(57)【要約】  製造が容易で安価な有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを使用した場合であっても、その全体の大きさを大きくする必要がなく、また、表示部の大きさも確保することが可能なサブピクセルを提供する。  一の表示部と、当該表示部を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、を備えるサブピクセルにおいて、前記複数の薄膜トランジスタを、それぞれのチャネルが平行となるように配置する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーディスプレイの画面を構成するピクセルを構成するサブピクセルであって、
このサブピクセルは、一の表示部と、当該表示部を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、を備え、かつ、前記複数の薄膜トランジスタは、それぞれのチャネルが平行となるように配置されていることを特徴とするサブピクセル。
【請求項２】
前記複数の薄膜トランジスタのうちの少なくとも１つの薄膜トランジスタのチャネルの幅が、サブピクセルの一辺の長さを１とした場合に０．４以上であることを特徴とする請求項１に記載のサブピクセル。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタが、有機薄膜トランジスタまたはアモルファスＳｉ薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１または２に記載のサブピクセル。
【請求項４】
前記表示部が、有機ＥＬ素子であることを特徴とする、請求項１から３の何れか一の請求項に記載のサブピクセル。
【請求項５】
前記複数の薄膜トランジスタのチャネルがラビング処理されていることを特徴とする請求項１から４の何れか一の請求項に記載のサブピクセル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラーディスプレイを構成するピクセルを構成するサブピクセルに関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ駆動ディスプレイの中で液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのカラーディスプレイは、様々な色に変化する複数のピクセルから構成されており、任意の色に変化させることができる。また、このピクセルは、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、およびＢ（青）のそれぞれの色を呈する複数のサブピクセルから構成されている。【０００３】
そして、このサブピクセルは、一の表示部、前記の例でいえば、例えばＲ（赤）色を呈する表示部と、この表示部をアクティブ駆動させるための複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とから構成されている。【０００４】
このようなサブピクセルにおいては、カラーディスプレイの高精細化の要求に伴って、できるだけサブピクセルのサイズを小さくすることが望まれており、その一方で、サブピクセルを構成する一の表示部の大きさは確保したいという要求も存在する。【０００５】
また、サブピクセルを構成する薄膜トランジスタにおいても、その製造の際に高温処理が不要であり、その結果、安価に製造することが可能な有機薄膜トランジスタや、比較的簡便に製造可能なアモルファスＳｉ薄膜トランジスタなどを利用することが検討されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタは、従来からの多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタに比べて、ソース・ドレイン間のチャネル部分での電荷移動度が低いので、当該有機薄膜トランジスタ等を使用する場合には、チャネル部分を長くする、つまり、従来の多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタに比べて大きい薄膜トランジスタとする必要が生じる。【０００７】
しかし、有機薄膜トランジスタを大きくし、その分だけサブピクセル全体を大きくすることは、前述した「サブピクセル全体のサイズを小さくする」という要求に逆行することであり、また、サブピクセル全体の大きさを変化することなく有機薄膜トランジスタを大きくすると、その分だけ表示部が小さくなってしまい、そうすると「表示部の大きさを確保する」という要求を満たすことができない。【０００８】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、例えば、製造が容易で安価な有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを使用した場合であっても、その全体の大きさを大きくする必要がなく、また、表示部の大きさも確保することが可能なサブピクセルを提供することを課題の一例とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための、請求項１に記載の発明は、カラーディスプレイの画面を構成するピクセルを構成するサブピクセルであって、このサブピクセルは、一の表示部と、当該表示部を駆動するための複数の薄膜トランジスタと、を備え、かつ、前記複数の薄膜トランジスタは、それぞれのチャネルが平行となるように配置されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本願のサブピクセルの正面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ断面図であり、本願のサブピクセル１０の表示部１１としての有機ＥＬ表示素子の構成を説明するための概略断面図である。
【図３】図１に示すＢ−Ｂ断面図であり、本願のサブピクセル１０の薄膜トランジスタ１３として採用される有機薄膜トランジスタの構成を説明するための概略断面図である。
【図４】比較例１のサブピクセルの正面図である。
【符号の説明】
【００１１】
１０、４０…サブピクセル、１１、４１…表示部、１２、４２…薄膜トランジスタ（スイッチング薄膜トランジスタ）、１３、４３…薄膜トランジスタ（ドライビング薄膜トランジスタ）、１４、４４…ストレージキャパシタンス、１５、４５…ガラス基板、２０…陽極、２１…ホール注入層、２２…ホール輸送層、２３…有機発光層、２４…ホールブロッキング層、２５…電子輸送層、２６…電子注入層、２７…陰極、３０…ゲート電極、３１…ゲート絶縁膜、３２…ソース電極、３３…ドレイン電極、３４…ヘキサメチルジシラザン膜、３５…有機半導体層、Ｃ…チャネル
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本願のサブピクセルについて、図面を用いてさらに具体的に説明する。【００１３】
図１は、本願のサブピクセルの正面図である。【００１４】
図１に示すように、本願のサブピクセル１０は、ガラス基板１５上に、一の表示部１１と、この表示部１１を駆動するための２つの薄膜トランジスタ１２、１３とを備える。なお、この２つの薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタ１２とドライビング薄膜トランジスタ１３である。また、図示するように、表示部１１や薄膜トランジスタ１２、１３に加えて、ストレージキャパシタンス１４などを備えていてもよい。そして、本願のサブピクセル１０は、前記複数のトランジスタ（図１においては、スイッチング薄膜トランジスタ１２とドライビング薄膜トランジスタ１３）は、それぞれのチャネルＣ、Ｃが平行となるように配置されていることに特徴を有している。【００１５】
このように複数の薄膜トランジスタを、それぞれのチャネルが平行となるように配置することにより、近年、より精細化が進むサブピクセルにおいて、これを構成する表示部１１や薄膜トランジスタ１２、１３を整然と配置することができ、その結果、薄膜トランジスタとして、有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを用いた場合であっても、表示部１１の大きさを確保することができる。つまり、有機薄膜トランジスタ等を従来の多結晶Ｓｉ薄膜トランジスタに比べて大きくしても、表示部１１の大きさをそのままに確保することができる。【００１６】
さらにまた、複数の薄膜トランジスタを、それぞれのチャネルが平行となるように配置することにより、後述する、薄膜トランジスタのチャネル表面に対してラビング処理を行う際に、複数の薄膜トランジスタを均一にラビング処理することができる。【００１７】
このような本願のサブピクセル１０において、サブピクセル全体の大きさと薄膜トランジスタの大きさ、すなわち、チャネルの幅については、特に限定することはない。しかしながら、図１に示すように、サブピクセル１０の一辺の長さＸを１とした場合に、薄膜トランジスタ１２、１３、特に、ドライビング薄膜トランジスタ１３のチャネルの幅Ｙは０．４以上が好ましく、０．５以上が特に好ましい。【００１８】
本願のサブピクセル１０を構成する表示部１１については、特に限定されることはなく、例えば、液晶表示素子であってもよく、また有機ＥＬ表示素子であってもよい。【００１９】
図２は、図１に示すＡ−Ａ断面図であり、本願のサブピクセル１０の表示部１１としての有機ＥＬ表示素子の構成を説明するための概略断面図である。【００２０】
図２に示すように、表示部１１としての有機ＥＬ表示素子は、ガラス基板１５上に、陽極２０、ホール注入層２１、ホール輸送層２２、有機発光層２３、ホールブロッキング層２４、電子輸送層２５、電子注入層２６、及び陰極２７、を順次積層して形成されている。なお、当該有機ＥＬ表示素子を構成する陽極２０〜陰極２７までの各材質等については、本願は特に限定することはなく、従来公知の材質を任意に用いることができる。【００２１】
また、このような有機ＥＬ表示素子の製造方法についても、本願は特に限定することはなく、例えば、真空蒸着装置などを用いて、各層を順次積層してもよい。【００２２】
本願のサブピクセル１０を構成する薄膜トランジスタ１２、１３についても、特に限定されることはなく、いかなる薄膜トランジスタ（いわゆるＴＦＴ）を用いることも可能である。しかしながら、本願のサブピクセルの特徴や効果を最大限に発揮するには、有機薄膜トランジスタ、またはアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを用いることが好ましい。これらの薄膜トランジスタは製造が容易であり、比較的安価に入手可能であるからである。また、有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを用いた場合には、従来の多結晶Ｓｉトランジスタと比べて、電荷移動度が低いという問題があるが、本願のサブピクセルによれば、その分チャネルの幅を大きくすることができるので電荷移動度を高くすることができる。しかも、本願のサブピクセルによれば、チャネルの幅を大きくしても、それぞれが平行に配置されているので、前記の表示部の大きさを確保できる。【００２３】
図３は、図１に示すＢ−Ｂ断面図であり、本願のサブピクセル１０の薄膜トランジスタ１３として採用される有機薄膜トランジスタの構成を説明するための概略断面図である。なお、この説明においては、ドライビング薄膜トランジスタ１３として説明するが、スイッチング薄膜トランジスタ１２も同様に有機薄膜トランジスタを採用することができる。【００２４】
ドライビング薄膜トランジスタ１３としての有機薄膜トランジスタは、ガラス基板１５上に、ゲート電極３０、ゲート絶縁膜３１、ソース電極３２、ドレイン電極３３、ヘキサメチルジシラザン膜３４、および有機半導体層３５を、図示するように順次積層して形成されている。そして本願の薄膜トランジスタのチャネルＣとは、ソース電極３２とドレイン電極３３との間の部分のことである。【００２５】
このような有機薄膜トランジスタの有機半導体層３５としては、半導体特性を示す有機材料であれば良く、例えば、低分子系材料では、フタロシアニン系誘導体、ナフタロシアニン系誘導体、アゾ化合物系誘導体、ペリレン系誘導体、インジゴ系誘導体、キナクリドン系誘導体、アントラキノン類などの多環キノン系誘導体、シアニン系誘導体、フラーレン類誘導体、あるいはインドール、カルパゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、トリアゾールなどの含窒素環式化合物誘導体、ヒドラジン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、スチルベン類、アントラキノンジフェノキノン等のキノン化合物誘導体、ベンタセン、アントラセン、ビレン、フェナントレン、コロネンなどの多環芳香族化合物誘導体などを挙げることができる。また、高分子系材料では、上述した低分子系化合物の構造がポリエチレン鎖、ポリシロキサン鎖、ポリエーテル鎖、ポリエステル鎖、ポリアミド鎖、ポリイミド鎖等の高分子の主鎖中に用いられたもの、あるいは側鎖としてペンダント状に結合したもの、若しくは、ポリパラフェニレン等の芳香族系共役性高分子、ポリアセチレン等の脂肪族系共役性高分子、ポリピノールやポリチフェン率の複素環式共役性高分子、ポリアニリン類やポリフェニレンサルファイド等の含ヘテロ原子共役性高分子、ポリ（フェニレンビニレン）やポリ（チェニレンビニレン）等の共役性高分子の構成単位が交互に結合した構造を有する複合型共役系高分子等の炭素系共役系高分子が用いられる。また、ポリシラン類やジシラニレンアリレンポリマー類、（ジシラニレン）エテニレンポリマー類、（ジシラニレン）エチニレンポリマーのようなジシラニレン炭素系共役系ポリマー構造などのオリゴシラン類と炭素系共役性構造が交互に連鎖した高分子類などが用いられる。他にもリン系、窒素系などの無機元素からなる高分子鎖でもよく、さらにフタロシアナートポリシロキサンのような高分子鎖の芳香族系配位子が配位した高分子類、ペリレンテトラカルボン酸のようなペリレン類を熱処理して縮環させた高分子類、ポリアクリロニトリルなどのシアノ基を有するポリエチレン誘導体を熱処理して得られるラダー型高分子類、さらにペロブスカイト類に有機化合物がインターカレートした複合材料を用いてもよい。【００２６】
また、有機薄膜トランジスタのソース電極３２およびドレイン電極３３としても、特に限定されることはなく充分な導電性があれば、いかなる材料をも用いることができる。例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｌｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、などの金属単体、若しくはこれらの金属の積層体、さらにはこれらの金属の化合物でもよい。またＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のような金属酸化物、ポリアニリン類、ポリチオフェン類、ポリピロール類などの共役性高分子化合物を含む有機導電材料でもよい。【００２７】
また、有機薄膜トランジスタのゲート電極３０およびゲート絶縁膜３１としては、ゲート電極３０としてＴａを用い、これを陽極酸化することによって、ゲート絶縁膜３１としてのＴａ２Ｏ５を形成することが一例として挙げられるが、これに限定されることはない。ゲート電極３０の材料としては、陽極酸化が可能な金属であればいかなる金属であってもよく、例えば、Ａｌ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ、等の単体、もしくはこれらの金属の合金を挙げることができ、また、これらを陽極酸化することによって、ゲート絶縁膜３１とすることができる。また、ゲート電極の陽極酸化によりゲート絶縁膜を形成しない場合には、ゲート電極３０は、前記ソース電極３２やドレイン電極３３と同一の材料を用いることができる。また、この場合のゲート絶縁膜３１としては、ＬｉＯｘ、ＬｉＮｘ、ＮａＯｘ、ＫＯｘ、ＲｂＯｘ、ＮａＯｘ、ＣｓＯｘ、ＢｅＯｘ、ＭｇＯｘ、ＭｇＮｘ、ＣａＯｘ、ＣａＮｘ、ＳｒＯｘ、ＢａＯｘ、ＳｃＯｘ、ＹＯｘ、ＹＮｘ、ＬａＯｘ、ＬａＮｘ、ＣｅＯｘ、ＰｒＯｘ、ＮｂＯｘ、ＳｍＯｘ、ＥｕＯｘ、ＧｄＯｘ、ＴｂＯｘ、ＤｙＯｘ、ＨｏＯｘ、ＥｒＯｘ、ＴｍＯｘ、ＹｂＯｘ、ＬｕＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴｉＮｘ、ＺｒＯｘ、ＺｒＮｘ、ＨｆＯｘ、ＴｈＯｘ、ＶＯｘ、ＶＮｘ、ＮｂＯｘ、ＴａＯｘ、ＴａＮｘ、ＣｒＯｘ、ＭｏＯｘ、ＭｏＮｘ、ＷＯｘ、ＷＮｘ、ＭｎＯｘ、ＲｅＯｘ、ＦｅＯｘ、ＦｅＮｘ、ＲｕＯｘ、ＯｓＯｘ、ＣｏＯｘ、ＲｈＯｘ、ＩｒＯｘ、ＮｉＯｘ、ＰｄＯｘ、ＰｔＯｘ、ＣｕＯｘ、ＣｕＮｘ、ＡｇＯｘ、ＡｕＯｘ、ＺｎＯｘ、ＣｄＯｘ、ＨｇＯｘ、ＢＯｘ、ＢＮｘ、ＡｌＯｘ、ＡｌＮｘ、ＧａＯｘ、ＧａＮｘ、ＩｎＯｘ、ＳｉＮｘ、ＧｅＯｘ、ＳｎＯｘ、ＰｂＯｘ、ＰＯｘ、ＰＮｘ、ＡｓＯｘ、ＳｂＯｘ、ＳｅＯｘ、ＴｅＯｘ、等の金属酸化物でも、ＬｉＡｌＯ２、Ｌｉ２ＳｉＯ３、Ｌｉ２ＴｉＯ３、Ｎａ２Ａｌ２２Ｏ３４、ＮａＦｅＯ２、Ｎａ４ＳｉＯ４、Ｋ２ＳｉＯ３、Ｋ２ＴｉＯ３、Ｋ３ＷＯ４、Ｒｂ２ＣｒＯ４、Ｃｓ２ＣｒＯ４、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＦｅ２Ｏ４、ＭｇＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＣａＷＯ４、ＣａＺｒＯ３、ＳｒＦｅ１２Ｏ１９、ＳｒＴｉＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＢａＡｌ２Ｏ４、ＢａＦｅ１２Ｏ１９、ＢａＴｉＯ３、ＹＡｌ１５Ｏ１２、ＹＦｅ５Ｏ１２、ＬａＦｅＯ３、ＬａＦｅ５Ｏ１２、Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７、ＣｅＳｎＯ４、ＣｅＴｉＯ４、Ｓｍ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＥｕＦｅＯ３、Ｅｕ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＧｄＦｅＯ３、Ｇｄ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＤｙＦｅＯ３、Ｄｙ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＨｏＦｅＯ３、Ｈｏ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＥｒＦｅＯ３、Ｅｒ３Ｆｅ５Ｏ１２、Ｔｍ３Ｆｅ６Ｏ１２、ＬｕＦｅＯ３、Ｌｕ３Ｆｅ５Ｏ１２、ＮｉＴｉＯ３、Ａｌ２ＴｉＯ３、ＦｅＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＬｉＺｒＯ３、ＭｇＺｒＯ３、ＨｆＴｉＯ４、ＮＨ４ＶＯ３、ＡｇＶＯ３、ＬｉＶＯ３、ＢａＮｂ２Ｏ６、ＮａＮｂＯ３、ＳｒＮｂ２Ｏ６、ＫＴａＯ３、ＮａＴａＯ３、ＳｒＴａ２Ｏ６、ＣｕＣｒ２Ｏ４、ＡｇＣｒＯ４、ＢａＣｒＯ４、Ｋ２ＭｏＯ４、Ｎａ２ＭｏＯ４、ＮｉＭｏＯ４、ＢａＷＯ４、Ｎａ２ＷＯ４、ＳｒＷＯ４、ＭｎＣｒ２Ｏ４、ＭｎＦｅ２Ｏ４、ＭｎＴｉＯ３、ＭｎＷＯ４、ＣｏＦｅ２Ｏ４、ＺｎＦｅ２Ｏ４、ＦｅＷＯ４、ＣｏＭｏＯ４、ＣｕＴｉＯ３、ＣｕＷＯ４、Ａｇ２ＭｏＯ４、Ａｇ２ＷＯ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＺｎＭｏＯ４、ＺｎＷＯ４、ＣｄＳｎＯ３、ＣｄＴｉＯ３、ＣｄＭｏＯ４、ＣｄＷＯ４、ＮａＡｌＯ２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２、ＩｎＦｅＯ３、ＭｇＩｎ２Ｏ４、Ａｌ２ＴｉＯ５、ＦｅＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｎａ２ＳｉＯ３、ＣａＳｉＯ３、ＺｒＳｉＯ４、Ｋ２ＧｅＯ３、Ｌｉ２ＧｅＯ３、Ｂｉ２Ｓｎ３Ｏ９、ＭｇＳｎＯ３、Ｎａ２ＴｅＯ４、などの金属複合酸化物でも、ＦｅＳ、Ａｌ２Ｓ３、ＭｇＳ、ＺｎＳなどの硫化物、ＬｉＦ、ＭｇＦ２、ＳｍＦ３などのフッ化物、ＨｇＣｌ、ＦｅＣｌ２、ＣｒＣｌ３などの塩化物、ＡｇＢｒ、ＣｕＢｒ、ＭｎＢｒ２などの臭化物、ＰｂＩ２、ＣｕＩ、ＦｅＩ２などの溶化物、または、ＳｉＡｌＯＮなどの金属酸化窒化物でも、用いることができる。またポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリビニルアルコールなどのポリマー材料をゲート絶縁膜とすることも有効である。【００２８】
このような各材料を用いて有機薄膜トランジスタを製造する方法についても、本願は特に限定することはなく、従来公知の方法を用いることができる。例えば、洗浄したガラス基板１５上に、ゲート電極３０およびストレージキャパシタンス１４用のＴａ膜を成膜し、ＲＩＥ装置にてドライエッチングを行い、所望の配線パターンを形成する。この際、２つの有機薄膜トランジスタ、つまり、スイッチング有機薄膜トランジスタ１２とドライビング有機薄膜トランジスタ１３、それぞれのゲート電極３０の向きを平行にして、各トランジスタのチャネルの方向が平行となるように配線パターンをデザインする。その後、Ｔａ配線膜に陽極酸化を行うことによりＴａの表面をＴａ２Ｏ５膜で覆い、これをゲート絶縁膜３１とすることができる。さらに、その後、ソース電極３２およびドレイン電極３３用のＣｒ膜、Ａｕ膜をパターンニングし、ディップコート法で、ヘキサメチルジシラザン膜３４をゲート絶縁膜３１上に設けることにより、図２に示す有機薄膜トランジスタを形成することができる。【００２９】
また、上述してきた材料により形成された有機薄膜トランジスタについては、そのチャネル部分、つまり、図３に示す有機薄膜トランジスタにおいては、ヘキサメチルジシラザン膜３４上をラビング処理することが好ましい。【００３０】
このラビング処理とは、布、例えば、フェルトやブラシ等で同一方向に膜表面を擦る処理であり、配向処理とも呼ばれている。この処理を行うことにより、有機半導体への配向性が向上し、有機薄膜トランジスタの電荷移動度を高くすることができる。なお、擦る方向については、チャネル部分の材質により任意に決定すればよい。【００３１】
なお、本願の発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。【００３２】
例えば、上記の説明においては、基板１５としてガラス基板を用いたが、これに限定されることはなく、ポリエーテルスルホン（Polyethersulfone：ＰＥＳ）やポリカーボネート（polycarbonate：ＰＣ）などのプラスチック基板や、ガラスとプラスチックの積層基板でもよく、また、基板表面にアルカリバリア膜や、バスバリア膜がコートされていてもよい。【００３３】
さらに薄膜トランジスタとして有機薄膜トランジスタを用い、また表示部として有機ＥＬ表示素子を用いる場合には、これらを水分から保護するために、サブピクセル全体を封止することが好ましい（図示せず）。この封止の方法についても本願は特に限定することはなく、例えば、封止缶を用いてもよく、また無機系やポリマー系による樹脂膜によって封止してもよい。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
本願のサブピクセルの実施例として、図１に示すようなサブピクセルを製造した。なお、サブピクセルを構成する２つのトランジスタとしては有機薄膜トランジスタを用い、図１に示すように、それぞれのチャネルが平行となるように配置した。また、その製造方法は上記で説明した通りである。また、２つの有機薄膜トランジスタのチャネルには上記で説明したラビング処理を１回のみ施した。また、製造したサブピクセルの寸法は、サブピクセル１０の１辺の長さ：１ｍｍ、スイッチング有機薄膜トランジスタ１２の幅：４００μｍ、ドライビング有機薄膜トランジスタ１３の幅：７００μｍ、チャネルＣの距離（電極間の距離）：１０μｍ、である。【００３５】
（比較例１）
図４は、比較例１のサブピクセルの正面図である。【００３６】
比較例として、図４にしめすようなサブピクセル、つまり、サブピクセルを構成する２つのトランジスタが、直交するように配置されているサブピクセルを製造した。なお、この比較例において用いられた２つのトランジスタそれぞれについては、上記実施例１と同一の材料を用い、同一の方法で製造した。また、ラビング処理としては、図４の下から上の方向（矢印参照）で、つまり、図４に示すトランジスタ４２のチャネルに沿って、１回ラビング処理を施した。【００３７】
（結果）
前記実施例１、および比較例１それぞれのサブピクセルのトランジスタの電荷移動度を測定したところ、実施例１のサブピクセルのトランジスタは、それぞれ電荷移動度が０．２３ｃｍ２／Ｖｓ、０．２１ｃｍ２／Ｖｓであるのに対し、比較例１のサブピクセルのトランジスタは、チャネルに沿ってラビング処理されたトランジスタ４２は電荷移動度が０．２１ｃｍ２／Ｖｓであったものの、もう一方のトランジスタ４３は、０．０５ｃｍ２／Ｖｓであった。【００３８】
また、実施例１と比較例１のサブピクセルはその全体の大きさは同一であるにもかかわらず、その表示部１１、４１を比べると、実施例１のサブピクセルの方が大きくなっていることが分かる。【００３９】
以上の結果より、本願のサブピクセルによれば、薄膜トランジスタとして、有機薄膜トランジスタやアモルファスＳｉ薄膜トランジスタを用いた場合であっても、表示部の大きさを確保することができ、また、複数の薄膜トランジスタがそれぞれのチャネルが平行となるように配置されているので、１回のラビング処理のみで複数の薄膜トランジスタを一度にラビング処理することができ、それぞれの電荷移動度を向上せしめることができる。【００４０】
一方、比較例１からも明らかなように、複数の薄膜トランジスタをそのチャネルが平行になるように配置しないと、その分だけ表示部が小さくなってしまい、また、一回のラビング処理では、当該ラビング処理の方向に沿って形成されているチャネルしか処理できないので、サブピクセルを構成する複数の薄膜トランジスタの全てを均一にラビング処理することができない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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