(57)【要約】      （修正有）【課題】逆方向のリーク電流を小さくしつつ、高耐圧のショットキーバリアダイオードを提供する。【解決手段】表面に第１導電型の半導体層２を有する半導体基板１と、前記第１導電型の半導体層２に接するように配設されたショットキーメタル５と、前記第１導電型の半導体層２と前記ショットキーメタル５の接合部の端部に第２導電型の半導体層からなるガードリング領域３ａが設けられたショットキーバリアダイオードにおいて、前記ガードリング領域３ａの少なくとも端部が所定の間隔をもつように複数に分割されて伸長するように前記第１導電型の半導体層２表面から第２のガードリング領域３ｂが伸長することを特徴とする。【選択図】図１
2009246204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板と、
前記第１導電型の半導体層の表面から層内に延びる環状の第２導電型の半導体層からなるガードリングと、
前記第１導電型の半導体層及び前記ガードリングに接するように配設された金属層とを具備したショットキーバリアダイオードであって、
前記ガードリングは、少なくとも端部が所定の間隔をもつように複数に分割されて伸長するように前記第１導電型の半導体層表面から伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を含むショットキーバリアダイオード。
【請求項２】
請求項１に記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記ガードリングに囲まれた領域の前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さに、複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層が形成されたショットキーバリアダイオード。
【請求項３】
請求項１または２に記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記第１導電型の半導体層表面には、前記ガードリングの一部を覆う、環状の絶縁膜が形成されたショットキーバリアダイオード。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記ガードリングは少なくとも前記金属層が前記第１導電型の半導体層と当接する領域の外縁近傍で、表面から所定の深さまでは一体的に形成された第１のガードリング領域と、前記第１のガードリング領域からさらに複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の第２のガードリング領域とで構成されたショットキーバリアダイオード。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記ガードリングは少なくとも前記金属層が前記第１導電型の半導体層と当接する領域の外縁近傍で、表面から複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を構成したショットキーバリアダイオード。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記第１導電型の半導体層の表面が{１１０}面を構成し、前記ガードリング及び前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層は＜１１０＞方向に伸長することを特徴とするショットキーバリアダイオード
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記ガードリングは前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層と同一工程で形成されるショットキーバリアダイオード。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
互いに隣接する前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層から、前記第１導電型の半導体層へ広がる空乏層が逆方向電圧印加時につながるように、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層の不純物濃度と幅が設定されたショットキーバリアダイオード。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記ガードリングおよび前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層を構成する不純物はボロンであるショットキーバリアダイオード。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記金属層は、ニッケル、モリブデン、チタンのいずれかを含むショットキーメタル層と、アルミニウムを含む電極層とで構成されるショットキーバリアダイオード。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードであって、
前記スーパージャンクション構造を構成する第２導電型の半導体層は、幅２．０μｍ以下であるショットキーバリアダイオード。
【請求項１２】
表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板を用意する工程と、
第２導電型の不純物を導入することにより、前記第１導電型の半導体層の表面から、
少なくとも端部が所定の間隔をもつように複数に分割されて伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を含むガードリングを形成する工程と、
前記第１導電型の半導体層及び前記第２導電型の半導体層に接するように金属層を形成する工程とを含むショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記ガードリングに囲まれた領域に、
第２導電型の不純物を導入することにより、前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さとなるように、前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層を形成する工程を含むショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３に記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記半導体層表面には、前記ガードリングの一部を覆うように、環状の絶縁膜を形成する工程を含むショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記ガードリングを形成する工程が、
少なくとも前記金属層が前記半導体層と当接する領域の外縁近傍に、第１の幅のリング状をなすように、第１の深さまで第２導電型の不純物をイオン注入する第１のイオン注入工程と、
少なくとも前記第１のイオン注入工程で注入される領域を含む周辺領域に、前記注入される領域を複数に分割するように、前記第１の幅の２分の１以下である第２の幅で第２の深さまで第２導電型の不純物をイオン注入する第２のイオン注入工程とを含み、
表面から所定の深さまでは一体的に形成された第１のガードリング領域と、前記第１のガードリング領域から複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の第２のガードリング領域で構成されたガードリングを形成する工程であるショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至１４のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記ガードリングを形成する工程が、
少なくとも前記金属層が前記半導体層と当接する領域の外縁近傍に、第２導電型の不純物をイオン注入し、前記半導体層表面から複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を形成する工程であるショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記半導体基板を用意する工程が、前記第１導電型の半導体層の表面が{１１０}面である半導体基板を用意する工程であるショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１８】
請求項１３乃至１７のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記ガードリングを形成する工程は前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層と同一工程で形成されるショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項１９】
請求項１３乃至１８のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
互いに隣接する前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層から、前記第１導電型の半導体層へ広がる空乏層が逆方向電圧印加時につながるように、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の不純物濃度と幅を設定するショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至１９のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記第２導電型の半導体層を構成する不純物としてはボロンを用いるショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記金属層を形成する工程は、ニッケル、モリブデン、チタンのいずれかを含むショットキーメタル層を形成する工程と、アルミニウムを含む電極層を形成する工程とを含むショットキーバリアダイオードの製造方法。
【請求項２２】
請求項１２乃至２１のいずれかに記載のショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
前記スーパージャンクション構造を構成する第２導電型の半導体層は、幅２．０μｍ以下となるようにイオン注入によって形成されるショットキーバリアダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法に係り、特に高耐圧化に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
仕事関数の異なる半導体（層）と金属（層）との接触により形成されるショットキー接合は、その障壁により整流作用を有するため、ショットキーバリアダイオードとして広く用いられており、このショットキーバリアダイオードは、順方向の電圧降下が低く高速応答特性に優れていることからスイッチング電源用の整流素子として広く用いられている。また、スイッチング電源では、整流を行うショットキーバリアダイオードの順方向降下電圧とリーク電流とが電源効率を決定する大きな要因となっており、この順方向電圧の降下およびリーク電流をできる限り小さくすることが望まれている。
【０００３】
しかしながら、ショットキー接合に逆バイアスを印加するとショットキー接合の端部に高電界が生じリーク電流が増大する。
【０００４】
そこで、逆バイアス印加時のショットキー接合端部に生じる高電界を緩和するための構造として、Ｎ−型半導体層と金属層からなるショットキー接合面の端部に、Ｐ型半導領域を形成し、ショットキー接合をＰＮ接合で囲む構造が提案されている。（特許文献１）
【０００５】
しかしながら、ショットキー接合とＰＮ接合の混成接合半導体デバイスにおいて、Ｎ−型半導体層の厚みが少ない場合、逆バイアス印加時の降伏電圧はＰＮ接合部で決定し、耐圧が低下するという問題がある。
【０００６】
このような状況の中で、逆バイアス印加時のショットキー接合端部の電界緩和と、高耐圧化を両立する必要がある。
【０００７】
【特許文献１】特公昭４６−０２７８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、逆バイアス印加時のショットキー接合端部の電界緩和を図るためには、ショットキー接合を囲むようにＰＮ接合部を設けなければならないが、Ｎ−型半導体層の厚みが少ない場合は、ショットキー接合の降伏電圧よりもＰＮ接合部の降伏電圧が小さくなり、デバイスの耐圧が低下するという問題がある。
本発明は前記実情をかんがみてなされたもので、逆バイアス印加時のショットキー接合端部の電界緩和を図るとともに、高耐圧のショットキーバリアダイオードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで本発明のショットキーバリアダイオードは、表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板と、前記第１導電型の半導体層の表面から層内に延びる環状の第２導電型の半導体層からなるガードリングと、前記第１導電型の半導体層及び前記ガードリングに接するように配設された金属層とを具備したショットキーバリアダイオードであって、前記ガードリングは、少なくとも端部が所定の間隔をもつように複数に分割されて伸長するように前記第１導電型の半導体の表面から伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を含むことを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、ガードリングをスーパージャンクション構造で形成しているため、逆バイアス印加時にＰＮ接合部に空乏層の拡がりが生じ易く、ＰＮ接合部の電界の緩和を図ることができ、高耐圧化が可能となる。
【００１１】
また、本発明では、前記ガードリングに囲まれた領域の前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さに、複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層が形成されたものを含む。
この構成によれば、高耐圧であることに加えて、逆方向のリーク電流をさらに低減することができる。
【００１２】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記第１導電型の半導体層表面には、前記ガードリングの一部を覆う、環状の絶縁膜が形成されたものを含む。
この構成により、酸化シリコン膜などの非共有電子対をもつ環状の絶縁膜を配することで、ゲッタリング作用により、ナトリウムイオンやカリウムイオンといった可動イオンが半導体特性に及ぼす悪影響を防止することが可能となる。なお、環状の絶縁膜に例えば燐などのゲッタリング作用を持つ不純物を含有させておくことで、ナトリウムイオンやカリウムイオンといった可動イオンが半導体特性に及ぼす悪影響を防止することが可能となる。
【００１３】
また、本発明では、上記のショットキーバリアダイオードにおいて、前記ガードリングは少なくとも前記金属層が前記第１導電型の半導体層と当接する領域の外縁近傍で、表面から所定の深さまでは一体的に形成された第１のガードリング領域と、前記第１のガードリング領域からさらに複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の第２のガードリング領域とを含む。
【００１４】
この構成によれば、ガードリングがスーパージャンクション構造を形成しているため、逆バイアス印加時に空乏層の広がりが生じ易く、ＰＮ接合部の電界の緩和を図ることができ、高耐圧化が可能となる。この構成では、表面から所定の深さまでは一体的に形成された第１のガードリング領域で構成されているため、絶縁膜の内端とガードリング領域が接する構造を得るための高精度の位置決めを行う必要がないので、製造が容易である。
【００１５】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記ガードリングは少なくとも前記金属層が前記第１導電型の半導体層と当接する領域の外縁近傍で、表面から複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造を形成したものを含む。
【００１６】
この構成によれば、ガードリングがスーパージャンクション構造を形成しているため、逆バイアス印加時に空乏層の拡がりが生じ易く、ＰＮ接合部の電界の緩和を図ることができ、高耐圧化が可能となる。ただし、この構成では、ガードリングが表面から複数に分割されているため、絶縁膜の内端とガードリング領域が接する構造を得るための高精度の位置決めを行う必要がある。
【００１７】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記第１導電型の半導体層の表面が｛１１０｝面を構成し、前記ガードリング及び前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層は＜１１０＞方向に伸長するものを含む。
この構成によれば、前記ガードリングおよび前記複合整流領域を構成する第２導電型半導体層を形成する際のイオン注入が<１１０>方向への注入となる。＜１１０＞方向へのイオン注入の射影飛程は他の面よりも大きいので、比較的低い注入エネルギーで、深いＰ型領域が形成可能である。このように、注入エネルギーを低くすることができるため、注入マスクを薄くすることができることから、注入マスクとして、微細でかつ高精度の開口部を設けることが可能となり、横幅が狭く深いプロファイル、すなわちアスペクト比の大きいＰ＋型領域を形成することが可能となる。
【００１８】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記ガードリングは前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層と同一工程で形成されるものを含む。
この構成により、ガードリングと複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層が同一工程で形成されるため、製造が容易である。
【００１９】
また、本発明では、互いに隣接する、前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層から、前記第１導電型の半導体層へ広がる空乏層が逆方向電圧印加時につながるように、前記第１導電型の半導体層および前記第２導電型の半導体層の不純物濃度と幅が設定されたものを含む。
【００２０】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記ガードリングおよび前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層を構成する不純物はボロンであるものを含む。
【００２１】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記金属層は、ニッケル、モリブデン、チタンのいずれかを含むショットキーメタル層と、アルミニウムを含む電極層とで構成されるものを含む。
【００２２】
また、本発明では、上記ショットキーバリアダイオードにおいて、前記スーパージャンクション構造を構成する第２導電型の半導体層は、幅２μｍ以下であるものを含む。
この構成によれば、前記ガードリングを形成する第２導電型半導体層と前記第１導電型の半導体層の接合部に、逆バイアス印加時に空乏層の広がりが生じ易く、接合部の電界の緩和を図ることができ、高耐圧化が可能となる。前記ガードリングを形成する第２導電型半導体層の望ましい幅は、前記第１導電型の半導体層の不純物濃度や幅にも依存するが、耐圧を高めるという観点では、１μｍ程度の狭い幅であることが望ましい。
【００２３】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、表面に第１導電型の半導体層を有する半導体基板を用意する工程と、第２導電型の不純物を導入することにより、前記第１導電型の半導体層の表面から、少なくとも端部が所定の間隔をもつように複数に分割されて伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を含むガードリングを形成する工程と、前記第１導電型の半導体層及び前記第２導電型の半導体層に接するように金属層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記ガードリングに囲まれた領域に、第２導電型の不純物を導入することにより、前記第１導電型の半導体層の表面から所定の深さとなるように、前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層を形成する工程を含む。
【００２５】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記半導体層表面には、前記ガードリングの一部を覆うように、環状の絶縁膜を形成する工程を含む。
【００２６】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記ガードリングを形成する工程が、少なくとも前記金属層が前記半導体層と当接する領域の外縁近傍に、第１の幅のリング状をなすように、第１の深さまで第２導電型の不純物をイオン注入する第１のイオン注入工程と、少なくとも前記第１のイオン注入工程で注入される領域を含む周辺領域に、前記注入される領域を複数に分割するように、前記第１の幅の２分の１以下である第２の幅で第２の深さまで第２導電型の不純物をイオン注入する第２のイオン注入工程とを含み、表面から所定の深さまでは一体的に形成された第１のガードリング領域と、前記第１のガードリング領域から複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の第２のガードリング領域で構成されたガードリングを形成する工程を含む。
【００２７】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記ガードリングを形成する工程が、少なくとも前記金属層が前記半導体層と当接する領域の外縁近傍に、第２導電型の不純物をイオン注入し、前記半導体層表面から複数に分割されて所定深さまで伸長する第２導電型の半導体層からなるスーパージャンクション構造の分割ガードリング領域を形成する工程を含む。
【００２８】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記半導体基板を用意する工程が、前記第１導電型の半導体層の表面が{１１０}面である半導体基板を用意する工程を含む。
【００２９】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記ガードリングを形成する工程は前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層と同一工程で形成されてもよい。
【００３０】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、互いに隣接する前記複合整流領域を形成する第２導電型の半導体層から、前記第１導電型の半導体層へ広がる空乏層が逆方向電圧印加時につながるように、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の不純物濃度と幅を設定する工程を含む。
【００３１】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記第２導電型の半導体層を構成する不純物としてはボロンを用いる。
【００３２】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記金属層を形成する工程は、ニッケル、モリブデン、チタンのいずれかを含むショットキーメタル層を形成する工程と、アルミニウムを含む電極層を形成する工程とを含む。
【００３３】
また、本発明のショットキーバリアダイオードの製造方法は、前記スーパージャンクション構造を構成する第２導電型の半導体層は、幅２．０μｍ以下となるようにイオン注入によって形成される工程を含む。
幅２．０μm以下で深い第２導電型の半導体層を形成することは困難であるが、前記第１導電型の半導体層として表面が{１１０}面である半導体層を用いた場合は、チャンネリング効果が大きいため、注入イオンの射影飛程が大きくなり、容易に深い第２導電型の半導体層を形成することが出来る。
【発明の効果】
【００３４】
上記構成によれば、ガードリングにスーパージャンクション構造を適用していることから、逆バイアス印加時にショットキー接合端部が高電界となることを防ぐとともに、高耐圧のショットキーバリアダイオードを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３６】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係るショットキーダイオードを示す図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ面を示す平面図である。また、図１（ａ）は、図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。本実施の形態のショットキーバリアダイオードはＮ＋シリコン基板１と、前記Ｎ＋シリコン基板１の表面にエピタキシャル成長で形成される第１導電型の半導体層であるＮ−シリコン層２と、前記Ｎ−シリコン層２の表面から深さ０．４μmまで一体的に形成された第２導電型の半導体層である第１のガードリング領域３ａと、第１のガードリング領域３ａから複数に分割されて、前記Ｎ−シリコン層２の表面からの深さが１．０μｍである第２のガードリング領域３ｂで構成されることを特徴とする。前記第１のガードリング領域３ａの一部を覆う酸化膜４が配され、前記Ｎ−シリコン層２及び前記第１のガードリング領域３ａ及び前記酸化膜４の一部を覆うショットキーメタル５が積層されている。
【００３７】
本実施の形態において、Ｎ＋シリコン基板１の表面にエピタキシャル成長により形成したＮ−シリコン層２は、比抵抗１．０Ωｃｍ、厚さ３．０μｍとした。ここで、第１のガードリング領域３ａの幅は２０μｍ、第２のガードリング領域３ｂの幅は０．４μｍ、間隔は１．６μｍとした。
【００３８】
ここでは、ショットキーメタル５としてチタンを積層し、ショットキーメタル５の上には表面電極メタル６としてアルミニウムを積層した。さらに、Ｎ＋シリコン基板１のＮ−シリコン層２と相対向する側にはオーミック接続された金からなる裏面電極７が形成されている。
【００３９】
この構成によれば、ガードリングにスーパージャンクション構造を適用していることから、逆バイアス印加時にショットキー接合端部が高電界となることを防ぐとともに、高耐圧のショットキーバリアダイオードを得ることができる。
【００４０】
次にこのショットキーバリアダイオードの製造方法について説明する。図２乃至図４はこのショットキーバリアダイオードの製造工程を示す図である。
【００４１】
まず、図２（ａ）に示すように、Ｎ＋シリコン基板１の表面にエピタキシャル成長法で、比抵抗１．０Ωｃｍ、厚さ３．０μｍのＮ−シリコン層２を形成する。
この後、図２（ｂ）に示すように、１０００℃３０分の熱酸化により酸化膜４を形成する。
そして、図２（ｃ）に示すように、この上層にレジストを塗布しフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、第１のガードリング領域３ａ形成箇所の酸化膜４をエッチングする。
【００４２】
この後、図３（ａ）に示すように、酸化膜４をマスクとして第１のガードリング領域３ａを形成するためのイオン注入を行う。このとき、イオン種としてはボロンを用い、加速電圧２０ｋｅＶ、ドーズ量８ｅ１３ｃｍ−２とする。そして、１０００℃２０分の熱拡散を行い、所望のプロファイルの第１のガードリング領域３ａを形成する。
【００４３】
この後、図３（ｂ）に示すように、レジストを塗布しフォトリソグラフィにより第２のガードリング領域３ｂ形成箇所のレジストを開口する。
そして、図３（ｃ）に示すように、このレジストをマスクとして第２のガードリング領域３ｂを形成するためのイオン注入を行う。このときイオン種としてはボロンを用い、異なる加速電圧で２回に分けて注入する。すなわち、１回目の注入を加速電圧１５０ｋｅＶ、ドーズ量２ｅ１３ｃｍ−２とし、２回目の注入を加速電圧８０ｋｅＶ、ドーズ量４ｅ１３ｃｍ−２とする。そして、１０００℃１分のＲＴＡ（高速アニール）を行い、注入したボロンを活性化させる。
【００４４】
その後、図４（ａ）に示すように、ＣＶＤ法により酸化膜４Ｓを積層後、レジストを塗布しフォトリソグラフィにより第１のガードリング領域の一部と第１のガードリング領域の内側のレジストを開口し、開口箇所の酸化膜４及びＣＶＤ酸化膜４Ｓをエッチングする。
そして、図４（ｂ）に示すように、ショットキーメタル５としてチタンを積層し、この上に表面電極メタル６としてアルミニウムを積層して、これらのメタルをパターニングし、最後に裏面電極メタル７として金を積層する。
【００４５】
このようにして得られた、ガードリングにスーパージャンクション構造が形成されたショットキーバリアダイオードは、５９．１Ｖの降伏電圧を確保することができた。
【００４６】
以上、本発明の実施例を示したが、本発明の実施の形態は上述した図面及び記述に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明のショットキーバリアダイオードは、リーク電流を低減するとともに高耐圧化をはかることができることから、スイッチング電源用のダイオードとして有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係るショットキーバリアダイオードの構成を示す図
【図２】本発明の実施形態に係るショットキーバリアダイオード製造工程を示す断面図
【図３】本発明の実施形態に係るショットキーバリアダイオード製造工程を示す断面図
【図４】本発明の実施形態に係るショットキーバリアダイオード製造工程を示す断面図
【符号の説明】
【００４９】
１  Ｎ＋シリコン基板
２  Ｎ−シリコン層
３ａ  第１のガードリング領域
３ｂ  第２のガードリング領域
４  酸化膜
４Ｓ  ＣＶＤ酸化膜
５  ショットキーメタル
６  表面電極メタル
７  裏面電極メタル
８  レジスト
【図１】
2009246204.tif 000003
【図２】
2009246204.tif 000004
【図３】
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【図４】
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