(57)【要約】【課題】ハードマスクを必要とせずに、微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】エッチングのマスクとなる所定形状のパターンを形成する方法であって、酸発生剤を含む化学増幅型レジストをパターニングして第１パターン１０６を形成する工程と、塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターン１０６に接触させて溶剤耐性及び現像液耐性を有する第１パターン１０７を形成する工程と、酸発生剤を含む化学増幅型レジストをパターニングして第２パターン１０８を形成する工程を具備している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の被エッチング層をエッチングするマスクとなる所定形状のパターンを形成するパターン形成方法であって、
酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第１パターンを形成する第１パターン形成工程と、
塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターンに接触させて当該第１パターンに溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、
酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第２パターンを形成する第２パターン形成工程と
を具備したことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のパターン形成方法であって、
前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程は、紫外線照射を行う工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載のパターン形成方法であって、
前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、前記第２パターン形成工程との間に、加熱行程を具備したことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載のパターン形成方法であって、
前記塩基性溶液又は塩基性ガスが、アミン系材料を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
基板上の被エッチング層をマスクを介してエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法であって、
酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第１パターンを形成する第１パターン形成工程と、
塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターンに接触させて当該第１パターンに溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、
酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第２パターンを形成する第２パターン形成工程と
を具備したパターン形成方法によって前記マスクが形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程は、紫外線照射を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法であって、
前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、前記第２パターン形成工程との間に、加熱行程を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５〜７いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記塩基性溶液又は塩基性ガスが、アミン系材料を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上の被エッチング層をエッチングするためのマスクを形成する半導体装置の製造装置であって、
酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第１パターンを形成する第１パターン形成手段と、
塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターンに接触させて当該第１パターンに溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与手段と、
酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第２パターンを形成する第２パターン形成手段と
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板にプラズマエッチング等のエッチング処理を施す際に使用するエッチングマスクを形成するためのパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置等の製造工程においては、半導体ウエハ等の基板にプラズマエッチング等のエッチング処理を施して、微細な回路パターン等を形成することが行われている。このようなエッチング処理工程では、フォトレジストを用いたフォトリソグラフィー工程によって、マスクを形成することが行われている。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィー工程では、形成するパターンの微細化に対応するため、種々の技術が開発されている。その一つとして、所謂ダブルパターニングがある。このダブルパターニングは、フォトレジストを塗布、露光、現像して第１パターン形成する第１リソグラフィー工程とエッチング工程によってアモルファスカーボン等のハードマスクからなる第１のパターンを形成し、この第１リソグラフィー工程の後に再度フォトレジストを塗布、露光、現像して第２パターン形成する第２リソグラフィー工程の２段階のパターニングを行うことによって、１回のパターニングでマスクを形成する場合より微細な間隔のマスクを形成できるようにしたものである（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】米国特許第７０６４０７８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したとおり、従来のダブルパターニング技術では、ハードマスクを用いることによって、２度のリソグラフィー工程を可能としている。このため、ハードマスクとなるアモルファスカーボン層等の成膜行程や、このアモルファスカーボン層等のエッチング行程が必要となり、工程が複雑になり、半導体装置の製造コストが増大するという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記の従来の事情に対処してなされたもので、ハードマスクを必要とせずに、微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、基板上の被エッチング層をエッチングするマスクとなる所定形状のパターンを形成するパターン形成方法であって、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第１パターンを形成する第１パターン形成工程と、塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターンに接触させて当該第１パターンに溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第２パターンを形成する第２パターン形成工程とを具備したことを特徴とする。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１記載のパターン形成方法であって、前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程は、紫外線照射を行う工程を含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載のパターン形成方法であって、前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、前記第２パターン形成工程との間に、加熱行程を具備したことを特徴とする。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項１〜３いずれか１項記載のパターン形成方法であって、前記塩基性溶液又は塩基性ガスが、アミン系材料を含むことを特徴とする。
【００１０】
請求項５の発明は、基板上の被エッチング層をマスクを介してエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法であって、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第１パターンを形成する第１パターン形成工程と、塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターンに接触させて当該第１パターンに溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第２パターンを形成する第２パターン形成工程とを具備したパターン形成方法によって前記マスクが形成されることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程は、紫外線照射を行う工程を含むことを特徴とする。
【００１２】
請求項７の発明は、請求項５又は６記載の半導体装置の製造方法であって、前記溶剤耐性及び現像液耐性付与工程と、前記第２パターン形成工程との間に、加熱行程を具備したことを特徴とする。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項５〜７いずれか１項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記塩基性溶液又は塩基性ガスが、アミン系材料を含むことを特徴とする。
【００１４】
請求項９の発明は、基板上の被エッチング層をエッチングするためのマスクを形成する半導体装置の製造装置であって、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第１パターンを形成する第１パターン形成手段と、塩基性溶液又は塩基性ガスを前記第１パターンに接触させて当該第１パターンに溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与手段と、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布、露光、現像して第２パターンを形成する第２パターン形成手段とを具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ハードマスクを必要とせずに、微細なパターンを高精度で形成することができ、従来に比べて工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることのできるパターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の詳細を、図面を参照して実施の形態について説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る基板の一部を拡大して模式的に示し、本実施形態の工程を示すもので、図２は、本実施形態の工程を示すフローチャートである。図１に示すように、基板１０１には、下層膜１０２、ポリシリコン層１０３、ハードマスク層１０４、ＢＡＲＣ（反射防止膜）１０５等の層が下側からこの順で形成されている。
【００１８】
まず、図１（ａ）に示すように、ＢＡＲＣ（反射防止膜）１０５の上に、酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布し、露光、現像を行うことによって、所定のパターンにパターニングされた第１パターン１０６を形成する第１パターン形成工程を行う（図２のステップ２０１）。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、塩基性溶液又は塩基性ガスを第１パターン１０６に接触させて当該第１パターン１０６に溶剤耐性及び現像液耐性を付与し、溶剤耐性及び現像液耐性を有する第１パターン１０７とする溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を行う（図２のステップ２０２）。この溶剤耐性及び現像液耐性付与工程では、上記の塩基性溶液又は塩基性ガスとして、例えばアミン系材料（例えば、ＮＨ3，（Ｃ2Ｈ5）3Ｎ，Ｃ6Ｈ12Ｎ4，Ｃ6Ｈ11ＮＨＣ6Ｈ11等）の溶液又はガス等を使用することができる。このように、塩基性溶液又は塩基性ガスを第１パターン１０６に接触させることにより、化学増幅型レジストの酸発生剤の作用を阻害することができ、後述する第２パターン形成工程を実施しても、第１パターン１０６が溶剤又は現像液に溶解してしまうことを防止することができる。なお、溶剤耐性及び現像液耐性を有する第１パターン１０７は、少なくとも第１パターン１０６の表面部分を覆うように設けられていれば良いが、パターン全体を、溶剤耐性及び現像液耐性を有する第１パターン１０７としても良い。
【００２０】
なお、溶剤耐性及び現像液耐性付与工程では、上記のような塩基性溶液又は塩基性ガスとの接触と、紫外線照射とを併用することもできる。紫外線照射は、化学増幅型レジストの酸発生剤から酸を発生させるためのもので、この発生させた酸を塩基性溶液又は塩基性ガスによって中和することにより、第１パターン１０６の溶剤耐性及び現像液耐性を強化することができる。この紫外線照射は、塩基性溶液又は塩基性ガスとの接触と同時に行うか、又は塩基性溶液又は塩基性ガスとの接触の前後に行う。
【００２１】
次に、図１（ｃ）に示すように、再び表面に酸発生剤を含む化学増幅型レジストを塗布し、露光、現像を行うことによって、第１パターン１０６（溶剤耐性及び現像液耐性を有する第１パターン１０７）の間に所定のパターンにパターニングされた第２パターン１０８を形成する第２パターン形成工程を行う（図２のステップ２０３）。
【００２２】
上記のような工程によって、エッチングのマスクとなるパターンが完成する。そして、このパターンをマスクとして、図１（ｄ）に示すように、まず、ＢＡＲＣ（反射防止膜）１０５をエッチングし、この後、上記のパターンが転写されたハードマスク層１０４をマスクとして、ポリシリコン層１０３のエッチングを行う。
【００２３】
以上のとおり、本実施形態のパターン形成方法では、第１パターン１０６に溶剤耐性及び現像液耐性を付与する溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を行うことによって、第２パターン形成工程を行う際に第１パターン１０６が溶剤又は現像液に溶解してしまうことを防止することができ、ハードマスクを用いることなく、ダブルパターニングによるパターンを形成することができる。これによって、従来のようにハードマスク層の成膜行程や、エッチング行程が不要となり、工程の簡略化と半導体装置の製造コストの低減を図ることができる。
【００２４】
上記の溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を、実際にアンモニア蒸気を使用して行い、溶剤耐性及び現像液耐性付与の効果を確認した。この結果、アンモニア（ＮＨ3）蒸気による溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施した第１パターン（ラインとスペースの比が１：１の線幅７０ｎｍのパターン）では、溶剤（ＰＧＭＥＡ（ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート））に６０秒浸漬しても、現像液（ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド））に６０秒浸漬しても、溶解することなく、パターン形状を保つことができた。これに対して、溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施しなかった場合、溶剤（ＰＧＭＥＡ）に６０秒浸漬するとパターンが溶解してしまい、現像液（ＴＭＡＨ）に６０秒浸漬しても、パターンが溶解してしまった。
【００２５】
また、トリエチルアミン（（Ｃ2Ｈ5）3Ｎ）蒸気を使用して溶剤耐性及び現像液耐性付与の効果を２種類の化学増幅型レジスト（レジストＡとレジストＢ）によって確認した。この結果、レジストＡについては、トリエチルアミン（（Ｃ2Ｈ5）3Ｎ）蒸気による溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施した第１パターン（ラインとスペースの比が１：１の線幅７０ｎｍのパターン）では、溶剤（ＰＧＭＥＡ）に６０秒浸漬しても、現像液（ＴＭＡＨ）に６０秒浸漬しても、溶解することなく、パターン形状を保つことができた。これに対して、溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施しなかった場合、溶剤（ＰＧＭＥＡ）に６０秒浸漬するとパターンが溶解してしまい、現像液（ＴＭＡＨ）に６０秒浸漬しても、パターンが溶解してしまった。
【００２６】
また、レジストＢについては、トリエチルアミン（（Ｃ2Ｈ5）3Ｎ）蒸気による溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施した第１パターン（ラインとスペースの比が１：２の線幅５５ｎｍのパターン）では、トリエチルアミン蒸気と紫外線照射とを併用すると、溶剤（ＰＧＭＥＡ）に６０秒浸漬しても、現像液（ＴＭＡＨ）に６０秒浸漬しても、溶解することなく、パターン形状を保つことができた。これに対して、溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施しなかった場合、また、紫外線照射のみを行った場合、溶剤（ＰＧＭＥＡ）に６０秒浸漬するとパターンが溶解してしまい、現像液（ＴＭＡＨ）に６０秒浸漬しても、パターンが溶解してしまった。
【００２７】
上記のように、溶剤耐性及び現像液耐性付与工程による効果を確認することができた。ここで、上記のような溶剤耐性及び現像液耐性付与工程を実施した場合、塩基性成分が過剰に供給されると、第２パターン形成工程において塗布された酸発生剤を含む化学増幅型レジストに対してこの塩基性成分が悪影響を与える可能性がある。このため、図３に示すように、溶剤耐性及び現像液耐性付与工程２０２と、第２パターン形成工程２０３との間に、加熱行程２０２ｂを実施し、過剰な塩基性成分を除去すれば、過剰な塩基性成分が第２パターン形成工程における酸発生剤を含む化学増幅型レジストに悪影響を与えることを防止することができる。
【００２８】
図４は、上記のパターン形成方法を行うための半導体装置の製造装置の構成を示すものである。同図に示すように、半導体装置の製造装置３００は、第１パターン形成部３０１と、溶剤耐性及び現像液耐性付与部３０２と、第２パターン形成部３０３とを具備している。また、これらの各部は、半導体ウエハ等の基板を搬送するための基板搬送路３１０によって接続されている。
【００２９】
第１パターン形成部３０１は、前述した第１パターン１０６を形成するためのものであり、塗布装置、露光装置及び現像装置等を備えている。溶剤耐性及び現像液耐性付与部３０２は、前述した溶剤耐性及び現像液耐性付与行程を行うものであり、基板を塩基性溶液に浸漬又は塩基性ガスに曝露するための装置、及び必要に応じて紫外線照射装置等を備えている。第２パターン形成部３０３は、前述した第２パターン１０８を形成するためのものであり、塗布装置、露光装置及び現像装置等を備えている。このように構成された半導体装置の製造装置３００によって、上述した実施形態における一連の工程を実行することができる。なお、第１パターン形成部３０１と第２パターン形成部３０３は、これらを兼ねた１つのパターン形成部から構成しても良い。また、必要に応じて前述した加熱行程を行うための加熱部を設けても良い。
【００３０】
以上、本発明の詳細を実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態に係るパターン形成方法及び半導体装置の製造方法を説明するための図。
【図２】図１の方法の工程を示すフローチャート。
【図３】変形例の行程を示すフローチャート。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造装置の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００３２】
１０１……基板、１０２……下層、１０３……ポリシリコン層、１０４……ハードマスク層、１０５……ＢＡＲＣ、１０６……第１パターン、１０７……溶媒耐性及び現像液耐性を有する第１パターン、１０８……第２パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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