(57)【要約】【課題】シール部材のメンテナンスサイクルの長期化を図り、シール部材からのパーティクル発生を減少させる。【解決手段】チャンバー１０内でプラズマ処理が行われるＨＤＰ−ＣＶＤ装置１において、チャンバー１０を貫通しガスが導入されるガス導入穴４０と、ガス導入穴４０に挿入されガスがチャンバー１０内の所定位置に導かれるガスノズル２２と、ガスノズル２２に装着されチャンバー１０のガス導入穴４０とガスノズル２２の外周部とがシールされるＯリング４５と、を備え、ガスノズル２２にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内でプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置であって、
前記チャンバーを貫通しガスが導入されるガス導入穴と、
前記ガス導入穴に挿入され前記ガスが前記チャンバー内の所定位置に導かれるガスノズルと、
前記ガスノズルに装着され前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルの外周部とがシールされる第１のシール部材と、を備え、
前記ガスノズルに前記ガス導入穴より外形の大きい遮蔽部が設けられ、前記遮蔽部が前記チャンバー内側から前記ガス導入穴を覆って、前記遮蔽部と前記ガス導入穴との間隙にプラズマが進入しないように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造装置において、
前記ガスノズルに前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルとの間がシールされる第２のシール部材が前記第１のシール部材よりも前記チャンバーの外壁側に設けられたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造装置において、
前記第１のシール部材の外形に対して、前記第２のシール部材の外形が小さいことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置において、
前記遮蔽部と前記チャンバーの前記ガス導入穴との間に、前記チャンバーの内周を覆うチャンバー壁保護板が設けられ、前記チャンバー壁保護板に穿孔された貫通穴を通して前記ガスノズルが前記チャンバーに取り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置において、
前記第１のシール部材の材質がパーフロロエラストマーであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置に関し、特にチャンバー内でプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、電気光学装置などの製造において、基板などの清浄化、基板への成膜などにプラズマを発生させる製造装置が多く用いられている。
このプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置の一例を、成膜装置を例にとって説明する。図６はＨＤＰ−ＣＶＤ（High  Density  Plasma  Chemical  Vapor  Deposition）装置の構成を示す模式説明図である。
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１は円柱状のチャンバー１０と、チャンバー１０内に配置される基板支持用のステージ１１と、チャンバー１０内に原料となるガスなどを供給するガスノズル１２０と、を備えた構成となっている。ステージ１１には基板５を支持する静電チャック１３と、静電チャック１３を上下動させるリフト機構１４が備えられ、静電チャック１３には高周波電源１５からの配線が接続されている。チャンバー１０の天井部１６にはコイル１７が巻かれ、コイル１７には高周波電源１８が接続されている。ガスノズル１２０はチャンバー１０に取り付けられ、その先端はステージ１１に向けられて配置されている。
【０００３】
次に、図７（ａ）は図６のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図であり、図７（ｂ）はガスノズルの取り付け部を示す詳細説明図である。
ガスノズル１２０は、チャンバー１０を貫通するガス導入穴４０に挿入されており、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能としている。またガスノズル１２０はガス導入穴４０との隙間にシール部材としてのＯリング４５が装着されて、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル１２０の先端へ導入される構造となっている。
【０００４】
このような、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１を用いて、例えばＳｉＯ2膜を基板５上に成膜する際には、まず始めにステージ１１上に基板５を載置する。次にチャンバー１０内を減圧雰囲気にし、ガスノズル１２０からチャンバー１０内にＳｉＨ4、Ｏ2、Ａｒなどのガスを供給する。そして、高周波電源１５、１８のパワーが調整されて、チャンバー１０内にプラズマを発生させる。このプラズマによって原料となるガスが化学反応し、基板５にＳｉＯ2膜が堆積して形成される。
【０００５】
また、ＳｉＯ2膜はチャンバー１０内にも堆積してパーティクルの原因となるため、定期的にチャンバー１０内のクリーニングが行われている。このクリーニングには、成膜時と同様にチャンバー１０内にプラズマを発生させて、原料ガスの代わりにＮＦ3ガスを用いて、チャンバー１０内をドライエッチングしてクリーニングしている。
【０００６】
このように、チャンバー１０内はプラズマに晒されており、プラズマおよびプラズマで発生したイオン、励起された原子、ラジカル、電子などがシール部材としてのＯリング４５を徐々に劣化、消耗、侵食する。そして、Ｏリング４５でのシール性が保てなくなり、ガスノズル１２０の根元部に導入されたガスがＯリング４５で漏れてガスノズル１２０から基板５上へのガス供給量が充分でなくなる。この状態では、成膜が所定の状態で行われず、成膜プロセスが不安定となる。
【０００７】
この問題を解決する関連技術の一例として、特許文献１には、プラズマ処理装置において、マイクロ波透過窓と真空容器との間のシール部に耐プラズマ性に優れた材質のシール部材と、その外側に面接触性が高くガス透過性が低い材質のシール部材を用いることでプラズマによるシール部材の劣化を抑制する技術が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１０６２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１のように２重にシール部を設けても、シール部の隙間からプラズマが進入してシール部材は劣化、消耗、侵食されていくため、シール部の状況に応じたシール部材のメンテナンスが必要である。また、シール部材が消耗・侵食されていくことは、チャンバー内のパーティクル発生原因となっており、製品の品質に影響を及ぼす問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］本適用例にかかる半導体装置の製造装置は、チャンバー内でプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置であって、前記チャンバーを貫通しガスが導入されるガス導入穴と、前記ガス導入穴に挿入され前記ガスが前記チャンバー内の所定位置に導かれるガスノズルと、前記ガスノズルに装着され前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルの外周部とがシールされる第１のシール部材と、を備え、前記ガスノズルに前記ガス導入穴より外形の大きい遮蔽部が設けられ、前記遮蔽部が前記チャンバー内側から前記ガス導入穴を覆って、前記遮蔽部と前記ガス導入穴との間隙にプラズマが進入しないように配置されていることを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、ガスノズルにガス導入穴より外形の大きい遮蔽部が設けられ、遮蔽部がチャンバー内側からガス導入穴を覆うように配置されている。このことから、遮蔽部とガス導入穴との間隙に進入するプラズマの大部分がガスノズルの遮蔽部によって遮られ、第１のシール部材の消耗・侵食を抑制することができる。
このようにして、シール部で導入されるガスが漏れることなく、ガスノズルから充分な量のガスを供給でき成膜プロセスの安定化およびメンテナンスサイクルの長期化を図ることができる。
さらに、シール部材の消耗・侵食が少なくなることから、チャンバー内のパーティクル発生を減少させることができる。
【００１３】
［適用例２］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記ガスノズルに前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルの間がシールされる第２のシール部材が前記第１のシール部材よりも前記チャンバーの外壁側に設けられていることが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、第１のシール部材が消耗・侵食してシールが破れても、第２のシール部材でシール性を保つことができる。このことから、シール部のメンテナンスサイクルを長期化することができる。
また、ガスノズルのガス導入穴への保持は、シール部材の弾性により保持されており、この構成によれば第１、第２のシール部材の２箇所で行われるため、ガスノズルを所定位置に確実に安定して保持することができる。
【００１５】
［適用例３］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記第１のシール部材の外形に対して、前記第２のシール部材の外形が小さいことが望ましい。
【００１６】
この構成によれば、第１のシール部材が消耗・侵食してシールが破れても、第２のシール部材でシール性を保つことができる。そして、第２のシール部材の外形が第１のシール部材の外形よりも小さいため、ガスノズル自体で第２のシール部材をプラズマから遮蔽でき、また、プラズマから生ずるイオン、ラジカルなどが第２のシール部材に到達するのを抑制できる。このことから、シール部材のメンテナンスサイクルをさらに長期化することができる。
【００１７】
［適用例４］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記遮蔽部と前記チャンバーの前記ガス導入穴の間に、前記チャンバーの内周を覆うチャンバー壁保護板が設けられ、前記チャンバー壁保護板に穿孔された貫通穴を通して前記ガスノズルが前記チャンバーに取り付けられていることが望ましい。
【００１８】
この構成によれば、チャンバー壁保護板がガス導入穴を覆う遮蔽板の役目をすることから、チャンバー壁保護板とガスノズルの遮蔽部とで、２重にガス導入穴を覆うことができる。このことから、プラズマがシール部に到達することを抑制でき、シール部材の消耗・侵食を少なくできる。
【００１９】
［適用例５］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記第１のシール部材の材質がパーフロロエラストマーであることが望ましい。
【００２０】
この構成によれば、第１のシール部材の材質が耐プラズマ性のある材料であるパーフロロエラストマーを用いていることから、プラズマによるシール部材の消耗・侵食が少なく、シール部材のメンテナンスサイクルの長期化、およびパーティクルを減少させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。以降の実施形態では、プラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置の一例として、成膜装置であるＨＤＰ−ＣＶＤ装置を例にとって説明する。
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置は図６で説明した装置であり、装置全体の説明は省略する。以下の実施形態ではガスノズルおよびその取り付け部に特徴を有するため、この部分について詳細な説明をする。
（第１の実施形態）
【００２２】
図１はＨＤＰ−ＣＶＤ装置の天井部を取り除いて内部を見た模式説明図である。図２は図１のＡ−Ａ断線に沿うガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置のチャンバー１０は円筒形に形成され、チャンバー１０を貫通するガス導入穴４０が形成され、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能としている。チャンバー１０のガス導入穴４０の内壁側は口径が大きく形成され、フッ素樹脂などで形成された筒状のガスノズル２２が挿入できるように形成されている。
また、チャンバー１０の内壁を取り巻くように、チャンバー１０に生成物が付着するのを防止するチャンバー壁保護板５０が配置されている。チャンバー壁保護板５０はアルミニウムにて形成され、表面にアルマイト処理が施されている。そして、このチャンバー壁保護板５０に穿孔された貫通穴５１を通してガスノズル２２がチャンバー１０のガス導入穴４０に挿入されている。
【００２３】
ガスノズル２２はチャンバー１０の内壁から中心に向かい、先端部がステージ１１の上に向くように複数配置されている。ガスノズル２２には径方向に段となる溝３２が形成され、その溝３２にシール部材としてのＯリング４５が装着されている。このＯリング４５が装着された部分がガス導入穴４０に挿入され、ガスノズル２２とガス導入穴４０との隙間がシールされ、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル２２のノズル穴３１を通ってガスノズル２２先端へ導かれる構造となっている。
Ｏリング４５はパーフロロエラストマーに分類される高分子材料で形成され、耐熱性、耐プラズマ性、耐薬品性を有している。
そして、ガスノズル２２には、溝３２の近傍でガスノズル２２の先端側に遮蔽部３０が設けられている。遮蔽部３０は円柱状に形成され、遮蔽部３０の外形（直径）Ｄ３はガス導入穴４０の内壁側の口径（直径）Ｄ１に対してＤ３＞Ｄ１という関係に設定されている。
ガスノズル２２の遮蔽部３０は、チャンバー１０内側からチャンバー壁保護板５０の貫通穴５１およびガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。
なお遮蔽部３０の平面形状は円形に限らず、ガス導入穴４０を覆う大きさであればどのような形であっても良い。
【００２４】
以上、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置では、ガスノズル２２にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆うように配置されている。
このことから、チャンバー１０内で成膜またはクリーニングにおけるプラズマ処理が行われても遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙に進入するプラズマの大部分がガスノズル２２の遮蔽部３０によって遮られ、Ｏリング４５の消耗・侵食を抑制することができる。
このようにして、Ｏリング４５のシール部分でガスが漏れることなく、ガスノズル２２から充分な量のガスを供給でき成膜プロセスの安定化およびメンテナンスサイクルの長期化を図ることができる。
さらに、Ｏリング４５の消耗・侵食が少なくなることから、チャンバー内のパーティクル発生を減少させることができる。
【００２５】
また、チャンバー壁保護板５０がガス導入穴４０を覆う遮蔽板の役目をすることから、チャンバー壁保護板５０とガスノズル２２の遮蔽部３０とで、２重にガス導入穴４０を覆うことができる。このことから、プラズマから生ずるイオン、ラジカルがＯリング４５に到達することを抑制でき、Ｏリング４５の消耗・侵食を少なくできる。
さらに、Ｏリング４５の材質が耐プラズマ性のある材料であるパーフロロエラストマーを用いていることから、プラズマによるシール部材の消耗・侵食が少なく、Ｏリング４５のメンテナンスサイクルの長期化、およびパーティクルを減少させることが可能である。
（変形例）
【００２６】
次に、第１の実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置における変形例について説明する。
図３はガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。本変形例では、第１の実施形態との違いはチャンバー壁保護板を用いない場合の形態である。ガスノズルは第１の実施形態で説明したガスノズルと同様の構成をしている。
チャンバー１０のガス導入穴４０にガスノズル２２が挿入され、ガス導入穴４０との隙間にＯリング４５が溝３２に装着されている。そして、ガスノズル２２に形成された遮蔽部３０がガス導入穴４０の上を覆っている。
【００２７】
このように、本変形例においても第１の実施形態と同様に、チャンバー１０内で発生するプラズマをガスノズル２２の遮蔽部３０で遮ることができ、Ｏリング４５の消耗・侵食を抑制することができる。
このようにして、Ｏリング４５のシール部分で導入されるガスが漏れることなく、ガスノズル２２から充分な量のガスを供給でき成膜プロセスの安定化およびメンテナンスサイクルの長期化を図ることができる。
（第２の実施形態）
【００２８】
次に、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置における第２の実施形態について説明する。本実施形態と第１の実施形態との違いは、シール部材としてのＯリングが２箇所に設けられている点である。
図１に示したのと同様に、ガスノズルはチャンバーの内壁から中心に向かい、先端部がステージの上に向くように複数配置されている。
図４はガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。この断面は図１におけるＡ−Ａ断線に沿う断面に相当する。なお、第１の実施形態と同様な構成については同符号を付し説明を簡略化する。
【００２９】
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置のチャンバー１０にはガス導入穴４０が形成され、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能とし、ガスノズル２４が挿入できるように形成されている。
また、チャンバー１０の内壁を取り巻くようにチャンバー１０にチャンバー壁保護板５０が配置されている。そして、このチャンバー壁保護板５０に穿孔された貫通穴５１を通してガスノズル２４がチャンバー１０のガス導入穴４０に挿入されている。
【００３０】
ガスノズル２４には径方向に段となる２つの溝３２，３３が形成されている。溝３２に第１のシール部材としてのＯリング４５が装着され、溝３３に第２のシール部材としてのＯリング４６が装着されている。このように、Ｏリング４６は、Ｏリング４５よりもチャンバー１０の外壁側に装着されている。このＯリング４５，４６が装着された部分がガス導入穴４０に挿入され、ガスノズル２４とガス導入穴４０との隙間がシールされ、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル２４のノズル穴３１を通ってガスノズル２４先端へ導かれる構造となっている。
Ｏリング４５，４６はパーフロロエラストマーに分類される高分子材料で形成され、耐熱性、耐プラズマ性、耐薬品性を有している。
【００３１】
そして、ガスノズル２４には遮蔽部３０が設けられている。遮蔽部３０は円柱状に形成され、遮蔽部３０の外形（直径）Ｄ３はガス導入穴４０の内壁側の口径（直径）Ｄ１に対してＤ３＞Ｄ１という関係に設定されている。
ガスノズル２４の遮蔽部３０は、チャンバー１０内側からチャンバー壁保護板５０の貫通穴５１およびガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。
【００３２】
以上、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置では、ガスノズル２４にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆うように配置されている。そして、２つのＯリング４５，４６が設けられ、ガスノズル２４とガス導入穴４０との隙間がシールされている。
【００３３】
このように、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置は第１の実施形態の効果に加え、Ｏリング４５がプラズマにより消耗・侵食してシールが破れても、Ｏリング４６でシール性を保つことができる。このことから、シール部のメンテナンスサイクルを長期化すること可能である。
また、ガスノズル２４のガス導入穴４０への保持は、Ｏリング４５，４６の弾性により保持されており、Ｏリング４５，４６の２箇所で行われるため、ガスノズル２４を所定位置に確実に安定して保持することができる。
（第３の実施形態）
【００３４】
次に、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置における第３の実施形態について説明する。本実施形態と第１の実施形態との違いは、シール部材としてのＯリングが２箇所に設けられ、さらに２つのＯリングの外形における大きさが異なる点である。
図１に示したのと同様に、ガスノズルはチャンバーの内壁から中心に向かい、先端部がステージの上に向くように複数配置されている。
図５はガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。この断面は図１におけるＡ−Ａ断線に沿う断面に相当する。なお、第１の実施形態と同様な構成については同符号を付し説明を簡略化する。
【００３５】
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置のチャンバー１０にはガス導入穴４０が形成され、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能とし、ガスノズル２６が挿入できるように形成されている。
また、チャンバー１０の内壁を取り巻くようにチャンバー１０にチャンバー壁保護板５０が配置されている。そして、このチャンバー壁保護板５０に穿孔された貫通穴５１を通してガスノズル２６がチャンバー１０のガス導入穴４０に挿入されている。
【００３６】
ガスノズル２６のガス導入穴４０に挿入される部分は根元部の径が細い段付に形成されている。これらの径の太い部分に溝３２が形成され、径の細い部分に溝３４が形成されている。そして、溝３２，３４にシール部材としてのＯリング４５，４７が装着されている。
チャンバー１０のガス導入穴４０の内壁側は口径が大きく形成され、径の大きいＯリング４５でシールされ、ガス導入穴４０の外壁側は口径が小さく形成され、径の小さいＯリング４７でシールされている。
このようにＯリング４５，４７にて、ガスノズル２６とガス導入穴４０との隙間がシールされ、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル２６のノズル穴３１を通ってガスノズル２６先端へ導かれる構造となっている。
Ｏリング４５，４７はパーフロロエラストマーに分類される高分子材料で形成され、耐熱性、耐プラズマ性、耐薬品性を有している。
【００３７】
そして、ガスノズル２６には遮蔽部３０が設けられている。遮蔽部３０は円柱状に形成され、遮蔽部３０の外形（直径）をＤ３、ガス導入穴４０の内壁側の口径（直径）をＤ１、ガス導入穴４０の外壁側の口径（直径）をＤ２とすると、その大きさはＤ３＞Ｄ１＞Ｄ２という関係に設定されている。
ガスノズル２６の遮蔽部３０は、チャンバー１０内側からチャンバー壁保護板５０の貫通穴５１およびガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。
【００３８】
以上、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置では、ガスノズル２４にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆うように配置されている。そして、２つのＯリング４５，４７が設けられ、ガスノズル２４とガス導入穴４０との隙間がシールされている。チャンバー１０内壁側のＯリング４５は外壁側のＯリング４７に比べて大きく構成されている。
【００３９】
このように、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置は第１、第２の実施形態の効果に加え、以下のような効果を得ることができる。本実施形態では、チャンバー１０内壁側のＯリング４５が消耗・侵食してシール性が破れても、Ｏリング４７がシール性を保つことができる。そして、チャンバー１０外壁側のＯリング４７の外形がＯリング４５の外形よりも小さいため、ガスノズル２６自体でＯリング４７を遮蔽でき、プラズマから生ずるイオン、ラジカルなどがＯリング４７に到達するのを抑制できる。
このことから、Ｏリング４５，４７のメンテナンスサイクルをさらに長期化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１の実施形態における、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置の天井部を取り除いて内部を見た模式説明図。
【図２】第１の実施形態におけるガスノズルの取り付け部を示す模式断面図。
【図３】第１の実施形態の変形例を示す模式断面図。
【図４】第２の実施形態におけるガスノズルの取り付け部を示す模式断面図。
【図５】第３の実施形態におけるガスノズルの取り付け部を示す模式断面図。
【図６】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置の構成を示す模式説明図。
【図７】（ａ）は図６のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図であり、（ｂ）はガスノズルの取り付け部を示す詳細説明図。
【符号の説明】
【００４１】
１…ＨＤＰ−ＣＶＤ装置、５…基板、１０…チャンバー、１１…ステージ、１３…静電チャック、１４…リフト機構、１５…高周波電源、１６…天井部、１７…コイル、１８…高周波電源、２２，２４，２６…ガスノズル、３０…遮蔽部、３１…ノズル穴、３２，３３，３４…溝、４０…ガス導入穴、４５…第１のシール部材としてのＯリング、４６，４７…第２のシール部材としてのＯリング、５０…チャンバー壁保護板、５１…貫通穴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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