(57)【要約】【課題】パッケージサイズの大幅な増大やコストアップを伴うことなく放熱効果が得られる半導体装置、およびその実装構造を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップ１を覆う被覆樹脂５がその内部を貫通する貫通孔７を有し、それぞれの上記貫通孔７は上記被覆樹脂５の表面に、少なくとも２つ以上の開口部８を有する。このため、放熱体を設置することなく、または設置する放熱体を小型化し、半導体パッケージの放熱効果を得ることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に少なくとも一つの半導体チップが実装され、上記半導体チップは導電体により上記回路基板と電気的に接続され、上記半導体チップと上記導電体とを被覆するように形成された被覆樹脂を備えた半導体装置において、
上記被覆樹脂の内部を貫通する通気孔を少なくとも１つ有し、
それぞれの上記通気孔は上記被覆樹脂の表面に、少なくとも２つの開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記被覆樹脂上に放熱のための放熱体を備え、
上記開口部は、上記被覆樹脂の表面における上記放熱体が配置されていない領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記被覆樹脂上に放熱のための放熱体を備え、
上記開口部の少なくとも１つは、上記被覆樹脂の表面における上記放熱体が配置される領域に形成され、上記放熱体は貫通する放熱体孔を上記開口部と通じる位置に有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
回路基板に半導体チップが実装され、上記半導体チップは導電体により上記回路基板と電気的に接続され、上記半導体チップと上記導電体とを被覆するように形成された被覆樹脂を備え、上記被覆樹脂上に放熱のための放熱体を備えた半導体装置において、
上記被覆樹脂と上記放熱体とが接する面に、上記被覆樹脂または上記放熱体の少なくともいずれか一方に溝を有し、
上記被覆樹脂または上記放熱体が上記溝を覆うことによって少なくとも１つの通気孔を形成し、
それぞれの上記通気孔は、少なくとも２つの開口部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
上記通気孔は一方の開口部が他方の開口部より開口断面積が大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
上記通気孔は半導体チップの直上を通るように形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記開口部の少なくとも１つは、半導体チップの直上に形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記導電体による上記半導体チップと上記回路基板との電気的な接続は、ボンディングワイヤを用いたワイヤボンディング法によることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記導電体による上記半導体チップと上記回路基板との電気的な接続は、金属バンプを用いたフリップチップボンディング法によることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記回路基板の半導体チップ実装側、その裏側、またはその両側に、外部電極端子が設置され、上記外部電極端子は半田ボールで形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
上記回路基板の半導体チップ実装側、その裏側、またはその両側に、外部電極端子が設置され、上記外部電極端子はランドで形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
上記被覆樹脂は、トランスファモールド法により形成された樹脂であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記被覆樹脂は、上記半導体チップに液状樹脂を滴下して、その後上記液状樹脂を硬化させて形成された樹脂であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
請求項１から４、６から１３のいずれか一項に記載の半導体装置を機器に実装する実装構造であって、
上記通気孔の一方の開口部が、上記通気孔の他方の開口部より上方に位置するように上記半導体装置を実装することを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１５】
請求項５に記載の半導体装置を機器に実装する実装構造であって、
上記通気孔の開口断面積が小さい方の開口部が、上記通気孔の他方の開口部より上方に位置するように上記半導体装置を実装することを特徴とする半導体装置の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に実装される半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高機能化による信号ピンの増大や、携帯機器への高密度実装の必要性から、多ピン・高密度実装に対応可能なＢＧＡ・ＣＳＰといったエリアアレイパッケージの採用が増大している。
【０００３】
これらＢＧＡ・ＣＳＰといった半導体パッケージは、回路基板の半導体チップ実装面が封止樹脂で被覆され、その反対側の面に半田ボール等の外部電極端子が設置された片面封止パッケージである。
【０００４】
これらが内蔵する半導体チップの高機能化が進むことにより、半導体チップ内のトランジスタ数が増加し、動作クロック周波数が上昇し、チップサイズの縮小化が進んでいる。高機能化によるこれらの変化は、半導体チップからの発熱、半導体パッケージを通しての放熱という観点においては、熱が発生しやすくかつ放熱もしにくくなっている。
【０００５】
また、これらの高機能な半導体チップを実装したＢＧＡ・ＣＳＰといった半導体パッケージは、軽薄短小を求められる商品の筐体内へ実装されることが多い。半導体チップで発生した熱は、強制的に冷却しない場合、半導体パッケージを通して実装基板へ伝達させ放熱させるか、筐体内部の気体へ放熱させるかに頼るしかない。その為、放熱させることが厳しい商品の筐体に実装される場合は、半導体チップの温度を半導体チップの動作保証温度内に収める為に、金属製のヒートシンクやヒートパイプといった冷却装置を半導体パッケージの実装後に実装基板または筐体内部に設置することで問題解決を図る場合が多い。
【０００６】
特許文献１には半導体チップにアルミニウム製の放熱フィンを設置し半導体チップの熱を放熱する手段が記載されている。半導体チップに直接アルミニウム製の放熱フィンを設置すると、線膨張係数の違いから半導体チップに熱応力が加わり半導体チップの破壊に繋がる。そこで特許文献１では半導体チップとアルミニウム製の放熱フィンとの間に低線膨張係数を持つ金属でできたクラッド板を設けることにより、半導体チップの熱応力による破壊を防いでいる。
【特許文献１】特開平１０−１２５８３１号公報（平成１０年５月１５日公開）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、これらのヒートシンク、ヒートパイプ、または放熱フィンといった冷却装置は軽薄短小を求める商品の場合はそのスペースを確保することができず、またコスト的にも冷却装置を設置できないケースも発生する。
【０００８】
こういった背景から、現状の半導体パッケージでは、前述した軽薄短小が求められる商品の筐体内へ実装される場合、どのようにして半導体チップから発生する熱を放熱させるかといった問題がその都度発生している。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＢＧＡ・ＣＳＰといった片面封止パッケージにおいて、軽薄短小・低コストの実装形態が求められる場合に、パッケージサイズの大幅な増大やコストアップを伴うことなく放熱効果が得られる半導体装置の構造および実装構造を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、上記課題を解決するために、回路基板に少なくとも一つの半導体チップが実装され、上記半導体チップは導電体により上記回路基板と電気的に接続され、上記半導体チップと上記導電体とを被覆するように形成された被覆樹脂を備えた半導体装置において、上記被覆樹脂の内部を貫通する通気孔を少なくとも１つ以上有し、それぞれの上記通気孔は上記被覆樹脂の表面に、少なくとも２つ以上の開口部を有することを特徴としている。
【００１１】
上記の構成によれば、通気孔内部の気体が熱せられ半導体パッケージ外部と温度差が発生し、通気孔がない場合と比較すると対流が起こりやすくなるため、冷却装置の追加を伴うことなく半導体パッケージの放熱効果を得ることが可能となる。そのため半導体装置を小型化し、コストを抑えられるという効果を奏する。
【００１２】
また本発明に係る半導体装置は、上記課題を解決するために、上記被覆樹脂上に放熱のための放熱体を備え、上記開口部は、上記被覆樹脂の表面における上記放熱体が配置されていない領域に形成されていることが好ましい。
【００１３】
また本発明に係る半導体装置は、上記課題を解決するために、上記被覆樹脂の表面における上記放熱体が配置される領域に形成され、上記放熱体は貫通する放熱体孔を上記開口部と通じる位置に有していることが好ましい。
【００１４】
上記の構成によれば、通気孔内部の気体が熱せられ半導体パッケージ外部と温度差が発生し、通気孔がない場合と比較すると対流が起こりやすくなるため、放熱体による放熱効果に加えさらに放熱効果が増すという効果を奏する。
【００１５】
また本発明に係る半導体装置は、上記課題を解決するために、回路基板に半導体チップが実装され、上記半導体チップは導電体により上記回路基板と電気的に接続され、上記半導体チップと上記導電体とを被覆するように形成された被覆樹脂を備え、上記被覆樹脂上に放熱のための放熱体を備えた半導体装置において、上記被覆樹脂と上記放熱体とが接する面に、上記被覆樹脂または上記放熱体の少なくともいずれか一方に溝を有し、上記被覆樹脂または上記放熱体が上記溝を覆うことによって少なくとも１つの通気孔を形成し、それぞれの上記通気孔は、少なくとも２つの開口部を有することを特徴としている。
【００１６】
上記構成によれば、通気孔内部の気体が熱せられ半導体パッケージ外部と温度差が発生し、通気孔がない場合と比較すると対流が起こりやすくなるため、放熱体による放熱効果に加えさらに放熱効果が増すという効果を奏する。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の上記通気孔は、一方の開口部が他方の開口部より開口断面積が大きいことが好ましい。
【００１８】
上記の構成によれば、広い開口部からの外部気体の流入が増えるため放熱効果がさらに増すという効果を奏する。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の上記通気孔は、半導体チップの直上を通るように配置されていることが好ましい。
【００２０】
上記の構成によれば、通気孔内部の気体が半導体チップによって熱せられやすくなるので放熱効果がさらに増すという効果を奏する。
【００２１】
上記開口部の少なくとも１つは、半導体チップの直上に形成されていることが好ましい。
【００２２】
上記の構成によれば、半導体チップによって熱せられた通気孔内部の気体が半導体パッケージ外部へ逃げやすくなるので放熱効果がさらに増すという効果を奏する。
【００２３】
本発明に係る半導体装置の上記導電体による上記半導体チップと上記回路基板との電気的な接続は、ボンディングワイヤを用いたワイヤボンディング法によって形成されてもよい。
【００２４】
上記構成によれば、半導体チップからボンディングワイヤを介して被覆樹脂への熱伝導が良くなり、放熱効果がさらに増すという効果を奏する。
【００２５】
本発明に係る半導体装置の上記導電体による上記半導体チップと上記回路基板との電気的な接続は、金属バンプを用いたフリップチップボンディング法によって形成されてもよい。
【００２６】
上記構成によれば、半導体装置のサイズをさらに小型化することができるという効果を奏する。
【００２７】
本発明に係る半導体装置は、上記回路基板の半導体チップ実装側、その裏側、またはその両側に、外部電極端子が設置され、上記外部電極端子は半田ボールで形成されてもよい。
【００２８】
本発明に係る半導体装置は、上記回路基板の半導体チップ実装側、その裏側、またはその両側に、外部電極端子が設置され、上記外部電極端子はランドで形成されてもよい。
【００２９】
上記構成によれば、半導体装置のサイズをさらに小型化することができるという効果を奏する。
【００３０】
本発明に係る半導体装置の上記被覆樹脂は、トランスファモールド法により形成された樹脂であってもよい。
【００３１】
上記構成によれば、半導体装置の被覆樹脂は定型で形成されるので、被覆樹脂の外寸精度が良くなるという効果を奏する。
【００３２】
本発明に係る半導体装置の上記被覆樹脂は、上記半導体チップに液状樹脂を滴下して、その後上記液状樹脂を硬化させて形成された樹脂であってもよい。
【００３３】
本発明に係る半導体装置の実装構造は、上記通気孔の一方の開口部が、上記通気孔の他方の開口部より上方に位置するように上記半導体装置を実装することが好ましい。
【００３４】
上記の構成によれば、通気孔内部で熱せられた気体が上方の開口部から抜け、下方の開口部から外部気体が流入するので放熱効果がさらに増すという効果を奏する。
【００３５】
本発明に係る半導体装置の実装構造は、上記通気孔の開口断面積が小さい方の開口部が、上記通気孔の他方の開口部より上方に位置するように上記半導体装置を実装することが好ましい。
【００３６】
上記の構成によれば、気体の流入口となる下方の開口部が広いので、通気孔内部の気体の流れが増し、放熱効果がさらに増すという効果を奏する。
【発明の効果】
【００３７】
本発明に係る半導体装置は、上記被覆樹脂の内部を貫通する通気孔を少なくとも１つ以上有し、それぞれの上記通気孔は上記被覆樹脂の表面に、少なくとも２つ以上の開口部を有しているので、冷却装置の追加を伴うことなく半導体パッケージの放熱効果を得ることが可能となり、そのため半導体装置を小型化し、コストを抑えられるという効果を奏する。
【００３８】
また、本発明に係る半導体装置は、上記被覆樹脂上に放熱のための放熱体を備え、上記被覆樹脂と上記放熱体とが接する面に、上記被覆樹脂または上記放熱体の少なくともいずれか一方に溝を有し、上記被覆樹脂または上記放熱体が上記溝を覆うことによって少なくとも１つの通気孔を形成し、それぞれの上記通気孔は、少なくとも２つの開口部を有しているので、放熱体による放熱効果に加えさらに放熱効果が増すという効果を奏する。そのため同じ放熱効果を持つ従来の半導体装置よりも放熱体のサイズを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
本発明の一実施形態について図１ないし図１０に基づいて説明すると以下の通りである。
【００４０】
［実施の形態１］
図１ａは本実施の形態の半導体装置を示す三次元カットモデルであり、図１ｂはその斜視図である。
【００４１】
まず、本発明の半導体装置に実装される半導体チップは、特に限定されず、どのような種類の半導体チップでも使用可能である。本実施の形態では回路基板２に部品を実装するための導電体エリア２ａが設けられており、この導電体エリア２ａの上に接続層３を介して半導体チップ１が実装されている。半導体チップ１と回路基板２との電気的接続にはワイヤボンディング法を用い、ボンディングワイヤ（導電体）４によって接続されている。回路基板２の半導体チップ実装面側には、半導体チップ１、および被覆樹脂５が形成されている。被覆樹脂５は、導電体エリア２ａの全体を半導体チップ１、ボンディングワイヤ４等の実装部品を含んで被覆し、トランスファモールド法を用いて形成されている。回路基板２の半導体チップ実装面の反対側には外部電極端子６が半田ボールにて形成されており、回路基板２上の図示しない貫通穴等を介して回路基板２の半導体チップ実装面側、および半導体チップ１と電気的に接続されている。被覆樹脂５には内部を貫通する貫通孔（通気孔）７が設けられており、被覆樹脂５の相対する側面に１つずつ貫通孔７の開口部８がある。
【００４２】
これにより貫通孔７の内部の気体が熱せられ半導体パッケージ１２の外部と温度差が発生し、貫通孔７がない場合と比較すると対流が起こりやすくなるため、冷却装置の追加を伴うことなく半導体パッケージ１２の放熱効果を得ることが可能となる。
【００４３】
ここで回路基板２は、片面に配線層を有していてもよいし、両面に配線層を有していてもよい。回路基板２の種類については特に限定されず、ガラスエポキシ材、ＢＴレジン、ポリイミド等の有機絶縁基材に銅配線をパターンニングした回路基板、または金属製のリードフレームを用いた回路基板等、各種回路基板の使用が可能である。
【００４４】
また図示しないが、それらの回路基板２の配線上に被覆される絶縁層について、ソルダーレジストを用いて被覆される場合が一般的であるが、上記絶縁層の材料種についても特に限定はない。
【００４５】
また本実施の形態では半導体チップ１と配線層を有する回路基板２との電気的接続としては、ワイヤボンディング法を用い導電体に金線を用いているが、その他に半導体チップ１をフェイスダウンに実装して金属バンプ等を介して回路基板２と直接接続するフリップチップボンディング法等も一般的に用いられ、半導体チップ１と回路基板２との電気的接続方法については特に限定はない。
【００４６】
また接続層３についても特に限定はなく、固体・液体どのような形態の接着材でも使用可能であり、ペースト状接着剤、シート状接着剤等、異方導電性ペースト、または異方導電性フィルム等を使用することもできる。
【００４７】
回路基板２の半導体チップ実装面側の導電体エリアおよび半導体チップ１を被覆する被覆樹脂５の形成方法としては、図１ａ、１ｂで図示したようにプレスおよび金型を用いて高圧で樹脂成型するトランスファモールド法があるが、その他に液状樹脂を滴下し、その後上記樹脂を硬化することで被覆するポッティング法なども一般的に用いられ、半導体チップ１および導電体エリアを被覆する樹脂の形成方法について特に限定はない。
【００４８】
回路基板２に形成される外部電極端子６ついて、形成される位置は図１ａ、１ｂで示すように回路基板２の半導体チップ実装面の反対側へ形成する構造が一般的であるが、半導体チップ実装面側に形成してもよく、半導体チップ１を実装した回路基板２の外部電極端子６が形成される位置については、特に限定はない。
【００４９】
また外部電極端子６の材質・形状について、一般的には半田ボールを使用した球形の端子形状が知られており、他に金を使用したランド形状等を採用することもでき、外部電極端子６の材質・形状について特に限定はない。
【００５０】
本発明の主要件である被覆樹脂５の内部に形成される貫通孔７は、発熱源でもある上記半導体チップ１の直上を経由するように設置することが好ましい。開口部８については被覆樹脂５の側面のどの位置に開口されても問題無いが、開口部８の間を繋ぐ貫通孔７の形状は、気体の流れを阻害しないような直線形状等であることが好ましい。
【００５１】
また上記貫通孔７の位置・個数については、半導体パッケージ１２のアセンブリ工程やユーザーでの実装工程等で取り扱い上問題の無い範囲内であれは、特に限定は無く任意に設置可能である。
【００５２】
上記の貫通孔７および開口部８に関する構成単位としては、基本は１つの貫通孔７に対して２つの開口部８が設けられるが、貫通孔内で分岐が可能な場合はその限りでは無く、３つ以上の開口部を設けてもよい。
【００５３】
図１ａおよび１ｂの貫通孔７について、その貫通孔７の形成方法については、
１）被覆樹脂の形成時に金型により貫通孔を形成する方法、
２）被覆樹脂の形成時に、後工程で溶解する棒状の犠牲材を搭載し、その後犠牲材を溶解し貫通孔を形成する方法、
３）被覆樹脂の形成時に、貫通孔をもつパイプ形状の部材を搭載することで貫通孔を形成する方法、
４）被覆樹脂の形成後、切削加工等により貫通孔を形成する方法、
等が考えられるが貫通孔７の形成方法について特に限定はない。
【００５４】
［実施の形態２］
図２は本発明の実施の形態における半導体装置のうち、半導体パッケージ上面に貫通孔７の開口部８を設けた場合を示す斜視図である。
【００５５】
図２に関する構造・構成については、貫通孔７および開口部８の位置以外は実施の形態１と同様である。
【００５６】
この場合の貫通孔７および開口部８に関する構成単位としては、基本は１つの貫通孔７に対して２つの開口部８が開口されるが、一方は被覆樹脂５の上面における半導体チップ１の直上に開口されもう一方は被覆樹脂５の上面における外縁部に開口される構成をとることが好ましい。上記構成によると半導体チップの直上の開口部８から半導体チップによって熱せられた気体を逃がし、半導体パッケージ外縁部の開口部８から新しい（熱せられていない）気体を効率よく外部から取り入れることができ、より効率的に半導体チップの熱を放熱させることができる。
【００５７】
［実施の形態３］
図３は本発明の実施の形態における半導体装置のうち、半導体パッケージ上面および側面に貫通孔７の開口部８を設けた場合を示す斜視図である。
【００５８】
図３に関する構造・構成については、貫通孔７および開口部８の位置以外は実施の形態１と同様である。
【００５９】
この場合の貫通孔７および開口部８に関する構成単位としては、基本は１つの貫通孔７に対して２つの開口部８が開口されるが、一方は被覆樹脂５の上面における半導体チップ１の直上に開口されもう一方は被覆樹脂５の側面に開口される構成をとることが好ましい。上記構成によると半導体チップの直上の開口部８から半導体チップによって熱せられた気体を逃がし、半導体パッケージ側面から新しい（熱せられていない）気体を効率よく外部から取り入れることができ、より効率的に半導体チップの熱を放熱させることができる。
【００６０】
［実施の形態４］
図４〜７は、被覆樹脂５の上面に放熱板等の平板状の放熱体９が設置された場合を示す斜視図である。
【００６１】
図４に示す構成は、被覆樹脂５の上面に平板状の放熱体９を設置し、被覆樹脂５に形成された貫通孔７は被覆樹脂５の相対する側面にそれぞれ開口部８を有している。
【００６２】
図５に示す構成は、貫通孔８の一方の開口部８が被覆樹脂５の上面の放熱体９が配置された領域に設けられ、上記開口部８を露出させる位置に放熱体９の放熱体孔９ａを設けている。他方の開口部８は被覆樹脂５の上面の放熱体９が配置されていない領域に設けられている。
【００６３】
図６に示す構成は、貫通孔８の一方の開口部８が被覆樹脂５の上面の放熱体９が配置された領域に設けられ、上記開口部８を露出させる位置に放熱体９の放熱体孔９ａを設けている。他方の開口部８は被覆樹脂５の側面に設けられている。
【００６４】
図４〜６の貫通孔７について、その貫通孔７の形成方法については上述の図１〜３と同様であり、放熱板等の放熱体９の有無の違いだけで、貫通孔７の形成方法についても特に限定はなく同様の方法が採用できる。
【００６５】
図７に示す構成は、被覆樹脂５に溝５ａを形成し放熱板等の放熱体９で上記溝５ａを覆うことで通気孔１４を形成し、上記通気孔１４は開口部１５を有している。同様に放熱体９に溝を形成し、被覆樹脂５と接着することでも同様の通気孔が形成できるが、その形成方法について特に限定はない。被覆樹脂５及び放熱体９の両方に形成された溝または孔を組み合わせて通気孔を形成することもできる。
【００６６】
図４〜７について、その他の構造・構成については実施の形態１と同様である。
【００６７】
本実施の形態による半導体装置では、放熱体９に加え、貫通穴７への外部気体の流入によって半導体チップが持つ熱が放熱されるので、さらに放熱効果が高まる。
【００６８】
［実施の形態５］
図８は、通常の半導体パッケージにおいて貫通孔７の開口部１０、１１のサイズが異なる場合を示す斜視図であり、図９は、放熱板等の放熱体９を設置した半導体パッケージにおいて通気孔１４の開口部１６、１７のサイズが異なる場合を示す斜視図である。図８、図９の構成では、一方の開口部１０、１６は他方の開口部１１、１７より大きくなっているが、図８の構成では貫通孔７は開口部１１から開口部１０にかけて徐々に広がるように形成され、図９の構成では通気孔１４は開口部１７から中央部にかけては一定の断面積になるよう形成され、中央部から開口部１６にかけて徐々に広がるように形成されている。これにより、広い開口部からの外部気体の流入が増えるため放熱効果がさらに増す。尚、貫通孔７及び通気孔１４の形状は上記に限定されるものではない。その他の構造・構成については実施の形態１と同様である。
【００６９】
図１０は、本実施の形態における半導体パッケージを基板１３へ実装した場合を示す概略図である。本実施の形態における通気孔１４の開口部１６、１７のサイズが異なる半導体パッケージ１２を実装した基板１３が、筐体内部で実装される場合、小さい方の開口部１７を上方に、大きい方の開口部１６を下方になるように実装することが好ましい。図１０では筐体内部の気体の流れを矢印で示す。通気孔１４の中央部に半導体チップ等の発熱源があり、その結果通気孔１４の内部の気体は熱せられ、軽い気体となり、上方の開口部１７から流出しやすくなり、下方の大きい開口部１６から外部気体が流入する流れができる。通気孔１４が下方から上方に向かって狭くなっていることから「煙突効果」とよばれる対流効果を得ることができ、通気孔１４を流れる気体の流量がより高まり、より効果的な放熱が期待できる。尚、半導体パッケージ１２の実装について、鉛直方向ではなく斜めに基板１３を設置してもよい。開口部１６、１７の位置する高さに差があれば煙突効果による放熱効果が期待できる。また、実装する半導体パッケージ１２は開口部１６、１７のサイズが異なるものではなく、同一のサイズである図１〜７に示す半導体パッケージ１２を用いてもよい。この場合も開口部１０、１１の位置する高さに差があれば煙突効果による放熱効果が期待できる。
【００７０】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、小型化が進む電子機器等に実装される半導体装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態１による半導体パッケージの構成を示す三次元カットモデル図であり、（ｂ）は本発明の実施の形態１による半導体パッケージの外観構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態２による半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態３による半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態４による半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態４による第２の半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態４による第３の半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態４による第４の半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態５による半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態５による他の半導体パッケージの構成を示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態５による半導体パッケージを基板に実装した場合の構成を示す概略図である。
【符号の説明】
【００７３】
１    半導体チップ
２    回路基板
３    接着層
４    ボンディングワイヤ（導電体）
５    被覆樹脂
５ａ  溝
６    外部電極端子
７    貫通孔（通気孔）
８    開口部
９    放熱体
９ａ  放熱体孔
１０    開口部
１１    開口部
１２    半導体パッケージ
１３    基板
１４    通気孔
１５    開口部
１６    開口部
１７    開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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