(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェットエッチングを行っても、製造工程の信頼性が確保でき、基板とチップの接合強度を高めた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ウェットエッチング法によって、基板１００’の表面に複数のボンディングパッド１１０を形成し、作用表面に複数の接続バンプ２１０を形成した半導体チップ２００を裏返して複数の接続バンプ２１０と基板１００’上の複数のボンディングパッド１１０の位置を合わせて、ボンディングパッド１１０と接続バンプ２１０の溶点より低い温度で圧接し、接続バンプ２１０とボンディングパッド１１０を互いに嵌合させて半導体チップ２００と基板１００’を電気的に接続する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に、内部の電気回路と電気的に接続された接続バンプを複数有する半導体チップと、表面にボンディングパッドを複数有する基板が、前記複数の接続バンプと複数のバンディングパッドが電気的に接続されるように圧接されてなる半導体装置であって、前記ボンディングパッドが前記接続バンプより硬質な導電性金属をウェットエッチングによって前記基板上に形成され、前記ボンディングパッドが前記接続バンプ内に嵌合され、前記接続バンプと前記ボンディングパッドの圧接が、前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低い温度で行われたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ボンディングパッドの断面形状が凸出面形状である請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ボンディングパッドの上面の断面幅が、当該ボンディングパッドの底面の断面幅より小さい請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ボンディングパッドの断面形状が円錐形、梯形、三角形及び弾丸状から選ばれる一つの形状である請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接続バンプは第１の接触端を有し、前記接続バンプは前記第１の接触端に対応して接続される第２の接触端を有し、前記第１の接触端の幅が前記第２の接触端の幅より大きい請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接続バンプが金属バンプであり、前記金属バンプの材料はハンダ及び金より選ばれる一つの金属よりなる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ボンディングパッドの材料が銅、ニッケル及びニッケルー銅合金より選ばれる一つからなる請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記基板はウェットエッチング法によって基板表面上に形成された複数の配線層を含む請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の回路層の上面の断面幅が前記複数の配線層の底面の断面幅より小さい請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記複数の回路層の断面形状が円錐形、梯形、三角形、及び弾丸状から選ばれる一つの形状である請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体チップと前記基板の間にシール材が充填される請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
表面に、内部回路に電気接続された接続バンプが形成された半導体チップと、表面の導電性金属層をウェットエッチングによって、上記接続バンプと電気接続するためのボンディングパッドを形成した基板を提供し、前記半導体チップを裏返して前記接続バンプと前記ボンディングパッドとの位置合わせを行い、前記ボンディングパッドと前記接続バンプの溶点より低い温度で前記接続バンプと前記ボンディングパッドを圧接し、前記ボンディングパッドが前記接続バンプ内に嵌入するように接合することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記基板が、コア板を提供し、ウェットエッチング法によって前記コア板の表面に複数のボンディングパッドを形成して製造されることを含む請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ボンディングパッドの断面形状が凸出面形状である請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ボンディングパッドの上面の断面幅が、当該ボンディングパッドの底面の断面幅より小さい請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ボンディングパッドの断面形状が円錐形、梯形、三角形及び弾丸状から選ばれる一つの形状である請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記接続バンプは第１の接触端を有し、前記接続バンプは前記第１の接触端に対応して接続される第２の接触端を有し、前記第１の接触端の幅が前記第２の接触端の幅より大きい請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記基板はウェットエッチング法によって基板表面上に形成された複数の配線層を含む請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記複数の配線層の上面の断面幅が前記複数の配線層の底面の断面幅より小さい請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記複数の配線層の断面形状が円錐形、梯形、三角形及び弾丸状から選ばれる一つの形状である請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記半導体チップの接続バンプと前記基板のボンディングパッドとの間の圧接が加熱圧接と熱音波接合から選ばれる一つの方法で行われる請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記接続バンプと前記ボンディングパッド間の圧接が５０℃乃至１８０℃の範囲内の温度で行われる請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記接続バンプの材質硬度が前記基板のボンディングパッドの材質硬度より低い請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記接続バンプが金属バンプであり、前記金属バンプの材料はハンダ及び金より選ばれる一つの金属よりなる請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記ボンディングパッドの材料が銅、ニッケル及びニッケルー銅合金より選ばれる一つからなる請求項２３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記半導体チップと前記基板の間にシール材が充填される請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
コア板を提供し、前記コア板の表面をウェットエッチング法で複数のボンディングパッドを形成し、作用面上に複数の接続バンプを有する半導体チップを提供し、前記半導体チップと前記コア板を、接続バンプとボンディングパッドを互いに嵌合して電気接続を形成すべく、前記ボンディングパッドを前記接続バンプに圧接する、半導体装置の製造方法であって、前記圧接が、前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低い温度で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記ボンディングパッドの上面の断面幅が、当該ボンディングパッドの底面の断面幅より小さい請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、フリップチップ型半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は通信、ネットワーク、コンピュータ、家電製品、事務機器、カメラ、さらにはゲーム機器など、産業用機器から身回りの道具、携帯機器までさまざまな分野で利用されており、その需要は急速に成長しつつある。その急速に成長する需要に伴って、半導体装置の小型化、多ピン化、薄型化が要求されている一方、小型化、多ピン化、薄型化のために、機能を悪化させたりコストが高くなることを抑制するのみに止まることはできず、さらに高性能化と低コスト化が強く要望されている。
【０００３】
上述の小型化、薄型化、多ピン化の目的を果たすために、IC素子（ダイと称することがある）を取り付けて、外部電極と信号のやり取りを行うために、IC素子の接続端子とリードフレームの接続方式を、従来の金細線によるワイヤボンデング型から、金細線を不要としたフリップチップ型半導体装置が開発され、それが現在の半導体装置の主流となっている。
【０００４】
図１に示すように、半導体チップ２００のマウンティングパッド２０１上に金属バンプ２１０を形成し、基板１００のボンディングパッド１０１と上記半導体チップ２００のマウンティングパッド２０１を上記金属バンプ２１０を介して熱溶融又は加圧圧着によって電気接続を行う。又、従来の回路のパターンニング工程でボンディングパッドを形成するには、ドライエッチング又はウェットエッチング法が使用されていた。ドライエッチングはボンディングパッドを寸法精度高く形成することができる一方、手数が掛ってコストが高くて不経済である。故に回路パターンニングの工程は、割とコストが低く手数が掛らないウェットエッチング法がよく使われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２３１７５４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ウェットエッチングは一般に強性酸又は強アルカリ性エッチング液を使用してエッチング液と被加工物の金属層表面と化学反応を発生させ、その拡散効果(diffusion)を利用して被加工物の所望の部位の材料を取り去る方法である。ところでウェットエッチングは同方性(isotropic)エッチングであるので、エッチング液が被加工物表面の金属層と長時間接続すると、形成される回路パターンの断面形状が大きく変形し、図４（Ａ）に示すように、エッチングによって形成される孔部の上縁部が孔部の底部よりエッチングが進んでいく。その結果ウェットエッチングによって形成されるボンディングパッド又は金属バンプは、上面やや丸みのある形状になっていた。こうして形成されたボンディングパッド101を、金属バンプを介してとマウンティングパッドを互いに押圧して圧着すると、金属バンプは押圧されて扁平状になり、ボンディングパッドとマウンティングパッドの接合強度が弱くなる。エッチング部位の形状の変化を少なくするためにエッチング速度を早くしてエッチング液と被加工物との接触時間を短くするには、金属層の厚さを薄くする必要があり、金属層の厚さを薄くすると回路パターンが剥離しやすくなり、それによる信頼性の低下と、加工性の困難度の増加をもたらしていた。
【０００７】
本発明は上述の従来の技術の問題に鑑みて行われたものであって、従来のウェットエッチングによる回路パターンの欠点を改善した半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明はさらに、ドライエッチングによるコストの浪費とエッチング選択性が悪いというような問題のない半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明はさらに、製造工程の信頼性の高い半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
本発明はさらに、基板と半導体チップの接合強度の高い半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明は、
表面に、内部回路に電気接続された接続バンプが形成された半導体チップと、表面の導電性金属層をウェットエッチングによって、上記接続バンプと電気接続するためのボンディングパッドを形成した基板を提供し、前記半導体チップを裏返して前記接続バンプと前記ボンディングパッドとの位置合わせを行い、前記ボンディングパッドと前記接続バンプの溶点より低い温度で前記接続バンプと前記ボンディングパッドを圧接し、前記ボンディングパッドが前記接続バンプ内に嵌入するように接合することを特徴とする、半導体装置の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明の一実施例によれば、本発明は、コア板を提供し、前記コア板の表面をウェットエッチング法で複数のボンディングパッドを形成し、作用面上に複数の接続バンプを有する半導体チップを提供し、前記半導体チップと前記コア板を、接続バンプとボンディングパッドを互いに嵌合して電気接続を形成すべく、前記ボンディングパッドを前記接続バンプに圧接する、半導体装置の製造方法であって、前記圧接が、前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低い温度で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１３】
本発明の他の実施例によれば、本発明は、コア板を提供し、前記コア板の表面に金属層を形成し、前記金属層上に、フォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層に複数の開口を設けて前記金属層を前記複数の開口に露出させ、ウェットエッチング液で前記複数の開口に露出した金属層を除去し、続いて前記フォトレジストを除去して、前記コア板の表面に、上面の断面幅が底面の断面幅より小さいボンディングパッドを複数形成した基板構造を形成し、作用面に、サイズが前記ボンディングパッドより大きい接続バンプを複数有する半導体チップを提供し、前記接続バンプと前記ボンディングパッドが互いに嵌合しあって電気的に接続されるように前記半導体チップを前記基板構造に圧接する半導体装置の製造方法で、前記圧接時の温度が、前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低いことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１４】
又、本発明は、表面に、内部の電気回路と電気的に接続された接続バンプを複数有する半導体チップと、表面にボンディングパッドを複数有する基板が、前記複数の接続バンプと複数のバンディングパッドが電気的に接続されるように圧接されてなる半導体装置であって、前記ボンディングパッドが前記接続バンプより硬質な導電性金属をウェットエッチングによって前記基板上に形成され、前記ボンディングパッドが前記接続バンプ内に嵌合され、前記接続バンプと前記ボンディングパッドの圧接が、前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低い温度で行われたことを特徴とする半導体装置を提供する。
【００１５】
本発明の一実施例によれば、前記ボンディングパッドの上面の断面の幅は前記ボンディングパッドの底面の断面の幅より小さく、且つ前記接続バンプのサイズが前記基板のボンディングパッドのサイズより大きくしている。言い換えると、前記接続バンプは第１の接触端を有し、前記ボンディングパッドは前記基板と前記半導体チップが互いに圧接される際に前記第１の接触端に対応する第２の接触端を有し、前記第１接触端の幅が前記第２接触端より大きく形成されている。
【００１６】
要するに、本発明に係る半導体装置とその製造方法は、基板表面の導電性金属層をウェットエッチングで上面の断面の幅が底面の断面の幅より小さいボンディングパッドを形成し、サイズが前記基板のボンディングパッドのサイズより大きいと共に前記ボンディングパッドより硬度が小さい材質よりなる接続バンプを有する半導体チップを提供し、前記半導体チップと前記基板を前記接続バンプと前記ボンディングパッドが互いに嵌合して電気的に接続されるように圧接して、前記ボンディングパッドと前記接続バンプの接合強度を高め、半導体装置の製造方法の信頼性を高めるようにしたのである。
【発明の効果】
【００１７】
さらに、本発明は、従来のウェットエッチングの欠点と見なされていたエッチングの拡散現象を優点として、比較的に厚い金属層をウェットエッチングによってフリップチップ型半導体チップと基板の接合を効果的に可能とし、回路パターンの微細化と高信頼性化を可能としたのでドライエッチングによるコスト高とエッチングの選択性不良などの問題を回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のその他の優点と効果は、以下の本発明の半導体装置とその製造方法の好ましい実施態様を図面についての詳細な説明により容易に理解することができる。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、表面に、内部の電気回路と電気的に接続された接続バンプを有する半導体チップと、表面に設けられた導電性金属層をウェットエッチングして、前記接続バンプに対応して形成されたボンディングパッドを有する基板を提供し、前記半導体チップを裏返して、前記接続バンプと前記ボンディングパッドとを位置合わせして加圧して接合する方法であって、前記接続バンプと前記ボンディングパッドの圧接を前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低い温度で行い、前記ボンディングパッドが前記接続バンプ内に嵌合するように圧接することを特徴とする。
【００２０】
又、本発明に係る半導体装置は、表面に、内部の電気回路と電気的に接続された接続バンプを有する半導体チップと、表面に設けられた導電性金属層をウェットエッチングによって、前記接続バンプに対応して形成されたボンディングパッドを有する基板が、前記接続バンプと前記ボンディングパッドが互いに圧接されて接合された半導体装置であって、前記ボンディングパッドが前記接続バンプより硬質であり、且つ前記ボンディングパッドが前記接続バンプ内に嵌合され、前記圧接が、前記ボンディングパッド及び前記接続バンプの溶点より低い温度で行われたことを特徴とする。
【００２１】
次に図３及び図４（Ａ）、（Ｂ）を参照して本発明の半導体装置及びその製造方法の一実施例を説明する。
【００２２】
先ず、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、表面に導電性金属層１０１を有するコア板１００を提供する。導電性金属層１０１は、銅が好ましいが、ニッケル、又は銅―ニッケル合金でも良い。次に前記金属層１０１上に、所定のパターンが形成されたフォトレジスト層１０２を形成し、露光と現像を行い。フォトレジスト層１０２に、金属層１０１が露出する開口１０３を形成する。
【００２３】
次に、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、金属層１０１の露出した部分を酸性又はアルカリ性のエッチング液でエッチング（ウェットエッチング）を行って除去する。これによって、所定のパターン適合した複数のボンディングパッド１１０と、配線層１２０を形成する。
配線層１２０はボンディングパッド１１０を形成する方法と同一方法で形成される。
【００２４】
このとき、コア板１００上に半導体チップ（ダイ）を接着するためのボンディングパッド１１０のみを形成し、配線層１２０がないパッケージ用基板１００’を形成することもできる。
【００２５】
又、図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ウェットエッチングのために、拡散現象が発生して、フォトレジスト層１０２と金属層１０１の界面のエッチングが開口部の部分より進んで、エッチングされない部分の上面がその下方の部分より小さくなり、フォトレジスト層を除去した後に残された部分（アイランド）の上面形状が凸面状になる。
【００２６】
次に図４（Ｃ）に示すように、表面に内部の電気回路と電気接続された複数の接続バンプ２１０が形成された半導体チップ２００を提供する。本実施例では、硬度が前記基板１００のボンディングパッド１１０より低い材料で例えば錫又はハンダで前記接続バンプ２１０を形成する。
【００２７】
又、前記接続バンプ２１０のサイズを、前記基板１００のボンディングパッドより大きくして、前記ボンディングパッドが前記接続バンプに圧入して嵌合しうるようにする。言い換えれば、前記接続バンプ２１０は第１の接続端２１０１を有し、前記ボンディングパッド１１０は前記接続バンプの第１の接触端に対応する第２の接触端１１０１を有し、前記第１の接触端２１０１の幅を、前記第２の接触端１１０１の幅より大きくしている。
【００２８】
言い換えれば、本発明の他の実施例においては、ボンディングパッド１１０と金属バンプ２１０を圧接するときの対向面、即ち圧着表面（互いに平行又は不平行の表面）は大きさが違っており、前記第１接触端２１０１の幅を前記第２接触端１１０１の幅より大きくしてある。
【００２９】
次に、前記半導体チップ２００を裏返して、接続バンプである金属バンプ２１０とボンディングパッド１１０の位置合わせを行い、加熱圧接、又は加熱超音波圧接することで、金属バンプ２１０を有する半導体チップ２００と、ボンディングパッド１１０を有する基板１００'を圧接して、基板１００'と半導体チップ２００を電気的に接続する。
【００３０】
前記金属バンプ２１０の大きさを前記ボンディングパッド１１０の大きさより大きくしていると共に、金属バンプ２１０の材料を、硬度がボンディングパッド１１０の硬度より小さい材料として、金属バンプ２１０とボンディングパッド１１０を電気的に接続するように圧接したので、硬度が高い方のボンディングパッド１１０が硬度が低い方の金属バンプ２１０に圧入嵌合されて、一方が他方を包むような凹凸嵌合接合構造が形成される。これによってボンディングパッド１１０と金属バンプ２１０接合強度が強くなり、従来のリフローによる接合に比べて、基板１００'と半導体チップ２００の応力（熱融着による応力）が少なくなるので最後にでき上がる半導体装置の信頼性が高まる。
【００３１】
又、本実施例では、金属バンプ２１０とボンディングパッド１１０を圧接するときに、ボンディングパッドと金属バンプのそれぞれの溶点より低い温度で圧接を行った。例えば金属バンプをハンダで形成した場合その溶点は180℃、ボンディングパッドを銅で形成した場合その溶点は1063℃であるので、圧接時の温度は５０度乃至１８０℃として、ハンダと銅のいずれとも溶融しない温度で圧接を行う。又、圧接の圧力の大きさと圧接時間の長さは、この技術に通常の知識を有するものが自由に設定することができる。
【００３２】
金属バンプ２１０の硬度とボンディングパッド１１０の硬度はそれぞれの材料によって決められる。前の「一方が他方を包むような凹凸嵌合接合構造とするためには、包む一方（凹状になる一方）の材料硬度を包まれる一方（凸状になる一方）の材料硬度より低いものとした場合、包む一方の大きさを包まれる一方の大きさより大きくすることする。」前記の実施態様では、金属バンプ２１０をハンダ、ボンディングパッド１１０を銅としたが、それぞれの材料はハンダ対銅に限られず、大きさが大きい方の材料硬度が、大きさが小さい方の材料硬度より低いようにすれば良い。
【００３３】
又、半導体チップ２００と基板１００'の間の空間を充填材料(under fill)２２０で充填して金属バンプ２１０とボンディングパッド１１０の接合を保護するとともに、半導体チップと基板との接合強度を高めることもできる。
【００３４】
次に図５に基づいて本発明の半導体装置の変形例を説明する。図５（Ａ）は、ボンディングパッド１１０の表面と金属バンプ２１０の表面が不平行である場合を示す。図５（Ｂ）、（Ｃ）はボンディングパッド１１０の表面と金属パッドの表面が平行である場合を示す。いずれの場合も接合の効果に変わりはない。
【００３５】
又、硬度が低い金属バンプ２１０の表面である第一接触端２１０１の幅が、硬度が高いボンディングバッド１１０の表面である第２接触面１１０１の幅より大きくしていれば、一方が他方を包むような凹凸構造となるように圧接される。
【００３６】
さらに、ボンディングパッド１１０又は配線回路層１２０の断面形状はエッチング液の種類とエッチング条件を調整することによって、三角形（図５（Ａ）に示す）、梯形（図５（Ｂ））、又は弾丸状(図５（Ｃ）)にすることができ、これらの形状は、いずれもボンディングパッドの断面の上面幅がその底面幅より小さく形成されている。
【００３７】
本発明の実施例による半導体装置は、上述の方法によって製造され、次の構成を含む、表面にウェットエッチングによって形成される複数のボンディングパッド１１０を有する基板１００'と、作用面に複数の金属バンプ２１０が形成された半導体チップ２１０とを有する半導体装置であって、前記金属バンプ２１０とボンディングパッド１１０が圧接によって嵌合されて電気的に接続され、前記圧接は、前記ボンディングパッド１１０及び金属バンプの溶点より低い温度で行われ、前記ボンディングパッド１１０の硬度が前記金属バンプ２１０の硬度より高く、且つ、前記ボンディング１１０の上面断面幅がその底面断面幅より小さくされている。
【００３８】
さらに、第一接触端２１０の幅を第２接触端の幅より大きくしている。
【００３９】
又、本発明の半導体装置の製造方法は、従来のウェットエッチング法で基板表面に凸出形状を呈するボンディングパッドを形成し、その上面端面の幅を底面の幅より小さくなるようにしている。そしてこうしたボンディングパッドを有する基板と、作用面に接続バンプを有する半導体チップと圧接して接合する。そして前記接続パッドは、基板のボンディングパッドのサイズより大きいサイズを有する金属バンプとしている。さらに前記金属バンプを硬度が前記ボンディングパッドの材質の硬度より低い材質より形成し、前記金属バンプ及び前記ボンディングパッドの溶点より低い温度で前記圧接を行うようにしている。従って従来の技術に比して、加熱融着による熱応力が少なく、ボンディングパッドと金属バンプの接合強度を高めることができ、出来上がった半導体装置の製品の信頼性を向上させることができる。
【００４０】
さらに本発明は従来のウェットエッチングの欠点と見なされていたエッチングの拡散現象を効果に利用してそれを優点としたので比較的に厚い金属層を使用することができる。これはフリップチップと基板の接合に好適に応用され、配線の高密度化、微細化、半導体装置の薄型化が可能となるとともに、比較的に低コストで信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【００４１】
以上、好ましい実施例によって本発明の半導体装置とその製造方法を説明したが、本発明の技術特徴は以上に説明した実施例に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲に記載される範囲内で変型が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来のフリップチップ型半導体装置を概略的に表す図である。
【図２】図１に示すフリップチップ型半導体装置の半導体チップと基板の接合個所を概略的に表す拡大図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を表すため説明図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を表すため説明図である。
【図５】本発明の半導体装置におけるボンディングパッドの形状の変化例を概略的に示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１００    コア版
１００'   基板
１０１    金属層
１０１a   接触端辺部
１０２    フォトレジスト層
１０３    開口
１１０    ボンディングパッド
１１０１  第２の接触端
１１１    上面
１１２    底面
１２０    配線層
【図１】
2009246337.tif 000003
【図２】
2009246337.tif 000004
【図３】
2009246337.tif 000005
【図４】
2009246337.tif 000006
【図５】
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