(57)【要約】【課題】本発明は、プロセスガスの無駄な消費を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】間隔を隔てて対向する一対の電極と、前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、前記一対の電極間にプロセスガスを導入する複数の導入管と、前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、前記複数の導入管のそれぞれに設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、前記導入管から前記一対の電極の間に導入される前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記選択弁を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。【選択図】図１
2009246263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隔を隔てて対向する一対の電極と、
前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、
前記一対の電極間にプロセスガスを導入する複数の導入管と、
前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、
前記複数の導入管のそれぞれに設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、
前記導入管から前記一対の電極の間に導入される前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記選択弁を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記複数の導入管のうちで前記処理領域に前記プロセスガスを照射する導入管の選択弁を選択的に開くこと、を特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
間隔を隔てて対向する一対の電極を第１の方向に複数組併設した電極体と、
前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、
前記一対の電極毎に前記電界の印加と停止とを切り換える切換手段と、
前記一対の電極毎に設けられ、前記電極間にプロセスガスを導入する導入管と、
前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、
前記導入管毎に設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、
前記導入管から前記一対の電極管に導入された前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記切換手段と前記選択弁とを制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記導入管のうちで前記処理領域に前記プロセスガスを照射する導入管の選択弁を選択的に開き、前記複数組の一対の電極のうちで前記処理領域に照射される前記プロセスガスの流路上にある前記一対の電極間に電界を印加するように前記切換手段を制御すること、を特徴とする請求項３記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記電極と前記被処理物との相対的な位置関係を変化させる移動手段をさらに備え、
前記移動手段は、前記導入管から前記一対の電極の間に導入された前記プロセスガスの流路上に前記被処領域を相対移動させること、を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記被処理物の処理領域に関するデータを収集する解析手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
間隔を隔てて対向する一対の電極間にプロセスガスを導入し前記一対の電極間に電界を印加してプラズマを生起させて被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記一対の電極間のうちで前記処理領域の位置に対応する部分に前記プロセスガスを選択的に導入することで、前記処理領域を選択的にプラズマ処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
間隔を隔てて対向する一対の電極間にプロセスガスを導入し前記一対の電極間に電界を印加してプラズマを生起させて被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
前記一対の電極を第１の方向に複数組併設し、
前記被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記複数組の前記一対の電極間のうちで前記処理領域の位置に対応する一対の電極間に前記プロセスガスを導入し、
前記複数組の一対の電極のうちで前記処理領域に照射されるプロセスガスの流路上にある前記一対の電極間に電界を選択的に印加して前記処理領域を選択的にプラズマ処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置を用いて、被処理物のプラズマ処理を行うこと、を特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマを利用したドライプロセスは、電子デバイスの製造、金属部品の表面硬化、プラスチック部品の表面活性化、無薬剤殺菌など、幅広い技術分野において活用されている。例えば、半導体装置や液晶ディスプレイ装置などの電子デバイスの製造に際しては、アッシング、ドライエッチング、薄膜堆積あるいは表面改質などの各種のプラズマ処理が行われている。プラズマを利用したドライプロセスは、低コストで、高速であり、薬剤を用いないために環境汚染を低減できる点でも有利である。
【０００３】
このようなプラズマ処理としては、大気圧よりも減圧された雰囲気においてプラズマを生起し各種の処理を行ういわゆる真空プロセスが知られている。このような真空プロセスにおいては、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器や処理容器内部を排気するための排気手段などが必要となる。
【０００４】
ここで、電子デバイスの製造においては、被処理物の大きさが大型化する傾向にあり、例えば、液晶表示パネルなどにおいては第１０世代と呼ばれる２８５０ｍｍ×３０５０ｍｍ程度の基板（被処理物）が処理されるようになってきている。このような大型の被処理物を真空プロセスで処理するためには、大型の処理容器、大排気量の排気手段などが必要となる。そのため、プラズマ処理装置の大型化、高コスト化を招くことになる。
【０００５】
そこで、大気圧近傍の圧力（以下、単に大気圧と称する）の雰囲気においてプラズマを生起し各種の処理を行ういわゆる大気圧プラズマ処理が行われるようになってきている。この大気圧プラズマ処理によれば、大型の処理容器、大排気量の排気手段などを省くことができる。
【０００６】
そして、このような大気圧プラズマ処理において、大型化した被処理物を処理するのに適したプラズマ処理装置が提案されている（特許文献１を参照）。しかしながら、特許文献１に開示がされた技術では、大面積を一度にプラズマ処理することができても局所的なプラズマ処理を行うことができない。そのため、部分的に無駄な処理を行うおそれがありプロセスガスの消費量が多くなるおそれがある。
【０００７】
そこで、円筒状の電極を複数組直線状に配列し、配列された電極を選択することで局所的な処理をも行うことができるプラズマ処理装置が提案されている（特許文献２を参照）。しかしながら、特許文献２に開示がされた技術では、各電極を個別的に制御することになるためプラズマ処理装置の大型化、複雑化、高コスト化を招くおそれがある。また、各電極部分に供給されるプロセスガスの制御を行うことができないので、プロセスガスの消費量が多くなるおそれがある。
【０００８】
また、電極の間に区画形成されたガス流路に流量調整手段を介してプロセスガスを供給するとともに、電極とステージとの間にプラズマを発生させる技術が提案されている（特許文献３を参照）。しかしながら、特許文献３に開示がされた技術では局所的なプラズマ処理を行うために被処理物の処理面を覆うようにマスクを設けるようにしている。すなわち、プラズマ処理を行わない部分をマスクで覆うことにより局所的なプラズマ処理を行うようにしている。そのため、結局は被処理物全面を処理するのに必要なプロセスガスを消費量することになる。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００４／０７０８０９号パンフレット
【特許文献２】国際公開第ＷＯ２００４／０７０８２１号パンフレット
【特許文献３】特開２０００−１５０４７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、プロセスガスの無駄な消費を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、間隔を隔てて対向する一対の電極と、前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、前記一対の電極間にプロセスガスを導入する複数の導入管と、前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、前記複数の導入管のそれぞれに設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、前記導入管から前記一対の電極の間に導入される前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記選択弁を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１１】
また、本発明の他の一態様によれば、間隔を隔てて対向する一対の電極を第１の方向に複数組併設した電極体と、前記一対の電極間に電界を印加する電界印加手段と、前記一対の電極毎に前記電界の印加と停止とを切り換える切換手段と、前記一対の電極毎に設けられ、前記電極間にプロセスガスを導入する導入管と、前記導入管に前記プロセスガスを供給するガス供給手段と、前記導入管毎に設けられ、前記プロセスガスの導入を制御する選択弁と、前記導入管から前記一対の電極管に導入された前記プロセスガスの流路上に設けられる被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記切換手段と前記選択弁とを制御する制御手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１２】
また、本発明の他の一態様によれば、間隔を隔てて対向する一対の電極間にプロセスガスを導入し前記一対の電極間に電界を印加してプラズマを生起させて被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記一対の電極間のうちで前記処理領域の位置に対応する部分に前記プロセスガスを選択的に導入することで、前記処理領域を選択的にプラズマ処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
【００１３】
また、本発明の他の一態様によれば、間隔を隔てて対向する一対の電極間にプロセスガスを導入し前記一対の電極間に電界を印加してプラズマを生起させて被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記一対の電極を第１の方向に複数組併設し、前記被処理物のプラズマ処理されるべき処理領域の位置に関するデータに基づいて、前記複数組の前記一対の電極間のうちで前記処理領域の位置に対応する一対の電極間に前記プロセスガスを導入し、前記複数組の一対の電極のうちで前記処理領域に照射されるプロセスガスの流路上にある前記一対の電極間に電界を選択的に印加して前記処理領域を選択的にプラズマ処理すること、を特徴とするプラズマ処理方法が提供される。
【００１４】
また、本発明の他の一態様によれば、上記のプラズマ処理装置を用いて、被処理物のプラズマ処理を行うこと、を特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、プロセスガスの無駄な消費を抑制することができるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および電子デバイスの製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について例示をする。尚、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。    
図１は、本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式斜視図である。    
図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を表す模式断面図である。    
図１、図２に示すようにプラズマ処理装置１は、プラズマ発生手段２、ガス導入手段３を備えている。
【００１７】
図２に示すように、プラズマ発生手段２には所定の間隔を隔てて互いに対向するように一対の電極４ａ、４ｂが設けられている。また、電極４ａ、４ｂは互いに平行となるように設けられている。電極４ａ、４ｂはプラズマ発生手段２内を延設されており、その表面がアルミナ、石英などの誘電体５ａ、５ｂで覆われている。この場合、電極４ａ、４ｂが対向する部分の誘電体５ａ、５ｂの厚みは略一定とされている。また、電極４ｂには電界印加手段としての高周波電源６が接続されている。また、他方の電極４ａは接地されている。なお、説明の便宜上、一対の電極間に高周波の電界が印加される場合を例示するが、パルス波、マイクロ波などの電界が印加されるものであってもよい。その場合は、電界印加手段としてパルス波やマイクロ波などを発生させるものを設ければよい。
【００１８】
電極４ａ、４ｂが対向する部分における誘電体５ａ、５ｂ同士の間にはガス流路７が設けられている。ガス流路７は電極４ａ、４ｂに沿ってプラズマ発生手段２内を延設されている。また、ガス流路７のうち、電極４ａ、４ｂが対向する部分はプラズマＰが発生するプラズマ発生部となる。ガス流路７の一端側（図１、図２の場合は上端側）はプロセスガスＧを導入するための導入口７ａとなり、他端側（図１、図２の場合は下端側）がプラズマ化されたガスの噴出口７ｂとなる。
【００１９】
誘電体５ａ、５ｂの外側を覆うようにして筐体８が設けられている。筐体８は、誘電体５ａ、５ｂで覆われた電極４ａ、４ｂを、ガス流路７の幅が略一定となるように保持する。また、電極４ａ、４ｂが互いに平行となるように保持する。筐体８の導入口７ａに面する部分にはプロセスガスＧを導入するための導入管９が接続されている。この場合、筐体８の噴出口７ｂに面する部分には開口部が設けられている。
【００２０】
なお、プラズマ発生手段２には、冷却水を流通させることでプラズマ発生部を冷却する図示しない冷却手段や、電極４ａ、４ｂに供給する高周波電力を調整する図示しないプラズマ制御手段などを設けることもできる。
ガス導入手段３は、ガス供給手段１０、圧力制御部１１、流量制御部１２、ガス分岐部１３、導入管９、選択弁１４を備えている。    
ガス供給手段１０は、例えば、プロセスガスＧが封入されたガスボンベなどとすることができ、プロセスガスＧをプラズマ発生手段２に向けて供給する。プロセスガスＧは、プラズマ処理の種類や被処理物Ｗなどによって適宜選択することができる。例えば、被処理物Ｗのエッチング処理を行う場合には、酸素ガスにＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６などのフッ素系ガスを添加した混合ガス、これらのガスに水素ガスを添加したガスなどを例示することができる。また、被処理物Ｗのアッシング処理を行う場合には、例えば、酸素ガス、窒素ガスやこれらの混合ガスなどを例示することができる。なお、プロセスガスＧは例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２１】
圧力制御部１１はガス供給手段１０から供給されるプロセスガスＧが所定の圧力となるように制御する。流量制御部１２はガス供給手段１０から供給されるプロセスガスＧが所定の流量となるように制御する。
【００２２】
また、ガス分岐部１３はガス供給手段１０から供給されるプロセスガスＧを複数の導入管９に分岐する。導入管９は、一対の電極４ａ、４ｂが対向する方向と略直交する方向に複数設けられ、電極間にプロセスガスＧを導入する。選択弁１４は、各導入管毎に設けられプロセスガスＧの制御を行う。例えば、プロセスガスＧの導入と停止を行う。なお、各導入管９におけるプロセスガスＧの流量の制御を行うようにすることもできる。
【００２３】
プラズマ発生手段２の噴出口７ｂに対向するようにして、移動手段１５が設けられている。移動手段１５は、その上面（載置面）に被処理物Ｗを載置することができる。また、静電チャックや真空チャックなどのような図示しない保持手段により被処理物Ｗを保持することができるようになっている。移動手段１５は、図示しない駆動手段により水平面内を移動可能となっている。図１、図２に例示をしたものは矢印Ｂの方向に往復移動ができるようになっている。ただし、これに限定されるわけではなく矢印Ｂに直交する方向、回転方向、鉛直方向などにも移動できるようにされていてもよい。
【００２４】
なお、移動手段１５は、プラズマ発生手段２（電極４ａ、４ｂ）に対して被処理物の相対移動を行えるものであればよい。例えば、載置された被処理物Ｗに対してプラズマ発生手段２（電極４ａ、４ｂ）を移動させるものであってもよい。
【００２５】
また、プラズマ処理装置１には解析手段１６が設けられている。解析手段１６には被処理物Ｗの被処理面を撮影する図示しない撮影部、撮影部により撮影された画像を解析することでプラズマ処理の要否部分などを判定する図示しない判定部、撮影された画像や判定結果を記憶する図示しない記憶部などが設けられている。そして、解析手段１６は、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータなどのデータを収集する。
また、図示しない撮影部により被処理物Ｗの被処理面を撮影する場合には、移動手段１５により撮影部と被処理物Ｗとの相対的な位置が移動されるようになっている。
また、例えば、図示しない判定部において、図示しない記憶部に予め格納されている画像データ（基準データ）と図示しない撮影部により撮影された画像データとを比較することでプラズマ処理の要否などが判定できるようになっている。また、プラズマ処理が必要と判定された領域（処理領域）の位置に関するデータなどが収集できるようになっている。プラズマ処理の要否判定や収集されたデータなどは図示しない記憶手段に格納されるようになっている。
なお、被処理面の全域を予め撮影して全域におけるプラズマ処理の要否判定を先に行った後にプラズマ処理を開始するようにすることもできるし、プラズマ処理に先行するようにプラズマ処理の要否判定を行いつつプラズマ処理を行うようにすることもできる。
【００２６】
また、プラズマ処理装置１には図示しない制御手段が設けられ、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作や処理条件などを制御できるようになっている。例えば、移動手段１５による被処理物Ｗの保持や相対移動（位置制御）、プロセスガスＧの供給制御、選択弁１４によるプロセスガスＧの選択的導入、電極４ａ、４ｂに供給する高周波電力の制御などができるようになっている。この場合、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータに基づいて、選択弁１４の制御をすることができるようになっている。
【００２７】
次に、プラズマ処理装置１の作用について例示をする。    
まず、図示しない搬送手段により被処理物Ｗが移動手段１５の上面（載置面）に載置される。載置された被処理物Ｗは移動手段１５に設けられた図示しない保持手段により保持される。
【００２８】
次に、解析手段１６により被処理物Ｗの被処理面が撮影され、プラズマ処理が必要な領域であるか否かが判定される。また、プラズマ処理が必要と判定された領域（処理領域）の位置に関するデータなどが収集される。プラズマ処理の要否判定や収集されたデータなどは図示しない記憶手段に格納される。
【００２９】
例えば、液晶表示パネルなどのエッチング処理を行う場合には、エッチング処理を行うことで回路パターンを形成させる配線部分とエッチング処理を行わない表示部分とを判別することでプラズマ処理（エッチング処理）の処理領域の位置に関するデータを収集するようにすることもできる。
この場合、配線部分と表示部分との判別は、図示しない記憶部に予め格納されている画像データ（基準データ）に基づいて行うことができる。
【００３０】
また、液晶表示パネルなどの配線部分をエッチング処理した場合に、配線部分に設けられたレジスト層の表面に変質層が形成される場合がある。この変質層は、アッシング処理が難しいので変質層部分を念入りにアッシング処理するようにすることが好ましい。
そのため、変質層が形成されている部分とされていない部分とを判別することで、プラズマ処理（アッシング処理）を念入りに行う領域の位置に関するデータを収集するようにすることもできる。そして、変質層が形成されている部分を選択的にプラズマ処理（アッシング処理）することで、変質層を除去するようにすることができる。
なお、変質層部分を選択的にプラズマ処理（アッシング処理）した後には、変質層が形成されていないレジスト層（例えば、表示部分に形成されたレジスト層）を含めて全体的なプラズマ処理（アッシング処理）を行うようにすることもできる。
【００３１】
次に、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータに基づいて、移動手段１５により処理領域（プラズマ処理が必要な部分）を一対の電極４ａ、４ｂ（噴出口７ｂ）の下方に相対移動させる。
【００３２】
また、ガス供給手段１０から圧力制御部１１、流量制御部１２を介して圧力と流量とが制御されたプロセスガスＧがガス分岐部１３に供給される。ガス分岐部１３に供給されたプロセスガスＧは、先に述べた図示しない制御手段の制御下において、選択弁１４により選択的にガス流路７に導入される。すなわち、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータに基づいて、プラズマ処理が必要な部分の上方に位置する選択弁１４が選択的に開かれる。なお、処理領域（プラズマ処理が必要な部分）の直上に位置する選択弁１４がない場合には、最も近くにある選択弁１４が開かれる。この場合、プラズマ処理が必要でない部分の上方に位置する選択弁１４は閉じられる。
【００３３】
一方、高周波電源６から電極４ｂに高周波電力が印加される。すると、電極４ａ、４ｂが対向する部分の誘電体５ａ、５ｂ間においてプラズマＰが生起する。このプラズマＰにより、導入されたプロセスガスＧが励起、活性化されて中性活性種、イオン、電子など（以下、プラズマ生成物Ｐ１と称する）が生成される。プラズマ生成物Ｐ１はガス流にのって選択的に開かれた選択弁１４の下方の噴出口７ｂから噴出する。そして、噴出したプラズマ生成物Ｐ１により被処理物Ｗの選択的な（局部的な）プラズマ処理が行われる。
【００３４】
そして、所定部分のプラズマ処理が終了した場合には、次に処理される部分が一対の電極４ａ、４ｂ（噴出口７ｂ）の下方に相対移動される。なお、プラズマ処理の終了は、例えば、予め定められた時間により知ることができる。すなわち、時間管理により行うようにすることができる。
所定のプラズマ処理がすべて終了した被処理物Ｗは図示しない搬送手段により搬出される。以後、同様にして他の被処理物Ｗのプラズマ処理を行うこともできる。
【００３５】
図３は、選択的なプラズマ処理の様子を例示するための模式斜視図である。    
図３に示すように、プラズマ処理が必要な部分の上方に位置する選択弁１４は開かれる。この場合、開かれている選択弁１４を選択弁１４ａと表している。また、プラズマ処理が不要な部分の上方に位置する選択弁１４は閉じられている。この場合、閉じられている選択弁１４を選択弁１４ｂと表している。これに対し、図１に示す場合は全面的なプラズマ処理を行っている場合である。すなわち、すべての選択弁１４が開かれている（選択弁１４ａの状態）場合である。
【００３６】
このように、選択弁１４によりプロセスガスＧを選択的に導入することで選択的な（局部的な）プラズマ処理を行うことができる。この場合、プラズマ処理が必要でない部分の上方に位置する導入口７ａには、プロセスガスＧが導入されないので無駄になるプロセスガスＧを抑制することができる。また、選択弁１４を切り換えることで選択的な（局部的な）プラズマ処理と全面的なプラズマ処理とを容易に切り換えることができるので生産性を向上させることができる。
【００３７】
なお、解析手段１６により収集された被処理物Ｗの処理領域に関するデータに基づいて選択的なプラズマ処理を行う場合を例示したが、予め求められた被処理物Ｗの処理領域に関するデータに基づいて選択的なプラズマ処理を行うようにしてもよい。例えば、設計データに基づいて選択的なエッチング処理やアッシング処理を行う部分を特定し、その位置に関するデータに基づいて選択的なプラズマ処理を行うようにすることもできる。    
また、作業者が選択弁１４を適宜操作することで目視による選択的なプラズマ処理を行うようにすることもできる。
【００３８】
図４は、本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式斜視図である。      
図５は、図４におけるＣ−Ｃ断面を表す模式断面図である。      
図４、図５に示すようにプラズマ処理装置１ａは、プラズマ発生手段２ａ、ガス導入手段３を備えている。    
図５に示すように、プラズマ発生手段２ａには、所定の間隔を隔てて対向する一対の電極２４ａ、２４ｂを対向する方向と略直交する方向に複数組設けた電極体２４が備えられている。また、電極２４ａ、２４ｂは互いに平行となるように設けられている。そして、電極２４ａ、２４ｂは、その表面がアルミナ、石英などの誘電体２５ａ、２５ｂで覆われている。この場合、電極２４ａ、２４ｂが対向する部分の誘電体２５ａ、２５ｂの厚みは略一定とされている。
【００３９】
本実施の形態においては、一対の電極２４ａ、２４ｂが複数組設けられた電極体２４が筐体８に保持されている。そして、一対の電極毎に導入管９、選択弁１４が設けられている。また、各電極２４ｂには、一対の電極毎の電界の印加と停止とを切り換える切換手段１７が設けられている。そして、切換手段１７には一対の電極間に電界を印加する高周波電源６（電界印加手段）が接続されている。また、各電極２４ａは接地されている。また、隣接する電極同士の間にも誘電体が設けられており、この誘電体を介して各電極同士を密着させるようにして筐体８に設けている。
【００４０】
また、プラズマ処理装置１ａには図示しない制御手段が設けられ、プラズマ処理装置１ａに設けられた各要素の動作や処理条件などが制御できるようになっている。例えば、移動手段１５による被処理物Ｗの保持や相対移動（位置制御）、プロセスガスＧの供給制御、選択弁１４によるプロセスガスＧの選択的導入、切換手段１７による高周波電力の選択的印加、電極２４ａ、２４ｂに供給する高周波電力の制御などができるようになっている。
【００４１】
次に、プラズマ処理装置１ａの作用について例示をする。    
本実施の形態に係るプラズマ処理装置１ａにおいても、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータに基づいて、選択的なプラズマ処理を行うことができる。すなわち、前述したプラズマ処理装置１の場合と同様にして、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータに基づいて、プラズマ処理が必要な部分の上方に位置する選択弁１４が選択的に開かれる。この場合、プラズマ処理が必要でない部分の上方に位置する選択弁１４は閉じられる。そのため、処理領域の上方に位置する部分にプロセスガスＧが選択的に導入される。なお、処理領域（プラズマ処理が必要な部分）の直上に位置する選択弁１４がない場合には、最も近くにある選択弁１４が開かれる。
【００４２】
ここで、本実施の形態においては、被処理物Ｗの処理領域の位置に関するデータに基づいて、プラズマ処理が必要な部分の上方に位置する電極２４ｂに選択的に高周波電力が印加される。この場合、複数組設けられた一対の電極のうち、プロセスガスＧを選択的に導入した部分に位置する一対の電極間に電界を選択的に印加するようにする。なお、プラズマ処理が必要でない部分の上方に位置する電極２４ｂには高周波電力が印加されない。そのため、電極２４ａ、２４ｂが対向する部分の誘電体２５ａ、２５ｂ間においてプラズマＰが選択的に生起される。このプラズマＰにより、導入されたプロセスガスＧが励起、活性化されてプラズマ生成物Ｐ１が生成される。プラズマ生成物Ｐ１はガス流にのって選択的に開かれた選択弁１４（選択された電極２４ｂ）の下方の噴出口７ｂから噴出する。そして、噴出するプラズマ生成物Ｐ１により被処理物Ｗの選択的なプラズマ処理が行われる。
【００４３】
図６は、選択的なプラズマ処理の様子を例示するための模式斜視図である。    
図６に示すように、プラズマ処理が必要な部分の上方に位置する選択弁１４は開かれる。この場合、開かれている選択弁１４を選択弁１４ａと表している。また、プラズマ処理が不要な部分の上方に位置する選択弁１４は閉じられている。この場合、閉じられている選択弁１４を選択弁１４ｂと表している。また、選択弁１４ａの部分に設けられている電極２４ｂには高周波電力が印加され、選択弁１４ｂの部分に設けられている電極２４ｂには高周波電力が印加されないようにされる。これに対し、図４に示す場合は全面的なプラズマ処理を行っている場合である。すなわち、すべての選択弁１４が開かれている（選択弁１４ａの状態）場合である。また、すべての電極２４ｂに高周波電力が印加されている場合である。
【００４４】
本実施の形態においても、選択弁１４によりプロセスガスＧを選択的に導入することで選択的なプラズマ処理を行うことができる。この場合、プラズマ処理が必要でない部分の上方に位置する導入口７ａには、プロセスガスＧが導入されないので無駄になるプロセスガスＧを抑制することができる。また、プラズマ処理が必要でない部分の上方に位置する電極２４ｂには、高周波電力が印加されないので無駄になる高周波電力を抑制することができる。また、選択弁１４、切換手段１７を切り換えることで選択的なプラズマ処理と全面的なプラズマ処理とを容易に切り換えることができるので生産性を向上させることができる。
【００４５】
なお、解析手段１６により収集された被処理物Ｗの処理領域に関するデータに基づいて選択的なプラズマ処理を行うようにしてもよいし、予め求められた被処理物Ｗの処理領域に関するデータに基づいて選択的なプラズマ処理を行うようにしてもよい。例えば、設計データに基づいて選択的なエッチング処理やアッシング処理を行う部分を特定し、その位置に関するデータに基づいて選択的なプラズマ処理を行うようにすることもできる。    
また、作業者が選択弁１４、切換手段１７を適宜操作することで目視による選択的なプラズマ処理を行うようにすることもできる。
【００４６】
図７は、本発明の第３の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式斜視図である。  
図７に示すようにプラズマ処理装置１ｂは、プラズマ発生手段２ｂ、ガス導入手段３ａを備えている。    
ガス導入手段３ａは、ガス供給手段１０、圧力制御部１１、流量制御部１２、ガス分岐部１３、導入管９ａ、選択弁１４を備えている。ガス分岐部１３はガス供給手段１０から供給されるプロセスガスＧを複数の導入管９ａに分岐する。選択弁１４は各導入管毎に設けられ、プロセスガスＧの導入と停止を行う。なお、各導入管９ａにおけるプロセスガスＧの流量の制御を行うようにすることもできる。導入管９ａは、フッ素樹脂などから成る可撓性を有する管状部材とされている。
【００４７】
また、各導入口７ａ部分には接続部材１８が設けられている。接続部材１８には導入管９ａが接続され、導入管９ａと導入口７ａとが連通するようになっている。また、接続部材１８は、電極２４ａ、２４ｂが対向する方向と略直交する方向（図７における左右方向）に位置調整可能とされている。そのため、接続部材１８を移動させるとともに導入管９ａを撓ませ、導入管９ａと導入口７ａとの接続位置、導入管９ａの配設ピッチなどを変更することができるようになっている。
【００４８】
このようにすれば、選択的なプラズマ処理を行う位置を調整することができる。また、プラズマ処理が困難な部分がある場合には、その近傍にある導入管９ａの配設ピッチを狭めることでプラズマ処理能力を局所的に強めることもできる。
【００４９】
次に、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について例示をする。      
尚、説明の便宜上、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法をＴＦＴ（Thin Film Transistor）カラー液晶表示パネルの製造方法を例にとり説明をする。    
ＴＦＴカラー液晶表示パネルの製造工程は、ＴＦＴアレイ形成工程、カラーフィルター形成工程、配向膜形成工程、基板貼り合わせ工程、液晶注入工程、基板分断工程からなる。
まず、ＴＦＴアレイ形成工程において、清浄な無アルカリガラスからなるガラス基板の表面に、複数の画素を備えた画素配列を形成させる。この画素配列を構成する画素は、ＴＦＴトランジスタ、表示電極、蓄積容量を有し、リソグラフィー技術を用いて形成させることができる。
【００５０】
ここで、例えば、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１、１ａ、１ｂを用いてガラス基板の表面に表示電極や回路パターンを形成したり（エッチング処理）、レジストを除去したり（アッシング処理）することができる。また、例えば、本実施の形態に係るプラズマ処理方法を用いてガラス基板の表面に表示電極や回路パターンを形成したり（エッチング処理）、レジストを除去したり（アッシング処理）することができる。この場合、必要に応じて選択的な（局所的な）プラズマ処理とすることができる。また、選択的な（局所的な）プラズマ処理とする際に、無駄になるプロセスガスＧや電力を抑制することができる。
【００５１】
また、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１、１ａ、１ｂやプラズマ処理方法を用いてアッシング処理をした後に、既知の方法を用いていわゆるウェット処理による残留レジストの除去を行うこともできる。
【００５２】
次に、カラーフィルター形成工程において、前述の画素が形成されたガラス基板と対を成すガラス基板の表面にカラーフィルターを形成させる。なお、カラーフィルターの形成法には、印刷法、電着法、パターニング法などを用いることができる。
【００５３】
次に、配向膜形成工程において、前述の画素とカラーフィルターの上にＣＶＤ (Chemical Vapor Deposition)法などを用いてポリイミド膜（透明電極）を積層させ、ラビングローラなどを用いてポリイミド膜を所定の方向に配向させて配向膜を形成させる。
次に、基板貼り合わせ工程において、前述の配向膜上にシール剤を塗布して、画素が形成されたガラスとカラーフィルターが形成されたガラス基板とを貼り合わせる。このとき配向膜の配向方向が平行になるように貼り合わせ、ノーマリホワイトとなるようにする。
【００５４】
次に、液晶注入工程において、前述の基板貼り合わせ工程において形成された２枚のガラス基板の間隙に液晶を注入する。なお、液晶の注入には真空注入法などを用いることができる。
【００５５】
以上の工程により、画素とカラーフィルターとが液晶を挟んで対向した液晶表示パネルの集合体が形成される。    
次に、基板分断工程において、液晶表示パネルの集合体を割断予定線に沿って割断する。その後、割断された液晶表示パネルの集合体をブレーク加工をすることで分断する。
以上によりＴＦＴカラー液晶表示パネルの製造が終了する。    
なお、本実施の形態に係るプラズマ処理装置、プラズマ処理方法以外は、既知の各工程の技術を適用することができるのでそれらの説明は省略する。
【００５６】
また、説明の便宜上、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの製造方法としてＴＦＴカラー液晶表示パネルの製造方法を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、半導体装置の製造、燃料電池の製造、太陽電池の製造、その他、各種電子部品などの製造にも適応が可能である。    
また、プラズマ処理としてエッチング処理やアッシング処理を例示したが、これに限定されるわけではない。例えば、表面硬化や表面活性化などの表面改質などにも適用させることができる。
【００５７】
以上、本発明の実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。  
前述の実施の形態に関して、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。  
例えば、プラズマ処理装置１、１ａ、１ｂが備える各要素の形状、寸法、材質、配置などは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。  
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式斜視図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面を表す模式断面図である。
【図３】選択的なプラズマ処理の様子を例示するための模式斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式斜視図である。
【図５】図４におけるＣ−Ｃ断面を表す模式断面図である。
【図６】選択的なプラズマ処理の様子を例示するための模式斜視図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式斜視図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  プラズマ処理装置、１ａ  プラズマ処理装置、１ｂ  プラズマ処理装置、２  プラズマ発生手段、２ａ  プラズマ発生手段、３  ガス導入手段、３ａ  ガス導入手段、４ａ  電極、４ｂ  電極、５ａ  誘電体、５ｂ  誘電体、６  高周波電源、７  ガス流路、７ａ  導入口、７ｂ  噴出口、９  導入管、９ａ  導入管、１０  ガス供給手段、１１  圧力制御部、１２  流量制御部、１３  ガス分岐部、１３ａ  ガス分岐部、１４  選択弁、１４ａ  選択弁、１４ｂ  選択弁、１５  移動手段、１６  解析手段、１７  切換手段、１８  接続部材、２４ａ  電極、２４ｂ  電極、２５ａ  誘電体、２５ｂ  誘電体、Ｇ  プロセスガス、Ｐ  プラズマ、Ｗ  被処理物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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