(57)【要約】    【課題】  保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供する。    【解決手段】  開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器３と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体４と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロック５１と、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロック５２と、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管２５とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成された。    【選択図】          図１
2009088428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜を生成する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程の１つに薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理があり、斯かる基板処理は基板処理装置によって実行される。
【０００３】
又、基板処理装置には所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置と、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置とがある。
【０００４】
枚葉式基板処理装置の一例について、図６、図７により略述する。
【０００５】
気密な処理室１を画成する反応容器２は、処理容器３と、ヒンジ部（図示せず）を介して開閉可能に設けられ、前記処理容器３の上端開口部を閉塞する蓋体４とから構成され、前記反応容器２には排気ライン５が接続され、又前記処理容器３と前記蓋体４には処理ガス供給ライン６及びラジカル供給ライン（図示せず）が接続されている。
【０００６】
前記処理室１には被処理基板であるウェーハ１０を載置するヒータ支持台９が収納され、該ヒータ支持台９に対向し、前記蓋体４の下部には処理ガス供給部１４が設けられている。
【０００７】
前記ヒータ支持台９には加熱ヒータ１１が封入され、該加熱ヒータ１１による加熱状態を制御することで前記ウェーハ１０を処理温度に加熱維持する様になっている。
【０００８】
前記処理室１にはゲート弁１６によって気密に開閉される基板搬入出口１５が設けられ、該基板搬入出口１５を介して前記ウェーハ１０が搬入出される。
【０００９】
又、前記処理ガス供給ライン６は前記処理ガス供給部１４に連通する第１配管部２５と、該第１配管部２５に真空管継手２３を介して第２配管部２７が連通し、更に該第２配管部２７は処理ガス供給源（図示せず）に接続されている。
【００１０】
基板の処理は、前記ヒータ支持台９により前記ウェーハ１０を処理温度に加熱し、前記排気ライン５を介して前記処理室１が真空排気され、前記処理ガス供給ライン６を介して処理ガスが導入され、前記ウェーハ１０に成膜等所要の処理がなされる。
【００１１】
成膜処理を実行することで、処理室に臨接する前記処理容器３、前記蓋体４の内面には反応生成物が付着堆積するので、定期的、或は所要稼働時間毎に前記蓋体４を開いて付着堆積物を除去する保守が実行される。
【００１２】
従来の基板処理装置に於いて、前記蓋体４を開放する場合は、前記真空管継手２３により前記第１配管部２５と前記第２配管部２７とを切離し、蝶番を中心に前記蓋体４を回転させ、前記処理室１を開放していた。
【００１３】
前記第１配管部２５、前記第２配管部２７は図示では省略して１本としているが、実際には使用するガスの種類に対応し、配管は複数本となっており、配管１本、１本、手作業で切離し、更に接続しており、前記第１配管部２５と前記第２配管部２７の切離し、接続は面倒で時間の掛る作業となっていた。
【００１４】
又、従来の前記第１配管部２５と前記第２配管部２７との接続箇所は、鉛直部分に位置しているので、前記第２配管部２７は上方に向って開口している。この為、前記真空管継手２３の切離し、接続作業時にパーティクルが前記第２配管部２７内、即ち前記処理室１内に混入する虞れがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は斯かる実情に鑑み、保守時等の蓋部の開閉時に配管の切離し、接続作業なしに、又切離し、接続時にパーティクルの混入を防止し得る基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成された基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成されたので、前記蓋体の開閉動作で前記第１ガス流路と第２ガス流路との切離し、接続が行え、作業が簡単になると共に前記第１ガス流路と第２ガス流路との切離し、接続に人手による作業が介在しないので、パーティクルの発生、流路へのパーティクルの混入を防止できるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１９】
図１〜図３は本発明に係る基板処理装置を示しており、図中、図６、図７中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００２０】
反応容器２は処理容器３と開閉可能な蓋体４とで構成され、該蓋体４は前記処理容器３にボルト等の固着具によって固定され、接合面にはＯリング等のシール部材が設けられ、気密にシールされる。前記処理容器３と前記蓋体４とで内部に処理室１が形成される。前記処理容器３には排気ライン５が接続され、又前記蓋体４には処理ガス供給ライン６及びラジカル供給ライン７が接続されている。
【００２１】
前記処理容器３の底部を遊貫してヒータユニット台８が設けられ、該ヒータユニット台８にヒータ支持台９が支持され、該ヒータ支持台９の上部は加熱板９ａとなっており、該加熱板９ａ内部に加熱ヒータ１１が封入され、前記加熱板９ａはヒータカバー１２により覆われている。前記ヒータ支持台９、前記加熱板９ａとしては基板の金属汚染を防止する為、非金属であることが望ましく、例えば石英、窒化アルミ等が用いられ、又前記加熱ヒータ１１としては、タングステン、カーボン、モリブデン等が用いられる。前記加熱板９ａの加熱温度は気密に設けられた熱電対等の温度検出手段（図示せず）によって検出される。
【００２２】
前記ヒータユニット台８は昇降機構（図示せず）により支持され、昇降可能となっており、前記ヒータユニット台８の貫通部はベローズ１３によって気密となっている。前記ヒータカバー１２にはウェーハ１０が載置される。
【００２３】
前記処理容器３の底面には、少なくとも３本の基板支持ピン（図示せず）が立設され、該基板支持ピンは前記ヒータユニット台８が降下した状態で、前記加熱板９ａ、前記ヒータカバー１２を貫通して上方に突出し、ウェーハ１０を支持する様になっている。前記基板支持ピンとしては、ウェーハ１０を汚染しない、耐熱性に優れた材質が用いられ、例えば石英等非金属であることが好ましい。又、前記基板支持ピンの接触部の温度斑を考慮して、先端の直径は、例えば０．８ｍｍ以下が好ましい。
【００２４】
前記処理容器３の１つの側壁には基板搬入出口１５が設けられ、該基板搬入出口１５を通して図示しない基板移載装置によりウェーハ１０が搬入、搬出される様になっており、前記基板搬入出口１５はゲート弁１６によって気密に閉塞される。又、前記処理容器３の他の側壁には排気口１７が設けられ、該排気口１７には前記排気ライン５が接続されている。該排気ライン５には圧力調整弁等の圧力制御手段１８が設けられ、前記排気ライン５は図示しない真空ポンプに接続されている。
【００２５】
前記処理容器３の内部には、前記ヒータカバー１２の周囲を囲む様に、前記処理室１を上下に仕切るコンダクタンスプレート２１が設けられ、該コンダクタンスプレート２１と前記ヒータカバー１２との間には所要のコンダクタンスを有する様に隙間が形成されている。
【００２６】
前記蓋体４は前記処理室１を開閉する様に、前記処理容器３に対してヒンジ部２２を介して回動可能に取付けられており、前記蓋体４の閉状態では、該蓋体４と前記処理容器３との接合面に挾設されたＯリング等のシール部材（図示せず）により気密となっている。
【００２７】
前記ヒンジ部２２は前記処理容器３に固着された容器側ヒンジブロック１９ａと前記蓋体４に固着された蓋側ヒンジブロック１９ｂとがヒンジシャフト２０によって回転自在に連結された構造となっている。
【００２８】
前記蓋体４には前記ラジカル供給ライン７、開閉バルブ３３、リモートプラズマ発生装置２４が設けられており、該リモートプラズマ発生装置２４は高周波電極を具備し、アルゴン、酸素等のプラズマ発生用ガス種が供給され、前記高周波電極に高周波電力を印加することでプラズマが発生され、プラズマによって酸素ラジカルが生成され、該酸素ラジカルは前記ラジカル供給ライン７、前記開閉バルブ３３を介して前記処理室１に供給される。尚、前記リモートプラズマ発生装置２４は前記開閉バルブ３３によって切離しが可能となっている。
【００２９】
又、前記蓋体４に接続された前記処理ガス供給ライン６は、前記蓋体４に取付けられ、該蓋体４と一体に回動する第１配管部２５と、処理ガス供給源２６と、該処理ガス供給源２６に接続された第２配管部２７とで構成され、前記第１配管部２５と前記第２配管部２７とは配管連結装置２８を介して気密に連通している。
【００３０】
又、該配管連結装置２８は、後述する様に、２分割構造となっており、一方は前記蓋体４と一体に回動可能であり、又他方は前記処理容器３側に固定され、前記蓋体４の開閉動によって、連通、分断する様になっている。
【００３１】
前記処理ガス供給ライン６は原料ガスＡの液化ガスを貯溜するＡ原料タンク３１、原料ガスＢの液化ガスを貯溜するＢ原料タンク３２を有している。尚、３種類の原料を使う場合は、原料ガスＣの液化ガスを貯溜するＣ原料タンク（図示せず）を設け、又、酸化剤としてＨ2 Ｏを用いる場合には、前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２と同様のタンクを設け、それぞれ前記処理室１に供給可能な構造とする。
【００３２】
前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２は、それぞれ図示しないヒータを具備しており、原料の蒸気圧、貯溜部の温度に合せて加熱可能となっている。又、前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２には原料輸送ガスを導入する原料輸送ガス供給管２９，３０が接続されている。該原料輸送ガス供給管２９，３０の先端部は液体原料中に液没されている。又、原料輸送ガスとしては非反応性ガス、例えば窒素ガス、アルゴンガス等が使用される。尚、前記Ｃ原料タンクも前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２と同様の構成となっている。
【００３３】
前記Ａ原料タンク３１にはＡ原料ガス供給管３４が接続され、前記Ｂ原料タンク３２にはＢ原料ガス供給管３５が接続されている。前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５にはそれぞれＡ原料用バルブ３７、Ｂ原料用バルブ３８が設けられ、前記Ａ原料用バルブ３７、前記Ｂ原料用バルブ３８の上流側にはそれぞれＡ原料排気管３９、Ｂ原料排気管４０が連通され、前記Ａ原料排気管３９、前記Ｂ原料排気管４０にはそれぞれＡ原料排気用バルブ４２、Ｂ原料排気用バルブ４３が設けられている。又、前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５の前記Ａ原料用バルブ３７、前記Ｂ原料用バルブ３８の下流側にそれぞれ希釈ガスライン４５，４６が連通され、該希釈ガスライン４５，４６にはそれぞれ希釈ガス用バルブ４８，４９が設けられている。尚、前記Ｃ原料ガス供給管（図示せず）も、前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５と同様の構成となっている。
【００３４】
前記Ａ原料ガス供給管３４、前記Ｂ原料ガス供給管３５、前記Ｃ原料ガス供給管（図示せず）は前記第２配管部２７を構成する。
【００３５】
前記配管連結装置２８について、図４、図５を参照して説明する。
【００３６】
前記蓋体４の側面、前記ヒンジ部２２側の端部に、蓋側管継手ブロック５１が取付けられ、前記容器側ヒンジブロック１９ａの側面に容器側管継手ブロック５２が取付けられ、前記蓋側管継手ブロック５１、前記容器側管継手ブロック５２はそれぞれ鉛直な接合面５３，５４を有し、前記蓋体４が閉塞した状態で接合面が密着する様になっている。
【００３７】
前記蓋側管継手ブロック５１には一端が上面に開口し、他端が前記接合面５３に開口するＬ字状の第１ガス流路５５が穿設され、前記第１配管部２５が前記第１ガス流路５５に接続されている。前記容器側管継手ブロック５２には一端が前記接合面５４に開口し、前記容器側管継手ブロック５２を水平に貫通する第２ガス流路５６が穿設され、該第２ガス流路５６には前記第２配管部２７が接続されている。
【００３８】
前記接合面５３、前記接合面５４のいずれか一方、図示では前記容器側管継手ブロック５２の接合面５４にシール部材、例えばＯリング５７を設け、前記接合面５３と前記接合面５４とが接合した状態で、前記第１ガス流路５５と前記第２ガス流路５６とが気密に連通する様に構成する。
【００３９】
又、前記蓋側管継手ブロック５１、前記容器側管継手ブロック５２の両方、又は少なくとも一方には前記蓋側管継手ブロック５１、前記容器側管継手ブロック５２を加熱し、処理ガスが液化、又は固化しない様にする為のヒータ（図示せず）が設けられている。
【００４０】
以下基板処理、例えばＡＬＤ成膜処理について説明する。
【００４１】
前記ヒータユニット台８が降下し、基板支持ピン（図示せず）が前記加熱板９ａより上方に突出した状態で、前記ゲート弁１６が開かれ、図示しない基板移載機により前記基板搬入出口１５よりウェーハ１０が前記処理室１に搬入され、前記基板支持ピンに載置される。前記基板移載機が退出し、前記ゲート弁１６により前記基板搬入出口１５が閉塞され、前記ヒータユニット台８が上昇するとウェーハ１０は前記ヒータカバー１２上に載置され、基板処理位置に位置決めされる。
【００４２】
前記加熱板９ａによりウェーハ１０が加熱され、前記排気ライン５により前記処理室１が排気され、該処理室１に原料ガスが導入可能となる。
【００４３】
原料Ａ、原料Ｂはそれぞれ前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２に液体状態で封入されており、前記処理室１へは気化させたガスが原料輸送ガスと共に供給される。
【００４４】
前記原料輸送ガス供給管２９，３０から原料輸送ガスがそれぞれ原料Ａ、原料Ｂ中に供給され、バブリングにより原料が気化される。尚、バブリングさせずに前記Ａ原料タンク３１、前記Ｂ原料タンク３２内で気化されたものを原料輸送ガスにより搬送する様にしてもよい。
【００４５】
気化した原料ガスは流量が安定する迄、前記Ａ原料用バルブ３７、前記Ｂ原料用バルブ３８を閉じ、前記Ａ原料排気用バルブ４２、前記Ｂ原料排気用バルブ４３を開いて前記Ａ原料排気管３９、前記Ｂ原料排気管４０を介して排気する。
【００４６】
成膜開始と共に前記Ａ原料用バルブ３７を開き、前記Ａ原料排気用バルブ４２を閉じて、原料ガスＡを前記Ａ原料ガス供給管３４を介して前記処理室１に導入する。原料の供給時間としては、例えば、０．１ｓｅｃ〜３．０ｓｅｃ程度である。
【００４７】
前記処理室１のウェーハ１０に原料ガスＡが供給された後、原料ガスＡは前記ヒータカバー１２の周囲の隙間を通って前記排気口１７を介して前記排気ライン５により排気される。尚、前記処理室１の圧力は前記圧力制御手段１８により一定に保持される。
【００４８】
原料ガスＡの供給によりウェーハ１０の表面に原料ガスＡが吸着する。原料ガスＡの供給を終了すると同時に前記Ａ原料用バルブ３７を閉じ前記Ａ原料排気用バルブ４２を開いて、前記処理室１への原料ガスＡの供給を停止すると共に原料ガスは前記Ａ原料排気管３９より排気される。
【００４９】
この際、前記Ａ原料ガス供給管３４に原料ガスＡが残留し、次の原料ガスＢが導入される迄に充分濃度が低下していない場合は、自己分解、或は次の原料ガスＢと反応しパーティクルとなる状況が想定される。従って、配管内の原料ガス濃度を早急に低減する為、配管内に希釈ガスを供給する様にしてもよい。希釈ガスの供給は、前記Ａ原料ガス供給管３４に前記希釈ガス用バルブ４８を具備する前記希釈ガスライン４５を連通させ、前記希釈ガス用バルブ４８の開閉により希釈ガスを供給停止する。尚、前記希釈ガスライン４５の連通位置は、前記Ａ原料ガス供給管３４の上流位置が好ましく、又希釈ガスとしては原料輸送ガスと同様非反応性ガスを使用する。
【００５０】
希釈ガスを、例えば０．１ｓｅｃ〜１０ｓｅｃ程度導入し、前記処理室１を前記排気ライン５を介して排気することにより、前記Ａ原料用バルブ３７から前記処理室１間の配管内、該処理室１内の残留原料ガス濃度を所定の濃度以下に低減する。
【００５１】
次に、前記Ｂ原料用バルブ３８を開き、前記Ｂ原料排気用バルブ４３を閉じて、前記Ｂ原料ガス供給管３５を介して原料ガスＢを前記処理室１に所定時間供給する。原料ガスＢの供給により、ウェーハ１０の表面に原料ガスＢが吸着する。
【００５２】
原料ガスＢの供給停止、残留ガスの希釈、濃度低減については原料ガスＡの場合と同様に行う。尚、原料ガスＡの供給と原料ガスＢの供給は、両原料を混合させても反応が生じない場合は同時に行ってもよい。
【００５３】
次に、前記処理室１に酸化剤を所定時間供給する。酸化剤の供給により、ウェーハ１０の表面に吸着した原料ガスＡ，Ｂと酸化剤とが反応し、ウェーハ１０上に膜が形成される。その後、酸化剤の供給を停止し、残留ガスの希釈、濃度低減を行う。
【００５４】
上記したＡＬＤ成膜工程に於いて、絶縁膜を生成する場合では、Ｈｆ系、Ａｌ系原料の他に、酸化剤としてＨ2 Ｏ、Ｏ3 等によって膜を生成することとなる。又、前記リモートプラズマ発生装置２４等を用いてＯラジカルを生成し、酸化剤として前記処理室１に導入する場合もある。本実施の形態に於ける図１の基板処理装置はリモートプラズマ発生装置２４を用いる場合のものである。該リモートプラズマ発生装置２４は、高周波電力を印加してプラズマを発生する構造を有しており、印加する周波数帯としては、例えば、４００ＫＨｚ〜１３．５６ＭＨｚである。
【００５５】
又、ＡＬＤ成膜工程では、［（原料ガス供給）→（配管＋処理室）希釈→酸化剤供給→（配管＋反応室）希釈］の４工程が１サイクルとして所望の膜厚となる迄、所要サイクル繰返し、ウェーハ１０を処理する。
【００５６】
１サイクルの膜厚としては、処理条件により変化するが、概して０．３Å〜１．０Å程度である。
【００５７】
具体例として、ウェーハ１０上にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する場合は、Ａ原料として例えば、ＴＭＡを用いる。又、複数の金属元素、半導体元素から構成される膜、例えば、ＨｆＳｉＯｘ（ハフニウムシリケート）、ＨｆＡｌＯｘ（ハフニウムアルミネート）等を成膜する場合は、Ａ原料としてＴＭＡ、Ｂ原料としてＨｆ（ＯｔＢｕ）4 、Ｈｆ（Ｎｍｅ2 ）4 、Ｈｆ（Ｎｅｔ2 ）4 等が挙げられる。
【００５８】
この場合、酸化剤としてＯラジカルを用いる場合は前記リモートプラズマ発生装置２４、前記開閉バルブ３３が設けられた前記ラジカル供給ライン７を用いて酸化剤を供給し、Ｈ2 Ｏ、Ｏ3 を用いる場合は、酸化剤供給ラインが別途追加される。
【００５９】
基板処理毎に、或は所定期間経過毎に前記処理室１の清掃等保守作業が行われる。
【００６０】
保守作業は、前記蓋体４を回動させ、前記処理容器３の上端を開放して行われる。又、前記蓋体４を回動することで、前記蓋側管継手ブロック５１も前記蓋体４と一体に回動し、前記容器側管継手ブロック５２から離反する。前記蓋側管継手ブロック５１と前記容器側管継手ブロック５２の離反によって、前記第１ガス流路５５と前記第２ガス流路５６とが分離切断される。即ち、可動側の前記第１配管部２５と固定側の前記第２配管部２７との切離しが、人手による分離作業なしに実行される。
【００６１】
又、前記蓋側管継手ブロック５１と前記容器側管継手ブロック５２の分離時は、前記接合面５３、前記接合面５４は、鉛直面であるのでパーティクル等の不純物が前記第１ガス流路５５と、前記第２ガス流路５６内に混入することが防止される。
【００６２】
更に、前記蓋体４が完全に開いた状態では、前記第１ガス流路５５は下向き面に開口しており、パーティクルの混入が防止され、又前記第２ガス流路５６は水平に貫通した孔となるので、清掃が簡単である。
【００６３】
更に、スパナ等の工具を用いて、分離する必要がないので、分離作業時に発塵する虞れもない。
【００６４】
保守作業が完了した場合、前記蓋体４を閉鎖する。該蓋体４の閉鎖によって、前記蓋側管継手ブロック５１と前記容器側管継手ブロック５２とが密着し、又前記Ｏリング５７によってシールされ、前記第１ガス流路５５と前記第２ガス流路５６とが気密に連通する。
【００６５】
気化したガスが前記第２配管部２７、前記第１配管部２５を経て前記処理室１に供給する流通過程で冷却された場合、原料の再液化、パーティクルの発生の原因となる虞れがある。従って、前記第２配管部２７、前記第１配管部２５についても、所要の加熱手段によって加熱される。
【００６６】
加熱手段の加熱温度としては、比較的低温（＜１００℃）の場合と比較的高温（１５０℃〜１８０℃）の場合とがあり、ＴＭＡ等の蒸気圧が比較的高い原料（蒸気圧８Ｔｏｒｒ、２０℃）については、加熱温度は１００℃で充分であり、テープヒータ、例えばシリコンラバーヒータ等によって加熱される。Ｈｆ（ＭＭＰ）4 （Ｔｅｔｒａｋｉｓ（１−Ｍｅｔｈｏｘｙ−２−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｒｏｐｏｘｙ）Ｈａｆｎｉｕｍ）の様に比較的蒸気圧の低い原料（蒸気圧０．６Ｔｏｒｒ、１３４℃）では処理ガスの流路を１５０℃に加熱する。
【００６７】
尚、本発明は、配管途中で切離しするのではないので、配管に設けたヒータを保守の度に取外す必要がなく、保守作業性を向上させることができる。
【００６８】
本発明では、処理室１の保守、管理作業毎の煩雑な配管着脱作業を簡略化でき、又配管接続箇所が少なくなり、リークチェック箇所の減少、配管加熱手段の着脱が不要となり、保守性が向上する。
【００６９】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７０】
（付記１）開口部を有し、内部に基板を収納して処理する処理容器と、該処理容器の前記開口部を閉塞する蓋体と、該蓋体に設けられ前記処理容器内にガスを供給する供給口と、前記蓋体側に固定され、第１ガス流路を有する第１ブロックと、該第１ブロックと対向する様に前記処理容器側に固定され前記第１ガス流路に連通可能な第２ガス流路を有する第２ブロックと、前記第１ガス流路と前記供給口とを接続する配管とを有し、前記蓋体の閉塞状態で、前記第１ブロックと前記第２ブロックとが当接し、前記第１ガス流路と前記第２ガス流路とが連通する様構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【００７１】
（付記２）前記蓋体は前記処理容器に対して回動軸を介して回動可能に設けられ、前記第１ブロック、前記第２ブロックは、それぞれ回動軸側に設けられた付記１の基板処理装置。
【００７２】
（付記３）前記回動軸は軸受ブロックを介して前記処理容器に設けられ、前記第２ブロックは前記軸受ブロックに設けられた付記２の基板処理装置。
【００７３】
（付記４）前記第１ブロック、前記第２ブロックの当接面は鉛直面である付記１の基板処理装置。
【００７４】
（付記５）前記第１ガス流路の出口は前記第１ブロックの上面に開口する付記１の基板処理装置。
【００７５】
（付記６）前記第２ガス流路は水平に設けられ、前記第１ガス流路は一部が水平に一部が鉛直に設けられた付記１の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態に於ける処理炉の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ矢視図である。
【図４】本発明の実施の形態に於ける処理炉の開閉作動を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態に於ける処理炉の開閉作動を示す説明図である。
【図６】従来の処理炉の開閉作動を示す説明図である。
【図７】従来の処理炉の開閉作動を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７７】
１              処理室
２              反応容器
３              処理容器
４              蓋体
５              排気ライン
６              処理ガス供給ライン
７              ラジカル供給ライン
１０            ウェーハ
１１            加熱ヒータ
１４            処理ガス供給部
２２            ヒンジ部
２３            真空管継手
２４            リモートプラズマ発生装置
２５            第１配管部
２６            処理ガス供給源
２７            第２配管部
２８            配管連結装置
５１            蓋側管継手ブロック
５２            容器側管継手ブロック
５３            接合面
５４            接合面
５５            第１ガス流路
５６            第２ガス流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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