(57)【要約】【課題】  低粗化箔上に塗布する場合であっても斑点が十分に少ない接着層を形成することができ、さらには高周波帯での伝送損失を十分に低減でき、耐熱性に優れ、しかも、絶縁層と導電層との間や、多層化を行った場合のこれらの層と接着層との間の接着力にも優れるプリント配線板を形成することができる接着層付き金属箔の実現を可能とする樹脂ワニスを提供すること。【解決手段】  上記課題を解決する樹脂ワニスは、金属箔と、この金属箔上に設けられた接着層とを備える接着層付き金属箔の接着層を形成するための樹脂ワニスであって、（Ａ）多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）多官能フェノール樹脂、（Ｃ）ポリアミドイミド、及び溶媒を含み、溶媒が（Ｄ）含窒素系溶媒及び（Ｅ）ケトン系溶媒を含むものである。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔と、前記金属箔上に設けられた接着層と、を備える接着層付き金属箔の前記接着層を形成するための樹脂ワニスであって、
（Ａ）多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）多官能フェノール樹脂、（Ｃ）ポリアミドイミド、及び溶媒を含み、
前記溶媒が（Ｄ）含窒素系溶媒及び（Ｅ）ケトン系溶媒を含む、樹脂ワニス。
【請求項２】
前記（Ａ）成分の多官能エポキシ樹脂が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、アラルキレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル−アラルキレン骨格エポキシ樹脂、フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、低級アルキル基置換フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及び多官能脂環式エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の樹脂ワニス。
【請求項３】
前記（Ｂ）成分の多官能フェノール樹脂が、前記（Ａ）成分の硬化剤であり、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、サリチルアルデヒド型フェノール樹脂、ベンズアルデヒド型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂の共重合型樹脂、及びノボラック型フェノール樹脂からなる群より選択される少なくとも１種のフェノール樹脂を含む、請求項１又は２に記載の樹脂ワニス。
【請求項４】
前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分は、これらの混合物の硬化後のガラス転移温度が１５０℃以上となるものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂ワニス。
【請求項５】
前記（Ｃ）成分が、飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂ワニス。
【請求項６】
前記（Ｃ）成分の配合割合が、前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して１０〜４００質量部である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂ワニス。
【請求項７】
前記（Ｄ）成分が、１−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−ピロリジノン、ε−カプロラクタム、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロパンアミド、及びヘキサメチルホスホリックトリアミドからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の樹脂ワニス。
【請求項８】
前記（Ｅ）成分が、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、及びジアセトンアルコールからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の樹脂ワニス。
【請求項９】
前記（Ｄ）成分及び前記（Ｅ）成分の配合割合は、前記（Ｄ）成分１００質量部に対して前記（Ｅ）成分が１〜１００質量部である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の樹脂ワニス。
【請求項１０】
金属箔と、該金属箔の主面上に請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂ワニスを塗布した後、該樹脂ワニスに含まれる前記溶媒を除去することにより形成された接着層と、を有する、接着層付き金属箔。
【請求項１１】
前記接着層の厚さが０．１〜５μｍである、請求項１０に記載の接着層付き金属箔。
【請求項１２】
前記金属箔の前記接着層が形成される面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下である、請求項１０又は１１に記載の接着層付き金属箔。
【請求項１３】
絶縁性を有する樹脂を含有する絶縁樹脂膜の少なくとも片面上に、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の接着層付き金属箔を、前記接着層付き金属箔の前記接着層が接するように積層して積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧することにより得られる、金属張積層板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の金属張積層板における金属層を、所定の回路パターンに加工して得られる、印刷配線板。
【請求項１５】
コア基板と、該コア基板の少なくとも片面上に設けられた配線板と、を備える多層配線板であって、
前記コア基板が、請求項１４に記載の印刷配線板を含むものである、多層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂ワニス、並びに、この樹脂ワニスを用いて得られる接着層付き金属箔、金属張積層板、印刷配線板及び多層配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話に代表される移動体通信機器やその基地局装置、サーバーやルーター等のネットワーク関連電子機器及び大型コンピュータ等では、大容量の情報を低損失かつ高速で伝送・処理することが要求されている。かかる要求に対応するため、上述のような装置に搭載されるプリント配線板上で扱う電気信号は高周波数化が進んでいる。しかしながら、高周波になればなるほど電気信号は減衰しやすくなる性質を持つため、これらの分野で使用されるプリント配線板は一層伝送損失を低くする必要がある。
【０００３】
低伝送損失のプリント配線板を得るために、従来、プリント配線板の基板材料として比誘電率や誘電正接の低いフッ素系樹脂を含有する熱可塑性樹脂材料が使用されている。しかしながら、フッ素系樹脂は一般的に溶融粘度が高く、その流動性が比較的低いため、プレス成形時に高温高圧条件を設定する必要がある。また、フッ素系樹脂は、上記の通信機器、ネットワーク関連電子機器及び大型コンピュータ等に使用されるプリント配線板用材料としては、加工性、寸法安定性及び金属めっきとの接着性の点で不十分となる傾向にある。
【０００４】
そこで、比誘電率や誘電正接が低い熱硬化性樹脂組成物を上記電子機器等の誘電体材料の原料として用いる方法が提案されている。例えば、下記特許文献１〜３には、トリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレートを含有する樹脂組成物が開示されている。また、下記特許文献１、２、４及び５には、ポリブタジエンを含有する樹脂組成物が開示されている。また、下記特許文献６には、アリル基等のラジカル架橋性の官能基を付与された熱硬化性ポリフェニレンエーテルと、トリアリルシアヌレートやトリアリルイソシアヌレートとを含有する樹脂組成物が開示されている。これらの特許文献によれば、上記の樹脂組成物を用いた場合、硬化後の樹脂が極性基を多く有しないため、低伝送損失化が可能になるとされている。
【０００５】
また、プリント配線板においては、絶縁層とその上に設けられる導電層との接着性が高いことが望ましい。絶縁層と導電層との接着性が低いと、使用時に両者の剥離が生じる等の不都合が生じ易くなる。プリント配線板は、絶縁層上に導体箔が積層された金属張積層板の導体箔を加工することによって形成されることが多いが、絶縁層と導電層との優れた接着性を得るためには、この金属張積層板における絶縁層と導体箔との接着性が高いことも重要である。
【０００６】
このような観点で作製された金属張積層板としては、下記特許文献７、８に開示されている、プリプレグシートを、エポキシ、マレイン酸、カルボン酸等で変性されたポリブタジエンでコーティング処理した銅箔とともに積層成形した金属張積層板や、下記特許文献９、１０に開示されている、絶縁層と導体層との間にエポキシ化合物やポリアミドイミド化合物を含む層を介在させたプリント配線板等がある。
【０００７】
【特許文献１】特公平６−６９７４６号公報
【特許文献２】特公平７−４７６８９号公報
【特許文献３】特開２００２−２６５７７７号公報
【特許文献４】特公昭５８−２１９２５号公報
【特許文献５】特開平１０−１１７０５２号公報
【特許文献６】特公平６−９２５３３号公報
【特許文献７】特開昭５４−７４８８３号公報
【特許文献８】特開昭５５−８６７４４号公報
【特許文献９】特開２００５−１６７１７２号公報
【特許文献１０】特開２００５−１６７１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、電気信号の伝送損失には、絶縁層（誘電層）に起因する損失（誘電体損失）のほか、導電層に起因する損失（導体損失）がある。プリント配線板等において、従来は、誘電体損失を低減することで全体の導体損失を低くすることができたが、近年の著しい高周波数化に対応するためには、誘電体損失だけでなく、導体損失についても低減する必要性が増してきている。
【０００９】
例えば、上述した特許文献１〜６に記載の樹脂組成物を絶縁層の材料に適用した場合、誘電体損失は低減できるものの、導体損失を低減することは困難である。そのため、これらの樹脂組成物を用いた場合であっても、プリント配線板に求められる高周波に十分に対応できないことが少なくない。
【００１０】
特に、最近実用化されている大部分のプリント配線板（多層配線板）においては、信号層及びグランド層といった導電層の層間に配置される絶縁層の厚みが、２００μｍ以下と比較的薄くなっている。そのため、かかる絶縁層の材料に上記従来のような樹脂組成物を適用した場合、配線板全体の伝送損失としては、誘電体損失よりもむしろ導体損失の方が支配的となる。
【００１１】
ここで、導体損失の低減を図る方法としては、導電層の材料として、絶縁層との接着面である粗化処理面（以下、「Ｍ面」という）側の表面凹凸が小さい金属箔を用いる方法が挙げられる。具体的には、例えば、Ｍ面の表面粗さ（十点平均粗さ；Ｒｚ）が２μｍ以下である金属箔（以下、「低粗化箔」という）を用いた金属張積層板の適用が考えられる。  
【００１２】
本発明者らは、まず、絶縁層に上記特許文献１〜６に記載されたような低誘電率且つ低誘電正接の樹脂を適用し、しかも導電層に上述の低粗化箔を適用して得られたプリント配線板について検討を行った。その結果、このようなプリント配線板は、絶縁層の極性が低く、また、導電層を構成する金属箔のＭ面の凹凸によるアンカー効果が小さいことから、絶縁層と導電層との間の接着力（接合力）が弱く、これらの層間に容易に剥離が生じることを見出した。このような剥離は、プリント配線板を加熱した場合（特に、吸湿後に加熱した場合）に顕著に生じていた。
【００１３】
このように、上記特許文献１〜６に記載の樹脂を絶縁層の材料に適用した場合は、上記のような剥離が生じ易くなるため、低粗化箔を適用して導体損失を十分に低減することは困難であった。
【００１４】
そこで、本発明者らは、上記特許文献７、８に記載された方法を応用して、Ｍ面のＲｚが２μｍ以下である低粗化箔のＭ面にコーティング処理を施してプリント配線板の作製を行った。しかし、この場合であっても、十分に高い銅箔引き剥がし強さが得られないばかりか、耐熱性（特に吸湿時の耐熱性）の低下が生じることが判明した。
【００１５】
さらに、本発明者らは、上記特許文献９、１０に記載された方法を応用して、Ｍ面のＲｚが２μｍ以下である低粗化箔のＭ面上に厚みが０．１〜５μｍのポリアミドイミド樹脂層を設けた接着層付き導体箔を用いてプリント配線板の製造を行った。その結果、高い銅箔引き剥がし強さが得られるようになったが、ポリアミドイミド樹脂層と絶縁層との接着力（接合力）が弱くなり、例えば、加熱した際（特に吸湿後に加熱した際）に、これらの層間に剥離が生じ易くなることが判明した。
【００１６】
一方、接着層付き導体箔を作製する場合、薄膜の樹脂層を形成する点から、接着層を構成する樹脂組成物を溶媒に溶解した樹脂ワニスが用いられ、一般的には、金属箔上に、樹脂ワニスを塗布した後、樹脂ワニスに含まれる溶媒を除去することにより接着層が形成される。しかし、本発明者らの検討によると、低粗化箔上に樹脂ワニスを用いて接着層を形成すると、接着層に斑点が現れる場合のあることが判明している。この斑点は、ワニスがはじかれることで部分的に厚みが不足することで発生するものと考えられ、特に０．１〜５μｍの薄い接着層を形成しようとすると現れやすくなり、外観上問題となるだけでなく、均一な厚みを有する接着層を形成するうえで好ましくない。
【００１７】
そこで、本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、低粗化箔上に塗布する場合であっても斑点が十分に少ない接着層を形成することができ、さらには高周波帯での伝送損失を十分に低減でき、耐熱性に優れ、しかも、絶縁層と導電層との間や、多層化を行った場合のこれらの層と接着層との間の接着力にも優れるプリント配線板を形成することができる接着層付き金属箔の実現を可能とする樹脂ワニスを提供することを目的とする。本発明はまた、この樹脂ワニスを用いて得られる接着層付き金属箔、金属張積層板、並びに、これを用いて得られる印刷配線板及び多層配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明の樹脂ワニスは、金属箔と、この金属箔上に設けられた接着層とを備える接着層付き金属箔の接着層を形成するための樹脂ワニスであって、（Ａ）多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）多官能フェノール樹脂、（Ｃ）ポリアミドイミド、及び溶媒を含み、溶媒が（Ｄ）含窒素系溶媒及び（Ｅ）ケトン系溶媒を含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の樹脂ワニスによれば、上記構成を有することにより、低粗化箔上に塗布する場合であっても斑点が十分に少ない接着層を形成することができる。そして、本発明の樹脂ワニスから形成される接着層は、上記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含み、且つ、斑点の十分少ないものにすることができることから、金属箔の接着層側の面の粗さが低い場合であっても、このような金属箔に対して十分に接着することができ、プリント配線板の製造の際においても、絶縁層に対しても十分な接着性を有することができる。さらに、この接着層は、優れた耐熱性をも有することができる。したがって、本発明の樹脂ワニスを用いて得られる接着層付き金属箔によれば、伝送損失（特に導体損失）を十分に小さくでき、耐熱性にも優れ、しかも、絶縁層と導電層との間の接着性にも優れるプリント配線板が容易に得られるようになる。
【００２０】
なお、本発明の樹脂ワニスによって接着性及び耐熱性の双方に優れた接着層を形成できる理由は未だ明確にはなっていないが、本発明者らは以下のとおり推察する。すなわち、本発明の樹脂ワニスから形成される接着層は、硬化後に（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分による海島構造を形成できるものと考えられる。具体的には、（Ｃ）成分の領域からなる海層と、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の領域からなる島層が形成され得ると考えられる。また、本発明の樹脂ワニスによれば、溶媒として（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を含むことにより、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を含むワニスのはじきを十分抑制することができ、斑点が十分少ない均一な接着層を形成することができる。したがって、これら（Ａ）〜（Ｅ）成分の組み合わせにより、硬化後に上記の海島構造が安定して得られ、（Ｃ）成分による優れた接着性と（Ａ）成分及び（Ｂ）成分による高い耐熱性との双方が良好に発現し得る、接着層が実現されたものと本発明者らは推察する。
【００２１】
本発明の樹脂ワニスにおいては、種々の溶媒に溶解可能であるという観点から、上記（Ａ）成分の多官能エポキシ樹脂が、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、アラルキレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル−アラルキレン骨格エポキシ樹脂、フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、低級アルキル基置換フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及び多官能脂環式エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種のエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【００２２】
また、上記（Ｂ）成分の多官能フェノール樹脂が、上記（Ａ）成分の硬化剤であり、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、サリチルアルデヒド型フェノール樹脂、ベンズアルデヒド型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂の共重合型樹脂、及びノボラック型フェノール樹脂からなる群より選択される少なくとも１種のフェノール樹脂を含むことが好ましい。（Ｂ）成分が（Ａ）成分の硬化剤として機能するものであると、硬化後の接着層と金属箔や絶縁層との接着性が更に良好となるほか、耐熱性も一層向上するようになる。
【００２３】
更に、本発明の樹脂ワニスにおいて、上記（Ａ）成分及び上記（Ｂ）成分は、これらの混合物の硬化後のガラス転移温度が１５０℃以上となるものであることが好ましい。このような（Ａ）及び（Ｂ）成分を含むと、接着層の耐熱性が一層高いものとなる。なお、ガラス転移温度Ｔｇは、ＪＩＳ−Ｋ７１２１−１９８７に準拠して、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定することができる。
【００２４】
また、本発明の樹脂ワニスにおいて、上記（Ｃ）成分が、飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドを含むことが好ましい。（Ｃ）成分としてこのようなポリアミドイミドを含む樹脂ワニスから形成された接着層は、金属箔等に対する接着性が一層強いものとなる。また、耐湿性も向上するため、吸湿した場合であっても優れた接着性を維持することができるなど、プリント配線板の耐湿性も向上することができる。
【００２５】
更に、上記（Ｃ）成分の配合割合は、前記（Ａ）成分及び前記（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して１０〜４００質量部であることが好ましい。この場合、優れた接着性及び耐熱性の両方の特性が良好に得られるようになる。
【００２６】
また、本発明の樹脂ワニスにおいて、上記（Ｄ）成分が、１−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−ピロリジノン、ε−カプロラクタム、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロパンアミド、及びヘキサメチルホスホリックトリアミドからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含むことが好ましい。
【００２７】
更に、本発明の樹脂ワニスにおいて、上記（Ｅ）成分が、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、及びジアセトンアルコールからなる群より選択される少なくとも１種の溶媒を含むことが好ましい。
【００２８】
また、本発明の樹脂ワニスにおいて、上記（Ｄ）成分及び上記（Ｅ）成分の配合割合は、上記（Ｄ）成分１００質量部に対して上記（Ｅ）成分が１〜１００質量部であることが好ましい。この場合、十分な接着性及び低伝送損失を達成しつつ更に高水準の耐熱性を得ることが可能となる。このような効果が得られる理由としては、上記（Ｄ）成分及び上記（Ｅ）成分を上記の配合割合にすることで、上述した海島構造を更に良好に形成することが可能となり、硬化後においても良好な海島構造を維持できたためと本発明者らは考える。なお、この推察は、上記配合割合を満足する樹脂ワニスによって、（Ｃ）成分の析出やワニスのはじきに起因して生じると考えられるスジ状の盛り上がりが十分少ない接着層を形成できるという本発明者らの知見に基づくものである。
【００２９】
本発明はまた、金属箔と、この金属箔の主面上に上記本発明の樹脂ワニスを塗布した後、樹脂ワニスに含まれる溶媒を除去することにより形成された接着層とを有する接着層付き金属箔を提供する。
【００３０】
本発明の接着層付き金属箔によれば、接着層が上記本発明の樹脂ワニスにより形成され、斑点が十分少なく均質な厚さを有するものであることから、高周波帯での伝送損失を十分に低減でき、耐熱性に優れ、しかも、絶縁層と導電層との間や、多層化を行った場合のこれらの層と接着層との間の接着力にも優れるプリント配線板の形成が有効に実現可能となる。
【００３１】
また、本発明の接着層付き金属箔においては、接着層の厚さが０．１〜５μｍであることが好ましい。本発明の接着層付き金属箔が備える接着層は、本発明の樹脂ワニスから形成されていることにより、厚さが上記の範囲であってもより均一なものにすることができる。そして、接着層の厚さが上記の範囲である場合、接着性の向上、及び、誘電体損失の低減を特に良好に図れるようになる。
【００３２】
また、本発明の接着層付き金属箔においては、金属箔の接着層が形成される面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下であることが好ましい。このような表面粗さを有する金属箔から形成された導電層は、導体損失が極めて小さいものとなる。ここで、十点平均粗さ（Ｒｚ）とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に定義された十点平均粗さ（Ｒｚ）をいうものとする。上述したように、本発明の樹脂ワニスによれば、低粗化箔上に塗布する場合であっても斑点が十分に少ない接着層を形成することができる。そのため、金属箔が上記の表面粗さを有する場合、十分な接着性が得られるとともに、より高水準の低伝送損失を達成することができる。
【００３３】
本発明はまた、絶縁性を有する樹脂を含有する絶縁樹脂膜の少なくとも片面上に、上記本発明の接着層付き金属箔を、接着層付き金属箔の接着層が接するように積層して積層体を得た後、この積層体を加熱及び加圧することにより得られる金属張積層板を提供する。
【００３４】
本発明の金属張積層板は、上記本発明の接着層付き金属箔を用いて得られたものであるため、金属箔と接着層、及び、絶縁層（絶縁性樹脂膜）と接着層の間の接着性が良好であるとともに、耐熱性にも優れるものとなる。したがって、金属箔として低粗化箔を適用しても優れた接着性を維持することができ、このような金属張積層板を用いて得られるプリント配線板は、伝送損失が低減されたものとなる。
【００３５】
本発明はまた、上記本発明の金属張積層板における金属層を、所定の回路パターンに加工して得られる印刷配線板を提供する。本発明の印刷配線板は、本発明の金属配線板から得られたものであるため、回路パターン（導電層）が接着層を介して絶縁層（絶縁性樹脂層）に強く接着されたものにすることができる。したがって、低粗化箔から形成された回路パターンを形成した場合であっても、この回路パターンの剥離が生じ難く、また、低伝送損失を達成することが可能となる。
【００３６】
本発明はまた、コア基板と、このコア基板の少なくとも片面上に設けられた配線板とを備える多層配線板であって、コア基板が、上記本発明の印刷配線板を含むものである多層配線板を提供する。このような多層配線板も、上記本発明の印刷配線板を備えることから、絶縁層と回路パターンとの接着性を良好に維持しつつ、低伝送損失化を容易に図ることができる。
【００３７】
なお、電子機器に適用される高周波対応の印刷配線板には、低伝送損失化と同様に、良好なインピーダンス制御も求められる。それを実現するためには、印刷配線板の製造時において、導電層の良好なパターン幅を形成するための精度向上が重要となる。ここで、表面粗さの小さいロープロファイル箔のような金属箔を用いる場合は、導体パターン形成の際の精度向上や、更なるファインパターン化に有利となる傾向にある。
【００３８】
そして、上述の如く、上記本発明の樹脂ワニスを用いて得られる上記本発明の接着層付き金属箔によれば、低粗化箔を用い、且つ、低誘電率及び低誘電正接を有する絶縁性樹脂材料を用いた場合であっても、絶縁樹脂層と金属箔との間の十分な接着性が得られるようになる。したがって、本発明の接着層付き金属箔を用いた印刷配線板等によれば、低伝送損失化だけでなく、良好なインピーダンス制御も実現可能となる。
【００３９】
なお、本発明の接着層付き金属箔により、優れた接着性及び耐熱性が得られるようになる要因については、上述した海島構造に係る理由が推察されるが、本発明者らは以下の点も関係するものと推測している。例えば、金属箔として低粗化箔を用いる場合は、かかる低粗化箔の絶縁樹脂層等に対する接着性が低下する以外に、この低粗化箔を備える金属張積層板を用いて多層化を行った場合であっても層間の剥離が生じ易くなることがある。すなわち、絶縁樹脂層の両面にＭ面のＲｚが２μｍ以下である低粗化箔が積層された金属張積層板の金属箔を除去した後、その面上にプリプレグ及び金属箔を順に重ねることにより多層積層板、更には印刷配線板を作製する場合、低粗化箔によって内層の絶縁樹脂層に転写される粗さも小さいものとなる。
【００４０】
このようにして得られた多層積層板においては、金属張積層板において一般の銅箔（Ｒｚが６μｍ以上）を用いた場合と比較して、絶縁樹脂層とプリプレグとの間のアンカー効果が小さいため、これによって、絶縁樹脂層とプリプレグとの間の接着力（結合力）が小さくなり、結果として表面の金属箔の剥離が生じ易くなる。特に、加熱（特に吸湿後に加熱）した場合には、かかる傾向が顕著である。
【００４１】
このような場合、金属張積層板として、絶縁樹脂層の表面に接着層付き金属箔を積層して得られたものを用いることで、上記のような接着力の低下を低減することができる。すなわち、この金属張積層板を用いて多層積層板を形成する場合、絶縁樹脂層とプリプレグとの間には、接着層付き金属箔に由来する接着層が介在することとなるため、これによって両層の接着性が改善されるようになる。
【００４２】
しかしながら、この場合、接着層にポリアミドイミドのみ、又は、ポリアミドイミドとエポキシ樹脂とを組み合わせた樹脂材料を適用した場合は、プリント配線板として適用するのに耐熱性が不十分となる。これは、これらの樹脂材料は、良好な接着性を示すものの、水との水素結合等を生じ易いため吸湿後の耐熱性がそれほど良好ではないことに起因していると考えられる。
【００４３】
これに対し、本発明の接着層付き金属箔においては、接着層に含まれる（Ａ）及び（Ｂ
）成分が、硬化後の耐熱性（特に吸湿後の耐熱性）に優れるものである。したがって、かかる接着層付き金属箔を用いて得られた多層積層板や印刷配線板は、全体として優れた耐熱性を有するようになる。また、（Ａ）及び（Ｂ）成分は、絶縁樹脂層や金属箔に対する接着性にも優れていることから、（Ｃ）成分であるポリアミドイミドの添加量を少なくしても、接着層は十分な接着性を維持し得る。そして、通常、ポリアミドイミドは接着層の耐熱性を低下させる傾向にあることから、本発明の接着層付き金属箔によれば、ポリアミドイミドの添加量を必要最小限とすることによっても、一層の耐熱性の向上が図られることになる。
【００４４】
このように、本発明の接着層付き金属箔を用いて得られた印刷配線板や多層配線板等は、導電層（回路パターン）と絶縁樹脂層との間に特定の接着層を有するため、接着面が平滑な導電層、及び、誘電体損失が少ない絶縁樹脂層を備える場合であっても、導電層と絶縁樹脂層との接着性が良好であり、しかも耐熱性にも優れるものとなる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、低粗化箔上に塗布する場合であっても斑点が十分に少ない接着層を形成することができ、さらには高周波帯での伝送損失を十分に低減でき、耐熱性（特には吸湿後の耐熱特性）に優れ、しかも、絶縁層と導電層との間や、多層化を行った場合のこれらの層と接着層との間の接着力にも優れるプリント配線板を形成することができる接着層付き金属箔を提供することができる。また、本発明によれば、この樹脂ワニスを用いて得られる接着層付き金属箔、金属張積層板、並びに、これを用いて得られる印刷配線板及び多層配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明については省略する。
【００４７】
図１は、好適な実施形態に係る接着層付き金属箔を模式的に示す部分斜視図である。図示されるように、接着層付き金属箔１は、金属箔１０と、この金属箔１０のＭ面１２上に形成された接着層２０とを備えた構成を有している。
【００４８】
接着層２０は、本発明に係る樹脂ワニスを用いて形成されている。この樹脂ワニスは、金属箔と、この金属箔上に設けられた接着層とを備える接着層付き金属箔の接着層を形成するための樹脂ワニスであって、（Ａ）成分；多官能エポキシ樹脂、（Ｂ）成分；多官能フェノール樹脂、及び（Ｃ）成分；ポリアミドイミドを含む硬化性樹脂組成物と、溶媒とを含み、溶媒が（Ｄ）成分；含窒素系溶媒及び（Ｅ）成分；ケトン系溶媒を含むものである。
【００４９】
なお、本発明に係る樹脂ワニスから形成される接着層を硬化して得られる層（以下、「硬化層」という。）は、プリント配線板の絶縁層の一部としても機能するものであるので、本明細書においては、硬化層以外の絶縁層を構成する部分は「絶縁樹脂層」と表記し、硬化層と区別することとする。
【００５０】
まず、本発明に係る樹脂ワニスについて説明する。
【００５１】
（Ａ）成分である多官能エポキシ樹脂は、分子内に複数のエポキシ基を有する高分子化合物である。このような多官能エポキシ樹脂としては、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂、アラルキレン骨格含有エポキシ樹脂、ビフェニル−アラルキレン骨格エポキシ樹脂、フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、低級アルキル基置換フェノールサリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有エポキシ樹脂、多官能グリシジルアミン型エポキシ樹脂及び多官能脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、上述したもののなかから１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５２】
（Ｂ）成分である多官能フェノール樹脂は、複数のフェノール構造を繰り返し有する高分子化合物である。この多官能フェノール樹脂は、上述したＡ成分である多官能エポキシ樹脂の硬化剤として機能し、硬化反応時に多官能エポキシ樹脂と反応して架橋構造を形成する。このような多官能フェノール樹脂としては、アラルキル型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、サリチルアルデヒド型フェノール樹脂、ベンズアルデヒド型フェノール樹脂とアラルキル型フェノール樹脂の共重合型樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５３】
上述した（Ａ）成分と（Ｂ）成分とは、これらの混合物を硬化して得られた硬化物のガラス転移温度が１５０℃以上となる組み合わせであると好ましい。このような組み合わせの（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含むことで、接着層２０の硬化後の耐熱性（特に吸湿後の耐熱性）が良好となる。
【００５４】
また、樹脂ワニスにおける（Ａ）成分と（Ｂ）成分との好適な配合割合は、（Ａ）成分１００質量部に対して、（Ｂ）成分が好ましくは０．５〜２００質量部、より好ましくは１０〜１５０質量部となる割合である。この（Ｂ）成分の配合割合が０．５質量部未満であると、接着層２０の硬化後の靭性や、硬化後の接着層２０の金属箔（導電層）に対する接着性が不十分となる傾向にある。一方、２００質量部を超えると、接着層２０の熱硬化性や、接着層２０の他の絶縁樹脂層に対する反応性が低下して、硬化後の接着層２０自体や、硬化後の接着層２０と絶縁樹脂層との界面近傍の耐熱性、耐薬品性、破壊強度等が低下する傾向にある。
【００５５】
さらに、樹脂ワニス中には、上述した（Ａ）成分と（Ｂ）成分との反応を促進させる触媒機能を有する硬化促進剤を更に含有させてもよい。硬化促進剤としては、例えば、アミン化合物、イミダゾール化合物、有機リン化合物、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、第四級アンモニウム塩等が挙げられるが、これらに制限されるものではない。硬化促進剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
樹脂ワニスが硬化促進剤を含む場合、その配合割合は、（Ａ）成分の配合割合に応じて決定することが好ましく、具体的には、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．０５〜１０質量部であると好ましい。この数値範囲内で硬化促進剤を配合すると、適切な反応速度が得られ、しかも接着層２０を構成する硬化性樹脂組成物が反応性、硬化性に一層優れるようになる。その結果、硬化後の接着層２０は、より優れた耐薬品性、耐熱性及び／又は耐湿耐熱性を備えるようになる。
【００５７】
（Ｃ）成分であるポリアミドイミドは、分子中にアミド基及びイミド基を複数有する高分子化合物である。このようなポリアミドイミドとしては、例えば、無水トリメリット酸と芳香族ジイソシアネートとの反応による、いわゆるイソシアネート法で合成されるポリアミドイミドが挙げられる。
【００５８】
ポリアミドイミドとしては、分子中に飽和炭化水素からなる構造単位を有するものが好ましい。飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドを（Ｃ）成分として含む接着層２０は、硬化後の金属箔引き剥がし強さが更に強いものとなる。そのため、かかる接着層２０は、高い接着性を有するものとなる。なかでも、飽和炭化水素からなる構造単位は、飽和脂環式炭化水素基であるとより好ましい。かかる飽和脂環式炭化水素基を含有するポリアミドイミドは、優れた耐湿耐熱性も有し、また高いＴｇを示すものとなる。更に、分子中に飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドは、重量平均分子量が５００００以上のものが好ましい。この場合、上記の特性をより安定して得ることが可能となる。
【００５９】
ポリアミドイミドを得るためのイソシアネート法の具体例としては、芳香族トリカルボン酸無水物と、エーテル結合を有するジアミン化合物とを、ジアミン化合物が過剰に存在する条件下で反応させ、次いでジイソシアネートを反応させる方法（特許第２８９７１８６号公報参照）、芳香族ジアミン化合物と無水トリメリット酸とを反応させる方法（特開平０４−１８２４６６号公報参照）等が挙げられる。
【００６０】
ポリアミドイミドとしては、その主鎖にシロキサン構造を有するものが好ましい。シロキサン構造を有するポリアミドイミドを含む硬化層（接着層）は、弾性率、可とう性が良好となり、さらに乾燥効率等の特性にも優れるものとなる。シロキサン構造を含むポリアミドイミドも、上述したイソシアネート法を適用して合成することができる。具体的には、例えば、芳香族トリカルボン酸無水物と、芳香族ジイソシアネートと、シロキサンジアミン化合物を重縮合させる方法（特開平０５−００９２５４号公報参照）、芳香族ジカルボン酸又は芳香族トリカルボン酸とシロキサンジアミン化合物とを重縮合させる方法（特開平０６−１１６５１７号公報参照）、芳香族環を３つ以上有するジアミン化合物及びシロキサンジアミンを含む混合物と無水トリメリット酸とを反応させて得られるジイミドジカルボン酸を含む混合物と、芳香族ジイソシアネートとを反応させる方法（特開平０６−１１６５１７号公報参照）等が挙げられる。本実施形態の樹脂ワニスにおいては、これらの方法により得られたポリアミドイミドを含むことにより、十分に高い金属箔引き剥がし強さを得ることが可能になる。
【００６１】
上述したように、ポリアミドイミドは、その主鎖に飽和炭化水素からなる構造を有するものであると好ましく、さらには重量分子量が５００００以上であるものがより好ましい。以下、飽和炭化水素からなる構造を有するポリアミドイミドの好適な合成方法について説明する。
【００６２】
飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドは、例えば、飽和炭化水素基を有するジアミン化合物と無水トリメリット酸とを反応させて得られるイミド基含有ジカルボン酸を、ジアミン化合物と反応させる方法や、上記イミド基含有ジカルボン酸に、ジイソシアネートを反応させる方法によって得ることができる。また、飽和脂環式炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドについても、ジアミン化合物として飽和脂環式炭化水素基を有するものを用いて、上記と同様にして得ることができる。
【００６３】
飽和炭化水素基を有するジアミン化合物としては、例えば、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）で表される化合物が挙げられる。
【００６４】
【化１】
2009007551.tif 000002
式中（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｌ１はハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜３の２価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基、単結合又は下記式（２ａ）又は（２ｂ）で表される２価の基を示し、Ｌ２はハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜３の２価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基又はカルボニル基を示し、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、メトキシ基、ハロゲン置換されていてもよいメチル基を示す。
【００６５】
【化２】
2009007551.tif 000003
式（２ａ）中、Ｌ３はハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜３の２価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基又は単結合を示す。
【００６６】
飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物としては、具体的には、２、２−ビス［４−（４−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］プロパン、ビス［４−（３−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］スルホン、ビス［４−（４−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］スルホン、２、２−ビス［４−（４−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］メタン、４、４’−ビス（４−アミノシクロヘキシルオキシ）ジシクロヘキシル、ビス［４−（４−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］エーテル、ビス［４−（４−アミノシクロヘキシルオキシ）シクロヘキシル］ケトン、１、３−ビス（４−アミノシクロヘキシルオキシ）ベンゼン、１、４−ビス（４−アミノシクロヘキシルオキシ）ベンゼン、２、２’−ジメチルビシクロヘキシル−４、４’−ジアミン、２、２’−ビス（トリフルオロメチル）ジシクロヘキシル−４、４’−ジアミン、２、６、２’、６’−テトラメチル−４、４’−ジアミン、５、５’−ジメチル−２、２’−スルフォニルジシクロヘキシル−４、４’−ジアミン、３、３’−ジヒドロキシジシクロヘキシル−４、４’−ジアミン、（４、４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルエーテル、（４、４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルスルホン、（４、４’−ジアミノシクロヘキシル）ケトン、（３、３’−ジアミノ）ベンゾフェノン、（４、４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン、（４、４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルエーテル、（３、３’−ジアミノ）ジシクロヘキシルエーテル、（４、４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン、（３、３’−ジアミノ）ジシクロヘキシルエーテル、２、２−ビス（４−アミノシクロヘキシル）プロパン等が挙げられる。これらのジアミン化合物は、１種を単独で用いてもよく、また２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６７】
飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物は、例えば、芳香族ジアミン化合物を水素還元することによって容易に得ることが可能である。このような芳香族ジアミン化合物としては、例えば、２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（以下、「ＢＡＰＰ」と表記する。）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４、４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１、３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１、４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２、２’−ジメチルビフェニル−４、４’−ジアミン、２、２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル−４、４’−ジアミン、２、６、２’、６’−テトラメチル−４、４’−ジアミン、５、５’−ジメチル−２、２’−スルフォニルビフェニル−４、４’−ジアミン、３、３’−ジヒドロキシビフェニル−４、４’−ジアミン、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルエーテル、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルスルホン、（４、４’−ジアミノ）ベンゾフェノン、（３、３’−ジアミノ）ベンゾフェノン、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルメタン、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルエーテル、（３、３’−ジアミノ）ジフェニルエーテル等を例示できる。
【００６８】
芳香族ジアミン化合物の水素還元は、一般的な芳香環の還元方法によって行うことができる。このような還元方法としては、例えば、ラネーニッケル触媒や酸化白金触媒（Ｄ．Ｖａｒｅｃｈら、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒ  ２６、  ６１（１９８５）、Ｒ．Ｈ．Ｂａｋｅｒら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．、６９、１２５０（１９４７））、  ロジウム−酸化アルミニウム触媒（Ｊ．Ｃ．Ｓｉｒｃａｒら、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．、３０、３２０６（１９６５）、Ａ．Ｉ．Ｍｅｙｅｒｓら、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ、  ３７１（１９８８）、Ａ．Ｗ．Ｂｕｒｇｓｔａｈｌｅｒ、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  Ｖ、  ５９１（１９７３）、  Ａ．Ｊ．Ｂｒｉｇｇｓ、  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、  １９８８、  ６６）、酸化ロジウム−酸化白金触媒（Ｓ．Ｎｉｓｈｉｍｕｒａ、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．、３４、３２（１９６１）、Ｅ．Ｊ．Ｃｏｒｅｙら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０１、１６０８（１９７９））、チャコール担持ロジウム触媒（Ｋ．Ｃｈｅｂａａｎｅら、Ｂｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｉｍ．Ｆｒ．、１９７５、２４４）、水素化ホウ素ナトリウム−塩化ロジウム系触媒（Ｐ．Ｇ．Ｇａｓｓｍａｎら、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ、  ５８１（１９８８）、Ｐ．Ｇ．Ｇａｓｓｍａｎら、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ、  ６０１（１９８８））などの触媒の存在下での水素還元等が挙げられる。
【００６９】
上述のような特定の飽和炭化水素基を有するジミン化合物から得られるポリアミドイミドを含む樹脂ワニスによれば、従来のポリアミドイミドを用いた場合に比較して極めて高い耐吸水性や撥水性を得ることができる。特に、脂環式飽和炭化水素基を有するジアミン化合物から得られる、脂環式飽和炭化水素からなる構造単位を有するポリアミドイミドを含む樹脂ワニスによれば、これを用いて接着層付き金属箔１を形成し、さらにこの接着層付き金属箔１を用いて金属張積層板を形成した場合に、例えば芳香環のみを有するポリアミドイミドを含有する樹脂ワニスを用いた場合に比べて、吸湿時の接着性を良好に維持することができる。
【００７０】
また、ポリアミドイミドは、上述した飽和炭化水素基からなる構造単位以外に、その他の構造単位を組み合わせて有することが好ましい。飽和炭化水素からなる構造単位以外の構造単位を有するポリアミドイミドは、その原料として、上述した飽和炭化水素基を有するジアミン化合物に加えて、所望の構造単位を含むジアミンを併用することにより得ることができる。
【００７１】
飽和炭化水素基を有するジアミン化合物に加えて併用されるジアミン化合物としては、下記一般式（３）で表されるジアミン化合物が挙げられる。
【００７２】
【化３】
2009007551.tif 000004
【００７３】
式（３）中、Ｌ４はメチレン基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基又は単結合を示し、Ｒ８及びＲ９はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示し、ｋは１〜５０の整数を示す。
【００７４】
上記一般式（３）で表される化合物において、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基であると好ましい。ここで、フェニル基に結合していてもよい置換基としては、炭素数１〜３のアルキル基、ハロゲン原子等が挙げられる。
【００７５】
さらに、低弾性率及び高Ｔｇを両立する観点からは、Ｌ４がオキシ基であると好ましい。Ｌ４がオキシ基であるジアミン化合物としては、ジェファーミンＤ−４００、ジェファーミンＤ−２０００（以上、サンテクノケミカル社製、商品名）等を例示できる。
【００７６】
また、飽和炭化水素基を有するジアミン化合物と組み合わせるジアミン化合物としては、芳香族ジアミン化合物も好適である。これにより、ポリアミドイミド中に芳香環構造も導入されることとなる。芳香族環構造を有するポリアミドイミドを含む硬化性樹脂組成物から形成された接着層等は、より一層Ｔｇが高く、耐熱性に優れるものとなる。
【００７７】
芳香族ジアミン化合物としては、一つの芳香環に２つのアミノ基が直接結合しているジアミンや、２つ以上の芳香環が直接又は所定の基を介して結合した構造に２つのアミノ基が結合しているジアミンが挙げられる。例えば、下記一般式（４ａ）又は（４ｂ）で表されるものが例示できる。
【００７８】
【化４】
2009007551.tif 000005
【００７９】
式（４ａ）及び（４ｂ）中、Ｌ５はハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜３の２価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基、単結合又は下記式（５ａ）又は（５ｂ）で表される２価の基を示し、Ｌ６はハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜３の２価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基又はカルボニル基を示し、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、メトキシ基、ハロゲン置換されていてもよいメチル基を示す。
【００８０】
【化５】
2009007551.tif 000006
【００８１】
式（５ａ）中、Ｌ７はハロゲン置換されていてもよい炭素数１〜３の２価の脂肪族炭化水素基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基又は単結合を示す。
【００８２】
このような芳香族ジアミンとしては、具体的には、２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４、４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１、３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１、４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２、２’−ジメチルビフェニル−４、４’−ジアミン、２、２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル−４、４’−ジアミン、２、６、２’、６’−テトラメチル−４、４’−ジアミン、５、５’−ジメチル−２、２’−スルフォニルビフェニル−４、４’−ジアミン、３、３’−ジヒドロキシビフェニル−４、４’−ジアミン、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルエーテル、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルスルホン、（４、４’−ジアミノ）ベンゾフェノン、（３、３’−ジアミノ）ベンゾフェノン、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルメタン、（４、４’−ジアミノ）ジフェニルエーテル、（３、３’−ジアミノ）ジフェニルエーテル等が挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８３】
さらに、その他のジアミン化合物としては、下記一般式（６）で表されるようなシロキサンジアミンも好適である。シロキサンジアミンを併用することで、ポリアミドイミド中にシロキサン構造が導入される。シロキサン構造を含むポリアミドイミドを含むことで、得られる接着層等は、可とう性が高く、しかも高温条件下での膨れの発生等が大幅に少なくなる。
【００８４】
【化６】
2009007551.tif 000007
【００８５】
式（６）中、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７及びＲ１８（以下、「Ｒ１３〜Ｒ１８」のように表記する）は、それぞれ独立に、アルキル基又はフェニル基であり、炭素数１〜３のアルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基であると好ましい。フェニル基に結合していてもよい置換基としては、炭素数１〜３のアルキル基又はハロゲン原子が好ましい。
【００８６】
Ｒ１９及びＲ２０は、それぞれ独立に、アルキレン基又はアリーレン基であり、炭素数１〜６のアルキレン基又は置換基を有していてもよいアリーレン基が好ましい。後者のアリーレン基としては置換基を有していてもよいフェニレン基又は置換基を有していてもよいナフタレン基が挙げられる。また、これらのアリーレン基に結合していてもよい置換基としては、炭素数１〜３のアルキル基又はハロゲン原子が挙げられる。さらに、上記一般式（６）におけるａ及びｂは、それぞれ独立に１〜１５の整数を示す。
【００８７】
このようなシロキサンジアミンとしては、ジメチルシロキサンの両末端にアミノ基が結合したものが特に好ましい。なお、シロキサンジアミンは、一種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８８】
上述したシロキサンジアミンは、例えば、シリコーンオイルＸ−２２−１６１ＡＳ（アミン当量４５０）、Ｘ−２２−１６１Ａ（アミン当量８４０）、Ｘ−２２−１６１Ｂ（アミン当量１５００）、Ｘ−２２−９４０９（アミン当量７００）、Ｘ−２２−１６６０Ｂ−３（アミン当量２２００）（以上、信越化学工業社製、商品名）、ＢＹ１６−８５３（アミン当量６５０）、ＢＹ１６−８５３Ｂ（アミン当量２２００）、（以上、東レダウコーニングシリコーン社製、商品名）等として商業的に入手可能である。
【００８９】
ポリアミドイミドの製造においては、まず、上述したジアミン化合物と無水トリメリット酸とを反応させる。かかる反応では、ジアミン化合物のアミノ基と無水トリメリット酸のカルボキシル基又は無水カルボキシル基との反応が生じる。特に、アミノ基と無水カルボキシル基との反応が好ましい。
【００９０】
この反応は、ジアミン化合物と無水トリメリット酸とを非プロトン性極性溶媒に溶解又は分散させて、７０〜１００℃で行うことができる。非プロトン性極性溶媒としては、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、シクロヘキサノン等を例示でき、これらのなかでもＮＭＰが特に好ましい。非プロトン性極性溶媒は、１種を単独でも用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００９１】
非プロトン性極性溶媒の使用量は、この非プロトン性極性溶媒、ジアミン化合物及び無水トリメリット酸を含む溶液の全質量中、固形分が好ましくは１０〜７０質量％、より好ましくは２０〜６０質量％となるようにする。この溶液中の固形分が１０質量％未満であると、溶媒の使用量が多すぎるため工業的に不利となる傾向にある。一方、７０質量％を超えると、無水トリメリット酸の溶解性が低下し、十分な反応を行うことが困難となる傾向にある。
【００９２】
次いで、反応後の溶液中に水と共沸可能な芳香族炭化水素を添加し、１５０〜２００℃で更に反応させて脱水閉環反応を生じさせ、これによりイミド基含有ジカルボン酸を得る。この水と共沸可能な芳香族炭化水素としては、トルエン、ベンゼン、キシレン、エチルベンゼン等が挙げられ、トルエンが好ましい。
【００９３】
水と共沸可能な芳香族炭化水素は、非プロトン性極性溶媒１００質量部に対し、１０〜５０質量部に相当する量を添加することが好ましい。この芳香族炭化水素の添加量が１０質量部未満であると、水の除去が不十分となり、イミド基含有ジカルボン酸の生成量が減少する傾向にある。一方、５０質量部を超えると、反応温度が不都合に低下してしまい、イミド基含有ジカルボン酸の生成量が不十分となるおそれがある。
【００９４】
脱水閉環反応中には、水とともに溶液中の芳香族炭化水素も留出するため、溶液中の芳香族炭化水素の量が上述の好適な範囲よりも少なくなる場合がある。そのため、反応中に、例えば、反応装置に設けられたコック付きの水分定量受器中に留出した芳香族炭化水素を、水と分離した後に反応溶液中に戻す等して、溶液中の芳香族炭化水素の量を一定割合に保つことが好ましい。なお、脱水閉環反応の終了後には、溶液の温度を１５０〜２００℃に保持して、水と共沸可能な芳香族炭化水素を除去しておくことが好ましい。
【００９５】
このようにして得られるイミド基含有ジカルボン酸としては、例えば、下記一般式（７）で表される構造を有するものが挙げられる。
【００９６】
【化７】
2009007551.tif 000008
【００９７】
式中、Ｌ８は、上記一般式（１ａ）、（１ｂ）、（３）、（４ａ）、（４ｂ）又は（６）で表されるジアミン化合物のアミノ基を除いた残基を示す。これらの基におけるＲ５〜Ｒ２０、ｋ、ａ及びｂは、いずれも上記と同義である。
【００９８】
上述したイミド基含有ジカルボン酸からポリアミドイミドを製造する方法としては、まず、イミド基含有ジカルボン酸を酸ハロゲン化物に誘導した後、上述したようなジアミン化合物と更に共重合させる方法が挙げられる。
【００９９】
イミド基含有ジカルボン酸の酸ハロゲン化物への誘導は、イミド基含有ジカルボン酸を、例えば、塩化チオニル、三塩化リン、五塩化リン、ジクロロメチルエーテル等と反応させることにより行うことができる。そして、イミド基含有ジカルボン酸の酸ハロゲン化物は、室温又は加熱条件下で容易に上記ジアミン化合物と共重合させることができる。
【０１００】
また、ポリアミドイミドは、イミド基含有ジカルボン酸を、縮合剤の存在下で上記ジアミン化合物と共重合させることによっても製造することもできる。縮合剤としては、カルボキシル基とアミノ基との反応によりアミド結合を形成し得る一般的な縮合剤を適用できる。例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド、Ｎ−エチル−Ｎ´−３−ジメチルアミノプロピルカルボジイミド等を単独で用いるか、これらをＮ−ヒドロキシスクシンイミドや１−ヒドロキシベンゾトリアゾールと併用することが好ましい。
【０１０１】
さらに、ポリアミドイミドは、イミド基含有ジカルボン酸を、ジイソシアネートと反応させることによって得ることもできる。
【０１０２】
この反応によりポリアミドイミドを合成する場合は、イミド基含有ジカルボン酸の合成に用いるジアミン化合物及び無水トリメリット酸、並びに、ジイソシアネートを、特定のモル比で用いることが好ましい。すなわち、（ジアミン化合物：無水トリメリット酸：ジイソシアネート）は、モル比で、１．０：（２．０〜２．２）：（１．０〜１．５）の範囲であると好ましく、１．０：（２．０〜２．２）：（１．０〜１．３）の範囲であるとより好ましい。ポリアミドイミドの合成において各成分のモル比を上記範囲とすることで、高分子量であり、フィルム形成に有利なポリアミドイミドの合成が可能となる。
【０１０３】
ポリアミドイミドの合成の際に用いるジイソシアネートとしては、下記一般式（８）で表される化合物を例示できる。
【０１０４】
【化８】
2009007551.tif 000009
【０１０５】
式（８）中、Ｌ９は１つ以上の芳香環を有する２価の有機基、又は、２価の脂肪族炭化水素基である。例えば、下記一般式（９ａ）で表される基、下記一般式（９ｂ）で表される基、トリレン基、ナフチレン基、ヘキサメチレン基及び２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基からなる群より選ばれる少なくとも一種の基が好ましい。
【０１０６】
【化９】
2009007551.tif 000010
【０１０７】
一般式（８）で表されるジイソシアネートとしては、脂肪族ジイソシアネート又は芳香族ジイソシアネートを用いることができるが、芳香族ジイソシアネートを用いることが好ましく、両者を併用することが特に好ましい。芳香族ジイソシアネートとしては、４、４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、２、４−トリレンジイソシアネート、２、６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−１、５−ジイソシアネート、２、４−トリレンダイマー等を例示でき、ＭＤＩを用いることが特に好ましい。芳香族ジイソシアネートとしてＭＤＩを用いることにより、得られるポリアミドイミドの可撓性を向上させ、結晶性を低減させることができるので、ポリアミドイミドのフィルム形成性を向上させることができる。脂肪族ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、２、２、４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等を例示できる。
【０１０８】
芳香族ジイソシアネート及び脂肪族ジイソシアネートを併用する場合は、脂肪族ジイソシアネートを芳香族ジイソシアネート１００モル部に対して５〜１０モル部程度添加することが好ましい、これにより、得られるポリアミドイミドの耐熱性を更に向上させることができる。
【０１０９】
イミド基含有ジカルボン酸とジイソシアネートとの反応は、イミド基含有ジカルボン酸を含む溶液中にジイソシアネートを添加することにより、反応温度１３０〜２００℃で行うことができる。塩基性触媒を用いる場合は、この反応を７０〜１８０℃で行うことが好ましく、１２０〜１５０℃で行うことがより好ましい。塩基性触媒の存在下でかかる反応を行う場合は、塩基性触媒の不在下で反応を行う場合に比べて、より低い温度でこの反応を進行させることが可能となるため、高温条件下におけるジイソシアネート同士の反応等の副反応を抑制でき、更に高分子量のポリアミドイミド化合物を得ることが可能となる。
【０１１０】
かかる塩基性触媒としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリ（２−エチルへキシル）アミン、トリオクチルアミン等のトリアルキルアミンが例示できる。なかでもトリエチルアミンは、上述の反応を促進できる好適な塩基性触媒であり、かつ反応後の系内からの除去が容易であることから特に好ましい。
【０１１１】
上記反応により得られるポリアミドイミドは、下記一般式（１０）で表される構造単位を有している。なお式中、Ｌ８、Ｌ９は、上述のＬ８、Ｌ９と同義である。
【０１１２】
【化１０】
2009007551.tif 000011
【０１１３】
本実施形態の樹脂ワニスにおいて、（Ｃ）成分のポリアミドイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万以上であることが好ましい。（Ｃ）成分であるポリアミドイミドの分子量が５万未満であると、（Ｃ）成分を採用して得られる接着層付き金属箔又はプリント配線板において、硬化層と金属箔（導電層）との接着性が低下する傾向にあり、その傾向は、箔厚が薄くなるとさらに顕著になる。なお、ここでいうＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定を行い、標準ポリスチレンを用いて作成した検量線により換算したものである。
【０１１４】
本実施形態の樹脂ワニスにおいて、（Ｃ）成分の配合割合は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、０．５〜５００質量部の範囲とすると好ましく、１〜４００質量部とすることがより好ましく、１０〜４００質量部とすることが更により好ましい。（Ｃ）成分であるポリアミドイミドの配合割合が０．５質量部未満であると、かかる配合割合の（Ｃ）成分を採用して得られる接着層付き金属箔又はプリント配線板において、硬化層の靭性や硬化層と金属箔（導電層）との接着性が低下する傾向にある。また、５００質量部を超えると、接着層（硬化層）や絶縁樹脂層と接着層（硬化層）との界面近傍の耐熱性、耐薬品性及び破壊強度が低下する傾向にある。本実施形態の樹脂ワニスにおいては、特に（Ｃ）成分の配合割合を（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して１０〜４００質量部とすることで、優れた接着性及び耐熱性の両方の特性がより良好に得られるようになる。
【０１１５】
（Ｄ）成分である含窒素系溶媒としては、例えば、１−メチル−２−ピロリジノン（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、２−ピロリジノン、ε−カプロラクタム、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロパンアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１６】
（Ｅ）成分であるケトン系溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１７】
本実施形態の樹脂ワニスは、上記の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）成分を含むことにより、低粗化箔上に塗布する場合であっても斑点が十分に少ない接着層を形成することができる。また、本実施形態の樹脂ワニスから形成される接着層２０は、上記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含み、且つ、斑点の十分少ないものにすることができることから、金属箔の接着層側の面の粗さが低い場合であっても、このような金属箔に対して十分に接着することができ、プリント配線板の製造の際においても、絶縁層に対しても十分な接着性を有することができる。さらに、この接着層２０は、優れた耐熱性をも有することができる。したがって、接着層付き金属箔１によれば、伝送損失（特に導体損失）を十分に小さくでき、耐熱性にも優れ、しかも、絶縁層と導電層との間の接着性にも優れるプリント配線板が容易に得られるようになる。
【０１１８】
なお、本実施形態の樹脂ワニスによって接着性及び耐熱性の双方に優れた接着層を形成できる理由は未だ明確にはなっていないが、本発明者らは以下のとおり推察する。すなわち、本実施形態の樹脂ワニスから形成される接着層２０は、硬化後に（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分による海島構造を形成できるものと考えられる。具体的には、（Ｃ）成分の領域からなる海層と、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の領域からなる島層が形成され得ると考えられる。また、本実施形態の樹脂ワニスによれば、溶媒として（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を含むことにより、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分を含むワニスのはじきを十分抑制することができ、斑点が十分少ない均一な接着層２０を形成することができる。したがって、これら（Ａ）〜（Ｅ）成分の組み合わせにより、硬化後に上記の海島構造が安定して得られ、（Ｃ）成分による優れた接着性と（Ａ）成分及び（Ｂ）成分による高い耐熱性との双方が良好に発現し得る、接着層２０が実現されたものと本発明者らは推察する。
【０１１９】
本実施形態の樹脂ワニスにおいては、接着性及び耐熱性に優れ、低伝送損失であるとともに、斑点が十分に少ない接着層をより確実に形成する観点から、（Ｄ）成分として、１−メチル−２−ピロリジノン、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルムアミドのうちの少なくとも１種と、（Ｅ）成分として、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン及びシクロヘキサノンのうちの少なくとも１種とを組み合わせることが好ましい。特に、１−メチル−２−ピロリジノンとメチルエチルケトンとの組み合わせは、（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分の良溶媒である点で好ましい。
【０１２０】
本実施形態の樹脂ワニスに含まれる溶媒は、（Ｄ）成分である含窒素系溶媒と（Ｅ）成分であるケトン系溶媒とを必須成分とするが、その他の溶媒を含んでもよい。このような溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノメチルエーテル、カルビトール、ブチルカルビトール等のエーテル類、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、メトキシエチルアセテート、エトキシエチルアセテート、ブトキシエチルアセテート、酢酸エチル等のエステル類が挙げられる。その配合量は（Ｄ）成分１００質量部に対して１０質量部以下になることが好ましい。
【０１２１】
樹脂ワニスにおいては、溶媒量を調節することにより、形成される接着層が所望の膜厚を有するように固形分濃度やワニス粘度を調整することができる。本実施形態の樹脂ワニスは、ワニス中の固形分（不揮発分）濃度が３〜５０質量％となるように溶媒の含有量を調節することが好ましい。溶媒量を上記のように調節することで、斑点の発生を防止しつつ、所望の膜厚、特には０．１〜５μｍの膜厚を有する接着層を形成することが可能となる。
【０１２２】
また、本実施形態の樹脂ワニスは、接着性及び耐熱性に優れ、低伝送損失であるとともに、斑点が十分に少ない接着層をより確実に形成する観点から、樹脂ワニス中の溶媒全量１００質量部に対して、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を合計で８０質量部以上含むことが好ましい。
【０１２３】
さらに、本実施形態の樹脂ワニスにおいて、（Ｄ）成分である含窒素系溶媒と（Ｅ）成分であるケトン系溶媒との配合割合は、含窒素系溶媒１００質量部に対してケトン系溶媒が１〜１００質量部であると好ましく、２〜８０質量部であるとより好ましく、２〜４０質量部であると更により好ましい。（Ｄ）成分と（Ｅ）成分との配合割合をこのように設定することで、十分な接着性及び低伝送損失を達成しつつ更に高水準の耐熱性が得られる接着層を形成することが可能となる。このような効果が得られる理由としては、上記（Ｄ）成分及び上記（Ｅ）成分を上記の配合割合にすることで、上述した海島構造を更に良好に形成することが可能となり、硬化後においても良好な海島構造を維持できたためと本発明者らは考える。なお、この推察は、上記配合割合を満足する樹脂ワニスによって、（Ｃ）成分の析出やワニスのはじきに起因して生じると考えられるスジ状の盛り上がりが十分少ない接着層を形成できるという本発明者らの知見に基づくものである。
【０１２４】
また、本実施形態の樹脂ワニスには、必要に応じて難燃剤、充填剤、カップリング剤等の各種添加剤を、プリント配線板とした際の耐熱性、接着性、耐吸湿性等の特性が悪化しない範囲の配合量で更に配合してもよい。
【０１２５】
難燃剤としては、特に限定されないが、臭素系、リン系、金属水酸化物等の難燃剤が好適に用いられる。より具体的には、臭素系難燃剤としては、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及び臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂等の臭素化エポキシ樹脂、ヘキサブロモベンゼン、ペンタブロモトルエン、エチレンビス（ペンタブロモフェニル）、エチレンビステトラブロモフタルイミド、１、２−ジブロモ−４−（１、２−ジブロモエチル）シクロヘキサン、テトラブロモシクロオクタン、ヘキサブロモシクロドデカン、ビス（トリブロモフェノキシ）エタン、臭素化ポリフェニレンエーテル、臭素化ポリスチレン及び２、４、６−トリス（トリブロモフェノキシ）−１、３、５−トリアジン等の臭素化添加型難燃剤、トリブロモフェニルマレイミド、トリブロモフェニルアクリレート、トリブロモフェニルメタクリレート、テトラブロモビスフェノールＡ型ジメタクリレート、ペンタブロモベンジルアクリレート及び臭素化スチレン等の不飽和二重結合含有の臭素化反応型難燃剤が挙げられる。
【０１２６】
リン系難燃剤しては、例えば、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、クレジルジ−２、６−キシレニルホスフェート及びレゾルシノールビス（ジフェニルホスフェート）等の芳香族系リン酸エステル、フェニルホスホン酸ジビニル、フェニルホスホン酸ジアリル及びフェニルホスホン酸ビス（１−ブテニル）等のホスホン酸エステル、ジフェニルホスフィン酸フェニル、ジフェニルホスフィン酸メチル、９、１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキシド誘導体等のホスフィン酸エステル、ビス（２−アリルフェノキシ）ホスファゼン、ジクレジルホスファゼン等のホスファゼン化合物、リン酸メラミン、ピロリン酸メラミン、ポリリン酸メラミン、ポリリン酸メラム、ポリリン酸アンモニウム及び赤リン等のリン系難燃剤が挙げられる。また、金属水酸化物難燃剤としては、例えば、水酸化マグネシウムや水酸化アルミニウム等が挙げられる。これらの難燃剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２７】
本実施形態の樹脂ワニスにおける難燃剤の配合割合は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、５〜１５０質量部とすることが好ましく、５〜８０質量部とすることがより好ましく、５〜６０質量部とすることが更により好ましい。難燃剤の配合割合が５質量部未満であると、耐燃性が不十分となる傾向があり、１００質量部を超えると、硬化させた接着層の耐熱性が低下する傾向にある。
【０１２８】
充填剤としては、特に限定されるものではないが、通常無機充填剤が好適に用いられる。無機充填剤としては、例えば、アルミナ、酸化チタン、マイカ、シリカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、焼成クレー等のクレー、タルク、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素等が挙げられる。これらの充填剤は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２９】
また、充填剤の形状、粒径については特に制限されないが、粒径は０．０１〜５０μｍが好ましく、０．１〜１５μｍがより好ましい。更に、本実施形態の樹脂ワニスにおける充填剤の配合割合は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、１〜１０００質量部が好ましく、１〜８００質量部がより好ましい。
【０１３０】
カップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。シラン系カップリング剤としては、炭素官能性シランが用いられ、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピル（メチル）ジメトキシシラン、２−（２、３−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランのようなエポキシ基含有シラン；３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピル（メチル）ジメトキシシランのようなアミノ基含有シラン；３−（トリメトキシリル）プロピルテトラメチルアンモニウムクロリドのようなカチオン性シラン；ビニルトリエトキシシランのようなビニル基含有シラン；３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランのようなアクリル基含有シラン；および３−メルカプトプロピルトリメトキシシランのようなメルカプト基含有シランが挙げられる。また、チタネート系カップリング剤としては、例えば、チタンプロポキシド、チタンブトキシドのようなチタン酸アルキルエステルが挙げられる。これらのカップリング剤は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１３１】
本実施形態の樹脂ワニスにおけるカップリング剤の配合割合は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の合計量１００質量部に対して、０．０５〜２０質量部が好ましく、０．１〜１０質量部がより好ましい。
【０１３２】
本実施形態の樹脂ワニスは、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、必要に応じて硬化促進剤及びその他の添加剤を、（Ｄ）成分及び（Ｃ）成分が含まれる溶媒に公知の方法で配合し混合することにより製造することができる。
【０１３３】
接着層付き金属箔１における接着層２０の厚さは、０．１〜１０．０μｍであると好ましく、０．１〜５．０μｍであるとより好ましく、０．５〜５．０μｍであると更により好ましい。接着層２０の厚さが０．１μｍ未満であると、当該接着層２０の金属箔等に対する引き剥がし強さが十分に得られなくなるおそれがある。一方、１０．０μｍを超えると、例えば、金属張積層板とした場合に、隣接する絶縁樹脂層の種類によっては、高周波伝送特性が不十分となる場合がある。
【０１３４】
接着層付き金属箔１における金属箔１０としては、例えば、銅箔、ニッケル箔、アルミ箔等が挙げられ、電解銅箔又は圧延銅箔が好ましい。また、金属箔は、その防錆性、耐薬品性や耐熱性を向上させる観点から、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルト等によるバリアー層形成処理が施されていてもよく、絶縁層との接着性を向上させる観点から、表面粗化処理やシランカップリング剤による処理等の通常の表面処理が施されていてもよい。
【０１３５】
金属箔１０が表面粗化処理されたものである場合、そのＭ面における十点平均粗さ（Ｒｚ）は４μｍ以下が好ましく、２μｍ以下であることがより好ましい。このような表面粗さを有する金属箔１０を備える接着層付き金属箔１によれば、得られるプリント配線板等の高周波伝送特性を更に向上させることができる。
【０１３６】
また、シランカップルリング剤処理に用いるシランカップルリング剤としては、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、カチオニックシラン、ビニルシラン、アクリロキシシラン、メタクロイロキシシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン等が挙げられる。
【０１３７】
金属箔１０は、１種の金属材料からなる単層構造を有していてもよく、複数の金属材料からなる単層構造を有していてもよく、異なる材質の金属層が複数積層された構造を有していてもよい。また、金属箔１０の厚さは特に制限されない。金属箔１０のうち、銅箔としてはＦ１−ＷＳ（古河サーキットフォイル社製、商品名、Ｒｚ＝１．９）、Ｆ０−ＷＳ（古河サーキットフォイル社製、商品名、Ｒｚ＝１．０μｍ）、Ｔ９−ＳＶ（福田金属箔粉工業社製、商品名、Ｒｚ＝１．８）等が商業的に入手可能である。
【０１３８】
本実施形態に係る接着層付き金属箔１は、公知の方法により製造することができる。例えば、上述した本実施形態の樹脂ワニスを、金属箔１０の片面（Ｍ面側）に塗布した後、乾燥させて接着層２０を形成することにより接着層付き金属箔１を得ることができる。なお、接着層２０は、半硬化（Ｂステージ化）させたものであってもよい。
【０１３９】
塗布方法としては、公知の方法が挙げられ、例えば、キスコーター、ロールコーター、コンマコーター等を用いた方法が挙げられる。また、乾燥は、加熱乾燥炉中等で７０〜２５０℃、好ましくは１００〜２００℃の温度で、１〜３０分間、好ましくは３〜１５分間乾燥することにより行うことができる。この際の乾燥温度は、（Ｄ）成分及び（Ｅ）成分を含む溶媒の揮発可能な温度以上であると好ましい。
【０１４０】
上述したように、本実施形態の樹脂ワニスによれば、金属箔上に斑点が十分に少ない接着層を形成することができることから、金属箔１上に０．１〜２０μｍの均一な接着層２０を形成することが可能となる。また、本実施形態の樹脂ワニスによれば、接着層２０の膜厚を上述した好ましい範囲に設定した場合であっても、上記の効果を十分得ることができる。
【０１４１】
接着層付き金属箔１は、その接着層２０を介して絶縁樹脂膜等の上に積層されることで、容易に金属張積層板等を形成することができる。そして、このようにして得られた金属張積層板等は、例えば、絶縁樹脂膜等に、リブタジエン、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、官能化ポリフェニレンエーテル等の低誘電率樹脂を採用した場合であっても、優れた導体（金属箔）の引き剥がし強さを発現でき、しかも、この引き剥がし強さは、吸湿時であっても十分に維持されるようになる。その結果、金属張積層板は、十分に優れた耐熱性及び吸湿時の耐熱性を有するようになる。
【０１４２】
また、これらの特性は、接着層付き金属箔１が、Ｍ面の粗さが比較的小さい金属箔１０を有する場合であっても十分に得ることができる。すなわち、本実施形態の樹脂ワニスによれば、低粗化箔上であっても、上記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含み、且つ、斑点が十分に少ない接着層を形成することができる。したがって、この場合の金属張積層板を用いて得られるプリント配線板等は、高周波特性、導体層の接着性、耐熱性の全てを良好に兼ね備えるものとなる。したがって、本実施形態の接着層付き金属箔１は、高周波信号を扱う各種の電機・電子機器に備えられるプリント配線板（印刷配線板）等を形成するための金属張積層板の部材や原料として好適である。
【０１４３】
次に、好適な実施形態に係る金属張積層板について説明する。本実施形態の金属張積層板は、上述した接着層付き金属箔を用いて得られたものであり、その形成方法や形状、積層構造等は特に制限されない。
【０１４４】
図２は、好適な実施形態の金属張積層板の断面構成を模式的に示す図である。図示されるように、金属張積層板１００は、絶縁樹脂層４０と、この絶縁樹脂層４０の両面に積層された接着硬化層３０と、これらの接着硬化層３０における絶縁樹脂層４０に対して反対側の面上に積層された金属箔１０とを備えた構成を有している。
【０１４５】
絶縁樹脂層４０は、複数の層が積層されて一体化された構成を有している。また、この絶縁樹脂層４０と接着硬化層３０とは一体化されており、これらにより絶縁層５０が形成されている。金属張積層板１００における金属箔１０及び接着硬化層３０は、上述した実施形態の接着層付き金属箔１から形成されたものである。すなわち、接着硬化層３０は、接着層付き金属箔１における接着層２０が硬化したものであり、金属箔１０は接着層付き金属箔１における金属箔１０から構成されている。
【０１４６】
このような構成を有する金属張積層板１００は、以下のようにして得ることができる。まず、絶縁樹脂層４０を形成するためのプリプレグを準備する。プリプレグとしては、ポリブタジエン、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、官能化ポリフェニレンエーテル等の絶縁性を有する樹脂を、ガラス繊維、有機繊維等の強化繊維に含浸させ、例えば、樹脂を半硬化させる等の公知の方法により作製されたものが挙げられる。
【０１４７】
次に、このプリプレグを複数枚重ねて絶縁性樹脂膜を形成し、この絶縁性樹脂膜の両面に、一対の接着層付き金属箔１をこれらの接着層２０が絶縁樹脂膜に接するようにして重ねる。その後、これらを加熱及び／又は加圧することにより、金属張積層板が得られる。この加熱・加圧により、絶縁性樹脂膜における絶縁性を有する樹脂が硬化するとともに、接着層２０を構成している硬化性樹脂組成物が硬化する。その結果、絶縁性樹脂膜から絶縁樹脂層４０が形成され、接着層２０から接着硬化層３０が形成される。
【０１４８】
加熱は、１５０〜２５０℃の温度で行うことが好ましく、加圧は、０．５〜１０．０ＭＰａの圧力で行うことが好ましい。この加熱及び加圧は、真空プレスを用いることにより同時に行うことができる。この場合、真空プレスは、３０分〜１０時間実施することが好ましい。これにより、接着層２０及び絶縁性樹脂膜の硬化が十分に進行するようになり、金属箔１０と絶縁層５０との接着層に優れ、しかも、耐薬品性、耐熱性及び耐湿耐熱性に優れた金属張積層板１００が得られるようになる。
【０１４９】
好適な実施形態の金属張積層板１００は、上述した構成を有しており、換言すれば、一対の金属箔１０間に、絶縁樹脂層４０と接着硬化層４０とが一体化されてなる絶縁層５０が挟まれた構成を有している。このような金属張積層板１００は、接着層付き金属箔１を用いて形成されたものであるため、高周波帯での伝送損失を十分に抑制し得るプリント配線板を作製するのに有利であり、しかも、絶縁層５０と金属箔１０との間の接着性が十分に優れたものとなる。
【０１５０】
なお、上述した例では、金属張積層板１００として、絶縁性樹脂膜の両面に接着層付き金属箔１が積層されたものを例示したが、これに限られず、本発明の金属張積層板は、接着層付き金属箔が片面にのみ積層されたものであってもよい。また、絶縁樹脂層４０は、複数の層からなる積層構造を有していたが、これに限定されず、単層構造を有するものであってもよい。
【０１５１】
次に、好適な実施形態に係るプリント配線板（印刷配線板）について説明する。本実施形態のプリント配線板は、上述した接着層付き金属箔、好ましくは金属張積層板を用いて得られたものであり、その形成方法や形状、積層構造等は特に制限されない。
【０１５２】
図３は、好適な実施形態のプリント配線板の部分的な断面構成を示す図である。図示されるように、プリント配線板２００は、絶縁樹脂層４０と、この絶縁樹脂層４０の両面に積層された接着硬化層３０と、これらの接着硬化層３０における絶縁樹脂層４０に対して反対側の面上に形成された導電層１１とを備えた構成を有している。また、このプリント配線板２００の所定の位置には、積層方向に貫通するスルーホール７０が形成されており、その壁面、及び、当該スルーホール７０の開口部分周辺の導電層１１の表面上には、めっき皮膜６０が形成されている。このめっき皮膜６０によって、表裏面の導電層１１同士が導通されている。
【０１５３】
このプリント配線板２００において、接着硬化層３０及び絶縁樹脂層４０は、上述した金属張積層板１００と同様の構成を有している。また、接着硬化層３０と絶縁樹脂層４０とは一体化されて、基板として機能する絶縁層５０を構成している。
【０１５４】
このような構成を有するプリント配線板２００は、例えば、以下のようにして製造することが好ましい。すなわち、まず、上述した実施形態の金属張積層板１００を準備する。次いで、この金属張積層板１００に、公知の方法により穴あけ加工を施した後、めっきを施す。これにより、スルーホール７０及びめっき皮膜６０が形成される。また、金属張積層板１００表面の金属箔１０を、エッチング等の公知の方法により所定の回路形状に加工する。これにより、金属箔１０から導電層１１が形成される。こうして、プリント配線板２００が得られる。
【０１５５】
このようにプリント配線板２００は、接着層付き金属箔１を用いて得られた金属張積層板１００から形成されたものである。このため、プリント配線板２００において、導体箔１０から得られる導電層１１は、接着硬化層３０を介して絶縁樹脂層４０と強く接着されている。つまり、導電層１１と絶縁層５０との接着性が極めて良好となっている。したがって、導電層１１を形成するための金属箔１０として低粗化箔を用いた場合であっても、導電層１１の絶縁層５０からの剥離が生じ難い。そして、このようなプリント配線板２００は、高周波帯での伝送損失が小さいものとなり得る。
【０１５６】
また、絶縁樹脂層４０の樹脂材料として、高絶縁性及び高耐熱性を有する樹脂を適用したとしても、導電層１１の剥離を十分に低減し得る。さらに、接着硬化層３０は、高湿度条件下であっても、優れた接着性を維持することができる。したがって、プリント配線板２００は、その絶縁層５０が優れた絶縁性を有するため更なる高周波対応が可能なほか、優れた耐熱性、特に高湿条件下での優れた耐熱性を有するものとなる。
【０１５７】
さらに、好適な実施形態に係る多層プリント配線板は、上述したプリント配線板２００を内層コア基板として備えるものである。図４は、好適な実施形態に係る多層プリント配線板の部分的な断面構成を示す図である。
【０１５８】
図示されるように、多層プリント配線板３００は、内層コア基板２１０の両面に積層されたプリプレグの硬化物（基材）からなる絶縁樹脂層４２と、これらの絶縁樹脂層４２の内層コア基板２１０に対して反対側の面上に形成された接着硬化層３２と、これらの接着硬化層３２の更に外側表面上に設けられた導電層１１０とを備えている。ここで、内層コア基板２１０は、上述したプリント配線板２００と同様の構成を有している。
【０１５９】
このような構成を有する多層プリント配線板３００は、プリント配線板２００を用いて形成される。すなわち、まず、プリント配線板２００を準備し、これを内層コア基板２１０とする。この内層コア基板２１０の両面上に金属張積層板１００の製造時に用いたようなプリプレグを一層又は複数層重ねる。次いで、このプリプレグの外側の両表面上に、上述した接着層付き金属箔１を、その接着層２０が接するようにして更に重ねる。
【０１６０】
次いで、得られた積層体を加熱加圧成形して、各層同士を接着させる。これにより、内層コア基板２１０上に積層したプリプレグから絶縁樹脂層４２が形成され、接着層付き金属箔１における接着層２０から接着硬化層３２が形成される。それから、プリント配線板２００の製造時と同様にして、適宜穴あけ加工及びめっき皮膜を施し、スルーホール７２及びめっき皮膜６２を形成する。この際、穴あけ加工は、図示のように内層コア基板２１０上に積層された部分のみに行ってもよく、内層コア基板２１０を貫通するように行ってもよい。そして、最外層の金属箔（金属箔１０）を、公知の方法により所定の回路形状に加工して導電層１１０を形成し、これにより多層プリント配線板３００を得る。
【０１６１】
なお、多層プリント配線板は、上述した形態にものに限られず、少なくともプリント配線板２００を内層コア基板として有する限り、上記以外の構成を有していてもよい。例えば、多層プリント配線板は、内層コア基板であるプリント配線板２００の表面上に、上記プリプレグ、及び、プリント配線板２００を交互に積層し、得られた積層体を加熱加圧成型することによって得られたものであってもよい。なお、このような多層プリント配線板において、最外層の導電層は、プリプレグを介して接着された金属箔が加工されたものであってもよく、最表面に積層された接着層付き金属箔１の金属箔１０が加工されたものであってもよく、最外層に積層されたプリント配線板２００の導電層１１であってもよい。
【０１６２】
以上、本発明の好適な実施形態の樹脂ワニス、接着層付き金属箔、金属張積層板、プリント配線板及び多層プリント配線板について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形されたものであってもよい。
【実施例】
【０１６３】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０１６４】
［ポリアミドイミドの合成］
（合成例１）
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた１Ｌのセパラブルフラスコに、飽和脂環式炭化水素基を有するジアミン化合物Ａとして（４、４’−ジアミノ）ジシクロヘキシルメタン（ワンダミンＨＭ（ＷＨＭ）、新日本理化社製、商品名）４５ｍｍｏｌ、シロキサンジアミン化合物Ｂとして反応性シリコーンオイル（Ｘ−２２−１６１−Ｂ、信越化学工業社製、アミン当量：１５００、商品名）５ｍｍｏｌ、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）１０５ｍｍｏｌ、非プロトン性極性溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）１４５ｇを入れ、フラスコ内の温度を８０℃に設定して３０分間撹拌した。
【０１６５】
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン１００ｍＬを更に添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に昇温して約２時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を１９０℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。
【０１６６】
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして４、４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）６０ｍｍｏｌを添加し、フラスコ内の温度を１９０℃に上昇させて２時間反応させた後、ＮＭＰで希釈して合成例１のポリアミドイミドのＮＭＰ溶液（固形分濃度３０質量％）を得た。このＮＭＰ溶液の重量平均分子量（Ｍｗ）をゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ７６０００であった。
【０１６７】
（合成例２）
まず、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた１Ｌのセパラブルフラスコに、飽和脂肪族炭化水素基を有するジアミン化合物ＣとしてジェファーミンＤ−２０００（サンテクノケミカル社製、商品名）３０ｍｍｏｌ、芳香族ジアミン化合物Ｄとして（４、４’−ジアミノ）ジフェニルメタン（ＤＤＭ）１２０ｍｍｏｌ、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）３１５ｍｍｏｌ、非プロトン性極性溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）４４２ｇを入れ、フラスコ内の温度を８０℃に設定して３０分間撹拌した。
【０１６８】
撹拌終了後、水と共沸可能な芳香族炭化水素としてトルエン１００ｍＬを更に添加し、フラスコ内の温度を１６０℃に昇温して約２時間還流した。水分定量受器に理論量の水が貯留され、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去しながら、フラスコ内の温度を１９０℃まで上昇させて反応溶液中のトルエンを除去した。
【０１６９】
フラスコ内の溶液を室温まで戻した後、ジイソシアネートとして４、４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）１８０ｍｍｏｌを添加し、フラスコ内の温度を１９０℃に上昇させて２時間反応させた後、ＮＭＰで希釈して合成例２のポリアミドイミドのＮＭＰ溶液（固形分濃度３０質量％）を得た。このＮＭＰ溶液のＭｗをゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定したところ７８０００であった。
【０１７０】
［接着層用樹脂ワニス（硬化性樹脂組成物）の調製］
（調製例１）
（Ａ）成分であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−５００、東都化成社製、商品名）５．０ｇに、（Ｂ）成分であるノボラック型フェノール樹脂（ＭＥＨ７５００、明和化成社製、商品名）３．１ｇ、及び、（Ｃ）成分である合成例１で得られたポリアミドイミドＮＭＰ溶液１８ｇを配合し、更に硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製、商品名）０．０２５ｇを添加した後、（Ｄ）成分であるＮ−メチル−２−ピロリドン５７ｇ及び（Ｅ）成分であるメチルエチルケトン４ｇを配合して、調製例１の接着層用樹脂ワニス（固形分濃度約１５質量％）を調製した。なお、ＹＤＣＮ−５００とＭＥＨ７５００に２Ｅ４ＭＺを添加した樹脂を硬化して得られた樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１９０℃であった。ここで、ガラス転移温度Ｔｇは、ＪＩＳ−Ｋ７１２１−１９８７に準拠して、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）により測定した。
【０１７１】
（調製例２）
（Ａ）成分であるビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００Ｈ、日本化薬社製、商品名）５．０ｇに、（Ｂ）成分であるビスフェノールＡノボラック樹脂（ＹＬＨ１２９、ジャパンエポキシレジン社製、商品名）２．０ｇ、及び、（Ｃ）成分である合成例２で得られたポリアミドイミドＮＭＰ溶液３８ｇを配合し、更に硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製、商品名）０．０２５ｇを添加した後、（Ｄ）成分であるＮ−メチル−２−ピロリドン６７ｇ及び（Ｅ）成分であるシクロヘキサノン１０ｇを配合して、調製例２の接着層用樹脂ワニス（固形分濃度約１５質量％）を調製した。なお、ＮＣ−３０００ＨとＹＬＨ１２９に２Ｅ４ＭＺを添加した樹脂を硬化して得られた樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１７０℃であった。
【０１７２】
（調製例３）
（Ａ）成分であるフェノールノボラック型エポキシ樹脂（Ｎ−７７０、大日本インキ化学工業社製、商品名）５．０ｇに、（Ｂ）成分であるクレゾールノボラック型フェノール樹脂（ＫＡ−１１６３、大日本インキ化学工業社製、商品名）３．９ｇ、及び、（Ｃ）成分である合成例２で得られたポリアミドイミドＮＭＰ溶液５５ｇを配合し、更に硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製、商品名）０．０２５ｇを添加した後、（Ｄ）成分であるジメチルホルムアミド７６ｇ及び（Ｅ）成分であるメチルエチルケトン２９ｇを配合して、調製例３の接着層用樹脂ワニス（固形分濃度約１５質量％）を調製した。なお、Ｎ−７７０とＫＡ−１１６３に２Ｅ４ＭＺを添加した樹脂を硬化して得られた樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１９０℃であった。
【０１７３】
（調製例４）
（Ａ）成分であるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−５００、東都化成社製、商品名）５．０ｇに、（Ｂ）成分であるノボラック型フェノール樹脂（ＭＥＨ７５００、明和化成社製、商品名）３．１ｇ、及び、（Ｃ）成分である合成例１で得られたポリアミドイミドＮＭＰ溶液１８ｇを配合し、更に硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製、商品名）０．０２５ｇを添加した後、（Ｄ）成分であるＮ−メチル−２−ピロリドン２２ｇ及び（Ｅ）成分であるメチルエチルケトン３９ｇを配合して、調製例４の接着層用樹脂ワニス（固形分濃度約１５質量％）を調製した。なお、ＹＤＣＮ−５００とＭＥＨ７５００に２Ｅ４ＭＺを添加した樹脂を硬化して得られた樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１９０℃であった。
【０１７４】
（調製例５）
（Ａ）成分であるビフェニル構造を有するノボラック型エポキシ樹脂（ＮＣ−３０００Ｈ、日本化薬社製、商品名）５．０ｇに、（Ｂ）成分であるビスフェノールＡノボラック樹脂（ＹＬＨ１２９、ジャパンエポキシレジン社製、商品名）２．０ｇ、及び、（Ｃ）成分である合成例２で得られたポリアミドイミドＮＭＰ溶液３８ｇを配合し、更に硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製、商品名）０．０２５ｇを添加した後、（Ｄ）成分であるＮ−メチル−２−ピロリドン１０ｇ及び（Ｅ）成分であるメチルエチルケトン６８ｇを配合して、調製例５の接着層用樹脂ワニス（固形分濃度約１５質量％）を調製した。なお、ＮＣ−３０００ＨとＹＬＨ１２９に２Ｅ４ＭＺを添加した樹脂を硬化して得られた樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１７０℃であった。
【０１７５】
（比較調製例１）
（Ａ）成分であるフェノールノボラック型エポキシ樹脂（Ｎ−７７０、大日本インキ化学工業社製、商品名）５．０ｇに、（Ｂ）成分であるクレゾールノボラック型フェノール樹脂（ＫＡ−１１６３、大日本インキ化学工業社製、商品名）３．９ｇ、及び、（Ｃ）成分である合成例２で得られたポリアミドイミドＮＭＰ溶液５５ｇを配合し、更に硬化促進剤として２−エチル−４−メチルイミダゾール（２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業社製、商品名）０．０２５ｇを添加した後、（Ｄ）成分であるＮ−メチル−２−ピロリドン１０５ｇを配合して、比較例調製例１の接着層用樹脂ワニス（固形分濃度約１５質量％）を調製した。なお、Ｎ−７７０とＫＡ−１１６３に２Ｅ４ＭＺを添加した樹脂を硬化して得られた樹脂組成物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１９０℃であった。
【０１７６】
［接着層付き金属箔の作製］
（実施例１〜５及び比較例１）
調製例１〜５及び比較調製例１で得られた接着層用樹脂ワニスをそれぞれ、厚さ１２μｍの電解銅箔（Ｆ０−ＷＳ−１２、ロープロファイル銅箔、古河電気工業社製）のＭ面（表面粗さ（Ｒｚ）：０．８μｍ）に自然流延塗布した後、１５０℃で５分間乾燥させて、実施例１〜５及び比較例１の接着層付き金属箔を作製した。乾燥後の接着層の厚さは３μｍであった。なお、調製例１〜５の樹脂ワニスを用いた場合がそれぞれ実施例１〜５に該当し、また比較調整例１の樹脂ワニスを用いた場合が比較例１に該当する。
【０１７７】
［接着層付き金属箔の評価］
得られた接着層付き金属箔について、以下に示す方法により接着層の外観評価及び揮発分測定を行った。結果を表１に示す。
【０１７８】
（接着層の外観）
接着層を目視にて観察し、均一な接着層が形成されている場合を表中「良好」で示し、斑点（部分的なくぼみ）が見られる場合を表中「斑点あり」で示した。また、接着層にスジ状の盛り上がりが見られる場合を表中「スジあり」で示した。
【０１７９】
（接着層付き金属箔の揮発分測定）
得られた接着層付き金属箔を１０ｃｍ×１０ｃｍに切断後、この重量を測定した。次に、切断サンプルを乾燥機に投入し、２００℃で１０分間乾燥後、再び重量を測定した。このときの重量変化に基づいて接着層中の揮発分（質量％）を算出した。
【０１８０】
【表１】
2009007551.tif 000012
【０１８１】
［絶縁樹脂層用プリプレグの作製］
（作製例１）
まず、冷却管、温度計、攪拌器を備えた２Ｌのセパラブルフラスコ内に、トルエン４００ｇとポリフェニレンエーテル樹脂（変性ＰＰＯノリルＰＫＮ４７５２、日本ジーイープラスチックス社製、商品名）１２０ｇを入れ、フラスコ内の温度を９０℃に加熱しながら攪拌溶解した。次に、撹拌しながらフラスコ内にトリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ、日本化成社製、商品名）８０ｇを添加し、溶解又は均一分散したことを確認後、室温まで冷却した。次いで、ラジカル重合開始剤としてα、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（パーブチルＰ、日本油脂社製、商品名）２．０ｇを添加した後、更にトルエン７０ｇを配合して、固形分濃度約３０質量％の絶縁樹脂層用ワニスを得た。
【０１８２】
得られた絶縁樹脂層用ワニスを、厚さ０．１ｍｍのガラス繊維（Ｅガラス、日東紡績社製）に含浸した後、１２０℃で５分間加熱乾燥して、樹脂含有割合５０質量％の作製例１の絶縁樹脂層用プリプレグを得た。
【０１８３】
（作製例２）
まず、冷却管、温度計、攪拌器を備えた１０Ｌのセパラブルフラスコ内に、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）５０００ｍＬ、ポリフェニレンエーテル樹脂（ノリルＰＰＯ６４６−１１１、日本ジーイープラスチックス社製、商品名）１００ｇを入れ、フラスコ内の温度を６０℃に加熱しながら攪拌溶解した。これを室温に戻した後、窒素気流下でｎ−ブチルリチウム（１．５５ｍｏｌ／Ｌ、ヘキサン溶液）５４０ｍＬを添加し、１時間撹拌した。更に、臭化アリル１００ｇを添加して３０分間撹拌した後、適量のメタノールを配合し、沈殿したポリマーを単離してアリル化ポリフェニレンエーテルを得た。
【０１８４】
次に、冷却管、温度計、攪拌器を備えた２Ｌのセパラブルフラスコ内に、トルエン４００ｇと上述のアリル化ポリフェニレンエーテル１００ｇを入れ、フラスコ内の温度を９０℃に加熱しながら攪拌溶解した。次に、撹拌しながらフラスコ内にトリアリルイソシアヌレート（ＴＡＩＣ、日本化成社製、商品名）１００ｇを添加し、溶解又は均一分散したことを確認後、室温まで冷却した。次いで、ラジカル重合開始剤としてα、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（パーブチルＰ、日本油脂社製、商品名）２．５ｇを添加した後、更にトルエン７０ｇを配合して、固形分濃度約３０質量％の絶縁樹脂層用ワニスを得た。
【０１８５】
得られた絶縁樹脂層用ワニスを、厚さ０．１ｍｍのガラス繊維（Ｅガラス、日東紡績社製）に含浸した後、１２０℃で５分間加熱乾燥して、樹脂含有割合５０質量％の作製例２の絶縁樹脂層用プリプレグを得た。
【０１８６】
（作製例３）
まず、冷却管、温度計、攪拌器を備えた２Ｌのセパラブルフラスコ内に、トルエン４００ｇとポリフェニレンエーテル樹脂（変性ＰＰＯノリルＰＫＮ４７５２、日本ジーイープラスチックス社製、商品名）１２０ｇを入れ、フラスコ内の温度を９０℃に加熱しながら攪拌溶解した。次に、撹拌しながらフラスコ内に１、２−ポリブタジエン（Ｂ−１０００、日本曹達社製、商品名）８０ｇ、架橋助剤としてジビニルベンゼン（ＤＶＢ）１０ｇを添加し、溶解又は均一分散したことを確認後、室温まで冷却した。次いで、ラジカル重合開始剤としてα、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン（パーブチルＰ、日本油脂社製、商品名）２．０ｇを添加した後、更にトルエン７０ｇを配合して、固形分濃度約３０質量％の絶縁樹脂層用ワニスを得た。
【０１８７】
得られた絶縁樹脂層用ワニスを、厚さ０．１ｍｍのガラス繊維（Ｅガラス、日東紡績社製）に含浸した後、１２０℃で５分間加熱乾燥して、樹脂含有割合５０質量％の作製例３の絶縁樹脂層用プリプレグを得た。
【０１８８】
［両面銅張積層板及び多層基板の作製］
（実施例６〜１０及び比較例２）
実施例１〜５及び比較例１の接着層付き金属箔と、作製例１〜３の絶縁樹脂層用プリプレグとを、それぞれ所定の組み合わせで用い、以下に示す方法にしたがって、各実施例及び比較例の接着層付きプリプレグを用いた場合に対応する両面銅張積層板及び多層基板を製造した。なお、各実施例又は比較例における接着層付きプリプレグと絶縁樹脂層用プリプレグとの組み合わせは、下記の表２に示す通りとした。
【０１８９】
（両面銅張積層板の作製）
絶縁樹脂層用プリプレグ４枚を重ねた基材の両面に、接着層付き金属箔をそれぞれの接着層が接するように被着させた後、温度２００℃、圧力３．０ＭＰａ及び７０分のプレス条件で加熱加圧成形して、各種の接着層付き金属箔を用いた両面銅張積層板（厚さ：０．５５ｍｍ）をそれぞれ作製した。
【０１９０】
（多層基板の作製）
まず、上記と同様の各種両面銅張積層板を作製した。次いで、それぞれの両面銅張積層板の銅箔部分をエッチングにより完全に除去した後、各銅張積層板作製時に使用した絶縁樹脂層用プリプレグと同一のプリプレグを、それぞれ銅箔除去後の両面銅張積層板の両面に１枚配置し、その外側に接着層を設けていない厚さ１２μｍの電解銅箔〔ＧＴＳ−１２、一般銅箔、古河電気工業社製、Ｍ面表面粗さ（Ｒｚ）：８μｍ、商品名〕を、そのＭ面が接するように被着させた。その後、温度２００℃、圧力３．０ＭＰａ及び７０分のプレス条件で加熱加圧成形して、多層基板を作製した。
【０１９１】
（比較例３及び４）
作製例１の絶縁樹脂層用プリプレグ４枚を重ねた基材の両面に、接着層を設けていない厚さ１２μｍの電解銅箔（Ｆ０−ＷＳ−１２、古河電気工業社製、商品名）、又は、接着層を設けていない厚さ１２μｍの電解銅箔（ＧＴＳ−１２、一般銅箔、古河電気工業社製、Ｍ面表面粗さ（Ｒｚ）：８μｍ、商品名）を、これらのＭ面が接するように被着させた。その後、これを２００℃、３．０ＭＰａ、７０分のプレス条件で加熱加圧成形した。こうして、異なる電解銅箔を表面に備える２種の両面銅張積層板（厚さ：０．５５ｍｍ）をそれぞれ作製した。前者の電解銅箔を備えたものを比較例３とし、後者の電解銅箔を備えた両面銅張積層板を比較例４とする。また、これらの両面銅張積層板を用い、上記と同様にして多層基板を作製した。
【０１９２】
［特性評価］
上記で得られた両面銅張積層板及び多層基板について、下記の特性評価を行った。なお、比較例２については、比較例１の接着層付き金属箔が接着層の外観不良（斑点が全面に発生）を有しているため、参考値として引き剥がし強さのみを測定した。
【０１９３】
（銅箔引き剥がし強さの測定）
まず、実施例６〜１０及び比較例２〜４の両面銅張積層板を用い、以下に示す方法によりそれぞれの両面銅張積層板における銅箔引き剥がし強さを測定した。すなわち、まず、両面銅張積層板の銅箔に対し、線幅５ｍｍの回路形状を有するように不要な銅箔部分をエッチングにより除去する処理を施し、２．５ｃｍ×１０ｃｍの平面形状を有する積層板サンプルを作製した。こうして作製したサンプルを、常態及びプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）用装置（条件：１２１℃、２．２気圧、１００％ＲＨ）中でそれぞれ５時間保持した。そして、５時間経過後の両面銅張積層板における銅箔引き剥がし強さ（単位：ｋＮ／ｍ）を、以下の条件で測定した。得られた結果を表２に示す。
【０１９４】
試験方法：９０℃方向引張試験
引張速度：５０ｍｍ／分
測定装置：島津製作所製オートグラフＡＧ−１００Ｃ
【０１９５】
なお、銅箔引き剥がし強さについて、表中の「−」で示したものは、ＰＣＴ中で保持した後に、すでに銅箔が剥離していたため、銅箔引き剥がし強さを測定できなかったことを意味する。
【０１９６】
（はんだ耐熱性の評価）
実施例６〜１０及び比較例３〜４の両面銅張積層板及び多層基板のはんだ耐熱性を、以下に示す方法にしたがってそれぞれ評価した。すなわち、まず、両面銅張積層板及び多層基板をそれぞれ５０ｍｍ角に切断した。次いで、銅張積層板は、片側の銅箔を所定形状にエッチングし、また、多層基板は、外層の銅箔をエッチングにより完全に除去して、評価用サンプルを得た。なお、各実施例又は比較例に対応する評価用サンプルは、後述の試験に対応するように複数準備した。
【０１９７】
その後、各実施例又は比較例に対応する評価用サンプルに対し、それぞれ常態、又は、プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）用装置（条件：１２１℃、２．２気圧）中で、所定時間（１、２、３、４又は５時間）保持する処理を行った。それから、かかる処理後の各評価用サンプルを、それぞれ２６０℃の溶融はんだに２０秒間浸漬した。そして、各実施例又は比較例に対応する銅張積層板及び多層基板の評価用サンプル各３枚の外観を目視で調べた。得られた結果を表２に示す。
【０１９８】
なお、表中の数字は、同様の試験を行った評価用サンプル３枚のうち、絶縁層と銅箔（導電層）との間に膨れやミーズリングの発生が認められなかったものの枚数を示す。つまり、この数が多いほど、対応する評価用サンプルの耐熱性が優れていることを表している。
【０１９９】
（伝送損失の評価）
実施例６〜１０及び比較例３〜４の両面銅張積層板の伝送損失（単位：ｄＢ／ｍ）を、ベクトル型ネットワークアナライザを用いたトリプレート線路共振器法により測定した。なお、測定条件はライン幅：０．６ｍｍ、上下グランド導体間絶縁層距離：１．０４ｍｍ、ライン長：２００ｍｍ、特性インピーダンス：約５０Ω、周波数：３ＧＨｚ、測定温度：２５℃とした。得られた結果を表２に示す。
【０２００】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【０２０１】
【図１】好適な実施形態に係る接着層付き金属箔を模式的に示す部分斜視図である。
【図２】好適な実施形態の金属張積層板の断面構成を模式的に示す図である。
【図３】好適な実施形態のプリント配線板の部分的な断面構成を示す図である。
【図４】好適な実施形態の多層プリント配線板の部分的な断面構成を示す図である。
【符号の説明】
【０２０２】
１…接着層付き金属箔、１０…金属箔、１１…導電層、１２…Ｍ面、２０…接着層、３０、３２…接着硬化層、４０，４２…絶縁樹脂層、５０…絶縁層、６０、６２…めっき皮膜、７０、７２…スルーホール、１００…金属張積層板、１１０…導電層、２００…プリント配線板、２１０…内層コア基板、３００…多層プリント配線板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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