(57)【要約】【課題】接続パッドの配列に応じたレーザエネルギの制御を不要とし、接続パッド列の接続パッドや孤立した接続パッドとプローブとの結合部にほぼ均等な熱エネルギを付与し得るプローブ組立体の製造方法を提供する。【解決手段】プローブ基板上に設けられた複数の接続パッドと該各接続パッド上に配置されるプローブとの結合のためにレーザ光の熱エネルギを用いるプローブ組立体の製造方法。前記プローブ基板上の少なくとも一つの前記接続パッドの近傍に、前記各接続パッドと対応する前記プローブとの各結合部へのレーザ光の照射による熱エネルギの均等化を図るべく、プローブを固着しないダミー接続パッドが形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ基板上に設けられた複数の接続パッドと該各接続パッド上に配置されるプローブとの結合のためにレーザ光の熱エネルギを用いるプローブ組立体の製造方法であって、前記プローブ基板上の少なくとも一つの前記接続パッドの近傍に、前記各接続パッドと対応する前記プローブとの各結合部へのレーザ光の照射による熱エネルギの均等化を図るべく、プローブを固着しないダミー接続パッドを形成することを特徴とする、プローブ組立体の製造方法。
【請求項２】
前記接続パッドと前記プローブとの結合部には、前記レーザ光の熱エネルギにより溶融可能のハンダが適用される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記複数の接続パッドは、ほぼ等間隔で整列して配置された接続パッド列を構成する複数の接続パッドと、前記接続パッド列から離れて孤立して配置された接続パッドとを含み、孤立して配置された前記接続パッドの近傍に少なくとも一つの前記ダミー接続パッドが形成されている特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
孤立して配置された前記接続パッドおよび該接続パッドの近傍に配置された前記ダミー接続パッドは、記接続パッド列の延長線上に配置されている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
孤立して配置された前記接続パッドは前記接続パッド列の延長線上に配置され、前記ダミー接続パッドは前記接続パッド列の延長線の両側に配置されている、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の接続パッドはほぼ等間隔で整列して配置されており、該接続パッド列の配列方向の両最外方位置にある接続パッドのうちの少なくとも一方の最外方位置の前記接続パッドに隣り合って前記ダミー接続パッドが形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ダミー接続パッドは、前記接続パッド列の延長線上で前記最外方位置の前記接続パッドよりも前記接続パッド列の外方に配置されている、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ダミー接続パッドは、前記接続パッド列の延長線の両側に配置されている、請求項６に記載の製造方法。
【請求項９】
プローブ基板上に設けられた複数の接続パッドと該各接続パッド上に配置されるプローブとの結合のためにレーザ光の熱エネルギが用られたプローブ組立体であって、前記各プローブが結合された前記接続パッドの少なくとも一つの前記接続パッドの近傍には、前記各接続パッドとこれに対応する前記プローブとの各結合部へのレーザ光の照射による熱エネルギの均等化を図るべく、プローブを固着しないダミー接続パッドが形成されている、プローブ組立体。
【請求項１０】
前記接続パッドと前記プローブとは、前記レーザ光の熱エネルギにより溶融可能のハンダを介して結合されている、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記ダミー接続パッドは、前記プローブ基板上の前記プローブが結合される前記接続パッドと同一平面形状を有する、請求項９または１０に記載のプローブ組立体。
【請求項１２】
前記ダミー接続パッドは、前記プローブ基板上の前記プローブが結合される前記接続パッドが設けられた面と同一面上に形成されている、請求項１１に記載のプローブ組立体。
【請求項１３】
前記ダミー接続パッドは、前記プローブ基板の内部に設けられている、請求項１１に記載のプローブ組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハに形成された集積回路のような電気回路の電気的検査を行うのに好適なプローブ組立体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに作り込まれた多数の集積回路の電気的検査には、一般的に、テスタと、該テスタを被検査体である集積回路の各電極パッドに接続するための多数のプローブが設けられたプローブ組立体とを備える検査装置が用いられる。
【０００３】
この種の検査装置に組み込まれる従来のプローブ組立体の製造では、多数のプローブがプローブ基板に設けられた導電性の接続パッドにハンダで固着され、このハンダの溶着にはレーザ光が用いられている（例えば、特許文献１参照）。ハンダの加熱源としてレーザ光を用いる場合、プローブ基板上に配列された接続パッドに対応してプローブが配置され、この接続パッドと該接続パッドに結合されるプローブとの結合部にハンダが適用された状態で、この結合部にレーザ光が瞬間的なレーザスポットとして照射される。
【０００４】
レーザ光の照射で結合部に与えられる熱は該結合部の結合品質やプローブ基板に設けられる他の電子部品に悪影響を与えることがある。この悪影響を防止し、適正な結合を得る上で、結合部のハンダを溶かして良好な結合を得るに必要最小限のエネルギを結合部に与えることが望ましい。このため、レーザ光のスポット径は電極パッドの幅径以下に設定されている。また、プローブ基板では、多数の接続パッドが配列されており、ある一つの接続パッドにレーザスポットが照射されると、その熱エネルギの一部はプローブ基板に隣接して配置された隣合う接続パッドにも吸収される。従って、ショット毎の照射エネルギは、隣接する各接続パッドでの熱損失をも考慮して最適に設定される。
【０００５】
ところが、そのように設定されたエネルギでのレーザ照射であっても、接続パッド列の最外方に位置する両外方接続パッドへの照射では、該両外方接続パッド間に配列された他の接続パッドに比較して、高い温度上昇が見られる。さらに、接続パッド列から離れた孤立する接続パッドへのレーザ照射では、さらに著しい温度上昇が見られる。これは、接続パッド列の両外方接続パッド間の他の接続パッドに関しては、配列方向の前後に等間隔で熱吸収源となる他の接続パッドが隣接するのに対し、両外方接続パッドに関しては、配列方向のいずれか一方にしか、他の接続パッドが隣接しておらず、また孤立する接続パッドではその近傍に熱吸収源となる他の接続パッドが存在しないことから、他の熱吸収源との間で熱の分散が生じ難いことが原因と考えられる。
【０００６】
したがって、このような接続パッド列の最外方に位置する接続パッドや孤立する接続パッドへのプローブの固着では、他の接続パッドへの固着の場合に比較してレーザ出力のエネルギを低減することが望ましい。そのため、従来のレーザ光を用いたプローブ組立体の製造方法では、レーザ光のエネルギを接続パッドの配置に応じて制御する必要が生じ、レーザ照射装置の構成が複雑化し、コストアップの原因にもなっていた。
【０００７】
ところで、半導体チップを基板に搭載する技術の一つに基板の電極と半導体チップのバンプとを結合するフリップチップボンディング（FCB）法がある。さらに、それらを超音波圧熱を利用して結合すると共に、チップと実装基板との間に非導電性樹脂を介在させて、両者の結合を高める従来技術がある（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の方法では、チップの実装基板に前記非導電性樹脂により覆われる導電性ダミーパターンが形成される。このダミーパターンは、超音波が適用されたとき、その熱容量によって導電性ダミーパターンを覆う非導電性樹脂の温度分布の均一化を図る。これにより、該非導電性樹脂の不均一な粘度に起因する基板と半導体チップとの接続の信頼性の低下が防止される。
【０００８】
しかし、この超音波圧熱を利用する際に非導電性樹脂に均一な粘度を与えるための導電性ダミーパターンは、前記したように、導電性ダミーパターンを覆う非導電性樹脂の温度分布の均一化を図るものであり、超音波圧熱による基板の電極と半導体チップのバンプとの個々の結合部の加熱の均一化を図るものではない。
【特許文献１】特開２００２−１５８２６４号公報
【特許文献２】特開２００６−１２１１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、接続パッドとプローブとの結合部をレーザ光の熱エネルギで加熱するステップを含むプローブ組立体の製造方法において、接続パッドの配列に応じたレーザエネルギの制御を不要とし、接続パッド列の接続パッドや孤立した接続パッドとプローブとの結合部に生じる不均等な加熱を抑制し得る、プローブ組立体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、プローブ基板上に設けられた複数の接続パッドと該各接続パッド上に配置されるプローブとの結合のためにレーザ光の熱エネルギを用いるプローブ組立体の製造方法であって、前記プローブ基板上の少なくとも一つの前記接続パッドの近傍に、前記各接続パッドと対応する前記プローブとの各結合部へのレーザ光の照射による熱エネルギの均等化を図るべく、プローブを固着しないダミー接続パッドを形成することを特徴とする。
【００１１】
本発明によれば、例えプローブが設けられる接続パッドが接続パッド列の最外方に位置する接続パッドあるいは孤立する接続パッドであっても、該接続パッドに隣接した位置にはプローブが設けられないダミー接続パッドが設けられている。このダミー接続パッドは、熱容量体として作用することから、最外方の接続パッドあるいは孤立する接続パッドに付与されるレーザ光の熱エネルギは、当該接続パッドと、それに近接するダミー接続パッドとの間で、他の接続パッドへのレーザ光の照射におけると同様に、効果的に分散される。したがって、接続パッドの配列に応じたレーザ光のエネルギ調整を行うことなく、接続パッドと、これに結合されるプローブとの結合部に、接続パッドの配列位置に応じた従来のような大きな温度差が生じることを防止することができる。
【００１２】
前記接続パッドと前記プローブとの結合部には、前記レーザ光の熱エネルギにより溶融可能のハンダを適用することができる。
【００１３】
前記複数の接続パッドは、ほぼ等間隔で整列して配置された接続パッド列を構成する複数の接続パッドと、前記接続パッド列から離れて孤立して配置された接続パッドとを含み、孤立して配置された前記接続パッドの近傍に少なくとも一つの前記ダミー接続パッドを形成することができる。
【００１４】
孤立して配置された前記接続パッドおよび該接続パッドの近傍に配置された前記ダミー接続パッドは、記接続パッド列の延長線上に配置することができる。
【００１５】
孤立して配置された前記接続パッドが前記接続パッド列の延長線上に配置されるとき、前記ダミー接続パッドは前記接続パッド列の延長線の両側に配置することができる。
【００１６】
前記複数の接続パッドはほぼ等間隔で整列して配置されており、該接続パッド列の配列方向の両最外方位置にある接続パッドのうちの少なくとも一方の最外方位置の前記接続パッドに隣り合って前記ダミー接続パッドを形成することができる。
【００１７】
前記ダミー接続パッドは、前記接続パッド列の延長線上で前記最外方位置の前記接続パッドよりも前記接続パッド列の外方に配置することができる。
【００１８】
前記ダミー接続パッドは、前記接続パッド列の延長線の両側にそれぞれ配置することができる。
【００１９】
本発明に係るプローブ組立体は、プローブ基板上に設けられた複数の接続パッドと該各接続パッド上に配置されるプローブとの結合のためにレーザ光の熱エネルギが用られたプローブ組立体であって、前記各プローブが結合された前記接続パッドの少なくとも一つの前記接続パッドの近傍には、前記各接続パッドとこれに対応する前記プローブとの各結合部へのレーザ光の照射による熱エネルギの均等化を図るべく、プローブを固着しないダミー接続パッドが形成されていることを特徴とする。
【００２０】
前記レーザ光の熱エネルギにより溶融可能のハンダを介して前記接続パッドと前記プローブとを結合することができる。
【００２１】
前記ダミー接続パッドは、前記プローブ基板上の前記プローブが結合される前記接続パッドと同一平面形状に形成することができる。
【００２２】
前記ダミー接続パッドは、前記プローブ基板上の前記プローブが結合される前記接続パッドが設けられた面と同一面上に形成することができる。
【００２３】
前記ダミー接続パッドは、前記プローブ基板の内部に設けることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、前記したように、予め設定された照射レーザエネルギを接続パッドの配列に応じて調整することなく、接続パッドと該接続パッドに結合されるプローブとの各結合部に、従来のような大きな温度上昇のばらつきが生じることを効果的に抑制することができる。
【００２５】
また、熱容量が接続パッドと同様なダミー接続パッドを形成することにより、照射レーザエネルギを接続パッドの配列に応じて調整することなく、接続パッドとプローブとの各結合部にほぼ均等な熱エネルギの付与することができる。したがって、比較的単純な構成を有するレーザ照射装置を用いて、結合部の結合品質やプローブ基板に設けられる他の電子部品に悪影響を与えることなく、適正に接続パッドとプローブとを結合することができるので、従来に比較して安価に高品質なプローブ組立体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明に係るプローブ組立体１０は、図１および図２に示されているように、プローブ基板１２と、該プローブ基板の一方の面に結合される多数のプローブ１４とを備える。このプローブ組立体１０は、たとえば図示しないが半導体ウエハ上に作り込まれた多数の半導体集積回路の導通試験に用いられる。
【００２７】
プローブ基板１２の他方の面には、図示しないが、テスタの電気回路に接続されるテスタランドが設けられている。また、プローブ１４が結合されるプローブ基板１２の前記一方の面には、各プローブ１４が結合される接続パッド１６（１６ａ〜１６ｏ）と、プローブ１４が結合されないダミー接続パッド１８（１８ａ〜１８ｈ）とが設けられている。
【００２８】
プローブ１４が結合される接続パッド１６は、図示しないが、プローブ基板１２に設けられた従来よく知られた配線路を経て対応する前記テスタランドに接続されている。プローブ基板１２は、例えば、従来よく知られているように前記配線路の一部分が形成されたセラミックのような電気絶縁板と、前記配線路の残部が形成された多層配線板との積層構造で形成することができる。
【００２９】
プローブ１４の一例が、図１に示された線III-IIIに沿った断面図として図３に示されている。各プローブ１４は、図３に示すように、接続パッド１６への結合部となる取付け部１４ａと、該取付け部と同一面内で、これから立ち上がる立ち上がり部１４ｂと、該立ち上がり部の頂部から両部１４ａ、１４ｂと同一面内で、横方向へほぼ水平に伸びるアーム部１４ｃとを備える。アーム部１４ｃは、取付け部１４ａが位置する側と反対側へ向けて曲がる曲部分１４ｄを経て、先端面１４ｅで終端する。先端面１４ｅには、該先端面から突出する針先１４ｆが形成されている。
【００３０】
プローブ１４の針先１４ｆを除く部分を例えば、ニッケル、その合金あるいは燐青銅のような比較的靭性に富む金属材料で形成し、針先１４ｆを例えばコバルト、ロジウムあるいはそれらの合金のような、針先１４ｆを除く部分に比較して高い硬度を有する高硬度金属材料で形成することが望ましい。また、図示の例では、針先１４ｆにプローブ基板１２へ向けての押圧力が作用したときにアーム部１４ｃの撓み変形を促進するための長穴２０がアーム部１４ｃを貫通して形成されているが、この長穴２０を不要とすることができる。
【００３１】
各プローブ１４は、図１および図２に示したように、それらの針先１４ｆが前記半導体ウエハに形成された各電極パッドに対応するように、それぞれの接続パッド１６に結合される。図１に示す例では、前記電極パッドが仮想線L上に配列され、それぞれのプローブ１４の針先１４ｆが仮想線Ｌ上に整列するように、各接続パッド１６は仮想線Ｌと平行な仮想線Kに沿って配列されている。
【００３２】
各接続パッド１６は、図示の例では、細長い同一の矩形平面形状を有し、それぞれの長手方向が仮想線Kと直角となるように、その幅方向を仮想線Ｋの伸長方向に沿わせて同一姿勢で配列されている。
【００３３】
図１に示す例では、プローブ基板１２の図中の左方部分には、プローブ基板１２の右方部分へ向けて、接続パッド１６ａなしい１６ｅが、前記電極パッドの配列スパンに対応するように、例えば十数ミクロン〜数十ミクロンの等間隔で配列されている。これにより接続パッド１６ａ〜１６ｅは、第１の接続パッド列を構成する。
【００３４】
また、第１の接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）から仮想線Ｋに沿って順次右方へ向けて、孤立する接続パッド１６ｆ、この孤立する接続パッド１６ｆから大きく離れた第２の接続パッド列（１６ｇ〜１６ｌ）および該接続パッド列から大きく離れた第３の接続パッド列（１６ｍ〜１６ｏ）が配置されている。
【００３５】
第２の接続パッド列を構成する各接続パッド１６ｇ〜１６ｌの相互間隔は、対応する前記電極パッドに対応して、第１の接続パッド列を構成する接続パッド１６ａ〜１６ｅ間の相互間隔に等しい。また、第３の接続パッド列を構成する各接続パッド１６ｍ〜１６ｏの相互間隔は、同様に、第１の接続パッド列の接続パッド１６ａ〜１６ｅ間のそれらに等しい。
【００３６】
また、第１の接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）に関連してダミー接続パッド１８ａ、１８ｂが配列されており、孤立する接続パッド１６ｆに関連してダミー接続パッド１８ｃ、１８ｄが配列されている。さらに、第２の接続パッド列（１６ｇ〜１６ｌ）に関連してダミー接続パッド１８ｅ、１８ｆが配列されており、第３の接続パッド列（１６ｍ〜１６ｏ）に関連してダミー接続パッド１８ｇ、１８ｈが配列されている。各ダミー接続パッド１８は、接続パッド１６と同一材料および同一形状で、プローブ基板１２の接続パッド１６が設けられた前記一方の面上に形成されている。
【００３７】
第１の接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）に関連する両ダミー接続パッド１８ａ、１８ｂは、該両ダミー接続パッド間に第１の接続パッド列を構成する接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）が位置するように、仮想線Ｋ上に配列されている。したがって、一方のダミー接続パッド１８ａは、両最外方に位置する接続パッド１６ａ、１６ｅのうちの一方の接続パッド１６ａに近接して第１の接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）の外方に配置されている。また、他方のダミー接続パッド１８ｂは、他方の最外方に位置する接続パッド１６ｅに近接して第１の接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）の外方に配置されている。さらに、両ダミー接続パッド１８ａ、１８ｂは、接続パッド１６ａ〜１６ｅに整列して配置されており、各ダミー接続パッド１８ａ、１８ｂと該ダミー接続パッドに近接する各接続パッド１６ａ、１６ｅとの間隔は、各接続パッド１６間の間隔にほぼ等しい。
【００３８】
同様に、孤立する接続パッド１６ｆに関連して、ダミー接続パッド１８ｃ、１８ｄが、仮想線K上で接続パッドｆを間にして、該接続パッド１６ｆとの間隔が各接続パッド１６間のそれに等しくなるように、配列されている。
【００３９】
さらに、第２の接続パッド列（１６ｇ〜１６ｌ）に関連して、ダミー接続パッド１８ｅが、仮想線K上で、その接続パッド列（１６ｇ〜１６ｌ）の一方の最外方位置にある接続パッド１６ｇに近接して、該接続パッド列の外方に整列して配置されている。また、ダミー接続パッド１８ｆが、仮想線K上で、その接続パッド列（１６ｇ〜１６ｌ）の他方の最外方位置にある接続パッド１６ｌに近接して、第２の接続パッド列の接続パッド列の外方に整列して配置されている。各ダミー接続パッド１８ｅ、１８ｆと該ダミー接続パッドに近接する各接続パッド１６ｇ、１６ｌとの間隔は、各接続パッド１６間の間隔にほぼ等しい。
【００４０】
第３の接続パッド列（１６ｍ〜１６ｏ）に関連するダミー接続パッド１８ｇ、１８ｈについても、第１および第２の接続パッド列におけると同様に、両ダミー接続パッド１８ｇ、１８ｈが、仮想線K上で、それぞれの接続パッド１６ｍ、１６ｏとの間隔を各接続パッド１６のそれとほぼ一致させるように、第３の接続パッド列（１６ｍ〜１６ｏ）を間にして配列されている。
【００４１】
したがって、図示の例では、第１ないし第３の接続パッド列および孤立する接続パッド１６ｆは、仮想線Ｋを共通の延長線として、該延長線上に配列されている。また、隣り合うダミー接続パッド間（１８ｂと１８ｃ、１８ｄと１８ｅおよび１８ｆと１８ｇ）の間隔を除き、隣り合う各接続パッド１６、１８間の相互間隔が等間隔となるように、各接続パッド１６および各ダミー接続パッド１８が配列されている。
【００４２】
各接続パッド１６上には、図４に示すように、プローブ１４がその取付け部１４ａを当接して配置され、プローブ１４と接続パッド１６との結合部には、従来よく知られたハンダ２２が適用された状態で、結合部毎に例えばプローブ１４の一側からレーザ照射光２４が瞬間的に照射される。ハンダ２２は、従来よく知られているように、予め取付け部１４ａに付着させておくことができる。
【００４３】
図１および図２は、接続パッド１６ａ〜１６ｆに既にプローブ１４が結合されているが、接続パッド１６ｇ〜１６ｏには、結合すべきプローブ１４が配置される前の状態で示されている。
【００４４】
再び図４を参照するに、孤立した接続パッド１６ｆと、該接続パッド上に配置されたプローブ１４との結合のために、前記したレーザ照射光２４は、前記したようにプローブ１４と接続パッド１６ｆとの結合部に集中的かつ瞬間的に照射される。これにより、プローブ１４と接続パッド１６ｆとの結合部は、瞬時にハンダ２２が溶融するに十分な温度に上昇するが、この結合部に与えられるべき熱エネルギの一部は、隣接して配置されたダミー接続パッド１８ｃ、１８ｄが熱容量体として作用することから、これら両ダミー接続パッド１８ｃ、１８ｄに分散される。
【００４５】
同様に、例えば第１の接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ）の接続パッド１６ａと、該接続パッド上に配置されたプローブ１４との結合のために、レーザ照射光２４が照射されたとき、その結合部に与えられるべき熱エネルギは、接続パッド１６ａに隣接する熱容量体として作用するダミー接続パッド１８ａおよび接続パッド１６ｂに分散される。また、接続パッド１６ｂと、該接続パッド上に配置されたプローブ１４との結合のために、レーザ照射光２４が照射されたとき、その結合部に与えられるべき熱エネルギは、同様に、接続パッド１６ｂに隣接する熱容量体として作用する接続パッド１６ａおよび接続パッド１６ｃに分散される。
【００４６】
このように、各接続パッド列（１６ａ〜１６ｅ、１６ｇ〜１６ｌ、１６ｍ〜１６ｏ）および孤立するパッド１６ｆに関連してダミー接続パッド１８を配置することにより、各パッド列の最外方に位置する接続パッド１６ａ、１６ｅ、１６ｇ、１６ｌ、１６ｍ、１６ｏおよび孤立接続パッド１６ｆへのプローブ１４の結合のためのレーザ照射光２４の熱エネルギを隣接するダミー接続パッド１８に分散させることができる。したがって、接続パッド１６とプローブ１４との結合部へのレーザ照射光２４によって生じる接続パッドの配列に応じた結合部の不均一な加熱を抑制することができる。
【００４７】
また、前記したように、接続パッド１６と同一材料および同一形状のダミー接続パッド１８を用いることにより、該ダミー接続パッド１８の熱容量を接続パッド１６のそれと同一に形成することができる。しかも、このダミー接続パッド１８を接続パッド１６における配列間隔と同等に配列することにより、レーザ照射光２４のエネルギを接続パッド１６の配列位置に応じて変化させることなく、ほぼ一様な熱エネルギのレーザ照射光２４でもって、各接続パッド１６と、プローブ１４との結合部を均一に加熱することができる。したがって、ほぼ一様なエネルギのレーザ照射光２４によって、接続パッドとプローブとの結合部の結合品質やプローブ基板に設けられる他の電子部品に悪影響を与えることなく、適正にプローブ１４を接続パッド１６に結合することができる。
【００４８】
前記したところでは、プローブ基板１２の接続パッド１６が設けられる面にダミー接続パッド１８を形成した例を示したが、図２に仮想線で代表的に示されたダミー接続パッド１８ｈのように、ダミー接続パッド１８をプローブ基板１２中に埋設することができる。
【００４９】
さらに、ダミー接続パッド１８をパッド配列の延長線（Ｋ）上に配置することに代えて、各パッド配列の最外方の接続パッドあるいは孤立接続パッドを間にして前記延長線の両側に対をなすように、最外方接続パッドあるいは孤立接続パッドの長手方向の両側へ形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、上記実施例に限定されず、その趣旨を逸脱しない限り、種々に変更することができる。例えば、プローブ１４として、種々の形状あるいは形式の接触子を用いることができ、また接続パッド１６およびダミー接続パッド１８に種々の形状を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係るプローブ組立体の一部を示す平面図である。
【図２】図１に示したプローブ組立体の側面図である。
【図３】図１に示した線III-IIIに沿って得られた断面図である。
【図４】本発明のレーザ照射工程を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０  プローブ組立体
１２  プローブ基板
１４  プローブ
１６接続パッド
１８  ダミー接続パッド
２２  ハンダ
【図１】
2009019975.tif 000003
【図２】
2009019975.tif 000004
【図３】
2009019975.tif 000005
【図４】
2009019975.tif 000006