(57)【要約】【課題】  垂直記録ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置に関し、記録性能を保持したままの状態で、磁場の拡がりを防止して不所望なイレーズの発生を抑制する。【解決手段】  主磁極１と、主磁極１のトレーリング側に設けた書き込みシールド４と、主磁極１のリーディング側に設けた磁性体５とを有し、磁性体５を主磁極１から離間させるとともに、媒体対向面から後退させて配置する。【選択図】          図１
2009146475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁極と、前記主磁極のトレーリング側に設けた書き込みシールドと、前記主磁極のリーディング側に設けた磁性体とを有し、前記磁性体を前記主磁極から離間させるとともに、媒体対向面から後退させて配置していることを特徴とする垂直記録ヘッド。
【請求項２】
前記磁性体の媒体対向面からの後退距離が、２０ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の垂直記録ヘッド。
【請求項３】
前記磁性体の前記主磁極からの離間距離が５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の垂直記録ヘッドと、再生ヘッドとを積層したことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直記録ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置に関するものであり、特に、磁気ディスク等の記録・再生に用いられる複合型薄膜磁気ヘッドにおける書き拡がりを抑止するための構成に特徴のある垂直記録ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、記録媒体上のデータは磁気ヘッドによって読み書きされるが、このような磁気ディスク装置の単位面積当たりの記録容量を大きくするためには、トラック幅方向及びビット長方向の双方の密度を向上させる必要がある。
【０００３】
しかしながら、現状の面内記録方式では、記録されるビット長が短くなると、磁気記録媒体の熱揺らぎが原因で、面記録密度が上げられない問題が生じつつあり、これらの問題を解決する方法として、さらなる高密度化に磁気記録媒体に垂直な方向に磁化させる垂直記録方式が実用化されつつある。
【０００４】
このような垂直記録方式においても、再生には、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）型ヘッドや再生出力が大きいトンネル巨大磁気抵抗効果（ＴＭＲ）型ヘッドなどを用いることができる。
一方、記録過程においては、垂直磁気記録媒体を二層化し、下層に軟磁性層（ＳＵＬ：Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）からなる裏打層を設け、記録ヘッドとして主磁極と補助磁極を備える単磁極ヘッドを用いて記録している。
【０００５】
図１０参照  
図１０は、垂直磁気記録の原理図であり、ライトコイル６３に書込電流を流して励磁すると、主磁極６１の先端と垂直記録媒体７０の下層を構成する裏打層７１の間に垂直方向の磁界が発生し、これにより垂直記録媒体７０の磁気記録層７２に記録がなされる。
裏打層７１に流れ込んだ磁界は補助磁極６２へと戻り、１つの磁気回路を形成する。
この際、垂直記録媒体７０に対向する面の主磁極６１の形状によって、記録される磁化状態が決まり、特に、媒体走行方向に対する下流側すなわち主磁極トレーリングエッジにおける大きな磁界で記録が行われる。
【０００６】
このように垂直磁気記録媒体側に裏打層を有するため、垂直記録方式では、ヘッド書き込み能力が高く、１０Ｔ（テスラ）を超える記録磁界を発生させることができ、５ｋ〔Ｏｅ〕を超える比較的大きな保磁力を有する磁気記録層にも書き込みが可能である。
【０００７】
しかしながら、さらなる高密度化にともない、記録されるトラック幅が減少すること、また主磁極に用いられる磁性材料も飽和磁束密度の制限を受けてしまうなどの理由から、励磁コイルによって主磁極に発生し得るヘッド磁界の大きさも制限されてしまう。
【０００８】
また、大きな発生磁界を得ようと起磁力を大きくしたとしても、主磁極の材料的な制約、即ち、飽和磁束密度の理論的限界から書き込みに必要な磁界は変わらず、形状効果等により不要な磁場、即ち、漏洩磁場のみが大きくなってしまい、高密度化が困難である。
【０００９】
図１１参照  
図１１は、形状効果による漏洩磁場の説明図であり、主磁極の先端部の括れ部は非平坦な形状となるため磁界が集中し、主磁極を構成する磁性材料の飽和磁束密度を超えてしまうため、この主磁極の先端部の括れ部から不要な磁場が漏洩されることになる。
【００１０】
特に、磁気ディスク装置内において、磁気ヘッドは最大で１５〜２０度のスキュー角で記録を行う場合があり、主磁極リーディングエッジがはみ出してしまうことにより、隣接トラックへの漏洩磁界によるイレーズが問題となっている。
【００１１】
このような書き拡がりを抑止するために、例えば、記録特性の劣化を防止する目的で、主磁極のリーディング側に非磁性を介して軟磁性膜からなる磁性体を媒体対向面に露出した状態で配置することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１２】
また、主磁極リーディング側に磁性体を媒体対向面に露出させるとともに、リターンヨークに接続された形態が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−００５８２６号公報
【特許文献２】特開２００６−２５２６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、特許文献１或いは特許文献２で提案されたいずれの場合も、主磁極リーディング側に配置された磁性体は、媒体対向面に露出した形態であり、形状効果などの磁区が起因によるイレーズが生じてしまうため実用的ではないという問題がある。
【００１４】
特に、特許文献１に示されている主磁極リーディング側に配置される磁性体は磁気的に浮いた状態であり、且つ、磁気記録媒体対向面に露出した状態であるので、吸い込んだ磁束が媒体側の裏打層に流れこむことによるイレーズや、形状と関連した磁区によるイレーズ問題があり、実用的ではない。
【００１５】
したがって、本発明は、記録性能を保持したままの状態で、磁場の拡がりを防止して不所望なイレーズの発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号２は、ぞれぞれ、トレーリング側のリターンヨークである。
図１参照
上記の課題を解決するために、本発明は、垂直記録ヘッドにおいて、主磁極１と、主磁極１のトレーリング側に設けた書き込みシールド４と、主磁極１のリーディング側に設けた磁性体５とを有し、磁性体５を主磁極１から離間させるとともに、媒体対向面から後退させて配置していることを特徴とする。
【００１７】
このように、主磁極１のリーディング側に、適切な位置および形状の磁性体５を配置することにより、主磁極リーディングエッジ付近からの漏れ磁界とトラック幅方向のヘッド磁界分布抑制の両方の効果が期待できる。
【００１８】
また、主磁極１のリーディング側の磁性体５を媒体対向面後方に離間して配置することで、形状効果などの磁区に起因するイレーズ問題は解決される。
したがって、主磁極１の先端部の括れ部で生じる磁気飽和による漏れ磁界のみを効率良く吸い取ることにより、記録性能を劣化させることなく、隣接トラックにかかる漏洩磁界を抑制することができる。
【００１９】
また、磁性体５は媒体対向面から後退させた位置に配置しているので、磁性体５からの漏れ磁界はおよそ媒体対向面からの距離の２乗に比例して減衰するため、磁性体５からの漏れ磁界によってイレーズが生ずることはない。
【００２０】
特に、磁気ディスク装置において、スキュー角が大きい場合での記録においても、主磁極リーディングエッジからの漏洩磁界が抑制され、隣接トラックへのイレーズは改善され、記録密度の向上が期待できる。
【００２１】
この場合の磁性体５の媒体対向面からの後退距離が、２０ｎｍ乃至２００ｎｍであることが望ましく、２０ｎｍ未満の場合には磁性体５からの漏れ磁界によるイレーズが問題になり、２００ｎｍを超えると主磁極リーディングエッジからの漏洩磁界による隣接トラックのイレーズが問題になる。
【００２２】
また、磁性体５の主磁極１からの離間距離が５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることが望ましく、５０ｎｍ未満であると記録磁界強度が低下し過ぎ、一方、２００ｎｍを超えると磁性体５を設けた効果がほとんどなくなる。
【００２３】
また、磁性体５のトラック幅方向の長さを、主磁極１トラック幅の１０倍以上とすることが望ましく、それによって、主磁極リーディングエッジからの漏洩磁界の拡がりを効果的に抑制することができる。
【００２４】
また、磁性体５は、磁性体５からの磁場の放出を抑制するために、磁気的にはリーディング側のリターンヨーク３等に接続していることが望ましいが、磁気的に浮いていても良い。
また、磁性体５の飽和磁束密度は、主磁極１を飽和磁束密度が理論的限界値に近い材料で構成するので、主磁極１の飽和磁束密度よりも小さくなる。
【００２５】
また、上述の垂直記録ヘッドを、再生ヘッドに積層することによって、記録性能を保持したままの状態で、磁場の拡がりを防止して不所望なイレーズの発生が抑制された複合型薄膜磁気ヘッドを構成することができる。
【００２６】
また、このような複合型薄膜磁気ヘッドを搭載することによって、不所望なイレーズの発生することのない高密度磁気ディスク装置を実現することができる。
例えば、上述のように、記録時のスキュー角が大きい場合にも、主磁極リーディングエッジからの漏洩磁界が抑制されるため、隣接トラックへのイレーズは改善し、記録密度の向上が可能になる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、主磁極リーディング側に磁性体を主磁極から離間させ、且つ、媒体対向面から後退させて配置しているので、記録性能を劣化させることなく書き拡がりを抑止することができるとともに、形状効果などの磁区が起因による磁性体からの漏洩磁界によるイレーズ問題も解消され、高密度記録の垂直記録ヘッド及び磁気ディスク装置の実現が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
ここで、図２乃至図６を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図２参照  
図２は、本発明の実施の形態の垂直記録ヘッドの先端部の概念的構成図であり、主磁極１１のトレーリング側にリターンヨーク１３と一体に形成したトレーリングシールド１４を設けるとともに、リーディング側にも磁気シールド１５を設ける。
【００２９】
この時、磁気シールド１５は、主磁極１１の先端部１２から５０ｎｍ〜２００ｎｍだけ離間させて配置するとともに、ＡＢＳ面（媒体対向面）から２０ｎｍ〜２００ｎｍだけ後退させて配置する。
また、この場合の磁気シールド１５のサイズは、高さが０．１〜１．０μｍで、厚さが０．１〜５．０μｍであり、また、幅は主磁極１１の先端部１２の幅の１０倍以上、例えば、先端部１２の幅が１００ｎｍの場合には、１μｍ以上にする。
【００３０】
図３参照  
図３は、ヘッド磁界シミュレーションによる磁界分布の説明図であり、隣接トラックへの影響度合いに着目し、主磁極部を除いた等磁界曲線で示している。
なお、ここでは、主磁極リーディング側に配置した磁気シールド１４の大きさを、媒体対向面からみて、高さ６００ｎｍ、幅２．４μｍ、厚さ１．０μｍとして、上図に示すように主磁極リーディングエッジと磁気シールドまで離間距離ｄをパラメータにしてシミュレーションを行った。
【００３１】
下図から明らかなように、左図に示す本発明の構成の場合に、右図に示す磁気シールドを設けない従来に比べて、明らかに、トラック幅方向の磁界の拡がりが抑えられている。
【００３２】
図４参照  
図４は、磁界分布の主磁極からの離間距離依存性の説明図であり、主磁極リーディングエッジと磁気シールドまで離間距離をパラメータにし、シミュレーションをおこなった結果を示し、左から、主磁極リーディングエッジと磁気シールドとの離間距離を大きくしていったときのヘッド磁界分布の結果を示している。
図から明らかなように、主磁極リーディングエッジと磁気シールドとの離間距離が６０ｎｍまで近づけると、トラック幅方向の磁界は大幅に抑制されることがわかる。
【００３３】
一方、主磁極リーディングエッジと磁気シールドとの離間距離を３００ｎｍまで遠ざけて配置してしまうと、ヘッド磁界分布は、従来の形態、即ち、主磁極リーディング側に磁気シールドを配置しない場合のヘッド磁界分布とほぼ等しくなってしまう。
【００３４】
図５参照  
図５は、記録磁界及びイレーズ磁界の離間距離依存性の説明図であり、上述のシミュレーション結果を従来の主磁極リーディング側に磁性体を配置しないヘッドの各特性で規格化した記録磁界の強度、及び、スキュー角１５度を考慮したときの隣接部にかかるイレーズ磁界の強度をプロットしている。
【００３５】
図から明らかなように、離間距離ｄを小さくするほど、イレーズ磁界は低減するものの、主磁極から主磁極リーディング側に配置した磁気シールドに磁束が流れ込んでしまい、記録磁界強度を低下させてしまうので離間距離ｄの下限としては５０ｎｍが適当であり、上限としては、イレーズ磁界が従来とあまり変わらなくなる２００ｎｍが適当であり、離間距離ｄを１００ｎｍ程度に適度に離して配置すれば、記録磁界の低下を抑え、トラック幅方向の磁界分布を鋭くすることができる。
【００３６】
図６参照  
図６は、記録磁界及びイレーズ磁界のＡＢＳ面からの後退距離依存性の説明図であり、ここでは、上図に示すように、磁気シールドのＡＢＳ面からの後退距離ｈをパラメータにシミュレーションした結果を示しており、ここでも、従来の主磁極リーディング側に磁性体を配置しない特性で規格化した記録磁界の強度、及び、スキュー角１５度を考慮したときの隣接部にかかるイレーズ磁界の強度をプロットしている。
【００３７】
下図から明らかなように、主磁極リーディング側に設けた磁気シールドのＡＢＳ面からの後退距離ｈは、記録性能にほとんど影響を与えないことを示している。
但し、形状による磁区に起因するイレーズ問題を考慮すると、磁気シールド自体からの漏洩磁界の影響は距離の二乗で減衰するので、主磁極リーディング側の磁気シールドのＡＢＳ面からの後退距離は２０ｎｍ〜２００ｎｍ程度が好適である。
【００３８】
以上を纏めると、主磁極、及び、トレーリングシールドを備えた垂直記録ヘッドにおいて、主磁極リーディング側にも磁気シールドを、ある一定の距離を離し、且つ、ＡＢＳ面から後退させて配置することにより、記録性能を劣化させることなく書き拡がりを抑止できることを示唆しており、高密度化が期待できる垂直記録ヘッドが提供できる。
特に、媒体対向面から後退させて配置することにより、形状効果などの磁区が起因によるイレーズ問題も解消され、実用性が期待できる。
【実施例１】
【００３９】
以上を前提として、次に、図７を参照して本発明の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドを説明する。
図７参照  
図７は、本発明の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図であり、上図はＡＢＳ面から見た概略的正面図であり、下図は、正面図におけるＡ−Ａ′に沿った概略的断面図である。
なお、電解メッキ工程におけるメッキベース層については説明を省略する。
まず、スライダーの母体となる、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板上にＡｌ2 Ｏ3 膜（いずれも図示を省略）を介して下部磁気シールド層２１、ＴＭＲ膜２２、磁区制御膜２３、Ａｌ2 Ｏ3 膜２４、及び、上部磁気シールド層２５を設ける。
【００４０】
次いで、上部磁気シールド層２５上にＡｌ2 Ｏ3 膜２６を全面に設けたのち、下部リターンヨーク２７を形成し、次いで、下部リータヨーク２７上にレジストからなる絶縁膜２８で被覆された平面スパイラル状の下部ライトコイル２９を形成する。
【００４１】
次いで、全面にＡｌ2 Ｏ3 膜３０を設けたのち、選択電解メッキ法を用いてＡＢＳ面からの最終的な後退距離が２０ｎｍ〜２００ｎｍ、例えば、５０ｎｍになるように、例えば、高さ（厚さ）が６００ｎｍ、ＡＢＳ面からみた幅が２．４μｍ、素子高さ方向の長さが１．０μｍのＣｏＮｉＦｅからなる磁気シールド３１を設ける。
【００４２】
次いで、全面に薄いＡｌ2 Ｏ3 膜３２を設けたのち、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 膜３２上に厚さが、例えば、５００ｎｍのＮｉＦｅからなる主磁極補助層３３を設ける。
【００４３】
次いで、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰ（化学機械研磨）法を用いて平坦化することによって、ヘッド媒体対向面側の凹部をＡｌ2 Ｏ3 埋込層３４で埋め込み、次いで、選択電解メッキ法を用いて全面に厚さが０．１５〜０．３０μｍ、例えば、０．２５μｍのＣｏＮｉＦｅからなる主磁極３５を形成する。
次いで、スパッタリング法を用いて全面に厚さが３０〜１００ｎｍ、例えば、６０ｎｍで、非磁性体、例えば、Ｒｕからなるギャップ層３６を設ける。
【００４４】
次いで、レジストパターン（図示を省略）をマスクとして傾斜方向からＡｒイオンを用いたイオンミリングを施すことによってＣｏＮｉＦｅ層乃至Ａｌ2 Ｏ3 埋込層３４の先端部を選択的に除去して、例えば、トレーリング側の幅が１００ｎｍの主磁極先端部３７を形成する。
なお、主磁極先端部３７の素子高さ方向の長さは、例えば、１００ｎｍとする。
【００４５】
次いで、再び、スパッタリング法を用いて全面にＡｌ2 Ｏ3 膜を堆積させたのち、ＣＭＰ法を用いて平坦化することによって、Ａｌ2 Ｏ3 埋込層３８を形成したのち、再び、選択電解メッキ法を用いてＡｌ2 Ｏ3 埋込層３８上にＣｕを選択的に成膜して平面スパイラル状の上部ライトコイル３９を形成する。
【００４６】
次いで、上部ライトコイル３９を覆うようにフォトレジストを設け、このフォトレジストを被覆絶縁膜４０としたのち、再び、選択電解メッキ法を用いてＮｉＦｅ層を堆積させ、被覆絶縁膜４０上に堆積したＮｉＦｅ層を上部リターンヨーク４１とし、被覆絶縁膜４０のヘッド媒体対向面側の側面に堆積したＮｉＦｅ層をトレーリングシールド層４２とする。
なお、上部ライトコイル３９は主磁極３５と上部リターンヨーク４１とを磁気的に接続する上部リターンヨーク４１と一体に形成された接続部４３を中心として巻回した構造となっている。
最後に、ヘッド媒体対向面側を切断し、素子高さを調整するようにＡＢＳ面を研磨することによって、複合型薄膜磁気ヘッドの基本構成が得られる。
【００４７】
本発明の複合型薄膜磁気ヘッドの垂直記録ヘッド部は、主磁極リーディング側にも、主磁極に対して離間させるとともに、ＡＢＳ面から後退した位置に磁気シールドを設けているので、主磁極の媒体対向面近くにある磁束を絞り込むリーディングエッジ位置において、放出される不要な漏洩磁界のみを吸い取ることができる。
また、トラック幅方向の磁界拡がり抑制にも作用し、トラック幅方向の記録密度を大幅に向上させることができる。
【実施例２】
【００４８】
次に、図８を参照して本発明の実施例２の複合型薄膜磁気ヘッドを説明するが基本的な製造工程は上記の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドと同じであるので、構成を主として説明する。
図８参照  
図８は、本発明の実施例２の複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図であり、上図はＡＢＳ面から見た概略的正面図であり、下図は、正面図におけるＡ−Ａ′に沿った概略的断面図である。
【００４９】
この実施例２においては、リーディング側に設ける磁気シールドの構成が異なるだけで、他の構成は上記の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドと同じであり、ここでは、磁気シールド４４を設ける際に、磁気シールド４４の両端部に相当する位置において、下部リターンヨーク２７に達する凹部を設け、磁気シールド４４を選択電解メッキする際に、この凹部にもＣｏＮｉＦｅを埋め込んで接続部４５を形成したものである。
【００５０】
本発明の実施例２においては、磁気シールド４４が磁気的に浮いた状態ではないので、磁気シールド４４から放出される漏洩磁界を低減することができる。
【実施例３】
【００５１】
次に、図９を参照して、本発明の実施例３の磁気ディスク装置を説明する。
図９参照  
図９は、本発明の実施例３の磁気ディスク装置の概略的平面図であり、磁気ディスクと磁気ヘッドとの関係を示している。
ロータリーアクチュエーター５１に支持されたサスペンションアーム５２の先端に上記の実施例１或いは実施例２の複合型薄膜磁気ヘッド５０を形成されたスライダ５３が固定されており、図示を省略しているが、サスペンション先端部にはジンバルと呼ばれる支持具でスライダ５３が固定されている。
【００５２】
スライダ５３の端部に設けられた複合型薄膜磁気ヘッド５０により、図に示されている回転方向に回転する磁気ディスク５４に情報を記録し再生する。
ロータリーアクチュエーター５１が回転することにより、複合型薄膜磁気ヘッド５０を磁気ディスク５４の異なる半径位置へと移動させ、位置決めすることが可能となる。
【００５３】
このとき、磁気ディスク５４上には同心円状の記録トラック５５が形成される。
トラック幅方向の密度を向上させることは、この同心円状の記録トラック５５をある一定の狭い間隔で複数の記録トラック５５を形成することを意味しており、原理的に、ディスク半径位置によって、磁気ヘッドと記録トラックのなす角度、即ち、ヨー角がさまざまに変化し、最大で±１５〜２０°の範囲で変化する。
【００５４】
この場合、磁気ヘッドとして上記の実施例１或いは実施例２に記載した複合型薄膜磁気ヘッド５０を用いており、主磁極の先端部のトレーリング側の幅は１００ｎｍ程度であるので、高密度の記録が可能になるとともに、記録トラック５５が狭い間隔で形成されても、主磁極の先端部のリーディング側に磁気シールドをＡＢＳ面から後退した位置に設けているので、隣接するトラックに書き込まれた情報がイレーズされることはない。
【００５５】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載された構成・条件等に限られるものではなく各種の変更が可能であり、例えば、上記の各実施例においては、磁気シールドを形成した後に、主磁極補助層を形成しているが、主磁極補助層を形成したのち、主磁極補助層の上面より５０ｎｍ〜２００ｎｍ低い位置まで磁気シールドを選択電解メッキ法により形成し、全体をＡｌ2 Ｏ3 膜で埋め込むようにしても良いものである。
【００５６】
また、上記の各実施例においては、リーディング側にも下部ライトコイルを設けたダブルの構成からなるコイル構造を示しているが、主磁極に対し、螺旋状に巻き付けたヘリカルコイル構造でも良い。
また、上記の各実施例においては、主磁極先端部をイオンミリングにより形成しているが、リフトオフパターン等を利用した電解メッキ法により形成しても良いものである。
【００５７】
その場合には、主磁極先端部の両側にサイドシールドを設けても良く、また、リーディング側に設ける磁気シールドはこのサイドシールドに対して磁気的に接続しても良いものである。
【００５８】
ここで、再び、図１を参照して、本発明の詳細な説明を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  主磁極１と、前記主磁極１のトレーリング側に設けた書き込みシールド４と、前記主磁極１のリーディング側に設けた磁性体５とを有し、前記磁性体５を前記主磁極１から離間させるとともに、媒体対向面から後退させて配置していることを特徴とする垂直記録ヘッド。
（付記２）  前記磁性体５の媒体対向面からの後退距離が、２０ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする付記１記載の垂直記録ヘッド。
（付記３）  前記磁性体５の前記主磁極１からの離間距離が５０ｎｍ乃至２００ｎｍであることを特徴とする付記１または２に記載の垂直記録ヘッド。
（付記４）  前記磁性体５のトラック幅方向の長さを、主磁極１トラック幅の１０倍以上としたことを特徴とする付記１乃至のいずれか１に記載の垂直記録ヘッド。
（付記５）  前記磁性体５が、磁気的に浮いていることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の垂直記録ヘッド。
（付記６）  前記磁性体５の飽和磁束密度が、前記主磁極１の飽和磁束密度よりも小さいことを付記１乃至５のいずれか１に記載の垂直記録ヘッド。
（付記７）  付記１乃至６のいずれか１に記載の垂直記録ヘッドを、再生ヘッドに積層して設けたことを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
（付記８）  付記７記載の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の活用例としては、ＨＤＤを構成する複合型薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドが典型的なものであるが、磁気抵抗効果素子を用いた再生ヘッドを伴わない垂直記録ヘッドにも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の原理的構成図である。
【図２】本発明の実施の形態の垂直記録ヘッドの先端部の概念的構成図である。
【図３】ヘッド磁界シミュレーションによる磁界分布の説明図である。
【図４】磁界分布の主磁極からの離間距離依存性の説明図である。
【図５】記録磁界及びイレーズ磁界の離間距離依存性の説明図である。
【図６】記録磁界及びイレーズ磁界のＡＢＳ面からの後退距離依存性の説明図である。
【図７】本発明の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図である。
【図８】本発明の実施例２の複合型薄膜磁気ヘッドの構成説明図である。
【図９】本発明の実施例３の磁気ディスク装置の概略的平面図である。
【図１０】垂直磁気記録の原理図である。
【図１１】形状効果による漏洩磁場の説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  主磁極
２  リターンヨーク
３  リターンヨーク
４  書き込みシールド
５  磁性体
１１  主磁極
１２  先端部
１３  リターンヨーク
１４  トレーリングシールド
１５  磁気シールド
２１  下部磁気シールド層
２２  ＴＭＲ膜
２３  磁区制御膜
２４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２５  上部磁気シールド層
２６  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２７  下部リターンヨーク
２８  絶縁膜
２９  下部ライトコイル
３０  Ａｌ2 Ｏ3 膜
３１  磁気シールド
３２  Ａｌ2 Ｏ3 膜
３３  主磁極補助層
３４  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
３５  主磁極
３６  ギャップ層
３７  主磁極先端部
３８  Ａｌ2 Ｏ3 埋込層
３９  上部ライトコイル
４０  被覆絶縁膜
４１  上部リターンヨーク
４２  トレーリングシールド層
４３  接続部
４４  磁気シールド
４５  接続部
５０  複合型薄膜磁気ヘッド
５１  ロータリーアクチュエーター
５２  サスペンションアーム
５３  スライダ
５４  磁気ディスク
５５  記録トラック
６１  主磁極
６２  補助磁極
６３  ライトコイル
７０  垂直記録媒体
７１  裏打層
７２  磁気記録層
【図１】
2009146475.tif 000003
【図２】
2009146475.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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