(57)【要約】【課題】裏面電極構造を有する固体撮像素子において、裏面光入射問題を解決し、これにより、小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供する。【解決手段】第１の主面側に撮像素子部が形成された撮像素子基板と、前記撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に設けられ、前記撮像素子部と電気的に接続された裏面配線電極と、前記第２の主面と対向する回路基板電極が設けられた回路基板と、前記裏面配線電極と前記回路基板電極とを電気的に接続する接続部と、前記裏面配線電極と同一面上または前記裏面配線電極より前記回路基板側に設けられた遮光層と、を備えたことを特徴とする固体撮像素子を提供する。裏面配線電極の少なくとも一部を疎水化する表面処理を行い、その部分を除く第２の主面に遮光層を設けることを特徴とする固体撮像素子の製造方法を提供する。【選択図】図１
2009099591.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面側に撮像素子部が形成された撮像素子基板と、
前記撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に設けられ、前記撮像素子部と電気的に接続された裏面配線電極と、
前記第２の主面と対向する回路基板電極が設けられた回路基板と、
前記裏面配線電極と前記回路基板電極とを電気的に接続する接続部と、
前記裏面配線電極と同一面上または前記裏面配線電極より前記回路基板側に設けられた遮光層と、
を備えたことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記遮光層は、カーボン粒子、無機顔料粒子、有機顔料粒子、及びそれらの混合物の内から選択された少なくともいずれかが分散された樹脂からなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記遮光層は、前記裏面配線電極に対してセルフアラインに形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
第１の主面側に撮像素子部が設けられた撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に裏面配線電極を形成し、
前記裏面配線電極の表面の少なくとも一部を疎水化する表面処理を行い、
前記疎水化された部分を除く前記第２の主面に遮光層を形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記遮光層を形成した後、前記疎水化した面を親水化する
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＯＳセンサやＣＣＤなどの固体撮像素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサなどの固体撮像素子は、カメラや携帯電話、パーソナルコンピュータなどに広く用いられている。固体撮像素子において、小型化への要求は年々増しており、このために数々の工夫がなされ、種々の構成が提案されている。
【０００３】
固体撮像素子が設けられた撮像素子基板を、外部回路が設けられた回路基板の上に配置し、撮像素子基板上の電極と回路基板上の電極とをワイヤーボンディング手法で接続する構造がある。この構造は、ボンディング領域の面積が大きくなり、小型化が難しいという問題があった。  
これに対し、小型化を図る一手法として、回路基板に窓部を設け、その窓部に撮像素子部を対応させて撮像素子基板を設置し、撮像素子基板の電極と回路基板の電極とをフリップチップ実装方式により接続する構造が提案されている（特許文献１）。この構造においては、撮像素子基板の裏面側が露出されるため、撮像素子に裏面から光が入射するという問題が発生する。これに対しては、撮像素子基板の裏面全面に、例えば、金属の蒸着膜や黒色樹脂等の遮光層を設ける手法が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
最近では、固体撮像素子をさらに小型化するための構造として、裏面電極を有する構造が提案されている。この構造では、撮像素子基板上の撮像素子が形成された表面と、その反対側である裏面とを電気的に接続する例えば貫通電極を撮像素子基板に設け、撮像素子の配線は表面から裏面に引き回されている。そして、撮像素子基板は、回路基板の上に配置され、撮像素子基板の裏面の電極上のハンダボールと回路基板上の電極とが、フリップチップ実装方式により接続されている。この構造は、特許文献１に示された構造に比べ、より小型化を実現する構造として、大きく期待されている。この裏面電極構造においては、撮像素子基板の裏面に回路基板が配置されるため、撮像素子基板の裏面からは、基本的には光は入射しない構造とされている。このため、裏面電極構造の固体撮像素子において、裏面光入射の問題について報告した例は見つかっていない。
【０００５】
しかしながら、発明者の検討によれば、裏面電極構造においても、裏面光入射の問題が発生することが明らかになった。すなわち、撮像素子基板の背面には回路基板が配置されているが、両基板の間には数十マイクロメートルの高さのハンダボールがあり、完全には両基板は密着していない。このため、このわずかの隙間に基板周辺部から光が入り込み、これが、撮像素子基板の撮像素子部の背面に届くことが分かった。これは、撮像素子の高感度化が進んだ場合に大きく問題となる。
【０００６】
また、ハンダボールの高さは、その製造工程の諸条件の変動によって変わるため、撮像素子基板の裏面への入射光の量は、製造工程のばらつきに大きく依存することが判明した。従って、この裏面光入射の問題は、固体撮像素子の歩留まりを大きく左右し、従ってコストに大きく影響する。  
なお、裏面電極構造の固体撮像素子において、表面から撮像素子基板に入射した光が裏面で反射して撮像素子に入射することを防止するために、反射層や反射防止膜を撮像素子と裏面電極の間に形成する技術が提案されている。（特許文献２）  
【特許文献１】特開２００１−１２８０７２号公報
【特許文献２】特開２００７−１８９１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の課題の認識に基づきなされたものであり、その目的は、裏面電極構造を有する固体撮像素子において、裏面光入射問題を解決し、これにより、小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、第１の主面側に撮像素子部が形成された撮像素子基板と、前記撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に設けられ、前記撮像素子部と電気的に接続された裏面配線電極と、前記第２の主面と対向する回路基板電極が設けられた回路基板と、前記裏面配線電極と前記回路基板電極とを電気的に接続する接続部と、前記裏面配線電極と同一面上または前記裏面配線電極より前記回路基板側に設けられた遮光層と、を備えたことを特徴とする固体撮像素子が提供される。
【０００９】
本発明の別の一態様によれば、第１の主面側に撮像素子部が設けられた撮像素子基板の前記第１の主面と反対側の第２の主面側に裏面配線電極を形成し、前記裏面配線電極の表面の少なくとも一部を疎水化する表面処理を行い、前記疎水化された部分を除く前記第２の主面に遮光層を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、裏面電極構造を有する固体撮像素子において、裏面光入射問題を解決し、これにより、小型で均一表示が可能な固体撮像素子が安価に提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。  
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像素子の構造を例示する断面模式図である。  
図１に表されるように、第１の実施形態の固体撮像素子１００においては、シリコンウェーハからなる撮像素子基板１０１の上に、例えば、ＣＭＯＳセンサ方式の撮像素子部１０２が設けられている。撮像素子基板１０１の撮像素子部１０２が設けられた第１の主面（表面）１３１側には、表面配線電極１４１が設けられている。撮像素子基板１０１の周辺部に設けられたパッド部１０３と表面配線電極１４１とは、電気的に接続されている。
【００１２】
また、撮像素子基板１０１の表面１３１の反対面である第２の主面（裏面）１３２側には、裏面配線電極１４２が設けられている。パッド部１０３と裏面配線電極１４２とは、撮像素子基板１０１を貫通する貫通電極１１０により電気的に接続されている。  
裏面配線電極１４２の所定部分には、フリップチップ実装のための接続部（ハンダボール）１１２が設けられている。外部回路が設けられた回路基板１５０上には、回路基板電極１５１が設けられており、回路基板電極１５１と裏面配線電極１４２とは、ハンダボール１１２を介して電気的に接続されている。
【００１３】
さらに、撮像素子部１０２の表面の上にはマイクロレンズ１１５と図示しないカラーフィルタとが設けられており、マイクロレンズ１１５の上には間隙を空けて例えばガラス基板からなる保護用の透明板１０５が設けられている。透明板１０５と撮像素子基板１０１とは、撮像素子部１０２の周辺において、例えば接着剤１０４で接着されている。
【００１４】
そして、上記の裏面電極構造を有する本実施形態の固体撮像素子１００は、撮像素子基板１０１の裏面１３２に、遮光層１１３を有する。  
すなわち、例えば、裏面１３２に設けられた裏面配線電極１４２を覆うように、あるいは、裏面配線電極１４２と実質的に隙間なく隣接して、例えば、黒色樹脂や金属膜からなる遮光層１１３が設けられている。
【００１５】
なお、上記において、接続部１１２として、ハンダボールを例示したが、それに限らず、裏面配線電極１４２と回路基板電極１５１とを接続する手段であれば何であっても良い。
【００１６】
遮光層１１３は、撮像素子基板１０１が透過する波長を実質上遮蔽するように設定することができる。例えば、撮像素子基板１０１としてシリコン基板を用いた場合は、シリコンが透過する赤外光を遮蔽する材料を用いることができる。
【００１７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る固体撮像素子を用いた固体撮像モジュールの構造を例示する断面模式図である。  
図２に表されたように、固体撮像モジュール９００において、固体撮像素子１００の表面１３１ａ側にカメラレンズ１６２が配置され、カメラレンズ１６２はレンズホルダ１６４により保持されている。固体撮像素子１００とレンズホルダ１６４とは、ホルダ１６６によって固着されている。
【００１８】
図２に表されたように、固体撮像素子１００の撮像素子基板１０１の裏面１３２にはハンダボール１１２が配置され、ハンダボール１１２を介して、撮像素子基板１０１と回路基板１５０とが対面している。ハンダボール１１２は数十マイクロメートルの高さがあり、撮像素子基板１０１と回路基板１５０の間にわずかの隙間が生じる。この隙間に、外部から光１６８が斜めに入射し、この光は、隙間の間を反射して伝搬し、撮像素子基板１０１の裏面１３２に到達する。  
本発明の第１の実施形態においては、裏面１３２に遮光層１１３を有しているので、隙間から入射した光が撮像素子部１０２に実質的に到達することがない。従って、裏面電極構造を有しながら、裏面光入射問題を解決し、これにより、小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００１９】
一方、従来の裏面電極構造の固体撮像素子においては、裏面１３２に到達した光は、撮像素子基板１０１を通過し、撮像素子部１０２まで到達する。このため、裏面に設けられた裏面配線電極１４２等の影が映像として映り、問題となる。
【００２０】
なお、これに対し、例えば、撮像素子基板１０１と回路基板１５０の隙間を塞ぐ部材をホルダ１６６の周辺に設けることでこの裏面入射光を遮断することもできるが、部品寸法の公差などを考慮すると、入射光を完全に遮断することは容易ではなく、またコスト高となる。また、ホルダ１６６の形状を工夫して、撮像素子基板１０１と回路基板１５０の隙間を塞ぐようにすることも考えられるが、この方法もホルダ１６６などの部材の加工精度の点で困難を伴う。
【００２１】
従来の裏面電極構造の固体撮像素子に裏面から光を入射させ、その感度を調査したところ、７００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長範囲で感度比が高いことが分かった。また、視認感度と、撮像素子基板１０１の裏面１３２に入射する光量との関係を調査した結果、実用的には、遮光層１１３の透過率は、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対して１０％以下、より望ましくは３％以下で裏面光入射問題が回避できることが分かった。
【００２２】
従って、本実施形態の固体撮像素子の裏面光入射において、問題となる光の波長は８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍとすることができ、この範囲の波長の光を減衰する遮光層１１３を撮像素子基板１０１の裏面１３２に設けると良い。そして、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する遮光層１１３の透過率は１０％以下、より望ましくは３％以下とすることができる。
【００２３】
遮光層１１３には、例えば、各種の金属及び金属化合物からなる薄膜を用いることができる。例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）及びアルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）を用いることができる。なお、厚さ１００ｎｍの時の８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率は、窒化チタンでは、０．５％程度、チタンでは、１％程度、アルミニウム−銅合金では、０．１％以下である。この他、遮光層１１３として、各種の金属及び金属酸化膜や金属窒化物などの各種の化合物及びそれらの積層膜を用いることができる。
【００２４】
なお、これら金属及び金属窒化物からなる導電性の遮光層を、撮像素子基板の裏面に設け、その上に絶縁層を介して裏面配線電極を設ける構成（すなわち、遮光層が裏面配線電極と撮像素子部との間に配置される構成）もあるが、この場合、遮光層と裏面配線電極との容量カップリングに起因した画像不良が発生するという問題がある。そのとき、容量カップリングを抑制するだけの厚い絶縁膜を設けることも考えられるが、その後に行われる貫通電極や裏面配線電極といった微細パターンの加工が困難となり実用的ではない。このため、遮光層を、絶縁層を介して裏面配線電極の下に設ける構造は実用的でない。  
これに対し、本発明の第１の実施形態の固体撮像素子においては、導電性遮光層を裏面配線電極の上に設けるのでこのような容量カップリングの問題は回避できる。すなわち、微細加工が必要な貫通電極や裏面配線電極の形成が終了した後に、容量カップリングが充分防止できる厚さの絶縁層を設け、その上に金属や金属化合物からなる導電性の遮光層を設けることができる。
【００２５】
また、遮光層１１３としては、絶縁性の材料を用いることができる。すなわち、遮光層１１３には、例えば、カーボン粒子や各種の無機顔料粒子や有機顔料粒子を、例えばポリイミドなどのような樹脂に混合したものを、遮光樹脂として用いることができる。この場合、例えば、遮光樹脂を基板上に塗布・仮焼成した後、その上に別途感光性レジスト膜を設けフォトリソグラフィ技術により感光性レジスト膜を所定形状に成型し、その後、感光性レジスト膜をマスクにして遮光樹脂をエッチングし感光性レジスト膜を剥離し、その後、遮光樹脂を焼成する手法により、遮光層１１３を設けることができる。
【００２６】
また、遮光層１１３には、例えば、カーボン粒子や各種の無機顔料粒子や有機顔料粒子を、例えば感光性アクリル樹脂に混合したものも用いることができる。この場合、遮光樹脂自体が感光性を持っているので、別途感光性レジスト膜を設ける必要がないため、工程が省略でき有利である。  
また、遮光樹脂による遮光層１１３は、裏面配線電極１４２の上に直接設けることができる。また、遮光樹脂による遮光層１１３は、裏面配線電極１４２と同一面上で、裏面配線電極１４２と実質的に隙間なく隣接して設けることができる。  
絶縁性のこのような遮光樹脂により遮光層１１３を設ける場合は、容量カップリングの問題は生じない。なお、絶縁性とは、固体撮像素子の動作に対して実質的に悪影響を与えない絶縁性であればよい。
【００２７】
なお、絶縁性の遮光樹脂からなる遮光層１１３を裏面配線電極１４２の下に設ける構造も考えられるが、この場合、一般に、遮光樹脂の表面平滑性やパターン精度、密着性は、貫通電極１１０や裏面配線電極１４２を構成する際の、後述の絶縁膜１０６やシード層１１７、メッキ層１０８より劣るため、高精細な貫通電極１１０や裏面配線電極１４２を得ることは難しい。このため、遮光層１１３として遮光樹脂を用いる場合も、遮光層１１３を裏面配線電極１４２の下に設けるのは実用的でない。  
従って、遮光層１１３は、導電性の、例えば金属や金属化合物を用いた場合も、絶縁性の遮光樹脂を用いた場合も、裏面配線電極１４２の下ではなく、裏面配線電極１４２の上（すなわち、裏面配線電極１４２より回路基板１５０側）、または、遮光層１１３と裏面配線電極１４２とが同一面上で実質的に隙間なく隣接するように設けることが良い。
【００２８】
なお、上記のように遮光樹脂を用いて遮光層１１３を形成する場合は、遮光樹脂中の遮光性粒子の含有量や層厚を調節することにより、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率が１０％以下、望ましくは３％となるように設定できる。ここで、本願明細書においては、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長の光を単に「赤外光」と言う。
【００２９】
さらに、遮光層１１３を設ける際、他の構成部材の遮光性の観点で、遮光層１１３を適切に配置することができる。  
すなわち、例えば、裏面配線電極１４２が赤外光に対する光透過性がない場合は、遮光層１１３は、少なくとも裏面配線電極１４２の間隙を遮蔽するように設ければ良い。この場合、裏面配線電極１４２は遮光層１１３を兼用する機能となっている。また、裏面配線電極１４２が赤外光に対する透過性がある場合は、遮光層１１３は、裏面配線電極１４２の全体を被覆するように設けることができる。その際、裏面配線電極１４２の赤外光の透過率に合わせて、遮光層１１３の赤外光透過率は実用上問題が発生しない範囲で、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率が１０％より大きくても良い。すなわち、裏面配線電極１４２に代表される撮像素子基板１０１の裏面１３２の各種構成部材と一体となって、撮像素子部１０２に裏面１３２から入射する光が実用上遮光される条件になれば良い。また、撮像素子基板１０１の裏面１３２と撮像素子部１０２の間に、赤外光を遮蔽または減衰する膜が設けられている場合は、その膜と一体となって、撮像素子部１０２に裏面１３２から入射する赤外光を実用上遮光できれば、遮光層１１３の特性は上記に述べた範囲に限定されない。
【００３０】
また、遮光層１１３を設ける際、他の構成部材との電気的接続の観点で、遮光層１１３を適切に配置することができる。  
すなわち、遮光層１１３が絶縁性の場合、裏面配線電極１４２やハンダボール１１２と、遮光層１１３と、は、直接接触していても良い。また、遮光層１１３が導電性である場合は、遮光層１１３は、裏面配線電極１４２やハンダボール１１２と間隙を空けて、または、他の絶縁層を介して接するように設けることができる。  
また、ハンダボール１１２と裏面配線電極１４２との導電性を保持した状態で遮光層１１３を設けることができる。  
また、ハンダボール１１２によって、裏面配線電極１４２と、回路基板１５０の上の回路基板電極１５１と、の電気的接続が行われるため、ハンダボール１１２の回路基板１５０側の面の少なくとも一部は導電性を保持した状態で、遮光層１１３を設けることができる。すなわち、遮光層１１３は、ハンダボール（接続部）１１２の少なくとも一部を露出して設けられる。
【００３１】
このように、本発明の第１の実施形態の固体撮像素子は、裏面電極構造を有しているため、遮光層１１３の配置に関して、少なくとも遮光性と導電性の観点で他部材との関係を配慮して適切に配置することができる。
【００３２】
（第１の実施例）
以下、本発明の第１の実施形態に係る第１の実施例について、説明する。  
図３は、本発明の第１の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。  
図３は、第１の実施例の固体撮像素子の撮像素子部１０２の周辺部の領域の部分断面図であり、撮像素子部１０２は図３の例えば、右に配置されている。また、図３は、図１に示した固体撮像素子を上下逆の配置として図示している。
【００３３】
図３に表されたように、第１の実施例の固体撮像素子１００ａにおいて、シリコンウェーハからなる撮像素子基板１０１の表面１３１に、例えば、積層配線からなる表面配線電極１４１が設けられている。さらに、表面１３１には、表面配線電極１４１と電気的に接続されたパッド部１０３が設けられている。また、表面１３１には、例えば、ＣＭＯＳセンサからなる撮像素子部１０２が設けられている（図示しない）。  
また、撮像素子基板１０１の裏面１３２には、裏面配線電極１４２が設けられている。パッド部１０３と裏面配線電極１４２とは、撮像素子基板１０１を貫通する貫通電極１１０により電気的に接続されている。貫通電極１１０は、撮像素子基板１０１に設けられたビアホール１２０において、撮像素子基板１０１の上に設けられた絶縁膜１０６と、絶縁膜１０６の上に設けられたシード層１０７とメッキ層１０８とが積層された構造を有している。  
裏面配線電極１４２の所定部分には、フリップチップ実装のためのハンダボール１１２が設けられている。また、ハンダボール１１２は、回路基板１５０の回路基板電極１５１と電気的に接続されている。
【００３４】
また、裏面１３２のハンダボール１１２に対応する部分を除いた領域にはソルダーレジスト１１１が設けられており、ソルダーレジスト１１１の上面に遮光層１１３が設けられている。遮光層１１３は、ハンダボール１１２の回路基板電極１５１と接する部位１１２ａを除いて設けられおり、ハンダボール１１２と回路基板電極１５１との電気的接続を維持できる。遮光層１１３は、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率が１０％以下であり、例えば、カーボン粒子を含有した感光性アクリル樹脂で形成される。
【００３５】
なお、表面１３１の表面配線電極１４１の上には、例えばガラス基板からなる保護用の透明板１０５が設けられており、透明板１０５と撮像素子基板１０１とは、例えば接着剤１０４で接着されている。また、表面１３１の図示しない撮像素子部１０２には、マイクロレンズ及びカラーフィルタとが設けられており、透明板１０５は、マイクロレンズ及びカラーフィルタと、間隙を空けて設置されている。
【００３６】
以下、本発明の第１の実施例の固体撮像素子の製造方法について説明する。  
図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。  
まず、通常の方法により、例えば厚さ１００μｍのシリコンからなる撮像素子基板１０１の表面１３１に、図示しない撮像素子部１０２、表面配線電極１４１及びパッド部１０３を形成し、撮像素子基板１０１の表面１３１と、例えばガラス基板からなる保護用の透明板１０５とを、例えば接着剤１０４で接着する。このようにして、図４（ａ）に表された、撮像素子基板１０１と透明板１０５が積層された構造が得られる。なお、図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ａ）〜（ｅ）は、固体撮像素子の撮像素子部１０２の周辺部を表すものであり、撮像素子部１０２はこれらの図の例えば右方向に設けられている。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に表されるように、撮像素子基板１０１の裏面１３２の上に所定形状のレジスト１０９ａをフォトリソグラフィ技術によって設ける。  
その後、図４（ｃ）に表されるように、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、レジスト１０９ａをマスクにして撮像素子基板１０１をエッチングし、ビアホール１２０を設ける。その後、レジスト１０９ａを剥離する。  
次に、図４（ｄ）に表されるように、例えばシリコン酸化膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜し、絶縁膜１０６を設ける。  
次に、図４（ｅ）に表されるように、絶縁膜１０６の上に、所定形状のレジスト１０９ｂをフォトリソグラフィ技術により設けた後、レジスト１０９ｂをマスクにして、絶縁膜１０６をパッド部１０３までエッチングする。その後、レジスト１０９ｂを剥離する。  
次に、図４（ｆ）に表されるように、絶縁膜１０６と露出したパッド部１０３の上に、例えば、ＣｕＴｉからなるシード層１０７をスパッタ法により設ける。  
次に、図５（ａ）に表されるように、シード層１０７の上に、銅メッキパターン形成のためのレジスト１０９ｃをフォトリソグラフィ技術により設ける。  
次に、図５（ｂ）に表されるように、レジスト１０９ｃをマスクにし、メッキ法により、シード層１０７の上に銅からなるメッキ層１０８を選択的に設ける。この後、レジスト１０９ｃを剥離する。このようにして形成されたシード層１０７及びメッキ層１０８が貫通電極１１０及び裏面配線電極１４２となる。  
次に、図５（ｃ）に表されるように、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８の上に、ソルダーレジスト液を例えばスピンナ塗布法により設けた後、フォトリソグラフィ技術により、ボール開口部１１４を除いてソルダーレジスト１１１を設ける。  
次に、図５（ｄ）に表されるように、ソルダーレジスト１１１の上に、遮光層１１３をボール開口部１１４を除いて、フォトリソグラフィ法によって設ける。遮光層１１３は、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率が１０％以下になるよう設定される。  
なお、ボール開口部１１４には、その下面に少なくとも裏面配線電極１４２が配設されており、また、後にハンダボール１１２が配置されるため、遮光層１１３がなくても裏面からの光は入射できない。
【００３８】
遮光層１１３は、例えば、カーボン粒子を含有した感光性樹脂（例えば感光性アクリル樹脂）を塗布し、この後、所定マスクで露光、現像することで形成できる。  
また、この他、感光性がない樹脂（例えばポリイミド樹脂）を遮光層１１３に用いることもでき、その場合には、別途レジストを形成し、それを用いて所定形状に加工することができる。遮光層１１３となる樹脂は、樹脂溶液を例えばスピンナ法やインクジェット法、ディスペンサ法などによって撮像素子基板１０１の上に設けることができる。インクジェット法やディスペンサ法によれば、樹脂溶液を塗布するだけでなく、露光・現像工程を経ずに所定の形状（例えば、ボール開口部１１４を除く形状）に遮光層１１３を形成することができる。また、ドライフィルム法によっても遮光層１１３を設けることができる。遮光層１１３の加工の際の現像液としては、アルカリ現像液として例えばＴＭＡＨ（tetramethylammonium hydroxide）や、溶剤として例えばＮＭＰ（N-Methyl-2-pyrrolidone）を用いることができる。  
また、遮光層１１３に用いる樹脂には、カーボン粒子の他、各種の無機顔料粒子や有機顔料粒子、またはそれらの混合物を含有させることができる。
【００３９】
この後、図５（ｅ）に表されるように、ボール開口部１１４にハンダボール１１２を設ける。このようにして、撮像素子基板１０１の裏面１３２に、ハンダボール１１２の回路基板電極１５１と接する部位１１２ａを露出して（図３参照）、遮光層１１３を設けることができる。  
この後、通常の方法により、回路基板１５０と撮像素子基板１０１を対向させ、ハンダボール１１２と回路基板１５０の上の回路基板電極１５１とを電気的に接続する。上記のように、遮光層１１３は、ハンダボール１１２の回路基板電極１５１と接する部位１１２ａを除いて設けられているので、ハンダボール１１２と回路基板電極１５１との電気的接続が維持できる。  
このようにして、図３に表された第１の実施例の固体撮像素子１００ａが得られる。
【００４０】
このように作製された第１の実施例の固体撮像素子１００ａは、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率が１０％以下の遮光層１１３を撮像素子基板１０１の裏面１３２に設けることにより、裏面入射光を遮光でき、裏面電極構造を有した小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００４１】
（第２の実施例）  
次に、本発明の第２の実施例について、説明する。  
図６は、本発明の第２の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。  
第２の実施例の固体撮像素子１００ｂは、第１の実施例の固体撮像素子において、ソルダーレジスト１１１と遮光層１１３の形成順序を逆にした構造を有する。  
すなわち、図６に表されたように、裏面１３２のハンダボール１１２に対応する部分を除いた領域に、遮光層１１３が設けられ、遮光層１１３の上にソルダーレジスト１１１が設けられている。
【００４２】
以下、第２の実施例の固体撮像素子の製造方法について説明する。  
図７（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。  
図７においては、ビアホール１２０、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８を形成し、貫通電極１１０を設ける工程までは第１の実施例の図４（ａ）〜（ｆ）、図５（ａ）〜（ｂ）と同じであるため、省略し、それ以降の工程を示している。撮像素子部１０２、表面配線電極１４１及びパッド部１０３を有する撮像素子基板１０１と透明板１０５とが積層された構造を作製し、ビアホール１２０、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８を形成し、貫通電極１１０を設けた後、図７（ａ）に表されるように、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８の上に、遮光層１１３を設ける。遮光層１１３は、８２０ｎｍ〜１１７０ｎｍの波長に対する透過率が１０％以下になるよう設定される。遮光層１１３として、例えば、実施例１で説明したカーボン粒子や着色顔料などを含有した樹脂（例えば感光性のないポリイミド樹脂）を塗布する。  
次に、図７（ｂ）に表されるように、遮光層１１３の上にソルダーレジスト１１１を塗布する。  
この後、図７（ｃ）に表されるように、所定のマスクを用いて、ソルダーレジスト１１１の露光・現像を行うと同時に、遮光層１１３を溶解する。これにより、ボール開口部１１４を有するソルダーレジスト１１１を形成する。このように、第２の実施例においては、遮光層１１３として感光性がない樹脂を用いても、ソルダーレジストの現像と同時に遮光層１１３の溶解ができるので、工程削減によるコスト低下が図れる。  
なお、遮光層１１３として感光性樹脂を用いた場合は、ソルダーレジスト１１１の露光・現像と独立して、遮光層１１３の露光・現像を行うこともできる。また、適切な材料の選択によっては、遮光層１１３とソルダーレジスト１１１の露光・現像を同時に行うこともできる。
【００４３】
なお、ボール開口部１１４には、その下面に少なくとも裏面配線電極１４２が配設されており、また、後にハンダボール１１２が配置されるため、遮光層１１３がなくても裏面からの光は入射できない。  
この後、図７（ｄ）に表されるように、ボール開口部１１４にハンダボール１１２を設ける。このようにして、撮像素子基板１０１の裏面１３２に、ハンダボール１１２の回路基板電極１５１と接する部位１１２ａを露出して（図６参照）、遮光層１１３を設けることができる。  
この後、実施例１と同様に、回路基板１５０と撮像素子基板１０１を組み立て、図６に表された第２の実施例の固体撮像素子１００ｂが得られる。なお、上記のように、遮光層１１３は、ハンダボール１１２の回路基板電極１５１と接する部位１１２ａを除いて設けられているので、ハンダボール１１２と回路基板電極１５１との電気的接続が維持できる。
【００４４】
このようにして作製された第２の実施例の固体撮像素子１００ｂは、裏面電極構造を有しているため小型であり、また、ハンダボールによる電気接続を維持した状態で、裏面入射光を遮光できる。これにより、小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００４５】
（第３の実施例）  
次に、本発明の第３の実施例について、説明する。  
図８は、本発明の第３の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。  
第３の実施例の固体撮像素子１００ｃは、第１の実施例の固体撮像素子に対して、遮光層１１３を、絶縁層を介して裏面配線電極１４２の上に設けたことが異なる。  
すなわち、図８に表されたように、撮像素子基板１０１の上に絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８が設けられ、その上に絶縁層１４５を介して遮光層１１３、ソルダーレジスト１１１が設けられ、その上にハンダボール１１２が設けられた構造となっている。この時の遮光層１１３としては、遮光樹脂の他、金属または金属化合物など導電性の材料を用いることができる。
【００４６】
以下、第３の実施例の固体撮像素子の製造方法について説明する。  
図９（ａ）〜（ｆ）は、第３の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。  
図９においては、ビアホール１２０、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８を形成し、貫通電極１１０を設ける工程までは第１の実施例の図４（ａ）〜（ｆ）、図５（ａ）〜（ｂ）と同じであるため、省略し、それ以降の工程を示している。撮像素子部１０２、表面配線電極１４１及びパッド部１０３を有する撮像素子基板１０１と透明板１０５とが積層された構造を作製し、ビアホール１２０、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８を形成し、貫通電極１１０を設けた後、図９（ａ）に表されるように、絶縁膜１０６、シード層１０７、メッキ層１０８の上に、絶縁層１４５を設ける。絶縁層１４５としては、酸化珪素や窒化珪素などの無機物からなる層をＣＶＤ法などの方法で設けることが例示できる。また、絶縁層１４５は、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などの有機物からなる層であっても良い。  
この後、図９（ｂ）に表されるように、絶縁層１４５の上に、遮光層１１３として、例えば、チタン（Ｔｉ）からなる金属膜をスパッタ法によって設ける。このときの遮光層１１３としては、チタン（Ｔｉ）の他に、アルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）などの金属の他、窒化チタン（ＴｉＮ）やアルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）などの金属化合物を用いることができる。また、膜厚は、チタンの場合、１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。
【００４７】
次に、図９（ｃ）に表されるように、フォトリソグラフィ技術により、遮光層１１３の上にレジスト１０９ｄを形成する。  
その後、図９（ｄ）に表されるように、レジスト１０９ｄをマスクにして、遮光層１１３と共に、絶縁層１４５をエッチングし、ボール開口部１１４を除いて、遮光層１１３及び絶縁層１４５を所定形状に成型する。
【００４８】
その後、図９（ｅ）に表されるように、ボール開口部１１４を除いて、ソルダーレジスト１１１を設ける。  
その後、図９（ｆ）に表されるように、ボール開口部１１４にハンダボール１１２を配置し、実施例１と同様に、回路基板１５０と撮像素子基板１０１を組み立て、図８に表された第３の実施例の固体撮像素子１００ｃが得られる。なお、図８に表されるように、遮光層１１３は、絶縁層１４５を介して裏面配線電極１４２の上に設けられているので裏面配線電極１４２や貫通電極１１０（シード層１０７とメッキ層１０８）と電気的に絶縁されている。さらに、遮光層１１３は、ソルダーレジスト１１１により、ハンダボール１１２と電気的に絶縁されている。このため、第３の実施例のように遮光層１１３が絶縁層１４５を介して裏面配線電極１４２の上に設けられた構造では、遮光層１１３として導電性の材料を用いることができる。
【００４９】
このようにして作製された第３の実施例の固体撮像素子１００ｃは、裏面電極構造を有しているため小型であり、また、ハンダボールによる電気接続を維持した状態で、裏面入射光を遮光できる。これにより、小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００５０】
（第４の実施例）  
次に、本発明の第４の実施例について、説明する。  
第４の実施例は、図３に示した第１の実施例と同様の構成を有する。すなわち、撮像素子基板１０１の裏面１３２に裏面配線電極１４２があり、それらの上にソルダーレジスト１１１が設けられ、その上に遮光層１１３がハンダボール１１２の回路基板電極１５１と接する部位１１２ａを除いて設けられている。以下に説明する第４の実施例では、遮光層１１３の形成方法が、第１の実施例と異なる。
【００５１】
図１０は、本発明の第４の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示するフローチャート図である。  
図１０に表されるように、第４の実施例の固体撮像素子の製造方法においては、まず、Ｓ１１０で裏面配線電極１４２を形成する。この裏面配線電極１４２は、第１の実施例の固体撮像素子におけるメッキ層１０８とすることができ、例えばメッキ法により形成されたＣｕ膜とすることができる。なお、Ｃｕ膜は、シード層を含んでも良い。  
その後、Ｓ１２０で、撮像素子基板１０１の裏面１３２の表面処理を行う。例えば、ＯＳＰ（Organic Soldering Preservative）での処理を行う。このＯＳＰ処理により、裏面配線電極１４２の表面の表面エネルギーと裏面配線電極１４２以外の部分の表面エネルギーを異ならせることができる。すなわち、裏面配線電極１４２の表面部分のみを疎水面とし、それ以外の部分を親水面とすることができる。  
この後、Ｓ１３０で、例えば、カーボン粒子や各種の無機顔料粒子や有機顔料粒子を含有した遮光樹脂を塗布する。裏面配線電極１４２の表面は疎水性となっているため、この部分には、遮光樹脂は塗布されず、裏面配線電極１４２以外の部分に遮光樹脂が塗布される。この後、遮光樹脂を硬化させる。  
このようにして遮光層１１３を選択的に設けることができる。
【００５２】
以下、詳細に説明する。  
図１１と図１２は、本発明の第４の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示するフローチャート図及び工程断面図である。  
図１１に表されるように、まずＳ２１０では、裏面配線電極１４２を形成する（図１２（ａ）参照。ただし、他の部材は省略して表されている）。これには、例えば図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ａ）〜（ｂ）に関してすでに説明した方法を用いることができる。  
次のＳ２２０では、ソルダーレジスト１１１を形成する（図１２（ｂ）参照）。この工程には、例えば、図５（ｃ）で説明した方法を用いることができる。この時、ソルダーレジスト１１１は、ボール開口部１１４を除いて設ける。
【００５３】
次のＳ２３０では、表面処理としてＯＳＰ処理を行う（図１２（ｃ）参照）。具体的には以下に例示する処理を行う。ＯＳＰとしては、イミダゾール化合物とＣｕイオン及び有機酸を含む溶液が例示できる。このＯＳＰ溶液中に、撮像素子基板１０１を浸漬し洗浄することにより、撮像素子基板１０１の裏面１３２のＣｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の表面の上にのみ有機皮膜１４４が形成される（図１２（ｃ）参照）。すなわち、Ｃｕ膜１０８で形成されるボール開口部１１４の表面部分にのみ、有機皮膜１４４が形成される。この有機皮膜１４４は、その表面を疎水化する機能を持つ。これにより、ソルダーレジスト１１１から露出したＣｕ膜１０８の表面のみを選択的に疎水化する表面処理が実現できる。なお、上記において、ＯＳＰの一例として、イミダゾール化合物とＣｕイオン及び有機酸を含む溶液を用いる例を挙げたが、これに限らず、裏面配線電極１４２のボール開口部１１４に対応した領域を選択的に疎水化する作用のあるものであれば何でもよい。すなわち、裏面配線電極１４２のボール開口部１１４の表面となる材料（及びその他の部分）の表面の性質によってＯＳＰは適切に選択できる。また、撮像素子基板１０１のＯＳＰ処理の方法としては、上記の浸漬法には制限されず、印刷法、スピンナ塗布法など、各種の方法を用いることができる。  
次のＳ２４０では、遮光樹脂１１３ａを塗布する（図１２（ｄ））。この時、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の表面は疎水化処理されているため、遮光樹脂１１３ａは弾かれて付着せず、その他の部分にのみ付着する。
【００５４】
そして、Ｓ２５０では、遮光樹脂１１３ａを硬化させる。例えば、遮光樹脂が紫外線硬化型の場合は、遮光樹脂１１３ａに紫外線１１９を照射し、硬化させ、遮光層１１３を形成する（図１２（ｅ）参照）。なお、紫外線照射の後に加熱硬化工程を追加しても良い。また、遮光樹脂１１３ａが紫外線硬化型でなく熱硬化型の、例えばポリイミド樹脂のような場合は、紫外線１１９を照射せず、加熱を行う。このようにして、ボール開口部１１４を除いた部分に、選択的に遮光層１１３を設けることができる。
【００５５】
なお、この後、撮像素子基板１０１の裏面１３２に紫外線を照射し、一旦疎水化されたＣｕ膜１０８（ボール開口部１１４）の表面を親水化させることができる。すなわち、紫外線により、有機皮膜１４４を除去する、または、有機皮膜１４４の疎水化機能を失わせることができる。これにより、その後の工程における、例えばハンダボール１１２の設置工程が容易となり、また、Ｃｕ膜１０８とハンダボール１１２との電気的接続がより確実に行われる。なお、上記において、遮光層として感光性樹脂を用いた場合、感光性樹脂の硬化のための紫外線照射によって、疎水化のための有機皮膜１４４を親水化することができ、工程が省略できる。なお、上記の有機皮膜１４４の親水化は、紫外線照射の他、例えばプラズマアッシングなどによっても可能である。
【００５６】
その後、第１の実施例と同様の方法により固体撮像素子を作製する。  
このようにして得られた固体撮像素子は、遮光層１１３を撮像素子基板１０１の裏面に簡便に選択的に設けることができ、裏面電極構造を有した小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００５７】
（第５の実施形態）  
次に、本発明の第５の実施例について、説明する。  
第５の実施例の固体撮像素子は、図１３に表された構造を有する。すなわち、撮像素子基板１０１の裏面１３２に裏面配線電極１４２があり、遮光層１１３は、裏面配線電極１４２に対してセルフアラインに設けられ、それらの上にソルダーレジスト１１１が設けられている。第５の実施例は、以下のようにして作製できる。
【００５８】
図１４と図１５は、本発明の第５の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示するフローチャート図及び工程断面図である。  
図１４に表されるように、まずＳ３１０では、裏面配線電極１４２を形成する（図１５（ａ）参照。ただし、他の部材は省略して表されている。）。これには、例えば、図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ａ）〜（ｂ）に関してすでに説明した方法を用いることができる。
【００５９】
次のＳ３２０では、表面処理としてＯＳＰ処理を行う（図１５（ｂ）参照）。すなわちイミダゾール化合物とＣｕイオン及び有機酸を含むＯＳＰ溶液中に、撮像素子基板１０１を浸漬し洗浄することにより、撮像素子基板１０１の裏面１３２のＣｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の表面の上にのみ有機皮膜１４４が形成される（図１５（ｂ）参照）。すなわち、Ｃｕ膜１０８の表面部分に有機皮膜１４４が形成され、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の表面のみを選択的に疎水化する表面処理が実現できる。なお、ＯＳＰは上記の例に限らず、裏面配線電極１４２の表面となる材料（及びその他の部分）の表面の性質によって適切に選択できる。
【００６０】
次のＳ３３０では、遮光樹脂１１３ａを塗布する（図１５（ｃ））。この時、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の表面は疎水化処理されているため、遮光樹脂１１３ａは弾かれて付着せず、その他の部分にのみ付着する。このようにして、遮光層１１３は、裏面配線電極１４２に対してセルフアラインに形成される。すなわち、遮光層１１３が、裏面配線電極１４２と同一面上で、実質的に隙間なく隣接して設けられる。有機皮膜１４４は、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の上面だけでなく側面にも形成されるので、遮光樹脂１１３ａは、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の上面および側面を除いた面に付着する。このため、遮光樹脂１１３ａは、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）の側面には密着しないものの、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）と実質的に隙間なく隣接して形成される。図１５（ｃ）〜（ｅ）においては、便宜上、遮光樹脂１１３ａと遮光層１１３は、裏面配線電極１４２と接して描かれているが、実際には、上記のように、裏面配線電極１４２とは接していない。ただし、遮光層１１３と裏面配線電極１４２との隙間は非常にわずかであり、裏面入射光を実質的に充分遮光できる。  
そして、Ｓ３４０では、遮光樹脂１１３ａを硬化させる。例えば、遮光樹脂１１３ａが紫外線硬化型の場合は、遮光樹脂１１３ａに紫外線１１９を照射し、硬化させ、遮光層１１３を形成する（図１５（ｄ）参照）。なお、紫外線照射の後に加熱硬化を追加しても良い。また、遮光樹脂１１３ａが紫外線硬化型でなく熱硬化型のポリイミド樹脂のような場合は、紫外線１１９を照射せず、加熱を行う。このようにして、Ｃｕ膜１０８（裏面配線電極１４２）を除いた部分に、選択的に遮光層１１３を設けることができる。
【００６１】
この後、撮像素子基板１０１の裏面１３２に紫外線を照射し、一旦疎水化されたＣｕ膜１０８（ボール開口部１１４）の表面を親水化させることができる。すなわち、紫外線により、有機皮膜１４４を除去する、または、有機皮膜１４４の疎水化機能を失わせることができる。これにより、例えば、その後のソルダーレジスト１１１の形成工程や、ハンダボール１１２の設置工程が容易となり、また、Ｃｕ膜１０８とハンダボール１１２との電気的接続がより確実に行われる。なお、上記において、遮光層として感光性樹脂を用いた場合、遮光樹脂の硬化のための紫外線照射によって、疎水化のための有機皮膜１４４を親水化でき、工程が省略できる。また、上記の有機皮膜１４４の親水化は、紫外線照射の他に例えばプラズマアッシングなどによっても可能である。
【００６２】
そして、Ｓ３５０では、ソルダーレジスト１１１をボール開口部１１４を除いて形成する（図１５（ｅ）参照）。この工程には、例えば、図５（ｃ）で説明した方法を用いることができる。  
その後、第１の実施例と同様の方法により図１３に表される固体撮像素子１００ｄが作製できる。  
このようにして得られた固体撮像素子１００ｄは、遮光層１１３を撮像素子基板１０１の裏面に簡便に選択的に設けることができ、裏面電極構造を有した小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００６３】
（第６の実施例）  
さらに、第６の実施例を説明する。  
図１６（ａ）〜（ｃ）は、第６の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。  
第６の実施例においては、ソルダーレジスト１１１を設ける工程までは、図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ａ）〜（ｃ）で表された第１の実施例と同様である。  
第６の実施例においては、ソルダーレジスト１１１が形成された後（図１６（ａ）参照）、図１６（ｂ）に表されるように、ソルダーレジスト１１１の上に、表面改質層１１８が設けられる。そして、裏面１３２の方向から、所定形状のマスクを介して表面改質層１１８に紫外線１１９を照射し、ボール開口部１１４が疎水性となるように表面処理を行う。すなわち、紫外線照射の有無により、選択的に疎水性の表面を設けることができる表面改質層１１８を撮像素子基板１０１の裏面１３２に設け、表面を選択的に疎水性とする表面処理を行う。上記の表面改質層１１８には、例えば、長鎖アルキル基やフッ素基を有する感光性の有機薄膜層を用いることができる。
【００６４】
この後、図１６（ｃ）に表されるように、ソルダーレジスト１１１の上に、例えば、カーボン粒子を含有するポリイミド樹脂からなる遮光樹脂を塗布すると、ボール開口部１１４は濡れ性が低く遮光樹脂を弾き、ボール開口部１１４以外は濡れ性が高いため遮光樹脂で被覆される。このようにして、ボール開口部１１４を除いた部分に、選択的に遮光樹脂を設けることができる。その後、遮光樹脂を焼成し、遮光層１１３とする。また、遮光層１１３を設けた後、裏面１３２への紫外線照射やプラズマアッシングなどにより、表面改質層１１８を実質的に除去してもよい。  
その後、第１の実施例と同様の方法により固体撮像素子を作製する。
【００６５】
このようにして得られた固体撮像素子は、遮光層１１３を撮像素子基板１０１の裏面に簡便に選択的に設けることができ、裏面電極構造を有した小型で均一表示が可能な固体撮像素子を安価に提供できる。
【００６６】
なお、上に述べた本発明の実施形態において、固体撮像素子として、撮像素子部と電気的に接続された表面配線電極と裏面配線電極とが貫通電極によって接続される構造を例示したが、これに限らず、撮像素子部と裏面配線電極とが電気的に接続される構造であればどのような構造であっても良い。
【００６７】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、固体撮像素子およびその製造方法を構成する各要素の具体的な寸法関係や材料に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【００６８】
その他、本発明の実施の形態として上述した固体撮像素子及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての固体撮像素子及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【００６９】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像素子の構造を例示する断面模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像素子を用いた固体撮像モジュールの構造を例示する断面模式図である。
【図３】本発明の第１の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図４（ｆ）に続く断面模式図である。
【図６】本発明の第２の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。
【図８】本発明の第３の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第３の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。
【図１０】本発明の第４の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図１１】本発明の第４の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第４の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示する工程断面図である。
【図１３】本発明の第５の実施例の固体撮像素子の構造を示す断面模式図である。
【図１４】本発明の第５の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図１５】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第５の実施例の固体撮像素子の製造方法を例示する工程断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第６の実施例の固体撮像素子の各工程段階における断面模式図である。
【符号の説明】
【００７１】
１００  固体撮像素子
１０１  撮像素子基板
１０２  撮像素子部
１０３  パッド部
１０４  接着剤
１０５  透明板
１０６  絶縁膜
１０７  シード層
１０８  メッキ層
１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃ、１０９ｄ  レジスト
１１０  貫通電極
１１１  ソルダーレジスト
１１２  接続部（ハンダボール）
１１３  遮光層
１１４  ボール開口部
１１５  マイクロレンズ
１２０  ビアホール
１３１  第１の主面（表面）
１３２  第２の主面（裏面）
１４１  表面配線電極
１４２  裏面配線電極
１４４  有機皮膜
１４５  絶縁層
１５０  回路基板
１５１  回路基板電極
１６２  カメラレンズ
１６４  レンズホルダ
１６６  ホルダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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