(57)【要約】  本発明の課題は、従来のプロセスにおける、湿式研磨後のウェハ強度が低下し、ウェハ支持体が熱劣化すること、研磨後のウェハを支持体から剥がす際に割れが生じやすいこと、薄肉化後におけるウェハレベルでのテスティングが難しいことなどの問題点を解決でき、多様で複雑な構造を有するウェハにも対応可能なウェハ加工方法を提供することにある。  本発明のウェハ加工方法は、半導体素子が形成されたウェハ表面と支持体との間に、固定化剤として、分子量が５０００以下の化合物を主成分として含有する接着剤組成物を介在させ、該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを密着させた後、冷却することによりウェハと支持体とを接着固定し、ウェハ裏面を研磨して２０〜１００μｍまで薄肉化し、該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを剥離することを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成されたウェハ表面と支持体との間に、該ウェハと支持体とを固定する固定化剤として、分子量が１０００以下の化合物を主成分として含有する接着剤組成物を介在させ、
該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを密着させた後、冷却することによりウェハと支持体とを接着固定し、
ウェハ裏面を研磨することにより薄肉化し、
該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを剥離すること
を特徴とするウェハ加工方法。
【請求項２】
上記化合物が、分子内にステロイド骨格または水酸基を有する化合物もしくはその誘導体であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項３】
上記化合物が、分子内にステロイド骨格および水酸基を有する化合物もしくはその誘導体であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項４】
上記化合物の示差走査熱量分析装置で測定した溶融ピーク値での溶融温度が５０〜３００℃であり、かつ、上記組成物の示差走査熱量分析装置で測定した溶融ピーク値の始点と終点の温度差で表わされる溶融温度幅が３０℃以下であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項５】
上記ウェハ裏面を研磨する工程において、該ウェハを２０〜１００μｍまで薄肉化することを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項６】
上記組成物の２５±２℃における接着強度をＡ（ＭＰａ）とし、該組成物の溶融温度より２０℃低い温度における接着強度をＢ（ＭＰａ）とした場合、該接着強度ＡおよびＢが下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
０＜Ａ−Ｂ＜０．５（ＭＰａ）    ・・・（１）
【請求項７】
上記組成物がタブレット状であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項８】
上記ウェハが、複数のダイシングストリートによって区画された領域内に形成された半導体素子を表面に有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項９】
上記ダイシングストリートに切削溝が形成されていることを特徴とする請求項８に記載のウェハ加工方法。
【請求項１０】
上記切削溝が露出するまで研磨によって薄肉化して半導体チップに小片化し、該半導体チップ単位で支持体から剥離することを特徴とする請求項９に記載のウェハ加工方法。
【請求項１１】
上記ウェハが、表面に所定の深さの孔が形成され、該孔の内壁が絶縁膜で被覆され、該絶縁膜で被覆された孔に導電性電極材料が埋め込まれたウェハであることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項１２】
上記ウェハが導通用の突起電極を有することを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【請求項１３】
上記研磨によりウェハを薄肉化した後、研磨面にさらに加工を施すことにより、構造体、配線および素子から選ばれる少なくとも１種を形成することを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に半導体素子が形成されたウェハの裏面を研磨してウェハの厚みを薄くし、半導体チップ単位に分断して取り出す一連のウェハ加工方法に関する。より詳しくは、研磨中または研磨後の熱処理における高温状況下でもウェハを支持体に強固に固定し、かつ、加工後のウェハの剥離を容易に行うことができる接着方法を採用することで、複雑に内部構造が形成されたウェハや大面積ウェハについても、１００μｍ以下の厚みにウェハを薄肉化できるウェハ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの高機能化および大容量化などの要求に応えるべく、複数の半導体チップを積層して実装する技術が開発され、実用に供されている。このような技術としては、たとえば、複数のメモリチップを積層する技術が挙げられ、これにより全体として記憶容量を増大させることができる。
このように複数の半導体チップを積層させるための技術としては、たとえば、特開２００１−５３２１８号公報（特許文献１）に記載のように、ウェハ内部に貫通ビア構造を形成してチップ間の配線を行う方法や、ウェハ周辺部の電極パッドから金ワイヤーで配線を取り出し、積層する方法が提案されている。【０００３】
最近では、メモリの大容量化、小型化および機能の集積化が急速に進展し、ウェハの積層数も増しており、１０層の積層も間近に成りつつある。そして、ウェハの薄肉化もこれに呼応して進展し、３００ｍｍφウェハにおいては１００μｍ以下の厚みが要求されてきている。
ウェハの薄肉化は、まずウェハ表面をバックグラインドテープで保護および支持して研削・研磨が行われた後、ダイシングテープに貼り替えて、ウェハを半導体チップに小片化する一連の工程で実施されている。【０００４】
このようなウェハを半導体チップに小片化する一連の工程において、現在、砥粒を用いた湿式研削後の工程にポイントが置かれ、ウェハ裏面に生成された研削歪み層を除去する工程が主に検討されている。たとえば、研削された裏面を硝酸および弗化水素酸を含むエッチング液を使用して化学的エッチングを行うウェットエッチング法、エッチングガスを用いるドライエッチング法、研削された半導体ウェハの裏面を遊離砥粒を使用してポリッシングするポリッシング法、ならびに、フェルト砥石でドライ研磨する方法など様々な試みがなされている。【０００５】
また、このように半導体チップの積層が進展すると、積層する半導体チップが良品であるか不良品であるかが積層体の歩留まりに影響する。この歩留まりは積層数に応じて影響度が増すことから、半導体チップの良／不良の判定を積層前に行っておくテスティングプロセスが重要視されている。
従来のテスティングプロセスでは、各半導体チップを個別にテストする方法が主流であったが、近年、ウェハ単位で一括テストする方法が提案され実用化されている。しかし、積層体の歩留まりを改善するためには、積層直前、すなわち、薄肉化およびダイシングを終えた状態でテストすることが最も有効と考えられるが、薄肉化ウェハの取扱いが難しいことから積層直前でテストすることが困難な状況である。
【特許文献１】特開２００１−５３２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体ウェハのさらなる薄肉化を実現するにあたって、従来のプロセスにおける問題点として以下の点が指摘されている。
（１）砥粒を用いて研削する湿式研削だけでは、ウェハに微細な傷が残るため加工後のウェハ強度が不十分となり、ハンドリング時に割れたり、ダイシング時に欠けたりする。
（２）湿式研削でできた傷（研削歪み層）を乾式研磨で除去する方法が試みられているが、乾式研磨で発生する熱によってウェハ支持体が熱劣化することがあり、特に大面積ウェハにおいては顕著である。
（３）薄肉化後のウェハを支持体から剥がす際、ウェハが薄くなるほどウェハ自身の強度と支持体との粘着力とのバランスが悪くなり、剥がしにくく、割れやすくなる。特に大面積ウェハでは剥がす面積が大きいことから顕著である。
（４）薄肉化後ではウェハレベルでのテスティングが行えないため、薄肉加工、ダイシング加工での不良がチップ積層体の歩留まりに大きく影響してしまう。【０００７】
したがって、本発明の課題は、従来のプロセスにおける上記問題点を解決することができるとともに、多様で複雑な構造を有するウェハにも対応可能なウェハ薄肉化プロセスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、荒研削した半導体ウェハ裏面を研磨して２０〜１００μｍまで薄肉化する際に、固定化剤として分子量が１０００以下の化合物を主成分として含む組成物を用いて、ウェハ表面（素子形成面）と支持体とを固定化し、ウェハの温度環境、ダイシング方法、ウェハ表面構造、ならびに、求められる密着強度などに応じて材料およびプロセスを選定することで、上記課題が解決されることを見出した。【０００９】
たとえば、従来のように、ウェハを薄肉化した後ダイシングテープを用いて小片化する方法においては、ダイシングテープへの貼り替えの容易な低融点の固定化剤を選定して用い、研削歪み層除去法としては、ウェハの温度が上がりにくいＣＭＰ方式の湿式研磨、化学エッチング法のほか、ウェハの温度制御が可能なリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式で行うことが好ましい。【００１０】
一方、研削前に予め所定の厚さの切削溝を形成しておく「先ダイシング」方法においては、該切削溝へも固定化剤を隈無く染み込ませるため、浸透性のよい、溶融粘度の低い固定化剤を選定して用いる。この場合、研磨工程でこの固定化剤も削られることから、ＣＭＰ方式の湿式研磨やフェルト砥石による物理的な研磨が好ましい。
また、ウェハ構造が複雑で凹凸の著しいもの、具体的には、膜厚方向に貫通するビア構造を有するウェハ、配線接続用のバンプ構造が形成されたウェハなどを加工する場合も同様に浸透性のよい、溶融粘度の低い固定化剤が好ましい。【００１１】
本発明は上記知見に基づくものであり、具体的には以下のとおりである。
本発明に係るウェハ加工方法は、半導体素子が形成されたウェハ表面と支持体との間に、該ウェハと支持体とを固定する固定化剤として、分子量が１０００以下の化合物を主成分として含有する接着剤組成物を介在させ、該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを密着させた後、冷却することによりウェハと支持体とを接着固定し、ウェハ裏面を研磨することにより薄肉化し、該組成物を加熱溶融してウェハと支持体とを剥離することを特徴とする。【００１２】
上記分子量が１０００以下の化合物は、結晶性を有することが好ましい。また、上記分子量が１０００以下の化合物は、分子内にステロイド骨格および／または水酸基を有する化合物もしくはその誘導体であることが好ましい。さらに、上記分子量が１０００以下の化合物は、溶融温度が５０〜３００℃であり、かつ、上記組成物の溶融温度幅が３０℃以下であることが好ましい。【００１３】
本発明に係るウェハ加工方法では、上記ウェハ裏面を研磨する工程において、該ウェハを２０〜１００μｍまで薄肉化することができる。
また、上記組成物の２５±２℃における接着強度をＡ（ＭＰａ）とし、該組成物の溶融温度より２０℃低い温度における接着強度をＢ（ＭＰａ）とした場合、該接着強度ＡおよびＢが下記式（１）を満たすことが好ましい。
０＜Ａ−Ｂ＜０．５  （ＭＰａ）  ・・・（１）
上記組成物はタブレット状であることが好ましい。【００１４】
上記ウェハは、複数のダイシングストリートによって区画された領域内に形成された半導体素子を表面に有していてもよく、該ダイシングストリートに切削溝が形成されていてもよい。この場合、上記切削溝が露出するまで薄肉化して半導体チップに小片化し、該半導体チップ単位で支持体から剥離することができる。
また、上記ウェハは、表面に所定の深さの孔が形成され、該孔の内壁が絶縁膜で被覆され、該絶縁膜で被覆された孔に導電性電極材料が埋め込まれたウェハであってもよく、導通用の突起電極を有していてもよい。【００１５】
また、上記ウェハは、裏面に構造体、配線、および素子から選ばれる少なくとも一種が掲形成されたウェハであってもよい。
本発明のウェハ加工方法は、ウェハを薄肉化した後、研磨面にさらに加工を施すことにより、構造体、配線および素子から選ばれる少なくとも１種を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、荒研削されたウェハ裏面を研磨して２０〜１００μｍまで薄肉化する加工方法が提供され、たとえば、以下の効果が得られる。
（１）従来のテープ支持体を用いる場合よりも固定化剤の耐熱性が優れていることから、研磨時の冷却機構にかかる負担が軽減される。
（２）接着層の硬度が高いため、ウェハ薄肉化後のダイシングにおいてチッピングが少ない。
（３）硬質支持体を使用することができるため、大面積ウェハであっても反りがなく、かつ、薄肉化後のウェハを支持体から容易に剥がすことができる。
（４）本発明で用いる結晶性組成物は、溶融粘度が非常に小さいことから複雑形状のウェハへの形状追従が可能であり、従来のテープ支持体では困難であった複雑形状のウェハの薄肉化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施例１で行ったウェハ加工方法のモデル図である。
【図２】本発明の実施例２で形成したハンダバンプのＳＥＭ像である。
【図３】本発明の実施例２で行ったウェハ加工方法のモデル図である。
【図４】本発明の実施例４で用いたウェハのモデル図である。
【図５】実施例における接着強度の測定方法を示す概略図である。
【符号の説明】
【００１８】
１・・・ウェハ
２・・・半導体素子
３・・・ＳＵＳ基板
４・・・固定化剤
５・・・ドライフィルムレジスト
６・・・貫通孔
７・・・ハンダバンプ
８・・・切削溝（８０μｍ）
９・・・ガラス基板
１０・・・固定化剤
１１・・・絶縁樹脂膜
１２・・・ウェハ小片（３ｍｍ□、７０μｍ厚）
１３・・・ウェハ小片（５ｍｍ□、７０μｍ厚）
１４・・・切削溝
１５・・・ビア（５０μｍ□、深さ８０μｍ）
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係るウェハ加工方法について詳細に説明する。
本発明のウェハ加工方法では、半導体素子が形成されたウェハ表面と支持体とを、特定の固定化剤を用いて接着固定し、ウェハ裏面を研削および研磨して薄肉化する。
＜固定化剤＞
本発明で用いられる固定化剤は、組成物に凝集力を付与するために結晶性を有する化合物を主成分として含有する接着剤組成物、好ましくはタブレット状の接着剤組成物であり、該化合物は、分子量が１０００以下、好ましくは１５０〜８００、より好ましくは２００〜６００であることが望ましい。該化合物の分子量が前記範囲を超えると、化合物の溶剤への溶解性が低くなるため、溶剤による剥離・洗浄が不十分となることがある。【００２０】
上記化合物の溶融温度は５０〜３００℃、好ましくは５５〜２５０℃、より好ましくは１００〜２００℃である。ここで、溶融温度とは、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定したメインの溶融ピーク曲線におけるピーク温度をいう。化合物の溶融温度が前記範囲にあることにより、接着時の耐熱温度を向上させることができる。
また、上記化合物は、半導体ウェハ上に形成される配線および絶縁膜に対してダメージを与えず、汚染源ともならず、溶融時に接着剤が変性しないなどの観点から、カルボン酸基やアミノ基などの活性な官能基を有しない中性化合物であること、ならびに、媒質中に拡散して絶縁性に悪影響を及ぼすアルカリ金属等（例えば、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ等）の金属含有量の合計が１００ｐｐｍ以下、好ましくは１０ｐｐｍ以下となるまでメタルフリー化処理したものであることが望ましい。なお、金属酸化物など安定な形態で含有するものはこの限りではない。【００２１】
このような化合物としては、1，3，5−トリニトロベンゼン、2，3，6-トリニトロフェノール、2，4，5-トリニトロトルエン等のニトロ化合物なども挙げることができるが、取扱上の安全性が高く、溶融時の耐熱性に優れ、着色が少ないなどの観点から、Ｎ元素を含まないＣ，Ｈ，Ｏの元素のみからなる有機化合物が好ましい。具体的には、以下に例示するような芳香族化合物、脂肪族化合物および脂環式化合物などが挙げられる。【００２２】
上記芳香族化合物としては、たとえば、9H-キサンテン、ベンゾフラン-3(2H)-オン、1，5-ジフェニル-2，4-ペンタジエン-1-オン、ジ-2-ナフチルエーテル、cis-1，8-テルピン、2，3-ジメチルナフタレン、1，2-ナフタレンジオール、ジ-1-ナフチルメタン、ビフェニル-2，2'-ジオール、ジ-1-ナフチルエーテル、ビス(ジフェニルメチル)エーテル、9,10-ジヒドロアントラセン、2，3，5，6-テトラメチル-p-ベンゾキノン、2，6-ジメチルナフタレン、シリンガアルデヒド、バニリルアルコール、1，3-ジフェニルイソベンゾフラン、2，3'-ジヒドロキシベンゾフェノン、イソヒドロベンゾイン、4，4'-ジメチルビフェニル、1，3-ナフタレンジオール、4-フェナントロール、3，3-ジフェニルフタリド、ペンタメチルフェノール、ヘキサエチルベンゼン、3，4-ジヒドロキシベンゾフェノン、2，4-ジヒドロキシベンズアルデヒド、p-ヒドロキシベンゾフェノン、4，5，9，10-テトラヒドロピレン、2，3，4-トリヒドロキシベンゾフェノン、ヘマトキシリン、2-イソプロピル-5-メチルヒドロキノン、1，9-ジフェニル-1，3，6，8-ノナテトラエン-5-オン、9-フェニルフルオレン、1，4，5-ナフタレントリオール、1-アントロール、1，4-ジフェニル-1，3-ブタジエン、ガルビノキシル、ピレン、9-フェニルアントラセン、トリフェニルメタノール、1,1'-ビナフチル、m-キシレン-2，4，6-トリオール、4，4'-メチレンジフェノール、ヘキサメチルベンゼン、ジベンゾ-18-クラウン-6、ジフェノキノン、ビフェニル-4-オール、1H-フェナレン、10-ヒドロキシアントロン、フラボノール、ベンゾアントロン、9H-キサンテン-9-オン、テトラフェニルフラン、2-メチルアントラキノン、4-ヒドロキシ-1-ナフトアルデヒド、1，7-ナフタレンジオール、2，5-ジエトキシ-p-ベンゾキノン、クルクミン、2，2'-ビナフチル、1，8-ジヒドロキシアントラキノン、1，4-ナフタレンジオール、1-ヒドロキシアントラキノン、3，4-ジヒドロキシアントロン、o-テルフェニル、m-テルフェニル、p-テルフェニル、4，4'-ジヒドロキシベンゾフェノン、アントラセン、2，4，6-トリヒドロキシアセトフェノン、1，8-アントラセンジオール、テトラフェニルエチレン、1，7-ジヒドロキシ-9-キサンテノン、2,7-ジメチルアントラセン、エピカテキン、ナリンゲニン、2-アントロール、1，5-ナフタレンジオール、ベンジリデンフタリド、2-フェニルナフタレン、cis-デカヒドロ-2-ナフトール(cisoid)、(2R，3R)-2，3-ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、trans-1，2-ジベンゾイルエチレン、trans-1，4-ジフェニル-2-ブテン-1，4-ジオン、ビス(2-ヒドロキシエチル)テレフタラート、フルオランテン、ビフェニレン、イソバニリン、フルオレン、9-アントロール、p-フェニレンジアセタート、trans-スチルベン、ビフェニル-3，3'-ジオール、2，5-ジヒドロキシベンゾフェノン、ピノールヒドラート、ベンゾイン、ヒドロベンゾイン、1，2-ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン、2，4-ジヒドロキシベンゾフェノン、1，8-ナフタレンジオール、1，2-ナフトキノン、2，4'-ジヒドロキシベンゾフェノン、5-ヒドロキシ-1，4-ナフトキノン、1-フェナントロール、アントロン、9-フルオレノール、トリフェニルホスフィンオキシド、ベンゾ[a]アントラセン、1，2-アントラセンジオール、2，3-ナフタレンジオール、2，4，6-トリヒドロキシベンゾフェノン、ジ-2-ナフチルケトン、3，3'-ジヒドロキシベンゾフェノン、アルブチン、1，2，3，5-ベンゼンテトラオール、ジフェニルキノメタン、2-フェナントロール、2，3，4-トリヒドロキシアセトフェノン、カプサンチン、1，3，5-トリフェニルベンゼン、3，4，5-トリヒドロキシベンゾフェノン、ベンゾ[a]ピレン、トリフェニルメチルペルオキシド、ヘキセストロール、1，1，2，2-テトラフェニル-1，2-エタンジオール、1，8-ジヒドロキシ-3-メチルアントラキノン、ショウノウキノン、2，2'，5，6'-テトラヒドロキシベンゾフェノン、エスクリン、3，4'-ジヒドロキシベンゾフェノン、2，4，5-トリヒドロキシアセトフェノン、9，10-フェナントレンキノン、1，1，2，2-テトラフェニルエタン、ルチン、 (-)-ヘスペレチン、2，3'，4，4'，6-ペンタヒドロキシベンゾフェノン、7-ヒドロキシクマリン、dl-ヘスペレチン、ニンヒドリン、トリプチセン、フルオレシン、クリセン、ジエチルスチルベストロール、ジベンゾ[a,h]アントラセン、ペンタセン、1，6-ジヒドロキシアントラキノン、3，4'，5，7-テトラヒドロキシフラボン、2，6-アントラセンジオール、ゲニステインなどが挙げられる。【００２３】
上記脂肪族化合物としては、たとえば、リビトール、D-アラビトール、フリル、γ-カロテン、β-カロテン、カンタリジン、ペンタエリトリトール、trans，trans-1，4-ジアセトキシブタジエン、D-グルシトール、D-マンニトール、イドース、デカナール、α-カロテン、2，4，6-トリメチルフロログルシノール、ガラクチトール、エキリン、エキレニン、trans-1，2-シクロベンタンジオール、マノオール、1-ヘプタデカノール、1-オクタデカノール、1-イコサノール、ジヒドロキシアセトン、γ-テルピネオール、1-ヘキサコサノール、1-ヘントリアコンタノール、ステアロンなどが挙げられる。【００２４】
上記脂環式化合物としては、たとえば、コプロスタノール、チモステロール、エルゴカルシフェロール、β-シトステロール、ラノステロール、11-デオキシコルチコステロン、コレスタノール、コレステロール、テストステロン、エルゴステロール、スチグマステロール、エストラジオール、コルチコステロン、エピコレスタノール、アンドロステロン、17α-ヒドロキシ-11-デオキシコルチコステロン、ギトキシゲニン、エピコプロスタノール、カルシフェロール、プロゲステロン、デヒドロエピアンドロステロン、7-デヒドロコレステロール、アグノステロール、11-デヒドロコルチコステロン、プレドニソロン、ジギトキシゲニン、エストロン、β-エストラジオール、コルチソン、D-フルクトース(α形)、D-リキソース(α形)、D-リキソース(β形)、イソマルトース、D-タロース(β形)、D-タロース(α形)、D-アロース(β形)、D-マンノース(β形)、D-マンノース(α形)、D-キシロース(α形) D-ガラクトース(β形)、L-フコース(α形)、D-グルコース(α形)、2-デオキシ-D-グルコース、マルトトリオース、D-altro-ヘプツロース、L-アラビノース(ピラノースα形)、D-アラビノース、カフェストール、L-アラビノース(ピラノースβ形)、D-ガラクトース(α形)、リコペン、アウクビン、スクロース、フリーデリン、cis-1，3，5-シクロヘキサントリオール、D-イノシトール、ルテイン、ジオスゲニン、チゴゲニン、ゼアキサンチン、myo-イノシトール、セロビオース、ジベレリンA3、ヘマテイン、ベツリン、D-フルクトース(β形)、D-アルトロース(β形)、ジベンゾ-24-クラウン-8、メチル-D-グルコピラノシド(β形)、D-ジギタロース、サリノマイシン、メチル-D-ガラクトピラノシド(α形)、α,α-トレハロース、ビキシン(全trans形)、パラチノース、trans-1，4-テルピン、D-キノボース(α形)、D-glycero-D-galacto-ヘプトース、D-フコース(α形)、D-グルコース(β形)、D-manno-ヘプツロース、D-glycero-D-gluco-ヘプトース、ソホロース、サルササポゲニン、L-ソルボース、D-altro-3-ヘプツロース、ツイスタン、(+)-ボルネオール、イノシトール、(-)-イソボルネオール、L-アラビノース(フラノース形)、L-ガラクトース(α形)、α-サントニン、メチル-D-ガラクトピラノシド(β形)、シクロペンタデカノン、δ-バレロラクトン、cis-2-メチルシクロヘキサノール、下記化学式（１）〜（８）で表される化合物などが挙げられる。【００２５】
【化１】
2006090650.tif 000002
【００２６】
上記化合物の中では、タブレット加工性の観点から、コレステロール、コプロスタノール、チモステロール、エルゴカルシフェロール、β-シトステロール、ラノステロール、11-デオキシコルチコステロン、コレスタノール、テストステロン、エルゴステロール、スチグマステロール、エストラジオール、コルチコステロン、エピコレスタノール、アンドロステロン、17α-ヒドロキシ-11-デオキシコルチコステロン、ギトキシゲニン、エピコプロスタノール、カルシフェロール、プロゲステロン、デヒドロエピアンドロステロン、7-デヒドロコレステロール、アグノステロール、11-デヒドロコルチコステロン、プレドニソロン、ジギトキシゲニン、エストロン、β-エストラジオール、コルチソンおよび上記化学式（１）〜（８）で表される化合物などのステロイド骨格を有する化合物；trans‐1，2-シクロベンタンジオール、マノオール、1-ヘプタデカノール、1-オクタデカノール、1-イコサノール、γ-テルピネオール、1-ヘキサコサノール、1-ヘントリアコンタノールなどの水酸基含有化合物；およびこれらの誘導体、o-テルフェニル、m-テルフェニル、p-テルフェニル、ビフェニルが特に好ましい。なお、エステル誘導体は、融点が低く、熱分解したときに酸性となって接着面を浸食する可能性があるなどの理由から好ましくない。【００２７】
上記化合物は、単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよく、接着剤組成物中の含有量が７０重量％以上、好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上となるように用いる。含有量が前記範囲よりも低いと、溶融温度がシャープにならず、また溶融粘度も高くなることがある。
上記のような化合物を主成分として含む接着剤組成物は、組成物の溶融温度幅が１〜３０℃、好ましくは１〜２０℃、特に好ましくは１〜１０℃であり、組成物の溶融温度における溶融粘度が０．０００１〜０．１Ｐａ・ｓ、好ましくは０．００１〜０．０５Ｐａ・ｓ、特に好ましくは０．００１〜０．０１Ｐａ・ｓであることを特徴とする。ここで、溶融温度幅とは、示差走査熱量分析装置（ＤＳＣ）で測定したメインの溶融ピーク曲線における始点の温度と終点の温度との差をいう。溶融温度幅および溶融粘度が前記範囲にあることにより、ウェハを支持体から剥離する際に加える外力を小さくすることができ、剥離容易性が向上する。【００２８】
上記組成物の溶融温度幅および溶融粘度は、上記化合物の溶融温度幅および溶融粘度に強く依存することから、溶融温度幅が狭く、溶融粘度が低い化合物を用いることが望ましい。すなわち、主成分である化合物としては、溶融温度が５０〜３００℃、溶融温度幅が１〜３０℃、溶融温度における溶融粘度が０．０００１〜０．１Ｐａ・ｓのものが好ましい。【００２９】
また、化合物の溶融温度幅を狭くし、溶融粘度を低減し、さらに遊離金属イオン量を低減するために、化合物の精製を行うことが好ましい。化合物の精製方法としては、たとえば、
（ａ）化合物を溶剤に溶解し、溶剤を徐々に留去して再結晶化させることで純度を高める方法、および
（ｂ）化合物を溶剤に溶解し、その溶液をイオン交換樹脂に接触させて遊離金属を除去することで金属含有量を減らす方法などが挙げられる。【００３０】
本発明で用いる固定化剤には、基材への濡れ性および接着性を調整するために、あるいは、接着剤組成物の溶融粘度の調整、組成物のタブレット化加工性を改善するために、必要に応じて非イオン系界面活性剤などの表面張力調節剤や離形剤を、目的とする機能を損なわない範囲で添加することができる。
添加することのできる非イオン系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基などのフッ化アルキル基を有するフッ素系界面活性剤や、オキシアルキル基を有するポリエーテルアルキル系界面活性剤などを挙げることができ、離形剤としてはシリコーン離形剤を用いることができる。【００３１】
上記フッ素系界面活性剤としては、たとえば、Ｃ9Ｆ19ＣＯＮＨＣ12Ｈ25、Ｃ8Ｆ17ＳＯ2ＮＨ−（Ｃ2Ｈ4Ｏ）6Ｈ、「エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２」（新秋田化成（株）製）、「メガファックＦ１７１、同Ｆ１７３」（大日本インキ（株）製）、「アサヒガードＡＧ７１０」（旭硝子（株）製）、「フロラードＦＣ−１７０Ｃ、同ＦＣ４３０、同ＦＣ４３１」（住友スリーエム（株）製）、「サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６」（旭硝子（株）製）、「ＢＭ−１０００、同１１００」（Ｂ．Ｍ−Ｃｈｅｍｉｅ社製）、「Ｓｃｈｓｅｇｏ−Ｆｌｕｏｒ」（Ｓｃｈｗｅｇｍａｎｎ社製）、「ＦＳ１２６５」（東レダウコーニングシリコーン（株）製）などを挙げることができる。【００３２】
上記ポリエーテルアルキル系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアリルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、オキシエチレンオキシプロピレンブロックポリマーなどが挙げられる。具体的には、「エマルゲン１０５、同４３０、同８１０、同９２０」、「レオドールＳＰ−４０Ｓ、同ＴＷ−Ｌ１２０、エマノール３１９９、同４１１０」、「エキセルＰ−４０Ｓ、ブリッジ３０、同５２、同７２、同９２」、「アラッセル２０、エマゾール３２０、ツィーン２０、同６０、マージ４５」（以上、（株）花王製）、「ノニボール５５」（三洋化成（株）製）、「ＳＨ−２８ＰＡ、同−１９０、同−１９３、ＳＺ−６０３２、ＳＦ−８４２８」（以上、東レダウコーニングシリコーン（株）製）などの市販品を用いることができる。【００３３】
上記以外の非イオン系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリアルキレンオキサイドブロック共重合体などが挙げられ、具体的には「ケミスタット２５００」（三洋化成工業（株）製）、「ＳＮ−ＥＸ９２２８」（サンノプコ（株）製）、「ノナール５３０」（東邦化学工業（株）製）などの市販品を用いることができる。【００３４】
また、溶融温度が１５０℃を超える高温の組成物では、ジメチルシリコーンオイルKF965（信越化学製）、ＳＨ２００(東レ・ダウシリコーン製)、メチルフェニルシリコーンオイルKF54,KF50（信越化学製）などの低揮発で、耐熱性に優れたシリコーンオイルなども有効に作用し、用いることができる。
上記表面張力調整剤は、上記化合物１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは１〜３０重量部の量で用いることができる。使用量が前記範囲を超えると、常温における接着剤の硬度が低すぎたり、粘着性が高すぎてタブレット化加工が困難となる問題がある。一方、前記範囲よりも少ないと、濡れ性および／または接着性の改善効果が表れないことがある。【００３５】
上記固定化剤は、接着する基材間の間隙を制御するために、必要に応じて酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ケイ素などの金属酸化物、または、ポリスチレン架橋粒子（たとえば、積水化学製「ミクロパールＳＰＮ、同ＳＰＳシリーズ」等）などの粒度分布の狭い微粒子を、組成物全体に対して０．０１〜１０重量％、好ましくは０．０１〜５重量％の範囲で含有してもよい。含有量が前記範囲を超えると、溶融させた時に、微粒子が被着体面内に広がりにくく、微粒子が凝集することによって基板間の間隙が制御できないという問題が生じることがあり、前記範囲よりも低いと、間隙を制御する効果が表れないことがある。【００３６】
上記接着剤組成物の接着強度は、２５±２℃において０．５ＭＰａ以上、好ましくは１ＭＰａ以上、特に好ましくは５ＭＰａ以上である。接着強度が前記範囲よりも低いと接着後の加工条件によっては接着面が部分的に剥がれ加工の面内均一性が損なわれる場合がある。
また、上記接着剤組成物の２５±２℃における接着強度をＡ（ＭＰａ）とし、該組成物の溶融温度より２０℃低い温度における接着強度をＢ（ＭＰａ）とした場合、該接着強度ＡおよびＢが、０＜Ａ−Ｂ＜０．５（ＭＰａ）の関係式を満たすことにより、接着強度の温度依存性が小さく、溶融温度以下の広い範囲で良好な接着状態を保持できる。なお、測定方法および条件等については後述する。【００３７】
＜固定化方法＞
本発明のウェハ加工方法では、上記接着剤組成物（固定化剤）を加熱溶融してウェハ等に塗布し、ウェハと支持体とを貼り合わせて密着させた後、冷却することにより、ウェハと支持体とを接着固定する。
上記接着剤組成物をウェハ等に塗布するには、該組成物の「溶融温度＋２℃」〜「溶融温度＋５０℃」、好ましくは「溶融温度＋２℃」〜「溶融温度＋３０℃」、特に好ましくは「溶融温度＋５℃」〜「溶融温度＋２０℃」の範囲に加熱することにより塗布することができる。加熱温度が前記範囲よりも低いと、接着剤の被着体面内での広がりが不十分で接着ムラが生じることがあり、前記範囲を超えると、接着剤の揮発や分解が部分的に進行し、所望の接着特性を得られないことがある。【００３８】
上記固定化剤の塗布量は、使用するウェハなどの接着面のサイズ、加工工程で要求される密着性の程度に応じて任意に選択することができ、たとえば、接着剤層の厚みが、０．０１μｍ〜２ｍｍ、好ましくは０．０５μｍ〜１ｍｍ、より好ましくは０．１μｍ〜０．５ｍｍとなる量で塗布することが望ましい。接着剤層の厚みが前記範囲を下回ると、充分に接着されないことがあり、前記範囲を超えると接着強度が低下し、接着面からの剥がれ、接着剤の材破が生じる場合がある。なお、接着層の厚みは、接着剤の量および貼り合わせるときの圧力で調整することができる。【００３９】
ウェハと支持体とを貼り合せる方法としては、
（i）ウェハおよび支持体のいずれか一方もしくは両方に接着剤組成物を塗布して、両者を貼り合せる方法、および
（ii）タブレット状の接着剤組成物をウェハと支持体との間に介在させた後、その状態で加熱して接着剤組成物を溶融させることにより、ウェハと支持体とを貼り合せる方法などが挙げられる。（ii）の方法においては、接着剤中の気泡を除去し、接着層の厚みを一定にするため、２００Ｔｏｒｒ以下の減圧下で行うことが好ましい。【００４０】
上記のようにしてウェハと支持体とを貼り合せた後、溶融温度以下、好ましくは「溶融温度−２０℃」以下、特に好ましくは「溶融温度−４０℃」以下にまで冷却することにより、ウェハと支持体とが強固に接着される。
上記のようにして支持体に固定化したウェハの加工処理は、使用した接着剤組成物の溶融温度より低い温度で実施することが好ましい。【００４１】
＜剥離方法＞
本発明のウェハ加工方法では、後述するウェハ加工処理後に、支持体からウェハ（半導体チップの場合も含む）を剥離する。この剥離工程に際しては、ウェハおよび支持体の少なくとも一方を、使用した接着剤組成物の溶融温度以上に加熱することにより、該接着剤組成物が溶融され、ウェハを支持体から剥離することができる。【００４２】
剥離後の面に接着剤が残存している場合は、接着剤組成物を溶解することができる溶剤で洗浄して除去することができる。このような溶剤としては、上記接着剤組成物を溶解することができれば特に限定されず、たとえば、
イソプロパノール、ブタノール、ヘキサノール、エタノール、メタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、フェノール、t-アミルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール類；
ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、シクロヘプタン、ｎ−オクタン、シクロオクタン、ｎ−デカン、シクロデカン、ジシクロペンタジエン水素化物、ベンゼン、トルエン、キシレン、デュレン、インデン、デカリン、テトラリン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、スクワラン、エチルベンゼン、ｔ−ブチルベンゼン、トリメチルベンゼン等の炭化水素系溶媒；
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類；エチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；
酢酸エチル、酢酸ブチル、酪酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエステル類；および、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎーメチルピロリドン、ヘキサメチルホスホミド、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、クロロホルム、塩化メチレン等の極性溶媒、フォトレジスト剥離液などを用いることができる。【００４３】
これらの中では、イソプロパノール、エタノール、メタノール、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフランが好ましい。また、上記溶剤は、単独で用いても、２種以上を混合して用いてもよい。
洗浄方法としては、ウェハを洗浄液に浸漬する方法、ウェハに洗浄液をスプレーする方法などが挙げられる。洗浄液の温度は特に限定されないが、好ましくは２０〜８０℃、より好ましくは３０〜５０℃である。【００４４】
本発明で用いられる支持体の材質は特に制限されないが、半導体プロセスで用いる場合は、溶出金属のないものが好ましい。たとえば、炭化珪素、アルミナなどのセラミックス基板、シリコン、ステンレスなどのメタル基板を好適に用いることができる。また、溶融した接着剤組成物が支持体上に均一に広がりやすくするために、支持体表面に前述の界面活性剤を塗布したり、微細な溝パターンなどを予め形成しておくことも好ましい。【００４５】
支持体への微細な溝パターンは、感光性樹脂を用いて、あるいはメッキにより形成することができる。高温での耐性、繰り返し使用の観点からメッキ法で形成されたパターンが好ましい。パターン形状は貼り合わせ膜厚に応じたパターン高さに制御すれば、パターンを貼り合わせギャップ制御用の柱として活用することができ、貼り合わせの面内精度を容易に改善することができる。さらには、面内でのパターンデザインを接着剤組成物の流れ方向（中央から周辺部に向かって流れるなど）に応じて設定することで、貼り合わせ時の気泡、面内への濡れ広がりを制御することもできる。【００４６】
＜加工プロセス＞
支持体に貼り合わされたウェハは支持体ごと、バックグラインド装置にセットされ、ウェハの厚みが約１００μｍに達する程度まで荒研削される。その後、研削で生じた研削歪み層の除去を行い、所望の２０〜１００μｍ厚にまで加工する。この時の荒研削方法については特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。研削歪みの除去方法については、フェルト砥石方式、プラズマエッチング方式、ＣＭＰ方式および化学エッチング方式などから選択して行うことができる。【００４７】
上記フェルト砥石方式で用いられるフェルト砥石としては、たとえば、特開２００２−２８３２１１号公報、特開２００２−２８３２１２号公報などに記載されているフェルト素材に砥粒を含浸させて作製した砥石を好適に用いることができる。
上記プラズマエッチング方式では、特開平６−３３８４７９号公報、再表９８／０１６９５０号公報、特開２００３−１００７１８号公報、特開２００３−２２９４１８号公報などに示されている装置を用い、ＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8 (オクタフルオロシクロペンテン)などのエッチングガスを用いて行うことができる。プラズマエッチング方法としては、ウェハの温度制御および異方エッチングが可能なリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）法が、加工速度およびウェハへの温度付加が少ない点で好ましい。【００４８】
ＣＭＰ方式は、素子形成時にも平坦化のために用いられる方式で、裏面研磨の際は、汚染イオンを極力排除するためシリコン微粒子を水分散させた単純なスラリーに切り替えることで、研磨を行うことができる。
化学エッチング方式は、約４０〜５０％のＫＯＨ溶液、ＨＦ／硝酸混合溶液などをエッチング液として行われ、ＳＥＺ社製「GL-210S」の様に装置化されており、これを用いることができる。【００４９】
所望の厚みに研磨を終えたウェハを半導体チップにして実装するまでの加工処理は、半導体チップの用途に応じて異なるが、本発明では、これまで成し得なかったプロセスを支持体に貼り合わせた状態で行うことが可能となる。そのようなプロセスの一例を以下に示す。
（１）研磨面にレジストパターンを形成し、これをマスクとしてウェハをエッチングすることにより、所望の構造体、たとえば、空洞、穴（貫通孔含む）、突起、溝などをウェハ裏面に形成する。【００５０】
（２）研磨面に有機膜層を塗布し、焼成して成膜することにより、研磨面のイオン汚染防止膜とする。
（３）所望の硬度および接着力を有する固定化剤を選択することにより、ダイシングテープに貼り替えることなくウェハをダイシングする。
（４）貫通ビアを検査電極に用い、薄肉化後にウェハレベルバーンインテストを行う。【００５１】
（５）先ダイシングによりダイシングストリートに切削溝を形成したウェハを、上記加工方法に従って切削溝が露出するまで薄肉化し、小片化された半導体チップを、固定化剤を溶融させると同時にピックアップし、該チップに付着残留した固定化剤をアンダーフィル剤またはチップボンディング剤として活用してパッケージ基板に実装する。
＜ウェハ＞
本発明のウェハ加工方法で用いられる半導体ウェハは特に制限されず、用途や加工方法に応じた半導体ウェハを用いることができ、大面積のものや、多様で複雑な構造を表面に有するものでもよい。【００５２】
たとえば、上記（５）のプロセスには、複数のダイシングストリートによって区画された領域内に形成された半導体素子を有し、該ダイシングストリートに、半導体チップの厚さに相当する切削溝を先ダイシングにより形成した半導体ウェハを用いることができる。
また、上記プロセス（４）には、表面に所定の深さの孔が形成され、該孔の内壁が絶縁膜で被覆され、該絶縁膜で被覆された孔に導電性電極材料が埋め込まれた半導体ウェハを用いることができる。【００５３】
さらに、上記半導体ウェハは、導通用の突起電極、たとえばハンダバンプなどが表面に形成されていてもよい。
［実施例］
以下、上記した例の幾つかを実践した実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００５４】
なお、以下の実施例で用いた化合物は、予めＴＨＦ溶液とし、２０重量部のイオン交換樹脂を加えて１０時間攪拌混合することによって脱イオン化処理して精製した化合物を用い、Ｎａ，Ｋ，Ｃａ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌの各金属含有量が１ｐｐｍ以下であることを確認して用いた。また、溶融温度、溶融温度幅、溶融粘度および接着強度の測定は以下のようにして行った。【００５５】
＜溶融温度および溶融温度幅＞
示差走査熱量装置（セイコー社製「ＲＤＣ２２０」）を用い、２℃／ｍｉｎ、空気中での値を測定した。メインの溶融ピーク曲線のピーク温度を溶融温度とし、該溶融ピーク曲線の始点と終点との温度差を溶融温度幅とした。
＜溶融粘度＞
Ｅ型粘度計（東機産業社製）を用い、溶融温度にて測定した。【００５６】
＜接着強度＞
各接着剤組成物固有の接着強度として、２５±２℃における接着強度Ａ（ＭＰａ）および接着剤組成物の溶融温度より２０℃低い温度における接着強度Ｂ（ＭＰａ）を、以下のようにして測定し、接着強度差（Ａ−Ｂ）を求めた。
図５に示すように、６５０μｍ厚のシリコンウェハ片（５０ｍｍ×１２ｍｍ）と０．７ｍｍ厚の無アルカリガラス片（５０ｍｍ×１２ｍｍ）とを、シリコンウェハの表面（製品状態において研磨されている面）を接着面として、各接着剤組成物を用いて接着した試験片（接着面積：１２ｍｍ×１２ｍｍ、接着厚み：１０μｍ）を準備し、試験片を縦にして端をつかんで上下に一定加重で引張り、両基板が剥がれたときの引張りせん断強度を測定し、その値を接着強度とした。なお、試験片を作製する際に用いたシリコンウェハ（baresilicon）および無アルカリガラス（コーニング社製「＃１７３７」）は、予めＲＣＡ洗浄［W.Kern, D.A.Puotinen, RCA Review, 31, p187 (1970) 参照］したものを用いた。具体的には、シリコンウエーハをＳＣ−１液（Ｈ2Ｏ：ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2＝５：１：１）８０℃の槽に１０分程度入れ有機物汚染、金属汚染を除去し、これを超純水で洗浄した。次に、ＨＦ：Ｈ2Ｏ2＝１：５０の液を用いて、前工程でシリコンウエーハ上に生じたシリコン酸化膜を除去した。この後、再び超純水で洗浄し、さらに、ＳＣ−２液（Ｈ2Ｏ：ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2＝６：１：１）８０℃の槽内で残留の金属汚染を除去し、超純水で洗浄して乾燥した。【００５７】
測定はテンシロン型引張り試験機を用い、引張速度１．６７×１０-4ｍ／ｓ、所定温度で行った。試験片を所定温度に保つために、試験片に触れないようにリボンヒーターを巻いたガラス管（サンプル加温用ヒーター）を配置し、試験片に取り付けた熱電対の温度が所定の温度になるように温度コントローラーでリボンヒーターを加熱制御した。なお、図５の左上図は、接着強度測定用試験片を上から見た図であり、左下図はこの試験片を横から見た図である。また、各実施例において実際に用いたシリコンウェハと基板とを接着したときの接着強度についても同様にして測定した。【００５８】
（実施例１）
コレステロール(分子量；３８６．７、溶融温度；１５０℃、溶融温度幅；１℃、溶融粘度；２ｍＰａ・ｓ、２５℃における接着強度Ａと１３０℃における接着強度Ｂとの差；０．２ＭＰａ）０．３５４ｇを直径１０ｍｍの柱状加圧成型器に秤量し、２００ｋｇ・ｃｍ-2の圧力を３分間かけ、直径１０ｍｍ、厚さ５．５ｍｍの円柱状タブレットを得た。【００５９】
得られたタブレットを、複数の半導体素子が形成された６インチシリコンウェハ（厚さ６５０μｍ）上におき、その上に厚み０．７ｍｍ、１辺２０ｃｍの正方形ＳＵＳ基板を乗せ、真空オーブンに入れた。なお、支持体となるＳＵＳ基板は、ヘキサメチルジシラザンの５％イソプロピルアルコール溶液をスピンコート塗布して乾燥し表面の疎水化処理を行ったものを用いた。真空オーブン（１０Ｔｏｒｒ）を１℃／ｍｉｎの速度で１６０℃まで昇温すると、タブレットは、ウェハ温度が１４８℃程度で溶融して液状となった。この時点で真空吸引を停止し、１０Ｔｏｒｒの減圧下で溶融したコレステロールの脱気を２分間行うと、コレステロールはウェハ全面に広がった。真空オーブンから貼り合わせたサンプルを取り出すとサンプルが急速に冷却されるため直ちにコレステロールが結晶化し、両基板は強固に接着された。上記と同じ仕様の６インチシリコンウェハとＳＵＳ基板とを接着させて図５と同様の試験片を作製し、引っ張りせん断強度を測定したところ、接着強度は５ＭＰａ（２５℃）であった。【００６０】
次いで、市販の研磨装置を用いて、ＳＵＳ基板に貼り合わせたウェハの裏面を荒研削した後、ディスコ社製「ポリッシャーDFP8140」にてフェルト砥石方式による研磨を行い、ウェハ厚みを１００μｍとした。研磨後、ＳＵＳ基板に接着したウェハの研磨面にドライフィルムレジストをラミネート成膜し、５０μｍ□の穴パターンを形成した。この間、ラミネート温度（１００℃）、アルカリ現像および乾燥（１２０℃）のストレスが、ウェハ、支持体および固定化剤に加わったが、ウェハは支持体に強固に接着していた。【００６１】
次に、５０μｍ□の穴パターンをマスクとして、ＣＦ4をエッチングガスとして用いたＲＩＥにより、ウェハ表面に達する貫通孔を形成した。その後、ＳＵＳ基板を加熱して固定化剤を溶融させ、ウェハを支持体からずらし取り、４０℃のイソプロピルアルコール中に１分間浸して洗浄することにより、裏面から空けた貫通孔を有する１００μｍ厚ウェハを得た。【００６２】
得られたウェハを従来通りダイシングして小片化し、貫通孔を形成していない場合と半導体チップの不良率を比較すると、貫通孔を設ける新たな裏面加工を施しても不良率に変化がなかった。上記加工方法のモデル図を図１に示す。
（実施例２）
実施例１において、半導体素子が形成された６インチシリコンウェハの代わりに、厚膜レジスト（ＪＳＲ（株）製「ＴＨＢシリーズ」）を用いて高さ６５μｍのハンダバンプ（図２）をウェハ表面に１００μｍ間隔で形成し、さらに先ダイシングにより８０μｍの深さの切削溝（５ｍｍ角）を予め形成した凹凸パターン付き６インチウェハを用い、コレステロールの代わりに、上記化学式（８）に示す化合物（分子量；４０４．７、溶融温度；２２３℃、溶融温度幅；１℃、溶融粘度；１ｍＰａ・ｓ）１．５ｇと、離形剤「ＫＦ５４」（信越シリコーン社製）０．１５ｇと、微粒二酸化珪素粒子（塩野義製薬(株)製、平均粒径；２μｍ）０．０９ｇとの混合物（溶融温度；２２３℃、溶融温度幅；１℃、溶融粘度；１ｍＰａ・ｓ、２５℃における接着強度Ａと２０３℃における接着強度Ｂとの差；０．３ＭＰａ）を用いてタブレットを形成し、ＳＵＳ基板の代わりにガラス基板を用い、真空オーブンの加熱温度を２４０℃にしたこと以外は、実施例１と同様にしてガラス基板にウェハを貼り合わせた。ガラス基板面からウェハの凹凸パターンを顕微鏡観察するとパターンの溝部分に一様に固定化剤が浸透しており、気泡は観察されなかった。また、上記と同じ凹凸パターン付き６インチシリコンウェハとガラス基板とを接着させて図５と同様の試験片を作製し、接着強度を測定したところ、引っ張りせん断強度は４．５ＭＰａ（２５℃）であった。【００６３】
次いで、ウェハを実施例１と同様にして１００μｍ厚まで研削および研磨した後、ディスコ社製「ポリッシャーDFP8140」にてフェルト砥石方式による研磨を行い、７０μｍまで薄肉化を行った。研磨中、ウェハは支持体のカラス基板から剥がれることなく強固に固着されていた。
研磨面を絶縁膜で保護するため、研磨面にスピンコートにて感光性絶縁膜(ＪＳＲ（株）製「ＷＰＲ１１００」)を２μｍ塗布し、ダイシング溝部分を露光−現像によって除去した。次いで、その上に別途７０μｍ厚に薄肉化し、３ｍｍ角に小片化したウェハ片をのせた。積層物を２４０℃に加熱して固定化剤を溶融させるとともに、上記絶縁膜「ＷＰＲ１１００」を接着剤として、ハンダバンプ付き５ｍｍ角ウェハ片（７０μｍ厚）と３ｍｍ角ウェハ片（７０μｍ厚）とを硬化接着させた積層体を支持体からずらし取った。【００６４】
５ｍｍ角ウェハ片に３ｍｍ角ウェハ片が積層された小片を４０℃のｔ−アミルアルコールに３分浸して固定化剤を除去した。５ｍｍ角ウェハ側に形成してあったハンダバンプは、初期の状態を保持しており脱落する物はなかった。工程のモデル図を図３に示す。
（実施例３）
実施例１で１００μｍ厚に薄肉化し、貫通孔を形成したウェハをそのままダイシング装置（ディスコ社製「ＤＡＤ３２１」）にセットし、半導体素子単位にダイシング溝を形成した。この時点では、半導体チップは小片単位で剥がれ落ちることはなく、固定化剤によってＳＵＳ基板に固定化されていた。次いで、ＳＵＳ基板を１７０℃に加熱し、半導体チップを個々に真空ピンセットでピックアップして支持体であるＳＵＳ基板から分離し、４０℃イソプロパノールに３分間浸して素子面に付着残留した固定化剤を除去した。【００６５】
各半導体チップの表面(半導体素子面)の切断エッジ部の欠け不良を、通常のダイシングテープ(日東電工（株）製「リバアルファーＮｏ．３１９３Ｍ」)を用いて行った場合と比べたところ、不良率が約３０％低減した。
（実施例４）
図４に示すように、実施例１の半導体素子が形成された６インチシリコンウェハにさらに５０μｍ□、深さ８０μｍの穴を空け、穴の壁面、素子面に窒化珪素膜を形成し、穴を銅メッキで埋めて貫通配線となるビア構造を３ｍｍ□の素子周辺に等間隔で２０個形成した。このウェハを実施例１と同様に１００μｍまで研削・研磨し、次いでサムコ社製リアクティブイオンエッチング装置「RIE-10NR」にて研磨面前面を均一にエッチングし、銅が表面に現れる８０μｍ厚までエッチングを行った。薄肉化したウェハを支持体(ＳＵＳ基板)ごと窒素雰囲気下に調整したクリーンオーブンに入れ、１４０℃で２０時間保持したがウェハは支持体からずれずに保持されていた。【００６６】
上記結果は、ウェハレベルバーンインテストは通常１２５℃で行われることから、予め形成した貫通銅配線を半導体素子のテスト端子として活用すれば、薄肉化した状態、すなわち、実装直前のチップ状態での動作テストができることを示している。
（実施例５）
実施例２で用いた凹凸パターン付き６インチウェハとガラス基板とを、固定化剤として1−オクタデカノール１．５ｇ（分子量；２７０．５、溶融温度；６０℃、溶融温度幅；１℃、溶融粘度；１．５ｍＰａ・ｓ、２５℃における接着強度Ａと４０℃における接着強度Ｂとの差；０．１ＭＰａ）を用いて貼り合わせた。貼り合わせはタブレット状に成形した固定化剤を前記ウェハ上に置き、真空オーブンに入れて１０Ｔｏｒｒで８０℃に加熱し、次いでウェハ底面とガラス基板の底面との距離が１４２５μｍ［＝７５μｍ＋ウェハ厚み（６５０μｍ）＋ガラス基板厚み（７００μｍ）］となるように各基板を保持した状態で常圧に戻して冷却し、固定化剤を固化させて行った。ガラス基板面からウェハの凹凸パターンを顕微鏡観察すると、パターンの溝部分に一様に固定化剤が浸透しており、気泡は観察されなかった。【００６７】
貼り合わせたサンプルを実施例１と同様に、ウェハ厚みが５０μｍとなるようにウェハの裏面を荒研削した後、ディスコ社製「ポリッシャーDFP8140」にてフェルト砥石方式による研磨を行い、ウェハ厚みを３０μｍとした。研磨面には予め６インチウェハに設けた５mm角のダイシング溝が現れ、溝には固定化剤が充填されていることが確認された。
ガラス基板を下にして薄化したサンプルをホットプレート上に置き、８０℃に加熱した。５ｍｍ角に分断されたチップはバキュームピンセットで容易にピックアップすることができ、チップのエッジ部も欠けがない状態が保たれていた。【００６８】
（比較例１）
実施例２で用いた凹凸パターン付き６インチウェハ表面にバックグラインドテープ（トーヨーアドテック製「BGE-164VC」）を貼りつけて、実施例５と同様に、研削および研磨を行い、ウェハ厚みを３０μｍとした。研磨面を観察すると、予め設けた５mm角のダイシング溝のエッジ部に欠落が多数あり、また、溝の中に研磨剤の残留物もあった。５mm角に分断されたチップはバキュームピンセットではテープから剥離することができず、剥がそうとするとチップが割れてしまった。【００６９】
（比較例２）
実施例５と同じ凹凸パターン付き６インチウェハおよびガラス基板を用い、固定化剤として溶融温度４５℃の水溶性シリコーンワックス（信越化学製「ＫＦ６００４」）を用いて、実施例５と同様にして真空下で加熱して両基板を貼り合わせた。ガラス基板面からウェハの凹凸パターンの溝部分を観察した際には気泡は見られなかったが、実施例５と同じ手順で研削および研磨を行った後の研磨面を見ると、ダイシング溝部に空隙があり、その部分のチップエッジ部には欠けが生じていた。また、ＫＦ６００４は水溶性であるため、研磨面の洗浄によってダイシング溝部のＫＦ６００４が部分的に溶解剥離している部分があった。研磨面を絶縁膜で保護するため、研磨面にスピンコートにて感光性絶縁膜（ＪＳＲ（株）製「ＷＰＲ１１００」）を２μｍ塗布しようとしたところ、固定化剤がＷＰＲ１１００に溶解してスピンコート時にチップが飛散してしまった。【００７０】
比較例１および２より、従来の方法では３０μｍ厚まで薄化したチップを高収率で得ることができず、また、研磨した面を追加加工、たとえばチップ裏面を絶縁膜で保護することなどができなかった。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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