(57)【要約】【課題】窒化アルミニウム基板１の表面に正確に回路パターンを形成する回路パターン形成方法を提供する。【解決手段】窒化アルミニウム基板１の表面に導電性薄膜２、３ａを形成する工程と、高エネルギービーム４を照射して導電性薄膜２、３ａを選択的に除去することにより回路パターンを形成する工程と、を備える回路パターン形成方法において、高エネルギービーム４を照射したことにより窒化アルミニウム基板１の一部が導体化して形成されるアルミニウム５を除去する工程を更に備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成する工程と、回路部と非回路部との境界に高エネルギービームを照射して回路パターンを形成する工程と、を備える回路パターン形成方法において、高エネルギービームを照射したことにより前記窒化アルミニウム基板の一部が導体化してなるアルミニウムを除去する工程を備えることを特徴とする回路パターン形成方法。
【請求項２】
前記アルミニウムを除去する工程において、前記アルミニウムは物理的方法により除去されることを特徴とする請求項１記載の回路パターン形成方法。
【請求項３】
前記アルミニウムを除去する工程において、前記アルミニウムは化学的方法により除去されることを特徴とする請求項１記載の回路パターン形成方法。
【請求項４】
前記窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成する工程の前に、前記窒化アルミニウム基板の表面を酸化処理して２μｍ以下の酸化膜を形成する工程を更に備えることを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の回路パターン形成方法。
【請求項５】
窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜を選択的に除去することにより回路パターンを形成する工程と、前記回路パターンが形成された窒化アルミニウム基板に高エネルギービームを照射して前記窒化アルミニウム基板を回路板毎に分断するための分断促進溝を形成する工程と、を備える回路パターン形成方法において、前記高エネルギービームを照射したことにより前記窒化アルミニウム基板の一部が導体化してなるアルミニウムを除去する工程を備えることを特徴とする回路パターン形成方法。
【請求項６】
前記アルミニウムを除去する工程において、前記アルミニウムは物理的方法により除去されることを特徴とする請求項５記載の回路パターン形成方法。
【請求項７】
前記アルミニウムを除去する工程において、前記アルミニウムは化学的方法により除去されることを特徴とする請求項５記載の回路パターン形成方法。
【請求項８】
請求項１記載の回路パターン形成方法、又は請求項５記載の回路パターン形成方法により形成された回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化アルミニウム基板に導電回路としての回路パターンを形成した回路板の成形方法及び回路板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路の放熱特性を改善するため樹脂基板に替えて、セラミックスを基板として用いることが一般的に知られている。例えば、ＩＣチップと同程度の熱膨張率を持つなど、電子部品材料としての好特性を備えたものの中で、特に良熱伝導体である窒化アルミニウムが用いられている。
【０００３】
この窒化アルミニウムはアルミニウムの非酸化物系セラミックスであり、その加工方法において非酸化物系という特質に関連したものがある。例えば、窒化アルミニウム基板上に形成された導電性薄膜に高エネルギービームを照射して導電性薄膜を選択的に除去することにより窒化アルミニウム基板上に回路パターンを形成する工程や、窒化アルミニウム基板に高エネルギービームを照射して窒化アルミニウム基板を回路板毎に分断するための溝を形成する工程がある。高エネルギービームが照射された部位の窒化アルミニウムは熱影響を受けて窒素とアルミニウムに分解されて導体化され、基板上に形成される回路パターンがアルミニウムにより導通してしまう不具合が生じる。つまり、回路パターンの回路部と非回路部とが導通してしまったり独立する回路部同士が導通してしまい、求める回路パターンが正確にできなくなる不具合が生じる。
【０００４】
そこで、例えば特許文献１では、基板上に導電性薄膜を形成する前に、窒化アルミニウム基板の表面を酸化処理して２μｍ以上の酸化層（アルミナ酸化膜）を形成している。この場合、２μｍ以上の酸化層により高エネルギービームの酸化層通過が阻止されて、窒化アルミニウムの熱影響及び導電性物質（アルミニウム）の発生を防止できるとしている。
【特許文献１】特開２００５−１９６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、窒化アルミニウム基板上に形成される酸化層は、厚くなればなるほどクラックの原因となり、品質面で課題が残る。また、基板の酸化処理に要する製造コストが高いという課題もある。
【０００６】
本発明はこれらの課題を解決するために成されたものであり、その目的は、回路部と非回路部との導通または回路部同士の導通を抑制し、窒化アルミニウム基板の表面に正確に回路パターンを形成する回路パターン形成方法、及び回路板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成する工程と、回路部と非回路部との境界に高エネルギービームを照射して回路パターンを形成する工程と、を備える回路パターン形成方法において、高エネルギービームを照射したことにより窒化アルミニウム基板の一部が導体化してなるアルミニウムを除去する工程を更に備えることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回路パターン形成方法であって、アルミニウムを除去する工程において、アルミニウムは物理的方法により除去することを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の回路パターン形成方法であって、アルミニウムを除去する行程において、アルミニウムは化学的方法により除去することを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３の何れか１項に記載の回路板成形方法であって、窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成する工程の前に、窒化アルミニウム基板の表面を酸化処理して２μｍ以下の酸化膜を形成する工程を更に備えることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成する工程と、導電性薄膜を選択的に除去することにより回路パターンを形成する工程と、回路パターンが形成された窒化アルミニウム基板の表面に高エネルギービームを照射して窒化アルミニウム基板を回路板毎に分断するための分断促進溝を形成する工程と、を備える回路パターン形成方法において、高エネルギービームを照射したことにより窒化アルミニウム基板の一部が導体化してなるアルミニウムを除去する工程を更に備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明であって、アルミニウムを除去する工程において、アルミニウムは物理的方法により除去することを特徴とする。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、請求項５に記載の発明であって、アルミニウムを除去する工程において、アルミニウムは化学的方法により除去することを特徴とする。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、請求項１または請求項５に記載の回路パターン形成方法で形成された回路板である。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、導電性薄膜に高エネルギービームを照射して導電性薄膜を選択的に除去することにより回路パターンを形成する。この際、窒化アルミニウム基板は熱影響を受けて、窒素とアルミニウムの結合が乖離してしまい、導体化したアルミニウムが回路部と非回路部とを導通させてしまう場合があるが、導体化したアルミニウムを除去する工程を備えることにより、回路部と非回路部との導通が抑制され、窒化アルミニウム基板の表面に正確に回路パターンを形成することが出来る。また、窒化アルミニウム基板の熱影響を避けるために従来行われていた窒化アルミニウム基板の酸化処理が不要となるため、製造コストを削減することが出来る。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、簡易な方法で、アルミニウムを除去することができる。
【００１７】
請求項３に記載の発明によれば、簡易な方法で、アルミニウムを除去することができる。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、窒化アルミニウム基板と導電性薄膜の間に酸化膜が形成されるため、窒化アルミニウム基板と導電性薄膜の密着力が向上する。また、窒化アルミニウム基板への熱影響を避けるための従来の酸化膜よりも薄く（２μｍ以下に）形成することにより、酸化膜のクラックが抑制されて品質が向上し、酸化処理のコストも薄膜化された分だけ削減することが出来る。
【００１９】
請求項５に記載の発明によれば、窒化アルミニウム基板の表面に高エネルギービームを照射して窒化アルミニウム基板を回路板毎に分断するための溝を形成する。この際、窒化アルミニウム基板は熱影響を受けて、窒素とアルミニウムの結合が乖離してしまい、導体化したアルミニウムが回路部と非回路部とを導通させてしまう場合があるが、導体化したアルミニウムを除去する工程を備えることにより、独立する回路部同士の導通が抑制され、窒化アルミニウム基板の表面に正確に回路パターンを形成することが出来る。
【００２０】
請求項６に記載の発明によれば、簡易な方法で、アルミニウムを除去することができる。
【００２１】
請求項７に記載の発明によれば、簡易な方法で、アルミニウムを除去することができる。
【００２２】
請求項８に記載の発明によれば、高エネルギービームを照射する工程を含むため、この際に窒化アルミニウム基板は熱影響を受けて窒素とアルミニウムの結合が乖離してしまい、導体化したアルミニウムが回路部と非回路部とを導通させてしまう場合がある。しかしながら、導体化したアルミニウムが除去されているため、回路部と非回路部との導通が防止され、窒化アルミニウム基板の表面に正確に回路パターンを形成することが出来る。また、窒化アルミニウム基板の熱影響を避けるために従来行われていた窒化アルミニウム基板の酸化処理が不要となるため、製造コストを削減することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。図面の記載において同一部分には同一符号を付している。
【００２４】
（第１実施形態）
図１を参照して、第１実施形態に係わる回路パターン形成方法（回路板形成方法）を説明する。
【００２５】
（イ）まず、図１（ａ）に示すように、窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結することにより、窒化アルミニウム基板１を作成する。そして、図１（ｂ）に示すように、窒化アルミニウム基板１の上にスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法による成膜を行い、窒化アルミニウム基板１の上に導電性薄膜２、３ａを形成する。具体的には、窒化アルミニウム基板１の上に、例えばクロム（Ｃｒ）及び銅（Ｃｕ）をターゲットとするスパッタリングによってそれぞれ膜厚０．０２〜０．１μｍのクロム膜２及び膜厚０．２〜０．４μｍの銅膜３ａを順番に形成する。このようにクロム膜２及び銅膜３ａを導電性薄膜２、３ａとして基板１上に形成する。
【００２６】
なお、第１実施形態においては導電性薄膜２、３ａを直接窒化アルミニウム基板１上に形成し、導電性薄膜２、３ａを形成する前に窒化アルミニウム基板１上に製造工程として酸化膜を形成しない。「製造工程として」とは、窒化アルミニウム基板１と導電性薄膜２、３ａの間に、窒化アルミニウム基板１の自然酸化による酸化膜が形成されていても構わないという主旨である。
【００２７】
（ロ）次に、図１（ｃ）に示すように、高エネルギービーム４を基板１の表面に照射して導電性薄膜２、３ａの回路部７／ 非回路部８ａ、８ｂを分離する。具体的には、導電性薄膜２、３ａにおける回路部７と非回路部８ａ、８ｂの境界部分に、例えばレーザビーム等の高エネルギービーム４を照射して、その部分の導電性薄膜２、３ａを蒸発除去することにより、回路部７と非回路部８ａ、８ｂが分離され、所定の回路パターンが形成される。
【００２８】
図１（ｄ）は、高エネルギービームを照射したことにより、導電性薄膜２、３ａを蒸発除去された境界部分を拡大して示す断面図である。高エネルギービーム４を照射したことにより、導電性薄膜２、３ａが選択的に蒸発除去されて凹状部６が形成される。凹状部６の底部には、窒化アルミニウム基板１が表出しているが、高エネルギービーム４が照射された部位の窒化アルミニウムは熱影響を受けて窒素とアルミニウムに分解されて導体化され、凹状部６の底部に導体であるアルミニウム膜５が形成される。このアルミニウム膜５は回路部７と非回路部８ａ、８ｂ間の導電性薄膜２、３ａを導通させている。
【００２９】
（ハ）そこで、次に、図１（ｅ）に示すように、高エネルギービーム４を照射したことにより、窒化アルミニウム基板１の一部が導体化して形成されるアルミニウム膜５を除去する工程を実施する。これにより、回路部７と非回路部８ａ、８ｂとの導通が抑制され、窒化アルミニウム基板１の表面に正確に回路パターンを形成することが出来る。また、窒化アルミニウム基板１の熱影響を避けるために従来行われていた窒化アルミニウム基板１の酸化処理が不要となるため、製造コストを削減することが出来る。
【００３０】
アルミニウム膜５を除去する工程において、アルミニウム膜５は物理的方法により除去する方法、或いは、化学的方法により除去する方法がある。物理的に除去する方法としては、例えば、ルータやカッタなどの刃物を用いてアルミニウム膜５を除去することができる。また、化学的に除去する方法としては、例えば、酸処理（酸性液にて処理）によりアルミニウムを溶かして除去することができる。なお、アルカリ処理は窒化アルミニウム基板１が脆弱化するため、酸処理（酸性液にて処理）が望ましい。酸処理としては、例えば７％〜３５％の塩酸の溶液に２〜５分間の浸すことによりアルミニウム膜５を溶解させることができることが、本発明者の実験により明かになっている。
【００３１】
（ニ）次に、図１（ｆ）に示すように、回路部７に対して選択的にめっき処理を施して導電性薄膜の厚膜化を行う。具体的には、回路部７の部分に電流を流しつつ回路部７の部分を電解めっきにより厚膜化し、導電性薄膜２、３ａ、３ｂ、９、１０を形成する。さらに具体的には、膜厚５〜１５μｍの銅（Ｃｕ）膜３ｂ、膜厚３〜１０μｍのニッケル（Ｎｉ）膜９、及び膜厚０．０５〜０．５μｍの金（Ａｕ）膜１０、を順番にめっきして、導電性薄膜２、３ａ、３ｂ、９、１０からなる回路パターンを形成する。なお、非回路部８ａ、８ｂには電解めっき工程において電流を流さないため、この部分はめっきによる厚膜化はされない。また、非回路部８ａ、８ｂの導電性薄膜の除去工程は、本実施形態では、銅膜３ｂ形成後に行っている。具体的には、回路パターン形成面全体を軽くエッチングすることにより、非回路部８ａ、８ｂの導電性薄膜２、３ａを除去している。
【００３２】
最終的に、導電性薄膜２、３ａ、３ｂ、９、１０からなる回路パターンが形成された回路板に対して、電子部品、例えば発光ダイオードなどの実装等が行われる。
【００３３】
以上の手順により作成された回路板において、回路部７と非回路部８ａ、８ｂの境界部、つまり回路パターンの外周に隣接する窒化アルミニウム基板１の表面には、高エネルギービーム４を照射する工程及びアルミニウム膜５を除去する工程により窒化アルミニウム基板１の一部が除去されて凹状部１３が形成される。
【００３４】
図４は、窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結することにより作成された窒化アルミニウム基板１の例を示す。ここでは、複数個（６個）の回路板を同時に作成する際に使用する窒化アルミニウム基板１を示す。この窒化アルミニウム基板１に対して、図１（ａ）〜図１（ｆ）に示した回路板作成方法を実施することにより、図５に示すような導電性薄膜２、３ａ、３ｂ、９、１０からなる回路パターンが形成された回路板が作成される。
【００３５】
以上説明したように、導電性薄膜２、３ａに高エネルギービーム４を照射して導電性薄膜２、３ａを選択的に除去することにより回路パターンを形成する。この際、窒化アルミニウム基板１は熱影響を受けて、窒素とアルミニウムの結合が乖離してしまい、導体化したアルミニウム膜５が回路部７と非回路部８ａ、８ｂとを導通させてしまう場合があるが、導体化したアルミニウム膜５を除去する工程を実施することにより、回路部７と非回路部８ａ、８ｂとの導通が抑制され、窒化アルミニウム基板１の表面に正確に回路パターンを形成することが出来る。また、窒化アルミニウム基板１の熱影響を避けるために従来行われていた窒化アルミニウム基板１の酸化処理が不要となるため、製造コストを削減することが出来る。
【００３６】
（第１実施形態の変形例）
変形例においては、窒化アルミニウム基板１の表面に導電性薄膜２、３ａを形成する工程の前に、窒化アルミニウム基板１の表面を酸化処理して酸化膜２１を形成する工程を実施する回路パターン形成方法（回路板成形方法）について説明する。
【００３７】
図２を参照して第１実施形態の変形例に係わる回路パターン形成方法を説明する。
【００３８】
まず、図２（ａ）に示すように、窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結することにより、窒化アルミニウム基板１を作成する。そして、図２（ｂ）に示すように、窒化アルミニウム基板１の表面に酸化処理が行われ、酸化膜２１が形成される。酸化膜の膜厚は２μｍ以下である。そして、図２（ｃ）に示すように、酸化膜２１の上に、クロム（Ｃｒ）及び銅（Ｃｕ）をターゲットとするスパッタリングによってそれぞれクロム膜２及び銅膜３ａを順番に形成する。このようにクロム膜２及び銅膜３ａが導電性薄膜２、３ａとして酸化膜２１上に形成される。その後の図２（ｄ）〜図２（ｇ）に示す工程は、図１（ｃ）〜図１（ｆ）に示す工程と同じであるため、説明を省略する。
【００３９】
以上説明したように、第１実施形態の変形例に係わる回路パターン形成方法は、窒化アルミニウム基板１の表面に導電性薄膜２、３ａを形成する工程の前に、窒化アルミニウム基板１の表面を酸化処理して酸化膜２１を形成する工程を更に備える。これにより、窒化アルミニウム基板１と導電性薄膜２、３ａの間に酸化膜２１が形成されるため、窒化アルミニウム基板１と導電性薄膜２、３ａの密着力が向上する。また、窒化アルミニウム基板１への熱影響を避けるための従来の酸化膜（膜厚２μｍ以上）よりも薄く形成することにより、酸化膜のクラックが抑制されて品質が向上し、且つ酸化処理のコストも薄膜化された分だけ削減することが出来る。
【００４０】
（第２実施形態）
次に第２実施形態の回路パターン形成方法（回路板形成方法）を図３〜図９を参照しつつ説明する。
【００４１】
図４は窒化アルミニウム基板１を示す斜視図、図５は図４窒化アルミニウム基板１に対して所定の回路パターンの回路部７を形成した状態を示す斜視図、図６は図５の窒化アルミニウム基板１に高エネルギービーム３３を照射して分断促進溝３４を形成した状態を示す斜視図、図７はは窒化アルミニウム基板１の一方の面に分断促進溝３４を形成する場合を示す斜視図、図７（ｂ）は窒化アルミニウム基板１の両方の面に分断促進溝３４を形成する場合を示す斜視図、図８は分断促進溝３４に沿って窒化アルミニウム基板１を分断することで形成された回路板３１の表面側及び裏面側を示す斜視図、図９は分断された回路板の側面に形成されているアルミニウム膜３５を除去する工程を示す斜視図である。なお、図３は回路板の分断工程を示す図であって、回路部７が形成される部分における断面図である。
【００４２】
（Ａ）まず、図４の窒化アルミニウム基板１を用意し、この窒化アルミニウム基板１上に対して図５に示すように所定の回路パターンの回路部７を形成して（図３（ａ）参照）、回路板３１の集合体とする。この例では６つの回路板３１が１つの窒化アルミニウム基板１上に形成されている。
【００４３】
（Ｂ）次に、図６に示すように、窒化アルミニウム基板１の表面に高エネルギービーム３３を照射して（図３（ｂ）参照）、窒化アルミニウム基板１を回路板毎に分断するための分断促進溝（以後「溝」と略す）３４を形成する（図３（ｃ）参照）。高エネルギービーム３３は窒化アルミニウム基板１の内部まで到達しているが、窒化アルミニウム基板１を分断するために窒化アルミニウム基板１は貫通させていない。
【００４４】
このとき高エネルギービーム３３が照射された部位の窒化アルミニウムは熱影響を受けて窒素とアルミニウムに分解されて導体化され、窒化アルミニウム基板１が表出している溝３４に導体であるアルミニウム膜３５が形成される（図３（ｃ）参照）。そのため、このような高エネルギービーム３３により形成される溝３４が、図７（ａ）および（ｂ）に示すように独立する回路部７、７同士を跨ぐ場合、溝３４の表面に形成されるアルミニウム膜３５が、当該回路部７、７同士を導通させてしまう。
【００４５】
なお、図７（ａ）に示す例は、高エネルギービーム３３を窒化アルミニウム基板１の一方の面からのみ照射した例である。この場合、基板１に形成される溝３４は一方の面に一つだけ形成される。一方、図７（ｂ）に示す例は、高エネルギービーム３３を窒化アルミニウム基板１の両面からそれぞれ照射した例である。この場合、基板１の表裏面に２つの溝３４、３４が形成される。本発明においては、図７（ａ）および（ｂ）のいずれの方法にって溝３４を形成してもよい。
【００４６】
（Ｃ）次に、窒化アルミニウム基板１を溝３４に沿って割ることにより分断して、図８に示すような回路板３１毎に切り分ける。このように回路板３１毎に切り分けた後も、独立した回路部７、７同士が導通した場合には導通はそのままになる。
【００４７】
（Ｄ）そこで次に、図９に示すように高エネルギービーム３３を照射したことにより窒化アルミニウム基板１の一部が導体化して形成されるアルミニウム膜３５を除去する工程を実施する（図３（ｄ）参照）。これにより独立する回路部７、７同士の導通が確実になくなり、窒化アルミニウム基板１の表面に正確に回路パターンを形成することが出来る。アルミニウム膜３５を除去する工程は、物理的な手法を用いても良いし、化学的な手法を用いても構わない。
【００４８】
なお、図９は分断された回路板３１の側面３７に形成されているアルミニウム膜３５を、ルータービット３８を用いて除去する例を示す斜視図である。ルータービット３８を回転させながら回路板３１の側面３７を擦りつけることでアルミニウム膜３５を削り取る。以上の手順により、回路板３１を形成することができる。
【００４９】
従来、窒化アルミニウム基板１を分割するには、ダイヤモンドブレードなどの刃物を用いて窒化アルミニウム基板１を分断していたため、刃物の寿命が短く、補材費用がかかっていた。しかし、第２実施形態のように、高エネルギービーム３３で溝３４を形成し、窒化アルミニウム基板１を溝３４に沿って割って分断することにより、分断するための刃物が不要となり、大幅なコストダウンが可能となる。
【００５０】
なお、第２実施形態では、図１に示した方法により回路パターンの回路部７を形成しても良いし、図２に示した方法により回路パターンの回路部７を形成しても良く、また高エネルギービームを用いずに回路パターンを形成した基板を分断して回路板を形成しても良い。
【００５１】
上記のように、本発明は、第１及び第２実施形態及びその変形例によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。すなわち、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】図１（ａ）〜図１（ｆ）は、第１実施形態に係わる回路パターン形成方法を示す工程断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｇ）は、第１実施形態の変形例に係わる回路パターン形成方法を示す工程断面図である。
【図３】第２実施形態に係わる回路板の形成方法を示す工程断面図である。
【図４】窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結することにより作成された窒化アルミニウム基板１の例を示す斜視図である。
【図５】図４の窒化アルミニウム基板１に対して所定の回路パターンを形成した窒化アルミニウム基板１を示す斜視図である。
【図６】図５の窒化アルミニウム基板１に高エネルギービームを照射して溝３４を形成した窒化アルミニウム基板１を示す斜視図である。
【図７】図７（ａ）は窒化アルミニウム基板１の一方の面に溝を形成する場合を示し、図７（ｂ）は窒化アルミニウム基板１の両方の面に溝を形成する場合を示す斜視図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は溝に沿って分断して得た回路板の表面側及び裏面側を示す斜視図である。
【図９】図９はルータービットを用いて、分断された回路板の側面に形成されているアルミニウム膜３５を除去する様子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
１…窒化アルミニウム基板
２…クロム膜
３ａ…銅膜
３ｂ…銅膜
４…高エネルギービーム（第１の高エネルギービーム）
５、３５…アルミニウム膜
６、１３…凹状部
７…回路部
８ａ、８ｂ…非回路部
９…ニッケル膜
１０…金膜
２１…酸化膜
３１…回路板
３３…高エネルギービーム（第２の高エネルギービーム）
３４…分断促進溝
３７…側面
３８…ルータービット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2009009986.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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