(57)【要約】【課題】信頼性の高いデバイス及び電子機器を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板の第１面に設けられ、第１端子を有する第１機能素子と、前記基板のうち前記第１面とは反対側の第２面に設けられ、前記第１端子に電気的に接続される第２端子を有する第２機能素子とを備える。第１機能素子が基板の第１面に設けられており、第２機能素子が基板の第２面に設けられている、すなわち、第１機能素子と第２機能素子との間に基板が配置されているので、当該基板によって第１機能素子と第２機能素子との間に生じる熱応力を緩和することができる。これにより、信頼性の高いデバイスを得ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の領域内に第１端子を有する第１機能素子と、前記第１端子に電気的に接続される第２端子を有する第２機能素子とを備えるデバイスであって、
前記第１端子の平面視外周部の少なくとも一部を覆うように前記第１機能素子の前記一の領域内に設けられた被覆部材を備える
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記第１機能素子は、発振回路を有する回路素子であり、
前記第１端子は、前記発振回路に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１端子は複数設けられており、
前記複数の第１端子について前記被覆部材によって覆われる領域以外の領域の面積がそれぞれ等しい
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１端子は複数設けられており、
前記複数の第１端子について前記被覆部材によって覆われる領域以外の領域の位置が前記一の領域の中心について対称になっている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記被覆部材は、前記一の領域の外周に沿って設けられている
ことを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記被覆部材は、前記第１端子の外周部のうち前記一の領域の外周に沿った領域を覆うように設けられている
ことを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記被覆部材は、平面視で前記第１端子から外れた位置に前記第１機能素子の平面視における方向を示す開口部を有する
ことを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第１機能素子は基板の第１面に実装されており、
前記第２機能素子は基板の前記第１面とは反対の第２面に実装されている
ことを特徴とする請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載のデバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、水晶振動子などの圧電振動子と発振回路を含む半導体装置とが一体的に接合された圧電発信器が知られている。半導体装置は、例えばシリコンなどの半導体基板の両面に端子が形成された構成になっている。半導体基板の一方の面に設けられた端子は圧電振動子に接続される端子であり、半導体基板の他方の面に設けられた端子は外部端子となっている（例えば、特許文献１参照）。  
【特許文献１】特開２００４−１５４４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、半導体基板と当該半導体基板上に設けられる端子とが異なる材料によって構成される場合、それぞれ熱膨張率が異なってしまう。このため、圧電発振器が高温下で使用された場合などには、半導体基板と端子との間に熱応力が発生し、当該熱応力によって端子が半導体基板から剥離される虞がある。
【０００４】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、信頼性の高いデバイス及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係るデバイスは、一の領域内に第１端子を有する第１機能素子と、前記第１端子に電気的に接続される第２端子を有する第２機能素子とを備えるデバイスであって、前記第１端子の平面視外周部の少なくとも一部を覆うように前記第１機能素子の前記一の領域内に設けられた被覆部材を備えることを特徴とする。  
本発明によれば、第１機能素子の一の領域内に第１機能素子の平面視外周部の少なくとも一部を覆うように設けられた被覆部材を備えることとしたので、当該被覆部材によって第１端子を押さえることができる。これにより、第１端子が剥離するのを防ぐことができるため、信頼性の高いデバイスを得ることができる。
【０００６】
上記のデバイスは、前記第１機能素子は、発振回路を有する回路素子であり、前記第１端子は、前記発振回路に電気的に接続されていることを特徴とする。  
本発明によれば、第１機能素子が発振回路を有する回路素子であり、第１端子が当該発振回路に電気的に接続されていることとしたので、発振回路への信号及び発信回路からの信号の供給が途切れてしまうのを回避することができる。
【０００７】
上記のデバイスは、前記第１端子は複数設けられており、前記複数の第１端子について前記被覆部材によって覆われる領域以外の領域の面積がそれぞれ等しいことを特徴とする。  
本発明によれば、第１端子は複数設けられており、複数の第１端子について被覆部材によって覆われる領域以外の領域の面積がそれぞれ等しいので、実装時のはんだ量の不釣合いが原因となる凝集力の差によって生じる位置ずれを低減させることができる。
【０００８】
上記のデバイスは、前記第１端子は複数設けられており、前記複数の第１端子について前記被覆部材によって覆われる領域以外の領域の位置が前記一の領域の中心について対称になっていることを特徴とする。  
本発明によれば、第１端子は複数設けられており、複数の第１端子について被覆部材によって覆われる領域以外の領域の位置が一の領域の中心について対称になっているので、はんだ溶融中第１機能素子の中心部に対して対称的にはんだの凝集力が働き接続の搭載時の位置ずれを低減させることができる。
【０００９】
上記のデバイスは、前記被覆部材は、前記一の領域の外周に沿って設けられていることを特徴とする。  
本発明によれば、被覆部材が一の領域の外周に沿って設けられていることとしたので、第１機能素子の外周からの熱応力による第１端子の剥離を効率的に防ぐことが可能となる。
【００１０】
上記のデバイスは、前記被覆部材は、前記第１端子の外周部のうち前記一の領域の外周に沿った領域を覆うように設けられていることを特徴とする。  
本発明によれば、被覆部材が第１端子の外周部のうち一の領域の外周に沿った領域を覆うように設けられているので、一の領域において被覆部材によって覆われる領域を最小限に抑えつつ効率的に第１端子の剥離を抑えることができる。
【００１１】
上記のデバイスは、前記被覆部材は、平面視で前記第１端子から外れた位置に前記第１機能素子の平面視における方向を示す開口部を有することを特徴とする。  
本発明によれば、被覆部材が平面視で第１端子から外れた位置に第１機能素子の平面視における方向を示す開口部を有することとしたので、第１機能素子の平面視での方向を把握することができる。
【００１２】
上記のデバイスは、前記第１機能素子は基板の第１面に実装されており、前記第２機能素子は基板の前記第１面とは反対の第２面に実装されていることを特徴とする。  
本発明によれば、第１機能素子が基板の第１面に実装されており、第２機能素子が基板の第１面とは反対の第２面に実装されていることとしたので、第１機能素子と第２機能素子との間の熱応力を基板によって吸収させることができる。これにより、第１機能素子と第２機能素子との間の電気的接続が切断されるのを抑えることができる。
【００１３】
本発明に係る電子機器は、上記のデバイスを搭載したことを特徴とする。  
本発明によれば、信頼性の高いデバイスを搭載したので、高品質な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１５】
［第１実施形態］  
図１は、本実施形態に係る圧電発振器（デバイス）の構成を示す断面図である。  
同図に示すように、圧電発振器９０は、半導体装置（第１機能素子）５と、圧電振動子（第２機能素子）９７とを備えており、半導体装置５と圧電振動子９７とが一体化された構成になっている。
【００１６】
（半導体装置）  
半導体装置５は、半導体基板１０、ウエハレベルＣＳＰ層３０、バンプ３７、接続端子（第１端子）５４及びレジスト層（被覆部材）６０を有している。  
半導体基板１０は、例えばシリコン等からなる板状部材である。半導体基板１０には、当該半導体基板１０の表面１０ａ及び裏面１０ｂを貫通する導電部１２が設けられている。導電部１２は、例えば銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、ポリシリコンなどの導電性の高い材料からなる。導電部１２によって半導体基板１０の表面１０ａ側と裏面１０ｂ側とが導通されている。導電部１２と半導体基板１０との間には不図示の絶縁膜が形成されている。この導電部１２については、上記のように半導体基板１０を貫通する構成の他、半導体基板１０の側面に沿って形成された構成であっても構わない。
【００１７】
半導体基板１０の表面１０ａ側には、下地層２１、電極２２、電極２３、第１絶縁層２４が設けられている。  
下地層２１は、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等の絶縁性材料によって形成されている。下地層２１のうち複数の所定領域のそれぞれ電極２２及び２３が設けられており、これら電極２２及び電極２３が設けられた領域以外の領域には第１絶縁層２４が設けられている。下地層２１のうち導電部１２に平面視で重なる部分には開口部が設けられており、下地層２１の表面上に導電部１２が露出した状態になっている。下地層２１の表面には、例えばトランジスタ、メモリ素子を有する集積回路（不図示）が形成されており、この集積回路によって発振回路５０が構成されている。発振回路５０は、不図示の配線等を介して電極２２及び電極２３に電気的に接続されている。電極２２及び電極２３の材料としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、あるいは、これらを含む合金等が挙げられる。電極２３は下地層２１の開口部を覆うように設けられており、電極２３の一部が当該開口部に露出している。電極２３は、導電部１２のうち半導体基板１０の表面１０ａ側の端部１２ａに電気的に接続されている。
【００１８】
ウエハレベルＣＳＰ層３０は、第１絶縁層２４上に形成されており、第１配線３１、金属膜３２、第２絶縁層３３、第２配線３４及び第３絶縁層を有している。第１配線３１は、電極２２に電気的に接続されている。金属膜３２は、電極２３の表面に設けられている。第２絶縁層３３は、第１配線３１上及び金属膜３２上を覆うように設けられている。第２配線３４は、第２絶縁層３３上に形成されており、第１配線３１に電気的に接続されている。第３絶縁層３５は、第２配線３４上に形成されている。第１配線３１の一部が第２絶縁層３３に対して露出しており、この露出部分においてランド部３６を形成している。ランド部３６は、第２配線３４に電気的に接続されている。第３絶縁層３５は、第２絶縁層３３上及び第２配線３４上のバンプ３７が形成される領域以外の領域を覆うように設けられている。金属膜３２の材料としては、Ａｕ、ＴｉＷ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＮｉＶ、Ａｌ等の金属を使用することができる。また、金属膜３２は、これらの金属を積層して形成することも可能である。なお、金属膜（積層構造の場合、少なくとも１層）３２は、電極よりも耐腐食性の高い材料、例えばＡｕ、ＴｉＷ、Ｃｒを用いて形成することが好ましい。
【００１９】
バンプ３７は、ウエハレベルＣＳＰ層３０の第２配線３４上に設けられた外部端子であり、例えばハンダボールなどからなる。このバンプ３７は、外部基板Ｐに電気的に接続されるようになっている。バンプ３７は、第１配線３１及び第２配線３４を介して電極２２に電気的に接続されている。
【００２０】
接続端子５４は、半導体基板１０の裏面１０ｂに複数設けられている。各接続端子５４の平面視での面積はほぼ等しくなっている。各接続端子５４は導電部１２のうち半導体基板１０の裏面１０ｂ側の端部１２ｂに接続されており、導電部１２によって電極２３と接続端子５４とが電気的に接続されている。これら両端子の対向領域の大きさは略同一に形成されている。この接続端子５４は、図１に示すように、断面視で図中左右方向の中央部が図中左右方向の端部に対して凹んだ凹形状（凹面形状）に形成されている。
【００２１】
レジスト層６０は、半導体基板１０の裏面１０ｂ上に設けられている。このレジスト層６０は、半導体基板１０の裏面１０ｂの略全面を覆うと共に、接続端子５４の平面視外周部を覆うように配置されている。図２は、半導体基板１０の裏面１０ｂの平面構成を示す図である。同図に示すように、各接続端子５４の外周部５４ａ全体にレジスト層６０が重なっている。各接続端子５４の外周部５４ａは、レジスト層６０によって半導体基板１０の裏面１０ｂ側へ押圧されている。各接続端子５４について、レジスト層６０に対して露出している領域５４ｂ及び５４ｃの面積は等しくなっている。この領域５４ｂと領域５４ｃとは、半導体基板１０上において平面視での中心位置Ｑに対して対象になっている。
【００２２】
（圧電振動子）  
圧電振動子９７は、水晶振動子９１、支持基板９２、封止部材９３、引出電極９４及び接続端子（第２端子）３を有しており、平面視で半導体装置５に重なる位置に配置されている。
【００２３】
水晶振動子９１は、支持基板９２によって保持されている。支持基板９２は、ガラスや石英等で形成された板状部材である。封止部材９３は例えばガラスや石英等などからなり、当該支持基板９２及び水晶振動子９１を封止している。支持基板９２の内面９２ａと封止部材９３の内面９３ａとで囲まれた内部空間９５が形成されており、当該内部空間９５は略密閉（気密封止）された状態になっている。引出電極９４は、封止部材９３のうち半導体装置５に対向する面に複数設けられている。接続端子３は、各引出電極９４の先端部に設けられている。この接続端子３と半導体装置５の接続端子５４との間にはハンダ部７が形成されており、当該ハンダ部７によって接続端子３と接続端子５４とが電気的に接続されている。
【００２４】
圧電振動子９７と半導体装置５との間には充填部材９６が設けられている。充填部材９６は、例えばエポキシ樹脂、アクリル系樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂などの樹脂材料によって構成されており、圧電振動子９７と半導体装置５との間を封止している。当該封止部材９６を設けることにより、水分などの不純物が圧電振動子９７と半導体装置５との間に浸入しにくくなっている。
【００２５】
図２は、半導体装置５を半導体基板１０側（図１中の上側）から見た平面図である。  
図２及び図３に示すように、圧電振動子９７における接続端子３と、半導体装置５における接続端子５４とがそれぞれ間隔をあけて複数、平面視で重なる位置で接続されている。接続端子３及び接続端子５４の対向領域の大きさは略同一に形成されている。
【００２６】
次に、図４から図８を参照して、圧電発振器９０の製造方法について説明する。本実施形態においては、半導体装置５の製造についてシリコン基板１００上に複数同時に一括して形成される手法を採用するが、簡単のため以下の各図においては１つの半導体装置５を形成する場合が示されている。
【００２７】
図４（ａ）に示すように、まず半導体基板１０上にウエハレベルＣＳＰ層３０を形成する。半導体基板１０の表面（能動面）１０ａ上に下地層２１を形成し、下地層２１上に電極２２及び電極２３を形成する。電極２２及び電極２３を形成後、当該電極２２及び電極２３上には、第１絶縁層２４を形成し、周知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法によって電極２２及び電極２３を覆う絶縁材料を除去する。電極２３を覆う絶縁材料は必ずしも除去しなくても良い。
【００２８】
絶縁材料を除去した後、電極２２を含む第１絶縁層２４上に第１配線３１を形成し、電極２３の表面に金属膜３２を形成する。第１配線３１の形成方法としては、例えば、ＴｉＷ、Ｃｕの順にスパッタ法により形成した後、Ｃｕをめっき法で形成することにより行われる。
【００２９】
金属膜３２の形成後、第１配線３１及び金属膜３２を覆うように第２絶縁層３３を形成し、周知のフォトリソグラフィ法により、第２絶縁層３３の一部を除去し、第１配線３１の一部を露出させてランド部３６を形成する。ランド部３６の形成後、当該ランド部３６に接続するように第２絶縁層３３上に第２配線３４を形成し、第２絶縁層３３上及び第２配線３４上のバンプ３７が形成される領域以外の領域を覆うように第３絶縁層３５を設ける。このように、ウエハレベルＣＳＰ層３０が形成される。
【００３０】
ウエハレベルＣＳＰ層３０の形成後、図４（ａ）に二点鎖線で示す接着層１５０を介して、ガラスウエハからなる支持部材２００に半導体基板１０の表面１０ａ側を支持させる。支持部材２００としては、例えばシリコン基板１００と略同じ大きさの部材を用いるようにする。接着層１５０としては、熱硬化性接着剤や光硬化性接着剤等の硬化性接着剤を使用するのが望ましい。
【００３１】
半導体基板１０を支持部材２００に貼り付けた後、砥石等の研削部材を用いて裏面１０ｂ側から半導体基板１０を研削（バックグラインド）し、例えば１００μｍ程度の厚みまで薄厚化する。スピンエッチング、又はドライポリッシュ等によって基板表面に形成される破砕層を取り除く。基板の薄厚化する方法として、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）を用いることも可能である。
【００３２】
半導体基板１０を所定の厚みに研削した後、図４（ｂ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｂにフォトレジスト４０を形成し、当該フォトレジスト４０をマスクとしてドライエッチングによって電極２３に対応した半導体基板１０及び下地層２１を除去する。下地層２１の除去後、図４（ｃ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｂから、表面１０ａに設けられた電極２３の裏面が露出するまでエッチングを行い、溝１１を形成する。
【００３３】
溝１１の形成後、図５（ａ）に示すように半導体基板１０の裏面１０ｂ及び溝１１の内壁に裏面絶縁層１４及び絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３形成後、電極２３の裏面部分に設けられた絶縁膜１３をドライエッチングあるいはレーザ加工を行い、この部分の絶縁膜１３を除去する。図５（ｂ）に示すように、溝１１の側壁のみに絶縁膜１３が設けられた状態となる。溝１１内の絶縁膜１３を除去後、たとえば、スパッタ法によりパリア層としてＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｔｉを成膜後、後の電気化学プレーティング（ＥＣＰ）のシード層としてＣｕを成膜する。その後、電気化学プレーティング法によって溝１１の内部にめっき処理を施し、溝１１の内側に導電性材料を配置して導電部１２を形成し、導電部１２の下端部と露出した電極２３とを電極２３の裏面で電気的に接続する。
【００３４】
導電部１２を形成後、半導体基板１０の裏面１０ｂに接続端子５４をめっき法で形成する。図５（ｃ）に示すように、接続端子５４と導電部１２とが電気的に接続された状態になる。接続端子５４をめっき法で形成することにより、中央部が縁部に対して凹んだ凹形状に形成されることになる。接続端子５４の対向領域の幅が３００μｍ〜１ｍｍであれば、凹み量は１０〜２０μｍとなる。
【００３５】
接続端子５４の形成後、図６（ａ）に示すように、半導体基板１０の裏面１０ｂ側にレジスト層６０を形成する。半導体基板１０の裏面１０ｂ全体にレジスト層を塗布し、パターニングによって接続端子５４の外周部５４ａ及び半導体基板１０の裏面１０ｂを除く部分のレジスト（接続端子５４の中央部のレジスト）を除去する。レジスト層６０の形成後、図６（ｂ）に示すように、当該接続端子５４上に、例えば鉛フリーはんだからなるハンダ７を搭載する。このハンダ７は、例えば厚さ１０〜２０μｍで形成される。
【００３６】
この後、半導体基板１０の裏面１０ｂに対してダイシングテープを貼り付け、一方、半導体装置１０の能動面１０ａに貼り付けられている支持部材２００および支持部材２００を保持している接着層を取り除く。その後、図７に示すように、ダイシング装置１１０によってシリコンウエハ（基板）１０を半導体装置５毎にダイシング（切断）し、個片化する。このような工程により、図１に示す半導体装置５が製造される。
【００３７】
一方、圧電振動子９７においては、大判のガラスウエハ（支持基板９２の集合体）２５０上に複数の水晶振動子９１を形成し、各水晶振動子９１を封止基板９３によって気密封止する。水晶振動子９１の封止後、封止部材９３上に水晶振動子９１に接続された引出電極９４を形成する。引き出し電極９４の形成後、半導体基板１０の接続端子５４と略同一の大きさとなるように引出電極９４の先端に接続端子３をパターニング形成する。
【００３８】
接続端子３の形成後、図６に示すように、ガラスウエハ２５０上の接続端子３に、印刷、スピンコーティングあるいはディスペンス等によりフラックスまたはソルダーペーストを供給し、半導体装置５の接続端子５４が接続端子３と対向するように個片化された半導体装置５をガラスウエハ２５０上に搭載する。この段階ではガラスウエハ２５０及び半導体装置５に対する加熱は行わず、フラックスまたはソルダーペーストの粘着力で半導体装置５をガラスウエハ２５０に保持させる。半導体装置５の搭載後、リフロー炉やホットプレート等の加熱手段により、ガラスウエハ２５０を加熱する。このとき、加熱温度は、ハンダ７が充分に溶解（溶融）する温度であり、例えば２４０℃以上が望ましい。
【００３９】
加熱後、半導体基板１０の表面１０ａ側に形成されたランド３６上に、例えば鉛フリーはんだからなるバンプ３７を搭載する。バンプ３７を設ける際には、はんだボールを第２配線３４上に搭載する形態でもよいし、はんだペーストを第２配線３４上に印刷する形態や、塗布によって形成されるハンダコートでもよい。なお、バンプ３７はウエハレベルＣＳＰ層形成後、支持部材２００を貼り付けるための接着層１６０を設ける前に形成してもよい。その場合、接着層１５０の厚みに関して、形成された端子の高さを覆う程度の厚みに形成することが望ましい。バンプの形成方法としては、はんだボールを搭載、または、はんだペーストを印刷によって供給しリフロー法などの加熱によって形成することができる。その場合、残留するフラックスを除去するために、洗浄することが望ましい。
【００４０】
バンプ３７を形成後、ガラスウエハ２５０上の接続端子３と半導体装置５の接続端子５４との接合部周辺に残留したフラックスを洗浄することにより除去した後、パッケージ体９７と半導体装置５との間を封止樹脂９６で封止する。封止後、シリコンウエハ１０をダンシングした場合と同様、ガラスウエハ２５０をダイシング（切断）して分割することにより、図８に示すように複数の圧電発振器９０が個片化されて完成する。
【００４１】
このように、本実施形態によれば、半導体装置５の半導体基板１０の裏面１０ｂに接続端子５４の外周部５４ａを覆うようにレジスト層６０が設けられているので、当該レジスト層６０によって接続端子５４を半導体基板１０の方へ押さえることができる。これにより、接続端子５４が剥離するのを防ぐことができるため、信頼性の高い圧電発振器９０を得ることができる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、各接続端子５４についてレジスト層６０によって覆われる領域５４ａ以外の領域５４ｂ及び領域５４ｃの面積がそれぞれ等しいので、実装時のはんだ量の不釣合いが原因となる凝集力の差によって生じる位置ずれを低減させることができる。また、各接続端子５４について領域５４ｂ及び領域５４ｃの位置が半導体基板１０の中心部Ｑについて対称になっているので、はんだ溶融中半導体基板１０の中心部Ｑに対して対称的にはんだの凝集力が働き接続の位置ずれを低減させることができる。
【００４３】
［第２実施形態］  
次に、本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態では、上記の圧電発振器９０を搭載した電子機器として、携帯電話を例に挙げて説明する。図９は、携帯電話３００の構成を示す斜視図である。
【００４４】
圧電発振器９０は、例えばプリント配線基板Ｐ等に実装された状態で携帯電話３００に搭載されている。  
この携帯電話３００にあっても、圧電発振器９０がプリント配線基板Ｐなどに高精度に実装可能な構造となっているので、この圧電発振器９０を備えた電子機器において接合品質が保持され、小型、薄型化が実現された高品質の電子機器を得ることができる。なお、電子機器としては、テレビ等のリモコンやデジタルカメラなど、各種のものを挙げることができる。
【００４５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態では、レジスト層６０が接続端子５４の外周部５４ａ全体及び半導体基板１０のうち２つの接続端子５４の間の領域全体を覆う構成であったが、これに限られることは無い。
【００４６】
例えば図１０に示すように、レジスト層６０が半導体基板１０の外周に沿って環状に形成された構成であっても構わない。この場合、レジスト層６０は、接続端子５４の４辺のうち図中上辺５４ｄ、図中下辺５４ｆ及び半導体基板１０の外周側の辺５４ｅを覆うことになる。また、半導体基板１０のうち接続端子５４の間の領域はほとんどレジスト層６０に覆われない構成となる。この構成によれば、レジスト層６０が半導体基板１０の外周に沿って設けられていることとしたので、半導体装置５の外周からの熱応力による接続端子５４の剥離を効率的に防ぐことが可能となる。
【００４７】
また、例えば図１１に示すように、レジスト層６０が各接続端子５４の図中上辺５４ｄ、図中下辺５４ｆ及び半導体基板１０の外周側の辺５４ｅに沿って形成される構成であっても構わない。この場合、２つの接続端子５４の間の領域にはレジスト層６０が設けられない構成となる。このような構成によれば、半導体基板１０の裏面１０ｂ上でレジスト層６０に覆われる領域を最小限に抑えつつ効率的に接続端子５４の剥離を抑えることができる。
【００４８】
また、上記実施形態では、レジスト層６０が半導体基板１０のうち２つの接続端子５４の間の領域の全面を覆う構成であったが、これに限られることは無い。例えば図１２に示すように、レジスト層６０のうち２つの接続端子５４の間の領域６１に開口部６０ａを設ける構成であっても構わない。この開口部６０ａは、半導体基板１０の平面視での方向を示すものであり、例えば領域６１の図中左下に配置された平面視円形の開口部である。半導体基板１０の裏面１０ｂを見たときに開口部６０ａが左下に位置するように基準方向を設定し、把握することができる。開口部の形状は開口部６０ａのような平面視円形に限られず、例えば開口部６０ｂのように方向を示す矢印形状であっても良い。また、三角形や四角形など、他の形状であっても構わない。
【００４９】
また、上記実施形態では、半導体装置５の接続端子５４と圧電振動子９７の接続端子３とがハンダ部７によって直接接続されている構成を説明したが、これに限られることは無い。例えば図１３に示すように、半導体装置５と圧電振動子９７との間に中継基板７０を介挿する構成であっても構わない。また、圧電振動子９７は、内部に圧電振動片９７ａを収容して、蓋体９７ｂにより封止されているパッケージであってもよい。中継基板７０は、表面（第１面）７０ａに接続端子７２が、裏面（第２面）７０ｂに接続端子７３がそれぞれ設けられており、当該接続端子７２及び接続端子７３は基板７１を貫通する導電部７４によって導通された構成になっている。この圧電発振器９０は、中継基板７０の表面７０ａに半導体装置５が実装され、中継基板７０の裏面７０ｂに圧電振動子９７が実装された構成になっている。接続端子７２には半導体装置５の接続端子５４がハンダ７によって接続され、接続端子７３には圧電振動子９７の接続端子３がハンダ（図示しない）によって接続されている。半導体装置５の半導体基板１０の裏面１０ｂには上記実施形態と同様に接続端子５４の外周部を覆うレジスト層６０が設けられている。このような構成によれば、半導体装置５と圧電振動子９７との間の熱応力を中継基板７０によって吸収させることができる。これにより、半導体装置５と圧電振動子９７との間の電気的接続が熱応力によって切断されるのを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る圧電発振器の構成を示す断面図。
【図２】本実施形態に係る圧電発振器の一部の構成を示す平面図。
【図３】本実施形態に係る圧電発振器の一部の構成を示す平面図。
【図４】本実施形態に係る圧電発振器の製造過程を示す工程図。
【図５】同、工程図。
【図６】同、工程図。
【図７】同、工程図。
【図８】同、工程図。
【図９】本発明の第２実施形態に係る携帯電話の構成を示す斜視図。
【図１０】本発明に係る圧電発振器の他の構成を示す断面図。
【図１１】本発明に係る圧電発振器の他の構成を示す断面図。
【図１２】本発明に係る圧電発振器の他の構成を示す断面図。
【図１３】本発明に係る圧電発振器の他の構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００５１】
Ｐ…外部基板  ３…接続端子（第２端子）  ５…半導体装置（第１機能素子）  ５４…接続端子（第１端子）  ６０…レジスト層（被覆部材）  ９０…圧電発振器（デバイス）  ９７…圧電振動子（第２機能素子）  ３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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