(57)【要約】【課題】平面的な磁界の位置を精度よく検出することが可能なホール素子アレイを提供する。【解決手段】格子状の位置にモノリシックに形成され、ほぼ９０度で交わる十字形の４つの頂部に接続部１３を有し、対向するそれぞれの接続部１３間に通電可能に形成された複数の半導体活性層１１と、周辺部に折り返し部を有し、この折り返し部を除くとそれぞれＸ軸の方向及びＸ軸の方向とはほぼ９０度異なるＹ軸の方向に沿って、隣接する半導体活性層１１の接続部１３同士を接続し、半導体活性層１１内の一方の対向する接続部１３間に電流を流せるように設けられたＸ列及びＹ列配線２１、２３と、Ｘ列及びＹ列配線２１、２３を介して接続された半導体活性層１１のそれぞれの端部となる接続部１３と接続された２個ずつの入出力電極３１と、折り返し部と接続された出力電極３３とを備える。【選択図】図１
2009044072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の所定の位置にモノリシックに形成され、ほぼ９０度で交わる十字形の４つの頂部に相当する位置に接続部を有し、対向するそれぞれの前記接続部間に通電可能に形成された複数の半導体活性層と、
折り返し部を有し、前記折り返し部を除くとそれぞれ第１の方向及び前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って、隣接する前記半導体活性層の前記接続部同士を接続し、前記半導体活性層内の一方の対向する前記接続部間に電流を流せるように設けられた第１及び第２の配線と、
前記第１及び第２の配線を介して接続された前記半導体活性層のそれぞれの端部となる前記接続部と接続された２つずつの入出力電極と、
前記折り返し部と接続された出力電極と、
を備えたことを特徴とするホール素子アレイ。
【請求項２】
前記第１の配線に電流を供給し、前記第２の配線の前記折り返し部と接続された前記出力電極間で電圧を検出することが可能であることを特徴とする請求項１に記載のホール素子アレイ。
【請求項３】
前記第２の配線に電流を供給し、前記第１の配線の前記折り返し部と接続された前記出力電極間で電圧を検出することが可能であることを特徴とする請求項１または２に記載のホール素子アレイ。
【請求項４】
前記第１の方向及び前記第２の方向は互いにほぼ９０度で交わる方向であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のホール素子アレイ。
【請求項５】
前記半導体活性層は、十字形に形成された部分を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のホール素子アレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２次元分布を有するホール素子アレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
ホール素子は、ホール効果を利用して磁気量を電気量に変換する素子で、例えば、磁性体の位置検出、回転検出等に用いられている。ホール素子は、ＧａＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｓｉ等の半導体膜からなる活性層が、半絶縁性基板上に形成されて、ほぼ十字形にエッチング加工して形成され、活性層の一方の対向した端部にそれぞれ電流供給用の入力電極が接続され、他方の対向した端部に電圧出力用の出力電極が接続されている。
【０００３】
ホール素子は、単独で用いられる他に、単独で用いられるホール素子を複数個基板上に並べて、ホール素子アレイが構成され、磁性体の平面上の位置の検出、磁界の２次元分布の測定等に利用される。ホール素子アレイの分解能を上げるために、半導体活性層を基板上に横長に形成して、活性層の長手方向両端にそれぞれ入力電極を設けるとともに、活性層の両側縁には長手方向の複数位置に、活性層を挟んで対向する各一対の出力電極を設けて、活性層と両入力電極と各一対の出力電極とでホール素子を形成し、且つこの活性層は、出力電極間に挟まれた部分を、長手方向中央に向けて漸次その幅が小さくなるように形成したホール素子アレイが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
しかしながら、この開示されたホール素子アレイは、直線状に伸びた長手方向にはホール素子の密な配列が可能であるが、平面的な広がりに対しては、密な配列が難しいという問題を有している。従って、直線状の配列方向に沿った磁界の位置を検出できるが、平面的な磁界の位置を精度よく検出することは難しい。
【特許文献１】特許第２９６９７０４号公報（第２頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、平面的な磁界の位置を精度よく検出することが可能なホール素子アレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様のホール素子アレイは、基板上の所定の位置にモノリシックに形成され、ほぼ９０度で交わる十字形の４つの頂部に相当する位置に接続部を有し、対向するそれぞれの前記接続部間に通電可能に形成された複数の半導体活性層と、折り返し部を有し、前記折り返し部を除くとそれぞれ第１の方向及び前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って、隣接する前記半導体活性層の前記接続部同士を接続し、前記半導体活性層内の一方の対向する前記接続部間に電流を流せるように設けられた第１及び第２の配線と、前記第１及び第２の配線を介して接続された前記半導体活性層のそれぞれの端部となる前記接続部と接続された２つずつの入出力電極と、前記折り返し部と接続された出力電極と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、平面的な磁界の位置を精度よく検出することが可能なホール素子アレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。以下に示す図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例】
【０００９】
本発明の実施例に係るホール素子アレイについて、図１乃至図４を参照しながら説明する。図１はホール素子アレイの構成を模式的に示す平面図である。図２はホール素子アレイの製造方法を工程順に模式的に示す断面図である。図３はホール素子アレイの磁界検出を模式的に示す図である。図４はホール素子アレイの磁界検出の工程を示すフローチャートである。
【００１０】
図１に示すように、ホール素子アレイ１は、格子状に配列され、十字形をなす複数の半導体活性層１１と、各十字形の頂部に対向配置された４個の接続部１３と、折り返し部を有し、折り返し部を除いて対向する接続部１３に沿った方向に接続する第１の配線であるＸ列配線２１（実線で示す）及び第２の配線であるＹ列配線２３（破線で示す）と、Ｘ列及びＹ列配線２１、２３で接続された電流経路の両端部である入出力電極３１と、折り返し部と接続された出力電極３３とを備えている。
【００１１】
十字形をなす半導体活性層１１及び接続部１３からなる部分をホール素子５と称する。ホール素子５の配列は上下左右の格子状をなし、対向する接続部１３に沿った方向、すなわち、折り返し部を除く電流経路の方向は、斜め約４５度の方向を向いている。なお、上下左右の格子間隔は、例えば、約１００μｍである。
【００１２】
半導体活性層１１は、半導体基板、例えば、絶縁性のＧａＡｓ基板の表面に形成されたほぼ９０度で交わる通電可能な十字形をなしている。十字形をなす棒の一方、つまり、図１の左下から右上に向かう棒の方向をＸ軸方向、十字形をなす棒の他方、つまり、図１の右下から左上に向かう棒の方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向の十字形の棒は、連なって同一直線上に配置され、直線は一定間隔で並列されている。Ｙ軸方向の十字形の棒は、連なって同一直線上に配置され、直線は一定間隔で並列されている。
【００１３】
接続部１３は、半導体活性層１１の十字形の棒の端部、つまり頂部であり、１つのホール素子５に４個配置されている。
【００１４】
Ｘ列配線２１は、Ｘ軸方向の十字形の棒の接続部１３と隣接するホール素子５のＸ軸方向の十字形の棒の接続部１３とを、Ｘ軸方向に沿って接続している。ホール素子アレイ１の周辺部では、Ｘ列配線２１は、隣に並列されたホール素子５のＸ軸方向の十字形の棒の接続部１３に折り返して接続される。そして、始点となるホール素子５のＸ軸方向の十字形の棒の接続部１３（左上のホール素子５）から、順に接続されて、終点となるホール素子５のＸ軸方向の十字形の棒の接続部１３（右下のホール素子５）まで、１本の通電経路が形成される。
【００１５】
Ｙ列配線２３は、Ｙ軸方向の十字形の棒の接続部１３と隣接するホール素子５のＹ軸方向の十字形の棒の接続部１３とを、Ｙ軸方向に沿って接続している。ホール素子アレイ１の周辺部では、Ｙ列配線２３は、隣に並列されたホール素子５のＹ軸方向の十字形の棒の接続部１３に折り返して接続される。そして、始点となるホール素子５のＹ軸方向の十字形の棒の接続部１３（左下のホール素子５）から、順に接続されて、終点となるホール素子５のＹ軸方向の十字形の棒の接続部１３（右上のホール素子５）まで、１本の電流経路が形成される。
【００１６】
Ｘ列配線２１とＹ列配線２３とは、交わることはなく、例えば、異なる配線層を使用して形成されている。接続部１３を半導体活性層１１からの高さ（上下）の異なる配線層と接続する場合、例えば、後述するように接続部１３に垂直にプラグを形成するが、これらのプラグは接続部１３の一部をなしている。
【００１７】
入出力電極３１は、Ｘ軸及びＹ軸方向に、それぞれ形成された１本の電流経路の始点及び終点である。入出力電極３１は、動作時、ホール素子アレイ１の外部から電流が供給される。また、動作時、ホール素子アレイ１に発生したホール電圧を外部に出力する。
【００１８】
出力電極３３は、Ｘ列配線２１及びＹ列配線２３の折り返し部にそれぞれ接続されている。半導体活性層１１が直線状に接続された端部には、出力電極３３または入出力電極３１が形成されている。直線状に接続された半導体活性層１１の発生したホール電圧を出力する。
【００１９】
次に、ホール素子アレイ１の製造方法について説明する。ホール素子アレイ１は、同一形状のホール素子５が、同一の基板の上にモノリシックに集積され、格子状の位置に配列され、ホール素子５の接続部１３が、Ｘ列配線２１またはＹ列配線２３で接続されている。そこで、１つのホール素子５のＸ軸及び／またはＹ軸方向に沿った断面形状により、製造工程を示す。
【００２０】
図２（ａ）に示すように、Ｘ軸及びＹ軸に沿った方向において、半絶縁性のＧａＡｓ基板１０上に、フォトリソグラフィ法により、パターン化したレジスト４１を形成し、Ｓｉをイオン注入する。イオン注入条件は、例えば、加速エネルギー３６０ｋｅＶ、ドーズ量２×１０12ｃｍ2である。レジスト４１を剥離した後、約８００℃のＡｓ雰囲気中で、活性化アニールを行い、半導体活性層１１を形成する。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ基板１０上に、例えば、膜厚約５００ｎｍのシリコン酸化膜等の絶縁膜４３を形成し、その上に、フォトリソグラフィ法により、パターン化したレジスト４５を形成し、次に、絶縁膜４３をエッチングして、半導体活性層１１に達する開口を形成する。
【００２２】
図２（ｃ）に示すように、絶縁膜４３の開口部に、コンタクト電極１２用の金属、例えば、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを蒸着法で堆積し、リフトオフ法により開口部以外にある金属及びレジスト４５を除去し、その後、合金化のため約３７０℃のアロイ化処理を行って、コンタクト電極１２とする。ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕの膜厚は、アロイ化処理後に、絶縁膜４３の表面とほぼ同一面をなすように制御される。なお、コンタクト電極１２及び絶縁膜４３は、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、表面が平坦化されてもよい。
【００２３】
図２（ｄ）に示すように、Ｘ軸に沿った方向において、コンタクト電極１２と接続する接続部１３ａ、及び、接続部１３ａに接続して延在するＸ列配線２１が形成される。接続部１３ａ、及びＸ列配線２１は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなり、例えば、リフトオフ法により形成することができる。なお、接続部１３ａ、コンタクト電極１２、及びコンタクト電極１２と接続する領域を接続部１３という。
【００２４】
図２（ｅ）に示すように、Ｘ軸に沿った方向において、接続部１３、及びＸ列配線２１上に、例えば、シリコン窒化膜等の絶縁膜４７が形成され、その上に、シリコン窒化膜及び／またはシリコン酸化膜等の絶縁膜４９が形成される。
【００２５】
図２（ｆ）に示すように、Ｙ軸に沿った方向において、コンタクト電極１２と接続する接続部１３ａが形成される。この工程は、図２（ｄ）に示す工程と同様である。
【００２６】
図２（ｇ）に示すように、Ｙ軸に沿った方向において、図２（ｅ）に示す工程と同様に、絶縁膜４７が形成され、フォトリソグラフィ法により、パターン化したレジスト（図示略）を形成し、次に、絶縁膜４７をエッチングして開口を形成し、次に、開口に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるコンタクト配線を、例えば、リフトオフ法により形成し、次に、Ｙ列配線２３を図２（ｄ）に示す工程と同様に形成することができる。Ｙ列配線２３の上面は、図２（ｅ）に示す工程と同様に、絶縁膜４９が形成される。Ｙ軸に沿った方向において、接続部１３は、Ｘ軸に沿った方向の接続部１３の上に、更に、コンタクト配線が積層され、その上にＹ列配線２３が接続されている。
【００２７】
なお、Ｘ列配線２１及びＹ列配線２３は、折り返し部において、それぞれ、隣に並列されたＸ列配線２１及びＹ列配線２３と電流経路を確保するように方向転換される。
【００２８】
入出力電極３１及び出力電極３３は、例えば、Ｘ列配線２１またはＹ列配線２３と接続されてボンディングパッドとして形成される。なお、ホール素子アレイ１の周辺に駆動回路等を形成する場合、入出力電極３１及び出力電極３３は、必ずしも独立した電極という形態をとる必要はない。
【００２９】
上述したように、ホール素子アレイ１は、格子状の位置にモノリシックに形成され、ほぼ９０度で交わる十字形の４つの頂部に接続部１３を有し、対向するそれぞれの接続部１３間に通電可能に形成された複数の半導体活性層１１と、周辺部に折り返し部を有し、この折り返し部を除くとそれぞれＸ軸の方向及びＸ軸の方向とはほぼ９０度異なるＹ軸の方向に沿って、隣接する半導体活性層１１の接続部１３同士を接続し、半導体活性層１１内の一方の対向する接続部１３間に電流を流せるように設けられたＸ列及びＹ列配線２１、２３と、Ｘ列及びＹ列配線２１、２３を介して接続された半導体活性層１１のそれぞれの端部となる接続部１３と接続された２個ずつの入出力電極３１と、折り返し部と接続された出力電極３３とを備えている。
【００３０】
その結果、ホール素子アレイ１は、半導体活性層１１と４個の接続部１３とで構成される一連のホール素子５に、一定の電流を供給することができ、この電流に垂直な方向に磁界を有する磁性体６１を近付けると、電流と磁界にそれぞれ垂直な方向にホール電圧を発生させることができる。
【００３１】
ホール電圧の測定、磁性体６１の位置の算出等は、必要な物理量、例えば、磁性体６１の移動方向、速さ、加速度等を十分な精度で算出できる程度のクロック周波数等で制御される。ホール素子５は、Ｘ軸及びＹ軸方向に一定間隔で、平面的な精度が十分出せる密度となるように、上述した半導体装置の製造プロセスにより集積されて、ホール素子アレイ１を構成している。
【００３２】
次に、ホール素子アレイ１の動作、つまり、ホール素子アレイ１に対する磁性体の位置の検出工程について説明する。図示を省略するが、入出力電極３１及び出力電極３３には、所望のクロック周波数で動作する駆動、測定、演算、及び電源等の回路が接続される。
【００３３】
図３に示すように、ホール素子アレイ１上に、一定距離だけ離れて、例えば、永久磁石等を有する磁性体６１が存在する。磁性体６１は、１点鎖線で示された曲線に沿って移動して、ある時点で、図上の丸印の破線で示された位置にある。なお、Ｘ軸に沿った電流経路の入出力電極３１は、個別的に、Ｘ１、Ｘ８、Ｙ軸に沿った電流経路の入出力電極３１は、個別的に、Ｙ１、Ｙ８で示される。Ｘ軸に沿った電流経路の出力電極３３は、入出力電極Ｘ１に近い側から、個別的に、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７の順に、Ｙ軸に沿った電流経路の出力電極３３は、入出力電極Ｙ１に近い側から、個別的に、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７の順に示される。
【００３４】
図４に示すように、まず、ある時刻において、Ｘ軸方向のＸ列配線２１の端子である入出力電極Ｘ１と入出力電極Ｘ８との間に、例えば、５ｍＡの電流を供給する（ステップＳ１１）。
【００３５】
次に、Ｙ軸方向のＹ列配線２３の端子である入出力電極３１及び出力電極３３の内の隣接する２つの電極間、例えば、入出力電極Ｙ１−出力電極Ｙ２間等の電圧を順に測定し、記憶させる（ステップＳ１２）。
【００３６】
次に、Ｙ軸方向の測定された電圧の大きさを比較して、最大の電圧を有する２つの電極、例えば、出力電極Ｙ４−出力電極Ｙ５を特定する（ステップＳ１３）。なお、連続する複数の電圧を用い、補間して電圧のピーク値を算出し、Ｙ列配線２３に平行な仮想的な、例えば、出力電極Ｙ４ａ−出力電極Ｙ５ａを特定することは可能である。
【００３７】
次に、Ｙ軸方向のＹ列配線２１の端子である入出力電極Ｙ１と入出力電極Ｙ８との間に、例えば、５ｍＡの電流を供給する（ステップＳ１４）。
【００３８】
次に、Ｘ軸方向のＸ列配線２１の端子である入出力電極３１及び出力電極３３の内の隣接する２つの電極間、例えば、入出力電極Ｘ１−出力電極Ｘ２間等の電圧を順に測定し、記憶させる（ステップＳ１５）。
【００３９】
次に、Ｘ軸方向の測定された電圧の大きさを比較して、最大の電圧を有する２つの電極、例えば、出力電極Ｘ３−出力電極Ｘ４を特定する（ステップＳ１６）。なお、ステップＳ１３と同様に、電圧のピーク値を算出して、Ｘ列配線２１に平行な仮想的な、例えば、出力電極Ｘ３ａ−出力電極Ｘ４ａを特定することは可能である。
【００４０】
次に、特定された出力電極Ｙ４−出力電極Ｙ５を結ぶＹ軸に沿った線分、及び出力電極Ｘ３−出力電極Ｘ４を結ぶＸ軸に沿った線分の交点を求め、交点の２次元の座標及び時刻を記憶させる（ステップＳ１７）。
【００４１】
次に、記憶させてある、例えば、２つ前までの交点の座標及び時刻から、必要な物理量、例えば、磁性体６１の移動方向、速さ、加速度等を算出する（ステップＳ１８）。
【００４２】
次に、算出した物理量を記憶し、同時に、または、まとめて必要な回路等に出力する（ステップＳ１９）。
【００４３】
そして、次の工程において、終了指示が出されなければ、上述のステップＳ１１に戻り、同様にして、ステップＳ１９までを繰り返す。更に、ステップＳ１９以降の工程に従って、磁性体６１の位置の検出を継続することが可能となる。
【００４４】
上述したように、Ｘ列及びＹ列配線２１、２３に交互に一定の電流が供給される。Ｘ列及びＹ列配線２１、２３に、それぞれ、電流が供給されている間に、ホール素子アレイ１の入出力電極３１及び出力電極３３の内の最近接の電極間のホール電圧が個々に求められる。その結果、ある時刻におけるホール電圧の最大値、すなわち、磁性体６１の位置をホール素子アレイ１上に特定できる。この測定をクロック周期に基づき繰り返すことにより、刻々と変化する磁性体６１の平面的な位置を追うことが可能となる。ホール素子アレイ１は、格子状に配置された半導体活性層１１の集積される密度、及び測定するクロック周期を設定されているので、要求される位置精度を得ることが可能となる。
【００４５】
ホール素子アレイ１は、例えば、ＰＣ（Personal Computer）に組み込まれて、ホール素子アレイ１の上面を先端に磁性体を有するペン等でなぞることにより、ポインティングやドラッグ等の座標検出、あるいは、ペン等でなぞった跡をつなぎ合わせて文字入力、あるいは、切り替え操作を追加して交互に座標検出と文字入力との繰り返し等が可能である。また、ホール素子アレイ１と、その上面に前後左右自在に動くばね等の弾性体で接続された磁性体を組み合わせることによって、加速度センサ等として利用することが可能となる。その他、ホール素子アレイ１からなる２次元座標上の磁性体を有する座標指示器の位置検出を必要とする応用装置への適用が可能である。
【００４６】
また、上記実施例の変形例について、図５を参照しながら説明する。図５はホール素子アレイの構成を模式的に示す平面図である。ホール素子アレイ１とは、ホール素子５が格子の対角位置のみに配置されている点が異なる。なお、上記実施例と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００４７】
図５に示すように、ホール素子５は、上下左右の格子の左上及び右下の対角位置に配置され、対向する接続部１３に沿った方向、すなわち、折り返し部を除く電流経路の方向は、上下及び水平方向を向いている。ホール素子アレイ２のホール素子５の配列は、上記実施例のホール素子アレイ１のホール素子５の配列を４５度回転した関係にある。
【００４８】
Ｘ列配線２１は、Ｘ軸方向の十字形の棒の接続部１３と隣接するホール素子５のＸ軸方向の十字形の棒の接続部１３とを、Ｘ軸方向に沿って接続しているので、折り返し部を除いて水平方向を向いている。
【００４９】
Ｙ列配線２３は、Ｙ軸方向の十字形の棒の接続部１３と隣接するホール素子５のＹ軸方向の十字形の棒の接続部１３とを、Ｙ軸方向に沿って接続しているので、折り返し部を除いて上下方向を向いている。
【００５０】
ホール素子アレイ２は、入出力電極３１及び出力電極３３を除いて、上記実施例のホール素子アレイ１を４５度回転した関係にあるので、ホール素子アレイ１が有する効果を同様に有している。その他、例えば、矩形のホール素子アレイ２のチップの辺に、それぞれ平行にＸ列配線２１及びＹ列配線２３を有する電流経路を配することができるので、ＸＹ軸に沿った座標上の位置が直感的に分かり易い。
【００５１】
以上、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５２】
例えば、実施例では、ＧａＡｓ基板の上に半導体活性層をイオン注入によって形成する例を示したが、ＧａＡｓ基板の上に半導体活性層をエピタキシャル成長して形成することが可能である。
【００５３】
また、実施例では、半導体活性層はＧａＡｓである例を示したが、半導体活性層はＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、Ｓｉ等を用いることが可能である。これらの半導体活性層がエピタキシャル成長で形成される場合、下地となる基板は、必ずしも同種の組成を有する基板に限定されるものではない。
【００５４】
また、実施例では、基板は半絶縁性のＧａＡｓ基板である例を示したが、半導体活性層から実質的に電流が漏れない構成、例えば、界面にｐｎ接合を形成、界面に絶縁膜を形成する等の電流を遮断する構成を有する基板であれば、導電性の基板であっても差し支えない。
【００５５】
また、実施例では、半導体活性層は十字形をなしている例を示したが、供給する電流に対してほぼ垂直な方向にホール電圧を検出可能であれば、必ずしも外形が十字形である必要はない。
【００５６】
また、実施例では、Ｘ列配線を形成する配線層とＹ列配線を形成する配線層とは上下に隣接する２つの配線層である例を示したが、他の周辺回路等と一緒に集積する場合等において、Ｘ列配線を形成する配線層とＹ列配線を形成する配線層とは、必ずしも隣接する２つの配線層である必要はない。
【００５７】
本発明は、以下の付記に記載されるような構成が考えられる。  
（付記１）基板上の所定の位置にモノリシックに形成され、ほぼ９０度で交わる十字形の４つの頂部に相当する位置に接続部を有し、対向するそれぞれの前記接続部間に通電可能に形成された複数の半導体活性層と、折り返し部を有し、前記折り返し部を除くとそれぞれ第１の方向及び前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って、隣接する前記半導体活性層の前記接続部同士を接続し、前記半導体活性層内の一方の対向する前記接続部間に電流を流せるように設けられた第１及び第２の配線と、前記第１及び第２の配線を介して接続された前記半導体活性層のそれぞれの端部となる前記接続部と接続された２つずつの入出力電極と、前記折り返し部と接続された出力電極とを備えたホール素子アレイ。
【００５８】
（付記２）前記基板は、前記半導体活性層から実質的に電流を漏らさない構成を有している付記１に記載のホール素子アレイ。
【００５９】
（付記３）前記第１及び第２の配線は、異なる配線層に形成されている付記１に記載のホール素子アレイ。
【００６０】
（付記４）前記折り返し部は、前記半導体活性層の分布の周辺部に位置されている付記１に記載のホール素子アレイ。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施例に係るホール素子アレイの構成を模式的に示す平面図。
【図２】本発明の実施例に係るホール素子アレイの製造方法を工程順に模式的に示す断面図。
【図３】本発明の実施例に係るホール素子アレイの磁界検出を模式的に示す図。
【図４】本発明の実施例に係るホール素子アレイの磁界検出の工程を示すフローチャート。
【図５】本発明の実施例の変形例に係るホール素子アレイの構成を模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【００６２】
１、２  ホール素子アレイ
５  ホール素子
１０  ＧａＡｓ基板
１１  半導体活性層
１２  コンタクト電極
１３、１３ａ  接続部
２１  Ｘ列配線
２３  Ｙ列配線
３１、Ｘ１、Ｘ８、Ｙ１、Ｙ８  入出力電極
３３、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５、Ｘ６、Ｘ７、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５、Ｙ６、Ｙ７  出力電極
４１、４５  レジスト
４３、４７、４９  絶縁膜
６１  磁性体
【図１】
2009044072.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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