(57)【要約】【課題】複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイにおいて、ムラがなく明るい高品位な映像を得ることができるＴＦＴアレイを提供する。【解決手段】電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、１つの表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つのＴＦＴを備える。【選択図】図１
2009088111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、
１つの前記表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つの前記ＴＦＴを備えることを特徴とするＴＦＴアレイ。
【請求項２】
２つの前記ＴＦＴの内、１つは、前記表示素子を駆動する駆動ＴＦＴであり、１つは、前記表示素子を選択し、選択した表示素子を駆動する前記駆動ＴＦＴに映像信号を印加する選択ＴＦＴであって、
前記選択ＴＦＴのキャリア移動度は、前記駆動ＴＦＴのキャリア移動度よりも高いことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項３】
前記ＴＦＴの半導体膜の材料は、有機材料であることを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項４】
前記選択ＴＦＴの前記有機材料と前記駆動ＴＦＴの前記有機材料は異なるものであって、
前記選択ＴＦＴの前記有機材料は、前記駆動ＴＦＴの前記有機材料よりも前記キャリア移動度の高い有機材料を用いることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項５】
成膜後の前記選択ＴＦＴの半導体膜と前記駆動ＴＦＴの半導体膜を、異なる条件で加熱または光照射することにより、前記選択ＴＦＴのキャリア移動度を前記駆動ＴＦＴのキャリア移動度より高くすることを特徴とする請求項３または４に記載のＴＦＴアレイ。
【請求項６】
前記表示素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＴＦＴアレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴアレイに関し、特に電流駆動される複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
バックライト等を必要としない自発光素子として、近年、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと記する）素子を備えた有機ＥＬ装置が注目されている。有機ＥＬ素子は、対向する一対の電極間に有機ＥＬ層、すなわち発光素子を備えて構成されたものである。対向する一対の電極間に電圧が印加されると、注入された電子と正孔とが発光素子内で再結合し、これより発光素子が発光する。このような有機ＥＬ装置に形成される発光素子は、通常１μｍを下回るほどの薄膜で形成される。また、有機ＥＬ装置は、発光素子そのものが発光するため、従来の液晶表示装置に用いられているようなバックライトも必要ない。したがって、有機ＥＬ装置は、その厚みを極めて薄型化することができるという利点を有する。さらに、有機ＥＬ装置は、発光素子そのものが発光することにより、優れた視野角特性や応答性を得ることができるという利点を有している。これらの利点により、有機ＥＬ装置は、次世代の表示装置として種々研究開発が行われ、最近では、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の表示装置として搭載され、実用化が始まっている。
【０００３】
一方、有機ＥＬ素子に代表される自発光素子は、電流駆動である為、複雑な駆動回路を必要とし、通常、１つの発光素子を駆動するのに少なくとも２つのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）が設けられている。そして、これらのＴＦＴを単位とした複数のＴＦＴからなるＴＦＴアレイを用いて、２次元状に配列された複数の発光素子を駆動する構成が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−１８９２５２号公報
【特許文献２】特開平１０−１６１５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のＴＦＴは、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）から形成されている。ｐ−ＳｉＴＦＴは、大きさに対してキャリア移動度が高い為、複数のＴＦＴを併設しても開口率（画素における発光領域の割合）への影響は小さい。しかしながら、ｐ−ＳｉＴＦＴは、キャリア移動度のバラツキ（個体差）が大きい為、発光素子の発光強度がばらつき、画面の明るさにムラが発生するという問題がある。
【０００５】
一方、特許文献２に記載のＴＦＴは、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）から形成されている。ａ−ＳｉＴＦＴは、キャリア移動度のバラツキが小さい為、発光素子の発光強度のバラツキが抑えられ、画面の明るさムラへの影響は小さい。しかしながら、ａ−ＳｉＴＦＴは、大きさに対してキャリア移動度が低い為、すなわち、キャリア移動度に対して大きさが大きい為、複数のＴＦＴを併設すると開口率が小さくなる。その結果、画面の明るさが低下するという問題がある。
【０００６】
また、近年、ａ−Ｓｉやｐ−ＳｉといったＳｉ系の無機材料に代わり、有機材料を用いた有機ＴＦＴが種々検討されている。有機材料は、無機材料に比べ、材料の選択肢が広く、また、有機ＴＦＴの製造工程においては、無機ＴＦＴで必要とされる真空プロセス、高温プロセスに代わり、印刷、塗布といった生産性に優れたプロセスが用いられる為、製造コストを抑えることができる。しかしながら、このような有機ＴＦＴにおいても、用いる材料により、前述のｐ−ＳｉＴＦＴやａ−ＳｉＴＦＴの場合と同様の問題がある。
【０００７】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたもので、複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイにおいて、表示装置の複雑化と高価格化を招くことなく、ムラがなく明るい高品位な映像を得ることができるＴＦＴアレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的は、下記の１乃至６いずれか１項に記載の発明によって達成される。
【０００９】
１．電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、
１つの前記表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つの前記ＴＦＴを備えることを特徴とするＴＦＴアレイ。
【００１０】
２．２つの前記ＴＦＴの内、１つは、前記表示素子を駆動する駆動ＴＦＴであり、１つは、前記表示素子を選択し、選択した表示素子を駆動する前記駆動ＴＦＴに映像信号を印加する選択ＴＦＴであって、
前記選択ＴＦＴのキャリア移動度は、前記駆動ＴＦＴのキャリア移動度よりも高いことを特徴とする前記１に記載のＴＦＴアレイ。
【００１１】
３．前記ＴＦＴの半導体膜の材料は、有機材料であることを特徴とする前記２に記載のＴＦＴアレイ。
【００１２】
４．前記選択ＴＦＴの前記有機材料と前記駆動ＴＦＴの前記有機材料は異なるものであって、
前記選択ＴＦＴの前記有機材料は、前記駆動ＴＦＴの前記有機材料よりも前記キャリア移動度の高い有機材料を用いることを特徴とする前記３に記載のＴＦＴアレイ。
【００１３】
５．成膜後の前記選択ＴＦＴの半導体膜と前記駆動ＴＦＴの半導体膜を、異なる条件で加熱または光照射することにより、前記選択ＴＦＴのキャリア移動度を前記駆動ＴＦＴのキャリア移動度より高くすることを特徴とする前記３または４に記載のＴＦＴアレイ。
【００１４】
６．前記表示素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする前記１乃至５のいずれか１項に記載のＴＦＴアレイ。
【発明の効果】
【００１５】
電流駆動による表示素子（発光素子）を駆動するには、通常、１つの表示素子に対して少なくとも２つのＴＦＴが用いられる。すなわち、表示素子を駆動する駆動ＴＦＴと表示素子を選択し、選択した表示素子を駆動する駆動ＴＦＴに映像信号を印加する選択ＴＦＴの２つのＴＦＴが用いられる。
【００１６】
駆動ＴＦＴは、画面の明るさのムラを抑える為に、駆動電流のバラツキの小さいＴＦＴが求められる。すなわち、駆動電流の大きさよりもバラツキを優先し、キャリア移動度の低いＴＦＴが好適である。
【００１７】
一方、選択ＴＦＴは、駆動ＴＦＴに映像信号を素早く、且つ精度よく印加する為に、電流の大きなＴＦＴが求められる。すなわち、駆動電流のバラツキよりも大きさを優先し、キャリア移動度の高いＴＦＴが好適である。また、キャリア移動度の高いＴＦＴを用いることにより、ＴＦＴの形状を小さくすることができるので、開口率を大きくすることができる。その結果、画面の明るさを高めることができる。
【００１８】
本発明によれば、電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、１つの表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つのＴＦＴを設ける構成とした。したがって、駆動ＴＦＴのキャリア移動度を低く、一方、選択ＴＦＴのキャリア移動度を高くすることができる。その結果、表示素子の駆動電流のバラツキを抑え、且つ開口率を大きくすることができるので、ムラがなく明るい高品位な映像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下図面に基づいて、本発明に係るＴＦＴアレイの実施の形態を説明する。尚、本発明を図示の実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。
【００２０】
最初に本発明に係るＴＦＴアレイの構成を図１を用いて説明する。図１は、ＴＦＴアレイ１の概略構成図である。
【００２１】
ＴＦＴアレイ１は、表示素子をそれぞれ備え、２次元マトリクス状に配列された複数の画素Ｐｘに対してそれぞれ２つのトランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒ１、Ｔｒ２を配置する構成としている。
【００２２】
図１に示すように、各画素Ｐｘには、映像信号に基づき画像を表示する画素Ｐｘを駆動するための図示しない行ドライバ、列ドライバがそれぞれ行選択線ＨＬ、列信号線ＶＬを介して接続されている。１つの行選択線ＨＬには、該当する行の画素Ｐｘがすべて接続され、１つの列信号線ＶＬには該当する列の画素Ｐｘがすべて接続されている。また、画素Ｐｘには、画素電極Ｅが設けられている。画素電極Ｅの上には、例えば有機ＥＬ層からなる後述の表示層ＥＦが形成され表示素子が構成されている。
【００２３】
ここで、ＴＦＴアレイ１で行われる表示動作の流れの概要を説明する。
【００２４】
最初に、行ドライバにより映像信号を設定すべき行を１つだけ選択する。行の選択は、選択する行の行選択線ＨＬを介して、該行選択線ＨＬに接続されている全ての画素ＰｘのトランジスタＴｒ１（選択ＴＦＴ）をオンさせることで行なわれる。次に映像信号を列ドライバから、列信号線ＶＬ、及びオンされたトランジスタＴｒ１を介してトランジスタＴｒ２（駆動ＴＦＴ）に伝達する。ここで、行ドライバにより行選択線ＨＬを介してトランジスタＴｒ１をオフさせると、トランジスタＴｒ２に伝達された映像信号は、トランジスタＴｒ２に設けられた図示しない電気容量（コンデンサ）に記憶される。トランジスタＴｒ２は記憶された映像信号に基づき、画素電極Ｅに構成される表示素子を駆動し表示させる。この一連の動作を全ての行について行なうことにより、１画面の表示がなされる。
【００２５】
次に、１つの画素Ｐｘに対応するＴＦＴアレイ１の等価回路、及び構造を図２、図３を用いて説明する。図２は、１つの画素Ｐｘに対応するＴＦＴアレイ１の等価回路の一例を示す図である。図３は、１つの画素Ｐｘに対応するＴＦＴアレイ１の概略構造を示す断面図である。但し、図３において配向膜、偏光板等の図示は省略した。
【００２６】
画素Ｐｘには、図２、図３に示すように、２つのトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２が設けられている。トランジスタＴｒ１のゲート電極Ｇ１が行選択線ＨＬに、ソース電極Ｓ１が列信号線ＶＬに接続されている。トランジスタＴｒ１のドレイン電極Ｄ１は、図３に示すように、コンタクトホールＨを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に接続されている。トランジスタＴｒ２のソース電極Ｓ２は電源線ＶｃＬに接続され、ドレイン電極Ｄ２は、表示層ＥＦの電極、すなわち画素電極Ｅに接続されている。尚、トランジスタＴｒ２のソース電極Ｓ２とゲート電極Ｇ２の間には図示しない電気容量（コンデンサ）が形成されている。表示層ＥＦは、例えば有機ＥＬ層からなっている。画素電極Ｅと対向して対向電極Ｆが設けられている。トランジスタＴｒ２の電気容量に蓄積された電圧に依存してトランジスタＴｒ２のソース電極Ｓ２、ドレイン電極Ｄ２間に電流が流れ、この電流が画素電極Ｅから表示層ＥＦを通して対向電極Ｆに流れることで、表示層ＥＦの状態が変化し発光する。対向電極Ｆは、行選択線ＨＬ、列信号線ＶＬ、電源線ＶｃＬとは異なる基板に配置されており、全ての画素Ｐｘで共通となっている。
【００２７】
次に、このような構成のＴＦＴアレイ１の製造工程を図４に示す。図４（ａ）乃至図４（ｇ）は、図１におけるＡ−Ａ′断面を示し、ＴＦＴアレイ１の製造工程の一例を示す模式図である。
【００２８】
最初に、基板Ｐに第１電極層ＧＦを形成し（図４（ａ））、所定の形状にパターニングしゲート電極Ｇ１、Ｇ２、及び図示しない行選択線ＨＬを形成する（図４（ｂ））。次に絶縁膜ＩＦを形成し（図４（ｃ））、コンタクトホールＨを設けるためのパターニングを行なう（図４（ｄ））。次に、第２電極層ＳＤＦを形成した後、所定の形状にパターニングしソース電極Ｓ１、Ｓ２、ドレイン電極Ｄ１、Ｄ２、画素電極Ｅ、及び図示しない列信号線ＶＬ、電源線ＶｃＬを形成する（図４（ｅ）、（ｆ））。このとき、ドレイン電極Ｄ１とゲート電極Ｇ２は、コンタクトホールＨを介して接続される。最後に半導体膜ＳＦ１、ＳＦ２を所定位置に形成し（図４（ｇ））、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２等からなるＴＦＴアレイ１が完成する。なお図示しないが、必要に応じて半導体膜ＳＦ１、ＳＦ２を外部雰囲気から遮断するための保護膜ＰＦを形成する。
【００２９】
基板Ｐの材料としては、ガラス、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）などを用いる。
【００３０】
第１電極層ＧＦは、蒸着、スパッタ技術などを用いて形成される。材料としては、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌやこれらの合金など、通常有機ＴＦＴに用いられる電極材料であればいずれでもよい。また、パターニング方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いる。
【００３１】
絶縁膜ＩＦは、スピンコート法、ＣＶＤ法、スパッタ法などを用いて形成される。材料としては、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘなどの無機絶縁材料やポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂などの有機絶縁材料など、通常有機ＴＦＴに用いられる絶縁材料であればいずれでもよい。また、パターニング方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いる。
、第２電極層ＳＤＦは、蒸着、スパッタ技術などを用いて形成される。材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの無機導電材料やＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの有機導電材料など、通常有機ＴＦＴに用いられる電極材料であればいずれでもよい。また、パターニング方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いる。
【００３２】
半導体膜ＳＦ１、ＳＦ２は、インクジェット法やディスペンサ法による液滴塗布法を用いて形成される。材料としては、ペンタセン、ＴＩＰＳペンタセン、ポリチオフェン、テトラベンゾポルフィリンなどの有機材料を溶媒に溶解したものを用いる。液滴塗布後、乾燥させて得た膜をそのまま半導体膜としたり、あるいは、加熱処理などを行なったりして半導体膜を得る。
【００３３】
尚、画素電極Ｅの上に積層する表示素子は、有機ＥＬ、エレクトロクロミック、エレクトロデポジションなどの電流駆動の表示素子であればいずれでもよい。
【００３４】
このような構成のＴＦＴアレイ１において、本発明は、表示素子の駆動電流のバラツキや開口率（画素Ｐｘにおける発光領域の割合）の低下による発生する明るさのムラや明るさの低下を抑える為に、トランジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ２のキャリア移動度を異ならせるものである。以下にその詳細を説明する。
【００３５】
表示素子に流れる電流は、電源線ＶｃＬからトランジスタＴｒ２を介して供給される。トランジスタＴｒ２は、表示素子に流れる電流を所望の大きさに制御する。トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧（映像信号）に応じて、トランジスタＴｒ２の半導体膜ＳＦ２の抵抗値が変化し、流れる電流が変化する。
【００３６】
ここで、画素Ｐｘ毎に、トランジスタＴｒ２のキャリア移動度がばらついている場合、ゲート電極Ｇ２に同じ電圧が印加されているにもかかわらず、各表示素子に流れる電流がばらつき、明るさにムラが発生する。この為、トランジスタＴｒ２のキャリア移動度を低くすることが肝要である。
【００３７】
一方、トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に印加される電圧（映像信号）は、列信号施ＶＬからトランジスタＴｒ１を介して入力される。トランジスタＴｒ１のゲート電極Ｇ１に行選択線ＨＬからの走査パルスが入ると、トランジスタＴｒ１の半導体膜ＳＦ１の抵抗値が低くなり、映像信号（トランジスタＴｒ２のゲート電圧）が画素Ｐｘに入力される。画素Ｐｘに入力された映像信号は、トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２と電源線ＶｃＬからなる電気容量（コンデンサ）に蓄積される。この映像信号は、次回の走査パルスが入るまで保持される。
【００３８】
ここで、トランジスタＴｒ１のキャリア移動度が低い場合、トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２と電源線ＶｃＬからなる電気容量（コンデンサ）を瞬時に映像信号に応じた電圧まで充電することができなくなる。その結果、トランジスタＴｒ２のゲート電極Ｇ２に適切な電圧が印加されず、映像の再現性が低下する。そこで、トランジスタＴｒ１の形状を大きくして電流を増やすことにより、電気容量（コンデンサ）を瞬時に所定の電圧まで充電することができるが、この場合は、トランジスタＴｒ１の形状が大きくなることにより、開口率が低下し、明るさが低下する。このため、トランジスタＴｒ１のキャリア移動度を高くすることが肝要である。
【００３９】
そこで、本発明は、トランジスタＴｒ２（駆動ＴＦＴ）のキャリア移動度を低く、一方、トランジスタＴｒ１（選択ＴＦＴ）のキャリア移動度を高くすることにより、ムラがなく明るい高品位な映像を再現できるようにするものである。尚、それぞれのトランジスタのキャリア移動度は、（実施例）にて後述するように、トランジスタの半導体膜に用いる材料や成膜後の半導体膜に異なる条件で加熱または光照射などの処理を施すことにより適正化する。
（実施例１）
有機ＥＬ素子を駆動する有機ＴＦＴアレイを下記（表１）に示す設定で作成した。
【００４０】
【表１】
2009088111.tif 000003
【００４１】
本実施例は、トランジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ２の半導体膜の材料に異なる有機材料を用いることにより、トランジスタＴｒ２（駆動ＴＦＴ）のキャリア移動度を低く、一方、トランジスタＴｒ１（選択ＴＦＴ）のキャリア移動度を高くするものである。
【００４２】
実施例１は、トランジスタＴｒ１の半導体膜の材料に、キャリア移動度の高いＴＩＰＳペンタセンを用いた。一方、トランジスタＴｒ２の半導体膜の材料には、キャリア移動度が低くバラツキの小さいテトラベンゾポルフィリンを用いた。
【００４３】
比較例Ａは、トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２の半導体膜の材料に、いずれもキャリア移動度が低くバラツキの小さいテトラベンゾポルフィリンを用いた。
【００４４】
比較例Ｂは、トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２の半導体膜の材料に、いずれもキャリア移動度の高いＴＩＰＳペンタセンを用いた。尚、実施例１、比較例Ａ、比較例Ｂのいずれの場合も、半導体膜は、インクジェット法による液滴塗布法を用いて成膜した。
【００４５】
また、実施例１、比較例Ａ、比較例ＢのトランジスタＴｒ１は、ゲート電圧に対するソース−ドレイン電流特性が等しくなるように、それぞれの半導体膜のキャリア移動度に応じて、（表１）に示すように、その大きさ（チャンネル幅Ｗ１）を設定した。同様にして、実施例１、比較例Ａ、比較例ＢにおけるトランジスタＴｒ２の大きさ（チャンネル幅Ｗ１）を設定した。
【００４６】
このようにして製作した、実施例１、比較例Ａ、比較例Ｂによる有機ＴＦＴアレイの構成を、それぞれ図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）に示す。
【００４７】
（表１）、及び図５に示すように、比較例Ｂの場合は、開口率が高く明るい映像を得ることができるが、明るさムラが非常に大きく映像品質を大きく損なう。また、比較例Ａの場合は、明るさムラは小さいが、開口率が低く明るい映像を得ることができない。一方、実施例１の場合は、明るさムラが小さく、且つ開口率が高い。したがって、ムラがなく明るい高品位な映像を得られることが確認できる。
（実施例２）
有機ＥＬ素子を駆動する有機ＴＦＴアレイを下記（表２）に示す設定で作成した。
【００４８】
【表２】
2009088111.tif 000004
【００４９】
本実施例は、成膜後のトランジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ２の半導体膜を異なる条件で加熱することにより、トランジスタＴｒ２（駆動ＴＦＴ）のキャリア移動度を低く、一方、トランジスタＴｒ１（選択ＴＦＴ）のキャリア移動度を高くするものである。
【００５０】
実施例２、比較例ＡのトランジスタＴｒ１及びトランジスタＴｒ２の半導体膜の材料は、いずれもテトラベンゾポルフィリンを用いた。また、半導体膜は、インクジェット法による液滴塗布法を用いて成膜した。
【００５１】
最初に、実施例２の場合の加熱処理を説明する。先ず、トランジスタＴｒ２にテトラベンゾポルフィリンを塗布し、１８０°Ｃで１０分間加熱した。その後、トランジスタＴｒ１にテトラベンゾポルフィリンを塗布し、２２０°Ｃで１０分間加熱した。
【００５２】
次に、比較例Ａの場合の加熱処理を説明する。先ず、トランジスタＴｒ２にテトラベンゾポルフィリンを塗布し、１８０°Ｃで１０分間加熱した。その後、トランジスタＴｒ１にテトラベンゾポルフィリンを塗布し、１８０°Ｃで１０分間加熱した。
【００５３】
ここで、半導体材料の加熱温度とキャリア移動度の関係を説明する。半導体材料を低温（１８０℃）で結晶化させた場合と、高温（２２０℃）で結晶化させた場合の、半導体膜のキャリア移動度およびそのバラツキを比較すると、低温の場合は、キャリア移動度が低くバラツキが小さい。高温の場合は、キャリア移動度が高くバラツキが大きい。また、半導体膜の特性は、結晶化するときの温度が大きく影響する。すなわち、低温で結晶化させた後、高温で加熱した場合、若干の特性変化は見られるが、初期に結晶化した時の特性が支配的である。
【００５４】
実施例２のトランジスタＴｒ２は、最初に１８０℃の低温で結晶化された後、成膜後のトランジスタＴｒ１を加熱する際に、２２０℃の高温で再度加熱されることになる。しかしながら、半導体膜の特性は、初期に結晶化した時の特性が支配的であることより、（表２）に示すように、トランジスタＴｒ１の場合よりもキャリア移動度が低くバラツキが小さくなる。
【００５５】
尚、実施例２、比較例ＡのトランジスタＴｒ１は、ゲート電圧に対するソース−ドレイン電流特性が等しくなるように、それぞれの半導体膜のキャリア移動度に応じて、（表２）に示すように、その大きさ（チャンネル幅Ｗ１）を設定した。
【００５６】
このようにして製作した実施例１による有機ＴＦＴアレイは、（表２）に示すように、比較例Ａの場合よりも、開口率が高く、明るい高品位な映像を得られることが確認できる。すなわち、加熱条件を適正化するのみで、開口率を大きく高められることが確認できる。尚、成膜後の熱処理は、光照射による加熱を用いても同様の効果が得られる。
【００５７】
以上、本発明を実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は前述の実施の形態に限定して解釈されるべきでなく、適宜変更、改良が可能であることは勿論である。例えば、前述の実施の形態においては、１つの画素Ｐｘに対して、トランジスタＴｒ１（選択ＴＦＴ）とトランジスタＴｒ２（駆動ＴＦＴ）の２つのＴＦＴを配置する構成としたが、それ以外に、電流増幅などの為に複数のＴＦＴを設けてもよい。また、ＴＦＴの半導体膜ＳＦの材料には、有機材料を用いたが、無機材料を用いてもよい。それぞれのＴＦＴに求められる特性に応じて、無機材料を選択することにより同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施形態に係るＴＦＴアレイの概略構成図である。
【図２】ＴＦＴアレイの１画素分の等価回路を示す図である。
【図３】ＴＦＴアレイの１画素分の構造を示す断面図である。
【図４】ＴＦＴアレイの製造工程を示す図である。
【図５】実施例、及び比較例によるＴＦＴアレイの概略構成図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  ＴＦＴアレイ
Ｄ  ドレイン電極
Ｅ  画素電極
ＥＦ  表示層
Ｆ  対向電極
Ｇ  ゲート電極
ＧＦ  第１電極層
Ｈ  コンタクトホール
ＨＬ  行選択線
ＩＦ  絶縁膜
Ｌ  チャンネル長
Ｐ  基板
ＰＦ  保護膜
Ｐｘ  画素
Ｓ  ソース電極
ＳＦ  半導体膜（半導体層）
ＳＤＦ  第２電極層
Ｔｒ  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
ＶｃＬ  電源線
ＶＬ  列信号線
Ｗ  チャンネル幅
【図１】
2009088111.tif 000005
【図２】
2009088111.tif 000006
【図３】
2009088111.tif 000007
【図４】
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【図５】
2009088111.tif 000009