(57)【要約】【課題】プラズマ処理の開始前から絶縁基板を冷却し、絶縁基板の全面に対してプラズマ処理を均一且つ効率的に行うことができるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】上面に絶縁基板Ｋが載置された静電チャック２１の電極２６，２７に直流電圧を印加するとともに処理チャンバ１１内に不活性ガスを供給し、不活性ガスをプラズマ化して静電チャック２１上に絶縁基板Ｋを吸着して保持した後、静電チャック２１上に吸着，保持された絶縁基板Ｋの裏面と静電チャック２１の上面との間に冷却ガスの供給を開始し、次に、不活性ガスに代えプラズマ処理用の処理ガスを処理チャンバ１１内に供給してその内部を処理ガスに置換するとともに、この処理ガスをプラズマ化して引き続き静電チャック２１上に絶縁基板Ｋを吸着，保持しつつ且つ冷却ガスにより絶縁基板Ｋを冷却しつつ、プラズマ化した処理ガスによって絶縁基板Ｋを処理する。【選択図】図１
2009194194.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内に絶縁基板を配置し、この処理チャンバ内にプラズマ処理を行うための処理ガスを供給，プラズマ化して前記絶縁基板を処理する方法であって、
前記処理チャンバ内に配置された静電チャックの上面に前記絶縁基板を載置した後、
前記静電チャックの電極に直流電圧を印加するとともに、前記処理チャンバ内に前記プラズマ処理に寄与しない不活性ガスを供給し、この不活性ガスをプラズマ化して前記静電チャック上に前記絶縁基板を吸着，保持し、
ついで、前記静電チャック上に吸着，保持された絶縁基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に冷却ガスを供給してこの絶縁基板の冷却を開始し、
次に、前記不活性ガスに代え前記処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してその内部を前記処理ガスに置換するとともに、この処理ガスをプラズマ化して引き続き前記静電チャック上に前記絶縁基板を吸着，保持しつつ且つ前記冷却ガスにより前記絶縁基板を冷却しつつ前記絶縁基板を処理するようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の処理ガスをプラズマ化して絶縁基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理の一例として、例えば、エッチング処理を挙げることができ、このようなエッチング処理を処理対象となる基板に施す装置として、従来、例えば、特公昭５６−５３８５３号公報に開示されたエッチング装置が知られている。
【０００３】
このエッチング装置は、真空室と、真空室内に上下に対向して配置された一対の電極と、下側の電極の上面に設けられた導電性ゴムシートと、導電性ゴムシート上に設けられた誘電体膜と、下側の電極に高周波電圧を印加する高周波電源と、下側の電極に直流電圧を印加する直流電源と、真空室内の圧力を減圧する排気装置と、真空室内にエッチングガスを供給するガス導入装置と、下側の電極を冷却する冷却機とを備えており、上側の電極は接地され、エッチング対象となる基板は誘電体膜の上面に載置される。
【０００４】
そして、このエッチング装置では、誘電体膜の上面に基板が載置され、排気装置及びガス導入装置により真空室内部がエッチングガスで満たされた後、高周波電源により下側の電極に高周波電圧が印加されるとともに、直流電源により下側の電極に直流電圧が印加される。
【０００５】
下側の電極に高周波電圧が印加されると、真空室内のエッチングガスがプラズマ化され、このプラズマ化されたエッチングガスによって誘電体膜上の基板がエッチングされる。また、下側の電極に直流電圧が印加されるとともに、真空室内にプラズマが生成されると、誘電体膜と基板との間に極性の異なる電荷が誘起されるような電気回路がプラズマを介して形成され、これにより、誘電体膜と基板との間に吸着力が生じて基板が誘電体膜側に吸着される。
【０００６】
また、更に、基板が誘電体膜側に吸着されると、冷却機によって冷却された下側の電極と基板との間で熱移動が効果的に行われ、プラズマによって加熱される基板が冷却される。基板を冷却しているのは、基板に形成される膜の中には、例えば、レジスト膜などのように熱に弱いものがあることや、効率的且つ均一なエッチング処理を行うためには基板温度を制御する必要があるからである。
【０００７】
【特許文献１】特公昭５６−５３８５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来例のように、エッチングガスのプラズマを生成すると同時に基板を誘電体膜側に吸着したのでは、エッチング処理の開始時から基板の冷却が開始されることとなるので、エッチング処理開始後の一定時間は、基板温度が一定しないという問題や、エッチングガスのプラズマによって加熱される基板の冷却が不十分になるという問題のために、安定したエッチング処理を行うことができない。したがって、高精度なエッチング形状を得ることができなかった。
【０００９】
尚、エッチング対象となる基板がガラス基板などの絶縁基板の場合には、単に下側の電極に直流電圧を印加しただけでは、誘電体膜と絶縁基板との間に極性の異なる電荷が誘起されるような電気回路が形成されず、絶縁基板を誘電体膜側に吸着することができないので、上記のように、プラズマが生成されていなければ、下側の電極に直流電圧を印加しても絶縁基板を誘電体膜側に吸着して冷却することはできない。
【００１０】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、プラズマ処理の開始前から絶縁基板を冷却し、絶縁基板の全面に対してプラズマ処理を均一且つ効率的に行うことができるプラズマ処理方法の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための本発明は、
処理チャンバ内に絶縁基板を配置し、この処理チャンバ内にプラズマ処理を行うための処理ガスを供給，プラズマ化して前記絶縁基板を処理する方法であって、
前記処理チャンバ内に配置された静電チャックの上面に前記絶縁基板を載置した後、
前記静電チャックの電極に直流電圧を印加するとともに、前記処理チャンバ内に前記プラズマ処理に寄与しない不活性ガスを供給し、この不活性ガスをプラズマ化して前記静電チャック上に前記絶縁基板を吸着，保持し、
ついで、前記静電チャック上に吸着，保持された絶縁基板の裏面と前記静電チャックの上面との間に冷却ガスを供給してこの絶縁基板の冷却を開始し、
次に、前記不活性ガスに代え前記処理ガスを前記処理チャンバ内に供給してその内部を前記処理ガスに置換するとともに、この処理ガスをプラズマ化して引き続き前記静電チャック上に前記絶縁基板を吸着，保持しつつ且つ前記冷却ガスにより前記絶縁基板を冷却しつつ前記絶縁基板を処理するようにしたことを特徴とするプラズマ処理方法に係る。
【００１２】
前記静電チャックは、誘電体などで構成されて上面に基板が載置される基板保持部材（サセプタ）と、この基板保持部材内に埋設された電極と、この電極に直流電圧を印加する直流電源とから構成されるものや、電極としても機能する基板載置台と、この基板載置台の上面に形成されて上面に基板が載置される誘電層と、基板載置台に直流電圧を印加する直流電源とから構成されるものなどがあり、前者は電極に直流電圧を印加して基板保持部材とその上面の基板との間に、後者は基板載置台に直流電圧を印加して誘電層とその上面の基板との間に、クーロン力やジョンソン・ラベック力などの静電力に基づく吸着力を生じさせ、これにより、基板を保持，固定する。
【００１３】
また、静電チャックは、通常、例えば、シリコン基板を保持，固定する際に用いられ、保持，固定対象となる基板が絶縁基板の場合には、これが電気的絶縁性を示すことから、単に電極或いは基板載置台に直流電圧を印加しただけでは、上述のように、基板保持部材或いは誘電層と絶縁基板との間に吸着力を生じさせることができず、絶縁基板を吸着することができない。
【００１４】
この発明では、まず、処理チャンバ内の静電チャックの上面に絶縁基板を載置し、ついで、静電チャックの電極に直流電圧を印加するとともに、処理チャンバ内にプラズマ処理に寄与しない不活性ガスを供給し、この不活性ガスをプラズマ化して静電チャック上に絶縁基板を吸着，保持する。
【００１５】
電極に直流電圧を印加し且つ処理チャンバ内にプラズマを生成すると、静電チャックと絶縁基板との間に極性の異なる電荷が誘起されるような電気回路がプラズマを介して形成されるため、絶縁基板と静電チャックとの間に吸着力が生じて絶縁基板が静電チャック上に吸着，保持される。
【００１６】
次に、静電チャック上に吸着，保持された絶縁基板の裏面と静電チャックの上面との間に冷却ガスを供給してこの絶縁基板の冷却を開始する。
【００１７】
この後、不活性ガスに代えプラズマ処理を行うための処理ガスを処理チャンバ内に供給してその内部を処理ガスに置換するとともに、この処理ガスをプラズマ化して引き続き静電チャック上に絶縁基板を吸着，保持しつつ且つ冷却ガスにより絶縁基板を冷却しつつ絶縁基板を処理する。絶縁基板は、プラズマ処理を実際に開始する前から冷却されているので、プラズマ処理の開始後も絶縁基板の温度を一定に維持したり、処理ガスのプラズマによって加熱される絶縁基板をプラズマ処理の開始直後から十分に冷却することができ、プラズマ処理の開始直後から安定した処理を実施することができる。このようにして、プラズマ処理の対象となる絶縁基板に対してプラズマ処理を施すことができる。
【００１８】
尚、前記絶縁基板としては、例えば、ガラス基板などを、前記不活性ガスとしては、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスなどを、前記冷却ガスとしては、例えば、ヘリウムガスなどを、前記プラズマ処理としては、例えば、エッチング処理やアッシング処理、成膜処理などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１９】
斯くして、本発明に係るプラズマ処理方法によれば、プラズマ処理とは無関係の不活性ガスを供給，プラズマ化して絶縁基板を静電チャック上に吸着し、絶縁基板の冷却を開始した後、プラズマ処理を行うための処理ガスを供給，プラズマ化して絶縁基板を処理するようにしたので、プラズマ処理の開始前から絶縁基板を冷却しておくことができ、プラズマ処理の開始直後から高い冷却効果を得ることができる。これにより、安定したプラズマ処理を行うことができ、絶縁基板の全面に対しプラズマ処理を均一且つ効率的に実施することができる。また、静電チャックに特殊な電極構造を用いたり、静電チャックの電極に高い直流電圧を印加しなくても良いので、従来から用いられている通常の静電チャックをそのまま適用して、プラズマ処理の開始前から絶縁基板を吸着，冷却することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施形態に係るプラズマ処理方法について、添付図面に基づき説明する。尚、本実施形態では、図１に示すようなエッチング装置１を用い、エッチング対象となるガラス基板Ｋにエッチング処理を施す場合を一例に挙げて説明する。
【００２１】
まず、図１に示したエッチング装置１について説明する。このエッチング装置１は、閉塞空間を有し、エッチング対象であるガラス基板Ｋが内部に配置される処理チャンバ１１と、ガラス基板Ｋを保持する基板保持装置２０と、処理チャンバ１１内の圧力を減圧する排気装置３５と、エッチング処理を行うための処理ガス及びエッチング処理に寄与しない不活性ガスを処理チャンバ１１内に供給するガス供給装置３８と、処理チャンバ１１内に供給された処理ガス及び不活性ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置４２と、基板保持装置２０の本体２３に高周波電圧を印加する第１高周波電源４５とを備える。
【００２２】
前記処理チャンバ１１は、相互に連通した内部空間を有する下部容器１２及び上部容器１３から構成され、上部容器１３は、下部容器１２よりも小さく形成される。下部容器１２の側壁には、ガラス基板Ｋを搬入したり、搬出するための開口部１２ａが形成されており、この開口部１２ａは、シャッタ１４によって開閉される。
【００２３】
前記基板保持装置２０は、ガラス基板Ｋを吸着して保持する静電チャック２１と、この静電チャック２１に保持されたガラス基板Ｋを冷却する冷却機構３０と、静電チャック２１の基台２２を昇降させる昇降シリンダ３３とから構成される。
【００２４】
前記静電チャック２１は、下部容器１２内に配置される金属製の本体２３、本体２３の上面に積層された絶縁膜２４，２５、絶縁膜２４，２５間に埋め込まれた２つの電極２６，２７（第１電極２６及び第２電極２７）からなる基台２２と、各電極２６，２７に極性の異なる直流電圧をそれぞれ印加する直流電源２８，２９（第１直流電源２８及び第２直流電源２９）とを備えており、本体２３の下面に昇降シリンダ３３が接続されている。
【００２５】
前記絶縁膜２５の上面には、図示しない複数の溝が形成され、ガラス基板Ｋはこの絶縁膜２５の上面に載置される。また、前記第１直流電源２８及び第２直流電源２９は、極性の異なる直流電圧を第１電極２６及び第２電極２７にそれぞれ印加する。
【００２６】
この静電チャック２１は、吸着対象となる基板が、例えば、シリコン基板などである場合には、各電極２６，２７に直流電圧を印加するだけで、このシリコン基板と絶縁膜２５との間にクーロン力やジョンソン・ラベック力などの静電力に基づく吸着力を生じさせて当該シリコン基板を吸着，保持することができるが、本例のように、吸着，保持対象となる基板がガラス基板Ｋである場合には、これが電気的絶縁性を示すことから、単に各電極２６，２７に直流電圧を印加するだけでは、そのような吸着力を生じさせることができず、これを吸着，保持することができない。
【００２７】
前記冷却機構３０は、上端が基台２２（本体２３及び絶縁膜２４，２５）の裏面側から貫通して絶縁膜２５の上面に開口するように配置される複数の供給管３１と、これらの各供給管３１に冷却ガス（例えば、ヘリウムガス）を供給して各供給管３１の上端開口部から吐出させる冷却ガス供給部３２とを備えており、各供給管３１の上端開口部から吐出され絶縁膜２５の上面の溝（図示せず）内を流通する冷却ガスによってガラス基板Ｋを冷却する。
【００２８】
前記排気装置３５は、排気ポンプ３６と、排気ポンプ３６と下部容器１２とを接続する排気管３７とから構成され、排気管３７を介して下部容器１２内の気体を排気し、処理チャンバ１１の内部を所定圧力にする。
【００２９】
前記ガス供給装置３８は、前記処理ガスとしてエッチングガス（例えば、三フッ化メタンガスや四フッ化炭素ガス、酸素ガスなど）を含んだガスを供給する処理ガス供給部３９と、前記不活性ガス（例えば、アルゴンガスやヘリウムガス）を供給する不活性ガス供給部４０と、一端側が上部容器１３の上面に接続し、他端側が分岐して処理ガス供給部３９及び不活性ガス供給部４０にそれぞれ接続した供給管４１とから構成され、処理ガス供給部３９及び不活性ガス供給部４０から供給管４０を介して上部容器１３内に処理ガス及び不活性ガスを供給する。
【００３０】
前記プラズマ生成装置４２は、上部容器１３の外周部に配設された複数のコイル４３と、各コイル４３に高周波電圧を印加する第２高周波電源４４とから構成され、第２高周波電源４４によってコイル４３に高周波電圧を印加することで、上部容器１３内に供給された処理ガス及び不活性ガスをプラズマ化する。
【００３１】
前記第１高周波電源４５は、静電チャック２１の本体２３に高周波電圧を印加することで、本体２３と、処理チャンバ１１内のプラズマとの間に電位差（バイアス電位）を生じさせる。
【００３２】
次に、以上のように構成されたエッチング装置１を用いてガラス基板Ｋをエッチングする方法を説明する。まず、ガラス基板Ｋを処理チャンバ１１の下部容器１２内に搬入し、静電チャック２１の基台２２上（絶縁膜２５の上面）に載置した後、第１直流電源２８及び第２直流電源２９により第１電極２６及び第２電極２７に極性の異なる直流電圧をそれぞれ印加する。尚、この時点では、各電極２６，２７に直流電圧を単に印加しただけであるので、閉回路が形成されておらず、静電チャック２１によりガラス基板Ｋは吸着されない。
【００３３】
この後、第２高周波電源４４によりコイル４３に高周波電圧を印加し、不活性ガス供給部４０から処理チャンバ１１内に不活性ガスを供給するとともに、排気ポンプ３６により処理チャンバ１１内を減圧する。そして、処理チャンバ１１内に供給した不活性ガスをプラズマ化し、静電チャック２１上にガラス基板Ｋを吸着，保持する。これは、各電極２６，２７に直流電圧が印加され且つ処理チャンバ１１内にプラズマが生成されていると、図２に示すように、直流電圧が印加された電極２６，２７を含み、これらの電極２６，２７がコンデンサ２６ａ，２７ａの一方の電極として機能する電気回路が処理チャンバ１１内のプラズマＰを介して形成され、これにより、ガラス基板Ｋと絶縁膜２５との間に極性の異なる電荷が誘起され、ガラス基板Ｋと絶縁膜２５との間に吸着力が生じてガラス基板Ｋが吸着，保持されるのである。
【００３４】
次に、静電チャック２１上に吸着，保持されたガラス基板Ｋの裏面と基台２２の上面との間に冷却ガス供給部３２から冷却ガスを供給してこのガラス基板Ｋの冷却を開始する。
【００３５】
ついで、所定時間が経過すると、不活性ガス供給部４０から処理チャンバ１１内への不活性ガスの供給を停止するとともに、処理ガス供給部３９から処理チャンバ１１内に処理ガスを供給してその内部を処理ガスに置換し、第１高周波電源４５により本体２３に高周波電圧を印加する。また、引き続き、各直流電源２８，２９により各電極２６，２７に極性の異なる直流電圧をそれぞれ印加し、第２高周波電源４４によりコイル４３に高周波電圧を印加し、排気ポンプ３６により処理チャンバ１１内を減圧し、冷却ガス供給部３２からガラス基板Ｋの裏面と基台２２の上面との間に冷却ガスを供給する。そして、処理チャンバ１１内の処理ガスをプラズマ化し、静電チャック２１上にガラス基板Ｋを吸着，保持しつつ且つ冷却ガスによりガラス基板Ｋを冷却して処理ガスのプラズマによるガラス基板Ｋの温度上昇を抑えつつ、プラズマ化した処理ガスによってガラス基板Ｋをエッチングする。尚、処理ガスのプラズマが生成されたときも、不活性ガスのプラズマのときと同様の理由からガラス基板Ｋが静電チャック２１上に吸着，保持される。
【００３６】
ガラス基板Ｋのエッチングについては、例えば、プラズマ中のラジカルとガラス基板Ｋ上に形成された膜とが化学反応したり、プラズマ中のイオンがバイアス電位により基台２２側に向けて移動してガラス基板Ｋ上の前記膜と衝突することによって行われ、これにより、ガラス基板Ｋ上の前記膜に所定の幅及び深さを備えた溝や穴が形成される。
【００３７】
この後、一定時間が経過すると、各直流電源２８，２９、冷却ガス供給部３２、排気ポンプ３６、処理ガス供給部３９の作動を停止させた後、ガラス基板Ｋを下部容器１２の外部に搬出する。
【００３８】
斯くして、本例のエッチング方法によれば、処理ガスを供給，プラズマ化する前に不活性ガスを供給，プラズマ化してガラス基板Ｋを静電チャック２１上に吸着，冷却するようにしたので、エッチング処理を実際に開始する前からガラス基板Ｋを冷却しておくことができ、エッチング処理の開始後もガラス基板Ｋの温度を一定に維持したり、処理ガスのプラズマによって加熱されるガラス基板Ｋをエッチング処理の開始直後から十分に冷却することができる。これにより、安定したエッチング処理を行うことができ、ガラス基板Ｋの全面に対しエッチング処理を均一且つ効率的に実施することができる。また、エッチング処理が均一に進むので、高精度なエッチング形状を得ることができる。また、静電チャック２１に特殊な電極構造を用いたり、静電チャック２１の電極２６，２７に高い直流電圧を印加しなくても良いので、従来から用いられている通常の静電チャック２１をそのまま適用して、エッチング処理の開始前からガラス基板Ｋを吸着，冷却することができる。
【００３９】
因みに、実施例として、本例のエッチング方法を適用して、直径が１５０ｍｍで厚さが０．３ｍｍの円板状ガラス基板の上面に形成された、ＳｉＯ２膜及び有機膜をそれぞれエッチングしたところ、エッチング速度は図３のようになった。尚、エッチング速度の検出部は、図４に示すように、ガラス基板の中央部（Ａ部）一ヶ所、ガラス基板の端部（Ｂ部，Ｃ部，Ｄ部及びＥ部）４ヶ所である。また、ＳｉＯ２膜のエッチング条件は、ＣＨＦ３ガスを１００ｓｃｃｍで処理チャンバ１１内に供給するとともに、処理チャンバ１１内の圧力を１Ｐａに減圧し、コイル４３に１０００Ｗの、本体２３に３００Ｗの高周波電圧をそれぞれ印加した。また、有機膜のエッチング条件は、Ｏ２ガスを１００ｓｃｃｍで処理チャンバ１１内に供給するとともに、処理チャンバ１１内の圧力を１Ｐａに減圧し、コイル４３に１０００Ｗの、本体２３に２００Ｗの高周波電圧をそれぞれ印加した。また、ＳｉＯ２膜や有機膜を実際にエッチングする前段階では、Ａｒガスを５０ｓｃｃｍで処理チャンバ１１内に供給するとともに、処理チャンバ１１内の圧力を１Ｐａに減圧し、コイル４３に５００Ｗの高周波電圧を印加してガラス基板を静電チャック２１に吸着させ冷却した。また、この前段階処理は１０秒間行った。また、更に、ＳｉＯ２膜及び有機膜のエッチング時並びにエッチング前段階においては、基板冷却ガスとしてヘリウムガスを、ガラス基板の裏面と基台２２の上面との間に圧力が１ＫＰａとなるように供給し、各電極２６，２７に６ＫＶの直流電圧を印加した。
【００４０】
一方、比較例として、基板載置台側に基板の端部を押さえ付けてクランプする保持装置により、上記実施例で使用したガラス基板と同じ基板を保持，固定した後、基板載置台の上面とガラス基板の裏面との間に冷却ガスを供給してガラス基板を冷却しつつＳｉＯ２膜及び有機膜をエッチングしたところ、エッチング速度は図５のようになった。尚、エッチング速度の検出部は、上記実施例と同様、図４で示した部分である。また、ＳｉＯ２膜のエッチング条件、有機膜のエッチング条件、ＳｉＯ２膜や有機膜を実際にエッチングする前段階における処理条件についても上記実施例と同様である。
【００４１】
尚、上記実施例で使用したガラス基板と同じ基板を静電チャック２１上に載置し、各電極２６，２７に直流電圧をそれぞれ印加した後、不活性ガスを処理チャンバ１１内に供給してプラズマ化することなく、静電チャック２１の上面とガラス基板の裏面との間に冷却ガスを供給したところ、ガラス基板が静電チャック２１から外れ、エッチング処理を実施することができなかった。
【００４２】
前記実施例と比較例とを対比すると、実施例では、ＳｉＯ２膜のエッチング速度の範囲が３８９〜３９９でその差が１０であり、有機膜のエッチング速度の範囲が９９９〜１０４８でその差が４９であるのに対し、比較例では、ＳｉＯ２膜のエッチング速度の範囲が３１８〜３９５でその差が７７であり、有機膜のエッチング速度の範囲が８３０〜１０７２でその差が２４２である。また、実施例では、ガラス基板中央部におけるＳｉＯ２膜のエッチング速度が３８９でガラス基板端部におけるＳｉＯ２膜のエッチング速度が３９０〜３９９であり、ガラス基板中央部における有機膜のエッチング速度が１０３９でガラス基板端部における有機膜のエッチング速度が９９９〜１０４８であるのに対し、比較例では、ガラス基板中央部におけるＳｉＯ２膜のエッチング速度が３１８でガラス基板端部におけるＳｉＯ２膜のエッチング速度が３７０〜３９５であり、ガラス基板中央部における有機膜のエッチング速度が８３０でガラス基板端部における有機膜のエッチング速度が１００４〜１０７２である。また、実施例では、ＳｉＯ２膜の平均エッチング速度が３９４で、有機膜の平均エッチング速度が１０２６であるのに対し、比較例では、ＳｉＯ２膜の平均エッチング速度が３７０で、有機膜の平均エッチング速度が９９１である。これらのことから、本例のエッチング方法によれば、エッチング速度のバラツキが小さく、また、ガラス基板の中央部と端部とでエッチング速度も変わらないことが明らかであり、ガラス基板を、均一なエッチング速度で且つより速いエッチング速度でエッチングすることが可能なことが分かる。このような結果が得られた理由としては、比較例では、ガラス基板の端部のみが保持装置によって押さえ付けられているため、供給された冷却ガスによってガラス基板の中央部が高くなるように山形に反り、このようにガラス基板が変形すると、当該中央部のバイアス電位が端部よりも弱くなってエッチング速度が低下するからである。尚、上記各エッチング速度の単位は、ｎｍ／ｍｉｎである。
【００４３】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【００４４】
上例では、前記プラズマ処理の一例として、エッチング処理を挙げたが、これに限定されるものではなく、アッシング処理や成膜処理などにも、本発明のプラズマ処理方法を適用することができる。また、静電チャック２１に吸着，保持される基板は、絶縁基板であれば、ガラス基板Ｋに限定されるものではない。また、上例では、静電チャック２１として、双極型のものを一例に挙げたが、単極型のものであっても良く、更に、静電チャック２１の構造は何ら限定されるものではない。また、上記エッチング方法を実施するための装置は、上記エッチング装置１に限定されるものではなく、各種のエッチング装置を用いることができる。
【００４５】
また、不活性ガスのプラズマ生成時にコイル４３に印加する高周波電圧は、不活性ガスをプラズマ化することができれば、処理ガスのプラズマ生成時に比べて低くても、高くても良い。尚、これは、一対の平行平板電極に高周波電圧を印加して不活性ガス及び処理ガスのプラズマを生成する場合など、高周波電圧が印加されることによって不活性ガス及び処理ガスをプラズマ化する各種のプラズマ生成装置について言えることである。但し、不活性ガスのプラズマ生成時においては、印加する高周波電圧が低い方が静電チャック２１上のガラス基板Ｋが加熱され難いため、好ましい。
【００４６】
また、上例では、各電極２６，２７に直流電圧を印加した後、処理チャンバ１１内に不活性ガスを供給してプラズマ化し、静電チャック２１上にガラス基板Ｋを吸着，保持するようにしたが、各電極２６，２７への直流電圧の印加と不活性ガスの供給，プラズマ化は、これを同時に行うようにしても、不活性ガスの供給，プラズマ化を先に行うようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理方法（エッチング方法）を実施するためのプラズマ処理装置（エッチング装置）の概略構成を示した断面図である。
【図２】プラズマを介して形成される電気回路を示した説明図である。
【図３】実施例で得られるエッチング速度を示した図である。
【図４】ガラス基板表面のエッチング速度検出部位を示した平面図である。
【図５】比較例で得られるエッチング速度を示した図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    エッチング装置（プラズマ処理装置）
１１  処理チャンバ
２０  基板保持装置
２１  静電チャック
２４，２５  絶縁膜
２６  第１電極
２７  第２電極
２８  第１直流電源
２９  第２直流電源
３０  冷却機構
３８  ガス供給装置
３９  処理ガス供給部
４０  不活性ガス供給部
４２  プラズマ生成装置
Ｋ    ガラス基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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