(57)【要約】      （修正有）【課題】３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターの各構成要素の位置決めを確実に、容易に行うことができる位置決め方法を提供する。【解決手段】被検査体の電気的特性を検査するための３層構造の異方導電性シートは、第１の異方導電性シート１８と、中央基板１６と、第２の異方導電性シート２０とから構成され、中央基板にそれぞれマーキング７６、７７と貫通孔７４、７５を形成し、第１の異方導電性シートおよび第２の異方導電性シートに、それぞれ半透明の突起７１、７２、４９、７８と貫通孔７０、８０を形成し、第１の異方導電性シート側に配置された検出手段８１、８３、および第２の異方導電性シート側に配置された検出手段により、半透明の突起を介してマーキングを識別し、半透明の突起７１、４９をマーキング７６、７７に対して位置決めすることにより、第１の異方導電性シートと中央基板と第２の異方導電性シートとの位置決めを行う。【選択図】図１８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
柔軟な異方導電性シートを対象物に対して位置決めするにあたり、
前記異方導電性シートに半透明の突起を形成するとともに、前記対象物にマーキングを形成し、前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起を介して前記マーキングを識別することにより、前記異方導電性シートの前記対象物に対する位置決めを行なうことを特徴とする異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項２】
柔軟な異方導電性シートを対象物に対して位置決めするにあたり、
前記異方導電性シートに半透明の突起を形成するとともに、前記対象物に貫通孔を形成し、前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起を介して前記貫通孔を識別することにより、前記異方導電性シートの前記対象物に対する位置決めを行なうことを特徴とする異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項３】
柔軟な異方導電性シートを対象物に対して位置決めするにあたり、
前記異方導電性シートに少なくとも２つの半透明の突起を形成するとともに、前記対象物に少なくとも１つのマーキングと少なくとも１つの貫通孔とを形成し、前記異方導電性シートに形成された１つの半透明の突起を介して前記マーキングを識別するとともに、他の一つの半透明の突起を介して前記貫通孔を識別することにより、前記異方導電性シートの前記対象物に対する位置決めを行なうことを特徴とする異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項４】
前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておき、
前記異方導電性シートと前記対象物とを位置決めする場合に、
先ず、この位置合わせ用マークを前記対象物の前記マーキングに接近させ、その後、前記半透明の突起を前記マーキングの中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうことを特徴とする請求項１に記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項５】
前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておき、
前記異方導電性シートと前記対象物とを位置決めする場合に、
先ず、この位置合わせ用マークを前記対象物の前記貫通孔に接近させ、その後、前記半透明の突起を前記貫通孔の中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうことを特徴とする請求項２に記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項６】
前記異方導電性シートに形成された２つの前記半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておき、
前記異方導電性シートと前記対象物とを位置決めする場合に、
先ず、前記一つの半透明の突起の周辺部に形成された位置合わせ用マークを前記対象物の前記マーキングに接近させ、かつ前記他の一つの前記半透明の突起の周辺部に形成された位置合わせ用マークを前記貫通孔に接近させ、
その後、前記一つの半透明の突起を前記マーキングの中央に合致させ、かつ他の一つの半透明の突起を前記貫通孔の中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうことを特徴とする請求項３に記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項７】
前記対象物に形成されたマーキングは、当該対象物に回路を形成する際に同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１、３、４、６のいずれかに記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項８】
前記対象物に形成された貫通孔は、当該対象物に回路を形成する際に同時に形成されたものであることを特徴とする請求項２、３、５、６のいずれかに記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項９】
前記異方導電性シートと前記対象物との位置決めが、互いに平行な二辺部で行なわれることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項１０】
前記異方導電性シートと前記対象物との位置決めが、互いに平行な２組の二辺部で行なわれることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項１１】
前記対象物は、硬質の中央基板であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の異方導電性シートの位置決め方法。
【請求項１２】
第１の異方導電性シートと、中央基板と、第２の異方導電性シートとがこの順で配置される異方導電性コネクターの位置決め方法であって、
前記第１の異方導電性シートおよび前記第２の異方導電性シートに、それぞれ半透明の突起を形成し、
前記中央基板の上下面にマーキングを形成し、
前記第１の異方導電性シート側に配置された検出手段、および前記第２の異方導電性シート側に配置された検出手段により、前記第1、第２の異方導電性シートに形成された前記半透明の突起を介して前記中央基板に形成された前記マーキングを両側から識別することにより、前記第１の異方導電性シートと前記中央基板と前記第２の異方導電性シートとの位置決めを行うことを特徴とする異方導電性コネクターの位置決め方法。
【請求項１３】
前記第１の異方導電性シートおよび前記第２の異方導電性シートに形成された前記半透明の突起の周辺部に、それぞれ非透明の位置合わせ用マークを形成し、前記第1の異方導
電性シートの半透明の突起および前記第２の半透明の突起を介して前記中央基板の上下面の前記マーキングを識別する場合に、先ず、前記非透明の位置合わせ用マークを前記マーキングに対向させたことを識別し、次いで、前記半透明の突起を前記マーキングの中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうことを識別することを特徴とする請求項１２に記載の異方導電性コネクターの位置決め方法。
【請求項１４】
前記第1の異方導電性シートと前記中央基板と前記第２の異方導電性シートとの位置決
めを、互いに平行な二辺部で行なうことを特徴とする請求項１２または１３に記載の異方導電性コネクターの位置決め方法。
【請求項１５】
前記第1の異方導電性シートと前記中央基板と前記第２の異方導電性シートとの位置決
めを、互いに平行な２組の二辺部で行なうことを特徴とする請求項１２または１３に記載の異方導電性コネクターの位置決め方法。
【請求項１６】
前記第１の異方導電性シートの位置決めを行なう四辺部と前記第２の異方導電性シートの位置決めを行なう四辺部には、それぞれ一辺につき少なくとも２つの半透明の突起と少なくとも１つの貫通孔が形成されているとともに、前記中央基板の位置決めを行なう四辺部には、一辺につき少なくとも２つの貫通孔と上下両面に少なくとも１個ずつマーキングが形成されており、
前記第１の異方導電性シートと前記中央基板との位置決めには、前記第１の異方導電性シートに形成された１つの半透明の突起を、前記中央基板に形成された１つの貫通孔に合致させ、かつ前記第１の異方導電性シートに形成された他の１つの半透明の突起を前記中央基板に形成された上面側のマーキングに合致させて位置決めを行ない、
前記第２の異方導電性シートと前記中央基板との位置決めには、前記第２の異方導電性シートに形成された１つの半透明の突起を、前記中央基板に形成された１つの貫通孔に合致させ、かつ前記第２の異方導電性シートに形成された他の１つの半透明の突起を、前記中央基板に形成された下面側のマーキングに合致させて位置決めを行なうことを特徴とする請求項１２または１３に記載の異方導電性コネクターの位置決め方法。
【請求項１７】
矩形枠状の四辺部に、それぞれ一辺につき少なくとも２つの半透明の突起と少なくとも１つの貫通孔が形成された第１の異方導電性シートと、矩形枠状の四辺部に、それぞれ一辺につき少なくとも２つの半透明の突起と少なくとも１つの貫通孔が形成された第２の異方導電性シートと、矩形枠状の四辺部に、一辺につき少なくとも２つの貫通孔と上下両面に少なくとも１つのマーキングが形成された中央基板と、が一体的に組付けた３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターを、検査用回路基板に位置決めするにあたり、
前記検査用回路基板の矩形枠状の四辺部に、一辺につき少なくとも２つのマーキングを形成しておくとともに、
前記中央基板の四辺部の一辺における１つの貫通孔に対応した位置の、前記第1の異方導電性シートまたは前記第２の異方導電性シートのいずれか一方の前記半透明の突起を、前記検査用回路基板の１つのマーキングに合致させ、さらに前記中央基板の四辺部の一辺における他の１つの貫通孔に対応した位置の、前記第１の異方導電性シートまたは第２の異方導電性シートのいずれか他方の前記半透明の突起を、前記検査用回路基板の他の１つのマーキングに合致させて位置決めを行ない、これらの位置合わせを四辺部でそれぞれ行なうことを特徴とする異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決め方法。
【請求項１８】
半透明の突起と貫通孔とが形成された第１の異方導電性シートと、
マーキングと貫通孔が形成された中央基板と、
半透明の突起と貫通孔とが形成された第２の異方導電性シートと、がこの順で配置される３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターであって、
前記第１の異方導電性シートの半透明の突起と前記中央基板のマーキングとが合致され、前記第２の異方導電性シートに形成された半透明の前記突起と前記マーキングとが合致され、これにより、前記中央基板と前記第１の異方導電性シートと前記第２の異方導電性シートとが位置決めされていることを特徴とする異方導電性コネクター。
【請求項１９】
前記中央基板に形成されたマーキングおよび貫通孔は、当該中央基板に回路を形成する際に同時に形成されたものであることを特徴とする請求項１８に記載の異方導電性コネクター。
【請求項２０】
請求項１８に記載の３層構造で一体化された矩形枠状の異方導電性コネクターと、検査用回路基板とからなることを特徴とするプローブカード。
【請求項２１】
半透明の突起および貫通孔が形成された第１の異方導電性シートと、マーキングおよび貫通孔が形成された中央基板と、半透明の突起および貫通孔が形成された第２の異方導電性シートとが、この順で一体的に組付けられた３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターと、
マーキングが形成された検査用回路基板と、から構成され、
一体的に組付けられた３層構造の異方導電性コネクターと、検査用回路基板とを、所定位置に位置決めするに際し、前記第１または第２の異方導電性シートに形成された半透明の突起を、前記検査用回路基板に形成されたマーキングに対して位置決めを行なうとともに、他の前記第１または第２の異方導電性シートに形成された半透明の突起を、前記検査用回路基板に形成されたマーキングに対して位置決めを行なうことにより、位置決めされていることを特徴とするプローブカード。
【請求項２２】
導電部が形成された異方導電膜が金属フレームの開口部内に配置され、
前記異方導電膜が配置された前記金属フレームの開口部とは異なる開口部に、半透明な突起と、
この半透明な突起の周辺部に配置された非透明な位置合わせ用の位置合わせ用マークを備えた弾性膜を有することを特徴とする異方導電性シート。
【請求項２３】
導電部が形成された異方導電膜が金属フレームの開口部内に配置され、
前記異方導電膜は、
半透明な突起と、
この半透明な突起の周辺部に配置された非透明な位置合わせ用の位置合わせ用マークを備えたことを特徴とする異方導電性シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電子部品などの回路素子相互間の電気的接続やプリント基板の検査装置におけるコネクターとして好ましく用いられる異方導電性コネクターの位置決め方法、およびこの異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決め方法、並びに異方導電性コネクター、およびプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
異方導電性シートとして、例えば厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものが知られている。これらはハンダ付けあるいは機械的嵌合などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成することが可能であること、シート材料がエラストマーなどの弾性体である場合は機械的な衝撃やひずみを吸収してソフトな接続が可能であることなどの特徴を有する。
【０００３】
このため、このような特徴を利用して、例えば電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、回路素子、例えばプリント回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして広く用いられている。
【０００４】
また、プリント基板などの回路基板の電気的検査においては、検査対象である回路基板の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された接続用電極との電気的な接続を達成するために、回路基板の被検査電極領域と検査用回路基板の接続用電極領域との間に、コネクターとして、異方導電性シートを介在させることが行われている。
【０００５】
例えば、図２２に示したように、検査対象である回路基板９１と検査用回路基板９２との間に、異方導電性コネクター９３を配置し、回路基板９１を加圧することにより、この回路基板９１を異方導電性コネクター９３に当接させるとともに、この状態から検査用回路基板９２に電気信号を供給し、検査用回路基板９２の検査用電極から異方導電性コネクター９３および回路基板９１の電極９４に送った後、再びその電気信号が異方導電性コネクター９３を通って検査用回路基板９２に戻ることにより、回路基板９１の回路を検知している。
【０００６】
従来、このような電気的検査に使用される異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば、特許文献１（特開昭５１−９３３９３号公報）等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という）が開示され、また、特許文献２（特開昭５３−１４７７７２号公報）等には、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という）が開示され、更に、特許文献３（特開昭６１−２５０９０６号公報）等には、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。
【０００７】
特許文献４（特開２００５−２０１８９２号公報）等には、周辺を金属等からなる支持体にて支持された偏在型異方導電性シートが開示されている。
そして、偏在型異方導電性シートは、回路基板等の電極パターンと対掌のパターンに従
って導電路形成部が形成されているため、分散型異方導電性シートに比較して、接続すべき電極が小さいピッチで配置されている回路基板などに対しても電極間の電気的接続を高い信頼性で達成することができる点で有利である。
【０００８】
ところで、近年、表面実装LSIや電子回路基板においては、電極寸法や電極間寸法のさ
らなる微細化、高密度化が進み、これに対応して異方導電性シートも導電部の形成等の微細化が求められるようになってきた。このような微細化が進むことにより、異方導電性シートにおいては、弾性体の面積と導通部との面積比が小さくなり、歪みに対しての弾性体が支える面積当たりの荷重負荷が大きくなってしまい、弾力性が低下する。
【０００９】
また、異方導電シートと接する電子回路基板のバンプ形状も高さ方向に対してある程度のバラツキがある。このためバンプ形状によっては部分的に高い歪みを受ける部分があり、異方導電シートには該バンプ形状の高さのバラツキを充分に吸収できる弾性を有することが好ましい。
【００１０】
さらに、従来の偏在型異方導電性シートは、シリコーンゴムなどを基材とし柔軟に形成されているが、これと接続される回路基板や半導体素子等は、ガラス繊維含有エポキシ樹脂、銅などの金属板、あるいはシリコンなどある程度の剛性を備えた材質から形成されている。よって、柔軟な異方導電性シートをこれら対象物に対して正確に位置合わせしようとする場合には、両者の硬度や熱膨張係数が異なるため、温度変化により両者の電極位置にずれが生じ、電気的導通が得られないことがある。このような問題は、電極間隔が狭く、微細な電極パターンになるほど顕著になる。
【００１１】
このような問題を解決するため、本出願人により、例えば、特許文献５（特開平１０−２００２４２号公報の図８）、あるいは特許文献６（特開平１１−２７３７７２号公報の図１）、特許文献７（特開２００４−２２７８２８号公報）に示したように、例えば、３層構造の積層体が提供されている。すなわち、特許文献５，６，７では、表裏面に弾性体からなる異方導電性ゴムシートが配置されるとともに、これら異方導電性ゴムシートの間に、中間層として電気的導通が取れかつ適宜な剛性を有する回路基板が配置されている。
【特許文献１】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献２】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献３】特開昭６１−２５０９０６号公報
【特許文献４】特開２００５−２０１８９２号公報
【特許文献５】特開平１０−２００２４２号公報
【特許文献６】特開平１１−２７３７７２号公報
【特許文献７】特開２００４−２２７８２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、このように比較的硬質の中間層を備えた３層構造の異方導電性コネクターであっても、第１層から第３層までの位置決めをより正確に行なわなければならない。この位置決めが正確でないと、検査対象となるウエハなどの電気的検査を正確に行うことができない。また、異方導電性コネクターを製造する場合には、より安価に製造することが求められる。
【００１３】
本発明はこのような従来の実情に鑑み、柔軟な異方導電性シートを対象物に対して確実かつ容易に、さらには安価に位置合わせを行なうことのできる異方導電性シートの位置決め方法を提供することを目的としている。
【００１４】
また、本発明は、例えば３層構造の異方導電性コネクターであっても各シートの位置決
めを確実に、かつ容易に行うことができる異方導電性コネクターの位置決め方法を提供することを目的としている。
【００１５】
また、本発明は、この３層構造の異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決めを確実にかつ容易に行うことのできる、異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決め方法を提供することを目的としている。
【００１６】
さらに、本発明は、被検査体であるウエハなどの回路基板との間で、あるいは検査用回路基板との間で、電極位置のずれが生じ難く正確な位置決めを行うことができ、さらには、より安価に製造することが可能な３層構造の異方導電性コネクターを提供することを目的としている。
【００１７】
そして、本発明は異方導電性シートの導電部と中央基板の電極が正確に位置決めされた異方導電性コネクターを用いた、微細、高密度の被検査物に対して、高い精度にて検査を行なうことができるプローブカードを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る異方導電性シートの位置決め方法は、    
柔軟な異方導電性シートを対象物に対して位置決めするにあたり、
前記異方導電性シートに半透明の突起を形成するとともに、前記対象物にマーキングを形成し、前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起を介して前記マーキングを識別することにより、前記異方導電性シートの前記対象物に対する位置決めを行なうことを特徴としている。
【００１９】
このような位置決め方法であれば、柔軟な異方導電性シートを対象物に対して正確に位置決めすることができる。
ここで、本発明では、柔軟な異方導電性シートを対象物に対して位置決めするにあたり、
前記異方導電性シートに半透明の突起を形成するとともに、前記対象物に貫通孔を形成し、前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起を介して前記貫通孔を識別することにより、前記異方導電性シートの前記対象物に対する位置決めを行なうこともできる。
【００２０】
さらに、本発明では、柔軟な異方導電性シートを対象物に対して位置決めするにあたり、
前記異方導電性シートに少なくとも２つの半透明の突起を形成するとともに、前記対象物に少なくとも１つのマーキングと少なくとも１つの貫通孔とを形成し、前記異方導電性シートに形成された１つの半透明の突起を介して前記マーキングを識別するとともに、他の一つの半透明の突起を介して前記貫通孔を識別することにより、前記異方導電性シートの前記対象物に対する位置決めを行なうこともできる。
【００２１】
このような位置決め方法であっても、柔軟な異方導電性シートを対象物に対して正確、かつ容易に位置決めすることができる。
また、本発明では、前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておき、
前記異方導電性シートと前記対象物とを位置決めする場合に、
先ず、この位置合わせ用マークを前記対象物の前記マーキングに接近させ、その後、前記半透明の突起を前記マーキングの中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうこともできる。
【００２２】
さらに、本発明では、前記異方導電性シートに形成された前記半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておき、
前記異方導電性シートと前記対象物とを位置決めする場合に、
先ず、この位置合わせ用マークを前記対象物の前記貫通孔に接近させ、その後、前記半透明の突起を前記貫通孔の中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうこともできる。
【００２３】
また、本発明では、前記異方導電性シートに形成された２つの前記半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておき、
前記異方導電性シートと前記対象物とを位置決めする場合に、
先ず、前記一つの半透明の突起の周辺部に形成された位置合わせ用マークを前記対象物の前記マーキングに接近させ、かつ前記他の一つの前記半透明の突起の周辺部に形成された位置合わせ用マークを前記貫通孔に接近させ、
その後、前記一つの半透明の突起を前記マーキングの中央に合致させ、かつ他の一つの半透明の突起を前記貫通孔の中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうこともできる。
【００２４】
このように、異方導電性シートに形成された半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておくことにより、異方導電性シートに形成された半透明の突起が視覚的に際立つようになるので、この半透明の突起を捜し易くなる。結果として、より早く位置合わせを行なうことが可能になる。
【００２５】
さらに、本発明では、前記対象物に形成されたマーキングは、当該対象物に回路を形成する際に同時に形成されたものであることが好ましい。
また、本発明では、前記対象物に形成された貫通孔は、当該対象物に回路を形成する際に同時に形成されたものであることが好ましい。
【００２６】
さらに、本発明では、前記異方導電性シートに配設された半透明の突起は、磁性を有する導電性粒子が含有された成形材料を、金型の成形空間内に注入して成形材料層を形成し、これに磁場を作用させて硬化処理するときに同時に形成されたものであることが好ましい。
【００２７】
このように、マーキング、貫通孔、あるいは半透明の突起を形成すれば、安価に形成することができる。
また、本発明では、前記異方導電性シートと前記対象物との位置決めが、互いに平行な二辺部で行なわれても良い。
【００２８】
このように、少なくとも二辺部で位置合わせを行なえば、異方導電性シートを対象物に対して正確に位置決めすることができる。
さらに、本発明では、前記異方導電性シートと前記対象物との位置決めが、互いに平行な２組の二辺部で行なわれることが好ましい。
【００２９】
このように互いに平行な２組の二辺部で位置決めを行なえば、より確実な位置決めを行なうことができる。
また、本発明では、前記対象物は、硬質の中央基板であっても良い。
【００３０】
このように位置決めの対象物が硬質の中央基板であれば、３層構造の異方導電性コネクターを構成する場合に、好ましく適用することができる。
本発明に係る異方導電性コネクターの位置決め方法は、
第１の異方導電性シートと、中央基板と、第２の異方導電性シートとがこの順で配置される異方導電性コネクターの位置決め方法であって、
前記第１の異方導電性シートおよび前記第２の異方導電性シートに、それぞれ半透明の突起を形成し、
前記中央基板の上下面にマーキングを形成し、
前記第１の異方導電性シート側に配置された検出手段、および前記第２の異方導電性シート側に配置された検出手段により、前記第1、第２の異方導電性シートに形成された前記半透明の突起を介して前記中央基板に形成された前記マーキングを両側から識別することにより、前記第１の異方導電性シートと前記中央基板と前記第２の異方導電性シートとの位置決めを行うことを特徴としている。
【００３１】
このような位置決め方法によれば、第１の異方導電性シートと、中央基板と、第２の異方導電性シートとの３層を正しく位置決めすることができる。
また、本発明では、前記第１の異方導電性シートおよび前記第２の異方導電性シートに形成された前記半透明の突起の周辺部に、それぞれ非透明の位置合わせ用マークを形成し、前記第1の異方導電性シートの半透明の突起および前記第２の半透明の突起を介して前記中央基板の上下面の前記マーキングを識別する場合に、先ず、前記非透明の位置合わせ用マークを前記マーキングに対向させたことを識別し、次いで、前記半透明の突起を前記マーキングの中央に合致させて、位置決めの微調整を行なうことを識別することが好ましい。
【００３２】
このような構成であれば、第１の異方導電性シートおよび第２の異方導電性シートに形成された半透明の突起が視覚的に際立つようになるので、この半透明の突起を捜しやすくなる。結果として、より早く位置合わせを行なうことが可能になる。
【００３３】
ここで、本発明に係る異方導電性コネクターの位置決め方法では、
前記第1の異方導電性シートと前記中央基板と前記第２の異方導電性シートとの位置決
めを、互いに平行な二辺部で行なうことが好ましい。
【００３４】
このように少なくとも二辺部で位置決めを行なえば、正確に位置決めすることができる。
また、本発明の異方導電性コネクターの位置決め方法では、前記第1の異方導電性シー
トと前記中央基板と前記第２の異方導電性シートとの位置決めを、互いに平行な２組の二辺部で行なうこともできる。
【００３５】
このように、四辺部で位置決めを行なえば、微細ピッチで高密度に導電部が形成された異方導電性シートと対象物を、より高精度の位置合わせを行なうことができる。
また、本発明では、前記第１の異方導電性シートの位置決めを行なう四辺部と前記第２の異方導電性シートの位置決めを行なう四辺部には、それぞれ一辺につき少なくとも２つの半透明の突起と少なくとも１つの貫通孔が形成されているとともに、前記中央基板の位置決めを行なう四辺部には、一辺につき少なくとも２つの貫通孔と上下両面に少なくとも１個ずつマーキングが形成されており、
前記第１の異方導電性シートと前記中央基板との位置決めには、前記第１の異方導電性シートに形成された１つの半透明の突起を、前記中央基板に形成された１つの貫通孔に合致させ、かつ前記第１の異方導電性シートに形成された他の１つの半透明の突起を前記中央基板に形成された上面側のマーキングに合致させて位置決めを行ない、
前記第２の異方導電性シートと前記中央基板との位置決めには、前記第２の異方導電性シートに形成された１つの半透明の突起を、前記中央基板に形成された１つの貫通孔に合致させ、かつ前記第２の異方導電性シートに形成された他の１つの半透明の突起を、前記中央基板に形成された下面側のマーキングに合致させて位置決めを行なうことが好ましい。
【００３６】
このようにして位置決めを行なえば、マーキングの形状と半透明の突起の形状と貫通孔の形状を有効利用して位置決めすることができる。
また、本発明に係る異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決め方法は、矩形枠状の四辺部に、それぞれ一辺につき少なくとも２つの半透明の突起と少なくとも１つの貫通孔が形成された第１の異方導電性シートと、矩形枠状の四辺部に、それぞれ一辺につき少なくとも２つの半透明の突起と少なくとも１つの貫通孔が形成された第２の異方導電性シートと、矩形枠状の四辺部に、一辺につき少なくとも２つの貫通孔と上下両面に少なくとも１つのマーキングが形成された中央基板と、が一体的に組付けた３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターを、検査用回路基板に位置決めするにあたり、
前記検査用回路基板の矩形枠状の四辺部に、一辺につき少なくとも２つのマーキングを形成しておくとともに、
前記中央基板の四辺部の一辺における１つの貫通孔に対応した位置の、前記第1の異方
導電性シートまたは前記第２の異方導電性シートのいずれか一方の前記半透明の突起を、前記検査用回路基板の１つのマーキングに合致させ、さらに前記中央基板の四辺部の一辺における他の１つの貫通孔に対応した位置の、前記第１の異方導電性シートまたは第２の異方導電性シートのいずれか他方の前記半透明の突起を、前記検査用回路基板の他の１つのマーキングに合致させて位置決めを行ない、これらの位置合わせを四辺部でそれぞれ行なうことを特徴としている。
【００３７】
このような方法によれば、一体的に組付けられた３層構造の異方導電性コネクターに検査用回路基板を重ねた後、これらの位置決めを検出手段により、容易に検知できる。
また、本発明に係る異方導電性コネクターは、半透明の突起と貫通孔とが形成された第１の異方導電性シートと、
マーキングと貫通孔が形成された中央基板と、
半透明の突起と貫通孔とが形成された第２の異方導電性シートと、がこの順で配置される３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターであって、
前記第１の異方導電性シートの半透明の突起と前記中央基板のマーキングとが合致され、前記第２の異方導電性シートに形成された半透明の前記突起と前記マーキングとが合致され、これにより、前記中央基板と前記第１の異方導電性シートと前記第２の異方導電性シートとが位置決めされていることを特徴としている。
【００３８】
このような異方導電性コネクターであれば、３層の位置決めを正確に行うことができる
。
ここで、本発明に係る異方導電性コネクターは、前記第１の異方導電性シートおよび前記第２の異方導電性シートに配設された半透明の突起は、磁性を有する導電性粒子が含有された成形材料を、金型の成形空間内に注入して成形材料層を形成し、これに磁場を作用させて硬化処理するときに同時に形成されたものであることが好ましい。
【００３９】
このような異方導電性コネクターであれば、導電性粒子により偏在型の導電部を形成するときに、半透明の突起形成を同時に形成することができるので、安価に製造することができる。
【００４０】
ここで、前記中央基板に形成されたマーキングおよび貫通孔は、当該中央基板に回路を形成する際に同時に形成されたものであることが好ましい。
このような構成であれば、異方導電性コネクターを安価に製造することができる。
【００４１】
また、本発明に係るプローブカードは、上記のように３層構造で一体化された矩形枠状の異方導電性コネクターと、検査用回路基板とからなることを特徴としている。
さらに、本発明に係るプローブカードは、
半透明の突起および貫通孔が形成された第１の異方導電性シートと、マーキングおよび
貫通孔が形成された中央基板と、半透明の突起および貫通孔が形成された第２の異方導電性シートとが、この順で一体的に組付けられた３層構造の矩形枠状の異方導電性コネクターと、
マーキングが形成された検査用回路基板と、から構成され、
一体的に組付けられた３層構造の異方導電性コネクターと、検査用回路基板とを、所定位置に位置決めするに際し、前記第１または第２の異方導電性シートに形成された半透明の突起を、前記検査用回路基板に形成されたマーキングに対して位置決めを行なうとともに、他の前記第１または第２の異方導電性シートに形成された半透明の突起を、前記検査用回路基板に形成されたマーキングに対して位置決めを行なうことにより、位置決めされていることを特徴としている。
【００４２】
このような構成のプローブカードを検査対象となるウエハなどの回路基板の電気的検査に用いれば、微細、高密度なウエハなどの回路基板の電気的検査を高い精度にて容易に行なうことができる。
【００４３】
ここで、本発明に係る異方導電性シートは、
導電部が形成された異方導電膜が金属フレームの開口部内に配置され、
前記異方導電膜が配置された前記金属フレームの開口部とは異なる開口部に、半透明な突起と、
この半透明な突起の周辺部に配置された非透明な位置合わせ用の位置合わせ用マークを備えた弾性膜を有することを特徴としている。  
【００４４】
さらに、本発明に係る異方導電性シートは、導電部が形成された異方導電膜が金属フレームの開口部内に配置され、
前記異方導電膜は、
半透明な突起と、
この半透明な突起の周辺部に配置された非透明な位置合わせ用の位置合わせ用マークを備えたことを特徴としている。  
【００４５】
このような異方導電性シートであれば対象物に対する位置決めを容易に行なうことができる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明に係る異方導電性コネクターの位置決め方法によれば、柔軟な異方導電性シートを対象物に対して正確に位置決めすることができる。
また、異方導電性シートに形成された半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておくことにより、異方導電性シートに形成された半透明の突起が視覚的に際立つようになるので、この半透明の突起を捜し易くなる。結果として、より早く位置合わせを行なうことが可能になる。
【００４７】
また、異方導電性シートに形成された半透明の突起の周辺部に、非透明の位置合わせ用マークが形成されていることにより、この位置合わせ用マークと対象物のマーキング等を用いて、異方導電性シートと対象物を所定の位置に近接させ、その後に異方導電性シートに形成された該半透明の突起と対象物のマーキング等を用いて微調整を行い異方導電性シートと対象物を位置決めすることができるので、正確なる位置合わせを効率よく行うことができる。
【００４８】
また、異方導電性シートと対象物との位置決めは、少なくとも２辺部で行なえば良く、さらに、互いに平行な２組の二辺部で行なえば、より正確な位置決めを行なうことができる。
【００４９】
また、本発明によれば、異方導電性コネクターを構成する３層のシートをより正確に位置決めすることができる。
また、この異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決め方法によれば、異方導電性コネクターと検査用回路基板とを、より正確にかつ容易に位置決めすることができる。
【００５０】
さらに、本発明に係る異方導電性コネクターによれば、位置決めに使用される半透明の突起形成を、導電性粒子により偏在型の導電路を形成する工程と同時に行うことができるので、導電路と半透明の突起との位置精度が高く、製造コストが安価である。
【００５１】
また、中央基板の位置決め用貫通孔とマーキングは、中央基板の回路領域の形成時に同時に形成したものであるため、回路領域と、位置決め用貫通孔およびマーキングとの位置精度が高く、そのため、この位置決め用貫通孔およびマーキングを用いて異方導電性シートを位置決めすることにより、微細、高密度の導電部を有する異方導電性シートを中央基板の電極に対して位置決めすることができるので、他の導電路に対する位置精度が高く、微細、高密度の異方導電性コネクターを製造することができる。
【００５２】
このようにして製造された異方導電性コネクターを用いたプローブカードおよび検査装置は、異方導電性シートの導電部と中央基板の電極が正確に位置決めされているため、微細、高密度の被検査物に対して、高い精度にて検査を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、本発明に係る異方導電性コネクターの位置決め方法、およびこの異方導電性コネクターと検査用回路基板との位置決め方法、並びに異方導電性コネクター、およびプローブカードの好ましい形態について図面を参照しながら説明する。
【００５４】
なお、本明細書において、「上面」あるいは「下面」などは、説明の都合上、便宜的に用いたもので、例えば、図１８において、中央基板１６を中心に第１の異方導電性シート１８側を上あるいは上面側とし、中央基板１６を中心に第２の異方導電性シート２０側を下あるいは下面側とする場合がある。すなわち、中央基板１６のマーキング７６は中央基板１６の上面に、マーキング７７は中央基板１６の下面に形成されたものである。また、図１に示した異方導電性シート１において、Ｘ−Ｘを示した側を上とする場合もあり、その場合は、Ｘ−Ｘ線を示していない反対側が「下」である。また、異方導電性シートは極めて薄膜であるため、厚さの割合などは実際の厚さとは異なるスケールで記されている。
【００５５】
図１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一実施例による異方導電性シートを示したもので、図１（Ａ）はその平面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ方向の断面図である。
この異方導電性シート１は、枠状の部分が金属から形成された金属フレーム３０の開口部７３に、絶縁性の柔軟な材料から形成され、略中央部の回路領域Ａに導電部４１が形成された異方導電膜４０を有するものである。
【００５６】
導電部４１は、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されて構成され、好ましくは弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並んだ状態に配向されており、この導電性粒子により、厚み方向に電気的に導通する導電部４１が形成されている。この導電部４１は、厚み方向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電性粒子による導電路が形成される、加圧導電路素子とすることもできる。
【００５７】
導電部４１を含む絶縁部材は、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に導電性粒子が分散されてなる流動性の導電部成形用材料が硬化処理されることにより形
成される。
【００５８】
異方導電膜４２を構成する弾性高分子物質の形成材料は、導電部４１を含む絶縁部材と同質のものであることが好ましい。異方導電膜４２を構成する弾性高分子物質および導電部４１を含む絶縁部材の形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。以上において、得られる異方導電性シートに耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【００５９】
導電性粒子としては、当該粒子を容易に配向させることができる観点から、導電性磁性体粒子を用いることが好ましい。この導電性磁性体粒子の具体例としては、鉄、コバルト、ニッケルなどの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが挙げられる。これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば化学メッキまたは無電解メッキ、スパッタ等の手法により行うことができる。
【００６０】
一方、このような異方導電性シート１には、回路領域Ａを取り囲む四辺のうちの二辺部に、それぞれ半透明の突起３が一辺につき一個、形成されている。なお、この半透明の突起３を形成する二辺とは、例えばＸ−Ｘ線が通る上辺部と、反対側の下辺部である。導電部４１からの距離は任意である。
【００６１】
半透明の突起３は、導電部４１が形成された異方導電膜４２に形成されてもよく、あるいは金属フレーム３０に異方導電膜４２が配置される開口部７３とは別に開口部４３を形成し、この開口部４３内に絶縁性の柔軟な材料から形成された弾性膜４５を形成し、この弾性膜４５に形成してもよい。また、異方導電膜４２と弾性膜４５は一枚もののシートでも良く、あるいは別々のシートでも良い。これら異方導電膜４２と弾性膜４５が一体物のシートであれ、別々のシートであれ、いずれの場合も同一金型フレームを介して同一の金型で一括成形される。
【００６２】
異方導電膜４２とは別途に弾性膜４５を形成する場合は、弾性膜４５を形成する硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料は、異方導電膜４２を形成する材料と同一であることが好ましい。
【００６３】
これら半透明の突起３を形成するには、後述するように金型内で回路領域Ａを形成する際、同時に形成することができる。
この半透明の突起３、３は、図１（Ｂ）に示したように、表裏面に突出する略円柱状である。また、この円柱状の突起３を取り囲む環状部分には、非透明の位置合わせ用マーク５が形成されていることが好ましい。
【００６４】
図２に拡大して示した非透明の位置合わせ用マーク５は、着色した樹脂プレートを弾性高分子物質中に埋め込むこと、異方導電膜４２や弾性膜４５の表面に凹部を形成し凹部内に着色剤を塗布すること、異方導電膜４２や弾性膜４５の表面に微細な凹凸を形成すること、複数の導電性粒子５ａが、弾性高分子物質中に局所的に厚み方向に配列されること等で形成することができる。
【００６５】
このように、円柱状で半透明の突起３が非透明の位置合わせ用マーク５で囲まれることにより、半透明突起３の位置を外部から視覚的に際立たせることができる。
一方、このような異方導電性シート１が位置決めされる対象物は、例えば、異方導電性シート１に積層される略同形状の中央基板である。
【００６６】
このように対象物が中央基板である場合、その中央基板には、図３（Ａ）に示したように、異方導電性シート１の回路領域Ａと同様に回路領域Ａ’が具備される。そして、この対象物７には、図１に示した導電性シート１と位置合わせするために、予めマーキング８が所定位置に形成されている。このマーキング８が形成される位置は、図１に示した異方導電性シート１における上下の半透明の突起３、３に対応する位置である。これらを正確に位置合わせすることにより、異方導電性シート１の導電部４１と対象物７の導電部とが正確に位置合わせされることになる。
【００６７】
対象物７が中央基板である場合の使用勝手としては、この中央基板の上下両面（表裏面）に、それぞれ異方導電性シート１が積層され、中央基板を挟んだ３層構造となる。よって、本実施例の対象物７には、図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面である図３（Ｂ）に例示したように、マーキング８、８が両側に形成されている。
【００６８】
図１に示した異方導電性シート１を、図３に示した対象物７に正確に位置決めする場合には、図４に示したように行なえば良い。
すなわち、金属フレーム３０にて異方導電膜４２が平面的に固定された異方導電性シート１を対象物７に対し位置決めすることになる。この場合に、先ず対象物７に対し導電性シート１を相対的に移動させ、半透明の突起３をマーキング８に近接させる。ここで、半透明の突起３は視覚的に目立ちにくいので、先ず突起３の周囲にある位置合わせ用マーク５を目印として位置合わせを行なう。このように、非透明の位置合わせ用マーク５を利用して、異方導電性シート１を大きく移動させながら、概ねマーキング８に近接させる。
【００６９】
そして、位置合わせ用マーク５が概ねマーキング８に合致されたことが図４に示したように検出手段１１で検知されたら、さらに検出手段１１で確認しながら異方導電性シート１を水平方向にゆっくりと移動させ位置を微調整し、検出手段１１により半透明の突起３を投影し、その突起３の裏側にある対象物７のマーキング８を識別する。このとき、図５（Ａ）に示したように、例えば、半透明の突起３の輪郭をマーキング８の中央に合致させるように最終的な微調整を行なうことが好ましい。
【００７０】
ここで、図５（Ａ）に示したように、マーキング８の径は突起３より大きくても良いが、図５（Ｂ）に示したように、突起３の径よりマーキング８の径を小さくしても良く、マーキング８と半透明の突起３との大小関係は限定されない。このようにして異方導電性シート１と対象物７との位置合わせが行なわれる。
【００７１】
なお、このような位置合わせは、図１に示した上辺部と下辺部との最低二辺部で、かつ一辺につき一箇所で行なえば、位置合わせを行なうことができる。
また、上記実施例では、異方導電性シート１に積層される対象物７に、予めマーキング８を形成する例を示したが、このマーキング８に代えて対象物７の所定位置に、図６に示
したように、貫通孔１３を形成することもできる。この場合には、異方導電性シート１の半透明の突起３を貫通孔１３に合致させ、これを検出手段１１で検知することになる。
【００７２】
この場合にも、先ず、検出手段１１で非透明の位置合わせ用マーク５を概ね識別し、しかる後、半透明の突起３を投影し、その突起３の裏側にある対象物７の貫通孔１３を識別すれば良い。
【００７３】
図７は、さらに他の実施例を示したものである。
この他の実施例では、図７（Ａ）に示したように、異方導電性シート１の上辺部と下辺部に半透明の突起３がそれぞれ一個ずつ形成されている。すなわち、異方導電性シート１の構造は、図１のものと同様である。一方、これに積層される対象物７は、図７（Ｂ）に示したように、上辺部にマーキング８が、下辺部に貫通孔１３が形成されている。すなわち、対象物７では、一方の辺部にマーキング８が、他方の辺部に貫通孔１３が形成されている。
【００７４】
図７（Ｂ）の対象物７に、図７（Ａ）の異方導電性シート１を位置決めする場合には、図７（Ｃ）のように行なう。
すなわち、図７（Ａ），（Ｂ）を重ね合わせて、Ｘ−Ｘ線では、半透明の突起３とマーキング８が合致され、Ｙ−Ｙ線では、半透明の突起３と貫通孔１３が合致される。このように、Ｘ−Ｘ線で示した上辺部では、突起３とマーキング８が、Ｙ−Ｙ線で示した下辺部では突起３と貫通孔１３とが、それぞれ合致される。この場合も、最低二辺部で位置決めがなされることは上記実施例と同様である。
【００７５】
図７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示したような位置決め方法であっても、異方導電性シート１と対象物７とを互いに正確に位置決めすることができる。
このように本発明では、導電性シート１と対象物７との位置決めは、互いに平行なあるいは隣り合う２つの辺で行なえば良い。
【００７６】
本発明において、さらに高精度に位置決めする場合には、上記したように二辺部だけではなく、例えば上辺部と下辺部の他、左右の側辺部も含めて、四辺部で行なうことが好ましい。
【００７７】
また、一辺につき一箇所で行なうのではなく、一辺につき２ヶ所以上で、位置決めを行なうこともできる。一辺につき２ヶ所で位置決めを行なう場合、これを上下２辺で行なえば合計４ヶ所となり、上下左右の四辺でこれを行なえば、合計８ヶ所での位置決めとなる。このように各辺につき２ヶ所で、これを４辺部で行なえば、より正確な位置決めを行なうことができる。
【００７８】
図８は本発明に係る異方導電性コネクター１０の模式的な平面図である。
この異方導電性コネクター１０は、３層の積層体からなるもので、平面視において正方形状であり、厚さ方向に適宜な導電部４１が形成された電気的な回路領域と、この回路領域を支持する枠状の部分とから構成されている。
【００７９】
この異方導電性コネクター１０は、図９および図１０（Ａ）,(Ｂ)，(Ｃ)に示したよう
に、適宜な剛性を備えた中央基板１６と、該中央基板１６の一方の面に積層された第１の異方導電性シート１８と、中央基板１６の他方の面に積層された第２の異方導電性シート２０と、から構成されている。
【００８０】
図９および図１０（Ｂ）に示したように、中央基板１６は、薄い方形の平板形状に形成されている。本実施例において、この中央基板１６は、回路領域Ｃおよび枠状の部分Ｄが
一枚のシリコンから形成されている。この中央基板１６（シリコン基板１６）には、例えば図９に示すように上下面に垂直に貫通する複数の通電路１９が、回路領域Ｃ内に形成されている。この各通電路１９は、例えば、被検査物であるウエハ上の複数の電極パッドに一対一で対応するように形成されている。通電路１９の上端部には、上部接続端子１９ａが形成され、通電路１９の下端部には、下部接続端子１９ｂが形成されている。なお、例えばシリコンからなる中央基板１６の加工は、フォトリソグラフィー技術を用いてエッチング加工により行われる。この中央基板１６は、シリコン基板に代えセラミック基板や樹脂材料からなる基板を用いることもできる。
【００８１】
一方、第１の異方導電性シート１８および第２の異方導電性シート２０は、枠状の部分Ｂが金属から形成された金属フレーム３０を備えた異方導電性シートである。また、第１の異方導電性シート１８および第２の異方導電性シート２０の回路領域Ａに形成された導電部４１は、両側に突出して形成されている。
【００８２】
ここで、第１の異方導電性シート１８および第２の異方導電性シート２０の金属フレーム３０は、例えば、樹脂により形成された支持体に変更しても良い。また、第１の異方導電性シート１８および第２の異方導電性シート２０の回路領域Ａに形成された導電部４１は、両側に突出して形成されずに、片面または両面が周囲の絶縁部４０と同一レベルの平坦であっても良い。
【００８３】
すなわち、図９および図１０（Ａ）に示したように、中央基板１６の一方の面に配置される第１の異方導電性シート１８では、前記中央基板１６の通電路１９に対応した位置に、厚さ方向に電気的に導通した導電性粒子による導電部４１が形成されている。
【００８４】
そして各々の導電部４１は絶縁部４０により相互に絶縁されている。
導電部４１は、弾性高分子物質中に導電性粒子が含有されて構成され、好ましくは弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並んだ状態に配向されており、この導電性粒子により、厚み方向に電気的に導通する導電部４１が形成されている。この導電部４１は、厚み方向に加圧されて圧縮されたときに抵抗値が減少して導電性粒子による導電路が形成される、加圧導電路素子とすることもできる。
【００８５】
導電部４１を含む絶縁部材は、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に導電性粒子が分散されてなる流動性の導電部成形用材料が硬化処理されることにより形成される。
そして絶縁部４０を構成する弾性高分子と導電部４１を含む絶縁部材は同様のものである。
【００８６】
第１の異方導電性シート１８では、このような導電部４１が回路領域Ａ内に形成されている。
第１の異方導電性シート１８の金属フレーム３０を構成する具体例としては、鉄、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合せた合金もしくは合金鋼などが挙げられる。
【００８７】
また、金属フレーム３０を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー合金、スーパーインバー、コバール、４２合金または合金鋼などが挙げられる。
【００８８】
第２の異方導電性シート２０の場合も、上記第１の異方導電性シート１８と略同様に形
成されている。
第１の異方導電性シート１８および第２の異方導電性シート２０は、例えば次のような方法で製造することができる。
【００８９】
すなわち、これら第１，第２の異方導電性シート１８，２０は、図１１（Ａ），（Ｂ）に示したように、中央に矩形の開口部７３が形成された金属フレーム３０を予め用意する。そして、金属フレーム３０に設けた開口部７３内に、回路領域Ａが形成されるものである。そして、本実施例では、この金属フレーム３０を図１２に示したような金型内に配置する。
【００９０】
この金型は、上型５０と下型５５とから構成され、これらの間に成形空間５９が形成されている。
上型５０においては、強磁性体基板５１の表面に、目的とする異方導電性シート１８，２０における導電部４１のパターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の箇所には、当該強磁性体層５２の厚みと実質的に同一の厚みを有する非磁性体層５３が形成されている。
【００９１】
一方、下型５５においては、強磁性体基板５６の表面に、目的とする異方導電性シート１８，２０における導電部４１のパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されている。
【００９２】
上型５０および下型５５の各々における強磁性体基板５１、５６を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体基板５１、５６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。
【００９３】
また、上型５０および下型５５の各々における強磁性体層５２、５７を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層５２、５７は、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。この厚みが１０μｍ未満である場合には、金型内に形成される成形材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難となり、この結果、当該成形材料層における導電部４１となるべき部分に導電性粒子を高い密度で集合させることが困難となるため、良好な異方導電性シート１８，２０が得られないことがある。
【００９４】
また、上型５０および下型５５の各々における非磁性体層５３、５８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィーの手法により容易に非磁性体層５３、５８を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いることが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
【００９５】
上記の金型を用い、例えば、次のようにして第１の異方導電性シート１８と第２の異方導電性シート２０が製造される。
先ず、図１３に示すように、枠状のスペーサー５４ａ、５４ｂと、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すような開口部７３を有する支持体用の金属フレーム３０とを用意し、この金属フレーム３０を、スペーサー５４ｂを介して下型５５の所定の位置に固定して配置し、さらに上型５０にスペーサー５４ａを配置する。
【００９６】
一方、シリコーンゴムなどの硬化性の高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子を分散させることにより、ペースト状の成形材料を調製する。
次いで、図１４に示すように、成形材料を上型５０の成形面上にスペーサー５４ａにより形成される空間内に充填することにより、第１の成形材料層６１ａを形成し、一方、成形材料を下型５５、スペーサー５４ｂおよび金属フレーム３０によって形成される空間内に充填することにより、第２の成形材料層６１ｂを形成する。
【００９７】
そして、図１５に示すように、上型５０を金属フレーム３０上に位置決めして配置することにより、第２の成形材料層６１ｂ上に第１の成形材料層６１ａを積層する。
次いで、上型５０における強磁性体基板５１の上面および下型５５における強磁性体基板５６の下面に配置された電磁石（図示せず）を作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間において大きい強度を有する平行磁場を第１の成形材料層６１ａおよび第２の成形材料層６１ｂの厚み方向に作用させる。その結果、第１の成形材料層６１ａおよび第２の成形材料層６１ｂにおいては、各成形材料層中に分散されていた導電性粒子が、上型５０の各々の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間に位置する導電路４１となるべき部分に集合すると共に、各成形材料層の厚み方向に並ぶよう配向する。
【００９８】
そして、この状態において、各成形材料層を硬化処理することにより、図１６に示すように、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に充填された導電部４１と、これらの導電部４１の周囲を包囲するよう形成された、導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部４０とを有する第１の異方導電性シート１８あるいは第２の異方導電性シート２０が形成される。
【００９９】
そして、上下の金型５０，５５から成形後の第１の異方導電性シート１８あるいは第２の異方導電性シート２０を取り出し、図１７に示す第１の異方導電性シート１８あるいは第２の異方導電性シート２０を得ることができる。なお、導電部４１は、上下に突出していても良い。
【０１００】
３層構造の異方導電性シートを構成する場合には、各３層を相互に正しく位置決めする必要がある。そのため、第１の異方導電性シート１８、中央基板１６および第２の異方導電性シート２０には、位置決め用として、以下のような機構が具備されている。
【０１０１】
以下、本発明の３層構造の積層体に具備された位置決めのための機構について、特に図１０を参照しながら説明する。
第1の異方導電性シート１８および第２の異方導電性シート２０における略中央部の回
路領域Ａは、金属製の枠状の部分Ｂの四辺で支持されている。ここで、各四辺部を、図１０（Ａ）,(Ｂ),(Ｃ)の状態で見て、上下左右の辺を、それぞれ上辺部、下辺部、左辺部、右辺部とする。以下では、下辺部の構造について説明するが、他の辺も同様に形成されている。図１８は、図１０（Ａ）,(Ｂ),(Ｃ)のＹ−Ｙ断面を示している。
【０１０２】
以下に説明する位置決め機構は、第１の異方導電性シート１８、中央基板１６および第２の異方導電性シート２０に、回路領域Ａを形成する工程の中で同時に形成されている。すなわち、異方導電性シート１８，２０では、図１２〜図１７に示した工程中に行われている。また、中央基板１６では、位置決め用の貫通孔７４，７５は、回路領域Ａに通電路１９を形成する際、同時に形成する。中央基板１６に形成するマーキング７６は、回路領域Ａに接続端子１９ａ、１９ｂを形成する際に、同時に形成する。
【０１０３】
図１８および図１０（Ａ）に示したように、第１の異方導電性シート１８には、Ｙ−Ｙ
線中の中央部に貫通孔７０が形成され、その両側に後に閉塞される閉塞孔６９、６９が形成されている。
【０１０４】
そして、これらの閉塞孔６９、６９には、ペースト状のシリコーンゴムなどが充填されることにより、金型５０、５５内で、半透明の第１の突起７１と半透明の第２の突起７２とが形成されている。なお、半透明の突起７１、７２などは、表裏面に突出する略円柱形であり、この円柱状の突起７１，７２を囲繞する環状部分には、非透明の位置合わせ用マークが形成されていることが好ましい。この位置合わせ用マークは、前述したように、例えば、導電性粒子を散在して混入させることで形成される。
【０１０５】
このように非透明の位置合わせ用マークを形成することにより、円柱状の突起７１，７２を識別しやすくなり、先ず、この位置合わせ用のマークを識別した後、半透明の突起を識別すれば正確な位置決めを行なうことができる。
【０１０６】
よって、本実施例における第１の異方導電性シート１８では、Ｙ−Ｙ断面の左から右の順番で、突起７１、貫通孔７０、突起７２がそれぞれ形成されている。なお、第１の異方導電性シート１８の他の３辺部も、これと同様に、突起７１、貫通孔７０、突起７２がこの順で形成されている。すなわち、第１の異方導電性シート１８では、それぞれ一辺につき、少なくとも２つの半透明の突起７１，７２と少なくとも１つの貫通孔７０が所定間隔離間して形成されている。
【０１０７】
一方、中央基板１６では、Ｙ−Ｙ断面の中央部に、貫通孔７４が形成され、その右側に貫通孔７５が形成されている。すなわち、中央基板１６では、一辺につき２つの貫通孔７４，７５が形成されている。また、中央の貫通孔７４の左方には、外部から識別できるマーキング７６が形成されている。このマーキング７６は、突起７１の外形より若干大きく形成された有色の略円形であることが好ましい。さらに、中央基板１６の裏面側には、表側のマーキング７６と対応して、同様のマーキング７７が形成されている。このようなマーキング７６は、外部から視認できるので、このマーキング７６を利用して貫通孔７４，７５の位置を確認することもできる。
【０１０８】
よって、本実施例における中央基板１６では、Ｙ−Ｙ線上において、左から右の順番で、マーキング７６、貫通孔７４、貫通孔７５がそれぞれ形成されている。
さらに、第２の異方導電性シート２０では、Ｙ−Ｙ線の中央部に、半透明の突起７８が形成され、突起７８の左方に半透明の突起４９が、中央の突起７８の右方に貫通孔８０が、それぞれ形成されている。他の３辺部も同様である。
【０１０９】
よって、本実施例における第２の異方導電性シート２０では、Ｙ−Ｙ線上において、左から右の順番で、突起４９、突起７８、貫通孔８０がそれぞれ形成されている。
このような各３層の位置決めは、以下のように行えば良い。
【０１１０】
すなわち、先ず、３層のうち、第１の異方導電性シート１８と中央基板１６とを概ね重ね合わせてから、第１の異方導電性シート１８側に配置された第1の検出手段８１Ａによ
り、第１の突起７１を投影し、その突起７１の裏側にある中央基板１６のマーキング７６を識別する。
【０１１１】
このとき、第１の異方導電性シート１８の半透明の突起７１は、外部から視認しにくいが、その周囲に非透明の位置合わせ用マークを予め形成しておけば、この位置合わせ用マークを利用して、半透明の突起７１を捜しやすくなる。また、中央基板１６のマーキング７６は、通常、上下接触端子と同じ素材で形成されているので、輝度が高く見えやすい。
【０１１２】
続いて、第１の異方導電性シート１８側に配置された第２の検出手段８１Ｂにより、半透明の第２の突起７２を介して中央基板１６の貫通孔７５を識別する。この場合も、半透明の第２の突起７２の周囲に形成された非透明の位置合わせ用マークを用いておおよその位置合わせを行なうと良い。このような位置決めを行なうとき、図１９（Ａ）に示したように、例えば、第１の突起７１の輪郭をマーキング７６の中央位置に合致させるように、また、第２の突起７２を貫通孔７５の中央位置に合致させるように微調整を行うことが好ましい。ここで、例えば、図１９（Ｂ）に示したように、マーキング７６の径を突起７１の径より小さくして、マーキング７６を突起７１の中央に合わせるようにしても良い。
【０１１３】
これらの位置決めが完全でない場合は、第１の異方導電性シート１８を相対的に移動させる。
このようにして、第１の異方導電性シート１８と中央基板１６との位置決めが完了する。第１の異方導電性シート１８と中央基板１６との位置決めが完了したら、続いてこれらの積層体の下方に第２の異方導電性シート２０を配置する。
【０１１４】
上記と同じ要領で、第２の異方導電性シート２０側に配置された第３の検出手段８２Ａにより、第２の異方導電性シート２０の第１の突起４９を投影し、その突起４９の裏側にある中央基板１６のマーキング７７を識別する。さらに、第２の異方導電性シート２０側に配置された第４の検出手段８２Ｂにより、第２の異方導電性シート２０の第２の突起７８を投影し、その突起７８の裏側にある中央基板１６の貫通孔７４を識別する。このとき、図１９（Ａ）、（Ｂ）と同じ要領で微調整を行うことが好ましい。
【０１１５】
なお、第１の検出手段８１に加えて第１の異方導電性シート１８側に配置された第５の検出手段８３により、貫通孔７０、貫通孔７４を介して第２の異方導電性シート２０の第２の突起７８を検出し、これにより位置決めの確認を行っても良い。なお、この第５の検出手段８３は、第２の検出手段８１Ｂ、あるいは第１の検出手段８１Ａを平行移動することで兼用しても良い。
【０１１６】
このようにして、第１の異方導電性シート１８、中央基板１６および第２の異方導電性シート２０を正確に位置決めする。そして、２層あるいは３層の位置決め完了後に、例えば、シリコン製の接着剤により３層を相互に固定すれば、３層構造の異方導電性コネクター１０を得ることができる。
【０１１７】
なお、第１の異方導電性シート１８、中央基板１６および第２の異方導電性シート２０の３層の位置決めにおいて、例えば、第１の異方導電性シート１８と中央基板１６との２つの層を位置決めするにあたり、上下左右の四辺で行い、合計で８箇所で行なうことが好ましい。このように、第１の異方導電性シート１８と中央基板１６との位置決めを、１辺につき少なくとも２箇所、４辺で合計８箇所で位置決めを行なうことにより、より高精度な位置決めを行うことができる。
【０１１８】
なお、第２の異方導電性シート２０と中央基板１６との位置決めも同様であり、１辺につき２箇所、それを４辺で行なうことが好ましい。
このような位置合わせを行なうことにより、高密度の被検査物に対して高い精度にて検査を行なうことができる。
【０１１９】
また、３層構造の異方導電性コネクター１０を実際の検査用としてコネクターとして用いる場合には、図２０に示したように、積層された異方導電性コネクター１０における第２の異方導電性シート２０側に、検査用回路基板８５を接続する必要がある。この場合にも、異方導電性コネクター１０を互いに位置決めした時のように、検査用回路基板８５を
正確に位置決めする必要がある。
【０１２０】
このため、検査用回路基板８５には、外方から識別できる２つのマーキング８６，８７を1辺につき２個、予め形成しておく必要がある。このように、検査用回路基板８５に予
め１辺につき少なくとも２つのマーキング８６，８７を設けて、４辺では合計８個のマーキングを形成しておくことにより、検査用回路基板８５の導電部を異方導電性コネクター１０の電極に正確に位置合わせすることができる。
【０１２１】
そして、検査用回路基板８５を、図２０に示したように、積層された異方導電性コネクター１０の下側に配置し、相対的な移動を行いながら、第６の検出手段８８により、第２の突起７２、貫通孔７５、貫通孔８０を介してマーキング８６を識別するとともに、第７の検出手段８９により、第２の異方導電性シート２０の第２の突起７８と検査用回路基板８５のマーキング８７を識別する。この場合も、図１９（Ａ），（Ｂ）に示したように微調整を行うことが好ましい。
【０１２２】
また、第６の検出手段８８および第７の検出手段８９は、第１の検出手段８１Ａ、第２の検出手段８１Ｂあるいは第５の検出手段８３などを兼用することができる。すなわち、本実施例において、第１の異方導電性シート１８側に配置される検出手段は、少なくとも１つあればよいが実際的には２つ配置して、これらを平行移動して用いることが実際的である。
【０１２３】
このようにして積層された異方導電性コネクター１０と検査用回路基板８５との位置決めが完了する。さらに、両者の間をシリコン製の接着剤で接着すれば、異方導電性コネクター１０と検査用回路基板８５とを正しい位置で一体的に固定することができる。これにより、本発明に係るプローブカード９０を構成することができる。
【０１２４】
このように位置決め固定を行えば、図２１に示したように、ウエハなどの回路基板１００の電気的回路を正しく検知することができる。
すなわち、３層に組立られた異方導電性コネクター１０と検査用回路基板８５とを正しく位置決めし、さらに検査対象である回路基板１００を配置して、プローブカード９０を構成する。その後、回路基板１００を加圧することにより、この回路基板１００を上面側の第１の異方導電性シート１８に当接させるとともに、この状態から検査用回路基板８５に電気信号を供給し、検査用回路基板８５の検査用電極から回路基板１００の電極１０２に送った後、再びその信号が検査用回路基板８５に戻ることにより、回路基板１００の回路を検知する。
【０１２５】
なお、図２１では、検査対象であるウエハなどの回路基板１００を、異方導電性コネクター１０の上に配置して検査を行なう例を示しているが、勿論、上下逆転し、回路基板１００を下方に配置して検査することもできる。
【０１２６】
また、本発明では、第１，第２の異方導電性シート１８，２０の位置決め用の突起の形成は、金型５０，５５内で導電部４１の形成と同時に行うことができるので、製造コストが安価であり、導電部４１と位置決め用の突起とが高い位置精度にて形成される。中央基板１６の位置決め用のマーキングも、回路領域形成時に同時に行なわれるので、高い位置精度にて形成される。
【０１２７】
そして、このように高い位置精度にて形成された異方導電性シートの位置決め用突起と、高い位置精度にて形成された中央基板の位置決め用マーキングとを位置決めするため、本発明により得られる異方導電性コネクターは高い位置精度にて異方導電性シートと中央基板が位置決めされているため、微細で高密度のウエハなどの回路基板を高い検査精度にて電気的検査を実施することができる。
【０１２８】
以上、本発明の一実施例について説明したが、本発明は上記実施例に何ら限定されない。
例えば、図１〜図７の実施例では、異方導電性シートの金属フレーム３０に、半透明の突起３および位置合わせ用マーク５を形成したが、これらの突起３及び位置合わせ用マーク５を、回路領域Ａにおける異方導電膜４２内に設けることもできる。
【０１２９】
また、図１０に示した実施例では、貫通孔７０と、半透明の突起７１，７２の両方を、金属フレーム３０の枠状の部分Ｂに設けているが、これに代え、貫通孔７０、半透明の突起７１、７２を、回路領域Ａに設けることもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】図１（Ａ）は本発明の一実施例による異方導電性シートの概略平面図，図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＸ−Ｘ方向の断面図である。
【図２】図２は図１に示した異方導電性シートの拡大断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、異方導電性シートに位置決めされる対象物としての中央基板の概略平面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＸ−Ｘ断面図である。
【図４】図４は図１に示した異方導電性シートに、図３に示した対象物としての中央基板を位置決めする場合の概略断面図である。
【図５】図５（Ａ）、（Ｂ）は図４に示した半透明の突起とマーキングとの位置決めの微調整を行なうときを顕微鏡写真としてみたときのマクロ的平面図である。
【図６】図６は、図４に示した対象物のマーキングの代わりに、貫通孔を形成して位置決めする場合の断面図である。
【図７】図７は、さらに他の実施例を示したもので、図７（Ａ）は上辺部と下辺部に半透明の突起をそれぞれ一個ずつ形成した異方導電性シートの概略平面図、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の異方導電性シートに位置決めされる対象物としての中央基板を示したもので、一方の辺部にマーキングが、他方の辺部に貫通孔が、それぞれ形成された中央基板の概略平面図、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）の異方導電性シートと図７（Ｂ）の中央基板とを位置決めするときの概略断面図である。
【図８】図８は本発明の一実施例による異方導電性コネクターの概略平面図である。
【図９】図９は図８に示した異方導電性コネクターの拡大断面図である。
【図１０】図１０は図８に示した異方導電性コネクターの各構成要素の概略平面図で、図１０（Ａ）は、第１の異方導電性シートの概略平面図、図１０（Ｂ）は中央基板の概略平面図、図１０（Ｃ）は、第２の異方導電性シートの概略平面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は枠体の平面図、図１１（Ｂ）はその枠体の断面図である。
【図１２】図１２は第１の異方導電性シート、あるいは第２の異方導電性シートの製造に用いられる金型の断面図である。
【図１３】図１３は、図１２の金型内に枠体を配置した状態の断面図である。
【図１４】図１４は図１３の金型内に成形材料を配置したときの断面図である。
【図１５】図１５は図１４の金型を型締めしたときの断面図である。
【図１６】図１６は図１５の金型に磁場を作用させたときの断面図である。
【図１７】図１７は、図１６の金型から第１の異方導電性シート、あるいは第２の異方導電性シートを取り出したときの断面図である。
【図１８】図１８は図１０（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示した各構成要素を位置決めするための機構を示したもので、特にＹ−Ｙ線方向の断面図である。
【図１９】図１９（Ａ），（Ｂ）は半透明の突起をマーキングと位置決めの微調整を行うときの顕微鏡写真としてみたときのミクロ的平面図である。
【図２０】図２０は３層が積層された異方導電性コネクターと、検査用回路基板との位置決めを行うときの機構を示した断面図である。
【図２１】図２１は本発明の一実施例による異方導電性コネクターを使用してプローブカードを構成し、このプローブカードを用いて回路基板を検査するときの概略断面図である。
【図２２】図２２は従来の異方導電性コネクターを検査装置に組み込んだときの概略断面図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１…異方導電性シート
３…半透明の突起
５…位置合わせ用マーク
７…対象物（中央基板）
８…マーキング
１０…異方導電性コネクター
１６…中央基板
１８…第１の異方導電性シート
１９…通電路
２０…第２の異方導電性シート
３０…金属フレーム
４０…絶縁部
４１…導電部
４２…異方導電膜
４３…別の開口部
４９…第２の異方導電性シートの第１の突起
Ａ…回路領域
Ｂ…金属フレームの枠状の部分
Ｃ…中央基板の回路領域
Ｄ…中央基板の枠状の部分
５０…上型
５５…下型
７０、７４、７５，８０…貫通孔
７１…第１の異方導電性シートの第１の突起
７２…第２の突起
７８…第２の異方導電性シートの第２の突起
７３…開口部
７６、７７…マーキング
８１Ａ…第１の検出手段
８１Ｂ…第２の検出手段
８２Ａ…第３の検出手段
８２Ｂ…第４の検出手段
８３…第５の検出手段
８５…検査用回路基板
８６、８７、…検査用回路基板のマーキング
８８…第６の検出手段
８９…第７の検出手段
９０…プローブカード
１００…回路基板
１０２…電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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