(57)【要約】【課題】ＺｎおよびＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させることがない半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４と、活性層５と、Ｚｎをドープした第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６と、ｐ型エッチング停止層７とが順次積層され、このｐ型エッチング停止層７上には、リッジ部１０が形成され、更にｐ型エッチング停止層７上には、リッジ部１０を挟持する一対のｎ型ＡｌＧａＩｎＰ電流狭窄層１１が形成されており、活性層５は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層５１と、多重量子井戸層５２、厚さが５〜１０ｎｍである第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層５３と、第２のｎ型ＡｌＧａＩｎＰガイド層５４とが順次積層されて構成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板上に第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、活性層と、Ｚｎをドープした第１の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、第２導電型エッチング停止層とが順次積層され、前記第２導電型エッチング停止層上には、Ｚｎをドープした第２の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と第２導電型ＧａＩｎＰキャップとからなるリッジ部が形成され、更に前記第２導電型エッチング停止層上には、前記リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、もしくは第１導電型ＧａＡｓ電流狭窄層が形成された半導体レーザ素子において、
前記活性層は、前記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、多重量子井戸層と、第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰガイド層とが順次積層され、前記第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層の厚さは、５〜１０ｎｍであることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
第１導電型半導体基板上に第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、活性層と、Ｚｎをドープした第１の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、第２導電型エッチング停止層とが順次積層され、前記第２導電型エッチング停止層上には、Ｚｎをドープした第２の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と第２導電型ＧａＩｎＰキャップとからなるリッジ部が形成され、更に前記第２導電型エッチング停止層上には、前記リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、もしくは第１導電型ＧａＡｓ電流狭窄層が形成された半導体レーザ素子において、
前記活性層は、前記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、多重量子井戸層と、第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第３のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層とが順次積層され、前記第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層の厚さは、５〜１０ｎｍであることを特徴とする半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報処理や光計測等の光源に用いられる半導体レーザ素子に係り、例えばＡｌＧａＩｎＰ系の材料を用いた半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料を用いた半導体レーザ素子は、高密度ディスク装置、レーザプリンタ用光源、バーコードリーダ及び光計測等の光源として広く用いられている。この半導体レーザ素子のｐ型クラッド層には、通常、Ｚｎが用いられるが、このＺｎが活性層に拡散することによって、この活性層中に非発光センターを形成するため、発振閾値の上昇や信頼性の低下を招くといった問題を生じていた。
この対策を施した半導体レーザ素子が特許文献１〜３に記載されている。
特許文献１には、Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ活性層にＳｅをドープすることによって、ｐ型（ＡｌＧａ）0.52Ｉｎ0.48Ｐ光ガイド層中のＺｎがＩｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ活性層へ拡散することを防止して、発振しきい値電流密度が低く、かつバラツキが小さい半導体レーザ素子を実現することが記載されている。
【０００３】
特許文献２には、（ＡｌxＧａ1-x）zＩｎ1-zＰ層と（ＡｌyＧａ1-y）qＩｎ1-qＰ層（ｙ≧ｘ）とが交互に積層された多層薄膜構造がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層中に活性層に隣接して形成され、Ａｌ組成の小さい（Ａｌ1-xＧａx）zＩｎ1-zＰ層に引っ張り歪が加わる値にｚを選ぶことによって、ｐ型クラッド層中のＺｎが活性層に拡散することを防止して、低しきい値で発振する半導体レーザ素子を実現することが記載されている。
【０００４】
特許文献３には、活性層がＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ井戸層と（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層とを交互に積層された量子井戸層と、この量子井戸層を挟む一対の光ガイド層とで構成され、これらの各層にＳｉをドープすることによって、ｐ型クラッド中のＺｎが活性層に拡散しても、ＺｎとＳｉとがイオン結合して相互に引き合わせ、深い準位を形成しにくくして、低しきい値電流で発振し、かつ信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できることが記載されている。
【特許文献１】特開平４−２９３２８９号公報
【特許文献２】特開平６−２３７０３８号公報
【特許文献３】特開２００６−７４０１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の場合には、Ｉｎ0.48Ｇａ0.52Ｐ活性層は、Ｓｅがドープされているので、この活性層の結晶品質を低下させるため、レーザ特性を劣化させるといった問題を生じる。
特許文献２の場合には、引っ張り歪のためにかえって、半導体レーザ素子の信頼性が劣化するといった問題を生じる。
特許文献３の場合には、活性層にＳｉがドープされているので、特許文献１と同様に活性層の結晶品質を低下させるといった問題を生じる。
【０００６】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するものであり、Ｚｎ及びＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させないで安定したレーザ光出力が得られる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に第１の発明は、第１導電型半導体基板上に第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、活性層と、Ｚｎをドープした第１の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、第２導電型エッチング停止層とが順次積層され、前記第２導電型エッチング停止層上には、Ｚｎをドープした第２の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と第２導電型ＧａＩｎＰキャップとからなるリッジ部が形成され、更に前記第２導電型エッチング停止層上には、前記リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、もしくは第１導電型ＧａＡｓ電流狭窄層が形成された半導体レーザ素子において、
前記活性層は、前記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、多重量子井戸層と、第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰガイド層とが順次積層され、前記第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層の厚さは、５〜１０ｎｍであることを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。
第２の発明は、  第１導電型半導体基板上に第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、活性層と、Ｚｎをドープした第１の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と、第２導電型エッチング停止層とが順次積層され、前記第２導電型エッチング停止層上には、Ｚｎをドープした第２の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と第２導電型ＧａＩｎＰキャップとからなるリッジ部が形成され、更に前記第２導電型エッチング停止層上には、前記リッジ部を挟持する一対の第１導電型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層、もしくは第１導電型ＧａＡｓ電流狭窄層が形成された半導体レーザ素子において、
前記活性層は、前記第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、多重量子井戸層と、第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第３のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層とが順次積層され、前記第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層の厚さは、５〜１０ｎｍであることを特徴とする半導体レーザ素子を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、活性層は、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層側から第１のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、多重量子井戸層と、第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層と、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰガイド層とが少なくとも順次積層され、前記第２のアンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層の厚さは、５〜１０ｎｍであるので、Ｚｎ及びＳｉの拡散を抑制して、活性層を劣化させないで安定したレーザ光出力が得られる半導体レーザ素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明の各実施の形態における半導体レーザ素子について図１〜図４を用いて説明する。
図１は、本発明の第１の実施の形態における半導体レーザ素子を示す断面図である。
図２は、図１の半導体レーザ素子の製造工程を示す断面図である。
図３は、本発明の第１の実施の形態における半導体レーザ素子の動作電流の時間変化を示す図である。
図４は、本発明の第２の実施の形態における半導体レーザ素子を示す断面図である。
【００１０】
図１に示すように、本発明の実施の形態における半導体レーザ素子１は、ｎ型ＧａＡｓ（ガリウム砒素）基板２上に１×１０18ｃｍ-3のＳｉ（シリコン）をドーピングしたｎ型ＧａＡｓバッファ層３と、１×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（アルミニウムガリウムインジウムリン）クラッド層４と、ＭＱＷ（多重量子井戸層）よりなる活性層（以下、単に「活性層」とも称す）５と、５×１０17ｃｍ-3のＺｎをドーピングした第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６と、１×１０18ｃｍ-3のＺｎ（亜鉛）をドーピングしたｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ガリウムインジウムリン）エッチングストップ層７とが順次積層されている。
【００１１】
更に、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層７上には、１×１０18ｃｍ-3のＺｎをドーピングした第２のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層８と、２×１０18ｃｍ-3のＺｎをドーピングした薄いｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐキャップ層９とが順次積層されてなる台形状のリッジ部１０が形成されている。
【００１２】
また、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層７上には、リッジ部１０を挟持する１×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングした一対のｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（アルミニウムインジウムリン）電流狭窄層１１、１１が積層され、この一対のｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流狭窄層１１、１１上には、３×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＡｓ保護層１２が積層されている。リッジ部１０上及びｎ型ＧａＡｓ保護層１２上には２×１０19ｃｍ-3のＺｎをドーピングしたｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３が積層されている。
【００１３】
そして、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３上には、ＡｕＢｅとＡｕとの合金からなるｐ型オーミック電極１４が形成され、積層方向と反対側のｎ型ＧａＡｓ基板２には、ＡｕＧｅＮｉとＡｕからなるｎ型オーミック電極１５が形成されている。
なお、半導体レーザ素子１のレーザ光を出射する一方の端面には、図示しないＡｌ2Ｏ3が形成され、他方の端面には、図示しないＡｌ2Ｏ3とアモルファスＳｉとからなる保護層が形成される。
【００１４】
上述した活性層５は、ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４上にアンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５１と、３層のアンドープＩｎ0.53Ｇａ0.47Ｐウェル層Ｖと２層のアンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層Ｗとが交互に繰り返して形成された多重量子井戸層５２と、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３と、５×１０17ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４とが順次積層されて構成されている。
ｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４は、第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６中のＺｎが拡散してくることを防止するためのものである。また、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３は、第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６から拡散するＺｎ及びｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４から拡散するＳｉが活性層５中に混入して活性層５の結晶品質が劣化しないようにするためのものであり、その厚さは、５〜１０ｎｍに設定されている。
【００１５】
この半導体レーザ素子１は、以下のように動作する。
ｐ型オーミック電極１４側からｎ型オーミック電極１５側に向かって順方向の電流を注入し、第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６から供給される正孔とｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４から供給される電子とが活性層５で再結合してレーザ光を生成する。
【００１６】
次に、半導体レーザ素子１の動作について図２を用いて説明する。
（第１工程）
図２（Ａ）に示すように、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に１×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＡｓバッファ層３と、１×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４とを積層する。
この後、このｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層４上にアンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５１と、アンドープＩｎ0.53Ｇａ0.47Ｐウェル層Ｖとアンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐバリア層Ｗとが交互に繰り返して形成された多重量子井戸層５２と、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３と、５×１０17ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４とを順次積層して活性層５を形成する。
この際、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３の厚さは、５〜１０ｎｍにする。
【００１７】
更に、ｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４上に５×１０17ｃｍ-3のＺｎをドーピングした第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層６と、１×１０18ｃｍ-3のＺｎ（亜鉛）をドーピングしたｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ガリウムインジウムリン）エッチングストップ層７と、１×１０18ｃｍ-3のＺｎをドーピングした第２のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層８と、２×１０18ｃｍ-3のＺｎをドーピングした薄いｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐキャップ層９とを順次積層する。
【００１８】
（第２工程）
次に、図２（Ｂ）に示すように、ｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐキャップ層９上にＳｉＯ2層を形成した後、フォトリソグラフィ法により、中央部を残し、それ以外を除去したＳｉＯ2マスク１６を形成する。
次に、ＳｉＯ2マスク１６で覆われた以外の各層をｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐキャップ層９からｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層７に達するまでエッチングを行ってリッジ部１０を形成する。
【００１９】
（第３工程）
引き続いて、図２（Ｃ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層７上に、リッジ部１０を挟持するようにして、１×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングした一対のｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流狭窄層１１、１１と、３×１０18ｃｍ-3のＳｉをドーピングしたｎ型ＧａＡｓ保護層１２とを順次積層する。
【００２０】
（第４工程）
次に、図２（Ｄ）に示すように、ＳｉＯ2マスク１６を除去後、ＭＯＣＶＤ法により、リッジ部１０上及びｎ型ＧａＡｓ保護層１２上に２×１０19ｃｍ-3のＺｎをドーピングしたｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３を形成する。
この後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３上にＡｕＢｅとＡｕを形成した後、ｎ型ＧａＡｓ基板２を研磨して所定の厚さに積層方向と反対側にＡｕＧｅＮｉとＡｕとを形成する。この後、約４００℃でアニールを行って、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３上にｐ型オーミック電極１４を形成し、ｎ型ＧａＡｓ基板２にｎ型オーミック電極１５を形成する。次に、半導体レーザ素子１の一方のレーザ出射面に図示しないＡｌ2Ｏ3を形成し、他方の出射面に図示しないＡｌ2Ｏ3とアモルファスＳｉとからなる保護層を形成する。この工程は、各電極を形成する前に行っても良い。こうして、図１に示す半導体レーザ素子１が完成する。
【００２１】
次に、高温環境下で半導体レーザ素子１から出射するレーザ光出力を初期状態のものに固定したとき、半導体レーザ素子１の動作電流の時間変化について調べた。
試料としては、試料１〜４を用意した。
試料１〜３は、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３と、ｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４との合計厚さを３５ｎｍ一定にした状態で、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３の厚さを変化させたものである。
具体的には、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３の厚さは、試料１では、５ｎｍ、試料２では、２．５ｎｍ、試料３では、０ｎｍ、試料４では、３５ｎｍである。試料４は、Ｚｎ拡散を抑止するためのｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４がなく、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３のみからなるものである。
【００２２】
図３に示すように、動作電流は、試料１では、４０００時間経過しても略一定であるのに対して、試料２、３では、時間の経過と共に上昇傾向にあり、試料４では、２０００ｈｒを超える近傍から急激に上昇している。
試料２〜４では、初期状態のレーザ光出力を維持するために、動作電流を上げることが必要であることを意味している。このことは、活性層５中にＺｎ或いはＳｉが拡散することによって、活性層５に非発光センターが形成され、劣化するので、初期状態のレーザ光出力を維持するために、より多くの動作電流が必要であることを示していると思われる。
これに対して、試料１では、活性層５中にＺｎ或いはＳｉが拡散することが防止されるため、動作電流は略一定で初期状態のレーザ光出力を維持できることを示していると思われる。なお、試料１では、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３の厚さを５ｎｍにしたが、５〜１０ｎｍにしても同様な結果が得られた。
【００２３】
以上のように、本発明の第１の実施の形態によれば、アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５３の厚さを５〜１０ｎｍにすることにより、活性層５へのＺｎ或いはＳｉの拡散を抑制できるので、活性層５中に非発光センターの形成が妨げられるため、時間の経過に依存せずレーザ光出力を略一定にすることができる。このため、レーザ光出力が時間に依存せず略一定であるので、信頼性の高い半導体レーザ素子を得ることができる。
なお、ｎ型ＧａＡｓ保護層１２は、成長工程における一対のｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流狭窄層１１を保護するためのものであるので、一対のｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流狭窄層１１がダメージを受けない場合には不要である。この場合、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１３は、リッジ部１０及び一対のｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流狭窄層１１上に形成される。
【００２４】
次に、本発明の第２の実施の形態について図４を用いて説明する。
図４に示すように、第２の実施の形態における半導体レーザ素子１７は、第１の実施の形態における活性層５のｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５４上にアンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層５５を形成したのものであり、それ以外は同様である。
この半導体レーザ素子１７についても、半導体レーザ素子１の動作電流の時間経過に伴う変化について調べた結果、図３の試料１と同様な結果が得られた。
また、この半導体レーザ素子１７の動作方法及び製造方法も第１の実施の形態と同様である。
更に、本発明の第２の実施の形態の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００２５】
なお、本発明の各実施の形態では、電流狭窄層をｎ型ＧaＡｓにした場合や１回の結晶成長で作製可能なエアーリッジ構造などに対しても有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ素子を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ素子の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明に係る半導体レーザ素子の動作電流の時間変化を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１、１７…半導体レーザ素子、２…ｎ型ＧａＡｓ基板、３…ｎ型ＧａＡｓバッファ層、４…ｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（第１の第１導電型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層）、５……活性層、６…第１のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（第１の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層）、７…ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層（第２導電型エッチング停止層）、８…第２のｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層（第２の第２導電型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層）、９…ｐ型Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐキャップ層（第２導電型ＡｌＧａＩｎＰキャップ層）、１０…リッジ部、１１…ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流狭窄層（第１導電型ＡｌＩｎＰ電流狭窄層）、１２…ｎ型ＧａＡｓ保護層、１３…ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、１４…ｐ型オーミック電極、１５…ｎ型オーミック電極、１６…ＳｉＯ2マスク、５１…アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層、５２…多重量子井戸層、５３…アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層、５４…ｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層、５５…アンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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