(57)【要約】【課題】リード素子に対して基準マーカーが、固体固有の原因でずれた場合であっても、リード素子とライト磁極とを位置精度良く位置合わせすることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】リード素子８２を形成するリード素子形成ステップと、リード素子８２より上層に、基準マーカー２７を、リード素子８２の形成位置を基準として位置決めして形成する基準マーカー形成ステップと、リード素子８２の形成位置に対する基準マーカー２７の水平方向の第一位置ずれ分を計測する計測ステップと、基準マーカー２７より上層に、ライト磁極８０を、基準マーカー２７の形成位置を基準として、第一位置ずれ分だけ、逆方向に位置補正して位置決めして形成するライト磁極形成ステップとを含む。【選択図】図２
2009032346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード素子を形成するリード素子形成ステップと、
前記リード素子より上層に、基準マーカーを、リード素子の形成位置を基準として位置決めして形成する基準マーカー形成ステップと、
前記リード素子の形成位置に対する前記基準マーカーの水平方向の第一位置ずれ分を計測する計測ステップと、
前記基準マーカーより上層に、ライト磁極を、基準マーカーの形成位置を基準として、前記第一位置ずれ分だけ、逆方向に位置補正して位置決めして形成するライト磁極形成ステップとを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
リード素子を形成するリード素子形成ステップと、
前記リード素子より上層に、基準マーカーを、リード素子の形成位置を基準として位置決めして形成する基準マーカー形成ステップと、
前記リード素子の形成位置に対する前記基準マーカーの水平方向の第一位置ずれ分を計測する計測ステップと、
前記基準マーカーより上層に、ライト磁極を、基準マーカーの形成位置を基準として、前記第一位置ずれ分と、以前のロットで製造された薄膜磁気ヘッドにおけるリード素子の形成位置に対するライト磁極の水平方向の第二位置ずれ分とを足し合わせた合計位置ずれ分だけ、逆方向に位置補正して位置決めして形成するライト磁極形成ステップとを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記第二位置ずれ分は、以前の複数のロットにおける計測結果に基づいて求められることを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記リード素子形成ステップは、前記リード素子および第一オーバーレイマーカーの形状を含むショットの露光をウエハ基板に対して行うフォトリソグラフィ法を用いて、ウエハ基板上におけるリード素子および第一オーバーレイマーカーの形成位置を設定し、
前記基準マーカー形成ステップは、前記基準マーカーおよび第二オーバーレイマーカーの形状を含むショットの露光を前記ウエハ基板に対して行うフォトリソグラフィ法を用いて、ウエハ基板上における基準マーカーおよび第二オーバーレイマーカーの形成位置を設定し、
前記計測ステップは、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの間の水平方向の位置ずれ分を、前記第一位置ずれ分として計測することを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記ライト磁極形成ステップは、前記ライト磁極の形状を含み、前記リード素子形成ステップおよび前記基準マーカー形成ステップで用いられるショットのサイズとは異なるサイズのショットの露光を、前記ウエハ基板に対して行うフォトリソグラフィ法を用いて、ウエハ基板上におけるライト磁極の形成位置を設定し、
前記第一オーバーレイマーカーおよび前記第二オーバーレイマーカーは、前記ライト磁極形成ステップで用いられる各ショットの、外周縁近傍の複数位置に対応するよう、配設されていることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記ライト磁極形成ステップで用いられるショットは、前記リード素子形成ステップおよび前記基準マーカー形成ステップで用いられるショットの形状を、互いに同形の複数形状に分割した形状および位置であることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リード素子とライト磁極とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面説明図を、図６に示す。図６は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを、コア幅方向の中心部分で、浮上面に直交する断面で切断した断面図である。
図６の薄膜磁気ヘッドは、磁気ディスク等の磁気記録媒体（図示せず）の記録層を所定の磁化パターンに磁化して、記録層に磁気情報を記録するライトヘッドと、磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み取るリードヘッドとを備える。
リードヘッドは、下部シールド層２０、上部シールド層３０、および例えばＴＭＲ素子から成るリード素子８２から成る。
ライトヘッドは、ライト磁極８０、第一リターンヨーク８８、第二リターンヨーク９６、バックギャップ９２、トレーリングシールド９４、およびコイル３６ａ，３６ｂから成る。
なお、図６において、各層間の空白の箇所は、アルミナ等の絶縁物で埋められている。
【０００３】
最初に、図６に示した垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面図を用いて、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法の構成を説明する。なお、薄膜磁気ヘッドにおいては、リードヘッドやライトヘッドは、それぞれ薄膜の積層によって形成される。
【０００４】
まず、ウエハ基板（図示せず）上に、リードヘッドの下部シールド層２０を湿式めっきにて形成する。続いて、下部シールド層２０の表面を研磨することで、下部シールド層２０を平坦化する。
続いて、下部シールド層２０の上層に、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子またはＣＰＰ型のＧＭＲ素子から成るリード素子８２を形成する。
続いて、リード素子８２の両側（図６中の手前側と奥側）に、ハードバイアス膜（図示せず）を形成し、また、リード素子８２の後方には、絶縁膜２６を設ける。
次に、リード素子８２、絶縁膜２６、およびハードバイアス膜上に、上部シールド層３０を形成する。
次に、上部シールド層３０上に絶縁膜３２を形成する。
【０００５】
さらに、絶縁膜３２上に、ライトヘッドの第一リターンヨーク８８を形成する。
続いて、第一リターンヨーク８８上に絶縁膜３３を形成するとともに、絶縁膜３３上に第一コイル３６ａを形成する。続いて、その表面全面に、アルミナ層４１をスパッタし、表面を研磨することで平坦化する。次に、第一コイル３６ａの上層にアルミナ膜３９をスパッタする。
続いて、アルミナ膜３９上に、ライトヘッドのライト磁極８０（主磁極）を形成する。
ライト磁極８０の形成後、ライト磁極８０の後端側にバックギャップ９２を積み上げて形成するとともに、ライト磁極８０上にアルミナ膜を形成し、さらにアルミナ膜上に、バックギャップ９２を取り巻くように第二コイル３６ｂを形成する。また、ライト磁極８０の先端部の上方には、ライト磁極８０と離間させて、トレーリングシールド９４を形成する。さらに、第二コイル３６ｂの上層にアルミナ膜を形成するとともに、さらにその上層に、バックギャップ９２およびトレーリングシールド９４に連結するリターンヨーク９６を形成する。
【０００６】
さらに、リターンヨーク９６上に保護層（図示せず）を積層し、外部接続端子等を設ける等の工程を踏んで、ウエハ基板上に、スライダーの積層構造が完成する。
【０００７】
ところで、近年、薄膜磁気ヘッドにおいて、リード素子８２とライト磁極８０との相対的な位置関係を正確に設定することが求められている。特に垂直磁気記録方式の磁気記録装置においては、従来の水平磁気記録方式と比較して、磁気記録密度が高度化してトラックピッチが狭幅化しているために、リード素子８２とライト用のライト磁極８０との、トラックをまたぐ方向（薄膜の積層方向に垂直な方向）の相対的な位置関係をより高精度に設ける必要がある。
【０００８】
以下、従来の垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドにおいて、リード素子８２とライト磁極８０との、水平方向（薄膜の積層方向に垂直な方向）の相対的な位置を合わせるための手法を説明する。
図７は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを浮上面で切断し、浮上面側からみた垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面説明図である。ただし、図７においては、リード素子８２とライト磁極８０との位置合わせに関係する部材のみを図示し、その他の構成要素（上部および下部シールド層２０，３０、第一リターンヨーク８８、およびトレーリングシールド９４等）は図示を省略している。
【０００９】
まず、前述したリード素子８２を形成する工程を、より詳細に説明する。まず、下部シールド層２０上の絶縁層の上層に、リード素子膜としてのＴＭＲ膜またはＣＰＰ型のＧＭＲ膜を全面に形成し、その上面にフォトリソグラフィ法により所定パターンの感光性レジスト層を形成し、このレジスト層から露出したリード素子膜をエッチングして除去することで、リード素子８２を形成する。
このとき、このリード素子８２と同プロセスで、上層積層時の位置合わせ用マーカー２３と、ライト磁極８０の形成層に対する積層位置ずれ検出用の第一オーバーレイマーカー２５とを形成する。すなわち、前記フォトリソグラフィの工程における感光性レジスト層の露光パターンには、リード素子８２の形状パターンだけでなく、位置合わせ用マーカー２３および第一オーバーレイマーカー２５の形状パターンも含まれており、前記エッチングの工程によって、リード素子８２、位置合わせ用マーカー２３、および第一オーバーレイマーカー２５が同プロセスで形成される。
その後、前記感光性レジスト層は除去する。
【００１０】
その後、リード素子８２の上層に、上部シールド層３０、第一リターンヨーク８８、および第一コイル３６ａ等を設けるが、位置合わせ用マーカー２３および第一オーバーレイマーカー２５の真上には、これらの材質（磁性体等）は積層せず、光を透過するアルミナ絶縁膜のみを積層し、位置合わせ用マーカー２３および第一オーバーレイマーカー２５が上層側から見えるように構成しておく。
【００１１】
さて、これらのリード素子８２とライト用のライト磁極８０との中間層のいずれかにおいて、リード素子８２と同層の位置合わせ用マーカー２３の形成位置を基準として位置決めされた、基準マーカー２７を設ける。この基準マーカー２７は、特に限定されるものではないが、例えば第一コイル３６ａと同層に設けられる。
基準マーカー２７は、フォトリソグラフィ法を用いて、感光性レジスト層のパターンとして構成されるか、または感光性レジスト層を用いてパターニングされた他の部材で構成される。基準マーカー２７を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程においては、リード素子８２と同層の位置合わせ用マーカー２３を撮像して画像認識し、その位置合わせ用マーカー２３に対して露光位置を位置合わせする。すなわち、基準マーカー２７は、位置合わせ用マーカー２３、延いてはリード素子８２の形成位置を基準として位置決めされて形成される。
【００１２】
続くライト用のライト磁極８０を形成する工程においては、基準マーカー２７の形成位置を基準として、ライト磁極８０を設ける。
ライト磁極８０は、アルミナ絶縁膜上にめっきベースを設け、このめっきベース上に、フォトリソグラフィ法により、ライト磁極８０の形成箇所以外を覆うように感光性レジスト層を設け、前記めっきベースを給電層とした電解めっきを施すことで形成される。
このとき、このライト磁極８０と同プロセスで、リード素子８２の形成層との積層位置ずれ検出用の第三オーバーレイマーカー２９を形成する。すなわち、ライト磁極８０の形成用の前記フォトリソグラフィの工程における感光性レジスト層の露光パターンには、ライト磁極８０の形状パターンだけでなく、第三オーバーレイマーカー２９の形状パターンも含まれており、前記電解めっきの工程によって、ライト磁極８０、および第三オーバーレイマーカー２９が同プロセスで形成される。第三オーバーレイマーカー２９は、第一オーバーレイマーカー２５との水平方向（積層方向に垂直な方向）の位置ずれが計測できるよう、第一オーバーレイマーカー２５の積層方向上方に配設される。
その後、前記感光性レジスト層は除去する。
【００１３】
ライト磁極８０を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程においては、基準マーカー２７を撮像して画像認識し、その基準マーカー２７に対して露光位置を位置合わせする。すなわち、ライト磁極８０は、基準マーカー２７の形成位置を基準として位置決めされて形成される。
【００１４】
このように、リード素子８２（位置合わせ用マーカー２３）に対して基準マーカー２７を位置合わせして形成し、基準マーカー２７に対してライト磁極８０を位置合わせして形成することにより、リード素子８２に対するライト磁極８０の相対的な水平方向の位置を位置合わせしている。
【００１５】
なお、下層の素子に対して位置合わせして、上層の素子を形成する際、下層の素子と同プロセスで形成したマーカーを用いることは従来から行われており、例えば特許文献１にその技術の一つが開示されている。
【００１６】
リード素子８２（位置合わせ用マーカー２３）に対してライト磁極８０を直接位置合わせせずに、中間層に設けた基準マーカー２７を介する理由は、リード素子８２とライト磁極８０とが、積層方向に相当距離、離れているため、その間のアルミナ絶縁層の厚さが厚く、位置合わせ用マーカー２３の位置を正確に認識するのが難しいからである。
特に、ライト磁極８０を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程において、露光に光ではなく電子線を用いる場合があり、この場合、電子線に対するアルミナ絶縁膜の透過性が小さいために、深い位置にある位置合わせ用マーカー２３に対して位置合わせを行うことがより困難となるからである。
【００１７】
さて、ライト磁極８０を形成した後、第一および第三オーバーレイマーカー２５，２９を積層方向上方から観測することにより、リード素子形成層とライト磁極形成層との間の水平方向の位置ずれ（オーバーレイ位置ずれ）を測定する。
この層間の位置ずれの方向および距離には、所定の傾向があることが多い。そこで、この測定された位置ずれ分を、その後に製造される磁気ヘッドのロットにフィードバックすることで、この所定の傾向の位置ずれを修正することが行われる。
例えば、ウエハ基板上の複数箇所、または複数のウエハ基板について、リード素子形成層とライト磁極形成層との間の水平方向の位置ずれ（オーバーレイ位置ずれ）を測定し、その平均値に基づいて、リード素子８２に対するライト磁極８０の位置ずれの方向および距離の傾向を求める。そして、その後に製造するロットにおいては、ライト磁極８０を形成するためのフォトリソグラフィの工程において、基準マーカー２７に対して、その求めた位置ずれ分だけ、その露光位置を逆方向に位置補正する。
この位置補正により、リード素子８２に対するライト磁極８０の位置ずれの所定の傾向を相殺して、リード素子８２に対するライト磁極８０の形成位置精度を、平均的に向上させることができる。
【００１８】
【特許文献１】特開２００１−６６７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
ところで、リード素子８２（位置合わせ用マーカー２３）に対する基準マーカー２７の形成位置の位置ずれや、基準マーカー２７に対するライト磁極８０の形成位置の位置ずれの方向および距離は、一般的には前述のように所定の傾向を示すが、もちろん、その傾向とは別に、固体毎に固有の位置ずれも存在する。
【００２０】
ここで、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、図８に示すように、リード素子８２（位置合わせ用マーカー２３）に対して基準マーカー２７が、前記傾向とは別の、固体固有の原因でずれたとすると、ライト磁極８０は、その固体固有の原因でずれた基準マーカー２７に対して位置決めされるから、リード素子８２に対してその基準マーカー２７の固体固有の位置ずれ分だけずれて形成されてしまうという課題がある。
【００２１】
特に、その固体固有のずれ方向が、前記所定の傾向を相殺するための位置補正の方向と一致すると、この位置補正によってかえってリード素子８２とライト磁極８０との位置ずれ距離が大きくなってしまうケースもある。
【００２２】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、リード素子に対して基準マーカーが、固体固有の原因でずれた場合であっても、リード素子とライト磁極とを位置精度良く位置合わせすることが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、リード素子を形成するリード素子形成ステップと、前記リード素子より上層に、基準マーカーを、リード素子の形成位置を基準として位置決めして形成する基準マーカー形成ステップと、前記リード素子の形成位置に対する前記基準マーカーの水平方向の第一位置ずれ分を計測する計測ステップと、前記基準マーカーより上層に、ライト磁極を、基準マーカーの形成位置を基準として、前記第一位置ずれ分だけ、逆方向に位置補正して位置決めして形成するライト磁極形成ステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、ライト磁極を、リード素子に対する基準マーカーの第一位置ずれ分だけ位置補正するから、リード素子に対して基準マーカーが固体固有の原因でずれた場合であっても、リード素子とライト磁極とを位置精度良く位置合わせして形成することができる。
【００２４】
また、リード素子を形成するリード素子形成ステップと、前記リード素子より上層に、基準マーカーを、リード素子の形成位置を基準として位置決めして形成する基準マーカー形成ステップと、前記リード素子の形成位置に対する前記基準マーカーの水平方向の第一位置ずれ分を計測する計測ステップと、前記基準マーカーより上層に、ライト磁極を、基準マーカーの形成位置を基準として、前記第一位置ずれ分と、以前のロットで製造された薄膜磁気ヘッドにおけるリード素子の形成位置に対するライト磁極の水平方向の第二位置ずれ分とを足し合わせた合計位置ずれ分だけ、逆方向に位置補正して位置決めして形成するライト磁極形成ステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、請求項１の作用効果に加え、以前のロットと共通の傾向の位置ずれをも補正できる。
【００２５】
さらに、前記第二位置ずれ分は、以前の複数のロットにおける計測結果に基づいて求められることを特徴とする。
これによれば、以前の複数のロットに共通の傾向の位置ずれを補正でき、補正値の精度を向上させることができる。
【００２６】
また、前記リード素子形成ステップは、前記リード素子および第一オーバーレイマーカーの形状を含むショットの露光をウエハ基板に対して行うフォトリソグラフィ法を用いて、ウエハ基板上におけるリード素子および第一オーバーレイマーカーの形成位置を設定し、前記基準マーカー形成ステップは、前記基準マーカーおよび第二オーバーレイマーカーの形状を含むショットの露光を前記ウエハ基板に対して行うフォトリソグラフィ法を用いて、ウエハ基板上における基準マーカーおよび第二オーバーレイマーカーの形成位置を設定し、前記計測ステップは、前記第一オーバーレイマーカーと前記第二オーバーレイマーカーとの間の水平方向の位置ずれ分を、前記第一位置ずれ分として計測することを特徴とする。
【００２７】
さらに、前記ライト磁極形成ステップは、前記ライト磁極の形状を含み、前記リード素子形成ステップおよび前記基準マーカー形成ステップで用いられるショットのサイズとは異なるサイズのショットの露光を、前記ウエハ基板に対して行うフォトリソグラフィ法を用いて、ウエハ基板上におけるライト磁極の形成位置を設定し、前記第一オーバーレイマーカーおよび前記第二オーバーレイマーカーは、前記ライト磁極形成ステップで用いられる各ショットの、外周縁近傍の複数位置に対応するよう、配設されていることを特徴とする。
これによれば、リード素子と基準マーカーとの第一位置ずれを、ライト磁極形成ステップでのショットの範囲の単位で計測することができる。したがって、測定された第一位置ずれが、ライト磁極形成ステップでのショットの位置補正に最適な値となる。
【００２８】
さらに、前記ライト磁極形成ステップで用いられるショットは、前記リード素子形成ステップおよび前記基準マーカー形成ステップで用いられるショットの形状を、互いに同形の複数形状に分割した形状および位置であることを特徴とする。
これによれば、この分割した各形状の外周縁近傍に、第一および第二オーバーレイマーカーを配設するという、簡単な構成を採用できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、リード素子に対して基準マーカーが、固体固有の原因でずれた場合であっても、リード素子とライト磁極とを位置精度良く位置合わせすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を実施するための最良の形態を説明する。
なお、本実施の形態における薄膜磁気ヘッド、および製造方法の基本的な構成は、図６を用いて背景技術として説明したものと同様であるため、ここでは説明を省略し、従来方法との相違点を中心に説明を行う。
【００３１】
まず、図１を用いて、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の概略を説明する。
図１は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを浮上面で切断し、浮上面側からみた垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面説明図である。ただし、図１においては、リード素子８２とライト磁極８０との位置合わせに関係する部材のみを図示し、その他の構成要素（上部および下部シールド層２０，３０、第一リターンヨーク８８、およびトレーリングシールド９４等−図６参照）は図示を省略している。
【００３２】
まず、リード素子８２を形成する工程を説明する。
下部シールド層２０上の絶縁層の上層に、リード素子膜としてのＴＭＲ膜またはＣＰＰ型のＧＭＲ膜を全面に形成し、その上面にフォトリソグラフィ法により所定パターンの感光性レジスト層を形成し、このレジスト層から露出したリード素子膜をエッチングして除去することで、リード素子８２を形成する。
このとき、このリード素子８２と同プロセスで、上層積層時の位置合わせ用マーカー２３と、ライト磁極８０の形成層および基準マーカー２７に対する積層位置ずれ検出用の第一オーバーレイマーカー２５とを形成する。すなわち、前記フォトリソグラフィの工程における感光性レジスト層の露光パターンには、リード素子８２の形状パターンだけでなく、位置合わせ用マーカー２３および第一オーバーレイマーカー２５の形状パターンも含まれており、前記エッチングの工程によって、リード素子８２、位置合わせ用マーカー２３、および第一オーバーレイマーカー２５が同プロセスで形成される。
その後、前記感光性レジスト層は除去する。
【００３３】
その後、リード素子８２の上層に、上部シールド層３０、第一リターンヨーク８８、および第一コイル３６ａ等を設けるが、位置合わせ用マーカー２３および第一オーバーレイマーカー２５の真上には、これらの材質（磁性体等）は積層せず、光を透過するアルミナ絶縁膜のみを積層し、位置合わせ用マーカー２３および第一オーバーレイマーカー２５が上層側から見えるように構成しておく。
【００３４】
さて、これらのリード素子８２とライト用のライト磁極８０との中間層のいずれかにおいて、リード素子８２と同層の位置合わせ用マーカー２３の形成位置を基準として位置決めされた、基準マーカー２７を設ける。この基準マーカー２７は、特に限定されるものではないが、例えば第一コイル３６ａと同層に設けられる。
基準マーカー２７は、フォトリソグラフィ法を用いて、感光性レジスト層のパターンとして構成されるか、または感光性レジスト層を用いてパターニングされた他の部材で構成される。基準マーカー２７を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程においては、リード素子８２と同層の位置合わせ用マーカー２３を撮像して画像認識し、その位置合わせ用マーカー２３に対して露光位置を位置合わせする。すなわち、基準マーカー２７は、位置合わせ用マーカー２３、延いてはリード素子８２の形成位置を基準として位置決めされて形成される。
【００３５】
このとき、この基準マーカー２７と同プロセスで、リード素子８２の形成層に対する積層位置ずれ検出用の第二オーバーレイマーカー２８とを形成する。すなわち、前記フォトリソグラフィの工程における感光性レジスト層の露光パターンには、基準マーカー２７の形状パターンだけでなく、第二オーバーレイマーカー２８の形状パターンも含まれており、基準マーカー２７および第二オーバーレイマーカー２８が同プロセスで形成される。
【００３６】
基準マーカー２７および第二オーバーレイマーカー２８を形成した後、位置ずれ測定装置を用いて、第一および第二オーバーレイマーカー２５，２８を積層方向上方から撮像して観測することにより、リード素子形成層と基準マーカー形成層との間の水平方向の位置ずれ（オーバーレイ位置ずれ）を測定する。この、リード素子形成層と基準マーカー形成層との間の水平方向の位置ずれを、本願では第一位置ずれと呼ぶ。その第一位置ずれの方向および距離を表す第一位置ずれデータを、コンピュータ等の所定の記憶部に記憶する。
【００３７】
続くライト用のライト磁極８０を形成する工程においては、基準マーカー２７の形成位置を基準として、ライト磁極８０を設ける。
ライト磁極８０は、アルミナ絶縁膜上にめっきベースを設け、このめっきベース上に、フォトリソグラフィ法により、ライト磁極８０の形成箇所以外を覆うように感光性レジスト層を設け、前記めっきベースを給電層とした電解めっきを施すことで形成される。
このとき、このライト磁極８０と同プロセスで、リード素子８２の形成層との積層位置ずれ検出用の第三オーバーレイマーカー２９を形成する。すなわち、ライト磁極８０の形成用の前記フォトリソグラフィの工程における感光性レジスト層の露光パターンには、ライト磁極８０の形状パターンだけでなく、第三オーバーレイマーカー２９の形状パターンも含まれており、前記電解めっきの工程によって、ライト磁極８０、および第三オーバーレイマーカー２９が同プロセスで形成される。第三オーバーレイマーカー２９は、第一オーバーレイマーカー２５との水平方向（積層方向に垂直な方向）の位置ずれが計測できるよう、第一オーバーレイマーカー２５の積層方向上方に配設される。
その後、前記感光性レジスト層は除去する。
【００３８】
ライト磁極８０を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程においては、基準マーカー２７を撮像して画像認識し、その基準マーカー２７に対して露光位置を位置合わせする。すなわち、ライト磁極８０は、基準マーカー２７の形成位置を基準として位置決めされて形成される。
【００３９】
このフォトリソグラフィの露光位置は、基準マーカーの形成位置を基準として、前記第一位置ずれデータが表す第一位置ずれ分だけ、第一位置ずれの方向とは逆方向に位置補正して位置決めする。
すなわち、露光装置が前記記憶部に記憶された第一位置ずれデータを参照し、それに基づいて露光位置のオフセットを設定して露光を行う。
【００４０】
また、より以前に製造されたロットの薄膜磁気ヘッドにおいて、リード素子層とライト磁極層との間の水平方向の位置ずれ（オーバーレイ位置ずれ）を測定し、例えばその平均値に基づいて、リード素子８２に対するライト磁極８０の位置ずれの方向および距離の傾向を表す第二位置ずれを求めておき、その第二位置ずれを表す第二位置ずれデータを、コンピュータ等の所定の記憶部に記憶しておく。
そして、その後に製造するロットにおいては、ライト磁極８０を形成するためのフォトリソグラフィの工程において、基準マーカー２７に対して、その求めた第二位置ずれ分だけ、その露光位置を逆方向に位置補正する。すなわち、露光装置が前記記憶部に記憶された第一位置ずれデータと第二位置ずれデータとを参照し、それらの表す位置ずれの方向および距離を足し合わせて、その値に基づいて露光位置のオフセットを設定して露光を行う。
なお、本発明は、少なくとも第一位置ずれ分の位置補正を行うものであり、さらに第二位置ずれ分の補正をも行う（すなわち第一位置ずれ分と第二位置ずれ分とを足し合わせて、その逆方向への位置補正を行う）構成は、必ずしも採用しなくてもよい。
【００４１】
このように、リード素子８２（位置合わせ用マーカー２３）に対して基準マーカー２７を位置合わせして形成し、基準マーカー２７に対してライト磁極８０を位置合わせして形成することにより、リード素子８２に対するライト磁極８０の相対的な水平方向の位置を位置合わせしている。
【００４２】
リード素子８２（位置合わせ用マーカー２３）に対してライト磁極８０を直接位置合わせせずに、中間層に設けた基準マーカー２７を介する理由は、リード素子８２とライト磁極８０とが、積層方向に相当距離、離れているため、その間のアルミナ絶縁層の厚さが厚く、位置合わせ用マーカー２３の位置を正確に認識するのが難しいからである。
特に、ライト磁極８０を形成するためのフォトリソグラフィ法の露光工程において、露光に光ではなく電子線を用いる場合があり、この場合、電子線に対するアルミナ絶縁膜の透過性が小さいために、深い位置にある位置合わせ用マーカー２３に対して位置合わせを行うことがより困難となるからである。
なお、本願において、電子線を用いてレジスト樹脂をパターニングする技術も、広い意味で「フォトリソグラフィ」と呼び、レジスト樹脂に電子線を照射することも、「露光」と呼ぶ。
【００４３】
さて、ライト磁極８０を形成した後、第一および第三オーバーレイマーカー２５，２９を積層方向上方から観測することにより、リード素子層とライト磁極層との間の水平方向の位置ずれ（オーバーレイ位置ずれ）を測定する。
この測定された位置ずれ分を、前述のように、以降のロットにフィードバックする。例えば、ウエハ基板上の複数箇所、または複数のウエハ基板について、リード素子層とライト磁極層との間の水平方向の位置ずれ（オーバーレイ位置ずれ）を測定し、その平均値に基づいて、リード素子８２に対するライト磁極８０の位置ずれの方向および距離の傾向（第二位置ずれ）を求める。そして求めた第二位置ずれを表す第二位置ずれデータを、コンピュータ等の所定の記憶部に記憶しておく。第二位置ずれデータの用法は、前述の通りである。
【００４４】
第一、第二、および第三オーバーレイマーカー２５，２８，２９の構成例を図５に示す。
第一オーバーレイマーカー２５は、例えば、図５に示すような、正方形状の広幅の開口部２５ａを有する構造体に設けられる。
そして、第二オーバーレイマーカー２８は、第一オーバーレイマーカー２５の開口部２５ａよりも小さな正方形の各辺上に配置された、４本のバー状の構造体に設けられる。第二オーバーレイマーカー２８は、積層方向に投影したその正方形の中心（４本のバーの重心）が、開口部２５ａの中央（重心）となる狙いの配置で形成される。
第三オーバーレイマーカー２９は、第一および第二オーバーレイマーカー２５，２８の各正方形（開口部２５ａ、および、前記４本のバーが形成する正方形）よりも小さな正方形状の構造体に設けられ、積層方向に投影したその正方形の中心（重心）が、第一および第二オーバーレイマーカー２５，２８の各正方形の中央部に収まる狙いの配置で形成される。
【００４５】
そして、各オーバーレイマーカー間の位置ずれ（方向および）の検出は、各オーバーレイマーカーが形成する正方形の重心位置同士のずれを検出することで行われる。これには、オーバーレイマーカーの形成領域を積層方向上方から撮像する撮像部と、撮像された画像を処理して図形の重心位置を求め、その重心間のずれを算出する制御部とを備える画像処理装置が用いられる。これにより、第一位置ずれ、および第二位置ずれを測定する。
【００４６】
なお、本例では、第一、第二、および第三オーバーレイマーカー２５，２８，２９を、互いに積層方向に重なる位置に設けたが、リード素子層と基準マーカー層との位置ずれ検出に用いる第一および第二オーバーレイマーカーと、リード素子層とライト磁極層との位置ずれ検出に用いる第一および第三オーバーレイマーカーとを、それぞれ別々の箇所に形成してもよい。この場合、第一オーバーレイマーカーを２箇所に設けることになる。
【００４７】
なお、位置合わせ用マーカー２３、基準マーカー２７、および第一、第二、第三オーバーレイマーカー２５，２８，２９は、必ずしも図１に示すように浮上面の断面に露出する位置に設けられるものではないが、説明の簡単のため、図１では浮上面上に図示している。
【００４８】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、リード素子８２に対する基準マーカー２７の第一位置ずれ分だけ、ライト磁極８０を位置補正するから、図２に示すように、リード素子８２に対して基準マーカー２７が固体固有の原因でずれた場合であっても、リード素子８２とライト磁極８０とを位置精度良く位置合わせして形成することができる。
【００４９】
また、第一位置ずれ分の補正だけでなく、さらに以前のロットにおけるリード素子とライト磁極との位置ずれの傾向である第二位置ずれ分の補正も加えれば、以前のロットと共通の傾向の位置ずれをも補正できる。
【００５０】
次に、リード素子８２、基準マーカー２７、およびライト磁極８０を形成する際の、フォトリソグラフィの露光工程における、ショットの構成について説明する。なお、本発明は必ずしもこのショットの構成に限定されるものではない。
【００５１】
リード素子８２、および基準マーカー２７の形成に用いられるショットの形状は、縦１６．４０ｍｍ×横１６．３２ｍｍの矩形である。他方、ライト磁極８０の形成に用いられるショットの形状は、縦８．２０ｍｍ×横８．１６ｍｍの矩形である。
このように、ライト磁極８０の形成に用いられるショットのサイズが、リード素子８２、および基準マーカー２７の形成に用いられるショットのよりも小さく形成されている。これは、ライト磁極８０の形状精度はライトヘッドのライト特性に大きな影響を与えるため、大きなショットにおける、投影像の歪みなどの問題を極力抑えることを目的としている。
【００５２】
図３は、ウエハ基板１０上におけるショットの像を模式的に示す説明図である。図３において、実線で示す各矩形は、リード素子８２、および基準マーカー２７を形成する際の各ショットの像を示している。他方、図３において、破線で示す各矩形は、ライト磁極８０を形成する際の各ショットの像を示している。
【００５３】
図３に示すように、ライト磁極形成で用いられるショットは、リード素子形成および基準マーカー形成で用いられるショットの矩形形状を、互いに同形に４分割した形状および位置となるよう設けられている。
【００５４】
図４は、リード素子８２および基準マーカー２７の形成時の１ショットを拡大した図である。リード素子８２と基準マーカー２７との第一位置ずれを計測するための、第一および第二オーバーレイマーカー２５，２８は、ライト磁極形成で用いられる各ショット（破線）の、外周縁近傍の複数位置（具体的には、ショットの矩形の四隅の近傍）に対応して配設されている。
これによれば、第一オーバーレイマーカー２５と第二オーバーレイマーカー２８との第一位置ずれを、ライト磁極形成時のショットの範囲（破線）の単位で計測することができる。したがって、測定された第一位置ずれが、ライト磁極形成時のショット（破線）の位置補正に最適な値となる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図である。
【図２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図である。
【図３】ウエハ基板上における、露光工程のショットの像を模式的に示す説明図である。
【図４】露光工程のショットを拡大した説明図である。
【図５】第一、第二、および第三オーバーレイマーカーの構成例を示す説明図である。
【図６】垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面説明図である。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図である。
【図８】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  ウエハ基板
２３  位置合わせ用マーカー
２５  第一オーバーレイマーカー
２５ａ  開口部
２７  基準マーカー
２８  第二オーバーレイマーカー
２９  第三オーバーレイマーカー
８０  ライト磁極
８２  リード素子
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図２】
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【図６】
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【図８】
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