(57)【要約】      （修正有）【課題】光の波長の違いがあっても、出力光の変化が小さい光導波路デバイスを提供する。【解決手段】光導波路デバイスにおいて、直交する光の偏光に対して異なる屈折率を有する基板１０と、基板上に構成され、出力する偏光の光の波長に対して波長特性を有する偏光子６と、基板上で偏光子と接続され光を干渉させる光干渉路４，５を構成し、偏光子の出力する偏光の光の波長に対して波長特性を打ち消す方向の波長特性を有する干渉計と、干渉計を構成する該光導波路の位相を制御するための電極７，８とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直交する光の偏光に対して異なる屈折率を有する基板と、
該基板上に構成され、出力する偏光の光の波長に対して波長特性を有する偏光子と、
該基板上で該偏光子と接続され光を干渉させる光干渉路を備え、該偏光子の波長特性に対して当該波長特性を打ち消す方向の波長特性を有する干渉計と、
該干渉計を構成する該光干渉路の位相を制御するための電極と
を備えた光導波路デバイス。
【請求項２】
該光干渉路は２つの光分岐カプラ間を結合する第１と第２の接続光導波路を備えていることを特徴とする請求項１記載の光導波路デバイス。
【請求項３】
該光分岐カプラは分岐比が３ｄＢずれていることを特徴とする請求項２記載の光導波路デバイス。
【請求項４】
該光分岐カプラはマルチモード干渉(ＭＭＩ)カプラもしくは方向性結合型カプラであることを特徴とする請求項２記載の光導波路デバイス。
【請求項５】
該偏光子はマルチモード干渉(ＭＭＩ)型ビームスプリッタ、方向性結合型ビームスプリッタ、曲導波路、横に高屈折領域を有する導波路もしくは導波路上に金属を設けた物のいずれか１つであることを特徴とする請求項１記載の光導波路デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の関わる技術は光導波路デバイスに関するものである。例えば、光外部変調器や光スイッチ等の光をオン−オフする機能や光を減衰させる機能を有する光導波路デバイスに関係している。
【背景技術】
【０００２】
光導波路デバイスは誘電体基板上に形成された屈折率の高い光導波路の部分に光を閉じこめ、光を伝播することができる。光外部変調器、光スイッチ及び光減衰器等は、この光導波路で光干渉計を構成する。この光干渉計を構成する光導波路間（光干渉路）に対して電気光学効果、熱光学効果、音波光学効果で位相変化を与える。光干渉計は光干渉計を構成する光導波間の位相差の変化に対して周期的な出力特性の変化を有している。光干渉計に電気光学効果を与えた場合の光出力が最大の電圧と光出力が最小の電圧の差はＶπと呼ばれている。光外部変調器や光スイッチの光をオン−オフする場合、光干渉計の位相差は消光比を高くとるため、通常Ｖπとなるように電圧を制御している。
【０００３】
光導波路デバイス用の誘電体基板としてはニオブ酸リチュウム（ＬｉＮｂＯ３）が知られている。このニオブ酸リチュウムは電気工学効果が高く、光干渉計を構成する光導波路に対して電界を与えることで、光干渉計に位相変化を与えることができる。
【０００４】
一方、このニオブ酸リチュウムは直交する光の偏光に対して異なる屈折率を有している異方性材料である。異方性材料のニオブ酸リチュウム基板（ＬＮ基板）で光干渉計を有する光導波路デバイスを構成した場合、その特性は偏光依存性を有する。この場合、一方の偏光のみを入力するようにすればよいが、現実的には難しく、図１のような特性を有する。図１において、実線は光干渉計を有する光導波路デバイス全体の出力を示している。図１において、点線はＬＮ基板をＺカットした光導波路デバイスのＴＭモードの出力を示している。図１において、一点鎖線はＬＮ基板をＺカットした光導波路デバイスのＴＥモードの出力を示している。一点鎖線に示したＴＭモードの光りのために、Ｖπの電圧でも光が出力される。従って、現実的な光導路デバイスのＯＮ／ＯＦＦ消光比は無限大にならない。さらに、入力する光の偏波消光比（ＴＭモードとＴＥモードの光量比）が小さければ、光導路デバイスのＯＮ／ＯＦＦ消光比自体も劣化させてしまい、実用上必要な特性を得られることができなくなる。
【０００５】
そこで、光導波路デバイスは、特許文献１のように、光干渉計の後に偏光子を設けている。特許文献１の構成は偏光子のない場合と比べると消光比を大きできる。
【特許文献１】特開２００４―３２５５３６号公報  一方、光導波路に偏光子を設けた場合、偏光子の持つ波長依存性により、変調やスイッチを行う光の波長の違いで、同じパワーの光でも波長に依存して出力が変化する問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、光の波長の違いがあっても、出力光の変化が小さい光導波路デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
光導波路デバイスにおいて、直交する光の偏光に対して異なる屈折率を有する基板と、基板上に構成され、出力する偏光の光の波長に対して波長特性を有する偏光子と、基板上で偏光子と接続され光を干渉させる光干渉路を構成し、偏光子の出力する偏光の光の波長に対して波長特性を打ち消す方向の波長特性を有する干渉計と、干渉計を構成する該光導波路の位相を制御するための電極とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
光導波路デバイスは、光の波長の違が有っても、出力光をほぼ等しくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に図面を用いて、本発明の実施例の構成を説明する。
【００１０】
光導波路デバイスは、誘電体媒質中に形成された屈折率の高い部分に光を閉じ込めて伝搬させる光導波路を使用して様々な機能を実現したデバイスである。例えば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３：以下ＬＮと表記する）等の誘電体を使用してマッハツェンダ干渉計を構成した光導波路デバイスは、電気光学定数が非常に高く、電気光学効果（Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｅｆｆｅｃｔ）  をもつデバイスと比較して応答速度が速いため、光変調器や光スイッチ、可変光アッテネータなどとして広く用いられている。
【００１１】
図２に本発明の一つの構成例を示す。図２において、１は光導波路デバイス、２は第１の光分岐カプラ、３は第２の光分岐カプラ、４は第１の接続光導波路、５は第２の接続光導波路、６は偏光子、７はアース電極、８は信号電極、２１は第１の光入力導波路、２２は第２の光入力導波路、３１は第２の光分岐カプラの第２出力導波路（モニタ用導波路）、３４は第２の光分岐カプラの第２出力導波路、６１は光導波路デバイスの出力導波路、６２は不要光出力導波路、１０は基板をそれぞれ示す。  
【００１２】
図２は光導波路デバイス１全体を示している。光導波路デバイス１はＺカットされたＬＮ基板である。第１の光入力導波路２１に入力された光りは光分岐カプラ２に入力される。第１の光分岐カプラ２は第１の光入力導波路２１からの光りを第１の接続光導波路４と第２の接続光導波路５に所定の分岐比で出力する。第２の光分岐カプラ３は第１の接続光導波路４と第２の接続光導波路５からの光りをそれぞれ所定の分岐比で第２の光分岐カプラ３の第１の出力導波路３４と第２の出力導波路３１にそれぞれ出力する。第２の出力導波路３１は光導波路デバイスのモニタ用導波路である。第１の光分岐カプラ２、第２の光分岐カプラ３、第１の接続光導波路４と第２の接続光導波路５で光干渉計を構成する。第１の接続光導波路４と第２の接続光導波路５は光干渉計の光干渉路である。図２の光干渉計はマッハツェンダ型干渉計を示している。
【００１３】
第２の光分岐カプラ３の第１の出力導波路３４の出力は偏光子６に入力される。偏光子６はＴＭモードの偏光が光導波路デバイスの出力導波路６１に出力されるように構成されたマルチモード干渉(ＭＭＩ)型ビームスプリッタである。偏光子６では出力導波路６１に結合しない光は不要光出力導波路６２から出力される。図２では偏光子６はマルチモード干渉(ＭＭＩ)型ビームスプリッタを用いて説明しているが、偏光子６は後で説明するマルチモード干渉(ＭＭＩ)型ビームスプリッタ、方向性結合型ビームスプリッタ、曲導波路、導波路側面に高屈折領域を有する導波路もしくは導波路上に金属を設けた物を用いることができる。図２では偏光子６は干渉計の後に構成しているが、偏光子６は入力光に対して、干渉計の前段に設けても良い。
【００１４】
第１の接続光導波路４の上には信号電極８が設けられている。アース電極７は信号電極８を挟むように基板１０上に設けてある。信号電極８には光導波路デバイスの使用用途に合わせて所定の電圧が印加される。例えば、光変調器や光スイッチの場合は、Ｖπの電圧が印加される。光減衰器の場合は減衰量に応じた電圧が印加される。図２のように，Ｚ−ｃｕｔのＬＮ基板を用いて作製した光導波路デバイス（例えば、ＬＮ変調器）に、Ｚ軸と平行な直線偏光を入射した場合（ＴＭモード）、そのマッハツェンダ型の光変調器の光出力Ｐｏｕｔは理想的には次式で変化する。
Pout = cos2(Δφ/2)   式(1)
式（１）から理想的なマッハツェンダ干渉計の場合，最大光出力と最小光出力の比，いわゆるＯＮ／ＯＦＦ消光比は無限大になることが分かる。
【００１５】
しかし、ＬＮ材料はその屈折率が結晶方位によって異なる。ＬＮ材料はいわゆる異方性材料である。一般的に，異方性材料を用いた光導波路デバイスの特性は偏光依存性を有する。現実的には，Ｚ−ｃｕｔのＬＮ変調器にＴＭモードのみを入力させることは困難であるため、その変調特性も偏光依存性を有し、その光出力の変化は次式で表される。
Pout=cos2 (ΔφTM/2+φ0TM)+cos2(ΔφTE/2+φ0TE)     式(2)
添え字ＴＥ、ＴＭはそれぞれＴＥモード成分、ＴＭモード成分に関する量であることを示している。φ０はマッハツェンダ干渉計の初期位相、Δφはマッハツェンダ干渉計の相互作用部で与えられる位相変化量である。
【００１６】
位相変化量は式（３）と式（４）で与えられる。
ΔφTM={π・ne3・γ33・l/(λ・d)}・V   式(3)
ΔφTE={π・no3・γ13・l/(λ・d)}・V   式(4)
ｎｅ，ｎｏはそれぞれＴＭ、ＴＥモードに対する光導波路の屈折率、γ３３、γ１３はそれぞれ電気光学定数テンソルの３３、１３成分、ｌは２本の平行な光導波路上に設けられた電極の長さ、λは光の波長、ｄは電極間の距離、Ｖは印加電圧を表す。
【００１７】
ＬＮ材料の場合、γ３３＞γ１３であるためＺ−ｃｕｔのＬＮ変調器ではＶπＴＭ＞ＶπＴＥとなり、おおよそ３〜４倍の差がある。
【００１８】
よって，式（２）に示す通り、ＴＭ、ＴＥそれぞれのモードに対する光出力はＴＭモードとＴＥモードの光出力を足し合わせた図１の実線のような曲線となる。
【００１９】
従って、図２では基板１０上に光干渉計と共に、光導波路で構成した偏光子６を設けている。偏光子６のうちマルチモード干渉(ＭＭＩ)型ビームスプリッタと方向性結合型ビームスプリッタは図３のような波長依存の特性を有している。
【００２０】
曲導波路、導波路側面に高屈折領域を有する導波路もしくは導波路上に金属を設けた偏光子6は図４のような波長依存の特性を有している。
【００２１】
偏光子６が有する挿入損失の波長依存性を打ち消すために、干渉計(例えば、マッハツェンダ干渉計)に挿入損失の波長依存性を持たせる。
【００２２】
偏光子６の波長使用範囲がλ１〜λ２とする。偏光子６の挿入損失の波長依存性が図４の特性である場合、その波長依存性のグラフのスロープとは逆のスロープとなる波長依存性となるように、干渉計の波長特性を図５の様にする。図４と図５の特性を組み合わせることで、波長使用範囲がλ１〜λ２の中で波長依存性が小さい図６の特性を有する光導波路デバイスを構成することができる。
【００２３】
具体的には、干渉計を構成する第１の光分岐カプラと第２の光分岐カプラの分岐比をパワーが１／２づつ分岐する３ｄＢ分岐から外すことで干渉計の挿入損失に波長依存性を持たせる。
【００２４】
ここで、光導波路デバイスの干渉計としてマッハツェンダ干渉計（ＭＺＩ）を用いた場合に、ＭＺＩの挿入損失に波長依存性をもたせる方法について述べる。
【００２５】
ＭＺＩは第１の分岐カプラ２と第２の分岐カプラ３とその間をつなぐ２本の接続光導波路４及び５と、その２本の接続光導波路４及び５を伝搬する光に位相差をつける機構からなる。入力側の光分岐カプラ２で光を２つの導波路それぞれに分離し、この２つの光導波路を伝搬する光に位相差をつけて、その光を後段のカプラで干渉させることで出力光の光量を変化させる。変調器やＯＮ／ＯＦＦの光スイッチ、可変アッテネータなどに応用されている。２本の接続光導波路４及び５に屈折率差をつける方法は、電気光学効果、熱光学効果、音響光学効果などが用いられる。ＬＮ変調器においては電気光学効果を用いるのが効果的である。
【００２６】
光導波路はその実効屈折率に波長依存性があるので、カプラの分岐比は波長依存性を有する。
【００２７】
前段の光分岐カプラ２の分岐比をX1:1-X1  (0≦X1≦1)、 後段の光分岐カプラ３の分岐比をX2:1-X2(0≦X2≦1)とする。
【００２８】
このＭＺＩに光量Ｐｉｎの光を入射すると、図２の第２の光分岐カプラの第２出力導波路３４からの光出力Ｐｏｕｔは次式で表される。
Pout=Pin*[{X1*(1-X2)}+{X2*(1-X1)}+2*√{X1*(1-X1)*X2*(1-X2)}*cos(Δφmzi) ]        式(5)
ここで、ΔφｍｚｉはＭＺＩの２本の導波路を伝搬する光の位相差を表す。式（５）において、Ｘ１＝Ｘ２とすると、第２の光分岐カプラの第２出力導波路３４からの光出力Ｐｏｕｔは図７のような分岐比が０．５のとき出力が最大となる特性を持つ。
【００２９】
また、１０＊ｌｏｇ（Ｐｏｕｔの最大値／Ｐｏｕｔの最小値）で定義されるＯＮ／ＯＦＦ消光比は分岐比に対しては図８のような分岐比が０．５の周辺で無限大の特性をもつ。
【００３０】
ここで，分岐比は図９のような波長依存性があるため、光分岐カプラを３ｄｂカプラに構成とすると、ＭＺＩの出力特性は図１０に示すような波長依存性をもつ。また、式（５）からＸ１＝Ｘ２であるなら、ＯＮ／ＯＦＦ消光比は無限大になり、現実的にＸ１≒Ｘ２であれば実用上十分なＯＮ／ＯＦＦ消光比が得られる。従って、高い消光比を維持し、偏光子の光出力特性の波長依存性を打ち消すためには、ＭＺＩのカプラの分岐比を０．５：０．５（３ｄＢカプラ）から少しずらし、図１０の特性を図５に示すような特性を有する分岐比を持たせ、図４の特性を持つ偏光子に対抗させ図６の特性を有するようにすればよい。
【００３１】
図２では光分岐カプラはＭＭＩカプラで示している。ＭＭＩカプラはマルチモード導波路の幅Ｗｍｚｉと長さＬｍｚｉを調整することで分岐比を変えることができる。光分岐カプラはＭＭＩカプラに変えて方向性結合器やＹ分岐導波路を用いることが出来る。方向性結合器は方向性結合長と方向性結合する光導波路間のギャップの幅を調整することにより、光分岐カプラの分岐比を変えることができる。Ｙ分岐導波路は分岐導波路の幅を変えることで分岐比を変えることができる。また、ＭＭＩカプラ、方向性結合器、Ｙ分岐導波路の周囲に電極を設け、電極に電界をかけて、光導波路の屈折率を変えることでも光分岐カプラの分岐比は変えることができる。
【００３２】
図１１は各部のシミュレーションした結果でＡの特性はＭＭＩカプラで構成したＭＺＩの過剰損失を示し、Ｂの特性はＭＭＩで構成した偏光子の過剰損失示し、Ｃの特性は光導波路デバイス（ＭＺＩ＋偏光子）の過剰損失示している。Ａの特性を得るため、ＭＭＩカプラのマルチモード導波路の幅Ｗｍｚｉは１６μｍとし、長さＬｍｚｉは３１０μｍとした。また、Ｂの特性を有するＭＭＩで構成した偏光子はマルチモード導波路の幅Ｗｐが１６μｍ、長さＬｐが１７００μｍである。
【００３３】
図１２は図１１の特性を有する光導波路デバイスの偏波消光比を示している。図１１及び図１２は、光通信で利用される光の波長帯域である１５２０ｎｍ〜１６２０ｎｍの波長帯域でシミュレーションしている。この波長帯域は光通信に用いられるエルビウムドープファイバ型光増幅器のコンベンショナルバンドとロングウエーブレングスバンドに対応している。図１１では、光導波路デバイスの光出力の波長依存性が改善されている。また、図１２では、光導波路デバイスの偏波消光比が改善している。
【００３４】
図１３は偏光子６として用いるＭＭＩ型ビームスプリッタの構成を示す。ＭＭＩのマルチモード導波路７１の構造パラメータ幅Ｗｍｍｉと長さＬｍｍｉを調節することで、ＴＥモードとＴＭモードが混在した入力光をそれぞれの出力ポートにＴＥモードとＴＭモードに分けて出力することができる。必要な偏光成分の光が出力するポートから光を取り出すことで、ＭＭＩ型ビームスプリッタは偏光子として機能させることができる。
【００３５】
図１４は偏光子６として用いる方向性結合型器ビームスプリッタの構成を示す。導波路７３と７３の間隔Ｇｄｃと結合長Ｌｄｃを調節することで、ＴＥモードとＴＭモードを異なる出力ポートに出すことができる。必要な偏光成分の光が出力するポートから光を取り出すことで、方向性結合型器ビームスプリッタ偏光子として機能させることができる。
【００３６】
図１５は偏光子６として用いる曲がり光導波路７４の構成を示す。曲がり光導波路は光導波路のＴＭモードとＴＥモードの光閉じ込めの強さの差を利用して、曲がった光導波路で偏光子６を形成する。例えば，Ｚ−ｃｕｔのＬＮ基板に形成した光導波路はＴＭモードの方がＴＥモードより光の閉じ込めが強い。曲げ半径Ｒ０を選択することで、曲がり光導波路はＴＥモードはほとんど出力されず，ＴＭモードのみを取り出すことが可能になり、偏光子として機能させることができる。
【００３７】
図１６は偏光子６として用いる導波路側面に高屈折領域７５を有する導波路７６の構成を示す。図１６の偏光子６は導波路７６の横に導波路７６の周囲に設けたクラッドより屈折率の高い高屈折領域７５を設ける。高屈折領域７５の屈折率ｎは導波路７６の屈折率ｎと同じ屈折率でよい。高屈折領域７５は導波路７６の製造プロセスと同時に形成出来る。ＴＥモードとＴＭモードでは光の閉じ込めの強さがことなるため、本構成の偏光子は閉じ込めの弱いＴＥモードは横の高屈折率領域の影響を受け、光が導波路から漏れやすくなる。高屈折率領域７５と導波路７６の間隔Ｇｓ１、Ｇｓ２および、高屈折領域７５の長さＬｓを調節することで、導波路７６は不要モードを導波路７６の横に放射させる偏光子として作用させることができる。また，ＬＮ材料の場合では，Ｘ−ｃｕｔ基板やＹ−ｃｕｔ基板など、ＴＥ偏光を用いる変調器がよく使用される。このような場合でも、同様の偏光子を作製することができる。図１３〜図１５においても図１６と同様にＴＥモードとＴＭモードを入れ替えて考えればよい．
図１７は偏光子６として用いる導波路上に金属を設けた導波路の構成を示す。ＴＥモードの光を用いる場合は、図１７に示すように、導波路７７上部に金属７８を設けることで不要となるＴＭ成分を除去することができる。これは、ＴＥモードとＴＭモードで電界の向きが異なり、ＴＭモードの方が上面の金属７８の影響を受け、導波路７７の上面の金属７８に光が吸収されやすくなることを利用している。
【００３８】
図１３乃至図１７の偏光子はいずれも、光導波路を利用している。図１３及び図１４のカプラ型の偏光子は、導波路の実行屈折率が波長によって異なる。従って、図３に示すように、設計波長λ０をから波長がずれると、カプラとしての分岐比が変わるため、偏光子の出力には波長依存性が見られる。また，光導波路は光の閉じ込め強さにも波長依存性がある。一般的に波長が長くなるほど光導波路の閉じ込めが弱くなり、短いほど閉じ込めが強い。そのため図１５の曲導波路の曲げ半径による挿入損失には波長依存性が見られる。さらに，図１６の導波路横に高屈折率状領域を配置した偏光子は波長が長くなるほど光導波路の閉じ込めが弱くなり、高屈折率状領域の影響を受けやすくなる。従って、図１６の偏光子は波長が短いほどその影響を受けにくいため、偏光子の挿入損失の波長依存性が大きくなる。
【００３９】
図１８は光分岐カプラ２及び３をＭＭＩカプラで構成した例を示している。ＺカットのＬＮ基板の場合、ＭＭＩカプラのマルチモード干渉導波路８０の幅Ｗｍｚｉと長さＬｍｚｉは、ＴＭモードの光が３ｄＢ分岐からずれた位置で、干渉計が図１３乃至図１７の偏光子６の波長依存特性を打ち消す波長依存特性を有する長さにする。
【００４０】
図１９は光分岐カプラ２及び３を方向性結合カプラで構成した例を示している。ＺカットのＬＮ基板の場合、方向性結合カプラの第１の導波路８１と第２の導波路８２との間隔Ｇｄｃと、第１の導波路８１と第２の導波路８２間の干渉長Ｌｄｃは、ＴＭモードの光が３ｄＢ分岐からずれた位置で、干渉計が図１３乃至図１７の偏光子６の波長依存特性を打ち消す波長依存特性を有する長さにする。
【００４１】
図２０は光分岐カプラ２及び３をＹ分岐カプラで構成した例を示している。Ｙ分岐している導波路８４の幅ａは導波路８３の幅ｂより大きく構成することで分岐する光りの量を制御している。
【００４２】
図１８乃至図１９の光分岐カプラを干渉計を構成するための光分岐カプラとして用いることにより、干渉計の有する挿入損失の波長依存特性が偏光子の有する挿入損失の波長依存特性を打ち消す特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】従来の光デバイスの特性を示す図
【図２】本発明の一つの構成例を示図
【図３】マルチモード干渉型ビームスプリッタと方向性結合型ビームスプリッタの波長依存特性を示す図
【図４】偏光子6の挿入損失の波長依存性を示す図
【図５】干渉計の波長特性を示す図
【図６】光導波路デバイスの波長特性を示す図
【図７】第２出力導波路３４からの光出力特性を示す図
【図８】光分岐カプラの消光比と分岐比の特性を示す図
【図９】分岐比に対する波長依存性を示す図
【図１０】ＭＺＩの出力特性を示す図
【図１１】各部のシミュレーション結果
【図１２】図１１の特性を有する光導波路デバイスの偏波消光比
【図１３】偏光子６として用いるＭＭＩ型ビームスプリッタ
【図１４】偏光子６として用いる方向性結合型器ビームスプリッタ
【図１５】偏光子６として用いる曲がり光導波路
【図１６】偏光子６として用いる導波路側面に高屈折領域を有する導波路
【図１７】偏光子６として用いる導波路上に金属を設けた導波路
【図１８】光分岐カプラ２及び３をＭＭＩカプラで構成した例
【図１９】光分岐カプラ２及び３を方向性結合カプラで構成した例
【図２０】光分岐カプラ２及び３をＹ分岐カプラで構成した例
【符号の説明】
【００４４】
１  光導波路デバイス
２  第１の光分岐カプラ
３  第２の光分岐カプラ
４  第１の接続光導波路
５  第２の接続光導波路
６  偏光子
７  アース電極
８  信号電極
２１  第１の光入力導波路
２２  第２の光入力導波路
３１  第２の光分岐カプラの第２出力導波路（モニタ用導波路）
３４  第２の光分岐カプラの第２出力導波路
６１  光導波路デバイスの出力導波路
６２  不要光出力導波路
１０  基板  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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