(57)【要約】【課題】転写回数を削減することができるドナー基板およびこれを用いた有機発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】ドナー基板４０に隔壁４２を設ける。隔壁４２で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを形成し、一回の転写で被転写基板にＲ，Ｇ，Ｂすべての発光層を形成する。隔壁４２により分割された領域の幅をＷｄ、被転写基板１１上の発光領域１３Ｃの幅をＷｓとすると、Ｗｄ＞Ｗｓを満たすことにより、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの膜厚が均一な部分のみを転写する。更に、光熱変換層４３の幅をＷｔとすると、Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たすようにすれば、より好ましい。ドナー基板４０の全面にレーザ光ＬＢを照射することができる。【選択図】図１０
2009146715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのドナー基板であって、
剛体の支持基板と、
前記支持基板上に、前記被転写基板上の前記発光層を形成したい領域に対応して設けられた隔壁と
を備えたことを特徴とするドナー基板。
【請求項２】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域の幅をＷｄ、前記被転写基板上の前記発光層を形成したい領域の幅をＷｓとすると、
Ｗｄ＞Ｗｓ
を満たすことを特徴とする請求項１記載のドナー基板。
【請求項３】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域の少なくとも一部に、前記輻射線を吸収する光熱変換層が形成されており、前記光熱変換層の幅をＷｔとすると、
Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄ
を満たすことを特徴とする請求項２記載のドナー基板。
【請求項４】
前記輻射線の照射幅をＷｔとすると、
Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄ
を満たすことを特徴とする請求項２記載のドナー基板。
【請求項５】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域の一部を回避して、前記輻射線を反射する反射層が形成されており、隣り合う前記反射層の間の距離をＷｔとすると、
Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄ
を満たすことを特徴とする請求項２記載のドナー基板。
【請求項６】
駆動用基板に、第１電極、前記第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記駆動用基板に、前記第１電極、前記絶縁層、および前記複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程と、
ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を前記被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程と、
前記複数の有機層の残部および第２電極を形成する工程と
を含み、
前記ドナー基板として、剛体の支持基板と、前記支持基板上に、前記被転写基板上の前記発光領域に対応して設けられた隔壁とを有するものを用いる
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域の幅をＷｄ、前記被転写基板上の前記発光領域の幅をＷｓとすると、
Ｗｄ＞Ｗｓ
を満たすことを特徴とする請求項６記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域の少なくとも一部に、前記輻射線を吸収する光熱変換層が形成されており、前記光熱変換層の幅をＷｔとすると、
Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄ
を満たすことを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記輻射線の照射幅をＷｔとすると、
Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄ
を満たすことを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域の一部を回避して、前記輻射線を反射する反射層が形成されており、隣り合う前記反射層の間の距離をＷｔとすると、
Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄ
を満たすことを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記支持基板上の前記隔壁により分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む転写層を形成し、一回の転写で前記被転写基板に２色以上の前記発光層を形成する
ことを特徴とする請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子の発光層を転写法により形成するためのドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の表示装置が盛んに開発されており、駆動用基板に、第１電極、発光層を含む複数の有機層および第２電極を順に積層した有機発光素子（有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子）を用いた有機発光表示装置が注目されている。有機発光表示装置は、自発光型であるので視野角が広く、バックライトを必要としないので省電力が期待でき、応答性が高く、装置の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。そのため、テレビ等の大画面表示装置への応用が強く望まれている。
【０００３】
このような有機発光表示装置の大型化や生産性向上のため、更に大型のマザーガラスの使用が検討されている。その際、一般的なメタルマスクを用いた発光層の形成方法では、金属シートに開口パターンを設けたメタルマスクを介して発光材料を蒸着または塗布することによりＲ，Ｇ，Ｂの発光層をパターニングするようにしているので、大型基板に対応してメタルマスクも大型化する必要がある。
【０００４】
しかしながら、メタルマスクの大型化により、マスクの自重によるたわみ、蒸着時の熱膨張が顕著になることに加えて、メタルマスクそのものの開口パターンの精度が大型化により低下するので、発光層のパターニング精度も得られなくなってしまうという問題がある。また、メタルマスクと基板との接触による素子へのダメージ、マスク上の異物などによる欠点不良も、大型化に伴って深刻化する。このようなことから、メタルマスクを必要としないパターニング技術が求められている。
【０００５】
大型基板対応のマスクレスパターニング方式の一つとして、特許文献１に記載されたインクジェット法が挙げられる。インクジェット法は、真空設備が不要でコスト的に有利な方式であるが、積層構造の素子を形成する上では問題もある。例えば、第１層目が成膜済みの基板上に、第２層以降を直接インクジェットなど湿式塗布で積層しようとすると、成膜済みの層がそのインクにより溶解することで積層構造の層間界面がぼけてしまい、素子特性が大幅に劣化してしまうおそれがある。上下の層の間で相互溶解しないように、例えば水溶性材料の層の上に、油溶性材料の層を成膜することで、積層が可能となる場合もあるが、材料の選択肢または素子構成が大きく制限されてしまうので、特性向上の妨げとなっている。また、乾燥後の発光層は、画素の周囲の絶縁層付近で極端に厚膜化または薄膜化してしまう傾向にあり、画素内膜厚不均一による輝度ムラあるいは色度ムラ、または電流密度分布の偏りによる素子寿命の低下あるいは光取り出し効率の低下が生じ、消費電力が増大するという問題もある。
【０００６】
大型基板対応の他のプロセスとして、レーザなどの輻射線を用いた転写法がある。転写法は、支持材に発光材料を含む転写層を形成したドナー要素を形成し、このドナー要素を、有機発光素子を形成するための被転写基板に対向配置し、減圧環境下で輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写する方法である（例えば、特許文献２および特許文献３参照。）。レーザ転写法は、従来のマスク蒸着法に対して、高精細化が可能である、大型基板対応が可能であるという二つの優位性を有している。有機ＥＬの大型テレビ量産を実現する上で、大型基板対応の製造技術の確立は必須と考えられているが、レーザ転写法は、大型基板に対してもパターニング精度を一定に保つことができるため、その有力候補の一つとなっている。
【特許文献１】特開１９９８−１２３７７号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０３５０号公報
【特許文献３】特表２００２−５３４７８２号公報
【特許文献４】特開２００４−８７１４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２および特許文献３に記載された従来の転写法では、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のドナー要素を用いて、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色ごとに転写工程を行っているので、一枚の基板に対する製造プロセスで、通常、少なくとも三枚のドナー要素と、三回の転写工程とを要し、工程数の増加による生産効率の低下およびコストアップの要因となってしまっていた。
【０００８】
ちなみに、特許文献４には、転写回数を削減するため、ドナー要素にＲ，Ｇ，Ｂの転写層のパターンを予め形成しておき、一括転写で多色の発光層を形成する方法が開示されている。しかし、この方法では、ドナー要素にＲ，Ｇ，Ｂの転写層を湿式で成膜する場合には、上述したインクジェット法で発光層を直接形成する場合と同様に、ドナー要素上の転写層の膜厚不均一が生じやすく、そのまま転写すると、転写された発光層の膜厚不均一の原因となってしまい、より改善の余地があった。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、転写回数を削減することができるドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるドナー基板は、発光材料を含む転写層を形成し、転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのものであって、剛体の支持基板と、前記支持基板上に、前記被転写基板上の前記発光層を形成したい領域に対応して設けられた隔壁とを備えたものである。
【００１１】
本発明による表示装置の製造方法は、駆動用基板に、第１電極、第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成するものであって、駆動用基板に、第１電極、絶縁層、および複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程と、ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程と、複数の有機層の残部および第２電極を形成する工程とを含み、ドナー基板として、上記本発明のドナー基板を用いるようにしたものである。
【００１２】
本発明のドナー基板では、支持基板上に、被転写基板上の発光層を形成したい領域（発光領域）に対応して隔壁が設けられている。よって、支持基板上の隔壁で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む転写層を形成し、一回の転写で被転写基板に２色以上の発光層を形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のドナー基板によれば、支持基板上に、被転写基板上の発光層を形成したい領域（発光領域）に対応して隔壁を設けるようにしたので、支持基板上の隔壁で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む転写層を形成することができる。よって、このドナー基板を用いて表示装置を製造すれば、一回の転写で被転写基板に２色以上の発光層を形成することが可能となり、転写回数を削減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
（表示装置）
図１は、本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる駆動用基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００１６】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００１７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１８】
図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは長方形の平面形状を有し、各色別に長手方向（列方向）に配列された赤色素子列１１０Ｒ，緑色素子列１１０Ｇ，青色素子列１１０Ｂを構成している。これらの赤色素子列１１０Ｒ，緑色素子列１１０Ｇ，青色素子列１１０Ｂは、表示領域１１０内において、行方向に順に配置されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０を構成している。画素ピッチは例えば３００μｍである。
【００１９】
図４は図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、駆動用基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタ（図示せず）および平坦化絶縁膜（図示せず）を間にして、陽極としての第１電極１３、絶縁層１４、後述する発光層１５Ｃを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００２０】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
【００２１】
第１電極１３は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されている。また、第１電極１３は、反射電極により構成してもよい。その場合、第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１３を構成する材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。
【００２２】
絶縁層１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。絶縁層１４には、第１電極１３の発光領域１３Ａに対応して開口部が設けられており、後述するドナー基板４０の隔壁４２に対応して、駆動用基板１１側の隔壁としての機能も有している。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域１３Ａだけでなく絶縁層１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁層１４の開口部だけである。
【００２３】
有機層１５は、第１電極１３の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層および電子輸送層１５ＤＥを積層した構成を有するが、これらのうち発光層１５Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどにより構成されている。なお、図４では、正孔注入層および正孔輸送層を一層（正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ）、電子輸送層および電子注入層を一層（電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ）として表している。
【００２４】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）により構成されている。
【００２５】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００２６】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００２７】
第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。
【００２８】
保護膜１７は、有機層１５に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚みを有している。また、保護膜１７は、発光層１５Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜１７は、例えば、厚みが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜１７となる。また、保護膜１７は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
【００２９】
接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。
【００３０】
封止用基板３０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層２０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっていてもよい。
【００３１】
カラーフィルタは、封止用基板３０のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、接着層２０により保護することができるからである。また、発光層１５Ｃとカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、発光層１５Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。
【００３２】
赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００３３】
（ドナー基板）
次に、この表示装置の製造方法に用いられるドナー基板について説明する。
【００３４】
図５は、ドナー基板の構成を表したものである。ドナー基板４０は、転写法により発光層１５Ｃを形成する工程に用いられるものであり、剛体の支持基板４１上に、ストライプ状の隔壁４２を有している。
【００３５】
支持基板４１は、後述するように、発光層１５Ｃを構成する発光材料を含む転写層を形成するためのものであり、後述する被転写基板との位置合わせが可能な堅固さを有すると共に、レーザ光に対する透過性の高い材料、例えばガラスにより構成されている。
【００３６】
支持基板４１の表面には、レーザ光を吸収する光熱変換層４３と、保護層４４とが設けられている。光熱変換層４３は、例えば、モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成され、隔壁４２により分割された領域の一部に、例えばストライプ状に形成されている。保護層４４は、発光材料を光熱変換層４３からの汚染から保護するためのものであり、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化シリコンなどにより構成されている。なお、保護層４４は、図６に示したように省略してもよい。
【００３７】
隔壁４２は、支持基板４１上に、駆動用基板１１上の発光層１５Ｃを形成したい領域（発光領域１３Ａ）に対応して設けられている。これにより、このドナー基板４０では、隔壁４２で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む転写層を形成し、転写回数を削減することができるようになっている。隔壁４２は、例えば、高さが１μｍないし３μｍ程度であり、ポリイミドまたはアクリル樹脂により構成されている。また、隔壁４２は、例えば図７に示したように、エッチングまたはサンドブラスト等により支持基板４１を加工することにより形成されたものでもよい。
【００３８】
このドナー基板４０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００３９】
まず、上述した材料よりなる支持基板４１上に、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる光熱変換層４３を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。次いで、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、上述した材料よりなる保護層４４を形成する。続いて、支持基板４１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により所定の形状に成形し、焼成することにより、隔壁４２を形成する。以上により、図５に示したドナー基板４０が形成される。
【００４０】
また、ドナー基板４０は、次のようにして製造することもできる。
【００４１】
まず、上述した材料よりなる支持基板４１を、エッチングまたはサンドブラスト等により加工し、隔壁４２を形成する。次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる光熱変換層４３を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。次いで、例えばＣＶＤ法により、上述した材料よりなる保護層４４を形成する。以上により、図７に示したドナー基板４０が形成される。
【００４２】
（表示装置の製造方法）
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４３】
まず、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。
【００４４】
すなわち、上述した材料よりなる駆動用基板１１を用意し、この駆動用基板１１の上に画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜（図示せず）を形成し、露光および現像により所定の形状にパターニングすると共に、駆動トランジスタＴｒ１と第１電極１３との接続孔（図示せず）を形成し、焼成する。
【００４５】
次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。なお、駆動用基板１１の所定の位置には、後述する転写工程においてドナー基板との位置合わせに使用するアライメントマークを形成してもよい。
【００４６】
続いて、駆動用基板１１の全面にわたり絶縁層１４を形成し、例えばフォトリソグラフィ法により、第１電極１３の発光領域１３Ａに対応して開口部を設ける。
【００４７】
そののち、例えばエリアマスクを用いた蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを順次成膜する。これにより、被転写基板１１Ａが形成される。
【００４８】
被転写基板１１Ａを形成したのち、例えばインクジェット法により、ドナー基板４０に赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇ，青色転写層５０Ｂを形成する。すなわち、まず、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示したように、緑色発光材料を溶媒に溶解させてインク５１を調合し、このインク５１をインクジェットノズル５２から滴下することにより、ドナー基板４０の隔壁４２で分割された領域に、緑色発光材料を含む緑色転写層５０Ｇを塗布し、真空中または不活性ガス雰囲気中でべーク炉などにより乾燥させる。インクジェット成膜は、材料劣化を防ぐためＮ2 などの不活性雰囲気下で行うことが望ましい。
【００４９】
次いで、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示したように、隔壁４２で分割された隣の領域に、緑色転写層５０Ｇと同様にして、赤色発光材料を含む赤色転写層５０Ｒを塗布し、乾燥させる。
【００５０】
続いて、図８（Ｃ）および図８（Ｄ）に示したように、隔壁４２で分割された更に隣の領域に、赤色転写層５０Ｒと同様にして、青色発光材料を含む青色転写層５０Ｂを塗布し、乾燥させる。以上により、隔壁４２で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇ，青色転写層５０Ｂを形成する。
【００５１】
なお、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの塗布順は特に限定されない。また、前処理として、混色防止用に隔壁４２に撥インク性を持たせるため、フッ素プラズマ処理などをしてもよい。乾燥工程は、各色塗布後に行うようにしてもよいし、全色塗布後に一括で行うようにしてもよい。ただし、各色塗布後に乾燥させたほうが、膜厚均一性の観点から、より望ましい。塗布方法としては、インクジェット法のほか、フレキソ印刷法など他の方法を用いてもよい。
【００５２】
ドナー基板４０に赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇ，青色転写層５０Ｂを形成したのち、転写法により発光層１５Ｃを形成する。すなわち、図９（Ａ）に示したように、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇ，青色転写層５０Ｂを被転写基板１１Ａに対向配置する。その際、真空環境下で、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａを密着させて、真空保持フレームで両基板間の真空を保持しながら大気圧環境下へ搬出する。これにより、基板内外の圧力差により、ドナー基板４０は被転写基板１１に均一に密着する。ただし、ドナー基板４０上の赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの表面と、被転写基板１１上の正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢの表面との間には、絶縁層１４の厚み（高さ）と隔壁４２の高さとの和に相当する距離が保たれている。
【００５３】
次いで、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）に示したように、ドナー基板４０の裏面側からドナー基板４０の全面にレーザ光ＬＢを照射し、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを昇華または気化させて被転写基板１１Ａに転写することにより発光層１５Ｃを形成する。
【００５４】
このとき、ドナー基板４０には、支持基板４１上の隔壁４２で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂが形成されているので、一回の転写で被転写基板１１ＡにＲ，Ｇ，Ｂすべての発光層１５Ｃを形成することができる。よって、発光材料の使用効率を向上させることができ、ランニングコストを削減することが可能となる。また、転写回数を削減することができ、製造装置のコストを低減すると共に生産能力も高めることができる。
【００５５】
また、図１０および図１１に示したように、支持基板４１上の隔壁４２により分割された領域の幅をＷｄ、被転写基板１１上の発光層１５Ｃを形成したい領域、すなわち発光領域１３Ｃの幅をＷｓとすると、Ｗｄ＞Ｗｓを満たすようにすることが好ましい。
【００５６】
その理由は以下の通りである。赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを、インクジェット法などの湿式で成膜すると、乾燥後の赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂは、隔壁４２付近で極端に厚膜化または薄膜化してしまう傾向にあり、これをそのまま転写すると、発光層１５Ｃに画素内膜厚不均一が生じるおそれがある。これに対して、Ｗｄ＞Ｗｓを満たすようにすることにより、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの膜厚が均一な部分のみを転写することができ、発光層１５Ｃの画素内膜厚均一性を向上させることができる。よって、発光層１５Ｃの画素内輝度ムラあるいは色度ムラを抑えることができると共に、電流密度分布の偏りを低減することにより素子寿命の低下あるいは光取り出し効率の低下を改善し、消費電力の増大を抑えることもできる。このように、画質を劣化させることなくドナー基板４０への赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの湿式成膜を可能とすることができるので、製造装置のコスト削減も可能となる。
【００５７】
更に、光熱変換層４３の幅をＷｔとすると、Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たすようにすれば、より好ましい。ドナー基板４０の全面にレーザ光ＬＢを照射した場合に、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの膜厚が均一な部分のみを転写することができるからである。
【００５８】
なお、隔壁４２の配置間隔（ピッチ）Ｗｄｔは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの幅Ｗｓｔに等しい。ここで、隔壁４２の配置間隔Ｗｄｔは、隣り合う隔壁４２の幅方向中心線の間の距離であり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの幅は、被転写基板１１Ａの絶縁膜１４の幅方向中心線の間の距離である。
【００５９】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃを形成したのち、図９（Ｄ）に示したように、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとを分離する。被転写基板１１Ａには、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。一方、使用済みのドナー基板４０は、通常有機ＥＬ用のシャドウマスク洗浄に用いられている洗浄液、例えば、関東化学（株）製「ＯＥＬ  Ｃｌｅａｎ  ｓｅｒｉｅｓ」などを用いて洗浄、再生が可能である。よって、ドナー基板４０に隔壁４２を設けることによって、ランニングコストの点で大きな損失にはなるおそれはない。
【００６０】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。保護膜１７の形成方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、保護膜１７は、第２電極１６を大気に暴露することなく、第２電極１６の形成と連続して行うことが望ましい。大気中の水分や酸素により有機層１５が劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、保護膜１７の成膜温度は常温に設定すると共に、保護膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００６１】
また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。
【００６２】
そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。その際、封止用基板３０のカラーフィルタを形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１に示した表示装置が完成する。
【００６３】
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタおよび封止用基板３０を透過して取り出される。
【００６４】
このように本実施の形態では、ドナー基板４０の支持基板４１上に、被転写基板１１Ａ上の発光層１５Ａを形成したい領域（発光領域１３Ａ）に対応して隔壁４２を設けるようにしたので、支持基板４１上の隔壁４２で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを形成し、一回の転写で被転写基板１１ＡにＲ，Ｇ，Ｂすべての発光層１５Ｃを形成することが可能となる。よって、転写回数を削減することができる。
【００６５】
（変形例１）
図１２は、本発明の変形例１に係るドナー基板４０の構成を表したものである。本変形例のドナー基板４０は、光熱変換層４３を支持基板４１の全面に設けたことを除いては、上記実施の形態と同様の構成を有している。例えば、図１３に示したように、保護層４４を省略してもよい。また、図１４に示したように、隔壁４２は、エッチングまたはサンドブラスト等により支持基板４１を加工することにより形成したものでもよい。
【００６６】
本変形例のドナー基板４０は、光熱変換層４３を支持基板４１の全面に形成することを除いては、上記実施の形態と同様にして製造することができる。
【００６７】
次に、本変形例のドナー基板４０を用いた表示装置の製造方法について説明する。
【００６８】
まず、上記実施の形態と同様にして、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。
【００６９】
次いで、図８に示した工程により、上記実施の形態と同様にして、ドナー基板４０に赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇ，青色転写層５０Ｂを形成する。
【００７０】
続いて、転写法により発光層１５Ｃを形成する。すなわち、図１５（Ａ）に示したように、図９（Ａ）に示した工程により、上記実施の形態と同様にして、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇ，青色転写層５０Ｂを被転写基板１１Ａに対向配置する。
【００７１】
そののち、図１５（Ｂ）に示したように、ドナー基板４０の裏面側からレーザ光ＬＢを照射し、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを昇華または気化させて被転写基板１１Ａに転写することにより発光層１５Ｃを形成する。
【００７２】
このとき、図１６および図１７に示したように、レーザ光ＬＢの照射幅をＷｔとすると、Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たすようにすることが好ましい。ドナー基板４０の全面に光熱変換層４３が形成されている場合に、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂの膜厚が均一な部分のみを転写することができるからである。
【００７３】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃを形成したのち、図１５（Ｄ）に示したように、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとを分離する。被転写基板１１Ａには、上記実施の形態と同様にして、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。
【００７４】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、上記実施の形態と同様にして、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして、カラーフィルタを形成した封止用基板３０を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置が完成する。
【００７５】
（変形例２）
図１８は、本発明の変形例２に係るドナー基板４０の構成を表したものである。本変形例のドナー基板４０は、隔壁４２の下に、レーザ光ＬＢを反射させる反射層４５を設けたことを除いては、上記変形例１と同様の構成を有している。
【００７６】
反射層４５は、支持基板４１上の隔壁４２により分割された領域の中央部分を回避して形成されている。これにより、本変形例２では、光熱変換層４３が支持基板４１の全面に設けられている場合にも、転写工程において上記実施の形態と同様にレーザ光ＬＢをドナー基板４０の全面に照射することができる。また、隣り合う前記反射層の間の距離をＷｔとすると、Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たすことが好ましい。
【００７７】
本変形例のドナー基板４０は、隔壁４２の下に反射層４５を形成することを除いては、上記実施の形態と同様にして製造することができる。また、本変形例のドナー基板４０を用いた表示装置の製造方法は、上記実施の形態と同様である。
【００７８】
なお、上記実施の形態および変形例では、ドナー基板４０の隔壁４２がストライプ状に形成されている場合について説明したが、隔壁４２は、図１９または図２０に示したように、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと同様の長方形の平面形状（短冊形状）としてもよい。ただし、隔壁４２へのレーザ光ＬＢの照射による熱ダメージを回避するためには、隔壁４２はストライプ形状とされることが好ましい。
【実施例】
【００７９】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００８０】
（実施例１）
上記実施の形態と同様にして表示装置を作製した。まず、ガラスよりなる駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成した（図９（Ａ）参照。）。その際、第１電極１３は、厚み１２０ｎｍの銀とパラジウムと銅との合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金）層と、厚み１０ｎｍのＩＴＯ層との積層構造とした。絶縁層１４は、スパッタリング法により、酸化シリコンを２μｍの厚みで形成し、フォトリソグラフィにより第１電極１３の発光領域１３Ａに対応して開口部を設けた。発光領域１３Ａの幅Ｗｓは６０μｍとした。正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢは、蒸着法により形成し、正孔注入層は厚み２５ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ、正孔輸送層は厚み３０ｎｍのα−ＮＰＤとした。
【００８１】
次いで、ドナー基板４０を作製した（図５参照。）。ガラスよりなる支持基板４１に、スパッタリング法により、クロム（Ｃｒ）よりなる光熱変換層４３を２００ｎｍの厚みで形成し、例えばフォトリソグラフィ法により、幅７０μｍ、ピッチ１００μｍのストライプ状に成形した。すなわち、光熱変換層４３の幅Ｗｔを７０ｎｍとした。次いで、ＣＶＤ法により、窒化シリコンよりなる保護層４４を１００ｎｍの厚みで形成した。続いて、スパッタリング法により、酸化シリコンよりなる隔壁４２を３μｍの厚みで形成し、フォトリソグラフィ法により、幅２０μｍのストライプ状に成形した。すなわち、隔壁４２で分割された領域の幅Ｗｄを８０μｍとした。
【００８２】
以上のように、支持基板４１上の隔壁４２により分割された領域の幅Ｗｄは８０μｍ、被転写基板１１上の発光層１５Ｃを形成したい領域、すなわち発光領域１３Ｃの幅Ｗｓは６０ｎｍ、光熱変換層４３の幅Ｗｔは７０μｍとなり、これらはＷｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たしていた。
【００８３】
このドナー基板４０に、窒素雰囲気下でインクジェット法により、赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを形成した（図８参照。）。その際、青色転写層５０Ｂのインクとしては、トルエン５０％とテトラリン５０％との混合溶媒に、青色発光材料として、ホスト材料となるＡＤＮを１．０重量％、ドーパント材料となるＤＰＡＶＢｉを０．０２５重量％溶解したものを用いた。緑色転写層５０Ｇのインクとしては、上記の混合溶媒に、ＡＤＮを１．０重量％、クマリン６を０．０５重量％溶解したものを用いた。赤色転写層５０Ｒのインクとしては、上記の混合溶媒に、ＡＤＮを１．０重量％、ＢＳＮを０．３重量％溶解したものを用いた。塗布後、窒素雰囲気下のホットプレート上で、１５０℃、３０分間の条件で乾燥し、溶媒を除去した。乾燥後の各色転写層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの厚み（隔壁４２付近の極端に厚膜化または薄膜化した部分を除く、膜厚が均一な部分の厚み）は３０ｎｍであった。
【００８４】
続いて、ドナー基板４０を被転写基板１１Ａの上に配置し、真空中で密着させた（図９（Ａ）参照。）。両基板間には、絶縁層１４の厚み（高さ）２μｍと隔壁４２の高さ３μｍとの和に相当する約５μｍの距離が維持されていた。この状態で、ドナー基板４０の裏面側からドナー基板４０の全面に、波長８００ｎｍのレーザ光ＬＢを照射した（図９（Ｂ）および図９（Ｃ）参照。）。レーザ光ＬＢのスポットサイズは１００μｍ×２０μｍに固定し、スポットサイズの長手方向に直交する方向においてレーザ光ＬＢを走査した。レーザ光のエネルギ密度は２．６Ｅ-3Ｊ／μｍ2 とした。
【００８５】
レーザ照射により、図２１に示したように、各色転写層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂのうち、光熱変換層４３上に存在する比較的膜厚均一性が良好な部分が、選択的に気化され、被転写基板１１に転写され、発光層１５Ｃが形成された。一方、隔壁４２付近の比較的厚膜の部分は、光熱変換層４３がないので、加熱・気化されず、ドナー基板４０上に残された。被転写基板１１へ転写された発光層１５Ｃの画素内膜厚分布は、３０ｎｍ±４％に収まり、良好な均一性が得られた。
【００８６】
発光層１５Ｃを形成したのち、蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成した。電子輸送層は、厚み２０ｎｍのＡｌｑ３、電子注入層は厚み０．３ｎｍのＬｉＦ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）とした。第２電極１６は、厚み１０ｎｍのＭｇＡｇとした。そののち、保護膜１７および接着層２０を形成し、封止用基板３０を貼り合わせて表示装置を構成した。
【００８７】
（実施例２）
被転写基板１１Ａは、上記実施例１と同様にして形成した。すなわち、被転写基板１１上の発光層１５Ｃを形成したい領域、すなわち発光領域１３Ｃの幅Ｗｓは６０ｎｍとした。
【００８８】
ドナー基板４０を形成する際に、光熱変換層４３の幅を６０μｍとした。また、隔壁４２の幅を４０μｍとすることにより、支持基板４１上の隔壁４２により分割された領域の幅Ｗｄを６０μｍとした。すなわち、支持基板４１上の隔壁４２により分割された領域の幅Ｗｄを６０μｍ、被転写基板１１上の発光層１５Ｃを形成したい領域、すなわち発光領域１３Ｃの幅Ｗｓは６０ｎｍ、光熱変換層４３の幅Ｗｔは６０μｍとなり、これらはＷｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たしていなかった。
【００８９】
このドナー基板４０に、上記実施例１と同様にして各色転写層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂを形成した。乾燥後の各色転写層５０Ｒ，５０Ｇ，５０Ｂの画素内膜厚分布は３０ｎｍ±３０％以上となり、実施例１に比べて膜厚均一性が低くなっていた。
【００９０】
このドナー基板４０を用いて、上記実施例１と同様にしてレーザ照射を行った。図２２に示したように、隔壁４２付近の比較的厚膜の部分は、転写性にばらつきが生じており、転写残り５３もドナー基板４０上に存在した。そののち、上記実施例１と同様にして表示装置を作製した。
【００９１】
得られた実施例１，２の表示装置について、発光状態を目視で確認したところ、実施例１は、実施例２に比べて、発光ムラや輝度ムラが抑えられていた。すなわち、支持基板４１上の隔壁４２により分割された領域の幅Ｗｄ、被転写基板１１上の発光層１５Ｃを形成したい領域、すなわち発光領域１３Ｃの幅Ｗｓ、光熱変換層４３の幅Ｗｔが、Ｗｓ＜Ｗｔ＜Ｗｄを満たすようにすれば、発光層１５Ｃの画素内膜厚均一性を向上させることができ、表示品質を高めることができることが分かった。
【００９２】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００９３】
（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図２３に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００９４】
（適用例１）
図２４は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９５】
（適用例２）
図２５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９６】
（適用例３）
図２６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９７】
（適用例４）
図２７は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９８】
（適用例５）
図２８は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【００９９】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、転写工程でレーザ光を照射する場合について説明したが、例えばランプなど他の輻射線を照射するようにしてもよい。
【０１００】
また、上記実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂすべての発光層１５Ｃを転写法により形成する場合について説明したが、赤色および緑色の発光層１５Ｃのみを転写法により形成したのち、青色共通層を蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子１０Ｒでは、赤色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｇでは、緑色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｂでは、青色共通層のみを有するので、青色発光が生じる。
【０１０１】
更に、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第１電極１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。
【０１０２】
加えて、例えば、上記実施の形態においては、駆動用基板１１の上に、第１電極１３，有機層１５および第２電極１６を駆動用基板１１の側から順に積層し、封止用基板３０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、駆動用基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を駆動用基板１１の側から順に積層し、駆動用基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１０３】
更にまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１３を陽極、第２電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極としてもよい。さらに、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極とすると共に、駆動用基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を被転写基板１１の側から順に積層し、駆動用基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１０４】
加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１５との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【０１０５】
更にまた、上記実施の形態では、第２電極１６が半透過性電極により構成され、発光層１５Ｃで発生した光を第２電極１６の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第１電極１３の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第２電極１６はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。
【０１０６】
加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。
【図５】図１に示した表示装置の製造方法に用いるドナー基板の構成を表す断面図および平面図である。
【図６】ドナー基板の変形例を表す断面図である。
【図７】ドナー基板の他の変形例を表す断面図である。
【図８】ドナー基板への転写層の形成方法を工程順に表す断面図である。
【図９】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１０】被転写基板とドナー基板との位置関係を表す断面図である。
【図１１】被転写基板とドナー基板との位置関係を表す平面図である。
【図１２】本発明の変形例１に係るドナー基板の構成を表す断面図および平面図である。
【図１３】ドナー基板の変形例を表す断面図である。
【図１４】ドナー基板の他の変形例を表す断面図である。
【図１５】図１２に示したドナー基板を用いた表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１６】被転写基板とドナー基板との位置関係を表す断面図である。
【図１７】被転写基板とドナー基板との位置関係を表す平面図である。
【図１８】本発明の変形例２に係るドナー基板の構成を表す断面図および平面図である。
【図１９】ドナー基板の変形例を表す平面図である。
【図２０】ドナー基板の他の変形例を表す平面図である。
【図２１】実施例１の結果を表す図である。
【図２２】実施例２の結果を表す図である。
【図２３】上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２４】上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２５】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２６】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２８】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…駆動用基板、１１Ａ…被転写基板、１３…第１電極、１４…絶縁層、１５…有機層、１５ＡＢ…正孔注入層および正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５ＤＥ…電子輸送層および電子注入層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…接着層、３０…封止用基板、４０…ドナー基板、５０Ｒ…赤色転写層、５０Ｇ…緑色転写層、５０Ｂ…青色転写層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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