(57)【要約】【課題】基板表面へのパーティクルの付着低減、スループットの向上を図れるようにした基板搬送処理装置を提供すること。【解決手段】ウエハＷを収容するフープ１の搬入・搬出部Ｓ１と、複数の処理ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を有する処理部Ｓ２と、搬入・搬出部と処理部とを接続するインターフェース部Ｓ３に配設され、フープに対してウエハを搬出及び搬入する搬出・搬入アーム２と、処理部とインターフェース部との間に配設され、搬出・搬アームとの間でウエハを受け渡しする基板受け渡し部３と、処理部内に配設され、各処理ユニットに対してウエハを搬入・搬出する主搬送アーム４と、を具備する基板搬送処理装置において、搬出・搬入アームは、ウエハの裏面を吸着保持する吸着保持部と、ウエハの表裏面を反転する反転機構を具備する。基板受け渡し部、主搬送アーム及び処理ユニットは、それぞれウエハの裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の処理面を上向きにして被処理基板を収容する収容容器の搬入・搬出部と、被処理基板に処理を施す複数の処理ユニットを有する処理部と、上記搬入・搬出部と処理部とを接続するインターフェース部に配設され、上記収容容器に対して被処理基板を搬出及び搬入する基板搬出・搬入手段と、上記処理部とインターフェース部との間に配設され、上記基板搬出・搬入手段との間で被処理基板を受け渡しする基板受け渡し部と、上記処理部内に配設され、各処理ユニットに対して被処理基板を搬入及び搬出する主基板搬送手段と、を具備する基板搬送処理装置において、
上記基板搬出・搬入手段は、被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備すると共に、被処理基板の表裏面を反転する反転機構を具備し、
上記基板受け渡し部、主基板搬送手段及び処理ユニットは、それぞれ被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記基板搬出・搬入手段及び主基板搬送手段の吸着保持部は、略馬蹄形状に形成され、
上記基板受け渡し部の吸着保持部は、上記基板搬出・搬入手段及び主基板搬送手段の吸着保持部との干渉を回避すべく、基板搬出・搬入手段及び主基板搬送手段の吸着保持部の内方凹部内に位置するように形成され、
上記処理ユニットの吸着保持部は、上記主基板搬送手段の吸着保持部との干渉を回避すべく、主基板搬送手段の吸着保持部の内方凹部内に位置するように形成される、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項３】
請求項１記載の基板搬送処理装置において、
上記処理部は、被処理基板に処理液を供給して処理を施す液処理ユニットと、被処理基板を所定の温度に調整する熱処理ユニットとを具備し、
上記熱処理ユニットは、被処理基板を冷却する冷却プレートと、被処理基板を加熱する加熱プレートと、を並列して設けると共に、冷却プレート及び加熱プレートに被処理基板を搬送する補助基板搬送手段と、を具備し、
上記補助基板搬送手段は、上記主基板搬送手段との受け渡しの際に、主基板搬送手段の吸着保持部と干渉することなく、被処理基板の裏面における対向する両側辺部を吸着して保持する辺部吸着保持部を具備し、かつ、上記冷却プレート及び加熱プレートと平行に沿設されたガイドレール上を摺動可能に形成されると共に、鉛直方向に昇降可能に形成され、
上記冷却プレート及び加熱プレートは、それぞれ被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備すると共に、対向する両側辺部に、上記補助基板搬送手段の辺部吸着保持部の昇降に干渉しないように切欠き部を設けてなる、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項４】
請求項３記載の基板搬送処理装置において、
上記液処理ユニットが、裏面が吸着保持された被処理基板の表面にレジスト液を吐出する塗布処理ユニット、及び裏面が吸着保持された被処理基板に現像液を吐出する現像処理ユニットである、ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、
上記処理部と露光処理部とを接続する第２のインターフェース部と、この第２のインターフェース部内に配設され、上記露光処理部に対して被処理基板を搬入及び搬出する基板搬入・搬出手段と、上記処理部と第２のインターフェース部との間に配設され、上記基板搬入・搬出手段及び主基板搬送手段との間で被処理基板を受け渡しする第２の基板受け渡し部と、を更に具備し、
上記基板搬入・搬出手段は、被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備すると共に、被処理基板の表裏面を反転する反転機構を具備し、
上記第２の基板受け渡し部は、被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備する、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の基板搬送処理装置において、
上記基板搬入・搬出手段の吸着保持部は、略馬蹄形状に形成され、
上記第２の基板受け渡し部の吸着保持部は、上記基板搬入・搬出手段及び主基板搬送手段の吸着保持部との干渉を回避すべく、基板搬入・搬出手段及び主基板搬送手段の吸着保持部の内方凹部内に位置するように形成される、
ことを特徴とする基板搬送処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤガラス基板等の基板を処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ技術では、基板例えば半導体ウエハ（以下にウエハという）表面に塗布液であるレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に所望の回路パターンを形成する、一連の工程によって行われている。
【０００３】
一般に、この種のフォトリソグラフィ技術においては、ウエハを複数の処理ユニット、例えばレジスト処理ユニット，現像処理ユニット及びレジスト塗布前後又は現像処理前後のウエハを熱処理する熱処理ユニット等に搬送して処理を施す場合、ウエハの表面の処理面を上向きにして各処理ユニットに搬送し、処理を行っている。
【０００４】
ところで、処理の形態においては、処理面を下向きにする方が好適の場合があり、その場合は、一般に、ウエハの両側を挟んで保持する反転機構を用い、ウエハの表裏面を反転させて処理面を下向きにし、処理後再びウエハを反転して処理面を上向きにして搬送する方法が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００５−２０３４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術においては、ウエハを下向きにして処理する以外、少なくともウエハの搬送部ではウエハは上向きになるので、ウエハ表面にパーティクルが付着する問題があった。また、複数の処理ユニットに連続的にウエハを搬送して処理する場合、その都度、ウエハの表裏面を反転すると、反転に時間を要し、スループットの低下を招くという問題があった。
【０００６】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板の処理面を下向きにして、基板の搬送及び処理を行うことにより、基板表面へのパーティクルの付着低減を図り、かつ、スループットの向上を図れるようにした基板搬送処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、この発明の基板搬送処理装置は、表面の処理面を上向きにして被処理基板を収容する収容容器の搬入・搬出部と、被処理基板に処理を施す複数の処理ユニットを有する処理部と、上記搬入・搬出部と処理部とを接続するインターフェース部に配設され、上記収容容器に対して被処理基板を搬出及び搬入する基板搬出・搬入手段と、上記処理部とインターフェース部との間に配設され、上記基板搬出・搬入手段との間で被処理基板を受け渡しする基板受け渡し部と、上記処理部内に配設され、各処理ユニットに対して被処理基板を搬入及び搬出する主基板搬送手段と、を具備する基板搬送処理装置において、  上記基板搬出・搬入手段は、被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備すると共に、被処理基板の表裏面を反転する反転機構を具備し、  上記基板受け渡し部、主基板搬送手段及び処理ユニットは、それぞれ被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備する、ことを特徴とする。
【０００８】
このように構成することにより、搬入・搬出部に載置された収容容器内の被処理基板の裏面を基板搬出・搬入手段によって吸着保持して、収容容器内から搬出し、被処理基板の表裏面を反転した後、被処理基板の処理面（表面）を下向きの状態で基板受け渡し部に受け渡しすることができる。基板受け渡し部に吸着保持された被処理基板の裏面を主基板搬送手段によって吸着保持して、基板受け渡し部から取り出し、処理面（表面）を下向きの状態で処理ユニットに搬入し、処理ユニットにおいて、被処理基板は裏面が吸着保持された状態で処理が施される。処理が施された被処理基板は、処理面（表面）を下向きの状態で主基板搬送手段によって基板受け渡し部に受け渡され、基板受け渡し部から基板搬出・搬入手段に受け渡されて、表裏面が元の位置に反転された後、収容容器内に搬入される。
【０００９】
したがって、収容容器内から搬出された被処理基板は、処理面（表面）を下向きにした状態で搬送されると共に、処理ユニット内において処理が施される。
【００１０】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板搬送処理装置において、  上記基板搬出・搬入手段及び主基板搬送手段の吸着保持部は、略馬蹄形状に形成され、  上記基板受け渡し部の吸着保持部は、上記基板搬出・搬入手段及び主基板搬送手段の吸着保持部との干渉を回避すべく、基板搬出・搬入手段及び主基板搬送手段の吸着保持部の内方凹部内に位置するように形成され、  上記処理ユニットの吸着保持部は、上記主基板搬送手段の吸着保持部との干渉を回避すべく、主基板搬送手段の吸着保持部の内方凹部内に位置するように形成される、ことを特徴とする。
【００１１】
このように構成することにより、基板搬出・搬入手段と基板受け渡し部とにおける被処理基板の受け渡し、基板受け渡し部と主基板搬送手段とにおける被処理基板の受け渡し、及び主基板搬送手段と処理ユニットとにおける被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の基板搬送処理装置において、  上記処理部は、被処理基板に処理液を供給して処理を施す液処理ユニットと、被処理基板を所定の温度に調整する熱処理ユニットとを具備し、  上記熱処理ユニットは、被処理基板を冷却する冷却プレートと、被処理基板を加熱する加熱プレートと、を並列して設けると共に、冷却プレート及び加熱プレートに被処理基板を搬送する補助基板搬送手段と、を具備し、  上記補助基板搬送手段は、上記主基板搬送手段との受け渡しの際に、主基板搬送手段の吸着保持部と干渉することなく、被処理基板の裏面における対向する両側辺部を吸着して保持する辺部吸着保持部を具備し、かつ、上記冷却プレート及び加熱プレートと平行に沿設されたガイドレール上を摺動可能に形成されると共に、鉛直方向に昇降可能に形成され、  上記冷却プレート及び加熱プレートは、それぞれ被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備すると共に、対向する両側辺部に、上記補助基板搬送手段の辺部吸着保持部の昇降に干渉しないように切欠き部を設けてなる、ことを特徴とする。  この場合、上記液処理ユニットは、例えば、裏面が吸着保持された被処理基板の表面にレジスト液を吐出する塗布処理ユニット、及び裏面が吸着保持された被処理基板に現像液を吐出する現像処理ユニットとすることができる（請求項４）。
【００１３】
このように構成することにより、被処理基板の処理面（表面）を下向きにした状態で、被処理基板を液処理、例えばレジスト塗布処理、現像処理することができると共に、液処理前後の熱処理、例えば冷却処理、加熱処理することができる。また、主基板搬送手段と補助基板搬送手段とにおける被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができると共に、補助基板搬送手段と冷却プレート及び加熱プレートとの被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができる。
【００１４】
また、請求項５記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板搬送処理装置において、  上記処理部と露光処理部とを接続する第２のインターフェース部と、この第２のインターフェース部内に配設され、上記露光処理部に対して被処理基板を搬入及び搬出する基板搬入・搬出手段と、上記処理部と第２のインターフェース部との間に配設され、上記基板搬入・搬出手段及び主基板搬送手段との間で被処理基板を受け渡しする第２の基板受け渡し部と、を更に具備し、  上記基板搬入・搬出手段は、被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備すると共に、被処理基板の表裏面を反転する反転機構を具備し、  上記第２の基板受け渡し部は、被処理基板の裏面を吸着して保持する吸着保持部を具備する、ことを特徴とする。
【００１５】
このように構成することにより、処理面（表面）が下向きの状態で処理された被処理基板を、第２の基板受け渡し部に受け渡し、第２の基板受け渡し部に吸着保持された被処理基板の裏面を基板搬入・搬出手段によって吸着保持して、第２の基板受け渡し部から取り出し、表裏面を反転して処理面（表面）を上向きの状態で露光処理ユニットに搬入することができる。そして、露光処理された露光処理部内の被処理基板の裏面を、基板搬入・搬出手段によって吸着保持して、露光処理部から搬出し、表裏面を反転して処理面（表面）を下向きの状態で第２の基板受け渡し部に受け渡すことができる。その後、第２の基板受け渡し部に吸着保持された被処理基板の裏面を主基板搬送手段によって吸着保持して、第２の基板受け渡し部から取り出し、処理面（表面）を下向きの状態で処理ユニットに搬入し、処理ユニットにおいて、被処理基板は裏面が吸着保持された状態で処理が施される。
【００１６】
したがって、収容容器内及び露光処理部から搬出された被処理基板は、処理面（表面）を下向きにした状態で搬送されると共に、処理ユニット内において処理が施される。
【００１７】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の基板搬送処理装置において、  上記基板搬入・搬出手段の吸着保持部は、略馬蹄形状に形成され、  上記第２の基板受け渡し部の吸着保持部は、上記基板搬入・搬出手段及び主基板搬送手段の吸着保持部との干渉を回避すべく、基板搬入・搬出手段及び主基板搬送手段の吸着保持部の内方凹部内に位置するように形成される、ことを特徴とする。
【００１８】
このように構成することにより、基板搬入・搬出手段と第２の基板受け渡し部とにおける被処理基板の受け渡し、第２の基板受け渡し部と主基板搬送手段とにおける被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
以上に説明したように、この発明の基板搬送処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２０】
（１）請求項１記載の発明によれば、収容容器内から搬出された被処理基板は、処理面（表面）を下向きにした状態で搬送されると共に、処理ユニット内において処理が施されるので、被処理基板の表面へのパーティクルの付着を低減することができると共に、スループットの向上を図ることができる。
【００２１】
（２）請求項２記載の発明によれば、基板搬出・搬入手段と基板受け渡し部とにおける被処理基板の受け渡し、基板受け渡し部と主基板搬送手段とにおける被処理基板の受け渡し、及び主基板搬送手段と処理ユニットとにおける被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができるので、上記（１）に加えて、更にスループットの向上を図ることができる。
【００２２】
（３）請求項３記載の発明によれば、被処理基板の処理面（表面）を下向きにした状態で、被処理基板を液処理、例えばレジスト塗布処理、現像処理することができると共に、液処理前後の熱処理、例えば冷却処理、加熱処理することができる。また、主基板搬送手段と補助基板搬送手段とにおける被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができると共に、補助基板搬送手段と冷却プレート及び加熱プレートとの被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができる。したがって、上記（１），（２）に加えて、更に被処理基板の液処理、例えばレジスト塗布処理、現像処理等と、該液処理前後の熱処理、例えば冷却処理、加熱処理等を円滑に行うことができ、スループットの向上を図ることができる。
【００２３】
（４）請求項５記載の発明によれば、収容容器内及び露光処理部から搬出された被処理基板は、処理面（表面）を下向きにした状態で搬送されると共に、処理ユニット内において処理が施されるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に露光処理の前後における被処理基板の表面へのパーティクルの付着を低減することができると共に、スループットの向上を図ることができる。
【００２４】
（５）請求項６記載の発明によれば、基板搬入・搬出手段と第２の基板受け渡し部とにおける被処理基板の受け渡し、第２の基板受け渡し部と主基板搬送手段とにおける被処理基板の受け渡しを、円滑に行うことができるので、上記（４）に加えて、更にスループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。
【００２６】
上記レジスト塗布・現像処理装置は、図１に示すように、表面の処理面を上向きにして被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を収容する収容容器１（以下にフープ（ＦＯＵＰ）１という）の搬入・搬出部Ｓ１と、ウエハＷに処理を施す複数の処理ユニット例えば２つの液処理ユニットＵ１，Ｕ２と４つの熱処理ユニットＵ３を有する処理部Ｓ２と、搬入・搬出部Ｓ１と処理部Ｓ２とを接続する第１のインターフェース部Ｓ３に配設され、フープ１に対してウエハＷを搬出及び搬入する基板搬出・搬入手段である搬出・搬入アーム２と、処理部Ｓ２と第１のインターフェース部Ｓ３との間に配設され、搬出・搬入アーム２との間でウエハＷを受け渡しする第１の基板受け渡し部３と、処理部Ｓ２内に配設され、各処理ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３に対してウエハＷを搬入及び搬出する主基板搬送手段である主搬送アーム４と、を具備している。
【００２７】
また、レジスト塗布・現像処理装置は、処理部Ｓ２と露光処理部である露光処理装置５とを接続する第２のインターフェース部Ｓ４と、この第２のインターフェース部Ｓ４内に配設され、露光処理装置５に対してウエハＷを搬入及び搬出する基板搬入・搬出手段である搬入・搬出アーム６と、処理部Ｓ２と第２のインターフェース部Ｓ４との間に配設され、搬入・搬出アーム６及び主搬送アーム４との間でウエハＷを受け渡しする第２の基板受け渡し部３Ａと、を具備している。
【００２８】
上記搬入・搬出部Ｓ１には、搬入側と搬出側にそれぞれ２つの、ウエハＷが内部に収容されたフープ１が載置されるテーブル７ａと、搬入・搬出部Ｓ１と第１のインターフェース部Ｓ３とを区画する壁７ｂが設けられている。また、壁７ｂにはフープ１からウエハＷを搬出する搬出口（図示せず）とフープ１内にウエハＷを搬入する搬入口（図示せず）が設けられており、これら搬出口と搬入口にはそれぞれ図示しない扉開閉装置によって開閉可能な扉８が閉塞されている。
【００２９】
上記搬出・搬入アーム２と搬入・搬出アーム６は、第１のインターフェース部Ｓ３，第２のインターフェース部Ｓ４内のＹ方向に配設されたガイドレール２ａに沿って摺動可能に形成されると共に、Ｘ方向及び鉛直のＺ方向に移動可能であり、かつ、水平面に回転可能に形成されている。
【００３０】
また、搬出・搬入アーム２と搬入・搬出アーム６は、同様に構成されているので、同一部分には同一符号を付して、搬出・搬入アーム２を代表して説明する。搬出・搬入アーム２（搬入・搬出アーム６）は、図２に示すように、ガイドレール２ａに沿って摺動可能な基台２ｂの上端に、水平方向に回転可能なリンク部材２ｃを介して上部水平軸２ｄを設け、上部水平軸２ｄに沿って外方に向かって水平方向に進退可能なウエハ保持部２ｅが設けられている。また、搬出・搬入アーム２は、図示しない反転用モータを具備する反転機構２ｆを具備しており、この反転機構２ｆによってウエハ保持部２ｅは、上部水平軸２ｄに対して１８０度回動可能すなわち反転可能に形成されている。
【００３１】
この場合、ウエハ保持部２ｅは、先端が略馬蹄形状に形成されると共に、ウエハＷの裏面中心部側を例えば真空吸着により保持するように構成されている。なお、この場合、ウエハ保持部２ｅの馬蹄形状部には、周方向に沿って適宜間隔をおいて、複数の吸引孔９ａが設けられている。これら吸引孔９ａは、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００３２】
上記主搬送アーム４は、図１及び図３に示すように、処理部Ｓ２の中央にＸ方向に沿って設けられた搬送路４ａ内に配設されたガイドレール４ｂに沿って摺動可能な走行基台４ｃに対して水平及び鉛直方向（Ｘ，Ｙ及びＺ方向）に移動可能、かつ、水平方向に回転可能な、吸着保持部である上部ウエハ保持アーム４ｄと下部ウエハ保持アーム４ｅを具備している。
【００３３】
上部ウエハ保持アーム４ｄ及び下部ウエハ保持アーム４ｅは、搬出・搬入アーム２と同様に、先端が略馬蹄形状に形成されると共に、ウエハＷの裏面中心部側を例えば真空吸着により保持するように構成されている。また、馬蹄形状の上部ウエハ保持アーム４ｄ及び下部ウエハ保持アーム４ｅには、周方向に沿って適宜間隔をおいて、複数の吸引孔９ｂが設けられている。これら吸引孔９ｂは、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００３４】
上記第１の基板受け渡し部３と第２の基板受け渡し部３Ａは、同様に構成されており、図４に示すように、仕切り板３ｃによって上下に区画された上部収容室３ａと下部収容室３ｂを具備し、上，下部収容室３ａ，３ｂには、それぞれ第１，第２のインターフェース部Ｓ３，Ｓ４側及び処理部Ｓ２側に搬入出口３ｄが設けられている。また、上部収容室３ａ内には、天板３ｅから垂下されてウエハＷの裏面を例えば真空吸着により保持する吸着保持部３ｆが配設され、下部収容部３ｂ内には、仕切り板３ｃから垂下されてウエハＷの裏面を例えば真空吸着により保持する吸着保持部３ｆが配設されている。この吸着保持部３ｆは、それぞれ上記搬出・搬入アーム２（搬入・搬出アーム６）のウエハ保持部２ｅ、上部ウエハ保持アーム４ｄ及び下部ウエハ保持アーム４ｅと干渉しないように、ウエハ保持部２ｅ、上部ウエハ保持アーム４ｄ及び下部ウエハ保持アーム４ｅの馬蹄形状の内方凹部２ｇ，４ｇ内に位置可能な円板状に形成されている。また、吸着保持部３ｆには複数の吸引孔９ｃが設けられており、これら吸引孔９ｃは、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００３５】
上記のように構成される第１の基板受け渡し部３に対して上記搬出・搬入アーム２によりウエハＷを搬入する場合は、搬出・搬入アーム２によって保持されたウエハＷを例えば下部収容室３ｂ内の吸着保持部３ｆにウエハＷを受け渡す。また、第１の基板受け渡し部３に対して搬出・搬入アーム２によりウエハＷを搬出する場合は、例えば上部収容室３ａ内の吸着保持部３ｆに保持されているウエハＷを搬出・搬入アーム２が受け取って第１の基板受け渡し部３からウエハＷを搬出する。
【００３６】
また、第１の基板受け渡し部３に対して上記主搬送アーム４によりウエハＷを搬出する場合は、例えば下部収容室３ｂ内の吸着保持部３ｆに保持されているウエハＷを主搬送アーム４が受け取って第１の基板受け渡し部３からウエハＷを搬出する。また、第１の基板受け渡し部３に対して主搬送アーム４によりウエハＷを搬入する場合は、主搬送アーム４によって保持されたウエハＷを例えば上部収容室３ａ内の吸着保持部３ｆにウエハＷを受け渡す。
【００３７】
上記第１の基板受け渡し部３に対する搬出・搬入アーム２と主搬送アーム４によるウエハＷの受け渡しは、同様に行うことができる。以下に、第１の基板受け渡し部３からウエハＷを搬出する場合を代表して、図４（ｂ）を参照して説明する。
【００３８】
まず、第１の基板受け渡し部３の下部収容室３ｂ内の吸着保持部３ｆによって裏面側が吸着保持されているウエハＷに対して、搬入出口３ｄを介して主搬送アーム４（具体的には、上部ウエハ保持アーム４ｄ）が下部収容室３ｂ内に進入し、上部ウエハ保持アーム４ｄの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内に吸着保持部３ｆを位置させた状態で進入を停止する。次に、真空配管系の開閉弁を切り換えて、吸着保持部３ｆの真空吸着を解除すると同時又は解除直前に、上部ウエハ保持アーム４ｄの真空吸着を開始して上部ウエハ保持アーム４ｄによりウエハＷの裏面側を吸着保持する。その後、上部ウエハ保持アーム４ｄを搬入出口３ｄを介して第１の基板受け渡し部３から搬出する。
【００３９】
なお、第２の基板受け渡し部３Ａに対する上記主搬送アーム４と搬入・搬出アーム６によるウエハＷの受け渡しも、上記と同様に、ウエハＷを受け渡す両者すなわち、第２の基板受け渡し部３Ａと主搬送アーム４、第２の基板受け渡し部３Ａと搬入・搬出アーム６の吸着の解除、開始を切り換えることによって行うことができる。
【００４０】
一方、上記処理部Ｓ２は、上記主搬送アーム４の搬送路４ａを境にして、液処理ユニットＵ１，Ｕ２と熱処理ユニットＵ３が配設されている。この場合、液処理ユニットＵ１，Ｕ２には、２つのレジスト塗布装置１０と２つの現像処理装置５０が平行に配設されている。また、熱処理ユニットＵ３には、４つの冷却・加熱装置６０が平行に配設されている。
【００４１】
上記レジスト塗布装置１０は、図５ないし図１１に示すように、ウエハＷの表面を下向きにして例えば真空吸着によって保持する保持手段であるスピンチャック１０ａと、このスピンチャック１０ａを回転駆動するモータ１０ｍと、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷを収容する開閉可能な処理容器１１と、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの表面に向かってレジスト液を吐出するレジストノズル４１と、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの表面に向かってレジスト液の溶剤であるシンナーを吐出するシンナーノズル４２と、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの表面に向かって空気より動粘性係数が高く、かつ、空気より比重の小さいガスであるＨｅガスを供給するガス供給手段４０と、を具備している。
【００４２】
上記スピンチャック１０ａは、主搬送アーム４の吸着保持部すなわち上，下部ウエハ保持アーム４ｄ，４ｅとの干渉を回避すべく、上部ウエハ保持アーム４ｄ及び下部ウエハ保持アーム４ｅの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内に位置可能な円板状に形成されている。また、スピンチャック１０ａにはウエハＷの裏面を例えば真空吸着するための複数の吸引孔（図示せず）が設けられており、これら吸引孔は、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００４３】
上記処理容器１１は、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの外側及び下側を包囲する上部が開口した下部容器体１１ａと、下部容器体１１ａの開口部１２を気水密に閉塞する蓋体１３とで構成されており、下部容器体１１ａの移動機構１４と、蓋体１３の移動機構１５によって、蓋体１３と下部容器体１１ａが相対的に接離移動するように構成されている。
【００４４】
この場合、下部容器体１１ａは、中央部に凹部１６を有し、外周縁に外方に向かって下り勾配の傾斜片１７を介して先端が垂下する折曲片１８を有する円板部１９と、この円板部１９の傾斜片１７の内方側に位置する内周壁２０ａと、折曲片１８の外方に隙間をおいて位置する外周壁２０ｂと、内周壁２０ａと外周壁２０ｂの下端同士を連結する外方に向かって下り勾配を有する底部２０ｃとからなる周溝部２０と、外周壁２０ｂの上端から内方側に水平状に延在する開口縁部２１とで構成されている。開口縁部２１の上面には、下部容器体１１ａと蓋体１３の閉塞時に気水密性を維持するためのＯリング２２が嵌着されている。
【００４５】
また、下部容器体１１ａの周溝部２０の底部２０ｃの外周側には、ドレイン口２３ａが設けられており、このドレイン口２３ａにドレイン管２４が接続されている。また、周溝部２０における複数箇所には貫通口２３ｂが設けられており、これら貫通口２３ｂに、開口端が若干上方に位置するように排気管路２５が嵌挿され、各排気管路２５は継手２６を介して工場外部に排気する主排気管路２７に接続されている。また、主排気管路２７には、開度調整可能な弁であるオートダンパ２８が介設されている。これら排気管路２５、主排気管路２７及びオートダンパ２８によって排気機構３０が構成されている。
【００４６】
なお、下部容器体１１ａの中央部に設けられた凹部１６は、底部が狭小テーパ状に形成されており、その最下端に設けられた貫通口２３ｃにドレイン管３１が接続されている。
【００４７】
上記のように構成される下部容器体１１ａの下部の一側にはブラケット１１ａが突設されており、ブラケット１１ａに、装置の固定側に立設された第１の移動機構である第１のシリンダ１４のピストンロッド１４ａが連結されている。したがって、第１のシリンダ１４の駆動によるピストンロッド１４ａの伸縮動作によって下部容器体１１ａが鉛直方向に上下移動する。
【００４８】
一方、蓋体１３は、スピンチャック１０ａの回転軸１０ｂに磁性流体シール部材１０ｃを介在し、また、モータ１０ｍの外周面に筒状のスライド用シール部材１０ｄを介在してスピンチャック１０ａに気水密に装着されている。この場合、蓋体１３は、スライド用シール部材１０ｄを介在してモータ１０ｍの外周を包囲する摺動筒部３２と、この摺動筒部３２の下端から外方に延在する円板状の天板部３３と、天板部３３の外周縁に円筒状垂下片３４が設けられている。このように構成される蓋体１３の天板部３３は、下部容器体１１ａの開口縁部２１の上面を被覆し、円筒状垂下片３４は、下部容器体１１ａの外周壁２０ｂの外周を被覆するようになっている。
【００４９】
また、蓋体１３の摺動筒部３２の上端の一側にはブラケット３２ａが突設されており、ブラケット３２ａに、装置の固定部３５に固定された第２の移動機構である第２のシリンダ１５のピストンロッド１５ａが連結されている。したがって、第２のシリンダ１５の駆動によるピストンロッド１５ａの伸縮動作によって蓋体１３が鉛直方向に上下移動する。
【００５０】
上記のように構成される下部容器体１１ａを上下移動する第１のシリンダ１４と、蓋体１３を上下移動する第２のシリンダ１５の駆動によって、下部容器体１１ａと蓋体１３が相対的に接離移動される。
【００５１】
なお、上記説明では、下部容器体１１ａ及び蓋体１３の移動機構がシリンダ１４，１５によって形成される場合について説明したが、移動機構は下部容器体１１ａと蓋体１３を相対的に接離移動する機構であれば必ずしもシリンダである必要はなく、シリンダに代えて例えばボールねじ機構やタイミングベルト機構等を用いてもよい。また、下部容器体１１ａ又は蓋体１３の一方を他方に対して接離移動する移動機構を用いてもよい。
【００５２】
また、上記ガス供給手段４０は、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの表面における中心部の直下に位置するガス供給ノズルによって形成されている。このガス供給手段すなわちガス供給ノズル４０は、同心円上にレジストノズル４１とシンナーノズル４２を設けた切換移動可能な揺動体４３に設けられて、上記下部容器体１１ａの凹部１６内に収容されている。この場合、ガス供給ノズル４０とレジストノズル４１及びシンナーノズル４２は、互いに等間隔すなわち１２０°の間隔をおいて揺動体４３の外周部に突設されている。また、揺動体４３は例えば正逆回転可能なノズル切換モータ４４に連結されており、ノズル切換モータ４４が２４０°の範囲で揺動すなわち切換動作することで、ガス供給ノズル４０、レジストノズル４１又はシンナーノズル４２のいずれか一つがスピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの表面における中心部の直下に位置する。
【００５３】
なお、ガス供給ノズル４０は、図示しないが、流量調整可能な開閉弁を介設したＨｅガス供給管を介してＨｅガス供給源に接続されている。また、レジストノズル４１は、図示しないが、開閉弁を介設したレジスト供給管を介してレジスト供給源に接続されている。また、シンナーノズルは、図示しないが、開閉弁を介設したシンナー供給管を介してシンナー供給源に接続されている。
【００５４】
また、処理容器１１の蓋体１３の天板部３３に、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの裏面側に向かってＨｅガスを吐出（供給）する補助ガス供給手段である補助ガス供給ノズル４０Ａが設けられている。この補助ガス供給ノズル４０Ａは、ガス供給管から分岐された補助ガス供給管（図示せず）を介してＨｅガス供給源に接続されている。
【００５５】
また、処理容器１１の蓋体１３の天板部３３には、処理容器１１内の圧力を検出する圧力センサ４５と、処理容器１１内のＨｅガスの濃度を検出するガス濃度センサ４６が設けられている。これら圧力センサ４５及びガス濃度センサ４６は、図示しない制御部に電気的に接続されており、圧力センサ４５によって検出された処理容器１１内の圧力検出信号及びガス濃度センサ４６によって検出されたＨｅガス濃度検出信号が制御部に伝達され、制御部において予め記憶されたデータと比較演算処理される。すなわち、ガス濃度センサによって空気とＨｅガスとの割合を算出してＨｅガス濃度へ換算される。そして、制御部からの制御信号が、上記流量調整可能な開閉弁と開度調整可能なオートダンパ２８に伝達される。これにより処理容器１１内が過剰な陽圧状態になるのを防止することがでると共に、処理容器１１内のウエハＷの表面層のＨｅガス濃度が最適な濃度例えば６０％以上に設定することができる。また、Ｈｅガス供給源からパージ（供給）されるＨｅガスの量は、排気機構の排気量と同等かより多い量とする。このとき、圧力センサ４５によって検出された圧力検出値とＨｅガスのパージ流量とを連動することで、処理容器１１内が過剰な陽圧状態になるのを防止することがでる。また、Ｈｅガスパージを続けることで、ウエハＷの裏面へのミストの回り込みを防ぐことができる。
【００５６】
なお、制御部は、上記スピンチャック１０ａの駆動モータ１０ｍ、第１及び第２のシリンダ１４，１５、ノズル切換モータ４４及び開閉弁に電気的に接続されている。これにより、制御部からの制御信号に基づいてモータ１０ｍが所定の回転数で回転駆動し、また、第１及び第２のシリンダ１４，１５が駆動して、下部容器体１１ａ及び蓋体１３を上下移動することができ、ノズル切換モータ４４の切換駆動によってガス供給ノズル４０，レジストノズル４１又はシンナーノズル４２の一つがウエハＷの表面の直下位置に切り換えることができ、また、開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３が開閉操作され、ウエハＷに向かってＨｅガス，レジスト液やシンナーが吐出（供給）される。
【００５７】
なお、下部容器体１１ａの円板部１９における凹部１６の近傍位置には、処理容器１１内に不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスをパージするＮ２ガスパージノズル４７が設けられ、また、下部容器体１１ａの円板部１９における外周側には、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの周縁部にリンス液（シンナー）を吐出するエッジリンスノズル４８が設けられている。また、蓋体１３の天板部３３における摺動筒部３２の近傍部位には、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの裏面に向かってリンス液（シンナー）を吐出するバックリンスノズル４９が設けられている。
【００５８】
次に、レジスト塗布装置の動作態様について、図５ないし図１１を参照して説明する。まず、図５に示すように、第１及び第２のシリンダ１４，１５を駆動して下部容器体１１ａと蓋体１３を相対的に離反する方向に移動し、主搬送アーム４例えば上部ウエハ保持アーム４ｄによって裏面が吸着保持されたウエハＷを下部容器体１１ａと蓋体１３との間から搬入して、上部ウエハ保持アーム４ｄの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内にスピンチャック１０ａを位置した状態で、上部ウエハ保持アーム４ｄの吸着を解除すると同時又は解除直前に、スピンチャック１０ａの吸着を開始してウエハＷを吸着保持する。このとき、オートダンパ２８は開放しており、下部容器体１１ａ内の空気は排気されている。
【００５９】
次に、図６に示すように、第１及び第２のシリンダ１４，１５を駆動して下部容器体１１ａと蓋体１３を相対的に接する方向に移動し、下部容器体１１ａと蓋体１３を密接する。その後、直ちに開閉弁を開放してＨｅガス供給源から吐出（供給）されるＨｅガスをガス供給ノズル４０及び補助ガス供給ノズル４０Ａから処理容器１１内に供給して、処理容器１１内をＨｅガスで置換（パージ）する。このとき、オートダンパ２８は閉じている。また、処理容器１１内に供給されるＨｅガスは空気に比べて約１／１０の比重であるので、処理容器１１内の上部から順に置換され、スピンチャック１０ａによって保持されたウエハＷの表面層付近を速やかに置換して、Ｈｅガス濃度を高くする。この際、処理容器１１の蓋体１３は磁性流体シール部材１０ｃを介してスピンチャック１０ａの回転軸１０ｂに密閉されると共に、スライド用シール部材１０ｄを介してモータ１０ｍに密閉されているので、Ｈｅガスが外部に漏れる虞はない。
【００６０】
Ｈｅガスが供給されている間、ガス濃度センサ４６によって処理容器１１の上部のＨｅガス濃度が検出されており、ガス濃度センサ４６によって所定の検出値｛具体的には、最終目標のＨｅガス濃度（６０％以上）より若干低い値｝が検出されると、その検出信号が制御部に伝達され、制御部からの制御信号によって開閉弁Ｖ１が閉じる。このとき、圧力センサ４５によって処理容器１１内の圧力が検出され、その検出信号が制御部に伝達され、制御部からの制御信号に基づいて開閉弁Ｖ１が制御される。これにより、処理容器１１内が過剰な陽圧状態となるのを回避することができる。
【００６１】
次に、図７に示すように、ノズル切換モータ４４を駆動して、ガス供給ノズル４０に代えてシンナーノズル４２をウエハＷの表面直下に位置すると共に、モータ１０ｍを駆動してウエハＷを低速回転（例えば、１０００ｒｐｍ）する。そして、回転しているウエハＷの表面に向かってシンナーノズル４２からシンナーを吐出して、ウエハＷの表面全体をシンナー薄膜で覆う。
【００６２】
次に、図８に示すように、ノズル切換モータ４４を駆動して、シンナーノズル４２に代えてレジストノズル４１をウエハＷの表面直下に位置し、回転しているウエハＷの表面に向かってレジストノズル４１からレジスト液を吐出して、ウエハＷの表面全体をレジスト膜で覆う。この際、ウエハＷの回転により、ウエハＷの中心より外周へ向けて気流が発生するが、この気流に見合う量のＨｅガスはガス供給ノズル４０より吐出（供給）されており、ウエハ中心からウエハ外周に向けてＨｅガスの流れが形成される。これにより、最終目標となる高いＨｅガス濃度（６０％以上）を安定して維持することができる。
【００６３】
次に、図９に示すように、ノズル切換モータ４４を駆動して、レジストノズル４１に代えてガス供給ノズル４０をウエハＷの表面直下に位置し、回転しているウエハＷの表面に向かってガス供給ノズル４０からＨｅガスを吐出して処理容器１１内をＨｅガスで置換する。そして、目標とするレジスト膜厚を得るためのウエハＷの回転数を高速（例えば、１８００ｒｐｍ）にして、レジスト中の溶剤成分を蒸発し、レジスト膜厚をウエハ全面で均一に乾燥させる。このとき、オートダンパ２８を絞り調整することにより、ウエハ外周部のレジスト膜厚を制御することができ、ウエハ全面におけるレジスト膜厚の均一性を向上させることができる。なお、オートダンパ２８の絞り調整によって排気流量を絞ることにより、処理容器１１内の圧力が上がることになるが、これに応じてＨｅガスのパージ量も絞ることで、処理容器１１内が過剰に陽圧になることを回避することができる。このことは、Ｈｅガスの使用量を減らすことにも貢献する。
【００６４】
次に、レジスト中の溶剤成分を蒸発させレジスト膜厚が目標値に達した後、図１０に示すように、エッジリンスノズル８２からウエハＷの周縁部にリンス液（シンナー）を吐出すると共に、バックリンスノズル８３からウエハＷの裏面に向かってリンス液（シンナー）を吐出する。この段階では、乾燥が終了しているので、「風きり跡」が発生することがないため、Ｈｅガスのパージは必要ない。なお、Ｈｅガスのパージを絞ることも可能であり、場合によっては、他の気体（空気や窒素）のパージに切り換えるようにしてもよい。なお、排気は、オートダンパ２８を元の排気量に戻して、発生したミストを回収するようにする。
【００６５】
上記サイドリンス処理及びバックリンス処理を実施した後、ウエハＷの回転乾燥によりサイドリンスのシンナーが乾いたら、ウエハＷの塗布処理は終了する。
【００６６】
塗布処理が終了した後、第１及び第２のシリンダ１４，１５が駆動して下部容器体１１ａと蓋体１３が相対的に離反する方向に移動する。この状態で、図１１に示すように、主搬送アーム４例えば下部ウエハ保持アーム４ｅが下部容器体１１ａと蓋体１３との間に進入して、下部ウエハ保持アーム４ｅの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内にスピンチャック１０ａを位置した状態で、スピンチャック１０ａの吸着を解除すると同時又は解除直前に、下部ウエハ保持アーム４ｅａの吸着を開始してウエハＷを吸着保持する。そして、処理容器１１の外方へウエハＷを搬出する。このとき、オートダンパ２８は開放しており、下部容器体１１ａ内の空気は排気されている。
【００６７】
上記のようにして、塗布処理されたウエハＷが搬出された後、次の塗布処理まで待機する。この待機中に、レジストノズル４１が直下に切り換わって、ダミーディスペンスによりレジストノズル４１に付着するレジスト液を除去する。
【００６８】
上記現像処理装置５０は、図１２及び図１３に示すように、ウエハＷの表面を下向きにして例えば真空吸着によって保持する保持手段であるスピンチャック５０ａと、このスピンチャック５０ａを回転駆動するモータ５０ｂと、スピンチャック５０ａによって保持されたウエハＷを収容する開閉可能な処理カップ５１と、スピンチャック５０ａによって保持されたウエハＷの表面に現像液を浸漬する現像液ノズル５３と、を具備している。
【００６９】
上記スピンチャック５０ａは、主搬送アーム４の吸着保持部との干渉を回避すべく、上部ウエハ保持アーム４ｄ及び下部ウエハ保持アーム４ｅの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内に位置可能な円板状に形成されている。スピンチャック５０ａにはウエハＷの裏面を例えば真空吸着するための複数の吸引孔（図示せず）が設けられており、これら吸引孔は、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００７０】
上記処理カップ５１は、スピンチャック５０ａによって保持されたウエハＷの外側及び下側を包囲する上部が開口したカップ本体５１ａと、カップ本体５１ａの開口部５１ｂを気水密に閉塞する蓋体５２とで構成されており、カップ本体５１ａの移動機構５６と、蓋体５２の移動機構５７によって、蓋体５２とカップ本体５１ａが相対的に接離移動するように構成されている。
【００７１】
この場合、カップ本体５１ａは、現像液トレー５４の下方中央部に凹部５１ｑを有し、外周縁に外方に向かって下り勾配の傾斜片５１ｃを介して先端が垂下する折曲片５１ｄを有する円板部５１ｅと、この円板部５１ｅの傾斜片５１ｃの内方側に位置する内周壁５１ｆと、折曲片５１ｄの外方に隙間をおいて位置する外周壁５１ｇと、内周壁５１ｆと外周壁５１ｇの下端同士を連結する外方に向かって下り勾配を有する底部５１ｈとからなる周溝部５１ｉと、外周壁５１ｇの上端から内方側に水平状に延在する開口縁部５１ｊとで構成されている。
【００７２】
また、カップ本体５１ａの周溝部５１ｉの底部５１ｈの外周側には、ドレイン口５１ｋが設けられており、このドレイン口５１ｋにドレイン管５１ｍが接続されている。また、周溝部５１ｉにおける複数箇所には貫通口５１ｎが設けられており、これら貫通口５１ｎに、開口端が若干上方に位置するように排気管路５１ｐが嵌挿されている。
【００７３】
なお、カップ本体５１ａの中央部に設けられた凹部５１ｑは、底部が狭小テーパ状に形成されており、その最下端に設けられた貫通口５１ｒにドレイン管５１ｓが接続されている。また、この凹部５１ｑ内には、現像液トレー５４に選択的に接続可能な現像液ノズル５３とリンス兼乾燥ノズル５５が配設されており、現像液ノズル５３又はリンス兼乾燥ノズル５５の一方が切換駆動モータ５０ｂによって現像液トレー５４に選択的に接続されるように構成されている。
【００７４】
上記のように構成されるカップ本体５１ａの下部の一側にはブラケット５１ｔが突設されており、ブラケット５１ｔに、装置の固定側に立設された第３の移動機構である第３のシリンダ５６のピストンロッド５６ａが連結されている。したがって、第３のシリンダ５６の駆動によるピストンロッド５６ａの伸縮動作によってカップ本体５１ａが鉛直方向に上下移動する。
【００７５】
一方、蓋体５２は、スピンチャック１０ａの回転軸１０ｂにスライド用シール部材（図示せず）を介在してスピンチャック１０ａに気水密に装着されている。この場合、蓋体５２は、スライド用シール部材を介在してモータ５０ｂの外周を包囲する摺動筒部５２ａと、この摺動筒部５２ａの下端から外方に延在する円板状の天板部５２ｂと、天板部５２ｂの外周縁に円筒状垂下片５２ｃが設けられている。このように構成される蓋体５２の円筒状垂下片５２ｃは、カップ本体５１ａの開口縁部５１ｊの内周面に接触して現像液トレー５４の外周を被覆するようになっている。
【００７６】
また、蓋体５２の摺動筒部５２ａの上端の一側にはブラケット５２ｄが突設されており、ブラケット５２ｄに、装置の固定部５７に固定された第４の移動機構である第４のシリンダ５８のピストンロッド５８ａが連結されている。したがって、第４のシリンダ５８の駆動によるピストンロッド５８ａの伸縮動作によって蓋体５２が鉛直方向に上下移動する。
【００７７】
上記のように構成されるカップ本体５１ａを上下移動する第３のシリンダ５６と、蓋体５２を上下移動する第４のシリンダ５８の駆動によって、カップ本体５１ａと蓋体５２が相対的に接離移動される。
【００７８】
なお、上記説明では、カップ本体５１ａ及び蓋体５２の移動機構がシリンダ５６，５８によって形成される場合について説明したが、移動機構はカップ本体５１ａと蓋体５２を相対的に接離移動する機構であれば必ずしもシリンダである必要はなく、シリンダに代えて例えばボールねじ機構やタイミングベルト機構等を用いてもよい。また、カップ本体５１ａ又は蓋体５２の一方を他方に対して接離移動する移動機構を用いてもよい。
【００７９】
次に、現像処理装置の動作態様について、図１２及び図１３を参照して説明する。まず、図１２に示すように、第３及び第４のシリンダ５６，５８を駆動してカップ本体５１ａと蓋体５２を相対的に離反する方向に移動し、主搬送アーム４例えば上部ウエハ保持アーム４ｄによって裏面が吸着保持された露光処理後のウエハＷをカップ本体５１ａと蓋体５２との間から搬入して、上部ウエハ保持アーム４ｄの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内にスピンチャック５０ａを位置した状態で、上部ウエハ保持アーム４ｄの吸着を解除すると同時又は解除直前に、スピンチャック１０ａの吸着を開始してウエハＷを吸着保持する。
【００８０】
次に、図１３に示すように、第３及び第４のシリンダ５６，５８を駆動してカップ本体５１ａと蓋体５２を相対的に接する方向に移動し、カップ本体５１ａと蓋体５２を密接すると共に、蓋体５２によって現像液トレー５４を密接包囲する。この状態で、現像液ノズル５３が現像液トレー５４に接続され、現像液ノズル５３から現像液トレー５４内に現像液が供給されている。次に、スピンチャック５０ａを下降してスピンチャック１０ａによって吸着保持されているウエハＷの表面を現像液に浸漬して現像を行う。現像を行った後、リンス兼乾燥ノズル５５が現像液トレー５４に接続され、リンス処理と乾燥処理が同時に行われる。
【００８１】
現像処理が終了した後、第３及び第４のシリンダ５６，５８が駆動してカップ本体５１ａと蓋体５２が相対的に離反する方向に移動する。この状態で、主搬送アーム４例えば下部ウエハ保持アーム４ｅがカップ本体５１ａと蓋体５２との間に進入して、下部ウエハ保持アーム４ｅの馬蹄形状の内方凹部４ｇ内にスピンチャック５０ａを位置した状態で、スピンチャック５０ａの吸着を解除すると同時又は解除直前に、下部ウエハ保持アーム４ｅａの吸着を開始してウエハＷを吸着保持する。そして、現像処理装置５０の外方へウエハＷを搬出する。
【００８２】
上記冷却・加熱装置６０は、図１４に示すように、一側壁にウエハＷの搬入・搬出口６１ａを有する筐体６１内に、ウエハＷを冷却するための冷媒流路（図示せず）を有する冷却プレート６２と、ウエハＷを加熱するためのヒータ（図示せず）を有する加熱プレート６３と、を並列して設けると共に、冷却プレート６２及び加熱プレート６３にウエハＷを搬送する補助基板搬送手段である補助搬送アーム６４と、を具備してなる。なお、搬入・搬出口６１ａにはシャッタ（図示せず）が開閉可能に閉塞されている。
【００８３】
この場合、補助搬送アーム６４は、主搬送アーム４（具体的には、上，下部ウエハ保持アーム４ｄ，４ｅ）との間でウエハＷの受け渡しの際に、上下部ウエハ保持アーム４ｄ，４ｅと干渉することなく、ウエハＷの裏面における対向する両側辺部を例えば真空吸着により保持する辺部吸着保持部６４ａを具備し、かつ、冷却プレート６２及び加熱プレート６３と平行に沿設されたガイドレール６８上を摺動可能に形成されると共に、鉛直方向に昇降可能に形成されている。辺部吸着保持部６４ａには、吸引孔６４ｂが設けられており、この吸引孔６４ｂに、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００８４】
冷却プレート６２及び加熱プレート６３には、図１５に示すように、ウエハＷの裏面を例えば真空吸着するための複数の溝状の吸引孔６５が設けられており、これら吸引孔６５は、図示しない開閉弁を介設した配管（図示せず）を介して吸着源例えば真空ポンプ（図示せず）に接続されている。また、冷却プレート６２及び加熱プレート６３は、対向する両側辺部に、補助搬送アーム６４の辺部吸着保持部６４ａの昇降に干渉しないように切欠き部６６が設けられている。
【００８５】
次に、冷却・加熱装置６０の動作態様について、図１４及び図１５を参照して説明する。まず、主搬送アーム４、例えば、上部ウエハ保持アーム４ｄによって裏面が吸着保持されたウエハを搬入・搬出口６１ａを介して筐体６１内に搬入すると、補助搬送アーム６４の辺部吸着保持部６４ａがウエハＷの対向する両側辺部に位置し、この状態で、上部ウエハ保持アーム４ｄの吸着を解除すると同時又は解除直前に、辺部吸着保持部６４ａが吸着を開始して、上部ウエハ保持アーム４ｄから補助搬送アーム６４がウエハＷを受け取る。
【００８６】
次に、上部ウエハ保持アーム４ｄが筐体６１の外部に後退した後に、補助搬送アーム６４によって吸着保持されたウエハＷを冷却プレート６２の冷却面側に移動する。そして、辺部吸着保持部６４ａの吸着を解除すると同時又は解除直前に、冷却プレート６２が吸着を開始して、補助搬送アーム６４から冷却プレート６２がウエハＷを受け取り、冷却処理を施す。補助搬送アーム６４は、ウエハＷを冷却プレート６２に受け渡した後は、冷却プレート６２の両側の切欠き部６６を介して上方に退避する（図１４（ｃ）、図１５参照）。
【００８７】
冷却処理が施された後、再び補助搬送アーム６４の辺部吸着保持部６４ａが冷却プレート６２の両側の切欠き部６６を介してウエハＷの両側辺部に近接し、この状態で、冷却プレート６２の吸着を解除すると同時又は解除直前に、辺部吸着保持部６４ａが吸着を開始して、冷却プレート６２から補助搬送アーム６４がウエハＷを受け取る。
【００８８】
ウエハＷを受け取った後、補助搬送アーム６４の辺部吸着保持部６４ａは冷却プレート６２から離れた下方位置に移動し、加熱プレート６３側に移動してウエハＷを加熱プレート６３の加熱面側に移動する。そして、辺部吸着保持部６４ａの吸着を解除すると同時又は解除直前に、加熱プレート６３が吸着を開始して、補助搬送アーム６４から加熱プレート６３がウエハＷを受け取り、加熱処理を施す。補助搬送アーム６４は、ウエハＷを加熱プレート６３に受け渡した後は、加熱プレート６３の両側の切欠き部６６を介して上方に退避する（図１４（ｃ）、図１５参照）。
【００８９】
加熱処理が施された後、再び補助搬送アーム６４の辺部吸着保持部６４ａが加熱プレート６３の両側の切欠き部６６を介してウエハＷの両側辺部に近接し、この状態で、加熱プレート６３の吸着を解除すると同時又は解除直前に、辺部吸着保持部６４ａが吸着を開始して、加熱プレート６３から補助搬送アーム６４がウエハＷを受け取る。
【００９０】
ウエハＷを受け取った後、補助搬送アーム６４の辺部吸着保持部６４ａは加熱プレート６３から離れた下方位置に移動し、搬入・搬出口６１ａ側に移動する。このとき、筐体６１内に主搬送アーム４の下部ウエハ保持アーム４ｅが進入し、ウエハＷの裏面に位置した状態で、辺部吸着保持部６４ａの吸着を解除すると同時又は解除直前に、下部ウエハ保持アーム４ｅが吸着を開始して、補助搬送アーム６４から下部ウエハ保持アーム４ｅがウエハＷを受け取り、筐体６１内からウエハＷを搬出する。
【００９１】
なお、上記説明では、冷却プレート６２による冷却処理と、加熱プレート６３による加熱処理とを行う場合について説明したが、冷却プレート６２による冷却処理のみ、又は、加熱プレート６３による加熱処理のみを行うようにしてもよい。
【００９２】
次に、上記のように構成されるレジスト塗布・現像処理装置によるウエハＷの処理工程について簡単に説明する。
【００９３】
まず、搬入・搬出部Ｓ１の搬入側に載置されたフープ１内に搬出・搬入アーム２が進入して、ウエハＷの裏面を吸着保持して、フープ１内からウエハＷを上向きの状態で搬出する。搬出・搬入アーム２によってウエハＷを上向きにした状態で第１のインターフェース部Ｓ３に取り出した後、搬出・搬入アーム２の反転機構２ｆによってウエハＷを下向きに反転される。この状態で、搬出・搬入アーム２によって第１の基板受け渡し部３の例えば下部収容室３ｂ内に搬入し、第１の基板受け渡し部３の吸着保持部３ｆによってウエハＷの裏面を吸着保持する。
【００９４】
すると、主搬送アーム４の例えば上部ウエハ保持アーム４ｄが第１の基板受け渡し部３内のウエハＷの裏面を吸着保持して、下向きのウエハＷを処理部Ｓ２のレジスト塗布装置１０と冷却・加熱装置６０に搬送し、レジスト塗布処理及びレジスト塗布処理前後の熱処理を施す。
【００９５】
レジスト塗布処理後、主搬送アーム４の例えば下部ウエハ保持アーム４ｅによってウエハＷの裏面を吸着保持した状態で、第２の基板受け渡し部３Ａの例えば下部収容室３ｂ内に搬入し、第２の基板受け渡し部３Ａの吸着保持部３ｆによってウエハＷの裏面を吸着保持する。
【００９６】
第２の基板受け渡し部３Ａに搬入されたレジスト塗布処理後のウエハＷは、搬入・搬出アーム６によって第２のインターフェース部Ｓ４に取り出され、搬入・搬出アーム６の反転機構２ｆによって上向きに反転した状態で露光処理装置５に搬入される。
【００９７】
露光処理装置５によって露光処理されたウエハＷは、搬入・搬出アーム６によって露光処理装置５内から搬出され、再び搬入・搬出アーム６の反転機構２ｆによって下向きに反転される。この状態で、搬入・搬出アーム６によって第２の基板受け渡し部３Ａの例えば上部収容室３ａ内に搬入され、第２の基板受け渡し部３Ａの吸着保持部３ｆによってウエハＷは裏面が吸着保持される。
【００９８】
すると、主搬送アーム４の例えば上部ウエハ保持アーム４ｄが第２の基板受け渡し部３Ａ内のウエハＷの裏面を吸着保持して、下向きのウエハＷを処理部Ｓ２の現像処理装置５０と冷却・加熱装置６０に搬送し、現像処理及び現像処理前後の熱処理を施す。
【００９９】
現像処理が施されたウエハＷは、主搬送アーム４によって裏面が吸着保持された状態で、第１の基板受け渡し部３の上部収容室３内に搬入され、第１の基板受け渡し部３の吸着保持部３ｆによって裏面が吸着保持される。
【０１００】
第１の基板受け渡し部３に搬入された現像処理後のウエハＷは、搬出・搬入アーム２によって第１のインターフェース部Ｓ３に取り出され、搬出・搬入アーム２の反転機構２ｆによって上向きに反転した状態で搬入・搬出部Ｓ１の搬出側のフープ１内に搬入されて処理が終了する。
【０１０１】
したがって、フープ１内から搬出されたウエハＷは、処理面（表面）を下向きにした状態で搬送されると共に、処理ユニットすなわち液処理ユニットＵ１，Ｕ２及び熱処理ユニットＵ３内において処理が施されるので、ウエハＷの表面へのパーティクルの付着を低減することができると共に、スループットの向上を図ることができる。
【０１０２】
なお、上記実施形態では、ウエハＷの裏面を吸着保持する手段が真空吸着である場合について説明したが、真空吸着に代えて静電吸着によってウエハＷの裏面を吸着保持してもよい。
【０１０３】
なお、上記実施形態では、この発明に係る基板搬送処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理に適用した場合について説明したが、この発明に係る基板搬送処理装置は、ＬＣＤガラス基板のレジスト塗布・現像処理にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】この発明に係る基板搬送処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理装置の一例を示す概略平面図である。
【図２】この発明における搬出・搬入アーム及び搬入・搬出アームの搬入・搬出動作を示す概略側面図（ａ），（ｂ）、反転動作を示す概略正面図（ｃ），（ｄ）及び（ｄ）のＩ矢視図（ｅ）である。
【図３】この発明における主搬送アームの動作態様を示す概略側面図（ａ），（ｂ）及び（ｂ）のII矢視図（ｃ）である。
【図４】この発明における基板受け渡し部の概略断面図（ａ）及び（ａ）のIII−III線に沿う断面図（ｂ）である。
【図５】この発明におけるレジスト塗布装置によりウエハを受け取った状態を示す概略断面図である。
【図６】上記レジスト塗布装置の処理容器内をＨｅガスで置換する状態を示す概略断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
【図７】上記レジスト塗布装置によりウエハにシンナーを吐出する状態を示す概略断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
【図８】上記レジスト塗布装置によりウエハにレジスト液を吐出する状態を示す概略断面図（ａ）及びその要部拡大断面図（ｂ）である。
【図９】上記レジスト塗布装置の振り切り乾燥状態を示す概略断面図である。
【図１０】上記レジスト塗布装置のサイドリンス処理及びバックリンス処理の状態を示す概略断面図である。
【図１１】上記レジスト塗布装置の処理後のウエハを受け渡す状態を示す概略断面図である。
【図１２】この発明における現像処理装置によりウエハを受け取った状態を示す概略断面図である。
【図１３】上記現像処理装置の現像処理前の状態を示す概略断面図である。
【図１４】この発明における冷却・加熱装置を示す概略平面図（ａ）、概略断面図（ｂ）及び（ａ）のIV−IV線に沿う断面図（ｃ）である。
【図１５】この発明における冷却プレート，加熱プレートと補助搬送アームを示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【０１０５】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
Ｓ１  搬入・搬出部
Ｓ２  処理部
Ｓ３  第１のインターフェース部
Ｓ４  第２のインターフェース部
Ｕ１，Ｕ２  液処理ユニット
Ｕ３  熱処理ユニット
１  フープ（収容容器）
２  搬出・搬入アーム（基板搬出・搬入手段）
２ｅ  ウエハ保持部（吸着保持部）
２ｆ  反転機構
２ｇ  内方凹部
３  第１の基板受け渡し部
３Ａ  第２の基板受け渡し部
３ｆ  吸着保持部
４  主搬送アーム（主基板搬送手段）
４ｄ  上部ウエハ保持アーム（吸着保持部）
４ｅ  下部ウエハ保持アーム（吸着保持部）
４ｇ  内方凹部
５  露光処理装置
６  搬入・搬出アーム（基板搬入・搬出手段）
１０  レジスト塗布装置
１０ａ  スピンチャック（吸着保持部）
５０  現像処理装置
５０ａ  スピンチャック（吸着保持部）
６０  冷却・加熱装置
６２  冷却プレート
６３  加熱プレート
６４  補助搬送アーム（補助基板搬送手段）
６４ａ  辺部吸着保持部
６６  切欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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