(57)【要約】    【課題】  電子部品を内蔵し、接続信頼性を高めたプリント配線板の製造方法を提供する。    【解決手段】  片面銅張り積層板２０に形成した位置決めマーク２６を基準としてＩＣチップ３０を搭載し、ＩＣチップ３０の端子３０Ａ、３０Ｂへ至る通孔３６を穿設し、通孔３６内に金属３８、４０を充填して、チップコンデンサ３０の端子接続用のバイアホール４２を設ける。このため、チップコンデンサ３０の端子３０Ａ、３０Ｂとバイアホール４２との間で位置ズレが生じず、チップコンデンサの端子接続用のバイアホール４２の接続信頼性を高めることができる。【選択図】  図３
2009194381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する第１樹脂層と前記第１樹脂層の第１面上に形成されている金属膜とからなる積層体を準備する工程と、
第１面と第１面とは反対側の第２面を有する第２樹脂層を準備する工程と、
前記第２樹脂層に、電子部品を収容するための開口部を形成する工程と、
前記積層体にアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを基準として、前記第１樹脂層の第２面上に接着層を形成する工程と、
前記アライメントマークを基準として、前記接着層上に電子部品を搭載する工程と、
前記第１樹脂層の第２面上に前記第２樹脂層の第１面を積層して、前記開口部内に前記電子部品を収容する工程と、
前記開口部内において、前記電子部品の周りに充填樹脂を充填する工程と、
前記アライメントマークを基準として、前記電子部品の端子へ至る開口を前記第１樹脂層に形成する工程と、
前記開口内に導体を形成して、前記電子部品の端子に接続するビア導体を形成する工程と、
前記第１樹脂層の第１面上に複数の導体回路を形成する工程と、からなるプリント配線板の製造方法であって、
前記ビア導体は、前記導体回路の少なくとも１つと接続しているプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
前記第１樹脂層は、ガラス繊維もしくはアラミド繊維で強化された樹脂層である請求項１のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
前記アライメントマークは、前記積層体を貫通する貫通孔である請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
前記アライメントマークは、前記金属膜から形成された導体部からなる請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品の端子への開口はレーザにより形成されている請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
前記ビア導体は、無電解めっき膜と無電解めっき膜上の電解めっき膜とからなる請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
前記金属膜は銅箔である請求項１に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にコンデンサ、ＩＣチップ等の電子部品を内蔵するプリント配線板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パッケージ基板用のプリント配線板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にするため表面実装していたチップコンデンサを、ＩＣチップ直下のプリント配線板内に内蔵させることで、ＩＣチップとチップコンデンサとの距離の短縮化が図られている。また、パッケージ基板上に搭載していたＩＣチップをパッケージ基板に内蔵させることで、軽薄化、電力供給の円滑化が図られている。
【０００３】
特表２００６−５２３３７５号公報には、導電層の表面に電子部品を接着し、該導電層と電子部品の端子とを接続する導体を形成し、導電層から導電パターンを形成する電子モジュールの製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００６−５２３３７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特表２００６−５２３３７５号公報では、導電層（銅箔）の表面に電子部品を接着している。銅箔は腰が無く撓み易いので、薄い銅箔は使い難い。一方、厚い銅箔を用いるとエッチングによりファインピッチの配線を形成することができなくなる。また、銅箔（導電層）が撓むと、撓んだ部位で切れて断線の原因となることがある。また、銅箔（導電層）が撓んだ処に電子部品の端子接続用のビア導体を設けると、ビア導体の接続信頼性が低くなる。銅箔に塗布された樹脂は、熱硬化させる際、硬化収縮するので、その収縮に伴って、銅箔が撓み易い。このため、特表２００６−５２３３７５号公報の製造方法では、歩留まりを高めることが困難であった。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電子部品を収容し、接続信頼性を高めたプリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１のプリント配線板の製造方法は、
第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する第１樹脂層と前記第１樹脂層の第１面上に形成されている金属膜とからなる積層体を準備する工程と、
第１面と第１面とは反対側の第２面を有する第２樹脂層を準備する工程と、
前記第２樹脂層に、電子部品を収容するための開口部を形成する工程と、
前記積層体にアライメントマークを形成する工程と、
前記アライメントマークを基準として、前記第１樹脂層の第２面上に接着層を形成する工程と、
前記アライメントマークを基準として、前記接着層上に電子部品を搭載する工程と、
前記第１樹脂層の第２面上に前記第２樹脂層の第１面を積層して、前記開口部内に前記電子部品を収容する工程と、
前記開口部内において、前記電子部品の周りに充填樹脂を充填する工程と、
前記アライメントマークを基準として、前記電子部品の端子へ至る開口を前記第１樹脂層に形成する工程と、
前記開口内に導体を形成して、前記電子部品の端子に接続するビア導体を形成する工程と、
前記第１樹脂層の第１面上に複数の導体回路を形成する工程と、を有し、
前記ビア導体は、前記導体回路の少なくとも１つと接続している。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１のプリント配線板の製造方法では、積層体に形成したアライメントマークを基準として電子部品を搭載し、電子部品の端子へ至る開口（バイアホール）を形成し、開口内に電子部品の端子と接続するビア導体を形成している。このため、電子部品の端子とビア導体との間で位置精度が高くなる。そのため、電子部品と第１樹脂層に形成された導体回路間の接続信頼性が高くなる。また、電子部品が、第１樹脂層と金属膜とからなる積層体上に搭載されるので、金属膜に皺が寄り難い。そのため、撓んだ部位で、金属膜が切れて断線を生じたり、ビア導体の形成箇所で、金属膜が撓んで未接続となり難い。このため、歩留まりを高めることができる。
【０００９】
積層体として片面銅張積層板を用いるが望ましい。取り扱いが容易であり、また、樹脂層と銅箔とが密着しているため、樹脂層を熱硬化させる際の硬化収縮により銅箔に撓みが生じにくい。
【００１０】
アライメントマークは、金属膜及び第１樹脂層に貫通孔を穿設することより形成することが望ましい。積層体の貫通孔をアライメントマークに用いることで、積層体の両側からアライメントマークを認識することが可能となる。その結果、第１樹脂層の第２面側からアライメントマークを認識して電子部品の搭載位置を決定できる。また、金属膜側（第１樹脂層が積層されている面とは反対側）からアライメントマークを認識して電子部品の端子へ至る開口を形成する位置を決定できる。このように、同じアライメントマークを使って、電子部品を搭載し、電子部品の端子に至る開口を形成している。そして、開口内に導体を形成してビア導体としている。そのため、電子部品の端子とビア導体との間で位置ズレが生じず、電子部品の端子接続用のビア導体の接続信頼性を高めることができる。
【００１１】
アライメントマークは金属膜の不要部分をエッチング除去することより形成することもできる。これにより、二重円等の複雑な形状のアライメントマークを形成することが可能となり、位置決めの際の画像認識の精度を高めることができる。
【００１２】
金属膜、第１樹脂層及び接着層に形成する開口はレーザにより形成することが望ましい。レーザを用いることで小径の開口が形成でき、ファインピッチが可能となる。
【００１３】
ビア導体の形成は、開口の内壁に無電解めっき膜を形成した後、無電解めっき膜上に電解めっき膜を形成することにより行われることが好ましい。これにより、信頼性の高いビア導体を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の第１実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第１実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【図４】第１実施例に係る多層基板を積層して成るプリント配線板の断面図である。
【図５】第１実施例に係る多層基板上にビルドアップ層を積層して成る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施例に係る多層基板の製造工程図であり、（Ｃ）は、  （Ｂ）中の位置決めマーク２６のＣ矢視図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第３実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【図８】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第３実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【図９】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第４実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、第４実施例に係る多層基板の製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
[第１実施例]
以下、本発明の実施例について図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施例に係る多層基板５０の構成について、図３（Ｃ）を参照して説明する。
多層基板５０は、第１樹脂層２２、第２樹脂層３２及び第３樹脂層３４の３つの樹脂層からなり、、第２樹脂層３２の開口部３２Ａにチップコンデンサ３０が収容されている。第３樹脂層の第２面に導体回路４６が、第１樹脂層の第１面に導体回路４４が形成されている。第１樹脂層には、ビア導体４２Ｄが形成されていて、ビア導体４２Ｄはチップコンデンサの端子３０Ａ、３０Ｂと第１樹脂層の導体回路４４とを接続している。また、第３樹脂層には、ビア導体４２Ｕが形成されていて、ビア導体４２Ｕはチップコンデンサの端子３０Ａ、３０Ｂと第３樹脂層の導体回路４６とを接続している。また、多層基板には、第１樹脂層の導体回路４４と第３樹脂層の導体回路４６の電気的導通を取るスルーホール導体４３が形成されている。
【００１６】
多層基板５０は、図４に示すように、ビルドアップ多層プリント配線板のコア基板として用いることもできる。コア基板（多層基板５０）の両面には、層間樹脂絶縁層８０、９０と導体回路８２、９２とが交互に積層されている。そして、コア基板に形成されている導体回路と下層の層間樹脂絶縁層８０に形成されている導体回路は、下層の層間樹脂絶縁層８０に形成されているビア導体８２を介して接続されている。また、下層の層間樹脂絶縁層８０に形成されている導体回路と上層の層間樹脂絶縁層９０に形成されている導体回路は、上層の層間樹脂絶縁層９０に形成されているビア導体９２を介して接続されている。上層の層間樹脂絶縁層９０上にはソルダーレジスト層９６が形成され、ソルダーレジスト層９６の開口９６Ａには、半田バンプ９８Ｕが形成されている。
【００１７】
また、多層基板５０は、図５に示すように複数枚の多層基板５０、多層基板６０、多層基板７０を接着層５２を介在させ積層してもよい。各多層基板５０、多層基板６０、多層基板７０は、積層後に貫通孔５３を形成し、該貫通孔５３内に形成した無電解めっき膜と電解めっき膜とからなるスルーホール導体を介して接続されている。ここで、上側の多層基板６０には複数個のＩＣチップ６２が収容されている。一方、下側の多層基板７０には、複数個のチップコンデンサ７２が収容されている。
導体回路の表面やビア導体の表面、スルーホール導体の表面は粗面であることが好ましい。また、層間樹脂絶縁層の表面は粗面であることが好ましい。
【００１８】
引き続き、図３（Ｂ）を参照して上述したプリント配線板の製造方法について、図１〜図３を参照して説明する。
【００１９】
（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）やエポキシなどの樹脂を含浸させて硬化させた第１樹脂基板２２の片面に厚み１８μｍの銅箔２４がラミネートされている片面銅張積層板（積層体）２０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。ここで、銅箔がラミネートされている側が、第１樹脂層（第１樹脂基板）の第１面である。そして、第１面と反対側の面が第２面である。
【００２０】
（２）片面銅張積層板２０の四隅に位置決め用の貫通孔２６（アライメントマーク２７）をレーザにより形成する（図１（Ｂ）参照）。
【００２１】
（３）次いで、片面銅張積層板の表面（第１樹脂層の第２面）に絶縁性樹脂から成る接着剤層（接着層）２８を形成する（図１（Ｃ）参照）。接着剤層を形成する位置は、位置決め用の貫通孔２６を用いて決められる。接着剤層の形成は、塗布やポッティングなどで形成できる。これにより、後述するようにチップコンデンサ３０と第１樹脂基板２２との隙間を充填することが可能となる。位置決め用の貫通孔はドリルにより形成してもよい。
【００２２】
（４）次いで、チップコンデンサ３０が、片面銅張積層板上に接着剤層を介して搭載される（図１（Ｄ）参照）。チップコンデンサを搭載する位置は、位置決め用の貫通孔２６を用いて決められる。チップコンデンサ３０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップコンデンサ３０を用いることにより、コンデンサの高集積化が可能となる。
【００２３】
（５）次に、ガラスクロス等の心材にエポキシ樹脂やＢＴ樹脂などの樹脂を含浸させたプリプレグ３２α（厚さ０．４ｍｍ）とプリプレグ３４α（厚さ０．１ｍｍ）を用意する。プリプレグ３２αには、チップコンデンサ３０を収容するための開口部３２Ａを形成しておく。第１樹脂基板２２の上にプリプレグ３２αを介してプリプレグ３４αを載置する（図２（Ａ）参照）。プリプレグ３２αは、第１樹脂層上にプリプレグ３２αの開口部とチップコンデンサを位置合わせして積層される。これにより、多層基板５０内にチップコンデンサ３０を収容することが可能となり、ループインダクタンスを低減させることができる。ここで、プリプレグ３２α、３４αは未硬化状態の樹脂層である。
【００２４】
（６）そして、重ね合わせた基板は加熱プレスすることにより、第１、第２、第３樹脂基板２２、３２、３４を多層状に一体化し、チップコンデンサ３０を有する多層基板５０を形成する（図２（Ｂ）参照）。
ここでは、加熱プレスすることで、先ず、プリプレグ３２α、３４αからエポキシ樹脂（絶縁性樹脂）等が開口部３２Ａ内に押し出される。そして、押し出された樹脂が開口部３２Ａとチップコンデンサ３０との間の隙間を充填する。次いで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプレグ３２αが第２樹脂基板（第２樹脂層）に、プリプレグ３４αが第３樹脂基板（第３樹脂層）となる。開口部内に押し出された樹脂が硬化して、開口部３２Ａとチップコンデンサ３０との間の隙間を充填する充填樹脂となる。また、第１樹脂基板と第２樹脂基板、第３樹脂基板が、強固に接着される。なお、本実施例では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３２Ａ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３２Ａ内に充填材を配置しておくことも可能である。更に、プリプレグ３２の代わりに硬化させた樹脂基板を用いることもできる。
第１樹脂層と第３樹脂層の厚みは略等しいことが好ましい。
充填樹脂は、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなることが好ましい（ガラス繊維やアラミド繊維は有していない）。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。
第２樹脂層の第１面は、第１樹脂層と向かい合う面であって、第２樹脂層の第２面は、第１面とは反対側の面である。
第３樹脂層の第１面は、第２樹脂層と向かい合う面であって、第３樹脂層の第２面は、第１面とは反対側の面である。
【００２５】
ここで、多層基板５０の両面が平滑な第１樹脂基板２２、第３樹脂基板３４なので、多層基板５０の平滑性が損なわれず、後述する工程で、多層基板の上に導体回路４４、４６、ビア導体４２Ｕ、４２Ｄを適切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させることができる。また、多層基板５０に十分な強度を得ることができる。
【００２６】
（７）次いで、位置決め用の貫通孔２６（アライメントマーク２７）を用いて、銅箔２４、第１樹脂基板（第１樹脂層）２２及び接着剤層２８に、レーザによりチップコンデンサの端子３０Ａ、端子３０Ｂへ至るビア導体用のバイアホール３６Ｄを形成する。また、充填樹脂、第３樹脂基板３４に、チップコンデンサの電極に至るビア導体用のバイアホール３６Ｕを形成する。なお、チップコンデンサの電極と第３樹脂基板間に充填樹脂が存在しない場合は、バイアホール３６Ｕは、第３樹脂基板に形成すればよい。また、銅箔２４、第１樹脂基板２２、第２樹脂基板３２及び第３樹脂基板３４へ貫通孔３７を形成する（図２（Ｃ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行う。或いは、過マンガン酸等の薬液処理を行ってもよい。
バイアホールを形成する位置は、コンデンサを搭載するときに用いたアライメントマークを基準にして決定されている。そのため、バイアホールが、コンデンサの端子（電極）に対し、位置ずれすることなく、高精度に形成することができる。
プリプレグから染み出した樹脂が貫通孔２６を充填して、アライメントマークの認識が困難となる場合がある。そのような場合、アライメントマークをカメラやＸ線などで認識して、新たな第２アライメントマークを形成してもよい。この時、バイアホール３６Ｕ、３６Ｄは、第２アライメントマークを基準にして形成されることが好ましい。第２アライメントマークは、多層基板（ベース基板）５０を貫通する貫通孔などであって、アライメントマーク２７を基準にして形成することができる。
【００２７】
（８）次に、市販（例えば上村工業社製）の無電解銅めっき水溶液中に、触媒を付与した多層基板５０を浸漬して、バイアホール３６Ｄ、３６Ｕと貫通孔３７の内壁を含む多層基板５０の表面に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解めっき膜（無電解銅めっき膜）３８を形成する（図２（Ｄ））。
〔無電解めっき条件〕
３４℃の液温度で４０分
【００２８】
（９）そして、市販（例えば、上村工業社製）の電解めっき液に多層基板５０を浸漬し、無電解銅めっき膜３８を介して電流を流し、以下の条件で電解めっきを施して電解銅めっき膜４０を形成する（図３（Ａ）参照）。
【００２９】
〔電解めっき条件〕
電流密度              １Ａ／Ｄｍ２
時間                  １２０分
温度              ２２±２℃
【００３０】
（１０）電解めっき膜上に所定パターンのエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部を溶解除去し、そして、エッチングレジストを除去する（図３（Ｂ））。その後、導体回路表面をソフトエッチングすることにより、導体（電解銅めっき膜）表面に粗化面４８を形成する。これにより、多層基板５０の上面側（第３樹脂層の第２面上）に無電解銅めっき膜３８及び電解銅めっき膜４０から成る導体回路４６を形成し、第３樹脂層にビア導体４２Ｕを形成する。下面側（第１樹脂層の第１面上）に銅箔２４、無電解銅めっき膜３８及び電解銅めっき膜４０から成る導体回路４４を形成し、第１樹脂層にビア導体４２Ｄを形成する。同時に、スルーホール導体４３を形成する（図３（Ｃ））。導体回路４４、４６、ビア導体４２Ｕ、４２Ｄ及びスルーホール導体４３の形成方法は上記に限定されるものではなく、一般的に配線形成に用いられるＳＡＰ（セミアディティブ）法を用いることができる。導体回路とビア導体は同時に形成されることが好ましい。
【００３１】
第１実施例のプリント配線板の製造方法では、片面銅張積層板２０に形成したアライメントマーク２７を基準としてチップコンデンサを第１樹脂層に搭載している。また、アライメントマークを基準にして、チップコンデンサの端子３０Ａ、３０Ｂへ至る開口（バイアホール）３６を形成している。そして、バイアホール３６内にビア導体を形成して、チップコンデンサ３０の端子と接続するビア導体（チップコンデンサの端子（電極）と直接接続しているビア導体）４２Ｕ、４２Ｄを設ける。このため、チップコンデンサ３０の端子３０Ａ、端子３０Ｂとビア導体４２Ｕ、４２Ｄとの間で位置ズレが生じず、チップコンデンサの端子とビア導体４２Ｕ、４２Ｄの接続信頼性を高めることができる。また、本願の第１実施例では、チップコンデンサを第１樹脂層と金属膜とからなる積層体にチップコンデンサに搭載しているので、金属膜（銅箔）２４に皺が寄り難く、撓んだ部位で切れて断線を生じたり、ビア導体の形成箇所で撓んで未接続と成ることが無い。このため、歩留まりを高めることができる。
【００３２】
第１実施例では、積層体として片面銅張積層板２０を用いるため、取り扱いが容易であり、また、樹脂層２２と銅箔２４とが密着しているため、樹脂層２２を熱硬化させる際の熱収縮により銅箔２４に撓みが出にくい。
【００３３】
第１樹脂層と第３樹脂層は、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなっていてもよい（ガラス繊維やアラミド繊維は有していない）。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜９０ｗｔ％であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。
また、実施例１では、チップコンデンサをプリント配線板に内蔵したが、コンデンサの代わりに、ＩＣチップや抵抗、インダクタなどの電子部品を内蔵することができる。
【００３４】
[第２実施例]
引き続き本発明の第２実施例に係るプリント配線板の製造方法について図６を参照して説明する。
図１を参照して上述した第１実施例の製造方法では、アライメントマークは積層体を貫通する貫通孔２６であった。これに対して、第２実施例では、図６（Ａ）に示す片面銅張積層板２０の銅箔２４の一部をエッチング除去することでアライメントマークを形成する（図６（Ｂ））。図６（Ｂ）中のアライメントマークのＣ矢視図を図６（Ｃ）に示す。
【００３５】
第２実施例の製造方法では、アライメントマークは銅箔２４の一部をエッチング除去することより形成するため、図６（Ｃ）中に示すように二重円等の複雑な形状のアライメントマークを形成することが可能となり、位置決めの際の画像認識の精度を高めることができる。図６（Ｃ）に示したアライメントマークは導体部２６と第１樹脂層が露出している部分（導体が無い部分）２２とからなっている。図６（Ｃ）では、導体部２６の周りを第１樹脂層が露出している部分２２が囲んでいる。なお、導体部２６が、第１樹脂層が露出している部分２２を囲んでもよい。
【００３６】
[第３実施例]
次に、本発明の第３実施例に係るプリント配線板の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。
図８（Ｃ）は、第３実施例の多層基板５０を示している。多層基板５０は、ＩＣチップ３１とＩＣチップを収容するための開口部を有する第２基板３２と開口部の一方を塞いでいる第１樹脂層２２と接着剤層２８と充填樹脂１００とビア導体４２Ｄと導体回路４４とからなる。第１樹脂層の第２面は、ＩＣチップの電極が形成されている面と対向している面である。第１実施例では、プリント配線板内にチップコンデンサを収容した。これに対して、第３実施例では、ＩＣチップ３１を収容するため、ＩＣチップの端子（電極）３１Ａ、３１Ｂの設けられた下面側（第１樹脂層）にビア導体４２Ｄを設ける。
【００３７】
図１（Ａ）〜図１（Ｄ）を参照して上述した第１実施例と同様に、ＩＣチップ３１は、片面銅張積層板（積層体）に搭載される（図７（Ａ））。
次いで、図７（Ｂ）に示すように、ＩＣチップを収容するための開口部３２Ａを有するプリプレグ３２αを片面銅張積層板上に積層する。プリプレグの開口部３２ＡとＩＣチップ３１は、位置合わせされている。開口部３２Ａは、プリプレグ３２αに形成されているアライメントマーク（貫通孔２７０）を基準にして形成されている。また、ＩＣチップは片面銅張積層板に形成されているアライメントマーク（貫通孔２６）を基準に搭載されている。片面銅張積層板に形成されたアライメントマークとプリプレグに形成されたアライメントマークを基準にして、片面銅張積層板上にプリプレグ３２αを積層することによって、ＩＣチップは、開口部内に精度良く収容される。
【００３８】
次いで、加熱プレスして、片面銅張積層板とプリプレグを一体化した。プリプレグは硬化した。
次いで、開口部内の空間（開口部内の空間において、チップコンデンサと接着剤層以外のスペース）に樹脂を充填する。
次いで、開口部内に充填した樹脂を熱硬化して、充填樹脂１００とした。ここで、充填樹脂は、熱硬化性樹脂と無機フィラーとからなることが好ましい。無機フィラーには、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮまたはＳｉＯ2などを用いることができ、その場合の無機フィラー量は、３０〜６０ｗｔ％であることが好ましい。熱硬化性樹脂には、たとえば、耐熱性が高いエポキシ樹脂、フェノール樹脂またはシアネート樹脂が好ましく、この中でも、耐熱性が優れるエポキシ樹脂が特に好ましい。ＩＣチップは、樹脂基板に収容された（図７（Ｃ））。
【００３９】
次いで、第２樹脂層のアライメントマークもしくは、積層体のアライメントマークを基準にして、銅箔をサブトラクティブ法でパターニングする。この時、ＩＣチップの電極に対応する部分の銅箔は除去され、銅箔に開口１１０が形成される（図８（Ａ））。
【００４０】
ここで、貫通孔２７０や貫通孔２６に樹脂が充填されて第２樹脂基板のアライメントマークや積層体のアライメントマークの認識が困難となる場合がある。そのような場合、貫通孔２６によって、銅箔２４に形成された開口２７‘をアライメントマークとしてもよい。開口２７’内に存在する樹脂とその周りの銅箔では、光の反射率やＸ線の透過率が異なるため、開口２７‘はアライメントマークとして機能する。もしくは、第２樹脂基板のアライメントマーク又は積層体のアライメントマークを基準にして新たな第２アライメントマークを形成し、第２アライメントマークを基準として、開口１１０を形成してもよい。ここで、第２アライメントマークとしては、第２樹脂基板と積層体を貫通する貫通孔や図６（Ｃ）に示したパターンをアライメントマークとすることができる。
【００４１】
次に、積層体のアライメントマーク、もしくは、第２樹脂基板のアライメントマーク、又は、第２アライメントマークを基準にして、銅箔の開口にレーザを照射する。その結果、ＩＣチップの端子に至るビア導体用のバイアホール３６Ｄが形成される（図８（Ｂ））。
次いで、バイアホールが形成された基板の表面に、無電解めっき膜３８を形成する。
次いで、無電解めっき膜３８上に電解めっき膜４０を形成する。ここで、無電解めっき膜３８と電解めっき膜４０は銅が好ましい。
【００４２】
その後、アライメントマーク２７、もしくは、第２アライメントマークを基準にして、サブトラクティブ法で、第１樹脂層の第１面上に導体回路を形成するとともに、導体回路４４とＩＣチップの電極を接続するビア導体４２Ｄを形成する（図８（Ｃ））。
【００４３】
[第４実施例]
次に、本発明の第４実施例に係るプリント配線板の製造方法について、図９及び図１０を参照して説明する。第４実施例の多層基板５０は、第３実施例の多層基板に、さらに、第３樹脂層３４と第３樹脂層上の導体回路４６とスルーホール導体３３０を有している（図１０（Ｃ））。また、図１０（Ｃ）に示すように、導体回路４４（第１樹脂層の第１面に形成されている導体回路）は、電子部品の電極と接続しているビア導体とスルーホール導体と接続する導体回路４４Ａを有している。
【００４４】
第４実施例は、積層体にＩＣチップを搭載する工程までは、実施例３と同様であるので、省略する。
次いで、図９（Ａ）に示すように、図７（Ｂ）のプリプレグ３２α上にプリプレグ３４αと銅箔２１０を積層した。
【００４５】
次いで、加熱プレスすることで、積層体とプリプレグ３２α、３４αと銅箔２１０を接着した。また、開口部３２Ａ内を樹脂と無機フィラーとからなる充填樹脂１００で充填した（図９（Ｂ））。
次いで、実施例３と同様に、ＩＣチップの端子に対応する部分の銅箔を除去し開口１１０を形成した（図９（Ｃ））。
【００４６】
次いで、ＩＣチップの電極に至るバイアホール３６Ｄを形成した。更に、第１樹脂層の第１面上の銅箔と第１樹脂層、第２樹脂層、第３樹脂層、第３樹脂層の第２面上の銅箔を貫通する貫通孔２２０を形成した（図１０（Ａ））。
次いで、基板表面とバイアホール３６Ｄと貫通孔２２０の内壁に無電解めっき膜３８と電解めっき膜４０を形成して、ビア導体４２Ｄとスルーホール導体３３０を形成した（図１０（Ｂ））。
【００４７】
次いで、サブトラクティブ法でパターニングして、第１樹脂層２２の第１面と第３樹脂層３４の第２面上に導体回路４６、４４（４４Ａ）を形成した（図１０（Ｃ））。第１樹脂層２２の第１面上の導体回路４４と第３樹脂層３４の第２面上の導体回路４６は、スルーホール導体３３０で電気的に接続されている。また、第１樹脂層２２の第１面上の導体回路４４とＩＣチップの端子３１Ａ、３１Ｂとは、端子上に形成されているビア導体４２Ｄにより接続されている。
【００４８】
第３、第４実施例においても、実施例１の図４と同様に、電子部品を収容するコア基板上に、ビア導体を有する層間樹脂絶縁層と導体回路を交互に積層してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
２０  片面銅張積層板
２２  第１樹脂層
２４  銅箔
２６  位置決めマーク
２８  接着剤層
３０  チップコンデンサ
３２Ａ  開口
３４  第３樹脂層
３６  バイアホール用開口
４２Ｕ、４２Ｄ  バイアホール
４４  導体回路
４６  導体回路
５０  多層基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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