(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子部品モジュールを低い製造コストで得ることを容易にする電子部品収容用パッケージを得ること。【解決手段】電子部品４５ａ〜４５ｄが実装されるセラミック基板２０Ａと、該セラミック基板上に固着されて電子部品を覆うリッド３０Ａとを備えた電子部品収容用パッケージ４０Ａを構成するにあたり、電子部品の実装領域を取り囲むようにしてセラミック基板の上面側に接合用金属層９を設け、リッドは、平板状を呈するセラミック製のリッド本体部２１の下面側に金属パターンを設けた構造とし、上記の接合用金属層９と金属パターンとの少なくとも一方に、これら接合用金属層９と金属パターンとを互いに接合させる接着材３５を設ける。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装されるセラミック基板と、該セラミック基板上に固着されて前記電子部品を覆うリッドとを備えた電子部品収容用パッケージであって、
前記セラミック基板は、前記電子部品の実装領域を取り囲むように配置された接合用金属層を上面側に有し、
前記リッドは、平板状を呈するセラミック製のリッド本体部と、該リッド本体部の下面側に配置されて接着材により前記接合用金属層に接合される金属パターンとを有する、
ことを特徴とする電子部品収容用パッケージ。
【請求項２】
前記実装領域は、前記セラミック基板に形成されたキャビティであることを特徴とする請求項１に記載の電子部品収容用パッケージ。
【請求項３】
前記接着材は、前記接合用金属層および前記金属パターンのいずれかに予め接合された複数の金属バンプであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品収容用パッケージ。
【請求項４】
前記金属パターンは複数の金属パッドにより構成され、
前記リッドは、
前記リッド本体部の上面側に形成された電磁シールド用金属層と、
前記リッド本体部を貫通して前記電磁シールド用金属層と前記複数の金属パッドの各々とを接続する複数のビアと、
を更に有する、
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電子部品収容用パッケージ。
【請求項５】
前記複数のビアの各々は、前記キャビティに収容される電子部品で用いられる高周波信号の基板内実効波長の１／４以下のピッチで配置されていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品収容用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品収容用パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品をモジュール化する一法として、電子部品を電子部品収容用パッケージに収容した状態で実装する方法がある。この方法で使用される電子部品収容用パッケージとしては種々のものが知られているが、例えば高周波集積回路を備えた電子部品を収容するための電子部品収容用パッケージとしては、特許文献１に記載されているように、電子部品収容用のキャビティが形成されたセラミック多層基板と、導電性を有するシールリングと、金属リッド（カバー）とを備えたタイプの電子部品収容パッケージが多用される。
【０００３】
上記タイプの電子部品収容用パッケージを用いて電子部品をモジュール化する場合には、電子部品が実装されたセラミック多層基板上にシールリングが固着された後、該シールリングと金属リッドとが互いに溶接される。高周波集積回路を備えた電子部品をこのようにしてモジュール化すると、シールリングおよび金属リッドがそれぞれ導電性を有していることから、当該電子部品の駆動時に高周波集積回路から発生した高周波がモジュールの外部に漏洩するのを防止し易くなる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７６２４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
１つの電子部品収容用パッケージに形成されるキャビティは必ずしも１つではなく、複数のキャビティが形成される場合も多々ある。複数のキャビティを有する電子部品収容用パッケージでは、個々のキャビティを平面視上取り囲む形状のシールリングがセラミック基板上に固着され、当該シールリングとリッドとが溶接される。この場合、シールリングの形状が比較的複雑な形状になることから、その製造コストが嵩んだり、金属リッドとの溶接に長時間を要して電子部品モジュールの製造コストが嵩んだりし易い。
【０００６】
また、シールリングや金属リッドの熱膨張係数とセラミック基板の熱膨張係数との差が比較的大きいことから、シールリングと金属リッドとを溶接することにより生じる熱応力や、電子部品モジュールの使用環境下での温度変化により生じる熱応力によって、セラミック基板が破損してしまうことがある。電子部品モジュールの製造過程でのセラミック基板の破損は歩留の低下をもたらし、電子部品モジュールを製造した後でのセラミック基板の破損は製品の信頼性の低下をもたらす。
【０００７】
この発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い電子部品モジュールを低い製造コストで得ることを容易にする電子部品収容用パッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成する本発明の電子部品収容用パッケージは、電子部品が実装されるセラミック基板と、該セラミック基板上に固着されて電子部品を覆うリッドとを備えた電子部品収容用パッケージであって、セラミック基板は、電子部品の実装領域を取り囲むように配置された接合用金属層を上面側に有し、リッドは、平板状を呈するセラミック製のリッド本体部と、該リッド本体部の下面側に配置されて接着材により接合用金属層に接合される金属パターンとを有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の電子部品収容用パッケージは、セラミック基板とリッドとを接着材により互いに接合させるものであるので、セラミック基板上に配置したシーリングと金属リッドとを溶接するタイプの電子部品収容用パッケージに比べて、たとえセラミック基板に複数のキャビティを形成したとしても複雑な形状のシールリングを作製する必要がない分、部品の製造が容易である。また、セラミック基板とリッドとの接合も容易である。
【００１０】
さらに、セラミック製のリッド本体部を有するリッドとセラミック基板とを接着材により互いに接合させるものであるので、セラミック基板上に配置したシーリングと金属リッドとを溶接するタイプの電子部品収容用パッケージに比べ、電子部品モジュールの製造過程でセラミック基板に大きな熱応力が生じるのを抑えることが容易であると共に、電子部品モジュールの製造後にセラミック基板に大きな熱応力が生じるのを抑えることも容易である。
【００１１】
したがって、本発明によれば、電子部品モジュールの製造過程でのセラミック基板の破損や電子部品モジュールを製造した後でのセラミック基板の破損を抑えて、信頼性の高い電子部品モジュールを低い製造コストで得ることが容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の電子部品収容用パッケージの実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。
【００１３】
実施の形態１.
図１は、本発明の電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールの一例を概略的に示す分解斜視図であり、図２は、図１に示した電子部品モジュールを概略的に示す断面図であり、図３は、図１および図２に示した電子部品モジュールで電子部品収容用パッケージを構成しているリッドを概略的に示す底面図である。
【００１４】
図１および図２に示す電子部品モジュール５０Ａは、本発明に含まれる電子部品収容用パッケージ４０Ａと、該電子部品収容用パッケージ４０Ａに収容された電子部品４５ａ〜４５ｄ（図１参照）とを備えている。電子部品収容用パッケージ４０Ａは、セラミック基板２０Ａと、リッド３０Ａと、リッド３０Ａに予め接合された複数の接着材３５とを有している。また、この電子部品収容用パッケージ４０Ａに収容された４つの電子部品４５ａ〜４５ｄの少なくとも１つは、マイクロ波集積回路（ＭＩＣ；Microwave  Integrated  Circuit）やモノリシック・マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ；Monolithic  MIC）等の高周波集積回路を備えた高周波機能部品、例えば増幅器、位相器、減衰器等である。
【００１５】
上記のセラミック基板２０Ａはセラミック多層基板であり、該セラミック基板２０Ａには、電子部品４５ａ，４５ｂが実装されるキャビティ１ａと、電子部品４５ｃ，４５ｄが実装されるキャビティ１ｂとが形成されている。各キャビティ１ａ，１ｂの底面は接地用第１金属層３の上面からなっており、この接地用第１金属層３は、セラミック基板２０Ａ内に設けられた複数の第１ビア５（図２参照）によって、当該セラミック基板２０Ａの底面側に配置された接地用第２金属層７（図２参照）に接続されている。
【００１６】
セラミック基板２０Ａの上面側には、電子部品の実装領域である個々のキャビティ１ａ，１ｂを取り囲むように接合用金属層９が配置されており、該接合用金属層９は、セラミック基板２０Ａ内に設けられた複数の第２ビア１１（図２参照）によって接地用第１金属層３に接続されている。また、セラミック基板２０Ａの上面側には、ボンディングワイヤＢＷによって所定の電子部品４５ａ〜４５ｄ（図１参照）の接続パッド４３に接続される複数の接続端子１３，１３，…と、個々の電子部品４５ａ〜４５ｄを外部回路に接続する複数の外部接続端子１５，１５，…も配置されている。各接続端子１３および各外部接続端子１５は、セラミック基板２０Ａ内に形成された内部配線（図示せず）により所定のパターンで接続されている。
【００１７】
なお、図１においては、接合用金属層９を他から区別し易くするために、当該接合用金属層９にスマッジングを付してある。また図２においては、便宜上、セラミック基板２０Ａを構成している個々のセラミック層の図示を省略し、複数のセラミック層をまとめて１つのセラミック層として描いている。
【００１８】
一方、リッド３０Ａは、平板状を呈するリッド本体部２１と、リッド本体部２１の上面側に形成された電磁シールド用金属層２３（図１および図２参照）と、リッド本体部２１の下面側に配置されて接着材３５によりセラミック基板２０Ａの接合用金属層９に接合される金属パターン２５（図２および図３参照）とを有している。
【００１９】
上記のリッド本体部２１は、セラミック基板２０Ａとの熱膨張係数の差が小さいセラミック、例えばセラミック基板２０Ａを形成しているセラミックと同組成のセラミックにより作製される。また、電磁シールド用金属層２３は、個々の電子部品４５ａ〜４５ｃの駆動時に該電子部品４５ａ〜４５ｃから発生する高周波がリッド本体部２１を透過して外部に漏洩するのを防止し、金属パターン２５は、リッド３０Ａに対する接着材３５のぬれ性を向上させて、接着材３５によるセラミック基板２０Ａとリッド３０Ａとの接着強力を高める。図１においては、電磁シールド用金属層２３を他から区別し易くするために、当該電磁シールド用金属層２３にスマッジングを付してある。
【００２０】
電磁シールド用金属層２３および金属パターン２５は、例えば、タングステン（Ｗ）微粒子、銀（Ａｇ）微粒子、銀（Ａｇ）−パラジウム（Ｐｄ）合金微粒子等の導電性微粒子を含有したペーストを所望形状に塗布した後に焼成して上記微粒子の焼結体からなる導電層を形成し、この導電層上にニッケル（Ｎｉ）めっき皮膜および金（Ａｕ）めっき皮膜をこの順番で積層することにより作製される。
【００２１】
図示の例では、矩形状を呈する１つの電磁シールド用金属層２３が形成されており、当該電磁シールド用金属層２３によって４つの電子部品４５ａ〜４５ｄが平面視上覆われている。また、金属パターン２５は、リッド３０Ａをセラミック基板２０Ａに接合したときに各キャビティ１ａ，１ｂを取り囲むことになる複数の金属パッド２５ａ，２５ａ，…（図２または図３参照）によって構成されている。そして、これら電磁シールド用金属層２３と各金属パッド２５ａとは、リッド本体部２１を貫通するビア２７（図２参照）によって接続されている。１つの金属パッド２５ａ毎に１つのビア２７が設けられている。
【００２２】
高周波集積回路を有する電子部品で使用される高周波信号の基板内実効波長のうちで最も短い波長をλとしたとき、各ビア２７の配設ピッチをλ／４以下に設定すると、電磁シールド用金属層２３と、各ビア２７と、金属パターン２５と、各接着材３５と、接合用金属層９と、各第２ビア１１と、接地用第１金属層３と、各第１ビア５と、接地用第２金属層７とによって高い電磁シールド効果を得易くなる。各ビア２７の配設ピッチをλ／８以下に設定すれば、更に高い電磁シールド効果を得易くなる。このとき、各第２ビア１１の配設ピッチも上記と同様に設定することが好ましい。
【００２３】
接着材３５は、リッド３０Ａをセラミック基板２０Ａに接合させるものであると共に、セラミック基板２０Ａの上面とリッド３０Ａの下面との間に各ボンディングワイヤＢＷの実装空間を確保するものであり、例えば錫（Ｓｎ）系のはんだ材料や金（Ａｕ）等により作製されて、熱圧着等の方法により個々の金属パッド２５ａに予め１つずつ接合される。図示の接着材３５は、上述の材料からなるバンプである。
【００２４】
個々の接着材３５の大きさは、各金属パッド２５ａの配設ピッチ、ひいては各ビア２７の配設ピッチに応じて適宜選定される。例えば、各接着材３５の直径を０．３〜０．５ｍｍ程度とすれば、上述した各ビア２７の配設ピッチを０．５〜１ｍｍ程度に設定することができるので、自由空間の伝播波長が１０ｍｍ程度以下のミリ波帯の高周波に対して高い電磁シールド効果を奏する電子部品モジュールを得ることも容易である。
【００２５】
上述の電子部品収容用パッケージ４０Ａを用いた電子部品モジュール５０Ａは、例えば、セラミック基板２０Ａに各電子部品４５ａ〜４５ｄを実装した後、各接着材３５によりリッド３０Ａをセラミック基板２０Ａに接合することで作製される。リッド３０Ａとセラミック基板２０Ａとの接合は、例えば、リッド３０Ａに予め接合されている各接着材３５をセラミック基板２０Ａの接合用金属層９に熱圧着させることにより行われる。各接着材３５がはんだ材料によって作製されているときには、個々の接着材３５が接合用金属層９上に位置するようにしてセラミック基板２０Ａ上にリッド３０Ａを配置し、当該セラミック基板２０Ａおよびリッド３０Ａを加熱して各接着材３５を再溶融（リフロー）させた後に冷却することでも、リッド３０Ａとセラミック基板２０Ａとを各接着材３５により接合させることができる。
【００２６】
このように構成された電子部品モジュール５０Ａは、セラミック基板２０Ａとリッド３０Ａとを接着材３５により互いに接合させたものであるので、セラミック基板上に配置したシーリングと金属リッドとを溶接するタイプの電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールに比べて、セラミック基板２０Ａに複数のキャビティ１ａ，１ｂを形成しても複雑な形状のシールリングを作製する必要がない分、部品の製造が容易である。また、セラミック基板２０Ａとリッド３０Ａとの接合も容易である。
【００２７】
さらに、セラミック製のリッド本体部２１を有するリッド３０Ａとセラミック基板２０Ａとを接着材３５により互いに接合させるものであるので、セラミック基板上に配置したシーリングと金属リッドとを溶接するタイプの電子部品収容用パッケージに比べ、当該電子部品モジュール５０Ａの製造過程でセラミック基板２０Ａに大きな熱応力が生じるのを抑えることが容易であると共に、当該電子部品モジュール５０Ａの製造後にセラミック基板２０Ａに大きな熱応力が生じるのを抑えることも容易である。
【００２８】
これらの結果として、電子部品モジュール５０Ａでは、製造過程でのセラミック基板２０Ａの破損や当該電子部品モジュール５０Ａを製造した後でのセラミック基板２０Ａの破損を抑えることができる。信頼性の高いものを低い製造コストで得ることが容易である。また、電子部品４５ａ〜４５ｄで発生した高周波が当該電子部品モジュール５０Ａの外部に漏洩してしまうのを防止する高い電磁シールド効果を得ることも容易である。
【００２９】
なお、電子部品モジュール５０Ａにおいては、隣り合う接着材３５，３５同士を接合させることもできるし、互いに離隔させることもできる。隣り合う接着材３５，３５を互いに離隔させると、当該電子部品モジュール５０Ａの製造過程でセラミック基板２０Ａに大きな熱応力が生じるのを抑えることが更に容易になる共に、当該電子部品モジュール５０Ａの製造後にセラミック基板２０Ａに大きな熱応力が生じるのを抑えることも更に容易になる。結果として、信頼性の高いものを低い製造コストで得ることが更に容易になる。さらには、セラミック基板２０Ａとリッド３０Ａとを気密に接合する場合に比べて製造条件が緩やかになるので、生産性が向上する。
【００３０】
隣り合う接着材３５，３５を互いに離隔させて電子部品モジュール５０Ａを作製した場合、セラミック基板２０Ａに形成されている各キャビティ１ａ，１ｂと外部空間との間で通気が保たれるので、不完全気密の状態の電子部品モジュール、すなわちセラミック基板とリッドとを気密に接合しようとしたにも拘わらず気密にできなかった状態の電子部品モジュールに比べ、結露の発生を抑えることができる。
【００３１】
実施の形態２.
図４は、本発明の電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールの他の例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図５は、図４に示した電子部品モジュールで電子部品収容用パッケージを構成しているリッドを概略的に示す底面図であり、図６は、図５に示したリッドを概略的に示す断面図である。
【００３２】
図４に示す電子部品モジュール５０Ｂは、本発明に含まれる電子部品収容用パッケージ４０Ｂと、該電子部品収容用パッケージ４０Ｂに収容された電子部品４５とを備えている。電子部品収容用パッケージ４０Ｂは、セラミック基板２０Ｂと、リッド３０Ｂと、セラミック基板２０Ｂに予め接合された複数の接着材３５とを有しており、電子部品４５は高周波集積回路を備えた高周波機能部品である。
【００３３】
上記のセラミック基板２０Ｂはセラミック多層基板であり、該セラミック基板２０Ｂには電子部品を収容するキャビティが１つのみ形成され、このキャビティ１に上記の電子部品４５が実装されている。キャビティ１の底面は接地用第１金属層３の上面からなっており、この接地用第１金属層３は、実施の形態１で説明した電子部品モジュール５０Ａ（図１および図２参照）におけるのと同様に、セラミック基板２０Ｂ内に設けられた複数の第１ビア（図示せず）によって、当該セラミック基板２０Ｂの底面側に配置された接地用第２金属層（図示せず）に接続されている。
【００３４】
セラミック基板２０Ｂの上面側には、接合用金属層９と、ボンディングワイヤＢＷによって電子部品４５の接続パッド４３に接続される４つの信号伝送経路１４ａ〜１４ｃと、電子部品４５を外部回路に接続する複数の外部接続端子１５，１５，…が配置されている。上記の接合用金属層９は、電子部品の実装領域であるキャビティ１と各信号伝送経路１４ａ〜１４ｃとを取り囲むように配置されており、該接合用金属層９は、実施の形態１で説明した電子部品モジュール５０Ａにおけるのと同様に、セラミック基板２０Ｂ内に設けられた複数の第２ビア（図示せず）によって接地用第１金属層３に接続されている。また、各信号伝送経路１４ａ〜１４ｃおよび各外部接続端子１５は、セラミック基板２０Ｂ内に形成された内部配線（図示せず）により所定のパターンで接続されている。
【００３５】
一方、リッド３０Ｂは、平板状を呈するリッド本体部２１と、リッド本体部２１の上面側に形成された電磁シールド用第１金属層２３ａと、リッド本体部２１の下面側に形成された電磁シールド用第２金属層２３ｂと、リッド本体部２１の下面側、具体的には電磁シールド用第２金属層２３ｂ上に配置されて各接着材３５によりセラミック基板２０Ｂの接合用金属層９に接合される金属パターン２５（図６参照）とを有している。さらには、リッド本体部２１を貫通して電磁シールド用第１金属層２３ａと電磁シールド用第２金属層２３ｂとを接続する複数のビア２７と、電磁シールド用第２金属層２３ｂ外表面のうちで金属パターン２５によって覆われていない領域を覆う保護層２９（図６参照）も有している。
【００３６】
上記のリッド本体部２１は、セラミック基板２０Ｂとの熱膨張係数の差が小さいセラミック、例えばセラミック基板２０Ｂを形成しているセラミックと同組成のセラミックにより作製される。また、電磁シールド用第１金属層２３ａおよび電磁シールド用第２金属層２３ｂは、それぞれ、電子部品４５の駆動時に該電子部品４５から発生する高周波がリッド本体部２１を透過して電子部品モジュール５０Ｂの外部に漏洩するのを防止し、金属パターン２５は、リッド３０Ｂに対する接着材３５のぬれ性を向上させて、接着材３５によるセラミック基板２０Ｂとリッド３０Ｂとの接着強力を高める。電磁シールド用第１金属層２３ａ、電磁シールド用第２金属層２３ｂ、および金属パターン２５は、例えば実施の形態１で説明した電子部品モジュール５０Ａにおける電磁シールド用金属層２３（図２参照）と同様の材料により作製される。
【００３７】
図示の例では、矩形状を呈する１つの電磁シールド用第１金属層２３ａによって電子部品４５が平面視上覆われており、電磁シールド用第２金属層２３ｂはリッド本体部２１の下面全体を覆っている。また、金属パターン２５は、図５に示すように、リッド３０Ｂをセラミック基板２０Ｂに接合したときにキャビティ１および各信号伝送経路１４ａ〜１４ｃを取り囲むことになる複数の金属パッド２５ａ，２５ａ，…によって構成されている。前述したビア２７（図６参照）は、１つの金属パッド２５ａに１つが対応付けられて、金属パッド２５ａ上に配置されている。
【００３８】
電子部品４５で使用される高周波信号の基板内実効波長のうちで最も短い波長をλとしたとき、各ビア２７の配設ピッチをλ／４以下に設定すると、実施の形態１で説明した電子部品モジュール５０Ａにおけるのと同様に、高い電磁シールド効果を得易くなる。また、キャビティ１および各信号伝送経路１４ａ〜１４ｃを取り囲むことになるようにして各金属パッド２５ａ、ひいてはビア２７が配置されているので、周辺回路から各信号伝送経路１４ａ〜１４ｄに伝搬されてくる不要な電磁波に対しても、高い電磁シールド効果を得易くなる。各ビア２７の配設ピッチをλ／８以下に設定すれば、更に高い電磁シールド効果を得易くなる。このとき、セラミック基板２０Ｂでの各第２ビアの配設ピッチも上記と同様に設定することが好ましい。
【００３９】
リッド３０Ｂにおける保護層２９（図６参照）は、例えばガラスによって形成されて、電磁シールド用第２金属層２３ｂを覆っている。当該保護層２９は、例えば化学的気相蒸着法やゾル−ゲル法によって形成することができる。
【００４０】
接着材３５は、実施の形態１で説明した電子部品モジュール５０Ａにおける接着材３５と同様の機能を果たすものであり、例えば実施の形態１で説明した材料によって作製される。リッド３０Ｂに形成されている金属パッド２５ａ毎に１つの接着材３５が対応付けられて、熱圧着等の方法により接合用金属層９に予め接合される。図示の接着材３５は、上述の材料からなるバンプであり、個々の接着材３５の大きさは、各金属パッド２５ａの配設ピッチ、ひいては各ビア２７の配設ピッチに応じて適宜選定される。
【００４１】
上述の電子部品収容用パッケージ４０Ｂを用いた電子部品モジュール５０Ｂは、例えば、セラミック基板２０Ｂに電子部品４５を実装した後、実施の形態１で説明した方法によって各接着材３５によりリッド３０Ｂをセラミック基板２０Ｂに接合することで作製される。
【００４２】
このように構成された電子部品モジュール５０Ｂは、実施の形態１で説明した理由と同様の理由から、部品の製造が容易であると共にセラミック基板２０Ａとリッド３０Ａとの接合も容易である。さらには、当該電子部品モジュール５０Ｂの製造過程でセラミック基板２０Ｂに大きな熱応力が生じるのを抑えることが容易であると共に、当該電子部品モジュール５０Ｂの製造後にセラミック基板２０Ｂに大きな熱応力が生じるのを抑えることも容易である。
【００４３】
これらの結果として、電子部品モジュール５０Ｂでは、製造過程でのセラミック基板２０Ｂの破損や当該電子部品モジュール５０Ｂを製造した後でのセラミック基板２０Ｂの破損を抑えることができる。信頼性の高いものを低い製造コストで得ることが容易である。また、電子部品４５ａ〜４５ｄで発生した高周波が当該電子部品モジュール５０Ａの外部に漏洩してしまうのを防止する高い電磁シールド効果、および周辺回路から各信号伝送経路１４ａ〜１４ｄに伝搬されてくる不要な電磁波によって電子部品４５の電気特性が不安定化してしまうのを防止する高い電磁シールド効果を得ることも容易である。
【００４４】
なお、電子部品モジュール５０Ｂにおいても、実施の形態１で説明した電子部品モジュール５０Ａにおけるのと同様に、隣り合う接着材３５，３５同士を接合させることもできるし、互いに離隔させることもできる。隣り合う接着材３５，３５を互いに離隔させて電子部品モジュール５０Ｂを作製した場合には、実施の形態１で既に説明した技術的効果と同様の技術的効果を得ることができる。
【００４５】
以上、本発明の電子部品収容用パッケージについて実施の形態を挙げて説明したが、前述のように、本発明は上述の形態に限定されるものではない。例えば、セラミック基板に電子部品収容用のキャビティを設けるか否かは適宜選択可能である。また、本発明の電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールに高い電磁シールド性をもたせるか否かについても、電子部品収容用パッケージに実装する電子部品の種類に応じて適宜選択可能である。本発明の電子部品収容用パッケージにどのような電子部品を実装するかは、製造しようとする電子部品モジュールの用途等に応じて適宜選定される。
【００４６】
また、本発明の電子部品収容用パッケージを用いて電子部品モジュールを組み立てるにあたって、各接着材をリフローさせたのちに冷却することでセラミック基板とリッドとを互いに接合させる場合、各接着材のリフローの時期は、電子部品の実装形態や電子部品モジュールの実装形態に応じて適宜選定可能である。
【００４７】
例えば、セラミック基板に電子部品を表面実装する場合には、当該表面実装時に各接着材をリフローさせて、セラミック基板とリッドとの接合および電子部品の表面実装を一時に行うこともできる。同様に、セラミック基板の下面にボールグリッドアレイ等を設けて本発明の電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールを表面実装型のモジュールとする場合には、電子部品収納用パッケージを回路基板に表面実装する際に各接着材もリフローさせて、セラミック基板とリッドとの接合および電子部品モジュールの組立て、実装を一時に行うこともできる。
【００４８】
各接着材のリフローの時期を上述のように選定すると、電子部品モジュールの生産性や、当該電子部品モジュールを用いた電子機器の生産性を向上させることができる。本発明の電子部品収容用パッケージについては、上述したもの以外にも種々の変形、修飾、組み合わせ等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールの一例を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】図１に示した電子部品モジュールを概略的に示す断面図である。
【図３】図１および図２に示した電子部品モジュールで電子部品収容用パッケージを構成しているリッドを概略的に示す底面図である。
【図４】本発明の電子部品収容用パッケージを用いた電子部品モジュールの他の例を概略的に示す一部切欠き平面図である。
【図５】図４に示した電子部品モジュールで電子部品収容用パッケージを構成しているリッドを概略的に示す底面図である。
【図６】図５に示したリッドを概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１，１ａ，１ｂ  キャビティ
９  接合用金属層
２０Ａ，２０Ｂ  セラミック基板
２１  リッド本体部
２３，２３ａ，２３ｂ  電磁シールド用金属層
２５  金属パターン
２５ａ  金属パッド
２７  ビア
３０Ａ，３０Ｂ  リッド
３５  接着材
４０Ａ，４０Ｂ  電子部品収容用パッケージ
４５，４５ａ〜４５ｄ  電子部品
５０Ａ，５０Ｂ  電子部品モジュール
【図１】
2009088338.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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