(57)【要約】【課題】Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハについて、前記３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供する。【解決手段】前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることにより、前記３Ｃ−ＳｉＣ層についての波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンを測定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上に形成された３Ｃ−ＳｉＣ層について、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンを測定する方法において、
前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることを特徴とするＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項２】
ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求めることを特徴とする請求項１記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項３】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層は、Ｓｉ基板上へのエピタキシャル成長または前記Ｓｉ基板表面の炭化により形成されたものであることを特徴とする請求項１または２記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項４】
前記３Ｃ−ＳｉＣ層は、厚さが１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【請求項５】
前記Ｓｉ基板は、比抵抗が１Ωｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｓｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハ（以下、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハと略記する）の３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンの横波光学（ＴＯ）モードおよび縦波光学（ＬＯ）モードの波数の測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハは、Ｓｉ基板表面に３Ｃ−ＳｉＣ単結晶を高温でヘテロエピタキシャル成長させる、あるいはまた、Ｓｉ基板表面を炭化することにより作製される。
このとき、エピタキシャル成長温度または炭化温度から室温まで降温すると、基板のＳｉウェーハと３Ｃ−ＳｉＣ層の熱膨張係数が異なることから（ＳｉＣ：５×１０-6／Ｋ、Ｓｉ：４．５×１０-6／Ｋ）、３Ｃ−ＳｉＣ層側で基板からの引っ張り応力を受け、基板側はエピ層からの圧縮応力を受け、３Ｃ−ＳｉＣ層と基板との界面に残留応力が生じ、３Ｃ−ＳｉＣ層側に凹形状の反りが発生する。
また、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハにおける残留応力は、上記以外に、３Ｃ−ＳｉＣ層と基板との格子定数の違いも原因として挙げられる。
【０００３】
このような残留応力によって、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードが低波数側にシフトすると考えられる（非特許文献１参照）。
したがって、従来は、上記のような残留応力の評価等のために、主に、ラマン散乱を用いて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数のシフトの観測を行っていた。
【０００４】
また、フォノン波数は、赤外分光エリプソメトリにより、３Ｃ−ＳｉＣ層の誘電率の分散を測定して、これに基づいて求めることもできる。
【０００５】
一方、Ｓｉ単結晶やＳｉウェーハ表面の酸化膜について、赤外透過法を用いて評価する方法が知られている（例えば、特許文献１，２参照）。
【特許文献１】特開２００２−３５０３３１号公報
【特許文献２】特開平６−２８３５８６号公報
【非特許文献１】H.Mukaida, et al., Journal of Applied Physics , vol.62 (1987), p.254
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ラマン散乱法は、入射励起光に、通常、可視光域のレーザ光を用いるため、狭い領域に多くの光エネルギーを集中させることになり、Ｓｉ基板の加熱は避けられない。
また、測定には、回折格子による分光器を用いるため、ラマン散乱光の測定波長に近い波長のレーザ光、ガスレーザ光に含まれるプラズマ輝線やネオン管の輝線を用い、測定の度に波長校正を行う必要がある。
さらに、ラマン散乱は、ＳｉＣ層が薄い場合には測定が困難であった。
【０００７】
また、赤外分光エリプソメトリでは、ライトドープＳｉ基板（例えば、比抵抗が１Ωｍ以上のもの）のように、赤外透過性を有している場合には、Ｓｉ基板による赤外光の反射光を散乱させる必要があり、ウェーハ裏面に粗面化等の前処理を施さなければならず、非破壊での測定は困難であった。
【０００８】
そこで、Ｓｉ単結晶やＳｉウェーハ表面の酸化膜の評価において適用されている赤外透過法を応用して、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層の評価を行うべく検討を重ね、本発明に係る測定方法を見出した。
【０００９】
すなわち、本発明は、赤外透過法を用いて、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハについて、３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノンスペクトルを非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができるＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法は、Ｓｉ基板上に形成された３Ｃ−ＳｉＣ層について、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンを測定する方法において、前記Ｓｉ基板およびその上に３Ｃ−ＳｉＣ層が形成されたウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角に調整して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射し、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、少なくともＬＯモードの波数を求めることを特徴とする。
このように、Ｐ偏光をＳｉ基板のブルースター角である７３．７°で、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して入射させる赤外透過法によって、従来、ラマン散乱を用いて測定されていた３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＴ2フォノンの波数を、非破壊で、簡便に、高分解能測定することができる。
上記測定方法では、ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求めることが好ましい。
【００１１】
上記測定方法は、前記３Ｃ−ＳｉＣ層が、Ｓｉ基板上へのエピタキシャル成長または前記Ｓｉ基板表面の炭化により形成されたものである場合に、好適に適用することができる。
【００１２】
また、上記測定方法の適用においては、前記３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１μｍ以下であることが好ましい。
前記厚さが１μｍ以下であれば、ＬＯモードの波数が飽和することなく求めることができる。
【００１３】
また、前記Ｓｉ基板は、比抵抗が１Ωｍ以上であることが好ましい。
本発明は、比抵抗が１Ωｍ以上であるライトドープＳｉ基板を好適に測定可能である。
【発明の効果】
【００１４】
上述したとおり、本発明に係る測定方法によれば、従来、ラマン散乱を用いて測定されていた３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を、非破壊で、かつ、高確度・高分解能で、簡便に測定することができる。
また、本発明によれば、ラマン散乱法では困難な、１０ｎｍ〜数十ｎｍの極薄い３Ｃ−ＳｉＣエピ層についても、ＴＯモードおよびＬＯモードの測定が可能である。
したがって、本発明に係る測定方法は、３Ｃ−ＳｉＣ層が極めて薄く、かつ、高分解能測定が要求される３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの残留応力の評価にも有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明について、詳細に説明する。
本発明に係るＳｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層のフォノン波数の測定方法においては、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの３Ｃ−ＳｉＣ層について、Ｓｉ基板および３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハのそれぞれに、Ｐ偏光を７３．７°で入射して、または、干渉縞が最小値となるようにＰ偏光の角度を調整して、それぞれの赤外透過スペクトルを測定し、両者の比から透過率または吸光度スペクトルを算出して、波数ベクトルｋ≒０のＴ2フォノンのＴＯモードおよびＬＯモードの波数を求める。
前記Ｐ偏光の７３．７°は、Ｓｉのブルースター角である。実際上、回転ステージの設置状態等、機械的な精度に起因して、入射光が完全な平行光ではないこともあり、その場合は、干渉縞が最小値になるようにＰ偏光の角度を調整する。
【００１６】
ここで、３Ｃ−ＳｉＣにおいては、波数ベクトルｋ≒０の光学フォノンは、赤外およびラマン両活性のＴ2フォノンモード１つのみであり、このＴ2フォノンは、ＴＯモードおよびＬＯモードを持ち、ＬＯの波数＞ＴＯの波数の関係にある。
このように、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンは、赤外およびラマンの両活性であるため、厚さ数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の極薄い３Ｃ−ＳｉＣ層へのＰ偏光の斜め入射による赤外透過スペクトルから、ＴＯモードおよびＬＯモードの波数を直接測定することができる。
すなわち、本発明によれば、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンの測定において、従来のラマン散乱の代わりに、赤外透過法を用いて、ＴＯモードおよびＬＯモードを測定することができる。
【００１７】
３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハは、通常、厚さ３００〜８００μｍのＳｉ基板上に３Ｃ−ＳｉＣ層を厚さ１μｍ以下でエピタキシャル成長、または、Ｓｉ基板表面を炭化させて、作製される。
前記Ｓｉ基板は、赤外光が透過するライトドープまたはノンドープウェーハとし、比抵抗が１Ωｃｍ以上であることが好ましい。
【００１８】
また、前記Ｓｉ基板の製法は特に限定されるものではなく、下記実施例においては、フローティングゾーン法（ＦＺ法）で製造されたＳｉ基板を用いているが、チョクラルスキー法（ＣＺ）法で製造されたＳｉ基板であっても、同様に適用可能である。
なお、赤外透過スペクトル測定においてレファレンスとするＳｉ基板と、３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハのＳｉ基板とは、同一の製法であることが好ましい。
【００１９】
前記３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハ表面に、通常行われるように、光を垂直に入射した場合は、ウェーハ内での多重反射により、ウェーハの厚さに対応した干渉縞が透過スペクトル上に現れ、実質的な透過スペクトルの測定は困難である。
これに対して、Ｐ偏光をＳｉ基板のブルースター角である７３．７°で入射した場合は、入射光はウェーハ内で多重反射せずに、上記のような干渉縞を発生することなく、裏面から出射する。
また、３Ｃ−ＳｉＣ層は、厚さ１μｍ以下であれば、Ｓｉ基板に比べて非常に薄いため、多重反射の影響は、スペクトル上ではほとんど確認されない。
したがって、Ｓｉ基板をレファレンスとして、３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの７３．７°入射赤外透過スペクトルを測定することにより、多重反射に起因する干渉縞を生じることなく、３Ｃ−ＳｉＣ層の高分解透過率スペクトルが得られる。
一方、Ｓｉのブルースター角である７３．７°以外の入射角では、高分解能測定の場合、干渉縞によって、透過スペクトルの測定は困難である。
ここで、本発明でいう透過率スペクトルとは、Ｓｉ基板の透過スペクトルに対する３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハ（試料）の透過スペクトルの比である。
【００２０】
また、Ｓｉ基板裏面は、通常、鏡面ではないが、裏面で散乱した光は元の光路に戻ることはなく、多重反射はせず、透過スペクトル上でベースラインの単調な変化が生じるのみである。このため、本発明においては、Ｓｉ基板裏面を鏡面研磨しなくても、新たなベースラインを基準として、鏡面の場合と同様に、干渉縞を生じることなく、Ｓｉ基板の透過スペクトルと３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉウェーハの透過スペクトル測定を高分解能で行うことができる。
【００２１】
なお、試料の３Ｃ−ＳｉＣ／ＳｉウェーハとレファレンスのＳｉ基板との厚さの差が大きい場合には、Ｐ偏光のブルースター角での入射光のエネルギー強度をＩ0、透過光のエネルギー強度をＩs、試料の厚さをｄs、レファレンスの厚さをｄr、レファレンスとするＳｉ基板の透過光のエネルギー強度Ｉrとして、下記式により、吸光度Ａについての厚さ補正を行う。
Ａ＝−ｌｎ（Ｉs／Ｉ0）＋（ｄs／ｄr）・ｌｎ（Ｉr／Ｉ0）
【００２２】
本発明における測定領域は、赤外域であるが、これは、通常、フーリエ変換型赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）により行う。この測定機器は、マイケルソン干渉計を中枢部に備えた干渉分光法によるものであり、その中の可動鏡の位置がＨｅ／Ｎｅレーザによりモニタされており、波数確度が高く、高分解測定が可能である。
このため、Ｐ偏光をＳｉのブルースター角で入射し、干渉縞を抑制することができれば、ＦＴ−ＩＲにより、干渉縞がほとんどない透過スペクトルを高確度かつ高分解能で測定することができる。
一方、ラマン散乱では、回折格子を分散素子として用いるため、本来的に高分解測定は、あまり期待できない。
【００２３】
また、赤外透過法においては、ラマン散乱法のように、レーザ光照射によって測定試料が加熱されて、測定対象のフォノン波数が低波数側にシフトすることはないという利点も有している。
【００２４】
また、上述したように、ラマン散乱では、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが薄いと、Ｔ2フォノンの測定は困難である。また、ＬＯモードは、基板のＳｉの２フォノン（倍音）バンドの位置と重なり、測定が難しいことがあるため、ＴＯモードをプローブとすることが好ましい。
これに対して、赤外透過法では、エピ層が１０ｎｍと極薄くても、Ｔ2フォノンの測定が可能であり、むしろ、薄い方が測定しやすい。また、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さの影響を受けにくく、厚くても飽和しにくいことから、ＬＯモードをプローブとすることが好ましい。
【００２５】
次に、光学計算シミュレーションにより、３Ｃ−ＳｉＣ／ＦＺ−ＳｉウェーハのＰ偏光７３．７°入射の赤外透過スペクトルにおける３Ｃ−ＳｉＣ層のＴＯモードおよびＬＯモードのピークの挙動を求める。
まず、３Ｃ−ＳｉＣ層の誘電率分散ε（ν）を、下記古典分散式において、３Ｃ−ＳｉＣ層のＬＯモード波数νL＝９６９ｃｍ-1、ＴＯモード波数νT＝７９３ｃｍ-1、ダンピング常数Γ＝４．７６ｃｍ-1、（赤外域の）高波数極限での誘電率ε∞＝６．７として導く（W. J. Choyke and E. D. Palik,“Handbook of Optical Constants of Solids”, Academic Press, 1985, p.587 参照）。
【００２６】
【数１】
2009194117.tif 000003
【００２７】
そして、Ｐ偏光のブルースター角での入射光に対するエネルギー透過率Ｔｐ（ν）を下記式により計算する（D. W. Berreman, Phys. Rev. vol.130 (1963), p.2193，O. E. Piro, Phys. Rev. vol.36 (1987), p.3427 参照）。
【００２８】
【数２】
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【００２９】
ここで、νは波数（ｃｍ-1）、δ（ν）＝２πｄν・１０-7、ｄはＳｉＣ層の厚さ（ｎｍ）、入射角θ（ラジアン）＝２π・７３．７／３６０（７３．７°はＳｉのブルースター角）、ｉは虚数単位（ｉ2＝−１）として、単色平行な入射光が、屈折率１の真空または空気中から３Ｃ−ＳｉＣ薄片に入射し、屈折率１の真空または空気中に出射する場合の透過率を、波数域１０〜１２５０ｃｍ-1において、波数間隔０．１ｃｍ-1で計算した。
実際の赤外透過においては、Ｓｉ基板上の３Ｃ−ＳｉＣ層表面に入射し、Ｓｉ基板裏面から出射する透過光について、Ｓｉ基板の透過光に対する透過率スペクトルを測定するが、上記計算シミュレーションにおいても、実質的に、同等の３Ｃ−ＳｉＣ層の透過スペクトルが得られると推定される。
【００３０】
上記計算シミュレーションにより、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍ、４４５ｎｍのそれぞれの場合の透過率を計算すると、各透過率スペクトルは、図３，４に示すようになる。
図３，４から分かるように、各ピーク波数は、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合、ＬＯ：９６９ｃｍ-1、ＴＯ：７９３ｃｍ-1、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合、ＬＯ：９６８．８ｃｍ-1、ＴＯ：７９６〜７９１ｃｍ-1付近（飽和してしまい、ピーク波数の観測不可）となる。
したがって、Ｐ偏光７３．３°入射での赤外透過法により、確度の高いＬＯ波数値が得られることが分かる。
一方、ＴＯ波数値については、３Ｃ−ＳｉＣ層が厚い場合には、飽和するため、３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１０ｎｍ〜数十ｎｍの極薄い場合にのみ、確度の高いＴＯ値が得られる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例に基づきさらに具体的に説明するが、本発明は下記実施例により制限されるものではない。
［実施例１］
片面鏡面研磨ＦＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハ（リンドープ、比抵抗約１ｋΩｃｍ、厚さ７５６μｍ）上に、炭化により厚さ１５ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ層が形成された３Ｃ−ＳｉＣ（１１１）／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料について、Ｐ偏光７３．７°入射での赤外透過法により、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンを測定した。
測定条件は、室温、分解能０．２５ｃｍ-1、検出器：ＤＴＧＳ（deuterated triglycine sulfate)、ＦＴ−ＩＲ装置：ブルカー製ＦＴＳ１１３Ｖ、レファレンス：片面鏡面研磨ＦＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハ（リンドープ、比抵抗約１ｋΩｃｍ、厚さ７５４μｍ）にて行った。
図１に、この赤外透過スペクトルを示す。
図１に示したように、ＬＯ：９６０．９ｃｍ-1、ＴＯ：７９０．８ｃｍ-1ともに、明確に検出された。なお、ＬＯ波数とＴＯ波数の読み取りはピーク位置で行った。
【００３２】
［比較例１］
実施例１と同一の試料について、ラマン散乱法でＴ2フォノンの測定を行った。
測定は、ウェーハ面に垂直な方向をｚ、ウェーハ面内の
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方向をｘ、ｘに垂直な方向をｙとして、
2009194117.tif 000006
および
2009194117.tif 000007
の後方散乱偏光ラマン測定配置にて行った。
分光器は、ホリバ・ジョバンイボン社製ＨＲ８００ＵＶレーザラマン分光装置を用い、測定条件は、励起光：Ａｒイオンレーザ４８８ｎｍ、回折格子２４００本／ｍｍ、分解能１．８７ｃｍ-1とした。ラマン散乱で測定したＬＯ波数とＴＯ波数は、ラマン散乱と同時に測定したＡｒイオンレーザのプラズマ線を用いて校正した。波形解析においては、プラズマ線のフィッティングにはガウス関数、フォノンバンドのフィッティングにはローレンツ関数を用い、解析ソフトＯｒｉｇｉｎを用いてフォノンの波数を求めた。
図２に、このラマン散乱スペクトルを示す。
図２に示したように、３Ｃ−ＳｉＣ層が薄すぎて、測定することができなかった。
なお、Ｘ線回折では、反射ピーク自体は確認することができた。
【００３３】
［実施例２］
片面鏡面研磨ＦＺ−Ｓｉ（１１１）ウェーハ（リンドープ、比抵抗約１ｋΩｃｍ、厚さ７６３μｍ）上に、エピタキシャル成長により、厚さ４４５ｎｍの３Ｃ−ＳｉＣ層が形成された３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ（１１１）ウェーハ試料について、実施例１と同様の赤外透過法により、３Ｃ−ＳｉＣ層のＴ2フォノンを測定した。
図１に、この赤外透過スペクトルを実施例１と併せて示す。
図１に示したように、ＬＯ：９６８．３ｃｍ-1が検出されたが、ＴＯは、エピ層の厚さが厚すぎて、飽和してしまい（７９０ｃｍ-1付近）、正確なピーク波数を求めることはできなかった。
【００３４】
［比較例２］
実施例２と同一の試料について、比較例１と同様にして、ラマン測定を行った。
図２に、このラマン散乱スペクトルを比較例１と併せて示す。
図２に示したように、
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配置では、Ｔ2（ＴＯ）およびＴ2（ＬＯ）を測定することができ、ＬＯ：９６８．５ｃｍ-1、ＴＯ：７８９．５ｃｍ-1であった。また、
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配置では、Ｔ2（ＴＯ）のみを測定することができ、ＴＯ：７８９．５ｃｍ-1であった。
【００３５】
上記実施例および比較例から、厚さ１０ｎｍ〜数十ｎｍの極薄い３Ｃ−ＳｉＣ層については、Ｐ偏光７３．７°入射での赤外透過法により、Ｔ2フォノンのＬＯモードおよびＴＯモードのいずれも明確に検出することができることが認められた。
一方、３Ｃ−ＳｉＣ層が厚さ４４５ｎｍと厚い場合には、Ｐ偏光７３．７°入射での赤外透過法では、ＴＯモードは飽和してしまうが、ＬＯモードはラマン散乱法での測定に近い波数で測定可能であることが認められた。
これらの測定結果は、上述した光学計算シミュレーションによる３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さによるスペクトルの変化の予想とほぼ合致するものであった。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施例に係る赤外透過スペクトルである。
【図２】比較例に係るラマン散乱スペクトルである。
【図３】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが１５ｎｍの場合の計算シミュレーションによる透過率スペクトルである。
【図４】３Ｃ−ＳｉＣ層の厚さが４４５ｎｍの場合の計算シミュレーションによる透過率スペクトルである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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