(57)【要約】【課題】垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供する。【解決手段】メインポール、リターンヨーク及びメインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように電流が印加されるコイルを備える垂直磁気記録ヘッドにおいて、メインポールの両側にそれぞれ形成されたものであって、メインポールと第１間隙ほど離隔された二つのサイドシールドと、リターンヨークの一端に第２間隙をおいてメインポール及びサイドシールドと対向して形成されたトップシールドと、を備えることを特徴とする垂直磁気記録ヘッドである。【選択図】図２Ｂ
2009009689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインポール、リターンヨーク及び前記メインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように電流が印加されるコイルを備える垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記メインポールの両側にそれぞれ形成され、前記メインポールと第１間隙をなして離隔されたサイドシールドと、
前記メインポールの上部領域及び前記サイドシールドの上部領域にわたって形成され、前記メインポールと第２間隙をなして前記サイドシールドと所定距離ほど離隔されたトップシールドと、を備えることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記サイドシールドと前記トップシールドとの離隔距離は、前記第２間隙と同じであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記サイドシールドのスロート長は、前記トップシールドのスロート長と同じであるか、またはそれより長いことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記メインポールの記録媒体側の端部に磁場が集束されるように、前記端部から記録媒体を遠ざかる方向に離隔されたサブヨークがさらに設けられたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記サブヨークは、前記メインポールの上面または下面に接して形成されたことを特徴とする請求項４に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記メインポールは、ＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅで形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記トップシールド及びサイドシールドは、ＮｉＦｅで形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記コイルは、前記メインポールをソレノイド形態で取り囲む構造で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記コイルは、前記リターンヨークを平面スパイラル形態で取り囲む構造で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項１０】
垂直磁気記録ヘッドの製造方法において、
（イ）メインポール、及び前記メインポールの両側部に前記メインポールと第１間隙ほど離隔されたサイドシールドを形成する工程と、
（ロ）前記メインポールの上部領域及びサイドシールドの上部領域にわたって形成され、前記メインポールと第２間隙をなして前記サイドシールドと所定距離ほど離隔されたトップシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記（イ）工程は、
メインポールを形成する工程と、
前記メインポールの側面及び上面を前記第１間隙とほぼ同じ厚さに取り囲む第１絶縁層を形成する工程と、
前記メインポールの両側にサイドシールドを形成する工程と、
前記サイドシールド及び絶縁層が形成されたメインポールを研磨する工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
ＡＬＤ法でＡｌ２Ｏ３を前記メインポールの上面及び側面に蒸着することによって、前記第１絶縁層を形成することを特徴とする請求項１１に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記（イ）工程は、
第１絶縁層及びストップ層を順次に形成する工程と、
前記第１絶縁層及びストップ層をエッチングして前記メインポール形状のトレンチを形成する工程と、
前記トレンチの内部及び前記ストップ層上に磁性層を形成する工程と、
前記磁性層を研磨する工程と、
前記第１絶縁層の両側の一部領域をエッチングする工程と、
前記第１絶縁層の両側にサイドシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁層は、ＳｉＮまたはＳｉＯ２を蒸着して形成することを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記ストップ層は、ＴａまたはＲｕを蒸着して形成することを特徴とする請求項１３に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記（ロ）工程は、
前記サイドシールド及びメインポール上に前記第２間隙とほぼ同じ厚さを有する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上にトップシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記サイドシールドのスロート長は、前記トップシールドのスロート長と同じであるか、またはそれより長く形成されることを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記メインポールをＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅで形成することを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記トップシールド及びサイドシールドをＮｉＦｅで形成することを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に係り、特にリターンヨークチップが複数のシールドに分離されてメインポールの周囲を取り囲む構造で形成された垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録ヘッドは、ハードディスクドライブに採用されてメディアに情報を記録し、かつ記録された情報を再生するのに使われる。情報化社会の急速な産業化と発達は、個人または組織が取り扱う情報の量を急激に増加させており、ハードディスクドライブに採用される磁気記録ヘッドの高密度化が要求されている。磁気記録は、記録方式によって水平磁気記録方式と垂直磁気記録方式とに大別されるが、記録密度の面で、磁性層の磁化方向が磁性層の表面に垂直方向に整列されることを利用して情報を記録する垂直磁気記録方式が水平磁気記録方式よりはるかに有利であるので、多様な構造の垂直磁気記録ヘッドが開発されてきた。
【０００３】
高密度を具現するための構造として、ラップアラウンドシールド形態の垂直磁気記録ヘッドが非特許文献１に紹介されたことがある。図１Ａは、垂直磁気記録ヘッド１０の概略的な構造を示す断面図であり、図１Ｂは、前記非特許文献１で開示されたラップアラウンド形態のリターンヨークチップ６２の構造を詳細に示す斜視図である。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、従来の垂直磁気記録ヘッド１０は、メインポール５０、リターンヨーク６０、サブヨーク４０及びコイルＣを備える記録ヘッド部Ｗと、二つの磁気シールド層３０及び磁気シールド層３０の間に介在する磁気抵抗素子２０を備える再生ヘッド部Ｒと、を備える。リターンヨーク６０の一端には、所定間隙をおいてメインポール５０と対向するリターンヨークチップ６２が形成されている。リターンヨークチップ６２は、メインポール５０の終端をラップアラウンド形態で取り囲む形状を有する。コイルＣは、メインポール５０とサブヨーク４０とをソレノイド形態で取り囲む構造を有し、コイルＣに電流が印加されれば、メインポール５０、サブヨーク４０、リターンヨーク６０は、磁場の磁路を形成する。メインポール５０から記録媒体（図示せず）に向かう磁路は、記録媒体の記録層を垂直方向に磁化させた後でリターンヨークチップ６２に戻る経路を形成し、これにより記録を行う。また、磁気抵抗素子２０は、記録層の磁化から発生する磁場信号による電気抵抗が変わる特性を表すことによって、記録媒体に記録された情報を読み取る。
【０００４】
リターンヨーク６０を備える垂直磁気記録ヘッドは、メインポール５０のみで形成されるシングルポールタイプの垂直磁気記録ヘッドに比べてフィールド勾配特性が良好であるということが知られている。また、図１Ｂのように、メインポール５０の終端を取り囲む構造を有するリターンヨークチップ６２を備えたデザインは、トラックエッジ付近でのフィールド勾配特性を向上させてトラックピッチを減らすように導出されたものである。しかし、かかるデザインは、高いトポグラフィを有する構造であって、製造が容易ではない。特に、スロート長ＴＨは、リターンヨークチップ６２の設計時に決定される要素であって、スロート長ＴＨが長い場合、メインポール５０での磁束中で記録媒体を経ずに直接リターンヨークチップ６２に向かう量が増加して記録効率が低下するので、適正な長さに制御されることが重要であるが、高いトポグラフィを有する場合、スロート長の制御が容易でないので、その散布が大きくなり、量産性が低下するという問題点がある。
【非特許文献１】ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ，ｖｏｌ.３８，Ｎｏ．４，Ｊｕｌｙ  ２００２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、前述した問題点を改善するためのものであって、リターンヨークチップが複数のシールドに分離された形態でメインポールの周囲を取り囲む構造を有する垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明の望ましい実施形態による垂直磁気記録ヘッドは、メインポール、リターンヨーク及び前記メインポールが記録媒体に情報を記録する磁場を発生させるように電流が印加されるコイルを備える垂直磁気記録ヘッドにおいて、前記メインポールの両側にそれぞれ形成され、前記メインポールと第１間隙をなして離隔されたサイドシールドと、前記メインポールの上部領域及び前記サイドシールドの上部領域にわたって形成され、前記メインポールと第２間隙をなして前記サイドシールドと所定距離ほど離隔されたトップシールドと、を備えることを特徴とする。
【０００７】
前記サイドシールドと前記トップシールドとの離隔距離は、前記第２間隙と同一に形成される。
【０００８】
前記サイドシールドのスロート長は、前記トップシールドのスロート長と同じであるか、またはそれより長いことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の望ましい実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、（イ）メインポール、前記メインポールの両側部に前記メインポールと第１間隙ほど離隔されたサイドシールドを形成する工程と、（ロ）前記メインポールの上部領域及びサイドシールドの上部領域にわたって形成され、前記メインポールと第２間隙をなして前記サイドシールドと所定距離ほど離隔されたトップシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１０】
前記（イ）工程は、メインポールを形成する工程と、前記メインポールの側面及び上面を前記第１間隙とほぼ同じ厚さに取り囲む第１絶縁層を形成する工程と、前記メインポールの両側にサイドシールドを形成する工程と、前記サイドシールド及び絶縁層が形成されたメインポールを研磨する工程と、を含む。
【００１１】
また、前記（イ）工程は、第１絶縁層及びストップ層を順次に形成する工程と、前記第１絶縁層及びストップ層をエッチングして前記メインポール形状のトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内部及び前記ストップ層上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層を研磨する工程と、前記第１絶縁層の両側の一部領域をエッチングする工程と、前記第１絶縁層の両側にサイドシールドを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明による垂直磁気記録ヘッドは、リターンヨークチップがトップシールドとサイドシールドとに分離された構造でメインポールを取り囲む形状を有する点で特徴がある。かかる構造は、トラックエッジでのフィールド勾配を向上させるので、トラックピッチを減らして記録密度を高めるのに有利な構造である。また、さらに敏感な設計変数となるトップシールドのスロート長の形成は、相対的に低いトポグラフィで行われるので、より低い許容誤差でスロート長を制御することが容易となり、量産性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付された図面を参照して、本発明の望ましい実施形態による垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法を詳細に説明する。以下の図面で、同じ参照符号は同じ構成要素を指し、図面上で、各構成要素の大きさは、説明の明瞭性及び便宜上誇張されうる。
【００１４】
図２Ａは、本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッド１００の構造を概略的に示す断面図であり、図２Ｂは、図２Ａの一部の拡大図であって、リターンヨークチップ２２０の形状を詳細に示す斜視図である。
【００１５】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、垂直磁気記録ヘッド１００は、ＡＢＳ（Ａｉｒ  Ｂｅａｒｉｎｇ  Ｓｕｒｆａｃｅ）から所定距離ほど離隔された記録媒体（図示せず）に情報を記録するために、記録媒体に向かって磁場を印加するメインポール１４０、磁場を発生させるための電流が印加されるコイルＣ、メインポール１４０と共に磁場の磁路を形成するリターンヨーク２００、及びリターンヨーク２００の一端にメインポール１４０を取り囲む構造で形成されたリターンヨークチップ２２０を備える記録ヘッド部Ｗを備える。また、記録媒体に記録された情報を読み取るために、二つの磁気シールド層１１０、及び前記磁気シールド層１１０の間に介在する磁気抵抗素子１２０で形成される再生ヘッド部Ｒをさらに備える。
【００１６】
記録ヘッド部Ｗは、メインポール１４０のＡＢＳ側の終端に磁束が集束されることを助けるサブヨーク１３０をさらに備える。サブヨーク１３０は、メインポール１４０のＡＢＳ側の終端に磁場が集束されるようにＡＢＳから遠ざかる側に離隔されている。図２Ａにおいて、サブヨーク１３０は、メインポール１４０の下面に形成されているが、メインポール１４０の上面に形成されることも可能である。メインポール１４０、リターンヨークチップ２２０、リターンヨーク２００及びサブヨーク１３０は、コイルＣにより発生した記録磁場の磁路を形成できるように磁性物質からなる。このとき、メインポール１４０の終端に集束される磁場の大きさは、飽和磁束密度Ｂｓにより制限されるので、メインポール１４０は、一般的にリターンヨーク２００やサブヨーク１３０に比べて飽和磁束密度Ｂｓの大きい磁性物質で形成される。メインポール１４０の材料としては、Ｂｓが２．１ないし２．４Ｔである物質、例えば、ＣｏＦｅ，ＣｏＮｉＦｅ，ＮｉＦｅなどが採用される。サブヨーク１３０やリターンヨーク２００は、高い周波数の磁場変化に対して速い応答特性を有するように、前記メインポール１４０より相対的に透磁率の高い特性を有するように形成されることが望ましい。ニッケル鉄（ＮｉＦｅ）のような磁性物質が主に使われ、このとき、ＮｉとＦｅとの成分比を調節することによって、飽和磁束密度Ｂｓと透磁率とが適切に設計される。
【００１７】
コイルＣは、メインポール１４０とサブヨーク１３０とをソレノイド形態で３回取り囲む構造でなっている。ただし、コイルＣの形状やターン数などは例示的なものであり、メインポール１４０のＡＢＳ側の終端に記録媒体に向かう磁場を形成可能にする構造であれば、いかなる形態であってもよい。例えば、コイルＣは、リターンヨーク２００を平面スパイラル形態で取り囲む構造となることもある。
【００１８】
リターンヨーク２００の一端には、リターンヨークチップ２２０が設けられている。リターンヨークチップ２２０は、メインポール１４０の両側部に第１間隙ｇ１をなして離隔形成されたサイドシールド２２３と、メインポール１４０の上部領域及びサイドシールド２２３の上部領域にわたって形成されたトップシールド２２６と、を備える構造である。トップシールド２２６は、メインポール１４０と第２間隙ｇ２ほど離隔されており、サイドシールド２２６とも所定間隔ほど離隔されている。図２Ｂにおいて、トップシールド２２６とメインポール１４０との離隔距離及びトップシールド２２６とサイドシールド２２３との離隔距離は同じであると示されているが、これは、例示的なものであり、二つの離隔距離が異なることもある。トップシールド２２６及びサイドシールド２２３の材料としては、例えばＮｉＦｅが採用される。サイドシールド２２３及びトップシールド２２６は、トラックエッジでのフィールド勾配をさらに向上させるために設けられるものであって、第１間隙ｇ１及び第２間隙ｇ２は適切に調節される。メインポール１４０とトップシールド２２６との離隔距離である第２間隙ｇ２は、記録ギャップとしての役割を果たし、トップシールド２２６及びサイドシールド２２３が前記第２間隙ｇ２と対向する部分をスロートという。サイドシールド２２３のスロート長ＴＨｓは、トップシールド２２６のスロート長ＴＨｔと同じであるか、またはそれより長く形成される。前記二つのスロート長ＴＨｓ，ＴＨｔのうちトップシールド２２６のスロート長ＴＨｔは、記録磁場の強度に直接影響を及ぼす。一般的に、トップシールド２２６のスロート長ＴＨｔが長くなるほど、メインポール１４０での磁束中で記録媒体を経ずに第２間隙ｇ２を通じてトップシールド２２６及びリターンヨーク２００に向かう量が多くなるので、記録に不利である。また、スロート長ＴＨｔが過度に短い場合、部分的飽和により記録磁場特性が低下する。したがって、トップシールド２２６のスロート長ＴＨｔは、適正な長さを有するように制御される必要がある。本構造の場合、トップシールド２２６とサイドシールド２２３とは、スロート長ＴＨｔ，ＴＨｓを別途に製造する構造であり、特により敏感な設計変数となるスロート長ＴＨｔは、相対的に低いトポグラフィを有するトップシールド２２６で決定されるので、製造に容易な構造である。
【００１９】
以下、図３Ａないし図３Ｆを参照して、本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する。各図面は、図２ＡのＡ部分をＡＢＳから見た図面、すなわちＹＺ平面から見た図面である。図３Ａに示すように、まず、所定の形状を有するメインポール１４０を形成する。ここで、メインポール１４０は、所定の基板上に薄膜製造工程で形成され、一般的に、基板には、再生ヘッド部、コイル構造の一部及び絶縁層があらかじめ形成されている。以下で、かかる基板の図示は省略する。メインポール１４０の製造は、例えばシード層の蒸着、リソグラフィを利用したパターンの形成、及びＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅと磁性物質とをメッキした後、メインポール１４０の終端形状を作るトリミング工程による。次いで、図３Ｂのように、メインポール１４０の上面及び側面を所定の厚さｇ１に覆う第１絶縁層１５２を形成する。第１絶縁層１５２は、例えばＡｌ２Ｏ３をＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法で蒸着して形成できる。ＡＬＤ法は、段差特性に優れてメインポール１４０の上面及び側面を隙間なしによく覆い、原子単位の蒸着により厚さ制御が容易である。次いで、図３Ｃのように、メインポール１４０の両側にサイドシールド２２３’を形成する。サイドシールド２２３’は、例えばＮｉＦｅのような磁性物質をメッキして形成できる。次いで、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により第１絶縁層１５２、サイドシールド２２３’を研磨して、図３Ｄのような形状となる。次いで、図３Ｅのように、第２絶縁層１５４をサイドシールド２２３、第１絶縁層１５２、メインポール１４０上に形成する。第２絶縁層１５４は、例えばＡｌ２Ｏ３のような非磁性物質を蒸着して形成する。第２絶縁層１５４は、記録ギャップの役割を行うものであって、ｇ２の厚さを有するように形成する。次いで、図３Ｆのように、トップシールド２２６を第２絶縁層１５４上に形成する。トップシールド２２６は、例えばＮｉＦｅのような磁性物質をメッキして形成できる。すなわち、シード層の蒸着、フォトリソグラフィでパターニング及びメッキによりトップシールド２２６を形成する。このとき、トップシールド２２６のＸ方向の長さは、スロート長（図２ＢのＴＨｔ）であって、記録特性に敏感な影響を与える要素である。トップシールド２２６は、サイドシールド２２３に比べてトポグラフィが相対的に低いので、前記スロート長は、さらに低い誤差許容度を有するように制御される。前述した過程を経た垂直磁気記録ヘッドは、メインポール１４０を分離された複数のシールド２２３，２２６が取り囲む構造を有する。
【００２０】
図４Ａないし図４Ｆは、本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法を説明する図面である。本実施形態は、ダマシン工程を利用する点で特徴がある。各図面は、図２ＡのＡ部分をＡＢＳから見た図面、すなわちＹＺ平面から見た図面である。図４Ａに示すように、まず、ダマシン用誘電体層１５６及びストップ層１７０を順次に形成する。ここでも、例えば、再生ヘッド部、コイル構造の一部及び絶縁層があらかじめ形成された基板上で各工程が行われ、かかる基板の図示は省略した。誘電体層１５６は、例えばＳｉＮまたはＳｉＯ２を蒸着して形成する。誘電体層１５６は、Ａｌ２Ｏ３で形成されることもあるが、ＳｉＮまたはＳｉＯ２を使用する方が毒性を持つＣｌ系統のガスを使用せずにエッチングされて容易である。ストップ層１７０は、エッチストップまたはＣＭＰストップのための層として使われるように形成するものであり、例えばＴａまたはＲｕを蒸着して形成する。次いで、図４Ｂのように、所定の形状のトレンチ１７５を形成する。前記トレンチ１７５は、製造しようとするメインポールの形状によってストップ層１７０及び誘電体層１５６を、例えばＩＢＥ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）及びＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によりエッチングして形成する。このとき、Ｆ系統のガスを使用できる。次いで、図４Ｃのように、前記トレンチ１７５の内部及びストップ層１７０の上部に第１磁性層１４０’を形成する。第１磁性層１４０’は、シード層の蒸着、パターニング及びＣｏＮｉＦｅまたはＣｏＦｅをメッキして形成する。次いで、図４Ｄのように、第１磁性層１４０’を研磨してメインポール１４０の形状となる。次いで、図４Ｅのように、メインポール１４０の両側のストップ層１７０及び誘電体層１５６の一部をエッチングする。エッチング後で残った誘電体層１５６の厚さがｇ１となるように、パターニング及びＲＩＥでエッチングする。次いで、図４Ｆのように、第２磁性層２２３’を形成する。前記第２磁性層２２３’は、形成しようとするサイドシールドの形状によってパターニング後、例えばＮｉＦｅのような磁性物質をメッキして形成する。次いで、図４Ｇのように、第２磁性層２２３’を研磨してサイドシールド２２３を形成する。次いで、図４Ｈのように、第２絶縁層１５４を形成する。第２絶縁層１５４は、例えばＡｌ２Ｏ３のような非磁性物質を蒸着して形成する。第２絶縁層１５４は、記録ギャップの役割を行うものであって、ｇ２の厚さを有するように形成する。次いで、図４Ｉのように、第２絶縁層１５４上にトップシールド２２６を形成する。トップシールド２２６は、例えばＮｉＦｅのような磁性物質をメッキして形成できる。すなわち、シード層の蒸着、フォトリソグラフィでパターニング及びメッキによりトップシールド２２６を形成する。このとき、トップシールド２２６のＸ方向の長さは、スロート長（図２ＢのＴＨｔ）であって、記録特性に敏感な影響を与える要素である。トップシールド２２６は、サイドシールド２２３に比べてトポグラフィが相対的に低いので、前記スロート長は、さらに低い誤差許容度を有するように制御される。前述した過程を経た垂直磁気記録ヘッドは、メインポール１４０を���離された複数のシールド２２３，２２６が取り囲む構造を有する。
【００２１】
前述した二つの実施形態の製造方法は、トップシールド２２６とサイドシールド２２３とが分離された形態で製造されるという点で主要特徴があり、残りの工程は例示的なものであり、当業者の便宜によってその順序や製造方法の各工程の具体的な内容は変わりうる。例えば、サイドシールド２２３とトップシールド２２６との離隔距離、及びメインポール１４０とトップシールド２２６との離隔距離がｇ２と同じであると説明したが、前記距離は異なって形成されてもよい。メインポール１４０とトップシールド２２６との離隔距離は、記録ギャップとして機能するために適切に制御され、サイドシールド２２３とトップシールド２２６との離隔距離は、サイドシールド２２３とトップシールド２２６とが連結された構造とほぼ同じ程度のトラックエッジでのフィールド勾配を有するように制御されるためである。
【００２２】
かかる本願発明である垂直磁気記録ヘッド及びその製造方法は、理解を助けるために図面に示した実施形態を参考にして説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明は、磁気記録ヘッド関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】垂直磁気記録ヘッドの一般的な構造を概略的に示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの一部の拡大図であって、リターンヨークチップの形状を詳細に示す斜視図である。
【図２Ａ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの構造を概略的に示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの一部の拡大図であって、リターンヨークチップの形状を詳細に示す斜視図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ａ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｂ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｃ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｄ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｅ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｆ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｇ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明するＨ面である。
【図４Ｈ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【図４Ｉ】本発明の他の実施形態による垂直磁気記録ヘッドの製造方法の各段階を説明する図面である。
【符号の説明】
【００２５】
１００    垂直磁気記録ヘッド
１１０    磁気シールド層
１２０    磁気抵抗素子
１３０    サブヨーク
１４０    メインポール
２００    リターンヨーク
２２０    リターンヨークチップ
２２３    サイドシールド
２２６    トップシールド
【図１Ａ】
2009009689.tif 000003
【図１Ｂ】
2009009689.tif 000004
【図２Ａ】
2009009689.tif 000005
【図２Ｂ】
2009009689.tif 000006
【図３Ａ】
2009009689.tif 000007
【図３Ｂ】
2009009689.tif 000008
【図３Ｃ】
2009009689.tif 000009
【図３Ｄ】
2009009689.tif 000010
【図３Ｅ】
2009009689.tif 000011
【図３Ｆ】
2009009689.tif 000012
【図４Ａ】
2009009689.tif 000013
【図４Ｂ】
2009009689.tif 000014
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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