(57)【要約】【課題】冷却効率を向上させることができるとともに、製作中に生じるケース部材の反りを抑制して半導体パワー素子搭載セラミック基板の割れを防止できる冷却器を提供する。【解決手段】冷却器１１は、アルミニウム材からなる上ケース１３及び下ケース１２がロウ付けによって接合されるとともに、上ケース１３と下ケース１２との間にアルミニウム材からなる波板状のインナーフィン２１がロウ付けされている。そして、下ケース１２と上ケース１３との間の内部空間はインナーフィン２１によって区画形成されるとともに、複数の冷媒通路２６が構成されている。そして、上ケース１３には、複数のセラミック基板３２をロウ付けするためのセラミック基板搭載部３１が形成されている。セラミック基板搭載部３１は、上ケース１３に形成された第１屈曲部３８及び下ケース１２に形成された第２屈曲部４２によって取り囲まれている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材からなる第１ケース部材及び第２ケース部材がロウ付けによって接合されるとともに、前記第１ケース部材と前記第２ケース部材との間に金属材からなる波板状のインナーフィンがロウ付けされ、前記インナーフィンによって前記第１ケース部材と前記第２ケース部材との間に冷媒流路が区画形成された冷却器において、
少なくとも前記第１ケース部材の外表面に形成され、複数の半導体パワー素子搭載セラミック基板をロウ付けするためのセラミック基板搭載部と、
前記第１ケース部材及び前記第２ケース部材のうち少なくともいずれか一方に形成され、前記第１ケース部材又は前記第２ケース部材の熱収縮及び熱膨張を吸収可能な屈曲部と、を備え、
前記屈曲部は、前記セラミック基板搭載部を間に挟むように位置していることを特徴とする冷却器。
【請求項２】
前記インナーフィンは、一方向に傾斜した状態で前記第１ケース部材と前記第２ケース部材との間にロウ付けされていることを特徴とする請求項１に記載の冷却器。
【請求項３】
前記屈曲部は、前記第１ケース部材及び前記第２ケース部材の両方に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の冷却器。
【請求項４】
前記屈曲部は、前記セラミック基板搭載部の全周を取り囲むように形成されている請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の冷却器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷却器に係り、詳しくは、金属材からなる第１ケース部材及び第２ケース部材を備え、少なくとも第１ケース部材にセラミック基板搭載部が形成されている冷却器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップと半導体チップからの発熱を放熱する放熱板との間にて絶縁基板が半田によって接続されるとともに、放熱板を冷却器上に設置して、半導体チップから発生した熱を絶縁基板及び放熱板を介して冷却器へ放熱する半導体モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。そして、特許文献１に記載の半導体モジュールでは、放熱板と冷却器との間の隙間を生めるために熱伝導グリースが塗布され、熱伝導グリースを介して放熱板と冷却器とを接触させている。
【特許文献１】特開２００５−３９０８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、特許文献１に記載の半導体モジュールにおいて用いられる熱伝導グリースの一種としては、シリコン系グリースが知られているが、シリコン系グリースは熱伝導率が低く、例えば、約５Ｗ／ｍ・Ｋである。そのため、特許文献１に記載の半導体モジュールのように、冷却器と放熱板との間に熱伝導グリースを塗布して半導体モジュールを冷却器上に設置した場合には、半導体チップからの熱は熱伝導グリースを経由して冷却器へ伝わるため、冷却器への伝熱効率が低くなるという問題がある。
【０００４】
また、熱伝導グリースを介して半導体モジュールを冷却器のケース部材に設置する代わりに、冷却器のケース部材外表面に対して半導体モジュールを構成する絶縁基板を直接ロウ付けすることも考えられる。しかし、多くの場合、半導体モジュールが設置される冷却器のケース部材はアルミニウム材によって構成されており、絶縁基板としてのセラミック基板と比べるとケース部材の線膨張係数は大きくなる。したがって、冷却器のケース部材外表面にロウ材を介してセラミック基板を設置し、そのケース部材及びセラミック基板を炉内で加熱してロウ付けを行った後、炉から出して、冷却器及びセラミック基板を自然冷却すると、冷却器のケース部材の方がセラミック基板よりも熱収縮量が大きいために、ケース部材においてセラミック基板がロウ付けされている部分の収縮が阻害される。そのため、冷却器のケース部材に反りが発生することでセラミック基板に変形応力が生じ、セラミック基板が割れる可能性があった。また、冷却器に反りが生じると冷却器の平面度が悪くなり、半導体チップの実装に不具合が生じるという問題もあった。
【０００５】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、冷却効率を向上させることができるとともに、製作中に生じるケース部材の反りを抑制して半導体パワー素子搭載セラミック基板の割れを防止できる冷却器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、金属材からなる第１ケース部材及び第２ケース部材がロウ付けによって接合されるとともに、前記第１ケース部材と前記第２ケース部材との間に金属材からなる波板状のインナーフィンがロウ付けされ、前記インナーフィンによって前記第１ケース部材と前記第２ケース部材との間に冷媒流路が区画形成された冷却器において、少なくとも前記第１ケース部材の外表面に形成され、複数の半導体パワー素子搭載セラミック基板をロウ付けするためのセラミック基板搭載部と、前記第１ケース部材及び前記第２ケース部材のうち少なくともいずれか一方に形成され、前記第１ケース部材又は前記第２ケース部材の熱収縮及び熱膨張を吸収可能な屈曲部と、を備え、前記屈曲部は、前記セラミック基板搭載部を間に挟むように位置していることを要旨とする。なお、「屈曲部は、セラミック基板搭載部を間に挟むように位置している」とは、第１ケース部材に形成された屈曲部によってセラミック基板搭載部を間に挟む場合に限らず、第２ケース部材に屈曲部を形成し、その第２ケース部材の屈曲部によって第１ケース部材のセラミック基板搭載部と対向する第２ケース部材の領域を間に挟む場合も含む。
【０００７】
この発明では、半導体パワー素子搭載セラミック基板と第１ケース部材との間にシリコン系グリースが介在していないため、半導体パワー素子が発熱すると、その熱は半導体パワー素子搭載セラミック基板を介して第１ケース部材に伝わる。そして、第１ケース部材に伝達された熱は、冷媒流路を通る冷媒との間で熱交換される。したがって、半導体パワー素子搭載セラミック基板と第１ケース部材との間にシリコン系グリースが介在しない分だけ熱伝導率が高くなり、冷却器の冷却効率を向上させることができる。また、冷却器を作製する際の、ロウ付け工程では、第１ケース部材と第２ケース部材とによってインナーフィンを間に挟み、なおかつ、第１ケース部材に形成されたセラミック基板搭載部にセラミック基板を設置した状態で、各部材を一括して加熱してロウ付けを行い、その後自然冷却を行う。このとき、屈曲部が形成されているケース部材の熱収縮は屈曲部によって吸収されるため、第１ケース部材及び第２ケース部材の熱収縮に起因した第１ケース部材及び第２ケース部材の反りを抑制することができる。したがって、半導体パワー素子搭載セラミック基板の割れを防止できる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記インナーフィンは、一方向に傾斜した状態で前記第１ケース部材と前記第２ケース部材との間にロウ付けされていることを要旨とする。
【０００９】
この発明では、第１ケース部材が熱収縮することで、例えば、第１ケース部材の中央部が第２ケース部材に近づくように反った場合、傾斜状態でロウ付けされているインナーフィンはさらに傾斜するように変形する。また、例えば、第１ケース部材の中央部が第２ケース部材から離れるように反った場合は、傾斜状態でロウ付けされているインナーフィンはその傾斜した状態から起立するように変形する。そのため、第１ケース部材の反りの影響を受けて、第２ケース部材が変形することを抑制できる。また、第２ケース部材が熱収縮することで、例えば、第２ケース部材の中央部が第１ケース部材に近づくように反った場合、傾斜状態でロウ付けされているインナーフィンはさらに傾斜するように変形する。また、例えば、第２ケース部材の中央部が第１ケース部材から離れるように反った場合、傾斜状態でロウ付けされているインナーフィンはその傾斜した状態から起立するように変形する。そのため、第２ケース部材の反りの影響が第１ケース部材に及ぶことを抑制できる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記屈曲部は、前記第１ケース部材及び前記第２ケース部材の両方に形成されていることを要旨とする。
【００１１】
この発明では、第１ケース部材及び第２ケース部材の両方で生じる熱収縮を各ケース部材に形成された屈曲部によって吸収できるため、どちらか一方のケース部材に屈曲部が形成されている場合に比べて第１ケース部材及び第２ケース部材の反りをより抑制することができる。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記屈曲部は、前記セラミック基板搭載部の全周を取り囲むように形成されていることを要旨とする。
【００１３】
第１ケース部材及び第２ケース部材が熱収縮した場合、セラミック基板搭載部は、その全周から熱収縮の影響を受ける。しかし、この発明では、屈曲部はセラミック基板搭載部の全周を取り囲んでいるため、セラミック基板搭載部の全周から受ける熱収縮の影響を屈曲部によって抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、冷却効率を向上させることができるとともに、製作中に生じるケース部材の反りを抑制して半導体パワー素子搭載セラミック基板の割れを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図３に従って説明する。
図１に示すように、冷却器１１は、上側が開放された略有底箱状の第２ケース部材としての下ケース１２と、略箱蓋状の第１ケース部材としての上ケース１３とで、内部に冷媒が流れることができる中空断面形状のケース１４を構成している。そして、下ケース１２及び上ケース１３はそれぞれ平面視略長方形状に形成されるとともに、金属材としてのアルミニウム材から構成されている。なお、下ケース１２及び上ケース１３に用いられるアルミニウム材としては、例えば、線膨張係数が２４×１０−６／℃のものが用いられる。
【００１６】
下ケース１２にはケース１４の長手方向（図１及び図２で示す、矢印Ｙ方向）における一側部１５の角部付近に冷媒を導入する導入パイプ１６が設けられるとともに、ケース１４の長手方向における他側部１７の角部付近に排出パイプ１８が設けられている。なお、導入パイプ１６と排出パイプ１８とは対角上に位置している。下ケース１２にはその開口側端部の周縁部にフランジ部１９が形成されている。そして、フランジ部１９には、上ケース１３の開口側端部の周縁部に形成されたフランジ部２０がロウ付けによって接合されている。図２に示すように、上ケース１３と下ケース１２との間には波板状のインナーフィン２１が設けられている。
【００１７】
インナーフィン２１は下ケース１２及び上ケース１３と同じ金属材としてのアルミニウム材からなるとともに、ケース１４の長手方向において、下ケース１２側における折曲部２２と上ケース１３側における折曲部２３とが交互に存在するように配置されている。インナーフィン２１は、一方向、即ち、ケース１４の長手方向の他側部１７側に傾斜した形状に形成されている。インナーフィン２１はその下ケース１２側の折曲部２２が下ケース１２の内面２４にロウ付けされるとともに、その上ケース１３側の折曲部２３が上ケース１３の内面２５にロウ付けされている。インナーフィン２１は、ケース１４の長手方向に並ぶように複数の冷媒通路２６を区画形成している。なお、複数の冷媒通路２６は、ケース１４の長手方向において、上ケース１３に接する冷媒通路２６ａと下ケース１２に接する冷媒通路２６ｂとが交互に存在するように構成されている。図３に示すように、インナーフィン２１は、波状に延びている方向と直交する方向の一端２１ａとケース１４の短手方向（図１及び図３で示す、矢印Ｘ方向）における一側部２７との間には、導入パイプ１６（図１参照）からの冷媒が導入される冷媒導入部２９ａが形成されている。
【００１８】
冷媒導入部２９ａは冷媒を全ての冷媒通路２６に供給するように構成されている。また、インナーフィン２１は、その波状に延びている方向と直交する方向の他端２１ｂとケース１４の短手方向における他側部２８との間には冷媒通路２６を通過した冷媒が排出される冷媒排出部２９ｂが形成されている。冷媒排出部２９ｂは複数の冷媒通路２６を通過した全ての冷媒を排出パイプ１８を介して冷却器１１の外部へ排出するように構成されている。そして、冷媒通路２６を通る冷媒によって、上ケース１３上に設置されている複数の半導体モジュール３０から発生した熱が除去されるようになっている。
【００１９】
図２に示すように、複数の半導体モジュール３０は上ケース１３に形成されたセラミック基板搭載部３１にロウ付けされるとともに、ケース１４の長手方向に等間隔で一列に並んでいる。なお、セラミック基板搭載部３１は少なくとも上ケース１３の外表面に目的とする個数のセラミック基板３２を設置できる程度の領域を確保できるような大きさに形成されている。半導体モジュール３０は、両面に金属層３３，３４が形成されたセラミック基板３２を備え、一方の面が半導体パワー素子搭載面３２ａであるとともに他方の面が上ケース１３へのロウ付け面３２ｂである。なお、セラミック基板３２は、例えば、線膨張係数が８×１０−６／℃のものが用いられる。そして、本実施形態においては、セラミック基板３２の半導体パワー素子搭載面３２ａに、半導体パワー素子としてのＩＧＢＴ３５及びダイオード３６が半田３７により接合されている。半導体モジュール３０は、セラミック基板３２の一方の面に半導体パワー素子が搭載される構造になっている。そして、全てのセラミック基板３２を搭載するセラミック基板搭載部３１は第１屈曲部３８によって取り囲まれている。
【００２０】
第１屈曲部３８は上ケース１３の一部が上ケース１３の外側から内側に向かって波状に屈曲されることで形成されるとともに、インナーフィン２１から外れた部位に形成されている。第１屈曲部３８は上ケース１３が熱収縮及び熱膨張するのに伴って伸縮して、上ケース１３の熱収縮及び熱膨張を吸収するように構成されている。第１屈曲部３８は、ケース１４の長手方向に沿って延びるとともにケース１４の短手方向において全てのセラミック基板３２を間に挟むように設けられた一対の第１延設部３９と、ケース１４の短手方向に沿って延びるとともにケース１４の長手方向において全てのセラミック基板３２を間に挟むように設けられた第２延設部４０とを備えている。そして、第１延設部３９と第２延設部４０とは、緩やかに曲がりつつ延びる曲がり部４１を介して繋げられている。また、インナーフィン２１を間に挟んで第１屈曲部３８とは対称な下ケース１２の部位に第１屈曲部３８と同じ形状の第２屈曲部４２が形成されている。なお、第２屈曲部４２によって取り囲んだ下ケース１２の領域は、その外縁がセラミック基板搭載部３１と同じ外縁になっている。そして、第２屈曲部４２は下ケース１２が熱収縮及び熱膨張するのに伴って伸縮して下ケース１２の熱収縮及び熱膨張を吸収するように構成されている。
【００２１】
次に前記のように構成された冷却器１１の製造方法を説明する。
まず、下ケース１２、上ケース１３、及びインナーフィン２１を準備する。そして、インナーフィン２１の折曲部２２，２３及び下ケース１２のフランジ部１９にロウ材を配置し、その後、下ケース１２と上ケース１３とによってインナーフィン２１を間に挟んだ状態で、図示しない治具で位置決めする。このとき、下ケース１２とインナーフィン２１の下ケース１２側の折曲部２２との間、及びインナーフィン２１の上ケース１３側の折曲部２３と上ケース１３との間にロウ材が介在するとともに、下ケース１２のフランジ部１９と上ケース１３のフランジ部２０との間にロウ材が介在した状態になっている。
【００２２】
次に、セラミック基板搭載部３１においてセラミック基板３２を搭載する箇所にロウ材を配置するとともにロウ材上にセラミック基板３２のロウ付け面３２ｂを載置したうえで、セラミック基板３２を治具により位置決めする。その後、治具によって固定された下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、セラミック基板３２を炉の中に配置して、下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、セラミック基板３２を約６００℃まで加熱して、ロウ付けを行う。すると、下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、セラミック基板３２は熱膨張する。このとき、セラミック基板３２の線膨張係数は下ケース１２、インナーフィン２１及び上ケース１３の線膨張係数よりも小さいため、セラミック基板３２の熱膨張量は下ケース１２、インナーフィン２１及び上ケース１３の熱膨張量に比べて小さくなる。しかし、下ケース１２及び上ケース１３の熱膨張は、下ケース１２及び上ケース１３のそれぞれに形成された第１屈曲部３８及び第２屈曲部４２が縮むように変形することで吸収するため、セラミック基板３２に下ケース１２及び上ケース１３の熱膨張の影響が及ぶことを抑制できる。また、セラミック基板３２とケース１４との熱膨張量の違いに起因して、下ケース１２の中央部が上ケース１３から離れるように反ろうとすると、インナーフィン２１は傾斜した状態から起立するように変形する。そのため、下ケース１２の反りの影響を受けて、上ケース１３が変形することを抑制できる。
【００２３】
そして、下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、セラミック基板３２の加熱が終了した後、炉から下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、セラミック基板３２を取り出して、自然冷却する。すると、下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、セラミック基板３２の熱収縮が起こる。このとき、セラミック基板３２の熱収縮量は下ケース１２、インナーフィン２１及び上ケース１３の熱収縮量に比べて小さいが、下ケース１２及び上ケース１３の熱収縮は、第１屈曲部３８及び第２屈曲部４２が伸びるように変形することで吸収するため、下ケース１２及び上ケース１３の熱収縮に起因して下ケース１２及び上ケース１３に反りが発生することを抑制できる。したがって、下ケース１２及び上ケース１３の熱収縮に伴ってセラミック基板搭載部３１にロウ付けされたセラミック基板３２に反りが発生することを抑制でき、セラミック基板３２に変形応力が発生して割れることを防止できる。また、下ケース１２の中央部が上ケース１３に近づくように反ろうとすると、インナーフィン２１はより傾斜するように変形する。そのため、下ケース１２の反りに起因した上ケース１３の変形を抑制でき、上ケース１３の反りに起因してセラミック基板３２に生じる応力を緩和することができる。
【００２４】
ロウ付け工程でセラミック基板３２をセラミック基板搭載部３１に接着固定した後、半田付け工程を実施して、セラミック基板３２上に半導体パワー素子としてのＩＧＢＴ３５及びダイオード３６を半田付けすることで、冷却器１１上への複数の半導体モジュール３０の搭載が完了する。
【００２５】
次に前記のように構成された冷却器１１の作用について説明する。
冷却器１１は、図示しない冷却媒体循環路に対して導入パイプ１６及び排出パイプ１８が連結されて使用される。冷却媒体循環路にはポンプ及びラジエータが設けられている。冷媒（冷却媒体）として、例えば、水や不凍液の混合された水が使用される。
【００２６】
冷却器１１に搭載されたＩＧＢＴ３５やダイオード３６が駆動されると、ＩＧＢＴ３５やダイオード３６から熱が発生する。ＩＧＢＴ３５やダイオード３６から発生した熱は、半田３７及びセラミック基板３２を介して、冷却器１１の上ケース１３へと伝導され、上ケース１３やインナーフィン２１や下ケース１２と冷却媒体との間で熱交換される。即ち、ＩＧＢＴ３５やダイオード３６から発生した熱は、従来のようにシリコン系グリースを通らずに上ケース１３にまで至るため、セラミック基板３２と上ケース１３との間の熱伝導率は高くなり、冷却器１１の冷却効率を向上させることができる。
【００２７】
したがって、この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）上ケース１３に形成されたセラミック基板搭載部３１には、複数のセラミック基板３２がロウ付けによって直接接合されている。したがって、セラミック基板３２上に接合された半導体パワー素子が発熱すると、その熱はセラミック基板３２を介して上ケース１３に伝わり、冷媒通路２６を通る冷媒との間で熱交換される。したがって、セラミック基板３２と上ケース１３との間にシリコン系グリースが存在しない分だけ熱伝導率が高くなり、冷却器１１の冷却効率を向上させることができる。
【００２８】
（２）上ケース１３には、複数のセラミック基板３２を搭載するセラミック基板搭載部３１が形成されている。そして、上ケース１３には、一対の第１延設部３９及び一対の第２延設部４０を備えた第１屈曲部３８が形成されている。したがって、セラミック基板搭載部３１にセラミック基板３２を設置して、下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３、及びセラミック基板３２のロウ付けを一括して行う際、下ケース１２及び上ケース１３に反りが発生することを抑制し、セラミック基板３２の割れを防止できる。
【００２９】
（３）インナーフィン２１は一方向に傾斜した状態に形成されている。そして、下ケース１２が反った場合にはインナーフィン２１の傾斜状態が変わることで、反りの影響が上ケース１３に及ぶことを抑制する。したがって、下ケース１２の反りに起因してセラミック基板搭載部３１に搭載されたセラミック基板３２に生じる応力を緩和することができる。また、上ケース１３が反った場合には、インナーフィン２１の傾斜状態が変わることで、反りの影響が下ケース１２に及ぶことを抑制する。
【００３０】
（４）上ケース１３には第１屈曲部３８が形成されるとともに、下ケース１２には第２屈曲部４２が形成されている。したがって、下ケース１２及び上ケース１３のどちらか一方にだけ屈曲部が形成されている場合に比べて、下ケース１２及び上ケース１３の反りをより抑制することができる。
【００３１】
（５）第１屈曲部３８及び第２屈曲部４２は、セラミック基板搭載部３１の全周を取り囲むように形成されている。したがって、セラミック基板搭載部３１の全周から受ける熱収縮の影響を第１屈曲部３８及び第２屈曲部４２によって抑制することができる。
【００３２】
（６）下ケース１２及び上ケース１３に反りが発生することを抑制し、冷却器１１を構成する下ケース１２及び上ケース１３の平面度の悪化を抑制できる。
（７）インナーフィン２１は波板状に形成されている。したがって、半導体パワー素子から発生した熱が冷媒と熱交換を行うため熱交換面積を大きくすることができ、冷却器１１の冷却能力を向上させることができる。
【００３３】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  屈曲部３８，４２の構成を変更してよい。屈曲部３８，４２はセラミック基板搭載部を間に挟むような位置に設けられていればよいため、例えば、ケース１４の短手方向両側において、セラミック基板搭載部３１を間に挟むような位置に設けられた一対の延設部だけで第１屈曲部を構成してもよい。なお、この場合、延設部はケース１４の長手方向全体に亘って延びるように形成する。また、図４に示すように、例えば、ケース１４の長手方向両側において、セラミック基板搭載部３１を間に挟むような位置に設けられた一対の延設部５０だけで第１屈曲部を構成してもよい。なお、この場合、延設部５０はケース１４の短手方向全体に亘って延びるように形成する。
【００３４】
○  屈曲部３８，４２は、上ケース１３と下ケース１２の両方に設ける必要はなく、上ケース１３と下ケース１２のどちらか一方だけでよい。例えば、上ケース１３のみであって、セラミック基板搭載部３１を間に挟むことができるような位置に屈曲部３８を設けてもよい。また、下ケース１２のみであって、下ケース１２における上ケースのセラミック基板搭載部３１と対向する部分を間に挟むことができるような位置に屈曲部４２を設けてもよい。また、上ケース１３に設けられた第１屈曲部３８のうち一対の第２延設部４０の一方（例えば、図２における右側の第２延設部４０）だけを形成し、下ケース１２に設けられた第２屈曲部４２のうち一対の第２延設部の他方（例えば、図２における左側の第２延設部）だけを形成してもよい。この場合であっても、上ケース１３に設けられた第２延設部と下ケース１２に設けられた第２延設部とによって、セラミック基板搭載部３１を間に挟むようになる。
【００３５】
○  下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３を構成するアルミニウム材の具体的な種類についてはとくに限定されない。例えば、上ケース１３、下ケース１２、インナーフィン２１をそれぞれアルミニウム系金属の一種であるアルミニウム合金から形成してもよいし、上ケース１３、下ケース１２、インナーフィン２１をそれぞれ純アルミニウムから形成してもよい。
【００３６】
○  下ケース１２、インナーフィン２１、上ケース１３を構成する材料を変更してもよい。例えば、アルミニウム材の代わりに、金属材料である銅材によって上ケース１３、インナーフィン２１、下ケース１２を形成してもよい。
【００３７】
○  冷却器を構成する下ケース１２の底面が図示しない電子部品搭載ケースに接するように取り付けることで、冷却器を設置してもよい。この場合、冷媒通路を通る冷媒が電子部品搭載ケースに搭載された電子部品から発生した熱と熱交換を行うようになる。
【００３８】
○  セラミック基板を搭載する部位は、冷却器を構成するケースの一方の外表面だけに限らない。例えば、上ケース１３の他に、下ケース１２の外表面にセラミック基板３２をロウ付けしてもよい。この場合、下ケース１２の外表面にロウ付けされたセラミック基板３２上に半導体パワー素子を半田付けすることで、冷却器１１のケースの両面に半導体パワー素子を搭載するように構成してもよい。
【００３９】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）前記屈曲部は少なくとも第１ケース部材に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の冷却器。
【００４０】
（２）前記第１ケース部材、前記第２ケース部材、及び前記インナーフィンは、アルミニウム系金属から構成されている請求項１〜請求項４及び付記（１）に記載の冷却器。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】一実施形態における冷却器の模式斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線模式断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線模式断面図。
【図４】別の実施形態の冷却器の模式平面図。
【符号の説明】
【００４２】
１１…冷却器、１２…第２ケース部材としての下ケース、１３…第１ケース部材としての上ケース、１４…ケース、２１…インナーフィン、２６…冷媒通路、３０…半導体モジュール、３１…セラミック基板搭載部、３２…セラミック基板、３８…屈曲部としての第１屈曲部、４２…屈曲部としての第２屈曲部、５０…屈曲部としての延設部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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