(57)【要約】  陰極（７０）と陽極（５０）の間に発光層（６４）を含む有機薄膜層（６０）を狭持した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機薄膜層（６０）の少なくとも一層が湿式法で形成され、この層中の残留溶媒が、昇温脱離分析法（ＴＤＳ：測定温度８０℃）による測定の検出限界（検知分圧が、１．０×１０−１２Ｐａ）以下である有機エレクトロルミネッセンス素子。【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と陽極の間に発光層を含む有機薄膜層を狭持した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機薄膜層の少なくとも一層が湿式法で形成され、この層中の残留溶媒が、昇温脱離分析法（ＴＤＳ：測定温度８０℃）による測定の検出限界（検知分圧が、１．０×１０−１２Ｐａ）以下である有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記湿式法で形成した層が、超高真空下、赤外線で加熱して乾燥された層である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記超高真空の真空レベルが１０−９Ｐａ〜１０−６Ｐａであり、赤外線による加熱温度が、前記湿式法で形成した層の形成材料のガラス転移温度以下である請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記超高真空の真空レベルが１０−９Ｐａ〜１０−７Ｐａであり、赤外線による加熱温度が、前記湿式法で形成した層の形成材料のガラス転移温度より１０℃以上低い温度である請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記湿式法で形成した層の形成材料の少なくとも１つが、低分子化合物である請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
陰極と陽極間に発光層を含む有機薄膜層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機薄膜層の少なくとも一層を湿式法で形成し、
前記湿式法で形成した層を、超高真空下、赤外線加熱で乾燥する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。さらに詳しくは、有機薄膜層の残留溶媒を高度に除去することにより、素子の寿命を向上した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度の性能を有する表示素子が要求されている。そのなかで、次世代表示素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記する。）が注目されている。
有機ＥＬ素子は自発発光型表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。【０００３】
有機ＥＬ素子を形成する発光層等の有機薄膜層は、真空蒸着法等の乾式法、又はスピンコーティング、インクジェット等の湿式法により成膜されている。
乾式法は、有機薄膜層の形成材料を溶媒に溶解させる必要がなく、また、成膜後に溶媒を除去する必要がないという利点がある。しかしながら、真空蒸着法は大型の設備を必要とする高真空プロセスであるため、製造コストが高い、大画面基板に適用できない、量産に難がある等の欠点を有していた。【０００４】
これに対し、湿式法による成膜では、表示画面の大面積化が比較的容易であるが、成膜後の膜内に残存する溶媒の影響により、有機ＥＬ素子の発光寿命が短くなる等の問題があった。
湿式法によって発光層を形成する技術として、発光層の形成材料を塗布した後、発光層を乾燥させる際に超音波振動を与える方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法により、膜の均一性を向上できるが、発光層からの溶媒の除去は十分とは言えなかった。【０００５】
また、成膜した有機薄膜層をなるべく高温で処理することが、乾燥時間の短縮及び残留溶媒の低減のため好ましい。しかしながら、形成材料の熱による劣化が問題となるため、高温による乾燥処理には限界があり、乾燥時間も長時間を要していた。
【特許文献１】特開２００３−１７２５２号公報
【０００６】
本発明は上述の問題に鑑みなされたものであり、湿式法で形成した有機薄膜層を含む有機ＥＬ素子であって、発光寿命を改善した有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【発明の開示】
【０００７】
本発明者は、上記課題について研究を重ねた結果、有機ＥＬ素子を構成する有機薄膜層を、超高真空下、赤外線加熱することで、高温に加熱することなく層中の残留溶媒を高度に除去でき、その結果、有機ＥＬ素子の発光寿命を向上できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００８】
本発明によれば、下記の有機ＥＬ素子及びその製造方法が提供される。
１．陰極と陽極の間に発光層を含む有機薄膜層を狭持した有機エレクトロルミネッセンス素子であって、  前記有機薄膜層の少なくとも一層が湿式法で形成され、この層中の残留溶媒が、昇温脱離分析法（ＴＤＳ：測定温度８０℃）による測定の検出限界（検知分圧が、１．０×１０−１２Ｐａ）以下である有機エレクトロルミネッセンス素子。
２．前記湿式法で形成した層が、超高真空下、赤外線で加熱して乾燥された層である１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【０００９】
３．前記超高真空の真空レベルが１０−９Ｐａ〜１０−６Ｐａであり、赤外線による加熱温度が、前記湿式法で形成した層の形成材料のガラス転移温度以下である２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
４．前記超高真空の真空レベルが１０−９Ｐａ〜１０−７Ｐａであり、赤外線による加熱温度が、前記湿式法で形成した層の形成材料のガラス転移温度より１０℃以上低い温度である２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１０】
５．前記湿式法で形成した層の形成材料の少なくとも１つが、低分子化合物である１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
６．陰極と陽極間に発光層を含む有機薄膜層を形成した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機薄膜層の少なくとも一層を湿式法で形成し、前記湿式法で形成した層を、超高真空下、赤外線加熱で乾燥する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【００１１】
本発明の有機ＥＬ素子においては、湿式法で成膜した有機薄膜層を含む素子であっても、発光寿命の長い素子を得ることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法により、湿式法で成膜した有機薄膜層の乾燥を、低温かつ短時間で行なうことができる。さらに、有機薄膜層中の残留溶媒を高度に除去できる。従って、有機ＥＬ素子を使用した表示パネルの大面積化に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、昇温脱離分析により得られる測定時間とガス発生量の関係を示すスペクトルの一例である。
【図２】有機層形成装置の概略図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の有機ＥＬ素子について具体的に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と陽極の間に、発光層を含む有機薄膜層が狭持され、この有機薄膜層の少なくとも一層が湿式法で形成されている。そして、この層中の残留溶媒が、昇温脱離分析法（ＴＤＳ：測定温度８０℃）による測定の検出限界（検知分圧が、１．０×１０−１２Ｐａ）以下であることを特徴とする。【００１４】
昇温脱離分析法は、試料を高真空容器内で加熱・昇温し、昇温中に試料から残留溶媒を脱離、ガス化して四重極質量分析計で検出するものであり、試料中に含まれる残留溶媒を高感度で検出できる測定法である。
本発明における昇温脱離分析の測定条件は、真空レベルを１．０〜９．９×１０−７Ｐａとし、試料の温度を約８０℃（固定）とし、試料は５ｍｍ×５ｍｍ方形とする。この条件で測定中に検知される残留溶媒による発生ガスの検知分圧の最高値が１．０×１０−１２Ｐａ以下であれば、湿式成膜中の残留溶媒による素子の劣化を有効に防止できる。尚、好ましくは、試料の温度を約１００℃としたときの最高検知分圧が１．０×１０−１２Ｐａ以下である。【００１５】
図１は、昇温脱離分析により得られる測定時間とガス発生量の関係を示すスペクトルの一例である。
図１において、縦軸はガスの発生量（検知分圧：単位Ｐａ）及び測定温度であり、横軸は測定時間である。尚、本例の実施条件については、後述する評価例に記載する。
このスペクトルでは、測定時間が１０分〜３０分の間に、トルエンが多量に脱離したことを示すピークが観測されている。そして、４０分程度でトルエンガスの発生が終了したことが確認できる。
「検出限界以下」とは、図１において上記ピーク等が観測されない状態、即ち、４０分程度経過した状態（ガスの脱離が観測できないこと（検知分圧：１．０×１０−１２Ｐａ以下））を意味する。【００１６】
湿式法で形成した層の残留溶媒を、昇温脱離分析法による測定の検出限界以下にする方法としては、例えば、本発明の製造方法である、湿式法で形成した層を、超高真空下、赤外線で加熱して乾燥する方法が挙げられる。以下、図面を用いて説明する。【００１７】
図２は、有機層形成装置の概略図である。
有機層形成装置１０は、真空チャンバ２０、赤外線発生部３０、真空ポンプ（図示せず）を主な構成要素としている。
真空チャンバ２０は、チャンバ内を超高真空に保つ密閉容器であり、この上部には、赤外線発生部３０から照射される赤外線をチャンバ内部に導入するための石英ガラス窓２２が設けられている。チャンバ２０の内部には、試料台２４があり、その上に湿式法で形成した層を塗布した有機ＥＬ素子の試料２６が設置される。真空チャンバ２０内を超高真空状態にするため、真空チャンバ２０には真空ポンプが接続されている。
尚、これらの構成要素は、通常工業的に用いられている部材が使用できる。例えば、真空ポンプには磁気浮上型ターボポンプ（ライボルト社製、ＴＹＰ  ＴＵＲＢＯ  ＶＡＣ３４０Ｍ）、赤外線発生部にはハロゲンランプが使用できる。【００１８】
続いて、有機層形成装置１０を用いた有機ＥＬ素子の製造工程について説明する。
まず、湿式法により塗布した層を有する試料２６を試料台２４に置く。次いで、真空チャンバ２０内を、真空ポンプを作動させることにより脱気し、超高真空状態とする（矢印Ａは脱気方向を示す）。この状態で、赤外線発生部３０から矢印Ｂに示すように赤外線を真空チャンバ２０内の試料２６に照射する。赤外線の照射量を制御することによって試料２６の加熱温度を調整する。尚、赤外線はチャンバ内が真空状態になる以前より照射してもよい。
このように、湿式法で形成した層を赤外線により加熱することによって、層の表層面のみならず、層内部もすばやく加熱することができる。このため、加熱温度を比較的低温に設定しても、層の乾燥時間を短縮することができる。そして、超高真空下、赤外線加熱を実施することによって、層中の残留溶媒を昇温脱離分析法による測定の検出限界以下とすることができる。【００１９】
本発明においては、超高真空の真空レベルは、１０−９Ｐａ〜１０−６Ｐａであることが好ましく、特に、１０−９Ｐａ〜１０−７Ｐａであることが好ましい。真空レベルが１０−６Ｐａより悪いと乾燥時間がながくなったり、溶媒が十分に除去できないおそれがあり、また、１０−９Ｐａよりも良いと、真空状態を維持することが困難となる。【００２０】
赤外線による加熱温度は、湿式法で形成した層の形成材料のガラス転移温度以下であることが好ましく、特に、形成材料のガラス転移温度より１０℃以上低い温度であるであることが好ましい。加熱温度が形成材料のガラス転移温度より高いと、形成材料が劣化し、発光色や素子寿命に影響を与えるおそれがある。尚、形成材料のガラス転移温度は各化合物によって異なるが、一般には６０℃〜２００℃程度である。
尚、有機薄膜層の乾燥時間は、層の厚さ、使用材料のガラス転移温度を考慮して、適宜調整すればよい。例えば、図２１の測定対象である有機薄膜層の場合、８０℃の乾燥温度で、４０分程度の乾燥時間となる。【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法では、湿式法で形成した層を１層ずつ乾燥してもよいし、複数層、例えば、正孔注入層、発光層を続けて形成した後に、一括して乾燥してもよい。この場合、先に形成した層を予備的に乾燥してもよい。【００２２】
本発明の有機ＥＬ素子は、湿式法で成膜した層の残留溶媒が、上述したように、高度に除去されていればよく、他の構成については公知の構成を採用することができる。以下、本発明の有機ＥＬ素子の実施形態について説明する。【００２３】
図３は、本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態を示す断面図である。
この有機ＥＬ素子は、陰極７０と陽極５０間に、正孔注入層６２、発光層６４、電子注入層６６からなる有機薄膜層６０が挟持されている。
尚、本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極（図３）
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
等の構造を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられる。【００２４】
上記の素子において、陽極と陰極に挟持される１又は複数の層が有機薄膜層に相当するが、これらの層の全てが有機化合物から構成されていなくてもよく、無機化合物からなる層又は無機化合物を含む層が含まれていてもよい。【００２５】
一般に有機ＥＬ素子は透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で、平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。【００２６】
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、錫ドープ酸化インジウム合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００２７】
有機ＥＬ素子の発光層は、以下の機能を併せ持つものである。
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、
（ｉｉ）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、（ｉｉｉ）発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
ただし、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさに違いがあってもよく、また正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。【００２８】
この発光層を形成する方法としては、例えば、蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。また、特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。【００２９】
本発明の有機ＥＬ素子において、発光層は、ホスト化合物とドーパントからなるものが好ましい。ホスト化合物は、電子又は正孔の少なくとも一方の電荷を輸送する。ホスト化合物の好ましい例として、公知のカルバゾール誘導体、アントラセン骨格を有する化合物、窒素原子を有する縮合ヘテロ環骨格を有する化合物等を挙げることができる。ホスト化合物は高分子化合物であってもよい。ホストになる高分子化合物としては、カルバゾールを含むモノマー、ダイマー、トリマー等のオリゴマー、カルバゾール基を有する高分子化合物等を挙げることができる。【００３０】
発光層は、蛍光性又はりん光性のドーパントを含有していてもよい。
蛍光性ドーパントとしては、好ましくは以下の式（１）で表わされるスチリルアミン化合物や、式（２）で表わされるアリールアミン化合物を用いることができる。【００３１】
【化１】
2006070713.tif 000002
（式中、Ａｒ１は、フェニル、ビフェニル、ターフェニル、スチルベン、ジスチリルアリールから選ばれる基であり、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族基であり、Ａｒ１〜Ａｒ３は置換されてもよい。ｐは、１〜４の整数である。さらに好ましくはＡｒ２及び／又はＡｒ３はスチリル基で置換されている。）【００３２】
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基、ターフェニル基等が好ましい。
【化２】
2006070713.tif 000003
（式中、Ａｒ４〜Ａｒ６は、置換されていてもよい核原子数５〜４０のアリール基である。ｑは、１〜４の整数である。）【００３３】
ここで、核原子数が５〜４０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナンスリル、ピレニル、コロニル、ビフェニル、ターフェニル、ピローリル、フラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、オキサジアゾリル、ジフェニルアントラニル、インドリル、カルバゾリル、ピリジル、ベンゾキノリル、フルオランテニル、アセナフトフルオランテニル、スチルベン等が好ましい。尚、核原子数が５〜４０のアリール基は、置換基により置換されていてもよく、好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核原子数５〜４０のアリール基、核原子数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核原子数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子（塩素、臭素、ヨウ素等）が挙げられる。【００３４】
また、りん光性のドーパントとしては、イリジウム（Ｉｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）及びレニウム（Ｒｅ）の中から選ばれる少なくとも一つの金属を含む金属錯体であることが好ましく、配位子としては、フェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格及びフェナントロリン骨格からなる群から選ばれる少なくとも一つの骨格を有することが好ましい。このような金属錯体の具体例は、例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、要求される発光色、素子性能、ホスト化合物との関係から適切な錯体が選ばれるものである。【００３５】
本発明の有機ＥＬ素子において、正孔注入、輸送層は発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入、輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０４〜１０６Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０−４ｃｍ２／Ｖ・秒であれば好ましい。【００３６】
正孔注入、輸送層を形成する材料としては、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はなく、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、芳香族第三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、さらにはポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）等が挙げられる。さらに、具体例としては、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。【００３７】
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。【００３８】
また、米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。
また、発光層の材料として示した前述の芳香族ジメチリディン系化合物の他、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。【００３９】
正孔注入、輸送層は、上述した化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、又は前記正孔注入、輸送層とは別種の化合物からなる正孔注入、輸送層を積層したものであってもよい。【００４０】
本発明の有機ＥＬ素子において、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【００４１】
本発明の有機ＥＬ素子において、電子注入層は発光層への電子の注入を補助する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン、その誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。【００４２】
この８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）を電子注入層に用いることができる。
また、オキサジアゾール誘導体としては、下記式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【化３】
2006070713.tif 000004
【００４３】
（式中Ａｒ１’，Ａｒ２’，Ａｒ３’，Ａｒ５’，Ａｒ６’，Ａｒ９’はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。また、Ａｒ４’，Ａｒ７’，Ａｒ８’は置換又は無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）
ここで、アリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基等が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。【００４４】
この電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
【化４】
2006070713.tif 000005
式中、Ｍｅはメチル基を、Ｂｕはブチル基を示す。【００４５】
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機薄膜層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。従って、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。【００４６】
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。【００４７】
これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましくは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂ又はＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【００４８】
本発明の有機ＥＬ素子において、陰極と有機薄膜層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けてもよく、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲナイド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ２Ｓ、Ｎａ２Ｓｅ及びＮａＯが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ２、ＢａＦ２、ＳｒＦ２、ＭｇＦ２及びＢｅＦ２等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。【００４９】
また、半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。尚、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。【００５０】
本発明の有機ＥＬ素子の陰極としては、電子輸送層又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。【００５１】
本発明の有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。また、これらの混合物や積層物を用いてもよい。【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子の有機薄膜層を形成する各有機薄膜層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。【００５３】
以上例示した材料及び方法により陽極、発光層等の有機薄膜層、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。【００５４】
本発明の有機ＥＬ素子では、上述した有機薄膜層の少なくとも一層が湿式法で成膜される。
湿式法による素子作製の場合、有機薄膜層の形成材料を有機溶媒に溶かした溶液を使用する。
溶液調製時に用いる溶媒例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒、ジブチルエーテルテトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリジノン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素等の硫黄系溶媒等が挙げられる。尚、使用可能な溶媒はこれらに限定されるものではなく、例えば、水も使用できる場合がある。【００５５】
形成材料の溶液は、０．１重量％以上の形成材料を溶解していることが好ましい。種々の素子構成においては通常、有機ＥＬ素子の発光層の膜厚は１０〜１００ｎｍである。また、一般的には５０ｎｍの場合が多い。この膜厚を形成するときには、最低でも０．１重量％以上の形成材料が溶けていることが望まれる。０．１重量％未満であれば、有機薄膜層を形成するのに十分な膜厚が得られず、性能低下や、大幅な色調のずれといった不具合を生じてしまう。好ましい塗布溶液の濃度は０．１重量％以上であり、さらに一般的な厚みである５０ｎｍの膜厚を形成するには０．５重量％以上の溶液濃度であることが望ましい。【００５６】
この形成材料の溶液を形成部位に、スピンコーティング、インクジェット等により塗布・乾燥することによって、有機薄膜層を形成できる。
有機薄膜層の形成材料の少なくとも１つに、低分子化合物を使用することが好ましい。有機薄膜層が低分子化合物を含有することによって、有機薄膜層の乾燥時に溶媒が飛びやすくなるため、乾燥時間の短縮及び乾燥温度を低く設定することができる。尚、低分子化合物とは、分子量が１００００以下、好ましくは３０００以下のものをいう。【００５７】
低分子化合物としては、例えば、ＰＣＴ／ＪＰ０３／１０４０２、ＰＣＴ／ＪＰ２００４／０１８１１１、特願２００４−１５７５７１号記載のアントラセン化合物又はピレン化合物を用いることができる。これらの化合物は、例えば、発光層のホスト材料として好適に使用できる。
［実施例］【００５８】
実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極付きガラス基板の透明電極が形成されている面上に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルフォン酸塩（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ、Ｔｇ：２３０℃）水溶液を用いて、スピンコート法により膜厚３０ｎｍのＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ薄膜を成膜した。【００５９】
その後、１０−７Ｐａ台の真空下で、赤外線加熱源（ハロゲンランプ）にて、基板温度が１００℃になるように加熱して４０分間乾燥した。このＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ薄膜は正孔注入層として機能する。
この膜について、昇温脱離分析（昇温脱離分析装置：電子科学株式会社製、ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ）を行ったところ、膜中の水分は検出限界（検知分圧：１．０×１０−１２Ｐａ）以下に除去されていた。尚、測定条件は１００℃、１０−７Ｐａである。
尚、測定試料は、５ｍｍ×５ｍｍにカットして測定を行った。【００６０】
その後、この膜の上に膜厚２０ｎｍのＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジン膜（ＢＰＴＰＤ膜）を蒸着法により成膜した。このＢＰＴＰＤ膜は正孔輸送層として機能する。さらに、このＢＰＴＰＤ膜上に膜厚４０ｎｍの下記化合物（Ａ）と下記ドーピング材料（ＰＡＶＢ）を４０：２の蒸着速度比で共蒸着した。この膜は発光層として機能する。
この膜上に膜厚１０ｎｍのトリス（ヒドロキシキノリン）アルミニウム（下記Ａｌｑ）膜を成膜した。このＡｌｑ膜は電子輸送層として機能する。
この後、還元性ドーパントＬｉ（Ｌｉ源：サエルゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着し電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（１０ｎｍ）を形成した。
このＡｌｑ：Ｌｉ膜上にＡｌを蒸着して金属陰極を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。【００６１】
【化５】
2006070713.tif 000006
【００６２】
この素子は、直流電圧５Ｖで１．２ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ、９９ｃｄ／ｍ２の青色発光が観測された。このときのＣＩＥ色度座標は（０．１５，０．２９）であり、発光効率は８．２ｃｄ／Ａ、５．３ｌｍ／Ｗであった。また５００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減寿命を測定したところ３０００時間であった。【００６３】
比較例１
実施例１において、ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ薄膜を下記のようにして成膜した他は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
［ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ薄膜の形成］
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルフォン酸塩（ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ）水溶液を用いて、スピンコート法により膜厚３０ｎｍのＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ薄膜を成膜した。その後、ホットプレート上で、基板温度２００℃で、２時間加熱して乾燥させて、ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ薄膜を形成した。
この膜について昇温脱離分析を行ったところ、水の検知分圧の最高値が１．０×１０−６Ｐａであった。【００６４】
この素子に電流をかけ発光させたところ、発光面にダークスポットが多く発生した。この素子では、直流電圧７Ｖで１．２ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ、６０ｃｄ／ｍ２の青色発光が観測された。このときのＣＩＥ色度座標は（０．１５，０．２９）であり、発光効率は５．０ｃｄ／Ａ、２．３ｌｍ／Ｗであった。また、５００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減寿命を測定したところ５００時間であった。
このダークスポットの要因は、ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ膜の乾燥が、ホットプレートによる加熱では不十分であったため、ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ膜中の残留水分によるものと考えられる。【００６５】
実施例２
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして、膜厚４０ｎｍのＮ，Ｎ’−ビス（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ジアミノビフェニル膜（ＴＰＤ２３２膜）を真空蒸着法により成膜した。このＴＰＤ２３２膜は正孔注入層として機能する。
続けて、このＴＰＤ２３２膜上に、膜厚４０ｎｍのＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−ビフェニル）−４，４’−ベンジジン膜（ＢＰＴＰＤ膜）を真空蒸着法により成膜した。このＢＰＴＰＤ膜は正孔輸送層として機能する。【００６６】
次に、９，１０−ビス（３−（１−ナフチル）フェニル）−２−（２−ビフェニリル）アントラセン（Ｔｇ：１３０℃）と１，６−ビス（ジフェニルアミノ）ピレンを、重量比２０：１でジオキサン：イソプロピルアルコール（容量比１：８）の混合溶媒に溶かし、３重量％の塗布溶液を調整した。
この塗布溶液を用いて、先に成膜したＢＰＴＰＤ膜上にスピンコート法により膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。
この基板を、１０−６Ｐａ台の真空下で、赤外線加熱源（ハロゲンランプ）にて、基板温度が１２０℃になるように加熱し、３０分間乾燥した。
この膜について、実施例1と同様に昇温脱離分析を行ったところ、膜中の残留溶媒は検出限界以下に除去されていた。【００６７】
続いて、この基板を大気に出さずに、基板搬送装置を用い、真空蒸着装置内に基板を移送し、膜厚３０ｎｍのトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ）を真空蒸着法により成膜した。このＡｌｑ膜は電子輸送層として機能する。
さらに、膜厚１ｎｍのふっ化リチウムを真空蒸着法により成膜し、電子注入層とした。
最後にアルミニウム陰極を真空蒸着法により成膜し、有機ＥＬ素子を作製した。【００６８】
この素子に５．０Ｖの電圧を印加したところ、２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ、色度（０．１５，０．２６）で９２ｃｄ／ｍ２の青色発光が得られた。発光効率は３．７ｃｄ／Ａ及び２．３ｌｍ／Ｗであった。また、この素子を１００ｃｄ／ｍ２から室温で定電流駆動したところ輝度半減寿命は１０８００時間であった。【００６９】
比較例２
実施例２において、発光層を下記のようにして形成した他は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
［発光層の形成］
実施例２と同じ塗布溶液を用いて、先に成膜したＢＰＴＰＤ膜上にスピンコート法により膜厚４０ｎｍの発光層を成膜した。この基板を、ホットプレート上で１２０℃、３０分間加熱し乾燥を行い発光層を形成した。【００７０】
この素子に５．０Ｖの電圧を印加したところ、２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ、色度（０．１５，０．２６）で９２ｃｄ／ｍ２の青色発光が得られた。発光効率は３．７ｃｄ／Ａ及び２．３ｌｍ／Ｗであった。また、この素子を１００ｃｄ／ｍ２から室温で定電流駆動したところ輝度半減寿命は２６００時間であった。この素子の寿命が短い要因は、発光層中の残留溶媒によると考えられる。【００７１】
比較例３
実施例２において、発光層の乾燥条件をホットプレート上で１４０℃、３０分間とした他は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
この素子に８．０Ｖの電圧を印加したところ、２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流が流れ、色度（０．２７，０．４８）で４２ｃｄ／ｍ２の青色発光が得られた。発光効率は１．７ｃｄ／Ａ及び０．７ｌｍ／Ｗであった。また、この素子を１００ｃｄ／ｍ２から室温で定電流駆動したところ輝度半減寿命は５３００時間であった。【００７２】
この素子の寿命は、実施例１よりも長いが、これは、発光層中の残留溶媒がより少ない為と考えられる。しかしながら、加熱温度が発光材料（９，１０−ビス（３−（１−ナフチル）フェニル）−２−（２−ビフェニリル）アントラセン）のＴｇ以上であるため、発光材料の熱による劣化により、発光の色度が変化してしまい、この素子は実用上使用できないものであった。
このように、残留溶媒を除去するために塗布膜の乾燥温度を上げ過ぎてしまうと材料の熱による劣化の為、素子性能を劣化させてしまうことが確認できた。【００７３】
評価例
５ｍｍ×５ｍｍ×１ｍｍ厚のガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。この基板をスピナー（株式会社アクティブ社製）に装着し、上記の化合物Ａの１ｗｔ％トルエン溶液を用い、膜厚４０ｎｍの薄膜を塗布成膜した。
その後、昇温脱離分析装置（電子科学株式会社製、ＥＭＤ−ＷＡ１０００Ｓ）にて、この塗布膜中のトルエン溶媒の昇温脱離過程を分析した。
本装置の測定条件は、１０−７Ｐａの真空下で、この薄膜を８０℃に加熱し、トルエン溶媒の昇温脱離過程、即ち、薄膜中の残留トルエンの除去過程を四重極質量分析装置（Ｍ／ｚ＝９１、９２）にて分析した。図１に昇温脱離分析により得られる測定時間とガス発生量（検知分圧：Ｐａ）の関係を示すスペクトル示す。尚、図１中、縦軸の「Ｅ−１１」は「×１０−１１」、「Ｅ−１２」は「×１０−１２」を意味する。【００７４】
図１から、４０分程度の加熱で薄膜中にある残留トルエンの脱離が完了していることが確認できた。即ち、１０−７Ｐａ台の真空下で、４０分間の８０℃加熱で塗布膜の乾燥（残留溶媒の除去）が完了していることが言える。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明の有機ＥＬ素子は、湿式法で形成した有機薄膜層を含んでいても発光寿命を向上できる。また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、湿式法で成膜した有機薄膜層の残留溶媒を高度に除去でき、しかも、乾燥処理を低温化、短時間化できるので、有機薄膜層を形成する材料の劣化を防止できる。
以上より本発明は、有機ＥＬ素子を使用した表示装置の大画面化を達成するために有効な技術である。
【図１】
2006070713.tif 000007
【図２】
2006070713.tif 000008
【図３】
2006070713.tif 000009
【国際調査報告】
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2006070713.tif 000011
2006070713.tif 000012
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