(57)【要約】【課題】基板の面内温度分布を均一にする基板処理装置を提供する。【解決手段】この基板処理装置は、円板形状の基板７を加熱し基板７上に気相成長させる反応炉の内部に、基板７が載置されるサセプタ８を含む。サセプタ８には、基板７を保持するための、平面形状が円形状の凹部が形成されている。またサセプタ８は、凹部の内部において、基板７の裏面に接触して基板７を支持する複数の基板支持部１２と、基板７の外周側面に対向するように凹部の内周面から突起する複数の側面凸部１３とを有する。複数の側面凸部１３は、サセプタ８の内周面の周方向に等間隔をおいて形成されている。側面凸部１３が内周面から突起する突起高さをｈとし、側面凸部が形成される個数をｘとし、基板の半径をｒとして、ｈ、ｘおよびｒは、ｈ／ｃｏｓ（π／ｘ）＞ｒ（１−ｃｏｓ（π／ｘ））で表される関係を満足する。【選択図】図２
2009088088.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板形状の基板を加熱し、前記基板上に気相成長させる反応炉と、
前記反応炉に材料ガスを供給するガス供給部と、
前記反応炉から排気するガス排気部とを備える、基板処理装置において、
前記反応炉の内部に、前記基板が載置されるサセプタを含み、
前記サセプタには、前記基板を内部に保持するための、平面形状が円形状の凹部が形成されており、
前記サセプタは、前記凹部の内部において、前記基板の裏面に接触して前記基板を支持する複数の基板支持部と、前記基板の外周側面に対向するように前記凹部の内周面から突起する複数の側面凸部とを有し、
前記複数の側面凸部は、前記サセプタの前記内周面の周方向に等間隔をおいて形成されており、
前記側面凸部が前記内周面から突起する突起高さをｈとし、前記側面凸部が形成される個数をｘとし、前記基板の半径をｒとして、次式で表される関係を満足する、基板処理装置。
ｈ／ｃｏｓ（π／ｘ）＞ｒ（１−ｃｏｓ（π／ｘ））
【請求項２】
前記側面凸部は、前記外周側面の、前記基板の厚み方向の中央部に対向する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板支持部は、前記基板の温度分布の均一性を向上させるように、前記基板の前記裏面に接触する面積を調整されて形成されている、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
円板形状の基板を準備する工程と、
前記基板を処理する処理条件を確認する工程と、
反応炉の内部に設置された、前記基板の裏面に接触して前記基板を支持する複数の基板支持部を有する、サセプタを準備する工程と、
前記基板支持部に前記裏面が接触する面積を均等化するように、前記サセプタへ前記基板を載置する工程と、
前記基板を前記反応炉内で加熱し、材料ガスを前記反応炉に供給して、前記基板の表面上に気相成長させる工程とを備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を加熱するための基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（発光ダイオード）や半導体レーザの製造方法として、従来、ＭＯＣＶＤ法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着法)が行なわれている。ＭＯＣＶＤ法は、材料ガスを反応炉内に導入して加熱させ、基板上で気相化学反応させることにより基板に化合物半導体薄膜を形成するものである。材料ガスには、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）やトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）などの有機金属ガスと、アンモニア（ＮＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）などの水素化合物とが用いられる。ＭＯＣＶＤ法を用いた半導体製造過程においては、プロセス上の成膜品質を向上させながら、いかに運用コストを抑え、歩留まりと生産処理能力とを、最大限に確保するかということが、常に強く要求されている。
【０００３】
図１２は、従来のＭＯＣＶＤ装置の構成の一例を示す概略図である。図１２に示すように、従来のＭＯＣＶＤ装置では、反応炉２１には、材料ガス源２２からガスを供給する供給ライン２３が接続されており、反応炉２１の上部から内部へガスが導入される。また、反応炉２１の下部にはガスを外部に排出するガス排気部２４が設けられ、使用したガスは、パージライン２５の最終段に接続された排ガス処理装置２６に送られ除害処理される。
【０００４】
一方、反応炉２１の内部には、基板２７を載置するサセプタ２８が設置されている。サセプタ２８の下部には、基板２７を、サセプタ２８とともに加熱するためのヒータ２９が設置されている。基板２７の上方には、一面に複数の導入孔が設けられたシャワーヘッド３０が設置されている。サセプタ２８の中央には、回転軸３１が設けられ、図示しないアクチュエータによって、水平回転させることが可能となっている。また、サセプタ２８の中央部には、基板２７の裏面側を支持するように、基板２７の外周大のザグリが施してあり、そのザグリの中に、基板が載置されるしくみとなっている。
【０００５】
そして、成膜時においては、サセプタ２８を回転させながら、反応炉２１へ導入されたガスが、シャワーヘッド３０を介し複数の導入孔から、基板２７に対して垂直方向に導入される。また、サセプタ２８に載置された基板２７およびガスは、ヒータ２９により、所望の成長温度に加熱され基板２７上で気相反応が促進され成膜が行われるしくみとなっている。
【０００６】
このようなＭＯＣＶＤ装置においては、反応炉内の基板の面内において、できるだけガスを濃度および流速が均一になるように導入し、基板の温度分布を少なくすることが、高品質な膜を基板の面内で均一に形成させるために重要である。特に、近年急速に普及が広がっている青色ＬＥＤや青色レーザーダイオードに使用されるＧａＮ系の気相成長においては、基板の温度分布が、成膜後のＰＬ（フォトルミネッセンス）あるいはＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光波長の分布に大きく影響を及ぼす。そのため、装置開発や生産技術分野においては、基板の温度分布の均一化が、デバイスの信頼性と品質の確保および歩留まり向上のため、重要視されることとなっている。
【０００７】
従来のＭＯＣＶＤ装置においては、基板を載置するサセプタの材質として、石英やカーボンなどを加工したものがよく使用される。これらは、一般的に加工精度が低いものであるため、基板載置時に、サセプタと基板裏面側との接触に面内でばらつきが発生する原因となる。さらに、加熱時においては、基板に熱応力による反りが加わるため、基板の面内の温度分布が不均一となるという問題があった。
【０００８】
このような背景の中で、従来、基板温度の均一化対策が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。これは、気相成長炉において、基板の裏面側に、均熱板を、所定間隔を隔てて配置するというものである。これによると、基板と均熱板とを非接触にすることで、均熱板の加工精度が悪くても均熱板からの熱は基板との隙間で緩和されて基板に伝わることで、基板温度が面内均一になるというものである。
【０００９】
また、基板温度の均一化対策に関する別の一例も提案されている（たとえば、特許文献２参照）。これは、サセプタの周縁部に、光学的に透明な部材から成る環状の基板支持部材を載置して、その上に基板を載置するというものである。これによると、反応炉内が、低圧環境下である場合においては、基板の加熱は輻射熱が支配的となり、サセプタや他の部材からの熱伝導は無視できるため、基板支持部材に載置された基板の面内温度分布を、均一に保持できるというものである。
【００１０】
その他、基板を保持するための治具に関する技術は、たとえば特許文献３〜５で提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２２４０７４号公報
【特許文献２】特開平７−２４５２６４号公報
【特許文献３】特開平４−２７７６１６号公報
【特許文献４】実開平６−２９１３３号公報
【特許文献５】特開平１１−５４４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、このような従来のＭＯＣＶＤ装置においては、いずれも、基板の外周側面と、サセプタあるいは基板支持部材との間には、設計上一定のクリアランスが設けられているため、そのクリアランスにより、基板の載置時あるいは成長時において、基板が片側に移動し、サセプタあるいは基板支持部材の側面に接触するという現象が発生していた。これにより、基板の外周側面の接触部分で、サセプタあるいは基板支持部材から局所的に熱伝導を受け、基板の面内で、温度分布が発生することで、成膜後のＰＬあるいはＥＬ発光波長の面内ばらつきが生じるという問題があった。
【００１２】
また、サセプタあるいは基板支持部材に接触する基板側面の接触箇所は、常にランダムであり、位置の再現性がなく、場合によっては、成膜中に何度も基板が移動を繰返すこともあった。そのため、生産工程において、デバイスの品質や特性の再現性が確保できず、歩留まりにも悪影響を及ぼすという大きな問題が生じていた。
【００１３】
またさらに、特許文献２では、反応炉内が低圧環境下である場合においては基板の加熱は輻射熱が支配的となり、サセプタや他の部材からの熱伝導は殆ど無視できるということが前提となっている。しかし実際は、反応炉内で使用するサセプタなどの部材が光学的に透明であり、また、低圧環境下でガスが少ない状態であったとしても、ヒータから発生する熱の一部は、その部材によって吸収されることになる。つまり、ヒータの加熱時にはサセプタも常に加熱状態となっており、その上に載置する基板への、サセプタからの熱伝導は無視することはできない。よって、基板の外周部において、サセプタとの接触による熱伝導が起こり、基板の中央部との伝熱量の差による面内温度分布が発生する原因、さらには、基板割れが発生する原因になっていた。
【００１４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、以上のような問題点を解決し、基板の面内温度分布の均一性を向上させることで、デバイスの信頼性と特性、品質の再現性を確保しつつ、高歩留まりの気相成長を行なうことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明の基板処理装置は、円板形状の基板を加熱し、基板上に気相成長させる反応炉を備える。また、反応炉に材料ガスを供給するガス供給部を備える。また、反応炉から排気するガス排気部を備える。基板処理装置は、反応炉の内部に、基板が載置されるサセプタを含む。サセプタには、基板を内部に保持するための、平面形状が円形状の凹部が形成されている。またサセプタは、凹部の内部において、基板の裏面に接触して基板を支持する複数の基板支持部と、基板の外周側面に対向するように凹部の内周面から突起する複数の側面凸部とを有する。複数の側面凸部は、サセプタの内周面の周方向に等間隔をおいて形成されている。そして、側面凸部が内周面から突起する突起高さをｈとし、側面凸部が形成される個数をｘとし、基板の半径をｒとして、ｈ、ｘおよびｒは、次式で表される関係を満足する。
ｈ／ｃｏｓ（π／ｘ）＞ｒ（１−ｃｏｓ（π／ｘ））
この場合は、基板の中央付近は、輻射および反応炉内のガスを介した熱伝導によって加熱される。基板の外周部付近は、複数の基板支持部から直接熱伝導を受け加熱される。基板の中央付近への熱伝達と、外周部付近への熱伝達とによって、基板の面内の温度分布が抑制される。すなわち、基板の面内温度分布の均一性を向上させることができる。
【００１６】
また、サセプタの凹部の内周面には複数の側面凸部が形成されており、基板が移動してサセプタの外周側面に接触するとき、基板はその外周側面において側面凸部の先端部に点接触する。つまり、側面凸部の基板と対向する（接触し得る）部分は基盤に向けて凸となっているので、基板の外周側面がサセプタに面接触することはない。よって、基板の外周側面がサセプタに接触しても、サセプタから基板へ熱が伝わりにくくなり、基板の面内温度分布への影響を抑えることができる。
【００１７】
上記基板処理装置において好ましくは、側面凸部は、基板の外周側面の、基板の厚み方向の中央部に対向する。この場合は、基板の外周側面がサセプタと接触する位置を、基板の厚み方向の中央部に限定することができる。よって、基板とサセプタとの接触による、気相成長が起こる基板の表面における面内温度分布への影響をさらに抑えることができる。
【００１８】
また好ましくは、基板支持部は、基板の温度分布の均一性を向上させるように、基板の裏面に接触する面積を調整されて形成されている。この場合は、実際に使用する気相成長温度域における基板の温度分布をあらかじめ確認しておき、その結果に基づいて、基板の裏面に接触する面積を調整された基板支持部を有するサセプタに、基板を搭載して加熱処理する。これにより、基板の面内温度分布の均一性をさらに向上させることができる。
【００１９】
この発明に係る基板処理方法は、円板形状の基板を準備する工程を備える。また、基板を処理する処理条件を確認する工程を備える。また、反応炉の内部に設置された、基板の裏面に接触して基板を支持する複数の基板支持部を有する、サセプタを準備する工程を備える。また、基板支持部に裏面が接触する面積を均等化するように、サセプタへ基板を載置する工程を備える。また、基板を反応炉内で加熱し、材料ガスを反応炉に供給して、基板の表面上に気相成長させる工程を備える。
【００２０】
この場合は、基板の処理条件に基づいてサセプタを準備する。基板の外周部付近が複数の基板支持部から直接熱伝導を受ける、熱量の均一性を向上させるように、サセプタへ基板を載置する。基板の中央付近への輻射および反応炉内のガスを介した熱伝導による熱伝達と、基板の外周部付近への熱伝達とによって、基板の面内の温度分布が抑制される。すなわち、基板の面内温度分布の均一性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明の基板処理装置および基板処理方法によれば、基板の面内温度分布の均一性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面に基づいてこの発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において、同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１の、基板処理装置の一例としてのＭＯＣＶＤ装置の全体構成を示す模式図である。図２は、図１に示すサセプタに基板が載置された状態における、サセプタ周辺の構成の詳細を示す平面模式図である。図１に示すように、このＭＯＣＶＤ装置においては、反応炉１には、材料ガス源２からガスを供給する供給ライン３が接続されており、反応炉１の上部から反応炉１の内部へガスが導入される。また、反応炉１の下部にはガスを外部に排出するガス排気部４が設けられ、使用されたガスは、パージライン５の最終段に接続された排ガス処理装置６に送られ、除害処理される。
【００２４】
反応炉１の内部には、円板形状の基板７を載置するサセプタ８（基板保持台）が備えられている。サセプタ８には、基板７を内部に保持するための、平面形状が円形状の凹部が形成されている。サセプタ８の下部には、基板７をサセプタ８とともに加熱するためのヒータ９が設置されており、基板７の上方には、一面に複数の導入孔が設けられたシャワーヘッド１０が設置されている。またサセプタ８の下部中央には回転軸１１が設けられ、図示しないアクチュエータによってサセプタ８を水平回転させることが可能となっている。
【００２５】
成膜時においては、反応炉１へ導入されたガスがシャワーヘッド１０に形成された複数の導入孔から、基板７に対して垂直方向に導入される。サセプタ８に載置された基板７およびガスは、ヒータ９により所望の成長温度に加熱され、サセプタ８を水平回転させながら基板７上で気相反応が促進され、成膜が行われる。サセプタ８の回転は、基板７の中心から外周部近傍にかけて存在する、基板７表面での温度、ガス流束、ガス濃度の分布によって発生し得る、膜厚および膜質の分布を時間的に平均化させて、成膜反応の均一性を向上させるために行なわれる。サセプタ８の回転数は、製造条件毎に事前に行なう条件出しに基づいて設定される。
【００２６】
サセプタ８の凹部の底面には、図１および図２に示すように、基板７の外周部において裏面側に面接触して基板７を支持する、複数の基板支持部１２が設けられている。基板支持部１２の上に、基板７が載置されることで、基板７の裏面側とサセプタ８の底面とを一定の間隔で隔離する。複数の基板支持部１２は、後述するように、加熱時に、サセプタ８に載置する基板７の面内の温度分布の均一性を向上させるように、設置する数または形状が調整されている。
【００２７】
ここで、基板７の面内の温度は、基板７上で全く分布がなくすべての点で等しい温度となることが理想的であり最も好ましい。しかし、基板７の面内温度分布が十分小さければ、成膜後のＰＬ発光波長の分布に及ぼす影響は問題ない範囲であるといえる。基板７の面内温度分布と求められるＰＬ発光波長のばらつきとの相関関係は、用いられているヒータ構造や材質、または周辺部材の構造や反応炉の構造により異なる。基板７が加熱される温度域、基板７のサイズ、材料ガスの使用量によっても、基板７の面内温度分布の均一性を向上させられる技術的な限度は異なる。生産する半導体の種類によっても、成膜に必要な温度分布の許容範囲は異なる。またＰＬ発光波長のばらつきの目標値自体も、実際に成長させる材料やデバイスの種類により異なる。つまり、許容される面内温度分布の範囲は、各製造条件によって異なるものであるために、あらかじめ実験結果やシミュレーションなどで確認することが望ましい。
【００２８】
なお、基板７の表面温度は、一般的にはパイロメータを用いて計測することができる。パイロメータを移動させ基板７の表面における温度測定位置を変化させながら測定することによって、基板７の面内温度分布を測定することができる。
【００２９】
サセプタ８の凹部の側面には、基板７の側面に対向するように、突起形状の側面凸部１３が設けられており、基板７の側面が、サセプタ８と接触する際には点で接触するしくみとなっている。ここで点接触とは、側面凸部１３の、基板７の外周部への接触面積が、基板７の外周部の表面積に対して十分小さいことをいう。たとえば、直径２インチ、０．５ｍｍ厚の基板７の場合、側面凸部１３の基板７へ接触する接点を直径０．５ｍｍ以下とする（面積比１／２０４以下）ことができる。
【００３０】
図１および図２に示すように、側面凸部１３と基板７の外周部とは接触しておらず、サセプタ８と基板７との熱膨張による干渉で基板７の割れを防ぐための、クリアランスがある。クリアランスとは、サセプタ８および基板７のそれぞれの、熱膨張率と直径寸法との積の合計に２０〜３０％の余裕を加えて設けられる、微小な隙間である。たとえば、サセプタ８が石英製（熱膨張率５×１０−７／℃）、基板がφ２インチのサファイア製（熱膨張率７×１０−６／℃）であった場合、１０００℃での両者の熱膨張率差による変位量の差は、４００μｍ程度となる。この場合、上述の２０〜３０％の余裕を持たせるためには、４８０μｍ以上５２０μｍ以下程度のクリアランスがサセプタ８には求められることになる。
【００３１】
図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に示すサセプタの断面図である。図３に示すように、側面凸部１３は、サセプタ８の側面において、基板７の断面中心に対向して設けられる。このため、加熱時または成膜時に基板７の外周側面がサセプタ８と接触するときに、基板７の接触位置が、基板７の断面中心に限定される。
【００３２】
図４は、側面凸部の配置を示す模式図である。図４を用いて、基板７の半径、サセプタ８の内周面の直径、側面凸部１３の高さ、側面凸部１３の個数および側面凸部１３の配置の関係について説明する。基板７の外周側面がサセプタ８に面接触しないように、側面凸部１３は、サセプタ８の内周面の周方向に等間隔をおいて形成される。ここで、側面凸部１３の高さとは、サセプタ８の平面形状において、サセプタ８の内周面から突出する方向における側面凸部の寸法を示すものとする。
【００３３】
図４において、基板７の中心点を点Ｏとし、サセプタ８の内周面における点Ａおよび点Ｂの位置に側面凸部１３を設置するものとし、基板７の半径をｒ、側面凸部の高さをｈとする。また、線分ＯＡおよび線分ＯＢの成す角度をθとする。また、基板７の外周と線分ＯＡとの交点と、基板７の外周と線分ＯＢとの交点とを結ぶ線分に対する、点Ｏを通る垂線を考えると、当該垂線と線分ＯＢとが成す角度ωと角度θとは、ω＝θ／２の関係を有する。
【００３４】
図４に示す距離ａおよび距離ｂは、基板７が移動し得るクリアランスの寸法は微小であって基板７の移動量は無視できることから、近似的に以下の関係で表される。
ａ＝ｒ−ｒ×ｃｏｓ（ω）＝ｒ（１−ｃｏｓ（ω））
ｂ＝ｈ／ｃｏｓ（ω）
基板７の外周側面がサセプタ８の内周面に内接しないための条件は、ｂ＞ａであるので、
ｈ／ｃｏｓ（ω）＞ｒ（１−ｃｏｓ（ω））
側面凸部が形成される個数（すなわち、円弧の分割数）をｘとすると、θ＝２π／ｘであるので、
ω＝θ／２＝π／ｘ
したがって、基板７の半径ｒ、側面凸部の高さｈおよび側面凸部の個数ｘは、
ｈ／ｃｏｓ（π／ｘ）＞ｒ（１−ｃｏｓ（π／ｘ））
の条件を満たす必要がある。たとえば、直径２インチ基板を使用し、側面凸部の高さを０．５ｍｍとすれば、計算上、側面凸部１３の個数は、等間隔に１６個以上必要となる。このようにすれば、基板７の外周側面がサセプタ８に面接触しないように、側面凸部１３の配置および個数を決定することができる。
【００３５】
なお、側面凸部１３の個数は、側面凸部１３の高さを大きくするほど減らすことが可能であり、最小個数は３個となる。しかし、側面凸部１３の高さを大きくすると、サセプタ８と基板７との段差のガスの乱れが大きくなり、気相成長時にこのガス乱れの影響が出る可能性がある点に留意し、側面凸部１３の高さおよび個数を決定する必要がある。
【００３６】
次に、加熱時および成膜時における基板の面内温度分布について説明する。ＧａＮ系の気相成長においては、基板の温度分布が、成膜後のＰＬあるいはＥＬ発光波長の分布に影響を及ぼすことが一般的に知られている。図５および図６は、基板の温度と、成膜後の基板上のＰＬ発光波長とを、直径２インチの基板の面内中央を０として、外側に、基板の直径方向に沿ってプロットしたものであり、基板の温度と成膜後のＰＬ発光波長の面内分布との関係を示すものである。図５（ａ）および図６（ａ）において、横軸は直径２インチの基板の面内中央を０とした基板上の直径方向の位置（単位：ｍｍ）を示し、縦軸は基板の温度（単位：℃）を示す。また図５（ｂ）および図６（ｂ）において、横軸は直径２インチの基板の面内中央を０とした基板上の直径方向の位置（単位：ｍｍ）を示し、縦軸はＰＬ発光波長（単位：ｎｍ）を示す。
【００３７】
図５においては、基板の面内の温度分布が、基板の中央部で高く、外周部が低いという場合の、実際の成膜後のＰＬ発光波長の分布の例を示す。図５（ａ）中のグラフ（１）と図５（ｂ）中のグラフ（２）とを比較すると、基板の温度が高い基板中央部では、ＰＬ発光波長が短く、一方、基板の温度が低い外周部では、ＰＬ発光波長が長くなっている。これにより、基板温度が低くなるとＰＬ発光波長が長波長化する傾向があることがわかる。
【００３８】
また、図６は、従来のＭＯＣＶＤ装置の構成における基板温度の面内分布と、成膜後のＰＬ発光波長の面内分布との例を示す。従来、ＭＯＣＶＤ装置に使用されるサセプタなどの部材には、通常、耐熱性に優れた石英やカーボン（耐腐食性のもの）などの加工品がよく使用されているが、これらの部材は、一般的に加工が困難であり、加工精度が低いものである。そのため、サセプタ２８の表面加工においても、表面粗度が大きくなり、サセプタ２８の基板２７との接触面に微小な凹凸が形成され、基板２７の面内でサセプタ２８との接触箇所と非接触箇所とが存在してしまうことで、加熱時に基板２７の面内で不規則な温度分布が発生することがあった。図６（ａ）において、このような場合の基板２７の面内温度分布の例を、グラフ（３）に示している。
【００３９】
またさらに、基板２７の外周側面とサセプタ２８との間には、ザグリの設計上、一定のクリアランスが設けられている。そのクリアランスにより、基板２７の載置時または成長時において、基板２７が片側に移動し、サセプタ２８の側面に接触するという現象が発生することがあった。基板２７の移動により、基板２７の外周側面の接触部分でサセプタ２８から熱伝導を受け、サセプタ２８の側面との接触側の温度が高くなり、基板２７の面内で温度分布が発生することがあった。図６（ａ）において、このような場合の基板２７の面内温度分布の例を、グラフ（４）に示している。
【００４０】
これらの要因により、基板２７の面内に温度分布が発生することで、図６（ｂ）に示すように、成膜後のＰＬ発光波長は、基板２７の面内でサセプタ２８との接触箇所と非接触箇所とが存在する場合にはグラフ（５）、また、基板２７が片側に移動しサセプタ２８の側面に接触する場合にはグラフ（６）のように、基板２７の面内で大きな分布が生じることになる。
【００４１】
一方、本発明のＭＯＣＶＤ装置の構成においては、サセプタ８において、基板７を支持する複数の基板支持部１２を、基板７の外周部近傍に限定し、基板支持部１２の設置する数、あるいは形状を調整することで、サセプタ８と基板７の裏面側との接触による基板７の面内の温度分布への影響を、最小限に抑えることができる。また、基板７の外周側面に対向した側面凸部１３を、サセプタ８の側面に設けることにより、基板７の外周側面が、サセプタ８に接触しても、点での接触となるため、サセプタ８の側面からの熱は伝わりにくくなる。そのため、基板７の載置時、あるいは気相成長時において、サセプタ８の基板７の外周部への接触による、不規則な温度変化による成膜への悪影響を抑えることができる。
【００４２】
図７は、サセプタ８に基板７が載置され、加熱状態となった基板７の熱伝達の様子を示す模式図である。図７に示すように、円板形状の基板７の中央付近においては、ヒータ９およびサセプタ８からの輻射と、ガスを介した熱伝導により加熱された熱が、基板７の中央部付近から基板７の外周部付近にかけて伝わる。ヒータ９が固体のヒータであって、ヒータ９の材質（すなわちヒータ９の熱容量）や抵抗値が均一であれば、蓄熱のためにヒータ９の中心が最高温度となり、ヒータ９の外側に向かって温度は低下する。また、ヒータ９に対向する基板７における面内温度分布は、ヒータ９の温度分布やヒータ９からの距離に依存する。このため、図７に示すように、輻射およびガスを介した熱伝導によって、基板７の中央付近が特に加熱され、熱は基板７の中央部付近から外周部へ向かって伝導されている。
【００４３】
一方、基板７の外周部付近においては、サセプタ８に設けられた複数の基板支持部１２から直接熱伝導を受ける。基板支持部１２は、その設置する数、あるいは形状が、加熱時の基板７の面内の温度分布の均一性を向上させるように、設計時に調整されている。これにより、基板７の中央部付近の温度と、外周部付近の温度とが補間されて、基板７の面内の温度分布が抑えられることになる。つまり、ヒータ９およびサセプタ８からの輻射とガスを介した熱伝導とによって、基板７の中央部付近へ熱が伝わる。一方、基板支持部１２を介した熱伝導によって、基板７の外周部付近へ熱が伝わる。基板７の中央部付近への熱伝達量と外周部付近への熱伝達量とがバランスし、基板７の各部への熱伝達量が均衡を保ち基板７の各部の温度が均一に向かうことによって、基板７の面内温度分布の均一性を向上させる。
【００４４】
ここで、基板支持部１２および側面凸部１３は、基板７の外周部に対し、均等にバランスよく配置されていることが望ましい。また、基板支持部１２および側面凸部１３は、それぞれが、必ずしも、その設置する数、間隔、位置が同じである必要はない。また、基板支持部１２の形状の調整は、使用する部材の容積、あるいは断面積を変える方法であっても構わない。
【００４５】
図８は、本発明の実施例のＭＯＣＶＤ装置の構成における、基板７面内の温度分布と、成膜後のＰＬ発光波長の面内分布との様子を示している。図６（ａ）と図８（ａ）とを比較して、本発明によって、図８（ａ）に示すグラフ（７）のように基板７の面内の温度分布は大幅に改善している。結果的に成膜後のＰＬ発光波長も、図８（ｂ）に示すグラフ（８）のように略均一な分布となっていることがわかる。
【００４６】
以上のように、本発明の基板処理装置では、基板７の加熱は、基板７の中央付近においては、ヒータ９およびサセプタ８からの熱輻射と、反応炉１内のガスを介した熱伝導による加熱に支配され、基板外周部付近においては、サセプタ８に設けられた複数の基板支持部１２からの熱伝導に支配される。このことを利用し、両者のバランスを、基板支持部１２の設置する数、あるいは形状を適度に調整することで、基板７の中央部付近の温度と外周部付近の温度が補間されて基板７の面内の温度分布が抑えられる。すなわち、基板７の面内温度分布の均一性を向上させることができる。したがって、基板７から作製したデバイスの信頼性と特性、品質の再現性を確保することができ、また基板７の不良品率が低下することから、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００４７】
側面凸部１３は、図３に示すように、サセプタ８の側面において基板７の断面中心に対向して設けられており、基板７の外周側面がサセプタ８と接触するときの基板７の接触位置は、基板７の断面中心に限定される。よって、気相成長が起こる基板７の表面側へのサセプタ８側面からの熱伝導は殆ど伝わらなくなり、基板７の外周部の接触による温度変化による成膜への影響をさらに抑えることができる。
【００４８】
（実施の形態２）
図９は、実施の形態２のサセプタ８の特徴を示す模式図である。図９に示すサセプタ８は、気相成長温度域における基板７の温度分布の結果に基づいて、基板７の面内の温度分布の均一性を向上させるように、基板支持部１２と、基板７の裏面側との接触面である基板接触部１４の面積が調整されている。本実施の形態では、あらかじめ、実際に使用する気相成長温度域における基板７の温度分布を、パイロメータなどの温度測定手段、あるいはシミュレーションなどで確認しておき、その結果データに基づいて、基板支持部１２の大きさや形状を変更する。つまり、種々の大きさや形状の基板支持部１２が形成されたサセプタ８から、最適な基板支持部１２の形成されたサセプタ８を選択することで、基板接触部１４の面積を調整する。
【００４９】
これにより、基板７の中央部付近からの熱伝導に対して、基板７面内の温度分布の均一性を向上させるように、基板７の外周部付近における基板支持部１２からの熱伝導を適度に調整することができ、基板７面内の温度分布をさらに向上させることができる。
【００５０】
図１０は、基板の面内平均温度に対する基板支持部近傍の温度差と、基板接触部の面積比とを示すグラフである。図１０の横軸には、基板７の面内平均温度と、基板接触部１４近傍における基板７の温度との温度差を示す。図１０の縦軸には、基板接触部１４の面積比を示す。当該面積比は、温度差が０℃となる面積を１００％とした場合である。基板７の温度差は、装置仕様（ヒータや反応炉の容積など）や、基板７およびサセプタ８の熱伝導率やサイズ、実際に使用する気相成長温度域によっても異なる。そのため、あらかじめ実験結果やシミュレーションの計算にて、基板７の温度差と基板接触部１４の面積比との相関を求めておき、それに基づき基板７の面内温度分布の均一性を向上させるように基板接触部１４の面積を決定する方法が望ましい。
【００５１】
図１０に示す関係に基づき、基板７の面内平均温度に対する基板接触部１４近傍の温度差の大小によって、基板接触部１４の面積を調整することができる。基板接触部１４近傍の温度が基板７の面内平均温度よりも低ければ基板接触部１４の面積比を大きくし、逆に高ければ基板接触部１４の面積比を小さくして調整することができる。たとえば、基板７の温度差が−１０℃であることがあらかじめ確認されたとき、基板接触部１４の面積を現状の１０３％にする（すなわち、基板接触部１４の面積を３％増加する）ことによって、基板７の面内温度分布の均一性を向上させることができる。またたとえば、基板７の温度差が＋２０℃であることがあらかじめ確認されたとき、基板接触部１４の面積を現状の９０％にする（すなわち、基板接触部１４の面積を１０％低減する）ことによって、基板７の面内温度分布の均一性を向上させることができる。
【００５２】
次に、実施の形態２の基板処理装置を使用して実施される基板処理方法について説明する。図１１は、基板処理方法を示す流れ図である。図１１に従って基板処理方法の各工程を説明する。
【００５３】
まず工程（Ｓ１０）において、円板形状の基板７を準備する。次に工程（Ｓ２０）において、基板７を処理する処理条件、具体的には装置仕様（ヒータや反応炉の容積など）や、基板７およびサセプタ８の熱伝導率やサイズ、実際に使用する気相成長温度域について確認する。次に工程（Ｓ３０）において、あらかじめ実験結果やシミュレーションの計算にて求められた基板７の温度差と基板接触部１４の面積比との相関に基づき、基板７の面内温度分布の均一性を向上させられる面積を有する基板接触部１４が形成された、サセプタ８を準備する。つまり、基板接触部１４の面積が異なるサセプタ８をあらかじめ複数個作製しておき、基板７の処理条件に基づいて、基板７の中央部付近への熱伝達量と基板支持部１２を介した熱伝導による外周部付近への熱伝達量とをバランスさせ、基板７の面内温度分布の均一性を向上させるために、最適なサセプタ８を選択する。
【００５４】
次に工程（Ｓ４０）において、前工程で準備したサセプタ８に基板７を載置する。具体的には、反応炉１の内部にサセプタ８を設置し、複数の基板接触部１４と基板７裏面との接触面積がそれぞれ略等しくなるように基板７を配置して、基板７をサセプタ８に搭載する。または、サセプタ８に基板７を搭載した状態で、サセプタ８を反応炉１の内部に設置してもよい。複数の基板接触部１４の各々と基板７裏面との接触面積がすべて等しくなることが最も好ましいが、それぞれの基板接触部１４から基板７への熱伝達量の均一性を向上させられるように基板７がサセプタ８に載置されていれば、基板接触部１４と基板７裏面との接触面積はすべて均一でなくても構わない。
【００５５】
次に工程（Ｓ５０）において、ヒータ９を加熱して、反応炉１内で基板７を加熱し、材料ガス源２から供給ライン３を通じて反応炉１内へ材料ガスを供給して、基板７の表面で気相成長によって成膜が行なわれる。その後工程（Ｓ６０）において、反応炉１が冷却され、反応炉１内の材料ガスが排出され、基板７が反応炉１から取り出される、後処理が行なわれる。
【００５６】
上記の基板処理方法では、基板７の面内温度分布の均一性を向上させられる面積を有する基板接触部１４が形成されたサセプタ８を使用する。そのため、基板７の面内温度分布の均一性を向上させ、その結果、図８（ｂ）で説明した通り、成膜後のＰＬ発光波長の分布の均一性をも向上させる。したがって、実施の形態２により作製された基板を用いたデバイスの信頼性、特性・品質の再現性を確保することができ、基板７の不良品率が低下することから製品の歩留まりを向上させることができる。
【００５７】
なお、これまでの説明は、あくまで本発明における実施例の一例を示したものであり、装置構成およびサセプタ本体、基板の大きさや形状などに限定されるものではない。たとえば、側面凸部１３の形状は、基板７の側面に対し点接触する形状であれば、円錐形状、角錐形状、球状、半球状などどのような形状でもよい。またこれまでの説明においては、ＭＯＣＶＤ装置を例として説明したが、本発明はＭＯＣＶＤ装置の他、半導体の製造に用いられる気相成長装置などの、基板を加熱し処理する装置であれば適用可能である。
【００５８】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】ＭＯＣＶＤ装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】サセプタ周辺の構成の詳細を示す平面模式図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に示すサセプタの断面図である。
【図４】側面凸部の配置を示す模式図である。
【図５】基板の面内の温度分布と、成膜後のＰＬ発光波長の分布の例を示すグラフである。
【図６】従来のＭＯＣＶＤ装置の構成における基板温度の面内分布と、成膜後のＰＬ発光波長の面内分布との例を示すグラフである。
【図７】加熱状態となった基板の熱伝導の様子を示す模式図である。
【図８】本発明のＭＯＣＶＤ装置の構成における基板面内の温度分布と、成膜後のＰＬ発光波長の面内分布との様子を示すグラフである。
【図９】実施の形態２のサセプタの特徴を示す模式図である。
【図１０】基板の面内平均温度に対する基板支持部近傍の温度差と、基板接触部の面積比とを示すグラフである。
【図１１】基板処理方法を示す流れ図である。
【図１２】従来のＭＯＣＶＤ装置の構成の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６０】
１，２１  反応炉、２，２２  材料ガス源、３，２３  供給ライン、４，２４  ガス排気部、５，２５  パージライン、６，２６  排ガス処理装置、７，２７  基板、８，２８  サセプタ、９，２９  ヒータ、１０，３０  シャワーヘッド、１１，３１  回転軸、１２  基板支持部、１３  側面凸部、１４  基板接触部。
【図１】
2009088088.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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