(57)【要約】【課題】必要な任意のバーストセルのモニタ電圧を即時に読み出すことを可能にする。【解決手段】バーストセル200-1,2002,200-3,…,200-Nのモニタ電圧P1,P2,P3,…,PNをモニタするためのバースト受光パワーモニタ回路に、複数の領域109-1,109-2,109-3,…,109-(N-1),109-Nを有し、各領域にアドレスを準備するメモリ108と、バーストセルの入力信号光をデジタルのモニタ電圧の振幅に変換するモニタ電圧形成部101,104,105，106と、バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定された前記メモリの各領域に前記モニタ電圧形成部からのモニタ電圧の振幅を継続的に格納し、外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定された前記メモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う制御部107とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーストセルのモニタ電圧をモニタするためのバースト受光パワーモニタ回路において、
複数の領域を有し、各領域にアドレスを準備するメモリと、
バーストセルの入力信号光をデジタルのモニタ電圧の振幅に変換するモニタ電圧形成部と、
バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定された前記メモリの各領域に前記モニタ電圧形成部からのモニタ電圧の振幅を継続的に格納し、外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定された前記メモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う制御部とを備えることを特徴とするバースト受光パワーモニタ回路。
【請求項２】
前記制御回路は、閾値を格納し、前記メモリの複数の領域の各々に格納されているモニタ電圧の振幅が閾値を越えたときに、モニタ電圧の振幅を格納している領域のアドレスにフラグを立てアラーム判定を行うことを特徴とする、請求項１に記載のバースト受光パワーモニタ回路。
【請求項３】
前記制御回路は外部から入力したセル特定信号によりバーストセルがランダムの場合にはバーストセルを認識し、領域のアドレスを指定して、モニタ電圧の振幅を格納することを特徴とする、請求項１に記載のバースト受光パワーモニタ回路。
【請求項４】
前記モニタ電圧形成部ではバーストセルの入力信号光をフォトダイオード、カレントミラー回路、電流電圧変換回路、ＡＤＣを介して変換したデジタルのモニタ電圧を前記制御回路に出力することを特徴とする、請求項１に記載のバースト受光パワーモニタ回路。
【請求項５】
バーストセルの入力信号光をフォトダイオード、ＴＩＡ回路、ＬＩＭ回路を介して主出力信号を形成する経路に対して、前記モニタ電圧形成部ではＴＩＡ回路からの電流を、電流電圧変換回路、ＡＤＣを介して変換したデジタルのモニタ電圧を前記制御回路に出力することを特徴とする、請求項１に記載のバースト受光パワーモニタ回路。
【請求項６】
バーストセルのモニタ電圧をモニタするためのバースト受光パワーモニタ方法において、
バーストセルの入力信号光からデジタルのモニタ電圧の振幅に変換する工程と、
バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定されたメモリの各領域にモニタ電圧の振幅を継続的に格納し、継続するバーストセルに対して最後の領域へのモニタ電圧の振幅の格納後に最初の領域のモニタ電圧の振幅の格納に戻り格納を繰り返す工程と、
外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定されたメモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う工程とを備えることを特徴とするバースト受光パワーモニタ方法。
【請求項７】
バーストセルのモニタ電圧をモニタするためのバースト受光パワーモニタプログラムにおいて、
バーストセルの入力信号光をデジタルのモニタ電圧の振幅に変換する手順と、
バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定されたメモリの各領域に継続的にモニタ電圧の振幅を格納し、継続するバーストセルに対して最後の領域へのモニタ電圧の振幅の格納後に最初の領域のモニタ電圧の振幅の格納に戻り格納を繰り返す手順と、
外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定されたメモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う手順とを備えることを特徴とするバースト受光パワーモニタプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はバーストセルの受光パワーを測定するバースト受光パワーモニタ回路に関する。特に、本発明は、すべてのバーストセルの受光パワーを随時モニタできるバースト受光パワーモニタ回路、方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
図９は本発明の前提となる光モジュールの概略構成を示すブロック図である。なお、全図を通して同一の構成要素には同一の符号、記号を付する。本図に示すように、光モジュール１００はＰＤ（フォトダイオード）１０１、ＴＩＡ（トランスインピーダンスアンプ）１０２、ＬＩＭ（リミッティングアンプ）１０３、カレントミラー回路１０４、電流電圧変換回路１０５、ＡＤＣ（アナログデジタル変換器）１０６及び制御回路１０７で構成され、受信機能を有する。
【０００３】
ＰＤ１０１は受信した光を電流に変換する。
ＴＩＡ１０２はＰＤ１０１のアノード側に接続され、電流信号を電圧信号に変換する、バースト信号対応のトランスインピーダンスアンプであり、ＰＤ１０１で受信された光を電気信号に変調する。
ＬＩＭ１０３はＴＩＡ１０２に接続され、受信状態により変動する入力信号レベルを一定レベルの出力信号に増幅し、主出力信号を形成する。
【０００４】
カレントミラー回路１０４はＰＤ１０１のカソード側に接続され、定電流源回路であり、入力電流と同一の電流を出力する。
電流電圧変換回路１０５はカレントミラー回路１０４に接続され、入力電流を電圧に変換して出力する。
ＡＤＣ１０６は電流電圧変換回路１０５に接続され、入力した電圧をアナログからデジタルに変換する。
【０００５】
制御回路１０７はＡＤＣ１０６に接続され、電流電圧変換回路１０５からデジタルの電圧信号を入力し、バーストセルのタイミングに合わせた外部から制御信号をトリガとして入力する。
制御回路１０７にはメモリ１０８が設けられ、メモリ１０８の領域１０９には電流電圧変換回路１０５からのデジタルの電圧信号がバーストセル単位で取り込み格納される。メモリ１０８に格納されたデジタルの電圧信号は、メモリアクセス入出力端子からの外部からのメモリアクセス信号により、読み出され、バーストセルのバースト受光パワーモニタに用いられる。
【０００６】
図１０は図９における光モジュール１００のバーストセルの受光パワーをモニタする動作例を説明する図である。本図（ａ）に示すように、光モジュール１００ではバースト伝送されたバーストセル２００−１、２００−２、２００−３、…、２００−Ｎに対する入力信号光を処理して、本図（ｂ）に示すように、制御回路１０７では、バーストセル２００−１、２００−２、２００−３、…、２００−Ｎの入力信号光に対するモニタ電圧のデジタル振幅Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、…、ＰＮを入力する。
【０００７】
本図（ｃ）に示すように、制御回路１０７に制御信号が入力する。
本図（ｄ）に示すように、メモリ１０８の領域１０９に制御信号をトリガとしてモニタ電圧ｐ１，ｐ１，ｐ３，…，ＰＮが逐次格納される。
図１１は図９における光モジュール１００の制御回路１０７の一連の動作例を説明するフローチャートである。本図に示すように、ステップＳ３０１において、制御回路１０７では、ｋ＝１を設定する。
【０００８】
ステップＳ３０２のいて、制御回路１０７はモニタ電圧Ｐｋを入力する。
ステップＳ３０３において、制御回路１０７は入力したモニタ電圧Ｐｋをメモリ１０８に格納する。
ステップＳ３０４において、制御回路１０７ではメモリアクセス信号により、モニタ電圧Ｐｋの読み出し要求があったかを確認する。確認できない場合にはステップＳ３０６に進む。
【０００９】
ステップＳ３０５において、制御回路１０７では、モニタ電圧Ｐｋの読み出し要求があった場合には、メモリ１０８からモニタ電圧Ｐｋの読み出しを行う。
ステップＳ３０６において、制御回路１０７では、メモリ１０８に格納されているモニタ電圧Ｐｋの削除を行う。次の格納の準備のためである。なお、モニタ電圧Ｐｋの削除を行わず、ステップＳ３０３の処理の直前まで格納しておき、ステップＳ３０３で次のモニタ電圧Ｐｋ＋１で上書きするようにしてもよい。
【００１０】
ステップＳ３０７において、ｋ＝Ｎが成立するかを確認する。確認できない場合にはステップＳ３０９に進む。
ステップＳ３０８において、ｋ＝ｋ＋１として、ステップＳ３０２に戻り、上記処理を繰り返す。
ステップＳ３０９において、受信停止の要求がなければステップＳ３０１に進み、上記処理を繰り返し、実用運用時に継続的に受信するすべてのバースト光をモニタ可能とし、受信停止の要求があれば、処理を終了する。
【００１１】
前述のように、メモリ１０８には受光パワーであるモニタ電圧を格納する領域１０９が一箇所しかないため、１度には１箇所のバーストセルについてしかモニタしかできないという問題がある。
すなわち、図１０に示すように制御信号入力毎に１つのモニタ電圧しか読み出すことができない。
パワーモニタの過程として、制御信号によるＡＤＣ１０６の変換処理と、制御回路１０７への入力、メモリ１０８への格納と、メモリ１０８からのメモリ値の読み出しが必要となるためである。
【００１２】
例えば、バーストセル２００−１、２００−２、２００−３、…、２００−Ｎまでのデータをすべて読み出すには、一度に読み出すことはできず、上記の過程をＮ回繰り返す必要があり、即時性に欠け、さらに、必要な任意の１つのバーストセルのモニタ電圧を即時に読み出せず即時性に欠けるという問題がある。
さらに、パワーモニタされていないバーストセルのモニタ電圧についてのアラーム設定が不可能であるという問題があるためである。
【００１３】
このような光モジュールに関する従来技術として以下のものが挙げられる。
従来、比較的簡易な構成により伝送効率を向上するシステム及び方法を提供するため、複数の子局が光カプラを介して一つの親局に接続されてなる光通信システムにおいて、前記親局が、前記各子局から前記親局に伝送される光信号の受信レベルを測定して測定情報を生成する光レベル検出部と、光レベル検出部で生成された各子局に対する測定情報を子局に対応させて記憶する記憶部と、記憶部から読み出した子局の測定情報に基づき、光信号レベルを、最大レベルで一定とするための調整情報を生成する制御部と、複数の子局からの光信号レベルを前記制御部からの調整情報によって増幅する光アンプと、光アンプの出力を電気信号に変換する光受信部と、光受信部から出力される信号を受信信号として受け取る受信データ処理部と、を備えるものがある（例えば、特許文献１参照）。
【００１４】
しかしながら、上記特許文献１では、光レベル検出部で生成された各子局に対する測定情報を子局に対応させて記憶する記憶部から読み出した子局の測定情報に基づき、光信号レベルを、最大レベルで一定とするものがあるが、必要な任意のバーストセルのモニタ電圧を即時に読み出せず即時性に欠けるという問題を解決するものではない。
また、従来、入力に対して反応が速く、入力レベルが低い場合でも安定したフレーム信号が得られ、伝送効率が低下せず、かつ入力レベルのダイナミックレンジが狭くならいようにするため、対数アンプが変調波入力の電力レベルを対数値で出力し、積分器が平滑化してＲＳＳＩとして出力し、比較器は適当に設定された基準値ＲＥＦとＲＳＳＩを比較して、ＲＳＳＩの方が低い、即ち信号が無い区間では‘ＬＯ’を、ＲＳＳＩの方が高い、即ち信号がある区間では‘ＨＩ’である様なフレーム信号を出力し、タイマー回路は、比較器出力が連続して１クロック周期以上‘ＬＯ’にならない限り‘ＨＩ’定である。そして、比較器出力が‘ＬＯ’固定になった後、ＣＬＫが２クロック入力されると、タイマー回路出力は‘ＨＩ’となり、再び比較器出力が‘ＨＩ’になるまで、タイマー出力は‘ＨＩ’に固定されるものもある（例えば、特許文献２参照）。
【００１５】
しかしながら、上記特許文献２では、比較器は適当に設定された基準値ＲＥＦとＲＳＳＩを比較し入力に対して反応が速く、入力レベルが低い場合でも安定したフレーム信号が得られ、伝送効率が低下せず、かつ入力レベルのダイナミックレンジが狭くならいようにするが、必要な任意のバーストセルのモニタ電圧を即時に読み出せず即時性に欠けるという問題を解決するものではない。
【００１６】
【特許文献１】特開２００２−０５７６２７号公報
【特許文献２】特開平１０−２４３０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
したがって、本発明は上記問題点に鑑みて、必要な任意のバーストセルのモニタ電圧を即時に読み出すことを可能にするバースト受光パワーモニタ回路、方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は前記問題点を解決するために、バーストセルのモニタ電圧をモニタするためのバースト受光パワーモニタ回路において、複数の領域を有し、各領域にアドレスを準備するメモリと、バーストセルの入力信号光をデジタルのモニタ電圧の振幅に変換するモニタ電圧形成部と、バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定された前記メモリの各領域に前記モニタ電圧形成部からのモニタ電圧の振幅を継続的に格納し、外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定された前記メモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う制御部とを備えることを特徴とするバースト受光パワーモニタ回路を提供する。
【００１９】
さらに、前記制御回路は、閾値を格納し、前記メモリの複数の領域の各々に格納されているモニタ電圧の振幅が閾値を越えたときに、モニタ電圧の振幅を格納している領域のアドレスにフラグを立てアラーム判定を行う。
さらに、前記制御回路は外部から入力したセル特定信号によりバーストセルがランダムの場合にはバーストセルを認識し、領域のアドレスを指定して、モニタ電圧の振幅を格納する。
【００２０】
さらに、前記モニタ電圧形成部ではバーストセルの入力信号光をフォトダイオード、カレントミラー回路、電流電圧変換回路、ＡＤＣを介して変換したデジタルのモニタ電圧を前記制御回路に出力する。
さらに、バーストセルの入力信号光をフォトダイオード、ＴＩＡ回路、ＬＩＭ回路を介して主出力信号を形成する経路に対して、前記モニタ電圧形成部ではＴＩＡ回路からの電流を、電流電圧変換回路、ＡＤＣを介して変換したデジタルのモニタ電圧を前記制御回路に出力する。
【００２１】
さらに、バーストセルのモニタ電圧をモニタするためのバースト受光パワーモニタ方法において、バーストセルの入力信号光からデジタルのモニタ電圧の振幅に変換する工程と、バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定されたメモリの各領域にモニタ電圧の振幅を継続的に格納する工程と、外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定されたメモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う工程とを備えることを特徴とするバースト受光パワーモニタ方法を提供する。
さらに、バーストセルのモニタ電圧をモニタするためのバースト受光パワーモニタプログラムにおいて、バーストセルの入力信号光をデジタルのモニタ電圧の振幅に変換する手順と、バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定されたメモリの各領域に継続的にモニタ電圧の振幅を格納する手順と、外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定されたメモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行う手順とを備えることを特徴とするバースト受光パワーモニタプログラムを提供する。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、バーストセルの入力信号光からデジタルのモニタ電圧の振幅に変換し、バーストセルのタイミングに合わせて外部から入力した制御信号によりアドレスが指定されたメモリの各領域にモニタ電圧の振幅を継続的に格納し、外部からのメモリアクセス信号によりアドレスが指定されたメモリの任意の領域からモニタ電圧を読み出す制御を行うようにしたので、メモリにアドレスを指定した複数の領域を準備することで外部からの制御信号のみで複数のバーストセルのデジタルのモニタ電圧の振幅をバーストセル単位毎に継続して取り込み格納し、さらに、継続するバーストセルに対して最後の領域へのモニタ電圧の振幅格納後に最初の領域のモニタ電圧の振幅の格納に戻り格納を繰り返し、それぞれのバーストセルに対応したデジタルのモニタ電圧の振幅を常に最新の値が各領域に格納し、メモリアクセス信号により任意のタイミングで任意のバーストセルの光パワーを即時に読み出し取り出すことが可能となり、すべてのバーストセルの受光パワーを随時モニタすることが可能となる。
【００２３】
さらに、受光パワーモニタ値の判定閾値を設定し、すべてのバーストセルに対してアラームを随時判定することにより、すべてのバーストセルについての受光パワーアラーム機能の実現が可能となる。
バーストセルがランダムの場合にはバーストセルを認識してそれぞれのデジタルのモニタ電圧の振幅をどこの領域のアドレスに格納するか指定することが可能になる。
【００２４】
カレントミラー回路を用いない場合に対しては、ＴＩＡの出力側を電流電圧変換回路の入力側と接続することにより、電流電圧変換回路の出力をＡＤＣに入力することにより、メモリの各領域にモニタ電圧の振幅をそれぞれ格納することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る光モジュールの概略構成を示すブロック図である。本図に示す光モジュール１００はアクセス系光通信システムであるＰＯＮ（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）の局舎装置（ＯＬＴ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ）において異なる受光パワーのバースト受光パワーモニタをプログラム制御により実現する。
【００２６】
本図に示すように、図７と比較して、メモリ１０８にＮ個の領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎを設ける。
図２は図１における制御回路１０７を説明するブロック図である。本図に示すように、メモリ１０８に設けられた領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎにはアドレス１、２、３、…、（Ｎ−１）をそれぞれ準備し、領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−Ｎにはバーストセル２００−１、２００−２、２００−３、…、２００−Ｎのモニタ電圧のデジタル振幅Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、…、ＰＮがそれぞれ格納される。
【００２７】
図３は図１における光モジュール１００のバーストセルの受光パワーをモニタする動作例を説明する図である。本図（ｃ）、（ｄ）に示すように、図８と比較して、バーストセルのタイミングに合わせた外部からの制御信号をトリガとして制御信号毎にメモリ１０８の領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎに、モニタ電圧のデジタル振幅Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、…、ＰＮがそれぞれ継続的に格納される。
図４は図１における光モジュール１００の制御回路１０７の一連の格納動作例を説明するフローチャートである。本図に示すように、ステップＳ３１１において、制御回路１０７では、ｋ＝１を設定する。
【００２８】
ステップＳ３１２において、制御回路１０７はモニタ電圧Ｐｋを入力する。
ステップＳ３１３において、制御回路１０７はアドレスを指定したメモリ１０８の領域１０９−ｋに入力したモニタ電圧Ｐｋを格納する。なお、領域１０９−ｋに旧データが格納されている場合には新データで上書きするようにする。
ステップＳ３１４において、ｋ＝Ｎが成立するかを確認する。確認できた場合にはステップＳ３１６に進む。
【００２９】
ステップＳ３１５において確認できない場合には、ｋ＝ｋ＋１として、ステップＳ３１２に戻り、上記処理を繰り返す。
ステップＳ３１６において、受信停止の要求がなければステップＳ３１１に進み、上記処理を繰り返し、実用運用時に継続的に受信するすべてのバースト光をモニタ可能とし、受信停止の要求があれば、処理を終了する。
【００３０】
図５は図１における光モジュール１００の制御回路１０７の一連の読み出し動作例を説明するフローチャートである。本図に示すように、ステップＳ３２１において、制御回路１０７では、メモリアクセス入出力端子からの外部のメモリアクセス信号により、アドレスを指定してモニタ電圧Ｐｋの読み出し要求があるかを確認する。要求がない場合には処理を終了する。
【００３１】
ステップＳ３２２において、制御回路１０７では、読み出し要求がある場合には、メモリ１０８からモニタ電圧Ｐｋを読み出し、メモリアクセス入出力端子より出力する。この場合、メモリ１０８の領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎの任意の１つからモニタ電圧を即時に読み出すことが可能であり、さらに、モニタ電圧Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、…、ＰＮを同時に即時に読み出すことも可能であり、メモリ１０８の領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎの任意の組み合わせのモニタ電圧を即時に読み出すことも可能である。読み出し後、処理を終了する。
【００３２】
したがって、本発明によれば、メモリにアドレスを指定した複数の領域を準備することで外部からの制御信号のみで複数のバーストセルのデジタルのモニタ電圧の振幅をバーストセル単位毎に継続して取り込み格納し、さらに、継続するバーストセルに対して最後の領域へ格納後に最初の領域の格納に戻り格納を繰り返し、それぞれのバーストセルに対応したデジタルのモニタ電圧の振幅を常に最新の値が各領域に格納し、メモリアクセス信号により任意のタイミングで任意のバーストセルの光パワーを即時に読み出し取り出すことが可能となり、すべてのバーストセルの受光パワーを随時モニタすることが可能となる。
【実施例１】
【００３３】
図６は図２の変形例であり、図１における制御回路１０７を説明するブロック図である。本図に示すように、制御回路１０７に上側閾値をＰＨ、下側閾値ＰＬを設け、メモリ１０８の領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎの各々に格納されている各バーストセルのデジタルのモニタ電圧の振幅が閾値を超えたときに各バーストセルのデジタルのモニタ電圧の振幅に対応したフラグを指定のアドレスに立てる。
【００３４】
例えば、Ｐ１＞ＰＨの場合、アドレス１にフラグを立て、Ｐ１＜ＰＬの場合、アドレス１にフラグを立て、…、ＰＮ＞ＰＨの場合、アドレスＮにフラグを立て、ＰＮ＜ＰＬの場合、アドレスＮにフラグを立てる。
このように、受光パワーモニタ値の判定閾値を設定し、すべてのバーストセルに対してアラームを随時判定することにより、すべてのバーストセルについての受光パワーアラーム機能の実現が可能となる。
【実施例２】
【００３５】
図７は図１の第１の変形例であり、本発明に係る光モジュールの概略構成を示すブロック図である。本図に示すように、図１と比較して、光モジュール１００の制御回路１０７では、セル特定信号を入力する。図１の例では、繰り返し入力されたバーストセルに対するデジタルのモニタ電圧の振幅に対応していたが、セル特定信号は、バーストセルがランダムの場合にはバーストセルを認識してそれぞれのデジタルのモニタ電圧の振幅をどこの領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎのアドレスに格納するか指定する信号である。
【実施例３】
【００３６】
図８は図１の第２の変形例であり、本発明に係る光モジュールの概略構成を示すブロック図である。本図に示すように、図１と比較して、カレントミラー回路１０４を用いない場合の光モジュール１００に対しては、ＴＩＡ１０２の出力側を電流電圧変換回路１０５の入力側と接続することにより、電流電圧変換回路１０５の出力をＡＤＣ１０６に入力する。
【００３７】
これにより、カレントミラー回路１０４を用いない場合にも前述と同様にメモリ１０８の領域１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎの各領域にモニタ電圧の振幅Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、…、ＰＮをそれぞれ格納することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る光モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１における制御回路１０７を説明するブロック図である。
【図３】図１における光モジュール１００のバーストセルの受光パワーをモニタする動作例を説明する図である。
【図４】図１における光モジュール１００の制御回路１０７の一連の格納動作例を説明するフローチャートである。
【図５】図１における光モジュール１００の制御回路１０７の一連の読み出し動作例を説明するフローチャートである。
【図６】図２の変形例であり、図１における制御回路１０７を説明するブロック図である。
【図７】図１の第１の変形例であり、本発明に係る光モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図８】図１の第２の変形例であり、本発明に係る光モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の前提となる光モジュールの概略構成を示すブロック図である。
【図１０】図９における光モジュール１００のバーストセルの受光パワーをモニタする動作例を説明する図である。
【図１１】図９における光モジュール１００の制御回路１０７の一連の動作例を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００３９】
１００…光モジュール
１０１…ＰＤ
１０２…ＴＩＡ
１０３…ＬＩＭ
１０４…カレントミラー回路
１０５…電流電圧変換回路
１０６…ＡＤＣ
１０７…制御回路
１０８…メモリ
１０９、１０９−１、１０９−２、１０９−３、…、１０９−（Ｎ−１）、１０９−Ｎ…領域
２００−１、２００−２、２００−３、…、２００−Ｎ…バーストセル
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、…、ＰＮ…モニタ電圧の振幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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