(57)【要約】本発明は、ＧａＮ系半導体発光素子の出射側に厚膜の透明電極を形成し、ＧａＮ系半導体発光素子の発光効率を向上させた発光ダイオードを提供する。また、発光ダイオードの透明電極膜を効率よく厚膜に形成できる発光ダイオードの製造方法を提供する。青または紫外領域に発光する発光ダイオードであって、基板上に少なくともｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層と、それらに挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を形成し、その上に膜厚が１〜１００μｍである透明導電膜が設けられている発光ダイオード。【特許請求の範囲】
【請求項１】
青または紫外領域に発光する発光ダイオードであって、基板上に少なくともｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層と、それらに挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を形成し、その上に膜厚が１〜１００μｍである透明導電膜が設けられていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記透明導電膜の膜厚が、２〜５０μｍであることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記透明導電膜が酸化亜鉛からなることを特徴とする請求の範囲第１項または第２項記載の発光ダイオード。
【請求項４】
白色に発光する発光ダイオードであって、請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の発光ダイオードと、該発光ダイオードから発光する光の少なくとも一部を吸収し、該発光する光の波長より長波長の光を発する蛍光体膜とを有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項５】
請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の発光ダイオードの製造方法において、透明導電膜をプラズマ溶射によって形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の発光ダイオードの製造方法において、透明導電膜をエアロゾルデポジション法によって形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光効率に優れたＧａＮ系発光ダイオードと、それを用いた白色に発光する発光ダイオード、およびそれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ系半導体層で構成されるＧａＮ系発光ダイオードは、その上に蛍光体膜を塗設することにより、白色ＬＥＤを実現することができることから、バックライト用にも適用でき、照明用の光源素子として注目されている。【０００３】
ＧａＮ系半導体発光素子は、発光層をｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層とで挟んだｐｎ接合ダイオードを基本構成とする。発光に際しては発光層に対して、ｎ型ＧａＮ系半導体層から電子が、ｐ型ＧａＮ系半導体層からホールが注入され、発光層で再結合して発光する。【０００４】
従来、ＧａＮ系発光ダイオードでは、Ｎｉ−Ａｕ系合金等の薄膜による半透明電極が用いられていた（例えば、特許文献１参照）。しかし、Ｎｉ−Ａｕ系合金薄膜は金属膜であるため、薄くしても６０％程度の光透過率しか得られず、発光ダイオードの発光効率が低下する原因の一つとなっていた。【０００５】
この問題を解決する方法として、ＺｎＯからなる透明電極が提案されている（例えば特許文献２参照）。ＺｎＯ透明電極を用いることで、光透過率は８０％程度まで上げることが可能であり、この結果、発光ダイオードの発光効率が大幅に改善される。【０００６】
しかしながら、現在、ＺｎＯ透明電極の製造方法はＭＢＥ（分子ビームエピタキシー）法であり、この方法では０．５μｍ程度の薄膜しか得られないという問題がある。透明電極の膜厚が厚くできれば、発光層からの光が素子直上だけでなく素子端面からも外部に出ることで、発光効率が改善される（非特許文献１参照）。また、ＭＢＥ法の成膜速度は１時間あたり１μｍ程度と非常に遅いため、成膜速度が速く厚膜の形成が可能な製造方法が求められていた。
【特許文献１】特開平５−２９１６２１号公報
【特許文献２】特開２００４−２６６２５８号公報
【非特許文献１】Ｓｃｈｕｂｅｒｔ．Ｅ．Ｆ．編  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ．Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓ．２００３または日経エレクトロニクス誌  ２００４．９．１３号  ｐ．１４３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、上記従来技術の有する問題を解決するために、ＧａＮ系半導体発光素子の出射側に厚膜の透明導電膜を形成し、ＧａＮ系半導体発光素子の発光効率を向上させた発光ダイオードを提供することにある。また、発光ダイオードの透明導電膜を効率よく厚膜に形成できる発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、種々検討の結果、本発明の目的は下記構成を採ることにより達成できることがわかった。以下において、請求の範囲第１項に記載の発光ダイオードを第１の本発明の発光ダイオードといい、請求の範囲第４項に記載の発光ダイオードを、第２の本発明の発光ダイオードという。また、第１及び第２の本発明の発光ダイオードを総称して本発明の発光ダイオードという。【０００９】
第１の本発明の発光ダイオードは、青または紫外領域に発光する発光ダイオードであって、基板上に少なくともｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層と、それらに挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を形成し、その上に膜厚が１〜１００μｍである透明導電膜が設けられていることを特徴とする。【００１０】
本発明においては、前記透明導電膜の膜厚は２〜５０μｍであることが好ましい。
また、より好ましくは、この透明導電膜が酸化亜鉛で形成されたものである。【００１１】
第２の本発明の発光ダイオードは、白色に発光する発光ダイオードであって、前記第１の本発明の発光ダイオードと、この発光ダイオードから発光する光の少なくとも一部を吸収し、この発光する光の波長より長波長の光を発する蛍光体膜とを有することを特徴とする。【００１２】
本発明の発光ダイオードに係る透明導電膜は、プラズマ溶射によって形成することができる。【００１３】
また、本発明の発光ダイオードに係る透明導電膜は、エアロゾルデポジション法によって形成することもできる。【００１４】
従来、エアロゾルデポジション法およびプラズマ溶射法は、本発明の様な透明導電膜の作製法としては使われていない。例えば、この分野の代表的な技術書の一つである『最新透明導電膜動向』情報機構刊（２００５．１刊行）ＩＳＢＮ：４−９０１６７７−３３−０では、透明導電膜ないしは透明電極の作製方法として、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＰＬＤ法（アブレーション）、ＣＶＤ法、スプレー熱分解法、ゾル−ゲル法、ディップコート法、塗布熱分解法、スクリーン印刷法の９種類を挙げている。【００１５】
従って、透明導電膜の作製にエアロゾルデポジション法またはプラズマ溶射法を用いるということは、当業者にとって容易に採りうる技術ではない。しかしながら、この度、比較的厚い透明導電膜を作製する必要上から、エアロゾルデポジション法およびプラズマ溶射法を検討対象とした結果、今までの方法では作製困難であった１〜１００μｍの膜厚を有し、しかも透明性の高い膜を形成できることを見いだした。【００１６】
なお、エアロゾルデポジション法およびプラズマ溶射法は、上記の従来用いられてきた方法と比較して、成膜速度が速い、低真空系であるので設備が安い、溶剤／バインダ樹脂を用いないといった特長もある。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、ＧａＮ系半導体発光素子の光の出射側に厚膜の透明導電膜を形成し、ＧａＮ系半導体発光素子の発光効率を向上させた発光ダイオードを提供することができる。
それは、導電性と光透過性が両立した優れた透明導電膜を形成できるからである。また、本発明の発光ダイオードの製造方法によれば、厚膜の透明導電膜を効率よく低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に用いられるエアロゾル・デポジション成膜装置の概略構成図である。
【図２】本発明の白色ＬＥＤの構成とその製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００１９】
４  エアロゾル化室
２、６  配管
８  ノズル
９  ホルダー
１０  青色ＬＥＤの積層体
１１  ＸＹＺθステージ
１２  微粒子原料
２１  透明導電膜
２２  インナーリード
２３  マウントリード
２４  蛍光体
２５  エポキシ樹脂
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、第１の本発明の発光ダイオードである青色発光ダイオード（以下、本発明の青色ＬＥＤ：実際には紫外発光のものもある）、および、それから造られる第２の本発明の発光ダイオードである白色発光ダイオード（以下、本発明の白色ＬＥＤ）、およびそれらの製造方法を更に詳細に説明する。【００２１】
本発明の青色ＬＥＤは、ＧａＮ系化合物半導体が好ましい。ＧａＮ系化合物半導体を用いた発光素子は、ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＩｎＧａＮ等のＧａＮ系半導体を発光層として形成することにより作製される。発光素子の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。【００２２】
また、半導体活性層を量子効果が生ずる程度に薄く形成した単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。特に、本発明においては、発光素子の活性層をＩｎＧａＮの単一量子井戸構造とすることにより、高輝度に発光する発光ダイオードとして利用することができる。【００２３】
ＧａＮ系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が用いることができるが、結晶性の良い窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用いることが好ましい。【００２４】
このサファイヤ基坂上にＧａＮ、ＡｌＮ等のバッファー層を介してＰＮ接合を形成するようにＧａＮ系半導体層を形成する。ＧａＮ系半導体は、不純物をドーブしない状態でｎ型導電性を示すが、発光効率を向上させるなど所望の特性（キャリヤ濃度等）のｎ型ＧａＮ系半導体を形成するためには、ｎ型ドーパントとしてＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜ドープすることが好ましい。一方、ｐ型ＧａＮ系半導体を形成する場合は、ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープする。尚、ＧａＮ系化合物半導体は、ｐ型ドーパントをドーブしただけではｐ型化しにくいためｐ型ドーパント導入後に、炉による加熱、低速電子線照射やプラズマ照射等によりｐ型化させることが好ましい。【００２５】
次に、エッチングなどによりｐ型及びｎ型のＧａＮ系半導体の表面を露出させた後、各半導体層上にエアロゾルデポジション法またはプラズマ溶射法を用いて所望の形状の透明導電膜を形成する。【００２６】
なお、本発明において、上記基本構成を作製する方法については、従来用いられている製造方法を用いることが出来る。また、ここまでの工程を終え透明導電膜がまだ形成されていないものを、以下、青色ＬＥＤ製造途上の積層体という。青色ＬＥＤ製造途上の積層体の上に透明導電膜が形成されたものが本発明の青色ＬＥＤであり、さらに、その上に蛍光体膜を設けて、全体として白色に発光するようにしたものが本発明の白色ＬＥＤである。【００２７】
本発明の透明導電膜には、透明無機酸化物を用いる。本発明で使用可能な透明無機酸化物としては、酸化亜鉛、ＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）、酸化スズなどが挙げられる。これらの中でも好ましい無機酸化物としては酸化亜鉛である。これは、透明導電膜として酸化亜鉛を用いることにより、高い透明度が得られるからである。また、酸化亜鉛は従来広く用いられているＩＴＯに比べて安価であるという特長がある。ＩＴＯに用いられるインジウムは資源の枯渇が懸念されている。さらに、必要に応じて、Ｇａ、Ａｌ等の金属をドープした無機酸化物を用いることができる。【００２８】
本発明の透明導電膜の厚みは１〜１００μｍである。透明導電膜の厚みが１μｍ未満では、透明導電膜の電気抵抗が高くなるという点で問題があり、また、透明導電膜の厚みが１００μｍを超えると透明導電膜の透明度が低下するという点で問題がある。本発明においては、透明導電膜の厚みは、２〜５０μｍの範囲が好ましい。その理由は、相反すると性能である電気抵抗と透明度が最適な範囲となるからである。【００２９】
本発明では透明導電膜の形成には、原料である透明無機酸化物の微粒子を、青色ＬＥＤ製造途上の積層体に高速で衝突させ成膜する、所謂エアロゾル・デポジション法を用いる。【００３０】
エアロゾル・デポジション法による成膜装置としては、「応用物理」誌６８巻１号４４ページ、特開２００３−２１５２５６号公報等に開示されている構成が利用できる。【００３１】
図１は本発明に用いられるエアロゾル・デポジション成膜装置の概略構成図を示す。エアロゾル・デポジション成膜装置は青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０を保持するホルダー９、ホルダーをＸＹＺθで３次元に作動させるＸＹＺθステージ１１、青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０に微粒子原料１２を噴出させる細い開口を備えたノズル８、ノズル８をエアロゾル化室４とつなぐ配管６を備えたチャンバー７、さらに、キャリアガスを貯留する高圧ガスボンベ１、微粒子原料１２とキャリアガスが攪拌・混合されるエアロゾル化室４、およびこれらをつなぐ配管２によって構成される。ＸＹＺθステージ１１の裏面にはペルチェ素子による温度制御機構（図示せず）が設置され、青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０を最適な温度に保つことができる。【００３２】
さらに、エアロゾル化室４内の微粒子原料１２は、以下のような手順によって青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０に形成される。【００３３】
エアロゾル化室４内に充填された、好ましくは０．０２〜５μｍ、より好ましくは０．１〜２μｍの粒径の微粒子原料１２は、キャリアガスを貯留する高圧ガスボンベ１より配管２を通ってエアロゾル化室４に導入されキャリアガスとともに、振動・撹拌されてエアロゾル化される。【００３４】
微粒子原料である粒子の粒径測定方法としては、一般的なレーザー回折式粒径測定装置があげられ、具体的には、ＨＥＬＯＳ（ＪＥＯＬ社製）、Ｍｉｃｒｏｔｒａｃ  ＨＲＡ（日機装社製）、ＳＡＬＤ−１１００（島津製作所社製）、コールターカウンター（コールター社製）などがあげられる。特に好ましくはＭｉｃｒｏｔｒａｃ  ＨＲＡである。【００３５】
エアロゾル化された微粒子原料１２は配管６を通り、チャンバー７内の細い開口を備えたノズル８から青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０にキャリアガスとともに吹き付けられ塗膜を形成する。チャンバー７は真空ポンプ等で排気され、チャンバー７内の真空度は必要に応じて調整されている。本発明では真空度は、好ましくは０．０１〜１００００Ｐａであり、更に好ましくは０．１〜１０００Ｐａである。以下さらに、基板のホルダーはＸＹＺθステージ１１により３次元に動くことができるため青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０の所定の部分に必要な厚みの透明導電膜が形成できる。青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０に形成された透明導電膜上には必要に応じて封止層を設けることができる。【００３６】
エアロゾル化された微粒子原料１２は、好ましくは流速１００〜４００ｍ／ｓｅｃのキャリアガスによって搬送され、青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０に衝突することによって堆積する。キャリアガスにより搬送された微粒子原料１２は、互いに衝突の衝撃によって接合し膜を形成する。【００３７】
本発明の製造方法において、微粒子原料を加速・噴出するためのキャリアガスとしては、窒素ガスやＨｅガスなどの不活性ガスが好ましい。窒素ガスは特に好ましく用いることができる。【００３８】
また、微粒子原料を衝突させる青色ＬＥＤ製造途上の積層体の温度は、−１００℃以上２００℃以下に保持することが好ましい。青色ＬＥＤ製造途上の積層体の温度が２００℃を超えるほどに加熱した時には膜が白濁化し、光が取り出せず青色ＬＥＤの輝度が低下する場合がある。【００３９】
本発明で使用できる青色ＬＥＤ製造途上の積層体としては、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ系で、青色ＬＥＤの発光ピーク波長は４８０〜４４０ｎｍのものが好ましい。【００４０】
次に透明導電膜の形成方法として好ましい、他の態様について述べる。透明無機酸化物の微粒子をプラズマによって溶融、射出し、青色ＬＥＤ製造途上の積層体の上に融着する所謂プラズマ溶射法を用いる方法である。【００４１】
プラズマ溶射装置としては、エアロプラズマ社製ＡＰＳ−７０００、ＴＡＦＡ社製Ｐｌａｚｊｅｔ、スルザーメテコ社製ＴＲＩＰＬＥＸ  II等が好ましく使用できる。特に好ましくはエアロプラズマ社製ＡＰＳ−７０００であり、特開２００１−３１５１号公報に記載されている。【００４２】
透明導電膜の形成における、パラメータの好ましい範囲は以下の通りである。【００４３】
粉体の粒径：  １０〜１００μｍ
プラズマガス流量：  １〜２００Ｌ／ｍｉｎ
プラズマ出力：  １０〜２００ｋＷ
キャリアガス流量：  １〜２０Ｌ／ｍｉｎ
溶射距離：  １０〜２００ｍｍ
粉体供給速度：  １〜１００ｇ／ｍｉｎ
予熱（溶射前青色ＬＥＤ製造途上の積層体温度）：  １０〜２００℃    
透明導電膜を形成した完成したＬＥＤ発光ダイオードのチップは、例えば、シリコーン樹脂等の透明樹脂又はガラス製キャップを発光チップの前面に取り付け、この部分に蛍光体成膜部分を付けて本発明の白色ＬＥＤを完成する。本発明の発光ダイオードには、最大５Ｖ、３０ｍＡまでの定格直流負荷を加え発光させて青色あるいは白色発光を得ることができる。【００４４】
蛍光体膜は、本発明の発光ダイオードから発光する光の少なくとも一部を吸収し、この発光する光の波長より長波長の光を発するものを用いる。本発明において用いることのできる蛍光体の例としては、例えば、クロムで付活されたサファイア、（Ｙ，Ｇｄ，Ｃｅ）3Ａｌ5Ｏ12蛍光体、酸化エルビウム(３)などが挙げられる。これらの中でも、（Ｙ，Ｇｄ，Ｃｅ）3Ａｌ5Ｏ12蛍光体が好ましい。【００４５】
本発明の白色ＬＥＤの構成とその製造工程を図解すると下記図２の如くである。【００４６】
まず、青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０上に透明導電膜２１を形成し、インナーリード２２と青色ＬＥＤ製造途上の積層体１０、およびマウントリード２３と透明導電膜２１をワイヤーボンディングする。続いて、蛍光体２４をこの上に充填し、エポキシ樹脂２５で封止して、本発明の白色ＬＥＤとして仕上げる。
【実施例】
【００４７】
上記実施の形態について詳細に説明すべく、本発明の代表的な実施例を示し、本発明の構成と効果につき具体的に説明する。無論、本発明の構成はこれらに限定されるわけではない。【００４８】
〔発光ダイオード試料の作製〕
（比較例１）      
洗浄したサファイア基板上に、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）ガス、窒素ガス及びドーパントガスをＨ２キャリアガスと共に流し、ＭＯＣＶＤ法でＧａＮ系化合物半導体を成膜した。【００４９】
成膜時に、ドーパントガスとしてＳｉＨ4とＣｐ2Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを切り替えることによって、ｎ型導電性を有するＧａＮ系半導体とｐ型導電性を有するＧａＮ系半導体を形成した。この青色ＬＥＤ素子は、ｎ型導電性を有するＧａＮ系半導体であるコンタクト層（電極と半導体との電気接続を行う半導体層）と、ｐ型導電性を有する窒化ガリウムアルミニウム半導体であるクラッド層（光及びキャリアを閉じ込めるためのバンドギャップの広い半導体層）、ｐ型導電性を有するＧａＮ半導体層であるコンタクト層を備え、ｎ型導電性を有するコンタクト層とｐ型導電性を有するクラッド層との間に厚さ約３ｎｍの、単一量子井戸構造を構成するためのノンドープＩｎＧａＮからなる活性層（発光層）が形成されている。尚、サファイア基板上には、バッファ層として低温でＧａＮ系半導体層が形成されている。また、ｐ型ＧａＮ系半導体は、成膜後４００℃以上の温度でアニールされている。【００５０】
スパッタリングによりｐ型導電性を有するＧａＮ系半導体であるコンタクト層の上にＧａドープＺｎＯ透明導電膜を形成した。膜厚は０．５μｍであった。【００５１】
さらにスパッタリングにより各コンタクト層上に金属電極をそれぞれ形成させた。こうして出来上がった半導体ウエハをスクライブラインを引いた後、外力により分割させ発光素子として３５０μｍ角のＬＥＤチップを形成させた。【００５２】
一方、金属板の打ち抜きによりＬＥＤチップが配置されるマウント・リードのカップを形成させた。カップ内にＬＥＤチップをエポキシ樹脂を用いてマウント固定させ、導電性ワイヤとして金線をＬＥＤチップの各電極とマウント・リード及びインナー・リードにそれぞれワイヤボンディングさせ電気的に接続させてある。【００５３】
さらに、ＬＥＤチップを外部応力、水分及び塵芥などから保護する目的でリード端子を内部が空洞で砲弾型のキャスティングケース中に配置させる。キャスティングケース中に透光性エポシキ樹脂を注型後、１５０℃、５時間にて硬化させた。こうして図２の如き発光装置である発光ダイオードを製造した（但しこの場合は、蛍光体の充填は行っていない）。【００５４】
（実施例１）
ｐ型導電性を有するＧａＮ系半導体であるコンタクト層の上に、エアロゾル・デポジション成膜装置を用いてＧａドープＺｎＯ透明導電膜を形成した。粒度分布０．１〜１μｍ、平均粒径０．５μｍのＧａドープＺｎＯ粒子をエアロゾル化室に充填し、キャリアガスとして流速２００ｍ／ｓのＮ2ガスを用い、チャンバーの真空度は１００Ｐａ、基板温度を２０℃として、比較例と同様な青色ＬＥＤ製造途上の積層体上に吹きつけて１０μｍの成膜を行なった。  【００５５】
更に比較例１と同様にして、本発明の青色ＬＥＤチップを作製し発光ダイオードを製造した。【００５６】
（実施例２）
ｐ型導電性を有するＧａＮ系半導体であるコンタクト層の上に、プラズマ溶射によりＧａドープＺｎＯ透明導電膜を形成した。プラズマ溶射には、エアロプラズマ社製ＡＰＳ−７０００プラズマ溶射装置を用い、粒度分布１０〜３０μｍ、平均粒径２０μｍのＧａドープＺｎＯ粒子を用いた。【００５７】
溶射の条件は以下の通りとした。【００５８】
酸素プラズマガス流量：  ５０Ｌ／ｍｉｎ
プラズマ出力：  ６０ｋＷ
粉体キャリアガス流量：  ６Ｌ／ｍｉｎ
溶射距離：  ６０ｍｍ
粉体供給速度：  ２０ｇ／ｍｉｎ
予熱温度：  １５０℃
この条件でＧａドープＺｎＯ粒子を、比較例１と同様な青色ＬＥＤ製造途上の積層体上に吹きつけて１０μｍの成膜を行なった。【００５９】
更に比較例１と同様にして、本発明の青色ＬＥＤチップを得、発光ダイオードを製造した。【００６０】
（比較例２）
比較例１と同様にしてＬＥＤチップを得、マウントリードへの接着、ボンディングを行なった。【００６１】
（Ｙ，Ｇｄ，Ｃｅ）3Ａｌ5Ｏ12蛍光体のエポキシ樹脂（日東電工社製、ＮＴ８０１４）、酸無水物系硬化剤との混合液を作製した。【００６２】
上記の蛍光体と樹脂との混合液を注射器を用いて、ＬＥＤチップ上に５０μｌを滴下し、乾燥した後、更に比較例１と同様にして砲弾型のキャスティングを行ない、白色発光ダイオードを製造した。【００６３】
（実施例３）
実施例１と同様にして本発明のＬＥＤチップを得、マウントリードへの接着、ボンディングを行なった後、比較例２と同様にして蛍光体層の形成を行なった。【００６４】
更に比較例１と同様にして砲弾型のキャスティングを行ない、本発明の白色発光ダイオードを製造した。【００６５】
（実施例４）
実施例２と同様にして本発明の青色ＬＥＤチップを得、マウントリードへの接着、ボンディングを行なった後、比較例２と同様にして蛍光体層の形成を行なった。更に比較例１と同様にして砲弾型のキャスティングを行ない、本発明の白色発光ダイオードを製造した。
（比較例３〜５）
表１に記す製造条件で作製した以外は、比較例１と同様にして比較例３〜５の発光ダイオードを作製した。
（比較例６〜８）
比較例２と同様にして、比較例３、比較例４、比較例５にそれぞれ対応して、比較例６、比較例７、比較例８の白色発光ダイオードを作製した。（表２を参照）
（実施例５〜１３）
表１に記す製造条件で作製した以外は、実施例１と同様にして実施例５〜１３の青色発光ダイオードを作製した。
（実施例１４〜２２）
比較例３と同様にして、比較例１４〜２２のそれぞれに対応して、実施例１４〜２２の青色発光ダイオードを作製した。（表２を参照）
〔性能評価〕
以上のように製造した発光ダイオードを、５０℃、２０ｍＡで駆動し、初期光束の相対値を調べた。結果を表１、表２に示す。【００６６】
【表１】
2006090571.tif 000002
【００６７】
【表２】
2006090571.tif 000003
【００６８】
本発明内の発光ダイオードはいずれも初期光束の値が高いことがわかる。【００６９】
なお、ＺｎＯ透明電極をＭＢＥ（分子ビームエピタキシー）で形成する試みをしたが、成膜速度（μｍ／ｍｉｎ）が０．００１であり、実用上の不適当であった。
【図１】
2006090571.tif 000004
【図２】
2006090571.tif 000005
【国際調査報告】
2006090571.tif 000006
2006090571.tif 000007
2006090571.tif 000008
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