(57)【要約】【課題】大気圧下での多湿放電を使用し、処理対象物の表面を損傷することなく、かつ低コストでの表面処理を実現できる大気圧放電表面処理装置を提供することにある。【解決手段】例えばＯＨラジカルなどの活性種を使用して、ガラス部材などの処理対象物１０に対する表面処理を行なう大気圧放電表面処理装置１において、水分を含む多湿化ガス１２を処理対象物１０の表面に吹き付けるブロア７及び放電プラズマ１１を発生する高電圧電極２を有する大気圧放電表面処理装置である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象物の表面に、水分を含む多湿化ガスを噴出するブロア手段と、
前記多湿化ガスが噴出された前記処理対象物の表面に、酸化性活性物質を発生するための放電を行なう放電手段と
を具備したことを特徴とする大気圧放電表面処理装置。
【請求項２】
前記処理対象物を保持して搬送する搬送手段を有し、
前記搬送手段により前記処理対象物を前記ブロア手段の設置場所まで搬送し、
前記搬送手段により前記処理対象物を前記放電手段の設置場所まで搬送し、前記多湿化ガスが噴出された後の前記処理対象物の表面に、前記放電手段の放電により発生する前記酸化性活性物質で表面処理を行なうように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項３】
前記ブロア手段は、
前記処理対象物の表面に対して、垂直方向または前記放電手段の位置から遠ざかる方向に前記多湿化ガスを噴出するように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項４】
前記ブロア手段により前記多湿化ガスが噴出される前に、前記処理対象物の表面を加熱する加熱手段を有することを特徴とする請求項１または請求項３のいずれか１項に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項５】
前記搬送手段により前記処理対象物を加熱手段の設置場所まで搬送し、
前記搬送手段により前記処理対象物を前記ブロア手段の設置場所まで搬送し、前記加熱手段により加熱された前記処理対象物の表面に対して、前記多湿化ガスを噴出するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項６】
前記ブロア手段は、
前記多湿化ガスとして、酸素を含む酸素系ガスまたは酸素とアルゴンを含む酸素系ガスを噴出するように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項７】
前記ブロア手段は、
前記多湿化ガスとして、窒素を含む窒素系ガスまたは窒素とアルゴンを含む窒素系ガスを噴出するように構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項８】
前記ブロア手段により前記多湿化ガスが噴出される前に、前記処理対象物の表面の電荷量を計測する電荷量計測手段を有することを特徴とする請求項１、請求項３、請求項６、請求項７のいずれか１項に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項９】
前記ブロア手段により前記多湿化ガスが噴出される前に、前記電荷量計測手段からの計測結果に基づいて、前記処理対象物の表面に帯電した電荷量を中和するためのイオナイザ手段を有することを特徴とする請求項８に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項１０】
前記イオナイザ手段は、前記電荷量計測手段からの計測結果に基づいて、前記処理対象物の表面に帯電した電荷量に相当する量で、かつ対をなす極性を有する電荷を発生するように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項１１】
前記ブロア手段により前記多湿化ガスが噴出される前に、前記電荷量計測手段からの計測結果に基づいて、前記処理対象物の表面に直流バイアス電圧を印加するためのバイアス電圧印加手段を有することを特徴とする請求項８に記載の大気圧放電表面処理装置。
【請求項１２】
前記バイアス電圧印加手段は、前記電荷量計測手段からの計測結果に基づいて、前記処理対象物の表面に帯電した電荷量と対をなす極性を有する直流バイアス電圧を発生するように構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の大気圧放電表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電により発生するＯＨラジカルなどの活性種を使用して、ガラス部材や高分子プラスチック部材などの表面処理を行なう大気圧放電表面処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラス部材や高分子プラスチック部材などの製造工程において、表面に付着する微小な有機物の除去や、表面へ官能基を形成することで親水性向上を目的とする表面処理（表面洗浄と表面改質）を行なう工程が含まれていることが多い。
【０００３】
具体的には、例えば大型ディスプレイ用ガラス基板の表面洗浄工程では、後工程でＩＴＯ膜に代表される透明導電性膜をＣＶＤまたはスパッタリングするため界面活性剤や超純水を利用したウェット処理が行われている。また、例えばオゾン発生器に使用されている高電圧電極は、円筒状のガラスに導電膜を溶射されて形成されている。この高電圧電極に使用されるガラスの前処理として、弗酸を使用して表面洗浄を行なう工程もある。さらに、高分子有機物系の表面処理では、有機物除去や親水性向上を目的とし、主に酸化性化合物や有機溶剤を利用したウェット処理が行なわれている。
【０００４】
このようなウェット処理は、酸化性化合物や有機溶剤が人体に有害であるという欠点があるが、それら自体のコストが低く、かつ処理技術も確立されているため、多くの表面処理工程で利用されている。しかしながら、ウェット処理を利用する表面処理工程では、後段に乾燥工程が必要となる。さらに、乾燥中に揮発性有機物が発生するため、その有機物を処理するための設備が必要である。また、ウェット処理後に、酸化性化合物や有機溶剤の処理を行なうための設備も必要であるなどの問題がある。
【０００５】
近年、有害な酸化性化合物や有機溶剤に対する法的規制が強まり、処理に使用した後の規制値以下までの低減化や、処理中に使用される酸化性化合物や有機溶剤を使用する方法に替わる新たな技術の開発が強く望まれている。
【０００６】
酸化性化合物や有機溶剤を使用しない代替技術として、ドライ処理に関する技術開発が推進されている。このドライ処理による表面処理方法としては、面状の誘電体バリア放電をＳＦ６ガスに対して発生させる方法が提案されている（例えば、特許文献１を参照、便宜的に第１の表面処理方法とする）。また、マイクロ波放電を使用する表面処理方法が提案されている（例えば、特許文献２を参照、便宜的に第２の表面処理方法とする）。さらに、真空紫外線ランプを使用する表面処理方法が提案されている（例えば、特許文献３を参照、便宜的に第３の表面処理方法とする）。
【特許文献１】特開２００６−４６８４号公報
【特許文献２】特開２００５−３４７６１９号公報
【特許文献３】特開２００５−３３６６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したように、従来のウェット処理を使用する表面処理方法に対して、ドライ処理を使用する表面処理方法は、特に、環境面で優れていると考えられる。しかしながら、以下のような未解決部分がある。
【０００８】
前述の第１の方法は、地球温暖化係数が二酸化炭素の２３，４００倍も高いＳＦ６ガスを利用することや、面状の誘電体バリア放電では放電が一箇所に集中しやすいことなどの問題がある。前述の第２の方法は、マイクロ波放電を使用するため、ガラス部材などの処理対象物の表面が熱により損傷する可能性が高い問題がある。さらに、前述の第３の方法は、真空紫外線発生のためのキセノンガスが非常に高価であることや、酸素雰囲気中では真空紫外線のほとんどが酸素に吸収されてしまうため窒素等のガス空間もしくは真空雰囲気下で処理を行う必要があることなどの問題がある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、大気圧下での多湿放電を使用し、処理対象物の表面を損傷することなく、かつ低コストでの表面処理を実現できる大気圧放電表面処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の観点は、水分を含む多湿化ガスを使用する放電により発生する例えばＯＨラジカルなどの活性種（酸化性活性物質）を使用して、ガラス部材などの処理対象物に対する表面処理を行なう大気圧放電表面処理装置である。
【００１１】
本発明の観点に従った大気圧放電表面処理装置は、処理対象物の表面に、水分を含む多湿化ガスを噴出するブロア手段と、前記多湿化ガスが噴出された前記処理対象物の表面に、酸化性活性物質を発生するための放電を行なう放電手段とを備えた構成である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、大気圧下での多湿放電を使用し、処理対象物の表面を損傷することなく、かつ低コストでの表面処理を実現できる大気圧放電表面処理装置を提供することができる。本発明の装置を、ガラス部材などの処理対象物の製造工程における表面処理工程に適用すれば、環境面に対する優れた効果や、製品の歩留まり向上ならびに工業的付加価値を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下図面を参照して、本発明の各実施形態を説明する。
【００１４】
［第１の実施形態］
図１は、本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置１の構成を説明するための図である。
【００１５】
大気圧放電表面処理装置１は、大気圧放電を行なうための高電圧電極２と、高電圧電源３と、接地電極４と、ガスタンク５と、散気塔６と、ブロア７と、誘電体８と、駆動機構９からなる。
【００１６】
駆動機構９は、表面処理の処理対象物１０を誘電体８を介して保持し、高電圧電極２及びブロア７のそれぞれの近傍まで、処理対象物１０を搬送する搬送機構である。ここで、大気圧放電表面処理装置１は、処理対象物１０としては、例えば液晶ディスプレイに使用されるガラス部材や高分子プラスチックのポリイミド部材などの表面に対して、表面洗浄及び表面改質を含む表面処理を行なう。表面洗浄には、処理対象物１０の表面に付着する微小な有機物や塵などを除去する処理が含まれる。表面改質には、表面に官能基を形成することで親水性を向上させる処理が含まれる。
【００１７】
高電圧電極２は、高電圧電源３により供給される高電圧により、放電プラズマ１１を発生する。処理対象物１０の表面は、当該放電プラズマ１１と高電圧電極２の周囲に存在する大気（空気）との反応により発生する活性種（酸化性活性物質）で処理される。活性種は、後述するように、例えばＯＨラジカルなどである。
【００１８】
ブロア７は、散気塔６から供給される多湿化ガス（水分を含むガス）１２を、処理対象物１０の表面に噴出する。散気塔６は、ガスタンク５に収納されている酸素系ガス（アルゴンなどを含む）又は窒素系ガス（アルゴンなどを含む）を多湿化（水分を含ませる）させた多湿化ガス１２に変換してブロア７に送る。
【００１９】
なお、誘電体８は、高電圧電極２から放電プラズマ１１の発生を促進するために設けられているが、高電圧電極２の構成によっては必ずしも必要ではない。
【００２０】
（作用効果）
本実施形態の大気圧放電表面処理装置１では、駆動機構９により処理対象物１０を、前段階としてブロア７が配置された位置の近傍を通過させて、次に、高電圧電極２が配置された位置の近傍を通過させるように搬送させる。従って、表面処理の前段処理として、処理対象物１０は、ブロア７から吹きつけられる多湿化ガス１２により、表面上に存在する微小な有機物や塵などの比較的粒子径の大きい粒子が物理的に除去される。さらに、多湿化ガス１２により、処理対象物１０の表面は、周囲の水分量より高い水分量が付加される。
【００２１】
ここで、ブロア７は、処理対象物１０に対して垂直方向、または図１に示すように、高電圧電極２とは離れる方向に多湿化ガス１２を噴出するように構成されている。
【００２２】
次に、表面処理の後段処理として、処理対象物１０は、ブロア７により多湿化ガス１２が吹き付けられた表面から、高電圧電極２の近傍に搬送される。高電圧電極２の近傍では、処理対象物１０は、前述したように、放電プラズマ１１内で発生するＯＨラジカルなどの活性種（酸化性活性物質）により表面処理される。
【００２３】
この活性種による表面処理では、処理対象物１０の表面は、活性種が付着することで官能基が形成されて、その特性から親水性が向上する表面改質がなされる。また、この活性種による表面処理により、処理対象物１０の表面に付着する微小な有機物が除去される効果もある。
【００２４】
以上のように本実施形態の大気圧放電表面処理装置１であれば、処理対象物１０は、多湿化ガス１２の吹き付けにより、表面化から微小粒子（微小有機物など）の物理的除去がなされた後に、ＯＨラジカルなどの活性種による表面処理がなされる。即ち、処理対象物１０に対して、多湿化ガス１２の吹き付けによる微小粒子の物理的除去と、活性種による微小有機物の除去という二重の処理がなされる。従って、処理対象物１０を搬送するだけで、高効率の表面洗浄処理が可能となる。また、活性種による表面処理により、処理対象物１０の表面は、親水性が向上する表面改質がなされる。
【００２５】
さらに、本実施形態では、放電処理の前に、処理対象物１０の表面に、ブロア７から飽和水蒸気量程度の湿度を含む多湿化ガス１２が吹き付けられる。これにより、処理対象物１０の表面は、周辺の湿度より多い水分量を含む状態となる。このような状態で、高電圧電極２で放電が点弧されると、活性種に含まれるＯＨラジカルが発生して、処理対象物１０の表面処理が行なわれる。当該表面処理を、下記の反応式を参照して説明する。
【００２６】
まず、多湿化ガス１２の水分（Ｈ２Ｏ）と放電（ｅ）との反応により、下記生成反応式（１）によりヒドロキシルラジカル（・ＯＨ）が生成される。
【００２７】
ｅ＋Ｈ２Ｏ→・ＯＨ＋・Ｈ＋ｅ…（１）
また、多湿化ガス１２が酸素系ガス（酸素を含有するガス）で生成した場合、多湿化酸素系ガスと放電の反応により、以下の反応式（２）〜（４）に示すように、酸素ラジカルＯ(１Ｄ)、Ｏ(３Ｐ）やオゾン（Ｏ３）、ヒドロキシルラジカル（・ＯＨ）が生成される。
【００２８】
ｅ＋Ｏ２→Ｏ(１Ｄ)＋Ｏ(３Ｐ)＋ｅ…（２）
Ｏ(３Ｐ)＋Ｏ２＋Ｍ→Ｏ３＋Ｍ…（３）
Ｏ(１Ｄ)＋Ｈ２Ｏ→・ＯＨ＋・ＯＨ…（４）
ここで、Ｏ（１Ｄ）は、高エネルギー酸素ラジカルを意味する。また、Ｏ（３Ｐ）は、エネルギー状態が変化しない酸素ラジカルを意味する。
【００２９】
反応式（１）〜（４）内のオゾンＯ３、酸素素原子で励起状態のＯ(１Ｄ)、基底状態のＯ(３Ｐ)、ヒドロキシルラジカル（・ＯＨ）はそれぞれ活性種であり、有機物との酸化反応の反応速度が非常に速い。特に、ヒドロキシルラジカルは、活性種の中で最も反応性に富み、有機物を二酸化炭素にまで反応させることができる。即ち、塵などが付着した物質の表面洗浄をドライ処理で行うことが可能となる。
【００３０】
また、活性種は有機物と反応する際に、有機物分解の中間性生物である、カルボキシル基を生成する。また、放電ではヒドロキシル基が生成される。これらが処理対象物１０の表面に付着することにより、表面の濡れ性が大幅に向上するため、接着剤における接着強度を大幅に向上させることが可能となる。
【００３１】
処理対象物１０の用途により、多湿化ガスの種類を選択し、表面洗浄や濡れ性向上を行ってもよい。例えば、表面処理を多湿化窒素系ガスと放電との反応により、前記反応式（１）の反応に加えて、下記反応式（５），（６）に示すように、窒素ラジカル（・Ｎ）、励起窒素分子（Ｎ２*）が生成される。
【００３２】
ｅ＋Ｎ２→・Ｎ＋・Ｎ＋ｅ…（５）
ｅ＋Ｎ２→Ｎ２*＋ｅ…（６）
前記反応式（５）に示す窒素ラジカルは酸化反応だけでなく、処理対象物１０の表面の結合状態の置換に寄与し、例えばベンゼン環の水素原子Ｈの引き抜きに寄与する。これにより、官能基は極性を有することから、処理対象物１０の表面の親水性を向上させる効果が期待できる。
【００３３】
また、前記反応式（６）に示す励起窒素分子（Ｎ２*）は、水分子Ｈ２Ｏの結合エネルギーよりも高い運動エネルギーを有することから、下記反応式（７）に示すヒドロキシルラジカル（・ＯＨ）の生成が期待できる。
【００３４】
Ｎ２*＋Ｈ２Ｏ→Ｎ２＋・Ｈ＋・ＯＨ…（７）
この場合、多湿化ガス１２として、アルゴンＡｒを含む酸素系ガスまたはアルゴンＡｒを含む窒素系ガス素と放電との反応（多湿アルゴンガス放電反応）により、下記反応式（８），（９）に示すように、励起状態のアルゴンＡｒの生成を経て、ヒドロキシルラジカル（・ＯＨ）が生成される。
【００３５】
ｅ＋Ａｒ→Ａｒ*＋ｅ…（８）
Ａｒ*＋Ｈ２Ｏ→・Ｈ＋・ＯＨ＋Ａｒ…（９）
ここで、「Ａｒ*」はアルゴンの準安定状態を示すが、エネルギーが約１１電子ボルト（eV）と高いのに対し、大気圧非平衡放電内の電子エネルギーは５〜１０eV程度と言われている。即ち、大気圧非平衡放電内の電子のほとんどは、アルゴンとは反応しない。このことから、多湿化アルゴンガス（アルゴンを含む多湿化ガス１２）に対する放電中の電子は、アルゴンと衝突しても運動エネルギーの授受をせずに、弾性衝突のみを繰り返す。また、アルゴンとの弾性衝突は、水分子と衝突するまで繰り返される。即ち、前記反応式（１）で示す反応が効率よく生じることから、表面処理効率の向上が期待できるだけでなく、酸素嫌悪条件においてのＯＨラジカル反応を期待するような処理条件での表面処理も可能となる。
【００３６】
以上要するに、本実施形態の大気圧放電表面処理装置１であれば、大気圧下での多湿化ガスと放電との反応により発生する活性種で、特にＯＨラジカルを積極的に利用することで、高速な表面処理が可能となる。また、有害な有機物質も使用しないため、環境面でも優れている。さらに、キセノンガスなどの高コストのガスではなく、低コストの多湿化ガスを使用し、かつ装置の構成も簡単であるため、低コストで表面処理を表面処理装置を提供できる。さらに、マイクロ波放電を使用しないため、ガラス部材などの処理対象物１０の表面が損傷する可能性も低い。
【００３７】
［第２の実施形態］
図２は、第２の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図である。なお、図１に示す第１の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置と同様の構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。
【００３８】
本実施形態の大気圧放電表面処理装置は、図２に示すように、ブロア７より前段の位置に配置された加熱装置１３を有する構成である。本実施形態では、加熱装置１３は、処理対象物１０の表面を加熱する。ブロア７は、表面が加熱された処理対象物１０に対して多湿化ガス１２を吹き付ける。
【００３９】
このような構成により、処理対象物１０の表面は、加熱よる温度の上昇で、飽和水蒸気量が高まることから、多湿化ガス１２に含まれる水分がより多く付着することになる。これにより、後段の高電圧電極２からの放電プラズマ１１との反応において、ＯＨラジカルの発生量が増加し、高効率の表面処理が可能となる。
【００４０】
［第３の実施形態］
図３は、第３の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図である。なお、図１に示す第１の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置と同様の構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。
【００４１】
本実施形態の大気圧放電表面処理装置は、図３に示すように、ブロア７より前段の位置に配置された電荷量計測装置１４を有する構成である。本実施形態では、電荷量計測装置１４は、処理対象物１０の表面の電荷量を計測する。この計測結果に基づいて、処理対象物１０の表面の帯電量を確認し、当該表面に帯電により付着した塵の量を定量的に把握することが可能となる。これにより、処理対象物１０の表面から塵を除去するために、ブロア７から多湿化ガス１２を噴出するときの制御を高精度に行なうことが可能となる。
【００４２】
［第４の実施形態］
図４は、第４の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図である。なお、図１に示す第１の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置と同様の構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。
【００４３】
本実施形態の大気圧放電表面処理装置は、図４に示すように、ブロア７より前段の位置に配置された電荷量計測装置１４及びイオナイザ１５を有する構成である。イオナイザ１５は、伝送媒体（信号線）１６を介して、電荷量計測装置１４により計測された電荷量に関する情報をフィードバックし、その情報に基づいて帯電された電荷を中和するための電荷（イオン）を発生する。
【００４４】
このような構成により、処理対象物１０の表面は、イオナイザ１５により、帯電している電荷量に相当し、それと対をなす極性の電荷を印加されるため、帯電分が打ち消されることになる。従って、処理対象物１０の表面は、静電力により付着されている塵などを中性化できる。このため、後段のブロア７からの多湿化ガス１２により、処理対象物１０の表面から、効率的に塵などを吹き飛ばして除去することが可能となる。
【００４５】
［第５の実施形態］
図５は、第５の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図である。なお、図１に示す第１の本実施形態に関する大気圧放電表面処理装置と同様の構成要素については、同一符号を付して説明を省略する。
【００４６】
本実施形態の大気圧放電表面処理装置は、図５に示すように、ブロア７より前段の位置に配置された電荷量計測装置１４、伝送媒体（信号線）１６、及びバイアス電圧印加電極部１８を有する構成である。バイアス電圧印加電極部１８は、処理対象物１０の表面に帯電された電荷と対をなす極性の直流バイアス電圧を、当該表面に印加する。バイアス電圧印加電源部１７は、伝送媒体１６を介して、電荷量計測装置１４により計測された電荷量に関する情報をフィードバックし、その情報に基づいてバイアス電圧印加電極部１８に電源を供給する。
【００４７】
このような構成により、処理対象物１０の表面は、帯電している電荷と対をなす極性の電圧が印加されるため、帯電分が打ち消されることになる。従って、処理対象物１０の表面は、静電力により付着されている塵などを中性化できる。このため、後段のブロア７からの多湿化ガス１２により、処理対象物１０の表面から、効率的に塵などを吹き飛ばして除去することが可能となる。なお、バイアス電圧印加電極部１８は、いわば電気集塵器として機能させて、処理対象物１０の表面に付着している塵などを吸着させる構成でもよい。
【００４８】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図。
【図２】第２の実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図。
【図３】第３の実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図。
【図４】第４の実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図。
【図５】第５の実施形態に関する大気圧放電表面処理装置の構成を説明するための図。
【符号の説明】
【００５０】
１…大気圧放電表面処理装置、２…高電圧電極、３…高電圧電源、４…接地電極、
５…ガスタンク、６…散気塔、７…ブロア、８…誘電体、９…駆動機構、
１０…処理対象物、１１…放電プラズマ、１２…多湿化ガス、１３…加熱装置、
１４…電荷量計測装置、１５…イオナイザ、１６…伝送媒体（信号線）、
１７…バイアス電圧印加電源部、１８…バイアス電圧印加電極部。
【図１】
2009059614.tif 000003
【図２】
2009059614.tif 000004
【図３】
2009059614.tif 000005
【図４】
2009059614.tif 000006
【図５】
2009059614.tif 000007