(57)【要約】本発明の光情報記録再生装置は、情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射する光源１と、光源１の半導体レーザに駆動電流を供給するレーザ駆動回路５１ａと、駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波重畳電流発生回路５１ｃと、光源１付近の温度を検出する温度センサ３５と、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える制御部とを備えている。【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、
前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、
前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、
前記レーザ光源の温度を検出する温度センサと、
検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える制御部と、
を備える、光情報記録再生装置。
【請求項２】
前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータの温度依存性に基づいて予め設定された温度と高周波重畳電流との関係に従って高周波重畳電流の値を切り換える請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項３】
前記温度と高周波重畳電流との関係を記憶するメモリを備えている、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項４】
前記記録再生特性を規定するパラメータはバイトエラーレートである、請求項２に記載の光情報記録再生装置。
【請求項５】
前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータが温度上昇に伴って変化する割合を０．００５％以下に抑制するように、高周波重畳電流の値を増加させる請求項４に記載の光情報記録再生装置。
【請求項６】
高周波重畳電流の値は、不要輻射ノイズの高周波重畳電流依存性に基づいて予め設定された上限値以下の値である請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１に到達したとき、高周波重畳電流の値を第１のレベルＩ１から第２のレベルＩ２に切り換え、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１よりも５℃以上低い温度Ｔ２に低下したとき、前記第２のレベルから前記第１のレベルに切り換える、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項８】
情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、前記レーザ光源付近の温度を検出する温度センサとを備える光情報記録再生装置のための制御装置であって、
温度と高周波重畳電流との関係を規定するデータを記録するメモリと、
前記温度センサによって検出された温度に関する情報に基づいて、前記メモリに記録されるデータから高周波重畳電流の値を決定し、前記高周波回路の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える、制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、光情報記録媒体にデータを書き込むこと、および光情報記録媒体に記録されているデータを読み出すことの少なくとも一方を行う光情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  データの記録再生が光学的に行われる光情報記録媒体として、光ディスクが普及している。光ディスクに記録されているデータは、比較的弱い一定の光量の光ビームを回転する光ディスクに照射し、光ディスクによって変調された反射光を検出することによって再生される。【０００３】  再生専用の光ディスクには、光ディスクの製造段階でピットによる情報が予めスパイラル状に記録されている。これに対して、書き換え可能な光ディスクでは、スパイラル状のランドまたはグルーブを有するトラックが形成された基材表面に、光学的にデータの記録／再生が可能な記録材料膜が蒸着等の方法によって堆積されている。書き換え可能な光ディスクにデータを記録する場合は、記録すべきデータに応じて光量を変調した光ビームを光ディスクに照射し、それによって記録材料膜の特性を局所的に変化させることによってデータの書き込みを行う。【０００４】  ピットの深さ、トラックの深さ、および記録材料膜の厚さは、光ディスク基材の厚さに比べて小さい。このため、光ディスクにおいてデータが記録されている部分は、２次元的な面を構成しており、「情報記録面」と称される場合がある。本明細書では、このような情報記録面が深さ方向にも物理的な大きさを有していることを考慮し、「情報記録面」の語句を用いる代わりに、「情報記録層」の語句を用いることとする。光ディスクは、このような情報記録層を少なくとも１つ有している。なお、１つの情報記録層が、現実には、相変化材料層や反射層などの複数の層を含んでいてもよい。【０００５】  記録可能な光ディスクにデータを記録するとき、または、このような光ディスクに記録されているデータを再生するとき、光ビームが情報記録層における目標トラック上で常に所定の集束状態となる必要がある。このためには、「フォーカス制御」および「トラッキング制御」が必要となる。「フォーカス制御」は、光ビームの焦点の位置が常に情報記録層上に位置するように対物レンズの位置を情報記録面の法線方向に制御することである。一方、トラッキング制御とは、光ビームのスポットが所定のトラック上に位置するように対物レンズの位置を光ディスクの半径方向に制御することである。【０００６】  従来、高密度・大容量の光ディスクとして、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＤＶＤ＋Ｒ等の光ディスクが実用化されてきた。また、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）は今も普及している。現在は、これらの光ディスクよりもさらに高密度化・大容量化されたブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ；ＢＤ）などの次世代光ディスクの開発・実用化が進められつつある。また、１枚の光ディスクに記録され得るデータの容量を高めるため、積層された複数の情報記録層を備える光ディスクも開発されている。【０００７】  光ディスクの情報記録層を照射する光ビームは、半導体レーザを光源としている。半導体レーザから放射されたレーザ光で光ディスクを照射すると、光ディスクで反射されたレーザの一部が半導体レーザに入射する。このような戻り光は、半導体レーザの発振状態を不安定にするため、レーザ光強度のノイズ成���が増加し、光ディスクに記録された情報信号を正確に再生することができないという問題がある。【０００８】  このような戻り光による問題を解決する一つの手段として、半導体レーザの駆動電流に高周波電流（周波数：例えば２５０〜３５０ＭＨｚ）を重畳させる駆動方式（高周波電流重畳法）が採用されている。高周波電流重畳法を採用する光情報記録再生装置は、例えば、特許文献１や特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開平０７−９３７９４号公報（段落番号００１６〜００４８、００６３〜００６５、図１、図５）
【特許文献２】特開平０７−３２０２９２号公報（段落番号００３５〜００６４、００７５〜００９４、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】  高周波電流の重畳は、半導体レーザの動作をマルチモード化することにより、戻り光ノイズの低減に効果を発揮するが、本発明者の実験によると、高周波電流の重畳を行った場合でも、半導体レーザの動作温度上昇に伴って光ディスク装置のリードエラー率が増加することがわかった。リードエラー率とは、レーザ光を光ディスクに照射し、データの記録／再生を行ったときの読み取り不良発生（リードエラー）の割合である。光ディスクが例えばＤＶＤ−Ｒなどの場合、リードエラー率は１ブロック当たりのリードエラー率であり、バイトエラーレート（ＢＥＲ）と称される。リードエラー率の増加は、光ディスクからの信号再生品質を低下させるという大きな問題を引き起こす。【００１０】  本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、半導体レーザのノイズを低減し、光ディスクのデータを正確に再生することができる光情報記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】  本発明の光情報記録再生装置は、情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、前記レーザ光源の温度を検出する温度センサと、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える制御部とを備えている。【００１２】  好ましい実施形態において、前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータの温度依存性に基づいて予め設定された温度と高周波重畳電流との関係に従って高周波重畳電流の値を切り換える。【００１３】  好ましい実施形態において、前記温度と高周波重畳電流との関係を記憶するメモリを備えている。【００１４】  好ましい実施形態において、前記記録再生特性を規定するパラメータはバイトエラーレートである。【００１５】  好ましい実施形態において、前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータが温度上昇に伴って変化する割合を０．００５％以下に抑制するように、高周波重畳電流の値を増加させる。【００１６】  好ましい実施形態において、高周波重畳電流の値は、不要輻射ノイズの高周波重畳電流依存性に基づいて予め設定された上限値以下の値である。【００１７】  好ましい実施形態において、前記制御部は、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１に到達したとき、高周波重畳電流の値を第１のレベルＩ１から第２のレベルＩ２に切り換え、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１よりも５℃以上低い温度Ｔ２に低下したとき、前記第２のレベルから前記第１のレベルに切り換える。【００１８】  本発明の制御装置は、情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、前記レーザ光源付近の温度を検出する温度センサとを備える光情報記録再生装置のための制御装置であって、温度と高周波重畳電流との関係を規定するデータを記録するメモリと、前記温度センサによって検出された温度に関する情報に基づいて、前記メモリに記録されるデータから高周波重畳電流の値を決定し、前記高周波回路の動作を制御する制御部とを備え、前記制御部は、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える。
【発明の効果】
【００１９】  本発明の情報記録再生装置によれば、半導体レーザノイズの低減を行い、光ディスクの情報信号を正確に記録再生することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】レーザ駆動電流と光出力との関係を示すグラフである。
【図２】高周波電流非重畳時における電流−光出力特性の温度依存性を示すグラフである。
【図３】高周波重畳電流を変化させた場合におけるリードエラー率の温度依存性を示すグラフである。
【図４】高周波重畳電流と不要輻射ノイズの関係を示すグラフである。
【図５】本発明による光情報記録再生装置の実施形態の構成を示す図である。
【図６】図５に示す光情報記録再生装置の主要部回路構成を示す図である。
【図７】本発明の実施形態における測定温度と高周波重畳電流の切り換え値との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００２１】    １    光源
１ａ  レーザ光
５    コリメートレンズ
１０    反射ミラー
１１    対物レンズ
１２    対物レンズ駆動装置
１３    基台
１４    光検出器
１５    ピックアップ回路基板
１６    信号接続部
３０    光ピックアップ
３１    レンズ保持部材
３５    温度センサ
３６    前処理回路
３７    制御部
３８    中央演算制御部（ＣＰＵ）
３９    不揮発性メモリ
４０    システムコントローラ
４１    駆動部
５０    光ディスク
５１    レーザ駆動部
５１ａ  レーザ駆動回路
５１ｂ  電流量切り換え部
５１ｃ  高周波重畳電流発生回路
５２    光モニタ
５２ａ  受光素子
５２ｂ  Ｉ／Ｖアンプ
６０    光情報記録再生装置
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】  本発明の光情報記録再生装置は、温度センサで検出した温度に応じて、半導体レーザの駆動電流に重畳する高周波電流の大きさを切り換える。温度に応じて切り換える高周波重畳電流量は、光ディスクの記録再生特性と高周波重畳電流発生回路により生じる不要輻射ノイズ量との相関によって設定される。本発明によれば、温度変化に対しても半導体レーザノイズの低減を行うことができ、かつ不要輻射ノイズを規格の範囲内に低減することができる。その結果、光ディスクの情報信号を正確に記録再生することができ、かつ不要輻射の増大を抑制できる。【００２３】  まず、図１から図４を参照しながら、半導体レーザの温度、光ディスク装置のリードエラー率、不要輻射ノイズなどを説明する。【００２４】  まず、図１および図２を参照する。図１は高周波電流（周波数：３００ＭＨｚ、電流値：４０ｍＡ）の重畳時および非重畳時におけるレーザ駆動電流と光出力の関係（光出力特性）を示すグラフであり、図２は高周波電流を重畳していない時における光出力特性の温度依存性を示すグラフである。【００２５】  図１に示すように、高周波電流の重畳時における半導体レーザの発振閾値は、非重畳時における半導体レーザの発振閾値よりも低い。図１では、これらの閾値の差を△Ｉｔｈで示している。閾値差△Ｉｔｈは、高周波重畳電流が大きいほど大きくなり、半導体レーザのノイズが低減される。半導体レーザを光ディスク装置の光源として用いる場合、高周波重畳電流が大きくなるほど、戻り光の影響を受けにくくなるため、安定した再生特性を得ることができる。【００２６】  図２に示すように、半導体レーザの動作温度が上昇すると、半導体レーザの発振閾値が高くなる傾向がある。この傾向は、高周波重畳電流の有無によらない。また、半導体レーザの動作温度が上昇すると、微分効率が低下するため、高周波重畳電流による変調度が小さくなってしまう。変調度が小さくなると、戻り光の影響を受けやすく、リードエラー率が増加する。【００２７】  次に、図３を参照しつつ、半導体レーザの動作温度とリードエラー率との関係を説明する。図３は、高周波重畳電流が３０、３５、４０、４５、５０ｍＡの場合におけるリードエラー率の温度依存性を示している。リードエラー率は、高周波重畳電流が一定のとき、図３に示すように温度上昇に伴って増大していく。良好な記録再生特性を達成するためには、リードエラー率を０．０１％以下に低減することが望ましい。リードエラー率を下げるためには、図３からわかるように、高周波重畳電流を大きくすればよい。【００２８】  しかしながら、高周波重畳電流を大きくすると、高周波重畳電流発生回路からの不要輻射が増大する。周知のように、ＥＭＩ規格は世界各国の通信委員会で決定されており、例えば光情報記録再生装置を動作させた状態で配置し、配置位置から３ｍの位置にアンテナを設定したとき、半導体レーザで使用している高周波重畳電流の周波数がおよそ２５０ＭＨｚであれば不要輻射ノイズ量の伝導限界値は４６ｄＢである。【００２９】  図４は、光ディスク装置における高周波重畳電流と不要輻射ノイズとの関係を示すグラフである。図４に示すように、高周波重畳電流が増加すると、不要輻射ノイズが増大��る。このため、リードエラー率を下げる目的で、単純に高周波重畳電流を高めてゆくと、ＥＭＩの規格の範囲を超える不要輻射ノイズが発生してしまうことになる。図４の例では、高周波重畳電流が５０ｍＡを超えて大きくなると、不要輻射ノイズが４６ｄＢ以上に増加してしまい、ＥＭＩにおける規格の範囲を超えてしまう。【００３０】  本発明では、半導体レーザの温度が上昇し、リードエラー率が所定値（例えば０．０１％）を超えてしまうような温度レベルに達したとき、高周波重畳電流の値を増加させることによってリードエラー率の上昇を抑制するが、その際、高周波重畳電流の増加によって不要輻射ノイズがＥＭＩの規格の範囲を超えないようにしている。【００３１】  より詳細には、予め高周波重畳電流を変化させたときの記録再生特性（リードエラー率）と温度との関係を測定する一方で、不要輻射ノイズ量と高周波重畳電流との関係を測定する。そして、半導体レーザの温度と高周波重畳電流量との関係を装置内にテーブルとして保存し、動作時に測定される半導体レーザの温度に応じて、高周波重畳電流の値を変更する。例えば、光情報記録再生装置の動作を開始直後、まだ半導体レーザの温度が相対的に低い段階では、高周波重畳電流の値を４０ｍＡに設定しておく。その後、半導体レーザの温度が上昇して６５℃に達したとき、高周波重畳電流の値を４０ｍＡから４５ｍＡに変化させる。【００３２】  このような高周波重畳電流の切り換えを行うためには、温度と高周波重畳電流との関係を不揮発性メモリに記憶させておく必要がある。そして、温度センサで検出した温度に応じて、高周波重畳電流発生回路が発生する高周波重畳電流の大きさを電流量切り換え部によって切り換えればよい。【００３３】  （実施形態）
以下、図面を参照しながら、本発明による光情報記録再生装置の実施形態を説明する。【００３４】  まず、図５および図６を参照する。図５は、本実施形態における光情報記録装置の構成を示す図であり、図６は、その主要部の回路構成例を示す図である。【００３５】  本実施形態の光情報記録装置は、図５に示すように、光ディスク５０を回転させるスピンドルモータ４３と、光ディスク５０に光学的にアクセスする光ピックアップ３０と、光ピックアップに電気的に接続される信号処理部とを備えている。【００３６】  光ピックアップ３０は、半導体レーザから構成される光源１と、レーザ駆動部５１と、光源１から放射されたレーザ光を光ディスク５０に集光する光学系と、光ディスク５０から反射されたレーザ光の一部を受け取り、電気信号を生成する光検出器などを備えている。本実施形態では、光源１付近の温度を検出する温度センサ３５が、半導体レーザ（光源１）の温度を正確に検出するため、光源１付近に配置され、ピックアップ回路基板１５に搭載されている。【００３７】  レーザ駆動部５１は、図２に示すように、光源１の半導体レーザ（ダイオード）に駆動電流を供給するレーザ駆動回路５１ａと、高周波重畳電流（周波数：例えば２５０〜３５０ＭＨｚ）を発生してレーザ駆動部５１からの駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波重畳電流発生回路５１ｃと、高周波重畳電流の大きさを複数段階（３０〜５０ｍＡ）に設定可能な電流量切り換え部５１ｂとを有している。レーザ駆動部５１は、図１に示すように、ピックアップ回路基板１５に搭載されている。【００３８】  図２に示すように、光ピックアップ３０には、光源１から放射されたレーザ光１ａを平行光にするコリメートレンズ５と、平行光となったレーザ光１ａを光ディスク５０に対して垂直な方向に偏向する反射ミラー１０と、光源１から放射されるレーザ光量を検出する光モニタ５２と、レーザ光１ａを集光して光ディスク５０の情報記録層に光スポットを形成する対物レンズ１１と、光ディスク５０によって反射された光の光路を光源１への光路と分離する光学素子２３と、光ディスク５０によって反射された光を電気信号に変換する光検出器１４とを備えている。【００３９】  コリメートレンズ５および反射ミラー１０は、基台１３の所定の位置に保持されている。光モニタ５２は、受光素子５２ａとＩ／Ｖアンプ５２ｂとを備え、レーザ光１ａが反射ミラー１０を透過する位置に配置されている。対物レンズ１１および光学素子２３は、レンズ保持部材３１に保持されて、光検出器１４は、反射光を最適に検出するよう調整されて基台１３に保持されている。【００４０】  光源１、対物レンズ駆動装置１２、および光検出器１４は、図示しないフレキシブルプリント基板などの接続手段により、ピックアップ回路基板１５に接続されている。ピックアップ回路基板１５には、抵抗やコンデンサといった電気部品が実装され、かつフレキシブルプリント基板などの信号接続部１６が接続されている。【００４１】  光ディスク５０に記録されている情報は、光ピックアップ３０の光検出器１４で電気信号に変換される。この電気信号は、ピックアップ回路基板１５及び信号接続部１６を経由し、前処理回路３６に入力さ��る。処理回路３６では、フォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号といったサーボ信号の生成が行われるほか、再生信号の波形等価、２値化スライス、同期データなどのアナログ信号処理が行われる。【００４２】  前処理回路３６で生成されたサーボ信号は、制御部３７に入力される。制御部３７は対物レンズ駆動装置１２の駆動を行ったり、光ピックアップ３０を光ディスク５０内周や外周へ移送させる移送モータ４２の駆動を行う。駆動部４１は、光ピックアップ３０が光ディスク５０の情報記録面上に形成する光スポットが所望のトラックを追従するように、対物レンズ駆動装置１２の動作を調節し、フォーカスおよびトラッキング制御、移送制御、スピンドルモータ制御を行う。この一連の制御は、制御部３７によるデジタルサーボによって実現されている。【００４３】  前処理回路３６で生成された同期データはシステムコントローラ４０でデジタル信号処理が施され、図示しないインターフェイス回路を介して記録再生データをホストに転送する。前処理部３６、制御部３７、およびシステムコントローラ４０は、中央演算処理部３８に接続されており、中央演算処理部３８の指令により動作する。【００４４】  光モニタ５２で検出されたレーザ光量情報も、ピックアップ回路基板１５及び信号接続部１６を経由して前処理回路３６に入力される。レーザ光量情報は、中央演算処理部３８の指令により、レーザ駆動部５１は、データの記録／再生に必要なレーザパワーが一定となるように動作する（ＡＰＣ）。なお、光ディスク５０にデータを記録するために必要なレーザパワーは、スピンドルモータ４３の回転数によって変化するため、レーザ駆動部５１は、上記回転数を考慮してレーザパワーの制御を行う。【００４５】  光ディスク５０を回転させること、光ピックアップ３０を目標の位置へ移送させること、光ディスク５０の目標のトラックに光スポットを位置させ、所望のトラックを追従させることなどに光ディスク装置の一連の動作を規定するプログラムは、予めファームウエアとして不揮発性メモリ３９に記憶されている。【００４６】  本実施形態によれば、半導体レーザの温度上昇に伴うリードエラー率の増加を抑制しつつ、不要輻射ノイズをＥＭＩ規格の範囲内で保持することができる。その結果、光ディスクの情報信号を正確に再生できる。【００４７】  図７は、測定される温度と高周波重畳電流との関係を示すグラフである。本実施形態では、測定温度が温度Ｔ１（例えば６０℃）に到達するまでは、高周波重畳電流を第１の値Ｉ１（例えば４０ｍＡ）に保持する。その後、測定温度が温度Ｔ１に到達したとき、電流量切り換え部５１ｂにより、高周波重畳電流を第１の値Ｉ１から第２の値Ｉ２（例えば４５ｍＡ）に切り換える。第２の値Ｉ２は、図３および図４に示すような、温度、リードエラー率、高周波重畳電流および不要輻射ノイズの相互関係に基づいて予め決定されている。【００４８】  本実施形態では、測定温度が温度Ｔ１から低下した場合でも、高周波重畳電流を直ちに第２の値Ｉ２から第１の値Ｉ１に切り換えることはしない。本実施形態では、図７に示すように、測定温度が温度Ｔ１よりも充分に低い温度Ｔ２に低下したとき、電流量切り換え部５１ｂにより、高周波重畳電流を第２の値Ｉ２から第１の値Ｉ１に切り換える。このようにする理由は、わずかな温度変化によって高周波重畳電流を頻繁に切り換えないようにするためである。このためには、Ｔ１−Ｔ２によって規定される温度差を、例えば５℃以上に設定することが好ましく、１０℃以上に設定してもよい。【００４９】  本実施形態によれば、温度５０℃、高周波重畳電流を第１の値Ｉ１（例えば４０ｍＡ）で動作させたとき、スピンドルモータ４３や移送モータ４２等の発熱により温度が上昇し、測定温度が温度Ｔ１（例えば６５℃）に到達すると、高周波重畳電流を第２の値Ｉ２（例えば４５ｍＡ）に切り換える。その後、測定温度が６５℃付近で定常状態となり、−１℃から＋１℃といったわずかな温度変化が発生したとしても、高周波重畳電流の大きさは切り換えられない。【００５０】  図３からわかるように、高周波重畳電流の値を常に４０ｍＡに保持した場合、温度６５℃でのリードエラー率は０．０１％に達するが、高周波重畳電流の値を４５ｍＡに切り換えることにより、温度６５℃でのリードエラー率を半分以下に低減することができる。しかも、４５ｍＡの高周波重畳電流では、不要輻射ノイズを４５ｄＢよりも低い値に抑えることができる。【００５１】  上記の実施形態では、高周波重畳電流の値を２段階で切り換えているが、本発明で行う電流値の切り換えは２段階に限定されない。高周波重畳電流を３段階以上の値で切り換えてもよいし、温度に応じて連続的に変化させるようにしてもよい。【００５２】  また、測定される温度に応じて定められる高周波重畳電流の値は、一定の大きさに固定されている必要はない。上述した例では、温度６５℃における高周波重畳電流のＩ２を４５ｍＡに設定しているが、記録再生の対象となる光ディスクの種類や、半導体レーザの使用経過時間に応じて、値Ｉ２の値を変化させるようにしても良い。【００５３】  本発明における温度センサは、半導体レーザの温度変化を検出することができれば、半導体レーザの正確な温度を測定する必要はない。すなわち、半導体レーザの温度変化を反映する部位の温度を直接または間接的に検出できれば良い。したがって、本明細書における「レーザ光源の温度を検知する」とは、レーザ光源の特性に影響を及ぼす温度変化の検知を全て含むものとする。温度センサは、光ピックアップのどこかに取り付けられることが好ましいが、光ピックアップ以外の部分に取り付けられた赤外線センサで代用することも可能である。また、温度センサは、温度に対して直接的に反応する素子を備えている必要はない。例えば、駆動電流と光出力との関係から温度、または温度に対応する情報を推定することができる場合、そのために機能する素子や回路を、広く「温度センサ」の概念に含めることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５４】  本発明の光情報記録再生装置は、映像音響情報を含む各種のデータを記録する種々の電子機器に広く用いられる。
【図１】
2006051688.tif 000002
【図２】
2006051688.tif 000003
【図３】
2006051688.tif 000004
【図４】
2006051688.tif 000005
【図５】
2006051688.tif 000006
【図６】
2006051688.tif 000007
【図７】
2006051688.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成18年11月30日(2006.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、
前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、
前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、
前記レーザ光源の温度を検出する温度センサと、
検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える制御部と、
を備える、光情報記録再生装置。
【請求項２】
前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータの温度依存性に基づいて予め設定された温度と高周波重畳電流との関係に従って高周波重畳電流の値を切り換える請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項３】
前記温度と高周波重畳電流との関係を記憶するメモリを備えている、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項４】
前記記録再生特性を規定するパラメータはバイトエラーレートである、請求項２に記載の光情報記録再生装置。
【請求項５】
前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータが温度上昇に伴って変化する割合を０．００５％以下に抑制するように、高周波重畳電流の値を増加させる請求項４に記載の光情報記録再生装置。
【請求項６】
高周波重畳電流の値は、不要輻射ノイズの高周波重畳電流依存性に基づいて予め設定された上限値以下の値である請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１に到達したとき、高周波重畳電流の値を第１のレベルＩ１から第２のレベルＩ２に切り換え、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１よりも５℃以上低い温度Ｔ２に低下したとき、前記第２のレベルから前記第１のレベルに切り換える、請求項１に記載の光情報記録再生装置。
【請求項８】
情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、前記レーザ光源付近の温度を検出する温度センサとを備える光情報記録再生装置のための制御装置であって、
温度と高周波重畳電流との関係を規定するデータを記録するメモリと、
前記温度センサによって検出された温度に関する情報に基づいて、前記メモリに記録されるデータから高周波重畳電流の値を決定し、前記高周波回路の動作を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える、制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体にデータを書き込むこと、および光情報記録媒体に記録されているデータを読み出すことの少なくとも一方を行う光情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
データの記録再生が光学的に行われる光情報記録媒体として、光ディスクが普及している。光ディスクに記録されているデータは、比較的弱い一定の光量の光ビームを回転する光ディスクに照射し、光ディスクによって変調された反射光を検出することによって再生される。
【０００３】
再生専用の光ディスクには、光ディスクの製造段階でピットによる情報が予めスパイラル状に記録されている。これに対して、書き換え可能な光ディスクでは、スパイラル状のランドまたはグルーブを有するトラックが形成された基材表面に、光学的にデータの記録／再生が可能な記録材料膜が蒸着等の方法によって堆積されている。書き換え可能な光ディスクにデータを記録する場合は、記録すべきデータに応じて光量を変調した光ビームを光ディスクに照射し、それによって記録材料膜の特性を局所的に変化させることによってデータの書き込みを行う。
【０００４】
ピットの深さ、トラックの深さ、および記録材料膜の厚さは、光ディスク基材の厚さに比べて小さい。このため、光ディスクにおいてデータが記録されている部分は、２次元的な面を構成しており、「情報記録面」と称される場合がある。本明細書では、このような情報記録面が深さ方向にも物理的な大きさを有していることを考慮し、「情報記録面」の語句を用いる代わりに、「情報記録層」の語句を用いることとする。光ディスクは、このような情報記録層を少なくとも１つ有している。なお、１つの情報記録層が、現実には、相変化材料層や反射層などの複数の層を含んでいてもよい。
【０００５】
記録可能な光ディスクにデータを記録するとき、または、このような光ディスクに記録されているデータを再生するとき、光ビームが情報記録層における目標トラック上で常に所定の集束状態となる必要がある。このためには、「フォーカス制御」および「トラッキング制御」が必要となる。「フォーカス制御」は、光ビームの焦点の位置が常に情報記録層上に位置するように対物レンズの位置を情報記録面の法線方向に制御することである。一方、トラッキング制御とは、光ビームのスポットが所定のトラック上に位置するように対物レンズの位置を光ディスクの半径方向に制御することである。
【０００６】
従来、高密度・大容量の光ディスクとして、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＤＶＤ＋Ｒ等の光ディスクが実用化されてきた。また、ＣＤ（Compact Disc）は今も普及している。現在は、これらの光ディスクよりもさらに高密度化・大容量化されたブルーレイディスク（Blu-ray Disc；ＢＤ）などの次世代光ディスクの開発・実用化が進められつつある。また、１枚の光ディスクに記録され得るデータの容量を高めるため、積層された複数の情報記録層を備える光ディスクも開発されている。
【０００７】
光ディスクの情報記録層を照射する光ビームは、半導体レーザを光源としている。半導体レーザから放射されたレーザ光で光ディスクを照射すると、光ディスクで反射されたレーザの一部が半導体レーザに入射する。このような戻り光は、半導体レーザの発振状態を不安定にするため、レーザ光強度のノイズ成分が増加し、光ディスクに記録された情報信号を正確に再生することができないという問題がある。
【０００８】
このような戻り光による問題を解決する一つの手段として、半導体レーザの駆動電流に高周波電流（周波数：例えば２５０〜３５０ＭＨｚ）を重畳させる駆動方式（高周波電流重畳法）が採用されている。高周波電流重畳法を採用する光情報記録再生装置は、例えば、特許文献1や特許文献2に開示されている。
【特許文献１】特開平０７−９３７９４号公報（段落番号００１６〜００４８、００６３〜００６５、図１、図５）
【特許文献２】特開平０７−３２０２９２号公報（段落番号００３５〜００６４、００７５〜００９４、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
高周波電流の重畳は、半導体レーザの動作をマルチモード化することにより、戻り光ノイズの低減に効果を発揮するが、本発明者の実験によると、高周波電流の重畳を行った場合でも、半導体レーザの動作温度上昇に伴って光ディスク装置のリードエラー率が増加することがわかった。リードエラー率とは、レーザ光を光ディスクに照射し、データの記録／再生を行ったときの読み取り不良発生（リードエラー）の割合である。光ディスクが例えばＤＶＤ−Ｒなどの場合、リードエラー率は１ブロック当たりのリードエラー率であり、バイトエラーレート（ＢＥＲ）と称される。リードエラー率の増加は、光ディスクからの信号再生品質を低下させるという大きな問題を引き起こす。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その主たる目的は、半導体レーザのノイズを低減し、光ディスクのデータを正確に再生することができる光情報記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光情報記録再生装置は、情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、前記レーザ光源の温度を検出する温度センサと、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える制御部とを備えている。
【００１２】
好ましい実施形態において、前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータの温度依存性に基づいて予め設定された温度と高周波重畳電流との関係に従って高周波重畳電流の値を切り換える。
【００１３】
好ましい実施形態において、前記温度と高周波重畳電流との関係を記憶するメモリを備えている。
【００１４】
好ましい実施形態において、前記記録再生特性を規定するパラメータはバイトエラーレートである。
【００１５】
好ましい実施形態において、前記制御部は、記録再生特性を規定するパラメータが温度上昇に伴って変化する割合を０．００５％以下に抑制するように、高周波重畳電流の値を増加させる。
【００１６】
好ましい実施形態において、高周波重畳電流の値は、不要輻射ノイズの高周波重畳電流依存性に基づいて予め設定された上限値以下の値である。
【００１７】
好ましい実施形態において、前記制御部は、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１に到達したとき、高周波重畳電流の値を第１のレベルＩ１から第２のレベルＩ２に切り換え、前記温度センサによって検出された温度が温度Ｔ１よりも５℃以上低い温度Ｔ２に低下したとき、前記第２のレベルから前記第１のレベルに切り換える。
【００１８】
本発明の制御装置は、情報記録媒体に光学的にアクセスするためのレーザ光を放射するレーザ光源と、前記レーザ光源に駆動電流を供給する駆動回路と、前記駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波回路と、前記レーザ光源付近の温度を検出する温度センサとを備える光情報記録再生装置のための制御装置であって、温度と高周波重畳電流との関係を規定するデータを記録するメモリと、前記温度センサによって検出された温度に関する情報に基づいて、前記メモリに記録されるデータから高周波重畳電流の値を決定し、前記高周波回路の動作を制御する制御部とを備え、前記制御部は、検出した温度に基づいて高周波重畳電流の値を切り換える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の情報記録再生装置によれば、半導体レーザノイズの低減を行い、光ディスクの情報信号を正確に記録再生することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の光情報記録再生装置は、温度センサで検出した温度に応じて、半導体レーザの駆動電流に重畳する高周波電流の大きさを切り換える。温度に応じて切り換える高周波重畳電流量は、光ディスクの記録再生特性と高周波重畳電流発生回路により生じる不要輻射ノイズ量との相関によって設定される。本発明によれば、温度変化に対しても半導体レーザノイズの低減を行うことができ、かつ不要輻射ノイズを規格の範囲内に低減することができる。その結果、光ディスクの情報信号を正確に記録再生することができ、かつ不要輻射の増大を抑制できる。
【００２１】
まず、図１から図４を参照しながら、半導体レーザの温度、光ディスク装置のリードエラー率、不要輻射ノイズなどを説明する。
【００２２】
まず、図１および図２を参照する。図１は高周波電流（周波数：３００ＭＨｚ、電流値：４０ｍＡ）の重畳時および非重畳時におけるレーザ駆動電流と光出力の関係（光出力特性）を示すグラフであり、図２は高周波電流を重畳していない時における光出力特性の温度依存性を示すグラフである。
【００２３】
図１に示すように、高周波電流の重畳時における半導体レーザの発振閾値は、非重畳時における半導体レーザの発振閾値よりも低い。図１では、これらの閾値の差を△Ｉthで示している。閾値差△Ｉthは、高周波重畳電流が大きいほど大きくなり、半導体レーザのノイズが低減される。半導体レーザを光ディスク装置の光源として用いる場合、高周波重畳電流が大きくなるほど、戻り光の影響を受けにくくなるため、安定した再生特性を得ることができる。
【００２４】
図２に示すように、半導体レーザの動作温度が上昇すると、半導体レーザの発振閾値が高くなる傾向がある。この傾向は、高周波重畳電流の有無によらない。また、半導体レーザの動作温度が上昇すると、微分効率が低下するため、高周波重畳電流による変調度が小さくなってしまう。変調度が小さくなると、戻り光の影響を受けやすく、リードエラー率が増加する。
【００２５】
次に、図３を参照しつつ、半導体レーザの動作温度とリードエラー率との関係を説明する。図３は、高周波重畳電流が３０、３５、４０、４５、５０ｍＡの場合におけるリードエラー率の温度依存性を示している。リードエラー率は、高周波重畳電流が一定のとき、図３に示すように温度上昇に伴って増大していく。良好な記録再生特性を達成するためには、リードエラー率を０．０１％以下に低減することが望ましい。リードエラー率を下げるためには、図３からわかるように、高周波重畳電流を大きくすればよい。
【００２６】
しかしながら、高周波重畳電流を大きくすると、高周波重畳電流発生回路からの不要輻射が増大する。周知のように、ＥＭＩ規格は世界各国の通信委員会で決定されており、例えば光情報記録再生装置を動作させた状態で配置し、配置位置から３ｍの位置にアンテナを設定したとき、半導体レーザで使用している高周波重畳電流の周波数がおよそ２５０ＭＨｚであれば不要輻射ノイズ量の伝導限界値は４６ｄＢである。
【００２７】
図４は、光ディスク装置における高周波重畳電流と不要輻射ノイズとの関係を示すグラフである。図４に示すように、高周波重畳電流が増加すると、不要輻射ノイズが増大する。このため、リードエラー率を下げる目的で、単純に高周波重畳電流を高めてゆくと、ＥＭＩの規格の範囲を超える不要輻射ノイズが発生してしまうことになる。図４の例では、高周波重畳電流が５０ｍＡを超えて大きくなると、不要輻射ノイズが４６ｄＢ以上に増加してしまい、ＥＭＩにおける規格の範囲を超えてしまう。
【００２８】
本発明では、半導体レーザの温度が上昇し、リードエラー率が所定値（例えば０．０１％）を超えてしまうような温度レベルに達したとき、高周波重畳電流の値を増加させることによってリードエラー率の上昇を抑制するが、その際、高周波重畳電流の増加によって不要輻射ノイズがＥＭＩの規格の範囲を超えないようにしている。
【００２９】
より詳細には、予め高周波重畳電流を変化させたときの記録再生特性（リードエラー率）と温度との関係を測定する一方で、不要輻射ノイズ量と高周波重畳電流との関係を測定する。そして、半導体レーザの温度と高周波重畳電流量との関係を装置内にテーブルとして保存し、動作時に測定される半導体レーザの温度に応じて、高周波重畳電流の値を変更する。例えば、光情報記録再生装置の動作を開始直後、まだ半導体レーザの温度が相対的に低い段階では、高周波重畳電流の値を４０ｍＡに設定しておく。その後、半導体レーザの温度が上昇して６５℃に達したとき、高周波重畳電流の値を４０ｍＡから４５ｍＡに変化させる。
【００３０】
このような高周波重畳電流の切り換えを行うためには、温度と高周波重畳電流との関係を不揮発性メモリに記憶させておく必要がある。そして、温度センサで検出した温度に応じて、高周波重畳電流発生回路が発生する高周波重畳電流の大きさを電流量切り換え部によって切り換えればよい。
【００３１】
（実施形態）
以下、図面を参照しながら、本発明による光情報記録再生装置の実施形態を説明する。
【００３２】
まず、図５および図６を参照する。図５は、本実施形態における光情報記録装置の構成を示す図であり、図６は、その主要部の回路構成例を示す図である。
【００３３】
本実施形態の光情報記録装置は、図５に示すように、光ディスク５０を回転させるスピンドルモータ４３と、光ディスク５０に光学的にアクセスする光ピックアップ３０と、光ピックアップに電気的に接続される信号処理部とを備えている。
【００３４】
光ピックアップ３０は、半導体レーザから構成される光源１と、レーザ駆動部５１と、光源１から放射されたレーザ光を光ディスク５０に集光する光学系と、光ディスク５０から反射されたレーザ光の一部を受け取り、電気信号を生成する光検出器などを備えている。本実施形態では、光源１付近の温度を検出する温度センサ３５が、半導体レーザ（光源１）の温度を正確に検出するため、光源１付近に配置され、ピックアップ回路基板１５に搭載されている。
【００３５】
レーザ駆動部５１は、図２に示すように、光源１の半導体レーザ（ダイオード）に駆動電流を供給するレーザ駆動回路５１ａと、高周波重畳電流（周波数：例えば２５０〜３５０ＭＨｚ）を発生してレーザ駆動部５１からの駆動電流に高周波重畳電流を付加する高周波重畳電流発生回路５１ｃと、高周波重畳電流の大きさを複数段階（３０〜５０ｍＡ）に設定可能な電流量切り換え部５１ｂとを有している。レーザ駆動部５１は、図１に示すように、ピックアップ回路基板１５に搭載されている。
【００３６】
図２に示すように、光ピックアップ３０には、光源１から放射されたレーザ光１ａを平行光にするコリメートレンズ５と、平行光となったレーザ光１ａを光ディスク５０に対して垂直な方向に偏向する反射ミラー１０と、光源１から放射されるレーザ光量を検出する光モニタ５２と、レーザ光１ａを集光して光ディスク５０の情報記録層に光スポットを形成する対物レンズ１１と、光ディスク５０によって反射された光の光路を光源１への光路と分離する光学素子２３と、光ディスク５０によって反射された光を電気信号に変換する光検出器１４とを備えている。
【００３７】
コリメートレンズ５および反射ミラー１０は、基台１３の所定の位置に保持されている。光モニタ５２は、受光素子５２ａとＩ／Ｖアンプ５２ｂとを備え、レーザ光１ａが反射ミラー１０を透過する位置に配置されている。対物レンズ１１および光学素子２３は、レンズ保持部材３１に保持されて、光検出器１４は、反射光を最適に検出するよう調整されて基台１３に保持されている。
【００３８】
光源１、対物レンズ駆動装置１２、および光検出器１４は、図示しないフレキシブルプリント基板などの接続手段により、ピックアップ回路基板１５に接続されている。ピックアップ回路基板１５には、抵抗やコンデンサといった電気部品が実装され、かつフレキシブルプリント基板などの信号接続部１６が接続されている。
【００３９】
光ディスク５０に記録されている情報は、光ピックアップ３０の光検出器１４で電気信号に変換される。この電気信号は、ピックアップ回路基板１５及び信号接続部１６を経由し、前処理回路３６に入力される。処理回路３６では、フォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号といったサーボ信号の生成が行われるほか、再生信号の波形等価、２値化スライス、同期データなどのアナログ信号処理が行われる。
【００４０】
前処理回路３６で生成されたサーボ信号は、制御部３７に入力される。制御部３７は対物レンズ駆動装置１２の駆動を行ったり、光ピックアップ３０を光ディスク５０内周や外周へ移送させる移送モータ４２の駆動を行う。駆動部４１は、光ピックアップ３０が光ディスク５０の情報記録面上に形成する光スポットが所望のトラックを追従するように、対物レンズ駆動装置１２の動作を調節し、フォーカスおよびトラッキング制御、移送制御、スピンドルモータ制御を行う。この一連の制御は、制御部３７によるデジタルサーボによって実現されている。
【００４１】
前処理回路３６で生成された同期データはシステムコントローラ４０でデジタル信号処理が施され、図示しないインターフェイス回路を介して記録再生データをホストに転送する。前処理部３６、制御部３７、およびシステムコントローラ４０は、中央演算処理部３８に接続されており、中央演算処理部３８の指令により動作する。
【００４２】
光モニタ５２で検出されたレーザ光量情報も、ピックアップ回路基板１５及び信号接続部１６を経由して前処理回路３６に入力される。レーザ光量情報は、中央演算処理部３８の指令により、レーザ駆動部５１は、データの記録／再生に必要なレーザパワーが一定となるように動作する（ＡＰＣ）。なお、光ディスク５０にデータを記録するために必要なレーザパワーは、スピンドルモータ４３の回転数によって変化するため、レーザ駆動部５１は、上記回転数を考慮してレーザパワーの制御を行う。
【００４３】
光ディスク５０を回転させること、光ピックアップ３０を目標の位置へ移送させること、光ディスク５０の目標のトラックに光スポットを位置させ、所望のトラックを追従させることなどに光ディスク装置の一連の動作を規定するプログラムは、予めファームウエアとして不揮発性メモリ３９に記憶されている。
【００４４】
本実施形態によれば、半導体レーザの温度上昇に伴うリードエラー率の増加を抑制しつつ、不要輻射ノイズをＥＭＩ規格の範囲内で保持することができる。その結果、光ディスクの情報信号を正確に再生できる。
【００４５】
図７は、測定される温度と高周波重畳電流との関係を示すグラフである。本実施形態では、測定温度が温度Ｔ１（例えば６０℃）に到達するまでは、高周波重畳電流を第１の値Ｉ１（例えば４０ｍＡ）に保持する。その後、測定温度が温度Ｔ１に到達したとき、電流量切り換え部５１ｂにより、高周波重畳電流を第１の値Ｉ１から第２の値Ｉ２（例えば４５ｍＡ）に切り換える。第２の値Ｉ２は、図３および図４に示すような、温度、リードエラー率、高周波重畳電流および不要輻射ノイズの相互関係に基づいて予め決定されている。
【００４６】
本実施形態では、測定温度が温度Ｔ１から低下した場合でも、高周波重畳電流を直ちに第２の値Ｉ２から第１の値Ｉ１に切り換えることはしない。本実施形態では、図７に示すように、測定温度が温度Ｔ１よりも充分に低い温度Ｔ２に低下したとき、電流量切り換え部５１ｂにより、高周波重畳電流を第２の値Ｉ２から第１の値Ｉ１に切り換える。このようにする理由は、わずかな温度変化によって高周波重畳電流を頻繁に切り換えないようにするためである。このためには、Ｔ１−Ｔ２によって規定される温度差を、例えば５℃以上に設定することが好ましく、１０℃以上に設定してもよい。
【００４７】
本実施形態によれば、温度５０℃、高周波重畳電流を第１の値Ｉ１（例えば４０ｍＡ）で動作させたとき、スピンドルモータ４３や移送モータ４２等の発熱により温度が上昇し、測定温度が温度Ｔ１（例えば６５℃）に到達すると、高周波重畳電流を第２の値Ｉ２（例えば４５ｍＡ）に切り換える。その後、測定温度が６５℃付近で定常状態となり、−１℃から＋１℃といったわずかな温度変化が発生したとしても、高周波重畳電流の大きさは切り換えられない。
【００４８】
図３からわかるように、高周波重畳電流の値を常に４０ｍＡに保持した場合、温度６５℃でのリードエラー率は０．０１％に達するが、高周波重畳電流の値を４５ｍＡに切り換えることにより、温度６５℃でのリードエラー率を半分以下に低減することができる。しかも、４５ｍＡの高周波重畳電流では、不要輻射ノイズを４５ｄＢよりも低い値に抑えることができる。
【００４９】
上記の実施形態では、高周波重畳電流の値を２段階で切り換えているが、本発明で行う電流値の切り換えは２段階に限定されない。高周波重畳電流を３段階以上の値で切り換えてもよいし、温度に応じて連続的に変化させるようにしてもよい。
【００５０】
また、測定される温度に応じて定められる高周波重畳電流の値は、一定の大きさに固定されている必要はない。上述した例では、温度６５℃における高周波重畳電流のＩ２を４５ｍＡに設定しているが、記録再生の対象となる光ディスクの種類や、半導体レーザの使用経過時間に応じて、値Ｉ２の値を変化させるようにしても良い。
【００５１】
本発明における温度センサは、半導体レーザの温度変化を検出することができれば、半導体レーザの正確な温度を測定する必要はない。すなわち、半導体レーザの温度変化を反映する部位の温度を直接または間接的に検出できれば良い。したがって、本明細書における「レーザ光源の温度を検知する」とは、レーザ光源の特性に影響を及ぼす温度変化の検知を全て含むものとする。温度センサは、光ピックアップのどこかに取り付けられることが好ましいが、光ピックアップ以外の部分に取り付けられた赤外線センサで代用することも可能である。また、温度センサは、温度に対して直接的に反応する素子を備えている必要はない。例えば、駆動電流と光出力との関係から温度、または温度に対応する情報を推定することができる場合、そのために機能する素子や回路を、広く「温度センサ」の概念に含めることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の光情報記録再生装置は、映像音響情報を含む各種のデータを記録する種々の電子機器に広く用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】レーザ駆動電流と光出力との関係を示すグラフである。
【図２】高周波電流非重畳時における電流−光出力特性の温度依存性を示すグラフである。
【図３】高周波重畳電流を変化させた場合におけるリードエラー率の温度依存性を示すグラフである。
【図４】高周波重畳電流と不要輻射ノイズの関係を示すグラフである。
【図５】本発明による光情報記録再生装置の実施形態の構成を示す図である。
【図６】図５に示す光情報記録再生装置の主要部回路構成を示す図である。
【図７】本発明の実施形態における測定温度と高周波重畳電流の切り換え値との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１    光源
１ａ  レーザ光
５    コリメートレンズ
１０    反射ミラー
１１    対物レンズ
１２    対物レンズ駆動装置
１３    基台
１４    光検出器
１５    ピックアップ回路基板
１６    信号接続部
３０    光ピックアップ
３１    レンズ保持部材
３５    温度センサ
３６    前処理回路
３７    制御部
３８    中央演算制御部（ＣＰＵ）
３９    不揮発性メモリ
４０    システムコントローラ
４１    駆動部
５０    光ディスク
５１    レーザ駆動部
５１ａ  レーザ駆動回路
５１ｂ  電流量切り換え部
５１ｃ  高周波重畳電流発生回路
５２    光モニタ
５２ａ  受光素子
５２ｂ  Ｉ／Ｖアンプ
６０    光情報記録再生装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006051688.tif 000009
【図２】
2006051688.tif 000010
【図３】
2006051688.tif 000011
【図４】
2006051688.tif 000012
【図５】
2006051688.tif 000013
【図６】
2006051688.tif 000014
【図７】
2006051688.tif 000015
【国際調査報告】
2006051688.tif 000016
2006051688.tif 000017
2006051688.tif 000018
2006051688.tif 000019