(57)【要約】  【課題】堆積物を除去する堆積物除去具の耐用期間を延ばし、堆積物除去具の交換の回数を低減することにより気相成長装置の生産性を向上させる。  【解決手段】  チャンバ１０１と、チャンバ１０１から排出される気相成長後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化する無害化室１０４と、チャンバ１０１と無害化室１０４とを接続し、チャンバ１０１から排出される気相成長後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化室１０４内に導入する配管１０３と、配管１０３の内部に所定の周期で移動自在に設けられ、気相成長後の第１のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する第１の周期と、クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する、第１の周期よりも長い第２の周期とを切り換えて往復動する堆積物除去具とを備えることを特徴とする。これにより、堆積物除去具１０６の耐用期間を延ばすことができる。  【選択図】図１
2009088009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長用の第１のガスおよびクリーニング用の第２のガスが供給されるチャンバと、
前記チャンバから排出される気相成長反応後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化する無害化室と、
前記チャンバと前記無害化室とを接続し、前記チャンバから排出される前記気相成長後の第１のガスおよび前記クリーニング後の第２のガスを前記無害化室内に導入する配管と、
前記配管の内部に所定の周期で移動自在に設けられ、前記気相成長後の第１のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する第１の周期と、前記クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する、前記第１の周期よりも長い第２の周期とを切り換えて往復動する堆積物除去具と、
を備えることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記配管に接続され、前記堆積物除去具を格納する格納部を備えることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。
【請求項３】
前記堆積物除去具は、棒状或いは円筒形状に形成されていることを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載の気相成長装置。
【請求項４】
基板上に第１のガスを供給し気相成長を行なわせる工程と、
気相成長後の第１のガスを無害化する工程と、
前記気相成長後の第１のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程と、
気相成長後に第２のガスを供給する工程と、
クリーニング後の第２のガスを前記気相成長後の第１のガスを無害化するよりも高温で無害化する工程と、
前記クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程と、
を備えることを特徴とする気相成長方法。
【請求項５】
前記クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程は、前記気相成長後の第１のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程よりも、前記堆積物の除去を行なう周期を長くすることを特徴とする請求項４に記載の気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置及び気相成長方法にかかり、特に気相成長およびクリーニングに伴って排出される複数のガスを無害化するガス無害化部の堆積物を除去する堆積物除去具に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェハ等の半導体基板に単結晶膜を成膜させるエピタキシャル成長には、一般に常圧化学気相成長法が用いられ、場合によっては減圧化学気相成長(LPCVD)法が用いられている。
これらの気相成長方法は、例えば原料ガスにモノシラン(SiH4)、ジクロロシラン(SiH2Cl2)、トリクロロシラン(SiHCl3)等が用いられ、ドーパントガスにはボロン化合物のジボラン（B2H6）、リン化合物のホスフィン（PH3）、砒素化合物のアルシン（AsH3）等が用いられる。そして、加熱された半導体基板の表面で、原料ガスの熱分解反応或いは水素還元反応が行なわれ、気相成長膜が成膜される。
【０００３】
このとき、気相成長を行なった後のチャンバから排出されるガスには、気相成長に関与しなかったプロセスガスの未反応成分や、気相成長に伴う化学変化によって生成された不安定な中間体等の成分が含まれる。これらの成分は、冷却されることで副生成物を生成させやすく、外部へと排出される際にチャンバや配管の内壁等に副生成物を付着させる。
そして、この副生成物の付着が進行すると、チャンバ内のガスの出口付近や、配管内の空間の断面積を減少させ、チャンバからのガスの排出を停滞させてしまう。また、最悪の場合、この副生成物によって配管等が完全に閉塞されると、ガスの排出ができなくなり、気相成長装置の操業が行なえなくなる。
【０００４】
このため、副生成物の付着による気相成長装置を継続的に操業させるため、三フッ化塩素(ClF3)を含むクリーニングガスを用いた気相成長装置の内部のクリーニングが行なわれる。
クリーニングガスは、上述の副生成物を分解する物性を持つ。これをチャンバに供給することで、チャンバ内や配管内に付着した副生成物を除去することができる。これによって、気相成長装置は継続的な操業を維持できる。
【０００５】
気相成長を行なうことで排出されるガスや、気相成長装置のクリーニング後に排出されるガスは、環境に対する有害成分が含まれている。このため、気相成長装置から排出されるガスは、大気に解放される前に無害化されることが必須となる。よって、気相成長装置には、有害成分を含むガスを燃焼させることで無害化するガス無害化部が設けられている。上述のような燃焼式のガス無害化部は、多様な有害成分を無害化することができるため、多くの気相成長装置に備えられている。
【０００６】
気相成長後の排気ガスをガス無害化部において燃焼させることによる無害化が行なわれると、有害成分が分解されるとともに酸化反応が起き、シリコン酸化物が生成される。例えば、ガス無害化部の無害化室においてモノシランを含む気相成長後の排気ガスを燃焼させると、二酸化ケイ素（SiO2）が生成される。
酸化反応で生成される二酸化ケイ素は、粉末或いは塊となってガス無害化部内に堆積する。特に、排気ガスを無害化室内へ導入する入口に近い無害化室の上部への堆積が顕著である。この堆積物が入口を閉塞させてしまうと、チャンバからガスの排出ができなくなってしまう。
これを防止するため、ガス無害化部には、無害化室に堆積する堆積物を除去する堆積物除去具が設けられる。
【０００７】
堆積物除去具は、例えば無害化室と接続する配管内を無害化室内へ突出するように一定の周期で往復動し、無害化室の入口付近に堆積する堆積物を除去する。これにより、チャンバからガス無害化部へと流れるガス流を滞らせず、気相成長装置を継続的な操業を可能にさせていた。
【０００８】
また、上述の燃焼式のガス無害化部だけではなく、気相成長に伴って排出されるガスを処理するその他の装置においても、堆積物による配管等の閉塞は問題となっていた。そのため、上述の堆積物除去具と類似した機能を持つ部材を用い、配管等に堆積する堆積物の除去が試みられている（特許文献１参照）。
【０００９】
また、ガス無害化部は、気相成長後のガスだけでなく、チャンバ内や配管内のクリーニング後のガスも無害化する。
クリーニング後のガスは、気相成長後のガスに比べ、シラン化合物等の含有量は少ない。そのため、クリーニング後のガスがガス無害化部において燃焼された場合、気相成長後のガスを燃焼した場合に比べ、堆積する堆積物の量も少ない。しかし、これを長時間放置すれば、いずれはガスの排気を阻害するほどまで堆積してしまうため、堆積物除去具は堆積物を除去するように往復動させなければならない。
ただし、上述の通り、堆積する堆積物の量は少ないため、堆積物除去具を気相成長後のガスを無害化する場合と同様の周期で往復動させなくても、気相成長装置の継続的な操業には問題を生じない。
【００１０】
従来、ガス無害化部に設けられた堆積物除去具は、無害化室が如何なる状態であっても一定の周期で往復動させられる、柔軟性を欠いた制御が行なわれていた。つまり、無害化室において気相成長後のガスが無害化されていても、クリーニング後のガスが無害化されていても、堆積物除去具は略同一の周期で無害化室内に出し入れされていた。また、このときの略同一の周期とは、気相成長後の排気ガスが無害化によって堆積する堆積物を除去する場合を基準とする、比較的短い周期であった。
【００１１】
上述したクリーニングガスに含まれる三フッ化塩素は、強い腐食性を持っている。そのため、例えばステンレス等で形成された金属製の堆積物除去具がクリーニングガス雰囲気に晒されると、腐食され、劣化してしまう。
さらに、クリーニング後のガスの無害化は、クリーニングガスと、クリーニングガスが副生成物を分解することで生じる成分を無害化するために、気相成長後のガスの無害化に比べ、より高い温度で行なわれる。金属製の堆積物除去具は、往復動することによって上述の高温の無害化室内に出し入れされることで、昇温、降温が繰り返され、更に劣化を早めてしまう。
上述のように、金属製の堆積物除去具が、高温の腐食性ガス雰囲気の無害化室内に頻繁に出し入れされると、ガスの腐食性と、高温の双方の影響によるダメージが避けられない。
【００１２】
しかし、従来の気相成長装置では、堆積物除去具が堆積物を除去する必要性が低い場合でも構わずに無害化室内に所定の周期で出し入れされる制御が行なわれていた。
このため、従来の堆積物除去具は劣化が激しく耐用期間が短いため、度々交換しなければならなかった。
【特許文献１】特開２００１−７０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述したように、従来の気相成長装置には、堆積物除去具の耐用期間が短いために、これを交換する作業によって生じる停止時間が気相成長装置の生産性を低下させてしまうという問題があった。
【００１４】
本発明は、かかる問題点を克服し、ガス無害化部の稼働状態に応じた堆積物除去具の往復動の制御を行なう。これにより、従来と同様の基材を用いた堆積物除去具であっても耐用期間を延ばすことができ、長い継続操業による高スループットを実現する気相成長装置及び気相成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の気相成長装置は、
気相成長用の第１のガスおよびクリーニング用の第２のガスが供給されるチャンバと、
チャンバから排出される気相成長反応後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化する無害化室と、
チャンバと無害化室とを接続し、チャンバから排出される気相成長後の第１のガス及びクリーニング後の第２のガスを無害化室内に導入する配管と、
配管の内部に所定の周期で移動自在に設けられ、気相成長後の第１のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する第１の周期と、クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する、第１の周期よりも長い第２の周期とを切り換えて往復動する堆積物除去具と、
を備えることを特徴とする。
【００１６】
上述の配管に接続され、堆積物除去具を格納する格納部を備えることが好ましい。
【００１７】
上述の堆積物除去具は、棒状或いは円筒形状に形成されていることが好ましい。
【００１８】
本発明の気相成長方法は、
基板上に第１のガスを供給し気相成長を行なわせる工程と、
気相成長後の第１のガスを無害化する工程と、
気相成長後の第１のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程と、
気相成長後に第２のガスを供給する工程と、
クリーニング後の第２のガスを気相成長後の第１のガスを無害化するよりも高温で無害化する工程と、
クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１９】
上述のクリーニング後の第２のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程は、気相成長後の第１のガスの無害化によって生じる堆積物を除去する工程よりも、堆積物の除去を行なう周期を長くすることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、堆積物除去具は、ガス無害化部の稼働状態に応じた往復動の切り換え制御が行なわれるため、該堆積物除去具の耐用期間を延ばすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
実施形態１
本発明の実施形態について図に基づいて説明する。
図１は、本実施形態の気相成長装置を示す概念図である。
まず、気相成長装置１００において行なわれる気相成長後のガスの無害化と、これに伴って堆積する堆積物の除去について説明する。
図１に示す気相成長装置１００には、チャンバ１０１と、ガス無害化部１０２と、双方をガス配管接続する配管１０３が備えられている。
【００２２】
チャンバ１０１は、所定の真空度或いは常圧(0.1MPa(760Torr))に保持され、チャンバ１０１内で加熱され回転させられた基板であるウェハに、シリコン源となる原料ガスと不純物を添加するドーパントガスとが混合された、気相成長用の第１のガスが接触することで、所定の気相成長膜が成膜される。
ここで、チャンバ１０１に供給される第１のガスに含まれる原料ガスには、モノシラン、ジクロロシラン、トリクロロシラン等が用いられる。また、ドーパントガスには、ボロン系のジボラン、リン系のホスフィン、砒素系のアルシン等が用いられる。
【００２３】
上述の気相成長が行なわれた後のチャンバ１０１内からは、ウェハ表面で第１のガスが熱分解或いは水素還元された物質を含むガスが排出される。またこのとき、気相成長膜の成膜に直接関与せず、物質が化学変化していない未反応の第１のガスとが混合された状態でチャンバ１０１から排出される。以下、これを気相成長後の第１のガスという。
気相成長後の第１のガスは、チャンバ１０１や配管１０３の内壁に副生成物を付着させながら、ガス無害化部１０２に流れて行く。
【００２４】
気相成長後の第１のガスは、複数の成分が含まれ、そのまま大気に解放されると有害成分により環境へ悪影響を及ぼすため、チャンバ１０１から排出された後にガス無害化部１０２において無害化される。
【００２５】
ガス無害化部１０２は、無害化室１０４と、格納部１０５に格納される堆積物除去具１０６とからなる。
配管１０３は、無害化室１０４の上面に対して略垂直に接続され、チャンバ１０１から排出された気相成長後の第１のガスを無害化室１０４内に導入する。そして、無害化室１０４の下部には、無害化後の排気ガスを外部へと解放する解放部１０７が設けられる。
【００２６】
配管１０３の無害化室１０４との接続部の上部には、堆積物除去具１０６を格納する格納部１０５が連結される。即ち、無害化室１０４、配管１０３の無害化室１０４との接続部、格納部１０５は直線上に配置される。このため、堆積物除去具１０６は、格納部１０５から無害化室１０４内に突出するまで直線的に往復動するように配置されている。
また、配管１０３の無害化室１０４との接続部と、格納部１０５との連結部分には、配管１０３に流れるガスが格納部１０５内へ流入するのを遮断する開閉扉１０８が開閉自在に取り付けられる。
【００２７】
気相成長後の第１のガスは、図示しない給気部からメタン(CH4)等の燃料ガス及び空気又は酸素が添加された混合気の燃焼が既に行なわれている無害化室１０４内に導入され、上述の混合気とともに燃焼される。
このとき、無害化室１０４内は概ね800℃から850℃に維持されることで、有害な成分を無害化することができる。
【００２８】
そして、無害化することで生成される無害なガス及び粉塵等の固形物は、解放部１０７から図示しない除塵装置や、湿式除害装置等を経て、気相成長装置１００の外部に解放される。これにより、気相成長後の第１のガスは、環境に悪影響を与えない無害な状態で気相成長装置１００から外部へと解放される。
【００２９】
このとき、気相成長後の第１のガスが燃焼されることで、有害成分が無害化されると同時に、これに含まれるシラン化合物、例えばモノシランが式（１）に示す化学反応によって、シリコン酸化物を生成させる。
SiH4＋2O2→SiO2＋2H2O・・・・・・・（１）
この酸化反応で生成される二酸化ケイ素（SiO2）は、粉末状或いは塊となり無害化室１０４内に堆積する。特に、無害化室１０４内の上部に接続された配管１０３の接続部の近傍への堆積が顕著である。例えば、生成された二酸化ケイ素の結晶は、無害化室１０４の配管１０３との接続部の近傍からつらら状に伸びるように堆積していく。そして、次第に配管１０３の無害化室１０４への入口を塞ぐように成長する。気相成長後の第１のガスを燃焼させて無害化する場合、無害化室１０４内では常に二酸化ケイ素が生成されるため、これを放置すると、堆積した二酸化ケイ素によってガスの流路が閉塞される。すると、チャンバ１０１からガスを排出することができなくなり、気相成長装置１００は継続的な操業を維持できなくなってしまう。
これを防ぐため、ガス無害化部１０２では、堆積物除去具１０６を往復動させることにより無害化室１０４に堆積した堆積物の除去が行なわれる。
【００３０】
図２は、本実施形態の堆積物除去具１０６が往復動する様子を示す概念図である。また、図３は、本実施形態の堆積物除去具１０６を示す斜視図である。
堆積物除去具１０６は、図２及び図３に示すように、配管１０３の内径よりも僅かに細い直径に形成された例えばステンレス製の棒状部材である。そして、その上面に略垂直に動力伝達部１０９が取り付けられる。堆積物除去具１０６は、動力伝達部１０９を介し、格納部１０５に隣接する上部に設けられた移動機構１１０によって往復動させられる。移動機構１１０は、制御装置１１１によって運転が制御され、堆積物除去具１０６の往復動の速度や周期を自在に設定することができる。
【００３１】
移動機構１１０は、例えば高圧エアを使用したアクチュエータ等を用いる。また、その他電動モータ等、堆積物除去具１０６を安定して継続的に往復動させられるものであれば、その種を問うものではない。
【００３２】
移動機構１１０が運転され、開閉扉１０８が開くと、堆積物除去具１０６は格納部１０５から配管１０３の内面に沿って下がり、無害化室１０４内に突き出される。そして、動力伝達部１０９の可動下限まで達すると、次は配管１０３の内面に沿って上がり、格納部１０５に再び格納され、開閉扉１０８が閉じる。これにより、無害化室１０４内の配管１０３との接続部の近傍に堆積した堆積物は堆積物除去具１０６に押し崩され、無害化室１０４の底部に落下する。
これを１分間に１回、乃至１５分に１回といった所定の周期（以下、第１の周期と言う）で繰り返す。或いは、必要に応じて堆積物除去具１０６を往復動させて堆積物を除去する。
これにより、気相成長装置１００を継続的に操業させることができる。
【００３３】
次に、気相成長装置内のクリーニング後に排出されるガスの処理と、これに伴って堆積する堆積物の除去について説明する。
【００３４】
図４は、本実施形態の配管１０３内を示す拡大断面図である。
気相成長後の第１のガスがチャンバ１０１から排出されると、配管１０３の内壁面に接触することで冷却され、副生成物を付着させる。例えば、図４に示すように、配管１０３内の内壁面には、SixH2x+2yCly(但しy≦2x+2)の化学式で示されるシリコンハイドライドを主成分とする副生成物が付着する。特に、チャンバ１０１から距離が離れた箇所では温度が低いため気相成長後の第１のガスが冷却されやすく、副生成物の付着する量は多くなる。
【００３５】
上述の副生成物を除去するために、本実施形態の気相成長装置１００では、クリーニング用の第２のガスをチャンバ１０１に供給するクリーニングを行なう。これは、気相成長装置１００の操業する条件によっても異なるが、例えば第２のガスを数時間連続的に供給し、気相成長に用いられる第１のガスの流路と同様の流路に流す。そして、これを例えば１週間に１回、或いは１ヶ月に１回といった頻度で定期的、或いは必要に応じて行ない、気相成長装置１００内に堆積した副生成物を除去する。これにより、気相成長装置１００を継続的に操業させることができる。
【００３６】
第２のガスには、例えば、三フッ化塩素が用いられ、図４の矢印に示すように、チャンバ１０１内や配管１０３の内壁に付着している副生成物を分解する。副生成物は分解されてガス化し、ガス無害化部１０２へと流れる。このとき、副生成物が分解されたガスと、副生成物の分解に関与しなかった未反応の第２のガスには、第１のガスと同様、環境に対して有害な成分が含まれている。このため、ガス無害化部１０２は、上述の成分が混在したガス（以下クリーニング後の第２のガスという）も無害化する。
【００３７】
クリーニング後の第２のガスには、副生成物が分解された成分である四フッ化ケイ素(SiF4)、塩化フッ素(ClF)、フッ化水素(HF)、塩化水素(HCl)や、これらが分解される際に生成された反応中間体等が含まれる。これらの成分を含むクリーニング後の第２のガスを無害化するためには、気相成長後の第１のガスを無害化する場合よりも更に高い温度を必要とする。そのため、無害化室１０４内には気相成長後の第１のガスを無害化する場合に添加される場合よりも多くの燃料ガスが添加された状態で燃焼が行なわれ、例えば1000℃以上といった高温に維持されている。この無害化室１０４内にクリーニング後の第２のガスが導入され、有害成分は無害化される。そして、無害化されたガスは、解放部１０７から図示しない除塵装置や、酸性成分や粉塵を更に除去する湿式除害装置等を経て外部へ解放される。
【００３８】
このとき、クリーニング後の第２のガスが無害化されることによっても、気相成長後の第１のガスが無害化される場合と同様に、無害化室１０４内に堆積物を堆積させる。このため、ガス無害化部１０２がクリーニング後の第２のガスを無害化する場合においても、堆積物除去具１０６は往復動させなければならない。ただし、クリーニング後の第２のガスに含まれるシラン化合物は、気相成長後の第１のガスよりも少ない。そのため、クリーニング後の第２のガスの無害化を行なう場合に無害化室１０４内に堆積する堆積物の量は、気相成長後の第１のガスの無害化を行なう場合よりも少ない。
【００３９】
したがって、ガス無害化部１０２がクリーニング後の第２のガスを無害化する場合には、堆積物除去具１０６の往復動の周期を第１の周期よりも長くしても、気相成長装置１００の継続的な操業に問題を生じない。
【００４０】
また、クリーニング後の第２のガスの無害化が行なわれるとき、副生成物の分解に関与しなかった第２のガスもそのまま無害化室１０４に流入する。第２のガスに含まれる三フッ化塩素は強い腐食性を持ち、金属製の堆積物除去具１０６に接触すると、これを激しく劣化させてしまう。また、上述の通り、クリーニング後の第２のガスの無害化が行なわれる無害化室１０４内は、1000℃以上の高温になっている。
【００４１】
そのため、クリーニング後の第２のガスの無害化が行なわれているために、配管１０３内や無害化室１０４内が三フッ化塩素雰囲気且つ高温の場合には、堆積物除去具１０６はできる限り格納部１０５内に格納されていることが望ましい。制御装置１１１は、移動機構１１０の運転を制御し、堆積物除去具１０６の往復動の周期を長くする。例えば、この場合の堆積物除去具１０６の往復動の周期は、３０分に１回、或いは１時間に１回といった周期（以下、第２の周期と言う）となるように移動機構１１０によって制御される。
また、往復動の周期が第２の周期に設定され、格納部１０５内に堆積物除去具１０６が格納されているとき、格納部１０５内へのクリーニング後の第２のガスの流入を遮蔽するために、開閉扉１０８は閉じられる。
【００４２】
上述のように堆積物の量が少ない場合では、堆積物除去具１０６の往復動の周期を第２の周期を第１の周期よりも長く設定しても、気相成長装置１００の継続的な操業を行なうことができる。
【００４３】
このように、制御装置１１１は、堆積物を除去する必要性が高い場合には堆積物除去具１０６を第１の周期で往復動させ、堆積物を除去する必要性が低い場合には第２の周期で往復動させるように移動機構１１０を制御する。即ち、ガス無害化部１０２の稼働状態に応じた柔軟性のある堆積物除去具１０６の往復動の切り換え制御が行なわれる。
これにより、堆積物除去具１０６の劣化が抑止されるため耐用期間を長くすることができ、堆積物除去具１０６を交換するメンテナンスの回数が低減される。そのため、従来よりも気相成長装置１００の操業が停止される時間が減少し、長い継続操業と高スループットを実現することができる。
【００４４】
本実施形態では、第２のガスの無害化が行なわれているガス無害化部１０２において、制御装置１１１が行なう第２の周期の制御は、例えば３０分に１回、或いは１時間に１回堆積物除去具１０６を往復動させれば良いとした。しかし、堆積物の量が少なく、配管１０３が閉塞しない場合は、往復動の周期を更に長くし、堆積物除去具１０６の往復動を実質的に停止させた状態にしても良い。なぜならば、第２のガスの無害化が終了した後、気相成長装置１００が通常の操業に戻れば、ガス無害化部１０２では気相成長後の第１のガスの無害化が行なわれる。これに伴い、堆積物除去具１０６は第１の周期で往復動されることとなり、それまでに堆積した堆積物を除去することができるからである。これによれば、堆積物除去具１０６は、第２のガスに含まれる三フッ化塩素や、無害化室１０４内の高温による影響を受けず、耐用期間を更に延ばすことができる。
【００４５】
要は、無害化室１０４内の堆積物が除去され、気相成長装置１００が継続的な操業を行なえる環境を維持できる周期で堆積物除去具１０６が往復動するように制御されれば良い。
【００４６】
本実施形態では、ガス無害化部１０２に添加する燃料ガスとして、都市ガス等に含まれるメタンを挙げたが、安定して供給することが容易で、且つ燃焼を促進するものであればこれに限るものではない。例えば、プロパン（C3H8）等に置き換えても良い。
【００４７】
実施形態２
図５は、本実施形態のガス無害化部２０２を示す概念図である。また、図６は本実施形態の堆積物除去具２０６を示す斜視概念図である。
図５のガス無害化部２０２には、図６に示す中空の円筒状の堆積物除去具２０６が設けられる。
【００４８】
堆積物除去具２０６は、例えばステンレス製の所定の厚みのパンチング（穴あき）材が配管１０３の内径よりも僅かに細く、底面のない中空の円筒状に形成されている。
パンチング材で形成された堆積物除去具２０６は、貫通したパンチング穴２１５が略等間隔に形成されているため、往復動するときに配管１０３内のガスの流れをせき止めないようにすることができる。
【００４９】
また、配管１０３の内面に堆積物が堆積した場合、配管１０３の内面からこすり取られた堆積物は、パンチング穴２１５から堆積物除去具２０６の中空の内部を通り、そのまま無害化室１０４の底部へと落下する。そのため、堆積物を配管１０３の内面にこすり付けてしまうことがない。
したがって、堆積物除去具２０６は、無害化室１０４の配管１０３との接続部の近傍だけでなく配管１０３の内面に堆積物が堆積した場合には、より効果的に堆積物を除去することができる。
また、堆積物除去具２０６は、中空であり軽量化されているため、移動機構１１０の省エネルギー化も期待できる。
【００５０】
ここで、本実施形態の説明において、実施形態１と重複する部分については図面に同一の符番を配し、重複する説明は省略した。
【００５１】
以上、具体例を参照しながら実施形態について説明した。本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施形態の気相成長装置の概念図である。
【図２】実施形態１の堆積物除去具が往復動する様子を示す概念図である。
【図３】実施形態１の堆積物除去具を示す斜視図である。
【図４】実施形態１の配管内を示す拡大断面図である。
【図５】実施形態２のガス無害化部を示す概念図である。
【図６】実施形態２の堆積物除去具を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
１００…気相成長装置
１０１…チャンバ
１０２…ガス無害化部
１０３…配管
１０４…無害化室
１０５…格納部
１０６…堆積物除去具
１０７…解放部
１０８…開閉扉
１０９…動力伝達部
１１０…移動機構
１１１…制御装置
【図１】
2009088009.tif 000003
【図２】
2009088009.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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