(57)【要約】【課題】部材を新たに追加することなく、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示が観察可能な表示品位の優れたＩＰＳモードの液晶表示装置、及びその製造方法を提供すること【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、アレイ基板上に形成されたゲート配線４３と、櫛歯形状の画素電極７と、画素電極７との間で横電界を発生させる櫛歯形状の共通電極３と、ゲート配線４３に垂直な垂直方向に対して、所定のラビング角度βで傾斜した配向方向を有する配向膜と、液晶の応答方向が異なる２領域（上側画素４７ａ、下側画素４７ｂ）とを備え、画素電極７及び共通電極３の櫛歯は、２領域のそれぞれにおいて垂直方向に対して所定の電極角度αで傾斜し、電極角度α及びラビング角度βが、２領域のそれぞれにおいて、｜α｜＞｜β｜、及び９０°−｜α−β｜≧４５°の条件を満たすものである。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記第１の基板上に所定の方向に延在して形成され、前記薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続するゲート配線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続する櫛歯形状の画素電極と、
前記画素電極と絶縁膜を介して配置され、前記画素電極との間で横電界を発生させる櫛歯形状の共通電極と、
前記前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶と接する側の面に形成され、前記ゲート配線の延在方向に垂直な垂直方向に対して、所定のラビング角度βで傾斜した配向方向を有する配向膜と、
前記画素電極と前記共通電極とで形成される画素領域内において、前記横電界を発生させたとき、前記液晶の応答方向が異なる２領域と、を備え、
前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯は、前記２領域のそれぞれにおいて、前記垂直方向に対して所定の電極角度αで傾斜し、
前記電極角度α及び前記ラビング角度βが、前記２領域のそれぞれにおいて、｜α｜＞｜β｜、及び９０°−｜α−β｜≧４５°の条件を満たす液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極と前記共通電極との間の電極間隔が、前記２領域の一方と他方とで異なっている請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記２領域のうち、前記配向膜の配向方向と、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯との間の角度が小さい側の領域では、大きい側の領域よりも前記電極間隔が広い請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極及び前記共通電極は、前記２領域の境界部分でそれぞれの櫛歯が繋がるように形成されている請求項２又は３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の基板と前記第２の基板との間のセルギャップが、前記２領域の一方と他方とで異なっている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記２領域のうち、前記配向膜の配向方向と、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯との間の角度が小さい側の領域では、大きい側の領域よりも前記セルギャップが狭い請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記２領域のうち、前記配向膜の配向方向と、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯との間の角度が小さい側の領域では、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯の先端部に、前記画素電極と前記共通電極との間の電極間隔を狭くするための延在部が設けられている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板上に、所定の方向に延在するゲート配線と、櫛歯形状の共通電極とを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続し、前記共通電極との間で横電界を発生させる櫛歯形状の画素電極を形成する工程と、
前記前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶と接する側の面に、前記ゲート配線の延在方向に垂直な垂直方向に対して、所定のラビング角度βで傾斜した配向方向を有する配向膜を形成する工程と、を備え、
前記共通電極の形成工程では、前記垂直方向に対して前記共通電極の櫛歯を異なる２方向に所定の電極角度αで傾斜して形成し、
前記電極角度α及び前記ラビング角度βが、前記２方向のそれぞれにおいて、｜α｜＞｜β｜、及び９０°−｜α−β｜≧４５°の条件を満たす液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記画素電極と前記共通電極との間の電極間隔が、前記２方向の一方と他方とで異なるように形成されている請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記２方向のうち、前記配向膜の配向方向と、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯との間の角度が小さい側では、大きい側よりも前記電極間隔が広く形成されている請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記画素電極及び前記共通電極は、前記２方向の境界部分でそれぞれの櫛歯が繋がるように形成されている請求項８又は９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の基板と前記第２の基板との間のセルギャップが、前記２方向の一方と他方とで異なるように形成されている請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記２方向のうち、前記配向膜の配向方向と、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯との間の角度が小さい側では、大きい側よりも前記セルギャップが狭く形成されている請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記２方向のうち、前記配向膜の配向方向と、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯との間の角度が小さい側では、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯の先端部に、前記画素電極と前記共通電極との間の電極間隔を狭くするための延在部が形成されている請求項８乃至１３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、及びその製造方法に関し、特に詳しくはＩＰＳモードの液晶表示装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、"ワンセグ"という単語が一般的になるほど、携帯電話での動画映像鑑賞が一般化されている。一般的なテレビ映像は、横の分割数が縦の分割数より少ないが、携帯電話で多く用いられているのは縦長のディスプレイである。そのため、動画映像鑑賞の際には、縦長のディスプレイを９０°回転させて横方向にして使用する、といったケースが増えている。
【０００３】
また、携帯電話は屋外で使用されることが多く、このとき偏光サングラスを装着したまま映像を観察することがある。偏光サングラスは、反射光が目に入らないようにするため、その吸収軸が水平方向に配置されている。そのため、携帯電話のディスプレイ画面からの透過光が水平方向であると偏光サングラスが光を吸収してしまい、表示された映像が観察できなくなる。
【０００４】
このように、昨今の表示装置では、偏光サングラスを装着したままディスプレイ画面が縦横両方向で使用される場面がある。そして、このような場面で使用される表示装置に、インプレーンスイッチング（In-Plane-Switching：ＩＰＳ）モードの液晶表示装置が用いられることがある。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、対向する基板間に挟持された液晶に横電界を印加して表示を行う表示方式である。通常、絶縁膜を挟んで対向配置された櫛歯形状を有する２層の金属電極間に電圧を印加して、横電界を発生させている。ＩＰＳモードの液晶表示装置は、高画質化への要求を満足することが可能な表示方式であると考えられており、表示品位の向上や低コスト化に向けて様々な取り組みがなされている。
【０００５】
その取り組みのうちのひとつに、視野角特性の向上がある。ＩＰＳモードの液晶表示装置では、見る角度により黄色っぽく見えたり青色っぽく見えたりする現象（カラーシフト）や、階調反転などにより視野角特性が劣化する。これらカラーシフトや階調反転を抑制して視野角特性を改善するための方法が、特許文献１に開示されている。
【０００６】
図８は、特許文献１に開示された従来のＩＰＳモードの液晶表示装置の画素構成を模式的に示した平面図である。図８において、ＴＦＴアレイ基板の基板１上の各画素内には、共通電極３と画素電極７とが設けられている。共通電極３と画素電極７とは、ゲート配線４３とソース配線４４で囲まれた各領域内で櫛歯形状に形成され、互いに平行に配置されている。共通電極３及び画素電極７は、図８に示すように、それぞれ中央部（屈曲点）で「く」の字状に曲がるように形成されている。
【０００７】
このように構成されたＴＦＴアレイ基板と、これに対向配置される対向基板には、配向膜が塗布され、ゲート配線４３の延在方向に対して垂直な方向にラビング処理が施されている。そのため、ＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に挟持された液晶分子１０は、電圧が印加されていないとき、このラビング方向と同方向に配向されることとなる。一方、共通電極３と画素電極７との間に電圧が印加されると、これら電極の長手方向に対して直交する方向に横電界が発生する。よって、共通電極２と画素電極４とで形成される画素領域において、液晶分子１１の配列の変化する方向が異なる領域４７ａ、４７ｂが形成され、駆動時の液晶分子１１の方向が２ドメインになる。これにより、ＩＰＳモードの液晶表示装置を白表示したときの、液晶分子１１の光学的異方性によるカラーシフトを改善することができる。
【０００８】
このとき、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板の外側に設けられた偏光板は、２ドメインとしたために、その吸収軸１５をゲート配線４３の延在方向に対して平行、又は垂直に配置する必要がある。そして、２枚の偏光板は、それぞれの吸収軸１５がクロスニコルとなるように、直交して配置される。これにより、このＩＰＳモードの液晶表示装置では、ディスプレイ画面から透過してくる透過光の偏光方向（光軸）が、ゲート配線４３に対して平行、又は垂直な方向となる。すなわち、ディスプレイ画面からの透過光は、水平方向、又は垂直方向に偏光することとなる。
【０００９】
これについて、ディスプレイ画面の方向が固定された表示装置では、あらかじめ吸収軸１５を偏光サングラスに対応させた軸に配置することが可能である。しかし、昨今の携帯電話機のように、ディスプレイ画面が縦横両方向とも使用される表示装置では、そのどちらかの方向で偏光サングラスの吸収軸と一致してしまうことになる。従って、偏光サングラスをかけて画像を見たときに、横置き（ランドスケープ）、あるいは縦置き（ポートレート）のどちらかで表示が真っ黒になってしまう。
【００１０】
このような問題を解決するために、偏光板の上側にλ／４板を貼り付ける技術が特許文献２に開示されている。また、特許文献３には、２枚の水晶板を組み合わせた偏光解消板を偏光板上に貼り付けて、偏光サングラスで観察した場合の視認性を改善する方法が開示されている。さらに、特許文献４には、表示面側の偏光板の偏光方向を規定することにより偏光サングラスで観察した場合の視認性を改善する方法が開示されている。
【特許文献１】特開平１０−１４８８２６号公報
【特許文献２】特開平１０−１０５２３号公報
【特許文献３】特開平１０−１０５２２号公報
【特許文献４】特開平１０−４９０８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献２、３では、λ／４板や偏光解消板等の部材を新たに必要とするため、コストアップしてしまう。また、液晶表示装置にこれらの部材が取り付けられると、液晶表示装置の厚みが増すという欠点がある。一方、特許文献４の方法を通常のＩＰＳモードの液晶表示装置に用いると、コントラストが低下してしまう。
【００１２】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、部材を新たに追加することなく、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示が観察可能な表示品位の優れたＩＰＳモードの液晶表示装置、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明にかかる液晶表示装置は、薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記第１の基板上に所定の方向に延在して形成され、前記薄膜トランジスタのゲート電極と電気的に接続するゲート配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続する櫛歯形状の画素電極と、前記画素電極と絶縁膜を介して配置され、前記画素電極との間で横電界を発生させる櫛歯形状の共通電極と、前記前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶と接する側の面に形成され、前記ゲート配線の延在方向に垂直な垂直方向に対して、所定のラビング角度βで傾斜した配向方向を有する配向膜と、前記画素電極と前記共通電極とで形成される画素領域内において、前記横電界を発生させたとき、前記液晶の応答方向が異なる２領域と、を備え、前記画素電極及び前記共通電極の櫛歯は、前記２領域のそれぞれにおいて、前記垂直方向に対して所定の電極角度αで傾斜し、前記電極角度α及び前記ラビング角度βが、前記２領域のそれぞれにおいて、｜α｜＞｜β｜、及び９０°−｜α−β｜≧４５°の条件を満たすものである。
【００１４】
また、本発明にかかる液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを有する第１の基板と、前記第１の基板と対向配置された第２の基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板上に、所定の方向に延在するゲート配線と、櫛歯形状の共通電極とを形成する工程と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続し、前記共通電極との間で横電界を発生させる櫛歯形状の画素電極を形成する工程と、前記前記第１の基板及び前記第２の基板の前記液晶と接する側の面に、前記ゲート配線の延在方向に垂直な垂直方向に対して、所定のラビング角度βで傾斜した配向方向を有する配向膜を形成する工程と、を備え、前記共通電極の形成工程では、前記垂直方向に対して前記共通電極の櫛歯を異なる２方向に所定の電極角度αで傾斜して形成し、前記電極角度α及び前記ラビング角度βが、前記２方向のそれぞれにおいて、｜α｜＞｜β｜、及び９０°−｜α−β｜≧４５°の条件を満たすものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、部材を新たに追加することなく、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示が観察可能な表示品位の優れたＩＰＳモードの液晶表示装置、及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を説明する。以下の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略及び簡略化がなされている。また、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略されている。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略されている。
【００１７】
実施の形態１．
始めに、図１を用いて、本実施の形態に係る液晶表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）アレイ基板の構成を示す正面図である。本実施の形態に係る液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板に画素電極と対向電極とが形成されたＩＰＳモードの液晶表示装置である。この液晶表示装置の全体構成については、以下に述べる第１〜第３の実施形態で共通である。
【００１８】
本実施の形態に係る液晶表示装置は、基板１を有している。基板１は、例えば、ＴＦＴアレイ基板等のアレイ基板である。基板１には、表示領域４１と表示領域４１を囲むように設けられた額縁領域４２とが設けられている。この表示領域４１には、複数のゲート配線（走査信号線）４３と複数のソース配線（表示信号線）４４とが形成されている。複数のゲート配線４３は平行に設けられている。同様に、複数のソース配線４４は平行に設けられている。ゲート配線４３とソース配線４４とは、互いに交差するように形成されている。また、表示領域４１には、複数の共通配線（不図示）が形成されている。複数の共通配線は平行に設けられている。共通配線は、隣接するゲート配線４３間に配置されている。共通配線とゲート配線４３は互いに略平行となるように配設されている。隣接するゲート配線４３とソース配線４４とで囲まれた領域が画素４７となる。従って、基板１では、画素４７がマトリクス状に配列される。
【００１９】
基板１の額縁領域４２には、走査信号駆動回路４５と表示信号駆動回路４６とが設けられている。ゲート配線４３は、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、基板１の端部で、走査信号駆動回路４５に接続される。ソース配線４４も同様に、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、基板１の端部で、表示信号駆動回路４６と接続される。走査信号駆動回路４５の近傍には、外部配線４８が接続されている。また、表示信号駆動回路４６の近傍には、外部配線４９が接続されている。外部配線４８、４９は、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の配線基板である。
【００２０】
外部配線４８、４９を介して走査信号駆動回路４５、及び表示信号駆動回路４６に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路４５は外部からの制御信号に基づいて、ゲート信号（走査信号）をゲート配線４３に供給する。このゲート信号によって、ゲート配線４３が順次選択されていく。表示信号駆動回路４６は外部からの制御信号や、表示データに基づいて表示信号をソース配線４４に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧を各画素４７に供給することができる。
【００２１】
画素４７内には、少なくとも１つのＴＦＴ５０が形成されている。ＴＦＴ５０はソース配線４４とゲート配線４３の交差点近傍に配置される。例えば、このＴＦＴ５０が画素電極に表示電圧を供給する。即ち、ゲート配線４３からのゲート信号によって、スイッチング素子であるＴＦＴ５０がオンする。これにより、ソース配線４４から、ＴＦＴ５０のドレイン電極に接続された櫛歯形状の画素電極に表示電圧が印加される。さらに、画素電極は、櫛歯形状の共通電極（対向電極）と対向配置されている。画素電極と対向電極との間には、表示電圧に応じた横電界が生じる。なお、基板１の表面には、配向膜（図示せず）が形成されている。画素４７の詳細な構成については、後述する。
【００２２】
更に、基板１には、対向基板が対向して配置されている。対向基板は、例えば、カラーフィルタ基板であり、視認側に配置される。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス（ＢＭ）、及び配向膜等が形成されている。基板１と対向基板との間には液晶層が狭持される。即ち、基板１と対向基板との間には液晶が導入されている。更に、基板１と対向基板との外側の面には、偏光板、及び位相差板等が設けられる。また、液晶表示パネルの反視認側には、バックライトユニット等が配設される。
【００２３】
画素電極と対向電極との間の横電界によって、液晶が駆動される。即ち、基板間の液晶の配向方向が変化する。これにより、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。即ち、偏光板を通過して直線偏光となった光は液晶層によって、偏光状態が変化する。具体的には、バックライトユニットからの光は、アレイ基板側の偏光板によって直線偏光になる。この直線偏光が液晶層を通過することによって、偏光状態が変化する。
【００２４】
偏光状態によって、対向基板側の偏光板を通過する光量は変化する。即ち、バックライトユニットから液晶表示パネルを透過する透過光のうち、視認側の偏光板を通過する光の光量が変化する。液晶の配向方向は、印加される表示電圧によって変化する。従って、表示電圧を制御することによって、視認側の偏光板を通過する光量を変化させることができる。即ち、画素ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示することができる。
【００２５】
続いて、本実施の形態に係る液晶表示装置の画素構成について、図２を用いて説明する。図２は、実施の形態１に係る液晶表示装置の画素構成を模式的に示した平面図である。図２は液晶表示装置の画素４７の１つを示している。ここでは、チャネルエッチ型のＴＦＴ５０が形成されている場合について例示的に説明をする。なお、図２にはアレイ基板側のみの構成が記載されている。
【００２６】
図２において、ガラス等の透明な絶縁性の基板１上に、その一部がゲート電極を構成するゲート配線４３が形成されている。ゲート配線４３は、基板１上において一方向に直線的に延在するように配設されている。
【００２７】
また、基板１上には、ゲート配線４３と同じ層によって、共通配線２が形成されている。共通配線２は、ゲート配線４３と離間して設けられ、ゲート配線４３と平行な方向に延在している。すなわち、隣接するゲート配線４３の間に共通配線２が配設されている。表示領域４１には、この共通配線２が複数形成されている。ここでは、共通配線２は、画素４７の中央付近に配置されている。そして、この共通配線２から複数本の共通電極３が延在されて、共通電極３が櫛歯形状に形成されている。櫛歯状の共通電極３は、図２に示すように、共通配線２の延在する方向と垂直な方向から傾斜して延在している。すなわち、共通電極３の櫛歯の部分が、画素４７の中央付近に設けられた共通配線２の部分で屈曲するような形状になっている。共通電極３の詳細については後述する。
【００２８】
ゲート配線４３、ゲート電極、共通配線２、及び共通電極３は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜によって形成されている。
【００２９】
これらゲート配線４３、ゲート電極、共通配線２、及び共通電極３を覆うように、第１の絶縁膜であるゲート絶縁膜（不図示）が設けられている。ゲート絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁膜により形成されている。そして、ＴＦＴ５０の形成領域では、ゲート絶縁膜を介してゲート電極の対面に半導体層４が設けられている。ここでは、半導体層４はゲート配線４３と重なるようゲート絶縁膜の上に形成され、この半導体層４と重複する領域のゲート配線４３がゲート電極となる。半導体層４は、例えば、非晶質シリコン、多結晶ポリシリコン等により形成されている。
【００３０】
なお、半導体層４上の両端に、導電性不純物がドーピングされたオーミックコンタクト膜（不図示）がそれぞれ形成されている。オーミックコンタクト膜に対応する半導体層４の領域は、ソース・ドレイン領域となる。具体的には、図２中の下側のオーミックコンタクト膜に対応する半導体層４の領域がソース領域となる。そして、図２中の上側のオーミックコンタクト膜に対応する半導体層４の領域がドレイン領域となる。このように、半導体層４の両端にはソース・ドレイン領域が形成されている。そして、半導体層４のソース・ドレイン領域に挟まれた領域がチャネル領域となる。半導体層４のチャネル領域上には、オーミックコンタクト膜は形成されていない。オーミックコンタクト膜は、例えば、リン（Ｐ）等の不純物が高濃度にドーピングされた、ｎ型非晶質シリコンやｎ型多結晶シリコンなどにより形成されている。
【００３１】
オーミックコンタクト膜の上に、ソース電極５及びドレイン電極６が形成されている。具体的には、ソース領域側のオーミックコンタクト膜上に、ソース電極５が形成されている。そして、ドレイン領域側のオーミックコンタクト膜の上に、ドレイン電極６が形成されている。このように、チャネルエッチ型のＴＦＴ５０が構成されている。そして、ソース電極５及びドレイン電極６は、半導体層４のチャネル領域の外側へ延在するように形成されている。すなわち、ソース電極５及びドレイン電極６は、オーミックコンタクト膜と同様、半導体層４のチャネル領域上には形成されない。
【００３２】
ソース電極５は、半導体層４のチャネル領域の外側へ延在し、ソース配線４４と繋がっている。ソース配線４４は、ゲート絶縁膜上に形成され、基板１上においてゲート配線４３と交差する方向に延在する。従って、ソース配線４４は、ゲート配線４３との交差部において分岐してからゲート配線４３に沿って延在し、ソース電極５となる。なお、本実施の形態では、ソース配線４４は、櫛歯状の共通電極３に沿った形状に形成されている。すなわち、隣接するゲート配線４３間において、ソース配線は「く」の字状に屈曲して形成される。よって、本実施の形態では、隣接するゲート配線４３とソース配線４４とで囲まれた領域により規定される１つの画素４７は、「く」の字形状を有する。
【００３３】
ドレイン電極６は、半導体層４のチャネル領域の外側へ延在する。すなわち、ドレイン電極６は、ＴＦＴ５０の外側へと延在する延在部を有している。ソース電極５、ドレイン電極６、及びソース配線４４は、例えばＣｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜によって形成されている。
【００３４】
ソース電極５、ドレイン電極６、及びソース配線４４を覆うように、第２の絶縁膜である層間絶縁膜（不図示）が設けられている。層間絶縁膜には、ドレイン電極６の延在部に到達するコンタクトホール（不図示）が設けられている。層間絶縁膜は、窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁膜により形成されている。
【００３５】
層間絶縁膜上には、画素電極７が画素ごとに形成されている。画素電極７は、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して、ドレイン電極６の延在部に接続され、ドレイン電極６と電気的に接続されている。そして、画素電極７は、ドレイン電極６の延在部上から画素４７内へと延在して形成されている。具体的には、図２に示すように、画素電極７は、複数本の共通電極３と略平行かつ交互に配置された複数本の電極により構成されており、櫛歯形状を有している。画素電極７は、ＩＴＯ等の透明導電膜によって形成されている。画素電極７の詳細については後述する。
【００３６】
以上のような構成の液晶表示装置では、共通電極３と画素電極７との間に電圧が印加されると、これら電極の長手方向に対して直交する方向に横電界が発生する。液晶分子１０は、この横電界の方向に揃うようにその方向を変え、配向方向を変化させる。そのため、「く」の字状に屈曲した共通電極３と画素電極７とで形成される画素領域において、液晶分子１１の配列の変化する方向が異なる領域が形成される。
【００３７】
換言すると、隣接するゲート配線４３とソース配線４４とで囲まれた領域により規定される１つの画素４７は、「く」の字形状の屈曲点を境としてそれぞれ上側画素４７ａと下側画素４７ｂとの２つの領域に分割される。そして、上側画素４７ａと下側画素４７ｂとでは、液晶分子１１の配列の変化する方向が異なっている。これにより、駆動時の液晶分子１１の方向が２ドメインになり、ＩＰＳモードの液晶表示装置を白表示したときの、液晶分子１１の光学的異方性によるカラーシフトを防止することができる。上側画素４７ａと下側画素４７ｂの面積は概ね等しくなるように設計されていることが好ましい。
【００３８】
一方、共通電極３と画素電極７との間に電圧が印加されていないとき、本実施の形態では、液晶分子１０がゲート配線４３の延在方向に垂直な方向（以下、垂直方向とする）に対して傾斜して配向されるように設定されている。すなわち、アレイ基板と対向基板とに形成された配向膜のラビング方向（配向方向）１２が、垂直方向から傾斜した方向となっている。そのため、アレイ基板と対向基板の外側に設けられた２枚の偏光板は、それぞれの吸収軸１５がクロスニコルとなるように、ラビング方向１２に対して平行、又は垂直に配置される。これにより、ディスプレイ画面からの透過光は、ラビング方向１２に対して平行、又は垂直な方向に偏光することとなる。すなわち、液晶表示装置から透過してくる透過光の偏光方向は、偏光サングラスの吸収軸が配置された水平方向と完全に一致しなくなる。従って、ディスプレイ画面が縦横両方とも使用される表示装置の画像を偏光サングラスをかけて見たときに、横置き（ランドスケープ）、あるいは縦置き（ポートレート）のどちらかで表示が真っ黒になることを防止できる。すなわち、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示を観察することができる。
【００３９】
ここで、図３に示すように、ラビング方向１２が垂直方向に対して傾斜する角度（以下、ラビング角度）をβとする。また、垂直方向に対して共通電極３及び画素電極７が傾斜する角度（以下、電極角度）をαとする。本実施の形態では、電極角度αとラビング角度βの関係が、上側画素４７ａ及び下側画素４７ｂの両領域において、以下に示す（１）式と（２）式とを満たすように設定されている。
｜α｜＞｜β｜                ・・・（１）
９０°−｜α−β｜≧４５°    ・・・（２）
【００４０】
電極角度α及びラビング角度βがこのように設定される理由について、表１を用いて説明する。
【表１】
2009300555.tif 000003
【００４１】
表１は、電極角度αとラビング角度βを規定するための相関表である。表１において、共通電極３及び画素電極７がラビング方向１２に対して実際に傾斜する角度を、実効ラビング角度と称する。実効ラビング角度は、電極角度αからラビング角度βを引いた角度、すなわちα−βで表すことができる。また、横電界が印加されたときに液晶分子１１が回転する最大角度を、横電界までの角度と称する。横電界までの角度は、９０°−｜α−β|で表すことができる。
【００４２】
表１では、電極角度αとラビング角度βの組み合わせが異なるＡ〜Ｇの７つのケースについて、実効ラビング角度と横電界までの角度を示している。また、図８に示した従来のＩＰＳモードの液晶表示装置をリファレンス（Ｒｅｆ）として、表１に併せて示している。
【００４３】
まず、Ｒｅｆである、図８に示した従来のＩＰＳモードの液晶表示装置のケースを参考に、実効ラビング角度について検討する。Ｒｅｆでは、例えば、上側画素の電極角度αが２０°、下側画素の電極角度αが−２０°であるとする。偏光サングラスの吸収軸に対応ができないため、ラビング角度βは０°（あるいは、９０°）となっている。このような条件におけるＲｅｆの実効ラビング角度は、上側画素で２０°、下側画素で−２０°となる。これはつまり、液晶分子１１を２方向に応答させるために、実効ラビング角度の符号が上側画素と下側画素とで正負が逆となる必要があることを示している。表１中、実効ラビング角度の欄に▼が記されたケースＢ、Ｃでは、実効ラビング角度の上側画素と下側画素とが同一符号となるため、液晶分子１１を２方向に応答させることができない。それ以外のケースＡ、Ｄ〜Ｇでは、Ｒｅｆと同様、実効ラビング角度の符号が上側画素と下側画素とで逆符号となっている。このことから判るように、液晶分子１１を２方向に応答可能とするためには、（１）式が成り立つ必要がある。
【００４４】
次に、横電界までの角度について検討する。一般的に、ＩＰＳモードを含む複屈折モードでは、偏光板の吸収軸１５に対して屈折率異方性を有する媒体が４５°の角度で配向したときに透過率が最大となるよう設定されている。すなわち、液晶分子の配向方向が、クロスニコルに配置された２枚の偏光板のそれぞれの吸収軸１５から０°、９０°となるときに最小の透過率、４５°、４５°となるときに最大の透過率と設定することで、光量を変化させている。
【００４５】
よって、液晶分子１１は、横電界が印加されたときに、少なくとも４５°は回転する必要がある。そのため、横電界によって液晶分子１１が回転できる最大角度、すなわち横電界までの角度が、上側画素４７ａ及び下側画素４７ｂの両領域において、４５°以上である必要がある。表１中の横電界までの角度の欄に△が記載されたケースＤ〜Ｆでは、横電界までの角度が上側画素、下側画素の少なくとも一方で４５°を下回っているため、複屈折効果を最大に得ることができない。それ以外のケースＡ〜Ｃ、Ｇでは、Ｒｅｆと同様、横電界までの角度が４５°を上回っている。このことから判るように、複屈折効果を最大に得るためには、（２）式が成り立つ必要がある。
【００４６】
このように、本実施の形態では、液晶分子１１を２方向に応答可能とし、かつ複屈折効果を最大に得るため、上側画素４７ａ及び下側画素４７ｂの両領域において、（１）式と（２）式とを満たす組み合わせの電極角度αとラビング角度βとが選択されている。従って、液晶分子１１の配列の変化する方向が異なる複数の領域のそれぞれにおいて、画素電極３及び共通電極７の櫛歯は、垂直方向に対してラビング角度βよりも大きい電極角度αで傾斜する。そして、この複数の領域のそれぞれにおいて、画素電極３及び共通電極７の櫛歯と、ラビング方向１５との間の角度が４５°以下となる。例えば、表１のケースＡのように、上側画素の電極角度αを２０°、下側画素の電極角度αを−２０°、ラビング角度βを１５°とすると、（１）式と（２）式とを満たすことができる。また、（１）式と（２）式とを満たす別の組み合わせ例として、表１のケースＧのように、上側画素の電極角度αを３０°、下側画素の電極角度αを−３０°、ラビング角度βを１５°としてもよい。
【００４７】
共通電極３及び画素電極７は、上側画素４７ａと下側画素４７ｂの両領域において、ゲート配線４３の延在方向に垂直な方向から上記選択された電極角度αに基づいた角度で傾斜し「く」の字状に屈曲している。さらに、本実施の形態では、上側画素４７ａと下側画素４７ｂとでは、共通電極３と画素電極７との間の間隔（以下、電極間隔とする）が異なるように形成されている。具体的には、これら共通電極３及び画素電極７の傾斜方向と、ラビング方向１２とのなす角が狭い側の領域では電極間隔が広く、広い側では電極間隔が狭く形成されている。すなわち、上側画素４７ａと下側画素４７ｂのうち、実効ラビング角度が小さい側では、大きい側よりも広い間隔で櫛歯状の共通電極３と画素電極７とが対向配置されている。
【００４８】
上側画素４７ａと下側画素４７ｂとが異なる電極間隔を有する理由について、図４を用いて説明する。図４は、異なる実効ラビング角度のＩＰＳモードの液晶表示装置における電圧と透過率との関係を示すグラフである。図４では、実効ラビング角度の異なる２つのグラフが記されている。図４において、実効ラビング角度が５°のときのグラフを点線、実効ラビング角度が１０°のときのグラフを実線でそれぞれ示している。なお、図４では、上側画素４７ａの電極間隔が下側画素４７ｂの電極間隔と等しい場合について記載している。
【００４９】
同じ透過率を得るために必要とする電圧は、実効ラビング角度が５°のときの方が１０°のときよりも小さいということが、図４から明らかである。これは、実効ラビング角度が小さい場合、共通電極３と画素電極７との間で発生する横電界と、液晶分子の誘電率異方性とのなす角が大きくなるので、低電圧で応答が可能となるためである。一方、実効ラビング角度が大きい場合、共通電極３と画素電極７との間で発生する横電界と、液晶分子の誘電率異方性とのなす角が小さくなるので、高電圧を加えないと同等の透過率を得ることができない。本実施の形態では、上側画素４７ａと下側画素４７ｂとでは実効ラビング角度が異なるため、これと同様の現象が１つの画素内に発生する。すなわち、画素に一定の電圧を印加したとき、得られる透過率が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで異なってしまう。よって、１つの画素内で光学応答が一定でなくなり、一定した表示特性を得ることができない。
【００５０】
このとき、実効ラビング角度が大きい側の電極間隔を狭くすると、横電界強度を強めることができ、低電圧の特性とすることができる。すなわち、実効ラビング角度が大きい側の電極間隔を小さい側よりも狭くすることで、実効ラビング角度が異なることに起因する光学応答の差を補うことができる。上側画素４７ａの電極間隔と下側画素４７ｂの電極間隔は、この実効ラビング角度が異なることに起因する光学応答の差に基づいて、適宜設定される。例えば、仮に、上側画素４７ａと下側画素４７ｂの実効ラビング角度がそれぞれ５°と１０°の場合、図４に示した実線の特性と点線の特性とを合わせるように上側画素４７ａと下側画素４７ｂの電極間隔を調整する。これにより、画素に所定の電圧を印加したとき、得られる透過率が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで異なることなく、同一の動特性を１つの画素内で達成することができる。
【００５１】
このように、本実施の形態では、電極間隔が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで互いに異なるように配置されている。このため、櫛歯状の共通電極３は、上側画素４７ａと下側画素４７ｂの境界部分に配設された共通配線２から延在されている。また、画素電極７は、図２に示すように、この境界部分においてそれぞれの櫛歯が繋がるように形成されている。すなわち、共通電極３及び画素電極７の櫛歯の始点は、上側画素４７ａと下側画素４７ｂの境界部分に位置することとなる。このような配置により、共通電極３及び画素電極７の櫛歯の間隔を、上側画素４７ａと下側画素４７ｂの境界部分で変化させることができる。
【００５２】
なお、実効ラビング角度の小さい側では、大きい側よりも共通電極３と画素電極７とに少ない本数の櫛歯が配設されていてもよい。例えば、図２では、電極間隔の広い上側画素４７ａでは、３本の共通電極３の櫛歯と２本の画素電極７の櫛歯とが設けられている。一方、電極間隔の狭い下側画素４７ｂには、４本の共通電極３の櫛歯と、３本の画素電極７の櫛歯が設けられている。
【００５３】
次に、本実施の形態における液晶表示装置の製造方法について説明する。まず初めに、ガラス等の透明な絶縁性の基板１上全面に、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜を成膜する。例えば、スパッタ法や蒸着法などを用いて基板１全面に成膜する。その後、レジストを塗布して、塗布したレジストをフォトマスク上から露光し、レジストを感光させる。次に、感光させたレジストを現像して、レジストをパターニングする。以後、これら一連の工程を写真製版と呼ぶ。その後、このレジストパターンをマスクとしてエッチングし、フォトレジストパターンを除去する。これにより、ゲート配線４３、ゲート電極、共通配線２、及び共通電極３がパターニングされる。このとき、本実施の形態では、共通配線２の一方の側から延在する共通電極３の櫛歯の間隔を広く、他方の側から延在する共通電極３の櫛歯の間隔を狭く形成する。また、共通電極３の櫛歯を、ラビング角度βとの間で前述の（１）式と（２）式とを満たす電極角度αでゲート配線４３に垂直な垂直方向から傾斜させて「く」の字状に形成する。すなわち、垂直方向に対して共通電極３の櫛歯を異なる２方向に所定の電極角度αで傾斜して形成する。
【００５４】
これらゲート配線４３、ゲート電極、共通配線２、及び共通電極３を覆うように、ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜、半導体層４となる材料、及びオーミックコンタクト膜となる材料をこの順に成膜する。例えば、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤなどを用いて、これらを基板１全面に成膜する。ゲート絶縁膜として、窒化シリコン、酸化シリコン等を用いることができる。半導体層４となる材料には、非晶質シリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができる。また、オーミックコンタクト膜となる材料には、リン（Ｐ）等の不純物を高濃度に添加したｎ型非晶質シリコンやｎ型多結晶シリコンなどを用いることができる。その後、写真製版、エッチング、レジスト除去の工程を経て、半導体層４となる膜、及びオーミックコンタクト膜となる膜を、ゲート電極上に島状にパターニングする。
【００５５】
次に、これらを覆うように、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜を成膜する。例えば、スパッタ法や蒸着法など用いて成膜する。その後、写真製版、エッチング、レジスト除去の工程を経てこの膜がパターニングされ、ソース電極５、ドレイン電極６、及びソース配線４４を形成する。
【００５６】
続いて、ソース電極５及びドレイン電極６をマスクとして、オーミックコンタクト膜となる膜をエッチングする。すなわち、島状にパターニングされたオーミックコンタクト膜のうち、ソース電極５又はドレイン電極６に覆われずに露出した部分をエッチングにより除去する。これにより、ソース電極５とドレイン電極６との間にチャネル領域が設けられた半導体層４及びオーミックコンタクト膜が形成される。なお、上記説明では、ソース電極５及びドレイン電極６をマスクとしてエッチングを行ったが、ソース電極５及びドレイン電極６をパターニングする際に用いたレジストパターンをマスクとして、オーミックコンタクト膜のエッチングを行ってもよい。その場合は、ソース電極５及びドレイン電極６上のレジストパターンを除去する前に、オーミックコンタクト膜のエッチングを行う。
【００５７】
続いて、ソース電極５、ドレイン電極６、及びソース配線４４を覆うように、層間絶縁膜となる第２の絶縁膜を成膜する。例えば、層間絶縁膜として窒化シリコン、酸化シリコン等の無機絶縁膜を、ＣＶＤ法などを用いて基板１全面に成膜する。これにより、半導体層４のチャネル領域が層間絶縁膜に覆われる。その後、写真製版、エッチング、レジスト除去の工程を経て、ドレイン電極６の延在部に到達するコンタクトホールを層間絶縁膜に形成する。
【００５８】
次に、層間絶縁膜の上に、ＩＴＯ等の透明導電膜をスパッタ法等により基板１全面に成膜する。そして、写真製版、エッチング、レジスト除去の工程を経て、この透明導電膜をパターニングする。これにより、コンタクトホールを介してドレイン電極６と電気的に接続し、複数本の共通電極３と略平行かつ交互に配置された複数本の櫛歯を有する画素電極７が形成される。このとき、本実施の形態では、画素電極７の櫛歯を、共通電極３と同様、ラビング角度βとの間で前述の（１）式と（２）式とを満たす電極角度αでゲート配線４３に垂直な方向から傾斜させて「く」の字状に形成する。また、画素電極７の櫛歯の間隔を共通電極３の櫛歯の間隔に合わせて形成し、これら画素電極７の櫛歯が共通配線２の対面で連結するように形成する。以上の工程を経て、本実施の形態のアレイ基板が完成する。
【００５９】
このように作製したアレイ基板の上に、その後のセル工程において配向膜を形成する。また、別途作製された対向基板の上に配向膜を同様に形成する。そして、この配向膜に対して、液晶との接触面に一方向にミクロな傷をつける配向処理（ラビング処理）を施す。
このとき、本実施の形態では、電極角度αとの間で前述の（１）式と（２）式とを満たすラビング角度βでゲート配線４３に垂直な方向から傾斜させたラビング方向１２に配向処理を行う。次に、シール材を塗布して、アレイ基板と対向基板とを貼り合せる。アレイ基板と対向基板とを貼り合わせた後、真空注入法等を用い、液晶注入口から液晶を注入する。そして、液晶注入口を封止する。このようにして形成した液晶セルの両面に偏光板を貼り付ける。本実施の形態では、２枚の偏光板を、それぞれの吸収軸１５がクロスニコルとなるように、ラビング方向１２に対して平行、又は垂直に配置する。そして、駆動回路を接続した後、バックライトユニットを取り付ける。このようにして、本実施の形態の液晶表示装置が完成する。
【００６０】
以上のように、本実施の形態では、（１）式及び（２）式を満たす電極角度αとラビング角度βとに基づいて、「く」の字状に形成された共通電極３及び画素電極７の櫛歯と、ラビング方向１２とを、ゲート配線４３に垂直な方向から傾斜させている。これにより、偏光板の吸収軸１５を、ランドスケープ、ポートレートともに、偏光サングラスの吸収軸が配置された水平方向と異なる方向にできる。従って、ディスプレイ画面が縦横両方とも使用される表示装置の表示を偏光サングラスを装着した状態で観察したときに、ランドスケープ、ポートレートのいずれかで表示が真っ黒になることを防止できる。また、このとき液晶分子１１が２方向に応答でき、かつ複屈折効果を最大に得ることができるので、一画素４７領域の複屈折効果が見る角度によって変化することを防止できる。従って、様々な角度から見てもカラーシフトが発生せず、良好な視野角特性が得られる。また、特許文献２、３のように部材追加による厚み増加がなく、液晶表示装置を薄型化できる。そして、ＩＰＳモードの液晶表示装置に特許文献４の方法を適用した場合のように、コントラストを低下させることがない。
【００６１】
さらに、１つの画素４７で液晶分子１１の応答方向が異なる２領域のうち、共通電極３及び画素電極７の傾斜方向と、ラビング方向１２とのなす角が狭い側の領域では、広い側の領域よりも、共通電極３と画素電極７の間隔を広くしている。これにより、共通電極３及び画素電極７の傾斜方向と、ラビング方向１２とのなす角が異なることに起因する光学応答の差を補うことができ、同一の動特性を１つの画素内で達成することができる。このように、本実施の形態によれば、部材を新たに追加することなく、偏光サングラスを装着したままランドスケープ、ポートレートともに表示が観察可能な表示品位の優れたＦＦＳモードの液晶表示装置、及びその製造方法を提供することができる。
【００６２】
実施の形態２．
本実施の形態に係る液晶表示装置の画素構成について、図５を用いて説明する。図５は、実施の形態２に係る液晶表示装置の画素構成を示した平面図である。図５は液晶表示装置の画素４７の１つを示している。なお、図５にはアレイ基板側の構成のみが記載されている。本実施の形態では、上側画素４７ａ、下側画素４７ｂのどちらか一方における共通電極３と画素電極７の櫛歯形状が実施の形態１と異なっていて、それ以外の構成については実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００６３】
図５において、上側画素４７ａと下側画素４７ｂのうち、実効ラビング角度の小さい側では、共通電極３及び画素電極７の櫛歯の先端部に電極間隔を狭くするための延在部８が設けられている。延在部８は、櫛歯の側辺のうち、ゲート配線４３の延在方向と櫛歯とのなす角が狭い側に設けられている。この延在部８により、１つの画素４７で液晶分子１１の応答方向が異なる２領域のうち、共通電極３及び画素電極７の傾斜方向と、ラビング方向１２とのなす角が狭い側において、電極間隔が櫛歯の先端部で狭くなる。これにより、荷重を加えたときに発生するディスクリネーションがその後も維持されて表示不良となることを防止できる。これは、共通電極３及び画素電極７の傾斜方向と、ラビング方向１２とのなす角、すなわち実効ラビング角度が１５°未満のときに特に有効となる。
【００６４】
このような構成のアレイ基板は、共通電極３の形成工程と画素電極７の形成工程のそれぞれにおいて、液晶分子１１の応答方向が異なる２領域のうち一方の側のみの先端部に延在部８を有する櫛歯形状に形成すればよい。それ以外の製造方法は、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００６５】
実施の形態３．
本実施の形態に係る液晶表示装置の画素構成について、図６を用いて説明する。図６は、実施の形態３に係る液晶表示装置の画素構成を示した平面図である。図６は液晶表示装置の画素４７の１つを示している。なお、図６にはアレイ基板側の構成のみが記載されている。実施の形態１では、共通電極３と画素電極７の電極間隔が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで異なるように形成されていたが、本実施の形態では、電極間隔が異なるかわりに、セルギャップが上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで異なるように形成されている。それ以外の構成については実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００６６】
図６において、上側画素４７ａと下側画素４７ｂのうち、実効ラビング角度の小さい側では、セルギャップ調整膜９が形成されている。セルギャップ調整膜９は、アレイ基板又は対向基板の少なくとも一方に設けられている。図６では、アレイ基板上の上側画素４７ａにセルギャップ調整膜９を配設した場合について例示的に記している。これにより、実効ラビング角度の小さい側では、大きい側よりもセルギャップが狭くなる。なお、本実施の形態では、実施の形態１と異なり電極間隔が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで同じとなるように形成される。そのため、画素電極７は、図６のように、必ずしも上側画素４７ａと下側画素４７ｂの境界部分でそれぞれの櫛歯が連結するように形成されていなくてもよく、別の部分で連結していればよい。
【００６７】
上側画素４７ａと下側画素４７ｂとが異なるセルギャップを有する理由について、図７を用いて説明する。図７は、異なるセルギャップのＩＰＳモードの液晶表示装置における電圧と透過率との関係を示すグラフである。図７では、セルギャップの異なる２つのグラフが記されている。図７において、セルギャップが広いときのグラフを点線、セルギャップが狭いときのグラフを実線でそれぞれ示している。
【００６８】
同じ透過率を得るために必要とする電圧は、セルギャップが広いときの方が狭いときよりも小さいということが、図７から明らかである。そのため、実効ラビング角度が小さい場合、低電圧で応答が可能となる。一方、実効ラビング角度が大きい場合、高電圧を加えないと同等の透過率を得ることができない。本実施の形態では、上側画素４７ａと下側画素４７ｂとでは実効ラビング角度が異なるため、これと同様の現象が１つの画素内に発生する。すなわち、画素に一定の電圧を印加したとき、得られる透過率が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで異なってしまう。よって、１つの画素内で光学応答が一定でなくなり、一定した表示特性を得ることができない。
【００６９】
このとき、実効ラビング角度が小さい側のセルギャップを狭くすると、より高電圧側の特性とすることができる。すなわち、実効ラビング角度が小さい側のセルギャップを大きい側よりも狭くすることで、実効ラビング角度が異なることに起因する光学応答の差を補うことができる。上側画素４７ａの電極間隔と下側画素４７ｂのセルギャップは、この実効ラビング角度が異なることに起因する光学応答の差に基づいて、適宜調整される。例えば、セルギャップ調整前において、仮に実効ラビング角度が小さい側の特性が図７の点線に示すグラフ、実効ラビング角度が大きい側の特性が図７の実線に示すグラフの場合、図７に示した実線の特性と点線の特性とを合わせるように調整された膜厚のセルギャップ調整膜９を、実効ラビング角度の小さい側に形成する。これにより、実施の形態１と同様、画素に所定の電圧を印加したとき、得られる透過率が上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで異なることなく、同一の動特性を１つの画素内で達成することができる。
【００７０】
セルギャップ調整膜９は、新たに専用の層を設けてもよいが、アレイ基板、対向基板を構成する層のいずれかを用いて形成してもよい。これらの層を複数積層してセルギャップ調整膜９としてもよい。また、セルギャップ調整膜９は、アレイ基板側、対向基板側のいずれか片方、又は両方に形成してもよい。
【００７１】
なお、実施の形態１〜３では、チャネルエッチ型のＴＦＴ５０が形成された液晶表示装置について説明したが、トップゲート型など他のＴＦＴ５０が設けられていてもよい。また、上記説明では、ラビング方向１２が垂直方向に対して右側に回転した方向、すなわちラビング角度の符号が正となる方向の場合について例示的に説明したが、これに限るものではない。垂直方向に対して左側に回転した方向、すなわちラビング角度の符号が負となる方向をラビング方向１２とすることも可能である。
【００７２】
実施の形態１〜３は、適宜、組み合わせて用いることができる。例えば、実施の形態３に実施の形態２を組み合わせてもよい。また、実施の形態１と実施の形態３とを組み合わせて、上側画素４７ａと下側画素４７ｂとで電極間隔を異ならせたうえに、セルギャップ調整膜９をさらに形成することができる。
【００７３】
以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板の構成を示す正面図である。
【図２】実施の形態１に係る液晶表示装置の画素構成を模式的に示した平面図である。
【図３】電極角度αとラビング角度βを説明するための図である。
【図４】異なる実効ラビング角度のＩＰＳモードの液晶表示装置における電圧と透過率との関係を示すグラフである。
【図５】実施の形態２に係る液晶表示装置の画素構成を示した平面図である。
【図６】実施の形態３に係る液晶表示装置の画素構成を示した平面図である。
【図７】異なるセルギャップのＩＰＳモードの液晶表示装置における電圧と透過率との関係を示すグラフである。
【図８】従来のＩＰＳモードの液晶表示装置の画素構成を模式的に示した平面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  基板、２  共通配線、３  共通電極、４  半導体層、
５  ソース電極、６  ドレイン電極、７  画素電極、
８  延在部、９  セルギャップ調整膜、
１０、１１  液晶分子、１２  ラビング方向、１５  吸収軸
４１  表示領域、４２  額縁領域、４３  ゲート配線、４４  ソース配線、
４５  走査信号駆動回路、４６  表示信号駆動回路、
４７  画素、４７ａ  上側画素、４７ｂ  下側画素、
４８、４９  外部配線、５０  ＴＦＴ
【図１】
2009300555.tif 000004
【図２】
2009300555.tif 000005
【図３】
2009300555.tif 000006
【図４】
2009300555.tif 000007
【図５】
2009300555.tif 000008
【図６】
2009300555.tif 000009
【図７】
2009300555.tif 000010
【図８】
2009300555.tif 000011