(57)【要約】【課題】分散安定性に優れ、安定したＥＵＶ発光が得られ、極端紫外光発生装置のモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるＥＵＶ発光を抑制でき、かつ、デブリの発生を抑制できる極端紫外光発生装置用ターゲット材料およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散してなることを特徴とする。本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を２質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により前記濃縮液を希釈することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散してなることを特徴とする極端紫外光発生装置用ターゲット材料。
【請求項２】
前記錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を０．１質量部以上かつ２質量部以下含有してなることを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光発生装置用ターゲット材料。
【請求項３】
前記分散媒１００質量部に対して、前記錫微粒子を０．１質量部以上かつ１０質量部以下含有してなることを特徴とする請求項１または２に記載の極端紫外光発生装置用ターゲット材料。
【請求項４】
前記分散媒に含まれる水の量が、前記分散媒１００質量部に対して２０質量部以下であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の極端紫外光発生装置用ターゲット材料。
【請求項５】
前記有機溶媒は、炭素数が３以下のアルコールの群から選択される１種または２種以上であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の極端紫外光発生装置用ターゲット材料。
【請求項６】
平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を２質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により前記濃縮液を希釈することを特徴とする極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法。
【請求項７】
前記濃縮液の錫微粒子の含有率を、２０質量％以上かつ６５質量％以下とすることを特徴とする請求項６に記載の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長約１３．５ｎｍの極端紫外光を発生させるＥＵＶ光源装置に用いられる極端紫外光発生装置用ターゲット材料およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、錫粒子を有機溶媒に分散してなる分散液からなる極端紫外光発生装置用ターゲット材料およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
次世代半導体リソグラフィーの露光用光源として、波長１３．５ｎｍの極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＥＵＶ）を用いた光源の研究が行われている。
ＥＵＶは、ターゲットと呼ばれる媒質にレーザー光を照射してプラズマを生成し、プラズマの生成により発生した光を、モリブデンとシリコンからなる多層膜反射鏡で反射させることによって得られる。
このターゲットとしては、リチウム、キセノン、錫などの元素が利用可能である。
【０００３】
ここで、それぞれの元素の特徴を以下に示す。
リチウムは、反応性が高いため、プラズマが発生する装置内の壁などが反応により変質するおそれや、腐食するおそれがある。そのため、装置に特殊な加工を施す必要があり、リチウムの利用についてはあまり検討されていない。
キセノンは、常温で気体であるため、装置内をデブリで汚すことが少なく、光学素子への負担が少ない。そのため、キセノンの利用については盛んに研究されてきた。しかし、キセノンのＥＵＶ発光スペクトルは、波長１１ｎｍ付近にピークを有する。そのため、キセノンの波長１３．５ｎｍにおけるＥＵＶ発光は、波長１１ｎｍ付近における発光と比較して相対的に発光強度が低下するので、ＥＵＶ光変換効率が低く、産業上求められる変換効率を達成できないという問題がある。
【０００４】
錫は、常温で固体であるため、固体の錫にレーザー光を照射すると、大量のデブリが発生し、このデブリが光学素子に衝突することにより、光学素子の寿命を短くするという問題があった。しかし、錫のＥＵＶ発光は、波長１３．５ｎｍ付近で発光強度が高いので、ＥＵＶ光変換効率も高い。そのため、近年、錫を用いたＥＵＶ光源装置が注目されており、デブリが光学系に到達する前に除去する技術、常温での気体の水素化錫（ＳｎＨ４：モノスタナン）を用いる技術、加熱溶融錫の液滴を用いる技術など種々の検討がなされている。しかし、これらの技術では、デブリ発生の問題や、装置内の壁などが変質する問題が解決されていない。
【０００５】
このような中で、錫または錫含有化合物の微粒子を分散した液体は、ＥＵＶ光源装置のターゲットとしての錫の密度を下げることができるため、プラズマ化しない余分な錫を大幅に減らすことができる。その結果、デブリを大幅に減らすことができるため、この液体は有望視されている。
錫または錫含有化合物の微粒子を分散した液体を用いた技術としては、レーザーを物質に照射して得られるプラズマから輻射線を発生させるレーザープラズマ発生方法において、直径１μｍ以下の錫または酸化錫、あるいは、その他の錫含有物質の微粒子が、液体窒素、水または有機溶媒に混合された微粒子混合流体を用いることが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
また、極端紫外光の光源において不溶性微粒子を分散媒に混入し、液滴供給を行う液滴微粒子供給装置において、直径２μｍ以下の錫または錫化合物が、水またはアルコールに分散された懸濁液を用いることが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
さらに、液体ターゲットに、第１レーザー光と第２レーザー光とからなるレーザー光を照射することにより、極端紫外光を発生させる極端紫外光発生方法において、平均粒子径５ｎｍの酸化錫微粒子の水分散液を用いることが開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００４−２８８５１７号公報
【特許文献２】特開２００７−５９３７３号公報
【特許文献３】特開２００７−１２９０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、錫微粒子は分散媒中における分散安定性が悪いので、錫微粒子の沈降を防ぐために、各種装置に設けられ、錫微粒子分散液を貯蔵している貯蔵タンクでは、絶えず攪拌や超音波照射などを行い、分散液の均一性を高める必要があった。そのため、装置が大型化するという問題があった。また、細い管内において、分散液中の錫微粒子の沈降を完全に防ぐことは困難であるため、ノズル先端などで目詰まりを引き起こすという問題があった。さらに、錫微粒子の凝集体の粒径が大きいと、プラズマ化されずに残存する錫微粒子があり、この残存した錫微粒子がデブリの原因となっていた。特に、酸化錫を用いる場合、その酸素が高速イオンとなり、デブリの原因となることがあった。また、酸素からも不必要な波長のＥＵＶが発光され、この発光が、１３．５ｎｍのＥＵＶを集光、反射するモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるという問題があった。
【０００７】
また、分散媒が水の場合、水は揮発性が低いため、レーザー光の照射前に蒸発し切らなかった水が、酸化錫に含まれる酸素と同様な問題を引き起こすことがあった。
そこで、水を含まない錫微粒子分散液を調製する方法として、有機溶媒中で錫微粒子を生成する方法、水中で生成した錫微粒子を乾燥して粉末を得た後、この粉末を有機溶剤に再分散する方法などが検討されている。
しかし、有機溶媒中で錫微粒子を生成する方法では、分散性の良い分散液を大量に調製する有効な手段がないという問題があった。
また、乾燥した錫微粒子を有機溶媒に再分散する方法では、大量の分散剤により錫微粒子を被覆しておかないと、乾燥時に錫微粒子が凝集し、再分散できないが、一方では、分散剤を大量に使用すると、デブリが発生する原因となるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、分散安定性に優れ、安定したＥＵＶ発光が得られ、極端紫外光発生装置のモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるＥＵＶ発光を抑制でき、かつ、デブリの発生を抑制できる極端紫外光発生装置用ターゲット材料およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、平均粒子径２００ｎｍ以下の錫微粒子の水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒によりこの濃縮液を希釈して錫微粒子分散液を調製することにより、分散安定性に優れ、安定したＥＵＶ発光を可能とするターゲット材料が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散してなることを特徴とする。
【００１１】
前記錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を０．１質量部以上かつ２質量部以下含有してなることが好ましい。
前記分散媒１００質量部に対して、前記錫微粒子を０．１質量部以上かつ１０質量部以下含有してなることが好ましい。
前記分散媒に含まれる水の量が、前記分散媒１００質量部に対して２０質量部以下であることが好ましい。
前記有機溶媒は、炭素数が３以下のアルコールの群から選択される１種または２種以上であることが好ましい。
【００１２】
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を２質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により前記濃縮液を希釈することを特徴とする。
【００１３】
前記濃縮液の錫微粒子の含有率を、２０質量％以上かつ６５質量％以下とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料によれば、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散したので、このターゲット材料は分散安定性に優れ、極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内にて分散均一性を保つために、攪拌や超音波照射などを行わなくても、分散均一性が保たれ、錫微粒子の沈降や噴出ノズルの目詰まりを発生させることもなく、安定したＥＵＶ発光が得られる。また、このターゲット材料は、水分含有量を極力低減したので、極端紫外光発生装置のモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるＥＵＶ発光を抑制できる。また、このターゲット材料に含まれる錫微粒子は平均粒子径が小さいので、レーザー光を照射してもプラズマ化されずに、装置内に残留する錫微粒子が発生せず、デブリの発生を抑制できる。さらに、このターゲット材料に含まれる分散剤の量も少ないので、この分散剤に起因するデブリの発生も抑制できる。
【００１５】
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法によれば、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を２質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により前記濃縮液を希釈するので、得られたターゲット材料は分散安定性に優れ、極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内にて分散均一性を保つために、攪拌や超音波照射などを行わなくても、分散均一性が保たれ、錫微粒子の沈降や噴出ノズルの目詰まりを発生させることもなく、安定したＥＵＶ発光が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料およびその製造方法の最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００１７】
「極端紫外光発生装置用ターゲット材料」
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散した分散液である。
錫微粒子の平均粒子径は、１００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍである。
錫微粒子の平均粒子径を２００ｎｍ以下と限定した理由は、平均粒子径が２００ｎｍを超えると、有機溶媒中のほとんど全ての錫微粒子が凝集し、分散状態を保てないからである。
【００１８】
このターゲット材料は、錫微粒子の含有率が０．１質量％以上かつ１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．５質量％以上かつ５質量％以下である。
錫微粒子の含有率が０．１質量％以上かつ１０質量％以下であることが好ましい理由は、錫微粒子の含有率が０．１質量％未満では、このターゲット材料を極端紫外光発生装置に適用した場合、十分かつ安定したＥＵＶ発光が得られないからであり、一方、錫微粒子の含有率が１０質量％を超えると、プラズマ化されずにデブリの原因となる錫の量が増加するからである。
【００１９】
また、このターゲット材料は、錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を０．１質量部以上かつ２質量部以下含有することが好ましく、より好ましくは０．２質量部以上かつ１質量部以下である。
錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を０．１質量部以上かつ２質量部以下含有することが好ましい理由は、分散剤が０．１質量部未満では、有機溶媒中に錫微粒子が均一に分散しないからであり、一方、分散剤が２質量部を超えると、このターゲット材料を極端紫外光発生装置に適用した場合、デブリが発生する原因となるからである。
【００２０】
さらに、このターゲット材料は、分散媒１００質量部に対して錫微粒子を０．１質量部以上かつ１０質量部以下含有することが好ましい。
また、ターゲット材料は、分散媒が水を含む場合、その水の含有量が分散媒１００質量部に対して２０質量部以下であることが好ましく、より好ましくは分散媒１００質量部に対して１０質量部以下かつ錫微粒子１００質量部に対して１００質量部以下である。
水の含有量が分散媒１００質量部に対して２０質量部以下であることが好ましい理由は、水を含むターゲット材料を極端紫外光発生装置に適用した場合、水に起因する不必要な波長のＥＵＶが発光され、この発光が、１３．５ｎｍのＥＵＶを集光、反射するモリブデン／シリコン多層膜反射鏡を加熱するおそれがあるため、水は少なければ少ないほど好ましい。
一方、ターゲット材料となる分散液の製造方法を考えたとき、錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により濃縮液を希釈する方法では、濃縮液における錫微粒子濃度が６５質量％以上になると錫微粒子の分散性に悪影響を及ぼし、ある程度の水が含有されることは避けられない。また、錫微粒子水分散液に、水と混和する有機溶媒での希釈と、ロータリーエバポレーターなどでの濃縮を繰り返すことにより、水の含有量を低減する製造方法も有効である。
【００２１】
有機溶媒としては、安価で、危険性が少なく、水と相溶し、かつ、揮発性が水と同等以上のものの群から選択される１種または２種以上が用いられる。このような有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ブタノールなどのアルコール類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類などが挙げられるが、これらの中でも、炭素数が３以下のアルコールの群、すなわち、メタノール、エタノールまたは１−プロパノールの群から選択される１種または２種以上が好適に用いられる。
炭素数が３以下のアルコールの群から選択される１種または２種以上が好ましい理由は、ターゲット材料を攪拌することなく、長時間放置しても、有機溶媒中の錫微粒子が凝集することなく、分散安定性に優れているからである。
【００２２】
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料によれば、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散したので、このターゲット材料は分散安定性に優れ、極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内にて分散均一性を保つために、攪拌や超音波照射などを行わなくても、分散均一性が保たれ、錫微粒子の沈降や噴出ノズルの目詰まりを発生させることもなく、安定したＥＵＶ発光が得られる。また、このターゲット材料は、水分含有量を極力低減したので、極端紫外光発生装置のモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるＥＵＶ発光を抑制できる。また、このターゲット材料に含まれる錫微粒子は平均粒子径が小さいので、レーザー光を照射してもプラズマ化されずに、装置内に残留する錫微粒子が発生せず、デブリの発生を抑制できる。さらに、このターゲット材料に含まれる分散剤の量も少ないので、この分散剤に起因するデブリの発生も抑制できる。
【００２３】
「極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法」
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法は、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を２質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒によりこの濃縮液を希釈して、本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料を製造する方法である。
【００２４】
このターゲット材料の製造方法は、上記の水分散液を、錫微粒子の分散性が低下しない程度まで濃縮して濃縮液を調製するが、濃縮液の錫微粒子の含有率を２０質量％以上かつ６５質量％以下とすることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上かつ６０質量％以下、さらに好ましくは４０質量％以上かつ５０質量％以下である。
濃縮液の錫微粒子の含有率を２０質量％以上かつ６５質量％以下とすることが好ましい理由は、錫微粒子の含有率が２０質量％未満では、ターゲット材料に余計な水を持ち込むことになるからであり、一方、錫微粒子の含有率が６５質量％を超えると、有機溶媒によりこの濃縮液を希釈して得られたターゲット材料において、錫微粒子の分散性が低下するからである。
【００２５】
上記の水分散液を所定の濃度まで濃縮する方法としては、ロータリーエバポレーターなどの減圧蒸留装置を用いた減圧蒸留により、水分散液の水分を蒸発させる方法などが用いられる。
【００２６】
また、上記の有機溶媒により、この濃縮液を希釈し、必要に応じて分散剤を添加した後、超音波分散機などを用いて、得られた希釈液を分散処理し、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子を、有機溶媒を成分とする分散媒中に分散したターゲット材料を得る。
【００２７】
本発明の極端紫外光発生装置用ターゲット材料の製造方法によれば、平均粒子径が２００ｎｍ以下の錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を２質量部以下含有する錫微粒子水分散液を調製し、この錫微粒子水分散液を濃縮して濃縮液を調製した後、有機溶媒により前記濃縮液を希釈するので、得られたターゲット材料は分散安定性に優れ、極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内にて分散均一性を保つために、攪拌や超音波照射などを行わなくても、分散均一性が保たれ、錫微粒子の沈降や噴出ノズルの目詰まりを発生させることもなく、安定したＥＵＶ発光が得られる。
【実施例】
【００２８】
以下、実験例および実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例および実施例に限定されるものではない。
【００２９】
「実験例１」
平均粒子径が２０ｎｍの錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を０．５質量部含有する、濃度１０質量％の錫微粒子水分散液を調製した。
次いで、ロータリーエバポレーターにより、この水分散液の水分を蒸発させて、この水分散液を濃縮し、錫微粒子の含有率が４０質量％、５０質量％、６０質量％、７０質量％の濃縮液をそれぞれ調製した。
次いで、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ブタノール、アセトンまたはメチルエチルケトンから選択される１種の有機溶媒により、それぞれの濃縮液を１質量％に希釈した後、超音波分散機を用いて、得られた希釈液を分散処理し、平均粒子径２０ｎｍの錫微粒子をそれぞれの有機溶媒に分散してなる錫微粒子分散液を得た。
【００３０】
得られた錫微粒子分散液を１２時間静置した後、分散液の分散性を目視により観察した。
ここでは、１２時間静置後も分散液中に凝集成分が存在せず、分散液に顕著な濃度の不均一化が生じず、その後、数日静置しても顕著な濃度の不均一化が生じなかった場合を「◎」、１２時間静置後も分散液中に凝集成分が存在せず、分散液に顕著な濃度の不均一化が生じないものの、その後、数日経過すると凝集成分が生じた場合を「○」、分散液調整後の初期から凝集成分が僅かに存在するものの、１２時間静置後も分散液に顕著な濃度の不均一化が生じなかった場合を「△」、分散液中のほとんどの錫微粒子が凝集してしまった場合を「×」、とした。
結果を表１に示す。
【００３１】
「実験例２」
平均粒子径が５０ｎｍの錫微粒子を用いた以外は実験例１と同様にして、錫微粒子分散液を調製し、得られた錫微粒子分散液を１２時間静置した後、分散液の分散性を目視により観察した。
結果を表１に示す。
【００３２】
「実験例３」
平均粒子径が１５０ｎｍの錫微粒子を用いた以外は実験例１と同様にして、錫微粒子分散液を調製し、得られた錫微粒子分散液を１２時間静置した後、分散液の分散性を目視により観察した。
結果を表１に示す。
【００３３】
「実験例４」
平均粒子径が１８０ｎｍの錫微粒子を用いた以外は実験例１と同様にして、錫微粒子分散液を調製し、得られた錫微粒子分散液を１２時間静置した後、分散液の分散性を目視により観察した。
結果を表１に示す。
【００３４】
「実験例５」
平均粒子径が２２０ｎｍの錫微粒子を用いた以外は実験例１と同様にして、錫微粒子分散液を調製し、得られた錫微粒子分散液を１２時間静置した後、分散液の分散性を目視により観察した。
結果を表１に示す。
【００３５】
【表１】
2009141191.tif 000002
【００３６】
表１の結果から、錫微粒子の平均粒子径が小さいほど、錫微粒子分散液の分散性が向上することが分かった。
また、水分散液の濃縮度が低い、すなわち、濃縮液における錫微粒子の含有率が低いほど、錫微粒子分散液の分散性が向上することが分かった。また、最も分散性に優れる平均粒子径が２０ｎｍの錫微粒子を用いても、この錫微粒子の含有率を７０質量％とした濃縮液を調製し、この濃縮液を希釈して錫微粒子分散液を調製すると、その分散液の分散性が低下することが分かった。
【００３７】
また、平均粒子径が２２０ｎｍの錫微粒子を用いた錫微粒子分散液は、濃縮液の濃縮度にかかわらず、分散性が低下することが分かった。
さらに、有機溶媒として、メタノール、エタノールまたは１−プロパノールのいずれかを用いた場合、錫微粒子分散液は分散性に優れることが分かった。特に、メタノールまたはエタノールを用いた場合、錫微粒子分散液は良好であることが分かった。
【００３８】
「実施例１」
実験例１にて、分散性に優れていることが確認された、平均粒子径が２０ｎｍの錫微粒子を用い、この錫微粒子１００質量部に対して、分散剤を０．５質量部含有する、濃度１０質量％の錫微粒子水分散液を調製した。
次いで、ロータリーエバポレーターにより、この水分散液の水分を蒸発させて、この水分散液を濃縮し、錫微粒子の含有率が５０質量％の濃縮液を調製した。
次いで、メタノールにより、この濃縮液を希釈した後、超音波分散機を用いて、得られた希釈液を分散処理し、平均粒子径２０ｎｍの錫微粒子をメタノール中に分散したメタノール分散液（２０−ＭｅＯＨ）からなるターゲット材料を調製した。
なお、このターゲット材料における錫微粒子の含有率を１質量％とした。
【００３９】
「実施例２」
メタノールの代わりにエタノールを用いた以外は実施例１と同様にして、エタノール分散液（２０−ＥｔＯＨ）からなるターゲット材料を調製した。
【００４０】
「比較例１」
平均粒子径が２２０ｎｍの錫微粒子を用いた以外は実施例１と同様にして、メタノール分散液（２０−ＭｅＯＨ）からなるターゲット材料を調製した。
【００４１】
「比較例２」
メタノールの代わりに水を用いた以外は実施例１と同様にして、水分散液（２０−Ｈ２Ｏ）からなるターゲット材料を調製した。
【００４２】
「評価」
以上により得られた実施例１、２および比較例１、２それぞれのターゲット材料を、レーザー生成プラズマＥＵＶ発生装置に適用し、その分散性、ＥＵＶ発光、デブリの発生の各評価項目について、次の方法を用いて評価した。
【００４３】
（１）ターゲット材料の分散性
極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内における錫微粒子の沈降や、噴出ノズルにおける目詰まりについて、目視により観察した。
その結果、平均粒子径が２０ｎｍの錫微粒子を用いた２０−ＭｅＯＨ、２０−ＥｔＯＨ、２０−Ｈ２Ｏに関しては、分散性が良好であり、極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内における錫微粒子の沈降や、噴出ノズルの目詰まりが見られなかった。その結果、これらのターゲット材料を用いた場合、安定したＥＵＶ発光が得られた。
一方、平均粒子径が２２０ｎｍの錫微粒子を用いた２２０−ＭｅＯＨでは、分散性が悪く、極端紫外光発生装置の貯蔵タンク内における錫微粒子の沈降や、噴出ノズルにおける目詰まりが見られた。その結果、極端紫外光発生装置に導入されるターゲット材料の錫微粒子の含有率が不安定であるため、ＥＵＶ発光が不安定であった。
【００４４】
（２）ＥＵＶ発光
２０−ＭｅＯＨ、２０−ＥｔＯＨ、２０−Ｈ２Ｏまたは２２０−ＭｅＯＨをターゲット材料とし、これらのターゲット材料にＮｄ３＋：ＹＡＧレーザー光（波長１０６４ｎｍ、パルス幅１０ｎｓ）を照射して、発生したＥＵＶ光のスペクトルを測定した。
その結果、全ての場合において、波長１３．５ｎｍ領域に錫の多価イオンからの帯域放射によるＥＵＶ光スペクトルが検出された。よって、これらの分散液は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ発光のためのターゲット材料として利用可能であることが確認された。
【００４５】
また、２０−Ｈ２Ｏを用いた場合、錫に起因するＥＵＶ発光の他に、酸素の５価イオンに起因するＥＵＶ発光も検出された。これらのＥＵＶ発光は、揮発性の高いメタノールやエタノールを用いた２０−ＭｅＯＨ、２０−ＥｔＯＨまたは２２０−ＭｅＯＨをターゲット材料とした場合には検出されなかったため、レーザー光照射前に蒸発し切らなかった水の酸素原子に起因するものと考えられる。
なお、波長１３．５ｎｍ付近以外の波長のＥＵＶ発光は、極端紫外光発生装置のモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の不要な加熱に繋がるため好ましくない。２０−ＭｅＯＨ、２０−ＥｔＯＨまたは２２０−ＭｅＯＨのように、溶媒として水分含有量を極力低減し、揮発性の高いものを用いれば、不必要な波長のＥＵＶ発光が生じないことが分かった。
【００４６】
（３）デブリの発生
極端紫外光発生装置のモリブデン／シリコン多層膜反射鏡の位置に、シリコン基板を設置し、２０−ＭｅＯＨ、２０−ＥｔＯＨ、２０−Ｈ２Ｏまたは２２０−ＭｅＯＨをターゲット材料とし、これらのターゲット材料にレーザー光を１００００ショット照射した後、シリコン基板の表面を、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＸＰＳ）により分析した。
その結果、平均粒子径が２０ｎｍの錫微粒子を用いた２０−ＭｅＯＨ、２０−ＥｔＯＨ、２０−Ｈ２Ｏに関しては、Ｘ線光電子分光法によって、シリコン基板上に錫の信号が検出されなかった。
【００４７】
一方、平均粒子径が２２０ｎｍの錫微粒子を用いた２２０−ＭｅＯＨでは、Ｘ線光電子分光法によって、シリコン基板上に錫の信号が検出された。これは、２２０−ＭｅＯＨでは、錫微粒子の凝集粒径が大きいため、レーザー光を照射しても錫微粒子がプラズマ化されずに、シリコン基板上にデブリとして残留したものと考えられる。
この結果から、デブリを低減するためには、ターゲット材料の分散性を向上することが効果的であると分かった。
また、全ての場合において、シリコン基板上にカーボンの信号が検出されなかったので、全ての分散液に含まれる分散剤はデブリになっていないことが分かった。