(57)【要約】【課題】互いに波長が異なる複数のレーザ光を出射できると共に、製造コストを低減することができる半導体レーザを提供する。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１上には結晶成長工程で第１，第２のダブルへテロ構造が形成されている。第１，第２のダブルへテロ構造はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３を共有する。第１のダブルへテロ構造は、ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６を有する。第２のダブルへテロ構造は、ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層１３を有する。ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５とＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２とは、層厚、材料およびキャリア濃度が互いに異なっている。【選択図】図６
2009194304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の半導体基板と、
この半導体基板上に結晶成長工程で形成された第１，第２のダブルへテロ構造と
を備え、
上記第１，第２のダブルへテロ構造は、上記半導体基板上に形成された下クラッド層を共有し、
上記第１，第２のダブルへテロ構造は、それぞれ、上記下クラッド層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された上クラッド層とを有し、
上記第１のダブルヘテロ構造の活性層と、上記第２のダブルヘテロ構造の活性層とは、層厚、材料およびキャリア濃度のうちの少なくとも１つが互いに異なることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザにおいて、
上記第１のダブルヘテロ構造は、上記下クラッド層の結晶成長に引き続いて行われる結晶成長により形成されることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザにおいて、
上記第２のダブルヘテロ構造の活性層および上クラッド層は、上記第１のダブルヘテロ構造の活性層および上クラッド層の側方に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記下クラッド層の少なくとも一部は同一組成から成っていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記第１，第２のダブルへテロ構造は、それぞれ、少なくとも一部がＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成っていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記第１のダブルヘテロ構造の活性層はＡｌＧａＡｓ系半導体を含み、
上記第２のダブルヘテロ構造の活性層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体を含み、
上記下クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体を含むことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記第２のダブルヘテロ構造の活性層と上記下クラッド層との間には、上記下クラッド層を保護する保護層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体レーザにおいて、
上記保護層は、上記第１，第２のダブルヘテロ構造の活性層の発振波長のエネルギよりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項９】
請求項７または８に記載の半導体レーザにおいて、
上記保護層はＧａＩｎＰから成っていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体レーザにおいて、
上記保護層はＧａｘＩｎ１−ｘＰ（ｘ≧０．５７）から成っていることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか一項に記載の半導体レーザにおいて、
上記第１，第２のダブルへテロ構造はＭＯＣＶＤ法で形成されていることを特徴とする半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、単一基板上に複数の半導体レーザ部を形成するモノリシック多波長半導体レーザ、特に、ＣＤ（コンパクトディスク）の記録・再生に用いる半導体レーザ部と、ＤＶＤ（デジタル万能ディスク）の記録・再生に用いる半導体レーザ部とを単一基板上に形成するモノリシック２波長半導体レーザなどの半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
モノリシック多波長半導体レーザでは、同一基板上に複数の半導体レーザ部を形成する。この各半導体レーザ部は、主に、第１クラッド層、活性層および第２クラッド層を含む。また、上記半導体レーザ部の活性層は、他の半導体レーザ部の活性層と構造や組成が異なる。
【０００３】
例えば、記録メディアであるＣＤ、ＤＶＤを録音、再生するのに用いられる半導体レーザについては、ＣＤ用半導体レーザ部の発振波長は凡そ７８０ｎｍとし、ＤＶＤ用半導体レーザ部の発振波長は凡そ６５０ｎｍとする。この場合、上記ＣＤ用半導体レーザ部の活性層にはＡｌＧａＡｓ系半導体を用いる一方、ＤＶＤ用半導体レーザ部の活性層にはＡｌＧａＩｎＰ系半導体を用いる。
【０００４】
単一の基板を用いてモノリシック２波長半導体レーザを形成する手法としては、次のように行うのが一般的である（例えば特許文献１（特開２００６−１００５１７号公報）参照）。
【０００５】
まず、上記基板上に、第１の半導体レーザ部を形成するための複数の層を積層する。そして、上記複数の層の一部を除去し、基板の一部（第２の半導体レーザ部を形成すべき領域）を露出させる。この露出した基板上に、第２の半導体レーザ部を形成する。
【０００６】
しかしながら、上記モノリシック２波長半導体レーザでは、第１の半導体レーザ部を形成するための複数の層のうち、第２の半導体レーザを形成すべき領域上の部分は、エッチングにより除去するため、無駄となる。
【０００７】
具体的には、モノリシック２波長レーザの場合、各半導体レーザ部の作成面積を単波長レーザを作成する場合と同じ面積で作るとすると、２波長にするために２回の成長を行うが、１枚のウェハからトータルとして取れるレーザの個数は単一波長レーザを作成する場合と同じ個数になるため、結晶成長に関わるコストは２倍かかることになる。
【０００８】
すなわち、上記モノリシック２波長半導体レーザには、製造コストが高いという問題がある。
【特許文献１】特開２００６−１００５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明の課題は、互いに波長が異なる複数のレーザ光を出射できると共に、製造コストを低減することができる半導体レーザを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザは、
単一の半導体基板と、
この半導体基板上に結晶成長工程で形成された第１，第２のダブルへテロ構造と
を備え、
上記第１，第２のダブルへテロ構造は、上記半導体基板上に形成された下クラッド層を共有し、
上記第１，第２のダブルへテロ構造は、それぞれ、上記下クラッド層上に形成された活性層と、この活性層上に形成された上クラッド層とを有し、
上記第１のダブルヘテロ構造の活性層と、上記第２のダブルヘテロ構造の活性層とは、層厚、材料およびキャリア濃度のうちの少なくとも１つが互いに異なることを特徴としている。
【００１１】
上記構成の半導体レーザによれば、上記第１のダブルヘテロ構造の活性層と、第２のダブルヘテロ構造の活性層とは、層厚、材料およびキャリア濃度のうちの少なくとも１つが互いに異なるので、第１のダブルヘテロ構造の活性層は、第２のダブルヘテロ構造の活性層とは異なる波長のレーザ光を出射することができる。
【００１２】
また、上記第１のダブルヘテロ構造と第２のダブルへテロ構造とが下クラッド層を共有することによって、第２のダブルテロ構造の形成に必要な材料を少なくすることができるので、製造コストを低減することができる。
【００１３】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第１のダブルヘテロ構造は、上記下クラッド層の結晶成長に引き続いて行われる結晶成長により形成される。
【００１４】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記第１のダブルヘテロ構造は、上記下クラッド層の結晶成長に引き続いて行われる結晶成長により形成されるので、第１のダブルヘテロ構造を短時間で形成することができる。
【００１５】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第２のダブルヘテロ構造の活性層および上クラッド層は、上記第１のダブルヘテロ構造の活性層および上クラッド層の側方に形成されている。
【００１６】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記第２のダブルヘテロ構造の活性層および上クラッド層は、第１のダブルヘテロ構造の活性層および上クラッド層の側方に形成されているので、第１のダブルヘテロ構造と第２のダブルへテロ構造との下クラッド層の共有化を容易にすることができる。
【００１７】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記下クラッド層の少なくとも一部は同一組成から成っている。
【００１８】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記下クラッド層の少なくとも一部は同一組成から成っているので、第１のダブルヘテロ構造と第２のダブルヘテロ構造とを同様の結晶成長で形成することができる。
【００１９】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第１，第２のダブルへテロ構造は、それぞれ、少なくとも一部がＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成っている。
【００２０】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記第１，第２のダブルへテロ構造は、それぞれ、少なくとも一部がＡｌＧａＩｎＰ系半導体から成っているので、クラッド層の少なくとも一部をＡｌＧａＩｎＰ系半導体で構成することができる。
【００２１】
したがって、上記下クラッド層の材料として特別な材料を採用しなくてもよいから、製造コストの上昇を防ぐことができる。
【００２２】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第１のダブルヘテロ構造の活性層はＡｌＧａＡｓ系半導体を含み、
上記第２のダブルヘテロ構造の活性層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体を含み、
上記下クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体を含んでいる。
【００２３】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記下クラッド層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体を含むので、ＡｌＧａＡｓ系半導体の活性層を有する第１のダブルヘテロ構造と、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体の活性層を有する第２のダブルヘテロ構造との両方で使用することができる。
【００２４】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第２のダブルヘテロ構造の活性層と上記下クラッド層との間には、上記下クラッド層を保護する保護層が形成されている。
【００２５】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記第２のダブルヘテロ構造の活性層と下クラッド層との間には、下クラッド層を保護する保護層が形成されているので、第２のダブルヘテロ構造の形成時に使用するエッチャントで下クラッド層が荒れるのを防ぐことができる。
【００２６】
また、上記保護層の組成はＡｌを含まない組成とするのが好ましい。この場合、上記エッチャントで保護層が露出しても、保護層が酸化され難く、その保護層上に積層する層の結晶品質の悪化を抑制できる。
【００２７】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記保護層は、上記第１，第２のダブルヘテロ構造の活性層の発振波長のエネルギよりも大きなバンドギャップを有する。
【００２８】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記保護層のバンドギャップは第１，第２のダブルヘテロ構造の活性層の発振波長のエネルギよりも大きいので、保護層における活性層の出射光の吸収を抑制し、量子効率の悪化を防ぐことができる。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記保護層はＧａＩｎＰから成っている。
【００３０】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記保護層はＧａＩｎＰから成っているので、第２のダブルヘテロ構造の形成時に使用するエッチャントで保護層が露出しても、保護層が酸化され難く、その保護層上に積層する層の結晶品質の悪化を抑制できる。
【００３１】
また、上記保護層はＧａＩｎＰから成っているので、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体の結晶やＡｌＧａＡｓ系半導体の結晶を保護層上に結晶成長させても、格子不整合による結晶品質の悪化を招くのを防ぐことができる。
【００３２】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記保護層はＧａｘＩｎ１−ｘＰ（ｘ≧０．５７）から成っている。
【００３３】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記保護層はＧａｘＩｎ１−ｘＰ（ｘ≧０．５７）から成っているので、ＤＶＤ記録・再生に使用するレーザ光の発振波長６５０ｎｍに対して保護層のバンドギャップを大きくすることができる。
【００３４】
一実施形態の半導体レーザでは、
上記第１，第２のダブルへテロ構造はＭＯＣＶＤ法で形成されている。
【００３５】
上記実施形態の半導体レーザによれば、上記第１，第２のダブルへテロ構造をＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長）で形成するので、第１，第２のダブルへテロ構造の形成は比較的簡単である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の半導体レーザによれば、第１のダブルヘテロ構造の活性層と、第２のダブルヘテロ構造の活性層とは、層厚、材料およびキャリア濃度のうちの少なくとも１つが互いに異なるので、第１のダブルヘテロ構造の活性層は、第２のダブルヘテロ構造の活性層とは異なる波長のレーザ光を出射することができる。
【００３７】
また、上記第１のダブルヘテロ構造と第２のダブルへテロ構造とが下クラッド層を共有することによって、第２のダブルテロ構造の形成に必要な材料を少なくすることができるので、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の半導体レーザを図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３９】
後述する本発明の一実施の形態の半導体レーザにおいては、化合物半導体層のIII族原料として、メチル系有機金属であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）を使用し、また、Ｖ族原料としてアルシン（ＡｓＨ３）およびホスフィン（ＰＨ３）を使用し、また、ドーピング材料として、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）、ジメチル亜鉛（ＤＭＺｎ）、シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、シラン（ＳｉＨ４）およびジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などを使用している。
【００４０】
また、以下の実施の形態においては、基板表面の温度は、黒体輻射により較正した放射温度計で測定している。
【００４１】
また、上記半導体レーザに係る化合物半導体結晶層の成長を実施する気相成長装置は、図示しないが、反応室と、この反応室内に設置されたカーボン製の基板保持具（サセプタ）とを備えている。また、上記反応室の上部にはガス導入口とガス排出口とが設けられており、基板保持具の下方には加熱手段の一例としての高周波コイルが配置されている。
【００４２】
また、上記気相成長装置では、基板保持具上にＧａＡｓ基板を載置し、ガス導入口から所定のガスを導入し、ガス排出口から排出することにより反応室内を所望の雰囲気にすることができるようになっている。
【００４３】
また、上記高周波コイルに高周波電流を流すことにより基板保持具を誘導加熱してＧａＡｓ基板を昇温することができる。この基板保持具の加熱方法として、抵抗加熱装置やランプを用いた加熱方法を採用可能である。
【００４４】
また、上記基板保持具の下方に取り付けられた放射温度計や熱電対により基板保持具の温度を測定できる。これにより、上記基板保持具の温度を所望の温度に調整することができる。
【００４５】
上記半導体レーザは、上述した装置や材料を使用して製造されて、第１，第２のダブルヘテロ構造を有する。より詳しくは、まず、第１のダブルヘテロ構造を形成するための第１の結晶成長を行って、図１に示す層構成を成長する。
【００４６】
上記層構成は、半導体基板の一例としてのｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２、下クラッド層の一例としてのｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３（ｘ＝０．７、ｙ＝０．５、Ｓｉドープ５Ｅ１７ｃｍ−３、厚さ２μｍ）、保護層の一例としてのｎ型ＧａＩｎＰ保護層４（ｘ＝０．５９、Ｓｉドープ５Ｅ１７ｃｍ−３、厚さ１０ｎｍ）、アンドープＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ（多重量子井戸構造）活性層１０５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６（ｘ＝０．７、ｙ＝０．５、Ｍｇドープ１Ｅ１８ｃｍ−３、厚さ１．５μｍ）、ｐ型ＧａＩｎＰ第１中間層１０７（ｘ＝０．５、Ｍｇドープ２Ｅ１８ｃｍ−３、厚さ５０ｎｍ）、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層１０８（Ｚｎドープ１Ｅ１９ｃｍ−３、厚さ０．５μｍ）を順次形成して得る。
【００４７】
また、上記ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層１０５は、図２に示すように、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層１０５ａ，１０５ｅ（厚さ２０ｎｍ、ｘ＝０．５）、アンドープＡｌＧａＡｓバリア層１０５ｂ（厚さ５ｎｍ、ｘ＝０．４）およびアンドープＧａＡｓウェル層１０５ｃ（厚さ５ｎｍ）で構成している。
【００４８】
次に、上記ｎ型ＧａＡｓ基板１を一旦結晶成長装置から搬出し、フォトリソとエッチングの技術を用いて、図３に示すように、第１の結晶成長により形成した層構成の一部を除去した。
【００４９】
より具体的に説明すると、図２において、エッチングしない領域をレジスト（図示せず）で保護した状態で、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層１０８の一部を硫酸、過酸化水素水、水を混合した液によりエッチングし、ｐ型ＧａＩｎＰ第１中間層１０７およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層１０６のそれぞれの一部を８０℃加熱した燐酸でエッチングし、ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層１０５の一部を硫酸と過酸化水素水と水との混合液でエッチングして、図３示すように、ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４の一部を露出させる。これにより、上記ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４上に、ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６、ｐ型ＧａＩｎＰ第１中間層７およびｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層８が得られる。なお、上記ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５は第１のダブルヘテロ構造の活性層の一例である。また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層６は第１のダブルヘテロ構造の上クラッド層の一例である。
【００５０】
上記ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４は硫酸と過酸化水素水と水との混合液ではエッチングされ難く、エッチストップ層として機能する。そして、上記ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４は、単にエッチング時間でエッチングを止める場合よりも精度良くエッチングを止めることができる。
【００５１】
また、上記露出したｎ型ＧａＩｎＰ保護層４の一部は、Ａｌを含む層に比べて酸化され難くい。これにより、上記ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４の一部上に、良質な結晶性を有する層を形成することができる。
【００５２】
特に、本実施の形態の場合、第２のダブルヘテロ構造を形成するための第２の結晶成長が発光領域である活性層に近いところから始まるため、第２の結晶成長の品質を維持することはレーザの量子効率が悪くならないために重要である。
【００５３】
また、図３の構造であれば、ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４は、発振波長約７８０ｎｍのレーザ光に対しても、発振波長約６５０ｎｍのレーザ光に対してもバンドギャップが大きいので、どちらのレーザ光の吸収も起こり難く、レーザ特性の量子効率を悪くすることがない。
【００５４】
次に、上記レジストを除去した後、図４に示す層構成を第２の結晶成長により形成した。
【００５５】
上記層構成は、露出したｎ型ＧａＩｎＰ保護層４の一部上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１１（ｘ＝０．７２、ｙ＝０．５、Ｓｉドープ５Ｅ１７ｃｍ−３、厚さ０．２μｍ）、アンドープＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１１２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層１１３（ｘ＝０．７、ｙ＝０．５、Ｍｇドープ１Ｅ１８ｃｍ−３、厚さ１．５μｍ）、ｐ型ＧａＩｎＰ第２中間層１１４（ｘ＝０．５、Ｍｇドープ２Ｅ１８ｃｍ−３、厚さ５０ｎｍ）およびｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１１５（Ｚｎドープ１Ｅ１９ｃｍ−３、厚さ０．５μｍ）を順次形成して得る。
【００５６】
上記ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１１２は、図５に示すように、アンドープＡｌＧａＩｎＰガイド層１１２ａ，１１２ｄ（厚さ１０ｎｍ、ｘ＝０．５５、ｙ＝０．５）、アンドープＡｌＧａＩｎＰバリア層１１２ｂ（厚さ５ｎｍ、ｘ＝０．５５、ｙ＝０．５）およびアンドープＧａＩｎＰウェル層１１２ｃ（厚さ５ｎｍ）から成っている。
【００５７】
上記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３とＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１１２との間にｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１１を形成していることにより、第２のダブルヘテロ構造の出射光の放射角の制御が可能である。この第２のダブルヘテロ構造の出射光の放射角の制御は、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３の厚さを変更することによっても可能である。
【００５８】
上記第２の結晶成長を行うにあたっては、ＧａＡｓ基板上に成長する場合とは異なり、ＧａＩｎＰ上への成長となるため注意が必要である。すなわち、上記ＧａＡｓ基板上に結晶を成長させる場合は、結晶の成長に先立って基板温度を上昇させるが、この際、ＧａＡｓのＡｓが蒸発しないようにＡｓＨ３を基板上に供給し、ＡｓＨ３から分解したＡｓを常に基板表面に供給する。これに対して、上記ＧａＩｎＰ上に結晶を成長させる場合は、ＧａＩｎＰのＰが蒸発しやすいために、ＰＨ３を供給しながら基板温度を上昇させる必要がある。
【００５９】
また、上記第２の結晶成長によって、ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層８上にも結晶が成長するため、この結晶をフォトリソとエッチングの技術を用いて除去する。
【００６０】
より詳しくは、上記第２のダブルヘテロ構造となる領域をレジスト（図示せず）で保護した後、ｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１１５の一部を硫酸と過酸化水素水と水との混合液でエッチングし、ｐ型ＧａＩｎＰ第２中間層１１４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層１１３、ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層およびｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１１の一部を８０℃加熱した燐酸でエッチングする。これにより、上記ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４の一部上に、図６に示すように、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１、ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層１３、ｐ型ＧａＩｎＰ第２中間層１４およびｐ型ＧａＡｓ第２コンタクト層１５が得られる。なお、上記ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２は第２のダブルヘテロ構造の活性層の一例である。また、上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層１３は第２のダブルヘテロ構造の上クラッド層の一例である。
【００６１】
上記ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層８は、８０℃加熱した燐酸によってエッチングされず、エッチストップ層として機能する。これにより、上記ｐ型ＧａＡｓ第１コンタクト層８上の層を制御良く除去することができる。
【００６２】
また、上記ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１とＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５との間から、ｎ型ＧａＩｎＰ保護層４の一部が露出する。このｎ型ＧａＩｎＰ保護層４は、多少、８０℃加熱した燐酸によってエッチングされるため、エッチングの条件によっては、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第３クラッド層１１とＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５との間からｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３の途中までエッチングが進むが、問題はない。
【００６３】
その後、図示しないが、上記第１，第２のダブルヘテロ構造のそれぞれに、レーザ光の導波路を形成するため、フォトリソとエッチングの技術を用いてリッジを形成して、さらに、誘電体、ｎ型オーミック電極をＧａＡｓ基板の裏面に、ｐ型オーミック電極をｐ型ＧａＡｓコンタクト層の上に形成する。
【００６４】
このように、上記ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５とＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２とは、層厚、材料およびキャリア濃度が互いに異なるので、ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５はＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２とは異なる波長のレーザ光を出射することができる。
【００６５】
また、上記第１のダブルヘテロ構造と第２のダブルへテロ構造とがｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３を共有することによって、図１の結晶成長後に行うエッチングで除去する両を少なくなるので、製造コストを低減することができる。
【００６６】
上記実施の形態では、上記ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層５とＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層１２とは、層厚、材料およびキャリア濃度の全てが互いに異なるようにしていたが、層厚、材料およびキャリア濃度うちの少なくとも１つが互いに異なるようにしてもよい。
【００６７】
また、上記実施の形態では、単一の半導体基板上に、第１，第２のダブルへテロ構造を形成していたが、第１，第２のダブルへテロ構造に加えて他のダブルヘテロ構造を形成してもよい。
【００６８】
すなわち、上記半導体基板上に、３個以上のダブルヘテロ構造を形成してもよい。但し、上記３個以上のダブルヘテロ構造は、半導体基板上に形成された下クラッド層を共有するようにする。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は本発明の一実施の形態の半導体レーザの一製造工程の模式図である。
【図２】図２は上記半導体レーザの一製造工程の模式図である。
【図３】図３は上記半導体レーザの一製造工程の模式図である。
【図４】図４は上記半導体レーザの一製造工程の模式図である。
【図５】図５は上記半導体レーザの一製造工程の模式図である。
【図６】図６は上記半導体レーザの一製造工程の模式図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
３  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層
４  ｎ型ＧａＩｎＰ保護層
５  ＡｌＧａＡｓ系ＭＱＷ活性層
６  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層
１２  ＡｌＧａＩｎＰ系ＭＱＷ活性層
１３  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第４クラッド層
【図１】
2009194304.tif 000003
【図２】
2009194304.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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