(57)【要約】【課題】  ウェハからのチップ取れ個数を増加させるとともに、高精度のアライメントが可能なレチクルおよびそのレチクルを用いた露光方法を提供する。【解決手段】  複数チップ領域２の両側に第１アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク９を設け、第1アライメントマーク配置領域と第２アライメント配置領域とを合わせた大きさとチップ領域１の大きさを同じにする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一レチクル基板上に、第1方向の辺と前記第1方向に直交する第２方向の辺に囲まれた矩形のチップ領域と、第1方向の辺と第２方向の辺に囲まれた矩形の第1アライメントマーク配置領域と、第1方向の辺と第２方向の辺に囲まれた矩形の第２アライメントマーク配置領域と、前記チップ領域の周囲に設けられたスクライブライン領域と、前記第１アライメントマーク配置領域および前記第２アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺と隣接して設けられたスクライブライン領域とを備え、複数個の前記チップ領域を有する複数チップ領域の前記第２方向の一端部には前記スクライブライン領域を介して前記第1アライメントマーク配置領域が隣接し、前記複数チップ領域の前記第２方向の他端部には前記スクライブライン領域を介して前記第２アライメントマーク配置領域が隣接し、前記第1アライメントマーク配置領域および前記第２アライメント配置領域には少なくともアライメントマークが配置され、前記第1アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さと前記第２アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さとの和は、前記チップ領域の前記第２方向の辺の長さと同等もしくはそれ以下である縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項２】
同一レチクル基板上に、第1方向の辺と前記第1方向に直交する第２方向の辺に囲まれた矩形のチップ領域と、第1方向の辺と第２方向の辺に囲まれた矩形の第1アライメントマーク配置領域と、第1方向の辺と第２方向の辺に囲まれた矩形の第２アライメントマーク配置領域と、前記チップ領域と前記第１アライメントマーク配置領域および前記第２アライメントマーク配置領域の周囲に設けられたスクライブライン領域とを備え、複数個の前記チップ領域を有する複数チップ領域の前記第２方向の一端部には前記スクライブライン領域を介して前記第1アライメントマーク配置領域が隣接し、前記複数チップ領域の前記第２方向の他端部には前記スクライブライン領域を介して前記第２アライメントマーク配置領域が隣接し、前記第1アライメントマーク配置領域および前記第２アライメント配置領域には少なくともアライメントマークが配置され、前記第1アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さと前記第２アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さと前記スクライブライン領域の第２方向の長さとの和は、前記チップ領域の第２方向の長さと同等もしくはそれ以下である縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項３】
前記複数チップ領域は、複数の行列からなる格子形状に配列された前記チップ領域からなる請求項１または２に記載の縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項４】
前記スクライブライン領域にはアライメントマークまたは特性評価用素子パターンが配置されていない請求項１乃至３のいずれか一項記載の縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項５】
前記第1アライメントマーク配置領域および前記第２アライメントマーク配置領域にはアライメントマークが形成されるほか、重ね合わせ測定用パターンが形成される請求項１乃至３のいずれか一項記載の縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項６】
前記スクライブライン領域は１〜４０μｍである請求項１乃至３のいずれか一項記載の縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項７】
前記同一レチクル基板上は、特性評価用素子パターン領域も備えており、前記特性評価用素子パターン領域の第２方向長さは前記チップ領域の第２方向長さと同等である請求項１乃至３のいずれか一項記載の縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項８】
レチクル基板と
第1方向の辺と第２方向の辺とを有する矩形のチップ領域と、前記チップ領域の4辺の周囲に配置されたスクライブライン領域とが、前記レチクル基板上に繰り返し複数配置された複数チップ領域と、
前記複数チップ領域の一方の端部の外側に前記スクライブライン領域のうちの一つを介して配置された第1方向の辺と第２方向の辺とを有する矩形の第1アライメントマーク配置領域と、
前記複数チップ領域の他方の端部の外側に前記スクライブライン領域のうちの他の一つを介して配置された第1方向の辺と第２方向の辺とを有する矩形の第２アライメントマーク配置領域と、からなり、
前記第1アライメントマーク配置領域および前記第２アライメント配置領域には少なくともアライメントマークが配置され、
前記第1アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さと前記第２アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さとの和は、前記チップ領域の前記第２方向の辺の長さと同等もしくはそれ以下である縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項９】
レチクル基板と
第1方向の辺と第２方向の辺とを有する矩形のチップ領域と、前記チップ領域の4辺の周囲に配置されたスクライブライン領域とが、前記レチクル基板上に繰り返し複数配置された複数チップ領域と、
前記複数チップ領域の一方の端部の外側に前記スクライブライン領域のうちの一つを介して配置された第1方向の辺と第２方向の辺とを有する矩形の第1アライメントマーク配置領域と、
前記第1アライメントマーク配置領域のさらに外側に配置された第２のスクライブライン領域と、
前記複数チップ領域の他方の端部の外側に前記スクライブライン領域のうちの他の一つを介して配置された第1方向の辺と第２方向の辺とを有する矩形の第２アライメントマーク配置領域と、
前記第２アライメントマーク配置領域のさらに外側に配置された第３のスクライブライン領域と、からなり、
前記第1アライメントマーク配置領域および前記第２アライメント配置領域には少なくともアライメントマークが配置され、
前記第1アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さと前記第２アライメントマーク配置領域の前記第２方向の辺の長さと前記第２のスクライブライン領域の第２方向の長さと前記第３のスクライブライン領域の第２方向の長さの和は、前記チップ領域の前記第２方向の辺の長さと同等もしくはそれ以下である縮小投影露光装置用レチクル。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項記載の縮小投影露光装置用レチクルを用いて、ウェハ上に前記チップ領域と前記第１アライメントマーク配置領域と前記第２アライメントマーク配置領域とを同時にパターニングする露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、縮小投影露光装置用レチクルおよび露光方法、特には、レチクル上のアライメントマークの配置およびそれを用いた露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造には縮小投影露光装置を用いるのが主流である。縮小投影露光装置には露光原版であるレチクル基板が搭載され、レチクル基板上に形成されているパターンが縮小投影されてウェハ上に転写される。レチクル基板上には、通常、チップ、アライメントマーク、そしてトランジスタやダイオードなどの基本的素子の特性を評価するためのプロセス制御用のモジュール（ＰＣＭ）が配置されている。
【０００３】
従来は、チップとＰＣＭはレチクル基板上の別領域に形成し、アライメントマークはチップ領域やＰＣＭ領域に配置されていた。チップ領域にアライメントマークを配置した場合はチップサイズが大きくなり、一枚のウェハから得られるチップ取れ個数が減少するという問題がある。また、ウェハ上に形成されるＰＣＭは１個から数個であるため、ＰＣＭ領域にアライメントマークを配置した場合にはアライメント精度が悪いと問題がある。これら問題を解消するためにスクライブラインの中にアライメントマークを配置するという方法が提案されている。（例えば、特許文献１を参照）
しかしながら、スクライブラインの中にアライメントマークを配置する方法ではダイシング時に発生する金属切り粉を防止できないという問題が新たに発生することになった。これに対し、アライメントマーク配置領域を設けることでこの問題に対処するという方法も提案されている。(例えば、特許文献２を参照)
【特許文献１】特開平３−１８０１２号公報
【特許文献２】特開２００５−２８３６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献２に記載された方法ではアライメントマークがレチクルの片側一列のみに配置されているため、高精度のアライメントが困難である。アライメントのずれ成分には並進成分、回転成分、倍率成分などがあるが、この内、並進成分以外の補正は十分にできないという問題がある。補正が十分でなければ、アライメント許容値を大きくとる必要があり、延いては、半導体チップの小型化を阻害してチップ取れ個数を減じることになる。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑み成されたもので、ウェハから得られるチップ取れ個数を多くすることが可能であるレチクルおよびそれを用いた露光方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の縮小投影露光装置用レチクルは、同一レチクル基板上に、第1方向の辺と前記第1方向に直交する第２方向の辺に囲まれた矩形のチップ領域と、第1方向の辺と前記第２方向の辺に囲まれた矩形の第1アライメントマーク配置領域と、第1方向の辺と前記第２方向の辺に囲まれた矩形の第２アライメントマーク配置領域と、チップ領域の周囲に設けられたスクライブライン領域と、第１アライメントマーク配置領域および第２アライメントマーク配置領域の第２方向の辺と隣接して設けられたスクライブライン領域とを備え、複数個の前記チップ領域を有する複数チップ領域の前記第２方向の一端部にはスクライブライン領域を介して第1アライメントマーク配置領域が隣接し、第２方向の他端部にはスクライブライン領域を介して第２アライメントマーク配置領域が隣接し、前記第1アライメントマーク配置領域および第２アライメント配置領域には少なくともアライメントマークが配置され、第1アライメントマーク配置領域の第２方向の長さと、第２アライメントマーク配置領域の第２方向の長さとの和は、チップ領域の第２方向の長さと同等もしくはそれ以下であることとした。
【０００７】
また、同一レチクル基板上に、第1方向の辺と前記第1方向に直交する第２方向の辺に囲まれた矩形のチップ領域と、第1方向の辺と第２方向の辺に囲まれた矩形の第1アライメントマーク配置領域と、第1方向の辺と前記第２方向の辺に囲まれた矩形の第２アライメントマーク配置領域と、チップ領域と第１アライメントマーク配置領域および第２アライメントマーク配置領域の周囲に設けられたスクライブライン領域とを備え、複数個のチップ領域を有する複数チップ領域の前記第２方向の一端部にはスクライブライン領域を介して第1アライメントマーク配置領域が隣接し、複数チップ領域の前記第２方向の他端部にはスクライブライン領域を介して第２アライメントマーク配置領域が隣接し、第1アライメントマーク配置領域および第２アライメント配置領域には少なくともアライメントマークが配置され、第1アライメントマーク配置領域の第２方向の長さと、第２アライメントマーク配置領域の第２方向の長さとスクライブライン領域の第２方向長さ（幅）との和は、チップ領域の第２方向の長さと同等もしくはそれ以下同じであることとした。
【０００８】
さらには、上記縮小投影露光装置用レチクルを用いて露光する場合には、ウェハ上に前記チップ領域と第１アライメントマーク配置領域と第２アライメントマーク配置領域とを同時にパターニングすることを特徴とする露光方法とした。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の縮小投影露光装置用レチクルでは、チップ領域の半分以下の大きさのアライメントマーク配置領域を複数チップ領域の両側に配置することで、高精度のアライメントが可能となり、半導体チップの小型化が図れる。また、スクライブラインの中にアライメントマークやＰＣＭが配置されていないため、スクライブライン領域の幅を狭くできる。このため、小型チップや細長いチップが配置されている場合には、ウェハからのチップ取れ個数を増やすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は、本発明の実施例１に係る縮小投影露光装置用レチクルの平面図である。レチクル基板１００は、透明な合成石英などの低膨張材からなり、その一方の面に遮光性を有する酸化クロムなどの膜でパターンが形成されている。通常、酸化クロム膜の付着している面側をペリクル膜で保護して使用するが、図１はペリクル膜の無い状態で図示している。
【００１２】
通常、縮小投影露光法ではレチクル上のパターンの大きさとウェハ上に転写されたパターンの大きさは異なるが、良く使われるのは１／５縮小という倍率である。この倍率の場合は例えばレチクル上の寸法が１００μmであれば、ウェハ上には２０μmに縮小されて転写されることになる。以後の説明では、寸法を示す値はウェハ上に転写された時のものとして表現する。
【００１３】
レチクル基板１００の一面上には、第1方向（Ｙ方向）に細長いチップ領域１が第２方向（Ｘ方向）にＮ個形成され、複数チップ領域２が形成されている。チップ領域１は第１方向（Ｙ方向）の２つの辺と第２方向（Ｘ方向）の２辺に囲まれた矩形であり、その周囲にはスクライブライン領域３が配置されている。スクライブライン領域３の幅は一般には１〜１１０μmであり、好ましくは１〜４０μmである。図１ではスクライブライン領域３の幅は２０μmに設定し、アライメントマークや特性評価用素子パターン（ＴＥＧ）などはスクライブライン領域３には配置していない。アライメントマークや特性評価用素子パターン（ＴＥＧ）はシリコン基板上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの比較的硬い膜や金属膜などの粘りのある材料を積層して形成されているが、これらのアライメントマークが形成されているスクライブライン領域をダイシングソーでチップ分割すると、アライメントマークを形成する積層膜が剥れたり、チップクラックが生じたり、さらにはダイサーの刃の寿命を傷めると言った問題があるが、本発明のようにスクライブラインのアライメントマークを配置しないとすることでこれらの問題が解消できる。
【００１４】
また、アライメントマークが無ければ、それによる制約が無いのでスクライブライン領域をより狭くすることが可能になる。現在、チップ分割（ダイシング）にはダイシングソーを使用することが主流であり、切断代やチップクラックを考慮して最低でも５０μm程度の幅を必要としているが、ステルスダイシングに代表されるようなレーザー法を用いれば、スクライブライン幅を極めて狭くすることができ、５０μm未満の幅とすることも可能となる。これによりチップ幅に対するスクライブライン幅の比を従来技術より小さくすることができ、チップの面付け効率が向上し、チップ取れ個数が増加することになる。
【００１５】
スクライブライン領域３を介して、隣り合うチップ領域１が配置され、さらにスクライブライン領域３を介して隣り合うチップ領域１が配置されるというようにレチクル基板１００上にはなるべく多くのチップ領域１が配置される。縮小投影露光法では１枚のウェハに複数回の露光光の照射を行うが、レチクル基板１００上にパターン形成された領域が大きいほど露光光の照射回数が少なく生産効率が良いので、このようになるべく多くのチップ領域１を配置することとなる。
【００１６】
チップ領域１が第２方向（Ｘ方向）にＮ個配置されて形成された複数チップ領域２の一方の端部（左端部）にはスクライブライン領域３を挟んで第１アライメントマーク配置領域８を配置する。第１アライメントマーク配置領域８は第１方向（Ｙ方向）の２つの辺と第２方向（Ｘ方向）の２辺に囲まれた矩形であり、その第１方向の辺の長さはチップ領域１の第１方向の辺の長さと同じであるが、その第２方向の辺の長さはチップ領域１の第２方向の辺の長さの半分である。また、複数チップ領域２の他方の端部（右端部）にはスクライブライン領域３を挟んで第２アライメントマーク配置領域９を配置する。第２アライメントマーク配置領域９は第１方向（Ｙ方向）の２つの辺と第２方向（Ｘ方向）の２辺に囲まれた矩形であり、その第１方向の辺の長さはチップ領域１の第１方向の辺の長さと同じであるが、その第２方向の辺の長さはチップ領域１の第２方向の辺の長さの半分である。すなわち、第１アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９の縦横の長さは同じである。
【００１７】
複数チップ領域２と第１アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９の上側には上端スクライブライン領域６が、下側に下端スクライブライン領域７が配置されている。第２アライメントマーク配置領域９のさらに右側には、スクライブライン領域３に囲まれた特性評価用素子パターン領域１１が第1ブレード領域１３と第２ブレード領域１４に挟まれて配置されている。特性評価用素子パターン領域１１の第２方向（Ｘ方向）長さはチップ領域１の第２方向（Ｘ方向）長さと同等であるのが望ましい。特性評価用素子パターン領域１１の中に図示はしないがトランジスタ、ダイオード、抵抗などの特性評価用素子パターン（ＴＥＧ）が配置されている。因みに、第１ブレード領域１３と第２ブレード領域１４には露光光を透過させないように酸化クロム膜が被着されている。
【００１８】
次に、上記レチクル基板１００を用いて、ウェハ上にパターニングする一方法について図２を利用して説明する。縮小投影露光法ではレチクル上のパターンが縮小されて転写されるので、レチクル上でパターン領域が１００ｍｍ角の大きさであってもウェハ上では２０ｍｍ角になってしまう。このためウェハ上には複数回の露光を行って露光が完了する。一度の露光でパターニングされる領域をショットと呼ぶが、６インチウェハであれば、６０ショット前後の露光を繰り返すことになる。図２のウェハ２１上にはショットＡ（１６）とショットＢ（１７）とショットＣ（１８）が図示されている。
【００１９】
ショットＡ（１６）には複数チップ領域２と第1アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９とスクライブライン領域３が配置されており、隣り合うショットＡとの間にはスクライブライン領域３は無い。すなわち、あるショットの第１アライメントマーク８は隣り合うショットの第２アライメントマーク９と直接接触して形成される。このように配置するためには以下のような手順で露光を行う。
【００２０】
まず、縮小投影露光装置のレチクル搭載部に図１に示すレチクルをセットする。次に所定のステッパープログラムを読み込み、ローダーから運ばれたウェハをウェハチャック上にセットする。ステッパープログラムをスタートさせると、レチクル上のアライメントマークとウェハ上のアライメントマークを利用してアライメント（重ね合わせ）を行う。この時、レチクル側とウェハ側のアライメントマークは共にショットの両側に配置されているのでショットの並進成分、回転成分、倍率成分などのずれを補正でき高精度のアライメントが可能である。もし、第１アライメントマーク配置領域だけを有し第２アライメントマーク配置領域が無いとするとショットの並進成分のみの補正しかできず、高精度なアライメントを要求される場合には対応できない。
【００２１】
特許文献２に示された発明では、レチクル内の縦一列にのみアライメントマークを配置するとしているが、このような場合には回転成分や倍率成分の補正ができないため、アライメントの高精度化が図れずアライメント許容値を大きく取る必要がある。このため半導体チップの小型化を図ることができず、チップ取れ個数を減じることになる。
【００２２】
アライメントが終了したら、レチクル上のパターニングしたい領域のみを上下左右４枚のブレードで囲んで光照射し、ブレードにて開口された部分のみをウェハ上に転写（パターニング）する。一つの露光が終了したら、ウェハは次のショット位置まで移動し、アライメントと露光を繰り返す。ウェハ全面の露光を終えたらウェハをアンロードし次工程へ移る。
【００２３】
以上はダイバイダイ方式にて説明したが、ウェハ面内の複数ショットとのアライメントを行ってから露光とウェハの移動を繰り返すという方式もある。図２のようなレイアウトにする場合は、まず、４枚のブレードのうち、左側ブレードは第１アライメントマーク配置領域８の左側に、右側ブレードは第２アライメントマーク配置領域９の右側（第１ブレード領域１１内）に、上側ブレードは上端スクライブライン領域６の上側に、下側ブレードは下端スクライブライン７の下側になるようにレチクル上の領域を囲い光照射する。左右の隣り合うショットを露光する場合は第１アライメントマーク配置領域８の左端と第２アライメントマーク配置領域９の右端とが接触するようにウェハ移動を行う。また、上下の隣り合うショットを露光する場合は上端スクライブライン領域６と下端スクライブライン領域７が重なり合うようにすることで、上下の隣り合うショット１５間には２０μm幅のスクライブライン領域が形成される。
【００２４】
図２に示すショットＢ（１７）には特性評価用素子パターン領域のみがパターニングされているが、第1ブレード領域１３に左側ブレードを置き、第２ブレード領域１４に右側ブレードを置き、上側ブレードは上端スクライブライン領域６の上側に、下側ブレードは下端スクライブライン７の下側になるようにレチクル上の領域を囲い光照射する。このとき、隣り合うショットとスクライブライン領域を共有するようにする。ショットＣ（１８）はダミーショットと呼ばれるもので、チップやＴＥＧが形成されない部分である。なお、各々のショットを形成する順番は、処理時間等を考慮して決めれば良い。
【００２５】
以上のように、図１に示すレチクル基板１００を用いて露光することで、高精度のアライメントが可能となり、半導体チップの小型化が図れる。また、スクライブラインの中にアライメントマークやＰＣＭが配置されていないため、スクライブライン領域の幅を狭くすることができる。このため、小型チップや細長いチップが配置されている場合には、ウェハからのチップ取れ個数を増やすことが可能となる。
【００２６】
上記では、アライメントマーク配置領域の第２方向長さがチップ領域の第２方向長さのちょうど半分である実施例について説明したが、必ずしもそうである必要はなく、アライメントマーク配置領域の第２方向長さがチップ領域の第２方向長さの半分以下であっても良い。このようにすると、チップ分割ピッチが同一ではなくなるが、ウェハ上のアライメントマーク配置領域の占有面積が小さくなり、チップ取れ個数が益々増加するということになる。
【００２７】
図３は、本発明の実施例２に係る縮小投影露光装置用レチクルの平面図である。
【００２８】
図１に示したレチクルと異なる点は、第１アライメントマーク配置領域８の左側には左端スクライブライン領域４、第２アライメントマーク配置領域９の右側には右端スクライブライン領域５が配置されており、第１アライメントマーク配置領域８の第２方向長さと第２アライメントマーク配置領域９の第２方向長さとスクライブライン領域の第２方向長さ(スクライブ幅）の和がチップ領域１の第２方向長さと同じになるようにしてある点である。なお、第1アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９の第２方向の長さは異なっても良いが、この中には同様のアライメントマーク１０が配置されるので同じ長さであることが望ましい。この例を具体的な数値で説明すると、チップ領域の第２方向長さを２００μmで、スクライブライン領域の第２方向長さが２０μmであれば、第１アライメントマーク配置領域と第２アライメントマーク配置領域の第２方向長さはそれぞれ９０μmということになる。
【００２９】
実施例２では、２つのアライメントマーク配置領域とスクライブライン領域の第２方向長さがチップ領域の第２方向長さと同じである例について説明したが、必ずしもそうである必要はなく、前述の長さの和がチップ領域の第２方向長さよりも小さくても構わない。このようにすることで、ウェハ上のアライメントマーク配置領域の占有面積が小さくなり、チップ取れ個数が益々増加するということになる。
【００３０】
図３に示すレチクル基板を用いて、ウェハ上にパターニングする方法は、図１に示すレチクル基板を用いてパターニングする方法に類似するが、隣り合うショットＡ（１６）を配置する方法が幾分異なる。図１のレチクル基板では、あるショットの第１アライメントマーク配置領域８と隣り合うショットの第２アライメントマーク配置領域９が直接接触するように配置したが、図３のレチクル基板では、あるショットの第１アライメントマーク配置領域８と隣り合うショットの第２アライメントマーク配置領域９が一つのスクライブライン領域を共有するように、左端スクライブライン領域４と右端スクライブライン領域５とが重なり合うように露光する。このようにすると、第１アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９をスクライブライン領域で分割することが可能となり、後の解析などに便利となる。
【００３１】
図３のレチクルを用いると、図２に示すようなレイアウトとすることも可能であるが、図６に示すようなレイアウトとすることも可能である。
【００３２】
図６に示すウェハ２１の表面にはショットＡ（１６）とショットＣ（１８）とショットＤ（１９）およびショットE（２０）が図示されている。ショットＡ（１６）には複数チップ領域２と第1アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９とスクライブライン領域３と共に配置されており、ショットＤ（１９）には、複数チップ領域２と第1アライメントマーク配置領域８と第２アライメントマーク配置領域９とスクライブライン領域３のほか特性評価用素子パターン領域１１も同時に配置されている。図中の斜線部はショットＤ（１９）に含まれている特性評価用素子パターン領域を示している。ショットＥ（２０）は、上下に位置するショットＡ（１６）と右端位置が揃うように配置されている。このように、特性評価用素子パターン領域があってもショットの格子をずらさないという単純なレイアウトとすることが可能である。
【００３３】
図４は、本発明の実施例３に係る縮小投影露光装置用レチクルの平面図である。
【００３４】
図１に示したレチクルと異なる点は、チップ領域が第1方向に２個配置されているところである。第1アライメントマーク配置領域８は上下に２分割され、第２アライメントマーク配置領域９も上下2分割され、同様に特性評価素子パターン領域１１も上下に２分割される。上下２分割された領域の間には、複数チップ領域２同様、スクライブライン領域３が形成される。このようにすることで、チップ分割する際の障害となるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、金属膜などがチップ分割部分に無く、スムーズなチップ分割が可能となる。すなわち、チップ分割時のチップクラックや膜剥れの防止、ウェハからのチップ取れ個数の増加、さらには、高精度にアライメントすることが可能になる。図４では、２×Ｎのチップ配列を例にして説明したが、第１方向の辺の長さがさらに短く、レチクル基板上にＭ個×Ｎ個を格子状に配列するという小型チップでも、図４同様に、チップ領域に合わせてアライメントマーク配置領域や特性評価用素子パターン領域を分割すれば良い。
【００３５】
図５は、アライメントマーク配置領域８、９の詳細を示したものである。アライメントマーク配置領域内にはＸ方向、Ｙ方向のずれを検知するためのアライメントマーク１０のほか、バーニアなどの重ね合わせ測定用パターン１５を収納しても良いし、余裕があれば、さらに別のマークなどを配置しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例１に係る縮小投影露光装置用レチクルの平面図である。
【図２】レチクルを用いてウェハ上にパターニングした図である。
【図３】本発明の実施例２に係る縮小投影露光装置用レチクルの平面図である。
【図４】本発明の実施例３に係る縮小投影露光装置用レチクルの平面図である。
【図５】本発明のアライメントマーク配置領域の詳細図である。
【図６】レチクルを用いてウェハ上にパターニングした図である。
【符号の説明】
【００３７】
１    チップ領域
２    複数チップ領域
３    スクライブライン領域
４    左端スクライブライン領域
５    右端スクライブライン領域
６    上端スクライブライン領域
７    下端スクライブライン領域
８    第１アライメントマーク配置領域
９    第２アライメントマーク配置領域
１０  アライメントマーク
１１  特性評価用素子パターン領域
１３  第1ブレード領域
１４  第２ブレード領域
１５  重ね合わせ測定用パターン
１６  ショットＡ
１７  ショットＢ
１８  ショットＣ
１９  ショットＤ
２０  ショットＥ
２１  ウェハ
１００  レチクル基板
【図１】
2009216844.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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