(57)【要約】【課題】  機能不良非接触ＩＣタグの混入を未然防止する不良インレットの処理方法を提供する。【解決手段】  本発明の不良インレットの処理方法は、インレットベースフィルム１１に形成されたアンテナパターン２にＩＣチップ３が結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレット１の製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップ３をアンテナパターン装着部から剥離治具２０を用いて剥離するか、ＩＣチップ３を平圧型押圧具またはローラ型押圧具を用いて破壊し機能回復不能とすることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インレットベースフィルムに形成されたアンテナパターンにＩＣチップが結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレットの製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップをアンテナパターン装着部から剥離治具を用いて剥離し機能回復不能とすることを特徴とする不良インレットの処理方法。
【請求項２】
インレットベースフィルムに形成されたアンテナパターンにＩＣチップが結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレットの製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップを平圧型押圧具を用いて破壊し機能回復不能とすることを特徴とする不良インレットの処理方法。
【請求項３】
インレットベースフィルムに形成されたアンテナパターンにＩＣチップが結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレットの製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップをローラ型押圧具を用いて破壊し機能回復不能とすることを特徴とする不良インレットの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不良インレットの処理方法に関する。詳しくは、非接触ＩＣタグ用インレットの製造後であって、最終的に非接触ＩＣタグ化する前の段階において、該インレットの検査を行い、機能不全が検出された単位のインレットを回復不能に破壊して処理する方法に関する。従って、本発明の技術分野は非接触ＩＣタグの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
非接触ＩＣタグは、情報を記録して保持し非接触で外部装置と情報交換できるので、運送や物流等における認識媒体として、あるいは商品の品質管理、在庫管理等の各種目的に多用されるようになってきている。
しかし、このように非接触ＩＣタグが広範に使用されるようになると、出荷した非接触ＩＣタグの中に機能不良品が混入した場合には、情報の書き込みや読み取りが不可能な事態が生じ、却って非接触ＩＣタグを使用するシステムの信頼を失う結果となる。
【０００３】
非接触ＩＣタグを製造する場合、ベースフィルムにアンテナパターンを形成し、ＩＣチップを接合してインレット（一般的には「アンテナシート」ともいう。）を製造した後、オーバーシートをラミネートする等して必要な最終製品形態に合わせた加工を施すが、このインレット後の加工工程において、一度機能不全としてチェックされた中間品が、何らかの理由で機能を回復する場合がある。
このような場合は、最終的には良品として出荷されてしまうおそれがある。しかし、このように一度は機能不全を検出されたインレットやＩＣタグは、構造的欠陥を残しており市場での使用過程において不具合を再発することが多い。機能回復することがあることから、ＩＣチップ自体の欠陥というよりは、ＩＣチップとアンテナ間の接続が完全ではないことに起因することが多いと考えられる。
【０００４】
本発明は、このような機能不安定な非接触ＩＣタグが製品化され出荷されることを防止することを目的とするものである。非接触ＩＣタグが一個一個の単品の製造物である場合は、不良が検出された時点で除去すれば問題が生じないが、連続した巻き取り状態、あるいは数単位の連接体で製造される場合は、不良品検出の都度、切断して除去する処置を行うと工程が不連続になり、あるいは中断されて円滑な生産ができなくなる問題がある。
そこで、本発明では生産工程の妨げとならない方法で不良インレットを確実に処理する方法を提案するものである。
【０００５】
関連する先行技術文献として、特許文献１は、半導体パッケージの製造工程において、回路基板の不良個所に不良識別マークを付与する工程と、当該不良識別マークを付与した部分を除いた箇所にＩＣチップを実装する工程、を含む製造工程を提案している。
また、特許文献２は、ＩＣカードの製造方法において、ＩＣチップの製造時にＩＣが正常に動作するか否かを検査し、検査結果が正常であるＩＣのメモリに特定データの書き込みを行い、最終工程でＩＣチップ内部メモリの内容を読み出して、ＮＧ品であるか否かの判定を行うことを記載している。しかし、特許文献１のようにマークを付与するだけでは、マークの脱落や磨滅等により識別が不可能になることが考えられる。また、特許文献２の場合は、メモリに記録されていても視覚では直ちに判別できないので、最終製品として出荷されてしまったり、ＮＧ品を使用してしまうことが考えられる。
また、特許文献３は、非接触ＩＣタグの出荷方法等に関するが、本願のようにＩＣチップを剥離したり破壊することまでは記載していない。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３３８９３３号公報
【特許文献２】特開２００２−０４２０９３号公報
【特許文献３】特開２００７−０２６２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来の非接触ＩＣタグの出荷方法では、最終的な検品結果が重視され、中間工程の検査結果が確実に出荷製品に反映されない状況があった。しかし、中間工程で不具合が検出されたＩＣタグは構造的な欠陥を残すことが多く、最終製品に含めないことが好ましい。
また、特許文献３の場合は、インレットの不良ＩＣチップ部分にマークを施したり、ＩＣチップ部分を打ち抜きして穿孔を設けることを提案しているが、マークを施すだけの場合はその後の加工で隠れて見えなくなる問題があり、穿孔を設ける場合は当該穿孔部分が変形したり破断したりして、後加工が困難になる問題があった。
そこで、本発明ではインレット製造後の段階における検査で機能不全が検出された場合は穿孔して打ち抜くことをしないで、ＩＣチップを強制剥離するか押し割りして破壊し、機能を回復しないようにすることにより、当該課題を解決しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１は、インレットベースフィルムに形成されたアンテナパターンにＩＣチップが結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレットの製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップをアンテナパターン装着部から剥離治具を用いて剥離し機能回復不能とすることを特徴とする不良インレットの処理方法、にある。
【０００９】
本発明の第２は、インレットベースフィルムに形成されたアンテナパターンにＩＣチップが結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレットの製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップを平圧型押圧具を用いて破壊し機能回復不能とすることを特徴とする不良インレットの処理方法、にある。
【００１０】
本発明の第３は、インレットベースフィルムに形成されたアンテナパターンにＩＣチップが結合された一群の非接触ＩＣタグ用インレットの製造後の段階において、各インレット単位毎の検査を行い、機能不全が検出された場合は、当該単位不良インレットのＩＣチップをローラ型押圧具を用いて破壊し機能回復不能とすることを特徴とする不良インレットの処理方法、にある。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の不良インレットの処理方法では、インレット製造後に機能等の検査を行い、その結果により不良インレットのＩＣチップが機能回復不可能な状態にされるので、機能不安定な非接触ＩＣタグを誤って製品化したり出荷することがない。
本発明の不良インレットの処理方法では、インレット製造後の検査において機能不全が検出された単位のインレットのＩＣチップ部分を強制剥離または押し割り破壊するだけなので、簡易な方法で不良品の使用を確実に排除できる。
本発明の不良インレットの処理方法では、不良インレット部分を打ち抜きしないので、その後の非接触ＩＣタグ加工を円滑に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明を説明する。図１は、本発明の不良インレットの処理方法の第１実施形態を説明する図、図２は、同第２実施形態を説明する図、図３は、同第３実施形態を説明する図、図４は、不良インレット処理システムの説明図、図５は、非接触ＩＣタグ用インレットの一般的形態を示す図、図６は、非接触ＩＣタグの一般的形態を示す図、図７は、非接触ＩＣタグの製造工程を示すフローチャート、である。
【００１３】
本発明は不良インレットの処理方法に関するが、まず、インレットと非接触ＩＣタグについて説明する。図５は、非接触ＩＣタグ用インレットの一般的形態を示す図であって、図５（Ａ）は、平面図、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＩＣチップ３部分を通る（１単位のインレットの）断面図である。
インレット１は、図５（Ａ）のように、インレットベースフィルム１１にアンテナパターン２を形成し、当該アンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂにＩＣチップ３を接合して固定している。ＩＣチップ３は、制御機能、記憶機能及び入出力機能等を備える非接触ＩＣタグ用のものである。アンテナパターン２は、図５（Ａ）では平面コイル状のものを示しているが、２片のパッチアンテナやダイポールアンテナからなる場合もある。
通常は、インレットベースフィルム１１にラミネートした金属箔をエッチングしたり、導電性インキにより印刷したパターンからなっている。
【００１４】
インレット１は、図５（Ａ）のように連続した形態にされているのが通常である。一列に限らず、二列または三列以上に連続する場合もある。「一群の」とはこのように連続した状態であることを意味する。インレット１自体も非接触ＩＣタグとして非接触通信機能を有するが、この後、ＩＣチップ３とアンテナパターン２面を保護する表面保護シートをラミネートし、インレットベースフィルム１１のＩＣチップ３とは反対側面には粘着剤加工を行って、非接触ＩＣタグとして完成するのが通常である。
本発明の不良インレットの処理方法は、このような最終加工を行う前のインレット１の状態で行われる。
【００１５】
図６は、非接触ＩＣタグの一般的形態を示す図であって、図６（Ａ）は、平面図、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＩＣチップ３部分を通る（１単位のＩＣタグの）断面図である。
上記のように、インレット１に、表面保護シート４を接着剤層５を介してラミネートする。接着剤層５とアンテナパターン２、またはインレットベースフィルム１１間は隙間が空いているように図示しているが、実際は密着しているものである。インレットベースフィルム１１のＩＣチップ３とは反対側面に粘着剤層６と剥離紙７を設ける粘着剤加工を行って非接触ＩＣタグ１０として完成する。ただし、貼り付け用途でない吊り下げ型等の場合は粘着剤加工は行わない。単位の非接触ＩＣタグ１を分離する切り離し線９を設ける場合は、表面保護シート４をラミネートしてからミシン目線等により形成する。ＩＣチップ３を破壊等した不良タグ部分は打ち抜いて穿孔８にしてもよい。
【００１６】
図１は、本発明の不良インレットの処理方法の第１実施形態を説明する図である。
第１実施形態の特徴は、機能不全が検出された不良インレットのＩＣチップ３をアンテナパターン２から強制剥離する特徴がある。強制剥離は、図１（Ａ）のように、例えば、ハンマー形状等の剥離治具２０を用いて、ＩＣチップ３を剥離することができる。
この例の剥離治具２０は、固定端２１に支持されたアーム２２を有し、アーム２２の先端にはＩＣチップ３の固定部（ＩＣチップ３のパッドとアンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂの接合部）３ｋに剪断力を及ぼす刃先２３を有している。この刃先２３を付勢して固定部３ｋに衝撃を与えることによりＩＣチップ３が剥離する。刃先２３には鋼鉄等の金属材料を使用できる。ＩＣチップ３はアンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂに２つのパッドが導電性接着剤や導電性接着フィルム等により接着固定しているが、１個のＩＣチップ３の固定部３ｋに対して、２ｋｇ〜５ｋｇ／チップ程度の剪断力が働けばＩＣチップ３をアンテナパターン２から剥離できることが確認されている。
【００１７】
ＩＣチップ３の固定部３ｋからの剥離後は、剥離したＩＣチップ３は吸引除去してインレットに残らないようにする。図１（Ｂ）は、ＩＣチップ３を強制剥離した後のインレット１を示す図である。ＩＣチップ３は剥離除去されて無くなっている。この後、前記のように他のインレットとともに表面保護シート４のラミネート等を行って非接触ＩＣタグ１０にする加工を行う。個片のＩＣタグに切断する場合は、当該部分の不良品は抜き取って除去するが、連接した非接触ＩＣタグとする場合は、ＩＣチップ３を強制剥離した後のものを正常の非接触ＩＣタグと誤って使用しないように、マーク等を施すことが好ましい。後工程でマーキングを検知して除去（当該１単位を除去して前後を再接続。）するか、打ち抜いて穿孔するためである。
【００１８】
図２は、本発明の不良インレットの処理方法の第２実施形態を説明する図である。
第２実施形態の特徴は、機能不全が検出された不良インレット１のＩＣチップ３を圧縮してＩＣチップ３を押し割りする特徴がある。押し割りは、図２（Ａ）のように、平圧型押圧具３０を用いて、押し当て台３１上で圧力をかけてＩＣチップ３を破壊する。
平圧型押圧具３０の先端とＩＣチップ３を位置合わせして荷重をかけるようにする。この場合は、インレット１の走行を停止する間欠送りが必要になる。近年のＩＣタグ用ＩＣチップ３は、平面サイズが１ｍｍ〜２ｍｍ角以内に小型化し、厚みも１００μｍ〜５００μｍ程度に薄層化しているので、１個のＩＣチップ３の平面面積に対して、１００Ｎ／チップ程度以上の押圧力が働けばＩＣチップ３を押し割り破壊することができる。
平圧型押圧具３０や押し当て台３１には、ステンレス材料やクロムメッキした鉄材料等の硬質の材料を使用できる。
【００１９】
図２（Ｂ）は、ＩＣチップ３を押し割り破壊した後のインレットを示す図である。破壊したＩＣチップの破片３ｈが残っているが、吸引除去してインレット１にはできるかぎり残らないようにする。この後、同様に表面保護シート４のラミネート等が行われるが、ＩＣチップ３を強制剥離した後のものを誤って使用しないように、マーク等を施すことが同様に好ましい。不良インレットの除去は上記と同様に行う。
【００２０】
図３は、本発明の不良インレットの処理方法の第３実施形態を説明する図である。
第３実施形態の処理方法の特徴は、機能不全が検出された不良インレットのＩＣチップ３を回転ローラ型押圧具を走行させてＩＣチップ３を押し割りする特徴がある。
押し割りは、図３（Ａ）のように、支柱４２の先端にローラ４３を有するローラ型押圧具４０を用い、押し当て台４１とローラ４３の間をインレット１のＩＣチップ３を通過させて、押し割り破壊することができる。ＩＣチップ３は微細化しているが、ローラ４３を５〜１０ｍｍ程度の幅にすれば、高い精度で通過させる必要もない。この場合は、ローラ４３を間欠的に上下動させ、不良チップ３上でのみ下降させれば、インレット１を、矢印Ｙ方向に連続走行させても機能不全ＩＣチップ３のみを破壊できる。ローラ４３や押し当て台４１には、ステンレス材料やクロムメッキした鉄材料等を使用できる。
１個のＩＣチップ３の平面面積に対して、１００Ｎ／チップ程度の圧縮力が働けばＩＣチップ３を破壊することができるのは、前記のとおりである。ＩＣチップ３を押し割り破壊した後の状態は図示してないが、図２（Ｂ）と同様の状態になる。
【００２１】
図４は、不良インレット処理システムの説明図である。
処理システム１００は、インレット検査部５０とラインコントローラ６０と制御用コントローラ７０とＩＣチップ破壊または剥離機構８０からなっている。
インレット検査部５０は走行するインレット１を検査する部分であり、一般的には、インレット（非接触タグ）１と通信する（１）非接触リーダであるが、非接触リーダ以外に、（２）インレットアンテナの共振周波数を測定するアナライザや、（３）ＩＣチップ３の実装位置を検査する画像処理装置であってもよい。非接触リーダであれば、インレット１から応答の無いことを検知し、アナライザの場合も共振周波数を測定できないことから不良を検知できる。また一般に、ＩＣチップ３とアンテナ端部の位置が正常範囲内にない場合（正常位置からずれている場合）は、ＩＣチップ３とアンテナ間の接合が不良の場合が多い。従って、正常な位置関係を画像処理装置に記憶させておけば、観察した画像の合否によりインレットの良否を判定することができる。
【００２２】
ラインコントローラ６０は、インレット１を検査するタイミングとＩＣチップ３を破壊（または剥離）するタイミングを制御する部分である。検査及び破壊（または剥離）のタイミングはインレット１の走行速度や連続走行か間欠送り走行かによって調製する。間欠送りの場合は検査停止時間を考慮する。一般的には間欠送り走行させ、１のインレットを検査している停止時間の間に、インレット１の１ピッチ先の位置において不良が検出された先行インレット１のＩＣチップ３を破壊または剥離する動作をさせることができる。
制御用コントローラ７０は、チップ破壊または剥離機構８０に対して、破壊（または剥離）指令を発する部分である。インレット１の送りピッチが変動する場合は、必要によりチップ破壊または剥離機構８０の位置制御等も行う。もちろん、不良が検出されない場合は破壊動作は行わない。チップ破壊または剥離機構８０には、既述のように、平圧型押圧具、ローラ型押圧具、剥離治具を採用できる。
【００２３】
次に、参考のためではあるが非接触ＩＣタグの製造工程について説明する。
図７は、非接触ＩＣタグの製造工程を示すフローチャートである。各種の製造方法があるが、アンテナパターンをフォトエッチングにより製造する工程を示している。
製造工程のＳ１は、インレットベースフィルム１１の準備工程である。この工程は、基材とするインレットベースフィルム１１に金属箔をラミネートして準備する。インレットベースフィルム１１には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリ塩化ビニル等の各種フィルム材料を使用できるが、２０μｍから１００μｍ程度の厚みのものが好ましく使用される。金属箔には銅箔やアルミニウム箔の１０μｍから４０μｍ程度の厚みのものが、通常使用される。
【００２４】
製造工程のＳ２は、アンテナパターン２の形成工程である。この工程では、上記金属箔面に感光液を塗布し、フォトマスクを使用して露光し、アンテナのレジストパターンを形成する。次いで、フォトエッチングしてアンテナパターン２を残存させる。アンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂも同時に形成する。感光液によらず、アンテナのレジストパターンを金属箔面に印刷するものであってもよい。
【００２５】
製造工程のＳ３は、ＩＣチップ３の固定工程である。アンテナパターン２の両端部２ａ，２ｂに導電性接着剤等を用いてＩＣチップ３を装着する工程である。アンテナパターン２の一端をインレットベースフィルム１１の背面を通して、アンテナパターン２の端部２ａに導通させる処理も同時に行われる。これによりインレット１が完成する。
【００２６】
製造工程のＳ４は、インレットの機能等の検査である。機能等検査は、ＪＩＳ等の基準を満たすこと、その他の製造基準等であるが、一般に実用基準を満たすものであれば機能不全とはされない。機能不全の典型的な例は、非接触通信が完全に不可能な場合である。これにはＩＣチップ自体が不良の場合とＩＣチップ３とアンテナパターン２の接続不良に起因することが多い。原因は明らかでないが、一定基準の電磁波を与えても応答しない場合も含まれる。
【００２７】
機能等不全の他の例は、非接触通信距離が基準を満たさない場合である。動作範囲７０ｃｍ以下の近傍型のＩＣカード（ＩＣタグも同様）では、最小動作磁界強度（Ｈmin ）は、１５０ｍＡ／ｍ  ｒｍｓとされている（ＪＩＳＸ６３２３−２、６．２動作磁界強度）。この試験のためには、市販のリーダライタを用いて、３０ｃｍの距離で読み取り書き込みが可能なことが試験される。検査用リーダライタを用いてもよい。前記のように、アナライザや画像処理装置でも一部の機能チェックは可能である。近接型ＩＣカード（動作範囲１０ｃｍ以下）では、より短距離での性能が試験される。
【００２８】
また、交流磁界や交流電界、静電気、静磁界を受けた場合の後の動作試験を含めてもよい。この検査基準は、ＪＩＳＸ６３２３−１（近傍型ＩＣカード）に規定されている。
上記の検査で所定の基準を満たさない場合は、機能不全として、ＩＣチップ３を剥離またはＩＣチップ３を押し割り破壊する。
【００２９】
製造工程のＳ５は、表面保護シート４のラミネート工程である。表面保護シート４は、非接触ＩＣタグ１０のアンテナパターン２やＩＣチップ３を保護するもので、インレットベース１１と同種の材料を使用することができる。通常はインレットベースフィルム１１と同等かそれよりは厚みの薄い基材をラミネートして使用する。紙基材でも良いが耐水性が求められる場合が多いので、プラスチックフィルムを使用するのが好ましい。
【００３０】
製造工程のＳ６は、粘着剤層６の塗工工程である。この工程では、インレットベースフィルム１１の下面に粘着剤層を塗工する加工を行う。通常は、剥離紙７に粘着剤を塗工し、インレットベースフィルム１１と一体にする。
【００３１】
製造工程のＳ７は、最終製品としての出荷検査である。第２回目の機能等検査を兼ねるものである。インレットシートを最終製品に加工する際の工程でも不具合が発生する場合があるからである。非接触ＩＣタグ１０はＩＣカードの製造過程のように熱圧プレスの強圧を受けることはないが、プレスラミネートの工程や、ウェブ状でローラ間を移動する間に屈曲し、不具合が新たに生じる場合がある。
第２回目の機能等検査は第１回目の機能等検査項目、および必要によりそれに付加する項目について行い、機能不全の非接触ＩＣタグ１０は、除去するかＩＣチップ３部分またはアンテナパターン２の一部を打ち抜き除去して穿孔８を設ける。一群の連接体にする場合の所定単位の切断や切り離し線９の形成は、その後行われる。
【実施例】
【００３２】
以下、実際の実施形態について実施例を用いて説明する。
ＩＣタグ製品のインレットベースフィルム１１として、厚み３８μｍの透明２軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムに２０μｍ厚のアルミニウム箔をドライラミネートした基材を使用しこれに感光性レジストを塗布した後、アンテナパターンを有するフォトマスクを露光して感光させた。露光現像後、フォトエッチングして、図５（Ａ）のようなアンテナパターン２を有するインレット１が完成した。なお、１つのアンテナパターン２は外形が、ほぼ４５ｍｍ×７６ｍｍの大きさとなるようにした。
【００３３】
上記インレットベースフィルム１１のアンテナパターン両端部２ａ，２ｂに、平面サイズが１．０ｍｍ角、厚み１５０μｍであるＩＣチップ３をフェイスダウンの状態で熱圧をかけて装着した。アンテナパターン２の一端をベースフィルム１１の背面を通して、アンテナパターン２の端部２ａに導通させる処理も同時に行った。
【００３４】
インレット１が完成した段階で機能検査を行った。これには、市販のＩＣタグリーダライタ（株式会社ウェルトキャット製「ＲＣＴ−２００−０１」；１３．５６ＭＨｚ）を使用し、当該リーダライタから３０ｃｍの距離で対象の単位のインレット１から応答が得られるか否かの検査を行った。インレット１は巻き取り状であるので、対象の１個から応答が得られるように周囲のインレットを遮蔽して検査を行う必要がある。応答が得られなかった場合は、ＩＣチップ３を図２の平圧型押圧具３０を用い、１０５Ｎ／チップの力を加えて押し割り破壊した。
【００３５】
次に、ポリエステル系ホットメルト接着剤を介し、厚み３２μｍの表面保護シート（ＰＥＴフィルム）４を積層し熱プレスしてラミネートした。最後にインレットベースフィルム１１の背面に、厚み２０μｍの粘着剤層６を介して剥離紙７を積層する粘着剤加工をし、１単位の大きさ５４ｍｍ×８６ｍｍの非接触ＩＣタグ１０が、５単位１列になるように断裁して剥離紙７付き非接触ＩＣタグ製品を完成した。単位の非接触ＩＣタグ間に切り離し線９を設ける加工も行った。
【００３６】
最終製品の非接触ＩＣタグ１０の完成後に、インレット完成後と同一条件で機能検査を行った。この後の検査の段階と先の検査で検出した機能不全の非接触ＩＣタグに対して、ＩＣチップ３部分を打ち抜きして穿孔８を設けた。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の不良インレットの処理方法の第１実施形態を説明する図である。
【図２】同第２実施形態を説明する図である。
【図３】同第３実施形態を説明する図である。
【図４】不良インレット処理システムの説明図である。
【図５】非接触ＩＣタグ用インレットの一般的形態を示す図である。
【図６】非接触ＩＣタグの一般的形態を示す図である。
【図７】非接触ＩＣタグの製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３８】
１    インレット
２    アンテナパターン
３    ＩＣチップ
４    表面保護シート
５    接着剤層
６    粘着剤層
７    剥離紙
８    穿孔
９    切り離し線
１０    非接触ＩＣタグ
１１    インレットベースフィルム
２０    剥離治具
３０    平圧型押圧具
４０    ローラ型押圧具
５０    インレット検査部
６０    ラインコントローラ
７０    制御用こんとローラ
８０    チップ破壊または剥離機構
１００    不良インレット処理システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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