(57)【要約】【課題】ゲッターの吸着性能を向上させて真空容器の真空度を高め、電子放出素子の電子放出効率と寿命を向上させることができる発光装置、及び、この発光装置を光源として使用する表示装置を提供する。【解決手段】本発明はゲッターの吸着性能を向上させて真空容器の真空度を高めることができる発光装置、及び、この発光装置を光源として使用する表示装置を提供する。本発明による発光装置は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板の間に配置されて両基板と共に真空容器を構成する密封部材と、第１基板の一面に位置し、電子放出部を含む電子放出ユニットと、第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットと、真空容器の内部空間に向かった密封部材の内面に形成されるゲッター層を含む。【選択図】図１
2009009922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する密封部材を含む真空容器；
前記第１基板の一面に位置し、複数の電子放出素子で構成される電子放出ユニット；
前記第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニット；及び
前記真空容器の内部空間に向かった前記密封部材の内面に形成されるゲッター層；を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記密封部材が一対の接着層によって前記第１基板及び前記第２基板に付着されるガラスフレームを含み、前記ゲッター層が前記ガラスフレームの内面に位置することを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記ゲッター層が蒸発型ゲッター物質を含み、前記電子放出ユニットと前記ゲッター層の間にバリアが位置することを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記バリアが前記密封部材と実質的に同一高さで形成されて前記真空容器に加えられる圧縮力を支持することを特徴とする、請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ゲッター層が非蒸発型ゲッター物質を含み、前記密封部材と前記ゲッター層の間にリード線が位置することを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項６】
前記電子放出素子がカソード電極と、前記カソード電極と絶縁され、前記カソード電極と交差するゲート電極と、前記カソード電極に電気的に連結される少なくとも１つの電子放出部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記電子放出ユニットが前記カソード電極及び前記ゲート電極上部に位置する集束電極をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電子放出素子が第１電極と、前記第１電極と絶縁され、前記第１電極と交差する第２電極と、前記第１電極に電気的に連結される第１導電膜と、前記第２電極に電気的に連結される第２導電膜と、前記第１導電膜と前記第２導電膜の間に位置する電子放出部を含むことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記蛍光層が白色光を放出し、前記密封部材が５乃至２０ｍｍの高さで形成され、前記アノード電極が１０乃至１５ｋＶのアノード電圧の印加を受けることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
画像を表示する表示パネル；及び
前記表示パネルに光を提供する発光装置；を含み、
前記発光装置が、
互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する密封部材を含む真空容器；
前記第１基板の一面に位置し、複数の電子放出素子で構成される電子放出ユニット；
前記第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニット；及び
前記真空容器の内部空間に向かった前記密封部材の内面に形成されるゲッター層；を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記密封部材が接着層によって前記第１基板及び前記第２基板に固定されるガラスフレームを含み、前記ゲッター層が前記ガラスフレームの内側面に位置することを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ゲッター層が蒸発型ゲッター物質を含み、前記電子放出ユニットと前記ゲッター層の間にバリアが位置することを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記バリアが前記密封部材と実質的に同一高さで形成されて前記真空容器に加えられる圧縮力を支持することを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記ゲッター層が非蒸発型ゲッター物質を含み、前記ゲッター層と前記密封部材の間にリード線が位置することを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記表示パネルが第１画素を形成し、前記発光装置が前記表示パネルより少ない個数の第２画素を形成し、前記それぞれの第２画素が対応する第１画素の階調のうちの最高階調に対応して独立的に発光することを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記表示パネルが液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関し、より詳しくは発光装置の真空容器内部に設置されて排気後残留ガスを吸着するゲッターに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
外部で見る時、光が射出するということが認識できる全ての装置を発光装置と言うと、前面基板にアノード電極と蛍光層を含む発光ユニットを備え、後面基板に複数の電子放出素子からなる電子放出ユニットを備える発光装置が公知されている。前面基板と後面基板は密封部材によって周縁が一体で接合された後、内部空間が排気されて密封部材と共に真空容器を構成する。
【０００３】
電子放出素子は蛍光層に向かって電子を放出させ、この電子が蛍光層を励起させて蛍光層から可視光を放出する。アノード電極は数千キロボルトの高電圧（アノード電圧）の印加を受けて電子を蛍光層に加速させる。
【０００４】
発光装置は真空容器の内部空間を高真空状態に維持する時、電子放出素子の効率と寿命を向上させることができる。したがって、発光装置は真空容器内部にゲッターを設け、真空容器を製作した後にゲッターを活性化して真空容器内部の残留ガスを吸着及び除去する。
【０００５】
前面基板と後面基板はそれぞれ発光ユニットと電子放出ユニットが位置する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域に区分される。通常の発光装置でゲッターは前面基板と後面基板のうちのいずれかの基板の非有効領域に位置するか、後面基板の非有効領域に付着されたチャンバー内部に装着される。
【０００６】
しかし、前者の場合、最近の発光装置が実際可視光放出に寄与しないデッドスペースを減らすために非有効領域の幅を縮小させる傾向にあるので、狭い非有効領域にゲッターを設置することが容易でない。また、ゲッター活性化過程で導電性ゲッター物質が有効領域に拡大されることがあるので、駆動電極の電気的短絡と蛍光層の損傷を誘発することがある。
【０００７】
後者の場合には、基板にホールを加工し、別途で製作されたチャンバーを基板に固定させなければならないなど、発光装置の製造工程が複雑になる。また、上述した２つの場合ともゲッターの吸着面積が十分でないためゲッターの吸着効率が低い限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明は前記問題を解消するためのもので、その課題はゲッターの吸着性能を向上させて真空容器の真空度を高め、電子放出素子の電子放出効率と寿命を向上させることができる発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施例による発光装置は、（ｉ）互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する密封部材を含む真空容器と、（ｉｉ）第１基板の一面に位置し、複数の電子放出素子で構成される電子放出ユニットと、（ｉｉｉ）第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットと、（ｉｖ）真空容器の内部空間に向かった密封部材の内面に形成されるゲッター層を含む。
【００１０】
密封部材は接着層によって第１基板及び第２基板に固定するガラスフレームを含み、ゲッター層はガラスフレームの内面に位置することができる。
【００１１】
ゲッター層は蒸発型ゲッター物質を含むことができ、電子放出ユニットとゲッター層の間にバリアが位置することができる。バリアは密封部材と実質的に同一高さで形成されて真空容器に加えられる圧縮力を支持することができる。
【００１２】
一方、ゲッター層は非蒸発型ゲッター物質を含むことができる。この場合、ゲッター層と密封部材の間にリード線が位置してもよい。
【００１３】
電子放出素子はカソード電極と、カソード電極と絶縁され、カソード電極と交差するゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部を含むことができる。電子放出ユニットはカソード電極及びゲート電極上部に位置する集束電極をさらに含むことができる。
【００１４】
なお、電子放出素子は第１電極と、第１電極と絶縁されながら、第１電極と交差する第２電極と、第１電極に電気的に連結される第１導電膜と、第２電極に電気的に連結される第２導電膜と、第１導電膜と第２導電膜の間に位置する電子放出部を含むことができる。
【００１５】
蛍光層は白色光を放出する蛍光層であってもよく、密封部材は５乃至２０ｍｍの高さで形成され、アノード電極は１０乃至１５ｋＶの電圧の印加を受けることができる。
【００１６】
本発明の一実施例による表示装置は、画像を表示する表示パネルと、表示パネルに光を提供する発光装置を含む。発光装置は、（ｉ）互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板と第２基板の間に位置する密封部材を含む真空容器と、（ｉｉ）第１基板の一面に位置し、複数の電子放出素子で構成される電子放出ユニットと、（ｉｉｉ）第２基板の一面に位置し、蛍光層とアノード電極を含む発光ユニットと、（ｉｖ）真空容器の内部空間に向かった密封部材の内面に形成されるゲッター層を含む。
【００１７】
表示パネルが第１画素を形成する時、発光装置は表示パネルより少ない個数の第２画素を形成することができ、それぞれの第２画素は対応する第１画素の階調のうちの最高階調に対応して独立的に発光することができる。表示パネルは液晶表示パネルであってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明による発光装置はゲッターの吸着性能を向上させて真空容器の真空度を高め、電子放出部の電子放出効率と寿命を向上させることができる。また、上述した発光装置を光源として使用する表示装置は画面のコントラスト比を高め、より鮮明な画質を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限られない。
【００２０】
本発明の実施例において、発光装置は外部で見る時、光が射出されるということが認識できる全ての装置を含む。したがって、記号、文字、数字及び映像を表示して情報を伝達する全てのディスプレイ装置も発光装置に含まれる。また、発光装置は受光型表示パネルに光を提供する光源としても利用することができる。
【００２１】
図１乃至図３を参照して本発明の第１実施例による発光装置について説明する。
【００２２】
図１乃至図３を参照すると、本実施例の発光装置１０１は互いに対向配置される第１基板１２と第２基板１４及び第１基板１２と第２基板１４の間に配置されて、この基板（１２、１４）を接合させる密封部材１６からなる真空容器１８を含む。真空容器１８の内部は、ほぼ１０-６Ｔｏｒｒの真空度を維持する。
【００２３】
第１基板１２と第２基板１４の中で密封部材１６の内側に位置する領域は実際可視光放出に寄与する有効領域と、有効領域を囲む非有効領域に区分することができる。第１基板１２内面の有効領域には複数の電子放出素子からなる電子放出ユニット２０が位置し、第２基板１４内面の有効領域には可視光放出のための発光ユニット２２が位置する。
【００２４】
発光ユニット２２が位置する第２基板１４が発光装置１０１の前面基板になることができ、電子放出ユニット２０が位置する第１基板１２が発光装置１０１の後面基板になることができる。
【００２５】
電子放出ユニット２０は電子放出部２４と、電子放出部２４の電子放出量を制御する駆動電極（２６、２８）を含む。駆動電極は第１基板１２の一方向（図２に示されたｙ軸方向）に沿って帯状パターンに形成されるカソード電極２６と、絶縁層３０を間においてカソード電極２６上部でカソード電極２６と交差する方向（図２に示されたｘ軸方向）に沿って形成されるゲート電極２８を含む。
【００２６】
カソード電極２６とゲート電極２８の交差領域ごとにゲート電極２８と絶縁層３０に開口部（２８１、３０１）が形成されてカソード電極２６の表面の一部を露出させ、絶縁層開口部３０１内側にカソード電極２６の上に電子放出部２４が位置する。
【００２７】
電子放出部２４は真空中で電界が加わると電子を放出する物質、例えば炭素系物質或いはナノメートルサイズの物質を含む。電子放出部２４は、一例として炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）、シリコンナノワイヤー、及び、これらの組み合わせからなる群より選択された物質を含むことができる。
【００２８】
一方、電子放出部はモリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主材質とする先端の尖ったチップ構造物からなることができる。
【００２９】
上述した構造で１つのカソード電極２６と１つのゲート電極２８及びカソード電極２６とゲート電極２８の交差領域に位置する電子放出部２４が１つの電子放出素子を構成する。１つの電子放出素子が発光装置１０１のある画素領域を形成したり、２つ以上の電子放出素子が集まって発光装置１０１の１つの画素領域を形成する。
【００３０】
次に、発光ユニット２２はアノード電極３２と、アノード電極３２の一面に位置する蛍光層３４と、蛍光層３４を覆う反射膜３６を含む。
【００３１】
アノード電極３２は蛍光層３４から放射される可視光を透過させるようにＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）のような透明な導電物質で形成される。アノード電極３２は電子ビームを引く加速電極で、数千ボルト以上の正の直流電圧（アノード電圧）の印加を受けて蛍光層３４を高電位状態に維持する。
【００３２】
蛍光層３４は赤色蛍光体、緑色蛍光体及び青色蛍光体が混合されて白色光を放出する混合蛍光体で形成されることができる。蛍光層３４は第２基板１４の有効領域全体に位置したり、画素領域ごとに分離されて位置することができる。図１と図２では蛍光層３４が第２基板１４の有効領域全体に位置する場合を示した。
【００３３】
反射膜３６は数千オームストロング（Å）の薄い厚さと電子ビーム通過のための微細ホールを備えるアルミニウム膜からなることができる。反射膜３６は蛍光層３４で放射された可視光の中で第１基板１２に向かって放射された可視光を第２基板１４側に反射させて発光装置１０１の輝度を高める役割を果たす。一方、上述したアノード電極３２が省略され、反射膜３６がアノード電圧の印加を受けてアノード電極として機能することができる。
【００３４】
そして、有効領域で第１基板１２と第２基板１４の間には真空容器に加えられる圧縮力を支持し、この基板（１２、１４）の間隔を一定に維持させるスペーサ（図示せず）が位置する。
【００３５】
上述した構造の発光装置１０１はカソード電極２６とゲート電極２８のうちのいずれかの電極に走査駆動電圧を印加し、他方の電極にデータ駆動電圧を印加し、アノード電極３２に数千ボルト以上のアノード電圧を印加して駆動する。
【００３６】
その結果、カソード電極２６とゲート電極２８の電圧差が臨界値以上である画素で電子放出部２４の周囲に電界が形成されて、これから電子が放出する。放出された電子はアノード電極３２に印加されたアノード電圧に引かれて対応する蛍光層３４の部位に衝突することによってこれを発光させる。画素別蛍光層３４の輝度は当該画素の電子ビーム放出量に対応する。
【００３７】
本実施例の発光装置１０１は真空容器１８の内部空間に向かって露出された密封部材１６の内面にゲッター層３８を形成して、ゲッター層３８の吸着面積を最大化する。
【００３８】
密封部材１６はガラスフレーム１６１と、ガラスフレーム１６１の上下面に位置して第１基板１２及び第２基板１４とガラスフレーム１６１を接合させる接着層１６２からなる。ガラスフレーム１６１は、ほぼ５乃至２０ｍｍの高さで形成されることができ、接着層１６２はガラスフリットを含むことができる。
【００３９】
ガラスフレーム１６１は図３に示したように棒形状に製作することができ、第１基板１２の各辺に１つずつ配置されて接着層を通じて隣接したガラスフレーム１６１と一体で接合することもできる。ガラスフレーム１６１は図３に示した形状に限定されず、多様に変形することができる。
【００４０】
ゲッター層３８は蒸発型ゲッター物質で形成されたり、非蒸発型ゲッター物質で形成されることができる。蒸発型の場合、ゲッター層３８はバリウム（Ｂａ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バリウム−アルミニウム（Ｂａ−Ａｌ）、ジルコニウム−アルミニウム（Ｚｒ−Ａｌ）、銀−チタニウム（Ａｇ−Ｔｉ）及びジルコニウム−ニッケル（Ｚｒ−Ｎｉ）からなる群より選択された物質を含むことができる。非蒸発型の場合、ゲッター層３８は、ジルコニウム−バナジウム−鉄（Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ）或いはジルコニウム−アルミニウム（Ｚｒ−Ａｌ）を含むことができる。
【００４１】
ゲッター層３８は上述したゲッター物質をガラスフレーム１６１の内面に塗布したり、別途で製作されたゲッターフィルムをガラスフレーム１６１の内側面に付着する方法などで形成することができる。ゲッター層３８はガラスフレーム１６１の内面全体に形成されたり、ガラスフレーム１６１の内面一部に形成されることができる。図３では後者の場合を示した。
【００４２】
真空容器１８の排気工程を行った後、ゲッター層３８はガラスフレーム１６１の外側に配置された高周波誘導加熱装置（図示せず）によって活性化する。つまり、ゲッター物質は高周波誘導加熱装置から誘導された熱によって活性化して真空容器１８内部の残留ガスを吸着及び除去し、その結果真空容器１８の真空度を向上させる。
【００４３】
このようにガラスフレーム１６１の内面に位置するゲッター層３８は吸着面積を最大化して吸着効率を高める。従って、本実施例の発光装置１０１は真空容器１８の初期真空度を高めて脱ガスによる真空度低下を最少化し、電子放出部２４のエミッション効率と寿命を向上させることができる。
【００４４】
上述した構成の発光装置１０１は受光型表示パネルに光を提供する光源として使用することができる。光源用発光装置１０１で第１基板１２と第２基板１４は５乃至２０ｍｍの比較的に大きい間隔をおいて位置することができ、密封部材１６もまた５乃至２０ｍｍの比較的に大きい高さで形成されるので、ゲッター層３８の塗布面積を効果的に拡大させることができる。
【００４５】
また、第１基板１２と第２基板１４の間隔拡大を通じて真空容器１８内部のアーク放電を減らすことができ、アノード電極３２に１０ｋＶ以上、好ましくは１０乃至１５ｋＶの高電圧を印加することができる。このような発光装置１０１は有効領域の中央部でほぼ１０,０００ｃｄ／ｍ２の最大輝度を実現することができる。
【００４６】
図４と図５を参照して本発明の第２実施例による発光装置について説明する。
【００４７】
図４と図５を参照すると、本実施例の発光装置１０２はゲッター層３８１が蒸発型ゲッター物質で形成され、ゲッター層３８１と有効領域の間にバリア４０が位置する構造を除いては上述した第１実施例と同一な構成からなる。第１実施例と同一部材に対しては同じ引用符号を使用する。
【００４８】
バリア４０は非有効領域でゲッター層３８１と所定の距離をおいて位置する。バリア４０はゲッター層３８１が活性化して真空容器１８内部へゲッター物質を飛ばす時、ゲッター物質が有効領域に拡大されることを遮断する。したがって、導電性ゲッター物質が有効領域に拡大される時に発生する駆動電極の電気的短絡と蛍光層の損傷を防止することができる。
【００４９】
バリア４０は密封部材１６と実質的に同一高さで形成されることができる。この場合、バリア４０は非有効領域で真空容器１８に加えられる圧縮力を支持する補助スペーサとして機能することができる。
【００５０】
図６を参照して本発明の第３実施例による発光装置について説明する。
【００５１】
図６を参照すると、本実施例の発光装置１０３はゲッター層３８２が非蒸発型ゲッター物質で形成され、ガラスフレーム１６１とゲッター層３８２の間にゲッター層３８２の活性化のためのリード線４２が配置される構造を除いて上述した第１実施例と同一な構成からなる。第１実施例と同一部材に対しては同じ引用符号を使用する。
【００５２】
リード線４２は真空容器１８の外部から電流の提供を受けてゲッター層３８２を加熱して、これを活性化する。リード線４２は密封部材１６の接着層１６２を通過してその端部を真空容器１８の外側に露出させる。ゲッター層３８２が非蒸発型ゲッター物質を含む場合にも上述したリード線４２なしで高周波誘導加熱装置（図示せず）によって活性化できる。
【００５３】
図７と図８を参照して本発明の一実施例による表示装置について説明する。本実施例の表示装置は上述した第１実施例乃至第３実施例のうちのいずれかの実施例の発光装置を備え、図７では一例として第１実施例の発光装置１０１を備える場合を示した。
【００５４】
図７を参照すると、本実施例の表示装置２００は発光装置１０１と、発光装置１０１の前方に位置する表示パネル４４を含む。発光装置１０１と表示パネル４４の間には発光装置１０１から射出された光を均等に拡散させる拡散版４６が位置してもよく、拡散版４６と発光装置１０１は所定の距離をおいて離れて位置する。
【００５５】
表示パネル４４は液晶表示パネルまたは他の受光型表示パネルからなる。以下では表示パネル４４が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００５６】
図８を参照すると、表示パネル４４は複数の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）４８と複数の画素電極５０が形成された下部基板５２と、カラーフィルター層５４と共通電極５６が形成された上部基板５８と、上部基板５８と下部基板５２の間に注入された液晶層６０を含む。上部基板５８の上面と下部基板５２の下面には偏光板（６２、６４）が付着されて表示パネル４４を通過する光を偏光させる。
【００５７】
画素電極５０は副画素ごとに１つずつ位置し、ＴＦＴ４８によって駆動が制御される。画素電極５０と共通電極５６は透明な導電物質で形成される。カラーフィルター層５４は副画素別に１つずつ位置する赤色フィルター層と緑色フィルター層及び青色フィルター層を含む。
【００５８】
特定副画素のＴＦＴ４８が導通すると画素電極５０と共通電極５６の間に電界が形成され、この電界によって液晶分子の配列角が変化し、変化された配列角に応じて光透過度が変化する。表示パネル４４はこのような過程を通じて画素別輝度と発光色を制御することができる。
【００５９】
図７で引用符号６６は各ＴＦＴのゲート電極にゲート駆動信号を伝送するゲート回路ボードアセンブリーを示し、引用符号６８は各ＴＦＴのソース電極にデータ駆動信号を伝送するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００６０】
図７を参照すると、発光装置１０１は表示パネル４４より少ない数の画素を形成して発光装置１０１の１つの画素を２つ以上の表示パネル４４画素に対応させる。発光装置１０１の各画素はこれに対応する複数の表示パネル４４画素のうちの最も高い階調に対応して発光することができ、２乃至８ビットの階調を表現することができる。
【００６１】
便宜上表示パネル４４の画素を第１画素と言い、発光装置１０１の画素を第２画素、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群と名称する。
【００６２】
発光装置１０１の駆動過程は、（１）表示パネル４４を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群の第１画素のうちの最も高い階調を検出し、（２）検出された階調に応じて第２画素発光に必要な階調を算出して、これをデジタルデータに変換し、（３）デジタルデータを利用して発光装置１０１の駆動信号を生成し、（４）生成された駆動信号を発光装置１０１の駆動電極に印加する段階を含むことができる。
【００６３】
発光装置１０１の駆動信号は走査駆動信号とデータ駆動信号からなる。上述したカソード電極とゲート電極のうちのいずれかの電極（例えば、ゲート電極）が走査駆動信号の印加を受け、他の電極（例えば、カソード電極）がデータ駆動信号の印加を受ける。
【００６４】
発光装置１０１の駆動のための走査回路ボードアセンブリーとデータ回路ボードアセンブリーは発光装置１０１の裏面に位置することができる。図７で引用符号７０がカソード電極とデータ回路ボードアセンブリーを連結する第１接続部材を示し、引用符号７２がゲート電極と走査回路ボードアセンブリーを連結する第２接続部材を示す。そして、引用符号７４がアノード電極にアノード電圧を印加する第３接続部材を示す。
【００６５】
このように発光装置１０１の第２画素は対応する第１画素群に映像が表示される時、第１画素群に同期して所定の階調で発光する。つまり、発光装置１０１は表示パネル４４が実現する画面の中で明るい領域には高い輝度の光を提供し、暗い領域には低い輝度の光を提供する。従って、本実施例の表示装置２００は画面のコントラスト比を高め、より鮮明な画質を実現することができる。
【００６６】
図９を参照して本発明の第４実施例による発光装置について説明する。上述した第１実施例のような部材については同じ引用符号を使用する。
【００６７】
図９を参照すると、本実施例の発光装置１０４で電子放出ユニット２０１はゲート電極２８上部に位置する集束電極７６をさらに含む。カソード電極２６とゲート電極２８の間に位置する絶縁層３０を第１絶縁層とすると、ゲート電極２８と集束電極７６の間に第２絶縁層７８が位置する。
【００６８】
第２絶縁層７８と集束電極７６もまた電子ビーム通過のための開口部（７８１、７６１）を形成する。集束電極７６は接地電圧または数乃至数十ボルトの負の直流電圧の印加を受けて集束電極開口部７６１を通過する電子を集束させる。
【００６９】
カソード電極２６とゲート電極２８の交差領域の大きさは上述した第１実施例の場合より小さいこともあり、各交差領域に位置する電子放出部２４の個数もまた上述した第１実施例の場合より少ないこともある。
【００７０】
発光ユニット２２１は互いに距離をおいて位置する赤色蛍光層３４Ｒと緑色蛍光層３４Ｇ及び青色蛍光層３４Ｂを含み、各蛍光層３４１の間に黒色層８０が位置する。
【００７１】
カソード電極２６とゲート電極２８の交差領域が１つの副画素に対応することができ、赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ及び青色蛍光層３４Ｂそれぞれが１つの副画素に対応して位置する。赤色蛍光層３４Ｒ、緑色蛍光層３４Ｇ及び青色蛍光層３４Ｂが平行に位置する３個の副画素が集まって１つの画素を構成する。
【００７２】
カソード電極２６とゲート電極２８に印加される駆動電圧によって副画素別に電子放出部２４の電子放出量が決められ、この電子が対応する副画素の蛍光層３４１に衝突して蛍光層３４１を励起させる。発光装置１０４はこのような過程を通じて画素別輝度と発光色を制御してカラー画面を実現することができる。
【００７３】
本実施例の発光装置１０４で密封部材（図示せず）とゲッター層（図示せず）の構成は上述した第１実施例乃至第３実施例の発光装置のうちのいずれかの発光装置と同じ構成からなる。
【００７４】
一方、前記では電子放出ユニットが電界放出アレイ（ＦＥＡ）型である場合について説明したが、電子放出ユニットは表面-伝導エミッション（ＳＣＥ）型からなることができる。
【００７５】
図１０と図１１を参照して本発明の第５実施例による発光装置について説明する。
【００７６】
図１０と図１１を参照すると、本実施例の発光装置１０５は電子放出ユニット２０２が表面−伝導エミッション型であることを除いて上述した第１実施例乃至第４実施例のうちのいずれか一実施例の発光装置と同一な構成からなる。図１０では電子放出ユニット２０２を除いた他の構成が第１実施例と同様な場合を示した。
【００７７】
電子放出ユニット２０２は第１基板１２の一方向に沿って位置する第１電極８２と、第１電極８２と直交する方向に沿って位置し、第１電極８２と絶縁を維持する第２電極８４と、第１電極８２と電気的に連結される第１導電膜８６と、第２電極８４と電気的に連結されて第１導電膜８６と距離をおいて位置する第２導電膜８８と、第１導電膜８６と第２導電膜８８の間に位置する電子放出部９０を含む。
【００７８】
電子放出部９０は炭素系物質を含む所定の層からなることができる。この場合、電子放出部９０は炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド状炭素、フラーレン（Ｃ６０）及びこれらの組み合わせからなる群より選択された物質を含むことができる。一方、電子放出部は第１導電膜８６と第２導電膜８８の間に位置する微細クラックで存在することがある。
【００７９】
上述した構造で１つの第１電極８２、１つの第２電極８４、１つの第１導電膜８６、１つの第２導電膜８８及び１つの電子放出部９０が１つの電子放出素子を構成する。そして１つの電子放出素子或いは２つ以上の電子放出素子が集まって発光装置１０５の１つの画素領域を形成する。
【００８０】
第１電極８２と第２電極８４に駆動電圧を印加すると、第１導電膜８６と第２導電膜８８を通じて電子放出部９０の表面と水平方向に電流が流れ、電子放出部９０から表面伝導形電子放出が行われる。
【００８１】
前記では本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これもまた本発明の範囲に属することは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施例による発光装置の部分断面図である。
【図２】図１に示した発光装置の有効領域内部を示す部分分解斜視図である。
【図３】図１に示した発光装置のうちの第１基板と密封部材を示す斜視図である。
【図４】本発明の第２実施例による発光装置の部分断面図である。
【図５】図４に示した発光装置のうちの密封部材とゲッター層及びバリアを示す部分切断斜視図である。
【図６】本発明の第３実施例による発光装置の部分断面図である。
【図７】本発明の一実施例による表示装置の分解斜視図である。
【図８】図７に示した表示装置のうちの表示パネルの部分断面図である。
【図９】本発明の第４実施例による発光装置の部分分解斜視図である。
【図１０】本発明の第５実施例による発光装置の部分断面図である。
【図１１】図１０に示した発光装置のうちの電子放出ユニットの平面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１２  第１基板
１４  第２基板
１６  密封部材
１８  真空容器
２０  放出ユニット
２２  発光ユニット
２４  電子放出部
２６、２８  駆動電極
３０  絶縁層
３２  アノード電極
３４  蛍光層
３４Ｂ  青色蛍光層
３４Ｇ  緑色蛍光層
３４Ｒ  赤色蛍光層
３６  反射膜
３８  ゲッター層
４０  バリア
４２  リード線
４４  表示パネル
４６  拡散板
５０  画素電極
５２  下部基板
５６  共通電極
５８  上部基板
６２、６４  偏光板
７６  集束電極
７８  第２絶縁層
８０  黒色層
８２  第１電極
８４  第２電極
８６  第１導電膜
８８  第２導電膜
９０  電子放出部
１０１、１０４、１０５  発光装置
１６１  ガラスフレーム
１６２  接着層
２００  表示装置
２０１  電子放出ユニット
２２１  発光ユニット
２８１、３０１  開口部
３４１  蛍光層
３８２  ゲッター層
【図１】
2009009922.tif 000003
【図２】
2009009922.tif 000004
【図３】
2009009922.tif 000005
【図４】
2009009922.tif 000006
【図５】
2009009922.tif 000007
【図６】
2009009922.tif 000008
【図７】
2009009922.tif 000009
【図８】
2009009922.tif 000010
【図９】
2009009922.tif 000011
【図１０】
2009009922.tif 000012
【図１１】
2009009922.tif 000013