(57)【要約】【課題】基板からの導体パターンの剥離を十分に抑制できる薄膜電子部品を提供する。【解決手段】セラミック基板１と、セラミック基板１の一面１ａ側に設けられる導体パターン２と、セラミック基板１の一面１ａ側に設けられる樹脂部３Ａと、セラミック基板１の一面１ａから、導体パターン２と樹脂部３Ａとの間の界面の少なくとも一部に入り込むように延びる金属部５ｂとを備えており、導体パターン２と金属部５ｂとは互いに異なる金属材料で構成されている薄膜電子部品１００。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板と、
前記セラミック基板の一面側に設けられる導体パターンと、
前記セラミック基板の前記一面側に設けられる樹脂部と、
前記セラミック基板の前記一面から、前記導体パターンと前記樹脂部との間の界面の少なくとも一部に入り込むように延びる金属部とを備えており、
前記導体パターンと前記金属部とは互いに異なる金属材料で構成されている、薄膜電子部品。
【請求項２】
前記金属部が耐酸化性の金属材料で構成される、請求項１に記載の薄膜電子部品。
【請求項３】
前記金属部が、前記導体パターンよりも酸化されやすい金属材料で構成されている、請求項１に記載の薄膜電子部品。
【請求項４】
前記導体パターンがスパイラル状に形成され、その導体パターンの内周および外周にそれぞれ複数の角部を有し、前記金属部が少なくとも前記角部に設けられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜電子部品。
【請求項５】
前記金属部は、複数の前記角部間の非角部よりも前記角部において厚く形成されている、請求項４に記載の薄膜電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータや携帯電話等の電子機器には、薄膜インダクタや配線基板など、種々の薄膜電子部品が用いられており、これら薄膜電子部品においては、薄膜形成技術を用いて導体パターンが形成されている。このような導体パターンは、例えばフェライト焼結基板等のセラミック基板上に下地めっき層を形成し、その表面上にフォトレジストを形成した後、フォトリソグラフィによって所望のパターンとなるように露光・現像した後、電気めっきにより金属層からなるパターンを形成し、フォトレジストを剥離し、エッチングにより下地めっきを除去し、最後にパターン上に保護膜を形成することによって得られる（下記特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２４４１０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に記載の薄膜電子部品は以下に示す課題を有していた。
【０００４】
即ち上記薄膜電子部品においては、保護膜と配線パターンとの間の界面を伝って水分が侵入すると、その水分中の酸素によって配線パターンの基板側部分（根元部分）が酸化され、配線パターンの根元部分が脆くなる。そして、薄膜電子部品が高温環境下におかれると、保護膜の膨張により配線パターンに大きな外力が加わり、その結果、配線パターンが剥離するおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板からの導体パターンの剥離を十分に抑制できる薄膜電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、導体パターンと異なる金属材料で構成される金属部を、基板表面から、導体パターンと樹脂部との間の界面の少なくとも一部に入り込むように設けると、その金属部と樹脂部との間の界面を水が伝ってきても、その水中の酸素によって酸化されるのはその金属部であり、導体パターンの根元部分は酸化され難くなることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
即ち本発明は、セラミック基板と、前記セラミック基板の一面側に設けられる導体パターンと、前記セラミック基板の前記一面側に設けられる樹脂部と、前記セラミック基板の前記一面から、前記導体パターンと前記樹脂部との間の界面の少なくとも一部に入り込むように延びる金属部とを備えており、前記導体パターンと前記金属部とは互いに異なる金属材料で構成されている、薄膜電子部品である。
【０００８】
この薄膜電子部品によれば、導体パターンと異なる金属材料で構成される金属部が、基板の一面から、導体パターンと樹脂部との間の界面の少なくとも一部に入り込むように延びている。このため、その金属部と樹脂部との間の界面を水が伝ってきても、導体パターンの根元部分に代わってその金属部が酸化され、導体パターンの根元部分は酸化され難くなる。このため、導体パターンの根元部分が酸化によって脆くなることが十分に抑制される。その結果、薄膜電子部品が高温環境下に置かれて樹脂部が膨張し、その外力が導体パターンに加わっても、導体パターンの基板の一面からの剥離が十分に抑制されることとなる。
【０００９】
上記薄膜電子部品において、前記金属部が耐酸化性の金属材料で構成されることが好ましい。このように金属部が耐酸化性金属材料で構成されると、金属部が完全に酸化されるまでにかなりの長期間を要することとなり、導体パターンの酸化が開始される時期を極端に遅らせることができる。その結果、薄膜電子部品の寿命を十分に延ばすことができる。
【００１０】
上記薄膜電子部品において、前記金属部が、前記導体パターンよりも酸化されやすい金属材料で構成されていることが好ましい。このように金属部が、導体パターンを形成する金属より酸化されやすい金属材料で構成されると、金属部が、酸素の侵入による犠牲層として働くので、導体パターンの酸化が開始される時期を極端に遅らせることができる。その結果、薄膜電子部品の寿命を十分に延ばすことができる。
【００１１】
本発明は、前記導体パターンがスパイラル状に形成され、その導体パターンの内周および外周にそれぞれ複数の角部を有し、前記金属部が少なくとも前記角部に設けられている薄膜電子部品において特に有効である。これは、導体パターンがスパイラル状に形成され、その導体パターンの内周および外周にそれぞれ複数の角部を有する場合には、樹脂部からその角部に、より大きな応力が加わり易く、導体パターンは特にその角部で剥離しやすいからである。
【００１２】
上記薄膜電子部品において、前記金属部は、複数の角部間の非角部よりも前記角部において厚く形成されていることが好ましい。この場合、非角部よりも角部の方が導体パターンの酸化が十分に抑制される。その結果、角部での導体パターンの剥離がより十分に抑制される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板からの導体パターンの剥離を十分に抑制できる薄膜電子部品が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００１５】
（薄膜電子部品）
まず本発明に係る薄膜電子部品の好適な実施形態について図１〜図１１を用いて説明する。図１は、本発明の薄膜電子部品の第１実施形態である薄膜インダクタの一例を示す部分平面図、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図、図３〜図１１は、図１の薄膜電子部品の一連の製造工程を示す端面図である。
【００１６】
図1及び図２に示すように、薄膜インダクタ１００は、セラミック基板１と、セラミック基板１の一面１ａ側に配置される導体パターン２と、セラミック基板１の一面１ａ側に配置される樹脂部３Ａとを備えている。
【００１７】
導体パターン２はスパイラル状に形成され、その内周および外周にそれぞれ複数の角部Ｃを有している。導体パターン２は、その延び方向に直交する断面が略矩形状となっている。詳細に述べると、導体パターン２においては、その幅に対するセラミック基板１の表面からの高さの比（以下、「アスペクト比」という）が１より大きい断面形状を有している。但し、導体パターン２の断面形状は、略矩形である必要はなく、アスペクト比が１以下の断面形状でもよい。さらに、導体パターン２は、その長手方向に沿って複数の導体部２Ａを有しており、各導体部２Ａは直線状に延びている。そして、隣り合う導体部２Ａ同士は略直交し、これにより角部Ｃが形成されている。導体パターン２は、例えばＣｕで構成される。
【００１８】
樹脂部３Ａは、スパイラル状の導体パターン２の内周側部分と外周側部分との隙間に充填されている。具体的には、樹脂部３Ａは、セラミック基板１上に直接設けられるスパイラル状の樹脂パターン３と、樹脂パターン３上に設けられるスパイラル状の樹脂膜４とで構成されている。即ち樹脂パターン３も樹脂膜４も導体パターン２に沿って設けられている。なお、樹脂パターン３も樹脂膜４も、その延び方向に直交する断面が略矩形状となっている。また樹脂パターン３及び樹脂膜４は同一樹脂で構成されていても異なる樹脂で構成されていてもよい。例えば樹脂パターン３はポリイミド樹脂、樹脂膜４もポリイミド樹脂で構成される。
【００１９】
セラミック基板１上には下地金属層５が直接且つ導体パターン２に沿ってスパイラル状に設けられている。下地金属層５は金属材料で構成されており、セラミック基板１と導体パターン２との間に挟まれる本体部５ａと、本体部５ａの周縁部から、セラミック基板１の表面１ａから離れる方向であって導体パターン２の側面２ａに沿って延びる金属部５ｂとで構成されている。詳細に述べると、金属部５ｂは、導体パターン２の全周を包囲するように連続して設けられている。従って、金属部５ｂは、導体パターン２の内周面および外周面の複数の角部Ｃのみならず、複数の角部Ｃの間の非角部にも設けられていることになる。そして、金属部５ｂは、導体パターン２の側面にも樹脂パターン３の側面にも密着している。別言すると、各金属部５ｂは、導体パターン２と樹脂部３Ａとの界面Ｓの一部に入り込んでおり、導体パターン２の側面の一部を覆っている。
【００２０】
ここで、金属部５ｂ、即ち下地金属層５を構成する金属材料は、導体パターン２を構成する金属材料とは異なっている。
【００２１】
この薄膜インダクタ１００によれば、導体パターン２と異なる金属材料で構成される金属部５ｂが、セラミック基板１の表面１ａから、導体パターン２と樹脂部３Ａとの間の界面Ｓの一部に入り込むように延びている。このため、その金属部５ｂと樹脂部３Ａとの間の界面Ｓにまで水分が拡散してきても、導体パターン２の根元部分に代わってその金属部５ｂが酸化され、導体パターン２の根元部分は酸化され難くなる。このため、導体パターン２の根元部分が酸化によって脆くなることが十分に抑制される。その結果、薄膜インダクタ１００が高温環境下に置かれて樹脂部３Ａが膨張し、その外力が導体パターン２に加わっても、導体パターン２のセラミック基板１の一面１ａからの剥離、詳細には、本体部５ａからの剥離が十分に抑制されることとなる。
【００２２】
特に、本実施形態のように、スパイラル状の導体パターン２がその内周面および外周面にそれぞれ角部Ｃを有する薄膜電子部品においては、樹脂部３Ａからその角部Ｃに、より大きな応力が加わり易く、導体パターン２は特にその角部Ｃで剥離しやすい。このため、上記のように導体パターン２の根元部分が金属部５ｂで覆われて導体パターン２の根元部分の酸化による脆弱化抑制策を設けることは、導体パターン２のセラミック基板１からの剥離、ひいては薄膜インダクタ１００の寿命を延ばす上で極めて有効である。
【００２３】
薄膜インダクタ１００において、金属部５ｂ、即ち下地金属層５は、金属材料で構成されていれば特に制限されるものではないが、導体パターン２よりも耐酸化性の大きい金属材料で構成されることが好ましい。このような耐酸化性材料としては、例えばＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Wなどが挙げられる。このように金属部５ｂが耐酸化性金属材料で構成されると、金属部５ｂが完全に酸化されるまでにかなりの長期間を要することとなり、導体パターン２の酸化が開始される時期を極端に遅らせることができる。その結果、薄膜インダクタ１００の寿命を十分に延ばすことができる。但し、この場合、導体パターン２を構成する金属材料としては、金属部５ｂよりも耐酸化性の小さい金属材料が用いられる。樹脂部３Ａとの密着性をも考慮すると、金属部５ｂはＣｒであることが好ましい。
【００２４】
なお、金属部５ｂは、導体パターン２よりも酸化されやすい金属材料で構成されてもよい。金属部５ｂが、導体パターン２より酸化されやすいため、金属部５ｂが酸素との反応をする犠牲層として働き、導体パターン２の酸化が開始される時期をより十分に遅らせることができる。例えば、導体パターン２としてＣｕが用いられる場合には、金属部５ｂ、即ち下地金属層５としては、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｎ等を用いればよい。
【００２５】
使用する導体パターン２と金属部５ｂの組合せは、上述したものに限定されるものではない。導体パターン２と金属部５ｂの組合せは、具体的にはエリンガム図により酸化され易さを考慮し選択すればよい。
【００２６】
また導体パターン２の側面のうち金属部５ｂによって覆われていない部分は表面積が大きくなるよう粗面化され、凹凸を有しても良い。これにより、樹脂部３Ａと導体パターン２との間の界面における水の進行距離を延ばすことができ、導体パターン２の側面のうち金属部５ｂによって覆われている部分の酸化をより十分に抑制できる。ただし、実用上電気的特性を考慮すると、導体パターン２の側面のうち金属部５ｂによって覆われていない部分は凸部のみを有すれば良い。このような形態をとることにより十分な電気的特性を維持しつつ、導体パターン２の側面のうち金属部５ｂによって覆われている部分の酸化抑制効果も同時に得られる。
【００２７】
（薄膜電子部品の製造方法）
次に、上述した薄膜インダクタ１００の製造方法について説明する。
【００２８】
まず図３に示すように、セラミック基板１を準備する。セラミック基板１としては、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、フェライト焼結基板、Ｓｉ基板、ガラス基板などを用いることができる。これらのうち、薄膜インダクタ１００の磁気特性を向上させる観点からは、フェライト焼結基板が好ましい。また、高周波用途での薄膜インダクタとしては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト焼結基板が更に好ましい。
【００２９】
次に、セラミック基板１の表面１ａ上に、例えばポリイミド樹脂を塗布して樹脂層１３を形成する（図３）。
【００３０】
（樹脂パターン形成工程）
続いて、樹脂層１３を露光によりスパイラル形状にパターニングし、非露光部分を例えば現像液を用いて除去する。これにより、樹脂層１３のうち露光された部分が残って樹脂パターン３を形成する（図４）。また、樹脂パターン３の断面形状は、例えば略矩形状となるようにする。
【００３１】
（シード層形成工程）
次に、樹脂パターン３の表面上に、例えばスパッタリング法により、例えばＣｕからなるシード層１５を形成する（図５）。このとき、シード層１５は、断面矩形状の樹脂パターン３の上面及びセラミック基板１の表面のみならず、樹脂パターン３の上面とセラミック基板１の表面とを結ぶ部分、即ち樹脂パターン３の側面にも形成されるようにする。言い換えると、１枚のシード層１５が連続的に形成されるようにする。
【００３２】
（樹脂層形成工程）
次に、シード層１５の上に樹脂層１６を形成する（図６）。樹脂層１６としては、感光性樹脂（フォトレジスト）からなるドライフィルム（DF:Dry Film）が好ましく用いられる。これは、感光性樹脂を繰り返し塗布することなく容易に厚さの大きい感光性樹脂層を形成できるためである。なお、樹脂層１６としては、感光性を有するものであればよく、ドライフィルムに限定されない。例えば、厚さを大きくする必要がなければ、感光性樹脂を塗布し乾燥することによっても樹脂層１６を形成することができる。
【００３３】
なお、導体パターン２の側面のうち金属部５ｂによって覆われていない部分に凹凸を付ける場合、樹脂層１６の幅を樹脂パターン３の幅よりも小さく又は大きく作ればよい。
【００３４】
（露光現像工程）
次に、マスク１７を通して樹脂層１６を露光する（図７）。このとき、露光は、樹脂パターン３をトレースするように行う。具体的には、露光は、樹脂パターン３の形状に沿ってスパイラル状に行えばよい。そして、露光後の樹脂層１６を、現像液を用いて現像する。現像液としては、露光されていない部分を溶解可能なネガ型フォトレジストが用いられる。このため、現像により、樹脂層１６のうち、露光されていない部分が除去され、露光された部分が残る。こうしてシード層１５の一部が露出されるとともに、樹脂層１６の残部であるレジストフレーム１８が形成される（図８）。
【００３５】
（導体パターン形成工程）
次に、電解めっき法により、露出したシード層１５上に金属層を成長させ、導体パターン２を形成する（図９）。
【００３６】
（樹脂層除去工程）
次に、レジストフレーム１８を、例えば剥離液を用いて除去してシード層１５の一部を露出させる（図１０）。
【００３７】
（シード層除去工程）
続いて、露出したシード層１５の一部を除去して、スパイラル状の下地金属層５を得る（図１１）。シード層１５の除去は、エッチングやスパッタリング法などにより行うことができる。エッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよいが、ウェットエッチング、特にスプレー式のウェットエッチングが好ましい。ここで、セラミック基板１の表面１ａと導体パターン２との間の部分が本体部５ａとなり、樹脂パターン３と導体パターン２の側面２ａとの間の部分が金属部５ｂとなる。
【００３８】
最後に、スパイラル状の導体パターン２の隙間に沿って、樹脂パターン３の上に樹脂膜４を形成する。こうして薄膜インダクタ１００の製造が完了する。
【００３９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、金属部５ｂは、複数の角部Ｃ間の非角部と、角部Ｃとで略同一の厚さで形成されているが、金属部５ｂは図１２に示すように、非角部よりも角部Ｃにおいて厚く形成されていることが好ましい。この場合、非角部よりも角部Ｃにおいて導体パターン２の酸化が十分に抑制される。その結果、角部Ｃでの導体パターン２の剥離がより十分に抑制される。なお、このような構成を実現するためには、例えば以下のようにしてシード層１５を形成すること以外は上記と同様にして薄膜インダクタを形成すればよい。即ち、まず導体パターン２の角部Ｃの形成予定領域に、スパッタマスクを用いて選択的にシード層１５を構成すべき材料をスパッタリング法によって堆積させ、続いて、そのスパッタマスクを外して再度スパッタリング法によりシード層１５の構成材料を堆積させることによってシード層１５を形成すればよい。これにより、角部Ｃに設けられる金属層５ｂを非角部に設けられる金属層５ｂよりも厚く形成することができる。
【００４０】
また上記実施形態では、金属部５ｂは樹脂部３Ａと導体パターン２との界面の一部に入り込んでいるが、界面の全部に入り込んでいてもよい。具体的には、樹脂膜４を省略して樹脂パターン３を樹脂部３Ａとし、導体パターン２の一面１ａからの高さを金属部５ｂの一面１ａからの高さと一致させればよい。これにより、金属部５ｂは、導体パターン２と樹脂部３Ａとの界面の全部に入り込むこととなる。
【００４１】
また上記実施形態では、金属部５ｂが導体パターン２を包囲するように連続して設けられているが、金属部５ｂは、導体パターン２の周囲に断続的に設けられるだけでもよい。この場合、金属部５ｂは、例えば図１３に示すように、導体パターン２の内周および外周における角部Ｃにのみ設けられると、効果的に導体パターン２の基板１からの剥離を抑制できる。
【００４２】
また、上記実施形態では、薄膜電子部品として薄膜インダクタを例にして説明したが、本発明が対象とする薄膜電子部品は、薄膜インダクタに限られるものではなく、セラミック基板上に導体パターン及び樹脂部を設け、これらが接触する薄膜電子部品であれば、いかなるものにも適用可能である。このような薄膜電子部品としては、例えば、ＬＣ回路、配線基板、静電ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、ＭＥＭＳを用いた光スイッチ、圧力センサなどが挙げられる。
【実施例】
【００４３】
次に、実施例及び比較例を挙げて本発明の内容をより具体的に説明する。
【００４４】
（実施例１）
以下のようにして薄膜インダクタを作製した。
【００４５】
まずフェライト焼結基板を準備した。次に、上記フェライト焼結基板の表面上に、ポリイミド樹脂を塗布して厚さ５μｍの樹脂層を形成した。このとき、塗布したポリイミド樹脂としては東レ製のポリイミド樹脂を使用した。
【００４６】
続いて、上記樹脂層を垂直露光によりピッチ２０μｍでスパイラル形状にパターニングした。露光に際しては、露光強度及び露光時間はそれぞれ１４００ｍＪ／ｃｍ２、１００秒とした。そして、非露光部分をＴＭＡＨ(水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)からなるＳＳＦＤ−２３８を用いて除去した。こうして、樹脂層のうち露光された部分が残り、幅２０μｍのスパイラル状の樹脂パターンが得られた。また樹脂パターンの断面形状は矩形状とした。
【００４７】
次に、樹脂パターンの表面上に、スパッタリング法により、Ｃｒ／Ｃｕからなる厚さ０．０１／０．１μｍのシード層を形成した。このとき、シード層は、断面矩形状の樹脂パターンの上面及びセラミック基板の表面のみならず、樹脂パターンの上面とセラミック基板の表面とを結ぶ部分、即ち樹脂パターンの側面にも形成されるようにした。
【００４８】
次に、シード層の上にフォトレジストからなる厚さ５６μｍのドライフィルム（日立化成HM-4056）を設けた。
【００４９】
次に、マスクを通してドライフィルムレジストを露光した。このときの露光条件は、上記と同様とした。このとき、露光は、樹脂パターン３の直上に開口を有するマスクを介して行い、樹脂パターンの形状に沿ってスパイラル状に行った。また露光領域の幅は樹脂パターンの幅と同一とした。
【００５０】
そして、露光後のドライフィルムを、現像液を用いて現像した。現像液としては、炭酸ナトリウム水溶液を用いた。こうして、ドライフィルムのうち、非露光部分が除去され、露光部分が残った。こうしてシード層の一部が露出されるとともに、ドライフィルムの残部であるレジストフレームが形成された。
【００５１】
次に、電解めっき法により、露出したシード層上にＣｕからなる層を成長させ、幅４０μｍ、高さ５０μｍの導体パターンを形成した。
【００５２】
次に、レジストフレームを、剥離液を用いて除去してシード層の一部を露出させた。
【００５３】
続いて、露出したシード層の一部をスプレーウェットエッチングにより除去し、スパイラル状の下地金属層を得た。
【００５４】
最後に、スパイラル状の導体パターンの隙間に沿って、樹脂パターンの上にポリイミド樹脂を埋め込んだ。こうして薄膜インダクタを得た。こうして得られた薄膜インダクタにを８５℃、８５％ＲＨの高温高湿環境下に１６８時間置き、その後、その薄膜インダクタについてＳＥＭによる断面観察を行ったところ、導体パターンの剥離は見られなかった。特に、実施例１の薄膜インダクタは、５０μｍ以上のハイアスペクト比の導体パターンを有する場合でも導体パターンの剥離抑制に有効であることがわかった。
【００５５】
以上より、本発明に係る薄膜電子部品によれば、基板からの導体パターンの剥離を十分に抑制できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係る薄膜電子部品の第１実施形態を示す部分平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図４】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図５】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図６】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図７】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図８】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図９】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図１０】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図１１】図１の薄膜電子部品の一製造工程を示す端面図である。
【図１２】本発明に係る薄膜電子部品の他の実施形態を示す部分断面図である。
【図１３】本発明に係る薄膜電子部品のさらに他の実施形態を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…セラミック基板、２…導体パターン、３Ａ…樹脂部、３…樹脂パターン、４…樹脂膜、５…下地金属層、５ａ…本体部、５ｂ…金属部、１５…シード層、１６…樹脂層、１００…薄膜インダクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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