(57)【要約】【課題】本発明は、電気的信頼性の優れた配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】厚み方向の熱膨張率が平面方向の熱膨張率よりも大きな第１フィルム層１０と、第１フィルム層１０上に形成され、厚み方向の熱膨張率が平面方向の熱膨張率よりも大きな第２フィルム層１１と、第１フィルム層１０と第２フィルム層１１との間に形成され、厚み方向の熱膨張率が第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１の厚み方向の熱膨張率よりも小さい樹脂層９と、第１フィルム層１０から第２フィルム層１１までの各層を貫通するスルーホール導体１４と、第２フィルム層１１上に形成され、スルーホール導体１４と電気的に接続される導電層６と、を備えたことを特徴とする配線基板２。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向の熱膨張率が平面方向の熱膨張率よりも大きな第１フィルム層と、
前記第１フィルム層上に形成され、厚み方向の熱膨張率が平面方向の熱膨張率よりも大きな第２フィルム層と、
前記第１フィルム層と前記第２フィルム層との間に形成され、厚み方向の熱膨張率が前記第１フィルム層及び前記第２フィルム層の厚み方向の熱膨張率よりも小さい樹脂層と、
前記第１フィルム層から前記第２フィルム層までの各層を貫通するスルーホール導体と、
前記第２フィルム層上に形成され、前記スルーホール導体と電気的に接続される導電層と、
を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層の厚みは、その上下両側に配される前記第１フィルム層及び前記第２フィルム層の両層の厚みの和よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第２フィルム層と前記導電層との間には、密着層が介在されており、該密着層と前記導電層とが接着していることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記樹脂層の平面方向の熱膨張率は、前記第２フィルム層の平面方向の熱膨張率よりも大きいことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項４に記載の配線基板において、
前記樹脂層にはフィラーが含有されており、前記フィラーの一部が前記スルーホール導体に埋入していることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板において、
前記スルーホール導体は、前記第１フィルム層から前記第２フィルム層までを貫通するスルーホールの内壁面に形成されており、前記スルーホール導体によって囲まれる領域には、樹脂体が充填されていることを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第１フィルム層及び前記第２フィルム層はポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成り、前記樹脂層はエポキシ樹脂から成ることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種オーディオビジュアル機器や家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用される配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。
【０００３】
配線基板は、剛性の優れたコア基板上に絶縁層と導電層とを交互に積層した積層構造であって、小型軽量化を目的として厚みを薄くしたものが求められている。
【０００４】
コア基板としては、液晶ポリマーフィルムを接着剤層を介して複数積層したものが開示されている（下記特許文献１参照）。
【０００５】
なお、コア基板には、その上下を貫通するスルーホール導体が形成されている。
【特許文献１】特開２００４−１１１９４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上述した特許文献１に記載の技術では、液晶ポリマーフィルムの厚み方向の熱膨張率が大きいため、外部からの熱によって、コア基板が厚み方向に大きく熱膨張を起こし、スルーホール導体が破壊されることがある。この結果、配線基板の電気的信頼性が低下してしまう。
【０００７】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、電気的信頼性の優れた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明の配線基板は、厚み方向の熱膨張率が平面方向の熱膨張率よりも大きな第１フィルム層と、前記第１フィルム層上に形成され、厚み方向の熱膨張率が平面方向の熱膨張率よりも大きな第２フィルム層と、前記第１フィルム層と前記第２フィルム層との間に形成され、厚み方向の熱膨張率が前記第１フィルム層及び前記第２フィルム層の厚み方向の熱膨張率よりも小さい樹脂層と、前記第１フィルム層から前記第２フィルム層までの各層を貫通するスルーホール導体と、前記第２フィルム層上に形成され、前記スルーホール導体と電気的に接続される導電層と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の配線基板は、前記樹脂層の厚みが、その上下両側に配される前記第１フィルム層及び前記第２フィルム層の両層の厚みの和よりも大きいことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、前記第２フィルム層と前記導電層との間には、密着層が介在されており、該密着層と前記導電層とが接着していることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の配線基板は、前記樹脂層の平面方向の熱膨張率が、前記第２フィルム層の平面方向の熱膨張率よりも大きいことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、前記樹脂層にはフィラーが含有されており、前記フィラーの一部が前記スルーホール導体に埋入していることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の配線基板は、前記スルーホール導体が、前記第１フィルム層から前記第２フィルム層までを貫通するスルーホールの内壁面に形成されており、前記スルーホール導体によって囲まれる領域には、樹脂体が充填されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、前記第１フィルム層及び前記第２フィルム層はポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成り、前記樹脂層はエポキシ樹脂から成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、電気的信頼性の優れた配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の平面図である。また、図２は、実装構造体の断面図である。
【００１７】
本実施形態に係る実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２に半田等のバンプ３を介してフリップチップ実装された、ＩＣ又はＬＳＩ等の半導体素子４と、を含んで構成されている。
【００１８】
また、配線基板２は、コア基板５と、コア基板５の一主面及び他主面に交互に積層される導電層６と、絶縁層７と、を含んで構成されている。導電層６は、所定の電気信号を伝達する機能を備えたライン状の信号線路６ａと、半導体素子４を共通の電位、例えばアース電位としての機能を備えた平板状のグランド層６ｂとを含んでいる。また、信号線路６ａは、グランド層６ｂに対して、絶縁層７を介して対向するように配置されている。なお、導電層６は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００１９】
絶縁層７には、接着層７ａとシート層７ｂとがある。接着層７ａは、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等が使用される。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを使用することができる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えば、液晶ポリマー等を使用することができる。なお、接着層７ａの熱膨張率は、図２に示す平面方向としてのＸ方向の熱膨張率と図２に示す厚み方向としてのＺ方向の熱膨張率とは等しく、例えば１０ｐｐｍ／℃以上２５ｐｐｍ／℃以下である。また、接着層７ａは、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように設定されている。
【００２０】
また、接着層７ａには、多数のフィラーが含有されていても構わない。接着層７ａにフィラーが含有されていることによって、接着層７ａの硬化前の粘度を調整することができ、接着層７ａの厚み寸法を所望の値に近づけて接着層７ａを形成することができる。フィラーは、球状であって、フィラーの径は、例えば０．０５μｍ以上６μｍ以下に設定されており、熱膨張率は、例えば−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。なお、フィラーは、例えば、酸化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等から成る。
【００２１】
シート層７ｂは、配線基板２の平坦性を確保するために精密に厚さが制御されている。また、シート層７ｂは、弾性変形可能であって、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するシート層７ｂとしては、例えば、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂又は液晶ポリマー樹脂等、あるいはこれらの樹脂の混合物を用いることができる。なお、液晶ポリマーとは、溶融時に液晶状態あるいは光学的に複屈折する性質を有するポリマーを指し、一般に溶液状態で液晶性を示すリオトロピック液晶ポリマーや溶融時に液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマー、あるいは熱変形温度で分類される１型・２型・３型すべての液晶ポリマーを含むものである。これらのシート層７ｂは、図２に示すＸ方向の熱膨張率が−１０ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であって、図２に示すＺ方向の熱膨張率が６０ｐｐｍ／以上１２０ｐｐｍ／℃以下である。
【００２２】
なかでもポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂、あるいはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂シートを使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、Ｘ方向の熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上０ｐｐｍ／℃以下であって、Ｚ方向の熱膨張率が７０ｐｐｍ／℃以上９０ｐｐｍ／℃以下である。
【００２３】
このようなＸ方向の熱膨張しにくい低熱膨張樹脂を使用することによって、半導体素子４を実装する基板自体のＸ方向の熱膨張を抑制することができる。その結果、半導体素子４の熱膨張率に近づけることができ、半導体素子４が破壊されるのを効果的に防止することができる。
【００２４】
また、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂、あるいはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を含有する樹脂フィルムは、ポリイミドフイルムと比較して吸水率が低いため、積層した場合でも内部の層に水分が蓄積されにくく、大気中に長期間保存された状態であっても、樹脂フィルムの水分を除去する処理を行う必要がなく、製造工程を単純化することができる。なお、シート層７ｂの厚みは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されている。
【００２５】
次に、ビア導体について説明する。図２に示すように、絶縁層７には、貫通孔Ｈが形成されており、貫通孔Ｈに上部から下部に向けて幅広となるビア導体８が埋設されている。ビア導体８は、上下位置の異なる導電層６同士を電気的に接続することができる。ビア導体８同士を直上直下に配置することによって、引き回す配線の距離を短くすることができ、配線基板２の小型化を実現することができる。また、配線の距離を短くすることによって、配線抵抗を小さく抑えることができ、消費電力の低減に寄与することができる。なお、ビア導体８は、例えば、銅、銀、金、白金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。
【００２６】
ビア導体８には、接着層７ａから突出したフィラーの一部が埋入している。すなわちフィラーの一部が貫通孔Ｈの内壁面から突出しており、接着層７ａとビア導体８の接する面が凹凸状に形成されている。そして、ビア導体８の一部が、フィラーの一部を被覆するように形成されることによって、フィラーとビア導体８との接触面積を大きくし、両者の接着力を強くすることができ、ビア導体８と接着層７ａとの剥離を抑制することができる。すなわち、貫通孔Ｈの内壁面に対するフィラーの一部によるアンカー効果によって、貫通孔Ｈの内壁面からビア導体８が剥離するのを抑制することができる。
【００２７】
次に、コア基板５について説明する。コア基板５は、樹脂層９を挟むように第１フィルム層１０と第２フィルム層１１が形成されており、コア基板５の最上面及び最下面に位置する層に密着層１２が形成されている。
【００２８】
樹脂層９は、例えばエポキシ樹脂、シアネート系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂等の熱硬化性樹脂あるいは、液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂から成る。また、樹脂層９の熱膨張率は、図２に示すＸ方向の熱膨張率及びＺ方向の熱膨張率が１０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である。また、樹脂層９の厚みは、例えば１００μｍ以上１０００μｍ以下であって、第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１とを合わせた厚みよりも大きく設定されている。
【００２９】
ここで、樹脂層９の熱膨張率の測定方法について説明する。樹脂層９の熱膨張率を測定するために、樹脂層９から、例えば一辺の長さが１５ｍｍ、厚みが３ｍｍの試料を切り出す。そして、試料を既存の熱膨張率測定機に取り付けて、試料に対して室温から１５０℃程度までの温度（樹脂のガラス転移温度以下の温度）を加えて、試料寸法の変化を測定する。このようにして、樹脂層の熱膨張率を算出することができる。
【００３０】
また、コア基板５が小さく、既存の熱膨張率測定機に取り付け可能な寸法の試料を切り出せない場合は、切り出し可能な範囲で試料を切り出して、室温から１５０℃程度までの温度変化に伴う、試料寸法の変化を機械的あるいは光学的な方法によって測定し、上記と同様に熱膨張率を算出することができる。例えば、熱膨張率測定機の試料ホルダーに試料をセットし、レーザー干渉法により、試料の寸法変化を測定することができる。なお、測定は、ＪＩＳ  Ｒ  ３２５１−１９９５に準拠して行う。
【００３１】
また、試料の温度変化に伴う寸法変化は、例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザーを光源とするレーザー干渉計により、レーザー光の波長を基準としてナノメートルオーダーで測定し、試料温度と寸法の関係から、熱膨張率を求めることもできる。なお、試料表面に金又は白金等のレーザー光を反射する材料を蒸着して、測定を行っても良い。
【００３２】
樹脂層９には、図３に示すように、多数のフィラー１３が含有されている。フィラー１３は、球状であって、フィラー１３の径は、例えば０．０５μｍ以上６μｍ以下に設定されており、熱膨張率は、例えば−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。なお、フィラー１３は、例えば、酸化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等から成る。
【００３３】
また、第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１は、例えばポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂から成る。これらの樹脂は、図２に示すＸ方向の熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上０ｐｐｍ／℃以下であって、Ｚ方向の熱膨張率が７０ｐｐｍ／℃以上９０ｐｐｍ／℃以下である。このような樹脂を使用することによって、コア基板５自体の熱膨張を抑制することができる。
【００３４】
第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１の各層の厚みは、例えば５μｍ以上、３０μｍ以下に設定されている。第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１は、Ｚ方向の熱膨張率が樹脂層９よりも大きいため、外部からの熱によってＺ方向に大きく熱膨張しようとする。そこで、第１フィルム層１０と第２フィルム層１１との間に、第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１の合わせた厚みよりも大きく設定した樹脂層９を介在させることによって、コア基板において第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１がＺ方向に熱膨張する影響を小さくすることができる。これは、樹脂層９のＺ方向の熱膨張率が第１フィルム層１０及び第２フィルム層１１のＺ方向の熱膨張率よりも小さいため、コア基板のＺ方向の熱膨張を小さく抑えることができる。その結果、後述するようにコア基板５を貫通するスルーホール導体１４がＺ方向に熱応力を受け、破断するのを抑制することができる。
【００３５】
ここで、フィルム層の熱膨張率の測定方法について説明する。フィルム層の厚み方向の熱膨張率は、所定寸法に切断したフィルムを試料とし、一定の加熱速度（例えば２℃／分）で均一に温度を上げながら、レーザー干渉計等でフィルムの厚みを測定し、試料温度とフィルムの厚みとの関係から試料の厚み方向の熱膨張率を求めることができる。この時、フィルム表面にはレーザー光の反射を高め測定を容易にする目的で、金属等を薄く蒸着しても良い。
【００３６】
フィルム層の平面方向の熱膨張率は、一辺の長さが２０ｍｍ、厚みが２ｍｍ程度の大きさの試料を取り出せる場合は、この試料を既存の熱膨張率測定機にセットし、一定の加熱速度（例えば２℃／分）で均一に温度を上げて、平面方向の熱膨張率を測定することができる。
【００３７】
また、上記大きさの試料を取り出せない場合は、切り出せる範囲で切断したフィルムを試料とし、フィルム表面に測定用のマーカーを少なくとも２ヶ所つける。このマーカーは、四角錐のダイヤモンド圧子などで付けた圧痕でも良く、レーザー光で加工した線でも良く、また、微細な針でけがいた跡でも良い。この試料を、上部に透明な窓を有し、且つ試料の温度を一定の加熱速度(例えば２℃／分)で均一に温度を上げられる装置に取り付ける。この装置を、試料寸法が測定できる顕微鏡にセットし、一定の加熱速度(例えば２℃／分)で均一に温度を上げながらマーカー間の距離を測定する。試料温度とマーカー間距離の関係から試料の平面方向の熱膨張率を求めることができる。この時、フィルム表面にはマーカーの読み取りを容易にする目的で、マーカー部に金属などを薄く蒸着しても良い。また、フィルムの反りを防止する目的で、試料の上部にガラスなどの透明な薄板（厚さ０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度）を載せて測定しても良い。なお、熱膨張率は、室温からガラス転移温度に至る前の温度の間で測定する。これは、配線基板は、そのガラス転移温度以下の温度で使用されるからである。
【００３８】
密着層１２は、第１フィルム層１０の直下及び第２フィルム層１１の直上に形成されており、例えばエポキシ系樹脂、シアネート系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂又はポリイミド系樹脂等の樹脂から成る。密着層１２には、導電層６との接着性の良好な樹脂が用いられており、密着層１２を導電層６とフィルム層との間に介在させることによって、密着層１２が剥離するのを良好に抑制することができる。また、密着層１２の熱膨張率は、２０ｐｐｍ／℃以上、１００ｐｐｍ／℃である。密着層１２の厚みは、例えば５μｍ以上、２０μｍ以下であって、コア基板における密着層１２の熱膨張の影響は殆ど生じないように設定されている。
【００３９】
コア基板５には、上下方向に貫通するスルーホールＳと、スルーホールＳの内壁面に沿って形成されるスルーホール導体１４と、スルーホール導体１４によって囲まれる領域に充填される樹脂体１５が形成されている。スルーホール導体１４は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料から成る。また、樹脂体１５は、スルーホールＳによって囲まれる残存空間を埋めるためのものである。樹脂体１５は、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、フッ素樹脂、シリコン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等から成る。樹脂体１５がスルーホールＳによって囲まれる残存空間を埋めることによって、樹脂体１５の直上直下に後述するビア導体１０を形成することができ、スルーホール導体１４から導電層６まで引き回す配線の距離を短くすることができ、配線基板２の小型化を実現することができる。また、配線の距離を短くすることによって、配線抵抗を小さくすることができ、消費電力を低減することができる。
【００４０】
図３は、図２のＰ部分の拡大図であって、スルーホール導体の拡大断面図である。図３に示すように、スルーホールＳの内壁面からフィラー１３の一部が突出しており、フィラー１３の一部がスルーホール導体１４に埋入している。そのため、スルーホール導体１４が、フィラー１３の一部を被覆することによって、スルーホール導体１４とスルーホールＳの内壁面との接触面積を大きくし、両者の接着力を大きくすることができ、スルーホール導体１４がスルーホールＳの内壁面から剥離するのを抑制することができる。
【００４１】
半導体素子４には、絶縁層７の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子４の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することができる。
【００４２】
上述したように本実施形態によれば、平面方向の熱膨張率が小さいフィルム層をコア基板の上層及び下層に用いて、コア基板の平面方向の熱膨張率を小さくし、配線基板に実装する半導体素子との熱膨張率に合わせて、外部から熱が加えられたとしても半導体素子と配線基板との接続を良好に維持することができる。また、フィルム層同士の間に厚み方向の熱膨張率の小さい樹脂層を介在させ、外部からの熱によって、コア基板全体が厚み方向に大きく熱膨張するのを抑制し、コア基板を貫通するスルーホール導体とスルーホール導体と接続される導電層との剥離を抑えることができる。この結果、配線基板の電気的信頼性を良好に維持することができる。
【００４３】
次に、上述した配線基板２を含む実装構造体１の製造方法について、図４から図８を用いて説明する。
【００４４】
図４（Ａ）に示すように、第１フィルム層１０と第２フィルム層１１とを準備する。これらの両層は、ポリパレフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂あるいは、ポリパレフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂とポリイミド樹脂との化合物から成り、その厚みが、例えば５μｍ以上、３０μｍ以下のものを用いる。そして、第１フィルム層１０の下面には、例えばエポキシ系樹脂から成る密着層１２が形成されている。密着層１２の厚みは、例えば１０μｍ以下のものを用いている。同様に、第２フィルム層１１の上面にも密着層１２が形成されている。これらの密着層１２は、フィルム層上に例えばダイコート法を用いて形成することができる。
【００４５】
第１フィルム層１０と第２フィルム層１１との間には、シアネート系樹脂から成る樹脂層９が設けられている。樹脂層９には、非晶質酸化ケイ素から成るフィラー１３が含有されている。なお、樹脂層９の厚みは、１００μｍ以上１０００μｍ以下に設定されている。
【００４６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１フィルム層１０と第２フィルム層１１との間に、樹脂層９を介在させて、これらの層を重ね合わせて、加熱加圧することによって、コア基板５を形成することができる。なお、コア基板５は、厚みが１２０μｍ以上１０８０μｍ以下に設定されている。
【００４７】
そして、図４（Ｃ）に示すように、コア基板５に対して、機械式ドリル加工あるいはレーザー加工を行うことによって、スルーホールＳを形成することができる。スルーホールＳは、第１フィルム層１０の下面に形成された密着層１２から、第２フィルム層１１の上面に形成された密着層１２までを貫通して形成される。また、スルーホールＳの内壁面からは、樹脂層９に含有されているフィラー１３の一部が露出する。なお、樹脂層９には、スルーホールＳからフィラー１３が露出するように、フィラー１３の含有量が調整されている。なお、スルーホールＳは、その直径が３０μｍ以上３００μｍ以下に設定されている。
【００４８】
次に、図５（Ａ）に示すように、密着層１２の表面及びスルーホールＳの内壁面に対して、無電解めっきを施すことによって、密着層１２の表面上に導電層６ｘを形成し、スルーホールＳの内壁面にスルーホール導体１４を形成することができる。なお、導電層６ｘ及びスルーホール導体１４は、例えば銅、銀、錫などの導電性材料から成り、両方同時に形成される。
【００４９】
そして、図５（Ｂ）に示すように、スルーホールＳに対して、例えば印刷法を用いて、例えばエポキシ系樹脂から成る樹脂体１５を充填することができる。
【００５０】
さらに、図５（Ｃ）に示すように、樹脂体１５の直上及び直下に対して、例えば無電解めっき法と電解めっき法を用いて、めっきを形成する。そして、図６（Ａ）に示すように、導電層６ｘに対して、従来周知のフォトリソグラフィー技術を用いて、パターニングして、グランド層６ｂを形成する。その後、図６（Ｂ）に示すように、グランド層６ｂ上に、例えばエポキシ系樹脂から成る接着層７ａを被着させたシート層７ｂを対向配置する。なお、シート層７ｂは、ポリパレフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂とポリイミド樹脂との化合物から成り、その厚みが５μｍ以上、３０μｍ以下に設定されている。接着層７ａは、シート層７ｂに対して、例えばダイコート法を用いて形成されている。
【００５１】
そして、図６（Ｃ）に示すように、グランド層６ｂ上に対して、接着層７ａを介してシート層７ｂを貼り合わせる。シート層７ｂをグランド層６ｂ上に接着層７ａを介して貼り合わせた後、シート層７ｂ及び接着層７ａを加熱加圧することによって、接着層７ａを熱硬化させ、シート層７ｂをグランド層６ｂ上に固着することができる。
【００５２】
次に、図７（Ａ）に示すように、平面視してスルーホールＳと重なる領域に、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ２レーザー装置を用いて、レーザー光を照射し、絶縁層７を貫通する貫通孔Ｈを形成する。貫通孔Ｈは、絶縁層７に対して垂直方向から、レーザー光が照射されることによって、グランド層６ｂの一部を露出して形成される。なお、貫通孔Ｈは、上部よりも下部が幅狭な逆テーパー状に形成されている。
【００５３】
そして、図７（Ｂ）に示すように、シート層７ｂの表面及び貫通孔Ｈに対して、無電解めっきを施すことによって、シート層７ｂ上に導電層６ｙを形成し、貫通孔Ｈにビア導体８を充填することができる。なお、導電層６ｙ及びビア導体８は、例えば銅などの導電性材料から成り、両方同時に形成される。
【００５４】
さらに、図７（Ｃ）に示すように、導電層６ｙに対して、従来周知のフォトリソグラフィー法を用いて、導電層６ｙをパターニングし、信号線路６ａを形成することができる。なお、信号線路６ａは、平面視して、グランド層６ｂと重なる領域に形成される。
【００５５】
次に、図８（Ａ）に示すように、上述した方法を用いて、導電層６及び絶縁層７を複数積層する。さらに、図８（Ｂ）に示すように、コア基板５の上面及び下面に、導電層６及び絶縁層７を積層することによって、配線基板２を作製することができる。
【００５６】
そして、配線基板２に対してバンプ３を介して半導体素子４をフリップチップ実装することによって、図１に示す実装構造体１を作製することができる。
【００５７】
上述したように本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、配線基板の表面に沿った平面方向の熱膨張率と配線基板の厚み方向の熱膨張率とを、合わせることによって、外部からの熱によって、配線基板を厚み方向に熱膨張しにくくすることができる。その結果、スルーホール導体の破壊を低減することができ、スルーホール導体と導電層との間のクラックを抑制し、配線基板の電気的信頼性を有効に維持することができる。
【００５８】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るスルーホール導体の拡大断面図である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）、図７（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１    実装構造体
２    配線基板
３    バンプ
４    半導体素子
５    コア基板
６    導電層
６ａ  信号線路
６ｂ  グランド層
７    絶縁層
７ａ  接着層
７ｂ  シート層
８    ビア導体
９    樹脂層
１０    第１フィルム層
１１    第２フィルム層
１２    密着層
１３    フィラー
１４    スルーホール導体
１５    樹脂体
Ｈ    貫通孔
Ｓ    スルーホール    
【図２】
2009246316.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１】
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