(57)【要約】  絶縁基板上に熱硬化性の感光性樹脂膜をスピンコート法などによって形成し、感光性樹脂膜を紫外線などの放射線を露光し、現像剤又はエッチングによって現像し、感光性樹脂膜を加熱硬化し、必要に応じて酸素プラズマ処理若しくは紫外線照射処理し、該感光性樹脂膜を乾燥して樹脂膜中の水分量を調整し、次いでフッ素ガス雰囲気に曝し、アニール処理をし、次いでフッ酸系薬液で樹脂膜を浸漬することを含む回路基板の製造方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の製造方法であって、
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程の後、
該樹脂膜を露光し現像する工程、
該樹脂膜を加熱硬化する工程、及び
該樹脂膜を乾燥した後にフッ素ガス雰囲気に曝す工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項２】
回路基板の製造方法であって、
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程、
該樹脂膜を露光し現像する工程、
該樹脂膜を加熱硬化する工程、
該樹脂膜を乾燥する工程、
次いで、該樹脂膜をフッ素ガス雰囲気に曝す工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項３】
回路基板の製造方法であって、
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程、
該樹脂膜を露光し現像する工程、
該樹脂膜を乾燥する工程、
該樹脂膜をフッ素ガス雰囲気に曝す工程、
次いで、該樹脂膜を加熱硬化する工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項４】
回路基板の製造方法であって、
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程、
該樹脂膜を加熱硬化する工程、
該樹脂膜を乾燥する工程、
該樹脂膜をフッ素ガス雰囲気に曝す工程、
次いで、該樹脂膜を露光し現像する工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂膜の乾燥の工程で、前記樹脂膜中の水分量を１重量％以下にする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記フッ素ガス雰囲気中の水分濃度が１００重量ｐｐｍ以下である請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂膜の加熱硬化の工程を不活性ガス雰囲気中で行う請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記フッ素ガス雰囲気に曝す工程の前に、前記樹脂膜を大気圧下で紫外線照射することを含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記フッ素ガス雰囲気に曝す工程の前に、常圧または減圧下で前記樹脂膜に酸素プラズマ処理する工程をさらに含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記フッ素ガス雰囲気に曝す工程の後、フッ酸系薬液と前記絶縁基板を接触させる工程をさらに含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フッ酸系薬液が、フッ化水素酸濃度０．１重量％〜５０重量％のフッ酸水溶液である請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記フッ酸系薬液が、無機酸、フッ化物塩及び界面活性剤からなる群から選ばれる一種以上の薬品を含む請求項１０に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記樹脂膜の現像によって形成された凹部に導電性材料を充填し、電気配線を形成する工程をさらに含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性材料の充填をメッキ法あるいは印刷法のいずれかによって行う請求項１３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記印刷法がインクジェット印刷あるいはスクリーン印刷である請求項１４に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記樹脂膜と電気配線が実質上同一平面となっている請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁基板がガラス基板またはシリコンウェハである請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１８】
前記導電性材料が有機物を含有している請求項１３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１９】
前記樹脂膜がアルカリ可溶性脂環式オレフィン系樹脂と感放射線成分とを含有する感光性樹脂組成物で形成されたものである請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２０】
前記樹脂膜がアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、およびエポキシ系樹脂からなる群から選ばれた一種以上の樹脂を含む請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法で得られた回路基板。
【請求項２２】
請求項２１に記載の回路基板を備えた表示装置。
【請求項２３】
前記表示装置が、液晶表示装置、有機EL表示装置又はプラズマアドレス表示装置である請求項２２に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・電子用途で有用な回路基板、回路基板の製造方法及び回路基板を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器用基板は、ガラスや樹脂などの絶縁基板または少なくとも表面が絶縁体で形成された基板に、多数の薄膜トランジスタおよびこれらのトランジスタの相互間若しくは該トランジスタと電源や入出力端子との間の接続をするための電気配線層を単層または多層に配置して構成されるものである。【０００３】
代表的な電子機器用基板の実施態様のひとつにアクティブマトリクス液晶表示装置や有機EL表示装置などの表示装置がある。走査線、信号線などを含む基板全体はアクティブマトリクス基板とも呼ばれ、基板の表面に、減圧雰囲気における成膜やフォトリソグラフィなどのプロセスにより幾層もの回路パターンを形成し構成されている。表示装置のコスト低減の観点から、減圧雰囲気における成膜工程やフォトリソグラフィ工程の削減が検討されている。【０００４】
特に、配線をスパッタにより成膜する工程では、全面に成膜した配線材料をフォトリソグラフィ法により加工し、配線部を形成する。このため、配線材料の大部分がエッチング除去されてしまう。また、膜厚の均一性を確保するために、基板面積にくらべて大きい配線材料のターゲットを使用する。このため、配線材料の利用効率が著しく低く、電子機器用基板の製造コストを上昇させる要因になっている。【０００５】
このような問題を解決するために、印刷法により必要な部位のみに配線を形成し配線材料の利用効率を高める手法が開発されている。例えば、特開２００２-０２６０１４号公報に記載のようにインクジェット法を用いて、所定の場所のみに配線を形成する方法が開示されている。このような印刷法を用いることで、減圧工程を削減することができ、表示装置の製造コストを低減することができる。通常、インクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線を形成する部分を仕切る凸状の仕切部材（「バンク」または「凸部」とも呼ばれる）を設け、仕切部材で囲まれた領域に配線となる液状の導電性材料を充填する方法が採られている。【０００６】
このとき、仕切部材が、液状の導電性材料に対して親液性、或いは濡れ性を有する場合には、仕切部材に引っ張られ、仕切部材の外側に濡れ広がり、最終的に所望の配線幅を得ることができない。一方、仕切部材で囲まれた領域の底面は、液状の導電性材料が、底面に均一に濡れ拡がるように、導電性材料に対して高い親和性、濡れ性を有する必要がある。導電性材料に対する濡れ性が弱いと仕切部材で囲まれた領域に導電性材料が濡れ拡がらず、配線の場合では断線の原因となる。【０００７】
このような問題に対して、例えば、特開平９−２０３８０３号公報、特開平９−２３０１２９号公報及び特開２０００−３５３５９４号公報は、仕切部材の上部を撥液性にし、それ以外の部分を親液性にする表面処理技術を提案している。この表面処理技術は、仕切部材の上部を撥液性にするために、減圧下や大気圧下でフッ素化合物を含んだガスのプラズマを照射するなどの技術である。また、仕切部材で囲まれた領域の底面を親液性にするために、親水性基含有界面活性剤で処理する方法や紫外線照射により親和性を付与する方法などが記載されている。【０００８】
しかし、１０μｍ幅以下の微細幅の配線をインクジェット法にて形成する場合には、上記仕切部材の上部と、仕切部材で囲まれた領域の底面との親液・撥液の差が十分でないため液体材料の溢れや余分な濡れ広がりが生じる問題がある。例えば、プラズマ照射によって撥液部を形成する場合、仕切部材が有機材料であるとフッ素化合物形成と同時に、フッ素化合物のエッチング反応が進行するため一定の撥液性しか得られない。また、プラズマ装置自体が非常に複雑であり、電子機器用回路基板の実製造の場合は、製造ラインが非常に複雑になるという問題がある。【０００９】
また、親液部の形成に関しては、一般的に、前記した親水性基含有界面活性剤を使用した処理や紫外線照射を行ったあとにフッ素化合物のプラズマ処理を行う。しかし、本来親液化されるべき部位もフッ素化合物が形成されるため、効果が低くなるという問題がある。また、プラズマ処理は異方性の処理であるため、フッ素化されるのは仕切部材の上面のみである。この結果、パターンの底面の撥液性の値に対し側壁部は撥液性が低く、微細配線形成のための液状導電性材料の収納性が悪いという問題点がある。【００１０】
一方、仕切部材に用いられる有機材料をフッ素ガス雰囲気に曝すことで、フッ素化合物を形成する技術は以前より知られている。例えば、特開平６−６９１９０号公報では感光性樹脂をフッ素ガス雰囲気に曝して、フッ素樹脂膜を得る技術が提案されている。フッ素ガス雰囲気に曝すことによりＣ-Ｈ結合をＣ-Ｆ結合に置換し、炭素不飽和結合にフッ素原子を付加するのでフッ素樹脂を得ることができる。しかし、上記特開平６−６９１９０号公報の方法をそのまま実施すると、フッ酸を生成することがあり、生成したフッ酸によって有機材料やシリコン系の基板材料が劣化することがある。【００１１】
【特許文献１】特開平９−２０３８０３号公報
【特許文献２】特開平９−２３０１２９号公報
【特許文献３】特開２０００−３５３５９４号公報
【特許文献４】特開平６−６９１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本発明の目的は、仕切部材を劣化させることなく、仕切部材と絶縁基板間の液状導電性材料の濡れ性に十分なコントラストを与え、インクジェット法により微細な配線形成を実現できる回路基板の製造方法を提供することである。【００１３】
本発明の他の目的は、上記回路基板を用いた表示装置を提供することにある。【００１４】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を加えたところ、まず、電子機器用回路基板上に熱硬化性の感光性樹脂膜を形成し、露光・現像、熱硬化、乾燥、及びフッ素ガス雰囲気に曝す工程を行うことが、形成した仕切り部材の撥液性向上に効果があることを見出した。また、その前後に行うプラズマ処理やフッ酸系薬液による浸漬処理が基板面の親液化に効果があること見出した。さらに、それらの方法を組み合わせることで液体材料に対し高コントラストの撥液性が得られ、配線の微細化形成が可能となることを見出した。この結果、本発明の完成に至った。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、以下のような態様を有する。【００１６】
（第１の態様）
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程の後、該樹脂膜を露光し現像する工程、該樹脂膜を加熱硬化する工程、及び該樹脂膜を乾燥した後にフッ素ガス雰囲気に曝す工程を含む回路基板の製造方法である。【００１７】
（第２の態様）
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程、該樹脂膜を露光し現像する工程、該樹脂膜を加熱硬化する工程、該樹脂膜を乾燥する工程、次いで、該樹脂膜をフッ素ガス雰囲気に曝す工程を含む回路基板の製造方法である。【００１８】
（第３の態様）
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程、該樹脂膜を露光し現像する工程、該樹脂膜を乾燥する工程、該樹脂膜をフッ素ガス雰囲気に曝す工程、次いで、該樹脂膜を加熱硬化する工程を含む回路基板の製造方法である。【００１９】
（第４の態様）
絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程、該樹脂膜を加熱硬化する工程、該樹脂膜を乾燥する工程、該樹脂膜をフッ素ガス雰囲気に曝す工程、次いで、該樹脂膜を露光し現像する工程を含む回路基板の製造方法である。【００２０】
本発明の回路基板の製造方法の好適な態様は、以下の通りである。【００２１】
（第５の態様）
前記樹脂膜の乾燥の工程で、前記樹脂膜中の水分量を１重量％以下にする。【００２２】
（第６の態様）
前記フッ素ガス雰囲気中の水分濃度が１００重量ｐｐｍ以下である。【００２３】
（第７の態様）
前記樹脂膜の加熱硬化の工程を不活性ガス雰囲気中で行う。【００２４】
（第８の態様）
前記フッ素ガス雰囲気に曝す工程の前に、前記樹脂膜を大気圧下で紫外線照射することを含む。【００２５】
（第９の態様）
前記フッ素ガス雰囲気に曝す工程の前に、常圧または減圧下で前記樹脂膜に酸素プラズマ処理する工程をさらに含む。【００２６】
（第１０の態様）
前記フッ素ガス雰囲気に曝す工程の後、フッ酸系薬液と前記絶縁基板を接触させる工程をさらに含む。【００２７】
（第１１の態様）
前記フッ酸系薬液が、フッ化水素酸濃度０．１重量％〜５０重量％のフッ酸水溶液である。【００２８】
（第１２の態様）
前記フッ酸系薬液が、無機酸、フッ化物塩及び界面活性剤からなる群から選ばれる一種以上の薬品を含む。【００２９】
（第１３の態様）
前記樹脂膜の現像によって形成された凹部に導電性材料を充填し、電気配線を形成する工程をさらに含む。【００３０】
（第１４の態様）
前記導電性材料の充填をメッキ法あるいは印刷法のいずれかによって行う。【００３１】
（第１５の態様）
前記印刷法がインクジェット印刷あるいはスクリーン印刷である。【００３２】
（第１６の態様）
前記樹脂膜と電気配線が実質上同一平面となっている。【００３３】
（第１７の態様）
前記絶縁基板がガラス基板またはシリコンウェハである。【００３４】
（第１８の態様）
前記導電性材料が有機物を含有している。【００３５】
（第１９の態様）
前記樹脂膜がアルカリ可溶性脂環式オレフィン系樹脂と感放射線成分とを含有する感光性樹脂組成物で形成されたものである。【００３６】
（第２０の態様）
前記樹脂膜がアクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、およびエポキシ系樹脂からなる群から選ばれた一種以上の樹脂を含む。【００３７】
（第２１の態様）
さらに、本発明は、前記製造方法で得られた回路基板である。【００３８】
（第２２の態様）
さらに、本発明は、前記回路基板を備えた表示装置である。【００３９】
（第２３の態様）
前記表示装置は、液晶表示装置、有機EL表示装置又はプラズマアドレス表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、本発明の回路基板の製造方法の一実施態様を示す工程図である。
【図２】図２は、本発明の回路基板の製造方法の一実施態様を示す工程図（続き）である。
【図３】図３は、本発明実施例で用いる焼成装置の概念図である。
【図４】図４は、本発明実施例で用いるフッ素ガス雰囲気処理炉の概念図である。
【図５】図５は、本発明実施例で得られたアニール後のサンプルのＦＴ-ＩＲ分析結果を示す図である。
【図６】図６は、本発明実施例のアクティブマトリクス液晶ディスプレイの構造を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明実施例のアクティブマトリクス液晶ディスプレイの配置を示す上面図である。
【図８】図８は、本発明実施例１０の工程（ａ）〜（ｄ）を示す図である。
【図９】図９は、本発明実施例１０の工程（ｅ）〜（h）を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明実施例１０の工程（ｉ）を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本発明の回路基板の製造方法を図を参照しながら、説明する。図１及び図２は本発明の回路基板の製造方法の一実施態様の工程を示すものである。【００４２】
（１）絶縁基板上に樹脂膜を形成する工程
本工程においては、絶縁基板上に、熱硬化性の感光性樹脂膜を形成する。【００４３】
絶縁基板１は、電子機器用回路基板において通常使用される基板であるが、ガラス基板又はシリコンウェハが好適に用いられる。【００４４】
樹脂膜２は、通常、アルカリ可溶性高分子成分と感放射線成分とを含有する熱硬化性の感光性樹脂組成物で形成される。熱硬化性の感光性樹脂組成物を構成する高分子成分としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、脂環式オレフィン系樹脂、及びエポキシ系樹脂からなる群から選ばれる少なくと１種の樹脂を含有する。【００４５】
これらの中でも、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂及び脂環式オレフィン系樹脂が好ましく、アクリル系樹脂及び脂環式オレフィン系樹脂が特に好ましい。なお、脂環式オレフィン系樹脂を用いる場合には、特開2004-212450号公報に記載の架橋剤を併用して熱硬化性を持たせればよい。【００４６】
より具体的には、特開２００４−４７３３８（ＵＳ２００３０１９３６２４Ａ１）号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開２００３−２８８９９１（ＵＳ２００３０２１５７３７Ａ１）号公報記載の感放射線性組成物、特開２００３−３０２６４２号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平１０−２６８２９号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平９−２３０５９６号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平９−１４６２７６号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平８−２６２７０９号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平１０−１０７３４号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平８−２４０９１１号公報記載の感放射線性樹脂組成物、特開平８−１８３８１９号公報記載の感放射線性樹脂組成物及び特開２００４−２１２４５０号公報記載の感放射線性樹脂組成物などが挙げられる。これらのうち、アルカリ可溶性脂環式オレフィン系樹脂と感放射線成分とを含有する熱硬化性の感光性樹脂組成物が好適に用いられる。【００４７】
樹脂膜には無機物が含まれていてもよい。樹脂膜２の形成方法は特に限定されないが、熱硬化性の感光性樹脂組成物をスピンコート，スリットコートまたはスクリーン印刷により形成してもよい。５μｍ以下の薄膜を形成するためには、スピンコートやスリットコートが好ましい。特に、基板内の膜厚均一性良く薄膜を形成するためには、スピンコートがもっとも好ましい。【００４８】
（２）露光工程および現像（又はエッチング）工程
熱硬化性の感光性樹脂組成物を塗布等して形成された樹脂膜２に、所定のパターンを有するマスク３を置き、紫外線（ｇ線、ｈ線及びｉ線等）などの放射線４を照射する。放射線４の波長、強度などは、パターンの精細さに応じて適宜選択される。例えば、波長３６５ｎｍ、光強度１０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を空気中で１００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー量となる照射を行う。【００４９】
露光・現像後の解像度を高めるために、例えば１２０℃のホットプレートで１分間程度プリベークすることができる。樹脂膜２は、感放射線成分の種類に応じて、放射線を照射された部分が現像剤で除去されやすくなるもの（ポジ型）と、現像剤で除去されにくくなるもの（ネガ型）とがある。図１の工程（２）ではポジ型の樹脂膜の現像工程を示している。露光後、現像剤を用いてパターンを現像する。現像剤としては、従来公知のものを用いることができ、例えば、アミン類、有機アンモニウム塩などの有機アルカリ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの無機アルカリが挙げられる。現像剤で現像した後、リンス処理することもできる。現像液による現像の代わりにエッチング処理によってパターンを形成してもよい。【００５０】
（３）加熱硬化工程
樹脂膜２を加熱硬化させて、パターンを固定する。加熱硬化方法は特に制限されない。例えば、２４０℃のホットプレート上で３０分間加熱して硬化させてもよいが、不活性ガス雰囲気中で加熱することが好ましい。加熱硬化時の温度は、１５０℃以上が好ましく、２００℃以上が特に好ましい。【００５１】
る。【００５２】
（４）酸素プラズマ処理若しくは紫外線照射処理の工程
後記のフッ素ガスによる処理を行う前に、酸素プラズマ処理若しくは紫外線照射処理５を行うことが好ましい。【００５３】
紫外線照射は通常大気圧下で行う。酸素プラズマ処理は常圧または減圧下で行う。これら酸素プラズマ処理若しくは紫外線照射処理を行うことは、樹脂膜２の表面と絶縁基板面との撥液性の差を大きくするために好ましい。また、露光・現像やエッチングにより樹脂膜２のパターンを形成できるが、その際絶縁基板表面に樹脂残渣が残る。それを除去するために本処理が有効である。絶縁基板が露出する部分に樹脂残渣が残ったままでフッ素ガス雰囲気に曝すと、残渣物の表面にフッ素化合物が形成され、樹脂膜２の表面と開口部分の撥液性の差が得られにくくなる。【００５４】
（５）樹脂膜の乾燥工程とフッ素ガス曝露工程（フッ素化処理工程）
フッ素ガス雰囲気に曝す前に樹脂膜２を乾燥することが必要である。樹脂膜２を乾燥することによって樹脂膜２中の水分含有量を好ましくは１重量％以下、より好ましくは０．１重量％以下、更に好ましくは０．０５重量％以下にする。水分含有量が多いとフッ素ガス７と水分が反応してフッ化水素が生じ、樹脂の表面処理を妨げるとともに、樹脂膜２の変質や基板からの剥離など不具合を生ずることがある。乾燥の方式は特に限定されないが、不活性ガス雰囲気下、５０℃以上、より好ましくは１００℃以上に加熱することが好ましい。【００５５】
樹脂膜２中の水分を乾燥によって調整した後、樹脂膜２をフッ素ガス７の雰囲気に曝す。フッ素ガス雰囲気中のフッ素ガス濃度は特に限定されないが、好ましくは０．１〜５０容量％、より好ましくは０．３〜３０容量％、更に好ましくは０．５〜２０容量％である。フッ素ガス濃度が低すぎると樹脂膜２の表面のフッ素化合物６の生成が遅くなる。一方、濃度が高すぎると樹脂膜２と急激な反応が生じるため好ましくないことがある。フッ素ガス７は希ガス類や窒素などの不活性ガスで希釈し使用することが好ましい。また、樹脂膜２を形成した絶縁基板１をフッ素ガス雰囲気に曝す方法は、特に限定されない。例えば，フッ素ガス７を容器中で常圧で流通させる方法、または加圧下で密封するなどの方法が挙げられる。【００５６】
樹脂膜２を形成した絶縁基板１を処理するフッ素ガス雰囲気中の水分量も少ないほうが表面処理には有効である。フッ素ガス雰囲気中の水分量は好ましくは１００重量ｐｐｍ以下、より好ましくは５０重量ｐｐｍ以下、更に好ましくは１０重量ｐｐｍ以下である。水分濃度が上記範囲を超えると、フッ化水素が生成し、種々の不具合を生ずることがある。【００５７】
なお、本発明方法においては、上記（１）の工程を行った後に、上記（２），（３）及び（５）の工程を行う順序は、特に限定されないが、上記（２），（３）及び（５）の工程の順に行うことが好ましい。【００５８】
（６）加熱アニーリング工程
樹脂膜２を成膜した絶縁基板１をフッ素ガス雰囲気に曝した後、不活性ガス雰囲気中でアニールと呼ばれる後加熱することが、表面の撥液性向上に大きな効果があるため好ましい。アニールによって、未反応部位のフッ素化合物６の生成を促進するとともに過剰なフッ素分を揮発させる効果を発現する。アニールに用いる不活性ガスの種類は特に限定されないが、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びラドンなどの希ガス類や窒素が挙げられる。アニール温度は、熱硬化性の感光性樹脂組成物に用いる樹脂の軟化点によって異なるが５０℃〜３５０℃が好ましく、１００〜３５０℃がより好ましく、２００〜３５０℃が特に好ましい。アニール温度が高すぎると生成したフッ素化合物６が過剰に揮発し、樹脂膜２が減膜するなどの不具合が生じ、逆に低すぎるとアニールの効果が発現しないためである。【００５９】
（７）フッ酸処理工程
更に、フッ素ガス雰囲気に曝す工程の後、絶縁基板１を、フッ酸系薬液８と接触させる工程をさらに含むことが、樹脂膜２表面と絶縁基板開口部間での撥液性の差を形成するために好ましい。ここで、フッ酸系薬液とは、フッ化水素酸を含有する薬液をいう。上記したような残渣除去工程（前述の（４）酸素プラズマ処理若しくは紫外線照射処理工程）を行って絶縁基板が露出する部分（絶縁基板１の開口部）の樹脂残渣を除去しても、フッ素ガス雰囲気下に曝すことで絶縁基板１の開口部もフッ素化合物層６が形成されるため、このような層を除去する工程を行うことが好ましい。使用するフッ酸系薬液８は、フッ化水素を超純水で希釈したものが好ましい。希釈したフッ化水素の濃度は、好ましくは０．１重量％〜５０重量％、より好ましくは０．５〜１０重量％である。フッ化水素濃度が高過ぎると、樹脂膜２の劣化や絶縁基板１からの剥離などの不具合が生じ、逆に低過ぎると開口部のフッ素化合物層６の除去効果が得られない。超純水で希釈したフッ化水素と絶縁基板１の接触方法は特に限定されないが、フッ素樹脂容器中での浸漬法による処理や薬液ノズルを用いた流体での処理が挙げられる。【００６０】
フッ酸系薬液として、超純水で希釈したフッ化水素を用いると、処理条件によっては上記したように樹脂膜２に不具合を生ずる場合がある。また、絶縁基板１がシリコン系の基板の場合、基板表面粗さが大きくなったり、不溶性異物が発生するなどの問題が生ずる。そのため、フッ酸系薬液８は、無機酸、フッ化物塩、及び界面活性剤からなる群から選ばれた薬品を一種以上含むことが望ましい。これらの薬品種として、好ましくは塩酸、硫酸、硝酸、及び臭化水素などの無機酸；フッ化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムフロライド及びテトラエチルアンモニウムフロライドなどのフッ化物塩；カチオン系界面活性剤（１級アミン塩、２級アミン塩、３級アミン塩、４級アンモニウム塩、及びアルキルピリジニウム塩など）；アニオン系界面活性剤（カルボン酸、スルホン酸、及びスルホン酸のアルカリ金属塩、硫酸モノエステルのアルカリ金属塩など）；ノニオン系界面活性剤（ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェノラート、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪族アルコール、及びモノグリセリドなど）；のいずれを用いてもよい。【００６１】
（８）配線形成工程
上記工程後、導電性材料を樹脂膜２（以下、仕切部材ということがある。）で仕切られた領域（すなわち、凹部）に充填し電気的な配線９を形成する。導電性材料（充填中の導電性材料を配線前駆体ということもある。）を仕切部材間に充填する工程は、めっき法、印刷法のいずれかによって行われることが好ましく、前記印刷法においてはインクジェット印刷法あるいはスクリーン印刷法であることが好ましい。特に、インクジェット法では、仕切部材の上面と絶縁基板１の開口部露出面とで液体状の配線前駆体に対する親撥液性が異なることから、選択的に配線前駆体を仕切部材間に充填することができる。【００６２】
配線前駆体の種類は特に限定されないが、含有する金属種は、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、マンガン、クロム、アルミなどからなる群から選ばれた金属を一種以上含むことが好ましい。特に、金、銀、銅、ニッケルなどは、１μｍ以下の微粒子を用いることが可能であるため、微細配線形成に好ましい。配線前駆体用の溶剤種は水系、有機溶剤系またはこれらの混合物など特に限定されないが、仕切部材と絶縁基板表面の間に親撥液性の違いが発現することが好ましい。なお、導電性材料は、特開２００２−３２４９６６号公報に記載されているように、有機物を含有していることが好ましい。【００６３】
本発明において電子機器用回路基板は、上記回路基板製造法により得ることができる。電子機器用回路基板の構造は特に限定されないが、前記仕切部分と配線が実質上同一平面であることが好ましい。仕切部分と配線表面とを実質上同一平面とすることで、断線、短絡等の発生を低減できる回路基板を提供するためである。なお、「実質的に同一平面」とは、該平面を構成する部分の最大の段差が、１．０μｍ以下であることをいい、０．５μｍ以下であることが好ましい。本発明方法により得られる回路基板は、表示装置に好適に用いられ、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置又はプラズマアドレス表示装置に特に好適に用いられる。【００６４】
（実施例）
以下に、本発明の実施例を説明する。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例および比較例中の分析値は、いずれも四捨五入して求めた値であり、「部」は「重量部」を表す。【００６５】
また、以下の実施例および比較例における分析条件は下記の通りである。【００６６】
（試験１）昇温脱離分析（以下「ＴＤＳ分析」と略す。）
装置：電子科学社製 ＥＭＤ-ＷＡ１０００Ｓ／Ｗ
（試験２）フーリエ変換赤外分光光度分析（以下、「ＦＴ-ＩＲ分析」と略す。）
装置：パーキンエルマー社  Ｓｐｅｃｔｒｕｍ Ｏｎｅ
（試験３）キャビティーリングダウン分光法（以下、「ＣＲＤＳ分析」と略す。）
装置：Ｔｉｇｅｒ Ｏｐｔｉｃｓ社製  ＭＴＯ-１０００Ｈ２Ｏ
（試験４）接触角測定
装置：協和界面科学製  ＣＡ-Ｄ
テトラデカンを用い、液滴が基板に接触後３０秒経過したときの値と定義した。【００６７】
（試験５）全光線透過率（紫外分光光度分析）
装置：島津製作所製  ＵＶ-２５５０
全光線透過率は４００nmから８００nm間の各波長での光線透過率の平均値と定義した。【００６８】
（試験６）配線前駆体の収納可能幅
ガラス基板上仕切部材によって形成した長さ５０ｍｍの溝上に、配線前駆体を滴下した際の溝からのはみ出し箇所数を評価し、はみ出し箇所の発生しない溝幅と定義した。【００６９】
（製造例１）
［熱硬化性の感光性樹脂組成物（ポジ型）の調整］
８−ヒドロキシカルボニルテトラシクロ[４．４．０．１２，５．１７，１０]ドデカ−３−エン６２．５部、N−フェニル−（５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド）３７．５部、１−ヘキセン１．３部、１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−イリデン(トリシクロヘキシルホスフィン)ベンジリデンルテニウムジクロリド０．０５部、及びテトラヒドロフラン４００部を、窒素置換したガラス製耐圧反応器に仕込み、攪拌しつつ７０℃にて２時間反応させて重合体溶液Ａ（固形分濃度約２０％）を得た。【００７０】
この重合体溶液Ａの一部を攪拌機付オートクレーブに移し、１５０℃で水素を圧力４ＭＰａで溶存させて５時間反応させ、水素化された重合体（水素化率１００％）を含む重合体溶液Ｂ（固形分濃度：約２０％）を得た。【００７１】
１００部の重合体溶液Ｂに一部の活性炭粉末を添加した耐熱容器をオートクレーブに入れ、攪拌しつつ１５０℃で水素を４ＭＰａの圧力で３時間溶存させた。次いで、溶液を取り出して孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターでろ過して活性炭を分離して重合体溶液を得た。ろ過は滞りなく行えた。重合体溶液をエチルアルコール中に注いで凝固させ、生成したクラムを乾燥して重合体（１）を得た。得られた重合体（１）のポリイソプレン換算のＭｗは５，５００であり、Ｍｎは３，２００であった。またヨウ素価は１であった。【００７２】
この重合体（１）１００部に、感光剤として１，１，３−トリス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−３−フェニルプロパン（１モル）と１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド（１．９モル）との縮合物２０部および架橋剤として、[２,２−ビス（ヒドロキシルメチル）１−ブタノールの１,２−エポキシ-４-（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（商品名「ＥＨＰＥ３１５０」、ダイセル化学社製）を４０部、接着助剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを４部、酸化防止剤としてペンタエリスリトールテトラキス[３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート]を５部、界面活性剤としてシリコーン系界面活性剤（商品名「ＫＰ３４１」、信越化学工業社製）０．２部、重合体（１）の良溶剤としてジエチレングリコールメチルエチルエーテルを５５０部、混合し溶解させた後、孔径０．２０μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルター（ミリポア社製）でろ過して熱硬化性の感光性樹脂組成物を得た。【００７３】
（製造例２）
［熱硬化性の感光性樹脂組成物（ネガ型）の調整］
撹拌機付の容器内に、メチルトリメトキシシラン３００．０部と、電気伝導率が８×１０-5Ｓ・ｃｍ-1のイオン交換水４７．５部、シュウ酸０．１部とを入れた後、６０℃、６時間の条件で加熱撹拌することにより、メチルトリメトキシシランの加水分解を行った。次いで、容器内にプロピレングリコールモノメチルエーテル１，０００部を加えた後、エバポレーターを用いてイオン交換水ならびに加水分解により副生したメタノールを除去して、固形分を２５重量％に調整した溶液を得た。【００７４】
上記溶液４００部、および感放射線性酸発生剤であるフェニル，４−（２‘−ヒドロキシ−１’−テトラデカオキシ）フェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート２．０部を均一に混合し溶解させた後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、熱硬化性の感光性樹脂組成物を得た。【００７５】
（実施例１）
［フッ素化の確認］
シリコンウェハを洗浄後、高純度窒素中で脱水加熱を行った。その後、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気処理によって密着層を形成した。密着層形成後、製造例１で得られた熱硬化性の感光性樹脂組成物をスピンコート法によって塗布し、約１μｍ厚みの樹脂膜を形成した。樹脂膜を形成したシリコンウェハをマスクアライナー（ＣＡＮＯＮ製ＰＬＡ５０１）により２００mJ/cm2で露光後、現像してパターンを形成した後、５００ｍJ/cm2（ｇ、ｈ、i線混合）で基板全面を露光した。次いで、図３の焼成装置を用い高純度窒素雰囲気下、２８０℃で６０分間加熱し、樹脂膜を硬化した。【００７６】
図３において、窒素２２，２４、酸素２３及び水素２５は、ガス流量制御器１１〜１５を介して、焼成炉２０に供給される。焼成炉２０内には、シャワープレート１９と基板２１とが配置されている。また、焼成炉２０には温度調整器１８が設置されている。ここで、１６及び１７は、排気ラインである。【００７７】
硬化後、図４のフッ素ガス雰囲気処理炉にシリコンウェハを入れ、高純度アルゴンガスを流通させ１５０℃で６０分乾燥した。【００７８】
図４において、フッ素化処理器３３内には、樹脂膜３５が配置されている（シリコンウェハは図示省略）。また、フッ素化処理器３３には、温度調整器３４が設置されている。このような構成の下、フッ素ガス３６とアルゴンガス３７とが、ガス流量制御器３１、３２を介して、フッ素化処理器３３に供給されて、排気３８される。【００７９】
乾燥後の樹脂膜の一部はＴＤＳ分析により樹脂膜中の水分量を分析したところ、０．０２重量％であった。この乾燥後、１８０℃に加熱し高純度アルゴンガスで希釈した１０容量％のフッ素ガスを１分あたり２００ｃｃの流量で処理炉に導入し、５分間フッ素化処理を行った。なお、希釈したフッ素ガス中の水分量はＣＲＤＳ分析より１０重量ｐｐｍであった。【００８０】
フッ素化処理後、高純度アルゴンガス中３００℃で１０分アニールした。アニール後のサンプルのＦＴ-ＩＲ分析結果を図５に示す。【００８１】
ＩＲスペクトルにおいて２９３０ｃｍ-１付近に見られるＣ-Ｈ結合に基づく吸収が上記のフッ素化処理によって消失し、代わって１２５０ｃｍ-１付近にＣ-Ｆ結合に基づく吸収が見られた。【００８２】
（実施例２）
［熱硬化性樹脂の接触角、外観、全光線透過率］
洗浄した無アルカリガラス基板を洗浄後、高純度窒素中で脱水加熱を行った。その後、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気処理によって密着層を形成した。密着層形成後、製造例１で得られた熱硬化性の感光性樹脂組成物をスピンコート法によって塗布し、約１μｍ厚みの樹脂膜を形成した。樹脂膜を形成した無アルカリガラス基板をマスクアライナーにより２００ｍJ/cm2で基板の半面を露光後、現像した。このとき、ポジ型の感光性であるため、露光部が溶解し、ガラス基板上半面の樹脂膜が除去された。【００８３】
現像後、マスクアライナーで５００ｍJ/cm2で基板全面を露光し（紫外線処理工程）、図３の焼成装置を用い高純度窒素雰囲気下、２８０℃で６０分間加熱し、樹脂膜を硬化した。硬化後、図４のフッ素ガス雰囲気処理炉に前記無アルカリガラス基板を入れ、高純度アルゴンガスを流通させ１５０℃で６０分乾燥した。乾燥後の樹脂膜の一部はＴＤＳ分析により熱硬化性樹脂膜中の水分量を分析したところ、０．０２重量％であった。この乾燥後、１８０℃に加熱し高純度アルゴンガスで希釈した１０容量％のフッ素ガスを１分あたり２００ｃｃの流量で処理炉に導入し、１分間フッ素化処理を行った。このフッ素化処理後、高純度アルゴンガス中３００℃で１０分アニールした。アニール後の無アルカリガラス基板について、サンプルの外観（剥離の有無）、テトラデカン（配線前駆体に用いられる溶剤）の樹脂面とガラス面の接触角、及び光線透過率を試験した。結果を表１に示す。【００８４】
（実施例３）
アニール温度を２００℃にした以外は、実施例２と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００８５】
（実施例４）
アニールを行わなかった以外は、実施例２と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００８６】
（比較例１）
乾燥、フッ素化処理及びアニールを行なわなかった以外は、実施例２と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００８７】
（比較例２）
乾燥を行わなかった以外は、実施例２と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００８８】
（実施例５）
樹脂膜を硬化後、ＲＦプラズマ装置にて圧力２０mmHgで１０秒間、酸素プラズマ処理を行った以外は実施例２と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００８９】
（実施例６）
アニール処理後、２．５重量％のフッ化水素酸水溶液に１０秒間浸漬処理し、その後超純水で５分間リンスを行った以外は、実施例５と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００９０】
（比較例３）
フッ素化処理を、フッ素ガス雰囲気ではなくＲＦプラズマ装置にて圧力５０mmHgで１分間、四フッ化炭素プラズマでの処理を行った以外は実施例６と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００９１】
（実施例７）
２．５重量％のフッ酸水溶液処理の代わりに、ＬＡＬ１０００（ステラケミファ製、界面活性剤が入ったフッ酸系薬液）で６０秒間処理した以外は、実施例６と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００９２】
（実施例８）
熱硬化性の感光性樹脂組成物として製造例２で得られたものを用いた以外は、実施例５と同様に実験を行った。結果を表１に示す。【００９３】
【表１】
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【００９４】
（実施例９）
［液体導電性材料の収納可能幅］
洗浄した無アルカリガラス基板を洗浄後、高純度窒素中で脱水加熱を行った。その後、ヘキサメチレンジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気処理によって密着層を形成した。密着層形成後、製造例１で得られた熱硬化性の感光性樹脂組成物をスピンコート法によって塗布し、約１μｍの厚みの樹脂膜を形成した。樹脂膜を形成した無アルカリガラス基板をマスクアライナーにより２００ｍJ/cm2で１０〜５０μｍ幅、長さ５０ｍｍの直線パターンを露光後、現像した。このとき、該感光性樹脂組成物がポジ型の感光性であるため、露光部が溶解し１０〜５０μｍの幅の溝パターンが形成された。現像後、マスクアライナーで５００ｍJ/ cm2で基板全面を露光し、図３の焼成装置を用い高純度窒素雰囲気下、２８０℃で６０分間加熱し、樹脂膜を硬化した。【００９５】
その後、ＲＦプラズマ装置にて圧力２０mmHgで１０秒間、酸素プラズマ処理を行った。図４のフッ素ガス雰囲気処理炉に前記無アルカリガラス基板を入れ、高純度アルゴンガスを流通させ１５０℃で６０分乾燥した。乾燥後、１８０℃に加熱し高純度アルゴンガスで希釈した１０容量％のフッ素ガスを１分あたり２００ｃｃの流量で処理炉に導入し、１分間フッ素化処理を行った。このフッ素化処理後、高純度アルゴンガス中３００℃で１０分アニールした。アニール後、２．５重量％のフッ化水素酸水溶液に１０秒間浸漬処理し、その後超純水で５分間リンスを行った。このサンプル基板の直線溝部にマイクロシリンジを用い、藤倉化成製の銀インクを滴下し、インク滴の収納可能幅を評価した。結果を表２に示す。【００９６】
（比較例４）
酸素プラズマ処理、乾燥、フッ素化処理、アニール及びフッ化水素酸水溶液処理を行わなかった以外は、実施例９と同様に実験を行った。結果を表２に示す。【００９７】
（比較例５）
フッ素化処理を、フッ素ガス雰囲気ではなくＲＦプラズマ装置にて圧力５０mmHgで１分間、四フッ化炭素プラズマでの処理とした以外は実施例９と同様に行った。結果を表２に示す。【００９８】
【表２】
2005096684.tif 000003
【００９９】
（実施例１０）
本発明の実施例１０におけるアクティブマトリクス表示装置（アクティブマトリクス液晶ディスプレイ）について、図を用いて説明する。【０１００】
図６は、本実施例１０のアクティブマトリクス液晶ディスプレイの構造を示す断面図である。【０１０１】
アクティブマトリクス液晶ディスプレイは、ガラス基板４６上に形成された走査線４９と、信号線４８と、走査線４９と信号線４８の交差部付近に、走査線４９にゲート電極５２が接続され、信号線４８にソース電極５１あるいはドレイン電極５４が接続された薄膜トランジスタを有している。信号線４８、ソース電極５１、およびドレイン電極５４を囲むように平坦化層５５が形成され、信号線４８、ソース電極５１、ドレイン電極５４と平坦化層とは実質的に同一平面を形成している。この平面上に層間絶縁膜４７を介して画素電極５６が配置され、アクティブマトリクス基板を構成し、対向基板４１との間で液晶４４を挟持する。本実施例１０の走査線４９およびゲート電極配線５２をインクジェット法による埋め込み配線とした。ここで、４２はブラックマトリクス、４３はカラーフィルタ、４５は配向層、５３は半導体層、５１はゲート絶縁膜である。【０１０２】
次に、図８〜１０を参照して、ゲート電極配線部の形成方法について述べる。【０１０３】
まず、ガラス基板６１の表面に１μｍの厚さの熱硬化性の感光性樹脂膜（脂環式オレフィン樹脂系の透明樹脂膜）６２をスピンコート法等の手法により形成する。この樹脂膜６２はフォトレジスト膜としての機能を有している。次に、樹脂膜６２をマスクアライナーを用いて選択的に露光、現像および除去、加熱硬化をすることにより、樹脂膜６２に配線溝６０を形成する（図８（ａ）参照）。【０１０４】
特に、配線幅６０が微細である場合は、印刷精度を高めるために、樹脂膜６２の表面に撥液性を持たせる処理を行う。具体的には酸素プラズマ処理後に乾燥し、フッ素ガス雰囲気中にガラス基板６１を曝して表面をフッ素処理し、アニールを行った後にフッ酸水溶液に浸漬する。【０１０５】
次に、インクジェット印刷法などの印刷法やメッキ法により、前記配線溝６０に配線前駆体（導電性材料）を充填する。配線形成方法はインクの効率的な使用の観点からインクジェット法が好ましいが、スクリーン印刷法などを用いてもよい。本実施例では、配線前駆体として、特開２００２-３２４９６６号公報に開示されるものと同様の銀ペーストインクを用いて配線を形成した。配線前駆体を充填後２５０度の温度で３０分間焼成を行い、走査線６３（図６の４９に対応）およびゲート電極配線６３（図６の５２に対応）とした(図８（ｂ）参照)。【０１０６】
次に、マイクロ波励起プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法によりＳｉＨ４ガスとＨ２ガスとＮ２ガスとＡｒガスを用いてシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）を成膜した（図示省略）。通常の高周波励起プラズマを用いてもＳｉＮｘ膜の成膜が可能であるが、マイクロ波励起プラズマを用いることで、より低温でのＳｉＮｘ膜の成膜が可能である。成膜温度は３００℃とし、膜厚は０．２μｍとした。【０１０７】
次に、マイクロ波励起プラズマを用いたプラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン層６５およびｎ＋型アモルファスシリコン層６４を成膜した。アモルファスシリコン層６５はＳｉＨ４ガスを用い、ｎ＋型アモルファスシリコン層６４はＳｉＨ４ガスおよびＰＨ３ガス、Ａｒガスを用い、３００℃の温度で成膜した（図８（ｃ）参照）。【０１０８】
次に、全面にフォトレジスト（感光性樹脂組成物）をスピンコート法により塗布し、１００℃で１分間、ホットプレート上で乾燥し溶剤を除去した。次に、ｇ線ステッパを用いて、３６ｍＪ／ｃｍ２のエネルギードーズ量で露光を行った。露光に際しては、素子領域を残存するようにマスクを形成し、素子領域内部のチャネル領域に相当する部分はスリットマスクを用いて、露光量を調整した。２．３８重量％のＴＭＡＨ溶液を用いてパドル現像７０秒間を行った結果、図８（ｄ）に示す形状のフォトレジスト６６を得た。【０１０９】
次に、プラズマエッチング装置を用いて、ｎ＋型アモルファスシリコン層６４、アモルファスシリコン層６５のエッチングを行った。この際、フォトレジスト６６も若干エッチングされ、膜厚が減少するため、フォトレジスト膜厚の薄いチャネル領域部（フォトレジスト６６の窪み部分）のレジスト及びｎ＋アモルファスシリコン層６４もエッチングされる。素子領域部（フォトレジスト６６で覆われている部分）以外のｎ＋型アモルファスシリコン層６４およびアモルファスシリコン層６５がエッチング除去され、チャネル領域のｎ＋型アモルファスシリコン層６４がエッチング除去された時点で、エッチング処理を終了する（図９（ｅ）参照）。ソース電極部およびドレイン電極部のｎ＋型アモルファスシリコン層６４上のフォトレジスト６６は残存したままである。【０１１０】
次に、この状態で、Ａｒガス、Ｎ２ガス、Ｈ２ガスを用いて、マイクロ波励起プラズマ処理を行い、チャネル領域部及び素子領域部側面のアモルファスシリコン表面に、直接窒化膜６７を形成する（図９（ｆ）参照）。【０１１１】
一般的な高周波プラズマを用いても直接窒化膜６７の形成は可能であるが、マイクロ波励起プラズマを用いることにより、電子温度が低いプラズマを生成できる。このため、チャネル部にプラズマによるダメージを与えることなく直接窒化膜６７を形成でき好ましい。また、ＣＶＤ法により窒化膜を形成することも可能である。しかし、ソース電極およびドレイン電極領域にも窒化膜が形成され、後に除去工程が必要になるため、直接窒化膜６７を形成することがより好ましい。【０１１２】
次に、ソース電極、およびドレイン電極領域上に残存するフォトレジスト膜６６を、酸素プラズマアッシングを施した後、レジスト剥離液などにより除去する（図９（ｇ）参照）。【０１１３】
続いて、信号線、ソース電極配線およびドレイン電極配線をインクジェット印刷法などの印刷法やメッキ法で形成する際に必要となる樹脂膜６９を形成するために、熱硬化性の感光性樹脂膜（脂環式オレフィン樹脂系の透明樹脂膜）を塗布する。そして、信号線、ソース電極配線およびドレイン電極配線用フォトマスクを用いて露光、現像、加熱硬化を行うことで樹脂膜６９を形成し、信号線、ソース電極配線およびドレイン電極配線領域となる配線用溝６８を得る（図９（ｈ）参照、なお、図９（ｈ）には、図示省略されているが、樹脂膜６９と同様に別途形成された樹脂膜との間が、配線用溝６８になっている）。【０１１４】
配線幅が微細である場合は、印刷精度を高めるために、樹脂膜６９表面に撥水性を持たせる処理を行ってもよい。具体的には酸素プラズマ処理後、乾燥し、フッ素ガス雰囲気中にガラス基板を曝して表面をフッ素処理し、アニール後にフッ酸水溶液に浸漬する。次に、インクジェット印刷法などの印刷法やメッキ法により、前記溝部に配線前駆体を充填する。配線形成方法はインクの効率的な使用の観点からインクジェット法が好ましいが、スクリーン印刷法などを用いてもよい。【０１１５】
本実施例では配線前駆体として特開２００２-３２４９６６号公報に開示されるものと同様の銀ペーストインクを用いて配線を形成した。配線前駆体を充填後２５０度の温度で３０分間焼成を行い、配線７１とした(図１０（ｉ）参照)。【０１１６】
このようにして、ＴＦＴの形成を完了した。【０１１７】
次に、脂環式オレフィン樹脂系の熱硬化性感光性透明樹脂を成膜し、露光、現像を行うことで、画素電極５６からＴＦＴ電極へのコンタクトホールが形成された層間絶縁膜（図６の４７に相当）を得た。熱硬化性の感光性透明樹脂の硬化は、層間絶縁膜４７の光線透過率を高めるため、装置内表面をＳＵＳ３１６の電解研磨処理した加熱装置を用い、更に残存酸素濃度を１０容量ｐｐｍに制御し、２５０℃で６０分焼成した。これに引き続き、基板全面にＩＴＯをスパッタ成膜し、パターニングすることで画素電極５６とした。ＩＴＯの代わりにＳｎＯ２などの透明導電膜材料を用いてもよい。この表面に液晶４４の配向膜４５としてポリイミド膜を形成し、対向基板４１との間に液晶４４を挟持することで、アクティブマトリクス液晶表示装置を得た。【０１１８】
本実施例のアクティブマトリクス液晶表示装置によれば、微細な配線が精度良く形成されて層間絶縁膜４７の透明性が高いため、低消費電力かつ輝度が高く、高品質な表示を得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【０１１９】
本発明の回路基板の製造方法によれば、仕切部材を劣化させることなく、仕切部材と絶縁基板間の液状導電性材料の濡れ性に十分なコントラストを与え、インクジェット法などにより微細な配線形成を実現できる回路基板を容易に得ることができる。このような回路基板は、液晶表示装置、有機EL表示装置又はプラズマアドレス表示装置などの表示装置として好適に利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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