(57)【要約】１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備する。この原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層を得る。この誘電体層に電極を形成することでセラミックコンデンサを得る。このセラミックコンデンサは大きな静電容量を有し小さな容量減少率を示す。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備するステップと、
前記原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層を得るステップと、
前記誘電体層上に電極を形成するステップと、
を含む、セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記原料粉体を準備するステップは、
ＢａＴｉＯ３からなる正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する元原料粉体を準備するステップと、
前記元原料粉体から前記原料粉体を得るステップと、
を含む、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記元原料粉体を準備するステップは、固相反応法により前記元原料粉体を合成するステップを含む、請求項２に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記元原料粉体から前記原料粉体を得るステップは、前記元原料粉体に所定の熱処理を施すステップを含む、請求項２に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記元原料粉体に前記所定の熱処理を施すステップは、０．２気圧以上の酸素分圧の雰囲気で６００℃〜１３００℃の温度に前記元原料粉体を加熱するステップを含む、請求項４に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記元原料粉体から前記原料粉体を得るステップは、前記元原料粉体から前記原料粉体を選定するステップを含む、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記元原料粉体から前記原料粉体を選定するステップは、
前記元原料粉体のｃ軸／ａ軸比をＸ線回折−リートベルト解析法により測定するステップと、
前記測定されたｃ軸／ａ軸比を基に前記元原料粉体から前記原料粉体を選定するステップを含む、請求項６に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記添加物は、前記原料粉体のＢａＴｉＯ３が１００モルに対して１モル以下のＭｇＯである、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記誘電体層の厚さは２μｍ以下である、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法で製造されたセラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明はセラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  特開２００３−２４３２４０号公報に開示されている従来のセラミックコンデンサは、厚さが１〜２μｍ以下と薄いながらも３５００以上の大きな誘電率を有する誘電体層と、その誘電体層の両面上に設けられた電極を備え、大きな静電容量を有する。【０００３】  しかし、このコンデンサは電極間に直流電圧を印加すると静電容量が大きく減少する。例えば、製造直後の静電容量に対して誘電体層の厚さが１μｍ当たり３．１５Ｖの直流電圧を電極間に印加した後の静電容量の容量減少率が５０％以上になる場合がある。
【発明の開示】
【０００４】  １．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備する。この原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層を得る。この誘電体層に電極を形成することでセラミックコンデンサを得る。
【０００５】  このセラミックコンデンサは大きな静電容量を有し小さな容量減少率を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は本発明の実施の形態によるセラミックコンデンサの一部切欠斜視図である。
【図２】図２は実施の形態によるセラミックコンデンサの模式図である。
【図３】図３は実施の形態によるセラミックコンデンサの原料粉体の結晶構造を示す。
【図４】図４は実施の形態によるセラミックコンデンサの原料粉体の試料のｃ軸／ａ軸比を示す。
【図５】図５は実施の形態によるセラミックコンデンサの誘電体層の結晶粒の結晶構造を示す。
【図６】図６は実施の形態によるセラミックコンデンサの誘電体層のｃ軸／ａ軸比を示す。
【符号の説明】
【０００７】１    誘電体層
２Ａ    電極
２Ｂ    電極
３Ａ    外部電極
３Ｂ    外部電極
４    結晶粒
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】  図１は本発明の実施の形態によるセラミックコンデンサ１０１の一部切欠斜視図である。セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサブロック１Ａと、外部電極３Ａ、３Ｂとを備える。コンデンサブロック１Ａは、積層された複数の誘電体層１と、誘電体層１の間に所定間隔をおいて交互に設けられた電極２Ａと２Ｂとを有する。すなわち、誘電体層１の面１Ｂと、面１Ｂの反対側の面１Ｃとを有し、電極２Ａと２Ｂは誘電体層１の面１Ｂ、１Ｃ上にそれぞれ設けられている。電極２Ａ、２Ｂはコンデンサブロック１Ａの両端にそれぞれ引き出されて外部電極３Ａ、３Ｂにそれぞれ接続されている。【０００９】  図２はセラミックコンデンサ１０１の模式図である。電極２Ａ、２Ｂ間の誘電体層１の厚さ（面１Ｂ、１Ｃ間の間隔）Ｔ１は１〜２μｍと小さく、さらに、誘電体層１の誘電率を高くすることで、セラミックコンデンサ１０１は大きな静電容量を有する。誘電体層１の結晶粒４のｃ軸／ａ軸比を１．００５から１．００９の範囲にすることによって、誘電体層１の誘電率を３５００以上と大きくできる。【００１０】  以下にセラミックコンデンサ１０１の製造方法を説明する。【００１１】  まず、１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備する。最初に、固相反応法により０．１μｍから０．５μｍの平均粒径を有するＢａＴｉＯ３からなる元原料粉体を合成して準備する。図３はその元原料粉体の結晶構造を示す。元原料粉体の結晶構造はＢａ原子３１とＴｉ原子３２とＯ原子３３よりなり、ａ軸３４とｃ軸３５とを有する正方晶ペロブスカイト型である。この元原料粉体のｃ軸／ａ軸比をＸ線回折−リートベルト解析法により測定し、測定されたｃ軸／ａ軸比に基づき、図４に示すようにｃ軸／ａ軸比が１．００９から１．０１１である試料１から試料４の原料粉体を選定して原料粉体を得る。さらに、従来から用いてられているシュウ酸法により、０．１μｍから０．５μｍの平均粒径を有しかつ正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有するＢａＴｉＯ３からなる原料粉体の比較例１を合成する。比較例１のＸ線回折−リートベルト解析法により測定したｃ軸／ａ軸比は１．００８である。【００１２】  次に、原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層１を得る。図４に示す試料１から試料４と比較例１の各原料粉体に、１００モルのＢａＴｉＯ３に対して１モル以下のＭｇＯを添加物としてそれぞれ混合し、乾燥し、仮焼し、粉砕して粉砕粉を得る。本実施の形態では、１００モルのＢａＴｉＯ３に対して１モル以下のＭｇＯを添加しているが、好ましくは１モル〜０．５モル、より好ましくは１モルのＭｇＯを添加する。そして、これらの粉砕粉をバインダーと混ぜてシート状に成形することで複数の誘電体層１を得る。誘電体層１と電極２Ａ、２Ｂを積層して積層体を形成し、その積層体を１２００〜１３００℃で焼成する。その後、積層体の両端を削ることによりその両端に電極２Ａ、２Ｂをそれぞれ露出させてコンデンサブロック１Ａを形成する。電極２Ａ、２Ｂがそれぞれ露出する両端に外部電極３Ａ、３Ｂをそれぞれ設けてセラミックコンデンサ１０１のサンプルが得られる。【００１３】  積層体の焼成後の電極２Ａ、２Ｂ間の間隔すなわち誘電体層１の厚みＴ１は、図２に示すように、約１μｍ〜２μｍである。誘電体層１の厚みＴ１の範囲に０．５μｍ以下の平均粒径を有する結晶粒４が、２段、３段、あるいは４段に積み重なっている。図５は結晶粒４の結晶構造を示す。結晶粒４の結晶構造は、Ｂａ原子５１とＴｉ原子５２とＯ原子５３よりなり、ａ軸５４とｃ軸５５とを有する正方晶ペロブスカイト型である。【００１４】  図６は図４に示す原料粉体により得られたセラミックコンデンサ１０１のサンプルの誘電体層１のｃ軸／ａ軸比を示す。試料１から試料４と比較例１を用いた誘電体層１のｃ軸／ａ軸比は、図６に示すように、１．００５から１．００９の範囲である。【００１５】  試料１から試料４と比較例１の原料粉体を用いたセラミックコンデンサ１０１の各サンプルの電極２Ａ、２Ｂ間に、誘電体層１の厚さが１μｍ当たり３．１５Ｖの直流電圧を印加する。そして、製造直後のサンプルの静電容量に対する直流電圧の印加後のサンプルの静電容量の容量減少率を測定する。【００１６】  図６に、試料１から試料４と比較例１の原料粉体を用いて作成したセラミックコンデンサ１０１の各サンプルの誘電体層１の誘電率と測定した容量減少率も示す。【００１７】  原料粉体として試料１から試料４を用いたサンプルは３５００以上の大きな誘電率を有する誘電体層１を有し、４０％以下の良好な容量減少率を示す。しかし、原料粉体として比較例１を用いたサンプルは３６２５の大きな誘電率を有する誘電体層１を有するが、５３．４％の容量減少率を示す。【００１８】  誘電率は完成後のセラミックコンデンサ１０１の誘電体層１の最終の結晶構造によって決定されているが、容量減少率は誘電体層１の最終の結晶構造だけでは決定されず、原料粉体の結晶構造にも依存している。最終の結晶構造のｃ軸／ａ軸比より大きなｃ軸／ａ軸比を有する原料粉体に添加物を混合することにより、結晶構造の微小なストレスをコントロールできると同時に微小欠陥を少なくできる。これにより、３５００以上の大きな誘電率と４０％以下の良好な容量減少率が得られる。【００１９】  本実施の形態においては、原料粉体に混合する添加物としてＭｇＯを用いたが、ＭｎＯ２，Ｄｙ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系ガラスを用いてもよい。【００２０】  また、本実施の形態においては、固相反応法により得られた元原料粉体からＸ線回折−リートベルト解析法を用いてｃ軸／ａ軸比が１．００９から１．０１１である試料１から試料４の原料粉体を高精度に選定できる。また、元原料粉体に所定の熱処理を施して、例えば、元原料粉体を０．２気圧以上の酸素分圧の雰囲気で６００℃〜１３００℃の温度に加熱して、１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比を有する原料粉体を得てもよい。本実施の形態では元原料粉体を０．２気圧以上の酸素分圧の雰囲気で加熱するが、大気中（酸素分圧０．２気圧）で加熱してもよく、好ましくは０．２気圧〜１気圧（大気圧）の酸素分圧で加熱する。熱処理装置のコストが許容できれば、１気圧より高い酸素分圧で元原料粉体を加熱してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２１】  本発明による方法により製造されたセラミックコンデンサは大きな静電容量を有し小さな容量減少率を示し、小型の電子機器に有用である。
【図１】
2006035576.tif 000002
【図２】
2006035576.tif 000003
【図３】
2006035576.tif 000004
【図４】
2006035576.tif 000005
【図５】
2006035576.tif 000006
【図６】
2006035576.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成19年1月9日(2007.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備するステップと、
前記原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層を得るステップと、
前記誘電体層上に電極を形成するステップと、
を含む、セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記原料粉体を準備するステップは、
ＢａＴｉＯ３からなる正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する元原料粉体を準備するステップと、
前記元原料粉体から前記原料粉体を得るステップと、
を含む、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記元原料粉体を準備するステップは、固相反応法により前記元原料粉体を合成するステップを含む、請求項２に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記元原料粉体から前記原料粉体を得るステップは、前記元原料粉体に所定の熱処理を施すステップを含む、請求項２に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記元原料粉体に前記所定の熱処理を施すステップは、０．２気圧以上の酸素分圧の雰囲気で６００℃〜１３００℃の温度に前記元原料粉体を加熱するステップを含む、請求項４に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項６】
前記元原料粉体から前記原料粉体を得るステップは、前記元原料粉体から前記原料粉体を選定するステップを含む、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項７】
前記元原料粉体から前記原料粉体を選定するステップは、
前記元原料粉体のｃ軸／ａ軸比をＸ線回折−リートベルト解析法により測定するステップと、
前記測定されたｃ軸／ａ軸比を基に前記元原料粉体から前記原料粉体を選定するステップを含む、請求項６に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項８】
前記添加物は、前記原料粉体のＢａＴｉＯ３が１００モルに対して１モル以下のＭｇＯである、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記誘電体層の厚さは２μｍ以下である、請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のセラミックコンデンサの製造方法で製造されたセラミックコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はセラミックコンデンサおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００３−２４３２４０号公報に開示されている従来のセラミックコンデンサは、厚さが１〜２μｍ以下と薄いながらも３５００以上の大きな誘電率を有する誘電体層と、その誘電体層の両面上に設けられた電極を備え、大きな静電容量を有する。
【０００３】
しかし、このコンデンサは電極間に直流電圧を印加すると静電容量が大きく減少する。例えば、製造直後の静電容量に対して誘電体層の厚さが１μｍ当たり３．１５Ｖの直流電圧を電極間に印加した後の静電容量の容量減少率が５０％以上になる場合がある。
【発明の開示】
【０００４】
１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備する。この原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層を得る。この誘電体層に電極を形成することでセラミックコンデンサを得る。
【０００５】
このセラミックコンデンサは大きな静電容量を有し小さな容量減少率を示す。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１は本発明の実施の形態によるセラミックコンデンサ１０１の一部切欠斜視図である。セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサブロック１Ａと、外部電極３Ａ、３Ｂとを備える。コンデンサブロック１Ａは、積層された複数の誘電体層１と、誘電体層１の間に所定間隔をおいて交互に設けられた電極２Ａと２Ｂとを有する。すなわち、誘電体層１の面１Ｂと、面１Ｂの反対側の面１Ｃとを有し、電極２Ａと２Ｂは誘電体層１の面１Ｂ、１Ｃ上にそれぞれ設けられている。電極２Ａ、２Ｂはコンデンサブロック１Ａの両端にそれぞれ引き出されて外部電極３Ａ、３Ｂにそれぞれ接続されている。
【０００７】
図２はセラミックコンデンサ１０１の模式図である。電極２Ａ、２Ｂ間の誘電体層１の厚さ（面１Ｂ、１Ｃ間の間隔）Ｔ１は１〜２μｍと小さく、さらに、誘電体層１の誘電率を高くすることで、セラミックコンデンサ１０１は大きな静電容量を有する。誘電体層１の結晶粒４のｃ軸／ａ軸比を１．００５から１．００９の範囲にすることによって、誘電体層１の誘電率を３５００以上と大きくできる。
【０００８】
以下にセラミックコンデンサ１０１の製造方法を説明する。
【０００９】
まず、１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する原料粉体を準備する。最初に、固相反応法により０．１μｍから０．５μｍの平均粒径を有するＢａＴｉＯ３からなる元原料粉体を合成して準備する。図３はその元原料粉体の結晶構造を示す。元原料粉体の結晶構造はＢａ原子３１とＴｉ原子３２とＯ原子３３よりなり、ａ軸３４とｃ軸３５とを有する正方晶ペロブスカイト型である。この元原料粉体のｃ軸／ａ軸比をＸ線回折−リートベルト解析法により測定し、測定されたｃ軸／ａ軸比に基づき、図４に示すようにｃ軸／ａ軸比が１．００９から１．０１１である試料１から試料４の原料粉体を選定して原料粉体を得る。さらに、従来から用いてられているシュウ酸法により、０．１μｍから０．５μｍの平均粒径を有しかつ正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有するＢａＴｉＯ３からなる原料粉体の比較例１を合成する。比較例１のＸ線回折−リートベルト解析法により測定したｃ軸／ａ軸比は１．００８である。
【００１０】
次に、原料粉体に添加物を混合することにより、１．００５から１．００９の範囲のｃ軸／ａ軸比と０．５μｍ以下の平均粒径とを有しＢａＴｉＯ３を主成分とする正方晶ペロブスカイト型の結晶構造を有する誘電体層１を得る。図４に示す試料１から試料４と比較例１の各原料粉体に、１００モルのＢａＴｉＯ３に対して１モル以下のＭｇＯを添加物としてそれぞれ混合し、乾燥し、仮焼し、粉砕して粉砕粉を得る。本実施の形態では、１００モルのＢａＴｉＯ３に対して１モル以下のＭｇＯを添加しているが、好ましくは１モル〜０．５モル、より好ましくは１モルのＭｇＯを添加する。そして、これらの粉砕粉をバインダーと混ぜてシート状に成形することで複数の誘電体層１を得る。誘電体層１と電極２Ａ、２Ｂを積層して積層体を形成し、その積層体を１２００〜１３００℃で焼成する。その後、積層体の両端を削ることによりその両端に電極２Ａ、２Ｂをそれぞれ露出させてコンデンサブロック１Ａを形成する。電極２Ａ、２Ｂがそれぞれ露出する両端に外部電極３Ａ、３Ｂをそれぞれ設けてセラミックコンデンサ１０１のサンプルが得られる。
【００１１】
積層体の焼成後の電極２Ａ、２Ｂ間の間隔すなわち誘電体層１の厚みＴ１は、図２に示すように、約１μｍ〜２μｍである。誘電体層１の厚みＴ１の範囲に０．５μｍ以下の平均粒径を有する結晶粒４が、２段、３段、あるいは４段に積み重なっている。図５は結晶粒４の結晶構造を示す。結晶粒４の結晶構造は、Ｂａ原子５１とＴｉ原子５２とＯ原子５３よりなり、ａ軸５４とｃ軸５５とを有する正方晶ペロブスカイト型である。
【００１２】
図６は図４に示す原料粉体により得られたセラミックコンデンサ１０１のサンプルの誘電体層１のｃ軸／ａ軸比を示す。試料１から試料４と比較例１を用いた誘電体層１のｃ軸／ａ軸比は、図６に示すように、１．００５から１．００９の範囲である。
【００１３】
試料１から試料４と比較例１の原料粉体を用いたセラミックコンデンサ１０１の各サンプルの電極２Ａ、２Ｂ間に、誘電体層１の厚さが１μｍ当たり３．１５Ｖの直流電圧を印加する。そして、製造直後のサンプルの静電容量に対する直流電圧の印加後のサンプルの静電容量の容量減少率を測定する。
【００１４】
図６に、試料１から試料４と比較例１の原料粉体を用いて作成したセラミックコンデンサ１０１の各サンプルの誘電体層１の誘電率と測定した容量減少率も示す。
【００１５】
原料粉体として試料１から試料４を用いたサンプルは３５００以上の大きな誘電率を有する誘電体層１を有し、４０％以下の良好な容量減少率を示す。しかし、原料粉体として比較例１を用いたサンプルは３６２５の大きな誘電率を有する誘電体層１を有するが、５３．４％の容量減少率を示す。
【００１６】
誘電率は完成後のセラミックコンデンサ１０１の誘電体層１の最終の結晶構造によって決定されているが、容量減少率は誘電体層１の最終の結晶構造だけでは決定されず、原料粉体の結晶構造にも依存している。最終の結晶構造のｃ軸／ａ軸比より大きなｃ軸／ａ軸比を有する原料粉体に添加物を混合することにより、結晶構造の微小なストレスをコントロールできると同時に微小欠陥を少なくできる。これにより、３５００以上の大きな誘電率と４０％以下の良好な容量減少率が得られる。
【００１７】
本実施の形態においては、原料粉体に混合する添加物としてＭｇＯを用いたが、ＭｎＯ２，Ｄｙ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｂａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系ガラスを用いてもよい。
【００１８】
また、本実施の形態においては、固相反応法により得られた元原料粉体からＸ線回折−リートベルト解析法を用いてｃ軸／ａ軸比が１．００９から１．０１１である試料１から試料４の原料粉体を高精度に選定できる。また、元原料粉体に所定の熱処理を施して、例えば、元原料粉体を０．２気圧以上の酸素分圧の雰囲気で６００℃〜１３００℃の温度に加熱して、１．００９から１．０１１の範囲のｃ軸／ａ軸比を有する原料粉体を得てもよい。本実施の形態では元原料粉体を０．２気圧以上の酸素分圧の雰囲気で加熱するが、大気中（酸素分圧０．２気圧）で加熱してもよく、好ましくは０．２気圧〜１気圧（大気圧）の酸素分圧で加熱する。熱処理装置のコストが許容できれば、１気圧より高い酸素分圧で元原料粉体を加熱してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
本発明による方法により製造されたセラミックコンデンサは大きな静電容量を有し小さな容量減少率を示し、小型の電子機器に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態によるセラミックコンデンサの一部切欠斜視図
【図２】実施の形態によるセラミックコンデンサの模式図
【図３】実施の形態によるセラミックコンデンサの原料粉体の結晶構造を示す図
【図４】実施の形態によるセラミックコンデンサの原料粉体の試料のｃ軸／ａ軸比を示す図
【図５】実施の形態によるセラミックコンデンサの誘電体層の結晶粒の結晶構造を示す図
【図６】実施の形態によるセラミックコンデンサの誘電体層のｃ軸／ａ軸比を示す図
【符号の説明】
【００２１】
１    誘電体層
２Ａ    電極
２Ｂ    電極
３Ａ    外部電極
３Ｂ    外部電極
４    結晶粒
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006035576.tif 000008
【図２】
2006035576.tif 000009
【図３】
2006035576.tif 000010
【図４】
2006035576.tif 000011
【図５】
2006035576.tif 000012
【図６】
2006035576.tif 000013
【国際調査報告】
2006035576.tif 000014
2006035576.tif 000015
2006035576.tif 000016