(57)【要約】【課題】高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品を提供する。【解決手段】基板１１の主面に形成され、基板１１と反対側の第１の面１２ａが絶縁膜１３で覆われた第１電極１２と、第１電極１２の第１の面１２ａと離間して対向する第１の面１４ａを有し、アクチュエータ部により駆動される第２電極１４と、第２電極１４の第１の面１４ａに形成され、熱履歴により第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのを防止するための第１保護膜１５と、を具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に形成され、前記基板と反対側の第１の面に絶縁膜が形成された第１電極と、
前記第１電極の前記第１の面と離間して対向する第１の面を有し、アクチュエータ部により駆動される第２電極と、
前記第２電極の前記第１の面に形成され、熱履歴により前記第２電極の前記第１の面が粗面化するのを防止するための第１保護膜と、
を具備することを特徴とする電気部品。
【請求項２】
前記第２電極の前記第１の面と反対の第２の面に、残留応力により前記第２電極に反りが生じるのを防止するための第２保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気部品。
【請求項３】
前記アクチュエータ部が、前記第１電極の両側に離間して配置され、前記基板の主面から立設した導電性の一対の脚部と、前記一対の脚部の上端から前記基板と平行な方向に延伸し、先端が離間して対向する導電性の一対の腕部と、前記第１電極と前記一対の脚部との間の前記基板の主面に形成された一対の第３電極とを有し、
前記第２電極が、前記アクチュエータ部の前記一対の腕部の先端に、直接または絶縁材を介して結合されていることを特徴とする請求項１に記載の電気部品。
【請求項４】
前記第２電極がアルミニウム、アルミニウムを主成分とする合金、金、金ニッケル合金、白金のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の電気部品。
【請求項５】
前記第１または第２保護膜が、高融点金属、高融点金属の化合物、誘電体膜のいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電気部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて形成された可変容量キャパシタは、可変比が大きい、歪が少ない、Ｑ値が大きい等の利点を有し、携帯機器のアンテナ整合回路などに有効である。
【０００３】
従来、ＭＥＭＳ可変容量キャパシタは、基板上に形成された第１電極と、アクチュエータにより駆動される第２電極とを備え、第１電極および第２電極の一方の表面に形成された絶縁膜を介して第１電極と第２電極とを密着させることにより、大きな可変比を得ている(例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に開示されたＭＥＭＳ可変容量キャパシタは、空洞の下部に位置する第１電極と、空洞の内部に位置する可動部と、可動部に結合される第２電極とを具備し、可動部として機能する絶縁層を介して第１電極と第２電極とが密着している。
【０００５】
然しながら、特許文献１に開示されたＭＥＭＳ可変容量キャパシタは、ＭＥＭＳ可変容量キャパシタの製造工程およびＭＥＭＳ可変容量キャパシタをパッケージする工程における熱履歴に起因して、第１電極と第２電極との密着性が低下する問題がある。  
そのため、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタが得られなくなる問題がある。
【特許文献１】特開２００６−３２６８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の電気部品は、基板の主面に形成され、前記基板と反対側の第１の面が絶縁膜で覆われた第１電極と、前記第１電極の前記第１の面と離間して対向する第１の面を有し、アクチュエータ部により駆動される第２電極と、前記第２電極の前記第１の面に形成され、熱履歴により前記第２電極の前記第１の面が粗面化するのを防止するための第１保護膜と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１０】
本発明の実施例に係る電気部品について図１乃至図５を用いて説明する。図１は電気部品を示す断面図、図２は電気部品の動作を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図、図３乃至図５は電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図である。
【００１１】
図１に示すように、本実施例の電気部品１０は、ＭＥＭＳ技術を用いて形成された静電駆動型の可変容量キャパシタである。
【００１２】
電気部品１０は、基板１１の主面に形成され、基板１１と反対側の第１の面１２ａが絶縁膜１３で覆われた第１電極１２と、第１電極１２の第１の面１２ａと離間して対向する第１の面１４ａを有し、後述するアクチュエータ部により駆動される第２電極１４と、第２電極１４の第１の面１４ａに形成され、熱履歴により第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのを防止するための第１保護膜１５と、を具備している。
【００１３】
アクチュエータ部は、第１電極１２の両側に離間して配置され、基板１１の主面から立設した導電性の一対の脚部１６ａ、１６ｂと、一対の脚部１６ａ、１６ｂの上端から基板１１と平行な方向に延伸し、先端が離間して対向する導電性の一対の腕部１７ａ、１７ｂと、第１電極１２と一対の脚部１６ａ、１６ｂとの間の基板１１の主面に形成された一対の第３電極１８ａ、１８ｂと、を具備している。
【００１４】
第２電極１４は、対向する一対の腕部１７ａ、１７ｂの先端に、絶縁材１９ａ、１９ｂを介して結合されている。絶縁材１９ａ、１９ｂは、第２電極１４を腕部１７ａ、１７ｂの先端に結合するためのジョイントである。
【００１５】
基板１１は、例えばシリコン基板２０と、シリコン基板２０上に形成されたシリコン酸化膜２１とで構成されている。
【００１６】
第１電極１２、第２電極１４、脚部１６ａ、１６ｂ、腕部１７ａ、１７ｂ、第３電極１８ａ、１８ｂ、は、例えばアルミニウムである。
【００１７】
絶縁膜１３は、基板１１の主面上と、第１電極１２の両側面と、第３電極１８ａ、１８ｂの上面および両側面と、脚部１６ａ、１６ｂの両側面の下部とにも形成されている。
【００１８】
第２電極１４がアクチュエータ部により駆動されて第１電極１２に密着すると、第１電極１２と第２電極１４が絶縁膜１３からなる容量を介して接続された状態となる。  
従って、絶縁膜１３は、比誘電率の大きな絶縁膜材料、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）、アルミニユム酸化膜（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸化膜（Ｔａ２Ｏ３）などが望ましい。
【００１９】
第１保護膜１５は、高融点金属膜、高融点金属の化合物膜で、例えばチタン（Ｔｉ）／窒化チタン（ＴｉＮ）の積層膜である。
【００２０】
アクチュエータ部を外部から保護し、アクチュエータ部の動作空間を確保するために、凹部を有する蓋体２２が、接着層（図示せず）を介して基板１１に固着され、空洞（以後、キャビティとも言う）２３が形成されている。
【００２１】
キャビティ２３内は、リンギングを抑制するために窒素あるいはアルゴンガスといった不活性ガスで充満されているか、高速動作を空気抵抗で阻害しないように低圧状態に保持されている。
【００２２】
アルミニウムは、３００℃以上の熱履歴が加えられると、表面のアルミニウムが凝縮してヒロックが発生し、表面が粗面化することが知られている。  
従って、電気部品１０の製造工程や、電気部品１０をパッケージする工程において、露出したアルミニウムの表面にヒロックが発生する。
【００２３】
具体的には、脚部１６ａ、１６ｂの上部、腕部１７ａ、１７ｂにヒロック２４ａ、２４ｂが発生する。第２電極１４の第１の面１４ａと反対の第２の面１４ｂにヒロック２５が発生する。
【００２４】
一方、第２電極１４の第１の面１４ａは、第１保護膜１５で覆われ、表面が露出していないので、ヒロックの発生を防止することが可能である。  
即ち、第１保護膜１５は、表面のアルミニウムの凝縮およびマイグレーションを防止するバリア膜として機能している。
【００２５】
図２は電気部品１０の動作を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図である。  
ここで、比較例とは、第１保護膜１５を有しない電気部品１０を意味している。始めに、比較例について説明する。
【００２６】
図２（ｂ）に示すように、比較例の電気部品３０は、第２電極１４の第１の面１４ａが露出しているので、電気部品３０の製造工程や、電気部品３０をパッケージする工程において、露出した第１の面１４ａにもヒロック３１が発生する。
【００２７】
アクチュエータ部の脚部１６ａ、１６ｂと第３電極１８ａ、１８ｂとの間に直流電圧を印加すると、静電引力により腕部１７ａ、１７ｂは第３電極１８ａ、１８ｂに引き寄せられて第２電極１４が駆動され、第１電極１２と第２電極１４との距離が変化する。
【００２８】
然し、第２電極１４は、第１の面１４ａにヒロック３１が発生して粗面化しているので、第１電極１２と密着できなくなり、静電容量の可変比が小さくなる。
【００２９】
一方、図２（ａ）に示すように、本実施例の電気部品１０は、第２電極１４の第１の面１４ａが第１保護膜１５で覆われ、ヒロックの発生を防止しているので、第２電極１４は第１電極１２と密着でき、静電容量の可変比が大きくなる。ここで、図２（ａ）においては、直流電圧を印加する回路図は省略している。
【００３０】
次に、電気部品１０の製造方法について説明する。図３乃至図５は電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図である。
【００３１】
始めに、図３（ａ）に示すように、基板１１の主面に、例えば真空蒸着法により厚さ１μｍ程度のアルミニウム膜を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂを形成する。
【００３２】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂを含む基板１１の主面上にコンフォーマルに、絶縁膜１３として、例えば例えば厚さ２００ｎｍのシリコン窒化膜と厚さ８ｎｍのアルミナ膜との積層膜を形成する。  
即ち、基板１１の主面と、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂの上面および両側面とに絶縁膜１３を形成する。
【００３３】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１電極１２、第３電極１８ａ、１８ｂ、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂを含む基板１１の主面上に犠牲膜４１、例えば厚さ１０μｍ程度の感光性ポリイミド膜を形成する。
【００３４】
次に、図４（ａ）に示すように、犠牲膜４１上に、例えばスパッタリング法により厚さ１００ｎｍ程度のＴｉ／ＴｉＮ積層膜を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、第１電極１２と対応する位置に第１保護膜１５を形成する。
【００３５】
次に、第１保護膜１５を含む犠牲膜４１上に、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂに対応する位置に開口を有するレジスト膜（図示せず）を形成し、レジスト膜をマスクとして、犠牲膜４１に酸素とＣＦ４の混合ガスを用いたプラズマ処理を施し、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂに到る貫通孔４２ａ、４２ｂを形成する。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト膜を、例えばアッシャーを用いて剥離した後、第１保護膜１５を含む犠牲膜４１上に、アルミニウム膜４３を形成し、貫通孔４２ａ、４２ｂを埋め込む。  
貫通孔４２ａ、４２ｂに埋め込まれたアルミニウムは、脚部１６ａ、１６ｂの下部４０ａ、４０ｂに接続され、脚部１６ａ、１６ｂの上部となる。
【００３７】
次に、図４（ｃ）に示すように、アルミニウム膜４３をフォトリソグラフィー法によりパターニングして、第２電極１４、アクチュエータ部の脚部１６ａ、１６ｂおよび腕部１７ａ、１７ｂを形成する。
【００３８】
次に、図５（ａ）に示すように、第２電極１４と、アクチュエータ部の腕部１７ａ、１７ｂを含む犠牲膜４１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、絶縁材１９ａ、１９ｂを形成する。  
これにより、分離された第２電極１４と、アクチュエータ部の腕部１７ａ、１７ｂとが絶縁材１９ａ、１９ｂを介して結合される。
【００３９】
絶縁材１９ａ、１９ｂは、第２電極１４と腕部１７ａ、１７ｂに結合するジョイントとして機能するので、機械的強度を維持するために緻密な膜であることが必要であり、そのためには、ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する温度は３５０〜４００℃程度になる。
【００４０】
このとき、表面が露出している第２電極１４の第２の面１４ｂに、表面のアルミニウムが凝縮してヒロック２５が発生する。  
同様に、表面が露出している腕部１７ａ、１７ｂに、表面のアルミニウムが凝縮してヒロック２４ａ、２４ｂが発生する。  
犠牲膜４１は、アルミニウムの凝集を抑える効果が少ないので、ヒロック２４ａ、２４ｂは、犠牲膜４１に接している腕部１７ａ、１７ｂの下面にも発生する。
【００４１】
一方、第２電極１４の第１の面１４ａは、第１保護膜１５で覆われているので、アルミニウムは凝集できず、ヒロックは発生しない。  
これにより、第２電極の下面が粗面化するのを防止し、平坦面を維持することが可能である。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、酸素とＣＦ４の混合ガスを用いて、基板温度１５０℃で１５分程度プラズマ処理を施し、犠牲膜４１エッチングする。  
これにより、絶縁膜１３で覆われた第１電極１２と、アクチュエータ部により駆動される第２電極１４とを有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタが得られる。
【００４３】
次に、図１に示すように、アクチュエータ部を覆う蓋体２２を、接着層（図示せず）を介して基板１１に固着することにより、ＭＥＭＳ可変容量キャパシタを有する電気部品１０が完成する。
【００４４】
以上説明したように、本実施例の電気部品１０は、熱履歴により第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのが防止するための第１保護膜１５を有している。  
その結果、電気部品１０の製造工程や、電気部品１０をパッケージする工程において、第２電極１４の第１の面１４ａにヒロックが発生するのが防止され、平坦な面が維持される。  
従って、高い可変比を有するＭＥＭＳ可変容量キャパシタを備えた電気部品１０が得られる。
【００４５】
ここでは、第２電極１４がアルミニウムである場合について説明したが、アルミニウムを主成分とする合金、例えばアルミニウムに少量のシリコンを添加したアルミニウム合金でも構わない。  
また、熱履歴によってヒロックが発生する金属、例えば金、金ニッケル合金、または白金などでも同様である。
【００４６】
第１保護膜１５が高融点金属Ｔｉ／ＴｉＮの積層膜である場合について説明したが、ＴｉまたはＴｉＮの単層膜でも構わない。  
更に、その他の高融点金属、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、およびその他の高融点金属の化合物、例えばタングステンシリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）などでも構わない。  
種々検討した結果、第１の保護膜１５として、高融点金属（周期律表のVａ〜VIIａ族の金属）を中心として、概ね２０００℃以上の融点を有する材料が適している。
【００４７】
更に、第２電極１４の第１の面１４ａが粗面化するのを防止できるものであればよく、絶縁膜、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ２）なども可能である。
【００４８】
第１保護膜１５が絶縁膜の場合は、出来るだけ誘電率の高い膜であることが望ましい。これは、第１電極１２と第２電極１４が密着したときの電極間の距離が大きくなる、あるいは容量が直列に形成されるので最大容量が低下し、容量の可変比の低下を抑制するためである。  
従って、目的の最大容量および容量の可変比が得られる範囲内において使用することが望ましい。
【実施例２】
【００４９】
本発明の実施例２に係る電気部品について図６および図７を用いて説明する。図６は電気部品を示す断面図、図７は電気部品の製造工程の要部を示す断面図である。  
本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。  
本実施例が実施例１と異なる点は、第２電極の第２の面に第２保護膜を形成したことにある。
【００５０】
即ち、図６に示すように、本実施例の電気部品５０は、第２電極１４の第２の面１４ｂに、熱履歴により第２電極１４の第２の面１４ｂが粗面化するのを防止するための第２保護膜５１、例えば第１保護膜１５と同じ材質の保護膜が形成されている。また、第２保護膜５１は第２電極１４の側面にも形成されている。
【００５１】
第１保護膜１５と、第２電極１４と、第２保護膜５１との３層構造にしたことにより、残留応力がバランスし、残留応力による反りの発生が防止されるので、第１電極１２と第２電極１４の密着性を更に高めることが可能である。
【００５２】
更に、第２電極１４の第２の面１４ｂに、ヒロックが発生するのを防止することができることは言うまでも無い。
【００５３】
即ち、図１に示す第２電極１４と第１保護膜１５の２層構造では、残留応力の違いによって反りが発生する。
【００５４】
一方、アルミニウムの両側を同じ膜構造を有するＴｉ／ＴｉＮ積層膜で挟むことにより、膜の厚さ方向の残留応力がバランスし、残留応力による反りの発生を防止することが可能である。具体的にはＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ／ＴｉＮという膜構造である。
【００５５】
次に、電気部品５０の製造方法について説明する。図７は電気部品５０の製造工程の要部を示す断面図である。
【００５６】
図３および図４に示す工程に従って、第１電極１２、第１保護膜１５、第２電極１４、アクチュエータ部、犠牲膜４１を形成した後、図７（ａ）に示すように、第２電極１４の第２の面１４ｂにＴｉ／ＴｉＮの積層膜を形成し、フオトリソグラフィー法によりパターニングして第２保護膜５１を形成する。
【００５７】
第２保護膜５１の膜厚は、第１保護膜１５と、第２電極１４と、第２保護膜５１との３層構造膜の厚さ方向の残留応力のバランスを保つために、第１保護膜１５の膜厚と等しくすることが望ましい。
【００５８】
次に、図７（ｂ）に示すように、第２電極１４と、アクチュエータ部の腕部１７ａ、１７ｂを含む犠牲膜４１上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によりシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、絶縁材１９ａ、１９ｂを形成する。
【００５９】
このとき、表面が露出している腕部１７ａ、１７ｂに、表面のアルミニウムが凝縮してヒロック２４ａ、２４ｂが発生する。一方、表面が第２保護膜５１で覆われている第２電極１４の第２の面１４ｂには、ヒロックが発生しない。
【００６０】
次に、図５（ｂ）に示す工程に従って、犠牲膜４１をエッチングし、アクチュエータ部を覆う蓋体２２を、接着層を介して基板１１に固着することにより、図６に示すＭＥＭＳ可変容量キャパシタを有する電気部品５０が完成する。
【００６１】
以上説明したように、本実施例の電気部品５０は、第２電極１４の第２の面１４ｂに形成された、第１保護膜１５と同じ材質の第２保護膜５１を具備している。  
その結果、第２電極１４の第２の面１４ｂにヒロックの発生が防止されるとともに、第１保護膜１５と、第２電極１４と、第２保護膜５１との３層構造により、残留応力がバランスし、残留応力による反りの発生が防止される。  
従って、第１電極１２と第２電極１４との密着性を、更に高めることができる利点がある。
【００６２】
ここでは、第２保護膜５１として、第１保護膜１５と同じ材質の膜を用いる場合について説明したが、絶縁膜、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを用いることも可能である。
【実施例３】
【００６３】
本発明の実施例３に係る電気部品について図８を用いて説明する。図８は電気部品を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００６４】
本実施例が実施例１と異なる点は、第２電極を一対の腕部の先端に直接結合したことにある。  
即ち、図８に示すように、本実施例の電気部品６０は、腕部１７ａ、１７ｂに直接結合された第２電極１４を具備している。
【００６５】
これにより、第２電極１４が絶縁膜１９ａ、１９ｂを介して腕部１７ａ、１７ｂに結合されている場合に比べて、電気部品６０の製造工程を簡単化することが可能である。  
ただし、第２電極１４はアクチュエータ部と絶縁されていないので、第２電極１４とアクチュエータ部とを同じ電位（ＧＮＤ）にして使用する場合に適する構造である。
【００６６】
以上説明したように、本実施例の電気部品６０は、腕部１７ａ、１７ｂに直接結合された第２電極１４を具備している。これにより、電気部品６０の製造工程が簡単になる利点がある。
【００６７】
ここでは、第２電極１４の第２の面１４ｂが露出している場合について説明したが、図６に示すように第２の面１４ｂに第１保護膜１５と同じ材質の第２保護膜を形成しても構わない。また、熱膨張係数がアルミニウムより小さい絶縁膜を形成することも可能である。
【００６８】
上述した実施例においては、第２電極１５が直接または絶縁材１９ａ、１９ｂを介して腕部１７ａ、１７ｂに結合されたブリッジ状のアクチュエータ部について説明したが、第２電極１５がどちらか一方の腕部に直接または絶縁材を介して結合された片持ち梁状のアクチュエータ部であっても構わない。
【００６９】
ＭＥＭＳ可変容量キャパシタが静電駆動型である場合について説明したが、圧電駆動型のＭＥＭＳ可変容量キャパシタであっても構わない。  
この場合は、一対の電極膜に挟まれた圧電膜を有する腕部を備えた圧電アクチュエータを形成する。
【００７０】
また、第１電極１２の第１の面１２ａに形成された絶縁膜１３を除去し、第１電極１２と第２電極１４の第１の面１４ａに形成された第１保護膜１５とを直接密着させることにより、電気的にオンオフできるＭＥＭＳスイッチとすることも可能である。  
これによれば、コンタクト抵抗の小さいＭＥＭＳスイッチが得られる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施例１に係る電気部品を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る電気部品の動作を比較例と対比して示す図で、図２（ａ）が本実施例を示す図、図２（ｂ）が比較例を示す図。
【図３】本発明の実施例１に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。
【図５】本発明の実施例１に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。
【図６】本発明の実施例２に係る電気部品を示す断面図。
【図７】本発明の実施例２に係る電気部品の製造工程の要部を順に示す断面図。
【図８】本発明の実施例３に係る電気部品を示す断面図。
【符号の説明】
【００７２】
１０、３０、５０、６０  電気部品
１１  基板
１２  第１電極
１２ａ、１４ａ  第１の面
１３  絶縁膜
１４  第２電極
１４ｂ  第２の面
１５  第１保護膜
１６ａ、１６ｂ  脚部
１７ａ、１７ｂ  腕部
１８ａ、１８ｂ  第３電極
１９a、１９ｂ  絶縁材
２０  シリコン基板
２１  シリコン酸化膜
２２  蓋体
２３  空洞（キャビティ）
２４ａ、２４ｂ、２５、３１  ヒロック
４０ａ、４０ｂ  脚部の下部
４１  犠牲膜
４２ａ、４２ｂ  貫通孔
４３  アルミニウム膜
５１  第２保護膜
【図１】
2009253155.tif 000003
【図２】
2009253155.tif 000004
【図３】
2009253155.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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