(57)【要約】【課題】本発明は、リードと外囲器との密着性を従来と比べて向上することを目的とする。【解決手段】リード２１と、このリード２１に搭載された半導体チップ２２と、前記リード２１と半導体チップ２２を接続するボンディングワイヤ２５と、前記リード２１の一部、半導体チップ２２及びボンディングワイヤ２５を樹脂封止する外囲器２６とを具備するリード端子型半導体装置において、前記外囲器２６と接するリード２１の上部に突起物２３を設けたことを特徴とするリード端子型半導体装置。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードと、このリードに搭載された半導体チップと、前記リードと半導体チップを接続する接続部と、前記リードの一部、半導体チップ及び接続部を樹脂封止する外囲器とを具備するリード端子型半導体装置において、
前記外囲器と接するリードの上部に突起物を設けたことを特徴とするリード端子型半導体装置。
【請求項２】
前記突起物は、荷重をかけた状態で熱圧着若しくは超音波の少なくともいずれか一方の手段を用いて形成されることを特徴とする請求項１記載のリード端子型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードと樹脂製外囲器との密着性を改善したリード端子型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＤＩＰ型のリード端子型半導体装置としては、図２に示す構成のものが知られている（非特許文献１）。図中の符番１は、内部リード２上にダイボンド材３を介して搭載された半導体チップを示す。この半導体チップ１の周辺には、２列に配置された複数の外部リード４が配置されている。これらの外部リード４の一端には夫々部分銀めっき５が施されている。これらの部分銀めっき５と半導体チップ１は、金製のボンディングワイヤ６により電気的に接続されている。前記半導体チップ１，内部リード２，ボンディングワイヤ６及び外部リード４の一部は、樹脂製の外囲器７により樹脂封止されている。こうした構成のリード端子型半導体装置においては、外部リード４が外囲器７の側部から突出するように外囲器７により樹脂封止されている。
【０００３】
また、従来、上記半導体装置と種類が異なるリード端子型半導体装置としては、例えば図３（Ａ），（Ｂ）に示す構成のものが知られている。ここで、図３（Ａ）は前記半導体装置の全体の断面図、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の半導体装置の一構成であるリードの拡大断面図を示す。
【０００４】
図中の符番１１は、片面（下面）が露出したリードを示す。このリード１１上には半導体チップ１２が搭載されている。半導体チップ１２を除くリード１１の表面には、Ｖ字型の溝１３が複数個形成されている。半導体チップ１２にはパッド１４が形成され、このパッド１４とリード１１とは、ボンディングワイヤ１５を介して電気的に接続されている。前記半導体チップ１２、ボンディングワイヤ１５及びリード１１の一部は、樹脂製の外囲器１６により覆われている。こうした構成の半導体装置は、リード１１を直接実装基板上に搭載するタイプであるため、外囲器１６がリード１１から剥れるのを回避するために、上述したように、リード１１の表面に溝１３を設けている。
【非特許文献１】半導体用語辞典，第１版，１０９５頁，１９９９年３月２０日発行，（株）日刊工業新聞社（発行所）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のリード端子型半導体装置によれば、リード１１と外囲器１６との密着性がリード１１の表面に設けた溝１３では十分ではなく、外囲器１６がリード１１から剥離し易いという問題があった。また、溝１３はプレス加工、あるいはエッチングにより形成するが、プレス加工ではフレームに反りや歪みが生じやすく、組み立てに悪影響がでやすい。また、エッチングでは、マスキング精度が不充分で十分な加工ができないと共に、加工時間が多くなるという問題があった。
【０００６】
本発明は従来の課題を解決するためになされたもので、外囲器と接するリードの上部に突起物を設けることにより、リードと外囲器との密着性を従来と比べて向上し得るリード端子型半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るリード端子型半導体装置は、請求項１記載のように、リードと、このリードに搭載された半導体チップと、前記リードと半導体チップを接続する接続部と、前記リードの一部、半導体チップ及び接続部を樹脂封止する外囲器とを具備するリード端子型半導体装置において、前記外囲器と接するリードの上部に突起物を設けたことを特徴とする。  
本発明に係るリード端子型半導体装置は、請求項２記載のように、前記突起物は、荷重をかけた状態で熱圧着若しくは超音波の少なくともいずれか一方の手段を用いて形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、リードと外囲器との密着性を従来と比べて向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明において、前記突起物は、荷重をかけた状態で熱圧着を行うか、あるいは荷重をかけた状態で超音波を用いるか、少なくともいずれか一方の手段を用いて形成する。突起物の材料は特に限定されないが、例えば金（Ａｕ），銅（Ｃｕ）あるいはＦｅ−Ｎｉ合金が挙げられる。また、突起物の形状は、平面形状が円形状，四角形状，線形状のいずれでもよい。更に、突起物の数や場所も特に限定されないが、外囲器と接するリードに平面的にみてできるだけ均等に複数個形成することが外囲器の剥れを防止する点で好ましい。
【００１０】
次に、本発明の一実施例に係るリード端子型半導体装置について図１（Ａ），（Ｂ）を参照して説明する。ここで、図１（Ａ）は前記半導体装置の断面図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の平面図を示す。  
（実施例）  
図中の符番２１は、片面（下面）が露出したリードを示す。このリード２１上には半導体チップ２２が搭載されている。半導体チップ２２を除くリード２１の表面には、例えば平面形状が円形の金製の突起物２３が荷重をかけた状態で熱圧着により複数個形成されている。突起物２３は、２個リード２１上に形成されている。半導体チップ２２にはパッド２４が形成され、このパッド２４とリード２１とは、接続部としてのボンディングワイヤ２５を介して電気的に接続されている。前記半導体チップ２２、ボンディングワイヤ２３及びリード２１の一部は、樹脂製の外囲器２６により覆われている。なお、前記突起物２３は、リード２１と外囲器２６との密着度を高めるために設けられている。突起物２３は、外囲器２６で覆われた領域内で数量、レイアウトを自由に設定することができる。
【００１１】
こうした構成のリード端子型半導体装置において、突起物２３は、リード２１上に半導体チップ２２を形成した後、半導体チップ２１上にパッド２４を形成する時にワイヤを押し付け熱圧着により同時に形成する。
【００１２】
上記実施例によれば、外囲器２６と接するリード２１の表面により突起物２３が複数個略均等に形成された構成になっているため、従来と比べ、外囲器２６とリード２１との密着性が高まり、外囲器２６がリード２１と剥れにくくできる。また、突起物２３は、ワイヤを押し付けて熱圧着により形成するので、従来のようなＶ字型の溝を形成する場合と比較して作り方が簡単であるとともに、リードに反りや歪みが生じることを回避できる。更に、突起物２３は、半導体チップ２２上にパッド２４を形成する時に形成することができるので、従来のエッチングによる溝形成のように特別なマスキング工程が不要となり、作業時間を短縮できる。
【００１３】
なお、本発明は、上記実施例そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具現化できる。また、上記実施例に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。更に、異なる実施例に亘る構成要素を適宜組み合わせてもよい。具体的には、突起物の作り方は上記実施例で述べた方法に限らないとともに、その数量や形状や材料も特に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施例に係るリード端子型半導体装置の説明図を示す。
【図２】従来のリード端子型半導体装置の部分的に切欠した説明図を示す。
【図３】従来の別なタイプのリード端子型半導体装置の説明図を示す。
【符号の説明】
【００１５】
２１…リード、２２…半導体チップ、２３…突起物、２４…パッド、２５…ボンディングワイヤ（接続部）、２６…外囲器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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