(57)【要約】      （修正有）【課題】バイポーラ・トランジスタのコレクタウエルを形成する方法を提供する。【解決手段】本方法は、第１の種類のドーパントでシリコン層をドープすること、および第１の注入工程を実施して第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。注入されたドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル305を有する。本方法はまた、第２の注入工程を実施して第２の種類の追加のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。注入された追加のドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィル310とは異なる第２のドーパント・プロフィル320を有する。本方法は、シリコン層および第１の種類のドーパントの一部分を消費することによって、シリコン層上に形成された絶縁層を成長させることをさらに含む。【選択図】図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラ・トランジスタのｐウェルを形成する方法であって、
第１の注入工程を実施して、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィルを有する第１の種類のドーパントを、前記第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントでドープされた前記シリコン層内に注入すること、
第２の注入工程を実施して、前記シリコン層内で前記第１のドーパント・プロフィルとは異なる第２のドーパント・プロフィルを有する前記第１の種類の追加のドーパントを前記シリコン層内に注入すること、および
前記シリコン層および前記第１の種類のドーパントの一部分を消費することによって、前記シリコン層上に絶縁層を成長させることを含む方法。
【請求項２】
前記シリコン層を、シリコン基板またはシリコン・オン・インシュレータ基板の少なくとも一方の上に堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シリコン層を堆積させることが、ドープされたシリコン層を堆積させることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン層を堆積させることが、ドープされていないシリコン層を堆積させ、次いで前記第１の種類の前記ドーパントで前記シリコン層をドープすることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の注入工程を実施することが、前記シリコン層内の第１の深さで第１のピークを有する第１のドーパント・プロフィルを有するドーパントを注入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の注入工程を実施することが、前記シリコン層内の第２の深さで第２のピークを有する第２のドーパント・プロフィルを有するドーパントを注入することを含み、前記第２の注入工程が、前記第２の深さが前記第１の深さよりも浅くなるように、前記第１の注入工程よりも低いエネルギーを使用する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のドーパント・プロフィルを有するドーパントを注入することが、前記シリコン層内の前記第１の種類のドーパント濃度よりも大きい、前記第１のピークでのドーパント濃度を有するドーパントを注入することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のドーパント・プロフィルを有するドーパントを注入することが、前記第１のピークでの前記ドーパント濃度よりも大きい、前記第２のピークでのドーパント濃度を有するドーパントを注入することを含み、前記各ドーパントの一部分が、前記絶縁層内に堆積される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記絶縁層が酸化物層を備え、前記酸化物層を成長させることが、熱酸化を用いて、前記第１および第２のドーパント・プロフィル内の前記ドーパントの一部分を前記酸化物層内に移動させることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および第２のドーパント・プロフィルを有するドーパントを注入することが、前記第２の種類の前記ドーパント濃度が、加熱後も、前記酸化物層と前記シリコン層との間の界面から前記シリコン層内の選択深さまで延びる領域内で、前記第１の種類の前記ドーパント濃度よりも大きいままとなるように、ドーパントを注入することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板と、
前記基板上に形成されたシリコン層であって、第１の種類のドーパントでドープされ、さらに、
第１の注入工程を実施して、前記シリコン層内で第１のドーパント・プロフィルを有する、前記第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントを前記シリコン層内に注入すること、および
第２の注入工程を実施して、前記シリコン層内で前記第１のドーパント・プロフィルとは異なる第２のドーパント・プロフィルを有する、前記第２の種類の追加のドーパントを前記シリコン層内に注入することによってドープされたシリコン層と、
前記シリコン層をドープした後に成長させることによって形成された絶縁層であって、前記シリコン層の一部分および前記第２の種類の前記ドーパントの一部分を消費することによって成長させた絶縁層とを備える、バイポーラ・トランジスタ。
【請求項１２】
前記基板が、シリコン基板またはシリコン・オン・インシュレータ基板の少なくとも一方を含む、請求項１１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１３】
前記シリコン層が、ドープされたシリコン層を堆積させることによって形成される、請求項１２に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１４】
前記シリコン層が、ドープされていないシリコン層を堆積させ、次いで前記第１の種類の前記ドーパントで前記シリコン層をドープすることによって形成される、請求項１２に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１５】
前記絶縁層を成長させる前に、前記シリコン層内の第１の深さで第１のピークを有する第１のドーパント・プロフィルを有するように、前記第１の注入工程によって前記シリコン層内に注入されたドーパントを含む、請求項１１に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１６】
前記絶縁層を成長させる前に、前記シリコン層内の第２の深さで第２のピークを有する第２のドーパント・プロフィルを有するように、前記第２の注入工程によって前記シリコン層内に注入されたドーパントを含み、前記第２の注入工程が、前記第２の深さが前記第１の深さよりも浅くなるように、前記第１の注入工程よりも低いエネルギーを使用し、前記ドーパントの一部分が、前記絶縁層内に堆積される、請求項１５に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１７】
前記第１のピークでのドーパント濃度が、前記シリコン層内の前記第１の種類のドーパント濃度よりも大きい、請求項１６に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１８】
前記第２のピークでのドーパント濃度が、前記第１のピークでの前記ドーパント濃度よりも大きい、請求項１７に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項１９】
前記絶縁層が酸化物層を含み、前記絶縁層を成長させることが、熱酸化を用いて、前記第１および第２のドーパント・プロフィル内の前記ドーパントの一部分を前記酸化物層内に移動させて、前記酸化物層を成長させることを含む、請求項１８に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【請求項２０】
前記第２の種類の前記ドーパント濃度が、前記絶縁層を成長させた後も、前記絶縁層と前記シリコン層との間の界面から前記シリコン層内の選択深さまで延びる領域内で、前記第１の種類の前記ドーパント濃度よりも大きいままとなる、請求項１９に記載のバイポーラ・トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、一般にバイポーラ・トランジスタに関し、より詳細には、バイポーラ・トランジスタのコレクタ領域をカウンタ・ドープすることに関する。
【背景技術】
【０００２】
バイポーラ・トランジスタは、ｎ型またはｐ型材料のいずれかで交互にドープされたエミッタ領域、ベース領域、およびコレクタ領域を含む。例えば、ｎ−ｐ−ｎバイポーラ・トランジスタは、ｎ型材料でドープされたエミッタ領域と、ｐ型材料でドープされたベース領域と、ｎ型材料でドープされたコレクタ領域とを含む。別の例では、ｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタは、ｐ型材料でドープされたエミッタ領域と、ｎ型材料でドープされたベース領域と、ｐ型材料でドープされたコレクタ領域とを含む。したがって、バイポーラ・トランジスタの構造および動作パラメータは、少なくとも一部には、エミッタ、ベース、および／またはコレクタ領域をドープするのに使用される特定の工程から得られるドーパント・プロフィルによって決まる。
【０００３】
図１Ａ、１Ｂ、および１Ｃは、ｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタのコレクタを形成する従来技術を概念的に示す。最初に、図１Ａに示すように、ＳＯＩ基板１００が、出発材料として使用される。図１Ａに示すように、ＳＯＩ基板１００は、バルク基板１００ａ、埋込み絶縁層１００ｂ、および活性層１００ｃからなる。典型的には、バルク・シリコン１００ａはシリコンからなり、埋込み絶縁層１００ｂは二酸化シリコン（いわゆる「ＢＯＸ」層）からなり、活性層１００ｃは（ドープされた、またはドープされていない）シリコンからなる。かかるＳＯＩ構造は、市場で知られている様々な製造業者から容易に入手することができる。典型的には、埋込み絶縁層１００ｂは、高圧技術に用いられるように比較的厚く、例えば、約０．５〜２ミクロン程度となり、活性層１００ｃは、約２ミクロンの初期厚さを有してもよい。
【０００４】
その後、図１Ａに示すように、ドープされたシリコン層１０５が、活性層１００ｃ上に形成される。シリコン層１０５は、約１．６〜４．５オームｃｍの抵抗率を有するように、Ｎ型ドーパント材料、例えば、燐、ヒ素でドープされ、この抵抗率は、約１〜３×１０１５イオン／ｃｍ３のドーパント濃度に相当する。シリコン層１０５は、エピ・リアクタ内で堆積させたエピタキシャル・シリコン層である。この状況では、エピタキシャル・シリコン層１０５は、層１０５を形成するのに使用される工程の間に、エピ・リアクタ内にドーパント材料を導入することによってドープすることができる。しかし、ドーパント材料はまた、シリコン層１０５の形成後に、イオン注入工程を実施することによってシリコン層１０５内に導入することもできる。シリコン層１０５内のドーパント原子の分布は、その層の深さ全体にわたって均一にはならないことがあることに留意されたい。
【０００５】
単なる説明の目的で、活性層１００ｃとシリコン層１０５間との間の界面を図面に示す。実際には、これら２つの層間の識別は、画定するのが非常に困難なことがある。とはいえ、単なる説明の目的で、識別された層を示す。シリコン層１０５は、比較的厚い。例示の一実施形態では、シリコン層１０５は、特定の用途に応じて約２〜３０ミクロンの範囲の厚さを有する。その後、例えば、熱酸化工程を実施することによって、シリコン層１０５上に絶縁または酸化物層１１０が形成される。
【０００６】
図１Ｂに示すように、ドーパント注入工程（矢印１１５で示す）を実施して、ドーパント種をシリコン層１０５内に注入することができる。例えば、ドーパント注入工程１１５を用いて、ボロンなどのｐ型ドーパントをシリコン層１０５内に注入して、ドープ領域１２０を形成することができる。ドープ領域１２０は、ｐウェルと呼ぶことができる。ドープ領域１２０内のドーパント濃度は、典型的には約３×１０１４から３×１０１６イオン／ｃｍ３の範囲である。注入されたドーパント種の一部分はまた、酸化物層１１０内にも残ることがある。
【０００７】
図２Ａは、ドーパント濃度を酸化物層およびシリコン層内への深さの関数として概略的に示す。ドーパント濃度が縦軸に沿って（任意の単位で）、深さが横軸に沿って（任意の単位で）示されている。酸化物層とシリコン層との間の境界面が垂直破線によって示されている。酸化物層およびシリコン層内のｎ型ドーパント種の濃度が点線２０５で示され、注入されたｐ型ドーパント種の濃度が実線２１０で示されている。注入されたｐ型ドーパントの濃度は、酸化物層とシリコン層との間の界面の僅かに下でピークに達し、その後、シリコン層内への深さが増すにつれて減少している。ｎ型ドーパントの濃度は、２つの層内でほぼ一定である。
【０００８】
次に、図１Ｃを参照すると、熱酸化工程を用いて、二酸化シリコン層１１０の選択部分を成長させることができる。熱酸化工程を用いて部分１２５（１〜２）を成長させるとともに、マスキング層を用いてこれらの部分の間にある領域が成長するのを阻止する。熱酸化およびその結果伴う部分１２５の成長によって、ドープ領域１２０の一部分が消費される。場合によっては、ドープ領域１２０をドープするために用いたドーパント種が偏析する傾向が生じることがあり、これは、二酸化シリコン層１１０とドープ領域１２０との間の界面にわたる化学ポテンシャルがほぼ一定となるように、ドーパント種が再分布される傾向があるためである。この現象は、従来からドーパント偏析と呼ばれている。例えば、熱酸化によって、界面にわたる化学ポテンシャルが等しくなるように、ボロンがドープ領域１２０から二酸化シリコン層１１０の部分１２５内に移動することがある。ドーパント偏析によって、ｐ型ドーパント濃度が、ドープ領域１２０内のｎ型ドーパント濃度よりも下がり、それによって反転層が形成される結果となり得る。その結果生じるｎ型反転層のため、この技術を用いて形成されたデバイスの性能が劣化する恐れがある。
【０００９】
図２Ｂは、熱酸化工程後のドーパント濃度を、酸化物層およびシリコン層内への深さの関数として概略的に示す。ドーパント濃度が縦軸に沿って（任意の単位で）、深さが横軸に沿って（任意の単位で）示されている。酸化物層とシリコン層との間の境界面が垂直破線によって示されている。垂直破線が図２Ａに比べて右側に移動していることによって示されるように、熱酸化によって酸化物層の深さが増大した。酸化物層およびシリコン層内のｎ型ドーパント種の濃度が点線２０５で示され、注入されたｐ型ドーパント種の濃度が実線２１０で示されている。ドーパント偏析によって、酸化物層内のｐ型ドーパント濃度が増大し、シリコン層内のｐ型ドープ濃度が減少した。ｎ型ドーパント濃度は、酸化物層内で僅かに減少し、シリコン層の表面付近で増大した。したがって、反転領域２１５が、シリコン層と酸化物層との間の界面付近で形成された。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
開示の主題は、上記に記載の問題のうちの１つまたは複数の問題の作用に対処することを対象とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下に、開示の主題のいくつかの態様の基礎的な理解をもたらすために、開示の主題の簡略化された概要を示す。この概要は、開示の主題の網羅的な概説ではない。この概要は、開示の主題の鍵となる要素、または重要な要素を特定するものでも、あるいは開示の主題の範囲を詳細に示すものでもない。この概要の唯一の目的は、後で論じるより詳細な説明の序文として、いくつかの概念を簡略化した形で示すことである。
【００１２】
一実施形態では、バイポーラ・トランジスタのｐウェルを形成する方法が提供される。本方法は、第１の種類のドーパントでシリコン層をドープすること、および第１の注入工程を実施して第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。注入されたドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィルを有する。本方法はまた、第２の注入工程を実施して第２の種類の追加のドーパントをシリコン層内に注入することを含む。注入された追加のドーパントは、シリコン層内で第１のドーパント・プロフィルとは異なる第２のドーパント・プロフィルを有する。本方法は、シリコン層および第１の種類のドーパントの一部分を消費することによって、シリコン層上に形成された絶縁層を成長させることをさらに含む。
【００１３】
別の実施形態では、バイポーラ・トランジスタが提供される。バイポーラ・トランジスタは、基板と、基板上に形成されたシリコン層と、絶縁層とを含む。シリコン層は、第１の種類のドーパントでドープされ、次いで、第１および第２の注入工程を実施して第１の種類とは反対の第２の種類のドーパントをシリコン層内に注入することによってさらにドープされる。注入されたドーパントは、シリコン層内で第１および第２のドーパント・プロフィルを有する。絶縁層は、初期の絶縁層を堆積または成長させ、シリコン層および第２の種類のドーパントの一部分を消費することによって、シリコン層上に形成された初期の絶縁層を成長させることによって形成される。
【００１４】
開示の主題は、以下の説明を添付の図面と併せて参照することによって理解できよう。図面中、同じ参照符号は同じ要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】ｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタのコレクタを形成する従来技術を概念的に示す図である。
【図１Ｂ】ｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタのコレクタを形成する従来技術を概念的に示す図である。
【図１Ｃ】ｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタのコレクタを形成する従来技術を概念的に示す図である。
【図２Ａ】従来のｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタの、熱酸化前のドーパント濃度を、酸化物層およびシリコン層内への深さの関数として示す概略図である。
【図２Ｂ】従来のｐ−ｎ−ｐバイポーラ・トランジスタを形成するために熱酸化工程を使用した後のドーパント濃度を、酸化物層およびシリコン層内への深さの関数として示す概略図である。
【図３Ａ】バイポーラ・トランジスタのコレクタを形成するのに使用することができる、酸化物層およびシリコン層内のドーパント濃度の例示的な一実施形態を示す概略図である。
【図３Ｂ】第２のドーピング工程を用いて追加のドーパントをシリコン層内に注入した後のドーパント濃度を示す図である。
【図３Ｃ】熱処理を用いて酸化物層を熱的に成長させた後のドーパント濃度を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
開示の主題は、様々な改変および代替形態が可能であるが、その特定の実施形態について、例として図面に示し、本明細書で詳細に説明する。しかし、本明細書の特定の実施形態の説明は、開示の主題を開示の特定の形態に限定するものではなく、添付の特許請求の範囲によって定義される開示の主題の範囲内に含まれるあらゆる改変形態、均等物、および代替形態を包含するものであることが理解されるべきである。
【００１７】
開示の主題の例示的な実施形態について以下で説明する。分かりやすいように、本明細書には実際の実施形態のフィーチャの全てが記載されてはいない。当然ながら、そのような実際の実施形態の開発において、開発者の特定の目標を実現するためには、システム関連やビジネス関連の制約との整合（ｃｏｍｐｌｉａｎｃｅ）など、実施形態に特有の数多くの決定を行わなければならず、こうした決定は実施形態によって変わることになることが理解されよう。さらに、かかる開発努力は、複雑で時間がかかることがあるが、本開示を利用すれば、当業者には定型作業となることが理解されよう。
【００１８】
次に、開示の主題について添付の図を参照しながら説明する。様々な構造、システム、および装置を、単なる説明の目的で、当業者には周知である詳細によって本発明が分かりにくくならないように図面に概略的に示す。とはいえ、添付の図面は、例示の例を詳述し説明するために含まれる。本明細書で使用する用語および句は、当業者が理解する用語および句と一致した意味を有するものと理解し、解釈されたい。本明細書において用語または句を一貫して使用することによって、その用語または句の特別な定義、すなわち、当業者が理解する通常の慣習的な意味とは異なる定義が暗示されるものではない。用語または句が特別な意味、すなわち、当業者が理解する意味以外の意味を有することを意図する場合には、かかる特別な定義を、その用語または句に直接かつ明白に特別な定義を与える定義的な形で本明細書内に明白に記載する。
【００１９】
図３Ａは、バイポーラ・トランジスタのｐウェルを形成するのに使用することができる、酸化物で形成された絶縁層、およびシリコン層内のドーパント濃度の例示的な一実施形態を概略的に示す。次いで、このｐウェルを用いて、バイポーラ・トランジスタ用のコレクタを形成することができる。例示の実施形態では、コレクタ層はシリコンで形成され、酸化物層は二酸化シリコンで形成されている。しかし、本開示を利用すれば、本発明がこれらの特定の材料に限られるものではないことが当業者には理解されよう。ドーパント濃度が、酸化物層およびシリコン層内への深さの関数としてプロットされている。ドーパント濃度が縦軸に沿って（任意の単位で）、深さが横軸に沿って（任意の単位で）示されている。酸化物層とシリコン層との間の境界面が垂直破線によって示されている。
【００２０】
例示の実施形態は、バイポーラ・トランジスタ形成の中間段階におけるドーパント濃度を示す。形成工程のこの時点で、シリコン層および酸化物層が堆積され、互いに反対の２種のドーパントでドープされている。一実施形態では、バイポーラ・トランジスタは、ｐ−ｎ−ｐトランジスタであり、酸化物層およびシリコン層内のｎ型ドーパント種の濃度が、点線３０５によって示されている。ｎ型ドーパントは、シリコン層および酸化物層を堆積させた後、これらの層内に注入することができ、あるいは、ｎ型ドーパントは、材料を堆積させる際にその中に組み込むこともできる。ｎ型ドーパントの濃度は、２つの層内でほぼ一定である。注入されたｐ型ドーパント種（例えば、ボロン）の濃度が実線３１０で示されている。注入されたｐ型ドーパントの濃度は、酸化物層とシリコン層との間の界面の僅かに下の深さ３１５でピークに達し、その後、シリコン層内への深さが増すにつれて減少している。例えば、ドープ領域３１０のピーク・ドーパント濃度３１０は、５×１０１６イオン／ｃｍ３程度となり得る。本開示を利用すれば、バイポーラ・トランジスタは、あるいはｎ−ｐ−ｎトランジスタでもよく、その場合にはプロフィル３０５、３１０がそれぞれ、ｐ型およびｎ型ドーパントを表すことが当業者には理解されよう。
【００２１】
図３Ｂは、第２のドーピング工程を用いて追加のドーパントをシリコン層内に注入した後のドーパント濃度を示す。例示の実施形態では、第２のドーピング工程を用いて、深さ３２５でピークに達する濃度３２０を有する追加のｐ型ドーパントをシリコン層内に注入する。深さ３２５は、最初に堆積させたｐ型ドーパントの深さ３１５よりも浅い。３１５と３２５との相対深さは、様々な技術を用いて選択し調整することができる。一実施形態では、ドーパント濃度３１０は、比較的高いエネルギー、例えば、３０ｋｅＶよりも大きいエネルギーを用いてドーパント種を注入することによって生成することができ、ドーパント濃度３２０は、比較的低いエネルギー、例えば、３０ｋｅＶ未満のエネルギーを用いてドーパント種を注入することによって生成することができる。例えば、ドーパント濃度３１０は、約３００ｋｅＶでドーパント種を注入することによって生成することができ、ドーパント濃度３２０は、約１５〜３０ｋｅＶでドーパント種を注入することによって生成することができる。しかし、ドーパントの深さは、注入エネルギーを変える代わりに、またはそれに加えて、他の技術（第１のドーピング工程と第２のドーピング工程との間で酸化物層の深さを変えるなど）を用いて制御することもできる。ドープ領域のピーク・ドーパント濃度３２０は、１０１７イオン／ｃｍ３程度となり得る。
【００２２】
図３Ｃは、熱酸化工程を用いて絶縁酸化物層を成長させた後のドーパント濃度を示す。垂直破線が図３Ｂに比べて右に移動していることによって示されるように、熱酸化およびその結果伴う酸化物層の成長によって、酸化物層の深さが増大している。ドーパント種が熱酸化工程の間に移動し、したがって、ドーパント・プロフィル３１０と３２０とが一体化して単一のドーパント・プロフィル３３０が形成された。ドーパント偏析によって、酸化物層内のｐ型ドーパント濃度３３０は増大し、シリコン層内のｐ型ドーパント濃度３３０は減少した。例えば、熱酸化によって、ボロンがシリコン層から二酸化シリコン層内に移動することになり得、したがって、これらの層間の界面にわたる化学ポテンシャルはほぼ一定となる。ｎ型ドーパント濃度３０５は、酸化物層内で僅かに減少したが、図３Ｂに示すレベルとほぼ同じレベルでほぼ一定のままであった。
【００２３】
図３Ｂに示す、第２のドーパント工程の間に注入された追加のドーパントによって、シリコン層と酸化物層との間の界面付近のドーパント濃度が増大した。したがって、ドーパント偏析およびその結果伴うｐ型ドーパント濃度３３０の減少によって、シリコン層内に反転領域が形成されることはない。そうではなく、第２のドーピング工程の間に注入された追加のドーパントは、熱酸化工程の間に消費され得る犠牲材料として働き（例えば、ドーパントは酸化物層内に移動することができる）、したがって、ｐ型ドーパント種の濃度３３０は、シリコン層内の選択深さまでｎ型ドーパント種の濃度３０５よりも高いままとなる。選択深さは、設計選択の問題である。様々な実施形態において、第１および第２の注入工程、ならびに熱酸化工程の諸パラメータは、選択深さによって画定される領域内に反転層が形成されるのを阻止するように、本明細書に記載の技術に従って改変、選択、かつ／または調整することができる。
【００２４】
上記で開示の特定の実施形態は単なる例示にすぎず、本発明は、本明細書の教示を利用すれば当業者には明白となる、異なるが等価な形に改変し、実施することができる。さらに、本明細書に示す構造または設計の詳細は、添付の特許請求の範囲に記載する以外には限定を意図するものではない。したがって、上記に開示の特定の実施形態は、変更または改変することができ、かかる変形形態は全て、本発明の範囲内に含まれると考えられることは明白である。したがって、本明細書で求められる保護は、添付の特許請求の範囲に記載の通りである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【外国語明細書】
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