(57)【要約】【課題】ＣＰＵにより、接触または非接触式の通信から得られる通常の信号を処理するだけでなく、チップセンサの励起を要求する、所定の、より複合的な処理をも行うことのできる、チップおよび複数のチップセンサを有する情報記憶装置を提供する。【解決手段】本発明は、接触又は非接触の誘導通信用の情報並びにエネルギー（１６）を格納するチップ（１０）と、このチップ（１０）内に一体化され、励起（１４）の後に、信号（２６）をチップ（１０）のＣＰＵ（２８）に伝える励起可能な複数個のチップセンサ（１２）とを有し、ＣＰＵ（２８）にて信号（２６）を処理する、情報記憶装置に関する。本発明は、チップ（１０）による情報並びにエネルギー（１６）の格納とは無関係に、情報を追加的に格納する目的のために、チップセンサ（１２）の励起（１４）を、チップ（１０）により調整可能にすると共に、ＣＰＵ（２８）での信号（２６）の処理要件に適合可能とする、ことによって特徴付けられる。【選択図】図１
2009059304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接触または非接触式誘導通信用の情報並びにエネルギー（１６）を格納するチップと、該チップ（１０）に一体化され、励起（１４）の後に、信号（２６）を前記チップ（１０）のＣＰＵ（２８）に伝える励起可能な複数個のチップセンサ（１２）とを有し、前記ＣＰＵ（２８）にて前記信号（２６）を処理する情報記憶装置において、前記チップ（１０）による情報並びにエネルギー（１６）の格納とは無関係に、情報を追加的に保存するために、前記励起（１４）を、前記チップ（１０）により調整可能とすると共に、前記ＣＰＵ（２８）での前記信号（２６）の処理要件に適合可能とし、前記複数のチップセンサ（１２）は、前記励起（１４）を調節し得ると共に、前記ＣＰＵ（２８）での信号（２６）の処理要件に適合させることができるフィルタ材と前記信号をやり取りすることを特徴とする情報記憶装置。
【請求項２】
前記フィルタ材がカード材（３６）から成ることを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項３】
前記フィルタ材が文書用材料から成ることを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項４】
前記文書用材料は材料インプリントとして形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の情報記憶装置。
【請求項５】
前記文書用材料は付加材として形成されていることを特徴とする、請求項３に記載の情報記憶装置。
【請求項６】
前記複数のチップセンサ（１２）は、パルスレーザビーム（３４）の励起（１４）を検知する光センサ（１８）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項７】
前記ＣＰＵ（２８）は、接触または非接触式誘導通信の信号および前記複数のチップセンサ（１２）により供給された前記信号（２６）を合成して処理する動作を実行することを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項８】
前記複数のチップセンサ（１２）は光センサ（１８）を含み、前記フィルタ材は、８００ｎｍ未満の波長の光に対しては透過性を有さず、かつ８００〜１１００ｎｍの波長の光に対しては透過性であるカード材（３６）と、該カード材（３６）に隣接するＵＣコンバータ（４０）と、該ＵＣコンバータ（４０）に隣接する干渉フィルタ積層体（４４）とから成り、パルスレーザビーム（３４）がまず前記カード材（３６）を貫通し、次に前記ＵＣコンバータ（４０）に侵入することを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項９】
前記複数のチップセンサは光センサを含み、前記フィルタ材は、カード材（３６）と、該カード材（３６）に隣接し、変調されたルミネセンスを発生するマトリクス（３８）とから成り、パルスレーザビーム（３４）がまず前記カード材（３６）を貫通し、次に前記マトリクス（３８）に侵入することを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項１０】
前記複数のチップセンサ（１２）は、少なくとも２個の同一またはフィルタ材を異にする異なる光センサ（１８、１８ａ）を含み、前記フィルタ材はカード材（３６）から成り、パルスレーザビーム（３４ａ、３４ｂ）がフィルタ材を貫通して光センサ（１８、１８ａ）を励起し、これらの光センサ（１８、１８ａ）が信号（２６）を別々にＣＰＵ（２８）に伝えることを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項１１】
前記複数のチップセンサ（１２）は光センサ（１８）を含み、前記フィルタ材は、波長をシフトする光コンバータ（４６）と、該光コンバータ（４６）に隣接するカード材（３６）とから成り、該カード材は、８００〜１１００ｎｍの波長域において透過性であり、一方パルスレーザビーム（３４）は前記光コンバータ（４６）のみに侵入することを特徴とする、請求項１に記載の情報記憶装置。
【請求項１２】
前記情報記憶装置が、価値券または証券に一体化されることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の情報記憶装置。
【請求項１３】
情報記憶装置に一体化したチップを用いて通信する方法であって、接触または非接触式誘導通信用の情報並びにエネルギー（１６）をチップ（１０）に格納し、それとは無関係に、チップに一体化した複数のチップセンサ（１２）を励起させ、これらのチップセンサ（１２）は次に信号（２６）を処理するためにＣＰＵ（２８）に伝え、前記チップセンサの励起（１４）は、情報を追加的に格納するために、前記チップ（１０）により調節され、かつ前記ＣＰＵ（２８）での処理要件に適合させ、前記複数のチップセンサ（１２）に、前記励起（１４）を調整し、かつ前記ＣＰＵ（２８）での信号（２６）の処理要件に適合させるフィルタ材との通信を行わせることを特徴とする、情報記憶装置のチップとの通信方法。
【請求項１４】
パルスレーザビーム（３４）の励起（１４）を検知する光センサ（１８）を前記複数のチップセンサ（１２）に一体化することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接触または非接触式誘導通信用の情報並びにエネルギーを格納するチップと、該チップに一体化され、励起の後に、信号をチップのＣＰＵに伝える、励起可能な複数個のセンサとを有し、前記ＣＰＵにて前記信号を処理する、情報記憶装置に関する。
【０００２】
本発明はまた、情報記憶装置に一体化したチップを用いて通信する方法にも関し、接触または非接触式誘導通信用の情報およびエネルギーをチップに格納し、かつチップに一体化した複数のセンサを励起させ、これらのチップセンサが処理のために信号をＣＰＵに伝えるようにする。
【背景技術】
【０００３】
チップを有する情報記憶装置はデータキャリアとも呼ばれ、技術的に広く知られており、例えば機械読取り可能な旅券（ＭＲＴＤ）の一部を形成し、通常は、半導体基板上にチップを備え、それにより複合的な（生体計測）情報の格納および処理を可能としている。
【０００４】
チップを有する情報記憶装置はまた、チップカード、スマートカード、個人用文書、パスポート、運転免許証、小切手および銀行券といった価値券および証券にも用いられる。特に、チップカードは、そのカード本体に一体化したチップモジュールを有するものであるが、日常生活の新しい分野への用途をますます広げており、一方では現代生活の当然の一部となってきている。カード本体は様々な材料で作ることができる。好適な材料には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリルブタジエンスチロール、ポリエチレンテレフタレート、（熱可塑性）ポリウレタン（Ｔ）ＰＵ、またはさらに紙およびボール紙があるが、紙、フォトペーパーまたはデュポン社のタイベック（Ｔｙｖｅｋ）など特殊な材料との合成材料の複合材／積層体も興味深い。カードの構成要素をカード要素と称する。重要なカード要素には、例えば、ホイルおよび印刷カラーまたはインキがある。ＭＬＩ（多重レーザ画像）、ＯＶＩ（光学可変インキ）、紫外線カラーまたは蛍光カラーといったカード要素も重要である。情報記憶装置の製造方法には、特に積層技術および射出成形技術など多様のものがある。情報記憶装置のための材料および製造方法を広範に記述したものとして、例えば非特許文献１がある。
【非特許文献１】Ｙ．Ｈａｇｈｉｒｉ／Ｔｈ．  Ｔａｒａｎｔｉｎｏ著、“Ｖｏｍ  Ｐｌａｓｔｉｋ  ｚｕｒ  Ｃｈｉｐｋａｒｔｅ”（“プラスチックからＩＣカードへ”）、Ｃａｒｌ  Ｈａｎｓｅｒ  Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ、Ｍｕｎｉｃｈ、Ｖｉｅｎｎａ、１９９９、Ｃｈａｐｔｅｒ  （２）：  “Ｋａｒｔｅｎｋｏｒｐｅｒ”（“カード本体”）およびＣｈａｐｔｅｒ  （３）：  “Ｈｅｒｓｔｅｌｌｕｎｇｓｆｏｒｍｅｎ  ｆｕｒ  Ｋａｒｔｅｎｋｏｒｐｅｒ”（“カード本体の製造方法”）
【０００５】
カード本体に内蔵した通常のチップモジュールは、周囲の材料の種類とは実質的に独立している。チップにとって、組み込みの対象がＰＶＣ射出成形カードであるか、ＰＣ化合物であるか、あるいはＰＥＴ粘着ラベルであるかは“問題”ではない。チップとの通信またはデータのやりとりは、通常のやり方である、接触または非接触式（ＲＦＩＤ技術）のいずれかにより実現することができる。ＲＦＩＤ技術においては、通信は、磁場または電磁場により達成される。
【０００６】
ＭＲＴＤ集積化チップモジュールは、チップモジュールと検査ステーションの間でのデータのやり取りにより、通常の方法で使用可能／不能状態にされる。これはＲＦＩＤ技術で実現することもできる。この場合、検査ステーションは、チップに対し、それが所定の秘密情報を有していることを“証明”する。この認識により、その検査ステーションが例えばチップの内容を読取る許可を受けていることが、チップに対して証明される。このプロセスを従来型認証とも称する。
【０００７】
今日のチップは複数のオンチップセンサも備えている。これらオンチップセンサは、温度、エネルギー供給および光の入射といった外部環境パラメータをモニタリングすることにより、チップの適切な動作を可能にする。
【０００８】
このような複数のオンチップセンサは、例えば特許文献１から既知である。この既知のセンサは、スマートカードにおけるチップの追加的な構成要素であり（第２頁第１欄第２〜８行）、製品またはその環境の変化を検知するために用いられる（第１頁第２欄、［００１３］）。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００２／０１８６１４５号明細書
【０００９】
さらに、従来技術から知られている点として、複数のオンチップセンサには、例えば、光センサ、温度センサ、周波数センサ、およびさらなるセンサを含めることができる。これらのセンサは、励起されると、信号をチップのＣＰＵに伝え、そこで信号の処理が行われる。通常、センサは２通りの方法の１つによりＣＰＵと通信する。１つの方法は、例外（ｅｘｃｅｐｔｉｏｎ）信号をトリガーさせ、オペレーティングシステムによりその例外信号を適切に処理する（そして、例えば演算を繰り返したり、演算を中止したり、または演算結果を詳細に検証たりする）やり方である。もう１つの方法は、センサによりウォームリセットをトリガーさせる、すなわちＣＰＵに処理中のプログラムを完全に中断させ、それを始めから再度繰り返させるやり方である。これはかなり徹底したやり方であり、通常重要であると考えられるセンサに適用される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、従来技術から既知の複数のオンチップセンサを有するチップは、チップに一体化したこれらセンサが、主として、外部パラメータの一般的な変化を検知して、例外信号およびウォームリセットという方法でＣＰＵと通信するために用いられていることがわかる。したがって、例えばＲＦＩＤ技術に基づく従来のやり方を超える、例えば特定の複合光信号を要するＣＰＵ内での所定の特定な処理および動作をチップに行わせるやり方は当然限定される。現状の技術状態からすれば、慣例のＲＦＩＤ信号を、特定の複合的なセンサ励起から生じ、新しい複合的な処理につながる複合的な信号と併せてチップ内で処理することはできない。
【００１１】
そこで、本発明は、ＣＰＵにより、接触または非接触式の通信から得られる通常の信号を処理するだけでなく、チップセンサの励起を要求する、所定の、より複合的な処理をも行うことのできる、チップおよび複数のチップセンサを有する情報記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この目的は、請求項１に定義される特徴事項により達成される。
【００１３】
本発明は、チップのＣＰＵを、接触または非接触式誘導通信にて生じる従来の信号の受信、および同信号による起動にのみ適合するように構成するのではなく、チップに一体化したチップセンサによって物理的に独立して供給される信号にも適合するように構成し得るという認識に基づいて成したものである。このようにして、従来の通信方法に、チップとの更なる通信方法が加わり、この方法は、特定の励起のために必要な複合信号をＣＰＵに伝達するのに特に好適である。複合的な信号を処理するチップのＣＰＵは、さらに、例えば従来型の認証の範囲を超えるさらなる処理のためにチップをアクティブにすることができる。例えば、従来の通信モードにより伝達される信号と、チップセンサにより別個の物理的接続を通して伝達される信号とをＣＰＵ内で併せて処理し、チップ内でのさらなる処理をトリガーさせるようにすることもできる。
【００１４】
また、複数のチップセンサが、励起を、好ましくは特異的に調整可能とすると共に、ＣＰＵでの信号処理要件に適合させるフィルタ材と通信を行う、すなわち、前記信号をやり取りする。これにより、所定の材料に依存する化学的／物理的現象を、特定の励起のために利用することが可能になる。チップセンサと通信するフィルタ材を用いることにより、チップセンサの所定の特定な励起のみを許容する化学物理的な“フィルタリング”を所定の大きさに生成し、その結果チップが“正しい”材料環境においてのみ機能し得るようにすることができる。このように、材料の特性をチップと結合させて１個の機能単位とする。チップは“正しい”材料環境においてのみ機能する。逆にいえば、このような制御された材料環境において、チップのハードウエア特性を、規定のハードウエア署名を用いて検証することができる。
【００１５】
チップを有する情報記憶装置は、例えばチップカード、個人書類および小切手にしばしば用いられ、したがってこれらの材料をフィルタ材として用いることができる。好ましくは、フィルタ材がカード材から成り、フィルタ材が文書用材料から成る。
【００１６】
文書用材料は材料インプリントまたは付加材として形成するのが好適である。
【００１７】
本発明のさらなる好適例は、複数のチップセンサが、パルスレーザビームの励起を検知する光センサを含むことを特徴とする。この光センサはパルスレーザビームの励起を検知することから、種々の光励起プロファイル（信号波形）を生成する。このように作られた励起プロファイルは、チップに複合情報を送信するのに適している。
【００１８】
ＣＰＵは、接触または非接触式誘導通信の信号と、複数のチップセンサにより供給される信号とに対し、合成処理動作を行うようにするのが有利である。このような合成通信においては、２進コードを２つの情報経路に分けて、ＣＰＵ内で実際のコードに構成することができる。このようにして、例えば、論理“０”は、通常の情報経路を用いて、ウォームリセットをトリガーさせることにより送信することができる。論理“１”は、光センサ、したがってウォームリセット（その光センサの起点は状態変数で特徴付けられる）をトリガーすることにより伝達される。状態変数を繰り返し問い合わせることにより、ＣＰＵは、情報の個々の断片から、伝達すべき情報を最終的に組み立てる。
【００１９】
また、複数のチップセンサは、光センサを含み、フィルタ材は、８００ｎｍ未満の波長の光に対しては透過性を有さず、８００〜１１００ｎｍの波長の光に対しては透過性であるカード材と、このカード材に隣接するＵＣコンバータと、このＵＣコンバータに隣接する干渉フィルタ積層体とから成り、パルスレーザビームがまずカード材を貫通し、次にＵＣコンバータに侵入することが好ましい。ＩＳＯ７８１０によると、通常のカード材は、８００〜１１００ｎｍの波長のＮＩＲ（近赤外）域においてのみ透過性を有するため、この波長域のパルスレーザビームは光センサを、好ましくは特異的に励起して、種々の励起プロファイルを生成することができる。その結果、それ相当にプログラムしたＣＰＵは、複合信号を処理し、この信号は“慣例の”ＲＦＩＤ信号と相俟ってさらなる処理のためにチップをアクティブにする。
【００２０】
あるいは、複数のチップセンサが光センサを含み、フィルタ材が、カード材と、このカード材に隣接し、変調されたルミネセンスを発生するマトリクスとから成り、パルスレーザビームがまずカード材を貫通し、次にマトリクスに侵入し得るようにする。このような特定のパルス励起は、慣例の例外ルーチンとは区別され、ＣＰＵに複合的な動作を導くルーチンをトリガーする。
【００２１】
或いはまた、複数のチップセンサは、少なくとも２個の同一またはフィルタ材を異にする異なる光センサを含み、フィルタ材はカード材から成り、パルスレーザビームがフィルタ材を貫通して光センサを励起し、これらの光センサが、信号を別々にＣＰＵへ伝えるようにする。これには、情報を異なる光波長に分割することができるという利点がある。これは、例えば３進ロジックを実装するために用いることができる。
【００２２】
さらに、複数のチップセンサが光センサを含み、フィルタ材は、波長をシフトする光コンバータと、この光コンバータに隣接するカード材とから成り、このカード材は、８００〜１１００ｎｍの波長域において透過性であり、また、パルスレーザビームは光コンバータのみに侵入することが好ましい。このようなフィルタ材は、光コンバータおよびカード材という２つの層のみから成るにも関わらず、複合的な光励起プロファイルを生成し得るという利点がある。
【００２３】
本発明に係る情報記憶装置は、価値券または証券に一体化するのが有利である。これは、情報記憶装置が、価値券および証券にしばしば用いられるという事実を考慮するものである。
【００２４】
さらに、本発明に係る情報記憶装置は、請求項１３に定義するように、情報記憶装置に一体化したチップと通信する方法に用いることができる。ここでは、接触または非接触式誘導通信用の情報並びにエネルギーをチップに格納し、またそれとは無関係に、チップに一体化した複数のチップセンサを励起させ、これら複数のチップセンサは信号を処理目的のためにＣＰＵに伝える。励起は、さらなる情報の格納のためにチップにより、好ましくは特異的に調整され、またＣＰＵにおける処理要件に適合される。
【００２５】
また、チップセンサに、励起を、好ましくは特異的に調整し、かつＣＰＵにおける信号の処理要件に適合させるフィルタ材と通信させることができる。一方、パルスレーザビームの励起を検知する光センサは、複数のチップセンサに一体化される。
【００２６】
本発明のこれらおよびその他の要点を、以下に説明する実施態様から明らかにし、またそれらの実施態様を参照しながら以下に詳述する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図６は、複数の従来型チップセンサ１２を示し、このチップセンサ１２は、例えば温度、電源電圧、クロック周波数および光の入射といった外部環境パラメータをモニタリングすることにより、チップ１０が適切に動作し得るようにする。複数のチップセンサ１２は、光センサ１８、温度センサ２０、周波数センサ２２およびさらなるセンサ２４を含む。チップセンサ１２に励起１４が生じると、チップセンサ１２はチップ１０のＣＰＵ２８に信号２６を伝え、そこで信号２６の処理が行われる。このような信号２６を処理する方法は本質的に２つある。１つの方法では、ＣＰＵ２８が“例外”信号を発生し、この信号をチップ１０のオペレーティングシステムによりさらに処理する。誘導電磁場５０への導入後、チップ１０のオペレーティングシステムは、チップセンサ１２によりトリガーされる、良好に規定されたシーケンスの多様な例外信号を期待する。そこで、光センサ１８がまず例外信号をトリガーし、続いて温度センサ２０が例外信号をトリガーするようにすることができる。最後に周波数センサ２２も例外信号をトリガーして初めて、チップ１０は接触または非接触のインタフェースを介して慣例の通信を行い、従来型の認証を行うことができる。
【００２８】
他の方法は、ＣＰＵ２８によりトリガーさせるチップのウォームリセットである。誘導電磁場５０への導入後、チップ１０のオペレーティングシステムは、良好に規定されたシーケンスのウォームリセットを期待する。第１のウォームリセットは光センサ１８をトリガーし、第２のウォームリセットは温度センサ２０をトリガーする。最後に、第３のウォームリセットが周波数センサ２２をトリガーする。それぞれのウォームリセットの後に、チップ１０のオペレーティングシステムはＥＥＰＲＯＭに格納されているテスト変数を更新する。この変数が所定の値に達したときにのみ、非接触のインタフェースを介しての慣例の通信が可能になり、従来型の認証を行うことができる。
【００２９】
図１にチップカードとして示した本発明に係る情報記憶装置１００は、チップ１０を含み、複数のチップセンサ１２は、変調されたパルスレーザビーム３４の励起１４を検知する光センサ１８を含む。情報記憶装置１００は、パルスレーザビーム３４が貫通し得るカード材３６から成る。慣例のカード材は、８００〜１１００ｎｍのＮＩＲ域で透過性であるため、パルスレーザビーム３４の励起１４はこの波長域において特異的に調整可能であり、ＣＰＵ２８における信号２６の処理要件に適合させることができる。所定の透過性は、通常、対応する付加材とカード材３６との合成材料を選択することにより調整することができる。光センサ１８がパルスレーザビーム３４の励起１４を検知することで、種々の光励起プロファイルが生成される。このような励起プロファイルは、チップ１０に複合的な情報を伝達するのに適している。光センサの励起は例外信号をトリガー、従って、ＣＰＵ２８の入力コマンドとなる。ＣＰＵ２８は、“慣例の”ＲＦＩＤ信号に加えて光センサ１８からの例外信号も期待し、こうして追加的にさらなる処理のためにチップ１０をアクティブにするようにプログラムされている。チップ１０は情報およびエネルギー１６を格納し、これらは慣例のアンテナ３０およびアンテナ載置機器３２を介してチップ１０内で結合されて、ＲＦＩＤ信号を発生する。この実施の形態および他の実施の形態は、接触技法の範囲内で用いることもでき、すなわち、エネルギーおよび情報を、慣例の接点を介して伝達することもできることに留意すべきである。
【００３０】
図２は、光センサ１８を備える複数のチップセンサ１２を示す。カード材３６およびこのカード材３６に隣接するマトリクス３８はフィルタ材を構成し、マトリクス３８は変調されたルミネセンスを発生する。ここでは、パルスレーザビーム３４がまずカード材３６を貫通し、次いでマトリクス３８に侵入する。
【００３１】
カード材３６は、それが８５０ｎｍ未満の波長の光を完全に吸収し、ＮＩＲ域の８５０ｎｍよりも大きな波長の光を透過するように調整する。エネルギー１６および情報は、アンテナ３０およびアンテナ載置機器３２を介して、既知の方法でチップ１０内に結合され、かつ格納されて、ＲＦＩＤ信号を発生する。それとは無関係に、パルスレーザビーム３４は９８０ｎｍの放射でマトリクス３８を照射し、一方ＵＰ変換処理により８００ｎｍ（６７０、５５０または４３０ｎｍ）のルミネセンスを発生する。この本来の発生光（ルミネセンス放射５２）は光センサ１８に入射し、励起１４の後に信号２６を例外信号の形でトリガーする。すなわち、この信号はＣＰＵ２８用の入力コマンドとなる。ＵＰ変換材のルミネセンスダイナミクスは、変調パルスレーザビーム３４が“通過”することができて、変調ルミネセンスが光センサ１８に達し、複合的な光情報を結合させることができるように選定すべきである。このことは、光センサ１８の単純な連続励起、例えば慣例の例外ルーチンは、チップを非アクティブにすることを意味している。しかしながら、所定のパルス励起は、ＣＰＵに複合的な動作をもたらす別のルーチンをトリガーさせる。ＣＰＵ２８は、“慣例の”ＲＦＩＤ信号だけでなく、光センサ１８からの所定の例外信号にも対応して、処理動作中に複合的な結果が得られるようにプログラムする。さらに、マトリクス３８を特殊な材料（組み合わせ）で形成して、例えば、フォトルミネセンスまたは不可視ストークスルミネセンスなどの他の光変換処理を用いることができるようにすることもできる。マトリクス３８は、カードの複合材料を積層するのに先立ち、シルクスクリーン印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、レターセット印刷、インクジェット印刷、熱転写印刷などの既知の印刷技術により取り付けてもよく、または、チップをエポキシ樹脂物質内に収容する際にＵＣ色素を組み込むことで、パルスレーザビーム３４だけが適切なルミネセンスを発生させるのに適するようにし、パルス化した“ＮＩＲ光”の強度ではそれを発生させるのに不十分であるようにすることもできる。
【００３２】
図３にはっきりと大きなスケールで示したチップセンサ１２は、８００ｎｍ未満の波長の光は不透明で、８００〜１１００ｎｍの波長の光には透過性であるカード材３６と、このカード材３６に隣接するＵＣコンバータ４０と、このＵＣコンバータに隣接する干渉フィルタ積層体４４とから成るフィルタ材と通信を行う。ここで、パルスレーザビーム３４はカード材３６を貫通し、ＵＣコンバータ４０に侵入する。カード材３６の背面に印刷されたＵＣコンバータ４０は、例えば、蛍光体としてのイッテルビウムおよびホルミウムをドープした酸硫化ガドリニウムから成り、好適には、ＵＣ放射４２が本質的に下向き、Ｓｉ光センサ型の光センサ１８の方向を向き、励起光として使用されるように形成する。干渉フィルタ積層体４４は非常に鋭い吸収エッジを有し、８００〜１１００ｎｍの波長の光を吸収する。使用する蛍光体のため、ＵＣコンバータは５５０ｎｍの放射を発生する。ルミネセンスはＳｉ光センサの方向にのみ広がることができ、そこでＣＰＵ２８に伝えられる信号２６をトリガーする。しかしながら、励起に必要とされるレーザビームはどんなに遅くともフィルタ積層体の層で吸収されてしまうため、Ｓｉ光センサをアクティブにすることができない。
【００３３】
図４は、Ｓｉ光センサ型の光センサ１８を含み、波長をシフトする光コンバータ４６と、８００〜１１００ｎｍの波長域において透過性である、光コンバータ４６に隣接するカード材３６とから成るフィルタ材を備える複数のチップセンサ１２を示す。ここで、パルスレーザビーム３４は光コンバータ４６に侵入する。光コンバータ４６は、（クロム）ランタノイドをドープしたイットリウムバナジウム酸塩（イットリウムリン酸塩、イットリウムホウ酸塩）から成り、赤色光を吸収してＮＩＲ域の放射を発生する。このように、本来の励起光は長波にシフトされる。最も簡単なケースでは、光コンバータは慣例の印刷法を用いて印刷するか、またはホイル状の付加材として前面に設置する。例えば、一般式ＹＡＧ：Ｃｒ，Ｎｄで規定される、クロムおよびネオジムをドープしたイットリウムアルミニウムガーネットなどの他の材料もまた、光コンバータとして用いることができる。ＩＳＯ７８１０によれば、光コンバータ４６に隣接するカード材３６は８００〜１１００ｎｍのＮＩＲ域においてのみ透過性である。光コンバータ４６は８００〜１１００ｎｍのパルスレーザビーム３４をほぼ完全に吸収するため、パルスレーザは光センサ１８に到達しない。しかしながら、赤色レーザ光（６３０〜６９０ｎｍ）は、光コンバータ４６の設計によって決まる９００〜１０００ｎｍのルミネセンス４８をトリガーし、このルミネセンスはカード材３６を透過して光センサ１８に至り、光センサ１８の励起光として働き、さらに信号１８としてＣＰＵ２８に到達する。例えば、光クロックに依存して、例外または所定のウォームリセットが実行され、これらはさらにＣＰＵ２８のオペレーティングシステムにより情報として処理される。
【００３４】
図５に示した複数のチップセンサは、カード材３６、３６ａから成るフィルタ材を異にする少なくとも２個の光センサ１８、１８ａを含む。ここで、パルスレーザビーム３４、３４ａはフィルタ材を貫通して光センサ１８、１８ａを励起し、これらは信号２６をＣＰＵ２８に別々に伝える。
【００３５】
カード材３６の構成／ドーピングを相違させることにより、光センサ１８、１８ａは異なる波長に感応する。この例では、カード材３６ａをイッテルビウムリン酸塩でドープして、８００ｎｍ未満の波長の光を透過し、８００ｎｍを超える波長の光は実質的に透過しないように形成する。光センサ１８ａはパルスレーザビーム３４ａの励起１４（波長６５０ｎｍ）を検知し、これをＣＰＵ２８用の信号１８に変換する。この信号は、この際９８０ｎｍの波長のパルスレーザビーム３４の励起を検知することができる第２の光センサを使用可能にするのに使用される。このように、情報を異なる光センサ１８、１８ａ間で分割することにより、３進ロジックを実装することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る、チップおよび複数のチップセンサを有するカードの概略図である。
【図２】本発明に係る、マトリクスを備えたフィルタ材を有する複数のチップセンサの概略図である。
【図３】本発明に係る、ＵＣコンバータおよび干渉フィルタ積層体を備えたフィルタ材を有する複数のチップセンサの概略図である。
【図４】本発明に係る、光コンバータを備えたフィルタ材を有する複数のチップセンサの概略図である。
【図５】本発明に係る、２つの光センサを有する複数のチップセンサの概略図である。
【図６】複数の従来型チップセンサの概略図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００  情報記憶装置
１０    チップ
１２    複数のチップセンサ
１４    励起
１６    エネルギー
１８    光センサ
１８ａ  光センサ
２０    温度センサ
２２    周波数センサ
２４    センサ
２６    信号
２８    ＣＰＵ
３０    アンテナ
３２    アンテナ載置部
３４    パルスレーザビーム
３４ａ  パルスレーザビーム
３６    カード材
３６ａ  イッテルビウムリン酸塩カード材
３８    マトリクス
４０    ＵＣコンバータ
４２    ＵＣ放射
４４    干渉フィルタ積層体
４６    光コンバータ
４８    ルミネセンス
５０    電磁場
５２    ルミネセンス放射
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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