(57)【要約】【課題】基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材が円筒状基体の表面に付着することを防ぐ。【解決手段】円筒状基体１０１を保持する基体ホルダーは、円筒状基体１０１の内周面に対向する位置に配置された内部ホルダー１０２と、円筒状基体１０１の上方であって内部ホルダー１０２の外周面に対向する位置に配置されたキャップホルダー１０４とを有する。内部ホルダー１０２の上部には、チャッキング機構（不図示）によるチャッキングが可能であり、少なくとも一部に貫通孔１０９が形成された凹状のチャッキング部位が構成されている。内部ホルダー１０２の凹状のチャッキング部位の上端側と、内部ホルダー１０２とキャップホルダー１０４及び円筒状基体１０１との間に形成された隙間の上端側とは、チャッキング機構が凹状のチャッキング部位にチャッキングされたときにチャッキング機構によって塞がれる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体を保持し、減圧可能な容器の内部に設置される基体ホルダーにおいて、
前記円筒状基体の内周面に対向する位置に、前記円筒状基体の内周面との間に隙間をおいて配置された内部ホルダーと、
前記円筒状基体の上方であって前記内部ホルダーの外周面に対向する位置に、前記内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されたキャップホルダーと、
を有し、
前記内部ホルダーの上部には、前記基体ホルダーを搬送する搬送装置に備えられたチャッキング機構によるチャッキングが可能であり、少なくとも一部に貫通孔が形成された凹状のチャッキング部位が構成されており、
前記内部ホルダーの前記凹状のチャッキング部位の上端側と、前記内部ホルダーと前記キャップホルダー及び前記円筒状基体との間に形成された前記隙間の上端側とは、前記チャッキング機構が前記凹状のチャッキング部位にチャッキングされたときに前記チャッキング機構によって塞がれることを特徴とする基体ホルダー。
【請求項２】
前記円筒状基体の下方であって前記内部ホルダーの外周面に対向する位置に、前記内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置された受け台ホルダーをさらに有する、請求項１に記載の基体ホルダー。
【請求項３】
前記内部ホルダーの前記キャップホルダーに対向する部分に前記貫通孔が形成されている、請求項１または２に記載の基体ホルダー。
【請求項４】
前記隙間から気体を排気する排気経路が前記円筒状基体の下方に形成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の基体ホルダー。
【請求項５】
前記排気経路は前記隙間から前記基体ホルダーの底面へ延びている、請求項４に記載の基体ホルダー。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の基体ホルダーが内部に設置される真空容器であって、
前記真空容器は、真空減圧が可能な円筒状縦型容器であり、内部に直立に設置された前記基体ホルダーの下方に排気口が形成されていることを特徴とする真空容器。
【請求項７】
円筒状基体を保持した前記基体ホルダーを真空状態で搬送可能な搬送容器である、請求項６に記載の真空容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、特に電子写真感光体に用いられる堆積膜を形成する堆積膜形成装置において用いられる基体ホルダー及び真空容器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子写真感光体、半導体デバイス、画像入力ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法として、高周波電力により生成されるプラズマを用いた堆積膜形成法が知られている。そのような真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等がある。そして、それらの真空処理方法を実施するための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基板上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、アモルファスシリコン薄膜の形成方法が知られており、その製造装置も各種提案されている。
【０００４】
このような堆積膜形成装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のために基体ホルダーやサセプタと称する基体を支持するための部材の形状に関する改良が進められている。
【０００５】
特許文献１には、従来のサセプタ、半導体ウェーハの製造装置及び製造方法が開示されている。特許文献１のサセプタは、半導体基板を支持するサセプタに半導体基板を位置決めする座ぐりと、座ぐり内で半導体基板の外周縁部を支持する支持部とを備えている。このサセプタは、支持部よりも中心側の座ぐり底面と半導体基板との隙間のガスをサセプタの主表面側に逃がすためのガス逃げ部をさらに備えている。
【０００６】
また、特許文献２には、減圧下で処理を行う反応容器内の基体を保持する基体ホルダーと、基体を基体ホルダーの内部から加熱する加熱手段とを有する光受容部材の製造装置が開示されている。光受容部材の製造装置は、加熱手段により加熱される基体の表面にシリコン原子を母材とする非晶質材料からなる光受容層を形成させる。この基体ホルダーは、基体ホルダーの内部に空洞部が形成され、かつ、空洞部から基体ホルダーの外表面へと貫通する少なくとも１つの開口が形成されている。
【０００７】
さらに、特許文献３には、基体上部をチャッキングし、基体洗浄を行うチャッキング機構が開示されている。また、特許文献４には、搬送容器内部において支持体上部を搬送用チャッキングにより保持する構成が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１１９８５９号公報
【特許文献２】特開２００１−３２３３７８号公報
【特許文献３】特開平１１−１１９４４７号公報
【特許文献４】特許第３４９６９０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した従来の真空処理方法、真空処理装置によれば、良好な堆積膜形成、即ち真空処理を行うことができる。しかしながら、真空処理を用いて生産された製品の品質に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の製品が生産可能な真空処理装置が求められるようになっている。
【０００９】
近年その普及が目覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁に成される。そのため、画像上に白点或いは黒点等を引き起こす堆積膜の構造についても、従来以上の低減が求められている。
【００１０】
このような堆積膜の構造の中には、堆積膜形成前から基体上に付着したダスト等の異物を起源として堆積膜が異常成長したものがある。そのため、堆積膜形成前の基体は厳密に洗浄され、クリーンルームなどのダスト管理された環境で反応容器内に運搬することにより、基体にダストが付着することを極力避けるようにしてきた。
【００１１】
また、堆積膜を形成した基体を設置している基体ホルダー表面には膜状の副生成物が堆積している。そのため、例えば炭化珪素や、アルミナなどの多角形状の研磨材、又は鉄、ステンレス鋼及び、ガラスなどの球形の研磨材を含む液体を噴射する液体ホーニング等の物理的作用により副生成物の除去が行われる。その後、洗浄工程、乾燥工程を経て再度、堆積膜の形成に使用される。
【００１２】
一方、基体ホルダーは円筒状基体を設置したままチャッキング機構により搬送するために、チャッキングが可能な凹状のチャッキング部位を設けた複雑な形状をしている。そのため、例えば前記液体ホーニングに用いる研磨材などのダストが基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留する場合がある。
【００１３】
基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材は、大気状態でチャッキング機構にチャッキングされた状態で搬送容器内に設置され減圧が行われる場合、堆積膜形成に伴い堆積膜の異常成長の起源となる場合がある。これは、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位はチャッキング機構によって塞がれた状態でも微小な隙間があるため、減圧時の圧力変化により生じる気流により隙間から搬送容器内に飛散して円筒状基体の表面に付着しうるためである。
【００１４】
本発明の目的は、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材が円筒状基体の表面に付着することを防ぐことができる基体ホルダー及び真空容器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の基体ホルダーは、円筒状基体を保持し、減圧可能な容器の内部に設置される基体ホルダーにおいて、前記円筒状基体の内周面に対向する位置に、前記円筒状基体の内周面との間に隙間をおいて配置された内部ホルダーと、前記円筒状基体の上方であって前記内部ホルダーの外周面に対向する位置に、前記内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されたキャップホルダーと、を有し、前記内部ホルダーの上部には、前記基体ホルダーを搬送する搬送装置に備えられたチャッキング機構によるチャッキングが可能であり、少なくとも一部に貫通孔が形成された凹状のチャッキング部位が構成されており、前記内部ホルダーの前記凹状のチャッキング部位の上端側と、前記内部ホルダーと前記キャップホルダー及び前記円筒状基体との間に形成された前記隙間の上端側とは、前記チャッキング機構が前記凹状のチャッキング部位にチャッキングされたときに前記チャッキング機構によって塞がれることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に残留した研磨材が円筒状基体の表面に付着することを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明者らは画像欠陥の原因となる堆積膜の構造欠陥の発生原因に関して鋭意検討を行った。その結果、円筒状基体を設置する基体ホルダーに残留した研磨材が円筒状基体の搬送工程で堆積膜が形成される円筒状基体の外周表面（以下、「主表面」とも記す。）に付着した研磨材を起源として堆積膜が異常成長することが判明した。
【００１８】
本発明者らは、円筒状基体の主表面に研磨材が付着する原因に関して更に検討した。搬送工程において、基体ホルダーに設置した円筒状基体は搬送容器に設置して大気状態から真空の状態に減圧される。その際に、基体ホルダーと円筒状基体との空間に存在する大気が、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に付着した研磨材と共に一旦、円筒状基体の主表面側に流れて、排気されることが判明した。
【００１９】
本発明者らは、円筒状基体を設置する基体ホルダーの形状に関し鋭意検討した。そして、基体ホルダーに、円筒状基体内面との対向面よりも上部に搬送装置のチャッキング機構によりチャッキングが可能な凹状のチャッキング部位を設け、少なくとも凹状のチャッキング部位の少なくとも一部に貫通孔を設けた。これにより、減圧工程における大気の流れを円筒状基体の主表面側に流さないことが可能であり、基体ホルダーの凹状のチャッキング部位に付着した研磨材の円筒状基体主表面への付着防止が可能であることが分かった。
【００２０】
基体ホルダーに設ける貫通孔の形状に関しては特に制約はなく、加工が容易な円形が望ましいが、貫通孔の形態をとらずに、大気が排気方向に向う経路が確保できる様な溝の形態でもかまわない。更に貫通孔又は溝の大きさに関しては、研磨材が通過可能なサイズであれば良く、円筒状基体を保持するための強度を損なわない範囲で選択すれば良い。
【００２１】
また、基体ホルダーに貫通孔を設ける位置に関しては、貫通孔は円筒状基体と対向しない位置に設けることが望ましい。基体ホルダーの円筒状基体が対向する面に設けた場合、基体ホルダー内部に設けたヒーターにより基体ホルダーを介して円筒状基体を加熱する。そのため、円筒状基体の貫通孔に対向する部位と貫通孔が無い部位の間に温度差が生じることで局所的な特性ムラが生じ、画像ムラが発生する場合があるためである。温度差は堆積膜形成時の反応容器内の圧力が高いほど顕著であるため、特性ムラは圧力が数十Ｐａ〜数百Ｐａの高い圧力領域で使用される１〜２０ＭＨｚのＲＦ帯の高周波電力を用いた堆積膜形成で顕著に生じる。
【００２２】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
図１は、高周波プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の連続生産装置の一例を示す模式的な構成図である。図１に示す生産装置の構成は以下の通りである。この装置は大別すると、投入装置２１００、加熱装置２２００、反応装置２３００、冷却及び排出装置２４００、及びこれらの装置間で移動可能な搬送装置２５００を備えている。
【００２４】
搬送装置２５００は、基体ホルダーを真空状態で搬送可能な真空搬送容器である搬送容器２５０２を備えている。搬送容器２５０２内には、基体ホルダーに設置された円筒状基体２５０８を掴むための爪及び、固定用の円盤、上下移動用シャフトで構成されたチャッキング機構２５０７が設けられている。
【００２５】
加熱容器２２０２、反応容器２３０２、冷却及び排出容器２４０２、搬送容器２５０２は真空に減圧可能な円筒状縦型容器であり、それらの容器の各々には容器内を真空減圧する排気ポンプ２２０５、２３０５、２４０５、２５０５が設けられている。さらに、それらの容器の各々には、排気バルブ２２０３、２３０３、２４０３、２５０３、２５０９が設けられている。さらに、各容器には開閉ゲート２１０１、２２０１、２３０１、２４０１、２５０１が設置されている。搬送容器２５０２の開閉ゲート２５０１は、他の各容器の開閉ゲート２１０１、２２０１、２３０１、２４０１に接続可能になっている。
【００２６】
投入容器２１０２には開閉ゲート２１０１が設けられている。投入容器２１０２内には、その内部を大気状態としたまま円筒状基体２５０８が設置される。加熱容器２２０２には加熱時に使用するガスを流入させる補助バルブ２２０４が設けられており、冷却及び排出容器２４０２には容器内を大気に戻すためのリークバルブ２４０４が設けられている。反応容器２３０２には、反応ガス流出バルブ２３０４、２３０６、高周波マッチングボックス（不図示）、及び高周波電源（不図示）が接続されている。
【００２７】
搬送容器２５０２には、容器内を真空に減圧するための排気バルブ２５０３、ゲート間を真空に減圧するための排気バルブ２５０９、ゲート間を大気圧に戻すためのリークバルブ２５０４が設けられている。さらに、搬送容器２５０２には、基体ホルダーに設置された円筒状基体２５０８を移動させるためのチャッキング機構２５０７が設けられている。搬送装置２５００は、移動用レール２５０６の上を移動可能である。
【００２８】
投入容器２１０２、加熱容器２２０２、反応容器２３０２、冷却及び取り出し容器２４０２の数は、それぞれの処理時間に応じた組み合わせが選択される。また、搬送容器２５０２は、同時に複数の基体を移送出来るように複数設ける事も可能である。また、移動用レール２５０６の形体は直線でもよいし、円でもよい。
【００２９】
このような装置を用いた連続生産は、例えば以下のように行われる。
【００３０】
作業者が投入容器２１０２に円筒状基体２５０８を設置した後に、自動搬送専用の搬送容器２５０２が、投入容器２１０２上に移動し、更に下降して、開閉ゲート２５０１が開閉ゲート２１０１に接続する。
【００３１】
双方の開閉ゲート２５０１、２１０１を開き、円筒状基体２５０８をチャッキング機構２５０７により搬送容器２５０２内に移動させた後、双方の開閉ゲートを閉じ、搬送容器２５０２を所定の位置まで上昇させる。
【００３２】
この状態で搬送容器２５０２内を搬送容器２５０２の下部側から排気ポンプ２５０５及び排気バルブ２５０３によって排気し、大気圧から２.６７ｋＰａ以下の所定の真空度になるまで減圧する。
【００３３】
所定の真空度に到達した時点で、搬送容器２５０２を、排気バルブ２２０３及び排気ポンプ２２０５により予め真空保持した加熱容器２２０２に移送する。
【００３４】
加熱用ガスを補助バルブ２２０４から所定の圧力になるまで加熱容器２２０２内に供給し、容器内に設置されているヒーター（不図示）を用いて円筒状基体２５０８を所定の温度に加熱する。
【００３５】
加熱された円筒状基体２５０８は、搬送容器２５０２を用いて、排気バルブ２３０３及び排気ポンプ２３０５により予め真空保持した何れかの反応容器２３０２内へ移送される。そして、反応容器２３０２内で所定の手段により円筒状基体２５０８上に堆積膜を形成する。その後、円筒状基体２５０８は排気バルブ２４０３及び排気ポンプ２４０５により予め真空保持された冷却及び排出容器２４０２に移送され、所定の温度になるまで冷却される。そして、容器２４０２内が大気圧になるまでリーク用ガスをリークバルブ２４０４から流した後、容器２４０２内から円筒状基体２５０８を搬出する。
【００３６】
加熱容器２２０２、反応容器２３０２、冷却及び排出容器２４０２と搬送容器２５０２との間での円筒状基体２５０８の受け渡しの際には、まず、搬送装置２５００が所定の容器上に移動し、開閉ゲート２５０１を所定の開閉ゲート２２０１〜２４０１に接続させる。
【００３７】
その後、排気ポンプ２５０５及び排気バルブ２５０９にて開閉ゲート間を真空にする。なお、反応容器２５０２内が所定の真空度で無い場合は、排気バルブ２５０３にて減圧を行う。
【００３８】
開閉ゲート間が所定の真空度に到達した段階で、双方の開閉ゲートを開き、円筒状基体２５０８の受け渡しを行う。受け渡し終了後、双方の開閉ゲートは閉じられ、開閉ゲート間リークバルブ２５０４からリーク用ガスを流し、ゲート間を大気圧にする。その後、搬送容器２５０２の開閉ゲート２５０１は切り離され、搬送装置２５００は次工程へ移動する。
【００３９】
なお、基体ホルダーに設置された円筒状基体２５０８の受け渡しはチャッキング機構２５０７を用いて行われる。これらの工程は全て自動制御によって行われる。
【００４０】
次に、堆積膜の形成方法について、図２に示す堆積膜形成装置の模式的な構成図を参照して更に詳細に説明する。
【００４１】
なお、図２では受け台ホルダー３１２４を用いた構成で説明するが、受け台ホルダー３１２４を設けずに内部ホルダー３１２３が受け台ホルダー３１２４を兼ねた構成であってもよい。
【００４２】
図２に示す装置は、大別すると、反応装置３１００、原料ガス供給装置３２００、及び反応装置３１００内を減圧するための排気装置（不図示）を備えている。反応装置３１００内は、開閉ゲート３１１０及び底板３１２６から絶縁部材３１２１によって絶縁された高周波電極３１１１で構成されている。反応装置３１００内には、アースに接続された円筒状基体３１１２、円筒状基体の加熱用ヒーター３１１３、原料ガス導入管３１１４が設置されている。高周波電極３１１１には、高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電源３１２０が接続されている。
【００４３】
図２に示す装置を用いて、例えば、アモルファスシリコン電子写真感光体を作成するには以下のようにして行う。
【００４４】
原料ガス供給装置３２００は、ＳｉＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、ＮＯ、Ｂ2Ｈ6、ＣＦ4等の原料ガスボンベ３２２１〜３２２６と、バルブ３２３１〜３２３６、３２４１〜３２４６、３２５１〜３２５６及びマスフローコントローラー３２１１〜３２１６を有している。各構成ガスのボンベは、補助バルブ３２１０及びガス供給配管３１１６を介して反応装置３１００内のガス導入管３１１４に接続されている。
【００４５】
円筒状基体３１１２は内部ホルダー３１２３の下部に設置された受け台ホルダー３１２４の上に設置され、更に円筒状基体３１１２上部にはキャップホルダー３１２５が設置されている。
【００４６】
内部ホルダー３１２３、受け台ホルダー３１２４、キャップホルダー３１２５は導電性部材で構成されている。導電性材料からなる円筒状基体３１１２は内部ホルダー３１２３を介してアースに接続されている。
【００４７】
不図示の排気手段により真空に減圧された反応装置３１００内に所定の温度に加熱された円筒状基体３１１２を搬送容器（図示せず）により開閉ゲート３１１０を介して設置する。
【００４８】
続いて、円筒状基体加熱用ヒーター３１１３により円筒状基体３１１２の温度を２０℃〜５００℃の所望の温度に制御する。次いで、原料ガスを反応装置３１００内に流入させる前に、ガスボンベのバルブ３２３１〜３２３６及び反応容器のリークバルブ３１１７が閉じられていることを確認する。また、流入バルブ３２４１〜３２４６、流出バルブ３２５１〜３２５６、補助バルブ３２１０が開かれていることを確認する。そして、メインバルブ３１１８を開いて反応装置３１００及びガス供給配管３１１６を排気する。
【００４９】
その後、真空計３１１９の値が０．７Ｐａになった時点で補助バルブ３２１０と流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じる。その後、バルブ３２３１〜３２３６を開いてガスボンベ３２２１〜３２２６から各ガスを導入し、圧力調整器３２６１〜３２６６により各ガス圧を所定の圧力に調整する。次に、流入バルブ３２４１〜３２４６を徐々に開けて各ガスをマスフローコントローラー３２１１〜３２１６内に導入する。
【００５０】
以上の手順によって成膜準備を完了した後、円筒状基体３１１２上に、まず電荷注入阻止層の形成を行う。
【００５１】
即ち、円筒状基体３１１２が所望の温度になったところで、各流出バルブ３２５１〜３２５６のうちの必要なものと補助バルブ３２１０とを徐々に開く。これにより、各ガスボンベ３２２１〜３２２６から所望の原料ガスをガス導入管３１１４を介して反応装置３１００内に導入する。次に、各マスフローコントローラー３２１１〜３２１６によって、各原料ガスが所望の流量になるように調整する。その際、反応装置３１００内が１３３Ｐａ以下の所望の圧力になるように、真空計３１１９を見ながらメインバルブ３１１８の開口を調整する。内圧が安定したところで、高周波電源３１２０を所望の電力に設定して、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を高周波マッチングボックス３１１５を介して高周波電極３１１１に供給し、高周波グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応装置３１００内に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状基体３１１２上に所望の珪素原子を主成分とする電荷注入阻止層が堆積される。
【００５２】
所望の膜厚の電荷注入阻止層の形成が行われた後、反応装置３１００内に供給する原料ガスを光導電層の形成に必要な原料ガスに切り換えて所望の膜厚の形成を行う。その後、高周波電力の供給を止め、各流出バルブ３２５１〜３２５６を閉じて反応装置３１００への各原料ガスの流入を止め、光導電層の形成を終える。
【００５３】
上記光導電層上に表面層を形成する場合も基本的には上記の操作を繰り返せばよく、反応装置３１００内の原料ガスを排気した後、反応装置３１００内に供給する原料ガスを表面層に必要な原料ガスに切り換えて反応装置３１００内に流す。所定の内圧に調整した後に前層と同様の操作により所望の膜厚の表面層を形成すればよい。
【００５４】
表面層の膜厚としては、通常０.０１μｍ〜３μｍ、好適には０.０５μｍ〜２μｍ、最適には０.１μｍ〜１μｍが望ましい。膜厚が０.０１μｍよりも薄いと電子写真感光体としての機械的強度が損なわれる場合がある。また表面層の膜厚が３μｍを越えると残留電位の増加など、電子写真特性が損なわれる場合がある。
【００５５】
図３から図７は、本実施形態の基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。図３（ａ）、図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は概略断面図であり、図３（ｂ）、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）は平面図である。ただし、それらの平面図ではチャッキング機構は不図示とした。
【００５６】
図３、図４、図６、図７に示した基体ホルダーは、内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２、受け台ホルダー１０３、４０３、６０３、７０３、キャップホルダー１０４、４０４、６０４、７０４を有している。これらの図に示す基体ホルダーは、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１を受け台ホルダー１０３、４０３、６０３、７０３の上に設置する構成を有している。内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２は、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１の内周面に対向する位置に、円筒状基体の内周面との間に隙間をおいて配置されている。キャップホルダー１０４、４０４、６０４、７０４は、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１の上方であって内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２の外周面に対向する位置に、内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されている。また、受け台ホルダー１０３、４０３、６０３、７０３は、円筒状基体１０１、４０１、６０１、７０１の下方であって内部ホルダー１０２、４０２、６０２、７０２の外周面に対向する位置に、内部ホルダーの外周面との間に隙間をおいて配置されている。
【００５７】
図５に示した基体ホルダーは、受け台ホルダーを設けずに内部ホルダー５０２とキャップホルダー５０４とで円筒状基体５０１を支持する構成になっている。図５に示す基体ホルダーは、内部ホルダー５０２下部が受け台ホルダーを兼ねる形状となっており、円筒状基体５０１を円筒状ホルダー５０２に直接設置する構成となっている。
【００５８】
円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１、７０１は、上記のように構成された基体ホルダーに設置され、チャッキング機構により固定されて搬送容器（不図示）内に大気状態で設置され、その後、搬送容器内は所定の圧力になるまで減圧される。チャッキング機構は、シャフト１０６、４０６、５０６、６０６、７０６、爪１０７、４０７、５０７、６０７、７０７、及び円盤１０５、４０５、５０５、６０５、７０５で構成されている。圧力が所定の値になったところで、基体ホルダーに設置した円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１、７０１は、減圧状態で真空搬送される。
【００５９】
内部ホルダー１０２、４０２、５０２、６０２、７０２の上部の凹状のチャッキング部位には貫通孔１０９、４０９、５０９、６０９、７０９が設けられている。特に図３に示す構成では、内部ホルダー１０２のキャップホルダー１０４に対向する部分に貫通孔１０９が形成されている。さらに、内部ホルダー１０２の下部には貫通孔１０９が設けられている。また、図４，５に示す内部ホルダー４０２、５０２の下部には溝４１０、５１０が設けられている。
【００６０】
チャッキング機構が内部ホルダー上部の凹状のチャッキング部位にチャッキングされたとき、凹状のチャッキング部位の上端側と、内部ホルダーとキャップホルダー及び円筒状基体との間に形成された隙間の上端側とはチャッキング機構によって塞がれる。より具体的には、凹状のチャッキング部位の上端側及び上記隙間空間の上端側は、チャッキング機構の円盤１０５、４０５、５０５、６０５、７０５で塞がれた状態となる。
【００６１】
しかしながら、内部ホルダー１０２、４０２、５０２、６０２、７０２の凹状のチャッキング部位に付着した研磨材１０８、４０８、５０８、６０８、７０８は、減圧工程で気体と共に排気方向に排出される。すなわち、これら研磨材は、円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１と内部ホルダー１０２、４０２、５０２、６０２との間の隙間と、内部ホルダー４０２、６０２、７０２の内側とを、矢印で示した排気経路を通って排出される。
【００６２】
なお、液体ホーニングの研磨材や円筒状基体１０１、４０１を内部ホルダー１０２、４０２に設置する際の摺擦により発生した微小な金属粉等のダストが内部ホルダー１０２、４０２の外周側面に付着する可能性がある。しかし、円筒状基体１０１，４０１の下方である内部ホルダー１０２、４０２の下部に設けた貫通孔１０９及び溝４１０によって排出経路が形成されている。排気経路は、内部ホルダー１０２と、キャップホルダー１０４、４０４、円筒状基体１０１、４０１及び受け台ホルダー１０３、４０３との間に形成された隙間から基体ホルダーの底面に延びている。そのため、特に図３及び図４に示した基体ホルダーでは、気体が上記の隙間から排気経路を通って基体ホルダーの下端部から排気方向へ排気される。そのため、円盤１０５、４０５とキャップホルダー１０４、４０４との接触面からダストが気体と共に円筒状基体１０１、４０１の主表面側に飛散することがない。
【００６３】
なお、基体ホルダーは上述した各真空容器の内部に直立に設置され、各々の真空容器は直立に設置された基体ホルダーの方に容器内の排気を行うための排気口が形成されている。これにより、研磨材１０８、４０８、５０８、６０８、７０８が円筒状基体１０１、４０１、５０１、６０１、７０１の主表面に付着することをより効果的に防止することができる。
【００６４】
図８は従来の基体ホルダーを円盤８０５、シャフト８０６、爪８０７で構成されたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。図８（ａ）はその概略断面図であり、図８（ｂ）はその上視図である。
【００６５】
円筒状基体８０１は、内部ホルダー８０２、受け台ホルダー８０３、キャップホルダー８０４で構成された基体ホルダーに設置されている。基体ホルダーは、シャフト８０６、爪８０７と円盤８０５で構成されたチャッキング機構によって固定され、搬送容器（不図示）内に大気状態で設置され、その後、搬送容器内は所定の圧力になるまで減圧される。圧力が所定の値になったところで、基体ホルダーに設置された円筒状基体８０１は減圧状態で真空搬送される。
【００６６】
大気状態から減圧する工程において、内部ホルダー８０２の凹状のチャッキング部位に付着した研磨材８０８が、気体と共に基体ホルダーと円盤８０５との隙間から矢印で示した排出経路で円筒状基体８０１の主表面側を通り、排気方向に排出される。
【００６７】
さらに、チャッキング機構に関して図８を参照して詳しく説明する。
【００６８】
シャフト８０６には２本の爪８０７が対称な位置に設けられており、２本の爪８０７はシャフト８０６に収納された状態で円筒状基体８０１が設置された内部ホルダー８０２上部の凹状のチャッキング部位まで下降する。
【００６９】
内部ホルダー８０２をチャッキング可能な所定の位置まで下降した段階で２本の爪８０７が開き、内部ホルダー８０２の凹状のチャッキング部位の上端部が爪８０７と円盤８０５により固定され、チャッキング工程が完了する。
【００７０】
なお、図８を参照してチャッキング機構の説明を行ったが、図３〜図７に示したいずれのチャッキング機構も図８と同様に動作する。
【００７１】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるものではない。
【実施例】
【００７２】
（実施例１）
図７に示す構成の基体ホルダーに直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置し、図２の堆積膜形成装置を用いた図１に示す構成の連続生産装置によって、表１に示す条件でアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００７３】
本実施例では、大気状態からの減圧は、搬送容器２５０２内に円筒状アルミニウムシリンダー２５０８を設置し、チャッキング機構２５０７でチャッキング状態のままで大気状態から排気バルブ２５０９及び排気ポンプ２５０５によって減圧を行った。そして、１５分後に２.６７ｋＰａに達する排気速度となるように排気バルブ２５０９の調整を行った。
【００７４】
本実施例では、図７の基体ホルダーに、内部ホルダー７０２の凹状のチャッキング部位中央に直径５ｍｍの穴を図に示す方向に１箇所設けた。
【００７５】
基体ホルダーは堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。
【００７６】
作製した電子写真感光体を電子写真装置（主帯電器の電流値及び前露光量、像露光量が調整可能な様に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットして電位特性の評価を行った。その際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光量（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃの条件で画像評価を以下の方法で実施した。
【００７７】
［画像評価］
電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定した。そして、電子写真感光体の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整した後、Ａ３サイズの記録紙に全面が均一な黒画像を出力する。
【００７８】
次に、Ａ３サイズの全面が均一な黒画像のドラム一周分に相当する領域内に発生しているφ０．１ｍｍ以上の白点の数をカウントした。
【００７９】
実施例１及び比較例１の評価結果を表２に示す。画像評価は、比較例１のφ０．１ｍｍ以上の白点の数を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど良好であることを示す。
【００８０】
【表１】
2009007654.tif 000003
【００８１】
＜比較例１＞
図８に示す構成の貫通孔を設けない基体ホルダーを用いること以外は、実施例１と同様にしてアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００８２】
比較例１で作成した電子写真感光体に対し、φ０．１ｍｍ以上の白点の数を実施例１と同様の方法で評価した。比較例１の結果を表２に示す。
【００８３】
【表２】
2009007654.tif 000004
【００８４】
以上の結果から、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、凹状のチャッキング部位に貫通孔を設けることにより、画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。
【００８５】
（実施例２）
図６に示す構成の基体ホルダーを用いること以外は実施例１と同様にしてアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００８６】
本実施例では、図６の基体ホルダーに、内部ホルダー６０２の凹状チャッキング部位及び円筒状基体６０１よりも上部に直径５ｍｍの穴を上下８箇所の計１６個所、円周上に等間隔で図６（ｂ）に示す方向に設けた。本実施例では、堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。
【００８７】
本実施例で作製した電子写真感光体に対し、実施例１と同様の方法で画像評価を行った。その結果を表３に示す。
【００８８】
【表３】
2009007654.tif 000005
【００８９】
本実施例では、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に貫通孔を設け、更に円筒状基体と対向する領域よりも上部の内部ホルダーに貫通孔を設けている。そのため、以上の結果から、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、更に画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。
【００９０】
（実施例３）
図５に示す構成の基体ホルダーを用いること以外は実施例１と同様にしてアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【００９１】
使用した図５の基体ホルダーは内部ホルダー５０２の凹状のチャッキング部位に直径５ｍｍの穴を図５（ｂ）に示す方向に８箇所と内部ホルダー５０２下部に５ｍｍ幅で深さ２ｍｍの溝を円周上に等間隔で図５（ｂ）に示す方向に設けた。本実施例では、堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。
【００９２】
本実施例で作成した電子写真感光体に対し、実施例１と同様の方法で画像評価を実施した。その結果を表４に示す。
【００９３】
【表４】
2009007654.tif 000006
【００９４】
本実施例では、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に貫通孔を設け、更に円筒状基体の下部側に大気が排気方向に向う溝を設けている。そのため、以上の結果から、更に画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。
【００９５】
（実施例４）
図３または図４に示す構成の基体ホルダーを使用すること以外は実施例１と同様に、それぞれ直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置した。そして、図２の堆積膜形成装置を用いた図１に示す構成の連続生産装置によって、表１に示す条件で図３のホルダーを使用してアモルファスシリコン電子写真感光体Ａを作製し、図４のホルダーを使用してアモルファスシリコン電子写真感光体Ｂを作製した。
【００９６】
本実施例では、図３の基体ホルダーに、内部ホルダー１０２の凹状チャッキング部位に直径５ｍｍの穴を図３（ｂ）に示す方向に８箇所と内部ホルダー１０２の下部に直径５ｍｍの穴を８箇所それぞれ円周上に等間隔で図３（ｂ）に示す方向に設けた。
【００９７】
また、本実施例では、図４の基体ホルダーに、内部ホルダー４０２のチャッキング部の中央に直径５ｍｍの穴を１箇所と内部ホルダー４０２下部に５ｍｍ幅で深さ２ｍｍの溝を円周上に等間隔で図４（ｂ）に示す方向に設けた。
【００９８】
本実施例では、堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。
【００９９】
本実施例で作製した電子写真感光体Ａ、Ｂに対し、実施例１と同様の方法で画像評価を行った。その結果を表５に示す。
【０１００】
【表５】
2009007654.tif 000007
【０１０１】
本実施例では、内部ホルダーの凹状チャッキング部位に貫通孔を設け、更に円筒状基体の下部側に大気が円筒状基体の主表面側方向に向わない経路で貫通孔又は溝を設けている。そのため、以上の結果から、内部ホルダーの凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、更に画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。
【０１０２】
（実施例５）
図３に示す構成の基体ホルダーに直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダーを設置し、図２の堆積膜形成装置を用いた図１に示す構成の連続生産装置によって、表１に示す条件でアモルファスシリコン電子写真感光体を作製した。
【０１０３】
本実施例では、図３の基体ホルダーに、内部ホルダー１０２の凹状チャッキング部位に直径５ｍｍの穴を図３（ｂ）に示す方向に８箇所と内部ホルダー１０２の下部に直径５ｍｍの穴を８箇所それぞれ円周上に等間隔で図３（ｂ）に示す方向に設けた。さらに、本実施例では堆積膜形成工程及び液体ホーニング工程、洗浄工程、乾燥工程を１０回繰り返した履歴の基体ホルダーを使用した。
【０１０４】
本実施例では、大気状態からの減圧は、搬送容器２５０２内に円筒状アルミニウムシリンダー２５０８を設置し、チャッキング機構２５０７でチャッキング状態のままで行った。そして、大気圧から減圧を開始し、搬送容器２５０２内の圧力が２.６７ｋＰａに到達する時間が６０分、３０分、２０分、１０分、５分になるように排気バルブ２５０３を調整して、アモルファスシリコン電子写真感光体Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇを作成した。
【０１０５】
本実施例で作製した電子写真感光体Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇに対し、実施例１と同様の方法で画像評価を行った。その結果を表６に示す。
【０１０６】
【表６】
2009007654.tif 000008
【０１０７】
以上の結果から、内部ホルダー上部の凹状のチャッキング部位に研磨材が存在しても、円筒状基体と対向する領域以外に貫通孔を設けることにより、減圧速度に係わらず画像評価の良い電子写真感光体が得られることが判明した。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】高周波プラズマＣＶＤ法による電子写真感光体の連続生産装置の一例を示す模式的な構成図である。
【図２】堆積膜形成装置の模式的な構成を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。
【図６】本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。
【図８】従来の基体ホルダーを円盤、シャフト及び爪を備えたチャッキング機構でチャッキングした状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０１、４０１、５０１、６０１、７０１、８０１  円筒状基体
１０２、４０２、５０２、６０２、７０２、８０２  内部ホルダー
１０３、４０３、６０３、７０３、８０３  受け台ホルダー
１０４、４０４、５０４、６０４、７０４、８０４  キャップホルダー
１０９、４０９、６０９、７０９  貫通孔
４１０、５１０  溝
２１０２  投入容器
２２０２、２３０２、２４０２  反応容器
２５０２  搬送容器
２５０７  チャッキング機構
【図１】
2009007654.tif 000009
【図２】
2009007654.tif 000010
【図３】
2009007654.tif 000011
【図４】
2009007654.tif 000012
【図５】
2009007654.tif 000013
【図６】
2009007654.tif 000014
【図７】
2009007654.tif 000015
【図８】
2009007654.tif 000016