(57)【要約】      （修正有）【課題】反り発生の抑制はもちろん、耐湿信頼性および難燃性に優れるとともに、環境汚染等の問題も生じない、例えば、ボールグリッドアレイ用またはトランスファーアンダーフィル用の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）下記の一般式（１）で表されるフェノール樹脂。2009019115.tif 000018（Ｃ）無機質充填剤。（Ｄ）ホスホニトリル酸フェニルエステル化合物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有し、さらに難燃剤として下記の（Ｄ）成分を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）下記の一般式（１）で表されるフェノール樹脂。
【化１】
2009019115.tif 000016
（Ｃ）無機質充填剤。
（Ｄ）下記の一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物。
【化２】
2009019115.tif 000017
【請求項２】
上記（Ｄ）成分である一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％の範囲内である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
ボールグリッドアレイ用封止材料またはトランスファーアンダーフィル用封止材料である請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置。
【請求項５】
上記半導体素子を封止してなる半導体装置が、ボールグリッドアレイ構造の半導体装置またはトランスファーアンダーフィルによる半導体装置である請求項４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高ガラス転移温度化による反り量の低減化とともに、成形後のパッケージの難燃性の向上を図ることのできる半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置は薄型化され、それに伴い封止時に用いられる樹脂材料の流動部分の厚みが薄くなってきている。例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と呼ばれる金属ワイヤーにより半導体素子と基板とを接続する手法を用いた片面封止構造の半導体装置の場合、封止樹脂（硬化体）部分の収縮量が基板のそれより大きいために成形後の封止樹脂層間で応力が発生し、結果、パッケージに反りが発生するという問題が生じる。この反りの発生を解消するために、成形後の封止樹脂部のガラス転移温度を高くし、熱収縮を小さくすることが一つの有効な方法としてあげられ従来からいくつかの手法が提案されている（特許文献１参照）。しかし、ガラス転移温度を高くした樹脂材料ではその架橋点密度の高さゆえに、難燃性に関して問題がある。
【０００３】
一方、半導体素子を基板に接続する際に金属ワイヤーを用いず、金属バンプを用いた、いわゆるフリップチップ接続による手法を用いた半導体装置の場合、この接合の強度維持のためにアンダーフィル剤をその隙間（半導体素子と基板の間）に注入することが行われている。そして、このアンダーフィル剤の注入が、半導体装置の樹脂封止と同時に行われている（以下、このような封止方法を「トランスファーアンダーフィル」と称す）。このトランスファーアンダーフィルでも、上記と同様な、反りの発生が問題となっている。
【特許文献１】特開平１０−１１２５１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような各種パッケージに代表される半導体装置等の電子部品は、難燃性の規格であるＵＬ  ９４Ｖ−０に適合することが必要不可欠であり、従来から、半導体封止用樹脂組成物に難燃作用を付与する方法として、臭素化エポキシ樹脂や酸化アンチモン等のアンチモン化合物を添加する方法が一般的に行われている。
【０００５】
しかしながら、上記難燃化付与技術に関して２つの大きな問題があった。
【０００６】
第１の問題点として、上記アンチモン化合物自身の有害性、燃焼時における臭化水素，ブロム系ガス，臭素化アンチモン等の発生による人体への有害性や環境汚染が問題となったり、機器への腐食性が問題としてあげられる。
【０００７】
第２の問題点としては、上記難燃化付与技術を採用した半導体装置を高温で長時間放置すると、遊離した臭素の影響で半導体素子上のアルミニウム配線が腐食し、半導体装置の故障の原因となり高温信頼性の低下が問題となっている。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、反り発生の抑制はもちろん、耐湿信頼性および難燃性に優れるとともに、環境汚染等の問題も生じない、例えば、ボールグリッドアレイ用またはトランスファーアンダーフィル用の半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有し、さらに難燃剤として下記の（Ｄ）成分を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）下記の一般式（１）で表されるフェノール樹脂。
【化１】
2009019115.tif 000002
（Ｃ）無機質充填剤。
（Ｄ）下記の一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物。
【化２】
2009019115.tif 000003
【００１０】
また、本発明は、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止してなる半導体装置を第２の要旨とする。
【００１１】
すなわち、本発明者らは、パッケージの反り発生の抑制に有利な高いガラス転移温度を示す硬化剤を使用した際の難燃性を維持するための手法について鋭意検討を重ねた。その結果、高いガラス転移温度付与のために上記一般式（１）で表されるフェノール樹脂を用いるとともに、ホスファゼン化合物の一種である、上記一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物を配合すると、高いガラス転移温度を維持したまま、パッケージ成形後に得られるエポキシ樹脂組成物硬化体の難燃性を向上させることが可能となり、難燃性の規格であるＵＬ  ９４Ｖ−０に適合する封止材料が得られることを見出し本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１２】
このように、本発明は、硬化剤として上記一般式（１）で表されるフェノール樹脂〔（Ｂ）成分）を用いるとともに、併せて難燃剤として上記一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。このため、上記エポキシ樹脂組成物を用いての成形直後から室温程度への冷却に至る過程において封止樹脂層の収縮量が低減され、結果、反り量の低減が実現するとともに、良好な難燃性が得られる。
【００１３】
したがって、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）と呼ばれる片面封止構造の半導体装置の封止や、トランスファーアンダーフィルと呼ばれる封止方法の際に特に好適に用いられる。そして、上記半導体封止用樹脂組成物により樹脂封止された半導体装置としては、信頼性の高いものが得られる。
【００１４】
また、上記ホスホニトリル酸フェニルエステル化合物を特定量用いると、難燃化付与と反り量の低減がより一層優れるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）と、無機質充填剤（Ｃ成分）と、特定のホスファゼン化合物（Ｄ成分）とを用いて得られるものであり、通常、粉末状もしくは打錠して用いられる。なお、本発明において、室温とは５〜３５℃の範囲をいう。
【００１６】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではないが、例えば、ジシクロペンタジエン型，クレゾールノボラック型，フェノールノボラック型，ビスフェノール型，ビフェニル型，トリスヒドロキシフェニルメタン型等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。そして、これらエポキシ樹脂の中でも、特に融点または軟化点が室温を超えていることが好ましい。例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、軟化点６０〜１１０℃のものが好適に用いられる。また、上記ビフェニル型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量１８０〜２１０、融点８０〜１２０℃のものが好適に用いられる。
【００１７】
また、上記特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）の硬化剤として作用するものであり、エポキシ樹脂組成物のガラス転移温度を高くするという観点から下記の一般式（１）で表されるトリフェノールメタン型のフェノール樹脂が用いられる。
【００１８】
【化３】
2009019115.tif 000004
【００１９】
このように、上記トリフェノールメタン型のフェノール樹脂を用いることにより、その硬化物中の三次元架橋構造において架橋点密度が高くなるため、ガラス転移温度の高いエポキシ樹脂組成物を得ることが可能となる。
【００２０】
そして、本発明においては、上記特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）とともに従来公知の各種フェノール樹脂を併用してもよい。上記従来公知のフェノール樹脂としては、特に限定するものではなく、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂，フェノールノボラック樹脂，クレゾールノボラック樹脂，フェノールアラルキル樹脂等があげられる。これらフェノール樹脂は単独でもしくは２種以上併せて用いることができる。この従来公知のフェノール樹脂を併用する場合は、上記特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）の使用による効果を阻害しない範囲で用いる必要があり、例えば、フェノール樹脂成分全体の５０重量％以下に設定することが好ましい。
【００２１】
そして、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と特定のフェノール樹脂（Ｂ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂を硬化させるに充分な量に設定することが好ましい。一般的には、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００２２】
上記ＡおよびＢ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｃ成分）としては、特に限定するものではなく従来公知の各種充填剤があげられ、例えば、石英ガラス粉末，タルク，シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等），アルミナ粉末，窒化アルミニウム粉末，窒化ケイ素粉末等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという点から上記シリカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末のなかでも溶融シリカ粉末を用いることが高充填性，高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末，破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。特に平均粒径が１〜１５μｍの範囲、さらには２〜１４μｍの範囲のものを用いることが好ましい。さらに、上記平均粒径のものに加えて、平均粒径が０．５〜２μｍの範囲のものを単独でもしくは２種以上併用すると、流動性の向上という観点から特に好ましい。また、上記平均粒径に加えて最大粒径が１０〜４５μｍの範囲のものを用いることが好ましい。なお、上記平均粒径および最大粒径は、例えば、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。また、上記平均粒径および最大粒径に加えて、比表面積が３．１〜６．１ｍ2 ／ｇのものを用いることが好ましい。上記比表面積は、例えば、レーザー散乱式粒度分布計（Accu SizerTM 780 Optical Particle Sizer ，PSS-NICOMP）により測定される。
【００２３】
上記無機質充填剤（Ｃ成分）の配合量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の５０〜９５重量％の範囲内に設定することが好ましく、特に好ましくは７０〜９０重量％である。すなわち、下限値未満のように少な過ぎると、エポキシ樹脂組成物中の有機成分の占める割合が多くなり、硬化物の難燃効果に乏しくなり、上限値を超えて多くなると、エポキシ樹脂組成物の流動性が著しく低下する傾向がみられるからである。
【００２４】
上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる特定のホスファゼン化合物（Ｄ成分）は、下記の一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物であり、前記一般式（１）で表されるトリフェノールメタン型のフェノール樹脂（Ｂ成分）を使用したエポキシ樹脂組成物の難燃性を向上させるために重要な成分である。このように下記の一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）は、本発明において難燃剤としての作用を奏するものである。
【００２５】
【化４】
2009019115.tif 000005
【００２６】
上記ホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）の配合方法としては、直接他の配合成分とともに添加する方法、または前記トリフェノールメタン型のフェノール樹脂（Ｂ成分）に予め溶融混合するマスターバッチ法による添加があげられる。このマスターバッチ法における溶融温度としては、１５０〜１７５℃の範囲に設定することが好ましい。すなわち、１５０℃未満では、トリフェノールメタン型フェノール樹脂（Ｂ成分）の溶融粘度が充分低くならないためにホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）が充分に分散することが困難となり、１７５℃を超えると、トリフェノールメタン型フェノール樹脂（Ｂ成分）の酸化反応が起こり、安定したエポキシ樹脂組成物の作製が困難となる傾向がみられるからである。
【００２７】
上記ホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の０．０５〜５重量％の範囲内に設定することが好ましく、より好ましくは０．０５〜２．０重量％である。すなわち、Ｄ成分の含有量が下限値未満では、得られるエポキシ樹脂組成物にその機能となる難燃化を充分に付与することが困難となり、また上限値を超えると、Ｄ成分による可塑剤としての作用効果が大きくなり、得られるエポキシ樹脂組成物のガラス転移温度が低下し、結果、成形後のパッケージの反りを抑制することが困難となる傾向がみられるからである。
【００２８】
なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に、必要に応じて、硬化促進剤、離型剤、低応力化剤、カーボンブラックをはじめとする顔料等の他の添加剤を適宜配合することができる。
【００２９】
上記硬化促進剤としては、硬化促進剤として作用する各種化合物、例えば、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノネン−５等のジアザビシクロアルケン系化合物、トリエチレンジアミン等の三級アミン類、２−メチルイミダゾール、フェニルイミダゾール等のイミダゾール系化合物、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレートやトリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３０】
上記硬化促進剤の配合割合は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体中の０．０５〜０．５重量％の範囲に設定することが好ましい。
【００３１】
上記離型剤としては、高級脂肪酸，高級脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワックスが用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３２】
また、上記低応力化剤としては、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体，メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエン系ゴムやシリコーン化合物があげられる。
【００３３】
さらに、耐湿信頼性テストにおける信頼性向上を目的としてハイドロタルサイト類化合物，水酸化ビスマス等のイオントラップ剤を配合してもよい。
【００３４】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、前記Ａ〜Ｄ成分および必要に応じて他の添加剤を常法に準じて適宜配合し、ミキシングロール機等の混練機を用いて加熱状態で溶融混練した後、これを室温下で冷却固化させる。その後、公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造することができる。
【００３５】
より詳しく述べると、前述のように、前記ホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）を他の配合成分とともに直接添加し配合する方法があげられる。あるいは、ホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）を前記トリフェノールメタン型のフェノール樹脂（Ｂ成分）に予め溶融混合する。ついで、これに残りの他の配合成分を配合して溶融混練する方法があげられる。
【００３６】
このようにして得られた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通常のトランスファー成形（トランスファーアンダーフィルを含む）等の公知のモールド方法により行うことができる。このようにして得られる半導体装置としては、ＢＧＡのような片面封止型半導体装置やフリップチップ型半導体装置等があげられる。
【００３７】
このようにして得られる半導体装置は、封止材料として前記一般式（１）で表されるフェノール樹脂（Ｂ成分）を含有するため、ガラス転移温度が高く、樹脂硬化から室温への冷却過程において収縮量が小さく、パッケージの反りの発生が抑制され、信頼性の高いものが得られる。さらに、難燃剤として前記一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物（Ｄ成分）を含有するため、優れた難燃性を併せ持つこととなる。
【００３８】
このように、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、ガラス転移温度が高いためにその硬化後の収縮量が小さく、成形後のパッケージの反り量が小さいことが特徴であるが、上記ガラス転移温度は、例えば、つぎのようにして測定することができる。
【００３９】
〔ガラス転移温度の測定〕
得られたエポキシ樹脂組成物を用い、１７５℃に加熱した専用金型にて成形することにより大きさ１．０ｍｍ×５．０ｍｍ×３４．０ｍｍの硬化物試験片を得る。この硬化物試験片を１７５℃で５時間以上加熱して、完全に硬化を終了させる。ついで、この硬化を完全に終了させた試験片を用い、ＳＯＬＩＤＳ  ＡＮＡＬＹＺＥＲ  ＲＳＡ−II（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ）によって、弾性率の温度変化を測定する。この場合、３０〜２６０℃の温度範囲での昇温測定を行う。なお、昇温速度、測定周波数は、それぞれ、例えば、５℃／ｍｉｎ、１Ｈｚとする。その際、弾性率はガラス転移温度を境に大きく低下するため、その際の同時に測定することのできるＴａｎδのピーク値をガラス転移温度として測定することができる。
【００４０】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００４１】
まず、下記に示す各成分を準備した。
【００４２】
〔エポキシ樹脂ａ〕
下記の構造式（ａ）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９５、融点１０６℃）
【化５】
2009019115.tif 000006
【００４３】
〔エポキシ樹脂ｂ〕
下記の構造式（ｂ）で表されるクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９７、融点６３．８℃）
【化６】
2009019115.tif 000007
【００４４】
〔硬化剤ａ〕
下記の構造式（ｃ）で表されるトリフェノールメタン型フェノール樹脂（水酸基当量９８、軟化点１１２℃）
【化７】
2009019115.tif 000008
【００４５】
〔硬化剤ｂ〕
下記の構造式（ｄ）で表されるフェノール樹脂（水酸基当量２０５、軟化点６７℃）
【化８】
2009019115.tif 000009
【００４６】
〔硬化剤ｃ〕
下記の構造式（ｅ）で表されるフェノール樹脂（水酸基当量１０４、軟化点７０℃）
【化９】
2009019115.tif 000010
【００４７】
〔難燃剤ａ〕
下記の構造式（ｆ）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物
【化１０】
2009019115.tif 000011
【００４８】
〔難燃剤ｂ〕
下記の構造式（ｇ）で表されるビフェニルリン酸エステル化合物
【化１１】
2009019115.tif 000012
【００４９】
〔難燃剤ｃ〕
ポリリン酸アンモニウム
【００５０】
〔難燃剤ｄ〕
下記の構造式（ｈ）で表されるトリフェニルホスフェート
【化１２】
2009019115.tif 000013
【００５１】
〔硬化促進剤〕
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート
【００５２】
〔離型剤〕
酸化ポリエチレンワックス（酸価１６）
【００５３】
〔シランカップリング剤〕
３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
【００５４】
〔シリカ粉末１〕
平均粒径１３．２μｍの球状溶融シリカ粉末（最大粒径４５μｍ、比表面積３．１ｍ2 ／ｇ）
【００５５】
〔シリカ粉末２〕
平均粒径０．６μｍの球状溶融シリカ粉末（最大粒径２０μｍ、比表面積３．８ｍ2 ／ｇ）
【００５６】
〔シリカ粉末３〕
平均粒径１．６μｍの球状溶融シリカ粉末（最大粒径１０μｍ、比表面積６．１ｍ2 ／ｇ）
【００５７】
〔カーボンブラック〕
三菱化学社製、＃３０３０Ｂ
【００５８】
〔実施例１〜８、比較例１〜６〕
後記の表１〜表２に示す各成分を、同表に示す割合で配合し、８０℃〜１７０℃に加熱したロール混練機（５分間）にて溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後粉砕し、さらにタブレット状に打錠することによりエポキシ樹脂組成物を作製した。
【００５９】
このようにして得られた各エポキシ樹脂組成物を用い、下記の方法にしたがって反り量を測定・評価した。また、各エポキシ樹脂組成物を用い、前述の方法にしたがってガラス転移温度を測定した。
【００６０】
〔反り量の測定〕
図１に示すように、縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×厚み０．３２５ｍｍの大きさの複数のシリコンチップ１を、短冊状のガラスエポキシ基板２上における、各領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ（破線で囲まれた部分）内において、等間隔となるよう配置し、銀（Ａｇ）ペーストを用いて実装した。ついで、これらの実装面＋各領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを、各エポキシ樹脂組成物を用い、プレス機（ＴＯＷＡ社製）にて樹脂封止した。封止樹脂層の寸法は、５１ｍｍ×５１ｍｍ×厚み０．７ｍｍである。なお、プレス機の金型温度は１７５℃とし、封止条件は、トランスファースピード１．５ｍｍ／秒、クランプ圧１９６０Ｎ、トランスファー圧４９Ｎ、キュア時間９０秒とした。そして、樹脂封止後のパッケージを１７５℃で５時間加熱し、加熱後のパッケージを、図１での、各一点鎖線ａ，ｂ，ｃの位置でダイシング装置によりダイシングし、各領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄからなるそれぞれのパッケージを、温度可変レーザー３次元装置（ティーテック社製）にて観察することにより、パッケージの反り量〔封止樹脂層がアーチ状に反ったときのアーチと、元の状態（初期）の封止樹脂層との最大距離の間隔〕を測定した。
【００６１】
さらに、各エポキシ樹脂組成物の難燃性をつぎのようにして測定・評価した。すなわち、１７５℃×２分間、後硬化１７５℃×５時間の条件１／８インチの試験片を作製し、ＵＬ  ９４Ｖ−０規格の方法にしたがって難燃性を評価した。なお、難燃性評価において、合格とはＵＬ  ９４Ｖ−０合格を意味する。また、×とは、ＵＬ  ９４Ｖ−０基準を達成しなかったことを意味する。
【００６２】
これらの結果を下記の表１〜表２に併せて示した。
【００６３】
【表１】
2009019115.tif 000014
【００６４】
【表２】
2009019115.tif 000015
【００６５】
上記結果から、前記一般式（１）で表されるフェノール樹脂および前記一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物を配合した実施例品は、難燃性に優れ、かつ高ガラス転移温度であるために、パッケージの反り量も小さく、難燃性および反り発生の抑制の双方において優れた効果を奏するものである。
【００６６】
これに対して、前記一般式（２）で表されるホスホニトリル酸フェニルエステル化合物を用いなかった比較例１〜３，６品は、ガラス転移温度が高く反り量は小さかったが難燃性に劣る結果となった。また、前記一般式（１）で表されるフェノール樹脂を用いなかった比較例４，５品は、ガラス転移温度が低く、反り量が大きいものであった。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施例および比較例のエポキシ樹脂組成物を用いて封止してなるパッケージの反り量の測定に用いるパッケージの構成を示す平面図である。
【図１】
2009019115.tif 000019