(57)【要約】【課題】ｐ型基板に形成される半導体レーザにおいて、活性層に注入される電子に対する障壁を低減可能な構造を有する半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体レーザによれば、ＩｎＰ半導体からなる埋込半導体層１９とｎ型ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層２３との間にIII−Ｖ族化合物半導体層２１が設けられる。III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。従って、このバンドオフセットに起因する第２クラッド層２３から量子細線１７ａを含む活性層への電子の移動に対する障壁を低減できる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型半導体基板上に設けられ、ｐ型半導体からなる第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に設けられた第１光閉じ込め層と、
周期的に配列された複数の量子井戸または量子細線を含み、前記第１光閉じ込め層上に設けられた活性層と、
前記複数の量子井戸または量子細線の間に設けられた第１のＩｎＰ半導体領域と、前記量子井戸または量子細線上及び前記第１のＩｎＰ半導体領域上に設けられた第２のＩｎＰ半導体領域とを含む埋込半導体層と、
III族構成元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素並びにＶ族構成元素としてＡｓ元素を含み、前記埋込半導体層上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層と、
ｎ型ＩｎＰ半導体から成り、前記III−Ｖ族化合物半導体層上に設けられた第２クラッド層と
を備えることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記III−Ｖ族化合物半導体層は、１０５０ｎｍ以上且つ１１５０ｎｍ以下のバンドギャップ波長を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記ｐ型半導体基板はＩｎＰ半導体からなり、前記III−Ｖ族化合物半導体層は、ＩｎＰ半導体にほぼ格子整合することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記III−Ｖ族化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記III−Ｖ族化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体から成ることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
非特許文献１には、量子細線を含む半導体レーザが記載されている。この半導体レーザは、第１クラッド層上に設けられたｐ型ＳＣＨ層、ｐ型ＳＣＨ層上に設けられた活性層、活性層上に設けられたｎ型ＳＣＨ層及びこのｎ型ＳＣＨ層上に設けられたｎ型クラッド層を有する。活性層は、ＩｎＰ半導体により埋め込まれた多重量子細線を有する。ｎ型ＳＣＨ層はＧａＩｎＡｓＰ半導体からなり、ｎ型クラッド層はＩｎＰ半導体からなる。
【非特許文献１】Journal on selected topics in quantum electronics vol.7, no2, 2001pp.249-pp.258 N.Nunoya et al “High-performance 1.55-μm wavelength GaInAsP-InP distributed-feedbacklasers with wirelike active regions.”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
非特許文献１に記載される半導体レーザはｐ型基板に形成されている。ｎ型ＳＣＨ層のバンドギャップは、ＩｎＰ半導体埋込層及びｎ型クラッド層のバンドギャップより小さい。このため、ｎ型ＳＣＨ層の伝導帯のエネルギレベルは、ＩｎＰ半導体埋込層及びｎ型クラッド層の伝導帯のエネルギレベルより低い。また、ｎ型ＳＣＨ層は、活性層の量子細線を埋め込むＩｎＰ半導体埋込層とｎ型クラッド層との間に設けられているので、ＩｎＰ半導体埋込層及びｎ型クラッド層の伝導帯とｎ型ＳＣＨ層の伝導帯との境界にそれぞれバンドオフセットが生じる。このバンドオフセットは、活性層に注入される電子に対する障壁となる。この課題は、量子細線の代わりに量子井戸構造を有する活性層を備えた半導体レーザにおいても同様に生じる。
【０００４】
本発明は、上記した問題点に鑑みてなされたものであり、活性層に注入される電子に対する障壁を低減可能な構造を有する半導体レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体レーザは、ｐ型半導体基板上に設けられ、ｐ型半導体からなる第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１光閉じ込め層と、周期的に配列された複数の量子井戸または量子細線を含み、第１光閉じ込め層上に設けられた活性層と、複数の量子井戸または量子細線の間に設けられた第１のＩｎＰ半導体領域と、量子井戸または量子細線上及び第１のＩｎＰ半導体領域上に設けられた第２のＩｎＰ半導体領域とを含む埋込半導体層と、III族構成元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素並びにＶ族構成元素としてＡｓ元素を含み、埋込半導体層上に設けられたIII−Ｖ族化合物半導体層と、ｎ型ＩｎＰ半導体から成り、III−Ｖ族化合物半導体層上に設けられた第２クラッド層とを備えることを特徴とする。
【０００６】
この半導体レーザによれば、ＩｎＰ半導体からなる埋込半導体層とｎ型ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層との間にIII−Ｖ族化合物半導体層が設けられる。埋込半導体層の伝導帯及び第２クラッド層の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層の伝導帯とにはバンドオフセットがある。III−Ｖ族化合物半導体層は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層の伝導帯及び第２クラッド層の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。従って、このバンドオフセットに起因する第２クラッド層から活性層への電子の移動に対する障壁を低減できる。
【０００７】
本発明に係る半導体レーザでは、III−Ｖ族化合物半導体層は、１０５０ｎｍ以上且つ１１５０ｎｍ以下のバンドギャップ波長を有することを特徴とする。この半導体レーザによれば、III−Ｖ族化合物半導体層が上記のバンドギャップ波長を有することにより、III−Ｖ族化合物半導体層の伝導帯と埋込半導体層の伝導帯とのバンドオフセット量は、３０ｍｅＶ以下となることができる。従って、素子抵抗の低減が可能となる。
【０００８】
本発明に係る半導体レーザでは、ｐ型半導体基板はＩｎＰ半導体からなり、III−Ｖ族化合物半導体層は、ＩｎＰ半導体にほぼ格子整合することを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る半導体レーザでは、III−Ｖ族化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成ることが好ましい。また、本発明に係る半導体レーザでは、III−Ｖ族化合物半導体層は、ＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体から成ることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、活性層に注入される電子に対する障壁を低減可能な構造を有する半導体レーザが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体レーザに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１２】
図１は、本実施の形態に係る半導体レーザの構造の概略を示す斜視図である。半導体レーザ１０は、半導体基板１１を含む。半導体基板１１はｐ型半導体からなる。このｐ型半導体は、例えばｐ型ＩｎＰ半導体であることができる。また、このｐ型半導体のキャリア濃度は、例えば５×１０１８ｃｍ−３であることができる。
【００１３】
半導体基板１１の主面１１ａ上には、半導体メサ１２が設けられている。この半導体メサ１２は、第１クラッド層１３、第１光閉じ込め層１５、活性層１７及びIII−Ｖ族化合物半導体層２１を含む。半導体メサ１２はストライプ状であり、その側面が埋め込み領域３３によって埋め込まれている。また、半導体メサ１２に含まれる活性層１７のＺ軸方向の幅は、１μｍ程度であることができる。
【００１４】
図２は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。図２を参照しながら半導体メサ１２の構造を説明する。
【００１５】
半導体基板１１の主面１１ａ上には、第１クラッド層１３が設けられている。第１クラッド層１３は、例えばｐ型ＩｎＰ半導体であることができる。この第１クラッド層１３のｐ型半導体のキャリア濃度は、例えば１×１０１８ｃｍ−３であることができる。また、第１クラッド層１３の厚さは、例えば１μｍであることができる。
【００１６】
第１クラッド層１３上には、第１光閉じ込め層１５が設けられている。第１光閉じ込め層１５は、例えばｐ型ＧａＩｎＡｓＰ半導体であることができる。このｐ型ＧａＩｎＡｓＰ半導体のキャリア濃度は例えば５×１０１７ｃｍ−３であることができ、バンドギャップ波長は例えば１．２μｍであることができる。また、第１光閉じ込め層１５は、例えばｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体等であることができる。第１光閉じ込め層１５の厚さは、例えば１７５ｎｍである。好ましくは、第１光閉じ込め層１５の厚さは、５０ｎｍ以上であることができる。この厚さにより、高い光閉じ込めを実現し、駆動電流を低減させることが可能である。また、第１光閉じ込め層１５の厚さは、２００ｎｍ以下であることができる。この厚さにより、十分低い素子抵抗を実現することができる。
【００１７】
活性層１７は複数の量子細線または量子井戸の配列を含んでいる。量子細線を用いた一実施例を示すと、第１光閉じ込め層１５上には、Ｘ軸方向に周期的に配列された複数の量子細線１７ａが設けられている。量子細線１７ａのＸ軸方向の幅は、例えば３０ｎｍ程度である。この周期構造によって、活性層の利得がＸ軸方向で周期的に変調されるため、所謂利得結合型のＤＦＢ型半導体レーザとして機能させることができる。発光波長が１．５５μｍの場合、この周期は２４０ｎｍ程度にすることができる。この量子細線１７ａは、交互に配列された障壁層１７ｂ及び井戸層１７ｃを含む。障壁層１７ｂは、例えばアンドープＧａＩｎＡｓＰ半導体からなり、厚さ１０ｎｍを有し、バンドギャップ波長１．２μｍを有することができる。井戸層１７ｃは、例えばアンドープＧａＩｎＡｓＰ半導体からなり、厚さ５ｎｍを有し、発光波長１．５５μｍを有することができる。量子細線１７ａは、例えば５層からなり、圧縮歪み１．０％であることができる。障壁層１７ｂと井戸層１７ｃとの他の材料の組み合わせとしては、ＩｎＰ障壁層とＧａＩｎＡｓＰ井戸層、ＡｌＧａＩｎＡｓ障壁層とＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層などが例示される。なお、活性層１７は、量子細線１７ａの代わりに、量子井戸を含むことができる。量子井戸のＸ軸方向の幅は、量子細線１７ａのＸ軸方向の幅よりも大きい。量子井戸のＸ軸方向の幅は、例えば１００ｎｍ程度である。量子井戸は、交互に配列された障壁層及び井戸層を含む。この障壁層及び井戸層は、量子細線１７ａの障壁層１７ｂ及び井戸層１７ｃと同様の材料及び厚みを有する。
【００１８】
埋込半導体層１９は、複数の量子細線１７ａの間に設けられた第１のＩｎＰ半導体領域１９ａと、該第１のＩｎＰ半導体領域１９ａ上及び量子細線１７ａ上に設けられた第２のＩｎＰ半導体領域１９ｂとを含む。埋込半導体層１９は、例えばノンドープＩｎＰ半導体からなる。このノンドープＩｎＰ半導体のキャリア濃度は、例えば１×１０１７ｃｍ−３未満である。量子細線１７ａ上において、埋込半導体層１９の厚さｄは、例えば１０ｎｍである。好ましくは、この厚さｄは、１０ｎｍ以上であることができる。この厚さにより、安定した製造が可能となる。また、この厚さｄは、５０ｎｍ以下であることができる。この厚さにより、良好な光閉じ込めを実現することができる。
【００１９】
埋込半導体層１９上には、III−Ｖ族化合物半導体層２１が設けられている。III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなり、例えばｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓＰ半導体からなる。これらｎ型半導体のキャリア濃度は例えば５×１０１７ｃｍ−３であることができ、バンドギャップ波長は１．１μｍであることができる。このIII−Ｖ族化合物半導体層２１の厚さは、例えば１５０ｎｍである。好ましくは、III−Ｖ族化合物半導体層２１の厚さは、５０ｎｍ以上であることができる。この厚さにより、高い光閉じ込めを実現し、駆動電流を低減させることが可能となる。また、III−Ｖ族化合物半導体層２１の厚さは、２００ｎｍ以下であることができる。この厚さにより、十分低い素子抵抗を実現することができる。
【００２０】
III−Ｖ族化合物半導体層２１の屈折率は、量子細線１７ａの内の井戸層１７ｃの屈折率より小さく、且つ第２クラッド層２３の屈折率より大きいことが好ましい。故に、III−Ｖ族化合物半導体層２１は、光閉じ込め層としての機能を有する。
【００２１】
III−Ｖ族化合物半導体層２１の材料が含むＡｌ元素、Ｇａ元素、Ｉｎ元素及びＡｓ元素の組成により、III−Ｖ族化合物半導体層２１は、半導体基板１１のＩｎＰ半導体との格子不整合度Δａ／ａが０．２％以内の範囲で変更されることができる。故に、ＩｎＰ半導体からなる半導体基板１１とIII−Ｖ族化合物半導体層２１とをほぼ格子整合させることができる。なお、格子不整合度Δａ／ａは、半導体基板１１のＩｎＰ半導体の格子定数に対する、当該ＩｎＰ半導体の格子定数とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の格子定数との差の割合である。
【００２２】
ここで再び図１を参照する。III−Ｖ族化合物半導体層２１上及び埋め込み領域３３上には第２クラッド層２３が設けられている。第２クラッド層２３は、例えばｎ型ＩｎＰ半導体であることができる。このｎ型ＩｎＰ半導体のキャリア濃度は、例えば１×１０１８ｃｍ−３であることができる。第２クラッド層２３の厚さは、例えば１．５μｍである。好ましくは、第２クラッド層２３の厚さは、１．０μｍ以上であることができる。クラッド層として有効に活性層に光を閉じ込めるためである。また、第２クラッド層２３の厚さは、２．０μｍ以下であることができる。第２クラッド層２３の厚さが２．０μｍ以上の場合は素子の直列抵抗が無視できない程度に大きくなるからである。
【００２３】
第２クラッド層２３上には、コンタクト層２５が設けられている。コンタクト層２５は、例えばｎ型ＧａＩｎＡｓ半導体からなる。コンタクト層２５のｎ型半導体のキャリア濃度は、例えば１×１０１９ｃｍ−３であることができる。コンタクト層２５の厚さは、例えば４００ｎｍである。
【００２４】
コンタクト層２５上には、絶縁膜３５が設けられている。絶縁膜３５は、半導体メサ１２の上面に位置する開口を有する。絶縁膜３５の該開口内及び絶縁膜３５上には、第１の電極３７が設けられており、この第１の電極３７はカソードである。第１の電極３７は該開口を介してコンタクト層２５にオーミック接触を成している。半導体基板１１の裏面１１ｂには第２の電極３９が設けられており、この第２の電極３９はアノードである。第２の電極３９は半導体基板１１の裏面１１ｂの全面とオーミック接触を成している。
【００２５】
図３（ａ）は、半導体レーザ１０の各層及び領域を示す図である。図３（ｂ）は、図１及び図２に示した半導体レーザ１０におけるバンド構造を図３（ａ）に示す半導体レーザ１０の各層及び領域に対応付けて示す図である。シンボルＥＣ１は、埋込半導体層１９の伝導帯のエネルギレベルを示す。シンボルＥＣ２は、III−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯のエネルギレベルを示す。シンボルＥＣ３は、第２クラッド層２３の伝導帯のエネルギレベルを示す。シンボルΔＥＣ１２は、埋込半導体層１９の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とのバンドオフセットを示す。シンボルΔＥＣ２３は、III−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯と第２クラッド層２３の伝導帯とのバンドオフセットを示す。
【００２６】
III−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯のエネルギレベルＥＣ２が埋込半導体層１９の伝導帯のエネルギレベルＥＣ１及び第２クラッド層２３の伝導帯のエネルギレベルＥＣ３に近づき、バンドオフセットΔＥＣ１２、ΔＥＣ２３が小さく出来る場合には、埋込半導体層１９は第２クラッド層２３から活性層に向かって移動する電子ｅの障壁となることなく、素子抵抗が小さくなる。
【００２７】
本実施の形態では、III−Ｖ族化合物半導体層２１はＡｌ元素、Ｇａ元素、Ｉｎ元素及びＡｓ元素を含む材料から成るので、III−Ｖ族化合物半導体層２１のバンドギャップ波長は、１０５０ｎｍ以上であることができ、また１１５０ｎｍ以下であることができる。このようにIII−Ｖ族化合物半導体層２１の組成を調整することにより、バンドオフセットΔＥＣ１２を３０ｍｅＶ以下にでき、またバンドオフセットΔＥＣ２３を約３０ｍｅＶ以下にできる。バンドオフセットを小さくすることにより、第２クラッド層２３から活性層に向かって移動する電子ｅに対しての埋込半導体層１９の障壁が低減されるので、素子抵抗を低減できる。ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなるIII−Ｖ族化合物半導体層２３を備える半導体レーザの素子抵抗は、ＧａＩｎＡｓＰ半導体からなるIII−Ｖ族化合物半導体層２３を備える半導体レーザの素子抵抗と比べて約１０％低い。
【００２８】
以上に述べたように本実施の形態においては、ＩｎＰ半導体からなる埋込半導体層１９とｎ型ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層２３との間に、Ａｌ元素、Ｇａ元素、Ｉｎ元素及びＡｓ元素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層２１が設けられる。この材料から成るIII−Ｖ族化合物半導体層２１により、埋込半導体層１９及び第２クラッド層２３によって挟まれたIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯におけるバンドオフセットを３０ｍｅＶ以下程度に小さくすることができる。従って、活性層に注入される電子に対する障壁を低減することができ、故に、素子抵抗を低減できる。
【００２９】
次に、図４及び図５を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体レーザを作製する方法の工程の一例を説明する。
【００３０】
図４（ａ）に示されるように、ｐ型半導体からなる半導体基板５１上に、ｐ型ＩｎＰ半導体からなる第１クラッド層５３及びｐ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる第１光閉じ込め層５５を順にエピタキシャル成長する。次いで、第１光閉じ込め層５５上にとを交互に成長して多重量子井戸５７を形成する。これらの成長は、例えば有機金属気相成長法により行われる。障壁層５７ｂは、例えばアンドープＧａＩｎＡｓＰ半導体層であり、井戸層５７ｃは、例えばアンドープＧａＩｎＡｓＰ半導体層である。
【００３１】
図４（ｂ）に示されるように、多重量子井戸層５７上に、例えばＳｉＯ２といった酸化シリコンからなる絶縁膜５９を形成する。この形成は、例えばプラズマＣＶＤ法で行われる。次いで、絶縁膜５９上にレジスト膜６１を形成する。この形成は、電子ビーム露光用レジストの塗布により行なわれる。
【００３２】
図４（ｃ）に示されるように、絶縁膜５９上にレジストマスク６３を形成する。この形成は、レジスト膜６１を電子ビーム露光法により露光して、現像することによって行なわれる。レジストマスク６３は、周期的に配列された複数の細線パターンを有する。レジストマスク６３は、周期的に配列された複数の細線を絶縁膜５９に形成するために用いられる。
【００３３】
図４（ｄ）に示されるように、レジストマスク６３を用いて絶縁膜５９をエッチングし、絶縁体マスク６５を多重量子井戸５７上に形成する。このエッチングは、例えば、ＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いることができ、レジストマスク６３の形状が絶縁体マスク６５に転写される。エッチングの後にレジストマスク６３を除去して、周期的に配列された複数の量子細線６７を形成するための絶縁体マスク６５を形成する。
【００３４】
図５（ａ）に示されるように、絶縁体マスク６５を用いて多重量子井戸層５７をエッチングし、複数の量子細線６７を形成する。このエッチングの一例では、ＣＨ４／Ｈ２を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。ドライエッチングによる損傷層を除去するために、ドライエッチングが終了した後にウェットエッチングを行う。このエッチングは、例えば硫酸系の溶液を用いる。
【００３５】
図５（ｂ）に示されるように、ウェットエッチングの後、絶縁体マスク６５を除去する。例えば、シリコン酸化物からなるマスクはバッファードフッ酸によるエッチングで除去される。
【００３６】
図５（ｃ）に示されるように、エッチングの後に、ＩｎＰ半導体からなる埋込半導体層６９を成長して、量子細線６７を埋め込む。成長される埋込半導体層６９の厚さを、量子細線６７の上面の高さに揃えるように厳格に制御することは容易ではないので、埋込半導体層６９は、各量子細線６７の側面及び第１光閉じ込め層５５上だけではなく、各量子細線６７上にも一体に形成される。
【００３７】
図５（ｄ）に示されるように、埋込半導体層６９上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなるIII−Ｖ族化合物半導体層７１を成長する。次いで、III−Ｖ族化合物半導体層７１上に、ｎ型ＩｎＰ半導体からなる第２クラッド層７３を成長する。この後に、第２クラッド層７３上にコンタクト層７５を成長する。
【００３８】
本実施の形態に係る半導体レーザは以上説明したように作製されるので、埋込半導体層６９は量子細線６７上にも設けられる。この埋込半導体層６９とIII−Ｖ族化合物半導体層７１との価電子帯のバンドオフセットは、伝導帯のバンドオフセットに比べて大きい。III−Ｖ族化合物半導体層７１は、第２クラッド層７３と活性層７７との間に位置するので、この価電子帯のバンドオフセットは第１クラッド層５３から活性層７７へのホールの移動に対する障壁とはならない。本実施の形態においては、半導体基板５１がｐ型半導体からなり、埋込半導体層６９が量子細線６７上に設けられるので、価電子帯に大きいバンドオフセットを提供する埋込半導体層６９は、ホールのオーバフローを防止する。さらに、既に説明したように、伝導帯のバンドオフセットは活性層７７への電子の注入の障壁とはならない。なお、本実施形態では、活性層に周期的に配置された量子細線６７を含む場合について述べたが、この量子細線６７の代わりに量子井戸構造を含むように形成しても同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る半導体レーザの構造の概略を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図３】図３（ａ）は、半導体レーザの各層及び領域を示す図である。図３（ｂ）は、図１及び図２に示した半導体レーザにおけるバンド構造を図３（ａ）に示す半導体レーザの各層及び領域に対応付けて示す図である。
【図４】図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）は、半導体レーザの作製工程を示す図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）及び図５（ｄ）は、半導体レーザの作製工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…半導体レーザ，１１，５１…半導体基板，１２…半導体メサ，１３，５３…第１クラッド層，１５，５５…第１光閉じ込め層，１７，７７…活性層，１７ａ，６７…量子細線，１７ｂ，６７ｂ…障壁層，１７ｃ，６７ｃ…井戸層，１９，６９…埋込半導体層，２１，７１…III−Ｖ族化合物半導体層，２３，７３…第２クラッド層，２５，７５…コンタクト層，３３…埋め込み領域，３５…絶縁膜，３７…第１の電極，３９…第２の電極，５７…多重量子井戸。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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