(57)【要約】【課題】出射光強度と発振モードとを制御することが可能なレーザ光源装置を提供する。【解決手段】レーザ光源装置１００は、発振モードが変化し得る外部共振器型半導体レーザ１０と、レーザ光を透過させて透過光を出射し、発振モードの変化を検知した場合に透過率を変化させる透過率可変部２０と、透過光の強度に基づいて、発振モードが所定のモードとなるように外部共振器型半導体レーザ１０を制御するレーザ制御部２７とを含む。透過率可変素子３から出射される透過光のうち光ビームＰＭ１は受光素子４に入射する。レーザ制御部２７は受光素子４の検出結果（信号ＳＤ１）に基づき印加電流ＣＴを制御して、透過光の強度が所定の強度となるように外部共振器型半導体レーザ１０の出射光（光ビームＰＬ）のパワーを制御する。これにより外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードが制御される。【選択図】図１
2009009955.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射し、前記レーザ光の出射時に発振モードが変化し得るレーザ光源と、
前記レーザ光を透過させて透過光を出射し、前記発振モードが所定のモードと異なることを検知した場合に透過率を変化させる透過率可変部と、
前記透過光の強度変化に応じて、前記発振モードが前記所定のモードとなるように前記レーザ光源を制御するレーザ制御部とを備える、レーザ光源装置。
【請求項２】
前記レーザ制御部は、前記透過光の強度が所定の強度に等しくなるように前記レーザ光の強度を変化させ、
前記透過率可変部は、前記透過率を変化させて、前記発振モードが前記所定のモードに等しくなるときに前記透過光の強度を前記所定の強度に等しくさせる、請求項１に記載のレーザ光源装置。
【請求項３】
前記レーザ光源は、半導体レーザを含む外部共振器型レーザであり、
前記発振モードは、レーザチップシングルモードとレーザチップマルチモードとの間で変化し、
前記所定のモードは、前記レーザチップシングルモードである、請求項２に記載のレーザ光源装置。
【請求項４】
前記レーザ光源は、半導体レーザを含む外部共振器型レーザであり、
前記発振モードは、レーザチップシングルモードとレーザチップマルチモードとの間で変化し、
前記所定のモードは、前記レーザチップマルチモードである、請求項２に記載のレーザ光源装置。
【請求項５】
前記透過率可変部は、
前記レーザ光を透過させて前記透過光を出射し、かつ、透過率を変更可能な透過率可変素子と、
前記透過光の少なくとも一部を受けて前記透過光の強度を検出して、検出結果を前記レーザ制御部に出力する第１の受光素子と、
前記レーザ光の少なくとも一部を受ける第２の受光素子と、
前記第２の受光素子の検出結果に基づいて前記発振モードを特定し、特定結果に応じて前記透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部とを含む、請求項１に記載のレーザ光源装置。
【請求項６】
前記第２の受光素子は、前記レーザ光の強度を検出する、請求項５に記載のレーザ光源装置。
【請求項７】
前記透過率可変部は、
前記レーザ光を透過させて前記透過光を出射し、かつ、透過率を変更可能な透過率可変素子と、
前記透過光のうちの第１の光を受けて前記透過光の強度を検出して、検出結果を前記レーザ制御部に出力する第１の受光素子と、
前記透過光のうちの第２の光を複数の光束に分離して、前記複数の光束を干渉させる光学素子と、
前記複数の光束の干渉により生じる干渉光を受ける第２の受光素子と、
前記第２の受光素子の検出結果に基づいて前記発振モードを特定し、特定結果に応じて前記透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部とを含む、請求項１に記載のレーザ光源装置。
【請求項８】
前記第１および第２の受光素子は、単一の光検出器に一体的に形成される、請求項７に記載のレーザ光源装置。
【請求項９】
前記光学素子は、ホログラム素子である、請求項７に記載のレーザ光源装置。
【請求項１０】
発振モードが変化し得るレーザ光源と、
前記レーザ光源の前記発振モードを検出する発振モード検知部と、
前記発振モード検知部が検出した前記発振モードである検出モードに基づき前記レーザ光源からのレーザ光の透過率を変化させる透過率可変部と、
前記透過率の変化に基づき前記発振モードを制御するレーザ制御部とを備える、レーザ光源装置。
【請求項１１】
前記レーザ制御部は、前記透過率の変化である前記透過率可変部の透過光の強度変化に応じて、前記発振モードが所定のモードとなるように前記レーザ光源を制御する、請求項１０に記載のレーザ光源装置。
【請求項１２】
前記透過率可変部は、
透過率を変更可能な透過率可変素子と、
前記透過率可変素子の透過光の少なくとも一部を受けて前記透過光の強度を検出して、検出結果を前記レーザ制御部に出力する透過光強度検出部と、
前記発振モード検知部の前記検出モードに基づいて前記透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部とを含む、請求項１１に記載のレーザ光源装置。
【請求項１３】
前記発振モード検知部は、前記レーザ光の強度を検出する、請求項１２に記載のレーザ光源装置。
【請求項１４】
前記透過率可変部は、
透過率を変更可能な透過率可変素子と、
前記透過率可変素子の透過光の少なくとも一部の第１の光を受けて前記透過光の強度を検出して、検出結果を前記レーザ制御部に出力する透過光強度検出部とを含み、
前記発振モード検知部は、
前記透過光のうちの第２の光を複数の光束に分離して、前記複数の光束を干渉させる光学素子と、
前記複数の光束の干渉により生じる干渉光を受けることにより前記発振モードを検出する受光部とを含み、
前記透過率可変部は、
前記受光部が検出した前記検出モードに応じて前記透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部をさらに含む、請求項１２に記載のレーザ光源装置。
【請求項１５】
前記透過光強度検出部および受光部は、単一の光検出器に一体的に形成される、請求項１４に記載のレーザ光源装置。
【請求項１６】
前記光学素子は、ホログラム素子である、請求項１５に記載のレーザ光源装置。
【請求項１７】
樹脂製ホログラム記録媒体の記録再生に用いられるレーザ光源装置であって、
発振モードが変化し得るレーザ光源と、
前記レーザ光源の前記発振モードを、前記樹脂製ホログラム記録媒体の記録時または再生時にはシングルモードとし、前記樹脂製ホログラム記録媒体のキュア時にはマルチモードとする制御装置とを備える、レーザ光源装置。
【請求項１８】
前記透過率可変部は、透過率を、前記レーザ光源の出射光パワーに応じた所定の変化量だけ変化させる、請求項１から１７のいずれか１項に記載のレーザ光源装置。
【請求項１９】
前記透過率制御部は、前記レーザ光源の出射光パワーと透過率の変化量との相関関係を求めるとともに、前記相関関係に基づいて前記所定の変化量を校正する、請求項１８に記載のレーザ光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザ光源装置に関し、より特定的には、発振モード及び出射光強度を安定制御することが可能なレーザ光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホログラフィーを使ってデータを記録するホログラム記録装置の研究開発が進められている。
【０００３】
ホログラム記録装置では、変調された（データが重畳された）信号光、および、変調されない参照光の２つをレーザ光から生成し、これらをホログラム記録媒体の同一場所に照射する。これにより、ホログラム記録媒体上で信号光と参照光とが干渉して照射点に回折格子（ホログラム）が形成される。その結果、ホログラム記録媒体にデータが記録される。
【０００４】
記録済みのホログラム記録媒体に参照光を照射することで、記録時に形成された回折格子から回折光（再生光）が発生する。この再生光は、記録時の信号光に重畳されたデータを含んでいるので、これを受光素子で受光することで記録された信号を再生できる。
【０００５】
ホログラム記録再生用の光源には、たとえばガスレーザ、ＳＨＧ（Second Harmonic Generation）レーザ等のように、極めてコヒーレンシーのよいシングルモードのレーザ光源が必要とされる。通常のレーザダイオードはマルチモードのため、ホログラム記録再生用光源としてはコヒーレンシーの点で不十分である。しかしながら、レーザダイオードを含む外部共振型レーザを構成すれば、コヒーレンシーの良好なホログラム記録再生用の光源を実現することができる。このため、小型・省電力であるブルーレーザダイオードを用いた外部共振器型半導体レーザもホログラム光源として利用できるようになる。
【０００６】
レーザ光をホログラム記録に用いる時に重要なことは波長の再現性である。ホログラム記録媒体の温度変化による体積変化に合わせて、最適な波長で情報記録および再生を行なうことが可能であることが好ましい。特に、波長を変えて情報を記録する波長多重を行なう際には、出力光の波長を意図した長さに制御しなくてはならない。波長多重を行なう場合には、たとえば波長可変型の外部共振器レーザを用いることができる。
【０００７】
外部共振器レーザにおける外部共振器には、たとえばリトロー（Littrow）型がある。図１４は、リトロー型の外部共振器を用いた外部共振器型半導体レーザの概略構成を示す図である。図１４を参照して、外部共振器型半導体レーザ５０は、レーザダイオード５１と、コリメートレンズ５２と、波長制御用回折格子５３と、回折格子回転機構５４とを含む。
【０００８】
レーザダイオード５１は、マルチモードのレーザ光を発光し、たとえば４０５ｎｍ程度のブルーのレーザ光を発光する。コリメートレンズ５２は、レーザダイオード５１により発光されたレーザ光ＰＡを平行光にする。波長制御用回折格子５３は、レーザ光ＰＡを受けて、波長ごとに異なる方向へ１次光を発生する。波長制御用回折格子５３とレーザダイオード５１との間の角度は、特定波長（たとえば４０５ｎｍ）の１次光がレーザダイオード５１に戻るように設定されている。これにより、レーザダイオード５１内でその波長成分だけが増幅されてレーザ光ＰＡはシングルモードとなる。回折格子回転機構５４は、波長制御用回折格子５３の角度を調整することで、レーザダイオード５１の発振波長を制御する。波長制御用回折格子５３の０次光（反射光）ＰＬは、出力光として外部共振器型半導体レーザ５０から出射される。
【０００９】
図１５は、図１４の外部共振器型半導体レーザ５０から出力されるレーザ光ＰＬのレーザパワーと波長との関係を示す図である。図１５において、グラフの横軸はレーザパワー（単位：ｍＷ）を示し、グラフの縦軸は波長（単位：ｎｍ）を示している。図１５のグラフはレーザ光ＰＬのレーザパワーが増加するのに伴い、レーザ光ＰＬの波長が概ねノコギリ状に変化することを示す。
【００１０】
外部共振器型半導体レーザ５０では、レーザパワー（レーザ駆動電流）の増加に伴ってレーザ光ＰＬの波長が徐々に大きくなる領域（図１５の領域Ａ，Ｃ）と、レーザパワーが増加した場合にレーザ光ＰＬの波長が急激に小さくなる領域（図１５の領域Ｂ，Ｄ）とが存在する。このようにレーザ光ＰＬの波長はレーザパワーの増加にともない、ある程度離散的に推移する。なお、以後は領域Ａ，Ｃを「レーザチップシングルモード領域」と称し、領域Ｂ，Ｄを「レーザチップマルチモード領域」と称する。
【００１１】
図１６は、外部共振器型半導体レーザ５０の発振スペクトルを説明する図である。なお、図１６Ａは、シングルモード発振時の発振スペクトルを説明する図である。図１６Ｂは、外部共振器モード発振時の発振スペクトルを説明する図である。図１６Ｃは、レーザチップマルチモード発振時の発振スペクトルを説明する図である。
【００１２】
図１６を参照して、レーザチップシングルモード領域では、レーザの発振スペクトルは、シングルモードまたは外部共振器の発振条件により定まる外部共振器マルチモードとなる。図１６Ａに示すように、シングルモードではレーザ光の発振波長は単一の波長となる。図１６Ｂに示すように、外部共振器マルチモードでは、各モードの波長差は１０ｐｍ程度となる。シングルモードあるいは外部共振器マルチモードでは良好なホログラム記録が可能である。
【００１３】
一方、図１６Ｃに示されるように、レーザチップマルチモード発振時における各モードの波長差は数１０ｐｍ程度となる。このためレーザチップマルチモード発振は良好なホログラム記録に適さない。よって、ホログラム記録時には、波長多重のために数十ｐｍから数ｎｍの範囲で波長を制御する必要があるだけでなく、レーザチップマルチモード発振を生じさせないためにレーザチップシングルモード発振を維持する必要もある。
【００１４】
特開２００５−３０３１２９号公報（特許文献１）は、レーザチップマルチモード発振を防止可能なレーザシステムを開示する。図１７は、特開２００５−３０３１２９号公報に開示されるレーザシステムの構成を示す図である。図１７を参照して、レーザシステム１０１は、外部共振器型半導体レーザ５０と、ビームスプリッタ５５と、光検出器５６と、レーザ制御部５７とを含む。外部共振器型半導体レーザ５０は、レーザダイオード５１と、コリメートレンズ５２と、波長制御用回折格子５３とを含む。
【００１５】
波長制御用回折格子５３の出射光、すなわち波長制御用回折格子５３の０次回折光はビームスプリッタ５５により２分岐される。２分岐された光のうちの一方の光は光検出器５６に入射する。レーザ制御部５７は、光検出器５６により検出されたレーザ光の強度に基づいて、外部共振器型半導体レーザ５０から出射されるレーザ光の強度がレーザチップマルチモード領域に属するか否かを検出する。レーザ制御部５７は、レーザ光の強度がレーザチップマルチモード領域に属すると判定すると、レーザ光の強度がレーザチップシングルモード領域に属するようにレーザ駆動電流を変化させて外部共振器型半導体レーザ５０の発振モードを制御する。
【００１６】
また、特開２００５−３４０７８３号公報（特許文献２）は、レーザチップマルチモード発振の判定が可能なレーザシステムを開示する。図１８は、特開２００５−３４０７８３号公報に開示されるレーザシステムの構成を示す図である。図１８を参照して、レーザシステム１０１Ａは、外部共振器型半導体レーザ５０と、ビームスプリッタ５５と、光検出器５６と、レーザ制御部５７と、ウェッジプリズム５８とを含む。外部共振器型半導体レーザ５０からの出射光はウェッジプリズム５８の表面および裏面にて反射する。ウェッジプリズム５８の両面からの反射光が干渉することにより光検出器５６上には干渉縞が生成される。
【００１７】
レーザチップモードホップにより数１０ｐｍの波長変化が生じると干渉縞の位置が変化する。干渉縞の位置変化は光検出器５６により検出される。レーザ制御部５７は光検出器５６の検出結果に基づいて、レーザチップマルチモード発振が生じているか否かを判定する。
【特許文献１】特開２００５−３０３１２９号公報
【特許文献２】特開２００５−３４０７８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら図１７および図１８に示すように、従来のレーザシステムでは発振モードをレーザチップシングルモードに制御するためにレーザ光のパワーを変化させる必要がある。このため、レーザシステムから出射される光のパワーも変化する。
【００１９】
ホログラムへの情報の記録時に光パワーが変動すると、情報記録を安定に行なうことが困難になる。特開２００５−３０３１２９号公報（特許文献１）には、この問題を防ぐために、レーザ光のパワーと記録時間との積が所定の値となるように外部共振器型半導体レーザを制御してホログラム記録を行なう方法が開示されている。しかし、この方法によればレーザ制御が煩瑣となる。
【００２０】
本発明の目的は、出射光強度と発振モードとを制御することが可能なレーザ光源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は要約すれば、レーザ光源装置であって、レーザ光を出射し、レーザ光の出射時に発振モードが変化し得るレーザ光源と、レーザ光を透過させて透過光を出射し、発振モードが所定のモードと異なることを検知した場合に透過率を変化させる透過率可変部と、透過光の強度変化に応じて、発振モードが所定のモードとなるようにレーザ光源を制御するレーザ制御部とを備える。
【００２２】
好ましくは、レーザ制御部は、透過光の強度が所定の強度に等しくなるようにレーザ光の強度を変化させる。透過率可変部は、透過率を変化させて、発振モードが所定のモードに等しくなるときに透過光の強度を所定の強度に等しくさせる。
【００２３】
より好ましくは、レーザ光源は、半導体レーザを含む外部共振器型レーザである。発振モードは、レーザチップシングルモードとレーザチップマルチモードとの間で変化する。所定のモードは、レーザチップシングルモードである。
【００２４】
より好ましくは、レーザ光源は、半導体レーザを含む外部共振器型レーザである。発振モードは、レーザチップシングルモードとレーザチップマルチモードとの間で変化する。所定のモードは、レーザチップマルチモードである。
【００２５】
好ましくは、透過率可変部は、レーザ光を透過させて透過光を出射し、かつ、透過率を変更可能な透過率可変素子と、透過光の少なくとも一部を受けて透過光の強度を検出して、検出結果をレーザ制御部に出力する第１の受光素子と、レーザ光の少なくとも一部を受ける第２の受光素子と、第２の受光素子の検出結果に基づいて発振モードを特定し、特定結果に応じて透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部とを含む。
【００２６】
より好ましくは、第２の受光素子は、レーザ光の強度を検出する。
好ましくは、透過率可変部は、レーザ光を透過させて透過光を出射し、かつ、透過率を変更可能な透過率可変素子と、透過光のうちの第１の光を受けて透過光の強度を検出して、検出結果をレーザ制御部に出力する第１の受光素子と、透過光のうちの第２の光を複数の光束に分離して、複数の光束を干渉させる光学素子と、複数の光束の干渉により生じる干渉光を受ける第２の受光素子と、第２の受光素子の検出結果に基づいて発振モードを特定し、特定結果に応じて透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部とを含む。
【００２７】
より好ましくは、第１および第２の受光素子は、単一の光検出器に一体的に形成される。
【００２８】
より好ましくは、光学素子は、ホログラム素子である。
本発明の他の局面に従うと、レーザ光源装置であって、発振モードが変化し得るレーザ光源と、レーザ光源の発振モードを検出する発振モード検知部と、発振モード検知部が検出した発振モードである検出モードに基づきレーザ光源からのレーザ光の透過率を変化させる透過率可変部と、透過率の変化に基づき発振モードを制御するレーザ制御部とを備える。
【００２９】
好ましくは、レーザ制御部は、透過率の変化である透過率可変部の透過光の強度変化に応じて、発振モードが所定のモードとなるようにレーザ光源を制御する。
【００３０】
より好ましくは、透過率可変部は、透過率を変更可能な透過率可変素子と、透過率可変素子の透過光の少なくとも一部を受けて透過光の強度を検出して、検出結果をレーザ制御部に出力する透過光強度検出部と、発振モード検知部の検出モードに基づいて透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部とを含む。
【００３１】
さらに好ましくは、発振モード検知部は、レーザ光の強度を検出する。
さらに好ましくは、透過率可変部は、透過率を変更可能な透過率可変素子と、透過率可変素子の透過光の少なくとも一部の第１の光を受けて透過光の強度を検出して、検出結果をレーザ制御部に出力する透過光強度検出部とを含む。発振モード検知部は、透過光のうちの第２の光を複数の光束に分離して、複数の光束を干渉させる光学素子と、複数の光束の干渉により生じる干渉光を受けることにより発振モードを検出する受光部とを含む。透過率可変部は、受光部が検出した検出モードに応じて透過率可変素子の透過率を定める透過率制御部をさらに含む。
【００３２】
さらに好ましくは、透過光強度検出部および受光部は、単一の光検出器に一体的に形成される。
【００３３】
さらに好ましくは、光学素子は、ホログラム素子である。
本発明のさらに他の局面に従うと、樹脂製ホログラム記録媒体の記録再生に用いられるレーザ光源装置であって、発振モードが変化し得るレーザ光源と、レーザ光源の発振モードを、樹脂製ホログラム記録媒体の記録時または再生時にはシングルモードとし、樹脂製ホログラム記録媒体のキュア時にはマルチモードとする制御装置とを備える。
【００３４】
好ましくは、透過率可変部は、透過率を、レーザ光源の出射光パワーに応じた所定の変化量だけ変化させる。
【００３５】
より好ましくは、透過率制御部は、レーザ光源の出射光パワーと透過率の変化量との相関関係を求めるとともに、相関関係に基づいて所定の変化量を校正する。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、レーザ光源装置の出射光強度と発振モードとを制御することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下において本発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。
【００３８】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１によるレーザ光源装置１００の構成を示す図である。図１を参照して、レーザ光源装置１００は、外部共振器型半導体レーザ１０と、透過率可変部２０と、レーザ制御部２７とを含む。透過率可変部２０は、ビームスプリッタ１，２と、透過率可変素子３と、受光素子４，５と、透過率制御部６とを含む。
【００３９】
図２は、図１のレーザ光源装置１００における外部共振器型半導体レーザ１０の概略的な構成を示す図である。図２を参照して、外部共振器型半導体レーザ１０は、レーザダイオード２１と、コリメートレンズ２２と、波長制御用回折格子２３と、回折格子回転機構２４とを含む。レーザダイオード２１は、マルチモードのレーザ光を発光し、たとえば４０５ｎｍ程度のブルーのレーザ光を発光する。コリメートレンズ２２は、レーザダイオード２１により発光されたレーザ光ＰＡを平行光にする。
【００４０】
波長制御用回折格子２３は、レーザ光ＰＡを受けて、波長ごとに異なる方向へ１次光を発生する。波長制御用回折格子２３とレーザダイオード２１との間の角度は、特定波長（たとえば４０５ｎｍ）の１次光がレーザダイオード２１に戻るように設定されている。これにより、レーザダイオード２１内でその波長成分だけが増幅され、レーザ光ＰＡはシングルモードとなる。
【００４１】
回折格子回転機構２４は、波長制御用回折格子２３の角度を調整することで、レーザダイオード２１の発振波長を制御する。波長制御用回折格子２３の０次光（反射光）ＰＬは、出力光として外部共振器型半導体レーザ１０から出射される。
【００４２】
図１に戻って、外部共振器型半導体レーザ１０は、レーザ光ＰＬを透過率可変部２０に出力する。レーザ光ＰＬは、たとえば４０５ｎｍ程度のブルーのレーザ光である。ビームスプリッタ１はレーザ光ＰＬを光ビームＰＢと光ビームＰＭ２とに分割する。
【００４３】
透過率可変素子３は光ビームＰＢを透過させる。透過率可変素子３は透過率制御部６の制御により透過率を変化させる。
【００４４】
ビームスプリッタ２は透過率可変素子３からの光ビームＰＣ（透過光）を光ビームＰＴと光ビームＰＭ１とに分割する。光ビームＰＴはレーザ光源装置１００から出射される光ビームとなる。
【００４５】
受光素子４は光ビームＰＭ１を受けて、光ビームＰＭ１の強度を示す信号ＳＤ１を出力する。透過率可変素子３の透過率が変化すると光ビームＰＭ１の強度も変化するため、信号ＳＤ１が変化する。
【００４６】
受光素子５は光ビームＰＭ２を受けて、光ビームＰＭ２の強度を示す信号ＳＤ２を出力する。外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードが変化すると、光ビームＰＭ２の強度が変化するので、信号ＳＤ２も変化する。透過率制御部６は信号ＳＤ２に基づいて透過率可変素子３の透過率を制御する。
【００４７】
レーザ制御部２７は信号ＳＤ１に応じて外部共振器型半導体レーザ１０に印加する印加電流ＣＴを変化させる。外部共振器型半導体レーザ１０は印加電流ＣＴに応じてレーザ光ＰＬのパワーを変化させる。
【００４８】
図３は、図１の透過率可変素子３の構成例を説明する図である。図３を参照して、透過率可変素子３は、液晶素子３１と、偏光子３２とを含む。液晶素子３１には印加電圧ＶＡが印加される。印加電圧ＶＡに応じて液晶素子３１は入射光（光ビームＰＢ）の偏光状態を変化させる。偏光子３２は１方向の直線偏光の光のみを透過させる。印加電圧ＶＡを変化させることにより、出射光（光ビームＰＣ）の強度を任意に設定することが可能となる。なお、印加電圧ＶＡは透過率制御部６が液晶素子３１に印加する電圧である。
【００４９】
本実施の形態では透過率可変素子３は液晶素子と偏光子とを含んで構成される。ただし、他の光学素子を用いて透過率可変素子３を構成してもよい。例えば液晶素子３１の代わりに１／２波長板を用い、入射光の光軸を回転軸として１／２波長板を回転させることで、液晶素子３１と同様の機能が実現できる。また偏光子３２に代えて、偏光ビームスプリッタ等のような、透過率が偏光に依存する光学素子を用いることにより偏光子３２と同様の機能が実現できる。
【００５０】
次に、図１、図４、図５を参照しながら、レーザ光源装置１００においてレーザチップマルチモード発振を防止する方法を説明する。
【００５１】
図４は、レーザ光源装置１００が実行する発振モードの制御を説明するフローチャートである。図４および図１を参照して、透過率制御部６は、受光素子５による光ビームＰＭ２の検出結果（信号ＳＤ２）を受けて、外部共振器型半導体レーザ１０からの光ビームＰＬの強度がレーザチップマルチモード領域内にあるかどうかを判定する（ステップＳ１）。光ビームＰＬの強度がレーザチップシングルモード領域内にあると判定される場合（ステップＳ１においてＮＯ）、発振モード制御処理は終了して、ホログラム記録に必要な次の段階（図示せず）へと制御が移る。一方、光ビームＰＬの強度がレーザチップマルチモード領域内にあると判定される場合（ステップＳ１においてＹＥＳ）、透過率制御部６は透過率可変素子３の透過率を変化させる（ステップＳ２）。
【００５２】
透過率可変素子３から出射される透過光（光ビームＰＣ）のうち光ビームＰＭ１は受光素子４に入射する。受光素子４は光ビームＰＭ１の強度を検出する。レーザ制御部２７は受光素子４の検出結果（信号ＳＤ１）に基づき印加電流ＣＴを制御して、信号ＳＤ１の値が所定値となるように（すなわち透過光の強度が所定の強度となるように）外部共振器型半導体レーザ１０の出射光（光ビームＰＬ）のパワーを制御する（ステップＳ３）。これにより、光ビームＰＣ，ＰＬ，ＰＴの各々のパワーを一定に保つことができる。ステップＳ３の処理が終了すると、制御はステップＳ１に戻る。
【００５３】
図５は、図４に示すフローチャートに従って発振モードの制御が行なわれた場合における、外部共振器型半導体レーザ１０の出射光強度の変化を説明する図である。図５を参照して、グラフの横軸は外部共振器型半導体レーザ１０の出射光強度を示し、グラフの縦軸は出射光の波長を示す。領域Ｂ，Ｄ，Ｆ，Ｈはレーザチップマルチモード領域を示し、領域Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｇはレーザチップシングルモード領域を示す。レーザチップマルチモード領域ではモードホップにより数１０ｐｍの波長変化が生じる。
【００５４】
図４のフローチャートに沿った制御処理は以下の項目（１）〜（３）の順に実行される。なお図５に示す符号（１）〜（３）は項目（１）〜（３）にそれぞれ対応する。
【００５５】
（１）出射光の強度はレーザチップマルチモード領域（領域Ｄ）に属する（ステップＳ１）。
【００５６】
（２）透過率制御部６は透過率可変素子３の透過率を減少（増加）させる（ステップＳ２）。レーザ制御部２７は信号ＳＤ１の値が、透過率可変素子３の透過率が変化する前の値に戻るように印加電流ＣＴを制御する（ステップＳ３）。この結果、外部共振器型半導体レーザの出射光強度が増加（減少）する。
【００５７】
（３）出射光の強度はレーザチップシングルモード領域（領域Ｅ）に属する。
透過率制御部６によって外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップマルチモードで発振していると判定される場合には、外部共振器型半導体レーザ１０の出射光強度がレーザチップシングルモード領域に変化するまで項目（１），（２）の処理が繰り返して実行される。
【００５８】
このように実施の形態１によれば、レーザ光源装置１００の出射光（光ビームＰＴ）の強度を所定の値に保ちつつ、発振モードを制御することが可能となる。これによりホログラム記録時にも光ビームＰＴの強度を変化させることなく、外部共振器型半導体レーザがレーザチップシングルモードで発振するように発振モードを制御できる。
【００５９】
なお、実施の形態１によれば、外部共振器型半導体レーザがレーザチップマルチモードで発振するように発振モードを制御することもできる。次に外部共振器型半導体レーザの発振モードをレーザチップマルチモードに制御する場合を説明する。以下ではフォトポリマー材料に対してホログラム記録を行なう場合を例に説明する。
【００６０】
現在、実用システムへの使用の点から、ホログラム記録用媒体の材料としてフォトポリマーが有望視されている。図６は、フォトポリマーへのホログラム記録の原理を説明する図である。
【００６１】
図６を参照して、ホログラム記録前にはフォトポリマー材料４０の内部では屈折率の異なる光重合性モノマーと別のモノマーとがランダムに混じりあった状態にある。なお、便宜上、図６では記録前には光重合性モノマーと別のモノマーとが規則的に配置されるよう示されている。
【００６２】
ホログラム記録時には信号光と参照光とが干渉して、干渉縞が形成される。この干渉縞の明部では光重合性モノマーがポリマー化する。すると別のモノマーがポリマーに押し出されて暗部ＤＰへ拡散する。これにより干渉縞の明部ＬＰの位置と暗部ＤＰの位置とに対応して屈折率の分布が発生し、回折格子(ホログラム)が形成される。ポリマー化が可逆反応でなければ、いったん形成された回折格子は消えることはない。
【００６３】
最終的にはフォトポリマー材料４０に全面露光を行なうことにより光重合性モノマーが全てポリマー化される。これによりデータが追記されたり消去されたりすることが防止される。もし全面露光を行なわないことによりポリマー化されていない光重合性モノマーが存在していると、ホログラム再生時に再生光と記録されたホログラムの回折光が干渉することで不要な回折格子（ノイズグレーティング）が形成される可能性がある。このようにホログラム記録後にノイズグレーティングが形成されないように全面露光を行なうことをポストキュアという。
【００６４】
ポストキュア時にノイズグレーティングが形成されないため、ポストキュア用光源にはインコヒーレントな光源が望まれる。例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等はコヒーレンシーが低いためポストキュア用の光源として望ましい。つまり、フォトポリマーを用いて安定したホログラム記録および再生を行なう際には、コヒーレントな光源であるレーザ光源と、ＬＥＤ等のインコヒーレント光源とを用いることが望まれる。
【００６５】
本発明の実施の形態１によるレーザ光源装置１００は、外部共振器型半導体レーザ１０の出射光強度（駆動電流）に応じて、レーザチップマルチモード状態またはレーザチップシングルモード状態で発振する。具体的にはホログラム記録時には外部共振器型半導体レーザ１０をレーザチップシングルモードで発振させ、ポストキュア時には外部共振器型半導体レーザ１０をインコヒーレントなレーザチップマルチモードで発振させる。このように発振モードを制御することによって、ホログラム記録用光源の他に、ＬＥＤ等のインコヒーレント光源を用意しなくてもよいのでホログラム記録用光学系の簡素化が可能となる。
【００６６】
図７は、ポストキュアを行なう際のレーザ光源装置の発振モードの制御の流れを説明するフローチャートである。図７および図１を参照して、ポストキュア時には、ホログラム記録時とは逆に、外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップマルチモードで発振するように発振モードが制御される。具体的に説明すると、透過率制御部６は、受光素子５からの信号ＳＤ２に基づいて、外部共振器型半導体レーザ１０の光ビームＰＬの強度がレーザチップシングルモード領域内にあるかどうかを判定する（ステップＳ１Ａ）。光ビームＰＬの強度がレーザチップマルチモードの領域内にあると判定される場合（ステップＳ１ＡにおいてＮＯ）、発振モードの制御処理は終了してポストキュアに必要な次の段階（図示せず）へと制御が移る。一方、光ビームＰＬの強度がレーザチップシングルモード領域内にあると判定される場合（ステップＳ１ＡにおいてＹＥＳ）、透過率制御部６は透過率可変素子３の透過率を変化させる（ステップＳ２）。
【００６７】
なお図７に示すステップＳ２，Ｓ３の処理は図４に示すステップＳ２，Ｓ３の処理と同様であるので詳細な説明は以後繰り返さない。
【００６８】
以上のように、ポストキュアを行なう際にはレーザ光源装置１００の出射光（光ビームＰＴ）の強度を変化させることなく、外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップマルチモードで発振するように発振モードを制御することができる。
【００６９】
このように実施の形態１によれば、レーザ光源装置１００は、発振モードが変化し得る外部共振器型半導体レーザ１０と、レーザ光を透過させて透過光を出射し、発振モードの変化を検知した場合に透過率を変化させる透過率可変部２０と、透過光の強度に基づいて、発振モードが所定のモードとなるように外部共振器型半導体レーザ１０を制御するレーザ制御部２７とを含む。これによりレーザ光源装置の出射光の強度を所定の強度に制御しつつ、発振モードを制御することが可能となる。
【００７０】
具体的には、フォトポリマー材料に対するホログラム記録時には発振モードがレーザチップシングルモードとなるよう制御が行なわれ、ポストキュア時には発振モードがレーザチップマルチモードとなるように制御が行なわれる。よって実施の形態１によれば、安定したホログラム記録および再生を行なうことが可能となる。
【００７１】
また、実施の形態１によれば、フォトポリマー材料にホログラム記録を行なう場合に、ポストキュア用のインコヒーレント光源（たとえばＬＥＤ）を別途追加しなくてもよくなる。よって、実施の形態１によれば、簡素な構成でホログラム記録用光学系を構成することが可能となる。
【００７２】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２によるレーザ光源装置１００Ａの構成を示す図である。図８および図１を参照して、レーザ光源装置１００Ａは透過率可変部２０に代えて透過率可変部２０Ａを含む点でレーザ光源装置１００と異なる。透過率可変部２０Ａは、透過率可変素子３と、透過率制御部６と、ビームスプリッタ８と、モード検出部９とを含む。
【００７３】
実施の形態２において、外部共振器型半導体レーザ１０からの光ビームＰＬは透過率可変素子３に直接入射する。透過率可変素子３は光ビームＰＬを透過させる。ビームスプリッタ８は透過率可変素子３からの透過光（光ビームＰＤ）を光ビームＰＴと光ビームＰＭとに分ける。実施の形態１と同様に光ビームＰＴはレーザ光源装置からの出射光となる。
【００７４】
実施の形態２のレーザ光源装置１００Ａは、特にモード検出部９を含む点で実施の形態１のレーザ光源装置１００と異なる。モード検出部９は光ビームＰＭを受けて外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードを検出する。モード検出部９による検出結果は透過率制御部６に送られる。透過率制御部６はモード検出部９の検出結果に基づいて透過率可変素子３の透過率を変化させる。
【００７５】
モード検出部９は、さらに、光ビームＰＭの強度を示す信号ＳＤ１をレーザ制御部２７に対して出力する。レーザ制御部２７は信号ＳＤ１に応じて、信号ＳＤ１が示す透過光（光ビームＰＭ）の強度が所定の強度に等しくなるように、外部共振器型半導体レーザ１０に印加する印加電流ＣＴを変化させる。外部共振器型半導体レーザ１０は印加電流ＣＴに応じて光ビームＰＬのパワーを変化させる。
【００７６】
図９は、レーザ光源装置１００Ａが実行する発振モードの制御の流れを説明するフローチャートである。図９および図８を参照して、モード検出部９は光ビームＰＭを受けて、外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードを検出する。具体的にはモード検出部９は光ビームＰＬの強度が図５の領域Ｂ，Ｄ，Ｆ，Ｈ等のレーザチップマルチモード領域内にあるかどうかを判定する（ステップＳ１Ｂ）。判定結果は透過率制御部６に送られる。
【００７７】
光ビームＰＬの強度がレーザチップシングルモードの領域内（図５の領域Ａ，Ｃ，Ｅ，Ｇ）にあると判定された場合（ステップＳ１ＢにおいてＮＯ）、発振モードの制御処理は終了してホログラム記録に必要な次の段階（図示せず）へと制御が移る。一方、光ビームＰＬの強度がレーザチップマルチモードの領域内にあると判定された場合（ステップＳ１ＢにおいてＹＥＳ）、透過率制御部６は透過率可変素子３の透過率を変化させる（ステップＳ２）。
【００７８】
さらに、モード検出部９は光ビームＰＭの強度を検出して、検出結果を示す信号ＳＤ１をレーザ制御部２７に送る。レーザ制御部２７は信号ＳＤ１に基づき印加電流ＣＴを制御して、信号ＳＤ１の値が所定値となるように外部共振器型半導体レーザ１０の出射光（光ビームＰＬ）のパワーを制御する（ステップＳ３）。これにより、光ビームＰＭ，ＰＬ，ＰＴの各々のパワーを一定に保つことができる。この制御は、ステップＳ１Ｂにおいて外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップシングルモードで発振していると判定されるまで繰り返される。
【００７９】
なお、ポストキュア時にはホログラム記録時とは逆に、外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップマルチモードで発振するように外部共振器型半導体レーザ１０の制御が実行される。
【００８０】
次に、モード検出部９について説明する。本実施の形態において、発振モードの検出は外部共振器型半導体レーザ１０の出射光の干渉光を利用して行なう。
【００８１】
図１０は、図８のモード検出部９の構成を示す図である。図１０を参照して、モード検出部９は、ホログラム素子１７と、光検出器１８とを含む。光検出器１８は、受光部１５Ａ，１５Ｂを有する受光素子１５を含む。
【００８２】
外部共振器型半導体レーザ１０から出射された光ビームＰＬのうち、モード検出部９には光ビームＰＭが入射する。光ビームＰＭの一部（光ビームＰＭＡ）はホログラム素子１７により０次回折光Ｌ０と１次回折光Ｌ１とに回折する。ホログラム素子１７は０次回折光Ｌ０と１次回折光Ｌ１とを光検出器１８上で干渉させる。受光素子１５（受光部１５Ａ，１５Ｂ）の表面には干渉縞が形成される。受光素子１５は干渉縞の強度分布を検出する。
【００８３】
なお、図１０に示すＹ方向は、ホログラム素子１７の１次回折光の回折方向である。Ｚ方向は光ビームＰＭの進行方向であり、Ｘ方向はＹ方向およびＺ方向の両方に垂直な方向である。
【００８４】
図１１は、図１０に示すＺ方向に沿って見たときのホログラム素子１７および光検出器１８を示す図である。なお、Ｚ方向に沿って見た場合にはホログラム素子１７と光検出器１８とは重なるが、説明の便宜上、図１１ではホログラム素子１７と光検出器１８とをずらして示す。
【００８５】
図１１を参照して、ホログラム素子１７は領域１７Ａと領域１７Ｂとを含む。領域１７Ａにはホログラムが形成されていない。このため光ビームＰＭのうち、領域１７Ａに入射した光ビームＰＭＢは領域１７Ａで回折されずに光検出器１８に達する。一方、領域１７Ｂにはホログラムが形成されている。領域１７Ｂに入射した光ビーム（図１０の光ビームＰＭＡ）は２つの光ビームに分割される。図１０に示すように、２つの光ビーム（０次回折光Ｌ０と１次回折光Ｌ１）は干渉する。
【００８６】
光検出器１８上には、０次回折光Ｌ０によるスポットＳＰ０と１次回折光Ｌ１によるスポットＳＰ１とが形成される。０次回折光Ｌ０および１次回折光Ｌ１による干渉縞の強度分布は干渉領域内のＸ方向に対しては変化しない。一方、干渉領域内のＹ方向ではホログラム素子の格子ピッチで決まる周期の明暗パターンが形成される。光検出器１８上の領域Ｄ１〜Ｄ４は、干渉縞における暗部（または明部）を示す。なお干渉縞における暗部（または明部）の位置は干渉光の波長に応じて変化する。
【００８７】
光検出器１８は、受光素子１４と、受光部１５Ａ，１５Ｂを有する受光素子１５とを含む。図１１に示されるように受光素子１４，１５は光検出器１８に一体的に形成される。
【００８８】
ここで、外部共振器型半導体レーザ１０にモードホップが発生して設定波長４０５ｎｍの光が波長４０５．０４ｎｍの光（波長差０．０４ｎｍ）に変化した場合を考える。なお、レーザチップの形状等によって、モードホップによる波長差の大きさは変化するが、ここでは波長差０．０４ｎｍのレーザチップマルチモードの検出を例に説明する。
【００８９】
波長４０５ｎｍの光の干渉縞における明暗の位置は、光検出器１８上における０次回折光の位置と１次回折光の位置との光路差により定まる。波長４０５．０４ｎｍの光の干渉縞における明暗の位置についても同様に定まる。別の言い方をすれば干渉縞における明暗の位置は、ホログラム素子１７と光検出器とのＺ方向の距離、および、ホログラム素子１７の格子ピッチにより決まる。例えばホログラム素子１７と光検出器１８とのＺ方向の距離を１００ｍｍとし、ホログラム素子１７の格子ピッチを３.５μｍとした場合、各波長
での干渉縞の明暗パターンが１／２周期ずれるので、明暗パターンが互いに逆になる。
【００９０】
次に干渉縞の変化から波長判別信号Ｓｍｈを生成する方法を説明する。
図１２は、干渉縞の強度分布と受光部１５Ａ，１５Ｂの配置との関係を示す図である。図１２において、受光部１５Ａ，１５ＢのＸ方向の幅は等しいとする。受光部１５Ａ，１５ＢのＹ方向の幅Ｗも等しく、以下の式で表わされる。なおＴは干渉縞のピッチである。
【００９１】
Ｗ＝（ｍ＋（１／２））Ｔ    （ｍ＝０，１，２，…）
図１２に示すように、受光部１５Ａ，１５Ｂの境界線ＬＮは、シングルモード発振時において、干渉縞の強度が最大値の１／２となる位置に設けられる。具体的には、受光部１５Ａの出力信号ＳＡと受光部１５Ｂの出力信号ＳＢとの差分（ＳＡ−ＳＢ）を観測して、差分（ＳＡ−ＳＢ）が最大値となる位置を境界線ＬＮの位置に決定する。
【００９２】
このとき、光スペクトラムアナライザ等により、外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードを確認して、発振波長がレーザチップマルチモード発振時の波長（例えば４０５ｎｍ）と、その波長より４０ｐｍ長い、レーザチップマルチモード発振時の波長（４０５．０４ｎｍ）との間の波長（４０５．０２ｎｍ）となるように設定が行なわれる。さらに、レーザチップマルチモード発振時に差分（ＳＡ−ＳＢ）を０に近づけるよう設定が行なわれる。
【００９３】
図１３は、外部共振器型半導体レーザの出射光の波長と、差分（ＳＡ−ＳＢ）との関係を説明する図である。図１３を参照して、波長が４０ｐｍ変化するごとに差分（ＳＡ−ＳＢ）は、周期的に変化する。なお受光部１５Ａ，１５Ｂの境界線の位置は図１２に示す位置に等しい。領域Ｂ１〜Ｂ３は、レーザチップマルチモード領域を示す。上述のように領域Ｂ１〜Ｂ３においては差分（ＳＡ−ＳＢ）はほぼ０となる。
【００９４】
光検出器１８は波長判別信号Ｓｍｈとして差分（ＳＡ−ＳＢ）を生成し、波長判別信号Ｓｍｈを透過率制御部６に出力する。図１２に示される干渉光の強度変化、および図１３に示される差分（ＳＡ−ＳＢ）の変化に基づき、透過率制御部６は波長判別信号Ｓｍｈの値（＝ＳＡ−ＳＢ）が０付近にある場合には、外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップマルチモードで発振していると判定する。逆に、波長判別信号Ｓｍｈの値が０付近にない場合には、透過率制御部６は、外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップシングルモードで発振していると判定する。
【００９５】
たとえばαを所定の値として、波長判別信号Ｓｍｈの値が０±αの範囲内にある場合には、透過率制御部６は外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップマルチモードで発振していると判定する。波長判別信号Ｓｍｈの値が０±αの範囲外にある場合には、透過率制御部６は外部共振器型半導体レーザ１０がレーザチップシングルモードで発振していると判定する。
【００９６】
なお、本実施の形態ではレーザチップマルチモード発振のときに差分（ＳＡ−ＳＢ）が０付近の値となる場合の受光部１５Ａ，１５Ｂの配置を示したが、レーザチップシングルモード発振時に差分（ＳＡ−ＳＢ）が０付近となるように、光検出器１８上に受光部１５Ａ，１５Ｂが配置されてもよい。
【００９７】
また、本実施の形態では、光検出器１８は、透過率可変素子３からの透過光の強度も検出する。これによりレーザ光の検出系を集積化することができる。
【００９８】
ここで、透過光の強度検出を受光部１５Ａ，１５Ｂで行なう場合について考える。この場合、干渉光の波長変化に起因して干渉縞の位置が変化するので、受光部１５Ａ，１５Ｂでの受光量が干渉光の波長に応じて変化する。つまり受光部１５Ａ，１５Ｂでは透過光の強度を安定的に検出することが困難となる。
【００９９】
図１１に戻り、本実施の形態ではホログラム素子１７の半分の領域（領域１７Ａ）にホログラムが形成されていない。受光素子１４は領域１７Ａを回折せずに透過した光ビームＰＭＢを受ける。受光素子１４における受光量に基づいて透過率可変素子３からの透過光の強度を検出することで、透過光の強度検出を安定して行なうことが可能となる。
【０１００】
以上のように、実施の形態２によれば、１つの光検出器により、発振モードの判定と、透過率可変素子３からの透過光の強度検出とを行なうことができるので、レーザ光源装置を簡素に構成することが可能となる。
【０１０１】
また、実施の形態２によれば、干渉光の検出により発振モード検出を行なうことで、レーザ光源装置の発振モードを高精度に制御することが可能となる。
【０１０２】
また、実施の形態２によれば、２つの受光素子１４，１５が単一の光検出器１８に形成される。これにより検出系を小型化できるので、レーザ光源装置を小型化できる。
【０１０３】
また、実施の形態２によれば、１つの光ビームを複数の光ビームに分割し、かつ、その複数の光ビームを干渉させる光学素子に安価なホログラム素子が用いられる。これにより実施の形態２によればレーザ光源装置を安価に実現することが可能となる。なお実施の形態２では干渉縞を発生させるための光学素子としてホログラム素子が用いられるが、他の光学素子（例えばウェッジプリズム等）を用いて干渉縞を形成してもよい。
【０１０４】
［実施の形態３］
図１９は、本発明の実施の形態３に従うホログラム記録再生光学系の概略的な構成を説明する図である。
【０１０５】
図１９を参照して、本発明の実施の形態３に従うホログラム記録再生光学系は、発振モードがシングルモードとマルチモードで変化しうるレーザ光源装置１００Ｂと、第１のビームスプリッタ１０２と、第１の反射ミラー１０３と、空間光変調器１０４と、リレーレンズ１０５（１０５a、１０５ｂ）と、第２の反射ミラー１０６と、第２のビームスプリッタ１０７と、対物レンズ１０９と、撮像素子１１０と、第３の反射ミラー１１１と、第１のガルバノミラー１１２と、レンズ系１１３（１１３a、１１３ｂ）と、第２のガルバノミラー１１４とを備える。
【０１０６】
レーザ光源装置１００Ｂから出た光は、第１のビームスプリッタ１０２および第１の反射ミラー１０３で反射される。第１の反射ミラー１０３で反射された光は空間光変調器１０４で反射され、第１のリレーレンズ１０５を通過した後、さらに第２の反射ミラー１０６で反射される。そして、第２の反射ミラー１０６で反射した光は第２のビームスプリッタ１０７を通過した後、対物レンズ１０９によりホログラム記録媒体１２０に照射される。
【０１０７】
空間光変調器１０４は、例えば、多数の微小ミラーがその反射面を変更可能に格子状に配列されたＤＭＤ（Digital Mirror Device）からなり、デジタルデータを構成する各ビットに微小ミラーを対応させ、当該ビットの内容（「０」か「１」）に応じて反射角を変化させる。これによりホログラム記録媒体１２０に、照射すべき（記録すべき）デジタルデータに応じた光像が生成される。
【０１０８】
なお、この光は記録光として、対物レンズ１０９によりホログラム記録媒体１２０の記録層に結像するように焦点が調節されている。
【０１０９】
また、第１のビームスプリッタ１０２を透過した光は、さらに第３の反射ミラー１１１で反射され、第１のガルバノミラー１１２によりその光軸が記録光の光軸側に変更された後、レンズ系１１３を通過する。レンズ系１１３を通過した光は、参照光として記録光の光軸に対して指定入射角でホログラム記録媒体１２０に入射するようになっている。
【０１１０】
ホログラム記録媒体１２０に入射された記録光と参照光は、互いに干渉してホログラムを発生し、このホログラムがホログラム記録媒体１２０に記録される。ホログラム記録時にはレーザ光源装置の発振モードはレーザチップシングルモードとなるように制御されている。
【０１１１】
キュア時には、ホログラム記録再生光学系は、記録時と同様にホログラム記録媒体１２０に参照光を照射する。空間光変調器１０４は全てのビットを０にして空間光変調器１０４からの光がホログラム記録媒体１２０に入射しないようにするか、または全てのビットを１にして空間光変調器１０４からの光全てがホログラム記録媒体１２０に照射されるように制御される。このときレーザ光源装置１００Ｂはレーザチップマルチモードに制御されているので、ホログラム記録媒体１２０に不要な回折格子（ノイズグレーティング）が形成されることなくキュアを行なうことができる。
【０１１２】
再生時は、記録時と同じく、ホログラム記録再生光学系はホログラム記録媒体１２０に参照光を照射する。ホログラム記録媒体１２０を通過した後、第２のガルバノミラー１１４で往路と同じ角度で反射された光によって発生する回折光（再生光）をホログラムに記録されたデータの再生に用いる。この回折光は対物レンズ１０９を通って第２のビームスプリッタ１０７により、進行方向が変更される。
【０１１３】
撮像素子１１０は、複数の光電変換素子が空間光変調器１０４以上の解像度で格子状に配列されたエリアセンサからなり、例えばＣＣＤ（Charge-Coupled Device）エリアセンサやＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）を採用したＣＭＯＳセンサーなどが用いられる。そしてこの撮像素子１１０で検出された信号をもとに２次元パターン情報を再生することにより、ホログラム記録媒体に記録されていた記録データが読み取られる。
【０１１４】
ホログラム再生時には、レーザ光源装置でレーザチップマルチモード発振による数１０ｐｍの波長変動が発生すると再生光の回折角度が変化する。回折角度の変化は、撮像素子１１０上で再生２次元パターンの位置ずれを発生させる。再生２次元パターンの位置ずれは再生信号ノイズの原因となる。この再生信号ノイズを抑制するためには、２次元パターンの位置ずれを画像処理技術により補正するか、レーザ光源装置の発振モードをレーザチップシングルモードとなるように制御し、２次元パターンの位置ずれが発生しないようにすることが望ましい。
【０１１５】
次に本発明の実施の形態３のレーザ光源装置１００Ｂの構成について図を用いて説明する。レーザ光源装置１００Ｂはレーザチップシングルモード及びレーザチップマルチモードで発振し得るレーザ光源装置である、外部共振器型半導体レーザ１０と、外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードを検出する発振モード検知部３３と、透過率を変化させる透過率可変部２０Ｂと、レーザ制御部２７とを備える。透過率可変部２０Ｂは、発振モード検知部３３のモード検出結果に応じて透過率を変化させる透過率可変素子３と、透過率可変素子３の透過率を制御する透過率制御部６と、透過率可変素子３の透過光を検出する透過光強度検出部３４とを含む。
【０１１６】
図２０は、本発明の実施の形態１で説明したレーザ光源装置における外部共振器型半導体レーザ１０、発振モード検知部３３、透過率可変部２０Ｂ、およびレーザ制御部２７の配置を説明する図である。実施の形態１のレーザ光源装置と同様の構成については同じ番号を付し、その説明を繰返さない。図２０では、発振モード検知部３３が受光素子５（図１）に対応しており、外部共振器型半導体レーザ１０の出射光強度を検出する。その検出結果により発振モード検知部３３は発振モードを検出する。さらに透過光強度検出部３４は受光素子４（図１）に対応し、透過率可変素子の透過光強度を検出する。その検出結果はレーザ制御部２７へ送られる。
【０１１７】
図２１は、本発明の実施の形態２で説明したレーザ光源装置における外部共振器型半導体レーザ１０、発振モード検知部３３、透過率可変部２０Ｂ、およびレーザ制御部２７の配置を説明する図である。実施の形態２のレーザ光源装置と同様の構成については同じ番号を付し、その説明を繰返さない。図２１では発振モード検知部３３および透過光強度検出部３４が図８に示すモード検出部９を構成する。また、図２１では、発振モード検知部３３が受光素子１５（図１１）に対応しており、外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードを検出する。透過光強度検出部３４は受光素子１４（図１１）に対応し、透過率可変素子の透過光強度を検出する。透過光強度検出部３４の検出結果はレーザ制御部２７へ送られる。
【０１１８】
なお、発振モードの検出方法及び透過率可変素子３の透過光強度の検出方法については実施の形態２における検出方法と同様であるため、その詳細な説明は以後繰返さない。
【０１１９】
次に本実施の形態３のレーザ光源装置１００Ｂを用いてホログラム記録媒体の情報再生を行なう際の制御の流れを説明する。
【０１２０】
ホログラムの記録およびキュアを行なう制御については、本発明の実施の形態１および２での制御と同様であるため、その説明を繰返さない。
【０１２１】
そこで、ホログラム再生時の制御について説明する。ホログラム再生時には、レーザ光源装置でレーザチップマルチモード発振による数１０ｐｍ程度の波長変動により再生信号ノイズが発生する。この再生信号ノイズを抑制するために、本実施の形態では、以下の２つの方法の少なくとも１つが用いられる。第１の方法は、２次元パターン位置ずれを画像処理技術により補正する方法である。第２の方法は、レーザ光源装置の発振モードをレーザチップシングルモードとなるように制御することにより再生信号ノイズの発生を防止する方法である。以下では、上記第２の方法によりホログラム再生を行う際の制御の流れについて、図２２を用いながら詳しく説明する。
【０１２２】
ホログラム再生時には、発振モードをレーザチップシングルモードに制御する必要がある。まず透過率可変部２０Ｂが発振モードの検出を行なう（ステップＳ１Ｃ）。透過率可変部２０Ｂが検出した現在の発振モードがレーザチップマルチモードではない場合（ステップＳ１ＣにおいてＮＯ）、発振モードはレーザチップシングルモードであるため、ホログラム再生へと制御が移される。一方、発振モードがレーザチップシングルモードであると検出された場合（Ｓ１ＣにおいてＹＥＳ）には、透過率制御部６は、透過率可変素子３の透過率を変化させる（ステップＳ２）。その結果、レーザ制御部２７は透過率可変素子３の透過光強度が一定に保たれるように外部共振器型半導体レーザ１０の出射パワーを変化させる（ステップＳ３）。ステップＳ３の処理が終了すると制御がステップＳ１Ｃに戻される。発振モードがレーザチップシングルモードであると検出されるまでステップＳ１Ｃ〜Ｓ２〜Ｓ３の処理を繰返す。
【０１２３】
このように実施の形態３によれば、レーザ光源装置１００Ｂは、発振モードが変化し得る外部共振器型半導体レーザ１０と、外部共振器型半導体レーザ１０の発振モードを検出する発振モード検知部３３と、透過率を変化させる透過率可変部２０Ｂと、レーザ制御部２７とを備える。これによりレーザ光源装置１００Ｂは、レーザ光源装置の出射光強度を所定の強度に制御しつつ、発振モードを制御することが可能となる。
【０１２４】
具体的には、ホログラム記録時または再生時には発振モードがレーザチップシングルモードとなるように制御が行なわれ、フォトポリマー材料に対するキュア時には発振モードがレーザチップマルチモードとなるように制御が行なわれる。
【０１２５】
よって、実施の形態３によれば、フォトポリマー材料にホログラム記録再生を行なう際にキュア用のインコヒーレント光源（例えばＬＥＤ）を別途追加する必要がなくなり、簡素な構成でホログラム記録再生光学系を構築することが可能となる。
【０１２６】
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４について説明する。実施の形態４のレーザ光源装置の構成は実施の形態１または形態２のレーザ光源装置の構成と同様であるため、詳細な説明は以後繰返さない。本実施形態のレーザ光源装置は、外部共振器型半導体レーザの出射光の発振モードが所望の発振モード（ここではレーザチップシングルモードとなるように制御する場合について説明する）であるか否かを判定し、その結果、所望の発振モードではない（レーザチップマルチモードである）と判定された場合には透過率可変素子の透過率を変化させる。そしてこの透過率可変素子の透過光強度を一定に維持するように外部共振器型半導体レーザの駆動電流を制御することにより、レーザ光源装置の出射光パワーを一定に保ちつつ、発振モードを所望のモードに変化させることができる。
【０１２７】
図２３および図２４に上記発振モード制御の様子を例示する。図２３は、透過率可変素子の透過率を６０％から６５％に変化させた場合の駆動電流及び発振波長の変化の様子を示している。図２３を参照して、まず、（１）発振モードがレーザチップマルチモードであると判定されたとき、（２）透過率可変素子の透過率を６０％から６５％に変化させる。このとき（３）透過光強度を一定に保つためにレーザの駆動電流を下げる。図中（１）〜（３）は、上記の（１）〜（３）の制御をそれぞれ示したものである。
【０１２８】
外部共振器型半導体レーザをレーザ駆動電流１２０ｍＡ付近（破線Ａ）で駆動していた場合には、（１）から（３）の制御を１度行なうことで発振モードがレーザチップシングルモードへと変化するためモード制御が完了する。一方、外部共振器型半導体レーザをレーザ駆動電流８５ｍＡ付近（破線Ｂ）で駆動していた場合には、透過率可変素子の透過率を６０％から６５％に変化させても駆動電流の変化が小さいため、発振波長がレーザチップマルチモード領域（領域Ｍ）にあると判定される。よって、発振モードがレーザチップシングルモードに変化するまでさらに透過率を変化させる必要がある。このような場合、（１）から（３）の制御を再度行なう必要があるため発振モード制御のステップ数が増加する。この結果、発振モード制御に必要な時間が増加する。
【０１２９】
図２４は、透過率可変素子の透過率を６０％から８０％に変化させたときの駆動電流および発振波長の変化の様子を示している。図２４を参照して、たとえば外部共振器型半導体レーザをレーザ駆動電流９５ｍＡ付近（破線Ｃ）で駆動していた場合には発振モードがレーザチップシングルモードへと変化するため、モード制御が完了する。一方、外部共振器型半導体レーザをレーザ駆動電流１２０ｍＡ付近（破線Ｄ）で駆動していた場合には駆動電流の減少量が大きすぎるため、発振モードが、さらに小さな駆動電流値でのレーザチップマルチモード領域（符号Ｍで示す）に移動する。このような場合、（１）から（３）の制御をもう一度行なう必要があるため発振モード制御のステップ数が増加する。この結果、発振モード制御に必要な時間が増加する。
【０１３０】
上記のように、発振モード制御のための最適な透過率変化量は外部共振器型半導体レーザの出射光パワーに対して変化するので、外部共振器型半導体レーザの出射光に対して透過率変化量を最適化することにより、発振モード制御のステップの不必要な増加を防止することが可能となる。
【０１３１】
次に、出射光パワー（レーザ駆動電流）に対する、発振モード制御に最適な透過率変化量の算出方法を説明する。ここで図２５に示すように、例えば最適な透過率変化量とはレーザチップマルチモード領域Ｍからレーザチップシングルモード領域中心（符号ＳＣで示す）にレーザ駆動電流を変化させるため必要な透過率変化量であると規定する。
【０１３２】
基準透過率Ｔ（％）の透過率可変素子を透過したレーザ光源装置の出射光パワーをＰｔ（ｍＷ）とする。レーザ駆動電流をＩ(ｍＡ)、透過率可変素子の透過率変化量をΔＴ、透過率をΔＴだけ変化させたときにレーザ光源装置の出射光パワーＰｔを一定に保つための駆動電流の変化量をΔＩとする。図２５に示す特性を有するレーザ光源装置（透過率Ｔ：６０％）の電流−出射光パワーの関係は式（１）で示される。
【０１３３】
Ｐｔ＝０．６３×Ｔ×Ｉ−４２．８２（ｍＷ）  …（１）
さらに透過率をＴからＴ＋ΔＴに変化させたときは、レーザ制御部はＰｔを一定に保つようにレーザ駆動電流を制御するため、電流−出射光パワーの関係は式（２）で示される。
【０１３４】
Ｐｔ＝０．６３×（Ｔ＋ΔＴ）×（Ｉ＋ΔＩ）−４２．８２（ｍＷ）  …（２）
式（１）、（２）から透過率変化量ΔＴについて式（３）が導かれる。
【０１３５】
ΔＴ＝−Ｔ×ΔＩ／（Ｉ＋ΔＩ）  …（３）
よって、ある透過率可変素子の基準透過率Ｔおよびレーザ駆動電流Ｉについて、レーザチップマルチモード領域Ｍからレーザチップシングルモード領域中心ＳＣにレーザ駆動電流を変化させるために必要な電流変化量ΔＩが分かれば、発振モード制御に最適な透過率変化量を算出することができる。ここで、例えば図２５に示すように基準透過率Ｔが６０％である場合には駆動電流Ｉが８４，９７，１０９，１２１，１３１ｍＡ付近である時に発振モードがレーザチップマルチモードである。レーザ光源装置は発振モードをレーザチップシングルモードに制御するために、駆動電流がレーザチップシングルモード領域中心ＳＣとなるように透過率を変化させる。ここで、たとえば透過率を増加させ、その結果、駆動電流を減少させることで発振モードを制御する場合には、レーザチップマルチモード領域の駆動電流それぞれについてΔＴが求まる。
【０１３６】
基準透過率Ｔが６０％の時は、Ｉ＝８４ｍＡのとき、レーザチップシングルモード領域中心への電流変化量はΔＩ＝−６ｍＡであるため式（３）よりΔＴ＝４．６％となる。
【０１３７】
同様に      Ｉ＝９７ｍＡのときは、ΔＩ＝−７ｍＡであるので、ΔＴ＝４．７％となる。
【０１３８】
Ｉ＝１０９ｍＡのときは、ΔＩ＝−７ｍＡであるので、ΔＴ＝４．１％となる。
Ｉ＝１２１ｍＡのときは、ΔＩ＝−６ｍＡであるので、ΔＴ＝３．１％となる。
【０１３９】
Ｉ＝１３１ｍＡのときは、ΔＩ＝−５ｍＡであるので、ΔＴ＝２．４％となる。
また、基準透過率Ｔが８０％のときは同様の方法によってΔＴは、
Ｉ＝８４ｍＡのときは、ΔＴ＝６．２％、
Ｉ＝９７ｍＡのときは、ΔＴ＝６．２％、
Ｉ＝１０９ｍＡのときは、ΔＴ＝５．５％、
Ｉ＝１２１ｍＡのときは、ΔＴ＝４．２％、
Ｉ＝１３１ｍＡのときは、ΔＴ＝３．２％と見積もられる。
【０１４０】
ここでは、透過率を増加し、その結果、レーザ駆動電流を減少させる場合について説明したが、逆に、透過率を減少させ、その結果、レーザ駆動電流を増加させることにより発振モードを制御する場合についても同様の方法でΔＴを算出することできる。
【０１４１】
以上より、本実施形態のレーザ光源装置では透過率変化量を最適に設定し、発振モードを制御することができる。具体的には、本実施形態のレーザ光源装置ではレーザ制御部にてレーザ駆動電流量を把握することができる。
【０１４２】
図２６および図２７は本実施の形態のレーザ光源装置の構成例を説明する図である。図２６および図２７を参照して、透過率制御部６は、レーザチップマルチモード領域のレーザ駆動電流と、発振モード制御に最適な透過率変化量ΔＴとを対応付けて記憶する。レーザ制御部２７は、レーザ駆動電流値の情報（信号ＳＤ３）を透過率制御部６に随時送る。透過率制御部６はレーザ制御部２７から受けるレーザ駆動電流値の情報、および予め記憶したレーザ駆動電流と透過率変化量ΔＴとの関係に基づいて透過率変化量を設定する。よって、発振モード制御に最適な透過率変化量を設定することが可能となる。
【０１４３】
また、一般的に半導体レーザは経時変化等により電流−出射光効率が劣化するため、駆動電流と発振モードの相関関係（レーザチップマルチモード発振となる電流値）が変化する。そのような場合、最適な透過率変化量ΔＴの大きさが変化する。このため、例えばある決まったタイミングでレーザ駆動電流と発振モードとの相関関系を測定し、発振モード制御に最適な透過率変化量ΔＴの情報を校正することが望ましい。ここでいう「ある決まったタイミングで透過率変化量ΔＴの情報を校正する」とは、例えばレーザ光源装置を駆動させる際に毎回始めにΔＴの校正を行なうのでも良いし、また例えば、レーザ素子の特性劣化の傾向から校正時期を設定するのでも良い。このように発振モード制御に最適な透過率変化量ΔＴを校正する機能をレーザ光源装置に設けることにより、外部共振器型半導体レーザの特性劣化に対しても安定した発振モード制御を行なうことが可能となる。
【０１４４】
これらの機能を実現するためには、レーザ駆動電流Ｉに対する、最適な透過率変化量ΔＴを算出するための演算回路が必要になるとともに、レーザチップマルチモード領域に対応するレーザ駆動電流および透過率変化量ΔＴの情報を記憶保持するためのメモリ部が必要になる。透過率制御部６はこの演算回路およびメモリ部を内蔵する。透過率制御部６は、所定のタイミングで式（１）〜（３）に従ってレーザ駆動電流Ｉと透過率変化量ΔＴとの関係を定めるとともに、その関係に基づいて、予め記憶したレーザ駆動電流の情報および透過率変化量ΔＴの情報を校正する。
【０１４５】
このように本実施の形態によれば、発振モードの変化しうるレーザ光源の出射光パワーに対して最適な透過率変化量を設定して発振モード制御を行なうことが可能となるので、発振モードの判定からレーザ駆動電流変化までの一連の制御を複数回行なう必要がなくなる。これにより、発振モード制御のステップ数を不必要に増加させることがなくなるため、制御にかかる時間を短縮することが可能となる。
【０１４６】
また、本実施の形態によれば発振モード制御に最適な透過率変化量ΔＴを校正する機能をレーザ光源装置に設けることにより半導体レーザの特性変化等に起因する最適な透過率変化量ΔＴの変化が発生しても安定した発振モード制御を行なうことが可能となるので、レーザ光源装置の高信頼性化に寄与する。
【０１４７】
なお本実施の形態では外部共振器型半導体レーザの例としてリットロー型のものを示した。ただし他のタイプの外部共振器型半導体レーザを用いて本発明のレーザ光源装置を構成してもよい。たとえばリットマン（Littman）タイプの外部共振器型半導体レーザをレーザ光源装置に用いてもよい。さらに、発振モードの制御を必要とするレーザ光源であれば、外部共振器型半導体レーザ以外の光源も本発明のレーザ光源装置に用いることができる。
【０１４８】
また、本発明のレーザ光源装置の特徴の一つは、出射光強度を所定の値に保ちつつ、発振モード制御を可能としていることである。このような特徴を利用できる用途であれば、本発明のレーザ光源装置の用途は、ホログラムの記録・再生以外の用途であってもよい。
【０１４９】
今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【０１５０】
【図１】本発明の実施の形態１によるレーザ光源装置１００の構成を示す図である。
【図２】図１のレーザ光源装置１００における外部共振器型半導体レーザ１０の概略的な構成を示す図である。
【図３】図１の透過率可変素子３の構成例を説明する図である。
【図４】レーザ光源装置１００が実行する発振モードの制御を説明するフローチャートである。
【図５】図４に示すフローチャートに従って発振モードの制御が行なわれた場合における、外部共振器型半導体レーザ１０の出射光強度の変化を説明する図である。
【図６】フォトポリマーへのホログラム記録の原理を説明する図である。
【図７】ポストキュアを行なう際のレーザ光源装置の発振モードの制御の流れを説明するフローチャートである。
【図８】本発明の実施の形態２によるレーザ光源装置１００Ａの構成を示す図である。
【図９】レーザ光源装置１００Ａが実行する発振モードの制御の流れを説明するフローチャートである。
【図１０】図８のモード検出部９の構成を示す図である。
【図１１】図１０に示すＺ方向に沿って見たときのホログラム素子１７および光検出器１８を示す図である。
【図１２】干渉縞の強度分布と受光部１５Ａ，１５Ｂの配置との関係を示す図である。
【図１３】外部共振器型半導体レーザの出射光の波長と、差分（ＳＡ−ＳＢ）との関係を説明する図である。
【図１４】リトロー型の外部共振器を用いた外部共振器型半導体レーザの概略構成を示す図である。
【図１５】図１４の外部共振器型半導体レーザ５０から出力されるレーザ光ＰＬのレーザパワーと波長との関係を示す図である。
【図１６】外部共振器型半導体レーザ５０の発振スペクトルを説明する図である。
【図１７】特開２００５−３０３１２９号公報に開示されるレーザシステムの構成を示す図である。
【図１８】特開２００５−３４０７８３号公報に開示されるレーザシステムの構成を示す図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に従うホログラム記録再生光学系の概略的な構成を説明する図である。
【図２０】レーザ光源装置１００Ｂの構成例を示す図である。
【図２１】レーザ光源装置１００Ｂの別の構成例を示す図である。
【図２２】ホログラム再生を行なう際のレーザ光源装置の発振モードの制御の流れを説明するフローチャートである。
【図２３】透過率可変素子の透過率を６０％から６５％に変化させた場合の駆動電流及び発振波長の変化の様子を示す図である。
【図２４】透過率可変素子の透過率を６０％から８０％に変化させたときの駆動電流および発振波長の変化の様子を示す図である。
【図２５】透過率可変量の設定について説明する図である。
【図２６】本発明の実施の形態４のレーザ光源装置の構成例を説明する図である。
【図２７】本発明の実施の形態４のレーザ光源装置の別の構成例を説明する図である。
【符号の説明】
【０１５１】
１，２，８，５５  ビームスプリッタ、３  透過率可変素子、４，５，１４，１５  受光素子、６  透過率制御部、９  モード検出部、１０，５０  外部共振器型半導体レーザ、１５Ａ，１５Ｂ  受光部、１７  ホログラム素子、１７Ａ，１７Ｂ  領域、１８  光検出器、２０，２０Ａ，２０Ｂ  透過率可変部、２１，５１  レーザダイオード、２２，５２  コリメートレンズ、２３，５３  波長制御用回折格子、２４，５４  回折格子回転機構、２７，５７  レーザ制御部、３１  液晶素子、３２  偏光子、３３  発振モード検知部、３４  透過光強度検出部、４０  フォトポリマー材料、５８  ウェッジプリズム、１００，１００Ａ，１００Ｂ  レーザ光源装置、１０１，１０１Ａ  レーザシステム、１０２，１０７  ビームスプリッタ、１０３，１０６，１１１  反射ミラー、１０４  空間光変調器、１１２，１１４  ガルバノミラー、１２０  ホログラム記録媒体、Ａ〜Ｈ，Ｂ１〜Ｂ３，Ｄ１〜Ｄ４  領域、ＤＰ  暗部、Ｌ０  ０次回折光、Ｌ１  １次回折光、ＬＮ  境界線、ＬＰ  明部、ＰＡ，ＰＬ，ＰＴ  レーザ光、ＰＢ，ＰＣ，ＰＤ，ＰＬ，ＰＭ，ＰＭ１，ＰＭ２，ＰＴ  光ビーム、ＳＰ０，ＳＰ１  スポット。
【図１】
2009009955.tif 000003
【図２】
2009009955.tif 000004
【図３】
2009009955.tif 000005
【図４】
2009009955.tif 000006
【図５】
2009009955.tif 000007
【図６】
2009009955.tif 000008
【図７】
2009009955.tif 000009
【図８】
2009009955.tif 000010
【図９】
2009009955.tif 000011
【図１０】
2009009955.tif 000012
【図１１】
2009009955.tif 000013
【図１２】
2009009955.tif 000014
【図１３】
2009009955.tif 000015
【図１４】
2009009955.tif 000016
【図１５】
2009009955.tif 000017
【図１６】
2009009955.tif 000018
【図１７】
2009009955.tif 000019
【図１８】
2009009955.tif 000020
【図１９】
2009009955.tif 000021
【図２０】
2009009955.tif 000022
【図２１】
2009009955.tif 000023
【図２２】
2009009955.tif 000024
【図２３】
2009009955.tif 000025
【図２４】
2009009955.tif 000026
【図２５】
2009009955.tif 000027
【図２６】
2009009955.tif 000028
【図２７】
2009009955.tif 000029