(57)【要約】【課題】基板上の１つのショット領域内のデバイスの個数が多いような場合でも、その基板の周辺部の不要なパターンを消すための露光を効率的に行う。【解決手段】レチクルＲのパターンをウエハＷ上に露光する露光装置において、ウエハＷを走査方向に駆動するウエハステージ３９と、ウエハＷ上に走査方向の幅が可変の露光領域３５Ｐを設定する第１可動ブラインド１４と、露光領域３５Ｐの非走査方向の一部の領域を遮光するために、走査方向に対応する方向に移動可能な第２可動ブラインド１６と、ウエハＷ上の露光位置に応じて、可動ブラインド１４，１６の動作を制御する制御系３４とを備える。【選択図】図１
2009059893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光でパターンの少なくとも一部を介して基板を露光した状態で、前記パターンと前記基板とを同期して移動することにより、前記基板に前記パターンを転写する露光方法において、
前記露光光によって前記基板の走査方向の幅が可変の露光領域で前記基板を露光した状態で、前記基板を前記走査方向に移動させる工程と、
前記基板が前記露光領域で露光されている期間内に、前記露光領域の前記走査方向に直交する方向の一部の領域を遮光領域で覆う工程と、
を有する露光方法。
【請求項２】
前記露光領域の前記走査方向のエッジ部の移動速度の最大値に比べて、前記遮光領域の移動速度の最大値が速い請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記露光領域のうちで前記遮光領域で覆われる領域の前記走査方向に直交する方向の幅は、前記基板上の露光位置に応じて可変である請求項１または２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記パターンは、マスクステージに保持されたマスクに形成され、
前記露光領域で前記基板を露光する際に、前記マスクステージから前記マスクを退避させて、前記マスクステージを静止する請求項１から３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記露光領域の一部を前記遮光領域で覆う際の、遮光される領域と遮光されない領域との境界部の幅は、前記基板上でそれぞれ前記パターンの少なくとも一部が転写される隣接する区画領域の間隔の幅より狭い請求項１から４のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記露光領域は、露光量分布がほぼ均一な領域であり、
前記露光領域によって露光される前記基板上の領域は、前記パターンのうち少なくとも一部のパターンが欠けた状態で転写される領域を含む前記基板の周辺領域である請求項１から５のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
露光光でパターンを介して基板を露光した状態で、前記パターンと前記基板とを同期して移動することにより、前記基板に前記パターンを転写する露光装置において、
前記基板を走査方向に駆動する基板ステージと、
前記基板上に、前記走査方向の幅が可変の前記露光光による露光領域を設定する可変視野絞りと、
前記露光領域の前記走査方向に直交する方向の一部の領域を遮光するために、前記走査方向に対応する方向に移動可能な遮光部材と、
前記基板上の露光位置に応じて、前記可変視野絞り及び前記遮光部材の動作を制御する制御装置と、
を備える露光装置。
【請求項８】
前記可変視野絞りの前記走査方向のエッジ部の移動速度の最大値に比べて、前記遮光部材の移動速度の最大値が速い請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記遮光部材の前記走査方向に直交する方向に対応する方向の位置は可変であることを特徴とする請求項７または８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記パターンが形成されたマスクを保持して、前記走査方向に対応する方向に移動可能なマスクステージを備え、
前記マスクステージの一部に前記露光領域の全体に前記露光光を照射可能な素通し部が形成された請求項７から９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記可変視野絞りは、前記パターンと光学的に共役な面またはこの近傍の面上に配置され、
前記遮光部材は、前記可変視野絞りと光学的に共役な面またはこの近傍の面上に配置される請求項７から１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記パターンと光学的に共役な面の近傍の面に配置されるとともに、前記露光領域の最大の形状を規定するための固定視野絞りを備える請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法において、
前記リソグラフィ工程で請求項７から１２のいずれか一項に記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体素子等の各種デバイスを製造するためのリソグラフィ工程で、デバイス用のパターンを基板上に転写するために使用される露光技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体素子、撮像素子（ＭＯＳ型、ＣＣＤ等）、及び液晶ディスプレイ等のデバイス（マイクロデバイス、電子デバイス）の製造工程の一つであるリソグラフィ工程においては、レチクル（又はフォトマスク等）に形成されたパターンをレジストが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に転写露光するために、露光装置が使用されている。露光装置としては、ステッパー等の一括露光型（静止露光型）の投影露光装置、及びスキャニングステッパー等の走査露光型の投影露光装置（走査型露光装置）などが使用されている。
【０００３】
これらの露光装置で露光されたウエハは、現像装置に送られて、レジストの現像が行われる。この際に、ウエハの上面はそれぞれ例えば１枚のレチクルのパターンの像が転写される多数のショット領域によって直交する２方向に区分されている。さらに、最近は１つのショット領域内に複数個の例えば同一のデバイス（チップ）が形成されることがある。このように、各ショット領域がさらに複数のデバイス領域に区分される場合には、ウエハの周辺部でほぼ円形の有効露光領域から一部がはみ出てしまうショット領域（以下、周辺ショットと言う。）においても、一部のデバイスが有効に使用できるものがある。そこで、１枚のウエハからできるだけ多くのデバイスを切り出してスループットを高めるために、周辺ショットも含めてウエハのほぼ全面にレチクルのパターンが露光される。このようにウエハのほぼ全面にレチクルのパターンを露光した後、そのウエハ上のレジストの現像を行うと、デバイスとして使用できない部分にもレジストの凹凸パターンが形成される。この凹凸パターンからいわゆるレジスト残滓等の異物が発生すると、その異物は最終的に製造されるデバイスの歩留り低下の一つの要因となる。
【０００４】
このように周辺ショット中で有効なデバイス領域以外の部分で現像後にレジスト残滓が生ずるのを防止するために、レチクルステージ上にレチクルとは別に周辺露光用の所定形状のパターンが形成された部材を備えておく露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この露光装置では、ウエハの周辺ショット中の有効なデバイス領域以外の部分を、その周辺露光用のパターンを通して走査露光によって二重露光する（パターンを消す）ことによって、現像後に不要なパターンが残らないようにしている。
【特許文献１】特開２００６−２７８８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の如く、周辺露光用のパターンが形成された部材を用いる場合、１つのショット領域内の複数のデバイス（チップ）の配列によっては、１つの周辺ショット中の有効なデバイス領域以外のパターンを、１回の走査露光で消すことができないことがある。このときには、１つの周辺ショットの露光に複数回の走査露光を行う必要があり、露光工程のスループットが低下するという問題があった。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、基板上の１つのショット領域から切り出されるデバイスの個数が多いような場合でも、基板の周辺部の不要なパターンを消すための露光を効率的に行うことができる露光技術及びデバイス製造技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による露光方法は、露光光でパターン（Ｒ）の少なくとも一部を介して基板（Ｗ）を露光した状態で、そのパターンとその基板とを同期して移動することにより、その基板にそのパターンを転写する露光方法において、その露光光によってその基板の走査方向の幅が可変の露光領域（３５Ｐ）でその基板を露光した状態で、その基板をその走査方向に移動させる工程（ステップ１０７）と、その基板がその露光領域で露光されている期間内に、その露光領域のその走査方向に直交する方向の一部の領域を遮光領域（１６ＡＰ，１６ＢＰ）で覆う工程（ステップ１０８）と、を有するものである。
【０００８】
また、本発明による露光装置は、露光光でパターン（Ｒ）を介して基板（Ｗ）を露光した状態で、そのパターンとその基板とを同期して移動することにより、その基板にそのパターンを転写する露光装置において、その基板を走査方向に駆動する基板ステージ（３９）と、その基板上に、その走査方向の幅が可変の露光光による露光領域（３５Ｐ）を設定する可変視野絞り（１４）と、その露光領域のその走査方向に直交する方向の一部の領域を遮光するために、その走査方向に対応する方向に移動可能な遮光部材（１６）と、その基板上の露光位置に応じて、その可変視野絞り及びその遮光部材の動作を制御する制御装置（３４）と、を備えるものである。
【０００９】
なお、以上の本発明の所定要素に付した括弧付き符号は、本発明の一実施形態を示す図面中の部材に対応しているが、各符号は本発明を分かり易くするために本発明の要素を例示したに過ぎず、本発明をその実施形態の構成に限定するものではない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、その露光領域を用いて基板上の１つのショット領域に対する走査露光を行っているときに、その露光領域の走査方向に直交する方向の一部を遮光することによって、１つのショット領域内のデバイスの個数が多いような場合でも、１回の走査露光によってそのショット領域内の必要なパターンを残して、不要なパターンのみを消すことができる。従って、その基板の周辺部の不要なパターンを消すための露光を効率的に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態の一例につき図面を参照して説明する。
図１は、本実施形態の露光装置１の概略構成を示す。露光装置１は、スキャニングステッパーよりなる走査露光型の投影露光装置である。図１において、露光装置１は、露光光ＩＬ（露光ビーム）を発生する露光光源２と、その露光光ＩＬでレチクルＲ（マスク）のパターンを照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲを駆動するレチクルステージ３１と、レチクルＲのパターンの一部の像をウエハＷ（基板）上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを駆動するウエハステージ３９と、露光装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータよりなる主制御系２２と、その他の駆動機構等とを備えている。以下では、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内でレチクルＲ及びウエハＷの走査方向（ここでは図１の紙面に平行な方向）にＹ軸を取り、その走査方向に直交する非走査方向（ここでは図１の紙面に垂直な方向）にＸ軸を取って説明する。
【００１２】
露光光源２としてはＡｒＦエキシマレーザ光源（波長１９３ｎｍ）が使用されている。なお、露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、Ｆ2 レーザ（波長１５７ｎｍ）、固体レーザ（ＹＡＧレーザ、半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ等を使用することができる。
露光光源２からの紫外パルス光よりなる露光光ＩＬは、ビームマッチングユニット（ＢＭＵ）３、可変減光器（不図示）、及びレンズ系４Ａ，４Ｂよりなるビーム成形系５を経て１段目のオプティカル・インテグレータ（ユニフォマイザ、又はホモジナイザ）としての第１フライアイレンズ６に入射する。露光制御ユニット２１が、露光光源２の発光の開始及び停止、並びに出力（発振周波数、パルスエネルギー）を制御すると共に、その可変減光器における減光率を調整する。
【００１３】
第１フライアイレンズ６から射出された露光光ＩＬは、第１レンズ系７Ａ、ミラー８Ａ、及び第２レンズ系７Ｂを介して２段目のオプティカル・インテグレータとしての第２フライアイレンズ９に入射する。第２フライアイレンズ９の射出面、即ち本実施形態の照明光学系ＩＬＳの瞳面には、開口絞り板１０が駆動モータ１０ｅによって回転可能に配置されている。開口絞り板１０には、通常照明用の円形の開口絞り１０ａ、輪帯照明用の開口絞り１０ｂ、並びに複数（例えば２極及び４極）の偏心した小開口よりなる変形照明用の複数の開口絞り（不図示）等が切り換え可能に配置されている。主制御系２２が駆動モータ１０ｅを介して開口絞り板１０を回転して、照明条件を設定する。
【００１４】
なお、２段のフライアイレンズ６，９及び開口絞り板１０を用いる照度分布均一化光学系の代わりに、切り換え可能な複数の回折光学素子（Diffractive Optical Element）、間隔が可変の１対のアキシコン（円錐プリズム）、ズームレンズ系、及びマイクロフライアイレンズ等からなる照度分布均一化光学系を用いてもよい。
図１において、開口絞り板１０の所定の開口絞り（図１では開口絞り１０ａ）を通過した露光光ＩＬは、光軸ＩＡＸに沿ってレンズ系１１，１２を経て順次、固定ブラインド１３（固定照明視野絞り）、第１可動ブラインド１４（可動照明視野絞り）、及び第２可動ブラインド１６（遮光部材）を通過する。固定ブラインド１３は、レチクルＲのパターン面（レチクル面）に対する共役面から所定量だけデフォーカスした面（共役面の近傍の面）に配置され、第１可動ブラインド１４は、レチクル面に対する共役面又はこの近傍の面に設置される。また、第２可動ブラインド１６は、第１可動ブラインド１４の近傍の面、即ちレチクル面に対する共役面から僅かにデフォーカスした面に配置されている。
【００１５】
なお、照明光学系ＩＬＳ内にリレーレンズ系によって第１可動ブラインド１４の配置面との共役面（レチクル面とほぼ共役な面）を設け、その共役面又はその近傍の面に第２可動ブラインド１６を配置してもよい。固定ブラインド１３は、非走査方向に対応する方向に伸びた矩形（又はスリット状）の開口部１３ａ（図２参照）を有する。照明光学系ＩＬＳによる開口部１３ａのレチクル面への像が、レチクル面上で最大の照明領域３５（図３（Ａ）参照）となる。
【００１６】
図２は、図１の第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６を＋Ｙ方向に見た図である。図２のＺ方向が図１のレチクルＲ及びウエハＷ上でのＹ方向（走査方向）に対応する。図２に２点鎖線で示すように、第１可動ブラインド１４は、走査露光時に必要に応じて、開口部１３ａ（ひいては図１のレチクルＲ上の照明領域３５）のＺ方向（走査方向に対応する方向）のエッジ部から内側の領域を高速に覆う２枚のブレード１４ＹＡ，１４ＹＢと、走査露光開始前に必要に応じて予め開口部１３ａ（照明領域３５）のＸ方向（非走査方向に対応する方向）のエッジ部から内側の領域を覆う２枚のブレード１４ＸＡ，１４ＸＢとを備えている。
【００１７】
ブレード１４ＹＡ，１４ＹＢは例えばリニアエンコーダ及びリニアモータを内蔵する駆動部１５Ｙによって独立にＺ方向に高速に駆動される。また、ブレード１４ＸＡ，１４ＸＢは例えばリニアエンコーダ及びボールねじ方式の駆動モータを内蔵する駆動部１５Ｘによって独立にＸ方向に駆動される。駆動部１５Ｘ，１５Ｙは、図１では駆動部１５として表されている。この場合、ブレード１４ＹＡ，１４ＹＢは、ウエハＷ上の各ショット領域への走査露光の開始時及び終了時に不要な露光を防止するために、照明領域３５の走査方向の幅を可変とするために使用される。さらに、ブレード１４ＸＡ，１４ＸＢは、非走査方向に関して照明領域３５の位置及び幅（転写対象のレチクルのパターン領域の形状に応じて設定される）を可変とするために使用される。
【００１８】
図２において、第２可動ブラインド１６は、固定ブラインド１３及び第１可動ブラインド１４によって設定される開口部（開口部１３ａ内の可変の矩形領域）のＸ方向の一部の領域を必要に応じて遮光する２枚の可動の遮光板１６Ａ，１６Ｂを備えている。遮光板１６Ａ及び１６Ｂは、開口部１３ａをほぼＺ方向に挟むように支持されたＸ方向に細長いスライダ１７ＸＡ及び１７ＸＢに沿ってリニアモータ等によってＸ方向に独立に駆動される。スライダ１７ＸＡ，１７ＸＢは、遮光板１６Ａ，１６ＢのＸ方向の位置をモニタするためのリニアエンコーダ（不図示）を備えている。さらに、スライダ１７ＸＡ，１７ＸＢは、例えばスライダ１７ＸＡ，１７ＸＢのＺ方向の位置をモニタするリニアエンコーダ及びリニアモータを内蔵する駆動部１７Ｙによって独立にＺ方向に高速に駆動される。
【００１９】
第２可動ブラインド１６の遮光板１６Ａ，１６Ｂのうち、スライダ１７ＸＡ，１７ＸＢとの連結部の内側の平板状の部分（有効領域）は、それぞれ開口部１３ａのＺ方向の幅を僅かに超える程度の幅、及び開口部１３ａのＸ方向の長さの２／３以上の長さを備えている。そして、遮光板１６Ａ，１６Ｂをスライダ１７ＸＡ，１７ＸＢに沿って駆動することによって、遮光板１６Ａ，１６Ｂによってそれぞれ開口部１３ａの±Ｘ方向の端部から１／３以下で２／３以上の長さの部分を覆うことが可能である。これによって、ウエハ上の各ショット領域に含まれるデバイス領域が非走査方向に３行ある場合でも、１回の走査露光で第２可動ブラインド１６を用いて後述の周辺ショットの露光を行うことができる。
【００２０】
なお、第２可動ブラインド１６の配置スペースに余裕があるときには、遮光板１６Ａ，１６Ｂの有効領域のＸ方向の長さを、開口部１３ａのＸ方向の長さを僅かに超える程度にして、スライダ１７ＸＡ，１７ＸＢに沿った遮光板１６Ａ，１６Ｂの移動ストロークを開口部１３ａのＸ方向の長さの３倍以上にすることが好ましい。これによって、ウエハ上の各ショット領域に含まれるデバイス領域の非走査方向の個数がいくつであっても、１回の走査露光で後述の周辺ショットの露光を行うことができる。
【００２１】
また、遮光板１６Ａ，１６ＢのウエハＷ上への像の境界部（露光量がほぼ０から最大値まで変化する部分）の位置決め精度及びデフォーカスによる像ぼけを含む幅は、ウエハＷ上の複数のデバイス領域の境界部であるスクライブライン領域の幅（４０〜５０μｍ程度）よりも狭くなるように設定されている。
図２の遮光板１６Ａ，１６Ｂは、通常の走査露光時には、それぞれ開口部１３ａの＋Ｚ方向及び−Ｚ方向の外側に待機している、即ち第２可動ブラインド１６は全開である。そして、後述の周辺ショットの露光時に遮光板１６Ａ，１６Ｂは、それぞれ必要に応じて＋Ｚ方向側及び−Ｚ方向側から、固定ブラインド１３及び第１可動ブラインド１４によって設定される開口部、ひいては図１のレチクルＲの照明領域３５のＸ方向（非走査方向）の一部の領域を遮光する。
【００２２】
本実施形態では、第１可動ブラインド１４のブレード１４ＹＡ，１４ＹＢのＺ方向の移動速度の最大値は、ブレード１４ＹＡ，１４ＹＢのウエハ上への投影像のＹ方向の移動速度が、走査露光時のウエハステージ３９のＹ方向の移動速度の最大値に追従できるように設定されている。さらに、第１可動ブラインド１４のブレード１４ＹＡ，１４ＹＢのＺ方向の移動速度の最大値よりも、第２可動ブラインド１６の遮光板１６Ａ，１６ＢのＺ方向の移動速度の最大値の方が速くなるように構成されている。なお、実際には、第２可動ブラインド１６によって遮光される照明領域３５内のＸ方向の一部の領域は、Ｙ方向にも一部の領域であることがある。スライダ１７ＸＡ，１７ＸＢ及び駆動部１７Ｙは、図１では駆動部１７として表されている。駆動部１５，１７は後述の駆動制御ユニット３４によって制御される。
【００２３】
図１に戻り、通常の走査露光時に固定ブラインド１３及び第１可動ブラインド１４（第２可動ブラインド１６は全開である）を通過した露光光ＩＬは、光路折り曲げ用のミラー８Ｂ、第１コンデンサレンズ系１８、及び第２コンデンサレンズ系１９を介して、レチクルＲのパターン面（下面）の照明領域（照明視野領域）３５を照明する。ビーム成形系５から第２コンデンサレンズ系１９までの部材を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。
【００２４】
また、照明光学系ＩＬＳ内で露光光ＩＬから分岐した光を受光するインテグレータセンサ（不図示）が備えられており、露光制御ユニット２１は、そのインテグレータセンサの検出情報より間接的にウエハＷに対する露光光ＩＬの照度をモニタする。露光制御ユニット２１は、そのモニタ結果及び主制御系２２からの制御情報に基づいて、露光光源２等を介して露光光ＩＬの照度（パルスエネルギー）を制御する。
【００２５】
露光光ＩＬのもとで、レチクルＲの照明領域３５内の回路パターンの像が両側（又は片側）テレセントリックな投影光学系ＰＬを介して所定の投影倍率β（βは例えば１／４，１／５等）で、投影光学系ＰＬの結像面に配置されたウエハＷの一つのショット領域上のＸ方向に細長い矩形の露光領域３５Ｐ（照明領域３５と光学的に共役な領域）に転写される。ウエハＷは、例えば半導体（シリコン等）又はＳＯＩ(silicon on insulator)等の直径が２００〜３００ｍｍ程度の円板状の基材の表面に、ポジ型のレジスト（感光材料）を塗布したものである。
【００２６】
図１において、レチクルＲは、レチクルステージ３１上に吸着保持され、レチクルステージ３１は、レチクルベース３２上にＹ方向に等速移動できると共に、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ軸の周りの回転方向に微動できるように載置されている。レチクルステージ３１（レチクルＲ）の２次元的な位置、及び回転角は駆動制御ユニット３４内のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。この計測結果及び主制御系２２からの制御情報に基づいて、駆動制御ユニット３４内の駆動モータ（リニアモータやボイスコイルモータ等）は、レチクルステージ３１の速度及び位置の制御を行う。駆動制御ユニット３４は、更に主制御系２２からの制御情報に基づいて、駆動部１５及び１７を介して第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６の開閉動作を制御する。
【００２７】
また、レチクルステージ３１のレチクルＲにＹ方向（走査方向）に隣接する領域に、露光光ＩＬを透過するガラス基板よりなる基準パターン板３３が固定されている。基準パターン板３３のパターン面（下面）に、例えば投影光学系ＰＬの結像特性計測用のパターン３６（図３（Ａ）参照）等が形成されている。レチクルステージ３１のレチクルＲ及び基準パターン板３３に対向する部分には、露光光ＩＬを通過させるための開口３１ａ及び３１ｂが形成され、レチクルベース３２には照明領域３５からの露光光ＩＬを通過させるための開口３２ａが形成されている。
【００２８】
図３（Ａ）は、図１のレチクルステージ３１の平面図である。図３（Ａ）において、レチクルＲの矩形のパターン領域ＰＡ内にＸ方向に２行でＹ方向に４列の８個の同一の回路パターンＣＰ及び複数のアライメントマーク（不図示）が描画されている。即ち、レチクルＲのパターンは、２行×４列の８個取りのパターンであり、隣接する回路パターンＣＰは、ウエハ上への投影像の段階で幅が４０〜５０μｍ程度のスクライブライン領域で分離されている。なお、パターン領域ＰＡの分割数及び分割の方法は任意であり、かつパターン領域ＰＡを同じ大きさの複数の互いに異なる回路パターンで分割してもよい。さらに、パターン領域ＰＡを異なる大きさの複数の回路パターンで分割してもよい。
【００２９】
また、パターン領域ＰＡ上の露光光ＩＬの照明領域３５は、本例では投影光学系ＰＬの光軸ＡＸを中心として、Ｘ方向（非走査方向）に細長い矩形領域である。図３（Ａ）の照明領域３５は、図２の第１可動ブラインド１４の走査方向のブレード１４ＹＡ，１４ＹＢを全開にして、第２可動ブラインド１６を全開にしたときの固定ブラインド１３の開口部１３ａの像でもある。照明領域３５のＸ方向のエッジ部はパターン領域ＰＡを囲むスクライブライン領域内に設置されている。また、固定ブラインド１３はレチクル面から所定量だけデフォーカスした面に配置されているため、照明領域３５の輪郭部は或る程度ぼけており、その輪郭部では露光光ＩＬの照度はほぼ所定の傾斜で変化する。これによって、露光光ＩＬがパルス光である場合にも、ウエハＷの全面で実質的に露光量分布が均一化される。
【００３０】
レチクルステージ３１の＋Ｙ方向の端部には、全開状態での照明領域３５が収まる程度の大きさを持つ凹部３１ｃ（素通し部）が形成されている。本実施形態では、レチクルステージ３１を−Ｙ方向に移動することによって、凹部３１ｃ内の位置３７に照明領域３５を配置できるように構成されている。
また、図２の第２可動ブラインド１６の遮光板１６Ａ，１６Ｂを駆動することによって、図３（Ｂ）に示すように、レチクル面又は図３（Ａ）の凹部３１ｃ内の素通し部にある照明領域３５に対して−Ｙ方向及び＋Ｙ方向から遮光板１６Ａ，１６Ｂの像である遮光部１６ＡＲ，１６ＢＲを設定し、かつ遮光部１６ＡＲ，１６ＢＲをＸ方向、Ｙ方向に独立に移動させることができる。この場合、図１の投影光学系ＰＬが倒立像を形成するものとすると、図３（Ｃ）のウエハＷ上の露光領域３５Ｐに対して、＋Ｙ方向及び−Ｙ方向から遮光板１６Ａ，１６Ｂの像である遮光部１６ＡＰ，１６ＢＰを設定し、かつ遮光部１６ＡＰ，１６ＢＰをＸ方向、Ｙ方向に独立に移動させることができる。
【００３１】
図１に戻り、ウエハＷは、ウエハホルダ３８を介してウエハステージ３９上に吸着保持され、ウエハステージ３９は、ウエハベース４０上で投影光学系ＰＬの像面と平行なＸＹ平面に沿って２次元移動する。即ち、ウエハステージ３９は、ウエハベース４０上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動する。さらに、ウエハステージ３９には、ウエハＷのＺ方向の位置（フォーカス位置）、並びにＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を制御するＺレベリング機構も組み込まれている。また、投影光学系ＰＬの側面に、ウエハＷの表面の複数の計測点に斜めにスリット像を投影する投射光学系２５Ａと、その被検面からの反射光を受光してそれらの複数の計測点のフォーカス位置に対応するフォーカス信号を生成する受光光学系２５Ｂとからなる多点のオートフォーカスセンサ２５Ａ，２５Ｂも設けられている。それらのフォーカス信号が主制御系２２中の合焦制御部に供給される。走査露光時に、その合焦制御部は、それらのフォーカス信号（フォーカス位置）の情報に基づいてオートフォーカス方式でウエハステージ３９中のＺレベリング機構を連続的に駆動する。これによって、ウエハＷの表面が投影光学系ＰＬの像面に合焦される。
【００３２】
ウエハステージ３９の少なくともＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の回りの回転角は駆動制御ユニット４１内のレーザ干渉計によってリアルタイムに計測されている。この計測結果及び主制御系２２からの制御情報に基づいて、駆動制御ユニット４１内の駆動部（リニアモータ等）は、ウエハステージ３９の走査速度及び位置の制御を行う。
さらに、レチクルＲのアライメントマークを投影光学系ＰＬを介して検出するために、一例として、ウエハステージ３９には空間像検出系（不図示）が備えられている。また、ウエハＷ上のアライメントマークを検出するために、投影光学系ＰＬの側面にオフ・アクシス方式で画像処理方式のアライメントセンサ２３が設置されている。空間像検出系及びアライメントセンサ２３の検出信号をアライメント信号処理系２６で処理することで、被検マークの座標等が求められ、求められた情報は主制御系２２に供給される。
【００３３】
次に、図６のフローチャートを参照して、図１の露光装置１において、１ロットのウエハにレチクルＲのパターンの像を露光する場合の動作の一例につき説明する。先ず図６のステップ１０１において、図１のレチクルステージ３１上にレチクルＲがロードされ、上記の空間像検出系を介してレチクルＲのアライメントマークの座標の検出（レチクルのアライメント）が行われる。
【００３４】
次のステップ１０２において、ウエハステージ３９上の所定の基準マーク（不図示）をアライメントセンサ２３で検出することで、レチクルＲのパターン像の位置とアライメントセンサ２３の検出中心との間隔（ベースライン）の情報が求められる。また、先頭のレジストが塗布されたウエハ（ウエハＷとする）がウエハステージ３９上にロードされ、アライメントセンサ２３を介してウエハＷ上の所定のアライメントマークの位置情報が計測される。アライメント信号処理系２６は、その位置情報に基づいてウエハＷ上の全部のショット領域の配列座標の算出（ウエハのアライメント）を行う。算出された配列座標の情報は主制御系２２に供給される。
【００３５】
次のステップ１０３において、主制御系２２は、その配列座標とベースラインとに基づいて、レチクルＲのパターン像とウエハＷ上の各ショット領域との位置合わせを行いながら、ウエハＷ上の全部のショット領域に走査露光方式で投影光学系ＰＬを介してレチクルＲのパターンを露光する。即ち、主制御系２２は、レチクルステージ３１及びウエハステージ３９のそれぞれの位置、速度等の各種情報を駆動制御ユニット３４及び４１に送る。これに応じて、レチクルステージ３１を介して露光光ＩＬの照明領域３５に対してレチクルＲが＋Ｙ方向又は−Ｙ方向に速度Ｖｒで走査されるのに同期して、ウエハステージ３９を介してレチクルＲのパターンの露光領域３５Ｐに対してウエハＷが逆方向に速度β・Ｖｒ（βはレチクルＲからウエハＷへの投影倍率）で走査される。
【００３６】
図４は、図１のウエハＷのショットマップの一例を示し、この図４において、ウエハＷのレジストが塗布された有効露光領域（図４ではオリエンテーションフラットが設けられたほぼ円形の輪郭の内部の領域）は、Ｘ方向の幅ＰＸでＹ方向の幅ＰＹの多数のショット領域Ｓｉ（ｉ＝１，２，３，…）に区画されており、全部のショット領域Ｓｉにそれぞれ図１のレチクルＲのパターン像が露光される。この際に、一つのショット領域への走査露光が終了すると、ウエハステージ３９のステップ移動によって、ウエハＷ上の次のショット領域が露光領域３５Ｐの手前に移動する。以下、露光領域３５ＰがウエハＷに対して相対的な軌跡５１に沿って移動して、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の全部のショット領域にレチクルＲのパターン像が露光される。この際の各ショット領域の走査露光の開始時及び終了時に不要な部分への露光を防止するため、露光領域３５Ｐの走査方向の幅を制御するように、駆動制御ユニット３４によって第１可動ブラインド１４の開閉が行われる。
【００３７】
このレチクルＲのパターンの露光に続いて、本例では以下のようにウエハＷの周辺部で有効露光領域から一部がはみ出でしまうショット領域（周辺ショット）内の一部の不要なパターンを消すための露光（周辺露光）を行う。本例のレチクルＲのパターン領域ＰＡには、図３（Ａ）に示すように８個の回路パターンＣＰが形成されているため、図４のウエハＷの各ショット領域Ｓｉは、それぞれ同一の８個のデバイス領域（チップ領域）ｃ１〜ｃ８が２行×４列で形成されている。従って、最終的にウエハＷの１つの完全なショット領域Ｓｉからは、８個のデバイスを切り出すことができる。
【００３８】
図４のショット領域Ｓ１の近傍の拡大図である図５（Ａ）に示すように、各ショット領域内のＸ方向に隣接するデバイス領域（区画領域）ｃ１，ｃ２（又はｃ３，ｃ４等）の境界部は、幅ＬＸのスクライブライン領域５４Ｘで分離され、Ｙ方向に隣接するデバイス領域ｃ１，ｃ３（又はｃ２，ｃ４等）の境界部は、幅ＬＹのスクライブライン領域５４Ｙで分離されている。図５（Ａ）等では、誇張して表されているが、スクライブライン領域５４Ｘ，５４Ｙの幅ＬＸ，ＬＹは、隣接するショット領域Ｓ１，Ｓ２等の境界部のスクライブライン領域５３Ｘ，５３Ｙの幅と同じく４０〜５０μｍ程度である。
【００３９】
図４に戻り、ウエハＷの周辺部のショット領域Ｓ１は、３個のデバイス領域ｃ１，ｃ２，ｃ３が完全で、それ以外のデバイス領域の一部が欠けている周辺ショットである。ショット領域Ｓ１のデバイス領域ｃ１〜ｃ３以外の領域５２ｆをそのままにしておくと、レジストの現像後に領域５２ｆにも凹凸パターンが形成される。このような凹凸パターンからはレジスト残滓等の異物が生じ易く、このような異物は、ウエハＷから切り出される正常なデバイスの歩留り低下の要因となる。これを防止するために、その領域５２ｆ内のパターンを消すための露光である周辺露光を行う。本実施形態のレジストはポジ型であるため、その周辺露光とは、最初の走査露光で転写されたパターンを消すために、領域５２ｆにレジスト感度以上の露光量で二重露光を行うことを意味する。これによって、現像後に領域５２ｆからはレジストが除去されるため、レジスト残滓は生じない。
【００４０】
また、ショット領域Ｓ１に隣接するショット領域Ｓ２では、デバイス領域ｃ１〜ｃ６が完全であり、それ以外の欠けたデバイス領域が周辺露光を要する領域５２ｇとなる。さらに、ショット領域Ｓ１の近傍のショット領域Ｓ１８，Ｓ１７もそれぞれ領域５２ｃ，５２ｄが欠けたデバイス領域となる周辺ショットである。同様にして、ウエハＷの上面で、太い実線の折れ線状の境界線５２ａの外側の斜線を施した領域５２が、周辺露光の対象となり、領域５２の位置及び形状（周辺ショットのマップ）の情報は主制御系２２内の記憶部に記憶されている。なお、例えばウエハＷのエッジ付近の領域５２ｂ，５２ｅには、レチクルＲのパターンは露光されていないが、このままでは現像後にレジストが残るため、周辺露光の対象としている。
【００４１】
そこで、主制御系２２の制御のもとで、ウエハＷ上の周辺の領域５２をレジスト感度以上の露光量でほぼ均一に露光するために、図６のステップ１０４において、図３（Ａ）のレチクルステージ３１を−Ｙ方向に移動し、仮想的に全開の照明領域３５（実際には、この段階では露光光ＩＬの発光は停止され、第１可動ブラインド１４によって照明領域３５は閉じている。）がレチクルステージ３１の凹部３１ｃ内の位置３７に達した状態で、レチクルステージ３１を静止する。その後、パターンを介することなく、図１の可動ブラインド１４及び１６で形状が制御された照明領域３５と共役な露光領域３５Ｐで、ウエハＷ上の領域５２を順次走査露光方式で露光する。この場合、例えば図４の領域５２ｂ，５２ｅ，５２ｇは、第２可動ブラインド１６を全開にしておき、第１可動ブラインド１４のみを用いて露光領域３５Ｐの走査方向の幅を制御することで露光できる。
【００４２】
これに対して、ショット領域Ｓ１，Ｓ１８の領域５２ｆ，５２ｃは走査方向に階段状になっているため、第１可動ブラインド１４のみを用いる場合には、それぞれ２回の走査露光を行う必要があり、スループットが低下する。なお、ショット領域Ｓ１７の領域５２ｄも階段状ではあるが、第１可動ブラインド１４のブレード１４ＸＡ，１４ＸＢ（図２参照）によって露光領域３５Ｐの＋Ｘ方向側の半分を覆うことによって、第１可動ブラインド１４のみを用いて１回の走査露光で領域５２ｄの露光を行うことができる。
【００４３】
以下では、図４のウエハＷ上のショット領域Ｓ１を含む要部の拡大図である図５（Ａ）〜図５（Ｄ）を参照して、ショット領域Ｓ１の領域５２ｆに対して、１回の走査露光で周辺露光を行う場合の動作につき説明する。即ち、図６のステップ１０５において、ウエハステージ３９を駆動して、仮想的に全開の露光領域３５Ｐ（実際には、この段階では図１の第２可動ブラインド１６は全開であるが、第１可動ブラインド１４が閉じており、露光領域３５Ｐは閉じている。）の＋Ｙ方向の手前の走査開始位置にウエハＷのショット領域Ｓ１を移動する。次のステップ１０６において、レチクルステージ３１を静止させた状態で、露光光ＩＬの発光を開始して、ウエハステージ３９のみを駆動して、図５（Ａ）に示すように、露光領域３５Ｐに対して−Ｙ方向にウエハＷ上のショット領域Ｓ１を走査する。
【００４４】
そして、図６のステップ１０７において、ショット領域Ｓ１の先端部が仮想的に全開の露光領域３５Ｐに達してから、第１可動ブラインド１４が走査方向に開き始め、図５（Ａ）の位置Ａ１で露光領域３５Ｐは走査方向に全開となる。その後、ステップ１０８において、露光領域３５Ｐが相対的に位置Ａ２に移動して、露光領域３５Ｐの前端部がデバイス領域ｃ３，ｃ５の境界のスクライブライン５４Ｙ１に達したときに、第２可動ブラインド１６を駆動して、図５（Ｂ）に示すように、露光領域３５Ｐ内でデバイス領域ｃ３内の領域（Ｘ方向の一部の領域）を図２の遮光板１６Ａの像である遮光部１６ＡＰで覆う。このとき、遮光部１６ＡＰの−Ｘ方向及び−Ｙ方向の境界部は、それぞれデバイス領域の間のスクライブライン領域５４Ｘ１及び５４Ｙ１内に設置されている。また、遮光部１６ＡＰの−Ｙ方向の境界部は、ウエハＷ上のスクライブライン領域５４Ｙ１の−Ｙ方向への移動に追従して移動する。これによって、完全なデバイス領域ｃ３には露光光ＩＬが照射されないとともに、そのＸ方向に隣接するデバイス領域ｃ４は露光領域３５Ｐ（露光光ＩＬ）によって露光される。その後、ウエハＷが次第に−Ｙ方向に移動して、露光領域３５Ｐが相対的に位置Ａ３から図５（Ｃ）の位置Ａ４に移動すると、露光領域３５Ｐの前端部がデバイス領域ｃ１，ｃ３の境界のスクライブライン領域５４Ｙ２に達する。この後、露光領域３５Ｐの＋Ｘ方向側が遮光部１６ＡＰによって覆われた状態で、さらに図１の第１可動ブラインド１４によって露光領域３５Ｐの前端側がスクライブライン領域５４Ｙ２の移動に追従して閉じ始める。
【００４５】
その後、露光領域３５Ｐが図５（Ｄ）の位置Ａ５に達しても、露光領域３５Ｐの前端部はスクライブライン領域５４Ｙ２に追従して閉じ続ける。そして、ステップ１０９において、露光領域３５Ｐの後端部がスクライブライン５４Ｙ２に達したときに、露光領域３５Ｐを走査方向に完全に閉じて、ウエハステージ３９を停止して、露光光ＩＬの発光を停止する。これによって、図５（Ｄ）のショット領域Ｓ１のデバイス領域ｃ１〜ｃ３以外の領域５２ｆには、露光領域３５Ｐによってレジスト感度以上の露光量でパターンを消すための露光が行われる。一方、ショット領域Ｓ１のデバイス領域ｃ１〜ｃ３には全く露光が行われない。
【００４６】
なお、露光領域３５Ｐに対してショット領域Ｓ１を＋Ｙ方向に走査することも可能である。この場合には、図５（Ｄ）から図５（Ａ）の順序で、第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６によって露光領域３５Ｐの形状を制御しながら周辺露光が行われる。
また、図４のショット領域Ｓ１とＹ方向にほぼ対称の位置にあるショット領域Ｓ８５の領域５２ｈを周辺露光の対象とする場合には、第２可動ブラインド１６によって露光領域３５Ｐの＋Ｘ方向の半分の領域を−Ｙ方向側から覆う必要がある。この場合には、図２の遮光板１６Ｂを駆動して、図３（Ｃ）に示すように、露光領域３５Ｐを遮光部１６ＢＰで覆う必要がある。
【００４７】
その後、ステップ１１０において、図１の主制御系２２は、図４のウエハＷの周辺の領域５２で未露光の部分が残っているかどうかを判定し、未露光の部分が残っている場合には、ステップ１０５〜１０９の動作が繰り返される。そして、ステップ１１０で、周辺露光が終了したときに、動作はステップ１１１に移行して、ウエハステージ３９からのウエハＷの搬出（アンローディング）が行われる。その後、ステップ１１２において、未露光のウエハがあるときには、動作はステップ１０２に移行して、そのウエハに対するレチクルＲのパターンの露光、及び周辺露光が行われる。ステップ１１２で未露光のウエハがなくなった時点で、１ロットのウエハに対する露光工程が終了する。
【００４８】
一方、ステップ１１１で搬出されたウエハＷは、ステップ１２０において、不図示のコータ・デベロッパに搬送されて、レジストの現像が行われる。この際に本実施形態では、ウエハＷの周辺部の欠けたデバイス領域からはレジストが完全に除去されるため、後の工程でレジスト残滓等が生じない。
なお、図５（Ｄ）において、ショット領域Ｓ１内のデバイス領域ｃ１，ｃ２等がＸ方向に３行以上配列されており、途中からＸ方向の完全なデバイス領域の個数がａ個（ａ＝１，２，…）になる場合には、途中から露光領域３５Ｐ内のそのａ個分のデバイス領域の幅を遮光部１６ＡＰで覆うようにすればよい。
【００４９】
また、図６の露光動作では、通常の露光（ステップ１０３）の後に周辺露光（ステップ１０４〜１１０）を行っているが、最初に周辺露光を行ってから通常の露光を行っても、不要なパターンが生じないため、現像後にレジスト残滓等が生じないという効果が得られる。
本実施形態の作用効果は以下の通りである。
【００５０】
（１）本実施形態の露光方法は、ウエハＷの走査露光方法であって、露光光ＩＬでウエハＷのＹ方向（走査方向）の幅が可変の露光領域３５ＰでウエハＷを露光した状態で、ウエハＷをＹ方向に移動させるステップ１０７と、ウエハＷが露光領域３５Ｐで露光されている期間内に、露光領域３５ＰのＹ方向に直交する方向の一部の領域を遮光部１６ＡＰ（又は１６ＢＰ）で覆うステップ１０８とを有する。
【００５１】
また、本実施形態の露光装置１は、ウエハＷをＹ方向に駆動するウエハステージ３９と、ウエハＷ上にＹ方向の幅が可変の露光光による露光領域３５Ｐを設定する第１可動ブラインド１４と、露光領域３５ＰのＹ方向に直交する方向の一部の領域を遮光するために、Ｙ方向に対応するＺ方向に移動可能な第２可動ブラインド１６（遮光板１６Ａ，１６Ｂ）と、ウエハＷ上の露光位置（周辺露光の位置）に応じて、第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６の動作を制御する駆動制御ユニット３４とを備えている。
【００５２】
本実施形態によれば、例えば図５（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、露光領域３５Ｐを用いてウエハＷ上のショット領域Ｓ１に対する走査露光を行っているときに、露光領域３５ＰのＸ方向（非走査方向）の一部の必要なパターンのある部分が遮光部１６ＡＰで遮光される。これによって、ショット領域Ｓ１内の不要なパターンよりなる領域５２ｆ（一部が欠けたデバイス領域ｃ４〜ｃ６）が走査方向に階段状になっていても、遮光部１６ＡＰで必要なパターンへの露光を防止することで、１回の走査露光によってショット領域Ｓ１内の不要なパターン（領域５２ｆ）のみを消すことができる。従って、１つのショット領域内のデバイス領域の個数（図４の例では８個）が多いような場合でも、ウエハＷの周辺部の不要なパターンを消すための露光を効率的に行うことができる。
【００５３】
（２）また、例えば図５（Ｂ）の露光領域３５ＰのＹ方向（走査方向）のエッジ部のＹ方向の移動速度の最大値に比べて、遮光部１６ＡＰ（より正確にはこのエッジ部）のＹ方向の移動速度の最大値の方が速く設定されている。言い換えると、図２の第１可動ブラインド１４のブレード１４ＹＡ，１４ＹＢのＺ方向（走査方向に対応する方向）の最大の移動速度よりも、第２可動ブラインド１６の遮光板１６Ａ，１６ＢのＺ方向の最大の移動速度の方が速い。
【００５４】
これによって、周辺露光のスループットを高めるために、周辺露光時のウエハＷの走査速度（露光領域３５Ｐのエッジ部のＹ方向の移動速度（開閉速度）の最大値）を通常よりも速くしても、スクライブライン領域５４Ｙ１の動きに遮光部１６ＡＰのエッジ部が余裕を持って追従できるため、完全なデバイス領域ｃ３に対する露光を防止できる。
なお、図２の第２可動ブラインド１６は２枚の遮光板１６Ａ，１６Ｂを備えているが、例えば遮光板１６ＡのＺ方向の幅を広くすることによって、１枚の遮光板のみを用いて第２可動ブラインド１６を構成することも可能である。この場合に、遮光板１６Ａは、＋Ｚ方向側及び−Ｚ方向側のいずれからでも開口部１３ａを覆うことができるように構成される。
【００５５】
（３）また、例えば図５（Ｃ）において、露光領域３５Ｐのうちで遮光部１６ＡＰで覆われる領域のＸ方向の幅は、ウエハＷ上の周辺露光の露光位置（完全なデバイス領域の幅）に応じて可変である。これによって、ウエハＷ上の各ショット領域内のデバイス領域（ｃ１〜ｃ８等）の配列がＸ方向に３行以上あり、ウエハＷの周辺のショット領域で、一部が欠けているデバイス領域のＸ方向の個数が様々な場合（１個、２個等）に、それぞれ必要なパターンをそのまま残して、不要なパターンのみを消す露光を正確に行うことができる。
【００５６】
（４）また、上記の実施形態では、周辺露光時にレチクルステージ３１を−Ｙ方向に移動して、レチクルステージ３１の凹部３１ｃ（素通し部）内に照明領域３５を設定している。従って、レチクルステージ３１からレチクルＲを搬出することなく、効率的に通常のレチクルＲのパターンの露光と、周辺露光とを繰り返すことができる。
なお、図３（Ａ）において、レチクルステージ３１に凹部３１ｃを設けることなく周辺露光を行うために、図６のステップ１０４において、レチクルステージ３１からレチクルＲをアンローディングして（退避させて）、レチクルステージ３１のレチクルＲの載置面の開口３１ａ内に照明領域３５を設定してもよい。この場合にも、レチクルステージ３１を静止した状態で、ウエハステージ３９のみを駆動して周辺露光が行われる。この場合には、レチクルステージ３１を小型化できる。
【００５７】
また、図１の基準パターン板３３に照明領域３５を収容できる無パターン領域を設けておき、この無パターン領域を介して周辺露光を行うようにしてもよい。
（５）また、図５（Ｂ）において、露光領域３５Ｐの一部を遮光部１６ＡＰで覆う際の、遮光される領域と遮光されない領域との境界部（エッジ部）の幅は、ウエハＷ上でそれぞれレチクルＲ上のデバイスパターンが転写される隣接するデバイス領域ｃ３，ｃ４，ｃ５（区画領域）の間隔であるスクライブライン領域５４Ｘ１，５４Ｙ１の幅より狭く設定されている。従って、遮光部１６ＡＰによって完全なデバイス領域ｃ３の露光を正確に防止できる。
【００５８】
（６）また、露光領域３５Ｐは露光量分布がほぼ均一な領域であり、露光領域３５Ｐによって露光されるウエハＷ上の領域５２は、レチクルＲのパターンを構成する複数の回路パターンＣＰの少なくとも一つが欠けた状態で転写される領域５２ｆを含むウエハＷの周辺領域である。これによって、ウエハＷの現像後にウエハＷの周辺部から異物が生じることがない。
【００５９】
（７）また、図１の第１可動ブラインド１４はレチクル面との共役面又はこの近傍の面上に配置され、第２可動ブラインド１６は第１可動ブラインド１４の配置面の近傍の面、その配置面との共役面、又はこの近傍の面上に配置される。なお、その共役面との近傍の面、及びその配置面（若しくは配置面との共役面）の近傍の面とは、それぞれ第１可動ブラインド１４のブレード１４ＹＡ，１４ＹＢ，１４ＸＡ，１４ＸＢのウエハ上の像の境界部、及び第２可動ブラインド１６の遮光板１６Ａ，１６Ｂのウエハ上の像の境界部がそれぞれウエハ上のスクライブライン領域内に収まる程度の位置ずれが許容されることを意味している。
【００６０】
これによって、第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６を容易に配置できる。なお、第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６の少なくとも一方をレチクル面の近傍に配置することも可能である。
（８）また、図１の実施形態では、レチクル面との共役面の近傍に配置されるとともに、露光領域３５Ｐの最大の形状を規定するための固定ブラインド１３を備えている。従って、走査露光時に露光領域３５Ｐの走査方向の端部の照度分布に所定の傾斜を与えることができ、露光光ＩＬがパルス光であっても露光量制御を容易に行うことができる。
【００６１】
ただし、第１可動ブラインド１４の制御精度が向上した場合には、第１可動ブラインド１４で固定ブラインド１３を兼用することも可能である。
また、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等のマイクロデバイスを製造する場合、マイクロデバイスは、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクル（マスク）を製作するステップ、デバイスの基材である基板を製造するステップ、前述した実施形態の露光装置１（投影露光装置）によりレチクルのパターンをウエハ（基板）に露光する工程、露光したウエハを現像する工程、現像したウエハの加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）、並びに検査ステップ等を経て製造される。
【００６２】
言い換えると、このマイクロデバイスの製造方法は、露光工程及び現像工程を含むリソグラフィ工程を含み、そのリソグラフィ工程において、上記の実施形態の露光装置１（投影露光装置）を用いている。この際に、本実施形態によれば、効率的にウエハの周辺露光を行うことができるため、マイクロデバイスを高い歩留りで、かつ高いスループットで量産することができる。
【００６３】
なお、本発明は、走査型露光装置のみならず、ステッパー等の一括露光型（静止露光型）の投影露光装置で露光を行う場合にも適用できることは明きらかである。また、本発明は、例えば国際公開（ＷＯ）第９９／４９５０４号で開示されている液浸型の露光装置で露光を行う場合にも適用できる。また、本発明は、波長数ｎｍ〜１００ｎｍ程度の極端紫外光（ＥＵＶ光）を露光ビームとして用いる投影露光装置で露光を行う場合にも適用できる。
【００６４】
また、上記の実施形態の露光装置の用途としては、半導体素子製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＭＯＳ型、ＣＣＤ等）、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド、ＭＥＭＳ（Microelectromechanical Systems：微小電気機械システム）、又はＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのレチクルパターンが形成されたレチクル（フォトマスク等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。
【００６５】
以上のように、上記の実施形態の露光装置（露光装置１）は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００６６】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施形態の一例の露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図である。
【図２】図１の第１可動ブラインド１４及び第２可動ブラインド１６を＋Ｙ方向に見た図である。
【図３】（Ａ）は図１のレチクルステージ３１を示す平面図、（Ｂ）はレチクルステージ上の照明領域を示す平面図、（Ｃ）はウエハ上の露光領域を示す拡大平面図である。
【図４】図１のウエハＷのショットマップの一例を示す平面図である。
【図５】図４のショット領域Ｓ１の周辺露光を行う場合の、ショット領域Ｓ１と露光領域３５Ｐとの相対位置の変化を示す図である。
【図６】図１の露光装置を用いて１ロットのウエハに順次レチクルのパターンの像を露光する場合の動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６８】
ＩＬＳ…照明光学系、Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、ＣＰ…回路パターン、Ｓｉ…ショット領域、ｃ１〜ｃ８…デバイス領域、３１…レチクルステージ、１３…固定ブラインド、１４…第１可動ブラインド、１６…第２可動ブラインド、３４…駆動制御ユニット、３９…ウエハステージ、５４Ｘ１，５４Ｙ１，５４Ｙ２…スクライブライン領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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