(57)【要約】 【課題】パネル面の衝撃に対する強度が強化されたＰＤＰを提供する。【解決手段】前面ガラス基板１と背面ガラス基板４が放電空間Ｓを介して対向され、前面ガラス基板１の背面側に形成されて行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層が、前面ガラス基板１上に形成された第１誘電体層２と、この第１誘電体層２上に積層して形成された第２誘電体層３とによる二層構造を有し、第１誘電体層２が、前面基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成され、第２誘電体層３が、前面ガラス基板１の熱膨張係数よりも小さく第１誘電体層２を形成する誘電材料の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に放電電極を被覆する誘電体層が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層が、前面基板上に形成された第１誘電体層と、この第１誘電体層上に積層して形成されて第１誘電体層よりも放電空間に位置する第２誘電体層とによる二層構造を有しており、
前記第１誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成され、
前記第２誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さく第１誘電体層を形成する誘電材料の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記第１誘電体層が、リチウム成分を含んでいない誘電材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第２誘電体層が、さらに、リチウム成分を含んでいない誘電材料によって形成されている請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１誘電体層と第２誘電体層が、それぞれ、鉛成分を含んでいない誘電材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第１誘電体層が前面基板よりも軟化点が低い誘電材料によって形成され、第２誘電体層が第１誘電体層よりも軟化点が低い誘電材料によって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面上に放電電極を被覆する第１誘電体層が形成され、この第１誘電体層上に第２誘電体層が積層して形成されたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第１誘電体層を、前面基板の軟化点よりも低く第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも高い軟化点を有する誘電材料によって形成するとともに、この第１誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも低くかつ第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点と同じかそれよりも高い温度で焼成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１誘電体層を、前面基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成し、第２誘電体層を、前面基板の熱膨張係数よりも小さく第１誘電体層を形成する誘電材料の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成する請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記第１誘電体層を、リチウム成分を含んでいない誘電材料によって形成する請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記第２誘電体層を、さらに、リチウム成分を含んでいない誘電材料によって形成する請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記第１誘電体層と第２誘電体層を、それぞれ、鉛成分を含んでいない誘電材料によって形成する請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構造およびこのプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）には、パネル面を構成する前面ガラス基板の背面に形成されて行電極対を被覆する誘電体層が、第１誘電体層と第２誘電体層の二層構造に構成されているものがある。
【０００３】
この従来のＰＤＰは、第１誘電体層の形成に第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも高い軟化点を有する誘電材料が使用されることにより、前面ガラス基板に反りが発生して製品不良が生じるのを防止するようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、この従来のＰＤＰは、パネル面を構成する前面ガラス基板の衝撃に対する強度に問題点を有している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２９０６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に放電電極を被覆する誘電体層が形成されているＰＤＰにおいて、前記誘電体層が、前面基板上に形成された第１誘電体層と、この第１誘電体層上に積層して形成されて第１誘電体層よりも放電空間に位置する第２誘電体層とによる二層構造を有しており、前記第１誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成され、前記第２誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さく第１誘電体層を形成する誘電材料の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成されていることを特徴としている。
【０００８】
第２の発明によるＰＤＰの製造方法は、前記目的を達成するために、前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面上に放電電極を被覆する第１誘電体層が形成され、この第１誘電体層上に第２誘電体層が積層して形成されたＰＤＰの製造方法であって、前記第１誘電体層を、前面基板の軟化点よりも低く第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも高い軟化点を有する誘電材料によって形成するとともに、この第１誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも低くかつ第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点と同じかそれよりも高い温度で焼成することを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
この発明は、前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に放電電極を被覆する誘電体層が形成され、この誘電体層が、前面基板上に形成された第１誘電体層と、この第１誘電体層上に積層して形成されて第１誘電体層よりも放電空間に位置する第２誘電体層とによる二層構造を有しており、第１誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成され、第２誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さく第１誘電体層を形成する誘電材料の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成されているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００１０】
そして、この実施形態のＰＤＰは、さらに、第１誘電体層が、前面基板の軟化点よりも低く第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも高い軟化点を有する誘電材料によって形成されて、この第１誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも低くかつ第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点と同じかそれよりも高い温度で焼成されるようにするのが好適である。
【００１１】
この実施形態におけるＰＤＰは、最も大きい熱膨張係数を有する前面基板と次に大きい熱膨張係数を有する第２誘電体層との間に、最も小さい熱膨張係数を有する第１誘電体層が挟まれていることによって、ＰＤＰ製造時の第１誘電体層と第２誘電体層３の焼成工程時に、前面基板と第１誘電体層および第２誘電体層との熱膨張係数の差によって、前面基板に大きな圧縮応力が発生する。
これによって、ＰＤＰのパネル面の衝撃に対する強度が大幅に強化されたＰＤＰを提供することが出来るようになる。
【００１２】
そして、このＰＤＰは、さらに、第１誘電体層が、前面基板の軟化点よりも低く第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも高い軟化点を有する誘電材料によって形成されて、この第１誘電体層を形成する誘電材料の軟化点よりも低くかつ第２誘電体層を形成する誘電材料の軟化点と同じかそれよりも高い温度で焼成されることにより、この焼成が第２誘電体層の軟化点に合わせた低い温度で行われることにより、前面基板に焼成収縮や変形が生じるのを防止することが出来るとともに、焼成工程時の消費電力を低下させることが出来る。
【００１３】
このとき、第１誘電体層には、その軟化点よりも低い温度で焼成が行われることによって焼成後にその表面に凹凸が形成されることになるが、この第１誘電体層上に形成される第２誘電体層がその誘電材料の軟化点近傍の温度で焼成されることによって、放電空間に対向される側の第２誘電体層の表面の平滑性が確保されるので、誘電体層全体の表面の平滑性と透光性が損なわれることはない。
【００１４】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、第１誘電体層がリチウム成分を含んでいない誘電材料によって形成されるようにするのが好ましく、さらに、第２誘電体層も、リチウム成分を含んでいない誘電材料によって形成されるようにするのが好ましい。
これによって、前面基板とこの前面基板に直接接する第１誘電体層との間でリチウム（Ｌｉ）の移動が生じることによる前面基板に発生する圧縮応力の減少が防止される。
【００１５】
さらに、第２誘電体層もリチウム（Ｌｉ）を含まない誘電材料によって形成される場合には、第１誘電体層と第２誘電体層の間でリチウム（Ｌｉ）の移動が生じることによる前面基板に発生する圧縮応力の減少が防止される。
【００１６】
したがって、第１誘電体層と第２誘電体層の双方をリチウム（Ｌｉ）を含まない誘電材料によって形成することによって、前面基板の衝撃に対する強度を最も大きくすることが出来る。
【００１７】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、さらに、第１誘電体層と第２誘電体層を、それぞれ、鉛成分を含んでいない誘電材料によって形成するのが好ましい。
【実施例１】
【００１８】
図１は、この発明によるＰＤＰの実施形態における一実施例を示す正面図であり、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【００１９】
この図１および２において、前面ガラス基板１の背面上に、それぞれ行方向に帯状に延びる行電極ＸとＹによって構成される複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が列方向に並設されている。
【００２０】
そして、この行電極対（Ｘ，Ｙ）は、前面ガラス基板１の背面上に形成された第１誘電体層２によって被覆されており、この第１誘電体層２上には、さらに、第２誘電体層３が積層して形成されている。
この第２誘電体層３の背面は、ＭｇＯによって形成された図示しない保護層によって被覆されている。
【００２１】
前面ガラス基板１に放電空間Ｓを介して平行に対向する背面ガラス基板４の前面ガラス基板１に対向する内面上には、列方向に帯状に延びる複数の列電極Ｄが行方向に並設されており、この列電極Ｄは、背面ガラス基板４の内面上に形成された列電極保護層（誘電体層）５によって被覆されている。
【００２２】
この列電極保護層５上には、放電空間Ｓを行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄが交差する部分毎に区画して放電セルＣを形成する略格子形状の隔壁６が形成されている。
この隔壁６を構成する行方向に延びる横壁６Ａと列方向に延びる縦壁６Ｂのうち、少なくとも横壁６Ａが、第２誘電体層３を被覆する図示しない保護層に当接されている。
【００２３】
各放電セルＣ内の列電極保護層５と隔壁６の側面上には、それぞれ赤，緑，青に色分けされた蛍光体層７が形成されている。
【００２４】
上記ＰＤＰにおいて、前面ガラス基板１は、熱膨張係数αｇが８２〜９０×１０-7／℃のガラス材料によって成形されている。
そして、第１誘電体層２と第２誘電体層３は、それぞれ以下のような条件を満たす誘電材料によって形成されている。
【００２５】
すなわち、第１誘電体層２を形成する誘電材料の熱膨張係数をα１，軟化点（℃）をＴｓ１とし、第２誘電体層３を形成する誘電材料の熱膨張係数をα２，軟化点（℃）をＴｓ２とし、前面ガラス基板１の軟化点（℃）をＴｓｇとすると、第１誘電体層２と第２誘電体層３を形成する誘電材料には、
α１＜α２＜αｇ          …  （１）
Ｔｓ２＜Ｔｓ１＜Ｔｓｇ    …  （２）
の条件を満たし、さらに、鉛成分を含まない非鉛の誘電材料が使用される。
【００２６】
そして、第１誘電体層２にはリチウム（Ｌｉ）が含まれていない。
なお、第２誘電体層３については、リチウム（Ｌｉ）が含まれていても良いが、下記に述べるように、リチウム（Ｌｉ）が含まれない方が好ましい。
【００２７】
このような第１誘電体層２と第２誘電体層３を形成する誘電材料の熱膨張係数に関する選択は、以下のような理由に基づいて行われる。
すなわち、上記ＰＤＰは、ガラス基板の表面に圧縮応力が発生されており、これによって、ガラス基板の衝撃に対する強度が強化されている。
【００２８】
この実施例では、ＰＤＰの製造工程において、パネル面を構成する前面ガラス基板１とこの前面ガラス基板１の背面に形成される二層の第１誘電体層２および第２誘電体層３の熱膨張係数の違いを利用して前面ガラス基板１に圧縮応力が発生される。
この前面ガラス基板１に発生する圧縮応力は、前面ガラス基板１の熱膨張係数と第１誘電体層２および第２誘電体層３との熱膨張係数の差が大きいほど大きくなる。
【００２９】
このため、第１誘電体層２と第２誘電体層３を形成する誘電材料は、第１誘電体層２と第２誘電体層３の熱膨張係数が前面ガラス基板１の熱膨張係数よりも小さくなるように、さらに、前面ガラス基板１とこの前面ガラス基板１に接する第１誘電体層２との熱膨張係数の差を大きくして前面ガラス基板１に発生する圧縮応力をさらに増大させるために、第１誘電体層２の熱膨張係数が第２誘電体層３の熱膨張係数よりも小さくなるように、それぞれ選択される。
【００３０】
また、第１誘電体層２と第２誘電体層３を形成する誘電材料の軟化点に関する選択は、以下のような理由に基づいて行われる。
すなわち、ＰＤＰにおいて、前面ガラス基板側に形成される誘電体層は、背面ガラス基板側に形成される隔壁と保護層を介して接触するために、その表面が平滑であることが要求され、さらに、蛍光体層から発生する可視光を透過させるために透光性を有することが要求される。
【００３１】
ＰＤＰの製造工程において、前面ガラス基板の背面に塗布された誘電材料ペーストを焼成して誘電体層が形成される際に、この焼成が誘電材料の軟化点よりも低い温度で行われると、誘電材料ペースト層の表面が十分にリフロー出来ないために、この焼成工程中に誘電材料ペースト層の表面に凹凸等が生じて、形成された誘電体層の表面の平滑性と透光性が損なわれてしまうことになる。
【００３２】
また、誘電体層の焼成が誘電材料の軟化点よりも高い温度で行われると、ガラス基板の焼成収縮や変形が生じて来るため、ＰＤＰの製造において様々な障害が生じてくる。
このため、従来、誘電体層の焼成温度は、誘電材料に含まれるガラスフリットの軟化点近傍に設定されている。
【００３３】
しかしながら、低温での誘電体層の焼成が可能になれば、ガラス基板の焼成収縮や変形を小さくすることが出来、さらに、焼成工程時の消費電力を低下させることが出来るようになる。
【００３４】
このＰＤＰにおいては、後述するように、前面ガラス基板１側に位置する第１誘電体層２をその軟化点よりも低い温度で焼成することが出来るように、放電空間Ｓ側に位置する第２誘電体層３を形成する誘電材料に、第１誘電体層２を形成する誘電材料よりも軟化点が低い誘電材料が選択される。
【００３５】
図３は、六種類の誘電材料Ａ〜Ｆの特性の比較を示しており、図４は図３の六種類の誘電材料Ａ〜Ｆのガラス組成を示している。
なお、この図３に示された誘電材料Ａ〜Ｆには、何れにも鉛（Ｐｂ）成分が含まれていない。
【００３６】
さらに、図５は、図３の誘電材料Ａ〜Ｆによってガラス基板の背面にそれぞれ厚さが約３０μｍの一層の誘電体層を形成して、ガラス基板の強度をそれぞれ測定した場合のガラス基板の強度の適否を示している。
【００３７】
図６は、図３の誘電材料Ａ〜Ｆのうち、ガラス基板の強度強化に不適であった誘電材料Ｆを除いた誘電材料Ａ〜Ｅのうちから二種類の誘電材料を選択して、ガラス基板の背面にそれぞれ合計の厚さが約３０μｍの第１誘電体層と第２誘電体層の二層の誘電体層を形成して、ガラス基板の強度をそれぞれ測定した場合のガラス基板の強度の適否を示している。
【００３８】
ここで、図６において、誘電材料Ａ〜Ｅからの第１誘電体層２を形成する誘電材料と第２誘電体層３を形成する誘電材料の選択は、前述した選択条件（１）および（２）を満たす材料の組み合わせで行われている。
これらの誘電材料によって形成された第１誘電体層２と第２誘電体層３は、合計の膜厚が３０μｍになるように設定されている。
【００３９】
そして、製造工程時における第１誘電体層２の焼成は、前面ガラス基板１の背面に第１誘電体層の形成用に選択された誘電材料ペーストがスクリーン印刷によって塗布された後、第２誘電体層の形成用に選択された誘電材料の軟化点近傍の温度（すなわち、第１誘電体層形成用の誘電材料の軟化点よりも低い温度Ｔ１（Ｔ１＜Ｔｓ１）で行われる。
【００４０】
次に、第２誘電体層３の焼成は、第１誘電体層２の背面に第２誘電体層形成用に選択された誘電材料ペーストがスクリーン印刷によって塗布された後、この第２誘電体層形成用の誘電材料の軟化点近傍の温度（第２誘電体層形成用の誘電材料の軟化点と同じかそれよりも僅かに高い温度）Ｔ２で行われる。
【００４１】
例えば、第１誘電体層２の形成用に図３の誘電材料Ａ（熱膨張係数：６０〜６６×１０-7／℃，軟化点：５９０〜６１０℃）が選択され、第２誘電体層３の形成用に誘電材料Ｄ（熱膨張係数：６１〜６７×１０-7／℃，軟化点：５６５〜５８５℃）が選択された場合に、第１誘電体層２の焼成は、誘電材料Ｄの軟化点に合わせて、誘電材料Ａの軟化点よりも低い５６０〜５９０℃の温度で行われ、第２誘電体層３の焼成は、誘電材料Ｄの軟化点近傍の５６０〜５９０℃の温度で行われる。
【００４２】
このとき、最も大きい熱膨張係数αｇを有する前面ガラス基板１と次に大きい熱膨張係数α２を有する第２誘電体層３との間に、最も小さい熱膨張係数α１を有する第１誘電体層２が挟まれていることによって、この前面ガラス基板１と第１誘電体層２および第２誘電体層３との熱膨張係数の差により、前面ガラス基板１に圧縮応力が発生する。
このため、このＰＤＰのパネル面を構成する前面ガラス基板１は、衝撃に対する強度が大幅に強化される。
【００４３】
そして、上記ＰＤＰの前面ガラス基板１の強度は、前面ガラス基板の背面に誘電材料Ａによって一層の誘電体層を形成してその軟化点近傍の５９０〜６１０℃で焼成した場合の強度（焼成後の膜厚：３０μｍ）と同程度であり、誘電材料Ｄによって一層の誘電体層を形成してその軟化点近傍の５６０〜５９０℃で焼成した場合の強度（焼成後の膜厚：３０μｍ）よりも大きい。
【００４４】
なお、誘電材料Ａ〜Ｆのうち、図３および４に示されるように、リチウム（Ｌｉ）成分を含んでいる誘電材料Ｄ〜Ｆは、前面ガラス基板１に直接接する第１誘電体層２の形成材料として選択された場合には、前面ガラス基板１と第１誘電体層２との間でリチウム（Ｌｉ）の移動が生じて、その分、前面ガラス基板１に発生する圧縮応力が減少することになる。
【００４５】
さらに、第２誘電体層３を形成する誘電材料にリチウム（Ｌｉ）を含む誘電材料が選択された場合にも、第１誘電体層２と第２誘電体層３の間でリチウム（Ｌｉ）の移動が生じて、前面ガラス基板１に発生される圧縮応力が減少する。
【００４６】
したがって、第１誘電体層２と第２誘電体層３を形成する誘電材料の選択としては、図６に示されるように、第１誘電体層２の形成用に誘電材料Ａが選択され、第２誘電体層３の形成用に誘電材料Ｂが選択されるのが最も好適であり、前面ガラス基板１の衝撃に対する強度が最も大きくなる。
【００４７】
上記ＰＤＰは、第１誘電体層２の形成用の誘電材料として第２誘電体層３の形成用の誘電材料よりも軟化点が高い誘電材料が選択され、この第１誘電体層２がその軟化点よりも低い第２誘電体層３の形成用の誘電材料の軟化点近傍の温度によって焼成され、第２誘電体層３がその軟化点近傍の温度によって焼成されている。
【００４８】
このように、上記ＰＤＰは、製造工程において、第１誘電体層２および第２誘電体層３の焼成が第２誘電体層３の軟化点に合わせた低い温度で行われることにより、前面ガラス基板１に焼成収縮や変形が生じるのを防止することが出来、さらに、焼成工程時の消費電力を低下させることが出来る。
【００４９】
なお、第１誘電体層２には、この第１誘電体層２を形成する誘電材料の軟化点よりも低い温度で焼成が行われることによって、焼成後にその表面に凹凸が形成されることになるが、この第１誘電体層２上にさらに第２誘電体層３が形成され、この第２誘電体層３がその誘電材料の軟化点近傍の温度で焼成されて、放電空間Ｓに対向される側の第２誘電体層３の表面の平滑性が確保されるので、誘電体層全体の表面の平滑性と透光性が損なわれることはない。
【００５０】
なお、上記においては、ＰＤＰの製造工程において第１誘電体層２と第２誘電体層３の焼成が別個に行われる例が示されているが、第１誘電体層２と第２誘電体層３の焼成が同時に行われるようにしても良い。
【００５１】
この場合の焼成温度Ｔ１２は、第１誘電体層形成用の誘電材料の軟化点Ｔｓ１よりも低く第２誘電体層形成用の誘電材料の軟化点Ｔｓ２以上の温度となるように設定される。
【００５２】
上記実施形態のＰＤＰは、前面基板と背面基板が放電空間を介して対向され、前面基板の背面側に放電電極を被覆する誘電体層が形成され、この誘電体層が、前面基板上に形成された第１誘電体層と、この第１誘電体層上に積層して形成されて第１誘電体層よりも放電空間に位置する第２誘電体層とによる二層構造を有しており、第１誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成され、第２誘電体層が、前面基板の熱膨張係数よりも小さく第１誘電体層を形成する誘電材料の熱膨張係数よりも大きい熱膨張係数を有する誘電材料によって形成されている実施形態のＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。
【００５３】
この実施形態におけるＰＤＰは、最も大きい熱膨張係数を有する前面基板と次に大きい熱膨張係数を有する第２誘電体層との間に、最も小さい熱膨張係数を有する第１誘電体層が挟まれていることによって、ＰＤＰ製造時の第１誘電体層と第２誘電体層３の焼成工程時に、前面基板と第１誘電体層および第２誘電体層との熱膨張係数の差によって、前面基板に大きな圧縮応力が発生する。
これによって、ＰＤＰのパネル面の衝撃に対する強度が大幅に強化されたＰＤＰを提供することが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】図２のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】同実施例において、誘電体層の形成に使用される誘電材料の特性を示す表図である。
【図４】同誘電材料のガラス組成を示す表図である。
【図５】同誘電材料によって単層の誘電体層を形成した場合の基板強度の適否を示す表図である。
【図６】同誘電材料を組み合わせて二層の誘電体層を形成した場合の基板強度の適否を示す表図である。
【符号の説明】
【００５５】
１      …前面ガラス基板（前面基板）
２      …第１誘電体層
３      …第２誘電体層
４      …背面ガラス基板（前面基板）
Ｘ，Ｙ  …行電極
【図１】
2009059537.tif 000003
【図２】
2009059537.tif 000004
【図３】
2009059537.tif 000005
【図４】
2009059537.tif 000006
【図５】
2009059537.tif 000007
【図６】
2009059537.tif 000008