(57)【要約】  中間相形成性又は液晶性を示し且つ高電荷移動度を有する新規な化合物、該化合物を含有する液晶組成物及びこれらからなる電荷輸送材料、並びに当該電荷輸送材料を用いた各種素子を提供する。  下記一般式（Ｉ）：2006022040.tif 000036〔式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し（但し、Ｒ１及びＲ２は同時に水素原子ではない）、Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。〕で表される１，４−ジチエニルベンゼン誘導体。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）：
【化１】
2006022040.tif 000035
〔式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し（但し、Ｒ１及びＲ２は同時に水素原子ではない）、Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。〕
で表される１，４−ジチエニルベンゼン誘導体。
【請求項２】
Ａがベンゼン環である請求項１記載の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体。
【請求項３】
Ｒ１及びＲ２がそれぞれ独立して炭素数４〜２０の直鎖の炭化水素基である請求項１又は２記載の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体を含有する液晶組成物。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項記載の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体又はこれを含有する液晶組成物を含む電荷輸送材料。
【請求項６】
１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔又は電子移動度を有する請求項５記載の電荷輸送材料。
【請求項７】
請求項５又は６記載の電荷輸送材料を用いてなる光電子変換デバイス。
【請求項８】
請求項５又は６記載の電荷輸送材料を用いてなる電界発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な１，４−ジチエニルベンゼン誘導体、これを含有する液晶組成物、電荷輸送材料、及び該電荷輸送材料を用いた各種素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
中間相（ｍｅｓｏｐｈａｓｅ）を有する有機半導体（液晶性有機半導体）は、アモルファス有機半導体材料の大面積均一性と結晶性有機半導体材料の分子配向性を兼ね備えた材料であり、光電変換デバイスや電界発光デバイスへの応用が検討されている。斯かる液晶性有機半導体は、棒状液晶のひとつであるフェニルベンゾチアゾール（Ａ）のスメクチックＡ相と呼ばれる状態において、アモルファス有機半導体の約１０００倍にあたる５×１０−３ｃｍ２／Ｖｓの高速の正孔移動が報告された（例えば非特許文献１）ことに端を発し、その電荷輸送特性や光導電性に注目が集まってきた。【０００３】
【化１】
2006022040.tif 000002
【０００４】
その後、２−フェニルナフタレン（Ｂ）のスメクチックＥ相において１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓの両極性電荷輸送が、ジオクチルターチオフェン（Ｃ）のスメクチックＧ相においても１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓの両極性電荷輸送が観測されている（特許文献１）。【０００５】
【化２】
2006022040.tif 000003
【０００６】
また、分子の対称性を崩したターチオフェン誘導体（Ｄ）のスメクチックＢ  ｃｒｙｓｔａｌ相において６×１０−２ｃｍ２／Ｖｓの正孔移動度が得られている。【０００７】
【化３】
2006022040.tif 000004
【０００８】
オキサジアゾール誘導体（Ｅ）では、スメクチックＸ相とよばれる相で８×１０−４ｃｍ２／Ｖｓの電子伝導が観測されている。【０００９】
【化４】
2006022040.tif 000005
【００１０】
また、アントラセン誘導体、ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体では、それぞれスメクチックＣ相で２×１０−３ｃｍ２／Ｖｓの正孔の伝導が見られ、スメクチックＡ相で２×１０−３ｃｍ２／Ｖｓの両極性電荷輸送が見られている。【００１１】
しかしながら、従来の棒状液晶における移動度は、分子性結晶の移動度０．１〜１ｃｍ２／Ｖｓに比較して著しく小さい点が問題であり、高移動度化が最大の課題であった。
【特許文献１】特開２００１−２３３８７２公報
【非特許文献１】Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３５，７０３，１９９６．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、中間相形成性又は液晶性を示し、且つ高電荷移動度を有する新規な化合物、該化合物を含有する液晶組成物及びこれらからなる電荷輸送材料、並びに当該電荷輸送材料を用いた各種素子等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意研究した結果、１，４−ジチエニルベンゼン骨格を有する下記一般式（Ｉ）で表される化合物が、中間相形成性を有すると共に、高い電荷移動度を有すること、そして該化合物又はこれを含有する液晶組成物が電荷輸送材料として各種デバイス又は素子に有用であることを見出し、本発明を完成した。【００１４】
すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）：
【化５】
2006022040.tif 000006
〔式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を示し（但し、Ｒ１及びＲ２は同時に水素原子ではない）、Ａは置換基を有していてもよいベンゼン環を示す。〕
で表される１，４−ジチエニルベンゼン誘導体に関する。【００１５】
また本発明は、当該１，４−ジチエニルベンゼン誘導体を含有する液晶組成物に関する。【００１６】
また本発明は、当該１，４−ジチエニルベンゼン誘導体又はこれを含有する液晶組成物を含む電荷輸送材料に関する。【００１７】
更に本発明は、当該電荷輸送材料を用いてなる光電子変換デバイス及び電界発光デバイスに関する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体は、中間相形成性を呈し且つ高電荷移動度を有する。従って、当該化合物又はこれを含有する液晶組成物は、高速かつ高品位な優れた電荷輸送材料となり得、光電子交換デバイス等、各種デバイス又は素子の素材として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
一般式（Ｉ）中、Ｒ１及びＲ２で示される炭素数１〜２０の炭化水素基としては、炭素数１〜２０の直鎖若しくは分岐鎖状の飽和又は不飽和炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の飽和又は不飽和炭化水素基が挙げられる。このうち、中間相（ｍｅｓｏｐｈａｓｅ）形成の点から、炭素数が４〜１２であるものが好ましく、中間相の発現温度領域を広げるという観点からＲ１及びＲ２が互いに異なる直鎖の炭化水素基であるのが好ましい。尚、Ｒ１及びＲ２の一方が水素原子又は炭素数１〜３の炭化水素基である場合、他方は炭素数８以上の炭化水素基であるのが好ましい。ここで、中間相とは、結晶相と非晶相の中間に位置する一定の分子配向秩序をもった相状態の総称であり、ネマチック液晶相、スメクチック液晶相、異方性柔粘性結晶（クリスタル液晶相）、ディスコティック液晶相、コレステリック液晶相、光学的等方性液晶相等の液晶相挙動を誘発する分子凝集状態を指す。従って、中間相形成性化合物は、必ずしもそれ自体液晶相を示す必要はなく、他の化合物と混合させた際等に液晶相挙動を示すものであればよい。斯かる中間相形成化合物は、アモルファス材料の大面積均一性と結晶材料の分子配向性という２つの長所をあわせ持つことから、デバイス作製上有利である。【００２０】
直鎖状の飽和炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基等の炭素数１〜２０の直鎖アルキル基が挙げられ、直鎖状の不飽和炭化水素基としては、ビニル基、１−プロペニル基、１−ブテニル基、１−ペンテニル基、１−ヘキセニル等の炭素数２〜２０の直鎖アルケニル基、エチニル、１−プロピニル、１−ブチニル、１−ペンチニル、１−ヘキシニル、１−オクチニル等の炭素数２〜２０の直鎖アルキニル基が挙げられる。【００２１】
分岐状の飽和炭化水素基としては、例えばイソプロピル、イソブチル基、イソペンチル基、イソヘキシル基等の炭素数３〜２０の分岐鎖アルキル基が挙げられ、分岐状の不飽和炭化水素基としては、イソプロペニル基、１−イソブテニル基、１−イソペンテニル基、１−イソヘキセニル等の炭素数３〜２０の分岐鎖アルケニル基、イソプロピニル基、１−イソブチニル、１−イソペンチニル、１−イソヘキシニル等の炭素数３〜２０の分岐鎖アルキニル基が挙げられる。【００２２】
環状飽和炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭素数３〜２０のシクロアルキル基が挙げられ、環状不飽和炭化水素基としては、１−シクロプロペニル基、１−シクロブテニル基、１−シクロヘキセニル等のシクロアルケニル基又は、１−シクロブチニル、１−シクロヘキシニル等の炭素数３〜２０のシクロアルキニル基が挙げられる。【００２３】
Ａで示されるベンゼン環上には、電荷移動度に影響を与えない範囲内で、１〜４個の置換基が存在していてもよく、斯かる置換基としては、例えばシアノ基、ニトロ基、メチル基等の低級アルキル基、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子が挙げられる。【００２４】
一般式（Ｉ）で表される１，４−ジチエニルベンゼン誘導体は、例えば下記製造例１に示す方法により製造することができる。【００２５】
【化６】
2006022040.tif 000007
【００２６】
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ａは前記と同じものを示し、ＸはＢ（ＯＲ）２、ＳｎＲ３、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｉ、ＯＴｆ、ＭｇＣｌ又はＺｎＣｌを示し、ＭはＢ（ＯＲ）２、ＳｎＲ３、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｉ、ＯＴｆ、ＭｇＣｌ又はＺｎＣｌを示す（ここで、Ｒは水素原子又は低級アルキル基を示す）。〕【００２７】
すなわち、１）１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（２）をＰｄ触媒下反応させてチエニルベンゼン誘導体（３）とし、これをチオフェン誘導体（４）と反応させる方法、２）化合物（３）にチオフェン誘導体（５）を反応させてＲ１又はＲ２が水素原子である本発明の化合物（Ｉａ）を得、これと化合物（６）を反応させる方法、３）１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（７）をＰｄ触媒下反応させて化合物（８）とし、これと化合物（９）を反応させて本発明の化合物（Ｉａ）とし、これと化合物（６）を反応させる方法、により本発明の化合物（Ｉ）を製造することができる。【００２８】
ここで、１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（２）又は（７）との反応、チエニルベンゼン誘導体（３）とチオフェン誘導体（４）又は（５）との反応は、いわゆる鈴木カップリングであり、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，１９９５，９５，２４５７−２４８３に記載の方法に準じて行うことが出来る。パラジウム触媒としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム−クロロホルム付加体、パラジウムアセテート（ＩＩ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（ＩＩ）、ジクロロビス（トリ−ｏ−トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（トリシクロへキシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。このうち、安価で、且つ、高活性という理由からテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を用いるのが好ましい。
１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（２）の混合は、（１）に対して、（２）を０．５〜１．０当量用いるのが好ましい。１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（７）の混合は、（１）に対して、（７）を２．０〜２．２当量用いるのが好ましい。チエニルベンゼン誘導体（３）とチオフェン誘導体（４）の混合は、（３）に対して、（４）を１．０〜１．１当量用いるのが好ましい。チエニルベンゼン誘導体（３）とチオフェン誘導体（５）の混合は、（３）に対して、（５）を１．０〜１．１当量用いるのが好ましい。【００２９】
パラジウム触媒は、０．０１〜０．２０当量の範囲で用いるのが好ましく、反応後の後処理及び精製が簡便であるとの理由から０．０３〜０．１０当量が好ましい。
反応溶媒としては、有機溶媒と水の混合溶媒が好ましく、有機溶媒としては、エチレングリコールジメチルエーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、トルエン、ベンゼン、アセトンが用いられる。それに対して水は、０．０５〜１．５倍量用いられ、更に好ましくは、０．３〜１．２倍量用いられる。
反応に用いられる塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、ナトリウムエトキシド、炭酸セシウム、リン酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム等が用いられるが、比較的弱い塩基が良好な結果を与えることから、炭酸ナトリウムが好ましい。立体障害の影響を受ける場合には、水酸化バリウムやリン酸カリウムが好ましい。使用量は１．０〜３．０当量であるのが好ましく、１．８〜２．２当量であるのが好ましい。【００３０】
反応温度は、反応基質、パラジウム触媒、反応溶媒、塩基の種類によって異なり、５０〜１５０℃の範囲であれば反応は進行するが、それらを適切に組み合わせれば６５〜１２０℃の範囲内で実施するのが最も好ましい。
反応時間は、上記反応温度の実施と同様、反応基質、パラジウム触媒、反応溶媒、塩基の種類によって異なるが、１．０〜１０時間の範囲内でよく、それらを適切に組み合わせれば、２．０〜５．０時間の範囲内で実施するのが好ましい。【００３１】
また、化合物（８）から化合物（Ｉａ）への反応、化合物（Ｉａ）から化合物（Ｉ）へ反応は、化合物（８）及び（Ｉａ）をアニオン化剤でアニオン化した後、Ｒ１Ｘ及びＲ２Ｘを反応することにより実施することができる。【００３２】
アニオン化剤の種類としては、メチルリチウム及びｎ−ブチルリチウムといったような炭素原子数１〜２０のアルキルリチウムのほかに、フェニルリチウムのようなアリールリチウムならびに金属ナトリウムや金属リチウム等のアルカリ金属ならびにリチウムアミドならびにリチウムジメチルアミド及びリチウムジプロピルアミド等の炭素原子数２〜２０のリチウムジアルキルアミドならびにリチウムジフェニルアミドをはじめとする炭素原子数１２〜３０のリチウムジアリールアミドが用いられる。反応性が良好であり、操作性が簡便という理由からアルキルリチウム又はアリールリチウムが好適に用いられ、より好適にはｎ−ブチルリチウムが用いられる。【００３３】
アニオン化剤の当量としては、化合物（８）に対して１．９〜２．５当量用いられ、例えば２．０〜２．２当量が好適に用いられ、化合物（Ｉａ）に対して０．９〜１．２当量用いられ、例えば１．０〜１．１当量が好適に用いられる。【００３４】
アニオン化速度が特に遅い基質の場合や、溶解性が特に低い基質の場合には、アニオン化速度促進等のためＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（ＴＭＥＤＡ）、１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−オン（ＤＭＩ）等の添加剤を任意の量加えてもよい。【００３５】
アニオン化の反応温度としては、アニオン化剤の分解が起きない程度であれば特に制限はなく、実施が容易であるという理由から好ましくは−１０〜８０℃、より好ましくは−５〜５０℃の範囲内で行うのがよい。
アニオン化の反応時間としては、０．５時間〜１０時間が好ましく、更に好ましくは２時間〜５時間である。【００３６】
アニオン化反応に用いられる溶媒としては、有機溶媒が好ましく、ヘキサン、ペンタンのような炭素原子数５〜２０の炭化水素、ベンゼン、トルエンのような炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランのような炭素原子数４〜１０のエーテル類がよい。反応性が良好であるという理由から、エーテル類が好適である。溶媒の使用量としては、基質の溶解性、反応性に依存するが、一般的には基質１ｍｍｏｌあたり、３〜１０ｍＬが好適である。【００３７】
Ｒ１Ｘ及びＲ２Ｘの当量としては、化合物（８）に対して１．９〜２．５当量用いられ、例えば２．０〜２．２当量が好適に用いられ、化合物（Ｉａ）に対して０．９〜１．２当量用いられ、例えば１．０〜１．１当量が好適に用いられる。【００３８】
化合物（８）とＲ１Ｘ、化合物（Ｉａ）とＲ２Ｘの反応温度としては、−８０℃〜５０℃が好ましく、より好ましくは−５０〜３０℃の範囲内で行うのがよい。
化合物（８）とＲ１Ｘ、化合物（Ｉａ）とＲ２Ｘの反応時間としては、３時間〜２４時間が好ましく、更に好ましくは５時間〜１５時間である。【００３９】
Ｒ１及びＲ２が同一炭化水素基である化合物（Ｉｂ）については、例えば下記製造例２によっても製造することができる。【００４０】
【化７】
2006022040.tif 000008
【００４１】
〔式中、Ｒ１、Ａ、Ｘ及びＭは前記と同じものを示す。〕【００４２】
すなわち、１）１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（２）をＰｄ触媒下反応させる方法、２）１，４−置換ベンゼン（１）とチオフェン誘導体（７）から化合物（８）を得、これと化合物（９）を反応させる方法により化合物（Ｉｂ）を製造することができる。【００４３】
また、Ｒ１及びＲ２が鎖状の不飽和炭化水素基である化合物（Ｉｃ）及び（Ｉｄ）については、例えば下記製造例３によっても製造することができる。【００４４】
【化８】
2006022040.tif 000009
【００４５】
〔式中、Ｒ１ａ及びＲ２ａは炭素数４〜２０の鎖状の不飽和炭化水素基を示し、ＺはＬｉ、Ｂ（ＯＲ）２、ＳｎＲ３、Ｂｒ、Ｃｌ、Ｉ、ＯＴｆ、ＭｇＣｌ又はＺｎＣｌを示し（ここで、Ｒは水素原子又は低級アルキル基を示す）、Ｒ１及びＡは前記と同じものを示す。〕【００４６】
すなわち、化合物（８）及び化合物（Ｉａ）を公知の方法、例えば、ｎ−ブチルリチウム等のアニオン化剤でアニオン化した後、トリブチルスタニルクロライド、よう素、臭素又はトリメトキシホウ酸等で化合物（１０）又は化合物（１１）に誘導した後、ＰｄＣｌ２触媒により、末端オレフィンとクロスカップリングさせて置換オレフィンをつくるヘック反応、また、Ｐｄ（０）触媒、ヨウ化銅、アミンを加えた後、末端アセチレンを加えてクロスカップリングさせる薗頭反応を行うことにより、不飽和炭化水素基を有する化合物（Ｉｃ）もしくは化合物（Ｉｄ）を得ることができる。ヘック反応は、Ｒ．Ｆ．Ｈｅｃｋ，”Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  Ｒｅａｇｅｎｔｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，”Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ，１９８５，Ｃｈａｐ．６に記載の方法に準じて行うことが出来る。また、薗頭反応は、Ｋ．  Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ  ｅｔ  ａｌ．，ＴＬ，５０，４４６７，１９７５に記載の方法に準じて行うことができる。【００４７】
斯くして得られる本発明の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体は、中間相形成性化合物であり、大面積均一性、分子配向性、流動性を持つ化合物である（実施例参照）。そして、１，４−ジチエニルベンゼン誘導体の電荷移動度は、正孔又は電子移動度が１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、ジオクチルターチオフェンと比較して遙かに高い正孔移動度を有することから、光電変換デバイス及び電界発光デバイスの半導体層に用いるための電荷輸送材料として有用である。【００４８】
本発明の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体は、上記の大面積均一性、分子配向性、流動性及び正孔又は電子移動度を阻害しない限り、その１種又は２種以上、更には他の液晶性又は非液晶性化合物、合成有機高分子等を含む液晶組成物とすることができる。例えば本発明の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体９０重量％〜１０重量％を含有する液晶組成物とすることができる。斯かる組成物もまた電荷輸送材料として有用である。ここで、他の液晶性化合物及び非液晶性化合物としては、公知のいずれのものも使用することができ、合成有機高分子としては、熱可塑性高分子、熱硬化性高分子、エンジニアリングプラスチック、導電性高分子等を用いることができる。当該液晶組成物には、更に種々の添加剤が含まれていてもよく、斯かる添加剤としては、例えば可塑剤、着色剤、ドーパント等が挙げられる。また、当該液晶組成物には、更にガラスファイバー、カーボンファイバー、ボロン繊維等の強化材料が含まれていてもよい。【００４９】
本発明の１，４−ジチエニルベンゼン誘導体、これを含有する液晶性組成物を含む該電荷輸送材料の電荷移動度は、正孔又は電子移動度が１×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ以上であるのが好ましく、光電変換デバイス及び電界発光デバイスの半導体層に用いる電荷輸送材料としては、デバイスの高速応答、高効率化の観点から正孔又は電子移動度が高いものが好ましく、１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。【００５０】
当該電荷輸送材料は、種々のデバイス又は素子の素材として用いることができる。たとえば、エレクトロルミネッセンス素子、光導電体、薄膜トランジスタ、光センサー、温度センサー、画像表示素子、光記録素子、光電子変換デバイス、電界発光デバイス等に用いることができる。特に、高速の電荷移動度を有することから、光センサーに好ましく用いられる。また、優れた電荷輸送能を有することから、エレクトロルミネッセンス素子に好ましく用いられる。また、配向性、光導電性、自発光性を有することから、画像表示素子に好ましく用いられる。
本発明の電荷輸送材料を用いた光電子変換デバイス及び電界発光デバイスとしては、本発明の電荷輸送材料からなる層を有するデバイスが挙げられ、例えば、ガラス基板、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）電極、液晶配向膜及びこれらを組み合わせてなるデバイス等が例示できる。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、下記実施例に制限されるものではない。【００５２】
実施例１
１，４−ビス（５’−オクチル−２’−チエニル）−ベンゼン（８ＴＰＴ８）
【化９】
2006022040.tif 000010
【００５３】
（１）中間体２−オクチルチオフェンの合成
【化１０】
2006022040.tif 000011
【００５４】
−７０℃まで冷却したチオフェン（０．３５６５ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（０．３５６５ｍｏｌ）を加え、室温で３時間反応させた後、−６０℃に再び冷却して１−ブロモオクタン（０．３５６５ｍｏｌ）を滴下し、室温で１５時間反応させた。溶媒留去した後、反応容器を氷冷して水３００ｍＬを加え、ジエチルエーテル３００ｍＬで抽出した。水層からジエチルエーテル１００ｍＬで再抽出し、有機層をあわせて飽和食塩水で中和し、水洗した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥、減圧蒸留して２−オクチルチオフェン（無色透明液体、０．２３００ｍｏｌ）を得た。収率６５％。【００５５】
（２）中間体２−オクチル−５−トリブチルスタニル−チオフェンの合成
【化１１】
2006022040.tif 000012
【００５６】
−７５℃まで冷却した２−オクチルチオフェン（１５．２７９ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１５．２７９ｍｏｌ）を加え、室温で４時間撹拌したあと、再び−７５℃まで冷却しトリブチルスタニルクロライド（１５．２７９ｍｍｏｌ）を加え室温で１５時間撹拌した。溶媒を減圧留去したのち、水冷して水５０ｍＬを加え、ジエチルエーテル１５０ｍＬで抽出した。次いで、抽出溶液を水洗し、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して２−オクチル−５−トリブチルスタニル−チオフェン（１３．８０３ｍｍｏｌ）を得た。収率９０％。【００５７】
（３）１，４−ビス（５’−オクチル−２’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化１２】
2006022040.tif 000013
【００５８】
１，４−ジヨードベンゼン（６．５４７ｍｍｏｌ）、２−オクチル−５−トリブチルスタニル−チオフェン（１３．０９５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．０６５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ溶液を８５℃で４時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、ジエチルエーテル２００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、及び蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して１，４−ビス（５’−オクチル−２’−チエニル）−ベンゼン（３．９４２ｍｍｏｌ）を得た。収率６０％。この粗生成物をカラム精製、再結晶後、昇華精製した。【００５９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８８（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，６Ｈ），１．２８−１．３９（ｍ，２０Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ），６．７３（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，２Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｓ，４Ｈ）．【００６０】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル；λｍａｘ＝３４２ｎｍ（ｌｏｇε４．５４）【００６１】
（４）液晶温度範囲
８ＴＰＴ８は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、及び偏光顕微鏡による観察から、等方相から１４５℃で高い配向秩序の中間相Ｍ１に転移し、８７℃で中間相Ｍ２に転移し、更に７１℃で別の中間相Ｍ３に転移し、４７℃で結晶相に転移する。【００６２】
（５）電荷輸送特性
前記液晶性物質の電荷輸送特性をＴｉｍｅ−ｏｆ−ｆｌｉｇｈｔ（タイムオブフライト：ＴＯＦ）法を用いて測定した。測定に用いたＩＴＯサンドイッチセルは、陽極陰極いずれもＩＴＯ電極であり、電極間距離１５．９μｍ、電極面積０．２５ｃｍ２のセルを使用した。そのセルに前記液晶性物質を１５５℃の条件下封入し、ＴＯＦ測定試料セルとした。測定は１２０℃、７５℃、６０℃、照射波長３３７ｎｍで行った。【００６３】
Ｍ１相（１２０℃）において正孔の電荷輸送が起こり、電荷移動度は電界強度に依存せず、正孔移動度３×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという値であった。Ｍ２相（７５℃）では正孔移動度７×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという値が得られた。更に、Ｍ３相（６０℃）では正孔移動度１×１０−１ｃｍ２／Ｖｓという非常に高い値が得られた。【００６４】
比較例１
比較化合物（液晶性物質）として、下記式で表されるジオクチルターチオフェン（８ＴＴＴ８）を用いた。
【化１３】
2006022040.tif 000014
【００６５】
８ＴＴＴ８を電極間距離１６．３μｍ、電極面積０．２５ｃｍ２のＩＴＯセルに１００℃の条件下封入し、ＴＯＦ測定試料セルとした。測定は８７℃、８０℃、７０℃、照射波長３３７ｎｍで行った。
８７℃（スメクチックＣ相）では、正孔移動度８．６×１０−４ｃｍ２／Ｖｓという値であった。８０℃（スメクチックＦ相）では正孔移動度２．３×１０−３ｃｍ２／Ｖｓという値が得られた。更に、７０℃（スメクチックＧ相）では正孔移動度１．６×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという値が得られた。いずれも正孔移動度は実施例１よりも低かった。【００６６】
実施例２
１−（５’−ブチル−２’−チエニル）−４−（５’’−オクチル−２’’−チエニル）−ベンゼン（８ＴＰＴ４）
【化１４】
2006022040.tif 000015
【００６７】
（１）中間体２−オクチル−５−ボロンジメトキシドチオフェンの合成
【化１５】
2006022040.tif 000016
【００６８】
−７５℃まで冷却した２−オクチルチオフェン（０．１６５ｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（０．１６５ｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌したあと、再び−７５℃まで冷却しホウ酸トリメチル（０．１６５ｍｏｌ）を加え室温で２０時間撹拌した。溶媒を減圧留去して２−オクチル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（０．１４０ｍｏｌ）を得た。収率８５％。【００６９】
（２）中間体１−ブロモ−４−（５’−オクチル−２’−チエニル）ベンゼンの合成
【化１６】
2006022040.tif 000017
【００７０】
１，４−ジブロモベンゼン（４４．９６ｍｍｏｌ）、２−オクチル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（２２．４８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（３．５９７ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（４４．９６ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル１０６ｍＬおよび水３３ｍＬの懸濁液を８０℃で４．５時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム３００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して粗生成物を得た。この粗生成物をカラム精製、再結晶し、１−ブロモ−４−（５’−オクチル−２’−チエニル）ベンゼン（１０．２４ｍｍｏｌ）を得た。収率４６％。【００７１】
（３）中間体２−ブチルチオフェンの合成
【化１７】
2006022040.tif 000018
【００７２】
−７０℃まで冷却したチオフェン（０．１７８ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（０．１７８ｍｏｌ）を加え、室温で２．５時間反応させた後、−６０℃に再び冷却して１−ブロモブタン（０．１７８ｍｏｌ）を滴下し、室温で１５時間反応させた。溶媒留去した後、反応容器を氷冷して水６０ｍＬを加え、ジエチルエーテル１００ｍＬで抽出した。水層からジエチルエーテルで再抽出し、有機層をあわせて飽和食塩水で中和し、水洗した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥、減圧蒸留して２−ブチルチオフェン（無色透明液体、０．０７６ｍｏｌ）を得た。収率４３％。【００７３】
（４）中間体２−ブチル−５−ボロンジメトキシドチオフェンの合成
【化１８】
2006022040.tif 000019
【００７４】
−５０℃まで冷却した２−ブチルチオフェン（７．１４０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（７．１４０ｍｍｏｌ）を加え、約−４０℃で３時間撹拌したあと、再び−５０℃まで冷却しホウ酸トリメチル（７．８５０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１５時間撹拌した。溶媒を減圧留去して得られた白色粘調オイル、２−ブチル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（約１．５１ｇ）をそのまま次の鈴木カップリング反応に使用した。【００７５】
（５）１−（５’−ブチル−２’−チエニル）−４−（５’’−オクチル−２’’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化１９】
2006022040.tif 000020
【００７６】
１−ブロモ−４−（５’−オクチル−２’−チエニル）ベンゼン（５．９８０ｍｍｏｌ）、２−ブチル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（７．１４０ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１４．２８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．５００ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル４５ｍＬ、および水１０ｍＬの懸濁液を８５℃で約１２時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、塩化メチレンで抽出し、抽出溶液を希塩酸で洗浄、それから飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して得られた粗生成物をカラム精製し、１−（５’−ブチル−２’−チエニル）‐４−（５’’−オクチル−２’’−チエニル）−ベンゼン（４．５１０ｍｍｏｌ）を得た。収率７５％。次いで再結晶後、昇華精製した。【００７７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８８（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ），０．９５（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ），１．２７−１．４４（ｍ，１２Ｈ），１．６８（ｍ，４Ｈ），２．８１（ｍ，４Ｈ），６．７３（ｄｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，２Ｈ）７．５３（ｓ，４Ｈ）．【００７８】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３４２ｎｍ（ｌｏｇε４．２３）【００７９】
（６）液晶温度範囲
８ＴＰＴ４は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、および偏光顕微鏡による観察から、等方相から１４１℃で高い配向秩序の中間相に転移し、１２℃で結晶相に転移する。【００８０】
（７）電荷輸送特性
前記液晶性物質の電荷輸送特性をＴＯＦ法により評価した。測定に用いたＩＴＯサンドイッチセルは、陽極陰極いずれもＩＴＯ電極であり、電極間距離１６．５μｍ、電極面積０．２５ｃｍ２のセルを使用した。そのセルに前記液晶性物質を１５５℃の条件下封入し、ＴＯＦ測定試料セルとした。測定は１２０℃、１００℃、８０℃、６０℃、４０℃、２７℃の各温度で、照射波長３３７ｎｍで行った。【００８１】
上記各温度において正孔の電荷輸送が起こり、何れの温度においても電荷移動度は電界強度に依存せず、正孔移動度３×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという高い値であった。【００８２】
実施例３  
１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）‐４−（５’’−オクチル−２’’−チエニル）−ベンゼン（８ＴＰＴ１２）
【化２０】
2006022040.tif 000021
【００８３】
（１）中間体２−ドデシルチオフェンの合成
【化２１】
2006022040.tif 000022
【００８４】
−７０℃まで冷却したチオフェン（０．１７８ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（０．１７８ｍｏｌ）を加え、室温で３時間反応させた後、−６０℃に再び冷却して１−ブロモドデカン（０．１７８ｍｏｌ）を滴下し、室温で２０時間反応させた。溶媒留去した後、反応容器を氷冷して水２００ｍＬを加え、ジエチルエーテル３００ｍＬで抽出した。水層からジエチルエーテル２００ｍＬで再抽出し、有機層をあわせて飽和食塩水で中和し、水洗した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥、減圧蒸留して２−ドデシルチオフェン（無色透明液体、０．１２２ｍｏｌ）を得た。収率６８％。【００８５】
（２）中間体２−ドデシル−５−ボロンジメトキシドチオフェンの合成
【化２２】
2006022040.tif 000023
【００８６】
−７５℃まで冷却した２−ドデシルチオフェン（１９．８１ｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液にｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１９．８１ｍｏｌ）を加え、室温で３時間撹拌したあと、再び−７５℃まで冷却しホウ酸トリメチル（１９．８１ｍｏｌ）を加え室温で１５時間撹拌した。溶媒を減圧留去して得られた白色粘調オイルの２−ドデシル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（約６．４ｇ）をそのまま次の鈴木カップリング反応に使用した。【００８７】
（３）１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（５’’−オクチル−２’’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化２３】
2006022040.tif 000024
【００８８】
１−ブロモ−４−（５’−オクチル−２’−チエニル）ベンゼン（１３．２１ｍｍｏｌ）、２−ドデシル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（１９．８１ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．９２５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２６．４２ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル７０ｍＬ、および水２０ｍＬの懸濁液を８５℃で約７時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム３００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して得られた粗生成物をカラム精製し、１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）‐４−（５’’−オクチル−２’’−チエニル）−ベンゼン（４．２０７ｍｍｏｌ）を得た。収率３２％。次いで、再結晶後、昇華精製した。【００８９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８７（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，６Ｈ），１．２６−１．３９（ｍ，２８Ｈ），１．６９（ｍ，４Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，２Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝３．７Ｈｚ，２Ｈ）７．５３（ｓ，４Ｈ）．【００９０】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３４１ｎｍ（ｌｏｇε４．２４）【００９１】
（４）液晶温度範囲
８ＴＰＴ１２は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、および偏光顕微鏡による観察から、等方相から１３６℃で高い配向秩序の中間相に転移し、４４℃でさらに配向秩序の高い別の中間相に転移する。【００９２】
（５）電荷輸送特性
前記液晶性物質の電荷輸送特性をＴＯＦ法により評価した。測定に用いたＩＴＯサンドイッチセルは、陽極陰極いずれもＩＴＯ電極であり、電極間距離１２．１μｍ、電極面積０．２５ｃｍ２のセルを使用した。そのセルに前記液晶性物質を１５０℃の条件下封入し、ＴＯＦ測定試料セルとした。測定は１２０℃、１００℃、８０℃、６０℃、４０℃、２７℃、照射波長３３７ｎｍで行った。【００９３】
１２０℃において正孔の電荷輸送が起こり、電荷移動度は電界強度に依存せず、正孔移動度２×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという値であった。１００℃では正孔移動度３×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ、８０℃で正孔移動度４×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ、６０℃で正孔移動度６×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ、さらに、４０℃、および２７℃では正孔移動度７×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという非常に高い値が得られた。【００９４】
実施例４  
１，４−ビス（５’−ドデシル−２’−チエニル）−ベンゼン（１２ＴＰＴ１２）
【化２４】
2006022040.tif 000025
【００９５】
（１）１，４−ビス（５’−ドデシル−２’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化２５】
2006022040.tif 000026
【００９６】
１，４−ジブロモベンゼン（４．７２８ｍｍｏｌ）、２−ドデシル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（１４．１８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．４７３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（９．４５６ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル３４ｍＬ、および水１４ｍＬの懸濁液を８５℃で約５時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム３００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して１，４−ビス（５’−ドデシル−２’−チエニル）−ベンゼン（０．９４６ｍｍｏｌ）を得た。収率２０％。この粗生成物をカラム精製、再結晶後、昇華精製した。【００９７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８７（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，６Ｈ），１．２６−１．３９（ｍ，３６Ｈ），１．６８（ｍ，４Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，４Ｈ），６．７４（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，２Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，２Ｈ）７．５３（ｓ，４Ｈ）．【００９８】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３４２ｎｍ【００９９】
（２）液晶温度範囲
１２ＴＰＴ１２は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、および偏光顕微鏡による観察から、等方相から１３３℃で中間相に転移し、１２４℃で高い配向秩序の中間相に転移し、８５℃でより高い配向秩序の中間相に転移し、さらに６７℃で結晶相に転移する。【０１００】
（３）電荷輸送特性
前記液晶性物質の電荷輸送特性をＴＯＦ法により評価した。測定に用いたＩＴＯサンドイッチセルは、陽極陰極いずれもＩＴＯ電極であり、電極間距離１６．８μｍ、電極面積０．２５ｃｍ２のセルを使用した。そのセルに１２ＴＰＴ１２を１４０℃の条件下封入し、ＴＯＦ測定試料セルとした。測定は１３０℃、１２０℃、１００℃、８０℃、照射波長３３７ｎｍで行った。【０１０１】
１３０℃において正孔の電荷輸送が起こり、電荷移動度は電界強度に依存せず、正孔移動度は４×１０−３ｃｍ２／Ｖｓという値であった。１２０℃では正孔移動度２×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ、１００℃で正孔移動度４×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ、さらに、８０℃では正孔移動度７×１０−２ｃｍ２／Ｖｓという非常に高い値が得られた。【０１０２】
実施例５
１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼン（１２ＴＰＴ３）
【化２６】
2006022040.tif 000027
【０１０３】
（１）１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化２７】
2006022040.tif 000028
【０１０４】
１−ブロモ−４−（５’−プロピル−２’−チエニル）ベンゼン（１２．８９ｍｍｏｌ）、２−ドデシル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（１４．１８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．９０２ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２５．７８ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル３６ｍＬ、および水１９ｍＬの懸濁液を８５℃で約７時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム３００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して得られた粗生成物をカラム精製し、１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼン（１．１９３ｍｍｏｌ）を得た。収率２０％。次いで、再結晶後、昇華精製した。【０１０５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８７（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ），１．００（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．２６−１．３８（ｍ，１８Ｈ），１．６５−１．７７（ｍ，４Ｈ），２．７７−２．８３（ｍ，４Ｈ），６．７４（ｄｄ，２Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．５３（ｓ，４Ｈ）．【０１０６】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３４２ｎｍ【０１０７】
（２）液晶温度範囲
１２ＴＰＴ３は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、および偏光顕微鏡による観察から、等方相から１３４℃で中間相に転移し、６４℃で結晶相に転移する。【０１０８】
実施例６
１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（２’’−チエニル）−ベンゼン（８ＴＰＴ）
【化２８】
2006022040.tif 000029
【０１０９】
（１）１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（２’’−チエニル）−ベンゼン（８ＴＰＴ）の合成
【化２９】
2006022040.tif 000030
【０１１０】
１−ブロモ−４−（５’−オクチル−２’−チエニル）ベンゼン（８．４２５ｍｍｏｌ）、２−ボロンジメトキシドチオフェン（１６．８５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１６．８５ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．６７４ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル３０ｍＬ、および水１３ｍＬの懸濁液を８５℃で約４時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム１００ｍＬで抽出し、抽出溶液を希塩酸で洗浄、それから飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して得られた粗生成物をカラム精製し、１−（５’−ドデシル−２’−チエニル）−４−（２’’−チエニル）−ベンゼン（５．５８４ｍｍｏｌ）を得た。収率６６％。次いで再結晶した。【０１１１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ），１．２８−１．３８（ｍ，１０Ｈ），１．７０（ｍ，２Ｈ），２．８１（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），６．７５（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），７．０８（ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，１Ｈ），７．１５（ｄ，Ｊ＝３．４Ｈｚ，１Ｈ），７．２７（ｄｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３２（ｄ，Ｊ＝３．６Ｈｚ，１Ｈ），７．５４−７．６０（ｍ，４Ｈ）．【０１１２】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３４１ｎｍ【０１１３】
（２）液晶温度範囲
８ＴＰＴは、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、および偏光顕微鏡による観察から、等方相から１３５℃で中間相に転移し、９０℃で結晶相に転移する。【０１１４】
実施例７
１−（５’−ヘキシル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼン（６ＴＰＴ３）
【化３０】
2006022040.tif 000031
【０１１５】
（１）１−（５’−ヘキシル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化３１】
2006022040.tif 000032
【０１１６】
１−ブロモ−４−（５’−プロピル−２’−チエニル）ベンゼン（１２．０２ｍｍｏｌ）、２−へキシル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（１２．０２ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（１．０３０ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２４．０４ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル３０ｍＬ、および水１６ｍＬの懸濁液を８５℃で約５時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム３００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して得られた粗生成物をカラム精製し、１−（５’−ヘキシル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼン（１０．３８ｍｍｏｌ）を得た。収率８７％。次いで、再結晶後、昇華精製した。【０１１７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
０．８７（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．００（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．２６−１．４３（ｍ，６Ｈ），１．６５−１．７７（ｍ，４Ｈ），２．７７−２．８３（ｑ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），６．７４（ｍ，２Ｈ），７．１２（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ），７．１３（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．５３（ｓ，４Ｈ）．【０１１８】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３４１ｎｍ【０１１９】
（２）液晶温度範囲
６ＴＰＴ３は、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定、および偏光顕微鏡による観察から、等方相から１４７℃で中間相に転移し、４５℃で結晶相に転移する。【０１２０】
実施例８
１−（５’−ペンチニル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼン（３ＴＰＴｙｎｅ３）
【化３２】
2006022040.tif 000033
【０１２１】
（１）１−（５’−ペンチニル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼンの合成
【化３３】
2006022040.tif 000034
【０１２２】
１−ブロモ−４−（５’−プロピル−２’−チエニル）ベンゼン（１０．１３ｍｍｏｌ）、２−ペンチニル−５−ボロンジメトキシドチオフェン（２０．２６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィンパラジウム）（０）（０．７０９ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２０．２６ｍｍｏｌ）、エチレングリコールジメチルエーテル４３ｍＬ、および水１５ｍＬの懸濁液を８５℃で約６時間加熱した後、氷冷して水を加えた。次に、クロロホルム３００ｍＬで抽出し、抽出溶液を飽和食塩水、および蒸留水で洗浄した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過、濃縮、減圧乾燥して得られた粗生成物をカラム精製し、１−（５’−ペンチニル−２’−チエニル）−４−（５’’−プロピル−２’’−チエニル）−ベンゼン（４．３５６ｍｍｏｌ）を得た。収率４３％。次いで、再結晶後、昇華精製した。【０１２３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，Ｍｅ４Ｓｉ）δ：
１．００（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．０５（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，３Ｈ），１．５９−１．７８（ｍ，４Ｈ），２．４３（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），２．８０（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），６．７５（ｄ，Ｊ＝３．７Ｈｚ，１Ｈ），７．０７（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，１Ｈ），７．１４（ｄ，Ｊ＝３．７Ｈｚ，２Ｈ），７．５３（ｓ，４Ｈ）．【０１２４】
上記分析結果から、得られた化合物が標記化合物であることが確認された。
ＵＶ−Ｖｉｓスペクトル（クロロホルム溶液）；λｍａｘ＝３５６ｎｍ
【国際調査報告】
2006022040.tif 000037
2006022040.tif 000038
2006022040.tif 000039
2006022040.tif 000040
2006022040.tif 000041