(57)【要約】【課題】伝送損失を小さくすることの可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板１１の上面１０Ａと側面１０Ｃとが互いに交差する角部のうち引出電極１３に隣接する部分に窪み１０Ｄが設けられている。電極パッド１４は窪み１０Ｄを含む表面に沿って形成されており、窪み１０Ｄに対応して窪み１４Ｄを有している。半導体基板２１の上面２０Ａと側面２０Ｃとが互いに交差する角部のうち引出電極２３に隣接する部分に窪み２０Ｄが設けられている。電極パッド２４は窪み２０Ｄを含む表面に沿って形成されており、窪み２０Ｄに対応して窪み２４Ｄを有している。電極パッド１４のうち少なくとも電極パッド２４との対向部分と、電極パッド２４のうち少なくとも電極パッド１４との対向部分とに導電性ボール６０が接合されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の面内に配置されると共に、上面、側面および底面を有する複数の半導体チップと、
前記各半導体チップの少なくとも前記上面および前記底面のいずれか一方から前記側面にかけて形成された複数の電極パッドと、
前記複数の半導体チップのうち一の半導体チップの前記電極パッドの少なくとも他の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分と、前記複数の半導体チップのうち他の半導体チップの前記電極パッドの少なくとも前記一の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分とに接合された複数の導電性ボールと
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電極パッドは、少なくとも前記側面との対向部分に窪みを有し、
前記導電性ボールは、前記窪みを含む表面上に接合されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記窪みの表面は、球面状または楕円球面状となっており、
前記導電性ボールは、球形状または楕円球形状となっている
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電性ボールは、合金または混合金属からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一の面内に複数の半導体チップを有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップの高機能化および小型化に伴い、半導体チップの高密度化が要求されている。この要求を満たすために、例えば、半導体チップのうち集積回路の形成されている側の周縁に複数の電極パッドを設け、互いに隣接する半導体チップの電極パッド同士をボンディングワイヤで接続する方策が用いられている（特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−５６１４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の方策では、電極パッド同士をボンディングワイヤで接続しているので、ボンディングワイヤを介して電極パッド間を流れる信号の伝送損失が大きいという問題がある。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、伝送損失を小さくすることの可能な半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、複数の半導体チップと、複数の電極パッドと、複数の導電性ボールとを備えたものである。各半導体チップは一の面内に配置されており、上面、側面および底面を有している。電極パッドは半導体チップの少なくとも上面および底面のいずれか一方から側面にかけて形成されている。導電性ボールは、複数の半導体チップのうち一の半導体チップの電極パッドの少なくとも他の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分と、複数の半導体チップのうち他の半導体チップの電極パッドの少なくとも上記一の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分とを互いに接合している。
【０００７】
本発明の半導体装置では、一の半導体チップの電極パッドと、他の半導体チップの電極パッドとが導電性ボールによって互いに接合されているので、電極パッド間を流れる信号線路の断面積がボンディングワイヤよりも大きい。また、一の半導体チップの電極パッドの少なくとも他の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分と、他の半導体チップの電極パッドの少なくとも上記一の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分とが導電性ボールによって接合されているので、導電性ボールで電極パッド同士を接合した際に、導電性ボールの冷却に伴う収縮によって半導体チップが浮き上がって傾くことが抑制される。これにより、例えば実装工程において、半導体装置を、導電性ボールを下にして配線基板などに接触させた際に、一部の導電性ボールに応力が集中して、導電性ボールが電極パッドから脱離するなどの断線が発生する虞はない。つまり、本発明では、断線を発生させることなく、電極パッド間を流れる信号線路の断面積をボンディングワイヤよりも大きくすることができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体装置によれば、一の半導体チップの電極パッドの少なくとも他の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分と、他の半導体チップの電極パッドの少なくとも上記一の半導体チップの電気電極パッドとの対向部分とを導電性ボールによって接合するようにしたので、導電性ボールを介して電極パッド間を流れる信号の伝送損失を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
図１は本発明の一実施の形態に係る半導体装置１の上面構成を表すものである。図２は図１の半導体装置１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を、図３は図１の半導体装置１のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成をそれぞれ表すものである。なお、図１ないし図３は、半導体装置１を模式的に表したものであり、実際の形状および寸法と等しくなっているとは限らない。
【００１１】
この半導体装置１は、半導体チップ１０，２０，３０，４０およびチップ部品５０をモジュール化したものであり、例えば、半導体チップ１０，２０，３０，４０およびチップ部品５０を一の面内に配置した平面構造（非積層構造）となっている。半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０は、半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０の一の面が共通の面内に含まれるように配置されている。また、半導体チップ２０〜４０およびチップ部品５０は、半導体チップ１０の周縁に配置されると共に、半導体チップ１０の半導体チップ２０〜４０およびチップ部品５０との対向面と、半導体チップ２０〜４０およびチップ部品５０の半導体チップ１０との対向面とが互いに平行となるように配置されている。
【００１２】
なお、以下では、共通の面内に含まれている各半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０の面を便宜的に「上面」と称し、「上面」と対向する面を便宜的に「下面」と称し、これら「上面」および「下面」と交差する面を便宜的に「側面」と称するが、これらの用語は各半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０の位置関係を規定するものであり、これらの鉛直方向および水平方向との関係を規定するものではない。例えば、半導体チップ１０〜４０を製造する際には、半導体チップ１０〜４０の「上面」が鉛直上側に向くことになるが、半導体装置１を配線基板（図示せず）などに実装する際には、半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０の「上面」を配線基板側に向けて、半導体装置１を配線基板上に配置するので、このときには、半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０の「上面」が鉛直下側に向くことになる。
【００１３】
（半導体チップ１０）
半導体チップ１０は、例えば、図１，図２に示したように、半導体基板１１上に絶縁膜１２、引出電極１３および電極パッド１４を有している。
【００１４】
半導体基板１１は、例えば、厚さＨ１の平板形状のシリコン基板であり、半導体チップ１０の上面１０Ａ側の面内に集積回路（例えば、素子分離、拡散層、チャネル、ゲートなどで構成された一般的なＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)またはバイポーラなどのトランジスタ、ダイオード、キャパシタなどからなる回路）を有している。この半導体基板１１の上面１０Ａ、下面１０Ｂおよび側面１０Ｃのうち少なくとも側面１０Ｃに、窪み１０Ｄが形成されている。この窪み１０Ｄは、上面１０Ａと側面１０Ｃとが互いに交差する角部（エッジ）のうち、引出電極１３に隣接する部分に設けられていることが好ましく、上面１０Ａから側面１０Ｃにかけて切り欠いた凹形状となっていることが好ましい。窪み１０Ｄの表面は、球面状または楕円球面状となっていることが好ましい。
【００１５】
絶縁膜１２は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）や、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、またはこれらよりも低い比誘電率を有する絶縁性材料からなり、半導体基板１１の周縁に対応して開口部１２Ａを有している。
【００１６】
引出電極１３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属材料からなり、図示しない配線層を介して集積回路と電気的に接続されている。これにより、引出電極１３は、集積回路の入出力データ(信号)を外部とやりとりすることが可能となっている。
【００１７】
電極パッド１４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属材料からなり、電極パッド１４の一部が引出電極１３と接合されている。なお、電極パッド１４は引出電極１３と共に一括に形成されていてもよい。この場合には、電極パッド１４は引出電極１３と一体的に形成されている。
【００１８】
この電極パッド１４は、窪み１０Ｄを含む表面に沿って形成されており、窪み１０Ｄに対応して窪み１４Ｄを有している。そのため、窪み１０Ｄが上面１０Ａから側面１０Ｃにかけて切り欠いた凹形状となっている場合には、窪み１４Ｄも凹形状となっており、窪み１０Ｄの表面が球面状または楕円球面状となっている場合には、窪み１４Ｄの表面も球面状または楕円球面状となっている。
【００１９】
（半導体チップ２０）
半導体チップ２０は、例えば、図１，図２に示したように、半導体基板２１上に絶縁膜２２、引出電極２３および電極パッド２４を有している。
【００２０】
半導体基板２１は、例えば、厚さＨ２の平板形状のシリコン基板であり、半導体チップ２０の上面２０Ａ側の面内に集積回路（例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）や、フィルタ、アンプ、スイッチなどを含む回路）を有している。なお、図１，図２には、厚さＨ２が厚さＨ１よりも薄い場合が例示されているが、厚さＨ２が厚さＨ１と等しいか、それよりも厚くなっていてもよい。
【００２１】
この半導体基板２１の上面２０Ａ、下面２０Ｂおよび側面２０Ｃのうち少なくとも側面２０Ｃに、窪み２０Ｄが形成されている。この窪み２０Ｄは、上面２０Ａと側面２０Ｃとが互いに交差する角部（エッジ）のうち、引出電極２３に隣接する部分に設けられていることが好ましく、上面２０Ａから側面２０Ｃにかけて切り欠いた凹形状となっていることが好ましい。窪み２０Ｄの表面は、球面状または楕円球面状となっていることが好ましい。
【００２２】
絶縁膜２２は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）や、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、またはこれらよりも低い比誘電率を有する絶縁性材料からなり、半導体基板２１の周縁に対応して開口部２２Ａを有している。
【００２３】
引出電極２３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属材料からなり、図示しない配線層を介して集積回路と電気的に接続されている。これにより、引出電極２３は、集積回路の入出力データ(信号)を外部とやりとりすることが可能となっている。
【００２４】
電極パッド２４は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属材料からなり、電極パッド２４の一部が引出電極２３と接合されている。なお、電極パッド２４は引出電極２３と共に一括に形成されていてもよい。この場合には、電極パッド２４は引出電極２３と一体的に形成されている。
【００２５】
この電極パッド２４は、窪み２０Ｄを含む表面に沿って形成されており、窪み２０Ｄに対応して窪み２４Ｄを有している。そのため、窪み２０Ｄが上面２０Ａから側面２０Ｃにかけて切り欠いた凹形状となっている場合には、窪み２４Ｄも凹形状となっており、窪み２０Ｄの表面が球面状または楕円球面状となっている場合には、窪み２４Ｄの表面も球面状または楕円球面状となっている。
【００２６】
（半導体チップ３０）
半導体チップ３０は、例えば、図１に示したように、半導体基板（図示せず）上に絶縁膜（図示せず）、引出電極３２および電極パッド３１を有している。
【００２７】
半導体チップ３０の半導体基板は、例えば、厚さＨ３の平板形状のシリコン基板であり、半導体チップ３０の上面側の面内に集積回路（例えば、ＭＥＭＳや、フィルタ、アンプ、スイッチなどを含む回路）を有している。なお、図１には、厚さＨ３が厚さＨ１よりも薄い場合が例示されているが、厚さＨ３が厚さＨ１と等しいか、それよりも厚くなっていてもよい。
【００２８】
この半導体基板の上面、下面および側面のうち少なくとも側面に、窪み（図示せず）が形成されている。この窪みは、窪み１０Ｄ，２０Ｄと同様の構成となっている。絶縁膜についても、絶縁膜１２，２２と同様の構成となっている。さらに、引出電極３２は、引出電極１３，２３と同様の構成となっており、電極パッド３１は、電極パッド１４，２４と同様の構成となっている。
【００２９】
（半導体チップ４０）
半導体チップ４０は、例えば、図１に示したように、半導体基板（図示せず）上に絶縁膜（図示せず）、引出電極４２および電極パッド４１を有している。
【００３０】
半導体チップ４０の半導体基板は、例えば、厚さＨ４の平板形状のシリコン基板であり、半導体チップ４０の上面側の面内に集積回路（例えば、ＭＥＭＳや、フィルタ、アンプ、スイッチなどを含む回路）を有している。なお、図１には、厚さＨ４が厚さＨ４と等しい厚さとなっている場合が例示されているが、厚さＨ４が厚さＨ１よりも薄くなっていたり、それよりも厚くなっていてもよい。
【００３１】
この半導体基板の上面、下面および側面のうち少なくとも側面に、窪み（図示せず）が形成されている。この窪みは、窪み１０Ｄ，２０Ｄと同様の構成となっている。絶縁膜についても、絶縁膜１２，２２と同様の構成となっている。さらに、引出電極２３は、引出電極１３，２３と同様の構成となっており、電極パッド３３は、電極パッド１４，２４と同様の構成となっている。
【００３２】
（チップ部品５０）
チップ部品５０は、抵抗、インダクタ、キャパシタまたはフィルターバランなどの受動素子であり、例えば、図１，図３に示したように、誘電体５１を一対の電極パッド５２で挟み込んだキャパシタである。誘電体５１は、例えば厚さＨ５の平板状の誘電体（例えばチタン酸バリウムなど）からなる。なお、図１には、厚さＨ５が厚さＨ１よりも薄い場合が例示されているが、厚さＨ５が厚さＨ１と等しいか、それよりも厚くなっていてもよい。電極パッド５２は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｎｉなどの結合金属からなり、誘電体５１の一の側面と、誘電体５１の上面、下面および他の側面のうち一の側面に隣接する部分とを覆うように形成されている。つまり、電極パッド５２は、側面だけでなく、上面および下面にも形成されている。
【００３３】
（導電性ボール６０）
また、この半導体装置１の各電極パッド１４，２４，３１，４１，５２上には導電性ボール６０が設けられている。導電性ボール６０は、例えば、合金（例えば半田など）または混合金属（例えばＡｕ、Ｔｉ、Ｎｉ）からなり、電極パッド１４，２４，３１，４１または５２と直接に接合されると共に電気的に接続されている。この導電性ボール６０は、球形状または楕円球形状となっており、その断面積は一般的なボンディングワイヤの断面積よりも十分に大きい。
【００３４】
ここで、電極パッド１４と電極パッド２４とが互いに隣接する部分では、導電性ボール６０はこれら電極パッド１４，２４を互いに接合するように設けられている。この導電性ボール６０は、電極パッド１４のうち少なくとも電極パッド２４との対向部分と、電極パッド２４のうち少なくとも電極パッド１４との対向部分とに接合されている。この導電性ボール６０は、半導体チップ１０の窪み１０Ｄと半導体チップ２０の窪み２０Ｄとを含む表面上に形成されており、導電性ボール６０を介して、半導体チップ１０の窪み１０Ｄと、半導体チップ２０の窪み２０Ｄとが互いに対向配置されていることが好ましい。
【００３５】
また、電極パッド１４と電極パッド３１とが互いに隣接する部分では、導電性ボール６０がこれら電極パッド１４，３１を互いに接合するように設けられている。この導電性ボール６０は、電極パッド１４のうち少なくとも電極パッド３１との対向部分と、電極パッド３１のうち少なくとも電極パッド１４との対向部分とに接合されている。この導電性ボール６０は、半導体チップ１０の窪み１０Ｄと半導体チップ３０の窪みとを含む表面上に形成されており、導電性ボール６０を介して、半導体チップ１０の窪み１０Ｄと、半導体チップ３０の窪みが互いに対向配置されていることが好ましい。
【００３６】
同様に、電極パッド１４と電極パッド４１とが互いに隣接する部分では、導電性ボール６０がこれら電極パッド１４，４１を互いに接合するように設けられている。この導電性ボール６０は、電極パッド１４のうち少なくとも電極パッド４１との対向部分と、電極パッド４１のうち少なくとも電極パッド１４との対向部分とに接合されている。この導電性ボール６０は、半導体チップ１０の窪み１０Ｄと半導体チップ４０の窪みとを含む表面上に形成されており、導電性ボール６０を介して、半導体チップ１０の窪み１０Ｄと、半導体チップ４０の窪みが互いに対向配置されていることが好ましい。
【００３７】
また、電極パッド１４と電極パッド５２とが互いに隣接する部分では、導電性ボール６０はこれら電極パッド１４，５２を互いに接合するように設けられている。この導電性ボール６０は、電極パッド１４のうち少なくとも電極パッド５２との対向部分と、電極パッド５２のうち少なくとも電極パッド１４との対向部分（電極パッド５２の側面）とに接合されている。
【００３８】
次に、図４ないし図１２を参照して、半導体装置１の形成方法の一例について説明する。
【００３９】
図４ないし図９は、ウェハＷの上面構成の一部（ダイシングストリートＤＳおよびその近傍）を表したものである。なお、ウェハＷをダイシングストリートＤＳにそって切断したものが半導体装置１に対応する。図１０は、ウェハＷをダイシングストリートＤＳにそって切断した後の切断面を表したものである。図１１、図１２は、半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０をトレイＴに配置したときのトレイＴの上面構成を表したものである。
【００４０】
まず、電極パッド１４を形成するウェハＷを準備する（図４）。このとき、ウェハＷの表面には、絶縁膜１２が露出しており、絶縁膜１２の開口部１２Ａにおいて半導体基板１１内の集積回路から引き回された配線層（図示せず）が露出している。
【００４１】
次に、ウェハＷの表面上に、感光性樹脂（ポリイミドなど）からなるレジスト層Ｒを塗布したのち（図５）、プリベークし、続いてパターン露光および現像を行うことにより、レジスト層Ｒの所定の位置（ダイシングストリートＤＳのうち開口部１２Ａに隣接する部分を含む領域）に開口部Ｒ１を形成する（図６）。
【００４２】
次に、ウエットエッチング（例えばベーパーフッ酸によるエッチング、またはフッ酸硝酸および酢酸の混合液によるエッチング）、またはドライエッチング（例えばＤｅｅｐ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching））により、絶縁層１２および半導体基板１１を選択的に除去したのち、レジスト層Ｒを除去する（図７）。これにより、開口部Ｒ１に対応して窪み２０Ｅが形成される。
【００４３】
次に、例えば蒸着法を用いて、開口部１２Ａおよび窪み２０Ｅを含む所定の領域内の表面上に、金属層２５を形成する（図８）。これにより、金属層２５のうち開口部１２Ａに対応する部分が半導体基板１１内の集積回路から引き回された配線層（図示せず）に接続され、引出電極１３となる。
【００４４】
次に、ダイサーＤを用いて、ウェハＷをダイシングストリートＤＳに沿って切断する（図９）。これにより、金属層２５が切断され、窪み１４Ｄを有する電極パッド１４が形成される。このようにして、半導体チップ１０が形成される。
【００４５】
次に、他の半導体チップ２０，３０，４０についても上記の方法を用いて形成する。なお、チップ部品５０については既製品をあらかじめ用意しておく。
【００４６】
次に、半導体チップ１０〜４０およびチップ部品５０を、上面を上にしてトレイＴの凹部Ｓ１〜Ｓ５にそれぞれ１つずつ配置する（図１１）。
【００４７】
ここで、凹部Ｓ１は、半導体チップ１０とほぼ同一形状および大きさとなっており、半導体チップ１０の上面１０ＡとトレイＴの上面とがほぼ等しくなるようになっている。同様に、凹部Ｓ２は、半導体チップ２０とほぼ同一形状および大きさとなっており、半導体チップ２０の上面２０ＡとトレイＴの上面とがほぼ等しくなるようになっている。凹部Ｓ３は、半導体チップ３０とほぼ同一形状および大きさとなっており、半導体チップ３０の上面とトレイＴの上面とがほぼ等しくなるようになっている。凹部Ｓ４は、半導体チップ４０とほぼ同一形状および大きさとなっており、半導体チップ４０の上面とトレイＴの上面とがほぼ等しくなるようになっている。凹部Ｓ５は、チップ部品５０とほぼ同一形状および大きさとなっており、チップ部品５０の上面とトレイＴの上面とがほぼ等しくなるようになっている。
【００４８】
次に、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド２４上と、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド３１上と、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド４１上と、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド５２上とに、導電性ボール６０を１つずつ配置すると共に、隣接する電極パッドの無い独立した電極パッド１４，２４，３１，４１，５２上に、導電性ボール６０を１つずつ配置する（図１２）。続いて、導電性ボール６０を電極パッド１４，２４，３１，４１，５２上に配置した状態で、トレイＴをリフローにかけたのち、冷却する。これにより、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド２４同士と、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド３１同士と、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド４１同士と、互いに隣接する電極パッド１４および電極パッド５２同士とが、導電性ボール６０を介して接合される。このようにして、本実施の形態の半導体装置１が製造される。
【００４９】
ところで、上記製造工程において、導電性ボール６０の冷却に伴う収縮によって引張応力が各半導体チップ１０〜５０に作用するが、導電性ボール６０は電極パッド１４，２４，３１，４１に設けられた窪みを含む表面上に形成されているので、半導体チップ１０〜４０に作用する引張応力において、各半導体チップ１０〜５０の上面とほぼ平行な成分が支配的となる。また、導電性ボール６０は電極パッド５２の側面を含む表面上に形成されているので、半導体チップ５０に作用する引張応力において、各半導体チップ１０〜５０の上面とほぼ平行な成分が支配的となる。
【００５０】
これにより、半導体チップ１０と、半導体チップ２０〜５０との間の間隙が引張応力によって狭められ、実装機の能力で配置可能な半導体チップ１０と、半導体チップ２０〜５０との間の距離よりも狭くすることができる。その結果、半導体装置１を縮小化することが可能となる。
【００５１】
また、引張応力において、各半導体チップ１０〜５０の上面とほぼ平行な成分が支配的となることから、半導体チップ１０〜５０がトレイＴから浮き上がって傾くことがほとんどない。これにより、半導体装置１を、導電性ボール６０を下にして配線基板（図示せず）などに接触させた際に、一部の導電性ボール６０に応力が集中して、その導電性ボール６０が電極パッドから脱離するなどの断線が発生する虞がない。つまり、本実施の形態では、断線を発生させることなく、電極パッド間を流れる信号線路の断面積をボンディングワイヤよりも大きくすることができるので、導電性ボール６０を介して電極パッド間を流れる信号の伝送損失を少なくすることができる。
【００５２】
また、上記冷却工程において、導電性ボール６０は、各電極パッド１４，２４，３１，４１の窪みを含む表面上に配置されているので、冷却の際に、互いに隣接する窪み同士が対向位置に移動するような横方向の応力が各半導体チップ１０〜４０に働く。これにより、各半導体チップ１０〜４０の相対的な位置関係のばらつきをなくすることができるので、半導体装置１を実装する際の歩留りを向上させることができる。
【００５３】
また、本実施の形態では、各半導体チップ１０〜５０の形状および大きさに合わせた凹部Ｓ１〜Ｓ５を有するトレイＴを用いたので、高さの異なるチップ同士を接続することが可能である。
【００５４】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の断面構成図である。
【図２】図１の半導体装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成図である。
【図３】図１の半導体装置のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成図である。
【図４】図１の半導体装置の製造方法について説明するための上面構成図である。
【図５】図４に続く工程について説明するための上面構成図である。
【図６】図５に続く工程について説明するための上面構成図である。
【図７】図６に続く工程について説明するための上面構成図である。
【図８】図７に続く工程について説明するための上面構成図である。
【図９】図８に続く工程について説明するための上面構成図である。
【図１０】図９に続く工程について説明するための斜視図である。
【図１１】図１０に続く工程について説明するための上面構成図である。
【図１２】図１１に続く工程について説明するための上面構成図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…半導体装置、１０，２０，３０，４０…半導体チップ、１０Ａ，２０Ａ…上面、１０Ｂ，２０Ｂ…下面、１０Ｃ，２０Ｃ…側面、１０Ｄ，２０Ｄ，１４Ｄ，２４Ｄ…窪み、１１，２１…半導体基板、１２，２２…絶縁膜、１２Ａ，２２Ａ…開口部、１３，２３，３２，４２，…引出電極、１４，２４，３１，４１，５２…電極パッド、５０…チップ部品、６０…導電性ボール、Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５…高さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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