(57)【要約】      （修正有）【課題】液晶装置等の電気光学装置を構成する電気光学装置用基板のサイズを所望のサイズに形成する。【解決手段】液晶装置１における画像表示面において、画像表示領域１０ａは、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って一定のピッチで配列された複数の画素ＰＸから構成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに重なる画素回路形成領域１０ｂのうち非素子形成領域４２５によって互いに隔てられた複数の素子形成領域４０１領域に、複数の画素ＰＸの夫々に対応するトランジスタ素子Ｔｒが形成されている。【選択図】図１３
2009059988.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の表示領域を構成し、且つ前記基板上の一の方向に沿って第１ピッチで配列される複数の画素の夫々に各々設けられており、前記複数の画素の夫々に対応して前記基板上に設けられる複数の表示素子を各々駆動する複数の駆動電極と、
前記一の方向に沿った長軸を各々有し、且つ前記一の方向に沿って相互にずらして前記基板上の半導体層に照射された複数の線状エネルギービームのうち前記一の方向に沿って各々の照射強度が均一である複数のビーム部分の夫々によって前記半導体層を多結晶化してなる複数の多結晶化部分の夫々を活性層として各々用い、且つ前記複数の駆動電極の夫々に各々電気的に接続されており、前記複数の表示素子の夫々の駆動を各々制御する複数のトランジスタ素子と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項２】
前記複数の多結晶化部分は、前記一の方向に沿って前記第１ピッチより広い幅を有し、且つ前記トランジスタ素子が設けられない非素子形成領域によって互いに隔てられた複数の素子形成領域に形成されており、
前記複数のトランジスタ素子は、前記複数の素子形成領域において前記一の方向に沿って配列されており、
前記複数のトランジスタ素子のうち前記素子形成領域及び前記非素子形成領域の境界から前記一の方向に沿って前記素子形成領域に向かって並ぶ所定の個数のトランジスタ素子は、前記第１ピッチより狭い第２ピッチで配列されていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
【請求項３】
前記第２ピッチは、前記一の方向に沿って前記素子形成領域の中央から前記境界に近いほど狭いこと
を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用基板。
【請求項４】
請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置用基板を具備してなること
を特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
基板上に半導体層を形成する第１工程と、
前記基板上の一の方向に沿った長軸を各々有する複数の線状エネルギービームを前記一の方向に沿って相互にずらして前記半導体層に照射することによって、前記半導体層のうち前記複数の線状エネルギービームの夫々の照射強度が前記一の方向に沿って均一である複数の照射領域の夫々に重なる複数の半導体部分の夫々を多結晶化する第２工程と、
該第２工程によって形成された複数の多結晶化部分の夫々を活性層として各々用いた複数のトランジスタ素子を形成する第３工程と、
前記複数の多結晶化部分を前記一の方向に沿って相互に隔てる領域の幅より狭い第１ピッチで前記一の方向に沿って配列され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に対応して設けられており、前記複数の画素の夫々に対応して前記基板上に各々設けられる複数の表示素子を各々駆動可能なように前記複数のトランジスタ素子の夫々に電気的に接続された複数の駆動電極を形成する第４工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、レーザ光等のエネルギービームをシリコン層等の半導体層に照射することによって形成されたポリシリコン層等の多結晶化部分を活性層として用いる画素スイッチング用ＴＦＴを備えた電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電気光学装置用基板の製造方法の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板の製造方法の一例では、ガラス基板上に形成されたシリコン層に線状のレーザ光を照射することによって当該シリコン層からポリシリコン層を形成し、当該ポリシリコン層を活性層として用いた画素スイッチング用ＴＦＴによって画素部を駆動可能なアクティブマトリクス基板の製造方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に開示された技術によれば、複数の線状レーザ光のような複数の線状エネルギービームが相互に重なる領域、線状エネルギービームが照射されない領域、及び複数の線状エネルギービームの夫々が均一な照射強度で照射された領域の夫々では、照射強度の違いに応じて互いに結晶性が異なるため、線状エネルギービームが照射されたシリコン層のうち、複数の線状エネルギービームが相互に重なる領域と、線状エネルギービームが照射されない領域との夫々に延びる部分は、ＴＦＴ等のトランジスタ素子の活性層として使用可能な程度に結晶化が均一、且つ十分に進んでいない。特許文献１に開示された技術によれば、基板上に設けられるトランジスタ素子のレイアウトに合わせて、基板上のシリコン層に選択的に線状エネルギービームが照射されている。より具体的には、線状エネルギービームの照射強度が均一である範囲でのみ半導体層が均一に多結晶化されるため、ＴＦＴ等のトランジスタ素子の活性層として使用可能な多結晶部分が基板上においてトランジスタ素子が配置されるべき領域に形成されるように、即ち、画素スイッチング用ＴＦＴ、及び周辺駆動回路の夫々が形成される領域に照射強度が均一なビーム部分が照射されるように、照射領域が選択されて線状エネルギービームが照射される。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１６４５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板上に形成された半導体層を多結晶化することを目的として複数の線状エネルギービームをこれらエネルギービームの長軸方向に沿って相互にずらして半導体層に照射した場合、より具体的には、基板及び当該基板上に形成されたシリコン層等の半導体層からなる大型のマザー基板に線条エネルギービームを照射することによって、画素スイッチング用ＴＦＴの活性層となる多結晶層を形成する場合、画素スイッチング用ＴＦＴ等のトランジスタ素子の活性層として使用可能な多結晶化部分は、線状エネルギービームの長軸方向に沿って照射強度が均一な範囲内で一様に多結晶化された部分に制限されてしまう。
【０００５】
より具体的には、例えば、線状エネルギービームの長軸方向に沿って当該エネルギービームの端の部分に相当するビーム部分であって、当該エネルギービームの外側に向かって照射強度が裾を引いて低下するビーム部分が照射された半導体部分、及びエネルギービームが全く照射されない半導体部分の夫々は、活性層としての使用に耐えうる程度の結晶性を有していない。したがって、基板上の表示領域を構成する複数の画素毎について当該画素に重なる領域に画素スイッチング用ＴＦＴを形成するように基板上における画素スイッチング用ＴＦＴのレイアウトを設計した場合、ＴＦＴ等のトランジスタ素子の活性層として使用可能な多結晶化部分を形成可能な領域内、即ち、線状エネルギービームの照射強度が均一な範囲内を最大のサイズとして一枚の電気光学装置用基板を形成できるだけである。
【０００６】
このため、線状エネルギービームの照射強度が不均一、或いはエネルギービームが全く照射されていない領域を超えて各画素に対応する画素スイッチング用ＴＦＴ等のトランジスタ素子を形成し、一枚の電気光学装置用基板を製造すること、或いは電気光学装置における表示領域のサイズに応じて電気光学装置用基板のサイズを所望のサイズに形成することは技術的に困難である。
【０００７】
したがって、半導体層に照射される線状エネルギービームの照射強度が当該エネルギービームの長軸に沿って均一になる範囲を広げない限り、一枚の大型のマザー基板から製造可能な電気光学装置用基板のサイズを大きくすることは困難であるうえ、電気光学装置の設計に応じて大型のマザー基板から所望のサイズの電気光学装置用基板を製造することは困難である。
【０００８】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、半導体層を多結晶化する際に照射される線状エネルギービームのうち照射強度が均一なビーム部分のサイズに制限されることなく、より大きなサイズに、或いは所望のサイズに形成可能な電気光学装置基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びにこのような電気光学装置用基板を製造可能な電気光学装置用基板の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域を構成し、且つ前記基板上の一の方向に沿って第１ピッチで配列される複数の画素の夫々に各々設けられており、前記複数の画素の夫々に対応して前記基板上に設けられる複数の表示素子を各々駆動する複数の駆動電極と、前記一の方向に沿った長軸を各々有し、且つ前記一の方向に沿って相互にずらして前記基板上の半導体層に照射された複数の線状エネルギービームのうち前記一の方向に沿って各々の照射強度が均一である複数のビーム部分の夫々によって前記半導体層を多結晶化してなる複数の多結晶化部分の夫々を活性層として各々用い、且つ前記複数の駆動電極の夫々に各々電気的に接続されており、前記複数の表示素子の夫々の駆動を各々制御する複数のトランジスタ素子とを備える。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置用基板によれば、「表示素子」は、例えば、ＥＬ素子等の自発光素子、或いは光を変調する液晶素子等の光学素子である。当該電気光学装置用基板を有する電気光学装置では、複数の駆動電極の夫々を介して複数の表示素子の各々が駆動されることによって、当該駆動に応じた画像を表示領域に表示可能である。このような駆動電極は、例えば、「表示素子」が液晶素子である場合には、画像信号線を介してデータ信号が供給される画素電極であり、「表示素子」がＥＬ素子等の自発光素子である場合には、駆動電流を当該自発光素子の発光層に供給するために発光層に電気的に接続された電流供給電極である。
【００１１】
複数の画素の夫々に各々設けられた複数の表示素子は、当該電気光学装置用基板を含んで電気光学装置が組み上げられた状態において、基板上の一の方向に沿って第１ピッチで配列される複数の画素に対応して設けられているため、複数の駆動電極は、基板上において複数の表示素子の配列パターンと同様に基板上の表示領域に配列されている。より具体的には、複数の駆動電極は、複数の画素と同様に、一の方向に沿って第１ピッチで配列されている。尚、複数の画素は、例えば、基板上において一の方向、及び一の方向に交わる他の方向に沿って配列されることによって、２次元的に画像を表示可能な表示領域を構成する。
【００１２】
当該電気光学装置用基板の製造時において、複数の線状エネルギービームの夫々は、基板上の一の方向に沿った長軸を各々有しており、一の方向に沿って相互にずらして基板上の半導体層に同時に、或いは相前後して照射される。加えて、このような複数の線状エネルギービームの夫々は、例えば、基板上において、一の方向に交わる他の方向に沿って走査されながら、或いは順次照射領域をずらしながら半導体層に面状に照射される。その結果、半導体層のうち線状エネルギービームが照射された部分が線状エネルギービームの照射エネルギーによって多結晶化される。より具体的には、例えば、シリコン層からなる半導体層のうち線状エネルギービームが照射された部分が、ポリシリコン層に結晶化される。
【００１３】
ここで、半導体層に照射される複数の線状エネルギービームの夫々の照射強度は、基板上においてこれら線状エネルギービームの長軸が延びる一の方向に沿って必ずしも均一にならない。より具体的には、例えば、一の方向に沿って照射される線状のレーザ光等の線状エネルギービームの両端では、エネルギービームの照射強度が一の方向に沿って当該エネルギービームの外側に向かって裾を引くように低下する。半導体層のうち当該照射強度が裾を引いて低下するビーム部分が照射された部分は、活性層としての使用に耐えうる程度に十分に結晶化されないため、線状エネルギービームの両端において照射強度が裾を引いて低下するビーム部分と、これら両端に挟まれ、且つ照射強度が均一であるビーム部分とでは、半導体層のうちこれらビーム部分の夫々によって多結晶化された部分の結晶性が互いに異なる。例えば、半導体層のうち複数の線状エネルギービームのうち照射強度が一の方向に沿って各々均一である複数のビーム部分が照射されることによって半導体層を多結晶化してなる複数の多結晶化部分の夫々は、トランジスタ素子の活性層として使用可能な程度に正常に、且つ均一に成長した結晶粒からなる多結晶化部分になる。
【００１４】
また、半導体層のうち照射強度が各々不均一であるビーム部分が照射されることによって結晶化された部分は、活性層として使用可能な程度に均一な結晶化が進んでいない部分となる。半導体層のうち一の方向に沿って線状エネルギービームがまったく照射されなかった部分は、多結晶化が全く進んでいないため、活性層として用いられない。
【００１５】
ここで、「照射強度が一の方向に沿って各々均一である」とは、一本の線状エネルギービームに注目した場合に、当該線状エネルギービームの任意の部分の照射強度と、一の方向に沿って当該任意の部分の前後に位置する夫々の部分における照射強度とが、多結晶部分を活性層として使用可能な程度に相互に揃っていることをいう。したがって、一の方向に沿って線状エネルギービームの端を占めるビーム部分、即ち当該エネルギービームの外側に向かって裾を引いて照射強度が低下するビーム部分は、照射強度が一の方向に沿って各々均一である複数のビーム部分に含まれない。
【００１６】
複数のトランジスタ素子は、上述のように半導体層に照射された複数の線状エネルギービームのうち一の方向に沿って各々の照射強度が均一である複数のビーム部分の夫々によって半導体層を多結晶化してなる複数の多結晶化部分の夫々を活性層として各々用いて構成されている。言い換えれば、複数のトランジスタ素子は、一の方向に沿って複数の画素が配列される第１ピッチと同様のピッチで基板上に形成されているのではなく、基板上において、活性層として各々用いられることが可能な複数の多結晶部分が形成された領域に形成されていることになる。より具体的には、複数の多結晶部分が形成された領域は、基板上の表示領域となるべき領域の一部に重なる領域を各々構成しており、複数の駆動電極が形成されるに先んじて、複数のトランジスタ素子が当該一部に重なる領域に形成されている。
【００１７】
したがって、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、基板上に形成された半導体層のうち不均一な照射強度を有するビーム部分が照射された部分が形成されている領域、線状エネルギービームが全く照射されなかった部分が形成されている領域、或いはこれら領域の夫々を含んでなる領域から構成され、基板上において複数の多結晶部分が形成されていない領域を介して隔てられた領域の夫々に複数のトランジスタ素子が形成されていることになる。よって、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、照射強度が均一なビーム部分が照射された範囲を超えて、即ち、複数の多結晶化部分の夫々が形成された複数の領域の夫々に、複数の画素の夫々に対応する複数の画素スイッチング用ＴＦＴ等の複数のトランジスタ素子が形成されていることになる。
【００１８】
加えて、このような複数のトランジスタ素子は、複数の駆動電極の夫々に配線層等の電気的接続手段を介して各々電気的に接続されており、複数の表示素子の夫々の駆動を各々制御する。したがって、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、当該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の動作時に、基板上の一方向に沿って第１ピッチで配列された複数の画素から構成される表示領域に画像を表示可能である。
【００１９】
このように、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、複数の駆動電極の夫々に各々電気的に接続された複数のトランジスタ素子は、基板上において一本のエネルギービームのうち照射強度が均一なビーム部分の長さのサイズを超えた領域に渡って形成されていることになり、大型のマザー基板から所望のサイズで形成されることが可能である。加えて、本発明に係る電気光学装置用基板によれば、当該電気光学装置用基板を備えて組み上げられた電気光学装置の動作時に、一の方向に沿って第１ピッチで配列された複数の画素からなる表示領域に画像を表示可能である。
【００２０】
本発明に係る電気光学装置用基板の一の態様では、前記複数の多結晶化部分は、前記一の方向に沿って前記第１ピッチより広い幅を有し、且つ前記トランジスタ素子が設けられない非素子形成領域によって互いに隔てられた複数の素子形成領域に形成されており、前記複数のトランジスタ素子は、前記複数の素子形成領域において前記一の方向に沿って配列されており、前記複数のトランジスタ素子のうち前記素子形成領域及び前記非素子形成領域の境界から前記一の方向に沿って前記素子形成領域に向かって並ぶ所定の個数のトランジスタ素子は、前記第１ピッチより狭い第２ピッチで配列されていてもよい。
【００２１】
この態様によれば、複数の多結晶化部分は、一の方向に沿って第１ピッチより広い幅を有し、且つトランジスタ素子が設けられない非素子形成領域によって互いに隔てられた複数の素子形成領域に形成されているため、複数の多結晶層の夫々を活性層として各々用いる複数のトランジスタ素子は、基板上において複数の多結晶層の夫々が形成された複数の素子形成領域に形成されていることになる。この態様によれば、基板上の表示領域において複数の画素の夫々の配列状態に対応させて複数のトランジスタ素子を配列するのではなく、基板上において複数の多結晶層の夫々が形成された複数の素子形成領域の夫々に限定して複数のトランジスタ素子が形成されているため、これらトランジスタ素子の一の方向に沿ったピッチは、複数の画素の第１ピッチと一致しない部分が生じる。
【００２２】
そこで、この態様では、複数の素子形成領域の夫々において、複数のトランジスタ素子のうち素子形成領域及び非素子形成領域の境界から一の方向に沿って素子形成領域に向かって並ぶ所定の個数のトランジスタ素子が、第１ピッチより狭い第２ピッチで配列されていることによって、複数の素子形成領域の夫々に限定して複数のトランジスタ素子が形成されていても、複数の画素の夫々に対応する個数のトランジスタ素子が基板上に形成されていることになる。
【００２３】
より具体的には、例えば、第１ピッチが１００μｍであり、且つ一の方向に沿った非素子形成領域の幅を５００μｍにする場合、即ち、均一、且つ十分な結晶性を有する多結晶部分が形成されない領域の幅が５００μｍになる場合、当該非素子形成領域によって相互に隔てられた複数の素子形成領域の夫々では、各素子形成領域のうち非素子形成領域に近い側の領域において５列分だけトランジスタ素子のピッチを１００μｍから５０μｍに短くすることによって、一の方向に沿って１００μｍのピッチで複数のトランジスタ素子を配列する場合に比べて、５００μｍの幅を有する非素子形成領域を基板上に確保できる。言い換えれば、元々複数の画素の第１ピッチと同様のピッチで配列されるべき複数のトランジスタ素子のピッチを部分的に縮めることによって、多結晶部分が形成された素子形成領域に複数のトランジスタ素子のすべてが作り込まれているのである。
【００２４】
したがって、この態様によれば、画素スイッチング用ＴＦＴ等のトランジスタ素子の動作特性は、不均一、或いは全く結晶化されていない半導体層の一部を活性層として用いる場合に比べて高められているため、照射強度が均一なビーム部分のサイズを超えて電気光学装置用基板のサイズが大型化可能になっていると共に、当該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置の表示性能も高めること可能である。
【００２５】
この態様では、前記第２ピッチは、前記一の方向に沿って前記素子形成領域の中央から前記境界に近いほど狭くてもよい。
【００２６】
この態様によれば、所定の個数のトランジスタ素子の夫々に対応する駆動電極と、これら所定の個数のトランジスタ素子との平面的な距離を近づけることができるため、トランジスタ素子及び駆動電極間の配線等の電気的に接続手段の引き回し、及び形成が容易になる。
【００２７】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために上述した本発明の電気光学装置用基板を具備してなる。
【００２８】
本発明に係る電気光学装置によれば、本発明の電気光学装置用基板を具備してなるので、表示性能に優れ、且つ所望のサイズの表示領域を有する電気光学装置を提供することができる。
【００２９】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に半導体層を形成する第１工程と、前記基板上の一の方向に沿った長軸を各々有する複数の線状エネルギービームを前記一の方向に沿って相互にずらして前記半導体層に照射することによって、前記半導体層のうち前記複数の線状エネルギービームの夫々の照射強度が前記一の方向に沿って均一である複数の照射領域の夫々に重なる複数の半導体部分の夫々を多結晶化する第２工程と、該第２工程によって形成された複数の多結晶化部分の夫々を活性層として各々用いた複数のトランジスタ素子を形成する第３工程と、前記複数の多結晶化部分を前記一の方向に沿って相互に隔てる領域の幅より狭い第１ピッチで前記一の方向に沿って配列され、且つ前記基板上の表示領域を構成する複数の画素の夫々に対応して設けられており、前記複数の画素の夫々に対応して前記基板上に各々設けられる複数の表示素子を各々駆動可能なように前記複数のトランジスタ素子の夫々に電気的に接続された複数の駆動電極を形成する第４工程とを備える。
【００３０】
本発明に係る電気光学装置用基板の製造方法によれば、上述の電気光学装置用基板と同様に、複数の駆動電極の夫々に各々電気的に接続された複数のトランジスタ素子を、基板上において一本のエネルギービームのうち照射強度が均一なビーム部分の長さのサイズを超えた領域に渡って形成できることになり、大型のマザー基板から所望のサイズの電気光学装置用基板を製造可能である。
【００３１】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置基板、及びこれを具備してなる電気光学装置、並びに、電気光学装置用基板の製造方法の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、本発明に係る電気光学装置の一例として、画素スイッチング用ＴＦＴ等のトランジスタ素子を備えた反射型液晶装置を挙げる。尚、本発明に係る電気光学装置は、液晶装置に限定されるものではなく、ＥＬ素子等の自発光素子を具備してなる表示装置であってもよい。このような自発光素子を具備してなる電気光学装置では、各自発光素子に駆動電流を供給する電流供給電極が、本発明の「駆動電極」の一例になる。
【００３３】
＜１：液晶装置＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。本実施形態に係る液晶装置１は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式で駆動され、表示面２０ｓ側から液晶装置に入射した光を本発明の「駆動電極」の一例である画素電極９ａによって反射し、表示面２０ｓから光を出射することによって画像を表示可能な反射型表示装置である。
【００３４】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明に係る電気光学装置用基板における「基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、複数の画素部が設けられる表示領域たる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００３６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００３７】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３８】
ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域には、タッチパネル機能を確保するために画素部に設けられた光センサを含むセンサ部（不図示）を制御するためのセンサ制御回路部２０１が形成されている。外部回路接続端子１０２は、外部回路及び液晶装置１を電気的に接続する接続手段の一例であるフレキシブル基板２００に設けられた接続端子に接続されている。尚、センサ制御回路部２０１は、液晶装置１に内蔵されていてもよいし、液晶装置１の外部に形成されていてもよい。
【００３９】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の複数の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜、更には最上層部分に配向膜２３が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。液晶装置１によって表示される画像は、対向基板２０の両面のうち液晶層５０に面しない側の表示面２０ｓに表示される。
【００４１】
尚、本実施形態では、説明の便宜上、偏光板及びカラーフィルタの図示を省略しており、対向基板２０上に偏光板及びカラーフィルタが配置されている場合には、図中において、液晶装置１の最上面が表示面になる。また、液晶装置１は、表示面２０ｓ側から入射した光を、画素電極９ａによって反射し、当該反射光を液晶層５０によって変調することによって所望の画像を表示する。図２において、液晶装置１のうちＴＦＴアレイ基板１０側に設けられた配向膜より下層側の部分が、本発明の「電気光学装置用基板」の一例である液晶装置用基板６００を構成している。
【００４２】
図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４３】
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の回路構成を説明する。図３は、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々に対応する画素部における各種素子、配線等の等価回路である。
【００４４】
図３において、液晶装置１の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部７２を備えている。画素部７２は、画素電極９ａ、本発明の「トランジスタ素子」の一例であるトランジスタ素子Ｔｒ、及び、本発明の「表示素子」の一例である液晶素子５０ａを備えている。トランジスタ素子Ｔｒは、画像信号が供給されるデータ線６ａと、画素電極９ａとに電気的に接続されており、液晶装置１の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴである。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４５】
トランジスタ素子Ｔｒのゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、液晶装置１は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、トランジスタ素子Ｔｒのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるトランジスタ素子Ｔｒを一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４６】
液晶層５０に含まれる液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各サブ画素部の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。蓄積容量７０は、固定電位線３００に電気的に接続されており、画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶素子５０ａと並列に付加されている。
【００４７】
次に、図４乃至図１７を参照しながら、液晶装置用基板６００の製造方法の一工程の例を説明しつつ、当該製造方法によって製造される液晶装置用基板に生じる不利益を説明し、その上で、液晶装置用基板６００を具備してなる液晶装置１の特徴を説明する。図４は、液晶装置用基板の製造方法における一部の工程を図式的に示した工程平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ´断面図である。図６は、ポリシリコン層を形成するために用いられる線状レーザ光の照射強度分布を図式的に示したグラフである。図７は、図４における領域４００を詳細に示した部分平面図である。図８は、線状レーザ光及びこれによって形成されるポリシリコン層の形成領域の関係を示す概念図であって、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´断面図と共に、線状レーザ光の照射強度分布を示した図である。図９は、図４における領域４００を詳細に示した部分平面図の他の例である。図１０は、線状レーザ光及びこれによって形成されるポリシリコン層の形成領域の関係を示す概念図であって、図９のＸ−Ｘ´断面図と共に、線状レーザ光の照射強度分布を示した図である。図１１は、図４における領域４００を詳細に示した部分平面図の他の例である。図１２は、線状レーザ光及びこれによって形成されるポリシリコン層の形成領域の関係を示す概念図であって、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ´断面図と共に、線状レーザ光の照射強度分布を示した図である。図１３は、本実施形態に係る液晶装置を、画像表示面（図１３（ａ））と、画素回路形成面（図１３（ｂ））とに分けて夫々を図式的に示した平面図である。図１４は、本実施形態に係る液晶装置の比較例に係る液晶装置を、画像表示面（図１４（ａ））と、画素回路形成面（図１４（ｂ））とに分けて夫々図式的に示した平面図である。
【００４８】
図４及び図５に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴとして用いられるトランジスタ素子Ｔｒを備えた液晶装置用基板６００を製造する際には、先ず、ガラス基板等からなる大型基板５００上にシリコン層等の半導体層５０１を形成し、複数の線状レーザ光Ｒを大型基板５００上の一の方向であるＸ方向に沿って相互にずらして同時に、或いは相前後してＹ方向に沿って照射することによってポリシリコン層等の多結晶化部分５１０を形成し、当該多結晶化部分５１０をトランジスタ素子の活性層として用いる。
【００４９】
ここで、図６に示すように、線状レーザ光Ｒは、Ｘ方向に長軸を有しており、Ｘ方向に沿って照射強度が均一であるビーム部分Ｂ１と、レーザ光Ｒの両端の夫々において当該レーザ光Ｒの外側に向かって照射強度が裾を引いて低下するビーム部分Ｂ２とから構成されている。
【００５０】
図６に示した線状レーザ光Ｒの照射強度の分布を踏まえつつ、図７乃至図１２を参照しながら、レーザ光Ｒの照射によって形成される多結晶化部分の各態様を詳細に説明する。図７及び図８において、Ｘ方向に沿って相互に隣り合うレーザ光Ｒのビーム部分Ｂ２が相互に重なった状態で複数の線状レーザ光Ｒが半導体層５０１に照射された場合、半導体層５０１のうちビーム部分Ｂ１が照射された部分が、本発明の「多結晶化部分」の一例である多結晶化部分５１０として均一、且つ十分に成長した多結晶層になる。半導体層５０１のうち、相互に重なるビーム部分Ｂ２から構成されるビーム部分Ｂ３が照射された多結晶部分５２０ａと、ビーム部分Ｂ２が照射された多結晶部分５２０ｂとは、活性層としての使用耐えうる程度の結晶性を有していない。したがって、基板５００上において、多結晶化部分５１０が形成された領域が、画素スイッチング用ＴＦＴ等のトランジスタ素子Ｔｒを形成可能な素子形成領域４０１となり、基板５００上において多結晶部分５２０ａ及び５２０ｂが形成された領域は、トランジスタ素子Ｔｒを形成できない非素子形成領域４２０ａ及び４２０ｂとなる。このような非素子形成領域４２０ａ及び４２０ｂが、本発明の「非素子形成領域」の一例を構成している。
【００５１】
次に、図９及び図１０を参照しながら、基板５００上に形成される多結晶化部分の他の態様を説明する。
【００５２】
図９及び図１０において、基板５００上においてＸ方向に沿って相互に隣接して照射される線状レーザ光Ｒが、各々のビーム部分Ｂ２が相互に接するように半導体層５０１に照射された場合には、多結晶化部分５１０に挟まれた多結晶部分５２１ａと、多結晶部分５２０ｂとの夫々は、多結晶化部分５１０より結晶性が劣り、トランジスタ素子Ｔｒの活性層として用いられない。したがって、基板５００上において、多結晶部分５２１ａが形成された非素子形成領域４２１ａ、及び非素子形成領域４２０ｂが本発明の「非素子形成領域」の他の例になる。
【００５３】
図１１及び図１２において、基板５００上においてＸ方向に沿って相互に隣接して照射される線状レーザ光Ｒが各々のビーム部分Ｂ２が相互に接することなく、即ち、Ｘ方向に沿って隣り合うように半導体層５０１に照射される線状レーザ光Ｒの間に全くレーザ光Ｒが照射されない半導体部分４２３が存在している場合には、Ｘ方向に沿って並んで形成された多結晶化部分５１０に挟まれた多結晶部分５２０ｂと、半導体部分４２３との夫々は、多結晶化部分５１０より結晶性が劣り、トランジスタ素子Ｔｒの活性層として用いられない。したがって、基板５００上において、半導体部分４２３が形成された領域を含む非素子形成領域４２２ａ、及び非素子形成領域４２０ｂが本発明の「非素子形成領域」の他の例になる。
【００５４】
次に、図１３及び図１７を参照しながら、液晶装置用基板６００の特徴、即ち、液晶装置用基板６００に形成された複数のトランジスタ素子Ｔｒの配列状態を説明する。
【００５５】
先ず、図１４を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の比較例における複数の画素ＰＸと、トランジスタ素子Ｔｒとの夫々の配列状態を説明する。
【００５６】
図１４（ａ）に示すように、比較例に係る液晶装置では、画像表示面における画像表示領域１０ａは、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って一定のピッチで配列された複数の画素ＰＸから構成されている。図１４（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上において画像表示領域１０ａに重なり、トランジスタ素子Ｔｒを含む画素回路が形成される画素回路形成領域１０ｂでは、複数の画素ＰＸのピッチと同様のピッチで各画素ＰＸに対応してトランジスタ素子Ｔｒが配列されている。
【００５７】
ここで、上述したように、画像表示面における複数の画素ＰＸのピッチは一定であるため、複数の画素ＰＸと同様のピッチでトランジスタ素子Ｔｒを基板５００上に配列した場合、基板５００及びその上に形成された半導体層５０１からなるマザー基板から形成可能な液晶装置用基板のサイズは、均一な照射強度を有するビーム部分Ｂ１の照射されることによって形成された多結晶化部分５１０が基板５００に存在する領域、即ち、素子形成領域４０１のサイズに限定されてしまう。何故なら、図４乃至図１２に示した多結晶部分５２０、５２０ａ、５２０ｂ、５２１ａ、及び結晶化されていない半導体部分４２３は、半導体層５０１のうちビーム部分Ｂ２が照射された部分、或いはビーム部分Ｂ２が照射された部分及び全くレーザ光が照射されなかった部分であり、多結晶層部分５１０に比べて、トランジスタ素子Ｔｒの活性層としての使用に耐えうる程度まで均一、且つ十分に成長した結晶粒から構成されておらず、トランジスタ素子Ｔｒの活性層として用いることができないためである。つまり、複数の画素ＰＸがＸ方向に沿って一定のピッチでこれら多結晶部分５２０等が形成された非素子形成領域４２０ａ、４２０ｂ、及び４２２ａに重なるように配列されたとしても、これら複数の画素ＰＸに対応するトランジスタ素子Ｔｒを基板５００上における各画素ＰＸに重なる領域に形成できないのである。このため、比較例に係る液晶装置が備える液晶装置用基板の製造時に、ビーム部分Ｂ２を各々有する複数のレーザ光Ｒを半導体層５０１に照射することによってポリシリコン層等の多結晶層を形成した場合には、大型基板５００上において多結晶化部分５１０が形成された領域のサイズ、より具体的には、多結晶化部分５１０における図４中Ｘ方向に沿ったサイズに応じて大型基板５００から形成可能な液晶装置用基板のサイズが制限されてしまう。
【００５８】
そこで、図１３を参照しながら、ビーム部分Ｂ１のサイズに限定されることなく、所望のサイズで製造されることが可能な本実施形態に係る液晶装置用基板に特有の構造を説明する。
【００５９】
図１３（ａ）に示すように、液晶装置１における画像表示面において、画像表示領域１０ａは、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って一定のピッチで配列された複数の画素ＰＸから構成されている。
【００６０】
図１３（ｂ）に示すように、複数の画素ＰＸは、非素子形成領域４２０ａ、４２０ｂ、及び４２２ａ等の領域を含む非素子形成領域４２５に重ねて設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａに重なる画素回路形成領域１０ｂのうち非素子形成領域４２５によって互いに隔てられた複数の素子形成領域４０１、即ちビーム部分Ｂ１によって半導体層５０１が多結晶化されてなる複数の多結晶化部分５１０の夫々が形成された領域に、複数の画素ＰＸの夫々に対応するトランジスタ素子Ｔｒが形成されている。即ち、非素子形成領域４２５にトランジスタ素子Ｔｒが形成されることを避けつつ、素子形成領域４０１より広い領域に画像表示領域１０ａが形成されている。より具体的には、液晶装置用基板６００は、素子形成領域４０１のＸ方向に沿った幅Ｌ１より大きいサイズに形成可能となっている。
【００６１】
次に、図１５乃至図１７を参照しながら、液晶装置１の構造を詳細に説明する。図１５は、図１３中のＸＶ−ＸＶ´断面図である。図１６は、トランジスタ素子の具体的構造を示した断面図である。図１７は、マトリクス状に配列された画素スイッチング用素子として用いられるトランジスタ素子Ｔｒのうち任意の行における配列状態を図式的に示した平面図である。尚、図１５では、説明の便宜上、Ｘ方向に沿って配列された１１個の画素ＰＸｉ（ｉ＝１〜１１）、これら画素に対応してＴＦＴアレイ基板１０上に配列されたトランジスタ素子Ｔｒｉ（ｉ＝１〜１１）、及び各画素Ｐｘに設けられた画素電極９ａの配列状態に注目して説明する。
【００６２】
図１５に示すように、複数の画素ＰＸｉは、ＴＦＴアレイ基板１０においてＸ方向に沿って一定のピッチｐ１で配列されており、複数の画素電極９ａの夫々は、各画素ＰＸｉに応じてピッチｐ１で配列されている。トランジスタ素子Ｔｒｉは、ＴＦＴアレイ基板１０上においてＸ方向に沿って素子形成領域４０１に配列されている。
【００６３】
図１６に示すように、トランジスタ素子Ｔｒｉは、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃ及びドレイン領域１ｄを含んで構成される活性層１ａと、ゲート絶縁膜４１、ゲート電極３ａ１とを備えて構成されており、ソース領域１ｓ及びドレイン領域１ｄの夫々に電気的に接続されたコンタクトホール８１及び８２、並びにこれらコンタクトホールの夫々に電気的に接続された端子８３及び８４を介してデータ線６ａ及び画素電極９ａに電気的に接続されている。
【００６４】
図１５及び図１６に示すように、活性層１ａは、液晶装置１を製造する製造プロセスの途中において、Ｘ方向に沿ってピッチｐ１より広い幅を有し、且つトランジスタ素子Ｔｒｉが設けられない非素子形成領域４２５によって互いに隔てられた複数の素子形成領域４０１に形成された多結晶化部分５１０（図７乃至図１１参照）をトランジスタ素子Ｔｒｉの配列及びサイズ、並びに素子形状に応じてパターニングすることによって形成されている。
【００６５】
加えて、液晶装置１では、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａにおいて複数の画素ＰＸの夫々の配列状態に対応させて複数のトランジスタ素子Ｔｒｉが配列されているのではなく、複数の多結晶化部分５１０の夫々が形成された複数の素子形成領域４０１の夫々に限定して複数のトランジスタ素子Ｔｒｉが形成されている。したがって、素子形成領域４０１では、Ｘ方向に沿って複数のトランジスタ素子Ｔｒｉのピッチが、複数の画素ＰＸのピッチｐ１と一致しない部分が生じる。
【００６６】
そこで、液晶装置１では、複数の素子形成領域４０１の夫々において、複数のトランジスタ素子Ｔｒｉのうち素子形成領域４０１及び非素子形成領域４２５の境界４３０からＸ方向に沿って素子形成領域４０１に向かって並ぶ所定の個数のトランジスタ素子、より具体的には、トランジスタ素子Ｔｒ２乃至Ｔｒ６が、ピッチｐ１より狭いピッチｔ２で配列されており、トランジスタ素子Ｔｒ７乃至Ｔｒ１１がピッチｐ１と同様のピッチｔ１で配列されている。したがって、複数の素子形成領域４０１の夫々に限定して複数のトランジスタ素子Ｔｒｉが形成されていても、複数の画素ＰＸの夫々に対応する個数のトランジスタ素子がＴＦＴアレイ基板１０上に形成されていることになる。
【００６７】
図１７に示すように、本実施形態では、特に、ピッチｐ１が１００μｍであり、且つＸ方向に沿った非素子形成領域４２５の幅、即ち、トランジスタ素子Ｔｒ１が形成された領域及びトランジスタ素子Ｔｒ２が形成された領域間の幅であるピッチｔ３を５００μｍにする場合、非素子形成領域４２５によって相互に隔てられた複数の素子形成領域４０１の夫々では、各素子形成領域４０１のうち非素子形成領域４２５に近い側の領域４０１ａにおいて５列分だけトランジスタ素子のピッチｔ２を１００μｍから５０μｍに短くすることによって、即ち、ピッチｔ１を１００μｍとし、且つピッチｔ２を５０μｍにすることによって、Ｘ方向に沿って５００μｍの幅を有する非素子形成領域４２５をＴＦＴアレイ基板１０上に確保できる。
【００６８】
言い換えれば、元々複数の画素ＰＸのピッチｐ１と同様のピッチｔ１で配列されるべき複数のトランジスタ素子Ｔｒｉのピッチを部分的に縮めることによって、即ち、トランジスタ素子Ｔｒ２乃至Ｔｒ６のピッチｔ２をピッチｔ１より短いピッチに設定することによって、画像表示領域１０ａに設けられた複数の画素ＰＸの夫々に対応する複数のトランジスタ素子Ｔｒｉの全てが、多結晶化部分５１０が形成された素子形成領域４０１に作り込まれているのである。
【００６９】
したがって、液晶装置１によれば、画素スイッチング用ＴＦＴ等のトランジスタ素子Ｔｒの動作特性は、不均一、或いは全く結晶化されていない半導体層５０１の一部を活性層１ａとして用いる場合に比べて高められているため、照射強度が均一なビーム部分Ｂ１のサイズを超えて液晶装置用基板６００のサイズを大型化できる。即ち、ポリシリコン層等の多結晶化部分５１０を形成する際に半導体層５０１に照射される線状レーザ光Ｒにおけるビーム部分Ｂ１のサイズに限定されることなく、各画素ＰＸに対応するとトランジスタ素子ＴｒがＴＦＴアレイ基板１０上に形成されていることになり、液晶装置用基板６００のサイズを所望のサイズに設定することができ、大型のマザー基板から製造可能な液晶装置用基板６００のサイズの自由度を高めることが可能である。
【００７０】
（変形例）
次に、図１８及び図１９を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置用基板６００の一変形を具備してなる液晶装置を説明する。図１８は、本例に係る液晶装置を、画像表示面（図１８（ａ））と、その下層側における画素回路形成面（図１８（ｂ））とに分けて夫々図式的に示した平面図である。図１９は、図１８中のＩＸＸ−ＩＸＸ´断面図である。
【００７１】
図１８（ａ）に示すように、本例に係る液晶装置では、上述の液晶装置と同様に、画像表示面における画像表示領域１０ａが、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って一定のピッチで配列された複数の画素ＰＸから構成されている。図１８（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上における素子形成領域４０１に設けられた複数の画素スイッチング用ＴＦＴの夫々として動作する複数のトランジスタ素子Ｔｒのうち所定の個数のトランジスタ素子Ｔｒが、Ｘ方向に沿って素子形成領域４０１の中央から、素子形成領域４０１及び非素子形成領域４２５の境界４３０に向かうほどピッチが狭くなるように配列されている。
【００７２】
より具体的には、図１９に示すように、素子形成領域４０１に配列されたトランジスタ素子Ｔｒ２乃至Ｔｒ１１のうちトランジスタ素子Ｔｒ２乃至Ｔｒ７までの夫々のトランジスタ素子相互のピッチは、素子形成領域４０１の中央から境界４３０に向かってピッチｔ１６、ｔ１５、ｔ１４、ｔ１３、ｔ１２の順で狭くなっている。ここで、ピッチｔ１２、ｔ１３、ｔ１４、ｔ１５、ｔ１６の夫々が本発明の「第２ピッチ」の一例である。トランジスタ素子Ｔｒ１乃至Ｔｒ１１の夫々は、これらトランジスタ素子の上層側で一定のピッチｐ１で配列された画素電極９ａの夫々に不図示の配線及び中継配線等の電気的接続手段を介して電気的に接続されており、各画素電極９ａに画像信号に応じた電位を供給することによって画素毎に液晶素子５０ａを駆動でき、この駆動に応じて画像表示領域１０ａに所望の画像が表示される。
【００７３】
このように、トランジスタ素子Ｔｒが素子形成領域４０１の中央に向かってピッチが徐々に大きくなるように配列されていることによって、上述したピッチｔ２で複数のトランジスタ素子Ｔｒ１乃至Ｔｒ６を配列する場合に比べて、これらトランジスタ素子Ｔｒ２乃至Ｔｒ６の夫々に対応する画素電極９ａと、これらトランジスタ素子との平面的な距離を近づけることができるため、各トランジスタ素子Ｔｒ及び画素電極９ａを相互に電気的に接続する配線等の電気的接続手段の引き回し、及び形成が容易になる。
【００７４】
よって、本例に係る液晶装置が具備する液晶装置用基板によれば、上述の液晶装置用基板６００と同様に、大型のマザー基板から製造可能な液晶装置用基板をサイズの設計における自由度が広がると共に、液晶装置における配線等のレイアウトの自由度が増え、液晶装置の製造が容易になる。
【００７５】
<２：液晶装置用基板の製造方法>
次に、図２０乃至図２３を参照しながら、上述の液晶装置が具備する液晶装置用基板６０を製造するための液晶装置用基板の製造方法を説明する。図２０及び図２１は、本実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法の主要な工程を順に示した工程平面図である。図２２及び２３は、図２０及び図２１の夫々におけるＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ´断面図、及びＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ´断面図である。尚、以下では、液晶装置用基板６００を製造するための用いられるガラス基板等の大型サイズの基板５００の一部、即ち、最終的に液晶装置用基板６００のなる部分に注目して説明する。したがって、本実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法によれば、大型のマザー基板を構成する複数の基板部分の夫々が最終的に液晶装置用基板となってもよいし、一枚のマザー基板から一枚の液晶装置用基板を製造することも可能である。
【００７６】
図２０（ａ）及び図２２（ａ）に示すように、先ず、本発明の「第１工程」の一例として、ＴＦＴアレイ基板１０上に半導体製造プロセスで汎用される薄膜形成方法を用いてシリコン層等の半導体層５０１を形成する。
【００７７】
次に、図２０（ｂ）及び図２２（ｂ）に示すように、図中Ｘ方向に沿って長軸を有する複数の線状レーザ光Ｒを、Ｘ方向に沿って互いにずらして同時に、又は相前後してＹ方向に走査しながら、或いは順次、半導体層５０１に照射する。本発明の「複数の線状エネルギービーム」の一例である複数の線状レーザ光Ｒを半導体層５０１に照射することによって、不均一或いは十分に結晶成長が進んでいない結晶化部分５３０によって相互に隔てられた複数の多結晶化部分５１０を形成する。この工程が、本発明の「第２工程」の一例である。
【００７８】
次に、図２１（ｃ）及び図２３（ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素回路形成面における素子形成領域４０１に形成された多結晶化部分５１０を活性層として、画素スイッチング用ＴＦＴとしての複数のトランジスタ素子Ｔｒを形成する。この工程が、本発明の「第３工程」の一例である。
【００７９】
次に、図２１（ｄ）及び図２３（ｄ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａにＸ方向及びＹ方向の夫々の方向に沿って一定のピッチで配列された複数の画素電極９ａを形成する。このような画素電極９ａは、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料を用いて、画像表示領域１０ａを構成する複数の画素ＰＸの夫々に形成される。この工程が、本発明の「第４工程」の一例である。
【００８０】
その後、画素電極９ａに配向膜１６を形成することによって液晶装置用基板６００が製造される。
【００８１】
以上の工程を経て製造される液晶装置用基板によれば、既に説明したように、液晶装置用基板を製造するための元になる大型のマザー基板に、線状レーザ光Ｒにおけるビーム部分Ｂ１のサイズに限定されることなく、所望のサイズで液晶装置用基板が製造可能になっている。そして、このようにして製造された液晶装置用基板と、対向基板２０との間に液晶層５０を封止し、所望のサイズの画像表示領域１０ａを備えた液晶装置１が製造される。
【００８２】
＜３：電子機器＞
次に、図２４及び図２５を参照しながら、上述の液晶装置を具備してなる電子機器の例を説明する。
【００８３】
図２４は、上述した液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図２４において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶パネル１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されており、高品位の画像表示が可能である。
【００８４】
次に、上述した液晶装置１を携帯電話に適用した例について説明する。図２５は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図２５において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。したがって、携帯電話１３００によれば、高品位の画像表示が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置用基板を製造するための液晶装置用基板の製造方法の一部の工程を示した工程平面図の一例である。
【図５】図４のＶ−Ｖ´断面図である。
【図６】ポリシリコン層等の多結晶層を形成するために用いられる線状レーザ光の強度分布を図式的に示したグラフである。
【図７】図４中の一部の領域を詳細に示した部分平面図である。
【図８】線状レーザ光の照射強度分布（図中太線）及びこれによって形成されるポリシリコン層等の多結晶層の形成領域の関係を示す概念図であって、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ´断面図と共に、線状レーザ光の照射強度分布を示した図である。
【図９】図４における領域４００を詳細に示した部分平面図の他の例である。
【図１０】線状レーザ光の照射強度分布（図中太線）及びこれによって形成されるポリシリコン層の形成領域の関係を示す概念図であって、図９のＸ−Ｘ´断面図と共に、線状レーザ光の照射強度分布を示した図である。
【図１１】図４における領域４００を詳細に示した部分平面図の他の例である。
【図１２】線状レーザ光の照射強度分布（図中太線）及びこれによって形成されるポリシリコン層の形成領域の関係を示す概念図であって、図１１のＸＩＩ−ＸＩＩ´断面図と共に、線状レーザ光の照射強度分布を示した図である。
【図１３】本実施形態に係る液晶装置を、画像表示面と、画素回路形成面とに分けて夫々を図式的に示した平面図である。
【図１４】本実施形態に係る液晶装置の比較例に係る液晶装置を、画像表示面と、画素回路形成面とに分けて夫々図式的に示した平面図である。
【図１５】図１３中のＸＶ−ＸＶ´断面図である。
【図１６】トランジスタ素子の具体的構造を示した断面図である。
【図１７】マトリクス状に配列された画素スイッチング用素子として用いられるトランジスタ素子Ｔｒのうち任意の行における配列状態を図式的に示した平面図である。
【図１８】本実施形態に係る液晶装置の変形例に係る液晶装置を、画像表示面と、その下層側における画素回路形成面とに分けて夫々図式的に示した平面図である。
【図１９】図１８中のＩＸＸ−ＩＸＸ´断面図である。
【図２０】本実施形態に係る液晶装置用基板の製造方法の主要な工程を示した工程平面図（その１）である。
【図２１】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を示した工程平面図（その２）である。
【図２２】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を示した工程断面図（その１）である。
【図２３】本実施形態に係る液晶装置の製造方法の主要な工程を示した工程断面図（その２）である。
【図２４】本実施形態に係る液晶装置を具備してなる電子機器の一例を示した斜視図である。
【図２５】本実施形態に係る液晶装置を具備してなる電子機器の他の例を示した斜視図である。
【符号の説明】
【００８６】
１・・・液晶装置、画素電極・・・９ａ、１０・・・ＴＦＴアレイ基板、４０１・・・素子形成領域、４２５・・・非素子形成領域、５００・・・大型基板、５０１・・・半導体層、５１０・・・結晶化部分、画素・・・ＰＸ、Ｔｒ・・・トランジスタ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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