(57)【要約】【課題】小型化を図りながら、電気特性を測定することが可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この２波長半導体レーザ素子２０（半導体レーザ素子）は、Ｙ方向に延びるリッジ部４０ａを有する赤外レーザ素子部４０と、赤外レーザ素子部４０と所定の間隔を隔てて配置され、Ｙ方向に延びるリッジ部５０ａを有する赤色レーザ素子部５０とを備えている。赤外レーザ素子部４０は、リッジ部４０ａおよび５０ａの間に配置された内側電極部４７ａを有し、赤色レーザ素子部５０は、リッジ部４０ａおよび５０ａの間に配置された内側電極部５７ａを有する。内側電極部４７ａの幅広電極部４７０は、Ｘ方向の赤色レーザ素子部５０側に突出し、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１は、Ｘ方向の赤外レーザ素子部４０側に突出している。【選択図】図２
2009059783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に延びる第１リッジ部を有する第１レーザ素子部と、
前記第１レーザ素子部と所定の間隔を隔てて配置され、前記第１の方向に延びる第２リッジ部を有する第２レーザ素子部とを備え、
前記第１レーザ素子部は、前記第１リッジ部および前記第２リッジ部の間に配置された第１内側電極を有し、
前記第２レーザ素子部は、前記第１リッジ部および前記第２リッジ部の間に配置された第２内側電極を有し、
前記第１内側電極の一部は、前記第１の方向と直交する第２の方向の前記第２レーザ素子部側に突出し、
前記第２内側電極の一部は、前記第２の方向の前記第１レーザ素子部側に突出していることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記第１内側電極の前記第２レーザ素子部側に突出した部分は、前記第２内側電極の前記第１レーザ素子部側に突出していない部分に対向するように配置され、
前記第２内側電極の前記第１レーザ素子部側に突出した部分は、前記第１内側電極の前記第２レーザ素子部側に突出していない部分に対向するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記第２レーザ素子部は、前記第１レーザ素子部よりも発熱量が多く、
前記第２内側電極の前記第１レーザ素子部側に突出した部分の前記第１の方向の長さは、前記第１内側電極の前記第２レーザ素子部側に突出した部分の前記第１の方向の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１レーザ素子部は、
前記第１リッジ部および前記第２リッジ部の間に配置されるとともに、前記第１内側電極を有する第１内側支持部と、
前記第１リッジ部の外側に配置されるとともに、前記第１リッジ部の外側に配置された第１外側電極を有する第１外側支持部とを含み、
前記第２レーザ素子部は、
前記第１リッジ部および前記第２リッジ部の間に配置されるとともに、前記第２内側電極を有する第２内側支持部と、
前記第２リッジ部の外側に配置されるとともに、前記第２リッジ部の外側に配置された第２外側電極を有する第２外側支持部とを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第１内側電極の前記第２レーザ素子部側に突出した部分の前記第２の方向の突出長さは、前記第１外側電極の前記第２の方向の長さよりも大きく、
前記第２内側電極の前記第１レーザ素子部側に突出した部分の前記第２の方向の突出長さは、前記第２外側電極の前記第２の方向の長さよりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ素子に関し、特に、複数のリッジ部を備えた半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数のリッジ部を備えた半導体レーザ素子が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
図５は、上記特許文献１に開示された半導体レーザ素子の構造を概略的に示した斜視図である。図６は、図５に示した上記特許文献１の半導体レーザ素子を概略的に示した断面図である。図５に示すように、上記特許文献１に開示された半導体レーザ素子は、基板１０１と、基板１０１上に形成され、Ｙ方向に延びるリッジ部１０２ａを有する赤色レーザ光出射部１０２（レーザ素子部）と、基板１０１上に形成され、Ｙ方向に延びるリッジ部１０３ａを有する赤外レーザ光出射部１０３（レーザ素子部）とを備えている。赤色レーザ光出射部１０２および赤外レーザ光出射部１０３は、Ｘ方向に互いに所定の間隔を隔てて配置されている。
【０００４】
また、図６に示すように、赤色レーザ光出射部１０２は、リッジ部１０２ａを有する半導体層１０２ｂと、半導体層１０２ｂ上に配置されたｐ側電極１０２ｃとによって構成されている。このｐ側電極１０２ｃは、リッジ部１０２ａおよび１０３ａの間に配置された内側電極１０２ｄと、リッジ部１０２ａの外側に配置された外側電極１０２ｅとを含んでいる。また、内側電極１０２ｄは、Ｘ方向にＷ１０１の長さを有するように形成されているとともに、外側電極１０２ｅは、Ｘ方向にＷ１０２の長さを有するように形成されている。
【０００５】
また、赤外レーザ光出射部１０３は、リッジ部１０３ａを有する半導体層１０３ｂと、半導体層１０３ｂ上に配置されたｐ側電極１０３ｃとによって構成されている。このｐ側電極１０３ｃは、リッジ部１０２ａおよび１０３ａの間に配置された内側電極１０３ｄと、リッジ部１０３ａの外側に配置された外側電極１０３ｅとを含んでいる。また、内側電極１０３ｄは、Ｘ方向にＷ１０１の長さを有するように形成されているとともに、外側電極１０３ｅは、Ｘ方向にＷ１０２の長さを有するように形成されている。
【０００６】
また、上記特許文献１の半導体レーザ素子では、Ｘ方向の長さ（Ｗ１０３）（図６参照）は、３００μｍであるとともに、リッジ部１０２ａとリッジ部１０３ａとの間隔（Ｗ１０４）（図６参照）は、１１０μｍに設定されている。このため、内側電極１０２ｄおよび１０３ｄのＸ方向の長さ（Ｗ１０１）は、例えば３３μｍになるとともに、外側電極１０２ｅおよび１０３ｅのＸ方向の長さ（Ｗ１０２）は、例えば７３μｍになる。
【０００７】
このような半導体レーザ素子では、赤色レーザ光出射部１０２および赤外レーザ光出射部１０３の電気特性を測定する場合、測定機のプローブ針を、ｐ側電極１０２ｃのリッジ部１０２ａよりも内側または外側の部分、および、ｐ側電極１０３ｃのリッジ部１０３ａよりも内側または外側の部分に接触させる必要がある。このため、測定機のプローブ針を、ｐ側電極１０２ｃの外側電極１０２ｅ、および、ｐ側電極１０３ｃの外側電極１０３ｅに接触させて電気特性を測定する。
【特許文献１】特開２００５−２６８４７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記特許文献１に開示された半導体レーザ素子を小型化するために、Ｘ方向の長さ（Ｗ１０３）を、例えば２００μｍにした場合、リッジ部１０２ａとリッジ部１０３ａとの間隔（Ｗ１０４）は１１０μｍである必要があるので、外側電極１０２ｅおよび１０３ｅのＸ方向の長さ（Ｗ１０２）が、例えば２３μｍになる。しかしながら、赤色レーザ光出射部１０２および赤外レーザ光出射部１０３の電気特性を測定する場合、測定機のプローブ針を接触させる部分は、通常、Ｘ方向に４０μｍ以上の長さが必要であるので、測定機のプローブ針を外側電極１０２ｅおよび１０３ｅに良好に接触させることが困難である。また、内側電極１０２ｄおよび１０３ｄのＸ方向の長さ（Ｗ１０１）は、例えば３３μｍであるので、測定機のプローブ針を内側電極１０２ｄおよび１０３ｄに良好に接触させることも困難である。
【０００９】
以上のように、上記特許文献１に開示された半導体レーザ素子では、半導体レーザ素子を小型化すると、赤色レーザ光出射部１０２および赤外レーザ光出射部１０３の電気特性を測定するのが困難となるので、半導体レーザ素子を小型化するのが困難であるという問題点がある。
【００１０】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、小型化を図りながら、電気特性を測定することが可能な半導体レーザ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面による半導体レーザ素子は、第１の方向に延びる第１リッジ部を有する第１レーザ素子部と、第１レーザ素子部と所定の間隔を隔てて配置され、第１の方向に延びる第２リッジ部を有する第２レーザ素子部とを備え、第１レーザ素子部は、第１リッジ部および第２リッジ部の間に配置された第１内側電極を有し、第２レーザ素子部は、第１リッジ部および第２リッジ部の間に配置された第２内側電極を有し、第１内側電極の一部は、第１の方向と直交する第２の方向の第２レーザ素子部側に突出し、第２内側電極の一部は、第２の方向の第１レーザ素子部側に突出している。
【００１２】
この一の局面による半導体レーザ素子では、上記のように、第１内側電極の一部を、第２の方向の第２レーザ素子部側に突出させるとともに、第２内側電極の一部を、第２の方向の第１レーザ素子部側に突出させることによって、半導体レーザ素子を第２の方向に小型化した場合にも、第１内側電極の一部および第２内側電極の一部の第２の方向の長さを大きくすることができる。これにより、第１レーザ素子部および第２レーザ素子部の電気特性を測定する場合、測定機のプローブ針を、第１内側電極のＸ方向に突出した部分、および、第２内側電極のＸ方向に突出した部分に良好に接触させることができる。その結果、半導体レーザ素子の小型化を図りながら、第１レーザ素子部および第２レーザ素子部の電気特性を測定することができる。
【００１３】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分は、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出していない部分に対向するように配置され、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分は、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出していない部分に対向するように配置されている。このように構成すれば、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の長さを、容易に大きくすることができるとともに、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の長さを、容易に大きくすることができる。
【００１４】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第２レーザ素子部は、第１レーザ素子部よりも発熱量が多く、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分の第１の方向の長さは、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分の第１の方向の長さよりも大きい。このように構成すれば、第２レーザ素子部の第２内側電極の面積を、第１レーザ素子部の第１内側電極の面積よりも大きくすることができる。これにより、半導体レーザ素子を、基板やサブマウントにジャンクションダウンにより固定した場合、発熱量の多い第２レーザ素子部の放熱特性を、容易に向上させることができる。
【００１５】
上記一の局面による半導体レーザ素子において、好ましくは、第１レーザ素子部は、第１リッジ部および第２リッジ部の間に配置されるとともに、第１内側電極を有する第１内側支持部と、第１リッジ部の外側に配置されるとともに、第１リッジ部の外側に配置された第１外側電極を有する第１外側支持部とを含み、第２レーザ素子部は、第１リッジ部および第２リッジ部の間に配置されるとともに、第２内側電極を有する第２内側支持部と、第２リッジ部の外側に配置されるとともに、第２リッジ部の外側に配置された第２外側電極を有する第２外側支持部とを含む。このように構成すれば、半導体レーザ素子を、基板やサブマウントにジャンクションダウンにより固定する場合に、第１内側支持部、第１外側支持部、第２内側支持部および第２外側支持部により、半導体レーザ素子を、基板やサブマウントに安定して固定することができる。また、第１内側支持部および第１外側支持部により、第１リッジ部を保護することができるとともに、第２内側支持部および第２外側支持部により、第２リッジ部を保護することができる。
【００１６】
上記第１レーザ素子部が第１内側支持部および第１外側支持部を含み、第２レーザ素子部が第２内側支持部および第２外側支持部を含む半導体レーザ素子において、好ましくは、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の突出長さは、第１外側電極の第２の方向の長さよりも大きく、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の突出長さは、第２外側電極の第２の方向の長さよりも大きい。このように構成すれば、半導体レーザ素子を第２の方向に小型化した場合にも、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の長さと、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の長さとを、容易に大きくすることができる。これにより、第１レーザ素子部および第２レーザ素子部の電気特性を測定する場合、測定機のプローブ針を、第１内側電極のＸ方向に突出した部分、および、第２内側電極のＸ方向に突出した部分に、容易に、良好に接触させることができる。その結果、半導体レーザ素子の小型化を図りながら、第１レーザ素子部および第２レーザ素子部の電気特性を、容易に測定することができる。また、第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の突出長さを、第１外側電極の第２の方向の長さよりも大きくし、第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分の第２の方向の突出長さを、第２外側電極の第２の方向の長さよりも大きくすることによって、第１外側電極および第２外側電極の第２の方向の長さを、容易に小さくすることができるので、半導体レーザ素子を、容易に小型化することができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によれば、小型化を図りながら、電気特性を測定することが可能な半導体レーザ素子を容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図２は、図１に示した本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。図３は、図２の１００−１００線に沿った断面図である。図１〜図３を参照して、本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ素子２０を備えた２波長半導体レーザ装置１の構造について説明する。
【００１９】
本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ素子２０を備えた２波長半導体レーザ装置１は、図１に示すように、基板１０と、基板１０上に配置された２波長半導体レーザ素子２０とによって構成されている。この２波長半導体レーザ素子２０は、基板１０にジャンクションダウンにより固定されている。なお、２波長半導体レーザ素子２０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
【００２０】
基板１０は、基体１１と、基体１１の主表面上の所定領域に配置された表面電極１２とを備えている。
【００２１】
２波長半導体レーザ素子２０は、図３に示すように、半導体基板３０と、半導体基板３０の主表面上の所定領域に形成された赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０と、半導体基板３０の裏面上に形成されたｎ側電極６０とを備えている。本実施形態の赤色レーザ素子部５０は、赤外レーザ素子部４０よりも発熱量が多い。なお、赤外レーザ素子部４０は、本発明の「第１レーザ素子部」の一例であり、赤色レーザ素子部５０は、本発明の「第２レーザ素子部」の一例である。
【００２２】
２波長半導体レーザ素子２０（半導体基板３０）は、Ｘ方向に約２００μｍの長さＷ１を有するように形成されている。なお、Ｘ方向は、本発明の「第２の方向」の一例である。
【００２３】
赤外レーザ素子部４０と赤色レーザ素子部５０との間には、約２０μｍの幅を有する分離溝２１が形成されている。即ち、赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０は、Ｘ方向に約２０μｍの間隔を隔てて配置されている。また、赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０のＸ方向の外側の領域には、Ｙ方向（図２参照）に延びるとともに、Ｘ方向に約１０μｍの長さＷ２を有する段差部２２ａおよび２２ｂが形成されている。この段差部２２ａおよび２２ｂは、２波長半導体レーザ素子２０と、同一ウェハにおいて隣接して形成される２波長半導体レーザ素子（図示せず）とを互いに分離するために設けられている。なお、Ｙ方向は、本発明の「第１の方向」の一例である。
【００２４】
ここで、本実施形態では、図２に示すように、分離溝２１は、Ｙ方向に延びる溝部２１ａおよび２１ｂと、Ｘ方向に延びるとともに、溝部２１ａおよび２１ｂを連結する連結溝部２１ｃとを含んでいる。また、溝部２１ｂのＹ方向の長さは、溝部２１ａのＹ方向の長さよりも大きい。
【００２５】
赤外レーザ素子部４０は、図３に示すように、半導体基板３０側から順に、バッファ層４１、ｎ型クラッド層４２、活性層４３、ｐ型クラッド層４４、コンタクト層４５、電流ブロック層４６およびｐ側電極４７が積層されることによって構成されている。
【００２６】
ｐ型クラッド層４４は、Ｙ方向（図２参照）に延びる凸部４４ａと、凸部４４ａと同じ高さに形成された内側クラッド部４４ｂおよび外側クラッド部４４ｃと、凹部４４ｄおよび４４ｅとを含んでいる。
【００２７】
内側クラッド部４４ｂは、凸部４４ａと、赤色レーザ素子部５０の後述するｐ型クラッド層５４の凸部５４ａとの間に配置されている。
【００２８】
また、本実施形態では、内側クラッド部４４ｂは、図２に示すように、幅広クラッド部４４０および幅狭クラッド部４４１を含んでいる。この幅広クラッド部４４０は、幅狭クラッド部４４１よりもＸ方向の赤色レーザ素子部５０側に突出するように形成されている。
【００２９】
外側クラッド部４４ｃは、図３に示すように、凸部４４ａ（後述するリッジ部４０ａ）よりもＸ方向の外側に配置されている。
【００３０】
凹部４４ｄは、凸部４４ａおよび内側クラッド部４４ｂの間に形成されており、凹部４４ｅは、凸部４４ａおよび外側クラッド部４４ｃの間に形成されている。
【００３１】
コンタクト層４５は、ｐ型クラッド層４４の凸部４４ａ、内側クラッド部４４ｂおよび外側クラッド部４４ｃ上に形成されている。また、凸部４４ａと、凸部４４ａ上のコンタクト層４５とによって、Ｙ方向（図２参照）に延びるリッジ部４０ａが構成されている。なお、リッジ部４０ａは、本発明の「第１リッジ部」の一例である。
【００３２】
電流ブロック層４６は、内側ブロック部４６ａおよび外側ブロック部４６ｂを含んでいる。内側ブロック部４６ａは、内側クラッド部４４ｂ上のコンタクト層４５の上面、および、凹部４４ｄの内面を覆うように形成されている。外側ブロック部４６ｂは、外側クラッド部４４ｃ上のコンタクト層４５の上面、および、凹部４４ｅの内面を覆うように形成されている。
【００３３】
ｐ側電極４７は、電流ブロック層４６の内側ブロック部４６ａ、外側ブロック部４６ｂおよびリッジ部４０ａを覆うように形成されている。このｐ側電極４７は、基板１０の表面電極１２（図１参照）に固定されるように構成されているとともに、赤外レーザ素子部４０で発生した熱を基板１０（図１参照）に放熱する機能を有する。また、ｐ側電極４７は、内側クラッド部４４ｂの上方に配置された内側電極部４７ａと、外側クラッド部４４ｃの上方に配置された外側電極部４７ｂとを含んでいる。即ち、本実施形態では、内側電極部４７ａは、リッジ部４０ａと、赤色レーザ素子部５０の後述するリッジ部５０ａとの間に配置されている。また、外側電極部４７ｂは、リッジ部４０ａよりもＸ方向の外側に配置されている。なお、内側電極部４７ａは、本発明の「第１内側電極」の一例であり、外側電極部４７ｂは、本発明の「第１外側電極」の一例である。
【００３４】
また、内側電極部４７ａ、内側クラッド部４４ｂ、コンタクト層４５および内側ブロック部４６ａによって、内側支持部４０ｂが構成されている。また、外側電極部４７ｂ、外側クラッド部４４ｃ、コンタクト層４５および外側ブロック部４６ｂによって、外側支持部４０ｃが構成されている。これら内側支持部４０ｂおよび外側支持部４０ｃは、赤外レーザ素子部４０（２波長半導体レーザ素子２０）を基板１０（図１参照）に安定して固定するために設けられている。また、内側支持部４０ｂおよび外側支持部４０ｃは、リッジ部４０ａを保護する機能を有する。なお、内側支持部４０ｂは、本発明の「第１内側支持部」の一例であり、外側支持部４０ｃは、本発明の「第１外側支持部」の一例である。
【００３５】
また、本実施形態では、内側電極部４７ａは、図２に示すように、幅広クラッド部４４０の上方に形成された幅広電極部４７０と、幅狭クラッド部４４１の上方に形成された幅狭電極部４７１とを含んでいる。この幅広電極部４７０は、赤外レーザ素子部４０の電気特性を測定する際に、測定機のプローブ針（図示せず）が接触される。また、幅広電極部４７０および幅狭電極部４７１は、それぞれ、幅広クラッド部４４０および幅狭クラッド部４４１よりも少しだけ小さい面積を有するように形成されていてもよいし、同じ面積を有するように形成されていてもよい。なお、幅広電極部４７０は、本発明の「第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分」の一例であり、幅狭電極部４７１は、本発明の「第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出していない部分」の一例である。
【００３６】
また、本実施形態では、幅広電極部４７０は、約４０μｍ以上のＸ方向の長さＷ１１を有し、幅狭電極部４７１は、約２６μｍ以下のＸ方向の長さＷ１２を有している。即ち、幅広電極部４７０は、幅狭電極部４７１からＸ方向にＷ１３（＝Ｗ１１−Ｗ１２）の長さ（突出長さ）だけ突出している。なお、幅広電極部４７０のＸ方向の長さＷ１１は、５０μｍ程度以上の長さであることが好ましい。
【００３７】
また、本実施形態では、幅広電極部４７０の突出長さＷ１３は、外側電極部４７ｂのＸ方向の長さＷ１４（＝約２３μｍ）よりも大きい。
【００３８】
また、本実施形態では、幅広電極部４７０のＹ方向の長さＬ１は、幅狭電極部４７１のＹ方向の長さＬ２よりも小さい。
【００３９】
赤色レーザ素子部５０は、図３に示すように、半導体基板３０側から順に、バッファ層５１、ｎ型クラッド層５２、活性層５３、ｐ型クラッド層５４、コンタクト層５５、電流ブロック層５６およびｐ側電極５７が積層されることによって構成されている。
【００４０】
ｐ型クラッド層５４は、Ｙ方向（図２参照）に延びる凸部５４ａと、凸部５４ａと同じ高さに形成された内側クラッド部５４ｂおよび外側クラッド部５４ｃと、凹部５４ｄおよび５４ｅとを含んでいる。
【００４１】
内側クラッド部５４ｂは、凸部５４ａと、赤外レーザ素子部４０のｐ型クラッド層４４の凸部４４ａとの間に配置されている。
【００４２】
また、本実施形態では、内側クラッド部５４ｂは、図２に示すように、幅狭クラッド部５４０および幅広クラッド部５４１を含んでいる。この幅広クラッド部５４１は、幅狭クラッド部５４０よりもＸ方向の赤外レーザ素子部４０側に突出するように形成されている。
【００４３】
また、幅狭クラッド部５４０は、赤外レーザ素子部４０の幅広クラッド部４４０に対向するように配置されている。また、幅広クラッド部５４１は、赤外レーザ素子部４０の幅狭クラッド部４４１に対向するように配置されている。
【００４４】
外側クラッド部５４ｃは、図３に示すように、凸部５４ａ（後述するリッジ部５０ａ）よりもＸ方向の外側に配置されている。
【００４５】
凹部５４ｄは、凸部５４ａおよび内側クラッド部５４ｂの間に形成されており、凹部５４ｅは、凸部５４ａおよび外側クラッド部５４ｃの間に形成されている。
【００４６】
コンタクト層５５は、ｐ型クラッド層５４の凸部５４ａ、内側クラッド部５４ｂおよび外側クラッド部５４ｃ上に形成されている。この凸部５４ａと、凸部５４ａ上のコンタクト層５５とによって、Ｙ方向（図２参照）に延びるリッジ部５０ａが構成されている。なお、リッジ部５０ａは、本発明の「第２リッジ部」の一例である。
【００４７】
また、本実施形態では、このリッジ部５０ａとリッジ部４０ａとの間隔（Ｗ３）は、約１１０±１μｍに設定されている。
【００４８】
電流ブロック層５６は、内側ブロック部５６ａおよび外側ブロック部５６ｂを含んでいる。内側ブロック部５６ａは、内側クラッド部５４ｂ上のコンタクト層５５の上面、および、凹部５４ｄの内面を覆うように形成されている。外側ブロック部５６ｂは、外側クラッド部５４ｃ上のコンタクト層５５の上面、および、凹部５４ｅの内面を覆うように形成されている。
【００４９】
ｐ側電極５７は、電流ブロック層５６の内側ブロック部５６ａ、外側ブロック部５６ｂおよびリッジ部５０ａを覆うように形成されている。このｐ側電極５７は、基板１０の表面電極１２（図１参照）に固定されるように構成されているとともに、赤色レーザ素子部５０で発生した熱を基板１０（図１参照）に放熱する機能を有する。また、ｐ側電極５７は、内側クラッド部５４ｂの上方に配置された内側電極部５７ａと、外側クラッド部５４ｃの上方に配置された外側電極部５７ｂとを含んでいる。即ち、本実施形態では、内側電極部５７ａは、リッジ部５０ａと、赤外レーザ素子部４０のリッジ部４０ａとの間に配置されている。また、外側電極部５７ｂは、リッジ部５０ａよりもＸ方向の外側に配置されている。なお、内側電極部５７ａは、本発明の「第２内側電極」の一例であり、外側電極部５７ｂは、本発明の「第２外側電極」の一例である。
【００５０】
また、内側電極部５７ａ、内側クラッド部５４ｂ、コンタクト層５５および内側ブロック部５６ａによって、内側支持部５０ｂが構成されている。また、外側電極部５７ｂ、外側クラッド部５４ｃ、コンタクト層５５および外側ブロック部５６ｂによって、外側支持部５０ｃが構成されている。これら内側支持部５０ｂおよび外側支持部５０ｃは、赤色レーザ素子部５０（２波長半導体レーザ素子２０）を基板１０（図１参照）に安定して固定するために設けられている。また、内側支持部５０ｂおよび外側支持部５０ｃは、リッジ部５０ａを保護する機能を有する。なお、内側支持部５０ｂは、本発明の「第２内側支持部」の一例であり、外側支持部５０ｃは、本発明の「第２外側支持部」の一例である。
【００５１】
また、本実施形態では、内側電極部５７ａは、図２に示すように、幅狭クラッド部５４０の上方に形成された幅狭電極部５７０と、幅広クラッド部５４１の上方に形成された幅広電極部５７１とを含んでいる。この幅広電極部５７１は、赤色レーザ素子部５０の電気特性を測定する際に、測定機のプローブ針（図示せず）が接触される。また、幅狭電極部５７０および幅広電極部５７１は、それぞれ、幅狭クラッド部５４０および幅広クラッド部５４１よりも少しだけ小さい面積を有するように形成されていてもよいし、同じ面積を有するように形成されていてもよい。なお、幅狭電極部５７０は、本発明の「第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出していない部分」の一例であり、幅広電極部５７１は、本発明の「第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分」の一例である。
【００５２】
また、本実施形態では、幅狭電極部５７０は、赤外レーザ素子部４０の幅広電極部４７０に対向するように配置されている。また、幅広電極部５７１は、赤外レーザ素子部４０の幅狭電極部４７１に対向するように配置されている。
【００５３】
また、本実施形態では、幅狭電極部５７０は、約２６μｍ以下のＸ方向の長さＷ２１を有し、幅広電極部５７１は、約４０μｍ以上のＸ方向の長さＷ２２を有している。即ち、幅広電極部５７１は、幅狭電極部５７０からＸ方向にＷ２３（＝Ｗ２２−Ｗ２１）の長さ（突出長さ）だけ突出している。なお、幅広電極部５７１のＸ方向の長さＷ２２は、５０μｍ程度以上の長さであることが好ましい。
【００５４】
また、本実施形態では、幅広電極部５７１の突出長さＷ２３は、外側電極部５７ｂのＸ方向の長さＷ２４（＝約２３μｍ）よりも大きい。
【００５５】
また、本実施形態では、幅広電極部５７１のＹ方向の長さＬ１２は、幅狭電極部５７０のＹ方向の長さＬ１１よりも大きい。また、幅広電極部５７１のＹ方向の長さ（Ｌ１２）は、赤外レーザ素子部４０の内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＹ方向の長さ（Ｌ１）よりも大きい。
【００５６】
本実施形態では、上記のように、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０を、Ｘ方向の赤色レーザ素子部５０側に突出させるとともに、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１を、Ｘ方向の赤外レーザ素子部４０側に突出させることによって、２波長半導体レーザ素子２０を、Ｘ方向の長さＷ１が約２００μｍになるように小型化した場合にも、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＸ方向の長さ（Ｗ１１）、および、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１のＸ方向の長さ（Ｗ２２）を大きくすることができる。これにより、赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０の電気特性を測定する場合、測定機のプローブ針を、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０、および、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１に良好に接触させることができる。その結果、２波長半導体レーザ素子２０の小型化を図りながら、赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０の電気特性を測定することができる。
【００５７】
また、本実施形態では、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０を、内側電極部５７ａの幅狭電極部５７０に対向するように配置し、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１を、内側電極部４７ａの幅狭電極部４７１に対向するように配置することによって、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＸ方向の長さ（Ｗ１１）を、容易に大きくすることができるとともに、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１のＸ方向の長さ（Ｗ２２）を、容易に大きくすることができる。
【００５８】
また、本実施形態では、赤外レーザ素子部４０よりも発熱量の多い赤色レーザ素子部５０の内側電極部５７ａの幅広電極部５７１のＹ方向の長さ（Ｌ１２）を、赤外レーザ素子部４０の内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＹ方向の長さ（Ｌ１）よりも大きくすることによって、赤色レーザ素子部５０の内側電極部５７ａの面積を、赤外レーザ素子部４０の内側電極部４７ａの面積よりも大きくすることができる。これにより、２波長半導体レーザ素子２０を、基板１０にジャンクションダウンにより固定した場合、発熱量の多い赤色レーザ素子部５０の放熱特性を、容易に向上させることができる。
【００５９】
また、本実施形態では、赤外レーザ素子部４０に、リッジ部４０ａおよび５０ａの間に配置される内側支持部４０ｂと、リッジ部４０ａの外側に配置される外側支持部４０ｃとを設け、赤色レーザ素子部５０に、リッジ部４０ａおよび５０ａの間に配置される内側支持部５０ｂと、リッジ部５０ａの外側に配置される外側支持部５０ｃとを設けることによって、２波長半導体レーザ素子２０を、基板１０にジャンクションダウンにより固定する場合に、内側支持部４０ｂ、外側支持部４０ｃ、内側支持部５０ｂおよび外側支持部５０ｃにより、２波長半導体レーザ素子２０を、基板１０に安定して固定することができる。また、内側支持部４０ｂおよび外側支持部４０ｃにより、リッジ部４０ａを保護することができるとともに、内側支持部５０ｂおよび外側支持部５０ｃにより、リッジ部５０ａを保護することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＸ方向の突出長さ（Ｗ１３）を、外側電極部４７ｂのＸ方向の長さ（Ｗ１４）よりも大きくし、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１のＸ方向の突出長さ（Ｗ２３）を、外側電極部５７ｂのＸ方向の長さ（Ｗ２４）よりも大きくすることによって、２波長半導体レーザ素子２０を、Ｘ方向の長さＷ１が約２００μｍになるように小型化した場合にも、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＸ方向の長さ（Ｗ１１）と、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１のＸ方向の長さ（Ｗ２２）とを、容易に大きくすることができる。これにより、赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０の電気特性を測定する場合、測定機のプローブ針を、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０、および、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１に、容易に、良好に接触させることができる。その結果、２波長半導体レーザ素子２０の小型化を図りながら、赤外レーザ素子部４０および赤色レーザ素子部５０の電気特性を、容易に測定することができる。また、内側電極部４７ａの幅広電極部４７０のＸ方向の突出長さ（Ｗ１３）を、外側電極部４７ｂのＸ方向の長さ（Ｗ１４）よりも大きくし、内側電極部５７ａの幅広電極部５７１のＸ方向の突出長さ（Ｗ２３）を、外側電極部５７ｂのＸ方向の長さ（Ｗ２４）よりも大きくすることによって、外側電極部４７ｂのＸ方向の長さ（Ｗ１４）、および、外側電極部５７ｂのＸ方向の長さ（Ｗ２４）を、容易に小さくすることができるので、２波長半導体レーザ素子２０を、容易に小型化することができる。
【００６１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６２】
たとえば、上記実施形態では、２波長半導体レーザ素子に本発明を適用した例について示したが、本発明はこれに限らず、複数のリッジ部を備えた半導体レーザ素子であれば、２波長以外の半導体レーザ素子に適用可能である。例えば、３つ以上のリッジ部を備えた半導体レーザ素子に本発明を適用してもよい。また、同一波長のレーザ光を出射するための複数のリッジ部を備えた半導体レーザ素子に本発明を適用してもよい。
【００６３】
また、上記実施形態では、赤色レーザ素子部の内側電極部の幅広電極部のＹ方向の長さ（Ｌ１２）を、赤外レーザ素子部の内側電極部の幅広電極部のＹ方向の長さ（Ｌ１）よりも大きくした例について示したが、本発明はこれに限らず、図４に示した本発明の一実施形態の変形例による２波長半導体レーザ素子のように、赤外レーザ素子部７０の内側電極部７７ａの幅広電極部７７０のＹ方向の長さ（Ｌ２１）と、赤色レーザ素子部８０の内側電極部８７ａの幅広電極部８７１のＹ方向の長さ（Ｌ３１）とを同じ長さにしてもよい。
【００６４】
また、上記実施形態では、ｐ型クラッド層の内側クラッド部および外側クラッド部を凸部と同じ高さに形成することにより、内側支持部および外側支持部をそれぞれ形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、ｐ型クラッド層の内側クラッド部および外側クラッド部を凸部よりも小さい高さに形成するとともに、ｐ型クラッド層の内側クラッド部および外側クラッド部上に、凸部と同じ高さに形成された他の半導体層や誘電体層などを設けることにより、内側支持部および外側支持部をそれぞれ形成してもよい。
【００６５】
また、上記実施形態では、ｐ側電極のリッジ部よりも内側および外側に、それぞれ、内側電極部および外側電極部を設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、ｐ側電極のリッジ部よりも外側に外側電極部を設けず、リッジ部よりも内側に内側電極部のみを設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ素子を備えた２波長半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図２】図１に示した本発明の一実施形態による２波長半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。
【図３】図２の１００−１００線に沿った断面図である。
【図４】本発明の一実施形態の変形例による２波長半導体レーザ素子の構造を示した斜視図である。
【図５】特許文献１に開示された半導体レーザ素子の構造を概略的に示した斜視図である。
【図６】図５に示した特許文献１の半導体レーザ素子を概略的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
２０  ２波長半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
４０、７０  赤外レーザ素子部（第１レーザ素子部）
４０ａ  リッジ部（第１リッジ部）
４０ｂ  内側支持部（第１内側支持部）
４０ｃ  外側支持部（第１外側支持部）
４７ａ、７７ａ  内側電極部（第１内側電極）
４７ｂ  外側電極部（第１外側電極）
４７０、７７０  幅広電極部（第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出した部分）
４７１  幅狭電極部（第１内側電極の第２レーザ素子部側に突出していない部分）
５０、８０  赤色レーザ素子部（第２レーザ素子部）
５０ａ  リッジ部（第２リッジ部）
５０ｂ  内側支持部（第２内側支持部）
５０ｃ  外側支持部（第２外側支持部）
５７ａ、８７ａ  内側電極部（第２内側電極）
５７ｂ  外側電極部（第２外側電極）
５７０  幅狭電極部（第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出していない部分）
５７１、８７１  幅広電極部（第２内側電極の第１レーザ素子部側に突出した部分）
【図１】
2009059783.tif 000003
【図２】
2009059783.tif 000004
【図３】
2009059783.tif 000005
【図４】
2009059783.tif 000006
【図５】
2009059783.tif 000007
【図６】
2009059783.tif 000008