(57)【要約】  アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体を含むことを特徴とする優れた耐メッキ性及びガラス等の基板との付着性を示す記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物；及び、このポジ型レジスト組成物を用いた記録媒体原盤又はスタンパの製造方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体を含むことを特徴とする記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項２】
さらに、活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質と、熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含む請求項１に記載の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
前記アルカリ可溶性基がカルボキシル基である請求項１に記載の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
前記ビニル系重合体が、下記一般式（１）
【化１】
2006115117.tif 000061
（式中、Ｒ１は水素原子または低級アルキル基を表し、Ｒ２は置換もしくは非置換のアルキル基を表す）で表される構造単位を有するビニル系重合体である請求項３記載の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
一般式（１）で表される構造単位を有するビニル系重合体の重量平均分子量が２，０００〜３００，０００である請求項４記載の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
前記ビニル系重合体が、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされたモノマーを少なくとも用いて得られたものである請求項１〜５のいずれかに記載の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
酸を更に含む請求項１〜６のいずれかに記載の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
基板上にポジ型レジスト組成物の層を形成する工程と、該層の所定部に活性エネルギー線を照射する工程と、アルカリ現像により照射部を前記基板上から除去して、該基板上に情報信号に応じた前記ポジ型レジスト組成物のパターンを形成する工程と、を有する記録媒体原盤の製造方法において、
前記ポジ型レジスト組成物が、アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体を含むことを特徴とする記録媒体原盤の製造方法。
【請求項９】
さらに、活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質と、熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含む請求項１に記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１０】
前記活性エネルギー線が、前記光熱変換物質の最大吸収波長±１０ｎｍ、該最大吸収波長の１／ｎの波長及び該最大吸収波長のｎ倍の波長（ｎは１以上の整数を表す）のいずれかの波長を少なくとも含むものである請求項９に記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１１】
前記最大吸収波長が、２００〜９００ｎｍの範囲にある請求項１０に記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１２】
前記活性エネルギー線を照射したポジ型レジスト組成物の層を前記現像工程前に加熱する工程を更に有する請求項８〜１１のいずれかに記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１３】
前記アルカリ可溶性基がカルボキシル基である請求項８〜１２のいずれかに記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１４】
前記ビニル系重合体が、下記一般式（１）
【化２】
2006115117.tif 000062
（式中、Ｒ１は水素原子または低級アルキル基を表し、Ｒ２は置換もしくは非置換のアルキル基を表す）で表される構造単位を有するビニル系重合体である請求項１３記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１５】
一般式（１）で表される構造単位を有するビニル系重合体の重量平均分子量が２，０００〜３００，０００である請求項１４記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１６】
前記ビニル系重合体が、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされたモノマーを少なくとも用いて得られたものである請求項８〜１５のいずれかに記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１７】
酸を更に含む請求項８〜１６のいずれかに記載の記録媒体原盤の製造方法。
【請求項１８】
基板上にポジ型レジスト組成物の層を形成する工程と、該層の所定部に活性エネルギー線を照射する工程と、アルカリ現像により照射部を前記基板上から除去して、該基板上に情報信号に応じた前記ポジ型レジスト組成物のパターンを形成することにより原盤を得る工程と、該原盤の表面に導電膜を形成する工程と、該導電膜上に金属を電鋳する工程と、電鋳後の金属から成るスタンパを該原盤から剥離する工程と、を有することを特徴とする記録媒体用スタンパの製造方法であって、
前記ポジ型レジスト組成物が、アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項１９】
さらに、活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質と、熱により酸を発生する熱酸発生剤とを含む請求項１８に記載のスタンパの製造方法。
【請求項２０】
前記活性エネルギー線が、前記光熱変換物質の最大吸収波長±１０ｎｍ、該最大吸収波長の１／ｎの波長及び該最大吸収波長のｎ倍の波長（ｎは１以上の整数を表す）のいずれかの波長を少なくとも含むものである請求項１９に記載のスタンパの製造方法。
【請求項２１】
前記最大吸収波長が、２００〜９００ｎｍの範囲にある請求項２０に記載のスタンパの製造方法。
【請求項２２】
前記活性エネルギー線を照射したポジ型レジスト組成物の層を前記現像工程前に加熱する工程を更に有する請求項１８〜２１のいずれかに記載のスタンパの製造方法。
【請求項２３】
前記アルカリ可溶性基がカルボキシル基である請求項１８〜２２のいずれかに記載のスタンパの製造方法。
【請求項２４】
前記ビニル系重合体が、下記一般式（１）
【化３】
2006115117.tif 000063
（式中、Ｒ１は水素原子または低級アルキル基を表し、Ｒ２は置換もしくは非置換のアルキル基を表す）で表される構造単位を有するビニル系重合体である請求項２３記載のスタンパの製造方法。
【請求項２５】
一般式（１）で表される構造単位を有するビニル系重合体の重量平均分子量が２，０００〜３００，０００である請求項２４記載のスタンパの製造方法。
【請求項２６】
前記ビニル系重合体が、アルカリ可溶性基がアルキルビニルエーテルを用いてブロックされたモノマーを少なくとも用いて得られたものである請求項１８〜２５のいずれかに記載のスタンパの製造方法。
【請求項２７】
酸を更に含む請求項１８〜２６のいずれかに記載のスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等の記録媒体を製造する為の原盤に有用なポジ型レジスト組成物、このポジ型レジスト組成物を用いた記録媒体原盤の製造方法、及び、このポジ型レジスト組成物を用いた記録媒体用スタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスク等の記録媒体の大容量化を図る為に、高密度の記録媒体を製造する技術が種々提案されている。一方、光ディスクの一般的な製造方法としては、まず情報信号に応じた所望のパターンを表面に形成した原盤を作製し、その原盤からスタンパを作製し、そのスタンパを用いて、あるいはそのスタンパをマスタとして更に作製したスタンパを用いて、射出成形等により光ディスクを大量に製造する方法が挙げられる。【０００３】
具体的には、例えば、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、情報信号に応じてレーザー光を照射し、露光後のレジスト膜を現像してピット、トラック等のパターンを形成し、所望の原盤を得る。そして、この原盤の表面にニッケル等の導電膜をスパッタ法等の方法で形成し、さらに導電膜上にニッケルを電鋳し、それを原盤から剥離することでマスタスタンパを得ることができる（例えば、特開２００２−１５０６２０号公報、特開２００１−３３８４４４号公報参照）。特に特許文献１では、露光により酸を発生する化合物を含むポジ型レジスト組成物が用いられている。しかしながら、これら従来技術においては、記録光波長に依存する回折限界に基づく記録ピットサイズの解像限界や、レジスト組成物から得られたパターン（ピット）のガラス板などの基板への付着性、このパターン上への導電膜形成のための各種処理での耐久性などの面において未だ改善の必要があった。
【発明の開示】
【０００４】
本発明の目的は、光ディスク等の記録媒体を製造する為の原盤及びスタンパの製造に用いる為のレジスト組成物であって、優れた基板への付着性、導電膜形成時の耐久性を示すポジ型レジスト組成物を提供することにある。
【０００５】
本発明の記録媒体原盤用ポジ型レジスト組成物は、アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体を含むことを特徴とするものである。
【０００６】
本発明の記録媒体原盤の製造方法は、基材上に上記ポジ型レジスト組成物の層を形成する工程と、該層の所定部に活性エネルギー線を照射する工程と、アルカリ現像により照射部を前記基板上から除去して、該基板上に情報信号に応じた前記ポジ型レジスト組成物のパターンを形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
【０００７】
本発明の記録媒体用スタンパの製造方法は、基板上に上記ポジ型レジスト組成物の層を形成する工程と、該層の所定部に活性エネルギー線を照射する工程と、アルカリ現像により照射部を前記基板上から除去して、該基板上に情報信号に応じた前記ポジ型レジスト組成物のパターンを形成することにより原盤を得る工程と、該原盤の表面に導電膜を形成する工程と、該導電膜上に金属を電鋳する工程と、電鋳後の金属から成るスタンパを該原盤から剥離する工程と、を有することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明のポジ型レジスト組成物は、優れた耐メッキ性及びガラス等の基板との付着性を示し、光ディスク等の記録媒体製造する為の原盤の用途に非常に有用である。
【０００９】
さらに、本発明の記録媒体原盤の製造方法、及び、記録媒体用スタンパの製造方法は、上記効果に加えて、電子ビーム等を用いることなく小さなピット径を形成可能であり、生産性の高いナノ加工法として非常に有用である。
【００１０】
さらに、本発明のポジ型レジスト組成物が、アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体［（Ａ）成分］に加えて、活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質［（Ｂ）成分］と、熱により酸を発生する熱酸発生剤［（Ｃ）成分］とを含む場合は、所望とする感度や解像度が得られ、組成を選択することで、ベーク処理条件を低減あるいはベーク処理の省略も可能であるポジ型レジスト組成物となり好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明のポジ型レジスト組成物を用いて、光ディスク（記録媒体）の原盤及びスタンパを作製する工程を例示する模式的断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
図１は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いて、光ディスク（記録媒体）の原盤及びスタンパを作製する工程の一例を示す模式的断面図である。【００１３】
まず、図１（ａ）に示すように、表面を研摩した基板１の表面に、本発明のポジ型レジスト組成物を塗布して、レジスト膜２を形成する。ここで、基板１としては一般的にはガラス板が使用され、特に予めシラザン処理されたガラス板を用いることが好ましい。また、ガラス板以外に金属板等も使用可能である。使用可能な金属基板の具体例としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉなどをからなる金属板、ガラス板などの適当な基体の表面に蒸着、スパッタリングなどによりＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｔなどの金属や、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＳｉＣなどの無機化合物の薄膜を形成した基板が挙げられる。【００１４】
さらに、ポジ型レジスト組成物を基板１の表面に塗布してレジスト膜２を形成する方法としては、一般的には、ポジ型レジスト組成物を溶媒に溶解し、そのレジスト溶液をスピンコート等の方法により塗布する方法が用いられる。ただし、レジスト膜の形成方法はこれに限定されず、例えば、ポジ型レジスト組成物をドライフィルム化して基板１の表面に設けたり、あるいはポジ型レジスト組成物を水性エマルジョン化して基板１の表面に塗布することも可能である。【００１５】
次いで、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜２に対して、記録すべき情報信号に応じた所望パターンにて活性エネルギー線であるレーザ光を照射し、潜像を形成する。ここで、露光波長は特に制限されず、レジスト膜における活性エネルギー線の照射部分（露光部分）がアルカリ現像により除去できるように変質する作用を生起せしめる波長の活性エネルギー線で露光を行えばよい。【００１６】
活性エネルギー線としては、例えば紫外線、可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線から選択したものを利用できる。熱による酸発生を誘導するために光熱変換物質をポジ型レジスト組成物に含有させた場合には、光熱変換物質の最大吸収波長（λｍａｘ）±１０ｎｍ、その１／ｎの波長（λｍａｘ／ｎ）及びそのｎ倍の波長（ｎ・λｍａｘ）（ｎは１以上の整数を表す）から選ばれた波長のいずれか、あるいはその２種以上の組み合わせを含む活性エネルギー線を用いることができる。更に、この最大吸収波長は２００〜９００ｎｍの範囲にあることが好ましい。【００１７】
また、レーザ光照射装置としてはパルス方式及び連続照射方式の何れも使用できる。【００１８】
次いで、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜２の露光部をアルカリ現像により基板上から除去することにより、ピット、トラック等の所望の凹凸パターンを形成し、原盤３を得る。レジスト膜２への露光の前及び後の少なくとも一方において加熱によるベーク処理（プリベーク及び／またはポストベーク）を必要に応じて行なってもよい。【００１９】
次に、図１（ｄ）に示すように、原盤３表面にニッケル等の導電膜４をスパッタ法等の方法で形成する。次いで図１（ｅ）に示すように、導電膜上にニッケル５を所望の厚さまで電鋳により堆積させる。そして、図１（ｆ）に示すように、原盤９から電鋳後のニッケルを剥離し、例えば裏面を研磨し、内外周をトリミングすることで、スタンパ６が得られる。このようなスタンパ６には、情報信号に応じた所望の凹凸パターンが形成されている。なお、導電膜４の形成には、無電解メッキ（化学メッキ）などの方法も利用できる。【００２０】
このスタンパを記録媒体の射出成形の金型として用いる。これにより所望の凹凸パターン（ピット）を有する記録媒体が量産が可能となる。本発明を適用する記録媒体の種類は特に限定されない。本発明にかかるポジ型レジスト組成物は、レジストパターンが設けられた基板の表面への導電膜の形成時における耐久性及び基板との付着性に優れる点に加えて、電子ビーム等を用いることなく小さなピット径を形成可能であり、生産性の高いナノ加工が可能であるという点から、非常に有用である。【００２１】
本発明にかかるポジ型レジスト組成物は、アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体を少なくとも含む。更に、このビニル系重合体を（Ａ）成分として、以下の（Ｂ）及び（Ｃ）の各成分を更に少なくとも含有するものであってもよい。
（Ａ）アルキルビニルエーテルでブロックされたアルカリ可溶性基を有するモノマー単位を有するビニル系重合体。
（Ｂ）活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質。
（Ｃ）熱により酸を発生する熱酸発生剤。【００２２】
上記の（Ａ）成分としてのビニル系重合体は、重合性のエチレン性不飽和結合を有する化合物を単量体として少なくとも用いて得られるビニル系重合体であり、エチレン性不飽和結合を有する単量体から得られた単位として、アルカリ可溶性基が酸で脱離可能なアルキルビニルエーテルを用いてブロックされている基を有するものである。【００２３】
このエチレン性不飽和結合及びアルカリ可溶性基を有する化合物としては、アルキルビニルエーテルを用いてアルカリ可溶性基をブロックすることができ、更に、酸の作用によってこのブロックが解離してその部分がアルカリ可溶性となる構造単位を構成できるものであれば、特に限定されない。このようなアルカリ可溶性基としては、フェノール性ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホ基、イミド基、スルホンアミド基、Ｎ−スルホンアミド基、Ｎ−スルホンウレタン基及び活性メチレン基等のｐＫａが１１以下のアルカリ可溶性基を挙げることができる。【００２４】
（Ａ）成分のビニル系重合体の構造単位としては、カルボキシル基をブロックした構造単位を有する下記式（１）で示されるものを含むものが好ましい。【００２５】
【化１】
2006115117.tif 000002
（式中、Ｒ１は水素原子または低級アルキル基を表し、Ｒ２は置換もしくは非置換のアルキル基を表す。）
上記一般式（１）のＲ１における低級アルキル基としては、直鎖または分岐鎖の炭素数１〜８のアルキル基を挙げることができ、具体的には、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等があげられる。【００２６】
Ｒ２のアルキル基としては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数１〜１８のアルキル基を挙げることができる。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基等があげられるが、中でも、炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、さらには炭素数１〜３のアルキル基がより好ましい。【００２７】
Ｒ２の置換アルキルにおける置換基としては、例えば、低級アルコキシ基、低級アルカノイル基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子及び低級アルコキシカルボニル等があげられる。【００２８】
上記の置換基の定義において、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級アルカノイル基および低級アルコキシカルボニル基のアルキル基の部分としては、Ｒ１における低級アルキル基で例示したものと同様のものがあげられる。従って、低級アルカノイル基としては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数２〜９のものがあげられ、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等があげられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の各原子があげられる。【００２９】
上記の一般式（１）で表わされる構造単位を形成するための単量体は、下記式（２）：【００３０】
【化２】
2006115117.tif 000003
［式中、Ｒ１は、上記一般式（１）と同様に定義される］
で表わされる（メタ）アクリル酸及びその誘導体と対応するアルキルビニルエーテルとを反応させて、一般式（２）の化合物のカルボキシル基をブロックして、下記式（３）の構造の単量体として得ることができる。【００３１】
【化３】
2006115117.tif 000004
［式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ一般式（１）と同様に定義される。］
上記の単量体の形成反応に用いるアルキルビニルエーテルとしては、単量体単位を構成するエチレン性不飽和結合及びカルボキシル基等のアルカリ可溶性基を有する化合物のカルボキシル基をブロックできるものであればよく、例えば下記一般式（ＩＶ）で示される構造を有するものが好ましい。【００３２】
【化４】
2006115117.tif 000005
［式中、Ｒ２は一般式（１）と同様に定義される。］
（Ａ）成分として用いる「アルキルビニルエーテルでブロックされた構造単位を有するビニル系重合体」は、上記のような重合性のエチレン性不飽和結合とアルカリ可溶性基を有する化合物のアルカリ可溶性基をアルキルビニルエーテルでブロックした状態で、重合反応を行うことで得ることができる。アルカリ可溶性基のアルキルビニルエーテルによるブロックは、国際公開第０３／６４０７号パンフレットに記載の方法等の公知の方法に従って行うことができる。【００３３】
更に、（Ａ）成分のビニル系重合体は２種以上の構造単位を有する共重合体としての構成を有することができ、本発明の効果を損なわない範囲で、重合性のエチレン性不飽和結合とアルカリ可溶性基を有する化合物以外の単量体から得られる構造単位を含むものであってもよい。また、ビニル系重合体の全てのアルカリ可溶性基がブロックされている必要はなく、アルカリ可溶性基を有するモノマー単位の５０モル％以上、好ましくは７０モル％以上についてアルカリ可溶性基がブロックされていればよい。ブロックされたアルカリ可溶性基の割合が多くなればなるほど、重合体自身及びこれを含有するレジスト組成物の貯蔵安定性が向上する。また、アルキルビニルエーテルを用いてアルカリ可溶性基がブロックされているモノマー単位が重合体に含まれることで、この重合体を用いて露光前にポジ型レジスト組成物からなる感光層を形成する際のプリベークを省略することができる。すなわち、室温での感光層形成時においても良好な形状安定性と基板への密着性を感光層に付与することができる。特に、基板として金属等を用いた場合における基板の反りや、熱膨張と冷却時における収縮による基板の寸法の変化に基づくスタンパ用原盤の品質（版の精度）への熱処理の影響を排除することができる。【００３４】
なお、上述した共重合体においてブロックされていないモノマー単位を導入することで、所望の特性を付加させる場合は、アルキルビニルエーテルでブロックされたモノマー単位およびブロックされていないモノマー単位の総和の５０〜７０％とすることが好ましい。【００３５】
また、上記の共重合体の形態としては、ランダム共重合体、ブロック共重合体等各種の形態が利用できる。【００３６】
なお、先に挙げた一般式（３）で表される単量体を用いる場合は、（Ａ）成分としてのビニル系重合体の原料において、（Ａ）成分としてのビニル系重合体の原料において、一般式（３）で表される単量体の含有量は、好ましくは２〜６０質量％、より好ましくは５〜４０質量％である。一般式（３）で表される単量体が２質量％以上であると、得られるポジ型レジスト組成物の現像性がより優れ、６０質量％以下であると組成物から得られるフィルム（塗膜）の機械的特性に、より優れる。【００３７】
ビニル系重合体形成用の単量体として、アルカリ可溶性基がブロックされたエチレン性不飽和二重結合を有する化合物に加えて用いることのできる他の単量体としては、重合性のエチレン性不飽和結合を有する化合物等を挙げることができる。このような共重合体の場合のアルカリ可溶性基がブロックされたモノマー単位の共重合体全体のモノマー単位に占める割合は、好ましくは５％以上、より好ましくは１０％以上とすることができる。【００３８】
重合性のエチレン性不飽和結合を有する化合物としては特に制約されるものではないが、例えば酢酸ビニル、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等の炭素数１〜１８のアルコールと（メタ）アクリル酸からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル類、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ジメチルスチレン、ジビニルベンゼン等の芳香族ビニル化合物類、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等のグリコールジ（メタ）アクリレート類、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート等のアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート類、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート、パーフルオロシクロヘキシル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、β−（パーフルオロオクチル）エチル（メタ）アクリレート等のフッ素含有ビニル単量体、１−［３−（メタ）アクリロキシプロピル］−１，１，３，３，３−ペンタメチルジシロキサン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリス（トリメチルシロキサン）シラン、ＡＫ−５［シリコーンマクロ単量体、東亜合成化学工業（株）製］等のシロキサン含有ビニル単量体、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルジエトキシシラン等の加水分解性シリル基含有ビニル単量体、ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル等のビニルエーテル類、フマル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、アマニ油脂肪酸、トール油脂肪酸もしくは脱水ひまし油脂肪酸等の多塩基性不飽和カルボン酸またはそれらの一価もしくは多価アルコールのエステル、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレートメチルクロライド塩、イソボルニル（メタ）アクリレート、アリルアルコール、アリルアルコールエステル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピオン酸ビニル、（メタ）アクリロニトリル、マクロ単量体ＡＳ−６、ＡＮ−６、ＡＡ−６、ＡＢ−６［東亜合成化学工業（株）製］等の公知のビニル系単量体等があげられる。これらの１種または２種以上を選択して用いることができる。【００３９】
なお、本発明において「（メタ）アクリル酸」とは、アクリル酸およびメタクリル酸を意味し、他の（メタ）アクリル酸誘導体についても同様の意味を表す。【００４０】
アルカリ可溶性基がブロックされた重合性不飽和二重結合を有する単量体の少なくとも１種と、必要に応じて添加される他の単量体の少なくとも１種を重合させることで（Ａ）成分として利用できるビニル系重合体を得ることができる。重合は、公知の方法に従って行うことができる。【００４１】
重合には、反応溶媒を使用してもよく、該反応溶媒は、反応に不活性であれば、特に限定されるものではなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ジオキサン、ジオキソラン、ガンマーブチロラクトン、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アニソール、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メトキシブタノール、酢酸メトキシブチル、３−メチル−３−メトキシ−１−ブタノール、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等があげられる。【００４２】
重合開始剤としては、重合様式によっても異なるが、例えば、ラジカル重合においては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル（ＡＭＢＮ）、２，２’−アゾビスバレロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、アセチルパーオキシド、過酸化ラウロイル、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、クメンハイドロパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオキシド、ｍ−クロロ過安息香酸、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム等があげられ、その使用量は、全原料中、０．０１〜２０質量％であるのが好ましい。【００４３】
連鎖移動剤としては、例えば、チオ−β−ナフトール、チオフェノール、ｎ−ブチルメルカプタン、エチルチオグリコレート、メルカプト・エタノール、イソプロピル・メルカプタン、ｔ−ブチルメルカプタン、ジフェニル・ジサイファイド、ジエチルジチオグリコレート、ジエチルジサルファイド等があげられ、その使用量は、全原料中、０．０１〜５質量％であるのが好ましい。【００４４】
上記のビニル系重合体の重量平均分子量は、好ましくは２，０００〜３００，０００、より好ましくは３，０００〜２００，０００、さらに好ましくは５，０００〜１００，０００である。【００４５】
（Ａ）成分としてのビニル系重合体の単量体組成は、それ自体が、あるいは必要に応じて添加される（Ｂ）及び（Ｃ）成分との組合せで、所望とするスタンパ製造用のポジ型レジストとしての特性、すなわち基板との密着性、パターニング精度、導電膜形成時における耐久性、パターンの形状安定性などの特性が得られるように選択される。露光に用いるレーザ光などの活性エネルギー線の強度において所望とする感度や解像度が得られるように（Ｂ）及び（Ｃ）成分を選択することが好ましい。さらに、使用する波長領域にかかわらず被膜や層の形成時にベーク処理が不要となるように設定するのが好ましい。【００４６】
なお、（Ａ）成分としてはビニル系重合体の調製には、アルカリ可溶性基が予めアルキルビニルエーテルでブロックされた重合性のエチレン性二重結合を有するモノマーを少なくとも用いて重合反応により調製する方法のほかに、アルカリ可溶性基を有するビニル系重合体を予め調製しておき、そのアルカリ可溶性基をアルキルビニルエーテルでブロックする方法も利用できる。【００４７】
（Ａ）成分としてのビニル系重合体のポジ型レジスト組成物中での含有量は、好ましくは、１〜９０質量％、より好ましくは、５〜６０質量％の範囲から選択することができる。【００４８】
また、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を用いる場合には、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計量基準で、好ましくは１〜６０質量％、より好ましくは３〜５０質量％とすることができる。【００４９】
ポジ型レジスト組成物に必要に応じて含有させる光熱変換物質としては、活性エネルギー線により熱を発生する光熱変換物質で、ポジ型レジスト組成物に配合することで、情報書き込みされた光記録媒体や光磁気記録媒体を製造するためのスタンパの製造用としての用途を損なわないものであれば、特に限定されない。このような光熱変換物質としては、各種の有機又は無機の染料や顔料、有機色素、金属、金属酸化物、金属炭化物、金属硼化物等が挙げられる。これらの中では、光吸収性の色素が有用である。光熱変換物質としては、最大吸収波長（λｍａｘ）が２００〜９００ｎｍの範囲にあるものが好適である。具体例としては、２６６ｎｍ、３５１ｎｍ、３５５ｎｍ、３７５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍ、６５０ｎｍ、６１０ｎｍ、７６０ｎｍまたは８３０ｎｍの波長を吸収して熱を発生するものが利用でききる。例えば、４０５ｎｍの波長を利用する場合は、波長域３８０〜４３０ｎｍ（λ１）及び波長域７６０〜８６０ｎｍ（λ１×ｎ＝２）の光をポジ型レジスト組成物中において効率よく吸収する光吸収性の色素が利用できる。【００５０】
活性エネルギー線の熱変換性を得るための色素の具体例としては、カーボンブラック等の各種顔料、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン系色素、メロシアニン系色素、クマリン色素、アゾ系色素、ポリメチン色素、スクアリリウム色素、クロコニウム色素、ピリリウム色素、チオピリリウム色素等を挙げることができる。これらの中では、シアニン色素、クマリン色素及びフタロシアニン色素を好ましいものとして挙げることができる。これらの１種または必要に応じて２種以上を用いることができる。以下に色素の具体例を挙げる。なお、化学式に付記された波長及び溶媒名は最大吸収波長（λｍａｘ）とそれを定法により測定した際の溶媒を示す。【００５１】
シアニン色素の具体例としては以下のものを挙げることができる。【００５２】
【化５】
2006115117.tif 000006
【００５３】
【化６】
2006115117.tif 000007
【００５４】
【化７】
2006115117.tif 000008
（上記の４種の色素の波長はいずれもメタノール（ＭｅＯＨ）中での測定値である。）
フタロシアン色素の具体例としては以下のものを挙げることができる。【００５５】
【化８】
2006115117.tif 000009
【００５６】
【化９】
2006115117.tif 000010
更に以下に示す染料が例示できる。【００５７】
【化１０】
2006115117.tif 000011
【００５８】
【化１１】
2006115117.tif 000012
【００５９】
【化１２】
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【００６０】
【化１３】
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【００６１】
【化１４】
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これらの中では、染料１６が特に好ましい。【００６２】
これらの染料の中で更に、貯蔵安定性の点からは対イオンが−ＢＦ４であるものが好ましい。【００６３】
更に、以下に示す染料を例示することができる。【００６４】
【化１５】
2006115117.tif 000016
【００６５】
【化１６】
2006115117.tif 000017
【００６６】
【化１７】
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【００６７】
【化１８】
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【００６８】
【化１９】
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【００６９】
【化２０】
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【００７０】
【化２１】
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【００７１】
【化２２】
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【００７２】
【化２３】
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【００７３】
【化２４】
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【００７４】
【化２５】
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また、市販されている好ましい光熱変換物質の具体例としては、”ＫＡＹＡＳＯＲＢ”シリーズのＣＹ−１０、ＣＹ−１７、ＣＹ−５、ＣＹ−４、ＣＹ−２、ＣＹ−２０及びＣＹ３０並びにＩＲＧ−００２（以上、日本化薬株式会社製）；ＹＫＲ−４０１０、ＹＫＲ−３０３０、ＹＫＲ−３０７０、ＹＫＲ２９００、ＳＩＲ−１５９、ＰＡ−１００５、ＳＩＲ−１２８、ＹＫＲ−２０８０及びＰＡ−１００６（以上、山本化成株式会社製）；”ＰＲＯＪＥＣＴ”８２５ＬＤＩ、”ＰＲＯＪＥＣＴ”８３０ＮＰ、Ｓ１７４９６３、Ｓ１７４２７０（以上、Ａｖｅｃｉａ  Ｌｉｍｉｔｅｄ製）；ＮＫ−２０１４、ＮＫ−２９１１、ＮＫ−２９１２、ＮＫ−４４３２、ＮＫ−４４７４、ＮＫ−４４８９、ＮＫ−４６８０、ＮＫ−４７７６、ＮＫ−５０２０、ＮＫ−５０３６及びＮＫ−５０４２、ＮＫ−１３４２、ＮＫ−１９７７、ＮＫ−１８８６、ＮＫ−１８１９、ＮＫ−１３３１、ＮＫ−１８３７、ＮＫ−８６３、ＮＫ−３２１３、ＮＫ−８８、ＮＫ−３９８９、ＮＫ−１２０４、ＮＫ−７２３、ＮＫ−３９８４、ＮＫＸ−１３１６、ＮＫＸ−１３１７、ＮＫＸ−１３１８、ＮＫＸ−１３２０、ＮＫＸ−１６１９、ＮＫＸ−１７６７、ＮＫＸ−１７６８（以上、（株）林原生物化学研究所製）；ＩＲ２Ｔ、ＩＲ３Ｔ（以上、昭和電工（株）製）；”ＥＸＣＯＬＯＲ”８０１Ｋ、ＩＲ−１、ＩＲ−２、”ＴＸ−ＥＸ−８０１Ｂ”及び”ＴＸ−ＥＸ−８０５Ｋ”（以上、日本触媒（株）製）；ＣＩＲ−１０８０（日本カーリット（株）製）；ＩＲ９８０１１、ＩＲ９８０３０１、ＩＲ９８０４０１、ＩＲ９８０４０２、ＩＲ９８０４０５、ＩＲ９８０４０６及びＩＲ９８０５０４（以上、ＹＡＭＡＤＡ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ（株）製）；及び”ＥＰＯＬＩＧＨＴ”Ｖ−１４９、Ｖ−１２９、Ｖ−６３、ＩＩＩ−１８４、ＩＩＩ−１９２、ＩＶ−６２Ｂ、ＩＶ−６７、ＶＩ−１９、ＶＩ−１４８（以上、ＥＰＯＬＩＮ，ＩＮＣ．製）等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。【００７５】
光熱変換物質を用いる場合におけるポジ型レジスト組成物での光熱変換物質の含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計量基準で、好ましくは０．５〜４０質量％、より好ましくは、１〜３５質量％とすることができる。【００７６】
光熱変換物質の種類及びその配合量も、それ自体が、あるいは（Ａ）及び（Ｃ）成分との組合せで、所望とするポジ型レジストとしての特性が得られるように選択され、露光に用いるレーザ光などの活性エネルギー線の強度において所望とする感度や解像度が得られるように設定する。さらに、ポジ型レジスト組成物の組成を調整することで、ポジ型レジスト組成物により形成される被膜や層の形成時（露光前）、あるいは露光後におけるベーク処理を行う場合と、行わない場合とを選択することができる。【００７７】
（Ｃ）成分としての熱酸発生剤は、露光によって光熱変換物質から発生する熱の作用で、（Ａ）成分としてのビニル系重合体に作用して現像液への溶解性をこれに付与する酸を発生することができるもので、例えば、有機スルホニウム塩、ベンゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩等のオニウム塩等のレジスト組成物や感光性の組成物等において熱酸発生剤として含有されるものを利用することができる。更に、各種ポジ型レジスト組成物に含有されている光酸発生剤の中で、先に挙げた光熱変換物質の発熱下で酸を発生しえるものも利用可能である。【００７８】
このような光酸発生剤としては、ジアゾニウム、ホスホニウム、スルホニウム及びヨードニウムと、弗素イオン、塩素イオン、臭素イオン、沃素イオン、過塩素酸イオン、過沃素酸イオン、六弗化燐酸イオン、六弗化アンチモン酸イオン、六弗化錫酸イオン、燐酸イオン、硼弗化水素酸イオン、四弗硼素酸イオン等の無機酸アニオンや、チオシアン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、ナフタレンジスルホン酸イオン、ｐ−トルエンスルホン酸イオン、アルキルスルホン酸イオン、ベンゼンカルボン酸イオン、アルキルカルボン酸イオン、トリハロアルキルカルボン酸イオン、アルキル硫酸イオン、トリハロアルキル硫酸イオン、ニコチン酸イオン等の有機酸アニオン、さらには、アゾ系、ビスフェニルジチオール系、チオカテコールキレート系、チオビスフェノレートキレート系、ビスジオール−α−ジケトン系等の有機金属錯体アニオンとの塩；有機ハロゲン化合物；オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド；オキサゾール誘導体；トリアジン誘導体；ジスルホン誘導体；スルホネート誘導体；ジアゾスルホン誘導体；芳香族スルホン誘導体；有機金属；及び有機ハロゲン化合物等を例示できる。【００７９】
オキサゾール誘導体及びトリアジン誘導体としては、トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ１）で表されるオキサゾール誘導体及び一般式（ＰＡＧ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体を好ましいしいものとして挙げることができる。【００８０】
【化２６】
2006115117.tif 000027
式中、Ｒ２０１は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、Ｒ２０２は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）３をしめす。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。【００８１】
【化２７】
2006115117.tif 000028
ヨードニウム塩及びスルホニウム塩としては、下記の一般式（ＰＡＧ３）で表されるヨードニウム塩及び一般式（ＰＡＧ４）で表されるスルホニウム塩を好ましいものとして挙げることができる。【００８２】
【化２８】
2006115117.tif 000029
ここで式Ａｒ１、Ａｒ２は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。
Ｒ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５は各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。【００８３】
Ｚ−は対アニオンを示し、例えばＢＦ４−、ＡｓＦ６−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、ＳｉＦ６２−、ＣｌＯ４−、ＣＦ３ＳＯ３−等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、ドデシルベンゼンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン等の置換ベンゼンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。【００８４】
またＲ２０３、Ｒ２０４、Ｒ２０５のうちの２つおよびＡｒ１、Ａｒ２はそれぞれの単結合または置換基を介して結合してもよい。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００８５】
【化２９】
2006115117.tif 000030
【００８６】
【化３０】
2006115117.tif 000031
【００８７】
【化３１】
2006115117.tif 000032
【００８８】
【化３２】
2006115117.tif 000033
【００８９】
【化３３】
2006115117.tif 000034
【００９０】
【化３４】
2006115117.tif 000035
【００９１】
【化３５】
2006115117.tif 000036
一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示される上記オニウム塩は公知であり、例えばＪ．Ｗ．Ｋｎａｐｃｚｙｋｅｔａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９１，１４５（１９６９）、Ａ．Ｌ．Ｍａｙｃｏｋｅｔａｌ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３５，２５３２，（１９７０）、Ｅ．Ｇｏｅｔｈａｓｅｔａｌ，Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｂｅｌｇ．，７３，５４６，（１９６４）、Ｈ．Ｍ．Ｌｅｉｃｅｓｔｅｒ、Ｊ．Ａｍｅ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，５１，３５８７（１９２９）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１８，２６７７（１９８０）、米国特許第２，８０７，６４８号および同４，２４７，４７３号、特開昭５３−１０１，３３１号等に記載の方法により合成することができる。【００９２】
ジスルホン誘導体及びイミドスルホネート誘導体としては、下記一般式（ＰＡＧ５）で表されるジスルホン誘導体及び一般式（ＰＡＧ６）で表されるイミドスルホネート誘導体を好ましいものとして挙げることができる。【００９３】
【化３６】
2006115117.tif 000037
式中、Ａｒ３、Ａｒ４は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ２０６は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００９４】
【化３７】
2006115117.tif 000038
【００９５】
【化３８】
2006115117.tif 000039
【００９６】
【化３９】
2006115117.tif 000040
ジアゾジスルホン誘導体としては下記一般式（ＰＡＧ７）で表されるジアゾジスルホン誘導体を好ましいものとして挙げることができる。【００９７】
【化４０】
2006115117.tif 000041
ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。【００９８】
【化４１】
2006115117.tif 000042
スルホネート誘導体としては、更に下記式（Ｉ）で表される化合物を好ましいものとして挙げることができる。【００９９】
【化４２】
2006115117.tif 000043
式（Ｉ）中、Ｙ１〜Ｙ４は各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ基または−ＯＳＯ２Ｒを有する基を示す。ただし、Ｙ１〜Ｙ４の少なくとも１つは−ＯＳＯ２Ｒを有する基である。Ｙ１〜Ｙ４の少なくとも２つが互いに結合し環構造を形成しても良い。Ｒはアルキル基、アリール基または樟脳残基を示す。Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ６１−または−ＣＨｎ（Ｒ６１）ｍ−を示す。ここで、Ｒ６１はアルキル基を表し、ｍ、ｎは各々０、１または２を表す。ただし、ｍ＋ｎ＝２である。Ｙ１〜Ｙ４のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。Ｙ１〜Ｙ４のアリール基は、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。【０１００】
Ｙ１〜Ｙ４のハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることができる。Ｙ１〜Ｙ４のアルコキシ基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらは更に置換基を有していても良い。Ｙ１〜Ｙ４の少なくとも２つが互いに結合し、環構造を形成しても良いが、隣あう２つが芳香環を形成することが好ましい。その環はヘテロ原子、オキソ基を含有していてもよい。また、更に置換されていてもよい。Ｙ１〜Ｙ４の−ＯＳＯ２Ｒを有する基とは、−ＯＳＯ２Ｒで表される基自体、又は、置換基として−ＯＳＯ２Ｒで表される基を有する有機基を意味する。置換基として−ＯＳＯ２Ｒを有する有機基としては、例えば、Ｙ１〜Ｙ４としてのアルキル基、アリール基、アルコキシ基に−ＯＳＯ２Ｒが置換した基を挙げることができる。【０１０１】
Ｒのアルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。Ｒのアリール基は、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。【０１０２】
Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ６１−または−ＣＨｎ（Ｒ６１）ｍ−を示す。ここで、Ｒ６１はアルキル基を表し、ｍ、ｎは各々０、１または２を表す。ただし、ｍ＋ｎ＝２である。Ｒ６１は好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。【０１０３】
Ｙ１とＹ２は、好ましくは互いに結合して下記式（ＩＩ）のような構造をとることが好ましい。【０１０４】
【化４３】
2006115117.tif 000044
上記式（ＩＩ）中、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＮＲ６１−または−ＣＨｎ（Ｒ６１）ｍ−を示す。Ｙ３及びＹ４は各々独立に水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、アルコキシ基または−ＯＳＯ２Ｒを有する基を示す。ここで、Ｒはアルキル基、アリール基または樟脳残基を示す。また、Ｒ６１はアルキル基を表し、ｍ、ｎは各々０、１または２を表す。ただし、ｍ＋ｎ＝２である。Ｒ１〜Ｒ４は各々独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基または−ＯＳＯ２Ｒを有する基を示す。【０１０５】
ただし、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ３、Ｙ４の少なくとも１つは−ＯＳＯ２Ｒを有する基である。【０１０６】
Ｙ３は−ＯＳＯ２Ｒを有する基であることが好ましい。【０１０７】
従って、上記式（Ｉ）の化合物の中では、下記式（ＩＩＩ）で示される化合物であることが更に好ましく、下記式（ＩＶ）で示される化合物であることがより好ましい。【０１０８】
【化４４】
2006115117.tif 000045
【０１０９】
【化４５】
2006115117.tif 000046
式（ＩＩＩ）および式（ＩＶ）中、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ４、Ｒ、Ｘの定義は式（Ｉ）、式（ＩＩ）と同じである。Ｒ１〜Ｒ４は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基、アシルオキシ基または−ＯＳＯ２Ｒを有する基を示す。Ｒ１〜Ｒ４のアルキル基は、好ましくは炭素数１〜３０のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。Ｒ１〜Ｒ４のアリール基は、好ましくは炭素数６〜１４のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができるが、これらは更に置換基を有していても良い。【０１１０】
Ｒ１〜Ｒ４のハロゲン原子としては、例えば、塩素原子、臭素原子、弗素原子、沃素原子等を挙げることができる。Ｒ１〜Ｒ４のアルコキシ基としては、例えば、好ましくは炭素数１〜５のアルコキシ基、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等を挙げることができる。これらは更に置換基を有していても良い。【０１１１】
Ｒ１〜Ｒ４の−ＯＳＯ２Ｒを有する基とは、−ＯＳＯ２Ｒで表される基自体、又は、置換基として−ＯＳＯ２Ｒで表される基を有する有機基を意味する。置換基として−ＯＳＯ２Ｒを有する有機基としては、例えば、Ｒ１〜Ｒ４としてのアルキル基、アルコキシ基、水酸基、ニトロ基、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アシル基またはアシルオキシ基に−ＯＳＯ２Ｒが置換した基を挙げることができる。Ｒ１〜Ｒ４の少なくとも２つが互いに結合し、環構造を形成しても良い。【０１１２】
Ｙ１〜Ｙ４、Ｒ、Ｘ、Ｒ１〜Ｒ４が更に置換基を有する場合、例えば、アリール基（例えばフェニル基）、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５）等の置換基を有することができる。アリール基及びアリーレン基については、更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜５）を挙げることができる。【０１１３】
以下に、式（Ｉ）の化合物の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１１４】
【化４６】
2006115117.tif 000047
なお、式（Ｉ）で表される光酸発生剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。【０１１５】
更に、光酸発生剤としては、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホナト、４−メトキシフェニル−フェニルヨードニウムカンファースルホナト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムカンファースルホナト、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホナト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロブチルスルホナト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムシクロヘキシルスルファメイト、スクシンイミジルｐ−トルエンスルホナト、ナフタルイミジルカンファースルホナト、２−［（トリブロモメチル）スルホニル］ピリジン、トリブロモメチルフェニルスルホン等が特に好ましい。これらの１種または必要に応じて２種以上を用いることができる。【０１１６】
（Ｃ）成分としての熱酸発生剤の本発明のポジ型レジスト組成物での含有量は、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の合計量基準で、好ましくは０．５〜２０質量％、より好ましくは１〜１５質量％とすることができる。【０１１７】
熱酸発生剤の種類及びその配合量も、それ自体が、あるいは（Ａ）及び（Ｂ）成分との組合せで、所望とするスタンパ製造用としての特性が得られるように選択され、露光に用いるレーザ光など活性エネルギー線の強度において所望とする感度や解像度が得られるように設定する。また、使用する波長域にかかわらず、被膜や層の形成時にベーク処理が不要となるように配合量を設定するのが好ましい。【０１１８】
ポジ型レジスト組成物には、更に、酸を添加しておくこともできる。この酸を適量添加しておくことで、熱酸発生剤との相乗作用により感光性等の特性を上げることができ、解像度や感度等を更に向上させることができる。このような目的で利用可能な酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸等の無機酸や、酢酸、シュウ酸、酒石酸、安息香酸等のカルボン酸、スルホン酸、スルフィン酸、フェノール類、イミド類、オキシム類、芳香族スルホンアミド類等の有機酸を挙げることができ、これらから選択した酸の１種又は２種以上を目的に応じて添加することができる。これらの中では、パラトルエンスルホン酸が特に好ましい。酸は、熱酸発生剤１モルに対して、好ましくは０．００１〜１モル、より好ましくは、０．０５〜０．５モルの範囲から選択して用いることができる。【０１１９】
更に、ポジ型レジスト組成物には、上記の各成分に加えて、密着性改良剤、金属キレート防止剤、表面調整剤等から選択された１種または２種以上を目的用途に応じて添加することができる。更に、明室での酸発生剤の分解を防ぐためにＵＶ吸収剤を添加してもよい。【０１２０】
ポジ型レジスト組成物は、溶媒の添加によって液状組成物としてもよい。溶媒としては、例えば、水、ヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等の酢酸エステル系溶媒等を挙げることができ、ポジ型レジスト組成物の用途に応じてこれらの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。溶媒は、例えば、塗布による成膜用途では、固形分が、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは２〜２０質量％程度となる量で用いることができる。なお、溶媒の種類によっては、液状の状態を保持するための成分を添加してもよい。例えば、乳化剤を用いて水または水を主体とする溶媒に必要とされる成分を含有させてエマルジョンとしての液状組成物とすることができる。【０１２１】
一方、必要に応じて溶媒を用いて得られた液状組成物を、基板上にフィルム化してドライフィルムとして利用することもできる。【０１２２】
ポジ型レジスト組成物を上記のような溶媒を用いて液状として、基板上に塗布して成膜し、これに、パターニングに必要な波長を有するレーザ光などの活性エネルギー線を所定のパターンに応じた位置に照射し、更に現像処理して所定のレジストパターンを得ることができる。その際、ポジ型レジスト組成物の組成を調整することで、成膜時の加熱によるベーク処理（プリベーク）を不要なものとすることもできる。このようにベーク処理を省略することで、ポジ型レジスト組成物の膜あるいは層を有するスタンパ製造用の原盤の製造効率を向上させることもできる。なお、露光後のベーク（ポストベーク）についても、ポジ型レジスト組成物の組成に応じてポストベークを行なうかどうかを選択することができる。【０１２３】
ポジ型レジスト組成物を成膜する基板としては、ガラス、金属などの材料からなるスタンパ製造用の基板が利用できる。基板の表面は、必要に応じて、ポジ型レジスト組成物の基板への密着性を更に向上させるための表面処理がなされていてもよい。このような表面処理として、シランカップリング剤で処理を好適なものとして挙げることができる。【０１２４】
基板上にポジ型レジスト組成物を用いて感光層を形成する方法としては、液状組成物として、基板上に所望とする乾燥後の層厚が得られるように所定量を塗布して溶媒を蒸発させて感光層を得る方法や、ドライフィルム形成用の基板上に塗布してドライフィルムとし、これを感光層を形成すべき基板上に積層する方法等を挙げることができる。基板上への塗布は、スピンコート法、ブレードコート法、スプレイコート法、ワイヤーバーコート法、ディッピング法、エアーナイフコート法、ローラコート法、カーテンコート法等を用いることができる。感光層の厚さはその目的用途に応じて設定されるが、例えば、０．０５〜１μｍの範囲から選択することができる。感光層の厚さは、スタンパ製造用としての原盤に要求される特性などに応じて設定されるが、例えば、０．１〜０．３μｍの範囲から選択することができる。【０１２５】
基板上に設けられた感光層への露光は、感光波長を含む活性エネルギー線を照射できる露光装置により行うことができる。また、感光層へのパターン状の露光は、例えば所望のパターンに対応した光透過部を有するマスクを介した露光、基板上の感光層の所定部に直接、活性エネルギー線を照射する方法など、通常の露光方法を用いることができる。レーザ装置を用いる場合は、パルス照射方式のものでも、連続照射式のものでもよい。【０１２６】
発光ダイオードアレイ等のアレイ型光源を使用する場合や、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、タングステンランプ等の光源を、液晶、ＰＬＺＴ等の光学的シャッター材料で露光制御する場合には、画像信号に応じたデジタル露光をすることが可能で、この場合には、マスク材料を使用せず直接書込みを行うことができる。しかしながら、この方法では、光源の他に新たに光学的シャッター材料が必要であることから、デジタル露光する場合にはレーザーを光源として用いるのが好ましい。【０１２７】
光源としてレーザー光を用いる場合には、光をビーム状に絞り、画像データに応じた走査露光で潜像記録を行うことが可能であり、更にレーザーを光源として用いると、露光面積を微小サイズに絞ることが容易で高解像度の画像記録が可能となる。【０１２８】
レーザ装置を露光に利用する場合には、照射されるレーザ光の波長は特に限定されないが、例えば、２６６ｎｍ、３５１ｎｍ、３５５ｎｍ、３７５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３６ｎｍ、６５０ｎｍ、６１０ｎｍ、７６０ｎｍまたは８３０ｎｍの波長のレーザ光を照射するレーザ装置が利用できる。本発明で用いられるレーザー光源としては、一般によく知られている、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザーなどの固体レーザー；Ｈｅ−Ｎｅレーザー、Ａｒイオンレーザー、Ｋｒイオンレーザー、ＣＯ２レーザー、ＣＯレーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、Ｎ２レーザー、エキシマーレーザー等の気体レーザー；ＩｎＧａＰレーザー、ＡｌＧａＡｓレーザー、ＧａＡｓＰレーザー、ＩｎＧａＡｓレーザー、ＩｎＡｓＰレーザー、ＣｄＳｎＰ２レーザー、ＧａＳｂレーザー等の半導体レーザー；化学レーザー、色素レーザー等を挙げることができる。レーザ装置としては特に限定されないが、小型化が可能である半導体レーザが有用である。照射装置の出力は、感光層の組成や層厚等に基づく所望とする感度、例えば、明室内処理での効果的な解像度が得られる出力が用いられ、２０Ｗ程度までの高出力レーザも利用できる。【０１２９】
また、照射用の光源の光強度は、１．０×１０２ｍＪ／ｓ・ｃｍ２以上、好ましくは、１．０×１０３ｍＪ／ｓ・ｃｍ２以上とすることができる。【０１３０】
露光後に露光部分を基板上から除去するための現像液としては、重合性エチレン不飽和結合及びアルカリ可溶性基を有する構成単位に酸が作用した部分を溶解できるアルカリ現像液を利用することができる。現像液に用いるアルカリ成分としては、例えば、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、珪酸リチウム、珪酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、メタ珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、第二燐酸ナトリウム、第三燐酸ナトリウム、第二燐酸アンモニウム、第三燐酸アンモニウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、ホウ酸アンモニウム等の無機アルカリ塩、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン等の有機アミン化合物が挙げられる。これらの中では、メタ珪酸ナトリウム等のアルカリ金属の珪酸塩が好ましい。現像液には、必要に応じて、各種の界面活性剤（アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、両性界面活性剤）やアルコール等の有機溶媒を加えることが出来る。また、アルカリ成分の含有量は、ポジ型レジスト組成物の組成等によって選択することができるが、例えば０．１〜５質量％程度とすることができる。
【実施例】
【０１３１】
ポリマー（１）及びその原料の製造法の参考例
参考例における重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の条件でゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定した。【０１３２】
カラム：  ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｍ（２本）、ＨＭ−Ｈ（１本）［全て東ソー（株）製］を直列に接続した。
カラム保持温度：  ４０℃
検出器：  ＲＩ
展開溶媒：  テトラヒドロフラン（流速０．５ｍｌ／分）
標準物質：  ポリスチレン。【０１３３】
参考例１：モノマーの合成
メタクリル酸５０ｇとエチルビニルエーテル４２ｇおよびリン酸０．４ｇを添加し、室温で３時間反応させた。メタクリル酸の転化率は８２％であり、メタクリル酸１−エトキシエチルへの選択率は８５％であった。反応液を５％炭酸ナトリウム水溶液で中和した後、分液により得られた有機層を減圧濃縮することにより、メタクリル酸１−エトキシエチル７４ｇを取得した。【０１３４】
以下、目的物の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを記載する。
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ）
測定機器：日本電子  ＧＳＸ−４００
測定溶媒：重クロロホルム
δ：６．１６−６．１４（ｍ，１Ｈ）、６．００（ｑ，Ｊ＝５．４Ｈｚ，１Ｈ）、５．６０  −５．５９（ｍ，１Ｈ）、３．７３（ｄｑ，Ｊ＝９．５，７．１Ｈｚ，１Ｈ）、３．５６（ｄｑ，Ｊ＝９．６，７．１Ｈｚ，１Ｈ）、１．９５−１．９４（ｍ，３Ｈ）、１．４４（ｄ，Ｊ＝５．１Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）。【０１３５】
参考例２：ビニル系重合体の製造（Ｑ−１）
滴下装置、攪拌装置、温度計、冷却管および窒素ガス導入管を備えたフラスコ内に、シクロヘキサノン２００．０ｇを仕込み、８０℃まで加熱し、窒素雰囲気下にて攪拌しながら、メタクリル酸１−エトキシエチル４０ｇ、メタクリル酸ブチル１６０ｇおよび２，２’−アゾビス−２−メチルブチロニトリル（ＡＭＢＮ）１６ｇを均一に溶解したものを滴下装置より２時間かけて滴下した。滴下終了後、３０分毎に３回、ＡＭＢＮ／プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート＝０．２ｇ／１．８ｇの混合溶液を添加して、８０℃で３．５時間熟成し、重合反応を終了した。得られたポリマー溶液は、固形分５３質量％であり、重量平均分子量１３，０００のビニル系重合体（Ｑ−１）を得た。【０１３６】
実施例１
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１３７】
【化４７】
2006115117.tif 000048
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、以下の条件でのレーザ照射を行った。
・解像度：６４００ｄｐｉ
・レーザ出力（合計）：５Ｗ
・描画用レーザ波長：８３０ｎｍ
・レーザ走査速度：６０００ｍｍ／秒
露光後、１．５質量％Ｎａ２ＣＯ３水溶液で現像（２５℃、１分）し、洗浄乾燥させた後、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１３８】
実施例２
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１３９】
【化４８】
2006115117.tif 000049
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１４０】
実施例３
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１４１】
【化４９】
2006115117.tif 000050
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１４２】
実施例４
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１４３】
【化５０】
2006115117.tif 000051
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１４４】
実施例５
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００  質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１４５】
【化５１】
2006115117.tif 000052
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１４６】
実施例６
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００  質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１４７】
【化５２】
2006115117.tif 000053
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１４８】
実施例７
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１４９】
【化５３】
2006115117.tif 000054
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１５０】
実施例８
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１５１】
【化５４】
2006115117.tif 000055
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１５２】
実施例９
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１５３】
【化５５】
2006115117.tif 000056
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１５４】
実施例１０
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１５５】
【化５６】
2006115117.tif 000057
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１５６】
実施例１１
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１５７】
【化５７】
2006115117.tif 000058
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１５８】
実施例１２
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００  質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１５９】
【化５８】
2006115117.tif 000059
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１６０】
実施例１３
ビニル系重合体（Ｑ−１）１００質量部、下記に示すシアニン色素２０質量部、下記に示す熱酸発生剤１０質量部、パラトルエンスルホン酸０．５質量部、ＵＶ吸収剤１．５質量部をメチルエチルケトン中に固形分が３質量％となるように添加して、液状組成物を得た。【０１６１】
【化５９】
2006115117.tif 000060
この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１６２】
実施例１４〜２６
実施例１〜１３の液状組成物（ポジ型レジスト組成物）を用い、レーザ波長を８３０ｎｍから４０５ｎｍに変更したこと以外は同様にしてレジストパターンを形成し、評価した。その結果、０．２μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１６３】
実施例２７〜３９
実施例１〜１３の液状組成物（ポジ型レジスト組成物）を用い、レーザ波長を８３０ｎｍから３７５ｎｍに変更したこと以外は同様にしてレジストパターンを形成し、評価した。その結果、０．１μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。【０１６４】
実施例４０〜４５
実施例１〜６のシアニン色素の代わりに、クマリン色素（（株）林原生物化学研究所製、ＮＫＸ−１６１９）を用いたこと以外は各々実施例１〜６と同様にして液状組成物を調製した。この液状組成物をガラス基板上に乾燥膜厚が０．１μｍとなるように塗布し、室温で乾燥させて、感光層を形成した。この感光層に、実施例１と同様の条件でのレーザ照射、現像及び洗浄乾燥を行い、得られたレジストパターンについて各々評価した。その結果、０．８μｍ  Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅの解像が可能であることが確認された。
【図１】
2006115117.tif 000064
【国際調査報告】
2006115117.tif 000065
2006115117.tif 000066