(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体ウエハの厚さを薄くするとともに、半導体ウエハを分離して個々の半導体装置に分離する半導体装置の製造方法において、個片化された半導体装置の側面に保護テープの粘着材残渣が発生しにくいようにする。【解決手段】ダイシングストリート２２に沿って封止膜１１の上面側から半導体ウエハ２１の途中に達するまでのストレート状の第１の溝２４を形成するともに、ダイシングストリート２２およびその両側の領域における封止膜１１に断面ほぼＶ字状の第２の溝２６を形成する。次に、封止膜１１上に粘着材２８を有する保護テープ２７を貼り付ける。次に、半導体ウエハ２１の裏面を少なくとも第１の溝２４が露呈するまで研削する。この後、保護テープ２７を剥離する。この場合、断面ほぼＶ字状の第２の溝２６の傾斜面に粘着材残渣が残りにくいようにすることができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数の突起電極が形成され、前記突起電極の周囲に封止膜が形成された半導体装置において、少なくとも前記封止膜の上部の側面が傾斜面となっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記突起電極上に半田ボールが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体ウエハ上に複数の突起電極が形成され、前記突起電極の周囲に封止膜が形成されたものを用意する工程と、
ダイシングストリートに沿って前記封止膜の上面側から前記半導体ウエハの途中に達するまでのストレート状の第１の溝を形成するともに、前記第１の溝の上方に、前記ダイシングストリートの両側における少なくとも前記封止膜の上部が前記ダイシングストリート側に向かって下降する傾斜状とされた第２の溝を形成する工程と、
前記封止膜上に粘着材を有する保護テープを貼り付ける工程と、
前記半導体ウエハの裏面を前記第１の溝が露呈するまで研削する工程と、
前記保護テープを剥離する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記保護テープの粘着材は紫外線硬化型であり、前記封止膜上に前記保護テープを貼り付けた状態では前記粘着材は未硬化状態であり、前記保護テープを剥離する前に、前記粘着材を紫外線の照射により硬化させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記粘着材を硬化させた後に、前記半導体ウエハの裏面にピックアップテープを貼り付け、この後、前記保護テープを剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の発明において、前記第１、第２の溝を形成する前に、前記突起電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造方法には、半導体基板の厚さを薄くして装置全体の厚さを薄くするため、ウエハ状態の半導体基板（以下、半導体ウエハという）の裏面を研削するようにした方法がある（例えば、特許文献１参照）。この場合、まず、半導体ウエハの表面側においてダイシングストリートに対応する部分にその裏面まで達しないストレート状の溝を形成する。次に、半導体ウエハの表面に保護テープを貼り付ける。
【０００３】
次に、半導体ウエハの裏面を少なくとも溝が露呈するまで研削し、これにより、半導体ウエハの厚さを薄くするとともに、半導体ウエハを分離して個々の半導体装置に分離する。次に、分離された複数の半導体装置の裏面に支持テープを貼り付ける。次に、分離された複数の半導体装置の表面から保護テープを剥離している。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−７６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来の半導体装置の製造方法では、表面にストレート状の溝が形成された半導体ウエハの表面に保護テープを貼り付けているので、保護テープの粘着材の一部がストレート状の溝内に入り込み、保護テープを剥離するとき、ストレート状の溝内に入り込んだ粘着材が保護テープの粘着材から切り離されてそのまま残り、個片化された半導体装置の側面に粘着材残渣として残りやすい。このような半導体装置を回路基板上に実装したとき、その側面に残った粘着材残渣が脱落すると、回路基板上での短絡や断線の原因となってしまう。
【０００６】
そこで、この発明は、個片化された半導体装置の側面に粘着材残渣が発生しにくいようにすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板上に複数の突起電極が形成され、前記突起電極の周囲に封止膜が形成された半導体装置において、少なくとも前記封止膜の上部の側面が傾斜面となっていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記突起電極上に半田ボールが形成されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ上に複数の突起電極が形成され、前記突起電極の周囲に封止膜が形成されたものを用意する工程と、ダイシングストリートに沿って前記封止膜の上面側から前記半導体ウエハの途中に達するまでのストレート状の第１の溝を形成するともに、前記第１の溝の上方に、前記ダイシングストリートの両側における少なくとも前記封止膜の上部が前記ダイシングストリート側に向かって下降する傾斜状とされた第２の溝を形成する工程と、前記封止膜上に粘着材を有する保護テープを貼り付ける工程と、前記半導体ウエハの裏面を前記第１の溝が露呈するまで研削する工程と、前記保護テープを剥離する工程と、を含むことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の発明において、前記保護テープの粘着材は紫外線硬化型であり、前記封止膜上に前記保護テープを貼り付けた状態では前記粘着材は未硬化状態であり、前記保護テープを剥離する前に、前記粘着材を紫外線の照射により硬化させる工程を有することを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項４に記載の発明において、前記粘着材を硬化させた後に、前記半導体ウエハの裏面にピックアップテープを貼り付け、この後、前記保護テープを剥離することを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の発明において、前記第１、第２の溝を形成する前に、前記突起電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、封止膜上に粘着材を有する保護テープを貼り付けた状態において、粘着材が傾斜状の第２の溝内に入り込んでも、この第２の溝の傾斜面における剥離角度が緩くなり、したがって第２の溝の傾斜面に粘着材残渣として残りにくいようにすることができ、ひいては個片化された半導体装置の側面に粘着材残渣が発生しにくいようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１はこの発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２が集積回路に接続されて設けられている。
【００１０】
接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜３が設けられ、接続パッド２の中央部は絶縁膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。絶縁膜３の上面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜５が設けられている。絶縁膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１１】
保護膜５の上面には配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅等からなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部は、絶縁膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されている。
【００１２】
配線７の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極（突起電極）１０が設けられている。配線７を含む保護膜５の上面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１１がその上面が柱状電極１０の上面と面一となるように設けられている。封止膜１１の側面全体は傾斜面１２となっている。柱状電極１０の上面には半田ボール１３が設けられている。
【００１３】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド２、酸化シリコン等からなる絶縁膜３、ポリイミド系樹脂等からなる保護膜５、配線７（銅等からなる下地金属層８および銅からなる上部金属層９）、銅からなる柱状電極１０、エポキシ系樹脂等からなる封止膜１１および半田ボール１３が形成されたものを用意する。
【００１４】
この場合、半導体ウエハ２１の各半導体装置が形成される領域には所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド２はそれぞれ対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。また、半導体ウエハ２１の厚さは、図１に示すシリコン基板１の厚さよりもある程度厚くなっている。また、封止膜１１の上面は平坦となっている。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートに対応する領域である。ダイシングストリート２２は、半導体ウエハ２１に格子状に設けられており、図２に図示された方向とは直交する方向、すなわち、紙面と平行な方向にも設けられている。
【００１５】
次に、図３に示すように、第１のダイシングブレード２３を用意する。この第１のダイシングブレード２３は円盤状の砥石からなり、その厚さはダイシングストリート２２の幅に応じた厚さであり、その刃先の断面形状はほぼコ字形状（あるいはほぼＵ字形状）となっている。
【００１６】
そして、この第１のダイシングブレード２３を用いて、ダイシングストリート２２に沿って、封止膜１１の上面側から半導体ウエハ２１の途中までハーフカットし、すなわち、封止膜１１、保護膜５および絶縁膜３をフルカットとし、且つ、半導体ウエハ２１をハーフカットし、ストレート状の第１の溝２４を形成する。この場合、第１の溝２４の幅はダイシングストリート２２の幅と同じである。
【００１７】
第１のダイシングブレード２３による封止膜１１の上面側から半導体ウエハ２１の途中までのハーフカットは、すべてのダイシングストリート２２に沿って行うもので、紙面と平行なダイシングストリート２２に沿う方向にも行い、各集積回路の周囲に第１の溝２４を形成する。
【００１８】
次に、図４に示すように、第２のダイシングブレード２５を用意する。この第２のダイシングブレード２５は厚さが第１のダイシングブレード２３よりも厚い円盤状の砥石からなり、その刃先の断面形状はほぼＶ字形状となっている。そして、この第２のダイシングブレード２５を用いて、ダイシングストリート２２およびその両側の領域における封止膜１１の上面側をカットし、断面ほぼＶ字形状の第２の溝２６を形成する。すなわち、第１の溝２４の上方に、ダイシングストリート２２の両側における封止膜１１の上部がダイシングストリート２２側に向かって下降する傾斜状とされた第２の溝２６を形成する
【００１９】
ここで、第２のダイシングブレード２５の刃先の傾斜角度は、図４では４５°として図示しているが、３０〜６０°の範囲内であればよい。また、第２のダイシングブレード２５による切り込み深さは、半導体ウエハ２１の上面まで達しない程度でもよく、図４では封止膜１１の厚さ方向全体のみに第２の溝２６が形成された、として図示している。したがって、この状態では、封止膜１１の側面全体には、図１において符号１２で示す傾斜面が形成されている。
【００２０】
ところで、断面ほぼＶ字形状の第２の溝２６の深さをある程度以上に深くすると、第２のダイシングブレード２５で配線７を傷付けるおそれがあり、好ましくない。また、断面ほぼＶ字形状の第２の溝２６の深さをある程度以上に深くするため、第２のダイシングブレード２５の厚さを厚くすると、第２のダイシングブレード２５で半田ボール１３を傷付けるおそれがあり、これまた好ましくない。ただし、このような危惧が生じない場合には、半導体ウエハ２１の上面まで切り込んで第２の溝２６を形成するようにしてもよい。
【００２１】
第２のダイシングブレード２５による封止膜１１あるいは封止膜１１およびその下方の層のカットは、すべてのダイシングストリート２２に沿って行うもので、紙面と平行なダイシングストリート２２に沿う方向にも行い、各集積回路の周囲における第１の溝２４の上方に第２の溝２６を形成する。
【００２２】
次に、図５に示すように、半田ボール１３を含む封止膜１１の上面に、保護テープ２７の下面に設けられた紫外線硬化型で未硬化状態の粘着材２８を貼り付ける。この場合、粘着材２８の厚さは半田ボール１３の高さよりも厚くなっている。したがって、この状態では、半田ボール１３は粘着材２８によって完全に覆われている。また、粘着材２８は第２の溝２６内に適宜に入り込む。
【００２３】
次に、図６に示すように、半導体ウエハ２１の下面（裏面）を少なくとも第１の溝２４が露呈するまで研削砥石（図示せず）を用いて研削する。すると、半導体ウエハ２１の厚さが薄くなり、且つ、半導体ウエハ２１が個々のチップに分離されることにより、全体としても第１、第２の溝２４、２６により分離されて個片化されるが、各個片化された半導体装置の半田ボール１３を含む封止膜１１の上面が粘着材２８を介して保護テープ２７に粘着されているので、各個片化された半導体装置がバラバラになることはない。
【００２４】
次に、図７に示すように、保護テープ２７の上面側から紫外線を照射し、粘着材２８を硬化させる。次に、図８に示すように、各個片化された半導体装置の半導体ウエハ２１の下面を、ピックアップテープ（支持テープ）２９の上面に設けられた粘着材３０の上面に貼り付ける。
【００２５】
次に、各個片化された半導体装置の半田ボール１３を含む封止膜１１の上面から粘着材２８を保護テープ２７と共に剥離する（図９参照）。この場合、断面ほぼＶ字状の第２の溝２６内に適宜に入り込んだ粘着材２８を硬化させた後に剥離しているので、その剥離角度が緩くなり、第２の溝２６の傾斜面に粘着材残渣として残りにくいようにすることができる。
【００２６】
次に、各個片化された半導体装置をピックアップテープ２９の粘着材３０上からピックアップすると、図１に示す半導体装置が得られる。このようにして得られた半導体装置では、封止膜１１の傾斜面１２となっている側面に粘着材残渣が発生しにくいようにすることができるので、この粘着材残渣に起因する不都合が発生しにくいようにすることができる。
【００２７】
なお、第２の溝２６を形成した後に、第１の溝２４を形成するようにしてもよい。また、この発明は、図１に示す半導体装置に限らず、例えば、絶縁膜３の開口部４を介して露出された接続パッド２上に下地金属層および柱状電極を形成し、柱状電極の周囲における絶縁膜３上に封止膜を形成し、柱状電極上に半田ボールを形成した半導体装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の製造方法により製造された半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初用意したものの断面    図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【符号の説明】
【００２９】
１  シリコン基板
２  接続パッド
３  絶縁膜
５  保護膜
７  配線
１０  柱状電極
１１  封止膜
１２  傾斜面
１３  半田ボール
２１  半導体ウエハ
２３  第１のダイシングブレード
２４  第１の溝
２５  第２のダイシングブレード
２６  第２の溝
２７  保護テープ
２８  粘着材
２９  ピックアップテープ
３０  粘着材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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