(57)【要約】【課題】  工程数を増やさずに、半導体チップに付着した粉塵を効率的に除去することができる半導体チップのピックアップ装置及び半導体チップのピックアップ方法を実現する。【解決手段】  ピックアップ装置１０は、半導体チップ２２ｃを吸着固定する吸着部１１ａと、割断面２２ｍの全周にわたって厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部１１ｂとが形成されたコレット１１を備えており、半導体チップ２２ｃの割断面２２ｍと覆い部１１ｂとの間に隙間２５を形成し、吸引装置１２に向かう気流Ｗを発生させることができる。気流Ｗにより割断面２２ｍから粉塵Ｐを脱離させて吸引装置１２により吸引除去することができる。続いて、吸着部１１ａに半導体チップ２２ｃを吸着固定し、粉塵Ｐの除去と半導体チップ２２ｃのピックアップとを同じ工程で行うことができる。【選択図】  図５
2009253019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレットと、前記コレットと接続され、真空吸引を行う吸引装置とを備えた半導体チップのピックアップ装置であって、
前記コレットは、前記半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、前記半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する吸着部と、前記吸着部の開口端から先端方向に延長して形成され、前記半導体チップの割断面の全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部と、前記吸引装置と連通する吸引部と、を備えており、
前記吸引装置による吸引時に、前記半導体チップを覆って、前記半導体チップの割断面と前記覆い部との間に、前記吸引部と接続された空間を形成し、この空間内を前記吸引装置により吸引することにより、前記空間から前記吸引装置に向かう気流を発生させ、この気流により前記割断面に付着した粉塵を前記割断面から脱離させて、この脱離した粉塵を前記吸引装置により吸引除去した後に、前記吸着部に前記半導体チップを前記半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定することを特徴とする半導体装置のピックアップ装置。
【請求項２】
前記吸着部のうち、前記半導体チップの周縁部と当接する部分に、前記周縁部に生じる応力を緩和する緩衝部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のピックアップ装置。
【請求項３】
前記コレットは、前記覆い部の先端から繊維状の材料により内側に傾斜して形成されたブラシ部を備え、前記ブラシ部は、前記コレットにより前記半導体チップを覆うときに前記割断面に接触して掃引可能に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置のピックアップ装置。
【請求項４】
半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレットと、前記コレットと接続され、真空吸引を行う吸引装置とを備えた半導体チップのピックアップ装置であって、前記コレットは、前記半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、前記半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する吸着部と、前記吸着部の開口端から先端方向に延長して形成され、前記半導体チップの割断面の全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部と、前記吸引装置と連通する吸引部と、を備えた半導体装置のピックアップ装置を用意し、
前記半導体チップが前記吸着部と接触しない状態で前記コレットにより前記半導体装置を覆って前記吸引装置で吸引することにより、前記半導体チップの割断面に付着した粉塵を吸引除去する工程と、
前記半導体チップの周縁部を前記吸着部と接触させて前記半導体チップを吸着固定する工程と、を備えたことを特徴とする半導体チップのピックアップ方法。
【請求項５】
前記吸着部のうち、前記半導体チップの周縁部と当接する部分に、前記周縁部に生じる応力を緩和する緩衝部が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体チップのピックアップ方法。
【請求項６】
前記コレットは、前記覆い部の先端から繊維状の材料により内側に傾斜して形成されたブラシ部を備え、前記ブラシ部は、前記コレットにより前記半導体チップを覆うときに前記割断面に接触して掃引可能に設けられていることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体チップのピックアップ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップを吸着して搬送する半導体チップのピックアップ装置及び半導体チップのピックアップ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）を形成したシリコンウェハ（以下、ウェハという）を各々の半導体チップに分離するダイシング工程では、レーザ光を用いたダイシング工程（レーザダイシング）の検討や研究が進められており、例えば、下記特許文献１にレーザによるウェハの加工技術が開示されている。
レーザダイシングでは、まず、レーザ光の集光点をウェハ内部に形成されるように設定して、レーザ光を照射する。これにより、集光点を中心として光学的損傷による改質領域が形成される。続いて、半導体チップを吸引チャックにより吸着し、ウェハを裏面から固定するダイシングシートを半導体チップが押し上げられるように加圧することで、ウェハの面内方向に応力を負荷することにより、改質領域を起点にして厚さ方向にクラックを進展させて、半導体チップをウェハより分割する。
ところで、このようなレーザダイシングでは、半導体チップの割断の際に、改質領域の一部が欠けるなどにより、割断面に粉塵が発生する。そのため、特許文献１の開示技術では、エアブロー装置や吸引装置を設けることにより、半導体チップの切断分離の際に発生する粉塵を吸引可能にしている。
【特許文献１】特開２００３−１０９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、このような粉塵を吸引可能にするエアブロー装置や吸引装置は、半導体チップの表面側から粉塵をブローまたは吸引する構成を採用している。そのため、空気の流れが半導体チップの上方に向かうため、吸引途中の粉塵が半導体チップ上の空間で舞う可能性もあることから、半導体チップの上方で舞った粉塵が広範囲に亘って割断中の半導体チップ上に飛散してしまい、製品の歩留まりや品質を低下させ得るという問題がある。また、半導体チップをピックアップする工程に加えて、エアブロー装置や吸引装置を作動させる工程も必要となる。
【０００４】
そこで、この発明は、工程数を増やさずに、半導体チップに付着した粉塵を効率的に除去することができる半導体チップのピックアップ装置及び半導体チップのピックアップ方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレットと、前記コレットと接続され、真空吸引を行う吸引装置とを備えた半導体チップのピックアップ装置であって、前記コレットは、前記半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、前記半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する吸着部と、前記吸着部の開口端から先端方向に延長して形成され、前記半導体チップの割断面の全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部と、前記吸引装置と連通する吸引部と、を備えており、前記吸引装置による吸引時に、前記半導体チップを覆って、前記半導体チップの割断面と前記覆い部との間に、前記吸引部と接続された空間を形成し、この空間内を前記吸引装置により吸引することにより、前記空間から前記吸引装置に向かう気流を発生させ、この気流により前記割断面に付着した粉塵を前記割断面から脱離させて、脱離した粉塵を前記吸引装置により吸引除去した後に、前記吸着部に前記半導体チップを前記半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する、という技術的手段を用いる。
【０００６】
請求項１に記載の発明によれば、半導体チップのピックアップ装置は、半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する吸着部と、吸着部の開口端から先端方向に延長して形成され、半導体チップの割断面の全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部と、吸引装置と連通する吸引部と、を備えた、半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレットを備えており、吸引装置による吸引時に、半導体チップを覆って、半導体チップの割断面と覆い部との間に、吸引部と接続された空間を形成し、この空間内を吸引装置により吸引することにより、当該空間から吸引装置に向かう流れの速い気流を発生させることができる。この気流により割断面に付着した粉塵を割断面から脱離させて、脱離した粉塵を吸引装置により吸引除去することにより、割断面に付着した粉塵を効率的に除去することができる。また、除去された粉塵は、吸引装置によりコレットの外部に吸引除去されるため、エアブローなどにより除去する場合と異なり、粉塵が飛散して他の半導体チップを汚染することがない。
続いて、吸着部に半導体チップの周縁部を当接させて半導体チップを吸着固定することができるため、粉塵の除去を半導体チップのピックアップと同じ工程で行うことができ、効率的である。
【０００７】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置のピックアップ装置において、前記吸着部のうち、前記半導体チップの周縁部と当接する部分に、前記周縁部に生じる応力を緩和する緩衝部が形成されている、という技術的手段を用いる。
【０００８】
請求項２に記載の発明によれば、吸着部のうち、半導体チップの周縁部と当接する部分に、周縁部に生じる応力を緩和する緩衝部が形成されているため、半導体チップを吸着部に吸着固定する際に半導体チップの周縁部に過大な応力が負荷されることを防ぐことができるので、エッジが欠けにくく好適である。
【０００９】
請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載の半導体装置のピックアップ装置において、前記コレットは、前記覆い部の先端から繊維状の材料により内側に傾斜して形成されたブラシ部を備え、前記ブラシ部は、前記コレットにより前記半導体チップを覆うときに前記割断面に接触して掃引可能に設けられている、という技術的手段を用いる。
【００１０】
請求項３に記載の発明によれば、コレットにより半導体チップを覆うときに、ブラシ部により半導体チップの割断面に接触して掃引することができるため、割断面から粉塵を機械的に脱離させて吸引除去することができるので、より効率的に粉塵を除去することができる。
【００１１】
請求項４に記載の発明では、半導体装置のピックアップ方法において、半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレットと、前記コレットと接続され、真空吸引を行う吸引装置とを備えた半導体チップのピックアップ装置であって、前記コレットは、前記半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、前記半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する吸着部と、前記吸着部の開口端から先端方向に延長して形成され、前記半導体チップの割断面の全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部と、前記吸引装置と連通する吸引部と、を備えた半導体装置のピックアップ装置を用意し、前記半導体チップが前記吸着部と接触しない状態で前記コレットにより前記半導体装置を覆って前記吸引装置で吸引することにより、前記半導体チップの割断面に付着した粉塵を吸引除去する工程と、前記半導体チップの周縁部を前記吸着部と接触させて前記半導体チップを吸着固定する工程と、を備えた、という技術的手段を用いる。
【００１２】
請求項４に記載の発明によれば、半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、半導体チップの周縁部を当接させて吸着固定する吸着部と、吸着部の開口端から先端方向に延長して形成され、半導体チップの割断面の全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部と、吸引装置と連通する吸引部と、を備えた、半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレットを備えた半導体チップのピックアップ装置を用意し、半導体チップが吸着部と接触しない状態でコレットにより半導体装置を覆って吸引装置で吸引することにより、半導体チップの割断面と覆い部との間に、吸引部と接続された空間を形成し、当該空間から吸引装置に向かう流れの速い気流を発生させることができる。この気流により割断面に付着した粉塵を割断面から脱離させて、脱離した粉塵を吸引装置により吸引除去することにより、割断面に付着した粉塵を効率的に除去することができる。また、除去された粉塵は、吸引装置によりコレットの外部に吸引除去されるため、エアブローなどにより除去する場合と異なり、粉塵が飛散して他の半導体チップを汚染することがない。
続いて、吸着部に半導体チップの周縁部を当接させて半導体チップを吸着固定することができるため、粉塵の除去を半導体チップのピックアップと同じ工程で行うことができ、効率的である。
【００１３】
請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の半導体装置のピックアップ方法において、前記吸着部のうち、前記半導体チップの周縁部と当接する部分に、前記周縁部に生じる応力を緩和する緩衝部が形成されて、という技術的手段を用いる。
【００１４】
請求項５に記載の発明によれば、吸着部のうち、半導体チップの周縁部と当接する部分に、周縁部に生じる応力を緩和する緩衝部が形成されているため、半導体チップを吸着部に吸着固定する際に半導体チップの周縁部に過大な応力が負荷されることを防ぐことができるので、エッジが欠けにくく好適である。
【００１５】
請求項６に記載の発明では、請求項４または請求項５に記載の半導体装置のピックアップ方法において、前記コレットは、前記覆い部の先端から繊維状の材料により内側に傾斜して形成されたブラシ部を備え、前記ブラシ部は、前記コレットにより前記半導体チップを覆うときに前記割断面に接触して掃引可能に設けられている、という技術的手段を用いる。
【００１６】
請求項６に記載の発明によれば、コレットにより半導体チップを覆うときに、ブラシ部により半導体チップの割断面に接触して掃引することができるため、割断面から粉塵を機械的に脱離させて吸引除去することができるので、より効率的に粉塵を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
この発明に係るピックアップ装置及びピックアップ方法の第１実施形態について、図を参照して説明する。
図１は、半導体基板の構成例を示す模式図である。図１（Ａ）は、フレームに保持されているシートに接着された半導体基板の平面説明図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の１Ｂ−１Ｂ矢視断面図である。図２は、半導体基板にレーザ光の照射を行う半導体チップの製造装置の説明図である。図３は、半導体チップの分割方法の説明図である。図４は、第１実施形態のピックアップ装置の説明図である。図４（Ａ）は、ピックアップ装置の模式図及びコレットの断面説明図であり、図４（Ｂ）は、コレットをＡ方向から見た平面説明図である。図５は、第１実施形態の半導体チップのピックアップ方法の説明図である。
なお、いずれの図においても、説明のために一部を拡大して誇張して示している。
【００１８】
まず、図１（Ａ）に示すように、ウェハ２０を用意する。ウェハ２０には、シリコンからなる薄板円盤形状の半導体基板２１が備えられており、その外周の一部には、結晶方位を示すオリエンテーションフラットＯＦが形成されている。この半導体基板２１の基板面２１ａには、拡散工程等を経て形成された半導体素子２４を有する複数の半導体チップ２２が碁盤の目のように整列配置されている。なお、以下の説明において、半導体基板２１から分割されておらず、本来、分割された後に半導体チップとなる部分についても半導体チップと呼ぶ。これらの半導体チップ２２は、ダイシング工程により分割予定ラインＤＬに沿って厚さ方向にそれぞれ分割された後、マウント工程、ボンディング工程、封入工程等といった各工程を経ることによってパッケージされたＩＣやＬＳＩとして完成する。
半導体基板２１は、基板面２１ａの裏面２１ｂが延伸性を有する樹脂製のシート４１に接着されており、シート４１が張った状態でシート４１の外周部が円環状のフレーム４２により保持されている。
【００１９】
各半導体素子２４間の基板面２１ａには、半導体基板２１を厚さ方向に分割する予定のラインである分割予定ラインＤＬ１〜ＤＬ１４が設定されている。分割予定ラインＤＬ１〜ＤＬ７は、オリエンテーションフラットＯＦに略垂直方向にそれぞれ平行して設定されており、分割予定ラインＤＬ８〜ＤＬ１４は、オリエンテーションフラットＯＦに略平行方向にそれぞれ平行して設定されている。つまり、各半導体素子２４は、その周囲の４辺を分割予定ラインＤＬにより囲まれている。
図１（Ｂ）に示すように、１Ｂ−１Ｂライン上には、６つの半導体チップ２２ａ〜２２ｆが形成されている。半導体基板２１の基板面には、７本の分割予定ラインＤＬ１〜ＤＬ７及び分割予定ラインＤＬ１１、ＤＬ１２（図１（Ａ））が設定されている。分割予定ラインＤＬ１〜ＤＬ７に対応する厚さ方向には、分割の起点となる改質領域Ｋ１〜Ｋ７が後述する方法により形成される。同様に、分割予定ラインＤＬ１１、ＤＬ１２（図１（Ａ））に対応する厚さ方向には、図示しない改質領域が形成される。
【００２０】
図２に示すように、半導体チップの製造装置１には、レーザ光Ｌを照射するレーザヘッド３１が設けられている。レーザヘッド３１は、レーザ光Ｌを集光する集光レンズ３２を備えており、レーザ光Ｌを所定の焦点距離で集光させることができる。ここでは、レーザ光Ｌの集光点Ｐが半導体基板２１の基板面２１ａから深さｄの箇所に形成されるように設定されている。
【００２１】
半導体基板２１内部に改質領域Ｋを形成するためには、まず、図１（Ａ）に示す分割予定ラインＤＬの１つを、半導体基板検出用のレーザ光で走査し、レーザ光Ｌの照射範囲を設定する。
続いて、図２に示すように、レーザヘッド３１を分割予定ラインＤＬに沿って走査し（図中矢印Ｆ４方向）、レーザ光Ｌを基板面２１ａから照射することにより、レーザ光Ｌの集光点Ｐが走査された深さｄの経路に、多光子吸収による改質領域Ｋが適正に形成される。レーザ光Ｌの集光点Ｐの深さｄを調整することにより、半導体基板２１の厚さの範囲内で任意の深さに任意の層数の改質領域Ｋを形成することができる。例えば、厚さが比較的厚い場合は、その厚さ方向へ集光点Ｐを移動させて改質領域Ｋを厚さ方向に連続状、または複数箇所に形成することにより、半導体基板２１の分割を容易にすることができる。
ここで、多光子吸収とは、物質が複数個の同種もしくは異種の光子を吸収することをいう。その多光子吸収により、半導体基板Ｗの集光点Ｐおよびその近傍では、光学的損傷という現象が発生し、これにより熱ひずみが誘起され、その部分にクラックが発生し、そのクラックが集合した層、つまり改質領域Ｋが形成される。
【００２２】
続いて、半導体基板２１に応力を負荷することにより、改質領域Ｋを起点にして、基板厚さ方向にクラックを進展させて、半導体基板２１を分割予定ラインＤＬに沿って厚さ方向に分割する。ここでは、図１（Ｂ）に示すように、１Ｂ−１Ｂライン上に配置されている６個の半導体チップ２２ａ〜２２ｆのうち、分割後の半導体チップ２２ｃをピックアップする工程について説明する。
【００２３】
図３（Ａ）に示すように、半導体基板２１は、分割予定ラインＤＬ１〜ＤＬ７に対応した改質領域Ｋ１〜Ｋ７及び分割予定ラインＤＬ１１、ＤＬ１２（図１（Ａ））に対応した図示しない改質領域が導入され、シート４１に接着されている。ここで、シ−ト４１を保持するフレーム４２は図示しない固定手段にて動かないように固定されている。
【００２４】
そして、図３（Ｂ）に示すように、半導体基板２１の下方に配置され、図示しない移動手段により上下方向に移動する押圧装置Ｍを用いて、シート４１の裏側から半導体基板２１を押し上げるように押圧することにより、シート４１が面方向（Ｆ１、Ｆ２方向）に引き伸ばされる。これにより、シート４１に接着された半導体基板２１には、面方向に応力が負荷されるため、半導体基板２１は複数の半導体チップ２２ａ〜２２ｆに分割される。このとき、主に半導体チップ２２ａ〜２２ｆの割断面２２ｍから発塵するため、割断面２２ｍに粉塵Ｐが付着する。
【００２５】
分割された半導体チップ２２ａ〜２２ｆは、ピックアップ装置１０を用いてハンドリングされる。図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ピックアップ装置１０は、半導体チップを吸着して保持するコレット１１と、コレット１１と接続され、真空吸引を行う吸引装置１２と、コレット１１を移動させる移動装置１３とを備えている。
【００２６】
コレット１１には、半導体チップに向かって四角錘状に傾斜して開口形成され、半導体チップの周縁部２２ｓを当接させて吸着固定する吸着部１１ａと、吸着部１１ａの開口端から先端方向に延長して形成され、半導体チップの割断面２２ｍの全周にわたって厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部１１ｂと、吸引装置１２と連通する吸引部１１ｃと、が設けられている。
【００２７】
コレット１１は、ステンレス鋼など金属材料により形成されており、吸着部１１ａのうち、半導体チップと当接する部分には、ゴムや軟質樹脂などからなる緩衝部１１ｄが形成されている。これによれば、半導体チップが吸着固定される際に半導体チップの周縁部２２ｓに過大な応力が負荷されることを防ぐことができるので、エッジが欠けにくく好適である。覆い部１１ｂは、隣接する半導体チップ間に挿入可能な厚さ、例えば５０〜５００μｍであり、コレット１１で半導体チップを覆ったときに、対向する割断面２２ｍとの間に隙間を形成するように設けられている。
【００２８】
ピックアップ装置１０を用いて半導体チップ２２ｃをピックアップするためには、まず、図５（Ａ）に示すように、半導体チップ２２ｃの上方に、コレット１１を配置し、吸引装置１２により真空吸引を開始する。なお、このとき、シート４１の下方からニードルなどにより半導体チップ２２ｃを押し上げて、ピックアップしやすくしてもよい。
【００２９】
次に、移動装置１３によりコレット１１を下降させて半導体チップ２２ｃの上方から接近させ、隣接する半導体チップ２２ｂ、２２ｄの割断面２２ｍとの間に覆い部１１ｂを挿入し、覆い部１１ｂが半導体チップ２２ｃの４つの割断面２２ｍを覆うように半導体チップ２２ｃに被せる。ここで、コレット１１の吸着部１１ａは、まだ半導体チップ２２ｃの周縁部２２ｓには当接しておらず、覆い部１１ｂと割断面２２ｍとの隙間２５と、吸着部１１ａと半導体チップ２２ｃとで囲まれた空間２６とが連通している。
【００３０】
吸引装置１２により吸引部１１ｃを介して空間２６の空気を吸引することにより空間２６が減圧されるため、空間２６と連通する隙間２５から外気が導入される。隙間２５は狭い空間であるため、流れの速い上向きの気流Ｗが生じる。気流Ｗにより、割断面２２ｍに付着していた粉塵Ｐを効率的に割断面２２ｍから脱離させることができる。割断面２２ｍから脱離した粉塵Ｐは気流Ｗに乗り、吸引装置１２によりコレット１１の外部に吸引除去される。
【００３１】
ここで、粉塵Ｐを除去するために十分な時間を確保することができれば、コレット１１を下降させる方法は任意である。例えば、コレット１１を一定時間保持してもよいし、停止させずにゆっくりとした速度で下降させてもよい。また、ステップ状に下降と保持とを繰り返してもよい。
【００３２】
続いて図５（Ｂ）に示すように、コレット１１を更に下降させて、吸着部１１ａの緩衝部１１ｄにおいて半導体チップ２２ｃの周縁部２２ｓを当接させる。これにより、空間２６と隙間２５とが遮断され、吸引装置１２により空間２６の内部を減圧することにより、半導体チップ２２ｃを吸着固定することができる。続いて、コレット１１を移動装置１３により上昇させて、半導体チップ２２ｃをシート４１から外し、半導体チップ２２ｃを吸着した状態で実装工程に移送する。
その他の半導体チップ２２ａ、２２ｂ、２２ｄ〜２２ｆについても同様な操作を行うことにより、それぞれ実装工程に移送することができる。
【００３３】
上述の工程によれば、コレット１１の覆い部１１ｂと半導体チップ２２ｃの割断面２２ｍとの間に隙間２５を形成することにより、流れの速い上向きの気流Ｗが生じさせることができ、この気流Ｗにより割断面２２ｍに付着した粉塵Ｐを効率的に除去することができる。また、除去された粉塵Ｐは、吸引装置１２により気流Ｗに乗り、コレット１１の外部に吸引除去されるため、エアブローなどにより除去する場合と異なり、粉塵Ｐが飛散して他の半導体チップを汚染することがない。更に、粉塵Ｐの除去を半導体チップ２２ｃのピックアップと同じ工程で行うことができ、効率的である。
【００３４】
（変更例）
コレット１１を用いて吸引する際に、イオナイザーでイオンエアーを割断面２２ｍ近傍に吹き付けると、静電気力で付着した粉塵Ｐが割断面２２ｍから脱離しやすくなるため、より効率的に粉塵Ｐを除去することができる。
【００３５】
コレット１１は一体的に形成してもよいし、各部位毎に異なる材料により形成してもよい。例えば、吸着部１１ａのみをゴムなどの軟質材料により形成し、他の部位を金属材料で形成してもよい。この場合、緩衝部１１ｄは形成する必要はない。
【００３６】
［第１実施形態の効果］
（１）第１実施形態のピックアップ装置１０及びピックアップ方法によれば、ピックアップ装置１０が、半導体チップ２２ｃの周縁部２２ｓを当接させて吸着固定する吸着部１１ａと、吸着部１１ａの開口端から先端方向に延長して形成され、半導体チップ２２ｃの割断面２２ｍの全周にわたって、厚さ方向の少なくとも一部を覆うことができるように形成された覆い部１１ｂと、吸引装置１２と連通する吸引部１１ｃと、を備えた、半導体ウェハから割断されて形成された半導体チップを吸着して保持するコレット１１を備えており、吸引装置１２による吸引時に、半導体チップ２２ｃを覆って、半導体チップ２２ｃの割断面２２ｍと覆い部１１ｂとの間に、吸引部１１ｃと接続された隙間２５を形成し、この隙間２５内を吸引装置１２により吸引することにより、隙間２５から吸引装置１２に向かう流れの速い気流Ｗを発生させることができる。この気流Ｗにより割断面２２ｍに付着した粉塵Ｐを割断面２２ｍから脱離させて、脱離した粉塵Ｐを吸引装置１２により吸引除去することにより、割断面２２ｍに付着した粉塵Ｐを効率的に除去することができる。また、除去された粉塵Ｐは、吸引装置１２によりコレット１１の外部に吸引除去されるため、エアブローなどにより除去する場合と異なり、粉塵が飛散して他の半導体チップを汚染することがない。
続いて、吸着部１１ａに半導体チップ２２ｃの周縁部２２ｓを当接させて半導体チップ２２ｃを吸着固定することができるため、粉塵の除去を半導体チップ２２ｃのピックアップと同じ工程で行うことができ、効率的である。
【００３７】
（２）吸着部１１ａのうち、半導体チップ２２ｃの周縁部２２ｓと当接する部分に、周縁部２２ｓに生じる応力を緩和する緩衝部１１ｄが形成されているため、半導体チップ２２ｃを吸着部１１ａに吸着固定する際に半導体チップ２２ｃの周縁部２２ｓに過大な応力が負荷されることを防ぐことができるので、エッジが欠けにくく好適である。
【００３８】
[第２実施形態]
この発明に係る半導体チップの製造装置及び製造方法の第２実施形態について、図６を参照して説明する。図６は、第２実施形態のピックアップ装置の説明図である。なお、第１実施形態と同様の構成については、同じ符号を使用するとともに説明を省略する。
【００３９】
第２実施形態のピックアップ装置５０では、覆い部１１ｂの先端に半導体チップを傷つけない柔らかい繊維状の材料で形成されたブラシ部１１ｅが設けられている。本実施形態では、ブラシ部１１ｅは直径１０〜２００μｍのナイロン繊維により形成されている。ブラシ部１１ｅは、先端が内側に向かって傾斜して形成されており、コレット１１を半導体チップ２２ｃに被せた際に、各割断面２２ｍに接触して掃引可能に設けられている。本実施形態では、ブラシ部１１ｅは、先端の５０μｍ程度が各割断面２２ｍに接触するように形成されている。
【００４０】
このピックアップ装置５０によれば、図５（Ａ）に示した工程において、ブラシ部１１ｅが割断面２２ｍを掃引し、粉塵Ｐを機械的に割断面２２ｍから脱離させることができる。ブラシ部１１ｅにより機械的に割断面２２ｍから脱離された粉塵Ｐは、ブラシ部１１ｅの隙間から吸引装置１２により吸引除去される。つまり、気流Ｗの力に加えて、ブラシ部１１ｅにより機械的に割断面２２ｍから脱離させて吸引除去することができるので、より効率的に粉塵Ｐを除去することができる。
【００４１】
[第２実施形態の効果]
第２実施形態のピックアップ装置５０及びピックアップ方法によれば、第１実施形態のピックアップ装置及びピックアップ方法と同様の効果を奏することができるとともに、ブラシ部１１ｅにより粉塵Ｐを機械的に割断面２２ｍから脱離させて吸引除去することができるので、より効率的に粉塵Ｐを除去することができる。
【００４２】
（その他の実施形態）
上述した実施形態では、半導体基板２１のダイシング方法としてレーザダイシング法を用いたが、これに限定されるものではない。例えば、ダイヤモンドブレードにより半導体基板２１にノッチを形成するダイシング方法により分割した半導体チップのピックアップに適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】半導体基板の構成例を示す模式図である。図１（Ａ）は、フレームに保持されているシートに接着された半導体基板の平面説明図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の１Ｂ−１Ｂ矢視断面図である。
【図２】半導体基板にレーザ光の照射を行う半導体チップの製造装置の説明図である。
【図３】半導体チップの分割方法の説明図である。
【図４】第１実施形態のピックアップ装置の説明図である。図４（Ａ）は、ピックアップ装置の模式図及びコレットの断面説明図であり、図４（Ｂ）は、コレットをＡ方向から見た平面説明図である。
【図５】第１実施形態の半導体チップのピックアップ方法の説明図である。
【図６】第２実施形態のピックアップ装置の説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    ピックアップ装置
１１    コレット
１１ａ  吸着部
１１ｂ  覆い部
１１ｃ  吸引部
１１ｄ  緩衝部
１１ｅ  ブラシ部
１２    吸引装置
１３    移動装置
２１    半導体基板
２２、２２ａ〜２２ｆ    半導体チップ
２２ｍ  割断面
２２ｓ  周縁部
２４    半導体素子
２５    隙間
２６    空間
３１    レーザヘッド
４１    シート
ＤＬ、ＤＬ１〜ＤＬ７    分割予定ライン
Ｋ、Ｋ１〜Ｋ７    改質領域（領域）
Ｌ    レーザ光
Ｍ    押圧装置
Ｐ    集光点
Ｗ    気流
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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