(57)【要約】      （修正有）【課題】内部導体の厚みの増加や総数の増加を可能にし、その場合においてもデラミネーションの問題が生じ難いセラミック基板の製造方法を提供する。【解決手段】複数の支持体１上に導体層２を形成する形成工程と、各支持体１上に、導体層２を覆うように、セラミックスラリー３ａをそれぞれ塗布する塗布工程と、セラミックスラリー３ａの表面の高さを導体層上よりも支持体上において高くする高さ調整工程と、セラミックスラリー３ａを乾燥させてセラミックグリーンシートを形成する乾燥工程と、支持体１とセラミックグリーンシートとの積層体から支持体１を剥離する剥離工程と、支持体が剥離された複数のセラミックグリーンシートを積層する積層工程と、積層されたセラミックグリーンシートを焼成する焼成工程とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の支持体上に導体層を形成する形成工程と、
前記各支持体上に、前記導体層を覆うように、セラミックスラリーをそれぞれ塗布する塗布工程と、
前記支持体上のセラミックスラリーの表面の高さを前記導体層上のセラミックスラリーの表面の高さよりも高くする高さ調整工程と、
前記セラミックスラリーを乾燥させてセラミックグリーンシートを形成する乾燥工程と、
前記支持体と前記セラミックグリーンシートとの積層体から前記支持体を剥離する剥離工程と、
前記支持体が剥離された複数の前記セラミックグリーンシートを積層する積層工程と、
前記積層されたセラミックグリーンシートを焼成する焼成工程と
を有するセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
前記塗布工程と前記高さ調整工程とを同時に行う請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項３】
前記セラミックスラリーは磁性を有し、
前記高さ調整工程において、前記セラミックスラリーに磁場を作用させることにより、前記支持体上のセラミックスラリーの表面の高さを前記導体層上のセラミックスラリーの表面の高さよりも高くする請求項１または請求項２に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記高さ調整工程の前に、前記支持体に関して前記導体層と反対側であって、前記支持体を介して前記導体層に対向する領域以外の領域に磁石を配置する配置工程を有する請求項３に記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項５】
前記高さ調整工程の前に、前記セラミックスラリーの上方であって、前記セラミックスラリーを挟んで前記導体層に対向する領域以外の領域に磁石を配置する配置工程を有する請求項３に記載のセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック配線基板のようなセラミック基板の製造方法に関するものであり、特に、導体層が表面に形成された支持体上にセラミックスラリーを塗布する工程を有するセラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、この電子機器に用いられる積層チップインダクタや積層セラミック配線基板のようなセラミック基板からなる電子部品においても小型化及び高性能化が望まれている。
【０００３】
例えば、積層チップインダクタにおいては小型化のためにより薄い磁性体層が求められ、巻き回数を増やすことで大きなインダクタンスを得られることから、より多層化が求められている。
【０００４】
このような電子部品は、セラミック粉末に有機バインダー、可塑剤および溶剤等を加えてスラリーとし、ドクターブレード等によりセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を成形した後、金属粉末を含有する導体ペーストを印刷するなどしてグリーンシート上に導体パターン層を形成し、次に複数枚の導体パターン層が形成されたグリーンシートを積層して加圧することにより積層体を得た後、この積層体を焼成することにより得られる。
【０００５】
ところが、電子部品に対する前述の要求に対応して導体パターン層が形成されたグリーンシートの積層数を多くすると、導体パターン層が形成された領域が重なる部分と他の部分ではその厚み差が大きくなる。このため、積層されたグリーンシートを厚み方向に加圧した場合、導体パターン層が形成された領域が重なる部分においては加圧力が十分に加わるものの、そうでない部分において加圧力が十分に加わりにくくなるので、不十分な圧着となりやすい。
【０００６】
そして、そのように不十分な圧着により形成された積層体を焼成すると、圧着が不十分な部分でデラミネーション（層間剥離）が発生する可能性があった。
【０００７】
また、上記積層体において、重要な電気特性である直流抵抗値の低減のためには、導体パターンの厚みを厚くする必要がある。しかしながら、厚みの厚い導体パターン層を形成した場合において上記デラミネーションは一層生じ易くなるという問題があった。
【０００８】
これらの問題に対して、特許文献１に記載されているような、導体層が表面に形成された支持体上にセラミックスラリーを塗布し、乾燥後支持体を剥離することにより平坦な導体層付きセラミックグリーンシートを形成する製法が提案されている。
【０００９】
この製法によれば、導体層がグリーンシートに埋没しているので導体層が形成されたグリーンシートの表面が平坦になることから、グリーンシートを積層した場合に導体層が形成された領域とそうでない部分で厚み差がなくなり、グリーンシートを積層する際に不均一な加圧力によりデラミネーションが発生することを抑制することができる。
【特許文献１】特開平９−２８３３６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載されているような、導体層が表面に形成された支持体上にセラミックスラリーを塗布する場合においても、導体層が厚くなると、場所によるスラリーの厚みの差が大きくなり、スラリーから溶剤が揮発する際の乾燥収縮の影響が大きくなることから、導体層上のスラリーと導体層が形成されていない領域上のスラリーとの間で乾燥収縮量に差が発生し、平坦な導体層付きセラミックグリーンシートを形成できずに厚み差が残り、上記デラミネーションが発生する問題があった。
【００１１】
また、セラミックスラリーが薄く塗布された場合においては、支持体及び導体層の表面張力により塗布直後から厚み差が残る問題があった。
【００１２】
本発明は、上記の問題点を解決するために完成されたものであり、内部導体層の厚みの増加やグリーンシートの積層数の増加を可能にし、その場合においてもデラミネーションの問題が生じ難いセラミック基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のセラミック基板の製造方法は、複数の支持体上に導体層を形成する形成工程と、前記の各支持体上に、前記の導体層を覆うように、セラミックスラリーをそれぞれ塗布する塗布工程と、前記の支持体上のセラミックスラリーの表面の高さを前記の導体層上のセラミックスラリーの表面の高さよりも高くする高さ調整工程と、前記のセラミックスラリーを乾燥させてセラミックグリーンシートを形成する乾燥工程と、前記の支持体と前記のセラミックグリーンシートとの積層体から前記の支持体を剥離する剥離工程と、前記の支持体が剥離された複数の前記のセラミックグリーンシートを積層する積層工程と、前記の積層されたセラミックグリーンシートを焼成する焼成工程とを有する。以下、このセラミックグリーンシートの製造方法を、「第１の製造方法」という。
【００１４】
好ましくは、上記第１の製造方法において、前記の塗布工程と前記に高さ調整工程とを同時に行う。以下、このセラミックグリーンシートの製造方法を、「第２の製造方法」という。
【００１５】
好ましくは、上記第１又は第２の製造方法において、前記のセラミックスラリーは磁性を有し、前記の高さ調整工程において、前記のセラミックスラリーに磁場を作用させることにより、前記の支持体上のセラミックスラリーの表面の高さを前記の導体層上のセラミックスラリーの表面の高さよりも高くする。以下、このセラミックグリーンシートの製造方法を、「第３の製造方法」という。
【００１６】
好ましくは、上記第１乃至第３のいずれかの製造方法は、前記の高さ調整工程の前に、前記の支持体に関して前記の導体層と反対側であって、前記の支持体を介して前記の導体層に対向する領域以外の領域に磁石を配置する配置工程を有する。以下、このセラミックグリーンシートの製造方法を、「第４の製造方法」という。
【００１７】
好ましくは、上記第１乃至第３のいずれかの製造方法は、前記の高さ調整工程の前に、前記のセラミックスラリーの上方であって、前記のセラミックスラリーを挟んで前記の導体層に対向する領域以外の領域に磁石を配置する配置工程を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のセラミック基板の製造方法によれば、内部導体層の厚みの増加やグリーンシートの積層数の増加を可能にし、その場合においてもデラミネーションの問題が生じ難いセラミック基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施の形態によるセラミック基板の製造方法の一例を示す図である。図１において、１は支持体、２ａは導体ペースト、２は導体ペースト２ａが乾燥することにより形成される導体層、３ａは磁性を有するセラミックスラリー、３はセラミックスラリー３ａが乾燥することにより形成されるセラミックグリーンシート、４はセラミックグリーンシート３が積層してなるセラミックグリーンシート積層体である。
【００２１】
まず、図１（ａ）に示すように、支持体１上に導体ペースト２ａを塗布して乾燥させることにより導体層２を形成する。
【００２２】
支持体１は、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリイミド系、又は塩化ビニル系等の有機樹脂からなるフィルム状のものである。
【００２３】
支持体１の表面には、導体層２および後に形成されるセラミックグリーンシート３（以下、まとめて「導体層付きセラミックグリーンシート」という。）の剥離性を考慮して、離型剤若しくは帯電防止剤などの表面処理層を形成しておくことが好ましい。特に、支持体１からの剥離時に導体層付きセラミックグリーンシートが伸び等の変形をしてしまうことを抑えるためには、支持体１の表面に離型剤の表面処理層が形成されていることがより好ましい。
【００２４】
離型剤の種類としては、大別してシリコーン系、フッ素系、長鎖アルキル基含有系、アルキッド樹脂系、若しくはポリオレフィン樹脂系などを用いることができる。特に、耐熱性、剥離性及びコストの観点から、シリコーン系がより望ましい。
【００２５】
導体ペースト２ａは、金属導体粉末に有機バインダー、有機溶剤、および必要に応じて分散剤等を加えて、ボールミル、三本ロールミル、若しくはプラネタリーミキサー等の混練手段によって混合および混練することにより作製される。
【００２６】
金属導体粉末は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），銀−鉛（Ａｇ−Ｐｄ）合金および銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）合金が挙げられるが、その中でも磁性体が焼成される温度で焼結する金属の粉末である、Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ａｌ，Ａｇ−Ｐｄ合金およびＡｇ−Ｐｔ合金がより好ましい。
【００２７】
導体ペースト２ａの有機バインダーは、従来導体ペーストに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，若しくはセルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。有機バインダーの選定に当たっては、焼成工程での分解、揮発性を考慮すると、アクリル系、アルキド系の有機バインダーがより好ましい。
【００２８】
導体ペースト２ａの有機溶剤は、導体粉末と有機バインダーとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート若しくはフタル酸等などが使用可能である。
【００２９】
例えば、導体ペースト２ａは、金属導体粉末原料１００質量部に対して有機バインダーを３〜１５質量部、有機溶剤を１０〜３０質量部加えて混練することにより形成される。この場合、導体ペースト２ａを印刷することにより表層配線導体を形成することができる。また、金属ペースト２ａは、表層配線導体を形成した後に滲みが発生しない程度の粘度、具体低には１００００〜２００００ｃｐｓ程度の粘度にすることが望ましい。
【００３０】
支持体１の表面に導体ペースト２ａを印刷する方法は、特に制限されるものではなく、従来周知のスクリーン印刷法若しくはグラビア印刷法等が使用可能である。
【００３１】
次に、図１（ｂ）のように、導体層２の形成された支持体１上に磁性を有するセラミックスラリー３ａを塗布することにより導体層付きセラミックグリーンシートを形成する。
【００３２】
磁性を有するセラミックスラリーの粉末としては、強磁性フェライトであるＮｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、若しくはＮｉ−Ｃｏ系フェライト等の粉末があるが、Ｘ−Ｆｅ２Ｏ４（ＸはＣｕ，Ｎｉ，Ｚｎ）として示される逆スピネル構造の固溶体であるＮｉ−Ｚｎ系フェライトが高周波帯域で十分に高い透磁率を得るのに好ましく、特にその組成比は焼結体としてＦｅ２Ｏ３を６３〜７３質量％、ＣｕＯを５〜１０質量％、ＮｉＯを５〜１２質量％、ＺｎＯを１０〜２３質量％とすると、１０００℃以下の低温で焼結密度５．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度焼成が可能であり、かつ、高周波帯域で十分に高い透磁率を得ることができるので好ましい。
【００３３】
ここで、Ｆｅ２Ｏ３は、フェライトの基幹成分であり、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに６３質量％以上含まれている場合、十分な透磁率を得ることができる。他方、７３質量％以下の場合は、焼結密度を十分保持することができるので機械的強度が低下することをより効果的に抑制することができる。
【００３４】
ＣｕＯは、焼結温度の低温化のために重要な成分であり、ＣｕＯが低温で液層を形成することにより焼結を促進させる効果を用いて、磁気特性を損なわずに８００〜１０００℃の低温で焼成することができる。このＣｕＯが、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに５質量％以上含まれている場合、導体ペースト２ａと同時に低温度域で焼成を行う場合に十分な焼結密度を得ることができ、機械強度が低下することをより効果的に抑制することができる。また、１０質量％以下の場合、磁気特性の低いＣｕＦｅ２Ｏ４の割合が多くなることによる磁気特性の損失をより効果的に抑制することができる。
【００３５】
ＮｉＯは、セラミックグリーンシートを焼成してなる磁性体層の高周波域における透磁率を確保するために含有させる。ＮｉＦｅ２Ｏ４は高周波域まで共振による透磁率の減衰を起さず、高周波域での透磁率を比較的高い値に維持することができるが、初期透磁率は低い特徴をもつ。ここで、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトに５質量％以上含まれている場合、１０ＭＨｚ乃至それ以上の高周波域での透磁率が低下することをより効果的に抑制することができる。また、１２質量％以下である場合、ＮｉＦｅ２Ｏ４の割合が多くなりすぎて初期透磁率が低下することをより効果的に抑制することができる。
【００３６】
ＺｎＯは、セラミックグリーンシートを焼成してなる磁性体層の透磁率向上のために重要な成分であり、フェライト主成分に１０質量％以上含まれていると、透磁率が低くなることをより効果的に抑制ことができ、逆に２３質量以下であると、磁気特性を良好に保持することができる。
【００３７】
強磁性フェライト粉末は、Ｆｅ２Ｏ３とＣｕＯ，ＺｎＯ，またはＮｉＯとを予め仮焼することにより作製されたフェライト粉末であり、平均粒径が０．１μｍ〜０．９μｍの範囲で均一であり、粒形状は球形状に近いものが望ましい。
【００３８】
これは、平均粒径が０．１μｍ以上であると、セラミックグリーンシートの製作においてフェライト粉末の均一な分散が容易であり、平均粒径が０．９μｍ以下であるとセラミックグリーンシートの焼結温度が高くなることをより効果的に抑制することができるからである。
【００３９】
また、粒径が均一で球状に近いことにより、均一な焼結状態を得ることができる。例えばフェライト粉末で部分的に小さい粒径が存在した場合は、その部分のみ結晶粒の成長が低下し、焼結後に得られる磁性体層の透磁率が安定しにくい傾向がある。
【００４０】
セラミックグリーンシートの有機バインダーは、従来より使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体，具体的にはアクリル酸エステル共重合体，メタクリル酸エステル共重合体，アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等），ポリビニルブチラ−ル系，ポリビニルアルコール系，アクリル−スチレン系，ポリプロピレンカーボネート系，又はセルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。特に、焼成工程での分解、および揮発性を考慮すると、アクリル系バインダーがより好ましい。
【００４１】
セラミックスラリー３ａの有機溶剤は、フェライト粉末と有機バインダーとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、トルエン，ケトン類，若しくはアルコール類の有機溶媒や水等が挙げられる。
【００４２】
これらの中で、トルエン，メチルエチルケトン，およびイソプロピルアルコール等の蒸発係数の高い溶剤はスラリー塗布後の乾燥工程が短時間で実施できるのでより好ましい。
【００４３】
フェライトグリーンシート３を作製するためのスラリーは、フェライト組成粉末１００質量部に対して有機バインダーを５〜２０質量部、有機溶剤を１５〜５０質量部加え、ボールミル等の混合手段により混合することにより３〜１００ｃｐｓの粘度となるように調製される。
【００４４】
磁性を有するセラミックスラリーの塗布工法としては、ドクターブレード法，リップコーター法，若しくはダイコーター法等において塗布される。特にダイコーター法やスロットコーター法、若しくはカーテンコーター法等の押し出し式の方法を用いると、これらは非接触式の塗布方法であるため、導体層２を物理的な力で混合させてしまうことなく導体層付きセラミックグリーンシートを形成することができるのでより好ましい。
【００４５】
図２は、本実施の形態によるセラミック基板の製造方法において、セラミックスラリー３ａに磁場を作用させることによりセラミックスラリー３ａの表面の高さを調整する高さ調整工程を示す図である。
【００４６】
この工程では、図２（ａ）に示されるように、磁性を有するセラミックスラリー３ａに対して磁場による引力を作用させることにより、磁性を有するセラミックスラリー３ａを移動させ、導体層２が形成されていない部分、すなわち支持体１上のセラミックスラリーの表面の高さを導体層２上のセラミックスラリーの表面の高さに比べて高くする。このようにすれば、セラミックスラリー３ａが乾燥収縮する際において、支持体３上の表面が高く形成された部分が導体層２上に比べ、厚み方向に大きく収縮することから、図２（ｂ）に示されるような平坦な導体付セラミックグリーンシートを得ることができる。
【００４７】
この工程において、図２（ａ）に示すように、導体層２上のセラミックスラリーの表面高さと導体層２が形成されていない支持体１上のセラミックスラリーの表面高さとの差である厚み量ｄ１は、導体層厚みｄ２とセラミックスラリーが乾燥する際に収縮する比率αとを用いて示される式 ｄ２×（１−α）÷αにより計算される。これは、導体層２上のスラリー厚みｄ３の乾燥後寸法α×ｄ３と支持体１上のスラリーの乾燥後の厚みα×（ｄ１＋ｄ２+ｄ３）が等しくなることから求められる。ここで、乾燥収縮率αは、乾燥後のグリーンシートの厚み÷乾燥前のセラミックスラリーの厚みで計算され、スラリー中の固形分率、すなわち、スラリー中の粉末およびバインダーの含有比率とほぼ等しい値となる。
【００４８】
磁場を形成する方法としては、図２（ａ）のように、支持体１に関して導体層２と反対側であって、支持体１を介して導体層２に対向する領域以外の領域に、磁石５を配置すればよい。このようにすれば、導体層２が形成されていない部分が導体層２が形成された部分よりも表面の位置が高いセラミックスラリー３ａを形成することができる。
【００４９】
なお、磁場の形成方法としては、永久磁石を用いた場合及びコイル等の電磁石を用いた場合のいずれの場合においても形成することができる。
【００５０】
また、磁場を有効に形成することがでるのであれば、セラミックスラリー３ａの上方であって、セラミックスラリー３ａを挟んで導体層２ａに対向する領域以外の領域に磁石５を配置してもよい。
【００５１】
また、セラミックスラリー３ａに対して磁場を作用させる時期は、セラミックスラリー３ａを塗布するのと同時であっても、セラミックスラリー３ａを完全に塗布した後であってもよい。
【００５２】
支持体１上に塗布したセラミックスラリー３ａの乾燥は、従来より用いられている温風乾燥機や遠赤外線乾燥機等のような輻射熱や伝熱を利用するものの他、溶剤の蒸気圧を低下させ揮発させる真空乾燥機等の乾燥機を用いることにより行なわれてもよい。
【００５３】
なお、セラミックグリーンシートには３には、必要に応じて上下の層間の導体層２同士を接続するためのビアホール導体やスルーホール導体等の貫通導体を形成してもよい。これら貫通導体は、金型によるパンチング加工やレーザ加工等により導体層付きセラミックグリーンシートに貫通孔を形成した後に、貫通導体用導体ペーストを印刷やプレス充填等の埋め込み手段によって形成してよい。
【００５４】
導体層付きセラミックグリーンシートに貫通穴を加工する際、導体層付きセラミックグリーンシートを支持体１から剥がして行なってもよいが、支持体１上に保持したまま行なうと導体層付きセラミックグリーンシートの変形を防止できるのでより好ましい。
【００５５】
また、貫通導体用導体ペーストは、導体ペースト２ａと同様にして作製され、溶剤や有機バインダーの量により１５０００ｃｐｓ乃至４００００ｃｐｓ程度に調整される。
【００５６】
なお、貫通導体用導体ペーストの焼結挙動の調整のために、金属導体粉末にガラスやセラミックスの粉末を加えた無機成分としてもよい。無機成分１００質量部に対して有機バインダーの量は３〜１５質量部の範囲が好ましい。３重量部以上では、ペースト状に調整することが容易となり、１５質量部未満では、ペースト中の有機成分の量が適度であるため、焼結後の導体が多孔性となるか過剰に収縮することにより貫通導体内部や貫通導体と貫通孔内壁の間に空隙が生じることを効果的に抑制することができる。
【００５７】
次に、図１（ｃ）に示すように、導体層付きセラミックグリーンシート同士を位置合わせして積み重ね、圧着することによりセラミックグリーンシート積層体４を作製する。
【００５８】
積層する方法は、積み重ねた導体層付きセラミックグリーンシートに熱と圧力を加えて熱圧着する方法や、有機バインダー，可塑剤，溶剤等からなる密着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用可能である。
【００５９】
積層の際の加熱加圧の条件は用いる有機バインダー等の種類や量により異なるが、概ね３０〜１００℃、２〜２０ＭＰａである。
【００６０】
この積層体１２を大気中または加湿窒素雰囲気中にて、４００〜６００℃の温度で脱バインダーした後、８００〜１０００℃の温度で焼成することにより配線基板が得られる。
【００６１】
なお、半導体チップやチップ部品を搭載するための搭載用電極やコイル内蔵基板を外部配線基板に接続するための電極パッドのような、導体ペースト２を焼成してなる表層配線導体には、半田等による半導体チップやチップ部品との接合を強固なものにするために、その表面にニッケル層および金層をメッキ法等により順次被着するとよい。
【００６２】
以上のような方法で作製されたセラミック基板は、その内部にデラミネーションを有さず従来品に比べ多層でかつ導体層の厚みを厚く形成できるため、電子部品として要求される電気特性の高いものが得られる。
【実施例】
【００６３】
以下、実施例を挙げて本発明の配線基板の製造方法を詳細に説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
【００６４】
まず、ＰＥＴより成るフィルム状の支持体１上に、内部配線導体用ペースト２をスクリーン印刷法によって８０μｍの厚みに塗布し、７０℃で３０分乾燥して配線導体２を形成した。ここで、内部導体層は８０μｍ以上であり、一般的な厚みである３０μｍを大きく上回っているため、本実施例における配線基板において内部導体層は厚いといえる。
【００６５】
配線導体用ペーストとしては、Ａｇ粉末１００質量部に、アクリル樹脂１０質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール１質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００６６】
次に、磁性を有するセラミックスラリー３ａを塗布する工程において、支持体１を挟んで導体ペースト２ａに対向する領域以外の領域に磁石５を設置した。磁石５の配置は支持体１を吸引保持するポーラステーブルに孔を開け埋め込むことにより形成した。
【００６７】
続いて磁性を有するセラミックスラリー３ａを塗布することにより、導体層上に１００μｍの厚みとなるよう形成した。磁性を有するセラミックスラリー３ａはＦｅ２Ｏ３粉末７００ｇと、ＣｕＯ粉末６０ｇと、ＮｉＯ粉末６０ｇと、ＺｎＯ粉末１８０ｇとを用いて４０００ｃｍ３の純水とともにジルコニアボールを使用した７０００ｃｍ３のボールミルにて２４時間かけて混合した後、乾燥した混合粉末をジルコニアるつぼに入れて大気中７３０℃で１時間加熱することにより強磁性フェライト仮焼粉末を作製した後、作製した強磁性フェライト仮焼粉末１００質量部に対し、バインダーとしてブチラール樹脂を１０質量部、有機溶剤としてＩＰＡを４５質量部添加し、ボールミル法により混合し準備した。
【００６８】
塗布後、磁場中で1分間放置することによりセラミックスラリー３ａを移動させ、支持体１上のセラミックスラリーの表面を導体層２上のセラミックスラリーの表面より高くした。そして、スラリーの流動性がなくなるまで乾燥した後、７０℃で３０分乾燥させることにより有機溶剤を揮発させて導体付グリーンシートを形成した。
【００６９】
次に、導体付グリーンシートの厚みを測定した結果、導体層２の厚みおよびその導体層２上のグリーンシートの厚みの和と、支持体１上のグリーンシートの厚みとの差は１μｍ以下であることが確認された。
【００７０】
磁場をかけない状態において、導体層２の厚みおよびその導体層２上のグリーンシートの厚みの和と、支持体１上のグリーンシートの厚みとの差は４０μm以上あり、本実施例の製造方法を用いて作製された導体層付グリーンシートの平坦性が向上していることが明らかになった。
【００７１】
次に上記導体付セラミックグリーンシー３に、金型による打ち抜き加工によって、直径１５０μｍの貫通孔を形成した。
【００７２】
上記貫通孔に、貫通導体用ペーストをスクリーン印刷法によって充填し、７０℃で３０分乾燥して貫通導体となる貫通導体組成物を形成した。貫通導体用ペーストとしては、Ａｇ粉末１００質量部と、焼結助剤としてのガラス粉末１０質量部に、アクリル樹脂１２質量部と有機溶剤としてのα−テルピネオール２質量部とを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後に３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００７３】
次に、導体付きグリーンシートを積み重ねて、２ＭＰａの圧力と５０℃の温度で加熱圧着して積層体４を作製した。
【００７４】
次に、この積層体４を、空気雰囲気中で５００℃、３時間の条件で焼成し有機分を除去して、空気雰囲気中で９００℃、１時間の条件で焼成しコイル内蔵基板を作製した。
【００７５】
ここで、磁場をかけない状態において作製した導体付セラミックグリーンシートを同条件にて加熱圧着した積層体においては、焼成後に導体層２の端にデラミネーションが確認された。これにより、本実施例の製造方法は、内部導体層が厚い場合においてもデラミネーションの問題が生じ難いセラミック基板を製造することができることが明らかになった。
【００７６】
なお、上記実施の形態においては、磁性を有するセラミックスラリーを用いたがこれに限らない。他の種類のセラミックスラリーであっても、支持体上のスラリーの表面高さを導体層上のスラリーの表面高さよりも高くして乾燥させれば同様の効果が得られる。また、セラミックスラリーの表面高さを調整するために磁場を作用させたが、これに限らず、他の方法で高さの調整を行ってよい。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施の形態によるセラミック基板の製造方法の一例を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態によるセラミック基板の製造方法において、セラミックスラリーに磁場を作用させることによりセラミックスラリーの表面の高さを調整する工程を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１・・・支持体
２・・・導体層
２ａ・・導体ペースト
３・・・セラミックグリーンシート
３ａ・・セラミックスラリー
４・・・セラミックグリーンシート積層体
５・・・磁石
ｄ１・・磁場を作用させることにより調整したセラミックスラリーの厚み量
ｄ２・・導体層の厚み量
ｄ３・・導体層上のセラミックスラリーの厚み量
【図１】
2009088197.tif 000003
【図２】
2009088197.tif 000004