(57)【要約】【課題】  高速研磨速度が可能で、かつ研磨速度の面内均一性が良好で、銅配線を用いたＬＳＩなどの高品質化に寄与することができる銅膜用研磨液及び基板の研磨方法を提供する。【解決手段】  酸化剤、酸化金属溶解剤、水溶性ポリマ、含窒素複素環化合物、水及び銅研磨速度の面内均一性向上剤を含有してなる金属用研磨液及びこの金属用研磨液を供給しながら、金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって金属膜を研磨する基板の研磨方法。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化剤、酸化金属溶解剤、水溶性ポリマ、含窒素複素環化合物、水及び銅研磨速度の面内均一性向上剤を含有してなる金属用研磨液。
【請求項２】
前記面内均一性向上剤が、オルトリン酸、メタリン酸及びポリリン酸から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載の金属用研磨液。
【請求項３】
前記含酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル及び有機酸のアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２記載の金属用研磨液。
【請求項４】
前記含窒素複素環化合物が、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル及び３−アミノ−１，２，４−トリアゾ−ルから選ばれる少なくとも1種である請求項１〜３のいずれかに記載の金属用研磨液。
【請求項５】
前記水溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩並びにビニル系ポリマから選ばれた少なくとも１種である請求項1〜４のいずれかに記載の金属用研磨液。
【請求項６】
金属の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、過硫酸塩及びオゾン水からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１〜５のいずれかに記載の金属用研磨液。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の金属研用磨液に、さらに砥粒を含む金属研用磨液。
【請求項８】
研磨される金属膜が、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１〜７のいずれかに記載の金属用研磨液。
【請求項９】
研磨定盤の研磨布上に請求項１〜８のいずれかに記載の金属用研磨液を供給しながら、金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって金属膜を研磨する基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの配線形成工程の研磨に使用される銅膜用研磨液及び基板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路（以下ＬＳＩとする）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（以下ＣＭＰとする）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成において頻繁に利用される技術である。この技術は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００３】
また、最近は、ＬＳＩを高性能化するために、配線材料として銅及び銅合金の利用が試みられている。
しかし、銅及び銅合金は従来のアルミニウム合金配線の形成で頻繁に用いられたドライエッチング法による微細加工が困難である。
【０００４】
そこで、あらかじめ溝を形成してある絶縁膜上に銅又は銅合金薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の銅又は銅合金薄膜をＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン法が主に採用されている。この技術は、例えば、特許文献２に開示されている。
【０００５】
銅、銅合金等の金属ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を金属用研磨液で浸し、基板の金属膜を形成した面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（以下研磨圧力とする）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨液と金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜を除去するものである。
【０００６】
ＣＭＰに用いられる金属用研磨液は、一般には酸化剤及び砥粒からなっており、必要に応じてさらに酸化金属溶解剤、保護膜形成剤が添加される。まず酸化剤によって金属膜表面を酸化し、その酸化層を砥粒によって削り取るのが基本的なメカニズムと考えられている。
【０００７】
凹部の金属表面の酸化層は研磨パッドにあまり触れず、砥粒による削り取りの効果が及ばないので、ＣＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去されて基板表面は平坦化される。この詳細については、非特許文献１に開示されている。
【０００８】
ＣＭＰによる研磨速度を高める方法として酸化金属溶解剤を添加することが有効とされている。砥粒によって削り取られた金属酸化物の粒を研磨液に溶解させてしまうと砥粒による削り取りの効果が増すためと解釈できる。
【０００９】
配線の銅又は銅合金などの下層には、層間絶縁膜中への銅拡散防止及び層間絶縁膜との密着性向上のためにバリア層として、タンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物等が形成される。したがって、銅又は銅合金を埋め込む配線部分以外では、露出したバリア層をＣＭＰにより取り除く必要がある。
【００１０】
しかし、これらのバリア層導体は、銅又は銅合金に比べ硬度が高いために、銅又は銅合金用の研磨材料の組み合わせでは十分な研磨速度が得られず、かつ平坦性が悪くなる場合が多い。そこで、銅又は銅合金を研磨する第１工程と、バリア層導体を研磨する第２工程からなる２段研磨方法が検討されている。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第４９４４８３６号明細書
【特許文献２】特開０２−２７８８２２号公報
【非特許文献１】ジャ−ナル・オブ・エレクトロケミカルソサエティ  第１３８巻１１号  ３４６０〜３４６４頁（１９９１年）
【００１２】
銅合金を研磨する第一工程における主な課題として、銅合金が研磨されすぎることによって生じるバリア膜と銅配線間の段差が挙げられる。この段差を抑制するために様々な方法が試みられており、主に銅合金の研磨速度やエッチング速度を抑制する成分を添加することで段差量の低減が図られている。
【００１３】
しかし、銅合金の研磨速度を抑制することは、本来除去されるべき部分の研磨速度の低下に繋がるポテンシャルを高めることになる。特にウエハーのエッジ部における研磨速度が低下しやすく、研磨速度の面内均一性が低下するという問題があった。研磨速度の面内均一性が低下すると、プロセス時間が増大するのみならず、面内の研磨速度が大きい部位が過剰に研磨され段差量が悪化するという問題も発生する。
そこで、高速研磨速度が可能でかつ研磨速度の面内均一性が良好な研磨液が求められていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、高速研磨速度が可能でかつ研磨速度の面内均一性が良好な銅膜用研磨液及び基板の研磨方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、次の事項に関する。
（１）酸化剤、酸化金属溶解剤、水溶性ポリマ、含窒素複素環化合物、水及び銅研磨速度の面内均一性向上剤を含有してなる金属用研磨液。
（２）前記面内均一性向上剤が、オルトリン酸、メタリン酸及びポリリン酸から選ばれる少なくとも１種である上記（１）記載の金属用研磨液。
【００１６】
（３）前記含酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル及び有機酸のアンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも１種である上記（１）又は（２）記載の金属用研磨液。
（４）前記含窒素複素環化合物が、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル及び３−アミノ−１，２，４−トリアゾ−ルから選ばれる少なくとも１種である上記（１）〜（３）のいずれかに記載の金属用研磨液。
【００１７】
（５）前記水溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩並びにビニル系ポリマから選ばれた少なくとも１種である上記（１）〜（４）のいずれかに記載の金属用研磨液。
（６）金属の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、過硫酸塩及びオゾン水からなる群より選ばれる少なくとも１種である上記（１）〜（５）のいずれかに記載の金属用研磨液。
【００１８】
（７）上記（１）〜（６）のいずれかに記載の金属研用磨液に、さらに砥粒を含む金属研用磨液。
（８）研磨される金属膜が、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種である上記（１）〜（７）のいずれかに記載の金属用研磨液。
【００１９】
（９）研磨定盤の研磨布上に上記（１）〜（８）のいずれかに記載の金属用研磨液を供給しながら、金属膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって金属膜を研磨する基板の研磨方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、高速かつ面内均一性が良好な状態で銅膜の研磨が可能である。このため、銅配線を用いたＬＳＩなどの高品質化に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する
本発明の金属用研磨液は、主要構成成分として酸化剤、含窒素複素環化合物、水溶性ポリマ、金属防食材、水、銅研磨速度の面内均一性向上材を含有してなることが好ましい。それぞれの構成成分が欠けた場合、研磨速度、平坦性、面内均一性のバランスが悪化する傾向がある。
【００２２】
本発明における面内均一性向上材は、水溶性で研磨速度の面内均一性を向上させるものであれば特に制限はないが、オルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸  、ピロリン酸、亜リン酸ジフェニル、ホスホン酸エステル、亜リン酸エステルが挙げられ、入手の容易さからオルトリン酸、ポリリン酸、メタリン酸が好ましい。
【００２３】
面内均一性向上剤の配合量は、金属用研磨液の総量に対して、０．０１〜１０重量％とすることが好ましく、０．０２〜８重量％とすることがより好ましく、０．０３〜６重量％とすることが特に好ましい。配合量が  ０．０１重量％未満では、金属の面内均一性が向上しない傾向があり、１０重量％を超えて添加しても面内均一性の向上が見られない傾向がある。
【００２４】
本発明における酸化剤としては、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、過硫酸塩及びオゾン水等が挙げられ、その中でも過酸化水素が特に好ましい。これらは１種類単独で又は２種類以上組み合わせて用いることができる。
【００２５】
基体が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しいので過酸化水素が最も適している。但し、適用対象の基体が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。
【００２６】
酸化剤の配合量は、金属用研磨液の総量に対して、０．１〜２０重量％とすることが好ましく、０．２〜１９重量％とすることがより好ましく、０．３〜１８重量％とすることが特に好ましい。配合量が  ０．１重量％未満では、金属の酸化が不充分でＣＭＰ速度が低くなる傾向があり、２０重量％を超えると、研磨面に荒れが生じる傾向がある。
【００２７】
本発明における酸化金属溶解剤は、水溶性のものであれば特に制限はなく、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコ−ル酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の有機酸、これらの有機酸エステル及びこれら有機酸のアンモニウム塩等が挙げられる。
【００２８】
また、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸、これら無機酸のアンモニウム塩類、例えば硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム等、クロム酸等が挙げられる。これらの中で特に、効果的に研磨できるという点でギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が金属層のＣＭＰに対して好適である。これらは１種類単独で又は２種類以上組み合わせて用いることができる。
【００２９】
酸化金属溶解剤成分の配合量は、金属用研磨液の総量に対して０．００１〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１〜８重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重量％とすることが特に好ましい。この配合量が０．００１重量％以下になると研磨速度が極端に減少する傾向があり、１０重量％を超えると、エッチングの抑制が困難となる傾向がある。
【００３０】
本発明の含窒素複素環化合物は、トリアゾ−ル化合物、イミダゾ−ル化合物、テトラゾール化合物等が挙げられる。
【００３１】
本発明におけるトリアゾ−ル化合物としては水溶性のものであれば特に制限はなく、例えば、２−メルカプトベンゾチアゾ−ル、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、４−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルメチルルエステル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルブチルエステル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルオクチルエステル、５−ヘキシルベンゾトリアゾ−ル、［１，２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル］［１，２，４−トリアゾリル−１−メチル］［２−エチルヘキシル］アミン、トリルトリアゾ−ル、ナフトトリアゾ−ル、ビス［（１−ベンゾトリアゾリル）メチル］ホスホン酸、３−アミノトリアゾ−ル等を挙げることができる。
【００３２】
イミダゾ−ル化合物としては水溶性であれば特に制限はなく、例えば、２−メチルイミダゾ−ル、２−エチルイミダゾ−ル、２−イソプロピルイミダゾ−ル、２−プロピルイミダゾ−ル、２−ブチルイミダゾ−ル、４−メチルイミダゾ−ル、２、４−ジメチルイミダゾ−ル、２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル、２−ウンデシルイミダゾ−ル、２−アミノイミダゾ−ル等を挙げることができる。
【００３３】
テトラゾール化合物としては水溶性であれば特に制限はなく、例えば５−メチルテトラゾール、５−アミノテトラゾール、１−（２−ジアミノエチ）−５−メルカプトテトラゾール等が挙げられる。
【００３４】
これらの中で特に、効果的に研磨できるという点で１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、３−アミノ−１，２，４−トリアゾ−ルが好適である。これら含窒素複素環化合物は１種類単独で又は２種類以上混合して用いることができる。
【００３５】
本発明の含窒素複素環化合物の総配合量は、金属用研磨液の総量に対して０．００１〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１〜８重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重量％とすることが特に好ましい。この配合量が０．００１重量未満では、エッチングの抑制が困難となる傾向があり、１０重量％を超えると研磨速度が低くなってしまう傾向がある。
【００３６】
本発明の金属用研磨液は、さらに水溶性ポリマを含むことができる。この水溶性ポリマとしては、例えば、アルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロ−ス、寒天、カ−ドラン及びプルラン等の多糖類；ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩；ポリビニルアルコ−ル、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレインのビニル系ポリマ等が挙げられる。
【００３７】
その中でもペクチン酸、寒天、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコ−ル及びポリビニルピロリドン、それらのエステル並びにそれらのアンモニウム塩が好ましい。
【００３８】
また、適用する基体が半導体集積回路用シリコン基板などの場合はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸又はそのアンモニウム塩が望ましい。なお、基体がガラス基板等である場合はその限りではない。
【００３９】
水溶性ポリマの配合量は、金属用研磨液の総量に対して０〜１０重量％とすることが好ましく、０．０１〜８重量％とすることがより好ましく、０．０２〜５重量％とすることが特に好ましい。この配合量が１０重量％を超えると研磨速度が低下する傾向がある。
【００４０】
水溶性ポリマの重量平均分子量（ＧＰＣ測定、標準ポリスチレン換算）は５００以上とすることが好ましく、１５００以上とすることがより好ましく５０００以上とすることが特に好ましい。重量平均分子量の上限は特に制限はないが、溶解性の観点から５００万以下である。重量平均分子量が５００未満では高い研磨速度が発現しない傾向がある。本発明では、重量平均分子量が５００以上である少なくとも１種以上の水溶性ポリマを用いることが好ましい。
【００４１】
本発明の金属用研磨液には、上述した材料の他に、アルミナ、シリカ、セリア等の固体砥粒、界面活性剤、ビクトリアピュアブル−等の染料、フタロシアニングリ−ン等の顔料等の着色剤を０．０１〜１重量％、好ましくは０．１〜０．８重量％程度含有させてもよい。
【００４２】
本発明を適用する金属膜としては、銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物（以下銅合金という）が挙げられ、公知のスパッタ法、メッキ法により成膜できる。
【００４３】
本発明の研磨方法は、研磨定盤の研磨布上に前記の金属用研磨液を供給しながら、被研磨膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法である。研磨する装置として、半導体基板を保持するホルダと研磨布（パッド）を貼り付けた（回転数が変更可能なモ−タなどを取り付けてある）定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。
【００４４】
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように２００ｍｉｎ−１以下の低回転が好ましい。
【００４５】
被研磨膜を有する半導体基板の研磨布への押し付け圧力は、１〜１００ｋＰａであることが好ましく、ＣＭＰ速度のウエハー面内均一性及びパタ−ンの平坦性を満足するためには、５〜５０ｋＰａであることがより好ましい。
【００４６】
研磨している間、研磨布には金属用研磨液をポンプなどで連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨布の表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
【００４７】
本発明の銅研磨速度は、研磨前後での膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。
また、面内均一性は以下のように定義した。
ｎ箇所研磨速度を測定し、ｉ番目の箇所の研磨速度をＲｉ、研磨速度の平均値をＲａｖとしたとき、面内均一性（ＮＵ）は次式のようになる。
【００４８】
【数１】
2009253151.tif 000002
【００４９】
本発明金属用研磨液は、信頼性の高い半導体デバイス及び機器に用いられる銅膜の研磨に好適であるが、他の銅膜の研磨に用いることもできる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により制限するものではない。
（金属用研磨液作製方法）
金属用研磨液は全量を２０００ｇとしたとき、純水９００ｇに対して金属酸化膜溶解剤、面内均一性向上剤、水溶性ポリマ１０ｇ及び含窒素複素環化合物２．０ｇを溶解させた後、砥粒としてコロイダルシリカ粒子５ｇ（二次粒径５０ｎｍ）を添加、ｐＨ調整剤としてアンモニア適量を添加してｐＨを３．６にし、残りの重量分の純水を加えて１０００ｇとして作製した液に、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液１０００ｇを添加して作製した。
【００５１】
金属酸化膜溶解剤と面内均一性向上剤は添加量を足して３．５ｇになるように添加した。金属用研磨液の組成を表１に示す。  砥粒の粒径は、研磨液を８０００ｍｉｎ−１、１０分間遠心分離し、その上澄み液をマルバーン社製のゼータサイザー３０００ＨＳで測定した。
【００５２】
（銅基板の研磨）
上記研磨液を定盤に貼り付けたパッドに滴下しながら、下記に示す研磨条件でＣＭＰ処理を行い、下記に示す評価を行った。
【００５３】
（研磨条件）
研磨装置：アプライドマテリアル社製Ｍｉｒｒａ
研磨パッド：独立気泡を持つ発泡ポリウレタン樹脂
研磨圧力：１４ｋＰａ／ｃｍ２（１４０ｇｆ／ｃｍ２）
研磨ヘッドの回転数：６０ｍｉｎ−１
研磨定盤の回転速度：５０ｍｉｎ−１
研磨液流量：２００ｃｃ／ｍｉｎ
研磨時間：２分
【００５４】
（使用基板）
厚さ１５０００Ａの銅膜を形成したシリコン基板（直径８インチ）
（評価項目及び評価方法）
ＣＭＰによるアルミニウム研磨速度：基板の研磨前後での膜厚差をシート抵抗変化から換算して求めた。測定点は直径方向８１ポイントとし、平均研磨速度（研磨速度と定義）、面内均一性を算出した。
【００５５】
銅研磨速度に関しては４００ｎｍ／ｍｉｎ以上、面内均一性に関しては１０．０％以下を良好であるとした。
表１に銅基体に対するＣＭＰの研磨速度、面内均一性の評価結果を示す。
【００５６】
実施例１
（研磨液の調整）
酒石酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸１．５ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００５７】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００５８】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は４００ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性７．２％であり、面内均一性向上剤を用いていない系（比較例１）に対し研磨速度が同等で面内均一性が向上する良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００５９】
実施例２
（研磨液の調整）
コハク酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸１．５ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００６０】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００６１】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は４８０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性５．４％であり、面内均一性向上剤を用いていない系（比較例２）に対し研磨速度が同等で面内均一性が向上する良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００６２】
実施例３
（研磨液の調整）
リンゴ酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸１．５ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００６３】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００６４】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は５５０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性６．２％であり、面内均一性向上剤を用いていない系（比較例３）に対し研磨速度が同等で面内均一性が向上する良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００６５】
実施例４
（研磨液の調整）
リンゴ酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、１，２，４−トリアゾール２ｇ及びオルトリン酸１．５ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００６６】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００６７】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は５６０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性５．８％であり、研磨速度、面内均一性ともに良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００６８】
実施例５
（研磨液の調整）
リンゴ酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びメタリン酸１．５ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００６９】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、３０ｗｔ％のさらに過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００７０】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は５８０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性６．５％であり、研磨速度、面内均一性ともに良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００７１】
実施例６
（研磨液の調整）
リンゴ酸１．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸２．０ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００７２】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００７３】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は５８０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性６．５％であり、研磨速度、面内均一性ともに良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００７４】
実施例７
（研磨液の調整）
リンゴ酸１．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸１．０ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００７５】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００７６】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は６００ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性８．８％であり、研磨速度、面内均一性ともに良好な結果が得られた。その結果を表１に示す。
【００７７】
比較例１
（研磨液の調整）
酒石酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ及びベンゾトリアゾール２ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００７８】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００７９】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は４００ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性１１．０％であり、面内均一性向上剤を用いた系（実施例１）に対し研磨速度が同等だったが面内均一性は悪化する結果が得られた。その結果を表２に示す。
【００８０】
比較例２
（研磨液の調整）
コハク酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ及びベンゾトリアゾール２ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００８１】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００８２】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は４９０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性１４．０％であり、面内均一性向上剤を用いた系（実施例２）に対し研磨速度が同等だったが面内均一性は悪化する結果が得られた。その結果を表２に示す。
【００８３】
比較例３
（研磨液の調整）
リンゴ酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ及びベンゾトリアゾール２ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００８４】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００８５】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は５５０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性１２％であり、面内均一性向上剤を用いた系（実施例３）に対し研磨速度が同等だったが面内均一性は悪化する結果が得られた。その結果を表２に示す。
【００８６】
比較例４
（研磨液の調整）
リンゴ酸２．０ｇ、ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸０．１ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００８７】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００８８】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は５６０ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性１２％であり、面内均一性向上剤を十分量用いた系（実施例３、６）に対し研磨速度が同等だったが面内均一性は悪化する結果が得られた。その結果を表２に示す。
【００８９】
比較例５
（研磨液の調整）
ポリアクリル酸１０ｇ、ベンゾトリアゾール２ｇ及びオルトリン酸０．３ｇを純水９００ｇ中に溶解した後、二次粒径が５０ｎｍのコロイダルシリカ２０ｗｔ％水分散液２５ｇを加え十分に攪拌した。
【００９０】
次に、濃度２５ｗｔ％のアンモニア水によりｐＨを３．５に調整して研磨液とし、最後に全量が１０００ｇとなるように純水を加えた後、さらに３０ｗｔ％の過酸化水素水溶液を１０００ｇ添加して研磨液を得た。  
【００９１】
上記で得た研磨液を用いて上記方法に従い研磨を行った結果、銅の研磨速度は２００ｎｍ／ｍｉｎ、面内均一性４．２％であり、酸化金属溶解剤を用いた系（実施例３，６）に対し面内均一性は同等だったが研磨速度が大きく低下する結果が得られた。その結果を表２に示す。
【００９２】
【表１】
2009253151.tif 000003
【００９３】
【表２】
2009253151.tif 000004