(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、長時間動作中における黒点の成長を抑制し、寿命の長い有機ＥＬ表示装置を実現する。【解決手段】有機ＥＬ層３０が形成された素子基板１０が乾燥材４０が設置された封止基板２０によって封止部５０を介して封止されている。素子基板１０と封止基板２０は外側に凸になるように湾曲している。特に素子基板１０を外側に湾曲させることによって長時間動作中における黒点の成長を防止することが出来る。これによって有機ＥＬ表示装置の寿命を大幅に伸ばすことが出来る。【選択図】図１
2009099303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、
前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記封止基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは１．３×１０−４以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは２．０×１０−４以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは１．３×１０−３以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは３．９×１０−４以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ表示装置の内側には気体が充填され、前記有機ＥＬ表示装置の内側は大気圧に対して正圧になっており、
前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記充填された気体は窒素であることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは１．３×１０−３以下であることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、
前記シール部は紫外線硬化樹脂であり、前記素子基板と前記封止基板は大気圧よりも低い気圧の窒素雰囲気中で、前記紫外線硬化樹脂を介して接着され、その後、紫外線硬化樹脂を大気圧と同等な気圧の窒素雰囲気中で紫外線硬化させ、
前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、
前記シール部は紫外線硬化樹脂であり、前記素子基板と前記封止基板は大気圧と同等な気圧の窒素雰囲気中で、前記紫外線硬化樹脂を介して接着され、その後、紫外線硬化樹脂を大気圧よりも高い気圧の窒素雰囲気中で紫外線硬化させ、
前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に長期間動作中に黒点等の画素欠陥が増加しない、寿命特性を改善した有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等は、画面がフラットで薄型であるということで、モニタ、ＴＶ等でのフラットディスプレイとして需要が拡大している。有機ＥＬ表示装置は自発光であることから、視野角特性が優れているとともに、バックライトが不用であるという特徴からディスプレイとして種々の応用分野が見込まれている。
【０００３】
有機ＥＬ層は複数の有機薄膜で形成されるが、水分が存在すると発光特性が劣化するという問題点を有している。このために、有機ＥＬ層が形成された素子基板に対してガラスによる封止基板、あるいは、金属等の封止キャップによって有機ＥＬ層を封止し、有機ＥＬ層を水分から保護する。
【０００４】
「特許文献１」には、有機ＥＬ層を保護する封止キャップに形状記憶合金を用いて、曲面を有する有機ＥＬ表示装置を形成することが記載されている。すなわち、「特許文献１」には、フラットな素子基板に有機ＥＬ層等を形成したあと、素子基板を形状記憶合金で形成された封止キャップで封止し、その後、形状記憶合金の変態温度以上に有機ＥＬ表示装置を加熱することによって素子基板に曲面を持たせることが記載されている。この文献には素子基板が外側に凸で、封止キャップが内側に凸である構成が記載されている。
【０００５】
「特許文献２」では、封止キャップとして圧力によってフレキシブルに変形する材料を用いて有機ＥＬ表示装置への熱衝撃を緩和する構成が記載されている。すなわち、有機ＥＬ層が形成された内部には不活性ガスが充填されているが、このガスが温度によって膨張、収縮をすると、これが、シール部へのストレスとなって封止特性を劣化させるが、封止キャップとしてフレキシブルに変形するものを使用することによってこの熱衝撃を緩和するものである。この文献には封止キャップが外側に凸になったり、凹になったりする構成が記載されているが、素子基板およびシール部はフラットである。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１１８６８０号公報
【特許文献２】特開２００１−２１７０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬ層は水分が存在すると特性が劣化し、発光しなくなる。この発光しなくなる部分は画面では黒点となって現れる。この黒点は長時間動作すると面積および数が拡大してくる。水分の影響が長い時間をかけて徐々に現れるからである。すなわち、有機ＥＬ層は、素子基板をシール部を介して封止基板によって封止することによって、外部からは保護されているが、長時間中にはシール部を介して大気中の水分が徐々に内部に浸入し、有機ＥＬ層を侵すものと考えられる。
【０００８】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の封止の構成を改良し、外部からの水分の浸入を抑えて黒点の増加を抑制し、有機ＥＬ表示装置の寿命を長くすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は以上の課題を解決するためになされたもので、有機ＥＬ層が形成された素子基板を封止材を介して封止基板を用いて封止した有機ＥＬ表示装置おいて、素子基板を外側に湾曲することによって、外部からの水分の浸入を防ぎ、黒点の増加あるいは黒点の成長を抑制する。具体的な手段は次のとおりである。
【００１０】
（１）有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１１】
（２）前記封止基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１２】
（３）前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは１．３×１０−４以上であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
（４）前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは２．０×１０−４以上であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
（５）前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは１．３×１０−３以下であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１５】
（６）前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは３．９×１０−４以下であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（７）有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、前記有機ＥＬ表示装置の内側には気体が充填され、前記有機ＥＬ表示装置の内側は大気圧に対して正圧になっており、前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（８）前記充填された気体は窒素であることを特徴とする（７）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１８】
（９）前記素子基板の長径を２Ｄ、前記素子基板の外側への撓み量をｄとしたとき、ｄ／２Ｄは１．３×１０−３以下であることを特徴とする（７）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１９】
（１０）有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、前記シール部は紫外線硬化樹脂であり、前記素子基板と前記封止基板は大気圧よりも低い気圧の窒素雰囲気中で、前記紫外線硬化樹脂を介して接着され、その後、紫外線硬化樹脂を大気圧と同等な気圧の窒素雰囲気中で紫外線硬化させ、前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００２０】
（１１）有機ＥＬ層が形成された素子基板の周辺にシール部が形成され、前記素子基板と対向して、前記シール部を介して封止基板が設置された有機ＥＬ表示装置であって、前記シール部は紫外線硬化樹脂であり、前記素子基板と前記封止基板は大気圧と同等な気圧の窒素雰囲気中で、前記紫外線硬化樹脂を介して接着され、その後、紫外線硬化樹脂を大気圧よりも高い気圧の窒素雰囲気中で紫外線硬化させ、前記素子基板は外側に凸の曲面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、有機ＥＬ層が形成された素子基板が外側に湾曲しているために、外部からの水分の浸入が抑制され、黒点の成長を防止することが出来る。したがって、寿命特性の良い有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
また、本発明によれば、素子基板あるいは、封止基板を外側に湾曲させることによって、有機ＥＬ層が形成された部分において、素子基板と封止基板の距離を大きくすることが出来るので、素子基板あるいは封止基板に対して外部から圧力を加えた場合に、素子基板と封止基板が接触して有機ＥＬ層が破壊されることを防止することが出来る。
【００２２】
また、本発明によれば、ＵＶ硬化樹脂によるシール部を用いて素子基板と封止基板を封止する際、素子基板と封止基板をＵＶ硬化樹脂を用いて接着するときの窒素雰囲気の窒素の圧力と、ＵＶ硬化樹脂を硬化させる時の窒素雰囲気の窒素の圧力を制御することによって、同じ素子基板、または、封止基板を使用しても、素子基板あるいは封止基板が外側に凸に湾曲する量を調整することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
実施例にしたがって、本発明の詳細な内容を開示する。
【実施例１】
【００２４】
図１は本発明による有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。図１において、素子基板１０には有機ＥＬ層３０をはじめとする配線、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されている。有機ＥＬ層３０は水分に弱いため、封止基板２０によって有機ＥＬ層３０を保護する。図１では封止基板２０はガラスで形成されている。封止基板２０はシール部５０によって素子基板１０と接着し、有機ＥＬ表示装置が封止される。
【００２５】
封止基板２０の内側には凹部が形成されており、この凹部に乾燥材４０が設置される。（ただし、トップエミッション方式では表示部を避けてこの凹部に乾燥材４０が設置される。）封止された内部に存在する水分を乾燥材４０によって吸収し、有機ＥＬ層３０を水分から保護するためである。このようにして形成された有機ＥＬ表示装置の内部には不活性ガスが充填されている。
【００２６】
本発明の特徴は、有機ＥＬ表示装置の素子基板１０が外側に凸に湾曲していることである。このように素子基板１０を外側に凸になるように撓ませる方法として、有機ＥＬ表示装置の内部を大気に対して正圧に設定しておく方法がある。この時は、素子基板１０と封止基板２０の両方が外側に凸になるように湾曲する。この場合は、素子基板１０、封止基板２０、シール部５０等は、図１に矢印で示すような方向に応力がかかっている。このような構成であると、有機ＥＬ表示装置の内部が外気の影響を受けにくいことが、後に説明する実験によって明らかになった。
【００２７】
図２は従来の有機ＥＬ表示装置の概略断面図である。図２に示す有機ＥＬ表示装置の構成部品は図１で説明したと同様である。図２が図１と異なるところは、有機ＥＬ表示装置の内部が大気に対して負圧となっていることである。したがって、素子基板１０、封止基板２０等は外側に対して凹となるように撓んでいる。この場合は、素子基板１０、封止基板２０、封止部等は、図２の矢印で示すように内側へのストレスがかかっている。このような内側へのストレスは有機ＥＬ表示装置の寿命に対して悪い影響を及ぼす。
【００２８】
図３は図１に示す本発明の構成のように、素子基板１０あるいは封止基板２０が外側に凸になっている場合と図２に示す従来の構成のように、素子基板１０あるいは封止基板２０が外側に凹になっている場合の黒点の変化を比較したものである。図３において、横軸は素子基板１０の撓み量である。すなわち、本発明を示す図１においては、素子基板１０が外側に撓んでいる量ｄである。一方、従来例を示す図２においては、素子基板１０が内側に撓んでいる量ｄである。図３の横軸で、ｄが正の場合は素子基板１０が外側に凸の場合で、ｄが負の場合は素子基板１０が外側に凹の場合である。なお、素子基板１０の径２Ｄは７６ｍｍである。
【００２９】
図３の縦軸は黒点の成長ｇを示す。すなわち、初期の状態でもともと存在していた大きさ２０μｍの黒点がどの程度大きくなるかを調査したものである。当然、黒点の成長ｇは小さいほど良い。図３の結果は加速試験の結果である。すなわち、温度４０℃、湿度９０％の恒温槽に有機ＥＬ表示装置を放置し、１０００時間経過後に大きさ２０μｍの黒点がどの程度大きくなるかを調査したものである。
【００３０】
図３に示すように、ｄがプラス側、すなわち、素子基板１０が外側に凸の場合は黒点の成長が小さい。この場合、外側に凸になる量ｄが大きい程黒点の成長が少ない傾向を示している。例えば、外側への撓みｄが１５μｍの場合は、黒点の成長は８０μｍで、外側への撓みｄが２５μｍの場合は、黒点の成長は６０μｍである。
【００３１】
一方、ｄがマイナス側、すなわち、素子基板１０が内側に撓んでいる場合は、黒点の成長が急激に大きくなる。例えば、内側への撓み量が１５μｍの場合は、黒点の成長が５００μｍ、内側への撓み量が２５μｍの場合は、黒点の成長が６００μｍとなる。このように、素子基板１０の撓みの方向が外側か内側かによって黒点の成長に大きな差が生ずる。さらに、図３より、素子基板がフラットな場合、すなわち、ｄがゼロの場合よりも、素子基板１０が外側に撓んだほうが黒点の成長が少ないことがわかる。
【００３２】
図３は素子基板１０について測定を行った結果であるが、図１および図２の構造から、素子基板１０が外側に凸であれば、封止基板２０も外側に凸となっており、素子基板１０が外側に凹であれば、封止基板２０も外側に凹となっている。本発明で特に重要な点は、素子基板１０が外側に凸となることである。
【００３３】
図４は、図３で測定した有機ＥＬ表示装置の平面図と撓み量の測定方法を示す図である。図４（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面図である。図４（ａ）において、素子基板１０の上にシール部５０を介して封止基板２０が対向して設置されている。素子基板１０には外部信号源、電源等と接続するための端子部１１が形成されているので、封止基板２０よりも大きい。図４（ａ）に示す矢印の方向に測定器の端子を走査する。素子基板１０の撓みを測定するので、測定は図４（ａ）の裏側となる。測定器はテンコール社製、段差・表面粗さ・微細形状測定装置Ｐ−１５を使用した。
【００３４】
図４（ｂ）は測定結果の１例である。有機ＥＬ表示装置は測定台の上に設置して測定するが、一般には台は微視的には傾いているので、測定器で測定した結果は図４（ｂ）のように、データも傾いた結果が得られる。これに対して、いわゆる、レベリング操作をしたものが、図４（ｃ）である。図３の横軸ｄは図４（ｃ）に示す値ｃをプロットしたものである。なお、素子基板１０にキズ、異物等が存在すると、図４（ｄ）に示すように、部分的にデータに異常点ｅが生じたりするがこれは無視し、図４（ｄ）におけるｃ値を図３の横軸ｄとした。
【００３５】
図５は図４のようにして測定した実際の測定例である。図５において、素子基板１０の長径は７６ｍｍである。外側への撓み量は０．０１２ｍｍであり、この値が図３の横軸にプロットされることになる。図３は素子基板１０が種々の撓み量となるように有機ＥＬ表示装置を製作し、各々の有機ＥＬ表示装置に対して図５のような測定を行ってｄを測定し、加速試験を行ったものである。
【００３６】
図３に示すように、素子基板１０を外側に凸とすると黒点成長が小さい。しかし、外側に凸とするとしても限界がある。その限界を決める条件の一つは有機ＥＬ表示装置の幾何的な形状である。図６にその様子を示す。図６（ａ）は有機ＥＬ表示装置の断面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）の一部拡大図である。図６（ａ）に示すように、シール部５０は素子基板１０あるいは封止基板２０の端部に形成されるわけではなく、端部より、ｆだけ内側に形成される。この場合、素子基板１０あるいは封止基板２０が外側に凸になるように撓むと、素子基板１０および封止基板２０の端部が接触するようになる。この状態では、封止部を引き剥がす力が強くかかり、封止特性を劣化させる。したがって、このような状態になるまで素子基板１０あるいは封止基板２０を撓ませることは出来ない。
【００３７】
図６（ｂ）はこの限界を説明する図である。図６（ｂ）は図６（ａ）の片側を拡大した図である。図６（ｂ）において、シール部５０の中心から素子基板１０の端部までの距離はｆである。図６（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置の径は２Ｄであり、図６（ｂ）に示す、有機ＥＬ表示装置の端部から中心までの距離はＤである。図６（ｂ）において、素子基板１０が撓むことによって端部付近に形成される角度はθである。また、シール部５０におけるギャップの半分をｔとし、シール部５０の中心から素子基板１０の中心までの素子基板１０の撓み量をＦとし、素子端部から基板の中心までの素子基板１０の撓み量をＴとする。そうすると幾何形状から規定される限界撓み量は次のようになる。
【００３８】
すなわち、
ｔ／ｆ＝ｔａｎθ＝Ｔ/Ｄ・・・（１）
Ｔ＝Ｄｔ／ｆ ・・・・・・・・（２）
Ｆ≦Ｔ−ｔ・・・・・・・・・・（３）
となる。
【００３９】
素子基板１０の長径の半分のＤを３８ｍｍ、シール部５０でのギャップの半分を０．１ｍｍ、素子基板１０の端部からシール部５０の中心までの距離ｆを１．２ｍｍとすると、素子基板１０の端部からの撓み量Ｔは３．２ｍｍで、シール部５０中心からのたわみ量Ｆは３．１ｍｍとなる。このように、幾何的寸法から導きだされる限界たわみ量は非常に大きな値となる。
【００４０】
しかしながら、実際には素子基板１０に対してこれほどの大きなたわみを与えなくとも、図３に示すように、黒点の成長防止には十分な効果が得られる。有機ＥＬ表示装置の素子基板１０を外側に撓ませる方法として、有機ＥＬ表示装置の内部を正圧にして、素子基板１０および封止基板２０を膨らませことによって素子基板１０および封止基板２０を撓ませる方法がある。この場合は、有機ＥＬ表示装置の内部にあまり大きな圧力を形成するとシール部５０が破壊される。
【００４１】
したがって、有機ＥＬ表示装置の内部を正圧として素子基板１０あるいは封止基板２０を外側に撓ませる場合は、図５等で定義されるたわみ量ｄは、素子基板１０の長径が７６ｍｍの場合に、１００μｍ以下でよい。この時の素子基板１０の端部における角度θは２．６×１０−３ラジアン、すなわち０．１５度となる。また、図３からわかるように、素子基板１０の径が７６ｍｍの場合に３０μｍ程度の撓みであっても大きな効果を得ることが出来る。この時の素子基板１０の端部における角度θは７．８×１０−４ラジアン、すなわち０．０４５度となる。
【００４２】
以上のように、素子基板１０の長径が７６ｍｍのときに、素子基板１０を３０μｍ程度、あるいは、１００μｍ程度、外側に湾曲することによって黒点の成長を防止することが出来る。基板のサイズが異なる場合も同じアナロジーを適用することが出来る。すなわち、基板サイズが長径で１５２ｍｍの場合は、素子基板１０を６０μｍあるいは２００μｍ撓ませれば良い。すなわち、撓み量ｄと基板の長径２Ｄとの比を規定することによって、黒点が成長しない撓み量を得ることが出来る。
【００４３】
基板長径２Ｄが７６ｍｍの時に、外側への撓みｄが１００μｍとすると、ｄ／２Ｄ＝１．３×１０−３、基板長径２Ｄが７６ｍｍの時に、外側への撓みｄが３０μｍとすると、ｄ／２Ｄ＝３．９×１０−４となる。すなわち、素子基板１０あるいは封止基板２０の撓み量を先の例に対応させて規格化すると、ｄ／２Ｄが１．３×１０−３以下あるいは３．９×１０−４以下でよいことになる。
【００４４】
ところで、製品製造の観点からは、素子基板１０あるいは、封止基板２０の湾曲の量があまりに小さいと品質管理が困難となる。このような観点からは、素子基板１０が例えば、７６ｍｍの場合は素子基板１０の撓み量ｄを１０μｍ以上とすることが出来る。撓み量が１０μｍ程度でれば、黒点の成長は図３より、９０μｍ程度に抑えることが出来る。この量は従来例から比較すると大幅な改善となる。さらに、図３に示すように、撓み量を１５μｍ以上とすることによって黒点の成長を８０μｍ以下にすることが出来る。
【００４５】
素子基板１０の長径が７６ｍｍで、撓み量が１０μｍの場合と、撓み量が１５μｍの場合を規格化すると次のようになる。すなわち、素子基板１０の長径を２Ｄ、撓み量ｄを１０μｍとすると、ｄ／２Ｄは１．３×１０−４となる。また、撓み量ｄを１５μｍとすると、ｄ／２Ｄは２．０×１０−４となる。すなわち、ｄ／２Ｄを１．３×１０−４以上、好ましくは２．０×１０−４以上とすることによって、品質の良い有機ＥＬ表示装置を歩留まり良く製造することが出来る。
【００４６】
以上のように、本発明によれば、素子基板１０を外側に撓ませることによって、素子基板１０の内側に形成された有機ＥＬ層３０に対する水分の影響を抑制し、黒点の成長を抑えることが出来る。本発明のもう一つの効果は、いわゆる押し黒点を防止することが出来る点である。押し黒点とは、有機ＥＬ表示装置の素子基板または封止基板、あるいは素子基板、封止基板の両方を押したときに発生する黒点のことで、有機ＥＬ層が破壊されるので、素子基板等を押した後１０秒以内に黒点となる。すなわち、押し黒点は有機ＥＬ層が機械的に破壊されることによって生ずる。
【００４７】
有機ＥＬ層３０は極めて薄い有機層が５層程度積層されている。有機ＥＬ層３０は５層トータルでも２００ｎｍに満たない。したがって、有機ＥＬ層３０に外部から力が加わると容易に破壊する。具体的には、素子基板１０あるいは封止基板に外部から圧力が加わり、封止基板２０が有機ＥＬ層３０に接触すると、有機ＥＬ層３０が破壊される、あるいは、有機ＥＬ層３０が封止基板２０に接着して剥離するという現象を生ずる。
【００４８】
図１に示す本発明によれば、素子基板１０および封止基板２０が外側に凸になっているために、もともと封止基板２０と有機ＥＬ層３０との距離が大きいので、封止基板２０と有機ＥＬ層３０との接触の機会が小さい。これに加えて、素子基板１０あるいは、封止基板２０が外側に凸となっているために、外側から内側への外力に抗する反発力が、素子基板１０あるいは封止基板２０が平板の場合、あるいは、内側に撓んでいる場合に比較して大きい。
【００４９】
このように、本発明によれば、通常の黒点を防止できるのみでなく、素子基板あるいは封止基板２０に加わる外力によって有機ＥＬ層３０が破壊されて生ずる押し黒点も防止することが出来る。
【実施例２】
【００５０】
図７〜図１２に、素子基板１０あるいは封止基板２０が外側に凸である有機ＥＬ表示装置を製造する製造方法の例を示す。図７（ａ）は有機ＥＬ層３０が形成された封止前の素子基板１０である。素子基板１０はガラスで形成されており、この状態ではフラットである。なお、図７（ａ）に示す素子基板１０には実際は有機ＥＬ層３０のみでなく、信号を制御するＴＦＴ、信号線、電源線等が形成されている。
【００５１】
図７（ｂ）は封止基板２０である。封止基板２０の内側には凹部が形成されており、この凹部には（トップエミッション方式では表示部を避けて）乾燥材４０が設置されている。封止基板２０としてガラスが使用されており、乾燥材４０が設置される凹部はサンドブラスト、又はエッチングで形成されている。封止基板２０の周辺にはＵＶ硬化樹脂であるシール部５０が設置されている。
【００５２】
このように、素子基板１０と封止基板２０を別々に製作し、通常の製造方法では、図８に示すように、減圧されたチャンバー２００内に導入する。チャンバー２００内には窒素が導入されている。これによって、素子基板１０と封止基板２０を封止した後も、有機ＥＬ表示装置の内部には窒素が充填されていることになる。その後、ＵＶ硬化樹脂によるシール部５０を介して素子基板１０と封止基板２０を接着する。
【００５３】
その後、図９に示すように、有機ＥＬ層３０の存在する部分を紫外線マスク（ＵＶマスク）１００で覆って、紫外線ランプによって紫外線（ＵＶ）をシール部５０に照射し、シール部５０を仮硬化させて、封止を行う。紫外線を照射するときに有機ＥＬ層３０が存在している部分を覆うのは、有機ＥＬ層３０は紫外線によって破壊されるからである。ＵＶの照射によってシール部５０を仮硬化させるときは、大気圧と同様の圧力を持つ窒素雰囲気中で行う。この後、大気中に取り出し電気炉に入れ加熱し本硬化する。これによって、有機ＥＬ表示装置の封止が完了する。窒素雰囲気を大気圧と同じにするのは、窒素の圧力によって素子基板１０および封止基板２０を押すことによってシール部５０による接着を確実にするためである。
【００５４】
以上説明したように、図８の段階では、窒素雰囲気は減圧となっており、ＵＶ硬化を行う時は窒素雰囲気は大気圧と同じ圧力となっている。図８の工程における窒素雰囲気の圧力が、大気圧に比べてどの程度低いかによって、封止後の有機ＥＬ表示装置の断面は、図１０の（ａ）、（ｂ）、あるいは（ｃ）のいずれかの形となる。
【００５５】
図１０（ａ）は図８の貼り合わせ工程での減圧が強い場合である。貼り合わせ工程における窒素圧力が小さければ、有機ＥＬ表示装置の内部の窒素圧力は大気圧に比べて小さくなるために、素子基板１０および封止基板２０は内側に湾曲することになる。図１０（ｂ）は図８の貼り合わせ工程における窒素雰囲気の圧力が、大気圧よりも減圧されているが、図１０（ａ）の場合よりも大きい場合である。図８の貼り合わせ工程における窒素の圧力を特定の値にすると、素子基板１０あるいは、封止基板２０が湾曲せず、封止後もフラットとすることが出来る。
【００５６】
図１０（ｃ）は図８の貼り合わせ工程における窒素雰囲気の圧力が、大気圧よりも低いが、図１０（ｂ）の場合よりも大きい場合である。この場合は、封止後の素子基板１０あるいは封止基板２０が外側に凸となる。図８の貼り合わせ工程における窒素の圧力が大気圧よりも低いにもかかわらず、素子基板１０あるいは封止基板２０が外側に湾曲するのは、シール部５０として用いられるＵＶ硬化樹脂がガラスの自重でつぶれたり、ＵＶ照射工程において収縮するからである。このように、素子基板１０と封止基板２０の接着工程における窒素の圧力を大気圧よりも小さくした場合であっても、素子基板１０あるいは封止基板２０を外側に凸になるように湾曲させることが出来る。
【００５７】
素子基板１０あるいは、封止基板２０をさらに外側に湾曲させたい場合、すなわち、図１０（ｃ）におけるｄ寸法をもっと大きくしたい場合は、図１１および図１２に示すような工程とすればよい。図１１は素子基板１０と封止基板２０を窒素雰囲気のチャンバー２００内で接着する工程である。図１１における素子基板１０と封止基板２０の構成は図８の素子基板１０と封止基板２０の構成と同様である。図１１が図８と異なるのは、窒素雰囲気が大気圧と同じであることである。
【００５８】
その後、図１２に示すように、チャンバー２００内の窒素の圧力を大気圧よりも高くして、ＵＶ照射を行い、ＵＶ硬化樹脂で形成されたシール部５０を硬化させて封止する。ＵＶ照射時は、有機ＥＬ層３０がＵＶによって破壊されることを避けるために、有機ＥＬ層３０にＵＶが当たらないよう紫外線マスク１００を設置する。ＵＶ照射によってシール部５０を硬化させるときに、窒素の圧力を大気圧よりも大きくするのは、素子基板１０、あるいは、封止基板２０をシール部５０に押し付けてシール部５０と素子基板１０、あるいは、シール部５０と封止基板２０との接着を確実にするためである。
【００５９】
以上のように、同じ板厚あるいは大きさの素子基板１０あるいは封止基板２０を用いても、封止工程における窒素雰囲気の圧力を調整することによって素子基板１０あるいは、封止基板２０を外側に凸になるように湾曲することも出来るし、また、外側に湾曲する量ｄを制御することも出来る。
【００６０】
上記実施例では、封止基板と素子基板との間に気体を充填した中空封止構造に本発明を適用した構造を説明したが、封止基板と素子基板を樹脂接着材で固定する固体封止構造（気体の代わりに固体である樹脂が充填されている）に本発明を適用した場合も、同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】従来の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図３】素子基板の撓み量と黒点の成長の関係を示すグラフである。
【図４】素子基板の撓み量の測定方法である。
【図５】素子基板の撓み量の測定例である。
【図６】素子基板の撓み量の限界値を示す図である。
【図７】素子基板と封止基板の貼り合わせる前の状態を示す図である。
【図８】素子基板と封止基板の貼り合わせ工程を示す図である。
【図９】ＵＶ硬化樹脂をＵＶ硬化して封止する工程を示す図である。
【図１０】工程中の窒素雰囲気の圧力と有機ＥＬ表示装置の断面の関係を示す図である。
【図１１】素子基板と封止基板の貼り合わせ工程の他の例である。
【図１２】ＵＶ硬化樹脂をＵＶ硬化して封止する工程の他の例である。
【符号の説明】
【００６２】
１０…素子基板、  １０…端子部、  ２０…封止基板、  ３０…有機ＥＬ層、  ４０…乾燥材、  ５０…シール部、  １００…紫外線マスク、  ２００…チャンバー。
【図１】
2009099303.tif 000003
【図２】
2009099303.tif 000004
【図３】
2009099303.tif 000005
【図４】
2009099303.tif 000006
【図５】
2009099303.tif 000007
【図６】
2009099303.tif 000008
【図７】
2009099303.tif 000009
【図８】
2009099303.tif 000010
【図９】
2009099303.tif 000011
【図１０】
2009099303.tif 000012
【図１１】
2009099303.tif 000013
【図１２】
2009099303.tif 000014