(57)【要約】【課題】主磁極から高い記録磁界強度を発生しながら、垂直磁界成分を安定して供給できる製造しやすい磁気ヘッドを提供する。【解決手段】主磁極１のポールチップ１ａに、トレーリング側に非磁性層６を介して磁性体が積層され、側壁に磁気的に結合している第２のフレア部５を設ける。【選択図】図１１
2009146517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と、
副磁極と、
前記主磁極のトレーリング側及びトラック幅方向両脇に配置されたシールドと、
前記主磁極から記録磁界を発生させるためのコイルとを備え、
前記主磁極は、書き込み記録幅を規定するスロートハイト部と、前記スロートハイト部に対して素子高さ方向上部に位置し素子高さ方向に向かって次第に幅の広がるフレア部とを有し、
前記フレア部のトレーリング側に非磁性層を介して被覆した磁性層からなる第２のフレア部が設けられていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２のフレア部は前記フレア部の側壁に接続していることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２のフレア部は、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料で形成されていることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２のフレア部の膜厚は１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記第２のフレア部は、前記フレア部の下端から素子高さ方向に２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲に浮上面側の端部があることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記非磁性層の膜厚は１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式を用いた磁気ディスク装置用の磁気ヘッドに係り、記録媒体に対して垂直な記録磁界を発生する垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高い面記録密度への要望が増しており、磁気記録媒体への書き込みトラックピッチ及びビットの更なる狭小化が求められている。それに伴って、媒体の磁化領域の不安定化の要因としての磁化の熱揺らぎが問題となる。この問題を解決できる手法として、媒体に垂直な方向に磁化信号を記録する垂直磁気記録方式がある。この垂直磁気記録方式も、面記録密度を上げるために、媒体に対して垂直な記録磁界を発生する書き込み用の単磁極部が狭小化され、記録媒体を磁化させるに充分な垂直磁界を発生させることが困難になりつつある。
【０００３】
このような書き込み磁界強度の不足を補うために、スロートハイトを短くし、磁場の飽和位置を浮上面に近づけて磁界強度を確保する方法がある。しかし、コイルの誘導により発生した磁界を集めて浮上面まで導くフレア部が浮上面側に近接し、前記フレア部からの磁界漏れにより単磁極の幾何幅に対して記録磁化幅が増大する問題がある。
【０００４】
そこで、スロートハイトを詰めずに磁界強度を確保する方法として、特開２００６−２４４６７１号公報には、主磁極の先端部を浮上面に露出する第１の部分と、第１の部分に対して素子高さ方向上部に位置し、リーディング側の面がヘッド浮上面に対して傾斜し素子高さ方向上部に向かって次第に膜厚を増す領域を有する第２の部分を設けて磁界強度を得る手段が開示されている。特開２００１−１０１６１２号公報には、主磁極層のトレーリング側に磁気ヨークを配置する構造が開示されている。特開２００１−１４３２２１号公報には、主磁極のスロートハイトゼロ位置よりも浮上面側に書き込み磁極の幅より広い連結部を設けて磁束の飽和位置を浮上面側にシフトさせて磁界強度を得る手段が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２４４６７１号公報
【特許文献２】特開２００１−１０１６１２号公報
【特許文献３】特開２００１−１４３２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
垂直磁気記録方式を用いた磁気ディスク装置の記録性能を向上させるには、記録用の書き込みヘッドが、記録媒体への必要な書き込み磁界強度と高い磁界勾配を発生する必要がある。また、書き込み用の主磁極層は、浮上面から記録媒体へ垂直な磁界を安定して供給する磁束の流れを確保する必要がある。しかし、高密度記録の要望に対して垂直記録用の単磁極ヘッドも浮上面側の形状が狭小化され、充分な磁界強度を記録媒体へ供給するのが困難になってきている。磁界強度を向上させる方法として、主磁極の浮上面から後退した位置のトレーリング側あるいはリーディング側に磁性体を積層して補助磁極とし、主磁極に磁束を補助的に供給して磁界強度を増加させる方法がある。この方法は、磁界強度を増加できるが、補助磁極の浮上面側先端部の近傍から主磁極層に磁束の流れ込みが生じ、磁束の流れを乱して主磁極に影響を与える問題がある。
【０００７】
本発明の目的は、主磁極の磁束の流れに影響を与えることなく、書き込み磁界強度を増加させ、また、磁界勾配を向上させて、記録性能を向上させた垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の垂直磁気記録ヘッドは、記録媒体に垂直方向の磁界を印加する主磁極、記録媒体からの戻り磁界を吸い込む副磁極、主磁極に誘導磁界を発生させるコイル、主磁極のトレーリング側及びトラック幅方向両脇に配置されたシールドを有する。主磁極は、磁束を集めるヨーク部と、書き込み記録幅を規定するスロートハイト部と、スロートハイト部の素子高さ方向上部に位置し素子高さ方向に向かって次第に幅の広がるフレア部からなり、主磁極のフレア部のトレーリング側に非磁性層を介して磁性層を被覆して第２のフレア部とした。第２のフレア部の磁性層の一部は、主磁極の側壁と結合されている。第２のフレア部内の磁束は、主磁極の磁束の流れと同一方向に向かう。
【０００９】
本発明の垂直磁気記録ヘッドの特徴は、主磁極のトレーリング側に非磁性層を介して磁性層（第２のフレア部）を設けたことである。単磁極の主磁極の場合は、主磁極のトレーリング側の表面から浮上面に達する前に磁束が漏れていたが、本発明のように非磁性体を介して第２のフレア部を設けることにより、主磁極のトレーリング側の磁束は、非磁性層を介した第２のフレア部のリーディング側の磁束に沿って平行に流れ、磁束漏れが抑制されながら浮上面に向かう。主磁極の磁界強度は維持しながら、第２のフレア部による補助的な磁界の増強により、主磁極は高磁界を浮上面から放出し、記録媒体に書き込むことができる。
【００１０】
本発明の垂直磁気記録ヘッドの製造にあたっては、主磁極層のトレーリング側の非磁性キャップ層の上に非磁性層を積層し、エッチングマスク層を積層し、フォトリソグラフィーにより選択的にエッチングマスク層を露出させ、エッチングマスク層をイオンミリング，ＲＩＭ（リアクティブイオンミリング），ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）により形成する工程と、エッチングマスク層を用いて、非磁性層と非磁性キャップ層と主磁極層を順次イオンミリングにより形成する工程を有する。イオンの入射角度は、例えば３０度から７０度の範囲とする。非磁性層は、例えばＡｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物，窒化物の単層膜及び積層膜、又はＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ等の非磁性金属の単層膜や積層膜により形成され、エッチングマスク層は、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物，窒化物の単層膜及び積層膜等を用いるハードマスク層、又は、フォトレジストの単層膜及びハードマスク層とフォトレジストの２層膜を用いる。エッチングマスク層が除去され、主磁極が形成される。形成された主磁極のトレーリング側の非磁性層の上に、リフトオフ用２層フォトレジストマスクを形成し、フォトリソグラフィーにより主磁極のフレア部の幅より幅広く開口部を形成し、スパッタリング法を用いて磁性体を主磁極の側壁と表面を被覆するように積層する。リフトオフ用２層レジストマスクの除去工程により、第２のフレア部が主磁極のトレーリング側のフレア部に形成される。第２のフレア部は、例えばＣｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうちで少なくとも２種の元素を含む磁性材料で形成する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、垂直磁気記録ヘッドの主磁極に、第２のフレア部が補助的に磁界を供給し、主磁極の書き込み磁界強度を増加できる。磁界強度が増加することにより、記録性能に寄与する書き滲みの抑制及び磁界勾配に影響を与えるシールドと主磁極のギャップ間隔を狭めることによる磁界強度が低下しても、記録媒体に書き込む必要な磁界を維持できる。また、主磁極層の磁性体に、補助磁極の磁性体を直接積層した場合、補助磁極の端部から磁束が主磁極に流れ込み、記録性能の一つである磁界勾配が低下する。本発明においては、主磁極層と第２のフレア部の間に非磁性層を介することにより、主磁極は、主磁極のトレーリング側と第２のフレア部が磁気的に分離され、主磁極の磁束の流れは、非磁性層により第２のフレア部からの主磁極への磁束の流れ込みが抑制され、主磁極の磁束の流れを妨げることなく、高い磁界勾配を有する磁気記録ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下の図において同様の機能部分には同じ符号を付して説明する。
【００１３】
図１は、磁気記録再生装置の概念図である。磁気ディスク（記録媒体）１１はモータ２８により回転駆動される。情報の入出力時に、回転する磁気ディスク（記録媒体）１１上の所定位置へサスペンションアーム１２の先端に固定したスライダー１３が移動して、スライダー１３に形成された薄膜磁気ヘッドにより磁化信号の記録再生を行う。ロータリアクチュエータ１５を駆動することにより、磁気ヘッドの磁気ディスク半径方向の位置（トラック）を選択することができる。磁気ヘッドへの記録信号及び磁気ヘッドからの読み出し信号は信号処理回路３５ａ，３５ｂにて処理される。
【００１４】
図２（ａ）は、本発明による磁気ヘッドの一例を示すトラック中心での断面模式図、図２（ｂ）は主磁極先端付近の拡大図である。この磁気ヘッドは、主磁極１と補助磁極３とを備えた単磁極の記録ヘッド２５と、再生素子４を備えた再生ヘッド２４を有する記録再生複合ヘッドである。巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ）やトンネル磁気抵抗効果型素子（ＴＭＲ）などからなる再生素子４は、リーディング側の下部シールド８とトレーリング側の上部シールド９からなる一対の磁気シールド（再生シールド）間に配置されている。記録ヘッド２５の主磁極１と補助磁極３は、浮上面から離れた位置でピラー１７によって磁気的に接続され、主磁極１と補助磁極３とピラー１７によって構成される磁気回路に薄膜コイル２が周回されている。主磁極１は、ピラー１７と接続されている主磁極ヨーク部１ｂと、ポールチップ１ａから構成される。主磁極のポールチップ１ａには、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む高い飽和磁束密度を有する磁性体の単層膜や積層膜を用いることができる。主磁極ヨーク部１ｂの材料としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅの２種以上の元素を含む磁性材料が用いられる。
【００１５】
ポールチップ１ａは、記録媒体１１への書き込み幅を規定するヘッド浮上面側のスロートハイト部と、浮上面から後退して角度９０°で幅方向が広がるフレア部と、そのフレア部のトレーリング側と側部に被覆された磁性層からなる第２のフレア部５を有する。第２のフレア部５は、ポールチップ１ａのフレア部のトレーリング側に非磁性層６を介して設けられると共に、フレア部の側壁と直接結合している。非磁性層６の材料としては、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物，窒化物，の単層膜及び積層膜、またＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ等の非磁性金属の単層膜や積層膜を用いることができる。また、第２のフレア部５の材料としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料等の単層膜や積層膜を用いることができる。主磁極１に対して、第２のフレア部５として被覆された磁性体により、補助的な磁界の増強がなされる。
【００１６】
記録ヘッド２５の主磁極１から出た磁界は、磁気記録媒体１１の磁気記録層１９及び軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：soft under layer）２０を通って補助磁極３に入り、磁気記録層１９に磁化パターンが記録される。この磁化パターン形状は、主磁極１の書き込み性能と浮上面側に設けられたシールド３２により規定される。本発明の主磁極構造によると、トラック幅方向の主磁極１のサイドからの磁束の漏れを抑制し、主磁極１のトレーリング側の磁界勾配を高めてビット遷移幅を小さくすることにより、高記録密度が可能になる。
【００１７】
図３は、図２に示した垂直磁気記録ヘッドのうちの第２のフレア部５、主磁極１及びシールド３２の部分を抜き出して、その平面形状を図３（ａ）に、断面形状を図３（ｂ）に示したものである。ここで、スロートハイト部は、浮上面から主磁極の書き込み幅が規定されている範囲ＴＨのことである。なお、主磁極の幅が、浮上面に近づくに連れて書き込み幅まで狭められた範囲との境界線をスロートハイトゼロＴＨ０とする。また、フレア部は、主磁極の奥行き方向の幅の広い部分が、浮上面にむかって書き込み幅まで狭められ、書き込み幅を規定しているスロートハイトとの境界線（スロートハイトゼロ）までの範囲ＦＬをいう。
【００１８】
図３に示すように、主磁極１のポールチップ１ａのトレーリング側及び側方は、非磁性ギャップ層を介してシールド３２によって三方から包みこまれている。主磁極１のポールチップ１ａの浮上面側から放出される磁束は、シールド３２により磁気記録媒体１１のトラック幅方向の磁束の漏れが抑制され、主磁極１のトレーリング側の磁界勾配を高めて、ビット遷移幅を小さくしている。主磁極１のポールチップ１ａの浮上面形状は、トレーリング側の幅が広く、リーディング側の幅が狭い逆台形形状になっている。磁気記録媒体１１の内側から外側まで走査されるとき、記録ヘッドは、記録媒体の位置によって記録トラックに対して異なる角度をとる。これをスキュー角θという。主磁極１の浮上面形状を逆台形形状とするのは、スキュー角θが生じた場合に隣接トラックに大きな磁界が印加され、その結果、隣接トラックのデータが減衰あるいは消去されるのを防ぐためである。
【００１９】
図６は、主磁極の浮上面に向かう磁束の流れを示す模式図である。図中の左側に浮上面を示す。図６（ａ）は従来構造の単磁極の記録ヘッドの場合の模式図、図６（ｂ）は主磁極層のトレーリング側に磁性層を直接積層した記録ヘッドの場合の模式図、図６（ｃ）は本発明の記録ヘッドの場合の模式図である。図中の矢印は磁束の流れを表し、線の太さで磁束密度を表示している。図４は、従来構造の単磁極の記録ヘッドの部分拡大図であり、図２（ｂ）に対応する図である。また、図５は、主磁極層のトレーリング側に磁性層を直接積層した記録ヘッドの部分拡大図であり、図２（ｂ）に対応する図である。以下では、図４に示す記録ヘッドを比較例１の記録ヘッド、図５に示す記録ヘッドを比較例２の記録ヘッドという。
【００２０】
図６（ａ）に示すように、比較例１の記録ヘッドの場合、ポールチップ１ａを流れる磁束は、浮上面近傍まで矢印で示すように同一方向に向かう。ポールチップ１ａの外周には、漏れ磁界が発生する。浮上面側のポールチップ１ａのトレーリング側に設けられたシールド３２に近づくに従い、トレーリング側の磁束の一部は、シールド３２に吸われはじめる。他の磁束は、浮上面側から記録媒体へ向い、記録媒体を磁化反転させる。この記録媒体の移動方向における単位長さ当たりの、磁界変化量（磁界勾配）が記録性能に影響を与える。図６（ｂ）に示した比較例２の記録ヘッドの場合、ポールチップ１ａに直接積層された磁性層７を流れる磁束は、浮上面側の先端部で、シールド３２に吸われる磁束と磁気的に結合しているポールチップ１ａに流れ込む磁束とに分かれ、ポールチップ１ａに流れ込んだ磁束は、ポールチップ１ａを流れる磁束を一度押し下げてから、浮上面から記録媒体へ放出される。放出される磁束は、記録媒体に対して垂直な成分が損なわれ、磁束が、ポールチップ１ａのトレーリング側に広がり、シールド３２に面している記録媒体側に磁界漏れが生じる。この磁界漏れは、全体の磁界変化量を減少させ、磁界勾配に影響を与える。
【００２１】
図６（ｃ）に示した本発明の記録ヘッドの場合、第２のフレア部５の磁束の流れは、ポールチップ１ａの磁束の流れと同じになる。ポールチップ１ａのトレーリング側を流れる磁束と第２のフレア部５のリーディング側の磁束は平行に流れ、ポールチップ１ａのトレーリング側の漏れ磁界は抑制され、第２のフレア部５のトレーリング側からの漏れ磁界になる。ポールチップ１ａのトレーリング側に非磁性層を介して第２のフレア部５の磁性体が積層されているために、第２のフレア部５の磁束は、ポールチップ１ａに磁束が流れ込まずに、シールド方向と浮上面方向へ磁束が向かう。つまり、主磁極１の磁束の流れに影響を与えずに、補助的な磁界の増強と記録媒体に対して垂直な磁界成分を増加できるため、磁界勾配が向上する。
【００２２】
例えば、図２に示した本発明の記録ヘッドは、安定した磁束の流れと書き込み磁界の増加により、比較例１の記録ヘッドと同じ書き込み磁界強度にすると、薄膜コイルへの印加電流が小さくても済む。そのため、発熱量が抑えられ、記録ヘッドに用いられる部材の熱膨張による浮上面の変形が抑えられる。その結果、安定した低浮上量が得られ、記録媒体の記録層と記録ヘッドの浮上面との距離が小さくなり、磁界勾配が向上し、垂直磁気記録ヘッドとしての性能が向上する。また、磁界強度が増加することにより、記録媒体に書き込む必要磁界を維持しながら、記録媒体へ書き込むポールチップ１ａを狭小化できるため、高記録密度の磁気記録ヘッドができる。
【００２３】
本発明の記録ヘッドと、比較例１の記録ヘッド及び比較例２の記録ヘッドについて、記録磁界強度を３次元磁界計算により計算した。図７に、磁界増加量と被覆した磁性膜厚の関係を計算した結果を示す。
【００２４】
計算条件は以下の通りである。本発明の記録ヘッドは、主磁極１が、ポールチップ１ａのスロートハイトの浮上面側の幅８０ｎｍ、膜の厚さ１８０ｎｍ、スキュー角θに対応する角度９°でリーディング側の幅が狭く、トレーリング側の幅が広い逆台形形状とし、浮上面までのスロートハイト８０ｎｍとし、フレア部はスロートハイトゼロから４．９μｍまでとした。第２のフレア部５の下端は、スロートハイトゼロから素子高さ方向へ１００ｎｍの位置とし、浮上面からの位置は１８０ｎｍとした。また、主磁極のポールチップ１ａと第２のフレア部５の材料としてはコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）を想定し、飽和磁束密度を２．４Ｔ、比透磁率を５００とした。また、ポールチップ１ａと第２のフレア部５を分離するために挿入した非磁性層のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で、厚さは２０ｎｍとした。第２のフレア部５を構成する磁性体のポールチップ１ａの側壁への積層を考慮して、第２のフレア部５は、フレア部の幅より被覆した磁性体の厚さ分だけ幅が広いものとした。
【００２５】
ポールチップ１ａの素子高さ方向の端部と、第２のフレア部５の素子高さ方向の端部は同じ位置とした。主磁極のヨーク部１ｂは、飽和磁束密度が１．０Ｔ、比透磁率１５００の８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅを想定した。シールド３２は、飽和磁束密度が１．０Ｔ、比透磁率１５００の８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅを想定し、浮上面からのハイト（奥行き方向）を８０ｎｍとし、非磁性ギャップ層のアルミナを介して三方からポールチップを包み込んでいるものとした。磁気記録媒体１１の裏打ち層２０の材料としてはＣｏＴａＺｒを想定し、ヘッド浮上面から裏打ち層２０の表面までの距離は４４ｎｍ、裏打ち層２０の厚さは６０ｎｍとした。記録磁界はヘッド浮上面から２２ｎｍの磁気記録層中心位置を想定した位置で算出した。媒体記録層は厚さ２０ｎｍだけを考慮し、磁化特性は考慮しなかった。
【００２６】
比較例１の記録ヘッドに対しては、第２のフレア部５が無い以外は、形状、材料ともに図２に示した記録ヘッドと同様の条件で計算を行った。比較例２の記録ヘッドに対しては、主磁極１のポールチップ１ａのトレーリング側のフレア部に磁性体７を積層した以外は、形状、材料ともに図２に示した記録ヘッドと同様の条件で計算を行った。
【００２７】
図７の横軸は、本発明の記録ヘッドの第２のフレア部５の磁性体の厚さに相当する。比較例２の記録ヘッドに対しては、横軸は、主磁極１のポールチップ１ａのトレーリング側のフレア部に積層した磁性体７の膜厚に相当する。この条件の場合、被覆した磁性体の厚さがゼロの場合が、比較例１の記録ヘッドに対応する。比較例１の記録ヘッドに対して、本発明の記録ヘッドと、比較例２の記録ヘッドの磁界強度の増加量を縦軸に示した。図中、星印が比較例１の記録ヘッド、白丸が比較例２の記録ヘッド、黒丸が本発明の記録ヘッドに対する計算結果である。比較例１の記録ヘッドの磁界強度は、１０．２３ｋＯｅである。
【００２８】
比較例２の記録ヘッドより、本発明の記録ヘッドが、非磁性層６のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を介して磁性体を積層しているにもかかわらず、磁界強度の増加量が大きい。磁界強度の増加量が大きい理由は、第２のフレア部５がポールチップ１ａの側壁も被覆していることによる磁界の増加分が加算されるためである。例えば、磁界勾配を２０％増加させるために、ポールピース１ａとその三方を包囲するシールド３２のギャップを１０ｎｍ狭くすると、磁界強度が７％低下し、比較例１の記録ヘッドは、記録媒体への書き込み磁界を確保できない事になるが、本発明の記録ヘッド及び比較例２の記録ヘッドは、磁界強度が増加しているために、充分に記録媒体への書き込み磁界を確保できる。尚、磁界強度は、被覆した磁性体の厚さに比例して増加するが、磁性体の膜厚がある値を越えると増加率が小さくなる。図７によると、第２のフレア部５における磁性体の厚さは、磁界の増強効果がある１０ｎｍから磁界の増加傾向が小さくなる１５０ｎｍ以下が好ましい。
【００２９】
図８に、本発明の記録ヘッドの第２のフレア部の下端位置と磁界強度及び磁界勾配の関係を示す。比較例１の記録ヘッド及び比較例２の記録ヘッドに対する計算結果も合わせて示した。
【００３０】
計算条件は以下の通りである。本発明の記録ヘッドの主磁極１のポールチップ１ａのスロートハイトの浮上面側は、幅８０ｎｍ、膜の厚さ１８０ｎｍ、スキュー角θに対応する角度９°のリーディング側の幅が狭く、トレーリング側の幅が広い逆台形形状とし、浮上面までのスロートハイト８０ｎｍとして、フレア部はスロートハイトゼロから４．９μｍまでの範囲とした。第２のフレア部５の下端位置を、スロートハイトゼロの位置からフレア部の素子高さ方向２００ｎｍまでの範囲で動かして計算した。また、主磁極のポールチップ１ａと第２のフレア部５の材料はコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）を想定し、飽和磁束密度を２．４Ｔ、比透磁率を５００とした。ポールチップ１ａのトレーリング側と第２のフレア部５の間に挿入した非磁性層はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）で、厚さは２０ｎｍとし、第２のフレア部５の磁性体の厚さは４０ｎｍとした。第２のフレア部５の幅は、ポールチップ１ａの左右の側壁への磁性体の積層を考慮して、フレア部の幅より８０ｎｍ広いものとした。ポールチップ１ａの素子高さ方向の端部位置と、第２のフレア部５の素子高さ方向の端部位置は同じとした。
【００３１】
主磁極１のヨーク部１ｂは、飽和磁束密度が１．０Ｔ、比透磁率１５００の８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅを想定した。シールド３２は、飽和磁束密度が１．０Ｔ、比透磁率１５００の８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅを想定し、浮上面からのハイト（奥行き方向）を８０ｎｍとし、非磁性ギャップ層のアルミナを介して三方からポールチップを包み込んでいる。磁気記録媒体１１の裏打ち層２０の材料としてはＣｏＴａＺｒを想定し、ヘッド浮上面から裏打ち層２０の表面までの距離は４４ｎｍ、裏打ち層２０の厚さは６０ｎｍとした。記録磁界は、ヘッド浮上面から２２ｎｍの磁気記録層中心位置で算出した。媒体記録層は厚さ２０ｎｍだけを考慮し、磁化特性は考慮しなかった。
【００３２】
図８（ａ）及び図８（ｂ）の横軸は、本発明の記録ヘッドの場合、第２のフレア部５の浮上面側の先端部のスロートハイトゼロからの位置、比較例２の記録ヘッドの場合は、主磁極層のトレーリング側に積層した磁性体７のスロートハイトゼロからの位置に相当する。図中、星印が比較例１の記録ヘッド、白丸が比較例２の記録ヘッド、黒丸が本発明の記録ヘッドに対する計算結果である。
【００３３】
比較例２の記録ヘッドの場合、図８（ａ）に示すように、積層した磁性体７の浮上面側の端部がスロートハイトゼロ側に近づくに連れて主磁極１の磁界強度が増加する。それに反して、図８（ｂ）に示す磁界勾配は、積層した磁性体７の浮上面側の端部がスロートハイトゼロ側に近づくにつれて低下する傾向を持つ。磁界勾配が低下する原因は、図６（ｂ）に示すように、積層した磁性体７の先端部近傍の磁束が、ポールチップ１ａに流れ込み、ポールチップ１ａの磁束の流れに影響を与えて垂直磁界分布を乱すためである。磁性体７の浮上面側の端部をスロートハイトゼロから素子高さ方向１００ｎｍに配置した場合は、浮上面に達するまでに磁束の流れは修復されるが、浮上面に近づくに連れて影響が大きくなり、磁界勾配が低下する。
【００３４】
本発明の記録ヘッドの場合は、図８（ｂ）に示すように、第２のフレア部５の下端位置がポールチップ１ａのスロートハイトゼロから素子高さ方向２０ｎｍの位置に配置したとき比較例１の記録ヘッドの磁界勾配と同等の磁界勾配を持ち、第２のフレア部５の下端位置がスロートハイトゼロから素子高さ方向１００ｎｍの位置に遠ざかるまで磁界勾配が増加し、最大値となる。その後、第２のフレア部５の下端位置を更に引き上げると、磁界強度の低下とともに、磁界勾配も低下傾向を示す。スロートハイトゼロ近傍に第２のフレア部５が有る場合は、第２のフレア部５の磁束が、浮上面側に設けられたシールド３２に吸われ、シールドからの磁界漏れが大きくなり、磁界勾配が低下する。第２のフレア部５が、シールド３２から遠ざかるに連れて、シールドからの漏れ磁界が小さくなるとともに、磁界勾配が大きくなる。
【００３５】
図８の計算結果から、第２のフレア部５の浮上面側の先端部の設定位置は、磁界増強の効果と磁界勾配を考慮すると、磁界増強の効果としては、スロートハイトゼロより素子高さ方向２０ｎｍ以上から比較例１の記録ヘッドと同等の磁界勾配まで低下する２００ｎｍ以下が好ましい。
【００３６】
図９に、第２フレア部と主磁極を磁気的に分離する非磁性層の厚さに対する磁界強度と磁界勾配の変化を示す。
【００３７】
この計算の条件は以下の通りである。図２に示した、本発明の記録ヘッドの主磁極１のポールチップ１ａのスロートハイトの浮上面側は、幅８０ｎｍ、膜の厚さ１８０ｎｍ，スキュー角θに対応する角度９°のリーディング側の幅が狭く、トレーリング側の幅が広い逆台形形状とし、浮上面までのスロートハイト８０ｎｍとした。フレア部は、スロートハイトゼロから４．９μｍまでの範囲とした。第２のフレア部５は、浮上面側の先端位置が、スロートハイトゼロの位置から素子高さ方向１００ｎｍにあるとして計算している。主磁極のポールチップ１ａと第２のフレア部５の材料はコバルトニッケル鉄（ＣｏＮｉＦｅ）を想定し、飽和磁束密度を２．４Ｔ、比透磁率を５００とした。また、ポールチップ１ａのトレーリング側と第２のフレア部５の間に挿入した非磁性層の材料はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）とし，厚さを０ｎｍから６０ｎｍまで変えて計算を行った。厚さが０ｎｍは，非磁性層６を介さない状態で、ポールチップ１ａを第２のフレア部５の磁性体で被覆した。
【００３８】
第２のフレア部５の厚さは４０ｎｍとした。第２のフレア部５の幅は、ポールチップ１ａの左右の側壁への磁性体の積層を考慮して、ポールチップのフレア部の幅より８０ｎｍ広いものとした。ポールチップ１ａの素子高さ方向の端部位置と、第２のフレア部の素子高さ方向の端部の位置は同じとした。主磁極１のヨーク部１ｂは、飽和磁束密度が１．０Ｔ、比透磁率１５００の８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅを想定した。シールド３２は、飽和磁束密度が１．０Ｔ，比透磁率１５００の８０ａｔ％Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅを想定し、浮上面からのハイト（奥行き方向）を８０ｎｍとし、非磁性ギャップ層のアルミナを介して三方からポールチップを包み込んでいる。磁気記録媒体１１の裏打ち層２０の材料はＣｏＴａＺｒを想定し、ヘッド浮上面から裏打ち層２０の表面までの距離は４４ｎｍ，裏打ち層２０の厚さは６０ｎｍとした。記録磁界はヘッド浮上面から２２ｎｍの磁気記録層中心位置で算出した。媒体記録層は厚さ２０ｎｍだけを考慮し、磁化特性は考慮しなかった。
【００３９】
図９（ａ）及び図９（ｂ）の横軸は、ポールチップ１ａのトレーリング側と第２のフレア部５を磁気的に分離する非磁性体６の厚さに相当する。図９（ａ）の縦軸は、比較例１の記録ヘッドの磁界強度に対する磁界の増加分を示す。また、図９（ｂ）の縦軸は、磁界勾配を示す。図中、星印が比較例１の記録ヘッド、黒丸が本発明の記録ヘッドに対する計算結果である。比較例１の記録ヘッドの磁界強度は、１０．２３ｋＯｅである。
【００４０】
この条件の場合は、非磁性体６の無い状態が磁界強度の増加分は大きいが、磁界勾配は低い。つまり、非磁性体６の無い状態では、図６（ｂ）示すように、積層した磁性体の先端部近傍の磁束が、ポールチップに流れ込みポールチップの磁束の流れに影響を与えるために、磁界勾配が低下している。非磁性体６は、厚さ１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下にすれば、磁界増強効果とともに磁界勾配を、比較例１の記録ヘッドよりも高めに設定できる。
【００４１】
また、これまでの説明では、図２及び図３に示すように、第２のフレア部５の浮上面側の先端部の形状が浮上面と平行になっているものとしたが、図１７に示すように、第２のフレア部５のトレーリング側の浮上面から素子高さ方向に磁性体の厚さが増加するテーパ状態を有しても本発明の特性になんら影響を与えるものではない。図１７は図３に対応する図であり、図１７（ａ）は平面模式図、図１７（ｂ）は断面模式図である。
【００４２】
以下、本発明の記録ヘッドの製造方法について説明する。図１０、図１１、図１２は、本発明の記録ヘッドを製造する方法の一実施例を示す製造工程図である。
【００４３】
図１０は、主磁極１のヨーク部１ｂを製造した後、ＣＭＰ工程により平坦化された状態から主磁極１及び非磁性層６の積層されたポールチップ１ａの製造工程を示す。主磁極１のヨーク部１ｂは図中の右側に図示する。図の左側が浮上面側である。
【００４４】
図１０（ａ）に示すように、主磁極となる磁性層１の上に非磁性キャップ層１０１を積層し、磁性層１を安定化させる熱処理を行う。次に、第２のフレア部用の非磁性層６を積層する。主磁極１には、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む高い飽和磁束密度を有する磁性体の単層膜や積層膜を用いることができる。非磁性キャップ層は、主磁極のトレーリングエッジを保護するためのものであり、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜及び積層膜、又はＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ等の非磁性金属の単層膜や積層膜等を用いることができる。第２のフレア部用の非磁性層６は、主磁極と第２のフレア部を磁気的に分離するためのもので、膜厚は磁界増強の効果と磁界勾配から１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下で、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜及び積層膜、又はＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ等の非磁性金属の単層膜や積層膜等を用いることができる。  
【００４５】
次に、図１０（ｂ）に示すように、主磁極のヨーク部を製造した後にＣＭＰ工程により平坦化された状態の第２のフレア部用の非磁性層６の上面に、エッチングマスク層を形成する。このエッチングマスク層は、エッチング層１０２とハード層１０３からなり、エッチング層１０２は、主磁極の加工が終了するまでに、マスク材として機能する充分な膜厚のレジストを用いる。ハード層１０３には、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜及び積層膜等を用いて、フォトレジスト１０６により加工できる膜厚とともに、主磁極１のイオンミリング加工が終了する前には、イオンミリング加工により除去される膜厚の単層膜や積層膜を用いる。加工後のエッチングマスク層は、レジスト層１０２のみが残り、除去が簡便にできる。エッチングマスク層上に、フォトレジスト１０６を主磁極の形状に合わせて形成する。フォトレジストパターン１０６をイオンミリング、ＲＩＥ（リアクティブエッチング）、ＲＩＭ（リアクティブイオンミリング）の手法を用いて、エッチング層のハードマスク層１０３に転写する。加工用のガスとしては、例えばＡｒ，ＣＦ4，ＣＨＦ3，ＳＦ6等の単ガスや混合ガスを用いる。転写パターンを、ＲＩＥ手法により選択エッチング速度差の大きい反応性ガスを用いて、エッチング層１０２に転写する。反応性ガスとして、例えばＯ2，ＣＯ，ＣＯ2等の単ガスや混合ガスを用いることにより選択エッチングが可能となる。
【００４６】
次に、図１０（ｃ）に示すように、第２のフレア部用の非磁性層６、非磁性キャップ層１０１及び主磁極層１をエッチングし、主磁極１の浮上面の形状を逆台形形状に加工する。その後、エッチング層を除去する。
【００４７】
図１１（ａ）〜（ｃ）にリフトオフを用いて、主磁極１に第２のフレア部の磁性体１０７を形成するリフトオフ手法の模式断面図と斜視図を示す。リフトオフ用の２層レジストは、下層部１０６が、光に反応しないレジスト層と光に反応する上層部１０５のレジスト層により構成される。穴明けパターンの場合は、図１１（ａ）に示すように、下層レジスト１０６に対して上層レジスト１０５がオーバーハング状に形成される。このリフトオフ用の２層レジストパターン上に磁性体１０７は、スパッタリング手法を用いて積層する。
【００４８】
図１１（ｂ）に、リフトオフ後の断面模式図を示し、図１１（ｃ）に、断面に対応した斜視図による、主磁極１のトレーリング側に形成された第２のフレア部５を示す。
【００４９】
磁界増強の効果と磁界勾配から、磁性体１０７の厚さを１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とし、材料としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料の単層膜や積層膜を用いることができる。また、磁性体１０７の積層する位置として、磁界勾配と磁界増強から、浮上面側のスロートハイトゼロから奥行き方向のフレア側の２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下に第２のフレア部５の浮上面側の先端部が配置されることが好ましい。主磁極１のトレーリング側の上部の不要な磁性体１０７は、リフトオフ手法により除去され、第２のフレア部５が形成される。
【００５０】
次に、磁気記録ヘッドの性能を、左右する要因の一つである書き込み性能を向上させるためのシールドを設けるために、ギャップ層の形成を行う。図３に示すように、シールドは主磁極を三方から包みこんでいる。このシールド３２と主磁極１を磁気的に分離するために、非磁性体によるギャップ層を設ける。この非磁性体のギャップ層の積層には、カルーセル型スパッタ装置、イオンビームデポジション装置、ＣＶＤ装置（ケミカルデポジション）あるいはＡＬＤ装置（アトミックレイヤデポジション）等のパターンの側壁への付き回りが良い装置を用い、基板の全面に積層する。次に、ギャップ層の厚さを決める加工を行う。主磁極とシールドの側壁のギャップ層の厚さは、積層する非磁性体の厚さで決めるのが望ましい。また、イオンミリングを用いて、主磁極とシールドの側壁のギャップ層の厚さを決める場合は、側壁の非磁性層にイオンを入射角度５０〜７０度の範囲で入射させると、側壁へのミリング速度が大きくなる。主磁極のトレーリング側とシールド間のギャップ層の厚さは、イオン入射角度を３０〜６０度の範囲で入射させると、上部へのミリング速度を大きくし、側壁の非磁性層のミリング速度を小さくできる。
【００５１】
その後、図２及び図３に示すように、主磁極１をポールチップ１ａとヨーク部１ｂに分離する工程を行う。図１２（ａ）〜（ｃ）に、主磁極１をポールチップ１ａとヨーク部１ｂに分離する工程の断面模式図及び断面に対応した斜視図を示す。図１２（ａ）に示すように、主磁極１のパターンと第２のフレア部５が、シールド用ギャップ層１０８の非磁性体で被覆された面に、フォトレジストパターン１０９をフォトリソグラフィー手法により形成する。図１２（ｂ）に示すように、イオンミリングにより、シールド用ギャップ層１０８、第２のフレア部の磁性層５、非磁性層６、非磁性キャップ層１０１及び主磁極層１ａがミリングにより除去されて、主磁極１がポールチップ１ａとヨーク部１ｂに分離される。図１２（ｃ）に、フォトレジストが除去された状態の斜視図を示す。ポールチップ１ａは、イオンミリングにより加工されたピラー１７側の端部以外を非磁性体により被覆され、本発明の第２のフレアも同様に非磁性体により被覆され、第２のフレア部５のピラー１７側の端部の位置が決められる。
【００５２】
本実施例によると、従来の主磁極の形成工程にリフトオフを用いた磁性体の積層工程を追加することで、第２のフレア部５を形成できる。第２のフレア部５を、非磁性層６を介してポールチップ１ａに設けて磁界強度が増加することにより、記録媒体に書き込む必要磁界を維持しながら、増加した磁界をシールドの強化に配分し、書き滲みの抑制及び磁界勾配を向上させることができる。
【００５３】
本発明の磁気記録ヘッドの製造方法の他の実施例を説明する。ここでは、図１０から図１２に示した工程と異なる工程についてのみ説明する。
【００５４】
図１０（ｃ）に示すように、第２のフレア部用の非磁性層６、非磁性キャップ層１０１及び主磁極１の磁性層をエッチングし、主磁極１の浮上面の形状を逆台形形状に加工し、その後に、エッチング層１０２を除去する。ここまでは、前記の工程と同様である。次に、図１３（ａ）にように、主磁極１の書き込み幅を規定するスロートハイト部に、レジスト層１１０を形成する。このレジスト層１１０を用いて、主磁極１のスロートハイト部を被覆して保護する。次に、第２のフレア部５の磁性層１０７を基板の全面にスパッタリング法により積層する。磁性層１０７が、積層された状態を図１３（ｂ）の斜視図に示す。磁性体の材料としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料の単層膜や積層膜を用いる。磁界増強の効果と磁界勾配から、磁性体１０７の厚さは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５５】
その後に、図１３（ｃ）に示すように、イオンミリング用のエッチング用のフォトレジストマスク１１１をフォトリソグラフィーにより形成する。フォトレジストマスク１１１を形成する位置として、浮上面側のスロートハイトゼロから奥行き方向のフレア側の２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の位置に、浮上面側の第２のフレア部５の磁性体の先端部が形成されるように配置する。フォトレジスト１１１をマスクにして、イオンミリングにより不要の磁性体をミリングし、第２のフレア部５を形成する。イオンミリングのイオン入射角度を４５度から６０度の範囲とする。このイオン入射角度は、ミリングによる再付着が少ないので好ましい。以後の工程は、図１２の（ａ）〜（ｃ）までと同様の工程のため、説明を省略する。本実施例によれば、第２のフレア部の位置を再現性良く形成することが可能である。
【００５６】
本発明の磁気記録ヘッドの製造方法の他の実施例を説明する。ここでは、図１０から図１２に示した工程と異なる工程についてのみ説明する
図１４（ａ）の断面模式図に示すように、主磁極１のヨーク部１ｂを製造した後にＣＭＰ工程により平坦化された状態の基板上に、主磁極１の磁性層、非磁性キャップ層１０１、非磁性層６、及び第２のフレア部５の磁性層１０７を順次積層して、磁性層を安定化させる熱処理を行なった。主磁極１は、高飽和磁束密度を有する例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料の単層膜や積層膜を用いることができる。非磁性キャップ層１０１は、主磁極のトレーリングエッジを保護するために、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜及び積層膜、又はＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ等の非磁性金属の単層膜や積層膜等を用いることができる。非磁性層６は、主磁極１と第２のフレア部５を磁気的に分離するために、膜厚としては、磁界増強の効果と磁界勾配から１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下で、材料としては、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物の単層膜及び積層膜、又はＣｒ，ＮｉＣｒ，Ｒｈ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ａｕ等の非磁性金属の単層膜や積層膜等を用いることができる。第２のフレア部５に用いる磁性層としては、磁界増強の効果と磁界勾配から厚さを１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とし、材料としては、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料等の単層膜や積層膜の磁性体等を用いることができる。
【００５７】
次に、図１４（ｂ）に示すように、主磁極１のヨーク部１ｂを製造した後にＣＭＰ工程により平坦化された状態の第２のフレア部５の磁性層１０７の上にフォトレジスト１１２により、エッチング用のパターンを形成する。フォトレジスト１１２をマスクにイオンミリングによって、磁性層１０７の浮上面側のスロートハイトゼロからフレア側の第２のフレア部を形成する浮上面側の先端部２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で主磁極のトレーリング側の浮上面側をミリングで磁性体層を除去する。基板面が平坦化された状態で第２のフレア部５の浮上面側の位置を決めることにより、加工精度を向上させることが可能になる。フォトレジストマスクを除去し、図１４（ｃ）に示すように、第２のフレア部５の磁性体の浮上面側の先端部の位置が決まる。
【００５８】
その後、図１５（ａ）に示すように、エッチングマスク層を形成する。このエッチングマスク層は、エッチング層１０２とハード層１０３からなり、エッチング層１０２は、主磁極の加工が終了するまでに、マクス材として機能する充分な膜厚のレジストを用いる。ハード層１０３の材料は、例えば、Ａｌ，Ｓｉ，Ｔａ，Ｔｉ等の酸化物、窒化物を用いて、フォトレジスト１０６により加工できる膜厚とともに、主磁極１のイオンミリング加工が終了する前には、イオンミリング加工により除去される膜厚の単層膜や積層膜を用いる。主磁極の加工後のエッチングマスク層は、エッチング層１０２のみが残り、除去が簡便にできる。エッチングマスク層上に、フォトレジスト１０６を主磁極の形状に合わせてパターンニングする。フォトレジストパターン１０６をイオンミリング、ＲＩＥ（リアクティブエッチング）、ＲＩＭ（リアクティブイオンミリング）を用いて、エッチング層のハードマスク層１０３に転写する。加工用のガスとしては、例えばＡｒ，ＣＦ4，ＣＨＦ3，ＳＦ6等の単ガスや混合ガスを用いる。次に、ハードマスク層１０３の転写パターンを、ＲＩＥ手法を用いてエッチングマスク層のエッチング層１０２に転写する。反応性ガスとしては、Ｏ2，ＣＯ，ＣＯ2等を用いて行う。
【００５９】
次に、図１５（ｂ）に断面模式図、及び図１５（ｃ）に断面に対応した斜視図を示す。第２のフレア部５の磁性層１０７、非磁性層６、非磁性キャップ層１０１及び主磁極１の磁性層をエッチングし、主磁極のパターン及び主磁極の浮上面側の形状を逆台形形状に加工し、エッチング層を除去する。
【００６０】
その後、図１６（ａ）に示すように、主磁極の側壁に磁性体１０７ｂを被覆するためのリフトオフパターン１１５が、２層レジストにより形成される。リフトオフパターンの位置は、磁性層１０７の浮上面側の先端部よりピラー１７側に磁性体１０７ｂの先端部が積層されることが好ましい。リフトオフ用の２層レジストは、下層部１１５ｂの光に反応しないレジスト層と光に反応する上層部１１５ａのレジスト層により構成され、穴明けパターンの場合は、下層レジスト１１５ｂに対して上層レジスト１１５ａがオーバーハング状に形成される。第２のフレア部５のトレーリング側に、例えば、Ｃｏ，Ｎｉ，Ｆｅのうち少なくとも２種の元素を含む磁性材料の単層膜や積層膜を、スパッタリング手法を用いて積層する。図１６（ｂ）に断面模式図を、図１６（ｃ）に断面に対応する斜視図を示す。不要な磁性体は、リフトオフ手法を用いて除去し、第２のフレア部５を形成する。以後の工程は、図１２の（ａ）〜（ｃ）まで同様の工程のため、説明を省略する。
【００６１】
本実施例の場合は、第２のフレア部５の主磁極の側壁に積層された磁性体の厚さと主磁極のトレーリング側に積層された磁性体の厚さが異なる。また、第２のフレア部が、分離された工程のため、浮上面側の位置が異なる。主磁極の側壁の磁性体は、主磁極と第２のフレア部の磁束の流れ方向を合わせる磁気的な結合を得る目的のため、磁性体１０７ｂの浮上面側の先端部が磁性層１０７の浮上面側の先端部より、ピラー１７側に形成されれば良い。また、第２のフレア部５の磁性層の厚さが、主磁極１の側壁とトレーリング側で異なっても、本発明の磁気記録ヘッドの特徴である、記録磁界の増強及び磁界勾配の向上に、なんら問題とはならない。本実施例の場合は、第２のフレア部の浮上面側の先端部の位置が、主磁極パターン形成前の平坦な状態で形成できることで、第２のフレア部の浮上面側の先端部の位置を高精度に決められる。
【００６２】
また、これまで説明した製造方法の実施例では、図２及び図３のように、第２のフレア部５の浮上面側の先端部の形状が浮上面と平行になっているが、図１７に示すように、製造方法により第２のフレア部５のトレーリング側の浮上面から奥行き方向に磁性体の厚さが増加するテーパ状態を有しても、本発明の特性になんら影響を与えるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】磁気記録再生装置の概略図。
【図２】本発明による磁気ヘッドの一例のトラック中心での断面模式図と拡大図。
【図３】本発明による記録ヘッドの一例の主磁極部分の平面模式図と断面模式図。
【図４】比較例の記録ヘッドの拡大図。
【図５】比較例の記録ヘッドの拡大図。
【図６】磁束の流れを示した模式図。
【図７】磁界増加量と第２のフレア部の膜厚の関係を示した図。
【図８】第２のフレア部の位置による磁界強度と磁界勾配変化を示す図。
【図９】第２フレア部と主磁極を磁気的に分離する非磁性層の厚さによる磁界増加量と磁界勾配変化を示した図。
【図１０】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１１】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１２】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１３】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１４】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１５】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１６】本発明の記録ヘッドの製造工程を示す図。
【図１７】テーパ形状を有する第２のフレア部を示す模式図。
【符号の説明】
【００６４】
１…主磁極、１ａ…ポールチップ、１ｂ…主磁極ヨーク部、２…薄膜導体コイル、３…補助磁極、４…再生素子、５…第２のフレア部、６…非磁性層、８…下部シールド、９…上部シールド、１１…磁気ディスク、１２…サスペンションアーム、１３…磁気ヘッドスライダー、１５…ロータリアクチュエータ、１７…ピラー、１９…磁気記録層，２０…裏打ち層、２４…再生ヘッド、２５…記録ヘッド、３２…シールド、１０１…非磁性キャップ、１０２…エッチング層、１０３…ハード層、１０５…上層レジスト、１０６…下層レジスト、１０７…磁性層、１０７ｂ…磁性体、１０８…シールドギャップ層、１０９…フォトレジスト層、１１５ａ…上層レジスト、１１５ｂ…下層レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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