(57)【要約】【課題】ウェーハとウェーハステージとの間の擦れの発生が防止されたウェーハステージを提供すること。【解決手段】半導体処理装置に適用されるウェーハステージ１０であって、半導体ウェーハＷが載置されるウェーハ載置面１１を備えており、このウェーハ載置面１１は、その外周縁１１ｅがウェーハ載置面１１に接する半導体ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅより内側に位置するように形成されている。【選択図】図２
2009253115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理装置に適用される半導体ウェーハを載置する円形のウェーハステージであって、平坦なウェーハ載置面を備え、
このウェーハ載置面の外周縁は、ウェーハ載置面に接する半導体ウェーハ裏面の外周縁より内側に位置して形成されている事を特徴とするウェーハステージ。
【請求項２】
上記ウェーハ載置面の外側に、このウェーハ載置面の外周縁に隣接して環状の外溝が形成されて、この外溝の内側壁の直径は、上記ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハ裏面の直径より小径であり、上記外溝の外側壁の直径は、上記ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの裏面の直径より大径である請求項１に記載のウェーハステージ。
【請求項３】
上記ウェーハ載置面の内側または外側に、このウェーハ載置面に載置される半導体ウェーハとは異なる直径の半導体ウェーハを載置するための別のウェーハ載置面が１つ以上形成されており、
形成されている複数のウェーハ載置面から任意に選択される隣接配置された２つのウェーハ載置面のうち、大径の半導体ウェーハが載置される環状の大径用ウェーハ載置面の内周縁は、小径の半導体ウェーハが載置される小径用ウェーハ載置面の外周縁より外側に位置しており、
上記大径用ウェーハ載置面の内周縁の直径は、上記小径用ウェーハ載置面に載置されるべき半導体ウェーハの直径より大径であり、
上記大径用ウェーハ載置面は、上記小径用ウェーハ載置面より高い位置に配置されている請求項１に記載のウェーハステージ。
【請求項４】
上記大径用ウェーハ載置面と、上記小径用ウェーハ載置面との間に、環状の中間溝を備えており、
この中間溝の外側壁は、上記大径用ウェーハ載置面の内周縁であり、この中間溝の内側壁は、上記小径用ウェーハ載置面の外周縁である請求項３に記載のウェーハステージ。
【請求項５】
上記半導体処理装置が備えている半導体ウェーハの搬送手段は、ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの表面外周部を押さえる動作を含むチャッキング方法または載置されたこの半導体ウェーハの表面または裏面を吸着する動作を含むチャッキング方法を用いるものである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のウェーハステージ。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のウェーハステージを備える半導体処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体ウェーハ等に対してＣＶＤや熱処理等を施す半導体処理装置、特に半導体処理装置において半導体ウェーハを載置するために用いられるウェーハステージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体処理装置としては、例えば特許文献１などで良く知られているように、枚葉式で処理を行うマルチチャンバ装置がある。このマルチチャンバ装置は、複数のチャンバを、すなわち平面視して中央に配置された搬送チャンバと、この搬送チャンバの周囲に配設され、半導体ウェーハ（以下、単にウェーハと称することがある）に対してＣＶＤ処理や熱処理などの各種のプロセスが施されるプロセスチャンバと、ウェーハカセットが載置されるロードロックチャンバとを備えている。中央の搬送チャンバには、半導体ウェーハを搬送するための搬送ロボットが格納されており、ロードロックチャンバのウェーハステージと各プロセスチャンバとの間で半導体ウェーハを搬送できる構成である。
【特許文献１】特開２００４−２６５８９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ウェーハステージに載置されたウェーハは、上述したように、搬送ロボットなどのハンドリングツールによって各プロセスチャンバなどの搬送先に搬送される。
ところが、このハンドリングツールを用いてウェーハステージに載置されたウェーハを搬出するときに、ウェーハの裏面（接触面）とウェーハステージの載置面との間で擦れ（摩擦）などが生じ、そのウェーハ裏面にキズや汚れといった不具合が発生することがある。
そして、ウェーハ裏面にキズが生じた場合は、その後の処理で行われる例えばシリコンエピタキシャル成長中にこのキズを基点としたシリコンが異常成長し、欠陥が発生することがある。
【０００４】
この発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、ウェーハとウェーハステージのウェーハ載置面との間の擦れの発生が防止されたウェーハステージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、半導体処理装置に適用される半導体ウェーハを載置するために用いられる円形のウェーハステージであって、半導体ウェーハが載置される平坦なウェーハ載置面を備え、このウェーハ載置面の外周縁は、ウェーハ載置面に接する半導体ウェーハ裏面の外周縁より内側に位置して形成されているウェーハステージである。
【０００６】
ウェーハ裏面におけるキズや汚れの発生について鋭意検討したところ、キズや汚れはウェーハの外周部で発生しやすく、さらに検討を重ねたところ、キズや汚れはウェーハ裏面の外周縁において最も発生しやすかった。この点、本発明のように、ウェーハ載置面を、その外周縁がウェーハ載置面に接する半導体ウェーハ裏面の外周縁より内側に位置するように形成すれば、ウェーハステージにウェーハを載置したときに、ウェーハ裏面の外周縁とウェーハステージのウェーハ載置面との接触が防止される。したがって、ウェーハステージからウェーハを搬出するときに、ウェーハ裏面の外周縁とウェーハステージのウェーハ載置面との間における擦れの発生が確実に防止され、ウェーハ裏面におけるキズや汚れの発生がより確実に防止される。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、上記ウェーハ載置面の外側に、このウェーハ載置面の外周縁に隣接して環状の外溝が形成され、この外溝の内側壁の直径は、上記ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハ裏面の直径より小径であり、上記外溝の外側壁の直径は、上記ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの裏面の直径より大径である請求項１に記載のウェーハステージである。
【０００８】
このような環状で所定幅の外溝を形成すると、ウェーハ裏面の外周縁とウェーハステージのウェーハ載置面との接触が防止され、キズや汚れの発生が防止される。また、このような構造は、溝を備えていない従来のウェーハステージに外溝を形成することによって得られる構造であり、従来のウェーハステージについても本発明を容易に適用することができる。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、上記ウェーハ載置面の内側または外側に、このウェーハ載置面に載置される半導体ウェーハとは異なる直径の半導体ウェーハを載置するための別のウェーハ載置面が１つ以上形成されており、形成されている複数のウェーハ載置面から任意に選択される隣接配置された２つのウェーハ載置面のうち、大径の半導体ウェーハが載置される環状の大径用ウェーハ載置面の内周縁は、小径の半導体ウェーハが載置される小径用ウェーハ載置面の外周縁より外側に位置しており、上記大径用ウェーハ載置面の内周縁の直径は、上記小径用ウェーハ載置面に載置されるべき半導体ウェーハの直径より大径であり、上記大径用ウェーハ載置面は、上記小径用ウェーハ載置面より高い位置に配置されている請求項１に記載のウェーハステージである。
【００１０】
このように複数のウェーハ載置面を形成すれば、複数種類の直径のウェーハを載置できるウェーハステージおいて、全ての種類のウェーハについて、ウェーハ裏面におけるキズや汚れの発生が防止される。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、上記大径用ウェーハ載置面と、上記小径用ウェーハ載置面との間に、環状の中間溝を備えており、この中間溝の外側壁は、上記大径用ウェーハ載置面の内周縁であり、この中間溝の内側壁は、上記小径用ウェーハ載置面の外周縁である請求項３に記載のウェーハステージである。
【００１２】
上述したように、溝を備える構造は、溝を備えていない従来のウェーハステージに溝を形成することによって得られるので、複数種類の直径のウェーハを載置することができる従来のマルチウェーハステージにも本発明を容易に適用することができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明は、上記半導体処理装置が備えている半導体ウェーハの搬送手段は、ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの表面外周部を押さえる動作を含むチャッキング方法または載置されたこの半導体ウェーハの表面または裏面を吸着する動作を含むチャッキング方法を用いるものである請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のウェーハステージである。
【００１４】
ウェーハ裏面におけるキズや汚れの発生について検討したところ、搬送ロボットなどの搬送手段におけるウェーハのチャッキング方法として、ウェーハ載置面に載置された半導体ウェーハの表面外周部を押さえる動作を含むチャッキング方法または半導体ウェーハの表面または裏面を吸着する動作を含むチャッキング方法を用いる場合に、ウェーハ裏面、特にウェーハ裏面の外周縁にキズや汚れが発生しやすかった。この点、本発明によれば、上述したように、ウェーハステージにウェーハを載置したとき、ウェーハ裏面の外周縁はウェーハステージのウェーハ載置面に接触しなくなり、ウェーハステージからウェーハを搬出するときにウェーハ裏面の外周縁とウェーハステージのウェーハ載置面との間における擦れの発生が確実に防止される。したがって、本発明に係るウェーハステージは、上記チャッキング方法が用いられている半導体処理装置のウェーハステージとして好適である。
【００１５】
なお、ウェーハステージのウェーハ載置面の材質をシリコンウェーハより柔らかい金属にすると、ウェーハ裏面の外周縁とウェーハステージのウェーハ載置面との間における擦れによりシリコンウェーハが重金属で汚染される可能性がある。またウェーハ載置面の材質を石英にすると、高純度であるために、ウェーハの重金属の汚染の発生が防止され、さらに本発明を取り入れる事で、キズや汚れの発生がより確実に防止される。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のウェーハステージを備える半導体処理装置である。
【００１７】
このようなたとえば、シリコンエピタキシャル炉の様な、ロードロック室と反応室の間をウェーハを自動搬送する治具を有した半導体処理装置であれば、ウェーハステージにウェーハを載置したとき、ウェーハ裏面の外周縁はウェーハステージのウェーハ載置面に接触しなくなる。したがって、ウェーハステージからウェーハを搬出するときに、ウェーハ裏面の外周縁とウェーハステージのウェーハ載置面との間における擦れの発生が確実に防止され、ウェーハ裏面におけるキズや汚れの発生が抑制される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、ウェーハステージのウェーハ載置面と、これに載置されたウェーハの裏面の外周縁部分との間における擦れの発生が確実に防止され、ウェーハ裏面におけるキズや汚れの発生が抑制される。また、パーティクル（ごみ）の付着が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係るウェーハステージ（ウェーハ載置台）の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００２０】
本実施形態に係るウェーハステージ（図２参照）１０は、図１に示される半導体処理装置５０において用いられる。そこで、まず簡単に半導体処理装置５０について説明する。
【００２１】
図１に示される半導体処理装置５０は、被処理体であるシリコンウェーハ（以下、ウェーハ）Ｗに例えば熱処理、エピタキシャル成長などの所定の処理を施す装置である。この装置５０は、平面視してその中心部に配置された搬送チャンバ５１と、搬送チャンバ５１の周りに配置された複数のプロセスチャンバ５２と、ウェーハが搬入出されるロードロックチャンバ５３とを備えている。
【００２２】
各チャンバから近接して配設された搬送チャンバ５１には、搬送ロボット５５が設置されている。搬送ロボット５５は、ロードロックチャンバ５３とプロセスチャンバ５２との間のウェーハ搬送に用いられるものであり、ロボットアーム５５ａを備えている。このロボットアーム５５ａの先端部には、ウェーハ表面を吸着してチャッキングする図示しないバキュームチャックが取り付けられている。なお、このチャックやチャッキング方法は周知のものであるので、ここでは、その説明を省略する。
【００２３】
プロセスチャンバ５２は、具体的には、熱処理反応炉等の熱処理チャンバやＣＶＤ処理を行うＣＶＤチャンバなどである。各プロセスチャンバ５２内には図示しないウェーハ載置台が設置されており、シリコンウェーハＷを搬入、載置できるようになっている。
また、ロードロックチャンバ５３には、ウェーハを載置するために用いられるウェーハステージ（図２参照）１０が設置されている。
【００２４】
なお、図１において、符号「５６」は、ウェーハが収納されるカセットケースであり、符号「５７」は、カセットケース５６の搬入出に用いられるカセットエレベータであり、符号「５８」は、カセットケース５６とロードロックチャンバ５３との間でのウェーハ搬送を行うためのロボットであり、符号「５９」は、半導体製造装置の運転に用いられるモニタである。
【００２５】
図２に示されるように、ウェーハステージ１０は、その上端に、ウェーハＷが載置されるウェーハ載置面１１を備えている。ウェーハ載置面１１は、載置されたウェーハＷに接触する平坦面であり、水平面である。また、ウェーハ載置面１１は平面視では円形状であり、ウェーハ載置面１１の外周縁１１ｅの形状は平面視して円形である。ウェーハを載置できる程度の大きさの円形である。
すなわち、ウェーハ載置面１１は、その外周縁１１ｅがウェーハ載置面１１に接する半導体ウェーハの裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅより内側に位置するように形成されている。
【００２６】
ここで、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅとは、平担面であるウェーハ裏面Ｗｂとその外側の傾斜面（いわゆる面取り面）Ｗｓとの境界（境界線）のことである。この半導体ウェーハＷでは、ウェーハ裏面Ｗｂとその外側の面取り面Ｗｓとの境界部分が鈍角（断面）となる形状を持つウェーハと、緩やかな円弧面（断面）形状を持つウェーハがあり、緩やかな円弧面（断面）の境界部分形状のウェーハにおいては、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅは、ウェーハ裏面Ｗｂと面取り面Ｗｓとの間の円環状の境界線となる。平坦な裏面と円弧状に湾曲した面取り面との交差する点が、平面視して環状をなすことにより、外周縁Ｗｅが形成される。
【００２７】
ウェーハ載置面１１の外側（載置面を所定の円形平面とした場合その平面で載置面よりも放射外方の位置）には上向きに開口した所定深さの断面コの字形状の外溝１２が形成されている。外溝１２は、ウェーハ載置面１１を取り囲むように平面視して環状に形成されており、外溝１２の内側壁１２ａの直径は、ウェーハ載置面１１に載置される半導体ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅの直径より小径である。また、外溝１２の外側壁１２ｂの直径は、ウェーハ載置面１１に載置される半導体ウェーハＷの裏面Ｗｂの外周縁の直径より大径である。また外溝１２の外側には、上端面位置がウェーハ載置面１１よりも高い位置に位置する外周部１３が形成されている。すなわち、ウェーハ載置面１１とこの外周に位置する外周部１３とで所定深さの平面視円形のポケットが形成され、このポケット内にウェーハが載置・保持されるのである。
このような形状のウェーハステージ１０にウェーハＷを載置すると、ウェーハＷの外周縁Ｗｅは、ウェーハ載置面１１の外周縁１１ｅの外側の外溝１２の位置に位置する。つまり、ウェーハＷの外周縁Ｗｅがウェーハ載置面１１に接触しない状態になる。ウェーハＷの外周縁部分（面取り面部分を含む外周縁部分）はオーバハング状態である。
なお、ウェーハ載置面を構成するステージ材を石英で形成しているが、他の材料に例えばフッ素樹脂などをコーティングした載置面としてその摩擦係数を可能な限り低減することもできる。
【００２８】
ウェーハステージ１０に載置されたウェーハＷを搬出する場合は、搬送ロボット５５のロボットアーム５５ａの先端のチャックでウェーハＷの表面Ｗａの中央部を吸着する。そして、ロボットアーム５５ａの先端部を上方に移動させて、ウェーハＷをウェーハステージ１０から離間させ搬出する。
【００２９】
ところで、ロボットアーム５５ａの先端部を上方に移動させてウェーハＷを取り上げるとき、取り上げ動作開始時に、ウェーハＷにおいて、ウェーハＷの中心部が上方に膨らみ、ウェーハＷの外周側が下側に下がった反り状態が生じやすい。このような反りが生ずると、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅが上方移動とは異なる動きをするなどして、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅとウェーハステージ１０との間で擦れが発生することがある。擦れが発生すると、これに起因して、ウェーハ裏面Ｗｂにキズや汚れが発生しやすい。また、ウェーハ裏面Ｗｂのなかでも、特にその外周縁Ｗｅは、断面が変わる部分であり、擦れに起因するキズや汚れなどの不具合が発生しやすい位置である。さらに、ウェーハ裏面Ｗｂとその外側の面取り面Ｗｓとの境界部分が鈍角（断面）となる形状を持つウェーハは擦れに起因するキズや汚れなどの不具合が発生しやすい。
【００３０】
ウェーハＷの処理効率を向上させるには、ウェーハＷの搬送スピードはできるだけ高速であることが好ましいが、ロボットアーム５５ａの上昇速度を高速にするほど、上述したような反りが生じやすくなるので、これまでは、キズや汚れの発生を防止するためにはロボットアーム５５ａの上昇速度をできるだけ遅くする必要があった。
【００３１】
この点、本実施形態のウェーハステージ１０を用いれば、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅとウェーハ載置面１１との接触が防止されるので、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅにおけるキズや汚れの発生が防止される。したがって、本実施形態のウェーハステージ１０を用いれば、キズや汚れの発生を防止しつつ、ロボットアーム５５ａの上昇速度を高速化して、ウェーハＷの処理効率を向上させることができる。
なお、ウェーハＷの取り上げ動作時に上述したような反りが発生することは、チャッキング方法がウェーハ裏面を吸着する方法であっても同様である。したがって、本実施形態のウェーハステージ１０を用いることは、ウェーハ裏面Ｗｂを吸着するチャッキング方法を用いる半導体処理装置においても、キスや汚れの発生防止に有効である。
【００３２】
また、本実施形態のウェーハステージ１０を用いて、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅとウェーハ載置面１１とが接触しないようすれば、ウェーハ載置面１１に載置されたウェーハの表面外周部をウェーハステージ１０側に押さえたとしても、キズや汚れが発生しやすいウェーハ裏面Ｗｂがウェーハ載置面１１に接触することはなく、ウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅとウェーハ載置面１１との間における擦れに起因してキズや汚れが発生することはない。したがって、本実施形態のウェーハステージ１０を用いることは、ウェーハ載置面１１に載置されたウェーハＷの表面Ｗａの外周部をウェーハステージ１０側に押さえる動作を含むチャッキング方法を用いる半導体処理装置においても、キスや汚れの発生防止に有効である。
【００３３】
次に、本発明に係る別の実施形態のウェーハステージについて説明する。なお、共通の構造等には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３４】
図３に示されるウェーハステージ２０は、２種以上（ここでは３種類）の直径の半導体ウェーハＷを載置できるものである。このウェーハステージ２０は、大径のウェーハＷを対象とする大径用ウェーハ載置面２１と、その次に大径のウェーハＷを対象とする小径用ウェーハ載置面２２と、さらに小さい直径のウェーハＷを対象とする最小径用ウェーハ載置面２３とを備えている。また、大径用ウェーハ載置面２１の外周縁２１ｂの外側には、環状の外溝２４が形成されており、大径用ウェーハ載置面２１の内周縁２１ａと小径用ウェーハ載置面２２の外周縁２２ｂとの間と、小径用ウェーハ載置面２２の内周縁２２ａと最小径用ウェーハ載置面２３の外周縁２３ｂとの間には、それぞれ、平面視して環状の中間溝２５，２６が形成されている。
【００３５】
そして、平面視して所定幅を有して略環状の平坦面である大径用ウェーハ載置面２１は、その内周縁２１ａが上記小径用ウェーハ載置面２２の外周縁２２ｂより外側に位置するように形成されており、大径用ウェーハ載置面２１の内周縁２１ａの最短直径は、同じく平面視して略環状の小径用ウェーハ載置面２２が載置対象とするウェーハＷの直径より大径であり、大径用ウェーハ載置面２１は、小径用ウェーハ載置面２２より高い位置に配置されている。なお、小径用ウェーハ載置面２２と最小径用ウェーハ載置面２３との関係は、大径用ウェーハ載置面２１と小径用ウェーハ載置面２２の関係と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００３６】
このようにすれば、複数種類の直径のウェーハＷを載置することができる単一のウェーハステージ２０において、全ての口径のウェーハＷについて、ウェーハ裏面Ｗｂにおけるキズや汚れの発生を防止することができる。
なお、本発明に係る実施形態は、上記実施形態に限られるものではなく、本発明には発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変された実施形態が含まれる。
【００３７】
次に、図４に示されるウェーハステージ２０Ａは、ウェーハ載置面２１，２２，２３の外周縁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂの部分が、上記実施例に示す断面直角ではなく、所定の湾曲面または傾斜面で構成されたラウンド形状になっているものである。
【００３８】
ウェーハ載置面２１，２２，２３の外周縁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂをウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅの内側に位置させると、キズや汚れが発生しやすいウェーハ裏面Ｗｂの外周縁Ｗｅがウェーハ載置面２１，２２，２３に接触しなくなり、キズや汚れの発生を防止できるが、ウェーハ載置面２１，２２，２３の外周縁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂはウェーハ裏面Ｗｂと接触している。
ここで、図４に示されるウェーハステージ２０Ａのように、ウェーハ載置面２１，２２，２３の外周縁を曲面形状であるラウンド形状Ｒ（外側に向かって緩やかな下り傾斜を付加した形状）にすると、ウェーハ裏面Ｗｂにウェーハ載置面２１，２２，２３のエッジ形状部分が接触することが確実に防止される。これにより、ウェーハ裏面Ｗｂにおけるキズや汚れの発生がより確実に防止される。
【００３９】
ところで、上述したように、ウェーハＷをチャッキングする方法としては、本実施形態で用いているウェーハ表面Ｗａを吸着する方法のほか、ウェーハ載置面に載置されたウェーハＷの表面外周部を押さえる動作を含むチャッキング方法でもよいし、ウェーハＷの裏面Ｗｂを吸着する動作を含むチャッキング方法でもよい。
ただし、ウェーハ裏面Ｗｂを吸着する動作を含むチャッキング方法を用いる場合は、ウェーハステージに載置されたウェーハＷの裏面Ｗｂの位置まで搬送ロボット５５の吸着部を到達させることができるようにするためのスペースを確保する必要がある。
【００４０】
なお、ウェーハ裏面にＣＶＤ酸化膜が形成されている品種などにおいて、ウェーハ裏面のキズの発生を防止できれば、エピタキシャル成長中にキズを基点とする異常成長が生ずることが防止され、異常突起の発生が防止される。
また、厚くエピタキシャル成長させる品種では、エピタキシャル成長中にキズを基点とするシリコンの異常成長が起き、最悪の場合、ウェーハとサセプタとがくっつく、いわゆるスティッキングが生ずることがあるが、キズの発生が防止されれば、このような不具合が生ずることが防止される。
【００４１】
また、エピタキシャル成長炉など、この炉のサセプタのザグリ部に正確にウェーハステージを設置する必要があるところでは、設置ズレの発生を防止するためには、ウェーハステージはできるだけ硬いものが好ましいが、ウェーハステージが硬いほどウェーハにキズが生じやすくなるので、これまでは、キズの発生を防止するためにはできるだけ硬くないウェーハステージを用いる必要があった。ところが、本実施形態のウェーハステージを用いれば、ウェーハ裏面の外周縁とウェーハ載置面との接触を防止して、ウェーハ裏面の外周縁におけるキズや汚れの発生を抑制することができる。したがって、本実施形態のウェーハステージを用いれば、キズや汚れの発生を抑制しつつ、硬質のウェーハステージを用い、ウェーハステージの設置精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施例に係るウェーハステージが用いられる半導体処理装置の要部の概略構成を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態のウェーハステージを示す側断面図である。
【図３】第２の実施形態のウェーハステージを示す側断面図である。
【図４】別の実施形態のウェーハステージを示す側断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０,２０，２０Ａ  ウェーハステージ、
１１  ウェーハ載置面、
１２  外溝、
２１  大径用ウェーハ載置面、
２２  小径用ウェーハ載置面、
２３  最小径用ウェーハ載置面、
２４  外溝、
２５，２６  中間溝、
５０  半導体処理装置、
５１  搬送チャンバ、
５２  プロセスチャンバ、
５３  ロードロックチャンバ、
５５  搬送ロボット、
Ｗ  ウェーハ、
Ｗｂ  ウェーハ裏面、
Ｗｅ  外周縁。
【図１】
2009253115.tif 000003
【図２】
2009253115.tif 000004
【図３】
2009253115.tif 000005
【図４】
2009253115.tif 000006