(57)【要約】【課題】本発明は、放熱性能に優れた放熱構造をより安価に提供すべく、ＳiＣ基板以外の金属基板上に、相手材に対して垂直に接触するカーボンナノチューブ層を形成して、放熱性能に優れた放熱構造の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも相手材に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に形成されたカーボンナノチューブを発熱体または／および冷却体に接触させて使用する放熱構造の製造方法であって、
基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、
少なくとも前記発熱体または／および冷却体に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする放熱構造の製造方法。
【請求項２】
前記第一の工程において、カーボンナノチューブを溶媒中に分散させて正または負の極性を与え、かつ、少なくとも表面が金属である上記基板を負極または正極に用いて電気泳動法を行うことにより、前記基板表面にカーボンナノチューブ堆積層を形成することを特徴とする請求項１に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項３】
前記第一の工程において、カーボンナノチューブ堆積層の厚さを１μｍ以上形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項４】
前記第一の工程において、カーボンナノチューブ堆積層の厚さを１０μｍ以上形成することを特徴とする請求項３に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項５】
前記第一の工程において、カーボンナノチューブ堆積層の厚さを５０μｍ以上形成することを特徴とする請求項４に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項６】
前記第二の工程において、前記発熱体または／および冷却体に接触させる基板表面に照射密度０．７〜８．６ＭＷ／ｃｍ2でレーザーを照射することにより、カーボンナノチュ
ーブを前記基板面に垂直に配向させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブが基板面に垂直に配向した部分の厚さを１μｍ以上形成することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項８】
前記カーボンナノチューブが基板面に垂直に配向した部分の厚さを３μｍ以上形成することを特徴とする請求項７に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項９】
前記第二の工程の後、カーボンナノチューブ堆積層または／およびカーボンナノチューブが基板面に垂直に配向した部分に、熱伝導性樹脂を含浸することを特徴とする請求項１〜８のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法。
【請求項１０】
前記基板がＣu又はＡlであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極めて放熱性が高いカーボンナノチューブを利用した放熱構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータやモバイル電子機器の高機能化、高密度実装化に伴い、ＣＰＵ、ＧＰＵ、チップセット、メモリーチップ等の発熱源の単位面積あたりの発熱量が飛躍的に増大しており、放熱装置の高性能化が求められている。これは、半導体素子は構成する材料固有の作動上限温度が定まっており、その温度以上では素子が破壊してしまうため、放熱が不十分な状態では著しく寿命低下をきたすためである。通常自然対流や電動送風装置を用いた強制対流をもちいて放熱をはかるが、原理的に単位面積あたりの放熱量には冷却方式固有の上限があるため、大量の熱を放熱するためには、放熱する面積を拡大するヒートシンク、ヒートスプレッダーと称する放熱装置が一般には用いられている。
【０００３】
具体的には半導体素子（以降ダイと称す）の放熱面（一般に半導体素子はＳi単結晶か
らなる基板の一面に薄膜からなる機能部分を作り込み、その反対面から放熱する）に比べ数〜数十倍の表面積を有する金属製（銅もしくはアルミニウムが一般的）放熱フィンに接触させ発熱した熱をダイから放熱フィンへ移動させる。放熱フィンはダイに比べ充分大きな表面積を有するため、単位面積あたりの放熱量の上限以下でも半導体素子の発生する熱を空中へ放出することが可能となる。放熱フィンは通常熱伝導率の高いアルミや銅などの材料（場合によればダイヤモンドが採用されることもある）が使用されているが、ダイからこの放熱フィンへの熱の伝達が極めて重要である。
【０００４】
半導体素子の熱の放熱を理解するために、一般には熱の伝達を等価的に電気伝達と同じように考えると現象の理解が容易になることが知られている。熱の伝達を妨げる抵抗因子を電気伝導の場合の電気抵抗と同様熱抵抗という概念で説明が可能であり、放熱を評価するにはこの熱抵抗を評価すればよいことがしられている。
【０００５】
半導体素子を考えると、その素子の消費電力Ｑ（Ｗ）に対し、ΔＴ（℃）の温度差が発熱源に生じる場合の熱抵抗θはΔＴ／Ｑ（Ｋ／Ｗ）であらわされる。この数字が大きくなると所定の消費電力に対する温度差が大きくなるため好ましくない。半導体の放熱装置は熱抵抗を下げることが最大の狙いである。半導体放熱装置の場合の熱抵抗は半導体材料と放熱フィンとの熱伝導に対する抵抗成分とダイと放熱フィンとの間の熱移動に対する熱抵抗の和になる。半導体や放熱フィンはそれぞれ高い熱伝導率を有するため、その熱抵抗は小さな数字となることからダイと放熱フィンとの間の熱抵抗を如何に下げるかが設計の鍵である。
【０００６】
放熱装置の一つとして簡易でかつ効果的な方法は、発熱源の表面に放熱シートや接着剤を貼り付けて熱抵抗を低下させる方法である。
このような放熱シートは、高い熱伝導率を持つことはもちろんであるが、発熱源表面に存在する微小な凹凸の隙間に、隙間なく入り込むことにより接触熱抵抗を低くすることが必要とされる。隙間が空いた場合は、そこに熱伝導率の極めて低い空気が介在するために、発熱源との間の接触熱抵抗が大きくなってしまう。
【０００７】
このような凹凸への追従性を持たせるために、一般には放熱シートの材質としては、柔らかい樹脂が用いられる。
これらの材料は、一般的には樹脂中に高熱伝導率の粒子を分散した材料である。高熱伝
導率粒子としては、熱伝導率が４００Ｗ／ｍＫ程度あるＡgやＣuなどの金属粒子（特許文献１）や、Ａl2Ｏ3、ＡlＮなどのセラミックス粒子が用いられることが多い（特許文献２）。また、熱伝導率の高いフィラーとしては、カーボンナノチューブがよく知られている。しかし、従来の高熱伝導率粒子を利用した放熱シートには、樹脂中にこれらの粒子が分散して存在するために、高い熱伝導率は得られないという問題点があった。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−００３８２９号公報
【特許文献２】特開２００５−１３９２６７号公報
【特許文献３】特許第３１８３８４５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで本発明は上記問題点に鑑みて、放熱性能に優れた放熱構造をより安価に提供すべく、ＳiＣ基板以外の金属基板上に、相手材に対して垂直に接触するカーボンナノチュー
ブ層を形成して、放熱性能に優れた放熱構造の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、カーボンナノチューブが特定方向に配向した層を放熱板表面に形成すればよいことを見出した。カーボンナノチューブの長さ方向の熱伝導率はダイヤモンドに匹敵するとも言われており、例えば、カーボンナノチューブの先端を発熱体表面に接触させると、微細なカーボンナノチューブの先端が発熱体表面の凹凸部分に極めて良好に接触し、低い熱抵抗が得られる。このように、カーボンナノチューブが相手材に対して垂直に接触することが重要であることを見出した。
【００１１】
基板面に対して垂直に成長したカーボンナノチューブは例えば次の方法（以下、昇華法と記す）で合成できる（詳しくは特許文献３参照）。
すなわち、真空下において、ＳiＣ基板が分解してケイ素原子が失われる温度に加熱す
ればよい。ＳiＣを真空下で加熱すると、例えば、真空度が１０-2torr以上の真空度で、
１４００℃程度になるとＳiＣが分解して珪素原子が失われる。このとき、ケイ素原子は
ＳiＣ結晶の表面から順に失われるため、まずＳiＣ結晶の表面がケイ素原子の欠乏した層（炭素層）に変化し、このＳi除去層（炭素層）が次第に元のＳiＣ結晶の内部に浸透するように厚みを増す。この層を顕微鏡で観察すると、カーボンナノチューブがＳiＣ表面か
ら垂直に生成している層であることが知られている。
【００１２】
しかし、上記昇華法はＳiＣ基板の場合にしか適用できない。このため、より安価な銅
やアルミなどの金属基板上にカーボンナノチューブを形成することはできないという問題がある。そこで本発明者は更に鋭意探究を重ねた結果、電気泳動法により基板表面にカーボンナノチューブを堆積させ、該カーボンナノチューブ堆積層にレーザー照射をしてカーボンナノチューブを基板面に垂直に配向させることが有効であることを見出し、本発明を完成させた。
【００１３】
本発明は、金属基板上にもカーボンナノチューブからなる層を安価なプロセスで作製でき、かつ、相手材と接触する表面部のカーボンナノチューブが基板面と垂直に配向している量が多い放熱構造を得るためのものである。
【００１４】
本発明は以下のとおりである。
（１）本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面に形成されたカーボンナノチューブを発熱体または／および冷却体に接触させて使用する放熱構造の製造方法であって、
基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、
少なくとも前記発熱体または／および冷却体に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、
を有することを特徴とする。
（２）上記（１）に記載の放熱構造の製造方法であって、前記第一の工程において、カーボンナノチューブを溶媒中に分散させて正または負の極性を与え、かつ、少なくとも表面が金属である上記基板を負極または正極に用いて電気泳動法を行うことにより、前記基板表面にカーボンナノチューブ堆積層を形成することを特徴とする。
（３）上記（１）又は（２）に記載の放熱構造の製造方法であって、前記第一の工程において、カーボンナノチューブ堆積層の厚さを１μｍ以上形成することを特徴とする。
（４）上記（３）に記載の放熱構造の製造方法であって、前記第一の工程において、カーボンナノチューブ堆積層の厚さを１０μｍ以上形成することを特徴とする。
（５）上記（４）に記載の放熱構造の製造方法であって、前記第一の工程において、カーボンナノチューブ堆積層の厚さを５０μｍ以上形成することを特徴とする。
【００１５】
（６）上記（１）〜（５）のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法であって、前記第二の工程において、前記発熱体または／および冷却体に接触させる基板表面に照射密度０．７〜８．６ＭＷ／ｃｍ2でレーザーを照射することにより、カーボンナノチューブを前記
基板面に垂直に配向させることを特徴とする。
（７）上記（１）〜（６）のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法であって、前記カーボンナノチューブが基板面に垂直に配向した部分の厚さを１μｍ以上形成することを特徴とする。
（８）上記（６）に記載の放熱構造の製造方法であって、前記カーボンナノチューブが基板面に垂直に配向した部分の厚さを３μｍ以上形成することを特徴とする。
（９）上記（１）〜（８）のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法であって、前記第二の工程の後、カーボンナノチューブ堆積層または／およびカーボンナノチューブが基板面に垂直に配向した部分に、熱伝導性樹脂を含浸することを特徴とする。
（１０）上記（１）〜（９）のいずれか一に記載の放熱構造の製造方法であって、前記基板がＣu又はＡlであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る放熱構造の製造方法により、微細なカーボンナノチューブが相手材の表面の凹凸に良好に接触する優れた放熱構造を安価なプロセスで作製することができる。
また、本発明により製造される放熱構造は次のような効果を奏する。すなわち、カーボンナノチューブ層は多孔質で弾性率が小さいために、異なる熱膨張係数の材料間に挿入して使用することにより、両者の間の熱応力を緩和し、剥離等を生じさせず、かつ熱が伝搬しやすい放熱構造となる。更に、該放熱構造を用いた放熱装置は、パソコン等の家電部品を初めとする電子デバイス、自動車部品、構造材料等、接触により熱抵抗が発生する部位に用いることで、システムの放熱能力を増大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも前記発熱体または／および冷却体（相手材）に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。これにより、図１に示す放熱構造を得ることができる。
【００１８】
本発明に係る放熱構造の製造方法では、目的に応じて、基板の片面のみを処理してもよく、両面、前面を処理してもよい。たとえば、発熱体と冷却体との間に挟んで使用する場
合には、両面を処理することが好ましい。また、第二の工程の結果、第一の工程で作製したカーボンナノチューブ堆積層が消失し、基板表面のカーボンナノチューブの全てが基板面に垂直に配向していてもよく、カーボンナノチューブ堆積層が残存して、その上にカーボンナノチューブ配向部が形成されていてもよい。後述するように、相手材表面のマクロなうねりに対応させる場合には、カーボンナノチューブ堆積層が残存している方が好ましい。
【００１９】
図１に示す放熱構造は、基板面にカーボンナノチューブ堆積層及びカーボンナノチューブ配向部を有している。該放熱構造は、カーボンナノチューブが基板面に対して垂直に配向した部分が相手材（放熱体及び／又は冷却体）と接触するため、カーボンナノチューブの先端が相手材表面の微細な凹凸部分に隙間なく接触することが可能であり、熱伝導に優れたものとなる。この目的から、カーボンナノチューブ配向部におけるカーボンナノチューブは全てが完全に基板面に対して垂直に配向している必要はなく、多数のカーボンナノチューブが概ね垂直方向を向いていればよい。すなわち、カーボンナノチューブの先端部が効率よく相手材表面に接触することが重要なのであり、一部のカーボンナノチューブが傾斜していたり、横臥したりしていても構わない。また、所々で折れ曲がったカーボンナノチューブが含まれていてもよい。
【００２０】
また、本発明に係る放熱構造の製造方法により形成されるカーボンナノチューブ堆積層は、気孔を有する多孔質層であるため、容易に変形することができる。このため、相手材表面が大きなうねりを有する場合であっても、押圧することによりカーボンナノチューブ堆積層が変形し、表面のカーボンナノチューブ配向部のカーボンナノチューブ端部が相手材表面に追従することが可能となり、接触性が増す（図２参照）。更に、後述するように、カーボンナノチューブ層及び／又はカーボンナノチューブ配向部に熱伝導性樹脂を含浸させると、更に接触性を増すことが可能となる。
【００２１】
前記第一の工程におけるカーボンナノチューブの基板への堆積方法は、例えば電着法を用いることができる（図３参照）。電着法は、例えば粉末状のカーボンナノチューブを溶媒に分散させて正または負の極性を与え、同時に溶媒中に設置した負極または正極の表面に電気泳動で堆積させる方法である。カーボンナノチューブを負に帯電させた場合は、堆積させる基板を正極、逆にカーボンナノチューブを正に帯電させた場合には堆積させる基板を負極にすればよい。カーボンナノチューブが正負どちらに帯電するかは、溶媒や、あるいはカーボンナノチューブと一緒に添加する界面活性剤等の試薬や導電性高分子の種に依存する。本発明ではどちらに帯電させてもよい。また、使用する溶媒及び分散させる材料にもよるが、基板上にはカーボンナノチューブ以外の成分も堆積する。例えば、カーボンナノチューブよりも直径や長さが長いカーボンナノファイバーやカーボンファイバー等が堆積する。
【００２２】
前記第一の工程において、電着法等により形成するカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層の厚さは、少なくとも１μｍ以上であることが必要である。これは、後述する第二の工程において、カーボンナノチューブが基板面に対して垂直に配向した部分の厚さを１μｍ以上にすることが好ましいからである。
前記第一の工程において形成するカーボンナノチューブ堆積層の厚さは、１０μｍ以上であることがより好ましい。一般に相手材となる発熱体やヒートシンクなどは、表面の凹凸とは別に、面積全体に亘るうねりが存在する、すなわち平坦度が低い場合がある。このような相手材の場合、カーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層の厚さが小さいと、相手材のうねりに追従できずに接触しきれない部分が生じて熱抵抗が大きくなる場合があるのである。カーボンナノチューブを主成分とする上記カーボンナノチューブ堆積層の厚さが５０μｍ以上である場合は、ほぼどのような相手材にも対応できる。
【００２３】
このような方法で堆積した状態のカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層では、カーボンナノチューブが任意の方向に向いているために、該カーボンナノチューブ堆積層の表面を相手材（発熱体及び／又は冷却体）に接触させても、相手材表面の凹凸部にうまく接触できないため熱抵抗は高い値になってしまう。低い熱抵抗を得るためには、少なくともカーボンナノチューブ堆積層の表面近傍部のカーボンナノチューブが相手材に対して垂直方向に向いていることが望ましい。
【００２４】
本発明では、相手材と接触する基板表面に形成されたカーボンナノチューブ堆積層にレーザーを照射することで、横臥状態にあるカーボンナノチューブを起毛させて、相手材に対して垂直方向に向きやすくなるのである（図３参照）。
このとき、レーザーの照射密度（「レーザーピーク強度」とも呼ばれる）を０．７ＭＷ／ｃｍ2以上に設定する。また、レーザーとしては、例えば波長３０８ｎｍのエキシマレ
ーザーを採用して、パルス幅１７nsecで１ショットだけレーザー照射を行う。
【００２５】
レーザーの照射密度を０．７ＭＷ／ｃｍ2以上に設定すると、レーザー照射によりカー
ボンナノチューブ堆積層内で発生した熱によってカーボンナノチューブが変形し、レーザー照射前は横臥状態であったカーボンナノチューブが起立状態となる。そのため基板表面部のカーボンナノチューブは、レーザー照射前よりも起立状態のものが増加する。
さらには、レーザーを照射することにより、カーボンナノチューブ同士の接触している部分が融着する場合もある。これは一種の焼結現象であり、これによりカーボンナノチューブのネットワークが形成されるので、カーボンナノチューブ堆積層の熱伝導率自体が高くなると予想できる。その意味ではレーザー強度は高いほど好ましい。
【００２６】
一方、レーザー照射密度が８．６ＭＷ／ｃｍ2を超えると効果が飽和する。このため、
本発明に係る放熱構造の製造方法は、前記第二の工程において、発熱体及び／又は冷却体に接触させる基板表面に、照射密度０．７〜８．６ＭＷ／ｃｍ2でレーザー照射すること
により、カーボンナノチューブを前記基板面に対して垂直に配向させることを特徴とする。
なお、レーザーとしてはエキシマレーザー以外にもＹＡＧレーザーや炭酸ガスレーザーを用いても良いし、パルス照射の代わりに、周波数変調されたレーザーを用いても良い。また、レーザー照射方式はスキャン方式、スポット方式のいずれでも構わないし、レーザー照射雰囲気は大気中が望ましいが真空中でも構わない。
【００２７】
一般に、多くのヒートシンク材料は、その表面粗さがＲz値で１μｍ程度なので相手材
との良好な接触性を得るためには、カーボンナノチューブが起毛する部分（基板面に対して垂直に配向した部分）の厚さが１μｍ以上あることが好ましい。これにより、針状をしたカーボンナノチューブの先端部分が相手材表面の微細な凹凸部に隙間なく接触し、相手材との接触熱抵抗を低くすることができる。１μｍ未満であると、カーボンナノチューブの先端部分が相手材表面の微細な凹凸に入り込んでも、長さが短いため接触性が低下して熱抵抗が高くなる場合がある。カーボンナノチューブが起毛する部分の厚さが３μｍ以上であるとほぼどのような相手材にも対応できる。
【００２８】
起毛する厚さは、カーボンナノチューブ堆積層の相対密度により変わるので一概には言えない。密に堆積したカーボンナノチューブ堆積層の場合は、起毛部分の厚さを大きくするには比較的高いレーザー強度が必要であるが、気孔率の高いカーボンナノチューブ堆積層の場合は、レーザー強度が小さくてもある程度の厚さまで起毛するということが分かっている。
【００２９】
以上のような基板面にカーボンナノチューブ層を持つ放熱材料を相手材に接触させると
、表面部に多く含まれる基板面に垂直に配向したカーボンナノチューブが相手材と極めてよく接触するために、低い熱抵抗を得ることができる。
【００３０】
また、このような放熱材料は多孔体であるので、第二の工程の後、カーボンナノチューブからなる層中に熱伝導性樹脂を含浸して用いてもよい。接触性がさらに改善され熱抵抗はさらに低下する。このとき、含浸させる樹脂の量が多すぎると、基板表面のカーボンナノチューブと相手材との間に樹脂の余剰分が介在することとなり、接触熱抵抗を大きくしてしまうので好ましくない。逆に、樹脂の量が少なすぎると、接触性の改善効果が少なく好ましくない。このため、基板表面に堆積されたカーボンナノチューブの量に応じて樹脂の量を適宜変更することが好ましい。
【００３１】
更に、本発明に係る放熱構造の製造方法に用いる基板としては、安価な金属基板が好ましい。前述のような電着法を利用する場合には、基板が導電性を有することが必要である。また、放熱構造として用いられることから、伝熱性に優れる基板であることが好ましい。このような観点から、本発明に係る放熱構造の製造方法に用いる基板は、特に、Ｃu又
はＡlであることが好ましい。
【実施例】
【００３２】
＜試料の作製＞
（１）基板
１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚み１ｍｍの銅板を基板とした。最大うねりは０．０２μｍ以下、表面粗さであるＲzは０．０１μｍの光学的鏡面レベルまで表面を研磨した。
【００３３】
（２）カーボンナノチューブの堆積とレーザー照射
ビーカーに採取した平均長さが２μｍのカーボンナノチューブを、濃度１０％の硫酸・硝酸の１：１混酸中に浸漬し、９０ＫＨｚの超音波を１０分印加した。混酸を蒸発させた後のカーボンナノチューブに無水ジメチルホルムアミド液を加え、間隔３ｍｍで対向電極を挿入し、１２０Ｖの直流電圧を印加した。カーボンナノチューブは正極側に堆積した。
カーボンナノチューブの堆積する厚さは電気泳動処理時間を変化させることで制御した。カーボンナノチューブ堆積層にエキシマレーザーを照射強度、時間を変えて照射した。
一部の試料については、カーボンナノチューブ堆積層及びカーボンナノチューブ配向部内に、市販のシリコーングリース（熱伝導率：１．１Ｗ／ｍＫ）を含浸させたものを用いた。
【００３４】
＜熱抵抗の測定＞
図４に示すように、幅１０×１０ｍｍ、厚さが２０ｍｍのＣu製ホルダの各位置に熱電
対を埋め込んだＣuホルダの間に試料を設置し、３．７５ｋｇ／ｃｍ2の圧力で押さえつけた。上部からＡlＮヒータで、１３Ｖ、２５０ｍＡで加熱して熱量Ｑを付加した。上下の
Ｃuホルダの各位置の温度を測定し、定常状態になるまで保持した。Ｃuホルダの周囲は断熱材で囲った。
定常状態に達した時の、各Ｃuホルダ内の温度勾配から、試料の表面温度（Ｔ１）と裏
面温度（Ｔ２）を外挿して算出した。
Ｃuホルダの表面加工は、図５に示すように、凸型とし、最大うねりを１０．２μｍ、
表面粗さであるＲzを１．２μｍとした。
【００３５】
熱抵抗は下記の式で算出した。
熱抵抗の測定（Ｋ／Ｗ）＝（Ｔ１−Ｔ２）／Ｑ・・・（式）
【００３６】
結果を表１に示す。
レーザー照射することで熱抵抗が低下した。グリースを含浸させるとさらに熱抵抗は低
下した。なお、表１中の、ＣＮＴ層厚とは、前記カーボンナノチューブ堆積層及び前記カーボンナノチューブが基板面に略垂直に配向した部分の厚さの総厚を意味する。
【００３７】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る放熱構造の製造方法により作製される放熱構造の一例を表す図である。
【図２】本発明に係る放熱構造の製造方法により作製される放熱構造の使用例の一例を表す図である。
【図３】本発明に係る放熱構造の製造方法の一例を表す図である。
【図４】実施例において使用された熱抵抗を測定する装置の概略を表す図である。
【図５】実施例において用いたＣuホルダ（相手材）の概略を表す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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