(57)【要約】    【課題】  基板処理装置に於いて、保守時等の蓋部の開閉が配管の切離し、接続作業なしに、行える様にし、作業の簡略化、作業時間の短縮を図り、保守時間を短縮して稼働率の向上を図る。    【解決手段】  開口部を有し、内部に基板を収納して処理する反応容器２と、該反応容器の前記開口部を気密に閉塞する蓋体５と、該蓋体に設けられ、前記反応容器内にガスを供給するガス供給部７と、前記反応容器に固定され複数のガス流路を有する第１ブロック５２と、該第１ブロックと対向する様前記蓋体に固定され、該蓋体の閉塞状態で前記第１ブロックの前記複数のガス流路のそれぞれに連通する複数のガス流路を有する第２ブロック５４と、該第２ブロックの前記複数のガス流路と前記蓋体の前記ガス供給部とを連結する複数の配管６５とを有する。    【選択図】          図１
2009088346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する反応容器と、該反応容器の前記開口部を気密に閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ、前記反応容器内にガスを供給するガス供給部と、前記反応容器に固定され複数のガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様前記蓋体に固定され、該蓋体の閉塞状態で前記第１ブロックの前記複数のガス流路のそれぞれに連通する複数のガス流路を有する第２ブロックと、該第２ブロックの前記複数のガス流路と前記蓋体の前記ガス供給部とを連結する複数の配管とを有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜を生成する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程の１つに薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理があり、斯かる基板処理は基板処理装置によって実行される。
【０００３】
又、基板処理装置には所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置と、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置とがある。
【０００４】
図７に於いて従来の基板処理装置について説明する。
【０００５】
気密な処理室１を画成する反応容器２は容器本体３と該容器本体３にヒンジ部４を介して開閉可能に設けられた蓋体５から構成され、該蓋体５はシャワーヘッド６を有し、該シャワーヘッド６には処理ガス供給ライン７及びラジカル供給ライン８が接続されている。図中、９はリモートプラズマ発生装置、１１は開閉バルブである。
【０００６】
前記反応容器２には排気ポート１２が設けられ、該排気ポート１２には排気ライン１３が接続されている。又、該排気ライン１３には圧力制御手段１４が設けられている。
【０００７】
前記処理室１にはヒータが内蔵されている基板載置台１５が収納され、該基板載置台１５はヒータ支持台１６、昇降台１７を介して昇降可能に支持されている。尚、該昇降台１７の前記容器本体３の底部貫通部はベローズ１８によって気密にシールされている。
【０００８】
前記容器本体３の側壁には基板搬入出口１９が設けられ、前記基板載置台１５が降下状態で図示しない搬送ロボットにより前記基板搬入出口１９を通して前記基板載置台１５に処理基板が載置、払出し可能となっている。
【０００９】
前記基板載置台１５に基板が載置され、加熱され、更に前記排気ライン１３を介して前記処理室１が排気され、処理圧に維持された状態で前記処理ガス供給ライン７より処理ガスが導入され、更に前記ラジカル供給ライン８よりラジカル分子が導入されることで、基板に成膜等所要の処理がなされる。
【００１０】
成膜処理を実行することで、前記処理室１に臨接する前記容器本体３、前記蓋体５の内面には反応生成物が付着堆積する。この為、定期的、或は所要稼働時間毎に前記蓋体５を開いて付着堆積物を除去する保守が実行される。
【００１１】
前記蓋体５を開閉するに伴い、前記処理ガス供給ライン７と前記蓋体５との切離しが必要となるが、従来では前記処理ガス供給ライン７の途中に連結管部２１が設けられている。該連結管部２１は管継手２２，２３を介して前記処理ガス供給ライン７に着脱可能となっており、前記蓋体５の開閉の際は、前記連結管部２１を取外して行っている。
【００１２】
上記した従来の基板処理装置で開閉を行う場合は、前記連結管部２１の着脱が必要となるが、該連結管部２１の着脱に伴い、前記処理ガス供給ライン７に取付けているヒータの着脱が必要となり、又前記管継手２２，２３の着脱はボルト、ナットの着脱作業が伴い、更に前記管継手２２，２３毎に気密を保持する為のシール、シール作業が必要となり、作業は繁雑である。更に、前記処理ガス供給ライン７は通常複数のガス供給管で構成されており、前記連結管部２１の着脱作業は１本１本の作業となり、繁雑で時間を要するものとなっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は斯かる実情に鑑み、保守時等の蓋部の開閉が配管の切離し、接続作業なしに、行える様にし、作業の簡略化、作業時間の短縮を図り、保守時間を短縮して稼働率の向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する反応容器と、該反応容器の前記開口部を気密に閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ、前記反応容器内にガスを供給するガス供給部と、前記反応容器に固定され複数のガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様前記蓋体に固定され、該蓋体の閉塞状態で前記第１ブロックの前記複数のガス流路のそれぞれに連通する複数のガス流路を有する第２ブロックと、該第２ブロックの前記複数のガス流路と前記蓋体の前記ガス供給部とを連結する複数の配管とを有する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する反応容器と、該反応容器の前記開口部を気密に閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ、前記反応容器内にガスを供給するガス供給部と、前記反応容器に固定され複数のガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様前記蓋体に固定され、該蓋体の閉塞状態で前記第１ブロックの前記複数のガス流路のそれぞれに連通する複数のガス流路を有する第２ブロックと、該第２ブロックの前記複数のガス流路と前記蓋体の前記ガス供給部とを連結する複数の配管とを有するので、蓋体の開閉動作により蓋体とガス供給ラインとの継断が行われ、煩雑な配管作業が必要なくなり、リークチェック箇所の減少、配管加熱手段の着脱が不要となり、作業性が向上し、保守性が向上し、又作業時間の短縮に伴い稼働率が向上する等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１７】
先ず、図１〜図４に於いて本発明に係る基板処理装置の一例について説明する。
【００１８】
尚、図中、図７中で示したものと同等のものには同符号を付してある。又、図３、図４中、リモートプラズマ発生装置９の図示は省略している。
【００１９】
反応容器２は容器本体３と開閉可能な蓋体５とで構成され、該蓋体５はヒンジ部４を介して開閉可能となっており、前記容器本体３と前記蓋体５とはボルト等の固着具によって固定される。前記容器本体３と前記蓋体５との接合面にはＯリング等のシール部材２５が設けられ、気密にシールされる。前記容器本体３と前記蓋体５とで内部に処理室１が形成され、前記容器本体３には排気ライン１３が接続され、又前記蓋体５には処理ガス供給ライン７及びラジカル供給ライン８が接続されている。尚、前記処理ガス供給ライン７は複数の配管によって構成されるが、図示では便宜上１本の管で示している。
【００２０】
前記容器本体３の底部を遊貫して昇降台１７が設けられ、該昇降台１７にヒータ支持台１６が支持され、該ヒータ支持台１６の上部は基板載置台１５となっており、該基板載置台１５内部に加熱ヒータ２６が封入され、前記基板載置台１５はヒータカバー２７により覆われている。前記ヒータ支持台１６、前記基板載置台１５としては基板の金属汚染を防止する為、非金属であることが望ましく、例えば石英、窒化アルミ等が用いられ、又前記加熱ヒータ２６としては、タングステン、カーボン、モリブデン等が用いられる。前記基板載置台１５の加熱温度は気密に設けられた熱電対等の温度検出手段（図示せず）によって検出される。
【００２１】
前記昇降台１７は昇降機構（図示せず）により支持され、昇降可能となっており、前記昇降台１７の貫通部はベローズ１８によって気密となっている。前記ヒータカバー２７には基板、例えばウェーハ２８が載置される。
【００２２】
前記容器本体３の底面には、少なくとも３本の基板支持ピン（図示せず）が立設され、該基板支持ピンは前記昇降台１７が降下した状態で、前記基板載置台１５、前記ヒータカバー２７を貫通して上方に突出し、ウェーハ２８を支持する様になっている。前記基板支持ピンとしては、ウェーハ２８を汚染しない、耐熱性に優れた材質が用いられ、例えば石英等非金属であることが好ましい。又、前記基板支持ピンの接触部の温度斑を考慮して、先端の直径は、例えば０．８ｍｍ以下が好ましい。
【００２３】
前記容器本体３の１つの側壁には基板搬入出口１９が設けられ、該基板搬入出口１９を通して図示しない基板移載装置によりウェーハ２８が搬入、搬出される様になっており、前記基板搬入出口１９はゲート弁２９によって気密に閉塞される。又、前記容器本体３の他の側壁には排気口３１が設けられ、該排気口３１には前記排気ライン１３が接続されている。該排気ライン１３には圧力調整弁等の圧力制御手段１４が設けられ、前記排気ライン１３は図示しない真空ポンプに接続されている。
【００２４】
前記容器本体３の内部には、前記ヒータカバー２７の周囲を囲む様に、前記処理室１を上下に仕切るコンダクタンスプレート３２が設けられ、該コンダクタンスプレート３２と前記ヒータカバー２７との間には所要のコンダクタンスを有する様に隙間が形成されている。
【００２５】
前記蓋体５には前記ラジカル供給ライン８、開閉バルブ１１、リモートプラズマ発生装置９が設けられており、該リモートプラズマ発生装置９は高周波電極を具備し、アルゴン、酸素等のプラズマ発生用ガス種が供給され、前記高周波電極に高周波電力を印加することでプラズマが発生され、プラズマによって酸素ラジカルが生成され、該酸素ラジカルは前記ラジカル供給ライン８、前記開閉バルブ１１を介して前記処理室１に供給される。尚、前記リモートプラズマ発生装置９は前記開閉バルブ１１によって切離しが可能となっている。
【００２６】
前記処理ガス供給ライン７は、前記反応容器２に設けられた配管連結装置３３を介して前記処理室１に気密に接続されている。
【００２７】
又、該配管連結装置３３は、後述する様に、前記容器本体３側と前記蓋体５側とに２分割される構造となっており、一方は前記蓋体５と一体に回動可能であり、又他方は前記容器本体３側に固定されている。前記配管連結装置３３は、前記蓋体５の開閉動によって、連通、分断する様になっている。
【００２８】
前記処理ガス供給ライン７は原料ガスＡの液化ガスを貯溜するＡ原料タンク３４、原料ガスＢの液化ガスを貯溜するＢ原料タンク３５を有している。尚、３種類の原料を使う場合は、原料ガスＣの液化ガスを貯溜するＣ原料タンク（図示せず）を設け、又、酸化剤としてＨ2 Ｏを用いる場合には、前記Ａ原料タンク３４、前記Ｂ原料タンク３５と同様のタンクを設け、それぞれ前記処理室１に供給可能な構造とする。
【００２９】
前記Ａ原料タンク３４、前記Ｂ原料タンク３５は、それぞれ図示しないヒータを具備しており、原料の蒸気圧、貯溜部の温度に合せて加熱可能となっている。又、前記Ａ原料タンク３４、前記Ｂ原料タンク３５には原料輸送ガスを導入する原料輸送ガス供給管３６，３７が接続されている。該原料輸送ガス供給管３６，３７の先端部は液体原料中に液没されている。又、原料輸送ガスとしては非反応性ガス、例えば窒素ガス、アルゴンガス等が使用される。尚、前記Ｃ原料タンクも前記Ａ原料タンク３４、前記Ｂ原料タンク３５と同様の構成となっている。
【００３０】
前記Ａ原料タンク３４にはＡ原料ガス供給管３８が接続され、前記Ｂ原料タンク３５にはＢ原料ガス供給管３９が接続されている。前記Ａ原料ガス供給管３８、前記Ｂ原料ガス供給管３９にはそれぞれＡ原料用バルブ４１、Ｂ原料用バルブ４２が設けられ、前記Ａ原料用バルブ４１、前記Ｂ原料用バルブ４２の上流側にはそれぞれＡ原料排気管４３、Ｂ原料排気管４４が連通され、前記Ａ原料排気管４３、前記Ｂ原料排気管４４にはそれぞれＡ原料排気用バルブ４５、Ｂ原料排気用バルブ４６が設けられている。又、前記Ａ原料ガス供給管３８、前記Ｂ原料ガス供給管３９の前記Ａ原料用バルブ４１、前記Ｂ原料用バルブ４２の下流側にそれぞれ希釈ガスライン４７，４８が連通され、該希釈ガスライン４７，４８にはそれぞれ希釈ガス用バルブ４９，５０が設けられている。尚、前記Ｃ原料ガス供給管（図示せず）も、前記Ａ原料ガス供給管３８、前記Ｂ原料ガス供給管３９と同様の構成となっている。
【００３１】
前記配管連結装置３３について、図３〜図６を参照して説明する。
【００３２】
前記容器本体３の外側面に第１ブロック５２が固着され、該第１ブロック５２には複数の第１流路５３が穿設されている。前記第１ブロック５２に対応する様に前記蓋体５に第２ブロック５４が固着され、該第２ブロック５４には前記第１流路５３と対応する様に複数の第２流路５５が穿設されている。
【００３３】
前記第１ブロック５２と前記第２ブロック５４とは前記蓋体５が前記容器本体３を閉塞した状態で、前記第１ブロック５２の第１ブロック接合面５６と前記第２ブロック５４の第２ブロック接合面５７を介して合体する様になっており、合体した状態で、各第１流路５３の上端開口５３ａと前記第１流路５３に対応する各第２流路５５の下端開口５５ａとが合致する。
【００３４】
前記第１ブロック接合面５６の各第１流路５３の上端開口５３ａ毎にシール部材、例えば第１Ｏリング５８を設け、更に全ての上端開口５３ａを囲む様にシール部材、例えば第２Ｏリング５９を設け、前記第１Ｏリング５８、前記第２Ｏリング５９は前記第１ブロック接合面５６と前記第２ブロック接合面５７が接合した状態で、所要の圧縮変形をする様に設定される。例えば、前記第１Ｏリング５８と、前記第２Ｏリング５９の面圧が等しくなる様に、或は圧縮代が等しくなる様に、或は外側の前記第２Ｏリング５９の圧縮代が内側の前記第１Ｏリング５８より大きくなる様にする等である。
【００３５】
又、前記容器本体３と前記蓋体５間の接合面も前記シール部材２５によりシールされるが、前記蓋体５の閉塞状態で、前記第２Ｏリング５９と前記シール部材２５の面圧を同一とする、或は圧縮代を同一とする。
【００３６】
尚、図５では、前記第１ブロック接合面５６と前記第２ブロック接合面５７との接合面、前記容器本体３と前記蓋体５の接合面は面一となっているが、段差が有ってもよい。
【００３７】
前記第１ブロック接合面５６の前記第２Ｏリング５９で囲まれる領域の内側で前記第１Ｏリング５８の外側に連通する様にガス漏れ検出導路６１を穿設し、該ガス漏れ検出導路６１は図示しない吸引装置に接続する。尚、前記ガス漏れ検出導路６１は前記排気ライン１３に接続されてもよい。前記第１Ｏリング５８、前記第２Ｏリング５９を２重に設けることで、ガスの漏洩に対して安全性が向上するが、上記した様にガス漏れを検知することで更に安全性が向上する。又、前記ガス漏れ検出導路６１を介して吸引し、前記第１Ｏリング５８と前記第２Ｏリング５９との間を負圧にするだけでも安全性は向上する。
【００３８】
前記ガス漏れ検出導路６１にはガス検知器６２が設けられ、該ガス検知器６２によって前記ガス漏れ検出導路６１を介しガスが漏洩しているかどうかが検出される。
【００３９】
前記蓋体５には、ガス供給部が設けられ、該ガス供給部は前記蓋体５の上面に設けられる弁ユニット６３、該弁ユニット６３からシャワーヘッド６にガスを導入するガス供給口６４を有する。
【００４０】
前記弁ユニット６３と前記第２ブロック５４との間には複数の接続配管６５が設けられる。前記弁ユニット６３は、前記第２流路５５と同数の流量制御弁を有し、又前記接続配管６５も前記第２流路５５と同数からなり、個々の前記弁ユニット６３と対応する前記第２流路５５とが前記接続配管６５によって接続される。
【００４１】
前記第１ブロック５２の側面、前記第２ブロック５４の側面にはそれぞれ個別にヒータ（図示せず）が設けられ、前記第１ブロック５２、前記第２ブロック５４は使用されるガスに応じ、液化、或は析出しない温度に加熱される。
【００４２】
前記蓋体５は前記容器本体３に対してボルト（図示せず）により固着されるが、前記第１ブロック５２と前記第２ブロック５４とも所定の固定手段により、個別に固着される。
【００４３】
固定手段としては、一般的なボルトであってもよいが、図５、図６に示される固定手段７２を用いることで、簡便に着脱が可能となる。該固定手段７２について説明する。
【００４４】
前記第１ブロック５２の上端部に凹部６６ａが形成され、Ｕ字形の固定支持片６６が水平に突設され、前記第２ブロック５４の下端部に凹部６７ａが形成され、Ｕ字形の受け支持片６７が水平に突設され、該受け支持片６７は前記固定支持片６６に対向する様に配置される。
【００４５】
前記凹部６６ａに端部が収納される回動ボルト６８がピン６９を介して前記固定支持片６６に回転自在に設けられる。前記回動ボルト６８は回転により上端部が前記凹部６７ａに嵌脱可能であり、又前記回動ボルト６８の上端部にはワッシャ７１を介してナット７０が螺合している。尚、前記回動ボルト６８は前記ピン６９を介し上側の前記受け支持片６７に取付けてもよい。
【００４６】
図５、図６の様に前記蓋体５が閉塞され、前記回動ボルト６８の上端部が前記凹部６７ａに嵌合され、前記ナット７０を締込むことで、前記固定支持片６６と前記受け支持片６７が前記回動ボルト６８によって固定される。尚、該回動ボルト６８による固定で、前記第１Ｏリング５８、前記第２Ｏリング５９を確実に圧縮でき、前記第１流路５３、前記第２流路５５間のシール、前記第１ブロック接合面５６、前記第２ブロック接合面５７間のシールが確実に行える。
【００４７】
取外す場合は、前記ナット７０を緩め、前記回動ボルト６８を回転することで、前記凹部６７ａから前記回動ボルト６８の上端が外れ、前記固定支持片６６と前記受け支持片６７間の固定が解除される。
【００４８】
前記固定支持片６６、前記受け支持片６７の固定解除が、ボルトの抜脱を伴わないので、簡単に行える。
【００４９】
以下、基板処理、例えばＡＬＤ成膜処理について説明する。
【００５０】
前記蓋体５は前記容器本体３に気密に固定され、前記第１ブロック５２と前記第２ブロック５４とは前記固定手段７２によって気密に固定される。
【００５１】
前記昇降台１７が降下し、基板支持ピン（図示せず）が前記基板載置台１５より上方に突出した状態で、前記ゲート弁２９が開かれ、図示しない基板移載機により前記基板搬入出口１９よりウェーハ２８が前記処理室１に搬入され、前記基板支持ピンに載置される。前記基板移載機が退出し、前記ゲート弁２９により前記基板搬入出口１９が閉塞され、前記昇降台１７が上昇するとウェーハ２８は前記ヒータカバー２７上に載置され、基板処理位置に位置決めされる。
【００５２】
前記基板載置台１５内部に封入された前記加熱ヒータ２６によりウェーハ２８が加熱され、前記排気ライン１３により前記処理室１が排気され、該処理室１に原料ガスが導入可能となる。
【００５３】
原料Ａ、原料Ｂはそれぞれ前記Ａ原料タンク３４、前記Ｂ原料タンク３５に液体状態で封入されており、前記処理室１へは気化させたガスが原料輸送ガスと共に供給される。
【００５４】
前記原料輸送ガス供給管３６，３７から原料輸送ガスがそれぞれ原料Ａ、原料Ｂ中に供給され、バブリングにより原料が気化される。尚、バブリングさせずに前記Ａ原料タンク３４、前記Ｂ原料タンク３５内で気化されたものを原料輸送ガスにより搬送する様にしてもよい。
【００５５】
気化した原料ガスは流量が安定する迄、前記Ａ原料用バルブ４１、前記Ｂ原料用バルブ４２を閉じ、前記Ａ原料排気用バルブ４５、前記Ｂ原料排気用バルブ４６を開いて前記Ａ原料排気管４３、前記Ｂ原料排気管４４を介して排気する。
【００５６】
成膜開始と共に前記Ａ原料用バルブ４１を開き、前記Ａ原料排気用バルブ４５を閉じて、原料ガスＡを前記Ａ原料ガス供給管３８を介して前記処理室１に導入する。原料の供給時間としては、例えば、０．１ｓｅｃ〜３．０ｓｅｃ程度である。
【００５７】
前記処理室１のウェーハ２８に原料ガスＡが供給された後、原料ガスＡは前記ヒータカバー２７の周囲の隙間を通って前記排気口３１を介して前記排気ライン１３により排気される。尚、前記処理室１の圧力は前記圧力制御手段１４により一定に保持される。
【００５８】
原料ガスＡの供給によりウェーハ２８の表面に原料ガスＡが吸着する。原料ガスＡの供給を終了すると同時に前記Ａ原料用バルブ４１を閉じ前記Ａ原料排気用バルブ４５を開いて、前記処理室１への原料ガスＡの供給を停止すると共に原料ガスは前記Ａ原料排気管４３より排気される。
【００５９】
次に、前記Ｂ原料用バルブ４２を開き、前記Ｂ原料排気用バルブ４６を閉じて、前記Ｂ原料ガス供給管３９を介して原料ガスＢを前記処理室１に所定時間供給する。原料ガスＢの供給により、ウェーハ２８の表面に原料ガスＢが吸着する。
【００６０】
原料ガスＢの供給停止については原料ガスＡの場合と同様に行う。尚、原料ガスＡの供給と原料ガスＢの供給は、両原料を混合させても反応が生じない場合は同時に行ってもよい。
【００６１】
次に、前記処理室１に酸化剤を所定時間供給する。酸化剤の供給により、ウェーハ２８の表面に吸着した原料ガスＡ，Ｂと酸化剤とが反応し、ウェーハ２８上に膜が形成される。その後、酸化剤の供給を停止し、残留ガスの希釈、濃度低減を行う。
【００６２】
上記したＡＬＤ成膜工程に於いて、絶縁膜を生成する場合では、Ｈｆ系、Ａｌ系原料の他に、酸化剤としてＨ2 Ｏ、Ｏ3 等によって膜を生成することとなる。又、前記リモートプラズマ発生装置９等を用いてＯラジカルを生成し、酸化剤として前記処理室１に導入する場合もある。本実施の形態に於ける図１の基板処理装置は前記リモートプラズマ発生装置９を用いる場合のものである。該リモートプラズマ発生装置９は、高周波電力を印加してプラズマを発生する構造を有しており、印加する周波数帯としては、例えば、４００ＫＨｚ〜１３．５６ＭＨｚである。
【００６３】
又、ＡＬＤ成膜工程では、［（原料ガス供給）→（配管＋処理室）希釈→酸化剤供給→（配管＋反応室）希釈］の４工程が１サイクルとして所望の膜厚となる迄、所要サイクル繰返し、ウェーハ２８を処理する。
【００６４】
１サイクルの膜厚としては、処理条件により変化するが、概して０．３Å〜１．０Å程度である。
【００６５】
具体例として、ウェーハ２８上にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する場合は、Ａ原料として例えば、ＴＭＡを用いる。又、複数の金属元素、半導体元素から構成される膜、例えば、ＨｆＳｉＯｘ（ハフニウムシリケート）、ＨｆＡｌＯｘ（ハフニウムアルミネート）等を成膜する場合は、Ａ原料としてＴＭＡ、Ｂ原料としてＨｆ（ＯｔＢｕ）4 、Ｈｆ（Ｎｍｅ2 ）4 、Ｈｆ（Ｎｅｔ2 ）4 等が挙げられる。
【００６６】
この場合、酸化剤としてＯラジカルを用いる場合は前記リモートプラズマ発生装置９、前記開閉バルブ１１が設けられた前記ラジカル供給ライン８を用いて酸化剤を供給し、Ｈ2 Ｏ、Ｏ3 を用いる場合は、酸化剤供給ラインが別途追加される。
【００６７】
尚、基板処理中での前記第１ブロック５２、前記第２ブロック５４間のガス漏れについては、前記ガス検知器６２によって監視され、該ガス検知器６２によってガス漏れが検出された場合には、基板処理装置の制御装置（図示せず）によって、表示部に警告表示がされ、或は警告音が発せられる。
【００６８】
基板処理毎に、或は所定期間経過毎に前記処理室１の清掃等保守作業が行われる。
【００６９】
保守作業は、前記蓋体５を固定しているボルト（図示せず）を取外し、前記固定手段７２を解除して、前記蓋体５を回動させ、前記容器本体３の上端を開放して行われる。
【００７０】
前記蓋体５を回動することで、前記第２ブロック５４が前記蓋体５と一体に回動し、前記第１ブロック５２から離反する。
【００７１】
前記第２ブロック５４と前記第１ブロック５２の離反によって、前記第１流路５３と前記第２流路５５とが分離切断される。即ち、可動側の前記接続配管６５と固定側の前記処理ガス供給ライン７との切離しが、個々の配管を人手により分離することなく実行される。
【００７２】
保守作業が完了した場合、前記蓋体５を閉鎖する。該蓋体５の閉鎖によって、前記第２ブロック５４と前記第１ブロック５２とが密着し、又前記第１Ｏリング５８、前記第２Ｏリング５９によってシールされ、前記第１流路５３と前記第２流路５５とが気密に連通する。
【００７３】
前記第１ブロック５２、前記第２ブロック５４に設けられるヒータの加熱温度としては、比較的低温（＜１００℃）の場合と比較的高温（１５０℃〜１８０℃）の場合とがあり、ＴＭＡ等の蒸気圧が比較的高い原料（蒸気圧８Ｔｏｒｒ、２０℃）については、加熱温度は１００℃で充分であり、テープヒータ、例えばシリコンラバーヒータ等によって加熱される。Ｈｆ（ＭＭＰ）4 （Ｔｅｔｒａｋｉｓ（１−Ｍｅｔｈｏｘｙ−２−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｒｏｐｏｘｙ）Ｈａｆｎｉｕｍ）の様に比較的蒸気圧の低い原料（蒸気圧０．６Ｔｏｒｒ、１３４℃）では処理ガスの流路を１５０℃に加熱する。
【００７４】
尚、本発明では、配管途中で切離しするのではないので、配管に設けたヒータを保守の度に取外す必要がなく、保守作業性を向上させることができる。
【００７５】
本発明では、処理室１の保守、管理作業毎の煩雑な配管着脱作業を簡略化でき、又配管接続箇所が少なくなり、リークチェック箇所の減少、配管加熱手段の着脱が不要となり、保守性が向上する。
【００７６】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７７】
（付記１）基板処理装置に用いられ、基板を収納し、内部を真空にする反応容器と、該反応容器の開口部をシール部材を介して気密に閉塞する蓋体と、前記反応容器に固定された第１ブロックと、前記蓋体に固定された第２ブロックと、該第２ブロックと前記反応容器内にガスを導入するガス供給部とを接続する接続配管と、前記第１ブロックに接続される処理ガス供給ラインとを有し、該処理ガス供給ラインと前記接続配管は前記第１ブロックと前記第２ブロックを介して連通することを特徴とする基板処理装置。
【００７８】
（付記２）前記第１ブロック、前記第２ブロックにはそれぞれガス流路が穿設され、前記第１ブロック、前記第２ブロック間の接合面には前記ガス流路をシールする第１Ｏリングと、該第１Ｏリングを囲繞し、前記接合面をシールする第２Ｏリングが設けられた付記１の基板処理装置。
【００７９】
（付記３）前記第２Ｏリングと、前記反応容器と前記蓋体間に設けられるＯリングとの圧縮代が同じである付記２の基板処理装置。
【００８０】
（付記４）前記容器本体に設けられたＵ字形の固定支持片と、前記蓋体に設けられたＵ字形の受け支持片と、前記固定支持片、前記受け支持片のいずれか一方に回転可能に設けられ、他方に嵌合可能な回動ボルトとを具備し、嵌合した状態でナットを螺着して前記固定支持片、前記受け支持片を固定する固定手段を有する付記１の基板処理装置。
【００８１】
（付記５）前記第１ブロックと前記第２ブロックにヒータが設けられ、該ヒータにより前記ガス流路を均一に加熱する様にした付記１の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に於ける処理炉の断面を示す概略図である。
【図３】該処理炉の斜視図である。
【図４】該処理炉に於いて、蓋体を開いた状態の斜視図である。
【図５】図３のＡ矢視図である。
【図６】前記処理炉に於ける固定手段の拡大斜視図である。
【図７】従来の処理炉の断面を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８３】
１              処理室
２              反応容器
３              容器本体
５              蓋体
６              シャワーヘッド
７              処理ガス供給ライン
８              ラジカル供給ライン
１３            排気ライン
１５            基板載置台
２５            シール部材
２８            ウェーハ
３３            配管連結装置
５２            第１ブロック
５３            第１流路
５４            第２ブロック
５５            第２流路
５６            第１ブロック接合面
５７            第２ブロック接合面
５８            第１Ｏリング
５９            第２Ｏリング
６１            ガス漏れ検出導路
６２            ガス検知器
６３            弁ユニット
６４            ガス供給口
６５            接続配管
６６            固定支持片
６７            受け支持片
７２            固定手段
【図１】
2009088346.tif 000003
【図２】
2009088346.tif 000004
【図３】
2009088346.tif 000005
【図４】
2009088346.tif 000006
【図５】
2009088346.tif 000007
【図６】
2009088346.tif 000008
【図７】
2009088346.tif 000009