(57)【要約】【課題】小型で高い精度を満たす９０度ハイブリッドカプラを提供する。【解決手段】地導体容器４０内部の誘電体層２４と、互いに平行に設けられた少なくとも一対のパターン層と、１対のパターン層のうち一方のパターン層上でその一部が湾曲した回転対称の形状となるように配置された、入力端子１１と第２の出力端子１３とを導通する第１の伝送線路導体１５と、他方のパターン層上でその一部が湾曲した回転対称の形状となるように配置された、第１の出力端子１２とアイソレーション端子１４とを導通する第２の伝送線路導体１６と、を有し、第１の伝送線路導体１５と、第２の伝送線路導体１６とで、電磁界結合させた結合線路が形成され、結合線路と第１の出力端子１２との最短距離と、結合線路１７と第２の出力端子１３との最短距離との比を１．０〜１．５の範囲とした９０度ハイブリッドカプラ１０である。【選択図】図３
2009225065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも入力端子と、第１の出力端子と、第２の出力端子と、アイソレーション端子とからなる複数の端子部と、
前記複数の各端子部に対応した開口部を有し、内部の電磁遮蔽をする地導体容器と、
前記地導体容器の内部に収容された誘電体層と、
前記誘電体層内部で前記誘電体層の一部を挟んで互いに平行に設けられた少なくとも一対のパターン層と、
前記１対のパターン層のうち一方のパターン層上でその一部が湾曲した形状となるように配置された、前記入力端子と前記第２の出力端子とを導通する第１の伝送線路導体と、
前記１対のパターン層のうち他方のパターン層上でその一部が湾曲した形状となるように配置された、前記第１の出力端子と前記アイソレーション端子とを導通する第２の伝送線路導体と、を有し、
前記第１の伝送線路導体と、前記第２の伝送線路導体とで、前記誘電体層の一部を挟んで相互に電磁界的結合する結合線路が形成され、
前記結合線路と前記第１の出力端子との最短距離と、前記結合線路と前記第２の出力端子との最短距離との比を１．０〜１．５の範囲としたカプラ。
【請求項２】
前記結合線路の少なくとも一部の形状がＳ字型である請求項１に記載のカプラ。
【請求項３】
前記結合線路の中心線の長さと前記結合線路の両端の距離との比率が０．２〜０．９である請求項１または２に記載のカプラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、高周波無線機器等の電力増幅器に使用され、主として電力の分配器、合成器として用いられる９０度ハイブリッドカプラに関する。本発明の９０度ハイブリッドカプラは、特に９０度ハイブリッドカプラとして、２つの出力端子で得られた信号の位相差が高い精度で９０度となり、携帯電話の基地局の送信機等、高い精度と小型化とを要求される部品として好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
わが国において近年、高周波無線による双方向通信可能な携帯電話や携帯端末等の通信システムには、通話品質の向上や通信を伴うアプリケーションの高機能化、多様化が進んできている。またこれら携帯電話や携帯端末等の通信システムにおいては、通話可能地域や通信可能地域の拡大、通信回線の速度向上への取り組みもなされてきた。そして、これら携帯電話や携帯端末等でダウンロード可能な音楽や動画の配信サービスや、電子メール等、様々な無線通信を伴うサービスが日常生活において浸透してきており、高周波無線通信機器における情報量の増大が著しい。ユビキタス社会を視野に入れた技術開発も盛んに行われてきており、無線通信インフラの整備が急務となってきている。こうした背景から、無線通信用基地局の整備において送信機器の小型化や低消費電力化等に加え、電子部品の製品仕様に対して要求される精度が高まってきている。
【０００３】
特許文献１には方向性結合器の一例が開示されている。この方向性結合器は、マイクロ波回路に用いられるもので、ハイブリッドカプラとして用いることができる。この方向性結合器は、両面にλ／４長のストリップラインが形成された中心誘電体と、前記中心誘電体の両面側に設けられる外側誘電体とを具備し、前記中心誘電体及び外側誘電体は、それぞれセラミック粉末等の無機材料粉末と有機バインダーとの混合物からなる材料で板状に形成され、前記中心誘電体の両面にそれぞれ前記外側誘電体が配され、圧着焼成されて一つの焼成体とされ、前記焼成体の外周面に、前記ストリップラインに接続される端子電極及びアース電極が形成され、前記アース電極に、前記ストリップラインと直交する結合率調整用スリットが設けられていることを特徴とする方向性結合器である。
【０００４】
特許文献１に示される方向性結合器をハイブリッドカプラとして用いた場合には、信号の位相差を考慮する必要がある。また、このような方向性結合器はハイブリッドカプラとして用いた場合、限られた基板上のサイズに合わせて小型化することが望ましく、λ／４長のストリップラインを幾度か折り曲げたようなパターンで形成していた。ところが、ストリップラインを幾度か折り曲げたようなパターンで形成すると、中心誘電体の両面に形成されたストリップライン間の電磁界的結合だけでなくストリップラインの折り曲げられたパターンの部分と端子電極間とが接近し、これらの間での意図しない電磁界的結合が生じてしまうことがあった。この意図しない電磁界的結合によって、方向性結合器をハイブリッドカプラとして用いた場合の位相バランスに悪影響をもたらしていた。ハイブリッドカプラとして用いた方向性結合器の位相バランスがずれると、位相バランスをとるために回路としての調整が必要であることに加え、この調整に伴って回路としての挿入損失が悪化するという問題も生じていた。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２０５３０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような従来の事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、出力信号の位相差の精度が高い９０度ハイブリッドカプラを提供することにある。更に詳しくは、携帯電話用の高周波無線基地局の送信機等の電力増幅器等、高い精度と小型化とを要求される部品として好適に用いられる９０度ハイブリッドカプラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の９０度ハイブリッドカプラを提供するものである。
【０００８】
［１］少なくとも入力端子と、第１の出力端子と、第２の出力端子と、アイソレーション端子と、からなる複数の端子部と、前記複数の各端子部に対応した開口部を有し、内部の電磁遮蔽をする地導体容器（ＧＮＤ電極）と、前記地導体容器の内部に収容された誘電体層と、前記誘電体層内部で前記誘電体層の一部を挟んで互いに平行に設けられた少なくとも一対のパターン層と、前記１対のパターン層のうち一方のパターン層上でその一部が湾曲した形状となるように配置された、前記入力端子と前記第２の出力端子とを導通する第１の伝送線路導体と、前記１対のパターン層のうち他方のパターン層上でその一部が湾曲した形状となるように配置された、前記第１の出力端子と前記アイソレーション端子とを導通する第２の伝送線路導体と、を有し、前記第１の伝送線路導体と、前記第２の伝送線路導体とで、前記誘電体層の一部を挟んで相互に電磁界結合させた結合線路が形成され、前記結合線路と前記第１の出力端子との最短距離と、前記結合線路と前記第２の出力端子との最短距離との比を１．０〜１．５の範囲としたカプラ。
【０００９】
［２］前記結合線路の少なくとも一部の形状がＳ字型である前記［１］に記載のカプラ。
【００１０】
［３］前記結合線路の中心線の長さと前記結合線路の両端の距離との比率が０．２〜０．９である前記［１］または［２］に記載のカプラ。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の９０度ハイブリッドカプラによれば、２つの出力信号の位相差が高い精度で９０度とすることができる。また、詳しくは、携帯電話用の高周波無線基地局の送信機等、高い精度と小型化とを要求される部品として好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明について、適宜図面を参酌しながら、その実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を損なわない範囲で、当業者の知識に基づいて、種々の変更、修正、改良、置換を加え得るものである。
【００１３】
図１は、本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０を示す模式的一部透過平面図である。図２は、本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０を示す模式的一部透過側面図である。図３は、本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０を示す模式的一部透過斜視図である。図４は、第１の伝送線路導体１５および第２の伝送線路導体１６で結合線路１７を形成する様子を示す模式的斜視図である。図７、図８はそれぞれ第１の伝送線路導体１５および第２の伝送線路導体１６の模式的平面図である。図９、図１０はそれぞれ、地導体容器４０および端子部４１、４２、４３、４４を示す９０度ハイブリッドカプラ１０の模式的一部透過斜視図および模式的斜視図である。図１１は、地導体容器４０の斜視図である。
【００１４】
図１〜図３に示すように、本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０は、少なくとも入力端子１１と、第１の出力端子１２と、第２の出力端子１３と、アイソレーション端子１４と、とからなる複数の端子部２７とを有するものである。また、本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０は、図９〜図１１に示すように、複数の各端子部２７（４１、４２、４３、４４）に対応した開口部４５を有し、導体からなる内部の電磁遮蔽をする地導体容器４０を有するものである。一般的には、９０度ハイブリッドカプラは、上述の４端子で構成される。
【００１５】
そして更に本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０は、図１１に示すような地導体容器４０の内部に収容された誘電体層２４と、図２に示すような誘電体層２４内部で誘電体層の一部（誘電体層２３）を挟んで互いに平行に設けられた少なくとも一対のパターン層（２１、２２）を有するものである。
【００１６】
また、本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０は、この１対のパターン層（２１、２２）のうち一方のパターン層２２上でその一部が湾曲した回転対称の形状となるように配置された、入力端子１１と第２の出力端子１３とを導通する第１の伝送線路導体１５を有し、その１対のパターン層（２１、２２）のうち他方のパターン層２１上でその一部が湾曲した回転対称の形状となるように配置された、第１の出力端子１２とアイソレーション端子１４とを導通する第２の伝送線路導体１６を有するものである。
【００１７】
図７、図８はそれぞれ第１の伝送線路導体１５および第２の伝送線路導体１６の模式的平面図である。第１の伝送線路導体１５および第２の伝送線路導体１６は、図２に示す一対のパターン層（２１、２２）上に互いに平行に形成されている。伝送線路導体１５、１６それぞれの両端に位置する端子部２７の中点を中心として回転対称の形状となっている。例えば、図１で示されるような９０度ハイブリッドカプラ１０においては、第１の伝送線路導体１５においては入力端子１１と第２の出力端子との中点を中心とし、第２の伝送線路導体１６においては第１の出力端子とアイソレーション端子の中点を中心とする。
【００１８】
結合線路の図２中の誘電体層２３の厚みは任意の値とし、互いに平行に設けられた一対のパターン層２１、２２間で第１の伝送線路導体１５と第２の伝送線路導体１６の微小間隙を設けることで、相互に電磁界的な結合を生じさせる。これらパターン層は一対である必要はなく、複数のパターン層を重ね合わせたものであってもよい。
【００１９】
そして本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０は、上述のこれら第１の伝送線路導体１５と、第２の伝送線路導体１６とで、誘電体層２４の一部（誘電体層２３）を挟んで電気長が１／４波長となるように相互に電磁界結合する結合線路１７が形成されており、結合線路１７と第１の出力端子１２との最短距離と、結合線路１７と第２の出力端子１３との最短距離との比を１．０〜１．５の範囲としたものである。
【００２０】
本明細書中でいう「端子部」とは、例えば図１に示すような伝送線路導体１５、１６の端部、具体的には入力端子１１と、第１の出力端子１２、第２の出力端子１３、アイソレーション端子１４に加え、これら伝送線路導体の端部が接続する側面電極を含むものである。また、「端子部」とは伝送線路導体の各端部と、その端子部に対応した側面電極とを一体として考慮するものであるが、伝送線路導体の端部ごとに一つずつ分けて考慮するものとする。
【００２１】
本明細書中でいう「結合線路」とは、例えば図２に示すような互いに平行な一対のパターン層にそれぞれ設けられた第１の伝送線路導体１５および第２の伝送線路導体１６のうち、図４に示すように誘電体層の一部（図２中の誘電体層２３）を間に挟んで重ね合された結合線路１７（図１中の１点鎖線で囲まれた伝送線路導体の一部分）のことをいい、この部分で電磁界的結合（カップリング）を生じさせる。
【００２２】
本明細書中でいう「結合線路と第１の出力端子との最短距離と、結合線路と第２の出力端子との最短距離との比」とは、結合線路（例えば図１の結合線路１７）と第１の出力端子（例えば図１の第１の出力端子１２と、それに対応する端子部２７）との距離と、結合線路（例えば図１の結合線路１７）と第２の端子部（例えば図１の第２の出力端子１３と、それに対応する端子部２７）との距離のうち、小さい方の値ａに対して、大きい方値ｂの比を意味するものとする。例えば、図１に示すような本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０においてはａ（結合線路と第１の出力端子との最短距離）：ｂ（結合線路と第２の出力端子との最短距離）＝１．０：１．１であるのでこの比は１．１である。以下、本明細書中で「距離ａ」、「距離ｂ」というときには結合線路と端子部との距離の値が小さい方をａとし、値が大きい方をｂとする。即ち、仮にａ（結合線路と第２の出力端子との最短距離）：ｂ（結合線路と第１の出力端子との最短距離）＝１．０：１．１である場合も、この比は１．１というものとする。
【００２３】
従来の９０度ハイブリッドカプラ６０は、図６に示すような模式的平面図に示されるように、製品の小型化のために、結合線路６７が湾曲することにより、端子部２７との距離ａ、ｂの比が１．０：１．６となり、第１の出力端子６２と第２の出力端子６３とが結合線路６７とそれぞれ意図しない電磁界的結合を持つこととなる。更に、端子部２７と結合線路６７との距離ａ、ｂの差が大きいために、第１の出力端子６２と、第２の出力端子６３とでそれぞれの電磁界的結合の強度が異なることとなり、結果として各端子で出力される信号の位相が９０度からずれてしまい、正確な９０度の位相差が出なくなってしまう。
【００２４】
この点、上述した本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０においては、図１に示すように端子部２７（第１の出力端子１２、第２の出力端子１３）と結合線路１７との距離ａ、ｂの比が１．０：１．１としたことから、仮に意図しない電磁界的結合が起こってしまった場合であっても結合強度の差が生じにくいために、位相のずれがほとんどない。
【００２５】
本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０を構成する各要素や製造方法については、特に限定するものではなく、当業者が通常の技術的範囲で実現しうる材料や製造方法で各要素を構成することができる。例えば、誘電体層２４、２３は原料粉末としてセラミック粉末等の無機材料粉末と有機バインダーとの混合物を含むスラリー材料で任意の厚さの板状のグリーンシートを成形して誘電体層とすることができる。
【００２６】
このようなグリーンシートとして成形された誘電体層２３の両面を一対のパターン層（一方のパターン層２１、他方のパターン層２２）とすることができる。この誘電体層２３の両面の一対のパターン層に図７に示すような第１の伝送線路導体１５や図８に示すような第２の伝送線路導体１６を銀などの導体を含んだペーストでスクリーン印刷法によってそれぞれ形成することができる。また、地導体容器４０や複数の端子部２７も、同様にして誘電体層２４の表面にスクリーン印刷法で形成することができる。これらの構成要素を正確に積層し、加熱加圧により一体化した後、焼成して本発明の９０度ハイブリッドカプラ１０を得る。
【００２７】
誘電体の材料組成としては、特に限定するものではないが、例えば比誘電率を７とする材料として以下の組成を好適に挙げることができる。ＢａＯ：４８質量％、Ｂｉ２Ｏ３：４質量％、ＺｎＯ：４質量％、Ａｌ２Ｏ３：３質量％、ＳｉＯ２：４１質量％。
【００２８】
本発明の９０度ハイブリッドカプラにおいては、結合線路の少なくとも一部の形状がＳ字型であることが好ましい。これにより、製品サイズの小型化が可能となる。
【００２９】
本発明の９０度ハイブリッドカプラにおいては、湾曲した結合線路の中心線に沿った湾曲した経路の長さと結合線路の両端の直線的な距離との比率が０．２〜０．９であることが好ましい。この範囲にあることにより、製品サイズの小型化を実現できる。
【００３０】
本発明の９０度ハイブリッドカプラにおいては、特に限定するものではないが、誘電体層の比誘電率が１０以下であることが好ましい。この範囲とすることで、意図しない電磁界的結合を生じさせにくくすることができる。
【００３１】
本発明の９０度ハイブリッドカプラにおいては、入力端子に入力する入力信号の周波数帯域が数百ＭＨｚ〜６ＧＨｚの範囲にあることが好ましい。本発明の９０度ハイブリッドカプラは、基板上に設置して使用されることが多く、一般的な製品サイズ（縦×横×高さ）が３．０ｍｍ×３．０ｍｍ×１．０ｍｍ〜１５．０ｍｍ×１５．０ｍｍ×５．０ｍｍであるため、入力信号の周波数が上述の範囲となると結合線路としての配線パターンを湾曲させて距離を稼ぐような工夫が必要性となってくる。入力信号の周波数帯域は例えば２Ｇｈｚ前後の場合には、上記範囲の中から概ね１００ＭＨｚの帯域を使用する周波数帯域とすることが好ましい（例：２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚ）。
【００３２】
本発明の９０度ハイブリッドカプラにおいては、使用する周波数帯域の範囲で第１の出力端子と第２の出力端子の位相差が９０±２度の範囲にあることが好ましい。この範囲を超えると、アンプ性能を著しく劣化させる要因となる。
【００３３】
本発明の９０度ハイブリッドカプラにおいては、インピーダンス調整用の電極を各端子部に設けて地導体容器（ＧＮＤ電極）と重ねあう領域まで延長することで、この電極と地導体容器との間に容量を持たせることにより、インピーダンス調整をとることができる。例として、図２中にこの調整電極２５を示す。
【実施例】
【００３４】
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３５】
（実施例）
本発明の実施例および比較例として、以下の構成を共通とし、結合線路のパターン形状のみを変更した。具体的な変更点は（実施例１）、（実施例２）、（実施例３）、（比較例）の項目で後述する。以下、共通した９０度ハイブリッドカプラの構成を説明する。
【００３６】
図１に示すように、９０度ハイブリッドカプラ１０は、入力端子１１と、第１の出力端子１２と、第２の出力端子１３と、アイソレーション端子１４の４つの端子部２７を有している。４つの各端子部２７は、図１０に示すような外部電極の機能を持つ端子部４１、４２、４３、４４と導通し、一体化している。９０度ハイブリッド１０は、図１１に示すような開口部４５を有して内部の電磁遮蔽をする地導体容器４０で覆われている。共通した９０度ハイブリッドカプラの構成として地導体容器の内部は誘電体層で充填されている。その誘電体層内部で図２に示すように誘電体層の一部（誘電体層２３）を挟んで互いに平行に設けられた一方のパターン層２１と、他方のパターン層２２上にそれぞれ伝送線路導体を形成される。
【００３７】
図３に示すように、第１の伝送線路導体１５は、入力端子１１と第２の出力端子１３とを導通するように、その一部がＳ字型に湾曲した回転対称の形状となるように配置されている。また同様に、第２の伝送線路導体１６は、第１の出力端子１２とアイソレーション端子１４とを導通するように、その一部がＳ字型に湾曲した回転対称の形状となるように配置されている。これら第１の伝送線路導体１５と第２の伝送線路導体１６とで、誘電体層の一部を挟んで電気長が１／４波長となるように相互に電磁界結合させた結合線路が形成される。
【００３８】
一対のパターン層の側面から見た層構造は、図２に示すように全て共通した層構造とした。また、端子部２７は、図９、図１０の端子部４１〜４４に示されるような、地導体容器４０の開口部４５に設けられた外部との電極としても機能するものである。また、図１１に示すような地導体容器４０のサイズは、縦９ｍｍ×横７ｍｍ×高さ４ｍｍとした。
【００３９】
各実施例と比較例を比較検討する際に、９０度ハイブリッドカプラを、有限要素法による３次元電磁界解析ソフトを用いてシミュレーションを行った。各実施例と比較例においては、比誘電率を７、電極（Ａｇ）の導電率を６１００００００［Ｓ／ｍ］とし、使用周波数帯域を２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚとした。比較例、実施例１、２、３は、一対のパターン層上での結合線路の形状のみを変化させてシミュレーションを行った。入力信号の周波数（１８００ＭＨｚ〜２５００ＭＨｚ）を横軸とした第１の出力端子と第２の出力端子との位相差特性のグラフを図１２に示す。
【００４０】
（比較例）
上述の共通した９０度ハイブリッドカプラの構成に加え、次に示す設定でシミュレーションを行った。図６に示すように結合線路６７を回転対称の形状とし、第１の出力端子６２と結合線路６７との距離ａと、第２の出力端子６３と結合線路６７との距離ｂの比（ａとｂの比）を１．６とした。図１２に示すようなシミュレーション結果からわかるように、位相差が９０±２度の範囲から外れてしまうことが明らかとなった。具体的には使用周波数帯域を２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚとした場合には、第１の出力端子と第２の出力端子との位相差は９０度から２．２度ずれる。
【００４１】
（実施例１）
上述の共通した９０度ハイブリッドカプラの構成に加え、次に示す設定でシミュレーションを行った。図１および図３に示すように結合線路１７を回転対称の形状とし、第１の出力端子１２と結合線路１７との距離ａと、第２の出力端子１３と結合線路１７との距離ｂの比（ａとｂの比）を１．１とした。図１２に示すようなシミュレーション結果からわかるように、位相差がほぼ９０度となった。具体的には使用周波数帯域を２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚとした場合には、第１の出力端子と第２の出力端子との位相差は９０度から０．２度ずれる。
【００４２】
（実施例２）
上述の共通した９０度ハイブリッドカプラの構成に加え、次に示す設定でシミュレーションを行った。図５に示すように結合線路３７を回転対称の形状とし、第１の出力端子３２と結合線路３７との距離ａと、第２の出力端子３３と結合線路３７との距離ｂの比（ａとｂの比）を１．３とした。図１２に示すようなシミュレーション結果からわかるように、位相差が９０±２度の範囲に入っていることが明らかとなった。具体的には使用周波数帯域を２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚとした場合には、第１の出力端子と第２の出力端子との位相差は９０度から１．１度ずれている。
【００４３】
（実施例３）
また、上述の共通した９０度ハイブリッドカプラの構成に加え、次に示す設定でシミュレーションを行った。実施例２と同様にして、結合線路を回転対称の形状（図示しない）とし、第１の出力端子と結合線路との距離ａと、第２の出力端子と結合線路との距離ｂの比（ａとｂの比）を１．５とした。図１２に示すようなシミュレーション結果によれば、位相差が９０±２度の範囲に入っていることが明らかとなった。具体的には使用周波数帯域を２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚとした場合には、第１の出力端子と第２の出力端子との位相差は９０度から１．８度ずれる。
【００４４】
上記実施例１〜３で示すように、結合線路６７を回転対称の形状とし、第１の出力端子６２と結合線路６７との距離ａと、第２の出力端子６３と結合線路６７との距離ｂの比（ａとｂの比）を１．０〜１．５の範囲とすることにより、使用周波数帯域を２１００ＭＨｚ〜２２００ＭＨｚとした場合には、第１の出力端子と第２の出力端子の位相差が９０±２度の範囲になることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
以上説明した通り、本発明の９０度ハイブリッドカプラによれば、高周波無線機器等の電力増幅器等に使用され、主に電力の分配器、合成器として用いることができる。２つの出力端子で得られる出力信号の位相差が高い精度で９０度とすることができ、このような９０度ハイブリッドカプラは、携帯電話の基地局の送信機等、小型でありながら高い精度を要求される場合に好適に用いられ、高周波無線通信機器の情報量が増大した現在、また将来のユビキタス社会へ向けて、無線通信インフラの整備に必要とされる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の９０度ハイブリッドカプラを示す模式的一部透過平面図である。
【図２】本発明の９０度ハイブリッドカプラを示す模式的一部透過側面図である。
【図３】本発明の９０度ハイブリッドカプラを示す模式的一部透過斜視図である。
【図４】本本発明の９０度ハイブリッドカプラの結合線路を示す模式的斜視図である。
【図５】本発明の９０度ハイブリッドカプラを示す模式的平面図である。
【図６】従来の９０度ハイブリッドカプラを示す模式的平面図である。
【図７】第１の伝送線路導体の模式的一部透過平面図である。
【図８】第２の伝送線路導体の模式的一部透過平面図である。
【図９】地導体容器および端子部を示す模式的一部透過斜視図である。
【図１０】本発明の９０度ハイブリッドカプラを示す模式的斜視図である。
【図１１】地導体容器（ＧＮＤ電極）を示す模式的斜視図である。
【図１２】第１の出力端子と第２の出力端子の位相差を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４７】
１０：９０度ハイブリッドカプラ、１１：入力端子、１２：第１の出力端子、１３：第２の出力端子、１４：アイソレーション端子、１５：第１の伝送線路導体、１６：第２の伝送線路導体、１７：結合線路、２１：他方のパターン層、２２：一方のパターン層、２３、２４：誘電体層、２５：調整電極、２７：端子部、３０：９０度ハイブリッドカプラ、３１：入力端子、３２：第１の出力端子、３３：第２の出力端子、３４：アイソレーション端子、３５：第１の伝送線路導体、３６：第２の伝送線路導体、３７：結合線路、４０：地導体容器（ＧＮＤ電極）、４１〜４４：端子部、４５：開口部、６０：９０度ハイブリッドカプラ、６１：入力端子、６２：第１の出力端子、６３：第２の出力端子、６４：アイソレーション端子、６５：第１の伝送線路導体、６６：第２の伝送線路導体、６７：結合線路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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