(57)【要約】      （修正有）【課題】レジストカバー膜の膜剥がれを防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】反射防止膜用熱処理部の備える熱処理ユニットＴＰは、熱処理プレート２１０に支持された基板の上方を覆い、熱処理プレート２１０に支持された基板の周縁部に密着強化剤を吐出するカバー型ノズル２２１と、カバー型ノズル２２１に気相状態の密着強化剤を供給する気化処理装置２２２とを備える。制御部９１１は、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗに対する熱処理が行われている間に、カバー型ノズル２２１から基板Ｗの周縁部に気相状態の密着強化剤を吐出させて密着強化処理を実行する。これによって、基板Ｗの周縁部におけるレジストカバー膜と基板表面との密着性を強化することができる。また、熱処理と密着強化処理とを並行して行うのでスループットに影響を与えることもない。【選択図】図６
2009088384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接して配置され、表面にレジスト膜を形成し、さらにその上面にレジストカバー膜を形成した基板を前記露光装置に渡す基板処理装置であって、
基板に対して所定の処理を行う複数の処理ユニットを配置した処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、
を備え、
前記複数の処理ユニットのうちの少なくとも１つが、
前記レジストカバー膜が形成される前の基板の周縁部のみに密着強化剤を供給する密着強化剤供給手段、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記密着強化剤供給手段が、
前記密着強化剤を気化させる気化手段、
を備え、
前記密着強化剤を前記基板の周縁部に気相状態で供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニットの１つとして、
表面に所定の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う塗布後熱処理ユニット、
を備え、
前記塗布後熱処理ユニットが、前記密着強化剤供給手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記塗布後熱処理ユニットが、
その上面で基板を支持しつつ前記基板を熱処理する熱処理プレート、
を備え、
前記密着強化剤供給手段が、
前記熱処理プレートに支持された基板を覆うカバーと、
前記カバーの内側空間を仕切って形成され、前記基板の周縁部を除く内側部分を覆う仕切り壁と、
前記カバーの内側と前記仕切り壁の外側との間に形成された供給経路に連通し、前記基板の周縁部に対向する吐出口と、
を備え、
前記供給経路を経て前記吐出口から前記基板の周縁部に前記密着強化剤を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記仕切り壁の内側から前記基板の内側部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項３から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記塗布後熱処理ユニットを制御する制御手段、
を備え、
前記制御手段が、
基板に対して前記熱処理が行われている間に、前記密着強化剤供給手段に、前記基板の周縁部に前記密着強化剤を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項３から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記所定の塗布液が、反射防止膜の塗布液であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項３から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記所定の塗布液が、レジスト膜の塗布液であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
前記複数の処理ユニットの１つとして、
基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理ユニット、
を備え、
前記塗布処理ユニットが、
基板を水平姿勢に保持しつつ鉛直軸周りに回転させる保持部と、
前記保持部にて保持されて回転される基板の上面に所定の塗布液を供給して、前記上面に塗布膜を形成する塗布液供給手段と、
前記塗布膜が形成された基板の周縁部に前記塗布膜を除去する除去液を供給する除去液供給手段と、
前記密着強化剤供給手段と、
前記塗布処理ユニットを制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段が、前記除去液供給手段に基板の周縁部へ前記除去液を供給させた後に、前記密着強化剤供給手段に前記基板の周縁部へ前記密着強化剤を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理装置であって、
前記塗布処理ユニットが、
前記保持部に保持されて回転する基板から飛散した余分な処理液を回収する回収手段、
を備え、
前記回収手段が、
前記余分な処理液を第１の回収容器に導く第１の回収経路と、
前記余分な処理液を第２の回収容器に導く第２の回収経路と、
前記余分な処理液が前記密着強化剤の場合に前記余分な処理液を前記第１の回収容器に導き、前記余分な処理液が前記密着強化剤以外の場合に前記余分な処理液を前記第２の回収容器に導く回収経路切り替え手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記塗布膜が、反射防止膜であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、
前記塗布膜が、レジスト膜であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板（半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等）と、その表面に形成される塗布膜との密着性を強化する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、基板に対して、洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の処理を施すことにより製造されている。
【０００３】
ところで、近年の半導体デバイス等の急速な高密度化に伴い、レジストマスクのパターンの微細化が要求されている。このため、露光処理を行う露光装置の光源としては旧来の紫外線ランプに代えて比較的波長の短いＫｒＦエキシマレーザ光源やＡｒＦエキシマレーザ光源といった遠紫外線光源（Deep UV）が主流を占めつつある。ところが、最近のさらなる微細化要求に対してはＡｒＦエキシマレーザ光源でさえも十分ではない。これに対応するためには、より波長の短い光源、例えばＦ２レーザ光源を露光装置に採用することも考えられるが、また一方で、コスト面の負担を低減しつつさらなるパターン微細化を可能にする露光技術として液浸露光処理法が提案されている。
【０００４】
液浸露光処理法は、投影光学系と基板との間に屈折率ｎが大気（ｎ＝１）よりも大きな液体（例えば、ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で「液浸露光」を行うことにより、開口率を大きくして解像度を向上させる技術である。この液浸露光処理法によれば、従来のＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）をそのまま流用したとしても、その等価波長を１３４ｎｍにすることができ、コスト負担増を抑制しつつレジストマスクのパターンを微細化することができる。
【０００５】
液浸露光処理法を採用する場合には、露光時に基板の表面に直接液体が接触するため、レジスト膜を保護する目的で基板表面にレジストカバー膜を形成する場合がある。レジストカバー膜はレジスト膜の上層に形成され、現像時には剥離除去されることになる。例えば特許文献１，２には、レジストカバー膜の形成およびその除去に関する技術が記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−９６１５５号公報
【特許文献２】特開２００７−９６１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、レジストカバー膜と基板表面との密着性は一般にあまり強くなく、レジストカバー膜が基板表面から容易に剥離してしまうことが従来から問題視されていた。せっかくレジストカバー膜を形成しても、それが露光処理を行うまでに剥離してしまうと、当然のことながらレジスト膜の保護という本来の目的を達成することができない。
【０００８】
この発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、レジストカバー膜の膜剥がれを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、露光装置に隣接して配置され、表面にレジスト膜を形成し、さらにその上面にレジストカバー膜を形成した基板を前記露光装置に渡す基板処理装置であって、基板に対して所定の処理を行う複数の処理ユニットを配置した処理部と、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う受け渡し部と、を備え、前記複数の処理ユニットのうちの少なくとも１つが、前記レジストカバー膜が形成される前の基板の周縁部のみに密着強化剤を供給する密着強化剤供給手段、を備える。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記密着強化剤供給手段が、前記密着強化剤を気化させる気化手段、を備え、前記密着強化剤を前記基板の周縁部に気相状態で供給する。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットの１つとして、表面に所定の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う塗布後熱処理ユニット、を備え、前記塗布後熱処理ユニットが、前記密着強化剤供給手段を備える。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置であって、前記塗布後熱処理ユニットが、その上面で基板を支持しつつ前記基板を熱処理する熱処理プレート、を備え、前記密着強化剤供給手段が、前記熱処理プレートに支持された基板を覆うカバーと、前記カバーの内側空間を仕切って形成され、前記基板の周縁部を除く内側部分を覆う仕切り壁と、前記カバーの内側と前記仕切り壁の外側との間に形成された供給経路に連通し、前記基板の周縁部に対向する吐出口と、を備え、前記供給経路を経て前記吐出口から前記基板の周縁部に密着強化剤を吐出する。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、前記仕切り壁の内側から前記基板の内側部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段、を備える。
【００１４】
請求項６の発明は、請求項３から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記塗布後熱処理ユニットを制御する制御手段、を備え、前記制御手段が、基板に対して前記熱処理が行われている間に、前記密着強化剤供給手段に、前記基板の周縁部に前記密着強化剤を供給させる。
【００１５】
請求項７の発明は、請求項３から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記所定の塗布液が、反射防止膜の塗布液である。
【００１６】
請求項８の発明は、請求項３から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記所定の塗布液が、レジスト膜の塗布液である。
【００１７】
請求項９の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記複数の処理ユニットの１つとして、基板の表面に所定の塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理ユニット、を備え、前記塗布処理ユニットが、基板を水平姿勢に保持しつつ鉛直軸周りに回転させる保持部と、前記保持部にて保持されて回転される基板の上面に所定の塗布液を供給して、前記上面に塗布膜を形成する塗布液供給手段と、前記塗布膜が形成された基板の周縁部に前記塗布膜を除去する除去液を供給する除去液供給手段と、前記密着強化剤供給手段と、前記塗布処理ユニットを制御する制御手段と、を備え、前記制御手段が、前記除去液供給手段に基板の周縁部へ前記除去液を供給させた後に、前記密着強化剤供給手段に前記基板の周縁部へ前記密着強化剤を供給させることを特徴とする基板処理装置。
【００１８】
請求項１０の発明は、請求項９に記載の基板処理装置であって、前記塗布処理ユニットが、前記保持部に保持されて回転する基板から飛散した余分な処理液を回収する回収手段、を備え、前記回収手段が、前記余分な処理液を第１の回収容器に導く第１の回収経路と、前記余分な処理液を第２の回収容器に導く第２の回収経路と、前記余分な処理液が前記密着強化剤の場合に前記余分な処理液を前記第１の回収容器に導き、前記余分な処理液が前記密着強化剤以外の場合に前記余分な処理液を前記第２の回収容器に導く回収経路切り替え手段と、を備える。
【００１９】
請求項１１の発明は、請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、前記塗布膜が、反射防止膜である。
【００２０】
請求項１２の発明は、請求項９または１０に記載の基板処理装置であって、前記塗布膜が、レジスト膜である。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１〜１２に記載の発明によると、レジストカバー膜が形成される前の基板の周縁部のみに密着強化剤を供給するので、周縁部における基板とレジストカバー膜との密着性を高めることができる。これによって、レジストカバー膜の膜剥がれを防止することができる。
【００２２】
特に、請求項３に記載の発明によると、表面に所定の塗布液を塗布する処理が行われた後の基板に対する熱処理を行う塗布後熱処理ユニットにて、基板の周縁部に密着強化剤を供給する処理を実行することができる。
【００２３】
特に、請求項４に記載の発明によると、基板を覆うカバーと基板の内側部分を覆う仕切り壁との間に形成された供給経路を経て、基板の周縁部に対向する吐出口から密着強化剤を吐出するので、基板の周縁部のみに確実に密着強化剤を供給することができる。
【００２４】
特に、請求項６に記載の発明によると、基板に対する熱処理が行われている間に、基板の周縁部に密着強化剤を供給する処理を行うので、スループットに影響を与えることなく、基板のエッジ付近における膜剥がれを防止することができる。
【００２５】
特に、請求項９に記載の発明によると、基板の表面に所定の塗布液を供給する塗布処理ユニットにて、基板の周縁部に密着強化剤を供給する処理を実行することができる。
【００２６】
特に、請求項１０に記載の発明によると、密着強化剤と密着強化剤以外の処理液とを別々の回収容器に回収するので、回収された密着強化剤が回収容器にて他の処理液と混合することがない。これによって、混合による化学反応や樹脂成分の固化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置５００について図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において参照される図１〜図３には、各部の位置関係や動作方向を明確化するために、共通のＸＹＺ直交座標系が付されている。
【００２８】
〔第１の実施の形態〕
〈１．基板処理装置の全体構成〉
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置５００の全体構成を示す平面図である。この基板処理装置５００は、液浸露光処理の前後において、半導体基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」という。）に塗布処理、熱処理、現像処理等の一連の処理を行うための装置である。図１に示すように、基板処理装置５００は、主として、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、洗浄／乾燥処理ブロック１５、およびインターフェースブロック１６をこの順に並設した構成となっている。
【００２９】
インターフェースブロック１６の＋Ｙ側には、この基板処理装置５００とは別体の露光装置１７が接続される。露光装置１７は、基板Ｗに対して液浸露光処理を行う機能を有している。
【００３０】
インデクサブロック９には、各ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）９１と、複数のキャリア載置台９２と、インデクサロボットＩＲとが設けられている。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＩＲＨ１，ＩＲＨ２を上下に有している。
【００３１】
反射防止膜用処理ブロック１０には、反射防止膜用熱処理部１００，１０１と、反射防止膜用塗布処理部３０と、第２のセンターロボットＣＲ２とが設けられている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１と反射防止膜用塗布処理部３０とは、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んで互いに対向配置されている。第２のセンターロボットＣＲ２は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２を上下に有している。
【００３２】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられている。また、隔壁２０の一部分には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に使用される。
【００３３】
レジスト膜用処理ブロック１１には、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１と、レジスト膜用塗布処理部４０と、第３のセンターロボットＣＲ３とが設けられている。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１とレジスト膜用塗布処理部４０とは、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで互いに対向配置されている。第３のセンターロボットＣＲ３は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４を上下に有している。
【００３４】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられている。また、隔壁２１の一部分には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に使用される。
【００３５】
現像処理ブロック１２には、現像用熱処理部１２０，１２１と、現像処理部５０と、第４のセンターロボットＣＲ４とが設けられている。現像用熱処理部１２０，１２１と現像処理部５０とは、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んで互いに対向配置されている。第４のセンターロボットＣＲ４は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６を上下に有している。
【００３６】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁２２が設けられている。また、隔壁２２の一部分には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に使用される。
【００３７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３には、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１と、レジストカバー膜用塗布処理部６０と、第５のセンターロボットＣＲ５とが設けられている。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１とレジストカバー膜用塗布処理部６０とは、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで互いに対向配置されている。第５のセンターロボットＣＲ５は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８を上下に有している。
【００３８】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２３が設けられている。また、隔壁２３の一部分には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に使用される。
【００３９】
レジストカバー膜除去ブロック１４には、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂと、第６のセンターロボットＣＲ６とが設けられている。レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂは、第６のセンターロボットＣＲ６を挟んで互いに対向配置されている。第６のセンターロボットＣＲ６は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０を上下に有している。
【００４０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２４が設けられている。また、隔壁２４の一部分には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に使用される。
【００４１】
洗浄／乾燥処理ブロック１５には、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と、洗浄／乾燥処理部８０と、第７のセンターロボットＣＲ７とが設けられている。露光後ベーク用熱処理部１５１は、インターフェースブロック１６に隣接し、後述するように基板載置部ＰＡＳＳ１３，ＰＡＳＳ１４を有している。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１と洗浄／乾燥処理部８０とは、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向配置されている。また、第７のセンターロボットＣＲ７は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２を上下に有している。
【００４２】
レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間には、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。また、隔壁２５の一部分には、レジストカバー膜除去ブロック１４と洗浄／乾燥処理ブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に近接して設けられている。上段の基板載置部ＰＡＳＳ１１は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から洗浄／乾燥処理ブロック１５へ搬送する際に使用され、下段の基板載置部ＰＡＳＳ１２は、基板Ｗを洗浄／乾燥処理ブロック１５からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に使用される。
【００４３】
インターフェースブロック１６には、第８のセンターロボットＣＲ８と、送りバッファ部ＳＢＦと、インターフェース用搬送機構ＩＦＲと、エッジ露光部ＥＥＷとが設けられている。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６および戻りバッファ部ＲＢＦが設けられている。第８のセンターロボットＣＲ８は、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４を上下に有している、また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗの受け渡しを行う２つのハンドＨ１，Ｈ２を上下に有している。
【００４４】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ側から見た側面図である。
【００４５】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部３０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック３１と、スピンチャック３１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル３２と、基板周縁部に形成された反射防止膜を除去するための除去ノズル（いわゆるＥＢＲ（Edge Bead Remover）ノズル）（図示省略）とを備える。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部４０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック４１と、スピンチャック４１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル４２と、基板周縁部に形成されたレジスト膜を除去するための除去ノズル（図示省略）とを備える。
【００４７】
現像処理ブロック１２の現像処理部５０（図１参照）には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１と、スピンチャック５１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル５２とを備える。
【００４８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１と、スピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル６２と、基板周縁部に形成されたレジストカバー膜を除去するための除去ノズル６３（図示省略）とを備える。
【００４９】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ｂ（図１参照）には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１と、スピンチャック７１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜を溶解させる除去液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル７２とを備える。
【００５０】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０（図１参照）には、３個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤが積層配置される。
【００５１】
インターフェースブロック１６には、２個のエッジ露光部ＥＥＷと、基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６と、戻りバッファ部ＲＢＦとが上下に積層配置されているとともに、第８のセンターロボットＣＲ８（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置されている。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８と、スピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９とを備える。
【００５２】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ側から見た側面図である。
【００５３】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、それぞれ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰと２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰとが上下に積層配置されている。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える各ユニットＨＰ，ＣＰの構成については、後に図６等を参照しながらより具体的に説明する。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５５】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５７】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部７０ａには、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。
【００５８】
洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１には、それぞれ、２個の加熱ユニットＨＰと２個の冷却ユニットＣＰとが上下に積層配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５１には、基板載置部ＰＡＳＳ１３，１４も配置されている。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１の最上部には、冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＨＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置されている。
【００５９】
なお、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ、除去ユニットＲＥＭ、現像処理ユニットＤＥＶ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの数は、各ブロックの処理速度に応じて適宜に変更されてもよい。
【００６０】
〈２．基板処理装置の全体動作〉
続いて、基板処理装置５００の全体的な動作の概略について、図１〜図３および図４のフローチャートを参照しながら説明する。この基板処理装置５００において基板Ｗの処理を行うときには、まず、インデクサブロック９のキャリア載置台９２上に、複数枚の基板Ｗが多段に収納されたキャリアＣが搬入される（ステップＳ１）。
【００６１】
キャリア載置台９２上にキャリアＣが載置されると、インデクサロボットＩＲは、上側のハンドＩＲＨ１を用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、Ｘ軸方向に移動しつつθ方向に回転し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６２】
反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取り、反射防止膜用塗布処理部３０の塗布ユニットＢＡＲＣへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＢＡＲＣでは、露光処理時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜が基板Ｗの上面に塗布形成される（ステップＳ２）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成された反射防止膜は、塗布ユニットＢＡＲＣ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６３】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用塗布処理部３０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）および密着強化処理が並行して行われる（ステップＳ３）。この処理については、後により具体的に説明する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１における熱処理および密着強化処理が終了すると、第２のセンターロボットＣＲ２は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６４】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗを受け取り、レジスト膜用塗布処理部４０の塗布ユニットＲＥＳへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＲＥＳでは、基板Ｗの上面の反射防止膜の上部に、レジスト膜が塗布形成される（ステップＳ４）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジスト膜は、塗布ユニットＲＥＳ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６５】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用塗布処理部４０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。レジスト膜用熱処理部１１０，１１１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ５）。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１における熱処理が終了すると、第３のセンターロボットＣＲ３は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００６６】
現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００６７】
レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜用塗布処理部６０の塗布ユニットＣＯＶへ当該基板Ｗを搬送する。塗布ユニットＣＯＶでは、基板Ｗの上面のレジスト膜の上部に、レジストカバー膜が塗布形成される。（ステップＳ６）。また、基板Ｗの周縁部から所定幅の領域に形成されたレジストカバー膜は、塗布ユニットＣＯＶ内の除去ノズルから吐出される除去液により除去される。
【００６８】
その後、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用塗布処理部６０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ７）。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１における熱処理が終了すると、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００６９】
図５は、上記のステップＳ２〜Ｓ７において基板Ｗの上面に形成された反射防止膜ＣＶＢ、レジスト膜ＣＶＲ、およびレジストカバー膜ＣＶＴの積層構造を示す縦断面図である。図５に示すように、基板Ｗの上面には、反射防止膜ＣＶＢ、レジスト膜ＣＶＲ、およびレジストカバー膜ＣＶＴが下から順に塗布形成される。各塗布膜の周縁部は除去液により除去され、これにより各塗布膜の膜端位置が規定される。
【００７０】
図５に示すように、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置は、レジスト膜ＣＶＲの膜端位置よりも外周側とされる。これによって、レジスト膜ＣＶＲの上部はレジストカバー膜ＣＶＴにより完全に覆われることとなり、露光装置１７における露光処理時に、液浸露光用の液体からレジスト膜ＣＶＲが保護される。
【００７１】
また、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置は、反射防止膜ＣＶＢの膜端位置よりも内周側であってもよいし外周側であってもよい。レジストカバー膜ＣＶＴと反射防止膜ＣＶＢとの密着性は比較的強いので、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置が反射防止膜ＣＶＢの膜端位置よりも内周側にある場合には、レジストカバー膜ＣＶＴは膜剥がれしにくい。一方、レジストカバー膜ＣＶＴと基板表面との密着性は比較的弱いが、ここでは、後に詳述する密着強化処理によって、少なくとも反射防止膜ＣＶＢの膜端位置よりも外周側の領域には密着強化剤Ｈが塗布されており、これによって、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置よりも外周側の領域におけるレジストカバー膜ＣＶＴと基板表面との密着性が高められている。したがって、レジストカバー膜ＣＶＴの膜端位置が反射防止膜ＣＶＢの膜端位置よりも外周側にある場合であっても、レジストカバー膜ＣＶＴは膜剥がれしにくい。
【００７２】
再び図１〜図４を参照ながら、基板処理装置５００の動作説明を続ける。レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。更に、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板ＷをＰＡＳＳ１５に載置する。なお、インターフェースブロック１６において基板Ｗがエッジ露光部ＥＥＷに搬入され、基板Ｗの周縁部に露光処理が行われてもよい。
【００７３】
インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ１５に載置された基板Ｗを露光装置１７の基板搬入部１７ａに搬入する（ステップＳ８）。なお、露光装置１７が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。露光装置１７では、基板Ｗに対して液浸露光処理が行われ、基板Ｗの上面に所定の電子パターンが露光される。
【００７４】
その後、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１７の基板搬出部１７ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し（ステップＳ９）、洗浄／乾燥処理ブロック１５の洗浄／乾燥処理部８０に当該基板Ｗを搬入する。なお、洗浄／乾燥処理部８０が基板Ｗを受け入れられない場合には、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦに一時的に収納保管される。洗浄／乾燥処理部８０の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤでは、露光処理後の基板Ｗに対して、洗浄処理および乾燥処理が行われる（ステップＳ１０）。
【００７５】
洗浄／乾燥処理部８０における洗浄処理および乾燥処理が終了すると、インターフェースブロック１６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲは、洗浄／乾燥処理部８０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置する。
【００７６】
インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、基板載置部ＰＡＳＳ１６に載置された基板Ｗを受け取り、洗浄／乾燥処理ブロック１５の露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１へ当該基板Ｗを搬送する。露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１では、露光処理後の基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１１）。また、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１における熱処理が終了すると、インターフェースブロック１６の第８のセンターロボットＣＲ８は、露光後ベーク用熱処理部１５０，１５１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置する。また、洗浄／乾燥処理ブロック１５の第７のセンターロボットＣＲ７は、基板載置部ＰＡＳＳ１４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００７７】
レジストカバー膜除去ブロック１４の第６のセンターロボットＣＲ６は、基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗを受け取り、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂの除去ユニットＲＥＭへ当該基板を搬入する。除去ユニットＲＥＭでは、所定の除去液により基板Ｗの上面からレジストカバー膜が除去される（ステップＳ１２）。
【００７８】
その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、レジストカバー膜除去用処理部７０ａ，７０ｂから基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。また、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第５のセンターロボットＣＲ５は、基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ８に載置する。
【００７９】
更に、現像処理ブロック１２の第４のセンターロボットＣＲ４は、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗを受け取り、現像処理部５０の現像処理ユニットＤＥＶへ当該基板Ｗを搬入する。現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗの上面に現像液が供給されることにより、現像処理が行われる（ステップＳ１３）。
【００８０】
その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像処理部５０から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。現像用熱処理部１２０，１２１では、基板Ｗに対して所定の熱処理（加熱処理および冷却処理）が行われる（ステップＳ１４）。また、現像用熱処理部１２０，１２１における熱処理が終了すると、第４のセンターロボットＣＲ４は、現像用熱処理部１２０，１２１から基板Ｗを取り出し、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００８１】
レジスト膜用処理ブロック１１の第３のセンターロボットＣＲ３は、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４に載置する。また、反射防止膜用処理ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２は、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。更に、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲは、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを受け取り、当該基板Ｗをキャリア載置台９２上のキャリアＣに収納する。その後、キャリア載置台９２上からキャリアＣが搬出され（ステップＳ１５）、基板処理装置５００における一連の基板処理が終了する。
【００８２】
〈３．密着強化処理〉
〈３−１．密着強化処理に関する構成〉
反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰ（以下において、加熱ユニットＨＰと冷却ユニットＣＰと特に区別しない場合は、これらを「熱処理ユニットＴＰ」と総称する。）について、図６を参照しながら説明する。図６は、熱処理ユニットＴＰの構成を示す図である。なお、以下においては、適宜図７を参照する。図７は、熱処理プレート２１０およびカバー型ノズル２２１を示す側断面である。
【００８３】
熱処理ユニットＴＰは、主として、その上面に水平姿勢にて載置された基板Ｗに対して熱処理を行う略円板形状の熱処理プレート２１０と、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの周縁部に密着強化剤を供給する密着強化剤供給部２２０とを備えている。また、熱処理ユニットＴＰは、ユニット内の各部の動作を制御するユニットコントローラ（制御部）９１１を有している。なお、各機能部２１０，２２０は図示しないチャンバー（例えばステンレススチール等の金属材料を用いて構成される筐体）に収容されている。
【００８４】
〈ｉ．熱処理プレート２１０〉
熱処理プレート２１０の上面には、セラミックス製のプロキシミティボール２１１が例えば３個埋設されている。処理対象となる基板Ｗはプロキシミティボール２１１を介して所定のギャップ（例えば、０．１ｍｍ）を隔てて熱処理プレート２１０に載置される。また、熱処理プレート２１０の下方にはエアシリンダ２１２が設けられており、このエアシリンダ２１２によって複数本（例えば３本）の支持ピン２１３が一斉に昇降される。支持ピン２１３の先端部分は、熱処理プレート２１０に上下方向に穿設された貫通孔に挿通されており、エアシリンダ２１２が支持ピン２１３を上昇させたときにはその先端部が熱処理プレート２１０から上方に突出し、エアシリンダ２１２が支持ピン２１３を下降させたときにはその先端部が熱処熱処理プレート２１０の上面よりも低い位置にまで戻る。エアシリンダ２１２は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がエアシリンダ２１２を駆動制御することによって、支持ピン２１３が上昇して基板Ｗを熱処理プレート２１０から持ち上げる状態と、支持ピン２１３が下降して基板Ｗを熱処理プレート２１０上に渡す状態とで切り換えることができる。
【００８５】
また、熱処理プレート２１０は、ローカルコントローラＬＣ（図３参照）によって制御されるヒータを内蔵する。ヒータは、熱処理プレート２１０における温調領域Ｓを所定の設定温度に温調する。ローカルコントローラＬＣは、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がローカルコントローラＬＣを介してヒータの温度を制御することによって、熱処理プレート２１０上の温調領域Ｓ内に載置された基板Ｗを所定の温度に加熱もしくは冷却することができる。
【００８６】
また、熱処理プレート２１０の周縁部であって、温調領域Ｓの外側には、排出孔２１４が形成されている。排出孔２１４は、回収ラインを通じて図示しないドレインタンクと接続されている。排出孔２１４は、図示しない減圧手段によって減圧される。この減圧手段は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１が減圧手段を制御することによって、基板Ｗに供給された余分な密着強化剤（基板Ｗ上面から溢れ出た密着強化剤）を排出孔２１４を通じてドレインタンクへ導くことができる。
【００８７】
〈ｉｉ．密着強化剤供給部２２０〉
密着強化剤供給部２２０は、主として、カバー型ノズル２２１と、気化処理装置２２２と、不活性ガス供給部２２３とを備える。
【００８８】
〈カバー型ノズル２２１〉
カバー型ノズル２２１は、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗを覆う平面視が略円形状のノズルである。カバー型ノズル２２１には、ノズル昇降機構２２１１が接続されている。ノズル昇降機構２２１１は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がノズル昇降機構２２１１を駆動制御することによって、カバー型ノズル２２１を、処理位置（図６、図７に示す位置であり、熱処理プレート２１０とカバー型ノズル２２１との間が閉塞された空間（閉塞空間Ｖ１）となる位置）と、処理位置より上方の退避位置との間で移動させることができる（矢印ＡＲ２２１１）。制御部９１１は、第２のセンターロボットＣＲ２（図１参照）が熱処理プレート２１０に対して基板Ｗの搬出入を行うときには、処理位置にあるカバー型ノズル２２１を処理位置から待避位置にまで上昇させる。また、基板Ｗが搬入されると、待避位置から処理位置にまで下降させる。
【００８９】
カバー型ノズル２２１の構成について図７を参照しながらより詳細に説明する。カバー型ノズル２２１は、熱処理プレート２１０に支持された基板Ｗを覆うカバー部２２１ａと、カバー部２２１ａの内側空間を仕切る仕切り壁２２１ｂとを備える。仕切り壁２２１ｂは、カバー部２２１ａの内側に図示しない支柱等によって吊着されている。カバー部２２１ａの内側と仕切り壁２２１ｂの外側との空間Ｖ２は、密着強化剤の供給経路を形成する。また、仕切り壁２２１ｂの内側の空間Ｖ３は不活性ガスの供給経路を形成する。
【００９０】
密着強化剤の供給経路について説明する。カバー部２２１ａには、密着強化剤導入孔２２１２が貫通して形成されている。密着強化剤導入孔２２１２には、後述する気化処理装置２２２から密着強化剤を導く配管２２２９が接続されている。
【００９１】
一方、仕切り壁２２１ｂは、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの周縁部よりも内側の領域（内側部分）を覆う部材であり、平面視が略円形状に形成されている。これによって、カバー部２２１ａと仕切り壁２２１ｂとの間隙が、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの周縁部に沿った略円環状の吐出溝２２１３を形成することになる。この吐出溝２２１３が、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの周縁部に対向するように、カバー部２２１ａと仕切り壁２２１ｂとの位置関係が調整される。
【００９２】
以上の構成によると、配管２２２９から導かれた密着強化剤（より具体的には、気化処理装置２２２にて気相状態にされた密着強化剤）は、密着強化剤導入孔２２１２を通じて、カバー部２２１ａの内側と仕切り壁２２１ｂの外側に形成される空間Ｖ２に流入し、吐出溝２２１３から吐出される。すなわち、空間Ｖ２が密着強化剤の供給経路を形成する。これによって、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの周縁部のみに密着強化剤を供給することができる。
【００９３】
ただし、ここで、密着強化剤が供給される「周縁部」とは、密着強化剤を供給される時点において、被処理基板の外周付近において基板表面が露出している領域（露出領域）を含む領域を意味する。つまり、この実施の形態においては、反射防止膜ＣＶＢ（図５参照）の膜端位置よりも外周側の領域を含む領域が、密着強化剤が供給される「周縁部」となる。また、この「周縁部」は、露出領域を含む最小の領域であることが望ましく、少なくとも、基板Ｗの有効領域（パターンの形成された領域）を含まない領域とすることが望ましい。
【００９４】
次に、不活性ガスの供給経路について説明する。仕切り壁２２１ｂは側面視がドーム型（凸形状）に成型されており、この凸部を塞ぐように整流板２２１４が取り付けられている。これによって、仕切り壁２２１ｂの内側と整流板２２１４との間に滞留空間Ｖ３が形成される。整流板２２１４は吐出溝２２１３の円環半径よりも小さな半径を有する略円板形状であり、その全面に複数の細孔が形成されている。また、整流板２２１４は、仕切り壁２２１ｂとほぼ同心円となるように取り付けられる。したがって、整流板２２１４は、カバー型ノズル２２１が処理位置に置かれた状態において、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗとほぼ同心円となるよう位置に置かれることになる。
【００９５】
また、仕切り壁２２１ｂには、滞留空間Ｖ３に不活性ガスを導入するガス導入孔２２１５が形成されている。ガス導入孔２２１５には、後述する不活性ガス供給部２２３から不活性ガスを導く配管２２３１が接続されている。
【００９６】
以上の構成によると、配管２２３１から導かれた不活性ガスは、ガス導入孔２２１５を通じて、仕切り壁２２１ｂの内側と整流板２２１４との間に形成される滞留空間Ｖ３に流入し、整流板２２１４に形成された細孔から吐出される。これによって、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの内側部分に不活性ガスを供給することができる。細孔から吐出された不活性ガスは、基板Ｗの内側部分から周縁部に向けて流れて、排出孔２１４から排気される。基板Ｗの周縁に向かう不活性ガスの気流が形成されることによって、基板Ｗを不活性ガス雰囲気下に置くことができるとともに、吐出溝２２１３から吐出された密着強化剤が基板Ｗの内側に流入することが防止される。
【００９７】
〈気化処理装置２２２〉
再び図６を参照して、今度は気化処理装置２２２について説明する。気化処理装置２２２は、密着強化剤を貯留する液留容器２２２１を備える。液留容器２２２１は、レギュレータ２２２４が介挿された不活性ガス供給管２２２２を介して、不活性ガス供給源２２２３に接続されている。レギュレータ２２２４は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がレギュレータ２２２４を制御することによって、不活性ガス供給源２２２３から液留容器２２２１に所定圧力で不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ2）やアルゴンガス（Ａｒ）を用いることができる。
【００９８】
また、液留容器２２２１は、バルブ２２２７が介挿された密着強化剤供給管２２２５を介して、密着強化剤供給源２２２６に接続されている。バルブ２２２７は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がバルブ２２２７を開閉制御することによって、密着強化剤供給源２２２６から液留容器２２２１に密着強化剤を供給することができる。密着強化剤としては、例えば、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等を用いることができる。
【００９９】
さらに、液留容器２２２１の下部には、熱交換コイル２２２８が取り付けられている。図示しない電流供給源から熱交換コイル２２２８に電流を供給すると、熱交換コイル２２２８の温度が上昇する。これによって、液留容器２２２１内に貯留した密着強化剤が気化される。
【０１００】
さらに、液留容器２２２１は、バルブ２２３０が介挿された配管２２２９を介して、カバー型ノズル２２１に接続されている。バルブ２２３０は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がバルブ２２３０を開閉制御することによって、液留容器２２２１内にて気化した密着強化剤をカバー型ノズル２２１の内部空間Ｖ２へ導くことができる。また、バルブ２２３０を調整することによって、内部空間Ｖ２に供給される密着強化剤の流量（すなわち、吐出溝２２１３から吐出される密着強化剤の流量）を制御することができる。
【０１０１】
〈不活性ガス供給部２２３〉
不活性ガス供給部２２３は、その一端がカバー型ノズル２２１に形成されたガス導入孔ガス導入孔２２１５に接続され、他端が不活性ガス供給源２２３２に接続された配管２２３１を備えている。配管２２３１には、バルブ２２３３が設けられる。バルブ２２３３は、制御部９１１と電気的に接続されている。制御部９１１がバルブ２２３３を開閉制御することによって、不活性ガス供給源２２３２から滞留空間Ｖ３に不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ2）やアルゴンガス（Ａｒ）を用いることができる。
【０１０２】
〈３−２．熱処理ユニットＴＰにおける処理動作〉
次に、熱処理ユニットＴＰにおいて実行される処理（図４のステップＳ３の処理）動作について説明する。
【０１０３】
まず、第２のセンターロボットＣＲ２（図１参照）により、基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える４個の熱処理ユニットＴＰのうちの所定の処理ユニットに搬入して、搬入した基板Ｗを当該ユニットの熱処理プレート２１０上に載置する。
【０１０４】
続いて、制御部９１１は、熱処理プレート２１０上に載置された基板Ｗに対する熱処理を行う。より具体的には、熱処理プレート２１０に内蔵されるヒータを制御して、温調領域Ｓを所定の設定温度に温調する。これによって、熱処理プレート２１０上に載置された基板Ｗが所定の温度に加熱もしくは冷却される。制御部９１１は、この熱処理と並行して、熱処理プレート２１０上に載置された基板Ｗの周縁部に密着強化剤を供給する処理（密着強化処理）を行う。密着強化処理は、より具体的には次のように行われる。
【０１０５】
制御部９１１は、まず、ノズル昇降機構２２１１を駆動制御してカバー型ノズル２２１を処理位置に置く。続いて、不活性ガス供給部２２３のバルブ２２２３を開放する。これによって、ガス導入孔２２１５を通じて滞留空間Ｖ３へ不活性ガスが導かれる。滞留空間Ｖ３に導かれた不活性ガスは、整流板２２１４に形成された細孔から基板Ｗの表面に向けて吐出される。すると、基板Ｗの表面が不活性ガス雰囲気下に置かれるとともに、基板Ｗの周縁に向かう不活性ガスの気流が形成される。
【０１０６】
これと同時に、制御部９１１は、気化処理装置２２２のレギュレータ２２２４およびバルブ２２２７を制御して、液留容器２２２１に不活性ガスおよび密着強化剤を貯留するとともに、熱交換コイル２２２８の温度を上昇させて、液留容器２２２１内に貯留された密着強化剤を気化させる。また、液留容器２２２１と密着強化剤導入孔２２１２とをつなぐ配管２２２９に介挿されたバルブ２２３０を開放する。これによって、液留容器２２２１内にて気化した密着強化剤が、密着強化剤導入孔２２１２を通じて内部空間Ｖ２へ導かれる。内部空間Ｖ２に導かれた密着強化剤は、吐出溝２２１３から吐出される。すなわち、熱処理プレート２１０に載置された基板Ｗの周縁部に密着強化剤が供給される。所定量の密着強化剤が基板Ｗに供給されると、制御部９１１は、バルブ２２３０を閉じて密着強化剤の供給を停止する。
【０１０７】
なお、密着強化剤を供給する間、制御部９１１は、排出孔２１４に負圧を生じさせておく。これによって、余分に供給された密着強化剤は排出孔２１４から回収ラインを通じてドレインタンク（図示省略）へ回収される。以上が密着強化処理の流れである。
【０１０８】
基板Ｗに対する熱処理および密着強化処理が終了すると、基板Ｗは、第２のセンターロボットＣＲ２により熱処理ユニットＴＰから搬出される。以上で、熱処理ユニットＴＰにおける１枚の基板Ｗに対する一連の処理が終了する。
【０１０９】
〈４．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置５００によると、レジストカバー膜が形成される前の基板の周縁部に密着強化剤を供給するので、周縁部における基板とレジストカバー膜との密着性を高めることができる。これによって、基板のエッジ付近における膜剥がれを防止することができる。
【０１１０】
また、基板Ｗの周縁部のみに選択的に密着強化剤を供給するので、周縁部の内側部分を含んだ基板表面の全体に密着強化剤を塗布した場合に比べて、現像後の欠陥発生数を低く抑えることができる。その理由は次の通りである。
【０１１１】
露光処理が行われると、レジストカバー膜は除去されて消失するため、基板の表面には、密着強化剤が塗布された部分が露出した領域が現れる。ところで、密着強化剤が塗布された領域は疎水化された状態（すなわち、撥水性の高い状態）となっている。基板表面の全体に密着強化剤を塗布した場合、レジストカバー膜が除去されると、基板表面の全体にわたって（すなわちパターン形成領域を含む全領域にわたって）この密着強化剤の露出領域が現れることになる。すなわち、基板表面の全体にわたって撥水性の高い領域が現れることになる。撥水性の高い領域にはパーティクルが引き寄せられやすいため、この状態で現像処理が行われると、現像処理にて基板表面から剥がれたレジスト等が基板の引き寄せられて基板の表面に再付着してしまう可能性が高い。そして、付着したパーティクルは、現像欠陥を引き起こす原因となってしまう。また、基板表面の全体にわたって撥水性の高い領域が現れることによって、リンス液の不均一な水残りが発生してしまうことも知られており、これも現像欠陥を生じさせる一因となってしまう。
【０１１２】
一方、上記の実施の形態のように、密着強化剤を基板の周縁部のみに選択的に供給する構成とすれば、レジストカバー膜が除去されても、密着強化剤の露出領域（すなわち、撥水性の高い領域）は、せいぜい基板Ｗの周縁部に留まる。したがって、上記の場合に比べてパーティクルが引き寄せられにくく、また、パターン形成領域に不均一な水残りが生じることもない。ひいては、現像欠陥が発生しにくい。このように、基板Ｗの周縁部にのみ選択的に密着強化剤を供給する構成によると、現像後の欠陥発生数を低く抑えることができる。
【０１１３】
また、反射防止膜の塗布液が塗布された後の基板に対する熱処理工程（ＰＡＢ（post apply bake）工程）と並行して密着強化処理を実行するので、スループットに影響を与えることなく、基板のエッジ付近における膜剥がれを防止することができる。
【０１１４】
また、カバー型ノズル２２１は、基板Ｗの内側部分に不活性ガスを供給し、内側部分から周縁部に向かう不活性ガスの気流が形成された状態としながら、基板Ｗの周縁部に対向する吐出溝２２１３から密着強化剤を吐出する。これによって、基板の周縁部のみに確実に密着強化剤を供給することができる。
【０１１５】
また、密着強化処理においては、アンモニア成分等のように刺激性の物質が発生する可能性があり、この処理を露光装置１７に近い処理ユニットにて行うと、発生した物質が基板処理装置５００の外部に漏れ出してしまう可能性がある。上記の実施の形態においては、端面処理液供給部６３を反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える熱処理ユニットＴＰに設ける構成としている。反射防止膜用熱処理部１００，１０１は、露光装置１７から十分離れた位置に配置される処理部であるので（図１参照）、密着強化処理にて発生した物質が基板処理装置５００の外部に漏れ出すといった事態も回避できる。
【０１１６】
〔第２の実施の形態〕
〈１．基板処理装置の全体構成〉
この発明の第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００とほぼ同様の装置構成を備えている。ただし、第１の実施の形態に係る基板処理装置５００が密着強化処理を行う機能部（密着強化剤供給部２２０）を反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える熱処理ユニットＴＰに設けていたのに対し（図６参照）、この実施の形態に係る基板処理装置は、密着強化処理を行う機能部（端面処理液供給部３３０）を、反射防止膜用塗布処理部３０の備える塗布ユニットＢＡＲＣに設ける点が相違する。以下においてこの相違点についてより詳細に説明する。なお、以下においては、第１の実施の形態と相違しない点については説明を省略する。また、以下においては、図１〜図４を適宜参照図面として用い、第１の実施の形態と同様の構成部については先に用いた参照符号を用いて示すこととする。
【０１１７】
〈２．密着強化処理〉
〈２−１．密着強化処理に関する構成〉
反射防止膜用塗布処理部３０の備える塗布ユニットＢＡＲＣについて、図８を参照しながら説明する。図８は、この実施の形態に係る塗布ユニットＢＡＲＣの構成を示す側面図である。
【０１１８】
塗布ユニットＢＡＲＣは、主として、基板Ｗを水平姿勢に保持しつつ回転させるスピンチャック３１０と、基板Ｗの上面に反射防止膜の塗布液を供給する塗布液供給ノズル３２０と、基板周縁部に除去液と密着強化剤とを選択的に供給する端面処理液供給部３３０と、基板Ｗに供給された余分な処理液を回収する回収部３４０とを備えている。また、塗布ユニットＢＡＲＣは、ユニット内の各部の動作を制御するユニットコントローラ（制御部）９１２を有している。
【０１１９】
〈スピンチャック３１０〉
スピンチャック３１０は、回転駆動機構３１１ａによって回転される回転軸３１１ｂの上端に固定されている。スピンチャック３１０には、スピンチャック３１０の上面側に連通する吸気路（図示省略）が形成されている。基板Ｗをスピンチャック３１０上に載置した状態で吸気路の内部を排気すると、基板Ｗはスピンチャック３１０上に水平姿勢で吸着保持される。また、スピンチャック３１０上に基板Ｗを保持した状態で回転駆動機構３１１ａを動作させると、スピンチャック３１０および基板Ｗは、基板Ｗの中心を通る鉛直軸周りに回転する。回転駆動機構３１１ａは、制御部９１２と電気的に接続されている。制御部９１２が回転駆動機構３１１ａを駆動制御することによって、回転駆動機構３１１ａのオンオフおよび回転数（回転速度）を制御することができる。
【０１２０】
〈塗布液供給ノズル３２０〉
塗布液供給ノズル３２０は、スピンチャック３１０の上方に配置されている。塗布液供給ノズル３２０には塗布液供給配管３２１が接続されており、塗布液供給配管３２１の上流側には、反射防止膜の塗布液を供給する塗布液供給源３２２が接続されている。また、塗布液供給配管３２１にはバルブ３２３が介挿されている。バルブ３２３は、制御部９１２と電気的に接続されている。制御部９１２がバルブ３２３を開閉制御することによって、塗布液供給源３２２から塗布液供給配管３２１を通じて塗布液供給ノズル３２０へ反射防止膜の塗布液を供給することができる。供給された塗布液は、塗布液供給ノズル３２０からスピンチャック３１０に保持された基板Ｗの上面へ向けて吐出される。
【０１２１】
〈端面処理液供給部３３０〉
端面処理液供給部３３０は、主として、ノズル回動機構３３１と、除去ノズル３３２と、密着強化ノズル３３３とを備える。
【０１２２】
ノズル回動機構３３１は、例えば回動モータにより構成され、スピンチャック３１０の側方に配置されている。ノズル回動機構３３１には、上方に延びる回動軸３３１１が接続されている。さらに、回動軸３３１１には、水平方向に延びるアーム３３１２が連結されている。このアーム３３１２の先端には、除去ノズル３３２および密着強化ノズル３３３が並置して取り付けられている。ノズル回動機構３３１は、制御部９１２と電気的に接続されている。制御部９１２がノズル回動機構３３１を駆動制御することによって、アーム３３１２を回動させることができる。これによって、アーム３３１２の先端に取り付けられた除去ノズル３３２および密着強化ノズル３３３を、処理位置（図８に示す位置であり、スピンチャック３１０に保持された基板Ｗの周縁部上方の位置）と、被処理基板Ｗから離れた退避位置との間で移動させることできる。制御部９１２は、基板Ｗの搬出入が行われているときには、除去ノズル３３２および密着強化ノズル３３３を待避位置に置く。また、基板Ｗの周縁部に対する処理液の供給処理を行う際には、待避位置から処理位置にまで移動させる。
【０１２３】
除去ノズル３３２には、除去液供給配管３３２１が接続されており、除去液供給配管３３２１の上流側には、除去液を供給する除去液供給源３３２２が接続されている。また、除去液供給配管３３２１の経路途中にはバルブ３３２３が介挿されている。バルブ３３２３は、制御部９１２と電気的に接続されている。制御部９１２がバルブ３３２３を開閉制御することによって、除去液供給源３３２２から除去液供給配管３３２１を通じて除去ノズル３３２へ除去液を供給することができる。供給された除去液は、除去ノズル３３２からスピンチャック３１０に保持された基板Ｗの周縁へ向けて吐出される。なお、除去液としては、例えば、レジストカバー膜を溶解する性質を有するアルコール系の有機溶剤を使用することができる。
【０１２４】
密着強化ノズル３３３には、密着強化剤供給配管３３３１が接続されており、密着強化剤供給配管３３３１の上流側には、密着強化剤を供給する密着強化剤供給源３３３２が接続されている。また、密着強化剤供給配管３３３１の経路途中にはバルブ３３３３が介挿されている。バルブ３３３３は、制御部９１２と電気的に接続されている。制御部９１２がバルブ３３３３を開閉制御することによって、密着強化剤供給源３３３２から密着強化剤供給配管３３３１を通じて密着強化ノズル３３３へ密着強化剤を供給することができる。供給された密着強化剤は、密着強化ノズル３３３からスピンチャック３１０に保持された基板Ｗの周縁へ向けて吐出される。
【０１２５】
〈回収部３４０〉
回収部３４０は、主として、カップ３４１と、排液管３４２を介してカップ３４１と接続された２つのドレインタンク３４３ａ，３４３ｂと、排液管３４２に介挿された切替弁３４４とを備える。
【０１２６】
カップ３４１は、スピンチャック３１０の周囲に、スピンチャック３１０に保持された基板Ｗを囲繞するように設けられている。カップ３４１は、その内側で基板Ｗ上から飛散した処理液を受け止めて排液管３４２に導く。排液管３４２に導かれた処理液は、ドレインタンク３４３ａ，３４３ｂのうちのいずれか一方に選択的に導かれることになる。
【０１２７】
排液管３４２は、その途中に分岐部が設けられ、分岐部の下流側においてドレインタンク３４３ａ，３４３ｂのそれぞれに接続されている。ドレインタンク３４３ａ，３４３ｂのうち、第１のドレインタンク３４３ａは、密着強化剤を回収する容器であり、第２のドレインタンク３４３ｂは、密着強化剤以外の処理液を回収する容器である。排液管３４２の分岐部には、分岐後の２つの回収経路をそれぞれ開閉する切替弁３４４が設けられている。切替弁３４４は、制御部９１２と電気的に接続されている。制御部９１２は、基板Ｗ上に供給されている処理液が密着強化剤の場合、回収された処理液を第１のドレインタンク３４３ａに導くように切替弁３４４を切り替える。一方、基板Ｗ上に供給されている処理液が密着強化剤以外の処理液（塗布液もしくは除去液）の場合、回収された処理液を第２のドレインタンク３４３ｂに導くように切替弁３４４を切り替える。
【０１２８】
〈２−２．塗布ユニットＢＡＲＣにおける処理動作〉
次に、図９を参照しながら、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて実行される一連の処理について説明する。図９は、塗布ユニットＢＡＲＣにおいて実行される一連の処理の流れを示す図である。
【０１２９】
まず、第１のセンターロボットＣＲ１（図１参照）により基板Ｗを塗布ユニットＢＡＲＣ内に搬入し、当該基板Ｗをスピンチャック３１０上に載置する（ステップＳ２１）。基板Ｗは、その中心が回転軸３１１ｂの回転中心と一致するようにスピンチャック３１０上に載置され、吸気路の吸引圧によりスピンチャック３１０上に固定的に保持される。
【０１３０】
スピンチャック３１０上に基板Ｗが保持されると、反射防止膜の塗布形成処理を行う（ステップＳ２２）。すなわち、制御部９１２は、回転駆動機構３１１ａを動作させることにより、基板Ｗを回転させる。また、バルブ３２３を開放し、塗布液供給ノズル３２０から基板Ｗの上面に向けて反射防止膜の塗布液を吐出する。基板Ｗの上面に所定量の塗布液を供給した後、制御部９１２は、塗布液供給ノズル３２０からの塗布液の吐出を停止し、基板Ｗの回転のみを継続する。これによって、基板Ｗ表面に反射防止膜が塗布形成される。
【０１３１】
なお、ステップＳ２２の処理を行う間、制御部９１２は、カップ３４１から導かれた処理液が第２のドレインタンク３４３ｂに導かれるように切替弁３４４を切替制御している。したがって、基板Ｗの表面から飛散してカップ３４１の内側で受け止められた塗布液は、第２のドレインタンク３４３ｂに回収される。
【０１３２】
続いて、基板Ｗの周縁部分の反射防止膜を除去する処理を行う（ステップＳ２３）。すなわち、制御部９１２は、まず、ノズル回動機構３３１を動作させることにより、除去ノズル３３２および密着強化ノズル３３３を処理位置に置く。そして、基板Ｗを回転させつつ、バルブ３３２３を開放して、除去ノズル３３２から基板Ｗの上面に向けて除去液を吐出させる。除去ノズル３３２から吐出された除去液は、基板Ｗの周縁部に供給され、反射防止膜として定着しつつある塗布液の周縁部分を除去する。続いて、制御部９１２は、基板Ｗの回転数を更に上昇させて、基板Ｗの表面に残存する除去液を振り切り乾燥させる、すなわちスピンドライを行う。
【０１３３】
なお、ステップＳ２３の処理を行う間、制御部９１２は、カップ３４１から導かれた処理液が第２のドレインタンク３４３ｂに導かれるように切替弁３４４を切替制御している。したがって、基板Ｗの表面から飛散してカップ３４１の内側で受け止められた除去液は、第２のドレインタンク３４３ｂに回収される。
【０１３４】
所定時間が経過して周縁部分の反射防止膜を除去する処理が終了すると、続いて、反射防止膜が除去された基板Ｗの周縁部分に、今度は密着強化剤を供給する処理を行う（ステップＳ２４）。すなわち、制御部９１２は、バルブ３３２３を閉じて除去ノズル３３２からの除去液の吐出を停止させるとともに、バルブ３３３３を開放して密着強化ノズル３３３から基板Ｗの周縁に向けて密着強化剤を吐出させる。密着強化ノズル３３３から吐出された密着強化剤は、反射防止膜が除去されて表面が露出した基板Ｗの周縁部分に供給される。
【０１３５】
なお、ステップＳ２４の処理を行う間、制御部９１２は、カップ３４１から導かれた処理液が第１のドレインタンク３４３ａに導かれるように切替弁３４４を切替制御している。したがって、基板Ｗの表面から飛散してカップ３４１の内側で受け止められた密着強化剤は、第１のドレインタンク３４３ａに回収される。
【０１３６】
周縁部分に密着強化剤を供給する処理が終了すると、基板Ｗは、第１のセンターロボットＣＲ１により塗布ユニットＢＡＲＣから搬出される（ステップＳ２５）。以上で、塗布ユニットＢＡＲＣにおける１枚の基板Ｗに対する一連の処理が終了する。
【０１３７】
〈３．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置によると、レジストカバー膜が形成される前の基板の周縁部に密着強化剤を供給するので、周縁部における基板とレジストカバー膜との密着性を高めることができる。これによって、基板のエッジ付近における膜剥がれを防止することができる。また、周縁部にのみ選択的に密着強化剤を供給するので、基板表面の全体に密着強化剤を塗布した場合に比べて、現像後の欠陥発生数を低く抑えることができる。
【０１３８】
また、基板に対する反射防止膜の塗布処理および周縁部分に形成された反射防止膜の除去処理に引き続いて密着強化処理を行うので、処理手順の効率化を実現しつつ、基板のエッジ付近における膜剥がれを防止することができる。
【０１３９】
また、密着強化剤と密着強化剤以外の処理液とを、別々のドレインタンク３４３ａ，３４３ｂに回収するので、回収された密着強化剤が回収された密着強化剤以外の処理液と混合することがない。したがって、混合による化学反応や樹脂成分の固化を防止することができる。
【０１４０】
〔変形例〕
〈第１の変形例〉
上記の第１の実施の形態においては、端面処理液供給部６３を、反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える熱処理ユニットＴＰに設け、反射防止膜の塗布液を塗布する処理を行った後の熱処理工程（ＰＡＢ工程）と並行して密着強化処理を実行する構成としているが、端面処理液供給部６３は、必ずしも反射防止膜用熱処理部１００，１０１の備える熱処理ユニットＴＰに設ける必要はなく、レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理を行う処理ユニット（塗布ユニットＣＯＶ（図２））に搬入される前に基板Ｗが搬入される熱処理ユニットのうちの任意の熱処理ユニットに設けることが可能である。例えば、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１の備える加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰ（図３）に端面処理液供給部６３を設ける構成としてもよい。この場合、レジスト膜の塗布液を塗布する処理を行った後の熱処理工程（図４のステップＳ５の処理工程）と並行して密着強化処理を実行することになる。
【０１４１】
〈第２の変形例〉
上記の第２の実施の形態においては、端面処理液供給部３３０を塗布ユニットＢＡＲＣに設ける構成としているが、端面処理液供給部３３０は必ずしも塗布ユニットＢＡＲＣに設ける必要はなく、レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理を行う処理ユニット（塗布ユニットＣＯＶ（図２））に搬入される前に基板Ｗが搬入される各種の塗布ユニットのうちの任意の塗布ユニットに設けることが可能である。例えば、レジスト膜用塗布処理部４０の備える塗布ユニットＲＥＳ（図３）に端面処理液供給部３３０を設ける構成としてもよい。この場合、レジスト膜の塗布液を塗布する処理および、端面に形成されたレジスト膜を除去する処理を行った後に、密着強化処理を実行することになる。
【０１４２】
また、端面処理液供給部３３０を、塗布ユニットＣＯＶに設けることも可能である。この場合、レジストカバー膜の塗布液を塗布する処理を行う前に、密着強化処理を実行することになる。
【０１４３】
〈第３の変形例〉
上記の第２の実施の形態に係る端面処理液供給部３３０の備える除去ノズル３３２および密着強化ノズル３３３は、基板Ｗの上面側から基板Ｗの周縁部に密着強化剤を吐出するノズルを備える構成としているが、ノズル３３２，３３３の両方もしくはいずれか一方を、基板Ｗの下面側から除去液を吐出するいわゆるバックリンスノズルとしてもよい。この場合、バックリンスノズルから吐出された処理液（除去液もしくは、密着強化剤）を基板Ｗの上面まで回り込ませることにより、基板Ｗの周縁部に処理液を供給することになる。
【０１４４】
〈第４の変形例〉
上記の第２の実施の形態においては、同一のアーム３３１２に除去ノズル３３２および密着強化ノズル３３３を取り付ける構成としているが、各ノズル３３２，３３３をそれぞれ独立したアームに取り付ける構成としてもよい。
【０１４５】
〈第５の変形例〉
上記の第２の実施の形態においては、密着強化剤供給源３３３２から供給された密着強化剤をそのまま（すなわち、液相状態で）密着強化ノズル３３３から吐出させる構成としているが（図８参照）、密着強化剤を気相状態にしてから除去ノズル３３２から吐出させる構成としてもよい。この場合、端面処理液供給部３３０に、密着強化ノズル３３３と接続された気化処理装置を設ける構成とすればよい。気化処理装置２２２については、第１の実施の形態において説明した通りである（図６参照）。
【０１４６】
〈その他の変形例〉
上記の各実施の形態においては、複数の処理部を有する基板処理装置について説明したが、本発明の基板処理装置は、密着強化処理機能を備える熱処理ユニット、もしくは、密着強化処理機能を備える塗布処理ユニットのみを有する独立した基板処理装置であってもよい。
【０１４７】
また、上記の各実施の形態においては、半導体基板Ｗを処理対象としていたが、本発明の基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等の他の基板を処理対象とするものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】基板処理装置の平面図である。
【図２】基板処理装置を＋Ｘ側から見た側面図である。
【図３】基板処理装置を−Ｘ側から見た側面図である。
【図４】基板処理装置の全体的な動作の流れを示すフローチャートである。
【図５】反射防止膜、レジスト膜、およびレジストカバー膜の積層構造を示す縦断面図である。
【図６】反射防止膜用熱処理部に設けられた熱処理ユニットの構成を示す図である。
【図７】熱処理プレートおよびカバー型ノズルの側断面図である。
【図８】反射防止膜用塗布処理部に設けられた塗布ユニットの構成を示す側面図である。
【図９】塗布ユニットにおいて実行される処理の流れを示す図である。
【符号の説明】
【０１４９】
９    インデクサブロック
１０    反射防止膜用処理ブロック
１１    レジスト膜用処理ブロック
１２    現像処理ブロック
１３    レジストカバー膜用処理ブロック
１４    レジストカバー膜除去ブロック
１５    洗浄／乾燥処理ブロック
１６    インターフェースブロック
１７    露光装置
１００，１０１    反射防止膜用熱処理部
２１０    熱処理プレート
２２０    密着強化剤供給部
２２１    カバー型ノズル
２２２    気化処理装置
２２３    不活性ガス供給部
３１０    スピンチャック
３２０    塗布液供給ノズル
３３０    端面処理液供給部
３４０    回収部
３３２    除去ノズル
３３３    密着強化ノズル
３４３ａ，３４３ｂ    ドレインタンク
３４４    切替弁
５００    基板処理装置
９１，９１１，９１２    制御部
ＴＰ    熱処理ユニット
ＢＡＲＫ    塗布ユニット
Ｗ    基板
【図１】
2009088384.tif 000003
【図２】
2009088384.tif 000004
【図３】
2009088384.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009088384.tif 000009
【図８】
2009088384.tif 000010
【図９】
2009088384.tif 000011