(57)【要約】  耐マイグレーション性に優れ、樹脂封止材とセラミック多層基板本体との接合強度が高いセラミック多層基板及びその製造方法を得る。  積層基板本体（２）の全体を、ランド（１６），（１７）及び外部電極（２４），（２５）を含めて、ＰＶＤ法によって形成したシロキサン膜で覆う。シロキサン膜の膜厚は１００ｎｍ未満に設定される。この後、積層基板本体（２）のランド（１６），（１７）に、搭載部品（１１）の外部電極（１３），（１４）をはんだ（１９）により電気的に接続すると共に、堅固に固定する。次に、搭載部品（１１）を封止するための樹脂封止材（４）を、積層基板本体（２）上に形成する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて構成した積層基板本体と、
前記積層基板本体の表面に設けられ、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドと、
前記積層基板本体及び前記ランドを覆うように設けられ、かつ、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項２】
前記シロキサン膜は、さらに、前記ランドにはんだを介して搭載された搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように設けられていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のセラミック多層基板。
【請求項３】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて構成した積層基板本体と、
前記積層基板本体の表面に設けられ、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドと、
前記ランドにはんだを介して搭載された搭載部品と、
前記積層基板本体、前記搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように設けられ、かつ、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項４】
さらに、前記搭載部品を封止するための樹脂封止材を備えたことを特徴とする請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載のセラミック多層基板。
【請求項５】
前記樹脂封止材が前記シロキサン膜に覆われていることを特徴とする請求の範囲第４項に記載のセラミック多層基板。
【請求項６】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて構成した積層基板本体と、
前記積層基板本体の表面に設けられ、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドと、
前記ランドにはんだを介して搭載された搭載部品と、
前記搭載部品を封止するための樹脂封止材と、
前記積層基板本体及び前記樹脂封止材を覆うように設けられ、かつ、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板。
【請求項７】
前記搭載部品はＩＣ部品を含み、ワイヤボンディングによって前記ランドに電気的に接続されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第６項のいずれかに記載のセラミック多層基板。
【請求項８】
前記ＩＣ部品が前記積層基板本体の一方の主面に設けられたキャビティ内に収納されていることを特徴とする請求の範囲第７項に記載のセラミック多層基板。
【請求項９】
前記ランドにめっき膜が形成されていることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載のセラミック多層基板。
【請求項１０】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、
前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、
前記積層基板本体及び前記ランドを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記シロキサン膜が形成されたランドに、はんだを介して搭載部品を搭載する工程と、
前記搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
を備えたことを特徴とする請求の範囲第１０項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１２】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、
前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、
前記ランドにはんだを介して前記搭載部品を搭載する工程と、
前記積層基板本体、前記搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記搭載部品を覆うように前記シロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程の後に、樹脂封止材で前記搭載部品を封止する工程を備えたことを特徴とする請求の範囲第１０項ないし第１２項のいずれかに記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１４】
前記樹脂封止材を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程を備えたことを特徴とする請求の範囲第１３項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１５】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、
前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、
前記ランドにはんだを介して前記搭載部品を搭載する工程と、
樹脂封止材で前記搭載部品を封止する工程と、
前記積層基板本体及び前記樹脂封止材を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１６】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、
前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、
前記ランドにはんだボールを形成する工程と、
前記積層基板本体、前記ランド及び前記はんだボールを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
前記搭載部品を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
前記ランドにはんだボールを介して前記搭載部品を搭載する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１７】
複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、
前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、
前記積層基板本体及び前記ランドを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
前記搭載部品にはんだボールを形成する工程と、
前記搭載部品及び前記はんだボールを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、
前記ランドにはんだボールを介して前記搭載部品を搭載する工程と、
を備えたことを特徴とするセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１８】
前記搭載部品を搭載する工程の後に、樹脂封止材で前記搭載部品を封止する工程を備えたことを特徴とする請求の範囲第１６項又は第１７項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項１９】
前記積層基板本体及び前記樹脂封止材を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程を備えたことを特徴とする請求の範囲第１８項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項２０】
前記シロキサン膜の表面を活性化させる工程を備えていることを特徴とする請求の範囲第１０項ないし第１９項のいずれかに記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項２１】
前記シロキサン膜の表面を活性化させる工程は、前記シロキサン膜の表面を酸素プラズマで洗浄を施すことによって行うことを特徴とする請求の範囲第２０項に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック多層基板、特に、ＩＣ部品などの電子部品を表面に搭載するセラミック多層基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、セラミック多層基板には、その表面に搭載部品を実装するためのＡｇ又はＣｕを主成分とするランドが形成されており、さらには多層基板自身を実装するための外部電極が形成されている。このランド上や外部電極上には、はんだ付けやワイヤボンディング可能なめっき膜が形成されている。めっき膜はランドや外部電極のマイグレーションを抑制する効果も有している。【０００３】
しかしながら、高電界強度下で使用されるセラミック多層基板の場合、ランドや外部電極上に形成されためっき膜だけでは、マイグレーションを充分に抑制することができないため、めっき膜とは別にガラスや樹脂による保護膜を形成する必要があった。このため、保護膜形成による設計上の制約や製造コストの上昇という問題があった。【０００４】
また、特許文献１に記載されているように、セラミック多層基板に実装された搭載部品を保護するために、樹脂封止材で搭載部品を封止する場合がある。しかし、樹脂封止材とセラミック多層基板本体との濡れ性がよくないため、両者の接合強度が十分でないという問題もあった。【０００５】
なお、蒸着によるシロキサン膜の形成技術については、特許文献２や特許文献３に記載されている。
【特許文献１】特開２００３−２４９８４０号公報
【特許文献２】特開平６−１５２１０９号公報
【特許文献３】特開平８−２１３７４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、耐マイグレーション性に優れ、樹脂封止材とセラミック多層基板本体との接合強度が高いセラミック多層基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、第１の発明に係るセラミック多層基板は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて構成した積層基板本体と、前記積層基板本体の表面に設けられ、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドと、前記積層基板本体及び前記ランドを覆うように設けられ、かつ、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜と、を備えたことを特徴とする。【０００８】
第１の発明に係るセラミック多層基板において、前記シロキサン膜は、さらに、前記ランドにはんだを介して搭載された搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように設けられていることが好ましい。【０００９】
第２の発明に係るセラミック多層基板は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて構成した積層基板本体と、前記積層基板本体の表面に設けられ、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドと、前記ランドにはんだを介して搭載された搭載部品と、前記積層基板本体、前記搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように設けられ、かつ、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜と、を備えたことを特徴とする。【００１０】
第１及び第２の発明に係るセラミック多層基板においては、さらに、前記搭載部品を封止するための樹脂封止材を備えていることが好ましい。さらに、前記樹脂封止材が前記シロキサン膜に覆われていることが好ましい。【００１１】
第３の発明に係るセラミック多層基板は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて構成した積層基板本体と、前記積層基板本体の表面に設けられ、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドと、前記ランドにはんだを介して搭載された搭載部品と、前記搭載部品を封止するための樹脂封止材と、前記積層基板本体及び前記樹脂封止材を覆うように設けられ、かつ、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜と、を備えたことを特徴とする。【００１２】
第１〜第３の発明に係るセラミック多層基板において、前記搭載部品はＩＣ部品を含み、ワイヤボンディングによって前記ランドに電気的に接続されていることが好ましい。前記ＩＣ部品が前記積層基板本体の一方の主面に設けられたキャビティ内に収納されていてもよい。また、前記ランドにめっき膜が形成されていてもよい。【００１３】
第４の発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、前記積層基板本体及び前記ランドを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、を備えたことを特徴とする。【００１４】
第４の発明に係るセラミック多層基板の製造方法においては、さらに、前記シロキサン膜が形成されたランドに、はんだを介して搭載部品を搭載する工程と、前記搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、を備えていてもよい。【００１５】
第５の発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、前記ランドにはんだを介して前記搭載部品を搭載する工程と、前記積層基板本体、前記搭載部品及び前記はんだの少なくとも一部を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、を備えたことを特徴とする。【００１６】
第４及び第５の発明に係るセラミック多層基板の製造方法において、前記搭載部品を覆うように前記シロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程の後に、樹脂封止材で前記搭載部品を封止する工程を備えていてもよい。さらに、前記樹脂封止材を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程を備えていてもよい。【００１７】
第６の発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、前記ランドにはんだを介して前記搭載部品を搭載する工程と、樹脂封止材で前記搭載部品を封止する工程と、前記積層基板本体及び前記樹脂封止材を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、を備えたことを特徴とする。【００１８】
第７の発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、前記ランドにはんだボールを形成する工程と、前記積層基板本体、前記ランド及び前記はんだボールを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、前記搭載部品を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、前記ランドにはんだボールを介して前記搭載部品を搭載する工程と、を備えたことを特徴とする。【００１９】
第８の発明に係るセラミック多層基板の製造方法は、複数のセラミック層と内部導体層を積み重ねて積層基板本体を構成する工程と、前記積層基板本体の表面に、搭載部品の外部電極と電気的に接続するランドを形成する工程と、前記積層基板本体及び前記ランドを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、前記搭載部品にはんだボールを形成する工程と、前記搭載部品及び前記はんだボールを覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程と、前記ランドにはんだボールを介して前記搭載部品を搭載する工程と、を備えたことを特徴とする。【００２０】
第７及び第８の発明に係るセラミック多層基板の製造方法において、前記搭載部品を搭載する工程の後に、樹脂封止材で前記搭載部品を封止する工程を備えていてもよい。さらに、前記積層基板本体及び前記樹脂封止材を覆うように、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜をＰＶＤ法によって形成する工程を備えていてもよい。【００２１】
第４〜第８の発明に係るセラミック多層基板の製造方法においては、前記シロキサン膜の表面を活性化させる工程を備えていることが好ましい。このシロキサン膜の表面を活性化させる工程は、前記シロキサン膜の表面を酸素プラズマで洗浄を施すことによって行うことが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜を、積層基板本体及びランドを覆うように設けたので、撥水効果により耐マイグレーション性を向上させることができ、硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。さらに、シロキサン膜の膜厚が１００ｎｍ未満であるため、はんだ付けやワイヤボンディングは問題なくできる。【００２３】
積層基板本体とはんだを介して搭載された搭載部品とをあわせてシロキサン膜で覆うと、シロキサン膜がはんだの露出部分を覆うため、はんだの流れ出しを抑制することができる。【００２４】
また、搭載部品を封止するための樹脂封止材を備えている場合には、樹脂封止材とシロキサン膜との濡れ性がよく、かつ、シロキサン膜と積層基板本体との接合強度も高いため、樹脂封止材と積層基板本体の接合強度を高めることができる。【００２５】
樹脂封止材をシロキサン膜で覆うように設けると、樹脂封止材の吸湿を抑制するため、樹脂封止材の吸収した水分、あるいは樹脂封止材の加水分解で生じた不純物による搭載部品の特性変化を抑制することができる。【００２６】
また、積層基板本体と樹脂封止材とを同時にシロキサン膜で覆うと、積層基板本体と封止基板の界面の側面をシロキサン膜が覆うことにより、積層基板本体と封止基板の界面の剥離を抑制することができる。【００２７】
シロキサン膜で覆われたはんだボールを介して搭載部品を基板本体に実装すると、さらにはんだの流れ出しを確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明に係るセラミック多層基板の実施例１を示す断面図。
【図２】シロキサン膜の形成工程を示す説明図。
【図３】シリコーン系樹脂量とシロキサン膜の厚さの関係を示すグラフ。
【図４】シリコーン系樹脂量と濡れ面積の関係を示すグラフ。
【図５】本発明に係るセラミック多層基板の実施例１の変形例を示す断面図。
【図６】本発明に係るセラミック多層基板の実施例２を示す断面図。
【図７】本発明に係るセラミック多層基板の実施例３を示す断面図。
【図８】本発明に係るセラミック多層基板の実施例４を示す断面図。
【図９】本発明に係るセラミック多層基板の実施例５を示す断面図。
【図１０】本発明に係るセラミック多層基板の実施例５の変形例を示す断面図。
【図１１】本発明に係るセラミック多層基板の実施例５の他の変形例を示す断面図。
【図１２】本発明に係るセラミック多層基板の実施例６を示す断面図。
【図１３】本発明に係るセラミック多層基板の実施例７を示す断面図。
【図１４】本発明に係るセラミック多層基板の実施例８を示す断面図。
【図１５】本発明に係るセラミック多層基板の実施例９を示す断面図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例について添付図面を参照して説明する。【００３０】
（実施例１、図１〜図４参照）
図１に示すセラミック多層基板１は概略、積層基板本体２と、積層基板本体２上に搭載された搭載部品（ＩＣ部品）１１と、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４とで構成されている。【００３１】
積層基板本体２の上面にはランド１６，１７が形成されている。搭載部品１１は、その底面に設けた外部電極１３，１４がはんだ１９によってランド１６，１７に接合され、積層基板本体２に実装されている。【００３２】
積層基板本体２の内部には、内部導体パターン２２，２３が形成されている。これら内部導体パターン２２，２３のそれぞれの一端は、積層基板本体２内に形成されているビアホール導体２０を介してランド１６，１７に電気的に接続されている。内部導体パターン２２，２３のそれぞれの他端は、積層基板本体２の側面から底面に到る外部電極２４，２５に電気的に接続されている。【００３３】
積層基板本体２は以下の製造手順により作製される。まず、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＣａＯからなる結晶化ガラス粉末と、アルミナ粉末を等重量比率で混合する。その混合粉末１００重量部に、ポリビニルブチラール１５重量部、イソプロピルアルコール４０重量部及びトロール２０重量部を加え、ボールミルで２４時間混合してスラリーとする。このスラリーをドクターブレード法により厚さ１２０μｍのシート状に成形し、セラミックグリーンシートを得る。【００３４】
次に、所定のセラミックグリーンシートにビアホール用の穴を形成する。この後、ビアホール用穴に導電ペーストを充填してビアホール導体２０を形成し、セラミックグリーンシートのそれぞれにスクリーン印刷法によって内部導体パターン２２，２３を形成する。なお、スクリーン印刷法によって内部導体パターン２２，２３を形成すると同時に、ビアホール用穴に導電ペーストを充填してビアホール導体２０を形成してもよい。【００３５】
各セラミックグリーンシートは積み重ねられた後、圧力５０Ｍｐａ、温度６０℃で圧着して積層体ブロックとする。積層体ブロックは所定のサイズにカットされた後、一体的に焼成される。これにより、低温焼成セラミック積層基板本体２とされる。【００３６】
次に、積層基板本体２の表面に導電ペーストを塗布し、焼き付けすることによりランド１６，１７や外部電極２４，２５を形成する。さらに、ランド１６，１７上や外部電極２４，２５上にＮｉ−Ａｕめっき処理をしてめっき膜を形成する。【００３７】
次に、図２に示すように、坩堝５１に収容したシリコーン系樹脂４０と積層基板本体２とを一緒にオーブン５０に入れて密封し、ヒータ５２で加熱する。このとき、シリコーン系樹脂４０の成分であるシロキサン４２が蒸発し、積層基板本体２の表面に付着する。これにより、積層基板本体２の全体がランド１６，１７及び外部電極２４，２５を含めて、シロキサンＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）保護膜で覆われる。シロキサンＰＶＤ保護膜（以下、シロキサン膜と記す）の膜厚は１００ｎｍ未満に設定される。なお、図１においては、シロキサン膜は図示していない。【００３８】
シロキサン膜をＰＶＤ法で形成した場合には、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やプラズマ法と比べて、シリコーン系樹脂４０と一緒に加熱するだけで済むので、容易かつ安価に形成することができる。【００３９】
シリコーン系樹脂４０の硬化条件は、例えば１５０℃、２時間である。シリコーン系樹脂４０の硬化時に、その成分であるシロキサン４２が蒸発し、１５０℃でオーブン５０内のシロキサン濃度が最も高くなり、蒸発と共に積層基板本体２の表面への付着も生じる。シリコーン系樹脂４０を硬化させた後、オーブン５０内の温度を下げると、飽和蒸気圧が小さくなるのに伴って、さらにシロキサン４２が積層基板本体２の表面に付着する。【００４０】
図３は、オーブン５０に入れたシリコーン系樹脂４０の量と、積層基板本体２の上に形成されたシロキサン膜の厚さとの関係を示すグラフである。オーブン５０内のシリコーン系樹脂４０が１０ｇ／ｍ3未満の場合、シリコーン系樹脂４０の量を変更することでシロキサン膜の膜厚を調整することができる。シリコーン系樹脂４０が１０ｇ／ｍ3以上では約２０ｎｍの一定の厚さになる。これは、オーブン５０内のシロキサン濃度が飽和するためである。【００４１】
こうして作製された積層基板本体２に対して、表１に示すような項目について評価した。比較のために、シロキサン膜を形成しなかった積層基板本体についても評価した。マイグレーションの発生評価は、８５℃８５％ＲＨ５０ＶＤＣの試験条件下で行った。硫化評価は、硫化水素雰囲気中に１分間放置することにより行った。はんだ濡れ性は、２ｍｍ角のランドをＳｎ−Ｐｂはんだでディップし、９５％以上がはんだで濡れた場合には合格とした。ワイヤボンディング性は、２ｍｍ角のランドにワイヤをボンディングし、２ｇｆ以上の接合強度を有していれば合格とした。【００４２】
【表１】
2006093293.tif 000002
【００４３】
表１から明らかなように、シロキサン膜が、ランド１６，１７と外部電極２４，２５を含む積層基板本体２全体を覆っているので、マイグレーション性が大きく向上する。これはシロキサン膜の撥水効果によるものである。図４は、オーブン５０に入れたシリコーン系樹脂４０の量と、積層基板本体２の濡れ面積との関係を示すグラフである。【００４４】
さらに、硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。シロキサン膜はＰＶＤ法により形成されているので、ミクロレベルの欠陥にまでシロキサン膜が形成されており、微小な欠陥から発生するマイグレーションや硫化までも抑制することができる。【００４５】
一方、シロキサン膜の膜厚が１００ｎｍ未満と薄いため、ランド１６，１７や外部電極２４，２５のはんだ濡れ性やワイヤボンディング性の実装特性は問題ないレベルである。【００４６】
次に、この積層基板本体２を覆っているシロキサン膜の表面を、プラズマ（好ましくは、酸素プラズマ）や紫外線照射などの方法により洗浄して活性化させる。これにより、樹脂封止材４との濡れ性をさらに向上させることができる。この後、積層基板本体２のランド１６，１７に、搭載部品１１の外部電極１３，１４がはんだ１９により電気的に接続されると共に、堅固に固定される。【００４７】
次に、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４が積層基板本体２上に形成される。樹脂封止材４の材料としては、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂や感光性樹脂が望ましい。樹脂封止材４はシロキサン膜との濡れ性がよく、かつ、シロキサン膜と積層基板本体２との接合強度も高いため、樹脂封止材４と積層基板本体２の接合強度を高めることができる。【００４８】
なお、搭載部品１１のはんだ付けはシロキサン膜の形成前後のいずれでもよい。表２は、搭載部品１１のはんだ付けをシロキサン膜の形成前後に行ったセラミック多層基板を評価した結果を示すものである。【００４９】
即ち、サンプル１は、積層基板本体２に搭載部品１１をはんだ付けした後、シロキサン膜を形成し、樹脂封止材４にて封止したセラミック多層基板である。サンプル２は、積層基板本体２をシロキサン膜で覆った後、搭載部品１１をはんだ付けし、樹脂封止材４にて封止したセラミック多層基板である。比較のために、サンプル３は、積層基板本体２にシロキサン膜を形成することなく、搭載部品１１をはんだ付けし、樹脂封止材４にて封止したセラミック多層基板である。【００５０】
【表２】
2006093293.tif 000003
【００５１】
ヒートサイクル試験は、−５５℃／＋１２５℃で４００サイクル行い、樹脂封止材４と積層基板本体２の剥がれ状態を側面と断面で確認した。吸湿後のはんだリフロー試験は、６０℃６０％ＲＨの条件で４０時間放置し、その後２６０℃で５回リフローし、樹脂封止材４と積層基板本体２の剥がれ状態を側面と断面で確認すると共に、はんだショートを確認した。【００５２】
（実施例１の変形例、図５参照）
また、図５に示すセラミック多層基板１Ａは概略、積層基板本体２Ａと、積層基板本体２Ａに設けたキャビティ６５内に収納されている搭載部品１１と、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４Ａとで構成されている。【００５３】
積層基板本体２Ａのキャビティ６５内の段差部上面にはランド１６，１７が形成されている。搭載部品１１はキャビティ６５内に配設され、その外部電極１３，１４がワイヤボンディング６１によってランド１６，１７に電気的に接続されている。【００５４】
積層基板本体２Ａの内部には、内部導体パターン２２，２３が形成されている。これら内部導体パターン２２，２３のそれぞれの一端は、積層基板本体２Ａ内に形成されているビアホール導体２０を介してランド１６，１７に電気的に接続されている。内部導体パターン２２，２３のそれぞれの他端は、積層基板本体２Ａの側面から底面に到る外部電極２４，２５に電気的に接続されている。【００５５】
ランド１６，１７上や外部電極２４，２５上には、Ｎｉ−Ａｕめっき膜が形成されている。さらに、積層基板本体２Ａの全体がランド１６，１７及び外部電極２４，２５を含めて、シロキサン膜で覆われている。シロキサン膜の膜厚は１００ｎｍ未満に設定される。なお、図５においては、シロキサン膜は図示していない。【００５６】
さらに、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４Ａが、積層基板本体２Ａのキャビティ６５内に充填されている。樹脂封止材４Ａの材料としては、エポキシ系樹脂などの熱硬化性樹脂や感光性樹脂が望ましい。【００５７】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ａは、シロキサン膜が、ランド１６，１７と外部電極２４，２５を含む積層基板本体２Ａ全体を覆っているので、マイグレーション性が大きく向上する。一方、シロキサン膜の膜厚が１００ｎｍ未満と薄いため、ランド１６，１７や外部電極２４，２５のはんだ濡れ性やワイヤボンディング性の実装特性は問題ないレベルである。ワイヤボンディングはシロキサン膜の形成前後のいずれでもよい。また、樹脂封止材４Ａはシロキサン膜との濡れ性がよく、かつ、シロキサン膜と積層基板本体２Ａとの接合強度も高いため、樹脂封止材４Ａと積層基板本体２Ａの接合強度を高めることができる。【００５８】
（実施例２、図６参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例２について説明する。図６に示すセラミック多層基板１Ｂは、積層基板本体２と、積層基板本体２の上面に形成されたランド１６と、積層基板本体２及びランド１６とを覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。積層基板本体２の内部には、層間に形成された導体パターン２２と、異なる層間に形成された導体パターン２２やランド１６を接続するビアホール導体２０が形成されている。【００５９】
積層基板本体２は以下の製造手順により作製される。まず、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＣａＯからなる結晶化ガラス粉末と、アルミナ粉末を等重量比率で混合する。その混合粉末１００重量部に、ポリビニルブチラール１５重量部、イソプロピルアルコール４０重量部及びトロール２０重量部を加え、ボールミルで２４時間混合してスラリーとする。このスラリーをドクターブレード法により厚さ１２０μｍのシート状に成形し、セラミックグリーンシートを得る。【００６０】
次に、所定のセラミックグリーンシートにビアホール用の穴を形成する。この後、ビアホール用穴に導電ペーストを充填してビアホール導体２０を形成し、セラミックグリーンシートのそれぞれにスクリーン印刷法によって内部導体パターン２２を形成する。なおスクリーン印刷法によって、内部導体パターン２２を形成すると同時に、ビアホール用穴に導電ペーストを充填し、ビアホール導体２０を形成してもよい。【００６１】
各セラミックグリーンシートは積み重ねられた後、圧力５０Ｍｐａ、温度６０℃で圧着して積層体ブロックとする。積層体ブロックは所定のサイズにカットされた後、一体的に焼成される。これにより、低温焼成セラミック積層基板本体２とされる。なお、積層体ブロックに焼成後にカットするための溝を形成し、焼成後にこの溝に沿って分割することにより積層基板本体２を作製してもよい。【００６２】
次に、積層基板本体２の表面に導電ペーストを塗布し、焼き付けすることによりランド１６を形成する。なお、ランド１６はセラミックグリーンシートにランドパターンを形成し、セラミックグリーンシートと同時に焼成して形成してもよい。さらに、ランド１６上にＮｉ−Ａｕめっき処理をしてめっき膜を形成してもよい。なお、めっき膜は形成しなくてもよい。【００６３】
次に、前記実施例１と同様の方法により、積層基板本体２及びランド１６を覆うように、積層基板本体２に膜圧が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜７０を形成してセラミック多層基板１Ｂを作製する。なお、図６においては積層基板本体２の全面がシロキサン膜で覆われているが、少なくともランド１６が形成されている主面が覆われていればよく、例えば、底面は覆われていなくてもよい。【００６４】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｂは、シロキサン膜７０が、ランド１６を含む積層基板本体２全体を覆っているので、耐マイグレーション性を大きく向上させることができ、硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。一方、シロキサン膜７０の膜厚が１００ｎｍ未満と薄いため、ランド１６のはんだ濡れ性やワイヤボンディング性の実装特性は問題ないレベルである。【００６５】
（実施例３、図７参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例３について説明する。図７に示すセラミック多層基板１Ｃは概略、積層基板本体２と、積層基板本体２上に搭載された搭載部品１１と、積層基板本体２と搭載部品１１を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。【００６６】
積層基板本体２の上面にはランド１６が形成されている。搭載部品１１は、その底面に設けられた外部電極１３がはんだ１９によってランド１６に接合され、積層基板本体２に実装されている。ランド１６のうち、はんだ１９と接しておらず露出している部分の少なくとも一部はシロキサン膜７０に覆われている。はんだ１９のうち、ランド１６及び外部電極１３と接しておらず露出している部分の少なくとも一部はシロキサン膜７０に覆われている。積層基板本体２の内部には、層間に形成された導体パターン２２と、異なる層間に形成された導体パターン２２やランド１６を接続するビアホール導体２０が形成されている。なお、図７においては、搭載部品１１のうち、底面に外部電極１３が形成された搭載部品１１について、搭載部品１１の中央部に形成されている外部電極１３の側面とその外部電極１３に接続されているはんだ１９の側面の一部にはシロキサン膜７０が形成されていないが、この部分にシロキサン膜７０が形成されていてもよい。【００６７】
セラミック多層基板１Ｃは以下の製造手順により作製される。積層基板本体２は前記実施例２と同様の方法により形成される。次に、前記実施例１と同様の方法により膜厚が１００ｎｍ未満であるシロキサン膜７０を形成する。次に、シロキサン膜７０の形成されたランド１６にはんだ１９を介して搭載部品１１を実装する。その後、実施例１と同様の方法により、搭載部品１１とはんだ１９のうちランド１６及び外部電極１３と接しておらず露出している部分の少なくとも一部とを覆うように、再びシロキサン膜７０を形成する。なお、このときさらに積層基板本体２にシロキサン膜７０を形成してもよい。【００６８】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｃは、シロキサン膜７０が、ランド１６を含む積層基板本体２全体を覆っているので、耐マイグレーション性を大きく向上させることができ、化学的な環境特性も向上する。また、搭載部品１１もシロキサン膜７０に覆われているため、搭載部品１１の硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。一方、シロキサン膜７０の膜厚が１００ｎｍ未満と薄いため、ランド１６のはんだ濡れ性やワイヤボンディング性の実装特性は問題ないレベルである。さらに、シロキサン膜７０がはんだ１９の少なくとも一部を覆っているので、セラミック多層基板１Ｃを他の基板に実装する際のリフロー工程においてはんだ１９が流れ出すのを抑制する。【００６９】
（実施例４、図８参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例４について説明する。図８に示すセラミック多層基板１Ｄは概略、積層基板本体２と、積層基板本体２上に搭載された搭載部品１１と、積層基板本体２と搭載部品１１を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。【００７０】
積層基板本体２の上面にはランド１６が形成されている。搭載部品１１は、その底面に設けられた外部電極１３がはんだ１９によってランド１６に接合され、積層基板本体２に実装されている。ランド１６のうち、はんだ１９と接しておらず露出している部分の少なくとも一部はシロキサン膜７０に覆われている。また、はんだ１９のうち、ランド１６及び外部電極１３と接しておらず露出している部分の少なくとも一部はシロキサン膜７０に覆われている。【００７１】
積層基板本体２の内部には、層間に形成された導体パターン２２と、異なる層間に形成された導体パターン２２やランド１６を接続するビアホール導体２０が形成されている。なお、図８においては、搭載部品１１のうち、底面に外部電極１３が形成された搭載部品１１について、搭載部品１１の中央部に形成されている外部電極１３の側面とその外部電極１３に接続されているはんだ１９の側面及びランド１６の側面にはシロキサン膜７０が形成されていないが、この部分にシロキサン膜７０が形成されていてもよい。【００７２】
セラミック多層基板１Ｄは以下の製造手順により作製される。積層基板本体２は前記実施例２と同様の方法により形成される。次にランド１６にはんだ１９を介して搭載部品１１を実装する。その後、前記実施例１と同様の方法により、積層基板本体２と搭載部品１１とはんだ１９のうちランド１６及び外部電極１３と接しておらず露出している部分の少なくとも一部とを覆うようにシロキサン膜７０を形成する。【００７３】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｄは、シロキサン膜７０が、積層基板本体２と搭載部品１１とランド１６の少なくとも一部を覆っているので、耐マイグレーション性を向上させることができ、硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。また、搭載部品１１もシロキサン膜７０に覆われているため、搭載部品１１の硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。また、シロキサン膜７０がはんだ１９の少なくとも一部を覆っているので、セラミック多層基板１Ｄを他の基板に実装する際のリフロー工程においてはんだ１９が流れ出すのを抑制する。【００７４】
（実施例５、図９参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例５について説明する。図９に示すセラミック多層基板１Ｅは、セラミック多層基板１Ｂ（実施例２，図６参照）と、セラミック多層基板１Ｂ上に搭載された搭載部品１１、搭載部品１１を封止する樹脂封止材４と、樹脂封止材４を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。【００７５】
セラミック多層基板１Ｂの上面にはシロキサン膜７０に覆われたランド１６が形成されている。搭載部品１１は、その底面に設けられた外部電極１３がはんだ１９によってランド１６に接合され、積層基板本体２に実装されている。【００７６】
セラミック多層基板１Ｅは以下の製造手順により作製される。前記実施例２と同様の方法により作製されたセラミック多層基板１Ｂを覆っているシロキサン膜７０の表面を、プラズマ（好ましくは、酸素プラズマ）や紫外線照射などの方法により洗浄して活性化させる。次に、セラミック多層基板１Ｂのランド１６上に、はんだ１９を介して搭載部品１１を実装する。次に、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４が形成される。樹脂封止材４の材料としては、実施例１に記載したものと同様のものを用いることができる。その後、前記実施例１と同様の方法により、樹脂封止材４を覆うようにシロキサン膜７０を形成する。なお、このとき、さらに積層基板本体２にシロキサン膜７０を形成してもよい。図９においては、樹脂封止材４にシロキサン膜７０が形成されているが、樹脂封止材４を覆うようにシロキサン膜７０が形成されていなくてもよい。【００７７】
（実施例５の変形例、図１０及び図１１参照）
同様に、図１０、図１１に示すセラミック多層基板１Ｆ、１Ｇについても、セラミック多層基板１Ｃ（実施例３、図７参照）、セラミック多層基板１Ｄ（実施例４、図８参照）に樹脂封止材４を備え、その樹脂封止材４にシロキサン膜７０が形成されている。樹脂封止材４とシロキサン膜７０の形成方法は、前記実施例１と同様の方法による。図１０、図１１においては、樹脂封止材４にシロキサン膜７０が形成されているが、樹脂封止材４を覆うようにシロキサン膜７０が形成されていなくてもよい。【００７８】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｅ，１Ｆ，１Ｇは、セラミック多層基板１Ｂ，１Ｃ，１Ｄの効果に加え、以下の効果を得ることができる。シロキサン膜７０が、樹脂封止材４と積層基板本体２との界面に形成されているため、樹脂封止材４と積層基板本体２との接合強度を高めることができる。樹脂封止材４がシロキサン膜７０に覆われている場合には、樹脂封止材４の吸湿を抑制することができ、樹脂封止材４の吸収した水分、あるいは樹脂封止材４の加水分解で生じた不純物による搭載部品１１の特性変化を抑制することができる。さらに、シロキサン膜７０が樹脂封止材４と積層基板本体２の界面の側面を覆っている場合には、積層基板本体２と樹脂封止材４の界面の剥離をより確実に抑制することができる。【００７９】
（実施例６、図１２参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例６について説明する。図１２に示すセラミック多層基板１Ｈは、積層基板本体２と、積層基板本体２上に搭載された搭載部品１１と、搭載部品を封止する封止樹脂材４と、積層基板本体２と封止樹脂材４を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。【００８０】
積層基板本体２の上面にはランド１６が形成されている。搭載部品１１は、その底面に設けられた外部電極１３がはんだ１９によってランド１６に接合され、積層基板本体２に実装されている。【００８１】
セラミック多層基板１Ｈは以下の製造手順により作製される。前記実施例２と同様の方法により作製された積層基板本体２上に形成されているランド１６に、はんだ１９を介して搭載部品１１を実装する。次に、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４が形成される。樹脂封止材４の材料としては、前記実施例１に記載したものと同様のものを用いることができる。その後、実施例１と同様の方法により、積層基板本体２及び樹脂封止材４を覆うようにシロキサン膜７０を形成する。【００８２】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｈは、樹脂封止材４がシロキサン膜７０に覆われているため、樹脂封止材４の吸湿を抑制することができ、樹脂封止材４の吸収した水分、あるいは樹脂封止材４の加水分解で生じた不純物による搭載部品１１の特性変化を抑制することができる。さらに、シロキサン膜７０が樹脂封止材４と積層基板本体２の界面の側面を覆っているため、積層基板本体２と樹脂封止材４の界面の剥離をより確実に抑制することができる。【００８３】
（実施例７、図１３参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例７について説明する。図１３（ａ）に示すセラミック多層基板１Ｉは、積層基板本体２と、積層基板本体２の上面に形成されたランド１６と、ランド１６にはんだ１９を介して搭載されている搭載部品１１と、積層基板本体２、搭載部品１１、はんだ１９の少なくとも一部を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。積層基板本体２の内部には、層間に形成された導体パターン２２と、異なる層間に形成された導体パターン２２やランド１６を接続するビアホール導体２０が形成されている。【００８４】
セラミック多層基板１Ｉは以下の製造手順により作製される。図１３（ｂ）に示すように、まず、前記実施例２と同様の方法により、積層基板本体２と積層基板本体２の上面に形成されたランド１６とがシロキサン膜７０で覆われたセラミック多層基板１Ｂを作製する。他方、搭載部品１１の外部電極１３にはんだボール１９Ａを形成し、その後、搭載部品１１及びはんだボール１９Ａを覆うようにシロキサン膜７０を形成する。シロキサン膜７０は前記実施例１と同様の方法により形成される。次に、シロキサン膜７０で覆われた搭載部品１１を、セラミック多層基板１Ｂ上に、はんだボール１９Ａとランド１６がそれぞれ対応するように配置し、熱処理することにより、搭載部品１１をセラミック多層基板１Ｂ上に接続し、セラミック多層基板１Ｉが作製される。【００８５】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｉは、シロキサン膜７０が、ランド１６のはんだ１９と接していない側面及び積層基板本体２全体を覆っているので、耐マイグレーション性を大きく向上させることができ、硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。また、搭載部品１１もシロキサン膜７０に覆われているため、搭載部品１１の硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。さらに、はんだ１９のランド１６及び搭載部品１１の外部電極１３に接していない側面が全てシロキサン膜７０に覆われているため、セラミック多層基板１Ｉを他の基板に実装する際のリフロー工程においてはんだ１９が流れ出すのを確実に抑制する。一方、シロキサン膜７０の膜厚が１００ｎｍ未満と薄いため、はんだ付け工程における熱処理によりシロキサン膜７０は移動させられるため、はんだによる接続性には問題がない。【００８６】
（実施例８、図１４参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例８について説明する。図１４（ａ）に示すセラミック多層基板１Ｊは、積層基板本体２と、積層基板本体２の上面に形成されたランド１６と、ランド１６にはんだ１９を介して搭載されている搭載部品１１と、積層基板本体２、搭載部品１１、はんだ１９の少なくとも一部を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。積層基板本体２の内部には、層間に形成された導体パターン２２と、異なる層間に形成された導体パターン２２やランド１６を接続するビアホール導体２０が形成されている。【００８７】
セラミック多層基板１Ｊは以下の製造手順により作製される。図１４（ｂ）に示すように、まず、積層基板本体２の上面に形成されたランド１６上にはんだボール１９Ａを形成する。次に、積層基板本体２とはんだボール１９Ａとを覆うようにシロキサン膜７０を形成する。他方、搭載部品１１及びその外部電極１３を覆うようにシロキサン膜７０を形成する。シロキサン膜７０は前記実施例１と同様の方法により形成される。次に、シロキサン膜７０で覆われた搭載部品１１の外部電極１３が、シロキサン膜７０で覆われた積層基板本体２のはんだボール１９Ａにそれぞれ対応するように配置し、熱処理することにより、搭載部品１１を積層基板本体２上に接続し、セラミック多層基板１Ｊが作製される。【００８８】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｊは、シロキサン膜７０が、ランド１６のはんだ１９と接していない側面及び積層基板本体２全体を覆っているので、耐マイグレーション性を大きく向上させることができ、硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。また、搭載部品１１もシロキサン膜７０に覆われているため、搭載部品１１の硫化や酸化などの化学的な環境特性も向上する。さらに、はんだ１９のランド１６及び搭載部品１１の外部電極１３に接していない側面が全てシロキサン膜７０に覆われているため、セラミック多層基板１Ｊを他の基板に実装する際のリフロー工程においてはんだ１９が流れ出すのを確実に抑制する。一方、シロキサン膜７０の膜厚が１００ｎｍ未満と薄いため、はんだ付け工程における熱処理によりシロキサン膜７０は移動させられるため、はんだによる接続性には問題がない。【００８９】
（実施例９、図１５参照）
次に、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法の実施例９について説明する。図１５に示すセラミック多層基板１Ｋは、セラミック多層基板１Ｉ（実施例７、図１３参照）又はセラミック多層基板１Ｊ（実施例８、図１４参照）と、セラミック多層基板１Ｉ，１Ｊ上に搭載された搭載部品１１を封止する樹脂封止材４と、樹脂封止材４を覆うように設けられたシロキサン膜７０とで構成されている。【００９０】
セラミック多層基板１Ｋは以下の製造手順により作製される。前記実施例７又は実施例８と同様の方法により作製されたセラミック多層基板１Ｉ，１Ｊを覆っているシロキサン膜７０の表面を、プラズマ（好ましくは、酸素プラズマ）や紫外線照射などの方法により洗浄して活性化させる。次に、セラミック多層基板１Ｉ，１Ｊに、搭載部品１１を封止するための樹脂封止材４が形成される。樹脂封止材４の材料としては、前記実施例１に記載したものと同様のものを用いることができる。その後、実施例１と同様の方法により、樹脂封止材４を覆うようにシロキサン膜７０を形成する。なお、このとき、さらに積層基板本体２にシロキサン膜７０を形成してもよい。図１５においては、樹脂封止材４にシロキサン膜７０が形成されているが、樹脂封止材４を覆うようにシロキサン膜７０が形成されていなくてもよい。【００９１】
以上の構成からなるセラミック多層基板１Ｋは、セラミック多層基板１Ｉ，１Ｊの効果に加え、以下の効果を得ることができる。シロキサン膜７０が、樹脂封止材４と積層基板本体２との界面に形成されているため、樹脂封止材４と積層基板本体２との接合強度を高めることができる。樹脂封止材４がシロキサン膜７０に覆われている場合には、樹脂封止材４の吸湿を抑制することができ、樹脂封止材４の吸収した水分、あるいは樹脂封止材４の加水分解で生じた不純物による搭載部品の特性変化を抑制することができる。さらに、シロキサン膜７０が樹脂封止材４と積層基板本体２の界面の側面を覆っている場合には、シロキサン膜７０と樹脂封止材４の界面の剥離をより確実に抑制することができる。【００９２】
（他の実施例）
なお、本発明に係るセラミック多層基板及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。【００９３】
例えば、前記各実施例ではセラミックグリーンシートを積み重ねて積層基板本体を形成するものを示したが、セラミックペーストと導電ペーストを交互に重ね塗りする方法で積層基板本体を形成するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
以上のように、本発明は、ＩＣ部品などの電子部品を表面に搭載するセラミック多層基板及びその製造方法に有用であり、特に、耐マイグレーション性が良好で、樹脂封止材とセラミック多層基板本体との接合強度が高くなる点で優れている。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006093293.tif 000012
【図１０】
2006093293.tif 000013
【図１１】
2006093293.tif 000014
【図１２】
2006093293.tif 000015
【図１３】
2006093293.tif 000016
【図１４】
2006093293.tif 000017
【図１５】
2006093293.tif 000018
【国際調査報告】
2006093293.tif 000019
2006093293.tif 000020
2006093293.tif 000021