(57)【要約】【課題】修正作業が安全且つ容易であり、修正された配線の信頼性を向上する。【解決手段】ＴＦＴ基板表面に形成され、カラーフィルタの膜に覆われた配線の断線修正方法であって、前記配線の断線箇所を間にして、該断線箇所の前後の配線部分を繋ぐように前記カラーフィルタの膜をレーザ加工して除去し、所定幅の線状パターンを形成するレーザ加工工程Ｓ１と、前記線状パターン上に金属微粒子を分散させた修正液を塗布する修正液塗布工程Ｓ２と、前記塗布された修正液を焼成して導電膜を形成する導電膜形成工程Ｓ３と、少なくとも前記導電膜及びその周辺部を覆って前記カラーフィルタの膜と同じ膜を形成する上層膜形成工程Ｓ５と、を実行するものである。【選択図】図１
2009300826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に形成され、上層膜に覆われた配線の断線修正方法であって、
前記配線の断線箇所を間にして、該断線箇所の前後の配線部分を繋ぐように前記上層膜をレーザ加工して除去し、所定幅の線状パターンを形成するレーザ加工工程と、
前記線状パターン上に金属微粒子を分散させた修正液を塗布する修正液塗布工程と、
前記塗布された修正液を焼成して導電膜を形成する導電膜形成工程と、
少なくとも前記導電膜及びその周辺部を覆って前記上層膜と同じ膜を形成する上層膜形成工程と、
を実行することを特徴とする配線の断線修正方法。
【請求項２】
前記レーザ加工工程においては、前記断線箇所を跨いで前記線状パターンを形成することを特徴とする請求項１記載の配線の断線修正方法。
【請求項３】
前記レーザ加工工程においては、前記断線箇所の側方を迂回して前記線状パターンを形成することを特徴とする請求項１記載の配線の断線修正方法。
【請求項４】
前記線状パターンが他の配線と交差するときは、
前記レーザ加工工程において、前記他の配線との交差部分に存在する前記上層膜の全部又は一部を残して前記線状パターンを形成し、
前記修正液塗布工程において、前記線状パターン上及び前記他の配線を跨いで前記修正液を塗布する、
ことを特徴とする請求項３記載の配線の断線修正方法。
【請求項５】
前記導電膜形成工程においては、導電膜を形成した後に、前記配線上の前記導電膜の部分を押圧することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線の断線修正方法。
【請求項６】
前記上層膜形成工程を実行する前に、前記導電膜を所定幅にトリミングして線幅の狭い修正配線を形成する修正配線形成工程を実行することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線の断線修正方法。
【請求項７】
前記基板は、上面にカラーフィルタを連続形成したＣＯＡ（Color filter On Array）構成を有するＴＦＴ基板であり、
前記上層膜は、カラーフィルタの膜である、
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線の断線修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面に形成され、上層膜に覆われた配線の断線を修正する方法に関し、詳しくは、修正作業が安全且つ容易であり、修正された配線の信頼性を向上しようとする配線の断線修正方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の配線の断線修正方法は、複数の走査信号配線と複数のデータ信号配線とが交差するように設けられ、走査信号配線とデータ信号配線との各交点近傍にスイッチング素子が配設されたアクティブマトリックス基板の製造に際して、任意の配線に断線が発生した場合に、断線欠陥部にレーザＣＶＤにより選択的に導電膜を形成した後、少なくとも導電膜の周辺にレーザ光を照射するなどによって導電膜の周辺に残存する導電性の微粒子を除去していた（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、他の配線の断線修正方法は、下向きのインクジェット方式の吐出ノズルを複数並設し、吐出ノズルの下側に先端部が柔軟性を有する先細の毛をもつ修正筆が設けられる修正ヘッドで、修正筆の軸に対し吐出ノズルで導電性ペーストを供給するとき、吐出ノズルの直下に吸液シートを設けるようにして余分の液を吸い取り、導電性ペースト供給後に吸液シートを退避させた状態で、修正筆により断線欠陥部分に導電性ペーストを塗布し修正するようにしていた（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−３１７７２６号公報
【特許文献２】特開２００７−２２７５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような従来の配線の断線修正方法において、特許文献１に記載の方法は、一般にタングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）を原料ガスとして用いており、ガスの発火性及び有毒ガスの発生等、安全面で問題を有していた。したがって、ガス漏れ防止又はガス漏れ対策等のための付帯設備が必要となり、ガスの取り扱いが難しいという問題があった。
【０００５】
また、特許文献２に記載の方法は、金、銀等の金属微粒子を含有する液体を吐出ノズルから基板に吐出した後、レーザ照射により焼成して修正配線としての導電膜を形成するものであるので、導電膜の基板に対する密着力が十分に得られず、修正配線が信頼性に劣るという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、修正作業が安全且つ容易であり、修正された配線の信頼性を向上しようとする配線の断線修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明による配線の断線修正方法は、基板表面に形成され、上層膜に覆われた配線の断線修正方法であって、前記配線の断線箇所を間にして、該断線箇所の前後の配線部分を繋ぐように前記上層膜をレーザ加工して除去し、所定幅の線状パターンを形成するレーザ加工工程と、前記線状パターン上に金属微粒子を分散させた修正液を塗布する修正液塗布工程と、前記塗布された修正液を焼成して導電膜を形成する導電膜形成工程と、少なくとも前記導電膜及びその周辺部を覆って前記上層膜と同じ膜を形成する上層膜形成工程と、を実行するものである。
【０００８】
このような構成により、基板表面に形成され、上層膜に覆われた配線の断線箇所を間にして、該断線箇所の前後の配線部分を繋ぐように上層膜をレーザ加工して除去し、所定幅の線状パターンを形成し、この線状パターン上に金属微粒子を分散させた修正液を塗布し、塗布された修正液を焼成して導電膜を形成し、少なくとも導電膜及びその周辺部を覆って上層膜と同じ膜を形成する。
【０００９】
また、前記レーザ加工工程においては、前記断線箇所を跨いで前記線状パターンを形成するものである。これにより、断線箇所を跨いで上層膜をレーザ加工して除去し、線状パターンを形成する。
【００１０】
さらに、前記レーザ加工工程においては、前記断線箇所の側方を迂回して前記線状パターンを形成するものである。これにより、断線箇所の側方を迂回して上層膜をレーザ加工して除去し、線状パターンを形成する。
【００１１】
そして、前記線状パターンが他の配線と交差するときは、前記レーザ加工工程において、前記他の配線との交差部分に存在する前記上層膜の全部又は一部を残して前記線状パターンを形成し、前記修正液塗布工程において、前記線状パターン上及び前記他の配線を跨いで前記修正液を塗布するものである。これにより、線状パターンが他の配線と交差するときは、他の配線との交差部分に存在する上層膜の全部又は一部を残して線状パターンを形成し、その後、線状パターン上及び他の配線を跨いで修正液を塗布する。
【００１２】
また、前記導電膜形成工程においては、導電膜を形成した後に、前記配線上の前記導電膜の部分を押圧するものである。これにより、導電膜を形成した後に、配線上の導電膜の部分を押圧して配線と導電膜との接続を確実なものとする。
【００１３】
さらに、前記上層膜形成工程を実行する前に、前記導電膜を所定幅にトリミングして線幅の狭い修正配線を形成する修正配線形成工程を実行するものである。これにより、上層膜形成工程を実行する前に、導電膜を所定幅にトリミングして線幅の狭い修正配線を形成する。
【００１４】
そして、前記基板は、上面にカラーフィルタを連続形成したＣＯＡ（Color filter On Array）構成を有するＴＦＴ基板であり、前記上層膜は、カラーフィルタの膜である。これにより、上面にカラーフィルタを連続形成したＣＯＡ構成を有するＴＦＴ基板のカラーフィルタの膜をレーザ加工して除去し、線状パターンを形成した後、該線状パターンに導電膜を形成し、少なくとも上記導電膜及びその周辺部を覆ってカラーフィルタの膜を形成する。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に係る発明によれば、例えばタングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）等の原料ガスを使用するものでないため、欠陥部の修正作業が安全であり、且つ作業を容易に行なうことができる。また、少なくとも導電膜及びその周辺部を覆って上記上層膜と同じ膜を形成しているので、導電膜がこの膜によって押さえられて基板との密着性が確保される。したがって、導電膜の剥離が抑制されて修正箇所の信頼性を向上することができる。
【００１６】
また、請求項２に係る発明によれば、断線箇所の周辺部にレーザ照射可能な十分な余裕があるときには、断線箇所を跨いで線状パターンを形成することができる。したがって、断線修正用の導電膜の距離を短くすることができ、この導電膜の電気抵抗を下げることができる。これにより、電気信号の伝達ロスを低減することができる。
【００１７】
さらに、請求項３に係る発明によれば、断線箇所の側方を迂回して線状パターンを形成することができる。したがって、断線箇所の近傍に例えば薄膜トランジスタ等の機能要素が存在するときには、これを避けて線状パターンを形成することができる。これにより、上記機能要素がレーザ照射によりダメージを受けるのを防止することができる。
【００１８】
そして、請求項４に係る発明によれば、断線修正用の導電膜と他の配線が短絡するのを防止することができる。
【００１９】
また、請求項５に係る発明によれば、配線と導電膜との接触を確実なものとすることができる。したがって、両者の接触抵抗を下げて電気信号の伝達ロスを低減することができる。
【００２０】
さらに、請求項６に係る発明によれば、修正用の導電膜をトリミングして線幅を狭くすることにより、例えば液晶表示装置のＴＦＴ基板における画素の開口率の低下を抑えることができる。したがって、一部の画素上に上記修正用の導電膜が存在することにより、液晶表示装置の輝度が部分的に低下するのを抑えて、画像品質の劣化を抑制することができる。
【００２１】
そして、請求項７に係る発明によれば、ＣＯＡ基板の配線の断線修正を安全且つ容易に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による配線の断線修正方法の実施形態を示すフローチャートである。この配線の断線修正方法は、基板表面に形成され、上層膜に覆われた配線の断線を修正するもので、レーザ加工工程と、修正液塗布工程と、導電膜形成工程と、修正配線形成工程と、上層膜形成工程とから成る。以下、基板が、図２に示すような、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）１を形成したガラス基板２の上面に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを連続形成したＣＯＡ（Color filter On Array）構成を有するＴＦＴ基板である場合について説明する。
【００２３】
先ず、レーザ加工工程Ｓ１においては、例えば５３２ｎｍ又は３５５ｎｍ波長のパルスレーザを照射し、図３に示すように、配線４の断線箇所５を間にして、この断線箇所５の前後の配線４部分を繋ぐように上層膜としてのカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの膜をレーザ加工して除去し、所定幅の線状パターン６を形成する。同図に示すように、ゲート配線４ａが断線しているときには、この断線箇所５を跨いで線状パターン６を形成しようとすると、ゲート配線４ａとデータ配線４ｂとの交差部分に設けられたＴＦＴ１にレーザが照射されてＴＦＴ１がダメージを受けるおそれがある。そこで、このような場合には、同図に示すように、配線箇所５の側方を迂回して線状パターン６を形成するとよい。また、線状パターン６が他の配線（同図においては、データ配線４ｂ）と交差するときは、該交差部分のカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの膜の全て又は一部を残して線状パターン６を形成する。これにより、ゲート配線４ａとデータ配線４ｂとの短絡を防止することができる。
【００２４】
次に、修正液塗布工程Ｓ２においては、先端開口部の径が数μｍ〜数十μｍのガラス製ニードルを備えたディスペンサーを使用して、図４に示すように、カラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが除去された線状パターン６上及びデータ配線４ｂを跨いで金属微粒子を分散させた修正液７を塗布する。この場合、金属微粒子としては、４００℃以下で溶融するナノパーティクルの銀粒子が望ましい。
【００２５】
続いて、導電膜形成工程Ｓ３においては、図５に示すように、例えば波長が１０．４μｍの連続発振するレーザを照射して塗布された修正液７を焼成し、修正液７の溶媒を気化させて除去すると共に金属微粒子を溶融して導電膜８を形成する。この導電膜８を形成した後に、ゲート配線４ａ上の導電膜８の部分８ａをプローブ等で押圧するとよい。これにより、ゲート配線４ａと導電膜８との接触を確実なものとすることができる。
【００２６】
さらに、修正配線形成工程Ｓ４においては、図６に示すように、導電膜８の縁部に沿って、例えば波長が５３２ｎｍ又は３５５ｎｍのパルスレーザを照射し、導電膜８を所定幅にトリミングして線幅を狭くし、修正配線９を形成する。これにより、修正配線９が形成された画素の開口率の低下を抑えて輝度の低下を目立たなくし、画像品質の劣化を抑制することができる。
【００２７】
最後に、上層膜形成工程Ｓ５においては、ディスペンサーを使用して、図７に示すように少なくとも修正配線９上及びトリミングにより除去されたカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの部分を覆って夫々対応色のカラーレジストを塗布し、これらを硬化させてカラーフィルタ３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを形成する。これにより、配線４の断線箇所５の修正が終了する。
【００２８】
なお、上記実施形態においては、基板がＣＯＡ構成を有するＴＦＴ基板である場合について説明したが、本発明はこれに限られず、配線上を上層膜で覆った如何なる基板に対しても適用することができる。
【００２９】
また、以上の説明においては、導電膜８をトリミングして線幅の狭い修正配線９を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限られず、導電膜８をトリミングせずにそのまま使用してもよい。この場合、上層膜は、少なくとも導電膜８及びその周辺部を覆って形成するとよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明による配線の断線修正方法の実施形態を示すフローチャートである。
【図２】本発明による配線の断線修正方法に使用するＣＯＡ構成を有するＴＦＴ基板の一構成例を示す断面図である。
【図３】本発明による配線の断線修正方法のレーザ加工工程を示す部分拡大平面図である。
【図４】本発明による配線の断線修正方法の修正液塗布工程を示す部分拡大平面図である。
【図５】本発明による配線の断線修正方法の導電膜形成工程を示す部分拡大平面図である。
【図６】本発明による配線の断線修正方法の修正配線形成工程を示す部分拡大平面図である。
【図７】本発明による配線の断線修正方法の上層膜形成工程を示す部分拡大平面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１…ＴＦＴ
３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ…カラーフィルタ（上層膜）
４…配線
４ａ…ゲート配線
４ｂ…データ配線
５…断線箇所
６…線状パターン
７…修正液
８…導電膜
８ａ…導電膜の部分
９…修正配線
【図１】
2009300826.tif 000003
【図２】
2009300826.tif 000004
【図３】
2009300826.tif 000005
【図４】
2009300826.tif 000006
【図５】
2009300826.tif 000007
【図６】
2009300826.tif 000008
【図７】
2009300826.tif 000009