(57)【要約】【課題】パターンの微細化が進んでも従来波長の照明を用いてホールパターンを観察可能な観察装置を提供する【解決手段】本発明に係る観察装置は、所定のホールパターン１２を有するウェハの表面に偏光を照射する照明部と、ホールパターン１２の構造性複屈折により生じた偏光状態の変化を検出する検出部と、検出部により検出された偏光状態の変化に基づいて、ホールパターン１２の画像を表示する表示部とを備え、ホールパターン１２は、複数のホール１３が第１の方向に所定の配列ピッチＰ１で並ぶとともに、ホール１３の並ぶ列１４が第２の方向に所定の繰り返しピッチＰ２で繰り返し配列されるように形成されており、照明部は、繰り返しピッチＰ２よりも長い波長を有する偏光を照射するように構成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のホールパターンを有する基板の表面に偏光を照射する照明部と、
前記偏光が前記基板の表面で反射する際に前記ホールパターンの構造性複屈折により生じた偏光状態の変化を検出する検出部とを備え、
前記ホールパターンは、複数のホールが第１の方向に所定の配列ピッチで並ぶとともに、前記ホールの並ぶ列が第２の方向に所定の繰り返しピッチで繰り返し配列されるように形成されており、
前記照明部は、前記繰り返しピッチよりも長い波長を有する偏光を照射するように構成されることを特徴とする観察装置。
【請求項２】
前記配列ピッチが前記繰り返しピッチよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の観察装置。
【請求項３】
前記検出部により検出された前記偏光状態の変化に基づいて、前記ホールパターンの画像を表示する表示部をさらに備え、
前記照明部は、前記基板の表面に直線偏光を照射し、
前記検出部は、前記直線偏光が照射された前記基板の表面からの正反射光のうち、前記直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分を前記偏光状態の変化として検出し、
前記表示部は、前記検出部により検出された前記偏光成分に基づいて、前記ホールパターンの画像を表示することを特徴とする請求項１もしくは２に記載の観察装置。
【請求項４】
前記基板の表面に対する前記直線偏光の偏光方向を設定する設定部を備え、
前記設定部は、前記偏光状態の変化を最も検出しやすくするように前記偏光方向を設定することを特徴とする請求項３に記載の観察装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ等に代表される基板の表面を観察するための観察装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体回路素子や液晶表示素子の製造工程では、半導体ウェハや液晶基板等の基板表面に形成された繰り返しパターンの検査が行われる。自動化された表面検査装置では、チルト可能なステージの上に基板を載置して、ステージ上の基板の表面に検査用の照明光（非偏光）を照射し、例えば、基板表面に形成された繰り返しホールパターンから発生する回折光に基づいて基板の画像を取り込み、この画像の明暗差（コントラスト）に基づいてホールパターンの異常を検出する（例えば、特許文献１を参照）。さらに、このような表面検査装置は、ステージをチルト調整することにより、基板表面における繰り返しピッチが異なるホールパターンの検査を行うことができる。
【特許文献１】特開２００６−１０５９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、半導体ウェハに形成されるパターンの微細化が進むと、波長の短い照明光を使用しても回折光が発生せず、ホールパターンの画像が得られなくなるという問題があった。
【０００４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、パターンの微細化が進んでも従来波長の照明を用いてホールパターンを観察可能な観察装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的達成のため、本発明に係る観察装置は、所定のホールパターンを有する基板の表面に偏光を照射する照明部と、前記偏光が前記基板の表面で反射する際に前記ホールパターンの構造性複屈折により生じた偏光状態の変化を検出する検出部とを備え、前記ホールパターンは、複数のホールが第１の方向に所定の配列ピッチで並ぶとともに、前記ホールの並ぶ列が第２の方向に所定の繰り返しピッチで繰り返し配列されるように形成されており、前記照明部は、前記繰り返しピッチよりも長い波長を有する偏光を照射するように構成される。
【０００６】
なお、上述の発明において、前記配列ピッチが前記繰り返しピッチよりも小さいことが好ましい。
【０００７】
また、上述の発明において、前記検出部により検出された前記偏光状態の変化に基づいて、前記ホールパターンの画像を表示する表示部をさらに備え、前記照明部は、前記基板の表面に直線偏光を照射し、前記検出部は、前記直線偏光が照射された前記基板の表面からの正反射光のうち、前記直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分を前記偏光状態の変化として検出し、前記表示部は、前記検出部により検出された前記偏光成分に基づいて、前記ホールパターンの画像を表示することが好ましい。
【０００８】
さらに、上述の発明において、前記基板の表面に対する前記直線偏光の偏光方向を設定する設定部を備え、前記設定部は、前記偏光状態の変化を最も検出しやすくするように前記偏光方向を設定することが好ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、パターンの微細化が進んでも従来波長の照明を用いてホールパターンを観察することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本実施形態の観察装置１は、図１に示すように、半導体ウェハ１０（以下、ウェハ１０と称する）を支持するステージ２０と、照明系３０と、受光系４０と画像処理部５０と、モニタ５５とを備えて構成される。ウェハ１０は、最上層のレジスト膜への露光・現像後、不図示の搬送系により、不図示のウェハカセットまたは現像装置からステージ２０上に搬送される。なおこのとき、ウェハ１０は、ウェハ１０のパターンもしくは外縁部（ノッチ等）を基準としてアライメントが行われた状態で、ステージ２０上に搬送される。ステージ２０は、ウェハ１０を上面で支持して、例えば真空吸着により吸着保持する。
【００１１】
ウェハ１０の表面には、図２に示すように、複数のチップ領域１１がＸＹ方向に配列され、各チップ領域１１の中には、図３に示すホールパターン１２が形成されている。なお、本実施形態において、図２および図３における横方向をＸ方向とし、縦方向をＹ方向とする。ホールパターン１２は、コンタクト・ホール等を形成するためのレジストパターンであり、図３に示すように複数のホール１３から構成される。各ホール１３は、例えばＸ方向に対し−４５度だけ傾いた方向に所定の配列ピッチＰ１で並んでおり、また、このようにホール１３が並ぶ列１４は、例えばＸ方向に対し７２度だけ傾いた方向に所定の繰り返しピッチＰ２で繰り返し配列されるようになっている。なお、ホール１３の配列ピッチＰ１は、ホール１３が並ぶ列１４の繰り返しピッチＰ２よりも小さくなっている。
【００１２】
また、本実施形態においては、ホールパターン１２に対する照明光（後述）の波長と比較してホールパターン１２における繰り返しピッチＰ２（および配列ピッチＰ１）が十分小さいものとする。このため、ホールパターン１２から回折光が発生することはなく、ホールパターン１２の観察や検査等を回折光により行うことはできない。
【００１３】
ところで、照明系３０は、図１に示すように、照明装置３１と、偏光子３５と、第１の凹面鏡３６とを有して構成され、ステージ２０上に載置されたウェハ１０の表面に直線偏光を照射する。この直線偏光が、ウェハ１０の表面に対する照明光であり、ウェハ１０の表面全体に照射される。
【００１４】
照明装置３１は、光源である水銀ランプ３２と、波長選択フィルタ３３と、ライトガイドファイバ３４とを有して構成される。そして、水銀ランプ３２から発せられた光は、波長選択フィルタ３４を透過した後、不図示の集光レンズで集光されてライトガイドファイバ３４の入射端３４ａに入射し、ライトガイドファイバ３４の射出端３４ｂより偏光子３５に向けて発散光が射出される。なお、水銀ランプ３２は、２４８ｎｍ付近の波長の光を発することのできるＤＥＥＰ−ＵＶランプであり、水銀だけでなくキセノンが混合されているタイプのものである。また、波長選択フィルタ３３は、水銀ランプ３２の輝線を選択できるよう切り替え式になっており、ｅ線、ｇ線、ｈ線、ｉ線、Ｊ線、および波長λ＝２４８ｎｍの光が透過するフィルタを選択できるようになっている。
【００１５】
偏光子３５は、照明装置３１（ライトガイドファイバ３４）の射出端３４ｂ近傍に配置され、透過軸に応じて照明装置３１からの光を直線偏光にする。また、偏光子３５は、回転駆動装置３９を用いて、照明系３０の光軸を中心に透過軸の方位を回転可能に構成されており、偏光子３５の透過軸の方位を所望の方位に設定できるようになっている。
【００１６】
第１の凹面鏡３６は、前側焦点が照明装置３１（ライトガイドファイバ３４）の射出端３４ｂと略一致するとともに、後側焦点がウェハ１０の表面と略一致するように配置され、偏光子３５からの光を反射させ平行光束にしてウェハ１０の表面に導く。すなわち、照明系３０は、ウェハ１０側に対してテレセントリックな光学系である。上記の照明系３０において、照明装置３１からの光は、偏光子３５および第１の凹面鏡３６を介し直線偏光となって、ウェハ１０の表面全体に入射する。なお、ウェハ１０の各点における直線偏光の入射角度は、平行光束のため互いに同じである。
【００１７】
受光系４０は、第２の凹面鏡４１と、検光子４２と、結像レンズ４３と、撮像装置４４とを有して構成され、その光軸が、ステージ２０の中心軸を対象軸として、照明系３０の光軸と対称に配設される。第２の凹面鏡４１は、直線偏光が照射されたウェハ１０表面からの正反射光を反射させて撮像装置４４の撮像面に集光する。
【００１８】
検光子４２は、回転駆動装置４９を用いて受光系４０の光軸を中心に透過軸の方位を回転可能に構成されており、検光子４２の透過軸の方位は、上述した偏光子３５の透過軸に対してほぼ９０度の傾斜角度で傾く（クロスニコル状態となる）ように設定される。したがって、第２の凹面鏡４１で反射した光が検光子４２を透過すると、ウェハ１０表面からの正反射光のうち、照明光である直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分の光が結像レンズ４３を透過して撮像装置４４の撮像面に結像される。その結果、撮像装置４４の撮像面には、上述の偏光成分によるウェハ１０の反射像が形成される。なお、回転駆動装置４９を用いて検光子４２を偏光子３５と同期させて回転させることにより、クロスニコル状態を保ったまま偏光子３５および検光子４２の透過軸の方位を回転させることが可能である。また、回転駆動装置４９（もしくは、回転駆動装置３９）を用いて検光子４２（もしくは、偏光子３５）だけを回転させることにより、クロスニコル状態を意図的にくずすことも可能である。
【００１９】
撮像装置４４は、不図示のＣＣＤ撮像素子を有するＣＣＤカメラであり、撮像面に形成されたウェハ１０の反射像を光電変換して、画像信号を画像処理部５０に出力する。画像処理部５０は、撮像装置４４から入力されたウェハ１０の画像信号に基づいて、ウェハ１０の画像を所定のビット（例えば８ビット）のデジタル画像に変換する。そして、画像処理部５０により生成されたウェハ１０の反射画像（デジタル画像）がモニタ５５で出力表示される。これにより、モニタ５５を介してウェハ１０の表面を観察することが可能になり、目視によりウェハ１０の表面を検査することも可能である。また、画像処理部５０は、生成したウェハ１０の反射画像の輝度情報（信号強度）を、予め記憶された良品ウェハの反射画像の輝度情報（信号強度）と比較し、ウェハ１０の反射画像における暗い箇所の輝度値の低下量（輝度変化）に基づいて、ホールパターン１２における異常を検出することも可能である。
【００２０】
ところで、このような直線偏光を利用した観察検査方法は、ウェハの表面に形成されたライン・アンド・スペースパターン（図示せず）の検査に対し適用されつつある。ライン・アンド・スペースパターンに直線偏光を照射すると、パターンの構造性複屈折により偏光状態が変化し、当該偏光状態の変化を検出して得られるウェハの反射画像に基づいて検査が行われる。
【００２１】
不図示のライン・アンド・スペースパターンは、ライン部とスペース部とを交互に配列した凹凸形状を有しており、ライン部の線幅の設計値をパターンのピッチの１／２とすると、適正な露光フォーカスで設計値の通りに形成された場合、ライン部の線幅とスペース部の線幅は等しくなる。このような理想的な形状の場合、ウェハの反射画像が最も明るくなる。これに対し、露光フォーカスが適正値から外れると、ピッチは変わらないが、ライン部の線幅が設計値と異なってしまうとともに、スペース部の線幅とも異なってしまい、このような部分の画像は理想的な場合と比較して暗くなる。そして、このような理想的な場合と比較して暗くなる部分を検出することにより、ライン・アンド・スペースパターンの異常を検出することが可能になる。
【００２２】
本願の発明者は、ホールパターンにおいても、特に、複数のホール１３が第１の方向（例えば、−４５度の方向）に所定の配列ピッチＰ１で並ぶとともに、ホール１３の並ぶ列１４が第２の方向（例えば、７２度の方向）に所定の繰り返しピッチＰ２で繰り返し配列されたホールパターン１２においても、直線偏光を照射するとパターンの構造性複屈折により偏光状態が変化し、当該偏光状態の変化を検出することでホールパターン１２の画像が得られることを発見した。これにより、ホール１３の配列ピッチＰ１およびホール１３の並ぶ列１４の繰り返しピッチＰ２よりも長い波長の照明光を使用しても、構造性複屈折による偏光状態の変化に基づいたウェハ１０の画像が得られるため、パターンの微細化が進んでも、従来波長の照明を用いてホールパターン１２を観察することが可能になる。
【００２３】
そこで、本実施形態の観察装置１を用いたウェハ１０の観察方法について、図４に示すフローチャートを参照しながら説明する。まず、ウェハ１０の観察検査の前に、レシピ作成作業を実施する。ホール工程の検査は、配線工程の検査とは異なり、パターンの変化に対する偏光変化が微小であることから、検査工程ごとに最適な検査条件を決める必要があるからである。そこで、予め露光機のフォーカス量およびドーズ量をショット毎に振った（変化させた）条件で露光し、現像したウェハをステージ２０へ搬送する（ステップＳ１０１）。
【００２４】
このような条件振りウェハ１０ｆ（図５を参照）は、基準となる最適なフォーカス量およびドーズ量によるベストショット（良品ショット）が存在するように作成する。この際、条件振りウェハ１０ｆに限らず、不作為による欠陥が存在するウェハでもよい。条件振りウェハ１０ｆの搬送後、偏光子３５および検光子４２をクロスニコル状態で回転させて（条件振りウェハ１０ｆの表面に対する）直線偏光の偏光方向が所定の初期設定方位となるようにする。
【００２５】
条件振りウェハ１０ｆの搬送を行った後、条件振りウェハ１０ｆの表面に直線偏光Ｌ１を照射し、条件振りウェハ１０ｆの表面で反射した正反射光のうち直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分を撮像装置４４で検出し撮像する（ステップＳ１０２）。このとき、照明装置３１からの光が偏光子３５および第１の凹面鏡３６を介し直線偏光となって、条件振りウェハ１０ｆの表面に照射される。そして、条件振りウェハ１０ｆの表面で反射した正反射光が第２の凹面鏡４１により集光され、検光子４２で直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分を有する光が抽出されて結像レンズ４３により撮像装置４４の撮像面上に結像され、撮像装置４４は、撮像面上に形成された前記偏光成分による条件振りウェハ１０ｆの反射像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部５０に出力する。
【００２６】
このように、条件振りウェハ１０ｆの画像信号が画像処理部５０に入力されると、入力された画像信号のデータは画像処理部５０の内部メモリ（図示せず）に記憶される（ステップＳ１０３）。
【００２７】
前述したように、偏光子３５は、回転駆動装置３９を用いて透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）を回転可能に構成されており、透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）が初期設定方位から１８０度回転するまで、例えば１５度ずつ（５度ずつ等、他の角度ピッチでもよい）回転させながら（ステップＳ１０４〜Ｓ１０５）、ステップＳ１０２の撮像およびステップＳ１０３の画像記憶を繰り返す。なおこのとき、回転駆動装置４９を用いて検光子４２を偏光子３５と同期させて回転させることにより、クロスニコル状態を保つようにする。またこのとき、撮像した画像から基準ショット（ベスト良品ショット）位置の輝度を計算し、一定の輝度になるように毎回照明光量を調整する。これにより、基準ショットが同一輝度値で直線偏光の偏光方向が異なる１２枚の画像が記憶される。
【００２８】
（条件振りウェハ１０ｆの表面における）直線偏光の偏光方向が異なる１２枚の画像を撮像取得すると、条件振りウェハ１０ｆを回収する（ステップＳ１０４〜Ｓ１０６）。そして、画像処理部５０は、１２枚の画像を内部メモリから読み出し、これらの画像から、基準ショットとフォーカス量およびドーズ量を振った（変化させた）ショットとの間の輝度変化（信号強度変化）が最も大きくなる画像を画像処理により求める（ステップＳ１０７）。このとき、まず、１２枚の画像から２枚の画像を選択し、選択した２枚の画像にについて例えば画素ごとに信号強度の差（輝度値の差）を求め、求めた信号強度の差に基づく条件振りウェハ１０ｆの差分画像を生成する。次に、生成した条件振りウェハ１０ｆの差分画像について、基準ショットの信号強度（輝度値）とフォーカス量およびドーズ量を振った（変化させた）ショットの信号強度（輝度値）との差をそれぞれ求める。そして、これらの処理を１２枚の画像における全ての組み合わせについて行い、基準ショットとフォーカス量およびドーズ量を振った（変化させた）ショットとの間の輝度変化（信号強度変化）が最も大きくなる組み合わせの２枚の画像を求める。
【００２９】
この処理により、露光機または膜厚の異常時に発生するフォーカスの不良およびドーズの不良を検出するための、差分画像を生成したときに不良ショットと良品ショットとの間の輝度変化が最も大きくなる組み合わせの偏光子３５の透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）を求めることができる。この際、求めた（２種類の）偏光子３５の透過軸の方位とそのときの照明光量を、観察条件としてレシピに登録する。なお、このような観察条件は、フォーカスの不良およびドーズの不良についてそれぞれ、異なる観察条件を設定するようしてもよい。また、ホールパターン１２の下地層（図示せず）の影響により下地ムラが発生する場合には、当該下地ムラが発生する条件を観察条件からはずすことも可能である。
【００３０】
レシピ作成後、観察対象となるウェハ１０の撮像を行う（ステップＳ１０８）。具体的には、先のステップで求めた２種類の偏光子３５の透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）および照明光量によってそれぞれ、ウェハ１０の表面に直線偏光を照射し、ウェハ１０の表面で反射した正反射光のうち直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分を撮像装置４４で検出し撮像する。なおこのとき、直線偏光が照射されたウェハ１０表面からの正反射光は、第２の凹面鏡４１により集光され、検光子４２で直線偏光の偏光方向に対し略直角な偏光成分を有する光が抽出されて結像レンズ４３により撮像装置４４の撮像面上に結像され、撮像装置４４は、撮像面上に形成された前記偏光成分によるウェハ１０の反射像を光電変換して画像信号を生成し、画像信号を画像処理部５０に出力する。
【００３１】
撮像装置４４から画像信号が入力されると、画像処理部５０は、２種類の観察条件によってそれぞれ撮像されたウェハ１０のデジタル画像を生成し、生成した２種類のウェハ１０の画像について、例えば画素ごとに信号強度の差（輝度値の差）を求め、求めた信号強度の差に基づくウェハ１０の差分画像を生成する。そして、画像処理部５０により生成されたウェハ１０（ホールパターン１２）の差分画像および、２種類の観察条件によってそれぞれ撮像されたウェハ１０（ホールパターン１２）の反射画像（デジタル画像）がモニタ５５で出力表示される。これにより、モニタ５５を介してウェハ１０の表面を観察することが可能になり、目視によりウェハ１０の表面を検査することも可能である。
【００３２】
特に、不良ショットと良品ショットとの間の輝度変化が最も大きくなるウェハ１０の差分画像を表示することにより、ウェハ１０の差分画像は、パターンに異常がなければ画像が真っ暗となるとともに、パターンに異常があれば当該異常部分が輝度変化として画像に現れることから、パターンの変化に対する偏光変化が微小であるホールパターン１２の場合であっても、異常の可能性がある部分を用意に認識することができる。このように、本実施形態の観察装置１によれば、パターンの微細化が進んでも従来波長の照明を用いてホールパターン１２を観察することができる。さらには、（ホール１３の配列ピッチＰ１および）ホール１３の並ぶ列１４の繰り返しピッチＰ２よりも長い波長の照明光を使用しているので、回折光の発生による誤検出もなく、観察精度が向上する。
【００３３】
なお、ホール１３の配列ピッチＰ１は、ホール１３の並ぶ列１４の繰り返しピッチＰ２よりも小さいことが好ましく、このようにすれば、構造性複屈折による偏光状態の変化が生じやすくなる。
【００３４】
また、照明系３０によってウェハ１０の表面に直線偏光を照射することが好ましく、このようにすれば、構造性複屈折による偏光状態の変化を検出しやすくなる。
【００３５】
さらに、回転駆動装置３９を用いて、構造性複屈折による偏光状態の変化を最も検出しやすくするように、偏光子３５の透過軸の方位、すなわち、ウェハ１０の表面に対する直線偏光の偏光方向を設定することが好ましく、このようにすれば、より明瞭なウェハ１０の反射像を得ることができる。
【００３６】
なお、上述の実施形態において、偏光子３５の透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）および照明光量を変化させて最適な観察条件を求めているが、これに限られるものではなく、さらに、照明波長を観察条件に加え、前述の場合と同様に、照明波長を変化させて取得した複数の画像から、最適な観察条件を求めるようにしてもよい。このようにすれば、より最適な観察条件を求めることができる。
【００３７】
また、偏光子３５の透過軸に対する検光子４２の透過軸の傾斜角度を観察条件に加え、前述の場合と同様に、クロスニコル状態を意図的にくずして（例えば、傾斜角度を９０±５度の範囲で１度ずつ変化させて）取得した複数の画像から、最適な観察条件を求めるようにしてもよい。このようにすれば、より最適な観察条件を求めることができる。
【００３８】
また、ウェハ１０に対する直線偏光の入射角度を観察条件に加え、前述の場合と同様に、入射角度を１度ずつ変化させて取得した複数の画像から、最適な観察条件を求めるようにしてもよい。このようにすれば、より最適な観察条件を求めることができる。
【００３９】
また、上述の実施形態において、ホールパターン１２の下層に配線パターン（ラインパターン）が形成されている場合、可能であるならば、ウェハ１０の表面上における直線偏光の偏光方向（偏光子３５の透過軸の方位）を、配線パターンの延びる方向と平行もしくは直角な方向に設定することが好ましい。このようにすれば、配線パターンにおいて構造性複屈折による偏光状態の変化が生じないので、ウェハ１０の画像における配線パターンの影響を排除することができる。
【００４０】
また、上述の実施形態において、回転駆動装置を用いて偏光子３５および検光子４２の透過軸の方位を回転可能に構成されているが、これに限られるものではなく、例えば、１／２波長板を配置して、１／２波長板の遅相軸を各光学系の光軸を中心に回転させるようにしてもよい。このようにしても、直線偏光の偏光方向を変えることができる。さらには、ステージ２０を回転させるようにしてもよい。
【００４１】
また、上述の実施形態において、照明光として直線偏光を用いているが、これに限られるものではなく、例えば、楕円偏光や円偏光においても同様の効果が期待できる。
【００４２】
また、上述の実施形態において、差分画像を生成したときに不良ショットと良品ショットとの間の輝度変化が最も大きくなる組み合わせの偏光子３５の透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）を求めているが、これに限られるものではなく、差分画像を生成せずに、前述の１２枚のウェハ１０の画像から、不良ショットと良品ショットとの間の輝度変化が最も大きくなる（１枚の）画像における偏光子３５の透過軸の方位（直線偏光の偏光方向）を求めてもよい。
【００４３】
また、上述の実施形態では、照明装置３１と偏光子３５を利用して、直線偏光を作り出すように構成されているが、これに限られるものではなく、直線偏光レーザを照明装置として使用すれば偏光子３５は必要ない。
【００４４】
また、上述の実施形態において、ウェハ１０を例に説明したが、これに限られるものではなく、例えば、液晶基板やレチクル等、表面にホールパターンが形成された基板に対して本発明を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る観察装置の全体構成を示す図である。
【図２】半導体ウェハの表面の外観図である。
【図３】ホールパターンの一例を示す模式図である。
【図４】本発明に係る観察装置を用いた観察方法を示すフローチャートである。
【図５】条件振りウェハを示す模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  観察装置
１０  半導体ウェハ（基板）              １２  ホールパターン
１３  ホール                            １４  列
３０  照明系（照明部）
３５  偏光子                            ３９  回転駆動装置（設定部）
４０  受光系                            ４２  検光子
４４  撮像カメラ（検出部）              ４９  回転駆動装置（設定部）
５０  画像処理部                        ５５  モニタ（表示部）
【図１】
2009300216.tif 000003
【図２】
2009300216.tif 000004
【図３】
2009300216.tif 000005
【図４】
2009300216.tif 000006
【図５】
2009300216.tif 000007