(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体パッケージ構造を提供する。【解決手段】半導体パッケージ構造１００は、複数のリードを有し、各リードは内リード１０２と外リード１０４とからなるキャリア１０１と、内リードの底部表面上のチップ２００と、電気接続構造３００と、モールドコンポーネント４００と、からなる。内リードが、チップの上表面水平箇所から階段状の段差部を外向けに彎折する。外リードは、内リードから水平に外に延伸し、これにより、外リードとチップが高度差を形成する。この高度差は、パッケージ工程中で、進入した粒子が同時に、リードとチップに接触して、チップ内の素子の電気導通を干渉するのを防止し、パッケージ後のチップの電気的信頼度を向上させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージ構造であって、
複数のリードを相対設置すると共に、開口を形成し、各リードは内リードと外リードを組み合わせてなるキャリアと、
前記内リードの下表面の開口位置に設置され、前記内リードが、上表面水平箇所から階段状に段差部を外に彎折し、前記外リードは、前記内リードから水平に外に延伸し、前記外リードと高度差を形成するチップと、
前記チップと前記内リードを電気的に接続する電気的接続構造と、
前記キャリアと前記チップを被覆し、一部の外リードを露出するモールドコンポーネントと、
からなることを特徴とする半導体パッケージ構造。
【請求項２】
前記電気的接続構造は複数の導線であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造。
【請求項３】
前記チップの上表面は複数のボンディングパッドを有することを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ構造。
【請求項４】
前記導線は前記ボンディングパッドと前記内リードを電気的に接続することを特徴とする請求項３に記載の半導体パッケージ構造。
【請求項５】
前記電気的接続構造は複数の導電球であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ構造。
【請求項６】
前記チップの下表面は複数のボンディングパッドを有することを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ構造。
【請求項７】
前記導電球は前記ボンディングパッドと内リードを電気的に接続することを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ構造に関するものであって、特に、リード構造が、パッケージ後のチップの電気的信頼度を改善する半導体パッケージ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体のパッケージ工程中、リードは、功能から内リードと外リードに分けられる。一般に、内リードは短く、支承作用を提供し、チップを搭載する。外リードは長く、モールドコンポーネントの外部に延伸し、モールドコンポーネントのパッケージ完成後、外界の電子製品と電気的に接続する。また、内リードは、一般に、リード線によりチップと電気的に接続し、故に、ピンの形式は、ワイヤーボンディングに直接影響し、チップの電気性に間接的に影響する。よって、リードは、チップの電気性信頼度に対する影響は大きい。
【０００３】
図１は、公知の半導体パッケージ構造１０の断面図である。図のように、リード１１は、内リード１２と外リード１４からなり、外リード１４は水平に内リード１２を接続して、外に延伸する。チップ２０は、内リード１２の下表面に粘着し、また、内リード１２とチップ２０は、リード線３０により互いに電気的に接続する。しかし、熱圧合、或いは、パッケージ工程中、空気中の粒子がモールドコンポーネント４０内に進入し、リード１１とチップ２０のギャップｈが過小、一般に約１００μｍで、この種の深さは、モールドコンポーネント４０に進入した粒子に対し、リード線１１とチップ２０に同時に接触し、チップ２０内の素子の余分な電気を導通させ、不要な電流を増加させ、チップ２０素子上の負荷を加重し、チップ２０を損傷し、故に、粒子がモールドコンポーネントに進入することにより生じるチップ損傷問題を解決する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の問題を解決するため、本発明は、半導体のパッケージ構造を提供し、特に、リード構造を強化した半導体パッケージ構造を提供し、内リードは、チップの上表面水平箇所から階段状の段差部を外に彎折し、外リードは、内リードから水平に延伸し、外リードとチップが高度差を形成する。この高度差は、粒子が進入し、同時に、リードとチップに接触して、チップの電気性を損壊するのを防止し、パッケージ後のチップの品質を効果的に維持することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の目的を達成するため、本発明の半導体パッケージ構造は、キャリアと、チップと、電気的接続構造と、モールドコンポーネントと、からなる。キャリアは、複数のリードを相対設置すると共に、開口を形成し、各リードは内リードと外リードを組み合わせてなる。チップは、内リードの下表面の開口位置に設置され、内リードが、チップの上表面水平箇所から階段状に段差部を外に彎折し、外リードは、内リードから水平に外に延伸し、外リードとチップが高度差を形成する。電気的接続構造は、チップと内リードを電気的に接続する。モールドコンポーネントは、キャリアとチップを被覆し、一部の外リードを露出し、リード構造を強化する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、余分な電流がチップ上の素子を流れて、チップの功能を破壊するのを防止し、パッケージ後の製品の信頼度を効果的に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図２は、本発明の半導体パッケージ構造１００の断面図である。まず、本実施例は、キャリア１０１、チップ２００、電気的接続構造３００、及び、モールドコンポーネント４００、からなる。キャリア１０１は、複数のリードを相対設置すると共に、開口１２０を形成し、各リードは、内リード１０２と外リード１０４を組み合わせてなる。チップ２００は、内リード１０２の下表面の開口１２０位置に設置され、内リード１０２は、チップ２００の上表面水平箇所から階段状の段差部を外に彎接する。外リード１０４は、内リード１０２から水平に外に延伸し、外リード１０４とチップ２００は高度差Hを形成する。電気的接続構造３００は、チップと内リード１０２を電気的に接続する。モールドコンポーネント４００は、キャリア１０１とチップ２００を被覆すると共に、一部の外リード１０４を露出する。
【０００８】
本実施例中、この高度差Hは一般の製造工程よりかなり大きく、進入する粒子の直径は、この状況下で、粒子が同時にチップ２００と外リード１０４に接触し、余分な電気的導通を生じて、不要な電流がチップ２００上の素子を流れ、チップ２００を損傷するのを防止するので、チップ２００の功能を効果的に維持する。
【０００９】
説明を継続すると、本実施例の半導体パッケージ構造１００において、チップ２００の上表面はアクティブ面で、その上に、更に、複数のボンディングパッド（図示しない）を含み、内リード１０２を電気的に接続する。電気的接続構造３００は複数の導線、例えば、金線で、導線によりボンディングパッドと内リード１０２を電気的に接続する。実施例中、電気的接続構造は、複数の導電球（図示しない）、例えば、半田ボールである。また、電気的接続構造３００は、チップ２００に必要な電気的導通を担うのえ、本発明の外リードとチップが形成する高度差は、パッケージ体内に粒子が進入し、電気的導電通路が混濁して、チップの構造を破壊するのを効果的に防止する。
【００１０】
もう一つの実施例中、チップ２００の下表面に複数のボンディングパッド（図示しない）を設置し、導線、或いは、導電球が内リード１０２、及び、チップ２００上のボンディングパッド上に電気的に接続する。
【００１１】
上述を総合すると、本発明の半導体パッケージ構造は、リード構造を有し、外リードとチップ間に高度差を形成し、製造工程中、進入する粒子を収容し、且つ、粒子が同時にリードとチップに接触して、互いに導通し、余分な電流がチップ上の素子を流れて、チップの功能を破壊するのを防止するので、本発明は、パッケージ後の製品の信頼度を効果的に向上させる。
【００１２】
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明に限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】公知の半導体パッケージ構造の断面図である。
【図２】本発明による半導体パッケージ構造の断面図である。
【符号の説明】
【００１４】
１００、１０  半導体パッケージ構造
１０１  キャリア
１０２、１２  内リード
１０４、１４  外リード
２００、２０  チップ
３００、３０  電気的接続構造
４００、４０  モールドコンポーネント
H  高度差
１２０  開口
ｈ  ギャップ
１１  リード
【図１】
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【図２】
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