(57)【要約】 【課題】  ＳＩＰ（シングルインラインパッケージ）構造等の回路基板において、耐震性の向上、並びに小型化を図る。【解決手段】  ＳＩＰ型の単位回路基板（１０）を、１個または複数個の導電性物質（５）にて、回路の機能を有するように電気的接続を施し、前記単位回路基板（１０）は対向させるように固定し、耐震性を向上させる構造を特徴とする。また熱伝導性に優れている物質を利用し、単位基板間を対向した接続方法を用いることにより、小型化においても放熱性向上が可能な半導体装置が得られる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単位回路基板（１０）を、１個または複数個の導電性物質（５）にて、回路の機能を有するように電気的接続を施し、前記単位回路基板（１０）は対向させるように固定し、耐震性を向上させる構造を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記単位回路基板（１０）は、複数個あり、耐震性を向上させる構造を特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記導電性物質（５）は、熱伝導性に優れている物質を利用した接続方法による請求項１から２のいずれか一項に記載の半導体装置。                    
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メインボード上に搭載する、縦型の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来技術に係わるメインボード上（２０）に縦型のＳＩＰ（シングルインラインパッケージ）構造のサブ基板（２１）が搭載されている斜視図を示したものである。
【０００３】
半導体装置のメインボード（２０）上において、電子回路の実装面積の拡大を目的として、例えば電源回路部分を縦型のＳＩＰ構造のサブ基板（２１）に実装し、前記メインボード（２０）上に搭載している。
【０００４】
ＳＩＰ構造のサブ基板（２１）は、縦型の構造であり、メインボード（２０）にサブ基板（２１）を固定するリード（３５）が一列のみ並んでいるため、耐震性が悪く、耐震性を向上させるために、リード（３５）や周辺の回路部品（４０）に絶縁性樹脂（３０）を塗布し、固定している。
【０００５】
また、ＳＩＰ構造のサブ基板（２１）に例えば発熱が大きいパワー素子（７）が実装されている場合は、放熱性を向上させるため、サブ基板（２１）の面積を大きくする必要があり、さらに耐震性が悪く、耐震性を向上させるために、リード（３５）や周辺の回路部品（４０）に絶縁性樹脂（３０）を塗布し、固定している。
【特許文献１】特開平２００６−２４７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
メインボード（２０）上に、ＳＩＰ構造のサブ基板（２１）を搭載した場合、前記ＳＩＰ構造のサブ基板（２１）は縦型の構造であり、１列のリードによる固定となり、振動に弱いという課題を有している。
【０００７】
また、耐震性を持たせるため、リード（３５）や周辺部品に絶縁性樹脂（３０）を塗布し、固定する必要があるため、前記固定用の絶縁性樹脂（３０）を塗布する工数が増えるという課題を有している。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１において、２つの単位回路基板（１０）を１個または複数個の導電性物質（５）にて、回路の機能を有するように電気的接続を施し、前記単位回路基板（１０）を対向させるように固定することにより、基板を支えるリード（３５）が二列に増え、耐震性を向上させる作用を有する。
【０００９】
対向とは一方の単位回路基板に対し、接続される他の単位回路基板が平行もしくは角度を持った状態のことである。
【００１０】
請求項２において、請求項１記載の単位回路基板が複数個あり、１個または複数個の導電性物質（５）にて、回路の機能を有するように電気的接続を施し、互いに対向させるように固定することにより、基板を支えるリード（３５）が複数列となり、耐震性を向上させる作用を有する。
【００１１】
請求項３において、請求項１から２に記載の導電性物質（５）に熱伝導性に優れている物質を用いることで、発熱が大きいパワー素子などを搭載した単位回路基板（１１）の熱を、熱伝導性に優れている導電性物質（９）を介し、発熱が小さい制御素子などを搭載した単位回路基板（１２）へと放熱することで、単位回路基板の面積を小さくすることができ、耐震性を向上させる作用を有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、縦型のＳＩＰ構造において、基板を支えるリード（３５）を複数列にすることで、絶縁樹脂を塗布する工数を減らすことができ、耐震性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
図では、チップ抵抗やコンデンサなどの実回路上必要な実装部品、配線パターンなどは省略している。なお、この実施例によってこの発明が限定されるものではない。
＜実施例１＞
【００１４】
図１は、本発明の実施例１において、ＳＩＰ構造の単位回路基板（１０）が対向し固定されている斜視図を示すものである。
【００１５】
具体的には、２つの前記ＳＩＰ構造の単位回路基板（１０）が互いに対向しており、前記単位回路基板（１０）の間には、導電性物質（５）、例えば導電性スペーサーを挟め、回路の機能を有するように電気的接続を施し、ネジ（６）にて固定している。
【００１６】
基板を支えるリード（３５）が２列になることで、縦型のＳＩＰ構造においても、絶縁樹脂を塗布する工数を減らすことができ、耐震性を向上させることができる。
＜実施例２＞
【００１７】
図２は、本発明の実施例２において、ＳＩＰ構造の単位回路基板（１０）が複数個あり、互いに対向し固定されている斜視図を示すものである。
【００１８】
具体的には、複数の前記ＳＩＰ構造の単位回路基板（１０）が互いに対向しており、前記単位回路基板（１０）の間には、導電性物質（５）、例えば導電性スペーサーを挟め、回路の機能を有するように電気的接続を施し、ネジ（６）にて固定している。
【００１９】
基板を支えるリード（３５）が複数列になることで、縦型のＳＩＰ構造においても、絶縁樹脂を塗布する工数を減らすことができ、耐震性を向上させることができる。
＜実施例３＞
【００２０】
図３は、本発明の実施例３において、ＳＩＰ構造の単位回路基板（１１）と単位回路基板（１２）が対向し固定されている斜視図を示すものである。
【００２１】
具体的には、電源回路におけるパワー素子を実装した単位回路基板（１１）と制御素子を実装した単位回路基板（１２）が互いに対向している。
【００２２】
前記単位回路基板（１１）には、例えばパワーＭＯＳＦＥＴやコイルなど回路動作上発熱が大きくなるパワー素子（７）を搭載しており、前記単位回路基板（１２）は制御ＩＣや保護回路など制御素子（８）を搭載している。前記単位回路基板（１１）と単位回路基板（１２）の間には、熱伝導性に優れている導電性物質（９）、例えば金属性スペーサーを挟め、回路の機能を有するように電気的接続を施し、ネジ（６）にて固定している。
【００２３】
発熱が大きいパワー素子などを搭載した前記単位回路基板（１１）の熱を、前記熱伝導性に優れている導電性物質（９）を介し、発熱が小さい制御素子などを搭載した前記単位回路基板（１２）へと放熱することで、単位回路基板の面積を小さくすることができる。
【００２４】
基板の面積が小さくなることにより耐震性が向上させることができ、また、基板を支えるリード（３５）が２列になることで、縦型のＳＩＰ構造においても、絶縁樹脂を塗布する工数を減らすことができ、耐震性を向上させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
以上のように、本発明の構造の半導体装置によれば、半導体装置の耐震性を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施例を示す概略斜視図
【図２】本発明の第２の実施例を示す概略斜視図
【図３】本発明の第３の実施例を示す概略斜視図
【図４】従来の縦型のＳＩＰ構造のサブ基板を、メインボードに搭載した概略斜視図
【符号の説明】
【００２７】
５    導電性物質
６    ネジ
７    パワー素子
８    制御素子
９    熱伝導性に優れている導電性物質
１０  単位回路基板
１１  パワー素子を搭載した単位回路基板
１２  制御素子を搭載した単位回路基板
２０  メインボード
２１  ＳＩＰ構造のサブ基板
３０  絶縁性樹脂
３５  リード
４０  回路部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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