(57)【要約】【課題】アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置において狭額縁化と共通電極電位の面内均一性向上とを達成可能とする。【解決手段】アレイ基板ＡＳは、一方の主面に表示領域と周辺領域とが規定される絶縁基板ＳＵＢと、表示領域と周辺領域のうち表示領域に隣接した部分とを被覆した有機平坦化層ＰＬと、周辺領域上に形成されると共に少なくとも一部が平坦化層ＰＬによって被覆された走査信号線ドライバＹＤＲと、平坦化層ＰＬ上であって表示領域に対応した位置で配列した画素電極ＰＥと、平坦化層ＰＬを間に挟んで走査信号線ドライバＹＤＲと向き合ったコンタクト配線ＣＬと、画素電極ＰＥを被覆すると共に有機発光層を含んだ活性層ＡＬと、活性層ＡＬを被覆すると共にコンタクト配線ＣＬに接続された光透過性の共通電極ＣＥとを備えている。【選択図】      図３
2009059531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に表示領域とこれを取り囲んだ枠形状の周辺領域とが規定される絶縁基板と、前記表示領域と前記周辺領域のうち前記表示領域に隣接した部分とを被覆した有機平坦化層と、前記表示領域と前記有機平坦化層との間でマトリクス状に配列した複数の画素回路と、前記周辺領域上に形成されると共に少なくとも一部が前記有機平坦化層によって被覆された走査信号線ドライバと、前記有機平坦化層上であって前記表示領域に対応した位置で配列すると共に前記複数の画素回路にそれぞれ接続された複数の画素電極と、前記有機平坦化層を間に挟んで前記走査信号線ドライバと向き合ったコンタクト配線と、前記有機平坦化層のうち前記複数の画素電極間の領域に対応した部分を被覆した隔壁絶縁層と、前記複数の画素電極をそれぞれ被覆すると共に各々が有機発光層を含んだ複数の活性層と、前記複数の活性層及び前記隔壁絶縁層を被覆すると共に前記コンタクト配線に接続された光透過性の共通電極とを備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記共通電極側の主面と向き合った封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記有機平坦化層を取り囲んだ枠形状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記封止基板の前記アレイ基板と向き合った主面は第１部分とこれを取り囲んだ枠形状の第２部分とを含み、前記第１部分は前記第２部分に対して凹んでおり、前記絶縁基板の前記主面への前記第２部分の正射影は前記絶縁基板の前記主面への前記有機平坦化層の正射影を取り囲んでいることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機平坦化層にはこれを前記表示領域と向き合った第１部分と前記走査信号線ドライバと向き合った第２部分とに分割する溝が設けられており、前記第１部分の前記封止基板と向き合った主面及び前記溝の側壁を構成している端面は前記共通電極で被覆されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置が記載されている。この表示装置は、マトリクス状に配列した複数の有機ＥＬ素子を含んでいる。これら有機ＥＬ素子の上部電極は、互いに電気的に接続されており、共通電極を形成している。
【０００３】
上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の上部電極は、光透過率が高いことが望まれる。しかしながら、一般に、光透過率が高い電極は、シート抵抗が大きい。そのため、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置では、共通電極電位の面内均一性が不十分となり易い。
【０００４】
また、有機ＥＬ表示装置では、表示領域に対する周辺領域の面積比はより小さいことが望まれる。この狭額縁化の要求は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置において、画素回路を形成した基板上に走査信号線ドライバを更に形成する場合に特に大きい。
【特許文献１】特開２００６−１００１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置において狭額縁化と共通電極電位の面内均一性向上とを達成可能とする技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面によると、一方の主面に表示領域とこれを取り囲んだ枠形状の周辺領域とが規定される絶縁基板と、前記表示領域と前記周辺領域のうち前記表示領域に隣接した部分とを被覆した有機平坦化層と、前記表示領域と前記有機平坦化層との間でマトリクス状に配列した複数の画素回路と、前記周辺領域上に形成されると共に少なくとも一部が前記有機平坦化層によって被覆された走査信号線ドライバと、前記有機平坦化層上であって前記表示領域に対応した位置で配列すると共に前記複数の画素回路にそれぞれ接続された複数の画素電極と、前記有機平坦化層を間に挟んで前記走査信号線ドライバと向き合ったコンタクト配線と、前記有機平坦化層のうち前記複数の画素電極間の領域に対応した部分を被覆した隔壁絶縁層と、前記複数の画素電極をそれぞれ被覆すると共に各々が有機発光層を含んだ複数の活性層と、前記複数の活性層及び前記隔壁絶縁層を被覆すると共に前記コンタクト配線に接続された光透過性の共通電極とを備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記共通電極側の主面と向き合った封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板との間に介在すると共に前記有機平坦化層を取り囲んだ枠形状のシール層とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置において狭額縁化と共通電極電位の面内均一性向上とを達成可能とする技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置が含んでいる表示パネルの一部を概略的に示す断面図である。図３は、図１に示す有機ＥＬ表示装置が含んでいる表示パネルの他の部分を概略的に示す断面図である。図４は、図２及び図３に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。図５は、図４に示すアレイ基板の表示領域の等価回路図である。
【００１０】
図１に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式を採用した上面発光型有機ＥＬ表示装置である。この表示装置は、表示パネルＤＰとテープキャリアパッケージＴＣＰとプリント回路基板ＰＣＢとを含んでいる。
【００１１】
表示パネルＤＰは、図１乃至図３に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、シール層ＳＳを介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。
【００１２】
アレイ基板ＡＳは、図２乃至図４に示す絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢは、例えばガラス基板である。
【００１３】
なお、図１及び図４において、破線は、表示領域ＡＡと、それを取り囲む周辺領域ＰＡとの境界を示している。表示領域ＡＡ及び周辺領域ＰＡ上には、それぞれ、後述する画素ＰＸ及び走査信号線ドライバＹＤＲが配置されている。
【００１４】
基板ＳＵＢ上には、図２に示すアンダーコート層ＵＣが形成されている。アンダーコート層ＵＣは、例えば、基板ＳＵＢ上に、シリコン窒化物層とシリコン酸化物層とをこの順に積層してなる。
【００１５】
アンダーコート層ＵＣ上には、例えば不純物を含有したポリシリコンからなる半導体パターンが形成されている。この半導体パターンの一部は、半導体層ＳＣとして利用している。半導体層ＳＣには、ソース及びドレインとして利用する不純物拡散領域が形成されている。また、この半導体パターンの他の一部は、後述するキャパシタの下部電極として利用している。
【００１６】
半導体パターンは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成することができる。
【００１７】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、図５に示す走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２などの下層配線が形成されている。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、画素ＰＸの行に沿ったＸ方向に延びており、画素ＰＸの列に沿ったＹ方向に交互に配列している。走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、例えばＭｏＷからなる。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに垂直な方向である。
【００１８】
ゲート絶縁膜ＧＩ上には、キャパシタの上部電極が更に配置されている。これら上部電極は、上述した下部電極と向き合っている。上部電極は、例えばＭｏＷからなり、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２と同一の工程で形成することができる。
【００１９】
下層配線及び上部電極を含んだ第１導体パターンは、図２に示す半導体層ＳＣと交差している。これらの交差部は、表示領域ＡＡ上では、図５に示す画素ＰＸのトランジスタを構成し、周辺領域ＰＡ上では、図３及び図４に示す走査信号線ドライバＹＤＲのトランジスタを構成している。
【００２０】
具体的には、走査信号線ＳＬ１と半導体層ＳＣとの交差部は、図２及び図５に示すスイッチングトランジスタＳＷａを構成している。走査信号線ＳＬ２と半導体層ＳＣとの交差部は、図５に示すスイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを構成している。また、先に説明した下部電極と上部電極とそれらの間に介在した絶縁膜ＧＩとは、図５に示すキャパシタＣを構成している。上部電極は、キャパシタＣからＺ方向に垂直な方向に突き出た突出部を含んでおり、この突出部と半導体層ＳＣとは交差している。この交差部は、図５に示す駆動トランジスタＤＲを構成している。
【００２１】
なお、この例では、画素ＰＸ及び走査信号線ドライバＹＤＲが含んでいるトランジスタは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。また、図２に参照符号Ｇで示す部分は、スイッチングトランジスタＳＷａのゲートである。
【００２２】
ゲート絶縁膜ＧＩ及び第１導体パターンは、図２に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えばプラズマＣＶＤ法により堆積させたシリコン酸化物からなる。
【００２３】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図５に示す映像信号線ＤＬ及び電源線ＰＳＬなどの上層配線が形成されている。映像信号線ＤＬは、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。電源線ＰＳＬは、例えば、Ｙ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上には、図２に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが更に形成されている。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、画素ＰＸの各々において素子同士を接続している。
【００２５】
映像信号線ＤＬと電源線ＰＳＬとソース電極ＳＥとドレイン電極ＤＥとを含む第２導体パターンは、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。これらは、同一工程で形成可能である。
【００２６】
第２導体パターンは、パッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳには、スイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されたドレイン電極ＤＥに対応した位置などに貫通孔が形成されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばシリコン窒化物からなる。
【００２７】
パッシベーション膜ＰＳは、図２及び図３に示す有機平坦化層ＰＬで被覆されている。具体的には、平坦化層ＰＬは、パッシベーション膜ＰＳのうち、表示領域ＡＡ上に位置した部分と、これに隣接した部分とを被覆している。平坦化層ＰＬの各辺は、基板ＳＵＢの辺から離れて位置している。また、平坦化層ＰＬは、走査信号線ドライバＹＤＲのうち、表示領域ＡＡに近い部分のみを被覆し、表示領域ＡＡから遠い部分は被覆していない。平坦化層ＰＬには、パッシベーション膜ＰＳの貫通孔と連続した貫通孔が設けられている。
【００２８】
平坦化層ＰＬ上には、画素電極ＰＥが、画素ＰＸに対応して配置されている。画素電極ＰＥは、表示領域ＡＡ上で配列している。これら画素電極ＰＥは、光反射性の背面電極である。本態様では、画素電極ＰＥは陽極である。各画素電極ＰＥは、平坦化層ＰＬ及びパッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極はスイッチングトランジスタＳＷａのドレインに接続されている。
【００２９】
画素電極ＰＥは、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。例えば、画素電極ＰＥとして、金属層、透明導電体層、又は金属層と透明導電体層との積層体を使用することができる。金属層の材料としては、例えば、アルミニウム、銀又はそれらの合金を使用することができる。透明導電体層の材料としては、例えば、インジウム錫酸化物などの透明導電性酸化物を使用することができる。なお、画素電極ＰＥとして透明導電体層を使用する場合、典型的には、画素電極ＰＥの背面側に反射層を設置する。また、画素電極ＰＥとして金属層と透明導電体層との積層体を使用する場合、金属層は、透明導電体層と平坦化層ＰＬとの間に設置する。
【００３０】
図４に示すように、平坦化層ＰＬ上には、一対のコンタクト配線ＣＬが更に配置されている。これらコンタクト配線ＣＬは、周辺領域ＰＡ上に位置している。コンタクト配線ＣＬは、図３に示すように、平坦化層ＰＬを間に挟んで走査信号線ドライバＹＤＲと向き合っている。コンタクト配線ＣＬは、走査信号線ドライバＹＤＲから電気的に絶縁されている。各コンタクト配線ＣＬは、例えば、図１に示すテープキャリアパッケージＴＣＰと電気的に接続する。
【００３１】
コンタクト配線ＣＬは、画素電極ＰＥが金属又は合金からなる単層構造を有している場合には、例えば、画素電極ＰＥと同一の材料からなる。コンタクト配線ＣＬは、画素電極ＰＥが透明導電体からなる単層構造を有している場合には、例えば、画素電極ＰＥと同一の材料からなるか、又は、画素電極ＰＥの背面側に設置する反射層と同一の材料からなる。画素電極ＰＥが多層構造を有している場合には、コンタクト配線ＣＬは、例えば、画素電極ＰＥと同一の構成を採用するか、又は、画素電極ＰＥの一部と同一の構成を採用する。
【００３２】
図２に示すパッシベーション膜ＰＳ上には、更に、絶縁樹脂層である隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、図２及び図３に示すように、画素電極ＰＥに対応した位置に開口が設けられている。これら開口は、例えば、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であるか、或いは、画素電極ＰＥが形成する列に対応して配列したスリットである。ここでは、一例として、先の開口は、画素電極ＰＥに対応して配列した貫通孔であることとする。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３３】
各画素電極ＰＥ上には、活性層ＡＬが形成されている。活性層ＡＬが含んでいる各層は、画素ＰＸに対応してパターニングされていてもよい。或いは、活性層ＡＬが含んでいる各層は、画素ＰＸ間で繋がっていてもよい。
【００３４】
活性層ＡＬは、有機発光層を含んでいる。活性層ＡＬは、発光層に加え、正孔輸送層及び電子輸送層の少なくとも一方を更に含むことができる。
【００３５】
隔壁絶縁層ＰＩ及び活性層ＡＬは、共通電極ＣＥで被覆されている。共通電極ＣＥは、可視光透過性の前面電極である。また、本態様では、共通電極ＣＥは陰極である。
【００３６】
共通電極ＣＥは、図３に示すように、コンタクト配線ＣＬと、平坦化層ＰＬのうちコンタクト配線ＣＬと隔壁絶縁層ＰＩとの間の領域に対応した部分とを更に被覆している。即ち、共通電極ＣＥは、コンタクト配線ＣＬを介して、例えばテープキャリアパッケージＴＣＰと電気的に接続され得る。
【００３７】
各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図２及び図３に示すように、画素電極ＰＥと、活性層ＡＬと、共通電極ＣＥとを含んでいる。なお、発光層と正孔輸送層との間には、電子ブロッキング層を挿入してもよい。発光層と電子輸送層との間には、正孔ブロッキング層を挿入してもよい。また、正孔輸送層と陽極である画素電極ＰＥとの間には、正孔注入層を挿入してもよい。電子輸送層と陰極である共通電極ＣＥとの間には、電子注入層を挿入してもよい。
【００３８】
画素ＰＸの各々は、図５に示すように、駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、この例では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００３９】
駆動トランジスタＤＲと、スイッチングトランジスタＳＷａ乃至ＳＷｃと、キャパシタＣとは、画素回路を構成している。図３に示すＰＣＧは、画素回路群である。
【００４０】
図５に示すように、駆動トランジスタＤＲとスイッチングトランジスタＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。この例では、電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００４１】
スイッチングトランジスタＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｂは、映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。スイッチングトランジスタＳＷｃは、駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。
【００４２】
キャパシタＣは、駆動トランジスタＤＲのゲートと定電位端子ＮＤ１’との間に接続されている。この例では、定電位端子ＮＤ１’は、電源端子ＮＤ１に接続されている。
【００４３】
封止基板ＣＳは、図１乃至図３に示すように、アレイ基板ＡＳと向き合っている。具体的には、封止基板ＣＳは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを間に挟んで基板ＳＵＢと向き合っている。封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。
【００４４】
封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳと向き合った主面は、図３に示すように、第１部分Ｐ１とこれを取り囲んだ第２部分Ｐ２とを含んでいる。第１部分Ｐ１は、第２部分Ｐ２に対して凹んでいる。絶縁基板ＳＵＢの封止基板ＣＳとの対向面への第２部分Ｐ２の正射影は、この対向面への平坦化層ＰＬの正射影を取り囲んでいる。
【００４５】
シール層ＳＳは、図３に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間に介在している。シール層ＳＳは、周辺領域ＰＡ上に位置しており、枠形状を有している。シール層ＳＳの材料としては、例えば、接着剤を使用することができる。
【００４６】
アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとは、気密な中空体を形成している。この空間は、例えば、真空とするか又は不活性ガスで満たす。
【００４７】
走査信号線ドライバＹＤＲは、図３及び図４に示すように、アレイ基板ＡＳに搭載されている。走査信号線ドライバＹＤＲは、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２にそれぞれ第１及び第２走査信号を電圧信号として出力する。
【００４８】
図１に示すテープキャリアパッケージＴＣＰは、フレキシブルプリント回路基板と、これに搭載された映像信号線ドライバとを含んでいる。映像信号線ドライバは、フレキシブルプリント回路基板に搭載する代わりに、アレイ基板ＡＳに搭載してもよい。
【００４９】
フレキシブルプリント回路基板の配線は、アレイ基板ＡＳ及びプリント回路基板ＰＣＢの外部接続端子と接続されている。映像信号線ドライバには、フレキシブルプリント回路基板の配線を介して、図５に示す映像信号線ＤＬが接続されている。この例では、映像信号線ドライバには、電源線ＰＳＬが更に接続されている。映像信号線ドライバは、映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力すると共に、電源線ＰＳＬに電源電圧を供給する。
【００５０】
図１に示すプリント回路基板は、コントローラ及び電源回路などを搭載している。これらが出力する信号及び電力の一部は、プリント回路基板及びフレキシブルプリント回路基板の配線を介して、映像信号線ドライバに供給される。コントローラ及び電源回路などが出力する信号及び電力の他の一部は、プリント回路基板及びフレキシブルプリント回路基板などの配線を介して、図３及び図４に示す走査信号線ドライバＹＤＲ及びコンタクト配線ＣＬに供給される。
【００５１】
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に順次選択する。或る行を選択している選択期間では、その選択している行の画素ＰＸに対して書込動作を行う。そして、非選択期間では、その非選択中の行の画素ＰＸで表示動作を行う。
【００５２】
具体的には、或る行を選択する選択期間では、まず、走査信号線ドライバＹＤＲから、その行が含む画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを開く（非導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる（導通状態とする）走査信号を電圧信号として出力する。この状態で、映像信号線ドライバＹＤＲから、映像信号線ＤＬに、映像信号を電流信号（書込電流）Ｉsigとして出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsを、先の映像信号Ｉsigに対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号を電圧信号として出力する。続いて、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。これにより、選択期間を終了する。
【００５３】
選択期間に続く非選択期間では、走査信号線ドライバＹＤＲから、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチングトランジスタＳＷａを閉じる走査信号を電圧信号として出力する。スイッチングトランジスタＳＷａは閉じたままとし、スイッチングトランジスタＳＷｂ及びＳＷｃは開いたままとする。非選択期間では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧Ｖgsに対応した大きさの駆動電流Ｉdrvが流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流Ｉdrvの大きさに対応した輝度で発光する。
【００５４】
この有機ＥＬ表示装置では、図３及び図４に示すコンタクト配線ＣＬを介して、共通電極ＣＥに電力を供給する。コンタクト配線ＣＬは、図１及び図４に示す周辺領域ＰＡ上に配置されているので、コンタクト配線ＣＬを表示領域ＡＡ上に配置した場合と比較して幅広に形成することができる。例えば、周辺領域ＰＡ上には、幅が数１００μｍのコンタクト配線ＣＬを形成することができる。それゆえ、コンタクト配線ＣＬを周辺領域ＰＡ上に配置した場合、コンタクト配線ＣＬを表示領域ＡＡ上に配置した場合と比較して、コンタクト配線ＣＬの電気抵抗に起因した電圧降下を小さくすることができる。従って、この構造を採用すると、共通電極ＣＥの電位の面内均一性が不十分となるのを防止できる。
【００５５】
また、この有機ＥＬ表示装置では、平坦化層ＰＬ上にコンタクト配線ＣＬを配置している。以下に説明するように、この構造を採用した場合、平坦化層ＰＬと絶縁基板ＳＵＢとの間にコンタクト配線ＣＬを配置した場合と比較して、表示領域ＡＡに対する周辺領域ＰＡの面積比をより小さくすることができる。
【００５６】
図６は、比較例に係る表示パネルを概略的に示す断面図である。図７は、図６に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図である。
【００５７】
この表示パネルＤＰは、以下の構成を採用したこと以外は、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰとほぼ同様である。即ち、この表示パネルＤＰでは、図６に示すように、コンタクト配線ＣＬを平坦化層ＰＬと絶縁基板ＳＵＢとの間に配置している。そして、コンタクト配線ＣＬが画素回路群ＰＣＧ又は走査信号線ドライバＹＤＲと電気的に接続されるのを防ぐため、図６に示すように、各コンタクト配線ＣＬを、画素回路群ＰＣＧ及び走査信号線ドライバＹＤＲから十分に離間させている。換言すれば、図７に示すように、各コンタクト配線ＣＬを、表示領域ＡＡ及び走査信号線ドライバＹＤＲから十分に離間させている。そして、この表示パネルＤＰは、共通電極ＣＥとコンタクト配線ＣＬとの間に平坦化層ＰＬが介在しているので、平坦化層ＰＬに貫通孔を設け、これら貫通孔を介して共通電極ＣＥをコンタクト配線ＣＬに接続している。
【００５８】
このように、図６に示す表示パネルＤＰでは、コンタクト配線ＣＬは、画素回路群ＰＣＧ及び走査信号線ドライバＹＤＲとＸ方向に隣り合っている。他方、図３に示す表示パネルＤＰでは、コンタクト配線ＣＬは、走査信号線ドライバＹＤＲとはＺ方向に隣り合っている。そして、それらが電気的に接続されるのを確実に防止するためには、それらを互いから例えば数１００μｍ以上離間させることが望ましい。それゆえ、図４及び図７の対比から明らかなように、図１乃至図５を参照しながら説明した構造を採用すると、図６及び図７を参照しながら説明した構造を採用した場合と比較して、Ｘ方向に関する表示領域ＡＡから絶縁基板ＳＵＢの縁までの距離をより短くすること、例えば４００μｍ乃至５００μｍ程度短くすることができる。即ち、図１乃至図５を参照しながら説明した構造を採用すると、図６及び図７を参照しながら説明した構造を採用した場合と比較して、表示領域ＡＡに対する周辺領域ＰＡの面積比をより小さくすることができる。
【００５９】
また、上記の通り、図１乃至図５を参照しながら説明した有機ＥＬ表示装置では、図３に示すように、封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳと向き合った主面は、第１部分Ｐ１とこれを取り囲んだ第２部分Ｐ２とを含んでいる。第１部分Ｐ１は、第２部分Ｐ２に対して凹んでいる。絶縁基板ＳＵＢの封止基板ＣＳとの対向面への第２部分Ｐ２の正射影は、この対向面への平坦化層ＰＬの正射影を取り囲んでいる。この構造を採用すると、大気中の水分に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を生じ難い。これについて、図３と図６とを対比しながら説明する。
【００６０】
図３及び図６に示す表示パネルＤＰでは、大気中の水分が、シール層ＳＳを介して、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間内に侵入する可能性がある。活性層ＡＬなどに水分が侵入すると、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが劣化する。
【００６１】
平坦化層ＰＬは、水分を取り込み易い。そして、平坦化層ＰＬに取り込まれた水分は、平坦化層ＰＬ内で速やかに拡散する。従って、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による劣化を抑制するには、平坦化層ＰＬへの水分の侵入を抑制することが効果的である。
【００６２】
図６に示す表示パネルＤＰでは、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様に、封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳと向き合った主面は、第１部分Ｐ１とこれを取り囲んだ第２部分Ｐ２とを含んでいる。第１部分Ｐ１は、第２部分Ｐ２に対して凹んでいる。但し、図３の表示パネルＤＰでは、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰとは異なり、絶縁基板ＳＵＢの封止基板ＣＳとの対向面への第２部分Ｐ２の正射影は、この対向面への平坦化層ＰＬの正射影を取り囲んでいない。
【００６３】
図６の構造は、平坦化層ＰＬの縁から封止基板ＣＳまでの距離が短い。そのため、この構造を採用した場合、シール層ＳＳを介してアレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間内に侵入した水分は、共通電極と封止基板ＣＳとの間の空間内に速やかに拡散せずに、長時間に亘って平坦化層ＰＬの縁近傍に滞留する。その結果、平坦化層ＰＬに比較的多量の水分が侵入し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが速やかに劣化する。
【００６４】
これに対し、図３の構造では、平坦化層ＰＬの縁から封止基板ＣＳまでの距離が比較的長い。そのため、この構造を採用した場合、シール層ＳＳを介してアレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層ＳＳとに囲まれた空間内に侵入した水分は、共通電極と封止基板ＣＳとの間の空間内に速やかに拡散する。従って、図１乃至図５を参照しながら説明した有機ＥＬ表示装置は、大気中の水分に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を生じ難い。
【００６５】
この有機ＥＬ表示装置には、様々な変形が可能である。  
例えば、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電流信号を書き込む構成を採用する代わりに、有機ＥＬ表示装置に映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。また、表示パネルＤＰに、図８に示す構造を採用してもよい。
【００６６】
図８は、図３に示す表示パネルの一変形例を概略的に示す断面図である。  
図８に示す表示パネルＤＰでは、平坦化層ＰＬに、これを表示領域ＡＡ（又は画素回路群ＰＣＧ）と向き合った第１部分と走査信号線ドライバＹＤＲと向き合った第２部分とに分割する溝が設けられている。第１部分の封止基板ＣＳと向き合った主面及び溝の側壁を構成している端面は、共通電極ＣＳで被覆されている。これ以外は、図８に示す表示パネルＤＰは、図１乃至図５を参照しながら説明した表示パネルＤＰと同様である。
【００６７】
この構造では、上記の通り、共通電極ＣＳが溝の側壁を被覆しているので、第１部分への水分の侵入が生じ難い。従って、図８に示す構造を採用すると、図３に示す構造を採用した場合と比較して、大気中の水分に起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化をより生じ難くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置が含んでいる表示パネルの一部を概略的に示す断面図。
【図３】図１に示す有機ＥＬ表示装置が含んでいる表示パネルの他の部分を概略的に示す断面図。
【図４】図２及び図３に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図５】図４に示すアレイ基板の表示領域の等価回路図。
【図６】比較例に係る表示パネルを概略的に示す断面図。
【図７】図６に示す表示パネルが含んでいるアレイ基板を概略的に示す平面図。
【図８】図３に示す表示パネルの一変形例を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００６９】
ＡＡ…表示領域、ＡＬ…活性層、ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…共通電極、ＣＬ…コンタクト配線、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、Ｇ…ゲート、ＧＩ…絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、Ｐ１…第１部分、Ｐ２…第２部分、ＰＡ…周辺領域、ＰＣＢ…プリント回路基板、ＰＣＧ…画素回路群、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＬ…有機平坦化層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＳ…シール層、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｂ…スイッチングトランジスタ、ＳＷｃ…スイッチングトランジスタ、ＴＣＰ…テープキャリアパッケージ、ＵＣ…アンダーコート層、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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