(57)【要約】【課題】  特に、従来に比べて振動子と台座部間の位置ずれ等を抑制でき、出力感度のばらつきを抑制できるジャイロセンサを提供することを目的としている。【解決手段】  支持基板１１上に凸状の台座部１３を支持基板１１と一体で形成し、台座部１３の周囲を絶縁層３５で埋める。次に、平坦化された台座部１３の上面１３ａ及び絶縁層３５の上面３５ｂにＳｉ基板３８を接合する。次に、Ｓｉ基板３８を振動子形状に加工する。次に絶縁層３５を除去する。これにより従来に比べて振動子１２と台座部１３間の位置ずれ等を抑制でき、出力感度のばらつきを抑制できるジャイロセンサを簡単且つ適切に形成できる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に台座部を介して振動子の基部が接合されてなるジャイロセンサの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とするジャイロセンサの製造方法。
（Ａ）  支持基板の上面を凸加工して、（Ｄ）工程で形成される振動子の基部下の位置に凸状の台座部を前記支持基板と一体化して形成する工程、
（Ｂ）  前記台座部の周囲を絶縁層で埋める工程、
（Ｃ）  平坦化面である前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に振動子材を接合する工程、
（Ｄ）  前記振動子材を振動子形状に加工する工程、
（Ｅ）  前記絶縁層を除去する工程。
【請求項２】
前記（Ａ）工程で、前記支持基板の上面をエッチングして凸加工する請求項１記載のジャイロセンサの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を、ＰＳＧ層あるいはＢＰＳＧ層で形成する請求項１又は２に記載のジャイロセンサの製造方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）工程で前記絶縁層を成膜した後、前記絶縁層に対して熱処理を施す請求項１ないし３のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
【請求項５】
前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面をＣＭＰ技術を用いて平坦化処理する請求項１ないし４のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
【請求項６】
前記（Ｃ）工程で、前記振動子板であるＳｉ基板を、前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に接合する請求項１ないし５のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ）工程と前記（Ｄ）工程の間に以下の工程を有する請求項６記載のジャイロセンサの製造方法。
（Ｆ）  平坦な前記Ｓｉ基板上に下から下部電極、圧電膜、及び上部電極の順に積層して成り、駆動部及び検出部を備える圧電機能素子を形成する工程。
【請求項８】
前記（Ｄ）工程で、前記振動子材を振動子形状と前記振動子形状の周囲を囲む枠形状に加工して、前記振動子の周囲に枠体を設ける請求項１ないし７のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
【請求項９】
前記（Ｄ）工程で、少なくとも２つのアーム部と、これらアーム部を連結する基部とを備える音叉型振動子を形成する請求項１ないし８のいずれかに記載のジャイロセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム：Micro ElectroMechanical System）技術を用いて形成されたジャイロセンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９は、従来のジャイロセンサの一工程図を示す。
従来では、図９に示すように、支持基板１上に形成された凸形状の台座部２上に樹脂や特許文献１及び特許文献２のように金バンプ等の接合部材３を設けた状態で、振動子４の基部４ａを台座部２上に位置決めして固定していた（ダイボンディング）。
【０００３】
しかしながら図９に示す従来のジャイロセンサの製造方法であると、振動子４の基部４ａと台座部２との間に位置ずれが生じやすい。特に、この位置ずれにより振動子４の垂直方向（高さ方向；図９に示すＺ軸方向）振動の共振周波数のばらつきが大きくなり、出力感度にばらつきが生じる問題があった。
【０００４】
また特許文献３に記載された発明では、ＳＯＩ基板を用い、上面に位置するＳｉ基板を振動子形状に加工し、Ｓｉ基板と支持基板間に位置する犠牲層（絶縁層）を等方性エッチングで除去する。このとき、振動子の基部と支持基板との間に一部の犠牲層を接合部として残すことで振動子の基部が支持基板上に犠牲層を介して固定された構造に形成できる。
【０００５】
しかしながら特許文献３に記載された発明のように等方性エッチングを用いて、振動子の基部と支持基板との間に均一な大きさで且つ所定位置に適切に犠牲層（接合部）を残すのは非常に困難であった。したがって、特許文献３に記載された製造方法では、残される犠牲層の大きさや形成位置のばらつきが大きくなり、振動子と残される犠牲層との間に位置ずれが生じたり、また振動子と残される犠牲層との接触面積がばらつく結果、出力感度のばらつきを適切に抑制することはできなかった。
【特許文献１】特開２００５−３０８６０８号公報
【特許文献２】特開２００５−１２７７５８号公報
【特許文献３】特開２０００−３２１０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、従来に比べて振動子と台座部間の位置ずれ等を抑制でき、出力感度のばらつきを抑制できるジャイロセンサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、支持基板上に台座部を介して振動子の基部が接合されてなるジャイロセンサの製造方法において、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【０００８】
（Ａ）  支持基板の上面を凸加工して、（Ｄ）工程で形成される振動子の基部下の位置に凸状の台座部を前記支持基板と一体化して形成する工程、
（Ｂ）  前記台座部の周囲を絶縁層で埋める工程、
（Ｃ）  平坦化面である前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に振動子材を接合する工程、
（Ｄ）  前記振動子材を振動子形状に加工する工程、
（Ｅ）  前記絶縁層を除去する工程。
【０００９】
このように、本発明では振動子材を平坦な面上に接合し、振動子材を固定した状態で振動子形状に加工するため、所定形状の振動子を適切且つ容易に形成できるとともに、（Ｄ）工程の加工工程で、台座部と振動子の基部との位置合わせを高精度に行うことが出来る。さらに、（Ｅ）工程では、支持基板と一体に形成された台座部を残して絶縁層のみを適切に除去することが出来る。その結果、従来に比べて、振動子の基部と台座部との位置合わせのばらつきを小さくでき、また台座部を均一な形状で形成でき、台座部と振動子との接触面積のばらつきを小さくできる。したがって本実施形態のジャイロセンサの製造方法によれば、従来に比べて、振動子の垂直方向振動における共振周波数のばらつき等を小さくでき、出力感度のばらつきを効果的に抑制できるジャイロセンサを簡単且つ適切に製造することが出来る。
【００１０】
本発明では、前記（Ａ）工程で、前記支持基板の上面をエッチングして凸加工することが好ましい。これにより、適切且つ簡単に所定形状の台座部を形成できる。
【００１１】
本発明では、前記絶縁層を、ＰＳＧ層あるいはＢＰＳＧ層で形成することが好ましい。
本発明では、前記（Ｂ）工程で前記絶縁層を成膜した後、前記絶縁層に対して熱処理を施すことが好ましい。
これにより、台座部の周囲を隙間無く適切に絶縁層で埋めることが出来る。
【００１２】
本発明では、前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面をＣＭＰ技術を用いて平坦化処理することが好ましい。これにより、前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面を適切且つ簡単に平坦化処理できる。
【００１３】
また本発明では、前記（Ｂ）工程で、前記振動子材であるＳｉ基板を、前記台座部の上面及び前記絶縁層の上面に接合することが好ましい。これによりＳｉ基板と台座部の間を例えば常温接合できる。
【００１４】
本発明では、前記（Ｃ）工程と前記（Ｄ）工程の間に以下の工程を有することが好ましい。
【００１５】
（Ｆ）  平坦な前記Ｓｉ基板上に下から下部電極、圧電膜、及び上部電極の順に積層して成り、駆動部及び検出部を備える圧電機能素子を形成する工程。これにより所定パターンの圧電機能素子を適切且つ簡単に形成できる。
【００１６】
また本発明では、前記（Ｄ）工程で、前記振動子材を振動子形状と前記振動子形状の周囲を囲む枠形状に加工して、前記振動子の周囲に枠体を設けることが出来る。
【００１７】
また本発明では、前記（Ｄ）工程で、少なくとも２つのアーム部と、これらアーム部を連結する基部とを備える音叉型振動子を形成することが出来る。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の角速度センサの構成によれば、従来に比べて、振動子の垂直方向振動における共振周波数のばらつき等を小さくでき、出力感度のばらつきを効果的に抑制できるジャイロセンサを簡単且つ適切に製造することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明の第１実施形態のジャイロセンサの平面図、図２は図１に示すＡ−Ａ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た拡大断面図、図３は図１に示すＢ−Ｂ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、図４は図１に示すＣ−Ｃ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た断面図、図５は、本実施形態のジャイロセンサの変形例を示す断面図、図６は、本発明の第２実施形態のジャイロセンサの平面図、図７は図６に示すＤ−Ｄ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た断面図である。
【００２０】
各図におけるＸ軸方向及びＹ軸方向は支持基板平面内での直交する２方向を指す。Ｚ軸方向はＸ軸方向及びＹ軸方向に対して直交する高さ方向（垂直方向）を指す。
【００２１】
図１、図４に示すようにジャイロセンサ１０は、シリコンあるいはガラスで形成された支持基板１１と、振動子１２と、支持基板１１と振動子１２間を接合する台座部１３と、振動子１２を所定方向に振動させ、且つ振動子１２がコリオリ力を受けたときに変位する変位量を検出するための圧電機能素子１４とを有して構成される。
【００２２】
振動子１２はＳｉ基板を加工して形成されたものであることが好適である。図１，図４に示す形態では振動子１２は音叉型振動子である。図１，図４に示すように振動子１２はＸ軸方向に所定間隔を空けてＹ軸方向に長く延びる２本のアーム部１５，１６（第１アーム部１５と第２アーム部１６）と、これらアーム部１５，１６の一端部側を連結する基部（連結部）１７とを有して構成される。
【００２３】
図４に示すように振動子１２の基部１７が支持基板１１に台座部１３を介して接合され固定されている。このため図４に示すように振動子１２のアーム部１５，１６は、支持基板１１の上面から上方に浮いた状態である。
【００２４】
圧電機能素子１４は各アーム部１５，１６の上面から基部１７上にかけて形成されている。以下、圧電機能素子１４の形態について説明する。
【００２５】
図１，図２に示すように、第１アーム部１５上には互いにＸ軸方向に離間して設けられた第１駆動部１８及び第２駆動部１９と、駆動部１８，１９間に離間して設けられた検出部２０が設けられる。
【００２６】
図２に示すように、第１駆動部１８及び第２駆動部１９は、下から下部電極１８ａ，１９ａ、例えばＰＺＴからなり垂直方向（Ｚ軸方向）に分極処理された圧電膜１８ｂ，１９ｂ、及び上部電極（駆動電極）１８ｃ，１９ｃの順に積層されている。
【００２７】
また、図２に示すように、検出部２０は、下から下部電極２０ａ、例えばＰＺＴからなり垂直方向（Ｚ軸方向）に分極処理された圧電膜２０ｂ、及び上部電極（検出電極）２０ｃの順に積層されている。
【００２８】
検出部２０は、アーム部１５のＸ軸方向（幅方向）の略中心位置にＹ軸方向に沿って設けられており、各駆動部１８，１９は、検出部２０からＸ軸方向（幅方向）に略等間隔の位置にＹ軸方向に沿って設けられる。
【００２９】
図１に示すように、第２アーム部１６側にも第１アーム部１５と同じ圧電機能素子１４が形成されている。第１アーム部１５に形成された圧電機能素子１４と第２アーム部１６に形成された圧電機能素子１４とは、第１アーム部１５と第２アーム部１６との間のＹ軸方向への中心線を対称軸として線対称関係で形成される。
【００３０】
図３に示すように、振動子１２の基部１７上には各下部電極と接続する共通グランド２５が形成され、共通グランド２５上には、例えばＰＺＴからなり垂直方向（Ｚ軸方向）に分極処理された圧電膜２６が形成される。
【００３１】
そして図１，図３に示すように、第１アーム部１５に形成された第１駆動部１８の上部電極１８ｃと、第２アーム部１６に形成された第１駆動部１８の上部電極１８ｃとが基部１７上にまで引き出されて基部１７の圧電膜２６上で共通の電極パッド２１に接続される。
【００３２】
また図１，図３に示すように、第１アーム部１５に形成された第２駆動部１９の上部電極１９ｃと、第２アーム部１６に形成された第２駆動部１９の上部電極１９ｃとが基部１７上にまで引き出されて基部１７の圧電膜２６上で共通の電極パッド２２に接続される。
【００３３】
さらに図１，図３に示すように、第１アーム部１５に形成された検出部２０の上部電極２０ｃ、及び第２アーム部１６に形成された検出部２０の上部電極２０ｃとが夫々、基部１７上にまで引き出されて基部１７の圧電膜２６上で電極パッド２３，２４に接続されている。
【００３４】
図示しない駆動回路から互いに位相が逆の駆動振動が電極パッド２１，２２に供給される。このとき、例えば、第１駆動部１８の圧電膜１８ｂがＹ軸方向に縮むと、第２駆動部１９の圧電膜１９ｂはＹ軸方向に延びる。これにより各アーム部１５，１６が逆位相でＸ軸方向に曲がり音叉振動を起こす。
【００３５】
このように振動子１２がＸ軸方向にて音叉振動しているときに、Ｙ軸周りの角速度Ωがジャイロセンサ１０に印加されるとコリオリ力により各アーム部１５，１６がＺ軸方向に逆位相で変位する。このときの各アーム部１５，１６の変位量は各アーム部１５，１６に設けられた検出部２０の上部電極２０ｃにて検出される。各アーム部１５，１６の上部電極２０ｃにて検出された電荷は逆極性であり、それら電荷は夫々電極パッド２３，２４に導かれる。そして各電極パッド２３，２４に接続される図示しない差動アンプ等を備える検出回路にて信号処理がされて角速度信号が出力される。
【００３６】
本実施形態では、支持基板１１と振動子１２の基部１７間を接合する台座部１３は支持基板１１と一体で形成された凸状部である。すなわち支持基板１１がＳｉで形成されていれば台座部１３もＳｉで形成されている。
【００３７】
図４に示す実施形態では、支持基板１１がアーム部１５，１６の下側全体に設けられているが、例えば図５に示すようにアーム部１５，１６下の支持基板１１が切断されて、アーム部１５，１６の下側に支持基板１１が設けられていない形態にすることも出来る。これによりアーム部１５，１６の下側にＩＣ等を設置できるスペースを設けることが出来る。
【００３８】
図６，図７に示す形態では、図１，図４の形態と違って、振動子１２の周囲に振動子１２と同じ材質で形成された枠体３０が設けられる。図６，図７に示す形態では、枠体３０と振動子１２の基部１７とが一体化し、振動子１２のアーム部１５，１６の部分では枠体３０はアーム部１５，１６から間隔を空けて配置されている。
【００３９】
図６に示すように、枠体３０も振動子１２と同様に支持基板１１と一体に形成された台座部１３上に接合されている。
【００４０】
このように振動子１２の周囲に枠体３０を設けた形態であると、ジャイロセンサを実装するときに枠体３０の部分をんで実装できる等、実装を楽にすることが出来る。
【００４１】
次に図１，図４に示す形態のジャイロセンサ１０の製造方法を説明する。図８Ａ〜図８Ｅはジャイロセンサ１０の製造方法を示す一工程図（図４と同じ位置での断面図）を示す。
【００４２】
まず図８Ａに示す工程では例えばＳｉで形成された支持基板１１の上面をエッチングにより凸加工して台座部１３を形成する。よって台座部１３は支持基板１１と一体化されている。台座部１３の厚さ寸法Ｈ１は、１μｍ〜１０μｍ程度である。また台座部１３のＹ軸方向における長さ寸法Ｌ１は、３５０〜１０００μｍ、Ｘ軸方向における幅寸法は、２５０〜１０００μｍ程度である。
【００４３】
次に台座部１３の周囲を絶縁層３５で埋める。例えば絶縁層３５をスパッタ法やＣＶＤ法等で成膜する。図示しないが、例えば台座部１３を形成するときに支持基板１１の上面にリフトオフ用のレジスト層を設けて、レジスト層に覆われていない支持基板１１の上面をエッチングで削って台座部１３を形成し、レジスト層を残した状態で台座部１３の周囲に絶縁層３５を成膜し、その後、レジスト層を除去する。
【００４４】
本実施形態では、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）あるいはＢＰＳＧ（ホウ素・リンケイ酸ガラス）を絶縁層３５として用いることが好ましい。ＰＳＧ層あるいはＢＰＳＧ層を常圧ＣＶＤ法にて台座部１３の周囲に成膜し、その後、熱処理（リフロー）を施す。ＰＳＧやＢＰＳＧはＳｉＯ2に比べて軟化点が低いので、ＰＳＧやＢＰＳＧにより台座部１３の周囲に隙間無く緻密な絶縁層３５を形成できる。熱処理（リフロー）の温度は、１０００〜１２００℃程度である。
【００４５】
なお本実施形態では、絶縁層３５をＰＳＧやＢＰＳＧ以外の材質、例えばＳｉＯ2で形成することを除外するものではない。
【００４６】
次に、台座部１３の上面１３ａ及び絶縁層３５の上面３５ｂを例えばＣＭＰ技術を用いて平坦化処理する。台座１３と絶縁層３５とは異種材料なので緻密な絶縁層であると上面１３ａの品質が安定する。
【００４７】
次に図８Ｂに示す工程では、平坦化された台座部１３の上面１３ａ及び絶縁層３５の上面３５ｂにＳｉ基板（振動子材）３８を接合する。Ｓｉ基板３８の厚さ寸法Ｈ２は、１００〜２５０μｍ程度である。Ｓｉ基板３８を台座部１３上及び絶縁層３５上に常温接合や熱圧着により適切に接合できる。
【００４８】
次に図８Ｃに示す工程では、Ｓｉ基板３８上に圧電機能素子１４を形成する。圧電機能素子１４を形成するにはまず、Ｓｉ基板３８上に図示しない下地膜（例えばＳｉＯ2）を成膜した後、下から下部電極、圧電膜、上部電極の順に成膜して図１〜図３に示した形状の圧電機能素子１４を形成する。圧電機能素子１４は下部電極、圧電膜、上部電極から成る積層膜をパターニングして駆動部１８，１９や検出部２０を離間形成し、さらには振動子１２の基部１７となるＳｉ基板３８上にて上部電極を図１に示す電極配線パターンで形成するとともに各上部電極と接続される各電極パッドをパターン形成する。
【００４９】
次に図８Ｄに示す工程では、Ｓｉ基板３８を図１に示す音叉型振動子形状に加工する。Ｓｉ基板３８の加工はディープＲＩＥ（Deep  RIE）を用いることが高精度に振動子１２を形成できて好適である。振動子１２のＹ軸方向の長さ寸法Ｌ２は、２．５〜１２ｍｍ程度、このうちアーム部１５，１６の長さ寸法Ｌ３は２〜１０ｍｍ程度である。
【００５０】
Ｓｉ基板３８から振動子１２を形成するには図示しないマスク層（例えばレジスト）を用いて行う。本実施形態では、Ｓｉ基板３８を平坦な面上に接合しＳｉ基板３８を固定した状態で振動子形状に加工するため、所定形状の振動子１２を適切且つ簡単に形成できるとともに、台座部１３と振動子１２の基部１７との位置合わせを高精度に行うことが出来る。
【００５１】
次に図８Ｅに示す工程では、絶縁層３５を除去する。絶縁層３５を等方性エッチングにて除去することが振動子１２のアーム部１５，１６下の絶縁層３５全体を適切に除去できて好ましい。このときのエッチングはドライエッチングでもウエットエッチングでもどちらでもよい。またこのとき、絶縁層３５をエッチングするが、支持基板１１及び台座部１３はエッチングされない（あるいはエッチングされ難い）ように選択性のあるエッチング剤を使用する。従来のようにＳＯＩ基板を用いて摺動子の基部下の犠牲層を部分的に残すように犠牲層をエッチング処理する製造方法では摺動子の形状が限定されたり、また残される犠牲層の形状を小さいばらつきで形成することは非常に難しかった。これに対して、本実施形態では、絶縁層（犠牲層）３５を除去したときに、支持基板１１と一体で形成された台座部１３をそのまま残すことが出来る。また本実施形態では、従来に比べて絶縁層３５の除去工程における制約を少なくできるので、製造工程の煩雑化を抑制できる。
【００５２】
上記した本実施形態のジャイロセンサの製造方法では、図８Ａの工程で支持基板１１と一体で形成された凸状の台座部１３を形成し、台座部１３の周囲を絶縁層３５で埋め、図８Ｂの工程では、平坦化された台座部１３の上面１３ａ及び絶縁層３５の上面３５ｂに将来、振動子１２として残されるＳｉ基板３８を接合している。
【００５３】
本実施形態では、このように、Ｓｉ基板３８を平坦な面上に接合しＳｉ基板３８を固定した状態で振動子形状に加工するため、所定形状の振動子１２を適切且つ簡単に形成できるとともに、台座部１３と振動子１２の基部１７との位置合わせを図８Ｄの加工工程で高精度の行うことが出来る。さらに図８Ｅの工程で、支持基板１１と一体化された台座部１３を残して絶縁層（犠牲層）３５のみを適切に除去できる。その結果、従来に比べて、振動子１２の基部１７と台座部１３との位置合わせのばらつきを小さくでき、また台座部１３の形状を均一な形状で形成でき、台座部１３と振動子１２との接触面積のばらつきを小さくできる。したがって本実施形態のジャイロセンサの製造方法によれば、従来に比べて、振動子１２の垂直方向振動（Ｚ軸方向振動）の共振周波数のばらつき等を小さくでき、出力感度のばらつきを効果的に抑制できるジャイロセンサを簡単且つ適切に製造することが出来る。
【００５４】
図６に示す枠体３０を振動子１２の周囲に形成するには図８Ｄに示す工程でＳｉ基板３８を振動子１２と枠体３０の形状に加工して残せばよい。
【００５５】
振動子１２の形状は、特に限定されるものではない。例えば、上記実施形態ではアーム部１５，１６の数は２本であったが３本以上であってもよいし１本でもよい。
【００５６】
また振動子１２そのものをＰＺＴ等の圧電材料で形成し、振動子１２に駆動電極や検出電極を直接設けた形態で形成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１実施形態のジャイロセンサの平面図、
【図２】図１に示すＡ−Ａ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た拡大断面図、
【図３】図１に示すＢ−Ｂ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た部分拡大断面図、
【図４】図１に示すＣ−Ｃ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た断面図、
【図５】本実施形態のジャイロセンサの変形例を示す断面図、
【図６】本発明の第２実施形態のジャイロセンサの平面図、
【図７】図６に示すＤ−Ｄ線に沿って高さ方向に切断し矢印方向から見た断面図、
【図８】図８Ａ〜図８Ｅは、本実施形態のジャイロセンサの製造方法を示す一工程図（図４と同じ位置での断面図）、
【図９】従来におけるジャイロセンサの製造方法を説明するための一工程図（断面図）、
【符号の説明】
【００５８】
１０  ジャイロセンサ
１１  支持基板
１２  振動子
１３  台座部
１４  圧電機能素子
１５、１６  アーム部
１７  基部
１８、１９  駆動部
１８ａ、１９ａ、２０ａ  下部電極
１８ｂ、１９ｂ、２０ｂ、２６  圧電膜
１８ｃ、１９ｃ、２０ｃ  上部電極
２０  検出部
２１、２２、２３、２４  電極パッド
２５  共通グランド
３０  枠体
３５  絶縁層（犠牲層）
３８  Ｓｉ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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