(57)【要約】【課題】高出力化を行いながら、性能を向上させることが可能な端面発光型半導体レーザを提供する。【解決手段】この端面発光型半導体レーザ１は、Ｙ方向に延びる光導波路３ａを有する半導体層３と、半導体層３上に配置されるとともに、開口部４ａを有する電流ブロック層４と、半導体層３および電流ブロック層４上に配置されたｐ側電極５とを備え、ｐ側電極５は、電流ブロック層４の開口部４ａにおける半導体層３上のＸ方向の一方側および他方側に配置されているとともに、電流ブロック層４の開口部４ａにおける半導体層３のＸ方向の中央部が露出するように形成されている。【選択図】図２
2009059906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延びる光導波路を有する半導体層と、
前記半導体層上に配置されるとともに、開口部を有する電流ブロック層と、
前記半導体層および前記電流ブロック層上に配置された電極層とを備え、
前記電極層は、前記電流ブロック層の開口部における前記半導体層上の前記第１の方向と直交する第２の方向の一方側および他方側に配置されているとともに、前記電流ブロック層の開口部における前記半導体層の前記第２の方向の中央部が露出するように形成されていることを特徴とする端面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
前記半導体層は、活性層と、前記活性層および前記電極層の間に配置された電流拡散層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
前記電流ブロック層の開口部における前記半導体層の露出した前記第２の方向の幅をＷ（μｍ）、前記電流拡散層の厚みをｔ（μｍ）とした場合に、前記電流拡散層は、ｔ≧Ｗ／５０の式を満たす厚みに形成されていることを特徴とする請求項２に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
前記電流拡散層は、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓからなるとともに、１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上のキャリア濃度を有することを特徴とする請求項２または３に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
前記電極層は、前記半導体層の前記第２の方向の一方側および他方側にそれぞれ配置された一方電極部および他方電極部を含み、
前記一方電極部および他方電極部は、互いに分離されて形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
前記半導体層は、マルチモードでレーザ光を発振することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の端面発光型半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、端面発光型半導体レーザに関し、特に、電流ブロック層上に配置された電極層を備えた端面発光型半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電流ブロック層上に配置された電極層を備えたブロードエリア型の半導体レーザ装置（端面発光型半導体レーザ）が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６は、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図６に示すように、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置では、基板１０１と、基板１０１上の所定領域に形成された下クラッド層１０２、活性層１０３および上クラッド層１０４と、基板１０１および上クラッド層１０４上に形成された絶縁層１０５（電流ブロック層）および表面電極１０６（電極層）と、基板１０１の裏面上に形成された裏面電極１０７とによって構成されている。
【０００４】
絶縁膜１０５は、一方側絶縁膜１０５ａおよび他方側絶縁膜１０５ｂを含んでいる。この一方側絶縁膜１０５ａおよび他方側絶縁膜１０５ｂは、共振器（図示せず）の延びる方向に直交する方向（Ｘ方向）の一方側および他方側に、互いに所定の間隔（＝Ｗ１００）を隔ててそれぞれ配置されている。また、一方側絶縁膜１０５ａは、基板１０１の一方側の上面と、下クラッド層１０２、活性層１０３および上クラッド層１０４の一方側の側面と、上クラッド層１０４の一方側の上面とを覆うように形成されている。また、他方側絶縁膜１０５ｂは、基板１０１の他方側の上面と、下クラッド層１０２、活性層１０３および上クラッド層１０４の他方側の側面と、上クラッド層１０４の他方側の上面とを覆うように形成されている。
【０００５】
表面電極１０６は、一方側絶縁膜１０５ａ、上クラッド層１０４および他方側絶縁膜１０５ｂの上面を覆うように形成されている。即ち、表面電極１０６は、上クラッド層１０４上の一方側絶縁膜１０５ａおよび他方側絶縁膜１０５ｂが形成されていない領域（絶縁膜１０５の開口部１０５ｃ）の一方側の端部から他方側の端部まで形成されている。これにより、上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置では、上クラッド層１０４上に表面電極１０６が形成された幅（絶縁膜１０５の開口部１０５ｃの幅）（＝Ｗ１００）にわたって、活性層１０３に電流を流すことが可能となるので、Ｗ１００の幅のレーザ光を出射することが可能となる。その結果、半導体レーザ装置の高出力化が可能となる。
【特許文献１】特開平９−１３９５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に開示された半導体レーザ装置（端面発光型半導体レーザ）では、表面電極１０６は、上クラッド層１０４上の一方側絶縁膜１０５ａおよび他方側絶縁膜１０５ｂが形成されていない領域（絶縁膜１０５の開口部１０５ｃ）の一方側の端部から他方側の端部まで形成されているので、表面電極１０６の面積（体積）を小さくするのが困難である。このため、表面電極１０６のキャパシタンスを小さくするのが困難であるので、半導体レーザ装置の応答速度を向上させるのが困難であるという不都合がある。その結果、半導体レーザ装置の性能を向上させるのが困難であるという問題点がある。
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、高出力化を行いながら、性能を向上させることが可能な端面発光型半導体レーザを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による端面発光型半導体レーザは、第１の方向に延びる光導波路を有する半導体層と、半導体層上に配置されるとともに、開口部を有する電流ブロック層と、半導体層および電流ブロック層上に配置された電極層とを備え、電極層は、電流ブロック層の開口部における半導体層上の第１の方向と直交する第２の方向の一方側および他方側に配置されているとともに、電流ブロック層の開口部における半導体層の第２の方向の中央部が露出するように形成されている。
【０００９】
この一の局面による端面発光型半導体レーザでは、上記のように、電極層を、電流ブロック層の開口部における半導体層上の第２の方向の一方側および他方側に配置することによって、電流ブロック層の開口部の第２の方向の幅にわたって、半導体層に電流を流すことができる。これにより、電流ブロック層の開口部の第２の方向の幅のレーザ光を出射することができるので、端面発光型半導体レーザを高出力化することができる。
【００１０】
また、一の局面による端面発光型半導体レーザでは、上記のように、電極層を、電流ブロック層の開口部における半導体層の第２の方向の中央部が露出するように形成することによって、電極層の面積（体積）を小さくすることができるので、電極層のキャパシタンスを小さくすることができる。これにより、端面発光型半導体レーザの応答速度（性能）を向上させることができる。
【００１１】
上記一の局面による端面発光型半導体レーザにおいて、好ましくは、半導体層は、活性層と、活性層および電極層の間に配置された電流拡散層とを含む。このように構成すれば、電流が電極層から電流拡散層を介して活性層に流れる際に、電流を、電流拡散層によりＸ方向に拡散させながら通過させることができるので、活性層（半導体層）の第２の方向の中央部にも電流が流れやすくなる。これにより、電極層が、電流ブロック層の開口部における半導体層の第２の方向の中央部が露出するように形成されている場合にも、開口部が形成された領域における活性層のＸ方向の中央部の電流密度が小さくなるのを抑制することができるので、開口部が形成された領域における活性層の電流密度を均一にすることができる。その結果、端面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の光密度やＮＦＰ（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｐａｔｔｅｒｎ：近視野像）を均一にすることができるので、端面発光型半導体レーザの性能を、より向上させることができる。
【００１２】
上記半導体層が活性層および電流拡散層を含む端面発光型半導体レーザにおいて、好ましくは、電流ブロック層の開口部における半導体層の露出した第２の方向の幅をＷ（μｍ）、電流拡散層の厚みをｔ（μｍ）とした場合に、電流拡散層は、ｔ≧Ｗ／５０の式を満たす厚みに形成されている。このように構成すれば、電流が電極層から電流拡散層を介して活性層に流れる際に、電流を、電流拡散層によりＸ方向に、十分に拡散させながら通過させることができる。これにより、開口部が形成された領域における活性層の電流密度を十分に均一にすることができるので、端面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の光密度やＮＦＰを十分に均一にすることができる。
【００１３】
上記半導体層が活性層および電流拡散層を含む端面発光型半導体レーザにおいて、好ましくは、電流拡散層は、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓからなるとともに、１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上のキャリア濃度を有する。このように構成すれば、電流が電極層から電流拡散層を介して活性層に流れる際に、電流を、電流拡散層によりＸ方向に、十分に拡散させながら通過させることができる。これにより、開口部が形成された領域における活性層の電流密度を十分に均一にすることができるので、端面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の光密度やＮＦＰを十分に均一にすることができる。
【００１４】
上記一の局面による端面発光型半導体レーザにおいて、好ましくは、電極層は、半導体層の第２の方向の一方側および他方側にそれぞれ配置された一方電極部および他方電極部を含み、一方電極部および他方電極部は、互いに分離されて形成されている。このように構成すれば、一方電極部および他方電極部が接続部などを介して一体的に形成されている場合に比べて、電極層の面積（体積）をより小さくすることができる。これにより、電極層のキャパシタンスをより小さくすることができるので、端面発光型半導体レーザの応答速度（性能）をより向上させることができる。
【００１５】
上記一の局面による端面発光型半導体レーザにおいて、好ましくは、半導体層は、マルチモードでレーザ光を発振する。このように構成すれば、端面発光型半導体レーザを、容易に、高出力化することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明によれば、高出力化を行いながら、性能を向上させることが可能な端面発光型半導体レーザを容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザの構造を示した平面図である。図２は、図１の１００−１００線に沿った断面図である。図３は、図１に示した本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザの構造を説明するための拡大断面図である。図４および図５は、本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の光密度を説明するための図である。図１〜図５を参照して、本発明の一実施形態によるブロードエリア型の端面発光型半導体レーザ１の構造について説明する。
【００１８】
本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザ１は、図２に示すように、半導体基板２と、半導体基板２上に形成された半導体層３と、半導体層３上の所定領域に形成された絶縁性を有する電流ブロック層４と、半導体層３および電流ブロック層４の一部上に形成されたｐ側電極５と、半導体基板２の下面（裏面）上に形成されたｎ側電極６とによって構成されている。なお、ｐ側電極５は、本発明の「電極層」の一例である。
【００１９】
半導体基板２は、ＧａＡｓからなるとともに、約９０μｍ〜約９５μｍの厚みを有する。また、半導体基板２は、Ｘ方向に約６００μｍ〜約８００μｍの幅を有するとともに、Ｙ方向（図１参照）に約６００μｍ〜約８００μｍよりも大きい長さを有する。なお、Ｘ方向は、本発明の「第２の方向」の一例であり、Ｙ方向は、本発明の「第１の方向」の一例である。
【００２０】
ここで、本実施形態では、半導体層３は、半導体基板２側から順に、バッファ層３０、ｎ型クラッド層３１、活性層３２、ｐ型クラッド層３３および電流拡散層３４が積層されることによって構成されている。
【００２１】
バッファ層３０は、約３００ｎｍ〜約４００ｎｍの厚みを有する。ｎ型クラッド層３１は、約２．５μｍの厚みを有する。活性層３２は、約２０ｎｍの厚みを有する。ｐ型クラッド層３３は、約２００ｎｍの厚みを有する。
【００２２】
また、本実施形態では、電流拡散層３４は、ＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓによって構成されているとともに、約１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上のキャリア濃度を有する。
【００２３】
また、本実施形態では、電流拡散層３４は、電流拡散層３４の厚みをｔμｍとし、ｐ側電極５の後述する開口部５ｃのＸ方向の幅をＷ１μｍとした場合に、ｔ≧Ｗ１／５０の式を満たす厚みに形成されている。なお、開口部５ｃのＸ方向の幅Ｗ１は、本発明の「幅Ｗ」の一例である。
【００２４】
電流ブロック層４は、約１μｍの厚みを有する。また、電流ブロック層４は、図１および図２に示すように、Ｘ方向およびＹ方向の中央部に、略長方形状の開口部４ａを有する。この開口部４ａは、Ｘ方向に約２５０μｍ〜約３００μｍの幅（Ｗ２μｍ）（図２参照）を有する。また、開口部４ａは、半導体基板２のＹ方向の両端面から約２０μｍ〜約３０μｍの間隔Ｌ１（図１参照）を隔てて形成されている。
【００２５】
ｐ側電極５は、Ａｕからなるとともに、約４μｍの厚みを有する。
【００２６】
また、本実施形態では、ｐ側電極５は、Ｘ方向の一方側に配置された一方電極部５ａと、Ｘ方向の他方側に配置された他方電極部５ｂとを含んでいる。一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂは、図１に示すように、平面的に見て略長方形状に形成されているとともに、互いに分離されて形成されている。そして、ｐ側電極５には、図２に示すように、Ｘ方向にＷ１μｍの幅を有する開口部５ｃが設けられている。即ち、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂは、Ｘ方向にＷ１μｍの間隔を隔てて配置されており、電流拡散層３４のＸ方向の中央部は、Ｗ１μｍの幅にわたって露出されている。
【００２７】
また、一方電極部５ａは、電流ブロック層４の開口部４ａにおける電流拡散層３４の一方側の上面上と、電流ブロック層４の一方側の上面上とに形成されている。また、他方電極部５ｂは、電流ブロック層４の開口部４ａにおける電流拡散層３４の他方側の上面上と、電流ブロック層４の他方側の上面上とに形成されている。
【００２８】
また、一方電極部５ａは、開口部４ａの一方側の内側面から幅Ｗ３μｍ（＝約３０μｍ〜約５０μｍ）だけＸ方向の中央部側に形成されている。また、他方電極部５ｂは、開口部４ａの他方側の内側面から幅Ｗ４μｍ（＝約３０μｍ〜約５０μｍ）だけＸ方向の中央部側に形成されている。即ち、本実施形態では、ｐ側電極５の開口部５ｃのＸ方向の幅Ｗ１（＝Ｗ２−Ｗ３−Ｗ４）は、約１５０μｍ〜約２４０μｍである。
【００２９】
また、本実施形態では、図１に示すように、一方電極部５ａは、電流ブロック層４のＸ方向の一方側の端面、および、Ｙ方向の両端面から所定の距離を隔てて形成されている。また、他方電極部５ｂは、電流ブロック層４のＸ方向の他方側の端面、および、Ｙ方向の両端面から所定の距離を隔てて形成されている。
【００３０】
また、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂの電流ブロック層４上に形成された部分は、図示しないＡｕワイヤーが接続されるように形成されている。
【００３１】
また、図１および図２に示すように、半導体層３には、開口部４ａの下方の活性層３２（図２参照）の周辺部分に、Ｙ方向に延びる光導波路３ａが形成されている。そして、ｐ側電極５に正電位が印加されるとともに、ｎ側電極６（図２参照）に負電位が印加された場合、半導体層３のＹ方向の出射端面３ｂ（図１参照）からレーザ光が出射される。
【００３２】
具体的には、本実施形態では、ｐ側電極５（一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂ）に正電位が印加されるとともに、ｎ側電極６に負電位が印加された場合、図３に矢印で示すように、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂから電流拡散層３４に流れた電流は、Ｘ方向の中央部側に拡散しながら、電流拡散層３４内を通過する。そして、電流拡散層３４からｐ型クラッド層３３に流れた電流は、Ｘ方向の中央部側に拡散しながら、ｐ型クラッド層３３内を通過する。これにより、開口部４ａ（図２参照）が形成された領域における活性層３２の電流密度が均一になる。
【００３３】
また、本実施形態では、半導体層３の出射端面３ｂから出射されたレーザ光は、図４に示すような光密度を有する。即ち、本実施形態による端面発光型半導体レーザ１では、レーザ光の光密度は、電流ブロック層４の開口部４ａが形成された領域において均一である。また、端面発光型半導体レーザ１では、半導体層３は、高次モード（マルチモード）でレーザ光を発振しており、端面発光型半導体レーザ１は、高出力レーザとして用いられる。
【００３４】
なお、電流拡散層３４の厚み（ｔ）が上述した式（ｔ≧Ｗ１／５０）を満たさない場合、ｐ側電極５から活性層３２に流れる電流が、電流拡散層３４およびｐ型クラッド層３３を通過する際にＸ方向に拡散しにくくなる。このため、開口部４ａが形成された領域における活性層３２の電流密度が均一にならず、半導体層３から出射されるレーザ光は、図５に示すような光密度になる。即ち、レーザ光の光密度は、電流ブロック層４の開口部４ａが形成された領域の一方側および他方側において大きくなり、開口部４ａが形成された領域の中央部（ｐ側電極５の開口部５ｃ）において小さくなる。この場合、開口部４ａが形成された領域の一方側および他方側の光密度（ｂ）が、図４に示した本実施形態の開口部４ａが形成された領域における光密度（ａ）よりも大きくなるので、開口部４ａが形成された領域の一方側および他方側の半導体層３（活性層３２）が劣化しやすくなる。
【００３５】
本実施形態では、上記のように、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂを、電流ブロック層４の開口部４ａにおける半導体層３上のＸ方向の一方側および他方側にそれぞれ配置することによって、電流ブロック層４の開口部４ａのＸ方向の幅（Ｗ２）にわたって、半導体層３（活性層３２）に電流を流すことができる。これにより、電流ブロック層４の開口部４ａのＸ方向の幅（Ｗ２）のレーザ光を出射することができるので、端面発光型半導体レーザ１を高出力化することができる。
【００３６】
また、本実施形態では、電流ブロック層４の開口部４ａにおける半導体層３（電流拡散層３４）のＸ方向の中央部が露出するように、ｐ側電極５に開口部５ｃを形成することによって、ｐ側電極５の面積（体積）を小さくすることができるので、ｐ側電極５のキャパシタンスを小さくすることができる。これにより、端面発光型半導体レーザ１の応答速度（性能）を向上させることができる。
【００３７】
また、本実施形態では、活性層３２およびｐ側電極５の間に、ｐ型クラッド層３３および電流拡散層３４を設けることによって、電流がｐ側電極５から電流拡散層３４およびｐ型クラッド層３３を介して活性層３２に流れる際に、電流を、電流拡散層３４およびｐ型クラッド層３３によりＸ方向に拡散させながら通過させることができるので、活性層３２のＸ方向の中央部にも電流が流れやすくなる。これにより、本実施形態のように、ｐ側電極５が、開口部４ａにおける半導体層３（電流拡散層３４）のＸ方向の中央部が露出するように形成されている場合にも、開口部４ａが形成された領域における活性層３２のＸ方向の中央部の電流密度が小さくなるのを抑制することができるので、開口部４ａが形成された領域における活性層３２の電流密度を均一にすることができる。その結果、端面発光型半導体レーザ１から出射されるレーザ光の光密度やＮＦＰを均一にすることができるので、端面発光型半導体レーザ１の性能を、より向上させることができる。
【００３８】
また、本実施形態では、電流拡散層３４を、ｔ≧Ｗ１／５０の式を満たす厚みに形成することによって、電流がｐ側電極５から電流拡散層３４を介して活性層３２に流れる際に、電流を、電流拡散層３４によりＸ方向に、十分に拡散させながら通過させることができる。これにより、開口部４ａが形成された領域における活性層３２の電流密度を十分に均一にすることができるので、端面発光型半導体レーザ１から出射されるレーザ光の光密度やＮＦＰを十分に均一にすることができる。
【００３９】
また、本実施形態では、電流拡散層３４を、１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上のキャリア濃度を有するように構成することによって、電流がｐ側電極５から電流拡散層３４を介して活性層３２に流れる際に、電流を、電流拡散層３４によりＸ方向に、より十分に拡散させながら通過させることができる。これにより、開口部４ａにおける活性層３２の電流密度をより十分に均一にすることができるので、端面発光型半導体レーザ１から出射されるレーザ光の光密度やＮＦＰをより十分に均一にすることができる。
【００４０】
また、本実施形態では、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂを、互いに分離して形成することによって、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂが接続部などを介して一体的に形成されている場合に比べて、ｐ側電極５（一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂ）の面積（体積）をより小さくすることができる。これにより、ｐ側電極５のキャパシタンスをより小さくすることができるので、端面発光型半導体レーザ１の応答速度（性能）をより向上させることができる。また、一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂを、電流ブロック層４のＸ方向の端面、および、Ｙ方向の両端面から所定の距離を隔てて形成することによって、ｐ側電極５（一方電極部５ａおよび他方電極部５ｂ）の面積（体積）をさらに小さくすることができる。これにより、ｐ側電極５のキャパシタンスをさらに小さくすることができる。
【００４１】
また、本実施形態では、半導体層３を、高次モード（マルチモード）でレーザ光を発振するように構成することによって、端面発光型半導体レーザ１を、容易に、高出力化することができる。
【００４２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００４３】
たとえば、上記実施形態では、電流拡散層を、ｔ≧Ｗ１／５０の式を満たす厚みに形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、電流拡散層を、Ｗ１／５０よりも小さい厚みに形成してもよい。この場合、電流拡散層のキャリア濃度を大きくしたり、ｐ型クラッド層の厚みを大きくすれば、電流拡散層およびｐ型クラッド層により、電流をＸ方向に十分に拡散させることができるので、電流ブロック層の開口部が形成された領域における活性層の電流密度を十分に均一にすることができる。
【００４４】
また、上記実施形態では、電流拡散層を、約１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上のキャリア濃度を有するように構成した例について示したが、本発明はこれに限らず、電流拡散層を、約１．０×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3よりも小さいキャリア濃度を有するように構成してもよい。この場合、電流拡散層やｐ型クラッド層の厚みを大きくすれば、電流拡散層およびｐ型クラッド層により、電流をＸ方向に十分に拡散させることができるので、電流ブロック層の開口部が形成された領域における活性層の電流密度を十分に均一にすることができる。
【００４５】
また、上記実施形態では、ｐ側電極の開口部のＸ方向の幅Ｗ１を、約１５０μｍ〜約２４０μｍに形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、ｐ側電極の開口部のＸ方向の幅Ｗ１を、約１５０μｍ〜約２４０μｍよりも小さく、または、大きく形成してもよい。例えば、ｐ側電極の開口部のＸ方向の幅Ｗ１を、約１５０μｍ〜約２４０μｍよりも大きくする場合、端面発光型半導体レーザをさらに高出力化することができる。この場合、電流拡散層やｐ型クラッド層の厚みを大きくしたり、電流拡散層のキャリア濃度を大きくすれば、電流ブロック層の開口部が形成された領域における活性層の電流密度を十分に均一にすることができる。
【００４６】
また、上記実施形態では、ｐ側電極の一方電極部および他方電極部を、互いに分離して形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、ｐ側電極の一方電極部および他方電極部を、接続部などを介して一体的に形成してもよい。
【００４７】
また、上記実施形態では、電流ブロック層を、開口部を有する１つの層により形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、電流ブロック層を、互いに分離された一方電流ブロック部および他方電流ブロック部により形成してもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、一方電極部および他方電極部を、平面的に見て略長方形状に形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、一方電極部および他方電極部を、平面的に見て略長方形状以外の形状に形成してもよい。例えば、一方電極部および他方電極部の電流ブロック層上に形成されている部分のうち、Ａｕワイヤーが接続される部分だけを残してそれ以外の部分を除去してもよい。このように構成すれば、ｐ側電極（一方電極部および他方電極部）の面積（体積）を、さらに小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザの構造を示した平面図である。
【図２】図１の１００−１００線に沿った断面図である。
【図３】図１に示した本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザの構造を説明するための拡大断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の光密度を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態による端面発光型半導体レーザから出射されるレーザ光の光密度を説明するための図である。
【図６】特許文献１に開示された半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  端面発光型半導体レーザ
３  半導体層
３ａ  光導波路
４  電流ブロック層
４ａ  開口部
５  ｐ側電極（電極層）
５ａ  一方電極部
５ｂ  他方電極部
３２  活性層
３４  電流拡散層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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