(57)【要約】【課題】透明板２０を透過させたレーザー光により、配線パターン３０上の接合層４０を良好に溶融させることができる配線基板を提供する。【解決手段】レーザー光透過性の材料からなる透明板２０と、透明板２０の表面に形成された配線パターン３０と、ＶＣＳＥＬ素子１０に電気的に接合するために配線パターン３０の表面上に形成されたはんだからなる接合層４０とを有する配線基板において、接合層４０として、配線パターン３０の表面方向の外縁よりも外側に突出させたものを形成した。【選択図】図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板と、該光透過性基板の表面に形成された配線パターンと、該配線パターンを該光透過性基板とは異なる別部材に電気的に接合するために該配線パターンの表面上に形成された熱溶融性導電性材料からなる接合層とを有する配線基板において、
上記接合層として、上記配線パターンの表面方向の外縁よりも外側に突出させたものを形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１の配線基板において、
上記接合層を、上記配線パターンの電極パッドの表面上に形成したことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板の表面上に配線パターンが形成された配線基板と、自らの電極が熱溶融性導電性材料によって該配線パターンに電気的に接合された電子部品とを有する電子回路基板であって、
請求項１又は２の配線基板における上記接合層の熱溶融性導電性材料により、該配線基板の配線パターンと上記電子部品の電極とが接合されていることを特徴とする電子回路基板。
【請求項４】
レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板と、該光透過性基板の表面に形成された配線パターンと、該配線パターンを該光透過性基板とは異なる別部材に電気的に接合するために、該配線パターンの表面上に形成された熱溶融性導電性材料からなる接合層とを有する配線基板を製造する配線基板製造方法において、
上記光透過性基板の表面に対して、該表面から所定の厚みをもって突出しつつ表面方向に延在する上記配線パターンを形成するパターン形成工程を実施した後、上記接合層を該配線パターンの表面方向の外縁よりも外側に突出させて形成する接合層形成工程を実施することを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項５】
請求項４の配線基板製造方法において、
上記接合層形成工程にて、上記光透過性基板の配線パターンの表面上にクリームはんだを印刷する印刷工程と、該印刷工程を経た後の該光透過性基板を炉内で加熱して該クリームはんだの熱溶融性導電性材料たるはんだを溶融させながら、溶融はんだを該配線パターンの側面まで濡れ広がらせる溶融工程と、該溶融はんだを固化させることで該配線パターンの表面方向の外縁よりも外側に突出する上記接合層であるはんだ層を得る固化工程とを実施することを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項６】
請求項５の配線基板製造方法において、
上記パターン形成工程にて、上記配線パターンとして、上記別部材に電気的に接合するための接合用電極パッドと、該接合用電極パッドよりも大きな面積であって且つ該配線パターンに直接あるいは配線部を介して該接合用電極パッドに繋がっているはんだ供給用電極パッドとを具備するものを形成し、
上記印刷工程にて、該はんだ供給用電極パッドの表面上にクリームはんだを印刷し、
且つ、上記溶融工程にて、該はんだ供給用電極パッドの表面上で溶融させた溶融はんだを、該配線部の表面上と該接合用電極パッドの表面上とに伝わらせて該接合用電極パッドの側面まで濡れ広がらせることを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項７】
請求項６の配線基板製造方法において、
上記パターン形成工程にて、上記配線パターンとして、上記接合用電極パッド、配線部及びはんだ供給用電極パッドの組合せを複数具備するものであって、それぞれの組合せの平面積を互いに等しくしたもの、を形成することを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れかの配線基板製造方法において、
上記クリームはんだとして、フラックスを含有するものを用いることを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項９】
請求項８の配線基板製造方法において、
上記接合層形成工程を実施した後、上記光透過性基板の配線パターン形成面を洗浄する洗浄工程を実施することを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項１０】
レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板の表面上に配線パターンが形成され且つ該配線パターンの表面上に熱溶融性導電性材料からなる接合層が形成された第１配線基板における該接合層と、基板の表面上に配線パターンが形成された第２配線基板の該配線パターンとを接触させた状態で、レーザー光を該第１配線基板に向けて照射し、該第１配線基板の該光透過性基板を透過した後の該レーザー光を該第１配線基板の配線パターンに到達させて該接合層を溶融せしめることで、該第１配線基板の配線パターンと、該第２配線基板の配線パターンとを接合する接合工程を実施して、複数の基板を具備する配線基板を製造する配線基板製造方法において、
上記第１配線基板として、請求項４乃至９の何れかの配線基板製造方法によって製造された配線基板を用いることを特徴とする配線基板製造方法。
【請求項１１】
レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板の表面上に配線パターンが形成され且つ該配線パターンの表面上に熱溶融性導電性材料からなる接合層が形成された配線基板における該接合層と、電子部品の電極とを接触させた状態で、レーザー光を該配線基板に向けて照射し、該配線基板の該光透過性基板を透過した後の該レーザー光を該配線基板の配線パターンに到達させて該接合層を溶融せしめることで、該配線基板の配線パターンと、該電子部品の電極とを電気的に接合する接合工程を実施して、該配線基板上に該電子部品が実装された電子回路基板を製造する電子回路基板製造方法において、
上記配線基板として、請求項４乃至９の何れかの配線基板製造方法によって製造された配線基板を用いることを特徴とする電子回路基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面上に配線パターンが形成された配線基板、及び配線基板を製造する配線基板製造方法に関するものである。また、配線基板上に電子回路基板が実装された電子回路基板、及び電子回路基板を製造する電子回路基板製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の電子回路基板製造方法として、特許文献１に記載のものが知られている。この電子回路基板製造方法においては、配線基板として、レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板としての透明基板の表面上に配線パターンが形成され、且つその配線パターンの電極パッドの表面上に金錫合金からなる接合層が形成されたものを用いる。そして、電子部品としての半導体ベアチップを、配線基板の接合層の上に載置して、電極パッド上の接合層と、半導体ベアチップの電極とを接触させる。この後、接合層を溶融させるためのレーザー光を、配線基板における透明基板の配線パターン形成面とは反対側の面に向けて出射する。そして、出射したレーザー光に配線基板の透明基板を透過させ、透過後のレーザー光を配線パターンの電極パッドの裏面に当てることで、電極パッドの表面上の接合層を溶融させる。この溶融によって電極パッドと半導体ベアチップの電極とを接合することで、配線基板上に半導体ベアチップが実装された電子回路基板としての半導体モジュールを得る。このような電子回路基板製造方法では、半導体ベアチップを炉内で加熱することなく、接合層だけをレーザー光の照射によって加熱して溶融させる。半導体ベアチップと別の電子部品とを具備する半導体モジュールであっても、次のようにすることで、半導体ベアチップを加熱することなく配線基板上に実装することが可能である。即ち、まず、半導体ベアチップ以外の電子部品を配線基板上に載置した後、配線基板とともに炉内で加熱する。この加熱により、電子部品と配線基板との間に介在するはんだを溶融させて両者を接合させる。次いで、炉内から取り出した配線基板を冷却した後、その配線基盤の上に半導体ベアチップを載置する。そして、前述のようなレーザー光の照射によって接合層だけを加熱して溶融させることで、半導体ベアチップと配線基板とを接合する。このようにして半導体ベアチップを炉内で加熱することなく配線基板に実装することで、炉内での加熱による半導体ベアチップの劣化を回避することができる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１９１０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、本発明者らは実験により、この電子回路基板製造方法においては、電極パッドの表面上の接合層を良好に溶融させることができずに、電極パッドと半導体ベアチップとの導通不良を引き起こすおそれがあることを見出した。具体的には、本発明者らは配線基板として、次のようなものを製造した。即ち、まず、透明基板の表面上の全面に、後の工程で配線パターンの形状にパターン加工される配線用金属層と、錫等からなる接合層とを形成した。そして、その配線用金属層及び接合層をフォトリソグラフィー法などによってパターン加工して、配線パターン及び接合層を具備する配線基板Ａを得た。この配線基板Ａの接合層の上に半導体ベアチップを載置した状態で、レーザー光を配線基板に向けて出射した。そして、配線基板の透明基板を透過させた後のレーザー光を配線パターンの電極パッド裏面に当ててみた。すると、電極パッドの表面上に形成した接合層を良好に溶融させることができずに、電極パッドと半導体ベアチップとの導通不良（接合不良）を引き起こしてしまった。
【０００５】
本発明者らは、次に、配線基板として次のようなものを製造した。即ち、まず、透明基板の表面上に配線用金属層を形成した後、フォトリソグラフィー法などによってその配線用金属層をパターン加工した。次に、パターン加工によって得られた配線パターンの電極パッド上に、印刷マスクを用いてクリームはんだを印刷した後、リフロー炉内で透明基板を加熱した。これにより、クリームはんだ中のはんだを溶融させて電極パッド上に濡れ広がらせた後、はんだを固化させて、はんだからなる接合層を電極パッド上に形成した。かかる接合層を具備する配線基板Ｂの上に半導体ベアチップを載置した状態で、レーザー光を配線基板に向けて出射した。そして、配線基板の透明基板を透過させた後のレーザー光を配線パターンの電極パッド裏面に当ててみた。すると、電極パッドの表面上に形成した接合層を良好に溶融させて、電極パッドと半導体ベアチップとを良好に接合することができた。
【０００６】
本発明者らは、配線基板Ｂで接合層を良好に溶融させることができたのに対し、配線基板Ａで接合層を良好に溶融させることができなかった原因について鋭意検討を行った。すると、次のようなことが解ってきた。即ち、フォトリソグラフィー法によって配線パターンと接合層とを同時にパターン加工した配線基板Ａでは、配線パターンと接合層とを互いに重ねた状態で全く同じ形状に加工する。このような配線基板Ａにおいては、透明基板を透過させた後のレーザー光を配線パターンの電極パッドの裏面に当てることはできるが、電極パッドの表側に隠れている接合層に対してはレーザー光を直接当てることができない。このため、接合層を溶融させるためには、電極パッドをレーザー照射によって接合層の溶融温度よりも高い温度まで昇温させなければならない。しなしながら、アルミや銅などからなる電極パッドはレーザー光を良好に反射してしまうため、電極パッドを十分に昇温させることができずに、接合層の溶融不良を引き起こしていた。これに対し、透明基板の表面上に形成した配線パターンの電極パッド上でクリームはんだ中のはんだを溶融させて接合層を形成した配線基板Ｂでは、溶融はんだをパッド表面のみならずパッドの側面まで濡れ広がらせていた。このような配線基板Ｂにおいては、溶融はんだの固化によって得られた接合層が電極パッドの真上だけでなく、電極パッドの外縁から突出した領域にも形成されるため、透明基板を透過したレーザー光が接合層のパッド外縁からの突出箇所に直接当たるようになる。レーザー光を直接受けた前記突出箇所は速やかに昇温して溶融し、やがてその熱が接合層におけるパッドとの対向箇所にも伝わることで、接合層全体が良好に溶融していることがわかった。
【０００７】
特許文献１に記載の電子回路基板製造方法においては、特許文献１の図１〜図４の記載から明らかなように、接合層が電極パッドの真上にしか存在していないため、透明基板を透過した後のレーザー光を接合層に直接当てることができない。このため、接合層を良好に溶融させることができずに電極パッドと半導体ベアチップとの接合不良を引き起こしている可能性が高いと考えられる。
【０００８】
本発明は、以上の背景に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、透明基板等の光透過性基板を透過させたレーザー光により、配線パターン上の接合層を良好に溶融させることができる配線基板や、その製造方法を提供することである。更には、かかる配線基板を用いた電子回路基板や、その製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板と、該光透過性基板の表面に形成された配線パターンと、該配線パターンを該光透過性基板とは異なる別部材に電気的に接合するために該配線パターンの表面上に形成された熱溶融性導電性材料からなる接合層とを有する配線基板において、上記接合層として、上記配線パターンの表面方向の外縁よりも外側に突出させたものを形成したことを特徴とするものである。
また、請求項２の発明は、請求項１の配線基板において、上記接合層を、上記配線パターンの電極パッドの表面上に形成したことを特徴とするものである。
また、請求項３の発明は、レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板の表面上に配線パターンが形成された配線基板と、自らの電極が熱溶融性導電性材料によって該配線パターンに電気的に接合された電子部品とを有する電子回路基板であって、請求項１又は２の配線基板における上記接合層の熱溶融性導電性材料により、該配線基板の配線パターンと上記電子部品の電極とが接合されていることを特徴とするものである。
また、請求項４の発明は、レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板と、該光透過性基板の表面に形成された配線パターンと、該配線パターンを該光透過性基板とは異なる別部材に電気的に接合するために、該配線パターンの表面上に形成された熱溶融性導電性材料からなる接合層とを有する配線基板を製造する配線基板製造方法において、上記光透過性基板の表面に対して、該表面から所定の厚みをもって突出しつつ表面方向に延在する上記配線パターンを形成するパターン形成工程を実施した後、上記接合層を該配線パターンの表面方向の外縁よりも外側に突出させて形成する接合層形成工程を実施することを特徴とするものである。
また、請求項５の発明は、請求項４の配線基板製造方法において、上記接合層形成工程にて、上記光透過性基板の配線パターンの表面上にクリームはんだを印刷する印刷工程と、該印刷工程を経た後の該光透過性基板を炉内で加熱して該クリームはんだの熱溶融性導電性材料たるはんだを溶融させながら、溶融はんだを該配線パターンの側面まで濡れ広がらせる溶融工程と、該溶融はんだを固化させることで該配線パターンの表面方向の外縁よりも外側に突出する上記接合層であるはんだ層を得る固化工程とを実施することを特徴とするものである。
また、請求項６の発明は、請求項５の配線基板製造方法において、上記パターン形成工程にて、上記配線パターンとして、上記別部材に電気的に接合するための接合用電極パッドと、該接合用電極パッドよりも大きな面積であって且つ該配線パターンに直接あるいは配線部を介して該接合用電極パッドに繋がっているはんだ供給用電極パッドとを具備するものを形成し、上記印刷工程にて、該はんだ供給用電極パッドの表面上にクリームはんだを印刷し、且つ、上記溶融工程にて、該はんだ供給用電極パッドの表面上で溶融させた溶融はんだを、該配線部の表面上と該接合用電極パッドの表面上とに伝わらせて該接合用電極パッドの側面まで濡れ広がらせることを特徴とするものである。
また、請求項７の発明は、請求項６の配線基板製造方法において、上記パターン形成工程にて、上記配線パターンとして、上記接合用電極パッド、配線部及びはんだ供給用電極パッドの組合せを複数具備するものであって、それぞれの組合せの平面積を互いに等しくしたもの、を形成することを特徴とするものである。
また、請求項８の発明は、請求項５乃至７の何れかの配線基板製造方法において、上記クリームはんだとして、フラックスを含有するものを用いることを特徴とするものである。
また、請求項９の発明は、請求項８の配線基板製造方法において、上記接合層形成工程を実施した後、上記光透過性基板の配線パターン形成面を洗浄する洗浄工程を実施することを特徴とするものである。
また、請求項１０の発明は、レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板の表面上に配線パターンが形成され且つ該配線パターンの表面上に熱溶融性導電性材料からなる接合層が形成された第１配線基板における該接合層と、基板の表面上に配線パターンが形成された第２配線基板の該配線パターンとを接触させた状態で、レーザー光を該第１配線基板に向けて照射し、該第１配線基板の該光透過性基板を透過した後の該レーザー光を該第１配線基板の配線パターンに到達させて該接合層を溶融せしめることで、該第１配線基板の配線パターンと、該第２配線基板の配線パターンとを接合する接合工程を実施して、複数の基板を具備する配線基板を製造する配線基板製造方法において、上記第１配線基板として、請求項４乃至９の何れかの配線基板製造方法によって製造された配線基板を用いることを特徴とするものである。
また、請求項１１の発明は、レーザー光透過性の材料からなる光透過性基板の表面上に配線パターンが形成され且つ該配線パターンの表面上に熱溶融性導電性材料からなる接合層が形成された配線基板における該接合層と、電子部品の電極とを接触させた状態で、レーザー光を該配線基板に向けて照射し、該配線基板の該光透過性基板を透過した後の該レーザー光を該配線基板の配線パターンに到達させて該接合層を溶融せしめることで、該配線基板の配線パターンと、該電子部品の電極とを電気的に接合する接合工程を実施して、該配線基板上に該電子部品が実装された電子回路基板を製造する電子回路基板製造方法において、上記配線基板として、請求項４乃至９の何れかの配線基板製造方法によって製造された配線基板を用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
これらの発明においては、配線基板の配線パターン形成面とは反対側の面に向けて出射したレーザー光に光透過性基板を透過させる。そして、透過後のレーザー光を接合層における配線パターン外縁からの突出箇所に直接当てることで、接合層を良好に溶融させることができる。
【００１１】
特に、請求項２の発明においては、配線基板における配線パターンの電極パッドの表面上に形成された接合層に対して、光透過性基板を透過した後のレーザー光を直接当てることで、電極パッド上の接合層を良好に溶融させることができる。
【００１２】
また特に、請求項３の発明においては、配線基板における配線パターンの表面上の接合層に対して、光透過性基板を透過した後のレーザー光を直接当てて、接合層を良好に溶融させることで、配線パターンと、半導体ベアチップ等の電子部品の電極との間における導通不良の発生を抑えることができる。
【００１３】
また特に、請求項４乃至１０の発明においては、光透過性基板を透過した後のレーザー光を接合層に直接当てて接合層を良好に溶融させ得る配線基板を製造することができる。
【００１４】
また特に、請求項５の発明においては、配線基板の配線パターン上で溶融させたはんだを、配線パターンの側面まで濡れ広がらせることで、配線パターンの外縁から突出する接合層を配線パターン上に形成することができる。
【００１５】
また特に、請求項６の発明においては、電子部品や光透過性基板の大きさの制約などから、電極パッドとして平面積の非常に小さなものしか形成することができない場合であっても、その電極パッドよりも大面積のはんだ供給用パッド上で溶融させたはんだを電極パッド上に濡れ広がらせることで、電極パッド上に十分な厚みの接合層を形成することができる。
【００１６】
また特に、請求項７の発明においては、電極パッド、はんだ供給用パッド及び両者を結ぶ配線部を具備する複数の組合せにおけるそれぞれの平面積が互いに同じであるので、それぞれの組合せにおけるはんだ供給用パッドの表面上に対してクリームはんだを均一な厚みで印刷すれば、そのクリームはんだ中のはんだの溶融に伴う濡れ広がりによって互いに同じ厚みの接合層をそれぞれの電極パッド上に形成することができる。
【００１７】
また特に、請求項８の発明においては、配線基板の配線パターンの表面上に金属酸化膜を発生させてしまったとしても、クリームはんだ中のフラックスによってその金属酸化膜を除去しながら配線パターンの表面上に接合層を形成する。これにより、金属酸化膜による接合層の配線パターン表面からの剥がれや、酸化の進行による配線パターンの劣化を抑えることができる。
【００１８】
また特に、請求項９の発明においては、洗浄工程での洗浄によって接合層表面に残留したフラックスを除去することで、残留フラックスによる電子部品の電極劣化の発生を回避することができる。
【００１９】
また特に、請求項１０の発明においては、第１配線基板における配線パターンの表面上の接合層に対して、第１配線基板の光透過性基板を透過した後のレーザー光を直接当てて、接合層を良好に溶融させることで、第１配線基板の配線パターンと第２配線基板の配線パターンとを良好に接合することができる。
【００２０】
また特に、請求項１１の発明においては、配線基板における配線パターンの表面上の接合層に対して、配線基板の光透過性基板を透過した後のレーザー光を直接当てて、接合層を良好に溶融させることで、配線基板の配線パターンと電子部品の電極とを良好に接合することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を適用した電子回路基板や、電子回路基板製造方法の一実施形態について説明する。
図１は実施形態に係る電子回路基板であるＶＣＳＥＬモジュール基板の一例を示す断面図である。このＶＣＳＥＬモジュール基板１は、電気信号に基づいて光を発する光電変換素子としての垂直共振器型面発光レーザー（以下「ＶＣＳＥＬ素子」という。）１０と、ＶＣＳＥＬ素子１０の光出射部側に接合された配線基板とを備えている。
【００２２】
上記ＶＣＳＥＬ素子１０は、図示しない４０個の発光部からそれぞれ所定の波長のレーザー光を出射するものである。なお、本実施形態では、電子部品として、化合物半導体が積層された構造で波長７８０ｎｍのレーザー光を出力するＶＣＳＥＬ素子１０を有するＶＣＳＥＬモジュール基板１について説明するが、電子部品はＶＣＳＥＬ素子１０に限定されることなく、他の電子部品を有する電子回路基板にも本発明の適用が可能である。
【００２３】
上記配線基板は、ＶＣＳＥＬ素子１０から出射されるレーザー光を透過させることが可能な透明板２０と、これの両面にそれぞれ被覆されたレーザー光を透過させることが可能な透明材料からなる反射防止膜２１とを具備する透明基板を有している。また、この透明基板の一方の面上に形成された配線パターン３０も有している。なお、配線パターン３０は、反射防止膜２１の表面方向に延在する配線部と、この配線部の長手方向端部や途中に設けられた電極パッドとを有しているが、同図においては、配線部や電極パッドの区別なく、配線パターン３０を示している。また、配線パターン３０の電極パッドとしては、ＶＣＳＥＬ素子１０の図示しない駆動電極に接合される素子接合用電極パッド、図示の透明板２０を具備する透明基板とは異なる配線基板である後述のメイン配線基板に接合される基板間接合用電極パッド、後述するはんだ供給用電極パッドなどが設けられている。
【００２４】
ＶＣＳＥＬ素子１０の表面方向の外縁部付近には、上述した４０個の発光部にそれぞれ個別に繋がる４０個の図示しない駆動電極が設けられている。これらの駆動電極と、透明基板の配線パターン３０に形成された図示しない４０個の素子接合用電極とが、熱溶融性導電性材料であるはんだからなる接合層４０を介して接合されている。また、ＶＣＳＥＬ素子１０の外縁部と透明基板の表面との間には、ＶＣＥＳＬ素子１０の外縁部を取り囲むようにして樹脂５０が固定されている。この樹脂５０により、ＶＣＳＥＬ素子１０と透明基板との隙間が外部から密閉されて密閉空間７０となっている。この密閉空間７０には、ＶＣＳＥＬ素子１０を劣化させないように、乾燥窒素ガス等の乾燥気体が封止されている。また、透明板２０上の配線パターン３０における長手方向の端部付近に形成された図示しない４０個の基板間接合用電極パッドの表面上には、それぞれ、はんだからなる接合層６０が形成されている。
【００２５】
透明板２０の材料としては、記号ＢＫ７、Ｄ２６３又はＣＧ−１で表される材料や、比較的安価な合成石英又はソーダライムガラスを使用することができる。上記ＢＫ７、Ｄ２６３、ＣＧ−１等からなる透明板は、例えば京セラ株式会社製のものを使用することができる。ガラス材料に限らず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の透明樹脂からなるものを使用することも可能である。
【００２６】
上述の反射防止膜２１としては、厚さ１００［ｎｍ］程度のＳｉＯ層と、これの表面に被覆された厚さ１００［ｎｍ］程度のＳｉＯ２層とを有する２層構造のものを例示することができる。この反射防止膜２１については、配線パターン３０を形成する前に予め透明板２０の両面にそれぞれ形成しておいてもよいし、透明板２０の表面上に配線パターン３０を形成した後、透明板２０の配線パターン形成面におけるパターン非形成領域に形成してもよい。また、反射防止膜２１については、透明板２０の全面に形成してもいいし、少なくともＶＣＳＥＬ素子１０からのレーザー光が透過する表面部分に選択的に形成してもよい。
【００２７】
反射防止膜２１の劣化を抑える目的から、樹脂テープ（例えばポリイミドからなる樹脂テープ、ＴＳＡ（Toray Semiconductor Adhesive）シート、又はフィラーレスの高透明タイプのフィルムなどで、反射防止膜２１の表面を保護してもよい。上記ＴＳＡシートは、２４０［℃］や２６０［℃］の耐リフロー性を有する東レ株式会社製の半導体用接着剤シートであり、熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、無機粒子及び硬化剤からなる接着剤層（厚さ：３０，５０，１００μｍ）がカバーフィルム（ＰＥＴフィルム，厚さ：３８，７５μｍ）で挟まれたサンドイッチ構造をしたものである。また、このＴＳＡシートは、リフロー等の高温処理の後においても、高い透明性（波長７８０ｎｍに対する分光透過率：９７％）を有している。上記フィラーレスの高透明タイプのフィルムとしては、例えば、滑剤が混練されていない材料からなる樹脂フィルムを用いることができる。
【００２８】
配線パターン３０としては、アルミニウムや銅などの材料が使用された基層だけからなる一層構造のものの他、基層の上に金属材料からなる層を一層あるいは多層にわたって被覆したものを適用することができる。必要に応じて、配線パターン３０と透明基板の反射防止膜２１との間にアンカー層を設けてもよい。例えば、配線パターン３０の基層として銅からなるものを用いる場合は、アンカー層として例えば数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度のＣｒ層やＴｉ層を設けてもよい。なお、本実施形態では、アルミニウムからなる基層の上に、ニッケルからなるニッケル層と、金からなる金層とを順次積層した３層構造の配線パターン３０を採用している。
【００２９】
配線パターン３０の素子接合用電極パッドの上に形成された接合層４０や、基板間接合用電極パッドの上に形成された接合層６０は、後述する接合工程の際に接合層を溶融させるために用いるレーザー光（例えば波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザー光）を受けて溶融する熱溶融性導電性材料からなる。かかる熱溶融性導電性材料としては、はんだ、はんだと同等以下の電気抵抗を有する金属材料、結晶構造が面心立方格子構造以外の金属材料などを例示することができる。より詳しい例としては、はんだ、モリブデン、亜鉛、コバルト、タングステン、スズ、カドニウム等が挙げられる。また、はんだとしては、比較的溶融温度が低いＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだや、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ等を例示することができる。
【００３０】
密閉空間７０を形成するための樹脂５０としては、例えばエポキシ樹脂を使用することができる。より具体的には、ナガセケムテックス株式会社製の黒色一液製エポキシ樹脂（製品番号：ＸＮＲ５１６３ＮＦ，  ＸＮＲ５１６３）を塗布し、硬化条件（例えば１００°Ｃ／１時間＋１５０°Ｃ／１時間）で硬化させて使用する。
【００３１】
透明基板におけるＶＣＳＥＬ素子１０との対向面に銅箔、アルミ箔等の金属膜付き樹脂（例えばポリイミド、ＴＳＡ）テープを貼り付け、その銅箔の不要部分を、エキシマレーザー（例えば波長２４８ｎｍ）やＹＡＧ３倍波レーザー（例えば波長３５５ｎｍ）等の紫外レーザー等で選択的に除去することにより、配線パターン３０を形成してもよい。
【００３２】
図２はＶＣＳＥＬ素子１０の一構成例を示す平面図である。このＶＣＳＥＬ素子１０は、一辺の長さが例えば１［ｍｍ］程度の板状の素子であり、その中央部に４０個の発光部１５からなる光出射部１１を備え、その光出射部１１の各発光部１５からそれぞれ板面方向に素子内配線１３が延びている。そして、これら複数の素子内配線１３それぞれの端部に、上述した駆動電極１２が設けられている。ＶＣＳＥＬ素子１０の図示しない裏面側には、それぞれの発光部１５に繋がる共通の図示しないアース電極が設けられている。このアース電極がアースに接続された状態で、それぞれの駆動電極１２に対して駆動電圧が個別に印加されることで、それぞれの発光部１５からレーザー光が個別に発射する。
【００３３】
図３はＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線基板の一構成例を示す平面図である。同図において、符号３１、３２、３３で示される部材は、何れも上述した配線パターン３０の一部を構成する電極パッドあるいは配線部である。また、符号２０ａで示した領域は、透明板２０等からなる透明基板に図示しないＶＣＳＥＬ素子が実装された際に、透明板２０がそのＶＣＳＥＬ素子と対向する領域である素子対向領域を示している。図示のように、透明板２０の面方向における外縁部はＶＣＳＥＬ素子よりも面方向の外側に位置するように、透明基板がＶＣＳＥＬ素子よりも大きな平面積になっている。透明板２０における素子対向領域２０ａ内における面方向の外縁部には、４０個の素子接合用電極パッド３１が形成されている。ＶＣＳＥＬ素子１０を実装した状態の透明基板を示す図４からわかるように、それら４０個の素子接合用電極パッド３１の直下にそれぞれ、ＶＣＳＥＬ素子１０の４０個の駆動電極１２を個別に位置させた状態で、ＶＣＳＥＬ素子１０が透明基板に実装される。透明基板における４０個の素子接合用電極パッド３１からはそれぞれ、配線部３３が透明板２０の面方向の外縁部に向けて延びており、それぞれの配線部３３の端部には基板間接合用電極パッド３２が形成されている。
【００３４】
図５は、電子回路基板であるＶＣＳＥＬモジュール基板１を、これとは別のメイン基板９０に実装した電子回路基板を示す断面図である。メイン基板９０の図示しない領域には、ＶＣＳＥＬモジュール基板１に実装されたＶＣＳＥＬ素子１０の図示しない４０個の発光部をそれぞれ個別に駆動するための図示しないドライバＩＣが実装されている。また、メイン基板９０には、ＶＣＳＥＬモジュール基板１のＶＣＳＥＬ素子１０を受け入れるための開口９０ａが形成されている。そして、ＶＣＳＥＬモジュール基板１は、そのＶＣＳＥＬ素子１０をメイン基板９０の開口９０ａ内に挿入しつつ、自らの外縁部をメイン基板９０における開口９０ａの周囲箇所に引っ掛けるような姿勢で、メイン基板９０に実装されている。
【００３５】
メイン基板９０において、開口９０ａの周囲箇所には、図示しない４０個のモジュール接合用電極パッドが形成されている。一方、ＶＣＳＥＬモジュール基板１は、上述したように、配線パターン３０の一部であり、且つＶＣＳＥＬモジュール基板１の透明基板の外縁部に形成された４０個の基板間接合用電極パッドを有している。そして、それら４０個の基板間接合用電極パッドが、それぞれ接合層６０を介して、メイン基板９０の開口９０ａの周囲にある４０個のモジュール接合用電極パッドに接合されている。メイン基板９０において、４０個のモジュール接合用電極パッドは、それぞれ上述したドライバＩＣの出力端子にそれぞれ個別に接続されている。これにより、ドライバＩＣの４０個の出力端子からそれぞれ個別に出力される駆動電圧が、メイン基板９０のモジュール接合用電極バッドと、ＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線パターン３０とを介して、ＶＣＳＥＬ素子１０の４０個の発光部（１５）にそれぞれ個別に印加される。なお、ＶＣＳＥＬ素子１０の裏面にはアース電極１４が形成されており、これは導電性接着剤９３を介して、メイン基板９０のグランド電極９１に接続されている。
【００３６】
本実施形態に係る電子回路基板製造方法は、図５に示した、ＶＣＳＥＬモジュール基板１とメイン基板９０とを具備する電子回路基板を製造するものである。そして、メイン基板９０を製造するメイン基板製造工程と、ＶＣＳＥＬモジュール基板１を製造するモジュール基板製造工程と、両基板を接合する基板接合工程とを実施する。
【００３７】
メイン基板製造工程では、周知の技術によって製造した配線基板の表面上に対して、上述のドライバＩＣや種々の電子部品を周知の方法によって実装する。このとき、電子部品としてのベアチップについては、配線基板上の電極パッド上に印刷したクリームはんだをリフロー炉で溶融させることで、電極パッドに接合する方法を採用することができる。また、配線基板のスルーホール内に端子を挿入するいわゆるディスクリート部品については、周知のはんだロボットによるはんだ付けや、溶融はんだ層に配線基板の端子突出面をつけ込むディップはんだ付け方などにより、配線基板の配線パターンに接合することができる。
【００３８】
図１に示したＶＣＳＥＬモジュール基板１を製造するモジュール基板製造工程においては、透明板２０、反射防止膜２１、配線パターン３０、接合層４０及び接合層６０を具備する配線基板を製造する配線基板製造工程と、これによって得られた配線基板にＶＣＳＥＬ素子１０を実装する実装工程とを実施する。また、配線基板製造工程においては、透明基板を作成する基板作成工程と、これによって得られた透明基板の一方の面上に配線パターン３０を形成するパターン形成工程と、配線パターン３０の上に接合層４０や接合層６０を形成する接合層形成工程と、洗浄工程とを実施する。
【００３９】
ＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線基板を製造するための配線基板製造工程において実施する基板作成工程では、図６に示すように、上述したガラスや樹脂等からなる透明板２０の両面にそれぞれ反射防止膜２１を形成する。具体的には、まず、透明板２０の両面にそれぞれＳｉＯからなるＳｉＯ層を蒸着によって１００［ｎｍ］の厚みで形成した後、それらＳｉＯ層の上にＳｉＯ２からなるＳｉＯ２層を蒸着によって１００［ｎｍ］の厚みで形成して、透明基板を得る。なお、かかる基板作成工程については、基板の作成を専門に行う業者に行ってもらい、その業者から透明基板を購入することで、基板作成工程を省略することが可能である。
【００４０】
ＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線基板を製造するための配線基板製造工程において実施するパターン形成工程では、図７に示すように、配線パターン３０として、透明基板の表面から所定の厚みをもって突出しつつ表面方向に延在するものを、透明基板の一方の面における面方向の外縁部に形成する。この配線パターン３０は、導電性材料である低抵抗金属材料（例えば、アルミニウム、又は、Ｃｒ若しくはＴｉをアンカー層とした銅）からなる基層と、これの表面に被覆された低抵抗金属材料からなる被覆層とを有している。本実施形態では、配線パターン３０の基層として、アルミからなるものを次のような蒸着（スパッタリング）装置及び条件で形成している。
（１）蒸着装置：
・メーカ名  ：神港精機株式会社
・型    式  ：ＳＲＶ４３１１
・性    能  ：３源マグネトロンスパッタ源(５００Ｗ以上)、
基板冷却加熱回転機構(３００°Ｃ常用以上)
（２）蒸着条件
・真空度：３．７×１０−５Ｐａ
・ターゲット：純アルミ
・スパッタ条件（表１参照）
・成膜厚み：経験からのアルミ成膜条件が０．６６μm/ｈであり、９０分の成膜処理で０．９９μm≒１μmのアルミからなる基層を形成した。
【００４１】
【表１】
2009194035.tif 000003
【００４２】
アルミからなる基層は、はんだと接合し難い性質であるため、接合不良を引き起こすおそれがある。そこで、図８に示すように、基層３０ａの上に所定の厚さのニッケルメッキ層３０ｂ（例えば、厚さ：３μｍ）を形成し、更にその上に金メッキ層３０ｃ（例えば、厚さ：４５０ｎｍ）を形成する。この金メッキ層３０ｃは、溶融はんだと良好に接合することができる。金メッキ層３０ｃと、アルミからなる基層３０ａとの間に、両者に良好に固着することができるニッケルメッキ層３０ｂを介在させることで、剥がれ難い金メッキ層３０ｃを基層３０ａ上に形成することができる。
【００４３】
なお、図６や図７では、配線パターン３０の縦断面を透明基板の断面とともに示しているのに対して、図８では、配線パターン３０の横断面を透明基板の断面とともに示している。
【００４４】
ニッケルメッキ層３０ｂについては、次の（１）〜（８）の工程で形成することができる。これらの工程において亜鉛置換を２回行うのは、亜鉛の被膜を均一にして密着性を高めるためである。
（１）脱脂：メッキ対象の表面に付着した加工油や汚れなどを除去する。
（２）エッチング：表面を薄く溶かし自然酸化被膜などを除去する。
（３）デスマット：エッチングで表面に生じた不純物を除去する。
（４）第一亜鉛置換：アルミの表面に薄い亜鉛被膜を生成する。
（５）置換層剥離：亜鉛被膜を除去する。
（６）第二亜鉛置換：再度、アルミの表面に薄い亜鉛被膜を生成する。
（７）無電解Ｎｉメッキ：次亜リン酸による還元反応でニッケルをメッキする。
（８）乾燥：水分を除去する。
【００４５】
便宜上、図３や図４では図示を省略していたが、配線パターン３０としては、素子接合用電極パッド３１、基板間接合用電極パッド３２、及び両パッドを結ぶ配線部３３の他に、はんだ供給用電極パッド３４を具備するものを形成する。図９、図１０、図１１、図１２はそれぞれ、配線パターン３０におけるはんだ供給用電極パッド３４の第１例、第２例、第３例、第４例と、素子接合用電極パッド３１とを示す平面図である。何れの例においても、はんだ供給用電極パッド３４が素子接合用電極パッド３１よりも大きな面積になっている。図９に第１例では、素子接合用電極パッド３１から外側の基板接合用電極パッド３２に向かって互いに平行に且つ直線的に延びるように、はんだ供給用電極パッド３４が形成されている。素子接合用電極パッド３１に供給用電極パッド３４が直接接続されていることで、複数の配線パターン３０がコンパクトにまとめられている。また、図１０に示した第２例や、図１１に示した第３例では、正方形あるいは円形のはんだ供給用電極パッド３４が配線部を介して素子接合用電極パッド３１に接続されている。図１２に示した第４例では、素子接合用電極パッド３１から、図示しない基板間接合用電極パッドに向かってくさび状に延びるはんだ供給用電極パッド３４が形成されている。はんだ供給用電極パッド３４は素子接合用電極パッド３１に直接接続されている。はんだ供給用電極パッド３４が基板間接合用電極パッド側から素子接合用電極パッド３１側に向けて先細になっていることで、小面積の複数の素子接合用電極パッド３１に対して、大面積のはんだ供給用電極パッド３４をそれぞれ独立させた状態で接続することができている。これらの例に示した配線パターン３０はそれぞれ、複数の配線パターン３０におけるはんだ供給用電極パッド３４と素子接合用電極パッド３１との距離が互いにほぼ等しくなるように構成されている。そして、素子接合用電極パッド３１とこれに直接接続されたはんだ供給用電極パッド３４とからなる複数の組合せ、あるいは、両電極パッド及び両電パッド間を結ぶ配線部からなる複数の組合せにおいて、互いの平面積がそれぞれ同じになっている。
【００４６】
なお、はんだ供給用電極パッド３４は、検査パッドを兼ねることができる。例えば、上記ＶＣＳＥＬ素子１０の電極と配線パターン３０とを接合した後、ＶＣＳＥＬモジュール基板１をメイン基板９０に実装する前に、検査装置の検査プローブの先端を配線パターン３０のはんだ供給用電極パッド３４に接触させることにより、ＶＣＳＥＬ素子１０と配線パターン３０との導通状態を検査することができる。また、ＶＣＳＥＬモジュール基板１をメイン基板１に実装した後に、検査装置の検査プローブの先端を配線パターン３０のはんだ供給用電極パッド３４に接触させることにより、上述のドライバＩＣと配線パターン３０との導通状態を検査することもできる。
【００４７】
ＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線基板を製造するための配線基板製造工程において、パターン形成工程を実施した後には、接合層形成工程を実施する。この接合層形成工程では、少なくとも、印刷工程と溶融工程と固化工程とを実施する。そして、印刷工程では、周知の印刷マスクを用いた印刷法により、配線パターン３０の複数のはんだ供給用電極パッド３４の表面上や、複数の基板間接合用電極パッド（３２）の表面上にそれぞれクリームはんだを印刷する。また、溶融工程では、クリームはんだ印刷済みの透明基板をリフロー炉内で加熱して、クリームはんだ中のはんだを溶融させる。このとき、はんだ供給用電極パッド３４の表面上で溶融した溶融はんだは、はんだ供給用電極パッド３４からこれに直接された素子接合用電極パッド３１の表面上に伝わりながら濡れ広がる。あるいは、はんだ供給用電極パッド３４からこれに直接された配線部を介して素子接合用電極パッド３１の表面上に伝わりながら濡れ広がる。そして、やがて、素子接合用電極バッド３１の表面上だけでなく、素子接合用電極パッド３１において、透明基板の基板面から立ち上がっているパッド側面にも濡れ広がる。また、基板間接合用電極パッド（３２）の表面上で溶融した溶融はんだは、基板間接合用電極パッドの表面上だけでなく、基板間接合用電極パッドにおける、透明基板の基板面から立ち上がっているパッド側面にも濡れ広がる。このようにして溶融はんだを濡れ広がらせた後、透明基板をリフロー炉から取り出して冷却することで溶融はんだを固化させる固化工程を実施すると、図１３に示すように、配線パターン３０の素子接合用電極パッド３１における表面方向の外縁よりも外側に突出する接合層４０を得ることができる。また、図１４に示すように、基板間接合用電極パッド３２における表面方向の外縁よりも外側に突出する接合層６０を得ることもできる。
【００４８】
クリームはんだとしては、フラックスを含有するものを用いる。これにより、配線基板の配線パターン３０の表面上に金属酸化膜を発生させていても、クリームはんだ中のフラックスによってその金属酸化膜を除去しながら配線パターン３０上に接合層を形成することが可能になる。そして、金属酸化膜による接合層の配線パターン表面からの剥がれや、酸化の進行による配線パターンの劣化を抑えることができる。
【００４９】
図３や図４に示したように、配線パターン３０の複数の素子接合用電極パッド３１は、それぞれ、ＶＣＳＥＬ素子１０における複数の小面積の駆動電極１２にそれぞれ個別に対向させる必要があるという制約から、駆動電極１２と同様に非常に小面積なものになっている。このような小面積の素子接合用電極パッド３１に対して、接合層４０の形成に必要な厚みのクリームはんだを印刷しようとすると、個々の素子接合用電極パッド３１にそれぞれ対応するように印刷マスクに設けられた小径孔からクリームはんだを良好に抜け出させることができなくなる。そして、印刷不良を引き起こしてしまう。そこで、本実施形態においては、素子接合用電極パッド３１の近傍に、それよりも大きな面積のはんだ供給用電極パッド３４を形成し、その上に印刷したクリームはんだ中のはんだを溶融させて素子接合用電極パッド３１上まで濡れ広がらせるようにしている。素子接合用電極パッド３１よりも大面積のはんだ供給用電極パッド３４であれば、それに対応する印刷マスクの孔も比較的大径になるため、印刷の際に、クリームはんだを孔内から良好に抜け出させることができる。
【００５０】
一方、配線パターン３０の基板間接合用電極パッド３２は、もともと比較的大きな面積で形成されているため、それに対応して印刷マスクに設けられる径も比較的大径になる。よって、個々の基板間接合用電極パッド３２に対しては、印刷マスクの孔から良好に抜け出させたクリームはんだにより、接合層６０の形成に必要な厚みのクリームはんだ層を形成することができる。
【００５１】
このような接合層形成工程を実施したら、次に、洗浄工程を実施する。この洗浄工程では、フラックスを溶解することが可能なイソプロピルアルコール、エタノールなどの有機溶媒にて、配線基板の配線パターン形成面を洗浄する。この洗浄により、接合層４０や接合層６０の表面に残留したフラックスを除去することで、残留フラックスによるＶＣＳＥＬ素子１０やメイン基板９０の電極劣化の発生を回避することができる。
【００５２】
以上のような、基板作成工程、パターン形成工程、接合層形成工程（印刷工程、溶融工程、固化工程）及び洗浄工程を具備する配線基板製造工程によってＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線基板を製造したら、次に、その配線基板にＶＣＳＥＬ素子１０を実装する実装工程を実施して、ＶＣＳＥＬモジュール基板１を得る。この実装工程では、図１５に示すように、配線パターン形成面を重力方向下方に向けた配線基板における配線パターン３０の素子接合用電極パッド上の接合層４０と、ＶＣＳＥＬ素子１０の図示しない駆動電極とを接触させるように、配線基板をＶＣＳＥＬ素子１０の上に載置する。そして、配線基板の上側から配線基板の配線パターン非形成面に向けてレーザー光Ｌｐを照射し、配線基板の透明基板を透過した後のレーザー光Ｌｐを配線パターン３０の素子接合用電極パッドの裏面に当てる。このとき、レーザー光Ｌｐは、素子接合用電極パッドの裏面だけでなく、図１３に示した接合層４０における、素子接合用電極パッド３１の外縁よりも外側に突出している突出箇所４０ａに直接当てることができる。これにより、接合層４０を良好に溶融させることができる。
【００５３】
なお、上述の実装工程では、レーザー光Ｌｐとして、ビームスポット径を約４００［μｍ］に調整したものを透明基板に向けて照射している。素子接合用電極パッド３１としては、約１５［μｍ］の幅のものを形成しており、１回のレーザー光Ｌｐの照射で、約１３個の素子接合用電極パッド３１におけるそれぞれの表面上の接合層４０に対して１本のレーザー光Ｌｐを当てて、それぞれの接合層４０を同時に溶融させている。
【００５４】
上述の接合層４０や接合層６０を形成したら次に、窒素ガスの存在するドラフト内において、図１６に示すように、ＶＣＳＥＬ素子１０の外縁と、配線基板との間に樹脂５０を固着させて、密閉空間７０内に窒素ガスを封止して、ＶＣＳＥＬモジュール基板１を得る。
【００５５】
以上のよううにしてメイン基板９０とＶＣＳＥＬモジュール基板１とを製造したら、次に、両基板を接合する基板接合工程を実施して、両基板を有する電子回路基板を得る。このとき、図１７に示すように、ＶＣＳＥＬモジュール基板１のＶＣＳＥＬ素子１０をメイン基板９０の開口９０ａ内に挿入しつつ、ＶＣＳＥＬモジュール基板１の外縁部をメイン基板９０の開口９０ａの周囲に引っ掛けるようにして、ＶＣＳＥＬモジュール基板１をメイン基板９０上に載置する。そして、ＶＣＳＥＬモジュール基板１の配線パターン３０上の接合層６０と、メイン基板９０の図示しないモジュール接合用電極パッドとを接触させた状態で、ＶＣＳＥＬモジュール基板１の透明基板における配線パターン非形成面に向けてレーザー光Ｌｐを照射する。その後、ＶＣＳＥＬモジュール基板１の透明基板を透過した後のレーザー光Ｌｐを配線パターン３０の基板間接合用電極パッド（３２）の裏面に当てる。このとき、レーザー光Ｌｐは、基板間接合用電極パッドの裏面だけでなく、図１４に示した接合層６０における、基板間接合用電極パッド３３の外縁よりも外側に突出している突出箇所６０ａに直接当てることができる。これにより、接合層６０を良好に溶融させることができる。
【００５６】
ＶＣＳＥＬモジュール基板１とメイン基板９０とをレーザー照射によって接合したら、図５に示したように、ＶＣＳＥＬ素子１０の裏面に形成されたアース電極１４と、メイン基板９０のグランド電極９１とを導電性接着剤９３によって接続する。
【００５７】
次に、第１変形例に係る電子回路基板製造方法について説明する。
この電子回路基板製造方法では、配線基板としての柔軟性を持ったフレキシブル基板（ＦＰＣ：Flexible Printed Circuit）の基板電極パッドと、そのフレキシブル基板上に実装される圧電素子の電極とを接合して、電子回路基板を得る。
【００５８】
フレキシブル基板は、レーザー光透過性を有する材料からなるベースフィルムのおもて面に、熱溶融性導電性材料たる銅からなる配線パターンが形成されている。配線パターンは、配線部と、これに設けられた複数の基板電極パッドと、それぞれの基板電極パッドの近傍に設けられたはんだ供給用電極パッドとを有している。複数の基板電極パッドの表面上には、実施形態と同様の接合層形成工程により、それぞれ接合層が形成されている。実施形態と同様の接合層形成工程によって形成されたものであるので、接合層は基板電極パッドの表面方向において基板電極パッドの外縁よりも外側に突出する形状になっている。
【００５９】
フレキシブル基板の基板電極パッドと、圧電素子の電極との接合は、フレキシブル基板を透過させたレーザー光を基板電極パッドの裏面に当てるとともに、接合層におけるパッド外縁からの突出箇所に当てながら、接合層を溶融させることによって行う。
【００６０】
波長１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザー光を照射する場合におけるフレキシブル基板のベースフィルムの材料としては、その波長１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザー光を透過させ得るＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の樹脂を用いることができる。
【００６１】
図１８は、フレキシブル基板１００に実装される圧電素子１０７を示す平面図である。また、図１９は、圧電素子１０７の電極を拡大して示す拡大平面図である。この圧電素子１０７は、ＰＺＴ（ジルコン酸チタン酸鉛）等の圧電材料で形成され、ベース部７１０と櫛歯部７２０とを有する。櫛歯部７２０は、厚さ方向にそれぞれ延在する板状の圧電素子部７２０Ａ、７２０Ｂ及び溝部７２０Ｃが長手方向（図中の上下方向）に所定のピッチで交互に形成され、全体として櫛歯形状になっている。これらの板状の圧電素子部７２０Ａ、７２０Ｂの表面には、圧電素子１０７の長手方向（図中の上下方向）の一つおきに、駆動電極（ホット電極）１０９が形成されている。駆動電極１０９が形成されている圧電素子部が駆動圧電素子部７２０Ａであり、駆動電極１０９が形成されていない圧電素子部が固定圧電素子部７２０Ｂである。駆動圧電素子部７２０Ａの駆動電極１０９が形成されている面とは反対側の面（図中の奥側の面）にはグランド電極が形成されている。また、圧電素子１０７のベース部７１０の端面は、金属材料（例えばＳＵＳ）などで形成された補強部材１０８に取り付けられている。
【００６２】
フレキシブル基板１００の複数の基板電極パッドにおけるそれぞれの表面上に形成された接合層において、そのパッド外縁からの突出箇所にレーザー光を当てて、接合層を溶融させることで、複数の基板電極パッドと、図１９に示した圧電素子１０７における駆動電極１０９とを接合するのである。
【００６３】
次に、第２変形例に係る配線基板製造方法について説明する。
この配線基板製造方法においては、配線基板たるフレキシブル基板の電極パッドと、配線基板たる主基板の電極パッドとを接合して、両基板を具備する配線基板を製造する。フレキシブル基板は、第１変形例におけるフレキシブル基板１００と同様に、レーザー光透過性を有する材料からなるベースフィルムの表面上に、複数の電極パッドを具備する配線パターンが形成されている。そして、それぞれの電極パッドの表面上には、実施形態と同様の接合層形成工程によってそれぞれ接合層が形成されている。一方、主基板は、レーザー光透過性や可撓性を発揮しない材料からなる基板の表面上に、複数の電極パッドを具備する配線パターンが形成されている。両基板の配線パターン形成面を互いに向かい合わせるようにして両基板を重ねながら、フレキシブル基板の接合層と、主基板の電極パッドとを重ね合わせる。そして、フレキシブル基板のベールフィルムを透過させたレーザー光を、フレキシブル基板の電極パッドの裏面に当てるとともに、接合層におけるパッド外縁からの突出箇所に当てることで、接合層を良好に溶融させて、両基板を接合する。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】実施形態に係る電子回路基板であるＶＣＳＥＬモジュール基板の一例を示す断面図。
【図２】同ＶＣＳＥＬモジュール基板のＶＣＳＥＬ素子一構成例を示す平面図。
【図３】同ＶＣＳＥＬモジュール基板の配線基板の一構成例を示す平面図。
【図４】同ＶＣＳＥＬモジュール基板を示す平面図。
【図５】同ＶＣＳＥＬモジュール基板をメイン基板に実装した電子回路基板を示す断面図。
【図６】同配線基板の透明基板を示す断面図。
【図７】同透明基板の断面と、これの一方の面に形成された配線パターンの縦断面とを示す断面図。
【図８】同透明基板の断面と、同配線パターンの横断面とを示す拡大断面図。
【図９】同配線パターンにおけるはんだ供給用電極パッドの第１例を示す拡大平面図。
【図１０】同はんだ供給用電極パッドの第２例を示す拡大平面図。
【図１１】同はんだ供給用電極パッドの第３例を示す拡大平面図。
【図１２】同はんだ供給用電極パッドの第４例を示す拡大平面図。
【図１３】同配線基板を素子接合用電極パッドの箇所で破断した断面を示す拡大断面図。
【図１４】同配線基板を基板間接合用電極パッドの箇所で破断した断面を示す拡大断面図。
【図１５】同配線基板とＶＣＳＥＬ素子とを示す断面図。
【図１６】同配線基板とＶＣＳＥＬ素子と封止用の樹脂とを示す断面図。
【図１７】互いに接合処理が施されている同ＶＣＳＥＬモジュール基板とメイン基板とを示す断面図。
【図１８】第１変形例に係る電子回路基板のフレキシブル基板と圧電素子とを示す平面図。
【図１９】同圧電素子の電極を拡大して示す拡大平面図。
【符号の説明】
【００６５】
１：ＶＣＳＥＬモジュール基板（電子回路基板）
１０：ＶＣＳＥＬ素子（電子部品）
２０：透明板（光透過性基板の一部）
２１：反射防止膜（光透過性基板の一部）
３０：配線パターン
３１：素子接合用電極パッド
３２：基板間接合用電極パッド
３４：配線部
３５：はんだ供給用電極パッド
４０：接合層
６０：接合層
１００：フレキシブル基板（光透過性基板）
１０７：圧電素子（電子部品）
【図２】
2009194035.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１８】
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【図１９】
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【図１】
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【図５】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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