(57)【要約】【課題】本発明は、カプラとアッテネータを組み合わせたアッテネータ複合カプラに関し、カップリング偏差を抑制することを目的とする。【解決手段】本発明のアッテネータ複合カプラは、主線路２と副線路３を内蔵した積層体１の上面にアッテネータ４，５を配置し、アッテネータ４，５とその出力先である検波用端子９および終端用端子８との間に積層体１の内部で形成された直列のインダクタ１１，１２もしくは一端が接地されたコンデンサ１５，１６を接続する構成とした。【選択図】図３
2009044303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体からなる積層体と、この積層体の下面に設けられた一組の入出力用端子、検波用端子および終端用端子と、前記積層体内に設けられた主線路及びこの主線路とカップリングする副線路と、前記積層体の上面に配置された第１のアッテネータおよび第２のアッテネータと、前記主線路の端部はそれぞれ前記一方の入出力用端子に接続し、前記副線路は一方の端部が第１のアッテネータに接続され他方の端部が第２のアッテネータに接続し、前記第１のアッテネータを前記積層体の内部に設けられた第１のインダクタを介して前記検波用端子に接続するとともに、前記第２のアッテネータを前記積層体の内部に設けられた第２のインダクタを介して前記終端用端子に接続したことを特徴とするアッテネータ複合カプラ。
【請求項２】
誘電体からなる積層体と、この積層体の下面に設けられた一組の入出力用端子、検波用端子および終端用端子と、前記積層体内に設けられた主線路及びこの主線路とカップリングする副線路と、前記積層体の上面に配置された第１のアッテネータおよび第２のアッテネータと、前記主線路の端部はそれぞれ前記一方の入出力用端子に接続し、前記副線路は一方の端部が第１のアッテネータに接続され他方の端部が第２のアッテネータに接続し、前記第１のアッテネータと前記検波用端子との間に前記積層体の内部に設けられ一端が接地される第１のコンデンサを接続するとともに、前記第２のアッテネータと前記終端用端子との間に前記積層体の内部に設けられ一端が接地される第２のコンデンサを接続したことを特徴とするアッテネータ複合カプラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カプラとアッテネータを組み合わせたアッテネータ複合カプラに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のカプラとしては、主線路と副線路を並設することで双方をカップリングさせ副線路から検波信号を出力するものであり、従来、カプラに対する外部からの負荷変動を抑制するため副線路の両端部分にアッテネータを接続する構造が知られている。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平６−１７７６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、主線路と副線路の並設により結合させるため、このカップリングの容量成分により検波信号の出力レベルに対する周波数特性が低周波側から高周波側に向けて大きくなってしまい、例えばＧＳＭバンド（９００ＭＨｚ帯）とＤＣＳバンド（１．８ＧＨｚ帯）といったマルチバンド対応するような広帯域においてカップリングさせる場合、主線路と副線路の結合度が低周波側に位置するＧＳＭバンドと高周波側に位置するＤＣＳバンドとで異なってしまうという、いわゆるカップリング偏差が大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、アッテネータ複合カプラのカップリング偏差を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、この目的を達成するため本発明は、主線路と副線路を内蔵した積層体の上面にアッテネータを配置し、アッテネータとその出力先である検波用端子および終端用端子との間に積層体の内部で形成された直列のインダクタもしくは一端が接地されたコンデンサを接続する構成としたのである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、アッテネータ複合カプラのカップリング偏差を抑制することができるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態について図を用いて説明する。
【０００９】
図１は、カプラとアッテネータを誘電体からなる積層体１を用いて一体化したアッテネータ複合カプラを示す斜視図であり、その回路構成は図２に示されるように被検波信号が通過する主線路２と、この主線路２に並設され検波信号を形成する副線路３と、この副線路３の両端にそれぞれ接続されたπ型のアッテネータ４，５により構成されている。なお、主線路２の端部はそれぞれ入出力用端子６ａ，６ｂに接続され、副線路３に接続された一方のアッテネータ５は終端抵抗７に接続するための終端用端子８に、もう一方のアッテネータ４は検波回路（図示せず）に接続するための検波用端子９に接続されている。
【００１０】
また、その基本構造は積層体１の内層部分に主線路２や副線路３を形成する電極パターンや内部グランドを構成する電極パターンが形成され、積層体１の上面にはアッテネータ４，５を構成する抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ，５ａ，５ｂ，５ｃが配置され、積層体１の下面には後述するように入出力用端子６ａ，６ｂ、終端用端子８、検波用端子９および接地端子１０が設けられている。
【００１１】
より具体的には、図３に示されるごとく積層体１の上面を構成する誘電体層１ａの上面にはアッテネータ４，５を形成する抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ，５ａ，５ｂ，５ｃが配置されている。なお、図２において副線路３に対して直列接続された抵抗体４ａ，５ａは図中において誘電体層１ａの両サイドに配置され、並列接続された抵抗体４ｂ，４ｃ，５ｂ，５ｃは誘電体層１ａの中央部側に集約するように配置することで、アッテネータ４，５間にグランド電位が介在することとなりアッテネータ４，５間の結合、つまり検波用端子９と終端用端子８間の不要結合を抑制した構造としている。
【００１２】
また、誘電体層１ｄの上面には、主線路２と副線路３が周回状に並設され、誘電体層１ｂ，１ｅの上面には主線路２や副線路３に対する抵抗体４ａ，４ｂ，４ｃ，５ａ，５ｂ，５ｃや外部からの影響を抑制するためのシールド用の内部グランド１０ａ，１０ｂが設けられている。なお、積層体１の下面を形成する誘電体層１ｅの下面には一組の入出力用端子６ａ，６ｂ、終端用端子８および検波用端子９および内部グランド１０ａ，１０ｂに接続される接地端子１０が配置されている。
【００１３】
ここで、このアッテネータ複合カプラにおいては、図２に示されるごとくアッテネータ４と検波用端子９との間およびアッテネータ５と終端用端子８との間にインダクタ１１，１２が形成されており、このインダクタ１１，１２は図３に示されるごとく積層体１の内層部分にあたる誘電体層１ｃの上面に設けられた電極パターンにより形成されている。なおこのインダクタ１１とアッテネータ４の接続及びインダクタ１１と検波用端子９との接続、またインダクタ電極１２とアッテネータ５の接続及びインダクタ電極１２と終端用端子８との接続はビアホール（特に図示せず）を用いて積層体１の内部で行っており、この構成を用いることでアッテネータ複合カプラのカップリング偏差を抑制することが出来るのである。
【００１４】
すなわち、従来の課題となっていたカップリング偏差は図４に示すように、主線路２と副線路３の結合度が破線１３で示すように、低周波側に位置するＧＳＭバンドと高周波側に位置するＤＣＳバンドとで異なってしまい、ＧＳＭバンドとＤＣＳバンドといった広帯域化に伴いカップリング偏差１３ａが大きくなるという問題を有していたものである。
【００１５】
よって、副線路３の検波出力端子９側にインダクタ１１を接続することにより、そのインダクタンス成分によるローパスフィルタ特性が付加され、実線１４で示す周波数特性のように周波数の低い側の結合度を増やし周波数の高い側の結合度を低下させることができ、ＧＳＭバンドとＤＣＳバンドといった広帯域にわたって結合度における周波数特性を平坦なものとし、カップリング偏差１４ａを抑制することが出来るのである。
【００１６】
また、図２に示されるように、副線路３に形成される検波信号はアッテネータ４で負荷変動を抑制されるのであるが、その分信号レベルが小さくなり外乱に対して影響され易くなることから、このアッテネータ複合カプラにおいてはアッテネータ４から検波用端子９に至る信号経路、すなわちインダクタ１１を積層体１の内部に配置したことにより外乱に対する影響度を抑制した構成としている。
【００１７】
さらに、検波用端子９に接続されるインダクタ１１及びアッテネータ４の回路定数と終端用端子８に接続されるインダクタ１２及びアッテネータ５の回路定数を副線路３を中心として対称となるように設定して、アッテネータ複合カプラの端子方向性をなくすことで、アッテネータ複合カプラを梱包する際や外部基板に実装する際に部品の方向性を確認する必要がなくなるので、生産性や取り扱い性を高めることが出来るのである。
【００１８】
なお、この一実施形態のアッテネータ複合カプラにおいては図２に示すように、アッテネータ４，５に対してインダクタ１１，１２を直列接続した構成を例に挙げて説明したが、本発明はこの一実施形態に限定されるものではなく、このインダクタ１１，１２のように副線路３に対してローパスフィルタ特性を付加する構造であれば図５に示すようにアッテネータ４，５の出力端に一端が接地されたコンデンサ１５，１６を付加する構造や、特に図示はしていないが上述した直列のインダクタンス１１，１２と一端が接地されたコンデンサ１５，１６を組み合わせたローパスフィルタ回路自体を付加して、これらのインダクタ１１，１２やコンデンサ１５，１６を積層体１の内部に電極パターンとして配置することで同様の効果が得られるものである。
【産業上の利用可能性】
【００１９】
本発明に係るアッテネータ複合カプラは、カップリング偏差を抑制することができ、主として通信機器等に用いられる高周波回路用途において有用となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態を示すアッテネータ複合カプラの斜視図
【図２】同アッテネータ複合カプラの等価回路図
【図３】同アッテネータ複合カプラの電極構成図
【図４】同アッテネータ複合カプラの結合特性図
【図５】他の実施形態におけるアッテネータ複合カプラの等価回路図
【符号の説明】
【００２１】
１  積層体
２  主線路
３  副線路
４，５  アッテネータ
６ａ，６ｂ  入出力用端子
８  終端用端子
９  検波用端子
１１，１２  インダクタ
１５，１６  コンデンサ
【図１】
2009044303.tif 000003
【図２】
2009044303.tif 000004
【図３】
2009044303.tif 000005
【図４】
2009044303.tif 000006
【図５】
2009044303.tif 000007