(57)【要約】電極間のショートが発生しにくい有機エレクトロルミネセンス素子。  本発明の有機エレクトロルミネセンス素子は、互いに対向する第１及び第２電極層と、該第１及び第２電極層によって挟持されている有機化合物を含む有機機能層とからなる。該有機機能層は該第１電極層に接して設けられている正孔注入層を含み、該正孔注入層は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含む。該低分子量化合物は、フタロシアニン誘導体であることとしても良い。【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１及び第２電極層と、前記第１及び第２電極層によって挟持されている有機化合物を含む有機機能層とからなる有機エレクトロルミネセンス素子であって、前記有機機能層は前記第１電極層に接して設けられている正孔注入層を含み、
前記正孔注入層は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
【請求項２】
前記低分子量化合物は下記一般式〔化１〕で表されるフタロシアニン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
【化１】
2006009050.tif 000003
〔式中、ＭｅはＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ若しくはＰｔを表し、Ｒ１は置換基を有していても良いアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−ＯＲ３、−ＳＲ３、−ＳｅＲ３、−ＴｅＲ３、−ＯＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６、−ＯＧｅＲ４Ｒ５Ｒ６若しくは−ＯＰＯＲ７Ｒ８（ただし、Ｒ３は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いシクロアルキル基若しくはポリエーテル基を表し、Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は互いに同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良いシクロアルキル基、置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いアリーロキシ基あるいはポリエーテル基、水酸基若しくは水素原子を表し、Ｒ７，Ｒ８は互いに同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いシクロアルキル基若しくは置換基を有していても良いアリール基を表す）を表し、Ｒ２は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良い複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基若しくはスルホン酸基を表す。〕
【請求項３】
前記低分子量化合物はナフタロシアニン誘導体、シアニン誘導体若しくは多官能アミン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
【請求項４】
基板上に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上に有機化合物を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第２電極層を形成する工程と、を含む有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
前記有機機能層を形成する工程は前記第１電極層に接する正孔注入層を形成する工程を含み、
前記正孔注入層を形成する工程は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含む溶液を作製する工程と前記溶液を前記第１電極層上に配する工程とを含む、ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】  有機エレクトロルミネセンス素子（以下有機ＥＬと称する）は、ガラス基板等の透明な基板の主面上に、インジウム錫酸化物（以下ＩＴＯと称する）等の導電性材料からなる透明な第１電極層と有機蛍光体を有する発光層を含む有機機能層とＡｌやＭｇなどの金属からなる第２電極層とが順に成膜されて形成されている。
有機機能層は、複数の薄膜を含み、第１電極層から正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子注入層の順に成膜されて構成されている。
第１電極層と第２電極層との間に直流電界を印加すると、第１電極層から注入された正孔と第２電極層から注入された電子とが発光層内にて再結合し、そのエネルギーを受けて発光層中の蛍光体が発光し、この発光層からの光を基板からあるいは基板とは反対側から取り出すようになっている。このような有機ＥＬ素子は、自己発光であることから視認性に優れており、かつ数Ｖ〜数十Ｖの低電圧駆動が可能であることから駆動回路を含めた軽量化が可能である。
上記の如き構成の有機ＥＬ素子は、有機機能層が低分子量化合物からなる場合と高分子量化合物からなる場合とに大別されており、前者は低分子型有機ＥＬ素子と称され、後者は高分子型有機ＥＬ素子と称されている。低分子型有機ＥＬ素子の場合、低分子量化合物を蒸着して成膜する蒸着法を用いて有機機能層が形成されている。高分子型有機ＥＬ素子の場合、高分子量化合物を有機溶媒に溶解させた後にスピンコート法等の溶液を用いた成膜方法を用いて当該溶液を第１電極層上に配することによって、有機機能層が形成されている。
【発明の開示】
上記の有機機能層のうち、正孔注入層の材料が銅フタロシアニンなどの低分子量化合物からなる場合、正孔注入層を成膜する際に異物が第１電極層上に付着していると、該異物が第１電極層のマスクとして作用してしまう。換言すれば、蒸着法を用いて低分子量化合物からなる正孔注入層を形成すると、該異物が蒸着材料流のマスクとなり、異物と第１電極層とが接触している部分およびその近傍に正孔注入層が成膜されない部分、すなわち正孔注入層の欠陥部が形成されてしまう。その結果、発光層への正孔の注入効率が低下し、画素の発光効率が低下してしまう。
また、正孔注入層が第１電極層と隣接していることから、正孔注入層に上記の如き欠陥部が形成された場合、該欠陥部において、第１電極層と第２電極層とがショート（短絡）する恐れがある。
正孔注入層の材料が導電性ポリマー等の高分子量化合物からなる場合、正孔注入層は高分子量化合物の溶液を配することによって成膜できることから、第１電極層上に異物が付着していたとしても該溶液が該異物を被覆してしまう。その結果、正孔注入層の膜欠陥や第１電極層と第２電極層とのショートが発生しにくくなる。しかしながら、正孔注入層に使用できる特性を呈する高分子量化合物の種類は限定されている。
また、高分子量化合物を含む正孔注入層用材料の精製が困難であることから当該材料の不純物の含有量が大であり、正孔注入層の正孔注入能力が安定しない。さらに当該材料における高分子量化合物の分子量分布が製造ロット毎に異なっていることから、複数の有機ＥＬ素子を形成した場合に、各有機ＥＬ素子における正孔注入層の正孔注入能力が一定しない。
さらにまた、高分子量化合物からなる薄膜は、該薄膜中に溶剤が残留し易くかつ水分を吸着し易いことから、溶剤および水分によって有機ＥＬ素子が劣化するなどの有機ＥＬ素子の保存安定性が悪いという問題がある。
本発明は、上記した問題が１例として挙げられる諸問題を解決する手段を提供することを目的とする。
本発明の特徴による有機ＥＬ素子は、互いに対向する第１及び第２電極層と、該第１及び第２電極層によって挟持されている有機化合物を含む有機機能層とからなる有機エレクトロルミネセンス素子であって、該有機機能層は該第１電極層に接して設けられている正孔注入層を含み、該正孔注入層は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含むことを特徴とする。
本発明の特徴による有機ＥＬ素子の製造方法は、基板上に第１電極層を形成する工程と、該第１電極層上に有機化合物を含む有機機能層を形成する工程と、該有機機能層上に第２電極層を形成する工程と、を含む有機ＥＬ素子の製造方法であって、該有機機能層を形成する工程は該第１電極層に接する正孔注入層を形成する工程を含み、該正孔注入層を形成する工程は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含む溶液を作製する工程と該溶液を該第１電極層上に配する工程とを含む、ことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】  図１は本発明の有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】  以下、本発明による有機ＥＬ素子およびその製造方法を、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図１に示す如く、有機ＥＬ素子１は、ガラスや樹脂などの透明材料からなる基板２と、基板上に設けられたＩＴＯ等の導電性材料からなる第１電極層３と、を有する。第１電極層３は、スパッタリング法等の成膜方法を用いて形成される。
第１電極層３上には、正孔注入層４が形成されている。正孔注入層４は、有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する低分子量化合物からなる。かかる低分子量化合物の分子量は、略１０００以下である。該低分子量化合物は加熱されることによって分解する特性、すなわち熱分解性を有する化合物であり、該化合物は例えば５００℃以下の比較的低い温度で熱分解を生じることが好ましい。
かかる低分子量化合物として、例えば有機溶剤に可溶であるフタロシアニン誘導体がある。かかる可溶性のフタロシアニン誘導体は、下記一般式〔化１〕で表される。
【化１】
2006009050.tif 000002
上記一般式において、Ｍｅは、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ若しくはＰｔ等の金属原子を表す。Ｒ１は、置換基を有していても良いアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−ＯＲ３、−ＳＲ３、−ＳｅＲ３、−ＴｅＲ３、−ＯＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６、−ＯＧｅＲ４Ｒ５Ｒ６若しくは−ＯＰＯＲ７Ｒ８を表す。Ｒ３は、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いシクロアルキル基若しくはポリエーテル基を表す。Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は、互いに同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良いシクロアルキル基、置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いアリーロキシ基あるいはポリエーテル基、水酸基若しくは水素原子を表す。Ｒ７，Ｒ８は、互いに同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いシクロアルキル基若しくは置換基を有していても良いアリール基を表す。
Ｒ２は、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良い複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基若しくはスルホン酸基を表す。
上記一般式〔化１〕に示す如き化学構造を有するフタロシアニン誘導体は、Ｒ１の置換基が加熱によって分解されやすくなっており、Ｒ２の置換基が有機溶媒への溶解特性に特に寄与している。すなわち、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物に比べて、上記フタロシアニン誘導体は、低温で分解できて有機溶媒に可溶となるのである。
正孔注入層４は、上記したフタロシアニン誘導体などの低分子量化合物を有機溶剤に溶解せしめた有機溶液を作製した後、例えばスピンコート法などの成膜方法を用いて該有機溶液を第１電極層上に配し、乾燥せしめて溶媒を除去することによって形成することができる。
正孔注入層４上には、正孔輸送層５が設けられている。正孔輸送層５は、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈ  ａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ））、ＭＴＤＡＴＡ（４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（４，４’，４’’−ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐ  ｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ））、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙ  １−Ｎ，Ｎ’−ｄｉ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ））などの正孔輸送性に優れた材料を含み、蒸着法などの成膜方法を用いて形成することができる。
正孔輸送層５上には、発光層６が設けられている。発光層６は、Ａｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ））等の発光特性を呈する材料を含み、蒸着法などの成膜方法を用いて形成することができる。
発光層６上には電子注入層７が設けられている。電子注入層７は、例えば酸化リチウムを含み、蒸着法などの成膜方法を用いて形成することができる。上記の如く正孔注入層４、正孔輸送層５、発光層６および電子注入層７が順に形成されて有機機能層８が構成されている。
電子注入層７上には、第２電極層９が設けられている。第２電極層９は、例えばアルミニウム、アルミニウムリチウム合金、マグネシウムインジウム合金、マグネシウム銀合金等の導電材料からなり、蒸着法などの成膜方法を用いて形成できる。
上記の如き構成の有機ＥＬ素子は、第１電極層と第２電極層との間に電界を印加すると、第１電極層から注入された正孔と第２電極層から注入された電子とが発光層内にて再結合して発光層が発光する。第１電極層と第２電極層との間がショートしていた場合、当該ショート部分およびこの近傍がショートによって発生するジュール熱によって加熱され、この熱によって正孔注入層の低分子量化合物が分解して気化する。すなわち、正孔注入層に含まれる低分子量化合物がフタロシアニン誘導体の場合、上記した構造式（〔化１〕）におけるＲ１置換基の部分が分解されて気化するのである。この結果、ショート部分の近傍の正孔注入層は気化して体積膨張し、ショートしていた第１電極層と第２電極層とが離れる。換言すれば、上記の如き構成の有機ＥＬ素子は、第１電極層と第２電極層との間がショートしていたとしても第１電極層と第２電極層との間に電界を印加することによって正孔注入層が比較的低い温度で加熱分解されて膨張することによってショート部分が修復される自己修復機能を有する。また、安価で高純度のフタロシアニン誘導体が得られることから、有機ＥＬ素子の製造コストを低減させることができる。
上記の如き正孔注入層は低分子量化合物の溶液を第１電極層上に配して形成できることから、第１電極層上に異物が付着していたとしてもこれを覆って正孔注入層が形成できる。この結果、異物と第１電極層とが接している部分およびその近傍において正孔注入層の欠陥部が形成されにくくなる。また、上記成膜方法によれば、蒸着法を用いた成膜方法に比べて薄膜におけるピンホールの発生を抑制することができる。従って、第１電極層と第２電極層とのショートが発生しにくくなる。さらに、低分子量化合物を含む薄膜は残留溶媒の除去や吸着水分の除去が容易であることから、安定性が高い有機ＥＬ素子を得ることができる。
なお、正孔注入層に使用できる低分子量化合物は可溶性のフタロシアニン誘導体に限定されるものではなく、例えば、可溶性のナフタロシアニン誘導体、可溶性のシアニン誘導体、可溶性の多官能アミン誘導体が正孔注入層の材料として使用できる。多官能アミン誘導体としては、例えばトリフェニルアミン誘導体などのアリールアミン誘導体が使用できる。
また、正孔注入層は、上記したフタロシアニン誘導体のみからなる場合に限定されず、正孔注入性に優れた化合物をドーパントとして含むこととしても良い。
有機ＥＬ素子に含まれる有機機能層は、上記の如き４層構造に限定されるものではなく、少なくとも正孔注入層を含む構造であれば良い。例えば、有機機能層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層からなる５層構造を有することとしても良い。
互いに対向する第１及び第２電極層と、該第１及び第２電極層によって挟持されている有機化合物を含む有機機能層とからなる有機エレクトロルミネセンス素子であって、該有機機能層は該第１電極層に接して設けられている正孔注入層を含み、該正孔注入層は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含むことを特徴とする本発明の有機ＥＬ素子によれば、正孔注入層の欠陥部を介して第１電極層と第２電極層とが接触している場合、ショートによるジュール熱が正孔注入層を分解および膨張せしめると、正孔注入層が第１電極層と隣接していることから第１電極層と第２電極層との間を効果的に分離することができる。これによって、ショート部を自己修復することができる。
基板上に第１電極層を形成する工程と、該第１電極層上に有機化合物を含む有機機能層を形成する工程と、該有機機能層上に第２電極層を形成する工程と、を含む有機ＥＬ素子の製造方法であって、該有機機能層を形成する工程は該第１電極層に接する正孔注入層を形成する工程を含み、該正孔注入層を形成する工程は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含む溶液を作製する工程と該溶液を該第１電極層上に配する工程とを含む、ことを特徴とする本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、低分子量化合物を含む溶液を第１電極層上に配することによって正孔注入層を形成することができることから、異物等によって形成された第１電極層の凹凸に起因する正孔注入層の欠陥が発生しにくい故、第１電極層と第２電極層とのショートが発生する恐れが低減する。
【図１】
2006009050.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】請求の範囲
【請求項１】互いに対向する第１及び第２電極層と、前記第１及び第２電極層によって挟持されている有機化合物を含む有機機能層とからなる有機エレクトロルミネセンス素子であって、前記有機機能層は前記第１電極層に接して設けられている正孔注入層を含み、
前記正孔注入層は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含み、前記低分子量化合物は下記一般式〔化１〕で表されるフタロシアニン誘導体であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
【化１】
2006009050.tif 000005
〔式中、ＭｅはＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ若しくはＰｔを表し、Ｒ１は熱分解し易い置換基であり、置換基を有していても良いアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−ＯＲ３、−ＳＲ３、−ＳｅＲ３、−ＴｅＲ３、−ＯＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６、若しくは−ＯＧｅＲ４Ｒ５Ｒ６（ただし、Ｒ３は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いシクロアルキル基若しくはポリエーテル基を表し、Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は互いに同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良いシクロアルキル基、置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いアリーロキシ基あるいはポリエーテル基、水酸基若しくは水素原子を表し、Ｒ２は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良い複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基若しくはスルホン酸基を表す。〕
【請求項２】（削除）
【請求項３】前記低分子量化合物はナフタロシアニン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】基板上に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上に有機化合物を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第２電極層を形成する工程と、を含む有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
前記有機機能層を形成する工程は前記第１電極層に接する正孔注入層を形成する工程を含み、
前記正孔注入層を形成する工程は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含む溶液を作製する工程と前記溶液を前記第１電極層上に配する工程とを含む、ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成18年5月15日(2006.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】請求の範囲
【請求項１】互いに対向する第１及び第２電極層と、前記第１及び第２電極層によって挟持されている有機化合物を含む有機機能層とからなる有機エレクトロルミネセンス素子であって、前記有機機能層は前記第１電極層に接して設けられている正孔注入層を含み、
前記正孔注入層は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含み、前記低分子量化合物は下記一般式〔化１〕で表されるフタロシアニン誘導体であることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。
【化１】
2006009050.tif 000006
〔式中、ＭｅはＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｉｎ，Ｓｎ若しくはＰｔを表し、Ｒ１は熱分解し易い置換基であり、置換基を有していても良いアルキル基、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、−ＯＲ３、−ＳＲ３、−ＳｅＲ３、−ＴｅＲ３、−ＯＳｉＲ４Ｒ５Ｒ６、若しくは−ＯＧｅＲ４Ｒ５Ｒ６（ただし、Ｒ３は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いシクロアルキル基若しくはポリエーテル基を表し、Ｒ４，Ｒ５およびＲ６は互いに同一であっても異なっていても良く、置換基を有していても良いシクロアルキル基、置換基を有していても良いアリール基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良いアリーロキシ基あるいはポリエーテル基、水酸基若しくは水素原子を表し、Ｒ２は置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアルコキシ基、置換基を有していても良い複素環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基若しくはスルホン酸基を表す。〕
【請求項２】（削除）
【請求項３】前記低分子量化合物はナフタロシアニン誘導体であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】基板上に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上に有機化合物を含む有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に第２電極層を形成する工程と、を含む有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法であって、
前記有機機能層を形成する工程は前記第１電極層に接する正孔注入層を形成する工程を含み、
前記正孔注入層を形成する工程は有機溶剤に可溶でありかつ正孔注入性を有する熱分解性の低分子量化合物を含む溶液を作製する工程と前記溶液を前記第１電極層上に配する工程とを含む、ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法。
【国際調査報告】
2006009050.tif 000007
2006009050.tif 000008
2006009050.tif 000009