(57)【要約】【課題】  基板に対してより多量の処理ガスを供給する。【解決手段】  積層された基板を収納する処理室と、処理室内に基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、開口部から基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、ガス供給部が有する各開口部の上下側には開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁とがそれぞれ設けられ、開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁との間隔が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている。【選択図】  図１
2009088315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された基板を収納する処理室と、
前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、
前記ガス供給部が有する各開口部の上下側には前記開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁とがそれぞれ設けられ、
前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との間隔が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
積層された基板を収納する処理室と、
前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、
前記ガス供給部が有する各開口部の両側には前記開口部を挟んで対向する左の壁と右の壁とがそれぞれ設けられ、
前記開口部を挟んで対向する前記左の壁と前記右の壁との間隔が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
積層された基板を収納する処理室と、
前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、
前記ガス供給部が有する各開口部の周囲には前記開口部の外周を囲う壁がそれぞれ設けられ、
前記開口部の外周を囲う前記壁の内径が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
積層された基板を収納する処理室と、
前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、
前記開口部は前記ガス供給部の壁を貫通するように設けられ、
前記開口部の内径が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている
ことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板が収納された処理室の内部にガスを供給して基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばＤＲＡＭなどの半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する基板処理工程が実施されていた。かかる基板処理工程を実施する基板処理装置は、積層された基板を収納する処理室と、処理室内に設けられ、複数の開口部を有し、開口部から基板表面に対して処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備えていた。そして、複数の基板を処理室内に搬入し、排気口により処理室内を排気しつつ、ガス供給部の開口部から処理室内に処理ガスを供給することにより、各基板の間にガスを通過させて基板上に薄膜を形成していた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述の基板処理装置を用いた基板処理工程において、開口部から処理室内に供給した処理ガスが、各基板の間を通過せずに基板の周囲に流れてしまう場合があった。その結果、基板に対する処理ガスの供給量が減少してしまう場合があった。
【０００４】
本発明は、基板に対してより多量の処理ガスを供給することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記ガス供給部が有する各開口部の上下側には前記開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁とがそれぞれ設けられ、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との間隔が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記ガス供給部が有する各開口部の両側には前記開口部を挟んで対向する左の壁と右の壁とがそれぞれ設けられ、前記開口部を挟んで対向する前記左の壁と前記右の壁との間隔が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記ガス供給部が有する各開口部の周囲には前記開口部の外周を囲う壁がそれぞれ設けられ、前記開口部の外周を囲う前記壁の内径が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前
記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記開口部は前記ガス供給部の壁を貫通するように設けられ、前記開口部の内径が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明にかかる基板処理装置によれば、基板に対してより多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
上述したとおり、従来の基板処理装置においては、開口部から処理室内に供給された処理ガスが、各基板の間を通過せずに基板の周囲に流れてしまう場合があった。その結果、基板に対する処理ガスの供給量が減少してしまう場合があった。
【００１１】
発明者は、処理ガスが基板の周囲に流れてしまう要因について、シミュレーション実験等を行いながら鋭意研究を行った。その結果、ガス供給部の開口部周辺において処理ガスが干渉して渦が発生しているとともに、局所的な圧力の低下が発生しており、その結果、処理ガスが各基板の間を通過せずに、圧力の低い領域に流れ込んでしまっていることを突き止めた。そして、基板に対してより多量の処理ガスを供給するためには、開口部周囲における処理ガスの干渉を抑制し、開口部周囲における渦の発生を抑制することが有効であるとの知見を得た。本発明は、発明者が得た上述の知見に基づいてなされたものである。
【００１２】
（１）基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。図２は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
【００１３】
図２に示すように、発明の一実施形態にかかる基板処理装置は、筐体３０を有している。筐体３０の内部の前面側には、Ｉ／Ｏステージ３３が設けられている。Ｉ／Ｏステージ３３は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット３２の授受を行うように構成されている。また、Ｉ／Ｏステージ３３の後側には、カセット３２を昇降移動させる昇降手段としてのカセットエレベータ３５が設けられている。カセットエレベータ３５には、カセット３２を水平移動させる搬送手段としてのカセット移載機３９が設けられている。さらに、カセットエレベータ３５の後側には、カセット３２の載置手段としてのカセット棚３４が設けられている。
【００１４】
筐体３０の後部の上方には、ウェハ等の基板５を処理する熱処理炉２０が垂直に設けられている。また、熱処理炉２０には排気ライン４３が接続されている。熱処理炉２０及び排気ライン４３の詳細な構成については後述する。
【００１５】
熱処理炉２０の下方には、昇降手段としてのボートエレベータ３６が設けられている。そして、ボートエレベータ３６の下端部には昇降部材３６ａが設けられている。昇降部材３６ａ上には、蓋体としてのシールフランジ７を介して、基板保持手段としてのボート３７が垂直に取り付けられている。ボート３７の構成については後述する。ボートエレベータ３６が上昇すると、熱処理炉２０の内部にボート３７が搬入されると共に、熱処理炉２０の下端部がシールフランジ７により気密に封止されるように構成されている。また、熱処理炉２０の下端部の横には、閉塞手段としての炉口シャッタ４６が設けられている。炉口シャッタ４６は、ボートエレベータ３６が下降中に、熱処理炉２０の下端部を気密に閉塞するように構成されている。
【００１６】
熱処理炉２０とカセット棚３４との間には、基板５を昇降移動させる昇降手段としての移載エレベータ４０が設けられている。移載エレベータ４０には、基板５を水平移動させる搬送手段としての基板移載機３８が取り付けられている。
【００１７】
続いて、上述した基板処理装置の動作について、図２を参照しながら説明する。
【００１８】
まず、基板５が装填されたカセット３２が、図示しない外部搬送装置により搬送されて、Ｉ／Ｏステージ３３上に載置される。その後、カセットエレベータ３５の昇降動作および横行動作と、カセット移載機３９の進退動作および回転動作との協調動作により、カセット３２が、Ｉ／Ｏステージ３３からカセット棚３４上へと搬送される。
【００１９】
その後、基板移載機３８の進退動作および回転動作と、移載エレベータ４０の昇降動作との協調動作により、カセット棚３４上のカセット３２に装填されていた基板５が、下降状態のボート３７内に移載される。
【００２０】
その後、ボートエレベータ３６が上昇することにより、熱処理炉２０の内部にボート３７が搬入されると共に、シールフランジ７により熱処理炉２０の内部が気密に封止される。そして、気密に閉塞された熱処理炉２０内で、基板５が加熱され、熱処理炉２０内に処理ガスが供給されることにより、基板５の表面に所定の処理がなされる。かかる処理の詳細については後述する。
【００２１】
基板５への処理が完了すると、上述の手順とは逆の手順により、処理後の基板５が、ボート３７内からカセット棚３４上のカセット３２内へと移載される。そして、処理後の基板５を格納したカセット３２が、カセット移載機３９により、カセット棚３４上からＩ／Ｏステージ３３上へと移載され、図示しない外部搬送装置により筐体３０の外部へと搬送される。なお、ボートエレベータ３６が下降した後は、炉口シャッタ４６が熱処理炉２０の下端部を気密に閉塞して、熱処理炉２０内へ外気が侵入することを防止している。
【００２２】
（２）熱処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる熱処理炉の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉の概略構成図であり、（ａ）は熱処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は図１（ａ）に示す熱処理炉の横断面概略図をそれぞれ示している。
【００２３】
（処理室）
図１に示すとおり、本発明の一実施形態にかかる熱処理炉２０は、反応管３とマニホールド１１とを有している。反応管３は、例えば石英（ＳｉＯ２）や炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性を有する非金属材料から構成され、上端部が閉塞され、下端部が開放された円筒形状となっている。また、マニホールド１１は、例えばＳＵＳ等の金属材料から構成され、上端部及び下端部が開放された円筒形状となっている。反応管３は、マニホールド１１により下端部側から縦向きに支持されている。また、反応管３とマニホールド１１とは、同心円状に配置されている。マニホールド１１の下端部は、上述したボートエレベータ３６が上昇した際に、シールフランジ７により気密に封止されるように構成されている。マニホールド１１の下端部とシールフランジ７との間には、処理室１内を気密に封止するＯリングなどの封止部材７ａが設けられている。
【００２４】
反応管３及びマニホールド１１の内部には、ウェハ等の基板５を処理する処理室１が形成されている。そして上述したように、処理室１内には、基板保持具としてのボート３７が下方から挿入されるように構成されている。従って、反応管３及びマニホールド１１の内径は、基板５を装填したボート３７の最大外形よりも大きくなるように構成されている
。
【００２５】
ボート３７は、複数枚の基板５を、略水平状態で所定の隙間（基板ピッチ間隔）をもって多段に保持するように構成されている。ボート３７は、ボート３７からの熱伝導を遮断する断熱キャップ４８上に搭載されている。断熱キャップ４８は、回転軸７ｂにより下方から支持されている。回転軸７ｂは、処理室１内の気密を保持しつつ、シールフランジ７の中心部を貫通するように設けられている。シールフランジ７の下方には、回転軸７ｂを回転させる図示しない回転機構が設けられている。従って、回転機構により回転軸７ｂを回転させることにより、処理室１内の気密を保持したまま、複数の基板５を搭載したボート３７を回転させることが出来るように構成されている。
【００２６】
（第１ガス供給ライン、及び第１ガス供給部）
また、図１に示すように、マニホールド１１の側面には、第１の処理ガスを供給する第１ガス供給ライン１２ａが接続されている。第１ガス供給ライン１２ａには、上流側から順に、図示しない第１の処理ガス供給源、マスフローコントローラ１３ａ、及び開閉バルブ１４ａが設けられている。なお、第１ガス供給ライン１２ａの下流側端部は、ガス供給ノズル１５ａに接続されている。ガス供給ノズル１５ａは、マニホールド１１の側面の側面を貫通するとともに、処理室１内にて直角に屈曲して、マニホールド１１及び反応管３の内壁に沿うように垂直方向に配設されている。
【００２７】
処理室１内には、基板５の積層方向に沿って第１ガス供給部４ａ設けられている。具体的には、第１ガス供給部４ａは、処理室１の内壁（マニホールド１１壁及び反応管３の内壁）と、ボート３７に支持される基板５の周縁とに挟まれる空間の一部を囲うように、また、ガス供給ノズル１５ａの外周を囲うように設けられ、処理室１内の下方から基板５を積層する方向（垂直方向）に向けて延在されている。そして、第１ガス供給部４ａの内壁と処理室１の内壁とに囲まれる空間には、第１ガス供給ライン１２ａから供給される処理ガスを一時的に蓄えてガス分子の速度差を緩和するバッファ空間２ａが形成されている。
【００２８】
バッファ空間２ａ内には、一対の電極１７ａが、マニホールド１１及び反応管３の内壁に沿うように、基板５を積層する方向（垂直方向）に向けて延在されている。一対の電極２７には、インピーダンス整合器１９ａを介して外部電源２０ａが接続されている。これら一対の電極１７ａは、誘電体からなる円筒状の保護管１８ａにそれぞれ覆われている。保護管１８ａの上端部は閉塞され、保護管１８ａの下端部は開放されて処理室１の外部に連通しており、保護管１８ａの内部には不活性ガスがパージされている。また、図示しないが、電極１７ａの屈曲部近傍の被保持部は、保護管１８ａの内部において放電防止のための絶縁筒および静電遮断のためのシールド筒に順に覆われている。外部電源２０ａにより一対の電極１７ａへ高周波電力が印加されることにより、バッファ空間２ａ内にプラズマ（すなわちプラズマ放電領域）が生成（着火）されるように構成されている。電極１７ａにより生成（着火）されたプラズマは、バッファ空間２ａ内に供給された第１の処理ガスを励起するように構成されている。
【００２９】
また、第１ガス供給部４ａは、複数の開口部９ａを有している。具体的には、各基板５の周縁と対向する第１ガス供給部４ａの側壁には、基板５の積層方向に沿って複数の開口部９ａが設けられている。各開口部９ａは、処理室１の中心（基板５の中心）に向けてそれぞれ開口している。その結果、バッファ空間２ａ内に供給され、プラズマにより励起された第１の処理ガスは、処理室１内に収納された各基板５上へと供給（噴出）されるように構成されている。なお、バッファ空間２ａ内の圧力が異なる場合には、例えば、ガス流の上流側（処理室１の下方）の開口部９ａの口径を小さく設定し、ガス流の下流側（処理室１の上方）の開口部９ａの口径を大きく設定することにより、基板５の載置位置（高さ）によらず、各基板５への処理ガスの供給量をより均一化することが可能になる。
【００３０】
なお、図６（ａ）に示すように、第１ガス供給部４ａが有する各開口部９ａの上下側には、各開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとがそれぞれ設けられている。そして、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとの間隔が、処理ガスの供給方向（すなわち開口部９ａから基板５の中心へ向かう方向）に向かって漸次大きくなるように構成されている。その結果、開口部９ａ周囲における渦の発生及び局地的な圧力低下を抑制することができ、第１の処理ガスが各基板５の間を通過せずに基板５の周囲に流れてしまうことを抑制できる。ここで、上の壁２１ａの下流側端部、及び下の壁２２ａの下流側端部を基板５の周縁部にそれぞれ近づけることにより、基板５上における処理ガスの速度を速めることが可能となる。
【００３１】
（第２ガス供給ライン、及び第２ガス供給部）
また、図１に示すように、マニホールド１１の側面には、第２の処理ガスを供給する第２ガス供給ライン１２ｂが接続されている。第２ガス供給ライン１２ｂには、上流側から順に、図示しない第２の処理ガス供給源、マスフローコントローラ１３ｂ、開閉バルブ１４ｂ、バッファタンクとして構成されたガス溜め１５ｂ、及び開閉バルブ１６ｂが設けられている。なお、第２ガス供給ライン１２ｂの下流側端部は、マニホールド１１の側面に第２のガス導入口１７ｂを形成している。
【００３２】
処理室１内には、基板５の積層方向に沿って第２ガス供給部４ｂが設けられている。具体的には、第２ガス供給部４ｂは、処理室１の内壁と、ボート３７に支持される基板５の周縁と、に挟まれる空間の一部を囲うように設けられ、処理室１内の下方（第２のガス導入口１７ｂよりも下方）から基板５を積層する方向（垂直方向）に向けて延在されている。そして、第２ガス供給部４ｂの内壁と処理室１の内壁とに囲まれる空間には、第２ガス供給ライン１２ｂから供給される処理ガスを一時的に蓄えてガス分子の速度差を緩和するバッファ空間２ｂが形成されている。
【００３３】
第２ガス供給部４ｂも、第１ガス供給部４ａと同様に複数の開口部９ｂを有している。また、第２ガス供給部４ｂが有する各開口部９ｂの上下側にも、第１ガス供給部４ａと同様に、各開口部９ｂを挟んで対向する上の壁２１ｂと下の壁２２ｂとがそれぞれ設けられている。
【００３４】
（排気口）
図１に示すとおり、マニホールド１１の側壁には処理室１内の雰囲気を排気する排気口８が設けられている。また、排気口８には図２に示す排気ライン４３が接続されている。排気ライン４３の下流側端部は真空ポンプ４１に接続されている。排気ライン４３には開閉バルブ４７が設けられている。真空ポンプ４１を作動させつつ開閉バルブ４７の開度を調整することにより、処理室１内の圧力を調整することが可能なように構成されている。真空ポンプ４１の排出口は、配管４４により排ガス除外装置４２に接続されている。なお、排気ライン４３及び配管４４が複数の配管から構成される場合には、適宜接合部４５が設けられる。
【００３５】
（抵抗加熱ヒータ）
図１に示すとおり、反応管３の外周を囲うように、加熱手段としての抵抗加熱ヒータ１０が設けられている。抵抗加熱ヒータ１０への通電が行われることにより、反応管３の外部から処理室１内が加熱されるように構成されている。このように、抵抗加熱ヒータ１０がホットウォール型構造として構成されていることにより、処理室１内の全体にわたって温度を均一に維持することが可能となる。
【００３６】
（コントローラ）
熱処理炉２０には、コントローラ２８０が設けられている。コントローラ２８０は、開閉バルブ１４ａ，１４ｂ，１６ｂ，４７、マスフローコントローラ１３ａ，１３ｂ、回転軸７ｂを回転させる回転手段、インピーダンス整合器１９ａ、外部電源２０ａ、真空ポンプ４１、及び抵抗加熱ヒータ１０にそれぞれ接続されており、これらの動作をそれぞれ制御するように構成されている。
【００３７】
（４）基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法の中の１つであるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて基板５の表面にＳｉＮ（窒化珪素）膜を成膜する方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。
【００３８】
ＡＬＤ法は、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（またはそれ以上）の原料となる処理ガスを１種類ずつ交互に基板５上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。例えばＳｉＮ膜を形成する場合には、第１の処理ガスとしてＮＨ３（アンモニア）を、第２の処理ガスとしてＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）ガスが用いられる。これらの処理ガスを１種類ずつ交互に基板５上へ供給するサイクルを複数回繰り返すことにより、膜厚制御を行う。例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う。
【００３９】
（基板搬入工程（Ｓ１））
まず、上述した手順により、処理対象の基板５をボート３７内へと装填する。続いて、ボートエレベータ３６を上昇させて、基板５を装填したボート３７を処理室１内へと搬入すると共に、処理室１内をシールフランジ７により気密に封止する。このとき、開閉バルブ１４ａ，１４ｂ，１６ｂ，４７は閉じておく。基板５の搬入後は、回転機構により基板５を回転させる。
【００４０】
（減圧工程（Ｓ２））
続いて、開閉バルブ１４ａ，１４ｂを閉じたまま、真空ポンプ４１を作動させて開閉バルブ４７を開けることにより処理室１内を排気する。なお、減圧工程（Ｓ２）を実施中は、開閉バルブ１６ｂを開けることにより、ガス溜め１５ｂ内も併せて排気する。そして、開閉バルブ４７の開度を調整することにより、処理室１内の圧力が所定の圧力になるよう制御する。
【００４１】
（昇温工程（Ｓ３））
続いて、抵抗加熱ヒータ１０に電力を供給することにより、処理室１内の温度を所定の温度まで昇温する。このとき、基板５の表面温度が例えば３００〜６００℃になるように、抵抗加熱ヒータ１０への通電量を制御する。
【００４２】
なお、基板搬入工程（Ｓ１）、減圧工程（Ｓ２）、昇温工程（Ｓ３）を実施する際には、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ２などの不活性ガスを処理室１内に常に流しておくことが好ましい。これにより、処理室１内の酸素濃度を下げると共に、パーティクル（異物）や金属汚染物の基板５への付着を抑制することができる。
【００４３】
（第１の処理ガス供給工程（Ｓ４））
続いて、開閉バルブ１６ｂを閉じ、開閉バルブ１４ａを開くことにより、マスフローコントローラ１３ａにより流量制御しながら、バッファ空間２ａ内に第１の処理ガスとしてのＮＨ３（アンモニア）ガスを供給して、ガス分子の速度差を緩和させる。バッファ空間
２ａ内の圧力が所定の着火圧力に到達したら、一対の電極１７ａに対して、インピーダンス整合器１９ａを介して外部電源２０ａから高周波電力を供給し、バッファ空間２ａ内にプラズマを生成（着火）させる。そして、生成させたプラズマにより、バッファ空間２ａ内に供給されているＮＨ３ガスを励起（活性化）させ、開口部９ａを介して処理室１内に活性粒子（ラジカル）を供給する。その結果、プラズマにより励起（活性化）されたＮＨ３ガスは、基板５上に化学吸着する。
【００４４】
所定時間が経過した後、電極２７への電力供給を停止すると共に開閉バルブ１４ａを閉じることにより、処理室１内へのＮＨ３ガスの供給を停止する。そして、開閉バルブ４７を開いたまま、排気ライン４３により処理室１内に残留しているＮＨ３ガス等を排気する。この際、処理室１内にＮ２等の不活性ガスを供給することにより、処理室１内に残留しているＮＨ３ガスを効率的に排気することが好ましい。その後、処理室１内の圧力を所定圧力まで減圧させたら、開閉バルブ４７を閉じ、処理室１内を減圧された状態で保持する。
【００４５】
（第２の処理ガス充填工程（Ｓ４’））
第１の処理ガス供給工程（Ｓ４）の実施中には、開閉バルブ１６ｂを閉じたまま開閉バルブ１４ｂを開けることにより、マスフローコントローラ１３ｂにより流量制御しながら、ガス溜め１５ｂ内に第２の処理ガスとしてのＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２；ジクロロシラン）ガスを充填する。ガス溜め１５ｂ内の圧力が例えば２００００Ｐａ以上になったら、開閉バルブ１４ｂを閉じることにより、ガス溜め１５ｂ内へのＤＣＳガスの充填を停止する。なお、第１の処理ガス供給工程（Ｓ４）と第２の処理ガス充填工程（Ｓ４’）とは並行して実施しておくことが好ましく、第１の処理ガス供給工程（Ｓ４）よりも先に第２の処理ガス充填工程（Ｓ４’）を完了させておくことが好ましい。
【００４６】
（第２の処理ガス導入工程（Ｓ５））
第１の処理ガス充填工程（Ｓ４）、及び第２の処理ガス充填工程（Ｓ４’）が完了したら、開閉バルブ１４ａ，１４ｂ，４７を閉じたまま、開閉バルブ１６ｂを開けることにより、ガス溜め１５ｂ内と処理室１内との圧力差を利用して、ガス溜め１５ｂ内のＤＣＳガスを所定時間以内に（ごく短時間で）処理室１内へと導入する。その結果、処理室１内の圧力は例えば９３１Ｐａ程度まで上昇し、基板５の表面は高圧のＤＣＳガスに暴露される。そして、基板５の表面に吸着したＮＨ３ガスの活性粒子とＤＣＳガスとが迅速に反応して、基板５の表面上にＳｉＮの薄膜が生成される。
【００４７】
所定時間が経過した後、開閉バルブ１６ｂを閉じ、開閉バルブ４７を開けることにより、排気ライン４３により処理室１内に残留しているＤＣＳガスや反応生成物等を排気する。この際、処理室１内にＮ２等の不活性ガスを供給することにより、処理室１内に残留しているＤＣＳガス等を効率的に排気することが好ましい。その後、処理室１内の圧力を所定圧力まで減圧させる。なお、開閉バルブ１６ｂを閉じた後は、処理室１内の排気の完了を待たずに、開閉バルブ１４ｂを開けて原料ガス充填工程（Ｓ４’）の実施を開始することが好ましい。
【００４８】
（繰り返し工程（Ｓ６））
以上のように、第１の処理ガス供給工程（Ｓ４）及び第２の処理ガス充填工程（Ｓ４’）→第２の処理ガス導入工程（Ｓ５）を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理（繰り返し工程）を実施する。これにより、基板５上に所望膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。
【００４９】
（基板搬出工程（Ｓ７））
各基板５上に所望膜厚の薄膜を形成した後、回転機構による基板５の回転を停止させる
。そして、上述した基板搬入工程（Ｓ１）から圧力調整工程（Ｓ３）とは逆の手順により、所望膜厚の薄膜が形成された基板５を処理室１内から搬出する。以上により、本実施形態にかかる基板処理工程が完了する。
【００５０】
（５）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、第１ガス供給部４ａが有する各開口部９ａの上下側には、各開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとがそれぞれ設けられている。そして、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとの間隔が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなるように構成されている。そのため、開口部９ａ周囲における第１の処理ガスの干渉を抑制し、渦の発生を抑制し、局地的な圧力低下を抑制し、第１の処理ガスが各基板５の間を通過せずに基板５の周囲に流れてしまうことを抑制できる。また、排気口８は処理室１の下方に設けられており、開口部９ａから供給（噴出）した第１の処理ガスは処理室１の下方へと引きずられる傾向がある。しかしながら、本実施形態によれば、各開口部９ａの上下側に上の壁２１ａと下の壁２２ａとを設けることで、処理室１の下方へと引きずられる流れを阻止し、第１の処理ガスを水平方向に流すように促すことが出来る。以上により、基板５に対する処理速度を速め、基板処理の生産性を向上させることが可能となる。なお、第２の処理ガスについても、各開口部９ｂを挟んで対向する上の壁２１ｂと下の壁２２ｂにより、上述の効果を得ることが出来る。
【００５１】
以下に、熱処理炉２０内のガス流速分布、及び圧力分布のシミュレーション解析結果を示す。図３は熱処理炉２０内におけるガス流速分布の解析対象領域を示しており、（ａ）は熱処理炉内における解析対象領域の位置を、（ｂ）は解析対象領域の部分拡大図をそれぞれ示している。解析に際しては、計算速度を速めるため、中腹部を輪切りにした熱処理炉２０を解析対象領域とするとともに、第２ガス供給部４ｂは存在しないものとした。解析対象領域における第１ガス供給部４ａには開口部９ａが５つ設けられており、その配列のピッチを１３．５ｍｍとした。また、基板５の積載ピッチは１５．２７ｍｍとした。また、各開口部９ａの高さ位置は、基板５と隣接する基板５との中間位置とした。また、第１ガス供給部４ａの有する開口部９ａから水平方向に供給（噴出）される処理ガスだけでなく、熱処理炉２０の上部から解析対象領域に流入する処理ガスも解析の対象に加えることとした。各開口部９ａから水平方向に供給（噴出）される処理ガスの流速は、処理室１の上方側から順に、２９．８４、２９．９１、２９．９８、３０．０５、３０．１４ｍ／ｓｅｃとした。また、熱処理炉２０の上部から解析対象領域に流入する処理ガスの流量は０．８４ｓｌｍとした。なお、処理室１の内壁の温度は７２３Ｋ、処理室１内の圧力は１３３Ｐａ（１ｔｏｒｒ）とした。処理ガスの種別はアンモニア（ＮＨ３）ガスである。
【００５２】
まず、参考までに、第１ガス供給部４ａの開口部９ａの周辺に壁が設けられてない従来の熱処理炉２０内のガス流速分布の解析結果を、図４に示す。図４（ａ）は、解析対象領域の上面図を、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡＡ’断面図をそれぞれ示している。図４（ａ）（ｂ）において、処理ガスの流れをそれぞれ破線で記載している。図４によれば、第１ガス供給部４ａの開口部９ａから処理室１内に供給（噴出）された処理ガスは、開口部９ａの周辺ではガスの流速が速いが、基板５上では急速に速度が低下していることが分かる。このことから、処理ガスが、各基板５の間を通過せずに基板５の周囲に流れてしまっていることが分かる。また、排気口８が処理室１の下方に設けられており、開口部９ａから供給（噴出）したガスが処理室１の下方へと引きずられていることが分かる。
【００５３】
また、第１ガス供給部４ａの開口部９ａの周辺に壁が設けられてない従来の熱処理炉２０内の圧力分布の解析結果を、図５に示す。図５（ａ）は解析対象領域の上面図を、（ｂ）は図５（ａ）の領域Ｂにおける解析結果を、（ｃ）は解析対象領域の縦断面図を、（ｄ）は図５（ｃ）の領域Ｄにおける解析結果をそれぞれ示している。図５（ｂ）（ｄ）においても、処理ガスの流れをそれぞれ破線で記載している。図５によれば、開口部９ａの周
辺（図５（ｂ）の領域Ｃ、図５（ｄ）の領域Ｅ）において圧力が低下しており、処理ガスが渦を巻いていることが分かる。この渦は、処理ガスを基板５の周囲に流してしまう一要因であると考えられる。
【００５４】
続いて、本実施形態にかかる熱処理炉２０内のガス流速分布の解析結果を、図７（ａ）及び（ｂ）に示す。図７（ａ）は開口部の上下側に壁が設けられた場合の解析対象領域の上面図を、図７（ｂ）は図７（ａ）のＡＡ’断面図をそれぞれ示している。図７においても、処理ガスの流れをそれぞれ破線で記載している。これらの解析結果によれば、各基板５上におけるガスの流速が比較的早くなっており、各基板５に対してより多量の処理ガスを供給できていることが分かる。
【００５５】
また、本実施形態にかかる熱処理炉２０内の圧力分布の解析結果を、図８（ａ）及び（ｂ）に示す。図８（ａ）は開口部の上下側に壁が設けられた場合における開口部上面の圧力分布を、図８（ｂ）は図８（ａ）の縦断面図をそれぞれ示している。これらの解析結果によれば、上の壁２１ａ、下の壁２２ａが設けられた領域では、処理ガスの渦の発生を抑制できているとともに、局所的な圧力の低下も抑制できていることが分かる。なお、図８（ｂ）に示すように、壁が設けられた開口部９ａの上下側における抑制効果が特に顕著であることが分かる。
【００５６】
＜本発明の他の実施形態＞
以下に、本発明の他の実施形態について説明する。
【００５７】
（１）図６（ａ）において、上の壁２１ａ及び下の壁２２ａが第１ガス供給部４ａの側壁面から突出する高さは略１０ｍｍとしているが、本発明はかかる形態に限定されず、処理ガスの種類や基板５の外径等に応じて適宜調整することが可能である。また、上述した実施形態においては、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとは、その断面形状を略同一としていたが、本発明は上述の実施形態に限定されない。すなわち、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとは、その断面形状は必ずしも同一である必要はなく、互いに異なっていてもよい。また、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとの開き角は、処理ガスの種類に応じてそれぞれ異なるように設定することが可能である。例えば、処理ガスとしてＮＨ３ガスやＤＣＳガスを用いる場合には、上述の開き角を６０±５°とすることが好ましい。このように、処理ガスの特性（粘性や拡散係数）や基板５の外径等に合わせて開口部９ａ，９ｂの周辺に設ける壁の形状を適宜設定することにより、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００５８】
（２）上述した実施形態においては、周囲に壁が設けられた開口部９ａ，９ｂからは、基板５表面に対して水平方向に処理ガスが供給されていた。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば図９に示すように壁を構成してもよい。すなわち、第１ガス供給部４ａが有する各開口部９ａは積層された基板５間にそれぞれ開口しており、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ｂの形状は、開口部９ａから供給される処理ガスを斜め下方に向けて供給するように構成されていてもよい。また、同様に、第２ガス供給部４ｂが有する各開口部９ｂは積層された基板５間にそれぞれ開口しており、開口部９ｂを挟んで対向する上の壁２１ｂと下の壁２２ｂの形状は、開口部９ｂから供給される処理ガスを斜め下方に向けて供給するように構成されていてもよい。このように、処理ガスを斜め下方に向けて供給するように、すなわち、処理ガスを基板５の表面に向けて供給するように構成することにより、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００５９】
（３）上述の実施形態においては、各開口部９ａ，９ｂの上下側に壁をそれぞれ設けてい
た。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば図６（ｂ）に示すように壁を構成してもよい。すなわち、第１ガス供給部４ａ，４ｂが有する各開口部９ａの両側（すなわち水平方向であって開口部９ｂの左右側）には開口部９ａを挟んで対向する左の壁２３ａと右の壁２４ａとがそれぞれ設けられ、開口部９ａを挟んで対向する左の壁２３ａと右の壁２４ａとの間隔が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっているように構成してもよい。また、同様に、第２ガス供給部４ｂが有する各開口部９ｂの両側には開口部９ｂを挟んで対向する左の壁２３ｂと右の壁２４ｂとがそれぞれ設けられ、開口部９ｂを挟んで対向する左の壁，２３ｂと右の壁２４ｂとの間隔が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっているように構成してもよい。また、開口部９ａを挟んで対向する左の壁２３ａと右の壁２４ａとの開き角、及び開口部９ｂを挟んで対向する左の壁２３ｂと右の壁２４ｂとの開き角は、処理ガスの種類に応じてそれぞれ異なるように設定することが可能である。例えば、処理ガスとしてＮＨ３ガスやＤＣＳガスを用いる場合には、上述の開き角を６０±５°とすることが好ましい。このように、処理ガスの特性（粘性や拡散係数）や基板５の外径等に合わせて開口部９ａ，９ｂの周辺に設ける壁の形状を適宜設定することにより、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００６０】
本実施形態にかかる熱処理炉２０内のガス流速分布の解析結果を、図７（ｃ）及び（ｄ）に示す。図７（ｃ）は開口部の両側に壁が設けられた場合の解析対象領域の上面図を、図７（ｄ）は図７（ｃ）のＡＡ’断面図をそれぞれ示している。これらの解析結果によれば、各基板５上におけるガスの流速が比較的早くなっており、各基板５に対してより多量の処理ガスを供給できていることが分かる。
【００６１】
また、本実施形態にかかる熱処理炉２０内の圧力分布の解析結果を、図８（ｃ）及び（ｄ）に示す。図８（ｃ）は開口部の両側に壁が設けられた場合における開口部上面の圧力分布を、図８（ｄ）は図８（ａ）の縦断面図をそれぞれ示している。図８によれば、上の壁２１ａ、下の壁２２ａが設けられた領域では、処理ガスの渦の発生を抑制できているとともに、局所的な圧力の低下も抑制できていることが分かる。なお、図８（ｃ）に示すように、壁が設けられた開口部９ａの両側における効果が特に顕著であることが分かる。
【００６２】
なお、図６（ｂ）において、左の壁２３ａと右の壁２４ａとの対向面の幅、および左の壁２３ａと右の壁２４ａの基板５の周方向における最大幅をそれぞれ略１０ｍｍとしているが、本発明はかかる形態に限定されず、処理ガスの種類や基板５の外径等に応じて適宜調整することが可能である。また、開口部９ａを挟んで対向する左の壁２３ａと右の壁２４ａとの開き角は、処理ガスの種類に応じてそれぞれ異なるように設定することが可能である。また、左の壁２３ｂと右の壁２４ｂについても同様に、その形状や開き角を適宜設定することが可能である。このように、処理ガスの特性等に合わせて開口部９ａ，９ｂの周辺の壁の形状を適宜構成することにより、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００６３】
（４）上述した実施形態においては、各開口部９ａ，９ｂの上下側あるいは両側にのみ壁を設けていた。しかしながら、本発明はこれらの実施形態に限定されない。すなわち、第１ガス供給部４ａ，４ｂが有する各開口部９ａ，９ｂの周囲には開口部９ａ，９ｂの外周を囲う壁がそれぞれ設けられ、開口部９ａ，９ｂの外周を囲う壁の内径が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっているように構成してもよい。具体的には、開口部９ａ，９ｂの外周を４つの壁で囲ってもよいし、開口部の９ａ，９ｂの外周をラッパ状（ノズル形状）の壁で囲ってもよい。上述したとおり、開口部の上下側に壁が設けられた場合には、開口部９ａの上下側における渦の抑制効果が特に顕著であった。また、開口部９ａの両側に壁が設けられた場合には、開口部９ａの両側における渦の抑制効果が特に顕著であった。すなわち、開口部９ａ，９ｂの外周を囲う壁を設けることにより、開口部９ａ，９
ｂから噴出されたガスが壁が設けられていない方向へ逃げてしまうことを抑制でき、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００６４】
本実施形態においても、開口部９ａを挟んで対向する壁（上の壁２１ａ、下の壁２２ａ、左の壁２３ａ、及び右の壁２４ａ）は、その断面形状は必ずしも同一である必要はなく、互いに異なっていてもよい。また、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ａとの開き角、及び左の壁２３ａと右の壁２４ａとの開き角は、処理ガスの種類に応じてそれぞれ異なるように設定することが可能である。例えば、処理ガスとしてＮＨ３ガスやＤＣＳガスを用いる場合には、上述の開き角を略６０°とすることが好ましい。このように、処理ガスの特性に合わせて開口部９ａ，９ｂの周辺の壁の形状を適宜構成することにより、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００６５】
また、本実施形態においても、第１ガス供給部４ａが有する各開口部９ａは積層された基板５間にそれぞれ開口しており、開口部９ａを挟んで対向する上の壁２１ａと下の壁２２ｂの形状は、開口部９ａから供給される処理ガスを斜め下方に向けて供給するように構成されていてもよい。また、同様に、第２ガス供給部４ｂが有する各開口部９ｂは積層された基板５間にそれぞれ開口しており、開口部９ｂを挟んで対向する上の壁２１ｂと下の壁２２ｂの形状は、開口部９ｂから供給される処理ガスを斜め下方に向けて供給するように構成されていてもよい。このように、処理ガスを斜め下方に向けて供給するように、すなわち、処理ガスを基板５の表面に向けて供給するように構成することにより、各基板５に対してさらに多量の処理ガスを供給することが可能となる。
【００６６】
（５）上述した実施形態においては、各開口部９ａ，９ｂの周囲に壁を設けることとしていたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。すなわち、開口部９ａ，９ｂは第１ガス供給部４ａ，４ｂの壁をそれぞれ貫通するように設けられ、開口部９ａ，９ｂの内径が、処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっているように構成してもよい。例えば、開口部９ａ，９ｂをラッパ状（ノズル形状）に構成してもよい。かかる場合においても、上述した（４）の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。また、各開口部９ａ，９ｂの周囲に壁を設ける必要がなくなり、基板処理装置の製造コストを低減させることが可能となる。
【００６７】
（６）上記では、各開口部９ａ，９ｂの上下側に壁を設ける形態、各開口部９ａ，９ｂの両側に壁を設ける形態、各開口部９ａ，９ｂの外周を囲う壁を設ける形態、各開口部９ａ，９ｂを例えばラッパ状（ノズル形状）に構成する形態について説明したが、本発明は各開口部９ａ，９ｂのそれぞれに対して異なる種類の壁を設けることとしてもよく、開口部９ａ，９ｂのいずれか一方のみに壁を設けることとしてもよく、複数の開口部９ａ，９ｂのうち一部の開口部にのみ壁を設けることとしてもよい。
【００６８】
（７）上述の実施形態では処理ガスとして例えばＤＣＳガス、ＮＨ３ガスを用い、基板５上にＳｉＮを成膜する場合を例に説明したが、処理ガスの種類や成膜する薄膜の種類は上述の実施形態に限定されない。また、処理ガスは２種類に限定されず、１種類であってもよく、３種類以上であってもよい。また、処理ガスをプラズマによって励起する場合を例にとって説明したが、プラズマによる励起を行わない場合についても本発明は好適に適用可能である。すなわち、反応容器内に処理ガスを導入して基板を処理する基板処理装置であれば、ＣＶＤ装置、酸化膜形成装置、拡散装置、アニール装置、バッチ式プラズマ装置等にも本発明は好適に適用可能である。
【００６９】
（８）以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の形態に限定されず、当業者にとって自明な範囲で適宜変更することが可能である。
【００７０】
＜本発明の他の実施態様＞
以下に、本発明の他の実施態様について付記する。
【００７１】
本発明の第１の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記ガス供給部が有する各開口部の上下側には前記開口部を挟んで対向する上の壁と下の壁とがそれぞれ設けられ、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との間隔が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【００７２】
好ましくは、第１の態様において、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁とは、断面形状が互いに異なる。
【００７３】
好ましくは、第１の態様において、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との開き角が、略６０°に設定されている。
【００７４】
好ましくは、第１の態様において、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との開き角が、処理ガスの種類に応じてそれぞれ異なるように設定されている。
【００７５】
好ましくは、第１の態様において、前記ガス供給部が有する各開口部は積層された基板間にそれぞれ開口しており、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁の形状は、前記開口部から供給される処理ガスを斜め下方に向けて供給するように設定されている。
【００７６】
本発明の第２の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記ガス供給部が有する各開口部の両側には前記開口部を挟んで対向する左の壁と右の壁とがそれぞれ設けられ、前記開口部を挟んで対向する前記左の壁と前記右の壁との間隔が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【００７７】
好ましくは、第２の態様において、前記開口部を挟んで対向する前記左の壁と前記右の壁との開き角が、略６０°に設定されている。
【００７８】
本発明の第３の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記ガス供給部が有する各開口部の周囲には前記開口部の外周を囲う壁がそれぞれ設けられ、前記開口部の外周を囲う前記壁の内径が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【００７９】
好ましくは、第３の態様において、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との開き角あるいは該開口部を挟んで対向する前記左の壁と前記右の壁との開き角のうち少なくともいずれか一方が、略６０°に設定されている。
【００８０】
好ましくは、第３の態様において、前記ガス供給部が有する各開口部は積層された基板間に開口しており、前記開口部を挟んで対向する前記上の壁と前記下の壁との形状は、前記開口部から供給される処理ガスを斜め下方に向けて供給するようにそれぞれ設定されて
いる。
【００８１】
本発明の第８の態様によれば、積層された基板を収納する処理室と、前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って設けられ、複数の開口部を有し、前記開口部から前記基板表面に対して水平方向に所望の処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気口と、を備え、前記開口部は前記ガス供給部の壁を貫通するように設けられ、前記開口部の内径が、前記処理ガスの供給方向に向かって漸次大きくなっている基板処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える熱処理炉の概略構成図であり、（ａ）は熱処理炉の縦断面概略図を、（ｂ）は図１（ａ）に示す熱処理炉の横断面概略図をそれぞれ示している。
【図２】本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の全体構成図である。
【図３】熱処理炉内におけるガス流速分布の解析対象領域を示しており、（ａ）は熱処理炉内における解析対象領域の位置を、（ｂ）は解析対象領域の部分拡大図をそれぞれ示している。
【図４】従来の熱処理炉内のガス流速分布の解析結果を示しており、（ａ）は解析対象領域の上面図を、（ｂ）は図４（ａ）のＡＡ’断面図をそれぞれ示している。
【図５】従来の熱処理炉内の圧力分布の解析結果を示しており、（ａ）は解析対象領域の上面図を、（ｂ）は図５（ａ）の領域Ｂにおける解析結果を、（ｃ）は解析対象領域の縦断面図を、（ｄ）は図５（ｃ）の領域Ｄにおける解析結果をそれぞれ示している。
【図６】本発明の実施形態にかかるガス供給部の構成を示し、（ａ）は開口部の上下側に壁が設けられた本発明の一実施形態にかかるガス供給部の斜視図を、（ｂ）は開口部の両側に壁が設けられた本発明の他の実施形態にかかるガス供給部の斜視図をそれぞれ示している。
【図７】本発明の実施形態にかかる熱処理炉内のガス流速分布の解析結果を示しており、（ａ）は開口部の上下側に壁が設けられた場合の解析対象領域の上面図を、（ｂ）は図７（ａ）のＡＡ’断面図を、（ｃ）は開口部の両側に壁が設けられた場合の解析対象領域の上面図を、（ｄ）は図７（ｃ）のＡＡ’断面図をそれぞれ示している。
【図８】本発明の実施形態にかかる熱処理炉内の圧力分布の解析結果を示しており、（ａ）は開口部の上下側に壁が設けられた場合における開口部上面の圧力分布を、（ｂ）は図８（ａ）の縦断面図を、（ｃ）は開口部の両側に壁が設けられた場合における開口部上面の圧力分布を、（ｄ）は図８（ｃ）の縦断面図をそれぞれ示している。
【図９】本発明の他の実施形態にかかるガス供給部の断面構成図を示している。
【符号の説明】
【００８３】
１              処理室
４ａ            第１ガス供給部
４ｂ            第２ガス供給部
５              基板
８              排気口
９ａ            開口部
９ｂ            開口部
２０            熱処理炉
２１ａ，２１ｂ  上の壁
２２ａ，２２ｂ  下の壁
２３ａ，２３ｂ  左の壁
２４ａ，２４ｂ  左の壁
【図１】
2009088315.tif 000003
【図２】
2009088315.tif 000004
【図３】
2009088315.tif 000005
【図９】
2009088315.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
2009088315.tif 000009
【図７】
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【図８】
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