(57)【要約】  第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有する。さらに，プラズマディスプレイパネルは，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，当該維持電極は格子状に形成される。そして，格子状形状により前記画素領域が囲まれている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，
表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，
前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，
前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有し， 
さらに，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，
当該維持電極は，前記走査電極に隣接し前記表示ラインに沿って配置される第１の電極領域と，前記表示ラインの複数箇所において当該第１の電極領域間を結合する複数の第２の電極領域とを有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１において，
前記走査電極と維持電極とが第１の基板上に形成され，前記アドレス電極が第２の基板上に形成され，
さらに，前記第２の基板上であって，前記アドレス電極の両側に配置され前記表示ラインに対して垂直方向に延びるリブを有し，
前記維持電極の第２の電極領域は，前記リブと重なる位置に配置されているプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１において，
前記維持電極の第１及び第２の電極領域が，前記画素領域を囲むように配置されているプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項１において，
前記走査電極が第１の基板上に形成され，前記アドレス電極が第２の基板上に形成され，
前記第１の基板上に前記画素領域を画定するリブが形成され，前記維持電極の第１及び第２の電極領域が当該リブと重なるようにまたは該リブ内に形成されているプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，
表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，
前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，
前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有し，
さらに，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，
当該維持電極は格子状に形成され，当該格子状形状により前記画素領域が囲まれているプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，
表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，
前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，
前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有し，
さらに，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，
当該維持電極は表示ライン間に配置される第１の電極領域と，隣接する第１の電極領域間を複数箇所で結合する複数の第２の電極領域とを有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
請求項５または６において，
前記画素領域を囲むように格子状のリブが形成され，前記格子状の維持電極が当該リブと重なって配置されるプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
請求項５または６において，
前記第１の基板上に前記走査電極が形成され，前記第２の基板上に前記アドレス電極が形成され，
さらに，前記第１の基板上に格子状のリブが形成され，当該リブ内に前記維持電極が形成され，前記維持電極の表面に誘電体層が形成されているプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
請求項８において，
前記リブは，さらに前記維持電極の下にも誘電体層を有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
請求項５または６において，
前記第１の基板上に前記走査電極が形成され，前記第２の基板上に前記アドレス電極が形成され，
さらに，前記第２の基板上に格子状のリブが形成され，当該リブ内に前記維持電極が形成され，前記維持電極の表面に誘電体層が形成されているプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
請求項５または６において，
前記走査電極が，前記画素領域の中央に配置されたバス電極で構成されるプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
請求項１１において，
前記走査電極が，さらに，前記バス電極に重ねられ，前記画素領域毎に分離された複数の透明電極を有するプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
請求項５または６において，
前記走査電極が，前記画素領域の上端部と下端部とに分離して配置されたバス電極で構成されるプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
請求項５または６において
前記第１の基板上に前記走査電極が形成され，前記第２の基板上に前記アドレス電極が形成され，
さらに，前記第１の基板上に格子状のリブが形成され，当該リブ内に前記維持電極が形成され，
前記走査電極が，前記リブの下に重ねて配置されるバス電極と，当該バス電極に重ねられ前記画素領域毎に分離された複数の透明電極とを有するプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネルに関し，特に，ストリーキング現象を抑制したプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰと称する）は，セル領域でアドレス放電を発生させた後，そのプラズマ放電で発生させた壁電荷を利用して，所定回数だけ維持放電を繰り返して階調表示を行う。そのために，原理的には，アドレス放電のための水平及び垂直方向の２つの電極と，維持放電のための２つの電極とが必要になる。現在普及しているＰＤＰでは，アドレス放電に必要な水平方向の電極と維持放電の一方の電極とを共通化し，合計で３つの電極を有する３電極面放電型ＰＤＰが普及している。【０００３】
かかるＰＤＰは，たとえば，以下の特許文献１，２などに記載されている。これらに記載されたＰＤＰでは，前面基板上にＸ電極とＹ電極が水平方向に形成され，背面基板上にアドレス電極と蛍光体とが垂直方向に形成され，Ｙ電極とアドレス電極間でアドレス放電を発生させる。更に，Ｘ電極とＹ電極間で維持放電を発生させ，維持放電で発生した紫外線により蛍光体が可視光線を発生し，その可視光線が前面基板を通して外部に取り出される。
【特許文献１】特開２００４−１９３１４１号公報
【特許文献２】特開平４−７５２３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように，ＰＤＰでは水平方向に延びるＸ電極とＹ電極間で維持放電が発生するので，水平方向の表示負荷率が異なる領域では，同じ輝度値であっても，表示負荷率の高い領域のほうが表示負荷率が低い領域よりも輝度値が低くなるというストリーキング現象が発生する。すなわち，Ｘ電極とＹ電極とには放電に伴う電流が流れるが，水平方向において表示負荷率が高くなるとより多くの画素で維持放電が発生し，それに伴い大きな電流が流れる。この大電流によりＸ電極とＹ電極の抵抗による電圧降下が発生し，画素の放電電圧が低下して輝度値が低くなる。一方，水平方向において表示負荷率が低い場合は，放電に伴う電流量は小さくなり，Ｘ電極とＹ電極の電圧降下は小さく，画素の放電電圧の低下はなく，輝度値が低下することはない。このようなストリーキング現象は，水平方向に縞が形成されたように表示されるため，ストリーキングと呼ばれており，画質の低下を伴う。【０００５】
そこで，本発明の目的は，ストリーキングによる画質の低下を低減したＰＤＰを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために，本発明の第１の側面によれば，第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有する。さらに，プラズマディスプレイパネルは，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，当該維持電極は，前記走査電極に隣接し前記表示ラインに沿って配置される第１の電極領域と，前記表示ラインの複数箇所において当該第１の電極領域間を結合する複数の第２の電極領域とを有する。【０００７】
上記の第１の側面によれば，走査電極との間で維持放電を発生させる維持電極を，第１の電極領域とそれらを複数箇所で結合する第２の電極領域とで構成することで，各表示ラインの維持電極における放電電流による電圧降下は，表示パターンにかかわらず同じにすることができるので，ストリーキング現象を減らすことができる。【０００８】
上記の目的を達成するために，本発明の第２の側面によれば，第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有する。さらに，プラズマディスプレイパネルは，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，当該維持電極は格子状に形成される。そして，格子状形状により前記画素領域が囲まれている。【０００９】
上記の第２の側面によれば，維持電極を画素領域を囲むように格子状に形成することで，各表示ラインの維持電極における放電電流による電圧降下は，表示パターンにかかわらず同じにすることができ，ストリーキング現象を減らすことができる。また，維持電極が画素領域外に設けられるので，その表示ライン方向に延びる電極幅を太くすることができ，電極の配線抵抗自体を小さくでき，ストリーキング現象を抑制できる。さらに，画素領域内には走査電極が設けられるだけであり，維持電極は設けられない。よって，走査電極自体の電極幅を大きくすることができ，走査電極側の放電電流による電圧降下を抑制し，ストリーキング現象を抑えることができる。【００１０】
上記第２の側面において，好ましい実施例では，前記画素領域を囲むように格子状のリブが形成され，前記格子状の維持電極が当該リブと重なって配置される。格子状の維持電極を画素領域を囲む格子状リブと重ねることで，維持電極が画素領域を遮蔽することがなく，開口率を高めることができる。背面基板側に蛍光体を設ける反射型の実施例の場合は，蛍光体により発光する可視光が維持電極により遮蔽されることがない。【００１１】
上記の目的を達成するために，本発明の第３の側面によれば，第１及び第２の基板の間に放電空間を有するプラズマディスプレイパネルにおいて，表示ラインに沿って配置され個別に駆動可能な複数の走査電極と，前記走査電極に交差して配置された複数のアドレス電極とを有し，前記走査電極とアドレス電極との交差位置に画素領域を有する。さらに，プラズマディスプレイパネルは，前記走査電極との間で維持放電を発生する維持電極を有し，当該維持電極は表示ライン間に配置される第１の電極領域と，隣接する第１の電極領域間を複数箇所で結合する複数の第２の電極領域とを有する。【００１２】
上記の第３の側面においても，維持電極の表示ライン方向の電圧降下は，表示パターンにかかわらず同じにすることができ，ストリーキング現象を低減できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば，ストリーキング現象を低減したプラズマディスプレイパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来のＰＤＰの平面図である。
【図２】ストリーキング現象を示す図である。
【図３】第１の実施の形態におけるＰＤＰの構成を示す図である。
【図４】第２の実施の形態におけるＰＤＰの構成を示す図である。
【図５】第２の実施の形態におけるＰＤＰの構造の変形例を示す図である。
【図６】第２の実施の形態におけるＰＤＰの構造の別の変形例を示す図である。
【図７】第３の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す図である。
【図８】第２の実施の形態の改良例を示す図である
【図９】第２の実施の形態の別の改良例を示す図である
【図１０】第２の実施の形態の別の改良例を示す図である
【図１１】第２の実施の形態の別の改良例を示す図である
【符号の説明】
【００１５】
１０：前面基板                ２０：背面基板
Ａ０〜Ａ２：アドレス電極      Ｙ０，Ｙ１：走査電極
Ｘ：維持電極                  ＲＢ１，ＲＢ２：リブ
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下，図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し，本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず，特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。【００１７】
図１は，従来のＰＤＰの平面図である。簡単のために断面図は省略している。このＰＤＰは，ＡＣ型３電極面放電型ＰＤＰであり，背面基板上に垂直方向に延びるアドレス電極Ａ０〜Ａ４と，アドレス電極間に垂直方向に延びるリブＲＢと，アドレス電極上に設けられた蛍光体層（図示せず）とが形成され，前面基板上に水平方向に延びるＸ電極Ｘ０，Ｘ１と，Ｙ電極Ｙ０，Ｙ１とが形成される。Ｘ，Ｙ電極はともに，透明電極ＴＲＳとそれに重ねられた金属電極からなるバス電極ＢＵＳとで構成される。通常、透明電極ＴＲＳに用いられる材料は金属電極からなるバス電極ＢＵＳよりも抵抗値が高い。Ｙ電極は走査電極であり，Ｙ電極の走査タイミングに合わせてアドレス電極に電圧が印加され，Ｙ電極とアドレス電極とが交差する画素領域でアドレス放電が発生する。さらに，Ｘ電極は維持電極であり，Ｙ電極との間で維持放電が発生する。つまり，Ｙ電極は走査電極と維持電極とを兼ねている。さらに，前面基板上には，Ｘ，Ｙ電極対の間に，遮光用の暗色のブラックストライプＢＳが設けられ，背面基板上の蛍光体の色が前面側に漏れないように遮光される。【００１８】
図２は，ストリーキング現象を示す図である。この例は，ＰＤＰの一部の領域ＡＲ１においては，中央部分のみ白表示領域Ｗ１が存在し，別の領域ＡＲ２においては全て白表示領域Ｗ２になるような表示パターンを示す。この場合，領域ＡＲ１においては一部分Ｗ１のみ維持放電が発生するので，その維持放電に必要な放電電流Ｉｄｓ１は比較的小さい。それに対して，領域ＡＲ２においては全ての部分Ｗ２で維持放電が発生するので，放電電流Ｉｄｓ２は上記放電電流Ｉｄｓ１よりも大きくなる。そのため，領域ＡＲ２でのＸ，Ｙ電極の電圧降下は，領域ＡＲ１でのＸ，Ｙ電極の電圧降下よりも大きくなり，セル領域における放電電圧が低くなる。その結果，白表示領域Ｗ１，Ｗ２は同じ維持放電回数であっても，白表示領域Ｗ２の輝度は白表示領域Ｗ１の輝度よりも低くなり，領域Ｗ２が縞状に表示されることになる。これがストリーキング現象である。【００１９】
つまり，ＰＤＰにおけるストリーキング現象とは，表示パターンに依存して維持放電に利用されるＸ，Ｙ電極で電圧降下が異なり，同じ輝度を生成することができず，画質が劣化する現象である。したがって，ストリーキング現象の原因である電極配線抵抗を低減する必要がある。または，表示パターンに依存してＸ，Ｙ電極で電圧降下が異なる現象を低減する必要がある。【００２０】
図３は，第１の実施の形態におけるＰＤＰの構成を示す図である。図３（Ａ）は平面図，図３（Ｂ）（Ｃ）はそれぞれＣ１，Ｃ２の断面図である。平面図（Ａ）は，図１の平面図と異り，リブＲＢに沿って垂直方向のＸ電極ＸＢ０〜ＸＢ５が設けられ，水平方向のＸ電極Ｘ０，Ｘ１が複数箇所で垂直方向のＸ電極ＸＢ０〜ＸＢ５により結合されている。この垂直方向のＸ電極ＸＢ０〜ＸＢ５により，Ｘ電極は格子形状になっている。【００２１】
前面側基板１０には，ＩＴＯからなる透明電極ＴＲＳと，その上に形成されたＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のバス電極ＢＳとからなるＸ電極Ｘ０，Ｘ１とＹ電極Ｙ０，Ｙ１が設けられる。これら１対のＸ，Ｙ電極は維持放電に利用される電極であり，これらの間で維持放電が行われる。さらに，１対のＸ，Ｙ電極の間の非発光領域には暗色のブラックストライプＢＳが設けられている。これらのＸ，Ｙ電極及びブラックストライプＢＳとが，誘電体層１２により被覆されている。さらに，誘電体層１２上に垂直方向のＸ電極ＸＢ０〜ＸＢ５が設けられている。これらの垂直方向のＸ電極もＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の電極であり，水平方向のＸ電極のバス電極ＢＳと複数箇所で接続されている。ただし，Ｙ電極とは接続されずに交差している。そして，垂直方向のＸ電極上にも誘電体層１４が形成される。【００２２】
背面側基板２０上には，アドレス電極Ａ０〜Ａ４が形成され，さらに誘電体層２２が形成されている。誘電体層２２上に画素領域を区画するためのストライプ状のリブＲＢが形成され，アドレス電極及び誘電体層２２上とリブＲＢ上とに蛍光体層２４が形成される。【００２３】
前面基板１０の垂直方向のＸ電極ＸＢ０〜ＸＢ５は，背面基板２０のリブＲＢと重なる位置に配置される。リブＲＢは画素領域を区画する非発光領域であり，それと重ねて設けることで，開口率の低下を防止している。【００２４】
本実施の形態によれば，水平方向のＸ電極Ｘ０，Ｘ１が，複数箇所にて垂直方向のＸ電極ＸＢ０〜ＸＢ５で結合されているので，維持放電時において，表示パターンにかかわらず各水平方向のＸ電極における電圧降下が同等になり，ストリーキング現象を低減することができる。このように，維持放電に使用されるＸ，Ｙ電極のうち一方の電極Ｘにおいて，維持放電時の表示パターンに依存した電圧降下の違いを解消しているので，ストリーキング現象は概ね半減されることになる。【００２５】
図４は，第２の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す図である。図３と同様に平面図（Ａ），断面図（Ｂ），（Ｃ）が示されている。この実施の形態では，前面基板１０の上には，透明電極ＴＲＳとバス電極ＢＵＳとを重ねたＹ電極Ｙ０，Ｙ１が表示ラインに沿って配置され，それが誘電体層１２により被覆されている。さらに，誘電体層１２上に格子状のリブＲＢ１が形成され，リブＲＢ１内にＸ電極Ｘが埋め込まれている。この格子状のリブＲＢ１は，画素領域ＰＸを囲むように形成される。一方，背面基板２０上には，アドレス電極Ａ０〜Ａ２と，それらを被覆する誘電体層２２と，格子状のリブＲＢ２とが形成され，さらに，誘電体層２２とリブＲＢ２上に蛍光体２４が形成されている。そして，背面基板側のリブＲＢ２と前面基板側のリブＲＢ１とがそれぞれ対抗するように配置され，これらのリブＲＢ１，ＲＢ２により，各画素領域ＰＸが画定されている。【００２６】
格子状のＸ電極は，リブＲＢ１，ＲＢ２に重ねて形成されるので，画素領域で発光する可視光を遮ることはない。また，Ｘ電極は，表示ライン間において水平方向に延びる電極部分Ｘｈと，アドレス電極間において垂直方向に延びる複数の電極部分Ｘｖとで構成されるので，表示パターンに依存して各表示ラインでＸ電極の電圧降下が異なることが防止される。【００２７】
さらに，第２の実施の形態では，Ｘ電極が例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の金属配線であり，リブＲＢ１に重ねて形成されるので，その金属配線の幅を第１の実施の形態よりも大きくすることができ，Ｘ電極の配線抵抗を小さくすることができる。また，画素領域ＰＸ内にはＹ電極のみしか形成されないので，そのバス電極ＢＵＳ部分の配線幅を大きくすることができ，配線抵抗を小さくできる。つまり，Ｙ電極での電圧降下によるストリーキング現象を抑制することができる。【００２８】
図５は，第２の実施の形態におけるＰＤＰの構造の変形例を示す図である。この図では，平面図（Ａ）とＣ３の断面図（Ｂ）のみが示されている。第２の実施の形態では，前述のとおり，前面基板１０の格子状リブＲＢ１に重ねて格子状のＸ電極Ｘが形成されている。そのリブＲＢ１の構造は，銀ペーストによりリブ状に形成されたＸ電極Ｘと，それを被覆する誘電体層１６を有する。つまり，Ｘ電極Ｘを銀ペーストによりリブ状の形成することで，断面積を大きくし配線抵抗を低減させている。さらに，リブ形状のＸ電極Ｘの表面に薄い誘電体層１６を形成することで，Ｘ電極の容量を大きくし，維持放電時に蓄積する壁電荷の量を多くしている。上記以外の構成は，図４と同等である。水平方向の断面図は，リブＲＢ１の構造が断面図（Ｂ）と同じであることを除いては，図３（Ｃ）と同じである。【００２９】
図６は，第２の実施の形態におけるＰＤＰの構造の別の変形例を示す図である。図６には，図５の断面図に対応する２つの断面図が示されている。それぞれリブＲＢ１の構造が異なるのみであり，それ以外は，図５と同じである。【００３０】
図６（Ａ）では，前面基板１０のリブＲＢ１の構造が拡大して示されている。リブＲＢ１は，リブ状の誘電体１７とその表面に形成された銀ペーストによる薄膜のＸ電極Ｘと，さらに薄膜の誘電体層１８とで構成される。この場合も，Ｘ電極Ｘは十分な断面積を有すると共に，表面に広い面積にわたり薄膜の誘電体層１８を設けることで，Ｘ電極の容量を大きくしている。【００３１】
図６（Ｂ）では，前面基板１０のリブＲＢ１の構造が拡大して示されている。このリブＲＢ１は，誘電体層１２上に形成されたＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のＸ電極Ｘと，その上のリブ状の誘電体１９とを有する。この場合は，Ｘ電極の容量の低下を防止するために，リブ状の誘電体１９を誘電率の高い物質で構成する。【００３２】
図７は，第３の実施の形態におけるＰＤＰの構造を示す図である。図７（Ａ）の平面図は，図４の第２の実施の形態と同じである。格子状のＸ電極Ｘが画素領域ＰＸを画定するように形成され，画素領域ＰＸ内の水平方向に貫通するＹ電極Ｙ０，Ｙ１が形成されている。Ｙ電極は，透明電極ＴＲＳとバス電極ＢＵＳとで構成される。【００３３】
図７（Ｂ），（Ｃ）の断面図に示されるとおり，第３の実施の形態では，格子状のＸ電極Ｘが，背面基板２０のリブＲＢ２内に形成されている。そして，前面基板１０側にはリブは形成されていない。つまり，ガラス材料からなるリブＲＢ２の上部にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ構造のＸ電極Ｘが形成され，それが更に誘電体層で被覆されている。このようなリブＲＢ２の形成方法は，次のとおりである。たとえば，ガラスペーストを塗布し焼成し，その上にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ構造をスパッタリング法で形成し，その上に形成したマスクによりＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ構造を格子状にエッチングする。そして，その格子状のＸ電極をマスクにして，誘電体層をサンドブラスト法によりエッチングし，最後にＣＶＤ法によりＳｉＯ２などの薄い誘電体層を形成する。背面基板２０のリブＲＢ２の頂上部分にＸ電極Ｘを形成することにより，前面基板１０のＹ電極に近づけることができ，維持放電の発生を容易にする。【００３４】
第３の実施の形態においても，格子状のＸ電極を背面側のリブＲＢ２に重ねて形成するので，Ｘ電極の幅を広くして抵抗を下げることができる。さらに，画素領域ＰＸ内にＸ電極が配置されないので，開口率を高くすることができる。そして，Ｙ電極のバス電極幅を太くして，その配線抵抗を下げ，Ｙ電極の電圧降下によるストリーキング現象を低減することができる。また，前面基板１０にリブを形成しないので，背面基板２０との位置合わせをＹ電極とリブＲＢ２との間で行えば良く，格子状のリブどうしを位置合わせする第２の実施の形態よりも位置合わせ精度を下げることができる。【００３５】
図８は，第２の実施の形態の改良例を示す図である。この改良例は，図４に示した第２の実施の形態においてＹ電極の構造を変更している。図８の例では，Ｙ電極Ｙ０，Ｙ１は，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のバス電極ＢＵＳのみで構成され，さらに，格子状のＸ電極Ｘにより画定される画素領域ＰＸの中心位置に配置される。透明電極は設けられていない。【００３６】
この改良例では，Ｘ電極が画素領域を囲む格子状の形状をなすので，Ｙ電極を画素領域ＰＸの中央部にバス電極ＢＵＳだけで構成し，バス電極ＢＵＳの上下にあるＸ電極との間で維持放電を発生させる。Ｘ電極Ｘを格子状にして画素領域ＰＸ内には配置していないので，Ｙ電極を画素領域ＰＸの中央部に配置しても，開口率の大幅な低下にはならない。また，従来例のように，Ｘ電極とＹ電極とを画素領域の上限両端に配置せずに，格子状のＸ電極の開口部中央にＹ電極を配置しているので，Ｘ，Ｙ電極間距離を短くすることができ，維持放電を可能にすることができる。【００３７】
図９は，第２の実施の形態の別の改良例を示す図である。この改良例も，図４に示した第２の実施の形態においてＹ電極の構造を変更している。図９の例では，Ｙ電極Ｙ０，Ｙ１は，Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のバス電極ＢＵＳと，格子状のＸ電極Ｘにより画定される画素領域ＰＸ内にそれぞれ位置する透明電極ＴＲＳで構成され，さらに，バス電極ＢＵＳは画素領域ＰＸの中心位置に配置される。このＹ電極の構造にすると，Ｙ電極の上下に位置するＸ電極との間で維持放電を発生させることができる。また，透明電極ＴＲＳを設けることで，開口率を低下させることなくＹ電極とＸ電極との距離を縮めることができる。さらに，透明電極ＴＲＳを画素領域ＰＸ毎に分離して設けることで，垂直方向のＸ電極とはＹ電極とが重なる面積を最小限にしている。Ｘ，Ｙ電極間距離があまり近いと維持放電は発生しない。よって，Ｙ電極の透明電極ＴＲＳを画素領域毎に分離することで，垂直方向のＸ電極と重複する領域をなくしても，維持放電効率を低下させない。むしろ，Ｘ電極との重複領域を減らして，Ｘ，Ｙ電極間容量を低減させて維持放電に必要な電力を低減させることができる。【００３８】
図１０は，第２の実施の形態の別の改良例を示す図である。この改良例も，図４に示した第２の実施の形態においてＹ電極の構造を変更している。図１０の例では，Ｙ電極Ｙ０，Ｙ１が，上下２本のバス電極ＢＵＳとそれらを結合する結合電極ＹＢとで構成される。画素領域ＰＸの上下の位置にそれぞれバス電極ＢＵＳを配置することで，Ｙ電極とＸ電極との距離を縮めることができ，維持放電電圧を下げることができる。ただし，同じ表示ライン上のＹ電極の電圧を等しくするために，結合電極ＹＢを設けている。この垂直方向の結合電極ＹＢは，垂直方向に延びるリブＲＢ１，ＲＢ２に重ねて複数本配置してもよい。【００３９】
図１１は，第２の実施の形態の別の改良例を示す図である。この改良例も，図４に示した第２の実施の形態においてＹ電極の構造を変更している。図１１の例では，Ｙ電極をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造のバス電極ＢＵＳと，画素領域毎に分離した透明電極ＴＲＳとで構成する。そして，バス電極ＢＵＳをリブＲＢ１の下に配置する。このように金属電極であるバス電極ＢＵＳを画素領域内に設けないようにすることで，画素領域内の蛍光体で発光する可視光が遮られることがなくなり，発光輝度を高くすることができる。ただしこの場合，リブＲＢ１内のＸ電極Ｘとその下のＹ電極のバス電極ＢＵＳとが，薄い誘電体層１２を隔てて並列に配置されるので，この誘電体１２の誘電率を低くするようにしてＸ，Ｙ電極間の線間容量が大きくならないようすることが必要である。【００４０】
図１１の例で，リブＲＢ１を図６（Ａ）に示した構造にすると，リブＲＢ１の下に設けられるＹ電極のバス電極ＢＵＳとＸ電極との間の誘電体層を厚くすることができ，両電極間容量を下げることができる。【００４１】
図１１においても，透明電極ＴＲＳが画素領域内に広がっているので，その透明電極ＴＲＳとＸ電極との距離が短くなり，維持放電の発生効率をあげることができる。また，より広い面積で透明電極ＴＲＳが格子状Ｘ電極と近接しているので，維持放電が発生する領域を多くすることができる。【００４２】
図９〜図１１に示したＹ電極の変形例は，図７の第３の実施の形態においても同様に適用することができる。その場合，図９〜図１１で説明したメリットを同様に持つことができる。【００４３】
なお、金属電極の材料は、前述の実施例に記載のものに限定されるものではなく、導電性を有する材料であれば良い。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明によれば，ＰＤＰにおいてストリーキング現象を低減することができ，画質をあげることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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