(57)【要約】【課題】ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの低下を抑制できる微細加工装置を提供することにある。【解決手段】微細加工装置は、パターンを含む原版１を被転写基板３に押し付け、前記パターンを被転写基板３に転写するためのものであり、被転写基板３と原版１との相対的な位置ずれを計測するための第１の計測手段７と、第１の計測手段７により計測された前記位置ずれに基づいて、前記パターンが被転写基板３の所定の位置に転写されるように、原版１と被転写基板３との相対的な位置を補正するための位置補正手段９と、位置補正手段９により原版１と被転写基板３との相対的な位置が補正された状態で、原版１を被転写基板３に押し付けるための押し付け手段と、被転写基板３に転写された前記パターンと、被転写基板３に予め形成されたパターンとの相対的な位置関係を計測するための第２の計測手段２０とを備えている。【選択図】      図１
2009088264.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを含む原版を被転写基板に押し付け、前記パターンを前記被転写基板に転写するための微細加工装置であって、
前記被転写基板と、前記被転写基板の上方に配置された前記原版との相対的な位置ずれを計測するための第１の計測手段と、
前記第１の計測手段により計測された前記位置ずれに基づいて、前記パターンが前記被転写基板の第１の所定の位置に転写されるように、前記原版と前記被転写基板との相対的な位置を補正するための位置補正手段と、
前記位置補正手段により前記原版と前記被転写基板との相対的な位置が補正された状態で、前記パターンを前記被転写基板に転写するために、前記被転写基板の上方に配置された前記原版を、前記被転写基板に押し付けるための押し付け手段と、
前記被転写基板に転写された前記パターンと、前記被転写基板に予め形成されたパターンとの相対的な位置関係を計測するための第２の計測手段と
を具備してなることを特徴とする微細加工装置。
【請求項２】
前記位置補正手段は、前記パターンを前記第１の所定の位置と同層の前記被転写基板の第２の所定の位置に転写する際に、前記第２の計測手段により計測された前記位置関係に基づいて、前記パターンが前記第２の所定の位置に転写されるように、前記原版と前記被転写基板との相対的な位置を補正することを特徴する請求項１に記載の微細加工装置。
【請求項３】
前記位置補正手段は、前記パターンよりも上層のパターンを前記被転写基板の第３の所定の位置に転写する際に、前記第２の計測手段により計測された前記位置関係に基づいて、前記上層のパターンが前記被転写基板の前記第３の所定の位置に転写されるように、前記原版と前記被転写基板との相対的な位置を補正することを特徴する請求項１に記載の微細加工装置。
【請求項４】
前記被転写基板内の前記転写されたパターンを含むチップの合否を、前記第２の計測手段により計測された前記位置関係に基づいて、判断する判断手段と、前記判断手段による判断の結果、前記チップが不良と判断された場合、前記不良と判断された前記チップの情報を保持する保持手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の微細加工装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の微細加工装置を用いて、パターンを含む原版を被転写基板に押し付けて、前記パターンを前記被転写基板に転写する工程と、
前記転写されたパターンをマスクにして前記被転写基板をエッチングする工程と
を含むことを特徴するデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、光素子、バイオ製品等のデバイスの製造に使用される、ナノインプリント技術を用いた微細加工装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程において、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成と、量産性とを両立させる技術として、被転写基板に原版の方を転写するナノインプリント技術が注目されている。
【０００３】
ナノインプリント技術の一つとして、光（ＵＶ）ナノインプリントがある。光ナノインプリントは、被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程と、被加工基板と原版とを位置合わせする工程（アライメント）と、光硬化性樹脂に原版を直接押し付ける工程（プレス）と、光照射により光硬化性樹脂を硬化する工程と、光硬化性樹脂から原版を離す工程（離型）と、被加工基板および光硬化性樹脂をリンスする工程と、被加工基板上の不要な光硬化性樹脂（残膜）を除去する工程とを含む。
【０００４】
被加工基板と原版との位置合わせ方法としては、図１３に示される方法が知られている（特許文献１）。図１３において、１００はウェハを示しており、このウェハ１００の表面上にはアライメントマーク１０１が形成されている。アライメントマーク１０１が覆われるように、ウェハ１００上にはレジスト膜１０２が形成されている。ウェハ１００の上方には、ある間隔を隔てて原版１０３が配置されている。ウェハ１００に対向する、原版１０３の面には、アライメントマーク１０４が形成されている。図示しないレーザー光源を用いてアライメントマーク１０４、アライメントマーク１０１にレーザー光１０５を照射し、その反射光１０６を受光装置１０７により検出し、反射光１０６の強度変化を観察することにより、マークの位置確認を行うことができる。
【０００５】
半導体デバイスの製造工程においては、転写したパターンと下地に形成されているパターンとの合わせずれを検査して、合わせずれ量がスペック値以内である場合には次の加工工程に進むが、合わせずれ量がスペック値をオーバーしている場合には転写パターンが形成されたレジスト層を剥離して、再度転写プロセスを経ることが一般的である。スペック値をオーバーした場合は、合わせずれ検査工程で計測された合わせずれ量を転写工程にフィードバックして、高精度の位置精度を確保することが行われている。
【０００６】
上記合わせずれ検査工程を行うためには、転写プロセス後に、ナノインプリント装置内からウェハを取り出し、この取り出したウェハを合わせずれ検査装置内に搬入する必要がある。このような装置間におけるウェハの移動は、デバイス製造におけるスループットを低下させる要因となっていた。
【特許文献１】特開２０００−３２３４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの低下を抑制できる微細加工装置およびデバイス製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る微細加工装置は、パターンを含む原版を被転写基板に押し付け、前記パターンを前記被転写基板に転写するための微細加工装置であって、前記被転写基板と、前記被転写基板の上方に配置された前記原版との相対的な位置ずれを計測するための第１の計測手段と、前記第１の計測手段により計測された前記位置ずれに基づいて、前記パターンが前記被転写基板の第１の所定の位置に転写されるように、前記原版と前記被転写基板との相対的な位置を補正するための位置補正手段と、前記位置補正手段により前記原版と前記被転写基板との相対的な位置が補正された状態で、前記パターンを前記被転写基板に転写するために、前記被転写基板の上方に配置された前記原版を、前記被転写基板に押し付けるための押し付け手段と、前記被転写基板に転写された前記パターンと、前記被転写基板に予め形成されたパターンとの相対的な位置関係を計測するための第２の計測手段とを具備してなることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るデバイス製造方法は、本発明に係る微細加工装置を用いて、パターンを含む原版を被転写基板に押し付けて、前記パターンを前記被転写基板に転写する工程と、前記転写されたパターンをマスクにして前記被転写基板をエッチングする工程とを含むことを特徴する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの低下を抑制できる微細加工装置およびデバイス製造方法を実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の微細加工装置を模式的に示す図である。
【００１３】
図１において、凹凸からなるパターン（転写パターン）を含む原版（モールド）１は、原版ステージ２に保持される。ここでは、原版１は、石英や蛍石など紫外線（ＵＶ光）を透過する材質で形成されている。上記転写パターンは、デバイスパターンに対応したパターンと、合わせずれ検査時に使用される合わせずれ検査マークに対応したパターンとを含む。原版ステージ２は原版１を装置基準に位置決めするように動くことができる。
【００１４】
転写パターンが転写される被転写基板３はチャック４に保持される。被転写基板３は、半導体基板等の基板と、この基板上に形成された下地パターンと、この下地パターン上に形成された被加工レイヤとを含み、パターン転写時には、さらに、被加工レイヤ上に形成された光硬化性樹脂を含む。被加工レイヤとしては、絶縁膜、金属膜（導電膜）または半導体膜があげられる。
【００１５】
実施形態の微細加工装置を用いて、光硬化性樹脂には転写パターンが転写されてなる被転写基板が形成される。さらに、この転写パターンが転写された光硬化性樹脂を現像して得られたパターン（レジストパターン）をマスクにして、被加工レイヤをエッチングすることにより、転写パターンが被加工レイヤに転写されてなる被転写基板が形成される。
【００１６】
チャック４は、試料ステージ５に固定されるようになっている。試料ステージ５は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸とそれら各軸まわりの合計６軸に駆動できることが好ましい。試料ステージ５はステージ定盤１３上に設置されている。
【００１７】
試料ステージ５上には基準マーク台６が固定されている。基準マーク台６上には装置の基準位置となる基準マーク（不図示）が設置されている。ここでは、上記基準マークは回折格子で構成されている。この基準マークは、アライメントセンサの校正および原版１の位置決め（姿勢制御・調整）に利用される。
【００１８】
原版１には、図示しない第１のアライメントマーク（原版アライメントマーク）が形成されている。被転写基板３に予め形成された下地パターンには、図示しない第２のアライメントマーク（下地アライメントマーク）が形成されている。下地アライメントマークおよび原版アライメントマークは、原版１と被転写基板３との相対的な位置ずれを計測するために使用される。ここでは、原版アライメントマークおよび下地アライメントマークは回折格子で構成されている。
【００１９】
上記基準マークに対する原版１の位置ずれ、および、原版１に対する被転写基板３の位置ずれは、アライメントセンサ７（第１の計測手段）により計測される。アライメントセンサ７は、アライメントステージ８上に固定されている。
【００２０】
上記基準マークに対する原版１の位置ずれは、上記基準マークおよび原版１を同時に検出可能な位置へ、試料ステージ５を図示しない移動機構により移動させ、上記基準マークおよび原版アライメントマークへ向けて図示しない光源により光を照射し、回折、反射してアライメントセンサ７に戻ってきた光の重心位置から位置ずれを計測することにより取得される。
【００２１】
一方、原版１に対する被転写基板３の位置ずれ（原版１と被転写基板３との相対的な位置ずれ）を計測するには、対向する原版アライメントマークおよび下地アライメントマークを同時に検出可能な位置へ、試料ステージ５を図示しない移動機構により移動させ、原版アライメントマークおよび下地アライメントマークへ向けて図示しない光源により光を照射し、回折、反射してアライメントセンサ７に戻ってきた光の重心位置から相対的な位置ずれを計測することにより取得される。
【００２２】
補正機構９（補正手段）は、原版１の位置（姿勢）を微調整する調整機構を有し、原版１の位置（姿勢）を微調整することにより、原版１と被転写基板３との相対的な位置を補正する。
【００２３】
原版１の転写パターンを被転写基板３に転写する際には、補正機構９により原版１と被転写基板３との相対的な位置が補正された状態で、加圧部１０（押し付け手段）により、被転写基板３の上方に配置された原版１を被転写基板３にプレスする。これにより、高精度のパターン転写が可能となる。
【００２４】
なお、図１では、アライメントセンサ７は左右の２組のみ図示されているが、好ましくは４組以上である。
【００２５】
ＵＶ光源１２は本体定盤（不図示）に固定されている。ＵＶ光源１２から出射した紫外線は、原版１を介して、被転写基板３上の転写位置へ塗布した感光性樹脂に照射されるようになっている。なお、図１では、ＵＶ光源１２は原版１の直上に設置されているが、この配置に限定されるものではない。
【００２６】
本実施形態の微細加工装置は、さらに、合わせずれ検査機構２０（第２の計測手段）を備えている。合わせずれ検査機構２０は、装置のベース１１に設置されている。合わせずれ検査機構２０は、被転写基板３の下地パターンに予め形成された合わせずれ検査マークと、被転写基板３上に塗布した感光性樹脂に転写された原版１の合わせずれ検査マークとの相対位置ずれ量を計測するためのものである。合わせずれ検査機構２０は、例えば、周知の光学式検査機構で構成される。
【００２７】
次に、図２のフローチャートを用いて、本実施形態の微細加工方法（パターン転写および転写後の合わせずれ検査方法）について説明する。
【００２８】
［ステップＳ１］
原版１の原版アライメントマークと上記基準マーク台６の基準マークとが対向する位置へ試料ステージ５を駆動し、アライメントセンサ７により、原版アライメントマークと上記基準マークとの位置ずれ（原版１と基準マーク台６との位置ずれ）を計測し、この計測された位置ずれに基づいて、図示しない原版ステージ駆動機構により原版ステージ２を動かし、原版１を装置の基準位置に位置決めする。以降は、原版１（原版アライメントマーク）の位置が装置基準となる。
【００２９】
［ステップＳ２］
アライメントセンサ７により、対向する下地アライメントマークと原版アライメントマークとの相対的な位置ずれ（被転写基板３と被転写基板３の上方に配置された原版１との相対的な位置ずれ）を計測する。このアライメント計測は、転写するショット位置ごとに行われる（ダイバイダイアライメント方式）。
【００３０】
［ステップＳ３］
上記計測された位置ずれに基づいて、補正機構９により原版１の位置（姿勢）を微調整し（補正し）、原版１の転写パターンが被転写基板３の所定の位置に転写されるように、原版１と被転写基板３との相対的な位置（原版１のプレス位置）を補正する。
【００３１】
一般には、対向する原版アライメントマークと下地アライメントマークとの対は複数あるので、各対についてその位置ずれをアライメントセンサ７により計測し（ステップＳ２）、これらの計測された位置ずれに基づいて、原版１のプレス位置を補正する（ステップＳ３）。
【００３２】
ここでは、原版ステージ２に設けられた補正機構９により、原版１の位置（姿勢）を微調整して（補正して）、原版１のプレス位置を補正したが、試料ステージ５に補正機構を設け、この補正機構により、試料ステージ５の位置を調整して、原版１のプレス位置を補正しても構わない。さらに、原版ステージ２および試料ステージ５にそれぞれ補正機構を設け、これらの補正機構により、原版１および試料ステージ５の位置を調整して、原版１のプレス位置を補正しも構わない。
【００３３】
［ステップＳ４］
原版１のプレス位置を補正した後、被転写基板３上の原版１をプレスする領域にのみ光硬化性樹脂を塗布する。
【００３４】
［ステップＳ５］
補正機構９により原版１のプレス位置が補正された状態で、加圧部１０により原版１を光硬化性樹脂にプレスし、さらに、ＵＶ光源１２よりＵＶ光を照射して、光硬化性樹脂を硬化させる。
【００３５】
［ステップＳ６］
硬化した光硬化性樹脂から原版１をリリースし（離型）、その後、必要ならば、原版１を洗浄（リンス）する。上記光硬化性樹脂には、デバイスパターンと、合わせずれ検査に使用されるアライメントマーク（合わせずれ検査マーク）とが転写される。このようにして一つのパターン転写が終了する。
【００３６】
ここで、硬化した光硬化性樹脂から原版１を容易にリリースするために、原版１に離型剤を予め塗ることも有効である。
【００３７】
［ステップＳ７］
ステップＳ２−Ｓ６を繰り返して、所望数だけのパターン転写が終了した後、転写パターンの合わせずれ検査を行う。合わせずれ検査は、合わせずれ検査機構２０を用いて行われる。そのため、合わせずれ検査機構２０の光軸直下に、合わせずれ検査マークが来るように、試料ステージ５を移動させる。
【００３８】
一般的な半導体装置製造工程の場合、合わせずれ検査は、光露光装置等の露光装置のチャンバ内で被転写基板上の感光性樹脂に対するパターン転写が全て完了した後、露光装置のチャンバ内から被転写基板を外に搬出し、その後、アルカリ現像液を用いて感光性樹脂が現像された被転写基板を、合わせずれ検査装置内に搬入して実施する。合わせずれ検査装置は、上記現像によって形成された転写パターンと、試料基板に予め形成された合わせずれ検査マークとの相対的な位置関係を、光学式検査装置で計測することによって、合わせずれ検査を行う。このように、合わせずれ検査の際には、露光装置内の被転写基板を合わせずれ検査装置内に移動する工程が必要となるので、デバイス製造におけるスループットは低下する。
【００３９】
しかしながら、本実施形態の場合、デバイスパターンとともに光硬化性樹脂に転写された合わせずれ検査マークを利用することにより、微細加工装置内で、合わせずれ検査機構２０による合わせずれ検査が可能となる。このように本実施形態によれば、パターン転写と合わせずれ検査とを同一の装置内で行うことができるので、デバイス製造におけるスループットの低下を抑制できるようになる。
【００４０】
図３に、合わせずれ検査マークの一例を示す。
【００４１】
半導体基板等の基板３１上には、デバイスパターン（不図示）を有する下層レイヤ３２が形成されている。下層レイヤ３２上には被加工レイヤ３３が形成されている。被加工レイヤ３３上には原版１によって転写された光硬化性樹脂からなるパターン（レジストパターン）３４が形成されている。下層レイヤ３２には合わせずれ検査マーク（アウターマーク）３５が形成されている。レジストパターン３４には合わせずれ検査マーク（インナーマーク）３６が形成されている。
【００４２】
図３（ａ）に示すように、合わせずれ検査マーク３５，３６は、Ｂａｒ−ｉｎ−Ｂａｒマークである。合わせずれ検査マーク３５は、被転写基板３に予め形成された下地パターンの位置を検出するためのものである。合わせずれ検査マーク３６は、被転写基板３上の光硬化性樹脂に転写されたパターン（レジストパターン）の位置を検出するためのものである。合わせずれ検査マーク３５，３６の重心の差分は、合わせずれ検査機構２０により検出する。
【００４３】
図３には、簡単のため、一つのＢａｒ−ｉｎ−Ｂａｒマークしか示されていないが、実際には、予め設定した複数のＢａｒ−ｉｎ−Ｂａｒマークに対して合わせずれ検査は行われる。
【００４４】
本実施形態では、Ｂａｒ−ｉｎ−Ｂａｒマークを用いているが、Ｂｏｘ−ｉｎ−Ｂｏｘマーク等の他の合わせずれマークを用いても構わず、または、アライメントマークを合わせずれ検査マークとして併用しても構わない。
【００４５】
合わせずれ検査を最初の原版プレス工程の直後に行う場合であれば、次以降の原版プレス工程に、上記合わせずれ検査の結果（合わせずれ誤差）をフィードバックすることができる。
【００４６】
例えば、ステップＳ１−Ｓ４の後、最初の原版プレス工程（ステップＳ６）が図４のチップ４１に対して行う場合、パターン転写の後、チップ４１のみ合わせずれ検査を行う。そして、上記合わせずれ検査により得られた合わせずれ誤差を補正機構９に与え、チップ４２以降の原版プレス位置にフィードバックする。これにより、原版がプレスされる位置の精度を向上させることができる。また、ウェハ（被転写基板）の全面にパターン転写せずとも合わせずれ検査を行うことができるため、スループットの向上を図れる。なお、図４において十字マークはウェハ（被転写基板）に形成されたアライメントマーク（下地アライメントマーク）を示している。
【００４７】
また、図２のステップＳ１，Ｓ２において、被転写基板上の所定の複数のアライメントマークを検出して、その検出結果に基づいて、被転写基板上の全ての原版プレス位置に対する平均的な位置補正量を算出し、この算出した平均的な位置補正量に基づいて、補正機構９により原版プレス位置を補正する方式（グローバルアライメント方式）を用いることによって、スループットのさらなる向上を図れる。
【００４８】
例えば、図４に示す複数の十字マーク（アライメントマーク）の位置を全て最初に検出し、その検出結果に基づいて、ウェハ（被転写基板）上の全ての原版プレス位置に対する平均的な位置補正量を算出し、この算出した平均的な位置補正量に基づいて、補正機構９により原版１の位置（姿勢）を微調整し（補正し）、チップ４１、チップ４２、チップ４３、…に対応する被転写基板上の複数の領域に、原版１を順次所定の位置にプレスしてパターン転写を行うことで、オーバーヘッド時間を短縮することができる。
【００４９】
グローバルアライメント方式の場合にも、合わせずれ検査工程を行う。最初にパターン転写したチップ４１を、パターン転写直後に合わせ検査することで、以降のパターン転写位置にフィードバック補正することができる。
【００５０】
また、例えば、図５に示すように、全パターン転写後の合わせずれ検査の結果、パターン転写位置がΔＬだけシフトし、合わせずれの誤差量が許容値を越えた場合、上記パターン転写以降に行われる上層のパターン転写を中止して、ウェハをアンロードし、感光性樹脂を剥離して、合わせずれ検査の結果をフィードバックしてリワークしても構わない。リワークの際には、図示しない制御装置内に予め補正値（ΔＬ）を入力してパターン転写を行えば、合わせずれの誤差量を許容値内に収めることができる。
【００５１】
本実施形態では、光硬化式のプレス式微細加工装置を用いて、原版と被転写基板とを接触させてパターン転写する微細加工装置および微細加工方法について説明した。しかしながら、光硬化式のプレス式微細加工装置以外の装置、例えば、熱硬化式のプレス式微細加工装置を用いた場合についても、同様の装置構成とすれば、ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの低下を抑制できる微細加工装置および微細加工方法を実現できる。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態では、被転写基板の下地パターンとその上の転写パターンとの合わせずれ検査を微細加工装置内で行うことが可能であるため、ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの低下を抑制できる。また、検出した合わせずれ量を用いて後のパターン転写位置を補正することにより、より高精度な位置精度をもって微細パターンの転写が可能となる。
【００５３】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態の微細加工装置を模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００５４】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、専用の合わせずれ検査機構を具備せず、アライメントセンサ７が合わせずれ検査機構を兼ねていることにある。
【００５５】
本実施形態の場合、図２に示したフローチャートのステップＳ７において、アライメントセンサ７を用いて合わせずれ検査は行われる。そのため、試料ステージ５を移動させて合わせずれ検査マークがアライメントセンサ７の光軸直下に来るようにする。
【００５６】
アライメントセンサ７は複数具備されているため、それらのいずれか一つを用いて合わせずれ検査を行うか、あるいは、複数のアライメントセンサ７で同時に合わせずれ検査を行う。後者の場合、複数のアライメントセンサ７に対応した複数の合わせずれ検査マークを作成する。上記のような合わせずれ検査を、予め設定した数の合わせずれ検査マークに対して行い、合わせ誤差を算出・解析する。
【００５７】
本実施形態によれば、アライメントセンサ７を合わせずれ検査にも用いることにより、原版１と被転写基板３との合わせずれ検査を微細加工装置内で容易に行うことが可能となるため、ナノインプリント技術を用いたデバイス製造におけるスループットの向上をさらに図れるようになる。また、第１の実施形態と同様に、検出した合わせずれ量を用いて後のパターン転写位置を補正することにより、より高精度な位置精度でもって微細パターンの転写が可能となる。さらに、アライメントセンサ７を合わせずれ検査にも用いることによって、装置コストを低減することが可能となる。そして、現有装置に大きな修正を加えることなく、より高精度な位置精度をもって微細パターンの転写が可能となる。
【００５８】
（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態の微細加工装置を模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００５９】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、被転写基板（ウェハ）に形成された半導体チップの良否判定を行うことにある。そのため、本実施形態の微細加工装置は、図２のステップＳ７で行われた検査の結果（転写パターンの合わせずれ量）に基づいて、半導体チップの良否判定を行うためのチップ良否判断部３０（判断手段）をさらに備えている。
【００６０】
図８は、本実施形態の微細加工方法を示すスローチャートである。
【００６１】
第１の実施形態と同様に、ステップＳ１からステップＳ７までが行われる。
【００６２】
［ステップＳ８］
ステップＳ７にて得られた転写パターンの合わせずれ量に基づいて、該転写パターンを含むチップの良否を判断する。例えば、転写パターンの合わせずれ量を、予め決められた合わせ検査基準に照らし合わせて、チップの良否を判断する。具体的には、転写パターンの合わせずれ量が予め決められた許容範囲内に収まっているか否かが判断される。この判断は、被転写基板（ウェハ）に形成された複数のチップに対して行われる。
【００６３】
［ステップＳ９］
ステップ８で行われた合否判断の結果、つまり、どのチップが不良であるかということ（ＮＧチップ）は、微細加工装置の制御システム（不図示）内に保持される。さらに、ステップＳ７の検査での結果（転写パターンの合わせずれ量）も、上記制御システム内に保持される。上記制御システム内に保持された情報（ＮＧチップ、転写パターンの合わせずれ量）は、生産情報管理システム（ＣＩＭ）に転送され、後の半導体製造工程に活用される。例えば、不良と判断されたチップに関して、以降の微細加工工程でパターン転写工程を省いたり、あるいは、ダミーパターンを描画することにより、スループットを向上することができる。
【００６４】
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態の微細加工方法を示すフローチャート図である。
【００６５】
本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、ステップＳ８の判断で不良と判断されたチップについては、感光性樹脂（レジストパターン）を剥離し、パターン転写を再度行うことにある。これは、例えば、ステップＳ８でＮＧと判断された場合、その判断結果（ＮＧ）を生産情報管理システム（ＣＩＭ）に転送し、生産情報管理システム（ＣＩＭ）から微細加工装置の制御システムに、感光性樹脂（レジストパターン）を剥離する命令およびパターン転写を再度行う命令を送ることで実施できる。
【００６６】
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態の微細加工方法を示すスローチャートである。
【００６７】
本実施形態が第３の実施形態と異なる点は、ステップＳ８の判断で不良と判断されたチップを再検査することにある。
【００６８】
［ステップＳ１１］
ステップＳ８での判断がＮＧの場合、計測箇所（計測位置、計測点数）を再設定する。このとき、ステップＳ７での検査よりも詳細な検査が行えるように、計測箇所計測箇所は設定される。
【００６９】
［ステップＳ１２］
再設定された計測箇所に従って、合わせずれ検査が詳細に行われる。
【００７０】
［ステップＳ１３］
ステップＳ８の場合と同様に、ステップＳ１２にて得られた転写パターンの合わせずれ量に基づいて、該転写パターンを含むチップの良否を判断する。
【００７１】
［ステップＳ１４］
ステップＳ１３の判断結果、つまり、どのチップが良であるかということ（ＯＫチップ）は、上記制御システム内に保持され、さらに、上記制御システム内に保持された情報（ＯＫチップ）は、ステップＳ１３生産情報管理システム（ＣＩＭ）に転送され、後の半導体製造工程に活用される。
【００７２】
［ステップＳ１５］
一方、ステップＳ１３でＮＧと判断されたチップについては、感光性樹脂（レジストパターン）を剥離し、パターン転写を再度行う。
【００７３】
本実施形態の合わせ検査は、図１１に示すようなサンプリング点数の性質に基づくものである。すなわち、サンプリング数を増やすことによって、ランダム誤差分の数値が打ち消しあって、統計上、ランダム誤差分の数値が低減するという性質を用いて、予め定めた再サンプリング数およびそれに対する合わせずれ許容値によって合わせ検査結果を判定することができる。
【００７４】
図１０に示した方法の別の合わせ検査情報の活用方法としては、ステップＳ８での判断がＮＧの場合において、ステップＳ１１で計測箇所を再設定する際、全チップの合わせずれ検査をステップＳ１２において実施するように設定することがあげられる。
【００７５】
この場合、ステップＳ１３の全チップ検査の結果を用いて、ＮＧチップのマップを作成し、その後、生産情報管理システム（ＣＩＭ）にそのマップを転送することで、ＮＧチップの情報を次工程以降の製造工程で管理・利用する。
【００７６】
これにより、例えば、ＮＧチップが若干存在する場合でも、半導体素子の製造自身は続けて行う方がＴＡＴ（Turn Around Time）を向上することができる時には、半導体素子の製造における製品ごとの優先項目を考慮した、最適の製造方法をとることができる。
【００７７】
また、何らかの要因でウェハ外周部のチップのみが合わせずれ検査がＮＧの場合でも、ＴＡＴ優先で少数チップ取得を目的とした製品の場合は、剥離・再転写するのではなく、ウェハ外周部のチップを製品として取得しないように情報管理して、ウェハ中心付近の必要チップを取得するようにすれば良い。
【００７８】
（第６の実施形態）
図１２は、第６の実施形態の微細加工方法を示すスローチャートである。
【００７９】
本実施形態が第４の実施形態と異なる点は、ステップＳ１３での判断がＮＧの場合、上層レイヤの描画時の情報として活用できる情報（ＮＧチップ情報マップ）を作成することにある（ステップＳ１６）。
【００８０】
上記ＮＧチップ情報マップは、合わせずれ検査の結果とともに、生産情報管理システム（ＣＩＭ）に転送される。これにより、上層レイヤの描画時に、例えば、合わせずれがＮＧと判断されたチップに属しているアライメントマークが用いられないように、前転写工程でのＮＧチップ情報マップを用いて露光レシピのパラメータ設定に制限をかけることができる。このような制限をかけることにより、事前に合わせずれ検査の結果がＮＧとなる危険性を回避することが可能となり、剥離・再転写（リワーク）によるＴＡＴ低下のリスクを小さくすることができる。
【００８１】
以上述べた実施形態の微細加工装置および微細加工方法の対象となるデバイスは、例えば、ＣＭＯＳロジックを構成するＭＯＳトランジスタ等の半導体デバイス、マイクロレンズアレイ等の光素子、ＤＮＡチップ等のバイオ製品を構成するＳｉウェハ上に形成されるデバイスである。
【００８２】
また、実施形態のデバイス製造方法は、以上述べた実施形態の微細加工装置のいずれかを用いて、パターンを含む原版を被転写基板に押し付けて、前記パターンを前記被転写基板に転写する工程と、前記転写されたパターンをマスクにして前記被転写基板をエッチングする工程とを含む。これにより、例えば、ＣＭＯＳロジックを構成するＭＯＳトランジスタ等の半導体デバイス、マイクロレンズアレイ等の光素子、ＤＮＡチップ等のバイオ製品を構成するＳｉウェハ上に形成されるデバイスを製造することができるようになる。
【００８３】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００８４】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】第１の実施形態の微細加工装置を模式的に示す図。
【図２】第１の実施形態の微細加工方法を示すフローチャート。
【図３】合わせずれ検査マークの一例を示す図。
【図４】合わせずれ検査を最初の原版プレス工程の直後に行う場合、次以降の原版プレス工程に、上記合わせずれ検査の結果をフィードバックする方法を説明するための図。
【図５】全パターン転写後の合わせずれ検査の結果、パターン転写位置がΔＬだけシフトしている様子を示す図。
【図６】第２の実施形態の微細加工装置を模式的に示す図。
【図７】第３の実施形態の微細加工装置を模式的に示す図。
【図８】第３の実施形態の微細加工方法を示すスローチャート。
【図９】第４の実施形態の微細加工方法を示すフローチャート図。
【図１０】第５の実施形態の微細加工方法を示すスローチャート。
【図１１】サンプリング数とランダム誤差との関係を示す図。
【図１２】第６の実施形態の微細加工方法を示すスローチャート。
【図１３】従来の被加工基板と原版との位置合わせ方法を説明するための図。
【符号の説明】
【００８６】
１…原版、２…原版ステージ、３…被転写基板、４…チャック、５…試料ステージ、６…基準マーク台、７…アライメントセンサ（第１の計測手段）、８…アライメントステージ、９…補正機構（補正手段）、１０…加圧部（押し付け手段）、１１…ベース、１２…ＵＶ光源、１３…ステージ定盤、２０…合わせずれ検査機構（第２の計測手段）、３０…チップ良否判断部（判断手段）、３１…基板、３２…下層レイヤ、３３…被加工レイヤ、３４…レジストパターン、３５…合わせずれ検査マーク（アウターマーク）、３６…合わせずれ検査マーク（インナーマーク）、４１，４２，４３…チップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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