたり、樹脂材料の歩留りの低下が避けられなかったスピンコートに代えて、回転するウエハに対してその上方の塗布用ノズルからこのノズルを水平移動させながら樹脂材料を吐出する方式により、ウエハ上に螺旋状に塗布することで、樹脂材料の歩留りの低下を防げ、材料ロスを大きく低減できることがわかった。【００１２】  また、上記の塗布にあたり、ウエハ上での塗布位置を規制して、ウエハ表面が露出する未塗布部分を一部設けることにより、とくにウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅を円周方向の全周にわたり未塗布部分とすることにより、この樹脂コート層からなるクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を形成し、このウエハ表面の露出部分にロット管理を行うためのマークを位置させることで、上記マークを鮮明に読み取ることができ、またウエハケースの保持部分に上記ウエハ表面の露出部分が接触するようにすることで、上記保持部分と樹脂コート層との接触が防がれて、この接触摩耗に起因した樹脂のパーティクルの発生を防止できることがわかった。【００１３】  本発明は、以上の知見をもとにして、完成されたものである。本発明は以下の構成である。【００１４】１．ウエハの少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層が設けられ、このクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を有することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材。
２．クリーニング層におけるウエハ表面が露出する部分は、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅のクリーニング層が円周方向の全周にわたり除去された部分である上記１．に記載の半導体装置用クリーニング部材。【００１５】３．ポリアミック酸溶液からなるワニスを製造する第一の工程と、このワニスをウエハ表面に塗布する第二の工程と、ウエハ上に塗布されたワニスを乾燥する第三の工程と、溶剤の滴下によりウエハ上のワニスの一部を除去してウエハ表面が露出する部分を形成する第四の工程と、２００℃以上の温度でキュアを行う第五の工程により、上記１．または２．に記載の半導体装置用クリーニング部材を製造することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の製造方法。
４．半導体装置内に、上記１．または２．に記載の半導体装置用クリーニング部材を搬送して、半導体装置内に付着する異物をクリーニング除去することを特徴とする半導体装置のクリーニング方法。【００１６】５．（１）ポリアミック酸溶液からなるワニスを得る工程と、（２）このワニスをウエハ上に塗布する工程と、（３）ウエハ上に塗布されたワニスを乾燥する工程と、（４）乾燥後に２００℃以上の温度でキュアする工程とを具備し、
上記（２）の工程において、ウエハをテーブル上に水平にかつ回転可能に固定し、その上方に水平移動可能な塗布用ノズルを配置し、上記ウエハを回転させかつ上記ノズルを水平移動させながら、上記ノズルからワニスを吐出して、ウエハ上に螺旋状にしかも螺旋条間で隙間が生じないように塗布するとともに、ウエハ上での上記塗布位置を規制してウエハ表面が露出する未塗布部分を一部設けることにより、
ウエハの少なくとも片面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層が設けられ、このクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を有する半導体装置用クリーニング部材を製造することを特徴とする半導体装置用クリーニング部材の製造方法。
６．ウエハ表面が露出する未塗布部分として、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅を円周方向の全周にわたり未塗布部分とした上記５．に記載の半導体装置用クリーニング部材の製造方法。
【発明の効果】
【００１７】  このように、本発明では、クリーニング層をポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる特定の樹脂コート層で構成するとともに、その一部を除去してウエハ表面が露出する部分を設けるようにしたことにより、ウエハ上に形成されたロット管理を行うためのマークの認識性が改善され、またウエハケースからの取り出し作業時にパーティクルの発生つまり発塵を生起させることなく、半導体装置におけるウエハ固定テーブルや搬送系のクリーニングを安定して行えるクリーニング部材を提供できる。
また、本発明では、クリーニング層としてポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる特定の樹脂コート層を、ウエハ上に螺旋状に塗布するという特定の手法で形成したことにより、スピンコート法のような材料ロスがなくなり、樹脂材料を無駄なく利用でき、しかも上記樹脂コート層からなるクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を形成したことにより、ウエハ上に設けられたロット管理を行うためのマークの視認性が改善され、またウエハケースからの取り出し作業時にパーティクルの発生、つまり、発塵を生起させることなく、半導体装置におけるウエハ固定テーブルや搬送系のクリーニングを安定して行えるクリーニング部材を提供できる。
更に、上記クリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を形成するため、ウエハへの塗布時に塗布位置を規制して未塗布部分を一部設けるようにしたことにより、これ以外の方法、たとえば、ウエハの全面に塗布したのちその一部を溶解除去してウエハ表面が露出する部分を形成するなどの方式に比べて、露出部分の形成が容易であり、工程上より望ましいクリーニング部材の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】［図１］本発明の半導体装置用クリーニング部材の一例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。
［図２］本発明の半導体装置用クリーニング部材の他の例を示す断面図である。
［図３］本発明の半導体装置用クリーニング部材のさらに他の例を示す断面図である。
［図４］本発明の半導体装置用クリーニング部材の製造方法においてウエハを吸着テーブル上に回転可能に固定する状態を示す断面図である。
［図５］本発明の半導体装置用クリーニング部材の製造方法においてスピンコータによりワニスをウエハ上に滴下する状態を示す断面図である。
［図６］本発明の半導体装置用クリーニング部材の製造方法においてウエハを回転させてワニスをウエハ全面に塗布する状態を示す断面図である。
［図７］本発明の半導体装置用クリーニング部材の製造方法においてワニスの盛り上がり部分をリンス処理して平坦化する状態を示す断面図である。
［図８］本発明の半導体装置用クリーニング部材の製造方法においてノズルコーティング装置によりワニスをウエハ上に塗布する状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００１９】  １  シリコンウエハ
２，３  クリーニング層
１２，１３  ウエハ表面が露出する部分
４  吸着テーブル
５  回転軸
６  ワニス塗布用ディスペンサー
７  ワニス
８  盛り上がり部分
９  エッジリンス用ノズル
１０  リンス液
１６  塗布用ノズル
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】  以下に、本発明の実施の形態について、本発明の図面を用いて、説明する。
図１は、本発明の半導体装置用クリーニング部材の一例を示したものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は上面図である。【００２１】  図１において、１はウエハ（ベアウエハ）であり、２はこのウエハ１の片面に設けられたポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層であり、このクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分１２を有している。この露出部分１２は、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅のクリーニング層が円周方向の全周にわたり除去された部分であり、この露出部分１２のウエハ表面にあらかじめロット管理を行うためのマーク（図示せず）がレーザ刻印されている。【００２２】  図２は、本発明の半導体装置用クリーニング部材の他の例を示したもので、ウエハ１の両面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２，３が設けられているとともに、両クリーニング層２，３の一部に、図１の場合と同様のウエハ表面が露出する部分１２，１３を有する構成となっている。
なお、上記露出部分１２，１３は、いずれか一方のみであってもよい。たとえば、クリーニング層２にのみ露出部分１２を有し、クリーニング層３には露出部分１３を持たないような構成とされていてもよい。【００２３】  図３は、本発明の半導体装置用クリーニング部材のさらに別の例を示したもので、図２の場合と同様に、ウエハ１の両面にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなるクリーニング層２，３が設けられているが、クリーニング層２の一部にのみ、図１の場合と同様のウエハ表面が露出する部分１２を有し、クリーニング層３にはこのようなウエハ表面が露出する部分を持たない構成となっている。【００２４】  上記の図１〜図３に示す本発明の半導体装置用クリーニング部材では、クリーニング層２（３）がポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる特定の樹脂コート層で構成されていることにより、これを半導体装置内に搬送することにより、半導体装置内に付着する異物、たとえば、ウエハ搬送装置やウエハ固定用チャックテーブルなどに付着する異物を上記クリーニング層２により良好にクリーニング除去できる。
また、上記のクリーニング層２（３）にはウエハ表面が露出する部分１２（１３）が設けられていることにより、この部分にあらかじめレーザ刻印されたロット管理を行うためのマークを鮮明に読み取ることができ、これによりクリーニング部材の素性を確認し、クリーニング処理に関する履歴を記録管理することができる。【００２５】  さらに、この半導体装置用クリーニング部材をウエハケースに収納保管する際には、ウエハケースの保持部分に上記ウエハ表面が露出する部分１２（１３）を接触させるようにすることで、上記保持部分とクリーニング層２（３）である樹脂コート層との接触を防ぐことができるので、この接触摩耗に起因した樹脂のパーティクルの発生、つまり発塵を防止でき、その結果、半導体装置の搬送用ハンドラーや固定用のチャックテーブルなどにパーティクルが転着するという二次汚染を防止することができる。【００２６】  なお、上記した図１および図２では、ウエハ表面が露出する部分１２（１３）を、ウエハ外周端面から中心側に向けた所定幅が円周方向の全周にわたりクリーニング層を持たない部分で構成しているが、これに限定されず、ロット管理を行うためのレーザマークの位置に応じて、また収納管理のためのウエハケースの保持部分の位置に応じて、ウエハ上の適宜の位置にウエハ表面が露出する部分を設けることができる。【００２７】  つぎに、上記構成の半導体装置用クリーニング部材の製造方法について、説明する。この製造方法は、本質的に、ポリアミック酸溶液からなるワニスを製造する第一の工程と、このワニスをウエハ表面に塗布する第二の工程と、ウエハ上に塗布されたワニスを乾燥する第三の工程と、溶剤の滴下によりウエハ上のワニスの一部を除去してウエハ表面が露出する部分を形成する第四の工程と、２００℃以上の温度でキュアを行う第五の工程とからなるものである。【００２８】  第一の工程において、ポリアミック酸溶液からなるワニスは、公知の方法に準じて、製造できる。具体的には、テトラカルボン酸二無水物やトリメリット酸無水物あるいはこれらの誘導体と、ジアミン化合物とを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの適宜の有機溶媒中で、縮合反応させることにより、イミド前駆体の溶液として、製造できる。【００２９】  上記のテトラカルボン酸二無水物としては、たとえば、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４′−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二��水物などが挙げられ、これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。【００３０】  また、上記のジアミン化合物としては、たとえば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，１０−ジアミノデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，３′−ジアミノジフェニルプロパン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１２−ジアミノドデカン、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンなどが挙げられる。【００３１】  第二の工程において、上記のワニスをウエハ表面に塗布する。この塗布方法としては、膜厚を均一に塗布できる塗工方法であればよく、たとえば、スピンコート、スプレーコート、ダイコート、真空蒸着法による蒸着重合などを使用できる。
これらの中でも、とくにスピンコートが好適であり、このスピンコートについて、以下に、図４〜図７を用いて、詳しく説明する。【００３２】  まず、図４に示すように、回転軸５と連結する吸着テーブル４上にウエハ１（ベアウエハ）を回転可能に固定する。つぎに、図５に示すように、スピンコータのディスペンサー６により、ワニス７をウエハ１の中央部に滴下する。
滴下するワニスの粘度は、１０〜１０，０００ｍＰａ・ｓｅｃの範囲を選ぶことができるが、除塵性（異物除去性）を確保できる膜厚を得るという観点より、好ましくは５００〜３，０００ｍＰａ・ｓｅｃの範囲に設定するのがよい。【００３３】  上記の滴下後、ウエハを高速に回転する。この回転速度としては、通常５００〜２，０００ｒｐｍの範囲、とくに好ましくは９００〜１，５００ｒｐｍの範囲で選ぶのがよい。また、この設定回転速度に到達するまでの時間も、膜厚の均一性に大きな影響を与えるので、５，０００ｒｐｍ／ｓｅｃ以上の加速度、とくに好ましくは１０，０００ｒｐｍ／ｓｅｃ以上の加速度で、設定回転速度に到達させるのがよい。【００３４】  このようなスピンコートにより、図６に示すように、ウエハ１の片面全面にワニス７の塗布膜が形成されるが、その際、ウエハ外周端部にワニスの盛り上がり部分８が形成される。この盛り上がり部分８に、図７に示すように、エッジリンス用ノズル９から、リンス液１０としてワニス７に用いたのと同様の有機溶媒、たとえばＮ−メチル−２−ピロリドンを滴下し、盛り上がり部分８を溶解するエッジリンスを行い、平坦化する。【００３５】  このようにして、ウエハ１の片面全面に均一な厚さのワニス７の塗布膜が形成される。この厚さは、第三の工程（乾燥工程）〜第五の工程（イミド化工程）を経たのちの最終的なクリーニング層２の厚さが１〜３００μｍの範囲となるように制御するのが望ましい。膜厚の均一性の点ではより薄い方がよく、除塵性の点では膜厚が厚い方が凹凸追従性がよい。これらのバランスを考慮して、上記最終的なクリーニング層２の厚さが１０〜１００μｍの範囲となるように制御するのがとくに望ましい。【００３６】  第三の工程において、上記のように形成したワニスの塗布膜を乾燥する。この乾燥は、流体である塗布液を固め、後の工程でのハンドリング時の液の流れを抑えるためである。この乾燥工程は、ワニス中の溶剤成分のほとんどを乾燥させる条件を選択するのがよく、通常７０〜１５０℃の範囲を設定することができる。膜の劣化防止の点では、温度が低い方がよく、溶剤成分の乾燥効率の点では、温度が高い方がよい。これらのバランスを考慮して、９０〜１００℃の範囲に設定するのがとくに望ましい。【００３７】  第四の工程において、上記の乾燥後に、ワニスの塗布膜上に溶剤を滴下して、ワニスの一部を除去し、ウエハ表面が露出する部分を形成する。具体的には、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅について、相当するワニスの塗布膜を円周方向の全周にわたって除去して、上記ウエハ表面が露出する部分を形成する。
この方法は、第二の工程におけるワニスの盛り上がり部分を溶解して平坦化するエッジリンス法と、本質的に同じである。つまり、上記平坦化し、乾燥したのち、再び、エッジリンス用ノズルから、ワニスに用いたのと同様の有機溶媒、たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンをリンス液として滴下し、平坦化した塗布膜をさらに溶解して除去することにより、下地であるウエハ表面を露出させるものである。【００３８】  リンス液である有機溶媒を滴下する位置は、ボールねじを用いたアクチュエータにより制御することができる。その精度としては、±１００μｍで制御して塗布膜を溶解除去しウエハ露出部分の領域を決定することができる。好ましくは±１０μｍの精度で制御して上記領域の幅をより正確に制御することもできる。
また、滴下する位置は一定の速度で内側から外側にスキャンさせることが重要であり、スキャンにより広い領域の露出部分も形成できる。外側にスキャンする場合、最外周までスキャンするのは不適切で、ウエハに存在するノッチ形状のあるエッジから３ｍｍの部分で止めるのが望ましい。これは、リンス液がノッチ部分で跳ね上がって中央部にまで飛散し、この飛散したリンス液により平坦に保持しておきたい中央部までもが溶解して、小さなくぼみができてしまい、除塵性能を損なう結果となるからである。【００３９】  第五の工程において、上記のようにウエハ表面が露出する部分を形成したのち、この塗布膜に対して、２００℃以上の温度でキュアを行い、イミド化する。これにより、ワニスの形成材料に応じて、ポリイミド樹脂（ポリアミドイミド樹脂）またはそのイミド前駆体（一部イミド化されていない樹脂）などからなる耐熱性樹脂で構成された樹脂コート層が形成されることになる。
ワニスの形成材料により、イミド化のためのキュア温度は異なり、またプロファイルも異なってくるが、通常は、昇温は常温から３℃／ｍｉｎ程度で行うのがよく、またキュア最高温度は２００℃以上とするのが望ましい。ホールド時間は、材料の特性に合わせて、設定する。膜の特性が劣化するのを防止するため、窒素雰囲気下でキュアを行うのが望ましい。酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に設定するのがよく、好ましくは２０ｐｐｍまで低下させると、特性のよい樹脂コート層が得られる。【００４０】  以下に、本発明の別の実施態様である、半導体装置用クリーニング部材の製造方法について、説明する。この製造方法は、本質的に、（１）ポリアミック酸溶液からなるワニスを得る工程と、（２）このワニスをウエハ上に塗布する工程と、（３）ウエハ上に塗布されたワニスを乾燥する工程と、（４）乾燥後に２００℃以上の温度でキュアする工程とを具備するものである。【００４１】  （１）の工程では、ポリアミック酸溶液からなるワニスを、公知の方法に準じて、製造する。具体的には、テトラカルボン酸二無水物やトリメリット酸無水物あるいはこれらの誘導体と、ジアミン化合物とを、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの適宜の有機溶媒中で、縮合反応させることにより、イミド前駆体の溶液として、製造する。【００４２】  上記のテトラカルボン酸二無水物としては、たとえば、３，３′，４，４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３′，４，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２′，３，３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４′−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物などが挙げられ、これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。【００４３】  また、上記のジアミン化合物としては、たとえば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，１０−ジアミノデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４′−ジアミノジフェニルプロパン、３，３′−ジアミノジフェニルプロパン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，３′−ジアミノジフェニルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジアミノジフェニルスルホン、３，３′−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノ���シ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１２−ジアミノドデカン、４，４′−ジアミノベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンなどが挙げられる。【００４４】（２）の工程では、上記ワニスをノズルコーティング装置を用いてウエハ上に塗布する。この塗布工程は、本発明においてとくに重要な工程であり、スピンコート法よりも、樹脂材料の歩留りが向上し、材料ロスの大幅な低減をはかれる。
まず、図４に示すように、回転軸５と連結する吸着テーブル４上に、ウエハ１を水平にかつ回転可能に固定する。つぎに、図８に示すように、ウエハ１の上方に水平移動可能な塗布用ノズル１６を配置して、このノズル１６とウエハ１との間のギャップを調整したのち、ウエハ１を適度な回転数で回転させ、かつノズル１６を水平移動させながら、ノズル１６からワニス７を吐出し、ウエハ１上に螺旋状にしかも螺旋条間で隙間が生じないように（吐出したワニスがわずかに重なり合うように）塗布する。【００４５】  この塗布に際し、ノズル１６の水平移動は、中心部から外周方向に移動させてもよいし、逆に外周方向から中心部に移動させてもよい。また、このような塗布にあたり、ノズル１６のウエハ１上での移動位置を調整するか、またはワニス７の吐出位置（吐出開始位置または吐出停止位置）を調整することにより、ウエハ１上での塗布位置を規制し、ウエハ表面が露出する未塗布部分を一部設けるようにする。
具体的には、ノズル１６を中心部から外周方向に水平移動させる場合に、ウエハ外周から所定距離内側のところでワニス７の吐出を停止をウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅を円周方向の全周にわたり未塗布部分とする。【００４６】  このような塗布工程において、塗布するワニスの粘度は、１００〜１０，０００ｍＰａ・ｓｅｃの範囲を選ぶことができるが、除塵性（異物除去性）を確保できる膜厚を得るという観点より、好適には３００〜３，０００ｍｐａ・ｓｅｃの範囲に設定するのがよい。また、塗布厚さとしては、引き続く（３）の工程および（４）の工程を経たのちの最終的なクリーニング層の厚さが１０〜３００μｍとなるように調整するのが望ましい。膜厚の均一性の点ではより薄い方がよく、除塵性の点では膜厚が厚いほうが凹凸追従性がよい。これらのバランスを考慮して、上記最終的なクリーニング層の厚さが１０〜２００μｍの範囲となるように制御するのがとくに望ましい。【００４７】  （３）の工程では、このようにウエハ１上に塗布されたワニス７を乾燥する。この乾燥は、流体である塗布液を固め、後の工程でのハンドリング時の液の流れを抑えるためである。この乾燥工程は、ワニス中の溶剤成分のほとんどを乾燥させるような条件を選択するのがよく、通常７０〜１５０℃の範囲を設定することができる。膜の劣化防止の点では、温度が低い方がよく、溶剤成分の乾燥効率の点では、温度が高い方がよい。これらのバランスを考慮して、９０〜１００℃の範囲に設定するのがとくに望ましい。【００４８】  （４）の工程では、上記のように溶剤成分を乾燥除去した塗布膜に対して、２００℃以上の温度でキュアを行い、イミド化する。これにより、ワニスの形成材料に応じて、ポリイミド樹脂（ポリアミドイミド樹脂）またはそのイミド前駆体（一部イミド化されていない樹脂）などからなる耐熱性樹脂で構成された樹脂コート層が形成される。
ワニスの形成材料により、イミド化のためのキュア温度は異なり、またプロファイルも異なってくるが、通常は、昇温は常温から３℃／ｍｉｎ程度で行うのがよく、またキュア最高温度は２００℃以上とするのが望ましい。ホールド時間は、材料の特性に合わせて、設定する。膜の特性が劣化するのを防止するため、窒素雰囲気下でキュアを行うのが望ましい。酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に設定するのがよく、好ましくは２０ｐｐｍまで低下させると、特性のよい樹脂コート層が得られる。【００４９】  このように（１）〜（４）の工程を経ることにより、ウエハ上にポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる樹脂コート層で構成されたクリーニング層が設けられ、このクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を有する、とくに、この露出部分が、ウエハの外周端面から中心側に向けた所定幅が円周方向の全周にわたりクリーニング層を持たない部分である半導体装置用クリーニング部材が得られる。
上記の製造方法によると、（２）の塗布工程において前記した特定のノズルコーティング法を採用したことにより、スピンコート法に比べて、樹脂材料の歩留りが向上し、材料ロスの大幅な低減をはかれ、しかもこの塗布工程時にウエハ上の塗布位置を規制して未塗布部分を一部設けるようにしたことにより、その後にウエハ表面が露出する部分を設ける工程を付加する必要もなく、製造工程上、有利である。【００５０】  このような工程後、常法にしたがい、さらに必要な工程を経たのち、上記樹脂コート層からなるクリーニング層を有するクリーニング部材が作製される。
このクリーニング部材は、上記の工程を経ることで裏面に微細粒子が付着し、汚染を生じることがある。微細粒子は、クリーニング部材の本来の目的上、除去しておく必要がある。上記汚染には、各工程でのチャックテーブルからの付着が考えられ、とくに吸着テーブルにより付着した微細粒子は、吸着力という外力が加わるため、より強固にウエハ裏面に付着し、ＳｉＯ２に深く食い込んで容易に除去できない。【００５１】  このように裏面に強固に付着する微細粒子を除去する洗浄方法としては、たとえば、ウエハを回転させながら洗浄剤をかけるスピン洗浄や、薬液にウエハを複数枚同時に浸漬するデイップ洗浄が挙げられる。スピン洗浄では、ブラシ、二流体、メガソニックと呼ばれる超音波などの物理洗浄を効果的に付加させることができる。
物理洗浄と併用する薬液洗浄では、オゾン水と希フッ酸との交互処理を採用するのが有効であり、ＳｉＯ２を溶解する能力のある希フッ酸により食い込んだ微細粒子のまわりのＳｉＯ２を除去し、かつオゾン水で酸化された微細粒子の表面を溶解させることにより、ウエハ表面から離脱させることができる。【００５２】  このような処理を交互に繰り返すことにより、微細粒子を除去すると同時に、ＳｉＯ２表面に付着している軽微な金属汚染物も除去できる。一般に、半導体プロセスにおいて、良好な半導体素子を作製するためには、金属原子は１．０×１０−１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満にする必要があるといわれており、本発明のクリーニング部材もこの基準をクリアするために、希フッ酸洗浄を入れることが望ましい。【００５３】  また、前記のブラシ洗浄においては、洗浄を繰りかえしていくことで、ブラシそのものも汚れてくるため、定期的にブラシのクリーニングを行う必要がある。ブラシからの再汚染を防ぐには、超純水に水素ガスを溶解させた水素水をメガソニックと併用すると再汚染防止に効果的である。このとき、水素水はＰＨを９．０以上にするのがよく、微細粒子が再付着するのを静電気的な反発力（ゼータ電位）で防止できる。
【実施例】
【００５４】  以下に、本発明の実施例を記載して、より具体的に説明する。ただし、本発明は、以下の実施例にのみ限定されるものではない。【００５５】［実施例１］
下記の化学構造式で表されるエチレン−１，２−ビストリメリテート，テトラカルボン酸二無水物（以下、ＴＭＥＧという）３０．０ｇを、窒素気流下、１１０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰという）中、ジアミン（宇部興産社製の商品名「１３００ｘ１６ＡＴＢＮ」）６５．８ｇおよび下記の化学構造式で表される２，２′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン（以下、ＢＡＰＰという）１５．０ｇと、１２０℃で混合し、反応させた。【００５６】
2005086212.tif 000002
【００５７】  上記反応後、冷却して得られたポリアミック酸溶液からなるワニスを、スピンコータで１２インチシリコンウエハの片面に塗布した。その際、１，０００ｒｐｍの回転数に、加速度１０，０００ｒｐｍ／ｓｅｃで約０．１ｓｅｃで到達させ、その後、回転開始後０．５秒になるまで回転数を保持したのち、減速度１００ｒｐｍ／ｓｅｃにて５００ｒｐｍの回転数まで減速し、そのままの回転数にて４０ｓｅｃ間保持した。
つぎに、ノズル位置を自動制御し、外周に発生する盛り上がり部分にＮＭＰを滴下してエッジリンスを行い、平坦化した。その後、９０℃で２０ｍｉｎ乾燥した。【００５８】  ついで、再度スピンコータに投入し、エッジリンスと同様にノズル位置を自動制御し、所望の幅だけノズルを中心側から外周部方向に走査して、塗布した樹脂の一部を溶解してウエハ表面を露出させた。つまり、塗布した樹脂をウエハの外周端面から中心側に向けた所定の幅だけ円周方向の全周にわたり溶解除去して、ウエハ表面が露出する部分を形成した。この露出する部分の幅は６ｍｍであり、ウエハの周辺近くに設けられたマークが十分に露出している範囲であることを確認した。
その後、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚さが１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成した。このようにして、１２インチシリコンウエハの片面に上記ポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有し、ウエハ外周部分にウエハが露出する部分を有する、図１に示す構造のクリーニング部材を作製した。【００５９】  このようにして作製したクリーニング部材に関し、除塵性（異物除去性）、搬送性およびマーク認識についての評価を行った。ここで、除塵性はアルミ片の数を計数することにより判定し、また搬送性は吸着テーブルからリフトピンによって離脱できるかどうかにより判定した。さらにマーク認識については、ＣＣＤカメラを用いて、画像処理を行い、認識されたマークが正しいかどうかを判定した。【００６０】  除塵性および搬送性の評価は、以下のように行った。
半導体製造装置の吸着テーブルに１ｍｍ四方のアルミ片を２０片置き、その上面にクリーニング部材の樹脂形成面が接触するように設置して、真空吸着（０．５ｋｇ／ｃｍ２）を約１０ｓｅｃ行い、リフトピンによりウエハを離脱させたところ、容易にウエハを取り出すことができた。その後、テーブルから除塵されたアルミ片の数を目視計数した。結果は、３回の計数において、すべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。
マーク認識の評価は、ＬＥＤ照明を拡散させる拡散板を用いて、暗視野にてマークの形状がＣＣＤカメラに入るように設定し、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけ、マークが正しく認識できることを確認した。結果、露出されたマークは、通常のベアウエハのマークを認識すると同様に、正確に読み取ることができた。【００６１】［実施例２］
１２インチシリコンウエハの両面に対して、実施例１と同様の処理を施すことにより、ウエハの両面に厚さが１０μｍのポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有し、かつ両クリーニング層のウエハ外周部分にそれぞれウエハが露出する部分（露出幅：６ｍｍ）を有する、図２に示す構造のクリーニング部材を作製した。【００６２】  このクリーニング部材について、実施例１と同様にして、除塵性、搬送性およびマーク認識の評価を行った。その結果、リフトピンによるウエハの離脱にて、容易にウエハを取り出すことができ、またテーブルから除塵されたアルミ片の数の目視計数では、３回の計数においてすべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。さらに、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけたところ、露出されたマークを、通常のベアウエハのマークを認識すると同様に、正確に読み取ることができた。【００６３】比較例１
１２インチシリコンウエハの片面に、実施例１と同様にして、スピンコータによるポリアミック酸溶液からなるワニスの塗布、エッジリンスによる平坦化、９０℃での加熱乾燥を行い、その後塗布した樹脂の一部を溶解してウエハ表面を露出する処理を施すことなく、３００℃での熱処理を施すことにより、ウエハの片面全面に厚さが１０μｍのポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有するクリーニング部材を作製した。【００６４】  このクリーニング部材について、実施例１と同様にして、除塵性、搬送性およびマーク認識の評価を行った。その結果、リフトピンによるウエハの離脱にて、容易にウエハを取り出すことができ、またテーブルから除塵されたアルミ片の数の目視計数では、３回の計数においてすべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。しかし、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけてみたところ、マーク上面のクリーニング層により透明性が悪化しており、下部のマークが正しく認識できなかった。【００６５】  上記の結果より、クリーニング層のウエハ外周部にウエハ表面が露出する部分を有する実施例１，２のクリーニング部材は、除塵性および搬送性を満足するとともに、ウエハ上のマークの認識を正常に行うことができた。これに対し、クリーニング層に上記のような露出部分を持たない比較例１のクリーニング部材では、クリーニング層によりマークの透過が妨げられるため、マークを正常に認識できなかった。【００６６】  また、別の評価として、実施例１，２の両クリーニング部材をウエハケースに収納保管するあたり、ウエハケースの保持部分にクリーニング層におけるウエハ表面が露出する部分を接触させるようにしたところ、上記保持部分とクリーニング層との接触が防がれることから、この接触摩擦に起因した樹脂のパーティクルの発生、つまり発塵を防止でき、上記パーティクルがクリーニングしようとする半導体装置に転着して、パーティクル汚染を引き起こすといった弊害も生じないことを確認できた。【００６７】［実施例３］
下記の化学構造式で表されるエチレン−１，２−ビストリメリテート，テトラカルボン酸二無水物（以下、ＴＭＥＧという）３０．０ｇを、窒素気流下、１１０ｇのＮ−メチル−２−ピロリドン（以下、ＮＭＰという）中、ジアミン（宇部興産社製の商品名「１３００ｘ１６ＡＴＢＮ」）６５．８ｇおよび下記の化学構造式で表される２，２′−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン（以下、ＢＡＰＰという）１５．０ｇと、１２０℃で混合し、反応させた。【００６８】
2005086212.tif 000003
【００６９】  上記反応後、冷却して得られたポリアミック酸溶液からなるワニスを、ノズルコーティング装置を用いて、１２インチシリコンウエハの片面に塗布した。その際、塗布用ノズルをウエハの中心部に配置し、このノズルとウエハのギャップを調整したのち、ノズルから上記ワニスを吐出させながら、ウエハを９０ｒｐｍの速度で回転させ、かつノズルを外周方向に水平に移動させて、吐出したワニスがわずかに重なり合うように、つまりは螺旋条間で隙間が生じないように、螺旋状に塗布を行った。ウエハ外周から６ｍｍ内側のところでノズルからの吐出を停止し、塗布を終了した。この塗布により、ウエハ外周から６ｍｍ内側の部分を円周方向の全周にわたり未塗布部分とした。【００７０】  この塗布後、９０℃で２０ｍｉｎ乾燥したのち、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚さが３０μｍのポリイミド樹脂膜を形成した。
このようにして、１２インチシリコンウエハの片面に上記ポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有し、ウエハ外周部分にウエハが露出する部分を有する、図１に示す構造の半導体装置用クリーニング部材を作製した。【００７１】  なお、上記したクリーニング部材の作製において、ノズルコーティング装置を用いた塗布工程では、後述する比較例２のスピンコート法とは異なり、ポリアミック酸溶液からなるワニスを無駄なく使用でき、材料ロスを大きく低減することができた。また、この塗布工程において、前記方法にて未塗布部分を一部設けるようにしたことにより、その後にウエハ露出部分を形成する工程を付加する必要もなく、ウエハ外周部にウエハ露出部分を有するクリーニング部材を製造容易に作製できた。【００７２】  このようにして作製したクリーニング部材に関し、除塵性（異物除去性）、搬送性およびマーク認識についての評価を行った。ここで、除塵性はアルミ片の数を計数することにより判定し、また搬送性は吸着テーブルからリフトピンによって離脱できるかどうかにより判定した。さらにマーク認識については、ＣＣＤカメラを用いて、画像処理を行い、認識されたマークが正しいかどうかを判定した。【００７３】  除塵性および搬送性の評価は、以下のように行った。
半導体製造装置の吸着テーブルに１ｍｍ四方のアルミ片を２０片置き、その上面にクリーニング部材の樹脂形成面が接触するように設置して、真空吸着（０．５ｋｇ／ｃｍ２）を約１０ｓｅｃ行い、リフトピンによりウエハを離脱させたところ、容易にウエハを取り出すことができた。その後、テーブルから除塵されたアルミ片の数を目視計数した。結果は、３回の計数において、すべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。
マーク認識の評価は、ＬＥＤ照明を拡散させる拡散板を用いて、暗視野にてマークの形状がＣＣＤカメラに入るように設定し、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけ、マークが正しく認識できることを確認した。結果、露出されたマークは、通常のベアウエハのマークを認識すると同様に、正確に読み取ることができた。【００７４】［実施例４］
ポリエーテルジアミン（サンテクノケミカル製  ＸＴＪ−５１０（Ｄ４０００））６６．０ｇ、およびｐ−フェニレンジアミン３８．０ｇをＮＭＰ５９６．１ｇ中で溶解した。次に、次式にて示されるピロメリット酸二無水物（以下、ＰＭＤＡと略す）４５．０ｇを加え、反応させポリアミック酸溶液を作成した。【００７５】
2005086212.tif 000004
【００７６】  上記反応後、冷却して得られたポリアミック酸溶液からなるワニスを、実施例１と同様にポリイミド膜の厚みが１０μｍとなるように、１２インチのシリコンウェハの片面に上記ポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有し、ウェハ外周部分にウェハが露出する部分を有する図１に示す構造のクリーニング部材を作製した。
このクリーニング部材について、実施例１と同様にして、除塵性、搬送性、およびマーク認識の評価を行った。その結果、リフトピンによるウェハの離脱にて、容易にウェハを取り出すことができた。また、テーブルから除塵されたアルミ片の下図の目視計数では、３回の計数においてすべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。さらに、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけたところ、露出されたマークは、通常のベアウェハのマークを認識すると同様に正確に読み取ることができた。【００７７】［実施例５］
実施例４に記載のポリアミック酸を用い、実施例３に記載する方法にて１２インチのシリコンウェハの片面に実施例４に記載のポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有し、ウェハ外周部分にウェハが露出する部分を有する図１に示す構造のクリーニング部材を作製した。
このクリーニング部材について、実施例１と同様にして、除塵性、搬送性、およびマーク認識の評価を行った。その結果、リフトピンによるウェハの離脱にて、容易にウェハを取り出すことが出来た。またテーブルから除塵されたアルミ片の下図の目視計数では、３回の計数においてすべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。さらに、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけたところ、露出されたマークは、通常のベアウェハのマークを認識すると同様に正確に読み取ることができた。【００７８】  比較例２
１２インチシリコンウエハの片面に、実施例３で得たポリアミック酸溶液からなるワニスを、スピンコータで塗布した。その際、１，０００ｒｐｍの回転数に、加速度１０，０００ｒｐｍ／ｓｅｃで約０．１ｓｅｃで到達させ、その後、回転開始後０．５秒になるまで回転数を保持したのち、減速度１００ｒｐｍ／ｓｅｃで５００ｒｐｍの回転数まで減速し、そのままの回転数で４０ｓｅｃ間保持した。ついで、ノズル位置を自動制御し、外周に発生する盛り上がり部分にＮＭＰを滴下してエッジリンスし、平坦化した。【００７９】  この塗布後、９０℃で２０ｍｉｎ乾燥したのち、窒素雰囲気下、３００℃で２時間熱処理して、厚さが１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成した。
このようにして、１２インチシリコンウエハの片面全面に上記ポリイミド樹脂膜からなるクリーニング層を有する、つまりウエハ外周部分にウエハが露出する部分を持たない、半導体装置用クリーニング部材を作製した。【００８０】  このクリーニング部材について、実施例３と同様にして、除塵性、搬送性およびマーク認識の評価を行った。その結果、リフトピンによるウエハの離脱にて、容易にウエハを取り出すことができ、またテーブルから除塵されたアルミ片の数の目視計数では、３回の計数においてすべて９０％以上の除塵率を示すことが確認された。しかし、ＣＣＤカメラからの画像を文字認識装置にかけてみたところ、マーク上面のクリーニング層により透明性が悪化しており、下部のマークが正しく認識できなかった。【００８１】  上記の結果より、クリーニング層のウエハ外周部にウエハ表面が露出する部分を有する実施例１のクリーニング部材は、除塵性および搬送性を満足するとともに、ウエハ上のマークの認識を正常に行うことができた。これに対し、クリーニング層に上記のような露出部分を持たない比較例２のクリーニング部材では、クリーニング層によりマークの透過が妨げられるため、マークを正常に認識できなかった。【００８２】  また、別の評価として、実施例３および４のクリーニング部材をウエハケースに収納保管するあたり、ウエハケースの保持部分にクリーニング層におけるウエハ表面が露出する部分を接触させるようにしたところ、上記保持部分とクリーニング層との接触が防がれることから、この接触摩擦に起因した樹脂のパーティクルの発生、つまり発塵を防止でき、上記パーティクルがクリーニングしようとする半導体装置に転着して、パーティクル汚染を引き起こすといった弊害も生じないことを確認できた。
また、比較例のクリーニング部材をウェハケースに収納保管すると、ウェハケースの保持部分とクリーニング層が接触した。このため、搬送に関し、接触摩擦によりクリーニング層起因のパーティクルが発生する可能性があり、クリーニングしようとしている半導体装置を汚染することが懸念された。【００８３】  本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。
なお、本出願は、２００４年３月８日付けで出願された日本特許出願（特願２００４−６３８５８）、２００４年３月８日付けで出願された日本特許出願（特願２００４−６３８５９）に基づいており、その全体が引用により援用される。
【産業上の利用可能性】
【００８４】  本発明によれば、クリーニング層をポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる特定の樹脂コート層で構成するとともに、その一部を除去してウエハ表面が露出する部分を設けるようにしたことにより、ウエハ上に形成されたロット管理を行うためのマークの認識性が改善され、またウエハケースからの取り出し作業時にパーティクルの発生つまり発塵を生起させることなく、半導体装置におけるウエハ固定テーブルや搬送系のクリーニングを安定して行えるクリーニング部材を提供できる。
また、本発明によれば、クリーニング層としてポリアミック酸を熱硬化させた耐熱性樹脂からなる特定の樹脂コート層を、ウエハ上に螺旋状に塗布するという特定の手法で形成したことにより、スピンコート法のような材料ロスがなくなり、樹脂材料を無駄なく利用でき、しかも上記樹脂コート層からなるクリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を形成したことにより、ウエハ上に設けられたロット管理を行うためのマークの視認性が改善され、またウエハケースからの取り出し作業時にパーティクルの発生、つまり、発塵を生起させることなく、半導体装置におけるウエハ固定テーブルや搬送系のクリーニングを安定して行えるクリーニング部材を提供できる。
更に、上記クリーニング層の一部にウエハ表面が露出する部分を形成するため、ウエハへの塗布時に塗布位置を規制して未塗布部分を一部設けるようにしたことにより、これ以外の方法、たとえば、ウエハの全面に塗布したのちその一部を溶解除去してウエハ表面が露出する部分を形成するなどの方式に比べて、露出部分の形成が容易であり、工程上より望ましいクリーニング部材の製造方法を提供できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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