(57)【要約】【課題】圧電振動片の形状を高精度に形成すると共に、製造工程中における異物の発生を抑制することが可能な圧電振動片の製造方法を提供する。【解決手段】溝付の圧電振動片の製造方法において、圧電振動片の外形を形成するためのレジストパターンと溝部３を形成するためのレジストパターンを一度の露光、現像処理により一つのレジストパターン３３ａとして形成すると共に、そのレジストパターン３３ａのうち溝部３に対応するパターン（開口部）が形成された領域を保護する保護層３１を、そのレジストパターン３３ａの形成前に予め形成しておく。保護層３１をレジストパターン３３ａの形成前に形成すれば、微視的に立体構造物であるレジストパターン３３ａの起伏の影響を受けずに保護層３１を精確にパターンニングすることができる。【選択図】図１−２
2009246761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部が設けられた圧電振動片の製造方法であって、
少なくとも、
基板の表面に金属層を形成する金属層形成工程と、
当該金属層の表面であって前記圧電振動片の外形領域内に少なくとも前記溝部の形成予定領域を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、
当該保護層の表面を含む前記金属層の表面にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、
当該フォトレジスト層を露光及び現像し、前記圧電振動片の外形領域外の領域と前記溝部の形成予定領域に対応した開口部が同時に形成されたレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
当該レジストパターンと当該レジストパターンの開口部から露出された前記保護層をエッチングマスクとして露出領域の前記金属層をエッチングにより除去する第一のエッチング工程と、
当該第一のエッチング工程により露出された前記基板をエッチングにより除去し、前記圧電振動片の外形を形成する第二のエッチング工程と、
前記保護層を前記第一のエッチング工程から前記第二のエッチング工程後までの間の任意のタイミングで除去する保護層除去工程と、
当該保護層除去工程により露出された前記金属層をエッチングにより除去する第三のエッチング工程と、
当該第三のエッチング工程により露出された前記基板をエッチングにより除去し、前記溝部を形成する第四のエッチング工程と、
を有することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
前記保護層を前記第一のエッチング工程により前記金属層と共に除去することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
前記保護層を前記第二のエッチング工程により前記基板と共に除去することを特徴とする請求項１に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
前記保護層形成工程は、
前記金属層形成工程により形成された前記金属層の表面に保護材料層を形成する工程と、
当該保護材料層の表面にフォトレジスト層を形成する工程と、
当該フォトレジスト層を露光及び現像し、前記圧電振動片の外形領域内に少なくとも前記溝部の形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する工程と、
当該レジストパターンをエッチングマスクとして露出領域の前記保護材料層をエッチングにより除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
前記金属層形成工程は、
前記基板の表面に第一の金属層を形成する第一の金属層形成工程と、
当該第一の金属層の表面に第二の金属層を形成する第二の金属層形成工程とを有し、
前記第一のエッチング工程は、
前記第二の金属層をエッチングにより除去する第二の金属層エッチング工程と、
当該第二の金属層エッチング工程により露出された前記第一の金属層をエッチングにより除去する第一の金属層エッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項６】
前記第二の金属層は、前記第一の金属層よりもイオン化傾向が小さい金属材料で構成され、
前記保護層は、非金属材料で構成されることを特徴とする請求項５に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項７】
前記第一の金属層は、Ｃｒで構成され、
前記第二の金属層は、Ａｕで構成され、
前記保護層は、Ｓｉ、ＳｉＯ2、又はＡｌ2Ｏ3で構成されることを特徴とする請求項６に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項８】
前記第二の金属層は、前記第一の金属層よりもイオン化傾向が小さい金属材料で構成され、
前記保護層は、前記第二の金属層よりもイオン化傾向が大きい金属材料で構成されることを特徴とする請求項５に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項９】
前記保護層は、前記第一の金属層とイオン化傾向が同じかそれよりも大きい金属材料で構成されることを特徴とする請求項８に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項１０】
前記第一の金属層は、Ｃｒで構成され、
前記第二の金属層は、Ａｕで構成され、
前記第三の金属層は、Ｃｒ、又はＴｉで構成されることを特徴とする請求項９に記載の圧電振動片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電振動片の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶などの圧電材料で構成された圧電振動片の一つとして、肉厚部に振動特性を向上させるための溝部が設けられた所謂溝付きの圧電振動片が知られている。
【０００３】
図２は、溝付きの圧電振動片を示す図で、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ここに示す溝付きの圧電振動片は、水晶から成る圧電材料で構成され、外部の実装用基板（パッケージ基板）などに固定される基部１と、この基部１からその主面に沿って延在する二つの枝部２と、この二つの枝部２の両主面に設けられた矩形状の溝部３とを備えている。
【０００４】
図３−１、図３−２、図３−３は、図２に示した圧電振動片の従来の製造方法を示すＡ−Ａ断面図である。図２に示した溝付きの圧電振動片を製造する場合には、まず、図３−１（ａ）に示すような平板状の水晶基板（水晶ウエハ）１１の両主面上に、図３−１（ｂ）に示すように、Ｃｒ（クロム）から成る第一の金属層１２とＡｕ（金）から成る第二の金属層１３を順次形成し、続いて、図３−１（ｃ）に示すように、第二の金属層１３の表面全体にネガ型のフォトレジスト材料を均一に塗布してネガレジスト層１４を形成する。
【０００５】
その後、図３−１（ｄ）に示すように、ネガレジスト層１４が形成された領域のうち、圧電振動片の外形領域内であって溝部３の形成予定領域を除く領域を一度に露光し、露光されていない領域のネガレジスト層１４を現像液により除去することで、圧電振動片の外形領域外の領域と溝部３の形成予定領域に対応した開口部を有するネガレジストパターン１４ａを形成する。
【０００６】
その後、図３−１（ｅ）に示すように、この時点で外部に露出されているネガレジストパターン１４ａの表面を含む第二の金属層１３の表面全体に、ポジ型のフォトレジスト材料を均一に塗布してポジレジスト層１５を形成する。
【０００７】
その後、図３−２（ｆ）に示すように、ポジレジスト層１５が形成された領域のうち、溝部３の形成予定領域の周辺一体を除く領域を露光し、その露光された領域のポジレジスト層１５を現像液により除去することで、溝部３の形成予定領域の周辺一体を覆うポジレジストパターン（保護層）１５ａを形成する。
【０００８】
その後、図３−２（ｇ）に示すように、ネガレジストパターン１４ａとポジレジストパターン１５ａをエッチングマスクとして露出領域の第二の金属層１３をウェットエッチングにより除去し、続いて、それにより露出された第一の金属層１２をウェットエッチングにより除去する。
【０００９】
その後、図３−２（ｈ）に示すように、溝部３の形成予定領域の周辺一体を覆っていたポジレジストパターン１５ａを剥離液により除去し、続いて、図３−２（ｉ）に示すように、ネガレジストパターン１４ａと第二の金属層１３をエッチングマスクとして露出領域の水晶基板１１をウェットエッチングにより除去することで、圧電振動片の外形を形成する。
【００１０】
その後、図３−２（ｊ）に示すように、ネガレジストパターン１４ａをエッチングマスクとして露出領域の第二の金属層１３をウェットエッチングにより除去し、続いて、それにより露出された第一の金属層１２をウェットエッチングにより除去することで、溝部３の形成予定領域から水晶基板１１が露出した状態とする。
【００１１】
その後、図３−３（ｋ）に示すように、ネガレジストパターン１４ａを剥離液により除去した上で、図３−３（ｌ）に示すように、溝部３の形成予定領域から露出した水晶基板１１をウェットエッチングにより深さ方向に一定量除去し、溝部３を形成する。
【００１２】
その後、図３−３（ｍ）に示すように、この時点で残存する第一の金属層１２と第二の金属層１３をウェットエッチングにより全て除去することで、溝付きの圧電振動片が完成する。（例えば、特許文献１参照）
【特許文献１】特開２００７−２９５３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
以上説明した圧電振動片の従来の製造方法においては、図３−１（ｄ）に示すように、圧電振動片の外形を形成するためのレジストパターンと溝部を形成するためのレジストパターンとが、同一の露光、現像工程により一つのレジストパターン（ネガレジストパターン１４ａ）として同時に形成されるため、それらを別々の露光、現像工程により二つのレジストパターンとして形成する場合と比較して、二つのパターンの位置ずれ、即ち圧電振動片が完成した時点での圧電振動片の外形に対する溝部３の位置ずれが防止され、圧電振動片の形状が高精度に形成されている。
【００１４】
その一方で、以上のように二つのレジストパターンを一つのレジストパターンとして同時に形成する場合には、図３−２（ｇ）に示す工程において溝部３の形成予定領域から露出した第一の金属層１２と第二の金属層１３がエッチングにより除去されてしまうのを避けるため、エッチングを行う前の段階でその領域をエッチングに耐性のある層（保護層）で保護しておく必要があり、その点に鑑み従来の製造方法では、図３−１（ｄ）に示す工程において第二の金属層１２の表面に圧電振動片の外形と溝部３を形成するためのネガレジストパターン１４ａを形成した後に、この時点で溝部３の形成予定領域から露出している第二の金属層１２の表面を覆うようにポジレジストパターン１５ａを保護層として形成している。
【００１５】
しかしながら、溝部３の形成予定領域を保護するためのポジレジストパターン１５ａは、圧電振動片の外形と溝部３を形成するためのネガレジストパターン１４ａを形成した後に、図３−２（ｅ）に示すようにその表面全体を覆うようにポジ型のフォトレジスト材料を塗布した上で、図３−２（ｆ）に示すようにフォトレジスト材料を露光、現像によりパターニングすることで形成されるため、ネガレジストパターン１４ａの厚みによっては、その過程において、微視的に立体構造物であるネガレジストパターン１４ａの側面とその下層の第二の金属層１３の表面とで構成される凹状の角部にフォトレジスト材料（ポジ型）の残渣が残留し、その残渣が続く図３−２（ｇ）に示す金属層（第一の金属層１２、第二の金属層１３）のエッチングの妨げとなって金属層の外形が変化し、最終的に圧電振動片の形状が変化する虞や、残渣が製造工程中に遊離して他の製造工程が正常に行われるのを妨げたり、完成状態の圧電振動片に異物として付着する虞がある。特に圧電振動片の外形は、圧電振動片の振動特性（周波数）やインピーダンス特性を決定付ける重要なパラメーターであるため、その外形精度は非常に重要である。
【００１６】
図４は、レジストパターンの周囲に残渣が残留した状態を模式的に示す図で、ネガレジストパターン１４ａの側面と第二の金属層１３との角部に残渣１６が残留していると、第一の金属層１２と第二の金属層１３のエッチングが妨げられ、図に示すように第一の金属層１２と第二の金属層１３の外形が変化する虞がある。
【００１７】
特に圧電振動片の外形と溝部３を形成するためのレジストパターン（ネガレジストパターン１４ａ）と溝部の形成予定領域を保護するための保護層（ポジレジストパターン１５ａ）が、互いに異なる性質（ポジ型又はネガ型）の感光性材料で構成されていると、それらの互いに相反する性質の成分が相互に浸透し合うことで変質し、剥離液に対する剥離性が低下して以上の問題がより発生し易くなる虞がある。
【００１８】
また、ネガ型のフォトレジスト材料は、露光により材料中の高分子（感光剤）が架橋する所謂光架橋型のフォトレジスト材料であることから、一般的に数μｍレベルの線幅を安定的に得ることは難しいと言われており、数μｍのレベルにおいては、得られるパターンが波を打ったようにガタついてしまい、直線的な外形ラインを得ることができない。
【００１９】
本発明は、以上のような問題点に鑑みて成されたものであり、圧電振動片の形状を高精度に形成すると共に、製造工程中における異物の発生を抑制することが可能な圧電振動片の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
溝部が設けられた圧電振動片の製造方法であって、少なくとも、基板の表面に金属層を形成する金属層形成工程と、当該金属層の表面であって前記圧電振動片の外形領域内に少なくとも前記溝部の形成予定領域を覆う保護層を形成する保護層形成工程と、当該保護層の表面を含む前記金属層の表面にフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、当該フォトレジスト層を露光及び現像し、前記圧電振動片の外形領域外の領域と前記溝部の形成予定領域に対応した開口部が同時に形成されたレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、当該レジストパターンと当該レジストパターンの開口部から露出された前記保護層をエッチングマスクとして露出領域の前記金属層をエッチングにより除去する第一のエッチング工程と、当該第一のエッチング工程により露出された前記基板をエッチングにより除去し、前記圧電振動片の外形を形成する第二のエッチング工程と、前記保護層を前記第一のエッチング工程から前記第二のエッチング工程後までの間の任意のタイミングで除去する保護層除去工程と、当該保護層除去工程により露出された前記金属層をエッチングにより除去する第三のエッチング工程と、当該第三のエッチング工程により露出された前記基板をエッチングにより除去し、前記溝部を形成する第四のエッチング工程とを有する圧電振動片の製造方法とする。
【００２１】
前記保護層を前記第一のエッチング工程により前記金属層と共に除去する圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２２】
前記保護層を前記第二のエッチング工程により前記基板と共に除去する圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２３】
前記保護層形成工程は、前記金属層形成工程により形成された前記金属層の表面に保護材料層を形成する工程と、当該保護材料層の表面にフォトレジスト層を形成する工程と、当該フォトレジスト層を露光及び現像し、前記圧電振動片の外形領域内に少なくとも前記溝部の形成予定領域を覆うレジストパターンを形成する工程と、当該レジストパターンをエッチングマスクとして露出領域の前記保護材料層をエッチングにより除去する工程とを有圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２４】
前記金属層形成工程は、前記基板の表面に第一の金属層を形成する第一の金属層形成工程と、当該第一の金属層の表面に第二の金属層を形成する第二の金属層形成工程とを有し、前記第一のエッチング工程は、前記第二の金属層をエッチングにより除去する第二の金属層エッチング工程と、当該第二の金属層エッチング工程により露出された前記第一の金属層をエッチングにより除去する第一の金属層エッチング工程と、を有する圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２５】
前記第二の金属層は、前記第一の金属層よりもイオン化傾向が小さい金属材料で構成され、前記保護層は、非金属材料で構成される圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２６】
前記第一の金属層は、Ｃｒで構成され、前記第二の金属層は、Ａｕで構成され、前記保護層は、Ｓｉ、ＳｉＯ2、又はＡｌ2Ｏ3で構成される圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２７】
前記第二の金属層は、前記第一の金属層よりもイオン化傾向が小さい金属材料で構成され、前記保護層は、前記第二の金属層よりもイオン化傾向が大きい金属材料で構成される圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２８】
前記保護層は、前記第一の金属層とイオン化傾向が同じかそれよりも大きい金属材料で構成される圧電振動片の製造方法とされ得る。
【００２９】
前記第一の金属層は、Ｃｒで構成され、前記第二の金属層は、Ａｕで構成され、前記第三の金属層は、Ｃｒ、又はＴｉで構成される圧電振動片の製造方法とされ得る。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、溝部の形成予定領域を覆う保護層を、圧電振動片の外形と溝部を形成するためのレジストパターンを形成する前に形成することで、そのレジストパターンのパターン精度、ひいては圧電振動片の外形精度を向上させることが可能であり、加えて、保護層の形成時に残渣の発生を抑制することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
図１−１、図１−２、図１−３は、図２に示した圧電振動片の本発明の製造方法を示すＡ−Ａ断面図である。本発明の製造方法を用いて図２に示した溝付きの圧電振動片を製造する場合には、まず、図１−１（ａ）に示すような平板状の水晶基板１１の両主面上に、図１−１（ｂ）に示すように、スパッタ法などを用いてＣｒ（クロム）から成る第一の金属層１２とＡｕ（金）から成る第二の金属層１３とＳｉ（シリコン）から成る保護層３１を順次形成する。
【００３２】
その後、図１−１（ｃ）に示すように、保護層３１の表面全体にネガ型のフォトレジスト材料を均一に塗布してフォトレジスト層３２を形成し、続いて、図１−１（ｄ）に示すように、フォトレジスト層３２が形成された領域のうち、溝部３の形成予定領域をフォトマスクを用いて露光し、露光されていない領域のフォトレジスト層３２を現像液により除去することで、溝部３の形成予定領域を覆うレジストパターン３２ａを形成する。尚、フォトレジスト材料の種類としてはポジ型とネガ型の二種類があるが、これらは製造工程に応じて適宜使い分けることができる。
【００３３】
ここで形成するレジストパターン３２ａは、形成しようとする圧電振動片の外形領域内に収まる範囲で少なくとも溝部３の形成予定領域全体を覆ってさえいればよく、圧電振動片の外形領域外へはみ出さない限りにおいては、溝部３の形成予定領域よりも広い範囲を覆うパターンであってもよい。尚、この時点でレジストパターン３２ａが圧電振動片の外形領域外へはみ出していると、後工程において第一の金属層１２と第二の金属層１３をエッチングする際に、そのはみ出した領域の保護層３１がエッチングの進行を妨げ、それによって第一の金属層１２と第二の金属層１３の外形が変化し、最終的に圧電振動片の外形が変化する虞がある。
【００３４】
その後、図１−１（ｅ）に示すように、レジストパターン３２ａをエッチングマスクとして露出領域の保護層３１をフッ酸あるいはフッ酸とフッ化アンモニウムの混合物であるバッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去し、保護層３１を溝部３の形成予定領域のみを覆う形状にパターニングする。尚、図１−１（ｄ）に示す工程において、保護層３１をパターニングするためのレジストパターン３２ａが溝部３の形成予定領域よりも広い範囲を覆うパターンに形成されていた場合には、この時点で保護層３１は、溝部の形成予定領域よりも大きいパターンにパターニングされる。
【００３５】
以上のように保護層３１は、第二の金属層１３の平坦な表面上に層材料（Ｓｉ）を堆積させた上で形成されることから、従来の製造方法のように他のレジストパターンなどの立体構造物が形成された上に層材料を堆積させる場合と比較して、立体構造物の側面とその下層との間に形成される凹状の角部などのように、層材料が比較的除去され難くその一部が残渣として残留し易い奥まった部分がないため、層材料のパターニングが精確に行える。また、層材料の残渣が発生しないことから、残渣が後工程中に遊離して製造工程が正常に行われるのを妨げたり、完成状態の圧電振動片に異物として付着するようなこともない。
【００３６】
その後、図１−２（ｆ）に示すように、使用後のレジストパターン３２ａをレジスト剥離液により除去した上で、図１−２（ｇ）に示すように、保護層３１の表面を含む第二の金属層１３の表面全体にポジ型のフォトレジスト材料を均一に塗布してフォトレジスト層３３を形成し、続いて、図１−２（ｈ）に示すように、フォトレジスト層３３が形成された領域のうち、形成しようとする圧電振動片の外形領域外の全ての領域と溝部３の形成予定領域を単一のフォトマスクを用いて一度に露光し、露光された領域のフォトレジスト層３３を現像液により除去することで、圧電振動片の外形領域内であって溝部３の形成予定領域を除いた領域を覆うレジストパターン３３ａを形成する。
【００３７】
ここで形成されるレジストパターン３３ａにおいては、フォトレジスト層３３を露光する際に単一のフォトマスクを用いていることから、圧電振動片の外形に対応したパターンと溝部３の外形に対応したパターンとの間で位置ずれはなく、従来の製造方法と同等の高いパターン精度が確保されている。更に、レジストパターン３３ａは、ポジ型のフォトレジスト材料で構成されているため、ネガ型のフォトレジスト材料で構成された従来のレジストパターン（ネガレジストパターン１４ａ）と比較して、パターンの外形ラインが高精度に形成されている。
【００３８】
尚、図１−１（ｅ）に示した工程において保護層３１が溝部３の形成予定領域よりも大きいパターンに形成されていた場合には、この時点で保護層３１の外周部がレジストパターン３３ａに埋設された状態となる。
【００３９】
その後、図１−２（ｉ）に示すように、レジストパターン３３ａと保護層３１をエッチングマスクとして露出領域の第二の金属層１３をヨウ素を主成分としたエッチング液（ヨウ素系エッチング液）を用いたウェットエッチングにより除去し、続いて、それにより露出された第一の金属層１２を、図１−２（ｊ）に示すように、硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分としたエッチング液（硝酸第二セリウムアンモニウム系エッチング液）を用いたウェットエッチングにより除去し、更に、それにより露出された水晶基板１１を、図１−３（ｋ）に示すように、フッ酸あるいはフッ酸とフッ化アンモニウムの混合物であるバッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより除去することで、圧電振動片の外形を形成する。この時、溝部３の形成予定領域を覆っていた保護層（Ｓｉ）３１は、水晶基板（ＳｉＯ2）１１をエッチングする際のエッチング液に対して耐性がないことから水晶基板（ＳｉＯ2）１１と共に除去され、エッチングの途中からはその下層の第二の金属層（Ａｕ）１３がエッチングマスクとしての役割を果たす。
【００４０】
その後、図１−３（ｌ）に示すように、溝部３の形成予定領域から露出した第二の金属層１３をヨウ素系エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去し、続いて、それにより露出された第一の金属層１２を、図１−３（ｍ）に示すように、硝酸第二セリウムアンモニウム系エッチング液を用いたウェットエッチングにより除去し、更に、それにより露出された水晶基板１１を、図１−３（ｎ）に示すように、フッ酸あるいはフッ酸とフッ化アンモニウムの混合物であるバッファードフッ酸を用いたウェットエッチングにより深さ方向に一定量除去することで、溝部３を形成する。
【００４１】
その後、図１−３（ｏ）に示すように、使用後のレジストパターン３３ａを剥離液により除去した上で、図１−３（ｐ）に示すように、残存する第一の金属層１２と第二の金属層１３をそれぞれ硝酸第二セリウムアンモニウム系エッチング液とヨウ素系エッチング液を用いたウェットエッチングにより全て除去することで、溝付きの圧電振動片が完成する。
【００４２】
以上説明した実施例において、溝部３の形成予定領域を保護しておく保護層３１の材料は、Ｓｉに限るものではなく、ＳｉＯ2（二酸化珪素）やＡｌ2Ｏ3（アルミナ）などの絶縁材料や、Ｃｒ（クロム）やＴｉ（チタン）などの金属材料が適宜選択され得る。それらのうち、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔｉは、Ｓｉと同様に水晶基板１１をエッチングする際のエッチング液に対して耐性がないため、製造工程上は、保護層３１の材料が単にＳｉからＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔｉに置き換わるのみである。それに対し、Ｃｒは、水晶基板１１をエッチングする際のエッチング液に対して耐性があるため、水晶基板１１のエッチング時に除去されることはないが、それより前の図１−２（ｊ）に示す工程において、圧電振動片の外径領域外の第一の金属層（Ｃｒ）１２と共にエッチングにより除去される。
【００４３】
尚、保護層３１は、図１−２（ｉ）に示すように圧電振動片の外形領域外に存在する第二の金属層（Ａｕ）１３をエッチングする際に、溝部３の形成予定領域に存在する第二の金属層（Ａｕ）１３が共に除去されてしまわないように保護する役割を果たすものであることから、その役割を果たした後は不要であり、図１−２（ｉ）に示す工程で第二の金属層１３がエッチングされた後から、保護膜３１の除去が必然的に必要となる図１−３（ｌ）に示す工程の前までの任意のタイミングで除去すればよい。
【００４４】
ここで、以上説明した本実施例における製造方法においては、互いに異なる金属（異種金属）である第一の金属層（Ｃｒ）１２と第二の金属層（Ａｕ）１３との積層体を用いていることから、図１−３（ｊ）に示すように第一の金属層（Ｃｒ）１２をエッチングする際に溝部３の形成予定領域が保護層３１で保護されていないと、エッチングが不要に促進されて第一の金属層（Ｃｒ）１２が必要以上にエッチングされてしまう所謂電触効果と呼ばれる現象が生じる虞がある。
【００４５】
電触効果は、電解質溶液中に浸漬された異種金属間に電池の原理によって電位差（起電力）が生じ、異種金属のうちイオン化傾向の順位が低い金属材料から高い金属材料に向かって電流が発生するもので、以上の製造工程においては、特に図１−３（ｊ）に示すように第一の金属層１２をエッチングする際に、エッチング液を電解質溶液、第一の金属層（Ｃｒ）１２を負極、第二の金属層（Ａｕ）１３を正極とする擬似的な電池が構成され、イオン化傾向の順位が相対的に低い第二の金属層（Ａｕ）１３からそれよりも高い第一の金属層（Ｃｒ）１２に向かって電流が発生し、それがエッチング液中のイオン交換を促進することで、第一の金属層（Ｃｒ）１２のエッチングが速まる。尚、このような電触効果を考慮したエッチングの制御は困難である。
【００４６】
電触効果は、溝部３の形成予定領域をＳｉ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3などの非金属材料で構成される保護層３１で覆っておくことにより効果的に抑制することが可能であるが、保護層３１の材料として金属材料を用いた場合には、第二の金属層（Ａｕ）１３を挟んで第一の金属層（Ｃｒ）１２と保護層３１との間で電触効果が大きく発生する虞がある。
【００４７】
従って、保護層３１の材料として金属材料を用いる場合には、電触効果（電位差）の大小が主として異種金属間におけるイオン化傾向の順位差の大小により決定されることに鑑み、第一の金属層（Ｃｒ）１２と保護層３１のイオン化傾向の順位差が小さくなるような金属材料を選択するのが好ましい。
【００４８】
このような観点からすると、保護層３１を構成する金属材料は、第二の金属層（Ａｕ）１３よりもイオン化傾向の順位が高い金属材料が好ましく、更に第一の金属層（Ｃｒ）１２とイオン化傾向の順位が同じかそれよりも高い金属材料がより好ましいと言える。このことを分かり易くするため、以上のイオン化傾向の関係を数式で表すと、第一の金属層（Ｃｒ）１２、第二の金属層（Ａｕ）１３、保護層３１の各イオン化傾向の順位をそれぞれＡ、Ｂ、Ｃとした場合に、Ｃ≧Ａ＞Ｂとなる。
【００４９】
尚、本明細書で例示した金属材料の中で以上の関係式を満たす金属材料としては、第一の金属層（Ｃｒ）１２と同一金属であってイオン化傾向の順位が当然等しいＣｒや、第一の金属層（Ｃｒ）１２よりもイオン化傾向の順位が高いＴｉが該当する。
【００５０】
また、保護層３１を構成する金属材料がその表面に酸化物が形成され易い金属材料（Ｃｒ、Ｔｉ等）であれば、その酸化物が絶縁層となって電触効果の発生をより効果的に抑制することができる。
【００５１】
尚、本実施例において第一の金属層（Ｃｒ）１２をエッチングする際に発生する電触効果は、第二の金属層（Ａｕ）１３のイオン化傾向の順位が第一の金属層（Ｃｒ）１２よりも低いことに起因して発生するため、第二の金属層（Ａｕ）１３を第一の金属層（Ｃｒ）１２よりもイオン化傾向の順位が同じがそれよりも高い金属材料で構成すれば、理論上、電触効果は発生しないことになるが、実際には、第二の金属層１３の耐蝕層としての本来の役割や第一の金属層１２との相性、更にはコスト（材料費）などを考慮し、それらの条件を許容範囲内で全て満たす材料を選択しなければならず、使用できる材料が極端に限定されてしまう。
【００５２】
また、本発明の製造方法は、以上説明した実施例のように金属層が第一の金属層と第二の金属層の二層で構成される場合にのみ有効なものではなく、金属層が一層のみで構成される場合や三層以上で構成される場合にも有効である。
【００５３】
また、本発明の製造方法の対象となる圧電振動片は、枝部を有する所謂音叉型圧電振動片に限らず、平面視矩形状の圧電振動片などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１−１】圧電振動片の本発明の製造方法を示すＡ−Ａ断面図
【図１−２】圧電振動片の本発明の製造方法を示すＡ−Ａ断面図
【図１−３】圧電振動片の本発明の製造方法を示すＡ−Ａ断面図
【図２】溝付きの圧電振動片を示す図で、（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のＡ−Ａ断面図
【図３−１】圧電振動片の従来の製造方法を示すＡ−Ａ断面図
【図３−２】圧電振動片の従来の製造方法を示すＡ−Ａ断面図
【図３−３】圧電振動片の従来の製造方法を示すＡ−Ａ断面図
【図４】レジストパターンの外周に残渣が残留した状態を示す模式図
【符号の説明】
【００５５】
１      基部
２      枝部
３      溝部
１１    水晶基板
１２    第一の金属層
１３    第二の金属層
１４    ネガレジスト層
１４ａ  ネガレジストパターン
１５    ポジレジスト層
１５ａ  ポジレジストパターン
１６    残渣
３１    保護層
３２    フォトレジスト層
３２ａ  レジストパターン
３３    フォトレジスト層
３３ａ  レジストパターン
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図４】
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