(57)【要約】【課題】液晶化合物を充分に垂直配向させることができ、黒表示時に光漏れせず、液晶滴下方式により短時間に製造することができる垂直配向膜及びＶＡモード液晶セルを提供すること。【解決手段】基板と、前記基板上に、負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物を、前記基板の面に対して垂直に配向させた後に、前記重合性液晶化合物を固定化することにより形成された膜とを含むことを特徴とする垂直配向膜である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の面に対し、負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物を垂直に配向させた後に、前記重合性液晶化合物を固定化することにより形成された膜からなることを特徴とする垂直配向膜。
【請求項２】
負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向膜。
Ｋ１−Ｌ１−（Ｚ１−Ａ１）ｍ−Ｚ３−Ｍ−Ｚ４−（Ａ２−Ｚ２）ｎ−Ｌ２−Ｋ２        ・・・一般式（Ｉ）
〔前記一般式（Ｉ）中、Ｋ１は、重合性基を表し、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価のスペーサー基を表し、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価の連結基を表し、Ａ１及びＡ２は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価の環状基を表し、ｍ、ｎは、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、０〜３の整数を表し、Ｍは、下記一般式（２）〜（７）のいずれかで表される基を表し、Ｋ２は、水素原子、アルキル基、置換基及び重合性基のいずれかを表す。
【化１】
2009265317.tif 000036
〔前記一般式（２）〜（７）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子、フッ素原子、ＣＦ３及びＣＮのいずれかを表す。但し、前記一般式（２）において、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれかは、水素原子以外の基であり、前記一般式（３）において、Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかは、水素原子以外の基であり、前記一般式（４）において、Ｒ１〜Ｒ８の少なくともいずれかは、水素原子以外の基である。
前記一般式（７）中、Ｘ及びＹは、酸素原子、硫黄原子及びＮＲ１００のいずれかであり、前記ＮＲ１００におけるＲ１００は、水素原子及び炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表し、ＥＷＧは電子吸引性基を表す。〕
【請求項３】
請求項１から２のいずれかに記載の垂直配向膜を有するＶＡモード液晶セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直配向膜及びＶＡモード液晶セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶セルの製造工程においては、パネルの内部と外部との圧力差によって液晶を注入する、液晶真空注入方式が採用されてきた。しかしながら、近年では、液晶テレビが大型化し、液晶真空注入方式では製造に時間がかかるという問題が生じている。
そこで、液晶セルの製造時間を短縮するために、液晶滴下方式（ＯＤＦ法）が開発されている。前記液晶滴下方式は、液晶を基板上に直接滴下し、パネルの合着圧力により滴下された液晶をパネル全体に均一に分布させることで、液晶層を形成する。
【０００３】
前記液晶滴下方式によりＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶セルを製造する場合には、液晶化合物を挟持させるための一対の基板の内側に、疎水性成分（例えば、長鎖アルキル基、フッ素置換されたアルキル基や脂環式骨格など）を含むポリイミド系配向膜を配することによって、前記液晶化合物を垂直に配向できることが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
しかしながら、液晶化合物と前記配向膜中の疎水成分とは親和性が低いので、液晶化合物が濡れ広がりにくく、配向膜への負荷が大きくなり、配向ムラが生じやすいという問題があった。
【０００４】
また、前記ポリイミド系配向膜中の疎水性成分が少ない場合であっても、前記ポリイミド系配向膜に対してラビング処理を施すことで、液晶化合物を濡れ広がりやすくし、液晶化合物を垂直に配向させる技術が開示されている。
しかしながら、ラビング処理を行うと、基板表面の凸凹に応じてラビングムラが生じたり、ラビングにより静電気が発生したり、微細なゴミが付着したりするので、液晶化合物を充分に垂直に配向させることができないという問題があった。ＶＡモード液晶セルにおいて液晶化合物の垂直配向が不十分であると、前記ＶＡモード液晶セルを用いて液晶表示装置を製造したときに、黒表示時に光漏れが生じてしまう。
【０００５】
また、前記液晶滴下方式によりＶＡモードの液晶セルを製造することを目的として、重合性の液晶性化合物をハイブリッド配向状態で固定化した膜を、垂直配向膜として用いる技術が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
しかしながら、特許文献３に記載の技術を用いた場合でも、液晶化合物を充分に垂直配向させることができず、黒表示時に光漏れが生じるという問題があった。
【０００６】
したがって、液晶化合物を充分に垂直配向させることができ、黒表示時に光漏れせず、液晶滴下方式により短時間に製造することができる垂直配向膜は、未だ満足なものが提供されていないのが現状である。
【特許文献１】特開２００７−２５６３７８号公報
【特許文献２】特開２００７−２２５７９１号公報
【特許文献３】特開２０００−１２２０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、液晶化合物を充分に垂直配向させることができ、黒表示時に光漏れせず、液晶滴下方式により短時間に製造することができる垂直配向膜及びＶＡモード液晶セルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基板の面に対し、負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物を垂直に配向させた後に、前記重合性液晶化合物を固定化することにより形成された膜からなることを特徴とする垂直配向膜である。
＜２＞  負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向膜である。
Ｋ１−Ｌ１−（Ｚ１−Ａ１）ｍ−Ｚ３−Ｍ−Ｚ４−（Ａ２−Ｚ２）ｎ−Ｌ２−Ｋ２        ・・・一般式（Ｉ）
〔前記一般式（Ｉ）中、Ｋ１は、重合性基を表し、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価のスペーサー基を表し、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価の連結基を表し、Ａ１及びＡ２は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価の環状基を表し、ｍ、ｎは、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、０〜３の整数を表し、Ｍは、下記一般式（２）〜（７）のいずれかで表される基を表し、Ｋ２は、水素原子、アルキル基、置換基及び重合性基のいずれかを表す。
【化２】
2009265317.tif 000002
〔前記一般式（２）〜（７）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子、フッ素原子、ＣＦ３及びＣＮのいずれかを表す。但し、前記一般式（２）において、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれかは、水素原子以外の基であり、前記一般式（３）において、Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかは、水素原子以外の基であり、前記一般式（４）において、Ｒ１〜Ｒ８の少なくともいずれかは、水素原子以外の基である。
前記一般式（７）中、Ｘ及びＹは、酸素原子、硫黄原子及びＮＲ１００のいずれかであり、前記ＮＲ１００におけるＲ１００は、水素原子及び炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表し、ＥＷＧは電子吸引性基を表す。〕
＜３＞  ＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の垂直配向膜を有するＶＡモード液晶セルである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、液晶化合物を充分に垂直配向させることができ、黒表示時に光漏れせず、液晶滴下方式により短時間に製造することができる垂直配向膜及びＶＡモード液晶セルを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（垂直配向膜）
本発明の垂直配向膜は、基板の面に対し、負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物を垂直に配向させた後に、前記重合性液晶化合物を固定化することにより形成された膜からなり、必要に応じてその他の構成を含んでなる。
【００１１】
前記「負の誘電率異方性」とは、液晶化合物の長軸に垂直な方向の誘電率が、長軸方向の誘電率より大きいことを意味する。前記重合性液晶化合物が負の誘電率異方性を有しているかどうかは、液晶便覧編集委員会編  液晶便覧，丸善株式会社，２０９〜２１０頁に記載の方法により測定することができる。
【００１２】
＜負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物＞
負の誘電率異方性を有する前記重合性液晶化合物（以下、単に「重合性液晶化合物」と称する。）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、下記一般式（Ｉ）で表される化合物が好ましい。
Ｋ１−Ｌ１−（Ｚ１−Ａ１）ｍ−Ｚ３−Ｍ−Ｚ４−（Ａ２−Ｚ２）ｎ−Ｌ２−Ｋ２        ・・・一般式（Ｉ）
【００１３】
前記一般式（Ｉ）中、Ｋ１は、重合性基を表す。
前記重合性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、付加重合反応が可能な基又は縮合重合反応が可能な基が好ましく、付加重合反応可能な基が特に好ましい。
前記付加重合反応が可能な基又は縮合重合反応が可能な基としては、例えば、重合性エチレン性不飽和基又は開環重合性基が挙げられる。
以下に前記重合性基の例を示す。
【００１４】
【化３】
2009265317.tif 000003
【００１５】
前記一般式（１０）及び（１１）中、Ｒは、水素原子及び置換基のいずれかを表す。
【００１６】
前記重合性基としては、以下に示す重合性基Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３及びＰ４のいずれかが好ましい。
【００１７】
【化４】
2009265317.tif 000004
【００１８】
前記重合性基Ｐ１中、Ｒ５１１及びＲ５１３は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子及びアルキル基のいずれかを表す。
前記Ｒ５１１及び前記Ｒ５１３における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルが挙げられ、中でも、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
Ｒ５１１及びＲ５１３の組合せとしては、Ｒ５１１がメチル基でかつＲ５１３が水素原子である、又は、Ｒ５１１及びＲ５１３が共に水素原子であることが好ましい。
【００１９】
前記重合性基Ｐ１中、Ｒ５１２は、水素原子、及び、置換又は無置換のアルキル基のいずれかを表し、水素原子、及び、置換又は無置換の低級アルキル基のいずれかが好ましく、水素原子がより好ましい。
前記Ｒ５１２における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、２−クロロエチル、３−メトキシエチル、メトキシエトキシエチルが挙げられ、中でも、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
したがって、前記重合性基Ｐ１としては、重合活性の高い官能基である無置換のビニルオキシ基を好適に用いることができる。
【００２０】
前記重合性基Ｐ１は、例えば、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基残基などと結合することができる。
重合性基Ｐ１が、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基残基と結合した場合、それぞれ、アルキレンオキシ基、アルキレンオキシカルボニルオキシ基、アルキレンオキシカルボニル基が形成される。
【００２１】
前記アルキレンオキシ基としては、例えば、エチレンオキシ、プロピレンオキシ、ブチレンオキシ、ペンチレンオキシ、ヘキシレンオキシ、ヘプチレンオキシなどのアルキレンオキシ基、エチレンオキシエトキシなどのエーテル結合を含む置換アルキレンオキシ基などが挙げられる。
【００２２】
前記アルキレンオキシカルボニルオキシ基としては、例えば、エチレンオキシカルボニルオキシ、プロピレンオキシカルボニルオキシ、ブチレンオキシカルボニルオキシ、ペンチレンオキシカルボニルオキシ、ヘキシレンオキシカルボニルオキシ、ヘプチレンオキシカルボニルオキシなどのアルキレンオキシカルボニルオキシ基、エチレンオキシエトキシカルボニルオキシなどのエーテル結合を含む置換アルキレンオキシカルボニルオキシ基などが挙げられる。
【００２３】
前記アルキレンオキシカルボニル基としては、例えば、エチレンオキシカルボニル基、プロピレンオキシカルボニル基、ブチレンオキシカルボニル基、ペンチレンオキシカルボニル基、ヘキシレンオキシカルボニル基、ヘプチレンオキシカルボニル基などのアルキレンオキシカルボニル基、エチレンオキシエトキシカルボニル基などのエーテル結合を含む置換アルキレンオキシカルボニル基などが挙げられる。
前記重合性基Ｐ１は、直接芳香環に結合していてもよい。
【００２４】
前記重合性基Ｐ１中、ｎは、０及び１のいずれかを表し、１であることが好ましい。前記ｎが１の場合には、前記重合性基Ｐ１は、置換又は無置換のビニルエーテル基を表す。
【００２５】
前記重合性基Ｐ２は、置換又は無置換のオキシラン基を表す。
前記重合性基Ｐ２中、Ｒ５２１及びＲ５２２は、それぞれ同一であっても良いし、異なっていてもよく、水素原子及びアルキル基のいずれかを表し、Ｒ５２１及びＲ５２２が共に水素原子であることがより好ましい。
前記Ｒ５２１及びＲ５２２における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルが挙げられ、中でも、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
【００２６】
前記重合性基Ｐ２中、Ｒ５２３は、水素原子、及び、置換又は無置換のアルキル基のいずれかを表す。
前記Ｒ５２３における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、２−クロロエチル、３−メトキシエチル、メトキシエトキシエチルが挙げられ、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
【００２７】
前記重合性基Ｐ３は、置換又は無置換のアクリル基を表す。
前記重合性基Ｐ３中、Ｒ５３１及びＲ５３３は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子及びアルキル基のいずれかを表す。
前記Ｒ５３１及びＲ５３３における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルが挙げられ、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
Ｒ５３１及びＲ５３３の組合せとしては、Ｒ５３１がメチルでかつＲ５３３が水素原子である、又は、Ｒ５３１及びＲ５３３が共に水素原子であることが好ましい。
【００２８】
前記重合性基Ｐ３中、Ｒ５３２は、水素原子、及び、置換又は無置換のアルキル基を表し、水素原子が好ましい。
前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、２−クロロエチル、３−メトキシエチル、メトキシエトキシエチルが挙げられ、中でも、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
したがって、前記重合性基Ｐ３としては、無置換のアクリルオキシ基、メタクリルオキシ基、クロトニルオキシなどの重合活性の高い官能基を、好適に用いることができる。
【００２９】
重合性基Ｐ４は、置換又は無置換のオキセタン基を表す。
前記重合性基Ｐ４中、Ｒ５４２、Ｒ５４３、Ｒ５４４及びＲ５４５は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、水素原子及びアルキル基のいずれかを表し、Ｒ５４２、Ｒ５４３、Ｒ５４４及びＲ５４５が共に水素原子が好ましい。
前記Ｒ５４２、Ｒ５４３、Ｒ５４４及びＲ５４５における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニルが挙げられ、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
【００３０】
前記重合性基Ｐ４中、Ｒ５４１は水素原子、置換又は無置換のアルキル基を表す。
前記Ｒ５４１における前記アルキル基としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、２−クロロエチル、３−メトキシエチル、メトキシエトキシエチルが挙げられ、中でも、メチル、エチルなどの低級アルキル基が好ましく、メチルがより好ましい。
【００３１】
前記一般式（Ｉ）中、Ｌ１及びＬ２は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価のスペーサー基を表す。
２価の前記スペーサー基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、単結合及び炭素数１〜２０のアルキレンのいずれかが好ましい。前記アルキレンにおける任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−及び−Ｃ≡Ｃ−のいずれかで置き換えられていてもよい。前記アルキレンにおける任意の水素原子は、ハロゲン原子で置き換えられていてもよい。
【００３２】
前記一般式（Ｉ）中、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３及びＺ４は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価の連結基を表す。
２価の前記連結基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、以下に示す基のいずれかが好ましい。
【化５】
2009265317.tif 000005
【００３３】
前記一般式（Ｉ）中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、２価の環状基を表す。
２価の前記環状基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、置換又は無置換のフェニル基、及び、置換又は無置換のシクロヘキシル基のいずれかが好ましく、置換基を有するフェニル基及び置換基を有するシクロヘキシル基のいずれかがより好ましく、４位に置換基を有するフェニル基及び４位に置換基を有するシクロヘキシル基のいずれかが更に好ましく、４位に置換基を有するベンゾイルオキシ基を４位に有するフェニル基、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するフェニル基、４位に置換基を有するフェニル基を４位に有するシクロヘキシル基、及び、４位に置換基を有するシクロヘキシル基を４位に有するシクロへキシル基が特に好ましい。
また、４位に置換基を有する前記シクロヘキシル基は、シス体及びトランス体の立体異性体が存在するが、シス体でもよいし、トランス体でもよいし、両者の混合物でもよい。中でも、トランス体のシクロヘキシル基が好ましい。
【００３４】
前記一般式（Ｉ）中、ｍ、ｎは、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、０〜３の整数を表す。
【００３５】
前記一般式（Ｉ）中、Ｋ２は、水素原子、アルキル基、置換基及び重合性基のいずれかを表す。
前記Ｋ２における前記重合性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記Ｋ１と同一であってもよいし、異なっていてもよく、前記重合性基Ｐ１〜Ｐ４のいずれかが好ましい。
【００３６】
前記一般式（Ｉ）中、Ｍは、下記一般式（２）〜（７）のいずれかで表される基を表す。
【化６】
2009265317.tif 000006
前記一般式（２）〜（４）中、Ｒ１〜Ｒ８は、水素原子、フッ素原子、ＣＦ３及びＣＮのいずれかを表す。
但し、前記一般式（２）において、Ｒ１及びＲ２の少なくともいずれかは、水素原子以外の基である。
但し、前記一般式（３）において、Ｒ１〜Ｒ３の少なくともいずれかは、水素原子以外の基である。
但し、前記一般式（４）において、Ｒ１〜Ｒ８の少なくともいずれかは、水素原子以外の基である。
【００３７】
前記一般式（７）中、Ｘ及びＹは、酸素原子、硫黄原子、ＮＲ１００及びＣＯのいずれかを表し、酸素原子、硫黄原子及びＮＲ１００のいずれかが好ましい。
前記ＮＲ１００におけるＲ１００は、水素原子及び炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。
【００３８】
前記一般式（７）、ＥＷＧは電子吸引性基を表す。
前記電子吸引性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、ハメットの置換基定数σｐ値が０より大きい電子吸引性基が好ましく、σｐ値が０〜１．５の電子吸引性基がより好ましい。
前記電子吸引性基としては、例えば、トリフルオロメチル基、シアノ基、カルボニル基、ニトロ基などが挙げられる。
なお、ハメットの置換基定数のσｐ、σｍに関しては、例えば、稲本直樹著「ハメット則−構造と反応性−」、丸善株式会社；日本化学会編「新実験化学講座１４  有機化合物の合成と反応Ｖ」、丸善株式会社、２６０５頁；仲谷忠雄著「理論有機化学解説」、東京化学同人、２１７頁；「ケミカル  レビュー」，９１巻，１６５〜１９５頁（１９９１年）等の文献に詳しく解説されている。
【００３９】
以下に、前記Ｍの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【化７】
2009265317.tif 000007
【００４０】
前記Ｍとしては、Ｍ−２、Ｍ−４、Ｍ−７、Ｍ−１０、Ｍ−１１、Ｍ−１２及びＭ−１４のいずれかが好ましい。
前記重合性液晶化合物は、前記Ｍを含んでいることにより、負の誘電率異方性を有する。
【００４１】
以下に、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の例を示すが、これらに限定されるものではない。
【化８】
2009265317.tif 000008
【００４２】
【化９】
2009265317.tif 000009
【００４３】
【化１０】
2009265317.tif 000010
【００４４】
【化１１】
2009265317.tif 000011
【００４５】
【化１２】
2009265317.tif 000012
【００４６】
【化１３】
2009265317.tif 000013
【００４７】
【化１４】
2009265317.tif 000014
【００４８】
【化１５】
2009265317.tif 000015
【００４９】
【化１６】
2009265317.tif 000016
【００５０】
【化１７】
2009265317.tif 000017
【００５１】
【化１８】
2009265317.tif 000018
【００５２】
【化１９】
2009265317.tif 000019
【００５３】
【化２０】
2009265317.tif 000020
【００５４】
【化２１】
2009265317.tif 000021
【００５５】
【化２２】
2009265317.tif 000022
【００５６】
【化２３】
2009265317.tif 000023
【００５７】
【化２４】
2009265317.tif 000024
【００５８】
【化２５】
2009265317.tif 000025
【００５９】
【化２６】
2009265317.tif 000026
【００６０】
【化２７】
2009265317.tif 000027
【００６１】
【化２８】
2009265317.tif 000028
【００６２】
【化２９】
2009265317.tif 000029
【００６３】
【化３０】
2009265317.tif 000030
【００６４】
なお、前記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、代表的な化合物である上記構造式（Ｉ−１４２）で表される化合物の製造方法については、後記する実施例１において詳細かつ具体的に示した。当業者であれば、実施例の具体的説明を参照しつつ、原料化合物、反応条件、試薬などを適宜選択し、必要に応じてこれらの方法に適宜の修飾ないし改変を加えることにより、前記一般式（Ｉ）に包含される化合物をいずれも製造することができる。
また、前記一般式（Ｉ）に包含される化合物は、例えば、特開２００４−２３１６３８公報及び特開２００３−２３８４９１公報に記載の方法に準じて、合成することができる。
【００６５】
前記垂直配向膜の膜厚としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１０〜２，０００ｎｍが好ましく、２０〜１，０００ｎｍがより好ましく、４０〜８００ｎｍがさらに好ましい。
【００６６】
前記垂直配向膜は、負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物により形成されるものであるので、充填される液晶の濡れ性が良好になり、液晶性化合物を充分に垂直配向させることができる。
【００６７】
−基板−
前記基板の材料としては、前記基板上に垂直配向膜を形成することができる限り、特に制限はなく、有機材料及び無機材料のいずれも用いることができる。前記有機材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロースなどが挙げられる。前記無機材料としては、ガラス、シリコンなどが挙げられる。また、前記基板には、ＩＴＯ、Ｃｒ、Ａｌなどの電極層、カラーフィルタ層などが設けられていてもよい。
【００６８】
（垂直配向膜用組成物）
負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物を用いて基板上に配向膜を形成する際には、前記重合性液晶化合物を含む垂直配向膜用組成物を調製して使用することが好ましい。
前記垂直配向膜用組成物は、少なくとも負の誘電率異方性を有する重合性液晶化合物を含み、必要に応じてその他の成分を含む。
負の誘電率異方性を有する前記重合性液晶化合物については、既に説明した通りであるので説明を省略する。
【００６９】
前記垂直配向膜用組成物における、負の誘電率異方性を有する前記重合性液晶化合物の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記垂直配向膜用組成物に対し、５〜９８質量％が好ましく、１０〜９６質量％がより好ましく、２０〜９５質量％が特に好ましい。前記含有量が、５質量％未満であると、充填される液晶の濡れ性が低下することがある。前記含有量が、９８質量％を超えると、液晶性化合物に対する垂直配向性が低下することがある。
【００７０】
＜その他の成分＞
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、オニウム塩、空気界面垂直配向剤、重合開始剤、可塑剤、界面活性剤、重合性モノマー、フッ素ポリマー、含フッ素化合物などが挙げられる。
前記その他の成分は、例えば、配向の固定化、塗工膜の均一性、膜の強度、液晶性化合物の配向性の向上などを目的として添加することができる。
前記オニウム塩、空気界面垂直配向剤、フッ素ポリマー及び含フッ素化合物としては、例えば、特開２００６−１０６６６２号公報に記載のものを好適に利用できる。
【００７１】
前記重合開始剤としては、特に制限はなく、負の誘電率異方性を有する前記重合性液晶化合物が有する重合性基に応じて選択することができ、例えば、ラジカル重合開始剤、カチオン重合開始剤などが挙げられる。前記ラジカル重合開始剤及び前記カチオン重合開始剤には、それぞれ、熱重合反応に用いる熱重合開始剤と光重合反応に用いる光重合開始剤とが含まれる。
前記ラジカル重合における熱重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリルなどが挙げられる。
前記ラジカル重合における前記光重合開始剤としては、例えば、α−カルボニル化合物（米国特許２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許３５４９３６７号明細書記載）、アクリジン及びフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許４２３９８５０号明細書記載）及びオキサジアゾール化合物（米国特許４２１２９７０号明細書記載）等が挙げられる。
前記カチオン重合における熱重合開始剤としては、例えば、ベンジルスルホニウム塩系化合物などが挙げられる。
前記カチオン重合における光重合開始剤としては、例えば、有機スルフォニウム塩系、ヨードニウム塩系、フォスフォニウム塩系などが挙げられる。これら化合物の対イオンとしては、ＳｂＦ６−、ＰＦ６−、ＢＦ６−等が挙げられる。
【００７２】
（垂直配向膜の製造方法）
本発明の垂直配向膜の製造方法は、前記垂直配向膜用組成物を基板表面に塗布する塗布工程と、前記垂直配向膜用組成物（塗布液）を乾燥させる乾燥工程とを含み、必要に応じて、その他の工程を含んでなる。
【００７３】
−塗布工程−
前記垂直配向膜用組成物を基板表面に塗布する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコーティング、ダイコーティング、グラビアコーティング、フレキソ印刷、インクジェット印刷などが挙げられる。
【００７４】
前記塗布工程において、前記垂直配向膜用組成物を基板表面に塗布する際には、前記垂直配向膜用組成物を溶媒に溶解して、塗布液として用いることが好ましい。
前記溶媒としては、前記垂直配向膜用組成物を溶解できる限り、特に制限はないが、塗布しやすい点で、室温での蒸気圧が比較的低く、かつ、沸点が高いことが好ましい。前記溶媒としては、例えば、１，１，２−トリクロロエタン、Ｎ−メチルピロリドン、ブトキシエタノール、γ−ブチロラクトン、エチレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、フェノキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。前記溶媒は、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７５】
−乾燥工程−
前記乾燥工程では、塗布した前記垂直配向膜用組成物（塗布液）を乾燥させることにより、前記塗布液中の溶媒を揮発させる。
前記垂直配向膜用組成物（塗布液）を乾燥させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、加熱、送風が挙げられる。前記加熱における加熱温度としては、特に制限はないが、前記乾燥工程において重合しないように、８０〜１５０℃が好ましい。前記送風における送風量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択できる。
【００７６】
−その他の工程−
前記その他の工程としては、例えば、前記乾燥工程の後に、前記垂直配向膜用組成物を加熱する加熱工程；前記乾燥工程の後に、前記垂直配向膜用組成物の塗膜に対し、紫外線等を照射する光照射工程；などが挙げられる。
前記その他の工程としては、前記加熱工程のみを行ってもよく、前記光照射工程のみを行ってもよく、両方の工程を行ってもよい。また、前記加熱工程及び前記光照射工程を行う場合には、いずれの工程を先に行ってもよい。
【００７７】
−−加熱工程−−
前記加熱工程では、前記垂直配向膜用組成物を加熱することにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合を進行させる。
前記加熱工程における加熱温度としては、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合を進行させることができる限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、一般的には、１５０〜２８０℃であり、１６０〜２６０℃が好ましく、１６０〜２５０℃がより好ましい。
前記加熱工程により、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合を進行させることで、前記垂直配向膜用組成物の塗膜（垂直配向膜）を、液晶化合物に対する垂直配向能を有した状態で固定することができる。
【００７８】
−−光照射工程−−
前記光照射工程では、前記垂直配向膜用組成物の塗膜に対し、紫外線等の光を照射することにより、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合を進行させる。
前記光照射工程により、前記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合を進行させることで、前記垂直配向膜用組成物の塗膜（垂直配向膜）を、液晶化合物に対する垂直配向能を有した状態で固定することができる。
【００７９】
（液晶セル）
本発明の液晶セルは、一対の基板と、基板の面上に形成された前記垂直配向膜と、一対の前記基板に挟持される液晶組成物とを含む。
前記液晶組成物は、少なくとも液晶化合物を含む。
前記垂直配向膜は、一対の前記基板のうち少なくとも一方の前記基板における、他方の前記基板に対して対向する面に配される。
前記垂直配向膜は、一対の前記基板のうち一方の基板のみに配されていてもよく、対向する両方の基板に配されていてもよい。
前記液晶セルとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、本発明の垂直配向膜を用いることにより、液晶化合物を垂直に配向させることができる点で、ＶＡモード液晶セルが特に好ましい。
前記液晶化合物としては、ＶＡモード液晶セルとして機能させるために、誘電率異方性が負であることが好ましい。
【００８０】
（液晶表示装置）
本発明の液晶表示装置は、前記液晶セルを有することを特徴とする。
前記液晶表示装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、本発明の垂直配向膜を用いることにより、液晶化合物を垂直に配向させることができる点で、ＶＡモード液晶表示装置が特に好ましい。
【実施例】
【００８１】
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００８２】
（実施例１：負の誘電率異方性を有する重合性化合物の合成）
負の誘電率異方性を有する重合性化合物として、前記構造式（Ｉ−１４２）で表される化合物を、以下の経路に従って合成した。
【化３１】
2009265317.tif 000031
【００８３】
・化合物（１４２）−Ｂの合成
ベンゾキノン（化合物（１４２）−Ａ）を出発物質として、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，６９巻、２１６４〜２１７７頁（２００４年）に記載の方法により、化合物（１４２）−Ｂを得た。
【００８４】
・化合物（１４２）−Ｃの合成
化合物（１４２）−Ｂを１６．４ｇ（５０ｍｍｏｌ）、シアノ酢酸ブチル８．５ｇ（６０ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−ピロリジノン５０ｍｌに加えて９０℃にて２時間攪拌した。室温まで冷却した後、内容物にメタノール３００ｍｌを加えて析出物をろ別し、目的物の化合物（１４２）−Ｃを１５．２ｇ得た。得られた化合物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ｄ6−ＤＭＳＯ）：  ０．９３ｐｐｍ（３Ｈ，ｔ），１．４０ｐｐｍ（２Ｈ，ｍ），１．６５ｐｐｍ（２Ｈ，ｍ），４．２３ｐｐｍ（２Ｈ，ｔ），６．７９ｐｐｍ（２Ｈ，ｓ），１０．３２ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ），１０．３７ｐｐｍ（１Ｈ，ｓ）。
1Ｈ−ＮＭＲおよびその他のスペクトルから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００８５】
・化合物（１４２）−Ｋの合成
ｔｒａｎｓ−４−ヒドロキシ−シクロヘキサンカルボン酸７．２ｇ（５０ｍｍｏｌ）、ベンジルブロミド１０．２ｇ（６０ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−ピロリジノン９０ｍｌに加えて攪拌し、炭酸水素ナトリウム８．２ｇ（１００ｍｍｏｌ）を添加して９０℃にて３時間攪拌した。室温まで冷却した後、内容物に酢酸エチル４００ｍｌ、水３００ｍｌを加えて抽出した。有機層を希塩酸、水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（１４２）−Ｋ  ９．２ｇを得た。1Ｈ−ＮＭＲから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００８６】
・化合物（１４２）−Ｄの合成
化合物（１４２）−Ｄは、Ｒｅｃｌ．Ｔｒａｖ．Ｐａｙｓ−Ｂａｓ、１１５巻、３２１〜３２８頁（１９９６年）に記載の方法により合成した。
【００８７】
・化合物（１４２）−Ｅの合成
化合物（１４２）−Ｄ  ２４．４ｇ（０．１ｍｏｌ）をＮ−メチル−ピロリジノン２００ｍｌに加えて攪拌し、室温にてｔｅｒｔ−ブチルジフェニルクロロシラン５４．８ｇ（０．２２ｍｏｌ）を加え、更にイミダゾール２７．２ｇを添加した。室温にて３時間攪拌した後、酢酸エチル５００ｍｌと希塩酸５００ｍｌを加えて抽出し、有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮物をメタノール３００ｍｌとテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、水２００ｍｌに炭酸カリウム２８ｇを溶解した溶液を加えて室温で８時間攪拌した。溶液を濃縮した後、酢酸エチル５００ｍｌと水３００ｍｌとを加えて抽出し、有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（１４２）−Ｅ  ２８．５ｇ（６１ｍｍｏｌ）を得た。1Ｈ−ＮＭＲから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００８８】
・化合物（１４２）−Ｆの合成
化合物（１４２）−Ｅ  ９．５ｇ（２０．４ｍｍｏｌ）をトルエン３０ｍｌに溶解し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド  ０．１ｍｌ、塩化チオニル２ｍｌを加え、７０℃にて３時間攪拌した。溶媒を減圧留去した後、残渣にＮ−メチル−ピロリジノン３０ｍｌに加えて攪拌し、化合物（１４２）−Ｋ  ４．７ｇ（２０ｍｏｌ）を加え、５℃以下に冷却した。冷却後にトリエチルアミン３ｍｌ、次いで４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１００ｍｇを順次加えた後、５℃以下にて３０分攪拌し、その後、室温で２時間攪拌した。反応液に酢酸２００ｍｌ及び希塩酸２００ｍｌを加えて抽出し、有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（１４２）−Ｆ  １０．０ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）を得た。1Ｈ−ＮＭＲから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００８９】
・化合物（１４２）−Ｇの合成
化合物（１４２）−Ｆ  ２０ｇ（２８．６ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し、酢酸５ｍｌを加え、次いでテトラブチルアンモニウムフロリド（テトラヒドロフラン溶液、濃度１ｍｏｌ／ｌ）を３０ｍｌ加えて室温で３時間攪拌した。反応液に酢酸２００ｍｌ希塩酸２００ｍｌを加えて抽出し、有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、化合物（１４２）−Ｇ  １３．０ｇ（２８．２ｍｍｏｌ）を得た。得られた化合物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：  １．１６〜２．１２ｐｐｍ（２４Ｈ，ｍ），２．２１ｐｐｍ（１Ｈ，ｍ），２．３４ｐｐｍ（１Ｈ，ｍ），３．４７ｐｐｍ（２Ｈ，ｔ），３．６５ｐｐｍ（２Ｈ，ｓ），４．７０ｐｐｍ（１Ｈ，ｍ），５．１１ｐｐｍ（２Ｈ，ｓ），７．３７ｐｐｍ（５Ｈ，ｍ）。
1Ｈ−ＮＭＲから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００９０】
・化合物（１４２）−Ｈの合成
化合物（１４２）−Ｇ  １３ｇ（２８．２ｍｍｏｌ）をエタノール１３０ｍｌに溶解し、１０％パラジウム炭素を１．３ｇ添加し、常圧下で水素添加した。触媒をセライト濾過してろ液を濃縮し、化合物（１４２）−Ｈ  ９．３ｇ（２５ｍｍｏｌ）を得た。1Ｈ−ＮＭＲから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００９１】
・化合物（１４２）−Ｉの合成
化合物（１４２）−Ｈ  ７．２ｇ（１９ｍｍｏｌ）をＮ−メチル−ピロリジノン４０ｍｌに加えて攪拌し、５℃以下にてアクリロイルクロリド５ｍｌを加えた。室温にて３時間攪拌した後、再び５℃以下に冷却して、ピリジン６ｍｌと水６ｍｌの混合溶液を滴下した。反応液に酢酸エチル２００ｍｌと希塩酸２００ｍｌとを加えて抽出し、有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。目的物の化合物（１４２）−Ｉ  ７．３ｇ（１７ｌ）を得た。1Ｈ−ＮＭＲから得られた化合物が目的物であることを確認した。
【００９２】
・化合物（Ｉ−１４２）の合成
化合物（１４２）−Ｉ  ４．５ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）をトルエン２０ｍｌに溶解し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド  ０．１ｍｌ、塩化チオニル１．１ｍｌを加え、７０℃にて３時間攪拌した。溶媒を減圧留去した後、残渣にＮ−メチル−ピロリジノン２０ｍｌに加えて攪拌し、化合物（１４２）−Ｃ  １．６１ｇ（５ｍｏｌ）を加え、５℃以下に冷却した。冷却下にトリエチルアミン２ｍｌ、次いで４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン１００ｍｇを順次加えた後、５℃以下にて３０分攪拌した後、室温で２時間攪拌した。反応液に酢酸エチル２００ｍｌと希塩酸２００ｍｌとを加えて抽出し、有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的の化合物（Ｉ−１４２）  ２．５ｇ（２．２ｍｍｏｌ）を得た。得られた化合物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ3）：  ０．９３ｐｐｍ（３Ｈ，ｔ），１．２０〜１．８６ｐｐｍ（３６Ｈ，ｍ），１．９８〜２．３２ｐｐｍ（１８Ｈ，ｍ），２．６５ｐｐｍ（２Ｈ，ｍ），３．２１ｐｐｍ（２Ｈ，ｍ），３．４６ｐｐｍ（４Ｈ，ｍ），４．１９ｐｐｍ（４Ｈ，ｍ），４．３０ｐｐｍ（２Ｈ，ｔ），４．７９（２Ｈ，ｍ），５．６５ｐｐｍ（２Ｈ，ｄ），６．１４ｐｐｍ（２Ｈ，ｄｄ），６．４２ｐｐｍ（２Ｈ，ｄ），７．２３ｐｐｍ（２Ｈ，ｄ），７．２７（２Ｈ，ｄ）。
1Ｈ−ＮＭＲおよびその他のスペクトルデータから、得られた化合物が目的物であることを確認した。
また、化合物（Ｉ−１４２）の相転移温度は、結晶状態から１４７℃でネマチック相に相転移し、ネマチック層から１６３℃で等方相に相転移した。
【００９３】
また、負の誘電率異方性を有する重合性化合物として、前記構造式（Ｉ−１４１）、（Ｉ−１４３）〜（Ｉ−１４６）で表される化合物を前記構造式（Ｉ―１４２）で表される化合物と同様な方法で合成し、前記構造式（Ｉ−８４）、（Ｉ−８９）、（Ｉ−９５）、（Ｉ−９９）及び（Ｉ−１２９）で表される化合物を、特開２００３−２３１６３８号公報及び特開２００３−２３８４９１号公報に記載の合成例に従って合成した。
【００９４】
（実施例２：垂直配向膜の作製）
ポリイミド配向膜の作製：日産化学（株）製の水平配向膜材料であるＳＥ−１５０をＮ−メチル−２−ピロリドンで希釈して固形分濃度４重量％の溶液を調整した。厚さ１ｍｍのガラス基板の一面に設けられたＩＴＯ膜からなる透明導電膜上に、当該膜形成用組成物をスピナーにより塗布し、２００℃で６０分間乾燥することで、乾燥膜厚０．０８μｍの被膜を形成した。
次に、前記構造式（Ｉ−１４２）〜（Ｉ−１４６）、（Ｉ−８４）、（Ｉ−８９）、（Ｉ−９５）、（Ｉ−９９）、（Ｉ−１２９）又は（Ｉ−１４１）で表される化合物を１０重量部、下記構造の垂直配向剤１重量部、下記構造の空気界面垂直配向促進剤０．５重量部、重合開始剤（チバ  スペシャル製  イルガキュア１８９）０．５重量部をＮ−メチル−２−ピロリドンで希釈して固形分濃度５重量％の溶液を調整した。前記ガラス基板のＳＥ−１５０の被膜の上に、当該膜形成用組成物をスピナーにより塗布し、１３０℃で１分間加熱した後、窒素雰囲気下で４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射して液晶化合物を重合させて膜を形成した。乾燥膜厚０．１μｍであった。これを、垂直配向膜１〜１０として、実施例３の評価に用いた。
【００９５】
【化３２】
2009265317.tif 000032
【００９６】
【化３３】
2009265317.tif 000033
【００９７】
（実施例３：配向膜の評価）
（１）液晶濡れ性評価
実施例２で製造した垂直配向膜上に、針先径０．５ｍｍのシリンジを用いて、ネガ型液晶（メルク社製、ＭＬＣ−２０３８）を８μｌ滴下し、滴下後３０秒経過したときの垂直配向膜と液晶との接触角を測定した。接触角は、接触角計  ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ５００（協和界面株式会社製）を用いて測定した。接触角が１２度以下を濡れ性良好とし、１２度超を濡れ性不良とし、評価した。結果を表１に示す。
【００９８】
次に、実施例２と同様の方法で、一対の透明電極／透明電極基板に、垂直配向膜１〜１０を形成し、透明電極／透明電極基板のそれぞれの外縁に、直径５．５μｍの酸化アルミニウム球入りエポキシ樹脂接着剤を塗布した後、液晶配向膜面が相対するように重ね合わせて圧着し、接着剤を硬化させた。次いで、液晶注入口より基板間に、ネガ型液晶（メルク社製、ＭＬＣ−２０３８）を充填した後、アクリル系光硬化接着剤で液晶注入口を封止し、基板の外側の両面に偏光板を張り合わせ、液晶表示素子を作製した。得られた液晶表示素子に関して、下記（２）プレチルト角及び（３）垂直配向性の評価を行った。
【００９９】
（２）プレチルト角
Ｔ．Ｊ．Ｓｃｈｅｆｆｅｒ，  ｅｔ．ａｌ．，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．１９，２０１３（１９８０）に記載の方法に準拠し、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光を用いる結晶回転法により測定した。結果を表１に示す。なお、プレチルト角とは、液晶化合物の配向方向が基板面から傾いている角度を意味する。
【０１００】
（３）垂直配向性
垂直配向型液晶表示素子の電圧ＯＦＦ時の状態を目視で観察し、光漏れが無い場合を良好とし、光漏れがある場合を不良として評価した。評価結果を表１に示す。
【０１０１】
なお、上記（１）〜（３）の評価を、下記比較垂直配向膜１、２についても行った。結果を表１に示す。
【０１０２】
−比較垂直配向膜１−
垂直配向膜１において、前記構造式（Ｉ−１４２）で表される化合物に代えて、日産化学（株）製の水平配向膜材料であるＳＥ−１５０を用いたこと以外は同様にして、比較垂直配向膜１を作製した。
【０１０３】
−比較垂直配向膜２−
垂直配向膜１において、前記構造式（Ｉ−１４２）で表される化合物に代えて、下記比較例化合物１を用いたこと以外は同様にして、比較垂直配向膜２を作製した。
なお、下記比較例化合物１は、特開２０００−１２２０６６号公報の実施例１に記載の化合物である。
【化３４】
2009265317.tif 000034
【０１０４】
【表１】
2009265317.tif 000035
なお、表１中、“―”は、均一に配向せず、評価できなかったことを示す。
【０１０５】
表１の結果から、実施例２で作製した垂直配向膜１〜１０は、液晶との接触角が低く、液晶濡れ広がり性が良好であり、垂直配向性が良好であることが確認された。