(57)【要約】【課題】コンタクトホールに起因して光反射性の凹凸部分が発生するのを防止して、コントラストなどといった表示特性の向上を図ることのでき、さらに、光反射膜の間から入射した光によって画素スイッチング素子が誤動作を起こすことを防止可能な反射型液晶装置、並びに当該反射型液晶装置を備えた投射型表示装置および電子機器を提供すること。【解決手段】反射型液晶装置１００の素子基板１０では、下層側光反射性膜からなるデータ線５ａおよび中継電極５ｂと電界効果型トランジスタ３０とを接続する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂは上層側光反射膜７ａと重なる位置に形成されている。第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３を貫通する第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａからずれた位置に形成され、第２コンタクトホール４２ａに対して平面視で重なる位置には下層側光反射膜からなる反射膜パターン５ｃが形成されている。【選択図】図３
2009156896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素の各々に画素スイッチング素子および画素電極を備えた素子基板と、該素子基板に所定の隙間を介して対向配置された対向基板とを有する反射型液晶装置において、
前記素子基板上には、前記画素スイッチング素子の上層側に、少なくとも、第１層間絶縁膜と、該第１層間絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールを介して前記画素スイッチング素子に各々電気的に接続されたデータ線および中継電極を構成する下層側光反射性膜と、第２層間絶縁膜と、上層側光反射膜とが順に積層されているとともに、前記画素電極は、前記上層側光反射膜の上層側で透光性導電膜により形成され、
前記第１コンタクトホールは、平面視において前記上層側光反射膜と重なる位置に形成され、
前記画素電極を前記中継電極に電気的に接続するために前記第２層間絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールは、平面視で前記上層側光反射膜からずれた位置に形成されているとともに、当該第２コンタクトホールに対して平面視で重なる位置には前記下層側光反射膜が形成されていることを特徴とする反射型液晶装置。
【請求項２】
前記上層側光反射膜と前記画素電極との層間に第３層間絶縁膜が形成され、
前記第２コンタクトホールは、前記第３層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜を貫通していることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶装置。
【請求項３】
前記上層側光反射膜は、前記複数の画素の各々に、隣接する上層側光反射膜同士が互いに独立した島状に形成され、
隣接する前記上層側光反射膜の隙間と平面視で重なる領域には前記下層側光反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型液晶装置。
【請求項４】
前記上層側光反射膜は、前記複数の画素の各々に、隣接する上層側光反射膜同士が一部で接続した島状に形成され、
隣接する前記上層側光反射膜の隙間と平面視で重なる領域には前記下層側光反射膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶装置。
【請求項５】
前記上層側光反射膜は、前記複数の画素に跨るベタ領域として形成されていることを特徴とする請求項２に記載の反射型液晶装置。
【請求項６】
前記下層側光反射膜と前記第２層間絶縁膜との間に第４層間絶縁膜が形成されているとともに、当該第４層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との層間には透光性電極が形成され、
当該透光性電極は、前記第４層間絶縁膜に形成された第３コンタクトホールを介して前記中継電極に電気的に接続し、
前記第２コンタクトホールは、前記第２層間絶縁膜を貫通して前記透光性電極に到達していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の反射型液晶装置。
【請求項７】
前記第２コンタクトホールは、前記第２層間絶縁膜を貫通して前記中継電極に到達していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の反射型液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の反射型液晶装置を備え、
当該反射型液晶装置に光を供給するための光源部と、前記反射型液晶装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系とを備えていることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の反射型液晶装置を直視型表示装置として備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向基板に対向配置された素子基板上に光反射膜が形成された反射型液晶装置、並びに当該反射型液晶装置を備えた投射型表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置では、電界効果型トランジスタなどの画素スイッチング素子および画素電極が形成された素子基板と、対向基板とが対向配置されているとともに、素子基板と対向基板との間に液晶層が保持されている。このような液晶装置を反射型として構成するにあたっては、画素電極を光反射膜で形成した構成が提案されている。かかる構成の反射型液晶装置では、コンタクトホールを介して画素電極を下層側の中継電極に電気的に接続し、かかる中継電極を、コンタクトホールを介して画素スイッチング素子に電気的に接続した構造が採用されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−１４７４２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に開示の構成のように、光反射性を有する画素電極を、コンタクトホールを介して下層側に電気的に接続すると、画素電極の上面には、コンタクトホールに起因する凹凸が形成されてしまう。かかる凹凸部分も光反射性を備えているが、平坦でないため、反射特性が乱れている。このため、凹凸部分に入射した光については反射方向を制御できないので、特許文献１に記載の反射型液晶装置では、コントラストが低いなど、画像の品位が低い。
【０００４】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、コンタクトホールに起因して光反射性の凹凸部分が発生するのを防止して、コントラストなどといった表示特性の向上を図ることのできる反射型液晶装置、並びに当該反射型液晶装置を備えた投射型表示装置および電子機器を提供することにある。
【０００５】
また、本発明の次の課題は、光反射膜の間から入射した光によって画素スイッチング素子が誤動作を起こすことを防止可能な反射型液晶装置、並びに当該反射型液晶装置を備えた投射型表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、複数の画素の各々に画素スイッチング素子および画素電極を備えた素子基板と、該素子基板に所定の隙間を介して対向配置された対向基板とを有する反射型液晶装置において、前記素子基板上には、前記画素スイッチング素子の上層側に、少なくとも、第１層間絶縁膜と、該第１層間絶縁膜を貫通する第１コンタクトホールを介して前記画素スイッチング素子に各々電気的に接続されたデータ線および中継電極を構成する下層側光反射性膜と、第２層間絶縁膜と、上層側光反射膜とが順に積層されているとともに、前記画素電極は、前記上層側光反射膜の上層側で透光性導電膜により形成され、前記第１コンタクトホールは、平面視において前記上層側光反射膜と重なる位置に形成され、前記画素電極を前記中継電極に電気的に接続するために前記第２層間絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールは、平面視で前記上層側光反射膜からずれた位置に形成されているとともに、当該第２コンタクトホールに対して平面視で重なる位置には前記下層側光反射膜が形成されている。
【０００７】
本発明では、まず、画素電極と光反射膜とは別々に形成され、かつ、画素電極を中継電極に電気的に接続するために第２層間絶縁膜を貫通する第２コンタクトホールは、平面視で上層側光反射膜からずれた位置に形成されている。このため、上層側光反射膜については、コンタクトホールを介して下層側と電気的な接続を行なう必要がないので、上層側光反射膜には、コンタクトホールに起因する凹凸が形成されない。また、データ線や中継電極を構成する下層側光反射膜は、第１コンタクトホールを介して画素スイッチング素子に電気的に接続されているため、下層側光反射膜には、第１コンタクトホールに起因する光反射性の凹凸が形成されているが、かかる凹凸は上層側光反射膜で覆われているので、画像の品位を低下させることがない。さらに、第２コンタクトホールに対して下層側で重なる領域など、上層側光反射膜がない領域には下層側光反射膜が形成されているため、上層側光反射膜がない領域から入射した光が画素スイッチング素子に到達することがない。それ故、画素スイッチング素子では光電流に起因する誤動作が発生しない。
【０００８】
本発明において、前記上層側光反射膜と前記画素電極とが直接、接している構成の他、前記上層側光反射膜と前記画素電極との層間に第３層間絶縁膜が形成されている構成を採用することができる。前上層側光反射膜と前記画素電極との層間に第３層間絶縁膜が形成されている場合、前記第２コンタクトホールは、前記第３層間絶縁膜および前記第２層間絶縁膜を貫通していることになる。このように構成すると、第３層間絶縁膜の表面に平滑化処理を行なうことができ、かかる平滑化処理を行なえば、上層側光反射膜の有無に起因する凹凸が画素電極に形成されないので、表面が平坦な画素電極を形成することができる。
【０００９】
本発明において、前記上層側光反射膜は、前記複数の画素の各々に、隣接する上層側光反射膜同士が互いに独立した島状に形成され、隣接する前記上層側光反射膜の隙間と平面視で重なる領域には前記下層側光反射膜が形成されていることが好ましい。このような構成によれば、前記上層側光反射膜と前記画素電極とが直接、接している構成、および前記上層側光反射膜と前記画素電極との層間に第３層間絶縁膜が形成されている構成のいずれにも対応することができる。
【００１０】
本発明において、前記上層側光反射膜は、前記複数の画素の各々に、隣接する上層側光反射膜同士が一部で接続した島状に形成され、隣接する前記上層側光反射膜の隙間と平面視で重なる領域には前記下層側光反射膜が形成されていることが好ましい。このように構成すると、データ線との短絡を防止するという観点から、デー線の近傍に下層側光反射膜を形成できない領域があっても、かかる部分については、隣接する上層側光反射膜同士の接続部分によって、光反射性を付与することができる。
【００１１】
本発明において、前記上層側光反射膜は、前記複数の画素に跨るベタ領域として形成されていることが好ましい。このように構成すると、下層側光反射膜を形成できない領域があっても、かかる部分については、上層側光反射膜によって、光反射性を付与することができる。
【００１２】
本発明において、前記下層側光反射膜と前記第２層間絶縁膜との間に第４層間絶縁膜が形成されているとともに、当該第４層間絶縁膜と前記第２層間絶縁膜との層間には透光性電極が形成され、当該透光性電極は、前記第４層間絶縁膜に形成された第３コンタクトホールを介して前記中継電極に電気的に接続し、前記第２コンタクトホールは、前記第２層間絶縁膜を貫通して前記透光性電極に到達している構成を採用することができる。透光性電極であれば、その表面にコンタクトホールに起因する凹凸が発生しても、かかる凹凸は光反射性を備えていないので、表示の品位を妨げることがない。従って、透光性電極を用いれば、コンタクトホールの位置をある程度、任意の箇所に設定することができる。
【００１３】
本発明において、前記第２コンタクトホールは、前記第２層間絶縁膜を貫通して前記中継電極に到達していることが好ましい。すなわち、画素電極は、第２コンタクトホールを介して直接、中継電極に接続していることが好ましい。このように構成すると、素子基板に形成すべき絶縁膜や導電膜の数が少なくてよいので、生産性の向上を図ることができる。
【００１４】
本発明を適用した反射型液晶装置は投射型表示装置に用いることができ、かかる投射型表示装置は、当該反射型液晶装置に光を供給するための光源部と、前記反射型液晶装置によって光変調された光を被投射面に投射する投射光学系とを備えている。
【００１５】
本発明を適用した反射型液晶装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどといった電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスタを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００１７】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した反射型液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、反射型液晶装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線５ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての電界効果型トランジスタ３０、および後述する画素電極８ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線５ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のドレインには、画素電極８ａが電気的に接続されている。
【００１８】
素子基板１０において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線５ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線５ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１９】
各画素１００ａにおいて、画素電極８ａは、後述する対向基板に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量９０が付加されている。本形態では、保持容量９０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。
【００２０】
（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、反射型液晶装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂などからなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態においては、対向基板２０の側から入射した光を反射して再び、対向基板２０の側から出射する。このため、対向基板２０の支持基板２０ｄは透光性基板である。これに対して、素子基板１０では、支持基板１０ｄとして、ガラス基板、半導体基板、セラミック基板などを用いることができる。
【００２１】
素子基板１０において、シール材１０７の外側領域では、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００２２】
詳しくは後述するが、素子基板１０には、光反射性の画素電極８ａがマトリクス状に形成されている。これに対して、対向基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。また、対向基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜からなる共通電極２１が形成されている。なお、対向基板２０には画素電極８ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００２３】
このような反射型液晶装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機などといった電子機器においてカラー表示用の直視型装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、対向基板２０および素子基板１０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の向きに配置される。反射型液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各反射型液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。
【００２４】
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図４（ａ）、（ｂ）は各々、当該素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板１０に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。図５は、当該素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示し、上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。なお、図３（ａ）において、半導体層１ａは短くて細い点線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは一点鎖線で示し、データ線５ａおよびそれと同時形成された下層側光反射膜については太い実線で示し、透光性電極について二点鎖線で示し、上層側光反射膜については細い実線で示し、画素電極８ａについては長い点線で示してある。また、図３（ｂ）においては、配向膜の図示を省略してある。
【００２５】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０にはデータ線５ａと走査線３ａが交差するように延在し、走査線３ａと並列するように、容量線３ｂが延在している。また、素子基板１０では、データ線５ａと走査線３ａとの交差に対応するように、電界効果型トランジスタ３０、および島状の画素電極８ａが形成されており、１つの画素電極８ａに対して１つの画素１００ａが対応している。電界効果型トランジスタ３０において、半導体層１ａは、データ線５ａと重なるように延在した後、側方に屈曲している。半導体層１ａにおいてデータ線５ａと重なる部分と交差するように走査線３ａが延在しており、走査線３ａにおいて、半導体層１ａと重なる部分が電界効果型トランジスタ３０のゲート電極として機能する。
【００２６】
このように構成した素子基板１０のＡ−Ａ′断面は、図３（ｂ）に示すように表される。素子基板１０では、支持基板１０ｄの両面のうち、対向基板２０側に位置する面にシリコン酸化膜などからなる下地絶縁層４０が形成されているとともに、その上層側には、データ線５ａと走査線３ａが交差するように延びている。また、画素電極８ａと重なる位置にはＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、単結晶シリコン層や島状のポリシリコン膜からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｃ、ソース領域１ｂ、およびドレイン領域１ｄが形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、チャネル領域１ｃの両側に低濃度領域を備えたＬＤＤ構造を有するように構成される場合もある。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなるゲート絶縁層２が形成されており、かかるゲート絶縁層２は熱酸化法やＣＶＤ法により形成される。ゲート絶縁層２の表面に、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。また、半導体層１ａにおけるドレイン領域１ｄからの延設部分１ｆには、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量９０が形成されている。
【００２７】
電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１と、データ線５ａおよび中継電極５ｂ（ドレイン電極）などを構成する下層側光反射性膜と、シリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４２と、上層側光反射膜７ａとが順に積層されている。画素電極８ａは、上層側光反射膜７ａの上層でＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの透光性導電膜により形成され、その表面には配向膜（図示せず）が形成されている。本形態では、上層側光反射膜７ａと画素電極８ａとの層間に、シリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。さらに、データ線５ａや中継電極５ｂなどの下層側光反射性膜と、第２層間絶縁膜４２との層間には、シリコン酸化膜などからなる第４層間絶縁膜４４が形成されており、第４層間絶縁膜４４と第２層間絶縁膜４２との層間には、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などからなる透光性電極６ａが形成されている。本形態において、データ線５ａおよび中継電極５ｂなどを構成する下層側光反射性膜は、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなり、上層側光反射膜７ａも、アルミニウム単体膜、アルミニウム合金膜、銀単体膜、銀合金膜、あるいはそれらの積層膜からなる。
【００２８】
このように構成した素子基板１０において、まず、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）に示すように、データ線５ａおよび中継電極５ｂは各々、第１層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂを介して電界効果型トランジスタ３０のソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｄに接続している。ここで、第１層間絶縁膜４１は、表面がＣＰＭ処理などによって平坦化されている。このため、データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面は、略全体が平坦であるが、データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面には、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００２９】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、透光性電極６は、中継電極５ｂと部分的に重なる領域から走査線３ａと並列するように延在しており、第４層間絶縁膜４４を貫通する第３コンタクトホール４４ａを介して中継電極５ｂに接続している。ここで、第４層間絶縁膜４４は、表面がＣＰＭ処理などによって平坦化されている。このため、透光性電極６ａの表面は、略全体が平坦であるが、透光性電極６ａの表面には、第３コンタクトホール４４ａに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００３０】
図３（ａ）、（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、上層側光反射膜７ａは、第２層間絶縁膜４２の上層で複数の画素１００ａ毎に独立して島状に形成されており、隣接する上層側光反射膜７ａの間には隙間が形成されている。また、上層側光反射膜７ａは、画素領域１００ａ内の略全体にベタ領域として形成されており、平面視で第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに重なっている。但し、上層側光反射膜７ａには、中継電極５ｂの端部に対して平面視で重なる部分に矩形の切り欠き７ｃが形成されている。ここで、第２層間絶縁膜４２は、表面がＣＰＭ処理などによって平坦化されている。しかも、上層側光反射膜７ａは、コンタクトホールを介して下層側と接続された構造になっていない。このため、上層側光反射膜７ａの表面は全体が平坦である。
【００３１】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極８ａは、第３層間絶縁膜４３の上層で、平面視で上層側光反射膜７ａと略重なる領域に形成されているが、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃと平面視で重なる領域にも形成されている。本形態では、上層側光反射膜７ａが切り欠き７ｃになっている部分を利用して、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続する。すなわち、第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３には、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａが形成されており、かかる第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに相当する部分に形成されている。このため、第２コンタクトホール４２ａは、平面視で上層側光反射膜７ａの形成領域からずれている。ここで、第３層間絶縁膜４３は、表面がＣＰＭ処理などによって平坦化されている。このため、画素電極８ａの表面は、略全体が平坦であるが、画素電極８ａの表面には、第２コンタクトホール４２ａに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００３２】
さらに、本形態では、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）に示すように、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と平面視で重なる領域に沿っては、データ線５ａや中継電極５ｂなどを構成する下層側光反射膜からなる反射膜パターン５ｃが形成されている。また、反射膜パターン５ｃは、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と重なる帯状領域から側方に突出して、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに平面視で重なる突出部５ｄを備えている。このため、本形態では、第２コンタクトホール４２ａに対して平面視で重なる領域に反射膜パターン５ｃの突出部５ｄが位置している。
【００３３】
なお、反射膜パターン５ｃは、データ線５ａや中継電極５ｂと同一層間に形成されており、データ線５ａや中継電極５ｂと接すると短絡が発生する。このため、反射膜パターン５ｃは、データ線５ａとの間にはわずかな隙間５ｘを隔てている。従って、上層側光反射膜７ａが形成されていない領域であっても、隙間５ｘに相当する部分では、反射膜パターン５ｃやデータ線５ａなどといった下層側光反射膜が形成されていない。
【００３４】
（本形態の主な効果）
このように構成した反射型液晶装置１００では、図５に示すように、上層側光反射膜７ａの形成領域と、下層側光反射膜（データ線５ａ、中継電極５ｂおよび反射膜パターン５ｃ）の形成領域とを重ねると、データ線５ａ近傍の隙間５ｘを除く略全面に光反射膜（上層側光反射膜７ａまたは／および下層側光反射膜）が形成されている。このため、図３（ｂ）に矢印Ｌ０で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａに向かう光は、上層側光反射膜７ａで反射して表示に寄与する。また、図３（ｂ）に矢印Ｌ１で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに向かった光は、反射膜パターン５ｃ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。さらに、図３（ｂ）に矢印Ｌ２で示すように、対向基板２０の側から入射して、画素電極８ａの第２コンタクトホール４２ａに相当する部分を透過した光は、反射膜パターン５ｃ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。
【００３５】
ここで、画素電極８ａと光反射膜とは別々に形成され、かつ、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａは、平面視で上層側光反射膜７ａからずれた位置に形成されている。このため、上層側光反射膜７ａについては、コンタクトホールを介して下層側と電気的な接続を行なう必要がないので、上層側光反射膜７ａには、コンタクトホールに起因する凹凸が形成されない。また、データ線５ａや中継電極５ｂを構成する下層側光反射膜は、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂを介して電界効果型トランジスタ３０に電気的に接続されているため、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに起因する光反射性の凹凸が形成されているが、かかる凹凸は上層側光反射膜７ａで覆われている。また、画素電極８ａの表面には第２コンタクトホール４２ａに起因する凹凸が発生しているが、かかる凹凸は光反射性を有していない。また、透光性電極６ａの表面には第３コンタクトホール４４ａに起因する凹凸が発生しているが、かかる凹凸は光反射性を有しておらず、かつ、上層側光反射膜７ａで覆われている。このため、本形態によれば、対向基板２０の側から入射した光を反射させるような凹凸が一切ないため、反射方向を好適に制御できるので、コントラストが高いなど、画像の品位が高い。
【００３６】
また、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と重なる領域に反射膜パターン５ｃが形成されている。従って、図３（ｂ）に矢印Ｌ５で示すように、隣接する画素電極８ａの隙間、および隣接する上層側光反射膜７ａの隙間を通り抜けた光は、反射膜パターン５ｃで反射するため、かかる光が、反射を繰り返して電界効果型トランジスタ３０に入射することがない。それ故、光電流に起因する電界効果型トランジスタ３０の誤動作が発生しない。
【００３７】
［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図７（ａ）、（ｂ）は各々、当該素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および当該素子基板１０に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。図８は、当該素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示し、上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００３８】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態で用いた素子基板１０でも、実施の形態１同様、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁４１と、データ線５ａおよび中継電極５ｂなどを構成する下層側光反射性膜と、第４層間絶縁膜４４、透光性電極６ａと、第２層間絶縁膜４２と、上層側光反射膜７ａと、透光性の画素電極８ａとが順に形成されている。
【００３９】
図６（ａ）、（ｂ）および図７（ａ）に示すように、データ線５ａおよび中継電極５ｂは各々、第１層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂを介して電界効果型トランジスタ３０のソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｄに接続している。データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面は、略全体が平坦であるが、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００４０】
図６（ａ）、（ｂ）および図７（ｂ）に示すように、本形態において、上層側光反射膜７ａは、第２層間絶縁膜４２の上層で複数の画素１００ａに跨ってベタ状に形成されている。但し、上層側光反射膜７ａには、中継電極５ｂとの平面視で重なる部分に矩形の切り欠き７ｃが形成されている。上層側光反射膜７ａは、コンタクトホールを介して下層側と接続された構造になっていないため、上層側光反射膜７ａの表面は全体が平坦である。
【００４１】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極８ａは、第３層間絶縁膜４３の上層に島状に形成され、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃと平面視で重なる領域にも形成されている。第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３には、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａが形成されている。かかる第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに相当する部分に形成されており、平面視において上層側光反射膜７ａの形成領域からずれている。画素電極８ａの表面は、略全体が平坦であるが、画素電極８ａの表面には、第２コンタクトホール４２ａに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００４２】
本形態では、上層側光反射膜７ａがベタ状に形成されており、隣接する画素間に隙間がない。このため、第１層間絶縁膜４１と第４層間絶縁膜４４との層間には、下層側光反射膜として、データ線５ａや中継電極５ｂの他には、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに平面視で重なる領域のみに反射膜パターン５ｃが形成されている。その他の構成は、実施の形態１と同等であるため、説明を省略する。
【００４３】
このように構成した反射型液晶装置１００では、図８に示すように、上層側光反射膜７ａの形成領域と、下層側光反射膜（データ線５ａ、中継電極５ｂおよび反射膜パターン５ｃ）の形成領域とを重ねると、データ線５ａ近傍を含めて、全面に光反射膜が形成されている。このため、図６（ｂ）に矢印Ｌ０で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａに向かう光は、上層側光反射膜７ａで反射して表示に寄与する。また、図６（ｂ）に矢印Ｌ１で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに向かった光は、反射膜パターン５ｃ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。さらに、図６（ｂ）に矢印Ｌ２で示すように、対向基板２０の側から入射して、画素電極８ａの第２コンタクトホール４２ａに相当する部分を透過した光は、反射膜パターン５ｃで反射して表示に寄与する。
【００４４】
ここで、画素電極８ａと光反射膜とは別々に形成され、かつ、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａは、平面視で上層側光反射膜７ａからずれた位置に形成されている。このため、上層側光反射膜７ａについては、コンタクトホールを介して下層側と電気的な接続を行なう必要がないので、上層側光反射膜７ａには、コンタクトホールに起因する凹凸が形成されない。また、データ線５ａや中継電極５ｂには、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに起因する光反射性の凹凸が形成されているが、かかる凹凸は上層側光反射膜７ａで覆われている。また、画素電極８ａの表面には第２コンタクトホール４２ａに起因する凹凸が発生しているが、かかる凹凸は光反射性を有していない。また、透光性電極６ａの表面には第３コンタクトホール４４ａに起因する凹凸が発生しているが、かかる凹凸は光反射性を有しておらず、かつ、上層側光反射膜７ａで覆われている。このため、本形態によれば、対向基板２０の側から入射した光を反射させるような凹凸が一切ないため、反射方向を好適に制御できるので、コントラストが高いなど、画像の品位が高い。
【００４５】
また、上層側光反射膜７ａが複数の画素１００ａに跨るようにベタ状に形成され、その切り欠き７ｃと重なる領域には反射膜パターン５ｃが形成されている。このため、図６（ｂ）に矢印Ｌ５で示すように、隣接する画素電極８ａの隙間を通り抜けた光は、上層側光反射膜７ａで反射するため、かかる光が、電界効果型トランジスタ３０に入射することがない。また、実施の形態１と違って、データ線５ａ近傍を含めて、全面に光反射膜が形成されている。従って、電界効果型トランジスタ３０に向けての光の侵入が一切ないので、光電流に起因する電界効果型トランジスタ３０の誤動作が発生しない。
【００４６】
［実施の形態３］
図９（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図１０（ａ）、（ｂ）は各々、当該素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板１０に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００４７】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態でも、実施の形態１、２と同様、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１と、データ線５ａおよび中継電極５ｂなどを構成する下層側光反射性膜と、シリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４２と、上層側光反射膜７ａとが順に積層されている。画素電極８ａは、上層側光反射膜７ａの上層でＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの透光性導電膜により形成されている。また、上層側光反射膜７ａと画素電極８ａとの層間には、シリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００４８】
本形態では、実施の形態１、２と違って、データ線５ａや中継電極５ｂなどの下層側光反射性膜と、第２層間絶縁膜４２との層間に第４層間絶縁膜が形成されておらず、第４層間絶縁膜と第２層間絶縁膜４２との層間に透光性電極も形成されていない。
【００４９】
図９（ａ）、（ｂ）および図１０（ａ）に示すように、データ線５ａおよび中継電極５ｂは各々、第１層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂを介して電界効果型トランジスタ３０のソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｄに接続している。また、中継電極５ｂは、第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３を貫通する第２コンタクトホール４２ａの形成位置まで延在している。データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面は、略全体が平坦であるが、データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面には、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００５０】
図９（ａ）、（ｂ）および図１０（ｂ）に示すように、上層側光反射膜７ａは、第２層間絶縁膜４２の上層で複数の画素１００ａ毎に独立して島状に形成されており、隣接する上層側光反射膜７ａの間には隙間が形成されている。また、上層側光反射膜７ａは、画素領域１００ａ内の略全体にベタ領域として形成され、平面視で第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに重なっている。但し、上層側光反射膜７ａには、第２コンタクトホール４２ａの形成位置に矩形の切り欠き７ｃが形成されている。このように構成した上層側光反射膜７ａは、コンタクトホールを介して下層側と接続された構造になっていないため、上層側光反射膜７ａの表面は全体が平坦である。
【００５１】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極８ａは、第３層間絶縁膜４２の上層に島状に形成され、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃと平面視で重なる領域にも形成されている。第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３には、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａが形成されている。かかる第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに相当する部分に形成されており、平面視において上層側光反射膜７ａの形成領域からずれている。画素電極８ａの表面は、略全体が平坦であるが、画素電極８ａの表面には、第２コンタクトホール４２ａに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００５２】
さらに、本形態では、図９（ａ）、（ｂ）および図１０（ａ）に示すように、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と平面視で重なる領域に沿っては、データ線５ａや中継電極５ｂなどを構成する下層側光反射膜からなる反射膜パターン５ｃが形成されている。但し、実施の形態１と違って、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに平面視で重なる領域には中継電極５ｂが形成されている。
【００５３】
なお、反射膜パターン５ｃは、データ線５ａや中継電極５ｂと同一層間に形成されており、データ線５ａや中継電極５ｂと接すると短絡が発生するため、反射膜パターン５ｃは、上層側光反射膜７ａの隙間と重なる領域であっても、データ線５ａとの間にはわずかな隙間５ｘを隔てている。
【００５４】
このように構成した反射型液晶装置１００でも、実施の形態１で図５に参照して説明したのと同様、上層側光反射膜７ａの形成領域と、下層側光反射膜（データ線５ａ、中継電極５ｂおよび反射膜パターン５ｃ）の形成領域とを重ねると、データ線５ａ近傍の隙間５ｘを除く略全面に光反射膜が形成されている。このため、図９（ｂ）に矢印Ｌ０で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａに向かう光は、上層側光反射膜７ａで反射して表示に寄与する。また、図９（ｂ）に矢印Ｌ１で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに向かった光は、中継電極５ｂ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。さらに、図９（ｂ）に矢印Ｌ２で示すように、対向基板２０の側から入射して、画素電極８ａの第２コンタクトホール４２ａに相当する部分を透過した光は、中継電極５ｂ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。
【００５５】
また、実施の形態１、２と同様、素子基板１０には、対向基板２０の側から入射した光を反射させるような凹凸が一切ないため、反射方向を好適に制御できるので、コントラストが高いなど、画像の品位が高い。
【００５６】
また、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と重なる領域に反射膜パターン５ｃが形成されているため、図３（ｂ）に矢印Ｌ５で示すように、隣接する画素電極８ａの隙間、および隣接する上層側光反射膜７ａの隙間を通り抜けた光は、反射膜パターン５ｃで反射するため、かかる光が、反射を繰り返して、電界効果型トランジスタ３０に入射することがない。このため、光電流に起因する電界効果型トランジスタ３０の誤動作が発生しない。
【００５７】
さらに、実施の形態１、２と比較して、データ線５ａや中継電極５ｂなどの下層側光反射性膜と第２層間絶縁膜４２との層間に第４層間絶縁膜が形成されておらず、第４層間絶縁膜と第２層間絶縁膜４２との層間に透光性電極も形成されていないので、成膜回数やエッチング工程数を減らすことができる分、生産性を向上することができる。
【００５８】
［実施の形態４］
図１１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態４に係る反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。図１１（ａ）、（ｂ）は各々、当該素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板１０に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１〜３と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００５９】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態でも、実施の形態１〜３と同様、電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１と、データ線５ａおよび中継電極５ｂなどを構成する下層側光反射性膜と、シリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４２と、上層側光反射膜７ａとが順に積層されている。画素電極８ａは、上層側光反射膜７ａの上層でＩＴＯ膜やＩＺＯ膜などの透光性導電膜により形成されている。また、上層側光反射膜７ａと画素電極８ａとの層間には、シリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００６０】
本形態では、実施の形態１、２と違って、データ線５ａや中継電極５ｂなどの下層側光反射性膜と、第２層間絶縁膜４２との層間に第４層間絶縁膜が形成されておらず、第４層間絶縁膜と第２層間絶縁膜４２との層間に透光性電極も形成されていない。
【００６１】
図１１（ａ）、（ｂ）および図１２（ａ）に示すように、データ線５ａおよび中継電極５ｂは各々、第１層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通する第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂを介して電界効果型トランジスタ３０のソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｄに接続している。また、中継電極５ｂは、第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３を貫通する第２コンタクトホール４２ａの形成位置まで延在している。データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面は、略全体が平坦であるが、データ線５ａおよび中継電極５ｂの表面には、第１コンタクトホール４１ａ、４１ｂに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００６２】
図１１（ａ）、（ｂ）および図１２（ｂ）に示すように、上層側光反射膜７ａは、実施の形態２と同様、第２層間絶縁膜４２の上層で複数の画素１００ａに跨ってベタ状に形成されている。但し、上層側光反射膜７ａには、中継電極５ｂとの平面視で重なる部分に矩形の切り欠き７ｃが形成されている。このように構成した上層側光反射膜７ａは、コンタクトホールを介して下層側と接続された構造になっていないため、上層側光反射膜７ａの表面は全体が平坦である。
【００６３】
図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極８ａは、第３層間絶縁膜４２の上層に島状に形成され、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃと平面視で重なる領域にも形成されている。第２層間絶縁膜４２および第３層間絶縁膜４３には、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａが形成されている。かかる第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに相当する部分に形成されており、平面視において上層側光反射膜７ａの形成領域からずれている。ここで、画素電極８ａの表面は、略全体が平坦であるが、画素電極８ａの表面には、第２コンタクトホール４２ａに起因する凹凸（図示せず）が発生している。
【００６４】
なお、本形態では、実施の形態１〜３と違って、図１１（ａ）、（ｂ）および図１２（ａ）に示すように、下層側光反射膜としてはデータ線５ａおよび中継電極５ｂのみが形成されている。
【００６５】
このように構成した反射型液晶装置１００でも、実施の形態２で図８に参照して説明したのと同様、上層側光反射膜７ａの形成領域と、下層側光反射膜（データ線５ａ、中継電極５ｂおよび反射膜パターン５ｃ）の形成領域とを重ねると、データ線５ａ近傍も含めて、全面に光反射膜が形成されている。このため、図１１（ｂ）に矢印Ｌ０で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａに向かう光は、上層側光反射膜７ａで反射して表示に寄与する。また、図１１（ｂ）に矢印Ｌ１で示すように、対向基板２０の側から入射して画素電極８ａを透過した後、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに向かった光は、中継電極５ｂ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。さらに、図１１（ｂ）に矢印Ｌ２で示すように、対向基板２０の側から入射して、画素電極８ａの第２コンタクトホール４２ａに相当する部分を透過した光は、中継電極５ｂ（下層側光反射膜）で反射して表示に寄与する。
【００６６】
また、実施の形態１、２と同様、素子基板１０には、対向基板２０の側から入射した光を反射させるような凹凸が一切ないため、反射方向を好適に制御できるので、コントラストが高いなど、画像の品位が高い。
【００６７】
また、隣接する画素電極８ａの隙間の全てに上層側光反射膜７ａが形成されているため、図１１（ｂ）に矢印Ｌ５で示すように、隣接する画素電極８ａの隙間を通り抜けた光は、上層側光反射膜７ａで反射するため、かかる光が、電界効果型トランジスタ３０に入射することがない。また、実施の形態１、３と違って、データ線５ａ近傍を含めて、全面に光反射膜が形成されている。従って、電界効果型トランジスタ３０に向けての光の侵入が一切ないので、光電流に起因する電界効果型トランジスタ３０の誤動作が発生しない。
【００６８】
さらに、実施の形態１、２と比較して、データ線５ａや中継電極５ｂなどの下層側光反射性膜と第２層間絶縁膜４２との層間に第４層間絶縁膜が形成されておらず、第４層間絶縁膜と第２層間絶縁膜４２との層間に透光性電極も形成されていないので、成膜回数やエッチング工程数を減らすことができる分、生産性を向上することができる。
【００６９】
［実施の形態１、３の改良例１］
図１３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の改良例１に係る反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において、素子基板１０に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板１０に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７０】
実施の形態１では、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と重なる領域であっても、反射膜パターン５ｃとデータ線５ａとの間にはわずかな隙間５ｘが発生しており、かかる隙間５ｘから光が侵入するおそれがあったが、本形態では、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、反射膜パターン５ｃとデータ線５ａとの間にはわずかな隙間５ｘが存在するが、隣接する上層側光反射膜７ａは、隣接する上層側光反射膜同士が一部で接続した島状に形成されており、かかる上層側光反射膜７ａの接続部分７ｄは、平面視で隙間５ｘと重なる部分に位置する。このため、隣接する上層側光反射膜７ａの隙間と重なる領域に下層側光反射膜の隙間５ｘが発生していても、かかる隙間５ｘから光が侵入するおそれがない。かかる構成は実施の形態３に適用することもできる。
【００７１】
［実施の形態１、３の改良例２］
図１４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の改良例２に係る反射型液晶装置１００に用いた素子基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板１０を切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７２】
実施の形態１〜３では、上層側光反射膜７ａと画素電極８ａとの層間に第３層間絶縁膜を形成したが、実施の形態１、２のように、上層側光反射膜７ａが複数の画素１００ａで独立して島状に形成されている場合、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、上層側光反射膜７ａの上に直接、画素電極８ａを形成してもよい。この場合、画素電極８ａを中継電極５ｂに電気的に接続するための第２コンタクトホール４２ａは第２層間絶縁膜４２のみを貫通するように形成される。このような場合も、第２コンタクトホール４２ａは、上層側光反射膜７ａの切り欠き７ｃに相当する部分に形成すれば、平面視において上層側光反射膜７ａの形成領域からずれ他領域に位置することになる。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。このように構成すると、第３層間絶縁膜を形成する必要がないので、成膜回数減らすことができる分、生産性を向上することができる。かかる構成は実施の形態３に適用することもできる。
【００７３】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型液晶装置１００は、図１５（ａ）に示す投射型表示装置や（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図５（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００７４】
図１５（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型液晶装置１００（反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する。
【００７５】
また、図１５（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての反射型液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、反射型液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図１５（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての反射型液晶装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が反射型液晶装置１００に表示される。
【００７６】
さらに、対向基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な反射型液晶装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した反射型液晶装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明を適用した反射型液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示し、上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示し、上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る反射型液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態４に係る反射型液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態４に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図１３】本発明の実施の形態１の改良例１に係る反射型液晶装置において、素子基板に対する下層側光反射膜の形成領域を右上がりの斜線を付した領域で示す説明図、および素子基板に対する上層側光反射膜の形成領域を右下がりの斜線を付した領域で示す説明図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態１の改良例２に係る反射型液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で素子基板を切断したときの断面図である。
【図１５】本発明を適用した反射型液晶装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
５ａ・・データ線（下層側光反射膜）、５ｂ・・中継電極（下層側光反射膜）、５ｃ・・反射膜パターン（下層側光反射膜）、６ａ・・透光性電極、７ａ・・上層側光反射膜、７ｃ・・上層側光反射膜の切り欠き、８ａ・・画素電極、１０・・素子基板、３０・・電界効果型トランジスタ（画素スイッチング素子）、４１・・第１層間絶縁膜、４１ａ、４１ｂ・・第１コンタクトホール、４２・・第２層間絶縁膜、４２ａ・・第２コンタクトホール、４３・・第３層間絶縁膜、４４・・第４層間絶縁膜、４４ａ・・第３コンタクトホール、５０・・液晶、１００・・反射型液晶装置、１００ａ・・画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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