(57)【要約】【課題】高反射率のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた高光反射機能を併せ持つ金属ベース回路基板を提供する。【解決手段】  （Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートと、（Ｂ）（メタ）アクリル化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、（Ｄ）エポキシ化合物と、（Ｅ）熱硬化用硬化剤と、（Ｆ）熱硬化用硬化触媒と、（Ｇ）無機粉末と、（Ｈ）有機溶剤と、を含むことを特徴とする白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物、並びに金属箔上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板において、上記絶縁層と、上記回路上とに上記のソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けた金属ベース回路基板。本発明によれば、光反射率の高いソルダーレジスト塗膜を形成することができ、またＬＥＤ実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。【選択図】図１
2009194222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートと、（Ｂ）（メタ）アクリル化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、（Ｄ）エポキシ化合物と、（Ｅ）熱硬化用硬化剤と、（Ｆ）熱硬化用硬化触媒と、（Ｇ）無機粉末と、（Ｈ）有機溶剤と、を含むことを特徴とする白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項２】
前記無機粉末（Ｇ）が、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、タルク、マイカ、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム又は酸化アルミニウムを単体でまたは２種以上の組み合わせで含むことを特徴とする請求項１に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項３】
前記無機粉末（Ｇ）が、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを単体でまたは２種以上の組み合わせで含むことを特徴とする請求項１に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項４】
前記無機粉末（Ｇ）が、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを２種以上の組み合わせで含むことを特徴とする請求項１に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項５】
前記（Ｇ）無機粉末の配合量が、前記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレート、前記（Ｂ）アクリル化合物、前記（Ｄ）エポキシ化合物の合計を１００質量部としたとき、３５０質量部以上７００質量部以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項６】
前記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物が、末端アクリロイル基シルセスオキサン誘導体を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項７】
可視光の４６０ｎｍ、５２５ｎｍ及び６２０ｎｍにおいて、反射率がいずれも８５％以上であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物。
【請求項８】
金属箔上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板において、前記絶縁層と、前記回路上とに請求項１ないし７のいずれか一項に記載の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いてソルダーレジスト膜を形成して得られる金属ベース回路基板。
【請求項９】
前記絶縁層の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上４Ｗ／ｍＫ以下である請求項８に記載の金属ベース回路基板。
【請求項１０】
前記絶縁層が酸無水物若しくはフェノール類を含有する請求項８に記載の金属ベース回路基板。
【請求項１１】
前記絶縁層が二官能性エポキシ樹脂を含有する請求項８ないし９のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。
【請求項１２】
前記二官能型エポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素当量が０．８倍以上１倍以下となるように酸無水物若しくはフェノール類を含有する請求項１１に記載の金属ベース回路基板。
【請求項１３】
前記絶縁層が熱硬化性樹脂を２５体積％以上５０体積％以下含有し、残部が０．６μｍ以上２．４μｍ以下及び５μｍ以上２０μｍ以下の２種類の平均粒径を持ち、且つ形状が球状、破砕状若しくは鱗片状の無機粉末である請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物、及びそれを用いた金属ベース回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置は、様々の分野で使用されており、特にパーソナルコンピューターやテレビ等の電子産業分野では数多く使用されてきた。これらの液晶表示装置のなかで、特に直下型のバックライトシステムを採用しているものは、液晶パネルの背面にバックライトを配置しており、該バックライトは光源からの出射光を導光板に入射させ、その伝播した光を導光板の表面側からプリズムシート等を介して出射させることによって、液晶パネルの背面を全体的に照射するようにしている。バックライトの光源としては、ＣＦＬ（冷陰極管）といわれる小型の蛍光管や発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を使用したものが多い。しかし、近年環境面への配慮から、水銀を使用しているＣＦＬに替わってＬＥＤを光源としたバックライトが広がりつつある。
【０００３】
加えて、テレビ向けの液晶表示装置のさらなる大面積化が望まれており、このためには大光量が必要である。従って、可能な限り多くの光量を液晶部分に供給する必要がある。このため、バックライトから供給する光量を最大化するためには、ＬＥＤからの出射光のみならず反射光を有効利用する必要がある。反射光を有効利用するためには、光反射シートを用いることが一般的である。
【０００４】
従来、光源としてＬＥＤを用いた直下型バックライト用の光反射シートの使用法としてはプリント回路基板上にＬＥＤパッケージを実装し、さらに、該プリント回路基板上に光反射シートを貼り付けていた。このように、プリント回路基板と光反射シートは別々の物とされていた（特許文献１）。
【０００５】
また従来のソルダーレジスト膜を有するプリント配線板は、ＬＥＤの光の利用効率を上げるための光反射シート代替までには至っていない（特許文献２〜９）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３１００１４号公報
【特許文献２】特公平１−５４３９０号公報
【特許文献３】特公平７−１７７３７号公報
【特許文献４】特開平９−１８３９２０号公報
【特許文献５】特開２００５−１０８８９６号公報
【特許文献６】特開２００５−３１１２３３号公報
【特許文献７】特開２００６−９６９６２号公報
【特許文献８】特開２００７−１０１８３０号公報
【特許文献９】特開２００７−３２２５４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来、直下型バックライト用のＬＥＤパッケージ実装用プリント回路基板には、光反射機能がないため、バックライト用のプリント回路基板として使用する場合は、ＬＥＤパッケージ実装後に光反射シートを貼り付ける必要があった。このため、製造時の工数及び必要部材の増加により、製造プロセス上取り扱いが煩雑になり、不便であるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、光反射率の高い白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物、及びそれを用いた全く新しい金属ベース回路基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートと、（Ｂ）（メタ）アクリル化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、（Ｄ）エポキシ化合物と、（Ｅ）熱硬化用硬化剤と、（Ｆ）熱硬化用硬化触媒と、（Ｇ）無機粉末と、（Ｈ）有機溶剤と、を含むことを特徴とする白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物が提供される。
【００１０】
このような組成によれば、光反射率の高い塗膜を形成することができるソルダーレジスト組成物が得られる。これらの結果、電子部品の高品質化や信頼性の向上等を図ることができる。
【００１１】
更に本発明によれば、金属箔上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に回路を形成した金属ベース回路基板において、上記絶縁層と、上記回路上とに上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いてソルダーレジスト膜を形成して得られる金属ベース回路基板が提供される。
【００１２】
このような回路基板は、光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができるため、製造工程の簡易化や必要部材の削減等により生産性の向上等を図ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ソルダーレジスト組成物の組成を上記配合とすることにより、光反射率の高いソルダーレジスト塗膜を形成することができ、またＬＥＤ実装後に光反射シートを貼り付けなくても、金属ベース回路基板のみで反射光を有効利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
＜用語の説明＞
本明細書において、白色とは、４００〜８００ｎｍの可視光領域において、連続的に高い反射率、例えば反射光に対する入射光の光強度の比において８０％以上、で反射されることを意味する。
本明細書において、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物とは、
アルカリ現像が可能であって、且つ、光硬化及び／又は熱硬化が可能なソルダーレジスト組成物を意味する。
本明細書において、ソルダーレジスト組成物とは、回路基板等の半田付けを行う時に、半田付けが不要な部分を保護するための耐熱性コーティング材を意味する。
本明細書において、（メタ）アクリレートとは、メタアクリレートとアクリレートの総称である。
本明細書において、「〜」なる記載は、定義される範囲の下限及び上限の数値も含み、「下限数値以上であって上限数値以下」の範囲を意味する。
本明細書において、分子量とは、ゲルパーミエイションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣという）等で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量を意味する。
【００１６】
＜実施の形態＞
＜ソルダーレジスト組成物＞
本発明の一実施形態に係る白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートと、（Ｂ）（メタ）アクリル化合物と、（Ｃ）光重合開始剤と、（Ｄ）エポキシ化合物と、（Ｅ）熱硬化用硬化剤と、（Ｆ）熱硬化用硬化触媒と、（Ｇ）無機粉末と、（Ｈ）有機溶剤と、を含む。
【００１７】
上記組成によれば、光反射率の高いソルダーレジスト塗膜を形成することができるソルダーレジスト組成物を提供することができる。
【００１８】
＜（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレート＞
上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートは、とくに限定されず、芳香環を持たず、カルボキシル基を有する樹脂であればよい。
上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、ダイセル・サイテック（株）製の酸基含有アクリレート、製品名ＣＹＣＬＯＭＥＲ（ＡＣＡ２００Ｍ、ＡＣＡ２３０ＡＡ、ＡＣＡＺ２５０、ＡＣＡＺ２５１、ＡＣＡＺ３００、ＡＣＡＺ３２０）、大阪有機化学工業（株）の製品名ＡＧＯＲ４１２０、ＯＲＧＡ４０６０等を挙げることができる。これらの芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１９】
上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートは、その樹脂酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲にあることが好ましい。樹脂酸価が３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の場合、弱アルカリ水溶液での未露光部分の除去が容易である。また、樹脂酸価が１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であれば、硬化被膜の耐水性、電気特性等が向上される。
【００２０】
また、上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートの重量平均分子量は、５，０００〜１００，０００の範囲にあることが好ましい。重量平均分子量が５，０００以上であれば、指触乾燥性が良好である。また、重量平均分子量が１００，０００以下であれば、現像性、貯蔵安定性が向上される。
【００２１】
＜（Ｂ）（メタ）アクリル化合物＞
上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物は、特に限定されず、アクリル化合物及び／又はメタアクリル化合物を意味する。
上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物としては、例えば、エチレングリコール、メトキシテトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコールのモノ又はジアクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチルアクリレートなどのヒドロキシアルキルアクリレート類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミドなどのアクリルアミド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレートなどのアミノアルキルアクリレート類；ヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリス−ヒドロキシエチルイソシアヌレートなどの多価アルコール又はこれらのエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイド付加物の多価アクリレート類；フェノキシアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート及び、これらのフェノール類のエチレンオキサイドあるいはプロピレンオキサイド付加物などのアクリレート類；グルセリンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルなどのグリシジルエーテルのアクリレート類；メラミンアクリレート；及び／又は上記アクリレート類に対応するメタクリレート類、トリシクロデシルメタクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールグリシジルエーテルアクリレート、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルのアクリル酸変性物、テトラヒドロフルフリルアクリレート、末端アクリロイル基シルセスキオキサン誘導体等を挙げることができる。これらの（メタ）アクリル化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、末端アクリロイル基シルセスキオキサン誘導体等が透明性に優れるため好ましい。
【００２２】
上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物の配合量は、上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレート１００質量部対して好ましくは３００〜８５０質量部、特に好ましくは４００〜８００質量部である。上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物の配合量が３００質量部以上又は４００質量部以上の場合、耐熱性が向上する。一方、上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物の配合量が、８５０質量部以下又は８００質量部以下の場合、アルカリ現像時の白色膜溶解性が向上するため好ましい。
【００２３】
＜（Ｃ）光重合開始剤＞
上記（Ｃ）光重合開始剤は、特に限定されず、光の照射によりモノマーやオリゴマーの重合を開始させることが可能な化合物を含む。
上記（Ｃ）光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン等のアセトフェノン類；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等のベンゾインとベンゾインアルキルエーテル類；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−（ジメチルアミノ）−２−［（４−メチルフェニル）メチル］−１−［４−（４−モルフォリニル）フェニル］−１−ブタノン等のアミノアルキルフェノン類；２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリーブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン等のアントラキノン類；２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン類；アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール等のケタール類；ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類；又はキサントン類；（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−ペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、エチル−２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルフォスフィネイト等のフォスフィンオキサイド類；各種パーオキサイド類、チタノセン系開始剤などが挙げられる。また、これらは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等の三級アミン類のような光増感剤等と併用しても良い。上記（Ｃ）光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２４】
上記（Ｃ）光重合開始剤の配合量は、上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレートと上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物の合計を１００質量部としたとき、好ましくは２質量部〜６質量部、より好ましくは３質量部〜５質量部である。上記（Ｃ）光重合開始剤の配合量が２質量部以上又は３質量部以上であれば、光硬化性が高く、露光・現像後のパターン形成が容易になるので好ましい。また、上記（Ｃ）光重合開始剤の配合量が６質量部以下又は５質量部以下であれば、厚膜硬化性に優れるため好ましい。
【００２５】
＜（Ｄ）エポキシ化合物＞
上記（Ｄ）エポキシ化合物は、特に限定されず、エポキシ環を含有する化合物を含む。
上記（Ｄ）エポキシ化合物としては、公知慣用の各種エポキシ樹脂、例えば、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ジグリシジルフタレート樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート（例えば日産化学（株）製のＴＥＰＩＣ−Ｈ（Ｓ−トリアジン環骨格面に対し３個のエポキシ基が同一方向に結合した構造をもつβ体）や、ＴＥＰＩＣ（β体と、Ｓ−トリアジン環骨格面に対し１個のエポキシ基が他の２個のエポキシ基と異なる方向に結合した構造をもつα体との混合物）等）などの複素環式エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型またはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールＡのノボラック型エポキシ樹脂、キレート型エポキシ樹脂、グリオキザール型エポキシ樹脂、アミノ基含有エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノリック型エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ化合物は、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
上記した中でも、芳香環を有さないエポキシ樹脂を用いることがより好ましい。中でも、脂環式エポキシ樹脂は、低波長〜高波長領域での透明性を有しているため、無機粉末の反射率を効率よく利用することができ、高反射率のものとすることができる。
【００２７】
上記脂環式エポキシ樹脂としては、ダイセル化学工業（株）の製品名セロキサイド２０２１Ｐ及びセルヴィーナスＢ０１３４等が挙げることができる。これらの脂環式エポキシ樹脂は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２８】
上記（Ｄ）エポキシ化合物の配合量は、上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレート１００質量部に対して好ましくは９０〜４００質量部、特に好ましくは１５０〜３００質量部である。上記（Ｄ）エポキシ化合物の配合量が４００質量部以下又は３００質量部以下であれば、現像液での未露光部分の溶解性の低下や現像残り等が発生しにくくなり、実用上の使用に適している。一方、上記（Ｄ）エポキシ化合物の配合量が９０質量部以上又は１５０質量部以上であれば、硬化塗膜の電気特性、半田耐熱性、耐薬品性等が向上される。
【００２９】
＜（Ｅ）熱硬化用硬化剤＞
上記（Ｅ）熱硬化用硬化剤は、特に限定されず、常温あるいは高温条件下で硬化反応を開始させることのできる化合物を含む。
上記（Ｅ）熱硬化用硬化剤としては、公知のアミン類又は酸無水物を用いることができる。
【００３０】
アミン類としては、例えばメラミン、ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン、ジエチルアミノプロピルアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、ラロミン、ジアミノジフェニルメタン、メタフェニルジアミン、ジアミノジスルフォン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン、ポリシクロヘキシルポリアミン混合物、Ｎ−アミノエチルピペラジン等を挙げることができる。これらのアミン類は単独で又は２種以上の混合物として用いることができる。
【００３１】
上記した中でも、芳香環を有さないこと、保存安定性、後述するが塗膜を形成する際に、途中の加熱工程時に溶解しないこと、このような条件からジシアンジアミドを用いることが好ましい。
【００３２】
ジシアンジアミドの配合量は、上記エポキシ化合物１００質量部に対して３〜６質量部、好ましくは４〜５質量部である。ジシアンジアミドの配合量が３質量部以上又は４質量部以上であれば、塗膜の硬化性が向上し、電気特性、半田耐熱性、耐薬品性が充分に得られる。一方、ジシアンジアミドの配合量が、６質量部以下又は５質量部以下であれば、塗膜の変色、塗膜の亀裂等が発生しにくくなるため好ましい。
【００３３】
酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）、無水マレイン酸、テトラヒドロ無水マレイン酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物、アルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体ポリアゼライン酸無水物、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、３又は４−メチル−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸３又は４−メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸メチル−３，６エンドメチレン−１，２，３，６−テトラヒドロ無水フタル酸等を挙げることができる。これらの酸無水物は単独で又は２種以上の混合物として用いることができる。
【００３４】
酸無水物の配合量は、酸無水物当量をエポキシ当量で除し、さらに１００を乗じた値が、エポキシ樹脂１００質量部に対しての配合量である。但し、硬化促進剤を併用する場合は、酸無水物当量をエポキシ当量で除し、さらに１００を乗じた値に、さらに、０．９〜０．９５を乗じた値がエポキシ樹脂１００質量部に対しての配合量である。
【００３５】
＜（Ｆ）熱硬化用硬化触媒＞
上記（Ｆ）熱硬化用硬化触媒は、特に限定されず、熱硬化反応を促進させることができる化合物を含む。
上記（Ｆ）熱硬化用硬化触媒として、硬化促進性の観点から、イミダゾール系が好ましく、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−メチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ〔１，２―ａ〕ベンズイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−シアノメチル−２−メチルイミダゾール等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。
【００３６】
＜（Ｇ）無機粉末＞
上記（Ｇ）無機粉末は、特に限定されず、白色の無機化合物を使用することができる。
上記（Ｇ）無機粉末としては、例えば、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、タルク、マイカ、二酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化マグネシウム及び酸化アルミニウムから選ばれるが、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウムは必須である。好ましい無機粉末の配合として、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、タルクの組み合わせ、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、マイカの組み合わせ、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、タルク、マイカの組み合わせ及びルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの組み合わせがある。
【００３７】
また、上記無機粉末（Ｇ）を、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを単体でまたは２種以上の組み合わせで含むことが好ましい。かかる組み合わせによれば、製膜性及び隠蔽性に優れるため、優れた光反射率を有する塗膜が形成される。
【００３８】
また、上記無機粉末（Ｇ）を、ルチル型酸化チタン、硫酸バリウム、酸化ジルコニウムを２種以上の組み合わせで含むことが好ましい。かかる組み合わせによれば、製膜性及び隠蔽性に優れるため、優れた光反射率を有する塗膜が形成される。
【００３９】
また、より好ましくは、上記（Ｇ）無機粉末は、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの組み合わせである。かかる組み合わせによれば、製膜性及び隠蔽性に優れるため、更に優れた光反射率を有する塗膜が形成される。
【００４０】
上記（Ｇ）無機粉末の配合量は、上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレート、上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物、上記（Ｄ）エポキシ化合物の合計を１００質量部としたとき、好ましくは３５０〜７００質量部、より好ましくは３６０〜６８０質量部である。上記（Ｇ）無機粉末の配合量が３５０質量部以上であれば、低波長側の反射率の低下が抑制される。一方７００質量部以下又は６８０質量部以下であれば、塗膜強度が向上され、亀裂等の発生が抑制されるため好ましい。
【００４１】
上記（Ｇ）無機粉末が、ルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムの組み合わせである場合、それぞれの粉末の配合割合（質量％）は、ルチル型酸化チタン４２〜５２％、好ましくは４７％、酸化ジルコニウム１９〜２９％、好ましくは２４％、及び硫酸バリウム２４〜３４％、好ましくは２９％であってよい。当該配合割合によれば、更に優れた光反射率を有する塗膜が形成される。
【００４２】
ルチル型酸化チタンとしては、例えば、石原産業（株）製ＣＲ−５０、ＣＲ５０−２、ＣＲ−５７、ＣＲ−６０、ＣＲ−６０−２、ＣＲ−６３、ＣＲ−６７、ＣＲ−５８、ＣＲ−５８−２、ＣＲ−Ｓｕｐｅｒ７０、ＣＲ−８０、ＣＲ−８５、ＣＲ−９０、ＣＲ−９０−２、ＣＲ−９３、ＣＲ−９５、ＣＲ−９５３、ＣＲ−９７、ＵＴ７７１、ＰＦ−６９０、ＰＦ−６９１、ＰＦ−７１１、ＰＦ−７３９、ＰＦ−７４０、ＰＣ−３、Ｓ−３０５、堺化学工業（株）製ＳＲ−１、Ｒ−４２、Ｒ−４５Ｍ、Ｒ−６５０、Ｒ−３２、Ｒ−５Ｎ、ＧＴＲ−１００、ＧＴＲ−３００、Ｒ−６２Ｎ、Ｒ−７Ｅ、Ｒ−４４、Ｒ−３Ｌ、Ｒ−１１Ｐ、Ｒ−２１、Ｒ−２５、ＴＣＲ−５２、Ｒ−３１０、Ｄ−９１８、ＦＴＲ−７００、富士チタン工業（株）製ＴＲ−６００、ＴＲ−７００、ＴＲ−７５０、ＴＲ−８４０、ＴＲ−９００、テイカ（株）製ＪＲ−３０１、ＪＲ−４０３、ＪＲ−４０５、ＪＲ−６００Ａ、ＪＲ−６０５、ＪＲ−６００Ｅ、ＪＲ−６０３、ＪＲ−８０５、ＪＲ−８０６、ＪＲ−７０１、ＪＲＮＣ、ＪＲ−８００、チタン工業（株）製ＫＡ−１０、ＫＡ−２０、ＫＡ−３０、ＫＲ−３１０、ＫＲ−３８０、ＫＶ−２００等を使用することができる。これらは単独または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４３】
酸化ジルコニウムとしては、例えば、第一稀元素化学工業（株）製ＥＰ、ＳＰＺ、ＳＯＰＴ、ＤＫ−３ＣＨ、ＵＥＰ、ＲＣ−１００、ＮＮＣ、ＷＧ−８Ｓ等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４４】
硫酸バリウムとしては、例えば、堺化学工業（株）製Ｂ−３０、Ｂ−３１、Ｂ−３２、Ｂ−３３、Ｂ−３４、Ｂ−３５、Ｂ−３５Ｔ等を使用することができる。これらは単独または２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
タルクとしては、例えば、日本タルク（株）製ＭＳ−Ｐ、ＭＳ、ＳＷＥ、ＳＷ、ＳＳＳ、ＮＴＬ、Ｌ−１、Ｋ−１、Ｌ−Ｇ、Ｐ−２、Ｐ−３、Ｐ−４、Ｐ−６、Ｐ−８、Ｃ−３１等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
マイカとしては、例えば、（株）山口雲母工業所製のマイカ・製品名Ａ−１１、ＳＪ−００５、ＳＪ−０１０等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４７】
二酸化ケイ素としては、例えば、電気化学工業（株）製・製品名ＦＢ−５ＤＣ、ＦＢ−３ＳＤＣ、ＦＢ−５ＳＤＸ、ＦＢ−３ＳＤＸ、ＦＢ−１ＳＤＸ、ＳＦＰ−２０Ｍ、ＳＦＰ−３０Ｍ、酸化アルミニウムとしては、電気化学工業（株）製・製品名ＤＡＭ−０３、ＤＡＭ−０５、ＤＡＭ−１０、ＤＡＷ−０３、ＤＡＷ−０５、ＤＡＷ−１０、ＡＳＦＰ−３０等を使用することができる。
【００４８】
酸化亜鉛としては、例えば、ハクスイテック（株）製・製品名Ｆ−１、Ｆ−２、Ｆ−３等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。酸化マグネシウムとしては、例えば、岩谷化学工業（株）製・製品名ＭＴＫ−３０、ＭＪ−３０、協和化学工業（株）製・製品名キョーワマグシリーズのキョウワマグ１５０、キョーワマグ３０、キョーワマグＭＦシリーズのＭＦ−１５０、ＭＦ−３０、パイロキスマシリーズの５３０１、５３０１Ｋ、３３２０、５００−０４Ｒ等を使用することができる。これらは単独または二種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
＜（Ｈ）有機溶剤＞
上記（Ｈ）有機溶剤は、特に限定されず、上記組成物の粘度の調整や塗膜の物性制御等の目的で用いられ、公知の有機溶剤を使用できる。
上記（Ｈ）有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類；メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロプレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテルなどのグリコールエーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート及び上記グリコールエーテル類のエステル化物などのエステル類；エタノール、プロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルコール類；オクタン、デカンなどの脂肪族炭化水素類；石油エーテル、石油ナフサ、水添石油ナフサ、ソルベントナフサなどの石油系溶剤等を挙げることができる。これらの溶剤は単独で又は２種以上の混合物として用いることができる。
【００５０】
上記（Ｈ）有機溶剤の配合量は、上記（Ａ）芳香環を有さないカルボキシル基含有（メタ）アクリレート、上記（Ｂ）（メタ）アクリル化合物、上記（Ｄ）エポキシ化合物、上記（Ｇ）無機粉末の合計を１００質量部に対して５〜３０質量部、好ましくは１０〜２０質量部である。上記有機溶剤の使用目的は、アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を塗布しやすい状態にするためだけでなく、乾燥させることにより造膜せしめ、フォトマスクを塗膜に接触させる接触方式の露光方式を用いるためである。
【００５１】
＜その他成分＞
さらに、必要に応じて、公知の増感剤、熱重合禁止剤、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、表面調整剤、カップリング剤、難燃助剤等が使用できる。
【００５２】
上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、液状、ペースト状の形態で提供することができる。
【００５３】
上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物は、必要に応じて、（Ｈ）有機溶剤で希釈して塗布方法に適した粘度に調整する。これを、回路形成されたプリント配線板に、スクリーン印刷法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の方法により塗布し、例えば７０〜９０℃の温度で組成物中に含まれる有機溶剤を揮発乾燥させることにより、タックフリーの塗膜を形成できる。その後、フォトマスクを通して選択的に紫外線（３００〜４５０ｎｍ等）等の活性エネルギー線により露光し、未露光部を希アルカリ水溶液により現像してレジストパターンを形成することにより、上記金属ベース回路基板を得ることができる。ここで用いられる希アルカリ水溶液としては、０．５〜５重量％の炭酸ナトリウム水溶液が一般的であるが、他のアルカリ水溶液を使用することも可能である。他の希アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、アミン類等のアルカリ水溶液を挙げることができる。また、露光するための照射光源としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ又はメタルハライドランプなどを用いることができる。その他、レーザー光線なども活性光線として利用できる。
【００５４】
このようにして得られた塗膜を更に約１００〜２００℃で熱硬化させることによりソルダーレジスト塗膜を形成させることができる。
【００５５】
上記ソルダーレジスト組成物を用いて形成されたソルダーレジスト膜は、高反射率を有することがわかった。
【００５６】
＜金属ベース回路基板＞
更に上記アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて白色膜を設けることにより、光反射シートを貼り付ける必要のない金属ベース回路基板を得ることができる。
【００５７】
図１は、本発明の一実施態様において、上記金属ベース回路基板の構成を説明するための断面図である。上記金属ベース回路基板は、金属箔１と絶縁層２及び回路３とからなる金属ベース回路基板上に、高反射率の白色膜４を上記白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成したものであり、複数のＬＥＤパッケージ５が半田接合部６などにより接合搭載されている。
【００５８】
上記金属ベース回路基板は、本発明の白色のアルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を用いて形成した白色膜が高反射率を有することが特徴であり、４００〜８００ｎｍの可視光領域に対して８５％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（黄色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して８５％以上の反射率と持つことが好ましい。
【００５９】
上記金属ベース回路基板は、上記構成を有しており、しかも絶縁層の熱伝導率が１〜４Ｗ／ｍＫで、導体回路と金属箔との間の耐電圧が１．５ｋＶ以上、望ましくは２ｋＶ以上という、高い放熱性と耐電圧特性を有しており、ＬＥＤ光源から発生する熱を効率よく金属ベース回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより、ＬＥＤパッケージ実装回路基板の蓄熱を低減し、ＬＥＤの温度上昇を小さくすることにより、ＬＥＤの発光効率低下を抑制することができる。このため、光反射機能を持つ高反射率の白色膜４の効果とあわせて、明るく且つ長寿命のバックライトを提供することができる。
【００６０】
上記金属箔１としては、良好な熱伝導性を持つ銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金、鉄ならびにステンレスなどが使用可能である。また、上記金属箔１の厚みとしては、９μｍ以上４００μｍ以下のものが使用できる。上記金属箔１の厚みが９μｍ以上あれば金属ベース回路基板の剛性が低下するために実使用に適さなくなることもないし、厚みが４００μｍ以下の場合は厚みが減少し小型化や薄型化にも有用である。
【００６１】
上記絶縁層２の厚さは、８０μｍ以上２００μｍ以下が好ましい。８０μｍ以上であれば電気絶縁性が確保できるし、２００μｍ以下で熱放散性が十分に達成できるし、小型化や薄型化に寄与できる。
【００６２】
上記絶縁層２は通常熱硬化性樹脂を用いるが、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが使用できる。中でも、無機粉末を含みながらも、硬化状態において、上記金属箔１と上記回路３との接合力及び絶縁性に優れた後述する二官能性エポキシ樹脂と重付加型硬化剤とを主成分としたものが好ましい。重付加型硬化剤としては、機械的及び電気的性質に優れた酸無水物類やフェノール類が好ましく、熱硬化性樹脂に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素等量が０．８〜１倍となるように添加することが上記絶縁層２の機械的及び電気的性質を確保するため好ましい。
【００６３】
エポキシ樹脂としては、二官能性エポキシ樹脂であるビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネロペンチルグリコールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等を使用したものが望ましい。
【００６４】
重付加型硬化剤としては、酸無水物類の無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸、フェノール類であるフェノールノボラック等が望ましい。
【００６５】
また、上記エポキシ樹脂と重付加型硬化剤の硬化反応を促進するため硬化触媒を加えても良い。硬化触媒としてはイミダゾール系が好ましく、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−メチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、２，３ージヒドロー１Ｈ−ピロロ〔１，２−ａ〕ベンズイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−〔２’−メチルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−〔２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）〕−エチル−ｓ−トリアジン、１−シアノメチル−２−メチルイミダゾール等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。
【００６６】
上記絶縁層２を構成する熱硬化性樹脂中の塩化物イオン濃度は、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。硬化性樹脂組成物中の塩化物イオン濃度が１０００ｐｐｍ以下であれば、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こりにくく、電気絶縁性の低下が抑制される。
【００６７】
上記絶縁層２に含有される無機粉末としては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などが用いられる。上記絶縁層２は熱硬化性樹脂を２５〜５０体積％含有するのが好ましい。また、上記絶縁層２中の無機粉末の含有量は、５０〜７５体積％が好ましく、無機粉末の粒度は平均粒径が０．６〜２．４μｍ及び５〜２０μｍの２種類のものを含有していることが好ましい。平均粒径が大きい粗粒子と平均粒径が小さい微粒子を混合することにより各々を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、良好な熱伝導性を得ることが可能となる。また、粒子形状は破砕、球状、鱗片状のものがある。無機粉末含有量は５０体積％以下であるとＬＥＤパッケージを使用したバックライト用の回路基板として必要な熱伝導性を得ることが困難であり、７５％以上であると絶縁材が高粘度化し絶縁材の塗工が困難となり、機械的性質及び電気的性質の問題が生じ易い。また、無機粉末中のナトリウムイオン濃度は、５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。無機粉末中のナトリウムイオン濃度が５００ｐｐｍを超えると、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。
【００６８】
上記回路３の厚みは、９μｍ以上１４０μｍ以下であることが好ましく、９μｍ以上であれば回路としての機能が十分達成できるし、１４０μｍ以下でならば厚みが増し過ぎて小型化や薄型化が難しくなることもない。
【実施例】
【００６９】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明は実施例により限定されるものではない。
【００７０】
実施例１〜５及び比較例１〜２の配合量を表1に示す。中の数字は重量（グラム）を示す。
【００７１】
【表１】
2009194222.tif 000003
【００７２】
ＣＹＣＬＯＭＥＲ  ＡＣＡＺ２５１：ダイセル・サイテック（株）製
ＡＧＯＲ４１２０：大阪有機化学工業（株）製
ＡＣ−ＳＱ：末端アクリロイル基シルセスキオキサン誘導体  東亞合成（株）製
ライトエステルＨＯ：２−ヒドキシエチルメタクリレート  共栄社化学（株）製
ＦＡ−５１３Ｍ：トリシクロデシルメタクリレート  日立化成工業（株）製
デコナールアクリレートＤＡ７２２：ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステルのアクリル酸変性物  ナガセケムテックス（株）製
ＥＡ−５５２１：１，６−ヘキサンジオールグリシジルエーテルアクリレート  新中村化学工業（株）製
ライトアクリレートＤＰＥ−６Ａ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート  共栄社化学（株）製
セルヴィーナスＢ０１３４：脂環式エポキシ樹脂  ダイセル化学工業（株）製
セロキサイド２０２１Ｐ：脂環式エポキシ樹脂  ダイセル化学工業（株）製
ＹＸ−８０００：水添ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂  ジャパンエポキシレジン（株）製
ＹＸ−４０００Ｈ：テトラメチルビフェノール型固形エポキシ樹脂  ジャパンエポキシレジン（株）製
ＣＲ−９０：ルチル型酸化チタン  石原産業（株）製
ＥＰ：酸化ジルコニウム  第一稀元素化学工業（株）製
Ｂ−３０：硫酸バリウム  堺化学工業（株）製
ＳＦＰ−２０Ｍ：二酸化ケイ素  電気化学工業（株）製
Ｐ−３：タルク  日本タルク（株）製
Ｈ−３２０：水酸化アルミニウム  昭和電工（株）製
ダロキュアＴＰＯ：２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド  チバジャパン（株）製
ＤＩＣＹ７：ジシアンジアミド  ジャパンエポキシレジン（株）製
ＨＮ−５５００：３ｏｒ４―メチル−ヘキサヒドロ無水フタル酸  日立化成工業（株）製
ＴＢＺ：２，３ージヒドロー１Ｈ―ピロロ〔１，２―ａ〕ベンズイミダゾール  四国化成工業（株）製
ＴＭＳＯＸ：３−エチル（トリメトキシシリルプロポキシメチル）オキセタン  東亞合成（株）製
ＫＳ−６６：信越化学工業（株）製
ＢＹＫ−３００：ビックケミー・ジャパン（株）製
【００７３】
表１に示した配合量に従って各成分を配合・撹拌後、３本ロールを用いて分散・混練させて高反射率アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物を調合した。
【００７４】
調合した実施例１〜５、比較例１〜２の組成物を、スクリーン印刷法により硬化後の膜厚が２０〜２５μｍとなるよう下記に示す金属ベース回路基板上に塗布した。
【００７５】
金属ベース回路基板は３５μｍ厚の銅箔上に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、「ＥＰ−８２８」）対し、硬化剤としてフェノールノボラック（大日本インキ化学工業社製、「ＴＤ−２１３１」）を加え、平均粒子径が１．２μｍである破砕状粗粒子の二酸化ケイ素（龍森社製、「Ａ−１」）と平均粒子径が１０μｍである破砕状粗粒子の二酸化ケイ素（龍森社製、「５Ｘ」）を合わせて絶縁層中５６体積％（球状粗粒子と球状微粒子は質量比が７：３）となるように配合し、硬化後の厚さが１００μｍになるように絶縁層を形成し、つぎに２００μｍ厚のアルミ箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の無機粉末全体でナトリウムイオン濃度が５０ｐｐｍ以下である金属ベース基板を得た。さらに、得られた金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して銅回路を形成して得た。この時、銅回路上のＬＥＤパッケージ実装部分には白色塗膜を形成しない。
【００７６】
ソルダーレジスト組成物塗布後、８０℃で３０分間乾燥させた。次に４００ｍＪ／ｃｍ２の積算光量で紫外線露光し、２８℃１％の炭酸ナトリウム水溶液を現像液として非露光部の除去を行い、続いて１５０℃６０分間の条件下で熱硬化を行った。
【００７７】
露光は松下電工製紫外線硬化装置ＡＮＵＰ７３２４を用いて行った。積算光量測定はＴＯＰＣＯＮ社ＵＶチェッカーＵＶＲ−Ｔ１を用いて行った。膜厚の測定はサンコウ電子研究所製過電流膜厚計ＥＤＹ−１０００を用いて行った。反射率の測定は横河Ｍ＆Ｃ製分光測色計ＣＤ１００を用い行った。
【００７８】
ソルダーレジスト組成物は次の評価を行った。露光・硬化後の塗膜及び耐熱性試験として２６０℃で１分間処理した状態の塗膜の反射率の測定を行った。なお反射率は、絶縁層上に比べてより低い反射率を示す銅回路上に設けた塗膜部分の反射率を測定した。評価結果を表２に示す。
【００７９】
【表２】
2009194222.tif 000004
【００８０】
＜実験の考察＞
表２から明らかなように、本発明の組成物を用いた実施例においては、無機粉末としてルチル型酸化チタン、酸化ジルコニウム及び硫酸バリウム及び透明性の高いアクリル化合物及び脂環式エポキシ樹脂を用いることにより、製膜後及び耐熱性試験後であっても反射率８５％以上と高反射率のソルダーレジスト組成物として優れることがわかる。
【００８１】
以上、本発明の実施例に基づいて説明した。この実施例はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の高反射率アルカリ現像型光硬化性・熱硬化性ソルダーレジスト組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板は、ＬＥＤパッケージを実装する金属ベース基板表面に高反射率の白色塗膜を形成しているので、通常のプリント回路基板と類似の構成のまま光反射機能を有している。このため、高価な光反射シートを使用しなくてもＬＥＤ光源の反射光を液晶部分に供給することができる。また、液晶バックライト製造時の工数を削減することもでき、効率的であり、ＬＥＤ用の金属ベース回路基板として産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施形態に係る金属ベース回路基板の構成を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１    金属箔
２    絶縁層
３    回路
４    白色膜
５    ＬＥＤパッケージ
６    半田接合部
【図１】
2009194222.tif 000005