(57)【要約】【課題】発光効率のよい電界発光素子を提供する。【解決手段】陽極（基板１１上に備わる下部電極）と陰極（上部電極３１）と、該陽極と該陰極との間に、少なくとも電荷輸送層１２と、発光層２１と、が挟持され、電荷輸送層１２が、π共役を有する化合物を少なくとも一種類含み、発光層２１が、半導体ナノ粒子発光材料からなり、該半導体ナノ粒子発光材料が、該π共役を有する化合物を介して、該陽極又は該陰極と化学結合していることを特徴とする、電界発光素子１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極と、
該陽極と該陰極との間に、少なくとも電荷輸送層と、発光層と、が挟持され、
該電荷輸送層が、π共役を有する化合物を少なくとも一種類含み、
該発光層が、半導体ナノ粒子発光材料からなり、該半導体ナノ粒子発光材料が、該π共役を有する化合物を介して、該陽極又は該陰極と化学結合していることを特徴とする、電界発光素子。
【請求項２】
前記π共役が、芳香族環、アリールアミン、縮合多環又は複素環であることを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項３】
前記電荷輸送層が、正孔輸送機能を有する層であることを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項４】
以下の工程（ｉ）及び（ｉｉ）を含むことを特徴とする、電界発光素子の製造方法。
（ｉ）電極が形成されている基板上に電荷輸送層を形成する工程
（ｉｉ）該電荷輸送層上に、半導体ナノ粒子発光材料で構成される発光層を形成する工程
【請求項５】
請求項１に記載の電界発光素子を具備した表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子とその製造方法、及びディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、蛍光又は燐光発光性の有機化合物、電荷輸送性の有機化合物等を薄膜状に形成し、これを電極で挟み込んだ構造の発光素子である。電極間に電圧を印加すると、電子と正孔とが有機化合物からなる薄膜の中に注入され再結合することで、発光性の有機化合物の励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、ＯＬＥＤは光を放出する。
【０００３】
ＯＬＥＤは、低電圧駆動、高発光効率、高速応答、自発光で視野角制限が無い、多様な発光波長、軽量といった特徴を持ち合わせている。このため、ＯＬＥＤは薄型ディスプレイから照明まで、幅広い分野において次世代の発光デバイスとして期待されている。
【０００４】
一方、粒径が数ｎｍ乃至２０ｎｍ程度のサイズの半導体ナノ粒子は、電界発光素子の構成材料としての利用が期待され、様々な研究が報告されている。例えば、ＣｄＳｅナノ粒子は、有機発光材料に比べて、高い耐久性、狭いスペクトル幅、粒径による発光色の制御が可能、といった特徴を持っている。さらにＣｄＳｅナノ粒子は、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ等のコアシェル構造にすることで、表面欠陥の不活性化や内部量子閉じ込めの増大といった効果が得られている。その結果、５０％を超える高い内部量子効率が実現されている。このようなナノ粒子を用いることで、バルクでは見られないような物理的・化学的性質が発現し、従来以上の特性をもつデバイスの実現が期待されている。
【０００５】
また、ナノ粒子の最表面は通常有機化合物からなる配位子で覆われているため、凝集することなく有機溶媒中に分散できる。そのため、電界発光素子の製作プロセスにおいて塗布成膜が可能であり、低コストかつ大面積な発光デバイスへの対応も期待できる。
【０００６】
これまで、ナノ粒子を発光材料とした電界発光素子に関してはいくつか報告されている。例えば非特許文献１では、ＣｄＳｅ／ＺｎＳナノ粒子を用いて塗布法による簡易なプロセスで、３０ｎｍ前後の非常に狭いスペクトル幅を持つ電界発光素子が実現されている。しかし、これまで報告されたナノ粒子を発光材料とした電界発光素子は、いずれも現行のＯＬＥＤに比べて発光効率が１桁以上低い点が問題である。
【０００７】
ここでナノ粒子電界発光素子の発光効率を向上するためには、発光層であるナノ粒子層の構造制御と、半導体ナノ粒子への電荷注入の効率を向上させることが必要と考えられる。
【０００８】
ところでナノ粒子自体は電気を通しにくいため、発光層を単粒子層程度まで薄くすることで、電界発光素子の駆動電圧の低下が期待できる。しかし、発光面内において、ナノ粒子が存在せず、正孔輸送層と電子輸送層が直接界面を形成してしまう部分が多数あると、ナノ粒子由来の発光効率は低下する。このため、発光層であるナノ粒子層を可能な限り薄く、かつ発光面におけるナノ粒子層の膜密度が可能な限り高くなるように、ナノ粒子発光層の構造を制御する必要がある。塗布法によりナノ粒子からなる発光層を形成する場合は、例えば、非特許文献１で開示されている方法が挙げられている。具体的には、ナノ粒子と正孔輸送材料の混合液を塗布する方法である。こうすると、正孔輸送層の表面にナノ粒子が相分離してナノ粒子層が形成される。また、特許文献１に開示されているように、自己組織化膜を利用して、無機化合物系ナノ粒子を基板上に配列させ、ナノ粒子単粒子薄膜層を形成する例もある。
【０００９】
【特許文献１】米国特許第５，７５１，０１８号明細書
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ，２００２，Ｖｏｌ．４２０，ｐ．８００
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、非特許文献１で開示されている相分離を利用したナノ粒子層の形成方法では、塗布溶液中のナノ粒子の濃度や、塗布後の膜の扱いによりナノ粒子層の構造が大きく影響を受けるため、再現よくかつ発光効率がよい電界発光素子を作製するのは困難である。また、特許文献１で開示されている自己組織化膜を用いて基板上にナノ粒子を配列させる方法では、電極基板からナノ粒子への電荷を注入するときに、自己組織化膜内のアルカン部位が電荷注入障壁となり、電界発光素子の発光効率を向上させるのが困難である。
【００１１】
また、ナノ粒子電界発光素子の発光効率を向上させるためには、発光層であるナノ粒子層の構造制御と、ナノ粒子への電荷注入効率の向上の二つを両立させることが必要である。
【００１２】
本発明の目的は、発光効率のよい電界発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の電界発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に、少なくとも電荷輸送層層と、発光層と、が挟持され、該電荷輸送層が、π共役を有する化合物を少なくとも一種類含み、該発光層が、半導体ナノ粒子発光材料からなり、該半導体ナノ粒子発光材料が、該π共役を有する化合物を介して、該陽極又は該陰極と化学結合していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光効率のよい電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の電界発光素子は、陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に、π共役を有する化合物を少なくとも一種類含む層と、発光層とが挟持されていることを特徴とする。
【００１６】
以下、図面を参照しながら、本発明の電界発光素子について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の電界発光素子における一実施形態を示す断面図である。図１の電界発光素子１は、下部電極（図示せず）を備えた１１基板上に、電荷輸送層１２、発光層２１、電子輸送層３１及び上部電極３２が順次設けられている。図１の電界発光素子１において、基板１１に備わっている下部電極は陽極として機能する。電荷輸送層１２は正孔注入（輸送）層として機能する。発光層２１には、半導体ナノ粒子発光材料で構成されている。上部電極３２は陰極として機能する。
【００１８】
次に、図１の電界発光素子を構成する各層の構成部材について説明する。
【００１９】
基板１１と発光層２１との間に挟持されている電荷輸送層１２は、発光層２１を形成するナノ粒子薄膜の構造制御と、当該ナノ粒子への電荷注入という二つの機能を併せ持つ。この電荷輸送層１２において、電荷輸送層１２に少なくとも一種類含まれるπ共役を有する化合物は、一般的に下記式（１）に示される構造式で表される。
Ｘ−Ｒ1−Ｃ−Ｒ2−Ｙ          （１）
【００２０】
式（１）において、Ｘは、電極表面との結合を形成する部位を表す。具体的には、チオール基、カルボキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。
【００２１】
式（１）において、Ｙは、半導体ナノ粒子との結合を形成する部位を表す。具体的には、チオール基、カルボキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。
【００２２】
式（１）において、Ｃは２価乃至４価のπ共役を有する基を表す。尚、Ｃが３価以上である場合、複数のＲ2と複数のＹは、それぞれ同じであっても異なっていてもよい。
【００２３】
Ｃで表されるπ共役を有する基とは、素子駆動時に電極から半導体ナノ粒子への電荷注入効率を上げる働きを持つ置換基をいう。ここでπ共役としては、芳香族環、アリールアミン、縮合多環、複素環等が挙げられる。以下、π共役を有する基Ｃで表される構造の具体例を示す。下記式中、Ｒは任意の有機基を示す。尚、本発明は以下の構造に限定されない。
【００２４】
【化１】
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【００２５】
発光層である半導体ナノ粒子層と少なくとも一方の電極の間に、π共役を有する化合物を含む層を形成することにより、半導体ナノ粒子への電荷注入効率が向上する。
【００２６】
一般に半導体ナノ粒子を発光材料とする電界発光素子においては、半導体ナノ粒子への正孔の注入効率が悪い。このため、π共役を有する基Ｃは、特に、正孔輸送機能をもつものであることが望ましい。こうすることで、半導体ナノ粒子への正孔注入効率が向上し、その結果として素子の発光効率が向上する。
【００２７】
式（１）において、Ｒ1及びＲ2は、単結合又はアルキル鎖等の炭化水素基を示す。Ｒ1及びＲ2で表される炭化水素基として、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基等が挙げられる。
【００２８】
このように、電荷輸送層１２を構成するπ共役を有する化合物は、式（１）で示されるように、電極表面に結合する部位Ｘと、ナノ粒子に結合する部位Ｙが存在する。これにより、π共役を有する化合物は、電荷輸送層１２に対して垂直方向の配向性を持つ。
【００２９】
本発明の電界発光素子は、基板上に形成された電極上に、電荷輸送層１２を形成し、次いでこの電荷輸送層１２の上に、半導体ナノ粒子で構成される発光層２１を形成する。このために、π共役を有する化合物を含む層を構成する分子は、式（１）で示されるように、電極表面と結合を形成する部位（Ｘ）と、半導体ナノ粒子と化学結合を形成する部位（Ｙ）の両方を有する。ここでいう化学結合とは、共有結合、配位結合、静電的相互作用、イオン結合、水素結合等が挙げられる。中でも、構造安定性に優れることから、共有結合であることが望ましい。このように電荷輸送層１２は、電極及び半導体ナノ粒子と化学結合、特に、共有結合を形成している。これにより、形成時及び形成後の構造安定性に優れた素子の形成が可能となる。
【００３０】
発光層２１を構成する半導体ナノ粒子発光材料は、エネルギー吸収による励起状態からの緩和、もしくは、ナノ粒子中での電荷再結合により発光するナノ微粒子である。ところで半導体ナノ粒子発光材料は、その粒径が、０．１ｎｍ乃至１μｍ、好ましくは、１ｎｍ乃至２０ｎｍの微粒子を指す。また半導体ナノ粒子発光材料を構成する材料は、具体的には、ＺｎＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ，ＣｄＳ，ＣｄＳｅ，ＣｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族半導体、ＩｎＰ，ＧａＮ，ＧａＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族半導体、Ｓｉ，Ｇｅ等のＩＶ族半導体等が挙げられる。これら半導体ナノ粒子発光材料は、２種類以上の化合物からなるコアシェル型構造でもよい。また、半導体ナノ粒子発光材料中に別の化学種が微量にドープされていてもよい。本発明の電界発光素子で用いられる半導体ナノ粒子発光材料は、発光スペクトルの半値幅が狭いこと、粒径により発光色制御が可能なことを理由として、ＣｄＳｅナノ粒子が望ましい。特に、ＣｄＳｅの表面がＺｎＳで被覆された構造のＣｄＳｅ／ＺｎＳコアシェル型ナノ粒子は、優れた発光量子収率を示すので望ましい。また、これらの半導体ナノ粒子の表面は、トリオクチルフォスフィンオキサイド（ＴＯＰＯ）等の有機系配位子で覆われていてもよい。
【００３１】
本発明の電界発光素子で使用される基板は、基板表面に電極が形成されたものであれば特に制限は無い。電極の具体例としては、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ等の金属単体もしくはこれら金属単体を複数種類組み合わせた合金、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ等の金属酸化物等が挙げられる。また、電極からの電荷注入効率を上げるために、電極表面に導電性の金属酸化物層が形成されていてもよい。
【００３２】
次に、本発明の電界発光素子の製造方法について説明する。
【００３３】
本発明の電界発光素子の製造方法は、以下の工程（ｉ）及び（ｉｉ）を含むことを特徴とする。
（ｉ）電極が形成されている基板上に電荷輸送層を形成する工程
（ｉｉ）該電荷輸送層上に、半導体ナノ粒子発光材料で構成される発光層を形成する工程
【００３４】
上記の（ｉ）の工程を行う具体的な方法として、塗布法、浸漬法、化学蒸着法等が挙げられる。具体的には、金基板上にアルカンチオールからなる配向膜を形成したり、シリカ基板上にアルキルシランからなる配向膜を形成したりする等が知られている。本発明の電界発光素子において、π共役を有する化合物と基板との結合部位の種類は、基板の種類に応じて決めればよい。
【００３５】
また上記の（ｉｉ）の工程行う具体的な方法としては、塗布法、浸漬法等が挙げられる。
【００３６】
以下、図面を参照しながら、本発明の電界発光素子の製造方法について詳細に説明する。具体例として、ＩＴＯ電極を有しているガラス基板及び下記式（２）で示される化合物を使用した例を挙げる。尚、下記式（２）で示される化合物は、式（１）において、Ｘがアルコキシシリル基であり、Ｙがチオール基であり、Ｃが正孔輸送機能を有するトリフェニルアミンである化合物であり、Ｒ1及びＲ2がプロピレンである。
【００３７】
【化２】
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【００３８】
まず、工程（ｉ）を行う。具体的には、式（２）の化合物を有機溶媒で溶解した溶液を調製し、この溶液中にＩＴＯ電極付基板を浸漬する。そうすると、ＩＴＯ基板上に微量残存するＯＨ基と、式（２）の化合物が有するアルコキシシリル基との間でシラノール結合が形成される。また式（２）の化合物が有するアルコキシシリル基同士においてもシラノール結合が形成される。この結果、図２に示されるように、ＩＴＯ電極付基板１１の表面に、式（２）の化合物で構成される正孔輸送機能を有する分子層（電荷輸送層１２）が形成される。また、図２に示されるように、ＩＴＯ電極付基板１１の表面と電荷輸送層１２を構成する化合物との間にシラノール結合を形成していれば、電荷輸送層１２の上面には、半導体ナノ粒子と結合を形成するためのチオール基が並ぶようになる。
【００３９】
尚、電荷輸送層１２を構成する化合物の分子構造によっては、式（１）中のＣで表されるπ共役を有する基に起因する分子間の立体障害や静電反発等が、式（２）の化合物同士で起こるようになる。これにより電荷輸送層１２が均一な膜とならない場合がある。このような場合は、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン等といった、立体障害や静電反発の少ない別の化合物と式（２）の化合物とを混合した上で成膜して電荷輸送層１２を形成する。こうすることにより、電荷輸送層１２は、図３で示される形式で、ＩＴＯ電極付基板１１の表面に形成されることになる。図３で示される形式にすると、式（２）の化合物同士で起こると考えられる分子間の立体障害や静電反発等が緩和されると共に、電荷輸送層１２は膜密度の高い均質な膜となる。
【００４０】
次に、電荷輸送層１２を形成した基板の表面を洗浄した後、電荷輸送層１２の上に半導体ナノ粒子からなる発光層２１を設ける工程（工程（ｉｉ））を行う。この工程は、例えば、ＣｄＳｅ／ＺｎＳナノ粒子を含む溶液を塗布・浸漬等により接触・反応を行い、その後、洗浄処理等で余分なナノ粒子を除去することにより行う。この工程を行うことにより、図４で示されるような、電荷輸送層１２と共有結合した半導体ナノ粒子からなる発光層２１が形成される。この際、電荷輸送層１２の上面には、電荷輸送層１２と共有結合を形成した半導体ナノ粒子のみが残るため、発光層２１の膜厚は単粒子層にほぼ近くなる。また、電荷輸送層１２は、層自体の膜密度が高いため、その上面に露出するチオール基も、当該上面中の密度は高い。故に、電荷輸送層１２上に形成される半導体ナノ粒子からなる発光層２１も、膜密度が高くなる。
【００４１】
工程（ｉ）により電極上に形成することで、面内で均一かつ厚さが厳密に制御された電荷輸送層を形成することができる。また工程（ｉｉ）により面内で均一かつ単粒子程度の厚さに制御された発光層を形成することができる。
【００４２】
以上のようにして形成された発光層２１の上に、電子輸送層、電子注入層、電極等を真空蒸着等で成膜することにより、例えば図１で示される電界発光素子が形成される。ここで発光層２１の上に形成される各層は、一般に電界発光素子の構成材料として使用される有機化合物が使用できる。
【００４３】
例えば、電子輸送材料として、アルミキノリン錯体及びその誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン及びその誘導体等が挙げられる。電子注入材料として、フッ化リチウム、炭酸セシウム、カルシウム等が挙げられる。また、電子輸送層等に無機材料を用いてもよい。
【００４４】
このようにして得られる電界発光素子を用いることにより、半導体ナノ粒子発光材料の各種特性を活かした、高発光効率なディスプレイ又は表示素子が実現できる。
【実施例】
【００４５】
（実施例１）
図１に示される電界発光素子を作製した。
【００４６】
まずガラス基板の表面にＩＴＯ電極を有する基板１１の表面を、アセトン、エタノールで順次洗浄した後、ＵＶオゾンを２０分間照射することにより、基板１１の洗浄を行うと共に電極表面の付着物を除去した。
【００４７】
一方、下記式（２）に示される化合物を、メタノール、水、酸触媒を用いて加水分解し、ゾル化した。
【００４８】
【化３】
2009009894.tif 000005
【００４９】
このゾル液を１重量％の濃度でメタノール中に溶解して反応溶液Ａを調製した。次に、この反応溶液Ａ１０ｍｌ中に、上記の洗浄済み基板を浸漬して密閉し、２４時間常温で静置した。その後、基板を反応溶液Ａから取り出し、メタノール、トルエンで順次洗浄した後、窒素雰囲気下、１１０℃で３０分間加熱処理をした。
【００５０】
以上により、上記の式（２）で示される化合物が、図２で示されるようにＩＴＯ電極付基板１１の表面に化学結合した層（電荷輸送層１２）が形成された。
【００５１】
次に、コアシェル型の半導体ナノ粒子発光材料であるＣｄＳｅ／ＺｎＳ（エヴィデントテクノロジーズ社製、平均コア粒径：約４ｎｍ、ナノ粒子濃度：１ｍｇ／ｍｌ）のトルエン分散液１０ｍｌを用意し、これを反応溶液Ｂとした。次に、先程基板１１の表面に電荷輸送層１２を形成したものについて、反応溶液Ｂ中に浸漬して密閉し、２４時間常温で静置した。その後、基板を反応液Ｂから取り出し、トルエンで洗浄した。
【００５２】
以上により、図４に示される、電荷輸送層１２の上に半導体ナノ粒子発光材料の単粒子膜で形成される発光層２１が形成された積層体を得た。
【００５３】
この後、この半導体ナノ粒子層の上に、電子輸送層３１としてＡｌｑ3を、上部電極３２としてＡｌを、順に真空蒸着法により形成することにより、図１に示す電界発光素子を得た。尚、図１の電界発光素子は、上部電極３２を形成後、窒素封止処理を行った。
【００５４】
得られた電界発光素子について電圧を印加したところ、ナノ粒子由来の赤色発光を示した。また発光開始時の電圧は３．５Ｖであり、外部量子効率は１．５％であり、発光ピーク波長は６２０ｎｍであった。
【００５５】
（実施例２）
実施例１において、電荷輸送層１２の構成材料として、式（２）に示される化合物の代わりに、下記式（３）に示される化合物を使用した以外は、実施例１と同様の方法により電界発光素子を得た。
【００５６】
【化４】
2009009894.tif 000006
【００５７】
得られた電界発光素子について電圧を印加したところ、ナノ粒子由来の赤色発光を示した。また発光開始時の電圧は４．０Ｖであり、外部量子効率は１．０％であり、発光ピーク波長は６２０ｎｍであった。
【００５８】
（実施例３）
実施例１において、電荷輸送層１２の構成材料として、式（２）に示される化合物の代わりに、下記式（４）に示される化合物を使用した以外は、実施例１と同様の方法により電界発光素子を得た。
【００５９】
【化５】
2009009894.tif 000007
【００６０】
得られた電界発光素子について電圧を印加したところ、ナノ粒子由来の赤色発光を示した。また発光開始時の電圧は３．５Ｖであり、外部量子効率は１．０％であり、発光ピーク波長は６２０ｎｍであった。
【００６１】
（比較例１）
実施例１において、電荷輸送層１２の構成材料として、式（２）に示される化合物の代わりに、下記式（５）に示されるメルカプトプロピルトリメトキシシランを使用した以外は、実施例１と同様の方法により電界発光素子を得た。
【００６２】
【化６】
2009009894.tif 000008
【００６３】
得られた電界発光素子について電圧を印加したところ、ナノ粒子由来の赤色発光を示した。また発光開始時の電圧は８．０Ｖであり、外部量子効率は０．１％であり、発光ピーク波長は６２０ｎｍであった。
【００６４】
（実施例４）
実施例１において、電荷輸送層１２の構成材料として、式（２）に示される化合物の代わりに式（２）に示される化合物に示される化合物及びヘキシルトリメトキシシランの混合物（重量混合比＝２／１）を使用した。これ以外は、実施例１と同様の方法により電界発光素子を得た。尚、π共役を有する化合物を含む層は、図３に示されるように、ＩＴＯ電極表面上に、ヘキシルトリメトキシシランに由来するユニットと式（２）に示される化合物に由来するユニットとが、交互に化学結合している構成である。
【００６５】
得られた電界発光素子について電圧を印加したところ、ナノ粒子由来の赤色発光を示した。また発光開始時の電圧は３．５Ｖであり、外部量子効率は１．５％であり、発光ピーク波長は６２０ｎｍであった。
【００６６】
（実施例５）
実施例１において、半導体ナノ粒子発光材料からなる層２１の構成材料として、発光ピーク波長の異なる３種類のコアシェル型半導体ナノ粒子発光材料であるＣｄＳｅ／ＺｎＳを使用した。この３種類のナノ粒子発光材料は市販品（エヴィデントテクノロジーズ社製）であり、粒子自体の発光ピーク波長は、小さいものから順に、４９０ｎｍ、５４０ｎｍ、６２０ｎｍである。これ以外は実施例１と同様の方法により、青色発光、緑色発光、赤色発光の３種類の発光が出力される電界発光素子をマトリックス状に形成した。次に、各々の電界発光素子の駆動を制御するドライブ回路を形成することにより、画像表示用のディスプレイを作製した。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の電界発光素子における一実施形態を示す断面図である。
【図２】基板上にπ共役を有する化合物を含む層を形成したときの様子を示す断面図である。
【図３】図２の変形例を示す断面図である。
【図４】基板上にπ共役を有する化合物を含む層、及び発光層を形成したときの様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  電界発光素子
１１  基板
１２  電荷輸送層
２１  発光層
３１  電子輸送層
３２  背面電極
【図１】
2009009894.tif 000009
【図２】
2009009894.tif 000010
【図３】
2009009894.tif 000011
【図４】
2009009894.tif 000012