(57)【要約】【課題】より簡単な回路構成で、電磁弁の駆動停止に係る応答性を向上する。【解決手段】電磁弁駆動制御装置１０は、電磁弁の駆動コイル１２に直列に接続されたＭＯＳＦＥＴ１６と、駆動コイル１２に並列に接続されたバリスタ２２と、駆動コイル１２及びＭＯＳＦＥＴ１６に並列に接続されたダイオード２０とを有する。ＭＯＳＦＥＴ１６のオフにより駆動コイル１２に逆起電力が発生したときに、バリスタ２２が直ちに導通するので、前記逆起電力に起因した電流は、駆動コイル１２及びバリスタ２２で構成される閉回路内を流れることになる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁弁の駆動コイルに直列に接続されたスイッチと、
前記駆動コイルに並列に接続されたバリスタと、
前記駆動コイル及び前記スイッチに並列に接続されたダイオードと、
を有し、
前記スイッチがオンの状態で前記駆動コイルに通電して前記電磁弁を駆動させた後に前記スイッチをオフする
ことを特徴とする電磁弁駆動制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の電磁弁駆動制御装置において、
前記スイッチを介して前記駆動コイルに電源電圧を供給する電源端子と、
該電源端子に接続され、前記電源電圧に基づいて前記スイッチのオン又はオフを制御する切替制御手段と、
をさらに有する
ことを特徴とする電磁弁駆動制御装置。
【請求項３】
請求項２記載の電磁弁駆動制御装置において、
前記スイッチは、前記切替制御手段に接続された制御端子を有する半導体素子であり、
前記切替制御手段は、前記電源電圧に基づいて制御信号を生成し、
前記半導体素子は、前記切替制御手段から前記制御端子に供給される前記制御信号によりオン又はオフする
ことを特徴とする電磁弁駆動制御装置。
【請求項４】
請求項３記載の電磁弁駆動制御装置において、
前記切替制御手段は、前記電源端子に接続された第１抵抗器及び第２抵抗器の直列回路であり、
前記制御端子は、前記第１抵抗器と前記第２抵抗器との間の接続点に接続され、
前記半導体素子は、前記電源電圧に基づく前記接続点の電圧を前記制御信号とみなしてオン又はオフする
ことを特徴とする電磁弁駆動制御装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の電磁弁駆動制御装置において、
前記バリスタは、前記駆動コイル及び前記バリスタの並列回路における電圧が前記電源電圧よりも高いときに導通する
ことを特徴とする電磁弁駆動制御装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電磁弁駆動制御装置において、
前記バリスタは、酸化亜鉛バリスタである
ことを特徴とする電磁弁駆動制御装置。
【請求項７】
電磁弁の駆動コイルにスイッチが直列に接続され、前記駆動コイルにバリスタが並列に接続され、前記駆動コイル及び前記スイッチにダイオードが並列に接続されている場合に、
前記スイッチがオンの状態で前記駆動コイルに通電して前記電磁弁を駆動させた後に前記スイッチをオフする
ことを特徴とする電磁弁の駆動制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電磁弁の駆動コイルに通電して該電磁弁を駆動させる電磁弁駆動制御装置及び電磁弁の駆動制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電磁弁の駆動コイルに通電して該電磁弁を駆動させた後に、前記駆動コイルへの通電を停止して前記電磁弁の駆動を停止させる電磁弁駆動制御装置が知られている。該電磁弁駆動制御装置では、前記駆動コイルにダイオード（フライホイールダイオード）を並列に接続しているので、前記駆動コイルへの通電を停止すると該駆動コイルに比較的に大きな逆起電力が発生し、前記駆動コイル及び前記ダイオードで構成される閉回路内には、前記逆起電力に起因した電流（フライホイール電流）が流れる。この場合、前記電磁弁の電磁エネルギー（前記逆起電力に応じた電磁エネルギー）が前記ダイオードで熱エネルギーとして消費されて前記電流が０レベルにまで減少することにより、前記電磁弁は駆動を停止する。しかしながら、前記ダイオードの存在により、前記電流は、比較的に長時間にわたって前記閉回路内を流れ続けるので、前記電磁弁の駆動停止に係る応答遅れが発生する。
【０００３】
そこで、特許文献１には、フライホイールダイオード及びトランジスタの直列回路を駆動コイルに並列に接続し、前記トランジスタをオフしてフライホイール電流を遮断することにより、該フライホイール電流が流れる時間を短縮化することが提案されている。また、特許文献２には、フライホイールダイオードとして機能するトランジスタを駆動コイルに並列に接続し、前記トランジスタをオフすることで、フライホイール電流が流れる時間を短縮化することが提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−２９７８８１号公報
【特許文献２】特開平４−３５４１０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び２に提案されている技術では、駆動コイルに並列に接続されたトランジスタをオン又はオフするために、電磁弁駆動制御装置は、前記トランジスタを含むスイッチ回路と、該トランジスタをオン又はオフするための制御信号を生成する制御回路とを具備する必要があるので、前記電磁弁駆動制御装置の回路構成が複雑となって回路設計が困難になると共に、コストがかかるという問題がある。
【０００６】
この発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、より簡単な回路構成で、電磁弁の駆動停止に係る応答性を向上することができる電磁弁駆動制御装置及び電磁弁の駆動制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、電磁弁駆動制御装置が、電磁弁の駆動コイルに直列に接続されたスイッチと、前記駆動コイルに並列に接続されたバリスタと、前記駆動コイル及び前記スイッチに並列に接続されたダイオードとを有している場合に、前記スイッチがオンの状態で前記駆動コイルに通電して前記電磁弁を駆動させた後に前記スイッチをオフするというものである。
【０００８】
この場合、前記バリスタは、該バリスタに印加される電圧の大きさによって抵抗値が変化する電圧依存性抵抗器であるので、前記スイッチのオフに起因して前記駆動コイルに比較的に大きな逆起電力が発生した際に、前記抵抗値が前記逆起電力により直ちに低下して前記バリスタが導通するに至る。これにより、前記逆起電力に起因した電流は、前記駆動コイル及び前記バリスタにより構成される閉回路内を流れることになる。
【０００９】
すなわち、この発明では、前記電流は、従来技術のような前記駆動コイル及び前記ダイオードで構成される閉回路ではなく、前記駆動コイル及び前記バリスタで構成される閉回路内を流れることになるので、前記電磁弁に蓄えられた電磁エネルギー（前記逆起電力に応じた電磁エネルギー）は、前記バリスタにおいて熱エネルギーとして消費される。この結果、従来技術と比較して、短時間で前記電流を０レベルにまで減少させることができる。
【００１０】
従って、この発明では、前記スイッチのオフと前記逆起電力に応じた前記バリスタの導通とによって、前記電磁弁の駆動停止時に前記逆起電力に起因した前記電流が前記ダイオードを流れないようにすることで、より簡単な回路構成で前記電磁弁の駆動停止に係る応答性を向上させることができる。
【００１１】
ここで、前記電磁弁駆動制御装置は、前記スイッチを介して前記駆動コイルに電源電圧を供給する電源端子と、該電源端子に接続され且つ前記電源電圧に基づいて前記スイッチのオン又はオフを制御する切替制御手段とをさらに有する。
【００１２】
これにより、前記スイッチがオンしている間は、前記電源端子から前記スイッチを介し前記駆動コイルに前記電源電圧を供給して（通電して）前記電磁弁を駆動させることが可能になると共に、前記切替制御手段に電力供給を行う端子及び前記駆動コイルに通電を行う端子として前記電源端子を共用化することができる。
【００１３】
この場合、前記スイッチは、前記切替制御手段に接続された制御端子を有する半導体素子であり、前記切替制御手段は、前記電源電圧に基づいて制御信号を生成し、前記半導体素子は、前記切替制御手段から前記制御端子に供給される前記制御信号によりオン又はオフする。
【００１４】
これにより、前記スイッチのオン又はオフの制御を容易に行うことができる。また、前記半導体素子は、前記制御信号によりオン又はオフして前記電源端子から前記駆動コイルに前記電源電圧を供給できるような半導体素子であればよいので、低コストで前記電磁弁駆動制御装置を製造することができる。
【００１５】
さらに、前記切替制御手段は、前記電源端子に接続された第１抵抗器及び第２抵抗器の直列回路であり、前記制御端子は、前記第１抵抗器と前記第２抵抗器との間の接続点に接続され、前記半導体素子は、前記電源電圧に基づく前記接続点の電圧を前記制御信号とみなしてオン又はオフすることが好ましい。
【００１６】
前記第１抵抗器及び前記第２抵抗器により前記切替制御手段が構成されるので、より簡単な回路構成で且つ低コストで前記電磁弁駆動制御装置を実現することができる。また、前記接続点の電圧を前記制御信号とみなすので、該制御信号を容易に生成することができる。なお、前記電圧を前記制御信号とするので、前記半導体素子としては、ＦＥＴやＭＯＳＦＥＴ等の電圧制御型の半導体素子が採用可能である。
【００１７】
そして、前記バリスタは、前記駆動コイル及び前記バリスタの並列回路における電圧が前記電源電圧よりも高いときに導通することが好ましい。
【００１８】
これにより、前記電源端子から前記スイッチを介して前記駆動コイルに前記電源電圧を供給して前記電磁弁を駆動している最中に、前記バリスタが導通して前記電流が前記駆動コイル及び前記バリスタで構成される閉回路内を流れることを確実に阻止することができると共に、前記スイッチのオフによって前記電源電圧よりも大きな前記逆起電力が前記駆動コイルに発生したときに、前記バリスタが直ちに導通して前記閉回路内に前記電流を確実に流すことができる。
【００１９】
なお、前記バリスタは、酸化亜鉛バリスタとすることが好ましい。
【００２０】
前記酸化亜鉛バリスタは、市場に広く流通している電子部品であり、入手も容易であるので、より低コストで前記電磁弁駆動制御装置を製造することができる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明によれば、バリスタは、該バリスタに印加される電圧の大きさによって抵抗値が変化する電圧依存性抵抗器であるので、スイッチのオフに起因して電磁弁の駆動コイルに比較的に大きな逆起電力が発生した際に、前記抵抗値が前記逆起電力により直ちに低下して前記バリスタが導通するに至る。これにより、前記逆起電力に起因した電流は、前記駆動コイル及び前記バリスタにより構成される閉回路内を流れることになる。
【００２２】
すなわち、この発明では、前記電流は、従来技術のような前記駆動コイル及びダイオードで構成される閉回路ではなく、前記駆動コイル及び前記バリスタで構成される閉回路内を流れることになるので、前記電磁弁に蓄えられた電磁エネルギー（前記逆起電力に応じた電磁エネルギー）は、前記バリスタにおいて熱エネルギーとして消費される。この結果、従来技術と比較して、短時間で前記電流を０レベルにまで減少させることができる。
【００２３】
従って、この発明では、前記スイッチのオフと前記逆起電力に応じた前記バリスタの導通とによって、前記電磁弁の駆動停止時に前記逆起電力に起因した前記電流が前記ダイオードを流れないようにすることで、より簡単な回路構成で前記電磁弁の駆動停止に係る応答性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
この実施形態に係る電磁弁駆動制御装置１０は、図１に示すように、電磁弁の駆動コイル１２に通電して該電磁弁を駆動させるための装置であり、ＮチャネルのＭＯＳＦＥＴ１４、ＰチャネルのＭＯＳＦＥＴ（スイッチ、半導体素子）１６、マイクロプロセッサ等で構成される制御回路１８、フライホイールダイオードとして機能するダイオード２０、酸化亜鉛バリスタが採用されるバリスタ２２、第１抵抗器２４及び第２抵抗器２６を有する。
【００２５】
この場合、外部から電源電圧Ｖが供給される電源端子２８と、低電位（例えば、アース電位）の駆動指令信号Ｓａが供給される制御入力端子３０との間には、ＭＯＳＦＥＴ１６、駆動コイル１２及びＭＯＳＦＥＴ１４の直列回路が接続されている。また、駆動コイル１２にバリスタ２２が並列に接続され、ＭＯＳＦＥＴ１６及び駆動コイル１２の直列回路にダイオード２０が並列に接続されている。
【００２６】
さらに、電源端子２８と制御入力端子３０との間には、第１抵抗器２４及び第２抵抗器２６の直列回路が接続されている。さらにまた、制御回路１８の電源入力端子Ｖｄｄは、電源端子２８に接続され、制御入力端子Ｖｓｓは、制御入力端子３０に接続され、制御出力端子Ｇは、ＭＯＳＦＥＴ１４のゲート端子Ｇ１に接続されている。
【００２７】
従って、電源端子２８と制御入力端子３０との間には、ＭＯＳＦＥＴ１６、駆動コイル１２及びＭＯＳＦＥＴ１４の直列回路と、第１抵抗器２４及び第２抵抗器２６の直列回路と、制御回路１８とが並列に接続されている。また、切替制御手段３４を構成する第１抵抗器２４及び第２抵抗器２６の接続点３２は、ＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子Ｇ２に接続されている。
【００２８】
次に、この実施形態に係る電磁弁駆動制御装置１０の動作（前記電磁弁の駆動制御方法）について、図１及び図２のタイムチャートを参照しながら説明する。
【００２９】
この電磁弁駆動制御装置１０は、図２に示すように、予め定めた１つの駆動指令期間Ｔ内の所定の第１期間Ｔ１に駆動コイル１２（図１参照）に対して定格通電を行い、残りの第２期間Ｔ２に駆動コイル１２に対して省電力通電を行うことにより前記電磁弁を駆動する。
【００３０】
なお、実際上、電磁弁駆動制御装置１０は、駆動指令期間Ｔ及び該駆動指令期間Ｔ後の所定のオフ期間（前記電磁弁の停止期間）を１つのサイクル期間とし、複数のサイクル期間にて前記電磁弁の駆動を繰り返し行っているが、以下の説明では、前記１つのサイクル期間での電磁弁駆動制御装置１０の動作について説明する。
【００３１】
また、前記定格通電とは、第１期間Ｔ１において、ＭＯＳＦＥＴ１４（図２では第１ＭＯＳＦＥＴ）及びＭＯＳＦＥＴ１６（図２では第２ＭＯＳＦＥＴ）をオンにした状態（ＭＯＳＦＥＴ１４、１６のオンのデューティが１００％の状態）で、電源端子２８からＭＯＳＦＥＴ１６を介して駆動コイル１２に、該駆動コイル１２の定格電圧である電源電圧Ｖを印加して前記電磁弁を駆動（起動）させる通電方法をいう。
【００３２】
さらに、前記省電力通電とは、第１期間Ｔ１後の第２期間Ｔ２において、ＭＯＳＦＥＴ１６をオンにした状態で、ＭＯＳＦＥＴ１４がオン及びオフ（オフ期間Ｔ３及びオン期間Ｔ４）を繰り返し行うことにより、駆動コイル１２に対して前記定格通電よりも省電力で前記電磁弁を駆動（前記電磁弁の駆動状態を維持）させる通電方法をいう。
【００３３】
まず、時刻ｔ０において、外部から電源端子２８に電源電圧Ｖが供給され、制御入力端子３０の電位が低電位（例えば、アース電位）の駆動指令信号Ｓａであると、駆動指令期間Ｔが開始される。
【００３４】
駆動指令期間Ｔの開始により、電源端子２８から制御回路１８の電源入力端子Ｖｄｄ及び切替制御手段３４の第１抵抗器２４側には電源電圧Ｖが供給（印加）され、一方で、制御入力端子３０から制御入力端子Ｖｓｓ及び切替制御手段３４の第２抵抗器２６側には駆動指令信号Ｓａが供給される。この結果、制御回路１８は、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの第１期間Ｔ１において、駆動デューティ１００％の制御信号（Ｔ１のパルス幅を有するパルス信号）を生成してＭＯＳＦＥＴ１４のゲート端子Ｇ１に供給する。また、切替制御手段３４は、第１抵抗器２４及び第２抵抗器２６の各抵抗値に基づき電源電圧Ｖを分圧した接続点３２の電圧を制御信号とみなしてＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子Ｇ２に供給する（印加する）。
【００３５】
これにより、第１期間Ｔ１において、ＭＯＳＦＥＴ１４は、制御回路１８からゲート端子Ｇ１に供給された制御信号によりドレイン端子Ｄ１及びソース端子Ｓ１間を導通（オン）し、一方で、ＭＯＳＦＥＴ１６は、接続点３２からゲート端子Ｇ２に供給された制御信号によりソース端子Ｓ２及びソース端子Ｄ２間を導通（オン）する。この結果、電源端子２８からＭＯＳＦＥＴ１６を介して駆動コイル１２に電源電圧Ｖが印加され、該駆動コイル１２に対する定格通電が行われて、前記電磁弁は起動するに至る。
【００３６】
なお、図１中、電源端子２８からＭＯＳＦＥＴ１６、駆動コイル１２及びＭＯＳＦＥＴ１４を介して制御入力端子３０に至るＩ１の経路は、第１期間Ｔ１にて駆動コイル１２を流れる電流の経路を示している。また、第１期間Ｔ１は、駆動コイル１２に対する電源電圧Ｖの印加により前記電磁弁内の可動子が移動して固定鉄心に吸着することで該電磁弁が起動するのに十分な時間に設定されている。
【００３７】
次に、第１期間Ｔ１が終了した時刻ｔ１から時刻ｔ４までの第２期間Ｔ２において、制御回路１８は、オフ期間Ｔ３でのゲート端子Ｇ１に対する制御信号の供給停止と、オン期間Ｔ４でのゲート端子Ｇ１に対する制御信号の供給とを繰り返し行う、ＰＷＭ制御による省電力通電を行う。この場合、オフ期間Ｔ３は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの時間間隔をいい、オン期間Ｔ４は、時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間間隔をいい、従って、前記制御信号は、Ｔ４／（Ｔ３＋Ｔ４）のデューティを有する繰り返しパルス信号である。
【００３８】
オフ期間Ｔ３では、制御回路１８からゲート端子Ｇ１に制御信号が供給されないので、ＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン端子Ｄ１及びソース端子Ｓ１間はオンからオフに切り替って、駆動コイル１２への通電が停止する。この結果、駆動コイル１２、ＭＯＳＦＥＴ１６及びダイオード２０で構成される閉回路（図１のＩ２の経路で示す閉回路）内には、駆動コイル１２に蓄積された電磁弁の電磁エネルギーに起因する電流が流れ、該ダイオード２０を通じて前記電磁エネルギーが消費される。なお、オフ期間Ｔ３は、比較的に短く設定されているので、前記可動子は、前記固定鉄心への吸着が維持されるか、あるいは、前記固定鉄心からわずかに離間する程度とされる。
【００３９】
一方、オン期間Ｔ４においては、制御回路１８からゲート端子Ｇ１に制御信号が供給されるので、ＭＯＳＦＥＴ１４のドレイン端子Ｄ１及びソース端子Ｓ１間はオフからオンに切り替わって、駆動コイル１２への通電が再開し、駆動コイル１２に流れる電流は、図１のＩ１の経路で流れる。この場合、前記可動子の前記固定鉄心への吸着が維持され、又は前記固定鉄心からわずかに離間し、あるいは離間しそうになった前記可動子が再び前記固定鉄心に吸着されることとなる。
【００４０】
このようなオフ期間Ｔ３及びオン期間Ｔ４での一連の動作が時刻ｔ１から時刻ｔ４まで（駆動指令期間Ｔが終了するまで）繰り返されることにより、駆動コイル１２に対する省電力通電が行われて、前記電磁弁の駆動状態が維持される。なお、この第２期間Ｔ２は、前記電磁弁の制御対象（流体機器）の駆動時間に応じて任意に設定することができる。また、第２期間Ｔ２においても、電源端子２８から切替制御手段３４に電源電圧Ｖが引き続き供給されているので、ＭＯＳＦＥＴ１６は、オンの状態を維持することになる（図２参照）。
【００４１】
そして、時刻ｔ４において、外部から電源端子２８への電源電圧Ｖの供給が停止すると、制御回路１８の電源入力端子Ｖｄｄ及び切替制御手段３４の第１抵抗器２４側への電源電圧Ｖの供給も停止するので、制御回路１８及び切替制御手段３４での各制御信号の生成及び前記各制御信号のゲート端子Ｇ１、Ｇ２への供給も停止する。この結果、ＭＯＳＦＥＴ１４、１６は、オンからオフに切り替わり、駆動コイル１２への通電が停止するに至る。該駆動コイル１２に対する通電の停止によって、駆動コイル１２には、前記電磁エネルギーに起因した電源電圧Ｖよりも大きな逆起電力が発生する。
【００４２】
ここで、バリスタ２２には、電源電圧Ｖよりも大きな電圧が印加されると該バリスタの抵抗値が直ちに低下して導通するような酸化亜鉛バリスタが採用されているので、ＭＯＳＦＥＴ１６のオフにより駆動コイル１２及びバリスタ２２の並列回路に発生する電圧が電源電圧Ｖよりも大きな前記逆起電力であれば、バリスタ２２の抵抗値は時刻ｔ４の時点で直ちに低下し、この結果、該バリスタ２２は導通状態となって、前記逆起電力に起因した電流は、駆動コイル１２及びバリスタ２２で構成される閉回路（図１のＩ３の経路で示す閉回路）内を流れる。従って、前記電磁エネルギーは、バリスタ２２にて熱エネルギーとして消費され、この結果、前記電流は、時刻ｔ４から時刻ｔ５の移行期間Ｔ５（図２にて斜線で示す期間）内で短時間で０レベルにまで減少する。この結果、前記可動子は前記固定鉄心から直ちに離間し、前記電磁弁は急速に停止状態に至る。
【００４３】
なお、電磁弁及び制御回路１８の構成及び動作は公知（例えば、特開２００７−２４２８１号公報及び特開２００７−１７７８１８号公報）であるので、この明細書においては、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
次に、この実施形態に係る電磁弁駆動制御装置１０及び電磁弁の駆動制御方法の効果について説明する。
【００４５】
図３は、従来技術（比較例）に係る電磁弁駆動制御装置４０の回路図であり、図４は、電磁弁駆動制御装置４０による電磁弁の駆動制御のタイムチャートである。なお、図３及び図４において、図１及び図２と同じ構成要素については同一の参照符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００４６】
比較例に係る電磁弁駆動制御装置４０では、時刻ｔ４にてＭＯＳＦＥＴ１４をオフして駆動コイル１２に対する通電を停止した際に、駆動コイル１２に発生する逆起電力に起因した電流は、駆動コイル１２及びダイオード２０で構成される閉回路（図３のＩ２の経路で示す閉回路）内を流れる。この場合、前記電流はダイオード２０を通じて流れ、前記電磁弁の電磁エネルギーは、前記閉回路内で消費されることになるので、比較的に長時間（時刻ｔ４から時刻ｔ６までの移行期間Ｔ６であり、図４にて斜線で示す期間）にわたって前記電流が前記閉回路内を流れ続けて、前記電磁弁の駆動停止に係る応答遅れが発生する。
【００４７】
これに対して、この実施形態では、電磁弁駆動制御装置１０（図１参照）は、電磁弁の駆動コイル１２に直列に接続されたＭＯＳＦＥＴ１６と、駆動コイル１２に並列に接続されたバリスタ２２と、駆動コイル１２及びＭＯＳＦＥＴ１６に並列に接続されたダイオード２０とを有し、ＭＯＳＦＥＴ１６がオンの状態で駆動コイル１２に通電して前記電磁弁を駆動させた（駆動指令期間Ｔ）後にＭＯＳＦＥＴ１６をオフするようにしている。
【００４８】
この場合、バリスタ２２は、該バリスタ２２に印加される電圧の大きさによって抵抗値が変化する電圧依存性抵抗器であるので、ＭＯＳＦＥＴ１６のオフに起因して駆動コイル１２に比較的に大きな逆起電力が発生した際に、前記抵抗値が前記逆起電力により直ちに低下してバリスタ２２が導通するに至る。これにより、前記逆起電力に起因した電流は、駆動コイル１２及びバリスタ２２により構成される閉回路（図１のＩ３の経路で示す閉回路）内を流れることになる。
【００４９】
すなわち、この実施形態では、前記電流は、比較例のような駆動コイル１２及びダイオード２０で構成される閉回路（図３のＩ２の経路で示す閉回路）ではなく、駆動コイル１２及びバリスタ２２で構成される閉回路内を流れることになるので、前記電磁弁に蓄えられた電磁エネルギー（前記逆起電力に応じた電磁エネルギー）は、バリスタ２２において熱エネルギーとして消費される。この結果、比較例と比較して、短時間（Ｔ５＜Ｔ６）で前記電流を０レベルにまで減少させることができる。
【００５０】
従って、この実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ１６のオフと前記逆起電力に応じたバリスタ２２の導通とによって、前記電磁弁の駆動停止時に前記逆起電力に起因した前記電流がダイオード２０を流れないようにすることで、より簡単な回路構成で前記電磁弁の駆動停止に係る応答性を向上させることができる。
【００５１】
また、電磁弁駆動制御装置１０は、ＭＯＳＦＥＴ１６を介して駆動コイル１２に電源電圧Ｖを供給する電源端子２８と、該電源端子２８に接続され且つ電源電圧Ｖに基づいてＭＯＳＦＥＴ１６のオン又はオフを制御する切替制御手段３４とをさらに有するので、ＭＯＳＦＥＴ１６がオンしている間（駆動指令期間Ｔ）は、電源端子２８からＭＯＳＦＥＴ１６を介し駆動コイル１２に電源電圧Ｖを供給して（通電して）前記電磁弁を駆動させることが可能になると共に、切替制御手段３４に電力供給を行う端子及び駆動コイル１２に通電を行う端子として電源端子２８を共用化することができる。
【００５２】
さらに、ＭＯＳＦＥＴ１６は、切替制御手段３４からの制御信号に基づいて電源端子２８及び駆動コイル１２間をオン又はオフしているので、オン又はオフの制御を容易に行うことができると共に、低コストで電磁弁駆動制御装置１０を製造することができる。
【００５３】
さらにまた、第１抵抗器２４及び第２抵抗器２６により切替制御手段３４が構成されるので、より簡単な回路構成で且つ低コストで電磁弁駆動制御装置１０を実現することができる。また、接続点３２の電圧をゲート端子Ｇ２に供給する制御信号とみなすので、該制御信号を容易に生成することができる。なお、この実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ１６によるオン又はオフについて説明したが、前記電圧を前記制御信号とするので、ＭＯＳＦＥＴ１６を他の電圧制御型の半導体素子（例えば、ＦＥＴ）に代替しても、この実施形態に係る効果が容易に得られることは勿論である。
【００５４】
そして、バリスタ２２は、駆動コイル１２及びバリスタ２２の並列回路における電圧が電源電圧Ｖよりも高いときに導通するので、電源端子２８からＭＯＳＦＥＴ１６を介して駆動コイル１２に電源電圧Ｖを供給して前記電磁弁を駆動している最中に、バリスタ２２が導通して電流が駆動コイル１２及びバリスタ２２で構成される閉回路内を流れることを確実に阻止することができると共に、ＭＯＳＦＥＴ１６のオフによって電源電圧Ｖよりも大きな逆起電力が駆動コイル１２に発生したときに、バリスタ２２が直ちに導通して前記閉回路内に前記電流を確実に流すことができる。
【００５５】
また、バリスタ２２として酸化亜鉛バリスタを採用することが好ましい。該酸化亜鉛バリスタは、市場に広く流通している電子部品であり、入手も容易であるので、より低コストで電磁弁駆動制御装置１０を製造することができる。
【００５６】
なお、この発明は、上述の実施形態に限らず、この明細書及び図面の記載内容に基づき、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】この実施形態に係る電磁弁駆動制御装置の回路図である。
【図２】図１の電磁弁駆動制御装置による電磁弁の駆動制御を示すタイムチャートである。
【図３】比較例に係る電磁弁駆動制御装置の回路図である。
【図４】図３の電磁弁駆動制御装置による電磁弁の駆動制御を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
【００５８】
１０、４０…電磁弁駆動制御装置        １２…駆動コイル
１４、１６…ＭＯＳＦＥＴ              １８…制御回路
２０…ダイオード                      ２２…バリスタ
２４…第１抵抗器                      ２６…第２抵抗器
２８…電源端子                        ３０…制御入力端子
３２…接続点                          ３４…切替制御手段
【図１】
2009228709.tif 000003
【図２】
2009228709.tif 000004
【図３】
2009228709.tif 000005
【図４】
2009228709.tif 000006