(57)【要約】【課題】複数の発電体が結合強度を確保しつつ直列に接続された接続体を提供する。【解決手段】光照射により発電する複数個の発電体Ｉｉ，Ｉｉ＋１，…を接続した接続体Ａであって、ガラス基板１ｉ上に少なくとも裏面電極３ｉ、光吸収層４ｉ及び表面電極６ｉとを順番に備える第１の発電体Ｉｉと、第１の発電体Ｉｉと直列に接続され、ガラス基板１ｉ＋１上に少なくとも裏面電極３ｉ＋１、光吸収層４ｉ＋１及び表面電極６ｉ＋１とを順番に備える第２の発電体Ｉｉ＋１と、を備え、第１の発電体Ｉｉは、ガラス基板１ｉの光入射側の表面を被覆し、且つ第１のガラス基板１ｉとの接触面と反対側の面に裏面電極３ｉが積層されない露出部２０ａｉを設けた導電膜２０ｉを有し、導電膜２０ｉの露出部２０ａｉと第２の発電体Ｉｉ＋１の表面電極６ｉ＋１とが半田９ｉにより接続された接続体Ａ。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が照射されることにより発電する発電体であって、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の光入射側の表面を被覆する導電膜と、
前記導電膜上に積層された部分を有する裏面電極と、
前記裏面電極上に少なくとも光吸収層及び表面電極と、を備え、
前記絶縁基板を被覆する前記導電膜は、当該絶縁基板との接触面と反対側の面に、前記裏面電極が積層されない露出部を有する
ことを特徴とする発電体。
【請求項２】
前記絶縁基板を被覆する前記導電膜は、さらに当該絶縁基板の端部及び前記光入射面側と反対側の表面の少なくとも一部を被覆することを特徴とする請求項１に記載の発電体。
【請求項３】
光照射により発電する複数個の発電体を接続した接続体であって、
第１の絶縁基板上に少なくとも第１の裏面電極、第１の光吸収層及び第１の表面電極とを順番に備える第１の発電体と、
前記第１の発電体と直列に接続され、第２の絶縁基板上に少なくとも第２の裏面電極、第２の光吸収層及び第２の表面電極とを順番に備える第２の発電体と、を備え、
前記第１の発電体は、前記第１の絶縁基板の光入射側の表面を被覆し、且つ当該第１の絶縁基板との接触面と反対側の面に前記第１の裏面電極が積層されない露出部を設けた第１の導電膜を有し、
前記第１の導電膜の前記露出部と前記第２の発電体の前記第２の表面電極とが所定の導電体により接続される
ことを特徴とする接続体。
【請求項４】
さらに、前記第１の発電体の前記第２の発電体側の端面の少なくとも一部を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の発電体と直列に接続される前記第２の発電体の当該第１の発電体側の端面の少なくとも一部を覆う第２の絶縁膜と、を有する
ことを特徴とする請求項３に記載の接続体。
【請求項５】
前記第１の導電膜の前記露出部と前記第２の発電体の前記第２の表面電極とを接続する前記導電体が、可撓性材料により構成されることを特徴とする請求項３に記載の接続体。
【請求項６】
光照射により発電する複数個の発電体を接続した接続体の製造方法であって、
第１の絶縁基板上に少なくとも第１の裏面電極、第１の光吸収層及び第１の表面電極とを順番に備え、さらに、当該第１の絶縁基板の光入射側の表面を被覆し、且つ当該第１の絶縁基板との接触面と反対側の面に当該第１の裏面電極が積層されない露出部を設けた第１の導電膜を有する第１の発電体を形成し、
第２の絶縁基板上に少なくとも第２の裏面電極、第２の光吸収層及び第２の表面電極とを順番に備える第２の発電体と、を形成し、
前記第１の発電体が有する前記第１の導電膜の前記露出部と前記第２の発電体の前記第２の表面電極とを所定の導電体を用いて接続することにより当該第１の発電体と当該第２の発電体とを結合する
ことを特徴とする接続体の製造方法。
【請求項７】
前記第１の発電体の前記第２の発電体側の端面の少なくとも一部を第１の絶縁膜により覆い、さらに、当該第１の発電体と直列に接続される当該第２の発電体の当該第１の発電体側の端面の少なくとも一部を第２の絶縁膜により覆うことを特徴とする請求項６に記載の接続体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発電体等に関し、より詳しくは、光照射により発電する発電体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球温暖化防止や廃棄物量削減等、環境への関心が世界的に高まっている。特に発電は、大量の資源を消費しながら大気・水質等の各種汚染を招く可能性があるため、注目が高い。なかでも、太陽光発電は、資源が無尽蔵であり、有害な排出物を一切生じない点で大きな期待が寄せられている。
太陽光発電は、光を電気に変換する効率が未だ充分ではなく、必要な発電量を得るには、例えば、集積型構造を用いて複数の発電体を電気的に直列接続する工夫が不可欠である（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特公平０６−００９２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、太陽光発電により必要な発電量を得るための集積型構造は、複雑なパターニングが必要となるため、製造プロセスの複雑化等、製造コストが高くなるという問題がある。また、例えば、結晶シリコン型太陽電池のように、裏面が電極である構造のものは、集積型構造のような複雑なパターニングが不要となるものの、新たに配線処理の工程が必要となる。さらに、配線による接続では、結合強度を充分に確保することが難しいという問題がある。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決するためになされたものである。即ち、本発明の目的は、複数の発電体が充分な結合強度を確保しつつ直列に接続された接続体等を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かくして本発明によれば、光が照射されることにより発電する発電体であって、絶縁基板と、絶縁基板の光入射側の表面を被覆する導電膜と、導電膜上に積層された部分を有する裏面電極と、裏面電極上に少なくとも光吸収層及び表面電極と、を備え、絶縁基板を被覆する導電膜は、絶縁基板との接触面と反対側の面に、裏面電極が積層されない露出部を有することを特徴とする発電体が提供される。
ここで、本発明が適用される発電体において、導電膜は、さらに絶縁基板の端部及び光入射面側と反対側の表面の少なくとも一部を被覆することが好ましい。
【０００７】
次に、本発明によれば、光照射により発電する複数個の発電体を接続した接続体であって、第１の絶縁基板上に少なくとも第１の裏面電極、第１の光吸収層及び第１の表面電極とを順番に備える第１の発電体と、第１の発電体と直列に接続され、第２の絶縁基板上に少なくとも第２の裏面電極、第２の光吸収層及び第２の表面電極とを順番に備える第２の発電体と、を備え、第１の発電体は、第１の絶縁基板の光入射側の表面を被覆し、且つ第１の絶縁基板との接触面と反対側の面に第１の裏面電極が積層されない露出部を設けた第１の導電膜を有し、第１の導電膜の露出部と第２の発電体の第２の表面電極とが所定の導電体により接続されることを特徴とする接続体が提供される。
本発明が適用される接続体は、パターニング等の複雑な製造プロセスを要せずに製造することが可能であり、また、ワイヤ配線等による接続方法に比べ、発電体同士の接続強度を充分に確保することができる。
【０００８】
ここで、本発明が適用される接続体において、さらに、第１の発電体の第２の発電体側の端面の少なくとも一部を覆う第１の絶縁膜と、第１の発電体と直列に接続される第２の発電体の第１の発電体側の端面の少なくとも一部を覆う第２の絶縁膜と、を有することが好ましい。
このように、互いに接続する２個の発電体の側面を絶縁膜で覆うことにより、これらの発電体を接続する導電体等への電流漏れが防止され、光を電気に変換する効率が向上する。
また、第１の導電膜の露出部と第２の発電体の第２の表面電極とを接続する導電体が、可撓性材料により構成されることが好ましい。
【０００９】
また、本発明によれば、光照射により発電する複数個の発電体を接続した接続体の製造方法であって、第１の絶縁基板上に少なくとも第１の裏面電極、第１の光吸収層及び第１の表面電極とを順番に備え、さらに、第１の絶縁基板の光入射側の表面を被覆し、且つ第１の絶縁基板との接触面と反対側の面に第１の裏面電極が積層されない露出部を設けた第１の導電膜を有する第１の発電体を形成し、第２の絶縁基板上に少なくとも第２の裏面電極、第２の光吸収層及び第２の表面電極とを順番に備える第２の発電体と、を形成し、第１の発電体が有する第１の導電膜の露出部と第２の発電体の第２の表面電極とを所定の導電体を用いて接続することにより第１の発電体と第２の発電体とを結合することを特徴とする接続体の製造方法が提供される。
ここで、本発明が適用される接続体の製造方法において、第１の発電体の第２の発電体側の端面の少なくとも一部を第１の絶縁膜により覆い、さらに、第１の発電体と直列に接続される第２の発電体の第１の発電体側の端面の少なくとも一部を第２の絶縁膜により覆うことが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の発電体が充分な結合強度を確保しつつ直列に接続された接続体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は本実施の形態を説明するためのものであり、実際の大きさを表すものではない。
【００１２】
（実施の形態１：発電体Ｉ）
図１は、実施の形態１の発電体Ｉを説明する図である。図２は、発電体Ｉをスパッタリング法により形成する際に使用するマスクを説明する図である。図１に示す発電体Ｉは、絶縁基板としてのガラス基板１と、ガラス基板１の光Ｌが入射する側の表面の少なくとも一部を被覆する導電膜２０と、導電膜２０上に積層された部分を有する裏面電極３と、裏面電極３上に積層された光吸収層４及び透明導電膜５と、透明導電膜５上に形成された表面電極６とを備えている。
そして、絶縁基板であるガラス基板１を被覆する導電膜２０は、ガラス基板１との接触面と反対側の面に、裏面電極３及び他の層が積層されない露出部２０ａが設けられている。
【００１３】
本実施の形態では、ガラス基板１として、１辺１３８ｍｍの正方形で厚さ０．５５ｍｍのガラス板を使用している。導電膜２０は、アルミニウム（Ａｌ）を用いてガラス基板１上の光Ｌの入射側の全面を被覆する。裏面電極３は、モリブデン（Ｍｏ）を用いて形成されている。光吸収層４は、カルコパイライト型化合物（Ｃｕ−Ｉｎ−Ｓｅ化合物）を用いて成膜されている。ここで、本実施の形態では、光吸収層４上に酸化亜鉛（ＺｎＯ）を用いて透明導電膜５が形成されている。また、表面電極６は、アルミニウム（Ａｌ）を使用して形成される。
【００１４】
発電体Ｉの各層は、所定のスパッタリング装置を用いたスパッタリング法により、以下のように形成される。先ず、ガラス基板１の光入射側全面に、Ａｌを用い、スパッタリング法にて膜厚４００ｎｍの導電膜２０を成膜する。次に、図２（ａ）に示すように、ガラス基板１の表面に成膜された導電膜２０の１辺を幅１．５ｍｍのマスクＭ１で覆い、続いて、Ｍｏを用い、スパッタリング法にて膜厚５００ｎｍの裏面電極３を膜厚５００ｎｍを成膜する。これにより、導電膜２０に、裏面電極３が積層されない露出部２０ａが設けられる。
【００１５】
次に、導電膜２０の１辺をマスクＭ１で覆った状態で、裏面電極３上に、スパッタリング法により、ＣｕＳｅ２／Ｉｎ／ＣｕＳｅ２／Ｉｎ２Ｓｅ３の各層を順に形成し、それぞれの膜厚が１００ｎｍ／１５０ｎｍ／１００ｎｍ／２００ｎｍとなるように成膜する。
続いて、これらの薄膜上に、ＺｎＯを用い、スパッタリング法により、膜厚８００ｎｍの透明導電膜５を成膜し、その後、マスクＭ１を取り外す。
次に、図２（ｂ）に示すように、透明導電膜５上をマスクＭ２で覆う。マスクＭ２には、表面電極６に対応する方形部分ｍ１が４箇所くり抜かれている。透明導電膜５上をマスクＭ２で覆った状態で、Ａｌを用い、スパッタリング法により、膜厚５００ｎｍの表面電極６を形成し、その後、マスクＭ２を取り外す。
【００１６】
最後に、ガラス基板１を所定の加熱装置により４００℃で３０分間加熱し、ＣｕＳｅ２／Ｉｎ／ＣｕＳｅ２／Ｉｎ２Ｓｅ３の各層を溶融・結晶化させることにより光吸収層４を形成し、発電体Ｉを完成させる。
尚、ガラス基板１を加熱し、ＣｕＳｅ２／Ｉｎ／ＣｕＳｅ２／Ｉｎ２Ｓｅ３の各層を溶融・結晶化させる処理は、後述するように、複数個の発電体Ｉを直列に接続した後に行ってもよい。
【００１７】
（接続体Ａ）
次に、発電体Ｉを用いた接続体Ａについて説明する。
図３は、複数の発電体Ｉを直列に接続した接続体Ａを説明する図である。図１に示した発電体Ｉと同じ構成については同じ符号を使用し、その説明を省略する。
図３に示すように、接続体Ａは、ガラス基板１上に導電膜２０ｉ、裏面電極３ｉ、光吸収層４ｉ、透明導電膜５ｉ及び表面電極６ｉを順番に備える複数個の発電体（Ｉｉ，Ｉｉ＋１，Ｉｉ＋２，…）が、それぞれ導電体である半田９ｉ−１，９ｉ，９ｉ＋１，…により接続された構造を有している。尚、ｉは、１以上の整数である。
【００１８】
ここで、隣接する２個の発電体（Ｉｉ，Ｉｉ＋１）は、第１の発電体（Ｉｉ）の導電膜２０ｉに設けた露出部２０ａｉを有する側の側面と、第２の発電体（Ｉｉ＋１）の表面電極６ｉ＋１を設けた側の側面と、が接触するように並べられている。そして、第１の発電体（Ｉｉ）における露出部２０ａｉの裏面電極３ｉ等が積層されない領域と第２の発電体（Ｉｉ＋１）の表面電極６ｉ＋１を設けた側の側面とで形成される空間部分を埋め、且つ第２の発電体（Ｉｉ＋１）の表面電極６ｉ＋１を覆うように半田９ｉを流し込む。その結果、第１の発電体（Ｉｉ）における導電膜２０ｉに設けられた露出部２０ａｉと第２の発電体（Ｉｉ＋１）の表面電極６ｉ＋１とが、導電体である半田９ｉにより結合し、２個の発電体（Ｉｉ，Ｉｉ＋１）が電気的に直列に接続される。
尚、半田９は、通常、Ｐｂ−Ｓｎ系合金及びこれに少量のビスマス（Ｂｉ）等の低溶融性金属を含む合金系の軟ロウである。
【００１９】
本実施の形態では、隣接する２個の発電体（Ｉｉ，Ｉｉ＋１）の互いに接触する面側の端面は、それぞれ絶縁膜によって覆われている。これにより、ガラス基板１ｉに比べて膜厚が極めて薄い各層からの僅かな電流漏れを防ぐことができる。
即ち、図３に示すように、接続体Ａにおいて、第１の発電体（Ｉｉ）の第２の発電体（Ｉｉ＋１）側の端面には、ガラス基板１ｉ及び導電膜２０ｉが形成された部分を覆う第１の絶縁膜１０ａｉと、裏面電極３ｉと光吸収層４ｉ及び透明導電膜５ｉが形成された部分を覆う第１の絶縁膜１０ｂｉとがそれぞれ形成されている。また、第２の発電体（Ｉｉ＋１）の第１の発電体（Ｉｉ）側の端面には、表面電極６ｉ＋１を除く他の全ての層の端面を覆う第２の絶縁膜１１ｉ＋１が形成されている。
【００２０】
（接続体Ｂ）
図４は、複数の発電体Ｉを直列に接続した接続体の他の実施の形態を説明する図である。図１及び図３に示した発電体Ｉ及び接続体Ａと同じ構成については同じ符号を使用し、その説明を省略する。図４に示す接続体Ｂは、それぞれガラス基板１ｉ上に導電膜２０ｉ、裏面電極３ｉ、光吸収層４ｉ、透明導電膜５ｉ及び表面電極６ｉを順番に備える複数個の発電体（Ｉｉ，Ｉｉ＋１，Ｉｉ＋２，…）が、導電体１２ｉ，１２ｉ＋１，１２ｉ＋２，…及び半田１３ｉ−１，１３ｉ，１３ｉ＋１，…により接続された構造を有している。
【００２１】
ここで、図４に示すように、導電体１２ｉは、第１の発電体（Ｉｉ）の表面電極６ｉ及び表面電極６ｉを設けた側の側面と、さらに、ガラス基板１ｉの光入射面側と反対側の表面の一部とを連続的に覆うように形成されている。そして、第１の発電体（Ｉｉ）の導電膜２０ｉに設けた露出部２０ａｉの裏面電極３ｉ等が積層されない領域と、隣接する第２の発電体（Ｉｉ＋１）の側面に形成した導電体１２ｉ＋１のガラス基板１ｉ＋１の下表面の一部を覆う部分とを重ねる。さらに、半田１３ｉにて、第１の発電体（Ｉｉ）の導電膜２０ｉに設けた露出部２０ａｉと第２の発電体（Ｉｉ＋１）の側面に形成した導電体１２ｉ＋１とを結合させることにより、隣接する２個の発電体（Ｉｉ，Ｉｉ＋１）は、電気的に直列に接続される。
本実施の形態では、導電体１２ｉは、ガラス基板１ｉ上に表面電極６ｉを形成した後に、Ａｌを用い、スパッタリング法により、膜厚８００ｎｍになるように成膜し、表面電極６ｉ及び表面電極６ｉを設けた側の側面とガラス基板１ｉの下表面の一部とを連続的に被覆することにより形成される。
【００２２】
また、本実施の形態では、第１の発電体（Ｉｉ）は、隣接する発電体を電気的に接続する導電体１２ｉ，１２ｉ＋１とそれぞれ接触する端面が絶縁膜によって覆われている。
即ち、図４に示すように、第１の発電体（Ｉｉ）において、表面電極６ｉを設けた側の側面は、絶縁膜１４ｉによって覆われ導電体１２ｉと電気的に絶縁されている。また、隣接する第２の発電体（Ｉｉ＋１）側は、裏面電極３ｉと光吸収層４ｉ及び透明導電膜５ｉが形成された部分の端面が絶縁膜１５ｉによって覆われ、導電体１２ｉ＋１の下部と電気的に絶縁されている。
【００２３】
（実施の形態２：発電体ＩＩ）
図５は、実施の形態２の発電体ＩＩを説明する図である。図１に示した発電体Ｉと同じ構成については同じ符号を使用し、その説明を省略する。図５に示す発電体ＩＩは、ガラス基板１と、ガラス基板１の表面を被覆する導電膜２１と、裏面電極３、光吸収層４及び透明導電膜５と、表面電極６とを備えている。
そして、本実施の形態では、ガラス基板１の表面を被覆する導電膜２１は、ガラス基板１との接触面と反対側の面に、裏面電極３及び他の層が積層されない部分として、ガラス基板１の端部を被覆する露出部２１ａと、ガラス基板１の光入射面側と反対側の表面の少なくとも一部を被覆する露出部２１ｂとが形成されている。
【００２４】
（接続体Ｃ）
次に、発電体ＩＩを用いた接続体について説明する。
図６は、複数の発電体ＩＩを直列に接続した接続体Ｃを説明する図である。図５に示した発電体ＩＩと同じ構成については同じ符号を使用し、その説明を省略する。
図６に示す接続体Ｃは、ガラス基板１ｉ上に導電膜２１ｉ、裏面電極３ｉ、光吸収層４ｉ、透明導電膜５ｉ及び表面電極６ｉを順番に備える複数個の発電体（ＩＩｉ，ＩＩｉ＋１，ＩＩｉ＋２，…）が、それぞれ半田１６ｉ−１，１６ｉ，１６ｉ＋１，…により接続された構造を有している。
【００２５】
ここで、図６に示すように、隣接する２個の発電体（ＩＩｉ，ＩＩｉ＋１）は、第１の発電体（ＩＩｉ）における表面電極６ｉと、第２の発電体（ＩＩｉ＋１）におけるガラス基板１ｉ＋１の光入射面側と反対側の表面の一部を被覆する露出部２１ｂｉ＋１とが重ねられている。そして、半田１６ｉにて、第１の発電体（ＩＩｉ）の表面電極６ｉと第２の発電体（ＩＩｉ＋１）の導電膜２１ｉ＋１に設けた露出部２１ｂｉ＋１とを結合させることにより、隣接する２個の発電体（ＩＩｉ，ＩＩｉ＋１）は、電気的に直列に接続される。
【００２６】
（接続体Ｄ）
図７は、複数の発電体ＩＩを直列に接続した接続体の他の実施の形態を説明する図である。図５及び図６に示した発電体ＩＩ及び接続体Ｃと同じ構成については同じ符号を使用し、その説明を省略する。図７（ａ）に示す接続体Ｄは、それぞれガラス基板１ｉ上に導電膜２１ｉ、裏面電極３ｉ、光吸収層４ｉ、透明導電膜５ｉ及び表面電極６ｉを順番に備える複数個の発電体（ＩＩｉ，ＩＩｉ＋１，…）が、導電体１７ｉ−１，１７ｉ，…及び半田１８ａｉ−１，１８ｂｉ，１８ａｉ，１８ｂｉ＋１，…により接続された構造を有している。
【００２７】
図７（ａ）に示すように、導電体１７ｉは、第１の発電体（ＩＩｉ）の表面電極６ｉ及び表面電極６ｉを設けた側の側面と、さらに、表面電極６ｉを設けた側の側面に隣接する第２の発電体（ＩＩｉ＋１）の導電膜２１ｉ＋１の露出部２１ｂｉ＋１とを連続的に覆うように形成されている。そして、半田１８ａｉにて第１の発電体（ＩＩｉ）の表面電極６ｉと導電体１７ｉとを結合し、半田１８ｂｉ＋１にて導電体１７ｉと第２の発電体（ＩＩｉ＋１）の露出部２１ｂｉ＋１とを結合することにより、隣接する２個の発電体（ＩＩｉ，ＩＩｉ＋１）は、電気的に直列に接続される。
【００２８】
また、本実施の形態では、隣接する２個の発電体を電気的に接続する導電体１７ｉと接触する第１の発電体（ＩＩｉ）の端面は、絶縁膜によって覆われている。
即ち、図７（ａ）に示すように、第１の発電体（ＩＩｉ）において、表面電極６ｉを設けた側の側面は、絶縁膜１９ａｉによって覆われている。また、表面電極６ｉを設けた側とは反対側の側面であって、裏面電極３ｉ、光吸収層４ｉ及び透明導電膜５ｉが形成された部分の端面は絶縁膜１９ｂｉによって覆われている。
【００２９】
本実施の形態では、第１の発電体（ＩＩｉ）の表面電極６ｉと第２の発電体（ＩＩｉ＋１）の露出部２１ｂｉ＋１とを結合し、隣接する２個の発電体（ＩＩｉ，ＩＩｉ＋１）を電気的に直列に接続する導電体１７ｉは、可撓性材料によって構成されている。
ここで、可撓性材料としては、導電性を有し、外力に対して柔軟に変形し、外力を取り除くと元の形状に戻れるような性質を有する持つ材料であれば特に限定されず、例えば、テープ利用自動ボンディング（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）に使われているような導線を封入したテープ等が挙げられる。
導電体１７ｉが、可撓性材料によって構成されていることにより、例えば、図７（ｂ）に示すように、接続体Ｄに外力が負荷された場合でも、発電体同士がフレキシブルに動き、互いの位置関係を柔軟に調整することが可能となる。これによって、発電体同士の接続部分に負荷される応力や、負荷された応力に基づく歪が低減され、接続強度が増大する。
【００３０】
以上、本発明の実施の形態について具体的に説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、光吸収層の材料としてはＣｕ−Ｉｎ−Ｓｅ化合物に限るものではなく、シリコン系材料や有機系材料等が適宜選択される。また、絶縁基板としてはガラス基板に限るものではなく、例えば、ポリイミドのような高分子材料等が適宜選択される。
各層の成膜手段としてはスパッタリング法に限るものではなく、蒸着法やめっき等が適宜選択される。発電体同士を接続する導電体及び導電性接着剤としては半田に限るものではなく、例えば、インジウム（Ｉｎ）等の導電性材料が適宜選択され、さらに、超音波振動等による溶着等の手法を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施の形態１の発電体Ｉを説明する図である。
【図２】発電体Ｉをスパッタリング法により形成する際に使用するマスクを説明する図である。
【図３】複数の発電体Ｉを直列に接続した接続体を説明する図である。
【図４】複数の発電体Ｉを直列に接続した接続体の他の実施の形態を説明する図である。
【図５】実施の形態２の発電体ＩＩを説明する図である。
【図６】複数の発電体ＩＩを直列に接続した接続体を説明する図である。
【図７】複数の発電体ＩＩを直列に接続した接続体の他の実施の形態を説明する図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…ガラス基板、２０，２１…導電膜、３…裏面電極、４…光吸収層、５…透明導電膜、６…表面電極、２０ａ，２１ａ，２１ｂ…露出部、９ｉ，１３ｉ，１６ｉ，１８ａｉ，１８ｂｉ…半田、１２ｉ，１７ｉ…導電体、１０ａｉ，１０ｂｉ…第１の絶縁膜、１１ｉ…第２の絶縁膜、１４ｉ，１５ｉ，１９ａｉ，１９ｂｉ…絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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