(57)【要約】      （修正有）【課題】エアギャップを備えた過電圧保護装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】過電圧保護装置は、第１の基板と第２の基板内に延在されたエアギャップを利用することにより、過電圧保護を実施する。上記エアギャップは、上記第１の基板における第１の溝と上記第２の基板における第２の溝とから構成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の溝を有する第１の基板と、
前記第１の基板上に配置され、前記第１の溝により切り開かれて前記第１の基板内に延在する電極層と、
前記第１の溝と対向する位置にあり且つ前記第１の溝と同じ幅と長さを有する第２の溝を備え、前記第１の溝と前記第２の溝とを接合させるように前記第１の基板上に設けられる第２の基板と
を備える過電圧保護装置。
【請求項２】
前記電極層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より形成される請求項１に記載の過電圧保護装置。
【請求項３】
トリガー電圧を低減させるために、前記電極層にはさらにナノチューブが挿し込まれる請求項１に記載の過電圧保護装置。
【請求項４】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物である請求項３に記載の過電圧保護装置。
【請求項５】
前記第１の基板と第２の基板は絶縁材料より形成される請求項１に記載の過電圧保護装置。
【請求項６】
前記絶縁材料は、少なくともアルミニウム、チタニウムまたはシリコンを含む請求項５に記載の過電圧保護装置。
【請求項７】
前記電極層は、Ｉ形状またはＴ形状である請求項１に記載の過電圧保護装置。
【請求項８】
前記第１の溝は長さＬ２を有し、前記電極層は幅Ｌ１を有し、かつ、Ｌ２＞Ｌ１である請求項１に記載の過電圧保護装置。
【請求項９】
前記電極層は、前記第１の溝により、第１の端部を有する左電極層と、第２の端部を有する右電極層とに切り開かれており、前記第１の端と前記第２の端はそれぞれ尖端形状である請求項１に記載の過電圧保護装置。
【請求項１０】
第１の基板を作製する工程と、
前記第１の基板上に電極層を形成する工程と、
前記電極層を切り開いて前記第１の基板内に延在される第１の溝を形成する工程と、
前記第１の溝と対向する位置にあり且つ前記第１の溝と同じ幅と長さを有する第２の溝を備える第２の基板を作製する工程と、
前記第１の溝と前記第２の溝とを接合させるように前記第２の基板を前記第１の基板上に設ける工程と
を含む過電圧保護装置の製造方法。
【請求項１１】
さらに、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金や、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料により、前記電極層を形成する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、ナノチューブにより前記電極層を形成して、トリガー電圧を低減させる工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、絶縁材料より、前記第１の基板と第２の基板を形成する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記絶縁材料は、アルミニウム、チタニウムまたはシリコンを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の溝は長さＬ２を有し、前記電極層は幅Ｌ１を有し、かつ、Ｌ２＞Ｌ１である請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記電極層は、前記第１の溝により切り開かれて、第１の端部を有する左電極層と、第２の端部を有する右電極層を形成し、前記第１の端と前記第２の端はそれぞれ尖端形状である請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
第１の溝を有する第１の基板と、
積層して前記第１の基板上に配置され、少なくとも二つの電極層を含み、それぞれ二つの前記電極層の間に絶縁層が設けられ、前記第１の溝により切り開かれて第１の基板内に延在する多層構造と、
前記第１の溝と対向する位置にあり且つ前記第１の溝と同じ幅と長さを有する第２の溝を備え、前記第１の溝と前記第２の溝とを接合させるように前記第１の基板上に設けられる第２の基板と
を備える過電圧保護装置。
【請求項１９】
前記少なくとも二つの電極層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より形成される請求項１８に記載の過電圧保護装置
【請求項２０】
トリガー電圧を低下させるために、前記少なくとも二つの電極層の間にナノチューブが付加される請求項１８に記載の過電圧保護装置。
【請求項２１】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物である請求項２０に記載の過電圧保護装置。
【請求項２２】
前記第１の基板と第２の基板は、絶縁材料より形成される請求項１８に記載の過電圧保護装置。
【請求項２３】
前記絶縁材料は、少なくともアルミニウム、チタニウムまたはシリコンを含む請求項２２に記載の過電圧保護装置。
【請求項２４】
前記第１の溝は長さＬ２を有し、前記少なくとも二つの電極層は幅Ｌ１を有し、また、Ｌ２＞Ｌ１である請求項１８に記載の過電圧保護装置。
【請求項２５】
前記少なくとも二つの電極層は、前記第１の溝により切り開かれて、第１の端部を有する左電極層と第２の端部を有する右電極層を形成し、前記第１の端部と第２の端部は尖端形状である請求項１８に記載の過電圧保護装置。
【請求項２６】
第１の基板と、
前記第１の基板上に設けられる電極層と、
前記電極層に形成される第２の基板と
を備える過電圧保護装置において、
前記第２の基板と前記電極層を切り開いて第１の基板内に延在する溝と、
前記第２の基板を被覆する第３の基板と
を備える過電圧保護装置。
【請求項２７】
前記電極層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より形成される請求項２６に記載の過電圧保護装置。
【請求項２８】
トリガー電圧を低減させるために、前記電極層にナノチューブが挿し込まれることを含む請求項２６に記載の過電圧保護装置。
【請求項２９】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物から形成される請求項２８に記載の過電圧保護装置。
【請求項３０】
前記第１の基板、前記第２の基板及び前記第３の基板は、絶縁材料より形成される請求項２６に記載の過電圧保護装置。
【請求項３１】
前記絶縁材料は、少なくともアルミニウム、チタニウムまたはシリコンから形成される請求項３０に記載の過電圧保護装置。
【請求項３２】
前記電極層は、Ｉ形状またはＴ形状である請求項２６に記載の過電圧保護装置。
【請求項３３】
前記第１の溝は長さＬ２を有し、前記電極層は幅Ｌ１を有し、かつ、Ｌ２＞Ｌ１である請求項２６に記載の過電圧保護装置。
【請求項３４】
前記電極層は、前記溝により切り開かれて、第１の端部を有する左電極層と第２の端部を有する右電極層を形成し、前記第１の端部と第２の端部が尖端形状である請求項２６に記載の過電圧保護装置。
【請求項３５】
第１の基板を製作する工程と、
前記第１の基板上に電極層を形成する工程と、
前記電極層に第２の基板を形成する工程と、
前記第２の基板を切り開いて第１の基板内に延在する溝を形成する工程と、第３の基板により第２の基板を被覆する工程と
を含む過電圧保護装置の製造方法。
【請求項３６】
金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より、前記電極層を形成する請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
さらに、ナノチューブを用いて前記電極層を形成し、トリガー電圧を低減させる工程を含む請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物より形成される請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
さらに、絶縁材料より、前記第１の基板、第２の基板と第３の基板を形成する工程を含む請求項３５に記載の方法。
【請求項４０】
前記絶縁材料は、アルミニウム、チタニウムまたはシリコンである請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記電極層は、Ｉ形状またはＴ形状である請求項３５に記載の方法。
【請求項４２】
前記溝は長さＬ２を有し、前記電極層は幅Ｌ１を有し、かつ、Ｌ２＞Ｌ１である請求項３５に記載の方法。
【請求項４３】
前記電極層は、前記第１の溝開により切り開かれ、第１の端部を有する左電極層と第２の端部を有する右電極層を形成し、前記第１の端部と前記第２の端部は尖端形状である請求項３５に記載の方法。
【請求項４４】
第１の基板と、
前記第１の基板上に形成される電極層と、
前記電極層上に形成される第２の基板と、
を備える過電圧保護装置において、
前記第１の基板、前記第２の基板と前記電極層を切り開く溝と、
第２の基板を被覆する第３の基板と、
第１の基板の下に形成される第４の基板と
を備える過電圧保護装置。
【請求項４５】
前記電極層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より形成される請求項４４に記載の過電圧保護装置。
【請求項４６】
トリガー電圧を低減させるために、前記電極層にナノチューブが挿し込まれる請求項４４に記載の過電圧保護装置。
【請求項４７】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物である請求項４６に記載の過電圧保護装置。
【請求項４８】
前記第１の基板、第２の基板、第３の基板及び第４の基板は絶縁材料より形成される請求項４４に記載の過電圧保護装置。
【請求項４９】
前記絶縁材料は、少なくともアルミニウム、チタニウムまたはシリコンを含む請求項４８に記載の過電圧保護装置。
【請求項５０】
前記電極層は、Ｉ形状またはＴ形状である請求項４４に記載の過電圧保護装置。
【請求項５１】
前記溝は長さＬ２を有し、前記電極層は幅Ｌ１を有し、かつ、Ｌ２＞Ｌ１である請求項４４に記載の過電圧保護装置。
【請求項５２】
前記電極層は、前記溝により切り開かれ、第１の端部を有する左電極層と第２の端部を有する右電極層を形成し、前記第１の端部と前記第２の端部は尖端形状である請求項４４に記載の過電圧保護装置。
【請求項５３】
第１の基板を製作する工程と、
前記第１の基板上に電極層を形成する工程と、
前記電極層に第２の基板を形成する工程と、
前記第１の基板、前記第２の基板及び前記電極層を切り開く溝を形成する工程と、
第３の基板により前記第２の基板を被覆する工程と、
第１の基板の下に第４の基板を形成する工程と
を含む過電圧保護装置の製造方法。
【請求項５４】
さらに、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅の金属の一つ、そのいずれかの組み合せの合金、または、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より、前記電極層を形成する工程を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
さらに、ナノチューブを用いて前記電極層を形成し、トリガー電圧を低減させる工程を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５６】
前記ナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物から形成される請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
さらに、絶縁材料より、前記第１の基板、第２の基板、第３の基板及び第４の基板を形成する工程を含む請求項５３に記載の方法。
【請求項５８】
前記絶縁材料は、アルミニウム、チタニウムまたはシリコンから形成される請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
前記電極層は、Ｉ形状またはＴ形状である請求項５３に記載の方法。
【請求項６０】
前記溝は長さＬ２を有し、前記電極層は幅Ｌ１を有し、かつ、Ｌ２＞Ｌ１である請求項５３に記載の方法。
【請求項６１】
前記電極層は、前記第１の溝により切り開かれ、第１の端部を有する左電極層と第２の端部を有する右電極層を形成し、前記第１の端部と前記第２の端部は尖端形状である請求項５３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は過電圧保護装置に関し、特に、エアギャップを備えた過電圧保護装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
過電圧保護装置は、電圧異常または静電気放電（ＥＳＤ）による損害で故障しないように、電話機、ファックス機、モデムなどの各種の電子製品、特に電子通信機器において幅広く使用されている。
【０００３】
業界においては、例えば、過渡電圧抑制ダイオード（Ｔｒａｓｉｅｎｔ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｓｕｐｐｒｅｓｓ Ｄｉｏｄｅ，ＴＶＳＤ）装置、積層型バリスタ（Ｍｕｌｔｉ-Ｌａｙｅｒ Ｖａｒｉｓｔｏｒ，ＭＬＶ）装置などの様々な過電圧保護装置が開発されている。これらの装置が回線保護の設計を備えることにより、電子製品が過電圧に耐えることができる。それに加えて、中華民国特許第Ｉ２５３８８１号公報にも、厚膜プリントプロセスを利用し、二つの主な放電電極の間にマイクロギャップのホローエアチャンバーを形成することにより、過電圧保護の機能を付与するチップ型マイクロエアギャップ放電保護素子及びその製造方法が提案されている。しかし、上記過電圧保護の設計は、厚膜プリントプロセスにおいて、材料を一層プリントするごとに、焼結炉により焼結される必要があるので、プリントと焼結のプロセスを繰返し、手間がかなりかかるとともに、厚膜プリント層の厚さが一定の範囲にあるので、エアギャップの深さが制限されているという問題点が存在している。
【発明の開示】
【０００４】
本発明はこうした状況を鑑みて、上記問題点が改善され、業界の要求に応じることができるエアギャップ付き過電圧保護装置及びその製造方法を提供する。
【０００５】
本発明の一つの局面によれば、第１の基板と、この第１の基板上に形成される電極層と、この電極層を切り開いて上記第１の基板内に延在される第１の溝と、この第１の溝と対向する位置にあり且つ上記第１の溝と同じ幅や長さを有する第２の溝を備え、上記第１の溝と上記第２の溝とを接合させるように上記第１の基板上に設けられる第２の基板とを含む過電圧保護装置であって、上記第１の溝と上記第２の溝により、上記第１の基板と上記第２の基板内に延在されるエアギャップが形成される過電圧保護装置である。
【０００６】
上記エアギャップは過電圧保護を提供するもので、要求や仕様に応じてその寸法を調整することができる。例えば、上記エアギャップの深さや幅は、プロセスにより制限されない。
【０００７】
また、積層型プロセスを利用することにより、厚膜プリントプロセスにおける繰り返されたプリントと焼結のプロセスが省略される。本発明の製造方法は、厚膜プリントプロセスに比べて簡略化されている。
【０００８】
本発明の特徴の一つによれば、本発明による電極は内電極型であると、この放電端の先端が尖端端放電可能であるメリットを有し、これにより、装置のトリガー電圧が低減される。
【０００９】
本発明のさらなる特徴及び機能は、以下の実施形態及び図面の説明により更に詳しく理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ＡとＢは、それぞれ本発明の第１の実施形態による下基板を示す上面図及び側面図である。
【図２】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第１の実施形態による電極層を示す上面図及び側面図である。
【図３】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第１の実施形態による第１の溝を示す上面図及び側面図である。
【図４】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第１の実施形態による上基板を示す上面図及び側面図である。
【図５】本発明の上記第１の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す図である。
【図６】本発明の上記第１の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す斜視図である。
【図７】ＡとＢは、それぞれ本発明の第２の実施形態による下基板を示す上面図及び側面図である。
【図８】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第２の実施形態による電極層を示す上面図及び側面図である。
【図９】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第２の実施形態による絶縁層を示す上面図及び側面図である。
【図１０】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第２の実施形態による他の電極層を示す上面図及び側面図である。
【図１１】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第２の実施形態による第１の溝を示す上面図及び側面図である。
【図１２】Ａ及びＢは、それぞれ本発明の上記第２の実施形態による上基板を示す上面図及び側面図である。
【図１３】本発明の上記第２の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す図である。
【図１５】ＡとＢは、それぞれ本発明の第４の実施形態による第１の基板を示す上面図及び側面図である。
【図１６】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第４の実施形態による電極層を示す上面図及び側面図である。
【図１７】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第４の実施形態による第２の基板を示す上面図及び側面図である。
【図１８】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第４の実施形態による溝を示す上面図及び側面図である。
【図１９】Ａは本発明の上記第４の実施形態による第３の基板を示す上面図である。Ｂは本発明の上記第４の実施形態による過電圧保護装置を示す側面図である。
【図２０】ＡとＢは、それぞれ本発明の第５の実施形態による第１の基板を示す上面図及び側面図である。
【図２１】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第５の実施形態による電極層を示す上面図及び側面図である。
【図２２】ＡとＢは、それぞれ本発明の上記第５の実施形態による第２の基板を示す上面図及び側面図である。
【図２３】本発明の上記第５の実施形態による溝を示す側面図である。
【図２４】Ａは本発明の上記第５の実施形態による第３の基板を示す上面図である。Ｂは本発明の上記第５の実施形態による過電圧保護装置を示す側面図である。
【発明を実施する最良の形態】
【００１１】
図１Ａ〜図５は、本発明の第１の実施形態による過電圧保護装置構成を示す模式図である。この第１の実施形態における過電圧保護装置の形成方法は、第１の基板（１００）を作製する工程（図１Ａ及び１Ｂ参照）と、電極層（１１０）を形成する工程（図２Ａ及び２Ｂ参照）と、幅Ｌ１の上記電極層（１１０）を切り開いて上記第１の基板（１００）内に延在される、Ｌ１より大きいＬ２の長さを有する第１の溝（１２０）を形成する工程（図３Ａ及び３Ｂ参照）と、上記第１の溝（１２０）と対向する位置にあり且つ上記第１の溝と同じ幅及び長さを有する第２の溝（１４０）を備える第２の基板（１３０）を作製する工程（図４Ａ及び４Ｂ参照）と、上記第１の溝（１２０）と上記第２の溝（１４０）とを接合させるように上記第２の基板（１３０）を上記第１の基板（１００）上に設けることにより、上記過電圧保護装置を形成する工程とを含む。この装置は、上記第１の溝（１２０）と上記第２の溝（１４０）により、上記第１の基板（１００）と上記第２の基板（１３０）内に延在されるエアギャップ（１５０）を形成する。このエアギャップ（１５０）は上記第１の基板、上記電極層及び上記第２の基板に囲まれている（図５参照）。上記エアギャップ（１５０）は過電圧による損害を避けるように、過電圧保護を提供するものである。
【００１２】
図６は上記第１の実施形態の斜視図であり、上記第１の実施形態における各素子（１００，１１０，１３０，１５０）の相互関係及び構成を明らかに示し、本発明の技術的特徴がさらに理解されるようにする図である。上記電極層（１１０）は、左電極層（１１０ａ）と右電極層（１１０ｂ）に分けられる。左電極層（１１０ａ）及び右電極層（１１０ｂ）の隣り合った二つの端部（１１０ａ，１１０ｂ）は平面状である。他の実施形態において、これらの端部は尖端形状であってもよい。
【００１３】
図７Ａ〜図１３は、本発明の第２の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す模式図である。図７Ａ〜図１３に示すように、上記第２の実施形態の過電圧保護装置は多層構造を有し、その形成方法は、第１の基板（２００）を作製する工程（図７Ａ及び７Ｂ参照）と、電極層（２１０）を形成する工程（図８Ａ及び８Ｂ参照）と、上記電極層（２１０）上に絶縁層（２１５）を形成する工程（図９Ａ及び９Ｂ参照）と、上記絶縁層（２１５）上にさらに他の電極層（２１０ａ）を形成する工程（図１０Ａ及び１０Ｂ参照）とを含む。他の実施形態においては、過電圧保護装置は、上記の積層工程により形成された複数の電極層から構成され、電極層それぞれの間に絶縁層を形成し、多層構造を形成してもよい。
【００１４】
この実施形態の形成方法は、さらに、上記多層構成を切り開いて上記第１の基板（２００）内に延在される第１の溝（２２０）を形成する工程（図１１Ａ及び１１Ｂ参照）と、上記第１の溝（２２０）と対向する位置にあり且つ上記第１の溝と同じ幅と長さを有する第２の溝（２４０）を備える第２の基板（２３０）を作製する工程（図１２Ａ及び１２Ｂ参照）と、上記第１の溝（２２０）と上記第２の溝（２４０）とを接合させるように上記第２の基板（２３０）を上記第１の基板（２００）上に設ける工程とを含む。上記過電圧保護装置のエアギャップ（２５０）は、上記第１の溝（２２０）と上記第２の溝（２４０）により構成され、上記第１の基板（２００）及び上記第２の基板（２３０）内に延在され、上記第１の基板、上記多層構成及び上記第２の基板に囲まれている（図１３参照）。
【００１５】
図１４は本発明の第３の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す断面図であり、上記過電圧保護装置の構成及びプロセスについては、第１の電極層（３１０）とエアギャップ（３５０）が紙面と直交する方向に並行して配置されること以外、本発明の他の実施形態と同様である。上記第１の電極層（３１０）は接地してもよく、第２の電極層（３１０ａ）は例えばデータラインのような放電電極であってもよく、このようにして、中空的エアギャップを備えるフィードスルー（Ｆｅｅｄ-ｔｈｒｏｕｇｈ）型のエアギャップの過電圧保護装置が形成される。すなわち、上記第２の電極層（３１０ａ）は上記第１の電極層（３１０）に放電して、過電圧保護を実施することができる。
【００１６】
図１５Ａ〜図１９Ｂは、本発明の第４の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す模式図である。この第４の実施形態の過電圧保護装置の形成方法は、第１の基板（４００）を作製する工程（図１５Ａ及び１５Ｂ参照）と、この第１の基板（４００）上にＩ形状またはＴ形状でもよい電極層（４１０）を形成する工程（図１６Ａ及び１６Ｂ参照）と、上記電極層（４１０）上に第２の基板（４３０）を形成する工程（図１７Ａ及び１７Ｂ参照）と、上記第２の基板（４３０）と幅Ｌ１の上記電極層（４１０）を切り開いて上記第１の基板（４００）内に延在され、Ｌ１より大きいＬ２の長さを有し、上記電極層における尖端形状でもよい第１の端部と第２の端部とを構成する溝（４２０）を形成する工程（図１８Ａ及び１８Ｂ参照）と、第３の基板（４４０）を作製する工程（図１９Ａ参照）と、上記第３の基板（４４０）を上記第２の基板（４３０）上に設け、上記過電圧保護装置を形成する工程（図１９Ｂ参照）とを含む。上記溝（４２０）は上記第１の基板、上記電極層、上記第２の基板及び上記第３の基板により形を限定されて、過電圧による損害を避けるように、過電圧保護を実施する。
【００１７】
図２０Ａ〜２４Ｂは、本発明の第５の実施形態による過電圧保護装置の構成を示す模式図である。この第５の実施形態の過電圧保護装置の形成方法は、第１の基板（５００）を作製する工程（図２０Ａ及び２０Ｂ参照）と、この第１の基板（５００）上にＩ形状またはＴ形状でもよい電極層（５１０）を形成する工程（図２１Ａ及び２１Ｂ参照）と、この電極層（５１０）上に第２の基板（５３０）を形成する工程（図２２Ａ及び２２Ｂ参照）と、上記第１の基板（５００）、第２の基板（５３０）及び幅Ｌ１の上記電極層（５１０）を切り開き、Ｌ１より大きいＬ２の長さを有し、電極層における尖端形状でもよい第１の端部（５１１）と第２の端部（５１２）を構成する溝（５２０）を形成する工程（図２３参照）と、上記過電圧保護装置が形成されるように、それぞれ上記第２の基板（５３０）上と上記第１の基板（５００）上を被覆する第３の基板（５４０）（図２４Ａ参照）と第４の基板（５５０）（示せず）を作製する工程（図２４Ｂ参照）とを含む。上記溝（５２０）は上記第１の基板、上記電極層、上記第２の基板、第３の基板及び上記第４の基板により形を限定されて、過電圧による損害を避けるように、過電圧保護を実施する。
【００１８】
本発明による電極層は、金、銀、パラジウム、白金、タングステン、銅などの一つ、そのいずれかの組み合せの合金や、そのいずれかの組み合せを含む混合材料より形成されてもよく、この電極層はＩ形状またはＴ形状の電極であってもよい。また、上記第１の溝により電極層が第１の端部と第２の端部に切り開かれているが、この第１の端部とこの第２の端部はそれぞれ尖端形状で、尖端で放電する機能を有してもよい。さらに、トリガー電圧を低減させるために、上記電極層には、ナノチューブが挿し込まれてもよい。このナノチューブは、カーボンナノチューブ、アルミニウムナノチューブ、または、これらの混合物であってもよい。また、本発明による上基板と下基板はそれぞれ絶縁材料より形成されているが、積層型薄膜（Ｍｕｌｔｉ-ｌａｙｅｒ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ）であってもよい。上記絶縁材料は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）のようなアルミニウム、チタニウムや、シリコンを含んでもよい。
【００１９】
本発明の主旨を逸脱しない範囲における様々な変更や変形が本発明の構成に含まれることは、業者にとって明らかである。これにより、本発明は、上記変形や変更を含んで、下記の請求の範囲及びその均等物により限定されようとしている。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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