(57)【要約】【課題】ＰＤＰの筐体内において温度変化が繰り返されても、テープキャリア基板の導体配線とテープキャリア基板の折り曲げ部に設けたスリットとの境界部における導体配線の断線を防止できるテープキャリア基板を提供する。【解決手段】テープキャリア基板１００の折り曲げ部Ａ、Ｂに設けた第１スリット１０６、１０７の、テープキャリア基板１００の外延部側の幅を、テープキャリア基板１００の中央部側の幅よりも広くして、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂとの境界部に応力が集中しないようにする。【選択図】図１
2009044126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープキャリア基材と、
前記テープキャリア基材上に形成された第一および第二の端子部と、
前記テープキャリア基材の前記第一および第二の端子部間に形成された所定の方向に長いスリット部と、
前記テープキャリア基材の前記第一および第二の端子部間に形成されたデバイスホールと、
前記テープキャリア基材上に前記第一の端子部から前記デバイスホールに向かって形成された第一の導体配線と、
前記テープキャリア基材上に前記第二の端子部から前記デバイスホールに向かって形成された第二の導体配線と、
を備え、前記スリット部は、その長手方向に垂直な方向の幅のうち、前記テープキャリア基材の外延部側の第一の幅が、その外延部側よりも前記テープキャリア基材の中央部側の第二の幅よりも大きいことを特徴とするテープキャリア基板。
【請求項２】
前記スリット部は、前記第一の幅を前記第二の幅よりも大きくする段形状を有することを特徴とする請求項１記載のテープキャリア基板。
【請求項３】
前記スリット部は、前記第一の幅を前記第二の幅よりも大きくするテーパー形状を有することを特徴とする請求項１記載のテープキャリア基板。
【請求項４】
前記スリット部は、前記テープキャリア基材の外延部側の端部が、前記第二の幅よりも直径が大きい円形状をしており、その円形により前記第一の幅が構成されることを特徴とする請求項１記載のテープキャリア基板。
【請求項５】
前記テープキャリア基材は、その外延部に、前記スリット部の長手方向に切り欠かれた切り欠き部を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のテープキャリア基板。
【請求項６】
前記切り欠き部は、前記スリット部側とは反対側の幅を前記スリット部側の幅よりも大きくするテーパ形状を有することを特徴とする請求項５記載のテープキャリア基板。
【請求項７】
前記切り欠き部は、前記スリット部側とは反対側の幅を前記スリット部側の幅よりも大きくする曲線形状を有することを特徴とする請求項５記載のテープキャリア基板。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のテープキャリア基板と、前記テープキャリア基板のデバイスホールに実装された半導体素子とを備え、前記半導体素子は、前記テープキャリア基板の第一および第二の端子部に、前記テープキャリア基板の第一および第二の導体配線を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープキャリア基板、およびテープキャリア基板に半導体素子を実装した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、テープ状の柔軟なテープキャリア基板上の導体配線（リード）と半導体素子上の端子とをバンプ（突起電極）を介して電気的に接続するＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術が知られている。このＴＡＢ技術により製造された半導体装置（ＴＣＰ：Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）は、主に、フラットパネルディスプレイのパネルに実装される駆動用ドライバとして使用される。
【０００３】
図２２に、従来のテープキャリア基板の平面図を示す。このテープキャリア基板１００は、３８４出力のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称す。）仕様のものであって、２個の半導体素子を実装可能である。
【０００４】
図２２に示すように、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の一方の面上に設けられた一対の入力端子群１０２および出力端子群１０３を備える。この一対の入力端子群１０２および出力端子群１０３は、テープキャリア基材１０１の幅方向Ｗにおいて対向している。
【０００５】
また、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１に形成された２つのデバイスホール１０４を備える。この２つのデバイスホール１０４は、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに並んでいる。また、デバイスホール１０４は、デバイスホール１０４に実装される矩形状の半導体素子の外形と相似形で、且つその外形より若干広い面積を有する。また、デバイスホール１０４は、その長手方向がテープキャリア基材１０１の幅方向Ｗと略平行となるように形成されている。
【０００６】
また、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の一方の面上に設けられた導体配線１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ複数本備える。導体配線１０５ａは、デバイスホール１０４に実装された半導体素子の端子と入力端子群１０２を構成する端子とを突起電極を介して接続する。導体配線１０５ｂは、デバイスホール１０４に実装された半導体素子の端子と出力端子群１０３を構成する端子とを突起電極を介して接続する。導体配線１０５ａ、１０５ｂは例えば銅等からなる。
【０００７】
導体配線１０５ａ、１０５ｂは、テープキャリア基材１０１を下支えとして、テープキャリア基材１０１の一方の面上に幅方向Ｗに沿って設けられており、デバイスホール１０４上に突出して、デバイスホール１０４に実装された半導体素子の端子に突起電極を介して接続するインナーリードと、そのインナーリードと入力端子群１０２または出力端子群１０３に接続する引き回し配線と、で構成される。
【０００８】
このテープキャリア基板１００に半導体素子を実装した半導体装置は、ＰＤＰのパネルに、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに沿って折り曲げられた状態で実装されるが、その折り曲げ方向に対して発生する応力に、パネルの幅方向（テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌ）に対して発生する応力が加わる。
【０００９】
そこで、これらの応力を緩和するために、このテープキャリア基板１００は、図２２に示すように、テープキャリア基材１０１に形成された第１スリット１０６、１０７と第２スリット１０８を備える。第１スリット１０６、１０７は、互いに平行な折り曲げ部Ａ、Ｂに沿って形成されており、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに細長い形状をしている。第２スリット１０８は、その長手方向が第１スリット１０６、１０７の長手方向に交差するように形成されており、テープキャリア基材１０１の幅方向Ｗに細長い形状をしている。具体的には、第１スリット１０６、１０７は、テープキャリア基板１００の中央で２等分されている。また、第２スリット１０８は、その長手方向が２等分された第１スリットの間隙を通るように形成されている。
【００１０】
また、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の一方の面上に設けられた、導体配線１０５ａ、１０５ｂの引き回し配線を覆う有機絶縁材料１０９を備える。有機絶縁材料１０９は、例えばポリイミドやエポキシ等からなる。さらに、図示しないが、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の他方の面上に設けられた有機絶縁材料を備える。この有機絶縁材料は例えばポリイミドやエポキシ等からなり、導体配線１０５ｂの引き回し配線の第１スリット１０６、１０７から露出する部分を覆う。
【００１１】
なお、テープキャリア基材１０１の幅方向Ｗにおける両端部にはスプロケットホール１１０が設けられている。また、テープキャリア基材１０１の材料としては、ポリイミドがよく使用されている。また、テープキャリア基材１０１の幅は、一般に、３５ｍｍ、４８ｍｍ、７０ｍｍである。
【００１２】
以上説明したテープキャリア基板１００に半導体素子を実装して最終形状に打ち抜かれた半導体装置（ＰＤＰ用の駆動用ドライバ）の断面図を図２３に示す。図２３に示すように、この半導体装置１１１は、デバイスホール１０４に半導体素子１１２が実装され、半導体素子１１２の裏面に形成された端子（図示せず）と導体配線１０５ａ、１０５ｂのインナーリード１１５ａ、１１５ｂとが突起電極１１３を介して接続される。なお、半導体素子１１２は矩形状に形成され、その長辺がテープキャリア基材１０１の幅方向Ｗに略平行となるよう実装される。
【００１３】
また、デバイスホール１０４の突起電極１１３が配置される側（半導体素子１１２の裏面側）は封止樹脂１１４によりモールドされており、半導体素子１１２の裏面、突起電極１１３、およびインナーリード１１５ａ、１１５ｂが封止樹脂１１４により覆われている。
【００１４】
また、導体配線１０５ａは、デバイスホール１０４上に突出するインナーリード１１５ａと、そのインナーリード１１５ａと入力端子群１０２に接続する引き回し配線１１６ａと、で構成される。同様に、導体配線１０５ｂは、デバイスホール１０４上に突出するインナーリード１１５ｂと、そのインナーリード１１５ｂと出力端子群１０３に接続する引き回し配線１１６ｂと、で構成される。
【００１５】
また、テープキャリア基材１０１の一方の面上には、引き回し配線１１６ａ、１１６ｂを覆う有機絶縁材料１０９が設けられている。さらに、テープキャリア基材１０１の他方の面上には、引き回し配線１１６ｂの第１スリット１０６、１０７から露出する部分を覆う有機絶縁材料１１７が設けられている。
【００１６】
続いて、この従来の半導体装置１１１の製造方法の一例について説明する。まず、半導体素子１１２上の突起電極１１３とテープキャリア基材１０１のデバイスホール１０４上に形成されたインナーリード１１５ａ、１１５ｂとがボンディングツールによって熱圧着され、金属接合が形成される。その後、半導体素子１１２やインナーリード１１５ａ、１１５ｂを外力や湿気、汚染物などの悪い環境から電気的、物理的に保護するため、半導体素子１１２の裏面、突起電極１１３、およびインナーリード１１５ａ、１１５ｂに封止樹脂１１４をポッティングする。封止樹脂１１４はポッティング後に加熱して硬化される。なお、半導体素子１１２の端子とインナーリード１１５ａ、１１５ｂとの間に配置する突起電極１１３は、半導体素子１１２の端子上に設ける場合とインナーリード１１５ａ、１１５ｂ上に設ける場合がある。
【００１７】
以上説明した半導体装置（ＰＤＰ用の駆動用ドライバ）１１１が実装されたＰＤＰのパネルの外観を図２４に示す。また、図２４のＫで示す部分の拡大図を図２５に示す。また、ＰＤＰのパネルに実装された半導体装置１１１の断面図を図２６に示す。
【００１８】
近年、ＰＤＰでは、高電圧駆動のため、パネルおよび電源等の周辺部品の発熱量が非常に大きくなってきている。そのため、図２４ないし図２６に示すように、ＰＤＰのガラスパネル１１８の後面に、放熱シート１１９を介して、ガラスパネル１１８と略同サイズのアルミシャーシ１２０を貼り付けるとともに、半導体装置（駆動用ドライバ）１１１、並びに図示しない電源や信号制御の回路基板をアルミシャーシ１２０上に取り付けて、それらを放熱させる構造となっている。
【００１９】
すなわち、半導体装置１１１は、導体配線形成面（一方の面）をガラスパネル１１８の前面に対向させて、出力端子群１０３側がガラスパネル１１８の前面に実装される。そして、折り曲げ部Ａ、Ｂで折り曲げられて、入力端子１０２群側がアルミシャーシ１２０側に固定され、パネルと筐体との間の狭い隙間に折り曲げられた状態で収納される。
【００２０】
具体的には、半導体装置１１１は、出力端子群１０３がガラスパネル１１８の前面にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）により熱圧着される。これにより、テープキャリア基板の導体配線が出力端子群１０３を介してガラスパネル１１８に接続される。また、半導体装置１１１は、上述した折り曲げ部Ａ、Ｂで折り曲げられ、入力端子群１０２および図示しない半導体素子が、アルミシャーシ１２０側に回り込んで配置される。
【００２１】
また、半導体装置１１１のアルミシャーシ１２０側には、半導体装置１１１の半導体素子の放熱のために例えばアルミニウムにより形成された金属板１２１が設けられており、この金属板１２１をアルミシャーシ１２０に接触させることで、半導体素子からの熱をアルミシャーシ１２０側へ放熱させることができる。
【００２２】
金属板１２１は、テープキャリア基板に実装された半導体素子を嵌め込む凹部（図示せず）を有し、その凹部の底部が、半導体素子の上面（半導体素子の端子形成面（裏面）とは反対側の面）との間に充填されたシリコン樹脂や導電性ペーストからなるグリース（図示せず）を介して、半導体素子の上面に接触する。また、金属板１２１は、半導体装置１１１のテープキャリア基板に対向する面が平坦で、その平坦な面とテープキャリア基板との間に配置された両面テープ等の接着剤を介して、テープキャリア基板と接着する。
【００２３】
続いて、この半導体装置１１１のＰＤＰのパネルへの取り付け方法について説明する。まず、半導体装置１１１をＰＤＰのパネルに実装する前に、半導体装置１１１に金属板１２１を接着する（図２７を参照。）。
【００２４】
その後、半導体装置１１１の出力端子群１０３側をガラスパネル１１８に実装し、折り曲げ部Ａ、Ｂで折り曲げる。次に、金属板１２１のねじ孔１２２およびアルミシャーシ１２０の突出部１２３に予め設けられているねじ孔１２４にねじ１２５を螺着する。
【００２５】
このように半導体装置１１１をテープキャリア基板の長さ方向Ｌに沿って折り曲げた状態でＰＤＰに実装した後、筐体内に収納する。以上説明したように、従来のテープキャリア基板は、折り曲げ部にスリットを形成することにより、テープキャリア基板を折り曲げ部で容易に折り曲げ可能とし、また、折り曲げの応力に対して強い構造としている（例えば、特許文献１参照。）。
【００２６】
しかしながら、ＰＤＰでは、電源のＯＮ／ＯＦＦにより、筐体内において非常に大きな温度変化が起こる。そのため、ガラスパネルとアルミシャーシは熱膨張するが、ガラスパネルとアルミシャーシは異種材料であるので、図２８、図２９に示すように、ガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０との間に熱膨張差が発生する。例えば、画面サイズが６５インチクラスのＰＤＰでは、アルミシャーシ１１８とガラスパネル１２０の熱膨張差が約０．６ｍｍも発生する。その結果、ガラスパネル１１８とアルミシャーシ１２０にまたがった状態で固定されている半導体装置（駆動用ドライバ）１１１のテープキャリア基板には、パネルの幅方向（テープキャリア基材の長さ方向Ｌ）に大きなストレスが加わり、テープキャリア基板はそのストレスにより撓む。そして、その撓みにより発生した応力は、テープキャリア基板の折り曲げ部分である第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂとの境界部に集中するため、ＰＤＰの電源のＯＮ／ＯＦＦが繰り返されることにより、つまり、先の温度変化が繰り返されることにより、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂとの境界部において導体配線１０５ｂの断線が起こりやすくなる。
【００２７】
特に、現在、フラットパネルディスプレイ市場では、大画面化が急速に進んでいる。これに伴いガラスパネルとアルミシャーシが大型化し、熱膨張差がさらに大きくなってきており、駆動用ドライバへのストレスがより大きくなってきている。
【特許文献１】特開平８−１３９１２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本発明は、上記問題点に鑑み、テープキャリア基板の折り曲げ部に設けるスリットの、テープキャリア基板の外延部側の幅を、その外延部側よりもテープキャリア基板の中央部側の幅よりも大きくすることにより、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができるテープキャリア基板および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
本発明の請求項１記載のテープキャリア基板は、テープキャリア基材と、前記テープキャリア基材上に形成された第一および第二の端子部と、前記テープキャリア基材の前記第一および第二の端子部間に形成された所定の方向に長いスリット部と、前記テープキャリア基材の前記第一および第二の端子部間に形成されたデバイスホールと、前記テープキャリア基材上に前記第一の端子部から前記デバイスホールに向かって形成された第一の導体配線と、前記テープキャリア基材上に前記第二の端子部から前記デバイスホールに向かって形成された第二の導体配線と、を備え、前記スリット部は、その長手方向に垂直な方向の幅のうち、前記テープキャリア基材の外延部側の第一の幅が、その外延部側よりも前記テープキャリア基材の中央部側の第二の幅よりも大きいことを特徴とする。
【００３０】
また、本発明の請求項２記載のテープキャリア基板は、請求項１記載のテープキャリア基板であって、前記スリット部は、前記第一の幅を前記第二の幅よりも大きくする段形状を有することを特徴とする。
【００３１】
また、本発明の請求項３記載のテープキャリア基板は、請求項１記載のテープキャリア基板であって、前記スリット部は、前記第一の幅を前記第二の幅よりも大きくするテーパー形状を有することを特徴とする。
【００３２】
また、本発明の請求項４記載のテープキャリア基板は、請求項１記載のテープキャリア基板であって、前記スリット部は、前記テープキャリア基材の外延部側の端部が、前記第二の幅よりも直径が大きい円形状をしており、その円形により前記第一の幅が構成されることを特徴とする。
【００３３】
また、本発明の請求項５記載のテープキャリア基板は、請求項１ないし４のいずれかに記載のテープキャリア基板であって、前記テープキャリア基材は、その外延部に、前記スリット部の長手方向に切り欠かれた切り欠き部を有することを特徴とする。
【００３４】
また、本発明の請求項６記載のテープキャリア基板は、請求項５記載のテープキャリア基板であって、前記切り欠き部は、前記スリット部側とは反対側の幅を前記スリット部側の幅よりも大きくするテーパ形状を有することを特徴とする。
【００３５】
また、本発明の請求項７記載のテープキャリア基板は、請求項５記載のテープキャリア基板であって、前記切り欠き部は、前記スリット部側とは反対側の幅を前記スリット部側の幅よりも大きくする曲線形状を有することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の請求項８記載の半導体装置は、請求項１ないし７のいずれかに記載のテープキャリア基板と、前記テープキャリア基板のデバイスホールに実装された半導体素子とを備え、前記半導体素子は、前記テープキャリア基板の第一および第二の端子部に、前記テープキャリア基板の第一および第二の導体配線を介して電気的に接続することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
本発明の好ましい形態によれば、ＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシにまたがった状態で固定されている駆動用ドライバのテープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させることができる。よって、ＰＤＰの電源のＯＮ／ＯＦＦが繰り返されて、ＰＤＰの筐体内に非常に大きな温度変化が繰り返し起こっても、スリットと導体配線との境界部において導体配線が断線することを防止でき、高品質なテープキャリア基板および半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。また、図２は図１のＣで示す部分の透視拡大図である。このテープキャリア基板１００は、３８４出力のＰＤＰ仕様のものであって、２個の半導体素子を実装可能である。
【００３９】
図１に示すように、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の一方の面（導体配線形成面）上に形成された第一および第二の端子部である入力端子群１０２および出力端子群１０３を備える。入力端子群１０２および出力端子群１０３はそれぞれ、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに沿って直線状に配列された端子群（第一および第二の端子群）からなり、テープキャリア基材１０１の幅方向Ｗにおいて互いに平行に対向している。
【００４０】
また、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の入力端子群１０２と出力端子群１０３との間に形成された２つのデバイスホール１０４を備える。この２つのデバイスホール１０４は、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに並んでいる。また、デバイスホール１０４は、デバイスホール１０４に実装される矩形状の半導体素子の外形と相似形で、且つその外形より若干広い面積を有する。また、デバイスホール１０４は、その長手方向がテープキャリア基材１０１の幅方向Ｗと略平行となるように形成されている。
【００４１】
また、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の一方の面上に形成された導体配線１０５ａ、１０５ｂをそれぞれ複数本備える。導体配線１０５（第一の導体配線）ａは、入力端子群１０２からデバイスホール１０４へ向かって形成されており、デバイスホール１０４に実装された半導体素子の端子と入力端子群１０２を構成する端子とを突起電極を介して接続する。導体配線（第二の導体配線）１０５ｂは、出力端子群１０３からデバイスホール１０４へ向かって形成されており、デバイスホール１０４に実装された半導体素子の端子と出力端子群１０３を構成する端子とを突起電極を介して接続する。導体配線１０５ａ、１０５ｂは例えば銅等からなる。
【００４２】
導体配線１０５ａ、１０５ｂは、テープキャリア基材１０１を下支えとして、テープキャリア基材１０１の一方の面上に幅方向Ｗに沿って設けられており、デバイスホール１０４上に突出して、デバイスホール１０４に実装された半導体素子の端子に突起電極を介して接続するインナーリードと、そのインナーリードと入力端子群１０２または出力端子群１０３に接続する引き回し配線と、で構成される。
【００４３】
このテープキャリア基板１００に半導体素子を実装した半導体装置は、ＰＤＰのパネルに、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに沿って折り曲げられた状態で実装されるが、その折り曲げ方向に対して発生する応力に、パネルの幅方向（テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌ）に対して発生する応力が加わる。
【００４４】
そこで、これらの応力を緩和するために、テープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の入力端子群１０２と出力端子群１０３との間に形成された第１スリット１０６、１０７と第２スリット１０８を備える。第１スリット１０６、１０７は、互いに平行な折り曲げ部Ａ、Ｂに沿って形成されており、テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌに細長い形状をしている。第２スリット１０８は、その長手方向が第１スリット１０６、１０７の長手方向に交差するように形成されており、テープキャリア基材１０１の幅方向Ｗに細長い形状をしている。具体的には、第１スリット１０６、１０７は、テープキャリア基板１００の中央で２等分されている。また、第２スリット１０８は、その長手方向が２等分された第１スリットの間隙を通るように形成されている。このように、ここでは、折り曲げ部Ａに沿って形成された２本の第１スリット１０６からなる第１のスリット部と、折り曲げ部Ｂに沿って形成された２本の第１スリット１０７からなる第２のスリット部とがテープキャリア基材１０１に形成されている。
【００４５】
また、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の一方の面上に設けられた、導体配線１０５ａ、１０５ｂの引き回し配線を覆う有機絶縁材料１０９を備える。有機絶縁材料１０９は、例えばポリイミドやエポキシ等からなる。さらに、図示しないが、このテープキャリア基板１００は、テープキャリア基材１０１の他方の面（導体配線形成面の反対側の面）上に設けられた有機絶縁材料を備える。この有機絶縁材料は例えばポリイミドやエポキシ等からなり、導体配線１０５ｂの引き回し配線の第１スリット１０６、１０７から露出する部分を覆う。
【００４６】
なお、テープキャリア基材１０１の幅方向Ｗにおける両端部にはスプロケットホール１１０が設けられている。また、テープキャリア基材１０１の材料としては、ポリイミドがよく使用されている。また、テープキャリア基材１０１の幅は、一般に、３５ｍｍ、４８ｍｍ、７０ｍｍである。
【００４７】
この第１の実施の形態は、図１、２に示すように、第１スリット１０６、１０７の形状が従来のものと異なる。すなわち、第１スリット１０６、１０７は、その長手方向（テープキャリア基材１０１の長さ方向Ｌ）に垂直な幅のうち、テープキャリア基材１０１の外延部側の幅（第一の幅）が、その外延部よりもテープキャリア基材１０１の中央部側の幅（第二の幅）よりも大きい。詳しくは、第１スリット１０６、１０７は、テープキャリア基材１０１の外延部側の幅をスリット幅（第二の幅）よりも大きくする段形状を有する。
【００４８】
第１スリット１０６、１０７をこのような形状とすることにより、このテープキャリア基板１００を用いて構成されるＰＤＰの駆動用ドライバを、ＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシにまたがった状態で固定しても、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を、第１スリット１０６、１０７の幅を広くした面Ｓ（図２参照。）に分散させることができ、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂとの境界部への応力集中を防ぐことができる。
【００４９】
なお、第１スリット１０６、１０７のスリット幅全体を広くしても、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂとの境界部への応力集中を防ぐことができるが、次の問題がある。
【００５０】
すなわち、第１スリット１０６、１０７の幅が広い程、正規の折り曲げ位置に対する実際の折り曲げ位置の誤差が大きくなり、図３に示すように、半導体装置１１１の実際の折り曲げ位置が正規の折り曲げ位置（図４を参照。）に対して斜めにずれ易い。このように折り曲げ位置がずれた状態で、半導体装置１１１をＰＤＰのパネルに実装した場合、折り曲げ方向に対して発生した応力に、パネルの幅方向に対して発生した応力が加えられ、これらの応力によってテープキャリア基板が歪み、導体配線が断線したり、封止樹脂にクラックが入るといった問題や、ＰＤＰと半導体装置の接続信頼性が低下するという問題が起こる。
【００５１】
これに対して、この第１の実施の形態では、第１スリット１０６、１０７は、パネルの幅方向に加わるストレスによる撓みが大きい、テープキャリア基板１００の外延部側の幅のみが広くなっている。この構成により、折り曲げ位置の誤差を少なくすることができ、正規の折り曲げ位置に対して斜めにずれないようにすることができる。
【００５２】
以上説明したテープキャリア基板１００に半導体素子を実装して最終形状に打ち抜かれた半導体装置（ＰＤＰ用の駆動用ドライバ）の断面図を図５に示す。この半導体装置１１１は、第１スリット１０６、１０７の形状のみが従来の半導体装置と異なり、その余は同じである。
【００５３】
すなわち、図５に示すように、この半導体装置１１１は、デバイスホール１０４に半導体素子１１２が実装され、半導体素子１１２の裏面に形成された端子（図示せず）と導体配線１０５ａ、１０５ｂのインナーリード１１５ａ、１１５ｂとが突起電極１１３を介して接続される。なお、半導体素子１１２は矩形状に形成され、その長辺がテープキャリア基材１０１の幅方向Ｗに略平行となるよう実装される。
【００５４】
また、デバイスホール１０４の突起電極１１３が配置される側（半導体素子１１２の裏面側）は封止樹脂１１４によりモールドされており、半導体素子１１２の裏面、突起電極１１３、およびインナーリード１１５ａ、１１５ｂが封止樹脂１１４により覆われている。
【００５５】
また、導体配線１０５ａは、デバイスホール１０４上に突出するインナーリード１１５ａと、そのインナーリード１１５ａと入力端子群１０２に接続する引き回し配線１１６ａと、で構成される。同様に、導体配線１０５ｂは、デバイスホール１０４上に突出するインナーリード１１５ｂと、そのインナーリード１１５ｂと出力端子群１０３に接続する引き回し配線１１６ｂと、で構成される。
【００５６】
また、テープキャリア基材１０１の一方の面上には、引き回し配線１１６ａ、１１６ｂを覆う有機絶縁材料１０９が設けられている。さらに、テープキャリア基材１０１の他方の面上には、引き回し配線１１６ｂの第１スリット１０６、１０７から露出する部分を覆う有機絶縁材料１１７が設けられている。
【００５７】
続いて、この半導体装置１１１の製造方法の一例について説明する。まず、半導体素子１１２上の突起電極１１３とテープキャリア基材１０１のデバイスホール１０４上に形成されたインナーリード１１５ａ、１１５ｂとがボンディングツールによって熱圧着され、金属接合が形成される。その後、半導体素子１１２やインナーリード１１５ａ、１１５ｂを外力や湿気、汚染物などの悪い環境から電気的、物理的に保護するため、半導体素子１１２の裏面、突起電極１１３、およびインナーリード１１５ａ、１１５ｂに封止樹脂１１４をポッティングする。封止樹脂１１４はポッティング後に加熱して硬化される。なお、半導体素子１１２の端子とインナーリード１１５ａ、１１５ｂとの間に配置する突起電極１１３は、半導体素子１１２の端子上に設ける場合とインナーリード１１５ａ、１１５ｂ上に設ける場合がある。
【００５８】
以上説明した半導体装置（ＰＤＰ用の駆動用ドライバ）１１１をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図を図６に示す。図６に示すように、ＰＤＰのガラスパネル１１８の後面には、放熱シート１１９を介して、ガラスパネル１１８と略同サイズのアルミシャーシ１２０が貼り付けられており、半導体装置（駆動用ドライバ）１１１、並びに図示しない電源や信号制御の回路基板をアルミシャーシ１２０上に取り付けて、それらを放熱させる構造となっている。
【００５９】
すなわち、半導体装置１１１は、導体配線形成面（一方の面）をガラスパネル１１８の前面に対向させて、出力端子群１０３側がガラスパネル１１８の前面に実装される。そして、上述した折り曲げ部Ａ、Ｂで折り曲げられて、入力端子群１０２側がアルミシャーシ１２０側に固定され、パネルと筐体との間の狭い隙間に折り曲げられた状態で収納される。
【００６０】
具体的には、半導体装置１１１は、出力端子群１０３がガラスパネル１１８の前面にＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）により熱圧着される。これにより、出力端子群１０３を介して導体配線１０５ｂがガラスパネル１１８に接続される。また、半導体装置１１１は、折り曲げ部Ａ、Ｂで折り曲げられ、入力端子群１０２および図示しない半導体素子が、アルミシャーシ１２０側に回り込んで配置される。
【００６１】
また、半導体装置１１１のアルミシャーシ１２０側には、半導体装置１１１の半導体素子の放熱のために例えばアルミニウムにより形成された金属板１２１が設けられており、この金属板１２１をアルミシャーシ１２０に接触させることで、半導体素子からの熱をアルミシャーシ１２０側へ放熱させることができる。
【００６２】
金属板１２１は、テープキャリア基板に実装された半導体素子を嵌め込む凹部（図示せず）を有し、その凹部の底部が、半導体素子の上面（半導体素子の端子形成面（裏面）とは反対側の面）との間に充填されたシリコン樹脂や導電性ペーストからなるグリース（図示せず）を介して、半導体素子の上面に接触する。また、金属板１２１は、半導体装置１１１のテープキャリア基板に対向する面が平坦で、その平坦な面とテープキャリア基板との間に配置された両面テープ等の接着剤を介して、テープキャリア基板と接着する。
【００６３】
続いて、この半導体装置１１１のＰＤＰのパネルへの取り付け方法について説明する。まず、半導体装置１１１をＰＤＰのパネルに実装する前に、半導体装置１１１に金属板１２１を接着する（図７を参照。）。
【００６４】
その後、半導体装置１１１の出力端子群１０３側をガラスパネル１１８に実装し、折り曲げ部Ａ、Ｂで折り曲げる。次に、金属板１２１のねじ孔１２２およびアルミシャーシ１２０の突出部１２３に予め設けられているねじ孔１２４にねじ１２５を螺着する。
【００６５】
続いて、ＰＤＰのパネルに実装された半導体装置（駆動用ドライバ）にパネルの幅方向のストレスが加えられてテープキャリア基板が撓んだ状態において、テープキャリア基板の折り曲げ部である第１スリットに発生する応力について説明する。
【００６６】
図８はスリット幅が一定の従来の第１スリット１０６、１０７に発生する応力分布のシミュレーション解析結果を示す図、図９は図８のＤで示す部分の拡大図、図１０は第１の実施の形態における第１スリット１０６、１０７に発生する応力分布のシミュレーション解析結果を示す図、図１１は図１０のＥで示す部分の拡大図である。
【００６７】
図８、図９に示すように、スリット幅が一定の場合、第１スリット１０６、１０７のエッジ部に応力集中が起こる。これに対して、図１０、図１１に示すように、第１スリット１０６、１０７のテープキャリア基板の外延部側の幅を広くした場合、第１スリット１０６、１０７のエッジ部の応力が約３５％低減し、応力が分散することが確認できた。
【００６８】
以上のように、テープキャリア基板の折り曲げ部に設ける第１スリットの、テープキャリア基板の外延部側の幅（第一の幅）を、その外延部側よりもテープキャリア基板の中央部側の幅（第二の幅）よりも大きくすることにより、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を、第１スリットの幅を広くした面Ｓに分散させることができ、第１スリットと導体配線の境界部への応力集中を防ぐことができるので、断線を防止することが可能となり、ＰＤＰと半導体装置（駆動用ドライバ）の接続信頼性を向上させることができる。
【００６９】
なお、この第１の実施の形態では、テープキャリア基板１００の中央に、第２スリットを１本形成しているが、無論、複数本形成してもよい。また、テープキャリア基板１００の折り曲げ部Ａ、Ｂに沿って第１スリット１０６、１０７を２本ずつ設けたが、無論、折り曲げ部に沿って１本の第１スリットを設ける場合や、３本以上の第１スリットを設ける場合においても、導体配線の境界部への応力集中を防ぐことができる。
【００７０】
（第２の実施の形態）
図１２は本発明の第２の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。また、図１３は図１２のＦで示す部分の透視拡大図である。但し、前述した第１の実施の形態にて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００７１】
この第２の実施の形態は、第１スリット１０６、１０７が、第１スリット１０６、１０７のテープキャリア基材１０１の外延部側の幅（第一の幅）を、その外延部側よりもテープキャリア基材１０１の中央部側の幅（第二の幅）よりも大きくするテーパー形状を有する点で第１の実施の形態と異なり、その余の点は同じである。第１スリット１０６、１０７をこのような形状とすることにより、第１スリット１０６、１０７の開口面積を必要最小限に小さくすることができる。したがって、有機樹脂材料１０９の厚みをコントロールしてその高さを均一にすることが、前述した第１の実施の形態よりも容易となり、有機樹脂材料１０９印刷時のパターニング精度が向上するため、テープキャリア基板の製造歩留を向上させることができる。
【００７２】
（第３の実施の形態）
図１４は本発明の第３の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。また、図１５は図１４のＧで示す部分の透視拡大図である。但し、前述した第１の実施の形態にて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００７３】
この第３の実施の形態は、第１スリット１０６、１０７のテープキャリア基材１０１の外延部側の端部が、第１スリット１０６、１０７のスリット幅（第二の幅）よりも直径が大きい円形状をしている点で第１の実施の形態と異なり、その余の点は同じである。第１スリット１０６、１０７をこのような形状とすることにより、第１スリット１０６、１０７の開口面積を更に小さくすることができ、したがって、有機樹脂材料１０９の厚みをコントロールしてその高さを均一にすることが、前述した第２の実施の形態よりも容易となり、有機樹脂材料１０９印刷時のパターニング精度がより向上するため、テープキャリア基板の製造歩留をより向上させることができる。
【００７４】
（第４の実施の形態）
図１６は本発明の第４の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。また、図１７は図１６のＨで示す部分の透視拡大図である。但し、前述した第１の実施の形態にて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００７５】
この第４の実施の形態は、テープキャリア基材１０１の両端部（外延部）１２６、１２７に、第１スリット１０６、１０７のテープキャリア基材１０１の外延部側の端部に向かって、第１スリット１０６、１０７の長手方向に切り欠かれた切り欠き部１２８が形成されている点で第１の実施の形態と異なり、その余の点は同じである。
【００７６】
このように切り欠き部１２８を形成することにより、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂの境界部へ集中していた応力を切り欠き部１２８へも分散させることが可能となる。したがって、第１スリット１０６、１０７と導体配線１０５ｂの境界部への応力集中を防ぐことができるので、断線を防止することが可能となり、ＰＤＰと半導体装置（駆動用ドライバ）の接続信頼性を向上させることができる。
【００７７】
（第５の実施の形態）
図１８は本発明の第５の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。また、図１９は図１８のＩで示す部分の透視拡大図である。但し、前述した第４の実施の形態にて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００７８】
この第５の実施の形態は、切り欠き部１２８が、第１スリット１０６、１０７側とは反対側の幅を第１スリット１０６、１０７側の幅よりも大きくするテーパー形状を有する点で第４の実施の形態と異なり、その余の点は同じである。切り欠き部１２８をこのような形状とすることにより、切り欠き部１２８の付け根の角度が鈍角となり、付け根の角度が鋭角の切り欠き部よりも応力をさらに分散させることができ、切り欠き部の付け根の角度を鋭角としたときにテープキャリア基板に亀裂が入る等の問題が発生するような場合において有効な手段となる。
【００７９】
（第６の実施の形態）
図２０は本発明の第６の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図である。また、図２１は図２０のＪで示す部分の透視拡大図である。但し、前述した第４の実施の形態にて説明した部材と同一の部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００８０】
この第６の実施の形態は、切り欠き部１２８が、第１スリット１０６、１０７側とは反対側の幅を第１スリット１０６、１０７側の幅よりも大きくする曲線形状（ここでは略半円形状）を有する点で第４の実施の形態と異なり、その余の点は同じである。切り欠き部１２８をこのような形状とすることにより、直線で形成した切り欠き部よりも応力をさらに分散させることができ、テープキャリア基板に亀裂がより入り難くすることができる。
【００８１】
なお、第４ないし第６の実施の形態では、第１の実施の形態の構成に対して切り欠き部を設けたが、無論、第２、第３の実施の形態の構成に対して上記した切り欠き部を設けても、同様の効果を奏することができる。
【００８２】
また、テープキャリア基板の折り曲げ部に設けるスリットのスリット幅が均一な従来の構成に対して上記した切り欠き部を設けても、その折り曲げ部に設けたスリットと導体配線との境界部へ集中していた応力を分散させることができる。したがって、ＰＤＰの画面サイズや、ＰＤＰのパネルへの半導体装置（駆動用ドライバ）の取り付け状態や、テープキャリア基板の大きさ等に合わせて、第１ないし第３の実施の形態で説明した第１スリット１０６、１０７を形成したり、第４ないし第６の実施の形態で説明した切り欠き部１２８を形成したり、あるいは第１ないし第３の実施の形態で説明した第１スリット１０６、１０７に第４ないし第６の実施の形態で説明した切り欠き部１２８を組み合わせることで、導体配線の断線を防ぐことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明にかかるテープキャリア基板および半導体装置は、テープキャリア基板の撓みにより発生する応力を分散させ、テープキャリア基板の導体配線の破断を防止することができ、テープキャリア基板を折り曲げた状態で実装する半導体装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図２】図１の一部を拡大した図
【図３】正規の折り曲げ位置で折り曲げられた状態の半導体装置の平面図
【図４】正規の折り曲げ位置から斜めにずれて折り曲げられた状態の半導体装置の平面図
【図５】本発明の第１の実施の形態における半導体装置の断面図
【図６】同半導体装置をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図
【図７】同半導体装置に金属板を接着した状態の平面図
【図８】スリット幅が一定の第１スリットに発生する応力分布のシミュレーション解析結果を示す図
【図９】図８の一部を拡大した図
【図１０】本発明の第１の実施の形態における第１スリットに発生する応力分布のシミュレーション解析結果を示す図
【図１１】図１０の一部を拡大した図
【図１２】本発明の第２の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図１３】図１２の一部を拡大した図
【図１４】本発明の第３の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図１５】図１４の一部を拡大した図
【図１６】本発明の第４の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図１７】図１６の一部を拡大した図
【図１８】本発明の第５の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図１９】図１８の一部を拡大した図
【図２０】本発明の第６の実施の形態におけるテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図２１】図２０の一部を拡大した図
【図２２】従来のテープキャリア基板の構成を示す平面図
【図２３】従来の半導体装置の断面図
【図２４】同半導体装置が実装されたＰＤＰのパネルの外観図
【図２５】図２４の一部を拡大した図
【図２６】従来の半導体装置をＰＤＰのパネルに実装した状態の断面図
【図２７】従来の半導体装置に金属板を接着した状態の平面図
【図２８】ＰＤＰのガラスパネルとアルミシャーシとの間に熱膨張差が発生した状態を示す外観図
【図２９】図２８の一部を拡大した図
【符号の説明】
【００８５】
１００      テープキャリア基板
１０１      テープキャリア基材
１０２      入力端子群
１０３      出力端子群
１０４      デバイスホール
１０５ａ、１０５ｂ      導体配線
１０６、１０７      第１スリット
１０８      第２スリット
１０９      有機絶縁材料
１１０      スプロケットホール
１１１      半導体装置
１１２      半導体素子
１１３      突起電極
１１４      封止樹脂
１１５ａ、１１５ｂ      インナーリード
１１６ａ、１１６ｂ      引き回し配線
１１７      有機絶縁材料
１１８      ガラスパネル
１１９      放熱シート
１２０      アルミシャーシ
１２１      金属板
１２２、１２４      ねじ孔
１２３      突出部
１２５      ねじ
１２６、１２７      テープキャリア基板の端部
１２８      切り欠き部
【図１】
2009044126.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2009044126.tif 000006
【図５】
2009044126.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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