(57)【要約】      （修正有）【課題】スパッタリング量が不安定な不安定期間の発生を抑制できるターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材を提供する。【解決手段】ターゲット１Ａは、スパッタリングによって消耗する消耗部位に凹部３Ａを設けている。スパッタリング用ターゲット部材５は、裏面に凸部８を有し、凸部８が形成される面とは反対側となる表面には、凸部８の対応位置に凹部３Ａを有するターゲット１Ａと、凸部８が嵌合する窪み部６Ａを有するターゲット１Ａの保持部材６と、を有する。【選択図】図４
2009228063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリングによって消耗する予定の消耗部位に凹部を設けたことを特徴とするスパッタリング用ターゲット。
【請求項２】
前記凹部は、その断面形状がＶ字形状または弧形状であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリング用ターゲット。
【請求項３】
四角形状の角部を直線で切り取った形状の隅部またはその隅部をＲ状にした隅部、もしくは四角形状の角部をＲ状に切り取った隅部を有することを特徴とする請求項１または２記載のスパッタリング用ターゲット。
【請求項４】
裏面に凸部を有し、上記凸部が形成される面とは反対側となる表面には、上記凸部の対応位置に凹部を有するスパッタリング用のターゲットと、
上記凸部が嵌合する窪み部を有する上記ターゲットの保持部材と、を有することを特徴とするスパッタリング用ターゲット部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング用ターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、マグネトロンスパッタリング用のターゲットのうち、消耗の激しい部位の板厚を厚くすることで、ターゲットを有効利用し、ターゲットの取り替えの回数を減らす技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１１１４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この特許文献１記載の技術、または単に平板形状のターゲットを用いてスパッタリングを行う技術を採用すると、新しいターゲットをスパッタリング装置にセットし、スパッタリングを開始してからしばらくの間は、スパッタ量（スパッタリングレート）が多くなり、徐々にそのレートが減少していきその後安定する現象が存在することを本発明者は発見した。図１０に、新品の平滑な板からなるターゲットをスパッタリング装置に設置し、一定の印加電圧または電流下においてマグネトロンスパッタリングを行った際の、スパッタ量の経時変化のグラフを示す。スパッタリングを開始してからしばらくの間は、スパッタ量が非常に多く不安定である（この期間を「不安定期間」という）。そしてそのままスパッタリングを継続させるとスパッタ量が安定してくる。
【０００５】
この不安定期間は、スパッタリングの際の印加電圧または電流を調整したり、スパッタリングされる側のワークが搬送されながらスパッタリングが行われる場合にはその搬送速度を調整して、スパッタ量を均一化する対応を採ることが可能である。また、その不安定期間はワークに対してスパッタリングを行わないといった対応を採ることも可能である。
【０００６】
しかしながら、この不安定期間にワークに対してスパッタリングを行うと、スパッタリングの状態（膜厚の均一性等）が良好になり難い。また、この不安定期間にワークに対してスパッタリングを行わない場合には、ターゲット等の資源および時間の無駄を発生させる。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、スパッタリング量が不安定な不安定期間の発生を抑制できるターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材を提供可能とすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明のターゲットは、スパッタリングによって消耗する予定の消耗部位に凹部を設けている。
【０００９】
この発明のターゲットによれば、ターゲットの消耗の激しいと予想される部位に凹部を設けることで、ターゲットの形状をスパッタリング量が不安定な不安定期間が終了した形状に近づけることができ、不安定期間の発生を抑制できる。
【００１０】
他の発明に係るターゲットは、上述した発明に加え、凹部は、その断面形状がＶ字形状または弧形状である。この構成を採用することによって、ターゲットの形状を不安定期間が終了した形状により近づけることができる。
【００１１】
他の発明に係るターゲットは、上述した発明に加え、四角形状の角部を直線で切り取った形状の隅部またはその隅部をＲ状にした隅部、もしくは四角形状の角部をＲ状に切り取った隅部を有する。この構成を採用することによって、ターゲットの体積が減少し、蓄熱性が減少しターゲットが変形しにくくなる。さらには、ターゲットのリサイクルの負担を軽減できる。
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明のスパッタリング用ターゲット部材は、裏面に凸部を有し、凸部が形成される面とは反対側となる表面には、凸部の対応位置に凹部を有するターゲットと、凸部が嵌合する窪み部を有するターゲットの保持部材と、を有する。
【００１３】
この発明のターゲット部材によれば、ターゲットの消耗の激しい部位に凹部を設けることで、ターゲットの形状をスパッタリング量が不安定な不安定期間が終了した形状に近づけることができ、不安定期間の発生を抑制できる。また、ターゲットの消耗の激しい部位に凸部を位置させることで、ターゲットを有効利用し、ターゲットの取り替えの回数を減らすことが可能となる。そして、バッキングプレート等と呼ばれる保持部材が窪み部を有しターゲットの凸部と嵌合しており、保持部材はスパッタリング装置の特定位置に固定されるため、ターゲット設置位置の正確な位置合わせがなされる。また、過剰なスパッタリングによってターゲットに穴があいても、保持部材が損傷するのみで、ターゲットを置く設置部分を荒らすことはない。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、スパッタリング量が不安定な不安定期間の発生を抑制できるターゲットおよびスパッタリング用ターゲット部材を提供可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態に係るターゲット１を、図を参照しながら説明する。
【００１６】
（ターゲット１の構成）
図１（Ａ）は、ターゲット１の要部の概略を示す縦断面図である。図１（Ｂ）には、ターゲット１の平面図を示している。なお、図１（Ａ）は、図１（Ｂ）のＡ−Ａ断面図である。図１（Ａ）に示すように、ターゲット１は、金（Ａｕ）の円盤状の板（後述する平坦部２の厚みは５ｍｍ）からなる。そして、ターゲット１の上面には、その円盤状の円の中心を中心とする円環状に凹部３が設けられている。この凹部３以外の表面部位は、平坦部２である。また、裏面部位は全体が平坦部とされている。この凹部３は、図１（Ａ）に示すように、その断面形状が弧形状となっており、その最大深さは０．５ｍｍである。また、この凹部３の部分は、スパッタリングによって消耗されるターゲット１の消耗部位である。なお、凹部３は切削加工にて設けられる。
【００１７】
（ターゲット１の使用後の状態）
図２には、ターゲット１をマグネトロンスパッタリングに使用した後の状態を示している。図２（Ａ）には、使用後のスパッタリング用ターゲット部材１の要部の概略を示す縦断面図を示している。図２（Ｂ）には、使用後のターゲット１の平面図を示している。なお、図２（Ａ）は、図２（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００１８】
マグネトロンスパッタ法では、磁力によってターゲット１の材料を電離させるため、磁界が発生するターゲット１の場所が集中的に消耗され、その他の場所は消耗され難い。そこで、予め消耗され易い場所に凹部３を位置させる。すなわち、凹部３と同様な円環形状に磁界発生装置をターゲット１が設置される部分の下方に配置させている。本発明の実施の形態では、ターゲット１の上面から凹部３の底面に向かってターゲット１が消耗され、消耗部４が凹部３と同位置に円環状に形成される。また、消耗部４は、断面が丸みを帯びた台形となっている。
【００１９】
このターゲットをスパッタリング装置にセットしてスパッタリングを行ったときのスパッタ量の推移を図３に示す。この図３に示されるように、図１０に示されている不安定期がほとんどなくなり、安定期間がほとんどを占めるものとなっている。
【００２０】
次に、本発明の他の実施の形態に係るターゲット１Ａおよび本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材５を、図を参照しながら説明する。
【００２１】
（スパッタリング用ターゲット部材５の構成）
図４（Ａ）は、スパッタリング用ターゲット部材５の要部の概略を示す縦断面図である。図４（Ｂ）には、スパッタリング用ターゲット部材５の平面図を示している。なお、図４（Ａ）は、図４（Ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。図４（Ａ）に示すように、スパッタリング用ターゲット部材５の上側には、金（Ａｕ）の円盤状の板（後述する平坦部２Ａの厚みは５ｍｍ）からなるターゲット１Ａが配置され、下側には銅の円盤状の板からなる保持部材６が配置され、ターゲット１Ａと保持部材６との間には、アルミニウム箔からなる固着部材７が配置されている。なお、ターゲット１Ａと保持部材６の円盤状の板の径は等しい。
【００２２】
ターゲット１Ａの上面には、その円盤状の円の中心を中心とする円環状の凹部３Ａが設けられている。この凹部３Ａ以外の表面部位は、平坦部２Ａである。この凹部３Ａは、図４（Ａ）に示すように、その断面形状が弧形状となっており、その最大深さは０．５ｍｍである。また、この凹部３Ａの部分は、スパッタリングによって消耗されるターゲット１Ａの消耗部位である。なお、凹部３Ａは切削加工にて設けられる。また、ターゲット１Ａは、凹部３Ａの対応位置の下面から保持部材６に向けて突出する円環状の凸部８を有しており、その凸部８はターゲット１Ａの肉厚部となっている。この凸部８は、断面形状が台形である。保持部材６は、固着部材７を介して凸部８全体と密着しながら嵌合する形状の窪み部６Ａを有している。そして、ターゲット１Ａの下面の全域と保持部材６の上面の全域が、固着部材７を介して密に固着されている。その結果、固着部材７は、ターゲット１Ａの下面の全域および保持部材６の上面の全域に沿った形状をしている。また、保持部材６の下面（裏面）の全域は、平面である。
【００２３】
（スパッタリング用ターゲット部材５の使用後の状態）
図５には、スパッタリング用ターゲット部材５をマグネトロンスパッタリングに使用した後の状態を示している。図５（Ａ）には、使用後のスパッタリング用ターゲット部材５の要部の概略を示す縦断面図を示している。図５（Ｂ）には、使用後のスパッタリング用ターゲット部材５の平面図を示している。なお、図５（Ａ）は、図５（Ｂ）のＤ−Ｄ断面図である。
【００２４】
マグネトロンスパッタ法では、上述のように磁力によってターゲット１Ａの材料を電離させるため、磁界が発生するターゲット１Ａの凹部３Ａの場所が集中的に消耗され、その他の場所は消耗され難い。そこで、予め消耗され易い場所に凹部３Ａおよび凸部８を位置させる。すなわち、凹部３Ａおよび凸部８と同様な円環形状に磁界発生装置をスパッタリング用ターゲット部材５が設置される部分の下方に配置させている。本発明の実施の形態では、凹部３Ａの底面から凸部８に向かってターゲット１Ａが消耗され、消耗部９が円環状に形成される。また、消耗部９は、断面が丸みを帯びた台形となっている。
【００２５】
（スパッタリング用ターゲット部材５の製造法）
図６は、スパッタリング用ターゲット部材５の製造法の概略を示す図である。まず、切削加工によって、金の板から凸部８および凹部３Ａを有するターゲット１Ａを製造し、銅の板から窪み部６Ａを有する保持部材６を製造する。その後、図６（Ａ）に示すように、ターゲット１Ａの凸部８の存在面と保持部材６の窪み部６Ａの存在面とを対向させ、それらの間に固着部材７であるアルミニウム箔を配置する。その後、図６（Ａ）に示す矢印の向きへとターゲット１Ａと保持部材６とを、凸部８が窪み部６Ａへと嵌め込まれるように移動させる。その移動の際には、固着部材７が凸部８および窪み部６Ａの形状に沿って変形する。そして、移動が進むと凸部８が窪み部６Ａへと嵌め込まれる。以上が嵌合させる嵌合工程となる。
【００２６】
そして、凸部８が窪み部６Ａへと固着部材７を介して完全に嵌め込まれ、嵌合工程が終了した後も、さらに図６（Ｂ）に示す矢印の向きへとターゲット１Ａと保持部材６との押圧を継続する、圧接させる工程を行う。すると、ターゲット１Ａと固着部材７、保持部材６と固着部材７が、各々接合される。この結果、図４（Ａ）に示すスパッタリング用ターゲット部材５が製造される。この製造法では、嵌合工程と圧接させる圧接工程とが同時に行われている。
【００２７】
このスパッタリング用ターゲット部材５をスパッタリング装置にセットし、スパッタリングを行った場合も、図３に示されるものと同様に、不安定期間がほとんど消滅した。
【００２８】
（本発明の実施の形態によって得られる主な効果）
本発明の実施の形態に係るターゲット１，１Ａは、ターゲット１，１Ａの消耗の激しい表面部位に凹部３，３Ａを設けることで、ターゲット１，１Ａの形状をスパッタリング量が不安定な不安定期間が終了した形状に近づけることができ、不安定期間の発生を抑制できる。不安定期間が終了したターゲットの消耗部の断面形状を観察すると、ターゲット１，１Ａの凹部３，３Ａの断面形状と近似している。よって、ターゲット１，１Ａが不安定期間の発生を抑制できるのは、凹部３，３Ａを設けたためである。
【００２９】
このように不安定期間は、スパッタリング量が安定しないため、スパッタリングによって被着される金（Ａｕ）の薄膜が均一な状態とならない。しかし、ターゲット１，１Ａを用いることで、スパッタリング開始当初から均一な状態の金の薄膜が得られる。
【００３０】
また、切削加工という簡単な加工方法によって凹部３，３Ａを設けるため、ターゲット１，１Ａの製造工程が煩雑になることはない。また、凹部３，３Ａを設けることで、ターゲット１，１Ａの重量を低減することができる。
【００３１】
また、凹部３，３Ａは、その断面形状が弧形状であり、ターゲット１，１Ａの形状を不安定期間が終了した形状により近づけることができる。また、ターゲット１Ａの消耗部位である凸部８は、平坦部２Ａに比べて肉厚となっているため、ターゲット１Ａを長寿命化できる。
【００３２】
スパッタリング用ターゲット部材５は、裏面に凸部８を有し、凸部８が形成される面とは反対側となる表面には、凸部８の対応位置に凹部３Ａを有するターゲット１Ａと、凸部８が嵌合する窪み部６Ａを有するターゲット１Ａの保持部材６と、を有する。そのため、まず、凹部３Ａを設けることで、ターゲット１Ａの形状を不安定期間が終了した形状に近づけることができ、不安定期間の発生を抑制できる。また、凸部８が窪み部６Ａに嵌合しているため、ターゲット１Ａと保持部材６との位置関係を調整する作業が容易となる。
【００３３】
また、ターゲット１Ａが凸部８を有することで、凸部８以外のターゲット１Ａの部分（たとえば平坦部２，２Ａ）を薄くできる。そのため、ターゲット１Ａの消耗されなかった部分を少なくでき、リサイクルに供されるターゲット１Ａの材料の量を低減でき、リサイクルの手間を軽減できる。そのリサイクルの手間は、図４（Ｂ）に示すように、ターゲット１Ａの外形を凸部８の外径に沿った形状とすることで、消耗されなかった部分が占める比率をより小さくでき、より軽減できる。なお、凸部８以外のターゲット１Ａの部分を薄くしても、保持部材６がターゲット１Ａを支持できるため、ターゲット１Ａの強度低下等の問題は解消できる。
【００３４】
また、ターゲット１Ａの下面の全域と保持部材６の上面の全域が固着されているため、仮にターゲット１Ａが過剰に消耗され、ターゲット１Ａに穴が開くようなことがあっても、損傷を受けるのは保持部材６にとどまり、スパッタリング機器を構成する他の部材の損傷を抑制することができる。
【００３５】
さらに、ターゲット１Ａの交換の際には、保持部材６からターゲット１Ａを取り外すことが可能であり、保持部材６を再利用でき、有効活用できる。
【００３６】
また、ターゲット１Ａの凸部８の断面形状を台形にすることで、断面形状が丸みを帯びる形状等に比較して、その切削加工が容易となる。また、消耗部９は、断面が概ね台形形状に消耗されるため、ターゲット１Ａの凸部８の断面形状を台形にすることによって、上述のようにリサイクルに供されるターゲット１Ａの材料の量を低減できる。
【００３７】
また、ターゲット１Ａの下面に凸部８が存することから、スパッタリング装置へターゲット１Ａをそのまま設置することが困難となる可能性があったところ、保持部材６の下面（裏面）が平面形状であることによって、スパッタリング用ターゲット部材５をスパッタリング装置へ容易に設置できる。
【００３８】
また、スパッタリング用ターゲット部材５の製造法では、圧接工程を有することで、ターゲット１Ａと保持部材６との密着性を向上できる。また、圧接工程を有することで、固着部材７、ターゲット１Ａまたは保持部材６が内包することのある気泡を除去することができ、スパッタリングの際の加熱に起因した気泡からのガス（不純物）の噴出を抑制することができる。さらに、嵌合工程と圧接工程とが同時に行われることから、スパッタリング用ターゲット部材５を迅速に製造できる。
【００３９】
また、凹部３，３Ａ部分の最大深さは０．５ｍｍであるため、ターゲット１，１Ａの上面はほぼ平面形状といえ、かつ厚さ等は変化しない。すると、ターゲット１またはスパッタリング用ターゲット部材５を既存のスパッタリング装置へ設置した場合に、従来のスパッタリング条件と同一または近似した条件にてスパッタリング装置を使用することが可能となる。
【００４０】
（他の形態）
以上、本発明の実施の形態におけるターゲット１，１Ａおよびスパッタリング用ターゲット部材５について説明したが、本発明の要旨を逸脱しない限り種々変更実施可能である。たとえば、凹部３，３Ａの最大深さは０．５ｍｍでなくてもよく、ターゲット１，１Ａの材質、平坦部２，２Ａの厚み等によって適宜変更できる。ただし、凹部３，３Ａの最大深さを０．１ｍｍ以上とすることで不安定期間の発生の抑制効果が良好に得られ、１ｍｍ以下とすることでターゲット１，１Ａの寿命を極端に短くしないことができる。この不安定期間の発生の抑制効果を良好に得る観点およびターゲット１，１Ａの寿命を極端に短くしない観点から、凹部３，３Ａの最大深さは０．３ｍｍから０．７ｍｍとすることが好ましい。また、同様に平坦部２，２Ａの厚みも５ｍｍ以外の厚みとすることができる。また、ターゲット１，１Ａの凹部３，３Ａは、切削加工によって形成されているが、切削加工と同様に容易に凹部３，３Ａを形成できる鋳造、鍛造等によって形成されていても良い。
【００４１】
また、凹部３，３Ａの形状は、使用されるスパッタリング装置の構造等によって適宜変更できる。たとえば、凹部３，３Ａは、円環状に連続した形状ではなく、楕円形状としたり、さらには一部連続させない部分を設けた形状としても良い。
【００４２】
また、スパッタリング用ターゲット部材５に用いられるターゲット１Ａの一部を構成する凸部８は、断面形状が台形であり、ターゲット１Ａの下面に円環状に形成されている。この凸部８の形状は、適宜変更できる。たとえば、凸部は、円環状に連続した形状ではなく、楕円形状またはトラック形状としたり、さらには一部連続させない部分を設けた形状としても良い。
【００４３】
図７には、本発明の実施の形態に係るターゲットの変形例を図１（Ａ）と同様の断面図として示している。図７（Ａ）に示すターゲット１Ｂは、凹部３Ｂの断面形状がＶ字形状のものである。このターゲット１Ｂも、ターゲット１Ａと同様にターゲットの形状が不安定期間が終了した形状により近いものである。また、ターゲット１Ｂの表面の凹部３Ｂ以外の部分が平坦部２Ｂとなっており、裏面は平坦面となっている。
【００４４】
図７（Ｂ）に示すターゲット１Ｃは、凹部３Ｃの断面形状が開口部側が長辺の台形形状のものである。また、ターゲット１Ｃの表面の凹部３Ｃ以外の部分が平坦部２Ｃとなっており、裏面は平坦面となっている。
【００４５】
図７（Ｃ）に示すターゲット１Ｄは、ターゲット１Ｄの消耗部を肉厚にする凸部８Ａが表面に存在し、その凸部８Ａの頂上に断面形状が弧形状の凹部３Ｄが設けられたものである。また、ターゲット１Ｄの表面の凸部８Ａおよび凹部３Ｄ以外の部分が平坦部２Ｄとなっており、裏面は平坦面となっている。なお、凹部３Ｄは、その断面形状を適宜変更できる。
【００４６】
図７（Ｄ）に示すターゲット１Ｅは、ターゲット１Ｅの消耗部を肉厚にする凸部８Ｂを表面に設け凸部８Ｂ’（凸部８と同形状のもの）を裏面に設け、表面側の凸部８Ｂの上に断面形状が弧形状の凹部３Ｅが設けられたものである。また、ターゲット１Ｅの表面の凸部８Ｂおよび凹部３Ｅ以外の部分が平坦部２Ｅとなっている。なお、凹部３Ｅは、その断面形状を適宜変更できる。
【００４７】
図８には、本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材５の変形例を図４（Ａ）と同様の断面図として示している。なお、スパッタリング用ターゲット部材５等の構成要素と同様の構成要素には同一の符号を付し、その構成要素の詳細な説明は省略している。
【００４８】
図８（Ａ）に示すスパッタリング用ターゲット部材５Ａように、固着部材７は、必須の構成要素ではないため、省略することができる。そのように省略する場合には、たとえば、ターゲット１Ａと保持部材６とを圧接させることで、両者の一体化を実現できる。また、ターゲット１Ａと保持部材６とを固着させずに、ターゲット１Ａを保持部材６の上に設置するのみとすることもできる。
【００４９】
また、固着部材７を用いる場合であっても、その材料はアルミニウム箔に限定されない。たとえば、その材料は銅箔等の他の金属箔、インジウム等を用いた金属接合部材（たとえばインジウム粉が入ったペースト）または樹脂系の接着剤等とすることができる。樹脂系の接着剤としては、エポキシ系、ポリイミド系等のものを用いることができる。固着部材として樹脂系の接着剤を用いると、ターゲット１Ａを交換する際に、加熱等によってその接着力を弱めて、容易に交換作業を行うことが可能となる。また、ポリイミド系樹脂は、耐熱性に優れるため、スパッタリング作業中にターゲット１Ａが過剰に高温になってしまう場合に対応でき、固着部材の構成材料として好適である。なお、他の固着方法としては、保持部材６の裏面側からターゲット１Ａまでネジを通してターゲット１Ａと保持部材６を固着させる方法を採用できる。
【００５０】
また、本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材５に用いられるターゲット１Ａの上面は平面形状に限られず、たとえば図８（Ｂ）に示すスパッタリング用ターゲット部材５Ｂのように、図７（Ｄ）に示すターゲット１Ｅの形状のものを用いても良い。凸部８Ｂ，８Ｂ’の存在によって、ターゲット１Ｅをより長寿命化させることができ、好ましい。なお、凹部３Ｅは、その断面形状を適宜変更できる。
【００５１】
さらに、図８（Ｃ）に示すスパッタリング用ターゲット部材５Ｃに用いられるターゲット１Ｆは、ターゲット１Ｆの表面の凹部３Ｅ以外の部分が平坦部２Ｆとなっており、裏面の凸部８Ｃは、断面形状が半円のものである。この凸部８Ｃのように凸部の先端に丸みを帯びさせることによって、リサイクルの手間をより軽減できる。その理由は、ターゲット１Ｆを含め各ターゲットは、図２（Ａ）および図５（Ａ）に示すように底面が丸みを帯びるように消耗され、消耗部４，９が形成されることから、図８（Ｃ）に示すような形状のターゲット１Ｆとすると、リサイクルされるターゲット１Ｆの部分を少なくできリサイクルの負担が減るためである。ここで、凸部８Ｃは、断面形状が半円のものに代えて断面形状が丸みを帯びた台形のものとしても良い。さらに、凸部８Ｃは、断面形状が半円のものに代えて断面形状が半楕円形状、平行四辺形、長方形、三角形、丸みを帯びた平行四辺形、丸みを帯びた長方形、丸みを帯びた三角形等としても良い。なお、凹部３Ｆは、その断面形状を適宜変更できる。
【００５２】
この図８（Ｃ）に示すスパッタリング用ターゲット部材５Ｃに用いられる保持部材６’は凸部８Ｃと嵌合する断面形状が半円の窪み部６Ｂを有している。そして固着部材７は、保持部材６’とスパッタリング用ターゲット部材５Ｃの裏面の全域に渡って密着しているため、固着部材７は、窪み部６Ｂと凸部８Ｃの間に半円球状に配置されている。保持部材６’は、窪み部６Ｂ以外は保持部材６と同様に構成されている。
【００５３】
なお、消耗部位に形成される凸部８等の凸部および凹部３等の凹部は、図１に示すターゲット１のようにターゲットの外形に沿って設けられていることが好ましい。なぜならば、ターゲットのうち、消耗されなかった部分が占める比率を小さくでき、よりリサイクルの負担を軽減できるためである。また、凸部８および凹部３，３Ａは、円環状に形成されているが、凸部８および凹部３，３Ａは消耗の量が多い部分に設け、その形状は、円形、楕円形、楕円環、長方形、トラック形状等として形成することができる。
【００５４】
また、本発明の実施の形態に係る保持部材６は、銅の円盤状の板からなるものを用いているが、スパッタリング装置の構造、スパッタリングの条件等に応じて、その材質および形状は適宜変更できる。たとえば、保持部材６の材質は、ステンレス、アルミニウム、その他の金属等とすることができる。また、保持部材６の外形は、円形でなく正方形、長方形、楕円形、トラック形状等とすることができる。また、保持部材６の外形は、ターゲット１Ａの外形と同一でなくてもよい。また、保持部材６の下面は平面形状に限られず、スパッタリング装置の構造等に適した別の形状としても良い。
【００５５】
また、ターゲット１，１Ａは、金からなる円盤状のものを用いているが、スパッタリング装置の構造、スパッタリングの条件等に応じて、その材質および形状は適宜変更できる。たとえば、ターゲット１，１Ａの材質は、銀、ニッケル、クロム、ニッケル−クロム系合金その他の金属または合金とすることができる。また、ターゲット１，１Ａの外形は円形であるが、円環、楕円環、正方形、長方形、楕円形、トラック形状等とすることができる。
【００５６】
図９は、ターゲットの外形および凹部の形状の変形例を示す図である。これら変形例のターゲットは、保持部材６等と組み合わされて、スパッタリング用ターゲット部材に用いられることが可能なことは言うまでもない。図９（Ａ）は、外形が四角形である長方形のターゲット１Ｇであって、凹部３Ｇが楕円環形状に形成されているものである。よって、スパッタリングによって消耗される部位は、凹部３Ｇが占める楕円環の領域である。
【００５７】
図９（Ｂ）には、図９（Ａ）に示したターゲット１Ｇの隅部（角部）および側部の周縁を直線で切り取られた形状である八角形の形状としたターゲット１Ｈを示している。図９（Ｂ）に示す破線は、図９（Ａ）に示すターゲット１Ｇとの比較のためのもので、ターゲット１Ｇの輪郭を示している（後述する図９（Ｃ）（Ｄ）についても同様）。このようにターゲット１Ｇの消耗部位以外の部位を切り取った形状とすることで、ターゲットの軽量化が実現でき、また、ターゲットのリサイクルの際の負担を軽減できる。また、直線で切り取る場合、切削加工時の加工がし易い。なお、図９（Ａ）で示す形状とする場合、切削加工等で切り取るのではなくインゴット形成時に、図９（Ａ）に示す形状として成型するようにしてもよい。この点は図９（Ｂ）（Ｃ）等後述するターゲット全てについて当てはまる。
【００５８】
図９（Ｃ）には、図９（Ａ）に示したターゲット１Ｇの隅部（角部）を曲線で切り取りＲ状としたターゲット１Ｊを示している。曲線で切り取ることによって、より楕円環形状の凹部３Ｇの近くまで切り取ることが可能となり、ターゲットのより軽量化等を図ることができる。また、図９（Ｂ）に示したターゲット１Ｈのように、隅部（角部）を直線で切り取った後に、その隅部をＲ状とすることによって図９（Ｃ）に示すターゲット１Ｊを得ることとしても良い。
【００５９】
図９（Ｄ）には、図９（Ｂ）に示したターゲット１Ｈの中心部１０の凹部３Ｇ以外の部位を曲線で楕円形に切り取ったターゲット１Ｋを示している。凹部３Ｇが楕円環形状をしているため、その中心部１０は消耗されない部位である。そのような消耗されない部位の一部を切り取り凹部としたり、完全に切り取り貫通孔を形成したりすることによって、ターゲットのより軽量化等を図ることができる。ただし、通常ターゲットは凹部が設けられ消耗される表面とは反対側の裏面を冷却しながらスパッタリングに使用されるため、その冷却を十分なものとするためには、中心部１０を貫通させるように切り取るのではなく、裏面側を残すように表面側を切り取ることが好ましい。また中心部１０の切り取り形状は、楕円形状ではなく円形状、三角形状、四角形状等の４以上の多角形状等とすることができる。
【００６０】
図９（Ｅ）は、外形が四角形である正方形のターゲット１Ｌであって、凹部３Ｈが円環形状に形成されているものである。よって、スパッタリングによって消耗される部位は、凹部３Ｈが占める円環の領域である。
【００６１】
図９（Ｆ）には、図９（Ｅ）に示したターゲット１Ｌの隅部（角部）を直線で切り取って、八角形としたターゲット１Ｍを示している。図９（Ｆ）に示す破線は、図９（Ｅ）に示すターゲット１Ｌの輪郭を示している（後述する図９（Ｇ）（Ｈ）についても同様）。また、図９（Ｇ）には、図９（Ｅ）に示したターゲット１Ｌの隅部（角部）を曲線で切り取りＲ状としたターゲット１Ｎを示している。さらに、図９（Ｈ）には、図９（Ｆ）に示したターゲット１Ｍの中心部１０Ａの凹部３Ｈ以外の部位を曲線で円形に切り取ったターゲット１Ｐを示している。
【００６２】
以上のように、ターゲットの隅部が切り取られたような形状とすると、ターゲットの体積が減り、蓄熱部分減少する。この結果、ターゲットが変形するというリスクが減少する。また、重量が小さくなるためリサイクル負担が軽減される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態に係るターゲットの構成の概要を示す図で（Ａ）は（Ｂ）のＡ−Ａ断面図で、（Ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るターゲットの使用後の状態の概要を示す図で（Ａ）は（Ｂ）のＢ−Ｂ断面図で、（Ｂ）は平面図である。
【図３】図１に示す本発明の実施の形態に係るターゲットをスパッタリング装置にセットしてスパッタリングを行ったときのスパッタ量の推移を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材の構成の概要を示す図で（Ａ）は（Ｂ）のＣ−Ｃ断面図で、（Ｂ）は平面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材の使用後の状態の概要を示す図で（Ａ）は（Ｂ）のＤ−Ｄ断面図で、（Ｂ）は平面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材の製造過程の概要を示す図で（Ａ）は、加圧工程の前段階を示す図、（Ｂ）は加圧工程の状態を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るターゲットの変形例の概要を示す縦断面図であり、（Ａ）は凹部の断面形状をＶ字状としたもの、（Ｂ）は凹部の断面形状を台形としたもの、（Ｃ）は凸部の頂上に凹部を設けたもの、（Ｄ）は凹部を設けた凸部の突起方向とは反対側にも題２の凸部を設けたもの、を示している。
【図８】本発明の実施の形態に係るスパッタリング用ターゲット部材の変形例の概要を示す縦断面図であり、（Ａ）は固着部材を省略したもの、（Ｂ）は凸部の反対側のターゲット面の対応位置に第２の凸部を形成したもの、（Ｃ）は凸部および凹部の断面形状を半円としたもの、を示している。
【図９】本発明の実施の形態に係るターゲットの外形および凹部の形状の変形例を示す図であり、（Ａ）は外形が長方形で凹部が楕円環のもの、（Ｂ）は（Ａ）のターゲットの隅部および側部を直線で切り取ったもの、（Ｃ）は（Ａ）のターゲットの隅部を曲線で切り取ったもの、（Ｄ）は（Ｂ）のターゲットの中心部を切り取ったもの、（Ｅ）は外形が正方形のもの、（Ｆ）は（Ｅ）のターゲットの隅部を直線で切り取ったもの、（Ｇ）は（Ｅ）のターゲットの隅部を曲線で切り取ったもの、（Ｈ）は（Ｆ）のターゲットの中心部を切り取ったもの、を示している。
【図１０】従来のターゲットである新品の平滑な板からなるターゲットをスパッタリング装置に設置し、一定の印加電圧下においてマグネトロンスパッタリングを行った際の、スパッタリングレートの経時変化を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，１Ｈ，１Ｊ，１Ｋ，１Ｌ，１Ｍ，１Ｎ，１Ｐ  ターゲット
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ，３Ｇ，３Ｈ  凹部
５、５Ａ，５Ｂ，５Ｃ  スパッタリング用ターゲット部材
６，６’  保持部材
６Ａ，６Ｂ  窪み部
８，８Ａ，８Ｂ，８Ｂ’，８Ｃ  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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