(57)【要約】  特定構造を有するアントリルアリーレン誘導体、並びに、陰極と陽極間に少なくとも発光層を有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記アントリルアリーレン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有することによって、発光効率が高く、長寿命の有機ＥＬ素子を提供し、さらには本発明の有機ＥＬ素子に用いられる発光材料として、十分なガラス転移温度を有し、特に好適なアントリルアリーレン誘導体を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表されるアントリルアリーレン誘導体。
【化１】
2006104044.tif 000033
［一般式（Ｉ）において、Ａｒ1は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、下記一般式（Ａ）で示すカルバゾリレン基、又は下記一般式（Ｂ）で示すトリプチセニレン基である。Ａｒ2は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、下記一般式（Ａ）で示すカルバゾリレン基、下記一般式（Ｂ）で示すトリプチセニレン基、又は下記一般式（Ｃ）で示すフルオレニレン基である。
【化２】
2006104044.tif 000034
｛前記一般式（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立に、水素原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、シリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基を示す。又、Ｒ1〜Ｒ5は連結基でもよい。｝
前記一般式（Ｉ）及び（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｒはそれぞれ独立に、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、シリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基を示す。
前記一般式（Ｉ）及び（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｒ及びＲ1〜Ｒ5がアルキル基の時、隣接するアルキル基どうしで結合し、縮合環を形成しても良い。
ａ〜ｍは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｐ，ｑ，ｒ及びｓは、それぞれ独立に０〜３の整数を示し、それぞれのベンゼン環上の置換基Ｒは同じでも異なっていても良い。
Ｘ，Ｙ，Ｚはそれぞれ独立に、水素原子、核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は核炭素数５〜３０の芳香族複素環基を示すが、ｐ＝ｑ＝ｒ＝０の時、Ｙは水素原子ではない。］
【請求項２】
下記一般式（ＩＩ）で表される請求項１に記載のアントリルアリーレン誘導体。
【化３】
2006104044.tif 000035
［一般式（ＩＩ）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ、ａ〜ｍ、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、Ｘ、Ｙ、及びＺは前記と同じである］
【請求項３】
下記一般式（ＩＩＩ）で表される請求項１に記載のアントリルアリーレン誘導体。
【化４】
2006104044.tif 000036
［一般式（ＩＩＩ）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ、ａ〜ｍ、ｐ、ｑ、ｒ、Ｘ、及びＹは前記と同じである］
【請求項４】
陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、請求項１〜３に記載のアントリルアリーレン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記発光層が、請求項１〜３に記載のアントリルアリーレン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記発光層が、請求項１〜３に記載のアントリルアリーレン誘導体を主成分として含有する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記発光層が、さらにアリールアミン化合物を含有する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記発光層が、さらにスチリルアミン化合物を含有する請求項５記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アントリルアリーレン誘導体、それを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、発光輝度及び発光効率が高く、長寿命な有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する新規なアントリルアリーレン誘導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印加することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ等による積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ，Ｓ．Ａ．Ｖａｎｓｌｙｋｅ，アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ），５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。Ｔａｎｇ等は、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを発光層に、トリフェニルジアミン誘導体を正孔輸送層に用いている。積層構造の利点としては、発光層への正孔の注入効率を高めること、陰極より注入された電子をブロックして再結合により生成する励起子の生成効率を高めること、発光層内で生成した励起子を閉じ込めること等が挙げられる。この例のように有機ＥＬ素子の素子構造としては、正孔輸送（注入）層、電子輸送性発光層の二層型、又は正孔輸送（注入）層、発光層、電子輸送（注入）層の３層型等がよく知られている。こうした積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効率を高めるため、素子構造や形成方法の工夫がなされている。【０００３】
また、発光材料としてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の発光材料が知られており、それからは青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、カラー表示素子の実現が期待されている（例えば、特許文献１、特許文献２、及び特許文献３等）。
また、発光材料としてフェニルアントラセン誘導体を用いた素子が特許文献４に開示されている。さらにアントラセンの９，１０位にナフチル基を有する材料が特許文献５に開示されている。このようなアントラセン誘導体は青色発光材料として用いられるが、素子寿命の改善が求められていた。【０００４】
さらにアントラセンの９，１０位にフルオランテン基を有する材料が特許文献６に開示されている。このようなアントラセン誘導体は青色発光材料として用いられるが、素子寿命の改善が求められていた。
また特許文献７に種々のアントラセン誘導体を正孔輸送材料として用いることが開示されている。しかしながら発光材料としての評価は未だ成されていなかった。
特許文献８には、非対称アントラセン誘導体を青色発光材料として用いた素子が、発光効率が高く長寿命であることが開示されている。これら非対称アントラセン誘導体は優れた青色発光材料であるものの、その一部の誘導体はガラス転移温度（Ｔｇ）がやや低いという欠点を有しており、その改善が望まれていた。【０００５】
【特許文献１】特開平８−２３９６５５号公報
【特許文献２】特開平７−１８３５６１号公報
【特許文献３】特開平３−２００２８９号公報
【特許文献４】特開平８−１２６００号公報
【特許文献５】特開平１１−３７８２号公報
【特許文献６】特開２００１−２５７０７４号公報
【特許文献７】特開２０００−１８２７７６号公報
【特許文献８】ＷＯ２００４−１８５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、発光効率が高く、長寿命の有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。さらには本発明の有機ＥＬ素子に用いられる発光材料として、十分なガラス転移温度を有し、特に好適なアントリルアリーレン誘導体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるアントリルアリーレン誘導体はガラス転移温度が向上し、それを発光材料として用いると、発光効率が高く、長寿命な有機ＥＬ素子を作製することが可能であることを見出した。
すなわち、本発明における課題の第一の解決法は、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるアントリルアリーレン誘導体である。
【化１】
2006104044.tif 000002
【化２】
2006104044.tif 000003
【化３】
2006104044.tif 000004
【０００８】
本発明における課題の第二の解決法は、上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるアントリルアリーレン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子材料を用いることである。【０００９】
本発明における課題の第三の解決法は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、上記有機ＥＬ素子材料を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、前記の課題を解決するためなされたもので、発光効率が高く、長寿命の有機ＥＬ素子を提供することができる。さらには本発明の有機ＥＬ素子に用いられる発光材料として、十分なガラス転移温度を有し、特に好適なアントリルアリーレン誘導体を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の第一の発明は、上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるアントリルアリーレン誘導体である。【００１２】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）において、Ａｒ1は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、下記一般式（Ａ）で示すカルバゾリレン基、又は下記一般式（Ｂ）で示すトリプチセニレン基である。Ａｒ2は置換もしくは無置換の核炭素数６〜５０の芳香族炭化水素基、下記一般式（Ａ）で示すカルバゾリレン基、下記一般式（Ｂ）で示すトリプチセニレン基、又は下記一般式（Ｃ）で示すフルオレニレン基である。【００１３】
【化４】
2006104044.tif 000005
【００１４】
前記一般式（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｒ1〜Ｒ5はそれぞれ独立に、水素原子、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、シリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基を示す。又、Ｒ1〜Ｒ5は連結基でもよい。【００１５】
前記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）及び（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｒはそれぞれ独立に、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、シリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又はヒドロキシル基を示す。
前記一般式（Ｉ）及び（Ａ）〜（Ｃ）において、Ｒ及びＲ1〜Ｒ5がアルキル基の時、隣接するアルキル基どうしで結合し、縮合環を形成しても良い。
ａ〜ｍは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｐ，ｑ，ｒ及びｓは、それぞれ独立に０〜３の整数を示し、それぞれのベンゼン環上の置換基Ｒはそれぞれ同じでも異なっていても良い。
Ｘ，Ｙ，Ｚはそれぞれ独立に、水素、核炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は核炭素数５〜３０の芳香族複素環基を示すが、ｐ＝ｑ＝ｒ＝０の時、Ｙは水素ではない。【００１６】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＡｒ1及びＡｒ2である核炭素数６〜５０の置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基、Ｒの芳香族炭化水素基及び前記一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、ピレニル基、クリセニル基等が挙げられ、好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基等が挙げられる。【００１７】
なお、これらの芳香族炭化水素基は、さらに置換基により置換されているのも良く、好ましい置換基として、アルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核原子数５〜４０のアリール基、核原子数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核原子数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。【００１８】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5である芳香族複素環基の具体例としては、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３−イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２���９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１０−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、１０−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。【００１９】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシイソブチル基、１，２−ジヒドロキシエチル基、１，３−ジヒドロキシイソプロピル基、２，３−ジヒドロキシ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−クロロイソブチル基、１，２−ジクロロエチル基、１，３−ジクロロイソプロピル基、２，３−ジクロロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２−ブロモイソブチル基、１，２−ジブロモエチル基、１，３−ジブロモイソプロピル基、２，３−ジブロモ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、１−ヨードエチル基、２−ヨードエチル基、２−ヨードイソブチル基、１，２−ジヨードエチル基、１，３−ジヨードイソプロピル基、２，３−ジヨード−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、１−アミノエチル基、２−アミノエチル基、２−アミノイソブチル基、１，２−ジアミノエチル基、１，３−ジアミノイソプロピル基、２，３−ジアミノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、１−シアノエチル基、２−シアノエチル基、２−シアノイソブチル基、１，２−ジシアノエチル基、１，３−ジシアノイソプロピル基、２，３−ジシアノ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、１−ニトロエチル基、２−ニトロエチル基、２−ニトロイソブチル基、１，２−ジニトロエチル基、１，３−ジニトロイソプロピル基、２，３−ジニトロ−ｔ−ブチル基、１，２，３−トリニトロプロピル基等が挙げられる。【００２０】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、１−ノルボルニル基、２−ノルボルニル基等が挙げられる。
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるアルコキシ基は、−ＯＹで表される基であり、Ｙの例としては、前記アルキル基と同様の具体例が挙げられる。【００２１】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるアラルキル基の具体例としては、ベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルイソプロピル基、２−フェニルイソプロピル基、フェニル−ｔ−ブチル基、α−ナフチルメチル基、１−α−ナフチルエチル基、２−α−ナフチルエチル基、１−α−ナフチルイソプロピル基、２−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、１−β−ナフチルエチル基、２−β−ナフチルエチル基、１−β−ナフチルイソプロピル基、２−β−ナフチルイソプロピル基、１−ピロリルメチル基、２−（１−ピロリル）エチル基、ｐ−メチルベンジル基、ｍ−メチルベンジル基、ｏ−メチルベンジル基、ｐ−クロロベンジル基、ｍ−クロロベンジル基、ｏ−クロロベンジル基、ｐ−ブロモベンジル基、ｍ−ブロモベンジル基、ｏ−ブロモベンジル基、ｐ−ヨードベンジル基、ｍ−ヨードベンジル基、ｏ−ヨードベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｍ−ヒドロキシベンジル基、ｏ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アミノベンジル基、ｍ−アミノベンジル基、ｏ−アミノベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基、ｍ−ニトロベンジル基、ｏ−ニトロベンジル基、ｐ−シアノベンジル基、ｍ−シアノベンジル基、ｏ−シアノベンジル基、１−ヒドロキシ−２−フェニルイソプロピル基、１−クロロ−２−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。【００２２】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるアリールオキシ基は、−ＯＹ’と表され、Ｙ’の例としてはフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｐ−ターフェニル−４−イル基、ｐ−ターフェニル−３−イル基、ｐ−ターフェニル−２−イル基、ｍ−ターフェニル−４−イル基、ｍ−ターフェニル−３−イル基、ｍ−ターフェニル−２−イル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基、ｐ−（２−フェニルプロピル）フェニル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１−アントリル基、４’−メチルビフェニルイル基、４”−ｔ−ブチル−ｐ−ターフェニル−４−イル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、１−フェナントリジニル基、２−フェナントリジニル基、３−フェナントリジニル基、４−フェナントリジニル基、６−フェナントリジニル基、７−フェナントリジニル基、８−フェナントリジニル基、９−フェナントリジニル基、１０−フェナントリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、１，７−フェナントロリン−２−イル基、１，７−フェナントロリン−３−イル基、１，７−フェナントロリン−４−イル基、１，７−フェナントロリン−５−イル基、１，７−フェナントロリン−６−イル基、１，７−フェナントロリン−８−イル基、１，７−フェナントロリン−９−イル基、１，７−フェナントロリン−１０−イル基、１，８−フェナントロリン−２−イル基、１，８−フェナントロリン−３���イル基、１，８−フェナントロリン−４−イル基、１，８−フェナントロリン−５−イル基、１，８−フェナントロリン−６−イル基、１，８−フェナントロリン−７−イル基、１，８−フェナントロリン−９−イル基、１，８−フェナントロリン−１０−イル基、１，９−フェナントロリン−２−イル基、１，９−フェナントロリン−３−イル基、１，９−フェナントロリン−４−イル基、１，９−フェナントロリン−５−イル基、１，９−フェナントロリン−６−イル基、１，９−フェナントロリン−７−イル基、１，９−フェナントロリン−８−イル基、１，９−フェナントロリン−１０−イル基、１，１０−フェナントロリン−２−イル基、１，１０−フェナントロリン−３−イル基、１，１０−フェナントロリン−４−イル基、１，１０−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−１−イル基、２，９−フェナントロリン−３−イル基、２，９−フェナントロリン−４−イル基、２，９−フェナントロリン−５−イル基、２，９−フェナントロリン−６−イル基、２，９−フェナントロリン−７−イル基、２，９−フェナントロリン−８−イル基、２，９−フェナントロリン−１０−イル基、２，８−フェナントロリン−１−イル基、２，８−フェナントロリン−３−イル基、２，８−フェナントロリン−４−イル基、２，８−フェナントロリン−５−イル基、２，８−フェナントロリン−６−イル基、２，８−フェナントロリン−７−イル基、２，８−フェナントロリン−９−イル基、２，８−フェナントロリン−１０−イル基、２，７−フェナントロリン−１−イル基、２，７−フェナントロリン−３−イル基、２，７−フェナントロリン−４−イル基、２，７−フェナントロリン−５−イル基、２，７−フェナントロリン−６−イル基、２，７−フェナントロリン−８−イル基、２，７−フェナントロリン−９−イル基、２，７−フェナントロリン−１０−イル基、１−フェナジニル基、２−フェナジニル基、１−フェノチアジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基、４−フェノチアジニル基、１−フェノキサジニル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、４−フェノキサジニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、２−オキサジアゾリル基、５−オキサジアゾリル基、３−フラザニル基、２−チエニル基、３−チエニル基、２−メチルピロール−１−イル基、２−メチルピロール−３−イル基、２−メチルピロール−４−イル基、２−メチルピロール−５−イル基、３−メチルピロール−１−イル基、３−メチルピロール−２−イル基、３−メチルピロール−４−イル基、３−メチルピロール−５−イル基、２−ｔ−ブチルピロール−４−イル基、３−（２−フェニルプロピル）ピロール−１−イル基、２−メチル−１−インドリル基、４−メチル−１−インドリル基、２−メチル−３−インドリル基、４−メチル−３−インドリル基、２−ｔ−ブチル１−インドリル基、４−ｔ−ブチル１−インドリル基、２−ｔ−ブチル３−インドリル基、４−ｔ−ブチル３−インドリル基等が挙げられる。【００２３】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるアリールチオ基は、−ＳＹ’と表され、Ｙ’の例としては、前記アリールオキシ基のＹ’と同様の例が挙げられる。
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるアルコキシカルボニル基は、−ＣＯＯＺと表され、Ｚの例としては、前記アルキル基と同様の例が挙げられる。
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるシリル基の具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、ビニルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基等が挙げられる。
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＲ及び一般式（Ａ）〜（Ｃ）におけるＲ1〜Ｒ5であるハロゲン原子は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
また、前記Ｒ1〜Ｒ5の置換基としては、前記Ａｒ1〜Ａｒ3の置換基と同様の例が挙げられる。【００２４】
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるアントリルアリーレン誘導体の具体例を下記に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。【００２５】
【化５】
2006104044.tif 000006
【００２６】
【化６】
2006104044.tif 000007
【００２７】
【化７】
2006104044.tif 000008
【００２８】
【化８】
2006104044.tif 000009
【００２９】
【化９】
2006104044.tif 000010
【００３０】
【化１０】
2006104044.tif 000011
【００３１】
【化１１】
2006104044.tif 000012
【００３２】
【化１２】
2006104044.tif 000013
【００３３】
【化１３】
2006104044.tif 000014
【００３４】
【化１４】
2006104044.tif 000015
【００３５】
次に、本発明のアントリルアリーレン誘導体の製造方法について説明する。一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のアントリルアリーレン誘導体は、例えば、以下の合成スキームＳｃｈｅｍｅ  １〜３のいずれかによって製造できる。
なお、下記スキームにおいて、Ｈａｌ1〜Ｈａｌ8はハロゲン原子であり、Ｒ’は水素原子又は置換もしくは無置換のアルキル基であって、隣接するアルキル基同士は結合していてもよい。【００３６】
【化１５】
2006104044.tif 000016
【００３７】
【化１６】
2006104044.tif 000017
【００３８】
Ｓｃｈｅｍｅ１〜３に示すように、ハロゲン化反応、ホウ酸化反応、及び鈴木カップリング反応等を適宜組合わせて段階的に実施することにより、一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表されるアントリルアリーレン化合物を合成することが出来る。
２箇所以上ハロゲン化されたアリール化合物とボロン酸誘導体を位置選択的に反応させる場合は、全て同種のハロゲン原子でハロゲン化されたアリール化合物を用いても反応は可能であるが、より位置選択的に反応させる場合は、希望の反応部位のみを他のハロゲン原子に比べてより反応性の高いハロゲン原子（反応性：Ｉ＞Ｂｒ＞Ｃｌ＞＞Ｆ）でハロゲン化したアリール化合物を用いたほうが、より高い選択性で反応を行うことが出来る。また、ハロゲン化アリール化合物とハロゲン化アリールボロン酸の反応を行う際には、ハロゲン化アリールボロン酸のハロゲン原子に比べて、ハロゲン化アリール化合物のハロゲン原子がより反応性の高いハロゲン原子である方が好ましい。【００３９】
鈴木カップリング反応は、これまでに数多くの報告（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．，Ｖｏｌ．９５，Ｎｏ．７，２４５７（１９９５）等）がなされており、これらに記載の反応条件で実施することが出来る。
反応は通常、常圧下、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下で実施されるが、必要に応じて加圧条件下に実施することも出来る。反応温度は１５〜３００℃の範囲であるが、特に好ましくは３０〜２００℃である。
反応溶媒としては、水、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、１，２−ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素類、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタンなどのハロゲン類、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル等のエステル類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類などを単一又は混合して使用することが出来る。特に好ましくは、トルエン、１，２−ジメトキシエタン、ジオキサン、及び水である。溶媒の使用量はアリールボロン酸及びその誘導体に対して３〜５０重量倍、特に好ましくは４〜２０重量倍である。
反応に用いる塩基は、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸マグネシウム、、炭酸リチウム、ふっ化カリウム、フッ化セシウム、塩化セシウム、臭化セシウム、炭酸セシウム、リン酸カリウム、メトキシナトリウム、ｔ−ブトキシカリウム、ｔ−ブトキシナトリウム、ｔ−ブトキシリチウム等である。特に好ましくは炭酸ナトリウムである。これらの塩基の使用量はアリールボロン酸及びその誘導体に対して０．７〜１０モル当量の範囲であり、特に好ましくは０．９〜６モル当量である。【００４０】
反応に用いる触媒は、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン]パラジウム、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン]パラジウム、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン]パラジウム、、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]パラジウム等のパラジウム触媒、テトラキス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン] ニッケル、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン] ニッケル、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン] ニッケル、、ジクロロ[ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン] ニッケル等のニッケル触媒等である。特に好ましくはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムである。これらの触媒の使用量はハロゲン化アントラセン誘導体に対して０．００１〜１モル当量の範囲であり、特に好ましくは０．０１〜０．１モル当量である。
ハロゲン化合物のハロゲン原子としてはヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、フッ素原子をあげることが出来るが、特に好ましくはヨウ素原子、臭素原子である。【００４１】
ホウ酸化反応は、既知の方法（日本化学会編・実験化学講座第４版 ２４巻 ６１〜９０頁やＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，Ｖｏｌ．６０，７５０８（１９９５）等）により実施することが可能である。例えばハロゲン化アリール化合物のリチオ化もしくはグリニャール反応を経由する反応の場合、通常、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性雰囲気下で実施され、反応溶媒としては不活性溶媒が用いられる。例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素類、１，２−ジメトキシエタン、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類を単一もしくは混合溶媒として用いることが出来る。特に好ましくはジエチルエーテル及びトルエンである。溶媒の使用量はハロゲン化アリール化合物に対し３〜５０重量倍、特に好ましくは４〜２０重量倍である。【００４２】
リチオ化剤としてはｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、フェニルリチウム、メチルリチウム等のアルキル金属試薬、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミド等のアミド塩基を用いることが出来る。特に好ましくはｎ−ブチルリチウムである。また、グリニャール試薬はハロゲン化アリール化合物と金属マグネシウムの反応により調製することが出来る。ホウ酸トリアルキルとしてはホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリイソプロピル、ホウ酸トリブチル等を使用することが出来る。特に好ましくはホウ酸トリメチル、ホウ酸トリイソプロピルである。
リチオ化剤及び金属マグネシウムの使用量はハロゲン化アリール化合物に対し１〜１０モル当量、特に好ましくは１〜２モル当量であり、ホウ酸トリアルキルの使用量はハロゲン化アリール化合物に対し１〜１０モル当量、特に好ましくは１〜５モル当量である。反応温度は−１００〜５０℃特に好ましくは−７５〜１０℃である。【００４３】
本発明のアントリルアリーレン誘導体は、有機ＥＬ素子用発光材料であると好ましく、また有機ＥＬ素子用ホスト材料であると特に好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記有機薄膜層が前記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）に記載のアントリルアリーレン誘導体から選ばれる少なくとも１種類を単独もしくは混合物の成分として含有する。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、前記発光層が、さらにアリールアミン化合物及び／又はスチリルアミン化合物を含有すると好ましい。【００４４】
スチリルアミン化合物としては、下記一般式（Ａ）で表されるものが好ましい。
【化１７】
2006104044.tif 000018
（式中、Ａｒ3は、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、スチルベン基、ジスチリルアリール基から選ばれる基であり、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ水素原子又は炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ3、Ａｒ4及びＡｒ5は置換されていてもよい。ｐは１〜４の整数である。さらに好ましくはＡｒ4又はＡｒ5の少なくとも一方はスチリル基で置換されている。）
ここで、炭素数が６〜２０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、ターフェニル基等が挙げられる。【００４５】
アリールアミン化合物としては、下記一般式（Ｂ）で表されるものが好ましい。
【化１８】
2006104044.tif 000019
（式中、Ａｒ6〜Ａｒ8は、置換もしくは無置換の核炭素数５〜４０のアリール基である。ｑは１〜４の整数である。）【００４６】
ここで、核炭素数が５〜４０のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、ピレニル基、コロニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ピローリル基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、オキサジアゾリル基、ジフェニルアントラニル基、インドリル基、カルバゾリル基、ピリジル基、ベンゾキノリル基、フルオランテニル基、アセナフトフルオランテニル基、スチルベン基、ペリレニル基、クリセニル基、ピセニル基、トリフェニレニル基、ルビセニル基、ベンゾアントラセニル基、フェニルアントラニル基、ビスアントラセニル基、又は下記一般式（Ｃ），（Ｄ）で示されるアリール基等が挙げられ、ナフチル基、アントラニル基、クリセニル基、ピレニル基、又は一般式（Ｄ）で示されるアリール基が好ましい。【００４７】
【化１９】
2006104044.tif 000020
( 一般式（Ｃ）において、ｒは１〜３の整数である。)【００４８】
なお、前記アリール基の好ましい置換基としては、炭素数１〜６のアルキル基（エチル基、メチル基、ｉ−プロピル基、ｎ−プロピル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、炭素数１〜６のアルコキシ基（エトキシ基、メトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロペントキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、核炭素数５〜４０のアリール基、核炭素数５〜４０のアリール基で置換されたアミノ基、核炭素数５〜４０のアリール基を有するエステル基、炭素数１〜６のアルキル基を有するエステル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子等が挙げられる。【００４９】
以下、本発明の有機ＥＬ素子構成について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（３）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／有機半導体層／発光層／陰極
（６）陽極／有機半導体層／電子障壁層／発光層／陰極
（７）陽極／有機半導体層／発光層／付着改善層／陰極
（８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（９）陽極／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１０）陽極／無機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１１）陽極／有機半導体層／絶縁層／発光層／絶縁層／陰極
（１２）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／絶縁層／陰極
（１３）陽極／絶縁層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
これらの中で通常（８）の構成が好ましく用いられるが、これらに限定されるものではない。
また、本発明の有機ＥＬ素子において、本発明のアントリルアリーレン化合物は、上記のどの有機層に用いられてもよいが、これらの構成要素の中の発光帯域もしくは正孔輸送帯域に含有されていることが好ましい。特に好ましくは発光層に含有されている場合である。含有させる量は３０〜１００モル％から選ばれる。【００５０】
この有機ＥＬ素子は、通常透光性の基板上に作製する。この透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、その透光性については、波長４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上であるものが望ましく、さらに平滑な基板を用いるのが好ましい。
このような透光性基板としては、例えば、ガラス板、合成樹脂板などが好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英などで成形された板が挙げられる。また、合成樹脂板としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエーテルスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂などの板が挙げられる。【００５１】
次に、陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する役割を担うものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化亜鉛の混合物（ＩＺＯ）、ＩＴＯと酸化セリウムの混合物（ＩＴＣＯ）、ＩＺＯと酸化セリウムの混合物（ＩＺＣＯ）、酸化インジウムと酸化セリウムの混合物（ＩＣＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの混合物（ＡＺＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、金、銀、白金、銅等が適用できる。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選択される。【００５２】
本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層は、
（ｉ）注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能
（ii）輸送機能；注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能
（iii) 発光機能；電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能
を有する。
この発光層を形成する方法としては、例えば蒸着法、スピンコート法、ＬＢ法等の公知の方法を適用することができる。発光層は、特に分子堆積膜であることが好ましい。ここで分子堆積膜とは、気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、溶液状態又は液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜は、ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは凝集構造、高次構造の相違や、それに起因する機能的な相違により区分することができる。
また特開昭５７−５１７８１号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、発光層に、本発明のアントリルアリーレン誘導体からなる発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させてもよく、また、本発明の発光材料を含む発光層に、他の公知の発光材料を含む発光層を積層してもよい。【００５３】
次に、正孔注入・輸送層は、発光層への正孔注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、正孔移動度が大きく、イオン化エネルギーが通常５．５ｅＶ以下と小さい。このような正孔注入・輸送層としてはより低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が、例えば１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に、少なくとも１０-4ｃｍ2／Ｖ・秒であるものが好ましい。このような材料としては、従来、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、有機ＥＬ素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。【００５４】
具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体（米国特許３，１１２，１９７号明細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許３，６１５，４０２号明細書、同第３，８２０，９８９号明細書、同第３，５４２，５４４号明細書、特公昭４５−５５５号公報、同５１−１０９８３号公報、特開昭５１−９３２２４号公報、同５５−１７１０５号公報、同５６−４１４８号公報、同５５−１０８６６７号公報、同５５−１５６９５３号公報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書、同第４，２７８，７４６号明細書、特開昭５５−８８０６４号公報、同５５−８８０６５号公報、同４９−１０５５３７号公報、同５５−５１０８６号公報、同５６−８００５１号公報、同５６−８８１４１号公報、同５７−４５５４５号公報、同５４−１１２６３７号公報、同５５−７４５４６号公報等参照）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特公昭５１−１０１０５号公報、同４６−３７１２号公報、同４７−２５３３６号公報、特開昭５４−５３４３５号公報、同５４−１１０５３６号公報、同５４−１１９９２５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書、同第３，１８０，７０３号明細書、同第３，２４０，５９７号明細書、同第３，６５８，５２０号明細書、同第４，２３２，１０３号明細書、同第４，１７５，９６１号明細書、同第４，０１２，３７６号明細書、特公昭４９−３５７０２号公報、同３９−２７５７７号公報、特開昭５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同５６−２２４３７号公報、西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書等に開示のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書、特開昭５４−５９１４３号公報、同５５−５２０６３号公報、同５５−５２０６４号公報、同５５−４６７６０号公報、同５５−８５４９５号公報、同５７−１１３５０号公報、同５７−１４８７４９号公報、特開平２−３１１５９１号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報、同第６１−２２８４５１号公報、同６１−１４６４２号公報、同６１−７２２５５号公報、同６２−４７６４６号公報、同６２−３６６７４号公報、同６２−１０６５２号公報、同６２−３０２５５号公報、同６０−９３４５５号公報、同６０−９４４６２号公報、同６０−１７４７４９号公報、同６０−１７５０５２号公報等参照）、シラザン誘導体（米国特許第４，９５０，９５０号明細書）、ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報）、アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、特開平１−２１１３９９号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー（特にチオフェンオリゴマー）等を挙げることができる。
正孔注入層の材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報等に開示のもの）、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書、特開昭５３−２７０３３号公報、同５４−５８４４５号公報、同５４−１４９６３４号公報、同５４−６４２９９号公報、同５５−７９４５０号公報、同５５−１４４２５０号公報、同５６−１１９１３２号公報、同６１−２９５５５８号公報、同６１−９８３５３号公報、同６３−２９５６９５号公報等参照）、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
また米国特許第５，０６１，５６９号に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば４，４’−ビス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（以下ＮＰＤと略記する）、また特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４',４''−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下ＭＴＤＡＴＡと略記する）等を挙げることができる。【００５５】
また、ｐ型Ｓｉ、ｐ型ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。
正孔注入、輸送層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の公知の方法により薄膜化することにより形成することができる。正孔注入、輸送層としての膜厚は特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、１０-10Ｓ／ｃｍ以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平８−１９３１９１号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。【００５６】
次に、電子注入層・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
また、有機ＥＬ素子は発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子注入層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。【００５７】
一方、オキサジアゾール誘導体としては、以下の一般式で表される電子伝達化合物が挙げられる。
【化２０】
2006104044.tif 000021
（式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ5、Ａｒ6、及びＡｒ9はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またＡｒ4、Ａｒ7、Ａｒ8は置換又は無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい）
ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。また、アリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基などが挙げられる。また、置換基としては炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。【００５８】
上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。
【化２１】
2006104044.tif 000022
さらに、電子注入層及び電子輸送層に用いられる材料として、下記一般式（Ｅ）〜（Ｊ）で表されるものも用いることができる。
【化２２】
2006104044.tif 000023
【００５９】
（一般式（Ｅ）及び（Ｆ）中、Ａ1〜Ａ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基であり、Ａｒ2は、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、あるいはこれらの２価の基である。ただし、Ａｒ1及びＡｒ2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の核炭素数１０〜６０の縮合環基、又は置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のモノヘテロ縮合環基である。
Ｌ1、Ｌ2及びＬは、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基、又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。
Ｒは、水素原子、置換もしくは無置換の核炭素数６〜６０のアリール基、置換もしくは無置換の核炭素数３〜６０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、ｎは０〜５の整数であり、ｎが２以上の場合、複数のＲは同一でも異なっていてもよく、また、隣接する複数のＲ基同士で結合して、炭素環式脂肪族環又は炭素環式芳香族環を形成していてもよい。）で表される含窒素複素環誘導体。【００６０】
ＨＡｒ−Ｌ−Ａｒ1−Ａｒ2      （Ｇ）
（式中、ＨＡｒは、置換基を有していてもよい炭素数３〜４０の含窒素複素環であり、Ｌは、単結合、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、Ａｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０の２価の芳香族炭化水素基であり、Ａｒ2は、置換基を有していてもよい炭素数６〜６０のアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数３〜６０のヘテロアリール基である。）で表される含窒素複素環誘導体。【００６１】
【化２３】
2006104044.tif 000024
【００６２】
（式中、Ｘ及びＹは、それぞれ独立に炭素数１〜６の飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はＸとＹが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に水素、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１から６までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合した構造である。）で表されるシラシクロペンタジエン誘導体。【００６３】
【化２４】
2006104044.tif 000025
【００６４】
（式中、Ｒ1〜Ｒ8及びＺ2は、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｘ、Ｙ及びＺ1は、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Ｚ1とＺ2の置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、ｎは１〜３の整数を示し、ｎが２以上の場合、Ｚ1は異なってもよい。但し、ｎが１、Ｘ、Ｙ及びＲ2がメチル基であって、Ｒ8が、水素原子又は置換ボリル基の場合、及びｎが３でＺ1がメチル基の場合を含まない。）で表されるボラン誘導体。【００６５】
【化２５】
2006104044.tif 000026
【００６６】
［式中、Ｑ1及びＱ2は、それぞれ独立に、下記一般式（Ｋ）で示される配位子を表し、Ｌは、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基、−ＯＲ1（Ｒ1は、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基である。）又は−Ｏ−Ｇａ−Ｑ3（Ｑ4）（Ｑ3及びＱ4は、Ｑ1及びＱ2と同じ）で示される配位子を表す。］【００６７】
【化２６】
2006104044.tif 000027
［式中、環Ａ1及びＡ2は、置換基を有してよい互いに縮合した６員アリール環構造である。］【００６８】
この金属錯体は、ｎ型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。
一般式（Ｋ）の配位子を形成する環Ａ1及びＡ2の置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは無置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、３−ニトロフェニル基等の置換もしくは無置換のアリール基、メトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等の置換もしくは無置換のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは無置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビスアセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、トリアチニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる６員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。【００６９】
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有する素子がある。ここで、還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質と定義される。したがって、一定の還元性を有するものであれば、様々なものが用いられ、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の炭酸塩、アルカリ土類金属の炭酸塩、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される少なくとも一つの物質を好適に使用することができる。
また、より具体的に、好ましい還元性ドーパントとしては、Ｎａ（仕事関数：２．３６ｅＶ）、Ｋ（仕事関数：２．２８ｅＶ）、Ｒｂ（仕事関数：２．１６ｅＶ）及びＣｓ（仕事関数：１．９５ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属や、Ｃａ（仕事関数：２．９ｅＶ）、Ｓｒ（仕事関数：２．０〜２．５ｅＶ）、及びＢａ（仕事関数：２．５２ｅＶ）からなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ土類金属が挙げられる仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。これらのうち、より好ましい還元性ドーパントは、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選択される少なくとも一つのアルカリ金属であり、さらに好ましくは、Ｒｂ又はＣｓであり、最も好ましのは、Ｃｓである。これらのアルカリ金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。また、仕事関数が２．９ｅＶ以下の還元性ドーパントとして、これら２種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、特に、Ｃｓを含んだ組み合わせ、例えば、ＣｓとＮａ、ＣｓとＫ、ＣｓとＲｂあるいはＣｓとＮａとＫとの組み合わせであることが好ましい。Ｃｓを組み合わせて含むことにより、還元能力を効率的に発揮することができ、電子注入域への添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。【００７０】
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。この時、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。このような絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層がこれらのアルカリ金属カルコゲニド等で構成されていれば、電子注入性をさらに向上させることができる点で好ましい。具体的に、好ましいアルカリ金属カルコゲニドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ及びＮａ2Ｏが挙げられ、好ましいアルカリ土類金属カルコゲニドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、及びＣａＳｅが挙げられる。また、好ましいアルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ及びＮａＣｌ等が挙げられる。また、好ましいアルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2及びＢｅＦ2といったフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
また、電子輸送層を構成する半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎの少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。また、電子輸送層を構成する無機化合物が、微結晶又は非晶質の絶縁性薄膜であることが好ましい。電子輸送層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、より均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができる。なお、このような無機化合物としては、上述したアルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられる。【００７１】
次に、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、セシウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、Ａｌ／Ｌｉ2Ｏ、Ａｌ／ＬｉＯ2、Ａｌ／ＬｉＦ、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで、発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、さらに、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。【００７２】
また、一般に、有機ＥＬ素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。これらの混合物や積層物を用いてもよい。【００７３】
次に、本発明の有機ＥＬ素子を作製する方法については、例えば上記の材料及び方法により陽極、発光層、必要に応じて正孔注入層、及び必要に応じて電子注入層を形成し、最後に陰極を形成すればよい。また、陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に、陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例について説明する。
まず、適当な透光性基板上に、陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、蒸着法あるいはスパッタリング法により形成し、陽極とする。次に、この陽極上に正孔注入層を設ける。正孔注入層の形成は、前述したように真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔注入層の材料）、目的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。【００７４】
次に、この正孔注入層上に発光層を設ける。この発光層の形成も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により、発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔注入層の形成と同様な条件範囲の中から選択することができる。膜厚は１０〜４０ｎｍの範囲が好ましい。【００７５】
次に、この発光層上に電子注入層を設ける。この場合にも正孔注入層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔注入層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
そして、最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし、下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで、一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。【００７６】
本発明の有機ＥＬ素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に用いる、前記一般式（１）で示される化合物を含有する有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、ピンホール等の欠陥や、効率を良くするため、通常は数ｎｍから１μｍの範囲が好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
【実施例】
【００７７】
以下、本発明を実施例をもとに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。【００７８】
合成実施例１（ＡＮ−４の合成）
アルゴン雰囲気下、３，５−ジブロモヨードベンゼンとフェニルボロン酸から合成した３，５−ジブロモビフェニル２０ｇを無水ＴＨＦ２００ｍＬに溶解し、−７０℃に冷却した。１．６Ｍ−ノルマルブチルリチウムヘキサン溶液４２ｍＬを滴下し、３０分攪拌した。１，２−ジヨードエタン１９ｇを投入し、５時間攪拌した。一晩放置後、水、塩化メチレンを加え、更に亜硫酸水素ナトリウムを黒褐色の反応液が黄色になるまで添加した。有機層を抽出し、水、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することで、３−ブロモ−５−ヨードビフェニル１９．５ｇを無色オイルとして得た（収率８５％）。
アルゴン雰囲気下、得られた３−ブロモ−５−ヨードビフェニル１２ｇ、１−ナフタレンボロン酸５．７ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．１ｇをトルエン１００ｍＬに溶解し、更に２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液５５ｍＬを加えて、７時間加熱還流した。放冷後、有機層を抽出し、水、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、エバポレーターにて溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝５／１）にて精製することで、３−ブロモ−５−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル８．１ｇを白色固体として得た（収率６７％）。
アルゴン雰囲気下、得られた３−ブロモ−５−（ナフタレン−１−イル）ビフェニル７．６ｇ、既知の方法により得られた、１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−ボロン酸８ｇ、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．９５ｇを１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）８０ｍＬ及びトルエン１０ｍＬに溶解し、更に２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬを加えて、９．５時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−４）６．６ｇを白色固体として得た（収率５４％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ46Ｈ30＝５８２に対しｍ／ｚ＝５８２が得られたことから、この化合物をＡＮ−４と同定した。【００７９】
合成実施例２（ＡＮ−１０の合成）
合成実施例１において、１−ナフタレンボロン酸の代わりに２−ナフタレンボロン酸を用いた他は同様の操作を行い、目的の化合物（ＡＮ−１０）を白色固体として得た（収率５５％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ46Ｈ30＝５８２に対しｍ／ｚ＝５８２が得られたことから、この化合物をＡＮ−１０と同定した。【００８０】
合成実施例３（ＡＮ−１４の合成）
市販の２，６−ジブロモナフタレン１２ｇ、市販の３−ビフェニルボロン酸１１ｇ、及びトルエン１８０ｍＬを混合した。更にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム５．７ｇと２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液９０ｍＬを加え、アルゴン置換した。７．５時間加熱還流した後、放冷し、析出晶をろ別、トルエン抽出した。有機層を水、飽和食塩水にて洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。エバポレーターにて溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝５／１）にて精製することで、２−（ビフェニル−３−イル）−６−ブロモナフタレン７．８ｇを白色固体として得た（収率５１％）。
得られた２−（ビフェニル−３−イル）−６−ブロモナフタレン５．２ｇ、既知の方法により合成した３−（９−フェニルアントラセン−１０−イル）フェニルボロン酸６．４ｇ、ＤＭＥ６０ｍＬ、及びトルエン２０ｍＬを混合した。更にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．６７ｇと２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液６０ｍＬを加え、アルゴン置換した。１０時間加熱還流した後、放冷し、析出晶をろ別した。結晶を水、メタノールで洗浄した後、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−１４）７．０ｇを白色固体として得た（収率７４％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ52Ｈ34＝６５８に対しｍ／ｚ＝６５８が得られたことから、この化合物をＡＮ−１４と同定した。【００８１】
合成実施例４（ＡＮ−２２の合成）
既知の方法、もしくは２−ブロモ−６−ヨードナフタレンとフェニルボロン酸との反応により合成した２−ブロモ−６−フェニルナフタレン１２ｇに無水エーテル９０ｍＬ及び無水トルエン３０ｍＬを加え、アルゴン置換した。−４０℃に冷却し、１．６Ｍ−ノルマルブチルリチウムヘキサン溶液２９ｍＬを滴下し、一時間攪拌した。一旦−５℃まで昇温し、再び−４０℃に冷却した後、ボロン酸トリイソプロピルエステル２９ｍＬをエーテルに希釈し、滴下した。４時間攪拌した後、一晩放置した。１０％希塩酸にて酸性化した後、白色固体をろ別し、水、ヘキサンにて洗浄した。乾燥後の白色結晶重量は６．８ｇであった。ろ過母液を飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて溶媒を留去した。得られた淡黄色固体を塩化メチレンにて洗浄し、乾燥することで白色結晶３．１ｇを得た。先の白色結晶と合わせ、２−フェニルナフタレン−６−ボロン酸９．９ｇを得た（収率９４％）。
アルゴン雰囲気下、得られた２−フェニルナフタレン−６−ボロン酸６．５ｇと３−ブロモヨードベンゼン７．８ｇをトルエン１００ｍＬ及びＤＭＥ２０ｍＬに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．９５ｇを加えた。更に２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液５０ｍＬを加えて、8時間加熱還流した。一晩放置後、トルエン抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、エバポレーターにて溶媒を留去した。加熱トルエンに溶解し、再結晶を行うことで、２−（３−ブロモフェニル）−６−フェニルナフタレン６．７ｇを白色結晶として得た（収率７１％）。
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−(４−ナフタレン−１−イル−フェニル）アントラセン−９−ボロン酸６ｇ、上記方法により得られた２−（３−ブロモフェニル）−６−フェニルナフタレン５．１ｇをＤＭＥ８０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．５ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液２４ｍＬを加え、８時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−２２）５．８ｇを白色固体として得た（収率６２％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ52Ｈ34＝６５８に対しｍ／ｚ＝６５８が得られたことから、この化合物をＡＮ−２２と同定した。【００８２】
合成実施例５（ＡＮ−２３の合成）
既知の方法、もしくは１−ブロモ−４−ヨードナフタレンとフェニルボロン酸との反応により合成した１−ブロモ−４−フェニルナフタレン１４ｇに無水エーテル１３０ｍＬ及び無水トルエン５０ｍＬを加え、アルゴン置換した。−４０℃に冷却し、１．６Ｍ−ノルマルブチルリチウムヘキサン溶液３７ｍＬを滴下し、一時間攪拌した。一旦、−５℃まで昇温し、再び−４０℃に冷却した後、ボロン酸トリイソプロピルエステル３４ｍＬをエーテルに希釈し、滴下した。３．５時間攪拌した後、一晩放置した。１０％希塩酸にて酸性化した後、酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて溶媒を留去した。得られた白色固体を塩化メチレンにて洗浄し、乾燥することで１−フェニルナフタレン−４−ボロン酸１０ｇを白色結晶として得た（収率８０％）。
アルゴン雰囲気下、１−フェニルナフタレン−４−ボロン酸１１．６ｇと３−ブロモヨードベンゼン１４．５ｇをトルエン１６０ｍＬ及びＤＭＥ３０ｍＬに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．７９ｇを加えた。更に２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液９０ｍＬを加えて、8時間加熱還流した。一晩放置後、トルエン抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、エバポレーターにて溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝５／１）にて精製することで、１−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルナフタレン１０．４ｇを白色固体として得た（収率６２％）。
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−(４−ナフタレン−１−イル−フェニル）アントラセン−９−ボロン酸５．６ｇ、上記方法により得られた１−（３−ブロモフェニル）−４−フェニルナフタレン４．５ｇをＤＭＥ７０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．７ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬを加え、７時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−２３）６．７ｇを淡黄色固体として得た（収率８１％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ52Ｈ34＝６５８に対しｍ／ｚ＝６５８が得られたことから、この化合物をＡＮ−２３と同定した。【００８３】
合成実施例６（ＡＮ−２８の合成）
合成実施例４において、１０−(４−ナフタレン−１−イル−フェニル）アントラセン−９−ボロン酸の代わりに１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様の操作を行い、目的の化合物（ＡＮ−２８）を灰白色固体として得た（収率７９％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ46Ｈ30＝５８２に対しｍ／ｚ＝５８２が得られたことから、この化合物をＡＮ−２８と同定した。【００８４】
合成実施例７（ＡＮ−３２の合成）
２，６−ジブロモナフタレン、もしくは２−ブロモ−６−ヨードナフタレンと１−ナフタレンボロン酸との反応により合成した２−ブロモ−６−（ナフタレン−１−イル）ナフタレン５．４ｇに無水エーテル２０ｍＬ及び無水トルエン３０ｍＬを加え、アルゴン置換した。−３０℃に冷却し、１．６Ｍ−ノルマルブチルリチウムヘキサン溶液１１ｍＬを滴下し、一時間攪拌した。一旦、−１０℃まで昇温した後、−７０℃に冷却し、ボロン酸トリイソプロピルエステル１１ｍＬをエーテルに希釈し、滴下した。３．５時間攪拌した後、一晩放置した。１０％希塩酸にて酸性化した後、エーテルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、エバポレーターにて溶媒を留去した。得られた白色固体を塩化メチレンにて洗浄し、乾燥することで２−（ナフタレン−１−イル）ナフタレン−６−ボロン酸３．２ｇを白色結晶として得た（収率６７％）。
アルゴン雰囲気下、２−（ナフタレン−１−イル）ナフタレン−６−ボロン酸３．２ｇと４−ブロモヨードベンゼン２．８ｇをトルエン３０ｍＬに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．２３ｇを加えた。更に２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液２８ｍＬを加えて、8．５時間加熱還流した。一晩放置後、トルエン抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、エバポレーターにて溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン＝）にて精製することで、２−（４−ブロモフェニル）−６−（ナフタレン−１−イル）ナフタレン３．６ｇを淡黄色固体として得た（収率８３％）。
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−ボロン酸４．６４ｇ、上記方法により得られた２−（４−ブロモフェニル）−６−（ナフタレン−１−イル）ナフタレン４．５５ｇをＤＭＥ４０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．２６ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液２５ｍＬを加え、８時間加熱還流した。析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄した後、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−３２）５．０ｇを灰白色固体として得た（収率７１％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ50Ｈ32＝６３２に対しｍ／ｚ＝６３２が得られたことから、この化合物をＡＮ−３２と同定した。【００８５】
合成実施例８（ＡＮ−４９の合成）
市販の３−ブロモヨードベンゼン１１ｇ、市販の３−ビフェニルボロン酸８．７ｇ、及びトルエン１３０ｍＬを混合した。更にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．９ｇと２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液７５ｍＬを加え、アルゴン置換した。８時間加熱還流した後、放冷し、析出晶をろ別、トルエン抽出した。有機層を水、飽和食塩水にて洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。エバポレーターにて溶媒を留去した後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することで、３−ブロモ−ｍ−ターフェニル１１．８ｇを白色固体として得た（収率９６％）。
得られた３−ブロモ−ｍ−ターフェニル５．１ｇ、既知の方法により合成した１０−（フェナントレン−９−イル）アントラセン−９−ボロン酸７．９ｇ、ＤＭＥ５２ｍＬを混合した。更にテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．９５ｇと２Ｍ-炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬを加え、アルゴン置換した。７．５時間加熱還流した後、放冷し、析出晶をろ別した。結晶を水、メタノールで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／トルエン＝４／１）にて精製することで、目的の化合物（ＡＮ−４９）８．６ｇを白色固体として得た（収率９０％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ46Ｈ30＝５８２に対しｍ／ｚ＝５８２が得られたことから、この化合物をＡＮ−４９と同定した。【００８６】
合成実施例９（ＡＮ−５２の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−（６−フェニルナフタレン−２−イル）アントラセン−９−ボロン酸１１ｇ、市販の３−ブロモビフェニル５．７ｇをＤＭＥ８０ｍＬ、及びトルエン２０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム１．１３ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液４５ｍＬを加え、９時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄した後、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−５２）６．１ｇを淡黄色固体として得た（収率４７％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ42Ｈ28＝５３２に対しｍ／ｚ＝５３２が得られたことから、この化合物をＡＮ−５２と同定した。【００８７】
合成実施例１０（ＡＮ−５３の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−（６−フェニルナフタレン−２−イル）アントラセン−９−ボロン酸８．４ｇ、２−（３−ブロモフェニル）ナフタレン５．３５ｇをＤＭＥ８０ｍＬ、及びトルエン３０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．８７ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液４０ｍＬを加え、９時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄した後、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−５３）６．９ｇを淡黄色固体として得た（収率６３％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ46Ｈ30＝５８２に対しｍ／ｚ＝５８２が得られたことから、この化合物をＡＮ−５３と同定した。【００８８】
合成実施例１１（ＡＮ−８５の合成）
アルゴン雰囲気下、合成実験例４で得られた２−フェニルナフタレン−６−ボロン酸８ｇと４−ブロモ−３'−ヨードビフェニル１１．６ｇをトルエン１５０ｍＬに溶解し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．７５ｇを加えた。更に２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液４９ｍＬを加えて、8時間加熱還流した。一晩放置後、トルエン抽出し、飽和食塩水で洗浄した後、エバポレーターにて溶媒を留去した。加熱トルエンに溶解し、再結晶を行うことで、４−ブロモ−３'−（４−フェニルナフタレン−１イル）ビフェニル９．３ｇを白色結晶として得た（収率６６％）。
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−９−ボロン酸６．２ｇ、上記方法により得られた４−ブロモ−３'−（４−フェニルナフタレン−１−イル）ビフェニル７ｇをＤＭＥ１００ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．３８ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液２５ｍＬを加え、８時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−８５）６．７ｇをベージュ色固体として得た（収率６３％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ52Ｈ34＝６５８に対しｍ／ｚ＝６５８が得られたことから、この化合物をＡＮ−８５と同定した。【００８９】
合成実施例１２（ＡＮ−８９の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−(３−（ナフタレン−２−イル）フェニル）アントラセン−９−ボロン酸９．２ｇ、２，６−ジブロモナフタレンと２−ナフタレンボロン酸より既知の方法により得られた２−ブロモ−６−（ナフタレン−２−イル）ナフタレン６ｇをＤＭＥ１５０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．４２ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液２７ｍＬを加え、８時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−８９）７．２ｇを淡黄色固体として得た（収率６３％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ50Ｈ32＝６３２に対しｍ／ｚ＝６３２が得られたことから、この化合物をＡＮ−８９と同定した。【００９０】
合成実施例１３（ＡＮ−９２の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた３−（９−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−１０−イル）フェニルボロン酸８．４ｇ、２−ブロモ−６−（ナフタレン−２−イル）ナフタレン６ｇをＤＭＥ１５０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．４２ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液２７ｍＬを加え、８時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−９２）６．７ｇを淡黄色固体として得た（収率５８％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ50Ｈ32＝６３２に対しｍ／ｚ＝６３２が得られたことから、この化合物をＡＮ−９２と同定した。【００９１】
合成実施例１４（ＡＮ−９５の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた１０−(３−（ナフタレン−２−イル）フェニル）アントラセン−９−ボロン酸９．９ｇ、２−ブロモ−６−（３−ビフェニル）ナフタレン７ｇをＤＭＥ１５０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．４５ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液３０ｍＬを加え、７．５時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−９５）７．２ｇを淡黄色固体として得た（収率５６％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ52Ｈ34＝６５８に対しｍ／ｚ＝６５８が得られたことから、この化合物をＡＮ−９５と同定した。【００９２】
合成実施例１５（ＡＮ−９６の合成）
合成実施例１４において、１０−(３−（ナフタレン−２−イル）フェニル）アントラセン−９−ボロン酸の代わりに１０−(４−（ナフタレン−１−イル）フェニル）アントラセン−９−ボロン酸を用いた他は同様の操作を行い、目的の化合物（ＡＮ−９６）をクリーム色固体として得た（収率６１％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ52Ｈ34＝６５８に対しｍ／ｚ＝６５８が得られたことから、この化合物をＡＮ−９６と同定した。【００９３】
合成実施例１６（ＡＮ−９９の合成）
アルゴン雰囲気下、既知の方法により得られた４−（９−（ナフタレン−２−イル）アントラセン−１０−イル）フェニルボロン酸９．８ｇ、１，４−ジブロモナフタレンと２−ナフタレンボロン酸より既知の方法により得られた１−ブロモ−４−（ナフタレン−２−イル）ナフタレン７ｇをＤＭＥ１５０ｍＬに分散し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．４９ｇ、及び２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液３２ｍＬを加え、８時間加熱還流した。一晩放置後、析出晶をろ別し、水、メタノールで洗浄、加熱トルエンで洗浄することで、目的の化合物（ＡＮ−９９）７．６ｇを淡黄色固体として得た（収率５７％）。得られた化合物のＦＤ−ＭＳ（フィールドディソープションマス分析）を測定したところ、Ｃ50Ｈ32＝６３２に対しｍ／ｚ＝６３２が得られたことから、この化合物をＡＮ−９９と同定した。【００９４】
実施例１  （ＡＮ-１０の評価）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の面上に前記透明電極を覆うようにして膜厚６０ｎｍのＮ，Ｎ’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル膜（以下「ＴＰＤ２３２膜」と略記する。）を成膜した。このＴＰＤ２３２膜は、正孔注入層として機能する。ＴＰＤ２３２膜の成膜に続けて、このＴＰＤ２３２膜上に膜厚２０ｎｍのＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（４−ビフェニル）−ジアミノビフェニレン層 以下「ＴＢＤＢ層」を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。さらに膜厚４０ｎｍのＡＮ−１０を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のスチリル基を有するアミン化合物ＢＤ１をＡＮ−１０に対し、重量比ＡＮ−１０：ＢＤ１＝４０：２で蒸着した。この膜は、発光層として機能する。この膜上に膜厚1０ｎｍのＡｌｑ膜を成膜した。これは、電子注入層として機能する。この後還元性ト゛ーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜（膜厚１０nｍ）を形成した。このＡｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させ金属陰極を形成し有機ＥＬ発光素子を形成した。この素子に通電試験を行ったところ、電圧 ６．９３Ｖ、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2にて６６０ｃｄ／ｍ2の青色発光が得られた。初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2にしてこの有機ＥＬ素子の半減寿命を測定した結果を表１に示す。また、ホスト材料であるＡＮ−１０のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。
【化２７】
2006104044.tif 000028
【００９５】
実施例２〜６
発光層の材料としてＡＮ−１０の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は実施例１と全く同様に有機ＥＬ素子を作製した。初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2にしてこの有機ＥＬ素子の半減寿命を測定した結果を表１に示す。また、各ホスト材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。【００９６】
実施例７
実施例１において発光層の材料として、アミン化合物ＢＤ１の代わりにアミン化合物ＢＤ２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様にして半減寿命を測定した。それらの結果を表１に示す。また、ホスト材料であるＡＮ−１０のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。
【化２８】
2006104044.tif 000029
【００９７】
実施例８
実施例１において発光層の材料として、アミン化合物ＢＤ１の代わりにアミン化合物ＢＤ３を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様にして半減寿命を測定した。それらの結果を表１に示す。また、ホスト材料であるＡＮ−１０のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。
【化２９】
2006104044.tif 000030
【００９８】
実施例９〜１４
発光層の材料としてＡＮ−１０の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は実施例１と全く同様に有機ＥＬ素子を作製した。初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2にしてこの有機ＥＬ素子の半減寿命を測定した結果を表１に示す。また、各ホスト材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。【００９９】
比較例１〜１０
発光層の材料としてＡＮ−１０の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は実施例１と全く同様に有機ＥＬ素子を作製した。初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2にしてこの有機ＥＬ素子の半減寿命を測定した結果を表１に示す。また、各ホスト材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。【０１００】
比較例１１
発光層の材料としてＡＮ-１０の代わりにａｎ-３を、アミン化合物ＢＤ１の代わりにアミン化合物ＢＤ２を用いた以外は実施例１と全く同様に有機ＥＬ素子を作製した。初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2にしてこの有機ＥＬ素子の半減寿命を測定した結果を表１に示す。また、ホスト材料である ａｎ−３のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。【０１０１】
比較例１２
発光層の材料としてＡＮ−１０の代わりにａｎ‐１１を用いた以外は実施例１と全く同様に有機ＥＬ素子を作製した。初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ2にしてこの有機ＥＬ素子の半減寿命を測定した結果を表１に示す。また、各ホスト材料のガラス転移温度（Ｔｇ）を表１に示す。【０１０２】
比較例で用いた化合物の化学構造は下記に示すとおりである。
【化３０】
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【０１０３】
【表１】
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【０１０４】
比較例に記載の化合物ａｎ−３、ａｎ−９を用いた有機ＥＬ素子は長寿命であるが、ガラス転移温度が低い。これらの化合物に芳香族炭化水素基を導入した化合物ａｎ−１、ａｎ−２、及びａｎ−１０はガラス転移温度が向上するが、寿命が大きく低下した。一方、芳香族炭化水素基を導入する部位を工夫した例示化合物ＡＮ−１０、ＡＮ−５２、及びＡＮ−５３はガラス転移温度を向上しつつ、更なる長寿命化が達成された。
また、比較例に記載の化合物ａｎ−５はガラス転移温度が高く、比較的長寿命であるが、ガラス転移温度を更に向上すべく芳香族炭化水素基を導入した化合物ａｎ−６、ａｎ−７では、ガラス転移温度が向上したものの、寿命が大きく低下した。一方、芳香族炭化水素基を導入する部位を工夫した例示化合物ＡＮ−３２はガラス転移温度が大きく向上し、更なる長寿命化が達成された。また、ＡＮ−３２は比較例に記載のａｎ−８と比較しても、長寿命である。
更に比較例に記載の化合物ａｎ−４に芳香族炭化水素基を導入した化合物ＡＮ−２３、及びその類縁体ＡＮ−２２もガラス転移温度が大きく向上し、長寿命であった。
本発明者らはガラス転移温度（Ｔｇ）を高める為に有効である芳香族基の導入に関して、導入部位を鋭意検討した結果、下記に示す部位へ導入した場合にのみ素子寿命を保持しつつガラス転移温度を向上することが可能であり、下記に示した部位以外へ導入した場合はガラス転移温度は向上するものの、素子寿命が大きく短寿命化することを見出した。
（ａ）一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＡｒ2に一つ以上の芳香族炭化水素基、又は芳香族複素環基を導入した時、すなわち（ｑ＝ｒ＝０、かつＹが水素原子）ではない時
（ｂ）一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるＡｒ2へ上記芳香族基を導入しない時、すなわち（ｑ＝ｒ＝０、かつＹが水素原子）である時は、次の場合に限られる。
ア．一般式（ＩＩ）においてｓ≠０、又はＺが水素原子ではない。
イ．一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）においてｐ≠０、又はＸが水素原子ではない。
これらの結果から判るように本発明のアントリルアリーレン誘導体は従来技術に比べて、高ガラス転移温度であり長寿命である。
【産業上の利用可能性】
【０１０５】
以上詳細に説明したように、本発明の有機ＥＬ素子に用いられる発光材料は、十分なガラス転移温度を有するアントリルアリーレン誘導体であって、本発明のアントリルアリーレン誘導体を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が高く、長寿命である。このため、本発明の有機ＥＬ素子は、実用性が高く、壁掛テレビ等の平面発光体やディスプレイのバックライト等の光源として有用である。有機ＥＬ素子、正孔注入・輸送材料、さらには電子写真感光体や有機半導体の電荷輸送材料としても用いることができる。
【国際調査報告】
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