(57)【要約】      （修正有）【課題】接続導体とリード端子とを良好に接合する超音波接合装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】超音波接合装置３０は、半導体チップ１０が搭載されるアイランド部１１と細長形状のリード端子１３とをそれぞれ複数有し、リードフレームが載置されるステージブロック３１と、アイランド部１１に搭載された半導体チップ１０の上面に形成された上面電極１５とリード端子１３とに跨って板状または帯状の接続導体１６が配置された状態で、接続導体１６の一部分をリード端子１３に当接させるように押圧するとともに、押圧の方向と交差する面内において、接続導体１６に超音波振動を付与するツール部３４と、を備え、ステージブロック３１上には、第２方向においてリード端子１３に隣接し、超音波振動の際にリード端子１３の第２方向における振動を規制する規制突起３１ａ，３１ｂが設けられていることを特徴とする。【選択図】図３
2009194154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載されるアイランド部と細長形状のリード端子とをそれぞれ複数有し、前記リード端子の長手方向の一方の端部を一体に支持するとともに、前記長手方向に沿う第１方向と交差する第２方向に沿って、前記アイランド部と前記リード端子とが複数並列して一体に形成されたリードフレームが載置されるステージと、
前記リードフレームが前記ステージ上に配置され、前記アイランド部に搭載された前記半導体チップの上面に形成された電極と前記リード端子とに跨って板状または帯状の接続導体が配置された状態で、前記接続導体の一部分を前記リード端子に当接させるように押圧するとともに、前記押圧の方向と交差する面内において、前記接続導体に超音波振動を付与するツール部と、を備え、
前記ステージ上には、前記第２方向において前記リード端子に隣接し、前記超音波振動の際に前記リード端子の前記第２方向における振動を規制する規制突起が設けられていることを特徴とする超音波接合装置。
【請求項２】
前記ツール部の、前記接続導体を押圧する押圧面には、複数の突起が形成され、前記突起は、多角錐台形状、円錐台形状または半球状であることを特徴とする請求項１記載の超音波接合装置。
【請求項３】
リードフレームに形成された細長形状のリード端子と、前記リードフレームに搭載された前記半導体パッケージの電極とを、板状または帯状の接続導体に超音波接合して接続する半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームは、前記半導体チップが搭載されるアイランド部と前記リード端子とをそれぞれ複数有し、前記リード端子の長手方向の一方の端部を一体に支持するとともに、前記長手方向に沿う第１方向と交差する第２方向に沿って、前記アイランド部と前記リード端子とが複数並列して一体に形成され、
前記接続導体の一部分を前記リード端子に接するように押圧する工程と、
前記押圧した状態において、前記押圧の方向と交差する面内において、前記接続導体に超音波振動を付与する工程を備え、
前記超音波振動を付与する工程において、前記リード端子の前記第２方向における振動が規制されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記押圧する工程において、前記接続導体の他の部分を前記電極に接するように押圧し、
前記超音波振動を付与する工程において、前記接続導体の前記一部分及び前記他の部分に対して同時に前記長手方向の超音波振動を付与することで、前記接続導体を介して前記リード端子と前記電極とを接続することを特徴とする請求項３記載の半導体の製造方法。
【請求項５】
前記リードフレームが前記第２方向に沿って搬送され、前記第２方向に並ぶ複数のアイランド部に搭載された前記半導体チップ及び複数のリード端子に対して、前記第２方向における一端側の前記アイランド部及び前記リード端子から他端側の前記アイランド部及び前記リード端子に対して順次前記押圧する工程及び前記超音波振動を付与する工程がなされることにより、前記リードフレーム上の複数の前記半導体チップと前記リード端子とがそれぞれ接続導体を介して接続され、
前記接続導体は前記第２方向に沿って延び、その一端が前記半導体チップに、その他端が前記リード端子に接続されるとともに、その中央部分において、前記半導体チップから離間し、その中央部分と前記半導体チップとの間に前記第１方向に貫通する間隙を呈し、
前記押圧する工程及び前記超音波振動を付与する工程の後、前記第１方向から樹脂をモールドする工程と、
前記押圧する工程及び前記超音波振動を付与する工程により複数の前記リード端子を含む前記リードフレームと複数の前記半導体装置及び複数の前記接続導体とで一体に形成された複数の半導体装置を、半導体装置毎に分割する工程と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波接合装置、及び半導体装置の製造方法に係り、特に、半導体チップの電極とリードフレームのリード端子とに跨って板または帯状の接続導体を接合させる際に用いられるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ポータブルオーディオ、ＩＣレコーダ等の電源部（ＤＣ−ＤＣコンバータや中電流スイッチ用途）に適用される半導体装置に関し、パッケージとしての抵抗値を小さくするため、半導体チップの上面電極とリード端子とが、ワイヤよりも断面積の大きな金属板で板状または帯状に構成された接続導体で接続される構造が用いられる。接続導体は、リードフレームに搭載された半導体チップの上面電極と、リードフレームに形成されたリード端子とに跨って載置され、上面電極とリード端子に対して超音波接合して接続される。
【０００３】
超音波接合に用いられる超音波接合装置としては、例えば、半導体チップの上面電極と前記接続導体との接合部を押圧する第１押圧部と、前記リードフレームのリード端子と前記接続導体との接合部を押圧する第２押圧部と、前記第１および第２押圧部に形成された複数の突起とを有する超音波接合装置が用いられる（例えば特許文献１参照）。このツール部により、第１及び第２押圧部で接続導体を上方から上面電極及びリード端子に対して押し付けて圧接させた状態で、接続導体を、超音波周波数で機械的に微小振動させる（超音波振動させる）ことにより、接続導体と上面電極及びリード端子との界面が摩擦により固相接合される。
【特許文献１】特開２００４−２２１２９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、次のような問題があった。すなわち、上方から接続導体をリード端子に押し付けた状態で、接続導体を超音波振動させると、リード端子が、接続導体と一体となって振動してしまう場合がある。この場合、互いの相対運動妨げられ界面の摩擦による固相接合が阻害される。このため、接続導体とリード端子とが良好に接続されず、半導体装置としての性能を損なう原因となる。
【０００５】
そこで、本発明は、接続導体とリード端子とを良好に接合することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態にかかる超音波接合装置は、半導体チップが搭載されるアイランド部と細長形状のリード端子とをそれぞれ複数有し、前記リード端子の長手方向の一方の端部を一体に支持するとともに、前記長手方向に沿う第１方向と交差する第２方向に沿って、前記アイランド部と前記リード端子とが複数並列して一体に形成されたリードフレームが載置されるステージと、前記リードフレームが前記ステージ上に配置され、前記アイランド部に搭載された前記半導体チップの上面に形成された電極と前記リード端子とに跨って板状または帯状の接続導体が配置された状態で、前記接続導体の一部分を前記リード端子に当接させるように押圧するとともに、前記押圧の方向と交差する面内において、前記接続導体に超音波振動を付与するツール部と、を備え、前記ステージ上には、前記第２方向において前記リード端子に隣接し、前記超音波振動の際に前記リード端子の前記第２方向における振動を規制する規制突起が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の一形態にかかる半導体装置の製造方法は、リードフレームに形成された細長形状のリード端子と、前記リードフレームに搭載された前記半導体パッケージの電極とを、板状または帯状の接続導体に超音波接合して接続する半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームは、前記半導体チップが搭載されるアイランド部と前記リード端子とをそれぞれ複数有し、前記リード端子の長手方向の一方の端部を一体に支持するとともに、前記長手方向に沿う第１方向と交差する第２方向に沿って、前記アイランド部と前記リード端子とが複数並列して一体に形成され、前記接続導体の一部分を前記リード端子に接するように押圧する工程と、前記押圧した状態において、前記押圧の方向と交差する面内において、前記接続導体に超音波振動を付与する工程を備え、前記超音波振動を付与する工程において、前記リード端子の前記第２方向における振動が規制されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、接続導体とリード端子とを良好に接合することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に本発明の一実施形態にかかる半導体装置１及び超音波接合装置３０及びの構成について、図を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して示している。図中矢印Ｘ、Ｙ、及びＺは互いに直交する３方向を示している。
【００１０】
図１は本実施形態に係る半導体装置１の斜視図、図２はリードフレーム２０の平面図である。
【００１１】
本実施形態の半導体装置１は、例えば、小型、薄型であるとともに低Ｒｏｎ、低容量、低消費電力、低電圧駆動等の特徴を有し、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ポータブルオーディオ、ＩＣレコーダ等の電源部等（ＤＣ−ＤＣコンバータや中電流スイッチ用途）に適用される小信号トランジスタである。
【００１２】
図１に示す半導体装置１は、半導体チップ１０と、この半導体チップ１０が搭載されたアイランド部１１と、アイランド部１１から一体に延び、例えばドレイン電極として機能する端子１２と、アイランド部近傍に独立して配置され、例えばソース電極として機能するリード端子１３と、アイランド部近傍に独立して配置され例えばゲート電極として機能する端子１４と、を備え、ゲートである端子１４に所定の電圧を掛けるとソースであるリード端子１３からドレインである端子１２に所定の電流が流れるスイッチとして機能する。半導体装置１の大きさは、例えば数ミリ角であって、その端子１２〜１４の幅や端子同士の間隔は例えば数百μｍ程度に構成されている。
【００１３】
半導体チップ１０に形成された上面電極１５とリード端子１３とがこれらを跨って配置された接続導体としての接続導体１６を介して接続されているとともに、上面電極１５と端子１４とが金属ワイヤ１７で接続されている。
【００１４】
図２に本実施形態のリードフレーム２０を示す。リードフレーム２０は、例えば銅等の金属性の板状部材が所定の帯形状に形成されている。リードフレーム２０は、複数の半導体装置１に対応するものであり、正方形状のアイランド部１１及び矢印Ｙで示す第１方向に延びる細長形状の端子１２〜１４が、それぞれ図中矢印Ｘで示す第２方向に沿って複数個（図２では７個）並列されているとともに、第１方向に沿って２個並列して配置されている。
【００１５】
これら複数のアイランド部１１及び端子１２〜１４が、枠状のフレーム部２１と一体に形成されてなる。フレーム部２１の外縁、すなわち第１方向の両端部の縁には、第２方向に沿って、搬送の際の位置決め用の係合孔２３が複数並列形成されている。ステージブロック（ステージ）３１の所定位置に並列形成された位置決めピン（不図示）が、この係合孔２３に挿入されて係合することにより、図示しない搬送手段によりリードフレーム２０が第２方向に沿って搬送される。この結果、第２方向に並列された複数の単位リードフレーム２２の一端側から他端側に順次、各種処理装置を通り、これらに対して順次各種処理が施される。
【００１６】
図中破線で囲む部分が１つの半導体装置１に対応する単位リードフレーム２２であり、複数の半導体装置１を一括製造し、樹脂４０でモールドした後、これらの単位リードフレーム２２毎に分割される。なお、図１は分割された後の半導体装置１を示しているが、モールド樹脂４０を省略して示している。なお、モールドした状態の断面図を図１０に示す。
【００１７】
複数のアイランド部１１はそれぞれ正方形状の板状に構成されている。アイランド部１１の４隅すなわち左右前後端部分から、端子１２がアイランド部１１に一体に形成されて第１方向に延び、フレーム部２１に接続されている。
【００１８】
アイランド部１１の、第２方向における隣に、それぞれＹ方向を長手方向として延びる細長い矩形の板状を成すリード端子１３及び端子１４が形成されている。このリード端子１３の上面が超音波接合される被接合界面となる。このリード端子１３及び端子１４は、そのＹ方向における外側の一端部である基端部のみがフレーム部２１に支持されて一体形成されている。他端側の先端部は開放されている。
【００１９】
すなわち、リード端子１３は、一端が支持された細長板形状であるため、矢印Ｘに沿う第２方向及び矢印Ｙに沿う第１方向で形成される水平面内において、その第１方向における剛性が第２方向における剛性よりも高くなっている。すなわち、リード端子１３は、その長手方向に沿う第１方向における端部がリードフレーム２０に一体に形成されていることにより固定されるため、第１方向すなわち長手方向においては振動し難いが、幅方向である第２方向（Ｙ方向）においてはその端部が固定されておらず、しかも細長い形状であるため、第２方向すなわち幅方向の力によって振動しやすい。
【００２０】
半導体チップ１０は、リードフレーム２０のアイランド部１１に搭載されている。半導体チップ１０の上面には、アルミニウム材からなる上面電極１５が形成されている。この上面電極１５の上面が超音波接合される被接合界面となり、接続導体１６を介してリード端子１３に接続されている。なお、この明細書で言うアルミニウム材とは、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるものを言う。
【００２１】
接続導体１６は、例えばアルミニウム材製の板状または帯状の部材であり、上面電極１５とリード端子１３とに跨って配置されている。接続導体１６の中央部分は湾曲形成され、両端部分の下面がそれぞれ上面電極１５、リード端子１３に接合される被接合界面を構成する。
【００２２】
接続導体１６は、第２方向に沿って延び、その中央部分が上方向に湾曲したトンネル部分を構成する。このトンネル部分１６ａにおいて接続導体１６は半導体チップ１０から上方に離間している。このため、接続導体１６は、半導体チップ１０及び上面電極１５との間に第１方向に貫通する間隙を呈する。
【００２３】
接続導体の一端側の下面（一部分）がリード端子１３に、他端側の下面（他の部分）が半導体チップ１０の上面電極１５に、接続される。リード端子１３よりも上面電極１５の方が上方に位置しているため、接続導体１６は、一端側よりも他端側の下面が高い位置となるように構成されている。この接続導体１６の両端の下面が超音波接合される被接合界面となる。
【００２４】
接続導体１６を上面電極１５及びリード端子１３に接合するための超音波接合装置３０について、図３及び図４を参照して説明する。図３は半導体装置が設置された超音波接合装置３０の斜視図であり、図４はツール部３４の底面図である。
【００２５】
超音波接合装置３０は、接続導体に圧力と強力な超音波振動を与えることにより、被接合界面を摩擦することで固相接合するものである。超音波接合装置３０は、リードフレーム２０が載置されるステージブロック３１と、このステージブロック３１にリードフレーム２０を固定するための固定治具３２、３３と、ステージブロック３１の上方に位置し、超音波ホーン（図示せず）の先端に取り付けられるツール部３４とを有する。
【００２６】
ステージブロック３１の上面における、リード端子１３の両側には、リード端子１３を振動の際にステージブロック３１に固定するための規制突起３１ａが設けられている。規制突起３１ａ，３１ｂは、第２方向（Ｘ方向）における両側に隣接して夫々設けられている。すなわち、リード端子１３は、その長手方向に沿う第１方向における端部がリードフレーム２０に一体に形成されていることにより固定されるとともに、規制突起３１ａ，３１ｂにより第２方向すなわち幅方向に固定されこの第２方向における運動が規制される。
【００２７】
この規制突起３１ａ，３１ｂは、縦断面形状が三角形状、横断面形状が矩形状であり、第１方向を長手方向として延びる細長形状に構成されている。規制突起３１ａ、３１ｂの間は、Ａｌストラップ１６の幅と同等以上の長さを有し、接合部分におけるリード端子１３の両脇を支えている。両側の規制突起３１ａ，３１ｂの、互いに対向するテーパ面は下方ほど互いに近接するように傾斜しているため、リードフレーム２０がステージブロック３１に上方から載置される際に、そのリード端子１３が案内されて、規制突起３１ａ、３１ｂの間に正確に位置決めされる。
【００２８】
ツール部３４は例えば図中矢印Ｚに沿う上下方向及び第１方向において移動可能であり、第１方向において２列並列された処理対象としての半導体装置１に対して順次処理を施すことが可能である。
【００２９】
ツール部３４の底面は図４に示すように、接続導体１６の一端側とリード端子１３との接合部分を下方に押圧する第１押圧部３５と、接続導体１６の他端側と上面電極１５との接合部分を下方に押圧する第２押圧部３６とを有している。そして、第１押圧部３５と第２押圧部３６とは、半導体チップ１０の上面電極１５の平面とリード端子１３の平面との距離、すなわち高さの差に相当する段差が形成されている。さらに、第１押圧部３５および第２押圧部３６には、それぞれ同じ大きさの複数の四角錘台状の突起３７，３８が格子状に並列して形成されている。突起３７，３８は、０．３ｍｍ程度のピッチで第１及び第２方向において並列形成され、接合部の面積の大きい第２押圧部３６に、より多くの突起３８が設けられている。この突起３７，３８により、接合面を均一に押圧することができる。
【００３０】
次に、本実施形態にかかる半導体装置１の製造方法について、図５乃至図１０を参照して説明する。始めに、リードフレーム２０、接続導体１６および半導体チップ１０が用意され、超音波接合機３０の収納部に接続導体がセットされる。
【００３１】
次に、図５に示すように、アイランド部１１に半導体チップ１０が、例えば高温はんだを介して固着される。高温はんだの種類としては、例えばＰｂリッチはんだ、ＡｕＧｅはんだ、ＡｕＳｎはんだ等が適用される。
【００３２】
次に、図６に示すように、リードフレーム２０がステージブロック３１に移載され、規制突起３１ａ，３１ｂの間に位置決めされる。ついで、ツール部３４により、接続導体１６がリードフレーム２０および半導体チップ１０上に載置されて接続導体１６の一端部とリード端子１３、および接続導体１６の他端部と上面電極１５が重ね合わされる。
【００３３】
次に、ツール部３４を用いて接合工程が行われる。即ち、図７及び図８に示すように、リードフレーム２０の端子１２〜１４が、第２方向に延びる固定治具３２、３３により固定された状態で、ツール部３４をＺ方向に沿って降下させ、ツール部の第１押圧部３５により接続導体１６の一端部とリード端子１３を、第２押圧部３６により接続導体１６の他端部と上面電極１５を同時に下方に押圧するとともに、水平方向で超音波振動させることにより、接続導体１６をリード端子１３と上面電極１５に接合する。
【００３４】
以上により、リード端子１３および上面電極１５と接続導体１６の一端部および他端部が同時に超音波接合され、接続導体１６がリードフレーム２０のリード端子１３と上面電極１５に十分な強度で接合される。
【００３５】
超音波接合の接合メカニズムを以下に説明する。この超音波接合は、同種あるいは異種の２つの金属を重ねてステージブロック３１の上に置き、接合面に垂直な荷重を加えた状態で、接合面に平行な超音波振動を付与すると、２つの金属が極めて短時間で接合されるものである。
【００３６】
接合される対象となる金属表面、ここでは接続導体１６の両端の下面、上面電極１５、及びリード端子１３の上面、には、吸着物や酸化皮膜があり、またミクロにみれば平滑ではない。超音波接合では、まず、超音波振動を付与することによって接合対象の２つの金属同士を摩擦させる。この摩擦により、対象となる金属表面の吸着物や酸化皮膜が破壊され、接触面が機械的にクリーニングされるとともに平滑化されて、金属同士間において凝着が起こる。次に、上面電極１５、及びリード端子１３の上面と接合の対象となる接続導体１６との間で相対運動が起こり、急激な塑性流動によって接合面積が拡大される。
【００３７】
このように超音波接合においては、まず２つの金属同士が相対的に運動することによって接合面の酸化皮膜が除去されることが必要条件であり、積極的にこの条件を満たすように工夫することが超音波接合を良好に行う上で重要である。本実施形態では、リード端子１３は、その長手方向の一端側がフレーム部２１と一体に支持されるとともに固定治具３２，３３に固定されて支持され、その幅方向においては規制突起３１ａ、３１ｂに挟まれて支持されるため、超音波振動の際にリード端子１３が接続導体１６と一緒になって運動することが抑制される。したがって、この接続導体１６とリード端子１３との相対運動を大きくすることができ、両者の摩擦が促される。このため、強固に接合される。
【００３８】
接合工程の後、さらに、図９に示すように、ゲート電極となる端子１４を金属ワイヤ１７で接続する。
【００３９】
この後、リードフレーム２０第２方向に搬送し、モールド装置に移送して、図１０に示すように、樹脂４０でモールドする。この樹脂モールド工程において、モールド金型によって、リードフレーム２０が搬送される第２方向に交差する第１方向に向かって樹脂４０の充填処理がなされる。このため、接続導体１６の湾曲したトンネル部分１６ａの内側に樹脂４０を良好に充填することができる。すなわち、リード端子１３と上面電極１５とが第２方向に並んでいるためこれを接続する接続導体１６のトンネル部分１６ａは第１方向に延びる。したがって、搬送方向と直行する方向で処理することで良好にトンネル部分１６ａの内側まで樹脂４０を充填させることができる。したがって、搬送方向と直交する方向で動作する装置を、搬送方向に沿って配置することができるので設置が容易となる。
【００４０】
この後、ホーニング、マーク、メッキ、セパレーション、テスト、テーピング、などの各種処理を経て、半導体装置１が完成する。なお、図９及び図１０の側面図は、図５〜８の側面図の反対側から見た図である。
【００４１】
本実施形態において、複数のアイランド部１１や端子１２〜１４を第２方向に多数並列するリードフレーム２０が、係合孔２３により位置決めされて第２方向に搬送され、超音波接合、樹脂モールド、等の各種処理具の処理対象となる部分を順次第２方向に沿って通る際に、各種処理が順次行われ、多数の半導体装置１が一括製造される。
【００４２】
このとき、図示しない搬送手段において係合孔２３に係合させてリードフレーム２０を第２方向すなわちＸ方向に沿って搬送し、リードフレーム２０を移動させながらツール部３４により上記の処理を順次複数の単位リードフレーム２２に対して繰り返し、多数の半導体装置１を一括製造することができる。例えば本実施形態では単位リードフレーム２２は第１方向に２列形成されているので、第１方向に移動可能なツール部３４を用いて２列ずつ処理を行うことができる。あるいはこれに代えて、第１方向において同様のツール部３４を二つ並列して同時に作動させることにより２列ずつ処理することも可能である。
【００４３】
本実施形態によれば、以下に掲げる効果を奏する。すなわち第１方向に延びるとともにその長手方向の一端側が支持されたリード端子１３を、運動しやすい第２方向において、規制突起３１ａ、３１ｂで支持する構成としたため、接続導体１６とリード端子１３との摩擦を促し、強固な接合が可能となる。
【００４４】
特に、接合される対象の金属同士の材質が異なる場合には、接合強度を確保することが難しいが、このような場合にも本実施形態の方法によれば良好な接合が可能となる。このため、接続導体として、柔軟性、成形性に優れたアルミ材を用いることができ、この結果、製造コストを低減することが可能となる。
【００４５】
さらに、サイズの小さい部品や、リードが細長くて接合面積が確保できないような場合には、接合強度を確保することが困難であるため、本実施形態のような方法が有効となる。
【００４６】
リード端子１３を第１方向に延びる細長形状とし、接続導体１６を搬送方向である第２方向に延びる構成とするとともに樹脂４０の充填方向を第１方向としたため、樹脂４０が良好に充填される。
【００４７】
また、本実施形態では、第１押圧部３５および第２押圧部３６の突起３７、３８が接続導体１６に食い込むことにより、各接合部の高さに寸法誤差があっても、各接合部分が同時に押圧されて、超音波が確実に各接合部分に伝播するので、十分な接合強度で接合される。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。例えば、リードフレーム２０の端子１２〜１４や上面電極１５の形状及び材質もこれに限定されるものではなく、種々変更して適用することができる。上記実施形態では、上面電極１５及び接続導体１６がアルミ材からなり、リード端子１３が銅からなる場合について説明したが、これに限られるものではなく、例えば他に、上面電極１５の材質が金でリード端子１３の材質がアルミニウムの場合や、リード端子１３の材質が銅で接続導体１６の材質がアルミニウムである場合などが考えられる。また、接続される金属同士が異なる材質であっても同じ材質であっても同様の効果が得られる。
【００４９】
上述の実施の形態では、第１および第２押圧部に形成された突起３７，３８が四角錘台形状である場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、さらに多角錐台形状突起、円錐台形状突起、または半球状突起としても構わない。また規制突起３１ａ，３１ｂは、縦断面三角形状とし、第１方向に延びる細長形状としたが、図１１に示す規制突起３１ｃ、３１ｄのように縦断面を半円形状としてもよいし、図１２に示す規制突起３１ｅ、３１ｆのように台形状としても良い。さらに、細長形状に代えて、複数の短い半球形状や多角錐形状の規制突起が第１方向に並列されて構成されていてもよい。
【００５０】
また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体装置を示す斜視図。
【図２】同実施形態にかかるリードフレームを示す平面図。
【図３】同実施形態にかかる超音波接合装置を示す斜視図。
【図４】同超音波接合装置のツール部を示す底面図。
【図５】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す側面図。
【図６】同半導体装置の製造方法を示す側面図。
【図７】同半導体装置の製造方法を示す側面図。
【図８】同半導体装置の製造方法を示す平面図。
【図９】同半導体装置の製造方法を示す側面図。
【図１０】同半導体装置の製造方法を示す側面図。
【図１１】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の製造方法及び超音波接合装置を示す側面図。
【図１２】本発明の他の実施形態にかかる半導体装置の製造方法及び超音波接合装置を示す側面図。
【符号の説明】
【００５２】
１…半導体装置、１０…半導体チップ、１１…アイランド部、１２…端子、
１３…リード端子、１４…端子、１５…上面電極、１６…接続導体、
１６ａ…トンネル部分、１７…金属ワイヤ、２０…リードフレーム、２１…フレーム部、２２…単位リードフレーム、２３…係合孔、３０…超音波接合装置、
３１…ステージブロック、３１ａ〜３１ｆ…規制突起、３２．３３…固定治具、
３４…ツール部、３５…第１押圧部、３６…第２押圧部、
３７．３８…突起、４０…樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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