(57)【要約】【課題】応力による外部接続端子の剥離や、それに伴う貫通電極の破損を防止した電極構造および電子デバイスを提供する。【解決手段】前記コンタクトホール１０ａの内径は、外部接続端子６側の内径よりも貫通電極７側の内径の方が大きくなるように形成されている。また、コンタクトホール１０ａは、外部接続端子６側から貫通電極７側に向かって前記絶縁膜厚の中間位置まで同一径で形成されてなる垂直壁面部と、前記中間位置から貫通電極７に向かって徐々にその内径が大きくなるように形成されてなる傾斜壁面部を有した構成になっている。このような構成にすることで、コンタクトホール１０ａ内に充填される導電性部材１１と第二絶縁膜１０との密着面積が増加するので応力に対する剥離強度を上げることができる。【選択図】図１
2009246562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に絶縁膜の一部を挟んで形成された二つの導電パッドが貫通電極を介して相互に接続された電極構造であって、
前記二つの導電パッドのうち少なくとも一方は、前記絶縁膜の厚み方向に設けられたコンタクトホール内に連通する導電性部材を介して前記貫通電極と接続されており、前記コンタクトホールの内径は、前記導電パッド側の内径よりも前記貫通電極側の内径の方が大きく形成されてなることを特徴とする電極構造。
【請求項２】
前記コンタクトホールは、前記導電パッド側から前記貫通電極側に向かって前記絶縁膜厚の中間位置まで同一径で形成されてなる垂直壁面部と、前記中間位置から前記貫通電極に向かって徐々にその内径が大きくなるように形成されてなる傾斜壁面部を有することを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項３】
前記コンタクトホール内は、前記導電性部材によって充填されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の電極構造。
【請求項４】
前記導電性部材は、前記導電パッドと一体形成されてなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項５】
前記コンタクトホール内壁面は、粗面化されてなることを特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一つに記載の電極構造を備えた基板の導電パッド上に電子部品が実装されてなることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造と、該電極構造を有する電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の半導体チップを積み重ねたスタック構造の半導体装置や、半導体チップに他の電子部品を積み重ねたスタック構造の電子デバイスや、半導体基板を用いたパッケージに電子部品を収納してなる電子デバイス等が開発されている。そして、前記半導体チップどうしの電気的接続、半導体基板を用いたパッケージ内の電子部品と外部接続端子との電気的接続のために、半導体チップや半導体基板面に貫通電極を形成することが知られている。
【０００３】
前記貫通電極は、半導体基板に貫通孔を形成し、当該貫通孔内面に絶縁膜を形成して絶縁処理した上、その内面に導電部材を充填して形成されるものである。
【０００４】
圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスは、携帯電話、モバイルコンピュータ、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ・Ｄｉｇｉｔａｌ・Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）等の小型情報端末に広く使用されている。この圧電デバイスの構造は、例えば、箱型のパッケージ内に圧電振動片を収容し、このパッケージに蓋部材を接合してパッケージ内を気密に封止した構成となっている。パッケージ内部の圧電振動片と外部接続をなす接続端子は、貫通電極を用いて電気的な接続をなすものがある。
【０００５】
図３は、従来技術による圧電デバイスを示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は、蓋部材を除いた平面図である。この図に示す圧電デバイス３０は、パッケージ３１と、このパッケージ３１の底部表面にマウント固定された圧電振動片３２と、パッケージ３１を気密に封止する蓋部材３３とを有した圧電振動子の例である。
【０００６】
圧電振動片３２は、例えば水晶からなり、矩形状に加工したＡＴカット振動片である。圧電振動片としては他に音叉型振動片等も用いられる。図３（ｂ）に示したように、圧電振動片３２には、その表裏面に励振電極３２ａが形成されており、該励振電極３２ａからは、引出しパターンが一端部に延長されており、引出し電極３２ｂを構成している。
【０００７】
パッケージ３１は平坦な底部３１ａと、該底部３１ａの周縁に立設された壁部３１ｂとを有しており、その内側に圧電振動片３２の収容空間となるキャビティＣが形成されている。パッケージ３１は、底部３１ａと、壁部３１ｂとが一体に形成されている。また、底部３１ａと、壁部３１ｂとを別体に構成することも可能である。
【０００８】
パッケージ３１の内側の底部には電極パッド３５が形成されている。電極パッド３５は例えば、ニッケルの下地上に金や銀のメッキを施すことにより形成されている。
また、パッケージ３１の底面には両端部にそれぞれ外部接続端子３４が形成されている。
【０００９】
パッケージ３１の内側の底部表面に形成された電極パッド３５は、貫通電極３６により外部接続端子３４と接続されている。貫通電極３６は、貫通孔内に導電性部材、例えば、電解メッキ等によって金（Ａｕ）メッキを施すことで貫通孔内を充填して構成されている。
そして、電極パッド３５の上には導電部材３７を介して、圧電振動片３２が支持固定されている。ここで、導電部材３７は、導電性接着剤を用いることができる。また、金バンプを利用した金属バンプ接合も可能である。
【００１０】
パッケージ３１のキャビティＣ側の上方には、蓋部材３３が種々の手段によって接合される。パッケージ３１及び蓋部材３３は、ガラスや水晶、あるいはシリコンなどによって形成される。尚、パッケージ３１を半導体基板であるシリコン基板で形成する場合は、シリコン基板面を電気的に絶縁するための第一絶縁膜３８を被覆する必要がある。したがって、キャビティＣの底部３１ａ表面、壁部３１ｂ内面にも第一絶縁膜３８を形成した構成となっている。さらに、パッケージ３１の外部底面側には第二絶縁膜３９が形成されている。この第二絶縁膜３９は、基板の表面に形成された電極パッド３５や外部接続端子３４等の導電パッド間や、それら導電パッドと外部の回路基板の導電パターンとの間に生じる不要な静電容量（寄生容量）による電気的特性の悪化を防止するために設けられている。したがって、前記貫通電極３６と外部接続端子３４との間には第二絶縁膜３９が介在する構成と成るので、第二絶縁膜３９にコンタクトホール３９ａを設け、このコンタクトホール３９ａ内にも導電性部材を充填して貫通電極と接続がなされた電極構造となっている。
【００１１】
パッケージ３１と蓋部材３３の接合方法は、例えば、接合面に金属膜を形成することにより、陽極接合の手法を用いて行うことができる。また、表面活性化接合の手法を用いることもできる。表面活性化接合は、接合面どうしの表面を活性化して、部材どうしを何も介さずに直接接合するものである。
【００１２】
圧電デバイスは前記したように構成されており、圧電振動片３２がパッケージ３１の底部に搭載されるとともに、パッケージ３１が有するキャビティＣ内に収容されて、蓋部材３３により気密に封止されている。
【００１３】
【特許文献１】特開２００７−２６７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
前記した従来の圧電デバイスの電極構造においては、基板下面の第二絶縁膜（ポリイミド）上に配設された外部接続端子（金属膜）に応力が作用すると、外部接続端子が第二絶縁膜（ポリイミド）との界面において剥がれが生じてしまう可能性がある。外部接続端子が剥がれることによって、貫通電極が破損して断線したり、断線しなくとも貫通電極の電気的特性が変化する不具合も危惧される。また、前記圧電デバイスは内部が気密封止されたものであるので、破損箇所でリークが発生して内部の気密性が保たれなくなるといった悪影響を及ぼすことが懸念される。
【００１５】
これは、第二絶縁膜のポリイミドが有機物質膜であるのに対し、外部接続端子が金属膜である事から相性が悪く、密着強度が弱いためである。そこで、両者の密着力を強く保つために、ポリイミド表面をエッチング等で粗してから金属からなる外部接続端子を形成する等の手段が講じられているのが現状であるが、それでもなお充分な密着力が確保できるとは限らない。
【００１６】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、応力による外部接続端子の剥離や、それに伴う貫通電極の破損を防止した電極構造および電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記目的を達成するため、本発明の電極構造は、基板の表面に絶縁膜の一部を挟んで形成された二つの導電パッドが貫通電極を介して相互に接続された電極構造であって、
前記二つの導電パッドのうち少なくとも一方は、前記絶縁膜の厚み方向に設けられたコンタクトホール内に連通する導電性部材を介して前記貫通電極と接続されており、前記コンタクトホールの内径は、前記導電パッド側の内径よりも前記貫通電極側の内径の方が大きく形成されてなることを特徴とする。
【００１８】
前記コンタクトホールは、前記導電パッド側から前記貫通電極側に向かって前記絶縁膜厚の中間位置まで同一径で形成されてなる垂直壁面部と、前記中間位置から前記貫通電極に向かって徐々にその内径が大きくなるように形成されてなる傾斜壁面部を有する構成とすることができる。
【００１９】
前記コンタクトホール内は、前記導電性部材によって充填した構成にすることができる。
【００２０】
前記導電性部材は、前記導電パッドと一体形成されされた構成にすることができる。
【００２１】
前記コンタクトホール内壁面は、粗面化された構成にすることができる。
【００２２】
前記の電極構造を備えた基板の導電パッド上に電子部品が実装されてなる電子デバイスとする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、貫通電極と導電パッドを接続するための絶縁膜に設けられるコンタクトホール内径を前記導電パッド側の内径よりも前記貫通電極側の内径の方を大きく形成したので、コンタクトホール内に設けられる導電性部材と絶縁膜との密着面積を増加させることができるので応力による外部接続端子の剥離や、それに伴う貫通電極の破損を防止した電極構造および電子デバイスが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を用いて本発明の一実施形態を説明する。図１は圧電デバイスを示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部（電極構造部）拡大図である。
【００２５】
圧電デバイス１は、圧電振動片３を実装する基板となるパッケージ２と、このパッケージ２の底部表面にマウント固定された圧電振動片３と、パッケージ２を気密に封止する蓋部材４とを有している。
【００２６】
圧電振動片３は、例えば水晶からなり、矩形状に加工したＡＴカット振動片や音叉型振動片等が用いられる。圧電振動片３には、その表裏面に励振電極（不図示）が形成されており、該励振電極からは、引出しパターンが一端部に延長され引出し電極（不図示）を構成している。
【００２７】
パッケージ２は平坦な底部２ａと、該底部２ａの周縁に立設された壁部２ｂとを有しており、その内側に圧電振動片３の収容空間となるキャビティＣが形成されている。パッケージ２は、底部２ａと、壁部２ｂとが一体に形成されている。また、底部２ａと、壁部２ｂとを別体に構成することも可能である。
【００２８】
パッケージ２の内側の底部には電極パッド５が形成されている。電極パッド５は金属材料からなる導電パッドである。
また、パッケージ２の底面には両端部にそれぞれ外部接続端子６が形成されている。外部接続端子６も金属材料からなる導電パッドである。
【００２９】
パッケージ２の内側の底部表面に形成された電極パッド５は、貫通電極７により外部接続端子６と接続されている。貫通電極７は、貫通孔内に導電性部材、例えば、電解メッキ等によって金（Ａｕ）メッキを施すことで貫通孔内を充填して構成されている。
そして、電極パッド５の上には導電部材８を介して、圧電振動片３が支持固定されている。ここで、導電部材８は、導電性接着剤を用いることができる。
【００３０】
パッケージ２のキャビティＣ側の上方には、蓋部材４が種々の手段によって接合される。パッケージ２及び蓋部材４は、シリコン基板からなるものである。パッケージ２は半導体材料であるため、基板面を電気的に絶縁するためキャビティＣの内底面に形成される第一絶縁膜９ａと、パッケージ２の外部底面に形成される第一絶縁膜９ｂを有している。第一絶縁膜９ａ、９ｂは何れもシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。さらに、パッケージ２の外部底面側には、前記第一絶縁膜９ｂに積層される第二絶縁膜１０が形成されている。第二絶縁膜１０はたと例えばポリイミドである。この第二絶縁膜１０は、基板の表面に形成された電極パッド５と外部接続端子６（いずれも導電パッド）間やそれら導電パッドと外部の回路基板の導電パターンとの間に生じる不要な静電容量（寄生容量）による電気的特性の悪化を防止するために設けられている。したがって、前記貫通電極７と外部接続端子６との間には第二絶縁膜１０が介在する構成となるので、第二絶縁膜１０にコンタクトホール１０ａを設け、このコンタクトホール１０ａ内にも導電性部材１１を充填して貫通電極７と接続がなされた電極構造となっている。
【００３１】
前記コンタクトホール１０ａの内径は、外部接続端子６側の内径よりも貫通電極７側の内径の方が大きくなるように形成されている。また、コンタクトホール１０ａは、外部接続端子６側から貫通電極７側に向かって前記絶縁膜厚の中間位置まで同一径で形成され、その壁部はパッケージ２の底部２ａの面に対して垂直な壁面部と、前記中間位置から貫通電極７に向かって徐々にその内径が大きくなるように形成され、パッケージ２の底部２ａの面に対して傾斜した壁面部を有した構成になっている。このような構成にすることで、コンタクトホール１０ａ内に充填される導電性部材１１と第二絶縁膜１０との密着面積が増加するので応力に対する剥離強度を上げることができる。さらに、コンタクトホール１０ａはその一部が傾斜壁面となっているので、前記圧電デバイス１が外部接続端子６を介して外部の回路基板上に実装固定された後、圧電デバイス１と外部の回路基板を引き離そうとするような外部応力が加わったとしても、外部接続端子６と結合された導電性部材１１は、前記傾斜壁面がストッパーとして作用するので、外部接続端子６、導電性部材１１が剥離しコンタクトホール１０ａから抜け落ちてしまうようなことも防止できる。
【００３２】
尚、コンタクトホール１０ａ内は、導電性部材１１が充填され、閉塞された状態であるが、必ずしも閉塞されている必要はなく、コンタクトホール１０ａの内壁面に一定の厚みを持たせて形成しても良い。
【００３３】
また、導電性部材１１は、外部接続端子６と同一部材または別部材で別体に形成しても良いし、同一材料を用いて一体的に形成しても良い。
【００３４】
さらに、コンタクトホール１０ａ内壁面を粗面化して構成すれば、第二絶縁膜１０と導電性部材１１との密着力をさらに向上することができる。
【００３５】
パッケージ２と蓋部材４は各々が接合され、パッケージ２内は気密封止される。接合方法は、例えば、接合面に金属膜を形成することにより、陽極接合の手法を用いて行うことができる。また、表面活性化接合の手法を用いることもできる。
【００３６】
圧電デバイスは前記したように構成されており、圧電振動片３がパッケージ２の底部に搭載され前記した電極構造と接続されるので、外部接続端子６の剥離や、それに伴う貫通電極７の破損を防止した圧電デバイスとなる。
【００３７】
続いて、本実施形態の電極構造の製造方法について図面を用いて説明する。図２−１、図２−２は本実施形態による電極構造を説明する図で、（ａ）〜（ｆ）は、各工程における外部接続端子６の状態を示す断面図である。以下、図２−１、図２−２を参照して本実施形態の電子デバイスの製造方法を説明する。尚、（ａ）〜（ｆ）は本実施形態を説明するにあたり、電極構造部が上下逆に表記されてることに留意されたい。
【００３８】
まず、図２−１（ａ）を参照して電極構造の一部である電極パッド５と貫通電極７の形成工程を説明する。
シリコン基板であるパッケージ２の底部２ａ表面にエッチングストップ層として第一絶縁膜９ｂが形成される。第一絶縁膜９ｂは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によって形成したもので、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。そして、所定位置にはドライエッチングにより孔２ｃが形成される。ドライエッチングは第一絶縁膜９ｂがエッチングストップ層となるため、第一絶縁膜９ｂが露出したところで終了となる。前記孔２ｃを形成するためのエッチング部は、フォトリソグラフィーによって形成されたマスクパターンによって決められる。前記マスクパターンの形成は、レジストをスピンコート法等により、前記シリコン基板上に塗布後、所望のマスクパターン形状を有するフォトマスクを被せて前記レジストの紫外線露光を行い、露光後、現像液を用いて形成される。この際、使用するレジスト種により、ポジ型は、紫外線が照射された部分の領域を除去して形成され、ネガ型は、紫外線が照射された部分以外の領域を除去して形成される。前記レジストの、露光、現像により除去され、シリコン基板の面が露出した部位がエッチング部となる。本工程はネガ型、ポジ型どちらであっても同様に形成できる。以上により形成されたマスクパターンをエッチングマスクとして、エッチングを行い孔２ｃが形成される。
【００３９】
前記工程によって孔２ｃを形成した後、該孔２ｃ壁部内面、及びキャビティＣ内面（図１参照）に第一絶縁膜９ａを形成する。前記第一絶縁膜９ａは、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によって形成したもので、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。前記第一絶縁膜９ａは、後の工程で前記孔２ｃ内に充填される導電性部材とシリコン基板であるパッケージ２の底部２ａを絶縁処理するものである。
【００４０】
孔２ｃ内への導電部材の充填方法としては、種々の手法が用いられるが、孔２ｃ内に充填する場合は電解メッキによる手法が用いられる。形成された孔２ｃ内に電解メッキ用の共通電極をスパッタリング若しくは蒸着により形成する。前記共通電極は、例えば、金（Ａｕ）である。
【００４１】
その後、フォトリソグラフィーにより、前記共通電極上に電解メッキ用のマスクパターンを形成する。本工程はネガ型、ポジ型どちらであっても同様に形成できる。
【００４２】
電解メッキ用の共通電極と、電解メッキ用のマスクパターンを形成した後、電解メッキを行い孔２ｃ内に導電部材を充填する。尚、前記導電部材は、前記共通電極と同様、金（Ａｕ）である。これにより、孔２ｃ内は導電部材が充填され、貫通電極７となり、同時に電極パッド５が形成される。
【００４３】
続いて、前記孔２ｃの底部に位置する前記第一絶縁膜９ａと、その下層で、積層状態となっている第一絶縁膜９ｂをエッチング除去するためのマスクパターンをパッケージ２の底部２ａ外表面にフォトリソグラフィーにより形成する。本工程はネガ型、ポジ型どちらであっても同様に形成できる。
【００４４】
前記工程において形成した絶縁膜除去用のマスクパターンをマスクとし、前記第一絶縁膜９ａ、９ｂをエッチングにより除去する。尚、前記第一絶縁膜９ａ、９ｂは、いずれもシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）である。また、前記エッチングはドライエッチング、ウェットエッチングのいずれを用いても良い。エッチングにより、貫通電極７底部のコンタクト部１２が開口された状態となる。
【００４５】
続いて、電極パッド５と対向する反対側のパッケージ２の底部２ａの外表面に電極パッド５と導通可能とするための外部接続端子６を形成する工程へ移行する。
【００４６】
（ａ）は第二絶縁膜１０をパターン形成する露光工程を示す図である。
本実施形態の第二絶縁膜１０は、感光性ポリイミドであり、ネガ型を使用する。ネガ型の特性として、紫外線が照射された部位が結合し、結合した部位は現像液により除去されない特性を持っている。１０は前記パッケージ２の底部２ａ外表面に塗布された第二絶縁膜である。第二絶縁膜１０をスピンコート法等により、前記シリコン基板上に塗布後、所望のマスクパターン形状を有するフォトマスク１３を被せて前記第二絶縁膜１０の紫外線露光を行う。この際の露光量は、塗布された第二絶縁膜１０の膜厚に対して、推奨されている適切な露光量に対し、少ない露光量で照射する。例えば塗布された第二絶縁膜１０の膜厚３０μｍの適切な露光量が９００ｍＪの場合は、本実施形態では６００ｍＪの露光量を照射する。露光量が少ない場合の絶縁膜状態としては、照射源に近い絶縁膜は露光による結合が完全な状態であるが、照射源から離れている絶縁膜は露光による結合が不完全な状態となっている。
【００４７】
（ｂ）は第二絶縁膜１０をパターン形成する現像工程と、ポリイミド化するキュア工程を示す図である。
前記第二絶縁膜１０への前記（ａ）工程による露光量での露光後、現像液を用いて紫外線が照射された部位以外の領域を除去する。この際の現像時間は、塗布された第二絶縁膜１０の膜厚に対して、推奨されている適切な時間に対し、長い時間で現像する。例えば、塗布された第二絶縁膜１０の膜厚３０μｍの適切な現像時間が４分間の場合は、本実施形態では５分間の現像を行う。前記（ａ）工程の露光状態により照射源に近い第二絶縁膜１０は結合が完全な状態であるため、垂直形状で現像されるが、照射源から離れているパッケージ２の底部２ａ近傍の第二絶縁膜１０は、露光による結合が不完全な状態であるため、第二絶縁膜１０の表面側から垂直形状で現像された後、結合が不完全な状態の部位がパッケージ２の底部２ａ近傍で水平方向へ広がるようにして現像が進み、傾斜壁面部を有するコンタクトホール１０ａのパターン形状へと現像される。現像工程後、第二絶縁膜１０をポリイミド化するためにキュアする。キュアする事により、フォトリソグラフィーにより傾斜壁面部を有するコンタクトホール１０ａのパターン形状へと現像された第二絶縁膜１０がポリイミド化され、傾斜壁面部を有するコンタクトホール１０ａのパターン形状で第二絶縁膜１０が形成される。
【００４８】
（ｃ）は第二絶縁膜１０のコンタクトホール１０ａ内部に導電性部材１１を充填する前工程を示す図である。
導電性部材１１の充填方法としては、種々の手法が用いられるが、コンタクトホール１０ａ内部に充填する場合は電解メッキによる手法が用いられる。前記（ｂ）工程によって形成された第二絶縁膜１０一面に電解メッキ用の共通電極１４をスパッタリング若しくは蒸着により形成する。前記共通電極１４は、例えば、金（Ａｕ）である。更に、第二絶縁膜１０と共通電極１４の密着力を強くする場合には、共通電極１４のスパッタリング若しくは蒸着による形成前に、Ａｒプラズマ処理、Ｏ２アッシング処理等により第二絶縁膜１０一面を粗面化処理した後、共通電極１４を形成する事ができる。その後、フォトリソグラフィーにより、前記共通電極１４上に電解メッキ用のマスクパターン１５を形成する。
【００４９】
（ｄ）は第二絶縁膜１０のコンタクトホール１０ａ内部に導電性部材１１を充填する工程を示す図である。
前記（ｃ）工程により電解メッキ用の共通電極１４と、電解メッキ用のマスクパターン１５を形成した後、電解メッキにより第二絶縁膜１０のコンタクトホール１０ａ内部に導電性部材１１を充填する。尚、前記導電性部材１１は、例えば、銅（Ｃｕ）１１ａ、ニッケル（Ｎｉ）１１ｂ、金（Ａｕ）１１ｃで構成されている。これにより、第二絶縁膜１０のコンタクトホール１０ａ内部は導電性部材１１が充填され、コンタクト部１２を介して貫通電極７と接続されてパッケージ２のキャビティＣ面側の電極パッド５と導通可能な状態となる。（図１参照。）
【００５０】
（ｅ）は共通電極１４をエッチング除去するためのマスクパターン形成工程を示す図である。
前記（ｃ）工程で形成した電解メッキ用のマスクパターン１５を除去した後、前記（ｃ）工程で形成された共通電極１４をエッチング除去するためのマスクパターン１６をフォトリソグラフィーにより形成する。本工程はネガ型、ポジ型どちらであっても同様に形成できる。
【００５１】
（ｆ）は共通電極１４をエッチング除去する工程を示す図である。
最後に、前記（ｅ）工程で形成した共通電極１４除去用のマスクパターン１６をマスクとし、共通電極１４をウエットエッチングにより除去する。本工程はネガ型、ポジ型どちらであっても同様に形成できる。共通電極１４をエッチング除去した後、共通電極１４除去用のマスクパターンを１６除去する。本実施例においては、コンタクトホール１０ａ内の導電性部材１１の充填に電解メッキ手法を用いたため、第二絶縁膜１０上に形成される外部接続端子６は、共通電極１４、銅１１ａ、ニッケル１１ｂ、金１１ｃが積層された状態で構成されるものである。以上の工程によって電極パッド５と外部接続端子６とが貫通電極７を介して接続がなされた電極構造が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態による圧電デバイスを示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ部（電極構造）拡大図。
【図２−１】本実施形態の電極構造の製造方法を説明する図。
【図２−２】本実施形態の電極構造の製造方法を説明する図。
【図３】従来技術による圧電デバイスを示す図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は、蓋部材を除いた平面図。
【符号の説明】
【００５３】
１    圧電デバイス
２    パッケージ
２ａ  パッケージ底部
２ｂ  パッケージ壁部
３    圧電振動片
４    蓋部材
５    電極パッド
６    外部接続端子
７    貫通電極
８    導電部材
９ａ  第一絶縁膜
９ｂ  第一絶縁膜
１０    第二絶縁膜
１０ａ  コンタクトホール
１１    導電性部材
１２    コンタクト部
１３    フォトマスク
１４    共通電極
１５    マスクパターン
１６    マスクパターン
３０    圧電デバイス
３１    パッケージ
３１ａ  底部
３１ｂ  壁部
３２    圧電振動片
３２ａ  励振電極
３２ｂ  引出し電極
３３    蓋部材
３４    外部接続端子
３５    電極パッド
３６    貫通電極
３７    導電部材
３８    第一絶縁膜
３９    第二絶縁膜
【図１】
2009246562.tif 000003
【図２−１】
2009246562.tif 000004
【図２−２】
2009246562.tif 000005
【図３】
2009246562.tif 000006