(57)【要約】【課題】携帯端末のシステム全体がスリープ状態である時における待ち受け状態の消費電力を削減でき、携帯端末の電池の持ち時間を長くすることができるようにする。【解決手段】本発明による消費電力削減機能付きＬＳＩは、消費電力の削減機能を備えたＬＳＩであって、ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御部とを備えたことを特徴とする。【選択図】図１５
2009044542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消費電力の削減機能を備えたＬＳＩであって、
当該ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出部と、
前記リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、前記入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御部とを
備えたことを特徴とする消費電力削減機能付きＬＳＩ。
【請求項２】
ＬＳＩの入力部が含むプルアップ抵抗の両端にかかる電圧を増幅するプルアップ用増幅部と、
前記入力部が含むプルダウン抵抗の両端にかかる電圧を増幅するプルダウン用増幅部とを備え、
リーク電流検出部は、前記プルアップ用増幅部又は前記プルダウン用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、前記入力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、
リーク電流制御部は、前記プルアップ抵抗及び前記プルダウン抵抗の抵抗値をそれぞれ変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項１記載の消費電力削減機能付きＬＳＩ。
【請求項３】
ＬＳＩの出力部内のリーク電流を検出するためのリーク電流検出用抵抗と、
前記リーク電流検出用抵抗の両端にかかる電圧を増幅する検出抵抗用増幅部とを備え、
リーク電流検出部は、前記検出抵抗用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、前記出力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、
リーク電流制御部は、前記出力部の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項１又は請求項２記載の消費電力削減機能付きＬＳＩ。
【請求項４】
ＬＳＩの出力部が含むＭＯＳ型電界効果トランジスタに発生するオン抵抗の両端にかかる電圧を増幅するオン抵抗用増幅部を備え、
リーク電流検出部は、前記オン抵抗用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、前記出力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、
リーク電流制御部は、前記出力部の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項１又は請求項２記載の消費電力削減機能付きＬＳＩ。
【請求項５】
プルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値を保存する抵抗値保存部を備え、
リーク電流制御部は、
リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、前記プルアップ抵抗及び前記プルダウン抵抗の抵抗値を前記抵抗値記憶部に保存させ、
前記抵抗値記憶部に前記プルアップ抵抗及び前記プルダウン抵抗の抵抗値を保存させた後に、前記プルアップ抵抗及び前記プルダウン抵抗の抵抗値をそれぞれ変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項２記載の消費電力削減機能付きＬＳＩ。
【請求項６】
出力部の出力値を保存する出力値保存部を備え、
リーク電流制御部は、
リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、前記出力部の出力値を前記出力値保存部に保存させ、
前記出力値保存部に前記出力部の出力値を保存させた後に、前記出力部の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項３又は請求項４記載の消費電力削減機能付きＬＳＩ。
【請求項７】
消費電力の削減機能を備えたＬＳＩを搭載した携帯端末であって、
前記ＬＳＩは、
当該ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出部と、
前記リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、前記入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御部とを
備えたことを特徴とする携帯端末。
【請求項８】
ＬＳＩは、
ＬＳＩの入力部が含むプルアップ抵抗の両端にかかる電圧を増幅するプルアップ用増幅部と、
前記入力部が含むプルダウン抵抗の両端にかかる電圧を増幅するプルダウン用増幅部とを備え、
リーク電流検出部は、前記プルアップ用増幅部又は前記プルダウン用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、前記入力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、
リーク電流制御部は、前記プルアップ抵抗及び前記プルダウン抵抗の抵抗値をそれぞれ変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項７記載の携帯端末。
【請求項９】
ＬＳＩの消費電力を削減する消費電力削減方法であって、
前記ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出ステップと、
リーク電流の発生を検出したことに基づいて、前記入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御ステップとを
含むことを特徴とする消費電力削減方法。
【請求項１０】
ＬＳＩの入力部が含むプルアップ抵抗の両端にかかる電圧を増幅するプルアップ用増幅ステップと、
前記入力部が含むプルダウン抵抗の両端にかかる電圧を増幅するプルダウン用増幅ステップとを含み、
リーク電流検出ステップで、前記プルアップ用増幅ステップ又は前記プルダウン用増幅ステップにおいて増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、前記入力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、
リーク電流制御ステップで、前記プルアップ抵抗及び前記プルダウン抵抗の抵抗値をそれぞれ変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う
請求項９記載の消費電力削減方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、消費電力の削減機能を備えた消費電力削減機能付きＬＳＩに関する。また、本発明は、消費電力削減機能付きＬＳＩを搭載する携帯端末に関する。また、本発明は、ＬＳＩの消費電力を削減する消費電力削減制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機等のモバイル機器では、地上ディジタル放送の視聴機能を搭載したり、音楽再生機能を搭載する等、多機能化が進んでいる。そのため、携帯電話機等の携帯端末において、様々な機能を利用する場合であっても、長時間使用できるようにすることが望まれる。よって、携帯端末を長時間使用できるようにするために、携帯端末の消費電流を減らせるようにすることによって、電池容量をより長持ちさせるようにすることが必須となってきている。具体的には、地上デジタル放送の視聴機能や音楽再生機能等のマルチメディア機能を使用していない時（スリープ時）において、携帯端末が搭載するシステムＬＳＩが消費する待ち受け消費電流を減らせるようにすることが考えられる。
【０００３】
また、ＬＳＩ等の半導体集積回路を制御する関連技術として、例えば、特許文献１には、ＶＣＣ電源線やＧＮＤ電源線に検出抵抗を設けて電流値を検出し、検出した電流値に基づいて出力トランジスタの駆動能力を制御することが記載されている。また、例えば、特許文献２には、双方向バッファ回路において、トライステート出力バッファの入力側と出力側の論理状態の不一致を検出してインピーダンス制御することによって、信号衝突が生じることを防止するように構成することが記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平７−４６１１３号公報（段落００２７−００３８、図１、図６）
【特許文献２】特許第２９５０４６５号明細書（段落００３０−００３２、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、携帯端末のシステム全体のスリープ時であっても、携帯端末が搭載するシステムＬＳＩにＩＯリーク電流が流れてしまう。そのため、携帯端末は、ＩＯリーク電流によって電池を無駄に消費し、待ち受け可能な時間が短くなってしまうという問題がある。
【０００６】
特許文献１に記載された関連技術を用いれば、携帯端末が搭載する半導体集積回路の出力トランジスタの駆動能力を制御することによって、電源線の寄生インダクタンスに発生するノイズを低減することができる。しかし、携帯端末が搭載するシステムＬＳＩのＩＯリーク電流を低減することはできず、電池を無駄に消費する事態を防止し、待ち受け可能な時間が短くなってしまう事態を防止することはできない。
【０００７】
また、特許文献２に記載された関連技術を用いれば、双方向バッファ回路において信号衝突が生じる事態を防止することができる。しかし、携帯端末が搭載するシステムＬＳＩのＩＯリーク電流を低減することはできず、電池を無駄に消費する事態を防止し、待ち受け可能な時間が短くなってしまう事態を防止することはできない。
【０００８】
そこで、本発明は、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である時における待ち受け状態の消費電力を削減でき、携帯端末の電池の持ち時間を長くすることができる消費電力削減機能付きＬＳＩ、携帯端末、及び消費電力削減制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による消費電力削減機能付きＬＳＩは、消費電力の削減機能を備えたＬＳＩであって、ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御部とを備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明による携帯端末は、消費電力の削減機能を備えたＬＳＩを搭載した携帯端末であって、ＬＳＩは、ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御部とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
本発明による消費電力削減方法は、ＬＳＩの消費電力を削減する消費電力削減方法であって、ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出ステップと、リーク電流の発生を検出したことに基づいて、入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御ステップとを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＬＳＩの入出力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、リーク電流の発生を検出したことに基づいて、入出力部の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うように構成されているので、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である時における待ち受け状態の消費電力を削減でき、携帯端末の電池の持ち時間を長くすることができる。 
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
実施形態１．
以下、本発明の第１の実施形態を図面を参照して説明する。まず、本発明による消費電力削減機能付きＬＳＩの構成について説明する。図１は、消費電力削減機能付きＬＳＩの携帯端末内における接続状態の構成を示すブロック図である。なお、消費電力削減機能付きＬＳＩは、例えば、携帯電話機等の携帯端末に搭載される。また、消費電力削減機能付きＬＳＩは、具体的には、システムＬＳＩによって実現される。なお、消費電力削減機能付きＬＳＩは、携帯電話機に限らず、ＰＤＡ等の携帯端末に搭載されてもよい。
【００１４】
図１では、携帯端末が搭載するシステムＬＳＩ（消費電力削減機能付きＬＳＩ）と、携帯端末が搭載する外部デバイス１１や、外部 Pull Up（プルアップ）抵抗１０、外部 Pull Down（プルダウン）抵抗１３との接続状態が示されている。図１に示すように、システムＬＳＩは、複数のＩＯバッファブロック１７を含む。また、システムＬＳＩの各ＩＯバッファブロック１７は、それぞれ端子１５を介して、外部デバイス１１（例えば、携帯端末が搭載する入出力部や各制御部）や、外部プルアップ抵抗１０、外部プルダウン抵抗１３と接続されている。また、外部デバイス１１には、内部プルアップ抵抗１４を含むものや、内部プルダウン抵抗１２を含むもの等がある。
【００１５】
次に、システムＬＳＩの構成について説明する。まず、システムＬＳＩが含む入力バッファブロックについて、消費電力削減の処理を行う構成を説明する。図２は、システムＬＳＩの入力バッファブロックの消費電力削減処理部の構成の一例を示すブロック図である。図２に示すように、システムＬＳＩは、消費電力削減機能をもつＩＯコンフリクト検出／補正回路９８と、ＰＵ／ＰＤ制御部９０と、入力バッファブロック４０と、ＣＰＵ９４とを含む。
【００１６】
システムＬＳＩの入力バッファブロック４０は、端子３７を介して、外部デバイス１１と接続されている。入力バッファブロック４０は、プルアップ抵抗３１と、プルダウン抵抗３２とを含む。
【００１７】
ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の抵抗値を設定する機能を備える。具体的には、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、プルアップ抵抗３１をオン／オフする制御、及びプルダウン抵抗３２をオン／オフする制御を行うことによって、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の抵抗値をそれぞれ設定する。
【００１８】
なお、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２をオン又はオフのいずれに制御するかを、ＣＰＵ９４によって予め設定されている。そして、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、スリープ時以外の通常動作時において、ＣＰＵ９４による設定（例えば、ＣＰＵ９４によって設定された設定情報）に従って、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２のオン／オフを制御する。以下、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２をオン又はオフのいずれに制御するかの設定を、単にＰＵ／ＰＤ設定ともいう。
【００１９】
また、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、スリープ時には、自動補正制御部９６の指示に従って、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の抵抗値（具体的には、オン／オフの設定）を変更することによって、入力バッファブロック４０内のリーク電流を低減する制御を行う。
【００２０】
ＩＯコンフリクト検出／補正回路９８は、増幅器３４，３５、前状態記憶メモリ９５、及び自動補正制御部９６を含む。入力バッファブロック４０のプルアップ抵抗３１においてリーク電流が流れた場合、そのリーク電流はＡＭＰ（増幅器）３４によって検出される。そして、増幅器３４は、リーク電流の検出結果を０と１の信号として認識可能なレベルに増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する。従って、プルアップ抵抗３１にリーク電流が流れたか否かを示す信号は、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６で読み出すことが可能である。なお、増幅器３４は、例えば、リーク電流を検出した場合には、論理値１として認識可能な信号を出力する。また、増幅器３４は、例えば、リーク電流を検出していない場合には、論理値０として認識可能な信号を出力する。
【００２１】
また、入力バッファブロック４０のプルダウン抵抗３２においてリーク電流が流れた場合、そのリーク電流はＡＭＰ（増幅器）３５によって検出される。そして、増幅器３５は、リーク電流の検出結果を０と１の信号として認識可能なレベルに増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する。従って、プルダウン抵抗３２にリーク電流が流れたか否かを示す信号は、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６で読み出すことが可能である。なお、増幅器３５は、例えば、リーク電流を検出した場合には、論理値１として認識可能な信号を出力する。また、増幅器３５は、例えば、リーク電流を検出していない場合には、論理値０として認識可能な信号を出力する。
【００２２】
自動補正制御部９６は、増幅器３４，３５からの検出信号に基づいて、ＰＵ／ＰＤ設定（例えば、設定情報）をＰＵ／ＰＤ制御部９０に変更させる機能を備える。具体的には、自動補正制御部９６は、増幅器３４，３５が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、入力バッファブロック４０内においてリーク電流が発生したことを検出する。そして、自動補正制御部９６は、ＰＵ／ＰＤ設定の変更をＰＵ／ＰＤ制御部９０に指示する。
【００２３】
なお、以下、自動補正制御部９６からの指示に従って、リーク電流の検出時にＰＵ／ＰＤ制御部９０がＰＵ／ＰＤ設定を変更する処理を自動補正処理という。
【００２４】
前状態記憶メモリ９５は、ＰＵ／ＰＤ制御部９０による書き込み処理に従って、自動補正制御部９６による自動補正処理の実行前のプルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の抵抗値（オン／オフの設定状態）を保存する。
【００２５】
次に、システムＬＳＩの入力バッファブロックの消費電力削減の処理の動作について説明する。まず、一般的に、システムＬＳＩの入力バッファブロックにおいてリーク電流が発生した時の動作について説明する。図３は、システムＬＳＩの入力バッファブロック４０部分の具体的な構成例を示すブロック図である。図３に示すように、入力バッファブロック４０は、プルアップ抵抗３１と、プルダウン抵抗３２と、ＦＥＴスイッチ３０，３３と、入力バッファ３６とを含む。
【００２６】
なお、ＦＥＴスイッチ３０は、プルアップ抵抗３１のオン／オフを制御するためのスイッチである。また、ＦＥＴスイッチ３３は、プルダウン抵抗３２のオン／オフを制御するためのスイッチである。すなわち、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、例えば、ＦＥＴスイッチ３０を閉じた状態に制御することによって、プルアップ抵抗３１をオン状態に制御する。また、ＦＥＴスイッチ３０は、ＦＥＴスイッチ３０を開いた状態に制御することによって、プルアップ抵抗３１をオフ状態に制御する。また、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、ＦＥＴスイッチ３３を閉じた状態に制御することによって、プルダウン抵抗３２をオン状態に制御する。また、ＦＥＴスイッチ３０は、ＦＥＴスイッチ３３を開いた状態に制御することによって、プルダウン抵抗３２をオフ状態に制御する。
【００２７】
図３に示すように、端子３７、プルアップ抵抗３１、及びプルダウン抵抗３２は、全て入力バッファ３６に接続されている。図３に示すように、ＦＥＴスイッチ３３が閉じている状態で、外部デバイス１１に接続されている端子３７の電位がハイレベルの状態となると、端子３７を介して外部デバイス１１からプルダウン抵抗３２にリーク電流３８が流れ込む。そのため、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である場合には、リーク電流３８によって電池を無駄に消費してしまう。
【００２８】
そこで、本発明では、プルアップ抵抗３１の両端の電圧を検出可能な増幅器３４と、プルダウン抵抗３２の両端の電圧を検出可能な増幅器３５とを備えるようにし、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２に流れるリーク電流を検出できるように構成する。
【００２９】
図４は、システムＬＳＩがリーク電流を検出し自動補正処理を行う手順を示す流れ図である。また、また、図５は、リーク電流の検出を行えるように構成した場合のシステムＬＳＩの入力バッファブロック４０部分の具体的な構成例を示すブロック図である。
【００３０】
図３に示した例と同様に、ＦＥＴスイッチ３３が閉じている状態で、端子３７の電位がハイレベルの状態となったことによって、端子３７を介して外部デバイス１１からプルダウン抵抗３２にリーク電流３８が流れ込んだものとする（ステップＳ１０１）。この場合、プルダウン抵抗３２にリーク電流３８が流れることによって、プルダウン抵抗３２の両端に電圧３９が生じる。
【００３１】
このプルダウン抵抗３２の両端に生じる電圧３９が増幅器３５で増幅され、内部ロジックのハイレベルとして、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６で読み出すことが可能である。すなわち、増幅器３５は、プルダウン抵抗３２の両端に生じた電圧をＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６がハイレベルの信号として検出可能な信号レベルまで増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する（ステップＳ１０２）。そして、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６は、増幅器３５から入力する信号のレベルがローレベルからハイレベルに変化すると、プルダウン抵抗３２にリーク電流３８が流れたと判断する。
【００３２】
増幅器３５からの信号の出力レベルとしてハイレベルを検出すると、自動補正制御部９６は、携帯端末のシステム全体がスリープ状態であれば、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の抵抗値の設定（ＰＵ／ＰＤ設定）を変更するように、ＰＵ／ＰＤ制御部９０に指示する（ステップＳ１０３）。設定変更の指示を受けると、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、現在の自動補正処理前の設定として、プルダウン抵抗３２のみオン状態であるという情報を、前状態記憶メモリ９５に保存させる（ステップＳ１０４）。
【００３３】
次に、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、図６に示すように、ＦＥＴスイッチ３３を開いた状態に変更するとともに、プルアップ抵抗３１をオン状態にするため、ＦＥＴスイッチ３０を閉じた状態に変更する（ステップＳ１０５）。すなわち、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、ＰＵ／ＰＤ設定をプルアップ抵抗３１のみオンである状態に変更する。
【００３４】
なお、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、例えば、リーク電流の検出状況に応じてプルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の抵抗値をどのように変更するかを示す設定テーブルを予め内部メモリ等に記憶している。例えば、ステップＳ１０５では、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、自動補正制御部９６からのプルダウン抵抗３２側でリーク電流３８を検出したという情報に基づいて、対応する設定変更情報を設定テーブルから抽出する。そして、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、抽出した設定変更情報に従って、ＦＥＴスイッチ３３を開いた状態に変更するとともに、ＦＥＴスイッチ３０を閉じた状態に自動的に変更する。
【００３５】
上記に示すようにＰＵ／ＰＤ設定を変更することにより、端子３７の電位と、プルアップ抵抗３１の電位が等しくなり、リーク電流が発生していない状態となる。そのため、２つの増幅器３４，３５の出力レベルがともにローレベルとなる。そして、自動補正制御部９６は、増幅器３４，３５から入力する信号のレベルがともにローレベルとなったことに基づいて、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２ともにリーク電流が発生していないと判断する。従って、自動補正制御部９６は、ＩＯコンフリクトが検出されていないことを確認することができる。
【００３６】
次に、システムＬＳＩが含む出力バッファブロックについて、消費電力削減の処理を行う場合を説明する。図７は、システムＬＳＩの出力バッファブロックの消費電力削減処理部の構成の一例を示すブロック図である。図７に示すように、システムＬＳＩは、消費電力削減機能をもつＩＯコンフリクト検出／補正回路９８と、出力値制御部９９と、出力バッファブロック５０と、ＣＰＵ９４とを含む。
【００３７】
システムＬＳＩの出力バッファブロック５０は、端子５７を介して、外部デバイス１１と接続されている。出力バッファブロック５０は、リーク検出用プルアップ抵抗５２と、リーク検出用プルダウン抵抗５５とを含む。
【００３８】
出力値制御部９９は、出力バッファブロック５０の出力値を制御する機能を備える。具体的には、出力値制御部９９は、スリープ時以外の通常動作時において、内部ロジックの値に従って、出力バッファブロック５０の出力値を制御する。また、出力値制御部９９は、リーク電流が検出された時に、自動補正制御部９６の指示に従って、出力バッファブロック５０の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う。以下、出力値制御部９９が出力バッファブロック５０の出力値を制御することを、単に出力値設定ともいう。
【００３９】
ＩＯコンフリクト検出／補正回路９８は、増幅器５９，６０、前状態記憶メモリ９５、自動補正制御部９６、及びバイパススイッチ制御部９７を含む。出力バッファブロック５０のリーク検出プルアップ抵抗５２においてリーク電流が流れた場合、そのリーク電流はＡＭＰ（増幅器）５９によって検出される。そして、増幅器５９は、リーク電流の検出結果を０と１の信号として認識可能なレベルに増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する。従って、リーク検出プルアップ抵抗５２にリーク電流が流れたか否かを示す信号は、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６で読み出すことが可能である。なお、増幅器５９は、例えば、リーク電流を検出した場合には、論理値１として認識可能な信号を出力する。また、増幅器５９は、例えば、リーク電流を検出していない場合には、論理値０として認識可能な信号を出力する。
【００４０】
また、出力バッファブロック５０のリーク検出プルダウン抵抗５５においてリーク電流が流れた場合、そのリーク電流はＡＭＰ（増幅器）６０によって検出される。そして、増幅器６０は、リーク電流の検出結果を０と１の信号として認識可能なレベルに増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する。従って、リーク検出プルダウン抵抗５５にリーク電流が流れたか否かを示す信号は、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６で読み出すことが可能である。なお、増幅器６０は、例えば、リーク電流を検出した場合には、論理値１として認識可能な信号を出力する。また、増幅器６０は、例えば、リーク電流を検出していない場合には、論理値０として認識可能な信号を出力する。
【００４１】
自動補正制御部９６は、増幅器５９，６０からの検出信号に基づいて、出力バッファブロック５０の出力値（例えば、出力値の設定情報）を出力値制御部９９に変更させる機能を備える。具体的には、自動補正制御部９６は、増幅器５９，６０が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、出力バッファブロック５０内においてリーク電流が発生したことを検出する。そして、自動補正制御部９６は、出力値設定の変更を出力値制御部９９に指示する。
【００４２】
なお、以下、自動補正制御部９６からの指示に従って、リーク電流の検出時に出力値制御部９９が出力値設定を変更する処理を出力値自動補正処理という。
【００４３】
前状態記憶メモリ９５は、出力値制御部９９による書き込み処理に従って、自動補正制御部９６による出力値自動補正処理の実行前の出力値の設定状態を保存する。
【００４４】
次に、システムＬＳＩの出力バッファブロックの消費電力削減の処理の動作について説明する。まず、一般的に、システムＬＳＩの出力バッファブロックにおいてリーク電流が発生した時の動作について説明する。図８は、システムＬＳＩの出力バッファブロック５０部分の具体的な構成例を示すブロック図である。図８に示すように、出力バッファブロック５０は、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）５１が電源端子と端子５７との間に実装されている。また、出力バッファブロック５０は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６がＧＮＤ（接地部）と端子５７との間に実装されている。
【００４５】
図８において、内部ロジックがハイレベルになると、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６がオン状態となり、端子５７の電位がローレベルとなる。また、内部ロジックがローレベルになると、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１がオン状態となり、端子５７の電位がハイレベルとなる。
【００４６】
プルダウン抵抗５８に接続されている端子５７の電位がハイレベルになると、電源端子から、オン状態になっているＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１と端子５７とを介して、リーク電流６１が流れることになる。そのため、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である場合には、リーク電流６１によって電池を無駄に消費してしまう。
【００４７】
そこで、本発明では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１と端子５７との間に、リーク電流検出用のリーク検出プルアップ抵抗５２と、リーク検出プルアップ抵抗５２の両端の電圧を検出可能な増幅器５９とを備える。また、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６と端子５７との間には、リーク電流検出用のリーク検出プルダウン抵抗５５と、リーク検出プルダウン抵抗５５の両端の電圧を検出可能な増幅器６０とを備える。そのように構成することにより、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１及びＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６に流れるリーク電流を検出できるように構成する。
【００４８】
図９は、システムＬＳＩがリーク電流を検出し出力値自動補正処理を行う手順を示す流れ図である。また、図１０は、リーク電流の検出を行えるように構成した場合のシステムＬＳＩの出力バッファブロック５０部分の具体的な構成例を示すブロック図である。
【００４９】
図１０に示すように、出力バッファブロック５０は、スリープ時以外の通常動作時には、リーク検出プルアップ抵抗５２をオフ状態とするためのバイパススイッチ５３と、リーク検プルダウン抵抗５５をオフ状態とするためのバイパススイッチ５４とを含む。なお、バイパススイッチ５３，５４は、リーク電流検出の処理が不要な場合（すなわち、スリープ時以外の通常動作時）には、図７に示すＩＯコンフリクト検出／補正回路９８が含むバイパススイッチ制御部９７によって閉じた状態に制御されている。一方、バイパススイッチ制御部９７は、スリープ時には、バイパススイッチ５３，５５を開いた状態に制御し、リーク電流検出を可能な状態に制御する。
【００５０】
図８に示した例と同様に、内部ロジックがローレベルである時に、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１がオン状態となり、リーク電流６１が流れ込んだものとする（ステップＳ２０１）。この場合、バイパススイッチ５３が開いた状態に制御されていれば、リーク電流検出用プルアップ抵抗５２の両端に電圧６２が生じる。
【００５１】
このリーク検出プルアップ抵抗５２の両端に生じる電圧が増幅器５９で増幅され、内部ロジックのハイレベルとして、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６で読み出すことが可能である。すなわち、増幅器５９は、リーク検出プルアップ抵抗５２の両端に生じた電圧をＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６がハイレベルの信号として検出可能な信号レベルまで増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する（ステップＳ２０２）。そして、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６は、増幅器５９から入力する信号のレベルがローレベルからハイレベルに変化すると、リーク検出プルアップ抵抗５２にリーク電流６１が流れたと判断する。
【００５２】
増幅器５９からの信号の出力レベルとしてハイレベルを検出すると、自動補正制御部９６は、図７に示す出力値制御部９９に出力値設定の変更を指示する（ステップＳ２０３）。設定変更の指示を受けると、出力値制御部９９は、現在の自動補正処理前の設定として、出力バッファブロック５０の出力値がローレベルであるという情報を、前状態記憶メモリ９５に保存させる（ステップＳ２０４）。
【００５３】
次に、出力値制御部９９は、図１１に示すように、出力バッファブロック５０に対して、出力値をハイレベルに変更させる（ステップＳ２０５）。
【００５４】
なお、出力値制御部９９は、例えば、リーク電流の検出状況に応じて出力バッファブロック５０の出力値をどのように変更するかを示す設定テーブルを予め内部メモリ等に記憶している。例えば、ステップＳ２０５では、出力値制御部９９は、自動補正制御部９６からのＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１側でリーク電流６１を検出したという情報に基づいて、対応する設定変更情報を設定テーブルから抽出する。そして、出力値制御部９９は、抽出した設定変更情報に従って、出力バッファブロック５０の出力値をハイレベルに自動的に変更させる。
【００５５】
上記に示すように制御することによって、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１をオフ状態とし、反対にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６をオン状態とすることができる。そのため、端子５７の電位をローレベルとすることができ、リーク電流６１が流れない状態とすることができる。
【００５６】
次に、携帯端末のシステム全体の状態がスリープ状態に遷移したり通常状態に復帰したりするタイミングと、消費電力削減処理の実行タイミングとについて説明する。本実施形態では、システムＬＳＩで処理するトランザクションが無く、動作クロックを停止しても構わない状況を、スリープ状態と定義する。以下、システムＬＳＩの入力バッファブロック４０の消費電力削減処理を行う場合を例に、システム全体のスリープ遷移時におけるＩＯコンフリクト検出／補正回路９８の動作を説明する。
【００５７】
図１２は、システム全体が通常動作状態からスリープ状態に遷移する時のシステムＬＳＩの動作順を示す流れ図である。まず、携帯端末のシステム全体がスリープ状態に遷移を開始したものとする（ステップＳ１）。すると、携帯端末は、まず、外部デバイス１１をスリープ状態に移行させる（ステップＳ２）。外部デバイス１１がスリープ状態となることによって、外部デバイス１１の端子状態（ハイレベルであるか、ローレベルであるか）が確定し、システムＬＳＩの端子３７の信号レベルが確定する。
【００５８】
次に、システムＬＳＩは、ＣＰＵ９４自体をスタンバイ状態に遷移させる（ステップＳ３）。次に、ＩＯコンフリクト検出／補正回路９８は、図４に示した処理に従って、ハードウエア的に自動的にリーク電流を検出する。リーク電流が検出されると、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、現在のＰＵ／ＰＤ設定の設定状態を、ＩＯコンフリクト検出／補正回路９８の前状態記憶メモリ９５に保存させる（ステップＳ４）。そして、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、自動補正制御部９６の指示に従って、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の設定状態の自動補正を行う（ステップＳ５）。
【００５９】
自動補正を行うことによってＩＯコンフリクトが解消され、リーク電流が無くなると、システムＬＳＩは、内部クロックを停止し、ロジック電圧の電圧値を前状態記憶メモリ９５がデータを保持することができるぎりぎりの値まで低下させる（ステップＳ６）。そして、システムＬＳＩは、スリープ状態に移行し、システムＬＳＩのスリープ状態移行に伴って、携帯端末のシステム全体のスリープ状態への移行が完了する（ステップＳ７）。
【００６０】
図１３は、システム全体がスリープ状態から通常動作状態に復帰する時のシステムＬＳＩの動作順を示す流れ図である。まず、携帯端末は、スリープ状態にあるシステム全体を起動させるためのイベントを発生させる（ステップＳ１１）。すると、携帯端末は、システムＬＳＩのクロック供給を再開し、システムＬＳＩが動作可能な動作電圧に復帰させる（ステップＳ１２）。
【００６１】
次に、ＰＵ／ＰＤ制御部９０は、前状態記憶メモリ９５が記憶する内容を書き戻し、プルアップ抵抗３１及びプルダウン抵抗３２の設定状態を自動補正処理前の状態に戻す（ステップＳ１３）。そして、入力バッファブロック４０の端子状態がスリープ状態に移行する前の状態に戻る。
【００６２】
次に、システムＬＳＩは、ＣＰＵ９４をスタンバイ状態から動作状態に復帰させる（ステップＳ１４）。また、携帯端末は、外部デバイス１１をスリープ状態から通常状態に復帰させる（ステップＳ１５）。外部デバイス１１を通常状態に復帰させることによって、携帯端末のシステム全体の動作状態への復帰が完了する（ステップＳ１６）。 
【００６３】
以上のように、本実施形態によれば、ＩＯコンフリクト検出／補正回路９８の自動補正制御部９６は、増幅器３４，３５，５９，６０の検出信号に基づいて、システムＬＳＩの入力バッファブロック４０又は出力バッファブロック５０内においてリーク電流が発生したことを検出する。また、ＰＵ／ＰＤ制御部９０又は出力値制御部９９は、リーク電流の発生を検出したことに基づいて、入力バッファブロック４０又は出力バッファブロック５０の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行う。そのため、システムＬＳＩがスリープ状態となった時のＩＯリーク電流を削減して消費電力を削減することができる。よって、携帯端末の電池消費を削減し、携帯端末の待ち受け時間を延ばすことができる。従って、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である時における待ち受け状態の消費電力を削減でき、携帯端末の電池の持ち時間が長くすることができる。
【００６４】
また、本実施形態によれば、ハードウェア回路であるＩＯコンフリクト検出／補正回路９８やＰＵ／ＰＤ制御部９０を用いて、リーク電流を自動検出してリーク電流を削減する制御を行うことができる。従って、ＩＯコンフリクトが発生していることを、ハードウエアで自動的に検出して、自動的にＩＯコンフリクトを解消することができる。
【００６５】
なお、例えば、特許文献１や特許文献２に記載された関連技術を用いてシステムＬＳＩを構成したとしても、システムＬＳＩのスリープ状態において、ＩＯリーク電流が最小になるようにスリープ時の各端子の状態を決定するためには、人手による多大な検討と評価とが必要である。そのため、最もリーク電流が少なくなるように、スリープ状態における入出力設定を多大な工数をかけて調整しなければならなかった。本実施形態によれば、システムＬＳＩは、自動的にリーク電流を検出して設定変更を行えるように構成されているので、入出力設定の工数を削減することができ、システムの開発期間を短くすることができる。 
【００６６】
なお、例えば、特許文献１や特許文献２に記載された関連技術を用いてシステムＬＳＩを構成したとしても、システムＬＳＩの各端子がスリープ時に必ず同じ状態であるとは限らないので、スリープ時における最適な端子状態を一意に決めることはできない。そのため、少なからずＩＯリーク電流が発生してしまう可能性がある。本実施形態によれば、システム全体がスリープ状態に入る毎に、その時々で最もリーク電流が少ない入出力の設定状態に自動的に変更することができる。従って、システムのスリープ時に最適な入出力の設定状態にとしてリーク電流を最小限に低減することができる。 
【００６７】
実施形態２．
次に、本発明の第２の実施形態を図面を参照して説明する。図１４は、リーク電流の検出を行えるように構成した場合のシステムＬＳＩの出力バッファブロック５０部分の具体的な他の構成例を示すブロック図である。
【００６８】
第１の実施の形態では、出力バッファブロック５０側のリーク電流を検出できるようにするために、リーク検出プルアップ抵抗５２及びリーク検出プルダウン抵抗５５を含むように構成した。これに対し、本実施形態では、図１４に示すように、出力バッファブロック５０において、リーク電流検出用プルアップ抵抗５２及びリーク電流検出用プルダウン抵抗５５を含まないように構成し、システムＬＳＩの構造を簡素化させる。
【００６９】
本実施形態では、リーク電流検出用抵抗を設ける変わりに、ＭＯＳＦＥＴがオン状態であるときに発生する抵抗値（オン抵抗の抵抗値）を利用する。図１４に示すように、本実施形態では、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１のオン抵抗に発生する電圧を増幅する増幅器５９Ａと、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６のオン抵抗に発生する電圧を増幅する増幅器６０Ａとを含む。
【００７０】
例えば、出力値制御部９９からの制御に従って出力信号がローレベルに制御され、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１がオン状態になっているとする。この場合、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１のドレイン−ソース間に、電圧７０が生じる。
【００７１】
増幅器５９Ａは、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１に発生した電圧は０と１の信号として認識可能なレベルに増幅し、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６に出力する。従って、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１にリーク電流６１が流れていることを示す信号が、ＣＰＵ９４及び自動補正制御部９６によって読み出すことが可能である。
【００７２】
以下、システムＬＳＩが出力値設定を変更してリーク電流を低減する処理は、図９〜図１１に示した処理と同様である。
【００７３】
上記のように、リーク電流６１が検出できるようにすることによって、第１の実施形態と同様の処理に従って、ＩＯコンフリクト検出／補正回路９８及び出力値制御部９９によって、ＩＯ コンフリクトが解消され、リーク電流を最小とすることができる。
【００７４】
以上のように、本実施形態によれば、システムＬＳＩは、出力バッファブロック５０が含むＭＯＳＦＥＴ５１，５６に発生するオン抵抗の両端にかかる電圧を増幅する増幅部５９Ａ，６０Ａを含む。また、自動補正制御部９６は、増幅器５９Ａ，６０Ａが増幅した電圧の値に基づいて、出力バッファブロック５０内においてリーク電流が発生したことを検出する。そして、出力値制御部９９は、自動補正制御部９６の指示に従って、出力バッファブロック５０の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行う。従って、リーク検出プルアップ抵抗５２及びリーク検出プルダウン抵抗５５を設けなくてもリーク電流の削減を行うことができ、システムＬＳＩの構造を簡素化させることができる。
【００７５】
次に、本発明による消費電力削減機能付きＬＳＩの最小構成について説明する。図１５は、消費電力削減機能付きＬＳＩの最小の構成例を示すブロック図である。図１５に示すように、消費電力削減機能付きＬＳＩ（システムＬＳＩ）は、自動補正制御部９６と、入出力制御部とを含む。
【００７６】
図１５に示すように、システムＬＳＩは、最小の構成要素として、入出力制御部９０Ａと、自動補正制御部９６とを含む。自動補正制御部９６は、システムＬＳＩの入力バッファブロック４０又は出力バッファブロック５０内においてリーク電流が発生したことを検出する機能を備える。また、入出力制御部９０Ａは、自動補正制御部９６がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、入力バッファブロック４０又は出力バッファブロック５０の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行う機能を備える。
【００７７】
図１５に示す最小構成のシステムＬＳＩによれば、システムＬＳＩの入力バッファブロック４０又は出力バッファブロック５０内においてリーク電流が発生したことを検出する。そして、リーク電流の発生を検出したことに基づいて、入力バッファブロック４０又は出力バッファブロック５０の入出力の設定を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行う。従って、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である時における待ち受け状態の消費電力を削減でき、携帯端末の電池の持ち時間が長くすることができる。
【００７８】
なお、上記の各実施形態では、以下の（１）〜（６）に示すような消費電力削減機能付きＬＳＩの特徴的構成が示されている。
【００７９】
（１）消費電力削減機能付きＬＳＩは、消費電力の削減機能を備えたＬＳＩ（例えば、システムＬＳＩ）であって、ＬＳＩの入出力部（例えば、入力バッファブロック４０、出力バッファブロック５０）内においてリーク電流が発生したことを検出するリーク電流検出部（例えば、自動補正制御部９６によって実現される）と、検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、入出力部の入出力の設定（例えば、ＰＵ／ＰＤ設定、出力値設定）を変更することによって、リーク電流を削減する制御を行うリーク電流制御部（例えば、ＰＵ／ＰＤ制御部９０、出力値制御部９９によって実現される）とを備えたことを特徴とする。そのように構成することによって、携帯端末のシステム全体がスリープ状態である時における待ち受け状態の消費電力を削減でき、携帯端末の電池の持ち時間を長くすることができる。 
【００８０】
（２）消費電力削減機能付きＬＳＩは、ＬＳＩの入力部（例えば、入力バッファブロック４０）が含むプルアップ抵抗（例えば、プルアップ抵抗３１）の両端にかかる電圧を増幅するプルアップ用増幅部（例えば、増幅器３４）と、入力部が含むプルダウン抵抗（例えば、プルダウン抵抗３２）の両端にかかる電圧を増幅するプルダウン用増幅部（例えば、増幅器３５）とを備え、リーク電流検出部（例えば、自動補正制御部９６）は、プルアップ用増幅部又はプルダウン用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、入力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、リーク電流制御部（例えば、ＰＵ／ＰＤ制御部９０）は、プルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値をそれぞれ変更することによって、リーク電流を低減する制御を行うように構成されていてもよい。そのように構成することによって、入力部が含むプルアップ抵抗とプルダウン抵抗の両端にかかる電圧に基づいて、リーク電流を容易に検出することができる。また、プルアップ抵抗とプルダウン抵抗の抵抗値を変更することによって、容易に入力部のリーク電流を削減することができる。
【００８１】
（３）消費電力削減機能付きＬＳＩは、ＬＳＩの出力部（例えば、出力バッファブロック５０）内のリーク電流を検出するためのリーク電流検出用抵抗（例えば、リーク検出プルアップ抵抗５２、リーク検出プルダウン抵抗５５）と、リーク電流検出用抵抗の両端にかかる電圧を増幅する検出抵抗用増幅部（例えば、増幅器５９，６０）とを備え、リーク電流検出部（例えば、自動補正制御部９６）は、検出抵抗用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、出力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、リーク電流制御部（例えば、出力値制御部９９）は、出力部の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行うように構成されていてもよい。そのように構成することによって、出力部に設けたリーク電流検出用抵抗の両端にかかる電圧に基づいて、リーク電流を容易に検出することができる。また、出力部の出力値を変更することによって、容易に出力部のリーク電流を削減することができる。
【００８２】
（４）消費電力削減機能付きＬＳＩは、ＬＳＩの出力部（例えば、出力バッファブロック５０）が含むＭＯＳ型電界効果トランジスタ（例えば、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ５１、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５６）に発生するオン抵抗の両端にかかる電圧を増幅するオン抵抗用増幅部（例えば、図１４に示す増幅器５９Ａ，６０Ａ）を備え、リーク電流検出部（例えば、自動補正制御部９６）は、オン抵抗用増幅部が増幅した電圧の値が所定値以上であることを条件に、出力部内においてリーク電流が発生したことを検出し、リーク電流制御部（例えば、出力値制御部９９）は、出力部の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行うように構成されていてもよい。そのように構成することによって、リーク電流検出用抵抗を設けなくても出力部のリーク電流の削減を行うことができ、消費電力削減機能付きＬＳＩの構造を簡素化させることができる。
【００８３】
（５）消費電力削減機能付きＬＳＩは、プルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値を保存する抵抗値保存部（例えば、前状態記憶メモリ９５）を備え、リーク電流制御部（例えば、ＰＵ／ＰＤ制御部９０）は、リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、プルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値を抵抗値記憶部に保存させ、抵抗値記憶部にプルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値を保存させた後に、プルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値をそれぞれ変更することによって、リーク電流を低減する制御を行うように構成されていてもよい。そのように構成することによって、入力部のリーク電流を削減する処理を実行する前のプルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の抵抗値を保存するので、システムがスリープ状態から再び通常状態に戻ったときに、保存した抵抗値に戻すことによって、容易にスリープ状態となる前の状態に復帰することができる。
【００８４】
（６）消費電力削減機能付きＬＳＩは、出力部の出力値を保存する出力値保存部（例えば、前状態記憶メモリ９５）を備え、リーク電流制御部（例えば、出力値制御部９９）は、リーク電流検出部がリーク電流の発生を検出したことに基づいて、出力部の出力値を出力値保存部に保存させ、出力値保存部に出力部の出力値を保存させた後に、出力部の出力値を変更することによって、リーク電流を低減する制御を行うように構成されていてもよい。そのように構成することによって、出力部のリーク電流を削減する処理を実行する前の出力部の出力値を保存するので、システムがスリープ状態から再び通常状態に戻ったときに、保存した出力値に戻すことによって、容易にスリープ状態となる前の状態に復帰することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、携帯電話機等のモバイル機器に使用されているＬＳＩに適用できる。特に、携帯電話機に搭載されているＬＳＩ等の待ち受け時の低消費電力を要求されるＬＳＩに好適に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】消費電力削減機能付きＬＳＩの携帯端末内における接続状態の構成を示すブロック図である。
【図２】システムＬＳＩの入力バッファブロックの消費電力削減処理部の構成の一例を示すブロック図である。
【図３】システムＬＳＩの入力バッファブロック部分の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図４】システムＬＳＩがリーク電流を検出し自動補正処理を行う手順を示す流れ図である。
【図５】リーク電流の検出を行えるように構成した場合のシステムＬＳＩの入力バッファブロック部分の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図６】プルアップ抵抗及びプルダウン抵抗の設定状態を変更した時の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図７】システムＬＳＩの出力バッファブロックの消費電力削減処理部の構成の一例を示すブロック図である。
【図８】システムＬＳＩの出力バッファブロック部分の具体的な構成例示すブロック図である。
【図９】システムＬＳＩがリーク電流を検出し出力値自動補正処理を行う手順を示す流れ図である。
【図１０】リーク電流の検出を行えるように構成した場合のシステムＬＳＩの出力バッファブロック部分の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図１１】出力バッファブロックの出力値を変更した時の具体的な構成例を示すブロック図である。
【図１２】システム全体が通常動作状態からスリープ状態に遷移する時のシステムＬＳＩの動作順を示す流れ図である。
【図１３】システム全体がスリープ状態から通常動作状態に復帰する時のシステムＬＳＩの動作順を示す流れ図である。
【図１４】リーク電流の検出を行えるように構成した場合のシステムＬＳＩの出力バッファブロック部分の具体的な他の構成例を示すブロック図である。
【図１５】消費電力削減機能付きＬＳＩの最小の構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００８７】
１０  外部プルアップ抵抗
１１  外部デバイス
１２  内部プルダウン抵抗
１３，５８  外部プルダウン抵抗
１４  内部プルアップ抵抗
１５，３７，５７  端子
１７  ＩＯバッファブロック
３０，３３  ＦＥＴスイッチ
３１  プルアップ抵抗
３２  プルダウン抵抗
３４，３５，５９，６０  増幅器
３６  入力バッファ
４０  入力バッファブロック
５０  出力バッファブロック
５１  ＰチャネルＭＯＳＦＥＴ
５２  リーク検出プルアップ抵抗
５３，５４  バイパススイッチ
５５  リーク検出プルダウン抵抗
５６  ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ
９０  ＰＵ／ＰＤ制御部
９４  ＣＰＵ
９５  前状態記憶メモリ
９６  自動補正制御部
９７  バイパススイッチ制御部
９８  ＩＯコンフリクト検出／補正回路
９９  出力値制御部
【図１】
2009044542.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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