(57)【要約】  ダイパッド（４）上にＩＣチップ（５）が搭載され、ＩＣチップ（５）に設けられた電極と外部端子であるリード（８）とがボンディングワイヤ（６）により接続されている。そして、ＩＣチップ（５）及びボンディングワイヤ（６）等が封止樹脂７により封止されて、ＴＳＯＰ構造のパッケージが構築されている。更に、封止樹脂（７）及びリード（８）が、耐水膜としてのアルミナ膜（１１）により覆われている。アルミナ膜（１１）の厚さは、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路チップと、
前記集積回路チップを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面の少なくとも一部を覆い、前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁耐水膜として、金属酸化物膜及び金属窒化物膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁耐水膜として、撥水性樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記撥水性樹脂膜として、フッ素系樹脂膜及びシリコーン系樹脂膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記集積回路チップは、強誘電体メモリを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁耐水膜は、前記封止樹脂の全面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記絶縁耐水膜として、金属酸化物膜及び金属窒化物膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜と、撥水性樹脂膜と、が積層して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記集積回路チップから前記封止樹脂の外部まで延出するリードと、
前記リードと前記封止樹脂との界面からの前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する第２の絶縁耐水膜と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記絶縁耐水膜と前記第２の絶縁耐水膜とは、互いに同一の材料から構成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
パッケージ構造がＴＳＯＰ型となっており、
前記封止樹脂は、８０体積％以上のフィラーを含有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１１】
パッケージ構造がＳＯＰ型となっており、
前記封止樹脂は、９０体積％以上のフィラーを含有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記封止樹脂は、球状フィラーを含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記封止樹脂への紫外線の入射を遮断する紫外線遮断膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
集積回路チップと、
前記集積回路チップを封止する封止樹脂と、
前記集積回路チップから前記封止樹脂の外部まで延出するリードと、
前記リードと前記封止樹脂との界面からの前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
リードフレームのダイパッド上に集積回路チップを固定する工程と、
前記集積回路チップを封止樹脂により封止する工程と、
前記封止樹脂の表面の少なくとも一部を覆い、前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁耐水膜として、金属酸化物膜及び金属窒化物膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記集積回路チップとして、強誘電体メモリを含むものを用いることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記集積回路チップを固定する工程と前記封止樹脂により封止する工程との間に、２４０℃以下でボンディングワイヤのボンディングを行う工程を有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁耐水膜の成膜温度を２４０℃以下とすることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記封止樹脂により封止する工程は、前記封止樹脂をキュアする工程を有し、
前記絶縁耐水膜を形成する工程を前記封止樹脂をキュアする工程が終了してから４時間以内に開始することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子に好適な半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームを有する半導体装置のパッケージ構造として、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）及びＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）等が挙げられる。近年、携帯機器等に用いられるＩＣパッケージを中心にして、小型化及び薄型化が進められており、ＱＦＰ及びＳＯＰ等のパッケージから薄膜パッケージであるＴＳＯＰへの移行の要求が高まってきている。図９は、従来のＳＯＰ構造の半導体装置を示す一部破断図であり、図１０は、従来のＴＳＯＰ構造の半導体装置を示す一部破断図である。【０００３】
図９及び図１０に示すように、従来のＳＯＰ構造の半導体装置及びＴＳＯＰ構造の半導体装置では、ダイパッド１０４上に集積回路チップ（ＩＣチップ）１０５が搭載され、ＩＣチップ１０５に設けられた電極と外部端子であるリード１０８とがボンディングワイヤ１０６により接続されている。そして、ＩＣチップ１０５及びボンディングワイヤ１０６等が封止樹脂１０７により封止されている。【０００４】
そして、図６に示すように、上述のように構成された従来のＴＳＯＰ構造の半導体装置１０３は、Ｃｕパッド１０２が設けられたプリント配線基板１０１に実装される。ＳＯＰ構造の半導体装置も同様に実装される。【０００５】
このように構成された従来の半導体装置では、パッケージ化により外部からの水分等の侵入を防止している。【０００６】
しかしながら、半導体装置の薄型化に伴って、誤動作及び特性の低下が増加する傾向にある。【０００７】
【特許文献１】特開平１０−３２６９９２号公報
【特許文献２】特開２００２−３５９２５７号公報
【発明の開示】
【０００８】
本発明の目的は、誤動作及び特性の低下を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
本願発明者は、上述の不具合の原因を追求したところ、以下のような現象を見付け出した。
【００１０】
ＴＳＯＰ構造は薄型であるため、封止樹脂１０７としては、粘度が低い樹脂が用いられている。一般に、粘度が低い樹脂のフィラー含有量は低めであり、このような樹脂の吸湿性は高い。このため、特にＴＳＯＰ構造の半導体装置１０３では、図７に示すように、封止樹脂１０７に水分が侵入することがある。封止樹脂１０７に水分が侵入すると、封止樹脂１０７自体が膨張したり、変形したりする。この結果、図８に示すように、ＩＣチップ１０５は圧縮応力が作用する。そして、ＩＣチップ１０５内に強誘電体メモリを構成する強誘電体キャパシタ等の圧電素子が含まれている場合には、この圧電素子に圧縮応力が作用して、誤動作が生じることがある。例えば、強誘電体メモリのデータ保持機能が失われたり、データ読み出しができなくなったりする。
【００１１】
また、ＴＳＯＰ構造では、リード１０８の長さが、ＳＯＰ構造のものよりも短い。このため、リード１０８の端部とＩＣチップ１０５との距離が短くなり、図７に示すように、大気中の水分がリード１０８を介してＩＣチップ１０５まで到達することもある。この結果、ＩＣチップ１０５内に強誘電体メモリが含まれている場合には、水分中の水素による還元等を原因として、強誘電体キャパシタの特性が低下してしまう。
【００１２】
更に、吸湿等のために封止樹脂１０７にピンホール又はクラック等が生じると、紫外線の透過量が増加して、紫外線の影響により強誘電体キャパシタ等の半導体素子の特性が低下することもある。このような紫外線透過に伴う特性の低下は、ＴＳＯＰ構造のように封止樹脂１０７の厚さが薄い場合にも生じることがある。
【００１３】
本願発明者は、このような問題点に着目して、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１４】
本発明に係る半導体装置には、集積回路チップと、前記集積回路チップを封止する封止樹脂と、が設けられている。更に、前記封止樹脂の表面の少なくとも一部を覆い、前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜が設けられている。
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法では、リードフレームのダイパッド上に集積回路チップを固定した後、前記集積回路チップを封止樹脂により封止する。そして、前記封止樹脂の表面の少なくとも一部を覆い、前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図６】図６は、従来の半導体装置を示す断面図である。
【図７】図７は、封止樹脂１０７への水分の侵入を示す断面図である。
【図８】図８は、ＩＣチップ１０５への水分の侵入を示す断面図である。
【図９】図９は、従来のＳＯＰ構造の半導体装置を示す一部破断図である。
【図１０】図１０は、従来のＴＳＯＰ構造の半導体装置を示す一部破断図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、積み重ね型（２チップ）のスタックＭＣＰの例を示す断面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、積み重ね型（３チップ）のスタックＭＣＰの例を示す断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ｃは、積み重ね型（２チップ）のスタックＭＣＰの他の例を示す断面図である。
【図１１Ｄ】図１１Ｄは、積み重ね型（３チップ）のスタックＭＣＰの他の例を示す断面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、両面型（２チップ）のＦＢＧＡの例を示す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、両面型（３チップ）のＦＢＧＡの例を示す断面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、両面型（３チップ）のＦＢＧＡの他の例を示す断面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、横置き型（２チップ）のプレーンＭＣＰの例を示す断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、横置き型（３チップ）のプレーンＭＣＰの例を示す断面図である。
【図１４】図１４は、３次元パッケージモジュールの例を示す断面図である。
【図１５】図１５は、種々のパッケージを示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。【００１８】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。【００１９】
第１の実施形態では、ダイパッド４上に集積回路チップ（ＩＣチップ）５が搭載され、ＩＣチップ５に設けられた電極と外部端子であるリード８とがボンディングワイヤ６により接続されている。そして、ＩＣチップ５及びボンディングワイヤ６等が封止樹脂７により封止されて、ＴＳＯＰ構造のパッケージが構築されている。更に、本実施形態では、封止樹脂７及びリード８が、耐水膜としてのアルミナ膜１１により覆われている。アルミナ膜１１の厚さは２０ｎｍ以上とし、好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度とする。アルミナ膜１１が厚いほど水分及び水素に対するブロック効果が高く、その厚さが２０ｎｍ未満であると、このブロック効果が不十分となる虞がある。【００２０】
そして、このように構成された半導体装置３ａは、Ｃｕパッド２が設けられたプリント配線基板１に実装される。但し、リード８の全面がアルミナ膜１１に覆われている場合には、Ｃｕパッド２に接する部分のアルミナ膜１１は除去しておく必要がある。【００２１】
このような第１の実施形態によれば、アルミナ膜１１に封止樹脂７が覆われているため、封止樹脂７として吸湿性が高いものが用いられている場合でも、水分の侵入を防止することができる。このため、吸湿に伴う変形及び圧縮応力の作用が防止される。従って、ＩＣチップ５に圧電素子が含まれている場合であっても、応力の作用を起因とする誤動作を抑制することができる。また、リード８の大部分がアルミナ膜１１に覆われ、更に、リード８と封止樹脂７との界面近傍もアルミナ膜１１に覆われているため、リード８を介してのＩＣチップ５への水分の侵入も防止することができる。このため、ＩＣチップ５内に強誘電体メモリが含まれている場合であっても、強誘電体キャパシタの特性の劣化を抑制することができる。【００２２】
なお、ＩＣチップ５に強誘電体メモリが備えられている場合には、第１の実施形態のようなＴＳＯＰ型構造のパッケージに用いる封止樹脂７として、フィラー含有量が８０体積％以上のものを用いることが好ましい。また、ＳＯＰ型のパッケージに用いる場合には、封止樹脂のフィラー含有量は９０体積％以上とすることが好ましい。このように、パッケージの構造に応じて好ましいフィラー含有量が相違するのは、ＴＳＯＰ型構造の方が、封止樹脂の厚さが薄いため、より低い吸湿性が要求されるからである。【００２３】
また、パッケージ構造の種類に拘わらず、フィラーとしては球状のものを用いることが好ましい。これは、球状フィラーを用いた場合には、封止樹脂の表面が比較的良好な平滑性を具えるため、耐水膜のカバレッジが高くなるからである。【００２４】
ここで、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。先ず、リードフレームのダイパッド４上に銀ペーストを塗布した後、この上にＩＣチップ５を搭載する。次に、銀ペーストのキュアを、例えば１５５℃で２時間行う。次いで、ボンディングワイヤ６のボンディングを、例えば２４０℃以下で１０秒間行う。その後、封止樹脂７の流し込みを、例えば１７５℃で６０秒間行う。続いて、封止樹脂７のキュアを、例えば１７０℃で４時間行う。そして、リードフレームに対してめっき処理を行う。その後、耐水膜としてアルミナ膜１１を形成し、封止樹脂７の上面に型番等の捺印を行い、リードフレームの切断及び曲げを行う。【００２５】
なお、アルミナ膜１１の形成は、封止樹脂７が完全に乾燥した後に行うことが好ましい。これは、封止樹脂７中に水分が残存していると、その後のリフロー（プリント配線基板１への実装）時等の昇温により、内部の水分が拡散しやすくなり、ＩＣチップ５中の素子、例えば強誘電体キャパシタの特性が劣化してしまうからである。また、同様の理由により、アルミナ膜１１の形成は、封止樹脂７のキュアが終了してから４時間以内に行うことが好ましい。即ち、大気雰囲気には水蒸気が含まれているため、４時間を超えて放置されると、封止樹脂７中に水分が吸収される虞があるのである。この場合でも、アルミナ膜１１等の耐水膜の形成は、めっき処理後に行うことが好ましい。【００２６】
また、水分の侵入を防止する耐水膜としては、アルミナ膜１１の他に、Ｔｉ酸化物膜等の金属酸化物膜、Ｓｉ窒化物膜、Ａｌ窒化物膜、Ｂ窒化物膜、ＴｉＡｌＮ膜等の金属窒化物膜、Ｓｉ炭化物膜等の炭化物膜、ダイアモンドライクカーボン膜等の炭素膜等を用いてもよい。【００２７】
また、これらの耐水膜の形成方法としては、例えば、スパッタ法及びＣＶＤ法等が挙げられる。但し、ＩＣチップ５内に強誘電体キャパシタが備えられている場合には、熱による劣化を回避するために耐水膜の形成温度は２４０℃以下とすることが好ましい。同様の理由により、ボンディングワイヤ６のボンディング温度も２４０℃以下とすることが好ましい。また、スパッタ法で耐水膜を形成する場合には、ＩＣチップ５及び封止樹脂７等を回転（自転）させることにより、全体に一様の厚さの膜を形成することができる。更に、形成方法の種類に拘わらず、半導体装置３ａの一部のみに耐水膜を形成する場合には、形成が不要な箇所を予め覆っておくことにより、必要な箇所のみに耐水膜を形成することができる。【００２８】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。【００２９】
第２の実施形態では、アルミナ膜１１が封止樹脂７の上面及び下面のみを覆っている。但し、本実施形態では、封止樹脂７の側面及びリード８を覆う撥水性樹脂膜１２が耐水膜として形成されている。但し、このように構成された半導体装置３ｂをプリント配線基板１に実装する際には、第１の実施形態と同様に、Ｃｕパッド２と接する部分の撥水性樹脂膜１２を除去しておく必要がある。【００３０】
このような第２の実施形態では、リード８を介してのＩＣチップ５への水分の侵入が撥水性樹脂膜１２により防止される。このため、第１の実施形態と同様の効果が得られる。【００３１】
なお、撥水性樹脂膜１２としては、例えばフッ素系樹脂膜、シリコーン系樹脂膜等を用いることができる。また、撥水性樹脂膜１２は、例えばスプレーを用いた噴射により形成してもよく、ラミネートのように貼り付けるようにして形成してもよい。スプレーを用いた噴射を行う場合には、第１の実施形態と同様に、半導体装置３ｂの一部のみに耐水膜を形成する場合には、形成が不要な箇所を予め覆っておくことにより、必要な箇所のみに撥水性樹脂膜１２を形成することができる。【００３２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図３は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。【００３３】
第３の実施形態では、アルミナ膜１１が封止樹脂７のみを覆っている。このような第３の実施形態に係る半導体装置３ｃによれば、リード８を介しての水分の侵入に対する耐性が第１の実施形態よりも低くなるが、封止樹脂７の吸湿を原因とする誤動作を防止することができる。なお、アルミナ膜１１の代わりに、撥水性樹脂膜等の他の種類の耐水膜が形成されていてもよい。【００３４】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図４は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。【００３５】
第４の実施形態では、リード８を覆う撥水性樹脂膜１３がスプレー等により形成されている。このような第４の実施形態に係る半導体装置３ｄによれば、封止樹脂７の吸湿に対する耐性が第１の実施形態よりも低くなるが、リード８を介しての水分の侵入を原因とする特性の劣化を防止することができる。なお、発す異性樹脂膜１３の代わりに、アルミナ膜等の他の種類の耐水膜が形成されていてもよい。【００３６】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。図５は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。【００３７】
第５の実施形態では、第１の実施形態のようにアルミナ膜１１が形成され、更に、アルミナ膜１１を覆う撥水性樹脂膜１２が形成されている。このような第５の実施形態に係る半導体装置３ｅによれば、より一層高い耐水性を確保することができる。【００３８】
なお、第１〜第５の実施形態では、封止樹脂７を覆う膜として耐水膜が形成されているが、更に、封止樹脂７の紫外線の入射を遮断する紫外線遮断膜が形成されていることが好ましい。紫外線遮断膜としては、紫外線を吸収する膜又は反射する膜のいずれを用いてもよい。紫外線を吸収する膜としては、エネルギギャップが３．１ｅＶ程度の材料からなる膜が好ましく、例えばＴｉ酸化物膜を用いることができる。【００３９】
また、これらのパッケージの他に、リードフレームのないパッケージに本発明を適用してもよい。例えば、図１１Ａ〜図１１Ｄに示す積み重ね型のスタックＭＣＰ（Multi Chip Package）、図１２Ａ〜図１２Ｃに示す両面型のＦＢＧＡ（Fine
Pitch Ball Grid Array）、図１３Ａ〜図１３Ｂに示す横置き型のプレーンＭＣＰ、図１４に示す３次元パッケージモジュール等に本発明を適用してもよい。また、図１５に示すＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＫＩＮＮＹ  ＤＩＰ（Skinny Dual
Inline Package）、ＳＨＲＩＮＫ  ＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＺＩＰ（Zigzag Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Array）、ＳＯＰ（Small Outline L-Leaded Package）、ＳＯＪ（Small
Outline J-Leaded Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline L-Leaded
Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline L-Leaded Package）、ＱＦＪ（Quad Flat J-Leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat
L-Leaded Package）、ＴＱＦＰ／ＬＱＦＰ（Thin Quad Flat L-Leaded
Package / Low Profile Quad Flat L-Leaded Package）、ＢＧＡ／ＬＧＡ（Ball Grid Array / Fine Pitch Land Grid Array）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＣＳＰ（Wafer Level Chip
Size Package）等に本発明を適用してもよい。【００４０】
なお、特許文献１には、封止樹脂の周囲に電磁波ノイズを遮蔽することを目的として金属膜を形成することが開示されている。しかし、金属膜を封止樹脂の周囲に形成する場合には、リードフレームに金属膜が接しないように極めて慎重に形成しなければ短絡が生じてしまう。【００４１】
また、特許文献２には、耐湿性向上のためにポリイミド膜及び金属膜によりゲート電極等を覆うことが開示されている。しかし、この技術をパッケージに応用して金属膜で封止樹脂を覆う場合には、特許文献１と同様の問題が生じる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上詳述したように、本発明によれば、比較的吸湿性が高い封止樹脂を用いた場合であっても、高い耐水性を確保することができる。このため、水分の侵入に伴う集積回路チップの誤動作及び特性の低下等を抑制することができる。
【図１】
2006100768.tif 000002
【図２】
2006100768.tif 000003
【図３】
2006100768.tif 000004
【図４】
2006100768.tif 000005
【図５】
2006100768.tif 000006
【図６】
2006100768.tif 000007
【図７】
2006100768.tif 000008
【図８】
2006100768.tif 000009
【図９】
2006100768.tif 000010
【図１０】
2006100768.tif 000011
【図１１Ａ】
2006100768.tif 000012
【図１１Ｂ】
2006100768.tif 000013
【図１１Ｃ】
2006100768.tif 000014
【図１１Ｄ】
2006100768.tif 000015
【図１２Ａ】
2006100768.tif 000016
【図１２Ｂ】
2006100768.tif 000017
【図１２Ｃ】
2006100768.tif 000018
【図１３Ａ】
2006100768.tif 000019
【図１３Ｂ】
2006100768.tif 000020
【図１４】
2006100768.tif 000021
【図１５】
2006100768.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成19年10月5日(2007.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路チップと、
前記集積回路チップを封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面の少なくとも一部を覆い、前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記絶縁耐水膜として、金属酸化物膜及び金属窒化物膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁耐水膜として、撥水性樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記集積回路チップは、強誘電体メモリを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁耐水膜は、前記封止樹脂の全面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
集積回路チップと、
前記集積回路チップを封止する封止樹脂と、
前記集積回路チップから前記封止樹脂の外部まで延出するリードと、
前記リードと前記封止樹脂との界面からの前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
リードフレームのダイパッド上に集積回路チップを固定する工程と、
前記集積回路チップを封止樹脂により封止する工程と、
前記封止樹脂の表面の少なくとも一部を覆い、前記封止樹脂中への水分の侵入を防止する絶縁耐水膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁耐水膜として、金属酸化物膜及び金属窒化物膜からなる群から選択された少なくとも１種の膜を形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記集積回路チップとして、強誘電体メモリを含むものを用いることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記封止樹脂により封止する工程は、前記封止樹脂をキュアする工程を有し、
前記絶縁耐水膜を形成する工程を前記封止樹脂をキュアする工程が終了してから４時間以内に開始することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
2006100768.tif 000023
2006100768.tif 000024
2006100768.tif 000025
2006100768.tif 000026