(57)【要約】【課題】排ガス温度に応じて貴金属種を最適に用いることで、分離担持した効果を最大に発現させ浄化性能を向上させる。【解決手段】温度センサ５の検出信号に基づいて切替手段２を制御し、排ガス温度が低温の場合には排ガスを低温用触媒30に供給し、排ガス温度が高温の場合には排ガスを高温用触媒40に流すように制御する。低温用触媒30にはPtを担持した下触媒層32とRhを担持した上触媒層33が形成され、高温用触媒40にはPdを担持した下触媒層42とRhを担持した上触媒層43が形成されている。  Pdは高温でも移動しないので、Rhとの固溶を抑制できる。【選択図】  図１
2009257252.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体基材と、該担体基材の表面に形成された下触媒層と、該下触媒層の表面に形成された上触媒層とからなり、該下触媒層及び該上触媒層の一方にRhを担持し他方にPtを担持した低温用触媒と、
担体基材と、該担体基材の表面に形成された下触媒層と、該下触媒層の表面に形成された上触媒層とからなり、該下触媒層及び該上触媒層の一方にRhを担持し他方にPdを担持した高温用触媒と、
該低温用触媒が配置された低温用排ガス流路と、該高温用触媒が配置された高温用排ガス流路と、
エンジンからの排ガス温度を検出する温度センサと、
排ガス流路を該低温用排ガス流路又は該高温用排ガス流路に切替える切替手段と、
該温度センサの検出信号に基づいて該切替手段を制御し、排ガス温度が低温の場合には排ガスを該低温用排ガス流路に流し、排ガス温度が高温の場合には排ガスを該高温用排ガス流路に流すように制御する制御装置と、を備えたことを特徴とする排ガス浄化装置。
【請求項２】
前記低温用触媒において、Rhを担持した触媒層はZrO2を含み、Ptを担持した触媒層はCeO2を含む請求項１に記載の排ガス浄化装置。
【請求項３】
前記高温用触媒において、Rhを担持した触媒層はZrO2を含み、Pdを担持した触媒層はCeO2を含む請求項１又は請求項２に記載の排ガス浄化装置。
【請求項４】
前記高温用触媒は、前記下触媒層にRhを担持し前記上触媒層にPdを担持している請求項１〜３のいずれかに記載の排ガス浄化装置。
【請求項５】
前記高温用触媒は 850℃以上で用いる請求項１〜４のいずれかに記載の排ガス浄化装置。
【請求項６】
前記低温用触媒は 850℃未満で用いる請求項１〜４のいずれかに記載の排ガス浄化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車エンジンからの排ガスを浄化する排ガス浄化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より自動車の排ガス浄化用触媒として、理論空燃比（ストイキ）において排ガス中のCO及びHCの酸化とNOx の還元とを同時に行って浄化する三元触媒が用いられている。このような三元触媒としては、例えばコージェライトなどからなる耐熱性基材にγ-Al2O3などからなるコート層を形成し、そのコート層にPt、Rh、Pdなどの貴金属を担持させたものが広く知られている。また、酸素吸蔵能をもつCeO2を併用し、浄化ウィンドウを拡げた三元触媒も知られている。
【０００３】
貴金属のうちPt及びPdは主としてCO及びHCの酸化浄化に寄与し、Rhは主としてNOx の還元浄化に寄与するとともに、RhにはPt又はPdのシンタリングを防止する作用がある。したがってPt又はPdとRhとを併用することにより、シンタリングによる活性点の減少により活性が低下するという不具合が抑制され、耐熱性が向上することがわかっている。したがって三元触媒では、Pt又はPdとRhとを併用することが望ましいことが知られている。
【０００４】
ところで、近年の排ガス規制強化に対応するため、スタートアップ用触媒とアンダフロア用触媒からなる二触媒システムが数多く採用されている。ところが、この二触媒システムにおいて、スタートアップ触媒はエンジン直下に取り付けられるため、使用時の触媒の温度がアンダフロア用触媒に比べてかなり上昇し、RhによるPtやPdのシンタリング抑制効果が薄くなる。またPtとRh又はPdとRhを併用すると、高温時にPtとRh又はPdとRhとが互いに固溶して合金化するため、Pt又はPdの酸化能が低下するとともに、Rhによる還元活性が低下するという不具合があることも明らかとなった。
【０００５】
さらに、貴金属種と担体種の間には、使用条件により好ましくない組合せが存在する。例えばRhを Al2O3に担持した触媒では、 900℃以上の高温酸化雰囲気においてRhが Al2O3中に固溶し、性能低下が著しいという不具合がある。
【０００６】
また、三元触媒には 900℃以上の高温耐久性が強く要請されている。そのためには触媒の劣化を抑制することが重要な課題である。またRhは資源的にきわめて稀少であり、Rhを効率よく活用するとともに、その劣化を抑制して耐熱性を高めることが望まれている。
【０００７】
そこで、ZrO2にRhが担持された触媒粉末を Al2O3と混合してコート層を形成することが行われている。このようにRhをZrO2に担持することで、先に述べたRhの Al2O3中への固溶が防止され、Rhの劣化を抑制することができる。
【０００８】
さらに、コート層を二層構造とし、複数種の貴金属を分離担持した触媒が提案されている。例えば特開平05−293376号公報には、コート層の最表層にRhを担持し、その内側層にPt又はPdを担持した触媒が開示されている。また特開平06−063403号公報には、PtあるいはPdを含む第１コート層と、第１コート層の上層に設けられRhを含む第２コート層とからなり、第２コート層中にCeO2及びZrO2を主成分とする酸化物粉末を含有した触媒が提案されている。
【０００９】
このようにRhとPtあるいはRhとPdをそれぞれ別々の層に分離して担持することにより、CO、HC及びNOx を効率よく浄化することができ、かつ合金化によるPt又はPdの酸化能の低下とRhの還元能の低下も抑制することができる。またCeO2あるいはZrO2など貴金属種と相性のよい担体を選択することで、担体との相互作用による浄化能の低下が抑制される。例えばCeO2を含む担体に担持されたPtは、 Al2O3に担持されたPtに比べて高温時の粒成長が抑制され、浄化能の低下が抑制されることが知られている。
【００１０】
ところがPtとRhとを下層及び上層に分離担持した触媒であっても、高温においてはPt粒子とRh粒子の移動が激しくなり、両者が下層と上層との界面を超えて移動して互いに固溶することで、分離担持した効果が低下するという問題があった。
【特許文献１】特開平11−276907号公報
【特許文献２】特開2001−286769号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、排ガス温度に応じて貴金属種を最適に用いることで、分離担持した効果を最大に発現させ浄化性能を向上させることを解決すべき課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の排ガス浄化装置の特徴は、担体基材と、担体基材の表面に形成された下触媒層と、下触媒層の表面に形成された上触媒層とからなり、下触媒層及び上触媒層の一方にRhを担持し他方にPtを担持した低温用触媒と、
担体基材と、担体基材の表面に形成された下触媒層と、下触媒層の表面に形成された上触媒層とからなり、下触媒層及び上触媒層の一方にRhを担持し他方にPdを担持した高温用触媒と、
低温用触媒が配置された低温用排ガス流路と、高温用触媒が配置された高温用排ガス流路と、
エンジンからの排ガス温度を検出する温度センサと、
排ガス流路を低温用排ガス流路又は高温用排ガス流路に切替える切替手段と、
温度センサの検出信号に基づいて切替手段を制御し、排ガス温度が低温の場合には排ガスを低温用排ガス流路に流し、排ガス温度が高温の場合には排ガスを高温用排ガス流路に流すように制御する制御装置と、を備えたことにある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明者の実験によれば、Pt及びRhは 850℃以上の温度で、担持されている触媒層から隣接する触媒層へ移動するが、Pdは1000℃でも移動しないことが明らかとなった。またPtは隣接する触媒層の全体に広く移動すること、Rhは主として隣接する触媒層の界面から数μｍの範囲までの移動で留まること、が明らかとなった。
【００１４】
すなわち排ガス温度が 850℃未満の低温の場合には、下触媒層及び上触媒層の一方にRhを担持し他方にPtを担持してなる低温用触媒を用いることが望ましい。このような低温域ではPtとRhとの移動がほとんど生じないので、RhとPtとの互いの固溶による合金化を防止でき、低温用触媒によって排ガスを十分に浄化することができる。
【００１５】
一方、排ガス温度が 850℃以上の高温の場合には、下触媒層及び上触媒層の一方にRhを担持し他方にPdを担持してなる高温用触媒を用いることが望ましい。このような高温であってもPdは移動せず、Rhが移動しても触媒層どうしの界面から数μｍの範囲のみに移動する。したがってPdとRhとが固溶するのは、Pdを担持した触媒層の範囲内で、Rhを担持した触媒層との界面から数μｍの範囲であるので、大部分のPdとRhを有効利用することができる。
【００１６】
さらに、Rhは雰囲気の酸素濃度が高いほど移動量が大きいことが明らかとなったので、高温用触媒は、下触媒層にRhを担持し上触媒層にPdを担持していることが望ましい。このように構成することで、上触媒層における酸化反応によって酸素が消費され、下触媒層に到達する酸素量が減少する。そのため、Rhの移動をさらに抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の排ガス浄化装置は、低温用触媒と、高温用触媒と、低温用排ガス流路と、高温用排ガス流路と、温度センサと、切替手段と、制御装置と、を備えている。
【００１８】
低温用触媒及び高温用触媒は、共に、担体基材と、担体基材の表面に形成された下触媒層と、下触媒層の表面に形成された上触媒層とからなる。担体基材としては、低温用触媒及び高温用触媒共に、コージェライト、 SiCなどのセラミックス、あるいはメタルからなるハニカム基材、フォーム基材、ペレット基材などを用いることができる。
【００１９】
下触媒層及び上触媒層は、低温用触媒及び高温用触媒共に、多孔質酸化物担体に触媒貴金属を担持してなる。多孔質酸化物担体としては、アルミナ、チタニア、セリア、ジルコニア、シリカなどの単味、これらから選ばれた複数の混合物、これらから選ばれた複数からなる複合酸化物などを用いることができる。例えば担体基材の表面に多孔質酸化物粉末からなるコート層を形成し、それに触媒貴金属を担持して下触媒層を形成することができる。そして下触媒層の表面に多孔質酸化物粉末からなるコート層を形成し、それに触媒貴金属を担持して上触媒層を形成することができる。また、担体粉末に触媒貴金属を予め担持した触媒粉末を用いて下触媒層と上触媒層の少なくとも一方を形成してもよい。
【００２０】
低温用触媒は、下触媒層及び上触媒層の一方にRhを担持し他方にPtを担持してなる。Rhを担持した触媒層は、少なくともジルコニアを含むことが望ましく、Ptを担持した触媒層は少なくともセリアを含むことが望ましい。ジルコニアにRhが担持された触媒は水蒸気改質反応によって水素を生成する活性が高いので、RhによるNOx の還元活性がさらに向上する。またセリアにPtを担持することで、Ptの粒成長を抑制できるとともに、セリアの酸素吸放出作用がさらに向上するため、雰囲気変動をより緩和でき三元活性がさらに向上する。しかしアルミナ、チタニアなど他の多孔質酸化物を排除するものではなく、ジルコニア粉末にRhを担持した触媒粉末とアルミナ粉末などから触媒層を形成してもよいし、セリア粉末にPtを担持した触媒粉末とアルミナ粉末などから触媒層を形成してもよい。
【００２１】
Rhの担持量は、低温用触媒の嵩容積１リットル当たり0.01〜１ｇの範囲とすることができる。またPtの担持量は、低温用触媒の１リットル当たり 0.1〜20ｇの範囲とすることができる。
【００２２】
低温用触媒において、下触媒層及び上触媒層の形成量は特に制限されない。なお、上触媒層の厚さが厚すぎると下触媒層の有効利用が図れないので、上触媒層の厚さは80μｍ以下とすることが望ましく、下触媒層と上触媒層の厚さの比は下触媒層：上触媒層＝２：１〜４：１とすることが望ましい。
【００２３】
高温用触媒は、下触媒層及び上触媒層の一方にRhを担持し他方にPdを担持してなる。低温用触媒と同様の理由から、Rhを担持した触媒層は少なくともジルコニアを含むことが望ましく、Pdを担持した触媒層は少なくともセリアを含むことが望ましい。またアルミナ、チタニアなど他の多孔質酸化物を排除するものではなく、ジルコニア粉末にRhを担持した触媒粉末とアルミナ粉末などから触媒層を形成してもよいし、セリア粉末にPdを担持した触媒粉末とアルミナ粉末などから触媒層を形成してもよい。
【００２４】
Rhの担持量は、高温用触媒の１リットル当たり0.01〜１ｇの範囲とすることができる。またPdの担持量は、高温用触媒の１リットル当たり 0.1〜20ｇの範囲とすることができる。
【００２５】
高温用触媒においても、下触媒層及び上触媒層の形成量は特に制限されない。なお低温用触媒と同様に、上触媒層の厚さが厚すぎると下触媒層の有効利用が図れないので、上触媒層の厚さは80μｍ以下とすることが望ましく、下触媒層と上触媒層の厚さの比は下触媒層：上触媒層＝２：１〜４：１とすることが望ましい。
【００２６】
前述したように、Rhは雰囲気の酸素濃度が高いほど移動量が大きいという特性を有している。したがって高温用触媒においては、下触媒層にRhを担持し、上触媒層にPdを担持することが望ましい。このようにすることで、上触媒層における酸化反応によって酸素が消費され、下触媒層に到達する酸素量が減少するため、Rhの移動をさらに抑制することができる。
【００２７】
温度センサはエンジンからの排ガス温度を検出するセンサであり、熱電対など公知のものを用いることができる。また切替手段は排ガス流路を低温用排ガス流路又は高温用排ガス流路に切替えるものであり、電磁アクチュエータからなるバルブなど公知の手段を用いることができる。そして制御手段は、温度センサの検出信号に基づいて切替手段を制御し、排ガス温度が低温の場合には排ガスを低温用排ガス流路に流し、排ガス温度が高温の場合には排ガスを高温用排ガス流路に流すように制御する。この制御手段は ECUを用いることができる。
【００２８】
切替手段が排ガス流路を低温用から高温用に切替える温度は、 850℃以上とすることが好ましい。 850℃未満ではPt及びRhの移動がほとんど生じないからである。排ガスの浄化には高温であるほど好ましいので、Pt及びRhの移動が活発になる 900℃を切替温度とすることが特に望ましい。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例、比較例及び試験例により本発明を具体的に説明する。
【００３０】
（実施例１）
図１に本発明の一実施例に係る排ガス浄化装置のブロック図を示す。この排ガス浄化装置では、エキゾーストマニホールド１から延びる排気管10は、電磁アクチュエータからなるバルブ２を介して低温用排ガス流路３と高温用排ガス流路４とに分岐し、低温用排ガス流路３と高温用排ガス流路４の後端は再び一つの排気管11に接続されている。低温用排ガス流路３には低温用触媒30が配置され、高温用排ガス流路４には高温用触媒40が配置されている。
【００３１】
また排気管10には、内部を流通する排ガスの温度を検出する温度センサ５が配置されている。そして温度センサ５の検出信号は ECU６に入力され、 ECU６は温度センサ５の検出信号に応じてバルブ２を制御し、排気管10からの排ガス流れを低温用排ガス流路３又は高温用排ガス流路４に切替える。
【００３２】
低温用触媒30は、図２に要部断面図を示すように、コージェライト製のハニカム基材31と、ハニカム基材31のセル壁表面に形成された下触媒層32と、下触媒層32の表面に形成された上触媒層33とから構成されている。下触媒層32は、CeO2−ZrO2複合酸化物にPtが担持された触媒粉末とバインダとしての Al2O3とからなる。また上触媒層33は、ZrO2にRhが担持された触媒粉末とバインダとしての Al2O3とからなる。
【００３３】
高温用触媒40は、図３に要部断面図を示すように、コージェライト製のハニカム基材41と、ハニカム基材41のセル壁表面に形成された下触媒層42と、下触媒層42の表面に形成された上触媒層43とから構成されている。下触媒層42は、CeO2−ZrO2複合酸化物にPdが担持された触媒粉末とバインダとしての Al2O3とからなる。また上触媒層43は、ZrO2にRhが担持された触媒粉末とバインダとしての Al2O3とからなる。
【００３４】
以下、低温用触媒30と高温用触媒40の製造方法を説明し、構成の詳細な説明に代える。
【００３５】
＜低温用触媒30＞
先ずコージェライト製のハニカム基材31（ 600セル、容量 875cc）を用意した。
【００３６】
一方、CeO2−ZrO2複合酸化物（モル比CeO2：ZrO2＝２：１）粉末に所定濃度のジニトロジアンミン白金溶液の所定量を含浸させ、 120℃で蒸発乾固した後 400℃で２時間焼成して、Ptを担持したPt/CeO2−ZrO2触媒粉末を調製した。このPt/CeO2−ZrO2触媒粉末にアルミナゾル（固形分10％）と適量のイオン交換水を加え、ボールミルでミリングしてスラリーを調製した。
【００３７】
このスラリーを用い、上記ハニカム基材31のセル壁の表面にコートして、乾燥後大気中にて 500℃で２時間焼成し、下触媒層32を形成した。下触媒層32は、ハニカム基材31の１リットル当たり 160ｇ形成され、Ptはハニカム基材31の１リットル当たり 1.5ｇ担持されている。
【００３８】
次に、ZrO2粉末に所定濃度の硝酸ロジウム水溶液の所定量を含浸させ、 120℃で蒸発乾固した後 400℃で２時間焼成して、Rhを 1.6重量％担持したRh／ZrO2触媒粉末を調製した。このRh／ZrO2触媒粉末と、アルミナゾル（固形分10％）と適量のイオン交換水を加え、ボールミルでミリングしてスラリーを調製した。
【００３９】
このスラリーを用い、下触媒層32の表面にコートして、乾燥後大気中にて 500℃で２時間焼成し、上触媒層33を形成した。上触媒層33は、ハニカム基材31の１リットル当たり75ｇ形成され、Rhはハニカム基材31の１リットル当たり 0.4ｇ担持されている。
【００４０】
＜高温用触媒40＞
低温用触媒30と同様のハニカム基材41を用い、ジニトロジアンミン白金溶液に代えて硝酸パラジウム水溶液を用いたこと以外は低温用触媒30の製造方法と同様にして、Pdを 1.5ｇ／Ｌ担持した下触媒層42をハニカム基材41の表面に 160ｇ／Ｌ形成した。そして低温用触媒30の上触媒層33の形成方法と全く同様にして、下触媒層42の表面に上触媒層33と同一組成の上触媒層43を75ｇ／Ｌ形成した。
【００４１】
（実施例２）
高温用触媒40として、図４に示すように、下触媒層42と上触媒層43の構造を上下逆にしたものを用いたこと以外は実施例１と同様である。すなわち高温用触媒40のハニカム基材41の表面に形成された下触媒層42は、Rh／ZrO2触媒粉末と Al2O3からなり 160ｇ／Ｌ形成されている。Rhの担持量は 0.4ｇ／Ｌである。また上触媒層43は、 Pd/CeO2−ZrO2触媒粉末と Al2O3からなり、下触媒層42の表面に75ｇ／Ｌ形成されている。Pdの担持量は 1.5ｇ／Ｌである。
【００４２】
（比較例）
図５に示すように、排気管10に１個の触媒 100を配置して、比較例の排ガス浄化装置とした。触媒 100は、実施例のハニカム基材に比べて嵩容量が２倍のコージェライト製のハニカム基材（ 600セル、容量 1750cc）を用い、実施例１の下触媒層32と上触媒層33とが同様に形成された低温用触媒30相当のものを用いた。
【００４３】
＜試験例１＞
実施例１の低温用触媒30を５個用意し、リッチ／リーン変動雰囲気下にて 800℃、 850℃、 900℃、 950℃、1000℃のいずれかの温度でそれぞれ50時間保持する耐久試験を行った。耐久試験後の各触媒の断面をEPMAにて分析し、貴金属の層間移動量を以下のようにして算出した。
【００４４】
先ず各EPMA画像から、下触媒層32の面積（Su)と上触媒層33の面積（So）を求めた。また下触媒層32に含まれるRh量の総和（Rhu )と、上触媒層33に含まれるRh量の総和（Rho ）を求めた。これらから下触媒層32の単位面積あたりに含まれるRh濃度（Cu）（Cu＝Rhu ／Su）と、上触媒層33の単位面積あたりに含まれるRh濃度（Co）（Co＝Rho ／So）を算出した。上触媒層33から下触媒層32へ移動したRhの移動割合｛Cu／（Cu＋Co）｝にて層間移動量を評価した。
【００４５】
下触媒層32から上触媒層33へのPtの層間移動量も、同様にして算出した。また実施例１の高温用触媒40についても同様に測定したが、Pdは1000℃においても移動が認められなかった。Rh及びPtの層間移動量の算出結果を図６に示す。Pdは移動しなかったので、図６には記載していない。
【００４６】
図６から、Rh及びPtは  850℃付近から層間移動が生じ、温度が上昇するにつれて移動量が増大していることがわかる。したがって実施例１の低温用触媒30は、 900℃未満の温度域、望ましくは 850℃未満の温度域で用いることが望ましいことが明らかである。
【００４７】
なおPtは上触媒層33の全体に分布していたが、Rhは1000℃の保持後においても主として下触媒層32と上触媒層33の界面から下触媒層32側へ数μｍの範囲に移動していることが認められた。
【００４８】
＜試験例２＞
実施例１の低温用触媒30を用い、大気中にて1000℃で10時間保持する空気耐熱試験と、酸素ガス中にて1000℃で10時間保持する酸素耐熱試験をそれぞれ行った。空気耐熱試験後のRhのEPMA画像を試験例１と同様に処理し、Rhの層間移動量を算出した。
【００４９】
Rhの層間移動量は、空気耐熱試験では20％であったのに対し、酸素耐熱試験では68％であり、酸素濃度が高いほど層間移動量が多いことが認められた。
【００５０】
また試験例１における1000℃保持後のRhのEPMA画像と、空気耐熱試験後のRhのEPMA画像を比較したところ、試験例１のリッチ／リーン変動雰囲気下においては主として上触媒層33の界面から下触媒層32側へ数μｍの範囲に移動しているのに対し、空気耐熱試験後には上触媒層33の界面から下触媒層32側へ40μｍの範囲にまでRhが移動していることが認められた。すなわち酸素濃度が高いほど、Rhの移動距離が大きくなることが明らかである。
【００５１】
＜試験例３＞
試験例１〜２の結果を踏まえ、実施例１〜２及び比較例の排ガス浄化装置の排ガス浄化性能を調査した。試験は、リーン雰囲気（A/F=15）の排ガスを20秒間流通させた後にリッチ雰囲気（A/F=14）の排ガスを５秒間流通させるのを交互に繰り返す雰囲気下で、かつ排ガス温度を 800℃〜1000℃の間で変動させながら 100時間保持する耐久試験を行った。 800℃にある時間と 1000℃にある時間とは、ほぼ同等となるように制御した。
【００５２】
実施例１及び実施例２の排ガス浄化装置については、 ECU６によってバルブ２を制御しながら上記耐久試験を行った。すなわち温度センサ５の検出信号から、排ガス温度が 900℃未満の場合には排ガスを低温用排ガス流路３に流し、排ガス温度が 900℃以上の場合には排ガスを高温用排ガス流路４に流すように、ECU６はバルブ２を制御した。
【００５３】
上記耐久試験後に各触媒を取り出し、直径30mm、長さ50mmのテストピースを切り出した。各テストピースを評価装置にそれぞれ配置し、表１に示すモデルガスを流通させながら室温から 500℃まで10℃／分の速度で昇温させ、その間のHC浄化率を連続的に測定した。その結果からHC50％浄化温度をそれぞれ算出し、結果を図７に示す。
【００５４】
【表１】
2009257252.tif 000003
図７から、実施例１〜２の低温用触媒及び高温用触媒は、比較例の触媒に比べて浄化性能が高く、耐久性に優れていることがわかる。これは、貴金属の層間移動による固溶が抑制されたことによる効果である。
【００５５】
また実施例２の高温用触媒は、実施例１の高温用触媒より耐久性に優れていることから、高温用触媒は下触媒層にRhを担持し上触媒層にPdを担持するのが望ましいことも明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
上記実施例では三元触媒システムについて説明したが、本発明の排ガス浄化装置はNOx 吸蔵還元触媒システムにも応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施例１の排ガス浄化装置を示すブロック図である。
【図２】実施例１の排ガス浄化装置に用いた低温用触媒の要部拡大断面図である。
【図３】実施例１の排ガス浄化装置に用いた高温用触媒の要部拡大断面図である。
【図４】実施例２の排ガス浄化装置に用いた高温用触媒の要部拡大断面図である。
【図５】比較例の排ガス浄化装置を示すブロック図である。
【図６】耐久温度と貴金属の層間移動量との関係を示すグラフである。
【図７】耐久後のHC50％浄化温度を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５８】
２：バルブ（切替手段）  ３：低温用排ガス流路    ４：高温用排ガス流路
５：温度センサ          ６：ECU （制御装置）    30：低温用触媒
40：高温用触媒
【図１】
2009257252.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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