(57)【要約】【課題】ＲＦ特性の悪化を低下させるマイクロ波ユニット間の接続構造を提供する。【解決手段】第１のマイクロ波ユニット６は、第１のマイクロストリップラインの下層の第１の導体層１３に露出部２６Ａを有する。第２のマイクロ波ユニット７は、第２のマイクロストリップライン下層の第２の導体層１６に露出部２６Ｂを有する。電子部品１０は第１のマイクロ波ユニット６の第１の導体層１３と第２のマイクロ波ユニットの第２の導体層１６との間隙２５を跨いで露出部２６Ａと露出部２６Ｂに接触して取り付けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心導体を表面に有し、前記中心導体の下層に誘電体層を有し、前記誘電体層の下層に地導体を有する第１のマイクロストリップラインと、前記第１のマイクロストリップラインの下層の第１の導体層と、を有する第１のマイクロ波ユニットの前記第１の導体層の露出部と、
中心導体を表面に有し、前記中心導体の下層に誘電体層を有し、前記誘電体層の下層に地導体を有する第２のマイクロストリップラインと、前記第２のマイクロストリップラインの下層の第２の導体層と、を有する第２のマイクロ波ユニットの前記第２の導体層の露出部と、
に導体によって被覆された電子部品の導体部分を接触させて前記第１のマイクロ波ユニットと前記第２のマイクロ波ユニットを接続することを特徴とするマイクロ波ユニット間の接続構造。
【請求項２】
前記電子部品が、
前記第１の導体層と前記第２の導体層との間隙を跨いで取り付けられる、ことを特徴とする請求項１記載のマイクロ波ユニット間の接続構造。
【請求項３】
中心導体を表面に有し、前記中心導体の下層に誘電体層を有し、前記誘電体層の下層に第１の地導体を有する第１のマイクロストリップラインと、前記第１のマイクロストリップラインの下層の第１の導体層と、を有する第１のマイクロ波ユニットの前記第１の地導体の露出部と、
中心導体を表面に有し、前記中心導体の下層に誘電体層を有し、前記誘電体層の下層に第２の地導体を有する第２のマイクロストリップラインと、前記第２のマイクロストリップラインの下層の第２の導体層と、を有する第２のマイクロ波ユニットの前記第２の地導体の露出部と、
に導体によって被覆された電子部品の導体部分を接触させて前記第１のマイクロ波ユニットと前記第２のマイクロ波ユニットを接続することを特徴とするマイクロ波ユニット間の接続構造。
【請求項４】
前記電子部品が、
前記第１の地導体と前記第２の地導体との間隙を跨いで取り付けられる、ことを特徴とする請求項３記載のマイクロ波ユニット間の接続構造。
【請求項５】
前記電子部品が、前記各露出部に導電性接着剤によって取り付けられることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のマイクロ波ユニット間の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波特性の悪化を低下させるマイクロ波ユニット間の接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波システムは増幅器や分配器など電子部品とマイクロストリップ線路を有するマイクロ波ユニットが組み合わされて構成される。このようなマイクロ波システムの性能を向上させるために低損失なマイクロ波ユニット間の接続構造が求められている。
【０００３】
図５は従来のマイクロ波ユニット間の接続構造の上面図である。また、図６は従来のマイクロ波ユニット間の接続構造の側面断面図である。図５及び図６に示すように、第１のマイクロ波ユニット１と第２のマイクロ波ユニット２の間には間隙３がある。
【０００４】
第１のマイクロ波ユニット１と第２のマイクロ波ユニット２間の接続は、ケース４の上に第１のマイクロ波ユニット１と第２のマイクロ波ユニット２を設置し、各マイクロ波ユニットの中心導体１５を接続導体箔１９によって接続することによって行われていた。
【０００５】
このため、矢印２１Ａに示すように、第１のマイクロ波ユニット１の地導体１８を伝わる高周波は、間隙３において、まず第１のマイクロ波ユニット１の導体層１３を伝わり、次にケース４に伝わり、次に第２のマイクロ波ユニット２の導体層１６を伝わり、最後に第２のマイクロ波ユニット２の地導体２０に伝わる。
【０００６】
このように、矢印２１Ｂに示す接続導体箔１９を高周波が伝わる距離と矢印２１Ａの経路によって高周波が伝わる距離との間に大きな差があるため、ＶＳＷＲ（電圧定在波比）などのＲＦ特性が悪化するという問題点があった。
【０００７】
この点に関し、第１のマイクロ波ユニット１の導体層１３と第２のマイクロ波ユニット２の導体層１６とを、導電性ゴムによって接続する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平４−５７５０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載の技術においては、導電性ゴムを加工し、容易に抜け落ちないように導体層１３と導体層１６との間に取り付けなければならず、組み立て加工が容易ではないという問題点があった。
【０００９】
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、ＲＦ特性の悪化を低下させるマイクロ波ユニット間の接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的を達成するために本発明は、中心導体を表面に有し、中心導体の下層に誘電体層を有し、誘電体層の下層に地導体を有する第１のマイクロストリップラインと、第１のマイクロストリップラインの下層の第１の導体層と、を有する第１のマイクロ波ユニットの第１の導体層の露出部と、中心導体を表面に有し、中心導体の下層に誘電体層を有し、誘電体層の下層に地導体を有する第２のマイクロストリップラインと、第２のマイクロストリップラインの下層の第２の導体層と、を有する第２のマイクロ波ユニットの第２の導体層の露出部と、に導体によって被覆された電子部品の導体部分を接触させて第１のマイクロ波ユニットと第２のマイクロ波ユニットを接続することを特徴とするマイクロ波ユニット間の接続構造を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、簡便にＲＦ特性の悪化を低下させることが可能となるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明によるマイクロ波ユニット間の接続構造の一実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。なお、各図において同一箇所については同一の符号を付すとともに、重複した説明は省略する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の上面図である。また、図２は本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の側面断面図である。
【００１４】
図１及び図２に示すように、第１のマイクロ波ユニット６は、中心導体１５を表面に有し、中心導体１５の下層に誘電体層１４を有し、誘電体層１４の下層に地導体１８を有する第１のマイクロストリップラインと、この第１のマイクロストリップラインの下層の第１の導体層１３と、を有する。
【００１５】
第１の導体層１３は導体が露出している露出部２６Ａを有する。露出部２６Ａは所定の深さだけ切り欠いている。
【００１６】
また、第２のマイクロ波ユニット７は、中心導体２３を表面に有し、中心導体２３の下層に誘電体層１７を有し、誘電体層１７の下層に地導体２４を有する第２のマイクロストリップラインと、この第２のマイクロストリップラインの下層の第２の導体層１６と、を有する。
【００１７】
第２の導体層１６は導体が露出している露出部２６Ｂを有する。露出部２６Ｂは所定の深さだけ切り欠いている。
【００１８】
本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造は、第１の導体層１３の露出部分２６Ａと、第２の導体層１６の露出部分２６Ｂと、に導体によって被覆された電子部品１０の導体部分を接触させて第１のマイクロ波ユニット６と第２のマイクロ波ユニット７とを接続する。
【００１９】
電子部品１０は第１のマイクロ波ユニット６の第１の導体層１３と第２のマイクロ波ユニット７の第２の導体層１６との間隙２５を跨いで取り付けられる。
【００２０】
電子部品１０はビス１１によって取り付けられる。また、電子部品１０は導電性接着剤を用いて取り付けてもよい。
【００２１】
電子部品１０は導体によって被覆されていれば種類を問わない。電子部品１０は、例えばアイソレータ、サーキュレータ、増幅器、移相器、ミキサなどが挙げられるがこれらに限られるものではない。電子部品１０はこれらの中から１個選ばれる。
【００２２】
本実施形態においては、図２の矢印２２Ａに示すように、地導体１８を伝わる高周波は第１の導体層１３に伝わり、次に電子部品１０の被覆導体に伝わり、次に第２の導体層１６に伝わり、そして地導体２４に伝わる。このように、地導体１８を伝わる高周波の経路はケース４を経ることなく、矢印２２Ｂに示す電子部品１０を伝わる経路とほぼ等しくなる。
【００２３】
このため、ＶＳＷＲなどのＲＦ特性の悪化を低下させることが可能となる。
【００２４】
以上述べたように、本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造は、電子部品１０が各マイクロ波ユニット６、７の露出部分２６Ａ、２６Ｂに接続し間隙２５を跨いで取り付けられる。このため、本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造は、簡便にＲＦ特性の悪化を低下させることが可能となるという効果がある。
【００２５】
（第２の実施形態）
図３は本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の上面図である。また、図４は本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の側面断面図である。
【００２６】
図３及び図４に示すように、第１のマイクロ波ユニット６は、中心導体１５を表面に有し、中心導体１５の下層に誘電体層１４を有し、誘電体層１４の下層に第１の地導体１８を有する第１のマイクロストリップラインと、この第１のマイクロストリップラインの下層の第１の導体層１３と、を有する。
【００２７】
第１の地導体１８は導体が露出している露出部２７Ａを有する。
【００２８】
また、第２のマイクロ波ユニット７は、中心導体２３を表面に有し、中心導体２３の下層に誘電体層１７を有し、誘電体層１７の下層に第２の地導体２４を有する第２のマイクロストリップラインと、この第２のマイクロストリップラインの下層の第２の導体層１６と、を有する。
【００２９】
第２の地導体２４は導体が露出している露出部２７Ｂを有する。
【００３０】
本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造は、第１のマイクロ波ユニット６の第１の地導体１８の露出部分２７Ａと、第２のマイクロ波ユニット７の第２の地導体２４の露出部分２７Ｂと、に導体によって被覆された電子部品１０の導体部分を接触させて第１のマイクロ波ユニット６と第２のマイクロ波ユニット７とを接続する。
【００３１】
電子部品１０は第１のマイクロ波ユニット６の第１の地導体１８と第２のマイクロ波ユニット７の第２の地導体２４との間隙２５を跨いで取り付けられる。
【００３２】
電子部品１０はビス１１によって取り付けられる。また、電子部品１０は導電性接着剤を用いて取り付けてもよい。
【００３３】
電子部品１０は導体によって被覆されていれば種類を問わない。電子部品１０は、例えばアイソレータ、サーキュレータ、増幅器、移相器、ミキサなどが挙げられるがこれらに限られるものではない。電子部品１０はこれらの中から１個選ばれる。
【００３４】
本実施形態においては、図４の矢印２２Ｃに示すように、地導体１８を伝わる高周波は電子部品１０の被覆導体に伝わり、そして地導体２４に伝わる。このように、地導体１８を伝わる高周波の経路はケース４を経ることなく、矢印２２Ｂに示す電子部品１０を伝わる経路とほぼ等しくなる。
【００３５】
このため、ＶＳＷＲなどのＲＦ特性の悪化を低下させることが可能となる。
【００３６】
以上述べたように、本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造は、電子部品１０が各マイクロ波ユニット６、７の露出部分２７Ａ、２７Ｂに接続し間隙２５を跨いで取り付けられる。このため、本実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造は、さらにＲＦ特性の悪化を低下させることが可能となるという効果がある。
【００３７】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の上面図である。
【図２】第１の実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の側面断面図である。
【図３】第２の実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の上面図である。
【図４】第２の実施形態のマイクロ波ユニット間の接続構造の側面断面図である。
【図５】従来のマイクロ波ユニット間の接続構造の上面図である。
【図６】従来のマイクロ波ユニット間の接続構造の側面断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
４：ケース、
６：第１のマイクロ波ユニット、
７：第２のマイクロ波ユニット、
１０：電子部品、
１３，１６：導体層、
１４，１７：誘電体層、
１５，２３：中心導体、
１８，２４：地導体、
２６Ａ，２６Ｂ、２７Ａ，２７Ｂ：露出部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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