(57)【要約】  本発明の半導体装置の製造方法は、中継基板１１上に形成した電極パッド（端子）１７を覆うように耐熱シート３１を配置する工程と、中継基板と耐熱シート３１とを金型４１、４２で挟み込み、樹脂封止を行う工程とを有している。電極パッド（端子）１７を耐熱シートで覆って電極パッド（端子）１７を保護した上で、半導体素子１４を樹脂で封止することで、電極パッド（端子）１７に汚れが付着する不具合を生じることがない。このため、中継基板１１上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させることができる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
中継基板上に形成した電極端子を覆うように耐熱シートを配置する工程と、
金型で挟み込み前記中継基板上に搭載した半導体素子をシーリング材で封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記耐熱シートは、前記中継基板に接着される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記耐熱シートは、複数積層され、前記中継基板に当接する側が柔軟性を有している請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記耐熱シートは、前記シーリング材に封止された半導体素子に重ならないように前記耐熱シートを前記中継基板上に配置するための開口を有する請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記耐熱シートを配置した前記中継基板の裏面側にボール端子を取り付ける工程を有する請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記中継基板と前記耐熱シートとは、前記金型に設けたガイドピンに嵌合するガイドホールを有し、前記ガイドピンを前記ガイドホールに挿入することで前記中継基板と前記耐熱シートが前記金型に位置決めされる請求項１から５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金型は、前記シーリング材をキャビティ内に注入する通路の断面積よりも前記通路と前記キャビティとの境界の入口の断面積を小さく形成した請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記耐熱シートを前記中継基板上から取り除く工程を有する請求項１又は５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記電極端子は、前記中継基板上の前記半導体素子の配置領域以外のすべての領域に形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記シーリング材で封止された前記半導体素子上に他の半導体装置を積層する工程を有する請求項１から９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記シーリング材は、樹脂からなることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
シーリング材により封止された半導体素子と、
前記シーリング材に封止された前記半導体素子を搭載した中継基板と、
前記中継基板上の電極端子を覆う耐熱シートを使用して、前記半導体素子の封止を行うことで外形が成形される前記シーリング材とを有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板の片面のみを樹脂封止した構造を持つ半導体装置の製造方法およびその製造方法により製造された半導体装置に関する。より詳細には複数のパッケージを積層した積層型半導体装置に使用される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、移動体電話機のような携帯型電子機器やＩＣメモリカードのような不揮発性記憶媒体等はより小型化されており、これらの機器や媒体の部品点数の削減及び部品の小型化が要求されている。【０００３】
従って、これらの機器を構成する部品のうち主要部品である半導体素子を効率的にパッケージングする技術の開発が望まれている。そのような要求を満たすパッケージの１つとして、複数のパッケージ、例えばメモリ用パッケージとロジック用パッケージとを積層して１つにした積層型パッケージが知られている。積層型パッケージの製造方法に関して特許文献１〜３に開示がある。【０００４】
積層型パッケージの構造の一例を図１に示す。図１に示す積層型パッケージは、第１の半導体装置１１０の上に第２の半導体装置１２０を積層して構成している。第１の半導体装置１１０は、中継基板１１１上に図示しない半導体素子が搭載され、この半導体素子をシーリング材１１２で封止している。また中継基板１１１の裏面側には、他の基板との電気的な接続を取るためのはんだボール１１３が設けられている。同様に第２の半導体装置１２０も中継基板１２１上に搭載された半導体素子をモールド樹脂１２２で封止し、中継基板１２１の裏面側にははんだボール１２３を設けている。【０００５】
図２（Ａ）に、第１の半導体装置１１０の従来の第１の構成を示す上面図と断面図を示し、（Ｂ）に、第１の半導体装置１１０の従来の第２の構成を示す。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように第１の半導体装置１１０の中継基板１１１上には、第２の半導体装置１２０のはんだボール１２３と電気的な接続を取るための電極パッド１１４が形成されている。第２の半導体装置１２０を第１の半導体装置１１０上に積層する時に、第２の半導体装置１２０のはんだボール１２３を第１の半導体装置の電極パッド１１４に位置合わせして当接させることで、第１の半導体装置１１０と第２の半導体装置１２０とが電気的に接続される。【０００６】
ここで、第１の半導体装置１１０の半導体素子をシーリング材１１２で封止する方法について説明する。図１に示すように第１及び第２の半導体装置１１０、１２０は、半導体素子を衝撃やキズから保護するためのシーリング材１１２、１２２によって封止している。樹脂の成形は一般的にトランスファモールド法によって行われる。トランスファモールド法では、ガラスエポキシ基板に代表されるリジットな中継基板１１１上にシーリング材１１２を成形する際に、図３に示すように中継基板１１１をそのまま金型１３０内に配置して上下の金型１３０でクランプする。金型１３０には、注入する樹脂の通路となるゲート１３１や、樹脂を注入して成形するキャビティ１３２が形成されており、ゲート１３１を通ってキャビティ１３２内に樹脂が供給されることで、半導体素子の周りに樹脂が充てんされる。【０００７】
また、樹脂の通路となるゲートが重ねられる中継基板１１１の１コーナ部には、図２（Ａ）に示すようにシーリング材と密着性の悪い金めっきを施した金めっき部１１５が形成される。樹脂の成形後、ゲート部分の樹脂を取り除くため、このような金めっき部１１５を中継基板１１１上に設けている。【０００８】
中継基板１１１上に形成する電極パッド１１４の数が少ない場合には、図２（Ｂ）の第１の半導体装置１１０の従来の第２の構成に示すようにシーリング材１１２の形成エリアを大きくとり、中継基板１１１の外側にゲート１１６が来るようにすることもできる。しかし図２（Ａ）の第１の半導体装置１１０の従来の第１の構成に示すように電極パッド１１４の数を増やすためにシーリング材１１２の形成エリアを小さくし、図２（Ａ）に示すようにシーリング材１１２を取り囲むように電極パッド１１４を形成した場合、中継基板１１１上にゲートが重ねられることになる。このためゲートが重ねられる中継基板１１１のコーナ部には電極パッド１１４ではなく、金めっき部１１５が設けられる。【０００９】
【特許文献１】日本国特許公開公報  特開平８−２３６６９４号公報
【特許文献２】日本国特許公開公報  特開２００３−２１８２７３号公報
【特許文献３】日本国特許公開公報  特開平６−１３５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述した従来のトランスファモールド法では、中継基板１１１をそのまま金型１３０内に配置してシーリング材による封止を行っていたため、中継基板１１１上に油脂や樹脂バリなどの粉じんが貼りつき、電極パッド１１４を汚染してしまうという問題が発生する。このため半導体装置同士を接合する際の接合性に悪影響を及ぼし、製造歩留まりの原因となってしまう。【００１１】
さらに図２（Ａ）に示すように金めっき部１１５を設けると、中継基板１１１上のそのエリアには電極パッド１１４を設けることができなくなる。このため、その分中継基板のサイズを大きくする必要があり、半導体装置の小型化を阻害する要因となっている。【００１２】
またこのような問題を解決するために半導体素子の上からシーリング材を注入するトップゲート方式のモールド方法も提案されているが、樹脂の成形後に残ったゲート部とランナ部の樹脂の除去が困難となる、樹脂の注入口が小さいため金型を使用する度にクリーニングが必要になる、金型が複雑なため高価になるといった問題が生じる。【００１３】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、中継基板上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
かかる目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方法は、中継基板上に形成した電極端子を覆うように耐熱シートを配置する工程と、金型で挟み込み前記中継基板上に搭載した半導体素子をシーリング材で封止する工程とを有している。【００１５】
電極端子を耐熱シートで覆って電極端子を保護した上で、半導体素子をシーリング材で封止することで、電極端子に汚れが付着しない。シーリング材を樹脂とした場合に中継基板上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させることができる。また、中継基板と封止するシーリング材との間に耐熱シートを挟み込んだことで、成形後にシーリング材を中継基板から容易に剥離することができる。従って、シーリング材を剥離するための金めっきを設ける必要がなくなり、中継基板のゲートに該当する領域にも電極端子を配置することができ、半導体装置を小型化することができる。【００１６】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記耐熱シートは、前記中継基板に接着されるとよい。【００１７】
耐熱シートを中継基板に接着したことで、耐熱シートの位置ずれや剥がれを防止をすることができる。【００１８】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記耐熱シートは、複数積層され、前記中継基板に当接する側が柔軟性を有しているとよい。【００１９】
耐熱シートが、複数積層され、中継基板に当接する側が柔軟性を有しているので、金型のクランプ時に生じる圧力により中継基板を破損してしまう不具合を生じない。また金属配線等によって中継基板の表面に凹凸が生じる場合には、柔軟性を有する耐熱シートを当接させることで凹凸にシーリング材が入り込むことがない。【００２０】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記耐熱シートは、前記シーリング材に封止された半導体素子に重ならないように前記耐熱シートを前記中継基板上に配置するための開口を有しているとよい。【００２１】
耐熱シートはシーリング材の成形後に中継基板から除去するため、耐熱シートをシーリング材部に重ならないように配置することで、耐熱シートを容易に除去することができる。【００２２】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記耐熱シートを配置した前記中継基板の裏面側にボール端子を取り付ける工程を有しているとよい。【００２３】
耐熱シートを付けたまま中継基板の裏面側のボール端子を取り付けることで、ボール端子の取り付け時にフラックス塗布や薬液を用いたフラックス洗浄で中継基板の電極端子が汚染されることがない。【００２４】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記中継基板と前記耐熱シートとは、前記金型に設けたガイドピンに嵌合するガイドホールを有し、前記ガイドピンを前記ガイドホールに挿入することで前記中継基板と前記耐熱シートが前記金型に位置決めされるとよい。【００２５】
金型に配設されたガイドピンは、中継基板の位置決めに用いられるが、これを耐熱シートの位置決めにも用いることで、中継基板と耐熱シートの位置関係を損なうことなく確実に金型内に中継基板と耐熱シートとを配置することができる。【００２６】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記金型は、前記シーリング材をキャビティ内に注入する通路の断面積よりも前記通路と前記キャビティとの境界の入口の断面積を小さく形成するとよい。【００２７】
耐熱シートが配置されたゲート部の内部圧力をキャビティ入口付近の内部圧力よりも高くすることができ、耐熱シートを内部圧力で押さえつけることができる。従って、シーリング材としての樹脂が耐熱シートと中継基板の間に入り込むのを防止することができる。【００２８】
上述した半導体装置の製造方法において、前記耐熱シートを前記中継基板上から取り除く工程を有しているとよい。【００２９】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記電極端子は、前記中継基板上の前記半導体素子の配置領域以外のすべての領域に形成されているとよい。【００３０】
この半導体装置の製造方法によれば、中継基板上のゲートに該当する領域にも電極端子を配置することができる。従って、半導体装置を小型化することができる。【００３１】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記シーリング材で封止された前記半導体素子上に他の半導体装置を積層する工程を有しているとよい。【００３２】
積層型半導体装置とすることで、半導体素子の効率的なパッケージングが可能となる。【００３３】
また上述した半導体装置の製造方法において、前記シーリング材は、樹脂からなるとよい。樹脂で半導体素子をパッケージングすることで、半導体素子を衝撃やキズから守ることができる。【００３４】
本発明の半導体装置は、シーリング材により封止された半導体素子と、前記シーリング材に封止された前記半導体素子を搭載した中継基板と、前記中継基板上の電極端子を覆う耐熱シートを使用して、前記半導体素子の封止を行うことで外形が成形される前記シーリング材とを有している。【００３５】
電極端子を耐熱シートで覆って電極端子を保護した上で、半導体素子をシーリング材で封止することで、電極端子に汚れが付着しない。従って、シーリング材を樹脂とした場合に中継基板上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させることができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明は、中継基板上に発生する樹脂バリや電極パッドの汚染を防止し、製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】従来の積層型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】（Ａ）は、第１の半導体装置の従来の第１の構成を示す上面図と断面図であり、（Ｂ）は、第１の半導体装置の従来の第２の構成を示す上面図と断面図である。
【図３】従来の第１の半導体装置を金型でクランプした状態を示す図である。
【図４】本発明の積層型半導体装置の構成を示す断面図である。
【図５】第１の半導体装置の構成を示す上面図と断面図である。
【図６】第１の半導体装置の製造手順を示すフローチャートである。
【図７】（Ａ）は、中継基板１１上に半導体素子１４を搭載した状態を示す図であり、（Ｂ）は、中継基板１１を下側の金型４２上に載置した状態を示す図であり、（Ｃ）は、中継基板１１上に耐熱シート３１を配置した状態を示す図であり、（Ｄ）は、半導体素子１４を搭載した中継基板１１を金型４１、４２でクランプした状態を示す図であり、（Ｅ）は、ゲート５０を介してキャビティ内に樹脂を封止した状態を示す図であり、（Ｆ）は、樹脂成形後、上側の金型４１を取り除いた状態を示す図であり、（Ｇ）は、下側の金型４２を中継基板１１から取り除いた状態を示す図であり、（Ｈ）は、ゲートブレイク処理後の第１の半導体装置の構成を示す図であり、（Ｉ）は、耐熱シート３１を除去した後の第１の半導体装置の構成を示す図である。
【図８】中継基板上に配置された耐熱シートを示す図である。
【図９】金型の構成を示す断面図である。
【図１０】第１の半導体装置の他の製造手順を示すフローチャートである。
【図１１】（Ａ）は、耐熱シート３１を中継基板１１上に残した状態を示す図であり、（Ｂ）は、プローブ６０によるテストを行っている状態を示す図であり、（Ｃ）は、テスト終了後に耐熱シート３１を除去した状態を示す図である。
【図１２】第２実施例の半導体装置の製造手順を示す図であり、第１の耐熱シート上に第２の耐熱シートを配置した状態を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
次に、添付図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。なお、以下では積層型半導体装置の製造方法を例に説明するが、本発明により製造される半導体装置は、積層型半導体装置に限定されるものではない。例えば、半導体素子の樹脂封止による信号パターンの汚れを防止する技術としても適用することができる。
【実施例１】
【００３９】
まず、本発明によって製造される積層型半導体装置の一例を図４を参照しながら説明する。図４に示す積層型半導体装置１は、第１の半導体装置１０上に第２の半導体装置２０を積層した２段構成を取っている。【００４０】
第１の半導体装置１０は、図４に示すように中継基板１１の表面側に半導体素子１４を搭載し、この半導体素子１４をシーリング材１２によって封止している。半導体素子１４をシーリング材１２によって封止することで、半導体素子１４に生じる衝撃やキズを防止することができる。シーリング材１２には、エポキシ、シリコーン、ポリイミドなどの樹脂が使用される。また中継基板１１の裏面側には、はんだボール１３が設けられ、試験用のプローブの試験ピンや、他の基板との接続に使用される。【００４１】
第２の半導体装置２０も、図４に示すように中継基板２１の表面側に図示しない半導体素子を搭載し、中継基板２１の基板全面をシーリング材によって封止している。中継基板２１の裏面側には、はんだボール２３が設けられ、第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０との電気的な接続が取られている。また図４に示すように第１の半導体装置１０と第２の半導体装置２０とは接着剤２によって接着され固定されている。【００４２】
ここで、図５を参照しながら第１の半導体装置１０の構成を説明する。図５には、第１の半導体装置１０を上から見た上面図と側方から見た側面図とが示されている。第１の半導体装置１０の中継基板１１上には、図５の上面図に示すように電極パッド（端子）１７が形成されている。本実施例では、電極パッド（端子）１７は、半導体素子の形成領域を除く中継基板１１上の領域に形成されている。すなわち、図２（Ａ）に示すような金めっき部１１５を形成する必要がないため、半導体素子の形成領域を除いた中継基板１１上に電極パッド（端子）１７を形成することができる。電極パッド（端子）１７と、第２の半導体装置２０の裏面側に設けたはんだボール２３とを接触させることで、第２の半導体装置２０と第１の半導体装置１０とが電気的に接続される。【００４３】
次に、図５の側面図を参照しながら半導体素子を封止しているシーリング材１２について説明する。シーリング材１２は、図５に示すように中継基板１１上に形成された第１のシーリング材３（１２）と、この第１のシーリング材３（１２）上に形成された四角錐台の第２のシーリング材４（１２）とからなる。すなわち、第１のシーリング材３（１２）が第２のシーリング材４（１２）の外周を取り囲み、第１のシーリング材３（１２）が第２のシーリング材４（１２）のつば部となっている。シーリング材１２がこのような形状となるのは、半導体素子を封止するシーリング材１２の形成工程で、中継基板１１上に形成した電極パッド（端子）１７を覆うように耐熱シート３１を配置して、シーリング材を形成するためである。つまり、シーリング材１２につば部ができるのは、耐熱シート３１をシーリング材１２の配置領域から所定距離だけ離して配置する（図７（Ｃ）、（Ｄ）参照）ためであり、形成領域と耐熱シート３１との間に流入したシーリング材としての樹脂がそのまま中継基板１１上に残りつば部になる。【００４４】
ここで、図６に示すフローチャートを参照しながら第１の半導体装置１０の半導体素子１４をシーリング材１２で封止する手順について説明する。なお、ここでは第１の半導体装置１０を例に説明するが、第２の半導体装置２０についても同様の手順でシーリング材２２を成形することができる。また、以下の手順では、シーリング材１２として樹脂を用い、樹脂によって半導体素子を封止する手順を説明する。【００４５】
まず、第１の半導体装置１０を下側の金型４２上に搭載する（ステップＳ１）。第１の半導体装置１０は、図７（Ａ）に示すように中継基板１１上に半導体素子１４が搭載され、半導体素子１４と中継基板１１とがワイヤ１５によって電気的に接続されている。また下側金型４２には、図７（Ｂ）に示すようにガイドピン４３が設けられ、第１の半導体装置１０の中継基板１１には、このガイドピン４３と嵌合するガイドホール１６が設けられている。第１の半導体装置１０のガイドホール１６を下側金型４２のガイドピン４３に嵌合させることで、図７（Ｂ）に示すように第１の半導体装置１０が下側金型４２に位置決めされる。【００４６】
次に、樹脂封止による電極パッド（端子）１７の汚れを防止する耐熱シート３１を第１の半導体装置１０の中継基板１１上に設置する（ステップＳ２）。耐熱シート３１にもガイドホール３２が形成されており、このガイドホール３２に下側金型４２のガイドピン４３を挿入することで、耐熱シート３１が中継基板１１上に位置決めされる。図７（Ｃ）に中継基板１１上に耐熱シート３１を配置した状態を示し、図８に耐熱シート３１を配置した第１の半導体装置１０の上面図を示す。耐熱シート３１は、図８に示すように中央部分がくり抜かれ開口となっており、シーリング材１２を成形するキャビティの周囲で、電極パッド（端子）１７上を覆うように配置されている。なお、耐熱シート３１には、接着剤を塗布しておき、中継基板１１上に配置した時に中継基板１１から剥がれないようにしてもよい。【００４７】
耐熱シート３１には、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）樹脂、フッ素系樹脂、金属性シート、パルプ系樹脂などが用いられる。またシーリング材１２の成形時には上下の金型４１、４２は１７０℃前後に保たれる。このため耐熱シート３１は、約１７５℃の温度でも変形や寸法変化がほとんど起こらないものを選択するとよい。高温でも寸法変化を起こさないことで耐熱シート３１と中継基板１１との間にシーリング材１２としての樹脂が流れ込むのを防止することができる。なお、図７には中継基板１１上に搭載された１つの半導体素子１４だけを図示しているが、半導体素子のパッケージングは、中継基板１１上に複数の半導体素子を乗せ、樹脂封止や所定の処理後に中継基板１１をカットして各半導体装置に切りわけられるので、耐熱シート３１は半導体素子ごとに独立していなくてもよい。【００４８】
次に、図７（Ｄ）に示すように上側の金型４１と下側の金型４２とをクランプし（ステップＳ３）、図７（Ｅ）に示すようにキャビティ内にシーリング材１２の樹脂を封止する（ステップＳ４）。上側の金型４１の取り付けの際には、図７（Ｄ）に示すように上側の金型４１にもガイドホール４４が設けられているので、下側の金型４２に設けたガイドピン４３にガイドホール４４を嵌合させることで上側の金型４１が第１の半導体装置１０上の所定位置に配置される。【００４９】
キャビティ内へのシーリング材１２の樹脂の注入は、樹脂の通路となるゲート部５０から行われる。この時、ゲート部５０の下には図７（Ｄ）に示すように耐熱シート３１が配置されているため、ゲート部５０から樹脂を注入しても樹脂が電極パッド（端子）１７に付着することがない。このため中継基板１１上のシーリング材端面に発生しやすい樹脂バリを耐熱シート３１上で発生させて、耐熱シート３１を除去することで中継基板１１の表面を清浄に保つことができる。また、中継基板１１上のゲート部５０が重ねられる領域に金めっき部を設ける必要がなくなり、中継基板１１のすべてのコーナに無駄なく電極を配置することができる。【００５０】
また金型４１、４２は、ゲート部５０の樹脂の通路の断面積よりもキャビティ入口５１の断面積が小さくなるように形成されている。すなわち、図９に示すゲート部５０の通路の断面積ａが、キャビティ入口５１の断面積ｂよりも大きくなるように形成されている。このような構成を取ることで耐熱シート３１が配置されたゲート部５０の内部圧力をキャビティ入口５１付近の内部圧力よりも高くすることができ、耐熱シート３１を内部圧力で押さえつけることができる。従って、シーリング材１２が耐熱シート３１と中継基板１１の間に入り込むのを防止することができる。【００５１】
シーリング材１２の樹脂の封止が終了すると（ステップＳ４）、図７（Ｆ）に示すように上側の金型４１を第１の半導体装置１０上から取り外し（ステップＳ５）、第１の半導体装置１０を下側の金型４２から取り出す（ステップＳ６）。【００５２】
下側の金型４２から第１の半導体装置１０を取り外すと（ステップＳ６）、シーリング材１２とゲート部５０の樹脂とを分離するゲートブレイク処理を行う（ステップＳ７）。ゲートブレイク処理によりゲート部５０の樹脂を取り除くと、耐熱シート３１を中継基板１１上から除去して一連の処理が終了する（ステップＳ８）。【００５３】
このように本製造手順では、半導体素子１４をシーリング材によって封止する際に、予め耐熱シート３１を配置しておき、耐熱シート３１上にシーリング材１２の樹脂を注入するゲート部５０を重ねるようにしたことで電極パッド（端子）１７に汚れが生じない。従って、ゲート部５０の下に設けた電極パッド（端子）１７を上に積層する半導体装置との電気的な接続に使用することができる。このため、中継基板の大きさを大きくする必要がなく、製造歩留まりを向上させることができる。【００５４】
なお、上述した製造手順では、ゲートブレイク処理の後に耐熱シート３１を除去していたが、耐熱シート３１を中継基板１１上にそのまま配しておき、後工程に使用してもよい。この手順について図１０に示すフローチャートを参照しながら説明する。【００５５】
本手順では、ゲート部５０の樹脂をゲートブレイク処理で取り除くと（ステップＳ１６）、耐熱シート３１を中継基板１１上に乗せたままではんだボール１３を取り付ける（ステップＳ１７）。図１１（Ａ）には、中継基板１１の裏面側にはんだボール１３を取り付けた状態が示されている。はんだボール１３を取り付けると、このはんだボール１３に図１１（Ｂ）に示すプローブ６０を接続してテストを行う（ステップＳ１８）。プローブ６０から電源やテスト信号を供給して第１の半導体装置１０が正常に動作するか否かをテストする。テストが終了すると、図１１（Ｃ）に示すように耐熱シート３１を中継基板１１上から剥離し、第１の半導体装置１０が完成する（ステップＳ１９）。【００５６】
このように本製造手順では、シーリング材の成形時に使用した耐熱シート３１をそのまま中継基板１１上に貼り付けておき、はんだボール１３の搭載とテストを実施する。はんだボール１３の取り付けでは、フラック塗布や薬液を用いたフラックス洗浄を行うため、中継基板１１の電極パッド（端子）１７が汚染されやすい。このため、耐熱シート３１で電極パッド（端子）１７を覆っておくことで中継基板１１の表面を清浄な状態に保つことができ、製造歩留まりの向上を図ることができる。
【実施例２】
【００５７】
次に、添付図面を参照しながら本発明の第２実施例について説明する。本実施例は、図１２に示すように中継基板１１上に２種類の耐熱シートを配置し、これを金型４１、４２で挟み込んでシーリング材１２の樹脂封止を行っている。中継基板１１上に配置する第１の耐熱シート７１は、紙やケミカルシートなどからなる柔軟性を有するシートであり、第１の耐熱シート７１上に配置する第２の耐熱シート７２は、金属などからなる剛性を有するシートである。すなわち、中継基板１１と第２の耐熱シート７２との間に柔軟性を有する第１の耐熱シート７１を挟み込んでいる。【００５８】
ガラスエポキシ基板などのリジットな中継基板１１に対向する第１の耐熱シート７１に柔軟性（緩衝性）を持たせることで、金型クランプ時の圧力によって中継基板１１が破損する不具合を防止することができる。また中継基板１１の表面には、銅などの金属配線によって凹凸が生じているが、第１の耐熱シート７１が柔軟性を備えていることで中継基板１１の凹凸に対応して第１の耐熱シート７１が変形し、シーリング材が凹凸に入り込む不具合を防止することができる。【００５９】
なお、この第１の耐熱シート７１と第２の耐熱シート７２も、上述した第１実施例の耐熱シート３１と同様に約１７５℃の温度でも変形や寸法変化がほとんど起こらないものを選択するとよい。さらに図１２では、耐熱シートが第１の耐熱シート７１と第２の耐熱シート７２の２枚からなる場合を例示しているが、１枚の耐熱シートが２層に分かれ、下側の層に柔軟性を持たせ、上側の層に剛性を持たせてもよい。【００６０】
上述した実施例は本発明の好適な実施例である。但しこれに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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