(57)【要約】【課題】ＭＲ素子を用いた磁界強度センサにおいて、交換時の保守を容易とするとともに、交換に要する費用を低減し、多種多様な検査工程や測定対象にも対応可能とする。【解決手段】狭小な幅で先端１３から基端１４に向けて延長する可撓性基板１１の先端側上面に基板の幅方向に延長するように細線状に形成された磁気抵抗薄膜１５と、基板先端側から磁気抵抗薄膜上を横断して基端側へ延長するとともに、末端が所定の形状となるように形成された少なくとも２本以上の導電パターンからなるリード配線１６とを備えたプローブ部１０と、先端から基端に向けて延長する棒状で、リード配線の末端パターン形状に対応する電気接点が形成されて基板の基端を着脱自在に保持するコネクタ２２と、電気接点に接続されてプローブ部と外部の電気回路との信号を仲介するための配線ケーブル２５とを備えたプローブ保持部とによって構成される磁界強度センサ１としている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗薄膜の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界の強度を測定する磁界強度センサであって、
プローブ部と、プローブ保持部とから構成され、
前記プローブ部は、狭小な幅で先端から基端に向けて延長する可撓性基板の先端側上面に当該基板の幅方向に延長するように細線状に形成された磁気抵抗薄膜による導電パターンと、前記基板先端側から当該磁気抵抗薄膜上を横断して基端側へ延長するとともに、末端が所定の形状となるように形成された少なくとも２本以上の導電パターンからなるリード配線とを備え、
前記プローブ保持部は、先端から基端に向けて延長する棒状で、先端に前記基板の基端を保持するとともに前記リード配線の末端パターン形状に対応する電気接点が形成されたコネクタと、当該電気接点に接続されて前記プローブ部と外部の電気回路との信号を仲介するための配線ケーブルとを備えている
ことを特徴とする磁界強度センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の前記プローブ部であって、前記リード配線は、前記磁気抵抗薄膜を横断する２本の導電パターンが延長途上でそれぞれ２本の導電パターンに分岐して前記末端に至るように形成されていることを特徴とする磁界強度センサ用のプローブ部。
【請求項３】
請求項１に記載の、前記プローブ部であって、前記リード配線は、前記基板の先端から基端に向けて延長する４本の導電パターンであり、当該４本の導電パターンのうち外側の２本が磁気抵抗薄膜に対してセンサ電流を通電するための信号経路に接続され、内側の２本は、当該電流に対する抵抗値を検出するための信号経路に接続されることを特徴とする磁界強度センサ用のプローブ部。
【請求項４】
請求項２または３において、前記可撓性基板はポリイミドフィルムであることを特徴とする磁界強度センサ用のプローブ部。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかにおいて、少なくとも、前記磁気抵抗薄膜の導電パターンを覆うように保護膜が形成されていることを特徴とする磁界強度センサ用のプローブ部。
【請求項６】
請求項５において、前記保護膜は、パターニングされたレジストを熱硬化させることで形成されていることを特徴とする磁界強度センサ用のプローブ部。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗薄膜素子（以下、ＭＲ素子）を用いた磁界強度センサに関する。具体的には、ＭＲ素子の利点を備えつつ、保守が容易でランニングコストにも優れた磁界強度センサ、および当該磁界強度センサ用のプローブ部に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁界強度の評価は磁界強度を定量的に検出できる磁界強度センサを用いて行われるが、その磁界強度センサには磁気抵抗薄膜素子またはホール素子が広く使用されている。この場合、地磁気や磁気記録媒体の漏れ磁界評価など、８００Ａ／ｍ以下の小さな磁界強度評価ではＭＲ素子が主流となっている（特許文献１参照）。また、たとえば電磁アクチュエータなど、約８０００Ａ／ｍ以上の磁界強度評価ではホール素子が主流となっている（特許文献２参照）。
【０００３】
ホール素子はＧａＡｓなどの化合物半導体基板を用いて構成され、一定の電流供給下で磁界強度にほぼ比例した起電力いわゆるホール電圧を発生する。このホール電圧から磁界強度を定量検出することができる。
【０００４】
しかし、ホール素子に使用されるＧａＡｓなどの化合物半導体が非常に脆い材料であり、素子表面に数１００μｍ以上の保護皮膜を形成する必要がある。そのため、ホール素子を柔軟に撓ませることができない。また、保護皮膜を含めた素子自体の厚さが５００μｍ以上となるため、たとえば、マイクロ電磁アクチュエータなどのように、非常に狭い磁極間で磁界測定をすることが困難である。
【０００５】
さらに、このホール素子は４端子の能動素子で電流供給が必要なため、センサ部および測定回路の構成が複雑になりやすいという問題もある。温度特性にも問題があり、高温タイプのＩｎＡｓ素子でも最高耐熱温度が１２５℃程度であるため、使用環境の制約が大きい。
【０００６】
一方、ＭＲ素子は基板に磁気抵抗薄膜の導電パターンを形成することにより構成され、その磁気抵抗薄膜の抵抗値変化から磁界強度を検出するものであって、回路構成が簡単であり、薄くかつ柔軟な基板状にも形成できるため、形状の自由度が高い。このため、ホール素子に比べてセンサ部および測定回路の構成を簡単化できるという利点がある。
【０００７】
さらに、磁気抵抗薄膜には、Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどの強磁性元素からなる合金薄膜を使用することができ、それらの合金のキュリー温度は４００℃以上である。したがって、温度特性や耐熱性にすぐれたものを得やすく、ホール素子の使用が困難な環境下でも使用できるという利点がある。
【０００８】
しかし、このＭＲ素子には磁界強度に対する抵抗値変化の直線性が悪いという問題があり、このため、精度を要求される磁界強度測定ではホール素子に大きく劣っていた。また、磁界強度センサとしての感度が低く、大きな磁界強度の評価には適さないという問題もあった。
【特許文献１】特開平９−１４５３７５号公報
【特許文献２】特開平７−２２６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明者らは、ホール素子にはないＭＲ素子の利点に着目するとともに、ＭＲ素子の欠点を克服するために鋭意研究を重ね、導電パターン面を一方向磁界に対して傾けることで、ＭＲ素子でも検出感度を高くできることを知見した。そして、その知見に基づき、大きな磁界強度の評価にも適用可能な磁界強度センサを発明し、これを先に出願した（特願２００７−２５２８７２，特願２００７−２５２８７３）。
【００１０】
ところで、工業製品や部品などの製造現場における品質検査や調整などに使用される磁界強度センサは、当然のことながら半永久的に使用できるものではなく、消耗品である。したがって、常時磁気を測定するような現場では、磁界強度センサを定期的に交換する必要がある。また、一つの現場において、磁気の検査工程や測定対象となる製品や部品などが多岐にわたる場合、それら検査工程毎、あるいは測定対象毎に磁界強度センサを用意する必要がある。もちろん、測定対象の磁界強度に応じて多種多様な特性の磁界強度センサも必要となる。
【００１１】
しかしながら、磁気を検出する素子の種類に関わらず、従来の磁界強度センサでは、ＭＲ素子やホール素子が形成されて磁気を検出する部分（プローブ部）と、そのプローブ部を保持する部分が一体的に構成されていた。すなわち、外部の測定装置との間の信号を仲介するケーブルなどを内蔵したり、測定対象に対してプローブ部を固定したりするための筐体や治具にプローブ部が一体的に組み込まれた構成となっていた。したがって、磁界強度センサは、自ずと高価なものであった。
【００１２】
検査工程や測定対象毎に、高価な磁界強度センサを随時交換すれば、その交換に極めて多額の費用が掛かる。この費用は、検査対象となる製品や部品の製造コストを増加させる。また、磁界強度センサが測定現場で固定されて設置されている場合では、交換に際して、古いセンサを取り外して新しいセンサを取り付ける作業が必要となり、その作業の間は、製造や検査のためのラインが停止することになる。この交換作業についても製品のコストを上昇させる原因となる。
【００１３】
本発明は、以上のような課題に鑑みてなされたもので、その目的は、ＭＲ素子を用いた磁界強度センサにおいて、交換時の保守を容易とするとともに、交換に要する費用を低減し、多種多様な検査工程や測定対象にも対応可能とすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するための本発明は、磁気抵抗薄膜の抵抗値変化を検出することによって一方向磁界の強度を測定する磁界強度センサであって、
プローブ部と、プローブ保持部とから構成され、
前記プローブ部は、狭小な幅で先端から基端に向けて延長する可撓性基板の先端側上面に当該基板の幅方向に延長するように細線状に形成された磁気抵抗薄膜による導電パターンと、前記基板先端側から当該磁気抵抗薄膜上を横断して基端側へ延長するとともに、末端が所定の形状となるように形成された少なくとも２本以上の導電パターンからなるリード配線とを備え、
前記プローブ保持部は、先端から基端に向けて延長する棒状で、先端に前記基板の基端を保持するとともに前記リード配線の末端パターン形状に対応する電気接点が形成されたコネクタと、当該電気接点に接続されて前記プローブ部と外部の電気回路との信号を仲介するための配線ケーブルとを備えている。
【００１５】
また本発明は、上記磁界強度センサを構成する前記プローブ部にも及んでおり、前記リード配線は、前記磁気抵抗薄膜を横断する２本の導電パターンが延長途上でそれぞれ２本の導電パターンに分岐して前記末端に至るように形成されている磁界強度センサ用のプローブ部としている。あるいは、前記リード配線は、前記基板の先端から基端に向けて延長する４本の導電パターンであり、当該４本の導電パターンのうち外側の２本が磁気抵抗薄膜に対してセンサ電流を通電するための信号経路に接続され、内側の２本は、当該電流に対する抵抗値を検出するための信号経路に接続される磁界強度センサ用のプローブ部としてもよい。
【００１６】
上記プローブ係る発明において、より好ましくは、前記可撓性基板をポリイミドフィルムとすることである。また、少なくとも前記磁気抵抗薄膜の導電パターンを覆う保護膜が形成されている磁界強度センサ用のプローブ部とし、さらに好ましくは、当該保護膜がパターニングされたレジストを熱硬化させることで形成されていることである。
【発明の効果】
【００１７】
ＭＲ素子を用いた磁界強度センサにおいて、一方向磁界の強度を高感度かつ高精度に評価できるとともに、ＭＲ素子の部分のみを容易に交換可能として多種多様な測定対象にも柔軟に対応し、保守に関わるコストを低下させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
＝＝＝磁界強度センサの基本的な構造＝＝＝
図１に本発明の実施例に係る磁界強度センサの構成を示した。（Ａ）は全体の外観図であり、（Ｂ）は当該センサにおける先端部分を拡大した図である。この磁界強度センサ１は、磁気抵抗薄膜を可撓性基板の表面にパターンニングしてなるＭＲ素子を主体として構成されるプローブ部１０と、ＭＲ素子と外部の測定装置などとの信号仲介を行うケーブルを備えるとともに、プローブ部を着脱自在に保持し、測定対象に対してプローブ部を所定の位置関係で固定する治具として機能するプローブ保持部２０とによって構成されている。
【００１９】
プローブ部１０は、いわゆるフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）であり、本実施例では可撓性とともに耐熱性を考慮してポリイミドフィルムの基板１１を採用している。当該基板１１は、狭小な幅で先端から基端へ延長する細長い形状で、その基板１１の先端側上面には所定形状の磁気抵抗薄膜の導電パターンによるＭＲ素子が形成されている。
【００２０】
プローブ保持部２０は、円筒棒状で、先端が直径平坦に切り欠かれている。この平坦部２１にはコネクタ２２が取り付けられている。コネクタ２２は、プローブ部１０の基板１１の末端を挟持してプローブ部１０を着脱自在に保持するとともに、基板１１上のリード配線と接触する接点を内蔵する。この例では、コネクタ２２は、平坦部２１の上面に取り付けられた配線基板２３上に半田付けにより取り付けられている。そして、コネクタ２２の接点からコネクタ２２の外に導出された端子２４には、ＭＲ素子と外部の測定装置との信号を仲介する配線ケーブル２５の一端２５ａが接続され、そのケーブル２５の他端２５ｂがプローブ保持部２０の基端側へ案内されている。
【００２１】
ここで、磁気抵抗薄膜面を磁界方向に対して所定の角度で保持する際、剛体であるプローブ保持部２０に形成された平坦部２１の面２６を基準面として角度を測定すればよい。すなわち、平坦面２０の法線方向などを基準にしてプローブ保持部２０をその円筒軸ｚを中心に回転させて固定すればプローブ部１０の磁気抵抗薄膜面１２を磁界方向に対して所定の角度で傾斜させた状態で保持することができる。
【００２２】
＝＝＝プローブ部の構造＝＝＝
図２に、上記磁界強度センサ１を構成するプローブ部の１実施形態を示した。（Ａ）は全体図であり、（Ｂ）は（Ａ）における破線矩形領域３０ａの拡大図である。基板１１の概略形状は、狭小な幅で先端１３から基端１４へ延長する細長い形状であるが、当該実施形態におけるプローブ部１０ａでは、基板１１の基端１４側が汎用のＦＰＣ用コネクタ２２に挿抜されるため、基端１４が先端１３の狭小な幅よりやや幅広となる段付き形状となっている。基板１１の先端１３側上面には、磁気抵抗薄膜が基板１１の幅方向に延長する細線状に形成されて磁気抵抗薄膜部１５を形成している。そして、プローブ部１０をプローブ保持部２０のコネクタ２２に接続して磁界強度センサ１が構成されている状態では、この磁気抵抗薄膜部１５の細線延長方向と、プローブ保持部２０の円筒軸ｚとが直交するようになっている。また、基板１１先端からその細線状の磁気抵抗薄膜部１５を横断しつつ、基端１４に向けて延長するようにリード配線１６が形成されている。ＭＲ素子は、この磁気抵抗薄膜部１５とリード配線１６によって形成される。
【００２３】
ＭＲ素子における磁気抵抗薄膜部１５やリード配線１６は、フォトリソグラフィ技術とスパッタリングとにより形成される。磁気抵抗薄膜には、主としてＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどの強磁性元素からなる合金薄膜が使用される。本実施例では、厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムを基板とし、その基板１１上に細線状にパターンを抜いたレジスト膜をフォトリソグラフィにより形成し、Ｔｉの下地層（１０ｎｍ厚）にＮｉ８０Ｆｅ２０合金層（１００ｎｍ厚）を無磁場でスパッタリングにより積層することで磁気抵抗薄膜を形成している。レジストを剥離すれば、細線状の磁気抵抗薄膜の導電パターン（磁気抵抗薄膜部）１５となる。リード配線１６についても、同様に、フォトリソグラフィ技術とスパッタリングにより形成する。基板１１上にこれら導電パターンを形成した後、基板１１をダイシングにて所用の形状・サイズに切断した上で３００℃で１時間、真空中にて熱枯らし処理を行うことでプローブ部１０ａを完成させる。
【００２４】
ところで、ＭＲ素子による磁界強度の測定原理は、磁界強度によって磁気抵抗薄膜の抵抗値が変化するところにある。したがって、磁気抵抗薄膜部１５の細線状導電パターンを横断するリード配線１６は導電パターンの２点で電気的に接触していればよい。すなわち、リード配線は２本あればよい。しかし、磁気抵抗薄膜部１５の抵抗値をより正確に測定するためには、リード配線１６による抵抗値の影響を排除する必要がある。本発明は、リード配線１６の導電パターンの形状を規定したプローブ部にも及んでおり、以下では、本発明に係るプローブ部について、２つの実施形態を示す。
【００２５】
＝＝＝第１の実施形態＝＝＝
＜導電パターン形状＞
本発明に係るプローブ部において、図２に示したプローブ部１０ａを第１の実施形態とする。この実施形態では、磁気抵抗薄膜部１５の２点間の抵抗をより正確に測定するために、周知の４端子法を採用したリード配線１６形状となっている。具体的には、基板１１の先端１３側から２本のリード配線１６ａが磁気抵抗薄膜部１５の導電パターンを横断して基端１４へと延長する途上で、各リード配線１６ａが２本の導電パターン１６ｂに分岐して末端の端子部１７に至っている。したがって、このプローブ部１０ａに対応するプローブ保持部２０は、４つの電気接点を内蔵するコネクタ２２と、当該４つの電気接点のそれぞれと外部の測定装置とを接続するための４本の配線ケーブル２５とを備えることになる。なお、ここに示したプローブ部１０ａの基板サイズは、先端１３側の幅が２ｍｍで長さが２５ｍｍである。基端１４の幅は対応するコネクタ２２の幅や接点配置などに応じて適宜な幅にすればよい。また、磁気抵抗薄膜部１５の導電パターンサイズは、長さＬ＝２ｍｍ、幅ｗ＝２０μｍである。すなわち、基板１１の幅いっぱいに磁気抵抗薄膜部１５が形成されている。また、磁気抵抗薄膜部１５を横断する２本のリード配線１６間の距離ｄは２００μｍである。
【００２６】
＜特性評価＞
上記第１の実施形態におけるプローブ部に形成されたＭＲ素子の磁気抵抗特性を評価した。当該評価では、まず、プローブ部１０ａをプローブ保持部２０に取り付けるとともに、プローブ保持部２０の配線ケーブル２５を外部の測定装置に接続する。そして、図３に示すように、磁界方向Ｍｘとプローブ部１０ａの基板法線方向Ｎが角度θとなるようにプローブ保持部２０を円筒軸ｚ周りに回転させた状態で、磁界強度に対する抵抗値を測定する。すなわち、磁界方向Ｍｘと基板法線方向Ｎとが一致するときの磁気抵抗薄膜部１５の細線延長方向Ｐ１と、円筒軸ｚ軸の周りに基板１１を回転させたときの細線延長方向Ｐ２との角度がθとなるようにして磁気抵抗特性を測定する。そして、ここでは、θ＝５゜としたときに、−１４００ｍＴから＋１４００ｍＴまでの一方向磁界を往復走査させながら、４端子法にてＭＲ素子の抵抗値を測定した。
【００２７】
図４にその測定結果のグラフを示した。このグラフに示されているように、印加磁界強度が小さい領域でも抵抗変化曲線の急な折れ曲がりが緩やかで、かつ、磁気抵抗変化の直線性が確保されている。そして、広い磁気強度範囲で磁気抵抗変化が直線的となっている。すなわち、第１の実施形態によるプローブ部１０ａを用いた磁界強度センサは、磁気検出感度とその磁気の測定精度に優れていると言える。
【００２８】
＝＝＝第２の実施形態＝＝＝
＜導電パターン形状＞
磁界強度センサ１が測定対象に対して固定的に設置されている場合、そのセンサ１のＭＲ素子の磁気抵抗特性は、素子の経時劣化などを除けば一定である。そこで、ＭＲ素子の磁気抵抗特性を積極的に可変制御することを考え、プローブ部１０の基板上１１に形成されるＭＲ素子におけるリード配線１６の導電パターン形状や磁気抵抗薄膜の抵抗値の検出方式などについて検討した。そして、その磁気抵抗特性を可変制御することができるＭＲ素子が形成されたプローブ部を第２の実施形態として示す。
【００２９】
図５に第２の実施形態におけるプローブ部１０ｂの構造を示した。（Ａ）は全体図であり、（Ｂ）は、（Ａ）における破線矩形領域３０ｂの拡大図である。当該プローブ部１０ｂは、基板１１の先端１３側から４本のリード配線（１６ｃ〜１６ｆ）が磁気抵抗薄膜部１５の導電パターンを直交しながら横断して基端１４へと延長し末端の端子部１７に至っている。この第２の実施形態において、磁気抵抗薄膜部１５のパターンサイズは、長さＬ＝２ｍｍ、幅ｗ＝５０μｍであり、基板１１のサイズは、上記第１の実施例と同様に幅２ｍｍ、長さ２５ｍｍである。また、磁気抵抗薄膜部１５は、１０ｎｍ厚のＴｉの下地に５０ｎｍ厚保のＮｉ８０Ｆｅ２０合金層を積層した膜構成としている。
【００３０】
上記４本のリード配線（１６ｃ〜１６ｆ）の内、外側の２本のリード配線（１６ｃ，１６ｆ）は、磁気抵抗薄膜部１５に電流（センス電流）を流すためのものであり、この２本のリード配線（１６ｃ，１６ｆ）間の電圧を変化させることで、センス電流を可変設定できるようになっている。そして、内側の２本のリード配線（１６ｄ，１６ｅ）によって磁気抵抗薄膜部１５の抵抗値を検出する。
【００３１】
これら４本のリード配線（１６ｃ〜１６ｆ）の配置関係は、内側の２本のリード配線（１６ｄ，１６ｅ）間の距離ｄ１が１００μｍであり、外側の２本のリード配線（１６ｃ，１６ｆ）のそれぞれは、隣接する内側のリード配線（１６ｄ，１６ｅ）と距離ｄ２をおいて延長している。なお、この例ではｄ１＜ｄ２となっている。また、基板１１の基端１４ではコネクタ２２の接点配置に対応して等間隔にリード配線（１６ｃ〜１６ｆ）の端子部１７を配置する必要があるため、内側の２本のリード配線（１６ｄ，１６ｅ）は、その延長途上１８で外側方向にクランク状に屈曲したのち基板１１の基端１４へ向けて延長している。もちろん、４本のリード配線（１６ｃ〜１６ｆ）が細線状の磁気抵抗薄膜部１５を横断すればよく、これら４本のリード配線（１６ｃ〜１６ｆ）はどのような間隔で配置されていてもよい。
【００３２】
＜特性評価＞
第２の実施例に係るプローブ部１０ｂをプローブ保持部２０に取付け、図３に示した方法で磁気抵抗特性を評価した。当該評価では、一方磁界に対する傾斜角度θを１０゜に設定し、上記外側の２本のリード配線（１６ｃ，１６ｆ）によって磁気抵抗薄膜部１５に流れるセンス電流を可変設定した。図６〜図８に、センス電流をそれぞれ、１ｍＡ、２．５ｍＡ、５ｍＡとしたときの磁気抵抗特性グラフを示した。これらのグラフでは、磁界強度変化に対し、内側の２本のリード配線（１６ｄ，１６ｅ）間の電圧と、当該電圧とセンス電流とから求められる抵抗値とを併記している。
【００３３】
これらのグラフより、センス電流を変化させることで、磁気抵抗特性が変化していることが分かる。すなわち、第２の実施例に係るプローブ部１０ｂを用いた磁界強度センサ１によれば、センサ電流を可変設定することで磁気抵抗特性を可変制御できる、ということを実証した。それによって、例えば、測定目的や測定対象の磁界強度に応じて磁界強度センサ自体の測定精度や測定限界を可変設定したり、測定した抵抗値に基づいてセンサ電流をフィードバック制御して測定対象に対して最も適切な磁気抵抗特性となるようにしたりすることが可能となる。すなわち、当該評価結果は、第２の実施例に係るプローブ部１０ｂを用いた磁界強度センサ１が、多種多様な測定形態に応用可能であることを示している。
【００３４】
＝＝＝プローブ部の構造について＝＝＝
＜基板形状＞
上記実施例において、プローブ部は、汎用のコネクタに合わせた基板形状とリード配線形状となっていた。もちろん、プローブ部の種別毎に専用のコネクタを採用することも可能であるが、プローブ部を消耗品として頻繁に交換したり、多種多様な検査工程に対してプローブ部のみを変えて磁界測定を行ったりすることを想定すれば、コネクタ形状が異なる複数種のプローブ部を揃えるのは無駄が多い。したがって、専用のコネクタを採用する場合であっても、基板やリード配線の基端側形状は統一されている方がよい。
【００３５】
＜保護膜＞
ＭＲ素子は、その磁界強度測定原理から、測定時には磁気抵抗薄膜上にリード配線以外の導体が接触しないようにする。もちろん、測定対象に接触して切断されないようにすることも必要である。そこで、少なくとも、測定対象と接触する可能性があるプローブ部先端の磁気抵抗薄膜を含めた領域に保護膜を形成することが望ましい。保護膜としては、ポリイミド樹脂などを塗布しても良いが、レジストを保護膜とすれば、フォトリソグラフィによって保護領域の形状にパターニングした後、高温で硬化（ハードベーク）させれば、別途保護層となる樹脂を塗布する工程が不要となり、製膜工程を簡略化しコストダウンを図ることができる。周知のごとく、レジストは樹脂を基材としており、弾力性に富む。したがって、基板が撓んで膜面が割れる可能性が少ない。また、高い温度で硬化されているため十分な耐熱性も有する。なお、保護膜は、リード配線における端子部を除いた全ての基板面に形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施例における磁界強度センサの概略図である。
【図２】上記磁界強度センサを構成するプローブ部の第１の実施形態を示す図である。
【図３】磁界強度を測定するときに磁気抵抗薄膜素子の設置状態を模式的に示す図である。
【図４】上記第１の実施形態におけるプローブ部を用いた磁界強度センサの磁界強度に対する磁気抵抗の変化を示すグラフである。
【図５】上記磁界強度センサを構成するプローブ部の第２の実施形態を示す図である。
【図６】上記第２の実施形態におけるプローブ部を用いた磁界強度センサにおいて、磁気抵抗薄膜に流すセンス電流を１ｍＡとしたときの磁界強度に対する磁気抵抗の変化を示すグラフである。
【図７】上記第２の実施形態におけるプローブ部を用いた磁界強度センサにおいて、センス電流を２．５ｍＡとしたときのける磁界強度に対する磁気抵抗の変化を示すグラフである。
【図８】上記第２の実施形態におけるプローブ部を用いた磁界強度センサにおいて、センス電流を５ｍＡとしたときのける磁界強度に対する磁気抵抗の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３７】
１  磁界強度センサ
１０、１０ａ、１０ｂ  プローブ部
１１  可撓性基板
１５  磁気抵抗薄膜部
１６、１６ａ〜１６ｆ  リード配線
１７  端子部
２０  プローブ保持部
２２  コネクタ
２５  配線ケーブル
【図１】
2009216644.tif 000003
【図２】
2009216644.tif 000004
【図３】
2009216644.tif 000005
【図４】
2009216644.tif 000006
【図５】
2009216644.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009216644.tif 000009
【図８】
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