(57)【要約】【課題】ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法を提供する。【解決手段】ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法であって、：バリアー層（１２）として知られている金属層を堆積する段階；金属層（１３）を堆積する段階；ハードマスク（１４）を堆積する段階；金属層（１３）の第１の選択的なエッチング段階にアセンブリをさらす段階であって、金属層（１３）が、ハードマスク下においてオーバーエッチングされる段階；磁気スタック（１０）及びバリアー層（１２）の部分的な除去を生じることが可能な第２の選択的なエッチング段階に、アセンブリをさらす段階；アセンブリを誘電体（１６、１７）内にカプセル化する段階；アセンブリを、平坦化する段階；及び、導電性上部電極（１８）を配置する段階によって構成される。【選択図】図３Ｇ
2009194906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極（１１）上にスピンバルブを構成する磁気スタックを堆積した後に、ラジオ−周波数オシレータを構成するためのスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法であって、：
−前記磁気スタック（１０）上に、その後に存在するエッチング段階を停止することを目的とした“バリアー”層（１２）として知られている金属層を堆積する段階；
−前記“バリアー”層（１２）上に、厳密に言えば、その後にナノ−コンタクトのインジェクターを構成することを目的とした他の金属層（１３）を堆積する段階；
−前記金属層（１３）上に、局部的に、下部層のエッチングを限定することを目的としたハードマスク（１４）を堆積する段階；
−ハードマスク（１４）を通して、インジェクターを構成する金属層（１３）の第１の選択的なエッチング段階に、アセンブリをさらす段階であって、“バリアー”層（１２）が、前記エッチング段階を停止するために機能し、ナノ−コンタクトをその最終的な寸法にするために、前記金属層（１３）が、ハードマスク下においてこの段階の間オーバーエッチングされる段階；
−実質的に、ハードマスクの周辺上の磁気スタック（１０）及びバリアー層（１２）の部分的な除去を生じることが可能な第２の選択的なエッチング段階に、そのようにして得られたアセンブリをさらす段階；
−得られたアセンブリを誘電体（１６、１７）内にカプセル化する段階；
−そのようにして得られたカプセル化されたアセンブリを、ハードマスク（１４）又はインジェクター（１３）の残留層が垂直になるまで平坦化する段階；
−及び、最後に、導電性上部電極（１８）を配置する段階によって構成される、スピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項２】
エッチング“バリアー”層（１２）が、陰極スパッタリング又はイオン銃によって堆積されることを特徴とする請求項１に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項３】
エッチング“バリアー”層（１２）が、５から２０ナノメートルの厚さのアルミニウム層によって構成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項４】
実際のインジェクターを構成するのに適した金属層（１３）が、陰極スパッタリング又はイオン銃によって堆積されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項５】
樹脂層（１５）が、ハードマスク（１４）を構成する層上に局部的に堆積され、そのようにして得られたアセンブリが、フォトリソグラフィ段階にさらされることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項６】
第１の選択的なエッチング段階が、反応性イオンエッチングによって実施されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項７】
第２の選択的なエッチング段階が、イオンビームによって実施されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項８】
インジェクター（１３）を構成する金属が、タンタル、モリブデン、タングステン及びチタンを含む群から選択されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項９】
ハードマスクを構成することを目的とした層（１４）が、直流陰極スパッタリングによって堆積されることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１０】
ハードマスクを構成する層（１４）が、クロム、アルミニウム、ルテニウム、シリカ（ＳｉＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を含む群から選択された材料によって構成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１１】
ハードマスクを構成する層（１４）が、１０から５０ナノメートルの間の厚さであることを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１２】
インジェクターの直径が、エッチング段階の間における、インジェクターに対するＳＦ６、ＣＨＦ３又はＣＦ４タイプのフッ素化の化学反応によってサイジングされ、さらに、前記インジェクターの直径が、前記エッチングの時間によって調整されることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１３】
誘電体によるカプセル化段階が、
−原子層堆積による第１段階、
−及び、その後の、陰極スパッタリング又はイオン銃堆積による第２段階、
の２つの段階において実施されることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１４】
誘電体カプセル化材料が、アルミナ及びシリカを含む群から選択されることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１５】
磁気スタック（１０）が、：
−磁化が一定の方向である、“トラップ層”（１）として知られている第１磁気層、
−第２磁気層（２）、
−スペーサーとしての機能を目的とし、及び前記層を磁気的に分離することを目的とした、前記２つの層の間に介在する非磁気層（３）、
を含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１６】
第２磁気層（２）が、反強磁性層（６）が結合される単一層によって構成され、反強磁性層（６）が、スペーサーとして機能する非磁気層（３）と反対側の前記層（２）の面上に配置され、反強磁性層（６）を構成する材料が、次の合金：Ｉｒ２０Ｍｎ８０、ＦｅＭｎ及びＰｔＭｎを含む群から選択されることを特徴とする請求項１５に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【請求項１７】
ポラライザとして機能するトラップ層として知られている第１磁気層（１）が、単一層によって構成され、トラッピングが、反強磁性層との結合によって確保され、反強磁性層が、特に、ＩｒＭｎ又はＰｔＭｎ（４）から形成され、前記層（１）と非磁気層（３）との接触面の反対側のその面に付加されることを特徴とする請求項１５又は１６に記載のスピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スピンバルブを使用するラジオ−周波数オシレータの分野に属する。
【０００２】
さらに、詳しくは、スピンバルブと接触し、及びそれを構成する磁気層の１つの磁気モーメントのオシレーションを生成するために、前記スピンバルブが励起電流にさらされることを可能にすることを目的した、金属インジェクターを含むナノ−コンタクト（ｎａｎｏ−ｃｏｎｔａｃｔｓ）の形成を目的とする。
【背景技術】
【０００３】
ラジオ−周波数オシレータは、通常、１ＧＨｚから数十ＧＨｚの間の高周波数レンジにおいて操作することを目的とする。
【０００４】
ポータブル、携帯（セル方式の携帯無線）電話の開発から生じる、特に、電気通信に割り当てられた周波数バンドの飽和から生じる要求を満たすために、前記周波数バンドの静的割り当てを動的割り当てに換える提案がなされてきた。それらを使用することが可能となるように、この原理は、周波数スペクトルを解析し、周波数バンドの空きを特定する能力に基づいている。その結果、これは、オポチュニスティックラジオ（ｏｐｐｏｒｔｕｎｉｓｔｉｃ  ｒａｄｉｏ）として知られている。
【０００５】
しかしながら、周波数の動的割り当てについての原理を適応するために、それらを使用するデバイスに、極めて広いバンドのオシレータが提供されなければならず、さらに、位相ノイズに極めて有効でなければならず、従って、高品質な係数Ｑ＝ｆ／Δｆを有さなければならない。
【０００６】
これらの要求を満たすのに適した１つの技術的解決法が、スピントロニクスを備えたラジオ−周波数オシレータを使用することにある。この種のオシレータを用いることにより、広い周波数バンドに、高品質な係数Ｑ、及び容易な周波数調和性（ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ａｃｃｏｒｄａｂｉｌｉｔｙ）が備わり、比較的単純なアーキテクチャが使用される。
【０００７】
新たな効果を生じるために、スピントロニクスが、付加的な自由度として電子スピンを利用する。電流のスピン偏極が、巨大磁気抵抗又はトンネル磁気抵抗のような、磁気多層における磁気抵抗現象を引き起こす。
【０００８】
いずれの外部磁場も存在しない場合には、薄い磁気層を介して通り抜けたスピン偏極電流が、その磁化の反転を生じることが可能であることが示されている。また、スピン偏極電流が、オシレーションとも呼ばれる持続的な磁気励起を生成しうる。磁気−抵抗デバイスにおいて持続的な磁気励起を生成する効果の使用により、この効果が、直接的に電子回路に使用されることが出来る電気抵抗変調（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）に変換されることが可能になり、従って、結果として、直接的に周波数レベルにおいて介在することが可能になる。
【０００９】
特許文献１では、上記の物理的な原理を使用する様々な開発が記載されており、特に、スピン偏極電流が流れる磁気層の磁化のプリセッション（ｐｒｅｃｅｓｓｉｏｎ）が記載されている。ラジオ−周波数オシレータのようなものを構成することが出来る２つのタイプの磁気層のスタックが、図１及び２に示されている。これらのスタックが、２つの入力電流の間に挿入され、２つの端部層との接触部が、例えば銅又は金から形成される。
【００１０】
“トラップ層”として知られているこのスタックの層１は、一定の方向に磁化される。これは、通常、５から１００ナノメートルの厚さを有し、コバルト、例えば合金ＣｏＦｅ又はＮｉＦｅから形成された単一層であってよい。このトラップ層１が、単一物又は合成物質であってよい。これが、基本的に、ポラライザの機能を果たす。そのようなものとして、それらの平面に垂直な磁気−抵抗デバイスを構成する層を通り抜け、ポラライザによって反射または伝送される電流電子が、それと結合されその磁化方向を固定することを目的とする反強磁性層４と接触する側と反対側の接触面において層１が有する磁化に平行なスピン方向に偏極される。
【００１１】
さらに、この層１が、反強磁性層４を受け入れる面と反対側のその面で、スペーサーとして機能する他の層３を受け入れる。
【００１２】
実際は、層３は、金属であり、通常、３から１０ナノメートルの厚さの銅の層であり、又は、通常、０．５から１．５ナノメートルの厚さのアルミニウム酸化物タイプ、若しくは通常、０．５から３ナノメートルの厚さのマグネシウム酸化物の上質の絶縁層によって構成される。
【００１３】
通常、層１よりも狭い層２が、スペーサー３の他の側面に配置される。この層２が、スペーサー３との層２との接触面の反対側のその面に付加される反強磁性層６と結合されてもよい。この層６が、例えば、Ｉｒ８０Ｍｎ２０のような合金、ＦｅＭｎ又はＰｔＭｎから構成される。
【００１４】
有利に、層２について使用される材料が、良好な交換スティフネス定数を有する。この材料は、通常、３ｄ金属であり、特に、コバルト又はコバルトリッチ合金である。
【００１５】
このようなオシレータを形成するために使用される磁気−抵抗スタックが、２つの異なる方法で生成されるスタックを使用する：
−いわゆる“ピラー（ｐｉｌｌａｒ）”スタック：約５０から１００ナノメートルの直径を有するピラーを形成するように全ての層がエッチングされる；
−いわゆる“コンタクトポイント（ｃｏｎｔａｃｔ  ｐｏｉｎｔ）”スタック：この種のスタックでは、活性層（層１、層２、層３、又は反強磁性材料の層でさえ）が、ナノメートルパターンでエッチングされない、又は、これらがエッチングされる場合であっても、極めて大きなパターン（平方マイクロメートルに近い）を使用して製造され；外部にあるナノチップ（例えば、インジェクター又は原子間力顕微鏡のチップ）又は内部にあるナノチップ、リソグラフピラーを用い、層２又はそれと結合する反強磁性層上に、通常、５０ナノメートルである極めて密接な金属接触部が形成される。
【００１６】
スピンバルブが使用される場合、ナノ−コンタクトが好ましいが、これは、これらが、良好に定義されたラジオ−周波数放出特に、細かなラジオ−周波数放出を生成するためである。実際には、製造プロセスによるエッジ効果（ｅｄｇｅ  ｅｆｆｅｃｔｓ）の最小化、及び自由層の体積の増加に起因するＲＦ放出線の幅の減少を観察することが可能である。
【００１７】
通常、ナノ−コンタクトの形成が、スピンバルブ上の金属ナノ−インジェクター、又は誘電体内に形成され、その後、金属で満たされるナノ−ホールを製造することを含む。基本部材を形成するように、スピンバルブが、さらにパターニングされなければならない。従って、これらのナノ−コンタクトの形成が、すくなくとも２つのリソグラフィー段階、すなわち、一方が、ナノ−コンタクトを形成し、他方が、ナノ−コンタクトとスピンバルブとの間における整列制限を有するスピンバルブを形成する段階を含み、並びに、また、２つの異なる連続するエッチング、及び２つの異なる連続する樹脂除去又は剥離を含む。
【００１８】
これを通じて、この種のナノ−コンタクトの実施が、過度に、オシレータの形成を複雑化し、プロセスのコストを押し上げ、期間を増加させる。
【００１９】
本発明が対象とする目的は、このようなナノ−コンタクトの形成を単純化することである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】米国特許第５６９５８６４号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００２１】
例えば、陰極スパッタリング又はイオン銃によって、下部電極上にスピンバルブを構成する磁気スタックを堆積した後に、ラジオ−周波数オシレータを形成するために、スピンバルブ上にナノ−コンタクトを形成する本発明の方法が、：
−前記磁気スタック上に、その後に存在するエッチング段階を停止することを目的とした“バリアー”層として知られている金属層を堆積する段階；
−この“バリアー”層上に、厳密に言えば、その後にナノ−コンタクトのインジェクターを構成することを目的とした他の金属層を堆積する段階；
−この金属層上に局部的に、下部層を限定することを目的としたハードマスクを堆積する段階；
−ハードマスクを通して、インジェクターを構成する金属層の第１の選択的なエッチング段階に、アセンブリをさらす段階であって、前記“バリアー”層が、このエッチング段階に対してバリアーとして機能し、ナノ−コンタクトをその最終的な形状にするように、前記金属層が、ハードマスク下においてこの段階の間オーバーエッチングされる段階；
−実質的にハードマスクの周辺上の磁気スタック及び前記“バリアー”層の部分的な除去を生じることが可能な第２の選択的なエッチング段階に、そのようにして得られたアセンブリをさらす段階；
−そのようにして得られたアセンブリを誘電体内にカプセル化する段階；
−そのようにして得られたカプセル化されたアセンブリを、ハードマスク又はインジェクターの残留層が垂直になるまで平坦化する段階；
−及び、最後に、導電性上部電極を配置する段階によって構成される。
【００２２】
換言すると、本発明は、連続する単一のフォトリソグラフィに、スピンバルブを構成する磁気接触板及びインジェクターのナノ−製造を組み合わせることにあり、結果として、インジェクターが、機械的に前記磁気接触板上に整列する。
【００２３】
従って、最初に及び基本的にイメージされるように、従来技術におけるナノ−コンタクト形成方法のように２つのフォトリソグラフィ段階が実施された場合に生じる整列の制限が、取り除かれる。
【００２４】
他の結果として、製造段階の数が減少し、結果として、時間を省き、コストを削減する。
【００２５】
最後に、本発明の方法は、磁気接触板を、フォトリソグラフィの使用によって寸法制御が困難になる、通常１００ナノメートル未満、又は、５０ナノメートル未満にした場合でさえ、その寸法にわたって、効果的な制御が達成されることを意味する。
【００２６】
本発明によると、エッチングバリアー層が、陰極スパッタリング又はイオン銃によって堆積される。このバリアー層が、通常、１０から２０ナノメートルの厚さのアルミニウム層によって構成される。
【００２７】
本発明によると、また、インジェクター自体を構成するために適した金属層が、陰極スパッタリング又はイオン銃によって堆積され、前記インジェクターを構成するこの金属が、タンタル、モリブデン又はチタンである。
【００２８】
本発明によると、樹脂層が、ハードマスクを構成する層上に局部的に堆積され、そのようにして得られたアセンブリが、フォトリソグラフィ段階にさらされる。
【００２９】
さらに、第１の選択的なエッチング段階が、例えば、反応性イオンエッチングによって実施される。
【００３０】
さらに、本発明によると、第２の選択的なエッチング段階が、例えば、イオンビームエッチング、すなわちＩＢＥによって実施される。
【００３１】
さらに、本発明によると、ハードマスクを構成する層が、直流陰極スパッタリングによって堆積され、このハードマスクが、通常、１０から５０ナノメートルの厚さのクロム、ルテニウム若しくはアルミニウムの層、又は例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２である酸化物層によって構成される。
【００３２】
通常１００から３００ナノメートルの間の寸法を有する接触板を定義するように、フォトリソグラフィ段階が、有利に、深紫外線すなわちＤＵＶ、又は電子技術によって実施される。
【００３３】
本発明によると、ハードマスクの残留層及びインジェクターの直径のそれぞれが、ハードマスクに対する塩素化の化学反応及びインジェクターに対するＳＦ６、ＣＨＦ３又はＣＦ４タイプのフッ素化の化学反応を選択することによってサイジングされ、さらに、エッチングの時間によって決定される。下部の磁気スタックのように、エッチングバリアー層が、ＩＢＥエッチングによって攻撃される。
【００３４】
本発明によると、誘電体層によるカプセル化が、有利に、２つの段階で実施される：
−原子層堆積すなわちＡＬＤ技術を使用する第１段階、
−及び、その後の、陰極スパッタリング又はイオン銃を用いた堆積による第２段階。
【００３５】
ＡＬＤによって実施される第１堆積段階が、その高い適合特性を介して、表面突起物に形状の一致をもたらし、極めて高品質な誘電体の堆積を確保する。スパッタリングによる第２堆積段階が、短時間の間のカプセル化を仕上げるために使用される。
【００３６】
誘電体材料が、通常、アルミナＡｌ２Ｏ３又はシリカＳｉＯ２によって構成される。
【００３７】
本発明によると、スピンバルブを構成する磁気スタックが、：
−その磁化が一定の方向である、“トラップ層”として知られている第１磁気層、
−第２磁気層、
−スペーサーとしての機能を目的とし、及び前記層を磁気的に分離することを目的とした、前記２つの層の間に介在する非磁気層を含む。
【００３８】
有利に、前記第２磁気層が、反強磁性層が結合する単一層によって構成され、反強磁性層が、スペーサーとして機能する非磁気層と反対側の前記第２層の面上に配置され、反強磁性層を構成する材料が、次の合金：Ｉｒ２０Ｍｎ８０、ＦｅＭｎ及びＰｔＭｎを含む群から選択される。別の方法として、第２磁気層が、合成物質層であってよく、反強磁性層と結合されても結合されなくてもよい。
【００３９】
有利に、ポラライザとして機能する、“トラップ”層として知られている前記第１磁気層が、単一層によって構成され、反強磁性層との結合によって提供されるトラッピングを備え、反強磁性層が、特にＩｒＭｎ又はＰｔＭｎで形成され、前記層と非磁気層との接触面の反対側のその面に付加される。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】既に述べたような、従来技術によるラジオ−周波数オシレータの図表示である。
【図２】既に述べたような、従来技術によるラジオ−周波数オシレータの図表示である。
【図３Ａ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【図３Ｂ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【図３Ｃ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【図３Ｄ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【図３Ｅ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【図３Ｆ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【図３Ｇ】本発明の方法における異なる段階を示すことを目的としたものである。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本発明を具体化しうる方法、及びそれから生じる利点が、なんら制限するものではなく例示を目的として与えられ、添付する図面によって補助される以下の実施例により、さらに明らかになるだろう。
【００４２】
従って、本発明によるナノ−コンタクトを形成する方法における異なる段階が、図３Ａから３Ｇに関連して示される。
【００４３】
図３Ａにおいて、図１及び２に関連して記載されたタイプの磁気スタック１０が、既に、下部電極１１上に堆積されていると考えられる。この堆積が、例えば、陰極スパッタリング又はイオン銃によって実行されてよい。
【００４４】
第１段階は、スタック１０上に、その後に生じるエッチング動作を防ぐことを目的とした通常アルミニウムである金属材料の層１２を堆積することであり、これによって、前記エッチング段階の間における磁気スタック１０の一時的な保護を提供する。
【００４５】
この“バリアー”層１２が、通常、アルミニウムから形成され、陰極スパッタリング又はイオン銃によって形成され、５から２０ナノメートルの厚さ、例えば１０ナノメートルの厚さである。
【００４６】
前記層を堆積した後、次の段階は、オシレータ  ナノ−コンタクト  インジェクターを構成する、すなわち、スピン偏極電流が流れることを目的とした、金属層１３を堆積することである。
【００４７】
また、この層が、陰極スパッタリング又はイオン銃によって堆積される。
【００４８】
使用される金属が、通常、タンタル、モリブデン、タングステン又はチタンによって構成される。この層の厚さは、５０から２００ナノメートルの間である。
【００４９】
最後に、この層１３上に、下部の層がエッチングされる場合に、マスクとして機能することを目的とした局部的なハードマスク１４が堆積される。この目的を達成するために、図３Ａに示すように、その後エッチングされる、例えばクロム、ルテニウム又はアルミニウムの連続層１４を堆積することが可能である。従って、深紫外線又は電子ビームフォトリソグラフィの段階にそれをさらすことによって、インジェクターに対するベースとして機能することを垂直に制限する樹脂１５を、層１４上に堆積することが可能である。このようにして、通常、１００から３００ナノメートルの間の直径を有する樹脂接触板が得られる。
【００５０】
次に、これらの接触板が、層１４（図３Ｂ）を選択的にエッチングするために使用され、これによって、ハードマスクを形成する。この段階で、樹脂１５を除去する段階のための対策が行われてよい。
【００５１】
次の段階は、この金属層１３にその最終的な寸法を与えるための、ハードマスク１４を介したインジェクターを構成する層１３の第１エッチング段階である。この目的を達成するための、第１段階は、塩素化の化学反応（例えば、Ｃｌ２又はＨＢｒ／Ｃｌ２を使用する）によって、ハードマスクを構成するクロムの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）段階であり、この層１４の厚さを減らす。その後、次の段階（図３Ｃ）は、ＳＦ６、ＣＨＦ３又はＣＦ４のフッ素化の化学反応による金属層１３のＲＩＥエッチング段階であり、エッチングバリアー層として機能するバリアー層１２上で選択的に停止する。
【００５２】
図３Ｄに示されるように、金属層１３の横方向のオーバーエッチングが得られるまで、ＲＩＥエッチングが継続されるが、ハードマスク１４と比較してその横方向の寸法を減らすためであり、これによって、結局、要求されるインジェクターの寸法となる。この目的を達成するために、エッチング時間の観点から動作が行われる。エッチング時間が、バリアー層１２に達するために必要とされる時間と比較して、通常２０から５０％増加する。
【００５３】
図３Ｅに示される段階では、一方では、ハードマスク１４と垂直に位置された領域の外部に位置されたエッチングバリアー層１２を除去するため、他方では、この同じ領域の外部に位置された磁気スタック１０を除去するため、ハードマスク１４を介した、例えばイオンビームエッチングすなわちＩＢＥである、第２エッチングが着手される。このＩＢＥエッチングが、５から５０度の間の入射角で、アルゴン又はキセノンガスを使用して行われてよい。
【００５４】
次の段階は、この最後の段階（図３Ｆ）によるアセンブリのカプセル化である。シリカ又はアルミナタイプの誘電体材料を用いて、このカプセル化が、実行される。このカプセル化が、物理気相成長法すなわちＰＶＤによって行われてよい。
【００５５】
有利に、このカプセル化が、２つの段階で実施される：
−通常、３０から６０ナノメートルの間の厚さで、原子層堆積１７（ＡＬＤ）によって実施される第１段階；
−及び、１００から３００ナノメートルの間の厚さで、陰極スパッタリング又はイオン銃１６によって実施される第２段階。
【００５６】
ＡＬＤ堆積が、高い適合性を有するという利点を備え、これが、図３Ｅにおいて得られた構造上の突起部、特に、マスク１４下のインジェクターレベル１３における突出部に対する形状と完全に一致することを意味する。次に、この堆積が、陰極スパッタリング又はイオン銃による速い堆積によって完成する。最終的な結果は、図３Ｆに示されるアセンブリである。
【００５７】
次に、その後に上部電極１８の堆積が可能になるように、そのようにして得られたアセンブリが、ナノ−コンタクト板１４が得られるまで、化学的機械的研磨すなわちＣＭＰによる平坦化段階にさらされる。
【００５８】
この場合、上部電極１８とインジェクター１３との間の接続を提供するために、ナノ−コンタクト板が、導電性でなければならない。
【００５９】
別の方法として、インジェクター１３に達するまで、平坦化を継続することが可能である。この場合、ナノ−コンタクト１４が、この段階で除去され、その結果、ハードマスク１４に対する材料の選択の幅を広げることが可能であり、特に、ＳｉＯ２又はＡｌ２Ｏ３のような絶縁材料である。
【００６０】
容易に想像されうるように、本発明の方法のために、インジェクター１３が、磁気スタック１０に機械的に整列されるので、整列の制限が取り除かれる。
【００６１】
さらには、本発明の方法を用いることにより、結果としてナノ−コンタクト板の寸法を、通常、１００ナノメートル未満の、さらには、５０ナノメートル未満に減らすことが可能であり、これにより生じるラジオ−周波数オシレータの操作条件を最適化するのに適している。
【符号の説明】
【００６２】
１  トラップ層
２  磁気層
３  スペーサー
４  反強磁性層
６  反強磁性層
１０  磁気スタック
１１  下部電極
１２  バリアー層
１３  金属層
１４  ハードマスク
１８  上部電極
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【外国語明細書】
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