(57)【要約】【課題】基板へのダメージを低減可能なスパッタリング装置を提供する。【解決手段】複数の凹部３は、電極２のホルダー７側の面に面して電極２に形成される。ターゲット部材６は、石英からなり、複数の凹部３の内壁と、電極２のホルダー７側の面とに沿って配置される。複数の配管４は、Ａｒガスを複数の凹部３内の空間へ供給し、複数の配管５は、Ｏ２ガスを電極２とホルダー７との間の空間に供給する。ホルダー７は、基板１２を支持し、ヒーター８は、基板１２の温度を昇温する。高周波電源９は、電極２とホルダー７との間に高周波電力を印加する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極の前記第２の電極側の面に面して設けられた複数の凹部と、
前記複数の凹部の内壁に沿って配置されたターゲット部材と、
前記ターゲット部材をスパッタリングするための第１のガスを外部から前記複数の凹部内の空間に供給する第１の配管と、
前記第１の電極の前記複数の凹部以外の部分から前記第１の電極と前記第２の電極との間の空間に第２のガスを供給する第２の配管と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高周波電力を印加する高周波電源とを備えるスパッタリング装置。
【請求項２】
前記複数の凹部の各々は、略円柱形状からなり、
前記円柱形状の直径は、前記複数の凹部内で発生するプラズマのシース幅よりも大きく、かつ、電子の平均自由工程以下である、請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
隣接する２つの凹部の間隔は、前凹部の直径が第１の直径であるとき、第１の間隔に設定され、前記凹部の直径が前記第１の直径よりも大きい第２の直径であるとき、前記第１の間隔よりも大きい第２の間隔に設定される、請求項２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記凹部の直径は、前記ターゲット部材のスパッタリングによって製造された膜の均一性が第１の値であるとき、第１の直径に設定され、前記膜の均一性が前記第１の値よりも良い第２の値であるとき、前記第１の直径よりも小さい第２の直径に設定される、請求項２に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記ターゲット部材は、石英からなり、
前記第１のガスは、アルゴンガスからなり、
前記第２のガスは、酸素ガスからなる、請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
スパッタリング装置を用いて膜を製造する製造方法であって、
前記スパッタリング装置は、
第１の電極と、
前記第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、
前記第１の電極の前記第２の電極側の面に面して設けられた複数の凹部とを備え、
前記製造方法は、
ターゲット部材を前記複数の凹部の内壁に沿って配置する第１の工程と、
前記ターゲット部材をスパッタするための第１のガスを外部から前記複数の凹部内の空間に供給する第２の工程と、
前記第１の電極の前記複数の凹部以外の部分から前記第１の電極と前記第２の電極との間の空間に第２のガスを供給する第３の工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高周波電力を印加する第４の工程とを備える製造方法。
【請求項７】
基板を前記第２の電極上に配置する第５の工程と、
前記基板の温度を２００度よりも低い温度に設定する第６の工程とをさらに備え、
前記第２から第４の工程は、前記第５および第６の工程の後に実行される、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、アルゴンガスからなる前記第１のガスが前記複数の凹部内の空間へ供給され、
前記第３の工程において、酸素ガスからなる前記第２のガスが前記第１の電極と前記第２の電極との間の空間に供給される、請求項６に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、スパッタリング装置および製造方法に関し、特に、２００度よりも低い温度で膜を製造可能なスパッタリング装置および製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、管状基板の内周面に膜を形成するスパッタリング装置が知られている（特許文献１）。このスパッタリング装置は、棒状プローブと、円筒形状のターゲットと、ホルダーとを備える。
【０００３】
棒状プローブは、一方端が管状基板の内部に設置される。ターゲットは、管状基板の内部において棒状プローブの一方端に固定される。そして、棒状プローブには、アルゴン（Ａｒ）ガスを円筒形状のターゲットの内部に供給するためのガス導入穴が設けられている。また、管状基板は、ホルダーに固定されている。
【０００４】
棒状プローブとホルダーとの間に高周波電力を印加してターゲット内部およびターゲット開口部付近でプラズマを発生させ、ターゲットをスパッタリングすることによって管状基板の内周に膜を形成する。
【特許文献１】特開平０６−１０８２３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、従来のスパッタ装置においては、プラズマの発生領域と基板との距離が近いため、基板へのダメージが大きく、高品質な膜を形成することが困難であるという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板へのダメージを低減可能なスパッタリング装置を提供することである。
【０００７】
また、この発明の別の目的は、基板へのダメージを低減してスパッタリングによって膜を製造する製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明によれば、第１の電極と、第２の電極と、複数の凹部と、ターゲット部材と、第１および第２の配管と、高周波電源とを備える。第２の電極は、第１の電極に対向して設けられる。複数の凹部は、第１の電極の第２の電極側の面に面して設けられる。ターゲット部材は、複数の凹部の内壁に沿って配置される。第１の配管は、ターゲット部材をスパッタリングするための第１のガスを外部から複数の凹部内の空間に供給する。第２の配管は、第１の電極の複数の凹部以外の部分から第１の電極と第２の電極との間の空間に第２のガスを供給する。高周波電源は、第１の電極と第２の電極との間に高周波電力を印加する。
【０００９】
好ましくは、複数の凹部の各々は、略円柱形状からなる。そして、円柱形状の直径は、複数の凹部内で発生するプラズマのシース幅よりも大きく、かつ、電子の平均自由工程以下である。
【００１０】
好ましくは、隣接する２つの凹部の間隔は凹部の直径が第１の直径であるとき、第１の間隔に設定され、凹部の直径が第１の直径よりも大きい第２の直径であるとき、第１の間隔よりも大きい第２の間隔に設定される。
【００１１】
好ましくは、凹部の直径は、ターゲット部材のスパッタリングによって製造された膜の均一性が第１の値であるとき、第１の直径に設定され、膜の均一性が第１の値よりも良い第２の値であるとき、第１の直径よりも小さい第２の直径に設定される。
【００１２】
好ましくは、ターゲット部材は、石英からなり、第１のガスは、アルゴンガスからなり、第２のガスは、酸素ガスからなる。
【００１３】
また、この発明によれば、製造方法は、スパッタリング装置を用いて膜を製造する製造方法である。スパッタリング装置は、第１の電極と、第１の電極に対向して設けられた第２の電極と、第１の電極の第２の電極側の面に面して設けられた複数の凹部とを備える。そして、製造方法は、ターゲット部材を複数の凹部の内壁に沿って配置する第１の工程と、ターゲット部材をスパッタするための第１のガスを外部から複数の凹部内の空間に供給する第２の工程と、第１の電極の複数の凹部以外の部分から第１の電極と第２の電極との間の空間に第２のガスを供給する第３の工程と、第１の電極と第２の電極との間に高周波電力を印加する第４の工程とを備える。
【００１４】
好ましくは、製造方法は、基板を第２の電極上に配置する第５の工程と、基板の温度を２００度よりも低い温度に設定する第６の工程とをさらに備える。そして、第２から第４の工程は、第５および第６の工程の後に実行される。
【００１５】
好ましくは、第２の工程において、アルゴンガスからなる第１のガスが複数の凹部内の空間へ供給され、第３の工程において、酸素ガスからなる第２のガスが第１の電極と第２の電極との間の空間に供給される。
【発明の効果】
【００１６】
この発明においては、第１の電極に形成された複数の凹部内にターゲット部材を設置するとともに、複数の凹部内でプラズマを発生させてターゲット部材をスパッタリングして膜を製造する。
【００１７】
したがって、この発明によれば、第２の電極上に配置される基板へのダメージを低減して膜を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００１９】
図１は、この発明の実施の形態によるスパッタリング装置の構成を示す概略図である。図１を参照して、この発明の実施の形態によるスパッタリング装置１０は、反応容器１と、電極２と、複数の凹部３と、複数の配管４と、複数の配管５と、ターゲット部材６と、ホルダー７と、ヒーター８と、高周波電源９と、マッチング回路１１とを備える。
【００２０】
反応容器１は、中空の円筒形状からなる。電極２は、反応容器１内に配置される。複数の凹部３は、電極２のホルダー７側の面に面して設けられる。そして、複数の凹部３の各々は、略円柱形状からなる。
【００２１】
複数の配管４は、複数の凹部３に対応して設けられる。そして、複数の配管４の各々は、一方端が凹部３内に位置するように電極２を貫通するとともに、反応容器１に固定される。
【００２２】
複数の配管５の各々は、一方端が電極２の複数の凹部３以外の面から突出するように電極２を貫通するとともに、反応容器１に固定される。
【００２３】
ターゲット部材６は、電極２の複数の凹部３以外の面と、複数の凹部３の内壁とに沿って配置される。
【００２４】
ホルダー７は、電極２に対向して、電極２から３０ｍｍの位置に配置される。ヒーター８は、ホルダー７の内部に配置される。
【００２５】
複数の配管４は、Ａｒガスをボンベ（図示せず）から複数の凹部３内の空間へ供給する。複数の配管５は、酸素（Ｏ２）ガスをボンベ（図示せず）から電極２とホルダー７との間の空間に供給する。ターゲット部材６は、石英からなり、１ｍｍの厚みを有する。
【００２６】
ホルダー７は、基板１２を支持する。基板１２は、ガラスまたはプラスチックからなる。ヒーター８は、基板１２の温度を２００度以下の温度に設定する。高周波電源９は、６０ＭＨｚの高周波電力を電極２と、ホルダー７との間に印加する。マッチング回路１１は、高周波電力を電極２およびホルダー７間に印加するときの反射電力を最小になるようにインピーダンスを調整する。
【００２７】
図２は、図１に示す凹部３および配管４，５の拡大図である。図２を参照して、凹部３の直径ｒは、凹部３内で発生するプラズマのシース幅をＷｓとし、電子の平均自由工程をＬｅとした場合、Ｗｓよりも大きく、かつ、Ｌｅ以下であり、より具体的には、２×Ｗｓ≦ｒ≦Ｌｅの範囲に設定される。
【００２８】
そして、凹部３の直径ｒは、たとえば、１０ｍｍに設定される。また、凹部３の深さＤは、たとえば、２０ｍｍに設定される。さらに、隣接する２つの凹部３間の間隔ｄは、たとえば、２０ｍｍ〜３０ｍｍの範囲に設定される。
【００２９】
配管４は、凹部３にターゲット部材６が配置されたとき、ターゲット部材６を貫通してＡｒガスを凹部３内の空間に供給可能なように、その一方端がターゲット部材６の厚み分だけ凹部３内へ突出している。
【００３０】
また、配管５は、ターゲット部材６が電極２に配置されたとき、ターゲット部材６を貫通してＯ２ガスを電極２とホルダー７との間の空間に供給可能なように、その一方端がターゲット部材６の厚み分だけホルダー７の方向へ突出している。
【００３１】
そして、配管４の直径は、１ｍｍであり、配管５の直径は、１ｍｍである。
【００３２】
図３は、図１に示す電極２のホルダー７側から見た斜視図である。図３を参照して、電極２は、たとえば、１１０ｍｍの直径φを有する。そして、複数の凹部３は、たとえば、２２個形成される。
【００３３】
図４は、図１に示すターゲット部材６の斜視図である。図４を参照して、ターゲット部材６は、２２個の突出部６１を有する。そして、突出部６１は、１０ｍｍの直径、２０ｍｍの高さを有する。
【００３４】
ターゲット部材６は、突出部６１が２２個形成されるように円盤形状の石英を加工して作製される。この場合、２２個の突出部６１は、図３に示す２２個の凹部３の分布パターンに一致する分布パターンを有する。
【００３５】
したがって、２２個の突出部６１が２２個の凹部３に入るようにターゲット部材６を電極２に取り付けることができる。
【００３６】
なお、図４には、図示されていないが、突出部６は、中空になっており、その上面には、配管４を通すための穴が開いており、隣接する２つの突出部６間には、配管５を通すための穴が開いている。
【００３７】
図５は、図１に示す電極２のホルダー７側から見た平面図である。図５を参照して、複数の凹部３は、たとえば、碁盤目状に電極２に形成される。そして、凹部３の直径ｒがｒ１である場合、隣接する２つの凹部３間の間隔ｄは、間隔ｄ１に設定される（図５の（ａ）参照）。
【００３８】
また、凹部３の直径ｒがｒ１よりも小さいｒ２（＜ｒ１）である場合、隣接する２つの凹部３間の間隔ｄは、間隔ｄ１よりも小さいｄ２（＜ｄ１）に設定される（図５の（ｂ）参照）。
【００３９】
このように、スパッタリング装置１０においては、隣接する２つの凹部３間の間隔ｄは、凹部３の直径ｒが小さくなれば小さくなり、凹部３の直径ｒが大きくなれば大きくなる。
【００４０】
その結果、複数の凹部３の個数は、直径ｒが大きくなれば、減少し、直径ｒが小さくなれば、増加する。
【００４１】
図６は、図１に示すスパッタリング装置１０を用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を製造する方法を説明するためのフローチャートである。図６を参照して、一連の動作が開始されると、上述した方法によって作製されたターゲット部材６を複数の凹部３の内壁に沿って電極２に設置する（ステップＳ１）。
【００４２】
そして、基板１２をホルダー７上に設置し（ステップＳ２）、ヒーター８によって基板１２を加熱して基板１２の温度を２００度以下の温度に設定する（ステップＳ３）。
【００４３】
その後、Ａｒガスを複数の配管４から複数の凹部３内の空間に供給し（ステップＳ４）、Ｏ２ガスを複数の配管５から電極２とホルダー７との間の空間に供給する（ステップＳ５）。この場合、Ａｒガスの流量とＯ２ガスの流量との流量比Ｒ（＝［Ｏ２］／［Ａｒ＋Ｏ２］）が０〜５０％の範囲になるようにＡｒガスの流量とＯ２ガスの流量とを決定した。
【００４４】
そして、反応容器１内の圧力を所定の圧力（たとえば１Ｐａ）に設定し、高周波電源９によって高周波電力を電極２とホルダー７との間に印加する。この場合、高周波電力は、たとえば、４００Ｗである。
【００４５】
これによって、複数の凹部３内で高密度プラズマが発生し、石英からなるターゲット部材６がＡｒによってスパッタリングされ、ＳｉＯ２膜が基板１２上に堆積する（ステップＳ６）。この場合、スパッタリングの時間は、たとえば、６０分である。
【００４６】
図７は、スパッタリングによってＳｉＯ２膜を製造するときの概念図である。図７を参照して、高周波電力が電極２とホルダー７との間に印加され、Ａｒガスが複数の凹部３内に供給されているので、プラズマは、複数の凹部３内の空間で主に発生し、ターゲット部材６をスパッタリングする。
【００４７】
そして、ターゲット部材６からスパッタリングされた成膜種は、配管５から供給されたＯ２ガスと反応して基板１２上に堆積し、ＳｉＯ２膜１３が製造される。
【００４８】
このように、この発明においては、複数の凹部３内でプラズマを主に発生させるとともに、複数の凹部３内でターゲット部材６をスパッタリングしてＳｉＯ２膜１３を基板１２上に堆積させる。
【００４９】
したがって、基板１２へのダメージを低減できる。
【００５０】
また、この発明においては、Ｏ２ガスは、複数の凹部３以外の部分からＡｒガスと別々に供給される。その結果、ＳｉＯ２膜１３の成長速度の低下を抑制できる。
【００５１】
図８は、堆積レートと基板温度との関係を示す図である。図８において、縦軸は、堆積レートを表し、横軸は、基板温度を表す。なお、図８においては、Ａｒガスの流量とＯ２ガスの流量との流量比Ｒ（＝［Ｏ２］／［Ａｒ＋Ｏ２］）が２０％であるときの堆積レートと基板温度との関係を示す。
【００５２】
図８を参照して、堆積レートは、基板温度の上昇に伴って大きくなる。そして、３８０度の基板温度において、約１６ｎｍ／ｈの最高の堆積レートが得られた。
【００５３】
図９は、赤外分光特性を示す図である。また、図１０は、容量−電圧特性（Ｃ−Ｖ特性）を示す図である。
【００５４】
図９において、縦軸は、吸収係数を表し、横軸は、波数を表す。また、図１０において、縦軸は、容量を表し、横軸は、ゲート電圧を表す。
【００５５】
なお、図９においては、３８０度の基板温度において流量比Ｒを０％，１０％，２０％，３０％，４０％，５０％と変化させたときのＳｉＯ２膜の赤外分光特性を示し、図１０においては、３８０度の基板温度において流量比Ｒを０％，１０％，２０％，３０％，４０％，５０％と変化させて形成したＳｉＯ２膜をゲート酸化膜として用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のＣ−Ｖ特性を示す。
【００５６】
図９を参照して、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ吸収バンドのピーク波数は、１０６０〜１０６４ｃｍ−１の範囲に存在し、熱酸化によって形成したＳｉＯ２膜のピーク波数（＝１０７２ｃｍ−１）に近い。
【００５７】
図１０を参照して、Ｃ−Ｖ特性には、ヒステリシスが発生しているが、流量比Ｒが２０％である場合、ヒステリシスが最も小さくなる。また、流量比が０％である場合、Ｃ−Ｖ特性を測定できなかった。これは、酸素の欠乏によりＳｉＯ２膜の膜質が悪くなったためである。
【００５８】
図１１は、他の赤外分光特性を示す図である。また、図１２は、他のＣ−Ｖ特性を示す図である。
【００５９】
図１１において、縦軸は、吸収係数を表し、横軸は、波数を表す。また、図１２において、縦軸は、容量を表し、横軸は、ゲート電圧を表す。
【００６０】
なお、図１１においては、２０％の流量比Ｒにおいて、基板温度を１００度、２００度、３００度および３８０度と変化させたときのＳｉＯ２膜の赤外分光特性を示し、図１２においては、２０％の流量比Ｒにおいて、基板温度を１００度、２００度、３００度および３８０度と変化させて形成したＳｉＯ２膜をゲート酸化膜として用いたＴＦＴのＣ−Ｖ特性を示す。
【００６１】
図１１を参照して、ピーク波数は、１０６１ｃｍ−１に存在し、基板温度による変化は、殆ど観測されなかった。すなわち、１００度の基板温度においても、熱酸化によって形成したＳｉＯ２膜と同等のＳｉＯ２膜を形成できた。
【００６２】
図１２を参照して、流量比Ｒが２０％である場合、基板温度を変化させても、ヒステリシスの大きな違いは、観測されなかった。
【００６３】
図１３は、さらに他のＣ−Ｖ特性を示す図である。図１３において、縦軸は、容量を表し、横軸は、ゲート電圧を表す。
【００６４】
なお、図１３においては、１００度の基板温度および２０％の流量比で形成したＳｉＯ２膜をゲート酸化膜として用いたＴＦＴのＣ−Ｖ特性を示す。比較のために理想のＣ−Ｖ特性を示す。
【００６５】
図１３を参照して、スパッタリング装置１０を用いて形成したＳｉＯ２膜のＣ−Ｖ特性は、ヒステリシスが観測されるものの、形状が理想のＣ−Ｖ特性に近い。
【００６６】
図１４は、電流密度とゲート電界との関係を示す図である。図１４において、縦軸は、電流密度を表し、横軸は、ゲート電界を表す。
【００６７】
図１４においては、スパッタリング装置１０を用いて形成したＳｉＯ２膜、スパッタリング装置１０を用いて形成したＳｉＯ２膜を高圧蒸気熱処理を行なったＳｉＯ２膜および熱酸化によって形成したＳｉＯ２膜について、電流密度とゲート電界との関係を示す。
【００６８】
なお、高圧蒸気熱処理は、水蒸気の雰囲気中で２６０度の温度で２．６ＭＰａの圧力を３時間印加することによって行なわれた。
【００６９】
図１４を参照して、スパッタリング装置１０を用いて形成したＳｉＯ２膜は、ゲート電界の上昇に伴って電流密度が急激に大きくなる。
【００７０】
これに対し、高圧蒸気熱処理を行なったＳｉＯ２膜は、６ＭＶ／ｃｍ以下のゲート電界の領域において、電流密度が４桁程度低くなった。そして、６ＭＶ／ｃｍの絶縁耐圧を達成した。
【００７１】
上述したように、この発明によるスパッタリング装置１０を用いて形成したＳｉＯ２膜は、熱酸化によって形成したＳｉＯ２膜に近い赤外分光特性を示し、ＴＦＴのゲート酸化膜として用いることができる。
【００７２】
そして、スパッタリング装置１０を用いれば、１００度から２００度の低温でもＳｉＯ２膜を形成できるので、プラスチックからなる基板１２上にもＳｉＯ２膜を堆積できる。
【００７３】
上記においては、スパッタリング用のガスとしてＡｒガスを用いると説明したが、この発明においては、これに限らず、Ａｒ以外のガスをスパッタリング用のガスとして用いてもよい。
【００７４】
また、この発明においては、ＳｉＯ２膜以外の膜をスパッタリング装置１０を用いて製造してもよい。たとえば、シリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）をスパッタリング装置１０を用いて製造する場合、複数の配管５を介して窒素（Ｎ２）ガスが電極２とホルダー７との間に供給される。このように、複数の配管５を介して電極２とホルダー７との間に供給されるガスは、スパッタリング装置１０を用いて製造する膜の種類によって変えられる。
【００７５】
さらに、スパッタリング装置１０においては、凹部３の直径を小さくすれば、製造した膜の均一性が向上するので、凹部３の直径は、スパッタリングによって製造された膜の均一性が第１の値であるとき、第１の直径に設定され、スパッタリングによって製造された膜の均一性が第１の値よりも良い第２の値であるとき、第１の直径よりも小さい第２の直径に設定される。
【００７６】
上述したように、凹部３の直径が小さくなれば、それに伴って、隣接する２つの凹部３の間隔も小さくなり、複数の凹部３の個数が増加する。その結果、ターゲット部材６をスパッタリングする領域が増加し、より多くの成膜種が基板１２に到達する。したがって、スパッタリングによって製造された膜の均一性は、凹部３の直径を小さくした方が向上する。
【００７７】
なお、この発明においては、電極２は、「第１の電極」を構成し、ホルダー７は、「第２の電極」を構成する。
【００７８】
また、この発明においては、複数の配管４は、「第１の配管」を構成し、複数の配管５は、「第２の配管」を構成する。
【００７９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
この発明は、基板へのダメージを低減可能なスパッタリング装置に適用される。また、この発明は、基板へのダメージを低減してスパッタリングによって膜を製造する製造方法に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】この発明の実施の形態によるスパッタリング装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す凹部および配管の拡大図である。
【図３】図１に示す電極のホルダー側から見た斜視図である。
【図４】図１に示すターゲット部材の斜視図である。
【図５】図１に示す電極のホルダー側から見た平面図である。
【図６】図１に示すスパッタリング装置を用いてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を製造する方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】スパッタリングによってＳｉＯ２膜を製造するときの概念図である。
【図８】堆積レートと基板温度との関係を示す図である。
【図９】赤外分光特性を示す図である。
【図１０】容量−電圧特性（Ｃ−Ｖ特性）を示す図である。
【図１１】他の赤外分光特性を示す図である。
【図１２】他のＣ−Ｖ特性を示す図である。
【図１３】さらに他のＣ−Ｖ特性を示す図である。
【図１４】電流密度とゲート電界との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００８２】
２  電極、３  凹部、４，５  配管、６  ターゲット部材、７  ホルダー、８  ヒーター、９  高周波電源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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