(57)【要約】【課題】少なくとも増幅部毎又は処理部毎の特性を良好に補完することができ、高精度な放射線画像情報を得ることを可能にする。【解決手段】電荷検出回路５７は、信号線５６から供給される電荷情報を積分し電圧信号として検出するもので、増幅部であるオペアンプ６６、積分コンデンサ６８及びスイッチ７０と、前記電荷検出回路５７の温度を検出する温度センサ７２と、検出された温度に基づいて、予め設定された補完値により電荷検出回路５７の出力値を補完する制御回路７４と、前記出力値に補完値を加算する加算回路７６とを備える。【選択図】図４
2009207520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の放射線画像情報を電気信号に変換する放射線画像検出器と、
前記放射線画像検出器により変換された前記電気信号を増幅する増幅部と、
増幅された前記電気信号を処理する処理部と、
少なくとも前記増幅部又は前記処理部の温度を検出する温度検出部と、
を備える放射線画像撮影装置であって、
少なくとも前記増幅部又は前記処理部から得られる出力値を、前記温度検出部の検出温度に基づいて、予め設定された補完値により補完する制御部を備えることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
請求項１記載の放射線画像撮影装置において、前記制御部は、少なくとも前記増幅部又は前記処理部の温度に対する特性を、当該特性を示す一次関数の傾き及び切片を用いて記憶するテーブルを有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の放射線画像撮影装置において、前記補完値による補完は、１５℃〜４５℃の範囲内の温度条件下で行われることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置において、前記放射線画像検出器は、前記被写体を透過した放射線を電荷情報として蓄積する放射線固体検出器であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体の放射線画像情報を電気信号に変換して撮影する放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、医療分野においては、放射線源から放射線を被写体（患者）に照射し、被写体を透過した放射線を放射線画像検出器で検出して放射線画像情報を取得する放射線画像撮影装置が広汎に使用されている。
【０００３】
放射線画像検出器としては、複数の光電変換素子及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が配設される方式や光読み出し方式の他、光変換方式又は直接変換方式の放射線固体検出器等が使用されている。
【０００４】
特に、最近注目されているＤＲ（Digital Radiography）方式では、放射線を感知して電荷を発生させるアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）等の物質を用いたフラットパネル型放射線検出器（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）（以下、デバイスという）と、前記デバイスから出力された微小な電気信号（電荷）を増幅する増幅器（以下、ＡＳＩＣという）と、増幅された前記電気信号を処理する処理部（例えば、Ａ／Ｄ変換器）とを備えている。
【０００５】
上記の方式は、従来のＣＲ（Computed Radiography）方式と比較して、扱われる電荷が微小であるため、デバイスやＡＳＩＣのわずかな温度変化が出力画像に影響を与えてしまう。このため、デバイスやＡＳＩＣの温度変化に対して、安定した出力画像を得ることが望まれている。
【０００６】
そこで、特に増幅器の温度変化に対して安定した画像信号の取得を図るために、例えば、特許文献１に開示された放射線撮像装置が知られている。この放射線撮像装置は、図９に示すように、光電変換素子とＴＦＴとを内包する変換手段である画素が複数形成されたガラスを材質とするセンサ基板１を備えており、このセンサ基板１には、蛍光体２が積層されている。
【０００７】
センサ基板１に接続されるフレキシブル基板３には、増幅手段である検出用集積回路ＩＣが実装されるとともに、前記フレキシブル基板３が信号処理回路基板４に接続されている。ＩＣには、このＩＣ自体が発する熱量を放熱する冷却フィン５が熱伝達部材６を介装して配設されている。冷却フィン５は、フレキシブル基板３のＩＣを実装した面とは逆の面に弾性体７及び固定板８を配設した状態で、スリーブ９によって保持されている。
【０００８】
また、特許文献２に開示された放射線検出器では、ＦＰＤ本体の温度を検出する温度センサと、この温度センサの検出温度に応じて、前記ＦＰＤ本体を所望の温度とするように制御する温度コントローラと、この温度コントローラの制御下で、前記ＦＰＤ本体を冷却あるいは加熱する温度保持部と、前記温度保持部による冷却あるいは加熱の効果を促進させるためのファンとを備えている。
【０００９】
さらに、特許文献３に開示された放射線撮影装置では、放射線を発生する放射線発生手段と、該放射線発生手段から発生し被写体を透過した放射線を検出する放射線検出手段と、該放射線検出手段からの出力を前記被写体の放射線画像として表示する画像表示手段とを備え、前記放射線検出手段は複数の光電変換素子を二次元的に配置してなる放射線検出面と、該放射線検出面からの出力を増幅する検出用集積回路と、該検出用集積回路からの出力を処理する信号処理手段とを有する放射線撮影装置において、前記放射線検出面の周辺には、前記検出用集積回路又は前記信号処理手段で発生した熱が前記放射線検出面に伝達することを遮断する断熱手段を設けている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−２２８４１号公報
【特許文献２】特開２００３−１４８６０号公報
【特許文献３】特開２０００−１１６６３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上記の特許文献１〜３では、温度を一定化することにより、検出特性の安定化を図ることを目的としている。しかしながら、通常、デバイスには、複数のＡＳＩＣ及び前記ＡＳＩＣの配列状態に応じて対をなすＡ／Ｄ変換器等が取り付けられており、上記の特許文献１〜３では、安定した画像を得ることができない。
【００１２】
例えば、特許文献１に開示された放射線撮像装置は、図１０に示すように、センサ基板１の一方の端部に複数のフレキシブル基板３が接続されるとともに、前記センサ基板１の他方の端部には、複数のフレキシブル基板３ａが接続されている。各フレキシブル基板３、３ａには、ＩＣが実装され、さらに、各フレキシブル基板３が一方の信号処理回路基板に接続されるとともに、各フレキシブル基板３ａが他方の信号処理回路基板に接続されている。
【００１３】
その際、各ＡＳＩＣ（ＩＣ）のゲイン量及び各Ａ／Ｄ変換器（信号処理回路基板４）の特性の絶対値は、それぞれ異なるとともに、前記ＡＳＩＣのゲイン量及び前記Ａ／Ｄ変換器の変換の特性は、それぞれ温度によって変化している。このため、Ａ／Ｄ変換後の信号を画像として表示すると、ＡＳＩＣ毎、すなわちＩＣ毎にゼブラ状のアーチファクトが形成されてしまい、良好な画像を得ることができないという問題がある。
【００１４】
また、図１１に示すように、センサ基板１の一辺側に複数のフレキシブル基板３が接続されるとともに、前記センサ基板１の前記一辺に直交する他辺側に複数のフレキシブル基板３ｂが接続される場合がある。このセンサ基板１では、互いに交差するＡＳＩＣ毎に格子状のアーチファクトが形成されてしまう。これにより、良好な画像が得られないという問題がある。
【００１５】
本発明は、前記の不具合に鑑みなされたものであり、少なくとも増幅部毎又は処理部毎の特性を良好に補完することができ、高精度な放射線画像情報を得ることが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、被写体の放射線画像情報を電気信号に変換する放射線画像検出器と、前記放射線画像検出器により変換された前記電気信号を増幅する増幅部と、増幅された前記電気信号を処理する処理部と、少なくとも前記増幅部又は前記処理部の温度を検出する温度検出部とを備える放射線画像撮影装置に関するものである。
【００１７】
この放射線画像撮影装置は、少なくとも増幅部又は処理部から得られる出力値を、温度検出部の検出温度に基づいて、予め設定された補完値により補完する制御部を備えている。
【００１８】
また、制御部は、少なくとも増幅部又は処理部の温度に対する特性を、当該特性を示す一次関数の傾き及び切片を用いて記憶するテーブルを有することが好ましい。
【００１９】
さらに、補完値による補完は、１５℃〜４５℃の範囲内の温度条件下で行われることが好ましい。
【００２０】
さらにまた、放射線画像検出器は、被写体を透過した放射線を電荷情報として蓄積する放射線固体検出器であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、少なくとも増幅部又は処理部から得られる出力値を、温度検出部の検出温度に基づいて、予め設定された補完値により補完している。このため、各増幅部毎又は各処理部毎の特性の絶対値及び温度による変化を、良好に補完することができる。これにより、得られる画像にアーチファクトが形成されることがなく、高品質な画像を確実に得ることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の実施形態に係る放射線画像撮影装置２０の構成ブロック図である。
【００２３】
放射線画像撮影装置２０は、放射線Ｘを発生させて被写体２２に照射する放射線発生装置２４と、前記被写体２２を透過した放射線Ｘを検出する放射線固体検出器２６（放射線画像検出器）と、前記放射線発生装置２４及び前記放射線固体検出器２６を制御する制御装置２８と、前記被写体２２に対する放射線Ｘの照射線量等の撮影条件を前記制御装置２８に設定するコンソール３０と、前記放射線固体検出器２６から読み出した該被写体２２の放射線画像情報に対して所定の画像処理を施す画像処理装置３２と、処理された放射線画像情報を表示する表示装置３４とを備える。
【００２４】
図２は、放射線固体検出器２６の概略構成斜視図である。放射線固体検出器２６は、保護ケース３６に収納され、被写体２２を透過した放射線Ｘに係る放射線画像情報を二次元の電荷情報として蓄積するセンサ基板３８と、前記センサ基板３８を構成する各画素５０に接続されるゲート線を駆動するゲート線駆動回路を構成する複数の駆動用ＩＣ４０と、駆動状態にあるゲート線が接続される各画素５０より信号線を介して電荷情報を読み出す信号読出回路を構成する複数の読出用ＩＣ４２とを備える。
【００２５】
図３は、放射線固体検出器２６の回路構成ブロック図である。放射線固体検出器２６は、センサ基板３８と、複数の駆動用ＩＣ４０からなるゲート線駆動回路４４と、複数の読出用ＩＣ４２からなる信号読出回路４６と、前記ゲート線駆動回路４４及び前記信号読出回路４６を制御するタイミング制御回路４８とを備える。
【００２６】
センサ基板３８は、放射線Ｘを感知して電荷を発生させるアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）等の物質からなる光電変換層５１を行列状の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）５２のアレイの上に配置した構造を有し、発生した電荷を蓄積容量５３に蓄積した後、各行毎に前記ＴＦＴ５２を順次オンにして、電荷を画像信号として読み出す。図３では、光電変換層５１及び蓄積容量５３からなる１つの画素５０と１つのＴＦＴ５２との接続関係のみを示し、その他の画素５０の構成については省略している。
【００２７】
なお、アモルファスセレンは、高温になると構造が変化して機能が低下してしまうため、所定の温度範囲内で使用する必要がある。各画素５０に接続されるＴＦＴ５２には、行方向と平行に延びるゲート線５４と、列方向と平行に延びる信号線５６とが接続される。各ゲート線５４は、ゲート線駆動回路４４に接続され、各信号線５６は、信号読出回路４６に接続される。
【００２８】
図４は、複数の読出用ＩＣ４２によって構成される信号読出回路４６の詳細ブロック図である。信号読出回路４６は、センサ基板３８の各信号線５６に接続される電荷検出回路５７を備える。複数の電荷検出回路５７は、タイミング制御回路４８からのタイミング制御信号に基づき、信号線５６の１つに接続されている画素５０を選択するマルチプレクサ６０と、選択された画素５０から読み出した放射線画像情報をデジタル信号としての画像信号に変換し、画像処理装置３２に送信するＡ／Ｄ変換器(処理部)６２とに接続される。
【００２９】
電荷検出回路５７は、信号線５６から供給される電荷情報を積分し電圧信号として検出するもので、増幅部であるオペアンプ６６（積分アンプ）、積分コンデンサ６８及びスイッチ７０と、前記電荷検出回路５７の温度を検出する温度センサ(温度検出部)７２と、検出された温度に基づいて、予め設定された補完値により電荷検出回路５７の出力値を補完する制御回路（制御部）７４と、前記出力値に補完値を加算（減算も含む）する加算回路（補正回路）７６とを備える。
【００３０】
オペアンプ６６の反転入力端子には、信号線５６が接続され、オペアンプ６６の非反転入力端子には、基準電圧Ｖｂが供給される。温度センサ７２によって検出された各電荷検出回路５７の温度は、制御回路７４に供給される。制御回路７４は、温度センサ７２により検出された電荷検出回路５７の温度に基づいて、温度変動による各電荷検出回路５７の出力値の変動を補完するために、予め設定された補完値を、後述するように、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）に記憶しておく。
【００３１】
図５に示すように、センサ基板３８の両端には、信号線５６を有する複数のフレキシブル基板７７が接続される。一方（図５中、右側）の各フレキシブル基板７７は、一方のＡ／Ｄ変換器６２に接続されるとともに、他方（図５中、右側）の各フレキシブル基板７７は、他方のＡ／Ｄ変換器６２に接続される。各フレキシブル基板７７には、電荷検出回路５７が配設される。
【００３２】
センサ基板３８の近傍、前記センサ基板３８と電荷検出回路５７との間、前記電荷検出回路５７の近傍、前記電荷検出回路５７とＡ／Ｄ変換器６２との間、及び前記Ａ／Ｄ変換器６２の近傍には、温度検出部として温度センサ７８ａ、７８ｂ、７２、７８ｃ及び７８ｄが配設される。
【００３３】
図６は、読出用ＩＣ４２毎（具体的には、電荷検出回路５７毎）の温度に対する出力の関係、すなわち、温度特性が示されている。なお、便宜上、３つの電荷検出回路５７ａ、５７ｂ及び５７ｃを用いて説明する。
【００３４】
電荷検出回路５７ａ、５７ｂ及び５７ｃでは、θｍｉｎ〜θｍａｘの温度範囲で各出力の特性が、温度に対して略線形に変化する。各電荷検出回路５７ａ〜５７ｃは、基準温度θ2では、それぞれ異なる出力値（絶対値）を有するとともに、検出温度範囲θ1（１５℃）〜θ3（４５℃）間で、それぞれ所定の傾きを有する一次関数で表すことができる。
【００３５】
そこで、基準温度θ2における基準出力値ｂIDEALを設定し、この基準出力値ｂIDEALからの各電荷検出回路５７ａ〜５７ｎの出力値の差分ΔｂASIC_A、ΔｂASIC_B、ΔｂASIC_C、…ΔｂASIC_N（すなわち、切片）をルックアップテーブルに記憶しておく。これにより、実画像取得時には、温度に関係なく、上記の差分ΔｂASIC_Nを各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）毎の出力値に加算することにより、絶対値のずれが補完される。
【００３６】
次に、上記のように、絶対値のずれが補完されると、図７に示すように、各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）は、それぞれ温度によって変化する一次関数で表される。そして、温度θ1及びθ3の２点の代表温度における各出力値を測定し、各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）毎の一次関数の傾きａASIC_Nをルックアップテーブルに記憶する。すなわち、各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）の温度に対する特性は、当該特性を示す一次関数の傾きａASIC_N及び切片を用いてルックアップテーブルに記憶される。
【００３７】
温度θでの実画像取得時には、各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）毎の出力値に対して、ａASIC_N（θ2−θ）の値を加算させることで、特性による各出力値のずれが補完される。
【００３８】
従って、ルックアップテーブルに記憶する値は、各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）毎にａASIC_NとΔｂASIC_Nとなり、実画像取得時の温度（θ）検出結果に対して、ａASIC_N（θ2−θ）＋ΔｂASIC_Nを加算させることにより、各電荷検出回路５７（ａ〜ｎ）毎のずれを補完した出力値が得られる。なお、対をなすＡ／Ｄ変換器６２では、それぞれ温度センサ７８ｄを設け、上記の電荷検出回路５７と同様に、前記Ａ／Ｄ変換器６２の温度に対する補完を行うことができる。
【００３９】
さらにまた、読出用ＩＣ４２とＡ／Ｄ変換器６２との間に配置されている温度センサ７８ｃにより、電荷検出回路５７及び前記Ａ／Ｄ変換器６２を一体として１つの１次関数で補完してもよい。また、便宜上、温度θ1と温度θ2とを個別の温度として説明したが、測定回数を減少させるために、温度θ1＝温度θ2であってもよい。
【００４０】
本実施形態の放射線画像撮影装置２０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について説明する。
【００４１】
先ず、図１に示すように、コンソール３０を用いて、被写体２２に係るＩＤ情報、撮影条件等の設定を行う。この場合、ＩＤ情報には、被写体２２の氏名、年齢、性別等の情報があり、被写体２２が所持するＩＤカードから取得することもできる。また、撮影条件としては、医師によって指示された撮影部位、撮影方向等の情報に加え、撮影部位に応じた放射線Ｘの照射線量があり、ネットワークに接続された上位の装置から取得し、あるいは、コンソール３０から放射線技師が入力することが可能である。
【００４２】
次に、放射線固体検出器２６に対して被写体２２の撮影部位を位置決めした後、制御装置２８は、設定された撮影条件に従って放射線発生装置２４を制御し、放射線Ｘを被写体２２に照射する。被写体２２を透過した放射線Ｘは、放射線固体検出器２６のセンサ基板３８を構成する各画素５０の光電変換層５１によって電気信号に変換され、蓄積容量５３に電荷として蓄積される（図３）。
【００４３】
次いで、各蓄積容量５３に蓄積された被写体２２の放射線画像情報である電荷情報は、タイミング制御回路４８からゲート線駆動回路４４及び信号読出回路４６に供給されるタイミング制御信号に従って、読み出される。
【００４４】
すなわち、ゲート線駆動回路４４は、タイミング制御回路４８からのタイミング制御信号に従ってゲート線５４の１つを選択し、選択されたゲート線５４に接続されている各ＴＦＴ５２のベースに駆動信号を供給する。一方、信号読出回路４６は、タイミング制御回路４８からのタイミング制御信号に従い、電荷検出回路５７に接続されている信号線５６をマルチプレクサ６０により行方向に順次切り替えながら選択する。
【００４５】
選択されたゲート線５４及び信号線５６に対応する画素５０の蓄積容量５３に蓄積された放射線画像情報に係る電荷情報は、図４に示すように、オペアンプ６６及び積分コンデンサ６８によって積分された後、加算回路７６及びマルチプレクサ６０を介してＡ／Ｄ変換器６２に供給され、デジタル信号である画像信号として画像処理装置３２に供給される。
【００４６】
行方向に配列された各画素５０から画像信号が読み出された後、ゲート線駆動回路４４は、列方向の次のゲート線５４を選択して駆動信号を供給し、信号読出回路４６は、選択されたゲート線５４に接続されたＴＦＴ５２から同様にして画像信号を読み出す。以上の動作を繰り返すことにより、センサ基板３８に蓄積された二次元の放射線画像情報が読み出され、画像処理装置３２に供給される。
【００４７】
ここで、信号読出回路４６を構成する各電荷検出回路５７に近接して配設されている温度センサ７２は、前記電荷検出回路５７の温度を検出して制御回路７４に供給する。制御回路７４は、検出された温度に基づき、電荷検出回路５７の温度による出力変動を補完するために、予め設定された補完値をルックアップテーブルから読み出して、加算回路７６に供給する。
【００４８】
具体的に、図６及び図７に示す電荷検出回路５７ａについて説明すると、この電荷検出回路５７ａは、基準温度θ2における出力値ｂASIC_Aθ2は、基準出力値ｂIDEALからΔｂASIC_Aの差分を有している。従って、電荷検出回路５７ａの出力値ｂASIC_Aθ2に差分ΔｂASIC_Aを加算することにより、前記電荷検出回路５７ａの絶対値のずれが補完される。
【００４９】
次いで、温度センサ７２により温度θが検出されると、この温度θに対する電荷検出回路５７ａの出力値ｂASIC_Aθは、ｂASIC_Aθ＝ｂASIC_Aθ2−ａASIC_A（θ2−θ）となる。このため、電荷検出回路５７ａでは、基準温度θ2における出力値ｂASIC_Aθ2に対して、ａASIC_A（θ2−θ）だけ減少することになる。このａASIC_A（θ2−θ）を電荷検出回路５７ａの出力値ｂASIC_Aθ2に加算することにより、前記電荷検出回路５７ａの特性による出力値のずれが補完される。
【００５０】
結果的に、制御回路７４では、電荷検出回路５７ａの一次関数の傾きａASIC_A（θ2−θ）と、基準出力値ｂIDEALからの差分ΔｂASIC_Aとがルックアップテーブルに記憶されている。そして、温度θにおける電荷検出回路５７ａの出力値に、ａASIC_A（θ2−θ）＋ΔｂASIC_Aを加算することにより、前記電荷検出回路５７ａの正確な出力値を得ることが可能になる。
【００５１】
一方、他の電荷検出回路５７ｂ〜５７ｎにおいても同様に、それぞれの特性の絶対値及び特性の温度に対する一次関数に基づいて設定された各補完値を用い、出力値の補完が行われることにより、正確な出力値を得ることができる。
【００５２】
これにより、画像処理装置３２に供給された放射線画像情報は、画像にすることによって各電荷検出回路５７毎にゼブラ状（又は格子状）のアーチファクトが形成されることがなく、高品質な画像を確実に得ることが可能になるという効果が得られる。
【００５３】
以上のようにして補完され、画像処理装置３２に供給された放射線画像情報は、所定の画像処理が施された後、診断等のために表示装置３４に表示される。この場合、温度変動の影響のない高精度な画像に基づき、診断等の処理を行うことができる。
【００５４】
図８は、電荷検出回路５７によって検出された電荷情報を、Ａ／Ｄ変換器６２によってデジタル信号である画像信号に変換し、その画像信号を、温度センサ７８ｄによって検出した前記Ａ／Ｄ変換器６２の温度に従い、補正回路８０で補正する構成を示す。
【００５５】
この場合、補正回路８０では、検出された温度に対して、Ａ／Ｄ変換器６２の特性の絶対値及び特性の温度による変化を補完するための補完値（一次関数）を設定したルックアップテーブルを用いて、画像信号を補完することができる。また、補正回路８０は、図４に示す制御回路７４及び加算回路７６と併用することが可能である。これにより、一層高精度な画像を確実に得ることができる。
【００５６】
さらにまた、ＴＦＴ５２を用いた放射線固体検出器２６に代えて、放射線画像情報を静電潜像として蓄積し、読取用電磁波を照射することで静電潜像が電荷情報として読み出されるセンサ基板を用いた放射線固体検出器を使用することができる。
【００５７】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で自由に変更できることは勿論である。
【００５８】
例えば、照射された放射線Ｘを直接電荷情報に変換する放射線固体検出器２６等に代えて、シンチレータによって放射線Ｘを一旦可視光に変換し、その可視光を電荷情報に変換する構成からなる放射線検出器を利用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係る放射線画像撮影装置の構成ブロック図である。
【図２】図１に示す放射線固体検出器の概略構成斜視図である。
【図３】前記放射線固体検出器の回路構成ブロック図である。
【図４】図３に示す信号読出回路の詳細ブロック図である。
【図５】前記放射線固体検出器に配置される温度センサの説明図である。
【図６】ＡＳＩＣ毎の出力特性の説明図である。
【図７】前記ＡＳＩＣ毎の出力値補完の説明図である。
【図８】図３に示す信号読出回路の他の構成の詳細ブロック図である。
【図９】特許文献１に係る放射線画像検出器の概略構成図である。
【図１０】従来の放射線画像検出器のアーチファクトの説明図である。
【図１１】他の従来の放射線画像検出器のアーチファクトの説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
２０…放射線画像撮影装置            ２２…被写体
２４…放射線発生装置                ２６…放射線固体検出器
３２…画像処理装置                  ３８…センサ基板
４０…駆動用ＩＣ                    ４２…読出用ＩＣ
４４…ゲート線駆動回路              ４６…信号読出回路
５０…画素                          ５１…光電変換層
５２…ＴＦＴ                        ５７、５７ａ〜５７ｎ…電荷検出回路
６２…Ａ／Ｄ変換器                  ７２…温度センサ
７４…制御回路                      ７６…加算回路
７８ａ〜７８ｄ…温度センサ          ８０…補正回路
【図１】
2009207520.tif 000003
【図２】
2009207520.tif 000004
【図３】
2009207520.tif 000005
【図４】
2009207520.tif 000006
【図５】
2009207520.tif 000007
【図６】
2009207520.tif 000008
【図７】
2009207520.tif 000009
【図８】
2009207520.tif 000010
【図９】
2009207520.tif 000011
【図１０】
2009207520.tif 000012
【図１１】
2009207520.tif 000013