(57)【要約】基板上面（１ａ）に設けた複数の上面パッド（２ａ）と、基板（１）を挟んで各上面パッド（２ａ）にそれぞれ対応させて基板下面（１ｂ）に設けた複数の下面パッド（２ｂ）と、前記上面パッド（２ａ）に接合された第１バンプ（８ａ）を有する第１半導体チップ（４）と、前記下面パッド（２ｂ）に接合された第２バンプ（８ｂ）を有する第２半導体チップ（５）とを備えたことにより、半導体チップと回路基板との接続信頼性が向上した半導体チップの両面実装構造体を実現する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．基板上面（１ａ）に設けた複数の上面パッド（２ａ）と、基板（１）を挟んで各上面パッド（２ａ）にそれぞれ対応させて基板下面（１ｂ）に設けた複数の下面パッド（２ｂ）と、前記上面パッド（２ａ）に接合された第１バンプ（８ａ）を有する第１半導体チップ（４）と、前記下面パッド（２ｂ）に接合された第２バンプ（８ｂ）を有する第２半導体チップ（５）とを備えた半導体チップの実装構造体。
【請求項２】
２．第１のバンプ（８ａ）が接合された上面パッド（２ａ）に対応する下面パッド（２ｂ）には第２のバンプ（８ｂ）が接合されてなる請求項１に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項３】
３．前記半導体チップ（４，５）には配線回路と接続されていない非導通パッド（７ｃ，７ｄ）が設けられ、これら非導通パッド（７ｃ，７ｄ）と基板１との間にはスペーサーが接合されてなる請求項１に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項４】
４．前記スペーサーは、ダミーバンプ（１８）、またはダミーパッド（２０）、もしくはダミーバンプ（１８）とダミーパッド（２０）の組合せからなる請求項３に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項５】
５．基板（１）は、厚さが０．１５ｍｍ以下の、フィラー入り硬質タイプ基板である請求項１に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項６】
６．基板上面（１ａ）に設けられた複数の上面パッド（２ａ）と、基板（１）を挟んで各上面パッド（２ａ）にそれぞれ対応させて基板下面（１ｂ）に設けられた複数の下面パッド（２ｂ）とを有する基板（１）に、第１バンプ（８ａ）が接合された複数の電極パッド（７ａ）を有する第１半導体チップ（４）を、各第１バンプ（８ａ）を各上面パッド（２ａ）に位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプ（８ｂ）が接合された複数の電極パッド（７ｂ）を有する第２半導体チップ（５）を、各第２バンプ（８ｂ）を各下面パッド（２ｂ）に位置合わせして基板（１）に仮固定し、前記第１及び第２半導体チップ（４，５）をそれぞれ基板（１）に向かって加圧しながら加熱する半導体チップの実装構造体の製造方法。
【請求項７】
７．複数の電極パッド（７ａ）と配線回路に接続されていない非導通パッド（７ｃ）を備えた第１半導体チップ（４）と、複数の電極パッド（７ｂ）と配線回路に接合されていない非導通パッド（７ｄ）を備えた第２半導体チップ（５）と、前記第１半導体チップ（４）の電極パッド（７ａ）に対応する位置に設けられた上面パッド（２ａ）と、前記第２半導体チップ（５）の電極パッド（７ｂ）に対応する位置に設けられた下面パッド（２ｂ）を有する基板（１）とを備えた半導体チップの実装構造体であって、
前記上面パッド（２ａ）と電極パッド（７ａ）とが第１バンプ（８ａ）にて接合され、前記下面パッド（２ｂ）と電極パッド（７ｂ）とが第２バンプ（８ｂ）にて接合され、
非導通パッド（７ｃ，７ｄ）と基板（１）とがダミーバンプ１８にて接合された半導体チップの実装構造体。
【請求項８】
８．第１バンプ（８ａ）が接合された複数の電極パッド（７ａ）とダミーバンプ（１８）が接合された配線回路に接続されていない非導通パッド（７ｃ）とを備えた第１半導体チップ（４）を、前記第１バンプ（８ａ）を基板上面（１ａ）の上面パッド（２ａ）に位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプ（８ｂ）が接合された複数の電極パッド（７ｂ）とダミーバンプ（１８）が接合された配線回路に接続されていない非導通パッド（７ｄ）とを備えた第２半導体チップ（５）を、前記第２バンプ（８ｂ）を基板下面（１ｂ）の下面パッド（２ｂ）に位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップ（４，５）をそれぞれ基板（１）に向かって加圧しながら加熱し、非導通パッド（７ｃ，７ｄ）に接合されたダミーバンプ（１８）を基板（１）に直接接合させる半導体チップの実装構造体の製造方法。
【請求項９】
９．一端側に２つの電極パッド（７ａ）が隣接して備えられ、他端側に１つの電極パッド（７ａ）が備えられた第１半導体チップ（４）と、一端側に１つの電極パッド（７ｂ）が備えられ、他端側に２つの電極パッド（７ｂ）が隣接して備えられた第２半導体チップと、前記第１半導体チップ（４）の電極パッド（７ａ）に対応する位置に設けられた上面パッド（２ａ）と前記第２半導体チップ（５）の電極パッド（７ｂ）に対応する位置に設けられた下面パッド（２ｂ）とを有する基板（１）とを備えた半導体チップの実装構造体であって、
前記上面パッド（２ａ）と電極パッド（７ａ）とが第１バンプ（８ａ）にて接合され、前記下面パッド（２ｂ）と電極パッド（７ｂ）とが第２バンプ（８ｂ）にて接合され、
基板（１）の一端側において、基板上面（１ａ）側の２つの電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）同士の中間点と、基板下面（１ｂ）側の電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）の幅方向中心とが、基板（１）に対して直交する線上に一致し、
基板（２）の他端側において、基板上面（１ａ）側の電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）の幅方向中心と、基板下面（１ｂ）側の２つの電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）同士の中間点とが、基板（１）に対して直交する線上に一致する半導体チップの実装構造体。
【請求項１０】
１０．一端側に第１バンプ（８ａ）が接合された２つの電極パッド（７ａ）を隣接して備え、他端側に第１バンプ（８ａ）が接合された１つの電極パッド（７ａ）を備えた第１半導体チップ（４）を、前記第１バンプ（８ａ）を基板上面（１ａ）の上面パッド（２ａ）に位置合わせして仮固定すると共に、一端側に第２バンプ（８ｂ）が接合された１つの電極パッド（７ｂ）を備え、他端側に第２バンプ（８ｂ）が接合された２つの電極パッド（７ｂ）を隣接して備えた第２半導体チップを、前記第２バンプ（８ｂ）を基板下面（１ｂ）の下面パッド（２ｂ）に位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップ（４，５）をそれぞれ基板（１）に向かって加圧しながら加熱する半導体チップの実装構造体の製造方法であって、
基板（１）の一端側において、基板上面（１ａ）側の２つの電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）同士の中間点と、基板下面（１ｂ）側の電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）の幅方向中心とが、基板（１）に対して直交する線上に一致し、
基板（２）の他端側において、基板上面（１ａ）側の電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）の幅方向中心と、基板下面（１ｂ）側の２つの電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）同士の中間点とが、基板（１）に対して直交する線上に一致する半導体チップの実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体チップの実装構造体に関し、特に回路基板の両面に半導体チップの実装を行なった半導体チップの実装構造体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  半導体プロセスの微細化技術の進展に伴い、メモリー素子の高容量化が進んでいる。そのような背景のもと、記録媒体として従来から使われている磁気記録媒体や光記録媒体に替わって、一部にフラッシュメモリーのような固体メモリーが使われだしている。これらの応用例として、ＩＣカードやデジタルカメラなどのメモリーカードがあり、さらにはセキュリティー機能を持ったＳＤ（Ｓｅｃｕｒｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ）カードなどが広まっている。このようなメモリーカードは音楽情報や映像情報などを記録するために今後益々大容量化が要望されている。【０００３】  メモリーカードは小型で薄いため、この中に高容量メモリーを収容するためには半導体の実装も３次元実装や両面ベアチップ実装技術を用いて半導体チップを実装する。このような実装構造体の一例（例えば、特許文献１参照）について、図８Ａ〜図８Ｇおよび図９に基づき説明する。【０００４】  図８Ａ〜図８Ｇは従来のフリップ実装技術を用いて、半導体チップを両面に実装する製造方法を示す側面から見た縦断面図である。また、図９は、前記フリップチップ実装技術を用いて回路基板の両面に半導体チップを実装した構造体を正面から見た縦断面図である。なお、図８Ａ〜図８Ｇおよび図９において、同一部分には同一符号を付している。【０００５】  まず、図８Ａに示すように、両面の回路上の各所定位置に複数の基板電極２がそれぞれ形成された回路基板１に、これの上面１ａ上にエポキシからなる熱硬化性接着剤３が供給される。【０００６】  このとき、熱硬化性接着剤３は上面１ａの複数の基板電極２を覆う状態に供給される。一方、図８Ｂに示すように、実装すべき半導体チップ４には、その下面に設けられた複数の電極パッド７上に、この電極パッド７に対しこれの素材と融合することにより合金となって強固に固着したバンプ８が形成されている。この半導体チップ４は、真空吸着ヘッド１０に吸着保持されて回路基板１上に搬送された後、バンプ８を基板電極２に位置合わせした状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、図８Ｃに示すように、接着剤３を介し上面１ａに仮固定される。【０００７】  上記の半導体チップ４が上面１ａに仮固定された回路基板１は、図８Ｄに示すように、同じ工程において上下反転された後、上向きとなった下面１ｂ上に熱硬化性接着剤３が供給される。その後、図８Ｅに示すように、回路基板１の下面１ｂ上には真空吸着ヘッド１０に吸着保持された別の半導体チップ４が搬送される。この半導体チップ４は、バンプ８を基板電極２に対し位置合わせした状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、接着剤３を介し下面１ｂに仮固定される。【０００８】  上述のようにして上面１ａおよび下面１ｂにそれぞれ半導体チップ４が仮固定された回路基板１は、次工程に搬送されて、図８Ｆに示すように、回路基板１の上面１ａおよび下面１ｂに仮固定されている２個の半導体チップ４に対し回路基板１の上下両側から加圧加熱ヘッド１１が約３０秒間押付けられながら加熱される。これにより、図８Ｇに示すように、回路基板１の両実装面１ａ、１ｂに供給されている熱硬化性接着剤３は同時に熱硬化されて収縮し、この収縮力によって２個の半導体チップ４の全体が回路基板��の対向する実装面１ａ、１ｂに引き寄せられて、各バンプ８は対応する基板電極２にそれぞれ圧着されて電気的に接続される。また、各半導体チップ４は、回路基板１の対向する実装面１ａ、１ｂとの隙間全体に充満されて熱硬化した接着剤３によって実装面１ａ、１ｂに強固に接着される。これにより、図９に示した実装構造体が出来上がる。
【特許文献１】特開２００３−１９７８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】  しかしながら、前記の従来構造では、図９に誇張して図示しているように、半導体チップ４を回路基板１に押付けながら加熱する工程において、バンプ８が基板電極２および回路基板１を大きくたわみ変形させることにより、基板電極２が断線し、半導体チップ４と基板電極２との電気的接続を得ることができないという重大な問題が生じることがあり、これが歩留まり低下を招く原因となる。また、図９に高さＡ、Ｂで示すバンプ８の接合高さがばらつくことにより、接合部の品質低下や接合不良などの不具合が生じる。【００１０】  そこで、本発明は上記従来の課題を解決し得る半導体チップの実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  上記目的を達成するために本発明に係る半導体チップの実装構造体は、基板上面に設けた複数の上面パッドと、基板を挟んで各上面パッドにそれぞれ対応させて基板下面に設けた複数の下面パッドと、前記上面パッドに接合された第１バンプを有する第１半導体チップと、前記下面パッドに接合された第２バンプを有する第２半導体チップとを備えたものである。【００１２】  本発明によれば、基板の上面パッドと下面パッドとが、それぞれ対応する位置に設けられているため、上面パッドに第１半導体チップを、下面パッドに第２半導体チップをそれぞれ押付けながら加熱して実装する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、双方の加圧負荷が相殺されることになる。この加圧の相殺により、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。【００１３】  また、上記構成において、第１のバンプが接合された上面パッドに対応する下面パッドには第２のバンプを接合し、前記半導体チップに設けられた配線回路と接続されていない非導通パッドにはスペーサーを接合する構成とすると、半導体チップと基板との間に導電性を確保する必要のない箇所においても他と同様に基板の上下方向からの加圧負荷が相殺されることから、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。【００１４】  また、上記の構成において、スペーサーを、ダミーバンプ、またはダミーパッド、もしくはダミーバンプとダミーパッドの組合せから構成することでも同様の効果を奏することができる。【００１５】  更には、基板を、厚さが０．１５ｍｍ以下の、フィラー入り硬質タイプ基板とすると、適度な強度を備えつつも小型化・薄型化・軽量化に優れた半導体チップの実装構造体を実現することができる。【００１６】  また、本発明に係る半導体チップの実装構造体の製造方法は、基板上面に設けられた複数の上面パッドと、基板を挟んで各上面パッドにそれぞれ対応させて基板下面に設けられた複数の下面パッドとを有する基板に、第１バンプが接合された複数の電極パッドを有する第１半導体チップを、各第１バンプを各上面パッドに位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプが接合された複数の電極パッドを有する第２半導体チップを、各第２バンプを各下面パッドに位置合わせして基板に仮固定し、前記第１及び第２半導体チップをそれぞれ基板に向かって加圧しながら加熱するものである。【００１７】  本発明によれば、基板の上面パッドと下面パッドとが、それぞれ対応するように位置合わせされているため、上面パッドに第１半導体チップを、下面パッドに第２半導体チップをそれぞれ加圧しながら加熱して実装する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、両加圧負荷が相殺されることによって、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止することができる。【００１８】  また、本発明に係る別の半導体チップの実装構造体は、複数の電極パッドと配線回路に接続されていない非導通パッドを備えた第１半導体チップと、複数の電極パッドと配線回路に接合されていない非導通パッドを備えた第２半導体チップと、前記第１半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた上面��ッドと、前記第２半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた下面パッドを有する基板とを備えた半導体チップの実装構造体であって、前記上面パッドと電極パッドとが第１バンプにて接合され、前記下面パッドと電極パッドとが第２バンプにて接合され、非導通パッドと基板とがダミーバンプにて接合されたものであり、この構成においても、基板の上下からの加圧方向が基板を介して上下方向において一致して、双方の加圧負荷が相殺されることになり、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。【００１９】  本発明に係る別の半導体チップの実装構造体の製造方法は、第１バンプが接合された複数の電極パッドとダミーバンプが接合された配線回路に接続されていない非導通パッドとを備えた第１半導体チップを、前記第１バンプを基板上面の上面パッドに位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプが接合された複数の電極パッドとダミーバンプが接合された配線回路に接続されていない非導通パッドとを備えた第２半導体チップを、前記第２バンプを基板下面の下面パッドに位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップをそれぞれ基板に向かって加圧しながら加熱し、非導通パッドに接合されたダミーバンプを基板に直接接合させるものであり、この製造方法によっても、基板の上下方向からの加圧負荷を基板を介して上下方向において一致させて、双方の加圧負荷を相殺し、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止することができる。【００２０】  また、本発明に係る更に別の半導体チップの実装構造体は、一端側に２つの電極パッドが隣接して備えられ、他端側に１つの電極パッドが備えられた第１半導体チップと、一端側に１つの電極パッドが備えられ、他端側に２つの電極パッドが隣接して備えられた第２半導体チップと、前記第１半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた上面パッドと前記第２半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた下面パッドとを有する基板とを備えた半導体チップの実装構造体であって、前記上面パッドと電極パッドとが第１バンプにて接合され、前記下面パッドと電極パッドとが第２バンプにて接合され、基板の一端側において、基板上面側の２つの電極パッド及び上面パッド同士の中間点と、基板下面側の電極パッド及び下面パッドの幅方向中心とが、基板に対して直交する線上に一致し、基板の他端側において、基板上面側の電極パッド及び上面パッドの幅方向中心と、基板下面側の２つの電極パッド及び下面パッド同士の中間点とが、基板に対して直交する線上に一致するものであり、この構成においても、基板の上下からの加圧方向が基板を介して上下方向において一致して、双方の加圧負荷が相殺されることになり、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。【００２１】  本発明の更に別の半導体チップの実装構造体の製造方法は、一端側に第１バンプが接合された２つの電極パッドを隣接して備え、他端側に第１バンプが接合された１つの電極パッドを備えた第１半導体チップを、前記第１バンプを基板上面の上面パッドに位置合わせして仮固定すると共に、一端側に第２バンプが接合された１つの電極パッドを備え、他端側に第２��ンプが接合された２つの電極パッドを隣接して備えた第２半導体チップを、前記第２バンプを基板下面の下面パッドに位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップをそれぞれ基板に向かって加圧しながら加熱する半導体チップの実装構造体の製造方法であって、基板の一端側において、基板上面側の２つの電極パッド及び上面パッド同士の中間点と、基板下面側の電極パッド及び下面パッドの幅方向中心とが、基板に対して直交する線上に一致し、基板の他端側において、基板上面側の電極パッド及び上面パッドの幅方向中心と、基板下面側の２つの電極パッド及び下面パッド同士の中間点とが、基板に対して直交する線上に一致するものであり、この製造方法によっても、基板の上下方向からの加圧負荷を基板を介して上下方向において一致させて、双方の加圧負荷を相殺し、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｄは、同実施の形態に係る回路基板の両面に半導体チップをフリップチップ方式で実装してなる実装構造体の製造過程を工程順に示した図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｂは、同実施の形態に係る回路基板の両面に半導体チップをフリップチップ方式で実装してなる実装構造体の製造過程を工程順に示した図である。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態３に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態４に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態５に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図８】図８Ａ〜図８Ｇは、回路基板の両面に半導体チップをフリップチップ方式で実装してなる実装構造体の従来の製造過程の一例を工程順に示した側面から見た縦断面図である。
【図９】図９は、従来の半導体チップの実装構造体の一例を正面から見た縦断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】  以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係る半導体チップの両面実装構造体を正面から見た縦断面図である。図１に示すように、ガラス繊維またはアラミド繊維とエポキシ樹脂とで構成された樹脂多層回路基板１の上面１ａに、半導体チップ４をＳＢＢ（Ｓｔｕｄ  Ｂｕｍｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）等のフリップチップ実装技術を用いて実装する。続いて、その裏面である下面１ｂに半導体チップ５を同様に実装する。半導体チップ４と基板上面１ａとの間、及び半導体チップ５と基板下面１ｂとの間は、上面及び下面パッド２ａ、２ｂと第１及び第２バンプ８ａ、８ｂにて電気的及び機械的に接合されており、これらパッド２ａ、２ｂ及びバンプ８ａ、８ｂは基板上面１ａ側のものと基板下面１ｂ側のものとが一対となり、それぞれの接合中心９が基板１を介して上下方向に重なる（一致する）ようにして実装される。つまり、実施の形態１の半導体チップの実装構造体では、図１に示すように、基板上面１ａに設けた複数の上面パッド２ａと、基板１を挟んで各上面パッド２ａにそれぞれ対応させて基板下面１ｂに設けた複数の下面パッド２ｂと、各上面パッド２ａに接合された複数の第１バンプ８ａを有する第１半導体チップ４と、各下面パッド２ｂに接合された複数の第２バンプ８ｂを有する第２半導体チップ５とを備えた構成となっている。【００２４】  実施の形態１に係る半導体チップの両面実装構造体の製造方法を、図２Ａ〜図３Ｂに基づいて説明する。図２Ａ〜図２Ｄおよび図３Ａ〜図３Ｂは、フリップチップ実装技術を用いて、半導体チップを両面に実装する製造方法を示す正面から見た縦断面図である。【００２５】  まず、図２Ａに示すように、上下面１ａ、１ｂの回路上の複数の所定位置に上面パッド２ａおよび下面パッド２ｂがそれぞれ形成された回路基板１には、これの上面１ａ上にエポキシからなる熱硬化性接着剤３が供給される。このとき、熱硬化性接着剤３は上面１ａの上面パッド２ａを覆う状態に供給される。一方、図２Ｂに示すように、実装すべき半導体チップ４には、その一面に設けられた電極パッド７ａ上に、この電極パッド７ａに対しこれの素材と融合することにより合金となって強固に固着したバンプ８ａが形成されている。この半導体チップ４は、真空吸着ヘッド１０に吸着保持されて回路基板１上に搬送された後、バンプ８ａを上面パッド２ａに位置合わせした状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、図２Ｃに示すように、接着剤３を介し上面１ａに仮固定される。【００２６】  上記の半導体チップ４が上面１ａに仮固定された回路基板１は、図２Ｄに示すように、同じ工程において上下反転された後、上向きとなった下面１ｂ上に熱硬化性接着剤３が供給される。その後、図３Ａに示すように、回路基板１の下面１ｂ上には真空吸着ヘッド１０に吸着保持された別の半導体チップ５が搬送される。そして、基板上面１ａ側の半導体チップ４の各接合中心９が、基板下面１ｂ側の半導体チップ５の各接合中心９とそれぞれ互いに重なる（一致する）ように配置され、回路基板１を挟んで半導体チップ４と半導体チップ５とが対向するように位置合わせされた状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、接着剤３を介し基���の上下面１ａ、１ｂにそれぞれ仮固定される。【００２７】  上述のようにして基板の上下面１ａ、１ｂに半導体チップ４、５がそれぞれ仮固定された回路基板１は、次工程に搬送されて、図３Ｂに示すように、回路基板１の上下面１ａ、１ｂに仮固定されている２個の半導体チップ４、５が、回路基板１の上下両方向から加圧加熱ヘッド１１により約３０秒間押付けられながら加熱される。この加圧工程において、基板上面１ａの上面パッド２ａとバンプ８ａの接合体と、基板下面１ｂの下面パッド２ｂとバンプ８ｂの接合体とが、それぞれ基板１を挟んで対応する位置に設けられているため、その加圧方向が基板１を介して上下方向において接合中心９上に一致し、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺されることになる。この加圧の相殺により、回路基板１や上面パッド２ａ、下面パッド２ｂにたわみ変形などが発生することなく、半導体チップ４、５を回路基板１に実装することができる。そして、回路基板１の上下両実装面１ａ、１ｂに供給されている熱硬化性接着剤３は同時に熱硬化されて収縮し、この収縮力によって２個の半導体チップ４、５の全体が回路基板１の対応する実装面１ａ、１ｂに引き寄せられて、第１及び第２バンプ８ａ、８ｂと、これらに対応する上面及び下面パッド２ａ、２ｂがそれぞれ圧着されて電気的に接続される。また、各半導体チップ４、５は、回路基板１の対応する実装面１ａ、１ｂとの隙間全体に充満されて熱硬化した接着剤３によって実装面１ａ、１ｂに強固に接着される。これにより、図１に示した実装構造体が出来上がる。【００２８】  なお、上記の半導体チップの実装構造体において、実装形態としては、フリップチップ実装ではなく、フェイスアップによるベアッチップ実装でも構わない。また、製造方法としては、上面１ａおよび下面１ｂを逐次実装する方法ではなく、両面を同時に実装する方式でも構わない。【００２９】  （実施の形態２）
次に実施の形態２にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図４を参照して説明する。なお、実施の形態１において説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。実施の形態１における半導体チップの実装構造体においては、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ５に設けられた全ての電極パッド７ａ、７ｂが、上面パッド２ａと第１バンプ８ａ、または下面パッド２ｂと第２バンプ８ｂを間に介して基板１と接続された構成となっている。ところが、配線パターンによっては、配線が接続されていない電極パッド（非導通パッド）も存在する。本実施の形態においては、第１半導体チップ４の非導通パッド７ｃと、第２半導体チップ５の非導通パッド７ｄがこれにあたる。ここで、配線が接続されていない非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間にバンプやパッドを設けることなく基板１の上下方向から加圧負荷を与えた場合、基板１の何れか一方側の面にしかバンプやパッドが存在しない箇所では、基板１の上下方向からの加圧負荷に差が生じて基板１が大きくたわみ変形する恐れがある。そこで、非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間に実装構造体の機能動作上に無関係なスペーサーを設けることで、基板１の上下方向からの加圧負荷を相殺させて、基板１のたわみ変形を抑制することができる。【００３０】  図４に示す例では、非導通パッド７ｃと基板１との間にはスペーサーとしてのダミーパッド２０およびダミーバンプ１８が設けられており、同様に非導通パッド７ｄと基板１との間にもスペーサーとしてのダミーパッド２０およびダミーバンプ１８が設けられている。基板下面１ｂ側のダミーパッド２０は、基板１を介して上面パッド２ａに対応する位置に設けられており、基板上面１ａ側のダミーパッド２０は、基板１を介して下面パッド２ｂに対応する位置に設けられている。ダミーパッド２０及びダミーバンプ１８は、実装構造体の機能動作上に無関係なものであるものの、ダミーパッド２０は上面及び下面パッド２ａ、２ｂと同じ構造、素材であり、ダミーバンプ１８は第１及び第２バンプ８ａ、８ｂと同じ構造、素材であることから、加熱加圧工程において均一に圧着されるので、位置ずれや変形等の問題が生じることがない。このように非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間にスペーサーを設けた構成とすると、第１半導体チップ４側の各接合中心９と第２半導体チップ５側の各接合中心９とが、それぞれ基板１を挟んで互いに対応しながら重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることから、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ｃおよび下面パッド２ｄの変形を抑制することができ、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない。このため、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。【００３１】  なお、上記の例では、スペーサーの一例としてダミーバンプ１８とダミーパッド２０の組合せを適用した構成を説明したが、これらの他にも、ダミーパッド２０のみを用いてこれに通常のバンプ８ａ、８ｂを接合した構成としたり、通常の上面及び下面パッド２ａ、２ｂにダミーバンプ１８を��合した構成としても同様の効果が得られる。【００３２】  （実施の形態３）
次に、実施の形態３にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図５を参照して説明する。なお、先に説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。図５に示す例では、第１半導体チップ４に非導通パッド７ｃが１箇所設けられ、第２半導体チップ５にも非導通パッド７ｄが１箇所設けられている。ここで実施の形態２との大きな違いは、隣接する複数のバンプ（８ａ、１８または８ｂ、１８）と接合が可能な大きさの幅広の上面パッド２ｃと下面パッド２ｄを、基板１を介して互いに対応する位置に備えていることである。基板上面１ａ側では、幅広の上面パッド２ｃがダミーバンプ１８と第１バンプ８ａに接合しており、基板下面１ｂ側では、幅広の下面パッド２ｄが第２バンプ８ｂとダミーバンプ１８に接合している。ここで、ダミーバンプ１８は、実装構造体の機能動作上に無関係なスペーサーとして設けられているものの、第１及び第２バンプ８ａ、８ｂと同じ構造、素材であることから、加熱加圧工程において均一に圧着されるので、位置ずれや変形等の問題が生じることがない。このように隣接する複数のパンプ（８ａ、１８または８ｂ、１８）と接合可能な大きさの幅広のパッド２ｃ、２ｄを設けたとしても、幅広の上面パッド２ｃと下面パッド２ｄは、基板１を介して互いに対応する位置に設けられており、非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間にはスペーサーであるダミーバンプ１８が設けられていることから、第１半導体チップ４側の接合中心９と第２半導体チップ５側の接合中心９とが、それぞれ基板１を挟んで互いに対応しながら重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることから、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ｃおよび下面パッド２ｄの変形を抑制することができ、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない。このため、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。【００３３】  （実施の形態４）
次に、実施の形態４にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図６を参照して説明する。なお、先に説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。図６は実施の形態４に係る半導体チップの両面実装構造体を正面から見た縦断面図であり、第１半導体チップ４には非導通パッド７ｃが１箇所設けられており、第２半導体チップ５にも非導通パッド７ｄが１箇所設けられている。これら非導通パッド７ｃ、７ｄにはダミーバンプ１８がスペーサーとして接合されているが、前述の実施の形態との違いは、ダミーバンプ１８が、上面及び下面パッド２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、またはダミーパッド２０（図４、図５参照）を介することなく、基板１に直接接合されていることである。このように、実装構造体の機能動作上に無関係なダミーバンプ１８のみをスペーサーとして設けた構成としても、基板１を挟んで対応する各接合中心９が、基板１を挟んで互いに重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることから、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ａおよび下面パッド２ｂの変形を抑制することができ、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない。このため、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。【００３４】  （実施の形態５）
次に実施の形態５にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図７を参照して説明する。なお、先に説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。図７は、本発明の実施の形態５に係る半導体チップの両面実装構造体を正面から見た縦断面図である。図７の左側においては、基板上面１ａに２つの上面パッド２ａが互いに極めて近い距離に設けられており、基板下面１ｂには１つの下面パッド２ｂが設けられている。図７の右側においては、基板上面１ａに１つの上面パッド２ａが設けられており、基板下面１ｂには２つの下面パッド２ｂが互いに極めて近い距離に設けられている。また、第１半導体チップ４には、電極パッド７ａが基板１の各上面パッド２ａに対応する位置に設けられており、第２半導体チップ５には、電極パッド７ｂが基板１の各下面パッド２ｂに対応する位置に設けられている。そして、第１半導体チップ４の電極パッド７ａと上面パッド２ａとの間には第１バンプ８ａが接合され、第２半導体チップ５の電極パッド７ｂと下面パッド２ｂｔの間には第２バンプ８ｂが接合されている。ここで重要な点は、基板１の左側では、２つの上面パッド２ａ同士の中間点と、第１半導体チップ４の２つの電極パッド７ａ同士の中間点と、下面パッド２ｂの幅方向中心と、第２半導体チップ５の電極パッド７ｂの幅方向中心とが、図に示す接合線２０上に重なる（一致する）ように位置合わせがなされており、基板１の右側では上面パッド２ａの幅方向中心と、第１半導体チップ４の電極パッド７ａの幅方向中心と、２つの下面パッド２ｂ同士の中間点と、第２半導体チップ５の２つの電極パッド７ｂ同士の中間点とが、図に示す接合線２０上に重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることにある。【００３５】  このように基板１の上下方向からの加圧負荷が力学的なつり合いを保つ範囲に上面パッド２ａと下面パッド２ｂを設けた構成とすれば、基板１を挟んで対応する位置に互いの接合中心９が重なる（一致する）ようにな構成としなくとも、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ａおよび下面パッド２ｂの変形が抑制され、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。なお、本実施の形態においては、図７に示す構成についてのみ詳細に説明したが、これに限ることなく、例えば、基板上面１ａ側の左右両端にそれぞれ２つの上面パッド２ａを互いに極めて近い距離に設け、基板下面１ｂ側の左右両端にそれぞれ１つの下面パッド２ｂを、それらの幅方向中心が基板１を挟んで対応する位置にある２つの上面パッド２ａ同士の中間点と接合線２０上で重なる（一致する）ように構成することも可能である。更には、基板上面１ａ側の左右両端にそれぞれ２つの上面パッド２ａを互いに極めて近い距離に設け、基板下面１ｂ側の左右両端にそれぞれ３つの下面パッド２ｂを、それら３つの下面パッド２ｂ全体の幅方向中心が基板１を挟んで対応する位置にある２つの上面パッド２ａ同士の中間点と接合線２０上で重なる（一致する）ように構成することも可能である。【００���６】  また、上記の実施形態ではガラス繊維またはアラミド繊維とエポキシ樹脂とで構成した樹脂多層回路基板１を用いた例を説明したが、この他にもフィラー入りの硬質タイプの多層回路基板１を適用することもでき、フィラーの例としては、界面制御を施した金属水酸化物を主とした無機フィラーが適用される。フィラー入り硬質タイプ基板を用いれば、その厚みを、０．１５〜０．１０ｍｍ程度まで薄くすることができ、さらには、０．０４ｍｍ程度まで薄くすることができる。このため、適度な強度を備えつつも小型化・薄型化・軽量化に優れた構成を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】  以上説明したとおり、本発明の実装構造体によれば、基板の上下方向から第１および第２半導体チップを基板に対し加熱加圧する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、両加圧負荷が相殺されることから、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形の防止を実現できる。また、基板の断線や接合高さばらつきが発生せず、両面に半導体チップを実装した高い接続信頼性を有する両面ベアＩＣの実装構造体を実現することができることから、半導体チップと同寸法にパッケージするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）や複数の半導体チップを回路基板上に実装するＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）等の電子部品の実装構造体として用いることに適している。
【図１】
2006070863.tif 000002
【図２】
2006070863.tif 000003
【図３】
2006070863.tif 000004
【図４】
2006070863.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
2006070863.tif 000008
【図８】
2006070863.tif 000009
【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成19年6月22日(2007.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上面（１ａ）に設けた複数の上面パッド（２ａ）と、基板（１）を挟んで各上面パッド（２ａ）にそれぞれ対応させて基板下面（１ｂ）に設けた複数の下面パッド（２ｂ）と、前記上面パッド（２ａ）に接合された第１バンプ（８ａ）を有する第１半導体チップ（４）と、前記下面パッド（２ｂ）に接合された第２バンプ（８ｂ）を有する第２半導体チップ（５）とを備えた半導体チップの実装構造体。
【請求項２】
第１のバンプ（８ａ）が接合された上面パッド（２ａ）に対応する下面パッド（２ｂ）には第２のバンプ（８ｂ）が接合されてなる請求項１に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項３】
前記半導体チップ（４，５）には配線回路と接続されていない非導通パッド（７ｃ，７ｄ）が設けられ、これら非導通パッド（７ｃ，７ｄ）と基板１との間にはスペーサーが接合されてなる請求項１に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項４】
前記スペーサーは、ダミーバンプ（１８）、またはダミーパッド（２０）、もしくはダミーバンプ（１８）とダミーパッド（２０）の組合せからなる請求項３に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項５】
基板（１）は、厚さが０．１５ｍｍ以下の、フィラー入り硬質タイプ基板である請求項１に記載の半導体チップの実装構造体。
【請求項６】
基板上面（１ａ）に設けられた複数の上面パッド（２ａ）と、基板（１）を挟んで各上面パッド（２ａ）にそれぞれ対応させて基板下面（１ｂ）に設けられた複数の下面パッド（２ｂ）とを有する基板（１）に、第１バンプ（８ａ）が接合された複数の電極パッド（７ａ）を有する第１半導体チップ（４）を、各第１バンプ（８ａ）を各上面パッド（２ａ）に位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプ（８ｂ）が接合された複数の電極パッド（７ｂ）を有する第２半導体チップ（５）を、各第２バンプ（８ｂ）を各下面パッド（２ｂ）に位置合わせして基板（１）に仮固定し、前記第１及び第２半導体チップ（４，５）をそれぞれ基板（１）に向かって加圧しながら加熱する半導体チップの実装構造体の製造方法。
【請求項７】
複数の電極パッド（７ａ）と配線回路に接続されていない非導通パッド（７ｃ）を備えた第１半導体チップ（４）と、複数の電極パッド（７ｂ）と配線回路に接合されていない非導通パッド（７ｄ）を備えた第２半導体チップ（５）と、前記第１半導体チップ（４）の電極パッド（７ａ）に対応する位置に設けられた上面パッド（２ａ）と、前記第２半導体チップ（５）の電極パッド（７ｂ）に対応する位置に設けられた下面パッド（２ｂ）を有する基板（１）とを備えた半導体チップの実装構造体であって、
前記上面パッド（２ａ）と電極パッド（７ａ）とが第１バンプ（８ａ）にて接合され、前記下面パッド（２ｂ）と電極パッド（７ｂ）とが第２バンプ（８ｂ）にて接合され、
非導通パッド（７ｃ，７ｄ）と基板（１）とがダミーバンプ１８にて接合された半導体チップの実装構造体。
【請求項８】
第１バンプ（８ａ）が接合された複数の電極パッド（７ａ）とダミーバンプ（１８）が接合された配線回路に接続されていない非導通パッド（７ｃ）とを備えた第１半導体チップ（４）を、前記第１バンプ（８ａ）を基板上面（１ａ）の上面パッド（２ａ）に位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプ（８ｂ）が接合された複数の電極パッド（７ｂ）とダミーバンプ（１８）が接合された配線回路に接続されていない非導通パッド（７ｄ）とを備えた第２半導体チップ（５）を、前記第２バンプ（８ｂ）を基板下面（１ｂ）の下面パッド（２ｂ）に位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップ（４，５）をそれぞれ基板（１）に向かって加圧しながら加熱し、非導通パッド（７ｃ，７ｄ）に接合されたダミーバンプ（１８）を基板（１）に直接接合させる半導体チップの実装構造体の製造方法。
【請求項９】
一端側に２つの電極パッド（７ａ）が隣接して備えられ、他端側に１つの電極パッド（７ａ）が備えられた第１半導体チップ（４）と、一端側に１つの電極パッド（７ｂ）が備えられ、他端側に２つの電極パッド（７ｂ）が隣接して備えられた第２半導体チップと、前記第１半導体チップ（４）の電極パッド（７ａ）に対応する位置に設けられた上面パッド（２ａ）と前記第２半導体チップ（５）の電極パッド（７ｂ）に対応する位置に設けられた下面パッド（２ｂ）とを有する基板（１）とを備えた半導体チップの実装構造体であって、
前記上面パッド（２ａ）と電極パッド（７ａ）とが第１バンプ（８ａ）にて接合され、前記下面パッド（２ｂ）と電極パッド（７ｂ）とが第２バンプ（８ｂ）にて接合され、
基板（１）の一端側において、基板上面（１ａ）側の２つの電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）同士の中間点と、基板下面（１ｂ）側の電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）の幅方向中心とが、基板（１）に対して直交する線上に一致し、
基板（２）の他端側において、基板上面（１ａ）側の電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）の幅方向中心と、基板下面（１ｂ）側の２つの電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）同士の中間点とが、基板（１）に対して直交する線上に一致する半導体チップの実装構造体。
【請求項１０】
一端側に第１バンプ（８ａ）が接合された２つの電極パッド（７ａ）を隣接して備え、他端側に第１バンプ（８ａ）が接合された１つの電極パッド（７ａ）を備えた第１半導体チップ（４）を、前記第１バンプ（８ａ）を基板上面（１ａ）の上面パッド（２ａ）に位置合わせして仮固定すると共に、一端側に第２バンプ（８ｂ）が接合された１つの電極パッド（７ｂ）を備え、他端側に第２バンプ（８ｂ）が接合された２つの電極パッド（７ｂ）を隣接して備えた第２半導体チップを、前記第２バンプ（８ｂ）を基板下面（１ｂ）の下面パッド（２ｂ）に位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップ（４，５）をそれぞれ基板（１）に向かって加圧しながら加熱する半導体チップの実装構造体の製造方法であって、
基板（１）の一端側において、基板上面（１ａ）側の２つの電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）同士の中間点と、基板下面（１ｂ）側の電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）の幅方向中心とが、基板（１）に対して直交する線上に一致し、
基板（２）の他端側において、基板上面（１ａ）側の電極パッド（７ａ）及び上面パッド（２ａ）の幅方向中心と、基板下面（１ｂ）側の２つの電極パッド（７ｂ）及び下面パッド（２ｂ）同士の中間点とが、基板（１）に対して直交する線上に一致する半導体チップの実装構造体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの実装構造体に関し、特に回路基板の両面に半導体チップの実装を行なった半導体チップの実装構造体およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスの微細化技術の進展に伴い、メモリー素子の高容量化が進んでいる。そのような背景のもと、記録媒体として従来から使われている磁気記録媒体や光記録媒体に替わって、一部にフラッシュメモリーのような固体メモリーが使われだしている。これらの応用例として、ＩＣカードやデジタルカメラなどのメモリーカードがあり、さらにはセキュリティー機能を持ったＳＤ（Ｓｅｃｕｒｅ  Ｄｉｇｉｔａｌ）カードなどが広まっている。このようなメモリーカードは音楽情報や映像情報などを記録するために今後益々大容量化が要望されている。
【０００３】
メモリーカードは小型で薄いため、この中に高容量メモリーを収容するためには半導体の実装も３次元実装や両面ベアチップ実装技術を用いて半導体チップを実装する。このような実装構造体の一例（例えば、特許文献１参照）について、図８（ａ）〜図８（ｇ）および図９に基づき説明する。
【０００４】
図８（ａ）〜図８（ｇ）は従来のフリップ実装技術を用いて、半導体チップを両面に実装する製造方法を示す側面から見た縦断面図である。また、図９は、前記フリップチップ実装技術を用いて回路基板の両面に半導体チップを実装した構造体を正面から見た縦断面図である。なお、図８（ａ）〜図８（ｇ）および図９において、同一部分には同一符号を付している。
【０００５】
まず、図８（ａ）に示すように、両面の回路上の各所定位置に複数の基板電極２がそれぞれ形成された回路基板１に、これの上面１ａ上にエポキシからなる熱硬化性接着剤３が供給される。
【０００６】
このとき、熱硬化性接着剤３は上面１ａの複数の基板電極２を覆う状態に供給される。一方、図８（ｂ）に示すように、実装すべき半導体チップ４には、その下面に設けられた複数の電極パッド７上に、この電極パッド７に対しこれの素材と融合することにより合金となって強固に固着したバンプ８が形成されている。この半導体チップ４は、真空吸着ヘッド１０に吸着保持されて回路基板１上に搬送された後、バンプ８を基板電極２に位置合わせした状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、図８（ｃ）に示すように、接着剤３を介し上面１ａに仮固定される。
【０００７】
上記の半導体チップ４が上面１ａに仮固定された回路基板１は、図８（ｄ）に示すように、同じ工程において上下反転された後、上向きとなった下面１ｂ上に熱硬化性接着剤３が供給される。その後、図８（ｅ）に示すように、回路基板１の下面１ｂ上には真空吸着ヘッド１０に吸着保持された別の半導体チップ４が搬送される。この半導体チップ４は、バンプ８を基板電極２に対し位置合わせした状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、接着剤３を介し下面１ｂに仮固定される。
【０００８】
上述のようにして上面１ａおよび下面１ｂにそれぞれ半導体チップ４が仮固定された回路基板１は、次工程に搬送されて、図８（ｆ）に示すように、回路基板１の上面１ａおよび下面１ｂに仮固定されている２個の半導体チップ４に対し回路基板１の上下両側から加圧加熱ヘッド１１が約３０秒間押付けられながら加熱される。これにより、図８（ｇ）に示すように、回路基板１の両実装面１ａ、１ｂに供給されている熱硬化性接着剤３は同時に熱硬化されて収縮し、この収縮力によって２個の半導体チップ４の全体が回路基板１の対向する実装面１ａ、１ｂに引き寄せられて、各バンプ８は対応する基板電極２にそれぞれ圧着されて電気的に接続される。また、各半導体チップ４は、回路基板１の対向する実装面１ａ、１ｂとの隙間全体に充満されて熱硬化した接着剤３によって実装面１ａ、１ｂに強固に接着される。これにより、図９に示した実装構造体が出来上がる。
【特許文献１】特開２００３−１９７８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前記の従来構造では、図９に誇張して図示しているように、半導体チップ４を回路基板１に押付けながら加熱する工程において、バンプ８が基板電極２および回路基板１を大きくたわみ変形させることにより、基板電極２が断線し、半導体チップ４と基板電極２との電気的接続を得ることができないという重大な問題が生じることがあり、これが歩留まり低下を招く原因となる。また、図９に高さＡ、Ｂで示すバンプ８の接合高さがばらつくことにより、接合部の品質低下や接合不良などの不具合が生じる。
【００１０】
そこで、本発明は上記従来の課題を解決し得る半導体チップの実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明に係る半導体チップの実装構造体は、基板上面に設けた複数の上面パッドと、基板を挟んで各上面パッドにそれぞれ対応させて基板下面に設けた複数の下面パッドと、前記上面パッドに接合された第１バンプを有する第１半導体チップと、前記下面パッドに接合された第２バンプを有する第２半導体チップとを備えたものである。
【００１２】
本発明によれば、基板の上面パッドと下面パッドとが、それぞれ対応する位置に設けられているため、上面パッドに第１半導体チップを、下面パッドに第２半導体チップをそれぞれ押付けながら加熱して実装する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、双方の加圧負荷が相殺されることになる。この加圧の相殺により、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。
【００１３】
また、上記構成において、第１のバンプが接合された上面パッドに対応する下面パッドには第２のバンプを接合し、前記半導体チップに設けられた配線回路と接続されていない非導通パッドにはスペーサーを接合する構成とすると、半導体チップと基板との間に導電性を確保する必要のない箇所においても他と同様に基板の上下方向からの加圧負荷が相殺されることから、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。
【００１４】
また、上記の構成において、スペーサーを、ダミーバンプ、またはダミーパッド、もしくはダミーバンプとダミーパッドの組合せから構成することでも同様の効果を奏することができる。
【００１５】
更には、基板を、厚さが０．１５ｍｍ以下の、フィラー入り硬質タイプ基板とすると、適度な強度を備えつつも小型化・薄型化・軽量化に優れた半導体チップの実装構造体を実現することができる。
【００１６】
また、本発明に係る半導体チップの実装構造体の製造方法は、基板上面に設けられた複数の上面パッドと、基板を挟んで各上面パッドにそれぞれ対応させて基板下面に設けられた複数の下面パッドとを有する基板に、第１バンプが接合された複数の電極パッドを有する第１半導体チップを、各第１バンプを各上面パッドに位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプが接合された複数の電極パッドを有する第２半導体チップを、各第２バンプを各下面パッドに位置合わせして基板に仮固定し、前記第１及び第２半導体チップをそれぞれ基板に向かって加圧しながら加熱するものである。
【００１７】
本発明によれば、基板の上面パッドと下面パッドとが、それぞれ対応するように位置合わせされているため、上面パッドに第１半導体チップを、下面パッドに第２半導体チップをそれぞれ加圧しながら加熱して実装する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、両加圧負荷が相殺されることによって、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止することができる。
【００１８】
また、本発明に係る別の半導体チップの実装構造体は、複数の電極パッドと配線回路に接続されていない非導通パッドを備えた第１半導体チップと、複数の電極パッドと配線回路に接合されていない非導通パッドを備えた第２半導体チップと、前記第１半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた上面パッドと、前記第２半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた下面パッドを有する基板とを備えた半導体チップの実装構造体であって、前記上面パッドと電極パッドとが第１バンプにて接合され、前記下面パッドと電極パッドとが第２バンプにて接合され、非導通パッドと基板とがダミーバンプにて接合されたものであり、この構成においても、基板の上下からの加圧方向が基板を介して上下方向において一致して、双方の加圧負荷が相殺されることになり、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。
【００１９】
本発明に係る別の半導体チップの実装構造体の製造方法は、第１バンプが接合された複数の電極パッドとダミーバンプが接合された配線回路に接続されていない非導通パッドとを備えた第１半導体チップを、前記第１バンプを基板上面の上面パッドに位置合わせして仮固定すると共に、第２バンプが接合された複数の電極パッドとダミーバンプが接合された配線回路に接続されていない非導通パッドとを備えた第２半導体チップを、前記第２バンプを基板下面の下面パッドに位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップをそれぞれ基板に向かって加圧しながら加熱し、非導通パッドに接合されたダミーバンプを基板に直接接合させるものであり、この製造方法によっても、基板の上下方向からの加圧負荷を基板を介して上下方向において一致させて、双方の加圧負荷を相殺し、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止することができる。
【００２０】
また、本発明に係る更に別の半導体チップの実装構造体は、一端側に２つの電極パッドが隣接して備えられ、他端側に１つの電極パッドが備えられた第１半導体チップと、一端側に１つの電極パッドが備えられ、他端側に２つの電極パッドが隣接して備えられた第２半導体チップと、前記第１半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた上面パッドと前記第２半導体チップの電極パッドに対応する位置に設けられた下面パッドとを有する基板とを備えた半導体チップの実装構造体であって、前記上面パッドと電極パッドとが第１バンプにて接合され、前記下面パッドと電極パッドとが第２バンプにて接合され、基板の一端側において、基板上面側の２つの電極パッド及び上面パッド同士の中間点と、基板下面側の電極パッド及び下面パッドの幅方向中心とが、基板に対して直交する線上に一致し、基板の他端側において、基板上面側の電極パッド及び上面パッドの幅方向中心と、基板下面側の２つの電極パッド及び下面パッド同士の中間点とが、基板に対して直交する線上に一致するものであり、この構成においても、基板の上下からの加圧方向が基板を介して上下方向において一致して、双方の加圧負荷が相殺されることになり、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止できる。
【００２１】
本発明の更に別の半導体チップの実装構造体の製造方法は、一端側に第１バンプが接合された２つの電極パッドを隣接して備え、他端側に第１バンプが接合された１つの電極パッドを備えた第１半導体チップを、前記第１バンプを基板上面の上面パッドに位置合わせして仮固定すると共に、一端側に第２バンプが接合された１つの電極パッドを備え、他端側に第２バンプが接合された２つの電極パッドを隣接して備えた第２半導体チップを、前記第２バンプを基板下面の下面パッドに位置合わせして仮固定し、前記第１及び第２半導体チップをそれぞれ基板に向かって加圧しながら加熱する半導体チップの実装構造体の製造方法であって、基板の一端側において、基板上面側の２つの電極パッド及び上面パッド同士の中間点と、基板下面側の電極パッド及び下面パッドの幅方向中心とが、基板に対して直交する線上に一致し、基板の他端側において、基板上面側の電極パッド及び上面パッドの幅方向中心と、基板下面側の２つの電極パッド及び下面パッド同士の中間点とが、基板に対して直交する線上に一致するものであり、この製造方法によっても、基板の上下方向からの加圧負荷を基板を介して上下方向において一致させて、双方の加圧負荷を相殺し、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形を防止することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の実装構造体によれば、基板の上下方向から第１および第２半導体チップを基板に対し加熱加圧する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、両加圧負荷が相殺されることから、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形の防止を実現できる。また、基板の断線や接合高さばらつきが発生せず、両面に半導体チップを実装した高い接続信頼性を有する両面ベアＩＣの実装構造体を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は実施の形態１に係る半導体チップの両面実装構造体を正面から見た縦断面図である。図１に示すように、ガラス繊維またはアラミド繊維とエポキシ樹脂とで構成された樹脂多層回路基板１の上面１ａに、半導体チップ４をＳＢＢ（Ｓｔｕｄ  Ｂｕｍｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）等のフリップチップ実装技術を用いて実装する。続いて、その裏面である下面１ｂに半導体チップ５を同様に実装する。半導体チップ４と基板上面１ａとの間、及び半導体チップ５と基板下面１ｂとの間は、上面及び下面パッド２ａ、２ｂと第１及び第２バンプ８ａ、８ｂにて電気的及び機械的に接合されており、これらパッド２ａ、２ｂ及びバンプ８ａ、８ｂは基板上面１ａ側のものと基板下面１ｂ側のものとが一対となり、それぞれの接合中心９が基板１を介して上下方向に重なる（一致する）ようにして実装される。つまり、実施の形態１の半導体チップの実装構造体では、図１に示すように、基板上面１ａに設けた複数の上面パッド２ａと、基板１を挟んで各上面パッド２ａにそれぞれ対応させて基板下面１ｂに設けた複数の下面パッド２ｂと、各上面パッド２ａに接合された複数の第１バンプ８ａを有する第１半導体チップ４と、各下面パッド２ｂに接合された複数の第２バンプ８ｂを有する第２半導体チップ５とを備えた構成となっている。
【００２５】
実施の形態１に係る半導体チップの両面実装構造体の製造方法を、図２（ａ）〜図３（ｂ）に基づいて説明する。図２（ａ）〜図２（ｄ）および図３（ａ）〜図３（ｂ）は、フリップチップ実装技術を用いて、半導体チップを両面に実装する製造方法を示す正面から見た縦断面図である。
【００２６】
まず、図２（ａ）に示すように、上下面１ａ、１ｂの回路上の複数の所定位置に上面パッド２ａおよび下面パッド２ｂがそれぞれ形成された回路基板１には、これの上面１ａ上にエポキシからなる熱硬化性接着剤３が供給される。このとき、熱硬化性接着剤３は上面１ａの上面パッド２ａを覆う状態に供給される。一方、図２（ｂ）に示すように、実装すべき半導体チップ４には、その一面に設けられた電極パッド７ａ上に、この電極パッド７ａに対しこれの素材と融合することにより合金となって強固に固着したバンプ８ａが形成されている。この半導体チップ４は、真空吸着ヘッド１０に吸着保持されて回路基板１上に搬送された後、バンプ８ａを上面パッド２ａに位置合わせした状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、図２（ｃ）に示すように、接着剤３を介し上面１ａに仮固定される。
【００２７】
上記の半導体チップ４が上面１ａに仮固定された回路基板１は、図２（ｄ）に示すように、同じ工程において上下反転された後、上向きとなった下面１ｂ上に熱硬化性接着剤３が供給される。その後、図３（ａ）に示すように、回路基板１の下面１ｂ上には真空吸着ヘッド１０に吸着保持された別の半導体チップ５が搬送される。そして、基板上面１ａ側の半導体チップ４の各接合中心９が、基板下面１ｂ側の半導体チップ５の各接合中心９とそれぞれ互いに重なる（一致する）ように配置され、回路基板１を挟んで半導体チップ４と半導体チップ５とが対向するように位置合わせされた状態で熱硬化性接着剤３に軽く押付けられて、接着剤３を介し基板の上下面１ａ、１ｂにそれぞれ仮固定される。
【００２８】
上述のようにして基板の上下面１ａ、１ｂに半導体チップ４、５がそれぞれ仮固定された回路基板１は、次工程に搬送されて、図３（ｂ）に示すように、回路基板１の上下面１ａ、１ｂに仮固定されている２個の半導体チップ４、５が、回路基板１の上下両方向から加圧加熱ヘッド１１により約３０秒間押付けられながら加熱される。この加圧工程において、基板上面１ａの上面パッド２ａとバンプ８ａの接合体と、基板下面１ｂの下面パッド２ｂとバンプ８ｂの接合体とが、それぞれ基板１を挟んで対応する位置に設けられているため、その加圧方向が基板１を介して上下方向において接合中心９上に一致し、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺されることになる。この加圧の相殺により、回路基板１や上面パッド２ａ、下面パッド２ｂにたわみ変形などが発生することなく、半導体チップ４、５を回路基板１に実装することができる。そして、回路基板１の上下両実装面１ａ、１ｂに供給されている熱硬化性接着剤３は同時に熱硬化されて収縮し、この収縮力によって２個の半導体チップ４、５の全体が回路基板１の対応する実装面１ａ、１ｂに引き寄せられて、第１及び第２バンプ８ａ、８ｂと、これらに対応する上面及び下面パッド２ａ、２ｂがそれぞれ圧着されて電気的に接続される。また、各半導体チップ４、５は、回路基板１の対応する実装面１ａ、１ｂとの隙間全体に充満されて熱硬化した接着剤３によって実装面１ａ、１ｂに強固に接着される。これにより、図１に示した実装構造体が出来上がる。
【００２９】
なお、上記の半導体チップの実装構造体において、実装形態としては、フリップチップ実装ではなく、フェイスアップによるベアッチップ実装でも構わない。また、製造方法としては、上面１ａおよび下面１ｂを逐次実装する方法ではなく、両面を同時に実装する方式でも構わない。
【００３０】
（実施の形態２）
次に実施の形態２にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図４を参照して説明する。なお、実施の形態１において説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。実施の形態１における半導体チップの実装構造体においては、第１の半導体チップ４と第２の半導体チップ５に設けられた全ての電極パッド７ａ、７ｂが、上面パッド２ａと第１バンプ８ａ、または下面パッド２ｂと第２バンプ８ｂを間に介して基板１と接続された構成となっている。ところが、配線パターンによっては、配線が接続されていない電極パッド（非導通パッド）も存在する。本実施の形態においては、第１半導体チップ４の非導通パッド７ｃと、第２半導体チップ５の非導通パッド７ｄがこれにあたる。ここで、配線が接続されていない非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間にバンプやパッドを設けることなく基板１の上下方向から加圧負荷を与えた場合、基板１の何れか一方側の面にしかバンプやパッドが存在しない箇所では、基板１の上下方向からの加圧負荷に差が生じて基板１が大きくたわみ変形する恐れがある。そこで、非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間に実装構造体の機能動作上に無関係なスペーサーを設けることで、基板１の上下方向からの加圧負荷を相殺させて、基板１のたわみ変形を抑制することができる。
【００３１】
図４に示す例では、非導通パッド７ｃと基板１との間にはスペーサーとしてのダミーパッド２０およびダミーバンプ１８が設けられており、同様に非導通パッド７ｄと基板１との間にもスペーサーとしてのダミーパッド２０およびダミーバンプ１８が設けられている。基板下面１ｂ側のダミーパッド２０は、基板１を介して上面パッド２ａに対応する位置に設けられており、基板上面１ａ側のダミーパッド２０は、基板１を介して下面パッド２ｂに対応する位置に設けられている。ダミーパッド２０及びダミーバンプ１８は、実装構造体の機能動作上に無関係なものであるものの、ダミーパッド２０は上面及び下面パッド２ａ、２ｂと同じ構造、素材であり、ダミーバンプ１８は第１及び第２バンプ８ａ、８ｂと同じ構造、素材であることから、加熱加圧工程において均一に圧着されるので、位置ずれや変形等の問題が生じることがない。このように非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間にスペーサーを設けた構成とすると、第１半導体チップ４側の各接合中心９と第２半導体チップ５側の各接合中心９とが、それぞれ基板１を挟んで互いに対応しながら重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることから、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ｃおよび下面パッド２ｄの変形を抑制することができ、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない。このため、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。
【００３２】
なお、上記の例では、スペーサーの一例としてダミーバンプ１８とダミーパッド２０の組合せを適用した構成を説明したが、これらの他にも、ダミーパッド２０のみを用いてこれに通常のバンプ８ａ、８ｂを接合した構成としたり、通常の上面及び下面パッド２ａ、２ｂにダミーバンプ１８を接合した構成としても同様の効果が得られる。
【００３３】
（実施の形態３）
次に、実施の形態３にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図５を参照して説明する。なお、先に説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。図５に示す例では、第１半導体チップ４に非導通パッド７ｃが１箇所設けられ、第２半導体チップ５にも非導通パッド７ｄが１箇所設けられている。ここで実施の形態２との大きな違いは、隣接する複数のバンプ（８ａ、１８または８ｂ、１８）と接合が可能な大きさの幅広の上面パッド２ｃと下面パッド２ｄを、基板１を介して互いに対応する位置に備えていることである。基板上面１ａ側では、幅広の上面パッド２ｃがダミーバンプ１８と第１バンプ８ａに接合しており、基板下面１ｂ側では、幅広の下面パッド２ｄが第２バンプ８ｂとダミーバンプ１８に接合している。ここで、ダミーバンプ１８は、実装構造体の機能動作上に無関係なスペーサーとして設けられているものの、第１及び第２バンプ８ａ、８ｂと同じ構造、素材であることから、加熱加圧工程において均一に圧着されるので、位置ずれや変形等の問題が生じることがない。このように隣接する複数のパンプ（８ａ、１８または８ｂ、１８）と接合可能な大きさの幅広のパッド２ｃ、２ｄを設けたとしても、幅広の上面パッド２ｃと下面パッド２ｄは、基板１を介して互いに対応する位置に設けられており、非導通パッド７ｃ、７ｄと基板１との間にはスペーサーであるダミーバンプ１８が設けられていることから、第１半導体チップ４側の接合中心９と第２半導体チップ５側の接合中心９とが、それぞれ基板１を挟んで互いに対応しながら重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることから、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ｃおよび下面パッド２ｄの変形を抑制することができ、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない。このため、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。
【００３４】
（実施の形態４）
次に、実施の形態４にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図６を参照して説明する。なお、先に説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。図６は実施の形態４に係る半導体チップの両面実装構造体を正面から見た縦断面図であり、第１半導体チップ４には非導通パッド７ｃが１箇所設けられており、第２半導体チップ５にも非導通パッド７ｄが１箇所設けられている。これら非導通パッド７ｃ、７ｄにはダミーバンプ１８がスペーサーとして接合されているが、前述の実施の形態との違いは、ダミーバンプ１８が、上面及び下面パッド２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、またはダミーパッド２０（図４、図５参照）を介することなく、基板１に直接接合されていることである。このように、実装構造体の機能動作上に無関係なダミーバンプ１８のみをスペーサーとして設けた構成としても、基板１を挟んで対応する各接合中心９が、基板１を挟んで互いに重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることから、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に、基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ａおよび下面パッド２ｂの変形を抑制することができ、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない。このため、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。
【００３５】
（実施の形態５）
次に実施の形態５にかかる半導体チップの両面実装構造体について、図７を参照して説明する。なお、先に説明したものと同一の部材には同じ参照符号を付し、主に相違点についてのみ詳細に説明する。図７は、本発明の実施の形態５に係る半導体チップの両面実装構造体を正面から見た縦断面図である。図７の左側においては、基板上面１ａに２つの上面パッド２ａが互いに極めて近い距離に設けられており、基板下面１ｂには１つの下面パッド２ｂが設けられている。図７の右側においては、基板上面１ａに１つの上面パッド２ａが設けられており、基板下面１ｂには２つの下面パッド２ｂが互いに極めて近い距離に設けられている。また、第１半導体チップ４には、電極パッド７ａが基板１の各上面パッド２ａに対応する位置に設けられており、第２半導体チップ５には、電極パッド７ｂが基板１の各下面パッド２ｂに対応する位置に設けられている。そして、第１半導体チップ４の電極パッド７ａと上面パッド２ａとの間には第１バンプ８ａが接合され、第２半導体チップ５の電極パッド７ｂと下面パッド２ｂｔの間には第２バンプ８ｂが接合されている。ここで重要な点は、基板１の左側では、２つの上面パッド２ａ同士の中間点と、第１半導体チップ４の２つの電極パッド７ａ同士の中間点と、下面パッド２ｂの幅方向中心と、第２半導体チップ５の電極パッド７ｂの幅方向中心とが、図に示す接合線２０上に重なる（一致する）ように位置合わせがなされており、基板１の右側では上面パッド２ａの幅方向中心と、第１半導体チップ４の電極パッド７ａの幅方向中心と、２つの下面パッド２ｂ同士の中間点と、第２半導体チップ５の２つの電極パッド７ｂ同士の中間点とが、図に示す接合線２０上に重なる（一致する）ように位置合わせがなされていることにある。
【００３６】
このように基板１の上下方向からの加圧負荷が力学的なつり合いを保つ範囲に上面パッド２ａと下面パッド２ｂを設けた構成とすれば、基板１を挟んで対応する位置に互いの接合中心９が重なる（一致する）ように構成しなくとも、半導体チップの両面実装構造体の製造工程における加熱加圧時に基板１の上下方向からの加圧負荷が相殺され、回路基板１、上面パッド２ａおよび下面パッド２ｂの変形が抑制され、回路基板１の断線やバンプ８ａ、８ｂの接合高さばらつきが発生しない、接続信頼性の高い実装構造体が得られる。なお、本実施の形態においては、図７に示す構成についてのみ詳細に説明したが、これに限ることなく、例えば、基板上面１ａ側の左右両端にそれぞれ２つの上面パッド２ａを互いに極めて近い距離に設け、基板下面１ｂ側の左右両端にそれぞれ１つの下面パッド２ｂを、それらの幅方向中心が基板１を挟んで対応する位置にある２つの上面パッド２ａ同士の中間点と接合線２０上で重なる（一致する）ように構成することも可能である。更には、基板上面１ａ側の左右両端にそれぞれ２つの上面パッド２ａを互いに極めて近い距離に設け、基板下面１ｂ側の左右両端にそれぞれ３つの下面パッド２ｂを、それら３つの下面パッド２ｂ全体の幅方向中心が基板１を挟んで対応する位置にある２つの上面パッド２ａ同士の中間点と接合線２０上で重なる（一致する）ように構成することも可能である。
【００３７】
また、上記の実施形態ではガラス繊維またはアラミド繊維とエポキシ樹脂とで構成した樹脂多層回路基板１を用いた例を説明したが、この他にもフィラー入りの硬質タイプの多層回路基板１を適用することもでき、フィラーの例としては、界面制御を施した金属水酸化物を主とした無機フィラーが適用される。フィラー入り硬質タイプ基板を用いれば、その厚みを、０．１５〜０．１０ｍｍ程度まで薄くすることができ、さらには、０．０４ｍｍ程度まで薄くすることができる。このため、適度な強度を備えつつも小型化・薄型化・軽量化に優れた構成を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
以上説明したとおり、本発明の実装構造体によれば、基板の上下方向から第１および第２半導体チップを基板に対し加熱加圧する際に、その押付け加圧方向が基板を介して上下方向において一致し、両加圧負荷が相殺されることから、半導体チップ実装時の基板電極や回路基板のたわみ変形の防止を実現できる。また、基板の断線や接合高さばらつきが発生せず、両面に半導体チップを実装した高い接続信頼性を有する両面ベアＩＣの実装構造体を実現することができることから、半導体チップと同寸法にパッケージするＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）や複数の半導体チップを回路基板上に実装するＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｍｏｄｕｌｅ）等の電子部品の実装構造体として用いることに適している。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、同実施の形態に係る回路基板の両面に半導体チップをフリップチップ方式で実装してなる実装構造体の製造過程を工程順に示した図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、同実施の形態に係る回路基板の両面に半導体チップをフリップチップ方式で実装してなる実装構造体の製造過程を工程順に示した図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態４に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図７】本発明の実施の形態５に係る半導体チップの実装構造体を正面から見た縦断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｇ）は、回路基板の両面に半導体チップをフリップチップ方式で実装してなる実装構造体の従来の製造過程の一例を工程順に示した側面から見た縦断面図である。
【図９】従来の半導体チップの実装構造体の一例を正面から見た縦断面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006070863.tif 000011
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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