(57)【要約】【課題】、回路基板が配置されたリードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制する。【解決手段】リードフレーム１３の対向辺１８、１９を、屈曲する直線を含んだ形状とする。これにより、対向辺１８、１９がリードフレーム１３の第１縁１８Ａから第２縁に一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレーム１３の歪みによって回路基板１２に加わる入力点を分散できると共に応力の値そのものも低減できるため、回路基板１２の断線、割れをより効果的に抑制することができる。【選択図】図３
2009253153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路素子が配置された回路基板と、
前記回路基板が配置され、前記回路基板とは異なる材質で構成された金属製のリードフレームと、
前記回路基板を封止する樹脂と、
を備え、
前記リードフレームは、該リードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に向かって延びる間隙より複数に分割され、
前記リードフレームの分割された各部位に前記間隙に沿って形成されると共に互いに対向する対向辺が、少なくとも一部に曲線又は屈曲する直線を含んだ形状に形成された樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
一方の対向辺が、該対向辺が対向する他方の対向辺側へ部分的に出っ張る凸状、又は該他方の対向辺とは反対側へ部分的に凹む凹状に形成された請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】
一方の対向辺が、該対向辺が対向する他方の対向辺側へ部分的に出っ張ると共に該他方の対向辺とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成された請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項４】
前記対向辺は、その中間部分が屈曲する屈曲部を備えた請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【請求項５】
前記対向辺は、その中間部分が湾曲する湾曲部を備えた請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂封止型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームに配置された回路基板を樹脂で封止して形成される樹脂封止型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止型半導体装置としては、特許文献１に開示される電子装置が公知である。特許文献１では、セラミックよりなる回路基板としての第１の配線基板３０を、金属よりなるリードフレームとしてのアイランド４０の一面上に搭載し接合してなる電子装置１００において、アイランド４０は、平面的に分割された複数個の分割部４０ａ〜４０ｄにより構成されており、第１の配線基板３０は、複数個の分割部４０ａ〜４０ｄに渡って搭載され接合されている。
【０００３】
この構成によれば、回路基板とアイランドとの材質の相違から発生する歪みの差による回路基板の割れを防止できる。
【特許文献１】特開２００７−２３４９２０号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、分割されたリードフレーム上に回路基板を接着して搭載した場合、分割されたリードフレームが熱応力により独立して動き、回路基板に予想外の応力が加わり、基板上配線の断線、基板割れ等の不具合の原因となる場合がある。
【０００５】
本発明は、上記事実を考慮して、回路基板が配置されたリードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１記載の発明に係る樹脂封止型半導体装置は、複数の回路素子が配置された回路基板と、前記回路基板が配置され、前記回路基板とは異なる材質で構成された金属製のリードフレームと、前記回路基板を封止する樹脂と、を備え、前記リードフレームは、該リードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に向かって延びる間隙より複数に分割され、前記リードフレームの分割された各部位に前記間隙に沿って形成されると共に互いに対向する対向辺が、少なくとも一部に曲線又は屈曲する直線を含んだ形状に形成されている。
【０００７】
この構成によれば、対向辺が少なくとも一部に曲線又は屈曲する直線を含んだ形状に形成されているので、対向辺がリードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレームの歪みによって基板に加わる入力点を分散できる。これにより、リードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制することができる。
【０００８】
請求項２記載の発明に係る樹脂封止型半導体装置は、請求項１の構成において、一方の対向辺が、該対向辺が対向する他方の対向辺側へ部分的に出っ張る凸状、又は該他方の対向辺とは反対側へ部分的に凹む凹状に形成されている。
【０００９】
この構成によれば、対向辺が凸状又は凹状に形成されているので、対向辺がリードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレームの歪みによって基板に加わる入力点を分散できる。これにより、リードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制することができる。
【００１０】
本発明の請求項３に係る樹脂封止型半導体装置は、請求項１又は請求項２の構成において、一方の対向辺が、該対向辺が対向する他方の対向辺側へ部分的に出っ張ると共に該他方の対向辺とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されている。
【００１１】
この構成によれば、対向辺が凹凸状に形成されているので、対向辺がリードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレームの歪みによって基板に加わる入力点をより効果的に分散できる。これにより、リードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制することができる。
【００１２】
本発明の請求項４に係る樹脂封止型半導体装置は、請求項１〜３のいずれか１項の構成において、前記対向辺は、その中間部分が屈曲する屈曲部を備えている。
【００１３】
この構成によれば、対向辺は、その中間部分が屈曲する屈曲部を備えているので、対向辺がリードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレームの歪みによって基板に加わる入力点を分散できる。これにより、リードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明の請求項５に係る樹脂封止型半導体装置は、請求項１〜４のいずれか１項の構成において、前記対向辺は、その中間部分が湾曲する湾曲部を備えている。
【００１５】
この構成によれば、対向辺は、その中間部分が湾曲する湾曲部を備えているので、対向辺がリードフレームの一方の縁から該縁に対向する縁に一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレームの歪みによって基板に加わる入力点をより効果的に分散できる。これにより、リードフレームの歪みによる回路基板の割れ等をより効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る実施形態の一例を図面に基づき説明する。
（本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成）
まず、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略図であり、（Ａ）は左側面図（Ｂ）は正面図（Ｃ）は右側面図である。図２は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略斜視図である。
【００１７】
本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１０は、例えば、自動車に搭載されたモータを駆動するための制御装置であって、このモータに一体的に取り付けられるものである。
この樹脂封止型半導体装置１０は、図１及び図２に示すように、回路素子１６が配置された回路基板１２と、回路基板１２が配置されるリードフレーム１３とを備えている。
【００１８】
リードフレーム１３は、例えば、銅合金等の金属製の板が機械加工されることにより形成されている。
リードフレーム１３は、回路基板１２が載置される本体部１５と、外部との接続の為に使用される外部端子としての複数のリード端子２２と、を備えて構成されている。
【００１９】
回路基板１２は、少なくとも回路基板１２とは異なる材質で構成されており、例えば、樹脂材料で形成されている。また、回路基板１２は、リードフレーム１３よりも強度が低く、また、全体の面積がリードフレーム１３の全体の面積より小さくされている。
【００２０】
回路基板１２は、リードフレーム１３の本体部１５の分割された後述の各部位１３Ａ、１３Ｂに跨って配置され、本体部１５に半田付け又は導電性接着剤によって固定されている。
【００２１】
回路基板１２には、その一部がくりぬかれた開口部２９が形成され、この開口部２９の内側には、半田付け又は導電性接着剤によってリードフレーム１３の本体部１５に接続、固定される半導体素子としてのＦＥＴ素子１４（電界効果トランジスタ：ＦＩＥＬＤ  ＥＦＦＥＣＴ  ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ）が複数配置されている。
なお、ＦＥＴ素子１４は、リードフレーム１３の本体部１５の分割された後述の各部位１３Ａ、１３Ｂにそれぞれ配置されている。
【００２２】
回路素子１６は、ＦＥＴ素子１４を駆動する制御回路素子を含んで構成されており、この回路素子１６と結線用のボンディングワイヤ１７を電気的に接続するための複数個の導電部２３が回路基板１２に設けられている。導電部２３の一部は、回路基板１２の開口部２９の周囲に配置されている。
【００２３】
ＦＥＴ素子１４と回路基板２２の導電部２３とは、アルミニウム又は金を用いた細線状のボンディングワイヤ１７により電気的に接続されている。
リード端子２２も、同様に、ボンディングワイヤ１７により導電部２３やＦＥＴ素子１４等と電気的に接続されている。
【００２４】
そして、ＦＥＴ素子１４や回路素子１６、回路基板１２及びリードフレーム１３は、その全体がモールド成形されることによってモールド樹脂２４により封止されている。なお、リード端子２２は、モールド樹脂２４の外部に突出されて外部の装置と接続可能となっている。
【００２５】
（リードフレーム１３の構成）
次に、リードフレーム１３の構成について説明する。図３は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略背面図である。図４は、本実施形態に係るリードフレームの構成を示した概略斜視図である。
【００２６】
リードフレーム１３の本体部１５は、図３及び図４に示すように、全体として略四角形状に形成され、リードフレーム１３の本体部１５の一方の第１縁１８Ａから対向する第２縁１８Ｂに向かって延びる間隙２６により複数に分割されている。
【００２７】
リードフレーム１３の分割された各部位１３Ａ、１３Ｂに間隙２６に沿って形成されると共に互いに対向する対向辺１８、１９は、非直線状に形成されている。
【００２８】
なお、ここでいう非直線状とは、リードフレーム１３の一方の第１縁１８Ａからその第１縁１８Ａに対向する第２縁１８Ｂに一直線に延びる直線以外の形状をいい、対向辺１８、１９が部分的に直線状になっている場合も含まれる。すなわち、少なくとも一部に、曲線又は、屈曲する直線を含んだ形状であればよい。
【００２９】
本実施形態では、図３及び図４に示すように、対向辺１８は、対向辺１８が対向する対向辺１９側へ部分的に出っ張ると共に対向辺１９とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されており、対向辺１８の中間部分で屈曲する複数の屈曲部２８を有している。
【００３０】
具体的には、対向辺１８は、第１縁１８Ａの中央部から第２縁１８Ｂに向けて直線状に延びる第１辺部３１と、第１辺部３１から第１縁１８Ａに沿って直線状に延びる第２辺部３２と、第２辺部３２から第２縁１８Ｂに向けて直線状に延びる第３辺部３３と、第３辺部３３から第１縁１８Ａに沿って第２辺部３２とは反対方向へ直線状に延びる第４辺部３４と、第４辺部３４から第２縁１８Ｂに向けて直線状に延びる第５辺部３５と、第５辺部３５から第１縁１８Ａに沿って第４辺部３４とは反対方向へ直線状に延びる第６辺部３６と、第６辺部３６から第２縁１８Ｂの中央部に直線状に延びる第７辺部３７と、を備えて構成されている。
【００３１】
より詳細には、第１辺部３１は第１縁１８Ａに対して直角に延びており、第２辺部３２は第１辺部３１に対して直角に延びており、第３辺部３３は第２辺部３２に対して直角に延びており、第４辺部３４は第３辺部３３に対して直角に延びており、第５辺部３５は第４辺部３４に対して直角に延びており、第６辺部３６は第５辺部３５に対して直角に延びており、第７辺部３７は第６辺部３６に対して直角に延びており、第２辺部３２と第１辺部３１との連結部、第３辺部３３と第２辺部３２との連結部、第４辺部３４と第３辺部３３との連結部、第５辺部３５と第４辺部３４との連結部、第６辺部３６と第５辺部３５との連結部及び第７辺部３７と第６辺部３６との連結部は、直角に屈曲する屈曲部２８となっている。また、第１縁１８Ａ、第２縁１８Ｂ、第２辺部３２、第４辺部３４及び第６辺部３６が平行に配置され、第１辺部３１、第３辺部３３、第５辺部３５及び第７辺部３７が平行に配置されている。
【００３２】
対向辺１９も、対向辺１８と同様に、対向辺１９が対向する対向辺１８側へ部分的に出っ張ると共に対向辺１８とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されている。
【００３３】
具体的には、対向辺１９は、対向辺１８と同様に、第１辺部４１、第２辺部４２、第３辺部４３、第４辺部４４、第５辺部４５、第６辺部４６及び第７辺部４７を有している。第１辺部４１、第２辺部４２、第３辺部４３、第４辺部４４、第５辺部４５、第６辺部４６及び第７辺部４７のそれぞれが、対向辺１８の第１辺部３１、第２辺部３２、第３辺部３３、第４辺部３４、第５辺部３５、第６辺部３６及び第７辺部３７と同様に構成されると共に、対向辺１８の第１辺部３１、第２辺部３２、第３辺部３３、第４辺部３４、第５辺部３５、第６辺部３６及び第７辺部３７に沿って平行に配置されている。
【００３４】
また、第２辺部４２と第１辺部４１との連結部は、第３辺部４３と第２辺部４２との連結部、第４辺部４４と第３辺部４３との連結部、第５辺部４５と第４辺部４４との連結部、第６辺部４６と第５辺部４５との連結部及び第７辺部４７と第６辺部４６との連結部は、直角に屈曲する屈曲部３８となっている。
【００３５】
（本実施形態の作用）
次に、実施形態の作用を説明する。
本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置１０では、分割された金属製のリードフレーム１３が、製造時や使用環境下において熱が加えられたときに、熱応力により独立して動き、回路基板１２に応力が加わる。リードフレーム１３は、回路基板１２よりも面積が大きく、その歪み度合いも大きくなる。このとき、リードフレーム１３の強度に対して回路基板１２の強度が低いために回路基板１２に割れが発生する可能性がある。
【００３６】
これに対して、本実施形態では、リードフレーム１３の対向辺１８、１９は、屈曲する直線を含んだ形状とされているので、対向辺１８、１９がリードフレーム１３の第１縁１８Ａから第２縁１８Ｂに一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレーム１３の歪みによって回路基板１２に加わる入力点を分散できると共に、応力の値そのものも低減できるため、回路基板１２の断線、割れをより効果的に抑制することができる。
【００３７】
また、リードフレーム１３の形状を変更するのみであるため、加工費は基本的に変わらず、コストアップすることなく信頼性が高くなる。
【００３８】
なお、上記の樹脂封止型半導体装置１０において、回路基板１２は、開口部２９が形成されていない構成であってもよい。また、ＦＥＴ素子１４は、リードフレーム１３ではなく、回路基板１２に配置されていても良い。
【００３９】
（第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成）
次に、第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成について説明する。
図５は、第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略背面図である。図６は、第１変形例に係るリードフレームの構成を示した概略斜視図である。
【００４０】
第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置５０は、上記の樹脂封止型半導体装置１０におけるリードフレーム１３の本体部１５の形状を替えたものであり、他の構成については樹脂封止型半導体装置１０と同様である。なお、上記の樹脂封止型半導体装置１０と同一の部分には、図中に同一の符号を付している。
【００４１】
第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置５０では、リードフレーム５３の本体部５５が、図５及び図６に示すように、全体として略四角形状に形成され、リードフレーム５３の本体部５５の一方の第１縁５８Ａから対向する第２縁５８Ｂに向かって延びる間隙５６により複数に分割されている。
【００４２】
リードフレーム５３の分割された各部位５３Ａ、５３Ｂに間隙５６に沿って形成されると共に互いに対向する対向辺５８、５９は、樹脂封止型半導体装置１０に係る対向辺１８、１９と同様に、非直線状に形成されている。
【００４３】
対向辺５８は、対向辺１８と同様に、対向辺５８が対向する対向辺５９側へ部分的に出っ張ると共に対向辺５９とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されている。
【００４４】
具体的には、対向辺５８は、第１縁５８Ａの中央部から第２縁５８Ｂに向けて直線状に延びる第１辺部６１と、第１辺部６１から円弧状に湾曲する第１湾曲部６２と、第１湾曲部６２から円弧状に湾曲する第２湾曲部６３と、第２湾曲部６３から第２縁５８Ｂに向けて直線状に延びる第２辺部６４と、を備えて構成されている。
【００４５】
第１湾曲部６２は、対向辺５９側へ出っ張る凸状に形成されており、第２湾曲部６３は対向辺５９とは反対側へ凹む凹状に形成されている。また、第１湾曲部６２及び第２湾曲部６３でＳ字状をなしている。第１辺部６１と第１湾曲部６２との連結部及び第２湾曲部６３と第２辺部６４との連結部は、直角に屈曲する屈曲部６８となっている。
【００４６】
対向辺５９も、対向辺５８と同様に、対向辺５９が対向する対向辺５８側へ部分的に出っ張ると共に対向辺５８とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されている。
【００４７】
具体的には、対向辺５９は、第１縁５８Ａの中央部から第２縁５８Ｂに向けて直線状に延びる第１辺部７１と、第１辺部７１から円弧状に湾曲する第１湾曲部７２と、第１湾曲部７２から円弧状に湾曲する第２湾曲部７３と、第２湾曲部７３から第２縁５８Ｂに向けて直線状に延びる第２辺部７４と、を備えて構成されている。
【００４８】
第１湾曲部７２は、対向辺５９とは反対側へ凹む凹状に形成されており、第２湾曲部７３は、対向辺５８側へ出っ張る凸状に形成されている。また、第１湾曲部７２及び第２湾曲部７３でＳ字状をなしている。第１辺部７１と第１湾曲部７２との連結部及び第２湾曲部７３と第２辺部７４との連結部は、直角に屈曲する屈曲部７８となっている。
【００４９】
この第１変形例の構成では、リードフレーム５３の対向辺５８、５９は、曲線を含んだ形状とされているので、第１湾曲部６２、第２湾曲部６３、第１湾曲部７２及び第２湾曲部７３の部分で、リードフレーム５３の歪みによって回路基板１２に加わる入力点をより効果的に分散できると共に応力の値そのものも低減できるため、回路基板１２の断線、割れをより効果的に抑制することができる。
【００５０】
（第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成）
次に、第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成について説明する。
図７は、第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略背面図である。
【００５１】
第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置８０は、上記の樹脂封止型半導体装置１０におけるリードフレーム１３の本体部１５の形状を替えたものであり、他の構成については樹脂封止型半導体装置１０と同様である。なお、上記の樹脂封止型半導体装置１０と同一の部分には、図中に同一の符号を付している。
【００５２】
第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置８０では、リードフレーム８３の本体部８５が、図７に示すように、全体として略四角形状に形成され、リードフレーム８３の本体部８５の一方の第１縁８８Ａから対向する第２縁８８Ｂに向かって延びる間隙８６により複数に分割されている。
【００５３】
リードフレーム８３の分割された各部位８３Ａ、８３Ｂに間隙８６に沿って形成されると共に互いに対向する対向辺８８、８９は、樹脂封止型半導体装置１０に係る対向辺１８、１９と同様に、非直線状に形成されている。
【００５４】
対向辺８８は、対向辺１８と同様に、対向辺８８が対向する対向辺８９側へ部分的に出っ張ると共に対向辺８９とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されている。
【００５５】
具体的には、対向辺８８は、略ジグザグ形状とされており、第１縁８８Ａの中央部から第２縁８８Ｂに向けて直線状に延びる第１辺部９１と、第１辺部９１に対して鈍角となる斜め方向に第１辺部９１から直線状に延びる第２辺部９２と、第２辺部９２に対して略直角となる斜め方向に第２辺部９２から第２縁１８Ｂに向けて直線状に延びる第３辺部９３と、第３辺部９３に対して略直角となる斜め方向に第３辺部９３から第２縁１８Ｂに向けて直線状に延びる第４辺部９４と、第４辺部９４に対して鈍角となる斜め方向に第４辺部９４から第２縁５８Ｂに向けて直線状に延びる第５辺部９５と、を備えて構成されている。
【００５６】
第１辺部９１は第１縁８８Ａに対して直角方向へ延び、第５辺部９５は第２縁８８Ｂに対して直角方向へ延びている。
第２辺部９２と第１辺部９１との連結部、第３辺部９３と第２辺部９２との連結部、第４辺部９４と第３辺部９３との連結部、第５辺部９５と第４辺部９４との連結部は、屈曲する屈曲部９８となっている。
【００５７】
対向辺８９も、対向辺８８と同様に、対向辺８９が対向する対向辺８８側へ部分的に出っ張ると共に対向辺８８とは反対側へ部分的に凹む凹凸状に形成されている。
【００５８】
具体的には、対向辺８９は、対向辺８８と同様に、略ジグザグ形状とされており、第１辺部１０１、第２辺部１０２、第３辺部１０３、第４辺部１０４及び第５辺部１０５を有している。第１辺部１０１、第２辺部１０２、第３辺部１０３、第４辺部１０４及び第５辺部１０５のそれぞれが、対向辺８８の第１辺部９１、第２辺部９２、第３辺部９３、第４辺部９４及び第５辺部９５と同様に構成されると共に、対向辺８８の第１辺部９１、第２辺部９２、第３辺部９３、第４辺部９４及び第５辺部９５に沿って平行に配置されている。
【００５９】
また、第２辺部１０２と第１辺部１０１との連結部は、第３辺部１０３と第２辺部１０２との連結部、第４辺部１０４と第３辺部１０３との連結部及び第５辺部１０５と第４辺部１０４との連結部は、屈曲する屈曲部１０８となっている。
【００６０】
この第２変形例の構成では、リードフレーム５３の対向辺８８、８９は、リードフレーム８３の対向辺８８、８９は、屈曲する直線を含んだ形状とされているので、対向辺８８、８９がリードフレーム８３の第１縁８８Ａから第２縁８８Ｂに一直線に延びる直線である構成に比して、リードフレーム８３の歪みによって回路基板１２に加わる入力点を分散できると共に、応力の値そのものも低減できるため、回路基板１２の断線、割れをより効果的に抑制することができる。
【００６１】
なお、上記実施形態、第１変形例及び第２変形例では、対向辺１８、対向辺１９、対向辺５８、対向辺５９、対向辺８８及び対向辺８９は、凹凸状に形成されていたが、対向辺１８、対向辺１９、対向辺５８、対向辺５９、対向辺８８及び対向辺８９は、図８、図９及び図１０に示すように、少なくとも、対向辺１９、対向辺１８、対向辺５９、対向辺５８対向辺８９及び対向辺８８側へ部分的に出っ張る凸状、又は対向辺１９、対向辺１８、対向辺５９、対向辺５８、対向辺８９及び対向辺８８とは反対側へ部分的に凹む凹状に形成されていればよい。
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】図１は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略図であり、（Ａ）は左側面図（Ｂ）は正面図（Ｃ）は右側面図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略背面図である。
【図４】図４は、本実施形態に係るリードフレームの構成を示す概略斜視図である。
【図５】図５は、第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略背面図である。
【図６】図６は、第１変形例に係るリードフレームの構成を示す概略斜視図である。
【図７】図７は、第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置の構成を示す概略背面図である。
【図８】図８は、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置において、リードフレームの対向辺の形状を変形した構成を示す概略背面図である。
【図９】図９は、第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置において、リードフレームの対向辺の形状を変形した構成を示す概略背面図である。
【図１０】図１０は、第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置において、リードフレームの対向辺の形状を変形した構成を示す概略背面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０，５０，８０・・・樹脂封止型半導体装置、１２・・・回路基板、１３，５３，８３・・・リードフレーム、１６・・・回路素子、１８，１９，５８，５９，８８，８９・・・対向辺、２４・・・モールド樹脂、２８，３８，６８，７８，９８，１０８・・・屈曲部、６２，７２・・・第１湾曲部、６３，７３・・・第２湾曲部
【図１】
2009253153.tif 000003
【図２】
2009253153.tif 000004
【図３】
2009253153.tif 000005
【図４】
2009253153.tif 000006
【図５】
2009253153.tif 000007
【図６】
2009253153.tif 000008
【図７】
2009253153.tif 000009
【図８】
2009253153.tif 000010
【図９】
2009253153.tif 000011
【図１０】
2009253153.tif 000012