(57)【要約】【課題】  液晶表示装置において、信号線に起因して生ずる段差部における液晶の配向乱れを解消し、光漏れのない高コントラストの液晶表示装置を実現する。【解決手段】  アレイ基板２と対向基板３間に液晶層が挟持され、アレイ基板２上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線１２が形成されてなる液晶表示装置である。信号線１２は、埋め込み用層間絶縁膜である第３の層間絶縁膜２９中に埋め込まれるとともに、第３の層間絶縁膜２９の上面２９ａと信号線１２の上面１２ａとが略面一とされて平坦化されている。平坦化された面上に第２の層間絶縁膜２４が形成され、第２の層間絶縁膜２４上に液晶層２５が配されている。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と対向基板間に液晶層が挟持され、アレイ基板上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線が形成されてなる液晶表示装置であって、
前記信号線は、埋め込み用層間絶縁膜中に埋め込まれるとともに、当該埋め込み用層間絶縁膜の上面と信号線の上面とが略面一とされて平坦化され、
前記平坦化された面上に少なくとも絶縁膜が形成され、当該絶縁膜上に液晶層が配されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記信号線が２層配線とされ、上層信号線が埋め込み用層間絶縁膜中に埋め込まれ、当該埋め込み用層間絶縁膜の上面と上層信号線の上面とが略面一とされ平坦化されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示領域に信号線が形成されてなる液晶表示装置に関するものであり、信号線の段差に起因して発生する光漏れを解消する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型、軽量、低消費電力等の優れた特徴を有する平面表示装置であることから、いわゆるＰＤＡや携帯電話等のようなモバイル機器や、パーソナルコンピュータの表示部、さらには液晶テレビ等、広範な用途に用いられている。
【０００３】
前記液晶表示装置は、液晶層が一対の表示パネル基板、すなわちアレイ基板及び対向基板間に挟持された構造の液晶表示パネルを有しており、前記アレイ基板と対向基板の間に画素毎に選択的に電圧を印加することで液晶層が制御され、画像の表示が行われる。ここで、例えばアクティブマトリクス型液晶表示パネルでは、アレイ基板に、アモルファスシリコンやポリシリコン半導体を用いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がスイッチング素子として形成されるとともに、このスイッチング素子と接続される画素電極、走査線、信号線等が形成される。一方、対向基板には、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等からなる対向電極やカラーフィルター等が形成される。
【０００４】
前述の構成を有する液晶表示装置においては、駆動回路の集積化に伴い、回路遅延や書き込み不足といった問題があり、信号線等の配線の低抵抗化が求められている。そこで、一般的には、信号線等の配線の膜厚を厚くすることが行われており、これにより配線の低抵抗化を実現するようにしている。
【０００５】
例えば、特許文献１記載の発明は、液晶表示装置における配線の構造や形成方法に係るものであり、絶縁基体上に設けられる配線であって、絶縁基体内に埋め込まれることなく絶縁基体上に設けられた金属拡散防止膜と、金属拡散防止膜上に設けられた金属シード層上に設けられた金属配線層とからなる３層構造を有する配線が開示されている。特許文献１記載の発明によれば、基体上に配線を選択的に形成することができ、配線の厚膜化にも対応可能である。
【０００６】
ただし、配線の膜厚を厚くした場合、配線段差が形成され、様々な問題を引き起こすおそれがある。そこで、配線による段差を解消する技術が提案されている（例えば、特許文献２等を参照）。特許文献２記載の発明では、グレイトーン露光技術を用いて、部分的に厚さの異なる配線を工程数を増加させることなく形成し、走査線や信号線といった電気配線の交差する部分において、配線段差を低減するようにしている。特許文献２記載の発明では、配線段差を低減することで、絶縁膜の段差被覆性が改善され、配線間の短絡や断線等の不良が低減される。また、ゲート絶縁膜を従来よりも薄くすることが可能となるので、薄膜トランジスタのＯＮ電流が増加する。
【特許文献１】特開２００４−１３４７７１号公報
【特許文献２】特開２００２−１９０５９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、液晶表示装置では、信号線の上に平坦化膜や画素電極（ＩＴＯ）、液晶配向膜等が積層されているが、低抵抗化を目的に信号線の膜厚を厚くすると、これらの平坦性が悪化し、段差部で液晶の配向が乱れ、光漏れが発生するという問題がある。例えば、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶表示装置においては、電圧がオフ状態において、液晶分子が下地面に対して垂直に配向されているが、信号線の近傍では垂直ではなく斜めに傾斜した状態で配向されてしまう。これは、マルチドメイン化等を目的に突起形成によって意図的に生じさせたものではなく、信号線による段差に起因して層間絶縁膜が傾斜していることにより必然的に生じたものである。傾斜した液晶分子は、電圧オフ状態において既に大きく傾斜しているため、配向制御を乱すことになる。その結果、光漏れが生じて完全な黒を表示させることができず、高コントラストを得ることができないといった問題が生ずる。
【０００８】
このような信号線の段差部における液晶の配向の乱れや光漏れの問題は、特許文献１に記載されるような部分的に厚さの異なる配線を形成することでは回避することができず、新たな対策が待たれている。
【０００９】
本発明は、前述の従来の実情に鑑みて提案されたものであり、信号線に起因して生ずる段差部において、液晶の配向乱れによる光漏れを抑制することができ、高コントラストを有する液晶表示装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板間に液晶層が挟持され、アレイ基板上に各画素に対応してスイッチング素子が形成されるとともに、これらスイッチング素子に接続される信号線が形成されてなる液晶表示装置であって、前記信号線は、埋め込み用層間絶縁膜中に埋め込まれるとともに、当該埋め込み用層間絶縁膜の上面と信号線の上面とが略面一とされて平坦化され、前記平坦化された面上に少なくとも絶縁膜が形成され、当該絶縁膜上に液晶層が配されていることを特徴とする。
【００１１】
信号線により段差部が形成されると、液晶の配向乱れが生じ、光漏れが生ずる。本発明では、信号線が埋め込み用層間絶縁膜中に埋め込まれ、埋め込み用層間絶縁膜の上面と信号線の上面とが略面一とされて平坦化されているので、この上に形成される絶縁膜に傾斜面が形成されることがない。したがって、例えばＶＡモードの液晶表示装置においても、液晶分子が斜めに傾斜した状態で配向されることがなく、光漏れによるコントラストの低下が解消される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、信号線に起因して段差部が形成されることがなく、平坦な画素形成が可能である。したがって、液晶分子の下地面における非意図的な傾斜を取り除くことができ、電圧オフ状態における液晶分子の傾斜配向を防ぐことができるので、配向乱れによる光漏れを無くすことができ、高コントラストを有する液晶表示装置を実現することが可能である。また、前記光漏れを考慮する必要がないことから、信号線の膜厚を必要に応じて十分に厚くすることができ、信号線の低抵抗化を図ることが可能である。信号線を低抵抗化すれば、駆動回路の集積化に伴う回路遅延や書き込み不足等の問題も解消することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を適用した液晶表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
【００１５】
先ず、液晶表示装置の概略構成について説明する。液晶表示装置は、図１に示すように、アレイ基板２と対向基板３により構成される液晶表示パネル１を備え、これらアレイ基板２と対向基板３の間の液晶層を、アレイ基板２上に形成された薄膜トランジスタ（画素トランジスタ）をスイッチング素子として駆動することで、画像の表示が行われる。
【００１６】
ここで、表示部である表示領域Ｈにおいては、アレイ基板２に各画素に対応して画素電極がマトリクス状に形成されるとともに、画素電極の行方向に沿って走査線が形成され、列方向に沿って信号線が形成されている。さらに、各走査線と信号線の交差位置に前記画素トランジスタが形成されている。
【００１７】
一方、アレイ基板２の周辺領域（液晶表示パネル１の額縁領域）には、アレイ基板２に配列形成される信号線に駆動信号を供給する信号線駆動回路４や、走査線に駆動信号を供給する走査線駆動回路５等の駆動回路が形成されている。これら駆動回路は、複数の薄膜トランジスタと、これら薄膜トランジスタ接続される配線等から構成されている。
【００１８】
図２は、図１に示す液晶表示装置の画素の一部を示す概略的な平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線における断面図である。図２及び図３に示すように、液晶表示装置の画素部分は、複数のゲート線１１と、これらゲート線１１と交差する複数の信号線１２と、その交差部に配置されたスイッチング素子（ＴＦＴ）からなる。前記ＴＦＴは、半導体膜３と、ゲート線１１からなるゲート電極と、コンタクト１５を介して信号線１２と接続されているソース電極と、コンタクト１６及びコンタクト１８を介して画素電極１４と接続されるドレイン電極から構成される。
【００１９】
前記ＴＦＴは、例えば低融点ガラス等からなる透明絶縁基板２０上に、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜等からなるアンダーコート膜２１を介して形成されており、リン（Ｐ）やボロン（Ｂ）等の不純物を注入した半導体膜１３と、シリコン酸化膜等のゲート絶縁膜２２と、Ｍｏ、ＷやＡｌ等の金属材料からなるゲート電極（ゲート線１１）等から構成される。
【００２０】
ＴＦＴ上には、第１の層間絶縁膜２３が形成され、ソース電極側はコンタクト１５を介して信号線１２に接続されている。また、ドレイン電極側はコンタクト１６を介して金属配線１８と接続され、さらにコンタクト１７を介してＩＴＯからなる画素電極１４と接続される。なお、金属配線１８は、信号線１２と同層に形成され同じ材料からなる。また、金属配線１８と画素電極１４との間に形成される第２の層間絶縁膜２４は、有機材料または無機材料からなり、平坦であることが望ましい。続いて、第２の層間絶縁膜２４及び画素電極１４の上には、液晶層２５及びカラーフィルター層１７が形成された対向基板が配置されている。
【００２１】
一方、図４は、図２のＢ−Ｂ′線における断面図であり、信号線１２の形成位置における断面図である。信号線１２の形成位置においては、透明絶縁基板２０上に、アンダーコート膜２１、ゲート絶縁膜２２、第１の層間絶縁膜２３が順次形成され、その上に信号線１２及び第３の層間絶縁膜２９が形成されている。さらにその上に、第２の層間絶縁膜２４、画素電極１４、液晶層２５、カラーフィルター層２７、ブラックマトリクス２８が順次形成されている。
【００２２】
信号線１２を形成した場合、通常、その上に形成される層間絶縁膜に信号線１２の形状に倣って段差が形成される。層間絶縁膜に段差が形成され傾斜面が形成されると、傾斜面を下地面とする液晶分子の配向が乱れる。
【００２３】
本実施形態の場合、図４に示すように、埋め込み用層間絶縁膜である第３の層間絶縁膜２９が、信号線１２を除く領域に信号線１２と同層上で且つほぼ同膜厚で形成されているのが特徴である。すなわち、信号線１２を除く領域を第３の層間絶縁膜２９で埋め、基板一面に凹凸のない水平な面をつくるイメージである。実際、埋め込まれた信号線１２の上面１２ａと第３の層間絶縁膜２９の上面２９ａとは、面一とされ、平坦化されている。
【００２４】
このため、この上に第２の層間絶縁膜２４を成膜しても信号線１２付近において傾斜が生じることはない。したがって、信号線１２付近における液晶分子２６の下地面は透明絶縁基板２０に対して水平であり、例えばＶＡモード液晶表示装置の場合、ここに配向される液晶分子２６においても透明絶縁基板２０に対して垂直に配向される。
【００２５】
前述の信号線１２の段差を平坦化することによる効果は、例えばＶＡモードの液晶表示装置等において顕著である。携帯電話等のモバイル機器に搭載される液晶表示装置は、高精細、大画面、高輝度、高コントラスト、広視野角などの高性能化が進んでいる。携帯電話を例にとると、これまで主流であった２．２インチのＱＶＧＡ（２４０×３２０、１８０ｐｐｉ）に代わり、３インチのＷＶＧＡ（４８０×８００、３１３ｐｐｉ）等が主流になりつつある。このように表示画面の精細度（ｐｐｉ）が上がる一方で、輝度、コントラストを上げていくためには、開口率や透過率の確保、光漏れを防ぐ遮光技術が重要となってくる。
【００２６】
また、広視野角特性を実現するために、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードやＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）等の液晶モードの導入や、広視野角フィルムを用いた偏光板の採用が一般的になりつつある。ＶＡモードとは、無電界のときに液晶分子が基板に垂直になるように配向されており、電圧がオフ状態では液晶分子が基板に対して垂直状態を保つことで暗表示を示し、オン状態では液晶分子が水平に倒れることで明表示を示す動作モードである。電圧がオフ状態では、全ての液晶分子が基板の界面に対して完全に垂直であるため、偏光された光は液晶分子の影響を受けずにセル内を通過し、対向基板側の偏光板で完全に遮断されるため、原理的には黒の画質が高く高コントラストが期待できる。
【００２７】
なお、ＶＡモードにおける中間調表示において、液晶分子の傾斜方向が単一方向に限られるモノドメインの場合、視野角依存が生じる。例えば、正面から見るとグレー、左から見ると白、右から見ると黒に見えたりする。この問題を解決するにはマルチドメイン化が有効である。例えば、配向膜の下に突起を設けて電圧がオフ状態の液晶分子の傾斜方向を僅かに傾斜させておくことによって、電圧がオン状態になる際の液晶分子の傾斜方向を複数方向に誘導させる方法がある。また、画素電極にスリットを設けて斜め電界を生じさせておくことも有効である。
【００２８】
前記ＶＡモードの液晶表示装置では、電圧がオフ状態における液晶分子は、下地面に対して垂直に配向されている必要がある。しかしながら、従来構造の液晶表示装置では、例えば図５に示すように、下地面となる第２の層間絶縁膜２４が傾斜して傾斜面２４ａとなっているため、配向乱れが生ずる。従来構造の液晶表示装置では、例えば、液晶分子２６は、信号線１２のない部分においては、下地面である画素電極１４及び透明絶縁基板２０に対して垂直に配向されている。一方で、信号線１２が形成されている部分においては、液晶分子２６は、下地面である画素電極１４に対しては垂直に配向されているものの、透明絶縁基板２０に対しては垂直ではなく、結果的に斜めになっている。これは、先に説明したマルチドメイン化による突起形成等によって意図的に生じさせたものではなく、画素電極１４の下地である第２の層間絶縁膜２４が傾斜していることによって必然的に生じたものである。第２の層間絶縁膜２４が傾斜している理由は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や塗布法を用いて第２の層間絶縁膜２４を成膜した際に生じる信号線１２の段差が原因である。
【００２９】
前記の通り、従来構造の液晶表示装置では、信号線１２が形成された部分において、液晶分子２６が電圧オフ状態において既に大きく傾斜しているため、配向制御を乱す要因となる。その結果、光漏れが生じて完全な黒を表示させることができず、高コントラストを得ることができないといった問題が生じる。
【００３０】
これに対して、本実施の形態の液晶表示装置では、埋め込まれた信号線１２の上面１２ａと第３の層間絶縁膜２９の上面２９ａとが面一とされ、その上に形成される第２の層間絶縁膜２４も平坦化される。したがって、例えばＶＡモード液晶表示装置において、信号線１２の有無に関わらず液晶分子２６は下地面（透明絶縁基板２０）に対して垂直に配向され、配向乱れが生ずることはなく、光漏れが生ずることもない。
【００３１】
以上の構成を有する液晶表示装置は、以下の製造方法にて形成することができる。図６は、第３の層間絶縁膜２９を形成する過程を示すものであり、図２のＢ−Ｂ′線位置での断面図である。
【００３２】
第３の層間絶縁膜２９を平坦化するには、先ず、透明絶縁基板２０上にアンダーコート膜２１及びＴＦＴを順次形成し、さらには信号線１２を形成する。信号線１２を形成した後、無機材料を原料ガスとしたＬＰＣＶＤ法等を用いて第３の層間絶縁膜２９を成膜する。この段階では、図６（ａ）に示すように、信号線１２の形状に応じて第３の層間絶縁膜２９にも段差が形成され、傾斜面が形成されている。
【００３３】
次に、図６（ｂ）に示すように、信号線１２上を除く領域にレジスト３０を形成する。続いて、ドライエッチングまたはウェットエッチングにより信号線１２上にある第３の層間絶縁膜２９を除去する。このとき、信号線１２とその付近にある第３の層間絶縁膜２９との繋がりが平坦になるように留意して、レジストの形成箇所や断面形状、エッチングの加工条件を決定するのが望ましい。これにより、図６（ｃ）に示すように、信号線１２が第３の層間絶縁膜２９中に埋め込まれた形態とされ、信号線１２の上面１２ａと第３の層間絶縁膜２９の上面２９ａとが概ね同一面を構成するように平坦化される。
【００３４】
なお、前記方法の他、例えば感光性の有機系材料を基板全面に塗布した後に、所望の領域が残るように露光して第３の層間絶縁膜２９を形成する方法もある。この場合にも、露光後の感光性樹脂の仕上がりに留意して、塗布条件、露光条件を決定することが望ましい。また、本実施形態においては、信号線１２によって生じた段差に対する解決方法を示してきたが、ゲート線１１によって生じた段差においても同様の方法で解決することができる。さらに、第３の層間絶縁膜２９の形成領域を、ゲート線１１及び信号線１２の両方を除く領域を対象とすることにより、ゲート線１１及び信号線１２によって生じる段差の両方を緩和することもできる。
【００３５】
（第２の実施形態）
本実施形態は、信号線を２層配線とした例である。液晶表示装置においては、液晶表示パネルの周囲に配線形成等のために必要となる額縁領域の狭小化が大きな課題となる。液晶トランジスタアレイにおいて回路内蔵を行おうとすると、薄膜トランジスタ個数及び配線数が大きくなるため、前記額縁領域の幅を大きくせざるを得ない。信号線を１層構造の配線で形成した場合、配線が互いに交差しないように平行にレイアウトするしかなく、配線の占める面積が大きくなり、額縁領域を縮小することは難しい。額縁領域の狭小化を実現するためには、例えば配線を微細化することが考えられるが、配線を微細化すると配線抵抗の増加が問題になるおそれがある。そこで、配線を多層化（２層化）することが検討されている。本実施形態では、信号線を２層配線とした場合にも、液晶分子の配向乱れを抑え、光漏れを防ぐことが可能である。
【００３６】
図７は、本実施形態の液晶表示装置における信号線近傍位置の断面構造を示すものである。本実施形態の液晶表示装置では、アレイ基板４１上に下層配線４２と上層配線４３とからなる信号線が形成されており、下層配線４２上には第１層間絶縁膜４４が、上層配線４３上には第２層間絶縁膜４５が形成されている。上層配線４３は、前記第２層間絶縁膜４５に埋め込まれた形とされており、上層配線４３の上面４３ａと第２層間絶縁膜４５の上面４５ａとは同一面を形成するように面一とされている。
【００３７】
この平坦化された面上に第３の層間絶縁膜４６や画素電極４７が形成され、さらに液晶層が配されている。本実施形態の液晶表示装置においても、画素部に段差の発生が無いことから、液晶分子４８に配向乱れが発生することがなく、光漏れ等の表示不良が発生することはない。
【００３８】
信号線を２層配線とした場合、図８に示すように、上層配線４３の段差により第２の層間絶縁膜４５にも段差が形成され、ＶＡモード液晶では、液晶分子４８が斜めに配向される領域が生ずる。本実施形態では、液晶層が形成される面が平坦面であるので、全ての液晶分子４８が垂直に配向される。
【００３９】
前述の配線構造は、例えばシード層とバリアメタル層を予めパターニングし，その後、これら２層の端部にＣｕ配線形成用のレジストが被覆するように配置し、配線形成を行えば良い。また、Ｃｕ配線形成用のレジストをＳｉＯ２等の膜にすることで埋め込み配線を形成できるため，その上に配置される画素電極には凹凸発生する余地は無く、平坦な画素が形成できる。そのため、画素上での液晶の配向乱れなどは発生しようも無い。その結果、光漏れなどの無い良好な表示性能を有する液晶表示素子を提供できる。
【００４０】
具体的には、通常のＴＦＴを形成するプロセスと同様に成膜とパターンニングを繰り返し、薄膜トランジスタ（省略）を形成する。その後、バリアメタルをスパッタ成膜（例えば厚さ３０ｎｍ）し、その上にシード層をスパッタ成膜（例えば厚さ５０ｎｍ）する。ＴＦＴと接続させる箇所（コンタクトホール部）については、フォトリソ工程、エッチング工程で両層を所望の接続パッド形状に加工する。その後、ＣＶＤまたはＳＯＧでＳｉＯを例えば厚さ６００ｎｍで形成する。フォトリソ工程でバリア・シード両接続パッド上の内側（片側１〜２μｍ）にＣｕ膜を配置できるようにホール状の加工を行い、エッチング工程を経て貫通ホールを形成する。その後、ホール部分にメッキ法を用いてＳｉＯと同等の膜厚のＣｕを析出させる。
【００４１】
その後、さらにバリアメタルをスパッタ成膜（例えば膜厚３０ｎｍ）し、その上にシード層をスパッタ成膜（例えば膜厚５０ｎｍ）する。所望の配線形状になるように、フォトリソ工程及びエッチング工程で両層を所望の配線形状に加工する。その後、ＣＶＤまたはＳＯＧでＳｉＯを例えば厚さ６００ｎｍとなるように形成する。フォトリソ工程でバリア・シード両配線上の内側（片側１〜２ｕｍ）にＣｕ膜を配置できるように配線状のレジスト加工を行い、エッチング工程を経てＣｕ配線を配置できる溝を形成する。その後、溝部分にメッキ法を用いてＳｉＯと同等の膜厚のＣｕを析出させる。このような工程を経ることで、コンタクトホール部を繋ぐ様にＣｕ配線を配置させ、回路を形成する。その後、画素平坦化用の絶縁膜を配置し、その上に画素電極を配置する。後は通常通りに液晶表示装置を作成する。
【００４２】
（第３の実施形態）
本実施形態の液晶表示装置は、先の第２の実施形態と同様、信号線を２層配線としたものであるが、図９に示すように、上層配線４３の線幅を細くしていることが大きな特徴である。信号線は、加工上の制約から膜厚に制限（上限）が加わることが多く、そのため配線容量を確保するため線幅を太く設定し容量確保を実現している。しかしながら、この方法では、画素開口率が配線幅によって制約され、十分に確保することが困難である。そこで、本実施形態では、埋め込まれた上層配線４３の線幅を細くし、その分配線膜厚を厚くすることで、配線容量を確保しつつ開口率を大きく確保することを可能としている。
【００４３】
なお、図９に示す例では、上層配線４３の線幅のみを細くしているが、下層配線４２についても、同様に線幅を細くすることが可能であり、これにより開口率をより大きくすることが可能である。いずれの場合にも、層間絶縁膜（第１層間絶縁膜４４、あるいは第２層間絶縁膜４５）の膜厚を１μｍ以上とし、ここに埋め込まれる配線の厚さを１μｍ以上とすることで、十分な配線容量を確保することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】液晶表示パネルの概略構成を示す斜視図である。
【図２】画素部分の概略平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ′線における概略断面図である。
【図４】第１の実施形態の液晶表示装置の信号線形成部分の概略断面図である。
【図５】従来構造の液晶表示装置の信号線形成部分の概略断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第３の層間絶縁膜の形成過程を示す概略断面図である。
【図７】第２の実施形態の液晶表示装置の信号線形成部分の概略断面図である。
【図８】信号配線を２層配線とした従来構造の液晶表示装置の信号線形成部分の概略断面図である。
【図９】第３の実施形態の液晶表示装置の信号線形成部分の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  液晶表示パネル、２  アレイ基板、３  対向基板、４  信号線駆動回路、５  走査線駆動回路、１１  ゲート線、１２  信号線、１２ａ  上面、２３  第１の層間絶縁膜、２４  第２の層間絶縁膜、２５  液晶層、２６  液晶分子、２９  第３の層間絶縁膜、２９ａ  上面、４２  下層配線、４３  上層配線、４４  第１層間絶縁膜、４５  第２層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2009216966.tif 000006
【図５】
2009216966.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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