(57)【要約】本発明は、少ない工程数で、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング液を用いることなく電子回路などのパターンを形成できる、パターン形成方法を提供することを課題とする。本発明のパターン形成方法は、透明基板（１０）の一方主面上に、反射防止層（１３）と薄膜層（１４）とを順次形成し、前記反射防止層（１３）と前記薄膜層（１４）との積層体（１５）を形成する積層体形成工程と、前記積層体（１５）に第１レーザ光（Ｌ１）を照射して、前記積層体（１５）に開口部を形成する積層体開口部形成工程とを備える。【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の一方主面上に、反射防止層と薄膜層とを順次形成し、前記反射防止層と前記薄膜層とからなる積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体に第１レーザ光を照射して、前記積層体に開口部を形成する積層体開口部形成工程とを備える、パターン形成方法。
【請求項２】
前記反射防止層は、
クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層と、
金属クロムおよび／または金属チタンを含有する第２反射防止層とを備える、請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記第１レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ２である、請求項１または２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記積層体形成工程の前段に、
前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形成する透明層形成工程と、
前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第２レーザ光を照射して、前記透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、請求項１〜３いずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記積層体開口部形成工程の後段に、
前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形成する透明層形成工程と、
前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第２レーザ光を照射して、前記透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える、請求項１〜３いずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記第２レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ２である、請求項４または５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記薄膜層形成工程の後段に、保護層を形成する保護層形成工程を備える、請求項１〜６いずれかに記載のパターン形成方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成される電子回路。
【請求項９】
請求項８に記載の電子回路を有する電子機器。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパターンを電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパターンを電極およびブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
【請求項１２】
透明基板の一方主面上に、
クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、
金属クロムおよび／または金属チタンからなる第２反射防止層と、
銅からなる薄膜層とを有するパターンを電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
【請求項１３】
透明基板の一方主面上に、
クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、
金属クロムおよび／または金属チタンからなる第２反射防止層と、
銅からなる薄膜層と、
透明層とを有するパターンを電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
【請求項１４】
前記電極および／または前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面側から入射する可視光の反射率が５０％以下である請求項１２または１３に記載のプラズマディスプレイ基板。
【請求項１５】
請求項１３、１４または１５に記載のプラズマディスプレイ基板を備えるプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、電子回路に備えられるパターンの形成方法、ならびに、プラズマディスプレイ基板などの電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】  プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」ともいう）は、薄型化が可能で、かつ大型化が容易であり、さらに軽量、高解像度等の特徴を有するため、表示装置としてＣＲＴに替わる有力候補として注目されている。
ＰＤＰはＤＣ型とＡＣ型に大別されるが、その動作原理は、ガス放電に伴う発光現象を利用したものである。例えばＡＣ型では、図１５に示すように、対向して配置された透明な前面基板１と背面基板２との間に形成した隔壁３によりセル空間を区画してセルを画定し、セル内には可視発光が少なく紫外線発光効率が高いＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅなどのペニング混合ガスを封入する。そしてセル内でプラズマ放電を発生させ、セル内壁の蛍光体層９Ａを発光させて表示画面上に画像を形成する。【０００３】  ＰＤＰは、一般的に、前面基板１上に、プラズマ放電を発生させるための表示電極５と、表示電極５の一部の上に設けられており表示電極５の抵抗を低減するバス電極６と、表示電極５およびバス電極６がプラズマに侵食されることや、背面基板２上に形成されている電極に接触することを防ぐ誘電体層８およびＭｇＯ層９と、また、必要に応じて、外光の反射を低減するブラックストライプ４とを備えたプラズマディスプレイ基板を有している。また、背面基板２上に、情報を書き込むためのアドレス電極７を備えている。【０００４】  このＰＤＰを製造するときには、前面基板１上に、透明な導電材料を用いて表示電極５を形成した後に、表示電極５の一部の上に、導電材料を用いてバス電極６を形成する。また、ブラックストライプ４を備える場合には、さらにブラックストライプ４を形成する。
ついで、誘電体層８とＭｇＯ層９を形成する（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２参照）。【０００５】  ところで、表示電極５やバス電極６などを形成する場合には、導電材料によって形成された薄層を、所定の形状に加工する。薄層の形状を加工する方法としては、レジストを用いたウェットエッチングが採用されている。【０００６】  しかしながら、ウェットエッチングによる薄層の加工は、最初に、薄層上にレジスト層を形成した後に、レジスト層の露光および現像を行ってレジスト層に開口部を形成し、ついで、エッチング液を用いて開口部に露出した薄層をエッチングし、最後にレジスト層を剥離することによってなされるために、多くの工程を必要とする。
また、ウェットエッチングは、表示電極５やバス電極６など、各部材を形成する毎に行うために、１つのＰＤＰを製造するに際して、複数回行う。【０００７】  したがって、ウェットエッチングによって薄膜を所定の形状に加工する場合には、ＰＤＰの製造に必要となる工程数が膨大になる。工程数が多いと、製造に必要となる作業が増えるために、煩雑な作業の増加やコストの上昇などの不都合が生じる。【０００８】  また、コントラストをさらに向上させて、画像を鮮明にするために、前面基板１上に、ブラックストライプ４を形成することが提案されている。
しかしながら、ブラックストライプ４は、表示電極５やバス電極６などとは別工程で形成される。また、ブラックストライプ４を形成するときにも、ウェットエッチングによって所定の形状にする必要がある。したがって、ＰＤＰは、ブラックストライプ４を形成することによって、製造に必要となる工程数がさらに増加する。【０００９】  また、ウェットエッチングに用いられるエッチング液は、強酸性や強アルカリ性を示すために、例えばそのまま廃棄すると環境負荷が大きいなどの問題点を有し、取り扱いが困難である。したがって、ＰＤＰを製造するときにウェットエッチングを行う場合には、エッチング液の取り扱いに伴った煩雑な作業を行う必要がさらに生じ、製造に必要となる工程数がさらに増加する。【００１０】  さらに、ウェットエッチングは、上述したＰＤＰ以外の電子回路のパターンを形成するときにも用いられる。
電子回路のパターンは、近年、急速に進展する高度情報化社会に対応するために、より複雑化している。したがって、パターンの複雑化に伴い、電子回路を作製する場合にも、ウェットエッチングを行うことによる工程数が大幅に増加し、上述したような煩雑な作業の増加や、コストの上昇などの不都合が生じる。
【特許文献１】特開平７−６５７２７号公報
【非特許文献１】内田龍男、内池平樹著、「フラットパネル・ディスプレイ大辞典」、工業調査会、２００１年１２月２５日、ｐ．５８３−５８５
【非特許文献２】奥村健史著、「フラットパネル・ディスプレイ２００４実務編」、日経ＢＰ社、ｐ．１７６−１８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】  本発明は、以上説明した従来の実情を鑑みて提案されたものであり、ウェットエッチングを行うことなく、工程数を少なくしかつコストの低減を図ることが可能なパターン形成方法を提供することを目的とする。また、この形成方法により形成されるパターンを備える電子回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】  本発明は、上記の課題を解決するために、以下の（１）〜（１２）に示すパターン形成方法、およびこれにより形成される、電極および／またはブラックストライプ、ならびにこれを用いた電子機器などを提供するものである。【００１３】（１）透明基板の一方主面上に、反射防止層と薄膜層とを順次形成し、前記反射防止層と前薄膜層とからなる積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体に第１レーザ光を照射して、前記積層体に開口部を形成する積層体開口部形成工程とを備えるパターン形成方法。【００１４】（２）前記反射防止層は、クロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有する第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンを含有する第２反射防止層とを備える前記（１）に記載のパターン形成方法。【００１５】（３）前記第１レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ２である前記（１）または（２）に記載のパターン形成方法。【００１６】（４）前記積層体形成工程の前段に、前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形成する透明層形成工程と、前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第２レーザ光を照射して、前記透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える前記（１）〜（３）のいずれかに記載のパターン形成方法。
（５）前記積層体開口部形成工程の後段に、前記透明基板の該一方主面上に、透明層を形成する透明層形成工程と、前記透明層形成工程に引き続いて、前記透明層に第２レーザ光を照射して、前記透明層に開口部を形成する透明層開口部形成工程とを備える前記（１）〜（３）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００１７】（６）前記第２レーザ光は、波長が５００〜１５００ｎｍ、エネルギー密度が２〜４０Ｊ／ｃｍ２である前記（４）または（５）に記載のパターン形成方法。【００１８】（７）前記薄膜層形成工程の後段に、保護層を形成する保護層形成工程を備える前記（１）〜（６）のいずれかに記載のパターン形成方法。【００１９】（８）前記（１）〜（７）のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成される電子回路。【００２０】（９）（８）に記載の電子回路を有する電子機器。【００２１】（１０）前記（１）〜（６）のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパターンを、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
（１１）前記（１）〜（６）のいずれかに記載のパターン形成方法によって形成されるパターンを、プラズマディスプレイ基板用の電極およびブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。【００２２】（１２）透明基板の一方主面上に、クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンからなる第２反射防止層と、銅からなる薄膜層とを有するパターンをプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。
（１３）透明基板の一方主面上に、クロム酸化物および／またはチタン酸化物からなる第１反射防止層と、金属クロムおよび／または金属チタンからなる第２反射防止層と、銅からなる薄膜層と、透明層とを有するパターンをプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプとして備える、プラズマディスプレイ基板。【００２３】（１４）前記電極および／または前記ブラックストライプは、前記透明基板の他方主面側から入射する可視光の反射率が５０％以下である前記（１２）または（１３）に記載のプラズマディスプレイ基板。【００２４】（１５）前記（１２）、（１３）または（１４）に記載のプラズマディスプレイ基板を備えるプラズマディスプレイパネル。
【発明の効果】
【００２５】  本発明によれば、反射防止層と薄膜層とからなる積層体、好ましくはさらに透明層を含む積層体を一括してパターニングできるため、従来より少ない工程数でパターンを形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、電子回路のパターンおよび電子回路を、低コストで効率よく製造することが可能となる。【００２６】  また、本発明によれば、ウェットエッチングを施すことなくパターンを形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング液を用いる必要がなくなるために、パターンを形成するときに、エッチング液の取り扱いに伴って生じる煩雑な作業を削減することが可能となる。また、ウェットエッチングを施すことによる工程数の増加を、回避することが可能となる。【００２７】  また、本発明のパターン形成方法により形成されたパターンをＰＤＰ用途に用いる場合は、本発明のパターン形成方法によりプラズマディスプレイ基板用ブラックストライプとプラズマディスプレイ基板用電極（表示電極およびバス電極）とを同時に形成することができる。また、プラズマディスプレイ基板用電極および／またはプラズマディスプレイ基板用ブラックストライプと基板との間に反射防止層を形成することで、ＰＤＰとして画像を表示するときに、電極やブラックストライプが映し出されることを回避できる。【００２８】  また、積層体形成工程の前段または積層体開口部形成工程の後段に透明層を形成する場合には、透明層を透明電極とし、薄膜層をバス電極としたプラズマディスプレイ基板用ブラックストライプとプラズマディスプレイ基板用電極とを同時に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１（Ａ）〜（Ｆ）は本発明のパターン形成方法を示す概略断面図である。
【図２】図２は薄膜層上に保護層を形成した状態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法の好適実施例により形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを備える基板の概略平面図である。
【図４】図４は図３に示す基板のＡ−Ａ’線断面概略図である。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明のパターン形成方法のうち、透明層形成工程と、透明層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図６】図６（Ｅ）〜（Ｉ）は、本発明のパターン形成方法のうち、積層体形成工程と、積層体開口部形成工程とを示す概略図である。
【図７】図７は、透明層を備えるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法により形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを備える基板の概略平面図である。
【図８】図８は図７に示す基板のＢ−Ｂ’線の断面概略図である。
【図９】図９は図７に示す基板の別の態様のＢ−Ｂ’線の断面概略図である。
【図１０】図１０（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、積層体形成工程を示す概略図である。
【図１１】図１１（Ｄ）〜（Ｆ）は、実施例１におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、積層体開口部形成工程を示す概略図である。
【図１２】図１２（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例２におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、透明層形成工程と透明層開口部形成工程とを示す概略図である。
【図１３】図１３（Ｄ）〜（Ｆ）は、実施例２におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、積層体形成工程を示す断面図である。
【図１４】図１４（Ｇ）および（Ｈ）は、実施例２におけるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成工程のうち、積層体開口部形成工程を示す断面図である。
【図１５】図１５は従来のＰＤＰの概略構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００３０】  １  前面基板
２  背面基板
３  隔壁
４  ブラックストライプ
５  表示電極
６  バス電極
７  アドレス電極
８  誘電体層
９  ＭｇＯ層
９Ａ  蛍光体層
１０  透明基板
１１  第１反射防止層
１２  第２反射防止層
１３  反射防止層
１４  薄膜層
１５  積層体
１６  フォトマスク
１７  保護層
３０  プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ
３１  ブラックストライプ
３２  電極（バス電極兼表示電極）
５０  透明層
５１  フォトマスク
５２  フォトマスク
６０  プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ
６１  ブラックストライプ
６２  表示電極
６３  バス電極
７０  ガラス基板
８０  スパッタ成膜装置
８２  第１反射防止層
８４  第２反射防止層
８６  薄膜層
８７  積層体
８８  保護層
８９  フォトマスク
９０  ガラス基板
９１  透明層
９２  フォトマスク
９３  第１反射防止層
９４  第２反射防止層
９５  薄膜層
９６  積層体
９７  フォトマスク
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】  以下、本発明について詳細に説明する。なお、以下の説明は本発明の一例であり、本発明はこれに限定されない。【００３２】  本発明のパターン形成方法においては、まず、透明基板１０の一方主面上に、第１反射防止層１１および第２反射防止層１２を備える反射防止層１３と、薄膜層１４とを順次形成することにより、積層体１５を形成する（図１（Ａ）〜（Ｄ）：積層体形成工程）。
次に、フォトマスク１６を介して、積層体１５に、第１レーザ光Ｌ１を照射して開口部を形成し、積層体１５を所定の形状に加工する（図１（Ｅ）、（Ｆ）：積層体開口部形成工程）。【００３３】  このような形成工程により、透明基板１０の該一方主面上に、第１反射防止層１１および第２反射防止層１２からなる反射防止層１３と、薄膜層１４とからなる積層体１５をパターニングしたパターンを形成することができる。【００３４】＜透明基板＞
透明基板１０は、透明材料（本発明においては、ＪＩＳＲ３１０６（１９９８年）規定の可視光透過率が８０％以上の材料）を用いて形成されていれば特に限定されない。透明基板１０の具体例としては、ガラス基板が好適に挙げられる。特に、ＰＤＰ用のガラス基板として用いられている厚さが０．７〜３ｍｍのガラス基板が好ましい。【００３５】  なお、本発明では、透明基板１０の両主面のうち、第１反射防止層１１、第２反射防止層１２、および薄膜層１４などが形成される側の主面を一方主面といい、第１反射防止層１１、第２反射防止層１２、および薄膜層１４などが形成されない側の主面を他方主面という。【００３６】＜積層体形成工程＞
積層体形成工程では、透明基板１０の一方主面上に、第１反射防止層１１と第２反射防止層１２とを含む反射防止層１３を形成し、さらに薄膜層１４を形成して、積層体１５を形成する。【００３７】＜反射防止層＞
反射防止層１３は、透明基板１０の一方主面上に形成された第１反射防止層１１と、その上面に形成された第２反射防止層１２とを含む。このような構造であるために、反射防止層１３は、各層からの反射光が互いに干渉するために、可視光の反射率が低くなり、ＰＤＰとして画像を表示するときに、電極やブラックストライプが画像に映し出されることを回避できる。【００３８】＜第１反射防止層＞
本発明において、第１反射防止層１１の材料はクロム酸化物および／またはチタン酸化物を含有することが好ましい。特に耐久性が高く、電極の材料となるＣｕの酸化を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第１反射防止層１１の材料はクロム酸化物であることが好ましい。反射防止性能の点で、クロム酸化物および／またはチタン酸化物は、第１反射防止層１１を形成する材料の全体に対して、９５質量％以上含有されていることが好ましい。【００３９】  ここで、クロム酸化物とは、酸素が欠損していないＣｒ２Ｏ３などや酸素欠損型のＣｒＯＸ（１．０≦Ｘ＜１．５）なども含む。クロム酸化物が酸素欠損型のＣｒＯＸ（１．０≦Ｘ＜１．５）であると、反射特性が良好となり特に好ましい。
また、チタン酸化物とは、酸素が欠損していないＴｉＯ２などや酸素欠損型のＴｉＯＸ（１．０≦Ｘ＜２．０）なども含む。チタン酸化物が酸素欠損型のＴｉＯＸ（１．０≦Ｘ＜２．０）であると、反射特性が良好となり特に好ましい。【００４０】  また、第１反射防止層１１は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭素および／または窒素を、第１反射防止層１１を形成する材料に含有させることにより、消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第２反射防止層３２の光学特性と整合させることで、可視域から本発明で使用されるレーザ波長範囲における反射防止特性を容易に良好とできる点で好ましい。クロム酸化物に窒素を含有している場合、この酸窒化クロム膜の組成は、Ｃｒ１−Ｙ−ＺＯＹＮＺと表す場合に、０．３≦Ｙ≦０．５５、０．０３≦Ｚ≦０．２であることが好ましく、クロム酸化物には、こうした窒素含有クロム酸化物も含まれる。【００４１】  本発明において第１反射防止層１１の厚さは、３０〜１００ｎｍとすることが好ましい。第１反射防止層１１の厚さがこの範囲内であれば、反射光の干渉を利用することにより反射防止性能が良好となり好ましい。特に３０〜７０ｎｍが好ましい。第１反射防止層１１の厚さは、３０〜１００ｎｍの範囲で、膜の屈折率および消衰係数などから適宜調整されればよい。【００４２】  また、第１反射防止膜１１は、実質的に透明であることが好ましく、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９〜２．８であることが好ましく、１．９〜２．４であることがより好ましい。この範囲内であれば、反射防止特性を良好にできる点で好ましい。実質的に透明であるとは、消衰係数が１．５以下、より好ましくは０．７以下であることをいい、これにより、十分な光の干渉を生じさせることができるようになる。
また、第１反射防止膜１１は複数の膜を積層した構成であってもよい。具体的には、基板から酸化クロム、窒化クロムを順に積層したものが例示される。【００４３】＜第２反射防止層＞
第２反射防止層１２は、金属クロム（以下、Ｃｒともいう。）および／または金属チタン（以下、Ｔｉともいう。）を含有することが好ましい。特に耐久性が高く、電極の材料となるＣｕの酸化を防止でき、かつ反射性能を出しやすい点で、第２反射防止層１２の材料はＣｒであることが好ましい。反射防止性能の点で、Ｃｒおよび／またはＴｉは、第２反射防止層１２を形成する材料の全体に対して、合量で９５質量％以上含有されていることが好ましい。
また、第２反射防止層１２は、さらに炭素、窒素等を含有していてもよい。特に炭素および／または窒素を、第２反射防止層１２を形成する材料に含有させることにより、消衰係数、膜の屈折率を微調整できるため、第１反射防止層１１の光学特性と整合させることで可視域から本発明で使用されるレーザ波長範囲において反射防止性能を容易に良好とできる点で好ましい。【００４４】  本発明における第２反射防止層１２は光透過率が低く、可視光領域で実質的に不透明であることが好ましい。実質的に不透明にするためには、可視光透過率で、０．０００１〜０．１％とすればよい。具体的には、第２反射防止層１２の厚さを１０〜２００ｎｍ、特に２０〜１００ｎｍとすることが好ましい。【００４５】  本発明における第１反射防止層１１および第２反射防止層１２は、スパッタリング法や蒸着法によって形成される。スパッタリング法によって第２反射防止層１２であるＣｒ層を形成する場合には、Ｃｒターゲットを用い、Ａｒ等の不活性雰囲気下で、スパッタリングを行えばよい。Ｔｉ層を形成する場合も同様である。ここでＡｒ等にＮ２やＣＨ４などを混合させてスパッタリングを行ってもよい。【００４６】  また、第１反射防止層１１のクロム酸化物層を形成するためには、Ｃｒターゲットを用い、酸素を含む雰囲気下でスパッタリングを行う方法のほか、酸化クロムターゲットを用いることも可能である。チタン酸化物層を形成する場合も同様である。ここでＡｒ等にＮ２、ＣＨ４やＣＯ２などを混合させてスパッタリングを行ってもよい。【００４７】  透明基板１０上に形成される第１反射防止層１１および第２反射防止層１２が、上記の厚さとなるようにするには、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。【００４８】  透明基板１０上に形成される第１反射防止層１１および第２反射防止層１２のパターン幅は、目的のコントラストと輝度とのバランスを考慮して決めることが好ましい。太すぎるとＰＤＰから発する光そのものが遮光されて、十分な輝度を確保できなくなる。【００４９】  なお、本発明のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法の反射防止層形成工程は、上述した第１反射防止層１１および第２反射防止層１２の２層を形成するものに限定されない。この２層の他に、さらに１層以上の層を形成してもよい。【００５０】＜薄膜層＞
薄膜層１４を形成する薄膜層形成材料は、電極としての機能を果たすものであれば特に限定されない。例えば、銅、銀、アルミニウム、金等を用いることができる。これらの中でも、導電性が高く、材料として安価である銅を用いることが好ましい。【００５１】  薄膜層１４は、以上説明した薄膜層形成材料を用いて、第１反射防止層１１および第２反射防止層１２と同様に、スパッタリング法や蒸着法等によって形成される。
また、薄膜層１４の厚さは、第１反射防止層１１および第２反射防止層１２と同様に、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。
薄膜層１４の厚さは、０．５〜３μｍであることが好ましく、０．５〜２μｍであることがより好ましく、０．５〜１．５μｍであることがさらに好ましい。上記範囲内であると、積層体１５に第１レーザ光Ｌ１を照射することにより、積層体１５を透明基板１０上に残存させることなく、透明基板１０から剥離することができる。また、１．５μｍ以下であれば、透明基板１０から積層体１５をより効果的に剥離することができる。
また、本発明の形成方法により形成されたパターンをプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプに用いる場合には、薄膜層１４の厚さが０．５〜３μｍ、特に０．５〜２μｍであれば、表示電極やバス電極としての導電性を保ちつつ、ＰＤＰの画像に表示されることを回避でき、透明性の点で好ましい。【００５２】＜積層体開口部形成工程＞
積層体開口部形成工程では、第１レーザ光Ｌ１を照射して、上記積層体形成工程で透明基板１０の該一方主面上に形成した積層体１５の所定の領域を、アブレーションと熱エネルギーとの併用によって蒸発除去して、積層体１５に開口部を形成する。第１レーザ光Ｌ１としては、例えばエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等を用いる。【００５３】  第１レーザ光Ｌ１は、積層体１５に対して、フォトマスク１６を介して照射される。これにより、フォトマスク１６に設けられた開口部を透過した第１レーザ光Ｌ１が積層体１５に照射され、積層体１５のフォトマスク１６の開口部に対応する領域が蒸発除去され、積層体１５は、フォトマスク１６の形状どおりに加工される。この方法により、反射防止層と薄膜層とをパターニングしたパターンを形成できる。【００５４】  積層体開口部形成工程において開口部を形成するにあたり用いる第１レーザ光Ｌ１は、波長が５００〜１５００ｎｍであることが好ましく、エネルギー密度が１．５〜４０Ｊ／ｃｍ２、２〜４０Ｊ／ｃｍ２、特に１．５〜２０Ｊ／ｃｍ２、さらには１．５〜１０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。第１レーザ光Ｌ１は、パルスであっても、ＣＷ（連続光）であってもよい。このようなレーザ光として、具体的には、波長が１０６４ｎｍであるＹＡＧレーザ光や、波長が５３２ｎｍであるＹＡＧレーザ光等が挙げられる。なお、エネルギー密度は、レーザパルス数が複数の場合は、照射したパルスの合計のエネルギー密度であり、以下同様である。
このような第１レーザ光Ｌ１を積層体１５に照射すれば、短時間の照射のみで開口部に露出した透明基板１０の表面に積層体１５が残存することなく、確実に開口部を形成することができる。【００５５】  なお、本実施の形態では、第１反射防止層１１と、第２反射防止層１２と、薄膜層１４とは、この順に透明基板１０上に積層されているが、各層の間に、別の層が形成されていてもよい。【００５６】  ところで、形成されたパターンを、プラズマディスプレイ基板用電極および／またはプラズマディスプレイ用ブラックストライプとして使用するにあたり、誘電体によって被覆する場合がある。本発明の電極および／またはブラックストライプの誘電体に対する耐性は、以下に例示する２つの方法により、さらに向上するため好ましい。【００５７】  第１の方法は、図２に示すように、薄膜層を形成する工程の後に、保護層１７を形成する保護層形成工程を備えてパターンを形成することである。保護層１７は、Ｃｒおよび／またはＴｉを主成分とすることが好ましく、具体的には、Ｃｒおよび／またはＴｉを９５質量％以上含有することが好ましい。これにより誘電体が薄膜層１４に直接接することがなくなるので、薄膜層１４は侵食されにくくなる。【００５８】  保護層１７は、第１反射防止層１１や第２反射防止層１２と同様に、通常のスパッタリング法や蒸着法によって形成される。
また、保護層１７の厚さは、０．０５〜０．２μｍとすることが好ましい。この厚さであれば、薄膜層１４が誘電体により侵食されるのを防止または抑制することができる。保護層１７の厚さは、第１反射防止層１１と同様に、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整できる。【００５９】  第２の方法は、薄膜層１４にＣｒおよび／またはＴｉを含有させる方法である。ＣｒやＴｉは誘電体に対する耐性が高いからである。Ｃｒおよび／またはＴｉが薄膜層１４を構成する材料全体に対して５〜１５質量％含有されていると、薄膜層１４は誘電体に対して十分な耐性を有し、かつ導電性が保たれるので好ましい。
Ｃｒおよび／またはＴｉを含有した薄膜層１４は、Ｃｒおよび／またはＴｉを含有する前記薄膜層形成材料を用いて、スパッタリング法や蒸着法により形成される。【００６０】  なお、上記の第１反射防止層１１、第２反射防止層１２、および薄膜層１４の他に、さらに、１層以上の他の薄膜層を形成してもよい。例えば、第１反射防止層１１の形成前、第１反射防止層１１の形成と第２反射防止層１２の形成との間、または第２反射防止層１２の形成後に、透明基板１０の該一方主面側に、さらに他の薄膜層を形成してもよい。例えば、後述するような透明層を設けてもよい。【００６１】  つぎに、図３および図４を用いて、以上説明したパターン形成方法により形成された、ブラックストライプ３１および電極３２が備えられているプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ３０について説明する。なお、図４は図３に示す基板のＡ−Ａ’線の断面図を示している。なお、電極３２は、表示電極およびバス電極を兼ねている。【００６２】  図３に示すように、電極および／またはブラックストライプ３０は、透明基板１０の一方主面上に形成されている、外光の反射を低減するブラックストライプ３１と、電極３２とを含む。【００６３】  ブラックストライプ３１は、図４に示すように、第１反射防止層１１と第２反射防止層１２とからなる反射防止層１３と、薄膜層１４とを備えた積層体１５から形成される。第１反射防止層１１と第２反射防止層１２を形成することにより、外光の反射を低減できる。【００６４】  電極３２は、図４に示すように、第１反射防止層１１と第２反射防止層１２とからなる反射防止層１３と、薄膜層１４とを備えた積層体１５から形成される。電極３２は、電極および／またはブラックストライプ３０がＰＤＰに装着されたときに電流が流される。電極３２に電流が流れることにより、対応する位置に封入されているプラズマが放電する。
また、電極３２は、第１反射防止層１１と第２反射防止層１２とを備えるために、ブラックストライプ３１と同様に、透明基板１０の他方主面側から入射した可視光の反射を防止する。このため、本発明の電極および／またはブラックストライプ３０は、外光等の反射の抑制効果が高いものとなる。また、本発明の電極および／またはブラックストライプ３０を用いてなるＰＤＰ上に鮮明な画像を形成することができる。つまり、電極３２は、ＰＤＰにおける表示電極とバス電極の両方の機能を有している。【００６５】  透明基板１０の他方主面側から入射した可視光の反射率は、５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。５０％以下とすることにより、ＰＤＰには、より鮮明な画像が表示される。【００６６】  以上説明したように、本発明では、レジスト膜を用いたウェットエッチングによる薄膜の加工を行わないため、より少ない形成工程数で、より安価にパターンを形成することができる。
また、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング剤を使用しないために、エッチング剤を取り扱うことによって必要となる煩雑な作業を行う必要がなくなり、パターンの形成に必要となる工程が削減される。
また、プラズマディスプレイ基板用ブラックストライプを設ける場合に、ブラックストライプと電極とを、同時に形成することができるため、より少ない形成工程数で、より安価にプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを形成することができる。ここで電極とは、プラズマディスプレイ基板における表示電極およびバス電極を意味する。なお、ＰＤＰの場合、薄膜層が透明電極とバス電極との機能を兼ねるため、さらに工程を短縮できる。また、反射防止層と薄膜層を一括してパターニングすることにより、さらに工程を少なくすることができる。
また、本発明は、前記パターン形成方法により形成されるパターンを備える電子回路、および前記電子回路を用いてなる電子機器を形成することができる。前記電子回路としては、ＬＣＤ用の電極付き基板、有機ＥＬ用の電極付き基板、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ付き基板（前面基板および背面基板のうち、特に前面基板）等が例示され、前記電子機器としては、ＬＣＤ、有機ＥＬ、ＰＤＰ等が例示される。
なお、本発明のパターン形成方法により、アドレス電極を備えるプラズマディスプレイ背面基板を形成することもできる。さらに、このプラズマディスプレイ背面基板を用いて、ＰＤＰを形成することもできる。【００６７】  ところで、透明基板１０の一方主面上に積層体１５を形成する前に、最初に、図５（Ａ）・（Ｂ）に示すように透明層５０を形成し（透明層形成工程）、ついで、図５（Ｃ）・（Ｄ）に示すように透明層５０に第２レーザ光Ｌ２をフォトマスクを介して照射して開口部を形成してもよい（透明層開口部形成工程）。
透明層の開口部を形成した後に、前述したような反射防止層および薄膜層を有する積層体形成工程および積層体開口部形成工程を経ることが可能である。具体的には、図６（Ｅ）〜（Ｇ）に示すように、開口部が形成された透明層５０上に積層体１５が形成された後に、図６（Ｈ）・（Ｉ）に示すように、積層体１５に開口部が形成される。【００６８】  このような形成工程により、透明基板１０の一方主面上に、透明層５０と、第１反射防止層１１と、第２反射防止層１２と、薄膜層１４とがパターニングされたパターンを形成することができる。【００６９】＜透明層形成工程＞
透明層形成工程では、透明基板１０の該一方主面上に透明層５０を形成する。この透明層５０の形成に用いられる材料は、透明性を有する導電性の材料であれば特に限定されず、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）や酸化錫（ＳｎＯ２）などの錫化合物を用いることができる。錫化合物のうちでも、誘電体による侵食の防止の観点から、ＳｎＯ２を用いることが好ましく、特にＳｂを２〜８質量％含有するＳｎＯ２を用いることが好ましい。透明層は、ＪＩＳＲ３１０６（１９９８年）規定の可視光透過率が８０％以上であることが好ましい。【００７０】  透明層５０は、スパッタリング法や蒸着法によって形成される。透明層５０の厚さは、パターニングのしやすさから、０．１〜３μｍ、０．１〜１μｍ、特に０．１〜０．５μｍであることが好ましい。電極として用いる場合には、その導電性の点で、透明層５０の厚さは０．１〜３μｍであることが好ましい。透明層５０が、上記の厚さとなるようにするには、スパッタリング法や蒸着法等による成膜時間等を制御することで調整可能である。
透明層５０をスパッタリング法により形成する場合には、例えば、ＩＴＯやＳｎＯ２などの透明層形成材料をターゲットとして、Ａｒ等にＯ２などを混合させてスパッタリングを行う。【００７１】＜透明層開口部形成工程＞
透明層開口部形成工程では、第２レーザ光Ｌ２として例えばエキシマレーザ光やＹＡＧレーザ光等を用いて、アブレーションと熱エネルギーとの併用によって、上記透明層形成工程で透明基板１０の表面に形成した透明層５０を蒸発除去して開口部を形成する。【００７２】  第２レーザ光Ｌ２は、透明層５０に対して、フォトマスク５１を介して照射される。これにより、フォトマスク５１に設けられた開口部を透過した第２レーザ光Ｌ２のみが透明層５０に照射され、透明層５０は、フォトマスク５１の形状どおりに加工される。【００７３】  透明層開口部形成工程において開口部を形成するにあたり、用いる第２レーザ光Ｌ２は、波長が５００〜１５００ｎｍであることが好ましく、エネルギー密度が１．５〜４０Ｊ／ｃｍ２、２〜４０Ｊ／ｃｍ２、特に１．５〜２０Ｊ／ｃｍ２、さらには１．５〜１０Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。第２レーザ光Ｌ２はパルスであっても、ＣＷ（連続光）であってもよい。
このようなレーザ光として、具体的には、波長が１０６４ｎｍであるＹＡＧレーザ光、波長が５３２ｎｍであるＹＡＧレーザ光等が挙げられる。
図６に示す通り、積層体１５を形成する前に透明層５０を形成する場合は、第１レーザ光Ｌ１は波長が５００〜１５００ｎｍであることが好ましく、エネルギー密度は第２レーザ光Ｌ２よりも低いことが好ましい。第１レーザ光Ｌ１のエネルギー密度は、具体的には、０．５〜２０Ｊ／ｃｍ２、特に１．０〜５Ｊ／ｃｍ２であることが好ましい。【００７４】  このような第２レーザ光Ｌ２を、透明層５０に照射すれば、極短時間の照射のみで開口部に露出した透明基板１０の表面に透明層５０が残存することなく、確実に開口部を形成することができる。【００７５】  つぎに、図７および図８を用いて、以上説明したプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法により形成された、ブラックストライプ６１、表示電極６２、およびバス電極６３、ならびにブラックストライプ６１、表示電極６２、およびバス電極６３を備えるプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ６０について説明する。なお、図８は図７に示す基板のＢ−Ｂ’線の断面図を示している。【００７６】  図７に示すように、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ６０は、透明基板１０上には、外光の反射を低減するブラックストライプ６１と、電流が流される表示電極６２と、表示電極６２の抵抗値を下げるバス電極６３とが形成されている。【００７７】  ブラックストライプ６１は、図８に示すように、第１反射防止層１１と、第２反射防止層１２と、薄膜層１４とを備えた積層体１５から形成される。ブラックストライプ６１は、第１反射防止層１１の反射光と第２反射防止層１２の反射光との干渉を利用して外光の反射を低減し、ＰＤＰに表示される画像をより鮮明にする。【００７８】  表示電極６２は、透明層５０から形成される。表示電極６２は、前面基板がＰＤＰに装着されたときに電流が流れ、対応する位置に封入されているプラズマを放電させる。【００７９】  バス電極６３は、透明層５０と、第１反射防止層１１、第２反射防止層１２および薄膜層１４を備えた積層体１５とから形成される。バス電極６３は、表示電極６２に電流を供給するとともに、表示電極６２の抵抗値を低減する。
また、バス電極６３は、第１反射防止層１１と第２反射防止層１２とを備えるために、ブラックストライプ６１と同様に、透明基板１０の他方主面側から入射する可視光の反射が防止される。そして、ＰＤＰ上に鮮明な画像を表示することができる。【００８０】  なお、図９に示すように、透明層５０は、積層体開口部形成工程の後段に形成してもよい。ここで、図９は図７に示す基板のうち、この態様の基板のＢ−Ｂ’線の断面図を示している。積層体１５を形成した後に透明層５０を形成することにより、透明層５０が積層体１５を保護できる点で好ましい。前述した方法により、透明層５０に開口部を形成すれば、図９に示すパターンが形成できる。特に、透明層５０の材料として透明電極の材料であるＳｎＯ２を用いる場合には、透明層５０が反射防止層１３と薄膜層１４との積層体上に形成されることにより、反射防止層１３と薄膜層１４との積層体が透明層５０によって保護され、誘電体により侵食されにくくなり好ましい。また、反射防止層／薄膜層がこの順に接して形成されるため、反射特性がより有効となり好ましい。また、本発明のパターンをＰＤＰとして用いる場合には、薄膜層と透明層との導通を有効にとることができる点で好ましい。【００８１】  透明層を形成する場合であっても、電極および／またはブラックストライプにおける透明基板１０の他方主面側から入射した可視光の反射率（ＪＩＳ−Ｒ３１０６（１９９８年）に規定）が、５０％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。５０％以下とすることにより、ＰＤＰには、より鮮明な画像が表示される。【００８２】  以上説明したように、透明層を形成する場合であっても、レジスト膜を用いたウェットエッチングによる薄膜の加工を行わないため、より少ない形成工程数で、より安価にプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを形成することができる。ここで電極とは、ＰＤＰにおける表示電極およびバス電極を意味する。なお、ＰＤＰの場合、透明層が表示電極となり、薄膜層がバス電極となる。
また、プラズマディスプレイ基板用ブラックストライプを設ける場合に、プラズマディスプレイ基板用ブラックストライプとプラズマディスプレイ基板用電極とを、同時に形成することができるため、より少ない形成工程数で、より安価にプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを形成することができる。また、反射防止層と薄膜層を一括してパターニングすることにより、さらに工程を少なくすることができる。【００８３】  また、強酸性や強アルカリ性を示すエッチング剤を使用しないために、エッチング剤を取り扱うことによって必要となる煩雑な作業を行う必要がなくなり、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成に必要となる工程が削減される。
また、本発明は、前記パターン形成方法により形成されるパターンを備える電子回路、および前記電子回路を用いてなる電子機器を形成することができる。前記電子回路としては、ＬＣＤ用の電極付き基板、有機ＥＬ用の電極付き基板、プラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプ付き基板（前面基板および背面基板のうち、特に前面基板）等が例示され、前記電子機器としては、ＬＣＤ、有機ＥＬ、ＰＤＰ等が例示される。
【実施例】
【００８４】  以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【００８５】（実施例１）
実施例１に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法を図１０および１１に基づき説明する。【００８６】  実施例１においては、第１反射防止層を形成する材料として金属Ｃｒターゲット（純度：９９．９９％以上）を用い、第２反射防止層を形成する材料として金属Ｃｒターゲット（純度：９９．９９％以上）、薄膜層形成材料として金属Ｃｕターゲット（純度：９９．９９％以上）を用いる。【００８７】  図１０および１１に示すように、実施例１に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法は、（１）積層体形成工程（図１０）、（２）積層体開口部形成工程（図１１）を備える。【００８８】  まず、ガラス基板７０をスパッタ成膜装置８０に装着し、Ａｒ＋Ｏ２ガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、ガラス基板７０の該一方主面上に、消衰係数が０．３のＣｒＯ１．３層からなる第１反射防止層８２を形成し（図１０（Ａ））、さらに、Ａｒガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第１反射防止層８２上に可視光透過率が０．０５％のＣｒ層からなる第２反射防止層８４を形成する（図１０（Ｂ））。第１反射防止層８２の厚さは約５０ｎｍであり、第２反射防止層８４の厚さは約８０ｎｍである。【００８９】  ついで、Ａｒガス中で金属銅ターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第２反射防止層８４上に、Ｃｕ層からなる薄膜層８６を形成して、積層体８７を形成する（図１０（Ｃ））。薄膜層８６の厚さは約１μｍである。【００９０】  ついで、薄膜層８６上に、Ａｒガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜により、Ｃｒ層からなる保護層８８を形成する（図１１（Ｄ））。保護層８８の厚さは約１０ｎｍである。【００９１】  第１レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が１．５Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板７０の他方主面側から、フォトマスク８９を介して積層体８７および保護層８８に照射して、積層体８７に開口部を形成する（図１１（Ｅ）・（Ｆ））。【００９２】  以上の工程により、図３および図４に示したものと同様なプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを、非常に少ない工程で形成することができる。また、形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプはＰＤＰとして有用である。【００９３】（実施例２）
実施例２に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法を図１２〜１４に基づき説明する。【００９４】  実施例２においては、透明層を形成する材料としてＳｂを５質量％含むＳｎＯ２を用い、第１反射防止層を形成する材料として金属Ｃｒ（純度：９９．９９％以上）を用い、第２反射防止層を形成する材料として金属Ｃｒ（純度：９９．９９％以上）、薄膜層形成材料として金属Ｃｕ（純度：９９．９９％以上）を用いる。【００９５】  図１２〜１４に示すように、実施例２に係るプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプの形成方法は、（１）透明層形成工程（図１２（Ａ））、（２）透明層開口部形成工程（図１２（Ｂ）・（Ｃ））、（３）積層体形成工程（図１３）（４）積層体開口部形成工程（図１４）を備える。【００９６】  まず、ガラス基板９０をスパッタ成膜装置８０に装着し、Ｓｂを５質量％含むＳｎＯ２をターゲットとして用いるスパッタ成膜を行うことにより、透明層９１を形成する。（図１２（Ａ））。透明層９１の厚さは、約０．２μｍである。【００９７】  ついで、第２レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が２．５Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板９０の他方主面側からフォトマスク９２を介して透明層９１に照射して、透明層９１に開口部を形成する（図１２（Ｂ）・（Ｃ））。【００９８】  ついで、同じスパッタ成膜装置８０を用いて、Ａｒ＋Ｏ２ガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、透明層９１上に、消衰係数が０．３のＣｒＯ１．３層からなる第１反射防止層９３を形成し（図１３（Ｄ））、さらに、Ａｒガス中で金属クロムターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第１反射防止層９３上に可視光透過率が０．０５％のＣｒ層からなる第２反射防止層９４を形成する（図１３（Ｅ））。第１反射防止層９３の厚さは約５０ｎｍであり、第２反射防止層９４の厚さは約８０ｎｍである。【００９９】  ついで、同じスパッタ成膜装置８０を用いて、Ａｒガス中で金属銅ターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、第２反射防止層９４上にＣｕ層からなる薄膜層９５を形成し、積層体９６を形成する（図１３（Ｆ））。薄膜層９５の厚さは約１μｍである。【０１００】  第１レーザ光として、波長が１０６４ｎｍ、エネルギー密度が２Ｊ／ｃｍ２のＹＡＧレーザ光を、ガラス基板７０の他方主面側から、フォトマスク９７を介して積層体９６に照射して、積層体９６に開口部を形成する（図１４（Ｇ）・（Ｈ））。【０１０１】  以上の工程により、図７および図８に示したものと同様のプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプを少ない工程で形成することができる。また、形成されたプラズマディスプレイ基板用の電極および／またはブラックストライプはＰＤＰとして有用である。【０１０２】  本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
本出願は、２００４年１２月２７日出願の日本特許出願２００４−３７６３３２に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】本発明によれば、反射防止層と薄膜層とからなる積層体、好ましくはさらに透明層を含む積層体を一括してパターニングできるため、従来より少ない工程数でパターンを形成することが可能となる。したがって、本発明によれば、電子回路のパターンおよび電子回路を、低コストで効率よく製造することが可能となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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