(57)【要約】【課題】  接地インダクタンスを低く維持し収率を上げることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】  上面にグランドパッド１３及び信号線パッド１５が配置され、グランドパッド１３を外側に、信号線パッド１５を内側に分離する囲い３１が設けられ、信号線パッド１５に接続された回路が側面から実質的に電気的に分離されている半導体チップ１１と、内部グランド電極２５及び内部信号線電極２７が配置され、半導体チップ１１を載置して固着可能な大きさを有するインタポーザ２１と、半導体チップ１１の上面に対向する裏面と内部グランド電極２５とを固定及び電気的に接続し、グランドパッド１３と内部グランド電極２５とを電気的に接続する導電性接着材３３と、信号線パッド１５と内部信号線電極２７とを電気的に接続する金属細線３５とを備える。【選択図】  図１
2009044073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に第１の電極パッド及び第２の電極パッドが配置され、前記上面から上方に前記第１の電極パッドを外側に、前記第２の電極パッドを内側に実質的に分離する囲いが設けられ、前記第２の電極パッドに接続された回路が側面から電気的に分離されている半導体チップと、
第１の内部電極及び第２の内部電極が配置され、前記半導体チップを載置して固定可能な大きさを有する基材と、
前記基材に前記上面に対する裏面が固定された前記半導体チップの前記第１の電極パッドと前記第１の内部電極とを電気的に接続する導電性材料と、
前記第２の電極パッドと第２の内部電極とを電気的に接続する金属細線と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上面に第１の電極パッド及び第２の電極パッドが配置され、前記上面から上方に前記第１の電極パッドを外側に、前記第２の電極パッドを内側に分離する囲いが設けられ、前記第２の電極パッドに接続された回路が側面から実質的に電気的に分離されている半導体チップと、
前記半導体チップを載置して固定可能な大きさの第１の内部電極、及び前記第１の内部電極に隣接する第２の内部電極を有する導電性基材と、
前記基材に前記上面に対する裏面が固定された前記半導体チップの前記第１の電極パッドと前記第１の内部電極とを電気的に接続する導電性材料と、
前記第２の電極パッドと第２の内部電極とを電気的に接続する金属細線と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記囲いは、絶縁性の樹脂であって、前記半導体チップの前記上面から垂直方向に所定の高さを有していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記囲いは、前記半導体チップの前記上面に達する隙間を有するブロック体が配列されて構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記導電性材料は、導電性接着材または半田であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波用に用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波特性の高いガリウムヒ素（ＧａＡｓ）系等の化合物半導体で形成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）やＭＥＳＦＥＴ（Metal Semiconductor Field Effect Transistor）等を有する、例えば、高周波増幅器、高周波スイッチ等の半導体装置は、携帯電話などの分野で広く用いられている。
【０００３】
高周波特性が重要な半導体装置は、接地インダクタンスの低減が問題となる。高周波用の半導体装置において、半導体チップの接地は、例えば、Ａｕ等のボンディングワイヤを複数本使用して行われることが多い。
【０００４】
携帯電話等の用途において、高周波用の半導体装置は、他の半導体装置と同様に、小型化の要求が高い。ボンディングワイヤを複数本使用するためには、それに見合うボンディングパッドが、インタポーザまたはリードフレーム等に必要となり、小型化を難しくする。
【０００５】
そこで、例えば、半導体素子側面が、上面に対してほぼ垂直状に形成された垂直側面部と、上面から裏面に向けて順テーパ状に張り出した斜面側面部とを有し、上面から斜面側面部を介して裏面に至る、Ｔｉ／Ａｕからなる配線層を設けた半導体素子を形成し、半導体素子をＡｇペーストで実装基板に接続した半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
この開示された半導体装置は、配線層が設けられた斜面側面部を有している。すなわち、斜面側面部は、半導体素子（半導体チップ）の分離された底部から、上部内側に斜面を有するため、垂直な側面部と比較すると、斜面に相当する分だけ、半導体面積を多く必要とし、収率が悪いという問題を有している。
【特許文献１】特開２００４−１４６５５７号公報（第７−８頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、接地インダクタンスを低く維持し収率を上げることが可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様の半導体装置は、上面に第１の電極パッド及び第２の電極パッドが配置され、前記上面から上方に前記第１の電極パッドを外側に、前記第２の電極パッドを内側に実質的に分離する囲いが設けられ、前記第２の電極パッドに接続された回路が側面から電気的に分離されている半導体チップと、第１の内部電極及び第２の内部電極が配置され、前記半導体チップを載置して固定可能な大きさを有する基材と、前記基材に前記上面に対する裏面が固定された前記半導体チップの前記第１の電極パッドと前記第１の内部電極とを電気的に接続する導電性材料と、前記第２の電極パッドと第２の内部電極とを電気的に接続する金属細線とを備えていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の別態様の半導体装置は、上面に第１の電極パッド及び第２の電極パッドが配置され、前記上面から上方に前記第１の電極パッドを外側に、前記第２の電極パッドを内側に分離する囲いが設けられ、前記第２の電極パッドに接続された回路が側面から実質的に電気的に分離されている半導体チップと、前記半導体チップを載置して固定可能な大きさの第１の内部電極、及び前記第１の内部電極に隣接する第２の内部電極を有する導電性基材と、前記基材に前記上面に対する裏面が固定された前記半導体チップの前記第１の電極パッドと前記第１の内部電極とを電気的に接続する導電性材料と、前記第２の電極パッドと第２の内部電極とを電気的に接続する金属細線とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、接地インダクタンスを低く維持し収率を上げることが可能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。なお、図において、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１２】
本発明の実施例１に係る半導体装置について、図１を参照して説明する。図１は半導体装置の構成を模式的に示す図で、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿った断面である。
【００１３】
図１に示すように、半導体装置１は、上面に囲い３１が配置されている半導体チップ１１と、上面及び裏面に電極を有する基材であるインタポーザ２１と、半導体チップ１１をインタポーザ２１と接続する導電性材料である導電性接着材３３と、半導体チップ１１をインタポーザ２１と接続する金属細線３５とを備えている。
【００１４】
半導体チップ１１は、図示は省略されているが、例えば、半絶縁性ＧａＡｓ基板の表面に、ＨＢＴまたはＭＥＳＦＥＴ等を有する回路が形成され、表面すなわち上面に、接地される予定の第１の電極パッドであるグランドパッド１３の上面、及びグランドパッド１３以外の信号線または電源等と接続される予定の第２の電極パッドである信号線パッド１５の上面が露出され、例えば、表面にＡｕを有するグランドパッド１３及び信号線パッド１５の上面の他は、シリコン酸化膜及び／またはシリコン窒化膜、有機絶縁膜等の保護膜で被われている。回路は、半導体チップ１１の側面から影響を受けない程度に電気的に分離されている。半絶縁性ＧａＡｓ基板の厚さは、例えば、約１００μｍである。
【００１５】
グランドパッド１３は、半導体チップ１１の一方の側、例えば、図面の左側周辺部に、並列されている。信号線パッド１５は、半導体チップ１１の他方の側、例えば、図面の右側周辺部に、並列されている。グランドパッド１３及び信号線パッド１５の表面は、例えば、Ａｕを有している。
【００１６】
半導体チップ１１は、上面に、グランドパッド１３が外側になり、信号線パッド１５が内側になるように、囲い３１が設けられている。つまり、囲い３１は、上面の保護膜に接して、例えば、約５０μｍの一定の高さ、および、一定の幅を有する板状体が、枠形の矩形をなして、信号線パッド１５を内側に有するように取り囲んでいる。囲い３１の外側の１辺は、グランドパッド１３の列に接近して配置されている。囲い３１の内側の辺は、信号線パッド１５の、金属細線３５のボンディングを妨げない程度離れている。
【００１７】
囲い３１は、絶縁性の樹脂、例えば、感光性のポリイミドからなる。感光性とすることにより、囲い３１のパターニングを容易に行うことが可能となる。なお、非感光性のポリイミドであっても、また、ポリイミド以外の樹脂、例えば、エポキシ系、アクリル系等であっても差し支えない。
【００１８】
インタポーザ２１は、半導体チップ１１を載置する上面と、対向する裏面を有する板状をなし、半導体チップ１１を固定し、電気的に接続する導電性接着材３３が、はみ出さない程度の大きさを有している。インタポーザ２１は、絶縁性基板、例えば、セラミクスまたはガラス・エポキシ樹脂等に金属配線が施されて、上面に第１の内部電極である内部グランド電極２５及び第２の内部電極である内部信号線電極２７が設けられ、裏面に外部端子２３が設けられている。
【００１９】
内部グランド電極２５は、半導体チップ１１を載置する位置にあり、導電性接着材３３が、はみ出さない程度の大きさを有している。なお、内部グランド電極２５は、半導体チップ１１のグランドパッド１３の下方に配置されていればよく、必ずしも半導体チップ１１全体を載置する位置にある必要はない。
【００２０】
内部信号線電極２７は、内部グランド電極２５に、半導体チップ１１のグランドパッド１３を接続したときに、導電性接着材３３と接することがない程度離れて、半導体チップ１１の信号線パッド１５により近い側に設置されている。
【００２１】
導電性接着材３３は、例えば、Ａｇペーストである。導電性接着材３３は、半導体チップ１１とインタポーザ２１の間に介在して両者を固定し、同時に、半導体チップ１１のグランドパッド１３と内部グランド電極２５とを、半導体チップ１１の側面に沿って電気的に接続（グランド接続）している。導電性接着材３３は、一方で、囲い３１の外側面と接触して遮られて、グランドパッド１３を被い、他方で、インタポーザ２１の内部グランド電極２５に滑らかな曲面を持って接触している。導電性接着材３３は、Ａｇの他、Ａｌ、Ａｕ等を有する樹脂でもよい。
【００２２】
導電性接着材３３は、グランドパッド１３列に沿った側面の他においても配置されているが、囲い３１の外側の壁面で止められて、囲い３１の内側に及ばない。
【００２３】
金属細線３５は、例えば、Ａｕ線である。金属細線３５は、半導体チップ１１の囲い３１の内側の信号線パッド１５とインタポーザ２１の内部信号線電極２７とを、囲い３１の上面を跨いで電気的に接続している。
【００２４】
半導体装置１は、インタポーザ２１の上面、囲い３１を有する半導体チップ１１、及び金属細線３５等が露出しないように、エポキシ等の封止樹脂４１で被われている。
【００２５】
次に、半導体装置１の製造方法について要部を説明する。囲い３１が設けられる前の半導体チップは、例えば、Ａｕ線を使用して、インタポーザ等に接地及び信号線の接続が可能な半導体チップと同等である。つまり、囲い３１が設けられる前の半導体チップを周知の技術で作製した後、基板厚さを薄く（約１００μｍ）する前に、囲い３１とするための感光性ポリイミドを、最終的に約５０μｍの高さとなるように、半導体チップ１１の上面に塗布し、フォトリソグラフィ法により、上述した枠形が残るようにパターニングして、熱処理（イミド化）して、その後、基板を研磨して、囲い３１を有する半導体チップ１１とする。
【００２６】
インタポーザ２１の上面の内部グランド電極２５の少なくとも一部がある位置に、流動性を有する導電性接着材３３を適する量、すなわち、半導体チップ１１をインタポーザ２１に固定するだけの場合より多くの量を配置し、導電性接着材３３の上に半導体チップ１１を配し、インタポーザ２１の上面にほぼ垂直な方向に押圧し、導電性接着材３３を半導体チップ１１の側面に沿って、半導体チップ１１のグランドパッド１３に達するまで這い上がらせる。そして、仮固定をした後、導電性接着材３３を熱処理して固化させて、半導体チップ１１とインタポーザ２１とを固定し、同時に、半導体チップ１１のグランドパッド１３と内部グランド電極２５とを電気的に接続する。なお、導電性接着材３３による、グランドパッド１３と内部グランド電極２５との電気的な接続が不十分な場合は、不十分な箇所に導電性接着材３３をポッティング等により追加することが可能である。
【００２７】
その後の、金属細線３５による接続（ワイヤボンディング）、封止樹脂４１による封止等を、周知の方法で行って、半導体装置１が完成する。
【００２８】
上述したように、半導体装置１は、上面にグランドパッド１３及び信号線パッド１５が配置され、グランドパッド１３を外側に、信号線パッド１５を内側に分離する囲い３１が設けられ、信号線パッド１５に接続された回路が側面から実質的に電気的に分離されている半導体チップ１１と、内部グランド電極２５及び内部信号線電極２７が配置され、半導体チップ１１を載置して固着可能な大きさを有するインタポーザ２１と、半導体チップ１１の上面に対向する裏面と内部グランド電極２５とを固定及び電気的に接続し、グランドパッド１３と内部グランド電極２５とを電気的に接続する導電性接着材３３と、信号線パッド１５と内部信号線電極２７とを電気的に接続する金属細線３５とを備えている。
【００２９】
半導体装置１は、グランドパッド１３と内部グランド電極２５とが、導電性接着材３３を介して電気的に接続されている。その結果、従来、Ａｕ線等で接続されていた場合と比較して、距離をより短く、接続経路の断面積をより大きくできるので、寄生の接地インダクタンスを低減することが可能となる。そして、半導体チップ１１の側面に傾斜を付ける技術と比較すると、斜面に相当する分が不要となるので、半導体チップ１１の面積を小さくすることが可能となり、１枚の半導体基板から切り出すことが可能な半導体チップ１１の数量、すなわち、収率を向上させることが可能となる。
【００３０】
また、半導体チップ１１は、囲い３１を設ける工程が追加されるものの、上面に垂直な方向にダイシングを行い、側面にグランド接続用の金属薄膜等を予め設けておく必要がない製造プロセスを用いて形成可能なので、特別な治具や工程等を必要とせず、製造工程が比較的簡略化でき、半導体チップの製造歩留の低下が抑制され得る。
【００３１】
また、実施例１の変形例について、図２を参照しながら説明する。図２は半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。半導体装置１とは、半導体チップ１１がリードフレームに載置されている点が異なる。なお、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３２】
図２に示すように、Ｃｕ、Ｃｕ合金、またはＦｅ合金等からなるリードフレームは、半導体チップ１１を載置するダイパッド５１、及び金属細線３５と接続される内部リード５７、ダイパッド５１及び内部リード５７に連接された外部リード５５を有している。外部リード５５の先端部が外部端子とされる。囲い３１が設けられた半導体チップ１１は、導電性接着材３３を介して、ダイパッド５１上面に固定され、同時に、半導体チップ１１のグランドパッド１３とダイパッド５１とは電気的に接続される。半導体チップ１１の信号線パッド１５は、金属細線３５を介して、内部リード５７と接続される。
【００３３】
半導体装置２は、ダイパッド５１、内部リード５７、半導体チップ１１、及び金属細線３５等が露出しないように、エポキシ等の封止樹脂４１で被われている。
【００３４】
半導体装置２は、半導体装置１のインタポーザ２１をリードフレームに置き換えた構成を有しているので、実施例１の半導体装置１が有する効果を同様に有している。半導体装置１とは異なる外部端子を有しているので、実装の多様性を増やすことが可能となる。
【実施例２】
【００３５】
本発明の実施例２に係る半導体装置について、図３を参照しながら説明する。図３は半導体装置の構成を模式的に示す平面図である。実施例１の半導体装置１とは、半導体チップ上面の囲いが隙間を有している点が異なる。なお、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００３６】
図３に示すように、半導体装置３を構成する半導体チップ６１は、上面に、隙間６７を有する囲い６６が設けられている。囲い６６は、実施例１の半導体チップ１１の囲い３１と同様な材料を用いて、枠形の部分に、半導体チップ１１の上面にほぼ垂直に、外側から内側に通ずるスリット状の隙間６７が形成されている。すなわち、囲い６６を構成する隙間６７で分離された個体は、ブロック状をなしている。隙間６７の間隔は、導電性接着材３３の外側から内側への侵入を遮断できる程度であり、導電性接着材３３に対しては実質的に閉じている。囲い６６は、隙間６７が形成されてなければ、半導体チップ１１の囲い３１と同様な高さ、同様な枠形の矩形をなしている。
【００３７】
囲い６６は、例えば、感光性のポリイミドからなるので、枠形の矩形に加えて、スリット状の隙間６７のパターンを有するマスク等を使用して容易にパターニングを行うことができる。
【００３８】
半導体装置３は、実施例１の半導体装置１の囲い３１を隙間６７のある囲い６６に置き換えているので、実施例１の半導体装置１が有する効果を同様に有している。ポリイミド等からなる囲い６６は、下地である半導体チップ６１とは、熱膨張率、弾性率等の物理定数が異なる場合が少なくない。物理定数が異なると、温度変化によって半導体チップ６１と囲い６６には熱応力が生じる。その結果、半導体チップ６１または囲い６６が湾曲したり、半導体チップ６１と囲い６６とが分離（剥離）したりする現象が出現する場合があるが、囲い６６のように、小さなブロックに分割して配列することにより、半導体チップ６１と囲い６６とに発生する歪を抑制することが可能となる。すなわち、半導体装置３は、温度変化に対して一層安定した特性を有している。なお、囲い６６をなすブロックの大きさは、物理定数の異なる程度によって、決めることができる。
【００３９】
また、実施例２の変形例について、図４を参照しながら説明する。図４は半導体装置の構成を模式的に示す図で、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図である。図４（ａ）は、図４（ｂ）のＢ−Ｂ線に沿った断面である。半導体装置３とは、囲いをなすブロックが矩形の内側を埋めている点が異なる。なお、実施例１及び２と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００４０】
図４に示すように、半導体装置４を構成する半導体チップ７１は、上面に、隙間７７の開けられた肉厚の厚い囲い７６が設けられている。囲い７６は、実施例１の半導体チップ１１の囲い３１と同様な材料を用いて、矩形の内側の部分に、信号線パッド１５にワイヤボンディングを行える空間を残して埋め込んで、半導体チップ７１の上面にほぼ垂直に、外側から内側に通ずる縦横のスリット状の隙間７７が形成されている。すなわち、囲い７６を構成する隙間７７で分離された個体は、ブロック状をなして、グランドパッド１３の列と信号線パッド１５の列との間、すなわち、中央部分に主に配置されている。隙間７７の間隔は、導電性接着材３３の外側から内側への侵入を遮断できる程度であり、必ずしも一定の間隔である必要はない。囲い７６は、半導体チップ６１の囲い６６と比較して、同様な高さ、外側部が同様な矩形、間隔が同様な隙間７７、上面の長辺の長さがほぼ等しいブロックを有している。
【００４１】
囲い７６は、例えば、感光性のポリイミドからなるので、外側部が矩形をなして、スリット状の隙間７７のパターンを有するマスク等を使用して容易にパターニングを行うことができる。
【００４２】
半導体装置４は、実施例２の半導体装置３の囲い６６を、囲い６６と同様な間隔の隙間７７、及び囲い６６のブロックの上面の長辺と同様な長さのブロックで構成された囲い７６に置き換えているので、実施例２の半導体装置３が有する効果を同様に有している。
【００４３】
その上、囲い７６を形成するブロックは、半導体チップ７１の中央部分を埋めるように、比較的密に配置されているので、半導体チップ７１を載置、固定するときに、この囲い７６の上面を押圧することが可能となり、組立工程が容易となる。
【００４４】
なお、物理定数の違いを緩和するために、囲い７６は分割された小さなブロックの配列としているが、物理定数の差が小さい場合、囲い７６を構成するブロックはより大きくてもよいし、囲い７６に隙間７７が全くなくてもよい。
【００４５】
また、半導体装置３及び４は、インタポーザ２１を置き換えて、実施例１の変形例で示したリードフレームを採用して、半導体装置を構成することが可能である。
【実施例３】
【００４６】
本発明の実施例３に係る半導体装置について、図５を参照しながら説明する。図５は半導体装置の構成を模式的に示す断面図である。実施例１の半導体装置１とは、半導体チップ上面のグランドパッドとインタポーザの内部グランド電極とを半田で電気的に接続している点が異なる。なお、実施例１と同一構成部分には同一の符号を付して、その説明は省略する。
【００４７】
図５に示すように、半導体装置５を構成する半導体チップ８１は、インタポーザ２１の上面に、導電性接着材３３を介して固定され、半導体チップ８１の上面のグランドパッド８３は、インタポーザ２１の内部グランド電極２５と半田８７を介して電気的に接続されている。
【００４８】
導電性接着材３３は、実施例１で使用した導電性接着材３３と同じ材料であるが、量が少ない。つまり、インタポーザ２１と半導体チップ８１とを接続するには十分な量であって、半導体チップ８１の側面へのはみ出しが少なく調整されている。その結果、内部グランド電極２５は、半導体チップ８１の底面の周囲に導電性接着材３３で被われてない部分が存在している。なお、半導体チップ８１の側面へのはみ出し量が管理されていれば、導電性接着材３３を絶縁性接着材に置き換えることが可能である。
【００４９】
半田８７は、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系である。半田８７は、半導体チップ８１のグランドパッド８３の列の側にあり、囲い３１で遮られて、グランドパッド８３を被い、半導体チップ８１の側面に沿って、滑らかにインタポーザ２１の内部グランド電極２５上に流れるような曲面を有し、グランドパッド８３と内部グランド電極２５とを電気的に接続している。
【００５０】
半導体チップ８１のグランドパッド８３は、半田８７と接続されるので、バリアメタル、例えば、Ｎｉを下地にして、表面にＡｕが積層されている。信号線パッド８５も同様の積層構造を有している。
【００５１】
半田８７は、導電性接着材３３により、半導体チップ８１がインタポーザ２１の所定位置に固定された後、半導体チップ８１のグランドパッド８３とインタポーザ２１の内部グランド電極２５との間に、例えば、クリーム状にして塗布されて、熱処理を行い形成される。また、溶融した半田８７をグランドパッド８３と内部グランド電極２５との間に流すことにより半田８７を形成することが可能である。
【００５２】
半導体装置５は、導電性接着材３３を介してインタポーザ２１と半導体チップ８１とを固定し、半田８７を介してグランドパッド８３と内部グランド電極２５とを電気的に接続している他は、実施例１の半導体装置１の構成と同等である。従って、半導体装置５は、半導体装置１が有する効果を同様に有している。
【００５３】
その上、グランドパッド８３と内部グランド電極２５との電気的な接続を半田８７により行っているので、導電性接着材３３より電気的な抵抗を低くし、接地インダクタンスを低減することが可能となる。
【００５４】
また、半導体装置５は、枠型の矩形をなす囲い３１を置き換えて、実施例２で示した隙間を有する枠型の矩形をなす囲い６６、または、実施例２の変形例で示した矩形の中により密に配置された囲い７６を採用して、半導体装置を構成することが可能である。
【００５５】
また、半導体装置５は、インタポーザ２１を置き換えて、実施例１の変形例で示したリードフレームを採用して、半導体装置を構成することが可能である。
【００５６】
本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々、変形して実施することができる。
【００５７】
例えば、上記実施例では、半導体装置の構成要素の半導体チップは、半絶縁性ＧａＡｓ基板で形成されている例を示したが、グランド接続を行う側面に、酸化膜等の絶縁膜が形成された導電性または一部が導電性の半導体基板、例えば、導電性化合物基板、シリコン基板、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板等を使用することは可能である。
【００５８】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  上面に第１の電極パッド及び第２の電極パッドが配置され、前記上面から上方に前記第１の電極パッドを外側に、前記第２の電極パッドを内側に実質的に分離する囲いが設けられ、前記第２の電極パッドに接続された回路が側面から電気的に分離されている半導体チップと、第１の内部電極及び第２の内部電極が配置され、前記半導体チップを載置して固定可能な大きさを有する基材と、前記基材に前記上面に対する裏面が固定された前記半導体チップの前記第１の電極パッドと前記第１の内部電極とを電気的に接続する導電性材料と、前記第２の電極パッドと第２の内部電極とを電気的に接続する金属細線と、を備えている半導体装置。
【００５９】
（付記２）  前記囲いは、感光性ポリイミド樹脂である付記１に記載の半導体装置。
【００６０】
（付記３）  前記導電性材料はＡｇペーストである付記１に記載の半導体装置。
【００６１】
（付記３）  前記基材は、一面に前記第１及び第２の内部電極、及び前記一面に対向する他面に外部電極を有するインタポーザである付記１に記載の半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を模式的に示す図で、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図。
【図２】本発明の実施例１の変形例に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【図３】本発明の実施例２に係る半導体装置の構成を模式的に示す平面図。
【図４】本発明の実施例２の変形例に係る半導体装置の構成を模式的に示す図で、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図。
【図５】本発明の実施例３に係る半導体装置の構成を模式的に示す断面図。
【符号の説明】
【００６３】
１、２、３、４、５  半導体装置
１１、６１、７１、８１  半導体チップ
１３、８３  グランドパッド
１５、８５  信号線パッド
２１  インタポーザ
２３  外部端子
２５  内部グランド電極
２７  内部信号線電極
３１、６６、７６  囲い
３３  導電性接着材
３５  金属細線
４１  封止樹脂
５１  ダイパッド
５５  外部リード
５７  内部リード
６７、７７  隙間
８７  半田
【図１】
2009044073.tif 000003
【図２】
2009044073.tif 000004
【図３】
2009044073.tif 000005
【図４】
2009044073.tif 000006
【図５】
2009044073.tif 000007