(57)【要約】  導体層とバンプとの電気的な接続信頼性を十分確保し、絶縁層と導体層との機械的な接続強度も十分に確保する。  層間接続のためのバンプ４が埋め込まれた絶縁層５上に導体層が形成され、この導体層とバンプ４とが電気的に接続されている。導体層は、バンプ４の形成位置に対応して開口部７が形成された第２の金属箔６と、第２の金属箔６の開口部７に臨むバンプ４の先端面４ａと接して形成される接続層９とにより構成される。作製に際しては、予め開口部７を形成した第２の金属箔６をバンプ４が埋め込まれた絶縁層５上に貼り合わせ、めっき層を形成する。あるいは、第２の金属箔６をバンプ４が埋め込まれた絶縁層５上に貼り合わせた後、開口部７を形成し、接続層９を形成する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の片面に配置された配線層と、
前記絶縁層の内部に配置され、前記配線層と電気的に接続されたバンプとを有する配線基板であって、
前記配線層は、パターニングされた金属箔と、前記金属箔に形成され、底面に前記バンプの先端面が露出された開口と、前記金属箔と前記バンプ先端面に密着され、前記金属箔と前記バンプとを電気的に接続するめっき層とを有する配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層の反対側の面にも他の配線層が配置され、
前記絶縁層の両面に位置する配線層間は前記バンプによって電気的に接続された請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記めっき層は電解めっき法によって形成された接続層を有する請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
前記バンプの前記先端面には凹部が形成され、
前記めっき層は前記凹部と密着された請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記開口底面には前記バンプ周囲の前記絶縁層が露出され、
前記めっき層は前記開口底面の前記絶縁層にも密着された請求項１記載の配線基板。
【請求項６】
前記めっき層は、前記バンプの前記先端面と、前記配線層と、前記開口底面の前記絶縁層に密着された下地導電層と、
前記下地導電層上に電解めっき法によって成長された接続層を有する請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記金属箔の厚さは５μｍ以上１０μｍ以下であり、前記めっき層の厚さは１０μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項８】
先端面が露出されたバンプを内部に有する絶縁層上に、
開口を有する金属箔を、前記開口底面に前記バンプの前記先端面が露出するように貼付する工程と、
前記バンプの前記先端面と前記金属箔に電解めっき法によって接続層を成長させる工程と、
前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法。
【請求項９】
無電解めっき法により、少なくとも前記開口の底面に下地導電層を成長させた後、前記接続層を成長させる請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する請求項９記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
内部にバンプを有する絶縁層上に、金属箔を貼付する工程と、
前記金属箔の前記バンプ上の位置に開口を形成し、前記バンプの先端面を露出させる工程と、
前記バンプの前記先端面上と前記金属箔上に電解めっき法によって接続層を成長させる工程と、
前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する請求項１１記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプにより層間接続を行う配線基板及びその製造方法に関するものであり、特に、配線層を二層以上有する多層配線基板に関する。
また、本発明は、バンプ上に形成される導体層を銅箔とめっき層とから構成し、接続や接合の信頼性を確保した新規な配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆるビルドアップ多層配線基板を製造するには、絶縁層と導体層を順次積層し、各導体層を所定の配線パターンにパターニングするとともに、各導体層間の層間接続を図る必要があり、導体層におけるファインパターンの形成と、効率的な層間接続の実現が重要な技術となる。【０００３】
従来、ビルドアップ多層配線基板の製造方法として、銅膜にバンプを形成し、これを絶縁膜に埋め込んだ後、この上に銅箔を貼り合わせてバンプとの接続をとる方法が知られている（例えば、特許文献１等を参照。）。【０００４】
特許文献１記載の発明は、バンプ形成のための選択的エッチング方法、選択的エッチング装置に関するものであるが、多層配線回路基板製造技術として、バンプ形成用の銅層の一方の主面にエッチングバリア層を形成し、このエッチングバリア層の主面に導体回路形成用の銅箔を形成した配線回路基板形成用部材をベースとして用い、それを適宜加工することにより多層配線回路基板を得る技術が開示されている。【０００５】
前記多層配線回路基板製造技術では、先ず、前記配線回路基板形成用部材の銅層を選択的エッチングして層間接続用のバンプを形成し、バンプ間を絶縁層により埋め、各バンプ間を絶縁する。次に、絶縁層、バンプの上面上に導体回路形成用の銅箔を形成する。次いで、上下両面の銅箔を選択的エッチングすることにより配線膜を形成する。これにより、上下両面の配線膜を有し、且つ配線膜間がバンプにより接続された多層配線基板が形成される。
【特許文献１】特開２００３−１２９２５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、前記多層配線回路基板製造技術により作製される多層配線基板では、成型熱圧着で銅箔とバンプの電気的接続を取っているため、接続信頼性が低いという大きな問題がある。前記の通り、バンプ形成後に絶縁層、バンプの上面上に導体回路形成用の銅箔を形成するが、銅箔は熱圧着により絶縁層上に貼り合わされることになる。このとき、銅箔と絶縁層とは、銅箔表面の微細凹凸内に絶縁層を構成する樹脂が入り込むことで、いわゆるアンカー効果により結合される。これに対して、銅箔とバンプの先端面とは、単に接しているだけの状態であり、結合力が弱く、僅かな外力によって接続不良が生じる等、接続信頼性の点で課題が多い。【０００７】
また、前記のように銅箔とバンプの接続信頼性が低いという事情から、信頼性確保のために絶縁層に使用し得る絶縁材料（樹脂材料）等が大きく制約されるという欠点もある。【０００８】
例えば、信頼性をぎりぎり確保するために、絶縁層の厚さは６０μｍ以下に制約されており、また、使用する絶縁材料も、高ガラス転移点を有し、低線膨張係数を有する絶縁材料に限定されている。これら制約は、多層配線基板の設計上の制約や、製造コストの上昇につながり、好ましいものではない。【０００９】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、配線層（導体層）とバンプとの接続信頼性を十分確保することができ、また、絶縁層に対する制約が少ない配線基板を提供することを目的とし、さらにはその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述の目的を達成するために、本発明は、絶縁層の片面に配置された配線層と、前記絶縁層の内部に配置され、前記配線層と電気的に接続されたバンプとを有する配線基板であって、前記配線層は、パターニングされた金属箔と、前記金属箔に形成され、底面に前記バンプの先端面が露出された開口と、前記金属箔と前記バンプ先端面に密着され、前記金属箔と前記バンプとを電気的に接続するめっき層とを有する配線基板である。
また、本発明は、前記絶縁層の反対側の面にも他の配線層が配置され、前記絶縁層の両面に位置する配線層間は前記バンプによって電気的に接続された配線基板である。
また、本発明は、前記めっき層は電解めっき法によって形成された接続層を有する配線基板である。
また、本発明は、前記バンプの前記先端面には凹部が形成され、前記めっき層は前記凹部と密着された配線基板である。
また、本発明は、前記開口底面には前記バンプ周囲の前記絶縁層が露出され、前記めっき層は前記開口底面の前記絶縁層にも密着された配線基板である。
また、本発明は、前記めっき層は、前記バンプの前記先端面と、前記配線層と、前記開口底面の前記絶縁層に密着された下地導電層と、前記下地導電層上に電解めっき法によって成長された接続層を有する配線基板である。
また、本発明は、前記金属箔の厚さは５μｍ以上１０μｍ以下であり、前記めっき層の厚さは１０μｍ以上１５μｍ以下の配線基板である。
また、本発明は、先端面が露出されたバンプを内部に有する絶縁層上に、開口を有する金属箔を、前記開口底面に前記バンプの前記先端面が露出するように貼付する工程と、前記バンプの前記先端面と前記金属箔に電解めっき法によって接続層を成長させる工程と、前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法である。
また、本発明は、無電解めっき法により、少なくとも前記開口の底面に下地導電層を成長させた後、前記接続層を成長させる配線基板の製造方法である。
また、本発明は、前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する配線基板の製造方法である。
また、本発明は、内部にバンプを有する絶縁層上に、金属箔を貼付する工程と、前記金属箔の前記バンプ上の位置に開口を形成し、前記バンプの先端面を露出させる工程と、前記バンプの前記先端面上と前記金属箔上に電解めっき法によって接続層を成長させる工程と、前記接続層と前記金属箔とをパターニングし、配線層を形成する工程とを有する配線基板の製造方法である。
また、本発明は、前記開口の底面には前記絶縁層を露出させ、前記下地導電層は、少なくとも前記開口底面の前記絶縁層上に形成する配線基板の製造方法である。【００１１】
本発明の配線基板では、バンプと接続される導体層が金属箔をめっき層とから構成されていることが大きな特徴である。金属箔は、絶縁層に対して接合強度を確保するために形成され、前述の通り、金属箔表面の微細凹凸内に絶縁層を構成する樹脂が入り込むことで、いわゆるアンカー効果により絶縁層に対して強固に結合される。【００１２】
一方、前記バンプに対応して金属箔に開口部が形成されており、前記めっき層は、この開口部内において前記バンプの先端面と接して形成されている。めっき層は、バンプの先端面に対して、いわゆる金属結合により強固に結合した状態となり、したがってバンプとめっき層との電気的接続が十分に確保され、接続信頼性が確保される。【００１３】
ここで、導体層をめっき層のみから構成することも考えられるが、この場合には、絶縁層に対する密着性を確保することが難しい。密着性を確保するためには、例えば絶縁層の表面を粗して凹凸を形成し、ここにめっき層が入り込むようにすればよものと思われるが、絶縁層の表面の粗度を適正に制御することは難しく、また適正な凹凸が形成されたとしてもめっき層が十分に入り込まず、現実には十分な密着性を確保することは難しい。また、例えば絶縁層をめっきに対する密着性の良い樹脂材料に限定し、めっき層も樹脂材料に対して密着性の良いめっきに限定し、絶縁層とめっき層の密着性を改善することも考えられるが、材料の制約が多く、製造コストの上昇につながる。【００１４】
本発明では、前記の通り、バンプと接続される導体層が金属箔とめっき層とから構成されており、絶縁層との密着性は金属箔によって確保され、バンプとの電気的接続はめっき層によって確保される。したがって、電気的な接続信頼性と機械的な接続信頼性が両立され、使用する材料の制約や製造コスト上昇も回避される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、配線層（導体層）とバンプとの電気的な接続信頼性を十分確保することができ、同時に絶縁層と導体層との機械的な接続強度も十分に確保することが可能である。したがって、本発明によれば、信頼性の高い配線基板を提供することが可能である。また、本発明においては、絶縁層やめっき層に使用する樹脂材料、めっき材料等に対する制約が少ないことから、配線基板の材料設計を容易なものとすることができ、製造コストの上昇も抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態の製造プロセスを示すものであり、（ａ）はクラッド材を示す断面図、（ｂ）はバンプ形成工程を示す断面図、（ｃ）は絶縁層形成工程を示す断面図、（ｄ）は金属箔貼りあわせ工程を示す断面図、（ｅ）はめっきレジスト層形成工程を示す断面図、（ｆ）はめっき層形成工程を示す断面図、（ｇ）はめっきレジスト層剥離工程を示す断面図、（ｈ）は導体層パターニング工程を示す断面図である。
【図２】第２の実施形態の製造プロセスを示すものであり、（ａ）は金属箔貼り合わせ工程を示す断面図、（ｂ）は開口部形成工程を示す断面図、（ｃ）はめっきレジスト層形成工程を示す断面図、（ｄ）はめっき層形成工程を示す断面図、（ｅ）はめっきレジスト層剥離工程を示す断面図、（ｆ）は導体層パターニング工程を示す断面図である。
【図３】変形例の製造プロセスであって図１(ａ)〜(ｃ)の工程後の工程を示しており、(ａ)は金属箔貼りあわせ工程を示す断面図、（ｂ）はめっきレジスト層形成工程を示す断面図、（ｃ）は下地めっき層形成工程を示す断面図、（ｄ）はめっき層形成工程を示す断面図、（ｅ）はめっきレジスト層剥離工程を示す断面図、（ｆ）は導体層パターニング工程を示す断面図である。
【図４】大径の開口部底面に無電解メッキ法により下地導電層を形成し、その上に電解めっき法によって接続層を成長させた配線基板の断面図。
【符号の説明】
【００１７】
１……バンプ用金属箔
３……第１の金属箔
６……第２の金属箔
２……エッチングバリア層
４……バンプ
４ａ……先端面
４ｂ……凹部
５……絶縁層
７……開口部
８……めっきレジスト層
９……接続層
１０……下地導電層
１４……第１の配線層
１５、１６……第２の配線層
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を適用した配線基板及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。各実施形態は、絶縁層の両面に配線層が形成された多層配線基板であるが、本発明はそれに限定されるものではなく、例えば、バンプが配線層と他の導体を接続してもよいし、絶縁層と配線層が交互に積層された構造であってもよい。【００１９】
（第１の実施形態）
本実施形態は、導体層を構成する金属箔に予め開口部を形成しておく場合の製造プロセス、及びそれにより作製される配線基板の例である。【００２０】
本実施形態においては、先ず、図１（ａ）に示すように、バンプ形成のためのバンプ用金属箔１と、Ｎｉ等からなるエッチングバリア層２と、第１の配線層となる第１の金属箔３とを積層してなるクラッド材を用意する。ここで、前記エッチングバリア層２は、バンプ用金属箔１に対してエッチング選択性を有し、バンプ用金属箔１のエッチングの際にエッチングストッパとなる材質であり、第１の金属箔３をエッチングするエッチャントではエッチングされないか、エッチング速度が遅い材質である。エッチングバリア層２は導電性を有しており、バンプ用金属箔１と第１の金属箔３とは、エッチングバリア層２を介して電気的に接続されている。従って、後述する第１の配線層１４とバンプ４とは、エッチングバリア層２を介して電気的に接続される。【００２１】
また、第１の金属箔３は、最終的にはパターニングにより配線層とされるが、パターニングの前では前記バンプ用金属箔１及びエッチングバリア層２をエッチングすることにより形成されるバンプを支持する支持体としても機能するものである。【００２２】
そして、図１（ｂ）に示すように、前記バンプ用金属箔１をエッチングしてバンプ４を形成する。このバンプ用金属箔１のエッチングは、酸性エッチング液によるエッチングを、アルカリ性エッチング液によるエッチングとを組み合わせて行うことが好ましい。すなわち、バンプ用金属箔１上にマスクとなるレジスト膜（図示は省略する。）を形成した後、酸性エッチング液（例えば塩化第二銅）をスプレーする。これによりバンプ用金属箔１がエッチングされるが、この酸性エッチング液によるエッチング深さは、バンプ用金属箔１の厚さよりも浅くし、エッチングバリア層２が露出しない範囲で行う。【００２３】
次いで、水洗い（リンス）の後、アルカリエッチング液（例えば水酸化アンモニウム）によりバンプ用金属箔１の残部をエッチングする。アルカリエッチング液は、エッチングバリア層２を構成するＮｉをほとんど侵すことがなく、したがって、エッチングバリア層２は、このアルカリエッチング液によるエッチングのストッパとして機能する。【００２４】
なお、このときアルカリエッチング液のｐＨは、８．０以下とすることが好ましい。アルカリエッチング液を前記ｐＨとすることにより、エッチングバリア層２を侵すことなく、バンプ用金属箔１を比較的速くエッチングすることができる。また、前記バンプ４の形成の後、前記エッチングバリア層２も除去するが、この場合には、エッチングバリア層２であるＮｉのみをエッチング除去し、その下の第１の金属箔３に対しては、ほとんどこれを侵すことのないエッチング液を用いる。【００２５】
次に、図１（ｃ）に示すように、前記バンプ４間を埋めるように絶縁層５を形成し、前記絶縁層５の形成の後、バンプ４の先端面４ａが露呈するように例えば表面を研磨する。【００２６】
絶縁層５は、例えばボリイミド等の樹脂材料を塗布することにより、あるいは樹脂フィルムを熱圧着することにより形成することができる。ここで使用する樹脂材料としては、特にめっきに対する密着性やガラス転移点、線膨張係数等を考慮する必要がなく、必要は特性等に応じて任意のものを選択することができる。また、その厚さ等も制約されることはない。【００２７】
次に、図１（ｄ）に示すように、バンプ４の先端上に第２の配線層となる第２の金属箔６を熱圧着等の手法により貼り合わせる。このとき、第２の金属箔６には、予めバンプ４の位置に対応して開口部７を形成しておく。【００２８】
ここで、前記第２の金属箔６の開口部７は、種々の方法で形成することができる。例えば、ドリリング等の機械的な穴あけ加工や、レーザーによる穴あけ加工、エッチングによる穴あけ加工等により形成することができる。【００２９】
これらの中で、機械的な穴あけ加工は、最も簡単な方法であるが、例えばドリルの径（すなわち開口部７の径）の制約から、形成し得る穴の最小径にも限度があり、高密度化は難しい。レーザーによる穴あけ加工は、個々の穴に対応してレーザー照射を行う必要があり、加工時間が長くなる傾向にある。エッチングによる穴あけ加工は、短時間での穴あけが可能であり、微細な穴加工も可能であるので、好ましい方法と言える。【００３０】
開口部７のサイズは、バンプ４の先端面４ａの大きさとほぼ一致させることが好ましいが、例えば後述の位置合わせのマージンを確保するためには、開口部７の大きさをバンプ４の大きさよりも大きく設定することが好ましい。【００３１】
また、後述のめっき層のバンプ４に対する接続を考えると、やはり開口部７はある程度の大きさが必要である。一方、バンプ４間のピッチを小さくするためには、開口部７の大きさもできるだけ小さくすることが好ましい。したがって、配線基板の設計に応じて、前記事項を考慮しながら開口部７の大きさを決定すればよい。通常、前記バンプ４の先端面４ａの径は５０μｍ程度であり、したがって開口部７の径は８０μｍ以上１２０μｍ以下の程度とするのが好ましい設定である。【００３２】
前記第２の金属箔６の絶縁層５上への貼り合わせに際しては、第２の金属箔６に予め形成された開口部７と前記バンプ４とを位置合わせする必要がある。したがって、第２の金属箔６の貼り合わせに際しては、第２の金属箔６や絶縁層５に位置合わせ用のマーカ、例えば位置合わせ用の孔等を形成しておき、互いに正確に位置合わせした状態で貼り合わせることが好ましい。【００３３】
前記第２の金属箔６は、前記バンプ４との電気的接続を考慮する必要はなく、絶縁層５に対する密着性を重視してその表面を設計することができる。例えば、第２の金属箔６の絶縁層４と接する側の面を粗面とし、微細凹凸を形成しておくことで、ここに絶縁層４を構成する樹脂材料が入り込み、アンカー効果によって機械的接続強度が確保される。あるいは、絶縁層４に対する密着性を考慮して、第２の金属箔６の絶縁層４と接する面に酸化膜を形成してもよい。また、前記第２の金属箔６の厚さは、後述のめっき層で補われることから、５μｍ〜１０μｍ程度とすればよい。【００３４】
前記第２の金属箔６の貼り合わせの後、図１（ｅ）に示すように、裏面側のバンプ用金属箔１の全面を覆ってめっきレジスト層８を形成する。このめっきレジスト層８は、バンプ用金属箔１上にめっき層が形成されないように形成するものであるが、例えばバンプ用金属箔１が薄く、これを補う目的でバンプ用金属箔１上にもめっき層を形成する場合には、このめっきレジスト層８は形成する必要はない。【００３５】
次に、図１（ｆ）に示すように、接続層９を形成する。接続層９は、前記開口部７内も含め、第２の金属箔６が貼り合わされた面の全面に形成する。接続層９は、第２の金属箔６やバンプ４上に形成されるため、電解めっきによって成長させためっき金属層で構成させることができる。【００３６】
電解めっき法で形成する接続層９の厚さは、１０μｍ〜１５μｍ程度であり、これにより、前記第２の金属箔６の厚さと合わせた導体層全体の厚さを２０μｍ程度とすることができる。【００３７】
前記接続層９の形成の後、図１（ｇ）に示すように、裏面側に形成しためっきレジスト層８を剥離し、図１（ｈ）に示すように、表裏両面の導体層（第２の金属箔６と接続層９からなる導体層及び第１の金属箔３）を所望の配線パターンに応じてパターニングし、第１の金属箔３から第１の配線層１４を形成し、第２の金属箔６から第２の配線層１５を形成する。第２の配線層１５は、パターニングされた第２の金属箔６とその表面の接続層９とで構成されている。前記パターニングは、通常のフィトリソ技術及びエッチング技術によって行うことができる。【００３８】
以上により作製される配線基板１１では、バンプ４の先端面４ａと接続層９の間と、同じ接続層９と第２の金属箔６との間の両方が金属結合により強固に結合されており、バンプ４と第２の配線膜１５を構成する第２の金属箔６とは、接続層９によって接続される。これにより、電気的な接続信頼性が十分に確保される。また、第２の金属箔６と絶縁層５間は、十分な機械的強度をもって密着性良く結合されている。【００３９】
したがって、これら第２の金属箔６及び接続層９で第２の配線層が構成される本実施形態の配線基板では、電気的な接続信頼性と機械的な接続信頼性が両立され、全ての面において信頼性の高い配線基板が実現される。【００４０】
しかし、例えば開口部７の径がバンプ４の先端面４ａの径より大きかった場合等、バンプ４と第２の金属箔６とが重なっていないと、バンプ４の先端面４ａの周囲には、絶縁層５が露出し、その部分は電解めっきが成長しないので、バンプ４と第２の金属箔６とが電気的に接続されなくなってしまう。【００４１】
このような場合、又は、バンプ４と第２の金属箔６とが重なっていても接続を確実にしたい場合には、先ず、図１(ｃ)の状態から、図３(ａ)に示すように大きな開口部７を有する第２の金属箔６を貼付し、裏面の第１の金属箔３表面にめっきレジスト層８を貼付した後(図３(ｂ))、バンプ４の先端面４ａ周囲に露出する絶縁層５の表面に、無電解めっき法によって下地導電層１０を形成する(同図(ｃ))。【００４２】
下地導電層１０は第２の金属箔６の表面やバンプ４の先端面４ａにも成長する。また、めっきレジスト層８表面にも成長するが、下地導電層１０は、少なくとも絶縁層５の表面に形成される必要がある。又、下地導電層１０は第２の金属箔６と接触していることが望ましい。【００４３】
この状態で第２の金属箔６に電圧を印加すると、電解めっき法により、第２の金属箔６側の下地導電層１０表面に接続層９が成長する(同図(ｄ))。本例のめっき層は、下地導電層１０と接続層９の二層構造である。【００４４】
あとの工程は、上記と同様に、めっきレジスト層８を剥離し(同図(ｅ))、下地導電層１０と接続層９とを一緒にパターニングすると、第２の金属箔６と下地導電層１０と接続層９とから成る第２の配線層１６とバンプ４とが、下地導電層１０と接続層９によって相互に電気的に接続された配線基板１２が得られる。【００４５】
図１の配線基板１１では、接続層９がバンプ４の先端面４ａと第２の金属箔６表面及び開口部７の内周面を構成する部分と密着し、電気的及び機械的に接続されていたが、図３の配線基板１２では、下地導電層１０が、バンプ４の先端面４ａと第２の金属箔６の表面及び開口部７の内周面に機械的・電気的に接続されており、接続層９は下地導電層１０上に形成され、電気導通性や強度が向上しており、接続は確実なものにされている。
下地導電層１０は無電解めっき法の他、スパッタリング法や蒸着法等の乾式めっき法によっても形成することができる。【００４６】
（第２の実施形態）
本実施形態は、導体層を構成する金属箔を予め絶縁層上に貼り合わせた後、開口部を形成する場合の製造プロセス、及びそれにより作製される配線基板の例である。なお、バンプ及び絶縁層の形成については、先の第１の実施形態のプロセスと同様であるので、ここではその発明は省略する。【００４７】
図２（ａ）に示すように、バンプ４を形成し、絶縁層５を形成した後、第２の金属箔６を貼りあわせる。このとき、第２の金属箔６には開口部は形成されておらず、したがって、格別位置合わせを行うことなく貼り合わせることが可能である。【００４８】
第２の金属箔６を貼りあわせた後、図２（ｂ）に示すように、バンプ４の形成位置に対応して、第２の金属箔６に開口部７を形成する。開口部７の形成は、先の第１の実施形態で述べたのと同じ手法を用いることができるが、本実施形態の場合には、ドリリング等の機械的な穴あけ加工は難しい。【００４９】
したがって、レーザーによる穴あけ加工やエッチングによる穴あけ加工により開口部７を形成する。なお、開口部７の形成に際しては、前記バンプ４の位置に対応して穴あけ加工を行う必要があり、何らかの基準に対して位置合わせしながら穴あけ加工するか、例えばエッチングによる穴あけ加工の場合には、バンプ４の形成パターンに基づいたパターニングにより穴あけを行う。【００５０】
このとき、最低限、第２の金属箔６を貫通するように穴あけ加工を行えばよいが、バンプ４の先端面４ａに凹部４ｂが形成されるように、若干過剰に穴あけ加工を行うことも好ましい形態である。前記のようにバンプ４の先端面４ａに凹部４ｂが形成されれば、接続層９と接する面積が大きくなり、より一層の接続信頼性の確保が可能である。【００５１】
前記開口部７の形成の後、接続層９を形成するが、開口部７形成後の製造プロセスも先の第１の実施形態と同様である。すなわち、図２（ｃ）に示すように、裏面側のバンプ用金属箔１の全面を覆ってめっきレジスト層８を形成した後、図２（ｄ）に示すように、接続層９を形成する。接続層９は、前記開口部７内（前記バンプ４の凹部４ｂ内）も含め、第２の金属箔６が貼り合わされた面の全面に形成する。接続層９の形成の後、図２（ｅ）に示すように、裏面側に形成しためっきレジスト層８を剥離し、図２（ｆ）に示すように、表裏両面の導体層（第２の金属箔６と接続層９からなる導体層及び第１の金属箔３）を所望の配線パターンに応じてパターニングし、第１の金属箔３から第１の配線層１４を形成し、第２の金属箔６から第２の配線層１５を形成する。第２の配線層１５は、パターニングされた第２の金属箔６とその表面の接続層９とで構成されている。【００５２】
本実施形態の配線基板１３においても、バンプ４の先端面４ａと接続層９の間と同じ接続層９と第２の金属箔６との間の両方が金属結合により強固に結合されており、電気的な接続信頼性が十分に確保される。【００５３】
特に、開口部７の形成の際に穴あけ加工を過剰にし、バンプ４の先端面４ａに凹部４ｂを形成し、これを埋める形で接続層９を形成することで、より一層の接続信頼性の改善が図られる。また、第２の金属箔６と絶縁層５間は十分な機械的強度をもって密着性良く結合されていることから、本実施形態の配線基板においても、電気的な接続信頼性と機械的な接続信頼性が両立され、全ての面において信頼性の高い配線基板が実現される。【００５４】
他方、穴開け加工によって形成した開口部７がバンプ４の先端面４ａよりも大径であった場合でも、先ず、バンプ４の周囲に露出する絶縁層９の表面を含む領域に無電解めっき法によって下地導電層を形成し、次いで、バンプ４の先端面４ａ上の下地導電層、開口部７底面の絶縁層９上の下地導電層、及び、第２の金属箔６表面の下地導電層上に、電解めっき法によって接続層を成長させてもよい。この配線基板の断面図を、図４に示す。【００５５】
なお、第２の金属箔６とバンプ４とを接続する接続層９は、少なくともバンプ４の先端と、開口部７の内側側面を構成する部分の第２の金属箔６の表面に形成されていればよく、バンプ４と第２の金属箔６との電気的接続のためには、開口部７の外部の第２の金属箔６の表面に形成されなくてもよい。但し、接続層９は、開口部７を充填する程度に成長させた方が、電気的接続が確実であり、また、開口部７が充填されていた方が第２の配線層１６をパターニングするときに都合がよい。【００５６】
なお、上記第１、第２の金属箔３、６やバンプ用金属箔１には金属箔が適しているが、本発明はそれに限定されるものではなく、銅合金箔の他、種々の金属や導電性材料の膜を用いることができる。第１の金属箔３と第２の金属箔６は異なる材料であってもよい。【００５７】
また、上記絶縁層５は、可撓性を有する材料であり、本発明の配線基板１１〜１３は可撓性を有しており、曲げることができるが、本発明はそれに限定されるものではなく、絶縁層５が、堅く、折り曲げ不可の材料であってもよい。また、多層構造であってもよいし、堅い材料と可撓性を有する材料が積層されていてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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