(57)【要約】【課題】露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。【解決手段】露光方法は、液体を介して基板上の感光膜を第１露光光で露光する液浸露光処理を含む。露光方法は、基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、第２露光光で露光された周縁領域の少なくとも一部に液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、第１膜を形成した後に、基板上に感光膜を形成することと、感光膜を形成した後に、液浸露光処理を実行することと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して基板上の感光膜を第１露光光で露光する液浸露光処理を含む露光方法において、
前記基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、
前記第２露光光で露光された前記周縁領域の少なくとも一部に前記液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、
前記第１膜を形成した後に、前記基板上に前記感光膜を形成することと、
前記感光膜を形成した後に、前記液浸露光処理を実行することと、を含む露光方法。
【請求項２】
前記第２露光光を用いて、前記周縁領域を洗浄する請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１膜は、ＨＭＤＳ膜を含む請求項１又は２記載の露光方法。
【請求項４】
前記液浸露光処理を実行する前に、前記基板の周縁領域の感光膜の少なくとも一部を除去することをさらに含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５】
前記液浸露光処理を実行する前に、前記感光膜を保護するための保護膜を前記基板上に形成することをさらに含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６】
前記液浸露光処理を実行する前に、前記基板の周縁領域の前記保護膜を除去することをさらに含む請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記保護膜は、前記液体に対して撥液性である請求項５又は６記載の露光方法。
【請求項８】
液体を介して基板上の感光膜を第１露光光で露光する液浸露光処理を含む露光方法において、
前記基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、
前記周縁領域を前記第２露光光で露光した後に、前記基板上に前記感光膜を形成することと、
前記基板上に感光膜を形成した後に、前記基板の周縁領域の前記感光膜を除去することと、
前記周縁領域の前記感光膜を除去した後に、前記液浸露光処理を実行することと、を含む露光方法。
【請求項９】
前記第２露光光を用いて、前記周縁領域を洗浄する請求項８記載の露光方法。
【請求項１０】
前記第２露光光の波長は、前記第１露光光の波長と異なる請求項１〜９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１１】
前記第２露光光の波長は、３６５ｎｍ及び２５４ｎｍの少なくとも一方を含む請求項１０記載の露光方法。  
【請求項１２】
前記第２露光光の波長は、前記第１露光光の波長と同じ、もしくは前記第１露光光の波長よりも短い請求項１０記載の露光方法。
【請求項１３】
前記第２露光光の波長は、１９３ｎｍ、１８５ｎｍ、及び１７２ｎｍの少なくとも一つを含む請求項１２記載の露光方法。
【請求項１４】
前記基板は、シリコン基板を含む請求項１〜１３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１５】
前記感光膜は、前記液体に対して撥液性である請求項１〜１４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１６】
前記第１膜は、前記第１膜上に形成される前記感光膜の剥離を防止する請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１８】
基板上に感光膜を形成する第１膜形成装置を有する基板処理装置と、前記基板上に形成された前記感光膜を液体を介して第１露光光で露光する露光装置と、を有するデバイス製造システムであって、
前記基板処理装置は、前記基板の周縁領域に第２露光光を照射して前記周縁領域を洗浄する洗浄装置と、前記第２露光光が照射された前記周縁領域の少なくとも一部に前記液体に対して撥液性の第１膜を形成する第２膜形成装置とを有し、
前記基板処理装置の第１膜形成装置は、前記第２膜形成装置で前記基板上に前記第１膜を形成した後に前記基板上に前記感光膜を形成し、
前記基板上に前記感光膜を形成した後に、前記露光装置で前記基板上の感光膜を露光するデバイス製造システム。
【請求項１９】
前記基板処理装置は、前記第１膜形成装置によって形成された前記基板の周縁領域の前記感光膜の少なくとも一部を除去する除去装置をさらに含み、
前記除去装置で前記感光膜の除去処理を実行した後に、前記露光装置で前記基板上の感光膜を露光する請求項１８記載のデバイス製造システム。
【請求項２０】
前記第２露光光の波長は、前記第１露光光の波長と異なる請求項１８又は１９記載のデバイス製造システム。
【請求項２１】
前記第２露光光の波長は、３６５ｎｍ及び２５４ｎｍの少なくとも一方を含む請求項２０記載のデバイス製造システム。  
【請求項２２】
前記第２露光光の波長は、前記第１露光光の波長と同じ、もしくは前記第１露光光の波長よりも短い請求項２０記載のデバイス製造システム。
【請求項２３】
前記第２露光光の波長は、１９３ｎｍ、１８５ｎｍ、及び１７２ｎｍの少なくとも一つを含む請求項２２記載のデバイス製造システム。
【請求項２４】
前記第１膜は、前記第１膜上に形成される前記感光膜の剥離を防止する請求項１８〜２３のいずれか一項記載のデバイス製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光方法、デバイス製造方法、及びデバイス製造システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する技術の一つとして、フォトリソグラフィ技術が知られている。フォトリソグラフィ技術は、例えば半導体ウエハ等の基板上に感光膜を形成する処理、その基板上の感光膜を露光する処理、及び露光された基板を現像する処理等を含む。基板上の感光膜を露光する技術として、例えば下記特許文献１に開示されているような、液体を介して基板上の感光膜を露光する液浸露光技術が知られている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
基板を液浸露光する際、基板の周縁領域の状態によっては、液体が基板の下面に付着する可能性がある。基板の下面に付着した液体が気化すると、例えば、液体の気化熱によって基板が熱変形したり、基板の下面に液体の付着跡（以下、ウォーターマーク、と称する）が形成されたりする可能性がある。そのような不具合が生じると、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００４】
本発明は、露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、液体を介して基板上の感光膜を第１露光光で露光する液浸露光処理を含む露光方法において、基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、第２露光光で露光された周縁領域の少なくとも一部に液体に対して撥液性の第１膜を形成することと、第１膜を形成した後に、基板上に感光膜を形成することと、感光膜を形成した後に、液浸露光処理を実行することと、を含む露光方法が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、液体を介して基板上の感光膜を第１露光光で露光する液浸露光処理を含む露光方法において、基板の周縁領域を第２露光光で露光することと、周縁領域を第２露光光で露光した後に、基板上に感光膜を形成することと、基板上に感光膜を形成した後に、基板の周縁領域の感光膜を除去することと、周縁領域の感光膜を除去した後に、液浸露光処理を実行することと、を含む露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、上記第１及び第２の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、基板上に感光膜を形成する第１膜形成装置を有する基板処理装置と、基板上に形成された感光膜を液体を介して第１露光光で露光する露光装置と、を有するデバイス製造システムであって、基板処理装置は、基板の周縁領域に第２露光光を照射して周縁領域を洗浄する洗浄装置と、第２露光光が照射された周縁領域の少なくとも一部に液体に対して撥液性の第１膜を形成する第２膜形成装置とを有し、基板処理装置の第１膜形成装置は、第２膜形成装置で基板上に第１膜を形成した後に基板上に感光膜を形成し、基板上に感光膜を形成した後に、露光装置で基板上の感光膜を露光するデバイス製造システムが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る基板の露光方法の一例を示すフローチャート、図２〜図６は、図１の各ステップＳＡ１〜ＳＡ６のそれぞれにおける基板の状態を示す模式図である。また、図２（Ｂ）〜図６（Ｂ）のそれぞれは、図２（Ａ）〜図６（Ａ）に示す基板の周縁領域の近傍を拡大した図である。
【００１２】
基板は、デバイス（デバイスパターン）を形成するために所定の処理が実行される基板である。基板は、半導体ウエハ等の基材と、その基材上に形成される所定の材料膜とを含む。以下の説明において、基材の表面（上面、側面、下面）に形成された材料膜のうち、最も表層の材料膜の表面（露出面）を適宜、基板の表面（上面、側面、下面）と言う。本実施形態においては、基板Ｐが、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の円形の基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成される感光膜Ｒｇとを含む場合を例にして説明する。また、基材Ｗは、少なくとも１回のリソグラフィ工程（露光工程）を経ていてもよいが、本実施形態においては、説明を簡単にするために、基材に最初のリソグラフィ処理を施す場合について説明する。
【００１３】
本実施形態の露光方法は、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光する液浸露光処理を含む。図１に示すように、本実施形態の露光方法は、基材Ｗの周縁領域を第２露光光ＥＬ２で露光する周縁露光処理（ステップＳＡ１）と、第２露光光ＥＬ２で露光された基材Ｗの周縁領域の少なくとも一部に、液体ＬＱに対して撥液性の第１膜Ｍｈを形成する処理（ステップＳＡ２）と、第１膜Ｍｈを形成した後に、基板上に感光膜Ｒｇを形成する処理（ステップＳＡ３）と、感光膜Ｒｇを形成した後に、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇの少なくとも一部を除去する処理（ステップＳＡ４）と、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱する処理（ステップＳＡ５）と、感光膜Ｒｇを加熱した後に、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光する液浸露光処理（ステップＳＡ６）とを含む。液浸露光された後の基板Ｐは、現像処理される。
【００１４】
本実施形態においては、液浸露光で使用する液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。また、本実施形態においては、基材Ｗの周縁領域を第２露光光ＥＬ２で露光した後に、基板上に感光膜Ｒｇを形成する処理が実行される。また、本実施形態においては、液浸露光処理を実行する前に、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇの少なくとも一部を除去する処理が実行される。すなわち、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去した後に、液浸露光処理が実行される。また、本実施形態において、基板の周縁領域は、基板の上面の輪帯状（環状）の周縁領域、基板の側面、及び基板の下面の輪帯状（環状）の周縁領域を含む。
【００１５】
以下、各ステップＳＡ１〜ＳＡ６について説明する。
【００１６】
まず、ステップＳＡ１について説明する。ステップＳＡ１は、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光する処理を含む。基材Ｗの周縁領域ＥＡには、第２露光光ＥＬ２が照射される。本実施形態においては、基材Ｗは、シリコンウエハを含む。すなわち、基材Ｗは、シリコン基板を含み、基材Ｗの表面は、シリコン基板の表面を含む。
【００１７】
第２露光光ＥＬ２は、基材Ｗの上面の輪帯状の周縁領域ＥＡ１、基材Ｗの側面ＥＡ２に照射される。第２露光光ＥＬ２は、パターンを介さないで、基材Ｗの周縁領域ＥＡに照射される。本実施形態においては、図２に示すように、基材Ｗの上面の周縁領域ＥＡ１、及び基材Ｗの側面ＥＡ２が、第２露光光ＥＬ２によって露光される。
【００１８】
図７は、基材Ｗの周縁領域ＥＡに第２露光光ＥＬ２を照射可能な第１処理装置１の一例を示す図である。第１処理装置１は、例えば米国特許第５，４２０，６６３号明細書等に開示されているような、基材Ｗ（基板）の周縁領域に所定の露光光を照射可能な周縁露光装置を含む。図７において、第１処理装置１は、基板Ｐの下面を保持可能な保持部材２と、保持部材２を回転する回転モータ３と、回転モータ３の回転位置に応じた信号を出力する回転位置検出器４とを備える。また、第１処理装置１は、第２露光光ＥＬ２を射出する光源装置５と、光源装置５からの第２露光光ＥＬ２を保持部材２に保持された基材Ｗの周縁領域ＥＡに導く光学系を含む照射部６とを備える。照射部６の射出面７から射出された第２露光光ＥＬ２は、第２露光光ＥＬ２を整形する絞り部材８を介して、基材Ｗの周縁領域ＥＡに照射される。照射部６の射出面７と対向する位置には、照射部６から射出された第２露光光ＥＬ２を受光可能な受光面９を有し、受光状態に応じた信号を出力する受光部１０が配置されている。第１処理装置１は、照射部６の射出面７と受光部１０の受光面９との間に基材Ｗの周縁領域ＥＡを配置した状態で、受光部１０の受光結果をモニタしながら、基材Ｗの下面を保持した保持部材２を回転しつつ、基材Ｗの周縁領域ＥＡに第２露光光ＥＬ２を照射することによって、基材Ｗの周縁領域ＥＡを露光する。本実施形態においては、射出面７から射出される第２露光光ＥＬ２として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。すなわち、本実施形態においては、第２露光光ＥＬ２の波長は、１９３ｎｍを含む。
【００１９】
第２露光光ＥＬ２は、光洗浄効果を有する。第１処理装置１は、第２露光光ＥＬ２を用いて、基材Ｗの周縁領域ＥＡを洗浄（光洗浄）する。紫外光である第２露光光ＥＬ２を基材Ｗの周縁領域ＥＡに照射することによって、基材Ｗの周縁領域ＥＡに付着していた有機物等の不純物が酸化分解され、除去される。すなわち、本実施形態の第１処理装置１は、基材Ｗの周縁領域ＥＡの少なくとも一部に第２露光光ＥＬ２を照射して、その周縁領域ＥＡを洗浄する洗浄装置として機能する。本実施形態において、第１処理装置１は、例えば米国特許第５４２０６６３号明細書に開示されているような、基板の周縁領域を露光する周縁露光装置を含む。
【００２０】
次に、ステップＳＡ２について説明する。ステップＳＡ２は、第２露光光ＥＬ２で露光された基材Ｗの周縁領域ＥＡの少なくとも一部に、液体ＬＱに対して撥液性の第１膜Ｍｈを形成する処理を含む。第１膜Ｍｈを形成する処理は、第２露光光ＥＬ２で露光する処理が終了した後に実行される。
【００２１】
本実施形態においては、第１膜Ｍｈは、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の膜を含む。以下の説明において、第１膜Ｍｈを適宜、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ、と称し、基材Ｗ（基板）上にＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成する処理を適宜、ＨＭＤＳ処理、と称する。
【００２２】
ＨＭＤＳ膜Ｍｈは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）である。本実施形態においては、ＨＭＤＳ膜Ｍｈは、少なくとも第２露光光ＥＬ２が照射された基材Ｗの周縁領域の少なくとも一部に形成される。本実施形態においては、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが、基材Ｗの上面の全域、側面ＥＡ２の全域、及び下面の周縁領域ＥＡ３のそれぞれに形成される。
【００２３】
図８は、基材Ｗ（基板）上にＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成可能な第２処理装置１１の一例を示す図である。図８において、第２処理装置１１は、密閉室１２と、密閉室１２の内部に設けられ、基材Ｗ（基板）を保持する保持装置１３と、ガス状のＨＭＤＳを密閉室１２の内部に供給するガス供給装置１４とを備える。保持装置１３は、保持した基材Ｗを加熱可能である。第２処理装置１１は、保持装置１３で保持した基材Ｗを加熱した状態で、ガス供給装置１４よりガス状のＨＭＤＳを密閉室１２の内部に供給する。これにより、基材Ｗの表面とガス状のＨＭＤＳとが接触し、基材Ｗの表面にＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成される。図８に示すように、本実施形態においては、保持装置１３は、基材Ｗの下面側に所定の空間が形成されるように基材Ｗを保持する。したがって、第２処理装置１１は、基材Ｗの上面、側面、及び下面のそれぞれにＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成可能である。
【００２４】
シリコン基板を含む基材Ｗと、ＨＭＤＳ膜Ｍｈとの密着性は良好である。また、本実施形態においては、ＨＭＤＳ処理を実行する前に、基材Ｗの周縁領域ＥＡが第２露光光ＥＬ２によって洗浄（光洗浄）されているので、基材Ｗの周縁領域ＥＡにより良好なＨＭＤＳ膜Ｍｈ形成することができる。
【００２５】
次に、ステップＳＡ３について説明する。ステップＳＡ３は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成された基板上に感光膜Ｒｇを形成する処理を含む。感光膜Ｒｇを形成する処理は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成する処理が終了した後に実行される。
【００２６】
本実施形態において、感光膜Ｒｇは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）である。例えば、感光膜Ｒｇと液体ＬＱとの接触角は７０°以上、好ましくは９０°以上である。本実施形態においては、感光膜Ｒｇとして、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）の化学増幅型レジストを用いる。また、本実施形態の感光膜Ｒｇは、露光光（第１露光光ＥＬ１、第２露光光ＥＬ２を含む）が照射された部分が現像処理によって除去されるポジ型レジストで形成される。
【００２７】
本実施形態においては、スピンコーティング法を用いて、感光膜Ｒｇが形成される。図４に示すように、基板（ＨＭＤＳ膜Ｍｈ）上には、スピンコーティング法に基づいて、感光膜Ｒｇが形成される。本実施形態においては、感光膜Ｒｇは、基板の上面、及び側面を含む一部の領域（周縁領域）に形成される。
【００２８】
次に、ステップＳＡ４について説明する。ステップＳＡ４は、基板の周縁領域に形成された感光膜Ｒｇの少なくとも一部を除去する処理を含む。本実施形態では、基板の側面の感光膜Ｒｇ、及び基板の上面の周縁領域の感光膜Ｒｇが除去される。なお、ステップＳＡ３において、基板の下面の一部にも感光膜Ｒｇが形成される場合、ステップＳＡ４において基板の下面の感光膜Ｒｇも除去すればよい。
【００２９】
感光膜Ｒｇを除去する処理は、基板の周縁領域に向けてアセトン、又はシンナー等を含む溶剤を吹き付けるリンス処理、所謂エッジリンス処理を含む。これにより、図５に示すように、基板の上面の周縁領域を除く大部分の領域（中央領域）の感光膜Ｒｇは除去されず、基板の上面の中央領域が感光膜Ｒｇによって形成される。また、感光膜Ｒｇが除去されることによって、基板の下面の周縁領域、基板の側面、及び基板の上面の周縁領域において、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが露出する。以下の説明において、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇの少なくとも一部を除去する処理を適宜、エッジリンス処理、と称する。
【００３０】
図９は、基板上に感光膜Ｒｇを形成可能であり、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去可能な第３処理装置１５の一例を示す図である。第３処理装置１５は、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されているような、感光材の溶液をスピンコーティング法に基づいて塗布する塗布装置１６、及びエッジリンス処理を実行可能なエッジリンス装置１７を含む。図９において、第３処理装置１５は、基板の下面を保持可能な保持部材１８と、保持部材１８を回転する回転モータ１９と、保持部材１８に保持された基板の上面に感光材の溶液を供給可能な供給口２０を有する第１ノズル２１と、保持部材１８に保持された基板の周縁領域にエッジリンス用液体（溶剤）を供給可能な供給口２２を有する第２ノズル２３と、保持部材１８の周囲に配置され、感光材の溶液、エッジリンス用液体を受けるカップ２４とを備えている。カップ２４の底には、飛散した感光材の溶液、エッジリンス用液体を集めて排出する排液口２５と、飛散した感光材の溶液、エッジリンス用液体の微粒子が基板に再付着することを抑制するために、カップ２４の内側の気体を排出する排気口２６とが形成されている。
【００３１】
基板上に感光膜Ｒｇを形成するとき、保持部材１８に保持された基板の上面の中央と対向するように、第１ノズル２１の供給口２０が配置される。第３処理装置１５は、回転モータ１９を駆動して、保持部材１８に保持された基板を回転しつつ、第１ノズル２１の供給口２０より感光材の溶液を基板の上面に供給することによって、基板上に感光膜Ｒｇを形成する。
【００３２】
また、エッジリンス処理を実行するとき、保持部材１８に保持された基板の周縁領域と対向するように、第２ノズル２３の供給口２２が配置される。第３処理装置１５は、回転モータ１９を駆動して、保持部材１８に保持された基板を回転しつつ、第２ノズル２３の供給口２２よりエッジリンス用液体を基板の周縁領域に向けて供給することによって、少なくとも基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去する。
【００３３】
感光膜Ｒｇと、ＨＭＤＳ膜Ｍｈとの密着性は良好である。したがって、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に形成される感光膜Ｒｇの剥離を防止することができる。
【００３４】
なお、本実施形態においては、第３処理装置１５が、塗布装置１６及びエッジリンス装置１７を備えており、保持部材１８に基板を保持したまま、感光膜Ｒｇを形成する処理と、感光膜Ｒｇの一部を除去する処理とを実行しているが、塗布装置の保持部材とエッジリンス装置の保持部材とを異なる位置に設け、感光膜Ｒｇを形成した後、塗布装置の保持部材から基板をアンロードして、エッジリンス装置の保持部材にロードし、感光膜Ｒｇの一部を除去する処理を実行することもできる。
【００３５】
次に、ステップＳＡ５について説明する。ステップＳＡ５は、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱する処理（ベーク処理）を含む。加熱する処理によって、例えば感光膜Ｒｇ中の溶剤が蒸発し、感光膜Ｒｇが固化され、感光膜ＲｇとＨＭＤＳ膜Ｍｈとの密着性を更に高めることができる。これにより、基材Ｗ、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ、及び感光膜Ｒｇを含む、本実施形態に係る基板Ｐが形成される。
【００３６】
次に、ステップＳＡ６について説明する。ステップＳＡ６は、基板Ｐの感光膜Ｒｇを液体ＬＱを介して第１露光光ＥＬ１で露光する処理を含む。
【００３７】
図６に示すように、ステップＳＡ６においては、基板Ｐの上面の感光膜Ｒｇが、第１露光光ＥＬ１によって露光される。本実施形態においては、第１露光光ＥＬ１は、パターンを介して基板Ｐの上面の中央領域に配置されている感光膜Ｒｇに照射される。基板Ｐの感光膜Ｒｇは、パターン化された第１露光光ＥＬ１によって照射される。
【００３８】
本実施形態においては、液体ＬＱと基板Ｐ（感光膜Ｒｇ）とを接触させた状態で、液体ＬＱを介して第１露光光ＥＬ１が感光膜Ｒｇに照射される。本実施形態においては、感光膜Ｒｇに照射される第１露光光ＥＬ１として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。すなわち、本実施形態においては、第１露光光ＥＬ１の波長と、第２露光光ＥＬ２の波長とが同じである。
【００３９】
図１０は、液浸露光処理に用いる第４処理装置２７の一例を示す図である。第４処理装置２７は、例えば国際公開第９９／４９５０４号パンフレット、米国特許公開第２００５／０２８０７９１号明細書、国際公開第２００５／０２４５１７号パンフレット等に開示されているような、液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光を照射して、基板Ｐの感光膜Ｒｇを露光する液浸露光装置を含む。図１０において、第４処理装置２７は、デバイスを製造するためのパターンを有するマスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ２８と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２９と、マスクステージ２８に保持されているマスクＭを第１露光光ＥＬ１で照明する照明系ＩＬと、第１露光光ＥＬ１で照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬとを備えている。マスクＭは、基板Ｐ上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００４０】
第４処理装置２７は、第１露光光ＥＬ１の光路を液体ＬＱで満たすことができる液浸部材３０を備えている。例えば、基板Ｐに第１露光光ＥＬ１が照射されているとき、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子３１の下面（光射出面）３２と、その終端光学素子３１の下面３２と対向する位置に配置された基板Ｐの上面との間の第１露光光ＥＬ１の光路が液体ＬＱで満たされるように、液浸部材３０と基板Ｐの上面との間に液体ＬＱの液浸部ＬＳが形成される。液浸部は、液体で満たされた空間である。
【００４１】
本実施形態においては、基板Ｐの上面の一部の領域（局所的な領域）が液体ＬＱで覆われるように、液浸部材３０によって液浸部ＬＳが形成され、基板Ｐの上面と液浸部材３０の下面３３との間に液体ＬＱの気液界面（メニスカス、エッジ）が形成される。例えば、基板Ｐの露光時には、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐ上の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように、液体ＬＱで液浸部ＬＳが形成される。すなわち、本実施形態の第４処理装置２７（液浸露光装置）は、局所液浸方式を採用する。
【００４２】
なお、液浸部材３０は、基板Ｐのみならず、第１露光光ＥＬ１が射出される終端光学素子３１の下面３２と対向する位置に配置された物体の上面との間で液浸部ＬＳを形成可能である。例えば、液浸部ＬＳは、終端光学素子３１及び液浸部材３０と、基板ステージ２９の上面２９Ｆとの間に形成可能である。
【００４３】
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の第１露光光ＥＬ１で照明する。本実施形態においては、照明系ＩＬから射出される第１露光光ＥＬ１として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。
【００４４】
マスクステージ２８は、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムにより、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ２８（マスクＭ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は不図示のレーザ干渉計によって計測される。駆動システムは、レーザ干渉計の計測結果に基づいてマスクステージ２８を駆動し、マスクステージ２８に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００４５】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００４６】
基板ステージ２９は、基板Ｐを保持する基板ホルダ３４を有する。基板ステージ２９の上面２９Ｆは、基板ホルダ３４の周囲に配置され、終端光学素子３１の下面３２及び液浸部材３０の下面３３と対向可能である。基板ステージ２９の上面２９Ｆは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。基板ホルダ３４は、基板ステージ２９に設けられた凹部に配置されている。基板ホルダ３４は、基板Ｐの上面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。基板ホルダ３４に保持された基板Ｐの上面と基板ステージ２９の上面２９Ｆとは、同一平面内に配置される（面一である）。上面２９Ｆは、例えばフッ素を含む材料で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性である。上面２９Ｆと液体ＬＱとの接触角は、例えば９０°以上である。上述のように、液浸部材３０は、基板Ｐのみならず、基板ステージ２９の上面２９Ｆとの間に液浸部ＬＳを形成可能である。例えば、基板Ｐの周縁領域の近傍の感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光するとき、液浸部ＬＳは、終端光学素子３１及び液浸部材３０と、基板Ｐ及び上面２９Ｆとの間に形成され、液体ＬＱは、上面２９Ｆに接触する。
【００４７】
基板ステージ２９は、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムにより、基板ホルダ３４に基板Ｐを保持した状態で、定盤３５上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。基板ステージ２９（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は不図示のレーザ干渉計によって計測される。基板ステージ２９に保持されている基板Ｐの上面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。駆動システムは、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、基板ステージ２９に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００４８】
図１１は、液浸部材３０の近傍を示す断面図である。液浸部材３０は、終端光学素子３１と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路に液体ＬＱを供給する供給口３６と、液体ＬＱを回収する回収口３７とを有している。供給口３６は、流路を介して液体供給装置と接続されている。液体供給装置は、清浄で温度調整された液体ＬＱを供給口３６に供給可能である。回収口３７は、流路を介して真空システムを含む液体回収装置に接続されている。液体回収装置は、回収口３７を介して、液浸部ＬＳの液体ＬＱを回収可能である。本実施形態においては、回収口３７には多孔部材（メッシュ）３８が配置されている。
【００４９】
第４処理装置２７は、液浸部ＬＳを形成するために、供給口３６を用いる液体供給動作と並行して、回収口３７を用いる液体回収動作を実行する。これにより、終端光学素子３１の射出面３２と基板Ｐの上面との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、液浸部ＬＳが形成される。
【００５０】
第４処理装置２７は、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影している間、液浸部材３０を用いて、液浸部ＬＳを形成する。第４処理装置２７は、基板Ｐの感光膜Ｒｇと液体ＬＱとを接触させながら、基板Ｐの上面の中央領域の感光膜Ｒｇに、マスクＭからの第１露光光ＥＬ１を、投影光学系ＰＬと液浸部ＬＳの液体ＬＱとを介して照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐ上に投影され、基板Ｐの感光膜Ｒｇが露光される。
【００５１】
基板Ｐの周縁領域の近傍の感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光するとき、あるいは液浸部ＬＳを基板Ｐの上面から基板ステージ２９の上面２９Ｆに移動するとき等においては、図１１に示すように、液浸部ＬＳが、基板ホルダ３４に保持された基板Ｐの上面と、その基板Ｐの周囲に配置された基板ステージ２９の上面２９Ｆとの間のギャップＧ上に配置される。本実施形態においては、基板ステージ２９の上面２９Ｆが、液体ＬＱに対して撥液性であり、基板Ｐの上面の周縁領域、及び側面を含む基板Ｐの周縁領域が、液体ＬＱに対して撥液性であるＨＭＤＳ膜Ｍｈによって形成されているので、ギャップＧへの液体ＬＱの浸入を抑制できる。
【００５２】
また、本実施形態の基板ホルダ３４は、真空チャック機構（ピンチャック機構）を含み、基板Ｐの下面と対向可能な上面を有する周壁（シール部材）３９と、周壁３９の内側に配置され、基板Ｐの下面を支持可能な凸部材（支持部材）４０とを備えている。基板ホルダ３４は、周壁３９で囲まれた基板Ｐの下面側の空間を負圧にすることで、基板Ｐを凸部材４０に吸着保持する。本実施形態においては、周壁３３の上面と基板Ｐの下面とが接触するように、基板Ｐが基板ホルダ３４に保持される。なお、本実施形態においては、エッジリンス処理によって、基板ホルダ３４の周壁３９の上面と接触する基板Ｐの下面から感光膜Ｒｇが除去されており、基板ホルダ３４の周壁３９の上面と接触する基板Ｐの下面には感光膜Ｒｇが無いので、感光膜Ｒｇに起因するパーティクルの発生を抑制できる。
【００５３】
基板Ｐの液浸露光が終了した後、所定の搬送装置（不図示）によって、液浸露光後の基板Ｐが基板ステージ２９から搬出（アンロード）される。基板ステージ２９から搬出された基板Ｐは、必要に応じて、例えば、液体除去処理、加熱処理（ＰＥＢ処理）等、所定の処理を実行された後、現像装置に搬送される。基板Ｐは、その現像装置によって現像処理される。現像処理によって、マスクＭのパターンに応じた基板Ｐの感光膜Ｒｇの一部分が除去される。現像処理後、ポストベーク処理、エッチング処理等を含む所定の処理が実行されることにより、基板Ｐ上には、マスクＭのパターンに応じたパターン（デバイスパターン）が形成される。
【００５４】
図１２は、上述の第１処理装置１、第２処理装置１１、第３処理装置１５、及び第４処理装置２７を備えたデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す模式図である。各処理装置間においては、基板は搬送装置によって搬送される。
【００５５】
図１２において、デバイス製造システムＳＹＳは、第４処理装置（液浸露光装置）２７と、その第４処理装置２７に接続され、上述の第１処理装置１、第２処理装置１１、第３処理装置１５、及び現像装置を含むコータ・デベロッパ装置ＣＤとを含む。第４処理装置２７とコータ・デベロッパ装置ＣＤとはインターフェースＩＦを介して接続されており、基板Ｐは不図示の搬送装置により、第４処理装置２７とコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間でインターフェースＩＦを介して搬送可能である。
【００５６】
以上説明したように、本実施形態によれば、液浸露光処理される基板Ｐの周縁領域の表面が、液体ＬＱに対して撥液性のＨＭＤＳ膜Ｍｈで形成されているので、基板Ｐを液浸露光する際、例えば基板Ｐの周囲に形成されるギャップＧを介して、液体ＬＱが基板Ｐの下面側に浸入することを抑制することができる。したがって、基板Ｐの下面側に浸入した液体ＬＱの気化による温度変化の発生、液体ＬＱの付着跡（ウォーターマーク）等の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【００５７】
また、本実施形態によれば、基材Ｗの周縁領域に第２露光光ＥＬ２を照射した後、その第２露光光ＥＬ２が照射された基材Ｗの周縁領域にＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成され、第２露光光ＥＬ２によって洗浄（光洗浄）された基材Ｗの周縁領域ＥＡの表面に、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成される。これにより、基材Ｗの周縁領域ＥＡにより良好なＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成することができる。したがって、ＨＭＤＳ膜Ｍｈの撥液能力を最大限に発揮させることができる。したがって、基板Ｐの周縁領域は、液体ＬＱに対して高い撥液性を有することとなり、ギャップＧを介して基板Ｐの下面側に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。
【００５８】
例えば、基材Ｗの周縁領域ＥＡに不純物が付着している状態（周縁領域ＥＡが汚染されている状態）で、その周縁領域ＥＡにＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成すると、ＨＭＤＳ膜Ｍｈの表面の撥液性が低下する可能性がある。その場合、液体ＬＱに対する基板Ｐの周縁領域の撥液性が低くなってしまうため、基板Ｐの周囲のギャップＧを介して、基板Ｐの下面側に液体ＬＱが浸入する可能性が高くなる。
【００５９】
本実施形態によれば、第２露光光ＥＬ２を用いて基材Ｗの周縁領域ＥＡを洗浄（光洗浄）した後、その基材Ｗの周縁領域ＥＡにＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成するとので、ＨＭＤＳ膜Ｍｈの撥液性の低下を抑えることができる。
【００６０】
なお、本実施形態においては、第２露光光ＥＬ２が、基材Ｗの上面の周縁領域ＥＡ１、及び基材Ｗの側面ＥＡ２に照射される場合を例にして説明したが、基材Ｗの下面の周縁領域ＥＡ３など、基材Ｗの下面においてＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成される領域に、第２露光光ＥＬ２を照射するようにしてもよい。例えば基材Ｗ（基板）の下面の全域、あるいはＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成される基材Ｗの下面の周縁領域ＥＡ３に第２露光光ＥＬ２を照射するようにしてもよい。また、基材Ｗの上面の周縁領域ＥＡ１のみに第２露光光ＥＬ２を照射してもよい。
【００６１】
なお、第２露光光ＥＬ２が照射される領域と、エッジリンス処理によって感光膜Ｒｇが除去される領域とは、必ずしも一致していなくてもよい。例えば、図１３に示すように、第２露光光ＥＬ２が照射された領域の少なくとも一部が感光膜Ｒｇで覆われたままであってもよい。この場合も、基板Ｐの周縁領域が撥液性なので、液浸露光処理において、基板Ｐの周囲のギャップＧからの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。また、第２露光光ＥＬ２で照射された領域上のＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に感光膜Ｒｇのエッジが形成されるので、基板Ｐの周縁領域における感光膜Ｒｇの剥離をより効果的に防止できる。したがって、感光膜Ｒｇの剥離に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
【００６２】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００６３】
上述の第１実施形態においては、ＨＭＤＳ膜Ｍｈを有する基板Ｐ上に感光膜Ｒｇを形成した後、その感光膜Ｒｇの一部を除去するエッジリンス処理が実行される場合を例にして説明したが、第２実施形態の特徴的な部分は、感光膜Ｒｇのエッジリンス処理を省略する点にある。
【００６４】
図１４のフローチャートに示すように、本実施形態の露光方法は、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光する周縁露光処理（ステップＳＡ１）と、第２露光光ＥＬ２で露光された基材Ｗの周縁領域ＥＡの少なくとも一部に、液体ＬＱに対して撥液性のＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成するＨＭＤＳ処理（ステップＳＡ２）と、ＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成した後に、基板上に感光膜Ｒｇを形成する処理（ステップＳＡ３）と、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱するベーク処理（ステップＳＡ５）と、感光膜Ｒｇを加熱した後に、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光する液浸露光処理（ステップＳＡ６）とを含む。
【００６５】
本実施形態においては、エッジリンス処理を実行しないので、例えば図４に示したように、基板Ｐの周縁領域の表面（上面、及び側面の一部）は、撥液性の感光膜Ｒｇで形成される。上述の第１実施形態と同様、感光膜Ｒｇは、液体ＬＱに対して撥液性なので、基板Ｐの周縁領域の表面が感光膜Ｒｇで形成されることによって、液浸露光処理において、基板Ｐの周囲のギャップＧを介して基板Ｐの下面側に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。
【００６６】
また、第２露光光ＥＬ２が照射された領域上のＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に感光膜Ｒｇのエッジが形成されるので、基板Ｐの周縁領域における感光膜Ｒｇの剥離をより効果的に防止することができる。したがって、感光膜Ｒｇの剥離に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
【００６７】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００６８】
第３実施形態の特徴的な部分は、液浸露光処理を実行する前に、感光膜Ｒｇを液体ＬＱから保護するための保護膜Ｔｃを基板上に形成する点にある。
【００６９】
図１５は、第３実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。図１５に示すように、本実施形態の露光方法は、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光する周縁露光処理（ステップＳＢ１）と、第２露光光ＥＬ２で露光された基材Ｗの周縁領域ＥＡにＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成するＨＭＤＳ処理（ステップＳＢ２）と、ＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成した後に、基板上に感光膜Ｒｇを形成する処理（ステップＳＢ３）と、感光膜Ｒｇを形成した後に、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去するエッジリンス処理（ステップＳＢ４）と、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱するベーク処理（ステップＳＢ５）と、感光膜Ｒｇを加熱した後に、感光膜Ｒｇを保護するための保護膜Ｔｃを基板上に形成する処理（ステップＳＢ６）と、保護膜Ｔｃを形成した後に、基板の周縁領域の保護膜Ｔｃを除去するエッジリンス処理（ステップＳＢ７）と、基板上に形成された保護膜Ｔｃを加熱するベーク処理（ステップＳＢ８）と、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光する液浸露光処理（ステップＳＢ９）とを含む。
【００７０】
本実施形態において、液浸露光処理を実行する前に、保護膜Ｔｃを基板上に形成する処理が実行される。また、液浸露光処理を実行する前に、基板の周縁領域の保護膜Ｔｃを除去する処理が実行される。
【００７１】
ステップＳＢ１〜ステップＳＢ５は、上述の実施形態で説明したステップＳＡ１〜ＳＡ５と同様であるため、ステップＳＢ１〜ステップＳＢ５についての説明を省略する。
【００７２】
ステップＳＢ６は、保護膜Ｔｃを基板上に形成する処理を含む。保護膜Ｔｃは、感光膜Ｒｇ上に形成される。保護膜Ｔｃは、感光膜Ｒｇを覆うように形成される。
【００７３】
保護膜Ｔｃは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）である。保護膜Ｔｃと液体ＬＱとの接触角は、例えば９０°以上である。一例として、本実施形態においては、保護膜Ｔｃとして、東京応化工業株式会社製「ＴＳＰ-３Ａ」を用いる。
【００７４】
図１６（Ａ）は、保護膜Ｔｃが形成された基板を示す断面図、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示す基板の周縁領域の近傍を拡大した図である。本実施形態においては、保護膜Ｔｃは、スピンコーティング法を用いて形成される。図１６に示すように、基板上には、スピンコーティング法に基づいて、保護膜Ｔｃが形成される。保護膜Ｔｃは、基板の上面、及び側面の一部に形成される。
【００７５】
ステップＳＢ７は、基板の周縁領域に形成された保護膜Ｔｃを除去するエッジリンス処理を含む。エッジリンス処理は、基板の周縁領域に向けてアセトン、又はシンナー等を含む溶剤を吹き付ける処理を含む。本実施形態では、基板の側面の保護膜Ｔｃ、及び基板の上面の周縁領域の保護膜Ｔｃが除去される。なお、ステップＳＢ６において、基板の下面に周縁領域にも保護膜Ｔｃが形成される場合には、ステップＳＢ７において、基板の下面の保護膜Ｔｃも除去すればよい。
【００７６】
図１７（Ａ）は、保護膜Ｔｃがエッジリンス処理された後の基板を示す断面図、図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）に示す基板の周縁領域の近傍を拡大した図である。基板の周縁領域の保護膜Ｔｃを除去するエッジリンス処理を実行することによって、図１７に示すように、基板Ｐの上面の周縁領域を除く大部分の領域（中央領域）の保護膜Ｔｃは除去されず、基板Ｐの上面の大部分の領域が保護膜Ｔｃによって形成される。本実施形態においては、感光膜Ｒｇの全域が保護膜Ｔｃによって覆われる。また、保護膜Ｔｃが除去されることによって、基板Ｐの下面の周縁領域、基板Ｐの側面、及び基板Ｐの上面の周縁領域において、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが露出する。
【００７７】
なお、保護膜Ｔｃを形成する処理は、図９を参照して説明したような、スピンコーティング法に基づいて塗布する塗布装置によって形成可能である。塗布装置は、保護膜Ｔｃを形成する保護材の溶液をスピンコーティング法によって基板上に形成する。また、保護膜Ｔｃの一部を除去するエッジリンス処理は、図９を参照して説明したような、エッジリンス処理を実行可能なエッジリンス装置によって実行可能である。
【００７８】
本実施形態において、感光膜Ｒｇと保護膜Ｔｃとの密着性は良好である。
【００７９】
ステップＳＢ８は、基板上に形成された保護膜Ｔｃを加熱するベーク処理を含む。ベーク処理によって、例えば保護膜Ｔｃ中の溶剤が蒸発し、保護膜Ｔｃが固化され、保護膜Ｔｃと感光膜Ｒｇとの密着性を更に高めることができる。
【００８０】
ステップＳＢ９は、基板Ｐ上に形成された感光膜Ｒｇを液体ＬＱを介して第１露光光ＥＬ１で露光する処理を含む。本実施形態においては、液体ＬＱと基板Ｐ（保護膜Ｔｃ）とを接触させた状態で、液体ＬＱを介して第１露光光ＥＬ１が感光膜Ｒｇに照射される。基板Ｐの上面の感光膜Ｒｇは、第１露光光ＥＬ１によって露光される。基板Ｐの液浸露光処理は、上述の液浸露光装置を含む第４処理装置２７によって実行可能である。液浸露光後の基板Ｐは、基板ステージ２９からアンロードされた後、現像処理を実行される。
【００８１】
以上説明したように、本実施形態においても、液浸露光処理される基板Ｐの周縁領域の表面が、液体ＬＱに対して撥液性のＨＭＤＳ膜Ｍｈで形成されているので、基板Ｐを液浸露光する際、例えば基板Ｐの周囲に形成されるギャップＧを介して、液体ＬＱが基板Ｐの下面側に浸入することを抑制することができる。したがって、基板Ｐの下面側に浸入した液体ＬＱの気化による温度変化の発生、液体ＬＱの付着跡（ウォーターマーク）等の発生を抑制することができる。したがって、露光不良の発生を抑制でき、不良デバイスの発生を抑制できる。
【００８２】
また、本実施形態においても、基材Ｗの周縁領域ＥＡに第２露光光ＥＬ２を照射した後、その第２露光光ＥＬ２が照射された基材Ｗの周縁領域ＥＡにＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成されるので、基材Ｗの周縁領域ＥＡにＨＭＤＳ膜Ｍｈを良好に形成できる。したがって、ＨＭＤＳ膜Ｍｈの撥液能力を最大限に発揮させることができる。したがって、基板Ｐの周縁領域は、液体ＬＱに対して高い撥液性を有することとなり、ギャップＧを介して基板Ｐの下面側に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。
【００８３】
また、本実施形態によれば、保護膜Ｔｃによって、感光膜Ｒｇを保護することができる。また、液体ＬＱに対する保護膜Ｔｃの撥液性（接触角）が、液体ＬＱに対する感光膜Ｒｇの撥液性（接触角）よりも大きい場合、保護膜Ｔｃ上の液体ＬＱの回収性を高めることができる。
【００８４】
なお、本実施形態においても、基材Ｗの下面の周縁領域ＥＡ３等、基材Ｗの下面においてＨＭＤＳ膜が形成される領域に、第２露光光ＥＬ２を照射するようにしてもよい。また、基材Ｗの上面の周縁領域ＥＡ１のみに第２露光光ＥＬを照射してもよい。
【００８５】
なお、第２露光光ＥＬ２が照射される領域と、エッジリンス処理によって保護膜Ｔｃが除去される領域とは、必ずしも一致していなくてもよい。例えば、図１８に示すように、第２露光光ＥＬ２が照射された領域の少なくとも一部が保護膜Ｔｃで覆われたままであってもよい。この場合も、基板Ｐの周縁領域が撥液性なので、液浸露光処理において、基板Ｐの周囲のギャップＧからの液体ＬＱの浸入を抑制することができる。また、第２露光光ＥＬで照射された領域上のＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に保護膜Ｔｃのエッジが形成されるので、基板Ｐの周縁領域における保護膜Ｔｃの剥離をより効果的に防止できる。したがって、保護膜Ｔｃの剥離に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
【００８６】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００８７】
上述の第３実施形態においては、基板上に保護膜Ｔｃを形成した後、その保護膜Ｔｃの一部を除去するエッジリンス処理が実行される場合を例にして説明したが、第３実施形態と異なる第４実施形態の特徴的な部分は、保護膜Ｔｃのエッジリンス処理を省略する点にある。
【００８８】
図１９のフローチャートに示すように、本実施形態の露光方法は、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光する周縁露光処理（ステップＳＢ１）と、第２露光光ＥＬ２で露光された基材Ｗの周縁領域ＥＡにＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成するＨＭＤＳ処理（ステップＳＢ２）と、基板上に感光膜Ｒｇを形成する処理（ステップＳＢ３）と、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去するエッジリンス処理（ステップＳＢ４）と、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱するベーク処理（ステップＳＢ５）と、感光膜Ｒｇを保護するための保護膜Ｔｃを基板上に形成する処理（ステップＳＢ６）と、基板上に形成された保護膜Ｔｃを加熱するベーク処理（ステップＳＢ８）と、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光する液浸露光処理（ステップＳＢ９）とを含む。
【００８９】
本実施形態においては、保護膜Ｔｃのエッジリンス処理を実行しないので、例えば図１６に示したように、基板Ｐの周縁領域の表面（上面、及び側面の一部）は、撥液性の保護膜Ｔｃで形成される。上述の第３実施形態と同様、本実施形態の保護膜Ｔｃは、液体ＬＱに対して撥液性である。したがって、基板Ｐの周縁領域の表面が保護膜Ｔｃで形成されることによって、液浸露光処理において、基板Ｐの周囲のギャップＧを介して基板Ｐの下面側に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。
【００９０】
また、第２露光光ＥＬ２が照射された領域上のＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に保護膜Ｔｃのエッジが形成されるので、基板Ｐの周縁領域における保護膜Ｔｃの剥離を防止する。したがって、保護膜Ｔｃの剥離に起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
【００９１】
なお、上述の第１〜第４実施形態においては、基材Ｗ上に形成される、液体ＬＱに対して撥液性の第１膜としてＨＭＤＳ膜を用いる場合を例にして説明したが、液体ＬＱに対して撥液性であり、感光膜Ｒｇ（あるいは保護膜Ｔｃ）の剥離を抑制可能であるならば、第１膜は、ＨＭＤＳ膜に限られず、例えばフッ素を含む材料膜等、他の材料膜であってもよい。
【００９２】
なお、上述の第１〜第４実施形態において、第１膜（ＨＭＤＳ膜）と基材Ｗとの間、及び／又は第１膜（ＨＭＤＳ膜）と感光膜Ｒｇとの間に、所定の機能を有する第２膜（例えば反射防止膜）を形成してもよい。この場合、第２膜は単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。また、第３、第４実施形態においては、感光膜Ｒｇと保護膜Ｔｃとの間に所定の機能を有する第３膜（例えば反射防止膜）を形成してもよい。この場合、第３膜は上述の第２膜と併用してもよいし、第２膜を形成しなくてもよい。また、第３膜も単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。
【００９３】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００９４】
上述の第１〜第４実施形態においては、基材Ｗ上に第１膜Ｍｈを形成し、その第１膜Ｍｈ上に感光膜Ｒｇ、保護膜Ｔｃ等を形成する場合を例にして説明したが、本実施形態の特徴的な部分は、第１膜が省略され、感光膜Ｒｇが、シリコン基板等の基材Ｗ上に直接的に形成される点にある。
【００９５】
図２０は、第５実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。図２０に示すように、本実施形態の露光方法は、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光する周縁露光処理（ステップＳＣ１）と、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光した後に、基材Ｗ上に感光膜Ｒｇを形成する処理（ステップＳＣ２）と、感光膜Ｒｇを形成した後に、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去するエッジリンス処理（ステップＳＣ３）と、基板の周縁領域の感光膜Ｒｇを除去した後に、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱する処理（ステップＳＣ４）と、感光膜Ｒｇを保護するために撥液性の保護膜Ｔｃを基板上に形成する処理（ステップＳＣ５）と、基板上に形成された保護膜Ｔｃを加熱するベーク処理（ステップＳＣ６）と、液体ＬＱを介して基板Ｐの感光膜Ｒｇを第１露光光ＥＬ１で露光する液浸露光処理（ステップＳＣ７）とを含む。
【００９６】
本実施形態においては、保護膜Ｔｃのエッジリンス処理を実行しないので、例えば図２１に示すように、基板Ｐの周縁領域の表面（上面、及び側面の一部）は、撥液性の保護膜Ｔｃで形成される。
【００９７】
本実施形態によれば、基板Ｐの周縁領域の表面が第１膜で形成されないものの、第２露光光ＥＬ２の照射によって基板Ｐの周縁領域の表面が洗浄（光洗浄）されているので、その周縁領域からの異物の発生を抑制できる。また第２露光光ＥＬ２が照射された領域上に保護膜Ｔｃのエッジが形成されるので、基板Ｐの周辺における保護膜Ｔｃの剥離を抑制することができる。また、液浸露光処理において、基板Ｐの周囲のギャップＧを介して液体ＬＱが基板Ｐの下面側に浸入することを抑制できることが期待できる。
【００９８】
なお、第５実施形態において、基材Ｗと感光膜Ｒｇとの間、及び／又は感光膜Ｒｇと保護膜Ｔｃとの間に所定機能を有する機能膜（例えば反射防止膜など）を形成してもよい。この場合、基材Ｗと感光膜Ｒｇとの間の機能膜が保護膜Ｔｃと基材Ｗとの間に形成されていてもよい。基材Ｗの周縁領域ＥＡに第２露光光ＥＬが照射されているので、基材Ｗ上に機能膜が良好な状態で形成されるので、基板Ｐの周縁領域において機能膜上に形成された保護膜Ｔｃの剥離を抑制することができる。この場合、その機能膜は単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。
【００９９】
なお、第５実施形態においては、基板Ｐの周縁領域の表面（上面、及び側面の一部）は、撥液性の保護膜Ｔｃで形成されるが、保護膜Ｔｃを設けずに、基板Ｐの周縁領域の表面（上面、及び側面の一部）を撥液性の感光膜Ｒｇで形成してもよい。この場合は、感光膜Ｒｇのエッジリンスを省略してもよい。この場合も、基材Ｗと感光膜Ｒｇとの間に所定機能を有する機能膜（例えば反射防止膜など）を形成してもよい。基材Ｗの周縁領域ＥＡに第２露光光ＥＬ２が照射されているので、基材Ｗ上に機能膜が良好な状態で形成されるので、基板Ｐの周縁領域において機能膜上に形成された感光膜Ｒｇの剥離を抑制することができる。この場合も、その機能膜は単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。
【０１００】
なお、上述の第１〜第５実施形態においては、説明を簡単にするために、基材Ｗがシリコン基板であり、そのシリコン基板上に第１膜Ｍｈ、あるいは感光膜Ｒｇを形成する場合を例にして説明したが、基材Ｗの表面（下地）がＳｉＯ２等の酸化膜の場合もある。また、基材Ｗの表面（下地）が、前のプロセスまでに形成されたＳｉＯ２等の酸化膜、ＳｉＯ２及びＳｉＮｘ等の絶縁膜、Ｃｕ及びＡｌ−Ｓｉ等の金属・導体膜、アモルファスＳｉ等の半導体膜の少なくとも１つの表面である場合もある。いずれの場合も、基材Ｗの周縁領域ＥＡを第２露光光ＥＬ２で露光することによって、その周縁領域ＥＡの表面を洗浄（光洗浄）することができる。
【０１０１】
なお、上述の各実施形態においては、基材Ｗの周縁領域ＥＡに第２露光光ＥＬ２を照射する場合を例にして説明したが、例えば基材Ｗの上面の中央領域及び周縁領域ＥＡ１を含む全域に第２露光光ＥＬ２を照射してもよい。基材Ｗの上面の全域に第２露光光ＥＬ２を照射した後、その基材Ｗの上面に、ＨＭＤＳ膜等の第１膜Ｍｈ、あるいは感光膜Ｒｇ等、各種の膜を形成することができる。
【０１０２】
なお、上述の各実施形態においては、第１露光光ＥＬ１として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いる場合を例にして説明したが、例えば、第１露光光ＥＬ１として、水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等を用いてもよい。また、例えば、第１露光光ＥＬ１として、ｉ線（３６５ｎｍ）を用いる場合、第２露光光ＥＬ２の波長が、３６５ｎｍであってもよい。また、第１露光光ＥＬ１として、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）を用いる場合、第２露光光ＥＬ２の波長が、２４８ｎｍであってもよい。
【０１０３】
なお、上述の各実施形態においては、第２露光光ＥＬ２の波長が、第１露光光ＥＬ１の波長と同じである場合を例にして説明したが、第２露光光ＥＬ２の波長が、第１露光光ＥＬ１の波長と異なっていてもよい。例えば、第２露光光ＥＬ２の波長が、第１露光光ＥＬ１の波長よりも長くてもよい。例えば、第１露光光ＥＬ１の波長が１９３ｎｍである場合において、第２露光光ＥＬ２の波長が、３６５ｎｍ、あるいは２５４ｎｍであってもよい。
【０１０４】
また、第２露光光ＥＬ２の波長が、第１露光光ＥＬ１の波長よりも短くてもよい。例えば、第１露光光ＥＬ１の波長が１９３ｎｍである場合において、第２露光光ＥＬ２の波長が、１８５ｎｍ、あるいは１７２ｎｍであってもよい。
【０１０５】
なお、上述の各実施形態において、第２露光光ＥＬ２を発生する光源としては、上述の記載と一部重複するが、Ａｒ２エキシマランプ（波長１２６ｎｍ）、Ａｒ２エキシマレーザ（波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ２エキシマランプ（波長１４６ｎｍ）、Ｋｒ２エキシマレーザ（波長１４６ｎｍ）、Ｆ２ダイマランプ（波長１５７ｎｍ）、Ｆ２ダイマレーザ（波長１５７ｎｍ）、Ｘｅ２エキシマランプ（波長１７２ｎｍ）、Ｘｅ２エキシマレーザ（波長１７２ｎｍ）、ＡｒＦエキシマランプ（波長１９３ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＣｌエキシマランプ（波長２２２ｎｍ）、ＫｒＣｌエキシマレーザ（波長２２２ｎｍ）、ＫｒＦエキシマランプ（波長２４８ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマランプ（波長３０８ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）、低圧水銀ランプ（波長１８５ｎｍと２５４ｎｍとの光を同時に発光）、重水素ランプ（真空紫外〜可視まで広域な波長を有する光）などを使用することができる。
【０１０６】
なお、上述の実施形態の投影光学系は、終端光学素子の像面側（射出側）の光路を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子の物体面側（入射側）の光路も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
【０１０７】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系、あるいは基板の表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。感光膜Ｒｇを形成する材料としては、使用される液体ＬＱに対して撥液性を有するものが使用される。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（最終光学素子ＦＬなど）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１０８】
また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。
【０１０９】
なお、上述の実施形態において、液浸部材など液浸システムの構成は上述のものに限られず、例えば国際公開第２００４／０８６４６８号パンフレット、国際公開第２００５／０２４５１７号パンフレットに開示されている液浸システムを用いることもできる。
【０１１０】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１１１】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１１２】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０１１３】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【０１１４】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許６，３４１，００７号明細書、米国特許６，４００，４４１号明細書、米国特許６，５４９，２６９号明細書、米国特許６，５９０,６３４号明細書、米国特許６，２０８，４０７号明細書、米国特許６，２６２，７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置を採用することもできる。
【０１１５】
更に、例えば米国特許第６，８９７，９６３号明細書、欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号明細書などに開示されているような、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【０１１６】
また、上述の実施形態は、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【０１１７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１１８】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ、基板ステージの各ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
【０１１９】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許７,０２３,６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であってもよいし、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０１２０】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。
【０１２１】
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明光学系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
【０１２２】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に採用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸部が形成される。
【０１２３】
また、露光装置ＥＸとして、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）を採用することができる。
【０１２４】
本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１２５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２２に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板Ｐを製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクＭからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光すること、及び露光した基板Ｐを現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。ステップ２０４は、上述の実施形態で説明したステップＳＡ１〜ＳＡ６、ＳＢ１〜ＳＢ１０、ＳＣ１〜ＳＣ６等を含む。
【０１２６】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いることが可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【０１２７】
なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】周縁露光される基板の状態を示す模式図である。
【図３】第１膜が形成された基板の状態を示す模式図である。
【図４】感光膜が形成された基板の状態を示す模式図である。
【図５】感光膜の一部が除去れた基板の状態を示す模式図である。
【図６】液浸露光されている基板の状態を示す模式図である。
【図７】第１処理装置の一例を示す図である。
【図８】第２処理装置の一例を示す図である。
【図９】第３処理装置の一例を示す図である。
【図１０】第４処理装置の一例を示す図である。
【図１１】第４処理装置の一部を拡大した図である。
【図１２】第１実施形態に係るデバイス製造システムの一例を示す模式図である。
【図１３】感光膜の一部が除去れた基板の状態を示す模式図である。
【図１４】第２実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図１５】第３実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図１６】保護膜が形成された基板の状態を示す模式図である。
【図１７】保護膜の一部が除去された基板の状態を示す模式図である。
【図１８】保護膜の一部が除去された基板の状態を示す模式図である。
【図１９】第４実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図２０】第５実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図２１】保護膜が形成された基板の状態を示す模式図である。
【図２２】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１２９】
１…第１処理装置、１１…第２処理装置、１５…第３処理装置、２７…第４処理装置、ＥＡ…周縁領域、ＥＬ１…第１露光光、ＥＬ２…第２露光光、ＬＱ…液体、Ｍｈ…第１膜、Ｐ…基板、Ｒｇ…感光膜、ＳＹＳ…デバイス製造システム、Ｔｃ…保護膜、Ｗ…基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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