(57)【要約】【課題】半導体製造プロセス等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムで精度良くモニタリングする。【解決手段】電圧源３５によって負のバイアス電圧−３０Ｖをモニタ対象物４０に印加すると共に、ＲＦバイアス電圧をプラズマ処理装置３０に印加し、モニタ対象物４０に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ３２から発生した紫外光ＵＶにより、分離した２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２上のＳｉＯ２膜４３に、正孔ｈと電子ｅのペアが発生する。ポリＳｉ電極４２−１，４２−２に負のバイアス電圧−３０Ｖを印加することで、２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間の間隙にトラップされた正孔ｈを誘導電流として電流計３６によりリアルタイムで計測できる。この誘導電流を紫外光ＵＶによるＳｉＯ２膜４３へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。【選択図】図１
2009059879.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置され、紫外光の照射に伴って発生する正孔を引き込む第１及び第２の電極と、
前記第１及び第２の電極の近傍に形成され、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、
前記紫外光のモニタ時に、前記第１の電極、前記第１及び第２の電極間の間隙、及び前記第２の電極により形成される直列経路に対して所定のバイアスを印加する電源と、
を有することを特徴とする紫外光モニタリングシステム。
【請求項２】
前記第１及び第２の電極は、平行に配置された方形の導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１記載の紫外光モニタリングシステム。
【請求項３】
前記第１及び第２の電極は、互いに噛み合うように配置された櫛形の導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１記載の紫外光モニタリングシステム。
【請求項４】
前記評価対象膜は、前記第１及び第２の電極上に形成されて前記紫外光が照射されることを特徴とする請求項２又は３記載の紫外光モニタリングシステム。
【請求項５】
前記評価対象膜は、前記第１及び第２の電極間の前記間隙に配置され、且つ前記第１及び第２の電極の表面と同一の高さに形成されて前記紫外光が照射され、
前記第１及び第２の電極上には、保護膜が形成されていることを特徴とする請求項２又は３記載の紫外光モニタリングシステム。
【請求項６】
前記紫外光は、プラズマ処理により放射されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の紫外光モニタリングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程（プロセス）等でのプラズマ等からの紫外光によるダメージを定量的にリアルタイムでモニタリングする紫外光モニタリングシステムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体装置では、素子構造の微細化、薄膜化、３次元化の促進により、層間絶縁膜・配線形成工程等で用いられるプラズマから紫外光が放射され、半導体素子の界面まで到達する紫外光照射ダメージが大きな問題となってくる。
【０００３】
この対策として、紫外光照射ダメージをウェハ上の実際のパターンにてリアルタイムでモニタリングする紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）の技術が開発されており、その手法や評価結果が例えば下記の文献に詳細に紹介されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８２５４６号公報
【特許文献２】特開２００５−２３６１９９号公報
【非特許文献１】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．６，Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  ２００５，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｏｃｉｅｔｙ．ｐ．１５０９−１５１２
【非特許文献２】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．１，Ｊａｎ／Ｆｅｂ  ２００５，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｏｃｉｅｔｙ．ｐ．１７３−１７７
【非特許文献３】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ，Ｖｏｌ．２２，Ｎｏ．６，  Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  ２００４，Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｖａｃｕｕｍ  Ｓｏｃｉｅｔｙ．ｐ．２８１８−２８２２
【０００５】
図８（Ａ）、（Ｂ）は、例えば、特許文献２の図６、及び非特許文献２における第１７４頁の図２（ａ）に記載された従来のプラズマモニタリングシステムを示す図であり、同図（Ａ）は概略の構成図、及び同図（Ｂ）はその課題を示す図である。更に、図９は、図８中の電極を示す概略の平面図である。
【０００６】
図８（Ａ）に示されるプラズマモニタリングシステムは、プラズマ処理装置１０を備えている。プラズマ装置１０は、高周波（ＲＦ）バイアス電圧の印加により、真空状態にしたプラズマチャンバ１１内にプラズマ１２を発生させ、ステージ１３上に載置したモニタ対象物２０に対するエッチングや成膜を行う装置である。モニタ対象物２０には配線１４が接続され、その配線１４がプラズマチャンバ１１の外部に引き出されている。外部に引き出された配線１４には、モニタ対象物２０に対して負バイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）を印加するための電圧源１５と、モニタ対象物２０に流れる誘導電流を測定するための電流計１６とが、直列に接続されている。
【０００７】
モニタ対象物２０は、ウェハ（例えば、シリコン（Ｓｉ）基板２１）上に、二酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）で絶縁された電極（例えば、平面がほぼ長方形の膜からなるポリＳｉ電極２２）が形成され、更に、そのポリＳｉ電極２２上に、実際の半導体装置で用いる膜（例えば、ＳｉＯ２膜２３）が形成された構造をしている。ＳｉＯ２膜２３の一部が開口されてポリＳｉ電極２２の一部が露出し、その露出箇所に、配線接続部２４を介して配線１４が接続されている。
【０００８】
紫外光ＵＶのモニタを行う場合、ＲＦバイアス電圧の印加により、モニタ対象物２０に対してプラズマ処理を行うと、プラズマ１２から発生した紫外光ＵＶにより、ポリＳｉ電極２２上のＳｉＯ２膜２３に、正孔（Ｈｏｌｅ）ｈと電子（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）ｅのペアが発生する。電圧源１５により、ポリＳｉ電極２２に負バイアス電圧を印加することで、正孔ｈを誘導電流として電流計１６によりリアルタイムで計測する。この誘導電流を紫外光ＵＶによるＳｉＯ２膜２３へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。
【０００９】
又、非特許文献２における第１７４頁の図２（ｂ）に記載されているように、プラズマ１２からのイオンｉや電子ｅの影響をできるだけ排除するために、開口部を含めたＳｉＯ２膜２３の表面をアルミニュウム（Ａｌ）系の金属膜で覆う構造が採用される場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
図８（Ｂ）に示すように、モニタ対象物２０をプラズマ１２に曝すと、プラズマ１２は正イオンに分離した状態であり、電子ｅと正孔ｈが共にＳｉＯ２膜２３に帯電するように動く。この時、正孔ｈより電子ｅの方が遥かに軽いので、電子ｅの方が速度が速く、ＳｉＯ２膜２３上には大量の電子ｅが帯電する。そのため、その電子帯電によってＳｉＯ２膜２３上には負の電位が発生する。次に、遅い電子ｅとは反対の電荷を持つ正孔ｈがＳｉＯ２膜２３上に到達するが、先に帯電した電子ｅを打ち消すほどの量は帯電しない。従って、最終的にはプラズマ１２から負の電子ｅも正の正孔ｈもＳｉＯ２膜２３上に到達し、帯電することになるが、最初の負の電子ｅの帯電量が大きいために、ＳｉＯ２膜２３上の電位は負電位で安定状態となる。この負電位を自己整合バイアスＶｄｃと呼んでいる。
【００１１】
このように、通常、プラズマ処理プロセスでは、一般的にパターン表面に自己整合バイアスＶｄｃが負電位で形成されることが知られている。この電位はプラズマ処理の条件によって大きく値が変動する。例えば、自己整合バイアスＶｄｃが−８０Ｖの場合、引き込みのバイアスは一定（この場合は−３０Ｖ）なので、紫外光ＵＶにより、評価対象となるＳｉＯ２膜２３に発生した正孔ｈの一部は、ポリＳｉ電極２２ではなくＳｉＯ２膜２３の表面方向へ引き寄せられてしまい、正確な誘導電流の測定ができなくなってしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の紫外光モニタリングシステムは、対向して配置され、紫外光の照射に伴って発生する正孔を引き込む第１及び第２の電極と、前記第１及び第２の電極の近傍に形成され、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、前記紫外光のモニタ時に、前記第１の電極、前記第１及び第２の電極間の間隙、及び前記第２の電極により形成される直列経路に対して所定のバイアスを印加する電源とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、分離した第１及び第２の電極を対向させる構造にしたので、紫外光により第１及び第２の電極上及び電極間の評価対象膜中に発生した正孔及び電子を、第１及び第２の電極間の間隙の部分で捕獲（トラップ）できる。そのため、評価対象膜の表面に形成される自己整合バイアスによる影響を低減でき、従来よりも精度の高い誘導電流値の測定が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
紫外光モニタリングシステムの１つである例えばプラズマモニタリングシステムは、対向して配置され、プラズマ処理により放射される紫外光の照射に伴って発生する正孔を引き込む第１及び第２の電極と、前記第１及び第２の電極の近傍に形成され、前記紫外光の照射によるダメージの評価対象となる評価対象膜と、前記紫外光のモニタ時に、前記第１の電極、前記第１及び第２の電極間の間隙、及び前記第２の電極により形成される直列経路に対して所定のバイアスを印加する電源とを有している。
【実施例１】
【００１５】
（実施例１の構成）
図１は、本発明の実施例１を示す紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）の概略の構成図である。更に、図２は、図１中の電極を示す概略の平面図である。
【００１６】
図１に示されるプラズマモニタリングシステムは、プラズマ処理装置３０を備えている。プラズマ装置３０は、ＲＦバイアス電圧の印加により、真空状態にしたプラズマチャンバ３１内にプラズマ３２を発生させ、ステージ３３上に載置したモニタ対象物４０に対するエッチングや成膜を行う装置である。モニタ対象物４０には銅線等の配線３４が接続され、その配線３４がプラズマチャンバ３１の外部に引き出されている。外部に引き出された配線３４には、モニタ対象物４０に対して負のバイアス電圧（例えば、−３０Ｖ）を印加するための電圧源３５と、モニタ対象物４０に流れる誘導電流を測定するための電流計３６とが、直列に接続されている。
【００１７】
モニタ対象物４０は、ウェハ（例えば、Ｓｉ基板４１）を有し、そのＳｉ基板４１上に、それぞれＳｉＯ２膜で絶縁されて対向して配置された第１及び第２の電極が形成されている。第１及び第２の電極は、例えば、所定の間隙を有するスリット４２ａを介して対向して配置され、それぞれ平面がほぼ長方形の膜からなる一対のポリＳｉ電極４２−１，４２−２により形成されている。一対のポリＳｉ電極４２−１，４２−２上には、実際の半導体装置で用いる膜（例えば、ＳｉＯ２膜４３）が形成されている。ＳｉＯ２膜４３において各ポリＳｉ電極４２−１，４２−２上の一部が開口されて、その各ポリＳｉ電極４２−１，４２−２の一部が露出し、その露出箇所に、各配線接続部４４−１，４４−２を介して配線３４が接続されている。
【００１８】
（モニタ対象物４０の製造例）
図３−１（Ａ）〜（Ｅ）及び図３−２（Ｆ）〜（Ｉ）は、図１中のモニタ対象物４０の製造例を示す概略の断面工程図である。
【００１９】
モニタ対象物４０を製造する場合、先ず、図３−１（Ａ）の熱酸化膜形成工程において、Ｓｉ基板４１上に熱酸化膜５１を約６００ｎｍ形成する。図３−１（Ｂ）のリンドープポリＳｉ形成工程において、熱酸化膜５１上に、気相成長法（以下「ＣＶＤ法」という。）により、６Ｅ２０ａｔｍ／ｃｍ３のリン濃度のポリＳｉ膜４２を形成する。図３−１（Ｃ）の電極ホトリソグラフィ工程において、ホトリソグラフィ技術により、例えば間隙３００ｎｍのスリットを有するレジスト膜からなるスリットパターン５２を形成する。図３−１（Ｄ）の電極ドライエッチング・レジスト灰化工程において、ドライエッチング技術（例えば、プラズマエッチング）により、スリットパターン５２をマスクにしてポリＳｉ膜４２を加工し（即ち、ポリＳｉ膜４２のエッチングとスリットパターン５２の灰化を行い）、スリット４２ａにより分離された２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２を形成する。図３−１（Ｅ）の酸化シリコン膜形成工程において、減圧ＣＶＤ法（以下「ＬＰ−ＣＶＤ法」という。）により、紫外光ＵＶによるダメージの評価対象となる絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２膜４３）を約１５０ｎｍ形成する。
【００２０】
次に、図３−２（Ｆ）のパッドホトリソグラフィ工程において、２つに分離したポリＳｉ電極４２−１，４２−２を覆うＳｉＯ２膜４３上に、ホトリソグラフィ技術により、約４ｍｍ×４ｍｍのボックス型のレジスト抜きパターン５３を形成する。図３−２（Ｇ）のパッドドライエッチング・レジスト灰化工程において、レジスト抜きパターン５３をマスクにしてエッチング技術にて、ポリＳｉ電極４２−１，４２−２上までＳｉＯ２膜４３を加工し（即ち、ＳｉＯ２膜４３のエッチングとレジスト抜きパターン５３の灰化を行い）、開口する。図３−２（Ｈ）のパッド配線接着工程において、開口したポリＳｉ電極４２−１，４２−２上の配線接続部４４−１，４４−２に、絶縁物５４で被覆した銅線等の配線３４の両端を導電性ペースト５５で接着する。最後に、図３−２（Ｉ）のパッド接続部モールド工程において、導電性ペースト５５部分をモールド樹脂５６で封止すれば、モニタ対象物４０の製造が終了する。
【００２１】
（実施例１の動作）
プラズマ処理により放射される紫外光ＵＶのモニタを行う場合、図１に示すように、モニタ対象物４０をプラズマチャンバ３１のステージ３３上に載置し、ポリＳｉ電極４２−１，４２−２上に接着していないほうの配線３４の端部を、プラズマチャンバ３１の壁部に設けた電力入力端子を通して外部へ引き出し、電流計３６を介して、例えば負のバイアス電圧−３０Ｖを供給するための電圧源３５に接続する。
【００２２】
電圧源３５によって負のバイアス電圧−３０Ｖをモニタ対象物４０に印加すると共に、ＲＦバイアス電圧をプラズマ処理装置３０に印加し、モニタ対象物４０に対してプラズマ処理（例えば、エッチング、成膜等）を行うと、プラズマ３２から発生した紫外光ＵＶにより、ポリＳｉ電極４２−１，４２−２上のＳｉＯ２膜４３に、正孔ｈと電子ｅのペアが発生する。電圧源３５により、ポリＳｉ電極４２−１，４２−２に負のバイアス電圧−３０Ｖを印加することで、２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間にトラップされた正孔ｈを誘導電流として電流計３６によりリアルタイムで計測できる。この誘導電流を紫外光ＵＶによるＳｉＯ２膜４３へのダメージの定量的指標としてモニタリングしている。
【００２３】
即ち、従来は、図９に示すように、ポリＳｉ電極２２の表面で正孔を検出（センシング）していたが、本実施例１では、図２に示すように、対向した２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間のスリット４２ａの部分（側面部）でセンシングしている。
【００２４】
（実施例１の効果）
本実施例１によれば、次の（１）、（２）のような効果がある。
【００２５】
（１）  ポリＳｉ膜４２を分離して２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２を形成し、その２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２を対向させる構造としたので、紫外光ＵＶによりポリＳｉ電極４２−１，４２−２上のＳｉＯ２膜４３中に発生した正孔ｈを２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間のスリット４２ａの部分でトラップできる。そのため、モニタ対象物４０の表面に形成される自己整合バイアスによる影響を低減でき、従来よりも精度の高い誘導電流値の測定が可能となる。
【００２６】
（２）  本実施例１のプラズマモニタリングシステムを利用して半導体製造を行う場合は、例えば、実際にプラズマ処理するためのウェハ上、又はその近傍のステージ３３上等に、モニタ対象物４０を貼着しておき、電流計３６により誘導電流値を計測してプラズマ処理の終了時点等をセンシングして製造プロセスを制御する。あるいは、プラズマ処理対象となるウェハモデルに対して、予め電流計３６により誘導電流値を計測して計測結果を求めておき、その計測結果に基づき、実際のウェハの製造プロセスを制御する。これにより、ウェハに対する高精度なプラズマ処理が可能になる。
【実施例２】
【００２７】
（実施例２の構成・動作）
図４は、本発明の実施例２を示す紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）におけるモニタ対象物４０中の電極を示す概略の平面図であり、実施例１を示す図２中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００２８】
本実施例２では、図１中のモニタ対象物４０内に設けられる第１及び第２の電極として、スリット４２ａに相当する所定の間隙（スペース）をおいて対向する２つの櫛形のポリＳｉ電極４２−１Ａ，４２−２Ａを有し、その２つの櫛形のポリＳｉ電極４２−１Ａ，４２−２Ａが互いに噛み合うように配置されている。
【００２９】
２つのポリＳｉ電極４２−１Ａ，４２−２Ａの製造方法は、例えば、図３−１（Ｃ）及び図３−１（Ｄ）に示すように、対向した２つの電極を分離するパターン形成工程において、ホトリソグラフィとプラズマエッチング等のドライエッチングを行う際に、スリット４２ａに相当するスペースは３００ｎｍのままでパターンを櫛形状に形成すれば良い。
その他の構成や動作は、実施例１と同様である。
【００３０】
（実施例２の効果）
本実施例２によれば、分離した２つの櫛形のポリＳｉ電極４２−１Ａ，４２−２Ａを互いに噛み合うように対向して配置したので、２つのポリＳｉ電極４２−１Ａ，４２−２Ａ間の対向する部分の面積が実施例１よりも大きくなる。そのため、実施例１よりも誘導電流のセンシング感度が向上して、より高精度の測定が可能になる。
【実施例３】
【００３１】
（実施例３の構成）
図５は、本発明の実施例３を示す紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）におけるモニタ対象物の概略の断面図であり、実施例１を示す図１及び図３−２（Ｉ）中の要素と共通の要素には共通の符号が付されている。
【００３２】
本実施例３のプラズマモニタリングシステムでは、図１に示す実施例１のモニタ対象物４０に代えて、それとは構成の異なるモニタ対象物４０Ｂが使用される。モニタ対象物４０Ｂは、Ｓｉ基板４１を有し、そのＳｉ基板４１上に、熱酸化膜５１を介して第１、第２の電極である２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２が形成されている。２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２は、実施例１と同様に、所定の間隙を有するスリット４２ａを介して対向して配置されているが、実施例１と異なり、そのスリット４２ａ内に評価対象膜であるＳｉＯ２膜４３が配置され、そのＳｉＯ２膜４３がポリＳｉ電極４２−１，４２−２の表面と同一の高さに形成されている。
【００３３】
ポリＳｉ電極４２−１，４２−２上には、保護膜である例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ膜）５７が形成されている。ＳｉＮｘ膜５７において各ポリＳｉ電極４２−１，４２−２上の一部が開口されて、その各ポリＳｉ電極４２−１，４２−２の一部が露出し、その露出箇所の各配線接続部に、絶縁物５４で被覆した銅線等の配線３４の両端が導電ペースト５５により接着されている。導電性ペースト５５の部分は、モールド樹脂５６で封止されている。
その他の構成は、実施例１と同様である。
【００３４】
（モニタ対象物４０Ｂの製造例）
図６−１（Ａ）〜（Ｅ）、図６−２（Ｆ）〜（Ｈ）、及び図６−３（Ｉ）〜（Ｋ）は、図５のモニタ対象物４０Ｂの製造例を示す概略の断面工程図である。
【００３５】
モニタ対象物４０Ｂを製造する場合、先ず、図６−１（Ａ）の熱酸化膜形成工程において、Ｓｉ基板４１上に熱酸化膜５１を約６００ｎｍ形成する。図６−１（Ｂ）のリンドープポリＳｉ形成工程において、ＣＶＤ法により、熱酸化膜５１上に６Ｅ２０ａｔｍ／ｃｍ３のリン濃度のポリＳｉ膜４２を形成する。図６−１（Ｃ）のＳｉＮｘ膜形成工程において、ＬＰ−ＣＶＤ法により、ポリＳｉ膜４２上にＳｉＮｘ膜５７を約１００ｎｍ形成する。図６−１（Ｄ）の電極ホトリソグラフィ工程において、ホトリソグラフィ技術により、ＳｉＮｘ膜５７上に、約３００ｎｍのスリット４２ａを有するレジスト膜からなるスリットパターン５２を形成する。図６−１（Ｅ）の電極ドライエッチング・レジスト灰化工程において、スリットパターン５２をマスクにしてプラズマエッチング等のドライエッチング技術により、ＳｉＮｘ膜５７及びポリＳｉ膜４２をエッチングし、そのポリＳｉ膜４２を分離して第１、第２の電極である２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２を形成した後、スリットパターン５２を灰化して除去する。
【００３６】
次に、図６−２（Ｆ）のＳｉＯ２膜形成工程において、高密度プラズマ（以下「ＨＤＰ」という。）により、紫外光ＵＶによるダメージを評価するための評価対象膜であるシリコン系絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２膜４３）を約１０００ｎｍ形成する。図６−２（Ｇ）のＳｉＯ２膜平坦化工程において、化学的機械研磨法（以下「ＣＭＰ法」という。）により、ＳｉＯ２膜４３を削って平坦化し、更に、ＳｉＮｘ膜５７を表面から約５０ｎｍ付近まで削る。図６−２（Ｈ）のＳｉＯ２膜ウェットエッチング工程において、例えば、０．３％フッ酸溶液により、ＳｉＯ２膜４３の表面がポリＳｉ電極４２−１，４２−２の表面と同じ高さになるようにエッチングする。
【００３７】
図６−３（Ｉ）のパッドホトリソグラフィ工程において、ホトリソグラフィ技術により、２つに分離したＳｉＮｘ膜５７／ポリＳｉ電極４２−１，４２−２の積層膜上に、約４ｍｍ×４ｍｍのボックス型のレジスト抜きパターン５３を形成する。図６−３（Ｊ）のパッドドライエッチング・レジスト灰化工程において、プラズマエッチング等のドライエッチングにより、レジスト抜きパターン５３をマスクにしてＳｉＮｘ膜５７をポリＳｉ電極４２−１，４２−２上まで削って開口した後、レジスト抜きパターン５３を灰化して除去する。図６−２（Ｋ）のパッド配線接着工程において、開口したポリＳｉ電極４２−１，４２−２上の配線接続部に、絶縁物５４でそれぞれ被覆した２つの配線３４の端部を導電ペースト５５により接着する。その後、図５に示すパッド接続部モールド工程において、導電ペースト５５上をモールド樹脂５６で封止すれば、モニタ対象物４０Ｂの製造が終了する。
【００３８】
（実施例３の動作）
モニタ対象物４０Ｂについて、プラズマ処理により放射される紫外光ＵＶのモニタを行う場合の動作は、実施例１と同様である。
【００３９】
（実施例３の効果等）
本実施例３によれば、次の（ａ）、（ｂ）のような効果等がある。
【００４０】
（ａ）    図７は、図５のモニタ対象物４０Ｂの一部分における断面の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す図である。
【００４１】
本実施例３によれば、ポリＳｉ電極４２−１，４２−２の表面と評価対象膜であるＳｉＯ２膜４３の表面とを同じ高さに揃えたので、図７に示すように、評価したい膜のポリＳｉ電極４２−１，４２−２に対する被膜特性に影響されず、常に２つのポリＳｉ電極４２−１，４２−２間の膜厚、及び高さが一定且つ最適となるので、紫外光ＵＶの波長と評価する膜の相関関係が安定し、より精度の高い測定が可能になる。
【００４２】
（ｂ）  本実施例３では、実施例１と同様のポリＳｉ電極４２−１，４２−２を用いているが、実施例２のポリＳｉ電極４２−１Ａ，４２−２Ａを使用しても、実施例２及び実施例３と同様の作用効果が得られる。
【００４３】
（変形例）
本発明は、上記実施例に限定されず、種々の利用形態や変形が可能である。その利用形態や変形例としては、例えば、次の（ｉ）〜（ｉｉｉ）のようなものがある。
【００４４】
（ｉ）  本発明は、図示のプラズマ処理装置３０やモニタ対象物４０，４０Ｂの構成や製造方法等を、図示以外のものに変更しても良い。
【００４５】
（ｉｉ）  実施例１〜３では、評価対象膜として酸化シリコン系絶縁膜であるＳｉＯ２膜４３を例にとり説明したが、複数の積層膜、酸化シリコン系窒化膜、あるいは有機系低誘電率膜等へも適用可能である。
【００４６】
（ｉｉｉ）  実施例１〜３では、半導体製造のプラズマ処理工程における紫外光ＵＶによる製品へのダメージを想定して説明したが、本発明は、半導体製造以外の平面パネル製造等といった他の全てのプラズマ工程やプラズマ以外からの紫外光ＵＶのモニタリングに対しても応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施例１を示す紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）の概略の構成図である。
【図２】図１中の電極を示す概略の平面図である。
【図３−１】図１中のモニタ対象物の製造例を示す概略の断面工程図である。
【図３−２】図１中のモニタ対象物の製造例を示す概略の断面工程図である。
【図４】本発明の実施例２を示す紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）におけるモニタ対象物中の電極を示す概略の平面図である。
【図５】本発明の実施例３を示す紫外光モニタリングシステム（例えば、プラズマモニタリングシステム）におけるモニタ対象物の概略の断面図である。
【図６−１】図５のモニタ対象物の製造例を示す概略の断面工程図である。
【図６−２】図５のモニタ対象物の製造例を示す概略の断面工程図である。
【図６−３】図５のモニタ対象物の製造例を示す概略の断面工程図である。
【図７】図５のモニタ対象物の一部分における断面の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す図である。
【図８】従来のプラズマモニタリングシステムを示す図である。
【図９】図８中の電極を示す概略の平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
３０      プラズマ処理装置
３１      プラズマチャンバ
３２      プラズマ
３５      電圧源
３６      電流計
４０，４０Ｂ      モニタ対象物
４１      Ｓｉ基板
４２−１，４２−１Ａ，４２−２，４２−２Ａ      ポリＳｉ電極
４２ａ      スリット
４３      ＳｉＯ２膜
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図６−３】
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【図８】
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【図９】
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【図７】
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