(57)【要約】本発明の目的は、光源光或いは原稿反射光が読み取りガラスを通過する時に減衰することを軽減し、更に、紙粉等の付着を軽減し、高画質な画像を提供可能な読み取りガラス、及び読み取りガラスを有する読み取り装置、及び読み取り装置を有する画像形成装置の提供にあり、原稿を光学的に読み取る読み取り装置の光源と原稿との間に位置するガラス部材が反射防止機能を有することを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を光学的に読み取る読み取り装置の光源と原稿との間に位置するガラス部材であって、該ガラス部材の少なくとも片面に反射防止機能を有することを特徴とするガラス部材。
【請求項２】
前記反射防止機能がガラス基材上に形成された反射防止層によるものであることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のガラス部材。
【請求項３】
前記反射防止層は前記ガラス基材の表面から順に設けられた第１の層と第２の層を有し、前記第２の層は前記第１の層より低い屈折率を有することを特徴とする請求の範囲第２項に記載のガラス部材。
【請求項４】
前記ガラス部材の両面に反射防止機能を有することを特徴とする請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項に記載のガラス部材。
【請求項５】
前記第２の層はその厚さによりガラス部材の最低反射率を示す波長が変化し、且つ、光源の最大光量の波長と対応した波長でガラス部材の反射率が最低となる厚さを有していることを特徴とする請求の範囲第３項または第４項に記載のガラス部材。
【請求項６】
前記ガラス基材は透明なガラスであり、前記第２の層は酸化珪素を含む薄膜で、前記第１の層はＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいずれかを含む薄膜であることを特徴とする請求の範囲第３項〜第５項のいずれか１項に記載のガラス部材。
【請求項７】
前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方は大気圧プラズマＣＶＤにより形成することを特徴とする請求の範囲第３項〜第６項のいずれか１項に記載のガラス部材。
【請求項８】
請求の範囲第１項〜第７項のいずれか１項に記載のガラス部材を有することを特徴とする読み取り装置。
【請求項９】
請求の範囲第８項に記載の読み取り装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はガラス部材及び、ガラス部材を有する読み取り装置及び、読み取り装置を有する画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年富みに、高表面滑性と帯電防止を兼ね備えたガラス部材が各種の場所に採用されるようになってきている。例えば自動原稿給紙タイプ複写機の原稿をセットするガラス部材（以下ガラス部材を読み取りガラスとも記す）であり、原稿供給時に発生する静電気による紙詰り及び紙粉等の汚れ付着を防止するため、ガラス基材の表面をＩＴＯ膜（錫をドープした酸化インジウムからなる膜）や酸化錫膜などの透明導電膜で被覆して静電気が発生しないようにしている。【０００３】
例えば導電性膜付の読み取りガラスの従来例としては、読み取りガラスの少なくとも内側表面には帯電防止用透明導電膜が被覆されていることを特徴とするもの（例えば特許文献１参照）。【０００４】
ガラス部材を酸化錫膜で被覆し、表面のＲａを３ｎｍ以下にしたことを特徴とするもの（例えば特許文献２参照）。【０００５】
読み取りガラス表面全面に導電性膜を施し、該導電性膜に原稿との摩擦が高い部分と低い部分とを形成したことを特徴とするもの（例えば特許文献３参照）。等が挙げられ、従来このような読み取りガラスを用いたモノクロ画像形成装置では文章等をコピーすることが多く、また、ハーフトーンを忠実に再現する要望が少なかった。【０００６】
このため、例えば読み取りガラス上に微細なゴミが付着していても出力画像上では図柄上に異状が発生する機会も少なく大きな問題となることが少なかった。
【特許文献１】特開平８−７６２７６号公報
【特許文献２】特開平９−２０８２６４号公報
【特許文献３】特開平８−６１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、近年のカラー画像形成装置においてカラーの絵を扱う機会が増加し、ハーフトーンを面として忠実に再現する要望が多く、更にその画像品質も写真に比して同等クラスの要望が高くなってきた。【０００８】
このようなハーフトーンを面として形成する場合、原稿画像の読み取りガラス（特に原稿を移動して読み込む時に用いるスリットガラス）上に僅かな微細なゴミでも付着している場合は、出力画像上で図柄上の筋故障として現れ、僅かな筋故障でも写真に比して同等クラスの画質要望に対して致命的な欠陥となるようになってきた。【０００９】
また、例えばガラスのみの場合は読み取りガラスの反射率が４〜５％と大きく、光源光或いは原稿反射光が読み取りガラス表面で反射されてしまい、帯電防止層を設けた場合は更に反射率が６％程度に増加するため、原稿画像からの画像反射光量が少くなり、結果として明暗差が少なくなり、例えばＡ／Ｄ変換時にバラツキを生じ出力画像の品質低下（ノイズ）を招き、上述した写真と同等のクラスの品質要望に対しては答えられなくなってしまったという問題点がある。【００１０】
よって、帯電防止膜である導電性膜と膜無し部、もしくは低摩擦膜のありなしが有る場合、光の透過率が異なり、特に近来のハーフトーンを忠実に再現させる「より高画質化」に対応した高画質の複写機では画質劣化が大きい。【００１１】
また、上に挙げられた帯電防止膜は、いずれも屈折率１．８以上の高屈折率膜であり、ガラス等の基材上に単膜で付けた場合は反射率を増大させる要因となる。よって、透過率の低下を引き起こし、スキャナ光源から原稿、さらには原稿からの反射光を読み取るＣＣＤの受光量の低下を引き起こす。よって特に近来のハーフトーンを忠実に再現させる「より高画質化」に対応した高画質の複写機では画質劣化が大きい等という問題点が挙げられる。【００１２】
以上に記した問題点に鑑み、本発明の目的は、光源光或いは原稿反射光が読み取りガラスを通過する時に減衰することを軽減し、更に、紙粉等の付着を軽減し、高画質な画像を提供可能なガラス部材、及びガラス部材を有する読み取り装置、及び読み取り装置を有する画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の上記目的は、以下の項に記載された発明により達成される。【００１４】
（１）原稿を光学的に読み取る読み取り装置の光源と原稿との間に位置するガラス部材であって、該ガラス部材の少なくとも片面に反射防止機能を有することを特徴とするガラス部材。【００１５】
（２）前記反射防止機能がガラス基材上に形成された反射防止層によるものであることを特徴とする（１）項に記載のガラス部材。【００１６】
（３）前記反射防止層は前記ガラス基材の表面から順に設けられた第１の層と第２の層を有し、前記第２の層は前記第１の層より低い屈折率を有することを特徴とする（２）項に記載のガラス部材。【００１７】
（４）前記ガラス部材の両面に反射防止機能を有することを特徴とする（１）〜（３）項のいずれか１項に記載のガラス部材。【００１８】
（５）前記第２の層はその厚さによりガラス部材の最低反射率を示す波長が変化し、且つ、光源の最大光量の波長と対応した波長でガラス部材の反射率が最低となる厚さを有していることを特徴とする（３）または（４）項に記載のガラス部材。【００１９】
（６）前記ガラス基材は透明なガラスであり、前記第２の層は酸化珪素を含む薄膜で、前記第１の層はＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいずれかを含む薄膜であることを特徴とする（３）〜（５）のいずれか１項に記載ガラス部材。【００２０】
（７）前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一方は大気圧プラズマＣＶＤにより形成することを特徴とする（３）〜（６）のいずれか１項に記載のガラス部材。【００２１】
（８）（１）〜（７）のいずれか１項に記載のガラス部材を有することを特徴とする読み取り装置。【００２２】
（９）（８）項に記載の読み取り装置を有することを特徴とする画像形成装置。
【発明の効果】
【００２３】
（１）ガラス部材の少なくとも片面に反射防止機能を設けることにより、光源光及び原稿反射光が減衰することを軽減し、光量ロスの少ないガラス部材の提供が可能となる。【００２４】
（２）ガラス基材上に反射防止機能を有する反射防止層を形成することにより、光源光及び原稿反射光が減衰することを軽減し、光量ロスの少ないガラス部材の提供が可能となる。【００２５】
（３）ガラス基材上に第１の層と、第１の層より低い屈折率を有するる第２の層を順に形成することにより、光源光及び原稿反射光が減衰することを軽減し、光量ロスの少ないガラス部材の提供が可能となる。
（４）ガラス部材の両面に反射防止機能を有することにより、光源光と原稿反射光が両面で減衰することを軽減し、光量ロスの少ないガラス部材の提供が可能となる。【００２６】
（５）第２の層を光源の最大光量の波長と対応した波長で読込みガラスの反射率が最低となる厚さとすることにより、光源の種類に応じて光源光及び原稿反射光が減衰することを軽減し、光量ロスの少ないガラス部材の提供が可能となる。【００２７】
（６）第２の層を酸化珪素を含む薄膜とし、第１の層をＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいずれかを含む薄膜とすることにより、帯電し難く、光源光及び原稿反射光が減衰することを軽減し、光量ロスの少ないガラス部材の提供が可能となる。【００２８】
（７）第１、第２の層の少なくとも一方を大気圧プラズマＣＶＤにより形成することにより、２００℃以下の低温連続成膜ができ、基材のガラスに歪み等のダメージを与えず且つ高生産性で成膜できるため高品質なガラス部材を、低コストで提供可能となる。【００２９】
（８）（１）〜（７）項に記載したガラス部材を有する読み取り装置により、静電気吸着による原稿搬送時のジャム等の異常の発生が軽減された、原稿照明光源の反射光量が減衰せず光量ロスの少ない、紙粉等による画質劣化のない高画質な画像情報を出力可能で、且つメンテナンスがしやすい読み取り装置を提供することが可能となる。【００３０】
（９）（８）項に記載した読み取り装置を有する画像形成装置により、上述した効果に基づく、高画質な画像を出力可能な、且つメンテナンスが容易な画像形成装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】読み取りガラスを説明する概念断面図である。
【図２】本発明の、少なくとも帯電防止膜と反射防止膜とを有する読み取りガラスの製造装置の１例を示す概要説明図である。
【図３】本発明に用いられる帯電防止膜を形成する帯電防止膜形成部の１例を示す概略構成図である。
【図４】本発明に用いられる反射防止膜を形成する反射防止膜形成部の１例を示す概略構成図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る読み取りガラスを有する読み取り装置、及び読み取り装置を有する画像形成装置を示す図である。
【図６】光源の光が原稿に当たり、原稿の反射光が反射される様子を示す説明図である。
【図７】帯電防止膜と反射防止膜による、読み取りガラスでの反射の軽減についての説明図である。
【図８】反射防止膜の厚さによる、読み取りガラスでの反射の変化を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３２】
４  帯電防止膜形成部
５  反射防止膜形成部
６  低摩擦層形成部
７  原稿
１１  ガラス基材
１２  帯電防止膜
１３  反射防止膜
１４  低摩擦層
４１、５１、６１  固定電極
４２  移動架台電極
４３  第１の高周波電源
４４、６４  放電ガス供給手段
４５、６５  薄膜ガス供給手段
４７、５７、６７  スリット
４８、６８  励起ガス
５３  第２の高周波電源
５４  酸化性ガス供給手段
５８  励起酸化性ガス
６３  第３の高周波電源
７３  第４の高周波電源
８０  被読み取り光源
８２  原稿７の反射光８２
８３  通過光
８４  原稿画像読み取り手段
１００  読み取りガラス
１０１  スリットガラス
１０２  プラテンガラス
Ａ、Ｂ  放電空間
Ｇ１、Ｇ４  放電ガス
Ｇ２、Ｇ５  薄膜形成性ガス
Ｇ３  酸化性ガス
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本明細書に記載したガラス部材は、原稿の画像情報の読み取り時に、原稿と原稿の画像情報を読取る原稿画像読み取り装置の光源及び光学系との間に位置し、原稿からの紙粉等の光源及び光学系への侵入防止や、オペレータによる光源及び光学系の破損防止や、読み取り装置の光学系の焦点位置への原稿の位置決め等を行う、一般に読み取りガラスと呼ばれる透明な部材を含む。【００３４】
以下、ガラス部材を読み取りガラスと記す。【００３５】
本発明者らは、鋭意検討の結果、例えばスキャナ、ＦＡＸ、コピー機等の読込み装置、及び画像形成装置の読込み装置等の読み取りガラスにおいて、読み取りガラス表面での光源光或いは原稿の反射光量が増加しやすいのみでなく、紙粉の付着や、原稿の搬送不良を引き起こし易いという問題点に対して、反射率が増加することによる原稿画像光等の減衰を軽減するための反射軽減機能、帯電による転写紙のガラス表面への吸着を軽減するための帯電軽減機能、ガラス表面の搬送抵抗軽減機能、更に好ましくは、指紋等の付着を軽減するための汚染防止機能を付加しようとして、ガラス表面に形成したＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいづれかを含む第１の層、及び、第１の層上に第１の層より屈折率が低い酸化珪素を含む反射防止層である第２の層を形成し、第１の層、及び、第２の層の少なくともいずれか一方を大気圧プラズマＣＶＤにより形成することにより、光源光或いは原稿反射光が減衰することの軽減、紙粉の付着の軽減、原稿の読み取りガラスへの付着の軽減、また、最上層にフッ素元素を含む低摩擦膜を付加することで更に原稿の搬送抵抗が軽減され、指紋等の付着も軽減されることを見出し本発明に至ったものである。【００３６】
なお、大気圧もしくは大気圧近傍の圧力とは２０ｋＰａ〜２００ｋＰａの圧力を指し、さらに好ましい圧力は、７０ｋＰａ〜１４０ｋＰａである。【００３７】
先ず、読み取りガラスについて説明する。【００３８】
図１は読み取りガラスを説明する概念断面図である。【００３９】
以下に透明基材の片面に２層を有し、反射防止機能を発生する読み取りガラスを例に取り説明する。【００４０】
なお、読み取りガラスにおいて、後述する反射防止機能を発生する膜等はガラスの両面或いは片面（おもて面又はうら面）のいずれに有しても良いが、原稿載置面の反対面であるうら面に有することが好ましい。【００４１】
読み取りガラス１００は、原稿を光学的に読み取る読み取り装置の光源と原稿との間に位置するガラス部材であって、該ガラス部材が反射防止機能を有することを特徴とし、即ち、ガラス基材１１の少なくとも片面に、ガラス基材１１の表面に形成された第１の層１２と、第１の層１２上に形成された、第１の層１２より低い屈折率を有する第２の層１３とを有し、この第１の層及び第２の層が反射防止層１０を形成している。【００４２】
（反射防止機能は第１の層と第１の層上に形成された第２の層の組み合わせで発現されるものであって第２の層単体による反射防止機能ではない。即ち、ガラス表面からの反射光と第１の層及び第２の層の境界で反射された反射光とが干渉作用を起こすことにより、ガラス表面からの反射光が打ち消されることによって発現されるものであるが、説明を容易にするため、以下、第１の層１２を帯電防止膜１２と記し、第２の層１３を便宜上反射防止膜１３と記す。）
反射防止膜１３は酸化珪素を含み、帯電防止膜１２はＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいずれかを含んでいる。【００４３】
更に、最上層にフッ素元素を含む低摩擦膜１４を形成しても良い。【００４４】
ガラス基材１１に用いられるガラスは、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、超高純度ガラス、クリスタルガラス等を挙げることが出来る。また、ソーダガラスの表面のナトリウムを主にカリウムで置換して剛性を向上させた化学強化ガラスを用いることもできる。【００４５】
なお、読み取りガラスの基材であるガラス基材１１は透明で所定の強度を有するガラスであるが、前述の条件を満たすものであればガラスでなくとも良く、例えばプラスチック等の合成樹脂でも良い。【００４６】
また、ガラス基材１１の片面に帯電防止膜１２と反射防止膜１３と低摩擦膜１４とを形成した場合について説明したが、ガラス基材１１と低摩擦膜１４との間に帯電防止膜１２と反射防止膜１３との組み合わせを複数形成しても良く、この場合は反射防止機能が向上する。【００４７】
以下の説明においては説明を分かりやすくするため、ガラス基材１１の片面に帯電防止膜１２と反射防止膜１３と低摩擦膜１４とを形成した場合について説明する。【００４８】
先ず帯電防止膜１２と反射防止膜１３の形成について説明する。【００４９】
図２は本発明の、少なくとも帯電防止膜と反射防止膜とを有する読み取りガラスの製造装置の１例を示す概要説明図である。【００５０】
読み取りガラスの製造装置３は、ガラス基材搬送手段１１１と、帯電防止膜形成部４と、反射防止膜形成部５と低摩擦膜形成部６とを有しており、ガラス基材１１は、ガラス基材１１を載置して矢印方向に向けて搬送するガラス基材搬送手段１１１により帯電防止膜１２を形成する少なくとも２の工程よりなる帯電防止膜形成部４、反射防止膜１３を形成する反射防止膜形成部５、低摩擦膜１４を形成する低摩擦膜形成部６、の順に搬送され、各部で大気圧プラズマ処理により所定の膜が形成される。【００５１】
次に反射防止膜より屈折率が高い帯電防止膜の形成について説明する。【００５２】
図３は、本発明に用いられる帯電防止膜を形成する帯電防止膜形成部の１例を示す概略構成図である。【００５３】
ガラス基材１１上に形成する帯電防止膜１２はＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいずれかを含み、大気圧または大気圧近傍の圧力下でガスを励起する大気圧プラズマＣＶＤ処理により帯電防止膜１２形成し、次いで大気圧プラズマ処理によりその表面の酸化処理を行う、少なくとも２工程により形成する。【００５４】
このように帯電防止膜１２の形成は、第１の工程（以下、単にＰ１ともいう）と第２の工程（以下、単にＰ２ともいう）を有する帯電防止膜形成部４で形成している。【００５５】
Ｐ１とＰ２の工程の間隔は、できるだけ短い方が好ましく、Ｐ１とＰ２の工程が同一の空間内に隣接されて設置されていることが特に好ましい。【００５６】
以下に、帯電防止膜の形成について詳細に説明する。【００５７】
第１の工程Ｐ１（図中一点鎖線で囲まれた領域）では、固定電極４１及びガラス基材搬送手段１１１の移動架台電極４２により対向電極が形成されており、該電極間に第１の高周波電源４３により高周波電界が印加されており、放電ガスＧ１が放電ガス供給手段４４により、また薄膜形成性ガスＧ２が薄膜ガス供給手段４５により薄膜形成性ガス供給パイプ４６を通して供給され、固定電極４１に形成されたスリット４７を通り放電空間Ａに流出する。【００５８】
放電空間Ａに流出した放電ガスＧ１と薄膜形成性ガスＧ２は印加された高周波電界により励起され、励起ガス４８が生成される。【００５９】
ここで、放電空間とは、所定の距離を離間して対向配置された電極対により挟まれた空間で、かつ前記電極対間へ放電ガス等を導入して電界を印加することにより放電を起こす空間を指す。【００６０】
そして、移動架台電極４２上に載置されたガラス基材１１の表面を励起ガス４８に晒すことにより、基材表面に薄膜が形成される。【００６１】
第１の工程Ｐ１に用いられる放電ガスＧ１としては、ヘリウムやアルゴン等の希ガスを用いることが好ましい。【００６２】
薄膜形成ガスＧ２とは、それ自身が励起して活性となり、基材上に化学的に堆積して薄膜を形成する原料のことで、膜を形成する好ましい有機金属化合物の金属は、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び錫（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１種の金属である。【００６３】
得られる、帯電防止膜である透明導電膜は、例えば、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＺｎＯの酸化物膜、またはＳｂドープＳｎＯ2、ＦドープＳｎＯ2（ＦＴＯ）、ＡｌドープＺｎＯ、ＳｎドープＩｎ2Ｏ3（ＩＴＯ）等ドーパントによるドーピングした複合酸化物を挙げることが出来、これらから選ばれる少なくとも一つを主成分とするアモルファス膜が好ましい。【００６４】
本発明において、好ましい有機金属化合物の例としては、インジウムトリス（２，４−ペンタンジオナート）、インジウムトリス（ヘキサフルオロペンタンジオナート）、インジウムトリアセトアセタート、トリアセトキシインジウム、ジエトキシアセトキシインジウム、トリイソポロポキシインジウム、ジエトキシインジウム（１，１，１−トリフルオロペンタンジオナート）、トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナート）インジウム、エトキシインジウムビス（アセトメチルアセタート）、ジ（ｎ）ブチル錫ビス（２，４−ペンタンジオナート）、ジ（ｎ）ブチルジアセトキシ錫、ジ（ｔ）ブチルジアセトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラ（ｉ）ブトキシ錫、ビス（２，４−ペンタンジオナート）亜鉛等を挙げることが出来る。これらの有機金属化合物は一般に市販（例えば、東京化成工業（株）等から）されている。【００６５】
〈ドーピング〉
本発明においては、上記分子内に少なくとも１つの酸素原子を有する有機金属化合物の他に、該有機金属化合物から形成された透明導電膜の導電性を更に高めるために透明導電膜をドーピングすることが好ましく、薄膜形成ガスとしての該有機金属化合物とドーピング用有機金属化合物ガスを同時に混合して用いることが好ましい。ドーピングに用いられる有機金属化合物またはフッ素化合物の薄膜形成ガスとしては、例えば、トリイソプロポキシアルミニウム、トリス（２，４−ペンタンジオナート）ニッケル、ビス（２，４−ペンタンジオナート）マンガン、イソプロポキシボロン、トリ（ｎ）ブトキシアンチモン、トリ（ｎ）ブチルアンチモン、ジ（ｎ）ブチルビス（２，４−ペンタンジオナート）錫、ジ（ｎ）ブチルジアセトキシ錫、ジ（ｔ）ブチルジアセトキシ錫、テトライソプロポキシ錫、テトラブトキシ錫、テトラブチル錫、亜鉛ジ（２，４−ペンタンジオナート）、六フッ化プロピレン、八フッ化シクロブタン、四フッ化メタン等を挙げることが出来る。【００６６】
前記透明導電膜を形成するに必要な有機金属化合物と上記ドーピング用の薄膜形成ガスの比は、製膜する透明導電膜の種類により異なるが、例えば、酸化インジウムに錫をドーピングして得られるＩＴＯ膜においては、ＩｎとＳｎの比の原子数比が１００：０．１〜１００：１５の範囲になるように薄膜形成ガス量を調整することが必要である。好ましくは、１００：０．５〜１００：１０になるよう調整する。酸化錫にフッ素をドーピングして得られる透明導電膜（ＦＴＯ膜という）においては、得られたＦＴＯ膜のＳｎとＦの比の原子数比が１００：０．０１〜１００：５０の範囲になるよう薄膜形成ガスの量比を調整することが好ましい。Ｉｎ2Ｏ3−ＺｎＯ系アモルファス透明導電膜においては、ＩｎとＺｎの比の原子数比が１００：５０〜１００：５の範囲になるよう薄膜形成ガスの量比を調整することが好ましい。Ｉｎ：Ｓｎ比、Ｓｎ：Ｆ比及びＩｎ：Ｚｎ比の各原子数比はＸＰＳ測定によって求めることが出来る。【００６７】
本発明において、透明導電膜形成ガスは、混合ガスに対し、０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。【００６８】
次に、ガラス基材１１は移動架台電極４２と共に第２の工程Ｐ２（図中一点鎖線で囲まれた領域）に移動する。第２の工程Ｐ２では、固定電極５１と移動架台電極４２により対向電極が形成されており、該電極間に第２の高周波電源５３により高周波電圧が印加されており、酸化性ガスＧ３が酸化性ガス供給手段５４により酸化性ガス供給パイプ５６を通して供給され、固定電極５１に形成されたスリット５７を通り放電空間Ｂに流出する。【００６９】
放電空間Ｂに流出した酸化性ガスＧ３は印加された高周波電界により励起され、励起酸化性ガス５８が生成される。【００７０】
そして、移動架台電極４２上に載置されたガラス基材１１の表面を励起酸化性ガス５８に晒すことにより、基材表面の薄膜が酸化処理される。【００７１】
酸化性ガスとしては、酸素、オゾン、過酸化水素、二酸化炭素、一酸化炭素、二酸化窒素等を挙げることが出来るが、酸素、オゾンおよび一酸化炭素等が好ましく、これらから選択される成分を放電ガスと混合させるのが好ましい。酸化性ガスの含有量はガス全量に対して０．０００１〜３０体積％含有させることが好ましく、更に０．００１〜１５体積％、特に０．０１〜１０体積％含有させることが好ましい。【００７２】
この第１の工程Ｐ１の薄膜形成と、第２の工程Ｐ２の酸化処理操作間を移動架台で往復することにより、所望の膜厚を有する帯電防止膜を形成することができる。【００７３】
ここで、第１の高周波電源４３は、少なくとも２種の波長の異なる高周波電圧を重畳して印加するものでも良い。この場合、窒素ガスのような放電開始電圧が高いが安価なガスを用いても良好なプラズマ放電を形成することが可能となる。【００７４】
固定電極４１、５１及び移動架台電極４２は、それぞれ導電性の金属質母材上に誘電体としてのセラミックスを溶射後、無機化合物の封孔材料を用いて封孔処理したものが用いられる。セラミックス誘電体は片肉で１ｍｍ程度被覆があればよい。【００７５】
溶射に用いるセラミックス材としては、アルミナ・窒化珪素等が好ましく用いられるが、この中でもアルミナが加工し易いので、特に好ましく用いられる。また、誘電体層が、ガラスライニングにより無機材料を設けたライニング処理誘電体であってもよい。【００７６】
導電性の金属質母材としては、チタン金属またはチタン合金、銀、白金、ステンレススティール、アルミニウム、鉄等の金属等や、鉄とセラミックスとの複合材料またはアルミニウムとセラミックスとの複合材料を挙げることが出来るが、チタン金属またはチタン合金が特に好ましい。【００７７】
対向電極間の間隙ｄ１は、導電性の金属質母材に設けた誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ等を考慮して決定されるが、電極の一方に誘電体を設けた場合の誘電体表面と導電性の金属質母材表面の最短距離、上記電極の双方に誘電体を設けた場合の誘電体表面同士の距離としては、いずれの場合も均一な放電を行う観点から０．１〜２０ｍｍが好ましく、特に好ましくは０．５〜６ｍｍである。又、対向電極間には基材が置かれることから、基材の厚さにより異なるが、印加電極と基材との間隙ｄ２は０．５〜３ｍｍの範囲が好ましい。【００７８】
次に第１の高周波電源４３及び第２の高周波電源５３について説明する。第１の高周波電源４３の周波数としては周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られるため、好ましくは８００ｋＨｚ以上で２００ＭＨｚ以下が良い。【００７９】
このような電源として、例えば
メーカー            周波数            製品名
パール工業      ８００ｋＨｚ    ＣＦ−２０００−８００ｋ
パール工業          ２ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２Ｍ
パール工業  １３．５６ＭＨｚ    ＣＦ−５０００−１３Ｍ
パール工業        ２７ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−２７Ｍ
パール工業      １５０ＭＨｚ    ＣＦ−２０００−１５０Ｍ等の市販のものを挙げることが出来、適宜選択して使用する。【００８０】
なお、上記電源のうち、＊印はハイデン研究所インパルス高周波電源（連続モードで１００ｋＨｚ）である。それ以外は連続サイン波のみ印加可能な高周波電源である。【００８１】
次に、帯電防止膜１２より屈折率が低い反射防止膜１３の形成について説明すると、
図４は、本発明に用いられる反射防止膜を形成する反射防止膜形成部の１例を示す概略構成図である。【００８２】
反射防止膜形成部５は図２を参照して説明したように、上述した帯電防止膜形成部４の後工程で、帯電防止膜１２上に形成する反射防止膜１３は酸化珪素を含み、少なくとも２の異なる周波数を重畳した電界による大気圧または大気圧近傍の圧力下でガスを励起する大気圧プラズマＣＶＤ処理を行うことにより積層される。【００８３】
以下に、反射防止膜の形成について詳細に説明する。【００８４】
反射防止膜形成部５の固定電極６１及びガラス基材搬送手段１１１の移動架台電極４２により対向電極が形成されており、該電極間に第３の高周波電源６３及び異なる周波数の第４の高周波電源７３により高周波電界が印加されており、放電ガスＧ４が放電ガス供給手段６４により、また薄膜形成性ガスＧ５が薄膜ガス供給手段６５により薄膜形成性ガス供給パイプ６６を通して供給され、固定電極６１に形成されたスリット６７を通り放電空間Ｃに流出する。【００８５】
放電空間Ｃに流出した放電ガスＧ４と薄膜形成性ガスＧ５は、第３の高周波電源６３の周波数ω１及び第４の高周波電源７３の異なる周波数ω２が重畳された高周波電界により励起され、励起ガス６８が生成される。【００８６】
そして、移動架台電極４２上に載置されたガラス基材１１の上に形成された帯電防止膜１２の表面を励起ガス６８に晒すことにより、帯電防止膜１２表面に薄膜が形成される。【００８７】
ここで、反射防止膜の厚さは、例えば放電空間Ｂに晒す時間が長くなると厚くなるため、所定の厚さとするために放電空間Ｂの下で移動架台電極４２を所定回数往復させる。【００８８】
放電ガスＧ４としては、酸素、窒素、水素、アルゴン等を用いることが可能で、窒素がコストの面から好ましい。【００８９】
薄膜形成ガスＧ５とは、それ自身が励起して活性となり、基材上に化学的に堆積して薄膜を形成する原料のことで、薄膜形成ガスＧ５としては、珪素化合物、フッ素化合物、あるいは珪素化合物とフッ素化合物の混合物を好ましく用いることが出来る。これらの化合物を帯電防止膜屈折率より低くなるように屈折率を調節するために、単体で使用しても２種以上混合して使用してもよい。【００９０】
本発明に有用な、上述したＩＴＯ、酸化錫、酸化亜鉛のいずれかを含む帯電防止膜より低い屈折率を有する反射防止膜を形成するための薄膜形成ガスに使用する珪素化合物としては、有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハロゲン化珪素化合物等を挙げることが出来、有機珪素化合物としては、例えば、テトラエチルシラン、テトラメチルシラン、テトライソプロピルシラン、テトラブチルシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルシランジ（２，４−ペンタンジオナート）、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等、珪素水素化合物としては、テトラ水素化シラン、ヘキサ水素化ジシラン等、ハロゲン化珪素化合物としては、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジエチルジクロロシラン等を挙げることが出来、何れも本発明において好ましく用いることが出来る。また、前記フッ素化合物を使用することが出来る。これらの薄膜形成ガスを２種以上を同時に混合して使用することが出来る。また、屈折率の微調整にこれら錫化合物、チタン化合物、珪素化合物を適宜２種以上同時に混合して使用してもよい。【００９１】
上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物は、取り扱い上の観点から金属水素化合物、アルコキシ金属が好ましく、腐食性、有害ガスの発生がなく、工程上の汚れなども少ないことから、アルコキシ金属が好ましく用いられる。また、上記の有機錫化合物、有機チタン化合物または有機珪素化合物を放電空間である電極間に導入するには、両者は常温常圧で、気体、液体、固体何れの状態であっても構わない。気体の場合は、そのまま放電空間に導入出来るが、液体、固体の場合は、図示しない加熱、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用される。【００９２】
固定電極６１は帯電防止膜形成部４で用いたものと同様な材質・構成のものを用いることができる。【００９３】
少なくとも２の異なる周波数の電界による大気圧プラズマＣＶＤにより形成する反射防止膜の形成は、周波数ω１の高周波電源６３が接続された固定電極６１と周波数ω２の第４の高周波電源７３が接続された移動架台電極４２との間の放電空間で励起されたガスが基材に晒されることにより行われる。【００９４】
ここで、高周波電源６３の高周波電界の周波数ω１より第４の高周波電源７３の周波数ω２が高く、高周波電源６３による高周波電界の強さＶ１、第４の高周波電源７３による高周波電界の強さＶ２、および放電開始電界の強さＩＶとの関係が、Ｖ１≧ＩＶ＞Ｖ２またはＶ１＞ＩＶ≧Ｖ２を満たし、第４の高周波電源７３による高周波電界の密度が、１Ｗ／ｃｍ2以上であることが好ましい。【００９５】
第３の高周波電源６３と第４の高周波電源７３がともにサイン波である場合は、固定電極６１と移動架台電極４２との間に発生する高周波電界は周波数ω１と周波数ω２とが重なり合った成分となり、その波形は周波数ω１のサイン波上に、それより高い周波数ω２のサイン波が重なった波形となる。【００９６】
本発明において、放電開始電界の強さとは、実際の薄膜形成方法に使用される放電空間（電極の構成など）および反応条件（ガス条件など）において放電を開始することの出来る最低電界の強さのことを指し、放電開始電界の強さは、放電空間に供給されるガス種や電極の誘電体種または電極間距離などによって多少変動するが、同じ放電空間においては、放電ガスの放電開始電界の強さに支配される。【００９７】
上記で述べたような高周波電界を放電空間に印加することによって、薄膜形成可能な放電を起こし、薄膜形成に必要な高密度プラズマを発生することが出来ると推定される。【００９８】
上記ではサイン波の連続波の重畳について説明したが、これに限られるものではなく、両方パルス波であっても、一方が連続波でもう一方がパルス波であってもよい。また、更に第３の電界を有していてもよい。【００９９】
ここで、本発明でいう高周波電界の強さ（印加電界強度）と放電開始電界の強さは、下記の方法で測定されたものをいう。【０１００】
高周波電界の強さＶ１及びＶ２（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
各電極部に高周波電圧プローブ（Ｐ６０１５Ａ）を設置し、該高周波電圧プローブの出力信号をオシロスコープ（Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ社製、ＴＤＳ３０１２Ｂ）に接続し、電界の強さを測定する。【０１０１】
放電開始電界の強さＩＶ（単位：ｋＶ／ｍｍ）の測定方法：
電極間に放電ガスを供給し、この電極間の電界の強さを増大させていき、放電が始まる電界の強さを放電開始電界の強さＩＶと定義する。測定器は上記高周波電界の強さ測定と同じである。【０１０２】
このような構成・放電条件をとることにより、例え窒素ガスのように放電開始電界の強さが高い放電ガスでも、放電を開始し、高密度で安定なプラズマ状態を維持出来、高速に薄膜形成を行うことが出来るのである。【０１０３】
上記の測定により放電ガスを窒素ガスとした場合、その放電開始電界の強さＩＶ（１／２Ｖｐ−ｐ）は３．７ｋＶ／ｍｍ程度であり、従って、上記の関係において、第１の高周波電界の強さを、Ｖ１≧３．７ｋＶ／ｍｍとして印加することによって窒素ガスを励起し、プラズマ状態にすることが出来る。【０１０４】
ここで、第３の高周波電源６３の周波数ω１としては、２００ｋＨｚ以下が好ましく用いられる。またこの電界波形としては、連続波でもパルス波でもよい。下限は１ｋＨｚ程度が望ましい。【０１０５】
一方、第４の高周波電源７３の周波数ω２としては、８００ｋＨｚ以上が好ましく用いられる。この第２電源の周波数が高い程、プラズマ密度が高くなり、緻密で良質な薄膜が得られる。上限は２００ＭＨｚ程度が望ましい。【０１０６】
このような２つの電源から高周波電界を印加することは、第３の高周波電源６３による高周波電界によって高い放電開始電界の強さを有する放電ガスの放電を開始するのに必要であり、また第４の高周波電源７３による高周波電界の高い周波数および高い出力密度によりプラズマ密度を高くして緻密で良質な薄膜を形成することが本発明の重要な点である。【０１０７】
また、第３の高周波電源６３による高周波電界の出力密度を高くすることで放電の均一性を維持したまま、第４の高周波電源７３による高周波電界の出力密度を向上させることができ更なる均一高密度プラズマが生成でき、更なる製膜速度の向上と、膜質の向上が両立出来る。【０１０８】
低摩擦膜１４の形成は、フッ素化合物を含む薄膜形成ガスにより、前述したと同様な大気圧或いは大気圧近傍のプラズマＣＶＤ処理により反射防止膜上にフッ素元素を含む低摩擦膜１４を形成しても良い。【０１０９】
また、読み取りガラスに反射防止機能を設ける他の方法として、読み取りガラスのガラス基材上に複数の層を設け、その一番外側の層の表面に大きさ・深さが数十〜数百ｎｍの微少な凹凸を設けることによって表面における光の干渉を利用して反射を軽減することも可能となる。【０１１０】
以上本発明の膜形成に用いられる大気圧プラズマＣＶＤ処理装置として、対向電極の間に高周波電界を印加して放電させ、該対向電極間に導入した放電ガスと薄膜形成性ガスを励起してプラズマ状態とし、該対向電極間に静置あるいは移送される基材を該プラズマ状態のガスに晒すことによって、該基材の上に薄膜を形成させるものであるが、他の方式として、大気圧プラズマＣＶＤ処理装置は、１対の対向電極間で放電させ、該対向電極間に導入したガスを励起してプラズマ状態とし、該対向電極外（放電空間外）にジェット状にプラズマ状態のガスを吹き出し、該対向電極の近傍にある基材を晒すことによって該基材の上に薄膜を形成させるプラズマジェット方式の装置を用いても良い。【０１１１】
以上説明したように、ガラス基材上に帯電防止膜を、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及び錫（Ｓｎ）から選ばれる少なくとも１種の有機金属化合物を用いて少なくとも２の異なる周波数の電界による大気圧プラズマＣＶＤにより形成し、帯電防止膜の上に帯電防止膜より屈折率が低い反射防止膜を、有機珪素化合物、珪素水素化合物、ハロゲン化珪素化合物等から選ばれる少なくとも１種の有機珪素化合物を用いて１の周波数の電界による大気圧プラズマＣＶＤにより積層することにより、反射防止機能を有する読み取りガラスを提供可能とするものである。【０１１２】
なお、上述した帯電防止膜と反射防止膜とを、ガラス基材の両面に形成すると、光源光と原稿反射光のロスとなる反射光が減少できより好ましい。【０１１３】
図５は本発明の実施の形態に係る読み取りガラスを有する読み取り装置、及び読み取り装置を有する画像形成装置を示す図である。【０１１４】
画像形成装置２は、積載された原稿Ｄを１枚づつ分離して搬送する自動原稿搬送装置９０と、本発明に係る原稿の読み取り装置（以下読み取り装置と記す）９１と、読み取り装置９１により読み込まれた原稿画像情報に基づいて感光体ドラム９２上に潜像を形成する走査露光部９３と、潜像をトナーで顕像化する画像形成部９４と、転写紙Ｐの給紙経路である給紙経路９５と、トナー像を加熱により定着する定着ユニット９６を有している。【０１１５】
先ず、原稿画像の読み取りについて説明すると、原稿画像を読み取る読み取り装置９１は、図１〜４を参照して説明した本発明に係る読取りガラス１００の第１の形態であるスリットガラス１０１と第２の形態であるプラテンガラス１０２と、光源９１１及び第１ミラー９１２が一体となった光学ユニットＵ１（以下走査ユニットＵ１とも記す）と、第２，３ミラー９１３、９１４が一体となった走査ユニットＵ２とを有しており、原稿Ｄを照明する光源９１１はキセノンランプ又は蛍光灯からなる長い管状の光源で、第１〜３ミラーは主走査方向に長い長方形のミラーで、光源９１１と第１〜３ミラーはそれぞれ平行に配設されている。【０１１６】
ここで、原稿画像を読み取る読み取り方法として、静止光学系型読み取り動作で読み取る方法と、移動光学系型読取動作で読み取る方法との２通りが有り、静止光学系型読み取り動作で原稿読み取り領域Ｒを搬送される原稿Ｄの画像を読取る方法を説明すると、送り出しローラ対９０１により１枚分離された原稿Ｄは、レジストローラ対９０２により位置決めされ、回転する大径の搬送ドラム９０３と従動ローラ９０４、９０５により挟持されると共に、ガイド９０６により案内されて、搬送ドラム９０３の外周面に沿って搬送され、主走査方向に長い長方形のスリットガラス１０１と搬送ドラム９０３とが対向する間隙である原稿読み取り領域Ｒに到達する。【０１１７】
光源９１１は原稿読み取り領域Ｒを搬送される原稿Ｄを照明し、スリットガラス１０１を介して原稿Ｄで反射された原稿画像の反射光Ｌは第１、第２、第３ミラー９１２、９１３、９１４及び結像レンズ９１５を通過して結像され、撮像素子９１６に入射する。【０１１８】
そして、撮像素子９１６により原稿画像情報が読み取られる。【０１１９】
原稿読み取り領域Ｒを通過した原稿Ｄは、片面読み取りの場合は排紙皿９０７上に排出されるように搬送され排紙ローラ９０８により排紙皿９０７上に排紙される。【０１２０】
移動光学系型読取動作でプラテンガラス１０２上に載置した原稿Ｄの画像を読取る方法を説明すると、最大サイズの原稿外形寸法より大きな外形寸法を有するプラテンガラス１０２上に原稿Ｄが載置されており、光源９１１及び第１ミラー９１２は移動可能な走査ユニットＵ１として、第２、第３ミラー９１３、９１４は走査ユニットＵ２としてそれぞれ副走査方向（原稿の搬送方向、図示左右方向）に破線で示すように移動するとともに、移動中に光源９１１はプラテンガラス１０２上に載置された原稿Ｄを照明し、プラテンガラス１０２を介して原稿Ｄで反射された原稿画像の反射光Ｌは走査ユニットＵ１と走査ユニットＵ２及び結像レンズ９１５を通過して結像され、撮像素子９１６に入射する。【０１２１】
そして、静止光学系型読み取り動作と同様に撮像素子９１６により原稿画像情報が読み取られる。【０１２２】
ここで、スリットガラス１０１及びプラテンガラス１０２は読み取り装置９１の最上部に位置して転写紙Ｐがその上を搬送されるため、通常の操作時に破損をしないだけの強度即ち厚さを必要とし光源光或いは原稿の反射光が増加しやすいのみでなく、紙粉が付着し易く、タックラベルの接着糊や指紋等の汚れが付着し易いという特徴を持っている。【０１２３】
このため、読み取りガラス表面で反射が増加することによる光の減衰を低減するための反射防止機能、更に好ましくは、帯電による転写紙のガラス表面への吸着を低減するための帯電防止機能、糊等の付着を低減するための汚染防止機能を有している図１〜４を参照して説明した本発明に係る読取りガラスを用いることが好ましい。【０１２４】
撮像素子９１６はライン状のＣＣＤからなり、原稿Ｄで反射し、ミラーや結増レンズを介して導かれた光（原稿画像）を１画素毎に光電変換する。光電変換された原稿画像情報は制御手段（不図示）に入力され、アナログ／デジタル変換後に通常行われる画像処理が行われデジタル画像情報として走査露光部９３に出力される。【０１２５】
画像形成部９４は、感光体ドラム９２、帯電用電極９４１、走査露光部９３、現像ユニット９４２、転写用電極９４３、分離用電極９４４を有する。【０１２６】
感光体ドラム９２が矢印の向きに回転し、帯電用電極９４１により一様の電位が付与され、次いで、上述したデジタル画像情報に基づき走査露光部９３が回転中の感光体ドラム９２の表面をレーザービームで走査することにより原稿Ｄの画像に対応した静電潜像を形成する。【０１２７】
そして、感光体ドラム上に形成された静電潜像を現像ユニット９４２により現像し、感光体ドラム９２の表面にトナー像を顕像化する。【０１２８】
給紙カセット９５１には転写紙Ｐが積載されており、重送防止機構を備える給紙部９５２で転写紙Ｐを一枚ずつ給紙経路９５に搬入する。【０１２９】
この給紙経路９５は画像形成部９４の上流に配置されるもので、レジストローラ９５３を有している。【０１３０】
レジストローラ９５３が感光体ドラム９２の上に形成されたトナー像の回転に同期して駆動されて、転写紙Ｐは転写域（図示転写用電極９４３上部）に送り込まれる。【０１３１】
転写域に送り込まれた転写紙Ｐに感光体ドラム９２に形成されたトナー像の転写がなされ、その後、転写紙Ｐは分離用電極９４４と分離爪（図示せず）により感光体ドラム９２から分離され、更に搬送ユニット９５４により定着ユニット９６に搬送される。【０１３２】
そしてクリーニングユニット９４５が転写後の感光体ドラム９２の表面を清掃して異物や残留トナー等を除去する。【０１３３】
残留トナーが除去されると、再度帯電用電極９２１が次の複写動作に備えて感光体ドラム９２の表面を帯電させる。【０１３４】
定着ユニット９６内では、転写紙Ｐとトナー像とが加熱・加圧されて、トナー像の定着が行われ、片面コピーの場合は排紙ローラ９５５に挟持されて排紙トレー（図示せず）に送られる。【０１３５】
又、両面コピーの場合は、トナー像を定着済みの転写紙Ｐは搬送ローラ９５６により反転搬送路９５７に搬送され、反転搬送路９５７で走行方向を反転された記録紙Ｐは搬送路９５８を搬送されて給紙経路９５に搬入され、再度トナー像を転写、定着される。【０１３６】
なお、カラー読み取り装置の場合は、光源及び読み取りガラスの周波数分布に対する各周波数のフラット化のための補正手段が必要なことは言うまでもなく、読み取り装置で一般に用いられている補正手段が利用できる。【０１３７】
図６は、光源の光が原稿に当たり、原稿の反射光が反射される様子を示す説明図である。【０１３８】
光源８０から発せられた光８１は読み取りガラス１００（例えばスリットガラス１０１、或いはプラテンガラス１０２に相当）を通過して原稿Ｄを照射し、原稿Ｄの反射光８２が再び読み取りガラス１００を通過して、通過光８３が原稿画像読み取り手段８４に戻ってくる。【０１３９】
以下、読み取りガラスの反射率とは、光源８０から発せられた光８１と読み取りガラス１００の表面で反射された光８５との、光量の比を指す。【０１４０】
反射率＝（読み取りガラス１００表面で反射された光８５の光量）／（読み取りガラス１００に入射する光源光８１の光量）
図７は、帯電防止膜と反射防止膜による、読み取りガラスでの反射の軽減についての説明図である。【０１４１】
縦軸は反射率、横軸は光の波長を示している。【０１４２】
ａはガラス基材のみのガラス表面の反射率の、波長に対する変化を示している。この場合は波長に無関係にフラットな値を示している。【０１４３】
ｂはガラス基材に対し屈折率が高い帯電防止膜のみを形成した場合の反射率の、波長に対する変化を示しており、帯電防止膜により反射率が増加している。この結果図６に示した通過光８３は減少する。またこの場合は短波長に行くに従い反射率が増加する傾向を示している。【０１４４】
ｃは帯電防止膜表面に帯電防止膜より屈折率が低い反射防止膜（低屈折率膜）を形成した場合の反射率の、波長に対する変化を示しており、帯電防止膜と低屈折率膜の組み合わせにより、帯電防止膜のみの反射率に対して反射率が減少している。この結果図６に示した通過光８３は増加する。またこの場合は短波長及び長波長に行くに従い反射率が増加し、中間領域でガラス基材のみの反射率に対して反射率が減少する、下側に凸形状の傾向を示している。【０１４５】
以上のように、ガラス基材表面に帯電防止膜と、帯電防止膜より屈折率が低い膜とを積層させることによりガラス基材のみの場合に比べ反射率を減少させることができることが分かる。【０１４６】
この結果読み取りガラスの透過率を向上させることができ、光源及び原稿からの反射光のロスを軽減させることができる。【０１４７】
図８は、反射防止膜の厚さによる、読み取りガラスでの反射の変化を示す説明図である。【０１４８】
図８（ａ）は、帯電防止膜と反射防止膜の組み合わせ時の反射防止膜の厚さによる、読み取りガラスでの光波長に対する反射率の変化を示しており、縦軸は反射率、横軸は光の波長を示している。【０１４９】
図８（ｂ）は、光源による光の周波数分布を示しており、縦軸は発光光量、横軸は光の波長を示している。【０１５０】
図８（ａ）において、ａは反射防止膜の厚さが略７５ｎｍ、ｂは反射防止膜の厚さが略８５ｎｍ、ｃは反射防止膜の厚さが略１００ｎｍ、ｄは反射防止膜の厚さが略１２５ｎｍ、の場合の、光の周波数に対する、読み取りガラスでの反射率の変化を示している。【０１５１】
図示したように、下側に凸形状の反射傾向を示し、その下側凸部（最低反射率部）の周波数が反射防止膜の厚さに応じて変化していることが分かる。【０１５２】
また、図８（ｂ）において、ｅはＬＥＤを光源とした場合の光波長に対する発光光量を示し、ｆは蛍光灯を光源とした場合の光波長に対する発光光量を示している。【０１５３】
図示したようにそれぞれピーク発光光量を示す光波長が異なることが分かる。【０１５４】
以上図８（ａ）（ｂ）より、使用する光源のピーク発光光量を示す光波長と、読み取りガラスの最低反射率を示す光波長とを合わせるような反射防止膜の厚さを選択することにより、光源に対応した読み取りガラスとすることができる。【０１５５】
ここで、光源光のピーク発光光量を示す光波長に対して読み取りガラスの最低反射率を示す光波長の差は±１００ｎｍ以下とするのが好ましい。【０１５６】
即ち、前記反射防止層はその厚さにより読み取りガラスの最低反射率を示す波長が変化し、前記反射防止層（低屈折率層）は光源の最大光量の波長と対応した波長で読込みガラスの反射率が最低となる厚さとなるように設定してある。
【実施例】
【０１５７】
以下本発明の実施例について詳細に説明するが、本発明は、何ら下記実施例に限定されるものではない。【０１５８】
（実施例）
コニカミノルタ社製デジタル複写機１１４５Ｃを用い、下記の条件で制作した読み取りガラスを順次交換し、読み取り・プリントを行い、表１に示すノイズ及びスジの有無について画質評価を行った。【０１５９】
【表１】
2006082769.tif 000002
【０１６０】
〔評価スリットガラスサンプル〕
比較例１：ガラス基材として日本板硝子社製化学強化ガラス３ｍｍ厚を使用
比較例２：蒸着法によりガラス基材にＩＴＯを１５ｎｍ付け、さらにフッ素処理を行った。フッ素処理はダイキン社製オプツールＤＳＸを、同社製Ｓｏｌ−１で０．１％に希釈し、ディップ塗布法でコーティングした。【０１６１】
薄膜ＸＲＤにて膜厚を測った結果、３．６ｎｍまたＸＰＳで入射角３０°付近で膜表面の元素組成を測った結果フッ素元素の表面は２１％であった。【０１６２】
実施例１：うら面のみに大気圧プラズマ法にてＳｎＯ２膜を３０ｎｍ付け、さらにＳｉＯ２を８５ｎｍ積層した（最低反射率を示す光源波長：４２０ｎｍ）。【０１６３】
なお、ガラス基材の原稿載置面をおもて面、その反対面をうら面とする。【０１６４】
実施例２：うら面のみに大気圧プラズマ法にてＳｎＯ２膜を３０ｎｍ付け、さらにＳｉＯ２を１２５ｎｍ積層した（最低反射率を示す光源波長：５４０ｎｍ）。【０１６５】
実施例３：実施例２に対し、おもて面にフッ素処理を行った。フッ素処理はダイキン社製オプツールＤＳＸを、同社製Ｓｏｌ−１で０．１％に希釈し、ディップ塗布法でコーティングした（最低反射率を示す光源波長：５４０ｎｍ）。【０１６６】
薄膜ＸＲＤにて膜厚を測った結果、３．８ｎｍ。またＸＰＳで入射角３０°付近で膜表面の元素組成を測った結果フッ素元素の表面は４５％であった。【０１６７】
実施例４：実施例３と同様の処理を両面にわたり行った（最低反射率を示す光源波長：５４０ｎｍ）。【０１６８】
次に上記実施例１〜４のガラスサンプルの作成方法について説明する。【０１６９】
〔帯電防止膜ＳｎＯ２の成膜条件〕：実施例１〜４
ａ、Ｐ１
図３に示す大気圧プラズマ装置を用いて下記の条件で基材上に成膜した。【０１７０】
（電源条件）
電源：（パール工業製高周波電源）高周波側２７ＭＨｚ  １０Ｗ／ｃｍ2
（電極条件）
第１電極の移動架台電極及び第２電極と第４電極の角形電極は、３０ｍｍ角状の中空のチタンパイプに対し、誘電体としてセラミック溶射加工を行い製作した。【０１７１】
誘電体厚み    ：１ｍｍ
電極巾        ：４０ｍｍ
印加電極温度  ：９０℃
基材／電極間ギャップ：１．５ｍｍ
（ガス条件）
テトラブチルスズ気化用Ａｒガス：１ｓｌｍ
放電ガス  Ａｒ：１０ｓｌｍ
補助ガス  Ｈ2  ：０．０２ｓｌｍ
ｂ、Ｐ２
図３に示す大気圧プラズマ装置を用いて下記の条件で表面処理を行った。【０１７２】
（電源条件）
電源：高周波側２７ＭＨｚ  ２０Ｗ／ｃｍ2
誘電体厚み    ：１ｍｍ
電極巾        ：４０ｍｍ
放電電極温度  ：９０℃
基材／電極間ギャップ：１．５ｍｍ
（ガス条件）
放電ガス  Ａｒ：１０Ｌ／ｍｉｎ
補助ガス  Ｏ２：０．５Ｌ／ｍｉｎ
ｃ、移動架台電極
移動架台電極の温度：２００℃
ｄ、Ｐ１とＰ２を連続的に往復走査処理を行った。即ち、Ｐ１の固定電極４１とＰ２の固定電極５１を並列に接続して電源の高圧側を接続し、移動架台電極４２には電源の低圧側を接続し、Ｐ１で薄膜を形成させた後直ちにＰ２の酸化処理ができるようにした。２００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動架台電極４２を移動し、約６０回の往復処理で３０ｎｍの薄膜（帯電防止膜）形成を行った。【０１７３】
〔反射防止膜ＳｉＯ２の成膜条件〕実施例１〜４
図４に示す大気圧プラズマ装置を用いて下記の条件で帯電防止膜上に成膜した。【０１７４】
（電源条件）
重畳する電源：
低周波側    ：（ハイデン研究所インパルス高周波電源）ω１：１００ｋＨｚ、Ｖ１：６ｋＶ、Ｉ１：８ｍＡ／ｃｍ2、出力密度：１６Ｗ／ｃｍ2
高周波側    ：（パール工業製高周波電源）ω２：１３．５６ＭＨｚ、Ｖ２：７５０Ｖ、Ｉ２：１５０ｍＡ、出力密度：１１Ｗ／ｃｍ2、ＩＶ１：３．５ｋＶ
（電極条件）
第１電極の移動架台電極及び第２電極と第４電極の角形電極は、３０ｍｍ角状の中空のチタンパイプに対し、誘電体としてセラミック溶射加工を行い製作した。【０１７５】
誘電体厚み  ：１ｍｍ
電極巾      ：４０ｍｍ
印加電極温度：９０℃
基材／電極間ギャップ：１．０ｍｍ
（ガス条件）
ＴＥＯＳ気化用Ｎ2ガス：０．２ｓｌｍ
放電ガス  Ｎ2：２０ｓｌｍ
補助ガス  Ｏ2：１ｓｌｍ
ａ、移動架台電極
移動架台電極の温度：２００℃
ｂ、印加電極下で往復処理を行った。即ち、固定電極電極６１に低周波側の電源を接続し、移動架台電極４２には高周波側の電源を接続した。これで、１００ｍｍ／ｓｅｃの速度で移動架台電極４２を移動し、約６０回の往復処理で８５ｎｍ（実施例１）、また、約９０回の往復処理で１２５ｎｍ（実施例２〜４）の薄膜（反射防止膜）形成を行った。【０１７６】
〔評価方法〕
表１の比較例及び実施例に示すスリットガラスを交換して取り付け、読み取り・プリントを行い、ムラ、筋の有無について評価を実施した。【０１７７】
なお、評価に使用した用紙は連量が５５ｋｇの市販Ａ３用紙で、画素率が２％の低い印字率の線画を使用し、２枚間隔で印字を５００枚実施した。【０１７８】
最終５００枚時点で、ベタ白、ハーフトーンの画像をプリントし、それらの出力画像の画質評価を実施した。【０１７９】
〔評価基準〕
ノイズによるむら評価：ハーフトーンの均一性を目視にて判断し、ランクを下記として評価した。【０１８０】
◎：ムラの無い均一な画像
○：実用上無害な僅かな薄い斑点状のムラが数箇所存在
△：スジ状の薄い斑点状のムラが数箇所存在
×：スジ状のはっきりした斑点状ムラが多数存在
黒スジ評価：ベタ白の画像にあるシャープな黒スジの有無、本数を評価した。【０１８１】
◎：スジの無い均一な画像
○：実用上無害な僅かな黒スジが数箇所存在
△：シャープな黒スジが数箇所存在
×：シャープな黒スジが多数存在
透過率評価：透過率の値により評価した。【０１８２】
◎：９２％以上
○：９２％未満９１％以上
△：９１％以下
また、上記評価に使用した測定機器は下記の通り。【０１８３】
透過率：ＪＩＳ−Ｒ−１６３５に従い、日立製作所製分光光度計Ｕ−４０００型を用いた。【０１８４】
〔評価結果〕
比較例２において、単なるガラス基板に対し、帯電防止膜を形成したため反射率が増加し、透過率が減少た結果、ノイズが増加している。しかし、紙粉等の付着が減少しスジが減少している。【０１８５】
実施例１において、帯電防止膜に対し、反射防止層（８５ｎｍ）を形成したため特に波長４７０ｎｍの光に対する反射率が大幅に減少し、透過率が増加した結果、特にＬＥＤ光源に対するノイズが無くなっている。また、スジも帯電防止膜の結果減少している。【０１８６】
実施例２において、反射防止層（１２５ｎｍ）を形成したため特に波長５５０ｎｍの光に対する反射率が大幅に減少し、透過率が増加した結果、特に蛍光灯光源に対するノイズが無くなっている。また、スジも帯電防止膜の結果減少している。【０１８７】
実施例３において、更に低摩擦膜を形成したため、ノイズ及びスジについては変わらずに、紙粉等の付着が更に減少しスジが無くなっている。【０１８８】
実施例４において、両面に低摩擦膜を形成したため透過率が増加している。【０１８９】
以上の結果から、帯電防止膜上に反射防止膜（帯電防止膜より低屈折率）を成膜することにより透過率を大幅に増加させ、反射防止膜の厚さを変えることにより最大透過率を示す波長（周波数）を変えられることが確認された。【０１９０】
例えば読み取り光源にＬＥＤを用いる場合は帯電防止膜と反射防止層（８５ｎｍ）とを成膜することが好ましく、蛍光灯を用いる場合は帯電防止膜と反射防止層（１２５ｎｍ）とを成膜することが好ましいことが確認された。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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