(57)【要約】【課題】電界集中を緩和し耐圧を向上しつつ、電流コラプスを低減しかつリーク電流を減少することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１において、窒化物系半導体２上に互いに離間して配設された制御電極５及び第２の主電極４と、窒化物系半導体２上の制御電極５と第２の主電極４との間に配設された第１の絶縁体６と、制御電極５に一端が電気的に接続され、他端が第１の絶縁体６上において制御電極５と第２の主電極４との間に配設された第１のフィールドプレート５ＦＰと、第１の絶縁体６上において一端が第１のフィールドプレート５ＦＰに接続され、他端が第２の主電極４に向かって延伸され、第１のフィールドプレート５ＦＰに比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレート７とを備える。【選択図】図１
2009253126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系半導体と、
前記窒化物系半導体上に互いに離間して配設された第１の電極及び第２の電極と、
前記窒化物系半導体上の前記第１の電極と前記第２の電極との間に配設された絶縁体と、
前記第１の電極に一端が電気的に接続され、他端が前記絶縁体上において前記第１の電極と前記第２の電極との間に配設されたフィールドプレートと、
前記絶縁体上において一端が前記フィールドプレートに接続され、他端が前記第２の電極に向かって延伸され、前記フィールドプレートのシート抵抗に比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレートと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
窒化物系半導体と、
前記窒化物系半導体上に互いに離間して配設された第１の主電極及び第２の主電極と、
前記窒化物系半導体上において前記第１の主電極と前記第２の主電極との間に配設された制御電極と、
前記窒化物半導体上の前記第１の主電極と前記制御電極との間及び前記制御電極と前記第２の主電極との間に配設された絶縁体と、
前記制御電極に一端が電気的に接続され、他端が前記絶縁体上において前記制御電極と前記第２の主電極との間に配設された第１のフィールドプレートと、
前記第１の主電極に一端が前記第１のフィールドプレートの他端よりも前記第１の主電極側にありかつ前記第１の主電極に電気的に接続され、他端が前記制御電極上の前記絶縁体上において前記第１のフィールドプレートの他端と前記第２の主電極との間に配設された第２のフィールドプレートと、
前記絶縁体上において前記制御電極と前記第２の主電極との間に配設され、少なくとも前記制御電極のシート抵抗に比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレートと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記抵抗性フィールドプレートの一端は前記制御電極に接続され、他端は前記第２の主電極に接続されたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記抵抗性フィールドプレートの一端は前記第２の主電極に接続され、他端は前記第２のフィールドプレートを越えて前記制御電極に向かって延伸させたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記抵抗性フィールドプレートの一端は前記第２のフィールドプレートに接続され、他端は前記第２の主電極に向かって延伸させたことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に抵抗性フィールドプレートを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化ガリウム（ＧａＮ）系化合物半導体を利用したデバイスにおいては、高融点、高絶縁破壊電界及び高飽和電子速度等の理想的なデバイス特性を実現することができる。従って、窒化ガリウム系化合物半導体を低損失の高耐圧パワーデバイスや高周波デバイスに応用することが期待されている。電源回路等に使用されるパワーデバイスへの応用には、高耐圧で低オン抵抗のデバイス特性が要求されるだけではなく、製作コストが安価であることが要求される。
【０００３】
デバイスの耐圧はゲート−ドレイン間距離やゲート−ドレイン間の電界分布によって決まる。このため、高耐圧のデバイスを得るには、ゲート−ドレイン間距離を広げたり、フィールドプレート（ＦＰ）等の電界緩和構造を採用し電界集中を緩和して均一な電界分布に制御することが重要である。
【０００４】
一方、窒化ガリウム系化合物半導体を利用したデバイスにおいては、電流コラプスの問題がある。電流コラプスは、窒化ガリウム系化合物半導体の表面準位にトラップされた電子が仮想ゲートとして働き、ドレイン電流を低下させてしまう現象である。電流コラプスを低減するには．ゲート−ドレイン間距離を狭くしたり、表面準位を低減することができる保護膜を採用する等の方法がある。
【０００５】
このような窒化ガリウム系化合物半導体を利用したデバイスにおいて、ゲート−ドレイン間距離に着目すると、耐圧と電流コラプスとの間にはトレードオフの関係がある。電界緩和の方法や電流コラプスの低減方法としては、下記特許文献１に開示されたフィールドプレートを多段化構造とする発明並びに下記特許文献２に開示された半導体表面をシリコン窒化膜によりを覆う発明が有効である。
【特許文献１】特開２００５−９３８６４号公報
【特許文献２】特開２００４−２００２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述の特許文献１に開示された発明並びに特許文献２に開示された発明においては、以下の点について配慮がなされていなかった。
【０００７】
特許文献１に開示された発明においては、フィールドプレートを多段化することにより、フィールドプレートの単一構造を採用するデバイスに比べて電界集中を緩和することができる。しかしながら、フィールドプレートの多段化には製造プロセス上の限界があり、更にフィールドプレートには通常低抵抗を有する金属膜が使用されているので、フィールドプレート端に電界集中が生じることに変わりはなく、電界集中の緩和には限界がある。
【０００８】
また、特許文献２に開示された発明においては、シリコン窒化膜により表面準位のトラップを減少することには限界がある。特に、パワーデバイスの場合、ゲート−ドレイン間距離が長いので、表面準位にトラップされる電子が多くなり、このトラップされた電子の影響が残りやすい。更に、シリコン窒化膜の採用により電流コラプスを低減することができるが、逆にリーク電流が増加してしまう。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。従って、本発明は、電界集中を緩和して耐圧を向上することができるとともに、電流コラプスを低減することができかつリーク電流を減少することができる半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、半導体装置において、窒化物系半導体と、窒化物系半導体上に互いに離間して配設された第１の電極及び第２の電極と、窒化物系半導体上の第１の電極と第２の電極との間に配設された絶縁体と、第１の電極に一端が電気的に接続され、他端が絶縁体上において第１の電極と第２の電極との間に配設されたフィールドプレートと、絶縁体上において一端がフィールドプレートに接続され、他端が第２の電極に向かって延伸され、フィールドプレートのシート抵抗に比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレートとを備える。
【００１１】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、半導体装置において、窒化物系半導体と、窒化物系半導体上に互いに離間して配設された第１の主電極及び第２の主電極と、窒化物系半導体上において第１の主電極と第２の主電極との間に配設された制御電極と、窒化物半導体上の第１の主電極と制御電極との間及び制御電極と第２の主電極との間に配設された絶縁体と、制御電極に一端が電気的に接続され、他端が絶縁体上において制御電極と第２の主電極との間に配設された第１のフィールドプレートと、第１の主電極に一端が第１のフィールドプレートの他端よりも第１の主電極側にありかつ第１の主電極に電気的に接続され、他端が制御電極上の絶縁体上において第１のフィールドプレートの他端と第２の主電極との間に配設された第２のフィールドプレートと、絶縁体上において制御電極と第２の主電極との間に配設され、少なくとも制御電極のシート抵抗に比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレートとを備える。
【００１２】
第２の特徴に係る半導体装置において、抵抗性フィールドプレートの一端は制御電極に接続され、他端は第２の主電極に接続されたことが好ましい。
【００１３】
また、第２の特徴に係る半導体装置において、抵抗性フィールドプレートの一端は第２の主電極に接続され、他端は第２のフィールドプレートを越えて制御電極に向かって延伸させたことが好ましい。
【００１４】
また、第２の特徴に係る半導体装置において、抵抗性フィールドプレートの一端は第２のフィールドプレートに接続され、他端は第２の主電極に向かって延伸させたことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電界集中を緩和して耐圧を向上することができるとともに、電流コラプスを低減することができかつリーク電流を減少することができる半導体装置を提供することである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、現実のものとは異なる。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００１７】
また、以下に示す実施の形態はこの発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は各構成部品の配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１８】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態は、窒化ガリウム系半導体により構成された高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：high electron mobility transistor）を備えた半導体装置に本発明を適用した例を説明するものである。
【００１９】
［半導体装置の構造］
図１に示すように、第１の実施の形態に係る半導体装置１は、窒化物系半導体２と、窒化物系半導体２上に互いに離間して配設された第１の主電極３及び第２の主電極４と、窒化物系半導体２上において第１の主電極３と第２の主電極４との間に配設された制御電極５と、窒化物系半導体２上の第１の主電極３と制御電極５との間及び制御電極５と第２の主電極４との間に配設された第１の絶縁体６と、制御電極５に一端が電気的に接続され、他端が第１の絶縁体６上において制御電極５と第２の電極４との間に配設された第１のフィールドプレート５ＦＰと、第１の絶縁体６上において制御電極５と第２の主電極４との間に配設され、少なくとも制御電極５のシート抵抗に比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレート（抵抗性導電膜）７と、第１の絶縁体６上、制御電極５上及び第１のフィールドプレート５ＦＰ上の第１の主電極３と第２の主電極４との間に配設され、第２のフィールドプレート３ＦＰと制御電極５及び第１のフィールドプレート５ＦＰ及び抵抗性フィールドプレート７との間の層間絶縁膜として機能する第２の絶縁体８と、第１の主電極３に一端が電気的に接続され、他端が第２の絶縁体８上において第１のフィールドプレート５ＦＰと第２の主電極４との間に配設された第２のフィールドプレート３ＦＰとを備える。
【００２０】
ここではその詳細な断面構造を図示しないが、窒化物系半導体２はＨＥＭＴを構築するデバイス機能層である。窒化物系半導体２は、図示しない例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）基板、シリコン（Ｓｉ）基板、サファイア基板等の基板上に配設され、この基板上に例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）緩衝層、アンドープ窒化ガリウム（ＧａＮ）層、アンドープアルミニウム窒化ガリウム（ＡｌＧａＮ）層、ｎ型ＡｌＧａＮ層、アンドープＡｌＧａＮ層のそれぞれを順次積層して構築されている。ＨＥＭＴの二次元電子ガスチャネル（又は二次元電子ガス層）はｎ型ＡｌＧａＮ層とアンドープＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合近傍に生成される。
【００２１】
第１の実施の形態において、第１の主電極３はソース電極であり、第２の主電極４はドレイン電極である。図１に示すＨＥＭＴは模式的に記載しているが、第１の主電極３、第２の主電極４は、いずれも窒化物系半導体３の前述の二次元電子ガスチャネルに連結するようにｎ型ＡｌＧａＮ層に達して構成されている。第１の主電極３は、オーミック的な接続をする例えばチタン（Ｔｉ）層とアルミニウム（Ａｌ）膜との積層膜により構成される。
【００２２】
制御電極５はゲート電極である。制御電極５は、ショットキー接続をする例えばニッケル（Ｎｉ）層と金（Ａｕ）層との積層膜により構成されている。
【００２３】
第１の絶縁体６においては、少なくとも窒化物系半導体２の表面に直接接する層に、シリコン窒化膜よりも圧縮応力が生じかつリーク電流を減少するこができるシリコン酸化膜が使用される。第２の絶縁体８には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の少なくともいずれか一方を使用することができる。
【００２４】
第１のフィールドプレート５ＦＰはゲートフィールドプレートである。第１のフィールドプレート５ＦＰは、第１の実施の形態において、制御電極５と同一導電性材料により構成され、同一の導電層に一体に構成されている。
【００２５】
第１のフィールドプレート５ＦＰの他端は、第２の主電極（ドレイン電極）４側に延伸され、制御電極５と第２の主電極４との間に配置されている。この第１のフィールドプレート５ＦＰは、第２の主電極４からの電界をシールドし、制御電極７端の電界集中の発生を抑制する機能を有する。第１のフィールドプレート５ＦＰの長さは、制御電極５と第２の主電極４との間の距離の１０％−４０％の範囲内の長さに設定される。なお、第１のフィールドプレート５ＦＰは、第１の絶縁体６の表面に傾斜を備え、この傾斜に沿って第１の絶縁体６上に配設してもよい。この場合、第１のフィールドプレート５ＦＰの底面と窒化物系半導体２の表面とがなす角度は１０度−６０度の範囲内に設定される。
【００２６】
第２のフィールドプレート３ＦＰはソースフィールドプレートである。第２のフィールドプレート３ＦＰの一端は、第１のフィールドプレート５ＦＰの他端よりも第１の主電極３側にありかつこの第１の主電極３に電気的に接続されている。第２のフィールドプレート３ＦＰは、第１の実施の形態において、第１の主電極３とは別の上層の導電性材料により構成されている。第２のフィールドプレート３ＦＰには例えば、Ｔｉ層とＮｉ層とＡｕ層との積層膜により構成された導電性材料を使用することができる。
【００２７】
第２のフィールドプレート３ＦＰの他端は、制御電極５及び第１のフィールドプレート５ＦＰを越えて第２の主電極（ドレイン電極）４側に延伸され、第１のフィードプレート５ＦＰと第２の主電極４との間の抵抗性フィールドプレート７上まで配置されている。この第２のフィールドプレート３ＦＰは、第２の主電極４からの電界を遮蔽（シールド）し、制御電極７端の電界集中の発生を抑制する機能を有する。第２のフィールドプレート３ＦＰの長さは、第１の実施の形態に係る半導体装置１において、第１のフィールドプレート５ＦＰを備えているので、制御電極５と第２の主電極４との間の距離の２０％−６０％の範囲内の長さに設定される。また、第１のフィールドプレート５ＦＰを備えていない場合、第２のフィールドプレート３ＦＰの長さは、制御電極５と第２の主電極４との間の距離の１０％−４０％の範囲内の長さに設定される。
【００２８】
抵抗性フィールドプレート７は、第１の実施の形態において、第１の絶縁体６と第２の絶縁体８との間に配設され、一端を制御電極５に電気的に接続し、他端を第２の主電極４に接続されている。抵抗性フィールドプレート７は、制御電極５の膜厚に比べて数桁程度の薄い導電性膜により構成され、制御電極５のシート抵抗に比べて遙かに高いシート抵抗を有する。具体的には、抵抗性フィールドプレート７は例えばＴｉ層、Ｎｉ層、銅（Ｃｕ）層、クロム（Ｃｒ）層、タングステン（Ｗ）層等の金属膜により構成され、これらの膜厚は例えば１０分の１ｎｍ−数十ｎｍの範囲内に設定される。シート抵抗値は例えば１ＭΩ／□以上に設定される。なお、第１の実施の形態において、抵抗性フィールドプレート７は単層構造により構成しているが、本発明は、このような構造に限定されるものではなく、長さやシート抵抗を変えた導電膜を積み重ねた複合膜により構成してもよい。
【００２９】
［抵抗性フィールドプレートの動作原理］
前述の第１の実施の形態に係る半導体装置１において、高耐圧化を実現するには、第１のフィールドプレート５ＦＰの第２の主電極４側の他端、第２のフィールドプレート３ＦＰの第２の主電極４側の他端の電界集中を緩和する必要がある。
【００３０】
逆方向電圧が印加されると、抵抗性フィールドプレート７に微小リーク電流が流れる。このとき、半導体装置１はオフ状態であるため、第１の主電極３と制御電極５間は第２の主電極４と制御電極５間に比べて十分に電圧が小さい。抵抗性フィールドプレート７の一端が第１のフィールドプレート５ＦＰの他端よりも制御電極５側にあり、抵抗性フィールドプレート７は第１のフィールドプレート５ＦＰから遠ざかるにつれて電位勾配がその抵抗に応じて緩やかに下がるので、第２のフィールドプレート３ＦＰにおける電界集中が緩和される。従って、ＨＥＭＴの高耐圧化を実現することができる。
【００３１】
電流コラプスを低減するには、更に窒化物系半導体２の表面にトラップされた電子を引き抜くことが必要である。
【００３２】
逆方向電圧が印加されると、第２の主電極４から制御電極５間において窒化物系半導体２の表面に電子がトラップされるが、このトラップされた電子は抵抗性フィールドプレート７によっても引き抜くことができる。従って、ＨＥＭＴに発生する電流コラプス現象を改善することができる。
【００３３】
第１の実施の形態に係る抵抗性フィールドプレート７を備えていないＨＥＭＴにおいては、第１のフィールドプレート５ＦＰ及び第２のフィールドプレート３ＦＰによる電子の引き抜きしか行うことができない。つまり、第１のフィールドプレート５ＦＰの第２の主電極４側の端から少し離れた領域にトラップされた電子を引き抜くことができないので、ＨＥＭＴに発生する電流コラプス現象を十分に改善することができない。
【００３４】
［半導体装置の特徴］
前述の第１の実施の形態に係る半導体装置１においては、抵抗性フィールドプレート７を備え、特に第２のフィールドプレート３ＦＰの第２の主電極４側の電界集中を抑制することができ、電界分布を均一にかつなだらかに緩和することができるので、高耐圧化を実現することができる。
【００３５】
更に、第１の実施の形態に係る半導体装置１においては、逆方向電圧が印加されたときに窒化物系半導体２の表面準位にトラップされた電子を効果的に引き抜くことができるので、電流コラプスの発生を減少することができる。従って、半導体装置１においては、逆方向電圧印加後のオン抵抗の上昇を抑制することができる。
【００３６】
更に、第１の実施の形態に係る半導体装置１においては、窒化物系半導体２の表面が圧縮応力を生じる条件でシリコン酸化膜により形成された第１の絶縁体６により覆われ、その応力によりピエゾ分極を有する窒化物系半導体２の表面に圧縮応力が生じることで、オン抵抗が低くなる。また、シリコン酸化膜はシリコン窒化膜よりもリーク電流を減少することができる。
【００３７】
更に、第１の実施の形態に係る半導体装置１においては、電界集中を緩和することができ、破壊しにくくなるので、制御電極５と第２の主電極４との間（ゲート電極−ドレイン電極間）の距離を短くすることができ、オン抵抗を低減することができる。
【００３８】
［第１の変形例］
第１の実施の形態の第１の変形例は、前述の図１に示す第１の実施の形態に係る半導体装置１において、第１の主電極３及び第２のフィールドプレート３ＦＰの構造を変えた例を説明するものである。
【００３９】
図２に示すように、第１の変形例に係る半導体装置１においては、第２のフィールドプレート３ＦＰが、第１の主電極３と同一の導電性材料により構成され、かつ同一の導電層に一体に構成されている。
【００４０】
このように構成される第１の変形例に係る半導体装置１においては、前述の第１の実施の形態に係る半導体装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００４１】
［第２の変形例］
第１の実施の形態の第２の変形例は、前述の図２に示す第１の変形例に係る半導体装置１において、抵抗性フィールドプレート７及び第２の主電極４の構造を変えた例を説明するものである。
【００４２】
図３に示すように、第２の変形例に係る半導体装置１は、第２の主電極４に一端を電気的に接続し、他端を第１の絶縁体６上において第２の主電極４と制御電極５より詳細には第２のフィールドプレート３ＦＰとの間に配設した第３のフィールドプレート４ＰＦを更に備えている。第２の変形例においては、第３のフィールドプレート４ＦＰは、第２の主電極４と同一の導電性材料により構成され、かつ同一の導電層に一体に構成されている。
【００４３】
抵抗性フィールドプレート７は、一端を第２の主電極４に電気的に接続し、他端を第２のフィールドプレート３ＦＰの他端を越えて第１のフィールドプレート５ＦＰに向かって延伸させている。
【００４４】
このように構成される第２の変形例に係る半導体装置１においては、前述の第１の実施の形態に係る半導体装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００４５】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態は、前述の図２に示す第１の実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置１において、抵抗性フィールドプレート７の構造を変えた例を説明するものである。
【００４６】
図４に示すように、第２の実施の形態に係る半導体装置１において、抵抗性フィールドプレート７は、第２の絶縁体８上に配設され、一端を第２のフィールドプレート３ＦＰに接続し、他端を第２の主電極４に接続している。
【００４７】
このように構成される第２の実施の形態に係る半導体装置１においては、前述の第１の実施の形態に係る半導体装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００４８】
［変形例］
第２の実施の形態の変形例は、前述の図４に示す第２の実施の形態に係る半導体装置１において、抵抗性フィールドプレート７の構造を変えた例を説明するものである。
【００４９】
図５に示すように、変形例に係る半導体装置１においては、抵抗性フィールドプレート７は、第２の絶縁体８上に配設され、一端を第２のフィールドプレート３ＦＰに接続し、他端を第２の主電極４に向かって延伸させている。
【００５０】
このように構成される変形例に係る半導体装置１においては、前述の第２の実施の形態に係る半導体装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００５１】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態は、窒化ガリウム系半導体により構成されたショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ：schottky barrier diodes）を備えた半導体装置に本発明を適用した例を説明するものである。
【００５２】
図６に示すように、第３の実施の形態に係る半導体装置１は、窒化物系半導体２と、窒化物系半導体２上に互いに離間して配設された第１の主電極３及び第２の主電極４と、窒化物半導体２上の第１の主電極３と第２の主電極４との間に配設された第１の絶縁体６と、第１の主電極３に一端が電気的に接続され、他端が第１の絶縁体６上において第１の主電極３と第２の主電極４との間に配設された（第２の主電極４に向かって延伸させた）第２のフィールドプレート３ＦＰと、第２の主電極４に一端が電気的に接続され、他端が第１の絶縁体６上において第１の主電極３と第２の主電極４との間に配設された（第１の主電極３に向かって延伸させた）第３のフィールドプレート４ＦＰと、第１の絶縁体６上において一端が第２のフィールドプレート３ＦＰに電気的に接続され、他端が第３のフィールドプレート４ＦＰに向かって延伸させ、第１の主電極３及び第２の主電極４のシート抵抗に比べて高いシート抵抗を有する抵抗性フィールドプレート７とを備える。
【００５３】
ここではその詳細な断面構造を図示しないが、窒化物系半導体２はＳＢＤを構築するデバイス機能層である。
【００５４】
第３の実施の形態において、第１の主電極３はアノード電極であり、第２の主電極４はカソード電極である。図６に示すＳＢＤは模式的に記載しているが、第１の主電極３は、窒化物系半導体２のアノード領域（ｐ型の半導体領域）上に配設され、このアノード領域にショットキー接続されている。第２の主電極４は、窒化物系半導体２のカソード領域（ｎ型の半導体領域）上に配設され、このカソード領域にオーミック的に接続されている。
【００５５】
第１の主電極３には第１の実施の形態に係る半導体装置１の制御電極５と同様の導電性材料が使用される。第２の主電極４には第１の実施の形態に係る半導体装置１の第１の主電極３又は第２の主電極４と同様の導電性材料が使用される。また、第１の絶縁体６には同様にシリコン酸化膜が使用される。
【００５６】
第３の実施の形態において、第２のフィールドプレート３ＦＰはアノードフィールドプレートである。第２のフィールドプレート３ＦＰは、第１の主電極３と同一導電性材料により構成され、同一の導電層に一体に構成されている。第３のフィールドプレート４ＦＰはカソードフィールドプレートである。第３のフィールドプレート４ＦＰは、第２の主電極４と同一導電性材料により構成され、同一の導電層に一体に構成されている。
【００５７】
抵抗性フィールドプレート７は、第１の実施の形態に係る抵抗性フィールドプレート７と同様に、第１の主電極３及び第２の主電極４の膜厚に比べて数桁程度の薄い導電性膜により構成され、第１の主電極３及び第２の主電極４のシート抵抗に比べて遙かに高いシート抵抗を有する。
【００５８】
このように構成される第３の実施の形態に係る半導体装置１においては、前述の第１の実施の形態に係る半導体装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００５９】
［変形例］
第３の実施の形態の変形例は、前述の図６に示す第３の実施の形態に係る半導体装置１において、抵抗性フィールドプレート７の構造を変えた例を説明するものである。
【００６０】
図７に示すように、変形例に係る半導体装置１においては、抵抗性フィールドプレート７は、第１の絶縁体６上において一端を第３のフィールドプレート４ＦＰに電気的に接続し、他端を第２のフィールドプレート３ＦＰに向かって延伸させている。
【００６１】
このように構成される変形例に係る半導体装置１においては、前述の第２の実施の形態に係る半導体装置１により得られる作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
【００６２】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を第１の実施の形態、第２の実施の形態及び第３の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものでない。本発明は様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術に適用することができる。例えば、前述の第１の実施の形態及び第２の実施の形態に係る半導体装置１にはＨＥＭＴが形成されているが、本発明は、このトランジスタに限定されるものではなく、例えばＭＥＳＦＥＴ（metal semiconductor field effect transistor）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等の窒化物系半導体を利用するトランジスタに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図２】第１の実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図３】第１の実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図５】第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図７】第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…半導体装置
２…窒化物系半導体
３…第１の主電極
３ＦＰ…第２のフィールドプレート
４…第２の主電極
４ＦＰ…第３のフィールドプレート
５…制御電極
５ＦＰ…第１のフィールドプレート
６…第１の絶縁体
７…抵抗性フィールドプレート
８…第２の絶縁体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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