(57)【要約】本発明の目的は、半導体表面の原子溶出が少なく、清浄かつ平坦な半導体表面を作成できる処理液、処理方法および半導体製造装置を提供することにある。本発明はアルコール類またはケトン類のうち少なくとも１種類を含む水溶液を用いることにより、半導体表面からの溶出の少ない処理および清浄かつ平坦な表面を実現する処理液、処理方法および半導体製造装置が得られる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体からの原子溶出量が１５原子層／２４時間換算以下となる水溶液を使用することを特徴とする処理液。
【請求項２】
アルコール類、またはケトン類のうち少なくとも1種類を含む水溶液であることを特徴とする処理液。
【請求項３】
前記アルコール類の構造がR１R２C(OH)R３（R１はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ２およびＲ３はＲ１と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ1〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示す。）、または前記ケトン類の構造がR４C=OR５（R４はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ５はＲ４と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示す。）で表されるうちの少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項４】
前記アルコール類およびケトン類の構造がＣ１〜Ｃ７のアルキル基あるいはハロゲンまたはヘテロ原子を含むアルキル基からなる化合物のうち少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項５】
前記アルコール類およびケトン類の比誘電率が８２以下である化合物のうち少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項６】
前記アルコール類のうち、1種類が２−プロパノールであることを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項７】
前記アルコール類およびケトン類の純度が９９質量％以上であり、含有する金属不純物総量が０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項８】
前記アルコール類およびケトン類の純度が９９質量％以上であり、含有する金属不純物総量が０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の処理液。
【請求項９】
前記アルコール類およびケトン類の純度が９９質量％以上であり、含有する金属不純物総量が０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の処理液。
【請求項１０】
前記アルコール類およびケトン類の濃度が５質量％以上であることを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項１１】
前記アルコール類およびケトン類の濃度が５質量％以上であることを特徴とする請求項３に記載の処理液。
【請求項１２】
前記アルコール類およびケトン類の濃度が５質量％以上であることを特徴とする請求項４に記載の処理液。
【請求項１３】
塩化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムのうち少なくとも一つ以上を含有することを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項１４】
塩化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムのうち少なくとも一つ以上を含有することを特徴とする請求項３に記載の処理液。
【請求項１５】
塩化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムのうち少なくとも一つ以上を含有することを特徴とする請求項４に記載の処理液。
【請求項１６】
処理液に使用する水に、窒素、水素、酸素、オゾンのうち1種類以上を溶解させたことを特徴とする請求項２に記載の処理液。
【請求項１７】
処理液に使用する水に、窒素、水素、酸素、オゾンのうち1種類以上を溶解させたことを特徴とする請求項３に記載の処理液。
【請求項１８】
処理液に使用する水に、窒素、水素、酸素、オゾンのうち1種類以上を溶解させたことを特徴とする請求項４に記載の処理液。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれかに記載の処理液を使って、被処理構造物を処理することを特徴とする処理方法。
【請求項２０】
前記処理方法によって形成される半導体表面の平均線粗さ（Ra）が0.1nm以下であることを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２１】
前記被処理構造物として、半導体単結晶またはそれらをオフした面を使用することを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２２】
前記被処理構造物となる半導体単結晶として、シリコン半導体を使用することを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２３】
前記被処理構造物として、半導体多結晶を使用することを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２４】
前記被処理構造物として、アモルファス半導体を使用することを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２５】
前記被処理構造物として、化合物半導体を使用することを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２６】
前記被処理構造物に付着したアルコール類およびケトン類を除去する除去工程をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の処理方法。
【請求項２７】
前記除去工程は、熱及び酸素ガスを使用することにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項２６に記載の処理方法。
【請求項２８】
前記除去工程は、励起ガス種によりプラズマを発生させることにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項２６に記載の処理方法。
【請求項２９】
前記プラズマを発生させるために励起されるガス種がアルゴン・クリプトン・キセノンのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項２８に記載の処理方法。
【請求項３０】
前記プラズマはガス種を電磁波で励起し発生したもの使用することにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項２８に記載の処理方法。
【請求項３１】
前記除去工程において、処理される半導体装置は、プラズマに励起された化学種にさらされない部分を半導体酸化層で覆われた構造とすることを特徴とする請求項２８に記載の処理方法。
【請求項３２】
前記除去工程は、被処理構造物を加熱することにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項２６に記載の処理方法。
【請求項３３】
請求項１乃至請求項１８のいずれかに記載の処理液を使って、半導体装置を処理し、これらの処理工程に使用した処理液を回収し、精製の後再使用することを特徴とする処理方法。
【請求項３４】
請求項１乃至請求項１８のいずれかに記載の処理液を使って、半導体装置を処理する処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制することを特徴とする処理方法。
【請求項３５】
前記酸素ガス濃度を抑制する主たるガス種が窒素であることを特徴とする請求項３４に記載の処理方法。
【請求項３６】
前記酸素ガス濃度を抑制する主たるガス種が窒素と水素の混合物であることを特徴とする請求項３４に記載の処理方法。
【請求項３７】
半導体からの原子溶出量が１５原子層／２４時間換算以下となる水溶液により半導体装置を処理することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３８】
アルコール類、またはケトン類のうち少なくとも1種類を含む水溶液により半導体装置を処理することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３９】
前記アルコール類の構造がR１R２C(OH)R３（R1はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ２およびＲ３はＲ１と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ1〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示す。）、または前記ケトン類の構造がR４C=OR５（R４はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ５はＲ４と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示す。）で表されるうちの少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする請求項３８に記載の半導体製造装置。
【請求項４０】
前記アルコール類およびケトン類の構造がＣ１〜Ｃ７のアルキル基あるいはハロゲンまたはヘテロ原子を含むアルキル基からなる化合物のうち少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする請求項３８に記載の半導体製造装置。
【請求項４１】
前記アルコール類、およびケトン類の比誘電率が８２以下である化合物のうち少なくとも１種を含有する水溶液であることを特徴とする請求項３８に記載の半導体製造装置。
【請求項４２】
前記アルコール類のうち、1種類が２-プロパノールであることを特徴とする請求項３８に記載の半導体製造装置。
【請求項４３】
前記アルコール類およびケトン類の純度が９９質量％以上であり、含有する金属不純物総量が０．１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項３８に記載の半導体製造装置。
【請求項４４】
前記アルコール類およびケトン類の濃度が５質量％以上であることを特徴とする請求項３８に記載の半導体製造装置。
【請求項４５】
前記半導体装置として、半導体単結晶またはそれらをオフした面を使用することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項４６】
前記半導体装置として、シリコン半導体を使用することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項４７】
前記半導体装置として、半導体多結晶を使用することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項４８】
前記半導体装置として、アモルファス半導体を使用することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項４９】
前記半導体装置として、化合物半導体を使用することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５０】
塩化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムのうち少なくとも一つ以上を含有することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５１】
処理液に使用する水に、窒素、水素、酸素、オゾンのうち1種類以上を溶解させたことを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５２】
付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項５３】
熱及び酸素ガスを使用することにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項５２に記載の半導体製造装置。
【請求項５４】
励起ガス種によりプラズマを発生させることにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項５２に記載の半導体製造装置。
【請求項５５】
前記プラズマを発生させるために励起されるガス種がアルゴン・クリプトン・キセノンのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項５４に記載の半導体製造装置。
【請求項５６】
前記プラズマはガス種を電磁波で励起し発生したもの使用することにより付着したアルコール類およびケトン類を除去することを特徴とする請求項５４に記載の半導体製造装置。
【請求項５７】
付着したアルコール類およびケトン類を除去するために、前記半導体装置を加熱することを特徴とする請求項５３に記載の半導体製造装置。
【請求項５８】
前記半導体装置において、プラズマに励起された化学種にさらされない部分を半導体酸化層で覆われた構造とすることを特徴とする請求項５４に記載の半導体製造装置。
【請求項５９】
半導体処理工程に使用した処理液を回収し、精製の後再使用することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６０】
半導体処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制することを特徴とする請求項３８乃至請求項４４のいずれかに記載の半導体製造装置。
【請求項６１】
半導体処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制するための主たるガス種として、窒素を使用することを特徴とする請求項６０に記載の半導体製造装置。
【請求項６２】
半導体処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制するための主たるガス種として、窒素と水素の混合物を使用することを特徴とする請求項６０に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置に係り、特に清浄かつ平坦な半導体表面を作成できる半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体表面または半導体酸化膜／半導体界面の表面ラフネスが、ＭＯＳデバイス等の電子素子の特性劣化の原因になることが指摘されている。比較的大きな寸法のデバイス製造において、それら特性への影響が顕在化しなかった表面ラフネスは、近年のデバイスの微細化に伴うＭＯＳＦＥＴのゲート酸化膜の薄膜化等により無視できなくなってきている。【０００３】
半導体表面の処理方法としては、従来から２０近くの工程を含むＲＣＡ洗浄が知られており、３０年前に開発された当時は特に問題を生じなかった。しかし、この洗浄方法によると半導体の表面ラフネスが上昇するため、膜厚１００Å以下のシリコン酸化膜を形成する必要がある現在の半導体集積回路装置を製造する場合には問題を生じるようになった。【０００４】
また、半導体の洗浄方法として、酸、アルカリおよび有機物からなる洗浄用組成物を含有した水溶液または非水系溶液によって半導体表面処理が行われている。そして、それらの処理の後、洗浄用組成物をリンスする目的で水、特に１８ＭΩ以上の比抵抗値を持つ超純水が使用されてきた。その理由は、半導体表面上に付着した洗浄用組成物を速やかに除去し、場合によっては半導体表面を水素原子終端することによって処理雰囲気中の搬送過程等において化学的に安定にすることである。しかし、この工程は上記目的のためであり、半導体表面に求められる表面ラフネスの維持改善について何ら寄与するものではなく、むしろ水中で半導体表面と水との化学反応により表面ラフネスは悪化する。この点については現状では問題になっていないが、今後半導体素子の更なる微細化が進むことは明らかであり、その際に問題となってくることは確実である。【０００５】
そのために、ゲート酸化等の半導体表面上に化合物膜を形成する場合に、その下地となる半導体の表面をきわめて清浄にし、かつ平坦にすることを可能とし、高信頼性、高性能の半導体素子の製造に寄与する処理が必要とされる。【０００６】
半導体の洗浄方法に関わる提案はこれまで多くなされている。例えば特開平１１−２９７６５６（以下、特許文献１と呼ぶ）には半導体装置の製造方法、リンス液及び半導体基板洗浄液についての提案がなされている。また特開平１１−３４０１８３（以下、特許文献２と呼ぶ）には半導体装置用洗浄液及びそれを用いた半導体装置の製造方法が提案されている。特許文献１においては、酸化シリコン系絶縁膜の有する半導体基板の洗浄における異種酸化膜の選択エッチングを目的としてグリコール系溶剤と水の混合物を使用したものである。さらに、特許文献２においては、サイドウォールポリマーの除去と金属配線素材の腐食防止を目的としフッ化水素とアルコール類を含む洗浄液を使用したものである。【０００７】
これらの特許文献１，２に開示された技術は半導体表面における原子層レベルのエッチング等の精密なものではなく、さらに、場合によっては添加組成物の効果より、半導体表面、とくに酸化膜等の被覆のない無垢な半導体表面を粗らすことが考えられる。したがって、用途として限定されたものであり、包括的な半導体製造に適用できる技術ではない。特に半導体酸化膜形成前の半導体の表面をきわめて清浄かつ平坦なものになしうる技術ではなく、それらを実現し半導体素子の性能を向上させる洗浄技術の開発が切望されている。【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２９７６５６
【特許文献２】特開平１１−３４０１８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したようにデバイスの微細化に伴い、さらに半導体素子の性能を向上させるため、半導体の表面をきわめて清浄かつ平坦なものになしうる洗浄技術の開発が切望されている。【００１０】
本発明の目的は、半導体基板からの溶出が少なく、清浄かつ平坦な半導体表面を作成できる処理液、処理方法および半導体製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決し目的を達成するため、本発明はアルコール類またはケトン類のうち少なくとも１種類を含む水溶液で処理することを特徴とする半導体表面の処理液、およびそれを使用した処理方法および製造装置を提供するものである。本願の処理液、およびそれを使用した処理方法および製造装置により、半導体表面からの溶出の少ない処理および清浄かつ平坦な表面を有する半導体装置が得られる。【００１２】
本発明は、半導体からの原子溶出量が１５原子層／２４時間換算以下となる水溶液を使用することを特徴とする処理液および処理方法およびそれらを使用した半導体製造装置において、アルコール類またはケトン類のうち少なくとも１種類を含む水溶液で処理することを特徴とする。ここで、半導体からの原子溶出量の単位である原子層／２４時間とは、計測値から算出される溶出した半導体原子数を計測に使用した半導体結晶の面積で除した数値が、単位表面積当たりに存在する半導体原子数の何倍かであるかを示す数値である。【００１３】
本発明は、アルコール類またはケトン類のうち少なくとも１種類を含む水溶液で処理することを特徴とし、前記アルコール類の構造がR１R２C(OH)R３（R1はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ２およびＲ３はＲ１と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ1〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示す。）、そして前記ケトン類の構造がR４C=OR５（R４はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ５はＲ４と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示す。）で表されるうちの少なくとも１種である処理液、処理方法およびそれらを使用した半導体製造装置である。なお、使用する水としては、１８MΩ以上の比抵抗値をもついわゆる超純水であることが好ましい。【００１４】
本発明の処理液、処理方法および半導体製造装置によって形成される半導体表面の平均線粗さ（Ｒa）が０．１５nm以下であり、好ましくは０．１nm以下であり、さらに好ましくは０．０７nm以下である。【００１５】
本発明は、アルコール類およびケトン類の構造がＣ１〜Ｃ７のアルキル基あるいはハロゲンまたはヘテロ原子を含むアルキル基からなる化合物のうち少なくとも１種である処理液、処理方法、およびそれらを使用した半導体製造装置であり、アルコール類としては、好ましくは例えばメチルアルコール、エチルアルコール、１−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール等である。さらに好ましくは、２−プロパノールである。また、ヒドロキシル基を２個以上有する多価アルコールであってもよい。【００１６】
上記ケトン類としては、好ましくは例えばエチルメチルケトン、ジエチルケトン等であり、さらに好ましくはアセトンである。また、部分的にフッ素等のハロゲン原子で置換されたものでもよい。また、使用するアルコール類、及びケトン類は１種類のものではなく、２種類以上を混合したものでもよい。例えば組み合わせとしてアルコール類より１種類、ケトン類より１種類混合したものでもよい。【００１７】
本発明の処理液、処理方法および半導体製造装置に使用するアルコール類、ケトン類の比誘電率が８２以下であり、好ましくは具体的に、メチルアルコール、エチルアルコール、ジエチルケトン等であり、さらに好ましくは、２−プロパノール、アセトン等がある。【００１８】
本発明のアルコール類として、２−プロパノールを使用することが好適であり、さらにアルコール類、ケトン類を混合してもよい。好ましくは具体的に、メチルアルコール、エチルアルコール、ジエチルケトン、アセトン等がある。【００１９】
前記アルコール類およびケトン類の純度は９９質量％以上であり、好ましくは９９．９質量％以上である。金属不純物の総量は０．１ｐｐｍ以下であることが望ましく、さらに好ましくは１ｐｐｂ以下である。【００２０】
本発明において、処理液、処理方法およびそれらを使用した半導体製造装置に含まれるアルコール類、およびケトン類の濃度が５質量％以上であることを特徴とし、好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは３０質量％である。【００２１】
本発明の処理液、処理方法および半導体製造装置の被処理構造物として、半導体単結晶を使用することを特徴とする処理方法であり、具体的に例えば半導体材料としてシリコンがあげられる。また、それら処理される単結晶の面方位に制限はなく、例えば（１００）、（１１１）、（１１０）等である。なお、それらの面方位に対して適宜オフさせた面にも適用できる。【００２２】
本発明の処理液、処理方法および半導体製造装置の被処理構造物として、半導体多結晶を使用することを特徴とする処理方法であり、具体的に例えば半導体多結晶としてポリシリコンがあげられる。また、上記被処理構造物として、アモルファス半導体を使用することを特徴とする処理方法である。また、上記被処理構造物として、半導体化合物を使用することを特徴とする処理方法であり、具体的に例えば、ガリウム砒素等である。【００２３】
本発明の特徴は、塩化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムのうち少なくともひとつ以上を含有する処理液およびそれを使用した処理方法および半導体製造装置である。【００２４】
本発明は、処理液および処理方法および半導体製造装置に使用する水に、窒素、水素、酸素、オゾンのうち1種類以上を溶解させたことを特徴とする。例えば好ましくは水素ガス溶存量１ppb等を溶解させたものである。【００２５】
本発明は、半導体表面に付着したアルコール類、及びケトン類を除去する工程を、それらを1種類以上含んだ水溶液による処理工程の後に有することを特徴とする処理方法および半導体製造装置であり、好ましくは半導体表面を加熱し、さらに好ましくは処理の雰囲気を酸素ガスで充満させる。具体的に例えば、被処理半導体構造物を４５０℃に加熱する。加熱する場合の半導体の温度および酸素ガス濃度は、限定されるものではなくこれ以上であっても、以下であってもよい。【００２６】
本発明は、プラズマを励起されたガス種を使用することによって発生し、半導体表面に付着したアルコール類、およびケトン類を除去する工程を有することを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置である。それらに使用するガス種が、アルゴン、クリプトン、キセノンのうち少なくとも１つであることを特徴とする。なお、上記ガスの２つ以上を混合してもよい。ガスの圧力等は適宜選択が可能であり限定されるものではない。【００２７】
本発明は、上記プラズマ発生の方法において、電磁波でガス種を励起することにより発生したプラズマを使用することを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置であり、ここでプラズマは、上記ガス種を励起させるエネルギーがあればよく、具体的にはマイクロ波であることが好ましい。【００２８】
本発明は付着したアルコール類およびケトン類を除去するためのプラズマを使用する工程において、被処理構造物を加熱することを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置である。加熱する場合、半導体温度は４００℃であることが好ましいが、その温度に限定されるものではない。【００２９】
本発明は、被処理構造物の一部を半導体酸化層で覆われた構造とすることを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置であり、励起されたガスによるプラズマの及ばない半導体の一部分を半導体酸化層で覆われた構造とすることが好ましい、具体的に例えば、半導体にシリコンを使用している場合シリコン酸化膜で覆うのが好ましい。ここでの膜は酸化膜であればいかなるものでもよい。【００３０】
本発明は、処理工程に使用した処理液を回収し、精製の後再使用することを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置であり、ここで精製とは処理過程で発生した不純物を除去する工程であればいかなるものでもよい、例えばイオン交換樹脂等としてもよい。【００３１】
半導体処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制し、主たるガス種が窒素であることを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置であり、好ましくは酸素濃度を２０ｐｐｍ以下に、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下にすることが好ましい。【００３２】
半導体処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制し、主たるガス種が窒素と水素の混合物であることを特徴とする処理方法およびそれを使用した半導体製造装置であり、好ましくは酸素濃度を２０ｐｐｍ以下に、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下にすることが好ましい。また、水素ガス濃度は４％以下であれば、限定されるものではない。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば半導体表面をアルコール類、ケトン類の少なくとも１種類を含む水溶液で処理することにより、半導体表面からの半導体構成原子の溶出を１５原子層／２４時間以下に抑制することができる。また処理後の半導体の表面粗度を従来の技術であるＲＣＡ洗浄によって得られる１．０nm程度の表面ラフネスから０．１０ｎｍ以下とすることができる。したがって、半導体素子の性能向上が期待できる。なお、処理の雰囲気を適当なガスで充満させることによって、自然酸化膜等の半導体素子の特性劣化の原因となる膜の形成を抑える効果がある。【００３４】
また、本発明によれば、半導体表面をアルコール類、ケトン類の少なくとも１種類を含む水溶液で処理の後、半導体表面に付着したアルコール類の除去工程を有することによって、従来のアルコール類を使用した半導体製造技術で問題となっている、付着したアルコール類が原因となり、半導体表面に積層される構造内に残存することによる絶縁破壊電解の低下等の特性劣化を引き起こすことはない。また、マイクロ波で励起されたプラズマを使用することによって、従来の熱による除去方法よりも低温で同様の処理の効果がある。【００３５】
さらに本発明によれば、半導体表面をアルコール類の少なくとも１種類を含む水溶液での処理に使用した処理液を回収し、精製の後再使用することにより、アルコール類の使用量を低減することができる。【００３６】
本願発明の半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置によれば、半導体表面からの溶出の少ない処理および清浄かつ平坦な表面を実現する処理液、処理方法および半導体製造装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ＲＣＡ洗浄法の工程図である。
【図２】実施の形態１に示す、ゲート酸化膜形成工程図である。
【図３】実施の形態１に示す、ゲート酸化膜形成工程の処理段階の半導体基板断面図である。
【図４】実施の形態２に示す、ゲート酸化膜形成工程図である。
【図５】実施の形態２に示す、ゲート酸化膜形成工程の処理段階の半導体基板断面図である。
【図６】実施の形態３に示す、処理液の回収、精製機構を有する処理工程図である。
【図７】実施例１、比較例１に示す、原子溶出量のアルコール濃度との相関図である。
【図８】実施例１、比較例１に示す、平均線粗さとアルコール濃度との相関図である。
【図９】実施例２、比較例２に示す、昇温脱離法によるアルコールの脱離の状態を示す図である。
【図１０】実施例３に示す、原子溶出量のアルコール純度との相関図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    半導体基板
２    シリコン酸化膜
３    シリコン窒化膜
４    フィールド酸化膜
５    プレ酸化膜
６    ゲート酸化膜
７    付着物
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の半導体装置の処理液、処理方法および半導体製造装置について、図を参照して説明する。
【実施の形態１】
【００４０】
本発明の実施の形態１は、半導体基板を処理する場合に、半導体基板からの原子溶出量が１５原子層／２４時間換算以下となる水溶液を使用することにより、処理液および処理方法を改良したものである。実施の形態1では、半導体デバイス製造に、これらの処理液、処理方法及びそれらを使用した半導体製造装置について説明する。
【００４１】
本発明は、現在半導体製造工程で使用されている各種処理液の特長を元にした様々な処理シーケンスに適用可能である。処理工程であるRCA洗浄法の例の一つを図１に示す。各種処理シーケンスにはリンス工程として水リンスによる処理が使用されており、本発明はそれら水リンス工程の改良方法を提案するものである。したがって特定の水リンスを使用する工程に適用を限定したものではなく、ゲート酸化膜形成前処理、コンタクトホール、ビアホール、キャパシタなどの洗浄にも適用が可能である。
【００４２】
ここでは、本発明をDRAM（Dynamic Random Access Memory）の製造等半導体デバイス製造の初期工程として一般的に取り入れられている熱酸化処理、いわゆるゲート酸化膜形成の前処理として適用した例を使用して説明する。本工程はDRAM製造に関わらず多種多様なLSI製造の工程として使用されている。
【００４３】
図２にゲート酸化膜形成工程の例と、図３にゲート酸化膜形成工程の半導体基板の処理段階の断面図を示す。 図３のa）に示すシリコン単結晶からなる半導体基板１を用意する。半導体基板を洗浄の後（工程：図２中のＳ−１）、図３のｂ）中のシリコン酸化膜２およびシリコン窒化膜３を形成する。フォトリソグラフによりパターン形成後（工程：図２中のＳ−２）、図３のｃ）中のフィールド酸化膜４を形成する（工程：図２中のＳ−３）。
【００４４】
その後、図３中のｄ）に示すように、シリコン窒化膜３をエッチングし、HF系薬液を使用して、シリコン酸化膜２もエッチング（工程：図２中のＳ−４）し、ゲート領域にシリコン基板表面を露出させる。その後、図３のe）中に示すプレ酸化膜５を形成し（工程：図２中のＳ−５）、図３のｆ）に示すようにHF系薬液を用いて形成された酸化膜をエッチング（工程：図２中のＳ−６）する。その後、図３中のｇ）に示すゲート酸化膜６を形成する（工程：図２中のＳ−７）。
【００４５】
本発明は、上記工程中の半導体基板の洗浄（図２中のＳ−１）、フィールド酸化膜エッチングによるゲート領域酸化膜のエッチング（図２中のＳ−４）、プレ酸化膜のエッチング（図２中のＳ−６）等のリンス工程に使用できる。本発明をゲート酸化前の各工程に使用することによって、半導体基板からの原子溶出を抑制でき、形成されるゲート酸化膜と半導体基板界面の表面ラフネスを抑制することができ、製造される半導体デバイスの性能向上が可能となる。図に示すようにゲート酸化膜、シリコン基板界面の平坦性の改善が、製造される半導体デバイスの性能を大きく向上させることは、公知である。
【実施の形態２】
【００４６】
本発明実施の形態２は、半導体基板を処理する場合に、アルコール類、ケトン類の少なくとも１種類以上を含む水溶液を使用して処理した後、半導体表面に付着したアルコール類、ケトン類を除去する工程を有することを特徴とするものである。実施の形態２では、半導体デバイス製造時に、アルコール類、ケトン類の少なくとも１種類以上を含む処理液での処理と、その後のアルコール類、ケトン類の除去工程が適用される場合の処理方法および半導体製造装置の形態を説明する。
【００４７】
使用されるアルコール類、およびケトン類として、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、tert−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、アセトン、ジエチルケトン、エチルメチルケトン等を例としてあげることができる。アルコール類、アセトン類として下記記載の条件を満足するものであれば、例えば１，３−フルオロ−２−プロパノール、ジフルオロメチルケトンでもよい。
【００４８】
処理液として下記のアルコール類、ケトン類が使用できる。アルコール類の構造としては、R１R２C(OH)R３の構造を有する。ここで、R１はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ２およびＲ３はＲ１と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ1〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示している。また、ケトン類はR４C=OR５の構造を有し、R４はハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖および分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基を示す。Ｒ５はＲ４と同一又は異なって、ハロゲン及びヒドロキシル基で置換されてもよい直鎖及び分岐を有するＣ１〜Ｃ４アルキル基又は水素原子を示している。これらの分子構造で表されるうちの少なくとも１種を含有する水溶液が使用される。なお、使用する水としては、１８MΩ以上の比抵抗値をもついわゆる超純水であることが好ましい。
【００４９】
また、アルコール類およびケトン類の構造がＣ１〜Ｃ７のアルキル基あるいはハロゲンまたはヘテロ原子を含むアルキル基からなる化合物のうち少なくとも１種を含有する水溶液とすることもできる。アルコール類としては、好ましくは例えばメチルアルコール、エチルアルコール、１−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール等である。さらに好ましくは、２−プロパノールである。また、ヒドロキシル基を２個以上有する多価アルコールであってもよい。上記ケトン類としては、好ましくは例えばエチルメチルケトン、ジエチルケトン等であり、さらに好ましくはアセトンである。また、部分的にフッ素等のハロゲン原子で置換されたものでもよい。また、使用するアルコール類、及びケトン類は１種類のものではなく、２種類以上を混合したものでもよい。例えば組み合わせとしてアルコール類より１種類、ケトン類より１種類混合したものでもよい。
【００５０】
また、本発明の処理液、処理方法および半導体製造装置に使用するアルコール類、ケトン類の比誘電率が８２以下であり、好ましくは具体的に、メチルアルコール、エチルアルコール、ジエチルケトン等であり、さらに好ましくは、２−プロパノール、アセトン等がある。
【００５１】
本発明のアルコール類として、２−プロパノールを使用することが好適であり、さらにアルコール類、ケトン類を混合してもよい。好ましくは具体的に、メチルアルコール、エチルアルコール、ジエチルケトン、アセトン等がある。
【００５２】
図４に本発明を使用したゲート酸化膜形成工程の例と、図５にゲート酸化膜形成工程の半導体基板の処理段階の断面図を示す。図５のa）に示すようにシリコン半導体基板１を用意する、この基板には既にフィールド酸化膜４が選択的に形成された状態となっている。その後、図５のｂ）中に示すプレ酸化膜５を形成し（工程：図４中のＳ−１１）、図５のｃ）に示すようにHF系薬液を用いて形成された酸化膜をエッチング（工程：図４中のＳ−１２）する。その後、図５のd)に示すように、半導体基板のゲート領域に付着したアルコール類およびケトン類（図５のｄ）中の７）を除去するために酸素ガス雰囲気で加熱処理をする（工程：図４中のＳ−１３）。その後、図５のe）中に示すゲート酸化膜６を形成する（工程：図４中のＳ−１４）。
【００５３】
図４中のＳ−１３における除去処理については、酸素ガス雰囲気中で加熱することを例示したが、半導体表面の加熱のみでもよいが、好ましくは処理の雰囲気を酸素ガスで充満させる。具体的に例えば、被処理半導体構造物を４５０℃に加熱する。加熱する場合の半導体の温度および酸素ガス濃度は、限定されるものではなくこれ以上であっても、以下であってもよい。さらに、プラズマを使用してアルコール類、ケトン類の除去を行うのが好適である。プラズマを使用したアルコール類、ケトン類の除去等について説明する。
【００５４】
プラズマ処理については、プラズマの発生方法について並行平板型等、特に制限はないが、好ましくはラジアルラインスロットアンテナを使用したプラズマの発生方法であり、電磁波でガス種を励起することにより基板表面に均一にプラズマを照射することができる。ここでプラズマは、上記ガス種を励起させるエネルギーがあればよく、具体的に好ましくはマイクロ波であることが好ましい。プラズマを使用し、被処理半導体装置（構造物）を加熱する場合、半導体装置の温度は４００℃であることが好ましいが、その温度に限定されるものではない。
【００５５】
プラズマを使用した場合、プラズマを励起するためのガス種として、希ガス、好ましくは、キセノン、クリプトン、アルゴン等があげられる。ガス種については衝突断面積の大きいガス種を使用することで半導体基板へのダメージを少なくすることができるため、上記希ガスのうちキセノンが好適である。なお、上記ガスの２つ以上を混合してもよい。ガスの圧力等は適宜選択が可能であり限定されるものではない。
【００５６】
上記アルコール類、ケトン類のプラズマを使用した除去方法については、被処理半導体装置でプラズマの照射されない部分、具体的に例えばシリコン基板の裏面等が挙げられ、それらの部分にシリコン酸化膜を予め成膜することによって覆うことが好ましい。ここでの膜は酸化膜であればいかなるものでもよい。励起されたガスによるプラズマの及ばない半導体の一部分を半導体酸化層で覆われた構造とすることで、アルコール類、ケトン類の除去が促進されるため、さらに有機溶媒の付着量を抑制できる。
【００５７】
したがって、アルコール類、ケトン類の除去によりゲート酸化膜、シリコン基板界面の有機不純物が低減でき、製造される半導体デバイスの性能の劣化が抑制できる。
【実施の形態３】
【００５８】
実施の形態３は、処理工程に使用した処理液を回収し、精製の後再使用することを特徴とする処理方法であり、半導体製造工程にそれらのための機構を付随させた形態について説明する。
【００５９】
図６に上記処理液回収、精製機構を有する処理工程の概略図を示す。図６の１乃至４に半導体製造工程の一部を抜粋して示す。本発明は、図６中の３で使用した処理液を、図６中の６の精製工程へ回収する。そして回収の後、図６中の５のリンス液調整工程で次なる工程に適当な組成に調製した後、再利用する。
【００６０】
精製の目的は、不純物の除去であり、粒子状不純物に対しては、限外濾過、逆浸透膜等が使用できる。金属不純物に対しては適当なイオン交換樹脂を採用すること等で除去できる。回収元、再使用する工程に限定はなく、一連の半導体製造工程の複数のリンス工程等から回収およびそれらへの再使用が可能である。アルコール類、ケトン類の精製には蒸留等が適当である。
【００６１】
したがって、本発明の処理方法、半導体製造装置により半導体の処理に使用する水、アルコール類、ケトン類を低減することができる。
【実施の形態４】
【００６２】
本発明の実施の形態４は、半導体処理工程の雰囲気の酸素ガス濃度を抑制することを特徴とする処理方法、半導体製造装置であり、その実施の形態を説明する。
【００６３】
半導体製造工程においては、基板の洗浄より半導体素子の完成までを、酸素ガス濃度の抑制された雰囲気で行うことが好ましい。具体的には酸素ガス濃度が２０ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５ｐｐｍ以下とし、その他の部分を占める主たるガス種を窒素とすることが好ましい。また、主たるガス種が窒素と水素の混合物であってもよく、また、水素ガス濃度は４％以下であれば、限定されるものではない。これら雰囲気ガスの制御によって、半導体製造において半導体素子の性能劣化の原因となる自然酸化膜の形成が抑制できる。上記雰囲気の実現について、半導体製造における思想を逸脱するような適用方法以外は、特に限定することは無く、半導体製造装置にそれらガス種の導入口、流量制御機構を設置することで実現できる。
【００６４】
半導体製造装置における半導体装置の製造方式としては、半導体製造における思想を逸脱するような製造方式以外は、特に限定することは無く、バッチ式、枚葉式等処理方法に制限されるものではない。処理の均一性に優位性がある枚葉式処理が可能な半導体製造装置とすることが好ましい。
【実施例１】
【００６５】
以下、本発明の実施例について図面を参照し、詳細に説明する。実施例１は、超純水にイソプロパノールを１０乃至６０質量％添加した溶液を処理液として行った実施例である。本実施例１では、アルコール、ケトン類としてはイソプロパノールを用いているが、上記した実施の形態に示された範囲内のアルコール、ケトン類から任意に選択することができることは勿論である。処理に使用する半導体基板は、予めRCA洗浄を施したものを使用した。洗浄後の半導体基板を２４時間、窒素雰囲気中で浸漬し、その後半導体基板を取り出し、半導体原子の処理液への溶解量と表面ラフネスを測定した。【００６６】
半導体原子の処理液への溶解量を評価するため、誘導結合プラズマ発光分析法（ICP-AES）を使用した。溶解量を原子層／２４ｈｒの単位を使用して比較した。半導体からの原子溶出量の単位である原子層／２４ｈｒとは、計測値から算出される溶出した半導体原子数を計測に使用した半導体結晶の面積で除した数値が、単位面積当たりに存在する半導体原子数の何倍かであるかを示す数値である。【００６７】
表面ラフネスはセイコーインスツルメンツ社の原子間力顕微鏡を使用して評価した。単位として平均線粗さ（Ra）を使用した。Raは、断面曲線からその中心線の方向に測定長さlの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線をX軸、縦倍率の方向をY軸、断面曲線をy = f (x)で表したとき、次の式によって求められる値をいい、下記数式１によって計算される。【００６８】
【数１】
2006009003.tif 000002
【００６９】
処理に使用する半導体基板は、予め洗浄を施したものを使用した。洗浄後の半導体基板を２４時間、窒素雰囲気中で浸漬し、その後半導体基板を取り出し、半導体原子の溶解量調査は、誘導結合プラズマ発光分析法（ICP-AES）を使用し、分析結果より溶解量を原子層／２４ｈｒの単位を使用して比較した。表面ラフネスはセイコーインスツルメンツ社の原子間力顕微鏡を使用して評価し、観察結果よりRaを算出した。【００７０】
アルコール類を添加した超純水を使用した処理と、比較例１として超純水のみによる処理を行った。処理後の処理液への半導体原子の溶解量について図７に、表面ラフネス測定結果について図８に示す。各図のアルコール濃度０質量％が比較例１の結果に相当する。これらの図からアルコール類、ケトン類を５質量％以上とすることで効果が得られ、好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは３０質量％である。このとき、原子溶出量として１５原子量／２４時間以下、表面ラフネスとして半導体平均線粗さ（Ｒａ）として０．１５nm以下が得られる。また半導体平均線粗さ（Ｒａ）としては、好ましくは０．１nm以下であり、さらに好ましくは０．０７nm以下である。【００７１】
また被処理構造物として、半導体単結晶、具体的に例えば半導体材料としてシリコンがあげられる。シリコンにおける結晶依存性として、面方位（１００）、（１１０）を例示している。これらはほぼ同様の結果であり、それら処理される単結晶の面方位に制限はなく、例えば（１００）、（１１１）、（１１０）等である。なお、それらの面方位に対して適宜オフさせた面にも適用できる。また、半導体多結晶、具体的に例えば半導体多結晶としてポリシリコンに適用できる。さらに、アモルファス半導体や、半導体化合物にも適用でき、具体的に半導体化合物としては例えば、ガリウム砒素等である。【００７２】
本実施例において、図７に示すようにアルコール類を添加した薬液による処理により、処理液への半導体原子の溶解量が抑制できることがわかった。また図８によると、本発明に基づく処理により、表面ラフネスの小さい表面が得られることがわかる。本発明の処理液、処理方法および半導体製造装置によって形成される半導体表面は、処理液への半導体原子の溶解量が抑制され、表面ラフネスを小さくできる。
【実施例２】
【００７３】
実施例２は、超純水に２−プロパノールを３０質量％添加した溶液を処理液とし、さらにアルコール除去工程を行った実施例である。この実施例２は、アルコール、ケトン類としては２−プロパノールを用いた例である。処理に使用する半導体基板は、予めRCA洗浄を施したものを使用した。洗浄後の半導体基板を上記洗浄液に１０分間浸漬し、その後、キセノンガスによりプラズマを発生させた条件下で当基板を処理し、付着したアルコール除去した。処理後の評価は昇温脱離分析により行い、脱離物の分析には、大気圧イオン化質量分析法を使用して行った。【００７４】
比較例２として超純水に２−プロパノールを３０質量％添加した溶液を処理液として行った。処理に使用する半導体基板は、予めRCA洗浄を施したものを使用した。洗浄後の半導体基板を上記洗浄液に１０分間浸漬した。処理後の評価は昇温脱離分析により行い、脱離物の分析には、大気圧イオン化質量分析法を使用して行った。比較例２は実施例２におけるアルコール除去工程であるプラズマ処理を行わないサンプルである。【００７５】
上記、実施例２、比較例２の結果を図９に示す。図は縦軸に上記質量分析器の相対強度、横軸に基板温度をとるものである。２−プロパノールの検出には、質量分析におけるマスナンバー４３を、当アルコール起因のシグナルとして認められることが分かっているため、図９にマスナンバー４３のシグナルの強度を示した。図９によると比較例２のプラズマ処理を施していない例の場合には２５０℃から５００℃にかけて２−プロパノールに起因するシグナルがあらわれていることに対し、実施例２のプラズマ処理を施した例については、それらシグナルは認められない、したがって本発明によるプラズマを使用した処理によって付着したアルコール類が除去できる。
【実施例３】
【００７６】
実施例３は、超純水に２−プロパノールを３０質量％添加した溶液を処理液とし、純度の異なるものを使用して行った実施例である。処理に使用する半導体基板は、予め洗浄を施したものを使用した。洗浄後の半導体基板を２４時間、窒素雰囲気中で浸漬し、その後半導体基板を取り出し、半導体原子の処理液への溶解量と表面ラフネスを測定した。【００７７】
半導体原子の処理液への溶解量を評価するため、誘導結合プラズマ発光分析法（ICP-AES）を使用した。溶解量を原子層／２４ｈｒの単位を使用して比較した。半導体からの原子溶出量の単位である原子層／２４ｈｒとは、計測値から算出される溶出した半導体原子数を計測に使用した半導体結晶の面積で除した数値が、単位面積当たりに存在する半導体原子数の何倍かであるかを示す数値である。【００７８】
図１０に２−プロパノールの純度と半導体原子溶出量との関係を示す。図１０に示すとおり９９質量％以上の純度で溶解量の抑制効果がみられるが、純度の低下により溶出量が増加した。不純物による触媒効果などが考えられ、使用するアルコールの純度を高純度にすることで本発明における半導体原子溶出量の少ない処理が可能となる。従って、アルコール類およびケトン類の純度は９９質量％以上であり、好ましくは９９．９質量％以上である。金属不純物の総量は０．１ｐｐｍ以下であることが望ましく、さらに好ましくは１ｐｐｂ以下である。
【実施例４】
【００７９】
実施例４は、超純水に２−プロパノールを３０質量％添加した溶液を処理液とし、処理雰囲気ガスを通常の大気雰囲気と窒素ガスを充満させ酸素ガス濃度を５ｐｐｍ以下に制御して行った実施例である。処理に使用する半導体基板は、予め洗浄を施したものを使用した。洗浄後の半導体基板を２４時間、窒素雰囲気中で浸漬し、その後半導体基板を取り出し、半導体原子の処理液への溶解量を測定した。【００８０】
半導体原子の処理液への溶解量を評価するため、誘導結合プラズマ発光分析法（ICP-AES）を使用した。溶解量を原子層／２４ｈｒの単位を使用して比較した。半導体からの原子溶出量の単位である原子層／２４ｈｒとは、計測値から算出される溶出した半導体原子数を計測に使用した半導体結晶の面積で除した数値が、単位面積当たりに存在する半導体原子数の何倍かであるかを示す数値である。【００８１】
表１に処理雰囲気の種別と半導体原子溶出量との関係を示す。【００８２】
【表１】
2006009003.tif 000003
【００８３】
表１からもわかるように処理雰囲気の酸素ガス濃度の低減によって、さらに溶出する原子数を少なくすることができる。アルコール類、ケトン類のうち少なくとも1種類以上を含む水溶液の処理を、窒素ガス等で満たした環境で処理することによる、溶出原子数の低減が可能となり、ひいては半導体性能の向上につながるものである。【００８４】
本願の処理液としてはアルコール類、ケトン類を含んだ水溶液としたが塩化水素酸、硝酸、硫酸、酢酸、フッ化水素酸、フッ化アンモニウムのうち少なくとも一つ以上を含有する処理液として使用することもできる。さらに、処理液に使用する水に、窒素、水素、酸素、オゾンのうち1種類以上を溶解させることもできる。例えば、水素ガス溶存量１ppb等を溶解させたものである。【００８５】
以上、本願発明を実施の形態及び実施例に基づき説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明に係る処理液、処理方法および半導体製造装置によれば、半導体表面からの溶出原子数を低減し、半導体表面のラフネスを０．１ｎｍ以下とする清浄かつ平坦な表面を有する半導体装置が得られる。現在は顕在化していない半導体表面のラフネスによる半導体装置の問題点も、今後のデバイスの微細化に伴って顕在化することが予想される。今後、さらなるデバイスの微細化が進展した半導体装置の製造において、高信頼性、高性能化の半導体装置の実現のために利用できる。
【図１】
2006009003.tif 000004
【図２】
2006009003.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2006009003.tif 000015
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