(57)【要約】【課題】テレビジョンチューナにおいて、ＶＨＦハイバンド受信時には受信周波数に対して低域側での周波数選択特性を改善でき、ＶＨＦローバンド受信時には受信周波数の高域側にイメージトラップを形成することができるようにすること。【解決手段】このテレビジョンチューナは、ＶＨＦ同調回路２の入力部とグラウンドとの間に、インダクタを介して接地するインダクタ接地回路を構成すると共に、インダクタ接地回路に対して、ＶＨＦハイバンド受信動作と連動するスイッチダイオードＤ２、任意のチャンネル受信時にオン／オフするスイッチダイオードＤ１を並列に配置した。そして、スイッチダイオードＤ１，Ｄ２のオン／オフによって、ＵＨＦ／ＶＨＦハイバンド受信時には、受信周波数に対して低域側の信号を抑圧するＨＰＦを構成し、ＶＨＦローバンド受信時には受信周波数に対して高域側の信号を抑圧するＬＰＦを構成するようにした。【選択図】図１
2009194517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の帯域を含んだテレビジョン信号が入力される入力端子と、前記入力端子に接続され前記第１及び第２の帯域のテレビジョン信号を取り出す第１の入力同調回路と、前記第１の入力同調回路に接続された第１の増幅回路と、一端が前記入力端子に接続された第１のインダクタと、一端が前記第１のインダクタの他端に接続され他端が高周波的に接地された第２のインダクタと、前記第１のインダクタの他端と前記第２のインダクタの一端との間に接続された第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子の両端間に接続されたコンデンサとを備え、
前記第１のスイッチング素子をオフすることで前記第１及び第２のインダクタと前記コンデンサで構成される直列共振回路の共振周波数を、前記第１及び第２の帯域のうち低域側となる第１の帯域の最大周波数より高い周波数に設定し、
前記第１の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオフし、
前記第２の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオンすることを特徴とするテレビジョンチューナ。
【請求項２】
前記第１のインダクタと前記第１のスイッチング素子との接続点とグラウンドとの間に接続された第２のスイッチング素子を備え、
前記第１の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１及び第２のスイッチング素子をオフし、
前記第２の帯域のうち低域側のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオンし、かつ前記第２のスイッチング素子をオフし、
前記第２の帯域のうち高域側のテレビジョン信号受信時に、前記第１及び第２のスイッチング素子を共にオンすることを特徴とする請求項１記載のテレビジョンチューナ。
【請求項３】
前記入力端子に接続され前記第２の帯域よりも周波数の高い第３の帯域のテレビジョン信号を取り出す第２の入力同調回路と、前記第２の入力同調回路に接続された第２の増幅回路と、前記入力端子と前記第２の入力同調回路との間に接続され前記第２の入力同調回路に合わせて同調が行われる同調型ハイパスフィルタとを備え、
前記第３の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオフし、かつ前記第２のスイッチング素子をオンすることを特徴とする請求項２記載のテレビジョンチューナ。
【請求項４】
前記第１のスイッチング素子をオフすることで前記第１及び第２のインダクタと前記コンデンサで構成される直列共振回路の共振周波数を、前記第１の帯域のテレビジョン信号受信時のイメージ周波数に設定したことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のテレビジョンチューナ。
【請求項５】
前記第１の帯域は、ＶＨＦローバンドであり、
前記第２の帯域は、ＶＨＦハイバンドであり、
前記第３の帯域は、ＵＨＦバンドであることを特徴とする請求項３又は請求項４記載のテレビジョンチューナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１の帯域と第２の帯域を選択的に受信するテレビジョンチューナに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハイパスフィルター（ＨＰＦ）による低域側の減衰特性を利用し、ＵＨＦ帯受信時にＶＨＦ帯域の信号を減衰させることでＶＨＦ帯域の抑圧効果を得るようにしたテレビジョンチューナが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、ＶＨＦ帯域用入力同調回路の前段に容量／インダクタからなる直列共振回路を接続し、ＶＨＦハイバンド受信時にＶＨＦローバンドの信号を減衰させることでＶＨＦローバンドの抑圧効果を得るようにしたテレビジョンチューナが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
図７は特許文献１に記載のテレビジョンチューナの回路構成図である。
ＶＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するＶＨＦチュ−ナ部１０１と、ＵＨＦ帯のテレビジョン信号を受信するＵＨＦチュ−ナ部１０２とが、入力端子１０３に接続されている。ＶＨＦチュ−ナ部１０１は、中間周波トラップ回路１０４、ＶＨＦ入力同調回路１０５、ＶＨＦ高周波増幅器１０６等で構成され、ＵＨＦチュ−ナ部１０２は、直流阻止コンデンサ１０７、結合コンデンサであるバラクタダイオ−ド１０８、ＵＨＦ入力同調回路１０９、ＵＨＦ高周波増幅器１１０等で構成されている。ＵＨＦ入力同調回路１０９は、さらに、インピ−ダンス変換回路１１１と、このインピ−ダンス変換回路１１１に並列接続された主同調回路１１２とで構成されている。インピ−ダンス変換回路１１１は、互いに直列接続されたインダクタ１１３とインダクタ１１４で構成され、インダクタ１１３の一端が接地されている。また、主同調回路１１２は、主インダクタ１１５とこの主インダクタ１１５に並列接続された、同調容量であるバラクタダイオ−ド１１６とによって構成されている。そして、インピ−ダンス変換回路１１１を構成するインダクタ１１４の一端が主同調回路１１２を構成する主インダクタ１１５の一端とバラクタダイオ−ド１１６の一端（アノ−ド）とに接続されることにより、インピ−ダンス変換回路１１１と主同調回路１１２とが並列接続されてＵＨＦ入力同調回路１０９が構成されている。なお、主インダクタ１１５の他端に直列に接続されたコンデンサ１１７と、バラクタダイオ−ド１１６の他端（カソ−ド）とグランドとの間に接続されたコンデンサ１１８とは直流阻止のためのものである。
【０００４】
以上のように構成されたテレビジョンチューナにおいて、バラクタダイオ−ド１０８がＨＰＦとして作用すると共に、当該バラクタダイオ−ド１０８とインダクタ１１３とによってトラップ回路が形成される。このため、バラクタダイオ−ド１０８とインダクタ１１３との直列共振周波数をＶＨＦ帯の周波数に設定すればＶＨＦ帯のテレビジョン信号を大きく減衰することが出来る。
【０００５】
図８は特許文献２に記載のテレビジョンチューナの回路構成図である。
入力端子１にはＶＨＦ同調回路２が結合される。ＶＨＦ同調回路２は、直列接続された４つのインダクタンス素子２ａ〜２ｄと、これら全体に並列に接続された同調用バラクタダイオード２ｅと、インダクタンス素子２ａ〜２ｄのうちの中間の二つのインダクタンス素子２ｂ、２ｃの全体に並列に接続されたスイッチダイオード２ｆとを有する。４つのインダクタンス素子２ａ〜２ｄのうちの中間の二つのインダクタンス素子２ｂと２ｃとの接続点が入力端子１に接続され、スイッチダイオード４ｆのアノードにはインダクタンス素子２ａ〜２ｃを介して電圧Ｂが印加され、カソードはスイッチトランジスタ３のコレクタに接続される。エミッタは接地される。スイッチトランジスタ３のベースにはハイレベル又はローレベルの切替電圧Ｖｓが印加される。また、同調用バラクタダイオード２ｅのアノードは接地され、カソードには同調電圧Ｖｔが印加される。同調用バラクタダイオード２ｅのカソードには結合用バラクタダイオード４のカソードが接続され、そのアノードがバイアス抵抗５によって接地されると共に、ＶＨＦ高周波増幅器６に結合される。また、入力端子１にはスイッチダイオード７、結合用インダクタンス素子８を直列に介してＵＨＦ同調回路９が結合される。スイッチダイオード７のアノードには電圧Ｂが印加され、カソードはスイッチトランジスタ３のコレクタに接続される。ＵＨＦ同調回路９はＵＨＦ帯のチャンネルに同調する。ＵＨＦ同調回路９はインダクタンス素子９ａと、カソード同士が互いに接続されてインダクタンス素子９ａに並列接続された二つの同調用バラクタダイオード９ｂ、９ｃとからなる。そしてカソードには同調電圧Ｖｔが印加される。またカソードはＵＨＦ高周波増幅器１０に結合される。
【０００６】
以上のように構成されたテレビジョンチューナにおいて、ＶＨＦローバンドのテレビジョン信号を受信するときには、スイッチダイオード２ｆとスイッチダイオード７とがオフとなって、ＶＨＦ同調回路２におけるインダクタンス素子２ａ〜２ｄと同調用バラクタダイオード２ｅとによって同調周波数が設定される。従って、ＶＨＦ同調回路２がＵＨＦ同調回路９から切り離され、ＶＨＦ同調回路２はＵＨＦ同調回路９の影響を受けることなく本来の特性が発揮される。
【０００７】
また、ＶＨＦハイバンドのテレビジョン信号を受信するときには、スイッチダイオード２ｆとスイッチダイオード７とがオンとなって、インダクタンス素子２ｂと２ｃとが並列接続されると共にインダクタンス素子２ａと２ｄとが直列に接続され、インダクタンス素子２ａ、２ｄと同調用バラクタダイオード２ｅによって同調周波数が設定される。この場合において、直列接続された結合用インダクタンス素子８及びＵＨＦ同調回路９のインダクタンス素子９ａとの全体とＶＨＦ同調回路２における並列接続されたインダクタンス素子２ｂ及び２ｃとによって入力端子１側の信号源インピーダンスがステップアップされてＶＨＦ同調回路２（この場合はインダクタンス素子２ａ、２ｄと同調用バラクタダイオード２ｅとによって構成される）に結合されるので、同調の選択度が高くなる。
【特許文献１】特開平１０−３２２１６９号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１記載のテレビジョンチューナでは、ＶＨＦ帯域の抑圧効果を得ることができるが、ＨＰＦを構成する容量／インダクタの直列共振周波数がＵＨＦ帯域にあったので、ＶＨＦハイバンド受信時のＶＨＦローバンドの抑圧効果が不十分であった。
【０００９】
また、特許文献２記載のテレビジョンチューナでは、ＶＨＦローバンドの抑圧効果を得ることができるが、ＵＨＦ帯域の受信時において低域側の減衰手段がなく、ＶＨＦ帯域の抑圧効果が不十分であった。また、インダクタがＵＨＦアンテナ同調回路を構成しており、ＡＮＴ選択特性の確保が優先されるため、ＶＨＦ帯域に対して最適な設定とすることが困難で、ＶＨＦ帯域の選択特性の改善が望まれていた。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ＵＨＦ／ＶＨＦハイバンド／ＶＨＦローバンドのように複数の帯域を選択的に受信する場合に、受信周波数に対して低域側１／ｎ（特に、１／２）の周波数を十分に減衰できると共に、受信周波数に対して高域側受信チャンネルのイメージ周波数を減衰することができ、複数の帯域に対して周波数選択特性の改善されたテレビジョンチューナを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のテレビジョンチューナは、第１及び第２の帯域を含んだテレビジョン信号が入力される入力端子と、前記入力端子に接続され前記第１及び第２の帯域のテレビジョン信号を取り出す第１の入力同調回路と、前記第１の入力同調回路に接続された第１の増幅回路と、一端が前記入力端子に接続された第１のインダクタと、一端が前記第１のインダクタの他端に接続され他端が高周波的に接地された第２のインダクタと、前記第１のインダクタの他端と前記第２のインダクタの一端との間に接続された第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子の両端間に接続されたコンデンサとを備え、前記第１のスイッチング素子をオフすることで前記第１及び第２のインダクタと前記コンデンサで構成される直列共振回路の共振周波数を、前記第１及び第２の帯域のうち低域側となる第１の帯域の最大周波数より高い周波数に設定し、前記第１の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオフし、前記第２の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオンすることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、第１の帯域のテレビジョン信号受信時に、第１のスイッチング素子をオフすることにより、第１及び第２のインダクタの合成インダクタとコンデンサの容量によって、第１の帯域の高域側にイメージ帯域を減衰するトラップを形成することができる。また、第２の帯域のテレビジョン信号受信時に、第１のスイッチング素子をオンすることにより、第１の入力同調回路の入力端を第１及び又は第２のインダクタの合成インダクタによって接地することができ、低域側での周波数選択特性を改善できる。
【００１３】
また本発明は、上記テレビジョンチューナにおいて、前記第１のインダクタと前記第１のスイッチング素子との接続点とグラウンドとの間に接続された第２のスイッチング素子を備え、前記第１の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１及び第２のスイッチング素子をオフし、前記第２の帯域のうち低域側のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオンし、かつ前記第２のスイッチング素子をオフし、前記第２の帯域のうち高域側のテレビジョン信号受信時に、前記第１及び第２のスイッチング素子を共にオンすることを特徴とする。
【００１４】
この構成により、第２の帯域のうち低域側のテレビジョン信号受信時に、第１のスイッチング素子をオンし、かつ前記第２のスイッチング素子をオフすることで、第１の入力同調回路の入力端を第１及び又は第２のインダクタの合成インダクタによって接地することができ、低域側での周波数選択特性を改善できる。また、第２の帯域のうち高域側のテレビジョン信号受信時に、前記第１及び第２のスイッチング素子を共にオンすることにより、第２のインダクタが第１のスイッチング素子を介して短絡され、第１の入力同調回路の入力端を接地するインダクタが第１のインダクタのみとなり、低域側での周波数選択特性をさらに改善できる。
【００１５】
また本発明は、上記テレビジョンチューナにおいて、前記入力端子に接続され前記第２の帯域よりも周波数の高い第３の帯域のテレビジョン信号を取り出す第２の入力同調回路と、前記第２の入力同調回路に接続された第２の増幅回路と、前記入力端子と前記第２の入力同調回路との間に接続され前記第２の入力同調回路に合わせて同調が行われる同調型ハイパスフィルタとを備え、前記第３の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオフし、かつ前記第２のスイッチング素子をオンすることを特徴とする。
【００１６】
この構成により、第２の入力同調回路の入力段に同調型ハイパスフィルタとを備え、第３の帯域のテレビジョン信号受信時に、前記第１のスイッチング素子をオフし、かつ前記第２のスイッチング素子をオンすることにより、第２の入力同調回路へ入力するテレビジョン信号に含まれる第１及び第２の帯域の信号を同調型ハイパスフィルタによって減衰させることができる。
【００１７】
上記テレビジョンチューナにおいて、前記第１のスイッチング素子をオフすることで前記第１及び第２のインダクタと前記コンデンサで構成される直列共振回路の共振周波数を、前記第１の帯域のテレビジョン信号受信時のイメージ周波数に設定したことを特徴とする。
【００１８】
上記テレビジョンチューナにおいて、前記第１の帯域はＶＨＦローバンド、前記第２の帯域はＶＨＦハイバンド、前記第３の帯域はＵＨＦバンドとすることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ＶＨＦハイバンド受信時には受信周波数に対して低域側での周波数選択特性を改善でき、ＶＨＦローバンド受信時には受信周波数の高域側にイメージトラップを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の実施の形態に係るテレビジョンチューナの回路構成図である。なお、図８に示すテレビジョンチューナの各要素と同一部分には同一符号を付して説明の重複を避ける。本実施の形態に係るテレビジョンチューナは、ＶＨＦ同調回路２の入力部とグラウンドとの間に、インダクタを介して接地する接地回路（１１，１２）を構成すると共に、前記接地回路（１１，１２）のインダクタ値を切り替えるスイッチ回路（Ｄ１，Ｄ２）を接続している。そして、スイッチ回路（Ｄ１，Ｄ２）によって、ＵＨＦ／ＶＨＦハイバンド受信時には受信周波数に対して低域側の信号を抑圧するＨＰＦの機能を持たせるようにしている。また、ＶＨＦローバンド受信時には受信周波数に対して高域側の信号を抑圧するＬＰＦの機能を持たせるように容量（１４，１５）を配置している。また、ＶＨＦローバンド受信時のイメージ帯域（受信周波すに対して高域側）を減衰するトラップを形成するように容量（１４，１５）の容量値を設定している。以下、具体的な回路構成を説明する。入力端子１に接続された第１の同調回路としてのＶＨＦ同調回路２の入力端（インダクタンス素子２ｂ、２ｃの接続点）を、第１、第２のインダクタンス素子１１，１２及びコンデンサ１４を直列に介して高周波的に接地している。第１のインダクタンス素子１１と第２のインダクタンス素子１２との間にはカソードを第２のインダクタンス素子１２側に向けた第１のスイッチング素子となるスイッチダイオードＤ２が接続され、スイッチダイオードＤ２の両端間にコンデンサ１５が接続されている。また、第１のインダクタンス素子１１とスイッチダイオードＤ２のアノードとの接続点は第２のスイッチング素子となるスイッチダイオードＤ１を順方向に介して接地しており、スイッチダイオードＤ１のカソードはコンデンサ１７にて高周波的に接地されている。スイッチダイオードＤ１をオン／オフするための第１のスイッチトランジスタ１８と、スイッチダイオード２ｆ、Ｄ２をオン／オフするための第２のスイッチトランジスタ１９とを備える。ここで、スイッチダイオードＤ１は、任意のチャンネル受信時に導通するように設定されており、本例ではＶＨＦハイバンドを低域／高域の２つに分けた場合の高域周波数以上で導通するように設定している。
【００２１】
第１のスイッチトランジスタ１８は、ベースに対して切替信号ＢＳ１が印加され、コレクタに対して電圧Ｂが常に印加され、エミッタが接地されている。また、第１のスイッチトランジスタ１８のコレクタはスイッチダイオードＤ１のカソードに接続されている。
【００２２】
第２のスイッチトランジスタ１９は、ベースに対して切替信号ＢＳ２が印加され、コレクタに対して常に電圧Ｂが印加され、エミッタが接地されている。また、第２のスイッチトランジスタ１９のコレクタはスイッチダイオードＤ２及び２ｆのカソードに直流的に接続されている。ＶＨＦ同調回路２のその他の構成は、図８に示す回路構成と同じである。
【００２３】
また、本実施の形態に係るテレビジョンチューナは、入力端子１と第２の同調回路としてのＵＨＦ同調回路９の入力部との信号経路上に、周波数可変型のＨＰＦを構成している。すなわち、ＵＨＦ同調回路９の入力部となる結合用インダクタンス素子８の一端に対して、固定容量のコンデンサ２１と可変容量のバラクタダイオード２２とを接続している。コンデンサ２１とバラクタダイオード２２との接続点にはバイアス抵抗２３を介してチューニング電圧Ｔｕを印加できるようにしている。チューニング電圧Ｔｕは同調用バラクタダイオード９ｂ、９ｃのカソードにも同時に印加される。また、バラクタダイオード２２のアノードは第３のインダクタンス素子２４を介して直流的に接地している。なお、同調用バラクタダイオード９ｃのアノードはコンデンサ２５を介して高周波的に接地されると共に抵抗２６を介して直流的に接地されている。ＵＨＦ同調回路９のその他の構成は、図８に示す回路構成と同じである。
【００２４】
次に、以上のように構成されたテレビジョンチューナの動作について説明する。
図２は受信バンド（ＶＨＦローバンド、ＶＨＦハイバンド（高域／低域）及びＵＨＦとＶＨＦ同調回路２のスイッチダイオードＤ１，Ｄ２のオン／オフとの関係を示す図である。図３は切替信号ＢＳ１、ＢＳ２と切替周波数との関係を示す図である。
【００２５】
ＶＨＦローバンド受信時は、図２、図３に示すように切替信号ＢＳ１、ＢＳ２をそれぞれローレベルに制御する。第１のスイッチトランジスタ１８のベースに印加される切替信号ＢＳ１がローレベルの場合、第１のスイッチトランジスタ１８が非導通となり、コレクタ端子に印加されている電圧ＢがスイッチダイオードＤ１のカソードに印加される。この結果、スイッチダイオードＤ１はカソード側が高電位となる逆バイアスがかかりオフ状態となる。また、第２のスイッチトランジスタ１９のベースに印加される切替信号ＢＳ２がローレベルの場合、第２のスイッチトランジスタ１９が非導通となり、コレクタ端子に印加されている電圧ＢがスイッチダイオードＤ２のカソードに印加される。この結果、スイッチダイオードＤ２はカソード側が高電位となる逆バイアスがかかりオフ状態となる。スイッチダイオードＤ１、Ｄ２がオフしてオープン状態であると、第１及び第２のインダクタンス素子１１，１２の合成インダクタとコンデンサ１４，１５の合成容量とによって直列共振回路が形成される。かかる直列共振回路は、ＶＨＦローバンド受信時のイメージ帯域を減衰するトラップを形成する（１２９ＭＨｚ受信時のイメージトラップ）。
【００２６】
図４（ａ）は本実施の形態による１２８．８ＭＨｚ受信時のイメージトラップの減衰量をシミュレーションした結果を示す図であり、図４（ｂ）は図８に示す従来回路での１２８．８ＭＨｚ受信時のイメージトラップの減衰量をシミュレーションした結果を示す図である。同図に示すように、本実施の形態によれば１２９ＭＨｚ受信時のイメージトラップとして従来回路に比較してより大きな減衰量を確保できていることが判る。
【００２７】
次に、ＶＨＦハイバンド受信時の動作について説明する。
ＶＨＦハイバンド受信では、ＶＨＦハイバンドの低域側（１３５ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ）とＶＨＦハイバンドの高域側（２０１ＭＨｚ〜３６３ＭＨｚ）とでインダクタ接地回路のインダクタ値を切り替えて、ＶＨＦ同調回路２の入力部に形成されるＨＰＦの周波数を切り替える。なお、、ＶＨＦハイバンドの低域側と高域側との境界を２００ＭＨｚとしたが、設計に応じて適宜変更可能である。
【００２８】
ＶＨＦハイバンドの低域側（１３５ＭＨｚ〜２００ＭＨｚ）の受信時は、図２及び図３に示すように切替信号ＢＳ１をローレベル、切替信号ＢＳ２をハイレベルに制御する。切替信号ＢＳ１がローレベルであるので、スイッチダイオードＤ１はオープン状態のままである。一方、切替信号ＢＳ２がハイレベルに切り替えられたことにより、第２のスイッチトランジスタ１９が導通してスイッチダイオードＤ２のカソード電圧が低下し、スイッチダイオードＤ２の両端間に順方向バイアスが掛かり導通する。この結果、第１及び第２のインダクタンス素子１１，１２の合成インダクタを介してＶＨＦ同調回路２の入力端が接地される。このように、ＶＨＦ同調回路２の入力端を接地することにより、ＶＨＦハイバンドの低域側での周波数選択特性が改善され、信号損失が最小化される。
【００２９】
図５（ａ）は本実施の形態による１３４．７ＭＨｚ受信時の低域側１／２の周波数での減衰量をシミュレーションした結果を示す図であり、図５（ｂ）は図８に示す従来回路での１３４．７ＭＨｚ受信時の低域側１／２の周波数での減衰量をシミュレーションした結果を示す図である。同図に示すように、本実施の形態はＶＨＦ同調回路２の入力端を第１及び第２のインダクタンス素子１１，１２の合成インダクタで接地するので、従来回路に比べて低域側１／２の周波数での減衰量を大きくすることができる。
【００３０】
また、ＶＨＦハイバンドの高域側（２０１ＭＨｚ〜３６３ＭＨｚ）の受信時は、図２及び図３に示すように切替信号ＢＳ１及びＢＳ２をハイレベルに制御する。切替信号ＢＳ１がハイレベルに切り替えられたことにより、第１のスイッチトランジスタ１８が導通してスイッチダイオードＤ１のカソード電圧が低下し、スイッチダイオードＤ１の両端間に順方向バイアスが掛かり導通する。また、切替信号ＢＳ２がハイレベルであるので、第２のスイッチトランジスタ１９が導通してスイッチダイオードＤ２のカソード電圧が低下し、スイッチダイオードＤ２の両端間に順方向バイアスが掛かり導通する。この結果、第２のインダクタンス素子１２がスイッチダイオードＤ１で短絡されるので、ＶＨＦ同調回路２の入力端を接地するインダクタが第１のインダクタンス素子１１のみとなり、受信周波数（ＶＨＦハイバンドの高域側）に対する低域側の１／ｎの周波数での周波数選択特性がさらに改善される。
【００３１】
図６（ａ）は本実施の形態による２０７ＭＨｚ受信時の低域側１／２の周波数での減衰量をシミュレーションした結果を示す図であり、図６（ｂ）は図８に示す従来回路での２０７ＭＨｚ受信時の低域側１／２の周波数での減衰量をシミュレーションした結果を示す図である。同図に示すように、本実施の形態はＶＨＦ同調回路２の入力端を第１のインダクタンス素子１１のみで接地したことで、低域側１／２での減衰量をさらに大きくでき、選択特性が改善されていることが判る。
このように、切替信号ＢＳ１，ＢＳ２を切り替えて同一バンド（ＶＨＦハイバンド）内でも低域側受信時と高域側受信時とでインダクタ値を切り替え、ＨＰＨの周波数を切り替えることで、低域側の周波数選択特性を改善することができる。
【００３２】
次に、ＵＨＦ帯受信時の動作について説明する。
ＵＨＦ帯受信時には、切替信号ＢＳ１をハイレベル、切替信号ＢＳ２をローレベルに制御する。切替信号ＢＳ１がハイレベルであるので、スイッチダイオードＤ１が導通すると共にスイッチダイオードＤ２が非導通でオープン状態となる。この結果、第３のインダクタンス素子２４と、バラクタダイオード２２及びコンデンサ２１の合成容量（可変）と、第１のインダクタンス素子１１とで構成される周波数可変型のＨＰＦが形成される。このＨＰＦは、従来回路で構成される半区間のＨＰＦに比べて、ＶＨＦ帯域の信号減衰能力が高いので、ＵＨＦ帯域の受信感度を改善することができる。
【００３３】
以上の説明では、第１の帯域としてＶＨＦローレベル、第２の帯域としてＶＨＦハイレベル、第３の帯域としてＵＨＦ帯域を例に説明したが、本発明はこのような帯域区分に限定されるものではなく、複数の帯域を含むテレビジョン信号を受信して所望帯域のテレビジョン信号を入力同調回路経由で取り出すテレビジョンチューナであれば同様に適用可能である。また、テレビジョン信号の低域は必ずしも第３の帯域まで存在する必要はない。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、ＶＨＦハイバンド及びＶＨＦローバンドを切り替えて受信するテレビジョンチューナに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態に係るテレビジョンチューナの回路構成図
【図２】上記実施の形態において受信バンド及びスイッチダイオードのオン／オフとの関係を示す図
【図３】上記実施の形態において切替信号ＢＳ１、ＢＳ２と切替周波数との関係を示す図
【図４】（ａ）上記実施の形態に基づいて１２９ＭＨｚ受信時のイメージトラップの減衰量をシミュレーションした結果を示す図、（ｂ）従来回路に基づいて１２９ＭＨｚ受信時のイメージトラップの減衰量をシミュレーションした結果を示す図
【図５】（ａ）上記実施の形態に基づいて１３４．７ＭＨｚ受信時の低域側での減衰量をシミュレーションした結果を示す図、（ｂ）従来回路に基づいて１３４．７ＭＨｚ受信時の低域側での減衰量をシミュレーションした結果を示す図
【図６】（ａ）上記実施の形態に基づいて２０７ＭＨｚ受信時の低域側の減衰量をシミュレーションした結果を示す図、（ｂ）従来回路に基づいて２０７ＭＨｚ受信時の低域側の減衰量をシミュレーションした結果を示す図
【図７】特許文献１に記載のテレビジョンチューナの回路構成図
【図８】特許文献２に記載のテレビジョンチューナの回路構成図
【符号の説明】
【００３６】
１…入力端子
２…ＶＨＦ同調回路
２ａ〜２ｄ…インダクタンス素子
２ｅ…同調用バラクタダイオード
２ｆ…スイッチダイオード
４…結合用バラクタダイオード
５…バイアス抵抗
６…ＶＨＦ高周波増幅器
７…スイッチダイオード
８…結合用インダクタンス素子
９…ＵＨＦ同調回路
９ａ…インダクタンス素子
９ｂ，ｃ…同調用バラクタダイオード
１０…ＵＨＦ高周波増幅器
１１…第１のインダクタンス素子
１２…第２のインダクタンス素子
１５、１７…コンデンサ
１８…第１のスイッチトランジスタ
１９…第２のスイッチトランジスタ
２１…コンデンサ
２２…バラクタダイオード
２３…バイアス抵抗
２４…第３のインダクタンス素子
Ｄ１、Ｄ２…スイッチダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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