(57)【要約】      （修正有）【課題】従来提案されているSuper-RENSディスクよりも低い再生パワー（即ち従来のBDと同様の再生パワー）で、短記録マークを前記Super-RENSディスクの場合と同様のC/N 比（即ち、従来のBDよりも高いC/N 比）で再生でき、より具体的には、例えば、0.3mW の再生パワーで、記録マーク長149nm の短記録マークを45dB以上のC/N 比で再生できる光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜を提供する。【解決手段】(1) 波長380 〜450nm のレーザー光を照射して、記録マーク長149nm 以下の短記録マークを含む記録マークの記録をし、この記録マークの再生をする光情報記録媒体用の記録膜であって、波長380 〜450nm での屈折率が1.8 〜2.5 であり、かつ、消衰係数が2.3 〜2.9 であることを特徴とするもの、(2) 前記記録膜を用いた光情報記録媒体等。【選択図】図１
2009059428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録膜に記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体であって、前記記録膜が波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対する屈折率：１．８〜２．５であり、かつ、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光の消衰係数：２．３〜２．９であることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体用の記録膜であって、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対する屈折率：１．８〜２．５であり、かつ、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光の消衰係数：２．３〜２．９であることを特徴とする記録膜。
【請求項３】
前記記録膜がＩｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上を合計で４０原子％以上含有すると共に、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上を合計で１０〜６０原子％含有する合金からなる請求項１記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上を合計で４０原子％以上含有すると共に、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上を合計で１０〜６０原子％含有する合金からなる請求項２記載の記録膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜に関する技術分野に属するものであり、より詳細には、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録膜に記録マーク（記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む）を形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜に関する技術分野に属するものである。
【０００２】
尚、「記録マークを形成して情報の記録をすること」を、以下、「記録マークの記録」ともいう。また、「記録マークを用いて情報の再生をすること」を、以下、「記録マークの再生」ともいう。
【背景技術】
【０００３】
通常の光情報記録媒体は、光ビームで記録マークを再生した際の再生信号振幅は記録マークが短くなるに従って低下し、光学的な分解能の限界でゼロになる。よって、製品化されたＢＤ〔Blu-ray Disc〕では、リミット・イコライザー（Limit EQ）を用いて、長記録マークの振幅は制限しつつ最短記録マークの振幅を約２倍に持ち上げることをしている。
【０００４】
一方、光学的な分解能限界を打破する高線記録密度光情報記録媒体として、Super-RENSディスク〔Super-Resolution Near-field Structure(超解像近接場構造）の光ディスク〕が提案されている（電子情報通信学会誌 Vol.89, No.11, 2006, pp1000-1006 、特開２００５−２５８４１号公報、特開２００５−２５８４２号公報参照）。特開２００５−２５８４１号公報や、特開２００５−２５８４２号公報に記載のSuper-RENSディスクは、PtOx等の貴金属酸化物の分解を利用して記録マークを形成するようにしている。
【０００５】
しかしながら、上記Super-RENSディスクにおいては従来のＢＤの場合よりも再生パワーを高くする必要がある。例えば特開２００５−２５８４２号公報に記載のSuper-RENSディスクでは、照射するレーザー光の波長：４０５ｎｍ、照射するレーザー光を集光する対物レンズの開口数（ＮＡ）：０．８５の光学系で、ディスク構造を最適化することによって、記録マーク長１６０ｎｍの記録マークの再生の際のＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ）比が４５ｄＢと実用的な値が得られているものの、再生パワーは２．４ｍＷであり、従来のＢＤの場合（０．３〜１．０ｍＷ）よりも高い。
【特許文献１】特開２００５−２５８４１号公報
【特許文献２】特開２００５−２５８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、前記Super-RENSディスク（前記公報記載のディスク）の場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）により、短記録マークを前記Super-RENSディスクの場合と同様のＣ／Ｎ比（即ち、従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比）で再生することができ、より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーにより、記録マーク長１４９ｎｍの短記録マークを４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比で再生することができる光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するため、鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。本発明によれば上記目的を達成することができる。
【０００８】
このようにして完成され上記目的を達成することができた本発明は、光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜に係わり、請求項１記載の光情報記録媒体（第１発明に係る光情報記録媒体）、請求項２記載の記録膜（第２発明に係る記録膜）、請求項３記載の光情報記録媒体（第３発明に係る光情報記録媒体）、請求項４記載の記録膜（第４発明に係る記録膜）であり、それは次のような構成としたものである。
【０００９】
即ち、請求項１記載の光情報記録媒体は、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録膜に記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体であって、前記記録膜が波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対する屈折率：１．８〜２．５であり、かつ、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光の消衰係数：２．３〜２．９であることを特徴とする光情報記録媒体である〔第１発明〕。
【００１０】
請求項２記載の記録膜は、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体用の記録膜であって、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対する屈折率：１．８〜２．５であり、かつ、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光の消衰係数：２．３〜２．９であることを特徴とする記録膜である〔第２発明〕。
【００１１】
請求項３記載の光情報記録媒体は、前記記録膜がＩｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上を合計で４０原子％以上含有すると共に、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上を合計で１０〜６０原子％含有する合金からなる請求項１記載の光情報記録媒体である〔第３発明〕。
【００１２】
請求項４記載の記録膜は、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上を合計で４０原子％以上含有すると共に、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上を合計で１０〜６０原子％含有する合金からなる請求項２記載の記録膜である〔第４発明〕。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る光情報記録媒体によれば、前記Super-RENSディスク（前記公報記載のディスク）の場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）により、短記録マークを前記Super-RENSディスクの場合と同様のＣ／Ｎ比（即ち、従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比）で再生することができるようになる。より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーにより、記録マーク長１４９ｎｍの短記録マークを４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比で再生することができるようになる。
【００１４】
本発明に係る光情報記録媒体用の記録膜によれば、本発明に係る光情報記録媒体を得ることができる。ひいては、前記Super-RENSディスク（前記公報記載のディスク）の場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）により、短記録マークを前記Super-RENSディスクの場合と同様のＣ／Ｎ比（即ち、従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比）で再生することができるようになり、より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーにより、記録マーク長１４９ｎｍの短記録マークを４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比で再生することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明者らは、前記目的を達成すべく、鋭意研究を重ねた。その結果、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録膜に記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークの記録をし、この短記録マークの再生をする光情報記録媒体において、上記記録膜が下記(1) および(2) の光学特性を有する場合、前記Super-RENSディスクの場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）で短記録マークを再生でき、その際のＣ／Ｎ比が前記Super-RENSディスクの場合と同様である（即ち、従来のＢＤの場合よりも高い）こと、より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーで記録マーク長１４９ｎｍの短記録マーク（従来のＢＤの最短記録マークである２Ｔマークに相当）を再生でき、その際のＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上であることがわかった。
【００１６】
(1) 波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対する屈折率〔以下、屈折率（波長３８０〜４５０ｎｍ光）ともいう〕：１．８〜２．５である。
(2) 波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光の消衰係数〔以下、消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）ともいう〕：２．３〜２．９である。
【００１７】
本発明は、かかる知見に基づき完成されたものであり、それは光情報記録媒体および光情報記録媒体用の記録膜に係わるものである。このようにして完成された本発明に係る光情報記録媒体は、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録膜に記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体であって、前記記録膜が屈折率（波長３８０〜４５０ｎｍ光）：１．８〜２．５であり、かつ、消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）：２．３〜２．９であることを特徴とするものである〔第１発明〕。また、本発明に係る光情報記録媒体用の記録膜は、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射して、記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを形成して情報の記録をし、この記録マークを用いて情報の再生をする光情報記録媒体用の記録膜であって、屈折率（波長３８０〜４５０ｎｍ光）：１．８〜２．５であり、かつ、消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）：２．３〜２．９であることを特徴とするものである〔第２発明〕。
【００１８】
前記知見からわかるように、本発明に係る光情報記録媒体によれば、前記Super-RENSディスクの場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）で短記録マークを再生でき、その際のＣ／Ｎ比が前記Super-RENSディスクの場合と同様であり（即ち、従来のＢＤの場合よりも高く）、より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーで記録マーク長１４９ｎｍの短記録マークを再生でき、その際のＣ／Ｎ比が４５ｄＢ以上である。即ち、本発明に係る光情報記録媒体によれば、前記Super-RENSディスク（前記公報記載のディスク）の場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）により、短記録マークを前記Super-RENSディスクの場合と同様のＣ／Ｎ比（即ち、従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比）で再生することができるようになり、より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーにより、記録マーク長１４９ｎｍの短記録マークを４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比で再生することができるようになる。
【００１９】
本発明に係る光情報記録媒体用の記録膜によれば、本発明に係る光情報記録媒体を得ることができる。ひいては、前記Super-RENSディスク（前記公報記載のディスク）の場合よりも低い再生パワー（即ち、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー）により、短記録マークを前記Super-RENSディスクの場合と同様のＣ／Ｎ比（即ち、従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比）で再生することができるようになり、より具体的には、例えば、０．３ｍＷの再生パワーにより、記録マーク長１４９ｎｍの短記録マークを４５ｄＢ以上のＣ／Ｎ比で再生することができるようになる。
【００２０】
本発明に係る光情報記録媒体においては、記録マークの記録再生（記録マークの記録および記録マークの再生）に際し、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光を照射する。つまり、照射するレーザー光は波長が３８０〜４５０ｎｍであることとしている。この理由は下記の点にある。即ち、短記録マークを記録・再生するには、短波長の光源を用いることが有効であり、ＢＤにおいて波長が４０５ｎｍのレーザー光が実用化されている。波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光は実用性があるが、これよりも短波長領域の光源は入手も難しくて実用性に乏しく、波長４５０ｎｍ超のレーザー光ではビーム径が大きくなってしまうので、短記録マークに不向きである。
【００２１】
本発明に係る光情報記録媒体においては、屈折率（波長３８０〜４５０ｎｍ光）が１．８〜２．５であることとしている。光ディスクでは、戻り光によってサーボ（所定のトラックに焦点を合わせる）をかけているため、ディスク状態で、安定なサーボ特性が得られる反射率を確保する必要がある。単にサーボ特性の観点だけであれば、膜厚を厚くして反射率をかせぐことが容易であるが、膜厚を厚くすることは、孔開け記録方式では溶融する体積を増加させることになり、記録膜マーク内残さ発生するため、屈折率は１．８以上あることが望ましい。屈折率が１．８未満であると、膜厚１０数ｎｍの領域でディスク状態の反射率が確保できず、安定的なサーボ特性が得られ難い。屈折率が２．５超であると、膜厚１０数ｎｍの領域で記録マーク内残さが発生しやすく、ノイズが増加し、高Ｃ／Ｎが得られ難い。以上のような点から、本発明に係る光情報記録媒体において、屈折率（波長３８０〜４５０ｎｍ光）は１．８〜２．５であることとしている。なお、この記録膜の屈折率を波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対するものとしているのは、この記録膜に照射するレーザー光の波長が３８０〜４５０ｎｍであるからである。
【００２２】
本発明に係る光情報記録媒体において、記録膜の消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）が２．３〜２．９であることとしている。レーザー照射によって被加熱物質内で光強度指数関数的に減衰するとし（Beer, s  law）、減衰の度合いを示す係数である吸収係数（absorption coefficient）Ａは、消衰係数ｋ（extinction coefficient）を用いて、Ａ（吸収係数）＝４πｋ（消衰係数）／λで表され、その逆数が浸透深さｄ（レーザー光が１／ｅの強度となる距離）となる。つまり、ｄ＝１／Ａ＝λ／４πｋ（消衰係数）となる。ｋ（消衰係数）が小さくなるとｄは長くなり、ｋが大きくなるとｄは短くなる。レーザー光のパルス幅は１０〜２０ｓｅｃと短く、瞬時に膜厚方向に加熱されることが短記録マークのポイントであると考えられる。消衰係数が２．３未満であると、光の浸透深さが長くなってしまい、基板も加熱され、ダメージ（表面溶融など）受けやすくなる。消衰係数が２．９超であると、光の浸透深さが短くなってしまい、記録膜の表面側は溶融するが、基板側は溶融残りが発生するから、高Ｃ／Ｎが得られない。以上のような点から、本発明に係る光情報記録媒体において、記録膜の消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）は２．３〜２．９であることとしている。なお、この記録膜の消衰係数を波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光についてのものとしているのは、この記録膜に照射するレーザー光の波長が３８０〜４５０ｎｍであるからである。上記記録膜の消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）が２．６〜２．９であると、より確実に膜厚１０数ｎｍの領域ではマーク内残さ少ない記録マーク得られる。
【００２３】
本発明に係る光情報記録媒体での記録膜としては、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上を合計で４０原子％以上含有すると共に、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上を合計で１０〜６０原子％含有する合金からなるものを用いることが望ましい〔第３発明、第４発明〕。この理由は下記の点にある。即ち、上記合金では、Ｃｏ、Ｎｉが基板界面側に濃化し、所望の光学定数範囲（波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光に対する屈折率：１．８〜２．５、かつ、波長３８０〜４５０ｎｍのレーザー光の消衰係数：２．３〜２．９）に制御しやすいためである。つまり、本発明に係る光情報記録媒体を得ることができるからである。上記元素以外としてＳｉ、Ｇｅのような消衰係数を調整（増加）させる元素を添加することもでき、また、耐久性向上の観点から（上記所望の光学定数を維持した上で）、希土類元素を添加することもできる。Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上を含有すると共に、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上を含有する合金からなる膜において、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎの１種以上の含有量の合計が４０原子％未満の場合、低融点金属（Ｉｎ、Ｂｉ、Ｓｎ）の割合が少なくなり、記録パワーが増加するため、好ましくなく、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上の含有量の合計が１０原子％未満の場合、膜の表面平滑性が劣り、ノイズ成分が高くなってしまい、高Ｃ／Ｎが得られず、Ｃｏ、Ｎｉの１種以上の含有量の合計が６０原子％超の場合、高融点金属（Ｃｏ、Ｎｉ）の割合が多くなり、記録パワーが増加するため、好ましくない。
【００２４】
本発明において、記録膜の屈折率（波長３８０〜４５０ｎｍ光）は１．８〜２．５であり、かつ、記録膜の消衰係数（波長３８０〜４５０ｎｍ光）は２．３〜２．９である。このような屈折率および消衰係数の記録膜は、記録膜の組成、膜厚、成膜条件等を調整することにより得ることができる。例えば、純ＩｎターゲットにＣｏチップを置き、成膜パワー：１００Ｗ（Ａｒガス圧：３ｍＴｏｒｒ）で成膜すると、屈折率（波長４０５ｎｍ光）：２．２２、消衰係数（波長４０５ｎｍ光）：２．７９の記録膜が得られる。成膜パワーのみを５０Ｗに下げた条件で成膜すると、本発明に係る記録膜ではないが、屈折率（波長４０５ｎｍ光）：２．４５、消衰係数（波長４０５ｎｍ光）：１．７８の記録膜が得られる。成膜パワーのみを２５Ｗに下げた条件で成膜すると、本発明に係る記録膜ではないが、屈折率（波長４０５ｎｍ光）：２．３９、消衰係数（波長４０５ｎｍ光）：１．２１の記録膜が得られる。
【００２５】
本発明において、記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークは必ず形成するが、この数については限定されるものではなく、また、記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークだけを形成することに限定されるものではなく、記録マーク長１４９ｎｍ超の記録マークも形成することができる。
【実施例】
【００２６】
本発明の実施例および比較例を以下説明する。なお、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。
【００２７】
〔例１〕
例１に係る光情報記録媒体（光ディスク）の構造を図１に示す。図１に示す構造の光ディスクを下記のようにして作製した。
【００２８】
ディスク基板１として、ポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、その表面にＤＣスパッタリング法によって表１に示す組成（ＩＣＰ分析法による）の金属薄膜（記録層）２を成膜した。このとき、スパッタリングターゲットとしては、純Ｉｎターゲットまたは純Ｓｎターゲット上に金属チップ（Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂｉ等のチップ）を置いたものを用いた。スパッタリング条件は、到達真空度：１０-5Ｔｏｒｒ以下（１Ｔｏｒｒ＝１３３．３Ｐａ）、スパッタガス総圧：３ｍＴｏｒｒ、ＤＣスパッタパワー：表１に示すスパッタパワー（２５〜１００Ｗ）とした。記録層（記録膜）２の膜厚は表１に示すように変化させた。
【００２９】
上記記録層２の上に紫外線硬化性樹脂〔日本化薬社製「ＢＲＤ−１３０」（商品名）〕をスピンコートした後、これを紫外線硬化させて膜厚１００±１５μｍの光透過層３を形成した。以上のようにして光ディスクを作製した。
【００３０】
一方、ガラス基板上に上記記録層２と同様の金属薄膜を成膜して、金属薄膜の光学特性測定用サンプルを得た。ジェー・エー・ウーラム（株）製高速分光エリプソメーターＭ−２０００Ｕ（商品名）を用いて、上記サンプルの金属薄膜の屈折率および消衰係数を測定した。この屈折率および消衰係数を上記光ディスクの記録層２の屈折率および消衰係数とした。
【００３１】
上記光ディスクについて、下記のようにして記録マークの記録および再生をし、再生の際のＣ／Ｎ比を測定した。
【００３２】
光ディスク評価装置〔パルステック工業社製「ＯＤＵ−１０００」（商品名）、記録レーザ波長：４０５ｎｍ、対物レンズの開口数（ＮＡ）：０．８５〕とデジタルオシロスコープ〔横河電機社製「ＤＬ１６４０Ｌ」（商品名）〕を使用し、レーザパワー（記録パワー）：表１に示す記録パワー（４〜１２ｍＷ）、線速：４．９ｍ／ｓで、長さ：１４９ｎｍの短記録マーク（従来のＢＤの最短マークである２Ｔマーク）を繰り返して形成し、この後、レーザパワー（再生パワー）：０．３ｍＷで上記短記録マークの再生（信号読み取り）をした。そして、この信号読み取り時の１６．５ＭＨｚ周波数成分の信号強度をキャリア（単位ｄＢ）とし、その前後の周波数成分（１６．０ＭＨｚ、〜１７．０ＭＨｚ）の信号強度をノイズ（単位ｄＢ）とし、これより、キャリア／ノイズ（Ｃ／Ｎ）比（単位ｄＢ）を求めた。なお、上記短記録マークの形成のために照射するレーザー光、上記短記録マークの再生のために照射するレーザー光は、いずれも、波長４０５ｎｍである。
【００３３】
上記Ｃ／Ｎ比の測定結果を、記録膜２の屈折率および消衰係数の測定結果等と共に表１に示す。なお、この屈折率は波長４０５ｎｍのレーザー光に対する屈折率〔以下、屈折率（波長４０５ｎｍ光）ともいう〕であり、消衰係数は波長４０５ｎｍのレーザー光の消衰係数〔以下、消衰係数（波長４０５ｎｍ光）ともいう〕である。表１には、上記光ディスクでの未記録状態の反射信号レベル（ＳＵＭ２信号の最大振幅）も示した。市販のＢＤ−Ｒでは２Ｔ信号のＣ／Ｎ比は４２〜４３ｄＢ程度であり、本発明では従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比を得ることを目的としていることから、Ｃ／Ｎ比の判定基準としては、Ｃ／Ｎ比：４５ｄＢ未満の場合は×（不良）、Ｃ／Ｎ比：４５ｄＢ以上５０ｄＢ未満の場合は○（良好）、Ｃ／Ｎ比：５０ｄＢ以上の場合は◎（極良好）とした。
【００３４】
表１からわかるように、光ディスクの記録膜２の屈折率（波長４０５ｎｍ光）が１．８〜２．５の範囲外の値である場合も、光ディスクの記録膜２の消衰係数（波長４０５ｎｍ光）が２．３〜２．９の範囲外の値である場合も、光ディスクの記録膜２の屈折率（波長４０５ｎｍ光）が１．８〜２．５の範囲外の値であると共に、光ディスクの記録膜２の消衰係数（波長４０５ｎｍ光）が２．３〜２．９の範囲外の値である場合も、光ディスクの短記録マーク（長さ：１４９ｎｍ）再生時のＣ／Ｎ比は低く、×（不良）である〔No.14 〜22（比較例）〕。
【００３５】
これに対し、光ディスクの記録膜２の屈折率（波長４０５ｎｍ光）が１．８〜２．５であると共に、この記録膜２の消衰係数（波長４０５ｎｍ光）が２．３〜２．９である場合は、光ディスクの短記録マーク（長さ：１４９ｎｍ）再生時のＣ／Ｎ比は高く、○（良好）〜◎（極良好）である〔No.1〜13（本発明の実施例）〕。
【００３６】
このように記録膜の屈折率が１．８〜２．５であると共に消衰係数が２．３〜２．９である場合は短記録マーク再生時のＣ／Ｎ比が高くなる。このメカニズムに関しては下記のように考えられる。即ち、記録膜の屈折率が１．８〜２．５であると共に消衰係数が２．３〜２．９である場合は、記録マークを形成するに際して、レーザー光入射による光熱変換で投入されるエネルギーと記録膜を溶融するのに必要なエネルギーとのバランスがうまく取れているため、微小な短記録マーク内に残さが少なく、きれいな短記録マーク形状が得られているものと思われ、このため、短記録マーク再生時のＣ／Ｎ比が高くなると考えられる。
【００３７】
なお、市販のＢＤ−Ｒでは２Ｔマーク（長さ１４９ｎｍの短記録マーク）再生時のＣ／Ｎ比は４２〜４３ｄＢ程度であるのに対し、本発明の実施例（No.1〜13）に係る光ディスクでは短記録マーク（長さ：１４９ｎｍ）再生時のＣ／Ｎ比は４７．９〜５２．０ｄＢであり、約５〜１０ｄＢ高く、従って、高線記録密度化がはかれる（より短い記録マークの記録および再生が可能となる）。
【００３８】
〔例２〕
例１の場合よりも記録マーク長の短い短記録マークのＣ／Ｎ比の評価を行った。この詳細を、以下説明する。
【００３９】
図１に示す構造の光ディスクを下記のようにして作製した。
【００４０】
ディスク基板１として、ポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝幅：０．１６μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、その表面にＤＣスパッタリング法によってIn-47.1Co-1.8Sn 合金よりなる記録層２を成膜した。このとき、スパッタリングターゲットとしては、純Ｉｎターゲットまたは純Ｓｎターゲット上にＣｏチップを置いたものを用いた。スパッタリング条件は、到達真空度：１０-5Ｔｏｒｒ以下、スパッタガス総圧：３ｍＴｏｒｒ、ＤＣスパッタ成膜パワー：１００Ｗとした。記録層２の膜厚は１２ｎｍとした。
【００４１】
上記記録層２の上に紫外線硬化性樹脂〔日本化薬社製「ＢＲＤ−１３０」（商品名）〕をスピンコートした後、これを紫外線硬化させて膜厚１００±１５μｍの光透過層３を形成した。以上のようにして本発明の実施例に係る光ディスクを作製した。
【００４２】
一方、ガラス基板上に上記記録層（In-47.1Co-1.8Sn 膜）２と同様の薄膜（In-47.1Co-1.8Sn 膜）を成膜して、薄膜の光学特性測定用サンプルを得た。このサンプルの薄膜の屈折率および消衰係数を、例１の場合と同様の方法により測定した。この屈折率および消衰係数を上記光ディスクの記録層２の屈折率および消衰係数とした。上記光ディスクの記録層２の屈折率（波長４０５ｎｍ光）は２．４０であり、消衰係数（波長４０５ｎｍ光）は２．８４であった。
【００４３】
上記光ディスクについて、下記のようにして記録マークの記録および再生をし、再生の際のＣ／Ｎ比を測定した。
【００４４】
例１の場合と同様の光ディスク評価装置とデジタルオシロスコープを使用し、レーザパワー（記録パワー）：表２に示す記録パワー（６〜７ｍＷ）、線速：４．９ｍ／ｓで、長さ：９９〜１４９ｎｍの短記録マークのいずれかを繰り返して形成し、この後、レーザパワー（再生パワー）：０．３〜１ｍＷで上記短記録マークの再生（信号読み取り）をした。そして、この信号読み取り時の１６．５ＭＨｚ、１８．１５ＭＨｚ、１９．８ＭＨｚ、２１．４５ＭＨｚ、２３．１ＭＨｚ、２４．７５ＭＨｚ周波数成分の信号強度をキャリア（単位ｄＢ）とし、各々の周波数の前後の周波数成分の信号強度を各々のノイズ（単位ｄＢ）とし、これより、各々のキャリア／ノイズ（Ｃ／Ｎ）比（単位ｄＢ）を求めた。なお、上記短記録マークの形成のために照射するレーザー光、上記短記録マークの再生のために照射するレーザー光は、いずれも、波長４０５ｎｍである。
【００４５】
一方、比較例に係る光ディスクとして三菱化学メディア製の市販25GB BD-R （録画用２倍速対応ベアタイプ Blu-ray Disc 、型番：VBR130N1）を準備し、この光ディスクについても、上記の実施例に係る光ディスクの場合と同様の条件、同様の方法により、記録マークの記録および再生をし、再生の際のＣ／Ｎ比を測定した。
【００４６】
上記Ｃ／Ｎ比の測定結果を再生パワー等と共に表２〜３に示す。なお、表２は本発明の実施例に関するものであり、表３は比較例（市販25GB BD-R ）に関するものである。表２〜３において、Ｐｗは記録パワー（Write Power ）、Ｐｅは消去パワー（Erase Power ）、Ｐｂはバイアスパワー（Bias Power）を示すものであり、Ｐｒは再生パワー（Readout Power ）を示すものである。
【００４７】
表２〜３からわかるように、本発明の実施例に係る光ディスクは、比較例に係る光ディスクよりも、光ディスクの短記録マーク再生時のＣ／Ｎ比が高くて優れている。例えば、１ｍＷの再生パワー（Ｐｒ）で記録マーク長：１２４ｎｍの短記録マークを再生するときのＣ／Ｎ比で比較すると、比較例に係るものは２１．５ｄＢであるのに対し、本発明の実施例に係るものは３７．３ｄＢであり、遥かに高いＣ／Ｎ比が得られている。短記録マークで高Ｃ／Ｎ比が得られるSuper-RENSディスクの報告があるが、このディスクでは高再生パワー（Ｐｒ＞２ｍＷ）が必要であり、Ｐｒ＝１ｍＷでは上記本発明の実施例に係る光ディスクのような高Ｃ／Ｎ比は得られない。
【００４８】
また、本発明の実施例に係る光ディスクでの光学系の解像限界はλ／４ＮＡより、１１９ｎｍであるが、本発明の実施例に係る光ディスクにおいては解像限界以下の長さの短記録マークでも再生可能となることが確認できた。更なる記録膜組成および膜厚の最適化によって、特性向上は可能である。
【００４９】
以上より、本発明に係る光情報記録媒体によれば、記録マークとして記録マーク長１４９ｎｍ以下の短記録マークを含む記録マークを用いることによって、従来のＢＤの25GB／layer を超える高線記録密度化が期待できる。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
【表２】
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【００５２】
【表３】
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【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る光情報記録媒体は、従来のＢＤの場合と同様の再生パワー（従来提案されているSuper-RENSディスクの場合よりも低い再生パワー）により、短記録マークを従来のＢＤの場合よりも高いＣ／Ｎ比（従来提案されているSuper-RENSディスクの場合と同様のＣ／Ｎ比）で再生することができるので、従来のＢＤと比較すると、高いＣ／Ｎ比で短記録マークを再生することができて有用であり、従来提案されているSuper-RENSディスクと比較すると、低い再生パワーで短記録マークを再生することができて有用である。本発明に係る記録膜は、光情報記録媒体の記録膜として好適に用いることができ、光情報記録媒体の短記録マーク再生時のＣ／Ｎ比を従来のＢＤの場合よりも高くすることができ、短記録マークの再生パワーを従来提案されているSuper-RENSディスクの場合よりも低くすることができて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施例および比較例に係る光情報記録媒体（光ディスク）の構造を示す模式図である。
【図１】
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