(57)【要約】【課題】解決しようとする課題は、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適な特性の揃ったディュアル静電誘導トランジスタを提供して、トランジスタ製造上の選別を容易にし、対形成不良を少なくし、回路製作上の調整作業を容易にすることである。【解決手段】本発明では、半導体の１ウェーハ内の隣同士に隣接して、対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタを構成して、差動増幅器の入力段用には、１チップとして組立し提供したものである。【選択図】図１
2009194875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の１ウェーハ内の隣同士として隣接し対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタで構成されたことを特徴とするチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ。
【請求項２】
差動増幅器の入力段に使用するために、前記静電誘導トランジスタの対が１チップとして組立されたことを特徴とする請求項１記載のチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ。
【請求項３】
差動増幅器の出力段に使用するために、前記静電誘導トランジスタの対が
別チップとして組立されたことを特徴とする請求項１又は請求項２のチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ。
【請求項４】
半導体の１ウェーハ内の隣同士として隣接し対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタで構成されたチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタを入力段に差動構成の二つのトランジスタとして使用したことを特徴とするオーディオ用パワーアンプ回路。
【請求項５】
半導体の１ウェーハ内の隣同士として隣接し対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタで構成されたチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタを出力段のプッシュプル構成の二つのトランジスタとして使用したことを特徴とするオーディオ用パワーアンプ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適なデュアル静電誘導トランジスタとこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、オーディオ用パワーアンプ回路などでは、差動増幅器が使われ、特に、入力段が同一特性の揃ったトランジスタで構成されている。このトランジスタとしては、バイポーラトランジスタ、接合型電界効果トランジスタ、ＭＯＳ型電界効果トランジスタ、静電誘導トランジスタなどが使用されるが、対構成のトランジスタの特性が揃っていることが最重要の課題である。図２は、入力段にＮチャネル静電誘導トランジスタの対と、出力段にＮチャネル静電誘導トランジスタの対を用いたオーディオ用パワーアンプ回路の例を示している。２段構成になっているが、通常は、更に多段構成になっている。入力段のＮチャネル静電誘導トランジスタ２００１、２００２の特性が揃ってないと、差異によってオフセットが生じ、これを調整する作業が厄介になる。又、オーディオ信号の正負に差異が生じ歪を発生する。このため、回路の製作に当たっては、先ず、入力段のＮチャネル静電誘導トランジスタ２００１、２００２の特性の揃ったものを選別し、更に残存差異を回路上で調整抵抗により調整する。差異が大きい程、調整抵抗の範囲が大きくなって面倒なので、特性の揃った程度がよいことが望まれる。逆に言うと、Ｎチャネル静電誘導トランジスタの製造側で過剰な選別作業を強いられ、特性が合わないものが不良品として沢山出来上がることになる。特に、製造ロットや、トランジスタが乗っているウェーハが違うと、特性のバラつきが大きいのが欠点である。入力段と同様に、出力段のＮチャネル静電誘導トランジスタ２００３、２００４も特性の揃ったものが必要である。尚、静電誘導トランジスタ関連の記述については、特許文献１などに示されている。
【特許文献１】特開平５−９０６１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のような事情から、解決しようとする課題は、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適な特性の揃ったデュアル静電誘導トランジスタを提供して、トランジスタ製造上の選別を容易にし、対形成不良を少なくし、回路製作上の調整作業を容易にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するための手段として、本発明によるチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路では、文字通り、半導体の１ウェーハ内の隣同士に隣接して、対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタを構成して、差動増幅器の入力段用には、１チップとして組立し提供したものである。差動増幅器の出力段用には、隣接構成のものを切断して別のチップに組み立てて特性の揃った別トランジスタとして提供することも出来る。そして、これらを用いたオーディオ用パワーアンプ回路としている。
以下、請求項に沿って説明する。
【０００５】
請求項１記載の発明は、チップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタであって、半導体の１ウェーハ内の隣同士として隣接し対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタで構成されたことを特徴とする。
【０００６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタにおいて、差動増幅器の入力段に使用するために、前記静電誘導トランジスタの対が１チップとして組立されたことを特徴とする。
【０００７】
請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタにおいて、差動増幅器の出力段に使用するために、前記静電誘導トランジスタの対が別チップとして組立されたことを特徴とする。
【０００８】
請求項４記載の発明は、オーディオ用パワーアンプ回路であって、半導体の１ウェーハ内の隣同士として隣接し対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタで構成されたチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタを入力段に差動構成の二つのトランジスタとして使用したことを特徴とする。
【０００９】
請求項５記載の発明は、オーディオ用パワーアンプ回路であって、半導体の１ウェーハ内の隣同士として隣接し対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタで構成されたチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタを出力段のプッシュプル構成の二つのトランジスタとして使用したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように構成されているので、本発明によるチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路では、トランジスタ製造上の選別を容易にし、対形成不良を少なくしたなかで、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適な特性の揃ったデュアル静電誘導トランジスタを提供して、回路製作上の調整作業を容易にすることが可能となった。又、オフセットや回路歪などアンプの特性の改善が得られた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明による本発明によるチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路においては、半導体の１ウェーハ内の隣同士に隣接して、対構成の同一導電型、同一サイズの静電誘導トランジスタを構成して、差動増幅器の入力段用には、１チップとして組立し提供したものである。差動増幅器の出力段用には、隣接構成のものを切断して別のチップに組み立てて特性の揃った別トランジスタとして提供する。そして、これを組み入れたオーディオ用パワーアンプ回路である。以下、実施例で説明する。
【００１２】
図１は、本発明によるチップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路の一実施態様を示す図である。
Ａ−１では、信号を入力するゲート１０１、信号の出力となるドレイン１０２の端子が独立し、ソース１０３が共通結線された構成のＮチャネル静電誘導トランジスタのＡ、Ｂ対（組）である。これは、図２の回路の入力段の差動トランジスタ２００１、２００２に用いて好適なものである。
【００１３】
Ａ−２は、半導体チップ上に隣同士で、Ｎチャネル静電誘導トランジスタのＡ、Ｂ対を構成した状態を示している。Ａ−３には、ＣＬ部の面で切断して見た断面を示している。同一部には、同一番号を付記している。ゲートは、Ｎ（不純物濃度は小さいＮ−層）型の低濃度半導体層１０４の中に、Ｐ型のメッシュ状に形成され、表面からのＰ型電極層と繋がっている。Ｎ型の半導体基板の表面には、ドレイン１０２の電極層（不純物濃度の大きいＮ＋層）があり、電極が付いている。Ｎ型の半導体基板の下地には、ソース１０２になるＮ型層の半導体（Ｎ＋）基板１０５があり、これに表面から繋がったＮ（Ｎ＋）型の分離層１０６で両方のトランジスタのゲートの間を電気的に分離している。
【００１４】
このように、対となる二つの同じ導電型、同一サイズのＮチャネル静電誘導トランジスタのＡ、Ｂが半導体ウェーハ内で隣同士で形成されているので、別のウェーハや、別のロットのものに比べ、特性の揃ったものが出来る。差動増幅器の入力段用には、１チップとして組立し提供し、差動増幅器の出力段用には、別チップとして組立し提供することが出来る。別チップとする場合には、分離層１０６を切断部とするように１００μｍ以上の幅に形成しておく。
【００１５】
Ａ−４は、Ｐ型、Ｎ型の導電型を反対に形成したＰチャネル静電誘導トランジスタを示している。説明は同じなので省略する。
【００１６】
これらの、隣接構成静電誘導トランジスタを図２を例とする差動増幅器の入力段、出力段に使用して、オーディオ用パワーアンプ回路を容易に且つ、オフセット、歪特性を改善した状態で得ることが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００１７】
本発明による、チップ内隣接構成デュアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたオーディオ用パワーアンプ回路では、トランジスタ製造上の選別を容易にし、対形成不良を少なくしたなかで、差動増幅器の入力段の対構成の差動トランジスタに最適な特性の揃ったデュアル静電誘導トランジスタを提供して、回路製作上の調整作業を容易にすることが可能となり、オフセットや回路歪などアンプの特性の改善が得られるので、産業上大きな利用性を有している。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明によるチップ内隣接構成ディアル静電誘導トランジスタ及びこれを用いたパワーアンプ回路の一実施態様を示す図である。
【図２】入力段にＮチャネル静電誘導トランジスタの対と、出力段にＮチャネル静電誘導トランジスタの対を用いたオーディオ用パワーアンプ回路の例を示す図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０１  ゲート
１０２  ドレイン
１０３  コレクタ
１０４  低濃度半導体層
１０５  半導体基板
１０６  分離層
２００１、２００２  入力段のＮチャネル静電誘導トランジスタ
２００３、２００４  出力段のＮチャネル静電誘導トランジスタ
【図１】
2009194875.tif 000003
【図２】
2009194875.tif 000004