(57)【要約】      （修正有）【課題】パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、さらなる放熱性を向上手段を提供する。【解決手段】回路基板裏面中央の金属表面上に外部接続端子４のための突起部１１を形成した金属プレート６を搭載することで、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、半導体装置または半導体モジュールを外部回路基板に実装する際に、回路基板裏面中央の外部接続端子４を金属プレートの突起部１１を介して外部回路基板に実装することで、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。【選択図】図１
2009088418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属により形成される複数の電極を備え前記表面に対する裏面に金属を格子状に配列して形成される外部電極端子を備える回路基板と、
前記回路基板の表面に接着剤で固着される半導体素子と、
前記半導体素子が備える複数の電極と前記回路基板表面上の複数の電極とを電気的に接続するボンディングワイヤーと、
前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤーを外部から保護するために被覆する封止樹脂と、
前記外部電極端子上に形成されるバンプ状の外部接続端子と、
前記回路基板裏面中央に搭載されて表面上に前記外部接続端子を包含可能な突起部を備える金属プレートと
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属プレートが、前記半導体装置の中央部および前記中央部から対角状に前記半導体装置の４角にわたって形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属プレートが複数部分に分割されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記回路基板表面を被覆したレジストからなる有機膜を除去して開口部を形成し、前記開口部に前記金属プレートを直接接着して搭載することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属プレートを搭載する領域の回路基板上に、あらかじめ金属パターンを形成することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
表面に金属により形成される複数の電極を備え前記表面に対する裏面に金属を格子状に配列して形成される外部電極端子を備える回路基板と、
前記回路基板の表面に搭載される複数の半導体装置と、
前記外部電極端子上に形成されるバンプ状の外部接続端子と、
前記回路基板裏面中央に搭載されて表面上に前記外部接続端子を包含可能な突起部を備える金属プレートと
を有することを特徴とする半導体モジュール。
【請求項７】
フレームに形成された複数の半導体装置を個辺化することにより製造される半導体装置を製造する際に、
表面に金属により形成される複数の電極と前記表面に対する裏面に金属を格子状に配列されて形成される外部電極端子を備える回路基板表面上に接着剤で半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子表面の複数の電極と前記回路基板表面上の複数の電極をボンディングワイヤーにより電気的に接続する工程と、
前記半導体素子および前記ボンディングワイヤーを外部から保護するために封止樹脂により被覆する工程と、
前記外部電極端子にバンプ状の外部接続端子を形成する工程と、
表面上に前記外部接続端子を包含可能な突起部を備える金属プレートを前記回路基板裏面中央に搭載する工程と
により製造される前記半導体装置を前記フレームに複数形成し、
さらに、前記フレーム内に複数形成された前記半導体装置を個片に分割する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップサイズの比較的大きなＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）型の半導体装置或いは、複数の半導体装置を回路基板上に搭載した半導体モジュール、さらには半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を搭載したＢＧＡ型半導体装置としては、種々の形態のものが提案されている。その一例として、図８に示す形態のＢＧＡ型半導体装置について説明する。
図８（ａ）は従来の半導体装置の外部電極端子側の平面図、図８（ｂ）は従来の半導体装置のモールド側の平面図、図８（ｃ）は従来の半導体装置の断面図であり、図８（ａ），図８（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【０００３】
また、図９（ａ）は従来の複数の半導体装置が実装された半導体モジュールの外部電極端子側の平面図、図９（ｂ）は従来の複数の半導体装置が実装された半導体モジュールのモールド側の平面図、図９（ｃ）は従来の複数の半導体装置が実装された半導体モジュールの断面図であり、図９（ａ），図９（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【０００４】
図８（ａ），図８（ｂ），図８（ｃ）において、回路基板２はＢＧＡ型半導体装置を構成するための半導体素子搭載基板を示し、ガラスエポキシ樹脂等からなる有機基板により形成されている。回路基板表面には銅（Ｃｕ）等の金属により複数の電極が形成されており、回路基板裏面には銅（Ｃｕ）等の金属により格子状に配列した外部電極端子が形成され、回路基板２内で銅（Ｃｕ）等の金属配線パターン８により、回路基板表面の電極と裏面外部電極端子が接続するよう形成されている。
【０００５】
半導体素子１は回路基板表面上にエポキシ樹脂からなる接着剤７で固着し、半導体素子表面上の電極と回路基板表面上の電極が金（Ａｕ）等の金属性のボンディングワイヤー３により、電気的に接続されており、上記半導体素子１及びボンディングワイヤー３を外部から保護するためにエポキシ樹脂からなる封止樹脂５で被覆されている。
【０００６】
回路基板裏面には半導体装置を外部回路基板上への実装を行うために、はんだ等の外部接続端子４が形成されている。
また、図９（ａ），図９（ｂ），図９（ｃ）において、モジュール基板１５は半導体モジュールを構成するための実装基板を示し、ガラスエポキシ樹脂等からなる有機基板により形成されている。モジュール基板表面には銅（Ｃｕ）等の金属により複数の電極が形成されており、モジュール基板裏面には銅（Ｃｕ）等の金属により格子状に配列した外部電極端子が形成され、モジュール基板内で銅（Ｃｕ）等の金属配線パターン８により、モジュール基板表面の電極と裏面外部電極端子が接続するよう形成されている。
【０００７】
複数の半導体装置１４がはんだ等により、モジュール基板上に実装されており、モジュール基板裏面には半導体モジュールを外部回路基板への実装を行うために、はんだ等の外部接続端子４が形成されている。
【０００８】
従来の半導体装置では、拡散プロセスの進化に伴い、チップサイズの縮小及びピン数の増加、消費電力の拡大が進展し、それに伴いパッケージサイズが拡大し、実装性向上のため、パッケージそり低減やパッケージの放熱性改善等の開発が必要となってきている。
【０００９】
そこで、放熱性の改善に関しては、半導体装置の回路基板裏面上に金属性の放熱板を搭載することで、パッケージの放熱性を改善している（例えば、特許文献１，特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平８−３３０４７１号公報
【特許文献２】特開２０００−２３２１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１記載の発明では放熱板に外部接続端子を通すための貫通穴を形成して、回路基板上に搭載しており、外部回路基板との実装に際して、放熱板と外部接続端子が電気的にショートする可能性があり、外部回路基板上に実装することが非常に困難である。
【００１１】
また、特許文献２記載の発明では半導体装置を構成する回路基板に半導体素子を格納するための貫通穴を形成し、その貫通穴の一面に放熱板を搭載し、半導体装置を形成しているが、貫通穴以外の部分にしか外部接続端子が形成できないため、使用ピン数を制限したり、ピン数増加のためにパッケージが拡大し、パッケージ反りの拡大や回路基板の高コスト化、さらなる放熱性の改善等の課題が顕在化した。
【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するもので、チップサイズの縮小及びピン数の増加、消費電力の拡大が進展し、それに伴いパッケージサイズが拡大しても、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、さらなる放熱性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体装置は、表面に金属により形成される複数の電極を備え前記表面に対する裏面に金属を格子状に配列して形成される外部電極端子を備える回路基板と、前記回路基板の表面に接着剤で固着される半導体素子と、前記半導体素子が備える複数の電極と前記回路基板表面上の複数の電極とを電気的に接続するボンディングワイヤーと、前記半導体素子及び前記ボンディングワイヤーを外部から保護するために被覆する封止樹脂と、前記外部電極端子上に形成されるバンプ状の外部接続端子と、前記回路基板裏面中央に搭載されて表面上に前記外部接続端子を包含可能な突起部を備える金属プレートとを有することを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記金属プレートが、前記半導体装置の中央部および前記中央部から対角状に前記半導体装置の４角にわたって形成されることを特徴とする。
【００１５】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記金属プレートが複数部分に分割されることを特徴とする。
請求項４記載の半導体装置は、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、前記回路基板表面を被覆したレジストからなる有機膜を除去して開口部を形成し、前記開口部に前記金属プレートを直接接着して搭載することを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の半導体装置は、請求項４記載の半導体装置において、前記金属プレートを搭載する領域の回路基板上に、あらかじめ金属パターンを形成することを特徴とする。
請求項６記載の半導体モジュールは、表面に金属により形成される複数の電極を備え前記表面に対する裏面に金属を格子状に配列して形成される外部電極端子を備える回路基板と、前記回路基板の表面に搭載される複数の半導体装置と、前記外部電極端子上に形成されるバンプ状の外部接続端子と、前記回路基板裏面中央に搭載されて表面上に前記外部接続端子を包含可能な突起部を備える金属プレートとを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、フレームに形成された複数の半導体装置を個辺化することにより製造される半導体装置を製造する際に、表面に金属により形成される複数の電極と前記表面に対する裏面に金属を格子状に配列されて形成される外部電極端子を備える回路基板表面上に接着剤で半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子表面の複数の電極と前記回路基板表面上の複数の電極をボンディングワイヤーにより電気的に接続する工程と、前記半導体素子および前記ボンディングワイヤーを外部から保護するために封止樹脂により被覆する工程と、前記外部電極端子にバンプ状の外部接続端子を形成する工程と、表面上に前記外部接続端子を包含可能な突起部を備える金属プレートを前記回路基板裏面中央に搭載する工程とにより製造される前記半導体装置を前記フレームに複数形成し、さらに、前記フレーム内に複数形成された前記半導体装置を個片に分割する工程を有することを特徴とする。
【００１８】
以上により、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、さらなる放熱性を向上することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体装置は、最近の拡散プロセスの進化に伴い、チップサイズの縮小及びピン数の増加、消費電力の拡大が進展し、それに伴いパッケージサイズが拡大し、実装性向上のためのパッケージそり低減やパッケージの放熱性改善等の開発の必要性に対して、回路基板裏面中央の金属表面上に外部接続端子のための突起部を形成した金属プレートを搭載することで、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、半導体装置または半導体モジュールを外部回路基板に実装する際に、回路基板裏面中央の外部接続端子を金属プレートの突起部を介して外部回路基板に実装することで、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
上記目的を達成するため、以下に本発明の実施の形態１における半導体装置について、以下図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は実施の形態１の半導体装置の外部電極端子側の平面図、図１（ｂ）は実施の形態１における半導体装置のモールド側の平面図、図１（ｃ）は実施の形態１の半導体装置の断面図であり、図１（ａ），図１（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【００２１】
図１において、回路基板２は、例えばＢＧＡ型半導体装置を構成するための半導体素子搭載基板を示し、ガラスエポキシ樹脂等からなる有機基板により形成されている。回路基板表面には銅（Ｃｕ）等の金属により複数の電極が形成されており、回路基板裏面には銅（Ｃｕ）等の金属により格子状に配列した外部電極端子が形成され、回路基板内で銅（Ｃｕ）等の金属配線パターン８により、回路基板表面の電極と裏面の外部電極端子が接続するよう形成されている。
【００２２】
半導体素子１は回路基板表面上にエポキシ樹脂等からなる接着剤７で固着され、半導体素子表面上の電極と回路基板表面上の電極が金（Ａｕ）等の金属性のボンディングワイヤー３により電気的に接続されており、上記半導体素子１及びボンディングワイヤー３を外部から保護するためにエポキシ樹脂からなる封止樹脂５で被覆されている。
【００２３】
回路基板裏面には半導体装置を外部回路基板上への実装を行うために、はんだ等により形成されるバンプ状の外部接続端子４が形成されている。
実施の形態１の特徴は、図１（ａ），図１（ｂ），図１（ｃ）に示すように、回路基板裏面中央の金属表面上に外部接続端子４のための突起部１１を形成した第１の金属プレート６を搭載することである。
【００２４】
これにより、最近の拡散プロセスの進化に伴い、チップサイズの縮小及びピン数の増加、消費電力の拡大が進展し、それに伴いパッケージサイズが拡大し、実装性向上のためのパッケージそり低減やパッケージの放熱性改善等の開発の必要性に対して、回路基板裏面中央の金属表面上に外部接続端子４を包含可能な突起部１１を形成した第１の金属プレート６を搭載することで、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、半導体装置を外部回路基板に実装する際に、回路基板裏面中央の外部接続端子４を第１の金属プレート６の突起部１１を介して外部回路基板に実装することで、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００２５】
本発明の実施の形態２における半導体装置について、以下図面を参照しながら説明する。
図２（ａ）は実施の形態２の半導体装置の外部電極端子側の平面図、図２（ｂ）は実施の形態２における半導体装置のモールド側の平面図、図２（ｃ）は実施の形態２の半導体装置の断面図であり、図２（ａ），図２（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【００２６】
実施の形態２の特徴は、図２（ａ），図２（ｂ），図２（ｃ）に示すように、回路基板裏面に搭載した第１の金属プレート６が半導体装置の中央部および中央部から対角状に４角にわたって形成されることである。
【００２７】
これにより、さらにパッケージ反りを低減することが可能となり、実装性及び実装信頼性の向上を図ることが可能となる。
本発明の実施の形態３における半導体装置について、以下図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図３（ａ）は実施の形態３における半導体装置の外部電極端子側の平面図、図３（ｂ）は実施の形態３における半導体装置のモールド側の平面図、図３（ｃ）は実施の形態３における半導体装置の断面図であり、図３（ａ），図３（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【００２９】
実施の形態３の特徴は、図３（ａ），図３（ｂ），図３（ｃ）に示すように、回路基板裏面に搭載した実施の形態１または実施の形態２における金属プレートが、第１の金属プレート６および第２の金属プレート１２に分割されて形成されていることである。
【００３０】
通常、金属プレートの端子は、金属プレートが同電位で形成されるため、ＧＮＤや電源等の同電位の端子で構成され、信号端子には使用されない。また、ＧＮＤ端子数及び、電源端子数は一定の個数しか配置されず、従って、金属プレートの大きさは端子数によって規制され、必要以上にＧＮＤ端子等の同電位端子を増やすと使用できる信号端子が減ってしまう。本実施の形態の半導体装置は、金属プレートを分割することで、ＧＮＤ、或いは電源端子単一ではなく、分割された金属プレート毎に両方を金属プレート端子として使用することが可能となり、ＧＮＤと電源を合わせた端子数で金属プレート面積を構成することが可能であり、分割することで、金属プレート領域を拡大することが可能となる。
【００３１】
これにより、パッケージ反りを低減することで実装性及び実装信頼性を向上するとともに、半導体装置を外部回路基板に実装する際に、回路基板裏面中央の外部電極端子を金属プレートの突起部を介して外部回路基板に実装することで、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００３２】
本発明の実施の形態４における半導体装置について、以下図面を参照しながら説明する。
図４（ａ）は実施の形態４における半導体装置の外部電極端子側の平面図、図４（ｂ）は実施の形態４における半導体装置のモールド側の平面図、図４（ｃ）は実施の形態４における半導体装置の半導体装置の断面図であり、図４（ａ），図４（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【００３３】
実施の形態４の特徴は、図４（ａ），図４（ｂ），図４（ｃ）に示すように、金属プレートを搭載する領域にて、回路基板表面を被覆したレジストからなる有機膜を除去した開口部１３を形成し、開口部１３に実施の形態１〜３の金属プレートを直接回路基板２の基材に接着することである。
【００３４】
回路基板と金属プレートが直接接続されることにより、回路基板と金属プレート間での熱拡散性が向上し、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
本発明の実施の形態５における半導体装置について、以下図面を参照しながら説明する。
【００３５】
図５（ａ）は実施の形態５の半導体装置の外部電極端子側の平面図、図５（ｂ）は実施の形態５における半導体装置のモールド側の平面図、図５（ｃ）は実施の形態５の半導体装置の断面図であり、図５（ａ），図５（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【００３６】
実施の形態５の特徴は、図５（ａ），図５（ｂ），図５（ｃ）に示すように、金属プレートを搭載する領域にて、あらかじめ開口部を設けた上、銅（Ｃｕ）等の金属パターン１６を回路基板上に形成し、金属パターン１６を介して回路基板２に実施の形態４の金属プレートを搭載することである。
【００３７】
金属パターン１６を介して回路基板２に金属プレートを搭載することにより、回路基板と金属プレート間での熱拡散性が向上し、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００３８】
本発明の実施の形態６における半導体モジュールについて、以下図面を参照しながら説明する。
図６（ａ）は実施の形態６の半導体モジュールの外部電極端子側の平面図、図６（ｂ）は実施の形態６の半導体モジュールの半導体装置実装側の平面図、図６（ｃ）は実施の形態６の半導体モジュールの断面図であり、図６（ａ），図６（ｂ）のＡ−Ａ‘断面図である。
【００３９】
実施の形態６の特徴は、図６（ａ），図６（ｂ），図６（ｃ）に示すように、表面に銅（Ｃｕ）等の金属電極により形成された複数の電極と裏面に銅（Ｃｕ）等の金属端子により、格子状に配列した外部電極端子を有するモジュール基板１５と、上記モジュール基板１５の表面にはんだ等により、複数の半導体装置１４を搭載し、モジュール基板裏面上の外部電極端子にはんだ等の外部接続端子４を有する半導体モジュールにおいて、モジュール基板裏面の金属表面上に外部接続端子４のための突起部１１を形成した第１の金属プレート６を搭載することである。ここで、図６では、実施の形態４の図４の様に、金属プレートが、開口部１３を設けて複数の金属プレートにより構成される場合を示しているが、実施の形態１〜実施の形態５における金属プレートの態様を実施することができ、金属プレートは１つでも複数で構成されていてもよく、開口部や金属パターンを設けて搭載しても良い。
【００４０】
このように、最近の半導体モジュールの開発／製品化の進展に対して、消費電力の拡大、半導体モジュールサイズの拡大による半導体モジュールの反り低減や半導体モジュールの放熱性改善等の開発が必要性であり、モジュール基板裏面中央に金属端子上に外部接続端子のための突起部を形成した金属プレートを搭載することで、半導体モジュールの反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、半導体モジュールを外部回路基板に実装する際に、モジュール基板裏面中央の外部接続端子を金属プレートの突起部を介して外部回路基板に実装することで、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００４１】
次に、本発明の半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図７（ａ）は実施の形態５における半導体装置の製造工程で半導体素子を搭載する工程の説明図であり、実施の形態５における半導体装置において、表面に銅（Ｃｕ）等の金属電極により形成された複数の電極と裏面に銅（Ｃｕ）等の金属端子により、格子状に配列した外部電極端子を有する回路基板表面上にエポキシ樹脂等からなる接着剤で半導体素子を搭載する工程の説明図、図７（ｂ）は実施の形態５における半導体装置の製造工程で電極間を電気的に接続する工程の説明図であり、実施の形態５における回路基板において、半導体素子表面の複数の電極と回路基板表面上の複数の電極を金属性のボンディングワイヤーにより電気的に接続する工程の説明図、図７（ｃ）は実施の形態５における半導体装置の製造工程で封止樹脂により被覆する工程の説明図であり、実施の形態５における回路基板において、半導体素子及びボンディングワイヤーを外部から保護するためにエポキシ樹脂からなる封止樹脂により被覆する工程の説明図、図７（ｄ）は実施の形態５における半導体装置の製造工程で外部接続端子を形成する工程の説明図であり、実施の形態５における回路基板において、回路基板裏面上の金属端子にはんだ等の外部電極端子を形成する工程の説明図、図７（ｅ）は実施の形態５における半導体装置の製造工程で金属プレートを搭載する工程の説明図であり、実施の形態５における回路基板において、回路基板裏面の金属端子表面上に外部接続端子のための突起部を形成した金属プレートを搭載する工程の説明図、図７（ｆ）は実施の形態５における半導体装置の製造工程で半導体装置を個片に分割する工程の説明図であり、実施の形態５における半導体装置において、フレーム内に複数個形成された半導体装置を個片に分割する工程の説明図である。
【００４２】
まず、図７（ａ）に示すように、例えば、表面に銅（Ｃｕ）等の金属電極により形成された複数の電極と裏面に銅（Ｃｕ）等の金属端子により、格子状に配列した外部電極端子を有する回路基板２を形成する。この際、基材からの放熱性を向上するために、第１の金属プレート６を搭載するエリアに金属パターン１６をあらかじめ形成しておく。この金属パターン１６は半導体素子直下に形成した金属パッドからなるダイパッドとビア９で接続されている。
【００４３】
また、回路基板に形成される金属配線パターン８を保護するためにソルダーレジスト１０が形成されているが、基材からの放熱性を向上するために、第１の金属プレート６を搭載するエリアは直接、第１の金属プレート６と金属パターン１６が接続するよう、ソルダーレジスト１０が開口するように形成しておく。
【００４４】
このように形成された回路基板上にＡｇペースト等の接着剤７を用いて、半導体素子１を接続する。
次に、図７（ｂ）に示すように、半導体素子表面の複数の電極と回路基板表面上の複数の電極をＡｕ線等による金属性のボンディングワイヤー３により電気的に接続する
次に、図７（ｃ）に示すように、半導体素子とボンディングワイヤー３を保護するためにエポキシ樹脂等の封止樹脂５により被覆する。封止工法としては、例えば金型を用いたトランスファー成型方法や液状樹脂を用いた印刷工法等により封止する。
【００４５】
次に、図７（ｄ）に示すように、回路基板裏面の金属端子である外部電極端子表面上にはんだ等により形成されるバンプ状の外部接続端子４を形成する。形成方法としては、例えば、外部電極端子上にはんだボールの搭載或いは、はんだペーストの印刷を行い、リフロー等の温度を加えることで電極部分と溶着し、外部接続端子４を形成する。
【００４６】
次に、図７（ｅ）に示すように、回路基板裏面の金属パターン表面上に外部接続端子４のための突起部１１を形成した第１の金属プレート６を搭載する。第１の金属プレート６を搭載する方法としては、エポキシ樹脂等の接着材７を用いて、回路基板２と第１の金属プレート６とを接続する。
【００４７】
また、第１の金属プレート６は、銅（Ｃｕ）等の金属プレート表面にあらかじめ突起部１１を形成する。第１の金属プレート６の形成方法としては、例えば金型を用いて、平板をプレス加工することにより形成する。突起部１１を形成した後、ニッケル（Ｎｉ）めっき等のめっき処理により表面加工を行う。
【００４８】
次に、図７（ｆ）に示すように、フレーム内に複数形成した半導体装置を個片に分割することで半導体装置を形成する。分割方法としては、例えばダイシングブレードを用いた方法や、金型による打ち抜き方法を使用することで個片に分割する。
【００４９】
以上により、最近の拡散プロセスの進化に伴い、チップサイズの縮小及びピン数の増加、消費電力の拡大が進展し、それに伴いパッケージサイズが拡大し、実装性向上のためのパッケージそり低減やパッケージの放熱性改善等の開発の必要性に対して、回路基板裏面中央の金属表面上に外部接続端子のための突起部を形成した金属プレートを搭載することで、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、半導体装置を外部回路基板に実装する際に、回路基板裏面中央の外部電極端子を金属プレートの突起部を介して外部回路基板に実装することで、さらなる放熱性の向上を図ることが可能となる。
【００５０】
ここでは、実施の形態５に係る半導体装置の製造方法を例として説明したが、実施の形態１〜４の半導体装置および実施の形態６の半導体モジュールに関しても要部は同様の方法で製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、パッケージ反りを低減し、実装性及び実装信頼性を向上するとともに、さらなる放熱性を向上することができ、チップサイズの比較的大きなＢＧＡ型の半導体装置或いは、複数の半導体装置を回路基板上に搭載した半導体モジュール、さらには半導体装置の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）実施の形態１における半導体装置の外部電極端子側の平面図（ｂ）実施の形態１における半導体装置のモールド側の平面図（ｃ）実施の形態１における半導体装置の断面図
【図２】（ａ）実施の形態２における半導体装置の外部電極端子側の平面図（ｂ）実施の形態２における半導体装置のモールド側の平面図（ｃ）実施の形態２における半導体装置の断面図
【図３】（ａ）実施の形態３における半導体装置の外部電極端子側の平面図（ｂ）実施の形態３における半導体装置のモールド側の平面図（ｃ）実施の形態３における半導体装置の断面図
【図４】（ａ）実施の形態４における半導体装置の外部電極端子側の平面図（ｂ）実施の形態４における半導体装置のモールド側の平面図（ｃ）実施の形態４における半導体装置の断面図
【図５】（ａ）実施の形態５における半導体装置の外部電極端子側の平面図（ｂ）実施の形態５における半導体装置のモールド側の平面図（ｃ）実施の形態５における半導体装置の断面図
【図６】（ａ）実施の形態６における半導体モジュールの外部電極端子側の平面図（ｂ）実施の形態６における半導体モジュールの半導体装置実装側の平面図（ｃ）実施の形態６における半導体装置の断面図
【図７】（ａ）実施の形態５における半導体装置の製造工程で半導体素子を搭載する工程の説明図（ｂ）実施の形態５における半導体装置の製造工程で電極間を電気的に接続する工程の説明図（ｃ）実施の形態５における半導体装置の製造工程で封止樹脂により被覆する工程の説明図（ｄ）実施の形態５における半導体装置の製造工程で外部接続端子を形成する工程の説明図（ｅ）実施の形態５における半導体装置の製造工程で金属プレートを搭載する工程の説明図（ｆ）実施の形態５における半導体装置の製造工程で半導体装置を個片に分割する工程の説明図
【図８】（ａ）従来の半導体装置の外部電極端子側の平面図（ｂ）従来の半導体装置のモールド側の平面図（ｃ）従来の半導体装置の断面図
【図９】（ａ）従来の複数の半導体装置が実装された半導体モジュールの外部電極端子側の平面図（ｂ）従来の複数の半導体装置が実装された半導体モジュールのモールド側の平面図（ｃ）従来の複数の半導体装置が実装された半導体モジュールの断面図
【符号の説明】
【００５３】
１    半導体素子
２    回路基板
３    ボンディングワイヤー
４    外部接続端子
５    封止樹脂
６    第一の金属プレート
７    接着剤
８    金属配線パターン
９    ビア
１０    ソルダーレジスト
１１    突起部
１２    第二の金属プレート
１３    開口部
１４    半導体装置
１５    モジュール基板
１６    金属パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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