(57)【要約】    【課題】  基板処理装置に於いて、基板を保持する基板保持具が揺れる等して基板が基板保持具に対して移動した場合にも基板保持具の保持溝に欠けが生じない様にする。    【解決手段】  天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝１０６とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にした。    【選択図】          図４
2009044039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にしたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は反応管、加熱装置等から成る処理炉を具備し、前記反応管に基板を収納し、基板を加熱装置で所定温度に加熱し、処理ガスを反応管内に供給して基板処理を行う。又、基板処理装置には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置と、所要枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置では、基板保持具（ボート）に所要枚数の基板（ウェーハ）が水平多段に装填され、基板保持具が処理炉に装入され、基板は基板保持具に保持された状態で処理がなされる様になっている。
【０００４】
ウェーハを保持するボートの一般的な構造としては、立設された３本又は４本の支柱にウェーハ挿入用の保持溝が刻設され、該保持溝にウェーハを装填することでウェーハがボートに保持される様になっている。
【０００５】
図８〜図１０により従来のボートの支柱と、該支柱に刻設された保持溝形状、及び支柱とウェーハとの関係を説明する。
【０００６】
図示のボート１０１では、３本の支柱１０２を有する場合を示している。
【０００７】
該支柱１０２は、ボート底板１０３に立設され、前記支柱１０２の上端にはボート天板１０４が固着されている。前記支柱１０２の配置は、図８中、左右の支柱１０２ａ，１０２ｂと後方に位置する支柱１０２ｃとし、前記支柱１０２ａ，１０２ｂはボート中心を通る直線に対して線対称の位置となっている。
【０００８】
前記左右の支柱１０２ａ，１０２ｂは、ウェーハ１０５の挿脱に支障ない様に、挿脱方向に対して直交する直径上、又は挿入方向に対して該直径より後方側に位置する様になっている。
【０００９】
図９は前記支柱１０２に刻設された保持溝１０６を示しており、該保持溝１０６はウェーハ１０５の厚みより所定値だけ大きい溝幅を有し、又溝底面１０６ａはウェーハ１０５の挿脱方向に対して平行な直線となっている。該溝底面１０６ａと前記支柱１０２の外周面とが交差する部分には稜線を有するエッジ部１０７が形成される。
【００１０】
前記ボート１０１にウェーハ１０５が装填された状態で、地震等の外力が作用し前記支柱１０２が揺れる等した場合、ウェーハ１０５が前記ボート１０１内で移動し、或は飛出すことも考えられる。図１０は、前記ボート１０１に対するウェーハ１０５の相対的な変位を示している。図１０中、４１は反応管を示している。
【００１１】
図１０中、Ａ，Ｂ，Ｃは、前記ボート１０１の前記支柱１０２ａに対するウェーハ１０５の位置を示している。
【００１２】
位置Ａは、前記ボート１０１に対してウェーハ１０５が正常な位置にある場合を示しており、位置Ｂは前記保持溝１０６の余裕の範囲内でウェーハ１０５が変位した場合を示し、位置Ｃはウェーハ１０５が飛出し状態となった場合を示している。
【００１３】
ウェーハ１０５が位置Ｃ迄移動した場合、移動する過程で、前記保持溝１０６の両端のエッジ部１０７がウェーハ１０５の周縁に点接触する状態、前記エッジ部１０７にウェーハ１０５が衝突する状態が起り得る。この為、前記エッジ部１０７の欠け（チッピング）が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板処理装置に於いて、基板を保持する基板保持具が揺れる等して基板が基板保持具に対して移動した場合にも基板保持具の保持溝に欠けが生じない様にするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にした基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にしたので、基板の周縁が溝端のエッジ部に当接することが避けられ、チッピングが避けられるという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１８】
先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。
【００１９】
尚、基板処理装置は、半導体装置（ＩＣ）の製造工程の１つである基板処理工程を実施する。又、以下の説明では、基板処理装置の一例として縦型炉を具備して基板に酸化処理、ＣＶＤ成膜処理、拡散処理、アニール処理等を行う縦型の基板処理装置について説明する。
【００２０】
図１、図２に示されている様に、基板処理装置１は筐体２を備えている。該筐体２の正面壁３の正面前方部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。
【００２１】
前記筐体２の正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。
【００２２】
該ポッド９は、密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。
【００２３】
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。
【００２４】
前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３はポッド９を複数個宛それぞれ載置した状態で格納する様に構成されている。
【００２５】
前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。
【００２６】
前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送装置（容器搬送装置）１５が設置されており、該ポッド搬送装置１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。
【００２７】
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ１０５を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が１対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。
【００２８】
該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入れ口を開閉する様に構成されている。
【００２９】
前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送装置１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハを載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート１０１に対してウェーハ１０５を装填及び払出しする様に構成されている。
【００３０】
前記移載室２３の後側領域には、前記ボート１０１を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８の下端部は、炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）２９により開閉される様になっている。
【００３１】
前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート１０１を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３１が設置されている。該ボートエレベータ３１の昇降台に連結されたアーム３２には蓋体としてのシールキャップ３３が水平に取付けられており、該シールキャップ３３は前記ボート１０１を垂直に支持し、前記処理炉２８の下端部を気密に閉塞可能となっている。
【００３２】
前記ボート１０１は複数本の支柱１０２（図８参照）を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１０５を、その中心を揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
【００３３】
前記ボートエレベータ３１側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３４を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。
【００３４】
前記クリーンユニット３５から吹出されたクリーンエア３４は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート１０１に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５の吸込み側である一次側（供給側）に迄循環され、再び該クリーンユニット３５によって、前記移載室２３内に吹出される様に構成されている。
【００３５】
次に、本発明の処理装置の作動について説明する。
【００３６】
前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８の上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。
【００３７】
この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３４が流通され、充満されている。例えば、前記移載室２３にはクリーンエア３４として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００３８】
前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入れ口が開放される。
【００３９】
前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１０５は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１０５を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１０５を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート１０１に装填（チャージング）する。
【００４０】
該ボート１０１にウェーハ１０５を受渡した前記ウェーハ移載機構２４はポッド９に戻り、次のウェーハ１０５を前記ボート１０１に装填する。
【００４１】
一方（上段又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によるウェーハ１０５の前記ボート１０１への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。
【００４２】
予め指定された枚数のウェーハ１０５が前記ボート１０１に装填されると、前記炉口シャッタ２９によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が、前記炉口シャッタ２９によって開放される。続いて、前記ボート１０１は前記ボートエレベータ３１によって上昇され、前記処理炉２８内へ搬入（ローディング）される。
【００４３】
ローディング後は、前記シールキャップ３３によって炉口部が気密に閉塞され、前記処理炉２８にてウェーハ１０５に所要の処理が実行される。
【００４４】
処理後は、ノッチ合せ装置（図示せず）でのウェーハ１０５の整合工程を除き、上記と逆の手順で、ウェーハ１０５及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。
【００４５】
次に、前記処理炉２８について図３により説明する。
【００４６】
該処理炉２８は加熱装置としてのヒータ３７を有する。該ヒータ３７は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース３８に支持されることにより垂直に据付けられている。
【００４７】
前記ヒータ３７の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である均熱管３９が、前記ヒータ３７と同心円状に配設されている。又、前記均熱管３９の内側には、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である反応管４１が、前記均熱管３９と同心円状に配設されている。前記反応管４１の筒中空部には処理室４２が形成されており、前記ボート１０１が収納される。
【００４８】
前記反応管４１の下端部にはガス導入部４３が設けられており、該ガス導入部４３から前記反応管４１の天井部４４に至る迄、前記反応管４１の外壁に添って細管であるガス導入管４５が配設されている。前記ガス導入部４３から導入されたガスは、前記ガス導入管４５内を流通して前記天井部４４に至り、該天井部４４に設けられた複数のガス導入口４６から前記処理室４２内に導入される。又、前記反応管４１の下端部の前記ガス導入部４３と異なる位置には、前記反応管４１内の雰囲気を排気口４７から排気するガス排気部４８が設けられている。
【００４９】
前記ガス導入部４３には、ガス供給管４９が接続されている。該ガス供給管４９には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）５１を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。尚、前記処理室４２内に水蒸気を供給する必要がある場合は、前記ガス供給管４９のＭＦＣ５１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。前記ＭＦＣ５１には、ガス流量制御部５２が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００５０】
前記ガス排気部４８には、ガス排気管５３が接続されている。該ガス排気管５３のガス排気部４８との接続側とは反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ５４及び圧力調整装置５５を介して排気装置５６が接続されており、前記処理室４２を排気し、該処理室４２の圧力が所定の圧力となる様に構成されている。前記圧力調整装置５５及び前記圧力センサ５４には、圧力制御部５７が電気的に接続されており、該圧力制御部５７は前記圧力センサ５４により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置５５により前記処理室４２の圧力が所望の圧力となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００５１】
前記反応管４１の下端部には、該反応管４１の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース５８と、前記シールキャップ３３が設けられている。該シールキャップ３３は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。前記ベース５８は、例えば石英からなり、円盤状に形成され、前記シールキャップ３３の上に取付けられている。前記ベース５８の上面には前記反応管４１の下端と当接するシール部材としてのＯリング５９が設けられる。
【００５２】
前記シールキャップ３３の前記処理室４２と反対側には、前記ボート１０１を回転させる回転機構６１が設置されている。該回転機構６１の回転軸６２は前記シールキャップ３３と前記ベース５８を貫通し、後述する断熱部６３を介して前記ボート１０１を支持している。前記回転機構６１により前記断熱部６３及び前記ボート１０１を回転させることでウェーハ１０５を回転させる様に構成されている。
【００５３】
前記シールキャップ３３は前記ボートエレベータ３１によって垂直方向に昇降される様に構成されており、これにより前記ボート１０１を前記処理室４２に対し装脱可能となっている。前記回転機構６１及び前記ボートエレベータ３１には、駆動制御部６４が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００５４】
前記ボート１０１は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、前記ボート１０１の下方には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした前記断熱部６３が前記ボート１０１を支持する様に設けられており、前記ヒータ３７からの熱が前記反応管４１の下端側に伝わり難くなる様に構成されている。
【００５５】
前記均熱管３９と前記反応管４１との間には、温度検出器としての温度センサ６５が設置されている。前記ヒータ３７と前記温度センサ６５には、電気的に温度制御部６６が接続されており、前記温度センサ６５により検出された温度情報に基づき前記ヒータ３７への通電具合を調整することにより前記処理室４２の温度が所望の温度分布となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００５６】
前記ガス流量制御部５２、前記圧力制御部５７、前記駆動制御部６４、前記温度制御部６６は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部６７に電気的に接続されている。前記ガス流量制御部５２、前記圧力制御部５７、前記駆動制御部６４、前記温度制御部６６、前記主制御部６７はコントローラ６８として構成されている。
【００５７】
以下、上記処理炉２８を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェーハ１０５に酸化、拡散等の処理を施す方法について説明する。尚、基板処理装置を構成する各部の動作は前記コントローラ６８により制御される。
【００５８】
複数枚のウェーハ１０５が前記ボート１０１に装填されると、該ボート１０１は、前記ボートエレベータ３１によって上昇されて前記処理室４２に装入される。この状態で、前記シールキャップ３３は前記ベース５８、前記Ｏリング５９を介して前記反応管４１下端を気密に閉塞した状態となる。
【００５９】
前記処理室４２が所望の圧力となる様に前記排気装置５６によって排気される。この際、前記処理室４２の圧力は、前記圧力センサ５４で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力調整装置５５が、フィードバック制御される。又、前記処理室４２が所望の温度となる様に前記ヒータ３７によって加熱される。この際、前記処理室４２が所望の温度分布となる様に前記温度センサ６５が検出した温度情報に基づき前記ヒータ３７への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構６１により、前記断熱部６３、前記ボート１０１が回転されることで、ウェーハ１０５が回転される。
【００６０】
次いで、処理ガス供給源及びキャリアガス供給源から供給され、前記ＭＦＣ５１にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管４９から前記ガス導入部４３及び前記ガス導入管４５を流通し前記天井部４４に至り、複数の前記ガス導入口４６から前記処理室４２にシャワー状に導入される。
【００６１】
尚、ウェーハ１０５に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、前記ＭＦＣ５１にて所望の流量となる様に制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を含むガスが前記処理室４２に導入される。導入されたガスは前記処理室４２を流下し、前記排気口４７を流通して前記ガス排気部４８から排気される。ガスは前記処理室４２を通過する際にウェーハ１０５の表面と接触し、ウェーハ１０５に対して酸化、拡散等の処理がなされる。
【００６２】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室４２が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室４２の圧力が常圧に復帰される。
【００６３】
その後、前記ボートエレベータ３１により前記シールキャップ３３が降下されて、前記反応管４１の下端が開口されると共に、処理済ウェーハ１０５が前記ボート１０１に保持された状態で前記反応管４１の下端から該反応管４１の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェーハ１０５は前記ボート１０１より取出される（ウェーハディスチャージ）。
【００６４】
尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、拡散、ＣＶＤ処理に於いては、処理温度１００℃〜１３００℃、処理圧力０．１ＭＰａ〜５Ｐａ、ガス種、ガス供給流量、拡散、アニール処理の場合、窒素Ｎ2 、１００ｓｃｃｍ若しくは、水素Ｈ2 、１００ｓｃｃｍ、減圧ＣＶＤ処理の場合、シランガスＳｉＨ4 、１００ｓｃｃｍ、ジクロルシランガスＳｉＨ2 Ｃｌ2 、０．１ＳＬＭ〜０．５ＳＬＭ、アンモニアガスＮＨ3 、０．３ＳＬＭ〜５ＳＬＭが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００６５】
次に、前記基板処理装置に用いられる本発明のボート１０１について説明する。
【００６６】
本発明に係るボート１０１の基本的な構造については、図８で示したものと同等であり図８を参照して説明する。尚、図８中、支柱１０２の内、１０２ａ，１０２ｂを左右の支柱とし、１０２ｃを後方の支柱とする。
【００６７】
各支柱１０２には、前記ボート１０１の中心側と対峙する部分に、保持溝１０６が刻設され、該保持溝１０６は上下方向に所要ピッチで刻設されている。
【００６８】
前記支柱１０２の内、左右の支柱１０２ａ，１０２ｂに刻設された保持溝１０６は、ウェーハ１０５の挿脱方向（以下前後方向とし、図中上方を前、下方を後ろとする）と平行に刻設され、前記保持溝１０６の形状は図４に示されている。尚、図４は右側の支柱１０２ａを示している。
【００６９】
前記保持溝１０６の溝底面１０６ａは、溝の前後方向の中央位置を頂部とした凸曲面となっている。
【００７０】
図５は、前記支柱１０２ａと前記保持溝１０６、前記溝底面１０６ａとウェーハ１０５との関係を示している。前記溝底面１０６ａが凸曲面であることから、該溝底面６ａと前記支柱１０２ａの外周面とが交差して形成されるエッジ部１０７は前記保持溝１０６の頂部に対して後退した位置となっている。従って、ウェーハ１０５が正規の位置Ａから位置Ｂに移動し、更にウェーハ１０５が位置Ｃ（ウェーハの飛出し位置）迄移動した場合でも、前記エッジ部１０７はウェーハ１０５の周縁からｇだけ離反しており、前記エッジ部１０７がウェーハ１０５の周縁に点接触する状態、前記エッジ部１０７にウェーハ１０５が衝突する状態が回避される。従って、前記エッジ部１０７の欠け（チッピング）は生じない。
【００７１】
尚、前記溝底面１０６ａの曲面は、円弧で形成される曲面であっても、或は他の曲線で形成される面であってもよい。要は、連続した凸曲線で形成され、更にウェーハの飛出し位置で前記エッジ部１０７がウェーハ１０５の周縁に接触しない様になっていればよい。
【００７２】
前記溝底面１０６ａを形成する曲線の一例を、図６により説明する。
【００７３】
図６は、ウェーハ１０５の周縁が前記溝底面１０６ａを転動しながら前記支柱１０２ａを中心に回転し、他方の周縁が前記支柱１０２ｂの保持溝１０６から外れる迄を示しており、図６中、Ａで示すウェーハ１０５の位置が正常な位置、Ｃの位置が前記支柱１０２ｂの保持溝１０６から外れた位置を示している。
【００７４】
前記溝底面１０６ａの最小限の条件としては、ウェーハ１０５がＣの位置で、周縁が前記エッジ部１０７に対して接するか、或はギャップｇを有していればよい。
【００７５】
尚、前記支柱１０２ｂの保持溝１０６に対しても同様な条件を満たす様に、溝底面１０６ａを形成する。又、前記支柱１０２ｃについては、チッピングの問題は生じないので、ウェーハ１０５を保持できる機能を有すれば、どの様な形状であってもよい。
【００７６】
図７は、他の保持溝１０６の形状を示している。
【００７７】
チッピングの問題が生じるのは、前記保持溝１０６の前方側のエッジ部１０７であるので、溝底面１０６ａを凸曲面とするのは、前記保持溝１０６の中央、中央近傍を含む中央部から前方のみとし、後方は挿脱方向と平行な直線とする。要は、前方側のエッジ部１０７がウェーハの飛出し位置でウェーハ１０５の周縁に接触しない様になっていればよい。
【００７８】
前記ウェーハ移載機構２４によりウェーハ１０５を前記ボート１０１に移載する、動作条件を設定する場合に、前記ボート１０１に対する移載位置をティーチングにより設定するが、ティーチングは作業者が目視により行う。
【００７９】
前記支柱１０２は石英製、即ち透明ガラスであり、溝底面１０６ａを溝の前後方向の中央位置を頂部とした凸曲面とすると、反射等で該頂部の確認がしづらいが、前記保持溝１０６の後方を挿脱方向と平行な直線とすることで、ウェーハ１０５の周縁と溝底面との位置関係の確認作業が容易となる。
【００８０】
尚、上記説明のボートでは、支柱１０２は３本であったが、支柱は４本であってもよく、挿脱側の２本の保持溝１０６の溝底面１０６ａの形状が上記条件を満たす凸曲面となっていればよい。
【００８１】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００８２】
（付記１）天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にしたことを特徴とする基板処理装置。
【００８３】
（付記２）天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具の保持溝で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記少なくとも３本の支柱の内前記基板を保持溝から搬入出する側に位置する前記搬入出方向に対し線対称に配置された２本の支柱に於ける保持溝の溝底の軸中心位置から前記基板を搬入出する側にかけて曲面形状にし、前記軸中心位置から前記基板を搬入出する側と反対側を平面形状にしたことを特徴とする基板処理装置。
【００８４】
（付記３）前記平面形状は、前記搬入出方向に平行に形成されている付記２の基板処理装置。
【００８５】
（付記４）前記溝底は、前記反応管内で前記基板保持具の前記保持溝から前記基板が該基板を搬入出する側にずれた際に、前記反応管の内壁と前記基板が接触し前記溝底の前記搬入出する側の先端と前記基板とは間隙を有する様に設定されている付記１又は付記２の基板処理装置。
【００８６】
（付記５）天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝とを少なくとも有する基板保持具であって、前記少なくとも３本の支柱の内前記基板を保持溝から搬入出する側に位置する２本の支柱に於ける保持溝の溝底の少なくとも前記基板を搬入出する側を曲面形状にしたことを特徴とする基板保持具。
【００８７】
（付記６）付記１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記反応管内で前記基板保持具の保持溝に保持しつつ基板を処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の概略斜視図である。
【図２】該基板処理装置の概略側断面図である。
【図３】該基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す立断面図である。
【図４】ボートの保持溝の形状を示し、図８のＡ−Ａ矢視相当図である。
【図５】ボートの支柱、保持溝とウェーハとの関係を示す説明図である。
【図６】ボートの支柱、保持溝とウェーハとの関係を示す説明図である。
【図７】本発明に係る保持溝の形状の他の例を示し、図８のＡ−Ａ矢視相当図である。
【図８】ボートの一例を示す斜視図である。
【図９】従来のボートの保持溝を示し、図８のＡ−Ａ矢視相当図である。
【図１０】ボートの支柱、保持溝とウェーハとの関係を示す説明図である。
【符号の説明】
【００８９】
１              基板処理装置
２８            処理炉
３７            ヒータ
４１            反応管
４２            処理室
１０１          ボート
１０２          支柱
１０３          ボート底板
１０４          ボート天板
１０６          保持溝
１０６ａ        溝底面
１０７          エッジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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