(57)【要約】【課題】ＰＤＰの輝度低下を抑制しつつ、かつコントラストを向上させる。【解決手段】表示電極対を構成するＸ電極（第１電極）１４およびＹ電極（第２電極）１５と、アドレス電極２０と、該表示電極対とアドレス電極２０との交差毎に形成されるセル２５とを有し、複数のセル２５の全てに電荷を形成するリセット放電の際に、Ｘ電極１４が陰極、Ｙ電極１５が陽極となり、一方、表示画像を形成する維持放電の際には、Ｘ電極１４とＹ電極１５とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電がなされる。ここで、前面基板構造体（第１基板構造体）１１のセル２５内での可視光透過率の分布は、第１領域３０と、第１領域３０よりも高い可視光透過率を有する第２領域３１とを有し、第１領域３０には、Ｘ透明電極１４ａ（透明電極部）と厚さ方向に重なる領域が含まれ、第２領域３１には、Ｙ透明電極１５ａ（透明電極部）と厚さ方向に重なる領域が含まれる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルに形成された複数の第１電極を駆動する第１電極駆動回路と、
前記プラズマディスプレイパネルに形成された複数の第２電極を駆動する第２電極駆動回路とを有し、
前記プラズマディスプレイパネルは、
放電空間を介して対向配置される第１基板構造体および第２基板構造体と、
前記プラズマディスプレイパネルの表示面側に配置される前記第１基板構造体に表示電極対を構成するように第１方向に沿って形成される前記第１電極および前記第２電極と、
前記複数の第１電極および前記複数の第２電極を被覆する誘電体層と、
前記第１基板構造体または前記第２基板構造体に前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成される複数の第３電極と、
前記表示電極対と前記複数の第３電極との交差毎に形成される複数のセルとを有し、
前記複数のセルの全てに電荷を形成するリセット放電の際に、前記第１電極が陰極、前記第２電極が陽極となり、
表示画像を形成する維持放電の際には、前記第１電極と前記第２電極とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電がなされ、
前記第１電極および前記第２電極は、透明電極部と、前記透明電極部に電気的に接続される金属電極部とをそれぞれ有し、
前記第１基板構造体の前記セル内での可視光透過率の分布は、第１の可視光透過率を有する第１領域と、前記第１の可視光透過率よりも高い第２の可視光透過率を有する第２領域とを有し、
前記第１領域には、前記複数の第１電極がそれぞれ有する前記透明電極部と厚さ方向に重なる領域が含まれ、前記第２領域には、前記複数の第２電極がそれぞれ有する前記透明電極部と厚さ方向に重なる領域が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記第１電極および前記第２電極の前記透明電極部は、対となる前記第１電極または前記第２電極の方向に突出する複数の突出部を前記セル毎に有し、前記第１領域は、前記第１電極の前記突出部の先端と厚さ方向に重なる領域を含み、前記第２領域は前記第２電極の前記突出部の先端と厚さ方向に重なる領域を含んでいることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記第１基板構造体は、前記第１電極の前記突出部の先端と前記第１電極の前記金属電極部との間に前記第１領域に隣接配置され、前記第１領域よりも可視光透過率が高い第３領域を有していることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
請求項２に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記第１電極の前記金属電極部は、前記第１電極の前記透明電極部に沿って突出部を有することにより、前記第１領域の可視光透過率を前記第２領域の可視光透過率よりも低くすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記第２電極は、前記セルの点灯／非点灯を選択するアドレス放電の際に走査パルスを印加する走査電極であることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記第１基板構造体の前記第１領域に光吸収層を形成することにより前記第１領域の可視光透過率を低下させることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記光吸収層は、前記誘電体層の表面と前記第１電極との間に形成されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記光吸収層を構成する光吸収材は、酸化チタン、黒色酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラック、群青からなる群より選択される一種又は、二種以上の無機顔料からなることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記光吸収層は、前記第１基板構造体の表示面側に形成されることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載のプラズマディスプレイ装置において、
前記光吸収層を構成する光吸収材は、有機材料を含む顔料からなることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
プラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルに形成された複数の第１電極を駆動する第１電極駆動回路と、
前記プラズマディスプレイパネルに形成された複数の第２電極を駆動する第２電極駆動回路とを有し、
前記プラズマディスプレイパネルは、
放電空間を介して対向配置される第１基板構造体および第２基板構造体と、
前記プラズマディスプレイパネルの表示面側に配置される前記第１基板構造体に表示電極対を構成するように第１方向に沿って形成される前記第１電極および前記第２電極と、
前記複数の第１電極および前記複数の第２電極を被覆する誘電体層と、
前記第１基板構造体または前記第２基板構造体に前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成される複数の第３電極と、
前記表示電極対と前記複数の第３電極との交差毎に形成される複数のセルとを有し、
前記複数のセルの全てに電荷を形成するリセット放電の際に、前記第１電極が陰極、前記第２電極が陽極となり、
表示画像を形成する維持放電の際には、前記第１電極と前記第２電極とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電がなされ、
前記第１電極は、対となる前記第２電極の方向に延びる突出部を有する金属電極部を有し、
前記第２電極は、対となる前記第１電極の方向に延びる突出部を有する透明電極部と前記透明電極部に電気的に接続される金属電極部とを有し、
前記第１基板構造体の前記セル内での可視光透過率の分布は、第１の可視光透過率を有する第１領域と、前記第１の可視光透過率よりも高い第２の可視光透過率を有する第２領域とを有し、
前記第１領域には、前記複数の第１電極がそれぞれ有する前記金属電極部の先端と厚さ方向に重なる領域が含まれ、前記第２領域には、前記複数の第２電極がそれぞれ有する前記透明電極部の前記突出部の先端と厚さ方向に重なる領域が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルであって、
放電空間を介して対向配置される第１基板構造体および第２基板構造体と、
前記プラズマディスプレイパネルの表示面側に配置される前記第１基板構造体に表示電極対を構成するように第１方向に沿って形成される前記第１電極および前記第２電極と、
前記複数の第１電極および前記複数の第２電極を被覆する誘電体層と、
前記第１基板構造体または前記第２基板構造体に前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成される複数の第３電極と、
前記表示電極対と前記複数の第３電極との交差毎に形成される複数のセルとを有し、
前記複数のセルの全てに電荷を形成するリセット放電の際に、前記第１電極が陰極、前記第２電極が陽極となり、
表示画像を形成する維持放電の際には、前記第１電極と前記第２電極とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電がなされ、
前記第１電極および前記第２電極は、透明電極部と、前記透明電極部に電気的に接続される金属電極部とをそれぞれ有し、
前記第１基板構造体の前記セル内での可視光透過率の分布は、第１の可視光透過率を有する第１領域と、前記第１の可視光透過率よりも高い第２の可視光透過率を有する第２領域とを有し、
前記第１領域には、前記複数の第１電極がそれぞれ有する前記透明電極部と厚さ方向に重なる領域が含まれ、前記第２領域には、前記複数の第２電極がそれぞれ有する前記透明電極部と厚さ方向に重なる領域が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１電極および前記第２電極の前記透明電極部は、対となる前記第１電極または前記第２電極の方向に突出する複数の突出部を前記セル毎に有し、前記第１領域は、前記第１電極の前記突出部の先端と厚さ方向に重なる領域を含み、前記第２領域は前記第２電極の前記突出部の先端と厚さ方向に重なる領域を含んでいることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１基板構造体は、前記第１電極の前記突出部の先端と前記第１電極の前記金属電極部との間に前記第１領域に隣接配置され、前記第１領域よりも可視光透過率が高い第３領域を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
請求項１３に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１電極の前記金属電極部は、前記第１電極の前記透明電極部に沿って突出部を有することにより、前記第１領域の可視光透過率を前記第２領域の可視光透過率よりも低くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第２電極は、前記セルの点灯／非点灯を選択するアドレス放電の際に走査パルスを印加する走査電極であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
請求項１２に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１基板構造体の前記第１領域に光吸収層を形成することにより前記第１領域の可視光透過率を低下させることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記光吸収層は、前記誘電体層の表面と前記第１電極との間に形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
請求項１８に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記光吸収層を構成する光吸収材は、酸化チタン、黒色酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラック、群青からなる群より選択される一種又は、二種以上の無機顔料からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記光吸収層は、前記第１基板構造体の表示面側に形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
請求項２０に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記光吸収層を構成する光吸収材は、有機材料を含む顔料からなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
請求項１２に記載のＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、
前記第１の可視光透過率は、５０％以上９０％以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
ＡＣ型プラズマディスプレイパネルにおいて、
前面基板と、
前記前面基板と対向して配置される背面基板と、
前記前面基板上に表示電極対を構成するように第１方向に延伸して形成された第１電極および第２電極と、
前記背面基板上に前記第１方向と直交する第２方向に延伸して形成された第３電極とを備えており、
前記第１電極は、透明電極部と金属電極部とを備え、かつ、リセット放電の際に陰極となる電極であり、
前記第２電極は、透明電極部と金属電極部とを備え、かつ、リセット放電の際に陽極となる電極であり、
前記第１電極の透明電極部と重なる第１領域の可視光透過率は、前記第２電極の透明電極部と重なる第２領域の可視光透過率よりも低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置の技術に関し、特に、ＡＣ型プラズマディスプレイ装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＣ型カラープラズマディスプレイ装置（以下、ＰＤＰ装置と記す）に組み込まれるプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Plasma Display Panel）の電極構造として、例えば、行方向に伸びる第１電極を互いに平行に設け、行方向に対して直交する列方向に伸びる複数の第２電極を互いに平行に設けた２電極ＰＤＰがある。
【０００３】
また、別の電極構造として例えば、行方向に伸びる複数の第１電極と第２電極を交互に平行に設け、行方向に対して直交する列方向に伸びる複数のアドレス電極を互いに平行に設けた３電極ＰＤＰもあり、近年はこの３電極ＰＤＰが広く使用されている。
【０００４】
この３電極ＰＤＰの一般的な構造は、表示面側の基板である第１基板に表示電極対を構成する維持（Ｘ）電極と走査（Ｙ）電極とをそれぞれ行方向に沿って交互に設ける。また、第１基板と対向する第２基板には、行方向と直交する列方向に沿ってアドレス電極を設け、各電極の表面はそれぞれ誘電体層で覆う。
【０００５】
また、第２基板上には、例えば、隣り合うアドレス電極の間に列方向に沿ってストライプ状に配置される隔壁（ストライプリブ）も形成され、隔壁で仕切られた空間に蛍光体層が形成される。
【０００６】
このようなＰＤＰの表示方式としては、表示するセルを規定する期間（アドレス期間）と表示点灯のための放電を行う表示期間（維持放電期間）とを分離したアドレス・表示分離方式（ＡＤＳ；Address Display Period Separated Sub field Method）が広く採用されている。この方式においては、アドレス期間で、点灯するセルに電荷を蓄積し、その電荷を利用して維持放電期間で表示のための放電（維持放電あるいは表示放電と呼ばれる）を行う。
【０００７】
まず、維持電極と走査電極の間に電圧を印加して全セルでリセット放電を発生させ、各電極近傍の電荷（壁電荷）を一様な状態にする。次に、走査電極にスキャンパルスを順次印加して、アドレス電極には該スキャンパルスに同期させたアドレスパルスを印加して点灯するセル内に選択的に壁電荷を残すアドレス動作を行う。その後、放電する維持及び走査電極間に交互に逆極性となる維持放電パルスを印加してアドレス放電により壁電荷の形成された点灯セルで維持放電を発生させて点灯する。蛍光体層は、放電により発生する紫外線により発光し、その可視光が第１基板を透過することにより所望の画像が形成される。
【０００８】
このため、維持電極および走査電極は、ＩＴＯ膜などの透明材料で形成される透明電極と、金属材料で形成される不透明なバス電極とで構成される。蛍光体層で発生した可視光は、透明電極を透過して通して表示面側に到達する構造となっている。
【０００９】
ここで、放電による発光は、維持電極と走査電極の間でリセット放電を行う際にも発生する。リセット放電は、前述のように全てのセルの壁電荷を調整するために行うものであり、画像表示には直接的には関係ない放電である。このため、リセット放電による発光は、背景発光となり、表示コントラスト（特に暗室コントラスト）を低下させるという問題がある。
【００１０】
このようなリセット放電による発光に起因するコントラストの低下を抑制する技術として、例えば、特許第３８７２５５１号公報（特許文献１）には、維持電極と走査電極の間の放電ギャップに近接する領域に光学フィルタを形成し、この光学フィルタによりリセット放電時の背景発光を吸収する構造が記載されている。
【特許文献１】特許第３８７２５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記特許文献１に記載されるように、放電ギャップに近接する領域に可視光を吸収する光学フィルタを形成する場合、以下の課題がある。
【００１２】
すなわち、所望の画像を形成するための放電である維持放電を行う際に、維持放電により発生した紫外線に励起された蛍光体層からの発光（サステイン発光と呼ぶ）が光学フィルタにより吸収されてしまう。
【００１３】
また、サステイン発光において、放電ギャップ周辺の領域の発光が最も輝度が高い。このため、放電ギャップに近接する領域に光学フィルタを形成すると、リセット放電による可視光を減ずるのみならず、画素を表示するための可視光をも吸収しＰＤＰの輝度自体が低下してしまう。
【００１４】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＰＤＰの輝度低下を抑制しつつ、かつコントラストを向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明者が検討および実験を行った結果、リセット放電時に発生する可視光のセル内での分布は、リセット放電の際に陰極となる電極と厚さ方向に重なる第１領域の可視光の相対的発光強度は、リセット放電の際に陽極となる電極と厚さ方向に重なる第２領域の可視光の相対的発光強度よりも大きいということを実験的に見出した。
【００１７】
一方、所望の画像を形成するための放電である維持放電を行う際には、表示電極対を構成する維持電極と走査電極とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電を行うことにより、維持放電によって発生する可視光のセル内での分布が何れか一方の電極側に偏ることを防止することができることを見出した。
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１９】
すなわち、本発明の一つの実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルに形成された第１電極を駆動する第１電極駆動回路と、前記プラズマディスプレイパネルに形成された第２電極を駆動する第２電極駆動回路とを有している。
【００２０】
また、前記プラズマディスプレイパネルは、放電空間を介して対向配置される第１基板構造体および第２基板構造体と、前記プラズマディスプレイパネルの表示面側に配置される前記第１基板構造体に表示電極対を構成するように第１方向に沿って形成される前記第１電極および前記第２電極と、前記第１電極および前記第２電極を被覆する誘電体層と、前記第１基板構造体または前記第２基板構造体に前記第１方向と交差する第２方向に沿って形成される第３電極と、前記表示電極対と前記第３電極との交差毎に形成される複数のセルとを有している。
【００２１】
ここで、前記複数のセルの全てに電荷を形成するリセット放電の際に、前記第１電極が陰極、前記第２電極が陽極となり、一方、表示画像を形成する維持放電の際には、前記第１電極と前記第２電極とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電がなされる。
【００２２】
また、前記第１電極および前記第２電極は、透明電極部と前記透明電極部に電気的に接続される金属電極部とをそれぞれ有し、前記第１基板構造体の前記セル内での可視光透過率の分布は、第１の可視光透過率を有する第１領域と、前記第１の可視光透過率よりも高い第２の可視光透過率を有する第２領域とを有し、前記第１領域には、前記複数の第１電極がそれぞれ有する前記透明電極部と厚さ方向に重なる領域が含まれ、前記第２領域には、前記複数の第２電極がそれぞれ有する前記透明電極部と厚さ方向に重なる領域が含まれるものである。
【発明の効果】
【００２３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２４】
すなわち、本発明によれば、ＰＤＰの輝度低下を抑制しつつ、かつコントラストを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２６】
また、本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。また、本実施の形態を説明するための全図においては、各部材の構成をわかりやすくするために、平面図であってもハッチングや模様を付す場合がある。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
＜プラズマディスプレイ装置の全体構成＞
まず、本実施の形態１のＰＤＰ１を組み込んだプラズマディスプレイ装置（以下ＰＤＰ装置と記載する）の全体構成と階調駆動方法について図１〜図３を用いて説明する。
【００２８】
図１は本実施の形態１のＰＤＰを組み込んだＰＤＰ装置の一例の全体構成を概略的に示すブロック図である。また、図２は、図１に示すＰＤＰ装置における階調駆動シーケンスの一例を示す説明図である。また、図３は図１に示すＰＤＰ装置の駆動波形の一例を示す説明図である。
【００２９】
図１に示すＰＤＰ１の詳細な構造は後述するが、ＰＤＰ１は、Ｘ電極（第１電極、維持電極）１４、Ｙ電極（第２電極、走査電極）１５、アドレス電極（第３電極）２０、等より構成されている。また、それぞれの電極（１４、１５、２０）間に電圧を印加するために、アドレス駆動回路（第３電極駆動回路）ＡＤＲＶ、ＹスキャンドライバＹＳＣＤＲＶ、Ｙ駆動回路（第２電極駆動回路、第２サステインドライバ）ＹＳＵＳＤＲＶ、Ｘ駆動回路（第１電極駆動回路、第１サステインドライバ）ＸＳＵＳＤＲＶが電気的に接続されている。また、各駆動回路（ドライバ）を制御するための制御回路ＣＮＴとを備えている。
【００３０】
ＰＤＰ１は、サステイン放電（維持放電、表示放電）を行うＸ電極（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，・・・Ｘｎ）１４とＹ電極（Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３，・・・Ｙｎ）１５とが交互に配置されて表示ラインを構成し、Ｘ電極１４およびＹ電極１５の対で構成される表示電極対と該表示電極対（表示ライン）と略直交するアドレス電極（Ａ１，Ａ２，Ａ３，・・・Ａｎ）２０との交差毎にマトリクス状のセルが構成されている。
【００３１】
ＹスキャンドライバＹＳＣＤＲＶは、アドレス過程ＴＡ（図２参照）において、Ｙ電極１５を制御して順次Ｙ電極（表示ライン）１５を選択し、アドレス駆動回路ＡＤＲＶに電気的に接続されたアドレス電極２０と各Ｙ電極１５との間で、各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎ（図２参照）に対するセルの点灯／非点灯を選択するアドレス放電を生じさせる。
【００３２】
また、Ｙ駆動回路ＹＳＵＳＤＲＶおよびＸ駆動回路ＸＳＵＳＤＲＶは、表示過程ＴＳ（図２参照）において、アドレス放電により選択されたセルに対して各サブフィールドの重みに応じた数の維持放電（サステイン放電）を生じさせる。
【００３３】
また、制御回路ＣＮＴは、例えば、ＴＶチューナやコンピュータ等の外部装置から入力される画像データや信号からそれぞれの駆動回路（ドライバ）に適した制御信号を出力して所定の画像表示を行う役割を果たしている。
【００３４】
また、図２に示されるように、ＰＤＰ装置における階調駆動シーケンスは、１フィールド（フレーム）Ｆ１をそれぞれ所定の輝度の重みを有する複数のサブフィールド（サブフレーム）ＳＦ１〜ＳＦｎで構成し、各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎの組み合わせにより所望の階調表示を行うようになっている。
【００３５】
複数のサブフィールドの構成例を説明すると、例えば、２の巾乗の輝度重みを有する８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８（維持放電の回数の比が１：２：４：８：１６：３２：６４：１２８）により２５６階調の表示を行うようになっている。なお、サブフィールドの数および各サブフィールドの重みは様々な組み合わせが可能なのはいうまでもない。
【００３６】
また、各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎは、それぞれ表示領域における全てのセルの壁電荷を均一にする初期化過程（リセット期間）ＴＲ、点灯セルを選択するアドレス過程（アドレス期間）ＴＡ、および、選択されたセルを輝度（各サブフィールドの重み）に応じた回数だけ放電（点灯）させる表示過程（維持放電期間）ＴＳで構成され、各サブフィールドの表示毎に輝度に応じてセルを点灯させ、例えば、８つのサブフィールド（ＳＦ１〜ＳＦ８）を表示することで１フィールドの表示を行うようになっている。
【００３７】
次に、図３に駆動波形の一例を示す。図３では図２に示す各サブフィールドＳＦ１〜ＳＦｎにおける図１に示す各電極（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５、アドレス電極２０）に印加する駆動波形例（ＰＸ，ＰＹ，ＰＡ）を示している。
【００３８】
まず、第１のステップとして、初期化過程ＴＲでは、Ｘ電極１４（図１参照）とＹ電極１５（図１参照）との間でリセット放電を発生させることにより、全てのセルに電荷（壁電荷）を形成して全セルの初期化（次のアドレス動作期間に備える状態にすること）を行う。
【００３９】
この初期化過程ＴＲでは例えば、図３に示すように、それぞれＰＤＰ１の表示電極対を構成するＸ電極１４に正のＹ書き込み鈍波ＰＹ１を、Ｙ電極１５に負のＸ電圧ＰＸ１を印加する。これにより、Ｘ電極１４が陰極、Ｙ電極１５が陽極となって両電極間でリセット放電が発生し、全てのセルに壁電荷が形成される。
【００４０】
続いてセル内に形成された壁電荷を必要量残して消去するＹ補償鈍波ＰＹ２とＸ補償電圧ＰＸ２が印加される。これにより、全セルに形成された壁電荷の量が略一様になる。
【００４１】
このように初期化過程ＴＲにおいて、リセット放電を発生させるための電圧波形として、Ｙ書き込み鈍波ＰＹ１やＸ電圧ＰＸ１のように後述する繰り返し維持パルスＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＹ５、ＰＹ６、ＰＹ７と比較して緩やかな波形を印加することにより、リセット放電が過大な放電状態となることを防止することができる。
【００４２】
次に、第２のステップとして、アドレス過程ＴＡでは、点灯させることを選択するセルに対し、アドレス電極２０（図１参照）とＹ電極１５との間でアドレス放電を発生させることにより、セルの点灯／非点灯を選択する。また、及びそれに続く表示電極（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）対での放電（維持放電、表示放電）を発生させる。
【００４３】
このアドレス過程ＴＡでは、例えば、図３に示すように、行方向の表示するセルを決める放電を行うため、Ｙ電極１５に走査パルスＰＹ３が、Ｘ電極１４にＸ電圧ＰＸ３が印加される。この走査パルスＰＹ３は行毎にタイミングをずらして印加される。
【００４４】
一方、アドレス電極２０には、列方向の表示するセルを決める放電を行うため、アドレスパルスＰＡ１、ＰＡ２が印加される。このアドレスパルスＰＡ１、ＰＡ２は、行毎に印加される走査パルスＰＹ３に合わせて印加され、Ｙ電極１５とアドレス電極２０との交点に形成される表示させたいセルに放電を発生させるタイミングで印加される。
【００４５】
次に、第３のステップとして、表示過程ＴＳでは、点灯させることを選択したセルのＸ電極１４、Ｙ電極１５の間で維持放電（表示放電、サステイン放電）を維持させ、当該セルを所定期間の間発光させる。
【００４６】
この表示過程ＴＳでは、例えば、図３に示すように、異なる電気的極性を有する第１の維持パルスＰＸ４、ＰＹ４をそれぞれＸ電極１４とＹ電極１５に印加する。これにより、表示電極対間の放電状態が維持される。
【００４７】
続いて、Ｘ電極１４およびＹ電極１５に、互いに電気的極性の異なる繰り返し維持パルスＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＹ５、ＰＹ６、ＰＹ７が繰り返し印加されることにより、表示電極対間の放電状態がさらに維持される。
【００４８】
図３に示すように、維持パルスＰＸ４、ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７および維持パルスＰＹ４、ＰＹ５、ＰＹ６、ＰＹ７はその電気的極性が交互に入れ替わる。つまり、Ｘ電極１４とＹ電極１５とは、維持放電の際に、交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電がなされる。
【００４９】
以上本実施の形態１のＰＤＰ装置の全体構成と、階調駆動方法の例について説明したが、種々の変形例が存在することは言うまでもない。例えば、図３で説明した駆動波形において、印加するパルスあるいは電圧の電気的極性を反転させても良い。この場合、図３に示す初期化過程ＴＲでは、Ｘ電極１４が陽極に、Ｙ電極１５が陰極になる。また、例えば、図３に示す駆動波形に加え、表示過程ＴＳの最後に壁電荷消去のための電圧波形を加えることもある。
【００５０】
＜ＰＤＰの基本構造＞
次に、図４および図５を用いて本実施の形態１のＰＤＰの構造の一例について交流面放電型のＰＤＰを例に説明する。図４は本実施の形態１のＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大分解斜視図、図５は図４に示す電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。
【００５１】
なお、図５ではＰＤＰの有する電極群、隔壁、および光吸収層の位置関係を判りやすく示すため、その他の部材は図示を省略している。
【００５２】
図４において、ＰＤＰ１は前面基板構造体（第１基板構造体）１１と背面基板構造体（第２基板構造体）１２とを有している。前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは互いに対向した状態で重ね合わされ、その間に放電空間２４を有している。
【００５３】
前面基板構造体１１はＰＤＰ１の表示面を有し、表示面側には主にガラスで構成される前面基板（基板、第１基板）１３を有している。前面基板１３の表示面と反対側の面（第１の面）１３ａにはＰＤＰ１の表示電極であるＸ電極（第１電極、維持電極、サステイン電極）１４と、Ｙ電極（第２電極、走査電極、スキャン電極）１５とがそれぞれ複数形成されている。
【００５４】
Ｘ電極１４はおよびＹ電極１５は維持放電（表示放電、サステイン放電）を行うための一対の表示電極対を構成し、例えば、行方向（第１方向、横方向）ＤＸに沿って延在するようにそれぞれ交互に配置されている。この一対のＸ電極１４とＹ電極１５とがＰＤＰ１における表示の行を構成する。
【００５５】
このＸ電極１４およびＹ電極１５は一般に例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＳｎＯ２などの透明な電極材料で構成されるＸ透明電極（透明電極部）１４ａ、Ｙ透明電極（透明電極部）１５ａと、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などからなるＸバス電極（金属電極部）１４ｂ、Ｙバス電極（金属電極部）１５ｂとで構成される。
【００５６】
Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａは、維持放電の安定化や放電効率の向上のため、例えば図５に示すように、一対の電極対間の最短距離（放電ギャップと呼ばれる）がセル２５の位置に対応して局所的に近づくようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと重なる位置からそれぞれ対向する方向に突出した突出部１４ａａ、１５ａａを有するように形成される。
【００５７】
このＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａの突出部１４ａａ、１５ａａが形成される位置は、ＰＤＰ１のセル２５内に該当するため、後述する蛍光体部２３から発光される可視光を透過させて表示面側に取り出すために、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａは透明の電極材料で形成される。
【００５８】
したがって、このＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａとＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂとは後述する蛍光体部２３から発光される可視光に対する透過率が異なり、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａの透過率の方がＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂの透過率よりも高い。
【００５９】
なお、図５ではＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａがそれぞれ有する突出部１４ａａ、１５ａａの形状の一例としてＴ型の形状を示しているが、この形状に限定される訳ではなく、種々の変形例に適用することができる。
【００６０】
例えば、突出部の先端がＴ型ではなく単にＩ型の構造としても良い。また、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａに突出部１４ａａ、１５ａａを形成せず、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂの幅よりも広い幅を有する帯状のＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａを形成する電極構造もある。
【００６１】
一方、Ｘバス電極１４ｂおよびＹバス電極１５ｂは、Ｘ電極１４およびＹ電極１５の電気抵抗を低減するために形成され、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａよりも電気抵抗の低い金属材料で形成されている。
【００６２】
このようにＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂは金属材料で形成されるため、可視光に対する透過率がＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａと比較して低い。したがって、後述する蛍光体部２３から発光される可視光を透過させて表示面側に効率的に取り出すためには、Ｘバス電極１４ｂおよびＹバス電極１５ｂは図５に示すように棒状に形成し、セル２５と重なる領域の面積を小さくすることが好ましい。
【００６３】
また、図５に示すように、隣り合う２対の表示電極対（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の対）の間には、ＰＤＰ１の表示発光に寄与しない非放電ギャップ１６が形成されている。非放電ギャップ１６は行方向ＤＸに沿って形成されている。
【００６４】
また、図４に示すように、これらの電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５）は、例えば低融点ガラス材料を主成分とする誘電体層１７で被覆されている。誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間には、光吸収層１０が選択的に形成されている。この光吸収層１０の詳細な構造および機能については後述する。
【００６５】
また、誘電体層１７の表面には、前述した維持放電などの際に、生じるイオンなどの衝突（スパッタ）による衝撃から誘電体層１７を保護するため、保護層１８が形成されている。保護層１８は誘電体層１７の一方の表面を覆うように形成されている。保護層１８には高いスパッタ耐性と２次電子放出係数が要求されるため、例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）を主とする材料を用いることができる。
【００６６】
一方、図４に示す背面基板構造体１２は、主にガラスで構成される背面基板（基板、第２基板）１９を有している。背面基板１９の前面基板構造体１１と対向する面（第２の面、内側面）上には、複数のアドレス電極（第３電極）２０が形成されている。各アドレス電極２０は、Ｘ電極１４およびＹ電極１５が延在する方向と交差する（略直交する）列方向（第２方向、縦方向）ＤＹに沿って延在するように形成されている。また、各アドレス電極２０は、互いに略平行となるように所定の配置間隔を持って配置されている。
【００６７】
アドレス電極２０を構成する材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ、Ｃｒ、あるいはこれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層体）などを用いることができる。
【００６８】
このアドレス電極２０と、前面基板構造体１１に形成されたＹ電極１５とは、セル２５の点灯／非点灯を選択するための放電であるアドレス放電を行うための電極対を構成する。つまり、Ｙ電極１５は維持放電用の電極としての機能とアドレス放電用の電極（走査電極）としての機能とを併せ持っている。
【００６９】
アドレス電極２０は、誘電体層２１で被覆されている。誘電体層２１上には背面基板構造体１２の厚さ方向に伸びる複数の隔壁（第１の隔壁、縦リブ）２２が形成されている。隔壁２２はアドレス電極２０が延在する列方向ＤＹに沿ってライン状に延在するように形成されている。また、隔壁２２の平面上の位置は、図４に示すように隣り合うアドレス電極２０の間に配置されている。隔壁２２を隣り合うアドレス電極２０の間に配置することにより、各アドレス電極の位置に対応して誘電体層２１の表面を列方向ＤＹに区分けする放電空間２４が形成される。
【００７０】
また、アドレス電極２０上の誘電体層２１上面、および隔壁２２の側面には、真空紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発生する蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂがそれぞれ所定の位置に形成されている。
【００７１】
また、図４に示す前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とは、保護層１８が形成された面と隔壁２２が形成された面とが対向した状態で固定されている。また、図示しないＰＤＰ１の周囲部は、例えばフリットとよばれる低融点ガラス材料などの封着材により封着され、放電空間２４内に、図示しない放電ガスと呼ばれるガス（例えばＮｅとＸｅの混合ガス）が所定の圧力で封入されている。
【００７２】
図５に示すように一対のＸ電極１４とＹ電極１５とアドレス電極２０との交差に対応して１個のセル２５が構成される。セル２５の平面積は一対のＸ電極１４とＹ電極１５の配置間隔と、隔壁２２の配置間隔により規定される。
【００７３】
また、各セル２５には、図４に示す赤用の蛍光体部２３ｒ、緑用の蛍光体部２３ｇ、または青用蛍光体部２３ｂのいずれかがそれぞれ形成されている。
【００７４】
このＲ、Ｇ、Ｂの各セル２５のセットにより画素（ピクセル）が構成される。つまり、各蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂはＰＤＰ１の発光素子であり維持放電によって発生する所定波長の真空紫外線に励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の可視光を発光する。
【００７５】
ＰＤＰ１は、このセル２５毎に維持放電を発生させて、維持放電により発生する真空紫外線によりの各蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂを励起して発光させる構造となっている。
【００７６】
＜光吸収層の詳細構造＞
次に、図４および図５に示す光吸収層１０の詳細な構造および機能について、図４〜図８を用いて説明する。
【００７７】
図６は図５に示すＰＤＰの光吸収層を形成しない状態における１セル内の発光強度の分布（リセット放電時と維持放電時）を示す説明図、図７は図５に示すＰＤＰの光吸収層を形成しない状態における１セル内の電位分布と正イオンおよび電子の存在率の分布を示す説明図である。また、図８は図５に示すＢ−Ｂ線に沿った断面を拡大して示す要部拡大断面図である。
【００７８】
まず、前述したリセット放電および維持放電の際のＰＤＰが有する１セル内における発光強度の分布について本発明者が実験および検討を行い、見出した結果について図６を用いて説明する。
【００７９】
図６（ａ）は図５に示すＰＤＰの光吸収層１０を形成しない状態でセル２５の１個を拡大して示す要部拡大平面図である。また、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すＡ−Ａ断面におけるセル内の発光強度の分布を示しており、縦軸に相対的発光強度比（ａ．ｕ）を、横軸には、図６（ａ）で示す平面図に対応するセル内での位置を示している。また、図６（ｂ）では、リセット放電の際の可視光の発光強度（リセット発光）を実線で、維持放電の際の可視光の発光強度（サステイン発光）を点線で示している。
【００８０】
図６において、リセット放電の際の可視光の発光強度の分布は、Ｘ透明電極１４ａと厚さ方向に重なる第１領域３０の方が、Ｙ透明電極１５ａと厚さ方向に重なる第２領域３１よりも１．５倍程度大きいことが判る。
【００８１】
一方、維持放電の際の可視光の発光強度の分布は第１領域３０と第２領域３１とで大きな差はなく、略一様な発光強度分布となっている。
【００８２】
つまり、維持放電時とリセット放電時とでは、セル２５内の発光強度の分布が異なっており、リセット放電時の可視光の発光強度は、Ｘ透明電極１４ａ側に偏って強くなっている。
【００８３】
次に、維持放電時とリセット放電時とでは、セル２５内の発光強度の分布が異なる理由について図７を用いて説明する。
【００８４】
図７は放電セル内の陽陰電極間の電位分布と荷電粒子の存在率分布を示す説明図であって、横軸には陽陰電極間の位置（左側が陰極、右側が陽極）を、縦軸には下段が電位、上段が各荷電粒子（正イオンおよび電子）の存在率を示している。
【００８５】
図７に示すように、陽陰電極間の電位分布は陰極近傍で電位が急激に上昇し、その後、陽極までは略一定の電位を示す。放電によって電離した気体（正イオン）は正に帯電しているため、陰極近傍に集中的に多く存在する。
【００８６】
ところで、ＰＤＰの発光原理は、放電によって電離した気体が基底状態に遷移する際に放射する紫外線で、蛍光体が励起され発光する。したがって、正イオンが集中的に存在する陰極近傍の領域ではこの紫外線が多く発生することとなり、陰極近傍の領域の発光強度が陽極近傍の発光強度と比較して大きくなる。
【００８７】
この現象を図６で説明したセル２５に当てはめると、まず、リセット放電の際には、図６（ａ）に示すＸ透明電極１４ａが陰極となり、Ｙ透明電極１５ａは陽極となる。このため、陰極であるＸ透明電極１４ａ近傍、すなわち、Ｘ透明電極１４ａと厚さ方向に重なる（対向する）第１領域３０は、陽極であるＹ透明電極１５ａ近傍、すなわちＹ透明電極１５ａと厚さ方向に重なる第２領域３１よりも発光輝度が高くなる。
【００８８】
他方、維持放電の際には、前述の通り、Ｘ透明電極１４ａとＹ透明電極１５ａとが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電を行う。このため、放電によって電離した気体がいずれか一方の領域に偏って存在するということはなく、略一様に分布することとなる。したがって、図６（ｂ）に示すように、維持放電の際の可視光の発光強度の分布は第１領域３０と第２領域３１とで大きな差はなく、略一様な発光強度分布となる。
【００８９】
以上の結果より、第１領域３０の可視光透過率（第１の可視光透過率）を第２領域３１の可視光透過率（第２の可視光透過率）よりも低くすることにより、リセット放電の際に発生する可視光の透過率を低下させることができる。一方、表示画像を形成する維持放電の際には、Ｘ電極１４とＹ電極１５とが交互に陰極あるいは陽極となって繰り返し放電することにより、可視光の発光強度の分布は略一様とすることができる。このため、第２領域３１の可視光透過率（第２の可視光透過率）を第１領域３０の可視光透過率（第１の可視光透過率）よりも高くすることにより第２領域から可視光を効率的に取り出すことができるので、ＰＤＰ１の透過率低下を抑制することができる。つまり、ＰＤＰ１の輝度低下を抑制しつつ、かつコントラストを向上させることができる。
【００９０】
第１領域３０の第１の可視光透過率としてはＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａの可視光透過率（すなわち、第２の可視光透過率）である９０％よりは低くする。また、サステイン発光を透過させるためには、透過率５０％程度以上とすることが好ましい。なお、可視光透過率の下限については可視光透過率の調整手段によって異なる設計項目であり、この数値に限定されるものではない。
【００９１】
次に、図４〜図８を用いて本実施の形態１の可視光透過率の調整手段である光吸収層１０の詳細な構造について説明する。
【００９２】
図８に示すように、本実施の形態１では可視光透過率の調整手段として第１領域３０に光吸収層１０を選択的に形成している。光吸収層１０は例えば、黒色顔料などの光吸収材により構成されている。あるいは、光吸収材の粒子を誘電体層１７の構成材料である低融点ガラス中に分散させたものを用いることもできる。光吸収層１０における光吸収材の含有率は、所望の可視光透過率に応じて適宜選択することができる。
【００９３】
光吸収層１０に用いるために好ましい光吸収材としては、酸化チタン、黒色酸化鉄、酸化クロム、酸化マンガン、カーボンブラック、群青などの黒色顔料の粒子を使用することができる。これらの黒色顔料は、１種類、または２種類以上複合して用いることができる。
【００９４】
可視光透過率の調整手段として第１領域３０に光吸収層１０を選択的に形成することにより、光吸収層１０に含まれる光吸収材の光吸収特性とその含有率に応じて第１領域３０の可視光透過率を容易に調整することが可能となる。
【００９５】
光吸収層１０の平面方向の配置は、図８に示す第１領域３０を含むように形成され、また、図５に示すように行方向ＤＸに沿って延在するように帯状に形成されている。
【００９６】
このように第１領域３０を含むように光吸収層１０を形成することにより、リセット放電の際に陰極となるＸ電極１４は光吸収層１０で覆われることとなる。このため、第１領域３０の可視光透過率を第２領域３１の可視光透過率と比較して低下させることができる。
【００９７】
また、光吸収層１０を帯状に形成することにより、ＰＤＰ１（図５参照）の表示画面全体では、ストライプ状（縞状）のパターンで光吸収層１０が形成されることとなる。光吸収層をストライプ状のパターンで形成する場合、サブピクセル（セル２５）毎、あるいはピクセル（Ｒ、Ｇ、Ｂの各セル２５のセット）毎にマトリクス状のパターンで形成する場合と比較して行方向（ライン方向）ＤＸの位置ずれを防止することができるので、ＰＤＰ１を製造する際に前面基板構造体１１と背面基板構造体１２との位置合わせが容易になる。
【００９８】
ここで、リセット放電の際の発光強度分布は、図６に示す第１領域３０の中でもＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａの先端に近づくほど大きくなる。したがって、第１領域３０の平面位置、すなわち、光吸収層１０を形成する平面位置には、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａの先端と厚さ方向に重なる領域を含めることが好ましい。これによって、リセット放電の際の発光強度が最も大きい位置の可視光透過率を低下させることができる。
【００９９】
また、光吸収層１０の厚さ方向の配置は、誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間に形成されている。誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間に光吸収層１０を形成することにより、Ｘ電極を形成した後で光吸収層１０を形成することができるので、Ｘ電極との位置合わせを容易にすることができる。
【０１００】
また、図５および図８に示すように、光吸収層１０の帯幅は、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａの先端から非放電ギャップ１６まで延びるように形成されている。このように光吸収層１０の帯幅を非放電ギャップ１６まで延びるように形成することにより、非放電ギャップ１６に入射する外光の反射を抑制することができる。したがってＰＤＰ１の暗室コントラストを低減することができる。
【０１０１】
＜第１の変形例＞
本実施の形態１では、Ｘ電極１４と厚さ方向に重なる全領域を覆うように光吸収層１０を帯状に形成する例について説明した。しかし、光吸収層１０の平面形状はこれに限定されず種々の変形例が存在する。以下図９および図１０を用いて本実施の形態１の第１の変形例について説明する。
【０１０２】
図９は本実施の形態１の第１の変形例であるＰＤＰが有する電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図、図１０は図９に示すＣ−Ｃ線に沿った断面を拡大して示す要部拡大断面図である。なお、図９および図１０に示す光吸収層３６は平面形状以外の点については図４、図５および図８で説明した光吸収層１０と同様であるため、繰り返しの説明は省略する。
【０１０３】
図９に示すＰＤＰ３５と、図５に示すＰＤＰ１との相違点は、光吸収層３６の平面形状である。すなわち、図９に示すＰＤＰ３５が有する光吸収層３６は帯状に形成された光吸収層３６の帯幅がＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａの長さ（対となるＹ電極１５に向かう方向の長さ）よりも短く形成されている。
【０１０４】
このように、ＰＤＰ３５は光吸収層３６の帯幅をＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａの長さよりも短く形成することにより、突出部１４ａａの先端とＸバス電極１４ｂとの間に第１領域３０よりも可視光透過率が高い第３領域３７が第１領域３０に隣接配置される構造となっている。
【０１０５】
ここで、図６で説明したように、リセット放電の際の発光強度分布は、図６に示す第１領域３０の中でもＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａの先端に近づくほど大きくなる。一方、維持放電の際の発光強度分布は、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａが形成された領域では、略一様な発光強度分布を示す。
【０１０６】
したがって、可視光透過率が低い第１領域３０にＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａの先端と厚さ方向に重なる領域を含めることにより、リセット放電の際の発光強度が最も大きい位置の可視光透過率を低下させることができる。一方、突出部１４ａａの先端とＸバス電極１４ｂとの間に第１領域３０よりも可視光透過率が高い第３領域３７を有する構造とすることにより、維持放電の際の発光を第２領域３１に加えて第３領域３７からも取り出すことができるので、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と比較して、より発光輝度の低下を抑制することができる。
【０１０７】
＜第２の変形例＞
次に、図１１および図１２を用いて本実施の形態１の第２の変形例について説明する。図１１は本実施の形態１の第２の変形例であるＰＤＰが有する電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。また、図１２は図１１に示すＰＤＰのセル２５の１個を拡大して示す要部拡大平面図である。
【０１０８】
なお、図１１および図１２に示す光吸収層４１は平面形状以外の点については図４、図５および図８で説明した光吸収層１０と同様であるため、繰り返しの説明は省略する。
【０１０９】
図１１に示すＰＤＰ４０と、図５に示すＰＤＰ１との相違点は、光吸収層４１の平面形状である。すなわち、図１１に示すＰＤＰ４０が有する光吸収層４１は帯状に形成されているのではなく、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａの形状に沿ってこれを覆うように選択的に形成されている。
【０１１０】
ここで、図７で説明したように、リセット放電の際に正イオンは陰極となるＸ電極１４の周辺に集中する。このため、リセット放電の際には、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａと厚さ方向に重なる領域の発光強度が特に強くなる。
【０１１１】
ＰＤＰ４０では、光吸収層４１をＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａの形状に沿って形成することにより、可視光透過率を低下させる第１領域３０の範囲をＸ透明電極１４ａの突出部１４ａａと厚さ方向に重なる最小限の範囲に留めている。
【０１１２】
このため、突出部１４ａａの先端とＸバス電極１４ｂとの間に第１領域３０よりも可視光透過率が高い第３領域３７が第１領域３０に隣接配置される構造となっている。
【０１１３】
このように突出部１４ａａの先端とＸバス電極１４ｂとの間に第１領域３０よりも可視光透過率が高い第３領域３７を有する構造とすることにより、維持放電の際の発光を第２領域３１に加えて第３領域３７からも取り出すことができるので、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１と比較して、より発光輝度の低下を抑制することができる。
【０１１４】
また光吸収層４１は、図５に示す光吸収層１０と同様に行方向ＤＸに沿って帯状に形成されているので、光吸収層４１を形成する際に行方向ＤＸの位置ずれを防止することができる。
【０１１５】
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本実施の形態１のＰＤＰ１の製造方法の概要について図４、図５、および図８を用いて説明する。本実施の形態１のＰＤＰ１の製造方法は以下の工程を有している。
【０１１６】
（ａ）まず、図４に示す前面基板構造体１１を形成する。前面基板構造体１１は例えば以下の工程が含まれる。
【０１１７】
まず、前面基板（第１基板）１３を用意して表示面の反対側となる面（第１の面）１３ａ上にＸ電極１４、Ｙ電極１５を形成する。Ｘ電極１４、Ｙ電極１５は例えば以下のように形成する。
【０１１８】
まず、前面基板（第１基板）１３を用意して表示面の反対側となる面（第１の面）１３ａ上に例えばＩＴＯやＳｎＯ２などからなるＸ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａをフォトリソグラフィ技術やエッチング技術を用いて例えば、図５に示すような所望のパターンで形成する。
【０１１９】
次に、Ｘ透明電極１４ａ、Ｙ透明電極１５ａの上にＸバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂをそれぞれ形成する。Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂに用いる材料がＡｇ、Ａｕの場合はスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他の金属（Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒやこれらの積層体）については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。
【０１２０】
次に、前面基板１３の面１３ａ上にＸ電極１４、Ｙ電極１５を形成した後、前面基板１３上に、Ｘ電極１４およびＹ電極１５を被覆する誘電体層１７を形成する。誘電体層１７は、例えば、低融点ガラス粉末を主成分とするフリットペースト（以下低融点ガラスペースト）を、前面基板１３上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成することができる。また、シート状の誘電体層１７を貼り付けて焼成する方法もある。あるいは、プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ２膜を成膜することにより形成してもよい。
【０１２１】
ここで、本実施の形態１では誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間に光吸収層１０あるいは光吸収層３６（図９参照）、あるいは光吸収層４１（図１１参照）（以下単に光吸収層１０、３６、４１と記載する）を形成するため、誘電体層１７の形成を２段階に分けて行う。すなわち、誘電体層１７を図８に示すように第１誘電体層１７ａと第２誘電体層１７ｂの２層構造とし、この間に光吸収層１０、３６、４１を形成する。
【０１２２】
スクリーン印刷法を用いる例で説明すると、最初に低融点ガラスペーストを、前面基板１３上に比較的に薄く塗布して焼成し、図８に示す第１誘電体層１７ａを形成する。次に第１誘電体層１７ａの表面に所定の形状の光吸収層１０、３６、４１をスクリーン印刷法で塗布し、焼成することによって形成する。ここで、例えば、図５に示す光吸収層１０を形成する場合、Ｘ電極１４を覆うように行方向ＤＸに沿って帯状に形成する。また、図９に示す光吸収層３６を形成する場合は、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａの先端と重なる位置を含むように行方向ＤＸに沿って帯状に形成する。また、図１１に示す光吸収層４１を形成する場合は、Ｘ透明電極１４ａの突出部１４ａａの形状に沿ってこれを覆うように形成する。光吸収層１０、３６、４１を上記のように形成することにより、光吸収層１０、３６、４１を形成した領域が、可視光透過率が低い第１領域３０となる。その後、再び低融点ガラスペーストを必要な厚さの誘電体層が得られるように塗布して焼成し、第２誘電体層１７ｂを形成する。
【０１２３】
このように誘電体層１７の形成工程を２段階に分割することにより誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間に光吸収層１０、３６、４１を形成することができる。
【０１２４】
誘電体層１７および光吸収層１０を形成した後、この誘電体層１７の表面に保護層１８を積層して形成する。保護層１８は、電子ビーム蒸着法やスパッタ法のような、当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって形成することができる。
【０１２５】
（ｂ）次に、図１に示す背面基板構造体１２を形成する。背面基板構造体１２は例えば以下のように形成される。
【０１２６】
まず、背面基板１９を用意して一方の面（第２の面）にアドレス電極２０を所定のパターンで形成する。アドレス電極２０も、Ｘバス電極１４ｂ、Ｙバス電極１５ｂと同様に、Ａｇ、Ａｕを用いる場合はスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他の金属（Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒやこれらの積層体）については蒸着法やスパッタ法などの薄膜形成技術とエッチング技術とを用いることにより、所定の本数、厚さ、幅および間隔で形成することができる。
【０１２７】
次に背面基板１９の表面にアドレス電極２０を覆うように誘電体層２１を形成する。この誘電体層２１は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【０１２８】
次に誘電体層２１の表面に放電空間２４を区画する隔壁２２を形成する。隔壁２２は、アドレス電極２０に沿って延在するように形成する。この隔壁２２はサンドブラスト法、フォトエッチング法などにより形成することができる。
【０１２９】
例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒などからなるフリットペーストを誘電体層２１上に塗布して乾燥させた後、そのフリットペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹き付けて、マスクの開口部に露出したフリットペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。
【０１３０】
また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光および現像の後、焼成することにより形成する。
【０１３１】
次に、隔壁２２で区画された各放電空間２４内に蛍光体部２３を塗布、加熱して形成する。蛍光体部２３ｒ、２３ｇ、２３ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁で区切られた放電空間内にスクリーン印刷またはディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色ごとに繰り返した後、焼成することにより形成している。
【０１３２】
蛍光体部２３は、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィ技術で形成することもできる。この場合、所定の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色ごとに繰り返すことで、対応する隔壁２２間に各色の蛍光体部２３を形成することができる。
【０１３３】
なお、背面基板構造体１２は、必ずしもこの段階で用意する必要はなく、後述する（ｃ）工程の前に用意すれば良い。
【０１３４】
（ｃ）次に前面基板構造体１１の第１の面側と第２基板構造体の第２の面側とを対向させた状態で重ね合わせて組み立てる。
【０１３５】
この工程では、各基板構造体１１、１２のいずれかに形成された電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５、アドレス電極２０）が、例えば図５に示すような所定の位置関係となるように位置合わせされた後、重なった状態で固定され、各基板構造体１１、１２の外周を図示しない封着剤（例えばシールフリット）などで封着する。
【０１３６】
各基板構造体１１、１２の外周が封着された後、少なくともいずれか一方の基板構造体１１、１２に形成された図示しない通気孔を介して放電空間２４の内部空間のガスが排出する。また、その後該通気孔を介してＸｅとＮｅなどを混合した所定の放電ガスが所定の圧力で封入される。放電ガスが封入された後、通気孔を封止して図４に示すＰＤＰ１が得られる。
【０１３７】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、第１領域３０の可視光透過率の調整手段として、誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間に光吸収層１０、３６、４１を選択的に形成する実施態様について説明した。本実施の形態２では、可視光透過率の調整手段として他の方法を用いる実施態様について説明する。
【０１３８】
図１３は本実施の形態２であるＰＤＰが有する電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。また、図１４は図１３に示すＰＤＰのセル２５の１個を拡大して示す要部拡大平面図である。
【０１３９】
なお、図１３および図１４に示すＸバス電極４６ｂは平面形状以外の点については図４、図５および図８で説明したＸバス電極１４ｂと同様であるため、繰り返しの説明は省略する。
【０１４０】
図１３に示すＰＤＰ４５と、図５に示すＰＤＰ１との相違点は、第１にはＸバス電極４６ｂの平面形状、第２にはＰＤＰ４５は図５に示す光吸収層１０を有していない点である。すなわち、図１３に示すＰＤＰ４５では、可視光透過率の調整手段として光吸収層１０を形成するのではなく、Ｘバス電極４６ｂの平面形状を、セル２５毎に対となるＹ電極１５の方向に突出する突出部４６ｂｂを有する形状としている。
【０１４１】
つまり、本実施の形態２のＰＤＰ４５は、Ｘ電極４６を構成するＸバス電極４６ｂがＸ透明電極１４ａに沿って形成されている。
【０１４２】
Ｘバス電極４６ｂは、前記実施の形態１で説明した図５に示すＸバス電極１４ｂと同様に金属材料で構成される。したがって、図１４に示すように、Ｘバス電極４６ｂの突出部４６ｂｂと厚さ方向に重なる第１領域３０は、Ｙ透明電極１５ａの突出部１５ａａと厚さ方向に重なる第２領域３１よりも可視光の透過率が低下する。
【０１４３】
したがって、リセット放電の際に発光される可視光を吸収し、コントラストを向上させることができる。
【０１４４】
ただし、第１領域３０の可視光透過率の調整手段として、Ｘバス電極４６ｂを用いる場合、Ｘバス電極４６ｂの可視光透過率は、前記実施の形態１で説明した光吸収層１０、３６、４１と比較して透過率の調整が難しい。
【０１４５】
このため、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１（図５参照）、ＰＤＰ３５（図９参照）やＰＤＰ４０（図１１参照）と比較すると、維持放電時の可視光も多く吸収される場合がある。したがって、輝度低下を抑制するという観点ではＰＤＰ１（図５参照）、ＰＤＰ３５（図９参照）やＰＤＰ４０（図１１参照）に示す構造の方がより好ましい。
【０１４６】
なお、図１３では、Ｘ透明電極１４ａを形成し、この透明電極１４ａに沿ってＸバス電極４６ｂを形成する構造について説明した。しかし、この変形例としてＸ電極４６をＸバス電極４６ｂのみで形成される構造（すなわち、図１３に示すＸ透明電極１４ａを形成しない構造）としても良い。
【０１４７】
（実施の形態３）
前記実施の形態１では、第１領域３０の可視光透過率の調整手段として、誘電体層１７の表面とＸ電極１４との間に光吸収層１０、３６、４１を選択的に形成する実施態様について説明した。本実施の形態２では、ＰＤＰの外側に可視光透過率の調整手段を設ける実施態様について説明する。
【０１４８】
図１５は本実施の形態３であるＰＤＰの列方向の断面の一部を示す要部拡大断面図、図１６は本実施の形態３の変形例であるＰＤＰの列方向の断面の一部を示す要部拡大断面図である。
【０１４９】
本実施の形態３のＰＤＰ５０と、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１（図５参照）、ＰＤＰ３５（図９参照）やＰＤＰ４０（図１１参照）との相違点は、光吸収層５１がＰＤＰ５０の内部ではなく、表示面側（つまり外部）に形成されている点である。
【０１５０】
前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１（図５参照）、ＰＤＰ３５（図９参照）やＰＤＰ４０（図１１参照）の場合、光吸収層１０、３６、４１を誘電体層１７内に形成するため、その材料として有機材料を用いることが難しい。有機材料を用いると、その製造過程で加熱された際に、有機物成分が蒸発し、放電空間２４内の不純物濃度が上がる可能性があるからである。
【０１５１】
しかし、本実施の形態３では、図１５に示すように光吸収層５１を前面基板構造体１１の表示面側、すなわち、ＰＤＰ５０の外側に形成するので、このような制約がない。したがって光吸収層５１として有機材料を含む顔料、例えば、スクアリリウム染料、アゾメチン染料、シアニン染料、オキドノール染料、アントラキン染料、アゾ染料、ベンジリデン染料あるいはそれらをレーキ化した顔料を所望の可視光透過率特性に応じて選択することができる。
【０１５２】
つまり、光吸収層５１を前面基板構造体１１の表示面側に形成することにより、第１領域３０の可視光透過率を調整するための選択肢が増えるので、前記実施の形態１で説明した効果に加え、より容易に可視光透過率を調整することができる。
【０１５３】
なお、光吸収層５１の平面形状および平面的な配置は、前記実施の形態１で説明した図５、図９あるいは図１１で説明した光吸収層１０、３６、４１と平面形状および配置を適用することができるので図示および繰り返しの説明は省略する。
【０１５４】
本実施の形態３のＰＤＰ５０の製造工程では、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１の製造方法において、光吸収層１０を形成する工程を省略することができる。また、（ｃ）工程で、前面基板構造体１１と背面基板構造体１２とを組み立てた後、前面基板構造体１１の表示面側（前面基板１３の表示面側）に例えばスクリーン印刷法により、光吸収層５１のペーストを塗布し、その後必要に応じてこれを加熱することによりＰＤＰ５０が得られる。
【０１５５】
光吸収層５１の厚さ方向の配置は、図１６に示すように、前面基板構造体１１の表示面側に埋め込むように形成しても良い。光吸収層５１を埋め込むことにより、前面基板構造体１１の表面を平坦化することができる。
【０１５６】
このように前面基板構造体１１の表面を平坦化することにより、ＰＤＰ５０の表示面側に色調調整用のフィルタを直接貼り付ける場合に該フィルタを容易に隙間無く貼り付けることができる。
【０１５７】
図１６に示すように、光吸収層５１を前面基板構造体１１の表示面側に埋め込む場合は、基板１３の表示面側をサンドブラスト法により所定のパターンに予め切削した後、スクリーン印刷、あるいはディスペンサを用いて塗布した後、必要に応じて加熱することにより得られる。
【０１５８】
この場合、サンドブラストは、前記実施の形態１で説明した製造工程において、前面基板構造体１１に保護層１８を形成する前に予め形成しておくことが好ましい。サンドブラストを行う際の保護層１８の汚染を防止するためである。
【０１５９】
図１５および図１６に示す構造の他、ＰＤＰの表示面に直接貼り付けるフィルタ（色調調整用のフィルタ）の可視光透過率を予め調整し、第１領域３０の可視光透過率を第２領域３１の可視光透過率よりも低くすることもできる。
【０１６０】
ただし、この場合、フィルタを貼り付ける際に、前面基板構造体１１とフィルタとのアライメントを行う必要がある。
【０１６１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１６２】
例えば、ＰＤＰは、要求性能や駆動方式に応じて各種構造が存在し、実施の形態１〜３で説明したＰＤＰ１、３５、４０、４５、５０とは異なる構造のＰＤＰにも適用することができる。
【０１６３】
例えば、実施の形態１〜３ではＰＤＰの電極構造の例として、アドレス電極２０を背面基板構造体１２に形成する構造例について説明した。しかし、アドレス電極２０を前面基板構造体１１に設ける構造（例えば誘電体層１７と保護層１８との間に第２の誘電体層を積層して、該第２の誘電体層内に形成する構造）も知られており、このような構造に適用しても良い。Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の平面的な位置関係が同様であれば、そのまま適用することができる。
【０１６４】
また、実施の形態１〜３では、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５の表示電極対の間に非放電ギャップ１６が形成された構造について説明した。しかし、隣り合うＸ電極１４とＹ電極１５との間のすべてが放電ギャップとなるいわゆるＡＬＩＳ（Alternate Lighting of Surface Method）と呼ばれる構造にも適用することができる。
【０１６５】
また、例えば、実施の形態１ではＰＤＰの構造例として放電空間２４をライン状（縦方向）に伸びる隔壁（第１の隔壁、縦リブ）２２で区画されるストライプリブと呼ばれる構造について説明した。
【０１６６】
しかし、輝度を向上させるなどの目的で、この隔壁２２と略直交方向に交差する横隔壁（第２の隔壁、横リブ）を複数形成し、セル２５毎に隔壁２２と横隔壁で区画するボックスリブと呼ばれる構造もある。
【産業上の利用可能性】
【０１６７】
本発明は、例えば、パーソナルコンピュータやワークステーション等のディスプレイ装置、平面型のテレビジョン、あるいは、広告や情報等を表示するための装置として利用されるプラズマディスプレイ装置に対して幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６８】
【図１】本発明の実施の形態１であるＰＤＰを組み込んだＰＤＰ装置の一例の全体構成を概略的に示すブロック図である。
【図２】図１に示すＰＤＰ装置における階調駆動シーケンスの一例を示す説明図である。
【図３】図１に示すＰＤＰ装置の駆動波形の一例を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図５】図４に示す電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。
【図６】図５に示すＰＤＰの光吸収層を形成しない状態における１セル内の発光強度の分布（リセット放電時と維持放電時）を示す説明図である。
【図７】図５に示すＰＤＰの光吸収層を形成しない状態における１セル内の電位分布と正イオンおよび電子の存在率の分布を示す説明図である。
【図８】図５に示すＢ−Ｂ線に沿った断面を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１の第１の変形例であるＰＤＰが有する電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。
【図１０】図９に示すＣ−Ｃ線に沿った断面を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１の第２の変形例であるＰＤＰが有する電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。
【図１２】図１１に示すＰＤＰのセル２５の１個を拡大して示す要部拡大平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２であるＰＤＰが有する電極群、隔壁、および光吸収層の平面的位置関係を示す表示面側からみた要部拡大平面図である。
【図１４】図１３に示すＰＤＰのセル２５の１個を拡大して示す要部拡大平面図である。
【図１５】本発明の実施の形態３であるＰＤＰの列方向の断面の一部を示す要部拡大断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３の変形例であるＰＤＰの列方向の断面の一部を示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【０１６９】
１、３５、４０、４５、５０  ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１０、３６、４１、５１  光吸収層
１１  前面基板構造体（第１基板構造体）
１２  背面基板構造体（第２基板構造体）
１３  前面基板（第１基板）
１３ａ  面（第１の面）
１４、４６  Ｘ電極（第１電極）
１４ａ  Ｘ透明電極（透明電極部）
１４ａａ  突出部
１４ｂ、４６ｂ  Ｘバス電極（金属電極部）
４６ｂｂ  突出部
１５  Ｙ電極（第２電極）
１５ａ  Ｙ透明電極（透明電極部）
１５ａａ  突出部
１５ｂ  Ｙバス電極（金属電極部）
１６  非放電ギャップ
１７  誘電体層
１７ａ  第１誘電体層
１７ｂ  第２誘電体層
１８  保護層
１９  背面基板（第２基板）
１９ａ  面（第２の面）
２０  アドレス電極（第３電極）
２１  誘電体層
２２  隔壁
２３  蛍光体部
２４  放電空間
２５  セル
３０  第１領域
３１  第２領域
３７  第３領域
ＡＤＲＶ  アドレス駆動回路
ＣＮＴ  制御回路
ＸＳＵＳＤＲＶ  Ｘ駆動回路（第１電極駆動回路）
ＹＳＵＳＤＲＶ  Ｙ駆動回路（第２電極駆動回路）
ＹＳＣＤＲＶ  Ｙスキャンドライバ
Ｆ１  １フィールド（フレーム）
ＳＦ  サブフィールド（サブフレーム）
ＴＲ  初期化過程（リセット期間）
ＴＡ  アドレス過程（アドレス期間）
ＴＳ  表示過程（維持放電期間）
ＤＸ  行方向（第１方向）
ＤＹ  列方向（第２方向）
ＰＸ１  Ｘ電圧
ＰＹ１  Ｙ書き込み鈍波
ＰＸ２  Ｘ補償電圧
ＰＹ２  Ｙ補償鈍波
ＰＸ３  Ｘ電圧
ＰＹ３  走査パルス
ＰＡ１、ＰＡ２  アドレスパルス
ＰＸ４、ＰＹ４  第１の維持パルス
ＰＸ５、ＰＸ６、ＰＸ７、ＰＹ５、ＰＹ６、ＰＹ７  繰り返し維持パルス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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