(57)【要約】  半導体集積回路装置のバーンイン工程（Ｓ１９）において、引き剥がし機構を備えたソケットのパッドに半導体集積回路装置のバンプ電極を位置決めする第１工程と、半導体集積回路装置に加重を印加することによって上記バンプ電極を上記パッドに押し付ける第２工程と、上記第２工程での加重印加方向とは逆方向の力を上記引き剥がし機構によって上記半導体集積回路装置に与えて上記バンプ電極を上記パッドから引き剥がす第３工程とを設け、半導体集積回路装置を押し上げて上記バンプ電極を上記パッドから剥がすことにより、バーンイン試験における半導体集積回路チップの自動挿抜の容易化を達成する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウェハの第１の主面上に通常配線を形成する工程；
（ｂ）前記通常配線上に複数の第１のメタル膜領域および第２のメタル膜領域を含む再配線を形成する工程；
（ｃ）前記再配線上に高分子樹脂膜を形成する工程；
（ｄ）前記高分子樹脂膜の前記第１のメタル膜領域および第２のメタル膜領域に対応する部分にリソグラフィーの手法により開口を形成することにより、複数の第１のメタルパッド領域および第２のメタルパッド領域を形成する工程；
（ｅ）前記第１のメタルパッド領域の各々にバンプを形成する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記ウェハを複数の半導体集積回路チップに分割する工程；
（ｇ）分割された前記複数の半導体集積回路チップの内の第１の半導体集積回路チップの前記ウェハの第１の主面に対応するバンプ形成面をバーンイン試験用ソケットの電極面に対向させ、前記バンプ形成面の複数の前記バンプと前記電極面に設けられた複数のメタル突起電極が相互に押し付けられた状態で、バーンイン試験を実行する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記バンプ形成面の前記複数の第２のメタルパッド領域の内の少なくとも一つのパッド領域に、その領域よりも狭い接触面を有する少なくとも一つの加圧部材を接触させて、前記第１の半導体集積回路チップと前記電極面が離れる方向に加圧することにより、前記メタル突起電極と前記第１の半導体集積回路チップの前記半田バンプを分離させる工程。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜は熱硬化性樹脂を主要な成分として含む。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜は耐熱性熱硬化性樹脂を主要な成分として含む。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜はポリイミド系樹脂を主要な成分として含む。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜は有機系熱硬化性樹脂を主要な成分として含む。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記バンプのピッチは５００ミクロン未満である。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記バンプはリソグラフィーの手法または印刷技術により形成される。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記バンプのバンプ完成時のチップ内平均ベースでのバンプ高さ（Ｈ）とバンプ径（Ｄ）との比（Ｈ／Ｄ）の百分率は６０％未満である。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップ内の前記少なくとも一つのパッド領域の数は２個以上である。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップにおける前記複数の第２のメタルパッド領域の内の少なくとも一つのパッド領域の数は３個以上である。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップにおける前記複数の第２のメタルパッド領域の内の少なくとも一つのパッド領域は、前記第１の半導体集積回路チップの前記バンプ形成面のチップ周辺部に設けられている。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップにおける前記複数の第２のメタルパッド領域の内の少なくとも一つのパッド領域は、前記第１の半導体集積回路チップの前記バンプ形成面のチップコーナー部に設けられている。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップにおける前記複数の第２のメタルパッド領域の内の少なくとも一つのパッド領域は、電気的にフローティングの状態にされている。
【請求項１４】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記第２のメタルパッド領域の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積より大きい。
【請求項１５】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記第２のメタルパッド領域の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積の２倍以上である。
【請求項１６】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記第２のメタルパッド領域の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積の３倍以上である。
【請求項１７】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記加圧部材の前記接触面の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積の２倍以上である。
【請求項１８】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記加圧部材は、前記高分子樹脂膜の上面には接触しない。
【請求項１９】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル突起電極はニッケルを主要な成分とする心材上に金を主要な成分とするメッキが施されている。
【請求項２０】
請求項１９に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル突起電極は前記金を主要な成分とするメッキ層上に更にロジウムメッキが施されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を製造する技術に係り、例えば外部接続端子をバンプ電極で構成した半導体装置のバーンイン（通電加速）試験装置への着脱に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置（半導体装置）のバーンイン試験において、半導体集積回路装置上のバンプ電極と接触してテストを実行するバーンイン試験用ソケット（単に「ソケット」ともいう）側の電極の改良については、特許文献１に開示されている。【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２３５０６２号公報（図１他）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体集積回路の製造工程では、不良製品を取り除いたり、製品の寿命を測定したりするために、ウェハから分割（ダイシング）したチップをパッケージに封止した後、出荷に先立ってバーンイン試験を行っている。このバーンイン試験は、ソケットに装着された基板（ソケット基板）の電極（パッド）にパッケージの外部接続端子を接続し、外部電源からパッケージ内のチップに電流、電圧を供給しながら、半導体集積回路チップを１００℃以上の高温雰囲気中で数時間程度連続動作させる試験である。【０００５】
上記バーンイン試験に用いるソケット基板（テープ基板）は、パッケージの外部接続端子と良好な導通を確保するために、外部接続端子の形状やピン数に応じてパッケージの品種毎に設計、製作される。【０００６】
近年、半導体パッケージは、ＱＦＰ(Quad Flat Package)やＳＯＪ(Small Outline J-leaded package)のように、パッケージの側面から外部接続端子としてのリードを引き出す従来タイプのものから、ＢＧＡ(Ball Grid Array) やＣＳＰ(Chip Size Package)のように、パッケージの実装面あるいはチップの素子形成面に取り付けたバンプ電極を外部接続端子とする表面実装タイプのものが主流になりつつある。【０００７】
外部接続端子をボール状のバンプ電極で構成した上記ＢＧＡやＣＳＰをバーンイン試験に搭載する場合は、ソケット基板の電極（パッド）とバンプ電極とが点接触となるために両者のコンタクト抵抗が大きくなったり、バンプ電極の直径のばらつきによって、一部のバンプ電極とパッドとが非導通になったりする。そこで、パッドとバンプ電極との接触を良好に確保するために、例えばパッケージ（またはチップ）に取り付けたバンプ電極をソケット基板のパッド上に位置決めした後、パッケージ（またはチップ）を加圧してバンプ電極を潰すといった対策が採られている。【０００８】
しかし、バンプ電極を過度に潰してパッドとの接触面積を大きくすると、試験終了後にバンプ電極がパッドから剥離し難くなり、パッケージ（チップ）をソケットから取り外すときにバンプ電極がパッケージ（チップ）から離脱してパッド側に残ってしまう虞れがある。【０００９】
パッケージのバンプ電極を過剰に潰さなくともソケット基板のパッドとの良好な導通を確保するには、ソケット基板のパッド上に複数個の微小突起を設けることが望ましい。【００１０】
ところが、上記のような微小突起を設けたパッド上にバンプ電極を接続して高温のバーンイン試験を行うと、試験終了後にバンプ電極をパッドから剥離する際に、バンプ電極の表面の薄い自然酸化膜が突起の表面に残留する。そのため、バーンイン試験を繰り返すにつれて、突起の表面に残留した自然酸化膜の膜厚が次第に厚くなり、バンプ電極と突起との接触抵抗が増加したり、ばらついたりするようになる結果、安定した試験を行うことが困難になる。【００１１】
また、バーンイン試験は、１００℃以上の高温雰囲気中で数時間にわたって行われるため、試験中の熱によってバンプ電極がある程度軟化する。特に、Ｓｎ／Ｐｂ半田のような低融点金属で構成されたバンプ電極は、軟化し易い。そのため、バンプ電極の下端が突起と突起の間のパッド表面に接触していると、試験終了後にバンプ電極をパッドの表面から剥離する際に、バンプ電極材料の一部がパッドの表面に付着したまま残る。そして、バーンイン試験を何回か繰り返すと、パッドの表面に付着したバンプ電極材料の膜厚が次第に厚くなり、突起の表面とパッドの表面との段差が消失するために、突起を設けた効果が得られなくなってしまう。【００１２】
そこで本願出願人は先に、外部接続端子をバンプ電極で構成した半導体集積回路チップのバーンイン試験において、ソケット基板のパッド（電極）とバンプ電極との接触抵抗を安定に確保する技術を開発している（特許文献１参照）。かかる技術によれば、ソケット基板の主面には、配線と一体に形成された複数個のパッドが形成され、前記複数個のパッドのそれぞれの表面には、バーンイン試験時に前記パッドに接続される前記バンプ電極が前記パッドの表面と接触しないように、その高さおよび互いの距離が規定された複数個の突起が設けられ、パッケージや半導体集積回路チップに取り付けたバンプ電極とソケット基板のパッドとの接触抵抗を安定に確保することができる。【００１３】
本願発明者の検討によれば、コンタクト突起のエッジがバンプ電極に食い込むことによってバンプ電極の表面の被覆が破られ、良好なコンタクト性能を得ることができるものの、コンタクト突起のエッジがバンプ電極に食い込んだり、コンタクト最表面メッキのＡｕとバンプ電極の半田が化学的に親和することによって上記コンタクト突起とバンプ電極とが接合しやすいために、バーンイン試験後に、自動挿抜機における真空パッドの吸引によって半導体集積回路チップをソケットから剥がそうとしても、多ピン化された半導体集積回路チップでは真空パッドの吸引力不足により、ソケットから剥がすことが困難になることが見いだされた。この傾向は、半導体集積回路装置の多ピン化に伴い、ますます顕著になることから、バーンイン試験における半導体集積回路チップの自動挿抜が困難になる。【００１４】
本願に開示された一つの発明の目的は、高い信頼度を有する半導体集積回路装置を製造することができる技術を提供することにある。【００１５】
本願に開示された一つの発明の目的は高密度のバンプ電極を有する半導体集積回路装置に適合したバーンイン試験技術を提供することにある。【００１６】
本願に開示された一つの発明の目的はバンプの幅に比較してバンプの高さが低いバンプ電極を有する半導体集積回路装置に適合したバーンイン試験技術を提供ことにある。【００１７】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
《１》本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。【００１９】
本願に開示された半導体集積回路装置の製造方法は、
（ａ）半導体基板に回路を形成する工程と、
（ｂ）回路が形成された半導体基板からチップ状の半導体集積回路装置を分離する工程と、
（ｃ）分離した半導体集積回路装置のバーンイン試験を行なう工程と、
（ｄ）バーンイン試験を経た半導体集積回路装置から良品を選別する工程と、を含む。前記半導体集積回路装置は外部接続電極としてバンプ電極を有し、前記工程（ｃ）は、バーンイン試験用ソケットに前記半導体集積回路装置を装着する第１処理と、装着された半導体集積回路装置を押し付けてバーンイン試験用ソケットのパッド電極に半導体集積回路装置のバンプ電極を押し付けた状態で前記バーンイン試験用ソケットとの間で半導体集積回路装置を動作させる第２処理と、半導体集積回路装置の動作終了後に半導体集積回路装置に対する押し付け圧力を解除すると共に前記バンプ電極をパッド電極から離脱させる方向に半導体集積回路装置を押し上げる第３処理とを含む。第３処理により、バーイン試験用ソケットのパッド電極から半導体集積回路装置が引き剥がされるように分離可能にされる。【００２０】
上記の手段によれば、バーンイン試験用ソケットのパッド電極に半導体集積回路装置のバンプ電極を押し付けた状態で半導体集積回路装置のバーンイン試験を行い、試験後に半導体集積回路装置に対する押し付け圧力を解除すると共に前記バンプ電極をパッド電極から離脱させる方向に半導体集積回路装置を押し上げるから、半導体集積回路装置のバンプ電極の狭ピッチ並びに多端子化の傾向によってパッド電極に対するバンプ電極の食い込み力が大きくなっても、押し上げ力の設定次第で、その食い込み力に抗する力を作用することが可能になる。バキューム吸着で引き剥がす場合、引き剥がし力を大きくするにはバキューム圧力を増大させることが必要であるが、その要求だけで半導体集積回路装置の製造ライン全体で用いるバキューム圧力を変更することが難しい場合も有り、この点においても、上記手段は、バーンイン試験用ソケットから半導体集積回路装置を引き剥がす処理の容易化に資することができる。【００２１】
本願に開示された一つの発明においては、前記バンプ電極は例えば半田ボール電極に代表されるソルダーボール電極とされる。ソルダーボール電極はバーンイン試験の熱によって変形し易く、引き剥がし処理には比較的おおきな力を要する。【００２２】
本願に開示された一つの発明においては、前記パッド電極は平面パッド上に複数に分割された突起を有し、前記第２処理において前記複数の突起は、押し付けられるバンプ電極を前記平面パッドと非接触に支持する。バーンイン試験時にパッド電極とバンプ電極の電気的接触を安定に保つことが可能になる。【００２３】
本願に開示された一つの発明においては、前記第３処理において半導体集積回路装置の押し上げは弾性体の復元力によって行ない、前記第２処理において前記パッド電極に対するバンプ電極の押圧は前記弾性体を変形させて行なう。前記弾性体にはバネ部材を用いることができる。【００２４】
本願に開示された一つの発明は、ウェハレベルＣＳＰ技術による半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ａ）は、半導体基板に複数の回路素子を形成し表面にボンディングパッドを露出させたチップ基体を形成する工程と、前記チップ基体の上にボンディングパッドに接続する再配線と、ボンディングパッドに非接続の金属層を形成し、その表面を、前記再配線の一部分と金属層の一部分を除いて耐熱性熱硬化性樹脂膜で被覆する工程と、前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記前記再配線の一部分にバンプ電極を形成する工程と、を含む。【００２５】
このとき、前記第３処理における前記半導体集積回路装置の押し上げは、前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記金属層に前記押し上げ力を作用して行なうのがよい。耐熱性熱硬化性樹脂膜の損傷を抑制するためである。【００２６】
上記手段は、前記複数のバンプ電極の配列ピッチが０．５ｍｍ未満のような狭ピッチの半導体集積回路装置の製造に好適である。【００２７】
本願に開示された一つの発明は、ウェハレベルＣＳＰ技術による半導体集積回路装置において、半導体基板に複数の回路素子を形成し表面にボンディングパッドを露出させたチップ基体と、前記チップ基体の上に設けられて前記ボンディングパッドに接続する再配線と、前記チップ基体の上に設けられて前記ボンディングパッドに非接続の金属層と、前記再配線の一部分と金属層の一部分を除いて表面を覆う耐熱性熱硬化性樹脂膜と、前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記前記再配線の一部分に設けられたバンプ電極とを有し、前記金属層はチップ基体の周縁部分に複数形成される。バーンイン試験終了後にバーンイン試験用ソケットのパッド電極から半導体集積回路装置を引き剥がすときは、前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記金属層に前記押し上げ力を作用すればよい。この意味において、前記金属層は少なくとも３個有するのがよい。安定的に押し上げ力を作用することができる。更に、引き剥がされた半導体集積回路装置の姿勢が不安定になり難い。【００２８】
本願に開示された一つの電子回路装置の製造方法製造方法は、
（ａ）パッケージ基板に回路デバイスを搭載する工程と、
（ｂ）回路デバイスが搭載された電子回路の試験を行なう工程と、
（ｃ）試験を経た電子回路から良品を選別する工程と、を含み、前記工程（ｃ）は、パッケージ基板に回路デバイスを搭載した電子回路をマウント用ソケットに装着する第１処理と、装着された電子回路を押圧して前記マウント用ソケットのパッド電極にパッケージ基板の外部接続電極を押圧しながら前記マウント用ソケットとの間で電子回路を動作させる第２処理と、電子回路の動作終了後に電子回路に対する押し付け圧力を解除すると共に前記外部接続電極をパッド電極から離脱させる方向に電子回路を押し上げる第３処理とを含む。これによれば、電子回路の引き剥がしも容易且つ確実に行なうことが可能になる。【００２９】
《２》また、本願において開示されたその他の発明の概要を項に分けて、簡単に記載するとすれば以下のごとくである。【００３０】
〔１〕以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）半導体基板に回路を形成する工程（第１工程）；
（ｂ）回路が形成された半導体基板からチップ状の前記半導体集積回路装置を分離する工程（第２工程）；
（ｃ）分離した前記半導体集積回路装置のバーンイン試験を行なう工程（第３工程）；
（ｄ）バーンイン試験を経た前記半導体集積回路装置から良品を選別する工程（第４工程）、
ここで前記半導体集積回路装置は外部接続電極としてバンプ電極を有し、
前記工程（ｃ）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）バーンイン試験用ソケットに前記半導体集積回路装置を装着する工程（第１処理）；
（ｉｉ）装着された前記半導体集積回路装置を押圧してバーンイン試験用ソケットのパッド電極に前記半導体集積回路装置のバンプ電極を押圧しながら前記バーンイン試験用ソケットとの間で前記半導体集積回路装置を動作させる工程（第２処理）；
（ｉｉｉ）前記半導体集積回路装置の動作終了後に前記半導体集積回路装置に対する押し付け圧力を解除すると共に前記バンプ電極をパッド電極から離脱させる方向に前記半導体集積回路装置を押し上げる（第３処理）。【００３１】
〔２〕前記バンプ電極はソルダーボール電極である前記項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。【００３２】
〔３〕前記パッド電極は平面パッド上に複数に分割された突起を有し、前記第２処理において前記複数の突起は、押し付けられるバンプ電極を前記平面パッドと非接触に支持する、前記項１または２に記載の半導体集積回路装置の製造方法。【００３３】
〔４〕前記第３処理において半導体集積回路装置の押し上げは弾性体の復元力によって行ない、
前記第２処理において前記パッド電極に対するバンプ電極の押し付け加圧は前記弾性体を変形させて行なう、前記項１から３のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法。【００３４】
〔５〕前記弾性体はバネ部材である、前記項４記載の半導体集積回路装置の製造方法。【００３５】
〔６〕前記項１から５のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１工程は、以下の下位工程を含む：
（ｘ）半導体基板に複数の回路素子を形成し表面にボンディングパッドを露出させたチップ基体を形成する工程；
（ｙ）前記チップ基体の上にボンディングパッドに接続する再配線と、ボンディングパッドに非接続の金属層を形成し、その表面を、前記再配線の一部分と金属層の一部分を除いて耐熱性熱硬化性樹脂膜で被覆する工程；
（ｚ）前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記前記再配線の一部分にバンプ電極を形成する工程。【００３６】
〔７〕前記第３処理における前記半導体集積回路装置の押し上げは、前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記金属層に前記押し上げ力を作用して行なう、前記項６記載の半導体集積回路装置の製造方法。【００３７】
〔８〕前記複数のバンプ電極の配列ピッチは０．５ｍｍ未満とされる、前記項１から７のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法。【００３８】
〔９〕以下を含む半導体集積回路装置：
（ａ）半導体基板に複数の回路素子を形成し表面にボンディングパッドを露出させたチップ基体；
（ｂ）前記チップ基体の上に設けられて前記ボンディングパッドに接続する再配線；
（ｃ）前記チップ基体の上に設けられて前記ボンディングパッドに非接続の金属層；
（ｄ）前記再配線の一部分と金属層の一部分を除いて表面を覆う耐熱性熱硬化性樹脂膜；
（ｅ）前記耐熱性熱硬化性樹脂膜から露出された前記前記再配線の一部分に設けられたバンプ電極、
ここで前記金属層はチップ基体の周縁部分に複数形成されている。【００３９】
〔１０〕前記金属層を少なくとも３個有する前記項９記載の半導体集積回路装置。【００４０】
〔１１〕以下の工程を含む電子回路装置の製造方法：
（ａ）パッケージ基板に回路デバイスを搭載する工程（第１工程）；
（ｂ）回路デバイスが搭載された電子回路装置の試験を行なう工程（第２工程）；
（ｃ）試験を経た電子回路装置から良品を選別する工程（第３工程）、
ここで前記工程（ｃ）（第３工程）は、以下の下位工程を含む：
（ｉ）パッケージ基板に回路デバイスを搭載した電子回路装置をマウント用ソケットに装着する工程（第１処理）；
（ｉｉ）装着された電子回路装置を押圧して前記マウント用ソケットのパッド電極にパッケージ基板の外部接続電極を押圧しながら前記マウント用ソケットとの間で電子回路装置を動作させる工程（第２処理）；
（ｉｉｉ）電子回路装置の動作終了後に電子回路装置に対する押し付け圧力を解除すると共に前記外部接続電極をパッド電極から離脱させる方向に電子回路装置を押し上げる工程（第３処理）。【００４１】
《３》また、本願において開示された更にその他の発明の概要を項に分けて、簡単に記載するとすれば以下のごとくである。【００４２】
〔１〕以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウェハの第１の主面上に通常配線（たとえば、アルミ多層配線、銅ダマシンまたはデュアルダマシン多層配線）を形成する工程；
（ｂ）前記通常配線上に複数の第１のメタル膜領域および第２のメタル膜領域を含む再配線（たとえば、銅系の再配置配線または再分配配線等）を形成する工程（この工程は必ずしも必須のものではない。すなわち、バンプ電極を有するものであれば、再配線を有しないものにも適用できる）；
（ｃ）前記再配線上に高分子樹脂膜を形成する工程（一般のリソグラフィーによるもののほか、封止レジンその他の樹脂を使用した塗布、印刷、モールドその他によるものでもよい）；
（ｄ）前記高分子樹脂膜の前記第１のメタル膜領域および第２のメタル膜領域に対応する部分にリソグラフィーの手法により開口を形成することにより、複数の第１のメタルパッド領域（バンプ用下地金属層状の２次ファイナルパッシベーションの円形開口）および第２のメタルパッド領域（先と同じ下地金属膜状の２次ファイナルパッシベーションの主に長方形または正方形開口、その他の形状であってもよい。寸法はたとえば縦２５０ミクロン、横５００ミクロン）を形成する工程（前記第２のメタル膜領域は必ずしも必須のものではない。基本的に高分子樹脂膜の上面にダメージを与えなければよいので、以下の電極面からのバンプの分離工程で前記高分子樹脂膜の上面に触れずに、または触れてもダメージを与えずに加圧できればよい。従って、前記高分子樹脂膜よりも柔らかい表面を有する比較的大面積の接触面を有する加圧部材で直接前記高分子樹脂膜の上面を押すようにしてもよい。ここで「上面」とは重力と逆方向を指すのではなく、チップのデバイス形成面すなわちバンプ形成面、ウェハの第１の主面側の面等を示すものとする）；
（ｅ）前記第１のメタルパッド領域の各々に半田バンプを形成する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記ウェハを複数の半導体集積回路チップに分割する工程；
（ｇ）分割された前記複数の半導体集積回路チップの内の第１の半導体集積回路チップの前記ウェハの第１の主面に対応するバンプ形成面をバーンイン試験用ソケットの電極面に対向させ、前記バンプ形成面の複数の前記バンプと前記電極面に設けられた複数のメタル突起電極が相互に押し付けられた状態で、バーンイン試験を実行する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記バンプ形成面の複数の前記第２のメタルパッド領域の内の少なくとも一つのパッド領域に、その領域よりも狭い接触面（たとえば長方形で縦１５０ミクロン、横４００ミクロン）を有する少なくとも一つの加圧部材を接触させて、前記第１の半導体集積回路チップと前記電極面が離れる方向に加圧することにより、前記メタル突起電極と前記第１の半導体集積回路チップの前記半田バンプを分離させる工程。【００４３】
〔２〕前記項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜は熱硬化性樹脂を主要な成分として含む。【００４４】
〔３〕前記項１または２に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜は耐熱性熱硬化性樹脂を主要な成分として含む（たとえば、ポリイミド系樹脂、ＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）系樹脂など）。【００４５】
〔４〕前記項１から３のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜はポリイミド系樹脂を主要な成分として含む。【００４６】
〔５〕前記項１から４のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂膜は有機系熱硬化性樹脂を主要な成分として含む。【００４７】
〔６〕前記項１から５のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半田バンプのピッチは５００ミクロン未満である（半田はたとえば鉛フリー半田）。【００４８】
〔７〕前記項１から６のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半田バンプはリソグラフィーの手法または印刷技術により形成される。【００４９】
〔８〕前記項１から７のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半田バンプのバンプ完成時のチップ内平均ベースでのバンプ高さ（Ｈ）とバンプ径（Ｄ）との比（Ｈ／Ｄ）の百分率は６０％未満である（たとえばバンプ径１８０ミクロン、バンプ高さ１００ミクロン。第２のメタルパッド領域の径は半田リフロー時の半田表面張力によって、このような形状になるような寸法に形成する）。【００５０】
〔９〕前記項１から８のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップ内の前記少なくとも一つのパッド領域の数は２個以上である。【００５１】
〔１０〕前記項１から８のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップ内の前記少なくとも一つのパッド領域の数は３個以上である（分離工程においてチップを傾かせない利点がある。その結果、複数の第２のメタルパッド領域への加圧が均等になる。また、複数の半田バンプへの力のかかり方が比較的均一になる）。【００５２】
〔１１〕前記項１から１０のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップ内の前記少なくとも一つのパッド領域は、前記第１の半導体集積回路チップの前記バンプ形成面のチップ周辺部に設けられている（周辺部にあれば、加圧部材等がバンプに触れる可能性が少なくなる）。【００５３】
〔１２〕前記項１から１１のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップ内の前記少なくとも一つのパッド領域は、前記第１の半導体集積回路チップの前記バンプ形成面のチップコーナー部に設けられている。【００５４】
〔１３〕前記項１から１２のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１の半導体集積回路チップ内の前記少なくとも一つのパッド領域は、電気的にフローティングの状態にされている。【００５５】
〔１４〕前記項１から１３のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記第２のメタルパッド領域の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積より大きい。【００５６】
〔１５〕前記項１から１４のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記第２のメタルパッド領域の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積の２倍以上である。【００５７】
〔１６〕前記項１から１４のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記第２のメタルパッド領域の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積の３倍以上である。【００５８】
〔１７〕前記項１から１６のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、単一の前記加圧部材の前記接触面の面積は、単一の前記第１のメタルパッド領域の面積の２倍以上である。【００５９】
〔１８〕前記項１から１７のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記加圧部材は、前記高分子樹脂膜の上面には接触しない。【００６０】
〔１９〕前記項１から１８のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル突起電極はニッケルを主要な成分とする心材上に金を主要な成分とするメッキが施されている（ニッケルは突起の剛性を確保し、金は接触抵抗を低く抑える効果がある）。【００６１】
〔２０〕前記項１９に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記メタル突起電極は前記金を主要な成分とするメッキ層上に更にロジウムメッキが施されている（ロジウムメッキは必須ではないが、突起電極と半田バンプの物理的または化学的な親和性を弱める効果がある）。【００６２】
〔２１〕前記項１から２０のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記加圧部材はその主要部がメタルで構成されている（メタルで構成することにより、十分な機械的強度が確保できるメリットがある）。【００６３】
〔２２〕前記項１から２０のいずれか一つに記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記加圧部材はその主要部が高分子樹脂（すなわち絶縁体）で構成されている。【００６４】
〔２３〕前記項２２に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記高分子樹脂はポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙ−Ｅｔｈｅｒ−Ｓｕｌｆｏｎ）系樹脂を主要な成分として含む（特に加圧部材の先端部を絶縁体で構成すると、メタルパッド領域がフローティングでない場合でも、特に問題が起こらない等のメリットがある）。
【発明の効果】
【００６５】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。【００６６】
すなわち、高密度のバンプ電極を有する半導体集積回路装置に対するバーンインを可能とすることにより、信頼度の高い半導体集積回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本願発明の一実施例の半導体集積回路装置の製造方法における主要工程の説明図である。
【図２】半導体集積回路装置の製造方法において使用されるソケットの分解斜視図である。
【図３Ａ】図２に示されるソケットが組み立てられた状態でのＣ−Ｃ’線切断断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａにおける引き剥がし機構の主要部平面図である。
【図３Ｃ】図３ＢにけるＤ−Ｄ’切断断面図である。
【図４】ソケットに含まれるパッドの斜視図である。
【図５】パッドにおける突起部と半導体集積回路チップの半田バンプとの関係説明図である。
【図６】パッドにおける突起部と半導体集積回路チップの半田バンプとの別の関係説明図である。
【図７Ａ】ソケットのカバーが閉じられる場合の説明図である。
【図７Ｂ】ソケットのカバーが閉じられる場合の説明図である。
【図７Ｃ】ソケットのカバーが閉じられる場合の説明図である。
【図８】ソケットのカバーが開かれる場合の説明図である。
【図９】半導体集積回路チップにおける接触ターゲットの説明図である。
【図１０】半導体集積回路装置の一例であるウェハレベルＣＳＰの説明図である。
【図１１】図１０における主要部の切断断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０  ウェハ
１２  再配線層
１３  接触ターゲット
１５  半田バンプ
１６  ボンディングパッド
２０  ソケット
２２  カバー
２４  アライメントプレート
４０  パッド
４１  スリット
６１  引き剥がし機構
６２  アライメントプレート先押し機構
６３  突起部
９０  半導体集積回路チップ
２２２，６２２  バネ
３４１  突出部
６２１  先押し部
【発明を実施するための最良の形態】
【００６９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。【００７０】
本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。【００７１】
半導体ウェハとは、集積回路の製造に用いるシリコン単結晶基板（一般にほぼ平面円形状）、サファイア基板、ガラス基板、その他の絶縁、反絶縁または半導体基板等並びにそれらの複合的基板を言う。また、本願において半導体集積回路装置というときは、シリコンウェハやサファイア基板等の半導体または絶縁体基板上に作られるものだけでなく、特に、そうでない旨明示された場合を除き、ＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）およびＳＴＮ（Super-Twisted-Nematic）液晶等のようなガラス等の他の絶縁基板上に作られるもの等も含むものとする。【００７２】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。【００７３】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。【００７４】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。【００７５】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。【００７６】
図１０には、本発明にかかる半導体集積回路装置の一例であるウェハレベルＣＳＰと呼ばれる技術によって形成されたウェハが示される。図１０において１０はウェハであり、ダイシング工程を経ることにより上記ウェハ１０から多数の半導体集積回路チップ（半導体集積回路装置）が得られる。１１は上記ウェハ１０の主要部を拡大したものである。また、図１１には、図１０におけるＡ−Ａ’切断断面が示される。図１１において１１Ａは単結晶シリコンのような半導体基板にＭＯＳトランジスタなどの所要の複数の回路素子やそれを結合するための配線層が形成され、表面にボンディングパッドを露出させたチップ基体である。チップ基体１１Ａの上には、一端がボンディングパッド１６に結合されたＣｒ（クローム）、Ｃｕ（銅）及びＮｉ（ニッケル）等から構成された再配線層１２が形成される。ここで、上記チップ基体１１Ａの配線層には、特に制限されないが、アルミ多層配線、銅ダマシン又はデュアルダマシン多層配線などが含まれる。この配線は通常配線とされ、上記再配線層１２の配線と区別される。【００７７】
再配線層１２の他端にはＡｕ（金）メッキが施され、その上に半田バンプ（ソルダーボール電極、バンプ電極）１５が形成される。再配線層１２はボンディングパッドの配列ピッチよりも広いピッチでバンプ電極１５を配列可能にする。前記バンプ電極１５はチップ領域毎に所定の配列ピッチで複数配列されている。この半田バンプ１５を介して個々の半導体集積回路チップは外部との間で各種信号のやり取りが可能とされる。複数の半田バンプ１５の配列ピッチは０．５ｍｍ未満とされ、そのように超微細ピッチの半田バンプを備えた半導体集積回路チップをバーンインするためには、バーンイン試験装置のソケットに半導体集積回路装置を装着して試験を行なう。【００７８】
更に、前記ボンディングパッド１６とは非接続の金属層として接触ターゲット１３が形成される。この接触ゲート１３は、図９に示されるように半導体集積回路チップ９０の四隅に形成され、後に詳述するように、バーンイン試験において使用されるソケットの引き剥がし機構におけるアーム部に接触される。図９の紙面の表面には例えば０．３７ｍｍピッチで２５６個のバンプ電極１５が配列されている。ちなみに、この半導体集積回路チップ９００のサイズは、縦が６．００５ｍｍ、横が８．７２５ｍｍとされる。【００７９】
尚、図９においてチップ９００の中央部には、上記接触ターゲット１３と同様に形成された開口部９１が設けられる。この開口部９１は半田バンプ形成の目印とされ、この開口部９１を基準に複数の半田バンプ１５が所定ピッチで配列される。【００８０】
ウェハ１０の表面は前記半田バンプ１５及び接触ターゲット１３の形成領域を除いて高分子樹脂膜例えば耐熱性熱硬化性樹脂の一例とされるポリイミドによる保護膜１４が形成される。１７はポリイミドによる絶縁層、１８はパッシベーション層である。保護膜１４はその下の再配線層１２更にはチップ基体１１Ａの回路素子を保護する機能を有するから、バーンイン試験などにおいても保護素子１４の損傷は極力回避されなければならない。【００８１】
図１には、上記半導体集積回路装置の製造方法における主要工程が示される。尚、図１には、図１０におけるＡ−Ａ’線切断断面と、Ｂ−Ｂ’線切断断面とが、上記半導体集積回路装置の製造方法における主要工程との関係で示される。【００８２】
ここでは、前工程において半導体基板にボンディングパッド１６が形成されたものとする。このボンディングパッド１６形成領域を除いてポリイミドによる絶縁層１７が形成される（Ｓ１１）。そして、上記ポリイミドによる絶縁層１７の上にＣｒ−Ｃｕシード層（スパッタ膜）が形成される。そして、このＣｒ−Ｃｕシード層の上に再配線層が形成され、さらに、Ｃｕ−Ｎｉメッキが行われる（Ｓ１３）。尚、接触ターゲット１３の形成領域では、接触ターゲット１３の形成に不要となるシード層が除去される。次に、上記Ｃｕ−Ｎｉメッキ部分を覆うようにポリイミドによる保護膜１４が形成される。そして、リソグラフィーの手法により、半田バンプ１５の形成領域に開口部５が形成され、接触ターゲット１３の形成領域に開口部６が形成され、また、その開口部５，６に対してＡｕメッキの前処理が施される（Ｓ１５）。次に、上記開口部５，６に対してＡｕメッキが行われる（Ｓ１６）。上記開口部５にＡｕメッキが行われることで第１のメタルパッド領域が形成される。上記開口部６にＡｕメッキが行われることで第２のメタルパッド領域（接触ターゲット）１３が形成される。そして、フラッシュメモリなどの製造工程では、リテンション不良と呼ばれる書き込みデータの消失を検出するためのテスト（リテンションベーク）やプローブテストが行われる（Ｓ１７）。上記ステップＳ１７のテストで異常がなければ、第１のメタルパッド領域（開口部５）に半田バンプ１５が形成される（Ｓ１８）。半田バンプ１５の径は１８０ミクロン、バンプ高さは１００ミクロンで、その比の百分率は６０％未満とされる。次に、ダイシングにより半導体集積回路チップの切り出しが行われ（Ｓ１９）、バーンイン試験が行われる（Ｓ２０）。バーンイン試験後に、半導体集積回路チップが正常に動作するか否かがテストされ（Ｓ２１）、その後、外観検査を経て製品化される（Ｓ２２）。上記テスト（Ｓ２１）及び外観検査（Ｓ２２）は、良品を選別するための選別工程と総称される。【００８３】
次に、上記ステップＳ２０のバーンイン試験について詳述する。【００８４】
図２には、上記バーンイン試験の際に、半導体集積回路チップを装着するためのソケットが示される。【００８５】
開口部を有するフレーム３０にヒンジ機構２３を介してカバー２２が開閉可能に支持される。このカバー２２の中央部には、半導体集積回路チップ９０を押さえつけるためのプッシャ２１が設けられている。上記フレーム３０の開口部にはアライメントプレート２４が嵌合される。アライメントプレート２４には、半導体集積回路チップ９０の位置決めのために、半導体集積回路チップ９０のサイズに対応する開口部が設けられている。そして、上記アライメントプレート２４の下側にはテープ回路２５が設けられ、エラストマ２６を介してテープ回路２５を支持可能なベース２７が設けられる。上記テープ回路２５には、上記半導体集積回路チップ９０における半田バンプ１５に接触可能なパッド電極及びパッド電極に接続する配線が設けられている。エラストマ２６はシリコンゴムによって形成され、ベース２７に取り付けられている。テープ回路２５とベース２７との間にエラストマ２６が介在されることにより、半田バンプ１５と上記パッド電極との接触の安定化が図られる。上記フレーム３０、上記テープ回路２５及び上記ベース２７には、ボルト２８が挿入可能なボルト穴が設けられ、上記フレーム３０や上記テープ回路２５は、６本のボルト２８及びそれに対応する６個のナット２９によってベース２７に固定される。前記ベース２７はバーンイン試験機に取り付けられ、バーンイン試験用のテスト端子がベース２７、テープ回路２５を介してバンプ電極に接続される。【００８６】
図３Ａには、図２に示されるソケット２０組み立てられた状態でのＣ−Ｃ’線切断断面が示される。また、図３Ｂには、図３Ａにおける引き剥がし機構６１の主要部（ベース２７側から見たもの）が示され、図３Ｃには図３ＢにおけるＤ−Ｄ’切断断面が示される。【００８７】
カバー２２の内側には凹部が形成され、そこにバネ２２２を介してプッシャ押さえ部２２１が取り付けられている。カバー２２が閉じられることによりバネ２２２が押圧され、その復元力により矢印６１１方向の力がプッシャ押さえ部２２１に与えられるようになっている。プッシャ押さえ部２２１には突起部が設けられ、この突起部２２３を介してプッシャ２１が押し付けられることによりプッシャ２１は揺動可能とされる。これによりカバー２２が閉じられた際には、プッシャ２１のチップ押圧面２１１が半導体集積回路チップ９０に正対されることで、半導体集積回路チップ９０の上面全域に均一な押し付け圧力（加重）を印加することができる。【００８８】
アライメントプレート２４の開口部には、図３Ｂ及び図３Ｃに示されるように、半導体集積回路チップ９０を支持可能なアーム部２４２が設けられる。上記アーム部２４２の先端が前記チップの方向に突出されることにより突出部２４１（加圧部材）が形成され、この突出部２４１のみに、上記半導体集積回路チップ９０における接触ターゲット１３が接触するようになっている。突出部２４１の上記接触ターゲット１３との接触面は特に制限されないが矩形状に形成され、その寸法は縦１５０ミクロン、横４００ミクロンとされる。ここで、接触ターゲット１３の面積は、半田バンプ１５が形成される開口部５の面積の２倍以上とすることができる。このとき、突出部２４１の上記接触ターゲット１３との接触面の面積も、接触ターゲット１３の面積に対応して上記開口部５の面積の２倍以上とすると良い。接触ターゲット１３と上記突出部２４１との接触面積が大きければ大きいほど、突出部２４１によって接触ターゲット１３が受ける単位面積当たりのダメージは少なくなる。【００８９】
半導体集積回路チップ９０にはポリイミドによる保護膜１４が形成されているが、上記のように突出部２４１は接触ターゲット１３にのみ接触され、上記保護膜１４には接触されないため、上記保護膜１４の損傷が防止される。【００９０】
また、上記突出部２４１の先端部などの主要部を例えばポリエーテルスルホン（Ｐｏｌｙ−Ｅｔｈｅｒ−Ｓｕｌｆｏｎ）系樹脂などの高分子樹脂（絶縁体）によって形成することができ、その場合には、上記接触ターゲット１３がフローティング状態でない場合でも対応可能となる。【００９１】
上記アライメントプレート２４にはアライメントプレート先押し機構６２が設けられている。このアライメントプレート先押し機構６２は、アライメントプレート２４に設けられたテーパー状の先細りの勾配を持つ貫通孔に配置された先押し部６２１と、この先押し部６２１を支持するバネ６２とを含んで成る。先押し部６２１の周面は上記アライメントプレート２４に設けられたテーパー状の先細りの勾配と同等の勾配を有する。そして、この先押し部６２１上記貫通孔に嵌合された際にその先端部が若干突出して上記プッシャ２１に当接するようになっている。これによりカバー２２が閉じられた際には、アライメントプレート２４よりも早く先押し部６２１がプッシャ２１によって押されることでバネ６２が押圧され、先押し部６２１が若干押し下げられる。この先押し部６２１が若干押し下げられてからプッシャ２１のチップ押圧面２１１が半導体集積回路チップ９０の上面に接触することで、半導体集積回路チップ９０に矢印６１１方向に加重が印加される。これにより半導体集積回路チップ９０の半田バンプ１５が突起部６３（メタル突起電極）に接触される。この突起部６３は、上記テープ回路２５（図２参照）に形成されたパッドに設けられたものである。上記パッドは、後に詳述するように、上記半導体集積回路チップ９０における複数の半田バンプ１５に対応して複数個形成され、上記半田バンプ１５が上記パッドの突起部６３に接触されることで、上記半導体集積回路チップ９０と外部回路（テスタ）との間で各種信号のやり取りが可能とされる。一方、カバー２２が開かれるときには、バネ６２２の復元力によりアライメントプレート２４が矢印６１２方向に押し上げられ、半導体集積回路チップ９０の半田バンプ１５が上記テープ回路２５の突起部６３から引き剥がされる。このような意味で、上記アライメントプレート２４におけるアーム部２４２を引き剥がし機構６１と称する。【００９２】
図４には上記テープ回路２５（図２参照）に形成された複数のパッドのうちのひとつが示される。【００９３】
上記テープ回路２５の主面に形成された複数のパッド４０のそれぞれの表面には、十字形のスリット４１が設けられることで、４個の突起部６３が形成される。これら４個の突起部６３は、半田バンプ１５とパッド４０との電気的な接触抵抗を安定に確保するために設けられたものであり、例えばＣｕの表面にＮｉとＡｕのメッキを施した金属材料で構成されている。Ｎｉは突起の剛性を確保し、Ａｕは接触抵抗を低く抑える効果がある。尚、Ａｕメッキの上に更にロジウムメッキを施すことができ、その場合には、突起部６３と半田バンプ１５との物理的又は化学的な親和性を弱める効果を期待できる。【００９４】
上記複数個の突起部６３は、それらに接続される半田バンプの下端がパッド４０の表面と接触することがないように、その高さおよび互いの距離が規定されている。すなわち、図５に示されるように、突起部６３の高さをｈ、突起部６３に接触される半田バンプ１５の半径をＲ、パッド４０の平面内において突起部６３のエッジと半田バンプ１５の中心Ｃを通る垂線との間でとり得る最大距離をＬとしたとき、突起部６３の高さ（ｈ）および最大距離（Ｌ）は、下記式１
ｈ＞R−√（Ｒ２−Ｌ２）…式１
で示される関係が成立するように設定される。【００９５】
尚、実際のバーンイン試験に際しては、半田バンプ１５と突起部６３との接触面積を確保するために半田バンプ１５をある程度押し潰したり、試験中の熱で半田バンプ１５が変形したりするので、突起部６３の高さ（ｈ）にある程度の余裕を持たせておくことが望ましい。例えば突起部６３の高さ（ｈ）および最大距離（Ｌ）が上記の条件を満たしている場合であっても、突起部６３の高さ（ｈ）が５μｍに満たない場合には、半田バンプ６が押し潰されたり、試験中の熱で変形したりしたときにその下端が、互いに隣接する突起部６３隙間（スリット４１）のパッド４０表面に接触する。そのため、バーンイン試験を繰り返すと、突起部６３、５の隙間のパッド４表面に付着した半田材料の膜厚が次第に厚くなり、突起部６３を設けた効果が得られ難くなる。従って、突起部６３の高さ（ｈ）は、少なくとも５μｍ以上、望ましくは１０μｍ以上とするのがよい。【００９６】
図７Ａには、上記半導体集積回路チップ９０がソケット２０に装着される様子が示される。【００９７】
図７Ａに示されるように、ソケット２０のアライメントプレート２４に半導体集積回路チップ９０が載置され、その状態でカバー２２が閉じられると、図７Ｂに示されるように、アライメントプレート２４よりも早く先押し部６２１がプッシャ２１によって押されることでバネ６２が押圧されて先押し部６２１が矢印６１１方向に若干押し下げられる。そして図７Ｃに示されるように、上記先押し部６２１が若干押し下げられてからプッシャ２１のチップ押圧面２１１が半導体集積回路チップ９０の上面に接触することで、半導体集積回路チップ９０に矢印６１１方向に加重が印加される。これにより半導体集積回路チップ９０の半田バンプ１５が突起部６３に接触される。この状態で、外部電源から半導体集積回路チップ９０に電流、電圧を供給しながら、半導体集積回路チップ９０を１００℃以上の高温雰囲気中で数時間程度連続動作させて、半導体集積回路チップ９０の良否判定が行われる。このとき、突起５の高さおよび半田バンプ６との距離が、数１を満たすように規定されているため、図６に示されるように、パッド４０における突起部６３のエッジが半田バンプ１５に接触し、表面の薄い自然酸化膜１５１を破って半田バンプ４０内に食い込む。また、バーンイン試験を何度か繰り返した後の突起部６３の表面には、半田バンプ１５の自然酸化膜１５１を含んだ高抵抗の半田残渣５１が付着しているが、突起部６３のエッジが半田バンプ１５に食い込むことで、エッジの表面の半田残渣５１は半田バンプ１５によって周囲に押し遣られるので、突起部６３と半田バンプ１５とは相互の接触面積が十分に確保される。そのため、半田バンプ６の表面の自然酸化膜１５１や突起部６３の表面の半田残渣５１の影響で突起部６３と半田バンプ１５との接触抵抗が増加したり、ばらついたりすることはない。この効果は、突起部６３の高さ（ｈ）が大きいほど顕著になる。【００９８】
次に、半導体集積回路チップ９０を別のチップと交換するためにカバー２２が開かれると、図８に示されるように、バネ６２２の復元力により先押し部６２１の先端部でアライメントプレート２４が矢印６１２方向に押し上げられる。このため、突起部６３のエッジが半田バンプ１５に食い込んだり、コンタクト最表面メッキのＡｕとバンプ電極の半田が物理的または化学的に親和することによって上記突起部６３とバンプ電極１５とが接合した場合でも、半導体集積回路チップ９０の半田バンプ１５がパッド４０の突起部６３から容易に引き剥がされる。この引き剥がし工程においては、図３Ｂ，図３Ｃ，図９に示されるように、半導体集積回路チップ９０の接触ターゲット１３にアライメントプレート２４におけるアーム部２４２の先端の突出部２４１が接触され、半導体集積回路チップ９０における保護膜１４には何も接触されないため、この保護膜１４の損傷が防止される。そして、半導体集積回路チップ９０が別のチップに交換され、そのチップについて上記と同様のバーンイン試験が行われる。【００９９】
上記選別工程（Ｓ２１〜Ｓ２２）を経て良品として選別された半導体集積回路チップ９０はユーザに供給される。このユーザが電子装置の部品実装用基板に上記半導体集積回路チップ９０を実装して電子装置を製造するに際して、半導体集積回路チップ９０の接触ターゲット１３を位置決め用に利用することができる。すなわち、接触ターゲット１３は図９に示されるように半導体集積回路チップ９０の四隅に形成されているため、この接触ターゲット１３に接触可能な位置決め用マークをユーザの部品実装用基板に形成し、それと半導体集積回路チップ９０の接触ターゲット１３が接触するようにすることで、ユーザの部品実装用基板へ半導体集積回路チップ９０を実装する際の位置決めを容易に行うことができる。例えば上記位置決め用マークとして、上記接触ターゲット１３に嵌合可能な凸部を部品実装用基板に設けることができる。【０１００】
上記例によれば、以下の作用効果を得ることができる。【０１０１】
（１）引き剥がし機構６１が設けられることにより、カバー２２が開かれると、図８に示されるように、バネ６２２の復元力によりアライメントプレート２４が矢印６１２方向に押し上げられるため、突起部６３のエッジが半田バンプ１５に食い込んだり、コンタクト最表面メッキのＡｕとバンプ電極の半田が物理的または化学的に親和することによって上記突起部６３とバンプ電極１５とが接合した場合でも、バネ６２２の復元力によりアライメントプレート２４が矢印６１２方向に押し上げられることにより、半導体集積回路チップ９０の半田バンプ１５がパッド４０の突起部６３から容易に引き剥がされる。【０１０２】
（２）上記（１）の作用効果により、半導体集積回路チップ９０の半田バンプ１５がパッド４０の突起部６３から容易に引き剥がされるため、バーンイン試験において、半導体集積回路チップ９０の自動挿抜の容易化を図ることができる。【０１０３】
（３）半導体集積回路チップ９０には接触ターゲット１３が形成され、この接触ターゲット１３に、アライメントプレート２４におけるアーム部２４２の先端の突出部２４１が接触され、半導体集積回路チップ９０における上記保護膜１４には、何も接触されないため、上記保護膜１４の損傷が防止される。【０１０４】
以上本発明者によってなされた発明を具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。【０１０５】
例えば、バネ６２２に代えて他の弾性部材を適用しても良いし、ソケット２０内にエアーを送り込んでアライメントプレート２４を押し上げるようにしても良い。【０１０６】
上記の例では半田バンプ１５の配列ピッチを０．５ｍｍ未満としたが、それに限定されない、ただし、半田バンプ１５の配列ピッチが０．５ｍｍ未満の場合には、真空パッドの吸引力不足により、半田バンプ１５をソケット２０のパッド４０から剥がすことが困難になることを勘案すると、半田バンプ１５の配列ピッチが０．５ｍｍ未満の場合に本発明の効果が顕著になる。【０１０７】
上記の例では、接触ターゲット１３の数を半導体集積回路チップ１個当たり４個としているが、２個以上あれば良い。尚、接触ターゲット１３の数が半導体集積回路チップ１個当たり３個以上の場合には、半導体集積回路チップ９０の半田バンプがパッド４０の突起部６３から引き剥がされる工程（分離工程）において半導体集積回路チップが傾かないで済むから、複数の接触ターゲット１３への加圧が均等になり、複数の半田バンプ１５への力のかかり方を比較的均一にすることができる。【０１０８】
上記の例ではバンプ電極を半田としたが、半田以外の金属でバンプ電極を形成することができる。バンプ電極とは突起状電極を意味し、ランド・グリッド・アレイのようなパッケージではランドがバンプ電極に相当する。【０１０９】
本願に開示された発明はウェハレベルＣＰＳだけでなく、ＢＧＡなどの他のパッケージ形態の半導体集積回路装置の製造にも適用することができる。更に本願に開示された発明は、マルチチップモジュールに代表されるようにパッケージ基板に半導体デバイスを搭載した電子回路若しくは電子回路デバイスの製造にも適用することが可能である。例えば、マルチチップモジュールのパッケージ基板に回路デバイスとして複数の半導体集積回路チップを搭載する第１工程と、複数の半導体集積回路チップが搭載されたマルチチップモジュールの試験を行なう第２工程と、試験を経たマルチチップモジュールから良品を選別する第３工程と、を含む。このとき、前記第３工程は、パッケージ基板に半導体集積回路チップを搭載したマルチチップモジュールをテスタのマウント用ソケットに装着する第１処理と、装着されたマルチチップモジュールを押圧して前記マウント用ソケットのパッド電極にパッケージ基板の外部接続電極を押圧しながら前記マウント用ソケットとの間でマルチチップモジュールを動作させる第２処理と、マルチチップモジュールの動作終了後に当該マルチチップモジュールに対する押し付け圧力を解除すると共に前記外部接続電極をパッド電極から離脱させる方向にマルチチップモジュールを押し上げる第３処理とを含む。マウント用ソケットには図２及び図３Ａで説明したのと同様の引き剥がし機構を採用すればよい。これによれば、マルチチップモジュールの引き剥がしを容易且つ確実に行なうことが可能になる。電子回路デバイスはマルチチップモジュールに限定されない。【０１１０】
ウェハの形成に用いられる高分子樹脂膜としては、熱硬化性樹脂又は耐熱性熱硬化性樹脂を主要な成分として含むものを適用することができる。後者にはポリイミド系樹脂、ＢＣＢ（ＢｅｎｚｏＣｙｃｌｏＢｕｔｅｎｅ）系樹脂などが含まれる。また、ポリイミド系樹脂には耐熱性の低いものも存在するが、バーンイン試験に耐え得るものであればそれを適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は半導体集積回路装置の製造に用いるのに適している。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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