(57)【要約】【課題】スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題の発生を回避しつつ、研磨パッドの交換周期を従来よりも長くすることができる研磨パッド及びその製造方法、研磨装置、並びに研磨方法を提供すること。【解決手段】ベース層１１１と、ベース層１１１の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層１１２とを有し、研磨層１１２が、ベース層１１１とは反対側の第１面（上側の面）に形成された第１溝１１２ａと、ベース層１１１側の第２面（下側の面）に形成され、第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝１１２ｂとを備える研磨パッド１１０ａを用いる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
前記ベース層の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層とを有し、
前記研磨層が、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
前記第１面と前記第２溝との距離は、前記第１溝の深さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記第２溝は、前記研磨層の面方向に前記第１溝と離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層が摩耗して前記第２溝が前記第１面に現れたときの前記第１溝の容積とそのときの前記第２溝の容積との和は、前記研磨層が摩耗する前の前記第１溝の容積以下であることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
摩耗した前記研磨層の前記第１面の面積は、摩耗する前の前記研磨層の前記第１面の面積と同じであることを特徴とする請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項６】
研磨パッドのベース層を用意する工程と、
前記研磨パッドの研磨層を用意する工程と、
前記研磨層の第１面に第１溝を形成する工程と、
前記研磨層の前記第１面とは反対側の第２面に第２溝を形成する工程と、
少なくとも前記第２溝を形成した前記研磨層の前記第２面を前記ベース層に張り合わせる工程と
を有することを特徴とする研磨パッドの製造方法。
【請求項７】
研磨対象物が取り付けられる研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドの下方に配置される研磨定盤と、
前記研磨定盤の上に設けられ、前記研磨ヘッドに取り付けられた研磨対象物を研磨する研磨パッドと、
前記研磨パッドの表面に研磨液を供給する研磨液供給部とを有し、
前記研磨パッドは、前記研磨定盤の上に設けられたベース層と、該ベース層の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層とを有し、
前記研磨層が、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項８】
ベース層と研磨層とが積層された研磨パッドにより研磨対象物を研磨する研磨方法であって、
前記研磨層として、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えた層を用いることを特徴とする研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨液を用いて研磨対象物を研磨するための研磨パッド及びその製造方法、その研磨パッドを備えた研磨装置、並びに研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置のより一層の微細化に伴って、絶縁膜又は導電体膜を成膜したウェハ（半導体基板）の表面を高精度で平坦化することが要求されるようになった。このような要求を満たすために、現在、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）装置が広く使用されている。ＣＭＰ装置は、基板となるシリコンウェハの研磨、ダマシン法による配線形成及び絶縁膜の平坦化など、半導体装置を製造するための種々の工程で使用されている。また、ＣＭＰ装置は、ハードディスク（磁気記録装置）の製造、ＭＣＭ（マルチチップモジュール：ハイブリッド集積回路）の製造及びレンズの研磨等にも使用されている。
【０００３】
図１は半導体装置の製造に使用されるＣＭＰ装置の概要を示す図である。この図１に示すように、ＣＭＰ装置は、プラテン（研磨定盤）１０と、研磨ヘッド１４と、スラリ供給ノズル１５と、コンディショニングディスク１２とを有している。
【０００４】
プラテン１０は回転軸１０ａに固定されていて、回転軸１０ａの回転に伴って回転する。このプラテン１０の上には研磨パッド１１が装着される。研磨パッド１１としては、発泡ポリウレタンのような発泡性の樹脂からなるものが多く用いられている。
【０００５】
研磨ヘッド１４はプラテン１０の上方に配置される。研磨ヘッド１４は下面側でウェハ１３を吸着保持する。研磨ヘッド１４は回転軸１４ａに固定されていて、回転軸１４ａの回転に伴って回転する。
【０００６】
コンディショニングディスク１２もプラテン１０の上方に配置されている。コンディショニングディスク１２は回転軸１２ａに固定されていて、回転軸１２ａの回転に伴って回転する。このコンディショニングディスク１２は、研磨パッド１１の表面を研磨に最適な状態（コンディショニングされた状態）に保つために使用される。コンディショニングディスク１２は、コンディショナー又はドレッサーとも呼ばれ、通常ダイヤモンド砥石からなる。
【０００７】
スラリ供給ノズル１５はチューブ１５ａを介してスラリ供給装置（図示せず）に接続されていて、このスラリ供給ノズル１５から研磨パッド１１上にスラリ（研磨液）１６が滴下される。
【０００８】
研磨パッド１１上に滴下されたスラリ１６は、プラテン１０の回転により研磨パッド１１とウェハ１３との間に供給される。そして、研磨パッド１１とスラリ１６に含まれる研磨剤（研磨粒子）及び薬液とにより、ウェハ１３の表面が機械的及び化学的に研磨される。
【０００９】
図２（ａ）は図１に示すＣＭＰ装置の研磨パッドの一例を示す平面図であり、図２（ｂ）はその研磨パッドのI-I線の部分を示す断面図である。
【００１０】
図２（ａ）に示すように、研磨パッド１１の上側の面（研磨面）には複数の溝１１ａが同心円状に設けられている。また図２（ｂ）に示すように、研磨パッド１１の溝１１ａの断面は矩形状となっている。このような溝１１ａは、パッド１１上の所定の領域（例えば、図１に示すＣＭＰ装置においては、パッド１１の中心領域）に滴下されたスラリ１６をパッド１１全体に均一に供給したり、パッド１１とウェハ１３との間にスラリ１６が介在する状態にするためにスラリ１６を保持したり、研磨処理で生じたウェハ１３やパッド１１の成分からなる研磨屑や、凝集したスラリ１６の研磨粒子などの異物を余分なスラリ１６と共にパッド１１とウェハ１３との間から排出するなどの種々の機能を有している。
【００１１】
下記の特許文献１〜４には、上記の研磨パッドの溝の構造に関する技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１６７９０８号公報
【特許文献２】特開２０００−３５４９５２号公報
【特許文献３】特開２００１−５４８５６号公報
【特許文献４】特開２００６−１８７８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、ＣＭＰ装置においてウェハ１３の研磨処理を続けていくと、研磨パッド１１の上側の面に研磨屑等の異物が詰まることがある。このため、図１に示すコンディショニングディスク１２を用いてパッド１１の上側の面を削り取るという処理（コンディショニング処理）を定期的に行い、パッド１１の上側の面を研磨に最適な状態にすることが必要となる。
【００１３】
しかし、コンディショニング処理を行うことにより、研磨パッド１１が摩耗し、これに伴ってパッド１１の溝１１ａも浅くなる。溝１１ａが浅くなることにより、ウェハ１３に対する研磨レートの面内均一性が悪化したり、溝１１ａから異物が排出されにくくなり、溝１１ａに残った異物によってウェハ１３に研磨傷（スクラッチ）を生じさせたりするなどの問題が発生する。従って、このような研磨処理における問題が発生する前にパッド１１を交換することが好ましい。
【００１４】
研磨パッド１１を交換する周期は、過去の問題発生状況等に基づき、経験的に研磨処理における問題が発生しないと想定される処理枚数で規定されていることが多い。
【００１５】
しかし、研磨パッド１１の摩耗速度はＣＭＰ装置を構成する部材の種類、研磨対象物の種類、研磨処理及びコンディショニング処理の条件等によって異なることから、上述したように規定されたウェハ１３の処理枚数に達していなくても、研磨処理における問題が発生するレベルまで溝１１ａが浅くなっていることがあり、スクラッチ等の問題が発生することがある。
【００１６】
一方、製造現場においては、研磨パッド１１の交換（及びパッド１１交換後に行うプロセス確認）に要する時間が比較的長いことから、ＣＭＰ装置の稼働率を落とさないようにするために、パッド１１の交換周期を少しでも長くしたいという要求がある。
【００１７】
本発明は、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題の発生を回避しつつ、研磨パッドの交換周期を従来よりも長くすることができる研磨パッド及びその製造方法、研磨装置、並びに研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一観点によれば、ベース層と、前記ベース層の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層とを有し、前記研磨層が、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えることを特徴とする研磨パッドが提供される。
【００１９】
本発明によれば、研磨パッドがベース層及び研磨層よりなる積層構造を有していて、上部層となる研磨層の上側の面（第１面）には第１溝が形成され、下側の面（第２面）には第２溝が形成されている。そして、研磨層が一定量摩耗したときに、研磨層の上側の面に第２溝が現れるという構造を有している。つまり、本発明においては、このような第１溝及び第２溝を有することにより、研磨パッドが深い溝を有していることと実質的に同じになる。
【００２０】
これにより、研磨パッドの交換周期を長くすることができる。あるいは、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題を発生しにくくすることができる。すなわち、このような問題の発生を回避しつつ、研磨パッドの交換周期を長くすることが可能となる。
【００２１】
このような本発明において、研磨層の第１面と第２溝との距離は、第１溝の深さよりも小さいことが好ましい。すなわち、研磨層が摩耗して第１溝が完全になくなる前に、研磨層の上側の面に第２溝が現れるという構造にすることが好ましい。
【００２２】
このような構造においては個々の溝（第１溝，第２溝）を深くしなくても済む。単に研磨パッドの溝を深くすると、パッド表面を覆うスラリの量が低下するので、研磨レートが低下する。つまり、研磨パッドをこのような構造とすることにより、パッド表面を覆うスラリの量の低下に起因する研磨レートの低下を回避することができる。
【００２３】
また、本発明の他の観点によれば、研磨パッドのベース層を用意する工程と、前記研磨パッドの研磨層を用意する工程と、前記研磨層の第１面に第１溝を形成する工程と、前記研磨層の前記第１面とは反対側の第２面に第２溝を形成する工程と、少なくとも前記第２溝を形成した前記研磨層の前記第２面を前記ベース層に張り合わせる工程とを有することを特徴とする研磨パッドの製造方法が提供される。
【００２４】
更に、本発明の他の観点によれば、研磨対象物が取り付けられる研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドの下方に配置される研磨定盤と、前記研磨定盤の上に設けられ、前記研磨ヘッドに取り付けられた研磨対象物を研磨する研磨パッドと、前記研磨パッドの表面に研磨液を供給する研磨液供給部とを有し、前記研磨パッドは、前記研磨定盤の上に設けられたベース層と、該ベース層の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層とを有し、前記研磨層が、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えることを特徴とする研磨装置が提供される。
【００２５】
更にまた、本発明の他の観点によれば、ベース層と研磨層とが積層された研磨パッドにより研磨対象物を研磨する研磨方法であって、前記研磨層として、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えた層を用いることを特徴とする研磨方法が提供される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明においては、研磨パッドがベース層及び研磨層よりなる積層構造を有していて、上部層となる研磨層の上側の面には第１溝が形成され、下側の面には第２溝が形成されている。そして、研磨層が一定量摩耗したときに、研磨層の上側の面に第２溝が現れるという構造を有している。
【００２７】
これにより、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題の発生を回避しつつ、研磨パッドの交換周期を長くすることができ、研磨装置の稼働率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
（１）予備的事項の説明
本発明の実施の形態に先立ち、本発明に至る予備的事項について説明する。
【００２９】
本願発明者は、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題の発生を回避しつつ、研磨パッドの交換周期を従来よりも長くするために、まず、従来の研磨パッドよりも深い溝を有する研磨パッドを考案した。
【００３０】
図３は本例の研磨パッド及び従来の研磨パッド（図２に示した研磨パッド）を示す断面図である。この図３において、左側に示した構造物が本例の研磨パッドであり、右側に示した構造物が従来の研磨パッドである。また、この図３においては、本例の研磨パッド及び従来の研磨パッドともに摩耗する前の状態を示している。
【００３１】
図３に示すように、従来の研磨パッド１１の溝１１ａにおいては、深さを任意単位で「１．０」と規定したときに幅が「０．６」の矩形状を有している。これに対して、本例の研磨パッド２１の溝２１ａは、従来の研磨パッド１１の溝１１ａの深さを任意単位で「１．０」と規定したときに、幅が「０．６」で深さが「１．３」の矩形状を有している。なお、本例のパッド２１の厚さは従来のパッド１１と同じとしている。
【００３２】
図３に示すように、同じ厚さを有する研磨パッド１１，２１において、本例の研磨パッド２１におけるスクラッチが生じるなどの問題が発生すると想定される表面位置（あるいは、そのような問題が発生すると想定される溝の深さＤとなるときの研磨パッドの表面位置：図３で一点鎖線で示す位置）は、溝２１ａが深くなった分だけ従来の研磨パッド１１の当該表面位置よりも下方にシフトし、本例の研磨パッド２１における研磨処理で使用可能な部分Ｅは、従来の研磨パッド１１における当該部分Ｅ’よりも増える。このため、本例の研磨パッド２１は、従来の研磨パッド１１よりもウェハの処理枚数を増やすことができ、パッドの交換周期を長くすることができる。
【００３３】
一方、別な見方をすると、本例の研磨パッド２１では、同じ処理枚数を研磨処理したときに残っている溝の深さが従来の研磨パッド１１よりも大きくなっているので、スクラッチが生じるなどの問題の発生に対するマージンを大きくすることができるともいえる。つまり、本例のパッド２１は、従来のパッド１１よりもそのような問題を発生しにくくすることができる。
【００３４】
しかしながら、図３に示すように、本例の研磨パッド２１及び従来の研磨パッド１１において、研磨パッド上に供給されるスラリの量が同じ場合、本例の研磨パッド２１の表面を覆うスラリの液面位置（図３で二点鎖線で示す位置）は、溝２１ａが深くなったことにより排出されるスラリの量が増えた分だけ従来の研磨パッド１１の当該液面位置よりも下がる。すなわち、本例のパッド２１では、従来のパッド１１よりもパッド表面を覆うスラリの量が少なくなる。
【００３５】
図４は、図３に示す研磨パッドにおける溝の深さと研磨レートとの関係を示す図である。この図４において、破線はパッド上に供給されるスラリの量（所定量）を示し、実線は所定の研磨レートを得るために最低限必要なスラリの供給量（以下、このような量を単に「必要なスラリ供給量」という）を示し、一点鎖線は所定量における研磨レートを示している。
【００３６】
図４に示すように、研磨パッドの溝を深くすると、必要なスラリ供給量も増える。
【００３７】
一方、研磨パッド上に供給されるスラリの量が多くなるほど、研磨レートは大きくなる。但し、パッド上に供給されるスラリの量が一定量以上になると、研磨レートは大きくならなくなり、所定の値のままとなる（以下、このような値のことを「飽和値」という）。このため、図４に示すように、必要なスラリ供給量が所定量よりも少なくなるパッドの溝の深さ（パッドの溝の深さがＦよりも小さい深さ）では、研磨レートは所定の値（飽和値）となる。しかし、必要なスラリ供給量が所定量よりも多くなるパッドの溝の深さ（パッドの溝の深さがＦよりも大きい深さ）では、研磨レートは飽和値を維持することができなくなり、溝が深くなるにつれて研磨レートが低下する。
【００３８】
このため、本例の研磨パッド２１において、溝２１ａが深くなったことにより、必要なスラリ供給量が所定量よりも多くなる場合には、研磨レートが飽和値から低下するという問題が発生する。図４に示す例では、従来の研磨パッド１１の溝１１ａの深さ（「１．０」）では研磨レートが飽和値であるものの、本例の研磨パッド２１の溝２１ａの深さ（「１．３」）では研磨レートが約１０％低下している。
【００３９】
従って、本例の研磨パッド２１において、低下した研磨レートを飽和値まで戻すためには、パッド２１上に供給するスラリの量を、研磨レートが低下した分だけ増やすこと、すなわち１０％増やすことが必要であると考えられる。余裕を考慮すれば、パッド２１上に供給するスラリの量を、溝が深くなった分だけ増やすこと、すなわち３０％増やすことが必要であると考えられる。
【００４０】
このことから、研磨パッドの溝を深くすると研磨レートが低下してしまうという問題に対し、パッド上に供給するスラリの量を増やすことによって解決することが考えられる。しかし、スラリの量を増やすことにより、当然ながら研磨処理で使用されるスラリの量が増えて、コストが増えてしまう。一方、この問題に対して研磨時間を長くすることによって解決することも考えられる。しかし、研磨時間を長くすることにより、研磨対象物を用いた製品の生産効率が低下して、結果的にコストが増えてしまう。
【００４１】
これらの問題点に鑑み、本願発明者は、以下に説明するような本発明の実施の形態に想到した。
【００４２】
（２）本発明の実施の形態
（第１の実施の形態）
図５は、本発明の実施の形態に係るＣＭＰ装置（研磨装置）の概要を示す図である。この図５に示すように、本発明の実施の形態に係るＣＭＰ装置は、プラテン（研磨定盤）１００と、研磨ヘッド１４０と、スラリ供給ノズル１５０と、コンディショニングディスク１２０とを有している。
【００４３】
プラテン１００は回転軸１００ａに固定されていて、回転軸１００ａの回転に伴って回転する。このプラテン１００の上には研磨パッド１１０が装着される。この研磨パッド１１０の詳細については後で説明する。
【００４４】
研磨ヘッド１４０はプラテン１００の上方に配置されている。研磨ヘッド１４０は下面側でウェハ１３０を吸着保持する。また、研磨ヘッド１４０は回転軸１４０ａに固定されていて、回転軸１４０ａの回転に伴って回転する。
【００４５】
コンディショニングディスク１２０もプラテン１００の上方に配置されている。コンディショニングディスク１２０は回転軸１２０ａに固定されていて、回転軸１２０ａの回転に伴って回転する。このコンディショニングディスク１２０は、ダイヤモンド砥石よりなり、研磨パッド１１０の表面をコンディショニングされた状態に保つために使用される。
【００４６】
スラリ供給ノズル１５０はチューブ１５０ａを介してスラリ供給装置（図示せず）に接続されていて、このスラリ供給ノズル１５０から研磨パッド１１０上にスラリ（研磨液）１６０が滴下される。
【００４７】
図６はＣＭＰ装置の斜視図である。この図６に示すように、ベース２００上に複数個（図６では３個）のプラテン１００と１つのロードカップ２１０とが設けられている。各プラテン１００の周囲には、先端にスラリ供給ノズルが設けれらたスラリ供給アーム２２０と、コンディショニングディスク１２０が取り付けられたコンディショニングディスク駆動アーム２３０とがそれぞれ設けられている。ロードカップ２１０の内側には、研磨前及び研磨終了後のウェハを一時的に保持するためのペデスタル（図示せず）が設けられている。また、研磨ヘッド１４０は、回転軸３００ａに支持されるヘッドユニット３００に取り付けられている。この図６に示すＣＭＰ装置では、３つのプラテン１００と１つのロードカップ２１０とが回転軸３００ａの周囲に配置されていて、ヘッドユニット３００にはプラテン１００及びロードカップ２１０に対応して４つの研磨ヘッド１４０が設けられている。研磨ヘッド１４０にウェハを吸着保持した状態でヘッドユニット３００が回転することにより、各プラテン１００にウェハが搬送される。なお、研磨ヘッド１４０の回転軸１４０ａは、図６に矢印で示すようにヘッドユニット３００の回転半径方向に往復運動するようになっている。
【００４８】
以下、本発明の第１の実施の形態に係る研磨パッドの構成について説明する。
【００４９】
図７は、本発明の第１の実施の形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。なお、図７（ａ）は摩耗する前の研磨パッドの状態を示し、図７（ｂ）は摩耗した研磨パッドの状態を示し、図７（ｃ）は図７（ｂ）に示す状態よりも摩耗した研磨パッドの状態を示している。
【００５０】
この図７に示すように、本実施形態の研磨パッド１１０ａは、ベース層（下部層）１１１と、ベース層１１１の上に設けられた研磨層（上部層）１１２とにより構成されている。図５，図６に示すＣＭＰ装置においては、研磨パッド１１０（１１０ａ）を構成するベース層１１１及び研磨層１１２のうちベース層１１１がプラテン１００の上に接着される。また、スラリ１６０は研磨層１１２の上に供給される。このため、研磨層１１２の上側の面が研磨面となる。ベース層１１１はポリウレタンのような樹脂よりなり、研磨層１１２は発泡性ポリウレタンのような発泡性樹脂よりなる。なお、ベース層１１１及び研磨層１１２を構成する材料は樹脂に限定されるものではなく、ベース層１１１及び研磨層１１２を構成する材料を繊維材料や無機材料などその他の材料にしてもよい。
【００５１】
摩耗する前の研磨層１１２には、図７（ａ）に示すように上側の面（研磨面、あるいはベース層１１１とは反対側の面：「第１面」ともいう）に第１溝１１２ａが形成され、下側の面（ベース層１１１側の面：「第２面」ともいう）に第２溝１１２ｂが形成されている。この第１溝１１２ａは、研磨パッド１１０ａを上方から見たときに研磨層１１２の面方向において同心円状に複数配置されている（図２参照）。第２溝１１２ｂは、研磨層１１２の面方向において第１溝１１２ａと間隔ｄ１離れて、同心円状に複数配置されている。なお、第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂは上述したような配置態様に限定されるものではなく、例えば第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂを研磨層１１２の面方向において放射状に複数配置されたり、螺旋状に１つ配置されたりするなどその他の配置態様にしてもよい。
【００５２】
また、図７（ａ）に示すように、第１溝１１２ａの断面は略五角形状を有していて、下側に凹となっている。第１溝１１２ａは、幅を任意単位で「０．６」と規定したときに「１．３」の深さを有していて、第１溝１１２ａのうち上側の略四角形状の部分の深さが「０．７」であり、下側の略三角形状の部分（あるいは、Ｖ字形状の部分）の深さが「０．６」である。また、第２溝１１２ｂの断面は略五角形状を有していて、上側に凸となっている。第２溝１１２ｂは、幅を任意単位で「０．６」と規定したときに「１．０」の深さを有していて、第２溝１１２ｂのうち下側の略四角形状の部分の深さが「０．４」であり、上側の略三角形状の部分（あるいは、Ｖ字形状の部分）の深さが「０．６」である。なお、本実施形態において第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂの幅は、例えば４５０μｍである。
【００５３】
本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂは上述した幅と深さとの大きさの関係に限定されるものではなく、第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂをその他の幅と深さとの大きさの関係にしてもよい。
【００５４】
但し、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、図７（ａ）に示すように、第２溝１１２ｂの端部（上側の端部：図７（ａ）において太い点線で囲んだ部分）Ｂ１が、第１溝１１２ａの端部（下側の端部：図７（ａ）において細い点線で囲んだ部分）Ａ１よりも高い位置にあるという構造を有している。あるいは、研磨層１１２の上側の面と第２溝１１２ｂとの距離（０．７）が、第１溝１１２ａの深さ（１．３）よりも小さいという構造を有しているともいえる。すなわち、コンディショニング処理等により研磨層１１２が摩耗して第１溝１１２ａが浅くなって完全になくなる前に、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れるという構造を有している。
【００５５】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２が摩耗して研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れたときに残っている第１溝１１２ａの容積とそのときの第２溝１１２ｂの容積との和が、研磨層１１２が摩耗する前の第１溝１１２ａの容積と同じか、それよりも小さいという構造を有している。
【００５６】
更に、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、摩耗した研磨層１１２の上側の面の面積が、摩耗する前の研磨層１１２の上側の面の面積と同じという構造を有している。言い換えると、研磨層１１２が摩耗している間、研磨層１１２の上側の面積が一定であるという構造を有している。
【００５７】
上述した構造の本実施形態の研磨パッド１１０ａの製造方法の一例について、図８を参照しながら説明する。
【００５８】
まず、図８（ａ）に示すように、研磨層１１２となる円盤状の部材を用意する。このような部材として、発泡ポリウレタンのような発泡性樹脂材料を用いる。
【００５９】
次に、図８（ｂ）に示すように、研磨層１１２となる部材の一方の面に切削により第１溝１１２ａを形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、研磨層１１２となる部材の他方の面（第１溝１１２ａを形成した面と反対側の面）に切削により第２溝１１２ｂを形成する。このようにして、研磨層１１２が形成される。
【００６０】
次に、図８（ｄ）に示すように、円盤状の部材よりなるベース層１１１を用意する。このような部材として、ポリウレタンのような樹脂材料を用いる。そして、ベース層１１１の上に、第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂを形成した研磨層１１２を、第２溝１１２ｂを下側にして接着する。このようにして、本実施形態の研磨パッド１１０ａが完成する。
【００６１】
なお、研磨層１１２となる部材における第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂの形成順序を逆にしてよい。第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂの形成順序を逆にした場合には、他方の面に第１溝１１２ａを形成する前に、ベース層１１１の上に研磨層１１２となる部材を張り合わせてもよい。また、切削により第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂを研磨層１１２となる部材に形成したが、切削のみに限定されないことはもちろんである。例えば、第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂの逆形状を有する金型を用いた成形により研磨層１１２を形成してもよい。
【００６２】
次に、本実施形態に係るＣＭＰ装置において行うウェハ１３０の研磨に係る処理について、その処理フローの一例を示す図９を参照しながら説明する。
【００６３】
前提条件として、図５，図６に示すＣＭＰ装置において、プラテン１００の上に、研磨パッド１１０ａをベース層１１１を下側にして装着しているものとする。また、ロードカップ２１０のペデスタル（図示せず）の上に研磨前のウェハ１３０が置かれているものとする。このような状態のときに、最初のステップＳ１１では、研磨ヘッド１４０をペデスタル（図示せず）の上方に移動させ、研磨ヘッド１４０を駆動してウェハ１３０を研磨ヘッド１４０に吸着させる。
【００６４】
ステップＳ１２では、ヘッドユニット３００を回転させ、ウェハ１３０を研磨パッド１１０ａの上方に移動させる。
【００６５】
ステップＳ１３では、スラリ供給アーム２２０の先端（スラリ供給ノズル１５０）から研磨パッド１１０ａ（研磨層１１２）の上にスラリ１６０を供給し、次のステップＳ１４では、プラテン１００を回転させる。
【００６６】
ステップＳ１５では、研磨ヘッド１４０を回転させ、次のステップＳ１６では、研磨ヘッド１４０を駆動してウェハ１３０を研磨パッド１１０ａ（研磨層１１２）に押し当てる。
【００６７】
このようにして、研磨パッド１１０ａ上に供給されたスラリ１６０は、プラテン１００の回転により研磨パッド１１０ａとウェハ１３０との間に供給される。そして、研磨パッド１１０とスラリ１６０に含まれる研磨剤（研磨粒子）及び薬液とにより、ウェハ１３０の表面が機械的及び化学的に研磨される。
【００６８】
ウェハ１３０の研磨が終了すると、再び研磨ヘッド１４０を駆動してウェハ１３０を研磨ヘッド１４０に吸着させる。そして、ヘッドユニット３００を回転させてウェハ１３０をロードカップ２１０の上方に戻し、研磨ヘッド１４０を駆動して研磨ヘッド１４０からウェハ１３０を離脱させて、ウェハ１３０をペデスタル（図示せず）上に置く。このようにして、本処理フローは「終了」となる。
【００６９】
一方、図５，図６に示すＣＭＰ装置においては、コンディショニングディスク１２０を用いて研磨パッド１１０ａ（研磨層１１２）の上側の面を削り取るというコンディショニング処理を定期的（例えば、ウェハ１３０の研磨が終了したとき）に行う。コンディショニング処理を行うことにより、研磨パッド１１０ａの研磨層１１２は摩耗する。
【００７０】
図１０は、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいて、研磨処理を行ったウェハ１３０の枚数（ウェハ１３０の処理枚数）と、必要なスラリ供給量、及び、研磨層１１２の上側の面に現れている溝の容積との関係を示す図である。この図１０において、破線は研磨層１１２上に供給されるスラリ１６０の量（所定量）を示し、実線は必要なスラリ供給量を示し、二点鎖線は研磨層１１２の上側の面に現れている溝の容積を示している。
【００７１】
交換した直後の研磨パッド１１０ａ（摩耗する前の研磨パッド１１０ａ）においては、研磨層１１２の上側の面には第１溝１１２ａのみが現れている。図１０に示すように、この状態からウェハ１３０の研磨処理を行っていき、ウェハ１３０の処理枚数が増えると、研磨パッド１１０ａに対して行うコンディショニング処理の回数も増える。これにより、研磨層１１２が摩耗して第１溝１１２ａが浅くなる。すなわち、研磨層１１２の上側の面に現れている溝（第１溝１１２ａ）の容積が小さくなる。これに伴って、必要なスラリ供給量も少なくなる。このため、摩耗する前のパッド１１０ａにおける必要なスラリ供給量が所定量よりも少ない場合には、研磨レートは飽和値のまま維持される。
【００７２】
ウェハ１３０の処理枚数が所定の値Ｓとなるとき、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２の摩耗によって第１溝１１２ａが完全になくなる前に、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れる。このとき、研磨層１１２の上側の面に現れている溝（第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂ）の容積は一時的に大きくなり、これに伴って必要なスラリ供給量も一時的に多くなる。但し、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れたときに残っている第１溝１１２ａの容積と第２溝１１２ｂの容積との和が、研磨層１１２が摩耗する前の第１溝１１２ａの容積と同じか、それよりも小さいという構造を有している。このため、摩耗する前のパッド１１０ａにおける必要なスラリ供給量が所定量よりも少ない場合には、研磨レートは飽和値のままとなる。
【００７３】
その後、ウェハ１３０の処理枚数が所定の値Ｓを越えると、研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２の上側の面に第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂが現れている状態を経て、第１溝１１２ａが完全になくなり、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂのみが現れている状態となる。この期間においても、ウェハ１３０の処理枚数が増えると、研磨層１１２の上側の面に現れている溝の容積は小さくなる。これに伴って、必要なスラリ供給量も少なくなる。このため、摩耗する前のパッド１１０ａにおける必要なスラリ供給量が所定量よりも少ない場合には、研磨レートは飽和値のまま維持される。
【００７４】
一方、研磨レートは、研磨パッド上に供給されるスラリの量だけでなく、パッドの研磨面の面積にも関係し、研磨レートは当該面積にほぼ比例する。本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、摩耗した研磨層１１２の上側の面（研磨面）の面積が、摩耗する前の研磨層１１２の上側の面（研磨面）の面積と同じという構造を有している。すなわち、摩耗する前の研磨層１１２の上側の面の面積（図７（ａ）に示す研磨層１１２の当該面積）、摩耗した研磨層１１２において、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れる前の状態（あるいは、研磨層１１２の上側の面に第１溝１１２ａのみが現れている状態）の研磨層１１２の当該面積、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れてから第１溝１１２ａがなくなるまでの間の状態（あるいは、研磨層１１２の上側の面に第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂの両方が現れている状態）の研磨層１１２の当該面積（図７（ｂ）に示す研磨層１１２の当該面積）、及び、研磨層１１２の上側の面から第１溝１１２ａがなくなった後の状態（あるいは、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂのみが現れている状態）の研磨層１１２の当該面積（図７（ｃ）に示す研磨層１１２の当該面積）が全て同じという構造を有している。このため、研磨層１１２が摩耗しても研磨レートを一定値（例えば、飽和値）に維持することができる。なお、このような構造は、第１溝１１２ａが研磨層１１２の下側に凹となるＶ字形状を有していると共に、第２溝１１２ｂが研磨層１１２の上側に凸となるＶ字形状を有しているという構造にすることにより、容易に実現することができる。
【００７５】
以上説明したように、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、ベース層１１１及び研磨層１１２よりなる積層構造を有していて、上部層となる研磨層１１２の上側の面には第１溝１１２ａが形成され、下側の面には第２溝１１２ｂが形成されている。そして、研磨層１１２が一定量摩耗したときに、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れるという構造を有している。つまり、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、このような第１溝１１２ａ及び第２溝１１２ｂを有することにより、図３に示す研磨パッド２１のように深い溝を有していることと実質的に同じになる。このため、本実施形態の研磨パッド１１０ａは交換周期を延ばすことができる。一方、別な見方をすると、本実施形態のパッド１１０ａは、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題を発生しにくくすることができるともいえる。なお、図１０において、Ｒは本実施形態の研磨パッド１１０ａの交換周期（処理枚数）を示し、Ｒ’は従来の研磨パッド（図３に示す従来の研磨パッド１１）の交換周期（処理枚数）を示している。本実施形態のパッド１１０ａ及び従来のパッド１１上に供給されるスラリの量を同じにして、研磨処理における問題が発生しないと想定されるウェハの処理枚数（すなわち、研磨パッドの交換周期）を調べた結果、本実施形態のパッド１１０ａの処理枚数Ｒは従来のパッド１１の処理枚数Ｒ’の約１．７倍となることが判明した。
【００７６】
しかも、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２とプラテン１００との間にベース層１１１が介在している。このため、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れて、第２溝１１２ｂにスラリ１６０が流れ込んでも、スラリ１６０はプラテン１００に接触しない。これにより、スラリ１６０に含まれる薬液によるプラテン１００の腐食を回避することができる。
【００７７】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２が摩耗して第１溝１１２ａが完全になくなる前に、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れるという構造を有しているので、個々の溝（第１溝１１２ａ，第２溝１１２ｂ）を図３に示す研磨パッド２１の溝２１ａのように深くしなくても済む。このため、パッド表面を覆うスラリの量の低下に起因する研磨レートの低下を回避することができる。
【００７８】
更に、本実施形態の研磨パッド１１０ａにおいては、研磨層１１２の上側の面に第２溝１１２ｂが現れたときに残っている第１溝１１２ａの容積と第２溝１１２ｂの容積との和が、研磨層１１２が摩耗する前の第１溝１１２ａの容積と同じか、それよりも小さいという構造、及び、摩耗した研磨層１１２の上側の面の面積が、摩耗する前の研磨層１１２の上側の面の面積と同じという構造を有している。これらの構造を有することにより、新しい研磨パッド１１０ａを使用してから摩耗した研磨パッド１１０ａを交換するまでの間、研磨レートを一定値（例えば、飽和値）に維持することができる。
【００７９】
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、研磨パッド（研磨層）の溝の構造が異なることにあり、その他の構成は第１の実施の形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明は省略する。
【００８０】
図１１は、本発明の第２の実施の形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。なお、図１１（ａ）は摩耗する前の研磨パッドの状態を示し、図１１（ｂ）は摩耗した研磨パッドの状態を示し、図１１（ｃ）は図１１（ｂ）に示す状態よりも摩耗した研磨パッドの状態を示している。
【００８１】
この図１１に示すように、本実施形態の研磨パッド１１０ｂは、ベース層１１１と、ベース層１１１の上に設けられた研磨層１１３とにより構成されている。
【００８２】
摩耗する前の研磨層１１３には、図１１（ａ）に示すように上側の面に第１溝１１３ａが形成され、下側の面に第２溝１１３ｂが形成されている。第２溝１１３ｂは、研磨層１１３の面方向において第１溝１１３ａと間隔ｄ２離れて配置されている。第１溝１１３ａの断面は矩形状を有していて、第２溝１１３ｂの断面は略五角形状を有していて、上側に凸となっている。
【００８３】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ｂにおいては、図１１（ａ）に示すように、第２溝１１３ｂの端部（上側の端部：図１１（ａ）において太い点線で囲んだ部分）Ｂ２が、第１溝１１３ａの端部（下側の端部：図１１（ａ）において細い点線で囲んだ部分）Ａ２よりも高い位置にあるという構造（あるいは、研磨層１１３の上側の面と第２溝１１３ｂとの距離が、第１溝１１３ａの深さよりも小さいという構造）を有している。すなわち、研磨層１１３が摩耗して第１溝１１３ａが完全になくなる前に、研磨層１１３の上側の面に第２溝１１３ｂが現れるという構造を有している。
【００８４】
更に、本実施形態の研磨パッド１１０ｂにおいては、研磨層１１３が摩耗して研磨層１１３の上側の面に第２溝１１３ｂが現れたときに残っている第１溝１１３ａの容積とそのときの第２溝１１３ｂの容積との和が、研磨層１１３が摩耗する前の第１溝１１３ａの容積と同じか、それよりも小さいという構造を有している。
【００８５】
このため、本実施形態の研磨パッド１１０ｂにおいては、第１の実施形態の研磨パッド１１０ａと同様に、交換周期を長くすることができる（あるいは、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題を発生しにくくすることができる）。また、パッド上に存在するスラリの量の低下に起因する研磨レートの低下を回避することができる。更に、スラリ１６０に含まれる薬液によるプラテン１００の腐食を回避することができる。
【００８６】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ｂにおいては、第１の実施形態の研磨パッド１１０ａと異なり、研磨層１１３の上側の面に第２溝１１３ｂが現れてから第１溝１１３ａがなくなるまでの期間（あるいは、研磨層１１３の上側の面に第１溝１１３ａ及び第２溝１１３ｂの両方が現れている期間）中に、研磨層１１３の上側の面積が変化して研磨レートが変化する。しかし、新しい研磨パッド１１０ｂを使用してから摩耗した研磨パッド１１０ｂを交換するまでの間のうち上述した期間以外の期間については、研磨レートを一定値（例えば、飽和値）に維持することができる。なお、第２溝１１３ｂが研磨層１１３の上側に凸となるＶ字形状を有していることにより、上述した期間中に研磨層１１３の上側の面の面積が変化しても、その変化を緩やかにすることができる。つまり、研磨レートの変化を緩やかにすることができる。
【００８７】
（第３の実施の形態）
以下、本発明の第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、研磨パッド（研磨層）の溝の構造が異なることにあり、その他の構成は第１の実施の形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明は省略する。
【００８８】
図１２は、本発明の第３の実施の形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。なお、図１２（ａ）は摩耗する前の研磨パッドの状態を示し、図１２（ｂ）は摩耗した研磨パッドの状態を示し、図１２（ｃ）は図１２（ｂ）に示す状態よりも摩耗した研磨パッドの状態を示している。
【００８９】
この図１２に示すように、本実施形態の研磨パッド１１０ｃは、ベース層１１１と、ベース層１１１の上に設けられた研磨層１１４とにより構成されている。
【００９０】
摩耗する前の研磨層１１４には、図１２（ａ）に示すように上側の面に第１溝１１４ａが形成され、下側の面に第２溝１１４ｂが形成されている。第２溝１１４ｂは、研磨層１１４の面方向において第１溝１１４ａと間隔ｄ３離れて配置されている。第１溝１１４ａの断面は略五角形状を有していて、下側に凹となっている。また、第２溝１１４ｂの断面は矩形状を有している。
【００９１】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ｃにおいては、図１２（ａ）に示すように、第２溝１１４ｂの端部（上側の端部：図１２（ａ）において太い点線で囲んだ部分）Ｂ３が、第１溝１１４ａの端部（下側の端部：図１２（ａ）において細い点線で囲んだ部分）Ａ３よりも高い位置にあるという構造（あるいは、研磨層１１４の上側の面と第２溝１１４ｂとの距離が、第１溝１１４ａの深さよりも小さいという構造）を有している。すなわち、研磨層１１４が摩耗して第１溝１１４ａが完全になくなる前に、研磨層１１４の上側の面に第２溝１１４ｂが現れるという構造を有している。
【００９２】
更に、本実施形態の研磨パッド１１０ｃにおいては、研磨層１１４が摩耗して研磨層１１４の上側の面に第２溝１１４ｂが現れたときに残っている第１溝１１４ａの容積とそのときの第２溝１１４ｂの容積との和が、研磨層１１４が摩耗する前の第１溝１１４ａの容積と同じか、それよりも小さいという構造を有している。
【００９３】
このため、本実施形態の研磨パッド１１０ｃにおいては、第１の実施形態の研磨パッド１１０ａと同様に、交換周期を長くすることができる（あるいは、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題を発生しにくくすることができる）。また、パッド表面を覆うスラリの量の低下に起因する研磨レートの低下を回避することができる。更に、スラリ１６０に含まれる薬液によるプラテン１００の腐食を回避することができる。
【００９４】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ｃにおいては、第１の実施形態の研磨パッド１１０ａと異なり、研磨層１１４の上側の面に第２溝１１４ｂが現れてから第１溝１１４ａがなくなるまでの期間（あるいは、研磨層１１４の上側の面に第１溝１１４ａ及び第２溝１１４ｂの両方が現れている期間）中に、研磨層１１４の上側の面積が変化して研磨レートが変化する。しかし、新しい研磨パッド１１０ｃを使用してから摩耗した研磨パッド１１０ｃを交換するまでの間のうち上述した期間以外の期間については、研磨レートを一定値（例えば、飽和値）に維持することができる。なお、第１溝１１４ａが研磨層１１４の下側に凹となるＶ字形状を有していることにより、上述した期間中に研磨層１１３の上側の面の面積が変化しても、その変化を緩やかにすることができる。つまり、研磨レートの変化を緩やかにすることができる。
【００９５】
（第４の実施の形態）
以下、本発明の第４の実施の形態について説明する。第４の実施の形態が第１の実施の形態と異なる点は、研磨パッド（研磨層）の溝の構成が異なることにあり、その他の構成は第１の実施の形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明は省略する。
【００９６】
図１３は、本発明の第４の実施の形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。なお、図１３（ａ）は摩耗する前の研磨パッドの状態を示し、図１３（ｂ）は摩耗した研磨パッドの状態を示し、図１３（ｃ）は図１３（ｂ）に示す状態よりも摩耗した研磨パッドの状態を示している。
【００９７】
この図１３に示すように、本実施形態の研磨パッド１１０ｄは、ベース層１１１と、ベース層１１１の上に設けられた研磨層１１５とにより構成されている。
【００９８】
摩耗する前の研磨層１１５には、図１３（ａ）に示すように上側の面に第１溝１１５ａが形成され、下側の面に第２溝１１５ｂが形成されている。第２溝１１５ｂは、研磨層１１５の面方向において第１溝１１５ａと間隔ｄ４離れて配置されている。第１溝１１５ａ及び第２溝１１５ｂの断面は矩形状を有している。
【００９９】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ｄにおいては、図１３（ａ）に示すように、第２溝１１５ｂの端部（上側の端部：図１３（ａ）において太い点線で囲んだ部分）Ｂ４が、第１溝１１５ａの端部（下側の端部：図１３（ａ）において細い点線で囲んだ部分）Ａ４よりも高い位置にあるという構造（あるいは、研磨層１１５の上側の面と第２溝１１５ｂとの距離が、第１溝１１５ａの深さよりも小さいという構造）を有している。すなわち、研磨層１１５が摩耗して第１溝１１５ａが完全になくなる前に、研磨層１１５の上側の面に第２溝１１５ｂが現れるという構造を有している。
【０１００】
更に、本実施形態の研磨パッド１１０ｄにおいては、研磨層１１５が摩耗して研磨層１１５の上側の面に第２溝１１５ｂが現れたときに残っている第１溝１１５ａの容積とそのときの第２溝１１５ｂの容積との和が、研磨層１１５が摩耗する前の第１溝１１５ａの容積と同じか、それよりも小さいという構造を有している。
【０１０１】
このため、本実施形態の研磨パッド１１０ｄにおいては、第１の実施形態の研磨パッド１１０ａと同様に、交換周期を長くすることができる（あるいは、スクラッチが生じるなどの研磨処理における問題を発生しにくくすることができる）。また、パッド表面を覆うスラリの量の低下に起因する研磨レートの低下を回避することができる。更に、スラリ１６０に含まれる薬液によるプラテン１００の腐食を回避することができる。
【０１０２】
また、本実施形態の研磨パッド１１０ｄにおいては、第１の実施形態の研磨パッド１１０ａと異なり、研磨層１１５の上側の面に第２溝１１５ｂが現れてから第１溝１１５ａがなくなるまでの期間（あるいは、研磨層１１５の上側の面に第１溝１１５ａ及び第２溝１１５ｂの両方が現れている期間）中に、研磨層１１５の上側の面積が変化して研磨レートが変化する。しかし、新しい研磨パッド１１０ｄを使用してから摩耗した研磨パッド１１０ｄを交換するまでの間のうち上述した期間以外の期間については、研磨レートを一定値（例えば、飽和値）に維持することができる。なお、本実施形態の研磨パッド１１０ｄにおいては、第２及び第３の実施形態の研磨パッド１１０ｂ，１１０ｃよりも上述した期間における研磨層１１５の上側の面の面積の変化が急となる。しかし、本実施形態の研磨パッド１１０ｄは、第１溝１１５ａ及び第２溝１１５ｂの両方が矩形状を有しているので、第２及び第３の実施形態の研磨パッド１１０ｂ，１１０ｃ（及び第１の実施形態の研磨パッド１１０ａ）よりも容易に形成することができる。
【０１０３】
以下、本実施形態の様態を付記としてまとめる。
【０１０４】
（付記１）ベース層と、
前記ベース層の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層とを有し、
前記研磨層が、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えることを特徴とする研磨パッド。
【０１０５】
（付記２）前記第１面と前記第２溝との距離は、前記第１溝の深さよりも小さいことを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１０６】
（付記３）前記第２溝は、前記研磨層の面方向に前記第１溝と離れて配置されていることを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１０７】
（付記４）前記研磨層が摩耗して前記第２溝が前記第１面に現れたときの前記第１溝の容積とそのときの前記第２溝の容積との和は、前記研磨層が摩耗する前の前記第１溝の容積以下であることを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１０８】
（付記５）摩耗した前記研磨層の前記第１面の面積は、摩耗する前の前記研磨層の前記第１面の面積と同じであることを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１０９】
（付記６）前記第１溝は、前記第２面側に凹となるＶ字形状を有していることを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１１０】
（付記７）前記第２溝は、前記第１面側に凸となるＶ字形状を有していることを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１１１】
（付記８）前記第１溝は前記第２面側に凹となるＶ字形状を有し、且つ前記第２溝は前記第１面側に凸となるＶ字形状を有していることを特徴とする付記１に記載の研磨パッド。
【０１１２】
（付記９）研磨パッドのベース層を用意する工程と、
前記研磨パッドの研磨層を用意する工程と、
前記研磨層の第１面に第１溝を形成する工程と、
前記研磨層の前記第１面とは反対側の第２面に第２溝を形成する工程と、
少なくとも前記第２溝を形成した前記研磨層の前記第２面を前記ベース層に張り合わせる工程と
を有することを特徴とする研磨パッドの製造方法。
【０１１３】
（付記１０）前記第２溝を形成する工程では、前記第１面と前記第２溝との距離を、前記第１溝の深さよりも小さくすることを特徴とする付記９に記載の研磨パッドの製造方法。
【０１１４】
（付記１１）前記第２溝を形成する工程では、前記第２溝を、前記研磨層の面方向に前記第１溝と離して形成することを特徴とする付記９に記載の研磨パッドの製造方法。
【０１１５】
（付記１２）研磨対象物が取り付けられる研磨ヘッドと、
前記研磨ヘッドの下方に配置される研磨定盤と、
前記研磨定盤の上に設けられ、前記研磨ヘッドに取り付けられた研磨対象物を研磨する研磨パッドと、
前記研磨パッドの表面に研磨液を供給する研磨液供給部とを備え、
前記研磨パッドは、前記研磨定盤の上に設けられたベース層と、該ベース層の上に設けられ、研磨液が供給される研磨層とを有し、
前記研磨層が、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝とを備えることを特徴とする研磨装置。
【０１１６】
（付記１３）前記第１面と前記第２溝との距離は、前記第１溝の深さよりも小さいことを特徴とする付記１２に記載の研磨装置。
【０１１７】
（付記１４）前記第２溝は、前記研磨層の面方向に前記第１溝と離れて配置されていることを特徴とする付記１２に記載の研磨装置。
【０１１８】
（付記１５）前記研磨層が摩耗して前記第２溝が前記第１面に現れたときの前記第１溝の容積とそのときの前記第２溝の容積との和は、前記研磨層が摩耗する前の前記第１溝の容積以下であることを特徴とする付記１２に記載の研磨装置。
【０１１９】
（付記１６）摩耗した前記研磨層の前記第１面の面積は、摩耗する前の前記研磨層の前記第１面の面積と同じであることを特徴とする付記１２に記載の研磨装置。
【０１２０】
（付記１７）ベース層と研磨層とが積層された研磨パッドにより研磨対象物を研磨する方法であって、
前記研磨層として、前記ベース層とは反対側の第１面に形成された第１溝と、前記ベース層側の第２の面に形成され、前記第１面が一定量摩耗したときに現れる第２溝を備えた層を用いることを特徴とする研磨方法。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】従来のＣＭＰ装置の概要を示す図である。
【図２】図２（ａ）は従来の研磨パッドの一例を示す平面図であり、図２（ｂ）はその研磨パッドの一部分を示す断面図である。
【図３】従来の研磨パッドと、従来の研磨パッドよりも溝を深くした研磨パッドとの一部分を示す断面図である。
【図４】図３に示す研磨パッドにおける溝の深さと研磨レートとの関係を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係るＣＭＰ装置（研磨装置）の概要を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に係るＣＭＰ装置の斜視図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る研磨パッドの一例を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係るＣＭＰ装置において行うウェハ（研磨対象物）の研磨に係る処理の一例を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る研磨パッドにおいて、ウェハの処理枚数と、必要なスラリ量、及び、研磨層の上側の面に現れている溝の容積との関係を示す図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は本発明の第２の実施形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜図１２（ｃ）は本発明の第３の実施形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）は本発明の第４の実施形態に係る研磨パッドの一部分を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１０，１００…プラテン（研磨定盤）、
１１、２１、１１０（１１０ａ〜１１０ｄ）…研磨パッド、
１１ａ、２１ａ…溝、
１３、１３０…ウェハ（研磨対象物）、
１４、１４０…研磨ヘッド、
１５、１５０…スラリ供給ノズル（研磨液供給部）、
１６、１６０…スラリ（研磨液）、
１１１…ベース層、
１１２、１１３、１１４、１１５…研磨層、
１１２ａ、１１３ａ、１１４ａ、１１５ａ…第１溝、
１１２ｂ、１１３ｂ、１１４ｂ、１１５ｂ…第２溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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