(57)【要約】【課題】  相変化型光メディアに用いられる半導体レーザでも、出力信号のオーバーシュートを低減し、正確に光強度をモニタすることができるフロントモニタ回路を提供する。【解決手段】  フォトダイオードＰＤ１に電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１が接続されている。その出力端に複数個のバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３が並列に接続され、第１のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３により、１個のみがオンとなり、他はオフになるように制御されている。このバッファ回路の出力端は、第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６を介して、ｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の入力端に接続されている。ｇｍ増幅回路には、その利得を調整するための複数個の外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の１個を切り替えて接続することができるように、第３のスイッチ回路ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９を介して設けられている。ｇｍ増幅回路の出力端には、電圧増幅回路Ａｍｐ３が接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を受光して電流に変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードのカソードに接続される電流電圧変換増幅回路と、該電流電圧変換増幅回路の出力端に並列に複数個接続され、それぞれの出力端に対応する帰還抵抗を介して前記電流電圧変換回路の入力に接続されるバッファ回路と、外部信号により前記複数個のバッファ回路の動作をオンオフして１個だけをオンにすることにより、前記電流電圧変換増幅回路の帰還抵抗を切り替える第１のスイッチ回路と、前記複数個のバッファ回路のそれぞれの出力端に一端部が接続され、前記第１のスイッチ回路のオンオフと連動して１個だけをオンにする第２のスイッチ回路と、該第２のスイッチ回路の他端部がそれぞれ接続されて入力端に接続されるｇｍ増幅回路と、該ｇｍ増幅回路の利得を調整するための複数個の外付け可変抵抗器と、該複数個の外付け可変抵抗器を切り替えて１個の可変抵抗器により前記ｇｍ増幅回路の利得を調整する第３のスイッチ回路と、前記ｇｍ増幅回路の出力端に接続される電圧増幅回路とを有し、前記第３のスイッチ回路で選択される１個の可変抵抗器の抵抗値を調整することにより前記ｇｍ増幅回路の利得を調整することを特徴とするフロントモニタ回路。
【請求項２】
前記第３のスイッチ回路の一端部が前記ｇｍ増幅回路に接続され、他端部が外部端子として形成された半導体集積回路の、該外部端子とアースとの間に前記外付け可変抵抗器が接続されることにより、前記電流電圧変換増幅回路により電圧に変換された信号を前記半導体集積回路の外部に導出することなく、前記外付け可変抵抗器により利得を調整することを特徴とする請求項１記載のフロントモニタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、たとえば光ピックアップなどで半導体レーザの光強度を、半導体レーザの前方からモニタするフロントモニタ回路に関する。さらに詳しくは、とくに相変化型光メディアへの書込みを半導体レーザで行う際に、複数種類の半導体レーザの光強度をそれぞれモニタするために、それぞれの利得調整用の外付け可変抵抗器を接続するフロントモニタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】  従来用いられている、半導体レーザの光強度をモニタするフロントモニタ回路の一例を図５に示す。この回路例では、相変化型光メディアに対応するため、３波長のレーザ光に対して光強度をモニタすることができるように構成されており、各波長のレーザ光用に、利得調整用の可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６が、それぞれ外付け部品として設けられている。この可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６以外は半導体集積回路で構成されている。【０００３】  すなわち、相変化型光メディアへの書込みは、メディアの種類によりそれぞれ異なる波長および光強度をもつ半導体レーザで行っている。しかし、フォトダイオードや増幅回路などは、それぞれ１個で共用しているため、フォトダイオードの受光感度はレーザ光の波長や光強度によって異なることから、出力電圧が飽和することなく、出力信号のダイナミックレンジを広くするために、図５に示される電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１の帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３をスイッチＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３で切り替え、また、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６をスイッチＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２で切り替えて３種類の異なる利得を得ている。【０００４】  この回路で、フォトダイオードＰＤ１に入射したレーザ光は、電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１によって電流を電圧に変換して増幅される。その出力信号は、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３のうちの１つを通り、端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３から外部に出力される。このときのバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３は、図示されていないスイッチ信号によって制御され、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３の電流源をオンオフすることにより動作するバッファ回路を選択する。端子Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３には、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６が接続されており、電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１で電圧に変換された信号は、この外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６を経て端子Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６からもう一度半導体集積回路内部に入力される。端子Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６は、それぞれスイッチＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２に接続されており、信号は１系統に結合されてから電圧増幅回路Ａｍｐ３に入力される。ここで、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の各抵抗と電圧増幅回路Ａｍｐ３の帰還抵抗Ｒ７との比で、電圧増幅回路Ａｍｐ３の利得が決定され、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６により、外部から利得を調整できるようになっている。この外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、半導体レーザやセットのバラツキによる出力電圧のバラツキを補正するために用いられている。電圧増幅回路Ａｍｐ３により電圧増幅された信号は、出力端子ＶＯＵＴから出力される。【０００５】  この図５に示される従来のフロントモニタ回路のように、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６を接続すると、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の両端子とアース間に、チップパッケージや外付け可変抵抗器自身に起因する寄生容量が発生し、この寄生容量の影響により、出力信号のオーバーシュートが増大するという問題があり、可変抵抗器の出力端側に切り替えスイッチを設けることが提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【特許文献１】実用新案登録第３１１２５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】  すなわち、図６に示されるように、それぞれの可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の両端に寄生容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６が発生している。しかし、可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の出力端側に切り替えスイッチが接続されていても、図７（ａ）に、スイッチＳＷ１、ＳＷ２により、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２がオフで、ＳＷ３によりバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ３がオンになり、かつ、スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１がオフ（開放）、スイッチＳＷ１２がオン（短絡）している状態のフォトダイオードＰＤ１から入力される信号の電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１における入力電流波形図が、図７（ｂ）にそのときの出力端子ＶＯＵＴにおける出力電圧波形図が、それぞれ示されるように、寄生容量に起因して、出力端子ＶＯＵＴの出力波形にオーバーシュートが表れるという問題がある。【０００７】  本発明者がこの原因について鋭意検討を重ねて調べた結果、図７（ｃ）に、前述の各スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２のオンオフ状態で、寄生容量Ｃ４への電流入出力波形図が示されるように、スイッチＳＷ１１がオフにされていても、寄生容量Ｃ４への電流の入出力が見られた。この寄生容量Ｃ４への電流の入出力は、回路シミュレーションにより明らかとなった。そして、さらに鋭意検討を重ねて調べた結果、この電流入出力は、スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１、ＳＷ１２の回路構成が図４に示されるようなＭＯＳトランジスタのトランスファゲートで構成されていることに起因していることを見出した。すなわち、理想動作するスイッチ回路であれば、スイッチＳＷ１１が開放のとき、スイッチＳＷ１１を介して寄生容量Ｃ４への電流の入出力は発生しない。しかし、ＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間結合容量の影響により、スイッチ回路の両端子に急峻な電位変化が表れたとき、スイッチＳＷ１１を介して電流入出力が発生する。このことから、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の両端子電圧は、スイッチ回路がオフのとき、電圧が固定されていないため、フォトダイオードＰＤ１に信号が入力すると、その信号が外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６に導出されていることとも関連して、スイッチＳＷ１１を介して外付け可変抵抗器の寄生容量Ｃ４への電流入出力が発生する。上記条件の場合、スイッチＳＷ１２がオン、スイッチＳＷ１０、ＳＷ１１がオフのため、寄生容量Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４に電流入出力が発生し、出力端子ＶＯＵＴの出力信号にオーバーシュートが発生する。しかし、フロントモニタ回路は、矩形波の振幅値を正確にモニタする必要があるため、オーバーシュートは可能な限り小さいことが要求される。【０００８】  本発明は、このような状況に鑑み、相変化型光メディアに用いられる半導体レーザの光強度をモニタする回路において、信号の入力に対して、寄生容量などによって発生する出力信号のオーバーシュートを低減し、正確に光強度をモニタすることができるフロントモニタ回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  本発明によるフロントモニタ回路は、光信号を受光して電流に変換するフォトダイオードと、該フォトダイオードのカソードに接続される電流電圧変換増幅回路と、該電流電圧変換増幅回路の出力端に並列に複数個接続され、それぞれの出力端に対応する帰還抵抗を介して前記電流電圧変換回路の入力に接続されるバッファ回路と、外部信号により前記複数個のバッファ回路の動作をオンオフして１個だけをオンにすることにより、前記電流電圧変換増幅回路の帰還抵抗を切り替える第１のスイッチ回路と、前記複数個のバッファ回路のそれぞれの出力端に一端部が接続され、前記第１のスイッチ回路のオンオフと連動して１個だけをオンにする第２のスイッチ回路と、該第２のスイッチ回路の他端部がそれぞれ接続されて入力端に接続されるｇｍ増幅回路と、該ｇｍ増幅回路の利得を調整するための複数個の外付け可変抵抗器と、該複数個の外付け可変抵抗器を切り替えて１個の可変抵抗器により前記ｇｍ増幅回路の利得を調整する第３のスイッチ回路と、前記ｇｍ増幅回路の出力端に接続される電圧増幅回路とを有し、前記第３のスイッチ回路で選択される１個の可変抵抗器の抵抗値を調整することにより前記ｇｍ増幅回路の利得を調整することを特徴としている。【００１０】  前記第３のスイッチ回路の一端部が前記ｇｍ増幅回路に接続され、他端部が外部端子として形成された半導体集積回路の、該外部端子とアースとの間に前記外付け可変抵抗器が接続されることにより、前記電流電圧変換増幅回路により電圧に変換された信号を前記半導体集積回路の外部に導出することなく、前記外付け可変抵抗器により利得を調整することができる。
【発明の効果】
【００１１】  本発明のフロントモニタ回路によれば、電流電圧変換増幅回路の出力を、バッファ回路を介してｇｍ増幅回路に入力し、そのｇｍ増幅回路に外付け可変抵抗器を接続し、利得を調整する構造としているため、電流電圧変換増幅回路により電圧に変換された入力信号は、半導体集積回路内のみを進み、外付け可変抵抗器を通らない。すなわち、外付け可変抵抗器を入力信号が通過しないため、外付け可変抵抗器に寄生容量が発生していても、その寄生容量への電流の入出力は発生しない。その結果、出力端子から出力される出力波形にオーバーシュートが表れることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】  つぎに、図面を参照しながら本発明のフロントモニタ回路について説明する。本発明によるフロントモニタ回路は、図１にその一実施形態の回路図が示されるように、光信号を受光して電流に変換するフォトダイオードＰＤ１のカソードに電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１が接続され、その出力端に複数個のバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３が並列に接続されている。このバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３の出力端は、それぞれ帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を介して電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１の入力に接続されると共に、第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６に接続されている。このバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３には、第１のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３が設けられており、外部信号により１個のみオンとなり、他はオフになるように制御されている。このオンオフ制御は、後に続く第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６および第３のスイッチ回路ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９でも、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３のそれぞれに対応するスイッチが同じようにオンオフの制御がなされ、１個の信号のみが送られる。第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６の他端部がそれぞれ接続されてｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の入力端に接続されている。ｇｍ増幅回路Ａｍｐ２には、その利得を調整するための複数個の外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の１個を切り替えて接続することができるように、第３のスイッチ回路ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９を介して端子Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９が設けられており、この端子Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９とアースとの間に可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６が接続されている。ｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の出力端には、電圧増幅回路Ａｍｐ３が接続され、さらに第３のスイッチ回路ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９で選択される１個の可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の抵抗値を調整することによりｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の利得を調整することができるようになっている。【００１３】  フォトダイオードＰＤ１は、図示しない半導体レーザの光強度を所望の一定値に制御するため、半導体レーザの光強度を検出するもので、前述のように、相変化光メディアでは、複数種類の波長の光が用いられ、それぞれの波長の光強度を検出するが、フォトダイオードＰＤ１としては、同じものを使用している。波長の異なる半導体レーザでは、その出力も異なり、また、フォトダイオードＰＤ１の検出感度も波長により異なる。そのため、その異なる波長の光ごとにレベルを合せるため、次段のバッファ回路やスイッチ回路などは、その波長の光の種類（図１に示される例では３種類）の数だけ設けられ、それぞれの波長の光ごとに精度よく検出することができるようになっている。【００１４】  電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１は、フォトダイオードＰＤ１で検出した電流を入力し、電圧に変換して増幅するもので、たとえば通常の増幅回路を用いることができる。この電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１は、前述のように、異なる波長の光に対して共用されているため、波長に応じて異なる入力でも同レベルの出力になるようにそれぞれの波長の光ごとに切り替えるためのバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３が並列に接続され、それぞれの帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３で調整されている。この帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、半導体集積回路内に増幅回路Ａｍｐ１などと共に作り込まれている。このバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３には、第１のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３が設けられており、外部信号により、どれか１つのスイッチのみがオンになり、そのバッファ回路のみに電流が流れて動作するようになっている。その結果、外部信号により選択した波長の光に最適な電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１の出力として出力されるようになっている。【００１５】  各バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３の出力端には、第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６の一端部が接続され、第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６の他端部は１つに纏められてｇｍ増幅回路Ａｍｐ２に入力されるようになっている。バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３は、それぞれボルテージホロワを用いることができる。この第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６のそれぞれのスイッチは、第１のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３のそれぞれのスイッチと同期して同じようにオンオフが制御される。すなわち、たとえば第１のスイッチ回路でスイッチＳＷ１がオンで他のスイッチＳＷ２、ＳＷ３がオフのときは、そのバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１に接続される第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６のスイッチＳＷ４がオンで他のスイッチＳＷ５、ＳＷ６はオフになるように制御される。【００１６】  後で述べる第３のスイッチ回路も含めて、スイッチ回路の各スイッチは、たとえば図４に示されるような構成を用いることができる。すなわち、たとえばＰＭＯＳトランジスタとＮＭＯＳトランジスタのドレイン同士とソース同士とを接続し、スイッチ信号（ＳＷ信号）をＰＭＯＳトランジスタにはＮＯＴ回路を介して、ＮＭＯＳトランジスタには直接それぞれのゲートに入力し、ドレインの接続点を入力端ＳＷ−ＩＮ、ソースの接続点を出力端ＳＷ−ＯＵＴとしておくことにより、ＳＷ信号に応じてオンオフをすることができる。【００１７】  ｇｍ増幅回路Ａｍｐ２は、半導体レーザやセットのバラツキによる出力電圧のバラツキを外部から可変抵抗器で補正する場合に、その外部に接続される可変抵抗器に入力信号電圧を導出しないで補正するために設けられている。このｇｍ増幅回路Ａｍｐ２は、たとえば図２に示されるような回路構成にすることができるが、この例には限定されない。【００１８】  図２に示される例は、２段の差動増幅回路Ｐ、Ｑと出力段Ｏとにより構成され、利得は第１段の差動増幅回路Ｐを流れるバイアス電流値Ｉ１と第２段の差動増幅回路Ｑを流れるバイアス電流値Ｉ２との比から決定される。この第２段の差動増幅回路Ｑのバイアス電流値Ｉ２は、第２段の差動増幅回路Ｑに電流を供給するカレントミラー回路Ｓのエミッタ抵抗の値により変えることができ、このエミッタ抵抗に、外付け可変抵抗器Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５を接続する構成になっている。このような構成にすることにより、可変抵抗器Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５の抵抗値を調整することにより、第２段の差動増幅回���Ｑを流れるバイアス電流値１２を調整することが可能となり、ｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の利得を調整することができ、外部から半導体レーザの特性のバラツキなどを補正することができる。しかも、電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１により電圧に変換された入力信号は、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６を全く通ることなくその値が補正されて出力されるため、外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の入出力側に寄生容量が発生しても、全くその影響を受けることがない。【００１９】  このｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の出力ＯＵＴは、抵抗Ｒ８を介して電圧増幅回路Ａｍｐ３に入力される。電圧増幅回路Ａｍｐ３の出力は一部が帰還抵抗Ｒ７を介して入力に帰還されると共に、出力端には出力端子ＶＯＵＴが設けられ、増幅された信号が出力されて、次段の回路に送られる。この電圧増幅回路Ａｍｐ３は、帰還抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８の比により増幅する一般的な増幅回路で構成されている。【００２０】  つぎに、本発明によるフロントモニタ回路の動作について説明する。たとえば３波長のレーザ光を発光する半導体レーザが第１の波長の光を発光する場合、その光の一部をフォトダイオードＰＤ１により受光して電流に変換する。フォトダイオードＰＤ１により変換された電流は、電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１により電圧に変換されて増幅される。この際、第１のスイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３は、第１の波長の光に対応するスイッチＳＷ１のみがオンになり、他のスイッチＳＷ２、ＳＷ３はオフになるように外部信号が出されるため、バッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３のうち、スイッチＳＷ１に対応するＢｕｆｆｅｒ１のみが動作し、他のバッファ回路Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３は動作しない。そのため、第１の波長の光に対応して帰還抵抗Ｒ１により適正な電圧に変換される。第２の波長、第３の波長の光に対しても、同様に帰還抵抗Ｒ２、Ｒ３により同レベルの電圧に変換される。すなわち、フォトダイオードＰＤ１の感度が波長により異なったり、波長により半導体レーザの出力が異なったりしていてもその差を補正している。【００２１】  この電流電圧変換増幅回路Ａｍｐ１の出力は、第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６を介してｇｍ増幅回路Ａｍｐ２に入力される。第２のスイッチ回路ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６も、前述のように、フォトダイオードＰＤ１に入力する第１の波長の光に対応するスイッチＳＷ４のみがオンになり、スイッチＳＷ５とＳＷ６はオフになるように外部信号により制御されているため、受光する１つの波長の光のみがｇｍ増幅回路Ａｍｐ２に入力される。このｇｍ増幅回路Ａｍｐ２は、たとえば前述の図２に示される２段の差動増幅回路を用いることにより、その出力段に電流を供給するカレントミラーのエミッタ抵抗として接続される外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６を調整することにより、その利得を調整することができる。この外付け可変抵抗器Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６も、第３のスイッチ回路ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９のうち、たとえば受光する第１の波長の光に応じた１つのスイッチＳＷ７のみがオンになり、他のスイッチＳＷ８、ＳＷ９はオフになるように制御されているため、外付け可変抵抗器Ｒ４のみがｇｍ増幅回路Ａｍｐ２に接続���れ、外部から外付け可変抵抗器Ｒ４を調整することにより、その利得を調整することができる。その結果、半導体レーザの製造上のバラツキなどによる変動があっても、一定の値に調整することができる。【００２２】  このｇｍ増幅回路Ａｍｐ２の出力は、抵抗８を介して、帰還抵抗Ｒ７が接続された電圧増幅回路Ａｍｐ３に入力されるため、帰還抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ８の比によって利得が決定され、さらに増幅されて出力端子ＶＯＵＴから出力される。【００２３】  前述の回路で、スイッチＳＷ３、ＳＷ６、ＳＷ９をオンにし、他のスイッチをオフにしたときの出力端子ＶＯＵＴにおける出力電圧波形が図３に示されている。図３から明らかなように、出力電圧波形のオーバーシュートは全く見られず、従来回路の図５に示される同様の出力波形図である図７（ｂ）と比較しても、その効果が顕著に現れている。これは、外付け可変抵抗器に入力信号を導出することなく半導体集積回路内部のみで信号を伝達しながら、外部から外付け可変抵抗器により利得を調整できる回路構成にしたことに基づいている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明によるフロントモニタ回路の一実施形態の回路図である。
【図２】図１のｇｍ増幅回路の一例を示す回路図である。
【図３】図１の回路構成での、出力端子における出力電圧の波形図である。
【図４】スイッチ回路の一例を示す回路図である。
【図５】従来のフロントモニタ回路の一例を示す回路図である。
【図６】外付け可変抵抗器により寄生容量が発生する様子を示す図である。
【図７】従来の図５の回路構成での、電流電圧変換増幅器における入力電流の波形図、出力端子における出力電圧の波形図、および寄生容量Ｃ４における電流入出力波形図である。
【符号の説明】
【００２５】ＰＤ１    フォトダイオード
Ａｍｐ１    電流電圧変換増幅回路
Ａｍｐ２    ｇｍ増幅回路
Ａｍｐ３    電圧増幅回路
Ｂｕｆｆｅｒ１、Ｂｕｆｆｅｒ２、Ｂｕｆｆｅｒ３    バッファ回路
ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３    第１のスイッチ回路
ＳＷ４、ＳＷ５、ＳＷ６    第２のスイッチ回路
ＳＷ７、ＳＷ８、ＳＷ９    第３のスイッチ回路
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６    外付け可変抵抗器
Ｔ７、Ｔ８、Ｔ９    端子
Ｖｒｅｆ    基準電圧源
ＶＯＵＴ    出力端子
Ｉ１、Ｉ２    バイアス電流値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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