(57)【要約】【課題】挿入損失の増大や初期特性の劣化をさせることなく、周波数を精緻に調整することが可能な圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】パッケージ２０へのＳＡＷ共振子１０実装工程（ステップＳ１）の後で、ＳＡＷ共振子１０を駆動させて初期周波数を計測する初期周波数計測工程（ステップＳ２）と、初期周波数が所望の周波数規格値の許容範囲から外れている場合（ステップＳ３でＮＯ）に、ＳＡＷ共振子１０の実装工程（ステップＳ１）で接続されたＳＡＷ共振子１０の外部接続電極とパッケージ２０の接続端子との接続と並列に調整用ワイヤを接続することによってＳＡＷ共振子２０の周波数を初期周波数から変動させる調整用ワイヤ接続工程（ステップＳ４）と、調整用ワイヤ接続工程（ステップＳ４）の後で、ＳＡＷ共振子２０の周波数を計測する調整後周波数計測工程（ステップＳ５）と、を含むことを特徴とするＳＡＷデバイス１の製造方法。【選択図】図３
2009194607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に複数の接続端子を有する基板と、圧電基板上に励振電極および該励振電極に接続された外部接続電極を有する圧電振動片と、を備え、前記接続端子と前記外部接続電極とが接続された圧電デバイスの製造方法であって、
前記接続端子と前記外部接続電極とを接続する圧電振動片実装工程の後で、前記圧電振動片を駆動させて初期周波数を計測する初期周波数計測工程と、
前記初期周波数が所望の周波数規格値の許容範囲から外れている場合に、前記圧電振動片実装工程で接続された前記外部接続電極と前記接続端子との接続と並列に調整用ワイヤを接続することによって、前記圧電振動片の周波数を前記初期周波数から変動させる調整用ワイヤ接続工程と、
前記調整用ワイヤ接続工程の後で、前記圧電振動片の周波数を計測する調整後周波数計測工程と、を含むことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記調整用ワイヤ接続工程で接続されるボンディングワイヤの長さおよび本数を、前記初期周波数と前記周波数規格値との差に基づいて決定することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記圧電振動片実装工程で、前記圧電振動片と前記基板とをワイヤボンディングにより接続することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法において、
前記基板がパッケージであり、該パッケージ内に接続された前記圧電振動片を前記パッケージ上に蓋体を接合することにより封止する前に、前記調整後周波数計測工程において前記圧電振動片の周波数が前記周波数規格値の許容範囲内であることを確認することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子機器において所定の周波数を発生させる発振源としての圧電振動片を備えた圧電デバイスが広く使用されている。例えば、携帯電話やテレビ受像機などの電子部品や通信部品において、共振子や帯域フィルタなどとして、圧電基板の表面に形成したＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極により圧電体表面に弾性表面波を励振させたり、弾性表面波を検出したりするように構成された弾性表面波素子片（以下「ＳＡＷ（Surface  Acoustic  Wave）素子片」という）を使用した弾性表面波デバイス（以下「ＳＡＷデバイス」という）が使用されている。ＳＡＷ素子片は、水晶やニオブ酸リチウムあるいはタンタル酸リチウムなどの圧電材料からなる圧電基板上に、ＩＤＴ電極と外部接続電極とが少なくとも設けられた素子片として形成され、外部接続電極を介してＩＤＴ電極に高周波を印加することにより、該素子片の表面に沿って表面波が伝播するものである。
【０００３】
通常、ＳＡＷ素子片の製造に際しては、量産性を高めるために、まずマザーの圧電基板ウェハを用意し、該圧電基板ウェハをダイシングすることによって個片のＳＡＷ素子片を得る方法がとられる。すなわち、圧電基板ウェハ上にアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムの合金などの金属からなるＩＤＴ電極などの電極パターンを規則的に複数配列させて形成し、この圧電基板ウェハを切断することによって複数の個片のＳＡＷ素子片を得るものである。このような製造方法により得られた各個片のＳＡＷ素子片は、電極パターンなどの製造ばらつきによって生じる幅や厚みなどの差による周波数のばらつきがあるので、周波数規格値の許容範囲内に調整するための周波数調整を行う場合がある。ＳＡＷ素子片をパッケージに接続するＳＡＷ素子片実装工程の後で、ＳＡＷ素子片を駆動させた状態で周波数調整を行う方法が、例えば特許文献１に紹介されている。
【０００４】
特許文献１のＳＡＷデバイス（表面波装置）の周波数調整方法は、ＳＡＷ素子片（表面波素子）をパッケージに接合してワイヤボンディングなどにより接続するＳＡＷ素子片実装工程の後で、ＳＡＷ素子片のＩＤＴ電極および水晶などからなる圧電基板の表面をエッチングすることによって行われる。ＩＤＴ電極および圧電基板のエッチングは、イオンスパッタ加工装置のチャンバ内のステージ上にＳＡＷ素子片が実装されたパッケージを載置し、Ａｒ（アルゴン）などのエッチングガスにより生成されるイオンビームをＳＡＷ素子片の表面に衝突させることによって行われる。圧電基板がエッチングされることにより変動する周波数よりも、ＩＤＴ電極がエッチングされることにより変動する周波数の方が大きいため、結果として周波数は上がる方向に調整される。
【０００５】
上記のイオンビームによるエッチングの他に、ＳＡＷ素子片の微細なエッチング加工が可能なエッチング方法として、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）やプラズマエッチングなどが挙げられる。ＲＩＥまたはプラズマエッチングは、いずれも所定の真空度に調整されたチャンバ内で、ＣＦ4やＣｌ2などのハロゲン元素含有ガス、あるいはＡｒなどの不活性ガスを反応性ガスとして用いて、この反応性ガスをイオン化し、イオン化された粒子をＳＡＷ素子片のＩＤＴ電極および圧電基板の表面に衝突させることによりエッチングを行うものである。ＲＩＥやプラズマエッチングを用いた周波数調整方法においては、ＩＤＴ電極が水晶などの圧電基板に比してエッチングされ難いので、実質的にＩＤＴ電極をエッチングマスクとして圧電基板をエッチングすることと近似の状態になる。なお、ＳＡＷ素子片においては、圧電基板表面がエッチングされると周波数が下がる方向に変動することが知られている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３１５９２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載のＳＡＷデバイスの周波数調整方法では、圧電基板あるいはＩＤＴ電極をエッチングしてＳＡＷ素子片自体の形状や質量を小さく変動させることになるので、ＳＡＷデバイスの周波数を所望の周波数規格値に合わせ込んだ場合でも、ＳＡＷデバイスの温度特性において頂点温度が低めにシフトする特性変動が生じてしまうという問題があった。
また、ＣＦ4やＣｌ2などのハロゲン元素含有ガスを用いたプラズマ処理あるいはイオンエッチングにより、圧電基板あるいはＩＤＴ電極をエッチングして周波数調整を行う方法では、Ｆ（フッ素）やＣｌ（塩素）などのハロゲン元素が残留して酸化剤として作用し、ＩＤＴ電極などを腐蝕して周波数特性を劣化させる虞があるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
〔適用例１〕本適用例にかかる圧電デバイスの製造方法は、基材上に複数の接続端子を有する基板と、圧電基板上に励振電極および該励振電極に接続された外部接続電極を有する圧電振動片と、を備え、前記接続端子と前記外部接続電極とが接続された圧電デバイスの製造方法であって、前記接続端子と前記外部接続電極とを接続する圧電振動片実装工程の後で、前記圧電振動片を駆動させて初期周波数を計測する初期周波数計測工程と、前記初期周波数が所望の周波数規格値の許容範囲から外れている場合に、前記圧電振動片実装工程で接続された前記外部接続電極と前記接続端子との接続と並列に調整用ワイヤを接続することによって、前記圧電振動片の周波数を前記初期周波数から変動させる調整用ワイヤ接続工程と、前記調整用ワイヤ接続工程の後で、前記圧電振動片の周波数を計測する調整後周波数計測工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
発明者は、基板に実装された状態の圧電振動片において、基板の接続端子と圧電振動片の外部接続電極との接続に対して並列にボンディングワイヤを追加接続することによって、挿入損失をほとんど増大させることなく、圧電振動片の周波数を数十ｐｐｍオーダーで小さく変動させることが可能であることを見出した。しかも、圧電基板やＩＤＴ電極をエッチングすることなどによる従来の周波数調整方法のように、圧電振動片自体を加工するものではなく、加工に伴う不純物や異物の在留が生じ難いので、温度特性や信頼性の劣化が抑えられる。したがって、上記構成の圧電デバイスの製造方法によれば、ワイヤボンディング法による比較的簡便な方法により、周波数が精緻に調整されて製造歩留りが高く、高信頼性を有する圧電デバイスを提供することができる。
【００１１】
〔適用例２〕上記適用例にかかる圧電デバイスの製造方法において、前記調整用ワイヤ接続工程で接続されるボンディングワイヤの長さおよび本数を、前記初期周波数と前記周波数規格値との差に基づいて決定することを特徴とする。
【００１２】
この方法によれば、予め、周波数調整用のボンディングワイヤの長さと周波数変動値との関係を把握しておくことにより、初期周波数計測値に基づいて、周波数規格値に調整し得る周波数調整用のボンディングワイヤの接続長さや本数を決定することができるので、効率的に周波数調整を行うことができる。
【００１３】
〔適用例３〕上記適用例にかかる圧電デバイスの製造方法において、前記圧電振動片実装工程で、前記圧電振動片と前記基板とをワイヤボンディングにより接続することを特徴とする。
【００１４】
この方法によれば、圧電デバイスの製造工程において、工程設備を増設することなく圧電振動片の精緻な周波数調整を行うことができる。
【００１５】
〔適用例４〕上記適用例にかかる圧電デバイスの製造方法において、前記基板がパッケージであり、該パッケージ内に接続された前記圧電振動片を前記パッケージ上に蓋体を接合することにより封止する前に、前記調整後周波数計測工程において前記圧電振動片の周波数が前記周波数規格値の許容範囲内であることを確認することを特徴とする。
【００１６】
この方法によれば、周波数が精緻に調整され、高信頼性を有する表面実装型の圧電デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、圧電デバイスとしてのＳＡＷデバイスの一実施形態について図面を参照して説明する。
（実施形態）
図１は、本実施形態のＳＡＷデバイスに搭載される圧電振動片としてのＳＡＷ共振子を説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。また、図２は、本実施形態のＳＡＷデバイスを説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。なお、（ａ）において、ＳＡＷデバイスの上部に配置される蓋体としてのリッドは、ＳＡＷデバイスの内部の構成を説明する便宜上図示を省略する。
【００１８】
本実施形態のＳＡＷデバイス１は、図２に示すように、基板としてのパッケージ２０と、該パッケージ２０の凹部の凹底部分に接合されたＳＡＷ共振子１０と、を有し、パッケージ２０上にリッド２９が接合されることにより、ＳＡＷ共振子１０がパッケージ２０内に気密に封止されている。
【００１９】
〔ＳＡＷ共振子〕
まず、ＳＡＷデバイス１に備わるＳＡＷ共振子１０について説明する。
図１に示すように、ＳＡＷ共振子１０は、水晶などの圧電材料からなる矩形状の圧電基板１１上に、二つの励振電極としてのＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂと、反射器１３と、ＩＤＴ電極１２Ａに接続された一対の外部接続電極１８Ａａ，１８ＡｂおよびＩＤＴ電極１２Ｂに接続された一対の外部接続電極１８Ｂａ，１８Ｂｂと、が設けられている。圧電基板１１は表裏に主面１４，１５を有し、一方の主面１４の同一面上に、ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂ、反射器１３、および外部接続電極１８Ａａ，１８Ａｂ，１８Ｂａ，１８Ｂｂが形成されている。
【００２０】
ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂは、ＳＡＷ共振子１０の略中央に並べて設けられている。
ＩＤＴ電極１２Ａは二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２Ａａと、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２Ａｂとが、向かい合って互いに接触しないように配置されて形成されている。同様に、ＩＤＴ電極１２Ｂは、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２Ｂａと、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２Ｂｂとが、向かい合って互いに接触しないように配置されて形成されている。
ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂは、本実施形態ではアルミニウム（Ａｌ）で形成され、ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂそれぞれの二つの交差指電極の電極指１２Ａａと電極指１２Ａｂ、電極指１２Ｂａと電極指１２Ｂｂの各々に逆相の電圧が印加されることで弾性表面波を励振できるように構成されている。
【００２１】
ＳＡＷ共振子１０の各コーナー部寄りの端部近傍には、ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂとパッケージ２０との接続に供する外部接続電極１８Ａａ，１８Ａｂ，１８Ｂａ，１８Ｂｂが配設されている。本実施形態では、ＩＤＴ電極１２Ａの一方の電極指１２Ａａを連結するバスバーからは電極間配線が引き出され、ＳＡＷ共振子１０の一方の端部近傍に設けられた外部接続電極１８Ａａに接続されている。また、ＩＤＴ電極１２Ａの他方の電極指１２Ａｂを連結するバスバーから引き出された電極間配線は、ＳＡＷ共振子１０の他方の端部近傍に設けられた外部接続電極１８Ａｂに接続されている。同様に、ＩＤＴ電極１２Ｂの一方の電極指１２Ｂａを連結するバスバーから引き出された電極間配線が、ＳＡＷ共振子１０の端部近傍に設けられた外部接続電極１８Ｂａに接続されている。また、ＩＤＴ電極１２Ｂの他方の電極指１２Ｂｂを連結するバスバーから引き出された電極間配線は、ＳＡＷ共振子１０の端部近傍に設けられた外部接続電極１８Ｂｂに接続されている。
【００２２】
反射器１３は、並べて設けられているＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂを挟んだ両側に配置されて設けられている。そして、ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂから伝搬された弾性表面波を反射器１３で反射させて、圧電基板１１の中央部にエネルギーを封じ込める役目を果たしている。なお、本実施形態では反射器１３もＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂと同様にアルミニウムで形成されている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、ＩＤＴ電極１２Ａにおける電極指１２Ａａと電極指１２Ａｂ間、およびＩＤＴ電極１２Ｂにおける電極指１２Ｂａ，１２Ｂｂ間の距離はなど間隔ピッチＰにて形成され、励振される弾性表面波の波長λはλ＝２Ｐの関係になる。また、ＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂは厚みＨにて形成されている。また、圧電基板１１の厚みｔは弾性表面波の４波長（４λ）以上の厚みに設定されている。
【００２４】
〔ＳＡＷデバイス〕
次に、ＳＡＷデバイス１の構成について詳細に説明する。
図２に示すように、パッケージ２０は、セラミックス絶縁材料などからなる略矩形の平板状の第１層基板２１、略矩形フレーム状の第２層基板２２、第３層基板２３およびシールリング２８が、この順に積層されて形成されている。略矩形フレーム状の第２層基板２２と第３層基板２３の開口部は、下方の第２層基板２２の方が小さく形成されているので、パッケージ２０には、段差を有する凹部が形成されている。なお、パッケージ２０の外底部分となる第１層基板２１の底面には、図示しない一対の実装端子が設けられている。
また、パッケージ２０の凹部の第２層基板２２が形成する段差の棚部には、図２（ａ）に示すように、ＳＡＷ共振子１０との接続に供する複数の接続端子２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂが設けられている。本実施形態では、接続端子２５Ａ，２５Ｂが入力用または出力用の接続端子となっていて、接続端子２６Ａ，２６Ｂがグランド用の接続端子となっている。接続端子２５Ａ，２５Ｂは、第２層基板２２および第１層基板２１に形成された図示しない配線パターンまたはスルーホールなどの層内配線パターンにより、対応する実装端子にそれぞれ接続されている。また、グランド用の接続端子２６Ａ，２６Ｂは、図示しない配線パターンまたはスルーホールなどの層内配線パターンにより、パッケージ２０に設けられた図示しないグランド端子に接続されている。これらの接続端子２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂ、および実装端子やグランド端子、およびそれらを接続する層内配線パターンを含む配線パターンは、一般に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの金属配線材料をセラミックス絶縁材料上にスクリーン印刷して焼成し、その上にニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）などのめっきを施すことにより形成される。
【００２５】
パッケージ２０の凹部の凹底部分である第１層基板２１上には、熱硬化型あるいは紫外線硬化型の接着剤９９によりＳＡＷ共振子１０が接着・固定されている。ＳＡＷ共振子１０のＩＤＴ電極１２Ａから引き出された外部接続電極１８Ａａ，１８Ａｂ、およびＩＤＴ電極１２Ｂから引き出された外部接続電極１８Ｂａ，１８Ｂｂと、パッケージ２０の対応する接続端子２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂとは、ボンディングワイヤ３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ｂａ，３０Ｂｂによりそれぞれ接続されている。本実施形態では、ＩＤＴ電極１２Ａの一方の電極指１２Ａａから引き出された外部接続電極１８Ａａが入力または出力用の接続端子２５Ａとボンディングワイヤ３０Ａａにより接続され、他方の電極指１２Ａｂから引き出された外部接続電極１８Ａｂがグランド用の接続端子２６Ａとボンディングワイヤ３０Ａｂにより接続されている。また、ＩＤＴ電極１２Ｂの一方の電極指１２Ｂａから引き出された外部接続電極１８Ｂａがグランド用の接続端子２６Ｂとボンディングワイヤ３０Ｂａにより接続され、他方の電極指１２Ｂｂから引き出された外部接続電極１８Ｂｂと入力または出力用の接続端子２５Ｂとがボンディングワイヤ３０Ｂｂにより接続されている。
【００２６】
以上述べたボンディングワイヤ３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ｂａ，３０Ｂｂによる接続により、ＳＡＷ共振子１０とパッケージ２０との初期接続状態が確保され、ＳＡＷ共振子１０が駆動可能な状態になるが、さらに、ＳＡＷデバイス１のＳＡＷ共振子１０とパッケージ２０とには、調整用ワイヤ４０Ａ，４０Ｂが接続されている。本実施形態のＳＡＷデバイス１では、ＩＤＴ電極１２Ａの電極指１２Ａｂから引き出された外部接続電極１８Ａｂとグランド用の接続端子２６Ａとを接続するボンディングワイヤ３０Ａｂと並列に調整用ワイヤ４０Ａが接続され、ＩＤＴ電極１２Ｂの電極指１２Ｂａから引き出された外部接続電極１８Ｂａとグランド用の接続端子２６Ｂとを接続するボンディングワイヤ３０Ｂａと並列に調整用ワイヤ４０Ｂが接続されている。調整用ワイヤ４０Ａ，４０Ｂは、上記したボンディングワイヤ３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ｂａ，３０ＢｂによるＳＡＷデバイス１の初期接続状態におけるＳＡＷ共振子１０の初期周波数の測定値に基づいて、ＳＡＷデバイス１の周波数規格値の許容範囲に調整するために接続されたものである。したがって、ＳＡＷデバイス１に接続される調整用ワイヤの長さ、本数、接続位置などの態様は、本実施形態の調整用ワイヤ４０Ａ，４０Ｂに限らず、前記初期周波数によって変動し、調整用ワイヤを必要としない場合もある。
なお、調整用ワイヤ４０Ａ，４０Ｂは、ボンディングワイヤ３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ｂａ，３０Ｂｂと同一のボンディングワイヤを同一のワイヤボンディング装置によりボンディングすることによって設けることができる。ボンディングワイヤの材質は、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの周知のボンディングワイヤを用いることができる。例えば、低ループにてボンディングすることが可能なアルミニウムワイヤによるウェッジボンディングによれば、ＳＡＷデバイス１の低背化に有利となるので好ましい。
【００２７】
パッケージ２０の上側には、例えば金属製のリッド２９が、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金などをフレーム状に型抜きして形成されたシールリング２８を介してシーム溶接され、パッケージ２０内部に接合されたＳＡＷ共振子１０が気密に封止されている。
【００２８】
〔ＳＡＷデバイスの製造方法〕
次に、上記したＳＡＷデバイス１の製造方法について、特に、周波数調整方法を中心に説明する。図３は、ＳＡＷデバイスの製造工程を説明するフローチャートである。なお、以下のＳＡＷデバイス１の製造方法の説明において、各部の構成については図２を参照されたい。
【００２９】
ステップＳ１において、パッケージ２０にＳＡＷ共振子１０を実装する工程では、まず、パッケージ２０の凹部の凹低部分である第１層基板２１上のＳＡＷ共振子１０接合領域に、熱硬化性または紫外線硬化性の接着剤９９をディスペンサなどにより所定量塗布し、ＳＡＷ共振子１０を位置決めして仮固定する。次に、接着剤９９の硬化方法に従って加熱または紫外線を照射することにより接着剤９９を硬化させ、ＳＡＷ共振子１０を接着・固化させる。次に、ワイヤボンディングにより、上記した初期接続状態になるようにＳＡＷ共振子１０とパッケージ２０とをボンディングワイヤによって接続する。上記のとおり、本実施形態では、ＳＡＷ共振子１０のＩＤＴ電極１２Ａから引き出された外部接続電極１８Ａａ，１８Ａｂ、およびＩＤＴ電極１２Ｂから引き出された外部接続電極１８Ｂａ，１８Ｂｂと、パッケージ２０の対応する接続端子２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂとを、ボンディングワイヤ３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ｂａ，３０Ｂｂによりそれぞれ接続する。
【００３０】
次に、ステップＳ２において、上記ステップＳ１で説明したようにパッケージ２０に実装された初期接続状態のＳＡＷ共振子１０を駆動させて周波数を測定する初期周波数計測を行い、ＳＡＷ共振子１０の初期周波数が所望の周波数規格値の許容範囲内にあるか否かを確認する（ステップＳ３）。初期周波数が周波数規格値の許容範囲内にあった場合（ステップＳ３でＹＥＳ）には、周波数調整する必要がないのでステップＳ７に進む。
【００３１】
初期周波数が規格値の許容範囲から外れていた場合（ステップＳ３でＮＯ）は、ステップＳ４に示す調整用ワイヤ接続を行ってＳＡＷ共振子１０の周波数を規格値の許容範囲内に調整する。上記のように、本実施形態では、ＩＤＴ電極１２Ａの電極指１２Ａｂから引き出された外部接続電極１８Ａｂとグランド用の接続端子２６Ａとを接続するボンディングワイヤ３０Ａｂと並列に調整用ワイヤ４０Ａが接続され、ＩＤＴ電極１２Ｂの電極指１２Ｂａから引き出された外部接続電極１８Ｂａとグランド用の接続端子２６Ｂとを接続するボンディングワイヤ３０Ｂａと並列に調整用ワイヤ４０Ｂが接続されている。
【００３２】
調整用ワイヤ接続で接続される調整用ワイヤの長さ、本数などは、初期周波数計測値と周波数規格値（許容範囲）との差に基づいて決定する。例えば、初期接続状態のＳＡＷデバイス１において、調整用ワイヤの長さおよび本数により変動する周波数を予め確認しておくことにより、初期周波数計測値と周波数規格値との差を調整し得る調整用ワイヤの長さ、本数を予測して決定することができる。なお、調整用ワイヤのワイヤ長さに応じた接続位置の決定においては、ボンディング後に加わる衝撃や温度変化などの外部要因によるワイヤの収縮などにより、ワイヤ接合部に応力が加わって接合部のクラックやオープンなどが起こったり、他の部位と接触して短絡が起こったりしないループ形状が得られるように考慮される。
【００３３】
上記したように、パッケージ２０に初期接続状態に実装されたＳＡＷ共振子１０において、パッケージ２０の接続端子とＳＡＷ共振子１０の外部接続電極とのボンディングワイヤによる接続と並列にボンディングワイヤ（調整用ワイヤ）を追加させて接続することにより、挿入損失をほとんど増大させることなく、ＳＡＷ共振子１０の周波数を数十ｐｐｍオーダーで小さく変動させることが可能であることを見出した。しかも、従来の、圧電基板やＩＤＴ電極をエッチングしたり、逆に、錘などの質量を追加したりするＳＡＷ共振子の周波数調整方法のように、ＳＡＷ共振子自体に加工を加えるものではなく、加工に伴う不純物や異物の残留が生じ難いので、温度特性や信頼性の劣化を抑えることができると考えられる。
【００３４】
次に、ステップＳ５に示すように、ステップＳ４で調整用ワイヤの接続を施して周波数調整を行ったＳＡＷ共振子１０の周波数を測定する調整後周波数計測を行い、調整後周波数が周波数規格値の許容範囲にあるか否かを確認する（ステップＳ６）。調整後周波数が規格値の許容範囲内にあった場合（ステップＳ６でＹＥＳ）には、ステップＳ７に進む。
調整後周波数が規格値の許容範囲を外れていた場合（ステップＳ６でＮＯ）は、ステップＳ４に戻って調整用ワイヤ接続による周波数調整を行う。
【００３５】
パッケージ２０に実装されたＳＡＷ共振子１０の周波数が規格値の許容範囲内に入っていることが確認された後に、ステップＳ７に示すように、ＳＡＷ共振子１０をパッケージ２０内に封止する。本実施形態では、パッケージ２０の上側に、例えば金属製のリッド２９を、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）合金などからなるシールリング２８を介してシーム溶接することにより、パッケージ２０内部に接合されたＳＡＷ共振子１０を気密に封止する。以上述べた工程により、ＳＡＷデバイス１の一連の製造工程を終了する。
【００３６】
本実施形態のＳＡＷデバイス１およびその製造方法によれば、比較的簡便な方法により、挿入損失などを劣化させることなく、周波数が精緻に調整された優れた周波数特性を有するＳＡＷデバイスを得ることができる。また、ＳＡＷ共振子１０の実装に用いるワイヤボンディングにより周波数調整を行うので、工程設備を新たに増設する必要がない。
【００３７】
上記実施形態で説明したＳＡＷデバイス１は、以下の変形例として実施することも可能である。
【００３８】
（変形例）
上記実施形態では、所謂２ポート型のＳＡＷ共振子１０とパッケージ２０とからなるＳＡＷデバイス１の構成において、ＳＡＷ共振子１０のＩＤＴ電極１２Ａ，１２Ｂそれぞれのグランド用の外部接続電極１８Ａｂ，１８Ｂａと、パッケージ２０のグランド用の接続端子２６Ａ，２６Ｂとを調整用ワイヤ４０Ａ，４０Ｂによりそれぞれ接続して周波数調整する例を説明した。これに限らず、ＳＡＷ共振子の入力側あるいは出力側の外部接続電極とパッケージの入力側あるいは出力側の接続端子とを調整用ワイヤで接続して周波数調整する構成としてもよい。
図４は、ＳＡＷ共振子とパッケージとの入出力端子に調整用ワイヤを接続したＳＡＷデバイスを説明するものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。なお、本変形例のＳＡＷデバイス５０の構成のうち、ＳＡＷ共振子とパッケージとの入出力端子に調整用ワイヤを接続すること以外の構成は、上記実施形態のＳＡＷデバイスとほとんど同じであるため、上記実施形態と同じ構成については詳細な説明を省略する。
【００３９】
図４（ａ），（ｂ）において、ＳＡＷデバイス５０は、パッケージ７０と、パッケージ７０の凹部の凹底部分に接着・固定されたＳＡＷ共振子６０とが、ボンディングワイヤ８０ａ，８０ｂにより初期接続状態に接続されているとともに、調整用ワイヤ９０ａ，９０ｂが接続されている。そして、パッケージ７０上にリッド７９が接合されることにより、パッケージ７０内にＳＡＷ共振子６０が気密に封止されている。
【００４０】
ＳＡＷ共振子６０は、圧電基板上の略中央に形成されたＩＤＴ電極１２と、このＩＤＴ電極を挟んだ両側に設けられた反射器１３と、ＩＤＴ電極に接続された外部接続電極６８ａ，６８ｂと、を有している。ＩＤＴ電極１２は二つの櫛型の交差指電極を有し、一方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２ａと、他方の交差指電極のバスバーに連結された複数の電極指１２ｂとが、向かい合って互いに接触しないように配置されて形成されている。ＩＤＴ電極１２の一方の電極指１２ａを連結するバスバーからは電極間配線が引き出され、圧電基板上の一方の端部近傍に設けられた外部接続電極６８ａに接続されている。同様に、ＩＤＴ電極１２の他方の電極指１２ｂを連結するバスバーから引き出された電極間配線が、圧電基板の他方の端部近傍に設けられた外部接続電極６８ｂに接続されている。
【００４１】
パッケージ７０は、略矩形の平板状の第１層基板７１、略矩形フレーム状の第２層基板７２、第３層基板７３およびシールリング７８が、この順に積層されて形成されている。パッケージ７０の凹部の第２層基板７２が形成する段差の棚部には、ＳＡＷ共振子６０との接続に供する入力用または出力用の接続端子７５ａ，７５ｂが設けられている。
【００４２】
パッケージ７０の凹部の凹底部分には、ＳＡＷ共振子６０が接着剤９９により接着・固定されている。ＳＡＷ共振子６０のＩＤＴ電極１２から引き出された外部接続電極６８ａ，６８ｂと、パッケージ７０の対応する入力用または出力用の接続端子７５ａ，７５ｂとは、ボンディングワイヤ８０ａ，８０ｂによりそれぞれ接続されている。このボンディングワイヤ８０ａ，８０ｂによる接続により、ＳＡＷ共振子６０のパッケージ７０への初期接続状態が確保され、ＳＡＷ共振子６０が駆動可能な状態になっているが、さらに、ＳＡＷ共振子６０とパッケージ７０とには、調整用ワイヤ９０ａ，９０ｂが接続されている。本変形例のＳＡＷデバイス５０においては、ＩＤＴ電極１２の電極指１２ａから引き出された外部接続電極６８ａと接続端子７５ａとを接続するボンディングワイヤ８０ａと並列に調整用ワイヤ９０ａが接続され、電極指１２ｂから引き出された外部接続電極６８ｂと接続端子７５ｂとを接続するボンディングワイヤ８０ｂと並列に調整用ワイヤ９０ｂが接続されている。調整用ワイヤ９０ａ，９０ｂは、上記したボンディングワイヤ８０ａ，８０ｂによるＳＡＷデバイス５０の初期接続状態におけるＳＡＷ共振子６０の初期周波数の測定値に基づいて、ＳＡＷデバイス５０の周波数規格値の許容範囲に調整するために接続されたものである。また、調整用ワイヤ９０ａ，９０ｂによるＳＡＷ共振子６０の周波数調整は、上記実施形態のＳＡＷデバイス１で説明した周波数調整方法と同様な方法により実施することができる。
【００４３】
上記した構成のＳＡＷデバイス５０によっても、上記実施形態のＳＡＷ共振子１０の周波数調整と同様な方法により、挿入損失を増大させることなく周波数調整することができるので、周波数が精緻に調整され高信頼性を有するたＳＡＷデバイス５０を提供することができる。
【００４４】
以上、発明者によってなされた本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明は上記した実施の形態およびその変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００４５】
例えば、上記実施形態では、調整用ワイヤ接続ステップと、調整後周波数計測ステップとを分けて説明したが、これに限らず、周波数をモニタリングしながら調整用ワイヤ接続を行う構成としてもよい。この場合、ＳＡＷ共振子１０に駆動電圧を供給するとともに発振出力を検出する周波数カウンタが接続されたフィクスチャとを含む周波数調整用の装置を用意する。周波数カウンタには、予め調整目標となる周波数規格値データ）を有し、周波数カウンタから送られてくる検出周波数と比較する機能を備えた外部演算装置を接続しておくことにより、リアルタイムに調整後周波数を確認しながら調整用ワイヤ接続による周波数調整を行うことが可能になる。
【００４６】
また、上記実施形態および変形例で説明したＳＡＷ共振子１０，６０の圧電基板には水晶を用いたが、これに限定されない。水晶以外に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、四ほう酸リチウム（Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7）などの酸化物基板や、ガラス基板上に窒化アルミニウム、五酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの薄膜圧電材料を積層させて構成された圧電基板を用いることもできる。
【００４７】
また、上記実施形態および変形例では、ＩＤＴ電極１２，１２Ａ，１２Ｂおよび反射器１３の形成用金属材料としてアルミニウムを用いたが、これに限定されない。例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料を用いることもできる。また、金（Ａｕ）とクロム（Ｃｒ）の多層膜、あるいはマグネシウム（Ｍｇ）などを用いることも可能である。
【００４８】
また、上記実施形態および変形例のＳＡＷデバイス１，５０では、パッケージ２０，７０を用いたが、これに限定されない。例えば、平板状の配線基板を基板として用いて、連続環状の封止材を介してリッドを接合したり、あるいは基板をベースに接着固定して、このベースに蓋体としての所謂ＣＡＮケースを被せて密閉することによりＳＡＷ共振子を気密に封止する構成としてもよい。
【００４９】
また、上記実施形態および変形例では、圧電振動片として、２ポート型のＳＡＷ共振子１０や１ポート型のＳＡＷ共振子６０を用いた例を説明した。これに限定されず、この他のＳＡＷ素子片として、ＳＡＷフィルタ、あるいはセンサやコンボルバなどのＳＡＷ遅延素子などの、圧電基板上にＩＤＴ電極が形成されてなる他のＳＡＷデバイスであってもよい。また、上記ＳＡＷ共振子１０，６０において、反射器のない構成としてもよい。
さらには、ＳＡＷ素子片を搭載したＳＡＷデバイスに限らず、他の圧電振動片を源振として用いた種々圧電デバイスにおいても、本発明の周波数調整方法を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】（ａ）は、実施形態のＳＡＷデバイスに搭載されるＳＡＷ共振子を説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】（ａ）は、実施形態のＳＡＷデバイスを説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ線断面図。
【図３】ＳＡＷデバイスの製造工程を説明するフローチャート。
【図４】（ａ）は、ＳＡＷデバイスの変形例を説明する平面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図。
【符号の説明】
【００５１】
１，５０…圧電デバイスとしてのＳＡＷデバイス、１０，６０…圧電振動片としてのＳＡＷ共振子、１１…圧電基板、１２，１２Ａ，１２Ｂ…励振電極としてのＩＤＴ電極、１２ａ，１２ｂ，１２Ａａ，１２Ａｂ，１２Ｂａ，１２Ｂｂ…電極指、１３…反射器、１８Ａａ，１８Ａｂ，１８Ｂａ，１８Ｂｂ…外部接続電極、２０，７０…基板としてのパッケージ、２５Ａ，２５Ｂ，２６Ａ，２６Ｂ，７５ａ，７５ｂ…接続端子、２９，７９…蓋体としてのリッド、３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ｂａ，３０Ｂｂ，８０ａ，８０ｂ…ボンディングワイヤ、４０Ａ，４０Ｂ，９０ａ，９０ｂ…調整用ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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