(57)【要約】【課題】伝送損失を十分に低減することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を挟むようにグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成されている。グランドパターンＧ１，Ｇ２上にはグランド壁Ｇ３，Ｇ４が形成されている。グランド壁Ｇ３の上端部とグランド壁Ｇ４の上端部とを連結するようにグランドカバー部５１が形成されている。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方および両側方がグランドパターンＧ１，Ｇ２、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１により取り囲まれる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に互いに離間するように配置される第１および第２の配線パターンと、
前記第１および第２の配線パターンを一体的に覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の両方の側面および上面を覆うように形成される導体部とを備えたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１および第２の配線パターンは前記第１の絶縁層の上面に平行な方向に並ぶように配置されたことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記導体部は、
前記第１および第２の配線パターンを挟むように前記第１の絶縁層上に形成される第１および第２のグランドパターンと、
前記第１および第２のグランドパターンから前記第１の絶縁層の上面に略垂直な方向にそれぞれ延びる第１および第２のグランド壁部と、
第１のグランド壁部と前記第２のグランド壁部とを連結するように前記第１の絶縁層の上面に略平行に延びるグランドカバー部を含むことを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第１および第２の配線パターンは、前記第１の絶縁層の上面に垂直な方向に並ぶように配置されたことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記導体部は、
第１の配線パターンを挟むように前記第１の絶縁層上に形成される第１および第２のグランドパターンと、
前記第１および第２のグランドパターンから前記第２の配線パターンを挟むように前記第１の絶縁層の上面に略垂直な方向にそれぞれ延びる第１および第２のグランド壁部と、
前記第１のグランド壁部と前記第２のグランド壁部とを連結するように前記第１の絶縁層に略平行に延びるグランドカバー部とを含むことを特徴とする請求項４記載の配線回路基板。
【請求項６】
長尺状の金属基板と、
前記金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部とをさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記金属基板上に形成され、
前記第１および第２の配線パターンは、前記ヘッド部に電気的に接続されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
第１の絶縁層上に互いに離間するように第１および第２の配線パターンを配置する工程と、
前記第１および第２の配線パターンを一体的に覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層の両方の側面および上面を覆うように導体部を形成する工程とを備えたことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
図９は、例えば特許文献１に示される従来のサスペンション基板の縦断面図である。
【０００４】
このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
【０００５】
第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用配線パターンＲ２の上方位置で書込用配線パターンＷ１が形成され、書込用配線パターンＷ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。
【０００６】
上下に位置する読取用配線パターンＲ１と書込用配線パターンＷ２との間の距離、および上下に位置する読取用配線パターンＲ２と書込用配線パターンＷ１との間の距離は、ともにＬ２である。
【０００７】
上記構成を有するサスペンション基板９１０においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。そのため、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークを低減することができる。
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年、電子機器の低消費電力化のために、サスペンション基板の伝送損失を低くすることが望まれる。
【０００９】
本発明の目的は、伝送損失を十分に低減することが可能な配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に互いに離間するように配置される第１および第２の配線パターンと、第１および第２の配線パターンを一体的に覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層の両方の側面および上面を覆うように形成される導体部とを備えたものである。
【００１１】
この配線回路基板においては、第２の絶縁層を介して第１および第２の配線パターンの上方および両側方が導体部により取り囲まれる。これにより、差動信号の伝送時のインピーダンスが低減され、伝送損失が低減される。
【００１２】
また、導体部により第１および第２の配線パターンが上方または側方の領域からシールドされるので、第１および第２の配線パターンの上方または側方に他の配線パターンが形成されている場合でも、クロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００１３】
（２）第１および第２の配線パターンは第１の絶縁層の上面に平行な方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、配線回路基板の製造工程数が低減される。
【００１４】
（３）導体部は、第１および第２の配線パターンを挟むように第１の絶縁層上に形成される第１および第２のグランドパターンと、第１および第２のグランドパターンから第１の絶縁層の上面に略垂直な方向にそれぞれ延びる第１および第２のグランド壁部と、第１のグランド壁部と第２のグランド壁部とを連結するように第１の絶縁層の上面に略平行に延びるグランドカバー部を含んでもよい。
【００１５】
この場合、第１および第２のグランドパターン、第１および第２のグランド壁部ならびにグランドカバー部により、第１および第２の配線パターンの上方および両側方が取り囲まれる。それにより、差動信号の伝送時のインピーダンスを確実に低減させることができ、伝送損失を低減することができる。また、第１および第２の配線パターンの上方または側方に他の配線パターンが形成されている場合でも、クロストークの発生を確実に抑制することができる。
【００１６】
（４）第１および第２の配線パターンは、第１の絶縁層の上面に垂直な方向に並ぶように配置されてもよい。この場合、第１および第２の配線パターンの配置スペースを第１の絶縁層の上面に平行な方向において小さくすることができる。それにより、配線回路基板の小型化が可能となる。
【００１７】
（５）導体部は、第１の配線パターンを挟むように第１の絶縁層上に形成される第１および第２のグランドパターンと、第１および第２のグランドパターンから第２の配線パターンを挟むように第１の絶縁層の上面に略垂直な方向にそれぞれ延びる第１および第２のグランド壁部と、第１のグランド壁部と第２のグランド壁部とを連結するように第１の絶縁層に略平行に延びるグランドカバー部とを含んでもよい。
【００１８】
この場合、第１および第２のグランドパターン、第１および第２のグランド壁部ならびにグランドカバー部により、第１および第２の配線パターンの上方および両側方が取り囲まれる。それにより、差動信号の伝送時のインピーダンスを確実に低減させることができ、伝送損失を低減することができる。また、第１および第２の配線パターンの上方または側方に他の配線パターンが形成されている場合でも、クロストークの発生を確実に抑制することができる。
【００１９】
（６）長尺状の金属基板と、金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部とをさらに備え、第１の絶縁層は、金属基板上に形成され、第１および第２の配線パターンは、ヘッド部に電気的に接続されてもよい。
【００２０】
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。
【００２１】
また、第１および第２の配線パターンにより、磁気ディスクに対する情報の書込みまたは読込みを行うことができる。その場合、書込み時または読込み時における伝送損失の低減およびクロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００２２】
（７）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に互いに離間するように第１および第２の配線パターンを配置する工程と、第１および第２の配線パターンを一体的に覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層の両方の側面および上面を覆うように導体部を形成する工程とを備えたものである。
【００２３】
この配線回路基板の製造方法においては、第２の絶縁層を介して第１および第２の配線パターンの上方および両側方を取り囲むように導体部が形成される。これにより、差動信号の伝送時のインピーダンスが低減され、伝送損失が低減される。
【００２４】
また、導体部により第１および第２の配線パターンが上方または側方の領域からシールドされるので、第１および第２の配線パターンの上方または側方に他の配線パターンが形成されている場合でも、クロストークの発生を十分に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、差動信号の伝送時のインピーダンスが低減され、伝送損失が低減される。また、クロストークの発生を十分に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその作製方法について説明する。
【００２７】
（１）サスペンション基板の構造
図１は本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。
【００２８】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。
【００２９】
サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ配線パターンＷ１，Ｗ２，Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００３０】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読込み時に一対の読込用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００３１】
次に、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびその周辺部分について詳細に説明する。図２は、図１のサスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびその周辺部分の模式的縦断面図である。
【００３２】
図２に示すように、サスペンション本体部１０上には、第１の絶縁層４１が形成されている。第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は所定の間隔で互いに隣り合うように平行に並べられ、その書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を挟むようにグランドパターンＧ１，Ｇ２が配置されている。
【００３３】
グランドパターンＧ１，Ｇ２上には、グランド壁Ｇ３，Ｇ４がそれぞれ形成されている。グランド壁Ｇ３，Ｇ４は、グランドパターンＧ１，Ｇ２の内側の辺に沿って延びている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆うようにグランド壁Ｇ３，Ｇ４の内側に絶縁層４２ａが形成されている。また、グランド壁Ｇ３，Ｇ４が形成されていないグランドパターンＧ１，Ｇ２の部分を覆うようにグランド壁Ｇ３，Ｇ４の外側に絶縁層４２ｂが形成されている。絶縁層４２ａ，４２ｂにより第２の絶縁層４２が構成される。
【００３４】
第２の絶縁層４２上において、グランド壁Ｇ３の上端部とグランド壁Ｇ４の上端部とを連結するようにグランドカバー部５１が形成されている。グランドカバー部５１を覆うように、第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３が形成されている。
【００３５】
グランドパターンＧ１，Ｇ２、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１によりグランドシールドＧＳが構成される。本実施の形態では、第１の絶縁層４１上で書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を取り囲むように、グランドシールドＧＳが形成されている。
【００３６】
なお、第１〜第３の絶縁層４１〜４３の比誘電率は互いに等しくてもよく、互いに異なってもよい。また、第１〜第３の絶縁層４１〜４３のうち１つの比誘電率が他の２つの比誘電率と異なってもよい。例えば第１および第３の絶縁層４１，４３の比誘電率が互いに等しく、第２の絶縁層４２の比誘電率が第１および第３の絶縁層４１，４３の比誘電率より小さくてもよい。
【００３７】
（２）サスペンション基板の製造
サスペンション基板１の製造方法を説明する。ここでは、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４、孔部Ｈおよび読込用配線パターンＲ１，Ｒ２の形成工程についての説明は省略する。
【００３８】
図３および図４は、本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。
【００３９】
初めに、図３（ａ）に示すように、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる長尺状基板をサスペンション本体部１０として用意する。そして、サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１を形成する。
【００４０】
サスペンション本体部１０としては、ステンレス鋼に代えてアルミニウム（Ａｌ）等の他の材料を用いてもよい。サスペンション本体部１０の厚みは例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１の厚みは例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００４１】
第１〜第３の絶縁層４１〜４３は、例えばポリイミド樹脂に高い比誘電率を有するチタン酸バリウムを添加して分散させることにより形成する。ポリイミド樹脂へのチタン酸バリウムの添加量を調整することにより、第１〜第３の絶縁層４１〜４３の比誘電率を調整することができる。
【００４２】
本実施の形態において、第１〜第３の絶縁層４１〜４３の比誘電率は例えば２以上１２以下であり、３以上８以下であることが好ましい。第１〜第３の絶縁層４１〜４３には、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂を用いてもよい。また、チタン酸バリウムに代えて、チタン酸鉛等の他のチタン酸塩、ジルコン酸バリウム等のジルコン酸塩、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の他の高誘電率物質を用いてもよい。
【００４３】
続いて、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に銅（Ｃｕ）からなる書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２を形成する。
【００４４】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００４５】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２およびグランドパターンＧ１，Ｇ２は、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いて形成することができる。グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１は、グランドパターンＧ１，Ｇ２と同じ材料を用いて形成することができる。
【００４６】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
グランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間隔は、例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１との間隔および書込用配線パターンＷ２とグランドパターンＧ２との間隔は例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
上記構成において、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との間および第１の絶縁層４１とグランドパターンＧ１，Ｇ２との間にそれぞれ金属薄膜を形成してもよい。この場合、第１の絶縁層４１と書込用配線パターンＷ１，Ｗ２との密着性および第１の絶縁層４１とグランドパターンＧ１，Ｇ２との密着性が向上される。
【００５０】
続いて、図３（ｃ）に示すように、グランドパターンＧ１，Ｇ２上に例えば銅からなるグランド壁Ｇ３，Ｇ４を形成する。グランド壁Ｇ３，Ｇ４の幅は例えば５μｍ以上２５μｍ以下であり、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。グランド壁Ｇ３，Ｇ４の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。
【００５１】
その後、図３（ｄ）に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を覆いかつグランド壁Ｇ３，Ｇ４が形成されていないグランドパターンＧ１，Ｇ２の部分を覆うように、絶縁層４２ａ，４２ｂからなる第２の絶縁層４２を形成する。第２の絶縁層４２の厚みｔ１は例えば６μｍ以上３２μｍ以下であり、１２μｍ以上２６μｍ以下であることが好ましい。
【００５２】
続いて、図４（ｅ）に示すように、グランド壁Ｇ３の上端部とグランド壁Ｇ４の上端部とを連結するように第２の絶縁層４２上に例えば銅からなるグランドカバー部５１を形成する。グランドカバー部５１の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。
【００５３】
そして、図４（ｆ）に示すように、グランドカバー部５１を覆うように第３の絶縁層４３を形成する。第３の絶縁層４３の厚みｔ２は例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、６μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
（３）効果
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、第１の絶縁層４１上で書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を取り囲むようにグランドパターンＧ１，Ｇ２、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１からなるグランドシールドＧＳが形成されている。このような構成により、差動信号の伝送時のインピーダンスが低減され、伝送損失が低減される。
【００５５】
また、グランドシールドＧＳにより書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上方および両側方の領域からシールドされているので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方または側方に読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている場合でも、クロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００５６】
（４）他の実施の形態
図５は、本発明の他の実施の形態に係るサスペンション基板の模式的縦断面図である。図５のサスペンション基板１ａについて、上記のサスペンション基板１と異なる点を説明する。
【００５７】
図５のサスペンション基板１ａにおいては、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１およびグランドパターンＧ１，Ｇ２が形成され、第２の絶縁層４２の絶縁層４２ａ上に書込用配線パターンＷ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２は、絶縁層４２ａを挟んで互いに対向するように上下に配置されている。
【００５８】
また、グランドパターンＧ１，Ｇ２上に形成されるグランド壁Ｇ３，Ｇ４が、書込用配線パターンＷ２よりも高い位置まで延びている。そのグランド壁Ｇ３，Ｇ４の上端部を連結するようにグランドカバー部５１が第３の絶縁層４３内に形成されている。第３の絶縁層４３は、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１の内側に形成される絶縁層４３ａと、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１を覆うように形成される絶縁層４３ｂとに分断される。
【００５９】
図５のサスペンション基板１ａにおいて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。
【００６０】
グランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅は例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１，Ｇ２との間隔は例えば５μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上６０μｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
また、グランド壁Ｇ３，Ｇ４の幅は例えば５μｍ以上２５μｍ以下であり、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。グランド壁Ｇ３，Ｇ４の厚み（高さ）は例えば８μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
第２の絶縁層４２の厚みｔ３は例えば６μｍ以上３２μｍ以下であり、１２μｍ以上２６μｍ以下であることが好ましい。第３の絶縁層４３の厚みｔ４は例えば７μｍ以上１００μｍ以下であり、１０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。グランドカバー部５１の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ２とグランドカバー部５１との距離は例えば１μｍ以上１０μｍ以下であり、３μｍ以上７μｍ以下であることが好ましい。
【００６３】
このサスペンション基板１ａにおいても、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を取り囲むようにグランドパターンＧ１，Ｇ２、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１からなるグランドシールドＧＳが形成されている。このような構成により、差動信号の伝送時のインピーダンスが低減され、伝送損失が低減される。
【００６４】
また、グランドシールドＧＳにより書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が上方および両側方の領域からシールドされているので、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上方または側方に読取用配線パターンが形成されている場合でも、クロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００６５】
（５）実施例および比較例
（５−１）実施例１
実施例１として、図２に示したサスペンション基板１を作製した。なお、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の厚みをそれぞれ１０μｍとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅をそれぞれ５０μｍとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の間隔を１０μｍとした。また、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１との間隔および書込用配線パターンＷ２とグランドパターンＧ２との間隔を１０μｍとした。
【００６６】
また、グランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みをそれぞれ１０μｍとし、グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅をそれぞれ５０μｍとした。グランド壁Ｇ３，Ｇ４の幅をそれぞれ２０μｍとし、グランド壁Ｇ３，Ｇ４の厚み（高さ）をそれぞれ１０μｍとし、グランドカバー部５１の厚みを１０μｍとした。
【００６７】
（５−２）実施例２
実施例２として、図５に示したサスペンション基板１ａを作製した。なお、書込用配線パターンＷ１の厚みを７μｍとし、書込用配線パターンＷ２の厚みを４μｍとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅をそれぞれ３３μｍとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の距離を４μｍとした。
【００６８】
また、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１，Ｇ２との間隔を１５μｍとし、グランドパターンＧ１，Ｇ２の厚みをそれぞれ４μｍとし、グランドパターンＧ１，Ｇ２の幅をそれぞれ５０μｍとした。また、グランド壁Ｇ３，Ｇ４の幅をそれぞれ２０μｍとし、グランド壁Ｇ３，Ｇ４の厚み（高さ）をそれぞれ１６μｍとし、グランドカバー部５１の厚みを５μｍとした。
【００６９】
（５−３）比較例
図６は、比較例のサスペンション基板の模式的断面図である。図６のサスペンション基板１ｂが実施例２のサスペンション基板１と異なるのは次の点である。
【００７０】
サスペンション基板１ｂにおいては、グランドパターンＧ１，Ｇ２、グランド壁Ｇ３，Ｇ４およびグランドカバー部５１からなるグランドシールドＧＳが形成されていない。また、書込用配線パターンＷ２から離間して第２の絶縁層４２上にグランドパターンＧ１１が形成されている。
【００７１】
なお、書込用配線パターンＷ１の厚みを４μｍとし、書込用配線パターンＷ２の厚みを７μｍとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の幅をそれぞれ５０μｍとし、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の距離を５μｍとした。グランドパターンＧ１１の厚みを７μｍとし、幅を５０μｍとした。また、書込用配線パターンＷ１とグランドパターンＧ１１との距離を２００μｍとした。
【００７２】
（５−４）評価
実施例１，２および比較例のサスペンション基板１，１ａ，１ｂにおいて、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）における損失、ならびに差動モード入力およびコモンモード出力（Ｓｃｄ２１）における損失を調べた。
【００７３】
図７は差動モード入力および差動モード出力における損失を測定した結果を示す図であり、図８は差動モード入力およびコモンモード出力における損失を測定した結果を示す図である。図７および図８において、縦軸が利得を示し、横軸が信号の周波数を示す。この場合、負の利得は損失を表す。
【００７４】
図７に示すように、差動モード入力および差動モード出力における損失に関しては、実施例１，２のサスペンション基板１，１ａでの損失が、比較例のサスペンション基板１ｂでの損失よりも小さかった。この結果から、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を取り囲むようにグランドシールドＧＳを形成することにより、差動信号の伝送時のインピーダンスが低減され、伝送損失が低減されることがわかった。
【００７５】
また、図８に示すように、差動モード入力およびコモンモード出力（差動モードからコモンモードへの変換）における損失に関しては、実施例１，２のサスペンション基板１，１ａでの損失が、比較例のサスペンション基板１ｂでの損失に比べて大きかった。これにより、実施例１，２のサスペンション基板１，１ａにおいては、比較例のサスペンション基板１ｂに比べて差動モードからコモンモードに変換されにくいことがわかった。
【００７６】
したがって、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を取り囲むようにグランドシールドＧＳを形成することにより、ＥＭＩ（電磁障害）の発生および差動信号の伝送損失を抑制できることがわかった。
【００７７】
（６）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を取り囲むようにグランドシールドＧＳが設けられるが、同様に、読込用配線パターンＲ１，Ｒを取り囲むようにグランドシールドＧＳが設けられてもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態のサスペンション基板１，１ａにおいて、サスペンション本体部１０を設けなくてもよい。
【００７９】
（７）  請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【００８０】
上記実施の形態においては、書込用配線パターンＷ１が第１の配線パターンの例であり、書込用配線パターンＷ２が第２の配線パターンの例であり、絶縁層４２ａ，４３ａが第２の絶縁層の例であり、グランドシールドＧＳが導体部の例である。また、グランドパターンＧ１，Ｇ２が第１および第２のグランドパターンの例であり、グランド壁Ｇ３，Ｇ４が第１および第２のグランド壁部の例である。また、サスペンション本体部１０が金属基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。
【００８１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の平面図である。
【図２】図１のサスペンション基板の一部の模式的縦断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係るサスペンション基板の製造工程を示す図である。
【図５】他の実施の形態に係るサスペンション基板を示す縦断面図である。
【図６】比較例のサスペンション基板の模式的断面図である。
【図７】差動モード入力および差動モード出力における損失を測定した結果を示す図である。
【図８】差動モード入力およびコモンモード出力における損失を測定した結果を示す図である。
【図９】従来のサスペンション基板例を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  サスペンション基板
１０  サスペンション本体部
１２  タング部
４１  第１の絶縁層
４２  第２の絶縁層
４３  第３の絶縁層
５１  グランドカバー部
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ１１  グランドパターン
Ｇ３，Ｇ４  グランド壁
ＧＳ  グランドシールド
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
【図１】
2009246092.tif 000003
【図２】
2009246092.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2009246092.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009246092.tif 000009
【図８】
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【図９】
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