(57)【要約】【課題】１回の写真製版で、透過表示領域の柱状スペーサの高さと、反射表示領域の柱状スペーサの高さとを同じにすることが可能な液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、透過表示領域１と反射表示領域２とが設けられたＣＦ基板６０を備える液晶表示パネルの製造方法であって、（ａ）透過表示領域１のＣＦ基板６０上に段差樹脂６４を離散させて形成する工程と、（ｂ）反射表示領域２のＣＦ基板６０上に段差樹脂６８を連続させて形成する工程とを備える。そして、（ｃ）段差樹脂６４，６８上に感光性樹脂膜を形成する工程と、（ｄ）感光性樹脂膜を写真製版して、段差樹脂６４，６８上に柱状スペーサ６７，６９を形成する工程とを備える。工程（ｄ）において、反射表示領域２における写真製版の露光量を、透過表示領域１における写真製版の露光量よりも小さくする。【選択図】図１
2009300636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板を備える液晶表示パネルの製造方法であって、
（ａ）前記透過表示領域の前記基板上に第１の樹脂膜を離散させて形成する工程と、
（ｂ）前記反射表示領域の前記基板上に第２の樹脂膜を連続させて形成する工程と、
（ｃ）前記第１，第２の樹脂膜上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
（ｄ）前記感光性樹脂膜を写真製版して、前記第１，第２の樹脂膜上に第１，第２の柱状スペーサを形成する工程とを備え、
前記工程（ｄ）において、
前記反射表示領域における前記写真製版の露光量を、前記透過表示領域における前記写真製版の露光量よりも小さくする、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板を備える液晶表示パネルの製造方法であって、
（ａ）前記透過表示領域の前記基板上に第１の樹脂膜を離散させて形成する工程と、
（ｂ）前記反射表示領域の前記基板上に第２の樹脂膜を連続させて形成する工程と、
（ｃ）前記第１，第２の樹脂膜上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
（ｄ）前記感光性樹脂膜を写真製版して、前記第１，第２の樹脂膜上に第１，第２の柱状スペーサを形成する工程とを備え、
前記工程（ｄ）において、
前記反射表示領域に形成される前記第２の柱状スペーサの径を、前記透過表示領域に形成される前記第１の柱状スペーサの径よりも小さくし、
（ｅ）別の基板を前記基板に対して前記第１，第２の柱状スペーサ側に配置し、前記基板および前記別の基板のいずれか一方の基板を他方の基板側に押圧して、前記第２の柱状スペーサを収縮させる工程をさらに備える、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板を備える液晶表示パネルの製造方法であって、
（ａ）前記透過表示領域の前記基板上に第１の樹脂膜を離散させて形成する工程と、
（ｂ）前記反射表示領域の前記基板上に第２の樹脂膜を連続させて形成する工程と、
（ｃ）前記第１，第２の樹脂膜上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
（ｄ）前記感光性樹脂膜を写真製版して、前記第１，第２の樹脂膜上に第１，第２の柱状スペーサを形成する工程とを備え、
前記工程（ｄ）において、
前記反射表示領域に形成される前記第２の柱状スペーサの単位面積当たりの個数を、前記透過表示領域に形成される前記第１の柱状スペーサの単位面積当たりの個数よりも少なくし、
（ｅ）別の基板を前記基板に対して前記第１，第２の柱状スペーサ側に配置し、前記基板および前記別の基板のいずれか一方の基板を他方の基板側に押圧して、前記第２の柱状スペーサを収縮させる工程をさらに備える、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項４】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板を備える液晶表示パネルの製造方法であって、
（ａ）前記透過表示領域の前記基板上に第１の樹脂膜を離散させて形成する工程と、
（ｂ）前記反射表示領域の前記基板上に第２の樹脂膜を連続させて形成する工程と、
（ｃ）前記第１，第２の樹脂膜上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
（ｄ）前記感光性樹脂膜を写真製版して、前記第１，第２の樹脂膜上に第１，第２の柱状スペーサを形成する工程とを備え、
前記工程（ａ）において、
前記第２の樹脂膜を、前記反射表示領域内の前記第２の柱状スペーサが形成される周辺の領域を避けて形成する、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項５】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板を備える液晶表示パネルの製造方法であって、
（ａ）前記透過表示領域の前記基板上に第１の樹脂膜を離散させて形成する工程と、
（ｂ）前記反射表示領域の前記基板上に第２の樹脂膜を連続させて形成する工程と、
（ｃ）前記第１，第２の樹脂膜上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
（ｄ）前記感光性樹脂膜を写真製版して、前記第１，第２の樹脂膜上に第１，第２の柱状スペーサを形成する工程とを備え、
前記工程（ａ）において、
前記第１の樹脂膜を、前記透過表示領域内の前記第１の柱状スペーサが形成される周辺の領域にも形成する、
液晶表示パネルの製造方法。
【請求項６】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板と、
前記透過表示領域の前記基板上に離散させて形成された第１の樹脂膜と、
前記反射表示領域の前記基板上に連続させて形成された第２の樹脂膜と、
前記第１，第２の樹脂膜上に形成された第１，第２の柱状スペーサとを備え、
前記反射表示領域に形成される前記第２の柱状スペーサの単位面積当たりの個数は、前記透過表示領域に形成される前記第１の柱状スペーサの単位面積当たりの個数よりも少ない、
液晶表示パネル。
【請求項７】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板と、
前記透過表示領域の前記基板上に離散させて形成された第１の樹脂膜と、
前記反射表示領域の前記基板上に連続させて形成された第２の樹脂膜と、
前記第１，第２の樹脂膜上に形成された第１，第２の柱状スペーサとを備え、
前記第２の樹脂膜は、前記反射表示領域内の前記第２の柱状スペーサが形成された周辺の領域を避けて形成されている、
液晶表示パネル。
【請求項８】
透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板と、
前記透過表示領域の前記基板上に離散させて形成された第１の樹脂膜と、
前記反射表示領域の前記基板上に連続させて形成された第２の樹脂膜と、
前記第１，第２の樹脂膜上に形成された第１，第２の柱状スペーサとを備え、
前記第１の樹脂膜は、前記透過表示領域内の前記第１の柱状スペーサが形成された周辺の領域にも形成されている、
液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルおよびその製造方法に関する発明であって、特に、透過表示を行う領域と、反射表示を行う領域とが一つの表示画面内に設けられた液晶表示パネルおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置には、一般的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）の駆動によるアクティブマトリクス駆動方式を用いた液晶表示パネルが広く用いられている。この液晶表示パネルは、アレイ基板と、当該基板に対向して配置される対向基板とを備える。アレイ基板上には、多数の画素電極、これらをスイッチング制御するＴＦＴ、ＴＦＴに接続されて画像信号や走査信号を供給するデータ線および走査線、その他配線が設けられる。対向基板上には、カラー表示を行うためのカラーフィルタ（色材）と、対向電極とが設けられる。液晶表示パネルの動作時には、画素ごとに画素電極と対向電極との間に駆動電圧を印加し、その駆動電圧により画素部分の液晶の配向状態を変化させて、表示動作を行うように構成されている。
【０００３】
液晶表示パネルにおいて、液晶層の厚み、すなわち、パネルギャップは、上述の液晶表示装置の光学性能を左右する重要なパラメータである。このパネルギャップを必要な適正な値に保つための手段として、例えば、感光性樹脂膜を写真製版して形成される微小な突起、例えば、柱状スペーサを設けることが広く用いられている。
【０００４】
以上のような液晶表示装置には、液晶表示パネル背面にバックライトを用いて表示を行う透過型液晶表示装置のほか、液晶表示パネル内もしくは外側に反射板を有し、外光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置がある。また、透過表示を行う透過表示領域と、反射表示を行う反射表示領域とを、一つの液晶表示パネル内に備える半透過型液晶表示装置の普及が広まってきている。この半透過型液晶表示装置は、明所では外光を用いた反射表示を行い、暗所ではバックライトから発せられる光源光を用いて透過表示を行う。
【０００５】
この半透過型液晶表示装置において、透過領域の透過光は、液晶層を１回通過するだけであるが、反射領域の反射光は、液晶層を入射時と出射時の２回通過する。透過および反射の両方の表示を適正に行うためには、電気光学物質層である液晶層の偏光特性を揃える必要がある。このため、表示用の光が通過する電気光学物質層の合計厚さを、透過領域と反射領域において揃える技術が提案されている。具体的には、反射領域における液晶層の厚さ、すなわち、パネルギャップが、透過領域におけるパネルギャップの約半分程度に設定される。
【０００６】
反射領域の液晶層の厚さを、透過領域の液晶層の厚さの約半分程度に設定する方法として、例えば、特許文献１に記載の発明がある。この発明では、対向基板の反射領域に透明樹脂を形成して、反射領域と透過領域との間に段差をつけている。また、この特許文献１には、液晶層の厚さを所定の値に保つために、その透明樹脂（以下、段差樹脂と記すこともある）の上に柱状スペーサを形成することが記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−０６９８２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、液晶表示パネル画面の半分に透過表示領域が形成され、残りの半分に反射表示領域が形成される液晶表示装置では、透過表示領域の段差樹脂は離散的に形成されるのに対し、反射表示領域の段差樹脂は連続的に形成される。この場合に、柱状スペーサとなる感光性樹脂膜を、透過表示領域および反射表示領域両方の段差樹脂上に塗布すると、段差樹脂が離散的に形成された透過表示領域では、段差樹脂が連続的に形成された反射表示領域よりも、感光性樹脂膜に表面張力が強く働く。そのため、透過表示領域の感光性樹脂膜の厚さは、反射表示領域の感光性樹脂膜の厚さよりも低くなる。このような感光性樹脂膜から柱状スペーサを形成した場合には、透過表示領域の柱状スペーサの高さは、反射表示領域の柱状スペーサの高さよりも低くなる。このように、柱状スペーサの高さが異なる結果、従来の液晶表示パネルでは、所望の透過表示特性および反射表示特性を得ることができないという問題があった。また、透過表示領域の柱状スペーサの高さを、反射表示領域の柱状スペーサの高さを等しくする対策は、通常、２回の写真製版が必要となるという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、１回の写真製版で、透過表示領域の柱状スペーサの高さと、反射表示領域の柱状スペーサの高さとを同じにすることが可能な液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、透過表示領域と反射表示領域とが設けられた基板を備える液晶表示パネルの製造方法であって、（ａ）前記透過表示領域の前記基板上に第１の樹脂膜を離散させて形成する工程と、（ｂ）前記反射表示領域の前記基板上に第２の樹脂膜を連続させて形成する工程とを備える。そして、（ｃ）前記第１，第２の樹脂膜上に感光性樹脂膜を形成する工程と、（ｄ）前記感光性樹脂膜を写真製版して、前記第１，第２の樹脂膜上に第１，第２の柱状スペーサを形成する工程とを備える。前記工程（ｄ）において、前記反射表示領域における前記写真製版の露光量を、前記透過表示領域における前記写真製版の露光量よりも小さくする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の液晶表示パネルの製造方法によれば、反射表示領域における写真製版の露光量を、透過表示領域における写真製版の露光量よりも小さくしている。これにより、反射表示領域の感光性樹脂膜は、透過表示領域の感光性樹脂膜よりも、現像液に対して溶解しやすくなるため、１回の写真製版で、反射表示領域の第２の柱状スペーサの高さを、透過表示領域の第１の柱状スペーサの高さと同じにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
＜実施の形態１＞
本実施の形態に係る液晶表示パネルについて説明する前に、本発明の前提となる液晶表示パネルを図１６を用いて説明する。図１６（ａ）は、１つの表示画素７ごとに透過領域１１と反射領域２１とが形成された液晶表示パネルの断面図である。図１６（ａ）に係る液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板４０と、ＣＦ（カラーフィルタ）基板６０と、段差樹脂７０と、柱状スペーサ７１とを備える。破線の矢印に示すように、透過領域１１では光を透過し、反射領域２１では光を反射する。図１６（ｂ）は、透過領域１１を含む透過表示領域１と、反射領域２１を含む反射表示領域２とが一つの表示画面内に設けられた液晶表示パネルの断面図である。
【００１３】
図１６（ｂ）に係る液晶表示パネルは、図１６（ａ）に係る液晶表示パネルと同様に、ＴＦＴアレイ基板４０と、ＣＦ基板６０と、段差樹脂６４，６８と、柱状スペーサ６７，６９とを備える。図１６（ｂ）に係る液晶表示パネルは、図１６（ａ）に係る液晶表示パネルと異なり、液晶表示パネルの半分に、透過領域１１を含む透過表示領域１が形成され、残りの半分に、反射領域２１を含む反射表示領域２が形成される。図１６（ａ）に係る液晶表示パネルでは、段差樹脂７０は、液晶表示パネルの画面全体において一様に形成されるため、柱状スペーサ７１の高さも液晶表示パネル面内でほぼ均一に揃えて形成される。それに対して、図１６（ｂ）に係る液晶表示パネルでは、透過表示領域１の段差樹脂６４は、ＣＦ基板６０上に離散させて形成され、反射表示領域２の段差樹脂６８は、ＣＦ基板６０上に連続させて形成されている。つまり、段差樹脂６４，６８の形状は、透過領域１１と反射領域２１とで互いに異なる。
【００１４】
柱状スペーサ６７，６９は、段差樹脂６４，６８のパターン形成後に、段差樹脂６４，６８上に形成される。この柱状スペーサ６７，６９の形成手順について説明する。まず、柱状スペーサ６７，６９を形成しようとするＣＦ基板６０上全てに、感光性樹脂膜を塗布する。感光性樹脂膜には、受光量が多くなるにつれて現像液に対して溶解しにくくなるものを用いる。そして、光学マスク（フォトマスク）を用いて柱状スペーサ６７，６９の形成が必要な部分に光を照射し、その後現像して不必要な部分の感光性樹脂膜を除去する。こうして、感光性樹脂膜からなる柱状スペーサ６７，６９が形成される。
【００１５】
ここで、ＣＦ基板６０上の段差樹脂６４，６８上に感光性樹脂膜を塗布する際、段差樹脂６４，６８の形状に応じて、感光性樹脂膜は表面張力を受けるため、段差樹脂６４，６８上の感光性樹脂膜の厚さが、透過表示領域１と反射表示領域２とで異なる。具体的には、離散して形成された段差樹脂６４上の感光性樹脂膜の膜厚は、連続して形成された段差樹脂６８上の感光性樹脂膜の膜厚よりも薄くなる。その結果、透過表示領域１に形成される柱状スペーサ６７の高さと、反射表示領域２に形成される柱状スペーサ６９の高さとが異なり、液晶表示パネルにおいて、所望の光学特性が得られないという問題があった。
【００１６】
本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法は、このような問題を解決することを目的としている。図１は、本実施の形態に係る製造方法により形成される液晶表示パネルについて、主要な構成を示す断面図である。本実施の形態に係る液晶表示パネルは、半透過型液晶表示装置に用いられる液晶表示パネルであり、透過表示領域１と反射表示領域２とが設けられた基板であるＣＦ基板６０を備える。図１に示すように、透過表示領域１は、光を透過させる透過領域１１を含み、反射表示領域２は、液晶層に入射した周囲光を反射させる反射領域２１を含む。本実施の形態に係る液晶表示パネルは、ＴＦＴアレイ基板４０と、反射画素電極５１と、透過画素電極５４と、上述のＣＦ基板６０と、段差樹脂６４，６８と、柱状スペーサ６７，６９とを備える。
【００１７】
透過表示領域１のＴＦＴアレイ基板４０上には透過画素電極５４が形成され、反射表示領域２のＴＦＴアレイ基板４０上には反射画素電極５１が形成されている。一方、ＣＦ基板６０上には、透過表示領域１および反射表示領域２両方に色材６３が形成されている。そして、透過表示領域１のＣＦ基板６０上には、例えば、透明樹脂からなる第１の樹脂膜である段差樹脂６４が、離散させて形成されている。段差樹脂６４上には、パネルギャップを形成するための第１の柱状スペーサである柱状スペーサ６７が形成されている。反射表示領域２のＣＦ基板６０上には、第２の樹脂膜である段差樹脂６８が全面に連続させて形成されている。段差樹脂６８上には、第２の柱状スペーサである柱状スペーサ６９が形成されている。
【００１８】
柱状スペーサ６７，６９の高さと、段差樹脂６４，６８の厚みは、透過領域１１および反射領域２１の表示光学特性に必要な最適な値に設定される。その設定値は、ＴＦＴアレイ基板４０上の材質や、柱状スペーサ６７，６９の下地膜の材質によって異なり、デバイスごとに最適化された値が用いられる。ただし、透過領域１１における液晶層の厚みは、応答速度の特性上の観点から、厚くしない方が好ましい。また、反射領域２１における液晶層の厚みを厚くしすぎると、反射時の白表示が黄色味を帯びるため、厚くしない方が好ましい。また、一般的な半透過型表示装置の液晶表示パネルでは、反射領域２１における液晶層の厚みは、透過領域１１における液晶層の厚みの約１／２に設定される。以上のことから、反射領域２１における液晶層の厚みは、１〜３μｍ程度が望ましい。本実施の形態では、反射領域２１における液晶層の厚みは２μｍであり、柱状スペーサ６７，６９の高さは２．２μｍである。また、本字嫉視の形態では、透過領域１１における液晶層の厚みは３．８μｍであり、段差樹脂６４，６８の厚さは２．０μｍである。
【００１９】
図２は、透過表示領域１の詳細な構成を示す断面図である。図２に示すように、透過表示領域１は、透過領域１１に加えて、ゲート端子部が形成されるゲート端子領域１３と、ソース端子部が形成されるソース端子領域１４と、Ｓ／Ｇクロス領域１５と、ＴＦＴ領域１６とを含む。Ｓ／Ｇクロス領域１５は、ゲート配線４２とソース配線５０が交差する領域である。本実施の形態では、Ｓ／Ｇクロス領域１５において、ソース配線５０は、ゲート配線４２上に、第１の絶縁膜４４、半導体能動膜４５、オーミックコンタクト膜４６を介して形成される。
【００２０】
ＴＦＴ領域１６のＴＦＴアレイ基板４０上には、ゲート電極４１、第１の絶縁膜４４、半導体能動膜４５、オーミックコンタクト膜４６、ソース電極４８、ドレイン電極４９からなるスイッチング素子であるＴＦＴが形成される。透過表示領域１のＣＦ基板６０上には、段差樹脂６４が離散して形成されている。
【００２１】
図３は、反射表示領域２の詳細な構成を示す断面図である。図３に示すように、反射表示領域２は、反射領域２１に加えて、ゲート端子部が形成されるゲート端子領域２３と、ソース端子部が形成されるソース端子領域２４と、Ｓ／Ｇクロス領域２５と、ＴＦＴ領域２６とを含む。図２に係る透過表示領域１のＣＦ基板６０上には、段差樹脂６４が離散して形成されていたが、それとは異なり、図３に係る反射表示領域２のＣＦ基板６０上には、段差樹脂６８が連続して形成されている。
【００２２】
一方、図３に係る反射表示領域２のＴＦＴアレイ基板４０上の構造と、図２に係る透過表示領域１のＴＦＴアレイ基板４０上の構造とは、多くの点で共通している。そこで、ゲート端子領域１３，２３、ソース端子領域１４，２４、Ｓ／Ｇクロス領域１５，２５、ＴＦＴ領域１６，２６それぞれを、透過表示領域１と反射表示領域２とで区別しない場合には、符号をまとめて、ゲート端子領域３、ソース端子領域４、Ｓ／Ｇクロス領域５、ＴＦＴ領域６と記すこともある。
【００２３】
次に、透過表示領域１と反射表示領域２とが設けられたＣＦ基板６０を備える液晶表示パネルの製造方法を、ＴＦＴアレイ基板４０側と、ＣＦ基板６０側とに分けて説明する。まず、ＴＦＴアレイ基板４０側の製造方法を図４および図５を用いて説明する。図４および図５は、透過表示領域１および反射表示領域２における製造工程を同時に説明するために、ゲート端子領域３、ソース端子領域４、Ｓ／Ｇクロス領域５、ＴＦＴ領域６、反射領域２１、透過領域１１を仮想的に並べた断面図である。
【００２４】
最初に、図４（ａ）に係る工程について説明する。なお、ゲート端子領域３、ソース端子領域４の製造工程については、説明を省略する。まず、図４（ａ）に係るＴＦＴアレイ基板４０を準備する。このＴＦＴアレイ基板４０は、透明絶縁基板、例えば、ガラス基板からなる。このＴＦＴアレイ基板４０の表面を洗浄して浄化する。その洗浄後、このＴＦＴアレイ基板４０上に、例えば、スパッタリング法を用いて、第１の導電膜を成膜する。この第１の導電膜には、例えば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはこれらを主成分とする合金からなる薄膜が該当する。本実施の形態では、第１の導電膜として、膜厚が４００ｎｍのクロム膜、または、膜厚が２５０ｎｍのアルミニウム合金膜を成膜する。
【００２５】
次に、ＴＦＴアレイ基板４０上に形成した第１の導電膜を、以下の第１の写真製版工程によりパターニングする。まず、第１の導電膜を形成したＴＦＴアレイ基板４０を洗浄した後に、感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所定のパターンのマスクを用いて露光する。そして、露光した感光性レジストを現像して、上述のマスクに基づくパターンが転写された感光性レジストを形成する。
【００２６】
それから、当該感光性レジストを加熱硬化した後に、第１の導電膜をエッチングして、第１の導電膜をパターニングする。この第１の導電膜のエッチングには、例えば、公知のエッチャントを用いたウェットエッチング法を用いる。仮に、第１の導電膜の材質がクロムである場合、そのエッチャントには、第二硝酸セリウムアンモニウムおよび硝酸が混合された水溶液を用いる。また、第１の導電膜のエッチングは、パターンの断面がテーパー形状を有する台形となるテーパーエッチングが好ましい。このようなエッチングを行うことにより、パターンエッジの段差部における絶縁膜のカバレッジが向上し、他の配線との短絡を防止することができる。第１の写真製版工程の最後として、第１の導電膜のパターニング後、感光性レジストを剥離する。
【００２７】
以上のような第１の写真製版工程により、第１の導電膜をパターニングすることにより、図４（ａ）に示すように、ＴＦＴ領域６のＴＦＴアレイ基板４０上にゲート電極４１を、Ｓ／Ｇクロス領域５のＴＦＴアレイ基板４０上にゲート配線４２を形成する。また、同工程により、反射領域２１のＴＦＴアレイ基板４０上に第１の補助容量電極４３を、透過領域１１のＴＦＴアレイ基板４０上に図示しない第２の補助容量電極、および、補助容量配線を形成する。ここで、第１の補助容量電極４３、図示しない第２の補助容量配線および補助容量配線は、バックライトからの光漏れを防止し、かつ、一定期間電圧を保持するために設けられる。第１の補助容量電極４３は、反射領域２１のほぼ全体のＴＦＴアレイ基板４０上に形成するが、図示しない第２の補助容量電極は、後述するソース配線５０と平行に、透過領域１１の一部のＴＦＴアレイ基板４０上に形成する。図示しない補助容量配線は、第１の補助容量電極４３と電気的に接続され、ソース配線５０に沿って形成される。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に係る工程について説明する。ゲート電極４１上、ゲート配線４２上、補助容量電極４３上、および、透過領域１１のＴＦＴアレイ基板４０上に、第１の絶縁膜４４、半導体能動膜４５、オーミックコンタクト膜４６を順に連続して積層する成膜を行う。これら成膜には、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いる。ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜４４には、ＳｉＮX膜、ＳｉＯY膜、ＳｉＯZＮW膜（Ｘ，Ｙ，Ｚ，Ｗ：化学量論組成を表す正数）のいずれかの単層膜、もしくは、これらを積層した多層膜が用いられる。
【００２９】
第１の絶縁膜４４の膜厚が薄い場合には、ゲート配線４２とソース配線５０とが交差するＳ／Ｇクロス領域で短絡が生じやすく、逆に厚い場合には、ＴＦＴ領域６のＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり、表示特性が低下する。このことから、本実施の形態では、ゲート電極４１などを形成する上述の第１の導電膜よりも、第１の絶縁膜４４を厚く形成するが、第１の絶縁膜４４は、その範囲内でなるべく薄く形成されるほうが好ましい。また、第１の絶縁膜４４は、例えば、ピンホールの発生による層間ショートを防止するために、複数回に分けて成膜することが好ましい。本実施の形態では、第１の絶縁膜４４として、膜厚が３００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜した後、その上に膜厚が１００ｎｍのＳｉＮ膜をさらに成膜することにより、膜厚が４００ｎｍのＳｉＮ膜を形成する。
【００３０】
第１の絶縁膜４４上に形成される半導体能動膜４５としては、例えば、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと記すこともある）膜、ポリシリコン（以下、ｐ−Ｓｉと記すこともある）膜を用いる。本実施の形態では、半導体能動膜４５の膜厚は、１５０ｎｍであるものとする。半導体能動膜４５上に形成されるオーミックコンタクト膜４６には、例えば、ａ−Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ型ａ−Ｓｉ膜、あるいは、ｎ型ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。本実施の形態では、オーミックコンタクト膜４６として、膜厚が３０ｎｍのｎ型ａ−Ｓｉ膜を形成する。
【００３１】
次に、第２の写真製版工程を行い、図４（ｂ）に示すように、ＴＦＴ領域１６のＴＦＴアレイ基板４０上に、半導体能動膜４５およびオーミックコンタクト膜４６を残すパターニングを行う。なお、本実施の形態では、半導体能動膜４５およびオーミックコンタクト膜４６を、ＴＦＴ領域６のＴＦＴが形成される部分のほかに、Ｓ／Ｇクロス領域５のゲート配線４２と、後の工程で形成されるソース配線５０との交差部（Ｓ／Ｇクロス部）や、ソース配線５０が形成される部分にも残存させる。これにより、耐電圧を大きくすることができる。なお、半導体能動膜４５およびオーミックコンタクト膜４６のエッチングには、公知のガス組成の混合ガス、例えば、ＳＦ6とＯ2との混合ガス、または、ＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いたドライエッチング法を用いる。こうして、ＴＦＴ領域６およびＳ／Ｇクロス領域５の第１の絶縁膜４４上に、半導体能動膜４５、オーミックコンタクト膜４６が残存する。
【００３２】
次に、図４（ｃ）に係る工程について説明する。まず、第１の絶縁膜４４上およびオーミックコンタクト膜４６上に、第１，第２の金属膜４７ａ，４７ｂからなる第２の導電膜４７を成膜する。第２の導電膜４７は、例えば、スパッタリング法を用いて形成される。第１の金属膜４７ａは、第１の絶縁膜４４およびオーミックコンタクト膜４６上に形成され、第２の金属膜４７ｂは、第１の金属膜４７ａに直接接触するように重ねて成膜される。
【００３３】
第１の金属膜４７ａには、例えば、クロム、モリブデン、タンタル、チタン、または、これらを主成分とする合金を用い、第２の金属膜４７ｂには、例えば、アルミニウム、銀（Ａｇ）、またはこれを主成分とする合金が用いられる。第２の導電膜４７から、ソース配線５０および反射画素電極５１が形成されるため、第２の導電膜４７は、配線抵抗および反射特性を考慮して構成される必要がある。特に反射特性を考慮して、第２の導電膜４７の少なくとも表面層には、光に対する反射率が高い反射特性を有する金属膜を用いる必要がある。本実施の形態では、第２の導電膜４７の第１の金属膜４７ａとして膜厚が１００ｎｍのクロム膜、第２の導電膜４７の第２の金属膜４７ｂとして膜厚が３００ｎｍのＡｌＣｕ膜を成膜する。
【００３４】
なお、後の工程で、第２の導電膜４７上には、第２の絶縁膜５２が形成され、その第２の絶縁膜５２にはコンタクトホール５３が形成される。さらに、その後の工程で、このコンタクトホール５３内の一部に、電気的接続を得るための透明な導電性薄膜が、第２の導電膜４７上と接して形成される。そのため、第２の導電膜４７には、表面酸化が生じにくい金属薄膜、または、酸化されても導電性を維持可能な金属薄膜を用いることが好ましい。また、本実施の形態のように、第２の導電膜４７としてＡｌ系の材料を用いる場合には、第２の導電膜４７表面に、例えば、窒化Ａｌ膜、または、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉなどの膜を形成して、表面酸化による導電性の劣化を防止することが望ましい。
【００３５】
次に、第３の写真製版工程により、第１，第２の金属膜４７ａ，４７ｂからなる第２の導電膜４７をパターニングする。そして、図４（ｃ）に示すように、ＴＦＴ領域６の第１の絶縁膜４４上およびオーミックコンタクト膜４６上に、ソース電極４８およびドレイン電極４９を形成する。また、同工程により、Ｓ／Ｇクロス領域５の第１の絶縁膜４４上およびオーミックコンタクト膜４６上に、ソース電極４８と接続されるソース配線５０を形成する。また、同工程により、反射領域２１の第１の絶縁膜４４上に、反射画素電極５１を形成する。
【００３６】
反射画素電極５１は、ＴＦＴ領域６のドレイン電極４９を反射領域２１に延設して形成される。こうして、本実施の形態では、ドレイン電極４９および反射画素電極５１は、第２の導電膜４７と同一層で連続して形成され、同一層内で互いに電気的に接続される。また、ソース電極４８、および、それと接続されるソース配線５０も、第２の導電膜４７により形成される。なお、同工程により、透過領域１１の第１の絶縁膜４４上に形成されていた第２の導電膜４７は除去される。第２の導電膜４７のエッチングは、例えば、公知のエッチャントを用いたウェットエッチング法を用いる。
【００３７】
上述の第３の写真製版工程の際に、後述するコンタクトホール５３が形成される部分において、ＡｌＣｕからなる第２の金属膜４７ｂを除去して、図示しないコンタクトエリアを形成してもよい。このコンタクトエリアの形成は、まず、除去すべき第２の金属膜４７ｂ上のフォトレジストの膜厚が薄く仕上がるように、例えば、ハーフトーン露光を用いる。オーミックコンタクト膜４６をドライエッチングした後、例えば、酸素プラズマを用いてレジストを減膜する処理を行うことで、上述で薄く仕上げたレジストのみ除去する。
【００３８】
このように、レジストをパターニングした後に、ＡｌＣｕからなる第２の金属膜４７ｂをウェットエッチングすることにより、図示しないコンタクトエリアが形成される。こうして、コンタクトホール５３内に形成されるコンタクトエリアにより、クロムからなる第１の金属膜４７ａは、後述する透過画素電極５４とコンタクトすることが可能となり、良好な導電率を持つコンタクト面を得ることができる。
【００３９】
第３の写真製版工程の後、図４（ｃ）に示すように、ＴＦＴ領域６のオーミックコンタクト膜４６の中央部をエッチング除去し、半導体能動膜４５を露出させる。オーミックコンタクト膜４６のエッチングには、公知のガス組成の混合ガス、例えば、ＳＦ6とＯ2との混合ガス、または、ＣＦ4とＯ2との混合ガスを用いたドライエッチング法を用いる。こうして、ＴＦＴ領域６のＴＦＴアレイ基板４０上には、ゲート電極４１、第１の絶縁膜４４、半導体能動膜４５、オーミックコンタクト膜４６、ソース電極４８、ドレイン電極４９からなるスイッチング素子であるＴＦＴが形成される。
【００４０】
図５は、図４（ｃ）後の工程を説明するための断面図である。次に、図５（ａ）に係る工程について説明する。なお、この図では、簡単のため、第２の導電膜４７、第１，第２の金属膜４７ａ，４７ｂの符号は省略する。まず、ソース電極４８上、ドレイン電極４９上、ソース配線５０上、反射画素電極５１上、および、透過領域１１の第１の絶縁膜４４上に、第２の絶縁膜５２を形成する。この第２の絶縁膜５２は、ソース電極４８とドレイン電極４９との間に形成されたトレンチ内にも形成される。第２の絶縁膜５２は、例えば、プラズマＣＶＤ法を用いて、第１の絶縁膜４４と同じ材質で形成される。この第２の絶縁膜５２の膜厚は、下層パターンのカバレッジを考慮して決めることが好ましい。本実施の形態では、第２の絶縁膜５２として、膜厚が２００ｎｍ〜３００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜する。
【００４１】
そして、図５（ａ）に示すように、第４の写真製版工程にて、反射領域２１の一部の第２の絶縁膜５２をエッチングして、コンタクトホール５３を形成する。第２の絶縁膜５２のエッチングは、例えば、公知のエッチャントを用いたウェットエッチング法、もしくは、公知のガス組成の混合ガスを用いたドライエッチング法を用いる。こうして、第２の絶縁膜５２が反射画素電極５１の一部のみを覆うように、第２の絶縁膜５２にコンタクトホール５３を形成する。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に係る工程について説明する。まず、透過領域１１の第２の絶縁膜５２上、および、コンタクトホール５３内の反射画素電極５１上に、透過率の高い導電膜（以下、透明導電膜と記すこともある）を形成する。本実施の形態では、この透明導電膜を、コンタクトホール５３を形成する第２の絶縁膜５２の側壁の一部を覆って形成する。そして、反射画素電極５１上に形成される透明導電膜は、透過領域１１の第２の絶縁膜５２上に形成される透明導電膜と互いに接続される。この透明導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成される。
【００４３】
透明導電膜の材質としては、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）、ＳｎＯ2を用いることができるが、特に、化学的安定性の観点からＩＴＯを用いることが望ましい。なお、透明導電膜に用いるＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ、または、アモルファスＩＴＯ（以下、ａ−ＩＴＯ）のいずれを用いてもよいが、ａ−ＩＴＯを用いた場合には、次に説明するパターニングを行った後、温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。本実施の形態では、透明導電膜として、膜厚が８０ｎｍのａ−ＩＴＯを成膜する。それから、図５（ｂ）に示すように、第５の写真製版工程にて透明導電膜をパターニングして、透過領域１１のＴＦＴアレイ基板４０上に透過画素電極５４を形成する。パターニング時のずれを考慮して、反射領域２１と透過領域１１との境界部において、透過画素電極５４を、第２の絶縁膜５２を介して反射画素電極５１と一部重ねて形成する。
【００４４】
以上により形成された透過画素電極５４は、コンタクトホール５３を形成する第２の絶縁膜５２の側壁の一部を覆った状態で、コンタクトホール５３内で反射画素電極５１と電気的に接続される。こうして、透過画素電極５４は、コンタクトホール５３を介して反射画素電極５１と電気的に接続され、その反射画素電極５１を介してドレイン電極４９と電気的に接続する。また、本実施の形態では、図示しないコントラスト低下防止電極が、反射画素電極５１とソース配線５０との間に設けられる。このコントラスト低下防止電極の材質は、例えば、上述の透明導電膜の材質と同一であり、透過画素電極５４と同時に形成される。本実施の形態では、コントラスト低下防止電極は、ソース配線５０に沿って、ほぼ平行に形成される。
【００４５】
以上は、ＴＦＴアレイ基板４０側の製造工程について説明したが、次に、図２および図３に係るＣＦ基板６０側の製造工程を、図６〜図８を用いて説明する。なお、透過表示領域１および反射表示領域２それぞれのＣＦ基板６０側の製造工程について説明するが、途中の工程まで同じである。そこで、以下、透過表示領域１および反射表示領域２に共通する製造工程については、図６を用いて同時に説明する。なお、図７は、透過表示領域１のＣＦ基板６０側の製造工程を示す断面図であり、図８は、反射表示領域２のＣＦ基板６０側の製造工程を示す断面図である。
【００４６】
まず、図６に係る工程について説明する。なお、この図６において、透過領域１１および反射領域２１を特に区別しない場合には、それらをまとめて、透過／反射領域３１と記すこともある。まず、図６（ａ）に係るＣＦ基板６０を準備する。このＣＦ基板６０は、透明絶縁基板、例えば、ガラス基板からなる。このＣＦ基板６０の表面を洗浄して浄化する。その洗浄後、このＣＦ基板６０上に、例えば、スパッタリング法やスピンコート法を用いて、遮光特性を有する膜６１を成膜する。そして、図６（ｂ）に示すように、遮光特性を有する膜６１をパターニングして、遮光膜６２を形成する。
【００４７】
具体的には、遮光特性を有する膜６１上に感光性レジストを塗布し、写真製版法により、露光、現像を行った後、その膜６１をエッチングしてパターンを形成する。こうして、本実施の形態では、遮光膜６２を形成する。なお、遮光特性を有する膜６１には、例えば、ＣＦ基板６０の外側からの見た目を黒くする多層構造の膜、例えば、酸化Ｃｒ膜や酸化Ｎｉ膜の多層構造の膜を用いる。本実施の形態では、遮光特性を有する膜６１として、膜厚が１５０ｎｍの酸化Ｃｒの多層膜を形成する。
【００４８】
次に、図６（ｃ）に係る工程について説明する。ＣＦ基板６０全面上に、例えば、スピンコート法を用いて色材６３を塗布する。そして、写真製版法により、露光、現像を行って、色材６３に所定のパターンを形成する。こうして、図６（ｃ）に示すように、ＴＦＴ領域６の一部の遮光膜６２上、および、透過／反射領域３１のＣＦ基板６０上に色材６３を残存させる。
【００４９】
次に、図７を用いて、透過表示領域１のＣＦ基板６０側の液晶表示パネルの製造工程を説明する。図７（ａ）に係る工程では、ＣＦ基板６０上に、例えば、スピンコート法を用いて、所望の厚さの透明樹脂膜を塗布し、露光、現像を行う。そして、図７（ａ）に示すように、本実施の形態では、透過表示領域１のＣＦ基板６０上に、第１の樹脂膜である段差樹脂６４を離散させて形成する。段差樹脂６４は、本実施の形態では、ゲート端子領域１３のＣＦ基板６０上においてのみ形成される。
【００５０】
次に、図７（ｂ）に示すように、遮光膜６２、および、色材６３上、そして、段差樹脂６４上に、透明電極６５を形成する。具体的には、遮光膜６２上、色材６３上、および、段差樹脂６４上に、例えば、マスクスパッタ法や、蒸着法を用いて、ＩＴＯ膜からなる透明電極６５を成膜する。本実施の形態では、マスクスパッタ法により、膜厚が１４５０オングストローム、つまり、０．１４５μｍの透明電極６５を形成する。それから、図７（ｃ）に示すように、透明電極６５を介して、段差樹脂６４上に感光性樹脂膜６６を形成する。この感光性樹脂膜６６は、透明樹脂からなり、例えば、スリット＆スピン法を用いて透明電極６５上に形成される。本実施の形態では、感光性樹脂膜６６として、受光量が多くなるにつれて、現像液に対して溶解しにくくなるＪＳＲ社製のＮＮ７８０を用いる。
【００５１】
図７（ｃ）の段差樹脂６４上には、他の部分の感光性樹脂膜６６の厚さと同じ厚さが点線で示されている。この点線で示されるように、透過表示領域１において、段差樹脂６４上の感光性樹脂膜６６は、他の部分よりも表面張力を強く受けるため、その厚さが、他の部分の厚さよりも薄くなる。この感光性樹脂膜６６を形成した後、図７（ｄ）に示すように、感光性樹脂膜６６を写真製版して、段差樹脂６４上に第１の柱状スペーサである柱状スペーサ６７を形成する。この工程については、後で詳しく説明する。
【００５２】
次に、図８を用いて、反射表示領域２のＣＦ基板６０側の液晶表示パネルの製造工程を説明する。本実施の形態では、この図８に係る工程は、図７に係る工程と同時に行う。図８（ａ）に係る工程では、ＣＦ基板６０上に、例えば、スピンコート法を用いて、所望の厚さの透明樹脂膜を塗布し、露光、現像を行う。そして、図８（ａ）に示すように、本実施の形態では、反射表示領域２のＣＦ基板６０上に、第２の樹脂膜である段差樹脂６８を連続させて形成する。段差樹脂６８は、本実施の形態では、ゲート端子領域２３のＣＦ基板６０上においてのみ形成される。
【００５３】
この段差樹脂６８は、透過領域１１および反射領域２１の液晶層の厚みを調整するためのものである。本実施の形態では、段差樹脂６８の膜厚は、透過領域１１の液晶層の厚さと、反射領域２１の液晶層の厚さとの差が２．０μｍとなるように設定する。次に、図８（ｂ）に示すように、遮光膜６２上、色材６３上、および、段差樹脂６８上に、図７（ｂ）に係る工程と同様にして、透明電極６５を形成する。それから、図８（ｃ）に示すように、透明電極６５を介して、段差樹脂６８上に感光性樹脂膜６６を形成する。この感光性樹脂膜６６は、図７（ｃ）に係る工程と同様に行われる。そして、図８（ｄ）に示すように、感光性樹脂膜６６を写真製版して、段差樹脂６８上に第２の柱状スペーサである柱状スペーサ６９を形成する。
【００５４】
ここで、図７（ｄ）および図８（ｄ）の写真製版工程に用いる写真製版マスク（フォトマスク）１００を図９に示す。このフォトマスク１００において、光を照射しない遮光部分１０１の透過率は、ほぼ０％である。それに対して、透過表示領域１の柱状スペーサ６７に対応する露光パターン１０２の透過率は、ほぼ１００％にする。そして、反射表示領域２の柱状スペーサ６９に対応する露光パターン１０３の透過率は、ほぼ７０％になるように、マスク開口部分の透過率を下げておく。このフォトマスク１００を用いることにより、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法では、図７（ｄ）および図８（ｄ）に係る工程において、反射表示領域２における写真製版の露光量を、透過表示領域１における写真製版の露光量よりも小さくしている。
【００５５】
図８（ｄ）の柱状スペーサ６９上に示される点線は、仮に、反射表示領域２における写真製版の露光量を、透過表示領域１における写真製版の露光量と同じにしたときに形成再生される柱状スペーサ６９を示している。本実施の形態では、透過表示領域１における写真製版の露光量を反射表示領域２に対して相対的に上げている。つまり、本実施の形態では、反射表示領域２における写真製版の露光量を透過表示領域１に対して相対的に下げているため、柱状スペーサ６９となる感光性樹脂膜６６は、現像液に対して溶解しやすくなる。
【００５６】
そのため、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、図８（ｄ）に示すように、柱状スペーサ６９の上端は、点線の位置よりも低くなる。こうして、反射表示領域２における柱状スペーサ６９の高さを低く補正することにより、その高さを透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さに等しくすることができる。なお、本実施の形態では、露光前の感光性樹脂膜６６の膜厚は、基板全面に塗布し、露光量を７０％にしたときの仕上がり膜厚が２．２μｍとなるように設定しておく。
【００５７】
その後の工程は、特に図示しないが、上述のようにして形成されたＴＦＴアレイ基板４０およびＣＦ基板６０は、その後のセル化工程において配向膜が塗布され、その配向膜は一定方向にラビング処理が施される。そして、両基板を貼り合わせるために、シール材が片側の基板に塗布される。シール材の塗布と同時に、両基板を電気的に接続するためのトランスファ電極も配置される。ＴＦＴアレイ基板４０およびＣＦ基板６０は、互いの配向膜が向き合うように重ね合わされ、位置合わせをした後に、シール材を硬化させて両基板を貼り合わせる。
【００５８】
ここで、シール材としては、例えば、熱硬化型エポキシ系樹脂や光硬化型アクリル系樹脂が用いられる。本実施の形態では、熱硬化型エポキシ系樹脂のシール材として、日本化薬社製のＭＰ−３９００を使用する。また、トランスファ電極の材料としては、例えば、銀ペーストやシール材中に混入する導電性粒子がある。本実施の形態では、トランスファ電極の材料として、Ａｕコーティングした径が５．０μｍのミクロパール（登録商標）を用いる。ＴＦＴアレイ基板４０とＣＦ基板６０とを貼り合せた後、両基板間に液晶を注入する。
【００５９】
ソース配線５０は、一方がＴＦＴ領域６のＴＦＴと接続され、他方が表示領域外の図示しないソース端子部と接続されている。ソース端子部は、例えば、異方性導電シートを介してテープキャリアパッケージの端子と接続され、テープキャリアパッケージ上に搭載されたソースドライバと接続される。また、ゲート配線４２は、一方がＴＦＴ領域６のＴＦＴと接続され、他方が表示領域外の図示しないゲート端子部と接続されている。ゲート端子部は、例えば、異方性導電シートを介してテープキャリアパッケージの端子と接続され、テープキャリアパッケージ上に搭載されたソースドライバと接続される。上述のようにして形成された液晶表示パネルの両面に偏光板を貼り付けた後、背面をバックライトユニットに取り付け、半透過型液晶表示装置が完成する。
【００６０】
こうして形成された液晶表示装置では、選択したゲート配線４２に接続されたＴＦＴ領域６のＴＦＴをＯＮ状態にし、ソース配線５０に供給される映像信号を反射画素電極５１、透過画素電極５４に印加する。このように、反射画素電極５１、透過画素電極５４に電圧を印加することにより、液晶分子の配向が制御されるので、当該液晶層を通過する光の透過率を制御することができ、その結果、所望の映像を表示することができる。
【００６１】
上述したように、本実施の形態に係る液晶表示装置は、透過領域１１と反射領域２１が設けられている。透過領域１１では、ＴＦＴアレイ基板４０の背面に設けたバックライトからの光が、ＣＦ基板６０の色材６３を介して着色されて表示面から出射される。一方、反射領域２１では、液晶表示パネル内に入射された外光が、ＣＦ基板６０の色材６３を通過し、反射画素電極５１で反射され、再びＣＦ基板６０の色材６３を通過して、液晶表示パネル外に出射される。
【００６２】
以上のように、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、反射表示領域２における写真製版の露光量を、透過表示領域１における写真製版の露光量よりも小さくしている。これにより、反射表示領域２の感光性樹脂膜６６は、透過表示領域１の感光性樹脂膜６６よりも、現像液に対して溶解しやすくなる。そのため、１回の写真製版で、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さを、透過表示領域１の表面張力により低くなった柱状スペーサ６７の高さと同じにすることができる。その結果、反射領域２１の液晶層の厚みを、透過領域１１の液晶層の厚みの約１／２となるように形成することができ、反射領域２１の表示特性と透過領域１１の表示特性とが揃うため、液晶表示画面全面に良好な表示特性が得られる。
【００６３】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、図７（ｄ）および図８（ｄ）で示した写真製版後に、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さと、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さとが等しくなるように、これら柱状スペーサ６７，６９の写真製版条件を調整した。本実施の形態に係る製造方法では、ＴＦＴアレイ基板４０と、ＣＦ基板６０とを貼り合わせる工程において、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さと、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さとを等しくする。図１０は、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法を説明するための断面図である。以下の実施の形態において、実施の形態１と同じ構成については、同じ符号を付すものとする。
【００６４】
まず、実施の形態１で示した図７（ｃ）および図８（ｃ）に係る工程まで、実施の形態１の工程と同じ工程を行う。そして、本実施の形態では、図１０（ａ）に示すように、柱状スペーサ６７，６９を形成する写真製版工程において、反射表示領域２に形成される柱状スペーサ６９の径を、透過表示領域１に形成される柱状スペーサ６７の径よりも小さくする。例えば、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の径Φが１５μｍに仕上がるときに、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の径Φが１０μｍに仕上がるように、写真製版フォトマスクを設計しておく。
【００６５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、別の基板であるＴＦＴアレイ基板４０をＣＦ基板６０に対して柱状スペーサ６７，６９側に配置する。そして、図１０（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板４０およびＣＦ基板６０のいずれか一方の基板を、他方の基板側に押圧して、反射表示領域２の柱状スペーサ６９を収縮させる。そして、ＴＦＴアレイ基板４０とＣＦ基板６０とを貼り合わせる。
【００６６】
図１０（ｃ）に係る工程において、一方の基板が透過表示領域１の柱状スペーサ６７に接する前に、柱状スペーサ６９を収縮するのに必要な力（以下、ｆ1）は、接した後に必要な力（以下、ｆ2）と異なる。このｆ1とｆ2の差は、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の径と、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の径が異なるほど大きくなる。そのため、上述の一方の基板が反射表示領域２の柱状スペーサ６９を収縮する力を、ｆ1とｆ2の間に調整すれば、柱状スペーサ６９の高さが、柱状スペーサ６７の高さと同じになる時点で、柱状スペーサ６９の収縮を停止させることができる。
【００６７】
こうして、以上のような本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、ＴＦＴアレイ基板４０とＣＦ基板６０とを貼り合わせる工程において、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さを、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さと同じにすることができる。
【００６８】
＜実施の形態３＞
本実施の形態に係る製造方法では、実施の形態２と同様、ＴＦＴアレイ基板４０と、ＣＦ基板６０とを貼り合わせる工程において、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さと、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さとを等しくする。図１１は、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法を説明するための断面図である。
【００６９】
まず、実施の形態１で示した図７（ｃ）および図８（ｃ）に係る工程まで、実施の形態１の工程と同じ工程を行う。そして、本実施の形態では、図１１（ａ）に示すように、柱状スペーサ６７，６９を形成する写真製版工程において、反射表示領域２に形成される柱状スペーサ６９の単位面積当たりの個数を、透過表示領域１に形成される柱状スペーサ６７の単位面積当たりの個数よりも少なくする。例えば、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の単位面積当たりの個数に相当する設置密度を、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の設置密度の約７０％にする。
【００７０】
次に、図１１（ｂ）に示すように、別の基板であるＴＦＴアレイ基板４０をＣＦ基板６０に対して柱状スペーサ６７，６９側に配置する。そして、図１１（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板４０およびＣＦ基板６０のいずれか一方の基板を、他方の基板側に押圧して、反射表示領域２の柱状スペーサ６９を収縮させる。それとともに、ＴＦＴアレイ基板４０とＣＦ基板６０とを貼り合わせる。
【００７１】
図１１（ｃ）に係る工程において、実施の形態２と同様、上述のｆ1とｆ2の差は、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の設置密度と、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の設置密度が異なるほど大きくなる。そのため、上述の一方の基板が反射表示領域２の柱状スペーサ６９を収縮する力を、ｆ1とｆ2の間に調整すれば、柱状スペーサ６９の高さが、柱状スペーサ６７の高さと同じになる時点で、柱状スペーサ６９の収縮を停止させることができる。
【００７２】
こうして、以上のような本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法によれば、ＴＦＴアレイ基板４０とＣＦ基板６０とを貼り合わせる工程において、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さを、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さと同じにすることができる。
【００７３】
＜実施の形態４＞
図１２は、図１６を用いて説明した前提となる発明の平面図を示す。上述したように、透過表示領域１で段差樹脂６４を形成する領域が、反射表示領域２で段差樹脂６８を形成する領域よりも少ない結果として、柱状スペーサ６７の高さは、柱状スペーサ６９の高さよりも低くなる。
【００７４】
そこで、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法では、図１３に示すように、段差樹脂６４，６８を形成する工程において、段差樹脂６８を、反射表示領域２内の柱状スペーサ６９が形成される周辺の領域７２を避けて形成する。本実施の形態では、この領域７２は、反射表示領域２のうち、透明電極６５が形成される領域以外に設けている。このように形成することにより、図８（ｃ）に示した反射表示領域２の感光性樹脂膜６６は、元の構造よりも受ける表面張力が大きくなるため、その厚さが薄くなる。こうして、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さを低くすることができる。
【００７５】
また、本実施の形態に係る液晶表示パネルの製造方法ではこれに限ったものではない。図１４に示すように、段差樹脂６４，６８を形成する工程において、段差樹脂６４を、透過表示領域１内の柱状スペーサ６７が形成される周辺の領域７３にも形成する。本実施の形態では、この領域７３は、透過表示領域１のうち、透明電極６５が形成される領域以外に設けている。このように形成することにより、図７（ｃ）に示した透過表示領域１の感光性樹脂膜６６は、元の構造よりも受ける表面張力が小さくなるため、その厚さが厚くなる。こうして、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さを高くすることができる。また、図１５に示すように、図１３に係る工程と、図１４に係る工程とを併用することにより、上述の効果をさらに得ることができる。
【００７６】
以上のような、液晶表示パネルの製造方法によれば、柱状スペーサ６７，６９の形成に用いるフォトマスクを調整しなくても、１回の写真製版で、反射表示領域２の柱状スペーサ６９の高さを、透過表示領域１の柱状スペーサ６７の高さと同じにすることができる。なお、以上の実施の形態１〜４で説明した液晶表示パネルの製造方法は、それぞれ独立して、柱状スペーサ６９の高さを、柱状スペーサ６７の高さと同じにすることができるが、それぞれの製造方法を互いに併用すれば、相乗的な効果を得ることが可能である。
【００７７】
例えば、実施の形態４の段差樹脂６４，６８の形状の変更のみを採用しても、柱状スペーサ６９の高さを、柱状スペーサ６７の高さと同じにすることができない場合には、実施の形態１〜３のいずれかをさらに併用してもよい。こうして併用した場合には、液晶表示パネルの全領域の柱状スペーサ６７，６９の高さを、均一にすることができる。また、例えば、実施の形態４を除く実施の形態１〜３をすべて併用してもよい。この場合、反射表示領域２の柱状スペーサ６９は、透過表示領域１の柱状スペーサ６７に比べて、径を小さく、かつ、配置密度を小さく、かつ、写真製版時の露光強度が少なくなるフォトマスクを用いる。この場合、一つのフォトマスクを用いるだけで、実施の形態１〜実施の形態３の製造方法を同時に行うことが可能となるため、柱状スペーサ６７，６９の高さを、より効果的に修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】実施の形態１に係る液晶表示パネルの主要な構成を示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示パネルの構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＴＦＴアレイ基板の構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＣＦ基板の構成を示す断面図である。
【図５】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＴＦＴアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】実施の形態１に係る液晶表示パネルのＣＦ基板の製造方法を示す断面図である。
【図１０】実施の形態２に係る液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。
【図１１】実施の形態３に係る液晶表示パネルの製造方法を示す断面図である。
【図１２】前提となる液晶表示パネルの構成を示す平面図である。
【図１３】実施の形態４に係る液晶表示パネルの構成を示す平面図である。
【図１４】実施の形態４に係る液晶表示パネルの構成を示す平面図である。
【図１５】実施の形態４に係る液晶表示パネルの構成を示す平面図である。
【図１６】前提となる液晶表示パネルの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  透過表示領域、２  反射表示領域、３，１３，２３  ゲート端子領域、４，１４，２４  ソース端子領域、５，１５，２５  Ｓ／Ｇクロス領域、６，１６，２６  ＴＦＴ領域、７  表示画素、１１  透過領域、２１  反射領域、３１  透過／反射領域、４０  ＴＦＴアレイ基板、４１  ゲート電極、４２  ゲート配線、４３  補助容量電極、４４  第１の絶縁膜、４５  半導体能動膜、４６  オーミックコンタクト膜、４７  第２の導電膜、４７ａ  第１の金属膜、４７ｂ  第２の金属膜、４８  ソース電極、４９  ドレイン電極、５０  ソース配線、５１  反射画素電極、５２  第２の絶縁膜、５３  コンタクトホール、５４  透過画素電極、６０  ＣＦ基板、６１  膜、６２  遮光膜、６３  色材、６４，６８，７０  段差樹脂、６５  透明電極、６６  感光性樹脂膜、６７，６９，７１  柱状スペーサ、７２，７３  領域、１００  フォトマスク、１０１  遮光部分、１０２，１０３  露光パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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