(57)【要約】本発明の目的は、光信号通過領域が形成されており、光信号の伝送損失を抑えることが可能となるとともに、より確実に光信号を伝送することができ、信頼性に優れるＩＣチップ実装用基板を提供することにあり、本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、前記光信号通過領域の前記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。
2005052666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、
前記光信号通過領域の前記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とするＩＣチップ実装用基板。
【請求項２】
前記光信号通過領域は、前記基板および前記絶縁層を貫通するように設けられている請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項３】
前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されている請求項1または２に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項４】
前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は、前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている請求項1または２に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項５】
前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有している請求項４に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項６】
前記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱である請求項５に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項７】
前記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項８】
前記光信号通過領域の壁面が、樹脂により構成されている請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項９】
前記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａが０．１〜５μｍである請求項１〜８のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１０】
前記光学素子は、受光素子および／または発光素子である請求項１〜９のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１１】
前記光学素子が発光素子であり、前記発光素子から出射した光が、前記マイクロレンズを介してコリメート光となる請求項１〜１０のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１２】
前記光学素子が受光素子であり、前記マイクロレンズを介して前記受光素子へ入射する光について、前記受光素子の受光部におけるスポット領域が、前記受光部と２２％以上重なっている請求項１〜１０のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１３】
前記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された前記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、
前記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、前記マイクロレンズが配設される面には、撥水処理または親水処理が施されている請求項１〜１２のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１４】
前記マイクロレンズには、粒子が配合されている請求項１〜１３のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１５】
基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成され、少なくとも一方の面に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装することができるマザーボード用基板であって、
マザーボード用基板には、光信号通過領域が設けられており、
前記光信号通過領域の前記光学素子または前記ＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とするマザーボード用基板。
【請求項１６】
前記光信号通過領域は、前記基板および前記絶縁層を貫通するように設けられている請求項１５に記載のマザーボード用基板。
【請求項１７】
前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されている請求項１５または１６に記載のマザーボード用基板。
【請求項１８】
前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は、前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている請求項１５または１６に記載のマザーボード用基板。
【請求項１９】
前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有している請求項１８に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項２０】
前記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱である請求項１９に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項２１】
前記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている請求項１５〜２０のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２２】
前記光信号通過領域の壁面が、樹脂により構成されている請求項１５〜２０のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２３】
前記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａが０．１〜５μｍである請求項１５〜２２のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２４】
前記光導波路から出射した光が、前記マイクロレンズを介してコリメート光となる請求項１５〜２３のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２５】
前記マイクロレンズを介して前記光導波路へ入射する光について、前記光導波路のコアにおけるスポット領域が、前記コアと３５％以上重なっている請求項１５〜２３のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２６】
前記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された前記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、
前記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、前記マイクロレンズが配設される面には、撥水処理または親水処理が施されている請求項１５〜２５のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２７】
前記マイクロレンズには、粒子が配合されている請求項１５〜２６のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項２８】
請求項１〜１４のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板が、請求項１５〜２７のいずれか１に記載のマザーボード用基板に実装されてなることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項２９】
基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装された光通信用デバイスであって、
前記光導波路と前記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、
前記光導波路または前記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項３０】
前記マイクロレンズが少なくとも２つ配設されており、
前記光導波路または前記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となる請求項２９に記載の光通信用デバイス。
【請求項３１】
基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板とが実装された光通信用デバイスであって、
前記マザーボード用基板は、前記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、前記光信号通過領域の前記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
前記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、前記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、前記光信号通過領域の前記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
前記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、前記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、前記光信号通過領域の前記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
前記発光素子から出射した光は、前記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、前記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、前記光導波路の一端に入射した後、前記光導波路内を伝送し、前記光導波路の他端から出射した光が、前記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が前記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて前記受光素子に入射するように構成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項３２】
（ａ）基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）前記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、前記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）前記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とするＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３３】
前記（ｂ）の工程において、前記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される貫通孔からなる光信号通過領域を形成する請求項３２に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３４】
前記（ｂ）の工程において、前記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成する請求項３２に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３５】
前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行う請求項３２〜３４のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３６】
前記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とする請求項３５に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３７】
前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行う請求項３２〜３４のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３８】
前記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とする請求項３７に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３９】
前記（ｃ）の工程において、前記マイクロレンズを配設する前に、前記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておく請求項３２〜３８のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４０】
（ａ）基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成するとともに、
前記基板上および／または前記絶縁層上に光導波路を形成し、光配線板とする光配線板製造工程と、
（ｂ）前記光配線板に光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）前記光信号通過領域の一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とするマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４１】
前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される光信号通過領域を形成する請求項４０に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４２】
前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成する請求項４０に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４３】
前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行う請求項４０〜４２のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４４】
前記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とする請求項４３に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４５】
前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行う請求項４０〜４２のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４６】
前記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とする請求項４５に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４７】
前記（ｃ）の工程において、前記マイクロレンズを配設する前に、前記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておく請求項４０〜４６のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ実装用基板、マザーボード用基板、光通信用デバイス、ＩＣチップ実装用基板の製造方法、および、マザーボード用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信分野を中心として光ファイバに注目が集まっている。特にＩＴ（情報技術）分野においては、高速インターネット網の整備に、光ファイバを用いた通信技術が必要となる。
光ファイバは、（１）低損失、（２）高帯域、（３）細径・軽量、（４）無誘導、（５）省資源等の特徴を有しており、この特徴を有する光ファイバを用いた通信システムでは、従来のメタリックケーブルを用いた通信システムに比べ、中継器数を大幅に削減することができ、建設、保守が容易になり、通信システムの経済化、高信頼性化を図ることができる。【０００３】
また、光ファイバは、一つの波長の光だけでなく、多くの異なる波長の光を１本の光ファイバで同時に多重伝送することができるため、多様な用途に対応可能な大容量の伝送路を実現することができ、映像サービス等にも対応することができる。【０００４】
そこで、このようなインターネット等のネットワーク通信においては、光ファイバを用いた光通信を、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソコン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士の通信にも用いることが提案されている。【０００５】
このように基幹網と端末機器との通信等に光通信を用いる場合、端末機器において情報（信号）処理を行うＩＣが、電気信号で動作するため、端末機器には、光→電気変換器や電気→光変換器等の光信号と電気信号とを変換する装置（以下、光／電気変換器ともいう）を取り付ける必要がある。
そこで、従来の端末機器では、例えば、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学素子等を別々に実装し、これらに電気配線や光導波路を接続し、信号伝送および信号処理を行っていた。【０００６】
このような従来の端末機器において、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学素子等を別々に実装した場合には、装置自体が大きくなり、端末機器の小型化を図ることが難しかった。【０００７】
そこで、本発明者らは、先に、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、このＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されたＩＣチップ実装用基板を提案している（例えば、特許文献１参照）。【０００８】
一方、光学部品間の光結合効率を高めるためには、マイクロレンズを用いることができ、マイクロレンズの形成方法としては、シリコン異方性エッチング、フォトリソグラフィの技術を利用したマイクロレンズの形成方法が開示されている（例えば、特許文献２、３参照）。
このような方法で形成したマイクロレンズや、マイクロレンズアレイは接着剤を用いてパーケージ基板やプリント配線板上に固定することができる。【０００９】
また、基板上に直接樹脂を塗布した後、硬化させることによりマイクロレンズを形成する方法として、マイクロジェット（インクジェット）を用いてマイクロレンズを形成する方法も開示されている（例えば、非特許文献１、２参照）。【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３２９８９１号公報
【特許文献２】特開平０６−２３０２０３号公報
【特許文献３】特開平０６−３２６２８５号公報
【非特許文献１】Ｄ．Ｌ．ＭａｃＦａｒｌａｎｅ、外２名，「マイクロジェットによるマイクロレンズの製作（Ｍｉｃｒｏｊｅｔ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｌｅｎｓ  Ａｒｒａｙｓ）」，（ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌ  Ｌｅｔｔ），米国，１９９４年，第６巻，第９号，ｐ．１１１２−１１１４
【非特許文献２】石井、外３名，「光Ｉ／Ｏチップ実装のための高分子マイクロレンズのインクジエットによる製作（Ｉｎｋ−Ｊｅｔ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｅｎｓ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｉ／Ｏ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）」，（Ｊｐｎ  Ｊ  Ａｐｐｌ  Ｐｈｙｓ  Ｐａｒｔ  １），２０００年，第３９巻，第３Ｂ号，ｐ．１４９０−１４９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、既にマイクロレンズを形成する技術については開示されているものの、光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板や、このＩＣチップ実装用基板等を実装するための光導波路が形成されたマザーボード用基板等にマイクロレンズを取り付ける場合の取り付け位置については、何ら開示されていなかった。
また。ＩＣチップ実装用基板にマイクロレンを取り付ける際に、その位置や個数等や、マイクロレンズ自体の形状等によっては、発光素子からの光信号は広がり角度をもって発光されること、受光素子の受光エリアが小さいこと等に起因して、光学素子と光導波路との間や、光学素子同士の間で光信号の伝送が行われなかったり、伝送損失が大きくなりすぎたりすることがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで、本発明者らは、接続信頼性に優れる光通信を達成するために、光学素子が実装されるとともに光信号通過領域が設けられたＩＣチップ実装用基板、光導波路が形成されるとともに光信号通過領域が設けられたマザーボード用基板、および、これらを用いた光通信用デバイスおいて、接続信頼性に優れる光通信を達成するために鋭意検討を行い、本発明を完成した。【００１３】
即ち、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。【００１４】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号通過領域は、上記基板および上記絶縁層を貫通するように設けられていることが望ましい。【００１５】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されていることが望ましい。【００１６】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されていることも望ましい。
この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることが望ましい。【００１７】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記光信号通過領域の壁面が、樹脂または金属により構成されていることが望ましく、また、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａが０．１〜５μｍであることが望ましい。【００１８】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記光学素子は、受光素子および／または発光素子であることが望ましい。【００１９】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、上記光学素子が発光素子であり、上記発光素子から出射した光が、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましく、また、上記光学素子が受光素子であり、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることも望ましい。【００２０】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、上記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、上記マイクロレンズが配設されている面には、撥水処理または親水処理が施されていることが望ましく、また、上記マイクロレンズには、粒子が配合されていることが望ましい。【００２１】
第二の本発明のマザーボード用基板は、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成され、少なくとも一方の面に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装することができるマザーボード用基板であって、
マザーボード用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子または上記ＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。【００２２】
第二の本発明のマザーボード用基板において、上記光信号通過領域は、上記基板および上記絶縁層を貫通するように設けられていることが望ましい。【００２３】
第二の本発明のマザーボード用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されていることが望ましい。【００２４】
第二の本発明のマザーボード用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されていることも望ましい。
この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることが望ましい。【００２５】
また、第二の本発明のマザーボード用基板においては、上記光信号通過領域の壁面が、樹脂または金属により構成されていることが望ましく、また、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍであることが望ましい。【００２６】
また、第二の本発明のマザーボード用基板においては、上記光導波路から出射した光が、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましく、また、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることも望ましい。【００２７】
また、第二の本発明のマザーボード用基板において、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、上記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、上記マイクロレンズが配設されている面には、撥水処理または親水処理が施されていることが望ましく、また、上記マイクロレンズには、粒子が配合されていることが望ましい。【００２８】
第三の本発明の光通信用デバイスは、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が、第二の本発明のマザーボード用基板に実装されてなることを特徴とする。【００２９】
第四の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装された光通信用デバイスであって、
上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、
上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることを特徴とする。【００３０】
第四の本発明の光通信用デバイスは、上記マイクロレンズが少なくとも２つ配設されており、
上記光導波路または上記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となることが望ましい。【００３１】
第五の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板とが実装された光通信用デバイスであって、
上記マザーボード用基板は、上記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子から出射した光は、上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、上記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、上記光導波路の一端に入射した後、上記光導波路内を伝送し、上記光導波路の他端から出射した光が、上記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて上記受光素子に入射するように構成されていることを特徴とする。【００３２】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）上記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、上記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とする。【００３３】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される貫通孔からなる光信号通過領域を形成することが望ましい。【００３４】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成することが望ましい。【００３５】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行うことが望ましく、この場合、上記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とすることが望ましい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行うことも望ましく、この場合、上記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とすることが望ましい。【００３６】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｃ）の工程において、上記マイクロレンズを配設する前に、上記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておくことが望ましい。【００３７】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、
（ａ）基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成するとともに、
上記基板上および／または上記絶縁層上に光導波路を形成し、光配線板とする光配線板製造工程と、
（ｂ）上記光配線板に光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とする。【００３８】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される光信号通過領域を形成することが望ましい。【００３９】
また、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成することが望ましい。【００４０】
また、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行うことが望ましく、この場合、上記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とすることが望ましい。
また、上記マザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行うことも望ましく、この場合、上記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とすることが望ましい。【００４１】
また、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｃ）の工程において、上記マイクロレンズを配設する前に、上記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておくことが望ましい。
【発明の効果】
【００４２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、上述したように、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設されているため、受光素子に入射する光信号や、発光素子から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光学素子の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたＩＣチップ実装用基板を実現することができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板に配設された光学素子と後述する第二の本発明のマザーボード用基板等の外部基板等に実装した光学部品等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。【００４３】
さらに、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、上記光信号通過領域を介して、上記光学素子の入出力信号を伝送することができる。また、このＩＣチップ実装用基板にＩＣチップが実装された場合には、ＩＣチップと光学素子との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れることとなる。
また、本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学素子を一体化することができるため、光通信用端末機器の薄型化、小型化に寄与することができる。【００４４】
第二の本発明のマザーボード用基板は、上述したように、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設されているため、マザーボード用基板に形成された光導波路に入射する光信号や、該光導波路から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光学素子の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたマザーボード用基板を実現することができる。
また、上記マザーボード用基板に形成された光導波路と上述した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板等に実装した光学素子等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。【００４５】
さらに、第二の本発明のマザーボード用基板では、光信号通過領域領域の端部にマイクロレンズが配設されているため、上記光信号通過領域および上記光導波路を介して、光信号を確実に伝送することができる。
また、本発明のマザーボード用基板では、光通信に必要な電子部品や光導波路を一体化することができるため、光通信用端末機器の薄型化、小型化に寄与することができる。【００４６】
第三の本発明の光通信用デバイスは、本発明のマザーボード用基板に本発明のＩＣチップ実装用基板が実装されたものであるため、光信号の伝送能に優れることとなる。【００４７】
第四の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光学素子とを結ぶ光路上にマイクロレンズが配設されているため、光信号の伝送能に優れることとなる。【００４８】
第五の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光信号通過領域とが形成されたマザーボード用基板に、受光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板と、発光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板とが実装されており、所定の位置に所定の機能を有するマイクロレンズが配設されているため、発光素子から出射した光が、光信号通過領域および光導波路を介して、受光素子に伝送される際に、この光は、光信号通過領域の壁面で反射されることとなく伝送されることとなる。従って、反射による減衰なく、発光素子との受光素子との間での光信号の伝送能に優れることとなる。【００４９】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上述した構成からなるため、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板、即ち、基板および絶縁層に設けられた光信号通過領域を介して光学素子の入出力信号の伝送を行うＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。従って、第六の本発明の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたＩＣチップ実装用基板を製造することができる。【００５０】
第七の本発明の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、上述した構成からなるため、第二の本発明のマザーボード用基板、即ち、基板および絶縁層に設けられた光信号通過領域および光導波路を介して光信号の伝送を行うマザーボード用基板を好適に製造することができる。従って、第七の本発明の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたマザーボード用基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板について説明する。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。【００５２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、光学素子が実装されるとともに、該ＩＣチップ実装用基板（基板、絶縁層）に光信号通過領域が設けられているため、上記光信号通過領域を介して、上記光学素子の入出力信号を伝送することができる。また、このＩＣチップ実装用基板にＩＣチップが実装された場合、ＩＣチップと光学素子との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れることとなる。
また、ＩＣチップを実装した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学素子を一体化することができるため、光通信用端末機器の薄型化、小型化に寄与することができる。【００５３】
さらに、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、上記光信号通過領域の上記光学素子側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されているため、受光素子に入射する光信号や、発光素子から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光学素子の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたＩＣチップ実装用基板を実現することができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板に配設された光学素子と外部基板等に実装した光学部品等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。【００５４】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、光信号通過領域が形成されており、この光信号通過領域の少なくとも一端に、マイクロレンズが配設されている。
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、その両面に導体回路と絶縁層とが積層形成された基板の最外層に、さらに、ソルダーレジスト層が形成されていてもよい。【００５５】
ここでは、まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板における光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設された態様について、ソルダーレジスト層が形成されている場合と、形成されていない場合とに分けて、簡単に説明しておく。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、基板の両面に絶縁層が積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されていない場合には、光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設されていることとなる。【００５６】
これに対して、基板の両面に絶縁層が積層形成され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成されている場合には、通常、上記ソルダーレジスト層をも貫通するように光信号通過領域が形成されていることとなり、この場合、光信号通過領域の端部に配設されたマイクロレンズは、光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の内部に配設されることとなる。
さらに、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、最外層にソルダーレジスト層が形成され、このソルダーレジスト層をも貫通するように光信号通過領域が形成されている場合には、光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部にマイクロレンズが配設されている態様も、光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設された第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の態様に含むこととする。【００５７】
また、本明細書では、光学素子への入力信号や光学素子からの出力信号を伝送するためにＩＣチップ実装用基板や後述するマザーボード用基板に設けられた領域のことを光信号通過領域ということとする。【００５８】
上記マイクロレンズとしては特に限定されず、通常、光学レンズに使用されているもの等が挙げられ、その材質の具体例としては、光学ガラス、光学レンズ用樹脂等が挙げられる。また、上記光学レンズ用樹脂としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光化された樹脂等が挙げられる。
具体的には、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂；フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂；エポキシ樹脂；ＵＶ硬化性エポキシ樹脂；重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂；ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。【００５９】
上記マイクロレンズの屈折率は特に限定されず、上記光信号通過領域の屈折率と同一であってもよく、大きくてもよい。
上記マイクロレンズの屈折率が上記光信号通過領域の屈折率と同一である場合には、両者の界面で光信号の反射が発生しないため、より確実に光信号の伝送を行うことができ、上記マイクロレンズの屈折率が上記光信号通過領域の屈折率より大きい場合には、所望の方向に光信号をより集光させることができるため、より確実に光信号の伝送を行うことができる。【００６０】
また、上記マイクロレンズの形状としては、例えば、片面にのみ凸面を有する凸形状レンズ等が挙げられ、この場合、上記レンズの凸面の曲率半径は、光信号通過領域の設計等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、焦点距離を長くする必要があるときには、曲率半径を小さくすることが望ましく、焦点距離を短くする必要があるときには、曲率半径を大きくすることが望ましい。
なお、上記マイクロレンズの形状は、凸形状レンズに限定されるわけではなく、光信号を所望の方向に集光することができる形状であればよい。【００６１】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域の光学素子と反対側の端部に配設されるマイクロレンズは、その通信波長光の透過率が７０％以上であることが望ましい。
通信波長光の透過率が７０％未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％以上であることがより望ましい。
なお、本明細書において、通信波長光の透過率とは、長さ１ｍｍあたりの通信波長光の透過率をいう。具体的には、例えば、強さＩ１の光がマイクロレンズに入射し、該マイクロレンズを１ｍｍ通過して出てきたとした際に、出てきた光の強さがＩ２である場合に下記式（１）により算出される値である。【００６２】
透過率（％）＝（Ｉ２／Ｉ１）×１００・・・（１）【００６３】
なお、上記透過率とは、２５〜３０℃で測定した透過率をいう。【００６４】
また、上記マイクロレンズには粒子が配合されていることが望ましく、具体的には、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が配合されていることが望ましい。粒子を含ませることにより、マイクロレンズの強度が向上し、形状がより確実に維持されることとなるとともに、上記ＩＣチップ実装用基板の構成部材との間で熱膨張係数を整合させることができ、熱膨張係数の差に起因したクラック等がより発生しにくくなるからである。【００６５】
上記マイクロレンズに粒子が含まれている場合、該マイクロレンズの樹脂成分の屈折率と、上記粒子の屈折率とは同程度であることが望ましい。そのため、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率の異なる２種類以上の粒子を混ぜ合わせて、粒子の屈折率が樹脂成分の屈折率と同程度になるようにしたものであることが望ましい。
具体的には、例えば、樹脂成分が屈折率１．５３のエポキシ樹脂である場合、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率が１．４６のシリカ粒子と屈折率が２．６５のチタニア粒子とを混ぜ合わせて、溶解して粒子としたもの等が望ましい。
なお、粒子を混ぜ合わせる方法としては、混練する方法、２種類以上の粒子を溶かして混ぜ合わせた後、粒子状にする方法等が挙げられる。【００６６】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等からなるものが挙げられる。【００６７】
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等の熱硬化性樹脂；これらの熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与した樹脂；フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂；アクリル樹脂等の感光性樹脂等からなるものが挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹脂複合体や、上記アクリル基を付与した樹脂や上記感光性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹脂複合体からなるものを用いることもできる。
また、上記樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。【００６８】
また、上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等からなるものが挙げられる。また、シリカとチタニアとを一定の割合で混ぜ、溶融させて均一化したものを用いてもよい。
また、上記無機粒子として、リンやリン化合物からなるものを用いることもできる。【００６９】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、白金、鉄、亜鉛、鉛、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム等からなるものが挙げられる。
これらの樹脂粒子、無機粒子および金属粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。【００７０】
また、上記粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。これらのなかでは、球状、または、楕円球状が望ましい。球状や楕円球状の粒子には角がないため、マイクロレンズにクラック等がより発生しにくいからである。
さらに、上記粒子の形状が球状または楕円球状である場合には、該粒子で光が反射しにくく、光信号の損失が低減されることとなる。【００７１】
また、上記粒子の粒径（粒子の最大長さ）は特に限定されないが、その上限は０．８μｍ、その下限は０．０１μｍが望ましい。
インクジェット装置の塗布ノズルの内径や、ディスペンサーのノズル内径寸法は、２０μｍが現在の最小寸法であるが、粒径が上記範囲にある場合には、ノズルが詰まることなく、塗布することができるからである。
また、上記粒径の下限は０．１μｍであることがより望ましい。
上記粒径が、この範囲にあることはインクジェット装置やディスペンサー等による塗布での粘度の安定性や、塗布量のバラツキの観点からより望ましいからである。【００７２】
上記マイクロレンズに含まれる粒子の配合量の望ましい下限は５重量％であり、より望ましい下限は１０重量％である。一方、上記粒子の配合量の望ましい上限は６０重量％であり、より望ましい上限は５０重量％である。粒子の配合量が５重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が６０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。【００７３】
また、上記マイクロレンズは、必ずしも個別形状を有するものである必要はなく、複数のレンズが一体的に構成されたマイクロレンズアレイを用いることもできる。
なお、上記マイクロレンズアレイを用いる場合、このマイクロレンズアレイは、光学接着剤を用いて光信号通過領域の所定の端部に配設すればよい。
また、マイクロレンズアレイの形状は特に限定されず、ＩＣチップ実装用基板の設計や光信号通過領域の形状等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、光信号通過領域がマルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている場合には、レンズ径２２０μｍ、レンズのサグ高さ５〜５０μｍ（望ましくは５〜２０μｍ）のマイクロレンズが、ピッチ２５０μｍで並列に配置されたマイクロレンズアレイを用いることができる。【００７４】
上記マイクロレンズアレイを作製する方法としては、上記マイクロレンズの材質がガラスや石英の場合には、例えば、異方性エッチングやフォトリソグラフィ等を用いることができ、上記マイクロレンズの材質が樹脂の場合には、金型に材料樹脂を流し込み、熱と荷重とを加えて作製する方法等を用いることができる。【００７５】
上記マイクロレンズアレイの具体的な形状について、図面を参照しながら簡単に説明しておく。なお、第一の本発明で用いることができるマイクロレンズアレイは、下記の形状を有するものに限定されるわけではない。
図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれマイクロレンズアレイの一例を模式的に示す断面図である。
即ち、第一の本発明で用いることができるマイクロレンズアレイは、図１（ａ）に示すように、板状体の上面に凸面を有する凸形状のレンズが複数設けられたマイクロレンズアレイ１１であってもよいし、（ｂ）に示すように板状体の上面に、四角柱の上面に球の一部が載置された形状のレンズが複数設けられたマイクロレンズアレイ１２であってもよいし、（ｃ）に示すように、板状体の上面に凹面を有する凹形状のレンズが複数設けられたマイクロレンズアレイ１３であってもよい。【００７６】
上記光学接着剤としては特に限定されず、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、シリコーン樹脂系等の光学接着剤を用いることができる。
上記光学接着剤の特性は、粘度：０．２〜１．０Ｐａ・ｓ、屈折率：１．４〜１．６、光透過率：８０％／ｍｍ以上、熱膨張係数（ＣＴＥ）：４．０×１０−５〜９．０×１０−５（／℃）であることが望ましい。
また、上記光学接着剤の厚さは、５０μｍ以下であることが望ましい。【００７７】
また、上記マイクロレンズは、親水処理または撥水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されていることが望ましい。
上記光信号通過領域の端部の濡れ性によっては、マイクロレンズの形状、特にサグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、親水処理または撥水処理を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができるからである。
また、上記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、上記マイクロレンズが配設されている面には、撥水処理または親水処理が施されていることも望ましい。この場合も、同様の効果を得ることができるからである。【００７８】
上記撥水処理としては、例えば、フッ素系ポリマーコーティング剤（表面張力１０〜１２ｍＮ／ｍ）等の撥水コート材による処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理等が挙げられ、上記親水処理としては、Ｏ２プラズマによる親水処理等が挙げられる。
上記撥水処理や親水処理の具体的な方法について簡単に説明しておく。
上記撥水コート剤による処理を行う場合には、まず、ＩＣチップ実装用基板のマイクロレンズを形成する部分（即ち、光信号通過領域の端部）に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、スプレイ塗布やスピンコータでの塗布により撥水コート剤を塗布し、その後、撥水コート剤を自然乾燥させ、さらにマスクを剥がすことにより撥水コート剤による処理を終了する。なお、撥水コート剤層の厚さは、通常、１μｍ程度である。
ここでは、メッシュ版やレジスト形成したマスクを用いればよい。【００７９】
また、上記ＣＦ４プラズマによる撥水処理を行う場合には、まず、ＩＣチップ実装用基板のマイクロレンズを形成する部分（即ち、光信号通過領域の端部）に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、ＣＦ４プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより撥水処理を終了する。
ここでは、レジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記Ｏ２プラズマによる親水処理を行う場合には、まず、ＩＣチップ実装用基板のマイクロレンズを形成する部分（即ち、光信号通過領域の端部）に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、Ｏ２プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより親水処理を終了する。
ここでは、メタル版やレジスト形成したマスクを用いればよい。【００８０】
上述したような撥水処理や親水処理の効果について、マイクロレンズを光信号通過領域の端部に直接配設した場合を例に説明する。すなわち、３８０ｐｌの光学レンズ用樹脂をインクジェットで塗布し、直径２２０μｍ、サグ高さ１０μｍのマイクロレンズを形成した場合の形状（マイクロレンズの径、および、サグ高さ）を検証してみたところ以下のような結果が得られた。
即ち、いずれの表面処理も行わなかった場合には、マイクロレンズを配設する部分（光信号通過領域の端部）の濡れ角は３０〜６０度であり、樹脂の塗布量をふやしても、同一径でサグ高さを変化することはできなかった。
一方、フッ素系ポリマーコーティング剤による処理を施した場合には、処理した部分の濡れ角は１００〜１０５度であり、平均サグ高さ１０．０１μｍ（標準偏差σ：０．１４）、平均直径２２０、８７μｍ（σ：２．７０）のマイクロレンズを形成することができた。
また、ＣＦ４プラズマによる撥水処理を１５０〜３００秒間施した場合には、処理した部分の濡れ角は８０〜９５度であり、平均サグ高さ１０．０１μｍ（σ：０．３４）、平均直径２２１、８０μｍ（σ：４．７２）のマイクロレンズを形成することができた。
また、Ｏ２プラズマによる親水処理を３０〜１２０秒間施した場合には、処理した部分の濡れ角は３〜１０度であり、平均サグ高さ１０．０４μｍ（σ：０．２５）、平均直径２２１、４７μｍ（σ：３．３６）のマイクロレンズを形成することができた。
従って、撥水処理または親水処理を施すことにより、より形状の均一なマイクロレンズを形成することができ、撥水コート材による処理、Ｏ２プラズマによる親水処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理の順で効果が高いことが明らかとなった。【００８１】
また、本発明のＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する場合、該マイクロレンズは、レンズマーカを介して配設されていてもよい。
上記レンズマーカは、マイクロレンズを形成するための円柱状等の土台であり、具体例としては、例えば、特開２００２−３３１５３２号公報に開示されたもの等が挙げられる。
また、レンズマーカを形成する方法としては、例えば、光信号通過領域の端部に、マイクロレンズと同一の屈折率を有する感光性材料膜を形成し、この感光性材料膜上に、フォトマスクを用いて露光、現像処理を施すことにより、その中心にアライメントマークを有し、マイクロレンズパターンが転写されたレンズマーカ用膜を形成する方法等が挙げられる。
なお、このようなレンズマーカ上に、マイクロレンズを配設する方法としては、マイクロレンズパターンを有するレンズマーカ上に、レンズ用液状樹脂を射出して、液状のマイクロレンズを形成し、その後、紫外線等を照射して液状のマイクロレンズを硬化することによりマイクロレンズを形成する方法等を用いることができる。
また、レンズマーカを形成されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施されたレンズマーカに配設されていることが望ましい。
レンズマーカ表面が汚れていた場合、マイクロレンズの形成に用いる樹脂組成物（レンズ用樹脂組成物）が均一に広がらず、所望の形状のマイクロレンズを形成することができない原因になることがあるが、上述した撥水処理や親水処理を施すことにより、レンズマーカ表面の汚れを除去することができ、上記レンズ用樹脂組成物をレンズマーカ上に均一に広げることができるからである。
さらには、レンズマーカには、撥水処理よりも親水処理が施されていることが望ましい。
親水処理が施されている場合、レンズマーカ上にマイクロレンズを配設する際に滴下したレンズ用樹脂組成物が、レンズマーカ上の全体に広がりやすく、また、レンズマーカの外周でその樹脂の広がりが確実に停止するため、表面張力により所定の形状のマイクロレンズを形成するのに適しているからである。【００８２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられている。
このような光信号通過領域が設けられたＩＣチップ実装用基板では、上記ＩＣチップ実装用基板の表面または内部に、実装された光学部品同士の情報の授受を、この光信号通過領域を介して光信号により行うことができる。
また、光学素子を実装した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を、他の面側を別の光学部品（例えば、光導波路等）を実装した第二の本発明のマザーボード用基板等と半田等を介して接続することにより、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装した光学素子と上記外部基板に実装した光学部品との間の情報の授受を、光信号通過領域を介して光信号により行うことができる。【００８３】
上記光信号通過領域の一部または全部には樹脂組成物が充填されていてもよい。ＩＣチップ実装用基板の強度の低下を防ぐことができるからである。
また、上記光信号通過領域に樹脂組成物が充填されていると、該光信号通過領域にゴミや異物が入り込むことを防止することができるため、ゴミや異物等の存在に起因して光信号の伝送が阻害されることを防止することができる。【００８４】
また、ＩＣチップ実装用基板の最外層にソルダーレジスト層が形成されており、上記光信号通過領域が上記ソルダーレジスト層を貫通するように設けられている場合には、上記ソルダーレジスト層を貫通する部分には、上記樹脂組成物が充填されていてもよく、充填されていなくてもよい。【００８５】
上記樹脂組成物の樹脂成分としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、具体例としては、例えば、上記マイクロレンズに用いる樹脂と同様のもの等が挙げられる。【００８６】
また、上記樹脂組成物には、上記樹脂成分以外に、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより光信号通過領域と、基板、絶縁層、ソルダーレジスト層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができ、また、粒子の種類によっては難燃性を付与することもできる。
上記粒子の具体例としては、上記マイクロレンズに含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。
なお、上記光信号通過領域の形状等ついては、後に詳述する。【００８７】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板には、光学素子が実装されており、この光学素子は、受光素子および／または発光素子等であることが望ましい。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。
これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。【００８８】
上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、インフラ型または酸化狭窄型のＶＣＳＥＬ（面発光半導体レーザ）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。【００８９】
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
これらは、通信波長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
なお、これらの発光素子および受光素子のそれぞれは、マルチチャンネルのアレイ素子であってもよい。
また、マルチチャンネルのアレイ素子を使用する場合、全てのチャンネルを有効にして使用してもよいし、複数のチャンネルのうち一部のチャンネルのみを有効にして使用してもよい。【００９０】
上記光学素子の実装位置は、上記ＩＣチップ実装用基板の表面であることが望ましい。上述したように、光学素子がＩＣチップ実装用基板の表面に実装されている場合は、一の光学素子に不都合が発生した際に、その光学素子のみを取り替えればよいからである。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の表面には、コンデンサ等の電子部品も実装されていることが望ましい。上記光学素子の場合と同様、不都合の発生した部品のみを取り替えることができるからである。【００９１】
また、光学素子としてワイヤボンディング型の光学素子を実装した場合には、この光学素子を樹脂封止してもよい。さらに、この場合は、光学素子のみを樹脂封止してもよいし、ＩＣチップ等の他の実装部品を含めて全体を樹脂封止してもよい。
また、光学素子としてフリップチップ型の光学素子を実装した場合には、この光学素子に対して、アンダーフィルを封止してもよいし、光学素子の周囲のみ封止してもよく、さらに、全体をカバーケースで覆ってもよい。これにより、光路にゴミや異物が入り込むことを防止することができる。なお、アンダーフィルを封止するか否か、封止する場合のアンダーフィルの屈折率の値等は、設計に応じて適宜選択すればよい。【００９２】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記光学素子として発光素子が実装されている場合、上記光学素子から出射した光は、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましい。後述する第二の本発明のマザーボード用基板等の外部基板に確実に伝送されることとなるからである。
上記コリメート光とは、マイクロレンズから光の伝送方向に１ｍｍ以上離れた、光の伝送方向に垂直な任意の平面において、光強度分布が光強度ピークの１／ｅ２以上の領域の半径（スポット半径）が、±１０％の値を有する光のことをいう。【００９３】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることが望ましい。より確実に光信号が、受光素子へと伝送されることとなるからである。
なお、上記スポット領域とは、光の受光面を含む平面上において、光強度ピークの１／ｅ２以上の光強度を有する領域のことをいう。
また、上記受光素子の受光部におけるスポット領域は、上記受光部内に全部含まれることが特に望ましい。【００９４】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、上記絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されていることが望ましい。ＩＣチップ実装用基板の高密度配線を実現しつつ、その小型化を図ることができるからである。【００９５】
以下、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図２〜４のそれぞれは、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態は、光信号通過領域の形態により、大きく３つの形態に分けることができる。
即ち、光信号通過領域が一括貫通孔構造の場合（以下、第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板ともいう）、個別貫通孔構造の場合（以下、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板ともいう）、凹部形状の場合（以下、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板ともいう）の３つの形態に分けることができる。【００９６】
また、第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている実施形態を有するものが望ましい。
また、この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることがより望ましい。【００９７】
また、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が複数の独立した光路から構成され構成されている実施形態を有するものが望ましい。【００９８】
図２には、第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板の一例を示す。なお、図２には、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、ソルダーレジスト層を貫通する光信号通過領域が形成され、この光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部であって、光学素子が実装された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設された形態のＩＣチップ実装用基板を示す。
図２に示すように、ＩＣチップ実装用基板１２０は、基板１２１の両面に導体回路１２４と絶縁層１２２とが積層形成され、基板１２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール１２９およびバイアホール１２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層１３４が形成されている。
このＩＣチップ実装用基板１２０では、基板１２１、絶縁層１２２およびソルダーレジスト層１３４を貫通するように光信号通過領域１４２が設けられている。【００９９】
この光信号通過領域１４２には、基板１２１、絶縁層１２２およびソルダーレジスト層１３４を貫通する部分に樹脂組成物１４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層１３４を貫通する部分の径は、基板１２１および絶縁層１２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層１３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。【０１００】
ＩＣチップ実装用基板１２０の一の面には、受光部１３９ａ〜１３９ｄのそれぞれが光信号通過領域１４２に対向するように、４チャンネルの受光素子１３９が半田接続部１４４を介して表面実装されるとともに、ＩＣチップ１４０が半田接続部１４３を介して表面実装されている。また、ＩＣチップ実装用基板１２０の他の面のソルダーレジスト層１３４には、半田バンプ１３７が形成されている。【０１０１】
従って、４チャンネルの受光素子１３９への入力信号は、光信号通過領域１４２を介して伝送することができる。ここで、光信号通過領域１４２は、４チャンネル分の光信号を伝送することができる大きさで、基板１２１、絶縁層１２２およびソルダーレジスト層１３４を貫通するように一括形成されている。
なお、光信号通過領域１４２のソルダーレジスト層１３４を貫通する部分は、図２に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域１４２の基板１２１および絶縁層１２２を貫通する部分の周囲には金属層（導体層）形成されていてもよい。【０１０２】
また、このような光信号通過領域１４２の受光素子１３９が実装された側と反対側の端部には、４つのレンズ１４６ａ〜１４６ｄが並列に配置されたマイクロレンズアレイ１４６が接着剤（図示せず）を介して配設されている。ここで、レンズ１４６ａ〜１４６ｄのそれぞれは、受光素子１３９の各チャンネル１３９ａ〜１３９ｄに対応する位置に配置されている。
従って、受光素子１３９への光信号は、マイクロレンズアレイ１４６を構成する各レンズ１４６ａ〜１４６ｄを通過することとなり、このように、光信号通過領域１４２の一端にマイクロレンズアレイ１４６を配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
なお、マイクロレンズアレイ１４６に代えて、４つのマイクロレンズが所定の位置に個別に、直接または接着剤を介して、配設されていてもよい。なお、マイクロレンズの数が４つとなっているのは、受光素子のチャンネル数が４つであるからであり、上記ＩＣチップ実装用基板においては、マイクロレンズの数は、光学素子のチャンネル数は同一であることが望ましい。
また、マイクロレンズが直接配設されている場合、マイクロレンズが配設される部位には、親水処理も撥水処理が施されていることが望ましい。なお、これらの表面処理については後に詳述する。【０１０３】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板１２０において、外部の光学部品（光ファイバや光導波路等）を介して伝送されてきた電気信号は、マイクロレンズ１４６ａ〜１４６ｄおよび光信号通過領域１４２を介して受光素子１３９（受光部１３９ａ）に伝送され、この受光素子１３９で電気信号に変換された後、半田接続部１４３、導体回路１２４、バイアホール１２７等を介してＩＣチップ１４０に送られ、処理されることとなる。【０１０４】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。【０１０５】
また、ＩＣチップ実装用基板１２０では、ソルダーレジスト層１３４に金属めっき層を介して半田バンプ１３７が形成されているため、ＩＣチップ１４０と外部基板等との間での電気信号の伝送は、半田バンプ１３７を介しても行うことができる。【０１０６】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板をマザーボード用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。【０１０７】
なお、上記セルフアラインメント作用とは、リフロー処理時に半田が自己の有する流動性により半田バンプ形成用開口の中央付近により安定な形状で存在しようとする作用をいい、この作用は、半田がソルダーレジスト層にはじかれるとともに、半田が金属に付く場合には、球形になろうとする表面張力が強く働くために起こるものと考えられる。
このセルフアライメント作用を利用した場合、上記半田バンプを介して、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板に接続する際に、リフロー前には両者に位置ズレが発生していたとしても、リフロー時に上記ＩＣチップ実装用基板が移動し、該ＩＣチップ実装用基板を外部基板上の正確な位置に取り付けることができる。
従って、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された光学素子と、外部の光学部品とを光信号通過領域を介して、光信号の伝送を行う場合に、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された光学素子の実装位置が正確であれば、上記ＩＣチップ実装用基板と上記外部基板との間で正確な光信号の伝送を行うことができる。【０１０８】
このようなマルチチャンネルのアレイ素子が実装されたＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、アレイ素子における各チャンネル間のピッチに応じて適宜決定すればよく、例えば、２５０μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜２４０μｍが望ましく、１８０〜２３０μｍがより望ましい。１００μｍ未満では、所望の焦点距離を得ることができない場合があり、２４０μｍを超えると隣合うマイクロレンズ同士が接触してしまい、マイクロレンズを所定の位置に配置することができなくなる場合がある。
また、例えば、５００μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜４９０μｍが望ましく、１８０〜４８０μｍがより望ましい。１００μｍ未満では、所望の焦点距離を得ることができない場合があり、４９０μｍを超えると隣合うマイクロレンズ同士が接触してしまい、マイクロレンズを所定の位置に配置することができなくなる場合がある。【０１０９】
上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
この場合、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の大きさは、縦、横のそれぞれが１００μｍ〜５ｍｍであることが望ましい。具体的には、上記光信号通過領域が円柱状である場合は、その底面の直径が上記範囲にあることが望ましく、上述した各種柱状である場合には、その底面の最も長い部分およびこれに直交する部分の長さが共に上記範囲にあることが望ましい。
１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝送損失の向上はみられず、上記ＩＣチップ実装用基板の小型化が難しくなる。【０１１０】
また、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状も挙げられる。
また、この場合、その一部に、実際には、光信号通過領域として機能しないダミー円柱が形成されていることが望ましい。特に、偶数チャンネルの光学素子に対応する光信号通過領域を形成する場合には、ダミー円柱が形成されていることが望ましい。この理由については、後に詳述するが、所望の形状の光信号通過領域を形成するのに適しているからである。
上記円柱の側面の一部が繋がった形状の具体例としては、例えば、底面の直径が３００μｍの円柱が、底面の中心間距離２５０μｍで並列に並べられ、側面の一部が繋がった形状や、底面の直径が５５０μｍの円柱が、底面の中心間距離５００μｍで並列に並べられ、側面の一部が繋がった形状等が挙げられる。
なお、このような光信号通過領域の形成方法については、後述する。【０１１１】
また、上記ＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域を形成する場合、この光信号通過領域は、発光素子から出射した光や、受光素子に入射する光が壁面で反射したり、隣接する光信号間で干渉が生じたりしないような大きさを有していることが望ましい。光信号通過領域の壁面での反射や、信号光間の干渉に起因する伝送損失が発生しないからである。
そこで、一括貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。【０１１２】
ここでは、光学素子が広がり角が２４度で４チャンネルのＶＣＳＥＬであり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率が１．５であり、光学素子の下部にアンダーフィルか充填されており、このアンダーフィルの屈折率が１．５である発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板の場合について検討した。
なお、ＶＣＳＥＬの広がり角とは、最大光出力パワーの１／ｅ２の光出力パワーの光が出射される角度をいう。【０１１３】
その結果、上述した形態のＩＣチップ実装用基板では、例えば、ＩＣチップ実装用基板の厚さが０．８ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が２５０μｍである場合には、直径３００μｍ以上の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができ、ＩＣチップ実装用基板の厚さが１．７ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が５００μｍである場合には、直径５５０μｍ以上の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０１１４】
また、図２に示したように、ＩＣチップ実装用基板にソルダーレジスト層が形成されている場合には、上記光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の形状は特に限定されず、上述した基板および絶縁層を貫通する部分と同様の形状を挙げることができる。
また、その縦断面の形状は、場合によっては、基板および絶縁層側が短辺となる台形状であってもよい。【０１１５】
上記光信号通過領域の壁面は、樹脂または金属により構成されていてもよい。
ここで、上記光信号通過領域の壁面は、通常、基板や絶縁層が露出しているため、基板や絶縁層と同様の材質で構成されていることとなる。従って、基板や絶縁層が樹脂からなるものである場合に、特に樹脂層を形成する等の処理を施さなくても、上記光信号通過領域の壁面は、樹脂により構成されていることとなる。
ただし、上記光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよく、この場合には、樹脂層がクラッドとして機能し、上記光信号通過領域の内部に充填される樹脂組成物がコアとして機能するように構成されていることが望ましい。【０１１６】
また、上記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている場合、その材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、貴金属等が挙げられる。
また、上記光信号通過領域の壁面が金属により構成されている場合、即ち、光信号通過領域の壁面に金属層が形成されている場合、この金属層は、１層から形成されていてもよいし、２層以上から構成されていてもよい。
また、上記金属層は、場合によっては、スルーホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。【０１１７】
また、上記金属層は、光沢を有する金属により形成されていてもよい。上記金属層の材料が、光沢を有する金属である場合、場合によっては、光信号が、光信号通過領域の壁面で反射されても信号強度の減衰等が発生しにくくなるからである。
上記光沢を有する金属としては、例えば、金、銀、ニッケル、白金、アルミニウム、ロジウム等が挙げられる。また、上記光沢を有する金属としては、例えば、銅、パラジウム等を用いることもできる。ただし、これらの材料は酸化されやすく、形成した金属層の表面の光沢度を低下させる酸化被膜が形成されやすいため、上記酸化被膜を除去することにより金属層の表面の光沢度を上昇させる必要がある。なお、光沢を有する金属としては、上述したものに限定されることはなく、鏡面光沢または鮮明度光沢を有するものであれば、その他の金属も用いることができる。
なお、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号通過領域は、その壁面で光信号が反射しないように構成されていることが望ましい。壁面での反射による信号強度の減衰を回避することができるからである。【０１１８】
また、上記光信号通過領域の壁面には、粗化面が形成されていることが望ましく、この場合、壁面の表面粗さＲａは、下限が０．１μｍで、上限が５μｍであることが望ましく、下限が０．５μｍで、上限が３μｍであることがより望ましい。この範囲であれば、樹脂組成物の密着性が向上することとなるからである。
なお、上記表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に記載されている算術平均粗さに準拠して算出した値である。
上記粗化面は、例えば、上記光信号通過領域の壁面を構成する樹脂や金属に直接、エッチング等により粗化面を形成してもよいし、また、例えば、上記光信号通過領域の壁面に形成された金属層上に、スズ、チタン、亜鉛等からなる粗化層を設けることにより形成してもよい。
上記被覆層や粗化層を設けることにより、光信号通過領域の内部に充填された樹脂組成物の密着性を向上させることができる。【０１１９】
また、本発明者等は、光信号通過領域の壁面を粗化面とした場合において、表面粗さＲａの大きさが、ＩＣチップ実装用基板に及ぼす影響を検証する試験を行ったので、そのデータを以下に示す。
まず、光信号通過領域の壁面が金属から構成される場合について説明する。【０１２０】
まず、充分な大きさを有する厚さ０．８ｍｍのエポキシ基板を用意し、このエポキシ基板に下記の形状および表面粗さを有する貫通孔を形成し、さらに、貫通孔内に樹脂組成物を充填する。そして、この樹脂組成物を充填した貫通孔（光信号通過領域）について、樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性を評価した。
なお、樹脂組成物の充填性は、エポキシ基板をクロスカットした後、その断面を顕微鏡観察し、樹脂組成物が未充填の箇所が発生しているか否か、充填した樹脂組成物にボイドが発生しているか否かを基準に評価した。
また、温度サイクル試験時の信頼性は、液槽において、−５５℃で３分間および１２５℃で３分間を１サイクルとする温度サイクル試験を、５００サイクルおよび１０００サイクルのそれぞれ行い、その後、エポキシ基板をクロスカットして充填した樹脂組成物に剥離やクラックが発生しているか否かを顕微鏡観察した。
また、光伝送性は、エポキシ基板の表面から５０μｍの位置に、広がり角度２４度のＶＣＳＥＬを載置し、このＶＣＳＥＬから２．５Ｇｂｐｓの光を光信号通過領域を介して伝送し、パワーメータで測定した伝送損失が１ｄＢ以下であれば、光信号伝送可能と判断した。【０１２１】
また、評価サンプルとしては、まず、エポキシ基板に直径１５０μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように４つの貫通孔を形成し、この４つの貫通孔を一組として、５組形成したもの（サンプル基板Ａ）、エポキシ基板に直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように５つの貫通孔を形成し、側面の一部が繋がった一の貫通孔群を２０個形成したもの（サンプル基板Ｂ）、エポキシ基板に直径５００μｍルータを用いて直線と円弧を組み合せた断面形状を有する貫通孔を２０個形成したもの（サンプル基板Ｃ）をそれぞれ４０枚ずつ準備した。【０１２２】
次に、種々の貫通孔を形成した各サンプル基板Ａ〜Ｃについて、貫通孔の壁面に、無電解めっき銅めっき処理および電解銅めっき処理を施すことにより金属層を形成した。
その後、各サンプル基板Ａ〜Ｃについて、エッチング処理を施すことにより、金属層の表面の表面粗さＲａを０．０５μｍ、０．０８μｍ、０．４μｍ、１．１μｍ、２．５μｍ、２．８μｍ、３．２μｍ、４．７μｍ、５．３μｍおよび６．２μｍのいずれかに調整したものを４枚ずつ作製した。
表面粗さＲａの調整は、粗化時間および粗化温度を変えることにより行った、また、表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に基いて測定した。
次に、貫通孔内に樹脂組成物を充填、硬化させることにより評価サンプルを完成した。
なお、樹脂組成物としては、後述する実施例１で、光信号通過領域を形成する際に用いた樹脂組成物と同様のものを用いた。【０１２３】
作製したサンプル基板のそれぞれについて、上述した樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性の評価を行った。結果は、以下の通りである。
樹脂組成物の充填性については、サンプル基板Ａ〜Ｃの全てについて、表面粗さＲａを６．２μｍとした基板では、未充填の箇所またはボイドが発生しているものがあったが、他の表面粗さＲａを有する基板では、未充填の箇所やボイドは観察されなかった。【０１２４】
また、温度サイクル試験時の信頼性については、表面粗さＲａを０．０５μｍまたは６．２μｍとしたサンプル基板Ａ〜Ｃの全てにおいて、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
また、表面粗さＲａを０．０８μｍとしたサンプル基板Ａ〜Ｃ、および、表面粗さＲａを０．４μｍ、１．１μｍまたは５．３μｍとしたサンプル基板Ｃについては、１０００サイクル時においてのみ、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
なお、その他のサンプル基板については、樹脂組成物の剥離やクラックが観察されなかった。【０１２５】
また、光伝送性については、全てのサンプル基板について、２．５Ｇｂｐｓで光信号を伝送することが可能であった。【０１２６】
次に、光信号通過領域の壁面が樹脂から構成される場合について説明する。
この場合も、まず、充分な大きさを有する厚さ０．８ｍｍのエポキシ基板を用意し、このエポキシ基板に下記の形状および表面粗さを有する貫通孔を形成し、さらに、貫通孔内に樹脂組成物を充填する。そして、この樹脂組成物を充填した貫通孔（光信号通過領域）について、樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性を評価した。【０１２７】
また、評価サンプルとしては、まず、エポキシ基板に直径１５０μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように４つの貫通孔を形成し、この４つの貫通孔を一組として、５組形成したもの（サンプル基板Ｄ）、エポキシ基板に直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように５つの貫通孔を形成し、側面の一部が繋がった一の貫通孔群を２０個形成したもの（サンプル基板Ｅ）、エポキシ基板に直径５００μｍルータを用いて直線と円弧を組み合せた断面形状を有する貫通孔を２０個形成したもの（サンプル基板Ｆ）をそれぞれ２４枚ずつ準備した。【０１２８】
次に、種々の貫通孔を形成した各サンプル基板Ｄ〜Ｆについて、貫通孔内に硬化後の屈折率が１．５１の樹脂組成物を充填して硬化させた。その後、貫通孔の壁面に樹脂組成物が残るように、再度、上記した方法と同様の方法で貫通孔を形成した。
その後、各サンプル基板Ｄ〜Ｆについて、貫通孔内に所定の番手を有する棒状の研磨砥石を挿入し、研磨処理を施すことにより、樹脂層の表面の表面粗さＲａを０．０９μｍ、０．１５μｍ、０．３μｍ、２．４μｍ、４．０μｍおよび６．５μｍのいずれかに調整したものを４枚ずつ作製した。
次に、貫通孔内に硬化後の屈折率が１．５３が樹脂組成物を充填、硬化させることにより評価サンプルを完成した。なお、先に充填した樹脂組成物は、クラッドとして機能することが可能であり、後に充填した樹脂組成物はコアとして機能することが可能である。【０１２９】
なお、樹脂層の表面の表面粗さＲａを調整する方法としては、上述した棒状の研磨砥石を用いる方法の他に、ブラスト加工や、予め樹脂層に粒子を配合しておき、この粒子を有機溶剤等で溶解させることにより粗化面を形成する方法等を用いることができる。
なお、上記ブラスト加工では、例えば、光路用貫通孔の開口部以外をマスクし、粒子または粒子を含有した水溶液を樹脂層に噴射することにより、粗化面を形成することができる。
また、上記樹脂層は、光の経路とならないため、粒子を配合しておく場合、その直径は、０．１〜２０μｍ程度であればよく、また、光路とならないため、透明である必要もない。【０１３０】
作製したサンプル基板のそれぞれについて、上述した樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性の評価を行った。結果は、以下の通りである。
樹脂組成物の充填性については、サンプル基板Ｄ〜Ｆの全てについて、表面粗さＲａを６．５μｍとした基板では、未充填の箇所またはボイドが発生しているものがあったが、他の表面粗さＲａを有する基板では、未充填の箇所やボイドは観察されなかった。【０１３１】
また、温度サイクル試験時の信頼性については、表面粗さＲａを０．０９μｍまたは６．５μｍとしたサンプル基板Ｄ〜Ｆの全てにおいて、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
また、表面粗さＲａを０．１５μｍとしたサンプル基板Ｄ〜Ｆについては、１０００サイクル時においてのみ、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
なお、その他のサンプル基板については、樹脂組成物の剥離やクラックが観察されなかった。【０１３２】
また、光伝送性については、全てのサンプル基板について、２．５Ｇｂｐｓで光信号を伝送することが可能であった。【０１３３】
以上のことからも、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａは、上述した範囲にあることが望ましいことが明かとなった。
また、上記金属層は、一層からなるものであってもよく、二層以上の複数層からなるものであってもよい。【０１３４】
次に、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板について説明する。
図３には、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板を示す。なお、図３には、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、ソルダーレジスト層を貫通する光信号通過領域が形成され、この光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部にマイクロレンズが配設された形態のＩＣチップ実装用基板を示す。
第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板、即ち、個別貫通孔構造の光信号通過領域を有する実施形態のＩＣチップ実装用基板は、図２に記載した実施形態のＩＣチップ実装用基板と比べて、光信号通過領域の形状が異なる以外はその構成は、同一である。従って、ここでは、光信号通過領域の形状についてのみ詳細に説明することとする。【０１３５】
図３に示すように、ＩＣチップ実装用基板２２０では、基板２２１、絶縁層２２２およびソルダーレジスト層２３４を貫通するように４つの独立した光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄが設けられている。
この光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄは、基板２２１、絶縁層２２２およびソルダーレジスト層２３４を貫通する部分に樹脂組成物２４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層２３４を貫通する部分の径は、基板２２１および絶縁層２２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層２３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。【０１３６】
ＩＣチップ実装用基板２２０の一の面には、受光部２３９ａ〜２３９ｄのそれぞれが光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄのそれぞれに対向するように、４チャンネルの受光素子２３９が半田接続部２４４を介して表面実装されている。
従って、４チャンネルの受光素子２３９への入力信号は、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄのいずれかを介して伝送することができる。ここで、各光信号通過領域は、４チャンネルの受光素子が有する各受光部２３９ａ〜２３９ｄからの光信号を伝送することができるように、個別に独立して形成されている。
なお、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄのソルダーレジスト層２３４を貫通する部分は、図３に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの基板２２１および絶縁層２２２を貫通する部分の周囲には金属層が形成されていてもよい。
上記金属層が形成されている場合、その材料等としては第一の実施形態で説明したものと同様のもの等が挙げられる。【０１３７】
また、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの受光素子２３９が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄが配設されている。
従って、受光素子２３９への光信号は、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄを通過することとなる。このように、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの各一端にマイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄは、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの基板２２１、絶縁層２２２およびソルダーレジスト層２３４を貫通する部分に形成された樹脂組成物２４７上に直接配設されている。
なお、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄに代えて、４つのレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。
また、マイクロレンズが直接配設されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された光信号通過領域の端部に直接配設されていることが望ましい。【０１３８】
また、各光信号通過領域の大きさは、その断面の径の下限は１００μｍであることが望ましく、その上限は５００μｍであることが望ましい。上記径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号通過領域に未硬化の樹脂組成物を充填することが困難となることである。一方、上記径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、ＩＣチップ実装用基板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
より望ましい径の下限は２５０μｍであり、より望ましい径の上限は３５０μｍである。光信号の伝送性と設計の自由度とがともに優れるとともに、未硬化の樹脂組成物を充填する際にも不都合が発生しないからである。
なお、上記光信号通過領域の上記基板および上記絶縁層を貫通する部分の断面の径とは、上記光信号通過領域が円柱状の場合にはその断面の直径、楕円柱状の場合にはその断面の長径、四角柱状や多角柱状の場合にはその断面の最も長い部分の長さをいい、また、上記光信号通過領域が、その入射端側から出射端側に向かって断面の径が一定でない場合には、入射端側の断面の径をいう。
また、本発明において、光信号通過領域の断面とは、ＩＣチップ実装用基板の主面に平行な方向の断面をいい、光信号通過領域の縦断面とは、上記主面に垂直な方向の断面をいう。【０１３９】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板２２０においても、外部の光学部品（光ファイバや光導波路等）を介して伝送されてきた電気信号は、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄおよび光信号通過領域２４２を介して受光素子２３９（受光部２３９ａ）に伝送され、この受光素子２３９で電気信号に変換された後、半田接続部２４３、導体回路２２４、バイアホール２２７等を介してＩＣチップ２４０に送られ、処理されることとなる。【０１４０】
また、上述したような個別貫通孔構造の光信号通過領域を形成する場合においても、この光信号通過領域は、発光素子から出射した光や、受光素子に入射する光が反射しないような大きさを有していることが望ましい。
そこで、個別貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。【０１４１】
ここでは、広がり角が２４度で４チャンネルのＶＣＳＥＬであり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率１．５であり、光学素子の下部にアンダーフィルか充填されており、このアンダーフィルの屈折率が通常１．５である発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板の場合について検討した。【０１４２】
その結果、上述した形態のＩＣチップ実装用基板では、例えば、ＩＣチップ実装用基板の厚さが０．４ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が２５０μｍである場合には、直径１５０μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができ、ＩＣチップ実装用基板の厚さが１．２ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が５００μｍである場合には、直径４００μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０１４３】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。【０１４４】
このような実施形態のＩＣチップ実装用基板においても、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、アレイ素子における各チャンネル間のピッチに応じて適宜決定すればよく、例えば、２５０μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜１９０μｍが望ましい。なお、この場合、光信号通過領域の径は、１５０〜２００μｍが望ましい。
また、例えば、５００μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜４９０μｍが望ましく、１８０〜４８０μｍがより望ましい。なお、この場合、光信号通過領域の径は、１５０〜４５０μｍが望ましい。【０１４５】
また、個別に形成された光信号通過領域の径が１５０μｍ以上が望ましい理由は以下の通りである。
即ち、上記形態の光信号通過領域は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層を貫通する貫通孔を形成した後、該貫通孔内に必要に応じて樹脂組成物を充填することにより形成するのであるが、上記貫通孔は、通常ドリルを用いて形成され、ドリル加工で貫通孔を形成する場合、その径が１５０μｍ未満の貫通孔を形成することが困難だからである。
また、上記個別貫通孔構造の各光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。【０１４６】
次に、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板について説明する。
図４には、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板を示す。なお、図４には、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、ソルダーレジスト層を貫通する光信号通過領域が形成され、この光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部にマイクロレンズが配設された形態のＩＣチップ実装用基板を示す。
図４に示すように、ＩＣチップ実装用基板３２０は、基板３２１の両面に導体回路３２４と絶縁層３２２とが積層形成され、基板３２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層３２２を挟んだ導体回路間は、スルーホール３２９およびバイアホール３２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層３３４が形成されている。
さらに、ＩＣチップ実装用基板３２０には、凹部形状の光信号通過領域３４２が形成されている。この光信号通過領域３４２内には、４チャンネルの受光素子３３９とＩＣチップ３４０とのそれぞれがワイヤボンディング３４９により実装されており、さらに、光信号通過領域３４２の一部には、樹脂組成物３４７が充填されている。
また、光信号通過領域を形成した側のソルダーレジスト層３３４には、半田バンプ３３７が形成されている。
なお、ＩＣチップは、光信号通過領域が形成された側と反対側の表面に実装されていてもよい。【０１４７】
従って、４チャンネルの受光素子３３９への入力信号は、光信号通過領域３４２を介して伝送されることとなる。ここで、光信号通過領域３４２は、４チャンネル分の光信号を伝送することができる大きさで、絶縁層３２２およびソルダーレジスト層３３４の一部に凹部形状に形成されている。
なお、光信号通過領域３４２のソルダーレジスト層３３４を貫通する部分は、図４に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。【０１４８】
また、このような光信号通過領域３４２の受光素子３３９が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄが配設されている。ここで、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄのそれぞれは、受光素子３３９の各チャンネル３３９ａ〜３３９ｄに対応する位置に個別に配設されている。
従って、受光素子３３９への光信号は、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄを通過することとなる。このように、光信号通過領域３４２の一端にマイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄは、光信号通過領域３４２に充填された樹脂組成物３４７上に直接配設されている。
なお、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄに代えて、４つのレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。【０１４９】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板３２０においても、外部の光学部品（光ファイバや光導波路等）を介して伝送されてきた電気信号は、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄおよび光信号通過領域３４２を介して受光素子３３９（受光部３３９ａ）に伝送され、この受光素子３３９で電気信号に変換された後、ワイヤボンディング３４９、導体回路３２４、バイアホール３２７等を介してＩＣチップ３４０に送られ、処理されることとなる。【０１５０】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。【０１５１】
また、ＩＣチップ実装用基板３２０では、ソルダーレジスト層３３４に金属めっき層を介して半田バンプ３３７が形成されているため、ＩＣチップ３４０と外部基板等との間での電気信号の伝送は、半田バンプ３３７を介しても行うことができる。【０１５２】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板をマザーボード用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。【０１５３】
また、上記凹部形状の光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。【０１５４】
また、上記凹部形状の光信号通過領域について、その断面の面積は、１００ｍｍ２以上が望ましい。より望ましくは、２００ｍｍ２以上である。この大きさであれば、光信号通過領域の壁面で光信号が反射させることなく、光信号を伝送させるのに適するからである。【０１５５】
また、図４に示したＩＣチップ実装用基板３２０では、凹部形状の光信号通過領域３４２内に実装された受光素子３３９およびＩＣチップ３４０のそれぞれが、凹部の底面に露出した導体回路にワイヤボンディング３４９により接続されているが、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板では、凹部形状の光信号通過領域内に実装された受光素子等は、最外層の層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路等とワイヤボンディングにより接続されていてもよい。【０１５６】
ここまでの第一〜第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板の説明においては、光学素子として、受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板について説明したが、上記した実施形態のＩＣチップ実装用基板では、光学素子として受光素子の代わりに発光素子が実装されていてもよく、この場合、ＩＣチップ実装用基板の構成は、受光素子を発光素子に代える以外、上記と同様の構成であればよい。【０１５７】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、図５に示すように、光学素子として、発光素子と受光素子の両方が実装されていてもよい。
図５に示すように、ＩＣチップ実装用基板４２０は、基板４２１の両面に導体回路４２４と絶縁層４２２とが積層形成され、基板４２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層４２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール４２９およびバイアホール４２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層４３４が形成されている。
このＩＣチップ実装用基板４２０では、基板４２１、絶縁層４２２およびソルダーレジスト層４３４を貫通するように光信号通過領域４４２が設けられている。【０１５８】
この光信号通過領域４４２には、基板４２１、絶縁層４２２およびソルダーレジスト層４３４を貫通する部分に樹脂組成物４４７が充填されており、基板４２１および絶縁層４２２を貫通する部分の樹脂組成物４４７の周囲には金属層４４５が形成されている。
そして、ソルダーレジスト層４３４を貫通する部分の径は、基板４２１および絶縁層４２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層４３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
従って、ＩＣチップ実装用基板４２０に実装された光学素子（発光素子４３８および受光素子４３９）の入出力信号は、光信号通過領域４４２を介して伝送されることとなる。
なお、光信号通過領域４４２のソルダーレジスト層４３４を貫通する部分は、図５に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域４４２の基板４２１および絶縁層４２２を貫通する部分の周囲には金属層４４５が形成されていなくてもよい。【０１５９】
また、このような光信号通過領域４４２の光学素子（発光素子４３８、受光素子４３９）が実装された側と反対側の端部のそれぞれには、マイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂが配設されている。
従って、光信号通過領域４４２に入射する光信号や、光信号通過領域４４２から出射する光信号は、マイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂを通過することとなる。
このように、光信号通過領域４４２の端部にマイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂは、光信号通過領域４４２の基板４２１、絶縁層４２２およびソルダーレジスト層４３４を貫通する部分に形成された樹脂組成物４４７上に直設配設されている。【０１６０】
ＩＣチップ実装用基板４２０の一の面には、発光部４３８ａおよび受光部４３９ａのそれぞれが光信号通過領域４４２に対向するように、発光素子４３８および受光素子４３９が半田接続部４４４を介して表面実装されるとともに、ＩＣチップ４４０が半田接続部４４３を介して表面実装されている。また、ＩＣチップ実装用基板４２０の他の面のソルダーレジスト層４３４には、半田バンプ４３７が形成されている。【０１６１】
また、ＩＣチップ４４０から送り出された電気信号は、半田接続部４４３、４４４、導体回路４２４、バイアホール４２７、スルーホール４２９等を介して発光素子４３８に送られた後、発光素子４３８で光信号に変換され、発光素子４３８（発光部４３８ａ）から発信した光信号は、光信号通過領域４４２およびマイクロレンズ４４６ａを介して外部の光学素子（光ファイバや光導波路等）に送り出されることとなる。【０１６２】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板４２０において、光ファイバや光導波路等（図示せず）を介して外部から送られてきた光信号は、マイクロレンズ４４６ｂおよび光信号通過領域４４２を介して受光素子４３９（受光部４３９ａ）で受信した後、受光素子４３９で電気信号に変換され、さらに、半田接続部４４３、４４４、導体回路４２４、バイアホール４２７、スルーホール４２９等を介してＩＣチップ４４０に送られることとなる。【０１６３】
また、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子および発光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。【０１６４】
また、ＩＣチップ実装用基板４２０では、ソルダーレジスト層４３４に金属めっき層を介して半田バンプ４３７が形成されているため、ＩＣチップから送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光信号通過領域４４２等を介して外部に送りだされるだけでなく、半田バンプ４３７を介しても外部基板等に送られることとなる。【０１６５】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板をマザーボード用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。【０１６６】
なお、図５には、１チャンネルの発光素子および受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を示しているが、発光素子および受光素子の両方が実装された形態のＩＣチップ実装用基板においても、マルチチャンネルの光学素子を実装することできる。
また、マルチチャンネルの光学素子を実装する場合、光信号通過領域の構造は、一括貫通孔構造であってもよいし、個別貫通孔構造であってもよい。
また、凹部形状の光信号通過領域を有するＩＣチップ実装用基板に受光素子と発光素子とを実装することもできる。【０１６７】
このような構成からなる第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、例えば、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法を用いて製造することができる。【０１６８】
次に、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法について説明する。
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）上記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、上記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とする。【０１６９】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、光信号通過領域を形成する工程と、該光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する工程とを有しているため、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板、即ち、光信号通過領域を介して光学素子の入出力信号の伝送を行うＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。従って、第六の本発明の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたＩＣチップ実装用基板を製造することができる。【０１７０】
まず、上記（ａ）の工程、即ち、多層配線板を製造する多層配線板製造工程について工程順に説明する。具体的には、例えば、下記（１）〜（９）の工程を経ることにより多層配線板を製造することができる。
（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等が挙げられる。
また、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板や、シリコン基板、ガラス基板等を用いてもよい。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張積層板やＲＣＣ基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。【０１７１】
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間の接続をスルーホールにより行う場合には、例えば、上記絶縁性基板にドリルやレーザ等を用いてスルーホール用貫通孔を形成した後、無電解めっき処理等を施すことによりスルーホールを形成しておく。なお、上記スルーホール用貫通孔の直径は、通常、１００〜３００μｍである。
また、スルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。【０１７２】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面に粗化形成処理を施す。
上記粗化形成処理としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
ここで、粗化面を形成した場合、通常、該粗化面の平均粗度の下限は０．１μｍが望ましく、上限は５μｍが望ましい。導体回路と絶縁層との密着性、導体回路の電気信号伝送能に対する影響等を考慮すると上記平均粗度の下限は２μｍがより望ましく、上限は４μｍがより望ましい。
なお、この粗化形成処理は、スルーホール内に樹脂充填材を充填する前に行い、スルーホールの壁面にも粗化面を形成してもよい。スルーホールと樹脂充填材との密着性が向上するからである。【０１７３】
（３）次に、導体回路を形成した基板上に、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。なお、これらの樹脂層の形成には、例えば、基板に用いる樹脂と同様の樹脂等を用いることもできる。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。【０１７４】
これらのなかでは、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着する方法が望ましく、樹脂フィルムの圧着は、例えば、真空ラミネータ等を用いて行うことができる。
また、圧着条件は特に限定されず、樹脂フィルムの組成等を考慮して適宜選択すればよいが、通常は、圧力０．２５〜１．０ＭＰａ、温度４０〜７０℃、真空度１３〜１３００Ｐａ、時間１０〜１２０秒程度の条件で行うことが望ましい。【０１７５】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂や、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。【０１７６】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。【０１７７】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。【０１７８】
また、上記樹脂複合体としては、熱硬化性樹脂や感光性樹脂（熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂も含む）と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えばフェノール樹脂／ポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂／ポリスルフォン、エポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂／フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えば、アクリル樹脂／フェノキシ樹脂、エポキシ基の一部をアクリル化したエポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン等が挙げられる。
また、上記樹脂層は、２層以上の異なる樹脂層から構成されていてもよい。【０１７９】
また、上記樹脂層は、粗化面形成用樹脂組成物を用いて形成してもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。【０１８０】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、絶縁層とする。また、この工程では、必要に応じて、スルーホール用貫通孔を形成してもよい。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。また、絶縁層の材料として感光性樹脂を用いた場合には、露光現像処理により形成してもよい。【０１８１】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にバイアホール用開口を形成し、絶縁層とする。この場合、バイアホール用開口は、レーザ処理を施すことにより形成することができる。
また、この工程でスルーホール用貫通孔を形成する場合、該スルーホール用貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等により形成すればよい。【０１８２】
上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。【０１８３】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む絶縁層の表面に、導体回路を形成する。
導体回路を形成するにあたっては、まず、絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング等の方法により形成することができる。【０１８４】
上記薄膜導体層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。
これらのなかでは、電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
また、上記薄膜導体層の厚さとしては、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、その厚さの下限は０．３μｍが望ましく、上限は２．０μｍが望ましい。より望ましくは下限が０．６μｍであり、上限が１．２μｍである。また、スパッタリングにより形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。【０１８５】
また、上記薄膜導体層を形成する前に、絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。粗化面を形成することにより、絶縁層と薄膜導体層との密着性を向上させることができる。特に、粗化面形成用樹脂組成物を用いて絶縁層を形成した場合には、酸や酸化剤等を用いて粗化面を形成することが望ましい。【０１８６】
また、上記（４）の工程でスルーホール用貫通孔を形成した場合には、絶縁層上に薄膜導体層を形成する際に、貫通孔の壁面にも薄膜導体層を形成することによりスルーホールとしてもよい。【０１８７】
（６）次いで、その表面に薄膜導体層が形成された絶縁層の一部にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施すことにより形成することができる。【０１８８】
（７）その後、薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。上記電解めっきとしては、銅めっきが望ましい。
また、上記電解めっき層の厚さ、５〜２０μｍが望ましい。【０１８９】
その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の薄膜導体層を除去することにより導体回路（バイアホールを含む）を形成することができる。
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行えばよい。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
また、このめっきレジストを形成した後、電解めっき層を形成する方法（工程（６）および（７））に代えて、薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、エッチング処理を施す方法を用いて導体回路を形成してもよい。【０１９０】
また、上記（４）および（５）の工程においてスルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填してもよい。
また、スルーホール内に樹脂充填材を充填した場合、必要に応じて、無電解めっき等を行うことにより樹脂充填材層の表層部を覆う蓋めっき層を形成してもよい。【０１９１】
（８）次に、蓋めっき層を形成した場合には、必要に応じて、該蓋めっき層の表面に粗化処理を行い、さらに、上記（３）および（４）の工程を繰り返すことにより絶縁層を形成する。なお、この工程では、スルーホールを形成してもよいし、形成しなくてもよい。
（９）さらに、必要に応じて、（５）〜（８）の工程を繰り返すことにより、導体回路と絶縁層とを積層形成してもよい。【０１９２】
このような（１）〜（９）の工程を行うことにより、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成された多層配線板を製造することができる。
なお、ここで詳述した多層配線板の製造方法は、セミアディテブ法であるが、上記（ａ）の工程で製造する多層配線板の製造方法は、セミアディテブ法に限定されず、フルアディテブ法、サブトラクティブ法、一括積層法、コンフォーマル法等を用いて行うこともできる。
また、ここでは、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体等を用いて絶縁層を形成する方法について説明したが、上記絶縁層の材料はこれらに限定されるわけではなく、例えば、セラミック、シリコン、ガラス等の絶縁材料であってもよい。【０１９３】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ａ）の工程を経て、多層配線板を製造した後、上記（ｂ）の工程、即ち、上記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、上記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程を行う。
なお、この工程で形成する光信号通過領域として機能することとなる貫通孔および凹部のそれぞれを、以下、光路用貫通孔および光路用凹部ともいう。【０１９４】
まず、上述した工程を経て作製した多層配線板に、光路用貫通孔または光路用凹部を形成する。
上記光路用貫通孔や上記光路用凹部の形成は、例えば、ドリル加工、ルーター加工、レーザ処理、金型加工等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、上記バイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記光路用貫通孔の形成位置は特に限定されず、導体回路の設計、ＩＣチップや光学素子等の実装位置等を考慮して適宜選択すればよい。
上記光路用貫通孔は、受光素子や発光素子等の光学素子ごとに形成することが望ましく、また、信号波長ごとに形成してもよい。【０１９５】
また、上記光路用凹部は、その内部に受光素子や発光素子等の光学素子とともに、さらに、ＩＣチップを実装することができるように形成することが望ましい。
また、上記光路用凹部を形成する場合には、上述した多層配線板を作製する工程において、絶縁層を形成する際に、各絶縁層を貫通する開口を形成しておき、絶縁層の積層を完了した際に、光路用凹部が形成されているようにしてもよい。
なお、絶縁層を貫通する開口は、上述したバイアホール用開口を形成する方法と同様の方法により形成することができるが、ドリル加工により形成することが望ましい。【０１９６】
また、この工程において、一括貫通孔構造の光路用貫通孔として、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合には、以下、方法を用いることが望ましい。
即ち、隣り合わない円柱を先に形成し、その後、隣り合わない円柱同士の間に、側面の一部が繋がった円柱を形成することが望ましい。従って、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合、円柱の数は、奇数個であることが望ましい。
側面の一部が繋がった、隣り合う円柱を連続して形成しようとすると、ドリルの先端が既に形成された円柱の方向へ逃げようとしてドリルの先端ふれが発生し、ドリル加工時の精度が低下することがあるからである。そして、このようにドリル加工時の精度が低下した場合、円柱の底面の大きさが、円柱ごとに大きく異なることとなる。【０１９７】
ＩＣチップ実装用基板では、その設計上、光学素子を実装するためのパッド（電極）と、光信号通過領域として機能する光路用貫通孔との隙間部分は、面積が小さく、光路用貫通孔を形成する際に、貫通孔の位置がずれたり、貫通孔が設計よりも大きくなってしまったりした場合には、貫通孔がパッド部分にかかってしまい、パッドが剥れてしまったり、パッドの面積が小さくなってしまったりする場合がある。
パッドが剥れてしまった場合には、光学素子との間で接続不良が発生し、パッドの面積が小さくなってしまった場合には、セルフアライメント作用が機能せず、光学素子の実装位置がズレてしまうことがあり、このように光学素子の実装位置がズレると光信号の伝送損失が増大することとなる。
従って、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合には、上述した方法で、形成することが望ましいのである。【０１９８】
また、本発明者等は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合における貫通孔の形成順序と、貫通孔の位置ズレの関係を検証する試験を行ったので、図２０−１を参照しながらその試験を説明するとともに、データを以下に示す。なお、ここでは、４チャンネルの光学素子と光学的に接続でき光路用貫通孔を形成して検討を行った。
図２０−１（ａ）〜（ｄ）は、貫通孔の形成順序と、貫通孔の位置ズレの関係を検証する試験の方法を説明するための模式図である。【０１９９】
まず、充分な大きさを有する厚さ０．８ｍｍのエポキシ基板を４枚用意し、このエポキシ基板に下記の形状の貫通孔を形成する。そして、形成した貫通孔について、その穴径と位置ズレ量とを測定した。
なお、穴径は、エポキシ基板の穴あけを行う側の表面を測定顕微鏡を用いて観察し、３点プロットにより仮想円の直径を測定し、これを貫通孔の穴径とすることにより算出した。
また、貫通孔の位置ズレは、最初に形成した貫通孔の位置を基準に、残り貫通孔の実際の中心位置の、設計上の中心位置からのズレ量を算出し、その最大値を貫通孔の位置ズレ量とした。【０２００】
まず、１枚目のエポキシ基板には、直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、５つの貫通孔を図２０−１（ａ）に示した番号の順序で形成した。なお、側面の一部が繋がった貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は２９８．２μｍ（標準偏差σ：４．１μｍ）、最大位置ズレ量は、８．４μｍであった。【０２０１】
また、２枚目のエポキシ基板には、直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、５つの貫通孔を図２０−１（ｂ）に示した番号の順序で形成した。なお、側面の一部が繋がった貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は２９８．５２μｍ（標準偏差σ：４．３μｍ）、最大位置ズレ量は、７．３μｍであった。【０２０２】
また、３枚目のエポキシ基板には、直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、４つの貫通孔を図２０−１（ｃ）に示した番号の順序で形成した。なお、側面の一部が繋がった貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は３０１．４μｍ（標準偏差σ：６．３μｍ）、最大位置ズレ量は、１７．９μｍであった。【０２０３】
また、４枚目のエポキシ基板には、比較対象として、直径１５０μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、５つの貫通孔を図２０−１（ｄ）に示した番号の順序で形成した。ここでは、独立した貫通孔を５つ形成し、この５つの貫通孔を１セットの貫通孔群として、貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は１４８．６μｍ（標準偏差σ：３．９μｍ）、最大位置ズレ量は、７．４μｍであった。【０２０４】
これらの結果から、隣り合わない貫通孔を先に形成し、その後、隣り合わない貫通孔同士の間に、側面の一部が繋がった貫通孔を形成した場合には、独立した貫通孔を形成する場合と比較して、平均穴径の標準偏差および最大位置ズレ量に大きな差がないのに対し、隣り合う貫通孔を連続して形成した場合には、平均穴径の標準偏差および最大位置ズレ量が大きくなっており、さらには、隣り合わない貫通孔を先に形成し、その後、隣り合わない貫通孔同士の間に、側面の一部が繋がった貫通孔を形成した場合と比較して平均穴径自体が大きくなっていることが明らかとなった。【０２０５】
また、その他の形状の一括貫通孔構造との比較についても簡単に説明しておく。
図２０−２（ｅ）、（ｆ）は、一括貫通孔構造の光信号伝送用光路を説明するための模式図である。
上記一括貫通孔としては、上述したように、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状（図２０−１（ａ）〜（ｃ）参照）等が挙げられる。【０２０６】
また、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体の具体的な形状としては、図２０−２に平面図で示したような形状が挙げられる。
図２０−２（ｅ）には、直線と円弧とで囲まれた底面の一例として、長方形の両端に半円が付いた形状を示している。このような底面形状を有する一括貫通孔構造の光路用貫通孔は、直径３００μｍのドリルを用いたルータ加工により形成することができる。また、金型加工によっても形成することができる
また、図２０−２（ｆ）には、直線と円弧と囲まれた底面の一例として、長方形の角部が、１／４円弧を有するように面取りされた形状を示している。このような底面形状を有する一括貫通孔構造の光路用貫通孔は、直径１００μｍのドリルを用いたルータ加工により形成することができる。金型加工によっても形成することができる。【０２０７】
図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示したような形態の光路用貫通孔は、１回のルータ加工や金型加工によって形成することができる。この場合、１回の工程で光路用貫通孔を形成することができるため、複数回の形成工程を必要とする図２０−１（ａ）〜（ｃ）に示したような形状の光路用貫通孔を形成する場合に比べて、位置精度や光路用貫通孔の大きさのバラツキがより発生しにくいこととなる。
また、光路用貫通孔内に充填する樹脂組成物の充填性について比較してみると、複数回の穴あけ工程を経て形成した図２０−１（ａ）〜（ｃ）に示したような形状の光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填する場合、隣接する円柱状の貫通孔同士が繋がった部分の近傍は、出っ張った形状を有していることとなるため、樹脂組成物を充填した場合に、ボイドが発生する場合があったが、１回の穴あけ工程で形成した図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示したような形状の光路用貫通孔では、ボイドが発生することはなかった。
具体的には、図２０−１（ａ）に示した形状を有する光路用貫通孔、および、図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示した形状を有する光路用貫通孔のそれぞれに樹脂組成物を充填し、硬化させた後、クロスカットを行い、顕微鏡によりボイドの発生の有無を確認したところ、図２０−１（ａ）に示した形状を有する光路用貫通孔では、ボイドの発生率が１．７％であったのに対し、図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示した形状を有する光路用貫通孔では、発生率が０％であった。このことから、樹脂組成物の充填性の観点からは、図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示したような形状のほうが、図２０−１（ａ）〜（ｃ）に示したような形状よりも望ましいことが明らかとなった。【０２０８】
また、光路用貫通孔または光路用凹部（以下、両者を併せて光路用貫通孔等ともいう）形成後、必要に応じて、光路用貫通孔等の壁面にデスミア処理を行ってもよい。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。【０２０９】
また、光路用貫通孔等形成後、必要に応じて、未硬化の樹脂組成物を充填する前に、必要に応じて、光路用貫通孔等の壁面を粗化面とする粗化面形成工程を行ってもよい。金属層や樹脂組成物との密着性の向上を図ることができるからである。
上記粗化面の形成は、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の酸；クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸塩等の酸化剤等により、基板や絶縁層等の光路用貫通孔を形成した際に露出した部分を溶解することにより行うことができる。また、プラズマ処理やコロナ処理等により行うこともできる。
上記粗化面の表面粗さＲａの下限は０．５μｍが望ましく、上限は５μｍが望ましい。上記表面粗さＲａのより望ましい下限は１μｍであり、より望ましい上限は３μｍである。この範囲であれば、金属層や樹脂組成物との密着性に優れることとなるからである。【０２１０】
上記光路用貫通孔等を形成した後には、必要に応じて、上記光路用貫通孔等の壁面が金属から構成されることとなるよう、その壁面に金属層を形成する金属層形成工程を行ってもよい。
上記金属層の形成は、例えば、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着等の方法により行うことができる。
具体的には、例えば、光路用貫通孔等を形成した後、該光路用貫通孔等の壁面に触媒核を付与し、その後、光路用貫通孔等が形成された基板を無電解めっき浴に浸漬する方法等を用いることができる。
また、無電解めっきやスパッタリングを組み合せて２層以上からなる金属層を形成してもよいし、無電解めっきやスパッタリングの後、電解めっきを行って２層以上からなる金属層を形成してもよい。
また、この工程で金属層を形成する場合、該金属層は、光沢を有する金属層であってもよい。【０２１１】
このような金属層形成工程においては、上記光路用貫通孔等の壁面に金属層を形成するとともに、上記（ａ）の工程で形成した最外層の絶縁層上に、最外層の導体回路を形成することが望ましい。
具体的には、例えば、まず、無電解めっき等により光路用貫通孔等の壁面に金属層を形成する際に、絶縁層の表面全体にも金属層を形成する。【０２１２】
次に、この絶縁層の表面に形成した金属層上にめっきレジストを形成する。めっきレジストの形成は、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着載置し、露光現像処理を施すことにより行えばよい。【０２１３】
さらに、上記絶縁層上に形成した金属層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成し、その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の金属層とを除去することにより、最外層の絶縁層上に独立した導体回路を形成する。
従って、この場合、上記金属層は、上記導体回路と同様の材質からなるものであることが望ましい。【０２１４】
また、上記金属層を形成した後、上記金属層の壁面に粗化面を形成してもよい。上記粗化面の形成は、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いて行うことができる。【０２１５】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法で形成する光路用貫通孔等の壁面は、樹脂から構成されていてもよい。
上述した工程で、基板および絶縁層を形成する際に、これらの材料として樹脂を用いた場合には、この工程で特に処理を施さなくても、光路用貫通孔等の壁面は、樹脂により構成されることとなる。
また、ここでは、光路用貫通孔等の壁面が樹脂層から構成されるように、別途、樹脂層形成工程を行ってもよい。
別途、樹脂層を形成する場合には、具体的には、光路用貫通孔等を形成した後、この光路用貫通孔内に、樹脂を充填し、さらに、充填した樹脂の一部が残るように、再度、光路用貫通孔等を形成することにより、光路用貫通孔等の壁面が樹脂から構成されるものとすることができる。
ここで、壁面の樹脂層と光信号通過領域内に充填する樹脂組成物の組成は、屈折率が異なる以外は略同様とすることが望ましい。両者の密着性が向上することとなるからである。
また、両者の密着性を向上させるべく、樹脂層の表面にプライマー処理を施してもよい。【０２１６】
また、一旦、樹脂組成物を充填した後、再度、光路用貫通孔を形成する場合には、その形状が、最初に形成した光路用貫通孔と断面形状が相似形になるように形成してもよいし、例えば、一括貫通孔構造の光路用貫通孔内に充填した後、個別貫通孔構造の光路用貫通孔を形成してもよい。【０２１７】
次に、必要に応じて、上記貫通孔または凹部（光路用貫通孔等）内に未硬化の樹脂組成物を充填する樹脂組成物充填工程を行う。
光路用貫通孔等内に、未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、樹脂組成物により構成される光信号通過領域の基板および絶縁層を貫通する部分を形成することができる。
具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
なお、未硬化の樹脂組成物の充填を印刷により行う場合、未硬化の樹脂組成物は一回で印刷してもよいし、２回以上に分けて印刷してもよい。また、多層配線板の両面から印刷を行ってもよい。【０２１８】
また、未硬化の樹脂組成物の充填を行う際には、上記光路用貫通孔等の内積よりも少し多い量の未硬化の樹脂組成物を充填し、充填終了後、光路用貫通孔等から溢れた余分な樹脂組成物を除去してもよい。
上記余分な樹脂組成物の除去は、例えば、研磨等により行うことができる。また、余分な樹脂組成物を除去する場合、樹脂組成物の状態は半硬化状態であっても良いし、完全に硬化した状態であってもよく、樹脂組成物の材料等を考慮して適宜選択すればよい。【０２１９】
また、光路用凹部を形成した場合には、該光路用凹部内に充填する樹脂組成物が、多層配線板の表面で無制限に広がらないように、多層配線板の表面に封止枠を形成しておいてもよい。【０２２０】
このような貫通孔形成工程と、必要に応じて行う、粗化面形成工程および金属層形成工程や樹脂層形成工程と、樹脂組成物充填工程とを経ることにより、上記（ａ）の工程を経て製造した多層配線板に、光信号通過領域を形成することができる。
また、ここまでは、上記（ａ）の工程（多層配線板製造工程）と上記（ｂ）の工程を別の工程として説明したが、その一部は並行して行われてもよい。
具体的には、例えば、上記（ｂ）の工程において、金属層形成工程を行う場合には、上記多層配線板製造工程において、最外層の絶縁層を形成した後、その表面に導体回路を形成せず、上記金属層形成工程において、同時に最外層の絶縁層の表面にも金属層を形成し、上述した処理を行うことにより独立した導体回路を形成することができる。勿論、この場合、上記金属層形成工程を行わない場合であっても、上述した方法により絶縁層の表面に導体回路を形成することができる。
また、例えば、上記多層配線板製造工程において、最外層の絶縁層上に薄膜導体層を形成した後、必要に応じてこの薄膜導体層の厚付けを電解めっきにより行い、その後、エッチングにより導体回路を形成する前に、上述した光信号通過領域を行い、その後で、エッチングにより導体回路を形成してもよい。【０２２１】
また、上記樹脂組成物充填工程を行う場合において、多層配線板に光路用凹部を形成していた場合には、樹脂組成物を充填する前に、光学素子を実装しておく必要があり、さらに、光路用凹部内にＩＣチップを実装する場合には、併せてＩＣチップも実装しておく必要がある。なお、ＩＣチップの実装は設計に応じて行えばよく、必ずしも光路用凹部内に実装しなくてもよい。
以下、光路用凹部内に光学素子およびＩＣチップを実装する方法について説明する。【０２２２】
まず、光路用凹部の底面に、光学素子等との接続端子となるよう、導体回路の一部を露出させる。その後、この導体回路の露出した部分に、必要に応じて、めっき層を形成しておいてもよい。
次に、光路用凹部の底面に光学素子およびＩＣチップを取り付けた後、上記光学素子および上記ＩＣチップと多層配線板の導体回路とを電気的に接続する。
また、場合によっては、最外層の絶縁層上に形成した導体回路と、ワイヤボンディングにより接続してもよい。【０２２３】
上記光学素子および上記ＩＣチップの取り付けは、例えば、共晶結合法、半田結合法、樹脂結合法等により行うことができる。また、銀ペーストや金ペーストを用いて、光学素子等を取り付けてもよい。【０２２４】
上記光学素子および上記ＩＣチップと上記多層配線板の導体回路とを電気的に接続する方法としては、ワイヤボンディングを用いることが望ましい。これは、光学素子等を取り付ける際の設計の自由度が大きいとともに、経済的にも有利だからである。
上記ワイヤボンディングとしては、従来公知の方法、即ち、ネイルヘッド・ボンディング法やウエッジ・ボンディング法を用いることができる。
なお、光学素子等の実装は、テープボンディングやフリップチップボンディング等により行ってもよい。【０２２５】
上述した工程を経て、多層配線板に光路用貫通孔等を形成した後には、必要に応じて、上記の工程で形成した貫通孔や凹部（光路用貫通孔等）に連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程を行う。
具体的には、例えば、下記（１）および（２）の工程を行うことによりソルダーレジスト層を形成することができる。【０２２６】
（１）まず、光路用貫通孔等を形成した多層配線板の最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成する。
上記ソルダーレジスト組成物の層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる。【０２２７】
（２）次に、上記ソルダーレジスト組成物の層に、上記光路用貫通孔等に連通した開口（以下、光路用開口ともいう）を形成する。
具体的には、例えば、露光現像処理やレーザ処理等により形成することができる。【０２２８】
また、上記光路用開口を形成する際には、同時に、半田バンプ形成用開口（ＩＣチップや光学素子を実装するための開口）を形成することが望ましい。なお、上記光路用開口の形成と、上記半田バンプ形成用開口の形成とは、別々に行ってもよい。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、光路用開口と半田バンプ形成用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。【０２２９】
このような（１）および（２）の工程を経ることにより、光路用貫通孔の形成された多層配線板上に、該光路用貫通孔と連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成することができる。【０２３０】
また、上記ソルダーレジスト層に形成した光路用開口には、上記光路用貫通孔等と同様の方法で未硬化の樹脂組成物を充填してもよい。このようにソルダーレジスト層の光路用開口に未硬化の樹脂組成物を充填した後、該未硬化の樹脂組成物の硬化処理を施すことにより、樹脂組成物から構成される光信号通過領域を形成することができる。
また、場合によっては、ソルダーレジスト層に形成した光路用開口の壁面にも金属層を形成してもよい。【０２３１】
さらに、この工程では、光路用貫通孔等から露出した樹脂組成物の露出面に研磨処理を施し、その露出面を平坦にすることが望ましい。露出面を平坦にすることにより、通信光の伝送が阻害されるおそれがより少なくなるからである。
上記研磨処理は、例えば、バフ研磨、紙やすり等による研磨、鏡面研磨、クリーン研磨、ラッピング等により行うことができる。また、酸や酸化剤、薬液等を用いた化学研磨を行ってもよい。また、これらの方法を２種以上組み合わせて研磨処理を行ってもよい。【０２３２】
次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を行う。
上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するには、上記光信号通過領域に樹脂組成物が充填されている場合、該樹脂組成物上に直接配設してもよく、また、接着層を介して上記光信号通過領域に配設してもよい。また、マイクロレンズアレイを接着層を介して配設してもよい。【０２３３】
上記樹脂組成物上にマイクロレンズを直接配設する方法としては、例えば、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下し、この滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施す方法が挙げられる。
上記方法において、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下する際には、ディスペンサー、インクジェット、マイクロピペット、マイクロシリンジ等の装置を用いることができる。また、このような装置を用いて樹脂組成物上に滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂は、その表面張力により球形になろうとするため、上記樹脂組成物上で半球状となり、その後、半球状の未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施すことで、樹脂組成物上に半球状のマイクロレンズを形成することができるのである。【０２３４】
なお、このようにして形成するマイクロレンズの直径や曲面の形状等は、樹脂組成物と未硬化の光学レンズ用樹脂との濡れ性を考慮しながら、適宜未硬化の光学レンズ用樹脂の粘度等を調整することで制御することができる。【０２３５】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法において、ソルダーレジスト層を形成した場合には、このマイクロレンズ配設工程では、上記光路用開口中にマイクロレンズを配設してもよい。
ここで、光路用開口が空隙により構成されている場合には、上記光路用開口の内部であって、上記光路用貫通孔に充填した樹脂組成物上に、マイクロレンズを直接配設すればよく、また、上記光路用開口に樹脂組成物が充填されている場合には、上記光路用貫通孔に充填した樹脂組成物と、上記光路用開口中に充填する樹脂組成物との間にマイクロレンズを配設すればよい。【０２３６】
上記光路用開口中にマイクロレンズを配設する方法としては、光路用開口が空隙により形成されている場合には、例えば、上述した光路用開口の端部に光学レンズ用樹脂を用いてマイクロレンズを配設する方法と同様の方法等を用いることができる。
また、上記光路用開口中に樹脂組成物が充填されている場合には、例えば、その内部に樹脂組成物が充填された光路用貫通孔を有する多層配線板を作製した後、光路用貫通孔内に充填された樹脂組成物上に、上述した方法と同様の方法で、光学レンズ用樹脂を用いてマイクロレンズを配設し、その後、光路用開口を有するソルダーレジスト層を形成し、さらに、該光路用開口内に樹脂組成物を充填することにより、光路用貫通孔に充填した樹脂組成物と光路用開口に充填した樹脂組成物との間にマイクロレンズを配設する方法等を用いることができる。なお、この方法を用いる場合、マイクロレンズの配設とソルダーレジスト層の形成との順序は逆であってもよい。【０２３７】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行った後、上述した工程において光路用貫通孔を形成した場合には、下記の方法を用いて光学素子の実装を行い、さらに、半田パッドや半田バンプの形成を行うことによりＩＣチップ実装用基板を製造することができる。【０２３８】
即ち、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。これらのなかでは、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により被覆層を形成することが望ましい。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
なお、半田パッドの形成は、（ｃ）のマイクロレンズ配設工程の前に行うこととしてもよい。【０２３９】
さらに、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。【０２４０】
さらに、ソルダーレジスト層に光学素子（受光素子および発光素子）を実装する。光学素子の実装は、例えば、上記半田バンプを介して行うことができる。また、例えば、上記半田バンプを形成する際に、半田ペーストを充填した時点で光学素子を取り付けておき、リフローと同時に光学素子の実装を行ってもよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
このような工程を経る第六の本発明の製造方法では、上述した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。【０２４１】
次に、第二の本発明のマザーボード用基板について説明する。
第二の本発明のマザーボード用基板は、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成され、少なくとも一方の面に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装することができるマザーボード用基板であって、
マザーボード用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子または上記ＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。【０２４２】
第二の本発明のマザーボード用基板は、光導波路が形成されるとともに、該マザーボード用基板に光信号通過領域が設けられているため、上記光導波路および上記光信号通過領域を介して、光信号を伝送することができる。【０２４３】
さらに、第二の本発明のマザーボード用基板では、上記光信号通過領域のＩＣチップ実装用基板等を実装する側の端部にマイクロレンズが配設されているため、光導波路に入射する光信号や、光導波路から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光導波路の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたマザーボード用基板を実現することができる。
また、上記マザーボード用基板に形成された光導波路とＩＣチップ実装用基板等に実装した光学部品等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。【０２４４】
第二の本発明のマザーボード用基板には、光導波路が形成されており、この光導波路を介して光信号の伝送を行うことができる。
上記光導波路としては、ポリマー材料等からなる有機系光導波路、石英ガラス、化合物半導体等からなる無機系光導波路等が挙げられる。これらのなかでは、ポリマー材料等からなる有機系光導波路が望ましい。絶縁層との密着性に優れ、加工が容易だからである。
上記ポリマー材料としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。【０２４５】
具体的には、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
また、上記光導波路がマルチモードの光導波路である場合、その材料は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂であることが望ましく、上記光導波路がシングルモードの光導波路である場合、その材料は、ポリイミド樹脂やシリコーン樹脂、シロキサン樹脂であることが望ましい。【０２４６】
また、上記光導波路のコア部の厚さは１〜１００μｍが望ましく、その幅は１〜１００μｍが望ましい。上記幅が１μｍ未満では、その形成が容易でないことがあり、一方、上記幅が１００μｍを超えると、多層プリント配線板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがある。
また、上記光導波路のコア部の厚さと幅との比は、１：１に近いほうが望ましい。これは、通常、上記受光素子の受光部や上記発光素子の発光部の平面形状が円形状だからである。なお、上記厚さと幅との比は特に限定されるものではなく、通常、約１：２〜約２：１程度であればよい。【０２４７】
さらに、上記光導波路が通信波長１．３１μｍまたは１．５５μｍのシングルモードの光導波路である場合には、そのコア部の厚さおよび幅は５〜１５μｍであることがより望ましく、１０μｍ程度であることが特に望ましい。また、上記光導波路が通信波長０．８５μｍでマルチモードの光導波路である場合には、そのコア部の厚さおよび幅は２０〜８０μｍであることがより望ましく、５０μｍ程度であることが特に望ましい。【０２４８】
また、上記光導波路には、粒子が配合されていてもよい。粒子が配合されることにより、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。即ち、光導波路に粒子が配合されていない場合には、光導波路と他の層（基板や絶縁層等）との熱膨張係数が異なることに起因して光導波路にクラックが発生することがあるが、光導波路に粒子を配合して熱膨張係数を調整することにより、上記他の層との熱膨張係数の差を小さくした場合には、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。
また、上記光導波路には、上記樹脂成分以外に、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより上記光導波路と、絶縁層やソルダーレジスト層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができるからである。
なお、上記粒子の具体的な材料や形状としては、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を構成するマイクロレンズに含まれる粒子と同様のものが挙げられる。【０２４９】
また、上記粒子の粒径は、通信波長より短いことが望ましい。粒径が通信波長より長いと光信号の伝送を阻害することがあるからである。
上記粒径は、その下限が０．０１μｍで、上限が０．８μｍであることがより望ましい。この範囲を外れる粒子を含んでいると、粒度分布が広くなりすぎて、樹脂組成物中に混合した際に、該樹脂組成物の粘度のバラツキが大きくなり、樹脂組成物を調製する場合の再現性が低くなり、所定の粘度を有する樹脂組成物を調製することが困難になることがあるからである。【０２５０】
上記粒径は、その下限が０．１μｍで、その上限が０．８μｍであることがさらに望ましい。この範囲にあると、スピンコート、ロールコート等を用いて樹脂組成物を塗布するの適しており、また、粒子が混合された樹脂組成物を調製する際に、所定の粘度に調製しやすくなる。
上記粒径は、その下限が０．２μｍで、その上限が０．６μｍであることが特に望ましい。この範囲が、樹脂組成物の塗布、光導波路のコア部の形成に特に適している。さらに、形成した光導波路ごとのバラツキ、特に、コア部のバラツキが最も小さくなり、光通信用デバイスの特性に特に優れることとなるからである。
また、この範囲の粒径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒径の粒子が含まれていてもよい。
また、上記範囲内の粒径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒径の粒子を含有していてもよい。【０２５１】
上記粒子の配合量は、その望ましい下限が１０重量％であり、より望ましい下限が２０重量％である。一方、上記粒子の望ましい上限は８０重量％であり、より望ましい上限は７０重量％である。粒子の配合量が１０重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が８０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。【０２５２】
また、上記光導波路の形状は特に限定されないが、その形成が容易であることから、シート状が好ましい。
また、上記光導波路がコアとクラッドとから構成されているものである場合、上記粒子は、コアとクラッドとの両方に配合されていてもよいが、コアには粒子が配合されておらず、該コアの周囲を覆うクラッドにのみ粒子が配合されていることが望ましい。その理由は以下のとおりである。
即ち、光導波路に粒子を配合する場合、該粒子と光導波路の樹脂成分との密着性によっては、粒子と樹脂成分との界面に空気層が生じてしまうことがあり、この場合には、この空気層により光の屈折方向が変わり、光導波路の伝送損失が大きくなることがあるのに対し、クラッド部にのみ粒子が配合を配合した場合には、上述したような粒子を配合することにより、光導波路の伝送損失が大きくなるというような問題が発生することがないとともに、光導波路でクラックが発生しにくくなるからである。【０２５３】
また、上記光導波路には、光路変換ミラーが形成されていることが望ましい。光路変換ミラーを形成することにより、光路を所望の角度に変更することが可能だからである。
上記光路変換ミラーの形成は、後述するように、光導波路の一端を切削することにより行うことができる。また、光導波路に光路変換ミラーを形成する代わりに、光導波路の端部の先に、光路変換部を有する部材を配置してもよい。
また、上記光路変換ミラーは、金属膜が蒸着されたミラーであってもよい。【０２５４】
なお、基板や絶縁層、光信号通過領域等の光導波路以外の構成は、サイズを除き、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の構成と略同様である。
従って、第二の本発明のマザーボード用基板においては、上記光信号通過領域の壁面が、樹脂または金属により構成されていることが望ましく、また、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍであることが望ましい。
また、上記マザーボード用基板においては、上記光導波路から出射した光が、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましく、また、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることも望ましい。
また、上記マザーボード用基板において、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されていることが望ましく、また、上記マイクロレンズには、粒子が配合されていることが望ましい。【０２５５】
以下、第二の本発明のマザーボード用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、図６、７のそれぞれは、第二の本発明のマザーボード用基板の一例を模式的に示す断面図である。
第二の本発明のマザーボード用基板の実施形態は、光信号通過領域の形態に併せて、大きく２つの形態に分けることができる。
即ち、光信号通過領域が一括貫通孔構造の場合（以下、第一の実施形態のマザーボード用基板ともいう）、個別貫通孔構造の場合、（以下、第二の実施形態のマザーボード用基板ともいう）の２つの形態に分けることができる。【０２５６】
また、第一の実施形態のマザーボード用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成され、かつ、上記マイクロレンズが複数のレンズを有するマイクロレンズアレイである実施形態を有するものが望ましい。
また、この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることがより望ましい。【０２５７】
また、第二の実施形態のマザーボード用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が複数の独立した光路から構成されている実施形態を有するものが望ましい。【０２５８】
図６には、第一の実施形態のマザーボード用基板を示す。
図６に示すように、マザーボード用基板５２０は、基板５２１の両面に導体回路５２４と絶縁層５２２とが積層形成され、基板５２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層５２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール５２９およびバイアホール５２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層５３４が形成されている。
このマザーボード用基板５２０では、基板５２１、絶縁層５２２およびソルダーレジスト層５３４を貫通するように光信号通過領域５４２が設けられている。【０２５９】
この光信号通過領域５４２には、基板５２１、絶縁層５２２およびソルダーレジスト層５３４を貫通する部分に樹脂組成物５４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層５３４を貫通する部分の径は、基板５２１および絶縁層５２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層５３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
なお、上記光信号通過領域の壁面には、金属層が形成されていてもよい。【０２６０】
マザーボード用基板５２０の片面側（図中、下側）の最外層の絶縁層５２２上には、４つのコア５５１ａ〜５５１ｄとクラッド５５２とからなる光導波路５５０が形成されている。
また、コア５５１ａ〜５５１ｄのそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路と光信号通過領域５４２との間で光信号を伝送することができるように構成されている。ここで、光信号通過領域５４２は、４つのコアのいずれを介して伝送された光信号をも伝送することができる大きさで、基板５２１、絶縁層５２２およびソルダーレジスト層５３４を貫通するように一括形成されている。
なお、光信号通過領域５４２のソルダーレジスト層５３４を貫通する部分は、図６に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域５４２の基板５２１および絶縁層５２２を貫通する部分の周囲には金属層が形成されていてもよい。
また、マザーボード用基板５２０の光導波路が形成された側と反対側のソルダーレジスト層５３４には、半田バンプ５３７が形成されている。【０２６１】
また、このような光信号通過領域５４２の光導波路５５０が形成された側と反対側の端部には、４つのレンズ５４６ａ〜５４６ｄが並列に配置されたマイクロレンズアレイ５４６が接着剤（図示せず）を介して配設されている。ここで、レンズ５４６ａ〜５４６ｄのそれぞれは、端部に光路変換ミラーが形成されたコア５５１ａ〜５５１ｄのそれぞれに対応する位置に配置されている。
従って、光導波路５５０を介して伝送されてきた光信号は、マイクロレンズアレイ５４６を構成する各レンズ５４６ａ〜５４６ｄを通過することとなり、このように、光信号通過領域５４２の一端にマイクロレンズ５４６ａ〜５４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
なお、マイクロレンズ５４６に代えて、４つのマイクロレンズが所定の位置に個別に配設されていてもよい。
また、上記マイクロレンズが光信号通過領域の端部に直接配設されている場合、このマイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された光信号通過領域の端部に配設されていることが望ましい。【０２６２】
また、マザーボード用基板５２０では、ソルダーレジスト層５３４に金属めっき層を介して半田バンプ５３７が形成されているため、ＩＣチップ実装用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、外部基板との間で電気信号の伝送を行うことができる。
また、上記マザーボード用基板に外部基板を半田バンプを介して接続する場合には、該外部基板をセルフアライメント作用により所定の位置に配置することができる。【０２６３】
このような複数のコアを有する光導波路が形成されたマザーボード用基板において、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、コア間のピッチに応じて適宜決定すればよい。
また、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、上述した第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板が有する光信号通過領域の形状と同様の形状等が挙げられる。【０２６４】
上記光信号通過領域の大きさは、縦、横のそれぞれが１００μｍ〜５ｍｍであることが望ましい。具体的には、上記光信号通過領域が円柱状である場合は、その底面の直径が上記範囲にあることが望ましく、上述した各種柱状である場合には、その底面の最も長い部分およびこれに直交する部分の長さが共に上記範囲にあることが望ましい。
上記断面の径が１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝送損失の向上はみられず、上記マザーボード用基板の小型化が難しくなる。【０２６５】
また、上記マザーボード用基板において、光信号通過領域を形成する場合、この光信号通過領域は、光導波路（コア）から出射した光や、光導波路（コア）に入射する光が壁面で反射したり、隣接する光信号間で干渉が生じたりしないような大きさを有していることが望ましい。光信号通過領域の壁面での反射や、信号光間の干渉に起因する伝送損失が発生しないからである。
そこで、一括貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。【０２６６】
ここでは、光導波路は、４チャンネルの光導波路で、各コアの断面サイズは、５０×５０μｍであり、コアの屈折率が１．５２で、クラッドの屈折率が１．５０であり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率１．５０であるマザーボード用基板の場合について検討した。【０２６７】
その結果、上述した形態のマザーボード用基板では、例えば、マザーボード用基板の厚さが０．６ｍｍで、各コア間の距離が２５０μｍである場合には、２２５×９００μｍの四角形の両側に半径１１２．５μｍの半円が付いた形状より大きな断面形状の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができ、マザーボード用基板の厚さが１．２ｍｍで、各コア間の距離が５００μｍである場合には、４００×１６００μｍの四角形の両側に半径２００μｍの半円が付いた形状より大きな断面形状の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０２６８】
次に、第二の実施形態のマザーボード用基板について説明する。
図７には、第二の実施形態のマザーボード用基板を示す。
第二の実施形態のマザーボード用基板、即ち、個別貫通孔構造の光信号通過領域を有する実施形態のＩＣチップ実装用基板は、図６に示した実施形態のＩＣチップ実装用基板と比べて、光信号通過領域の形状が異なる以外は、その構成は同一である。従って、ここでは、光信号通過領域の形状についてのみ詳細に説明することとする。【０２６９】
図７に示すように、マザーボード用基板６２０では、基板６２１、絶縁層６２２およびソルダーレジスト層６３４を貫通するように４つの独立した光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄが設けられている。
この光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄは、基板６２１、絶縁層６２２およびソルダーレジスト層６３４を貫通する部分に樹脂組成物６４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層６３４を貫通する部分の径は、基板６２１および絶縁層６２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層６３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。【０２７０】
マザーボード用基板６２０の片面側（図中、下側）の最外層の絶縁層６２２上には、４つのコア６５１ａ〜６５１ｄとクラッド６５２とからなる光導波路６５０が形成されている。
また、コア６５１ａ〜６５１ｄのそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路のコア６５１ａ〜６５１ｄと光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄとの間で光信号を伝送することができるように構成されている。ここで、光信号通過領域６４２は、４つのコアを介して伝送されてきた光信号のそれぞれを伝送することができるように、個別に独立して形成されている。
なお、光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄのソルダーレジスト層６３４を貫通する部分は、図７に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域６４２の基板６２１および絶縁層６２２を貫通する部分の周囲には金属層６４５が形成されていてもよい。【０２７１】
また、このような光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄの光導波路６５０が形成された側と反対側の端部には、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄが配設されている。
従って、光導波路６５０を介して伝送されてきた光信号や、光導波路６５０に向って伝送される光信号は、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄを通過することとなる。このように、光信号通過領域６４２の一端にマイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄは、光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄの基板６２１、絶縁層６２２およびソルダーレジスト層６３４を貫通する部分に形成された樹脂組成物６４７上に直接配設されている。
なお、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄに代えて、４つのレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。【０２７２】
また、マザーボード用基板６２０では、ソルダーレジスト層６３４に金属めっき層を介して半田バンプ６３７が形成されているため、ＩＣチップ実装用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、外部基板との間で電気信号の伝送を行うことができる。
また、上記マザーボード用基板に外部基板を半田バンプを介して接続する場合には、該外部基板をセルフアライメント作用により所定の位置に配置することができる。【０２７３】
このような複数のコアを有する光導波路が形成されたマザーボード用基板において、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、コア間のピッチに応じて適宜決定すればよい。
また、上記個別貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、上述した第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板が有する光信号通過領域の形状と同様の形状等が挙げられる。【０２７４】
また、上記光信号通過領域の大きさは、その断面の径の下限は１００μｍであることが望ましく、その上限は５００μｍであることが望ましい。上記断面の径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号通過領域に未効果の樹脂組成物を充填することが困難となることがある。一方、上記径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、ＩＣチップ実装用基板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。【０２７５】
また、上記マザーボード用基板において、光信号通過領域を形成する場合、この光信号通過領域は、光導波路（コア）から出射した光や、光導波路（コア）に入射する光が壁面で反射しないような大きさを有していることが望ましい。光信号通過領域の壁面での反射に起因する伝送損失が発生しないからである。
そこで、個別貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。【０２７６】
ここでは、光導波路は、４チャンネルの光導波路で、各コアの断面サイズは、５０×５０μｍであり、コアの屈折率が１．５２で、クラッドの屈折率が１．５０であり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率１．５０であるマザーボード用基板の場合について検討した。【０２７７】
その結果、上述した形態のマザーボード用基板では、例えば、マザーボード用基板の厚さが０．３ｍｍで、各コア間の距離が２５０μｍである場合には、直径１９１μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができ、マザーボード用基板の厚さが０．８ｍｍで、各コア間の距離が５００μｍである場合には、直径３９１μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０２７８】
次に、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法について説明する。
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成するとともに、
上記基板上および／または上記絶縁層上に光導波路を形成し、光配線板とする光配線板製造工程と、
（ｂ）上記光配線板に光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の少なくとも一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とするマザーボード用基板の製造方法。【０２７９】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、光信号通過領域および光導波路を形成する工程と、該光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する工程とを有しているため、第二の本発明のマザーボード用基板、即ち、光信号通過領域および／または光導波路を介して光信号の伝送を行うマザーボード用基板を好適に製造することができる。従って、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたマザーボード用基板を製造することができる。【０２８０】
以下、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法について、工程順に説明する。
なお、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法において、上記光配線板製造工程と上記光信号通過領域形成工程とは、必ずしもこの順序で行う必要はなく、マザーボード用基板の設計に応じて、適宜組み合せて行えばよい。【０２８１】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、まず、上記（ａ）の工程、即ち光配線板製造工程と、上記（ｂ）の工程、即ち光信号通過領域形成工程とを設計に応じて、並行して行う。
具体的には、例えば、下記（１）〜（８）の工程を行う。【０２８２】
（１）まず、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の多層配線板製造工程における（１）〜（２）の工程と同様にして、基板の両面に導体回路を形成するともに、基板を挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する。また、この工程でも、導体回路の表面やスルーホールの壁面に、必要に応じて、粗化面を形成する。【０２８３】
（２）次に、必要に応じて、導体回路を形成した基板上に絶縁層と導体回路とを積層形成する。
具体的には、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の多層配線板製造工程における（３）〜（８）の工程と同様の方法を用いて、絶縁層と導体回路とを積層形成すればよい。
この工程においても、ＩＣチップ実装用基板を製造する場合と同様、基板と絶縁層とを貫通するスルーホールを形成したり、蓋めっき層を形成したりしてもよい。
なお、この絶縁層と導体回路とを積層する工程は、１回のみ行ってもよいし、複数回行ってもよい。
また、この工程で絶縁層上に導体回路を形成する方法としては、上記ＩＣチップ実装用基板を製造する場合と同様、サブトラクティブ法を用いてもよい。【０２８４】
また、後述するように光導波路を形成する際に、該光導波路をＩＣチップ実装用基板等に対向する側と基板を挟んで反対側の絶縁層上等に形成する場合には、この工程において、必要に応じてその内部に光路用樹脂層が形成されたり、その壁面に金属層や樹脂層が形成された光路用貫通孔を形成する。なお、この光路用貫通孔が光信号通過領域として機能することとなる。
なお、光路用貫通孔（光信号通過領域）の形成の具体的な方法としては、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の（ｂ）の工程（光信号通過領域形成工程）と同様の方法を用いることができる。
また、この基板等を貫通する光信号通過領域の形成は、下記（３）の工程で光導波路を形成した後に行ってもよい。【０２８５】
また、光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やレーザ処理等により行うことができる。
また、上記レーザ処理で使用するレーザとしては、例えば、バイアホール用開口を形成す際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
また、光路用貫通孔は、一括貫通孔、個別貫通孔のそれぞれを設計に応じて形成すればよい。【０２８６】
（３）次に、基板上および／または絶縁層上の設計に応じた所定の位置に光導波路を形成する。
上記光導波路の形成は、その材料に石英ガラス等の無機材料を用いて行う場合、予め、所定の形状に成形しておいた光導波路を接着剤を介して取り付けることにより行うことができる。
また、上記無機材料からなる光導波路は、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の無機材料を液相エピタキシヤル法、化学堆積法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシヤル法等により成膜させることにより形成することができる。【０２８７】
また、ポリマー材料からなる光導波路を形成する方法としては、（１）予め離型フィルム上等にフィルム状に成形しておいた光導波路形成用フィルムを絶縁層上に張り付ける方法や、（２）絶縁層上に下部クラッド、コア、上部クラッドを順次積層形成していくことにより、上記絶縁層等上に直接光導波路を形成する方法等が挙げられる。
なお、光導波路の形成方法としては、離型フィルム上に光導波路を形成する場合も、絶縁層等上に光導波路を形成する場合も同様の方法を用いて行うことができる。【０２８８】
具体的には、反応性イオンエッチングを用いた方法、露光現像法、金型形成法、レジスト形成法、これらを組み合せた方法等を用いることができる。
上記反応性イオンエッチングを用いた方法では、（ｉ）まず、離型フィルムや絶縁層等（以下、単に離型フィルム等という）の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂層とする。（iii）次に、上記コア形成用樹脂層上に、マスク形成用の樹脂層を形成し、次いで、このマスク形成用の樹脂層に露光現像処理を施すことにより、コア形成用樹脂層上にマスク（エッチングレジスト）を形成する。
（iv）次に、コア形成用樹脂層に反応性イオンエッチングを施すことにより、マスク非形成部分のコア形成用樹脂層を除去し、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この反応性イオンエッチングを用いた方法は、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。【０２８９】
また、露光現像法では、（ｉ）まず、離型フィルム等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、半硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂組成物の層を形成する。
（iii）次に、上記コア形成用樹脂組成物の層上に、コア形成部分に対応したパターンが描画されたマスクを載置し、その後、露光現像処理を施すことにより、下部クラッド上にコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この露光現像法は、工程数が少ないため、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、また、加熱工程が少ないため、光導波路に応力が発生しにくい。
また、アライメントマークを基準に、基板上に、光導波路を形成することができるため、光学素子と光導波路のコアとをパッシブアライメントにより精度よく位置合わせすることができる。【０２９０】
また、上記金型形成法では、（ｉ）まず、離型フィルム等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成する。（iii）さらに、上記溝内にコア用樹脂組成物を印刷により充填し、その後、硬化処理を施すことによりコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この金型形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。【０２９１】
また、上記レジスト形成法では、（ｉ）まず、離型フィルム等の上に下部クラッドを形成し、（ii）さらに、この下部クラッド上にレジスト用樹脂組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより、上記下部クラッド上のコア非形成部分に、コア形成用レジスト形成する。
（iii）次に、下部クラッド上のレジスト非形成部分にコア用樹脂組成物の塗布し、（iv）さらに、コア用樹脂組成物を硬化した後、上記コア形成用レジストを剥離することにより、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
このレジスト形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。【０２９２】
これらの方法を用いてポリマー材料からなる光導波路を形成する場合において、コアに粒子が配合された光導波路を形成する場合には、露光現像法に比べて、金型形成法が望ましい。その理由は以下のとおりである。
即ち、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成し、その後、この溝内にコアを形成する金型形成法でコアを形成した場合には、コアに配合される粒子は全部、コア中に入ってしまうこととなるため、コアの表面は平坦で光信号の伝送性に優れるのに対し、露光現像法でコアを形成した場合には、現像後のコアにおいて、コア表面から粒子の一部が突出していたり、コア表面に粒子がとれた窪みが形成されていたりして、コアの表面に凹凸が形成されることがあり、この凹凸によって光が所望の方向に反射しなくなり、その結果、光信号の伝送性が低下することがあるからである。【０２９３】
また、上記光導波路には、光路変換ミラーを形成する。
上記光路変換ミラーは、光導波路を絶縁層上に取り付ける前に形成しておいてもよいし、絶縁層上に取り付けた後に形成してもよいが、該光導波路を絶縁層上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラーを形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うことができ、また、作業時に多層プリント配線板を構成する他の部材、基板や導体回路、絶縁層等に傷を付けたり、これらを破損させたりするおそれがないからである。
上記光路変換ミラーを形成する方法としては特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることができる。具体的には、先端がＶ形９０度のダイヤモンドソーや刃物による機械加工、反応性イオンエッチングによる加工、レーザアブレーション等を用いることができる。また、光路変換ミラーを形成する代わりに光路変換部材を埋め込んでもよい。
また、光導波路に９０度光路変換ミラーを形成する場合には、下部クラッドの基板または絶縁層と接する面と、光路変換面とのなす角は、４５度であってもよいし、１３５度であってもよい。
また、上記光導波路や上記光路変換ミラーの形成は、例えば、マザーボード用基板上、光信号通過領域内等に予め形成しておいたアライメントマークを基準に行えばよい。【０２９４】
なお、ここでは、基板上または最外層の絶縁層上に光導波路を形成する方法について説明したが、上記多層プリント配線板を製造する場合には、上記光導波路は、基板と絶縁層との間や、絶縁層同士の間に形成する場合もある。
基板と絶縁層との間に光導波路を形成する場合には、上記（１）の工程で、その両面に導体回路が形成された基板を作製した後、上記（３）の工程と同様の方法で基板上の導体回路非形成部分に光導波路を形成し、その後、上記（２）の工程と同様の方法で絶縁層を形成することにより、上記した位置に光導波路を形成することができる。
また、絶縁層同士の間に光導波路を形成する場合には、上記（１）および（２）の工程と同様にして導体回路が形成された基板上に少なくとも１層の絶縁層を積層形成した後、上記（３）の工程と同様にして絶縁層上に光導波路を形成し、その後、さらに、上記（２）の工程と同様の工程を繰り返すことにより、絶縁層同士の間に光導波路を形成することができる。【０２９５】
（４）次に、必要に応じて、光導波路を形成した基板の最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成する。
上記ソルダーレジスト組成物の層は、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板製造方法においてソルダーレジスト層を形成する際に用いる樹脂組成物と同様の樹脂組成物を用いて形成することができる。
なお、場合によっては、上記（３）の工程で基板の最外層全体に光導波路を形成し、光導波路がソルダーレジスト層としての役割を果たすようにしてもよい。【０２９６】
（５）次に、ＩＣチップ実装用基板等と対向する側のソルダーレジスト層に半田バンプ形成用開口（ＩＣチップ実装用基板や各種表面実装型電子部品を実装するための開口）と光路用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口と光路用開口との形成は、第七の本発明におけるＩＣチップ実装用基板の製造方法で半田バンプ形成用開口を形成する方法と同様の方法、即ち、露光現像処理やレーザ処理等を用いて行うことができる。
なお、上記半田バンプ形成用開口の形成と、光路用開口の形成とは同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。【０２９７】
これらのなかでは、ソルダーレジスト層を形成する際に、その材料として感光性樹脂を含む樹脂組成物を塗布し、露光現像処理を施すことにより半田バンプ形成用開口と光路用開口とを形成する方法を選択することが望ましい。
露光現像処理により光路用開口を形成する場合には、開口形成時に、該光路用開口の下に存在する光導波路に傷を付けるおそれがないからである。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と光路用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。【０２９８】
なお、光路用貫通孔を形成し、ＩＣチップ実装用基板に対向する側と基板を挟んだ反対側に光導波路を形成した場合には、この工程で光路用開口を形成する際に、該光路用開口を上記光路用貫通孔と連通するように形成する。
また、必要に応じて、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも半田バンプ形成用開口を形成してもよい。
後工程を経ることにより、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも外部接続端子を形成することができるからである。【０２９９】
（６）次に、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。具体的には、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法で用いた方法と同様の方法を用いて行えばよい。【０３００】
（７）次に、必要に応じて、上記（５）の工程で形成した光路用開口内に、未硬化の樹脂組成物を充填し、その後、硬化処理を施すことにより光路用樹脂層を形成する。
なお、この工程で充填する未硬化の樹脂組成物は、上記光路用貫通孔内に充填する樹脂組成物と同一のものであることが望ましい。
また、上述したように、ＩＣチップ実装用基板に対向する側と基板を挟んだ反対側に光導波路を形成するために、光路用貫通孔と光路用開口とを形成した場合には、該光路用貫通孔と該光路用開口とに未硬化の樹脂組成物を充填してもよく、ここで、上記未硬化の樹脂組成物を充填する場合には、上記光路用貫通孔と上記光路用開口とに同時に充填し、その後硬化処理を施してもよいし、光配線板に光路用貫通孔を形成した後、未硬化の樹脂組成物の充填と硬化処理とを行い、その後、光路用開口を有するソルダーレジスト層を形成し、さらに、未硬化の樹脂組成物の充填と硬化処理とを行ってもよい。【０３０１】
（８）次に、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
このような半田バンプを形成することにより、該半田バンプを介してＩＣチップ実装用基板や各種表面実装型電子部品を実装することが可能となる。なお、この半田バンプは、必要に応じて形成すればよく、半田バンプを形成しない場合であっても、実装するＩＣチップ実装用基板や各種表面実装型電子部品のバンプを介してこれらを実装することができる。
また、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層では、特に、外部接続端子を形成しなくてもよいし、必要に応じて、ピンを配設したり、半田ボールを形成したりすることにより、ＰＧＡやＢＧＡとしてもよい。【０３０２】
次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上述した工程を経て形成した光信号通過領域の一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を行う。
上記マイクロレンズの配設において、上記光信号通過領域に樹脂組成物が充填されている場合には、該樹脂組成物上に直接配設してもよく、また、接着層を介して上記光信号通過領域に配設してもよい。また、マイクロレンズアレイを接着層を介して配設してもよい。
具体的な方法としては、上述した第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の（ｃ）の工程（マイクロレンズ配設工程）で用いた方法と同様の方法を用いることができる。
なお、この（ｃ）の工程（マイクロレンズ配設工程）は、場合によっては、上記半田パッドや上記半田バンプを形成する前に行ってもよい。【０３０３】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行った後、半田パッドや半田バンプの形成を行うことによりマザーボード用基板の製造を完了する。
なお、半田パッドや半田バンプの形成方法としては、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法で用いた方法と同様の方法により行うことができる。【０３０４】
次に、第三の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第三の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップが実装された第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が、第二の本発明のマザーボード用基板に実装されてなることを特徴とする。【０３０５】
第三の本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板に実装された発光素子からの出力信号や、受光素子への入力信号をマザーボード用基板を介して伝送することができる。
また、第二の本発明のマザーボード用基板に第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が実装されているため、光信号の伝送性に優れることとなる。【０３０６】
第三の本発明の光通信用デバイスにおいては、ＩＣチップ実装用基板に形成された光信号通過領域のマザーボード用基板に対向する側の端部、および、マザーボード用基板に形成された光信号通過領域のＩＣチップ実装用基板に対向する側の端部にマイクロレンズが配設されていることが望ましい。
この部分にマイクロレンズが配設されている場合には、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板からの光信号を、マザーボード用基板に形成された光導波路を介して、別のＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子に確実に伝送することができるからである。【０３０７】
第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図８は、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
図８には、マザーボード用基板７２０に、受光素子２７３９が実装されたＩＣチップ実装用基板２７２０と発光素子１７３８が実装されたＩＣチップ実装用基板１７２０とが実装された光通信用デバイス７６０が示されている。【０３０８】
ＩＣチップ実装用基板１７２０は、基板１７２１の両面に導体回路１７２４と絶縁層１７２２とが積層形成され、基板１７２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１７２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホールおよびバイアホール１７２７により電気的に接続されている（図示せず）。また、最外層にはソルダーレジスト層１７３４が形成されている。【０３０９】
このＩＣチップ実装用基板１７２０では、基板１７２１、絶縁層１７２２およびソルダーレジスト層１７３４を貫通するように光信号通過領域１７４２が設けられている。
この光信号通過領域１７４２には、基板１７２１、絶縁層１７２２およびソルダーレジスト層１７３４を貫通する部分に樹脂組成物１７４７が充填されている。【０３１０】
ＩＣチップ実装用基板１７２０の一の面には、発光部１７３８ａが光信号通過領域１７４２に対向するように、発光素子１７３８が半田接続部１７４４を介して表面実装されている。また、図示していないが、ＩＣチップ実装用基板１７２０の発光素子１７３８が実装された側と同じ側の面には、ＩＣチップが半田接続部を介して表面実装されている。【０３１１】
また、ＩＣチップ実装用基板２７２０は、基板２７２１の両面に導体回路２７４４と絶縁層２７２２とが積層形成され、基板２７２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層２７２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホールおよびバイアホール２７２７により電気的に接続されている（図示せず）。また、最外層にはソルダーレジスト層２７３４が形成されている。【０３１２】
このＩＣチップ実装用基板２７２０では、基板２７２１、絶縁層２７２２およびソルダーレジスト層２７３４を貫通するように光信号通過領域２７４２が設けられている。
この光信号通過領域２７４２には、基板２７２１、絶縁層２７２２およびソルダーレジスト層２７３４を貫通する部分に樹脂組成物２７４７が充填されている。【０３１３】
ＩＣチップ実装用基板２７２０の一の面には、受光部２７３９ａが光信号通過領域２７４２に対向するように、受光素子２７３９が半田接続部１７４４を介して表面実装されている。また、図示していないが、ＩＣチップ実装用基板２７２０の受光素子２７３９が実装された側と同じ側の面には、ＩＣチップが半田接続部を介して表面実装されている。【０３１４】
また、マザーボード用基板７２０は、基板７２１の両面に導体回路７４４と絶縁層７２２とが積層形成され、基板７２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層７２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール７２９およびバイアホール（図示せず）により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層７３４が形成されている。
このマザーボード用基板７２０では、基板７２１、絶縁層７２２およびソルダーレジスト層７３４を貫通するように光信号通過領域７４２が設けられている。【０３１５】
この光信号通過領域７４２には、基板７２１、絶縁層７２２およびソルダーレジスト層７３４を貫通する部分に樹脂組成物７４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層７３４を貫通する部分の径は、基板７２１および絶縁層７２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層７３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。【０３１６】
マザーボード用基板７２０のＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０が実装された側と反対側の最外層の絶縁層７２２上には、コア７５１とクラッド７５２とからなる光導波路７５０が形成されている。
また、光導波路７５０のそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路７５０と光信号通過領域７４２との間で光信号を伝送することができるように構成されている。【０３１７】
また、このような光信号通過領域７４２の光導波路７５０が形成された側と反対側の端部には、マイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂが配設されている。ここで、マイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂのそれぞれは、端部に光路変換ミラーが形成されたコア７５１のそれぞれの端部に対応する位置に配設されている。【０３１８】
そして、光通信用デバイス７６０では、マザーボード用基板７２０の光導波路７５０が形成された側と反対側の面に、ＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０が半田接続部１７４４、２７４４を介して実装されている。
ここで、ＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０のそれぞれは、セルフアライメント作用により所定の位置に実装されている。【０３１９】
このような構成からなる光通信用デバイス７６０では、ＩＣチップ実装用基板１７２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）からの電気信号が、発光素子１７３８で光信号に変換され、発光素子１７３８（発光部１７３８ａ）から出射した光信号は、光信号通過領域１７４６、マイクロレンズ１７４６、マイクロレンズ７４６ａ、光信号通過領域７４２、光導波路７５０、光信号通過領域７４２、マイクロレンズ７４６ｂ、マイクロレンズ７４６および光信号通過領域２７４２を介して受光素子２７３９（受光部２７３９ａ）に伝送され、さらに受光素子２７３９で電気信号に変換された後、ＩＣチップ実装用基板２７２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）に伝送され、処理される配設されたマイクロレンズを介して、光信号が伝送されることとなるため、確実に光信号を伝送することができる。【０３２０】
また、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態は、図８に示したよう実施形態に限定されるわけではなく、例えば、図９に示すような実施形態であってもよい。
図９は、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の別の一例を模式的に示す断面図である。
図９には、マザーボード用基板８２０に、発光素子１８３８が実装されたＩＣチップ実装用基板１８２０と受光素子２８３９が実装されたＩＣチップ実装用基板２８２０とが実装された光通信用デバイス８６０が示されている。【０３２１】
光通信用デバイス８６０は、図８に示した光通信用デバイス７６０と比べて、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０の構造が異なるものの、マザーボード用基板８２０の構造は、マザーボード用基板７２０の構造と同一である。
従って、ここでは、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０の構造を中心に光通信用デバイス８６０の実施形態について説明することとする。【０３２２】
ＩＣチップ実装用基板１８２０は、基板１８２１の両面に導体回路１８４４と絶縁層１８２２とが積層形成され、基板１８２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１８２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール１８２９およびバイアホール１８２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層１８３４が形成されている。【０３２３】
このＩＣチップ実装用基板１８２０では、凹部形状の光信号通過領域１８４２が設けられている。
この光信号通過領域１８４２内には、発光素子１８３８とＩＣチップ（図示せず）とがワイヤボンディング１８４９により実装されており、さらに、光信号通過領域内には、樹脂組成物１８４７が充填されている。
また、このような光信号通過領域１８４２の発光素子１８３８が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ１８４６が配設されている。【０３２４】
また、ＩＣチップ実装用基板２８２０は、基板２８２１の両面に導体回路２８４４と絶縁層２８２２とが積層形成され、基板２８２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層２８２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール２８２９およびバイアホール２８２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層２８３４が形成されている。【０３２５】
このＩＣチップ実装用基板２８２０では、凹部形状の光信号通過領域２８４２が設けられている。
この光信号通過領域２８４２内には、受光素子２８３９とＩＣチップ（図示せず）とがワイヤボンディング２８４８により実装されており、さらに、光信号通過領域内には、樹脂組成物２８４７が充填されている。
また、このような光信号通過領域２８４２の受光素子２８３９が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ２８４６が配設されている。【０３２６】
また、マザーボード用基板８２０は、上述したように、図８に示したマザーボード用基板と同様の構成を有している。
そして、光通信用デバイス８６０では、マザーボード用基板８２０の光導波路８５０が形成された側と反対側の面に、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０が半田接続部１８４３、２８４３を介して実装されている。
ここで、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０のそれぞれは、セルフアライメント作用により所定の位置に実装されている。【０３２７】
このような構成からなる光通信用デバイス８６０では、ＩＣチップ実装用基板１８２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）からの電気信号が、発光素子１８３８で光信号に変換され、発光素子１８３８（発光部１８３８ａ）から出射した光信号は、光信号通過領域１８４２、マイクロレンズ１８４６、マイクロレンズ８４６ａ、光信号通過領域８４２、光導波路８５０、光信号通過領域８４２、マイクロレンズ８４６ｂ、マイクロレンズ２８４６および光信号通過領域２８４２を介して受光素子２８３９（受光部２８３９ａ）に伝送され、さらに受光素子２８３９で電気信号に変換された後、ＩＣチップ実装用基板２８２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）に伝送され、処理されることとなる。
このような光通信用デバイスでは、光信号通過領域の端部に配設されたマイクロレンズを介して、光信号が伝送されることとなるため、確実に光信号を伝送することができる。【０３２８】
また、図８、９に示した光通信用デバイスにおいては、ＩＣチップ実装用基板には、１チャンネル光学素子（発光素子、受光素子）が実装されており、これに対応して、１チャンネルを光信号を伝送するための光信号通過領域が、ＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とのそれぞれに形成されている。
しかしながら、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態は、図８、９に示したような実施形態に限定されるわけではなく、第二の本発明のマザーボード用基板に第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が実装された形態であればよい。【０３２９】
従って、ＩＣチップ実装用基板には、マルチチャンネルの光学素子が実装されていてもよく、また、ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板のそれぞれには、マルチチャンネルの光学素子の光信号を伝送すべく、一括貫通孔構造の光信号通過領域や、個別貫通孔構造の光信号通過領域等が形成されていてもよい。
また、マザーボード用基板に複数のＩＣチップ実装用基板が実装されている場合、一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板および凹部形状の光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板等、光信号通過領域の構造が異なるＩＣチップ実装用基板が、一のマザーボード用基板に実装されていてもよい。
さらに、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板においても、マイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。【０３３０】
次に、図８に示した実施形態の光通信用デバイスを例に、ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板の望ましい厚さについて説明する。
具体的には、例えば、受光素子としてＰＤ（受光径φ６０〜８０μｍ）、マイクロレンズとして、ピッチ２５０μｍのマイクロレンズアレイ（直径１００〜２４０μｍ、サグ高さ３〜１２０μｍ）、光導波路としてコアサイズ５０×５０μｍの光導波路を用いる場合において、発光素子としてインプラ型のＶＣＳＥＬ（広がり角度８度、発光エリア径φ１５μｍ）を用いる場合には、ＩＣチップ実装用基板の厚さは、０．５〜１．６ｍｍが望ましい。また、発光素子として酸化狭窄型（広がり角度１５度、発光エリア径φ１８μｍ）を用いる場合には、ＩＣチップ実装用基板の厚さは、０．５〜０．９ｍｍが望ましい。さらに、発光素子として酸化狭窄型（広がり角度２５度、発光エリア径φ１８μｍ）を用いる場合には、ＩＣチップ実装用基板の厚さは、０．５ｍｍ程度が望ましい。０．５ｍｍ未満では、基板に反りが発生しやすくなるからである。
マザーボード用基板の厚さは、０．５〜０．７５ｍｍが望ましい。
また、上記マイクロレンズは、上述した範囲のなかでも、その直径が２００〜２４０μｍ、サグ高さ５〜５０μｍであることが望ましい。
なお、上記ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板の望ましい厚さ、ならびに、マイクロレンズの望ましい形状は、光学設計ソフトＺＥＭＡＸ（ｆｏｃｕｓ  Ｓｏｆｔｗａｒｅ，ＩＮＣ．製）によるシミュレーションにより明らかにした。【０３３１】
さらに、第三の本発明の光通信用デバイスにおいて、配設されるマイクロレンズの望ましい形状について、詳細に説明する。
ここでは、図８に示した実施形態と略同様の実施形態の光通信用デバイスを例にして説明する。
具体的には、ＩＣチップ実装用基板２７２０として、受光径φ７０μｍ、４チャンネルの受光素子２７３９が実装され、その平面視形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、ＩＣチップ実装用基板１７２０として、広がり角度８度、４チャンネルの発光素子１７３８が実装され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、マザーボード用基板７２０として、幅×厚さ５０×５０μｍコアが、厚さ５０μｍのクラッドに挟まれた光導波路が形成され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成された厚さ０．７ｍｍのマザーボード用基板を用いた光通信用デバイスについて、ＩＣチップ実装用基板１７２０に形成したマイクロレンズ１７４６、ＩＣチップ実装用基板２７２０に形成したマイクロレンズ２７４６、マザーボード用基板７２０に形成したマイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂの望ましい形状、特に、それぞれマイクロレンズの直径を２２０μｍとした場合の望ましいマイクロレンズのサグ高さをシミュレーションにより明らかにした。【０３３２】
なお、ＩＣチップ実装用基板２７２０に配設したマイクロレンズ２７４６は、受光素子２７３９の受光エリア１７３９ａに光信号を集光させることを目的とするものであり、ＩＣチップ実装用基板１７２０に配設したマイクロレンズ１７４６は、光信号をコリメート光とすることを目的とするものであり、マザーボード用基板７２０に配設したマイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂのそれぞれは、マイクロレンズ７４６ａが光信号を光導波路７５０のコア７５１に向かって集光させることを目的とするものであり、マイクロレンズ７４６ｂが光信号をコリメート光とすることを目的とするものである。【０３３３】
また、各マイクロレンズの評価について、ＩＣチップ実装用基板１７２０に配設したマイクロレンズ１７４６は、ＩＣチップ実装用基板１７２０を作製した後、マザーボード用基板に実装する前に、パワーメータのＮＦＰ（ニアフィールドパターン）から集光距離を求めることにより評価した。また、マザーボード用基板７２０に配設したマイクロレンズ７４６ａは、ＩＣチップ実装用基板１７２０をマザーボード用基板７２０に実装し、光導波路７５０の発光素子と対向する側の端部のＮＦＰより評価した。また、マザーボード用基板に配設したマイクロレンズ７４６ｂは、ＩＣチップ実装用基板２７２０の実装領域におけるＮＦＰより評価した。また、ＩＣチップ実装用基板２７２０に配設したマイクロレンズ２７４６は、受光素子２７３９が未実装のＩＣチップ実装用基板２７２０を実装し、受光素子２７３９の実装領域におけるＮＦＰより評価した。【０３３４】
その結果、マザーボード用基板７２０に配設されたマイクロレンズ７４６ａは、そのサグ高さの上限が１２μｍで、下限が１０μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。
さらに、マイクロレンズ７４６ａでは、その焦点距離が０．７５±０．０５ｍｍであることが望ましいことも明らかとなった。
また、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板１７２０に配設されたマイクロレンズ１７４６は、そのサグ高さの上限が１０μｍで、下限が８μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。【０３３５】
また、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板２７２０に配設されたマイクロレンズ２７４６は、そのサグ高さの上限が１２μｍで、下限が１０μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。さらに、マイクロレンズ２７４６では、その焦点距離が０．７５±０．０５ｍｍであることが望ましいことも明らかとなった。
また、マザーボード用基板７２０に配設されたマイクロレンズ７４６ｂは、そのサグ高さの上限が１０μｍで、下限が８μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。
なお、図９に示した実施形態の光通信用デバイスにおいても同様のことが明らかとなった。
また、ここでは、ＩＣチップ実装用基板やマザーボード用基板の厚さを一定にしてマイクロレンズの望ましいサグ高さを説明したが、勿論、望ましいサグ高さは、ＩＣチップ実装用基板やマザーボード用基板の厚さに応じて変動することとなる【０３３６】
また、上述したマイクロレンズの望ましいサグ高さをシミュレーションした系と同様の系を用いて、マイクロレンズの直径を２２０μｍに固定した場合において、マイクロレンズのサグ高さを変化させた場合の、マザーボード用基板の望ましい厚さについて、さらに検討した。
その結果、マザーボード用基板の発光素子に対向する部分に形成したマイクロレンズのサグ高さを７〜１９μｍの範囲で変更して検討したところ、マザーボード用基板の厚さは、１．５２５〜０．３２５μｍが望ましいことが明かとなった。
また、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板に形成したマイクロレンズのサグ高さを７〜１９μｍの範囲で変更して検討したところ、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板の厚さは、１．５２５〜０．３２５μｍが望ましいことが明らかとなった。【０３３７】
第三の本発明の光通信用デバイスは、上述したように、第二の本発明のマザーボード用基板に、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を実装したものである。
従って、上記マザーボード用基板では、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることが望ましく、上記ＩＣチップ実装用基板では、上記光学素子が受光素子であり、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることが望ましい。【０３３８】
本発明の光通信用デバイス（例えば、図８に示した実施形態）では、発光素子と受光素子との間での光導波路を介した光信号伝送時の伝送損失に対して、発光素子から出射された光をどれだけ光導波路のコアに集光して入射することができるか、および、コアから出射した光をどれだけ受光素子の受光部に集光して入射することができるかが、影響を及ぼす要因となる。
そこで、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合い、および、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いが、光信号の伝送性を評価すべく下記の試験を行った。
ここでは、マザーボード用基板に形成する光導波路の長さを５、５０、１００ｃｍと変化させ、伝送速度２．５Ｇｂｐｓおよび１０Ｇｂｐｓの光信号を伝送する際に、必要とされる光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合い、および、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いを評価した。また、上記した評価は、図８に示した形態の光通信用デバイスを用いて行った。【０３３９】
具体的には、ＩＣチップ実装用基板２７２０として、受光径φ８０μｍ、４チャンネルの受光素子２７３９が実装され、その平面視形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されるとともに、マイクロレンズが配設された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、ＩＣチップ実装用基板１７２０として、広がり角度２４度、４チャンネルの発光素子１７３８が実装され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されるとともに、マイクロレンズ配設された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、マザーボード用基板７２０として、幅×厚さ５０×５０μｍコアが、厚さ５０μｍのクラッドに挟まれた光導波路（伝送損失：０．０８ｄＢ／ｃｍ）が形成され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されるとともに、マイクロレンズが配設された厚さ０．７ｍｍのマザーボード用基板を用いた光通信用デバイスを用いて評価した。
なお、全ての光信号通過領域内には、樹脂組成物が充填されおり、その透過率は、９０％／ｍｍである。また、光導波路の両端には、金属ミラーが形成されており、このミラーでの反射に起因する伝送損失は、０．５ｄＢである。【０３４０】
また、この光通信用デバイスにおける各構成部材に起因する伝送損失は、発光素子と光導波路との間、および、光導波路と受光素子との間がそれぞれ１ｄＢずつであり、５ｃｍ、５０ｃｍ、１００ｃｍの光導波路が、それぞれ０．４ｄＢ、４ｄＢ、８ｄＢであり、光路変換ミラーは、上記したとおりである。【０３４１】
そして、伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、１０Ｇｂｐｓの場合において、光通信用デバイス全体の許容伝送損失が、それぞれ、１８ｄＢ、１４ｄＢであることから、光導波路および受光部における許容損失と、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合い、および、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いを算出すると以下の結果が得られた。【０３４２】
受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いについては、（１）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部とが２２％以上重なると、受光部での伝送損失が７．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（２）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが３２％以上重なると、受光部での伝送損失が５．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（３）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが３０％以上重なると、受光部での伝送損失が５．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（４）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍ、および、伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが４３％以上重なると、受光部での伝送損失が３．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（５）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが６６％以上重なると、受光部での伝送損失が１．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となることが明らかとなった。【０３４３】
また、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合いについては、（１）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとが３５％以上重なると、コアでの伝送損失が７．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（２）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが４３．５％以上重なると、コアでの伝送損失が５．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（３）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが４２％以上重なると、コアでの伝送損失が５．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（４）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍ、および、伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが４９％以上重なると、コアでの伝送損失が３．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（５）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが６６％以上重なると、コアでの伝送損失が１．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となることが明らかとなった。【０３４４】
これらの結果から、上記マザーボード用基板では、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることが望ましく、上記ＩＣチップ実装用基板では、上記光学素子が受光素子であり、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることが望ましいことが明らかとなった。【０３４５】
次に、第三の本発明の光通信用デバイスの製造方法について説明する。
第三の本発明の光通信用デバイスは、上述した製造方法により、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板と第二の本発明のマザーボード用基板とを別々に製造した後、その後、両者を半田等を介して接続することにより製造することができる。
具体的には、半田バンプが形成されたＩＣチップ実装用基板と、半田バンプが形成されたマザーボード用基板とをそれぞれ所定の位置に、所定の向きで対向配置し、その後、リフローすることにより両者を接続し、光通信用デバイスとすることができる。
なお、上記ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板のそれぞれの対向する面のうち、どちらか一方の面にのみ半田バンプが形成されていてもよい。
この場合も両者を電気的に接続することができるからである。【０３４６】
また、上記光通信用デバイスを製造する際には、必ずしもＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを完成させた後、その後、両者を接続する方法をとる必要はなく、下記のような方法を用いることもできる。
即ち、マザーボード用基板の製造工程において、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを積層形成した後、光導波路を形成する前に、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装し、その後、光導波路を張り付ける工程を経て、光通信用デバイスを製造することもできる。
この場合、アライメントマークを用いたパッシブアライメントによる光導波路の位置合わせもできるが、アクティブアライメントにより光導波路の位置合わせを行うことができるため、光導波路の位置ずれ（設計から誤差）をより小さくすることができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の実装は、例えば、マザーボード用基板上や光信号通過領域内に予め形成しておいたアライメントマークを基準に行えばよい。【０３４７】
次に、第四の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第四の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装された光通信用デバイスであって、
上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、
上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることを特徴とする。【０３４８】
第四の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光学素子とを結ぶ光路上にマイクロレンズが配設されており、上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されることとなるため、光導波路や光学素子に確実に光信号伝送することができ、光信号の伝送能に優れることとなる。【０３４９】
第四の本発明の光通信用デバイスは、マザーボード用基板と光学素子または光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板とから構成されている。
ここで、上記マザーボード用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するマザーボード用基板と同様のもの等が挙げられる。
また、上記光学素子や、上記光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成する光学素子や、ＩＣチップ実装用基板と同様のもの等が挙げられる。
このようなマザーボード用基板、光学素子やＩＣチップ実装用基板から構成されている場合、上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることとなる。【０３５０】
第四の本発明の光通信用デバイスでは、上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に配設されている少なくとも１つのマイクロレンズは、第三の本発明の光通信用デバイスのように、光信号通過領域の端部に配設されておらず、光信号通過領域の内部に配設されていてもよい。
以下、図面を参照しながらマイクロレンズが光信号通過領域の内部に形成された実施形態について説明する。
図２１は、第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
図２１には、マザーボード用基板９２０に、発光素子９３８と受光素子９３９とが直接実装された光通信用デバイス９６０が示されている。【０３５１】
マザーボード用基板９２０は、基板９２１の両面に導体回路９４４と絶縁層９２２とが積層形成され、基板９２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層９２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール９２９およびバイアホール（図示せず）により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層９３４が形成されている。
このマザーボード用基板９２０では、基板９２１、絶縁層９２２およびソルダーレジスト層９３４を貫通するように光信号通過領域９４２が設けられている。【０３５２】
この光信号通過領域９４２には、基板９２１および絶縁層９２２を貫通する部分の一部に樹脂組成物９４７が充填されている。
そして、光信号通過領域９４２の内部であって、受光素子９４７の光導波路７５０が形成された側と反対側の端部には、マイクロレンズ９４６ａ、９４６ｂが配設されている。ここで、マイクロレンズ９４６ａ、９４６ｂのそれぞれは、コア９５１のそれぞれの端部に対応する位置に配設されている。【０３５３】
マザーボード用基板９２０の発光素子９３８および受光素子９３９がが実装された側と反対側の最外層の絶縁層９２２上には、コア９５１とクラッド９５２とからなる光導波路９５０が形成されている。
また、光導波路９５０のそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路９５０と光信号通過領域９４２との間で光信号を伝送することができるように構成されている。【０３５４】
また、マザーボード用基板９２０の光導波路９５０が形成された側と反対側の表面であって、光信号通過領域９４２に対応する位置には、発光素子９３８および受光素子９３９のそれぞれが、半田接続部９４４を介して実装されている。
ここで、発光素子９３８および受光素子９３９のそれぞれは、セルフアライメント作用により所定の位置に実装されている。【０３５５】
このような構成からなる光通信用デバイス９６０では、発光素子９３８（発光部９３８ａ）から出射した光信号は、空気からなる光信号通過領域９４２、マイクロレンズ９４６ａ、樹脂組成物が充填された光信号通過領域９４２、光導波路７５０、樹脂組成物が充填された光信号通過領域９４２、マイクロレンズ９４６ｂ、空気からなる光信号通過領域９４２を介して受光素子９３９（受光部９３９ａ）に伝送されることとなるため、確実に光信号を伝送することができる。
ここで、マイクロレンズ９４６ａは、発光素子９３８からの光信号を光導波路９５０のコア９５１に向って集光させ、また、マイクロレンズ９４６ｂは、光導波路９５０のコア９５１からの光信号を受光素子９３９に向って集光させるため、上述したように確実に光信号を伝送することができるのである。【０３５６】
また、第四の本発明の光通信用デバイスを構成するマザーボード用基板は、光学素子またはＩＣチップ実装用基板と対向する側の最外層に光導波路が形成されたマザーボード用基板であってもよい。このような構成を有する光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図２２、２３を参照しながら説明する。図２２は、第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。【０３５７】
図２２には、マザーボード用基板３１２０に、発光素子４１３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４１２０と、受光素子５１３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５１２０とが実装された光通信用デバイス３１６０が示されている。【０３５８】
マザーボード用基板３１２０は、基板３１２１の両面に導体回路３１４４と絶縁層３１２２とが積層形成され、基板３１２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層３１２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール３１２９およびバイアホール（図示せず）により電気的に接続されている。
また、ＩＣチップ実装用基板を実装する側の最外層の一部には、コア３１５１とクラッド３１５２とからなる光導波３１５０が形成されており、この光導波路３１５０の端部のそれぞれには、光路変換ミラーが形成されており、後述するＩＣチップ実装用基板に実装された発光素子や受光素子との間で光信号を伝送することができるように構成されている。また、マザーボード用基板３１２０の最外層であって、光導波路３１５０を形成した領域以外の領域には、ソルダーレジスト層が形成されている。
なお、マザーボード用基板３１２０は、図８に示したマザーボード用基板９２０と異なり、光信号通過領域は形成されておらず、また、マイクロレンズも配設されていない。【０３５９】
また、マザーボード用基板３１２０の光導波路３１５０が形成された側には、発光素子４１３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４１２０と、受光素子５１３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５１２０とが実装されている。
ここで、ＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０のそれぞれは、図８に示したＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０と同様の構成を有している。従って、ＩＣチップ実装用基板の説明を省略する。図２２に示したＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０と図８に示したＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０とでマザーボード用基板との接続部の個数が異なるのは、光導波路の態様が明確になるように図面を描画しているからであり、その実質的な構成は同一である。【０３６０】
このような構成からなる光通信用デバイス３１６０では、発光素子４１３８（発光部４１３８ａ）から出射した光信号は、光信号通過領域４１４２、マイクロレンズ４１４６ａ、光導波路３１５０、マイクロレンズ５１４６ａ、および、光信号通過領域５１４２を介して受光素子５１３９（受光部５１３９ａ）に伝送されることとなる。
ここで、マイクロレンズ４１４６ａは、発光素子４１３８からの光信号を光導波路３１５０のコア３１５１に向って集光させ、また、マイクロレンズ５１４６ｂは、光導波路３１５０のコア３１５１からの光信号を受光素子５１３９に向って集光させるため、発光素子と受光素子との間で確実に光信号を伝送することができる。【０３６１】
また、第四の本発明の光通信用デバイスでは、上記マイクロレンズが少なくとも２つ配設されており、
上記光導波路または上記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となることが望ましい。
この場合の具体的な実施形態としては、例えば、図８に示したようなマザーボード用基板にＩＣチップ実装用基板が実装された形態等が挙げられる。
このような実施形態の光通信用デバイスでは、光導波路または上記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となるため、光信号伝送時において、光信号通過領域の壁面で光が反射することなく、光学素子と光導波路との間で伝送されることとなりやすいため、光信号通過領域の壁面での反射に起因する光信号の減衰が発生しにくく、より確実に光学素子と光導波路との間で光信号が伝送されることとなる。【０３６２】
また、他の実施形態としては、例えば、図２３に示したような実施形態が挙げられる。
図２３は、第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。【０３６３】
図２３には、マザーボード用基板３２２０に、発光素子４２３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４２２０と、受光素子５２３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５２２０とが実装された光通信用デバイス３２６０が示されている。【０３６４】
ここで、マザーボード用基板３２２０の構成は、図２２に示したマザーボード用基板３１２０の構成と同一であるため、その説明を省略する。
また、マザーボード用基板３２２０の光導波路３２５０が形成された側には、発光素子４２３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４２２０と、受光素子５２３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５２２０とが実装されている。【０３６５】
ここで、ＩＣチップ実装用基板４２２０、５２２０のそれぞれは、マイクロレンズの配設位置が異なる以外は、図２２に示したＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０と同様の構成を有している。従って、ここでは、マイクロレンズの配設位置のみ説明する。
ＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０では、光信号通過領域の光学素子を実装した側と反対側の端部にのみマイクロレンズが配設されているのに対し、ＩＣチップ実装用基板４２２０では、光信号通過領域４２４２の両端部にマイクロレンズ４２４６ａ、４２４６ｂが配設されており、ＩＣチップ実装用基板５２２０では、光信号通過領域５２４２の両端部にマイクロレンズ５２４６ａ、５２４６ｂが配設されている。【０３６６】
このような構成からなる光通信用デバイス３２６０では、発光素子４２３８（発光部４２３８ａ）から出射した光信号は、マイクロレンズ４２４６ｂ、光信号通過領域４２４２、マイクロレンズ４２４６ａ、光導波路３２５０、マイクロレンズ５２４６ａ、光信号通過領域５２４２、および、マイクロレンズ５２４６ｂを介して受光素子５２３９（受光部５２３９ａ）に伝送される。
ここで、マイクロレンズ４２４６ｂは、発光素子４２３８からの光信号をコリメート光とし、マイクロレンズ４２４６ａは、光導波路３２５０のコア３２５１に向かって光信号を集光させ、また、マイクロレンズ５２４６ａは、光導波路３２５０のコア３２５１からの光信号をコリメート光とし、マイクロレンズ５２４６ｂは、光信号を受光素子５２３９に向って集光させるため、確実に光信号を伝送することができる。【０３６７】
また、上述したように、図８に示したような実施形態も、本発明の実施形態の一つであるが、第四の本発明の光通信用デバイスにおいて、マザーボード用基板に光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装されている場合には、光導波路と光学素子とを結ぶ光路上にマイクロレンズが少なくとも１つ配設されていればよく、必ずしもマザーボード用基板とＩＣチップ実装用基板とのそれぞれにマイクロレンズが配設されていなくてもよい。
具体的には、例えば、図８に示した光通信用デバイスと略同様の実施形態であって、マザーボード用基板側にのみマイクロレンズが配設された実施形態や、図８に示した光通信用デバイスと略同様の実施形態であって、ＩＣチップ実装用基板側にのみマイクロレンズが配設された実施形態（図２４参照）、また、図８に示した光通信用デバイスと略同様の実施形態であって、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と、マザーボード用基板の受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と対向する側の光信号通過領域の端部とにのみマイクロレンズが配設された実施形態等も、第四の本発明の光通信用デバイスの一例として挙げられる。【０３６８】
このような第四の本発明の光通信用デバイスを製造する方法としては、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する方法と同様の方法等が挙げられる。【０３６９】
次に、第五の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第五の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板とが実装された光通信用デバイスであって、
上記マザーボード用基板は、上記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子から出射した光は、上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、上記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、上記光導波路の一端に入射した後、上記光導波路内を伝送し、上記光導波路の他端から出射した光が、上記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて上記受光素子に入射するように構成されていることを特徴とする。【０３７０】
第五の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光信号通過領域とが形成されたマザーボード用基板に、受光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板と、発光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板とが実装されており、所定の位置に所定の機能を有するマイクロレンズが配設されているため、発光素子から出射した光が、光信号通過領域および光導波路を介して、受光素子に伝送される際に、この光は、光信号通過領域の壁面で反射されることとなく伝送されることとなる。従って、第五の本発明の光通信用デバイスでは、反射による減衰なく、発光素子との受光素子との間での光信号の伝送能に優れることとなる。【０３７１】
第五の本発明の光通信用デバイスは、マザーボード用基板と光学素子（受光素子または発光素子）を実装したＩＣチップ実装用基板とから構成されている。
ここで、上記マザーボード用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するマザーボード用基板と同様のもの等が挙げられる。
また、上記光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板と同様のもの等が挙げられる。【０３７２】
上記マザーボード用基板では、上記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、さらに、発光素子実装ＩＣチップ実装用基板を実装する側のマイクロレンズは、発光素子から伝送されてきた光信号を
光導波路のコアに集光することができるものであり、また、受光素子実装ＩＣチップ実装用基板を実装する側のマイクロレンズは、コアから出射された光をコリメート光とすることができるものである。【０３７３】
また、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板では、上記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、さらに、このマイクロレンズは、発光素子から出射された光をコリメート光とすることができるものである。
また、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板では、上記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、さらに、このマイクロレンズは、マザーボード用基板から伝送されてきた光を上記発光素子に集光することができるものである。【０３７４】
このような構成からなる第五の本発明の光通信用デバイスは、上記発光素子から出射した光は、上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、上記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、上記光導波路の一端に入射した後、上記光導波路内を伝送し、上記光導波路の他端から出射した光が、上記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて上記受光素子に入射するため、発光素子と受光素子との間での光信号伝送において、光信号通過領域の壁面で光信号が反射することなく、伝送されることとなるため、反射による減衰がなく、確実に光信号を伝送することができるのである。【０３７５】
このような第五の本発明の光通信用デバイスを製造する方法としては、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する方法と同様の方法等が挙げられる。【０３７６】
以上、ここまで、第三〜第五の本発明の光通信用デバイスとして、様々な実施形態の光通信用デバイスについて説明してきた。そこで、ここでは、上述した実施形態の光通信用デバイスの具体的構造について、比較、考察してみる。【０３７７】
具体的には、図８に示した実施形態の光通信用デバイス７６０、図２４に示した実施形態の光通信用デバイス７６０′、図２２に示した光通信用デバイス３１６０、図２３に示した光通信用デバイス３２６０を例にとり、発光素子から出射した光がマイクロレンズを介して光導波路のコアで集光し、光導波路から出射した光がマイクロレンズを介して受光素子の受光部の集光するようなマイクロレンズの形状を比較した。
加えて、光学素子と光導波路との光路上に２個のマイクロレンズが配設されている実施形態（光通信用デバイス７６０、および、光通信用デバイス３２６０）では、マイクロレンズ間の光信号がコリメート光になるようにマイクロレンズを設計した。【０３７８】
こられの光通信用デバイスについて、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板としては、厚さ５５０μｍのＩＣチップ実装用基板に、２５０μｍ、４チャンネル、広がり角２４度のＶＣＳＥＬが、ギャップ５０μｍでフリップチップ実装され、さらに、３００×７５０μｍの長方形の両端のそれぞれに半径１５０μｍの半円が付いた断面形状を有し、内部に屈折率１．５０の透明エポキシ樹脂が充填された光信号通過領域が形成されたものを用いることとした。
また、受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板としては、厚さ１９５０μｍのＩＣチップ実装用基板に、２５０μｍ、４チャンネル、受光部径８０μｍのＰＤが、ギャップ５０μｍでフリップチップ実装され、さらに、３００×７５０μｍの長方形の両端のそれぞれに半径１５０μｍの半円が付いた断面形状を有し、内部に屈折率１．５０の透明エポキシ樹脂が充填された光信号通過領域が形成されたものを用いることとした。
また、マザーボード用基板としては、光導波路として５０×５０μｍのコアが４チャンネル形成され、その周囲にクラッドが形成され、このクラッドのコアの上下の部分の厚さが５０μｍである光導波路が配設され、光信号通過領域が形成されている場合（光通信用デバイス７６０、７６０′の場合）、３００×７５０μｍの長方形の両端のそれぞれに半径１５０μｍの半円が付いた断面形状を有し、内部に屈折率１．５０の透明エポキシ樹脂が充填された光信号通過領域が形成されたものを用いることとした。
また、マザーボード用基板の厚さは、光通信用デバイス７６０、３１６０、３２６０では４５０μｍとし、光通信用デバイス７６０′では１５０μｍとした。
そして、マザーボード用基板にＩＣチップ実装用基板を実装した際の、マザーボード用基板とＩＣチップ実装用基板とのギャップは、光通信用デバイス７６０、３１６０、３２６０では３００μｍとし、光通信用デバイス７６０′では１００μｍとした。【０３７９】
そして、各部材がこのような形状を有する光通信用デバイスについて、上述した要件を満足するようにマイクロレンズの設計をした。
その結果、上述した要件を満足するマイクロレンズの形状について次のような結果が得られた。結果を表１に示す。なお、表中には、マイクロレンズの直径、高さ、および、高さと直径の比（高さ／直径）を示した。そして、高さと直径の比（高さ／直径）が大きければ大きいほど、マイクロレンズは曲率半径が大きいことなる。【０３８０】
【表１】
2005052666.tif 000003
【０３８１】
表１の結果から、明らかなように、マイクロレンズを光学素子と光導波路との光路上に、
２つのマイクロレンズをした例（光通信用デバイス７６０、３２６０）では、マイクロレンズや光導波路の配設位置によって、マイクロレンズの高さと直径の比（高さ／直径）が異なることとなる。
具体的には、光通信用デバイス７６０のほうが、光通信用デバイス３２６０に比べて、マイクロレンズの高さと直径の比（高さ／直径）が小さくなる。これは、光学素子や光導波路からマイクロレンズまでの距離が短い場合には、レンズを焦点距離を短くする必要があり、そのためマイクロレンズの曲率半径を大きくしなければならないからである。【０３８２】
また、マイクロレンズを光学素子と光導波路との光路上に、１つのマイクロレンズを配設した例（光通信用デバイス７６０′、３１６０）では、両者のマイクロレンズと高さと直径の比（高さ／直径）に、大きな差は見られなかった。
一方、光通信用デバイス７６０′、３１６０に配設したマイクロレンズと、光通信用デバイス３２６０に配設したマイクロレンズを比較した場合、光通信用デバイス３２６０では、発光素子からの光信号を集光するために配設したマイクロレンズ（マイクロレンズ４２４６ｂ）の高さと直径の比（高さ／直径）は、光通信用デバイス７６０′、３１６０に配設したマイクロレンズ（マイクロレンズ１７４６、４１４６ａｂ）に比べて大きくなっていた。このことからも、発光素子の近い位置にマイクロレンズを配設した場合、その曲率半径の絶対値は大きくする必要があることが明確である。【０３８３】
また、ここで、光通信用デバイスを構成する構成部材の位置精度、特に、光学素子と光導波路との位置精度について検討してみると、例えば、図８に示したような構造を有する光通信用デバイス７６０では、
（１）光導波路フィルムをパッシブアライメントで張り付けた後、光学素子を実装する工程を経る場合には、マザーボード用基板の上面や下面に形成したアライメントマークを基準に光導波路フイルムを張り付けており、光導波路と光学素子との間で、概ね１０〜１５μｍ程度の設計からの位置ズレが生じることとなる。
（２）また、マザーボード用基板の上面や下面に形成したアライメントマークを基準にして、樹脂組成物を塗布することにより光導波路を直接形成し、さらに光路変換ミラーを形成する場合には、光導波路と光学素子との間で、概ね１０〜２０μｍ程度の設計からの位置ズレが生じることとなる。
（３）マザーボード用基板に光導波路を形成する前に、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装し、アクティブアライメントで光導波路を形成する場合であっても、光導波路と光学素子との間で、概ね２μｍ程度の設計からの位置ズレが生じることとなる。
また、光導波路と光学素子とき位置ズレは、図２３に示したような光通信用デバイス３２６０でも、その製造工程において発生するものであり、パッシブアライメントで光導波路を形成する場合には、概ね５〜６μｍ程度、アクティブアライメントで光導波路を形成する場合には、概ね８〜１０μｍ程度の設計からの位置ズレが発生することとなる。なお、
ここで、アクティブアライメントのほうが位置ズレが大きくなっているのは、取り付け装置のヘッドで、光導波路の先端部（光路変換ミラー形成部）を抑えることができないからである。
このように、光通信用デバイスにおいては、その製造工程において、光導波路と光学素子との設計からの位置ズレが不回避的に発生するのである。【０３８４】
そして、このような設計からの位置ズレが発生した場合には、如何にマイクロレンズを正確に設計したとしても、そのマイクロレンズの焦点は、光導波路のコアや受光素子の受光部等からズレてしまうのである。
ここで、マイクロレンズの曲率半径が大きい場合のほうが、焦点距離が短いため、少しの位置ズレでも、その位置ズレの影響を大きく受けてしまうことになる。
また、マイクロレンズ自体も配設時において、若干の設計からの誤差を生じることとなり、曲率半径が大きければ大きいほど、小さな誤差であっても、焦点距離が大きく変動することとなる。【０３８５】
従って、これらのことを勘案すると、光通信用デバイスを構成するマイクロレンズは、高さと直径の比（高さ／直径）は小さいほど、換言すれば、マイクロレンズの曲率半径が小ほど、光通信用デバイスの製造時に不回避的に発生する構成部材の位置ズレの影響を受けにくく、優れた光信号伝送性を確保することができるという点から望ましく、また、マイクロレンズの曲率半径を小さくするということは、マイクロレンズの焦点距離を長くするということであるから、マイクロレンズと光導波路や光学素子との距離を確保すべく、ＩＣチップ実装用基板やマザーボード用基板には光信号通過領域が形成されていることが望ましいと言える。
具体的には、光通信用デバイスとしては、図８に示した光通信用デバイス７６０のほうが、図２３に示した光通信用デバイス３２６０のよりも望ましいと考えられ、図２４に示した光通信用デバイス７６０′のほうが、図２２に示した光通信用デバイス３１６０よりも望ましいと考えられるのである。
【実施例】
【０３８６】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコーン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、絶縁層用樹脂フィルムを作製した。【０３８７】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（遊技盤かシェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。【０３８８】
Ｃ．ＩＣチップ実装用基板の製造
（１）厚さ０．７ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１０（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板２１の両面に導体回路２４とスルーホール２９とを形成した。【０３８９】
（２）スルーホール２９と導体回路２４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール２９を含む導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図１０（ｂ）参照）。【０３９０】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール２９内および基板２１の片面の導体回路非形成部と導体回路２４の外縁部とに樹脂充填材３０′の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図１０（ｃ）参照）。【０３９１】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路２４の表面やスルーホール２９のランド表面に樹脂充填材３０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層３０を形成した。【０３９２】
このようにして、スルーホール２９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材３０の表層部および導体回路２４の表面を平坦化し、樹脂充填材３０と導体回路２４の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、スルーホール２９の内壁面と樹脂充填材３０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１０（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２４の表面とが同一平面となる。【０３９３】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路２４の表面とスルーホール２９のランド表面とをエッチングすることにより、導体回路２４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。【０３９４】
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより絶縁層２２を形成した（図１０（ｅ）参照）。
即ち、絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。【０３９５】
（７）次に、絶縁層２２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図１０（ｆ）参照）。【０３９６】
（８）バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。【０３９７】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。【０３９８】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図１１（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４        ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分【０３９９】
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト２３を設けた（図１１（ｂ）参照）。【０４００】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図１１（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ２
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃【０４０１】
（１３）さらに、めっきレジスト２３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２と電解銅めっき膜３３とからなる厚さ１８μｍの導体回路２４（バイアホール２７を含む）を形成した（図１１（ｄ）参照）。【０４０２】
（１４）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成し、次いで、上記（６）〜上記（８）の工程と同様にしてバイアホール用開口２６を有し、その表面に粗化面（図示せず）が形成された絶縁層２２を積層形成した（図１２（ａ）参照）。【０４０３】
（１５）次に、上記（９）の工程で用いた方法と同様の方法で、絶縁層２２（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）の表面に触媒を付与し、さらに、上記（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同様の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図１２（ｂ）参照）。【０４０４】
（１６）次に、上記（１１）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３を設け、さらに、上記（１２）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図１２（ｃ）参照）。【０４０５】
（１７）次に、上記（１３）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３の剥離と、めっきレジスト２３下の薄膜導体層の除去とを行い、導体回路２４（バイアホール２７を含む）を形成した。
さらに、上記（２）の工程で用いた方法と同様の方法で、酸化還元処理を行い、導体回路２４の表面を粗化面（図示せず）とした。
その後、ドリル加工により、基板２１および絶縁層２２を貫通する光路用貫通孔３１（平面視形状が角部円弧の長方形（縦２４０μｍ×横１０００μｍ））を形成し、さらに、光路用貫通孔３１の壁面にデスミア処理を施した（図１２（ｄ）参照）。この場合、一括貫通孔構造の光路用貫通孔３１が形成されることとなる。【０４０６】
（１８）次に、樹脂を印刷機の穴埋めマスク上に載せて、スクリーン印刷を行うことにより光路用貫通孔３１内に樹脂を充填した後、１２０℃で１時間および１５０℃で１時間の条件で硬化処理を施し、その後、光路用貫通孔３１内から飛び出している樹脂を、♯３０００研磨紙を用いて研磨し、さらに、０．０５μｍのアルミナ粒子を用いて研磨して表面を平坦化することにより、樹脂組成物層４７を形成した。
この工程で樹脂としては、エポキシ樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ８２ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを４０重量％添加して、透過率８２％／ｍｍ、ＣＴＥ４２ｐｐｍとし、粘度を２０００００ｃｐｓに調整したをものを用いた。
なお、このエポキシ樹脂の硬化後の屈折率は、１．５０である。【０４０７】
（１９）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。【０４０８】
（２０）次に、樹脂組成物層４２ａを形成した基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層３４′を形成した（図１３（ａ）参照）。【０４０９】
（２１）次いで、半田バンプ形成用開口および光路用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをＩＣチップ実装側のソルダーレジスト組成物の層３４′に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口を形成した。なお、ここで形成した光路用開口の断面の径は、上記（１４）の工程で形成した光路用貫通孔の断面の径と同一である。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口４８、および、光路用開口３１ｂを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層３４を形成した（図１３（ｂ）参照）。
また、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。【０４１０】
（２２）次に、上記（２１）の工程で形成した光路用開口内に、上記（１８）の工程で充填したエポキシ樹脂と同様の樹脂をスクリーン印刷により充填し、硬化処理を施した後、研磨処理を施すことによりその表面を平坦化し、樹脂組成物層４７を形成し、光信号通過領域４２とした（１３（ｃ）参照）。【０４１１】
（２３）次に、ソルダーレジスト層３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口４８に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド３６とした。【０４１２】
（２４）次に、光信号通過領域４２に形成された樹脂組成物層４７の光学素子を実装する側と反対側の端部にインクジェット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズ４６ａ〜４６ｄを配設した（図１４（ａ）参照）。
即ち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９４％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調製した後、この樹脂をインクジョット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度は８ｃｐｓに調製し、その後、樹脂組成物層４７の端部の所定の位置に塗布し、さらに、ＵＶ光（５００ｍＷ／分）を照射させて樹脂を硬化させることにより、直径２２０μｍ、サグ高さ９μｍのマイクロレンズ４６ａ〜４６ｄを配設した。
なお、本工程は、上記（２３）の工程の前に行うこととしてもよい。【０４１３】
（２５）次に、ソルダーレジスト層３４に形成した半田バンプ形成用開口４７に半田ペーストを印刷し、さらに、発光素子３８の発光部３８ａの位置合わせを行いながら取り付け、２００℃でリフローすることにより、発光素子３８を実装するとともに、半田バンプ形成用開口４８に半田バンプ３７を形成した。
その後、エポキシ系樹脂（透過率９０％／ｍｍ、ＣＴＥ７３ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布の粉砕シリカを６０重量％添加して、透過率８０％／ｍｍ、ＣＴＥ３０ｐｐｍ、粘度５０ｃｐｓに調整したアンダーフィル用樹脂を調製した後、このアンダーフィル用樹脂を発光素子の周囲に塗布し、発光素子とソルダーレジスト層とのギャップ（５０μｍ）に放置浸透させ、さらに、このアンダーフィル用樹脂を１２０℃で１時間および１５０℃で２時間の条件で硬化させることにより、屈折率１．５０のアンダーフィルを形成した。
このような工程を経ることによりＩＣチップ実装用基板を得た（図１４（ｂ）参照）。【０４１４】
なお、本実施例では、発光素子３８として、フリップチップ型ＶＣＳＥＬ（ＵＬＭ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ社製）を用いた。そして、この発光素子をピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号通過領域の基板、絶縁層およびソルダーレジスト層を貫通する部分は樹脂組成物が充填されている。【０４１５】
また、本実施例のＩＣチップ実装用基板を製造する際には、下記の工程を経てＩＣチップ実装用基板を製造してもよい。
即ち、上記（１５）の工程で薄膜導体層を形成した後、この薄膜導体層上に、めっきレジストを形成することなく、上記（１６）の工程と同様の方法で、ベタの電解めっき層を形成し、この状態で薄膜導体層および電解めっき層をも貫通するように、上記（１７）、（１８）の工程と同様にして光路用貫通孔の形成ならびに樹脂組成物の充填、硬化および研磨を行い、その後、薄膜導体層および電解めっき層にエッチング処理を施すことにより、導体回路を形成し、さらに、（１９）以降の工程を行うことにより、ＩＣチップ実装用基板を製造してもよい。【０４１６】
（実施例２）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を２０重量％配合したもの（透過率８４％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。【０４１７】
（実施例３）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を４０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。【０４１８】
（実施例４）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を５０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。【０４１９】
（実施例５）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を６０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。【０４２０】
（実施例６）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を７０重量％配合したもの（透過率８１％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。【０４２１】
（実施例７〜１２）
実施例１〜７のそれぞれにおいて、インクジェット装置の代えて、ディスペンサーを用いてマイクロレンズを配設した以外は、実施例１〜７のそれぞれと同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。なお、ディスペンサーを用いる場合には、樹脂を粘度２０ｃｐｓのまま用いた。【０４２２】
（実施例１３）
実施例１の（２４）の工程においてマイクロレンズを配設する際に、下記の方法により、光信号通過領域の端部に接着層を介して４つのレンズを有するマイクロレンズアレイを配設した以外は実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
まず、エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）をマイクロレンズアレイ形状に切削加工した金型に流し込み、１２０℃で１時間、および、１５０℃で２時間の硬化処理を施した後、硬化した樹脂を金型から外すことにより、マイクロレンズアレイを作製した。【０４２３】
次に、マイクロレンズアレイを配設する光信号通過領域の端部に、接着剤として、エポキシ系樹脂（粘度５００ｃｐｓ、屈折率１．４５〜１．５５、透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）をディスペンサーを用いて塗布した。
さらに、マイクロレンズアレイに保護テープを張り、フリップチップ装置の吸引ノズルで吸着し、１０μｍ以下の精度で基板上のアライメントマークを用いて搭載した。さらに、１２０℃、１０分間の条件で接着剤を硬化した。
なお、接着剤の厚さは約１０μｍとした。
また、本実施例では、マイクロレンズアレイに保護テープを張り付けた後、配設しているが、保護テープを張り付けることなく、マイクロレンズアレイをフリップチップ装置のチャックで挟み、配設してもよい。【０４２４】
（実施例１４）
実施例１の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径１５０μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで４つの光路用貫通孔を形成した以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、個別貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。
なお、本実施例では、直径１５０μｍのドリルを用いて光路用貫通孔を形成しているが、通常、直径１００〜４００μｍ程度のドリルを用いればよい。具体的には、例えば、直径３００μｍのドリルを用いて５００μｍピッチの個別貫通孔を形成してもよい。【０４２５】
（実施例１５）
実施例１の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径３００μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで光路用貫通孔を５個形成した以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状で、その一部にダミー円柱が形成された一括貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。なお、ここで、光路用貫通孔は、図２０（ａ）に示した順序で形成した。【０４２６】
（実施例１６）
まず、実施例１の（１）〜（１７）の工程と同様（ドリル加工の工程を除く）にして、基板の両面に導体回路と絶縁層とを積層形成した後、ドリル加工を行うことにより、２層の絶縁層を貫通する光路用凹部を形成した。【０４２７】
次に、光路用凹部の底面に露出した導体回路の表面に、実施例１の（２３）の工程と同様にして、ニッケルめっき層と金めっき層とを形成し、その後、発光素子とＩＣチップとを光路用凹部の底面にワイヤボンディングにより実装した。【０４２８】
次に、実施例１の（１８）の工程で用いた樹脂組成物と同様のエポキシ樹脂を含む樹脂組成物を、スキージを用いて光路用凹部内に充填し、乾燥させた後、バフ研磨によりその表層を平坦化した。さらに、硬化処理を施して樹脂組成物層を形成した。【０４２９】
次に、実施例１の（１９）〜（２２）の工程と同様にして、半田バンプ形成用開口と光路用凹部に連通した光路用開口とが形成されたソルダーレジスト組成物の層を形成し、さらに、光路用開口内に樹脂組成物を充填することにより、光信号通過領域形成した。【０４３０】
次に、光信号通過領域に形成された樹脂組成物層の露出した側の端部にインクジェット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズを配設した。なお、マイクロレンズの形成は、実施例１の（２４）の工程と同様の方法を用いて行った。
その後、実施例１の（２５）の工程と同様の方法を用いて、半田バンプ形成用開口に半田バンプを形成し、ＩＣチップ実装用基板を得た。【０４３１】
このようにして得られた実施例１〜１６のＩＣチップ実装用基板について、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行い、さらに、ＩＣチップ実装用基板の光信号通過領域の発光素子実装側と反対側の端部に検出器を取り付け、発光素子から２．５Ｇｂｐｓの光信号を発信し、検出器で光信号を検出したところ、所望の光信号を検出することができた。
従って、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号通過領域およびマイクロレンズを介して確実に光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０４３２】
また、実施例１〜１２に係るＩＣチップ実装用基板について、マイクロレンズを配設する際の樹脂の塗布性について検討したところ、実施例１〜４および実施例７〜１１に係るＩＣチップ実装用基板では、樹脂の塗布量にバラツキが少なく、所望の形状のマイクロレンズを配設することができ、実施例５、６および１２に係るＩＣチップ実装用基板では、樹脂の塗布量に若干のバラツキがあったものの、マイクロレンズとして使用することができるものを配設することができた。【０４３３】
また、実施例１〜１６に係るＩＣチップ実装用基板について、−５５℃で３分間、１２５℃で３分間を１サイクルとする液相温度サイクル試験を、それぞれのＩＣチップ実装用基板について、２５０サイクル、５００サイクル、および、１０００サイクル行った。
その後、ＩＣチップ実装用基板をクロスカットし、マイクロレンズ、光信号通過領域を含むＩＣチップ実装用基板内でのクラックの発生を観察したところＩＣチップ実装用基板のいずれの箇所においてもクラックは発生していなかった。【０４３４】
さらに、実施例１〜１６に係るＩＣチップ実装用基板について、計５回のリフロー処理を施し、各回のリフロー処理後におけるマイクロレンズでのクラックの発生の有無を観察した。その結果、いずれの条件においてもクラックの発生は観察されなかった。
なお、リフロー処理は、Ｐｂ半田の実装を想定して、ピーク温度２６０℃、２２０℃オーバータイム３０秒以内、余熱温度１７０〜２００℃で１分以上の温度プロファイルで行った。【０４３５】
また、マイクロレンズに粒子を配合した場合のマイクロレンズの伝送損失に対するリフロー処理の影響を確認すべく、下記の試験を行った。【０４３６】
（試験例１〜７）
実施例１においてマイクロレンズを配設するために用いたエポキシ樹脂と同様のエポキシ樹脂に、実施例１でも配合した粒度分布０．１〜０．８μｍの粉砕形状のシリカを表２に示す配合量（重量％）で配合して透過率測定サンプルを作成しマイクロレンズの透過率に対するリフロー回数の影響を評価した。結果を表２に示した。
なお、透過率測定サンプルは、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×高さ１００μｍで作製し、分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−３１０１ＰＣ）を用いて測定した。【０４３７】
【表２】
2005052666.tif 000004
【０４３８】
表２に示した結果から、リフロー処理を施すことにより、透過率は若干低下するものの、リフロー処理を複数回繰り返しても透過率は、殆ど変化しないことが明らかとなった。【０４３９】
（実施例１７）
Ａ．絶縁層用樹脂フィルムの作製
実施例１のＡの工程と同様にして絶縁層用樹脂フィルムを作製した。【０４４０】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
実施例１のＢの工程と同様にして貫通孔充填用樹脂組成物を調整した。【０４４１】
Ｃ．マザーボード用基板の製造
（１）厚さ０．７ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板７１の両面に１８μｍの銅箔７８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１５（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板７１の両面に導体回路７４とスルーホール７９とを形成した。【０４４２】
（２）スルーホール７９と導体回路７４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール７９を含む導体回路７４の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図１５（ｂ）参照）。【０４４３】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール７９内および基板７１の片面の導体回路非形成部と導体回路７４の外縁部とに樹脂充填材８０′の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材８０′の層を形成した（図１５（ｃ）参照）。【０４４４】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路７４の表面やスルーホール７９のランド表面に樹脂充填材８０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層８０を形成した。【０４４５】
このようにして、スルーホール７９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材８０の表層部および導体回路７４の表面を平坦化し、樹脂充填材８０と導体回路７４の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、スルーホール７９の内壁面と樹脂充填材８０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１５（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層８０の表面と導体回路７４の表面とが同一平面となる。【０４４６】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路７４の表面とスルーホール７９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、導体回路７４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。【０４４７】
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより絶縁層７２を形成した（図１５（ｅ）参照）。
即ち、絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。【０４４８】
（７）次に、絶縁層７２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で絶縁層７２に、直径８０μｍのバイアホール用開口７６を形成した（図１５（ｆ）参照）。【０４４９】
（８）バイアホール用開口７６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、絶縁層７２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口７６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。【０４５０】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、絶縁層７２の表面（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。【０４５１】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層７２の表面（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）７２を形成した（図１６（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４          ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                        ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                        ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                      ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                      ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル              １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分【０４５２】
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト７３を設けた（図１６（ｂ）参照）。【０４５３】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト７３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜８３を形成した（図１６（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ２
時間                      ６５  分
温度                      ２２±２  ℃【０４５４】
（１３）さらに、めっきレジスト７３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト７３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２と電解銅めっき膜８３とからなる厚さ１８μｍの導体回路７４（バイアホール７７を含む）を形成した（図１６（ｄ）参照）。【０４５５】
（１４）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路７４の表面に粗化面（図示せず）を形成し、次いで、上記（６）〜上記（８）の工程と同様にしてバイアホール用開口７６を有し、その表面に粗化面（図示せず）が形成された絶縁層７２を積層形成した。【０４５６】
（１５）次に、上記（９）の工程で用いた方法と同様の方法で、絶縁層７２（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）の表面に触媒を付与し、さらに、上記（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同様の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層７２の表面（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）に薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２を形成した（図１７（ａ）参照）。【０４５７】
（１６）次に、上記（１１）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト７３を設け、さらに、上記（１２）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト７３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜８３を形成した（図１７（ｂ）参照）。【０４５８】
（１７）次に、上記（１３）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト７３の剥離と、めっきレジスト７３下の薄膜導体層の除去とを行い、導体回路７４（バイアホール７７を含む）を形成した（図１７（ｃ）参照）。
さらに、上記（２）の工程で用いた方法と同様の方法で、酸化還元処理を行い、導体回路７４の表面を粗化面（図示せず）とした。【０４５９】
その後、ドリル加工により、基板７１および絶縁層７２を貫通する光路用貫通孔３１（平面視形状が角部円弧の長方形（縦２４０μｍ×横１０００μｍ））を形成し、さらに、光路用貫通孔８１の壁面にデスミア処理を施した（図１７（ｄ）参照）。この場合、一括貫通孔構造の光路用貫通孔８１が形成されることとなる。【０４６０】
（１８）次に、樹脂を印刷機の穴埋めマスク上に載せて、スクリーン印刷を行うことにより光路用貫通孔８１内に樹脂を充填した後、１２０℃で１時間および１５０℃で１時間の条件で硬化処理を施し、その後、光路用貫通孔８１内から飛び出している樹脂を、♯３０００研磨紙を用いて研磨し、さらに、０．０５μｍのアルミナ粒子を用いて研磨して表面を平坦化することにより、樹脂組成物層９７を形成した（図１８（ａ）参照）。
この工程で樹脂としては、エポキシ樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ８２ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを４０重量％して、透過率８２％／ｍｍ、ＣＴＥ４２ｐｐｍとし、粘度を２０００００ｃｐｓに調整したをものを用いた。
なお、このエポキシ樹脂は、硬化後の屈折率は１．５０である。【０４６１】
（１９）次に、内部に樹脂組成物層９７が形成された光路用貫通孔９６の端部に、下記の方法を用いて、４つのコア５１ａ〜５１ｄが並列に配設され光導波路５０を形成した。
まず、コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％／ｍｍ、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％／ｍｍ、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを２５重量％添加して透過率を８１％／ｍｍ、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。【０４６２】
次に、光路用貫通孔の端部に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、厚さ５０μｍの下部クラッドを形成した（図１８（ｂ）参照）。
次に、下部クラッド５２上に、スピンコータ（１２００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてコア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、１０００ｍＪの露光処理、１％ＴＭＨを用いたディップによる２分間の現像処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア５１ａ〜５１ｄを形成した（図１８（ｃ）参照）。
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア上での厚さが５０μｍの上部クラッドを形成し、コア５１ａ〜５１ｄとクラッド５２とからなる光導波路５０とした。
その後、光導波路５０の両端部に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、光路変換ミラー面にＣｒ／Ａｕの金属蒸着を行い、金属蒸着層からなる反射面を有する９０度光路変換ミラーを形成した。なお、このようにして形成した光路変換ミラーでの伝送損失は１．２ｄＢであった。【０４６３】
（２０）次に、実施例１の（１９）の工程と同様にして、ソルダーレジスト組成物を調製し、その後、基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層８４′を形成した（図１８（ｄ）参照）。【０４６４】
（２１）次いで、半田バンプ形成用開口および光路用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを光導波路５０が形成された側と反対側のソルダーレジスト組成物の層８４′に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口を形成した。なお、ここで形成した光路用開口の断面の径は、上記（１４）の工程で形成した光路用貫通孔の断面の径と同一である。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口９８、および、光路用開口８１ｂを有し、その厚さが、光導波路形成領域で２０μｍ、光導波路非形成領域で１７０μｍのソルダーレジスト層８４を形成した（図１９（ａ）参照）【０４６５】
（２２）次に、上記（２１）の工程で形成した光路用開口内に、上記（１８）の工程で充填したエポキシ樹脂を含む樹脂組成物と同様の樹脂組成物をスクリーン印刷により充填し、硬化処理を施した後、研磨処理を施すことによりその表面を平坦化し、樹脂組成物層９７を形成し、光信号通過領域９２とした（１９（ｂ）参照）。【０４６６】
（２３）次に、ソルダーレジスト層３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口９８に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド８６とした。【０４６７】
（２４）次に、光信号通過領域９２に形成された樹脂組成物層９７の光導波路が形成された側と反対側の端部にインクジェット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズ９６ａ〜９６ｄを配設した。
即ち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９４％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調製した後、この樹脂をインクジョット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度は８ｃｐｓに調製し、その後、樹脂組成物層４７の端部の所定の位置に塗布し、さらに、ＵＶ光（５００ｍＷ／分）を照射させて樹脂を硬化させることにより、直径２２０μｍ、サグ高さ１０μｍのマイクロレンズ９６ａ〜９６ｄを配設した。【０４６８】
（２５）次に、ソルダーレジスト層８４に形成した半田バンプ形成用開口９８に半田ペーストを印刷し、半田バンプ８７を形成し、マザーボード用基板を得た（図１９（ｃ）参照）。【０４６９】
また、本実施例のマザーボード用基板には、下記の工程を経てマザーボード用基板を製造してもよい。
即ち、上記（１５）の工程で薄膜導体層を形成した後、この薄膜導体層上に、めっきレジストを形成することなく、上記（１６）の工程と同様の方法で、ベタの電解めっき層を形成し、この状態で薄膜導体層および電解めっき層をも貫通するように、上記（１７）、（１８）の工程と同様にして光路用貫通孔の形成ならびに樹脂組成物の充填、硬化および研磨を行い、その後、薄膜導体層および電解めっき層にエッチング処理を施すことにより、導体回路を形成し、さらに、（１９）以降の工程を行うことにより、マザーボード用基板を製造してもよい。【０４７０】
（実施例１８）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を２０重量％配合したもの（透過率８４％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてマザーボード用基板を得た。【０４７１】
（実施例１９）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を４０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてマザーボード用基板を得た。【０４７２】
（実施例２０）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を５０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてマザーボード用基板を得た。【０４７３】
（実施例２１）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を６０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてマザーボード用基板を得た。【０４７４】
（実施例２２）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を７０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてマザーボード用基板を得た。【０４７５】
（実施例２３）
実施例１７の（２４）の工程においてマイクロレンズを配設する際に、下記の方法により、光信号通過領域の端部に接着層を介して４つのレンズを有するマイクロレンズアレイを配設した以外は実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
まず、エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）をマイクロレンズアレイ形状に切削加工した金型に流し込み、１２０℃で１時間、および、１５０℃で２時間の硬化処理を施した後、硬化した樹脂を金型から外すことにより、マイクロレンズアレイを作製した。【０４７６】
次に、マイクロレンズアレイを配設する光信号通過領域の端部に、接着剤として、エポキシ系樹脂（粘度５００ｃｐｓ、屈折率１．４５〜１．５５、透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）をディスペンサーを用いて塗布した。
さらに、マイクロレンズアレイに保護テープを張り、フリップチップ装置の吸引ノズルで吸着し、１０μｍ以下の精度で基板上のアライメントマークを用いて搭載した。さらに、１２０℃、１０分間の条件で接着剤を硬化した。
なお、接着剤の厚さは約５μｍとした。【０４７７】
（実施例２４）
実施例１７の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径１５０μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで４つの光路用貫通孔を形成した以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。本実施例で製造したマザーボード用基板では、個別貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。【０４７８】
（実施例２５）
実施例１７の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径３００μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで光路用貫通孔を５個形成した以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。本実施例で製造したマザーボード用基板では、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状で、その一部にダミー円柱が形成された一括貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。なお、ここで、光路用貫通孔は、図２０（ａ）に示した順序で形成した。【０４７９】
このようにして得られた実施例１７〜２５のマザーボード用基板では、光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されていることとなる。
そこで、一方の光信号通過領域の光導波路と接続された側と反対側の端部に、光信号を導入することができるように光ファイバを取り付け、他方の光信号通過領域の光導波路と接続された側と反対側の端部に検出器を取り付け、その後、光ファイバを介して２．５Ｇｂｐｓの光信号を送り、検出器で光信号を検出したところ、所望の光信号を検出することができた。
従って、本実施例で製造したマザーボード用基板では、光導波路、光信号通過領域およびマイクロレンズを介して確実に光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０４８０】
また、実施例１７〜２２に係るマザーボード用基板について、マイクロレンズを配設する際の樹脂の塗布性について検討したところ、実施例１７〜２０に係るマザーボード用基板では、樹脂の塗布量にバラツキが少なく、所望の形状のマイクロレンズを配設することができ、実施例２１、２２に係るマザーボード用基板では、樹脂の塗布量に若干のバラツキがあったものの、マイクロレンズとして使用することができるものを配設することができた。【０４８１】
また、実施例１７〜２５に係るマザーボード用基板について、−５５℃で３分間、１２５℃で３分間を１サイクルとする液相温度サイクル試験を、それぞれのＩＣチップ実装用基板について、２５０サイクル、５００サイクル、および、１０００サイクル行った。
その後、マザーボード用基板をクロスカットし、マイクロレンズ、光信号通過領域および光導波路を含むマザーボード用基板内でのクラックの発生を観察したところマザーボード用基板のいずれの箇所においてもクラックは発生していなかった。【０４８２】
さらに、実施例１７〜２５に係るマザーボード用基板について、計５回のリフロー処理を施し、各回のリフロー処理後におけるマイクロレンズでのクラックの発生の有無を観察した。その結果、いずれの条件においてもクラックの発生は観察されなかった。
なお、リフロー処理は、ＩＣチップ実装用基板を評価する際の条件と同様の条件で行った。【０４８３】
（実施例２６）
実施例１と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装し、直径２２０μｍ、サグ高さ１１μｍのマイクロレンズを配設した以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例１７と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。【０４８４】
次に、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板と、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板とのそれぞれを、マザーボード用基板の所定の位置に対向配置させ、ピーク温度２３０℃でリフローすることにより両基板の半田バンプ同士を接続して半田接続部（Ｓｎ／Ｐｂ共晶半田）を形成した。ここで、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが３００μｍとなるように実装した。
その後、それぞれのＩＣチップ実装基板の周囲にアンダーフィル用樹脂を塗布し、１２０℃で１時間および１５０℃で２時間の硬化処理を行うことにより、ＩＣチップ実装基板の外周部のみを樹脂封止し、光通信用デバイスを得た（図８参照）。【０４８５】
（実施例２７）
実施例１４と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１４と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例１７と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０４８６】
（実施例２８）
実施例１６と同様の方法を用いて、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１６と同様の方法を用いてＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例１７と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０４８７】
（実施例２９）
実施例１と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例２４と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０４８８】
（実施例３０）
実施例１４と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１４と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例２４と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０４８９】
（実施例３１）
実施例１６と同様の方法を用いて、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１６と同様の方法を用いてＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例２４と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０４９０】
（実施例３２）
実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ８５μｍのマイクロレンズが配設されている。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１４と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ７５μｍのマイクロレンズが配設されている。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。【０４９１】
また、光導波路の形成位置を変え、光信号通過領域を形成しなかった以外は、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。具体的には、基板の両面に導体回路と絶縁層とを形成した後、光路変換ミラーの形成された光導波路フィルムをＩＣチップ実装用基板を実装する側の最外層の絶縁層上に張り付けた以外、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。また、ここでは、基板および絶縁層を貫通する光信号通過領域は形成しなかった。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０４９２】
（実施例３３）
実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ６４μｍのマイクロレンズが配設されている。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装し、マイクロレンズを配設しなかった以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。【０４９３】
また、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。ここでは、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さが４５０μｍとなるようにマザーボード用基板を製造した。また、マイクロレンズは、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を実装する側の光信号通過領域の端部にのみ配設し、そのサイズは、直径２２０μｍ、サグ高さ５０μｍとした。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。ここでは、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが３００μｍとなるように実装した。【０４９４】
（実施例３４）
実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ７４μｍのマイクロレンズが配設されている。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ８０μｍのマイクロレンズが配設されている。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。【０４９５】
また、マイクロレンズを配設しなかった以外は、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。ここでは、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さが１５０μｍとなるようにマザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。ここでは、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが１００μｍとなるように実装した。【０４９６】
なお、本実施例のように、マザーボード用基板の厚さが比較的薄い場合には、マザーボード用基板の反りを防止すべく、ＩＣチップ実装用基板等を実装する側と反対側の面等に補強材を配設してもよい。【０４９７】
（実施例３５）
マイクロレンズを配設しない以外は、実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装するとともに、マイクロレンズを配設しなかった以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。【０４９８】
また、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。ここでは、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さが４５０μｍとなるようにマザーボード用基板を製造した。ここて、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部配設したマイクロレンズのサイズは、直径２２０μｍ、サグ高さ７１μｍとし、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を実装する側の光信号通過領域の端部に配設したマイクロレンズのサイズは、直径２２０μｍ、サグ高さ５０μｍとした。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。ここでは、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが１００μｍとなるように実装した。【０４９９】
（実施例３６）
（１）実施例１７の（１）〜（１７）の工程と同様の方法を用いて、基板上に導体回路と絶縁層とを積層形成し、さらに、光路用貫通孔を形成した。ここで、光路用貫通孔は、ドリル加工にかえてルータ加工により形成し、その断面形状を３４０×１０４０の長方形の両側に、半径１７０μｍの半円が付いた形状とした。【０５００】
（２）次に、別途、３００×１０００×５００μｍのマイクロレンズと同様の材質からなるレンズ土台を２つ作製し、さらに、この一のレンズ土台上には、直径２２０μｍ、サグ高さ５３μｍのマイクロレンズを２５０μｍピッチで４個作製してマイクロレンズ部材Ａとし、他のレンズ土台上には、直径２２０μｍ、サグ高さ４５μｍのマイクロレンズを２５０μｍピッチで４個作製してマイクロレンズ部材Ｂとした。
その後、マイクロレンズ部材Ａ、Ｂを接着剤を介して、光路用貫通孔内に取り付けた。ここで、マイクロレンズ部材は、その底面（マイクロレンズを形成した側と反対側の面）と後工程で光導波路を形成する側の最外層の絶縁層の表面とが同一面を構成するように配設した。【０５０１】
（３）次に、ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを張り付け、ソルダーレジスト組成物の層を形成し、その後、実施例１７の（２１）〜（２５）の工程と同様の方法を用いて光信号通過領域、半田バンプ等を形成してマザーボード用基板を製造した。
本実施例で得られたマザーボード用基板では、光信号通過領域の内部にマイクロレンズが配設されていることなる。
また、このマザーボード用基板は、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さを９００μｍとした。【０５０２】
（４）次に、上記工程を経て製造したマザーボード用基板に、フリップチップ型ＶＣＳＥＬ（ＵＬＭ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ社製：２５０μｍピッチ、４チャンネル）と、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製：２５０μｍピッチ、４チャンネル）とを実装し、光通信用デバイスを製造した。ここで、ＶＣＳＥＬおよびＰＤのぞれぞれは、マザーボード用基板上面とのギャップが５０μｍとなるように実装した。【０５０３】
このようにして得られた実施例２６〜３６に係る光通信用デバイスについて、ＩＣチップ実装基板に実装した発光素子（ＶＣＳＥＬ）を発光させて発信した光信号を、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板の光信号通過領域、マザーボード用基板に形成した光信号通過領域および光導波路、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板の光信号通過領域、ならびに、それぞれの光信号通過領域の端部に配設したマイクロレンズを介して、ＩＣチップ実装基板に実装した受光素子（ＰＩＮＰＤ）で受光し、その後、ＩＣチップを経由した電気信号のアイパターンを確認したところ、２．５Ｇｂｐｓでの伝送を確認することができた。
従って、本実施例で製造した光通信用デバイスでは、光導波路、光信号通過領域およびマイクロレンズを介して確実に光信号を伝送することができることが明らかとなった。【０５０４】
また、実施例２６〜３６に係る光通信用デバイスについて、−５５℃で３分間、１２５℃で３分間を１サイクルとする液相温度サイクル試験を、それぞれの光通信用デバイスについて、２５０サイクル、５００サイクル、および、１０００サイクル行った。
その後、光通信用デバイスをクロスカットし、マイクロレンズ、光信号通過領域、光導波路を含む光通信用デバイス内でのクラックの発生を観察したところ光通信用デバイスのいずれの箇所においてもクラックは発生していなかった。【０５０５】
（比較例１）
まず、実施例１の（２４）の工程（マイクロレンズ配設工程）を行わなかった以外は、実施例１と同様にして発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を製造した。その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行い、ＩＣチップ実装基板とした。
この比較例１に係るＩＣチップ実装用基板について、実施例１に係るＩＣチップ実装用基板と同様にして光信号の伝送能を評価したところ、光信号の伝送エラーが発生する場合があった。【０５０６】
（比較例２）
また、実施例１７の（２４）の工程（マイクロレンズ配設工程）を行わなかった以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を製造した。
この比較例１に係るマザーボード用基板について、実施例１７に係るマザーボード用基板と同様にして光信号の伝送能を評価したところ、光信号の伝送エラーが発生する場合があった。【０５０７】
（比較例３）
比較例１と同様の方法を用いて、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、比較例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装基板を得た。
また、比較例２と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。【０５０８】
比較例３で製造した光通信用デバイスについて、実施例２６に係る光通信用デバイスと同様にして、光信号の伝送性を評価した。
その結果、比較例３に係る光通信用デバイスでは、発光素子から受光素子に向って光信号伝送した際に、光信号の伝送エラーが発生する場合があった。
【図面の簡単な説明】
【０５０９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれマイクロレンズアレイの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】第二の本発明のマザーボード用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】第二の本発明のマザーボード用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図９】第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１６】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１７】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１８】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１９】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２０−１】（ａ）〜（ｄ）は、貫通孔の形成順序と、貫通孔の位置ズレの関係を検証する試験の方法を説明するための模式図である。
【図２０−２】（ｅ）、（ｆ）は、一括貫通孔構造の光信号伝送用光路を説明するための模式図である。
【図２１】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２２】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２３】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２４】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０５１０】
１１、１２、１３  マイクロレンズアレイ
１２０、２２０、３２０、４２０  ＩＣチップ実装用基板
１２１、２２１、３２１、４２１  基板
１２２、２２２、３２２、４２２  絶縁層
１２４、２２４、３２４、４２４  導体回路
１２７、２２７、３２７、４２７  バイアホール
１２９、２２９、３２９、４２９  スルーホール
１３４、２３４、３３４、４３４  ソルダーレジスト層
１３８、２３８、３３８、４３８  発光素子
１３９、２３９、３３９、４３９  受光素子
１４２、２４２、３４２、４４２  光信号通過領域
１４６、２４６、３４６、４４６  マイクロレンズ
３４９  ワイヤボンディング
５２０、６２０  マザーボード用基板
５２１、６２１  基板
５２２、６２２  絶縁層
５２４、６２４  導体回路
５２７、６２７  バイアホール
５２９、６２９  スルーホール
５３４、６３４  ソルダーレジスト層
５３８、６３８  発光素子
５３９、６３９  受光素子
６４２、６４２  光信号通過領域
５４６、６４６  マイクロレンズ
７２０、８２０  マザーボード用基板
７６０、８６０  光通信用デバイス
１７２０、１８２０、２７２０、２８２０  ＩＣチップ実装用基板
【図１】
2005052666.tif 000005
【図２】
2005052666.tif 000006
【図３】
2005052666.tif 000007
【図４】
2005052666.tif 000008
【図５】
2005052666.tif 000009
【図６】
2005052666.tif 000010
【図７】
2005052666.tif 000011
【図８】
2005052666.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2005052666.tif 000018
【図１５】
2005052666.tif 000019
【図１６】
2005052666.tif 000020
【図１７】
2005052666.tif 000021
【図１８】
2005052666.tif 000022
【図１９】
2005052666.tif 000023
【図２０−１】
2005052666.tif 000024
【図２０−２】
2005052666.tif 000025
【図２１】
2005052666.tif 000026
【図２２】
2005052666.tif 000027
【図２３】
2005052666.tif 000028
【図２４】
2005052666.tif 000029
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】請求の範囲
【請求項１】基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、
前記光信号通過領域の前記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とするＩＣチップ実装用基板。
【請求項２】前記光信号通過領域は、前記基板および前記絶縁層を貫通するように設けられている請求項１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項３】前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されている請求項１または２に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項４】前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は、前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている請求項１または２に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項５】前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有している請求項４に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項６】前記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱である請求項５に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項７】前記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項８】前記光信号通過領域の壁面が、樹脂により構成されている請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項９】前記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａが０．１〜５μｍである請求項１〜８のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１０】前記光学素子は、受光素子および／または発光素子である請求項１〜９のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１１】前記光学素子が発光素子であり、前記発光素子から出射した光が、前記マイクロレンズを介してコリメート光となる請求項１〜１０のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１２】前記光学素子が受光素子であり、前記マイクロレンズを介して前記受光素子へ入射する光について、前記受光素子の受光部におけるスポット領域が、前記受光部と２２％以上重なっている請求項１〜１０のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１３】前記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された前記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、
前記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、前記マイクロレンズが配設される面には、撥水処理または親水処理が施されている請求項１〜１２のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１４】前記マイクロレンズには、粒子が配合されている請求項１〜１３のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板。
【請求項１５】基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成され、少なくとも一方の面に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装することができるマザーボード用基板であって、
マザーボード用基板には、光信号通過領域が設けられており、
前記光信号通過領域の前記光学素子または前記１Ｃチップ実装用基板を実装する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とするマザーボード用基板。
【請求項１６】前記光信号通過領域は、前記基板および前記絶縁層を貫通するように設けられている請求項１５に記載のマザーボード用基板。
【請求項１７】前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されている請求項１５または１６に記載のマザーボード用基板。
【請求項１８】前記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、前記光信号通過領域は、前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている請求項１５または１６に記載のマザーボード用基板。
【請求項１９】（補正後）前記マルチチャンネル光学素子からの光信号または前記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有している請求項１８に記載のマザーボード用基板。
【請求項２０】（補正後）前記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱である請求項１９に記載のマザーボード用基板。
【請求項２１】前記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている請求項１５〜２０のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２２】前記光信号通過領域の壁面が、樹脂により構成されている請求項１５〜２０のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２３】前記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａが０．１〜５μｍである請求項１５〜２２のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２４】前記光導波路から出射した光が、前記マイクロレンズを介してコリメート光となる請求項１５〜２３のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２５】前記マイクロレンズを介して前記光導波路へ入射する光について、前記光導波路のコアにおけるスポット領域が、前記コアと３５％以上重なっている請求項１５〜２３のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２６】前記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された前記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、
前記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、前記マイクロレンズが配設される面には、撥水処理または親水処理が施されている請求項１５〜２５のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２７】（補正後）前記マイクロレンズには、粒子が配合されている請求項１５〜２６のいずれかに記載のマザーボード用基板。
【請求項２８】請求項１〜１４のいずれか１に記載のＩＣチップ実装用基板が、請求項１５〜２７のいずれか１に記載のマザーボード用基板に実装されてなることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項２９】基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装された光通信用デバイスであって、
前記光導波路と前記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、
前記光導波路または前記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項３０】前記マイクロレンズが少なくとも２つ配設されており、
前記光導波路または前記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となる請求項２９に記載の光通信用デバイス。
【請求項３１】基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板とが実装された光通信用デバイスであって、
前記マザーボード用基板は、前記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、前記光信号通過領域の前記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
前記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、前記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、前記光信号通過領域の前記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
前記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、前記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、前記光信号通過領域の前記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
前記発光素子から出射した光は、前記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、前記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、前記光導波路の一端に入射した後、前記光導波路内を伝送し、前記光導波路の他端から出射した光が、前記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が前記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて前記受光素子に入射するように構成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項３２】（ａ）基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）前記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、前記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）前記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とするＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３３】前記（ｂ）の工程において、前記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される貫通孔からなる光信号通過領域を形成する請求項３２に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３４】前記（ｂ）の工程において、前記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成する請求項３２に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３５】前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行う請求項３２〜３４のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３６】前記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とする請求項３５に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３７】前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行う請求項３２〜３４のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３８】前記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とする請求項３７に記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項３９】前記（ｃ）の工程において、前記マイクロレンズを配設する前に、前記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておく請求項３２〜３８のいずれかに記載のＩＣチップ実装用基板の製造方法。
【請求項４０】（ａ）基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成するとともに、
前記基板上および／または前記絶縁層上に光導波路を形成し、光配線板とする光配線板製造工程と、
（ｂ）前記光配線板に光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）前記光信号通過領域の一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とするマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４１】（補正後）前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される光信号通過領域を形成する請求項４０に記載のマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４２】（補正後）前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成する請求項４０に記載のマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４３】（補正後）前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行う請求項４０〜４２のいずれかに記載のマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４４】（補正後）前記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とする請求項４３に記載のマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４５】（補正後）前記（ｂ）の工程において、前記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行う請求項４０〜４２のいずれかに記載のマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４６】（補正後）前記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とする請求項４５に記載のマザーボード用基板の製造方法。
【請求項４７】（補正後）前記（ｃ）の工程において、前記マイクロレンズを配設する前に、前記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておく請求項４０〜４６のいずれかに記載のマザーボード用基板の製造方法。
１４６
【手続補正書】
【提出日】平成19年9月21日(2007.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップ実装用基板、マザーボード用基板、光通信用デバイス、ＩＣチップ実装用基板の製造方法、および、マザーボード用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信分野を中心として光ファイバに注目が集まっている。特にＩＴ（情報技術）分野においては、高速インターネット網の整備に、光ファイバを用いた通信技術が必要となる。
光ファイバは、（１）低損失、（２）高帯域、（３）細径・軽量、（４）無誘導、（５）省資源等の特徴を有しており、この特徴を有する光ファイバを用いた通信システムでは、従来のメタリックケーブルを用いた通信システムに比べ、中継器数を大幅に削減することができ、建設、保守が容易になり、通信システムの経済化、高信頼性化を図ることができる。
【０００３】
また、光ファイバは、一つの波長の光だけでなく、多くの異なる波長の光を１本の光ファイバで同時に多重伝送することができるため、多様な用途に対応可能な大容量の伝送路を実現することができ、映像サービス等にも対応することができる。
【０００４】
そこで、このようなインターネット等のネットワーク通信においては、光ファイバを用いた光通信を、基幹網の通信のみならず、基幹網と端末機器（パソコン、モバイル、ゲーム等）との通信や、端末機器同士の通信にも用いることが提案されている。
【０００５】
このように基幹網と端末機器との通信等に光通信を用いる場合、端末機器において情報（信号）処理を行うＩＣが、電気信号で動作するため、端末機器には、光→電気変換器や電気→光変換器等の光信号と電気信号とを変換する装置（以下、光／電気変換器ともいう）を取り付ける必要がある。
そこで、従来の端末機器では、例えば、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学素子等を別々に実装し、これらに電気配線や光導波路を接続し、信号伝送および信号処理を行っていた。
【０００６】
このような従来の端末機器において、ＩＣチップを実装したパッケージ基板、光信号を処理する受光素子や発光素子等の光学素子等を別々に実装した場合には、装置自体が大きくなり、端末機器の小型化を図ることが難しかった。
【０００７】
そこで、本発明者らは、先に、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されるともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、このＩＣチップ実装用基板を貫通する光信号伝送用光路が形成されたＩＣチップ実装用基板を提案している（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
一方、光学部品間の光結合効率を高めるためには、マイクロレンズを用いることができ、マイクロレンズの形成方法としては、シリコン異方性エッチング、フォトリソグラフィの技術を利用したマイクロレンズの形成方法が開示されている（例えば、特許文献２、３参照）。
このような方法で形成したマイクロレンズや、マイクロレンズアレイは接着剤を用いてパーケージ基板やプリント配線板上に固定することができる。
【０００９】
また、基板上に直接樹脂を塗布した後、硬化させることによりマイクロレンズを形成する方法として、マイクロジェット（インクジェット）を用いてマイクロレンズを形成する方法も開示されている（例えば、非特許文献１、２参照）。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−３２９８９１号公報
【特許文献２】特開平０６−２３０２０３号公報
【特許文献３】特開平０６−３２６２８５号公報
【非特許文献１】Ｄ．Ｌ．ＭａｃＦａｒｌａｎｅ、外２名，「マイクロジェットによるマイクロレンズの製作（Ｍｉｃｒｏｊｅｔ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｍｉｃｒｏｌｅｎｓ  Ａｒｒａｙｓ）」，（ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃ  Ｔｅｃｈｎｏｌ  Ｌｅｔｔ），米国，１９９４年，第６巻，第９号，ｐ．１１１２−１１１４
【非特許文献２】石井、外３名，「光Ｉ／Ｏチップ実装のための高分子マイクロレンズのインクジエットによる製作（Ｉｎｋ−Ｊｅｔ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｅｎｓ  ｆｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｉ／Ｏ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）」，（Ｊｐｎ  Ｊ  Ａｐｐｌ  Ｐｈｙｓ  Ｐａｒｔ  １），２０００年，第３９巻，第３Ｂ号，ｐ．１４９０−１４９３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、既にマイクロレンズを形成する技術については開示されているものの、光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板や、このＩＣチップ実装用基板等を実装するための光導波路が形成されたマザーボード用基板等にマイクロレンズを取り付ける場合の取り付け位置については、何ら開示されていなかった。
また、ＩＣチップ実装用基板にマイクロレンズを取り付ける際に、その位置や個数等や、マイクロレンズ自体の形状等によっては、発光素子からの光信号は広がり角度をもって発光されること、受光素子の受光エリアが小さいこと等に起因して、光学素子と光導波路との間や、光学素子同士の間で光信号の伝送が行われなかったり、伝送損失が大きくなりすぎたりすることがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
そこで、本発明者らは、接続信頼性に優れる光通信を達成するために、光学素子が実装されるとともに光信号通過領域が設けられたＩＣチップ実装用基板、光導波路が形成されるとともに光信号通過領域が設けられたマザーボード用基板、および、これらを用いた光通信用デバイスおいて、接続信頼性に優れる光通信を達成するために鋭意検討を行い、本発明を完成した。
【００１３】
即ち、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。
【００１４】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号通過領域は、上記基板および上記絶縁層を貫通するように設けられていることが望ましい。
【００１５】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されていることが望ましい。
【００１６】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されていることも望ましい。
この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることが望ましい。
【００１７】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記光信号通過領域の壁面が、樹脂または金属により構成されていることが望ましく、また、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａが０．１〜５μｍであることが望ましい。
【００１８】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記光学素子は、受光素子および／または発光素子であることが望ましい。
【００１９】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、上記光学素子が発光素子であり、上記発光素子から出射した光が、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましく、また、上記光学素子が受光素子であり、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることも望ましい。
【００２０】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、上記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、上記マイクロレンズが配設されている面には、撥水処理または親水処理が施されていることが望ましく、また、上記マイクロレンズには、粒子が配合されていることが望ましい。
【００２１】
第二の本発明のマザーボード用基板は、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成され、少なくとも一方の面に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装することができるマザーボード用基板であって、
マザーボード用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子または上記ＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。
【００２２】
第二の本発明のマザーボード用基板において、上記光信号通過領域は、上記基板および上記絶縁層を貫通するように設けられていることが望ましい。
【００２３】
第二の本発明のマザーボード用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は複数の独立した光路から構成されていることが望ましい。
【００２４】
第二の本発明のマザーボード用基板において、上記光学素子はマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域は、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されていることも望ましい。
この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることが望ましい。
【００２５】
また、第二の本発明のマザーボード用基板においては、上記光信号通過領域の壁面が、樹脂または金属により構成されていることが望ましく、また、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍであることが望ましい。
【００２６】
また、第二の本発明のマザーボード用基板においては、上記光導波路から出射した光が、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましく、また、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることも望ましい。
【００２７】
また、第二の本発明のマザーボード用基板において、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されているか、または、上記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、上記マイクロレンズが配設されている面には、撥水処理または親水処理が施されていることが望ましく、また、上記マイクロレンズには、粒子が配合されていることが望ましい。
【００２８】
第三の本発明の光通信用デバイスは、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が、第二の本発明のマザーボード用基板に実装されてなることを特徴とする。
【００２９】
第四の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装された光通信用デバイスであって、
上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、
上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることを特徴とする。
【００３０】
第四の本発明の光通信用デバイスは、上記マイクロレンズが少なくとも２つ配設されており、
上記光導波路または上記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となることが望ましい。
【００３１】
第五の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板とが実装された光通信用デバイスであって、
上記マザーボード用基板は、上記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子から出射した光は、上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、上記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、上記光導波路の一端に入射した後、上記光導波路内を伝送し、上記光導波路の他端から出射した光が、上記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて上記受光素子に入射するように構成されていることを特徴とする。
【００３２】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）上記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、上記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とする。
【００３３】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される貫通孔からなる光信号通過領域を形成することが望ましい。
【００３４】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記多層配線板を貫通する光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成することが望ましい。
【００３５】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行うことが望ましく、この場合、上記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とすることが望ましい。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行うことも望ましく、この場合、上記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とすることが望ましい。
【００３６】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ｃ）の工程において、上記マイクロレンズを配設する前に、上記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておくことが望ましい。
【００３７】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、
（ａ）基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成するとともに、
上記基板上および／または上記絶縁層上に光導波路を形成し、光配線板とする光配線板製造工程と、
（ｂ）上記光配線板に光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とする。
【００３８】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域として、複数の独立した光路から構成される光信号通過領域を形成することが望ましい。
【００３９】
また、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域として、マルチチャンネル光学素子からの光信号またはマルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成される光信号通過領域を形成することが望ましい。
【００４０】
また、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が金属層から構成されるように金属層形成工程を行うことが望ましく、この場合、上記金属層形成工程で形成する金属層の表面を粗化面とすることが望ましい。
また、上記マザーボード用基板の製造方法では、上記（ｂ）の工程において、上記光信号通過領域の壁面が樹脂層から構成されるように樹脂層形成工程を行うことも望ましく、この場合、上記樹脂層形成工程で形成する樹脂層の表面を粗化面とすることが望ましい。
【００４１】
また、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、上記（ｃ）の工程において、上記マイクロレンズを配設する前に、上記マイクロレンズを配設する部位に、撥水処理または親水処理を施しておくことが望ましい。
【発明の効果】
【００４２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、上述したように、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設されているため、受光素子に入射する光信号や、発光素子から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光学素子の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたＩＣチップ実装用基板を実現することができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板に配設された光学素子と後述する第二の本発明のマザーボード用基板等の外部基板等に実装した光学部品等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。
【００４３】
さらに、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、上記光信号通過領域を介して、上記光学素子の入出力信号を伝送することができる。また、このＩＣチップ実装用基板にＩＣチップが実装された場合には、ＩＣチップと光学素子との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れることとなる。
また、本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学素子を一体化することができるため、光通信用端末機器の薄型化、小型化に寄与することができる。
【００４４】
第二の本発明のマザーボード用基板は、上述したように、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設されているため、マザーボード用基板に形成された光導波路に入射する光信号や、該光導波路から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光学素子の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたマザーボード用基板を実現することができる。
また、上記マザーボード用基板に形成された光導波路と上述した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板等に実装した光学素子等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。
【００４５】
さらに、第二の本発明のマザーボード用基板では、光信号通過領域領域の端部にマイクロレンズが配設されているため、上記光信号通過領域および上記光導波路を介して、光信号を確実に伝送することができる。
また、本発明のマザーボード用基板では、光通信に必要な電子部品や光導波路を一体化することができるため、光通信用端末機器の薄型化、小型化に寄与することができる。
【００４６】
第三の本発明の光通信用デバイスは、本発明のマザーボード用基板に本発明のＩＣチップ実装用基板が実装されたものであるため、光信号の伝送能に優れることとなる。
【００４７】
第四の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光学素子とを結ぶ光路上にマイクロレンズが配設されているため、光信号の伝送能に優れることとなる。
【００４８】
第五の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光信号通過領域とが形成されたマザーボード用基板に、受光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板と、発光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板とが実装されており、所定の位置に所定の機能を有するマイクロレンズが配設されているため、発光素子から出射した光が、光信号通過領域および光導波路を介して、受光素子に伝送される際に、この光は、光信号通過領域の壁面で反射されることとなく伝送されることとなる。従って、反射による減衰なく、発光素子との受光素子との間での光信号の伝送能に優れることとなる。
【００４９】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、上述した構成からなるため、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板、即ち、基板および絶縁層に設けられた光信号通過領域を介して光学素子の入出力信号の伝送を行うＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。従って、第六の本発明の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【００５０】
第七の本発明の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、上述した構成からなるため、第二の本発明のマザーボード用基板、即ち、基板および絶縁層に設けられた光信号通過領域および光導波路を介して光信号の伝送を行うマザーボード用基板を好適に製造することができる。従って、第七の本発明の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたマザーボード用基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板について説明する。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板であって、
ＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子側と反対側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。
【００５２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、光学素子が実装されるとともに、該ＩＣチップ実装用基板（基板、絶縁層）に光信号通過領域が設けられているため、上記光信号通過領域を介して、上記光学素子の入出力信号を伝送することができる。また、このＩＣチップ実装用基板にＩＣチップが実装された場合、ＩＣチップと光学素子との距離が短く、電気信号伝送の信頼性に優れることとなる。
また、ＩＣチップを実装した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、光通信に必要な電子部品や光学素子を一体化することができるため、光通信用端末機器の薄型化、小型化に寄与することができる。
【００５３】
さらに、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、上記光信号通過領域の上記光学素子側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されているため、受光素子に入射する光信号や、発光素子から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光学素子の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたＩＣチップ実装用基板を実現することができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板に配設された光学素子と外部基板等に実装した光学部品等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。
【００５４】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、光信号通過領域が形成されており、この光信号通過領域の少なくとも一端に、マイクロレンズが配設されている。
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、その両面に導体回路と絶縁層とが積層形成された基板の最外層に、さらに、ソルダーレジスト層が形成されていてもよい。
【００５５】
ここでは、まず、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板における光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設された態様について、ソルダーレジスト層が形成されている場合と、形成されていない場合とに分けて、簡単に説明しておく。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、基板の両面に絶縁層が積層形成され、最外層にソルダーレジスト層が形成されていない場合には、光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設されていることとなる。
【００５６】
これに対して、基板の両面に絶縁層が積層形成され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成されている場合には、通常、上記ソルダーレジスト層をも貫通するように光信号通過領域が形成されていることとなり、この場合、光信号通過領域の端部に配設されたマイクロレンズは、光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の内部に配設されることとなる。
さらに、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、最外層にソルダーレジスト層が形成され、このソルダーレジスト層をも貫通するように光信号通過領域が形成されている場合には、光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部にマイクロレンズが配設されている態様も、光信号通過領域の端部にマイクロレンズが配設された第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の態様に含むこととする。
【００５７】
また、本明細書では、光学素子への入力信号や光学素子からの出力信号を伝送するためにＩＣチップ実装用基板や後述するマザーボード用基板に設けられた領域のことを光信号通過領域ということとする。
【００５８】
上記マイクロレンズとしては特に限定されず、通常、光学レンズに使用されているもの等が挙げられ、その材質の具体例としては、光学ガラス、光学レンズ用樹脂等が挙げられる。また、上記光学レンズ用樹脂としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光化された樹脂等が挙げられる。
具体的には、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂；フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂；エポキシ樹脂；ＵＶ硬化性エポキシ樹脂；重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂；ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【００５９】
上記マイクロレンズの屈折率は特に限定されず、上記光信号通過領域の屈折率と同一であってもよく、大きくてもよい。
上記マイクロレンズの屈折率が上記光信号通過領域の屈折率と同一である場合には、両者の界面で光信号の反射が発生しないため、より確実に光信号の伝送を行うことができ、上記マイクロレンズの屈折率が上記光信号通過領域の屈折率より大きい場合には、所望の方向に光信号をより集光させることができるため、より確実に光信号の伝送を行うことができる。
【００６０】
また、上記マイクロレンズの形状としては、例えば、片面にのみ凸面を有する凸形状レンズ等が挙げられ、この場合、上記レンズの凸面の曲率半径は、光信号通過領域の設計等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、焦点距離を長くする必要があるときには、曲率半径を小さくすることが望ましく、焦点距離を短くする必要があるときには、曲率半径を大きくすることが望ましい。
なお、上記マイクロレンズの形状は、凸形状レンズに限定されるわけではなく、光信号を所望の方向に集光することができる形状であればよい。
【００６１】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域の光学素子と反対側の端部に配設されるマイクロレンズは、その通信波長光の透過率が７０％以上であることが望ましい。
通信波長光の透過率が７０％未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％以上であることがより望ましい。
なお、本明細書において、通信波長光の透過率とは、長さ１ｍｍあたりの通信波長光の透過率をいう。具体的には、例えば、強さＩ１の光がマイクロレンズに入射し、該マイクロレンズを１ｍｍ通過して出てきたとした際に、出てきた光の強さがＩ２である場合に下記式（１）により算出される値である。
【００６２】
透過率（％）＝（Ｉ２／Ｉ１）×１００・・・（１）
【００６３】
なお、上記透過率とは、２５〜３０℃で測定した透過率をいう。
【００６４】
また、上記マイクロレンズには粒子が配合されていることが望ましく、具体的には、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が配合されていることが望ましい。粒子を含ませることにより、マイクロレンズの強度が向上し、形状がより確実に維持されることとなるとともに、上記ＩＣチップ実装用基板の構成部材との間で熱膨張係数を整合させることができ、熱膨張係数の差に起因したクラック等がより発生しにくくなるからである。
【００６５】
上記マイクロレンズに粒子が含まれている場合、該マイクロレンズの樹脂成分の屈折率と、上記粒子の屈折率とは同程度であることが望ましい。そのため、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率の異なる２種類以上の粒子を混ぜ合わせて、粒子の屈折率が樹脂成分の屈折率と同程度になるようにしたものであることが望ましい。
具体的には、例えば、樹脂成分が屈折率１．５３のエポキシ樹脂である場合、マイクロレンズに含まれる粒子は、屈折率が１．４６のシリカ粒子と屈折率が２．６５のチタニア粒子とを混ぜ合わせて、溶解して粒子としたもの等が望ましい。
なお、粒子を混ぜ合わせる方法としては、混練する方法、２種類以上の粒子を溶かして混ぜ合わせた後、粒子状にする方法等が挙げられる。
【００６６】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等からなるものが挙げられる。
【００６７】
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等の熱硬化性樹脂；これらの熱硬化性樹脂の熱硬化基（例えば、エポキシ樹脂におけるエポキシ基）にメタクリル酸やアクリル酸等を反応させ、アクリル基を付与した樹脂；フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルホン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）等の熱可塑性樹脂；アクリル樹脂等の感光性樹脂等からなるものが挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹脂複合体や、上記アクリル基を付与した樹脂や上記感光性樹脂と上記熱可塑性樹脂との樹脂複合体からなるものを用いることもできる。
また、上記樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。
【００６８】
また、上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等からなるものが挙げられる。また、シリカとチタニアとを一定の割合で混ぜ、溶融させて均一化したものを用いてもよい。
また、上記無機粒子として、リンやリン化合物からなるものを用いることもできる。
【００６９】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル、白金、鉄、亜鉛、鉛、アルミニウム、マグネシウム、カルシウム等からなるものが挙げられる。
これらの樹脂粒子、無機粒子および金属粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
【００７０】
また、上記粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。これらのなかでは、球状、または、楕円球状が望ましい。球状や楕円球状の粒子には角がないため、マイクロレンズにクラック等がより発生しにくいからである。
さらに、上記粒子の形状が球状または楕円球状である場合には、該粒子で光が反射しにくく、光信号の損失が低減されることとなる。
【００７１】
また、上記粒子の粒径（粒子の最大長さ）は特に限定されないが、その上限は０．８μｍ、その下限は０．０１μｍが望ましい。
インクジェット装置の塗布ノズルの内径や、ディスペンサーのノズル内径寸法は、２０μｍが現在の最小寸法であるが、粒径が上記範囲にある場合には、ノズルが詰まることなく、塗布することができるからである。
また、上記粒径の下限は０．１μｍであることがより望ましい。
上記粒径が、この範囲にあることはインクジェット装置やディスペンサー等による塗布での粘度の安定性や、塗布量のバラツキの観点からより望ましいからである。
【００７２】
上記マイクロレンズに含まれる粒子の配合量の望ましい下限は５重量％であり、より望ましい下限は１０重量％である。一方、上記粒子の配合量の望ましい上限は６０重量％であり、より望ましい上限は５０重量％である。粒子の配合量が５重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が６０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。
【００７３】
また、上記マイクロレンズは、必ずしも個別形状を有するものである必要はなく、複数のレンズが一体的に構成されたマイクロレンズアレイを用いることもできる。
なお、上記マイクロレンズアレイを用いる場合、このマイクロレンズアレイは、光学接着剤を用いて光信号通過領域の所定の端部に配設すればよい。
また、マイクロレンズアレイの形状は特に限定されず、ＩＣチップ実装用基板の設計や光信号通過領域の形状等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、光信号通過領域がマルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている場合には、レンズ径２２０μｍ、レンズのサグ高さ５〜５０μｍ（望ましくは５〜２０μｍ）のマイクロレンズが、ピッチ２５０μｍで並列に配置されたマイクロレンズアレイを用いることができる。
【００７４】
上記マイクロレンズアレイを作製する方法としては、上記マイクロレンズの材質がガラスや石英の場合には、例えば、異方性エッチングやフォトリソグラフィ等を用いることができ、上記マイクロレンズの材質が樹脂の場合には、金型に材料樹脂を流し込み、熱と荷重とを加えて作製する方法等を用いることができる。
【００７５】
上記マイクロレンズアレイの具体的な形状について、図面を参照しながら簡単に説明しておく。なお、第一の本発明で用いることができるマイクロレンズアレイは、下記の形状を有するものに限定されるわけではない。
図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれマイクロレンズアレイの一例を模式的に示す断面図である。
即ち、第一の本発明で用いることができるマイクロレンズアレイは、図１（ａ）に示すように、板状体の上面に凸面を有する凸形状のレンズが複数設けられたマイクロレンズアレイ１１であってもよいし、（ｂ）に示すように板状体の上面に、四角柱の上面に球の一部が載置された形状のレンズが複数設けられたマイクロレンズアレイ１２であってもよいし、（ｃ）に示すように、板状体の上面に凹面を有する凹形状のレンズが複数設けられたマイクロレンズアレイ１３であってもよい。
【００７６】
上記光学接着剤としては特に限定されず、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、シリコーン樹脂系等の光学接着剤を用いることができる。
上記光学接着剤の特性は、粘度：０．２〜１．０Ｐａ・ｓ、屈折率：１．４〜１．６、光透過率：８０％／ｍｍ以上、熱膨張係数（ＣＴＥ）：４．０×１０−５〜９．０×１０−５（／℃）であることが望ましい。
また、上記光学接着剤の厚さは、５０μｍ以下であることが望ましい。
【００７７】
また、上記マイクロレンズは、親水処理または撥水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されていることが望ましい。
上記光信号通過領域の端部の濡れ性によっては、マイクロレンズの形状、特にサグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、親水処理または撥水処理を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができるからである。
また、上記光信号通過領域の端部にレンズマーカを介して配設され、上記マイクロレンズが配設されている面には、撥水処理または親水処理が施されていることも望ましい。この場合も、同様の効果を得ることができるからである。
【００７８】
上記撥水処理としては、例えば、フッ素系ポリマーコーティング剤（表面張力１０〜１２ｍＮ／ｍ）等の撥水コート材による処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理等が挙げられ、上記親水処理としては、Ｏ２プラズマによる親水処理等が挙げられる。
上記撥水処理や親水処理の具体的な方法について簡単に説明しておく。
上記撥水コート剤による処理を行う場合には、まず、ＩＣチップ実装用基板のマイクロレンズを形成する部分（即ち、光信号通過領域の端部）に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、スプレイ塗布やスピンコータでの塗布により撥水コート剤を塗布し、その後、撥水コート剤を自然乾燥させ、さらにマスクを剥がすことにより撥水コート剤による処理を終了する。なお、撥水コート剤層の厚さは、通常、１μｍ程度である。
ここでは、メッシュ版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
【００７９】
また、上記ＣＦ４プラズマによる撥水処理を行う場合には、まず、ＩＣチップ実装用基板のマイクロレンズを形成する部分（即ち、光信号通過領域の端部）に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、ＣＦ４プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより撥水処理を終了する。
ここでは、レジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記Ｏ２プラズマによる親水処理を行う場合には、まず、ＩＣチップ実装用基板のマイクロレンズを形成する部分（即ち、光信号通過領域の端部）に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、Ｏ２プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより親水処理を終了する。
ここでは、メタル版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
【００８０】
上述したような撥水処理や親水処理の効果について、マイクロレンズを光信号通過領域の端部に直接配設した場合を例に説明する。すなわち、３８０ｐｌの光学レンズ用樹脂をインクジェットで塗布し、直径２２０μｍ、サグ高さ１０μｍのマイクロレンズを形成した場合の形状（マイクロレンズの径、および、サグ高さ）を検証してみたところ以下のような結果が得られた。
即ち、いずれの表面処理も行わなかった場合には、マイクロレンズを配設する部分（光信号通過領域の端部）の濡れ角は３０〜６０度であり、樹脂の塗布量をふやしても、同一径でサグ高さを変化することはできなかった。
一方、フッ素系ポリマーコーティング剤による処理を施した場合には、処理した部分の濡れ角は１００〜１０５度であり、平均サグ高さ１０．０１μｍ（標準偏差σ：０．１４）、平均直径２２０、８７μｍ（σ：２．７０）のマイクロレンズを形成することができた。
また、ＣＦ４プラズマによる撥水処理を１５０〜３００秒間施した場合には、処理した部分の濡れ角は８０〜９５度であり、平均サグ高さ１０．０１μｍ（σ：０．３４）、平均直径２２１、８０μｍ（σ：４．７２）のマイクロレンズを形成することができた。
また、Ｏ２プラズマによる親水処理を３０〜１２０秒間施した場合には、処理した部分の濡れ角は３〜１０度であり、平均サグ高さ１０．０４μｍ（σ：０．２５）、平均直径２２１、４７μｍ（σ：３．３６）のマイクロレンズを形成することができた。
従って、撥水処理または親水処理を施すことにより、より形状の均一なマイクロレンズを形成することができ、撥水コート材による処理、Ｏ２プラズマによる親水処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理の順で効果が高いことが明らかとなった。
【００８１】
また、本発明のＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する場合、該マイクロレンズは、レンズマーカを介して配設されていてもよい。
上記レンズマーカは、マイクロレンズを形成するための円柱状等の土台であり、具体例としては、例えば、特開２００２−３３１５３２号公報に開示されたもの等が挙げられる。
また、レンズマーカを形成する方法としては、例えば、光信号通過領域の端部に、マイクロレンズと同一の屈折率を有する感光性材料膜を形成し、この感光性材料膜上に、フォトマスクを用いて露光、現像処理を施すことにより、その中心にアライメントマークを有し、マイクロレンズパターンが転写されたレンズマーカ用膜を形成する方法等が挙げられる。
なお、このようなレンズマーカ上に、マイクロレンズを配設する方法としては、マイクロレンズパターンを有するレンズマーカ上に、レンズ用液状樹脂を射出して、液状のマイクロレンズを形成し、その後、紫外線等を照射して液状のマイクロレンズを硬化することによりマイクロレンズを形成する方法等を用いることができる。
また、レンズマーカを形成されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施されたレンズマーカに配設されていることが望ましい。
レンズマーカ表面が汚れていた場合、マイクロレンズの形成に用いる樹脂組成物（レンズ用樹脂組成物）が均一に広がらず、所望の形状のマイクロレンズを形成することができない原因になることがあるが、上述した撥水処理や親水処理を施すことにより、レンズマーカ表面の汚れを除去することができ、上記レンズ用樹脂組成物をレンズマーカ上に均一に広げることができるからである。
さらには、レンズマーカには、撥水処理よりも親水処理が施されていることが望ましい。
親水処理が施されている場合、レンズマーカ上にマイクロレンズを配設する際に滴下したレンズ用樹脂組成物が、レンズマーカ上の全体に広がりやすく、また、レンズマーカの外周でその樹脂の広がりが確実に停止するため、表面張力により所定の形状のマイクロレンズを形成するのに適しているからである。
【００８２】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板には、光信号通過領域が設けられている。
このような光信号通過領域が設けられたＩＣチップ実装用基板では、上記ＩＣチップ実装用基板の表面または内部に、実装された光学部品同士の情報の授受を、この光信号通過領域を介して光信号により行うことができる。
また、光学素子を実装した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を、他の面側を別の光学部品（例えば、光導波路等）を実装した第二の本発明のマザーボード用基板等と半田等を介して接続することにより、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板に実装した光学素子と上記外部基板に実装した光学部品との間の情報の授受を、光信号通過領域を介して光信号により行うことができる。
【００８３】
上記光信号通過領域の一部または全部には樹脂組成物が充填されていてもよい。ＩＣチップ実装用基板の強度の低下を防ぐことができるからである。
また、上記光信号通過領域に樹脂組成物が充填されていると、該光信号通過領域にゴミや異物が入り込むことを防止することができるため、ゴミや異物等の存在に起因して光信号の伝送が阻害されることを防止することができる。
【００８４】
また、ＩＣチップ実装用基板の最外層にソルダーレジスト層が形成されており、上記光信号通過領域が上記ソルダーレジスト層を貫通するように設けられている場合には、上記ソルダーレジスト層を貫通する部分には、上記樹脂組成物が充填されていてもよく、充填されていなくてもよい。
【００８５】
上記樹脂組成物の樹脂成分としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、具体例としては、例えば、上記マイクロレンズに用いる樹脂と同様のもの等が挙げられる。
【００８６】
また、上記樹脂組成物には、上記樹脂成分以外に、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより光信号通過領域と、基板、絶縁層、ソルダーレジスト層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができ、また、粒子の種類によっては難燃性を付与することもできる。
上記粒子の具体例としては、上記マイクロレンズに含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。
なお、上記光信号通過領域の形状等ついては、後に詳述する。
【００８７】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板には、光学素子が実装されており、この光学素子は、受光素子および／または発光素子等であることが望ましい。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。
これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
【００８８】
上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、インフラ型または酸化狭窄型のＶＣＳＥＬ（面発光半導体レーザ）等が挙げられる。
これらは、上記ＩＣチップ実装用基板の構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
【００８９】
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
これらは、通信波長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
なお、これらの発光素子および受光素子のそれぞれは、マルチチャンネルのアレイ素子であってもよい。
また、マルチチャンネルのアレイ素子を使用する場合、全てのチャンネルを有効にして使用してもよいし、複数のチャンネルのうち一部のチャンネルのみを有効にして使用してもよい。
【００９０】
上記光学素子の実装位置は、上記ＩＣチップ実装用基板の表面であることが望ましい。上述したように、光学素子がＩＣチップ実装用基板の表面に実装されている場合は、一の光学素子に不都合が発生した際に、その光学素子のみを取り替えればよいからである。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の表面には、コンデンサ等の電子部品も実装されていることが望ましい。上記光学素子の場合と同様、不都合の発生した部品のみを取り替えることができるからである。
【００９１】
また、光学素子としてワイヤボンディング型の光学素子を実装した場合には、この光学素子を樹脂封止してもよい。さらに、この場合は、光学素子のみを樹脂封止してもよいし、ＩＣチップ等の他の実装部品を含めて全体を樹脂封止してもよい。
また、光学素子としてフリップチップ型の光学素子を実装した場合には、この光学素子に対して、アンダーフィルを封止してもよいし、光学素子の周囲のみ封止してもよく、さらに、全体をカバーケースで覆ってもよい。これにより、光路にゴミや異物が入り込むことを防止することができる。なお、アンダーフィルを封止するか否か、封止する場合のアンダーフィルの屈折率の値等は、設計に応じて適宜選択すればよい。
【００９２】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記光学素子として発光素子が実装されている場合、上記光学素子から出射した光は、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましい。後述する第二の本発明のマザーボード用基板等の外部基板に確実に伝送されることとなるからである。
上記コリメート光とは、マイクロレンズから光の伝送方向に１ｍｍ以上離れた、光の伝送方向に垂直な任意の平面において、光強度分布が光強度ピークの１／ｅ２以上の領域の半径（スポット半径）が、±１０％の値を有する光のことをいう。
【００９３】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることが望ましい。より確実に光信号が、受光素子へと伝送されることとなるからである。
なお、上記スポット領域とは、光の受光面を含む平面上において、光強度ピークの１／ｅ２以上の光強度を有する領域のことをいう。
また、上記受光素子の受光部におけるスポット領域は、上記受光部内に全部含まれることが特に望ましい。
【００９４】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板においては、上記基板を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続され、上記絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続されていることが望ましい。ＩＣチップ実装用基板の高密度配線を実現しつつ、その小型化を図ることができるからである。
【００９５】
以下、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図２〜４のそれぞれは、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の実施形態は、光信号通過領域の形態により、大きく３つの形態に分けることができる。
即ち、光信号通過領域が一括貫通孔構造の場合（以下、第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板ともいう）、個別貫通孔構造の場合（以下、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板ともいう）、凹部形状の場合（以下、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板ともいう）の３つの形態に分けることができる。
【００９６】
また、第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成されている実施形態を有するものが望ましい。
また、この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることがより望ましい。
【００９７】
また、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が複数の独立した光路から構成され構成されている実施形態を有するものが望ましい。
【００９８】
図２には、第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板の一例を示す。なお、図２には、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、ソルダーレジスト層を貫通する光信号通過領域が形成され、この光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部であって、光学素子が実装された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設された形態のＩＣチップ実装用基板を示す。
図２に示すように、ＩＣチップ実装用基板１２０は、基板１２１の両面に導体回路１２４と絶縁層１２２とが積層形成され、基板１２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール１２９およびバイアホール１２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層１３４が形成されている。
このＩＣチップ実装用基板１２０では、基板１２１、絶縁層１２２およびソルダーレジスト層１３４を貫通するように光信号通過領域１４２が設けられている。
【００９９】
この光信号通過領域１４２には、基板１２１、絶縁層１２２およびソルダーレジスト層１３４を貫通する部分に樹脂組成物１４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層１３４を貫通する部分の径は、基板１２１および絶縁層１２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層１３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
【０１００】
ＩＣチップ実装用基板１２０の一の面には、受光部１３９ａ〜１３９ｄのそれぞれが光信号通過領域１４２に対向するように、４チャンネルの受光素子１３９が半田接続部１４４を介して表面実装されるとともに、ＩＣチップ１４０が半田接続部１４３を介して表面実装されている。また、ＩＣチップ実装用基板１２０の他の面のソルダーレジスト層１３４には、半田バンプ１３７が形成されている。
【０１０１】
従って、４チャンネルの受光素子１３９への入力信号は、光信号通過領域１４２を介して伝送することができる。ここで、光信号通過領域１４２は、４チャンネル分の光信号を伝送することができる大きさで、基板１２１、絶縁層１２２およびソルダーレジスト層１３４を貫通するように一括形成されている。
なお、光信号通過領域１４２のソルダーレジスト層１３４を貫通する部分は、図２に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域１４２の基板１２１および絶縁層１２２を貫通する部分の周囲には金属層（導体層）形成されていてもよい。
【０１０２】
また、このような光信号通過領域１４２の受光素子１３９が実装された側と反対側の端部には、４つのレンズ１４６ａ〜１４６ｄが並列に配置されたマイクロレンズアレイ１４６が接着剤（図示せず）を介して配設されている。ここで、レンズ１４６ａ〜１４６ｄのそれぞれは、受光素子１３９の各チャンネル１３９ａ〜１３９ｄに対応する位置に配置されている。
従って、受光素子１３９への光信号は、マイクロレンズアレイ１４６を構成する各レンズ１４６ａ〜１４６ｄを通過することとなり、このように、光信号通過領域１４２の一端にマイクロレンズアレイ１４６を配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
なお、マイクロレンズアレイ１４６に代えて、４つのマイクロレンズが所定の位置に個別に、直接または接着剤を介して、配設されていてもよい。なお、マイクロレンズの数が４つとなっているのは、受光素子のチャンネル数が４つであるからであり、上記ＩＣチップ実装用基板においては、マイクロレンズの数は、光学素子のチャンネル数は同一であることが望ましい。
また、マイクロレンズが直接配設されている場合、マイクロレンズが配設される部位には、親水処理も撥水処理が施されていることが望ましい。なお、これらの表面処理については後に詳述する。
【０１０３】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板１２０において、外部の光学部品（光ファイバや光導波路等）を介して伝送されてきた光信号は、マイクロレンズ１４６ａ〜１４６ｄおよび光信号通過領域１４２を介して受光素子１３９（受光部１３９ａ）に伝送され、この受光素子１３９で電気信号に変換された後、半田接続部１４４、導体回路１２４、バイアホール１２７等を介してＩＣチップ１４０に送られ、処理されることとなる。
【０１０４】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【０１０５】
また、ＩＣチップ実装用基板１２０では、ソルダーレジスト層１３４に金属めっき層を介して半田バンプ１３７が形成されているため、ＩＣチップ１４０と外部基板等との間での電気信号の伝送は、半田バンプ１３７を介しても行うことができる。
【０１０６】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板をマザーボード用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。
【０１０７】
なお、上記セルフアラインメント作用とは、リフロー処理時に半田が自己の有する流動性により半田バンプ形成用開口の中央付近により安定な形状で存在しようとする作用をいい、この作用は、半田がソルダーレジスト層にはじかれるとともに、半田が金属に付く場合には、球形になろうとする表面張力が強く働くために起こるものと考えられる。
このセルフアライメント作用を利用した場合、上記半田バンプを介して、上記ＩＣチップ実装用基板を外部基板に接続する際に、リフロー前には両者に位置ズレが発生していたとしても、リフロー時に上記ＩＣチップ実装用基板が移動し、該ＩＣチップ実装用基板を外部基板上の正確な位置に取り付けることができる。
従って、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された光学素子と、外部の光学部品とを光信号通過領域を介して、光信号の伝送を行う場合に、上記ＩＣチップ実装用基板に実装された光学素子の実装位置が正確であれば、上記ＩＣチップ実装用基板と上記外部基板との間で正確な光信号の伝送を行うことができる。
【０１０８】
このようなマルチチャンネルのアレイ素子が実装されたＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、アレイ素子における各チャンネル間のピッチに応じて適宜決定すればよく、例えば、２５０μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜２４０μｍが望ましく、１８０〜２３０μｍがより望ましい。１００μｍ未満では、所望の焦点距離を得ることができない場合があり、２４０μｍを超えると隣合うマイクロレンズ同士が接触してしまい、マイクロレンズを所定の位置に配置することができなくなる場合がある。
また、例えば、５００μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜４９０μｍが望ましく、１８０〜４８０μｍがより望ましい。１００μｍ未満では、所望の焦点距離を得ることができない場合があり、４９０μｍを超えると隣合うマイクロレンズ同士が接触してしまい、マイクロレンズを所定の位置に配置することができなくなる場合がある。
【０１０９】
上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
この場合、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の大きさは、縦、横のそれぞれが１００μｍ〜５ｍｍであることが望ましい。具体的には、上記光信号通過領域が円柱状である場合は、その底面の直径が上記範囲にあることが望ましく、上述した各種柱状である場合には、その底面の最も長い部分およびこれに直交する部分の長さが共に上記範囲にあることが望ましい。
１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝送損失の向上はみられず、上記ＩＣチップ実装用基板の小型化が難しくなる。
【０１１０】
また、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状も挙げられる。
また、この場合、その一部に、実際には、光信号通過領域として機能しないダミー円柱が形成されていることが望ましい。特に、偶数チャンネルの光学素子に対応する光信号通過領域を形成する場合には、ダミー円柱が形成されていることが望ましい。この理由については、後に詳述するが、所望の形状の光信号通過領域を形成するのに適しているからである。
上記円柱の側面の一部が繋がった形状の具体例としては、例えば、底面の直径が３００μｍの円柱が、底面の中心間距離２５０μｍで並列に並べられ、側面の一部が繋がった形状や、底面の直径が５５０μｍの円柱が、底面の中心間距離５００μｍで並列に並べられ、側面の一部が繋がった形状等が挙げられる。
なお、このような光信号通過領域の形成方法については、後述する。
【０１１１】
また、上記ＩＣチップ実装用基板において、光信号通過領域を形成する場合、この光信号通過領域は、発光素子から出射した光や、受光素子に入射する光が壁面で反射したり、隣接する光信号間で干渉が生じたりしないような大きさを有していることが望ましい。光信号通過領域の壁面での反射や、信号光間の干渉に起因する伝送損失が発生しないからである。
そこで、一括貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。
【０１１２】
ここでは、光学素子が広がり角が２４度で４チャンネルのＶＣＳＥＬであり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率が１．５であり、光学素子の下部にアンダーフィルか充填されており、このアンダーフィルの屈折率が１．５である発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板の場合について検討した。
なお、ＶＣＳＥＬの広がり角とは、最大光出力パワーの１／ｅ２の光出力パワーの光が出射される角度をいう。
【０１１３】
その結果、上述した形態のＩＣチップ実装用基板では、例えば、ＩＣチップ実装用基板の厚さが０．８ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が２５０μｍである場合には、直径３００μｍ以上の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができ、ＩＣチップ実装用基板の厚さが１．７ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が５００μｍである場合には、直径５５０μｍ以上の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０１１４】
また、図２に示したように、ＩＣチップ実装用基板にソルダーレジスト層が形成されている場合には、上記光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の形状は特に限定されず、上述した基板および絶縁層を貫通する部分と同様の形状を挙げることができる。
また、その縦断面の形状は、場合によっては、基板および絶縁層側が短辺となる台形状であってもよい。
【０１１５】
上記光信号通過領域の壁面は、樹脂または金属により構成されていてもよい。
ここで、上記光信号通過領域の壁面は、通常、基板や絶縁層が露出しているため、基板や絶縁層と同様の材質で構成されていることとなる。従って、基板や絶縁層が樹脂からなるものである場合に、特に樹脂層を形成する等の処理を施さなくても、上記光信号通過領域の壁面は、樹脂により構成されていることとなる。
ただし、上記光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよく、この場合には、樹脂層がクラッドとして機能し、上記光信号通過領域の内部に充填される樹脂組成物がコアとして機能するように構成されていることが望ましい。
【０１１６】
また、上記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている場合、その材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、貴金属等が挙げられる。
また、上記光信号通過領域の壁面が金属により構成されている場合、即ち、光信号通過領域の壁面に金属層が形成されている場合、この金属層は、１層から形成されていてもよいし、２層以上から構成されていてもよい。
また、上記金属層は、場合によっては、スルーホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。
【０１１７】
また、上記金属層は、光沢を有する金属により形成されていてもよい。上記金属層の材料が、光沢を有する金属である場合、場合によっては、光信号が、光信号通過領域の壁面で反射されても信号強度の減衰等が発生しにくくなるからである。
上記光沢を有する金属としては、例えば、金、銀、ニッケル、白金、アルミニウム、ロジウム等が挙げられる。また、上記光沢を有する金属としては、例えば、銅、パラジウム等を用いることもできる。ただし、これらの材料は酸化されやすく、形成した金属層の表面の光沢度を低下させる酸化被膜が形成されやすいため、上記酸化被膜を除去することにより金属層の表面の光沢度を上昇させる必要がある。なお、光沢を有する金属としては、上述したものに限定されることはなく、鏡面光沢または鮮明度光沢を有するものであれば、その他の金属も用いることができる。
なお、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号通過領域は、その壁面で光信号が反射しないように構成されていることが望ましい。壁面での反射による信号強度の減衰を回避することができるからである。
【０１１８】
また、上記光信号通過領域の壁面には、粗化面が形成されていることが望ましく、この場合、壁面の表面粗さＲａは、下限が０．１μｍで、上限が５μｍであることが望ましく、下限が０．５μｍで、上限が３μｍであることがより望ましい。この範囲であれば、樹脂組成物の密着性が向上することとなるからである。
なお、上記表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に記載されている算術平均粗さに準拠して算出した値である。
上記粗化面は、例えば、上記光信号通過領域の壁面を構成する樹脂や金属に直接、エッチング等により粗化面を形成してもよいし、また、例えば、上記光信号通過領域の壁面に形成された金属層上に、スズ、チタン、亜鉛等からなる粗化層を設けることにより形成してもよい。
上記被覆層や粗化層を設けることにより、光信号通過領域の内部に充填された樹脂組成物の密着性を向上させることができる。
【０１１９】
また、本発明者等は、光信号通過領域の壁面を粗化面とした場合において、表面粗さＲａの大きさが、ＩＣチップ実装用基板に及ぼす影響を検証する試験を行ったので、そのデータを以下に示す。
まず、光信号通過領域の壁面が金属から構成される場合について説明する。
【０１２０】
まず、充分な大きさを有する厚さ０．８ｍｍのエポキシ基板を用意し、このエポキシ基板に下記の形状および表面粗さを有する貫通孔を形成し、さらに、貫通孔内に樹脂組成物を充填する。そして、この樹脂組成物を充填した貫通孔（光信号通過領域）について、樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性を評価した。
なお、樹脂組成物の充填性は、エポキシ基板をクロスカットした後、その断面を顕微鏡観察し、樹脂組成物が未充填の箇所が発生しているか否か、充填した樹脂組成物にボイドが発生しているか否かを基準に評価した。
また、温度サイクル試験時の信頼性は、液槽において、−５５℃で３分間および１２５℃で３分間を１サイクルとする温度サイクル試験を、５００サイクルおよび１０００サイクルのそれぞれ行い、その後、エポキシ基板をクロスカットして充填した樹脂組成物に剥離やクラックが発生しているか否かを顕微鏡観察した。
また、光伝送性は、エポキシ基板の表面から５０μｍの位置に、広がり角度２４度のＶＣＳＥＬを載置し、このＶＣＳＥＬから２．５Ｇｂｐｓの光を光信号通過領域を介して伝送し、パワーメータで測定した伝送損失が１ｄＢ以下であれば、光信号伝送可能と判断した。
【０１２１】
また、評価サンプルとしては、まず、エポキシ基板に直径１５０μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように４つの貫通孔を形成し、この４つの貫通孔を一組として、５組形成したもの（サンプル基板Ａ）、エポキシ基板に直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように５つの貫通孔を形成し、側面の一部が繋がった一の貫通孔群を２０個形成したもの（サンプル基板Ｂ）、エポキシ基板に直径５００μｍルータを用いて直線と円弧を組み合せた断面形状を有する貫通孔を２０個形成したもの（サンプル基板Ｃ）をそれぞれ４０枚ずつ準備した。
【０１２２】
次に、種々の貫通孔を形成した各サンプル基板Ａ〜Ｃについて、貫通孔の壁面に、無電解めっき銅めっき処理および電解銅めっき処理を施すことにより金属層を形成した。
その後、各サンプル基板Ａ〜Ｃについて、エッチング処理を施すことにより、金属層の表面の表面粗さＲａを０．０５μｍ、０．０８μｍ、０．４μｍ、１．１μｍ、２．５μｍ、２．８μｍ、３．２μｍ、４．７μｍ、５．３μｍおよび６．２μｍのいずれかに調整したものを４枚ずつ作製した。
表面粗さＲａの調整は、粗化時間および粗化温度を変えることにより行った、また、表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に基いて測定した。
次に、貫通孔内に樹脂組成物を充填、硬化させることにより評価サンプルを完成した。
なお、樹脂組成物としては、後述する実施例１で、光信号通過領域を形成する際に用いた樹脂組成物と同様のものを用いた。
【０１２３】
作製したサンプル基板のそれぞれについて、上述した樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性の評価を行った。結果は、以下の通りである。
樹脂組成物の充填性については、サンプル基板Ａ〜Ｃの全てについて、表面粗さＲａを６．２μｍとした基板では、未充填の箇所またはボイドが発生しているものがあったが、他の表面粗さＲａを有する基板では、未充填の箇所やボイドは観察されなかった。
【０１２４】
また、温度サイクル試験時の信頼性については、表面粗さＲａを０．０５μｍまたは６．２μｍとしたサンプル基板Ａ〜Ｃの全てにおいて、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
また、表面粗さＲａを０．０８μｍとしたサンプル基板Ａ〜Ｃ、および、表面粗さＲａを０．４μｍ、１．１μｍまたは５．３μｍとしたサンプル基板Ｃについては、１０００サイクル時においてのみ、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
なお、その他のサンプル基板については、樹脂組成物の剥離やクラックが観察されなかった。
【０１２５】
また、光伝送性については、全てのサンプル基板について、２．５Ｇｂｐｓで光信号を伝送することが可能であった。
【０１２６】
次に、光信号通過領域の壁面が樹脂から構成される場合について説明する。
この場合も、まず、充分な大きさを有する厚さ０．８ｍｍのエポキシ基板を用意し、このエポキシ基板に下記の形状および表面粗さを有する貫通孔を形成し、さらに、貫通孔内に樹脂組成物を充填する。そして、この樹脂組成物を充填した貫通孔（光信号通過領域）について、樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性を評価した。
【０１２７】
また、評価サンプルとしては、まず、エポキシ基板に直径１５０μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように４つの貫通孔を形成し、この４つの貫通孔を一組として、５組形成したもの（サンプル基板Ｄ）、エポキシ基板に直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍとなるように５つの貫通孔を形成し、側面の一部が繋がった一の貫通孔群を２０個形成したもの（サンプル基板Ｅ）、エポキシ基板に直径５００μｍルータを用いて直線と円弧を組み合せた断面形状を有する貫通孔を２０個形成したもの（サンプル基板Ｆ）をそれぞれ２４枚ずつ準備した。
【０１２８】
次に、種々の貫通孔を形成した各サンプル基板Ｄ〜Ｆについて、貫通孔内に硬化後の屈折率が１．５１の樹脂組成物を充填して硬化させた。その後、貫通孔の壁面に樹脂組成物が残るように、再度、上記した方法と同様の方法で貫通孔を形成した。
その後、各サンプル基板Ｄ〜Ｆについて、貫通孔内に所定の番手を有する棒状の研磨砥石を挿入し、研磨処理を施すことにより、樹脂層の表面の表面粗さＲａを０．０９μｍ、０．１５μｍ、０．３μｍ、２．４μｍ、４．０μｍおよび６．５μｍのいずれかに調整したものを４枚ずつ作製した。
次に、貫通孔内に硬化後の屈折率が１．５３が樹脂組成物を充填、硬化させることにより評価サンプルを完成した。なお、先に充填した樹脂組成物は、クラッドとして機能することが可能であり、後に充填した樹脂組成物はコアとして機能することが可能である。
【０１２９】
なお、樹脂層の表面の表面粗さＲａを調整する方法としては、上述した棒状の研磨砥石を用いる方法の他に、ブラスト加工や、予め樹脂層に粒子を配合しておき、この粒子を有機溶剤等で溶解させることにより粗化面を形成する方法等を用いることができる。
なお、上記ブラスト加工では、例えば、光路用貫通孔の開口部以外をマスクし、粒子または粒子を含有した水溶液を樹脂層に噴射することにより、粗化面を形成することができる。
また、上記樹脂層は、光の経路とならないため、粒子を配合しておく場合、その直径は、０．１〜２０μｍ程度であればよく、また、光路とならないため、透明である必要もない。
【０１３０】
作製したサンプル基板のそれぞれについて、上述した樹脂組成物の充填性、温度サイクル試験時の信頼性、および、光伝送性の評価を行った。結果は、以下の通りである。
樹脂組成物の充填性については、サンプル基板Ｄ〜Ｆの全てについて、表面粗さＲａを６．５μｍとした基板では、未充填の箇所またはボイドが発生しているものがあったが、他の表面粗さＲａを有する基板では、未充填の箇所やボイドは観察されなかった。
【０１３１】
また、温度サイクル試験時の信頼性については、表面粗さＲａを０．０９μｍまたは６．５μｍとしたサンプル基板Ｄ〜Ｆの全てにおいて、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
また、表面粗さＲａを０．１５μｍとしたサンプル基板Ｄ〜Ｆについては、１０００サイクル時においてのみ、樹脂組成物の剥離やクラックが観察された。
なお、その他のサンプル基板については、樹脂組成物の剥離やクラックが観察されなかった。
【０１３２】
また、光伝送性については、全てのサンプル基板について、２．５Ｇｂｐｓで光信号を伝送することが可能であった。
【０１３３】
以上のことからも、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板において、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａは、上述した範囲にあることが望ましいことが明かとなった。
また、上記金属層は、一層からなるものであってもよく、二層以上の複数層からなるものであってもよい。
【０１３４】
次に、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板について説明する。
図３には、第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板を示す。なお、図３には、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、ソルダーレジスト層を貫通する光信号通過領域が形成され、この光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部にマイクロレンズが配設された形態のＩＣチップ実装用基板を示す。
第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板、即ち、個別貫通孔構造の光信号通過領域を有する実施形態のＩＣチップ実装用基板は、図２に記載した実施形態のＩＣチップ実装用基板と比べて、光信号通過領域の形状が異なる以外はその構成は、同一である。従って、ここでは、光信号通過領域の形状についてのみ詳細に説明することとする。
【０１３５】
図３に示すように、ＩＣチップ実装用基板２２０では、基板２２１、絶縁層２２２およびソルダーレジスト層２３４を貫通するように４つの独立した光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄが設けられている。
この光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄは、基板２２１、絶縁層２２２およびソルダーレジスト層２３４を貫通する部分に樹脂組成物２４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層２３４を貫通する部分の径は、基板２２１および絶縁層２２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層２３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
【０１３６】
ＩＣチップ実装用基板２２０の一の面には、受光部２３９ａ〜２３９ｄのそれぞれが光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄのそれぞれに対向するように、４チャンネルの受光素子２３９が半田接続部２４４を介して表面実装されている。
従って、４チャンネルの受光素子２３９への入力信号は、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄのいずれかを介して伝送することができる。ここで、各光信号通過領域は、４チャンネルの受光素子が有する各受光部２３９ａ〜２３９ｄからの光信号を伝送することができるように、個別に独立して形成されている。
なお、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄのソルダーレジスト層２３４を貫通する部分は、図３に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの基板２２１および絶縁層２２２を貫通する部分の周囲には金属層が形成されていてもよい。
上記金属層が形成されている場合、その材料等としては第一の実施形態で説明したものと同様のもの等が挙げられる。
【０１３７】
また、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの受光素子２３９が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄが配設されている。
従って、受光素子２３９への光信号は、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄを通過することとなる。このように、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの各一端にマイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄは、光信号通過領域２４２ａ〜２４２ｄの基板２２１、絶縁層２２２およびソルダーレジスト層２３４を貫通する部分に形成された樹脂組成物２４７上に直接配設されている。
なお、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄに代えて、４つのレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。
また、マイクロレンズが直接配設されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された光信号通過領域の端部に直接配設されていることが望ましい。
【０１３８】
また、各光信号通過領域の大きさは、その断面の径の下限は１００μｍであることが望ましく、その上限は５００μｍであることが望ましい。上記径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号通過領域に未硬化の樹脂組成物を充填することが困難となることである。一方、上記径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、ＩＣチップ実装用基板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
より望ましい径の下限は２５０μｍであり、より望ましい径の上限は３５０μｍである。光信号の伝送性と設計の自由度とがともに優れるとともに、未硬化の樹脂組成物を充填する際にも不都合が発生しないからである。
なお、上記光信号通過領域の上記基板および上記絶縁層を貫通する部分の断面の径とは、上記光信号通過領域が円柱状の場合にはその断面の直径、楕円柱状の場合にはその断面の長径、四角柱状や多角柱状の場合にはその断面の最も長い部分の長さをいい、また、上記光信号通過領域が、その入射端側から出射端側に向かって断面の径が一定でない場合には、入射端側の断面の径をいう。
また、本発明において、光信号通過領域の断面とは、ＩＣチップ実装用基板の主面に平行な方向の断面をいい、光信号通過領域の縦断面とは、上記主面に垂直な方向の断面をいう。
【０１３９】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板２２０においても、外部の光学部品（光ファイバや光導波路等）を介して伝送されてきた光信号は、マイクロレンズ２４６ａ〜２４６ｄおよび光信号通過領域２４２を介して受光素子２３９（受光部２３９ａ）に伝送され、この受光素子２３９で電気信号に変換された後、半田接続部２４４、導体回路２２４、バイアホール２２７等を介してＩＣチップ２４０に送られ、処理されることとなる。
【０１４０】
また、上述したような個別貫通孔構造の光信号通過領域を形成する場合においても、この光信号通過領域は、発光素子から出射した光や、受光素子に入射する光が反射しないような大きさを有していることが望ましい。
そこで、個別貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。
【０１４１】
ここでは、広がり角が２４度で４チャンネルのＶＣＳＥＬであり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率１．５であり、光学素子の下部にアンダーフィルか充填されており、このアンダーフィルの屈折率が通常１．５である発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板の場合について検討した。
【０１４２】
その結果、上述した形態のＩＣチップ実装用基板では、例えば、ＩＣチップ実装用基板の厚さが０．４ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が２５０μｍである場合には、直径１５０μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができ、ＩＣチップ実装用基板の厚さが１．２ｍｍで、ＶＣＳＥＬの各チャンネル間の距離が５００μｍである場合には、直径４００μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０１４３】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【０１４４】
このような実施形態のＩＣチップ実装用基板においても、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、アレイ素子における各チャンネル間のピッチに応じて適宜決定すればよく、例えば、２５０μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜１９０μｍが望ましい。なお、この場合、光信号通過領域の径は、１５０〜２００μｍが望ましい。
また、例えば、５００μｍピッチのアレイ素子を用いる場合には、１００〜４９０μｍが望ましく、１８０〜４８０μｍがより望ましい。なお、この場合、光信号通過領域の径は、１５０〜４５０μｍが望ましい。
【０１４５】
また、個別に形成された光信号通過領域の径が１５０μｍ以上が望ましい理由は以下の通りである。
即ち、上記形態の光信号通過領域は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層を貫通する貫通孔を形成した後、該貫通孔内に必要に応じて樹脂組成物を充填することにより形成するのであるが、上記貫通孔は、通常ドリルを用いて形成され、ドリル加工で貫通孔を形成する場合、その径が１５０μｍ未満の貫通孔を形成することが困難だからである。
また、上記個別貫通孔構造の各光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
【０１４６】
次に、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板について説明する。
図４には、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板を示す。なお、図４には、最外層にソルダーレジスト層が形成されるとともに、ソルダーレジスト層を貫通する光信号通過領域が形成され、この光信号通過領域のソルダーレジスト層を貫通する部分の端部にマイクロレンズが配設された形態のＩＣチップ実装用基板を示す。
図４に示すように、ＩＣチップ実装用基板３２０は、基板３２１の両面に導体回路３２４と絶縁層３２２とが積層形成され、基板３２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層３２２を挟んだ導体回路間は、スルーホール３２９およびバイアホール３２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層３３４が形成されている。
さらに、ＩＣチップ実装用基板３２０には、凹部形状の光信号通過領域３４２が形成されている。この光信号通過領域３４２内には、４チャンネルの受光素子３３９とＩＣチップ３４０とのそれぞれがワイヤボンディング３４９により実装されており、さらに、光信号通過領域３４２の一部には、樹脂組成物３４７が充填されている。
また、光信号通過領域を形成した側のソルダーレジスト層３３４には、半田バンプ３３７が形成されている。
なお、ＩＣチップは、光信号通過領域が形成された側と反対側の表面に実装されていてもよい。
【０１４７】
従って、４チャンネルの受光素子３３９への入力信号は、光信号通過領域３４２を介して伝送されることとなる。ここで、光信号通過領域３４２は、４チャンネル分の光信号を伝送することができる大きさで、絶縁層３２２およびソルダーレジスト層３３４の一部に凹部形状に形成されている。
なお、光信号通過領域３４２のソルダーレジスト層３３４を貫通する部分は、図４に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。
【０１４８】
また、このような光信号通過領域３４２の受光素子３３９が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄが配設されている。ここで、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄのそれぞれは、受光素子３３９の各チャンネル３３９ａ〜３３９ｄに対応する位置に個別に配設されている。
従って、受光素子３３９への光信号は、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄを通過することとなる。このように、光信号通過領域３４２の一端にマイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄは、光信号通過領域３４２に充填された樹脂組成物３４７上に直接配設されている。
なお、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄに代えて、４つのレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。
【０１４９】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板３２０においても、外部の光学部品（光ファイバや光導波路等）を介して伝送されてきた光信号は、マイクロレンズ３４６ａ〜３４６ｄおよび光信号通過領域３４２を介して受光素子３３９（受光部３３９ａ）に伝送され、この受光素子３３９で電気信号に変換された後、ワイヤボンディング３４９、導体回路３２４、バイアホール３２７等を介してＩＣチップ３４０に送られ、処理されることとなる。
【０１５０】
第一の本発明のＩＣチップ実装用基板では、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【０１５１】
また、ＩＣチップ実装用基板３２０では、ソルダーレジスト層３３４に金属めっき層を介して半田バンプ３３７が形成されているため、ＩＣチップ３４０と外部基板等との間での電気信号の伝送は、半田バンプ３３７を介しても行うことができる。
【０１５２】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板をマザーボード用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。
【０１５３】
また、上記凹部形状の光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
【０１５４】
また、上記凹部形状の光信号通過領域について、その断面の面積は、１００ｍｍ２以上が望ましい。より望ましくは、２００ｍｍ２以上である。この大きさであれば、光信号通過領域の壁面で光信号が反射させることなく、光信号を伝送させるのに適するからである。
【０１５５】
また、図４に示したＩＣチップ実装用基板３２０では、凹部形状の光信号通過領域３４２内に実装された受光素子３３９およびＩＣチップ３４０のそれぞれが、凹部の底面に露出した導体回路にワイヤボンディング３４９により接続されているが、第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板では、凹部形状の光信号通過領域内に実装された受光素子等は、最外層の層間樹脂絶縁層上に形成された導体回路等とワイヤボンディングにより接続されていてもよい。
【０１５６】
ここまでの第一〜第三の実施形態のＩＣチップ実装用基板の説明においては、光学素子として、受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板について説明したが、上記した実施形態のＩＣチップ実装用基板では、光学素子として受光素子の代わりに発光素子が実装されていてもよく、この場合、ＩＣチップ実装用基板の構成は、受光素子を発光素子に代える以外、上記と同様の構成であればよい。
【０１５７】
また、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、図５に示すように、光学素子として、発光素子と受光素子の両方が実装されていてもよい。
図５に示すように、ＩＣチップ実装用基板４２０は、基板４２１の両面に導体回路４２４と絶縁層４２２とが積層形成され、基板４２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層４２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール４２９およびバイアホール４２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層４３４が形成されている。
このＩＣチップ実装用基板４２０では、基板４２１、絶縁層４２２およびソルダーレジスト層４３４を貫通するように光信号通過領域４４２が設けられている。
【０１５８】
この光信号通過領域４４２には、基板４２１、絶縁層４２２およびソルダーレジスト層４３４を貫通する部分に樹脂組成物４４７が充填されており、基板４２１および絶縁層４２２を貫通する部分の樹脂組成物４４７の周囲には金属層４４５が形成されている。
そして、ソルダーレジスト層４３４を貫通する部分の径は、基板４２１および絶縁層４２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層４３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
従って、ＩＣチップ実装用基板４２０に実装された光学素子（発光素子４３８および受光素子４３９）の入出力信号は、光信号通過領域４４２を介して伝送されることとなる。
なお、光信号通過領域４４２のソルダーレジスト層４３４を貫通する部分は、図５に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域４４２の基板４２１および絶縁層４２２を貫通する部分の周囲には金属層４４５が形成されていなくてもよい。
【０１５９】
また、このような光信号通過領域４４２の光学素子（発光素子４３８、受光素子４３９）が実装された側と反対側の端部のそれぞれには、マイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂが配設されている。
従って、光信号通過領域４４２に入射する光信号や、光信号通過領域４４２から出射する光信号は、マイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂを通過することとなる。
このように、光信号通過領域４４２の端部にマイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ４４６ａ、４４６ｂは、光信号通過領域４４２の基板４２１、絶縁層４２２およびソルダーレジスト層４３４を貫通する部分に形成された樹脂組成物４４７上に直設配設されている。
【０１６０】
ＩＣチップ実装用基板４２０の一の面には、発光部４３８ａおよび受光部４３９ａのそれぞれが光信号通過領域４４２に対向するように、発光素子４３８および受光素子４３９が半田接続部４４４を介して表面実装されるとともに、ＩＣチップ４４０が半田接続部４４３を介して表面実装されている。また、ＩＣチップ実装用基板４２０の他の面のソルダーレジスト層４３４には、半田バンプ４３７が形成されている。
【０１６１】
また、ＩＣチップ４４０から送り出された電気信号は、半田接続部４４３、４４４、導体回路４２４、バイアホール４２７、スルーホール４２９等を介して発光素子４３８に送られた後、発光素子４３８で光信号に変換され、発光素子４３８（発光部４３８ａ）から発信した光信号は、光信号通過領域４４２およびマイクロレンズ４４６ａを介して外部の光学素子（光ファイバや光導波路等）に送り出されることとなる。
【０１６２】
このような構成からなるＩＣチップ実装用基板４２０において、光ファイバや光導波路等（図示せず）を介して外部から送られてきた光信号は、マイクロレンズ４４６ｂおよび光信号通過領域４４２を介して受光素子４３９（受光部４３９ａ）で受信した後、受光素子４３９で電気信号に変換され、さらに、半田接続部４４３、４４４、導体回路４２４、バイアホール４２７、スルーホール４２９等を介してＩＣチップ４４０に送られることとなる。
【０１６３】
また、ＩＣチップに近い位置に実装された受光素子および発光素子において、光／電気信号変換を行うため、電気信号の伝送距離が短く、信号伝送の信頼性に優れ、より高速通信に対応することができる。
【０１６４】
また、ＩＣチップ実装用基板４２０では、ソルダーレジスト層４３４に金属めっき層を介して半田バンプ４３７が形成されているため、ＩＣチップから送り出された電気信号は、上述したように光信号に変換された後、光信号通過領域４４２等を介して外部に送りだされるだけでなく、半田バンプ４３７を介しても外部基板等に送られることとなる。
【０１６５】
このように半田バンプが形成されている場合には、上記ＩＣチップ実装用基板をマザーボード用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、この場合には、半田が有するセルフアライメント作用により上記ＩＣチップ実装用基板を所定の位置に配置することができる。
【０１６６】
なお、図５には、１チャンネルの発光素子および受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を示しているが、発光素子および受光素子の両方が実装された形態のＩＣチップ実装用基板においても、マルチチャンネルの光学素子を実装することできる。
また、マルチチャンネルの光学素子を実装する場合、光信号通過領域の構造は、一括貫通孔構造であってもよいし、個別貫通孔構造であってもよい。
また、凹部形状の光信号通過領域を有するＩＣチップ実装用基板に受光素子と発光素子とを実装することもできる。
【０１６７】
このような構成からなる第一の本発明のＩＣチップ実装用基板は、例えば、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法を用いて製造することができる。
【０１６８】
次に、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法について説明する。
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成し、多層配線板とする多層配線板製造工程と、
（ｂ）上記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、上記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とする。
【０１６９】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法は、光信号通過領域を形成する工程と、該光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する工程とを有しているため、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板、即ち、光信号通過領域を介して光学素子の入出力信号の伝送を行うＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。従って、第六の本発明の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【０１７０】
まず、上記（ａ）の工程、即ち、多層配線板を製造する多層配線板製造工程について工程順に説明する。具体的には、例えば、下記（１）〜（９）の工程を経ることにより多層配線板を製造することができる。
（１）絶縁性基板を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、熱硬化性ポリフェニレンエーテル基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等が挙げられる。
また、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板や、シリコン基板、ガラス基板等を用いてもよい。
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、銅張積層板やＲＣＣ基板にエッチング処理を施すことにより形成してもよい。
【０１７１】
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間の接続をスルーホールにより行う場合には、例えば、上記絶縁性基板にドリルやレーザ等を用いてスルーホール用貫通孔を形成した後、無電解めっき処理等を施すことによりスルーホールを形成しておく。なお、上記スルーホール用貫通孔の直径は、通常、１００〜３００μｍである。
また、スルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。
【０１７２】
（２）次に、必要に応じて、導体回路の表面に粗化形成処理を施す。
上記粗化形成処理としては、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等が挙げられる。
ここで、粗化面を形成した場合、通常、該粗化面の平均粗度の下限は０．１μｍが望ましく、上限は５μｍが望ましい。導体回路と絶縁層との密着性、導体回路の電気信号伝送能に対する影響等を考慮すると上記平均粗度の下限は２μｍがより望ましく、上限は４μｍがより望ましい。
なお、この粗化形成処理は、スルーホール内に樹脂充填材を充填する前に行い、スルーホールの壁面にも粗化面を形成してもよい。スルーホールと樹脂充填材との密着性が向上するからである。
【０１７３】
（３）次に、導体回路を形成した基板上に、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、または、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。なお、これらの樹脂層の形成には、例えば、基板に用いる樹脂と同様の樹脂等を用いることもできる。
上記未硬化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。
【０１７４】
これらのなかでは、未硬化（半硬化）の樹脂フィルムを熱圧着する方法が望ましく、樹脂フィルムの圧着は、例えば、真空ラミネータ等を用いて行うことができる。
また、圧着条件は特に限定されず、樹脂フィルムの組成等を考慮して適宜選択すればよいが、通常は、圧力０．２５〜１．０ＭＰａ、温度４０〜７０℃、真空度１３〜１３００Ｐａ、時間１０〜１２０秒程度の条件で行うことが望ましい。
【０１７５】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型等のノボラック型エポキシ樹脂や、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１７６】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
【０１７７】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【０１７８】
また、上記樹脂複合体としては、熱硬化性樹脂や感光性樹脂（熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂も含む）と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えばフェノール樹脂／ポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂／ポリスルフォン、エポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン、エポキシ樹脂／フェノキシ樹脂等が挙げられる。また、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との具体的な組み合わせとしては、例えば、アクリル樹脂／フェノキシ樹脂、エポキシ基の一部をアクリル化したエポキシ樹脂／ポリエーテルスルフォン等が挙げられる。
また、上記樹脂層は、２層以上の異なる樹脂層から構成されていてもよい。
【０１７９】
また、上記樹脂層は、粗化面形成用樹脂組成物を用いて形成してもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【０１８０】
（４）次に、その材料として熱硬化性樹脂や樹脂複合体を用いた絶縁層を形成する場合には、未硬化の樹脂絶縁層に硬化処理を施すとともに、バイアホール用開口を形成し、絶縁層とする。また、この工程では、必要に応じて、スルーホール用貫通孔を形成してもよい。
上記バイアホール用開口は、レーザ処理により形成することが望ましい。また、絶縁層の材料として感光性樹脂を用いた場合には、露光現像処理により形成してもよい。
【０１８１】
また、その材料として熱可塑性樹脂を用いた絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂からなる樹脂層にバイアホール用開口を形成し、絶縁層とする。この場合、バイアホール用開口は、レーザ処理を施すことにより形成することができる。
また、この工程でスルーホール用貫通孔を形成する場合、該スルーホール用貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等により形成すればよい。
【０１８２】
上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。これらのなかでは、エキシマレーザや短パルスの炭酸ガスレーザが望ましい。
【０１８３】
（５）次に、バイアホール用開口の内壁を含む絶縁層の表面に、導体回路を形成する。
導体回路を形成するにあたっては、まず、絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。
上記薄膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング等の方法により形成することができる。
【０１８４】
上記薄膜導体層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。
これらのなかでは、電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
また、上記薄膜導体層の厚さとしては、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する場合には、その厚さの下限は０．３μｍが望ましく、上限は２．０μｍが望ましい。より望ましくは下限が０．６μｍであり、上限が１．２μｍである。また、スパッタリングにより形成する場合には、０．１〜１．０μｍが望ましい。
【０１８５】
また、上記薄膜導体層を形成する前に、絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。粗化面を形成することにより、絶縁層と薄膜導体層との密着性を向上させることができる。特に、粗化面形成用樹脂組成物を用いて絶縁層を形成した場合には、酸や酸化剤等を用いて粗化面を形成することが望ましい。
【０１８６】
また、上記（４）の工程でスルーホール用貫通孔を形成した場合には、絶縁層上に薄膜導体層を形成する際に、貫通孔の壁面にも薄膜導体層を形成することによりスルーホールとしてもよい。
【０１８７】
（６）次いで、その表面に薄膜導体層が形成された絶縁層の一部にめっきレジストを形成する。
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着配置し、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【０１８８】
（７）その後、薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。上記電解めっきとしては、銅めっきが望ましい。
また、上記電解めっき層の厚さ、５〜２０μｍが望ましい。
【０１８９】
その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の薄膜導体層を除去することにより導体回路（バイアホールを含む）を形成することができる。
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行えばよい。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
また、このめっきレジストを形成した後、電解めっき層を形成する方法（工程（６）および（７））に代えて、薄膜導体層上の全面に電解めっき層を形成した後、エッチング処理を施す方法を用いて導体回路を形成してもよい。
【０１９０】
また、上記（４）および（５）の工程においてスルーホールを形成した場合には、該スルーホール内に樹脂充填材を充填してもよい。
また、スルーホール内に樹脂充填材を充填した場合、必要に応じて、無電解めっき等を行うことにより樹脂充填材層の表層部を覆う蓋めっき層を形成してもよい。
【０１９１】
（８）次に、蓋めっき層を形成した場合には、必要に応じて、該蓋めっき層の表面に粗化処理を行い、さらに、上記（３）および（４）の工程を繰り返すことにより絶縁層を形成する。なお、この工程では、スルーホールを形成してもよいし、形成しなくてもよい。
（９）さらに、必要に応じて、（５）〜（８）の工程を繰り返すことにより、導体回路と絶縁層とを積層形成してもよい。
【０１９２】
このような（１）〜（９）の工程を行うことにより、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成された多層配線板を製造することができる。
なお、ここで詳述した多層配線板の製造方法は、セミアディテブ法であるが、上記（ａ）の工程で製造する多層配線板の製造方法は、セミアディテブ法に限定されず、フルアディテブ法、サブトラクティブ法、一括積層法、コンフォーマル法等を用いて行うこともできる。
また、ここでは、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体等を用いて絶縁層を形成する方法について説明したが、上記絶縁層の材料はこれらに限定されるわけではなく、例えば、セラミック、シリコン、ガラス等の絶縁材料であってもよい。
【０１９３】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、上記（ａ）の工程を経て、多層配線板を製造した後、上記（ｂ）の工程、即ち、上記多層配線板を貫通する光信号通過領域を形成するか、または、上記多層配線板の一部に凹部形状の光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程を行う。
なお、この工程で形成する光信号通過領域として機能することとなる貫通孔および凹部のそれぞれを、以下、光路用貫通孔および光路用凹部ともいう。
【０１９４】
まず、上述した工程を経て作製した多層配線板に、光路用貫通孔または光路用凹部を形成する。
上記光路用貫通孔や上記光路用凹部の形成は、例えば、ドリル加工、ルーター加工、レーザ処理、金型加工等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、上記バイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記光路用貫通孔の形成位置は特に限定されず、導体回路の設計、ＩＣチップや光学素子等の実装位置等を考慮して適宜選択すればよい。
上記光路用貫通孔は、受光素子や発光素子等の光学素子ごとに形成することが望ましく、また、信号波長ごとに形成してもよい。
【０１９５】
また、上記光路用凹部は、その内部に受光素子や発光素子等の光学素子とともに、さらに、ＩＣチップを実装することができるように形成することが望ましい。
また、上記光路用凹部を形成する場合には、上述した多層配線板を作製する工程において、絶縁層を形成する際に、各絶縁層を貫通する開口を形成しておき、絶縁層の積層を完了した際に、光路用凹部が形成されているようにしてもよい。
なお、絶縁層を貫通する開口は、上述したバイアホール用開口を形成する方法と同様の方法により形成することができるが、ドリル加工により形成することが望ましい。
【０１９６】
また、この工程において、一括貫通孔構造の光路用貫通孔として、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合には、以下、方法を用いることが望ましい。
即ち、隣り合わない円柱を先に形成し、その後、隣り合わない円柱同士の間に、側面の一部が繋がった円柱を形成することが望ましい。従って、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合、円柱の数は、奇数個であることが望ましい。
側面の一部が繋がった、隣り合う円柱を連続して形成しようとすると、ドリルの先端が既に形成された円柱の方向へ逃げようとしてドリルの先端ふれが発生し、ドリル加工時の精度が低下することがあるからである。そして、このようにドリル加工時の精度が低下した場合、円柱の底面の大きさが、円柱ごとに大きく異なることとなる。
【０１９７】
ＩＣチップ実装用基板では、その設計上、光学素子を実装するためのパッド（電極）と、光信号通過領域として機能する光路用貫通孔との隙間部分は、面積が小さく、光路用貫通孔を形成する際に、貫通孔の位置がずれたり、貫通孔が設計よりも大きくなってしまったりした場合には、貫通孔がパッド部分にかかってしまい、パッドが剥れてしまったり、パッドの面積が小さくなってしまったりする場合がある。
パッドが剥れてしまった場合には、光学素子との間で接続不良が発生し、パッドの面積が小さくなってしまった場合には、セルフアライメント作用が機能せず、光学素子の実装位置がズレてしまうことがあり、このように光学素子の実装位置がズレると光信号の伝送損失が増大することとなる。
従って、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合には、上述した方法で、形成することが望ましいのである。
【０１９８】
また、本発明者等は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合における貫通孔の形成順序と、貫通孔の位置ズレの関係を検証する試験を行ったので、図２０−１を参照しながらその試験を説明するとともに、データを以下に示す。なお、ここでは、４チャンネルの光学素子と光学的に接続でき光路用貫通孔を形成して検討を行った。
図２０−１（ａ）〜（ｄ）は、貫通孔の形成順序と、貫通孔の位置ズレの関係を検証する試験の方法を説明するための模式図である。
【０１９９】
まず、充分な大きさを有する厚さ０．８ｍｍのエポキシ基板を４枚用意し、このエポキシ基板に下記の形状の貫通孔を形成する。そして、形成した貫通孔について、その穴径と位置ズレ量とを測定した。
なお、穴径は、エポキシ基板の穴あけを行う側の表面を測定顕微鏡を用いて観察し、３点プロットにより仮想円の直径を測定し、これを貫通孔の穴径とすることにより算出した。
また、貫通孔の位置ズレは、最初に形成した貫通孔の位置を基準に、残り貫通孔の実際の中心位置の、設計上の中心位置からのズレ量を算出し、その最大値を貫通孔の位置ズレ量とした。
【０２００】
まず、１枚目のエポキシ基板には、直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、５つの貫通孔を図２０−１（ａ）に示した番号の順序で形成した。なお、側面の一部が繋がった貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は２９８．２μｍ（標準偏差σ：４．１μｍ）、最大位置ズレ量は、８．４μｍであった。
【０２０１】
また、２枚目のエポキシ基板には、直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、５つの貫通孔を図２０−１（ｂ）に示した番号の順序で形成した。なお、側面の一部が繋がった貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は２９８．５２μｍ（標準偏差σ：４．３μｍ）、最大位置ズレ量は、７．３μｍであった。
【０２０２】
また、３枚目のエポキシ基板には、直径３００μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、４つの貫通孔を図２０−１（ｃ）に示した番号の順序で形成した。なお、側面の一部が繋がった貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は３０１．４μｍ（標準偏差σ：６．３μｍ）、最大位置ズレ量は、１７．９μｍであった。
【０２０３】
また、４枚目のエポキシ基板には、比較対象として、直径１５０μｍのドリルを用いて、中心間距離が２５０μｍになるように、５つの貫通孔を図２０−１（ｄ）に示した番号の順序で形成した。ここでは、独立した貫通孔を５つ形成し、この５つの貫通孔を１セットの貫通孔群として、貫通孔群を５つ形成した。
その結果、平均穴径は１４８．６μｍ（標準偏差σ：３．９μｍ）、最大位置ズレ量は、７．４μｍであった。
【０２０４】
これらの結果から、隣り合わない貫通孔を先に形成し、その後、隣り合わない貫通孔同士の間に、側面の一部が繋がった貫通孔を形成した場合には、独立した貫通孔を形成する場合と比較して、平均穴径の標準偏差および最大位置ズレ量に大きな差がないのに対し、隣り合う貫通孔を連続して形成した場合には、平均穴径の標準偏差および最大位置ズレ量が大きくなっており、さらには、隣り合わない貫通孔を先に形成し、その後、隣り合わない貫通孔同士の間に、側面の一部が繋がった貫通孔を形成した場合と比較して平均穴径自体が大きくなっていることが明らかとなった。
【０２０５】
また、その他の形状の一括貫通孔構造との比較についても簡単に説明しておく。
図２０−２（ｅ）、（ｆ）は、一括貫通孔構造の光信号伝送用光路を説明するための模式図である。
上記一括貫通孔としては、上述したように、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状（図２０−１（ａ）〜（ｃ）参照）等が挙げられる。
【０２０６】
また、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体の具体的な形状としては、図２０−２に平面図で示したような形状が挙げられる。
図２０−２（ｅ）には、直線と円弧とで囲まれた底面の一例として、長方形の両端に半円が付いた形状を示している。このような底面形状を有する一括貫通孔構造の光路用貫通孔は、直径３００μｍのドリルを用いたルータ加工により形成することができる。また、金型加工によっても形成することができる
また、図２０−２（ｆ）には、直線と円弧と囲まれた底面の一例として、長方形の角部が、１／４円弧を有するように面取りされた形状を示している。このような底面形状を有する一括貫通孔構造の光路用貫通孔は、直径１００μｍのドリルを用いたルータ加工により形成することができる。金型加工によっても形成することができる。
【０２０７】
図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示したような形態の光路用貫通孔は、１回のルータ加工や金型加工によって形成することができる。この場合、１回の工程で光路用貫通孔を形成することができるため、複数回の形成工程を必要とする図２０−１（ａ）〜（ｃ）に示したような形状の光路用貫通孔を形成する場合に比べて、位置精度や光路用貫通孔の大きさのバラツキがより発生しにくいこととなる。
また、光路用貫通孔内に充填する樹脂組成物の充填性について比較してみると、複数回の穴あけ工程を経て形成した図２０−１（ａ）〜（ｃ）に示したような形状の光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填する場合、隣接する円柱状の貫通孔同士が繋がった部分の近傍は、出っ張った形状を有していることとなるため、樹脂組成物を充填した場合に、ボイドが発生する場合があったが、１回の穴あけ工程で形成した図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示したような形状の光路用貫通孔では、ボイドが発生することはなかった。
具体的には、図２０−１（ａ）に示した形状を有する光路用貫通孔、および、図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示した形状を有する光路用貫通孔のそれぞれに樹脂組成物を充填し、硬化させた後、クロスカットを行い、顕微鏡によりボイドの発生の有無を確認したところ、図２０−１（ａ）に示した形状を有する光路用貫通孔では、ボイドの発生率が１．７％であったのに対し、図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示した形状を有する光路用貫通孔では、発生率が０％であった。このことから、樹脂組成物の充填性の観点からは、図２０−２（ｅ）、（ｆ）に示したような形状のほうが、図２０−１（ａ）〜（ｃ）に示したような形状よりも望ましいことが明らかとなった。
【０２０８】
また、光路用貫通孔または光路用凹部（以下、両者を併せて光路用貫通孔等ともいう）形成後、必要に応じて、光路用貫通孔等の壁面にデスミア処理を行ってもよい。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。
【０２０９】
また、光路用貫通孔等形成後、必要に応じて、未硬化の樹脂組成物を充填する前に、必要に応じて、光路用貫通孔等の壁面を粗化面とする粗化面形成工程を行ってもよい。金属層や樹脂組成物との密着性の向上を図ることができるからである。
上記粗化面の形成は、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の酸；クロム酸、クロム硫酸、過マンガン酸塩等の酸化剤等により、基板や絶縁層等の光路用貫通孔を形成した際に露出した部分を溶解することにより行うことができる。また、プラズマ処理やコロナ処理等により行うこともできる。
上記粗化面の表面粗さＲａの下限は０．５μｍが望ましく、上限は５μｍが望ましい。上記表面粗さＲａのより望ましい下限は１μｍであり、より望ましい上限は３μｍである。この範囲であれば、金属層や樹脂組成物との密着性に優れることとなるからである。
【０２１０】
上記光路用貫通孔等を形成した後には、必要に応じて、上記光路用貫通孔等の壁面が金属から構成されることとなるよう、その壁面に金属層を形成する金属層形成工程を行ってもよい。
上記金属層の形成は、例えば、無電解めっき、スパッタリング、真空蒸着等の方法により行うことができる。
具体的には、例えば、光路用貫通孔等を形成した後、該光路用貫通孔等の壁面に触媒核を付与し、その後、光路用貫通孔等が形成された基板を無電解めっき浴に浸漬する方法等を用いることができる。
また、無電解めっきやスパッタリングを組み合せて２層以上からなる金属層を形成してもよいし、無電解めっきやスパッタリングの後、電解めっきを行って２層以上からなる金属層を形成してもよい。
また、この工程で金属層を形成する場合、該金属層は、光沢を有する金属層であってもよい。
【０２１１】
このような金属層形成工程においては、上記光路用貫通孔等の壁面に金属層を形成するとともに、上記（ａ）の工程で形成した最外層の絶縁層上に、最外層の導体回路を形成することが望ましい。
具体的には、例えば、まず、無電解めっき等により光路用貫通孔等の壁面に金属層を形成する際に、絶縁層の表面全体にも金属層を形成する。
【０２１２】
次に、この絶縁層の表面に形成した金属層上にめっきレジストを形成する。めっきレジストの形成は、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、めっきレジストパターンが描画されたガラス基板等からなるフォトマスクを密着載置し、露光現像処理を施すことにより行えばよい。
【０２１３】
さらに、上記絶縁層上に形成した金属層をめっきリードとして電解めっきを行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成し、その後、上記めっきレジストと該めっきレジスト下の金属層とを除去することにより、最外層の絶縁層上に独立した導体回路を形成する。
従って、この場合、上記金属層は、上記導体回路と同様の材質からなるものであることが望ましい。
【０２１４】
また、上記金属層を形成した後、上記金属層の壁面に粗化面を形成してもよい。上記粗化面の形成は、例えば、黒化（酸化）−還元処理、第二銅錯体と有機酸塩とを含むエッチング液等を用いたエッチング処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐ針状合金めっきによる処理等を用いて行うことができる。
【０２１５】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法で形成する光路用貫通孔等の壁面は、樹脂から構成されていてもよい。
上述した工程で、基板および絶縁層を形成する際に、これらの材料として樹脂を用いた場合には、この工程で特に処理を施さなくても、光路用貫通孔等の壁面は、樹脂により構成されることとなる。
また、ここでは、光路用貫通孔等の壁面が樹脂層から構成されるように、別途、樹脂層形成工程を行ってもよい。
別途、樹脂層を形成する場合には、具体的には、光路用貫通孔等を形成した後、この光路用貫通孔内に、樹脂を充填し、さらに、充填した樹脂の一部が残るように、再度、光路用貫通孔等を形成することにより、光路用貫通孔等の壁面が樹脂から構成されるものとすることができる。
ここで、壁面の樹脂層と光信号通過領域内に充填する樹脂組成物の組成は、屈折率が異なる以外は略同様とすることが望ましい。両者の密着性が向上することとなるからである。
また、両者の密着性を向上させるべく、樹脂層の表面にプライマー処理を施してもよい。
【０２１６】
また、一旦、樹脂組成物を充填した後、再度、光路用貫通孔を形成する場合には、その形状が、最初に形成した光路用貫通孔と断面形状が相似形になるように形成してもよいし、例えば、一括貫通孔構造の光路用貫通孔内に充填した後、個別貫通孔構造の光路用貫通孔を形成してもよい。
【０２１７】
次に、必要に応じて、上記貫通孔または凹部（光路用貫通孔等）内に未硬化の樹脂組成物を充填する樹脂組成物充填工程を行う。
光路用貫通孔等内に、未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、樹脂組成物により構成される光信号通過領域の基板および絶縁層を貫通する部分を形成することができる。
具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
なお、未硬化の樹脂組成物の充填を印刷により行う場合、未硬化の樹脂組成物は一回で印刷してもよいし、２回以上に分けて印刷してもよい。また、多層配線板の両面から印刷を行ってもよい。
【０２１８】
また、未硬化の樹脂組成物の充填を行う際には、上記光路用貫通孔等の内積よりも少し多い量の未硬化の樹脂組成物を充填し、充填終了後、光路用貫通孔等から溢れた余分な樹脂組成物を除去してもよい。
上記余分な樹脂組成物の除去は、例えば、研磨等により行うことができる。また、余分な樹脂組成物を除去する場合、樹脂組成物の状態は半硬化状態であっても良いし、完全に硬化した状態であってもよく、樹脂組成物の材料等を考慮して適宜選択すればよい。
【０２１９】
また、光路用凹部を形成した場合には、該光路用凹部内に充填する樹脂組成物が、多層配線板の表面で無制限に広がらないように、多層配線板の表面に封止枠を形成しておいてもよい。
【０２２０】
このような貫通孔形成工程と、必要に応じて行う、粗化面形成工程および金属層形成工程や樹脂層形成工程と、樹脂組成物充填工程とを経ることにより、上記（ａ）の工程を経て製造した多層配線板に、光信号通過領域を形成することができる。
また、ここまでは、上記（ａ）の工程（多層配線板製造工程）と上記（ｂ）の工程を別の工程として説明したが、その一部は並行して行われてもよい。
具体的には、例えば、上記（ｂ）の工程において、金属層形成工程を行う場合には、上記多層配線板製造工程において、最外層の絶縁層を形成した後、その表面に導体回路を形成せず、上記金属層形成工程において、同時に最外層の絶縁層の表面にも金属層を形成し、上述した処理を行うことにより独立した導体回路を形成することができる。勿論、この場合、上記金属層形成工程を行わない場合であっても、上述した方法により絶縁層の表面に導体回路を形成することができる。
また、例えば、上記多層配線板製造工程において、最外層の絶縁層上に薄膜導体層を形成した後、必要に応じてこの薄膜導体層の厚付けを電解めっきにより行い、その後、エッチングにより導体回路を形成する前に、上述した光信号通過領域を行い、その後で、エッチングにより導体回路を形成してもよい。
【０２２１】
また、上記樹脂組成物充填工程を行う場合において、多層配線板に光路用凹部を形成していた場合には、樹脂組成物を充填する前に、光学素子を実装しておく必要があり、さらに、光路用凹部内にＩＣチップを実装する場合には、併せてＩＣチップも実装しておく必要がある。なお、ＩＣチップの実装は設計に応じて行えばよく、必ずしも光路用凹部内に実装しなくてもよい。
以下、光路用凹部内に光学素子およびＩＣチップを実装する方法について説明する。
【０２２２】
まず、光路用凹部の底面に、光学素子等との接続端子となるよう、導体回路の一部を露出させる。その後、この導体回路の露出した部分に、必要に応じて、めっき層を形成しておいてもよい。
次に、光路用凹部の底面に光学素子およびＩＣチップを取り付けた後、上記光学素子および上記ＩＣチップと多層配線板の導体回路とを電気的に接続する。
また、場合によっては、最外層の絶縁層上に形成した導体回路と、ワイヤボンディングにより接続してもよい。
【０２２３】
上記光学素子および上記ＩＣチップの取り付けは、例えば、共晶結合法、半田結合法、樹脂結合法等により行うことができる。また、銀ペーストや金ペーストを用いて、光学素子等を取り付けてもよい。
【０２２４】
上記光学素子および上記ＩＣチップと上記多層配線板の導体回路とを電気的に接続する方法としては、ワイヤボンディングを用いることが望ましい。これは、光学素子等を取り付ける際の設計の自由度が大きいとともに、経済的にも有利だからである。
上記ワイヤボンディングとしては、従来公知の方法、即ち、ネイルヘッド・ボンディング法やウエッジ・ボンディング法を用いることができる。
なお、光学素子等の実装は、テープボンディングやフリップチップボンディング等により行ってもよい。
【０２２５】
上述した工程を経て、多層配線板に光路用貫通孔等を形成した後には、必要に応じて、上記の工程で形成した貫通孔や凹部（光路用貫通孔等）に連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程を行う。
具体的には、例えば、下記（１）および（２）の工程を行うことによりソルダーレジスト層を形成することができる。
【０２２６】
（１）まず、光路用貫通孔等を形成した多層配線板の最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成する。
上記ソルダーレジスト組成物の層は、例えば、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等からなるソルダーレジスト組成物を用いて形成することができる。
【０２２７】
（２）次に、上記ソルダーレジスト組成物の層に、上記光路用貫通孔等に連通した開口（以下、光路用開口ともいう）を形成する。
具体的には、例えば、露光現像処理やレーザ処理等により形成することができる。
【０２２８】
また、上記光路用開口を形成する際には、同時に、半田バンプ形成用開口（ＩＣチップや光学素子を実装するための開口）を形成することが望ましい。なお、上記光路用開口の形成と、上記半田バンプ形成用開口の形成とは、別々に行ってもよい。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、光路用開口と半田バンプ形成用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
【０２２９】
このような（１）および（２）の工程を経ることにより、光路用貫通孔の形成された多層配線板上に、該光路用貫通孔と連通した開口を有するソルダーレジスト層を形成することができる。
【０２３０】
また、上記ソルダーレジスト層に形成した光路用開口には、上記光路用貫通孔等と同様の方法で未硬化の樹脂組成物を充填してもよい。このようにソルダーレジスト層の光路用開口に未硬化の樹脂組成物を充填した後、該未硬化の樹脂組成物の硬化処理を施すことにより、樹脂組成物から構成される光信号通過領域を形成することができる。
また、場合によっては、ソルダーレジスト層に形成した光路用開口の壁面にも金属層を形成してもよい。
【０２３１】
さらに、この工程では、光路用貫通孔等から露出した樹脂組成物の露出面に研磨処理を施し、その露出面を平坦にすることが望ましい。露出面を平坦にすることにより、通信光の伝送が阻害されるおそれがより少なくなるからである。
上記研磨処理は、例えば、バフ研磨、紙やすり等による研磨、鏡面研磨、クリーン研磨、ラッピング等により行うことができる。また、酸や酸化剤、薬液等を用いた化学研磨を行ってもよい。また、これらの方法を２種以上組み合わせて研磨処理を行ってもよい。
【０２３２】
次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を行う。
上記光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設するには、上記光信号通過領域に樹脂組成物が充填されている場合、該樹脂組成物上に直接配設してもよく、また、接着層を介して上記光信号通過領域に配設してもよい。また、マイクロレンズアレイを接着層を介して配設してもよい。
【０２３３】
上記樹脂組成物上にマイクロレンズを直接配設する方法としては、例えば、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下し、この滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施す方法が挙げられる。
上記方法において、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下する際には、ディスペンサー、インクジェット、マイクロピペット、マイクロシリンジ等の装置を用いることができる。また、このような装置を用いて樹脂組成物上に滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂は、その表面張力により球形になろうとするため、上記樹脂組成物上で半球状となり、その後、半球状の未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施すことで、樹脂組成物上に半球状のマイクロレンズを形成することができるのである。
【０２３４】
なお、このようにして形成するマイクロレンズの直径や曲面の形状等は、樹脂組成物と未硬化の光学レンズ用樹脂との濡れ性を考慮しながら、適宜未硬化の光学レンズ用樹脂の粘度等を調整することで制御することができる。
【０２３５】
また、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法において、ソルダーレジスト層を形成した場合には、このマイクロレンズ配設工程では、上記光路用開口中にマイクロレンズを配設してもよい。
ここで、光路用開口が空隙により構成されている場合には、上記光路用開口の内部であって、上記光路用貫通孔に充填した樹脂組成物上に、マイクロレンズを直接配設すればよく、また、上記光路用開口に樹脂組成物が充填されている場合には、上記光路用貫通孔に充填した樹脂組成物と、上記光路用開口中に充填する樹脂組成物との間にマイクロレンズを配設すればよい。
【０２３６】
上記光路用開口中にマイクロレンズを配設する方法としては、光路用開口が空隙により形成されている場合には、例えば、上述した光路用開口の端部に光学レンズ用樹脂を用いてマイクロレンズを配設する方法と同様の方法等を用いることができる。
また、上記光路用開口中に樹脂組成物が充填されている場合には、例えば、その内部に樹脂組成物が充填された光路用貫通孔を有する多層配線板を作製した後、光路用貫通孔内に充填された樹脂組成物上に、上述した方法と同様の方法で、光学レンズ用樹脂を用いてマイクロレンズを配設し、その後、光路用開口を有するソルダーレジスト層を形成し、さらに、該光路用開口内に樹脂組成物を充填することにより、光路用貫通孔に充填した樹脂組成物と光路用開口に充填した樹脂組成物との間にマイクロレンズを配設する方法等を用いることができる。なお、この方法を用いる場合、マイクロレンズの配設とソルダーレジスト層の形成との順序は逆であってもよい。
【０２３７】
第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法では、このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行った後、上述した工程において光路用貫通孔を形成した場合には、下記の方法を用いて光学素子の実装を行い、さらに、半田パッドや半田バンプの形成を行うことによりＩＣチップ実装用基板を製造することができる。
【０２３８】
即ち、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。これらのなかでは、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により被覆層を形成することが望ましい。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
なお、半田パッドの形成は、（ｃ）のマイクロレンズ配設工程の前に行うこととしてもよい。
【０２３９】
さらに、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
【０２４０】
さらに、ソルダーレジスト層に光学素子（受光素子および発光素子）を実装する。光学素子の実装は、例えば、上記半田バンプを介して行うことができる。また、例えば、上記半田バンプを形成する際に、半田ペーストを充填した時点で光学素子を取り付けておき、リフローと同時に光学素子の実装を行ってもよい。
また、半田に代えて、導電性接着剤等を用いて光学素子を実装してもよい。
このような工程を経る第六の本発明の製造方法では、上述した第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を好適に製造することができる。
【０２４１】
次に、第二の本発明のマザーボード用基板について説明する。
第二の本発明のマザーボード用基板は、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成され、少なくとも一方の面に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装することができるマザーボード用基板であって、
マザーボード用基板には、光信号通過領域が設けられており、
上記光信号通過領域の上記光学素子または上記ＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部には、マイクロレンズが配設されていることを特徴とする。
【０２４２】
第二の本発明のマザーボード用基板は、光導波路が形成されるとともに、該マザーボード用基板に光信号通過領域が設けられているため、上記光導波路および上記光信号通過領域を介して、光信号を伝送することができる。
【０２４３】
さらに、第二の本発明のマザーボード用基板では、上記光信号通過領域のＩＣチップ実装用基板等を実装する側の端部にマイクロレンズが配設されているため、光導波路に入射する光信号や、光導波路から出射する光信号がマイクロレンズを通過することにより、光信号の拡散を抑えることができ、光導波路の入出力信号を効率よく伝送することが可能となる。従って、光信号に損失が発生しにくく、伝送損失を抑えたマザーボード用基板を実現することができる。
また、上記マザーボード用基板に形成された光導波路とＩＣチップ実装用基板等に実装した光学部品等との間で、より確実に光信号の伝送を行うことが可能となり、光信号の伝送の信頼性が高い光通信を実現することができる。
【０２４４】
第二の本発明のマザーボード用基板には、光導波路が形成されており、この光導波路を介して光信号の伝送を行うことができる。
上記光導波路としては、ポリマー材料等からなる有機系光導波路、石英ガラス、化合物半導体等からなる無機系光導波路等が挙げられる。これらのなかでは、ポリマー材料等からなる有機系光導波路が望ましい。絶縁層との密着性に優れ、加工が容易だからである。
上記ポリマー材料としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。
【０２４５】
具体的には、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
また、上記光導波路がマルチモードの光導波路である場合、その材料は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂であることが望ましく、上記光導波路がシングルモードの光導波路である場合、その材料は、ポリイミド樹脂やシリコーン樹脂、シロキサン樹脂であることが望ましい。
【０２４６】
また、上記光導波路のコア部の厚さは１〜１００μｍが望ましく、その幅は１〜１００μｍが望ましい。上記幅が１μｍ未満では、その形成が容易でないことがあり、一方、上記幅が１００μｍを超えると、マザーボード用基板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがある。
また、上記光導波路のコア部の厚さと幅との比は、１：１に近いほうが望ましい。これは、通常、上記受光素子の受光部や上記発光素子の発光部の平面形状が円形状だからである。なお、上記厚さと幅との比は特に限定されるものではなく、通常、約１：２〜約２：１程度であればよい。
【０２４７】
さらに、上記光導波路が通信波長１．３１μｍまたは１．５５μｍのシングルモードの光導波路である場合には、そのコア部の厚さおよび幅は５〜１５μｍであることがより望ましく、１０μｍ程度であることが特に望ましい。また、上記光導波路が通信波長０．８５μｍでマルチモードの光導波路である場合には、そのコア部の厚さおよび幅は２０〜８０μｍであることがより望ましく、５０μｍ程度であることが特に望ましい。
【０２４８】
また、上記光導波路には、粒子が配合されていてもよい。粒子が配合されることにより、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。即ち、光導波路に粒子が配合されていない場合には、光導波路と他の層（基板や絶縁層等）との熱膨張係数が異なることに起因して光導波路にクラックが発生することがあるが、光導波路に粒子を配合して熱膨張係数を調整することにより、上記他の層との熱膨張係数の差を小さくした場合には、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。
また、上記光導波路には、上記樹脂成分以外に、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより上記光導波路と、絶縁層やソルダーレジスト層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができるからである。
なお、上記粒子の具体的な材料や形状としては、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を構成するマイクロレンズに含まれる粒子と同様のものが挙げられる。
【０２４９】
また、上記粒子の粒径は、通信波長より短いことが望ましい。粒径が通信波長より長いと光信号の伝送を阻害することがあるからである。
上記粒径は、その下限が０．０１μｍで、上限が０．８μｍであることがより望ましい。この範囲を外れる粒子を含んでいると、粒度分布が広くなりすぎて、樹脂組成物中に混合した際に、該樹脂組成物の粘度のバラツキが大きくなり、樹脂組成物を調製する場合の再現性が低くなり、所定の粘度を有する樹脂組成物を調製することが困難になることがあるからである。
【０２５０】
上記粒径は、その下限が０．１μｍで、その上限が０．８μｍであることがさらに望ましい。この範囲にあると、スピンコート、ロールコート等を用いて樹脂組成物を塗布するの適しており、また、粒子が混合された樹脂組成物を調製する際に、所定の粘度に調製しやすくなる。
上記粒径は、その下限が０．２μｍで、その上限が０．６μｍであることが特に望ましい。この範囲が、樹脂組成物の塗布、光導波路のコア部の形成に特に適している。さらに、形成した光導波路ごとのバラツキ、特に、コア部のバラツキが最も小さくなり、光通信用デバイスの特性に特に優れることとなるからである。
また、この範囲の粒径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒径の粒子が含まれていてもよい。
また、上記範囲内の粒径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒径の粒子を含有していてもよい。
【０２５１】
上記粒子の配合量は、その望ましい下限が１０重量％であり、より望ましい下限が２０重量％である。一方、上記粒子の望ましい上限は８０重量％であり、より望ましい上限は７０重量％である。粒子の配合量が１０重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が８０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。
【０２５２】
また、上記光導波路の形状は特に限定されないが、その形成が容易であることから、シート状が好ましい。
また、上記光導波路がコアとクラッドとから構成されているものである場合、上記粒子は、コアとクラッドとの両方に配合されていてもよいが、コアには粒子が配合されておらず、該コアの周囲を覆うクラッドにのみ粒子が配合されていることが望ましい。その理由は以下のとおりである。
即ち、光導波路に粒子を配合する場合、該粒子と光導波路の樹脂成分との密着性によっては、粒子と樹脂成分との界面に空気層が生じてしまうことがあり、この場合には、この空気層により光の屈折方向が変わり、光導波路の伝送損失が大きくなることがあるのに対し、クラッド部にのみ粒子が配合を配合した場合には、上述したような粒子を配合することにより、光導波路の伝送損失が大きくなるというような問題が発生することがないとともに、光導波路でクラックが発生しにくくなるからである。
【０２５３】
また、上記光導波路には、光路変換ミラーが形成されていることが望ましい。光路変換ミラーを形成することにより、光路を所望の角度に変更することが可能だからである。
上記光路変換ミラーの形成は、後述するように、光導波路の一端を切削することにより行うことができる。また、光導波路に光路変換ミラーを形成する代わりに、光導波路の端部の先に、光路変換部を有する部材を配置してもよい。
また、上記光路変換ミラーは、金属膜が蒸着されたミラーであってもよい。
【０２５４】
なお、基板や絶縁層、光信号通過領域等の光導波路以外の構成は、サイズを除き、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の構成と略同様である。
従って、第二の本発明のマザーボード用基板においては、上記光信号通過領域の壁面が、樹脂または金属により構成されていることが望ましく、また、上記光信号通過領域の壁面は、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍであることが望ましい。
また、上記マザーボード用基板においては、上記光導波路から出射した光が、上記マイクロレンズを介してコリメート光となることが望ましく、また、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることも望ましい。
また、上記マザーボード用基板において、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された上記光信号通過領域の端部に直接配設されていることが望ましく、また、上記マイクロレンズには、粒子が配合されていることが望ましい。
【０２５５】
以下、第二の本発明のマザーボード用基板の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
なお、図６、７のそれぞれは、第二の本発明のマザーボード用基板の一例を模式的に示す断面図である。
第二の本発明のマザーボード用基板の実施形態は、光信号通過領域の形態に併せて、大きく２つの形態に分けることができる。
即ち、光信号通過領域が一括貫通孔構造の場合（以下、第一の実施形態のマザーボード用基板ともいう）、個別貫通孔構造の場合、（以下、第二の実施形態のマザーボード用基板ともいう）の２つの形態に分けることができる。
【０２５６】
また、第一の実施形態のマザーボード用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路から構成され、かつ、上記マイクロレンズが複数のレンズを有するマイクロレンズアレイである実施形態を有するものが望ましい。
また、この場合、上記マルチチャンネル光学素子からの光信号または上記マルチチャンネル光学素子への光信号が伝送可能な一の光路は、複数の円柱の壁面の一部が繋がった形状を有していることが望ましく、上記複数の円柱のうち、少なくとも１個は、光信号を伝送しないダミー円柱であることがより望ましい。
【０２５７】
また、第二の実施形態のマザーボード用基板としては、上記光学素子がマルチチャンネル光学素子であり、上記光信号通過領域が複数の独立した光路から構成されている実施形態を有するものが望ましい。
【０２５８】
図６には、第一の実施形態のマザーボード用基板を示す。
図６に示すように、マザーボード用基板５２０は、基板５２１の両面に導体回路５２４と絶縁層５２２とが積層形成され、基板５２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層５２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール５２９およびバイアホール５２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層５３４が形成されている。
このマザーボード用基板５２０では、基板５２１、絶縁層５２２およびソルダーレジスト層５３４を貫通するように光信号通過領域５４２が設けられている。
【０２５９】
この光信号通過領域５４２には、基板５２１、絶縁層５２２およびソルダーレジスト層５３４を貫通する部分に樹脂組成物５４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層５３４を貫通する部分の径は、基板５２１および絶縁層５２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層５３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
なお、上記光信号通過領域の壁面には、金属層が形成されていてもよい。
【０２６０】
マザーボード用基板５２０の片面側（図中、下側）の最外層の絶縁層５２２上には、４つのコア５５１ａ〜５５１ｄとクラッド５５２とからなる光導波路５５０が形成されている。
また、コア５５１ａ〜５５１ｄのそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路と光信号通過領域５４２との間で光信号を伝送することができるように構成されている。ここで、光信号通過領域５４２は、４つのコアのいずれを介して伝送された光信号をも伝送することができる大きさで、基板５２１、絶縁層５２２およびソルダーレジスト層５３４を貫通するように一括形成されている。
なお、光信号通過領域５４２のソルダーレジスト層５３４を貫通する部分は、図６に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域５４２の基板５２１および絶縁層５２２を貫通する部分の周囲には金属層が形成されていてもよい。
また、マザーボード用基板５２０の光導波路が形成された側と反対側のソルダーレジスト層５３４には、半田バンプ５３７が形成されている。
【０２６１】
また、このような光信号通過領域５４２の光導波路５５０が形成された側と反対側の端部には、４つのレンズ５４６ａ〜５４６ｄが並列に配置されたマイクロレンズアレイ５４６が接着剤（図示せず）を介して配設されている。ここで、レンズ５４６ａ〜５４６ｄのそれぞれは、端部に光路変換ミラーが形成されたコア５５１ａ〜５５１ｄのそれぞれに対応する位置に配置されている。
従って、光導波路５５０を介して伝送されてきた光信号は、マイクロレンズアレイ５４６を構成する各レンズ５４６ａ〜５４６ｄを通過することとなり、このように、光信号通過領域５４２の一端にレンズ５４６ａ〜５４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
なお、マイクロレンズアレイ５４６に代えて、４つのマイクロレンズが所定の位置に個別に配設されていてもよい。
また、上記マイクロレンズが光信号通過領域の端部に直接配設されている場合、このマイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施された光信号通過領域の端部に配設されていることが望ましい。
【０２６２】
また、マザーボード用基板５２０では、ソルダーレジスト層５３４に金属めっき層を介して半田バンプ５３７が形成されているため、ＩＣチップ実装用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、外部基板との間で電気信号の伝送を行うことができる。
また、上記マザーボード用基板に外部基板を半田バンプを介して接続する場合には、該外部基板をセルフアライメント作用により所定の位置に配置することができる。
【０２６３】
このような複数のコアを有する光導波路が形成されたマザーボード用基板において、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、コア間のピッチに応じて適宜決定すればよい。
また、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、上述した第一の実施形態のＩＣチップ実装用基板が有する光信号通過領域の形状と同様の形状等が挙げられる。
【０２６４】
上記光信号通過領域の大きさは、縦、横のそれぞれが１００μｍ〜５ｍｍであることが望ましい。具体的には、上記光信号通過領域が円柱状である場合は、その底面の直径が上記範囲にあることが望ましく、上述した各種柱状である場合には、その底面の最も長い部分およびこれに直交する部分の長さが共に上記範囲にあることが望ましい。
上記断面の径が１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝送損失の向上はみられず、上記マザーボード用基板の小型化が難しくなる。
【０２６５】
また、上記マザーボード用基板において、光信号通過領域を形成する場合、この光信号通過領域は、光導波路（コア）から出射した光や、光導波路（コア）に入射する光が壁面で反射したり、隣接する光信号間で干渉が生じたりしないような大きさを有していることが望ましい。光信号通過領域の壁面での反射や、信号光間の干渉に起因する伝送損失が発生しないからである。
そこで、一括貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。
【０２６６】
ここでは、光導波路は、４チャンネルの光導波路で、各コアの断面サイズは、５０×５０μｍであり、コアの屈折率が１．５２で、クラッドの屈折率が１．５０であり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率１．５０であるマザーボード用基板の場合について検討した。
【０２６７】
その結果、上述した形態のマザーボード用基板では、例えば、マザーボード用基板の厚さが０．６ｍｍで、各コア間の距離が２５０μｍである場合には、２２５×９００μｍの四角形の両側に半径１１２．５μｍの半円が付いた形状より大きな断面形状の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができ、マザーボード用基板の厚さが１．２ｍｍで、各コア間の距離が５００μｍである場合には、４００×１６００μｍの四角形の両側に半径２００μｍの半円が付いた形状より大きな断面形状の一括貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面での反射や信号光間での干渉が生じることなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０２６８】
次に、第二の実施形態のマザーボード用基板について説明する。
図７には、第二の実施形態のマザーボード用基板を示す。
第二の実施形態のマザーボード用基板、即ち、個別貫通孔構造の光信号通過領域を有する実施形態のマザーボード用基板は、図６に示した実施形態のマザーボード用基板と比べて、光信号通過領域の形状が異なる以外は、その構成は同一である。従って、ここでは、光信号通過領域の形状についてのみ詳細に説明することとする。
【０２６９】
図７に示すように、マザーボード用基板６２０では、基板６２１、絶縁層６２２およびソルダーレジスト層６３４を貫通するように４つの独立した光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄが設けられている。
この光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄは、基板６２１、絶縁層６２２およびソルダーレジスト層６３４を貫通する部分に樹脂組成物６４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層６３４を貫通する部分の径は、基板６２１および絶縁層６２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層６３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
【０２７０】
マザーボード用基板６２０の片面側（図中、下側）の最外層の絶縁層６２２上には、４つのコア６５１ａ〜６５１ｄとクラッド６５２とからなる光導波路６５０が形成されている。
また、コア６５１ａ〜６５１ｄのそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路のコア６５１ａ〜６５１ｄと光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄとの間で光信号を伝送することができるように構成されている。ここで、光信号通過領域６４２は、４つのコアを介して伝送されてきた光信号のそれぞれを伝送することができるように、個別に独立して形成されている。
なお、光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄのソルダーレジスト層６３４を貫通する部分は、図７に示したように樹脂組成物が充填されていてもよいし、空隙により形成されていてもよい。また、光信号通過領域６４２の基板６２１および絶縁層６２２を貫通する部分の周囲には金属層６４５が形成されていてもよい。
【０２７１】
また、このような光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄの光導波路６５０が形成された側と反対側の端部には、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄが配設されている。
従って、光導波路６５０を介して伝送されてきた光信号や、光導波路６５０に向って伝送される光信号は、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄを通過することとなる。このように、光信号通過領域６４２の一端にマイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄを配設することにより、光信号の伝送損失を抑えることができる。
さらに、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄは、光信号通過領域６４２ａ〜６４２ｄの基板６２１、絶縁層６２２およびソルダーレジスト層６３４を貫通する部分に形成された樹脂組成物６４７上に直接配設されている。
なお、マイクロレンズ６４６ａ〜６４６ｄに代えて、４つのレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。
【０２７２】
また、マザーボード用基板６２０では、ソルダーレジスト層６３４に金属めっき層を介して半田バンプ６３７が形成されているため、ＩＣチップ実装用基板等の外部基板と半田バンプを介して接続することができ、外部基板との間で電気信号の伝送を行うことができる。
また、上記マザーボード用基板に外部基板を半田バンプを介して接続する場合には、該外部基板をセルフアライメント作用により所定の位置に配置することができる。
【０２７３】
このような複数のコアを有する光導波路が形成されたマザーボード用基板において、光信号通過領域の端部に配設するマイクロレンズの径は、コア間のピッチに応じて適宜決定すればよい。
また、上記個別貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、上述した第二の実施形態のＩＣチップ実装用基板が有する光信号通過領域の形状と同様の形状等が挙げられる。
【０２７４】
また、上記光信号通過領域の大きさは、その断面の径の下限は１００μｍであることが望ましく、その上限は５００μｍであることが望ましい。上記断面の径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号通過領域に未効果の樹脂組成物を充填することが困難となることがある。一方、上記径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、マザーボード用基板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
【０２７５】
また、上記マザーボード用基板において、光信号通過領域を形成する場合、この光信号通過領域は、光導波路（コア）から出射した光や、光導波路（コア）に入射する光が壁面で反射しないような大きさを有していることが望ましい。光信号通過領域の壁面での反射に起因する伝送損失が発生しないからである。
そこで、個別貫通孔構造の光信号通過領域の望ましい断面形状について検討した。
【０２７６】
ここでは、光導波路は、４チャンネルの光導波路で、各コアの断面サイズは、５０×５０μｍであり、コアの屈折率が１．５２で、クラッドの屈折率が１．５０であり、光信号通過領域内に充填される樹脂組成物の屈折率１．５０であるマザーボード用基板の場合について検討した。
【０２７７】
その結果、上述した形態のマザーボード用基板では、例えば、マザーボード用基板の厚さが０．３ｍｍで、各コア間の距離が２５０μｍである場合には、直径１９１μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができ、マザーボード用基板の厚さが０．８ｍｍで、各コア間の距離が５００μｍである場合には、直径３９１μｍ以上の個別貫通孔構造の光信号通過領域であれば、光信号通過領域の壁面で反射することなく光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０２７８】
次に、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法について説明する。
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、
（ａ）基板の両面に導体回路と絶縁層とを順次積層形成するとともに、
上記基板上および／または上記絶縁層上に光導波路を形成し、光配線板とする光配線板製造工程と、
（ｂ）上記光配線板に光信号通過領域を形成する光信号通過領域形成工程と、
（ｃ）上記光信号通過領域の少なくとも一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程と
を含むことを特徴とするマザーボード用基板の製造方法。
【０２７９】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法は、光信号通過領域および光導波路を形成する工程と、該光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する工程とを有しているため、第二の本発明のマザーボード用基板、即ち、光信号通過領域および／または光導波路を介して光信号の伝送を行うマザーボード用基板を好適に製造することができる。従って、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法を用いることにより、光信号の伝送性に優れたマザーボード用基板を製造することができる。
【０２８０】
以下、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法について、工程順に説明する。
なお、第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法において、上記光配線板製造工程と上記光信号通過領域形成工程とは、必ずしもこの順序で行う必要はなく、マザーボード用基板の設計に応じて、適宜組み合せて行えばよい。
【０２８１】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、まず、上記（ａ）の工程、即ち光配線板製造工程と、上記（ｂ）の工程、即ち光信号通過領域形成工程とを設計に応じて、並行して行う。
具体的には、例えば、下記（１）〜（８）の工程を行う。
【０２８２】
（１）まず、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の多層配線板製造工程における（１）〜（２）の工程と同様にして、基板の両面に導体回路を形成するともに、基板を挟んだ導体回路間を接続するスルーホールを形成する。また、この工程でも、導体回路の表面やスルーホールの壁面に、必要に応じて、粗化面を形成する。
【０２８３】
（２）次に、必要に応じて、導体回路を形成した基板上に絶縁層と導体回路とを積層形成する。
具体的には、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の多層配線板製造工程における（３）〜（８）の工程と同様の方法を用いて、絶縁層と導体回路とを積層形成すればよい。
この工程においても、ＩＣチップ実装用基板を製造する場合と同様、基板と絶縁層とを貫通するスルーホールを形成したり、蓋めっき層を形成したりしてもよい。
なお、この絶縁層と導体回路とを積層する工程は、１回のみ行ってもよいし、複数回行ってもよい。
また、この工程で絶縁層上に導体回路を形成する方法としては、上記ＩＣチップ実装用基板を製造する場合と同様、サブトラクティブ法を用いてもよい。
【０２８４】
また、後述するように光導波路を形成する際に、該光導波路をＩＣチップ実装用基板等に対向する側と基板を挟んで反対側の絶縁層上等に形成する場合には、この工程において、必要に応じてその内部に光路用樹脂層が形成されたり、その壁面に金属層や樹脂層が形成された光路用貫通孔を形成する。なお、この光路用貫通孔が光信号通過領域として機能することとなる。
なお、光路用貫通孔（光信号通過領域）の形成の具体的な方法としては、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の（ｂ）の工程（光信号通過領域形成工程）と同様の方法を用いることができる。
また、この基板等を貫通する光信号通過領域の形成は、下記（３）の工程で光導波路を形成した後に行ってもよい。
【０２８５】
また、光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やレーザ処理等により行うことができる。
また、上記レーザ処理で使用するレーザとしては、例えば、バイアホール用開口を形成す際に用いるレーザと同様のもの等が挙げられる。
また、光路用貫通孔は、一括貫通孔、個別貫通孔のそれぞれを設計に応じて形成すればよい。
【０２８６】
（３）次に、基板上および／または絶縁層上の設計に応じた所定の位置に光導波路を形成する。
上記光導波路の形成は、その材料に石英ガラス等の無機材料を用いて行う場合、予め、所定の形状に成形しておいた光導波路を接着剤を介して取り付けることにより行うことができる。
また、上記無機材料からなる光導波路は、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の無機材料を液相エピタキシヤル法、化学堆積法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシヤル法等により成膜させることにより形成することができる。
【０２８７】
また、ポリマー材料からなる光導波路を形成する方法としては、（１）予め離型フィルム上等にフィルム状に成形しておいた光導波路形成用フィルムを絶縁層上に張り付ける方法や、（２）絶縁層上に下部クラッド、コア、上部クラッドを順次積層形成していくことにより、上記絶縁層等上に直接光導波路を形成する方法等が挙げられる。
なお、光導波路の形成方法としては、離型フィルム上に光導波路を形成する場合も、絶縁層等上に光導波路を形成する場合も同様の方法を用いて行うことができる。
【０２８８】
具体的には、反応性イオンエッチングを用いた方法、露光現像法、金型形成法、レジスト形成法、これらを組み合せた方法等を用いることができる。
上記反応性イオンエッチングを用いた方法では、（ｉ）まず、離型フィルムや絶縁層等（以下、単に離型フィルム等という）の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂層とする。（iii）次に、上記コア形成用樹脂層上に、マスク形成用の樹脂層を形成し、次いで、このマスク形成用の樹脂層に露光現像処理を施すことにより、コア形成用樹脂層上にマスク（エッチングレジスト）を形成する。
（iv）次に、コア形成用樹脂層に反応性イオンエッチングを施すことにより、マスク非形成部分のコア形成用樹脂層を除去し、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この反応性イオンエッチングを用いた方法は、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
【０２８９】
また、露光現像法では、（ｉ）まず、離型フィルム等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、半硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂組成物の層を形成する。
（iii）次に、上記コア形成用樹脂組成物の層上に、コア形成部分に対応したパターンが描画されたマスクを載置し、その後、露光現像処理を施すことにより、下部クラッド上にコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この露光現像法は、工程数が少ないため、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、また、加熱工程が少ないため、光導波路に応力が発生しにくい。
また、アライメントマークを基準に、基板上に、光導波路を形成することができるため、光学素子と光導波路のコアとをパッシブアライメントにより精度よく位置合わせすることができる。
【０２９０】
また、上記金型形成法では、（ｉ）まず、離型フィルム等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成する。（iii）さらに、上記溝内にコア用樹脂組成物を印刷により充填し、その後、硬化処理を施すことによりコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この金型形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
【０２９１】
また、上記レジスト形成法では、（ｉ）まず、離型フィルム等の上に下部クラッドを形成し、（ii）さらに、この下部クラッド上にレジスト用樹脂組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより、上記下部クラッド上のコア非形成部分に、コア形成用レジスト形成する。
（iii）次に、下部クラッド上のレジスト非形成部分にコア用樹脂組成物の塗布し、（iv）さらに、コア用樹脂組成物を硬化した後、上記コア形成用レジストを剥離することにより、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
このレジスト形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
【０２９２】
これらの方法を用いてポリマー材料からなる光導波路を形成する場合において、コアに粒子が配合された光導波路を形成する場合には、露光現像法に比べて、金型形成法が望ましい。その理由は以下のとおりである。
即ち、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成し、その後、この溝内にコアを形成する金型形成法でコアを形成した場合には、コアに配合される粒子は全部、コア中に入ってしまうこととなるため、コアの表面は平坦で光信号の伝送性に優れるのに対し、露光現像法でコアを形成した場合には、現像後のコアにおいて、コア表面から粒子の一部が突出していたり、コア表面に粒子がとれた窪みが形成されていたりして、コアの表面に凹凸が形成されることがあり、この凹凸によって光が所望の方向に反射しなくなり、その結果、光信号の伝送性が低下することがあるからである。
【０２９３】
また、上記光導波路には、光路変換ミラーを形成する。
上記光路変換ミラーは、光導波路を絶縁層上に取り付ける前に形成しておいてもよいし、絶縁層上に取り付けた後に形成してもよいが、該光導波路を絶縁層上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラーを形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うことができ、また、作業時にマザーボード用基板を構成する他の部材、基板や導体回路、絶縁層等に傷を付けたり、これらを破損させたりするおそれがないからである。
上記光路変換ミラーを形成する方法としては特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることができる。具体的には、先端がＶ形９０度のダイヤモンドソーや刃物による機械加工、反応性イオンエッチングによる加工、レーザアブレーション等を用いることができる。また、光路変換ミラーを形成する代わりに光路変換部材を埋め込んでもよい。
また、光導波路に９０度光路変換ミラーを形成する場合には、下部クラッドの基板または絶縁層と接する面と、光路変換面とのなす角は、４５度であってもよいし、１３５度であってもよい。
また、上記光導波路や上記光路変換ミラーの形成は、例えば、マザーボード用基板上、光信号通過領域内等に予め形成しておいたアライメントマークを基準に行えばよい。
【０２９４】
なお、ここでは、基板上または最外層の絶縁層上に光導波路を形成する方法について説明したが、上記光配線板を製造する場合には、上記光導波路は、基板と絶縁層との間や、絶縁層同士の間に形成する場合もある。
基板と絶縁層との間に光導波路を形成する場合には、上記（１）の工程で、その両面に導体回路が形成された基板を作製した後、上記（３）の工程と同様の方法で基板上の導体回路非形成部分に光導波路を形成し、その後、上記（２）の工程と同様の方法で絶縁層を形成することにより、上記した位置に光導波路を形成することができる。
また、絶縁層同士の間に光導波路を形成する場合には、上記（１）および（２）の工程と同様にして導体回路が形成された基板上に少なくとも１層の絶縁層を積層形成した後、上記（３）の工程と同様にして絶縁層上に光導波路を形成し、その後、さらに、上記（２）の工程と同様の工程を繰り返すことにより、絶縁層同士の間に光導波路を形成することができる。
【０２９５】
（４）次に、必要に応じて、光導波路を形成した基板の最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成する。
上記ソルダーレジスト組成物の層は、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板製造方法においてソルダーレジスト層を形成する際に用いる樹脂組成物と同様の樹脂組成物を用いて形成することができる。
なお、場合によっては、上記（３）の工程で基板の最外層全体に光導波路を形成し、光導波路がソルダーレジスト層としての役割を果たすようにしてもよい。
【０２９６】
（５）次に、ＩＣチップ実装用基板等と対向する側のソルダーレジスト層に半田バンプ形成用開口（ＩＣチップ実装用基板や各種表面実装型電子部品を実装するための開口）と光路用開口とを形成する。
上記半田バンプ形成用開口と光路用開口との形成は、第六の本発明におけるＩＣチップ実装用基板の製造方法で半田バンプ形成用開口を形成する方法と同様の方法、即ち、露光現像処理やレーザ処理等を用いて行うことができる。
なお、上記半田バンプ形成用開口の形成と、光路用開口の形成とは同時に行ってもよいし、別々に行ってもよい。
【０２９７】
これらのなかでは、ソルダーレジスト層を形成する際に、その材料として感光性樹脂を含む樹脂組成物を塗布し、露光現像処理を施すことにより半田バンプ形成用開口と光路用開口とを形成する方法を選択することが望ましい。
露光現像処理により光路用開口を形成する場合には、開口形成時に、該光路用開口の下に存在する光導波路に傷を付けるおそれがないからである。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、半田バンプ形成用開口と光路用開口とを有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
【０２９８】
なお、光路用貫通孔を形成し、ＩＣチップ実装用基板に対向する側と基板を挟んだ反対側に光導波路を形成した場合には、この工程で光路用開口を形成する際に、該光路用開口を上記光路用貫通孔と連通するように形成する。
また、必要に応じて、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも半田バンプ形成用開口を形成してもよい。
後工程を経ることにより、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層にも外部接続端子を形成することができるからである。
【０２９９】
（６）次に、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。具体的には、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法で用いた方法と同様の方法を用いて行えばよい。
【０３００】
（７）次に、必要に応じて、上記（５）の工程で形成した光路用開口内に、未硬化の樹脂組成物を充填し、その後、硬化処理を施すことにより光路用樹脂層を形成する。
なお、この工程で充填する未硬化の樹脂組成物は、上記光路用貫通孔内に充填する樹脂組成物と同一のものであることが望ましい。
また、上述したように、ＩＣチップ実装用基板に対向する側と基板を挟んだ反対側に光導波路を形成するために、光路用貫通孔と光路用開口とを形成した場合には、該光路用貫通孔と該光路用開口とに未硬化の樹脂組成物を充填してもよく、ここで、上記未硬化の樹脂組成物を充填する場合には、上記光路用貫通孔と上記光路用開口とに同時に充填し、その後硬化処理を施してもよいし、光配線板に光路用貫通孔を形成した後、未硬化の樹脂組成物の充填と硬化処理とを行い、その後、光路用開口を有するソルダーレジスト層を形成し、さらに、未硬化の樹脂組成物の充填と硬化処理とを行ってもよい。
【０３０１】
（８）次に、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。
このような半田バンプを形成することにより、該半田バンプを介してＩＣチップ実装用基板や各種表面実装型電子部品を実装することが可能となる。なお、この半田バンプは、必要に応じて形成すればよく、半田バンプを形成しない場合であっても、実装するＩＣチップ実装用基板や各種表面実装型電子部品のバンプを介してこれらを実装することができる。
また、ＩＣチップ実装用基板と対向する面と反対側のソルダーレジスト層では、特に、外部接続端子を形成しなくてもよいし、必要に応じて、ピンを配設したり、半田ボールを形成したりすることにより、ＰＧＡやＢＧＡとしてもよい。
【０３０２】
次に、上記（ｃ）の工程、即ち、上述した工程を経て形成した光信号通過領域の一端にマイクロレンズを配設するマイクロレンズ配設工程を行う。
上記マイクロレンズの配設において、上記光信号通過領域に樹脂組成物が充填されている場合には、該樹脂組成物上に直接配設してもよく、また、接着層を介して上記光信号通過領域に配設してもよい。また、マイクロレンズアレイを接着層を介して配設してもよい。
具体的な方法としては、上述した第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の（ｃ）の工程（マイクロレンズ配設工程）で用いた方法と同様の方法を用いることができる。
なお、この（ｃ）の工程（マイクロレンズ配設工程）は、場合によっては、上記半田パッドや上記半田バンプを形成する前に行ってもよい。
【０３０３】
第七の本発明のマザーボード用基板の製造方法では、このような（ａ）〜（ｃ）の工程を行った後、半田パッドや半田バンプの形成を行うことによりマザーボード用基板の製造を完了する。
なお、半田パッドや半田バンプの形成方法としては、第六の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法で用いた方法と同様の方法により行うことができる。
【０３０４】
次に、第三の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第三の本発明の光通信用デバイスは、ＩＣチップが実装された第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が、第二の本発明のマザーボード用基板に実装されてなることを特徴とする。
【０３０５】
第三の本発明の光通信用デバイスでは、ＩＣチップ実装用基板に実装された発光素子からの出力信号や、受光素子への入力信号をマザーボード用基板を介して伝送することができる。
また、第二の本発明のマザーボード用基板に第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が実装されているため、光信号の伝送性に優れることとなる。
【０３０６】
第三の本発明の光通信用デバイスにおいては、ＩＣチップ実装用基板に形成された光信号通過領域のマザーボード用基板に対向する側の端部、および、マザーボード用基板に形成された光信号通過領域のＩＣチップ実装用基板に対向する側の端部にマイクロレンズが配設されていることが望ましい。
この部分にマイクロレンズが配設されている場合には、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板からの光信号を、マザーボード用基板に形成された光導波路を介して、別のＩＣチップ実装用基板に実装された受光素子に確実に伝送することができるからである。
【０３０７】
第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図８は、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
図８には、マザーボード用基板７２０に、受光素子２７３９が実装されたＩＣチップ実装用基板２７２０と発光素子１７３８が実装されたＩＣチップ実装用基板１７２０とが実装された光通信用デバイス７６０が示されている。
【０３０８】
ＩＣチップ実装用基板１７２０は、基板１７２１の両面に導体回路１７２４と絶縁層１７２２とが積層形成され、基板１７２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１７２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホールおよびバイアホール１７２７により電気的に接続されている（図示せず）。また、最外層にはソルダーレジスト層１７３４が形成されている。
【０３０９】
このＩＣチップ実装用基板１７２０では、基板１７２１、絶縁層１７２２およびソルダーレジスト層１７３４を貫通するように光信号通過領域１７４２が設けられている。
この光信号通過領域１７４２には、基板１７２１、絶縁層１７２２およびソルダーレジスト層１７３４を貫通する部分に樹脂組成物１７４７が充填されている。
【０３１０】
ＩＣチップ実装用基板１７２０の一の面には、発光部１７３８ａが光信号通過領域１７４２に対向するように、発光素子１７３８が半田接続部１７４４を介して表面実装されている。また、図示していないが、ＩＣチップ実装用基板１７２０の発光素子１７３８が実装された側と同じ側の面には、ＩＣチップが半田接続部を介して表面実装されている。
【０３１１】
また、ＩＣチップ実装用基板２７２０は、基板２７２１の両面に導体回路２７２４と絶縁層２７２２とが積層形成され、基板２７２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層２７２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホールおよびバイアホール２７２７により電気的に接続されている（図示せず）。また、最外層にはソルダーレジスト層２７３４が形成されている。
【０３１２】
このＩＣチップ実装用基板２７２０では、基板２７２１、絶縁層２７２２およびソルダーレジスト層２７３４を貫通するように光信号通過領域２７４２が設けられている。
この光信号通過領域２７４２には、基板２７２１、絶縁層２７２２およびソルダーレジスト層２７３４を貫通する部分に樹脂組成物２７４７が充填されている。
【０３１３】
ＩＣチップ実装用基板２７２０の一の面には、受光部２７３９ａが光信号通過領域２７４２に対向するように、受光素子２７３９が半田接続部２７４４を介して表面実装されている。また、図示していないが、ＩＣチップ実装用基板２７２０の受光素子２７３９が実装された側と同じ側の面には、ＩＣチップが半田接続部を介して表面実装されている。
【０３１４】
また、マザーボード用基板７２０は、基板７２１の両面に導体回路７４４と絶縁層７２２とが積層形成され、基板７２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層７２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール７２９およびバイアホール（図示せず）により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層７３４が形成されている。
このマザーボード用基板７２０では、基板７２１、絶縁層７２２およびソルダーレジスト層７３４を貫通するように光信号通過領域７４２が設けられている。
【０３１５】
この光信号通過領域７４２には、基板７２１、絶縁層７２２およびソルダーレジスト層７３４を貫通する部分に樹脂組成物７４７が充填されている。
そして、ソルダーレジスト層７３４を貫通する部分の径は、基板７２１および絶縁層７２２を貫通する部分の径と同じとなっており、ソルダーレジスト層７３４を貫通する部分の縦断面の形状は矩形状である。
【０３１６】
マザーボード用基板７２０のＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０が実装された側と反対側の最外層の絶縁層７２２上には、コア７５１とクラッド７５２とからなる光導波路７５０が形成されている。
また、光導波路７５０のそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路７５０と光信号通過領域７４２との間で光信号を伝送することができるように構成されている。
【０３１７】
また、このような光信号通過領域７４２の光導波路７５０が形成された側と反対側の端部には、マイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂが配設されている。ここで、マイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂのそれぞれは、端部に光路変換ミラーが形成されたコア７５１のそれぞれの端部に対応する位置に配設されている。
【０３１８】
そして、光通信用デバイス７６０では、マザーボード用基板７２０の光導波路７５０が形成された側と反対側の面に、ＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０が半田接続部１７４３、２７４３を介して実装されている。
ここで、ＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０のそれぞれは、セルフアライメント作用により所定の位置に実装されている。
【０３１９】
このような構成からなる光通信用デバイス７６０では、ＩＣチップ実装用基板１７２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）からの電気信号が、発光素子１７３８で光信号に変換され、発光素子１７３８（発光部１７３８ａ）から出射した光信号は、光信号通過領域１７４２、マイクロレンズ１７４６、マイクロレンズ７４６ａ、光信号通過領域７４２、光導波路７５０、光信号通過領域７４２、マイクロレンズ７４６ｂ、マイクロレンズ２７４６および光信号通過領域２７４２を介して受光素子２７３９（受光部２７３９ａ）に伝送され、さらに受光素子２７３９で電気信号に変換された後、ＩＣチップ実装用基板２７２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）に伝送され、処理され、配設されたマイクロレンズを介して、光信号が伝送されることとなるため、確実に光信号を伝送することができる。
【０３２０】
また、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態は、図８に示したよう実施形態に限定されるわけではなく、例えば、図９に示すような実施形態であってもよい。
図９は、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の別の一例を模式的に示す断面図である。
図９には、マザーボード用基板８２０に、発光素子１８３８が実装されたＩＣチップ実装用基板１８２０と受光素子２８３９が実装されたＩＣチップ実装用基板２８２０とが実装された光通信用デバイス８６０が示されている。
【０３２１】
光通信用デバイス８６０は、図８に示した光通信用デバイス７６０と比べて、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０の構造が異なるものの、マザーボード用基板８２０の構造は、マザーボード用基板７２０の構造と同一である。
従って、ここでは、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０の構造を中心に光通信用デバイス８６０の実施形態について説明することとする。
【０３２２】
ＩＣチップ実装用基板１８２０は、基板１８２１の両面に導体回路１８４４と絶縁層１８２２とが積層形成され、基板１８２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層１８２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール１８２９およびバイアホール１８２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層１８３４が形成されている。
【０３２３】
このＩＣチップ実装用基板１８２０では、凹部形状の光信号通過領域１８４２が設けられている。
この光信号通過領域１８４２内には、発光素子１８３８とＩＣチップ（図示せず）とがワイヤボンディング１８４９により実装されており、さらに、光信号通過領域内には、樹脂組成物１８４７が充填されている。
また、このような光信号通過領域１８４２の発光素子１８３８が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ１８４６が配設されている。
【０３２４】
また、ＩＣチップ実装用基板２８２０は、基板２８２１の両面に導体回路２８４４と絶縁層２８２２とが積層形成され、基板２８２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層２８２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール２８２９およびバイアホール２８２７により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層２８３４が形成されている。
【０３２５】
このＩＣチップ実装用基板２８２０では、凹部形状の光信号通過領域２８４２が設けられている。
この光信号通過領域２８４２内には、受光素子２８３９とＩＣチップ（図示せず）とがワイヤボンディング２８４８により実装されており、さらに、光信号通過領域内には、樹脂組成物２８４７が充填されている。
また、このような光信号通過領域２８４２の受光素子２８３９が実装された側と反対側の端部には、マイクロレンズ２８４６が配設されている。
【０３２６】
また、マザーボード用基板８２０は、上述したように、図８に示したマザーボード用基板と同様の構成を有している。
そして、光通信用デバイス８６０では、マザーボード用基板８２０の光導波路８５０が形成された側と反対側の面に、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０が半田接続部１８４３、２８４３を介して実装されている。
ここで、ＩＣチップ実装用基板１８２０、２８２０のそれぞれは、セルフアライメント作用により所定の位置に実装されている。
【０３２７】
このような構成からなる光通信用デバイス８６０では、ＩＣチップ実装用基板１８２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）からの電気信号が、発光素子１８３８で光信号に変換され、発光素子１８３８（発光部１８３８ａ）から出射した光信号は、光信号通過領域１８４２、マイクロレンズ１８４６、マイクロレンズ８４６ａ、光信号通過領域８４２、光導波路８５０、光信号通過領域８４２、マイクロレンズ８４６ｂ、マイクロレンズ２８４６および光信号通過領域２８４２を介して受光素子２８３９（受光部２８３９ａ）に伝送され、さらに受光素子２８３９で電気信号に変換された後、ＩＣチップ実装用基板２８２０に実装されたＩＣチップ（図示せず）に伝送され、処理されることとなる。
このような光通信用デバイスでは、光信号通過領域の端部に配設されたマイクロレンズを介して、光信号が伝送されることとなるため、確実に光信号を伝送することができる。
【０３２８】
また、図８、９に示した光通信用デバイスにおいては、ＩＣチップ実装用基板には、１チャンネル光学素子（発光素子、受光素子）が実装されており、これに対応して、１チャンネルを光信号を伝送するための光信号通過領域が、ＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とのそれぞれに形成されている。
しかしながら、第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態は、図８、９に示したような実施形態に限定されるわけではなく、第二の本発明のマザーボード用基板に第一の本発明のＩＣチップ実装用基板が実装された形態であればよい。
【０３２９】
従って、ＩＣチップ実装用基板には、マルチチャンネルの光学素子が実装されていてもよく、また、ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板のそれぞれには、マルチチャンネルの光学素子の光信号を伝送すべく、一括貫通孔構造の光信号通過領域や、個別貫通孔構造の光信号通過領域等が形成されていてもよい。
また、マザーボード用基板に複数のＩＣチップ実装用基板が実装されている場合、一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板および凹部形状の光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板等、光信号通過領域の構造が異なるＩＣチップ実装用基板が、一のマザーボード用基板に実装されていてもよい。
さらに、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板においても、マイクロレンズアレイが接着剤を介して配設されていてもよい。
【０３３０】
次に、図８に示した実施形態の光通信用デバイスを例に、ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板の望ましい厚さについて説明する。
具体的には、例えば、受光素子としてＰＤ（受光径φ６０〜８０μｍ）、マイクロレンズとして、ピッチ２５０μｍのマイクロレンズアレイ（直径１００〜２４０μｍ、サグ高さ３〜１２０μｍ）、光導波路としてコアサイズ５０×５０μｍの光導波路を用いる場合において、発光素子としてインプラ型のＶＣＳＥＬ（広がり角度８度、発光エリア径φ１５μｍ）を用いる場合には、ＩＣチップ実装用基板の厚さは、０．５〜１．６ｍｍが望ましい。また、発光素子として酸化狭窄型（広がり角度１５度、発光エリア径φ１８μｍ）を用いる場合には、ＩＣチップ実装用基板の厚さは、０．５〜０．９ｍｍが望ましい。さらに、発光素子として酸化狭窄型（広がり角度２５度、発光エリア径φ１８μｍ）を用いる場合には、ＩＣチップ実装用基板の厚さは、０．５ｍｍ程度が望ましい。０．５ｍｍ未満では、基板に反りが発生しやすくなるからである。
マザーボード用基板の厚さは、０．５〜０．７５ｍｍが望ましい。
また、上記マイクロレンズは、上述した範囲のなかでも、その直径が２００〜２４０μｍ、サグ高さ５〜５０μｍであることが望ましい。
なお、上記ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板の望ましい厚さ、ならびに、マイクロレンズの望ましい形状は、光学設計ソフトＺＥＭＡＸ（ｆｏｃｕｓ  Ｓｏｆｔｗａｒｅ，ＩＮＣ．製）によるシミュレーションにより明らかにした。
【０３３１】
さらに、第三の本発明の光通信用デバイスにおいて、配設されるマイクロレンズの望ましい形状について、詳細に説明する。
ここでは、図８に示した実施形態と略同様の実施形態の光通信用デバイスを例にして説明する。
具体的には、ＩＣチップ実装用基板２７２０として、受光径φ７０μｍ、４チャンネルの受光素子２７３９が実装され、その平面視形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、ＩＣチップ実装用基板１７２０として、広がり角度８度、４チャンネルの発光素子１７３８が実装され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、マザーボード用基板７２０として、幅×厚さ５０×５０μｍコアが、厚さ５０μｍのクラッドに挟まれた光導波路が形成され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成された厚さ０．７ｍｍのマザーボード用基板を用いた光通信用デバイスについて、ＩＣチップ実装用基板１７２０に形成したマイクロレンズ１７４６、ＩＣチップ実装用基板２７２０に形成したマイクロレンズ２７４６、マザーボード用基板７２０に形成したマイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂの望ましい形状、特に、それぞれマイクロレンズの直径を２２０μｍとした場合の望ましいマイクロレンズのサグ高さをシミュレーションにより明らかにした。
【０３３２】
なお、ＩＣチップ実装用基板２７２０に配設したマイクロレンズ２７４６は、受光素子２７３９の受光部１７３９ａに光信号を集光させることを目的とするものであり、ＩＣチップ実装用基板１７２０に配設したマイクロレンズ１７４６は、光信号をコリメート光とすることを目的とするものであり、マザーボード用基板７２０に配設したマイクロレンズ７４６ａ、７４６ｂのそれぞれは、マイクロレンズ７４６ａが光信号を光導波路７５０のコア７５１に向かって集光させることを目的とするものであり、マイクロレンズ７４６ｂが光信号をコリメート光とすることを目的とするものである。
【０３３３】
また、各マイクロレンズの評価について、ＩＣチップ実装用基板１７２０に配設したマイクロレンズ１７４６は、ＩＣチップ実装用基板１７２０を作製した後、マザーボード用基板に実装する前に、パワーメータのＮＦＰ（ニアフィールドパターン）から集光距離を求めることにより評価した。また、マザーボード用基板７２０に配設したマイクロレンズ７４６ａは、ＩＣチップ実装用基板１７２０をマザーボード用基板７２０に実装し、光導波路７５０の発光素子と対向する側の端部のＮＦＰより評価した。また、マザーボード用基板に配設したマイクロレンズ７４６ｂは、ＩＣチップ実装用基板２７２０の実装領域におけるＮＦＰより評価した。また、ＩＣチップ実装用基板２７２０に配設したマイクロレンズ２７４６は、受光素子２７３９が未実装のＩＣチップ実装用基板２７２０を実装し、受光素子２７３９の実装領域におけるＮＦＰより評価した。
【０３３４】
その結果、マザーボード用基板７２０に配設されたマイクロレンズ７４６ａは、そのサグ高さの上限が１２μｍで、下限が１０μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。
さらに、マイクロレンズ７４６ａでは、その焦点距離が０．７５±０．０５ｍｍであることが望ましいことも明らかとなった。
また、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板１７２０に配設されたマイクロレンズ１７４６は、そのサグ高さの上限が１０μｍで、下限が８μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。
【０３３５】
また、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板２７２０に配設されたマイクロレンズ２７４６は、そのサグ高さの上限が１２μｍで、下限が１０μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。さらに、マイクロレンズ２７４６では、その焦点距離が０．７５±０．０５ｍｍであることが望ましいことも明らかとなった。
また、マザーボード用基板７２０に配設されたマイクロレンズ７４６ｂは、そのサグ高さの上限が１０μｍで、下限が８μｍであることが望ましく、この範囲であれば、伝送光を確実にコリメート光とすることができることが明らかとなった。
なお、図９に示した実施形態の光通信用デバイスにおいても同様のことが明らかとなった。
また、ここでは、ＩＣチップ実装用基板やマザーボード用基板の厚さを一定にしてマイクロレンズの望ましいサグ高さを説明したが、勿論、望ましいサグ高さは、ＩＣチップ実装用基板やマザーボード用基板の厚さに応じて変動することとなる
【０３３６】
また、上述したマイクロレンズの望ましいサグ高さをシミュレーションした系と同様の系を用いて、マイクロレンズの直径を２２０μｍに固定した場合において、マイクロレンズのサグ高さを変化させた場合の、マザーボード用基板の望ましい厚さについて、さらに検討した。
その結果、マザーボード用基板の発光素子に対向する部分に形成したマイクロレンズのサグ高さを７〜１９μｍの範囲で変更して検討したところ、マザーボード用基板の厚さは、１．５２５〜０．３２５μｍが望ましいことが明かとなった。
また、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板に形成したマイクロレンズのサグ高さを７〜１９μｍの範囲で変更して検討したところ、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板の厚さは、１．５２５〜０．３２５μｍが望ましいことが明らかとなった。
【０３３７】
第三の本発明の光通信用デバイスは、上述したように、第二の本発明のマザーボード用基板に、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板を実装したものである。
従って、上記マザーボード用基板では、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることが望ましく、上記ＩＣチップ実装用基板では、上記光学素子が受光素子であり、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることが望ましい。
【０３３８】
本発明の光通信用デバイス（例えば、図８に示した実施形態）では、発光素子と受光素子との間での光導波路を介した光信号伝送時の伝送損失に対して、発光素子から出射された光をどれだけ光導波路のコアに集光して入射することができるか、および、コアから出射した光をどれだけ受光素子の受光部に集光して入射することができるかが、影響を及ぼす要因となる。
そこで、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合い、および、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いが、光信号の伝送性を評価すべく下記の試験を行った。
ここでは、マザーボード用基板に形成する光導波路の長さを５、５０、１００ｃｍと変化させ、伝送速度２．５Ｇｂｐｓおよび１０Ｇｂｐｓの光信号を伝送する際に、必要とされる光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合い、および、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いを評価した。また、上記した評価は、図８に示した形態の光通信用デバイスを用いて行った。
【０３３９】
具体的には、ＩＣチップ実装用基板２７２０として、受光径φ８０μｍ、４チャンネルの受光素子２７３９が実装され、その平面視形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されるとともに、マイクロレンズが配設された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、ＩＣチップ実装用基板１７２０として、広がり角度２４度、４チャンネルの発光素子１７３８が実装され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されるとともに、マイクロレンズ配設された厚さ０．７ｍｍのＩＣチップ実装用基板を用い、マザーボード用基板７２０として、幅×厚さ５０×５０μｍコアが、厚さ５０μｍのクラッドに挟まれた光導波路（伝送損失：０．０８ｄＢ／ｃｍ）が形成され、その平面形状が角部円弧の長方形である一括貫通孔構造の光信号通過領域が形成されるとともに、マイクロレンズが配設された厚さ０．７ｍｍのマザーボード用基板を用いた光通信用デバイスを用いて評価した。
なお、全ての光信号通過領域内には、樹脂組成物が充填されおり、その透過率は、９０％／ｍｍである。また、光導波路の両端には、金属ミラーが形成されており、このミラーでの反射に起因する伝送損失は、０．５ｄＢである。
【０３４０】
また、この光通信用デバイスにおける各構成部材に起因する伝送損失は、発光素子と光導波路との間、および、光導波路と受光素子との間がそれぞれ１ｄＢずつであり、５ｃｍ、５０ｃｍ、１００ｃｍの光導波路が、それぞれ０．４ｄＢ、４ｄＢ、８ｄＢであり、光路変換ミラーは、上記したとおりである。
【０３４１】
そして、伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、１０Ｇｂｐｓの場合において、光通信用デバイス全体の許容伝送損失が、それぞれ、１８ｄＢ、１４ｄＢであることから、光導波路および受光部における許容損失と、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合い、および、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いを算出すると以下の結果が得られた。
【０３４２】
受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部との重なり度合いについては、（１）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、受光素子の受光部に入射する光のスポット領域と受光部とが２２％以上重なると、受光部での伝送損失が７．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（２）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが３２％以上重なると、受光部での伝送損失が５．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（３）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが３０％以上重なると、受光部での伝送損失が５．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（４）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍ、および、伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが４３％以上重なると、受光部での伝送損失が３．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（５）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍの場合は、スポット領域と受光部とが６６％以上重なると、受光部での伝送損失が１．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となることが明らかとなった。
【０３４３】
また、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとの重なり度合いについては、（１）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、光導波路のコアに入射する光のスポット領域とコアとが３５％以上重なると、コアでの伝送損失が７．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（２）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが４３．５％以上重なると、コアでの伝送損失が５．３ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（３）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが４２％以上重なると、コアでの伝送損失が５．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（４）伝送速度２．５Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍ、および、伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路５０ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが４９％以上重なると、コアでの伝送損失が３．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となり、（５）伝送速度１０Ｇｂｐｓ、光導波路１００ｃｍの場合は、スポット領域とコアとが６６％以上重なると、コアでの伝送損失が１．５ｄＢ以下となるため、光信号伝送が可能となることが明らかとなった。
【０３４４】
これらの結果から、上記マザーボード用基板では、上記マイクロレンズを介して上記光導波路へ入射する光について、上記光導波路のコアにおけるスポット領域が、上記コアと３５％以上重なっていることが望ましく、上記ＩＣチップ実装用基板では、上記光学素子が受光素子であり、上記マイクロレンズを介して上記受光素子へ入射する光について、上記受光素子の受光部におけるスポット領域が、上記受光部と２２％以上重なっていることが望ましいことが明らかとなった。
【０３４５】
次に、第三の本発明の光通信用デバイスの製造方法について説明する。
第三の本発明の光通信用デバイスは、上述した製造方法により、第一の本発明のＩＣチップ実装用基板と第二の本発明のマザーボード用基板とを別々に製造した後、その後、両者を半田等を介して接続することにより製造することができる。
具体的には、半田バンプが形成されたＩＣチップ実装用基板と、半田バンプが形成されたマザーボード用基板とをそれぞれ所定の位置に、所定の向きで対向配置し、その後、リフローすることにより両者を接続し、光通信用デバイスとすることができる。
なお、上記ＩＣチップ実装用基板およびマザーボード用基板のそれぞれの対向する面のうち、どちらか一方の面にのみ半田バンプが形成されていてもよい。
この場合も両者を電気的に接続することができるからである。
【０３４６】
また、上記光通信用デバイスを製造する際には、必ずしもＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを完成させた後、その後、両者を接続する方法をとる必要はなく、下記のような方法を用いることもできる。
即ち、マザーボード用基板の製造工程において、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とを積層形成した後、光導波路を形成する前に、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装し、その後、光導波路を張り付ける工程を経て、光通信用デバイスを製造することもできる。
この場合、アライメントマークを用いたパッシブアライメントによる光導波路の位置合わせもできるが、アクティブアライメントにより光導波路の位置合わせを行うことができるため、光導波路の位置ずれ（設計から誤差）をより小さくすることができる。
また、上記ＩＣチップ実装用基板の実装は、例えば、マザーボード用基板上や光信号通過領域内に予め形成しておいたアライメントマークを基準に行えばよい。
【０３４７】
次に、第四の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第四の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、光学素子、または、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装された光通信用デバイスであって、
上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、
上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることを特徴とする。
【０３４８】
第四の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光学素子とを結ぶ光路上にマイクロレンズが配設されており、上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されることとなるため、光導波路や光学素子に確実に光信号伝送することができ、光信号の伝送能に優れることとなる。
【０３４９】
第四の本発明の光通信用デバイスは、マザーボード用基板と光学素子または光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板とから構成されている。
ここで、上記マザーボード用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するマザーボード用基板と同様のもの等が挙げられる。
また、上記光学素子や、上記光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成する光学素子や、ＩＣチップ実装用基板と同様のもの等が挙げられる。
このようなマザーボード用基板、光学素子やＩＣチップ実装用基板から構成されている場合、上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に、少なくとも１つのマイクロレンズが配設されており、上記光導波路または上記光学素子に入射する光は、マイクロレンズを介して集光されるように構成されていることとなる。
【０３５０】
第四の本発明の光通信用デバイスでは、上記光導波路と上記光学素子とを結ぶ光路上に配設されている少なくとも１つのマイクロレンズは、第三の本発明の光通信用デバイスのように、光信号通過領域の端部に配設されておらず、光信号通過領域の内部に配設されていてもよい。
以下、図面を参照しながらマイクロレンズが光信号通過領域の内部に形成された実施形態について説明する。
図２１は、第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
図２１には、マザーボード用基板９２０に、発光素子９３８と受光素子９３９とが直接実装された光通信用デバイス９６０が示されている。
【０３５１】
マザーボード用基板９２０は、基板９２１の両面に導体回路９２４と絶縁層９２２とが積層形成され、基板９２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層９２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール９２９およびバイアホール（図示せず）により電気的に接続されている。また、最外層にはソルダーレジスト層９３４が形成されている。
このマザーボード用基板９２０では、基板９２１、絶縁層９２２およびソルダーレジスト層９３４を貫通するように光信号通過領域９４２が設けられている。
【０３５２】
この光信号通過領域９４２には、基板９２１および絶縁層９２２を貫通する部分の一部に樹脂組成物９４７が充填されている。
そして、光信号通過領域９４２の内部であって、光導波路９５０が形成された側と反対側の端部には、マイクロレンズ９４６ａ、９４６ｂが配設されている。ここで、マイクロレンズ９４６ａ、９４６ｂのそれぞれは、コア９５１のそれぞれの端部に対応する位置に配設されている。
【０３５３】
マザーボード用基板９２０の発光素子９３８および受光素子９３９がが実装された側と反対側の最外層の絶縁層９２２上には、コア９５１とクラッド９５２とからなる光導波路９５０が形成されている。
また、光導波路９５０のそれぞれの端部には、光路変換ミラーが形成されており、光導波路９５０と光信号通過領域９４２との間で光信号を伝送することができるように構成されている。
【０３５４】
また、マザーボード用基板９２０の光導波路９５０が形成された側と反対側の表面であって、光信号通過領域９４２に対応する位置には、発光素子９３８および受光素子９３９のそれぞれが、半田接続部９４４を介して実装されている。
ここで、発光素子９３８および受光素子９３９のそれぞれは、セルフアライメント作用により所定の位置に実装されている。
【０３５５】
このような構成からなる光通信用デバイス９６０では、発光素子９３８（発光部９３８ａ）から出射した光信号は、空気からなる光信号通過領域９４２、マイクロレンズ９４６ａ、樹脂組成物が充填された光信号通過領域９４２、光導波路７５０、樹脂組成物が充填された光信号通過領域９４２、マイクロレンズ９４６ｂ、空気からなる光信号通過領域９４２を介して受光素子９３９（受光部９３９ａ）に伝送されることとなるため、確実に光信号を伝送することができる。
ここで、マイクロレンズ９４６ａは、発光素子９３８からの光信号を光導波路９５０のコア９５１に向って集光させ、また、マイクロレンズ９４６ｂは、光導波路９５０のコア９５１からの光信号を受光素子９３９に向って集光させるため、上述したように確実に光信号を伝送することができるのである。
【０３５６】
また、第四の本発明の光通信用デバイスを構成するマザーボード用基板は、光学素子またはＩＣチップ実装用基板と対向する側の最外層に光導波路が形成されたマザーボード用基板であってもよい。このような構成を有する光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図２２、２３を参照しながら説明する。図２２は、第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【０３５７】
図２２には、マザーボード用基板３１２０に、発光素子４１３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４１２０と、受光素子５１３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５１２０とが実装された光通信用デバイス３１６０が示されている。
【０３５８】
マザーボード用基板３１２０は、基板３１２１の両面に導体回路３１４４と絶縁層３１２２とが積層形成され、基板３１２１を挟んだ導体回路間、および、絶縁層３１２２を挟んだ導体回路間は、それぞれ、スルーホール３１２９およびバイアホール（図示せず）により電気的に接続されている。
また、ＩＣチップ実装用基板を実装する側の最外層の一部には、コア３１５１とクラッド３１５２とからなる光導波３１５０が形成されており、この光導波路３１５０の端部のそれぞれには、光路変換ミラーが形成されており、後述するＩＣチップ実装用基板に実装された発光素子や受光素子との間で光信号を伝送することができるように構成されている。また、マザーボード用基板３１２０の最外層であって、光導波路３１５０を形成した領域以外の領域には、ソルダーレジスト層が形成されている。
なお、マザーボード用基板３１２０は、図８に示したマザーボード用基板９２０と異なり、光信号通過領域は形成されておらず、また、マイクロレンズも配設されていない。
【０３５９】
また、マザーボード用基板３１２０の光導波路３１５０が形成された側には、発光素子４１３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４１２０と、受光素子５１３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５１２０とが実装されている。
ここで、ＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０のそれぞれは、図８に示したＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０と同様の構成を有している。従って、ＩＣチップ実装用基板の説明を省略する。図２２に示したＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０と図８に示したＩＣチップ実装用基板１７２０、２７２０とでマザーボード用基板との接続部の個数が異なるのは、光導波路の態様が明確になるように図面を描画しているからであり、その実質的な構成は同一である。
【０３６０】
このような構成からなる光通信用デバイス３１６０では、発光素子４１３８（発光部４１３８ａ）から出射した光信号は、光信号通過領域４１４２、マイクロレンズ４１４６ａ、光導波路３１５０、マイクロレンズ５１４６ａ、および、光信号通過領域５１４２を介して受光素子５１３９（受光部５１３９ａ）に伝送されることとなる。
ここで、マイクロレンズ４１４６ａは、発光素子４１３８からの光信号を光導波路３１５０のコア３１５１に向って集光させ、また、マイクロレンズ５１４６ａは、光導波路３１５０のコア３１５１からの光信号を受光素子５１３９に向って集光させるため、発光素子と受光素子との間で確実に光信号を伝送することができる。
【０３６１】
また、第四の本発明の光通信用デバイスでは、上記マイクロレンズが少なくとも２つ配設されており、
上記光導波路または上記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となることが望ましい。
この場合の具体的な実施形態としては、例えば、図８に示したようなマザーボード用基板にＩＣチップ実装用基板が実装された形態等が挙げられる。
このような実施形態の光通信用デバイスでは、光導波路または上記光学素子から出射した光が、集光またはコリメート光となるため、光信号伝送時において、光信号通過領域の壁面で光が反射することなく、光学素子と光導波路との間で伝送されることとなりやすいため、光信号通過領域の壁面での反射に起因する光信号の減衰が発生しにくく、より確実に光学素子と光導波路との間で光信号が伝送されることとなる。
【０３６２】
また、他の実施形態としては、例えば、図２３に示したような実施形態が挙げられる。
図２３は、第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【０３６３】
図２３には、マザーボード用基板３２２０に、発光素子４２３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４２２０と、受光素子５２３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５２２０とが実装された光通信用デバイス３２６０が示されている。
【０３６４】
ここで、マザーボード用基板３２２０の構成は、図２２に示したマザーボード用基板３１２０の構成と同一であるため、その説明を省略する。
また、マザーボード用基板３２２０の光導波路３２５０が形成された側には、発光素子４２３８が実装されたＩＣチップ実装用基板４２２０と、受光素子５２３９が実装されたＩＣチップ実装用基板５２２０とが実装されている。
【０３６５】
ここで、ＩＣチップ実装用基板４２２０、５２２０のそれぞれは、マイクロレンズの配設位置が異なる以外は、図２２に示したＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０と同様の構成を有している。従って、ここでは、マイクロレンズの配設位置のみ説明する。
ＩＣチップ実装用基板４１２０、５１２０では、光信号通過領域の光学素子を実装した側と反対側の端部にのみマイクロレンズが配設されているのに対し、ＩＣチップ実装用基板４２２０では、光信号通過領域４２４２の両端部にマイクロレンズ４２４６ａ、４２４６ｂが配設されており、ＩＣチップ実装用基板５２２０では、光信号通過領域５２４２の両端部にマイクロレンズ５２４６ａ、５２４６ｂが配設されている。
【０３６６】
このような構成からなる光通信用デバイス３２６０では、発光素子４２３８（発光部４２３８ａ）から出射した光信号は、マイクロレンズ４２４６ｂ、光信号通過領域４２４２、マイクロレンズ４２４６ａ、光導波路３２５０、マイクロレンズ５２４６ａ、光信号通過領域５２４２、および、マイクロレンズ５２４６ｂを介して受光素子５２３９（受光部５２３９ａ）に伝送される。
ここで、マイクロレンズ４２４６ｂは、発光素子４２３８からの光信号をコリメート光とし、マイクロレンズ４２４６ａは、光導波路３２５０のコア３２５１に向かって光信号を集光させ、また、マイクロレンズ５２４６ａは、光導波路３２５０のコア３２５１からの光信号をコリメート光とし、マイクロレンズ５２４６ｂは、光信号を受光素子５２３９に向って集光させるため、確実に光信号を伝送することができる。
【０３６７】
また、上述したように、図８に示したような実施形態も、本発明の実施形態の一つであるが、第四の本発明の光通信用デバイスにおいて、マザーボード用基板に光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板が実装されている場合には、光導波路と光学素子とを結ぶ光路上にマイクロレンズが少なくとも１つ配設されていればよく、必ずしもマザーボード用基板とＩＣチップ実装用基板とのそれぞれにマイクロレンズが配設されていなくてもよい。
具体的には、例えば、図８に示した光通信用デバイスと略同様の実施形態であって、マザーボード用基板側にのみマイクロレンズが配設された実施形態や、図８に示した光通信用デバイスと略同様の実施形態であって、ＩＣチップ実装用基板側にのみマイクロレンズが配設された実施形態（図２４参照）、また、図８に示した光通信用デバイスと略同様の実施形態であって、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と、マザーボード用基板の受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と対向する側の光信号通過領域の端部とにのみマイクロレンズが配設された実施形態等も、第四の本発明の光通信用デバイスの一例として挙げられる。
【０３６８】
このような第四の本発明の光通信用デバイスを製造する方法としては、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する方法と同様の方法等が挙げられる。
【０３６９】
次に、第五の本発明の光通信用デバイスについて説明する。
第五の本発明の光通信用デバイスは、基板の少なくとも片面に導体回路と絶縁層とが積層形成されるとともに、光導波路が形成されたマザーボード用基板に、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板と受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板とが実装された光通信用デバイスであって、
上記マザーボード用基板は、上記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板は、上記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、
上記発光素子から出射した光は、上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、上記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、上記光導波路の一端に入射した後、上記光導波路内を伝送し、上記光導波路の他端から出射した光が、上記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて上記受光素子に入射するように構成されていることを特徴とする。
【０３７０】
第五の本発明の光通信用デバイスは、光導波路と光信号通過領域とが形成されたマザーボード用基板に、受光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板と、発光素子が実装されるとともに光信号通過領域が形成されたＩＣチップ実装用基板とが実装されており、所定の位置に所定の機能を有するマイクロレンズが配設されているため、発光素子から出射した光が、光信号通過領域および光導波路を介して、受光素子に伝送される際に、この光は、光信号通過領域の壁面で反射されることとなく伝送されることとなる。従って、第五の本発明の光通信用デバイスでは、反射による減衰なく、発光素子との受光素子との間での光信号の伝送能に優れることとなる。
【０３７１】
第五の本発明の光通信用デバイスは、マザーボード用基板と光学素子（受光素子または発光素子）を実装したＩＣチップ実装用基板とから構成されている。
ここで、上記マザーボード用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するマザーボード用基板と同様のもの等が挙げられる。
また、上記光学素子を実装したＩＣチップ実装用基板としては、第三の本発明の光通信用デバイスを構成するＩＣチップ実装用基板と同様のもの等が挙げられる。
【０３７２】
上記マザーボード用基板では、上記光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記光導波路と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、さらに、発光素子実装ＩＣチップ実装用基板を実装する側のマイクロレンズは、発光素子から伝送されてきた光信号を
光導波路のコアに集光することができるものであり、また、受光素子実装ＩＣチップ実装用基板を実装する側のマイクロレンズは、コアから出射された光をコリメート光とすることができるものである。
【０３７３】
また、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板では、上記発光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記発光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、さらに、このマイクロレンズは、発光素子から出射された光をコリメート光とすることができるものである。
また、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板では、上記受光素子と光学的に接続された光信号通過領域が形成されるとともに、上記光信号通過領域の上記受光素子と光学的に接続された側と反対側の端部にマイクロレンズが配設されており、さらに、このマイクロレンズは、マザーボード用基板から伝送されてきた光を上記発光素子に集光することができるものである。
【０３７４】
このような構成からなる第五の本発明の光通信用デバイスは、上記発光素子から出射した光は、上記発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が、上記マザーボード用基板に配設された一方のマイクロレンズを介して集光されて、上記光導波路の一端に入射した後、上記光導波路内を伝送し、上記光導波路の他端から出射した光が、上記マザーボード用基板に配設された他方のマイクロレンズを介してコリメート光となり、このコリメート光が上記受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板に配設されたマイクロレンズで集光されて上記受光素子に入射するため、発光素子と受光素子との間での光信号伝送において、光信号通過領域の壁面で光信号が反射することなく、伝送されることとなるため、反射による減衰がなく、確実に光信号を伝送することができるのである。
【０３７５】
このような第五の本発明の光通信用デバイスを製造する方法としては、第三の本発明の光通信用デバイスを製造する方法と同様の方法等が挙げられる。
【０３７６】
以上、ここまで、第三〜第五の本発明の光通信用デバイスとして、様々な実施形態の光通信用デバイスについて説明してきた。そこで、ここでは、上述した実施形態の光通信用デバイスの具体的構造について、比較、考察してみる。
【０３７７】
具体的には、図８に示した実施形態の光通信用デバイス７６０、図２４に示した実施形態の光通信用デバイス７６０′、図２２に示した光通信用デバイス３１６０、図２３に示した光通信用デバイス３２６０を例にとり、発光素子から出射した光がマイクロレンズを介して光導波路のコアで集光し、光導波路から出射した光がマイクロレンズを介して受光素子の受光部の集光するようなマイクロレンズの形状を比較した。
加えて、光学素子と光導波路との光路上に２個のマイクロレンズが配設されている実施形態（光通信用デバイス７６０、および、光通信用デバイス３２６０）では、マイクロレンズ間の光信号がコリメート光になるようにマイクロレンズを設計した。
【０３７８】
こられの光通信用デバイスについて、発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板としては、厚さ５５０μｍのＩＣチップ実装用基板に、２５０μｍ、４チャンネル、広がり角２４度のＶＣＳＥＬが、ギャップ５０μｍでフリップチップ実装され、さらに、３００×７５０μｍの長方形の両端のそれぞれに半径１５０μｍの半円が付いた断面形状を有し、内部に屈折率１．５０の透明エポキシ樹脂が充填された光信号通過領域が形成されたものを用いることとした。
また、受光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板としては、厚さ１９５０μｍのＩＣチップ実装用基板に、２５０μｍ、４チャンネル、受光部径８０μｍのＰＤが、ギャップ５０μｍでフリップチップ実装され、さらに、３００×７５０μｍの長方形の両端のそれぞれに半径１５０μｍの半円が付いた断面形状を有し、内部に屈折率１．５０の透明エポキシ樹脂が充填された光信号通過領域が形成されたものを用いることとした。
また、マザーボード用基板としては、光導波路として５０×５０μｍのコアが４チャンネル形成され、その周囲にクラッドが形成され、このクラッドのコアの上下の部分の厚さが５０μｍである光導波路が配設され、光信号通過領域が形成されている場合（光通信用デバイス７６０、７６０′の場合）、３００×７５０μｍの長方形の両端のそれぞれに半径１５０μｍの半円が付いた断面形状を有し、内部に屈折率１．５０の透明エポキシ樹脂が充填された光信号通過領域が形成されたものを用いることとした。
また、マザーボード用基板の厚さは、光通信用デバイス７６０、３１６０、３２６０では４５０μｍとし、光通信用デバイス７６０′では１５０μｍとした。
そして、マザーボード用基板にＩＣチップ実装用基板を実装した際の、マザーボード用基板とＩＣチップ実装用基板とのギャップは、光通信用デバイス７６０、３１６０、３２６０では３００μｍとし、光通信用デバイス７６０′では１００μｍとした。
【０３７９】
そして、各部材がこのような形状を有する光通信用デバイスについて、上述した要件を満足するようにマイクロレンズの設計をした。
その結果、上述した要件を満足するマイクロレンズの形状について次のような結果が得られた。結果を表１に示す。なお、表中には、マイクロレンズの直径、高さ、および、高さと直径の比（高さ／直径）を示した。そして、高さと直径の比（高さ／直径）が大きければ大きいほど、マイクロレンズは曲率半径が大きいことなる。
【０３８０】
【表１】
2005052666.tif 000030
【０３８１】
表１の結果から、明らかなように、マイクロレンズを光学素子と光導波路との光路上に、
２つのマイクロレンズをした例（光通信用デバイス７６０、３２６０）では、マイクロレンズや光導波路の配設位置によって、マイクロレンズの高さと直径の比（高さ／直径）が異なることとなる。
具体的には、光通信用デバイス７６０のほうが、光通信用デバイス３２６０に比べて、マイクロレンズの高さと直径の比（高さ／直径）が小さくなる。これは、光学素子や光導波路からマイクロレンズまでの距離が短い場合には、レンズを焦点距離を短くする必要があり、そのためマイクロレンズの曲率半径を大きくしなければならないからである。
【０３８２】
また、マイクロレンズを光学素子と光導波路との光路上に、１つのマイクロレンズを配設した例（光通信用デバイス７６０′、３１６０）では、両者のマイクロレンズと高さと直径の比（高さ／直径）に、大きな差は見られなかった。
一方、光通信用デバイス７６０′、３１６０に配設したマイクロレンズと、光通信用デバイス３２６０に配設したマイクロレンズを比較した場合、光通信用デバイス３２６０では、発光素子からの光信号を集光するために配設したマイクロレンズ（マイクロレンズ４２４６ｂ）の高さと直径の比（高さ／直径）は、光通信用デバイス７６０′、３１６０に配設したマイクロレンズ（マイクロレンズ１７４６、４１４６ａ、５１４６ａ）に比べて大きくなっていた。このことからも、発光素子の近い位置にマイクロレンズを配設した場合、その曲率半径の絶対値は大きくする必要があることが明確である。
【０３８３】
また、ここで、光通信用デバイスを構成する構成部材の位置精度、特に、光学素子と光導波路との位置精度について検討してみると、例えば、図８に示したような構造を有する光通信用デバイス７６０では、
（１）光導波路フィルムをパッシブアライメントで張り付けた後、光学素子を実装する工程を経る場合には、マザーボード用基板の上面や下面に形成したアライメントマークを基準に光導波路フイルムを張り付けており、光導波路と光学素子との間で、概ね１０〜１５μｍ程度の設計からの位置ズレが生じることとなる。
（２）また、マザーボード用基板の上面や下面に形成したアライメントマークを基準にして、樹脂組成物を塗布することにより光導波路を直接形成し、さらに光路変換ミラーを形成する場合には、光導波路と光学素子との間で、概ね１０〜２０μｍ程度の設計からの位置ズレが生じることとなる。
（３）マザーボード用基板に光導波路を形成する前に、光学素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を実装し、アクティブアライメントで光導波路を形成する場合であっても、光導波路と光学素子との間で、概ね２μｍ程度の設計からの位置ズレが生じることとなる。
また、光導波路と光学素子とき位置ズレは、図２３に示したような光通信用デバイス３２６０でも、その製造工程において発生するものであり、パッシブアライメントで光導波路を形成する場合には、概ね５〜６μｍ程度、アクティブアライメントで光導波路を形成する場合には、概ね８〜１０μｍ程度の設計からの位置ズレが発生することとなる。なお、
ここで、アクティブアライメントのほうが位置ズレが大きくなっているのは、取り付け装置のヘッドで、光導波路の先端部（光路変換ミラー形成部）を抑えることができないからである。
このように、光通信用デバイスにおいては、その製造工程において、光導波路と光学素子との設計からの位置ズレが不回避的に発生するのである。
【０３８４】
そして、このような設計からの位置ズレが発生した場合には、如何にマイクロレンズを正確に設計したとしても、そのマイクロレンズの焦点は、光導波路のコアや受光素子の受光部等からズレてしまうのである。
ここで、マイクロレンズの曲率半径が大きい場合のほうが、焦点距離が短いため、少しの位置ズレでも、その位置ズレの影響を大きく受けてしまうことになる。
また、マイクロレンズ自体も配設時において、若干の設計からの誤差を生じることとなり、曲率半径が大きければ大きいほど、小さな誤差であっても、焦点距離が大きく変動することとなる。
【０３８５】
従って、これらのことを勘案すると、光通信用デバイスを構成するマイクロレンズは、高さと直径の比（高さ／直径）は小さいほど、換言すれば、マイクロレンズの曲率半径が小ほど、光通信用デバイスの製造時に不回避的に発生する構成部材の位置ズレの影響を受けにくく、優れた光信号伝送性を確保することができるという点から望ましく、また、マイクロレンズの曲率半径を小さくするということは、マイクロレンズの焦点距離を長くするということであるから、マイクロレンズと光導波路や光学素子との距離を確保すべく、ＩＣチップ実装用基板やマザーボード用基板には光信号通過領域が形成されていることが望ましいと言える。
具体的には、光通信用デバイスとしては、図８に示した光通信用デバイス７６０のほうが、図２３に示した光通信用デバイス３２６０のよりも望ましいと考えられ、図２４に示した光通信用デバイス７６０′のほうが、図２２に示した光通信用デバイス３１６０よりも望ましいと考えられるのである。
【実施例】
【０３８６】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
Ａ．絶縁層用樹脂フィルムの作製
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製  フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製  デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコーン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製した。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０３８７】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェルエポキシ社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０３８８】
Ｃ．ＩＣチップ実装用基板の製造
（１）厚さ０．７ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１０（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板２１の両面に導体回路２４とスルーホール２９とを形成した。
【０３８９】
（２）スルーホール２９と導体回路２４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール２９を含む導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図１０（ｂ）参照）。
【０３９０】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール２９内および基板２１の片面の導体回路非形成部と導体回路２４の外縁部とに樹脂充填材３０′の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材３０′の層を形成した（図１０（ｃ）参照）。
【０３９１】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路２４の表面やスルーホール２９のランド表面に樹脂充填材３０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層３０を形成した。
【０３９２】
このようにして、スルーホール２９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材３０′の表層部および導体回路２４の表面を平坦化し、樹脂充填材３０′と導体回路２４の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、スルーホール２９の内壁面と樹脂充填材３０′とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１０（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材層３０の表面と導体回路２４の表面とが同一平面となる。
【０３９３】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路２４の表面とスルーホール２９のランド表面とをエッチングすることにより、導体回路２４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０３９４】
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより絶縁層２２を形成した（図１０（ｅ）参照）。
即ち、絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０３９５】
（７）次に、絶縁層２２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で絶縁層２２に、直径８０μｍのバイアホール用開口２６を形成した（図１０（ｆ）参照）。
【０３９６】
（８）バイアホール用開口２６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、絶縁層２２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口２６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０３９７】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０３９８】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図１１（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４        ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                      ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                      ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                    ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                    ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル            １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
【０３９９】
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト２３を設けた（図１１（ｂ）参照）。
【０４００】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図１１（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                    １  Ａ／ｄｍ２
時間                        ６５  分
温度                        ２２±２  ℃
【０４０１】
（１３）さらに、めっきレジスト２３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト２３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２と電解銅めっき膜３３とからなる厚さ１８μｍの導体回路２４（バイアホール２７を含む）を形成した（図１１（ｄ）参照）。
【０４０２】
（１４）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路２４の表面に粗化面（図示せず）を形成し、次いで、上記（６）〜上記（８）の工程と同様にしてバイアホール用開口２６を有し、その表面に粗化面（図示せず）が形成された絶縁層２２を積層形成した（図１２（ａ）参照）。
【０４０３】
（１５）次に、上記（９）の工程で用いた方法と同様の方法で、絶縁層２２（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）の表面に触媒を付与し、さらに、上記（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同様の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層２２の表面（バイアホール用開口２６の内壁面を含む）に薄膜導体層（無電解銅めっき膜）３２を形成した（図１２（ｂ）参照）。
【０４０４】
（１６）次に、上記（１１）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３を設け、さらに、上記（１２）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜３３を形成した（図１２（ｃ）参照）。
【０４０５】
（１７）次に、上記（１３）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト２３の剥離と、めっきレジスト２３下の薄膜導体層の除去とを行い、導体回路２４（バイアホール２７を含む）を形成した。
さらに、上記（２）の工程で用いた方法と同様の方法で、酸化還元処理を行い、導体回路２４の表面を粗化面（図示せず）とした。
その後、ドリル加工により、基板２１および絶縁層２２を貫通する光路用貫通孔３１（平面視形状が角部円弧の長方形（縦２４０μｍ×横１０００μｍ））を形成し、さらに、光路用貫通孔３１の壁面にデスミア処理を施した（図１２（ｄ）参照）。この場合、一括貫通孔構造の光路用貫通孔３１が形成されることとなる。
【０４０６】
（１８）次に、樹脂を印刷機の穴埋めマスク上に載せて、スクリーン印刷を行うことにより光路用貫通孔３１内に樹脂を充填した後、１２０℃で１時間および１５０℃で１時間の条件で硬化処理を施し、その後、光路用貫通孔３１内から飛び出している樹脂を、♯３０００研磨紙を用いて研磨し、さらに、０．０５μｍのアルミナ粒子を用いて研磨して表面を平坦化することにより、樹脂組成物層４７を形成した。
この工程で樹脂としては、エポキシ樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ８２ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを４０重量％添加して、透過率８２％／ｍｍ、ＣＴＥ４２ｐｐｍとし、粘度を２０００００ｃｐｓに調整したをものを用いた。
なお、このエポキシ樹脂の硬化後の屈折率は、１．５０である。
【０４０７】
（１９）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．４、６ｍｉｎ−１（ｒｐｍ）の場合はローターＮｏ．３によった。
【０４０８】
（２０）次に、樹脂組成物層４７を形成した基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層３４′を形成した（図１３（ａ）参照）。
【０４０９】
（２１）次いで、半田バンプ形成用開口および光路用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをＩＣチップ実装側のソルダーレジスト組成物の層３４′に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口を形成した。なお、ここで形成した光路用開口の断面の径は、上記（１７）の工程で形成した光路用貫通孔の断面の径と同一である。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口４８、および、光路用開口３１ｂを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層３４を形成した（図１３（ｂ）参照）。
また、上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
【０４１０】
（２２）次に、上記（２１）の工程で形成した光路用開口内に、上記（１８）の工程で充填したエポキシ樹脂と同様の樹脂をスクリーン印刷により充填し、硬化処理を施した後、研磨処理を施すことによりその表面を平坦化し、樹脂組成物層４７を形成し、光信号通過領域４２とした（１３（ｃ）参照）。
【０４１１】
（２３）次に、ソルダーレジスト層３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口４８に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド３６とした。
【０４１２】
（２４）次に、光信号通過領域４２に形成された樹脂組成物層４７の光学素子を実装する側と反対側の端部にインクジェット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズ４６ａ〜４６ｄを配設した（図１４（ａ）参照）。
即ち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９４％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調製した後、この樹脂をインクジョット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度は８ｃｐｓに調製し、その後、樹脂組成物層４７の端部の所定の位置に塗布し、さらに、ＵＶ光（５００ｍＷ／分）を照射させて樹脂を硬化させることにより、直径２２０μｍ、サグ高さ９μｍのマイクロレンズ４６ａ〜４６ｄを配設した。
なお、本工程は、上記（２３）の工程の前に行うこととしてもよい。
【０４１３】
（２５）次に、ソルダーレジスト層３４に形成した半田バンプ形成用開口４７に半田ペーストを印刷し、さらに、発光素子３８の発光部３８ａの位置合わせを行いながら取り付け、２００℃でリフローすることにより、発光素子３８を実装するとともに、半田バンプ形成用開口４８に半田バンプ３７を形成した。
その後、エポキシ系樹脂（透過率９０％／ｍｍ、ＣＴＥ７３ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布の粉砕シリカを６０重量％添加して、透過率８０％／ｍｍ、ＣＴＥ３０ｐｐｍ、粘度５０ｃｐｓに調整したアンダーフィル用樹脂を調製した後、このアンダーフィル用樹脂を発光素子の周囲に塗布し、発光素子とソルダーレジスト層とのギャップ（５０μｍ）に放置浸透させ、さらに、このアンダーフィル用樹脂を１２０℃で１時間および１５０℃で２時間の条件で硬化させることにより、屈折率１．５０のアンダーフィルを形成した。
このような工程を経ることによりＩＣチップ実装用基板を得た（図１４（ｂ）参照）。
【０４１４】
なお、本実施例では、発光素子３８として、フリップチップ型ＶＣＳＥＬ（ＵＬＭ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ社製）を用いた。そして、この発光素子をピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
なお、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号通過領域の基板、絶縁層およびソルダーレジスト層を貫通する部分は樹脂組成物が充填されている。
【０４１５】
また、本実施例のＩＣチップ実装用基板を製造する際には、下記の工程を経てＩＣチップ実装用基板を製造してもよい。
即ち、上記（１５）の工程で薄膜導体層を形成した後、この薄膜導体層上に、めっきレジストを形成することなく、上記（１６）の工程と同様の方法で、ベタの電解めっき層を形成し、この状態で薄膜導体層および電解めっき層をも貫通するように、上記（１７）、（１８）の工程と同様にして光路用貫通孔の形成ならびに樹脂組成物の充填、硬化および研磨を行い、その後、薄膜導体層および電解めっき層にエッチング処理を施すことにより、導体回路を形成し、さらに、（１９）以降の工程を行うことにより、ＩＣチップ実装用基板を製造してもよい。
【０４１６】
（実施例２）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を２０重量％配合したもの（透過率８４％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
【０４１７】
（実施例３）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を４０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
【０４１８】
（実施例４）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を５０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
【０４１９】
（実施例５）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を６０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
【０４２０】
（実施例６）
実施例１の（２４）の工程において、樹脂組成物層４７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を７０重量％配合したもの（透過率８１％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
【０４２１】
（実施例７〜１２）
実施例１〜７のそれぞれにおいて、インクジェット装置の代えて、ディスペンサーを用いてマイクロレンズを配設した以外は、実施例１〜７のそれぞれと同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。なお、ディスペンサーを用いる場合には、樹脂を粘度２０ｃｐｓのまま用いた。
【０４２２】
（実施例１３）
実施例１の（２４）の工程においてマイクロレンズを配設する際に、下記の方法により、光信号通過領域の端部に接着層を介して４つのレンズを有するマイクロレンズアレイを配設した以外は実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。
まず、エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）をマイクロレンズアレイ形状に切削加工した金型に流し込み、１２０℃で１時間、および、１５０℃で２時間の硬化処理を施した後、硬化した樹脂を金型から外すことにより、マイクロレンズアレイを作製した。
【０４２３】
次に、マイクロレンズアレイを配設する光信号通過領域の端部に、接着剤として、エポキシ系樹脂（粘度５００ｃｐｓ、屈折率１．４５〜１．５５、透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）をディスペンサーを用いて塗布した。
さらに、マイクロレンズアレイに保護テープを張り、フリップチップ装置の吸引ノズルで吸着し、１０μｍ以下の精度で基板上のアライメントマークを用いて搭載した。さらに、１２０℃、１０分間の条件で接着剤を硬化した。
なお、接着剤の厚さは約１０μｍとした。
また、本実施例では、マイクロレンズアレイに保護テープを張り付けた後、配設しているが、保護テープを張り付けることなく、マイクロレンズアレイをフリップチップ装置のチャックで挟み、配設してもよい。
【０４２４】
（実施例１４）
実施例１の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径１５０μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで４つの光路用貫通孔を形成した以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、個別貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。
なお、本実施例では、直径１５０μｍのドリルを用いて光路用貫通孔を形成しているが、通常、直径１００〜４００μｍ程度のドリルを用いればよい。具体的には、例えば、直径３００μｍのドリルを用いて５００μｍピッチの個別貫通孔を形成してもよい。
【０４２５】
（実施例１５）
実施例１の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径３００μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで光路用貫通孔を５個形成した以外は、実施例１と同様にしてＩＣチップ実装用基板を得た。本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状で、その一部にダミー円柱が形成された一括貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。なお、ここで、光路用貫通孔は、図２０（ａ）に示した順序で形成した。
【０４２６】
（実施例１６）
まず、実施例１の（１）〜（１７）の工程と同様（ドリル加工の工程を除く）にして、基板の両面に導体回路と絶縁層とを積層形成した後、ドリル加工を行うことにより、２層の絶縁層を貫通する光路用凹部を形成した。
【０４２７】
次に、光路用凹部の底面に露出した導体回路の表面に、実施例１の（２３）の工程と同様にして、ニッケルめっき層と金めっき層とを形成し、その後、発光素子とＩＣチップとを光路用凹部の底面にワイヤボンディングにより実装した。
【０４２８】
次に、実施例１の（１８）の工程で用いた樹脂組成物と同様のエポキシ樹脂を含む樹脂組成物を、スキージを用いて光路用凹部内に充填し、乾燥させた後、バフ研磨によりその表層を平坦化した。さらに、硬化処理を施して樹脂組成物層を形成した。
【０４２９】
次に、実施例１の（１９）〜（２２）の工程と同様にして、半田バンプ形成用開口と光路用凹部に連通した光路用開口とが形成されたソルダーレジスト組成物の層を形成し、さらに、光路用開口内に樹脂組成物を充填することにより、光信号通過領域形成した。
【０４３０】
次に、光信号通過領域に形成された樹脂組成物層の露出した側の端部にインクジェット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズを配設した。なお、マイクロレンズの形成は、実施例１の（２４）の工程と同様の方法を用いて行った。
その後、実施例１の（２５）の工程と同様の方法を用いて、半田バンプ形成用開口に半田バンプを形成し、ＩＣチップ実装用基板を得た。
【０４３１】
このようにして得られた実施例１〜１６のＩＣチップ実装用基板について、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行い、さらに、ＩＣチップ実装用基板の光信号通過領域の発光素子実装側と反対側の端部に検出器を取り付け、発光素子から２．５Ｇｂｐｓの光信号を発信し、検出器で光信号を検出したところ、所望の光信号を検出することができた。
従って、本実施例で製造したＩＣチップ実装用基板では、光信号通過領域およびマイクロレンズを介して確実に光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０４３２】
また、実施例１〜１２に係るＩＣチップ実装用基板について、マイクロレンズを配設する際の樹脂の塗布性について検討したところ、実施例１〜４および実施例７〜１１に係るＩＣチップ実装用基板では、樹脂の塗布量にバラツキが少なく、所望の形状のマイクロレンズを配設することができ、実施例５、６および１２に係るＩＣチップ実装用基板では、樹脂の塗布量に若干のバラツキがあったものの、マイクロレンズとして使用することができるものを配設することができた。
【０４３３】
また、実施例１〜１６に係るＩＣチップ実装用基板について、−５５℃で３分間、１２５℃で３分間を１サイクルとする液相温度サイクル試験を、それぞれのＩＣチップ実装用基板について、２５０サイクル、５００サイクル、および、１０００サイクル行った。
その後、ＩＣチップ実装用基板をクロスカットし、マイクロレンズ、光信号通過領域を含むＩＣチップ実装用基板内でのクラックの発生を観察したところＩＣチップ実装用基板のいずれの箇所においてもクラックは発生していなかった。
【０４３４】
さらに、実施例１〜１６に係るＩＣチップ実装用基板について、計５回のリフロー処理を施し、各回のリフロー処理後におけるマイクロレンズでのクラックの発生の有無を観察した。その結果、いずれの条件においてもクラックの発生は観察されなかった。
なお、リフロー処理は、Ｐｂ半田の実装を想定して、ピーク温度２６０℃、２２０℃オーバータイム３０秒以内、余熱温度１７０〜２００℃で１分以上の温度プロファイルで行った。
【０４３５】
また、マイクロレンズに粒子を配合した場合のマイクロレンズの伝送損失に対するリフロー処理の影響を確認すべく、下記の試験を行った。
【０４３６】
（試験例１〜７）
実施例１においてマイクロレンズを配設するために用いたエポキシ樹脂と同様のエポキシ樹脂に、実施例１でも配合した粒度分布０．１〜０．８μｍの粉砕形状のシリカを表２に示す配合量（重量％）で配合して透過率測定サンプルを作成しマイクロレンズの透過率に対するリフロー回数の影響を評価した。結果を表２に示した。
なお、透過率測定サンプルは、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×高さ１００μｍで作製し、分光光度計（島津製作所社製、ＵＶ−３１０１ＰＣ）を用いて測定した。
【０４３７】
【表２】
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【０４３８】
表２に示した結果から、リフロー処理を施すことにより、透過率は若干低下するものの、リフロー処理を複数回繰り返しても透過率は、殆ど変化しないことが明らかとなった。
【０４３９】
（実施例１７）
Ａ．絶縁層用樹脂フィルムの作製
実施例１のＡの工程と同様にして絶縁層用樹脂フィルムを作製した。
【０４４０】
Ｂ．貫通孔充填用樹脂組成物の調製
実施例１のＢの工程と同様にして貫通孔充填用樹脂組成物を調整した。
【０４４１】
Ｃ．マザーボード用基板の製造
（１）厚さ０．７ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁性基板７１の両面に１８μｍの銅箔７８がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした（図１５（ａ）参照）。まず、この銅張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板７１の両面に導体回路７４とスルーホール７９とを形成した。
【０４４２】
（２）スルーホール７９と導体回路７４とを形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール７９を含む導体回路７４の表面に粗化面（図示せず）を形成した（図１５（ｂ）参照）。
【０４４３】
（３）上記Ｂに記載した樹脂充填材を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール７９内および基板７１の片面の導体回路非形成部と導体回路７４の外縁部とに樹脂充填材８０′の層を形成した。
即ち、まず、スキージを用いてスルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージを用いて凹部となっている導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填し、１００℃、２０分の条件で乾燥させることにより樹脂充填材８０′の層を形成した（図１５（ｃ）参照）。
【０４４４】
（４）上記（３）の処理を終えた基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路７４の表面やスルーホール７９のランド表面に樹脂充填材８０′が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層８０を形成した。
【０４４５】
このようにして、スルーホール７９や導体回路非形成部に形成された樹脂充填材８０′の表層部および導体回路７４の表面を平坦化し、樹脂充填材８０′と導体回路７４の側面とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着し、また、スルーホール７９の内壁面と樹脂充填材８０とが粗化面（図示せず）を介して強固に密着した絶縁性基板を得た（図１５（ｄ）参照）。この工程により、樹脂充填材８０′の表面と導体回路７４の表面とが同一平面となる。
【０４４６】
（５）上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹き付けて、導体回路７４の表面とスルーホール７９のランド表面と内壁とをエッチングすることにより、導体回路７４の全表面に粗化面（図示せず）を形成した。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【０４４７】
（６）次に、上記Ａで作製した基板より少し大きめの絶縁層用樹脂フィルムを基板上に載置し、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネータ装置を用いて貼り付けることにより絶縁層７２を形成した（図１５（ｅ）参照）。
即ち、絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【０４４８】
（７）次に、絶縁層７２上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長１０．４μｍのＣＯ２ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で絶縁層７２に、直径８０μｍのバイアホール用開口７６を形成した（図１５（ｆ）参照）。
【０４４９】
（８）バイアホール用開口７６を形成した基板を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、絶縁層７２の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口７６の内壁面を含むその表面に粗化面（図示せず）を形成した。
【０４５０】
（９）次に、上記処理を終えた基板を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、絶縁層７２の表面（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）に触媒核を付着させた（図示せず）。即ち、上記基板を塩化パラジウム（ＰｄＣｌ２）と塩化第一スズ（ＳｎＣｌ２）とを含む触媒液中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触媒を付与した。
【０４５１】
（１０）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層７２の表面（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）に厚さ０．６〜３．０μｍの薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２を形成した（図１６（ａ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４          ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                        ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                        ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                      ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                      ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル              １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
【０４５２】
（１１）次に、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２が形成された基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ２で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト７３を設けた（図１６（ｂ）参照）。
【０４５３】
（１２）ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっきレジスト７３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜８３を形成した（図１６（ｃ）参照）。
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ２
時間                      ６５  分
温度                      ２２±２  ℃
【０４５４】
（１３）さらに、めっきレジスト７３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト７３下の薄膜導体層を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング処理して溶解除去し、薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２と電解銅めっき膜８３とからなる厚さ１８μｍの導体回路７４（バイアホール７７を含む）を形成した（図１６（ｄ）参照）。
【０４５５】
（１４）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路７４の表面に粗化面（図示せず）を形成し、次いで、上記（６）〜上記（８）の工程と同様にしてバイアホール用開口７６を有し、その表面に粗化面（図示せず）が形成された絶縁層７２を積層形成した。
【０４５６】
（１５）次に、上記（９）の工程で用いた方法と同様の方法で、絶縁層７２（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）の表面に触媒を付与し、さらに、上記（１０）の工程で用いた無電解めっき液と同様の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬し、絶縁層７２の表面（バイアホール用開口７６の内壁面を含む）に薄膜導体層（無電解銅めっき膜）８２を形成した（図１７（ａ）参照）。
【０４５７】
（１６）次に、上記（１１）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト７３を設け、さらに、上記（１２）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト７３非形成部に、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜８３を形成した（図１７（ｂ）参照）。
【０４５８】
（１７）次に、上記（１３）の工程で用いた方法と同様の方法で、めっきレジスト７３の剥離と、めっきレジスト７３下の薄膜導体層の除去とを行い、導体回路７４（バイアホール７７を含む）を形成した（図１７（ｃ）参照）。
さらに、上記（２）の工程で用いた方法と同様の方法で、酸化還元処理を行い、導体回路７４の表面を粗化面（図示せず）とした。
【０４５９】
その後、ドリル加工により、基板７１および絶縁層７２を貫通する光路用貫通孔８１（平面視形状が角部円弧の長方形（縦２４０μｍ×横１０００μｍ））を形成し、さらに、光路用貫通孔８１の壁面にデスミア処理を施した（図１７（ｄ）参照）。この場合、一括貫通孔構造の光路用貫通孔８１が形成されることとなる。
【０４６０】
（１８）次に、樹脂を印刷機の穴埋めマスク上に載せて、スクリーン印刷を行うことにより光路用貫通孔８１内に樹脂を充填した後、１２０℃で１時間および１５０℃で１時間の条件で硬化処理を施し、その後、光路用貫通孔８１内から飛び出している樹脂を、♯３０００研磨紙を用いて研磨し、さらに、０．０５μｍのアルミナ粒子を用いて研磨して表面を平坦化することにより、樹脂組成物層９７を形成した（図１８（ａ）参照）。
この工程で樹脂としては、エポキシ樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ８２ｐｐｍ）に０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを４０重量％添加して、透過率８２％／ｍｍ、ＣＴＥ４２ｐｐｍとし、粘度を２０００００ｃｐｓに調整したをものを用いた。
なお、このエポキシ樹脂は、硬化後の屈折率は１．５０である。
【０４６１】
（１９）次に、内部に樹脂組成物層９７が形成された光路用貫通孔９６の端部に、下記の方法を用いて、４つのコア５１ａ〜５１ｄが並列に配設され光導波路５０を形成した。
まず、コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％／ｍｍ、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％／ｍｍ、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、０．１〜０．８μｍの粒度分布を有する粉砕シリカを２５重量％添加して透過率を８１％／ｍｍ、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
【０４６２】
次に、光路用貫通孔の端部に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、厚さ５０μｍの下部クラッドを形成した（図１８（ｂ）参照）。
次に、下部クラッド５２上に、スピンコータ（１２００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてコア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、１０００ｍＪの露光処理、１％ＴＭＨを用いたディップによる２分間の現像処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア５１ａ〜５１ｄを形成した（図１８（ｃ）参照）。
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア上での厚さが５０μｍの上部クラッドを形成し、コア５１ａ〜５１ｄとクラッド５２とからなる光導波路５０とした。
その後、光導波路５０の両端部に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、光路変換ミラー面にＣｒ／Ａｕの金属蒸着を行い、金属蒸着層からなる反射面を有する９０度光路変換ミラーを形成した。なお、このようにして形成した光路変換ミラーでの伝送損失は１．２ｄＢであった。
【０４６３】
（２０）次に、実施例１の（１９）の工程と同様にして、ソルダーレジスト組成物を調製し、その後、基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層８４′を形成した（図１８（ｄ）参照）。
【０４６４】
（２１）次いで、半田バンプ形成用開口および光路用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを光導波路５０が形成された側と反対側のソルダーレジスト組成物の層８４′に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口を形成した。なお、ここで形成した光路用開口の断面の径は、上記（１７）の工程で形成した光路用貫通孔の断面の径と同一である。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口９８、および、光路用開口８１ｂを有し、その厚さが、光導波路形成領域で２０μｍ、光導波路非形成領域で１７０μｍのソルダーレジスト層８４を形成した（図１９（ａ）参照）
【０４６５】
（２２）次に、上記（２１）の工程で形成した光路用開口内に、上記（１８）の工程で充填したエポキシ樹脂を含む樹脂組成物と同様の樹脂組成物をスクリーン印刷により充填し、硬化処理を施した後、研磨処理を施すことによりその表面を平坦化し、樹脂組成物層９７を形成し、光信号通過領域９２とした（１９（ｂ）参照）。
【０４６６】
（２３）次に、ソルダーレジスト層８４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口９８に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッド８６とした。
【０４６７】
（２４）次に、光信号通過領域９２に形成された樹脂組成物層９７の光導波路が形成された側と反対側の端部にインクジェット装置を用いて、下記の方法によりマイクロレンズ９６ａ〜９６ｄを配設した。
即ち、ＵＶ硬化型エポキシ系樹脂（透過率９４％／ｍｍ、屈折率１．５３）を室温（２５℃）で、粘度２０ｃｐｓに調製した後、この樹脂をインクジョット装置の樹脂容器内で、温度４０℃、粘度は８ｃｐｓに調製し、その後、樹脂組成物層９７の端部の所定の位置に塗布し、さらに、ＵＶ光（５００ｍＷ／分）を照射させて樹脂を硬化させることにより、直径２２０μｍ、サグ高さ１０μｍのマイクロレンズ９６ａ〜９６ｄを配設した。
【０４６８】
（２５）次に、ソルダーレジスト層８４に形成した半田バンプ形成用開口９８に半田ペーストを印刷し、半田バンプ８７を形成し、マザーボード用基板を得た（図１９（ｃ）参照）。
【０４６９】
また、本実施例のマザーボード用基板には、下記の工程を経てマザーボード用基板を製造してもよい。
即ち、上記（１５）の工程で薄膜導体層を形成した後、この薄膜導体層上に、めっきレジストを形成することなく、上記（１６）の工程と同様の方法で、ベタの電解めっき層を形成し、この状態で薄膜導体層および電解めっき層をも貫通するように、上記（１７）、（１８）の工程と同様にして光路用貫通孔の形成ならびに樹脂組成物の充填、硬化および研磨を行い、その後、薄膜導体層および電解めっき層にエッチング処理を施すことにより、導体回路を形成し、さらに、（１９）以降の工程を行うことにより、マザーボード用基板を製造してもよい。
【０４７０】
（実施例１８）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を２０重量％配合したもの（透過率８４％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
【０４７１】
（実施例１９）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を４０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
【０４７２】
（実施例２０）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を５０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
【０４７３】
（実施例２１）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を６０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
【０４７４】
（実施例２２）
実施例１７の（２４）の工程において、樹脂組成物層９７の端部にマイクロレンズを配設する際に、実施例１７で使用したエポキシ系樹脂に粒度分布０．１〜０．８μｍの破砕形状のシリカ粒子を７０重量％配合したもの（透過率８２％／ｍｍ）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
【０４７５】
（実施例２３）
実施例１７の（２４）の工程においてマイクロレンズを配設する際に、下記の方法により、光信号通過領域の端部に接着層を介して４つのレンズを有するマイクロレンズアレイを配設した以外は実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。
まず、エポキシ系樹脂（透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）をマイクロレンズアレイ形状に切削加工した金型に流し込み、１２０℃で１時間、および、１５０℃で２時間の硬化処理を施した後、硬化した樹脂を金型から外すことにより、マイクロレンズアレイを作製した。
【０４７６】
次に、マイクロレンズアレイを配設する光信号通過領域の端部に、接着剤として、エポキシ系樹脂（粘度５００ｃｐｓ、屈折率１．４５〜１．５５、透過率９１％／ｍｍ、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）をディスペンサーを用いて塗布した。
さらに、マイクロレンズアレイに保護テープを張り、フリップチップ装置の吸引ノズルで吸着し、１０μｍ以下の精度で基板上のアライメントマークを用いて搭載した。さらに、１２０℃、１０分間の条件で接着剤を硬化した。
なお、接着剤の厚さは約５μｍとした。
【０４７７】
（実施例２４）
実施例１７の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径１５０μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで４つの光路用貫通孔を形成した以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。本実施例で製造したマザーボード用基板では、個別貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。
【０４７８】
（実施例２５）
実施例１７の（１７）の工程において、光路用貫通孔を形成する際に、直径３００μｍのドリルを用い、２５０μｍピッチで光路用貫通孔を５個形成した以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を得た。本実施例で製造したマザーボード用基板では、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状で、その一部にダミー円柱が形成された一括貫通孔形状の光信号通過領域が形成されることとなる。なお、ここで、光路用貫通孔は、図２０（ａ）に示した順序で形成した。
【０４７９】
このようにして得られた実施例１７〜２５のマザーボード用基板では、光導波路の両端のそれぞれに光学的に接続された光信号通過領域が形成されていることとなる。
そこで、一方の光信号通過領域の光導波路と接続された側と反対側の端部に、光信号を導入することができるように光ファイバを取り付け、他方の光信号通過領域の光導波路と接続された側と反対側の端部に検出器を取り付け、その後、光ファイバを介して２．５Ｇｂｐｓの光信号を送り、検出器で光信号を検出したところ、所望の光信号を検出することができた。
従って、本実施例で製造したマザーボード用基板では、光導波路、光信号通過領域およびマイクロレンズを介して確実に光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０４８０】
また、実施例１７〜２２に係るマザーボード用基板について、マイクロレンズを配設する際の樹脂の塗布性について検討したところ、実施例１７〜２０に係るマザーボード用基板では、樹脂の塗布量にバラツキが少なく、所望の形状のマイクロレンズを配設することができ、実施例２１、２２に係るマザーボード用基板では、樹脂の塗布量に若干のバラツキがあったものの、マイクロレンズとして使用することができるものを配設することができた。
【０４８１】
また、実施例１７〜２５に係るマザーボード用基板について、−５５℃で３分間、１２５℃で３分間を１サイクルとする液相温度サイクル試験を、それぞれのＩＣチップ実装用基板について、２５０サイクル、５００サイクル、および、１０００サイクル行った。
その後、マザーボード用基板をクロスカットし、マイクロレンズ、光信号通過領域および光導波路を含むマザーボード用基板内でのクラックの発生を観察したところマザーボード用基板のいずれの箇所においてもクラックは発生していなかった。
【０４８２】
さらに、実施例１７〜２５に係るマザーボード用基板について、計５回のリフロー処理を施し、各回のリフロー処理後におけるマイクロレンズでのクラックの発生の有無を観察した。その結果、いずれの条件においてもクラックの発生は観察されなかった。
なお、リフロー処理は、ＩＣチップ実装用基板を評価する際の条件と同様の条件で行った。
【０４８３】
（実施例２６）
実施例１と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装し、直径２２０μｍ、サグ高さ１１μｍのマイクロレンズを配設した以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例１７と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
【０４８４】
次に、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板と、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板とのそれぞれを、マザーボード用基板の所定の位置に対向配置させ、ピーク温度２３０℃でリフローすることにより両基板の半田バンプ同士を接続して半田接続部（Ｓｎ／Ｐｂ共晶半田）を形成した。ここで、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが３００μｍとなるように実装した。
その後、それぞれのＩＣチップ実装基板の周囲にアンダーフィル用樹脂を塗布し、１２０℃で１時間および１５０℃で２時間の硬化処理を行うことにより、ＩＣチップ実装基板の外周部のみを樹脂封止し、光通信用デバイスを得た（図８参照）。
【０４８５】
（実施例２７）
実施例１４と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１４と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例１７と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０４８６】
（実施例２８）
実施例１６と同様の方法を用いて、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１６と同様の方法を用いてＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例１７と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０４８７】
（実施例２９）
実施例１と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例２４と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０４８８】
（実施例３０）
実施例１４と同様の方法を用いて製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１４と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例２４と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０４８９】
（実施例３１）
実施例１６と同様の方法を用いて、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１６と同様の方法を用いてＩＣチップ実装基板を得た。なお、この受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を製造するに際して、その直径が２２０μｍのマイクロレンズは、そのサグ高さが１１μｍとなるように調整した。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。
また、実施例２４と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０４９０】
（実施例３２）
実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ８５μｍのマイクロレンズが配設されている。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１４と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ７５μｍのマイクロレンズが配設されている。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
【０４９１】
また、光導波路の形成位置を変え、光信号通過領域を形成しなかった以外は、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。具体的には、基板の両面に導体回路と絶縁層とを形成した後、光路変換ミラーの形成された光導波路フィルムをＩＣチップ実装用基板を実装する側の最外層の絶縁層上に張り付けた以外、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。また、ここでは、基板および絶縁層を貫通する光信号通過領域は形成しなかった。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０４９２】
（実施例３３）
実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ６４μｍのマイクロレンズが配設されている。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装し、マイクロレンズを配設しなかった以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
【０４９３】
また、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。ここでは、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さが４５０μｍとなるようにマザーボード用基板を製造した。また、マイクロレンズは、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を実装する側の光信号通過領域の端部にのみ配設し、そのサイズは、直径２２０μｍ、サグ高さ５０μｍとした。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。ここでは、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが３００μｍとなるように実装した。
【０４９４】
（実施例３４）
実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ７４μｍのマイクロレンズが配設されている。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、直径２２０μｍ、サグ高さ８０μｍのマイクロレンズが配設されている。また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
【０４９５】
また、マイクロレンズを配設しなかった以外は、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。ここでは、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さが１５０μｍとなるようにマザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。ここでは、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが１００μｍとなるように実装した。
【０４９６】
なお、本実施例のように、マザーボード用基板の厚さが比較的薄い場合には、マザーボード用基板の反りを防止すべく、ＩＣチップ実装用基板等を実装する側と反対側の面等に補強材を配設してもよい。
【０４９７】
（実施例３５）
マイクロレンズを配設しない以外は、実施例１と略同様の方法を用いて、製造したＩＣチップ実装用基板にＩＣチップを実装し、その後樹脂封止を行い、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが５５０μｍであり、また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
また、発光素子に代えて受光素子を実装するとともに、マイクロレンズを配設しなかった以外は、実施例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装用基板を製造し、その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行うことにより受光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。ここで得たＩＣチップ実装用基板は、基板、絶縁層およびソルダーレジスト層の合計厚さが１９５０μｍであり、また、受光素子としては、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製）を、ピッチ２５０μｍの４チャンネルアレイ素子として使用した。また、光信号通過領域の断面形状は、３００×７５０μｍの長方形の両側に半径１５０μｍの半円が付いた形状とした。なお、光路用貫通孔はルータ加工により形成した。
【０４９８】
また、実施例１７と同様の方法を用いてマザーボード用基板を製造した。ここでは、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さが４５０μｍとなるようにマザーボード用基板を製造した。ここて、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を実装する側の端部配設したマイクロレンズのサイズは、直径２２０μｍ、サグ高さ７１μｍとし、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板を実装する側の光信号通過領域の端部に配設したマイクロレンズのサイズは、直径２２０μｍ、サグ高さ５０μｍとした。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。ここでは、マザーボード用基板の上面と、ＩＣチップ実装用基板の下面とのギャップが１００μｍとなるように実装した。
【０４９９】
（実施例３６）
（１）実施例１７の（１）〜（１７）の工程と同様の方法を用いて、基板上に導体回路と絶縁層とを積層形成し、さらに、光路用貫通孔を形成した。ここで、光路用貫通孔は、ドリル加工にかえてルータ加工により形成し、その断面形状を３４０×１０４０μｍの長方形の両側に、半径１７０μｍの半円が付いた形状とした。
【０５００】
（２）次に、別途、３００×１０００×５００μｍのマイクロレンズと同様の材質からなるレンズ土台を２つ作製し、さらに、この一のレンズ土台上には、直径２２０μｍ、サグ高さ５３μｍのマイクロレンズを２５０μｍピッチで４個作製してマイクロレンズ部材Ａとし、他のレンズ土台上には、直径２２０μｍ、サグ高さ４５μｍのマイクロレンズを２５０μｍピッチで４個作製してマイクロレンズ部材Ｂとした。
その後、マイクロレンズ部材Ａ、Ｂを接着剤を介して、光路用貫通孔内に取り付けた。ここで、マイクロレンズ部材は、その底面（マイクロレンズを形成した側と反対側の面）と後工程で光導波路を形成する側の最外層の絶縁層の表面とが同一面を構成するように配設した。
【０５０１】
（３）次に、ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを張り付け、ソルダーレジスト組成物の層を形成し、その後、実施例１７の（２１）〜（２５）の工程と同様の方法を用いて光信号通過領域、半田バンプ等を形成してマザーボード用基板を製造した。
本実施例で得られたマザーボード用基板では、光信号通過領域の内部にマイクロレンズが配設されていることなる。
また、このマザーボード用基板は、基板、絶縁層、および、光導波路を形成した側と反対側のソルダーレジスト層の合計厚さを９００μｍとした。
【０５０２】
（４）次に、上記工程を経て製造したマザーボード用基板に、フリップチップ型ＶＣＳＥＬ（ＵＬＭ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ社製：２５０μｍピッチ、４チャンネル）と、フリップチップ型ＰＤ（Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ社製：２５０μｍピッチ、４チャンネル）とを実装し、光通信用デバイスを製造した。ここで、ＶＣＳＥＬおよびＰＤのぞれぞれは、マザーボード用基板上面とのギャップが５０μｍとなるように実装した。
【０５０３】
このようにして得られた実施例２６〜３６に係る光通信用デバイスについて、ＩＣチップ実装基板に実装した発光素子（ＶＣＳＥＬ）を発光させて発信した光信号を、受光素子を実装したＩＣチップ実装用基板の光信号通過領域、マザーボード用基板に形成した光信号通過領域および光導波路、発光素子を実装したＩＣチップ実装用基板の光信号通過領域、ならびに、それぞれの光信号通過領域の端部に配設したマイクロレンズを介して、ＩＣチップ実装基板に実装した受光素子（ＰＩＮＰＤ）で受光し、その後、ＩＣチップを経由した電気信号のアイパターンを確認したところ、２．５Ｇｂｐｓでの伝送を確認することができた。
従って、本実施例で製造した光通信用デバイスでは、光導波路、光信号通過領域およびマイクロレンズを介して確実に光信号を伝送することができることが明らかとなった。
【０５０４】
また、実施例２６〜３６に係る光通信用デバイスについて、−５５℃で３分間、１２５℃で３分間を１サイクルとする液相温度サイクル試験を、それぞれの光通信用デバイスについて、２５０サイクル、５００サイクル、および、１０００サイクル行った。
その後、光通信用デバイスをクロスカットし、マイクロレンズ、光信号通過領域、光導波路を含む光通信用デバイス内でのクラックの発生を観察したところ光通信用デバイスのいずれの箇所においてもクラックは発生していなかった。
【０５０５】
（比較例１）
まず、実施例１の（２４）の工程（マイクロレンズ配設工程）を行わなかった以外は、実施例１と同様にして発光素子が実装されたＩＣチップ実装用基板を製造した。その後、ＩＣチップの実装と樹脂封止とを行い、ＩＣチップ実装基板とした。
この比較例１に係るＩＣチップ実装用基板について、実施例１に係るＩＣチップ実装用基板と同様にして光信号の伝送能を評価したところ、光信号の伝送エラーが発生する場合があった。
【０５０６】
（比較例２）
また、実施例１７の（２４）の工程（マイクロレンズ配設工程）を行わなかった以外は、実施例１７と同様にしてマザーボード用基板を製造した。
この比較例１に係るマザーボード用基板について、実施例１７に係るマザーボード用基板と同様にして光信号の伝送能を評価したところ、光信号の伝送エラーが発生する場合があった。
【０５０７】
（比較例３）
比較例１と同様の方法を用いて、発光素子を実装したＩＣチップ実装基板を得た。
また、発光素子に代えて受光素子を実装した以外は、比較例１と同様の方法を用いてＩＣチップ実装基板を得た。
また、比較例２と同様の方法を用いて、マザーボード用基板を製造した。
次に、実施例２６と同様にして、それぞれのＩＣチップ実装用基板とマザーボード用基板とを半田接続部を介して接続し、さらに、ＩＣチップ実装基板の周囲を樹脂封止することにより光通信用デバイスを得た。
【０５０８】
比較例３で製造した光通信用デバイスについて、実施例２６に係る光通信用デバイスと同様にして、光信号の伝送性を評価した。
その結果、比較例３に係る光通信用デバイスでは、発光素子から受光素子に向って光信号伝送した際に、光信号の伝送エラーが発生する場合があった。
【図面の簡単な説明】
【０５０９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれマイクロレンズアレイの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】第二の本発明のマザーボード用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】第二の本発明のマザーボード用基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図９】第三の本発明の光通信用デバイスの実施形態の別の一例を模式的に示す断面図である。
【図１０】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】第一の本発明のＩＣチップ実装用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１６】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１７】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１８】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１９】第二の本発明のマザーボード用基板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２０−１】（ａ）〜（ｄ）は、貫通孔の形成順序と、貫通孔の位置ズレの関係を検証する試験の方法を説明するための模式図である。
【図２０−２】（ｅ）、（ｆ）は、一括貫通孔構造の光信号伝送用光路を説明するための模式図である。
【図２１】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２２】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２３】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【図２４】第四の本発明の光通信用デバイスの実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０５１０】
１１、１２、１３  マイクロレンズアレイ
１２０、２２０、３２０、４２０  ＩＣチップ実装用基板
１２１、２２１、３２１、４２１  基板
１２２、２２２、３２２、４２２  絶縁層
１２４、２２４、３２４、４２４  導体回路
１２７、２２７、３２７、４２７  バイアホール
１２９、２２９、３２９、４２９  スルーホール
１３４、２３４、３３４、４３４  ソルダーレジスト層
１３８、２３８、３３８、４３８  発光素子
１３９、２３９、３３９、４３９  受光素子
１４２、２４２、３４２、４４２  光信号通過領域
１４６、２４６、３４６、４４６  マイクロレンズ
３４９  ワイヤボンディング
５２０、６２０  マザーボード用基板
５２１、６２１  基板
５２２、６２２  絶縁層
５２４、６２４  導体回路
５２７、６２７  バイアホール
５２９、６２９  スルーホール
５３４、６３４  ソルダーレジスト層
５３８、６３８  発光素子
５３９、６３９  受光素子
６４２、６４２  光信号通過領域
５４６、６４６  マイクロレンズ
７２０、８２０  マザーボード用基板
７６０、８６０  光通信用デバイス
１７２０、１８２０、２７２０、２８２０  ＩＣチップ実装用基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2005052666.tif 000032
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2005052666.tif 000033
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2005052666.tif 000034
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2005052666.tif 000035
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2005052666.tif 000036
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005052666.tif 000037
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2005052666.tif 000038
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2005052666.tif 000039
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2005052666.tif 000040
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2005052666.tif 000041
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２４】
2005052666.tif 000042
【国際調査報告】
2005052666.tif 000043
2005052666.tif 000044
2005052666.tif 000045
2005052666.tif 000046