(57)【要約】      （修正有）【課題】アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に少なくとも磁気記録層と下地層と多孔質膜を順次配置する工程と、該多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程と、該多孔質膜を除去して基板上に該下地層と該酸化物から成る突起物を得る工程と、該酸化物からなる突起をマスクとして該下地層を通して磁気記録膜をドライエッチングする工程を有する磁気記録媒体の製造方法。【選択図】図２−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも磁気記録層と下地層と多孔質膜を順次配置する工程と、該多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程と、該多孔質膜を除去して基板上に該下地層と該酸化物から成る突起物を得る工程と、該酸化物からなる突起をマスクとして該下地層を通して磁気記録膜をドライエッチングする工程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記多孔質膜が、Ａｌ膜ないしＡｌ合金膜の陽極酸化によって得られる膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記多孔質膜が、相分離膜の一方の相を除去して得られる膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記下地層が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程を、陽極酸化により行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記陽極酸化に使用する電解液が、ホウ酸アンモニウム水溶液、酒石酸アンモニウムまたはクエン酸アンモニウム水溶液であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記多孔質膜を除去する工程を、ウェットエッチングにより行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、特に情報記録媒体として利用される磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理量の飛躍的な増大に伴って、情報記録媒体として広く使用されている磁気記録媒体においては大幅な大容量化が求められている。特にハードディスクにおいてはこれまで微細加工技術や信号処理技術の進歩などに支えられ、大幅な大容量・高記録密度化を実現してきた。しかしながら昨今では、磁化を基板面内方向に記録する従来の面内記録方式では熱揺らぎの問題により物理的限界とされていた２００Ｇｂｉｔ／ｉｎ2前後の記録密度が近づきつつある。また、記録密度の上昇スピードも緩やかなものとなっていた。最近になって、熱揺らぎの問題に対して強いとされる、磁化を基板垂直方向に記録する方式、いわゆる垂直記録方式のハードディスクが製品化された。このことで、今後も更なる記録密度の向上が実現するものと期待されている。
【０００３】
ところが今後の更なる高密度化に対しては、ノイズの増加が大きな問題となっている。すなわち高記録密度化による記録ビットの微細化に伴い、磁性粒子の形状やサイズのばらつきがノイズの原因となって記録再生特性を劣化させる問題がある。これを解決するには、隣接する磁性粒子間の交換相互作用の低減や、磁性粒子のサイズの微細化や形状の均一化が有効であると考えられている。
【０００４】
特に微細加工技術を利用して磁性粒子の配列まで制御することで、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ2級の記録密度を有する超高密度記録媒体を実現することが可能であると注目されている。形状及びサイズの揃った磁性粒子を規則的に配列させたものはパターンド媒体と呼ばれている。
【０００５】
このようなパターンド媒体を作製するには、数十ｎｍの間隔で磁性粒子を配列させなければならず、既存のリソグラフィー技術のみでは到達し得なかった。しかし、特許文献１および非特許文献１には、自己組織化ブロックコポリマーを利用したリソグラフィー方法が記載されている。この手段で磁性層をドライエッチングすることで磁性粒子の規則配列を作製している。このような自己組織化を利用する方法では、大面積に微細なパターンの形成と転写が可能である。ただ、１Ｔｂｉｔ／ｉｎ2に達する、つまり約２５ｎｍ間隔での磁性粒子の配列を形成するまでには至ってなかった。
【特許文献１】特許第３７６６３６０号公報
【非特許文献１】Ｋ．Ｎａｉｔｏ  ｅｔ  ａｌ．“ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  Ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ”，Ｖｏｌ．３８，Ｎｏ．５，１９４９から１９５１（２００２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
１Ｔｂｉｔ／ｉｎ2に達するような微細な磁性粒子パターンを形成する手段がない中、２５ｎｍ間隔で磁性粒子が配列するような微細な領域においても高アスペクト比なエッチングマスクを形成する手段が求められている。
【０００７】
すなわち、従来ではせいぜいアスペクト比１程度のマスクしか作れない。そのために、磁性膜をドライエッチングする際、５０ｎｍを切る領域では磁性層のエッチングが終わるまでにマスクが目減りしたり、消失したりして均一性を損なってしまう、ないしエッチングを完了できないなどの問題があった。
【０００８】
本発明は、上記の課題を鑑みて、新たな製造方法を見出し、アスペクト比の高いマスクの形成を可能にし、磁気記録層のドライエッチングにて微細なパターンの形成を可能にする磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決する磁気記録媒体の製造方法は、基板上に少なくとも磁気記録層と下地層と多孔質膜を順次配置する工程と、該多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程と、該多孔質膜を除去して基板上に該下地層と該酸化物から成る突起物を得る工程と、該酸化物からなる突起をマスクとして該下地層を通して磁気記録膜をドライエッチングする工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、従来のリソグラフィー技術またはポリマーの自己組織化技術でのパターニングでは到達できないほど微細なパターンの形成を可能にし、それを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明に係る磁気記録媒体の製造方法は、下記の（Ａ）から（Ｄ）工程を有することを特徴とする。（Ａ）基板上に少なくとも磁気記録層と下地層と多孔質膜を順次配置する工程。（Ｂ）該多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程。（Ｃ）該多孔質膜を除去して基板上に該下地層と該酸化物から成る突起物を得る工程。（Ｄ）該酸化物からなる突起をマスクとして該下地層を通して磁気記録膜をドライエッチングする工程。
【００１２】
前記多孔質膜が、Ａｌ膜ないしＡｌ合金膜の陽極酸化によって得られる膜であることが好ましい。
前記多孔質膜が、相分離膜の一方の相を除去して得られる膜であることが好ましい。
【００１３】
前記下地層が、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む層であることが好ましい。
前記多孔質膜の孔の下部から孔に沿って該下地層を構成する元素を含む酸化物を成長させる工程を、陽極酸化により行うことが好ましい。
【００１４】
前記陽極酸化に使用する電解液が、ホウ酸アンモニウム水溶液、酒石酸アンモニウムまたはクエン酸アンモニウム水溶液であることが好ましい。
前記多孔質膜を除去する工程を、ウェットエッチングにより行うことが好ましい。
【００１５】
本発明の磁気記録媒体の製造方法に関して、図を用いて順序を追って説明する。
本発明の製造方法の出発点となる層構成を図１で説明し、それに続いて「１．多孔質膜を配置する工程」、「２．酸化物を成長させる工程」、「３．酸化物からなる突起物を得る工程」「４．磁気記録層をエッチングする工程」の四つの工程に分けて詳細に述べる。
【００１６】
基板１００上の磁気記録層１０１は、加工後の最終形態で直径３０ｎｍ以下の円形ないしそれに順ずる形状で厚みが１０ｎｍ以下の形状になった場合に、磁性粒子一つが有する体積にて超常磁性効果が無視できる程度の硬磁性材料から構成されていればよい。また、磁性粒子内が単磁区であることを満たせば、どのような材料を用いてもよい。例えば、ｈｃｐ−Ｃｏ、ｈｃｐ−Ｃｏ（１−ｘ）Ｐｔｘ［ｘ＝１０から３５］、Ｃｏ／Ｐｔ多層膜、Ｃｏ／Ｐｄ多層膜、Ｆｅ／Ｐｔ多層膜、Ｆｅ／Ｐｄ多層膜、ｆｃｔ−ＦｅＰｔ、ｆｃｔ−ＣｏＰｔなどが挙げられる。ここで、ｈｃｐとは、ｈｅｘａｇｏｎａｌ  ｃｌｏｓｅ  ｐａｃｋｅｄである。また、ｆｃｔとは、ｆａｃｅ−ｃｅｎｔｅｒｅｄ  ｔｅｔｒａｇｏｎａｌである。
【００１７】
次に、基板１００上の磁気記録層１０１に下地層１０２が配置される。この下地層１０２は、材料としてバルブ金属であることが好ましい。例えば、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つ以上の構成材料とするのが良い。厚さにも制限はないが、磁気記録層１０１をドライエッチングすることを考慮すると、３５ｎｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ以下である。
【００１８】
また、基板１００上に磁気記録層１０１と下地層１０２を配置し、さらに多孔質膜１０３を配置する工程であるが、本発明における多孔質膜１０３は、無数の微細孔が基板に対して概ね垂直方向にあいていることが好ましい。直径や間隔は、パターンド媒体などに対して利用するには直径が３０ｎｍ以下で、間隔が３５ｎｍ以下であることが好ましい。また、これら孔は規則配列していることが好ましい。つまり、正方、最密充填または、同心円状、らせん状に整然と配列していることである。ただし、磁気記録媒体であるので、ヘッドのアクセスやトラッキング用の領域に関しては、この限りではない。さらに、多孔質膜１０３の種類としては、主にＡｌの陽極酸化によって得られる膜や、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅ系に代表される相分離膜のＡｌシリンダー部分のみをエッチングして得られる膜などが有効である。
【００１９】
ただし、本発明においては基板１００上に磁気記録層１０１、下地層１０２、多孔質膜１０３が少なくとも配置されていればよく、その他の層の挿入を否定するものではない。つまり、最適な層構成として、垂直磁気記録を行う場合には、基板１００と磁気記録層１０１の間に軟磁性層やそれに付随する層などを挿入することが好ましい。また、本発明の高アスペクト比を有する酸化物の突起物は磁気記録層１０１がその他の機能性を有する膜であっても、適用可能である。したがって、磁性膜以外に強誘電体膜であったり、その他通常のリソグラフィーで困難な触媒作用を呈するような金属膜などの適用も好ましい。
【００２０】
次に、各工程について図２−１および図２−２を用いて詳細に説明する。
ただし、本発明に含まれる重要な工程は、多孔質膜の種類にも関係するが、図２Ａから図２Ｅであり、その後の図２Ｆ、Ｇに関しては磁気記録媒体とするための後工程をあらわしている。
【００２１】
「１．多孔質膜を配置する工程」
多孔質膜１０３がＡｌないしＡｌ合金２０５の陽極酸化によって得られる場合、前述の下地層１０２上にＡｌ膜ないしＡｌ合金膜２０５を配置して（図２Ａ−１）おく。そして、リン酸やシュウ酸、硫酸などの酸性水溶液を用いて陽極酸化すると、図２Ｂ−１に示すように試料表面から多数の孔２０１が基板１００に対して垂直方向に成長した多孔質膜１０３が得られる。この多孔質膜１０３の構造は、微小な孔２０１とそれを取り囲むＡｌないしＡｌ合金の酸化物２０２から成り、特に孔２０１底部に形成される酸化物層はバリア層２０３と呼ばれている。バリア層２０３の厚みは経験的に陽極酸化の電圧Ｖ（Ｖｏｌｔ）に対して、バリア層の厚み（ｎｍ）＝１．２×Ｖ、となることが知られている。また、多孔質膜１０３の孔２０１は試料表面のランダムな位置から発生する。また、試料表面に陽極酸化の開始点２００となる微小な窪みを電子線描画やナノインプリントなどで用意しておくと、孔２０１は開始点２００の位置からのみ発生する。すなわち窪みの配列パターンにあわせて規則配列した孔２０１を有する多孔質膜１０３を得ることも出来る。この際、陽極酸化電圧Ｖ（Ｖｏｌｔ）は規則配列の周期（ｎｍ）＝２．５×Ｖ、となる陽極酸化電圧Ｖとすることが、高度に規則化した孔を有する多孔質膜１０３を得るのに好ましい。ここで、微小な窪みを通常のリソグラフィーで行うように記載しているが、ＡｌないしＡｌ合金２０５の陽極酸化という工程においては、窪みが１ｎｍ程度であっても、十分孔の位置が制御できる。そして、本発明の高アスペクトな酸化物の突起物２０４が得られる。
【００２２】
上記のような多孔質膜１０３を得るには、被陽極酸化膜としてＡｌを用いるのが一般的に行われている。何故ならＳｉやＴｉなど、Ａｌ以外の材料でも陽極酸化により多孔質膜を形成する材料はあるが、孔の垂直性がそれほど良くない、酸性水溶液としてフッ酸を使用するなど、Ａｌの陽極酸化に比べて問題点や難点があるためである。また、本発明者らはＡｌを主成分とした合金であり、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含むＡｌ合金であれば、Ａｌと同様に垂直性の良い孔を有した多孔質膜が形成可能であることを見出した。この場合Ａｌを合金化することにより、ヒロックや粒界に起因する膜表面のラフネスを低減することが可能となるため、試料表面に陽極酸化の開始点２００となる微小な窪みを用意する際には特に有効な手段となる。Ａｌに対する元素の添加量は、添加する元素の種類にもよるが、Ａｌと同様に垂直性の良い孔を有する多孔質膜を形成するには概ね５ａｔｏｍｉｃ％以上５０ａｔｏｍｉｃ％以下の範囲にすることが好ましい。
【００２３】
さらに、多孔質膜１０３として、図２Ａ−２に示すような相分離膜２０６を用いる場合には、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅ相分離膜を準備するのが好ましい。このときのＡｌの組成に関しては、２５ａｔｏｍｉｃ％から７０ａｔｏｍｉｃ％の範囲であることが好ましい。このような組成範囲では、真空中での比平衡状態での成膜において、基板垂直方向にＡｌシリンダー２０７が形成され、その周りをアモルファスのＳｉないしＧｅ２０８が取り囲んだ構造が得られる。したがって、Ａｌシリンダー２０７部分を濃硫酸やリン酸やアンモニア水による選択エッチングにより除去することで、多孔質膜１０３を得ることが可能である。こうして得られる膜の特徴としては、上述のＡｌの陽極酸化で得られる孔の径がさらに微細で、おおよそ３ｎｍから２０ｎｍ程度の径の範囲をカバーすることが可能である。
【００２４】
また、これ以外の多孔質膜でも、孔が概ね基板に対して垂直方向にあいているのであれば、本発明で本質上使用可能である。
「２．酸化物を成長させる工程」
上述の工程、つまり多孔質膜１０３を下地層１０２上に配置したのに引き続き、ホウ酸アンモニウム水溶液、酒石酸アンモニウムまたはクエン酸アンモニウム水溶液など、バリア型の陽極酸化膜が得られる電解液に変えて陽極酸化を行う。このことで、図２Ｃ−１ないしＣ−２のように下地層１０２を構成する元素を含む酸化物の突起物２０４を多孔質膜１０３の孔２０１に沿って、内部にまで充填しながら成長させることがより好ましい。この成長する場合の伸びは、印加する電圧に比例することを解明している。したがって、ホウ酸アンモニウム中で１８Ｖ印加すると約６０ｎｍの高さで成長するという具合で、印加電圧の約３．３倍程度の高さが得られる。したがって、多孔質膜１０３の孔２０１が基板に垂直方向にあいているので、酸化物の突起物２０４も垂直に成長している。これが、後のドライエッチングのマスクとするのに重要となる。
【００２５】
「３．酸化物からなる突起物を得る工程」
次に、前工程で得られた多孔質膜中に成長した下地層の酸化物の突起物２０４のみを残すようにエッチングするのが本工程（図２Ｄ−１ないしＤ−２）である。
【００２６】
つまり、陽極酸化により得られた多孔質膜の場合は、多孔質膜１０３はアルミナであり、リン酸や水酸化ナトリウムに容易に溶解し、図２Ｄ−１に示すように下地層の酸化物である突起物２０４のみが露出した状態を得ることが可能である。また、相分離膜２０５であるＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅ系の場合は、Ａｌのエッチングを濃硫酸にて行っておけば、多孔質膜化した場合にはアモルファスＳｉとアモルファスＧｅが構成要素となる。そして、図２Ｄ−２に示すように４０℃程度の水酸化ナトリウムに容易に溶解し、下地層の突起物２０４のみを得ることが可能である。
【００２７】
このように、多孔質膜部分のみを選択的にエッチングするものであれば、どのようなものでも使用可能である。
「４．磁気記録層をエッチングする工程」
上記で得られた下地層の酸化物の突起物２０４をエッチングマスクとして、図２Ｅになるようにドライエッチングする。このとき突起部分でない下地層のほとんどが突起形成の工程において、同じく酸化されていることが好ましい。ただ、金属状態で残留していても構わない。
【００２８】
また、ここでのエッチングは、下地層１０２を通して磁気記録層１０１のエッチングを行うため、下地層エッチング時と磁気記録層エッチング時のドライエッチングガスの種類を変えることが良い場合もある。また、相互に影響がでないならば、混合ガスにてエッチングを行ってもよい。
【００２９】
また、下地層１０２と下地層の酸化物の突起物２０４をエッチングする場合には、Ａｒなど物理エッチング用ガスを用いると効果的である。また、磁気記録層１０１を構成するＣｏ，Ｆｅ、Ｎｉやそれと合金化ないし添加されているＰｔ，Ｐｄ等に対しては、Ｃｏ，Ｆｅ、Ｎｉとカルボニル化合物を形成するＣＯガスを用いる。さらにはＮＨ3ガスを同時に供給することが好ましい。これらのエッチング時には、ガスの供給と同時に、高周波をかけてガスをプラズマ化させ、エッチングを進行させるものである。しかしながら、ガス種を限定しなくとも、高アスペクト比の酸化物の突起物２０４から開始しているため、磁気記録層１０１へのパターンの転写は効果的に行われることが特徴である。
【００３０】
以上のように、「１．陽極酸化工程」、「２．突起物を得る工程」、「３．磁性体を配置する工程」、「４．磁気記録層をエッチングする工程」の四つの工程により、規則的に配列した突起物の上部に磁性体を配置したパターンド媒体が作製される。
【００３１】
さらに、本発明は磁気記録媒体の製造方法であり、上述の工程を終了後、図２Ｆに示すように、下地層１０２の酸化物の突起物２０４の残渣を除去し、磁気記録層１０１の窪に再充填物２０９を充填して平坦化する。再充填物２０９には、例えばＳｉＯ2を用い、バイアススパッタによって再充填を行う。また、このとき、研磨工程を追加して平坦化を試みることも好ましい。
【００３２】
そして、図２Ｇにあるように、最終的には磁気ヘッドが浮上するよう保護層２１０として、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）を成膜し、潤滑層２１１を塗布することが好ましい。
【実施例】
【００３３】
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
本発明の磁気記録媒体の製造方法の手順にそつて説明する。
【００３４】
まず、２．５ｉｎｃｈのＨＤＤ用ガラス基板を準備し、軟磁性層ＣｏＺｒＮｂ１５０ｎｍ、磁気記録層のためのシード層としてＴｉ１ｎｍ／Ｐｔ４ｎｍ／Ｒｕ５ｎｍを順に成膜する。さらに磁気記録層としてＣｏ3Ｐｔ５ｎｍ、下地層としてＮｂ１５ｎｍ、多孔質膜としてＡｌＨｆ合金の陽極酸化によって得られた膜６０ｎｍを準備する。このとき、ナノインプリントリソグラフィーにより、平坦なＡｌＨｆ合金表面に２５ｎｍ間隔の周期性を有する約１ｎｍ窪みを形成しておく。
【００３５】
その基板を１６℃の硫酸水溶液０．３ｍｏｌ／Ｌに浸漬して、１０．８Ｖの電圧を印加して陽極酸化を行い、細孔の規則配列間隔が約２５ｎｍのものを得る。ここで再度２２℃のホウ酸アンモニウム水溶液０．１５ｍｏｌ／Ｌにて印加電圧１８Ｖにて陽極酸化すると、下地層のＮｂの酸化物が孔内を成長して約６０ｎｍの高さになっているのが確認できる。さらに、下地層のＮｂ金属部分も酸化が進行し、下地層のあった場所がＮｂ酸化物の状態に変化している。
【００３６】
次に、リン酸０．３ｍｏｌ／Ｌ中に基板を浸漬させ、多孔質膜の除去を行う。これにより、基板上にはＮｂ酸化物の約６０ｎｍの高さと約１２ｎｍの直径をもった円柱が規則配列している状態が得られる。こうして、従来得られていなかった、高いアスペクト比の構造が得られていることが確認できる。次にドライエッチングチャンバーに基板を導入し、エッチングガスをＡｒ＋ＣＯ＋ＮＨ3の混合ガスにし、ドライエッチングを行う。これによりアスペクト比を保ったまま磁気記録層が露出するまで、エッチングされ、さらに磁気記録層のＣｏ3ＰｔがＮｂ酸化物よりも優先的にエッチングされ、２５ｎｍ間隔で配列している磁性粒子の形成が確認できる。
【００３７】
さらに、バイアスを印加しながらＡｒガス雰囲気のスパッタリングによりＳｉＯ2を磁性粒子間に埋め込み、かつ磁性粒子上にあるＮｂ酸化物の残渣のエッチングを進行させる。そして、最後にコロイダルシリカを用いたＣＭＰにより平坦化を達成させる。最後に、磁気ヘッドが浮上できるように、ダイヤモンドライクカーボンを３ｎｍ成膜し、潤滑層を塗布して磁気記録媒体とする。
【００３８】
以上より、本発明の製造方法により、多孔質膜をガイドにしＮｂ酸化物を陽極酸化で高いアスペクト比の構造に仕立てる新しいエッチング用マスクの有効性が示される。
実施例２
本発明の磁気記録媒体の製造方法の手順にそつて説明する。
【００３９】
まず、２．５ｉｎｃｈのＨＤＤ用ガラス基板を準備し、軟磁性層ＣｏＺｒＮｂ１５０ｎｍ、磁気記録層のためのシード層としてＴｉ１ｎｍ／Ｐｔ４ｎｍ／Ｒｕ５ｎｍを順に成膜する。さらに磁気記録層としてＣｏ3Ｐｔ５ｎｍ、下地層としてＮｂ８ｎｍ、多孔質膜としてＡｌ56Ｓｉ44の相分離膜を３０ｎｍ成膜して濃硫酸にてＡｌ部分を除去したものを準備する。このときの多孔質膜は、平均的に１０ｎｍ間隔の周期性を有する無数の孔からなっていることが確認できる。
【００４０】
その基板を２２℃のホウ酸アンモニウム水溶液０．１５ｍｏｌ／Ｌにて印加電圧５Ｖにて陽極酸化すると、下地層のＮｂの酸化物が孔内を成長して約１８ｎｍの高さになっているのが確認できる。さらに、下地層のＮｂ金属部分も酸化が進行し、下地層のあった場所がＮｂ酸化物の状態に変化している。
【００４１】
次に、４０℃の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬し、多孔質膜の除去を行う。このとき、Ｎｂ酸化物が溶解してしまわないように、多孔質膜のアモルファスシリコンのエッチング完了をモニタリングしながら、慎重に行う。これにより、基板上にはＮｂ酸化物の約１８ｎｍの高さと約６ｎｍの直径をもった円柱が規則配列している状態が得られる。こうして、従来得られていなかった、高いアスペクト比の構造が得られていることが確認できる。次にドライエッチングチャンバーに基板を導入し、エッチングガスをＡｒ＋ＣＯ＋ＮＨ3の混合ガスにし、ドライエッチングを行う。これにより、アスペクト比を保ったまま磁気記録層が露出するまで、エッチングされ、さらに磁気記録層のＣｏ3ＰｔがＮｂ酸化物よりも優先的にエッチングされ、平均的に１０ｎｍ間隔で配列している磁性粒子の形成が確認できる。
【００４２】
以上より、本発明の製造方法により、多孔質膜をガイドにしＮｂ酸化物を陽極酸化で高いアスペクト比の構造に仕立てる新しいエッチング用マスクの有効性が示される。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、従来のリソグラフィー技術またはポリマーの自己組織化技術でのパターニングでは到達できないほど微細なパターンの形成を可能にし、磁気記録媒体の製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第一の工程にて準備する膜の構成図である。
【図２−１】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一実施態様を示す工程図である。
【図２−２】本発明の磁気記録媒体の製造方法の他の実施態様を示す工程図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００  基板
１０１  磁気記録層
１０２  下地層
１０３  多孔質膜
２００  開始点
２０１  孔
２０２  ＡｌないしＡｌ合金の酸化物
２０３  バリア層
２０４  酸化物の突起物
２０５  ＡｌないしＡｌ合金
２０６  相分離膜
２０７  Ａｌシリンダー
２０８  アモルファスのＳｉないしＧｅ
２０９  充填物
２１０  保護膜
２１１  潤滑層
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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