(57)【要約】【課題】カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンにダメージを与えずに、付着した不純物を簡便に除去すること。【解決手段】カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、少なくとも１分間、２０℃以上としたジメチルアセトアミド等の非プロトン性有機溶媒で洗浄して不純物を除去した後（ステップＳ１）、該洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記非プロトン性有機溶媒を洗浄して除去する（ステップＳ２）。【選択図】図１
2009035460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、
合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、少なくとも１分間、２０℃以上とした非プロトン性有機溶媒で洗浄して不純物を除去する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記非プロトン性有機溶媒を洗浄して除去するリンス工程と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【請求項２】
上記洗浄工程は、上記非プロトン性有機溶媒での洗浄を、等時間ずつ複数回、合計で上記少なくとも１分間行うことを特徴とする請求項１に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【請求項３】
上記非プロトン性有機溶媒は、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、の何れかであることを特徴とする請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【請求項４】
上記複数回の非プロトン性有機溶媒による洗浄の内、少なくとも１回の洗浄では、上記非プロトン性有機溶媒としてジメチルアセトアミドを使用し、その他の回数の洗浄では、上記非プロトン性有機溶媒としてジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、の何れかを使用することを特徴とする請求項２に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【請求項５】
上記リンス工程は、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、アセトン、の何れかを使用して上記非プロトン性有機溶媒を除去することを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンから不純物を除去して高純度化するためのカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブは、非特許文献１に示すように１９９１年に発見されたものであり、近年、そのようなカーボンナノチューブに代表されるナノカーボン材料には、様々な応用が期待されている。
【０００３】
例えば、電位窓が広いことを利用して、チャネル部分にナノ炭素材料を用いた電界効果トランジスタは、トランジスタのゲート部分に付着した蛋白質やＤＮＡを検知するバイオセンサとしての応用が期待されている。チャネルに用いる炭素材料は、ナノカーボン、とくにカーボンナノチューブやカーボンナノワイヤが有望である。
【０００４】
この様なナノカーボン材料は他にも、燃料電池の電極、キャパシタ、ドラッグデリバリシステム（ＤＤＳ）、イメージング（ＤＤＳによるＭＲＩ等の造影剤の輸送）、水素やメタンの貯蔵、触媒担体、フィールドエミッション、不安定な分子の保存、電子顕微鏡観察に用いるナノサイズの試験管など、幅広い用途が期待されている。電子顕微鏡観察に用いるナノサイズの試験管はカーボンナノチューブの内部に不安定な物質を入れて固定して電子顕微鏡で観察する技術である。ナノチューブ内部では分子の動きが制限され、また、電子線によるダメージも緩和されるため、電子顕微鏡観察が難しい物質も観察でき、さらに原子の動きも観察することが可能となる。また、カーボンナノホーンはカーボンナノチューブに比較して太いので、被貯蔵物、被保存物をその中に入れ易く、更には、そのサイズが上記イメージングの際に望まれる造影剤の量に合致するため、特にそのような用途に適している。
【０００５】
しかし、ナノカーボン材料は、合成するときの収率が高くなく、アモルファスカーボンやピッチといった不純物が多く含まれてしまう。
【０００６】
これらの不純物は、ナノカーボン材料の応用の障害となる。
【０００７】
例えば、燃料電池の電極やキャパシタやフィールドエミッションに用いる場合、ナノカーボン材料を覆った不純物は電極のパフォーマンスを低下させてしまう。
【０００８】
また、ＤＤＳやイメージングに用いる場合は、ナノカーボン材料を医薬品として用いるため高純度であることが必須である。
【０００９】
水素やメタンの貯蔵材や触媒担体としての利用も、不純物はナノカーボン材料の細孔性を悪化させ、貯蔵能や触媒能を低下させる。
【００１０】
不安定な分子の保存には、ナノカーボンの細孔の内部で安定に保存が可能であるが（例えばカーボンナノチューブの中のポリイン等）、不純物はそれらの物質を細孔の中に入れるとき障害になり得る。
【００１１】
また、バイオセンサとして用いる場合、電界効果トランジスタの原理を利用したバイオセンサ（この場合、ナノカーボン材料はチャネルとして用いる）では、この不純物が電界効果トランジスタの特性を低下させるという問題があった。また、付着した不純物はトランジスタの特性にヒステリシスを生じさせ、さらにバックグランドノイズを大きくするという問題もある。電気化学的に酸化還元電位を測ることでセンシングするバイオセンサ（この場合ナノカーボン材料は電極）では、電極としての特性を低下させるという問題があった。
【００１２】
ナノカーボン材料に付着した不純物の除去方法としては、酸やアルカリで洗浄する、不活性ガスもしくは真空中で１０００度以上の高温で不純物を昇華させる、低温で不純物を燃焼させる、などの方法が一般的である。
【非特許文献１】S.Iijima、 Nature Vol. 354 p.56 (1991)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来の不純物の除去方法は、どれも簡便ではなく、また、処理によってナノカーボン材料にダメージが与えられたり収量が少なくなるという欠点があった。
【００１４】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたもので、（主に合成時に）カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着した不純物を、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンにダメージを与えないで簡便に除去することが可能なカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法の一態様は、
カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、
合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、少なくとも１分間、２０℃以上とした非プロトン性有機溶媒で洗浄して不純物を除去する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記非プロトン性有機溶媒を洗浄して除去するリンス工程と、
を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、（主に合成時に）カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着した不純物を、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンにダメージを与えないで簡便に除去することが可能なカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照して説明する。
【００１８】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法のフローチャートを示す図である。
【００１９】
本第１実施形態においては、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、１分間、２０℃以上とした非プロトン性有機溶媒であるジメチルアセトアミド（以下、ＤＭＡＣと略記する）にて洗浄して不純物を除去する洗浄工程（ステップＳ１）と、上記洗浄工程で洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記ＤＭＡＣを洗浄して除去するリンス工程（ステップＳ２）と、を含む。
【００２０】
ここで、上記ステップＳ１の洗浄工程の条件は、以下のような発明者の実験結果に基づくものである。
【００２１】
即ち、実験のために、まず、図２に示すようなカーボンナノチューブ−電界効果トランジスタ（以下、ＣＮＴ−ＦＥＴと略記する）を作成した。これは、酸化処理によって１ｃｍ角のシリコン基板１上に酸化膜２を構築し、フォトレジストの手法で所定の位置にそれぞれ触媒金属３としてＦｅ／Ｍｏを３０ｎｍ／１００ｎｍの厚さに蒸着した。この基板１を酸素中６００度の加熱処理の後、エタノールＣＶＤ法によって、触媒金属３間をカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）４でコネクトさせた。そして、この基板１に電極５を構築し、ＣＮＴ−ＦＥＴを構成した。なお、エタノールＣＶＤの条件は、エタノール／Ａｒ７５０ｃｃ／ｍｉｎ．水素５００ｃｃ／ｍｉｎ．の混合気流中で９００度、１０分であった。
【００２２】
その後、上記ＣＮＴ−ＦＥＴを１００ｍＬのＤＭＡＣ中に５分間浸漬した後、イソプロピルアルコールと水でリンスして乾燥させた。なお、上記５分間という時間及びリンス用のイソプロピルアルコールは、通常の半導体製造工程などで一般に使用される時間及び材料であるので、採用したものである。
【００２３】
そして、上記洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴと洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴの各種特性を測定した。
【００２４】
図３Ａは、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴのＶｄ−Ｉｄ特性を示す図であり、図３Ｂは、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴのＶｄ−Ｉｄ特性を示す図である。図３Ａに示すように、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴでは、ゲート電圧の変化に対してほとんど変化しないのに対して、図３Ｂに示すように、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴでは、Ｖｄ−Ｉｄ特性がゲート電圧の変化に対して敏感に変化した。
【００２５】
図４Ａは、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴのＶｇ−Ｉｄ特性を示す図であり、図４Ｂは、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴのＶｇ−Ｉｄ特性を示す図である。図４Ａに示すように、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴでは、Ｖｇ−Ｉｄ特性がゲート電圧の変化に対してほとんど変化しないのに対して、図４Ｂに示すように、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴでは、Ｖｇ−Ｉｄ特性がゲート電圧の変化に対して敏感に変化した。
【００２６】
図５Ａは、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴのラマン分光測定の結果を示す図であり、図５Ｂは、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴのラマン分光測定の結果を示す図である。１００ｃｍ−１付近のピークの存在から、ともに単層カーボンナノチューブであると示唆される。
【００２７】
図５Ａに示すように、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴでは、Ｄバンド（１３５０ｃｍ−１）付近とＧバンド（１６００ｃｍ−１）付近のピークの大きさに差がない。Ｄバンド付近のピークは、ディフェクテイブな炭素の存在を示すため、カーボンナノチューブにアモルファスカーボンなどの不純物が付着していることが示唆される。
【００２８】
これに対して、図５Ｂに示すように、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴでは、Ｄバンド付近のピークが小さくなり、グラフェンシートの構造を反映するＧバンド付近のピーク（ここではカーボンナノチューブの存在）が顕著になる。これは、カーボンナノチューブに付着していた不純物が洗浄処理によって除去されたことを示す。
【００２９】
このように、洗浄による効果が確認できたので、ジメチルスルホキシド（以下、ＤＭＳＯと略記する）、ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略記する）、ヘキサメチルリン酸トリアミド、等のＤＭＡＣ以外の非プロトン性有機溶媒を使用して、洗浄を行い、洗浄前後のＣＮＴ−ＦＥＴの特性を測定したところ、ＤＭＡＣを使用した場合よりは効果は劣るものの、同様の効果が確認された。
【００３０】
また、カーボンナノチューブではなく、カーボンナノホーンについても同様にカーボンナノホーン−ＦＥＴを形成し実験を行ったが、結果にほとんど差が見られなかった。
【００３１】
以上のように、ＤＭＡＣでの洗浄が最適であることが確認されたので、次に、実際の製造方法に適用できるように、温度と時間の条件について実験を行った。
【００３２】
図６は、上記のようなＣＮＴ−ＦＥＴを用いて行ったＤＭＡＣの温度に対する洗浄効果の測定結果を示す図である。なお、ＤＭＡＣの引火点は約６０℃であり、安全のため実際の製造工程で使用されるはずもないので、ここでは５０℃までの測定に留めた。図６において、縦軸はラマン分光のＧバンド（１６００ｃｍ−１）のピークの面積とＤバンド（１３５０ｃｍ−１）のピークの面積の比率（Ｇ／Ｄバンド比）である。なお、Ｇ／Ｄバンド比は、図５Ａの場合はおよそ１であり、図５Ｂの場合で５程度である。
【００３３】
図６に示すように、洗浄は極端な低温でなければ効果が得られるが、２０℃より温度を上げてもそれほど効果は増大しない。従って、２０℃程度の温度としたＤＭＡＣを使用することが好ましいことが判明した。
【００３４】
また、図７は、上記のようなＣＮＴ−ＦＥＴを用いて行ったＤＭＡＣによる洗浄時間に対する洗浄効果の測定結果を示す図である。同図に示すように、洗浄は長時間行ってもそれほど効果は大きくならず、少なくとも１分間程度、洗浄すれば十分な効果が得られることが判明した。
【００３５】
以上の結果より、本第１実施形態においては、上記ステップＳ１の洗浄工程で、少なくとも１分間、２０℃以上としたＤＭＡＣにて洗浄して不純物を除去するようにしたものである。
【００３６】
なお、ＣＮＴ−ＦＥＴやカーボンナノホーン−ＦＥＴでは、基板１上にＣＶＤなどの手法で成長させたＣＮＴ４やカーボンナノホーンを基板１のままＤＭＡＣに浸漬することで洗浄する。
【００３７】
また、別の手法で合成されたカーボンナノチューブやカーボンナノホーンでは、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの粉末をＤＭＡＣと混合し、撹拌して、ろ過すれば良い。
【００３８】
以上のように、本第１実施形態によれば、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着した不純物を、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンにダメージを与えないで簡便に除去することが可能となる。
【００３９】
その結果、例えば、カーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果トランジスタでは、ゲート電位によるドレイン電流の変化が著しく大きくなる。さらに、素子間の特性の違いが小さくなる。
【００４０】
［第２実施形態］
図８は、本発明の第２実施形態に係るカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法のフローチャートを示す図である。
【００４１】
本第２実施形態においては、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、３０秒間、２０℃以上としたＤＭＡＣにて洗浄して不純物を除去する２回の洗浄工程（ステップＳ３１，Ｓ３２）と、上記洗浄工程で洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記ＤＭＡＣを洗浄して除去するリンス工程（ステップＳ２）と、を含むものである。
【００４２】
この場合、各洗浄工程は、別の洗浄漕に入れられたＤＭＡＣを使用するものとする。即ち、洗浄漕を交換して、綺麗なＤＭＡＣにて洗浄を行うことで、洗浄効果をより一層高めるものである。
【００４３】
また、実際の生産現場を考えた場合、２回の洗浄を異なる時間行うのは非効率的であり、生産性を考えると等時間とすることが好ましい。
【００４４】
なお、ここでは、３０秒ずつ２回としたが、それに限定されるものではなく、２０秒ずつ３回のように、他の時間及び回数であっても良いことは勿論である。但し、等時間ずつ複数回、合計で少なくとも１分間行うことが良い。
【００４５】
［第３実施形態］
図９は、本発明の第３実施形態に係るカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法のフローチャートを示す図である。
【００４６】
本第３実施形態においては、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、３０秒間、２０℃以上としたＤＭＡＣにて洗浄して不純物を除去する洗浄工程（ステップＳ３１）と、上記洗浄工程で洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、更に３０秒間、２０℃以上としたＤＭＳＯにて洗浄して不純物を除去する洗浄工程（ステップＳ３３）と、上記洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記ＤＭＡＣ，ＤＭＳＯを洗浄して除去するリンス工程（ステップＳ２）と、を含むものである。
【００４７】
このように、異なる非プロトン性有機溶媒で洗浄することで、ＤＭＡＣでは除去でなかった不純物を、特性の異なる非プロトン性有機溶媒により除去することができ、洗浄効果をより一層高めることができる。
【００４８】
なお、ステップＳ３３の２回路の洗浄工程では、ＤＭＳＯではなく、ＤＭＦやヘキサメチルリン酸トリアミド等を使用しても良い。
【００４９】
以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【００５０】
例えば、リンス工程は、イソプロピルアルコールを使用するものとして説明したが、エタノール、メタノール、アセトン、の何れかを使用しても良い。
【００５１】
また、洗浄工程の時間、温度、非プロトン性有機溶媒の種類は、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの所望される純度により、他の時間、温度、非プロトン性有機溶媒の種類を採用しても良いことは勿論である。
【００５２】
（付記）
前記の具体的実施形態から、以下のような構成の発明を抽出することができる。
【００５３】
（１）  カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの製造工程において、
合成されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンを、少なくとも１分間、２０℃以上とした非プロトン性有機溶媒で洗浄して不純物を除去する洗浄工程と、
上記洗浄工程で洗浄されたカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着している上記非プロトン性有機溶媒を洗浄して除去するリンス工程と、
を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【００５４】
（対応する実施形態）
この（１）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法に関する実施形態は、第１乃至第３実施形態が対応する。それらの実施形態において、ステップＳ１、Ｓ３１，Ｓ３２、Ｓ３１，Ｓ３３が上記洗浄工程に、ステップＳ２が上記リンス工程に、それぞれ対応する。
【００５５】
（作用効果）
この（１）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法によれば、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンに付着した不純物を、カーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンにダメージを与えないで簡便に除去することが可能となる。
【００５６】
（２）  上記洗浄工程は、上記非プロトン性有機溶媒での洗浄を、等時間ずつ複数回、合計で上記少なくとも１分間行うことを特徴とする（１）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【００５７】
（対応する実施形態）
この（２）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法に関する実施形態は、第２及び第３実施形態が対応する。それらの実施形態において、ステップＳ３１，Ｓ３２又はＳ３１，Ｓ３３が上記洗浄工程に対応する。
【００５８】
（作用効果）
この（２）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法によれば、効率的に洗浄を行い、且つ、洗浄効果をより一層高めることができる。
【００５９】
（３）  上記非プロトン性有機溶媒は、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、の何れかであることを特徴とする（１）又は（２）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【００６０】
（対応する実施形態）
この（３）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法に関する実施形態は、第１及び第２実施形態が対応する。
【００６１】
（作用効果）
この（３）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法によれば、不純物を除去することができる。
【００６２】
（４）  上記複数回の非プロトン性有機溶媒による洗浄の内、少なくとも１回の洗浄では、上記非プロトン性有機溶媒としてジメチルアセトアミドを使用し、その他の回数の洗浄では、上記非プロトン性有機溶媒としてジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、の何れかを使用することを特徴とする（２）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【００６３】
（対応する実施形態）
この（４）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法に関する実施形態は、第３実施形態が対応する。その実施形態において、ステップＳ３１が上記少なくとも１回の洗浄に、ステップＳ３３が上記他の回数の洗浄に、それぞれ対応する。
【００６４】
（作用効果）
この（４）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法によれば、異なる非プロトン性有機溶媒で洗浄することで、洗浄効果をより一層高めることができる。
【００６５】
（５）  上記リンス工程は、イソプロピルアルコール、エタノール、メタノール、アセトン、の何れかを使用して上記非プロトン性有機溶媒を除去することを特徴とする（１）乃至（４）の何れかに記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法。
【００６６】
（対応する実施形態）
この（５）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法に関する実施形態は、第１乃至第３実施形態が対応する。
【００６７】
（作用効果）
この（５）に記載のカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法によれば、洗浄で残った非プロトン性有機溶媒を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法のフローチャートを示す図である。
【図２】ＣＮＴ−ＦＥＴの構成を示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴのＶｄ−Ｉｄ特性を示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴのＶｄ−Ｉｄ特性を示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴのＶｇ−Ｉｄ特性を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴのＶｇ−Ｉｄ特性を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、洗浄を行う前のＣＮＴ−ＦＥＴのラマン分光測定の結果を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、洗浄を行ったＣＮＴ−ＦＥＴのラマン分光測定の結果を示す図である。
【図６】図６は、ＣＮＴ−ＦＥＴを用いて行ったＤＭＡＣの温度に対する洗浄効果の測定結果を示す図である。
【図７】図７は、ＣＮＴ−ＦＥＴを用いて行ったＤＭＡＣによる洗浄時間に対する洗浄効果の測定結果を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態に係るカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法のフローチャートを示す図である。
【図９】図９は、本発明の第３実施形態に係るカーボンナノチューブ又はカーボンナノホーンの洗浄方法のフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１…基板、  ２…酸化膜、  ３…触媒金属、  ４…カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、  ５…電極。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
2009035460.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2009035460.tif 000008
【図５Ａ】
2009035460.tif 000009
【図５Ｂ】
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【図６】
2009035460.tif 000011
【図７】
2009035460.tif 000012
【図８】
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【図９】
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