(57)【要約】【課題】光の光学特性を少ない受光素子で検出する光学検出装置、該光学検出装置の検出結果に基づき光の光学特性を調整する光学特性調整方法及び光学特性調整装置、該光学特性調整装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】光の光学特性を検出する光学検出装置において、光を検出する少なくとも２つの受光素子と、少なくとも２つの受光素子を走査方向に移動させる走査駆動部とを備え、その少なくとも２つの受光素子は、走査方向に沿った受光面において光を受光する受光部をそれぞれ有し、各受光部は、その長手方向が走査方向と交差する方向に沿ってそれぞれ配置される。【選択図】図２
2009194328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の光学特性を検出する光学検出装置において、
前記光を検出する少なくとも２つの受光素子と、
前記少なくとも２つの受光素子を走査方向に移動させる走査駆動部と
を備え、
前記少なくとも２つの受光素子は、前記走査方向に沿った受光面において前記光を受光する受光部をそれぞれ有し、
前記各受光部は、その長手方向が前記走査方向と交差する方向に沿ってそれぞれ配置されることを特徴とする光学検出装置。
【請求項２】
前記受光面における前記光の照射領域は、円弧形状をなすように規定されていることを特徴とする請求項１に記載の光学検出装置。
【請求項３】
前記各受光部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部の接線方向に沿ってそれぞれ配置されることを特徴とする請求項２に記載の光学検出装置。
【請求項４】
前記各受光部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部に沿った円弧状であることを特徴とする請求項２に記載の光学検出装置。
【請求項５】
前記光の光路中における前記各受光部よりも光学的に上流であって且つ前記各受光部の近傍に、スリット状の光通過部を有する遮光部材が配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のうち何れか一項に記載の光学検出装置。
【請求項６】
前記遮光部材の光通過部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部の接線方向に沿って形成されることを特徴とする請求項５に記載の光学検出装置。
【請求項７】
前記遮光部材の光通過部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部に沿った円弧状であることを特徴とする請求項５に記載の光学検出装置。
【請求項８】
少なくとも１つの前記受光部の短手方向における幅は、前記光通過部の短手方向における幅以上であることを特徴とする請求項５〜請求項７のうち何れか一項に記載の光学検出装置。
【請求項９】
前記走査駆動部は、前記受光素子と前記遮光部材とを一体的に前記走査方向に移動させることを特徴とする請求項５〜請求項８のうち何れか一項に記載の光学検出装置。
【請求項１０】
前記各受光部は、基板上に転写されるパターンが形成される被照射面、又は該被照射面と光学的に共役な位置に設けられることを特徴とする請求項１〜請求項９のうち何れか一項に記載の光学検出装置。
【請求項１１】
前記各受光部は、所定方向に沿う直線を基準として互いに線対称に配置されることを特徴とする請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載の光学検出装置。
【請求項１２】
前記所定方向は、前記走査方向であることを特徴とする請求項１１に記載の光学検出装置。
【請求項１３】
前記光の光路中には、前記光の照射領域を規定する照射領域規定部材が配置されていることを特徴とする請求項１〜請求項１２のうち何れか一項に記載の光学検出装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載の光学検出装置と、
光源から出力される光の光路中における前記光学検出装置よりも光学的に上流に配置された調整用光学部材と、
前記調整用光学部材の光学的な状態を調整する調整部と、
前記光学検出装置による前記光の光学特性の検出結果に基づいて前記調整部を制御する制御系を備えた光学特性調整装置。
【請求項１５】
前記調整部は、前記光の照射領域を前記走査方向に沿う第１方向、前記走査方向と略垂直な第２方向、及び前記第１方向と前記第２方向の双方に対して略垂直な第３方向に沿った軸線を中心とする回転方向のうち少なくとも一つの方向に移動させるように、前記調整用光学部材の光学的な状態を調整することを特徴とする請求項１４に記載の光学特性調整装置。
【請求項１６】
前記調整用光学部材の光学的な状態は、前記調整用光学部材の位置、又は前記調整用光学部材の姿勢であることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の光学特性調整装置。
【請求項１７】
一定幅及び一定長さの形状を有し且つその長手方向が所定の走査方向と交差する方向に沿って配置される受光部をそれぞれ有する少なくとも２つの受光素子を前記走査方向に移動させることによって、光の光学特性を検出する検出ステップと、
前記検出ステップでの検出結果に基づき、前記各受光部よりも光学的に上流の前記光の光路中に配置された調整用光学部材の光学的な状態を調整することにより、前記各受光部により検出される前記光の光学特性を調整する調整ステップとを備えることを特徴とする光学特性調整方法。
【請求項１８】
前記検出ステップにおいて、前記光の照射領域は円弧形状をなすように規定されていることを特徴とする請求項１７に記載の光学特性調整方法。
【請求項１９】
前記検出ステップにおいて、前記各受光部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部の接線方向に沿って配置されることを特徴とする請求項１８に記載の光学特性調整方法。
【請求項２０】
前記検出ステップにおいて、前記各受光部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部に沿った円弧状であることを特徴とする請求項１８に記載の光学特性調整方法。
【請求項２１】
前記検出ステップにおいて、前記各受光部よりも光学的に上流であって且つ前記各受光部の近傍に配置された遮光部材に形成されたスリット状の光通過部を介して前記光を検出することを特徴とする請求項１７〜請求項２０のうち何れか一項に記載の光学特性調整方法。
【請求項２２】
前記遮光部材の光通過部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部の接線方向に沿って形成されることを特徴とする請求項２１に記載の光学特性調整方法。
【請求項２３】
前記遮光部材の光通過部は、その長手方向が前記光の照射領域における円弧縁部に沿った円弧状であることを特徴とする請求項２１に記載の光学特性調整方法。
【請求項２４】
前記検出ステップは、前記受光素子と前記遮光部材とを一体的に前記走査方向に移動させることを含む請求項２１〜請求項２３のうち何れか一項に記載の光学特性調整方法。
【請求項２５】
前記調整用光学部材の光学的な状態とは、当該調整用光学部材の位置、又は当該調整用光学部材の姿勢であることを特徴とする請求項１７〜請求項２４のうち何れか一項に記載の光学特性調整方法。
【請求項２６】
光源から出力された光により被照射面に形成される所定のパターンを照射して当該パターンを基板上に露光する露光装置において、
請求項１４〜請求項１６のうち何れか一項に記載の光学特性調整装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２７】
前記光は、ＥＵＶ光であることを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記調整用光学部材は、前記被照射面において前記光を均一に照明させるための反射型のオプティカルインテグレータであることを特徴とする請求項２６又は請求項２７に記載の露光装置。
【請求項２９】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項２６〜請求項２８のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光の光学特性を検出する光学検出装置、該光学検出装置の検出結果に基づき光の光学特性を調整する光学特性調整方法及び光学特性調整装置、該光学特性調整装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路等のマイクロデバイスを製造する際に使用される露光装置として例えば特許文献１に記載の露光装置が知られている。この露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクル等のマスクの被照射面を照射するための照明光学系と、該照明光学系がマスクの被照射面を照射することによって形成されるパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレート等の基板上に投影するための投影光学系を備えている。
【０００３】
すなわち、この露光装置では、光源から出力された光がマスクの被照射面を照射する際の照射領域を照明光学系において細長い円弧状となるように規定し、そのような円弧状の照射領域がマスクの被照射面を所定方向に沿って走査することにより形成されるパターンの像が投影光学系を介して基板上に投影露光されるようにしている。
【特許文献１】特開２００６−１８６０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、照明光学系は、光源から出力された光を複数のレンズやミラー等の光学部材を介してマスクの被照射面に導く構成であるため、各光学部材の光学的な状態（例えば、位置や姿勢など）は変化することがあり得る。そして、このように光学部材の光学的な状態が変化した場合には、その光学部材を介してマスクの被照射面まで導かれる光の光学特性（例えば、照射領域の位置や角度など）も変化してしまうため、マスクの被照射面を照射する場合の照度均一性が低下してしまい、微細なパターンを投影露光できなくなる虞があった。そのため、近年におけるパターンの微細化に伴い、光の光学特性を高精度に検出できる技術が求められていた。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものである。その目的は、光の光学特性を高精度に検出できる光学検出装置、該光学検出装置の検出結果に基づき光の光学特性を調整する光学特性調整方法及び光学特性調整装置、該光学特性調整装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図９に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の光学検出装置は、光の光学特性を検出する光学検出装置（３７）において、前記光を検出する少なくとも２つの受光素子（５３ａ，５３ｂ）と、前記少なくとも２つの受光素子（５３ａ，５３ｂ）を走査方向に移動させる走査駆動部（３３）とを備え、前記少なくとも２つの受光素子（５３ａ，５３ｂ）は、前記走査方向に沿った受光面（５４）において前記光を受光する受光部（５５ａ，５５ｂ）をそれぞれ有し、前記各受光部（５５ａ，５５ｂ）は、その長手方向が前記走査方向と交差する方向に沿ってそれぞれ配置されることを特徴とする。
【０００７】
本発明における光学特性調整方法は、一定幅及び一定長さの形状を有し且つその長手方向が所定の走査方向と交差する方向に沿って配置される受光部（５５ａ，５５ｂ）をそれぞれ有する少なくとも２つの受光素子（５３ａ，５３ｂ）を前記走査方向に移動させることによって、光の光学特性を検出する検出ステップと、前記検出ステップでの検出結果に基づき、前記各受光部（５５ａ，５５ｂ）よりも光学的に上流の前記光の光路中に配置された調整用光学部材（２７，２９）の光学的な状態を調整することにより、前記各受光部（５５ａ，５５ｂ）により検出される前記光の光学特性を調整する調整ステップとを備えることを特徴とする。
【０００８】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、被照射面を照射する光の光学特性を少ない受光素子を用いて簡易且つ高精度に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明をＥＵＶ露光装置において具体化した一実施形態を図１〜図６に基づいて説明する。なお、図１に示すように、本実施形態においては、投影光学系によりパターンの像が投影露光される基板と垂直な方向にＺ軸を、そのＺ軸に垂直な平面内で図１の紙面と直交する方向にＸ軸を、同じくそのＺ軸に垂直な平面内で図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、それぞれ設定している。
【００１１】
図１に示すように、露光装置１１は、光源１２と、照明光学系１３と、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージ１４と、投影光学系１５と、基板としてのウエハＷを保持するウエハステージ１６と、これらを制御する制御系１７（図３参照）を備えている。また、露光装置１１は、内部が真空雰囲気に維持される真空チャンバ（図示略）を有しており、その真空チャンバの内部に、光源１２の一部、照明光学系１３、レチクルステージ１４、投影光学系１５及びウエハステージ１６を収容している。そして、光源１２から出力された露光光ＥＬを照明光学系１３によりレチクルＲの被照射面Ｒａまで導き、その被照射面Ｒａに形成された所定のパターンを露光光ＥＬで照射することにより、そのパターンに対応した像が投影光学系１５を介してレジスト等の感光性材料が塗布されたウエハＷの表面に投影露光されるようにしている。
【００１２】
まず、光源１２について説明する。
光源１２は、不活性ガス、金属薄膜、液滴等のターゲット材料を先端から間欠的に噴射するノズル２１と、レーザ光２２を射出するレーザ装置２３と、このレーザ装置２３から射出されたレーザ光２２をノズル２１の先端から噴射されたターゲット材料に向けて集光するレンズ２４を備えたレーザプラズマ光源により構成されている。すなわち、光源１２は、レーザ光２２がターゲット材料をプラズマ化することにより波長帯域が概ね５ｎｍ〜５０ｎｍの光であるＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光を発生し、その発生したＥＵＶ光を集光ミラー２５によって光束状に集光された露光光ＥＬとして出力する。
【００１３】
なお、光源１２としてレーザプラズマ光源の代わりに放電プラズマ光源を用いることも可能であることはいうまでもない。放電プラズマ光源の場合は、真空チャンバ（図示略）内に配置された電極周辺にガスを流した状態で電極にパルス電圧が印加される。そして、この電極の印加に伴う放電により高温のプラズマを発生させ、これから放射されるＥＵＶ光が露光光ＥＬとして利用される。
【００１４】
次に、照明光学系１３について説明する。
照明光学系１３は、光源１２から出力された露光光ＥＬを以下に示す複数の光学部材を介してレチクルステージ１４の下側に保持されたレチクルＲの被照射面Ｒａまで導くと共に、その導光の途中で露光光ＥＬの照度分布等を調整するように構成されている。すなわち、光源１２から出力された露光光ＥＬは、まずコリメータミラーとして作用する凹面ミラー２６を介して略平行光束となり、次に第１のフライアイミラー２７及び第２のフライアイミラー２８からなる反射型のオプティカルインテグレータ２９に入射する。
【００１５】
この第１のフライアイミラー２７は、例えば、複数列の光学素子群で構成され、光学素子群のそれぞれは、円弧状の細長い反射面を有する反射光学素子（ミラーエレメント）を複数備えている。また、第２のフライアイミラー２８は、例えば、複数群の光学素子群で構成され、光学素子郡のそれぞれは、ほぼ正方形（又は長方形）の反射面を有する反射光学素子を複数備えている。そのため、第２のフライアイミラー２８の反射面の近傍には、この第２のフライアイミラー２８に反射された露光光ＥＬにより実質的に円弧形状をなす面光源が形成される。そして、第２のフライアイミラー２８に反射された露光光ＥＬは、その後、凸面ミラー３０及び凹面ミラー３１に順次反射された後、平面ミラー３２によりレチクルステージ１４の下面側に向けて光路方向が偏向される。
【００１６】
なお、第１のフライアイミラー２７は、その反射面の中心を通る軸線に略垂直な平面内における第１方向と、その平面内において第１方向と略垂直な第２方向と、第１方向及び第２方向の双方に対して略垂直な第３方向に沿う軸線（＝反射面の中心を通る軸線）を中心とする回転方向とに、駆動系３３（図３参照）の駆動に基づき変位可能とされている。すなわち、第１のフライアイミラー２７は、露光光ＥＬの光路中における光学的な状態である角度や姿勢が駆動系３３の駆動に基づき調整されるようになっている。
【００１７】
そして、第１のフライアイミラー２７が第１方向に変位した場合にはレチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの位置がＹ方向に移動するようになっている。また、第１のフライアイミラー２７が第２方向に変位した場合にはレチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの位置がＸ方向に移動するようになっている。さらに、第１のフライアイミラー２７が第３方向に沿う軸線を中心に回転した場合にはレチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの角度がＺ方向に沿う軸線を中心に回転するようになっている。この点で、駆動系３３は、照明光学系１３における光学部材の一つである第１のフライアイミラー２７の光学的な状態を調整する調整部として機能する。また、こうした駆動系３３により光学的な状態が調整される第１のフライアイミラー２７を含んで構成されるオプティカルインテグレータ２９は光源１２から出力される露光光ＥＬの光路中に配置された調整用光学部材として機能する。
【００１８】
次に、レチクルステージ１４について説明する。
レチクルステージ１４は、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に往復移動可能に且つＺ軸を中心とする所定方向への回転可能に構成されている。レチクルステージ１４の下側には静電チャック３４が固定され、静電チャック３４の下面にはレチクルＲが吸着保持されている。また、レチクルＲの下方には、固定ブラインド３５及び可動ブラインド３６が配置されている。そして、平面ミラー３２により偏向された露光光ＥＬは、固定ブラインド３５と可動ブラインド３６により囲み形成される細長い円弧状の開口領域（図示略）を通過することにより、レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する場合の照射領域Ａ（図２参照）が細長い円弧形状となるように規定される。この点で、固定ブラインド３５と可動ブラインド３６は、露光光ＥＬの照射領域Ａを規定する照射領域規定部材として機能する。
【００１９】
なお、レチクルＲは、その下面にて構成される被照射面Ｒａに、露光光ＥＬを反射する多層膜と所定のパターンを形成するための吸収体パターン層を有している。そして、このレチクルＲの被照射面Ｒａを露光光ＥＬが照射し、その被照射面Ｒａに反射された露光光ＥＬにより、被照射面Ｒａのパターンと対応した像が形成されるようになっている。
【００２０】
また、レチクルステージ１４の下側において静電チャック３４が固定された領域の外側（図１では右側）には、露光光ＥＬの光学特性（位置や角度など）を検出する光学検出装置３７が設けられている。図１〜図３に示すように、光学検出装置３７は、レチクルＲの一辺よりも長い矩形箱状をなし且つ下側が開口した筐体３８と、この筐体３８の下側開口を閉塞する矩形板状の遮光部材３９とを備えている。なお、この光学検出装置３７の具体的な構成については後に詳述する。
【００２１】
次に、投影光学系１５について説明する。
投影光学系１５は、４つの反射ミラーを有しており、各反射ミラー４０〜４３の反射面にはＥＵＶ光からなる露光光ＥＬを反射する多層膜が備えられている。レチクルＲにより反射されてパターン化された露光光ＥＬは、第１反射ミラー４０から第４反射ミラー４３に至る順序で順次反射され、レチクルＲの被照射面Ｒａに形成されているパターンの縮小された像を形成する。
【００２２】
ウエハステージ１６は、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に往復移動可能に且つＺ軸を中心とする所定方向への回転可能に構成されている。ウエハステージ１６の上側には静電チャック４４が固定され、静電チャック４４の上面にはウエハＷが吸着保持されている。そして、照明光学系１３を介して露光光ＥＬがレチクルＲの被照射面Ｒａに照射され、レチクルＲとウエハＷが投影光学系１５に対して投影光学系１５の縮小率に従った所定の速度で走査方向となるＹ方向に相対移動することにより、投影光学系１５を介して所定のパターンがウエハＷ上の所定の露光領域に露光されるようになっている。
【００２３】
次に、光学検出装置３７の具体的構成について図２及び図３に基づき詳述する。
図２は、レチクルステージ１４の下面に固定された光学検出装置３７を下側（＋Ｚ方向）から見た図であって、この図２に示すように、光学検出装置３７の遮光部材３９には、走査方向であるＹ方向に沿って該遮光部材３９を二分するように延びる直線Ｌを基準として線対称の配置となる二位置に、一対のスリット状をなす光通過部５０ａ，５０ｂが形成されている。この一対の光通過部５０ａ，５０ｂは、互いに一定幅及び一定長さの形状であって、それぞれの長手方向が走査方向（この場合、Ｙ方向）と交差する方向に沿って延びるように形成されている。すなわち、図２に示すように、各光通過部５０ａ，５０ｂは、それぞれの長手方向が露光光ＥＬにおける形状が細長い円弧形状に規定された照射領域Ａの円弧縁部５１の接線方向に沿って延びるように形成されている。また、例えば、各光通過部５０ａ，５０ｂは、それぞれの幅が１００〜１５０ｎｍ程度で、それぞれの長さが１μｍ〜数１０μｍ程度に設定されている。
【００２４】
また、図３に示すように、光学検出装置３７において、遮光部材３９の上方となる位置（具体的には、筐体３８の内部）には支持板５２が水平に架設されている。そして、この支持板５２の下面において、各光通過部５０ａ，５０ｂと上下方向で対応する各位置には、一対の受光素子としてのフォトダイオード５３ａ，５３ｂがそれぞれ固定されている。各フォトダイオード５３ａ，５３ｂは、遮光部材３９の光通過部５０ａ，５０ｂの面積以上の受光面５４をそれぞれ有しており、それらの受光面５４内において光通過部５０ａ，５０ｂと対応する一定幅及び一定長さの細長い矩形状領域が遮光部材３９の各光通過部５０ａ，５０ｂを通過した露光光ＥＬの一部を受光する受光部５５ａ，５５ｂとなる。図３においては、受光部５５ａは光通過部５０ａとほぼ同じ大きさ及び形状で示されており、受光部５５ｂも同様に光通過部５０ｂとほぼ同じ大きさ及び形状で示されている。なお、図３に示すように、各フォトダイオード５３ａ，５３ｂは各々の受光面５４がレチクルＲの被照射面Ｒａと光学的に同じ高さ位置となるように且つ走査方向となるＹ方向に沿って延びるように配置される。また、受光部５５ａの短手方向（図２においては走査方向）における幅は、光通過部５０ａの短手方向における幅以上であればよい。同様に、受光部５５ｂの短手方向における幅は、光通過部５０ｂの短手方向における幅以上であればよい。
【００２５】
そして、露光光ＥＬの光学特性を検出するときには、露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａが走査方向となるＹ方向に沿って遮光部材３９における一対の光通過部５０ａ，５０ｂを走査するように、制御系１７の制御に基づき駆動系３３がレチクルステージ１４を走査方向となるＹ方向に沿って移動させるようになっている。すなわち、駆動系３３は、光学検出装置３７における一対のフォトダイオード５３ａ，５３ｂをレチクルステージ１４と共に走査方向となるＹ方向に移動させることにより、遮光部材３９の各光通過部５０ａ，５０ｂを通過した露光光ＥＬの光強度が各フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂにより光電検出されるようにしている。この点で、駆動系３３は、受光素子としてのフォトダイオード５３ａ，５３ｂを走査方向に移動させる走査駆動部として機能する。また、露光光ＥＬの光学特性を検出する時に、例えば露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａがレチクル上やレチクルステージ１４上にあるような場合には、露光光ＥＬの光学特性を検出する前に、その光学特性を検出開始する位置まで走査方向及び非走査方向（Ｘ方向）にレチクルステージ１４を移動させればよい。なお、本実施形態においては、上記のレチクルステージ１４の代わりに、受光素子（５３ａ，５３ｂ）および遮光部材３９を移動させるためのステージを備え、このステージを駆動系３３によって走査方向（又は非走査方向）に移動させるようにしてもよい。
【００２６】
また、各フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂ毎に光電検出された露光光ＥＬの検出結果は、受光部５５ａ，５５ｂ毎における光強度の検出信号Ｓａ，Ｓｂ（図４〜図６参照）として制御系１７に入力されるようになっている。そして、制御系１７において、各受光部５５ａ，５５ｂから入力された検出信号Ｓａ，Ｓｂに基づき光強度が互いに比較判定され、その判定結果に基づき調整部としての駆動系３３の駆動状態が制御されることにより、オプティカルインテグレータ２９における第１のフライアイミラー２７の光学的な状態（位置や姿勢など）が調整されるようになっている。したがって、本実施形態では、以上のような光学検出装置３７、第１のフライアイミラー２７を含んで構成されるオプティカルインテグレータ２９、駆動系３３及び制御系１７により、光学特性調整装置が構成されている。
【００２７】
そこで次に、以上のように構成された露光装置１１において、露光光ＥＬの光学特性を調整する場合の光学特性調整方法を説明する。
さて、露光光ＥＬの光学特性を調整する場合には、まず、光学検出装置３７により露光光ＥＬの光学特性が検出される（検出ステップ）。すなわち、図２に示すように、露光光ＥＬにおける円弧形状の照射領域Ａが光学検出装置３７における遮光部材３９の一対の光通過部５０ａ，５０ｂを走査方向となるＹ方向に沿って走査した際に、各光通過部５０ａ，５０ｂを通過した露光光ＥＬの一部が各フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂにより受光され、その光強度が検出信号Ｓａ，Ｓｂとして光電検出される。そして、受光部５５ａ，５５ｂ毎の検出結果に基づき露光光ＥＬの光学特性（位置や角度など）が制御系１７において判定される。
【００２８】
ここで、各フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂにより光電検出される露光光ＥＬの検出信号Ｓａ，Ｓｂは、図４〜図６に示すような信号波形で表される。すなわち、図４〜図６において、横軸は走査方向となるＹ方向にレチクルステージ１４が移動した場合における各フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂの位置であり、縦軸はその位置に対応する各受光部５５ａ，５５ｂにより検出される露光光ＥＬの光強度を示している。
【００２９】
これらの図４〜図６の検出信号Ｓａ，Ｓｂに示されるように、各受光部５５ａ，５５ｂにより検出される露光光ＥＬの光強度は、露光光ＥＬにおける円弧形状をなす照射領域Ａが遮光部材３９の光通過部５０ａ，５０ｂを通過し始めてから通過し終わるまでの間に変化することになる。すなわち、その光強度は、照射領域Ａが光通過部５０ａ，５０ｂを通過し始める段階では信号波形が立ち上がるように次第に強くなり、照射領域Ａが光通過部５０ａ，５０ｂを通過する途中では暫くの間だけ信号波形が水平となるように最大強度で推移し、照射領域Ａが光通過部５０ａ，５０ｂを通過し終わる段階では信号波形が立ち下がるように次第に弱くなる。
【００３０】
そして、図２において上側のフォトダイオード５３ａにおける受光部５５ａの検出信号Ｓａの信号波形と、図２において下側のフォトダイオード５３ｂにおける受光部５５ｂの検出信号Ｓｂの信号波形とが制御系１７において比較判定される。そして、制御系１７において、レチクルＲの被照射面Ｒａを円弧形状の照射領域Ａにより照射する露光光ＥＬの光学特性（位置や角度など）がウエハＷを露光する際における適正な光学特性として予め設定された光学特性（適正位置や適正角度など）とは異なっていると判定された場合には、次のようにして光学特性が調整される（調整ステップ）。
【００３１】
なお、説明の便宜上、以下では、図２において上側の光通過部５０ａのことを第１光通過部５０ａ、同じく下側の光通過部５０ｂのことを第２光通過部５０ｂ、同じく上側のフォトダイオード５３ａの受光部５５ａのことを第１受光部５５ａ、同じく下側のフォトダイオード５３ｂの受光部５５ｂのことを第２受光部５５ｂともいう。
【００３２】
まず、レチクルＲの被照射面Ｒａを円弧形状の照射領域Ａにより照射する露光光ＥＬの角度が図２においてＺ方向に沿う軸線を中心として回転していると判定された場合の調整方法について図４（ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。
【００３３】
例えば、露光光ＥＬの角度が図２における反時計方向に回転していると、露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａは、遮光部材３９の各光通過部５０ａ，５０ｂを走査するときに、第１光通過部５０ａを走査する時間の方が第２光通過部５０ｂを走査する時間よりも長くなる。そのため、図４（ａ）（ｂ）に示すように、第１受光部５５ａによる検出信号Ｓａの方が、第２受光部５５ｂによる検出信号Ｓｂよりも、各々の受光部５５ａ，５５ｂにより露光光ＥＬを受光している時間を示す走査方向の信号幅Ｗ１，Ｗ２が長くなる（Ｗ１＞Ｗ２）。
【００３４】
このような場合、制御系１７は、照明光学系１３における第１のフライアイミラー２７の姿勢がその反射面の中心を通る第３方向に沿う軸線を中心に回転するように、駆動系３３の駆動状態を制御する。すなわち、第１受光部５５ａによる検出信号Ｓａの走査方向の幅Ｗ１と第２受光部５５ｂによる検出信号Ｓｂの走査方向の幅Ｗ２とが同じとなる方向に、第１のフライアイミラー２７を回転させる。
【００３５】
すると、この第１のフライアイミラー２７の回転に伴い、レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａが図２においてＺ方向に沿う軸線を中心として時計方向に回転することにより、露光光ＥＬは適正な光学特性（この場合は角度）となるように角度ずれ量が調整される。なお、こうした場合における調整量（この場合は回転量）は、予め実験により算出された調整量が調整マップとして制御系１７が有する記憶手段（図示略）に記憶されており、各受光部５５ａ，５５ｂの検出信号Ｓａ，Ｓｂにおける走査方向の信号幅Ｗ１，Ｗ２の相違量に基づき制御系１７が調整マップを参照して決定するようになっている。
【００３６】
次に、レチクルＲの被照射面Ｒａを円弧形状の照射領域Ａにより照射する露光光ＥＬの位置が図２においてＸ方向に位置ずれしていると判定された場合の調整方法について図５（ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。
【００３７】
例えば、露光光ＥＬの位置が図２において下側となるＸ方向に位置ずれしていると、露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａは、遮光部材３９の各光通過部５０ａ，５０ｂを走査するときに、第１光通過部５０ａよりも先に第２光通過部５０ｂを通過し始める。すなわち、露光光ＥＬの照射領域Ａは、第１受光部５５ａにより受光され始めるタイミングＹ１（図５（ａ）参照）よりも第２受光部５５ｂにより受光され始めるタイミングＹ２（図５（ｂ）参照）の方が早くなる（Ｙ１≠Ｙ２）。
【００３８】
このような場合、制御系１７は、照明光学系１３における第１のフライアイミラー２７の位置がその反射面の中心を通る軸線と略直交する第２方向に沿って変位するように、駆動系３３の駆動状態を制御する。すなわち、第１受光部５５ａによる検出信号Ｓａの立ち上がりタイミングＹ１と第２受光部５５ｂによる検出信号Ｓｂの立ち上がりタイミングＹ２とが同じとなる方向に、第１のフライアイミラー２７を移動させる。
【００３９】
すると、この第１のフライアイミラー２７の移動に伴い、レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａが図２においてＸ方向とは反対方向に移動することにより、露光光ＥＬは適正な光学特性（この場合はＸ方向の位置）となるようにＸ方向位置ずれ量が調整される。なお、この場合の調整量となる移動量も、予め実験により算出された調整量が調整マップとして制御系１７が有する記憶手段（図示略）に記憶されており、各受光部５５ａ，５５ｂの検出信号Ｓａ，Ｓｂにおける立ち上がりタイミングＹ１，Ｙ２の相違量に基づき制御系１７が調整マップを参照して決定するようになっている。
【００４０】
次に、レチクルＲの被照射面Ｒａを円弧形状の照射領域Ａにより照射する露光光ＥＬの位置が図２においてＹ方向に位置ずれしていると判定された場合の調整方法について図６（ａ）（ｂ）を参照しながら説明する。
【００４１】
例えば、露光光ＥＬの位置が図２において右側となるＹ方向に位置ずれしていると、露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａは、遮光部材３９の各光通過部５０ａ，５０ｂを走査するときに、第１光通過部５０ａ及び第２光通過部５０ｂを適正な光学特性の場合よりも早く通過し始める。すなわち、露光光ＥＬの照射領域Ａは、その露光光ＥＬの光学特性が適正な場合に第１光通過部５０ａ及び第２光通過部５０ｂを通過し始めるタイミングとして予め記憶手段に記憶されている設定タイミングＹｓｅｔｔｉｎｇ（図６（ａ）（ｂ）参照）よりも早いタイミングＹ１，Ｙ２で第１光通過部５０ａ及び第２光通過部５０ｂを通過し始める（Ｙ１＝Ｙ２≠Ｙｓｅｔｔｉｎｇ）。
【００４２】
このような場合、制御系１７は、照明光学系１３における第１のフライアイミラー２７の位置がその反射面の中心を通る軸線と略直交する第１方向に沿って変位するように、駆動系３３の駆動状態を制御する。すなわち、第１受光部５５ａによる検出信号Ｓａの立ち上がりタイミングＹ１と第２受光部５５ｂによる検出信号Ｓｂの立ち上がりタイミングＹ２が共に設定タイミングＹｓｅｔｔｉｎｇと同じとなる方向に、第１のフライアイミラー２７を移動させる。
【００４３】
すると、この第１のフライアイミラー２７の移動に伴い、レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａが図２においてＹ方向とは反対方向に移動することにより、露光光ＥＬは適正な光学特性（この場合はＹ方向の位置）となるようにＹ方向位置ずれ量が調整される。なお、この場合の調整量となる移動量も、予め実験により算出された調整量が調整マップとして制御系１７が有する記憶手段（図示略）に記憶されており、各受光部５５ａ，５５ｂの検出信号Ｓａ，Ｓｂにおける立ち上がりタイミングＹ１，Ｙ２と設定タイミングＹｓｅｔｔｉｎｇとの相違量に基づき制御系１７が調整マップを参照して決定するようになっている。
【００４４】
なお、以上のような露光光ＥＬの光学特性の調整は、例えば角度（又は回転）ずれ量の調整、Ｘ方向位置ずれ量の調整、Ｙ方向位置ずれ量の調整の順で実施されるが、実施順は必ずしもこの限りでない。また、第１のフライアイミラー２７における調整時の移動方向となる第１方向と第２方向及び回転方向の基準となる第３方向が、レチクルＲにおける座標系のＹ方向とＸ方向及びＺ方向に対して一致していない場合は、以上のような調整作業が必要に応じて複数回繰り返される。また、第１のフライアイミラー２７を第１方向及び第２方向に移動させる場合には、投影光学系１５の縮小倍率の逆数倍の変位量となるように移動量が調整される。
【００４５】
さらに、第１受光部５５ａ及び第２受光部５５ｂの位置を規定する第１光通過部５０ａ及び第２光通過部５０ｂの位置は、その露光装置１１が有する光学検出装置３７毎に微小に相違していることがあり得る。そのため、こうした第１光通過部５０ａ及び第２光通過部５０ｂの位置については、予め座標計測器を用いて機械的に互いの正確なオフセット量が計測され、そのように計測されたオフセット量（ΔＷ，ΔＹ）が制御系１７の有する記憶手段に記憶されている。そして、露光光ＥＬの光学特性を調整する際には、制御系１７がそれらの記憶されたオフセット量（ΔＷ，ΔＹ）を加味して、Ｗ１＝Ｗ２＋ΔＷ、Ｙ１＝Ｙ２＋ΔＹ、Ｙ１＋ΔＹ＝Ｙ２＋ΔＹ＝Ｙｓｅｔｔｉｎｇとなるように、第１のフライアイミラー２７の変位量を調整する。
【００４６】
本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）露光光ＥＬの光学特性を検出する際には、レチクルステージ１４の下面側に配置された光学検出装置３７における一対のフォトダイオード５３ａ，５３ｂの各受光部５５ａ，５５ｂにより露光光ＥＬの光強度が検出される。そして、受光部５５ａ，５５ｂ毎の検出信号Ｓａ，Ｓｂの信号波形に基づき、制御系１７において、露光光ＥＬの光学特性がウエハＷを露光する際における適正な光学特性として予め設定された光学特性（適正位置や適正角度など）と異なっていないか否かが判定される。したがって、光の光学特性を簡易且つ高精度に検出することができる。また、本実施形態においては、一対のフォトダイオード５３ａ，５３ｂを配置するだけで済むため、こうしたフォトダイオード５３ａ，５３ｂに対する配線構造が煩雑になることもなく、さらには、各フォトダイオード５３ａ，５３ｂに対する配線が露光装置１１における真空チャンバの真空雰囲気を維持する上で支障になるということもない。したがって、レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの光学特性を少ない個数のフォトダイオード５３ａ，５３ｂにより簡易且つ高精度に検出することができる。
【００４７】
（２）また各受光部５５ａ，５５ｂは、共に一定幅及び一定長さの同一形状（例えば、長尺形やほぼ正方形）であって、且つその長手方向が走査方向であるＹ方向と交差する方向に沿ってそれぞれ配置されている。そのため、走査方向には幅が狭くなることから光強度の変化を高感度で検出することができると共に、非走査方向には長さが広いことから受光量が多くなり、検出信号Ｓａ，ＳｂのＳＮ比を高くすることができる。
【００４８】
（３）さらに各受光部５５ａ，５５ｂは、その長手方向が露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａの円弧縁部５１の接線方向に沿って延びるように配置されている。そのため、露光光ＥＬの光強度を製造容易な簡単な構成によりＳＮ比の高い検出精度で光電検出することができる。
【００４９】
（４）しかも各受光部５５ａ，５５ｂは、それらの形状が遮光部材３９に形成された各光通過部５０ａ，５０ｂにより規定される構成であるため、ＳＮ比の高い光電検出手段を容易に製造することができる。
【００５０】
（５）加えて各受光部５５ａ，５５ｂは、走査方向であるＹ方向に沿って遮光部材３９を二分するように延びる直線Ｌを基準として線対称の配置となる二位置に形成された一対のスリット状をなす光通過部５０ａ，５０ｂと各々対応する配置構成とされている。そのため、各受光部５５ａ，５５ｂにおいて光電検出された検出信号Ｓａ，Ｓｂを互いに比較することにより、受光した露光光ＥＬの光学特性（位置や角度など）が適正な光学特性と異なっているか否か容易に判定することができる。
【００５１】
（６）各受光部５５ａ，５５ｂのそれぞれの面積は、光通過部５０ａ，５０ｂのそれぞれの面積以上であればよく、特に本実施形態における遮光部材３９を用いる場合には、受光部５５ａの短手方向（図２においては走査方向）における幅は光通過部５０ａの短手方向における幅よりも小さくしなくてよいため、受光部５５ａおよび受光素子としてのフォトダイオード５３ａの製造が容易であり、その製造コストを低減できる。
【００５２】
（７）そして各受光部５５ａ，５５ｂによる光学検出の結果、露光光ＥＬの光学特性が適正な光学特性とは異なっていると判定された場合には、各受光部５５ａ，５５ｂよりも光学的に上流に配置されたオプティカルインテグレータ２９における第１のフライアイミラー２７の光学的な状態（光路中での位置や姿勢など）を調整するようにしている。そのため、光学検出装置３７の検出結果に基づいて露光光ＥＬの光学特性を容易に適正な光学特性に調整することができ、ウエハＷに対する露光精度を良好にすることができる。
【００５３】
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・光学検出装置３７は、図７に示す第２のフライアイミラー２８と凸面ミラー３０との間の中間決像位置に設けられる構成であってもよい。すなわち、レチクルＲの被照射面Ｒａと光学的に共役な位置に各フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂが配置される構成であれば、上記実施形態の場合と同様の作用効果を得ることができる。
【００５４】
・露光光ＥＬの光学特性を調整する際に光学的な状態（位置や姿勢など）が調整される第１のフライアイミラー２７は、走査方向となるＹ方向に対応した第１方向、該第１方向に略垂直なＸ方向に対応した第２方向、及び第１方向と第２方向の双方に対して略垂直なＺ方向に対応した第３方向に沿う軸線を中心とした回転方向のうち少なくとも一つの方向に移動されるものであればよい。
【００５５】
・露光光ＥＬの光学特性を調整するために、オプティカルインテグレータ２９における第２のフライアイミラー２８の光学的な状態（位置や姿勢など）を調整するようにしてもよい。
【００５６】
・光学検出装置３７により露光光ＥＬの光学特性を検出する場合、駆動系３３はレチクルステージ１４をＸ方向に沿って移動させるようにしてもよい。すなわち、走査方向がＸ方向となるようにしてもよい。この場合にも、適正な光学特性の露光光ＥＬによる走査時に各受光部５５ａ，５５ｂで検出される検出信号の信号波形を予め記憶しておき、実際に検出された検出信号の信号波形と比較すれば、露光光ＥＬの光学特性の適否を判定することができる。
【００５７】
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂは、少なくとも２つ配置されていればよく、必ずしも一対の配置構成でなくてもよい。例えば、３つや４つなど２つ以上の配置であればよいが、偶数の配置構成の方が望ましく、２つの配置構成が最も望ましい。なお、奇数の配置構成の場合、互いに線対称の配置となる両側の各受光部の間に位置する受光部の検出結果は露光光ＥＬの光学検出の際に無視するようにすればよい。
【００５８】
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂは、必ずしも走査方向となるＹ方向に沿った直線Ｌを基準として線対称の配置でなくてもよい。この場合には、予め各受光部５５ａ，５５ｂの相対的な位置関係をオフセット量として記憶しておき、検出時にそのオフセット量を加味して検出信号Ｓａ，Ｓｂの信号波形を比較すればよい。
【００５９】
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂは、その一定幅及び一定長さの形状が、フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光面５４に遮光膜がスリット状の開口を残すように貼り付けられることで形成されるものであってもよい。この場合は、光通過部５０ａ，５０ｂが形成された遮光部材３９を省略できる。
【００６０】
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂは、受光面５４自体が一定幅及び一定長さの形状（例えば、光通過部５０ａと同程度のスリット状の形状）をなして、その受光面５４全面が受光部５５ａ，５５ｂとなる構成であってもよい。この場合も、光通過部５０ａ，５０ｂが形成された遮光部材３９を省略できる。
【００６１】
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂは、その長手方向が露光光ＥＬの円弧形状をなす照射領域Ａの円弧縁部５１に沿った円弧状であってもよい。このようにした場合も、ＳＮ比の高い検出精度を得ることができる。なお、受光部５５ａ，５５ｂの形状が遮光部材３９の光通過部５０ａ，５０ｂにより規定される場合には、同様に、光通過部５０ａ，５０ｂの形状も円弧状になる。
【００６２】
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂは、受光部５５ａ，５５ｂよりも大きく構成されているが、受光部５５ａ，５５ｂと同じ大きさであってもよい。
・フォトダイオード５３ａ，５３ｂの受光部５５ａ，５５ｂは、長手方向が走査方向と交差する方向に沿って延びるように配置されるならば、走査方向と垂直な方向に長手方向が伸びるように配置されていてもよい。
【００６３】
・本実施形態における受光素子は、フォトダイオードに限定されず、例えば、フォトダイオードと増幅回路とが組み合わさったフォトトランジスタ、ＣＣＤラインセンサ、およびＣＭＯＳラインセンサ、などを含むものである。なお、上記のラインセンサを用いる場合は、光の光学特性をより高精度に検出することができる。
【００６４】
・また、本実施形態におけるフォトダイオードは、Ｓｉを材料とするＰＮフォトダイオードやＰＩＮフォトダイオードなどを含み、Ｓｉ以外を材料とするＧｅフォトダイオードを含むものであって、構成および材料などは限定されない。
【００６５】
・レチクルＲの被照射面Ｒａを照射する露光光ＥＬの照射領域Ａは、円弧形状でなく、例えば矩形状をなすものであってもよい。この場合も、各受光部５５ａ，５５ｂの長手方向が走査方向と交差する方向に沿って延びるように配置されるならば、実施形態の場合と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
・露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。
【００６７】
・光源１２は、例えばｇ線（４３６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）、荷電粒子線、等を供給可能な光源であってもよい。また、光源１２は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を供給可能な光源であってもよい。
【００６８】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図８は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００６９】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００７０】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７１】
図９は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７２】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】ＥＵＶ露光装置の概略構成図。
【図２】露光光の照射領域と光学検出装置における受光部の配置状態を示す説明図。
【図３】図２における光学検出装置を３−３線矢視断面で示した概略図。
【図４】（ａ）（ｂ）は露光光の角度がずれている場合に各受光部で検出される露光光の検出信号を示すグラフ。
【図５】（ａ）（ｂ）は露光光のＸ方向位置がずれている場合に各受光部で検出される露光光の検出信号を示すグラフ。
【図６】（ａ）（ｂ）は露光光のＹ方向位置がずれている場合に各受光部で検出される露光光の検出信号を示すグラフ。
【図７】別実施形態のＥＵＶ露光装置の概略構成図。
【図８】デバイスの製造例のフローチャート。
【図９】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００７４】
１１…ＥＵＶ露光装置、１２…光源、１７…制御系、２７…第１のフライアイミラー、２９…オプティカルインテグレータ、３３…駆動系、３５…固定ブラインド、３６…可動ブラインド、３７…光学検出装置、３９…遮光部材、５０ａ，５０ｂ…光通過部、５１…円弧縁部、５３ａ，５３ｂ…フォトダイオード、５４…受光面、５５ａ，５５ｂ…受光部、ＥＬ…露光光、Ａ…照射領域、Ｌ…直線、Ｒ…レチクル、Ｒａ…被照射面、Ｗ…ウエハ、Ｗ１，Ｗ２…信号幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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