(57)【要約】  両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの材質がチタンである両面研磨装置用キャリア。これにより、キャリア自体の強度が高く、かつ、例えばシリコンウェーハ等のウェーハへの不純物汚染が抑えられ、研磨後のウェーハの外周部のダレを抑制できる両面研磨装置用キャリアが提供される。【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの材質がチタンであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。
【請求項２】
前記キャリアの表面が窒化チタン膜、ＤＬＣ膜のいずれかによりコーティングされたものであることを特徴とする請求項１に記載の両面研磨装置用キャリア。
【請求項３】
前記膜の厚さが０．３μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項２に記載の両面研磨装置用キャリア。
【請求項４】
前記上下定盤の間に挟まれたウェーハは半導体ウェーハであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。
【請求項５】
少なくとも、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリアを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置。
【請求項６】
ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のキャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔にウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面研磨装置において、ウェーハを研磨する際にウェーハを保持する両面研磨装置用キャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体ウェーハを両面研磨する際、キャリアによって半導体ウェーハを保持して行っている。キャリアには保持孔が形成されており、半導体ウェーハをその保持孔に保持して、研磨布が貼付された上下の定盤の間に挟み込み、研磨面に研磨液を供給しながら上下定盤を回転させて半導体ウェーハの両面を同時に研磨する。【０００３】
この両面研磨工程において、従来使用されているキャリアとしてはガラスエポキシ材のもの、ＳＵＳ材むき出しのものやＳＵＳ材に樹脂コーティングを施したものが主流である。【０００４】
しかし、ガラスエポキシ材のキャリアは研磨時の磨耗が大きくキャリアライフが短命でコストがかかり、また、キャリア立ち上げの時間を要して生産性が悪い。
そしてＳＵＳ材むき出しのキャリアに関しては、ＳＵＳ材に含まれるＦｅやＮｉの半導体ウェーハへの汚染が発生する危険性がある。
次にＳＵＳ材の表面を樹脂コーティングしたキャリアがあるが、このキャリアもまた、樹脂が磨耗してライフが短く、半導体ウェーハへの金属汚染が生じる。さらに、研磨を行った半導体ウェーハの外周部にはダレが発生し易いという問題があった。
これを改良すべくＳＵＳ材に小孔をあけて、表裏の樹脂層を結合したキャリアが開示されているが、上述の問題点の決定的な解決には至っていない（特開平９−２０７０６４号公報参照）。
【発明の開示】
【０００５】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、キャリア自体の強度が高く、かつ、例えばシリコンウェーハ等のウェーハへの不純物汚染が抑えられ、研磨後のウェーハの外周部のダレを抑制できるキャリアを提供することを課題とする。
【０００６】
本発明は、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの材質がチタンであることを特徴とする両面研磨装置用キャリアを提供する。
【０００７】
このように、両面研磨装置において、ウェーハを保持するキャリアの材質がチタンであれば、樹脂に比べて硬度が高く研磨時の磨耗も小さくてキャリアライフが向上する。また、チタン自体は例えばシリコン等の半導体ウェーハ中の拡散係数が小さく、不純物として問題となりにくいし、チタン中にはＦｅなどの拡散係数の大きい金属不純物が存在しないので、ウェーハへの金属不純物の汚染が抑えられる。また、このキャリアによってウェーハを保持して研磨を施せば、表面を厚い樹脂層で被う必要がないので、平坦度が高く、外周部にダレが生じていないウェーハを得ることができる。
【０００８】
このとき、前記キャリアの表面が窒化チタン膜、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜のいずれかによりコーティングされたものであるのが望ましい。
【０００９】
このように、前記キャリアの表面が窒化チタン膜、ＤＬＣ膜のいずれかによりコーティングされたものであれば、硬度がより上がって傷がつきにくくなり、研磨スラリーへ異物が脱落するのも抑えられて、キャリアライフの延命及びウェーハへの汚染抑制が可能となる。さらには、ウェーハのキズ不良を効果的に防止できる。
【００１０】
また、前記膜の厚さが０．３μｍ〜５μｍであるのが望ましい。
このように、キャリアの表面にコーティングされた前記膜の厚さが０．３μｍ〜５μｍであれば、窒化チタン、ＤＬＣは硬度が高いため、キャリアの保護として十分な厚さであり、また、樹脂コートに比べれば十分に薄いので、外周部にダレのないウェーハを得るのに妨げとならない。
【００１１】
また、前記上下定盤の間に挟まれたウェーハは半導体ウェーハであることが可能である。
このように、上下定盤の間に挟まれたウェーハを半導体ウェーハとすることができ、金属不純物の汚染が抑えられ、平坦度が高く、外周部にダレが生じていない半導体ウェーハを得ることが可能である。
【００１２】
そして、少なくとも、前記両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置が望ましい。
このように、前記本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置であれば、キャリア又はキャリア表面をコーティングする膜の硬度が高いため研磨時の磨耗が小さく、キャリアの傷や破損の発生を低減し、キャリアライフを延命することが可能である。また、例えば半導体ウェーハの研磨を行った場合、キャリアによる半導体ウェーハへの金属不純物の汚染を抑え、外周部のダレが生じていない半導体ウェーハに研磨することができる。
【００１３】
また、ウェーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に前記キャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔にウェーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨するのが望ましい。
【００１４】
このように、前記本発明の両面研磨装置用キャリアの保持孔にウェーハを保持して、上下定盤の間に挟み込んで両面研磨すれば、キャリアの材質であるチタン中にはＦｅなどの拡散係数の大きい不純物が存在しないのでウェーハへの汚染が抑えられ、さらに、キャリアの表面を厚い樹脂で覆う必要がなく、そのためキャリアの平坦度が高く、外周部のダレが生じていないウェーハを得ることができる。
また、キャリアの硬度が高いため、磨耗が抑えられてキャリアライフが延び、コストを抑えて効率良くウェーハを両面研磨することが可能である。
【００１５】
本発明のように、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの材質がチタンである両面研磨装置用キャリアであれば、樹脂に比べて硬度が高く研磨時の磨耗も小さいためにキャリアライフが向上し、また、Ｆｅ等の拡散係数の大きい金属不純物が存在しないため、ウェーハへの金属汚染を抑えることができる。さらに、厚い樹脂製のコーティングも不要であるので、外周部にダレがなく、平坦度の高いウェーハを得ることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置の一例を示した縦断面図である。
【図２】平面視による両面研磨装置の内部構造図である。
【図３】本発明のキャリアの一例を示した概略図である。
【図４】（Ａ）本発明のチタン製のキャリアによる半導体ウェーハの保持の様子を示す説明図である。（Ｂ）本発明のコーティングを有するキャリアによる半導体ウェーハの保持の様子を示す説明図である。  （Ｃ）従来の樹脂コーティングされたキャリアによる半導体ウェーハの保持の様子を示す説明図である。
【図５】実施例３、４・比較例２、３の分析結果である。
【図６】（Ａ）実施例５の測定結果である。（Ｂ）比較例４の測定結果である。
【図７】実施例６、７の測定結果を比較したデータである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
従来の両面研磨装置用キャリアには、特にガラスエポキシ材やＳＵＳ材に樹脂コーティングを施したものが使用されてきた。
しかし、これらのキャリアでは表面の硬度が低く、研磨時の磨耗が大きいためにキャリアライフが短命となりコストがかかる等の問題があった。さらに、研磨により例えばキャリア中のＦｅやＮｉといった拡散係数の大きい金属不純物によって半導体ウェーハが汚染される危険が高い。また、表面に１００〜２００μｍといった厚い樹脂が必要で、ウェーハ周辺の研磨布を押し圧する力が低下し、研磨後の半導体ウェーハの平面度に関して、外周部がダレてしまう問題があった。【００１８】
そこで本発明者らは、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれたウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの材質がチタンである両面研磨装置用キャリアを考え出した。【００１９】
このような両面研磨装置用キャリアであれば、表面が樹脂コーティングされたものに比べ硬度が十分に高く研磨時の磨耗も小さいためにキャリアライフが向上し、また、Ｆｅ等の拡散係数の大きい金属不純物が存在しないため、ウェーハへの金属汚染を抑えることができる。さらに、厚い樹脂コーティングが不要であるので、研磨時に、研磨後のウェーハの外周部のダレの発生を抑制することができることを見出し、本発明を完成させた。【００２０】
以下では、本発明の実施の形態について図を用いて説明をする。
ここで、図１は本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置の縦断面図、図２は平面視による両面研磨装置の内部構造図、図３は本発明の両面研磨装置用キャリアの概略図、図４は本発明と従来のキャリアによる半導体ウェーハの保持の様子を示す説明図である。
本発明は、ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置において、ウェーハを保持しておくキャリアの改良に関するものであり、まず両面研磨装置の概要について図１及び図２を用いて説明する。【００２１】
なお、本発明のキャリアに適用できるウェーハは特に限定されるものではない。例えば、シリコンや、石英、ＧａＡｓ等のウェーハとすることができる。ここでは、シリコン等の半導体ウェーハを例に挙げて説明する。【００２２】
本発明のチタン製の両面研磨装置用キャリア１を具備した両面研磨装置１０は、上下に相対向して設けられた下定盤１１と上定盤１２を備えており、各定盤１１、１２の対向面側には、それぞれ研磨布１１ａ、１２ａが貼付されている。また、上定盤１２の上部には研磨スラリーを供給するノズル１５、上定盤１２には貫通孔１６が設けられている。そして上定盤１２と下定盤１１の間の中心部にはサンギヤ１３が、周縁部にはインターナルギヤ１４が設けられている。半導体ウェーハＷはキャリア１の保持孔４に保持され、上定盤１２と下定盤１１の間に挟まれている。【００２３】
サンギヤ１３及びインターナルギヤ１４の各歯部にはキャリア１の外周歯が噛合しており、上定盤１２及び下定盤１１が不図示の駆動源によって回転されるのに伴い、キャリア１は自転しつつサンギヤ１３の周りを公転する。このとき半導体ウェーハＷはキャリア１の保持孔４で保持されており、上下の研磨布１１ａ及び１２ａにより両面を同時に研磨される。なお、研磨時には、ノズル１５から貫通孔１６を通して研磨スラリーが供給される。【００２４】
このような本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置１０であれば、キャリア１の硬度が高いため研磨時の磨耗が小さく傷や破損が低減し、キャリアライフが長くなり、コストを抑えることができる。また、研磨を行った場合、キャリア１による半導体ウェーハＷへの金属不純物の汚染を抑えて研磨し、外周部のダレが抑制された半導体ウェーハを得ることができる。特に、近年シリコン等の半導体ウェーハの口径が大口径化しており、キャリアも大型化してライフが一層短くなっていることから、本発明はこのような直径２００ｍｍ以上、特には３００ｍｍ以上といった大口径ウェーハの研磨装置に有効である。【００２５】
次に図３を用いて本発明の両面研磨装置用キャリアについて説明をする。
キャリア１には、保持孔４があけられており、その保持孔４の内周に沿ってウェーハのエッジ部に傷をつけないようにするための半導体ウェーハ保持部３が設けられている。また、キャリア１には保持孔４とは別に研磨液を通すための研磨液孔２があけられており、外周部には外周歯５が設けられている。【００２６】
本発明のキャリア１の主材質はチタンであり、表面において、例えば従来のＳＵＳ材に樹脂コーティングを施したものよりも硬度が高く、かつ、ＦｅやＮｉなどの拡散係数の大きな不純物が存在しない。このため、傷や破損等が低減されてキャリアライフが長く、また、半導体ウェーハＷの金属汚染を抑制することが可能である。【００２７】
さらにキャリア１の表面を窒化チタン膜、ＤＬＣ膜のいずれかでコーティングを施せば、表面をより硬くすることができ、キャリアライフをより延命することが可能になる。これらの膜の形成方法は特に限定されず、例えば、ＣＶＤ法により堆積させてもよいし、窒素雰囲気中で熱処理することによって、表面を窒素と反応させて形成させる方法がある。またスパッタリングにより膜を形成してもよい。これらの形成方法であれば膜ムラも少なく、均一な表面とすることが可能である。【００２８】
従来のキャリアの材質であるＳＵＳの硬度は４２０Ｈｖであり、本発明のキャリア１の材質であるＴｉの硬度は２２０Ｈｖである。従って、従来はＴｉはＳＵＳに比べて硬度が低く、キャリアの材質として使用できないものと考えられていた。しかし、上述したようにＳＵＳ材むき出しのものでは半導体ウェーハＷへの致命的な金属汚染が生じ、実際には金属汚染を抑制するためにＳＵＳ材に樹脂コーティングを施すことが必須である。このため、材質がチタンである本発明のキャリア１の表面は、表面が樹脂で覆われている従来のキャリアよりも硬い。従って、ライフも長くできる。さらに、窒化チタン及びＤＬＣの硬度はそれぞれ２２００Ｈｖ、３０００〜５０００Ｈｖであり、キャリアの表面を窒化チタン膜、ＤＬＣ膜のいずれかで覆うことにより、硬度がより高くなり、よりライフを長くすることができる。【００２９】
さらには、これらの窒化チタンやＤＬＣの膜で覆うことによって、ウェーハのキズ不良の発生を効果的に防止できる。
これは、研磨中にキャリア母体が削れ、研磨スラリーに混ざってウェーハを傷つけるのを硬度の高いこれらの膜でキャリア母体を保護することにより防ぐことができるためと考えられる。また、キャリアの厚さをラッピングして加工した際に、ラップ材がキャリア表面に汚れとして付着し、キャリアの洗浄を行っても除去できない場合においても、この汚れごとキャリア表面をコーティングすることになるので、それによってウェーハのキズ発生を防ぐことができると思われる。【００３０】
一方、保持孔４の周辺の保持部３は例えばアラミド樹脂でできており、半導体ウェーハＷを保持する際に、半導体ウェーハＷの面取り部を傷付けないよう保護するために設けられている。
そして、研磨液孔２は研磨時に供給される研磨スラリーを通すための穴であり、この穴を通じて下面側の研磨面にも満遍なく研磨スラリーが供給される。
外周歯５は上述のようにサンギヤ１３、インターナルギヤ１４と噛合し、研磨時、キャリア１はサンギヤ１３の周りを自転及び公転する。【００３１】
次に図４を用いて本発明のキャリアが、研磨におけるウェーハ周辺のダレ防止に有効であることについて説明する。それぞれ、（Ａ）材質がチタンのキャリア、（Ｂ）材質がチタンで表面を窒化チタン膜、ＤＬＣ膜のいずれかでコーティングしたキャリア、（Ｃ）材質がＳＵＳ材で表面を樹脂でコーティングしたキャリア、で半導体ウェーハを保持している様子を示しており、（Ａ）、（Ｂ）が本発明のキャリアを、（Ｃ）が従来のキャリアを用いた場合の説明図である。【００３２】
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）のキャリア４１、４２、４３はそれぞれキャリア母体４４、４５、４６と、保持部４０を有している。ただし、キャリア４２、４３の表面には膜４７、４８が形成されている。上述のように母体４４、４５の材質はチタンで、母体４６の材質はＳＵＳである。また、保持部４０はいずれもアラミド樹脂からなり、膜４７は窒化チタン、ＤＬＣのいずれかであり、膜４８は例えばポリカーボネート材等の樹脂である。【００３３】
図４（Ｃ）で示すように、従来のキャリア、すなわちＳＵＳ材に樹脂コーティングを施したキャリア４３は、膜４８の厚さが１００〜２００μｍ必要であり、その分キャリア母体４６は薄く、保持部４０と膜４８の表面では段差が生じる。従って、厚い膜４８の樹脂の弾性によって、研磨の際、ウェーハ周辺部の保持部４０の直下の部分では研磨布を十分には押し圧することができない。すなわち、リテーナー効果が低減して、保持部４０付近の研磨布がよれて半導体ウェーハＷの外周部を余分に削ってしまい、外周部のダレが発生する。
また、リテーナー効果の低減を防ぐために樹脂コーティングをせずにＳＵＳ材むき出しのものや、膜４８の厚さを薄くして保持部４０との段差をなくしたもので研磨を行った場合は、半導体ウェーハＷへの金属汚染が生じて使いものにならない。【００３４】
一方、本発明のキャリア４１では、母体４４の材質はチタンであり樹脂より硬く、半導体ウェーハＷへの汚染も抑制されるため、樹脂コーティング等で表面を覆わずにすむので、図４（Ａ）に示すように段差が生じず、保持部４０の高さを十分設けることができる。このため、保持部４０付近の研磨布を十分に押し圧することができるので、半導体ウェーハＷの面取り部が余分に研磨されることはなく、研磨後の外周部のダレを抑制し、高い平坦度を有する半導体ウェーハを得ることが可能である。
また、図４（Ｂ）に示すように、本発明のキャリア４２では、キャリア母体４５の表面に膜４７のコーティングを施しても、その厚さは０．３〜５μｍの薄さで十分であるため、ほとんど段差は生じない。従って、リテーナー効果はほとんど低減せず、研磨後の半導体ウェーハの外周部のダレへの影響は抑えられ、高い平坦度を有する半導体ウェーハを得ることができる。【００３５】
このように、本発明の両面研磨装置用キャリア１を用いた両面研磨方法であれば、キャリアライフを向上させ、金属汚染や外周部のダレが抑制された高品質の半導体ウェーハＷを効率良く得ることが可能である。【００３６】
なお、上記では遊星式の両面研磨装置のキャリアを例として述べてきたが、本発明の両面研磨装置用キャリアは遊星式に限定されず、揺動式の両面研磨装置のキャリアに採用しても有効である。
【００３７】
以下に本発明の実施例および比較例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１、２・比較例１）
まず、本発明のキャリアと従来のキャリアを一定の研磨条件でキャリアの厚さが規格外となるまで研磨し、かかった時間を計測した。測定したキャリアは、形状が図３のようなもので、チタン材むき出しのもの（厚さ７７８μｍ：実施例１）、チタン材の表面をＤＬＣ膜でコーティングしたもの（チタン材の厚さ７７４μｍ、ＤＬＣ膜の厚さ２μｍ：実施例２）、ＳＵＳ材の表面に樹脂コーティングを施したもの（ＳＵＳの厚さ５９８μｍ、樹脂コーティングの厚さ９０μｍ：比較例１）の３つである。【００３８】
実施例１、２ではそれぞれ１６０００分、２０８００分かかり、比較例１では８００分かかった。
このように、本発明の両面研磨装置用キャリアを用いれば、硬度が高く耐久性があり、キャリアライフが長く、コスト低減につながることが判る。
【００３９】
（実施例３、４・比較例２、３）
次に、サンプルウェーハとして、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを用意した。このシリコンウェーハをキャリアに保持して、図１、２に示したような両面研磨装置を用いて６００分間両面研磨を行った。
この後、研磨後のサンプルウェーハを袋に入れて、硝酸とフッ酸の混合液を入れて煮沸し、袋の中の液体の不純物をＩＣＰ−ＭＳで分析する。
サンプルウェーハを保持するキャリアとして、材質がチタンでコーティングなしのもの（実施例３、４）、材質がＳＵＳで表面を樹脂コーティングしたもの（比較例２、３）を用意し、各キャリアを用いて上述の実験を行った。【００４０】
実施例３、４、比較例２、３の分析結果を図５に示す。
図５より、本発明のキャリアを使用した実施例３、４と、従来のキャリアを使用した比較例２、３では、ＦｅとＮｉの濃度において大きな差が生じていることが判る。なお、実施例・比較例の研磨前のそれぞれのＦｅ、Ｎｉの濃度は、実施例の研磨後の分析結果と同じ値だった。これより、比較例ではキャリア中のＦｅ、Ｎｉによってサンプルウェーハが汚染され、一方実施例においてはサンプルウェーハへの汚染がないことが判る。
また、Ｔｉの濃度に関しては実施例・比較例共に、研磨前と研磨後でほとんど変化がなかった。
このように、本発明のキャリアのように材質をチタンとすれば、金属不純物による半導体ウェーハへの汚染を抑制することができることが判る。
【００４１】
（実施例５・比較例４）
次に、本発明である材質がチタンのキャリアを用いてサンプルウェーハを両面研磨して、研磨後のサンプルウェーハの形状のデータを計測して（測定器：黒田精工社製ナノメトロ３００ＴＴ）、ＧＢＩＲ、ＳＦＱＲ（ｍａｘ）、ＳＢＩＲ（ｍａｘ）、ロールオフの測定を行った（実施例５）。
さらに、従来のものである、ＳＵＳ材に樹脂コーティングを施したキャリアを用いて実施例５と同様両面研磨を行い、その後測定した（比較例４）。【００４２】
なお、ＧＢＩＲ（ｇｌｏｂａｌ  ｂａｃｋｓｉｄｅ  ｉｄｅａｌ  ｒａｎｇｅ）とはウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、ウェーハ面内に１つの基準面を持ち、この基準面に対する最大、最小の位置変位の差を示す。
また、ＳＦＱＲ（ｓｉｔｅ  ｆｒｏｎｔ  ｌｅａｓｔ  ｓｑｕａｒｅｓ  ｒａｎｇｅ）はウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、各サイト毎のこの平面からの最大、最小の位置変位の差を示す。（ｍａｘ）とは、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。
ＳＢＩＲ（ｓｉｔｅ  ｂａｃｋ  ｉｄｅａｌ  ｒａｎｇｅ）はウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、裏面基準面にて各サイト毎の表面高さの最大値と最小値の差を指す。（ｍａｘ）はＳＦＱＲと同様、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。
そしてロールオフとはウェーハ最外周部のダレであり、ウェーハ裏面を平面に矯正した状態で、中心部と外周部の表面高さの最大値と最小値の差を指す。【００４３】
実施例５・比較例４の測定結果を図６（Ａ）、（Ｂ）に示す。
このように、各データにおいて本発明のキャリアを使用した実施例５では、従来のキャリアを使用した比較例４よりもいずれも小さい値を示しており、平坦度がより高いことが判る。特に周辺のダレを防止する効果が高い。一方、比較例４のデータより外周部のダレの様子がよく確認できる（図６（Ｂ）円で囲まれた部分）。【００４４】
比較例４では、ＳＵＳ材の表面に樹脂コーティングが施されており、ウェーハ保持部のアラミド樹脂の高さが実施例の本発明のキャリアの場合に比べて低くなっており、キャリア表面と保持部の表面とで段差が生じている。加えて、表面の樹脂の弾性の影響から、リテーナー効果が低下したため、研磨布がよれてサンプルウェーハの周辺部を余分に研磨し、外周部にダレが生じたと思われる。
このように、本発明のキャリアを使用してウェーハを両面研磨すれば、平坦度が高く、外周部にダレが生じていない半導体ウェーハを得ることができる。
【００４５】
（実施例６、７）
サンプルウェーハを保持するキャリアとして、材質がチタンで、コーティングなしのもの（実施例６）、ＤＬＣ膜でコーティングしたもの（実施例７）を用意し、図１、２に示したような両面研磨装置を用い、それぞれサンプルウェーハ２５０枚に両面研磨を施した。
研磨後のサンプルウェーハを、ウェーハ裏面検査装置ＲＸＭ−１２２７Ｅ（レイテックス社製）にかけ、ＣＣＤによる画像処理によってウェーハ裏面のキズの有無を確認した。
このとき、上記方法により検出されたキズが一つでもあればキズ不良（ただし、再研磨でウェーハは再生可能なので、ウェーハの不良とは限らない）と判定した。【００４６】
実施例６と７のウェーハ裏面のキズ不良率を相対比で図７に示す。
図７より、ＤＬＣ膜をコーティングしたキャリアを用いれば、ウェーハにキズが発生するのを効果的に防止することができ、より高品質のウェーハを得られることが判る。
【００４７】
なお、本発明は、上記形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
2006090661.tif 000009
2006090661.tif 000010
2006090661.tif 000011
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