(57)【要約】【課題】基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが電源電圧の変動に対して安定であり、かつ発生値が負の温度特性を持つようにすることで、電源電圧の変動や温度変化に対してセンサ部の飽和電荷量Ｑｓを一定に維持できるようにする。【解決手段】正の温度特性を持つ２つの定電圧出力Ｖ１，Ｖ２を発生する定電圧発生回路１１と、定電圧回路１１で発生された一方の定電圧出力Ｖ１を電源側のＭＯＳトランジスタ１２１のゲート入力とし、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力Ｖ２に対応した電圧を反転して出力するインバータ回路１２とによって基板バイアス発生回路１０を構成することで、当該基板バイアス発生回路１０からは電源電圧ＶＤＤの変動に対して安定で、かつ負の温度特性を持つ基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが発生されるため、電源電圧ＶＤＤの変動や温度変化に対してセンサ部の飽和電荷量Ｑｓが一定になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が正の温度特性を持つ２つの定電圧出力を発生する定電圧回路と、
前記定電圧回路で発生された一方の定電圧出力を電源側のＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入力とし、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力に対応した電圧を反転して出力するインバータ回路と
を備えたことを特徴とする基板バイアス発生回路。
【請求項２】
前記インバータ回路は、前記電源側のＭＯＳ電界効果トランジスタに対して直列に接続され、前記正の温度特性を持つ定電圧出力をゲート入力とする入力ＭＯＳ電界効果トランジスタを有する
ことを特徴とする請求項１記載の基板バイアス発生回路。
【請求項３】
前記正の温度特性を持つ定電圧出力は、抵抗値が可変な抵抗分割回路を介して前記入力ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入力となる
ことを特徴とする請求項２記載の基板バイアス発生回路。
【請求項４】
前記正の温度特性を持つ定電圧出力は、当該定電圧出力の出力端と前記入力ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲートとの間に介在するＭＯＳ電界効果トランジスタを介して前記入力ＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入力となる
ことを特徴とする請求項２記載の基板バイアス発生回路。
【請求項５】
光電変換素子を含む画素が行列状に形成されるとともに、前記画素で得られた信号電荷を転送する電荷転送部が形成された半導体基板と、
前記画素の基板側のオーバーフローバリアの高さを決める基板バイアス電圧を発生し、当該基板バイアス電圧を前記半導体基板に印加する基板バイアス発生回路とを備え、
前記基板バイアス発生回路は、
少なくとも一方が正の温度特性を持つ２つの定電圧出力を発生する定電圧回路と、
前記定電圧回路で発生された一方の定電圧出力を電源側のＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入力とし、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力に対応した電圧を反転して出力するインバータ回路とを有する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の半導体基板に印加する基板バイアス電圧を発生する基板バイアス発生回路とを備え、
前記基板バイアス発生回路は、
少なくとも一方が正の温度特性を持つ２つの定電圧出力を発生する定電圧回路と、
前記定電圧回路で発生された一方の定電圧出力を電源側のＭＯＳ電界効果トランジスタのゲート入力とし、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力に対応した電圧を反転して出力するインバータ回路とを有する
ことを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板バイアス発生回路、固体撮像装置および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ(Charge Coupled Device)イメージセンサに代表される電荷転送型の固体撮像装置では、一般的に、半導体基板、例えばＮ型基板に形成したＰウェル内に、センサ部（受光部）であるフォトダイオード、信号電荷を転送する垂直転送部および画素を分離するチャネルストップ部等を埋め込み、Ｎ型基板を正電圧の基板電圧Ｖｓｕｂでバイアスすることで、フォトダイオードで生ずる過剰電荷を基板側に掃き捨てる縦型オーバーフロードレイン構造が採られている。
【０００３】
この縦型オーバーフロードレイン構造では、例えば高輝度の被写体を撮像した際にフォトダイオードで生ずる過剰電荷が、オーバーフローバリアを乗り越えて基板側に排出されるために、フォトダイオードに蓄積される電荷量が飽和する。このオーバーフローバリアの高さは基板に印加する基板バイアス電圧Ｖｓｕｂによって決まり、当該基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが高いとオーバーフローバリアの高さが低くなり、フォトダイオードの飽和電荷量Ｑｓが減少する。
【０００４】
逆に、基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが低いとオーバーフローバリアの高さが高くなり、フォトダイオードの飽和電荷量Ｑｓが増加するが、その分だけ過剰な電荷がフォトダイオードから垂直転送部に溢れ出すブルーミング現象が発生しやすくなる。したがって、基板バイアス電圧Ｖｓｕｂの電圧値を適正に設定することが重要である。このため、固体撮像装置には、外部から供給する電源電圧の変動に対して安定した基板バイアス電圧Ｖｓｕｂを発生する基板バイアス発生回路が備えられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−５６５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、固体撮像装置では、一般に、基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが一定の場合、半導体基板の温度が上昇すると、フォトダイオードで光電変換された信号電荷が熱エネルギーを持ち、オーバーフローバリアを飛び越えてしまう現象が発生するために、フォトダイオードの飽和電荷量Ｑｓが減少する。
【０００７】
このとき、基板バイアス発生回路で発生される基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが、半導体基板の温度の上昇に伴って適度に低くなれば、デバイス全体として、フォトダイオードの飽和電荷量Ｑｓは温度依存性を持たなくなるのであるが、特許文献１記載の基板バイアス発生回路は、半導体基板の温度変化に対応することができない。
【０００８】
そこで、本発明は、電源電圧の変動に対して発生バイアスが安定なまま、かつ基板バイアス電圧Ｖｓｕｂに負の温度特性を持たせることで、半導体基板の温度が上昇してもセンサ部の飽和電荷量Ｑｓを一定に維持することが可能な基板バイアス発生回路、当該基板バイアス発生回路を用いた固体撮像装置および当該固体撮像装置を搭載した撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による基板バイアス発生回路は、少なくとも一方が正の温度特性を持つ２つの定電圧出力を発生する定電圧回路と、この定電圧回路で発生された一方の定電圧出力を電源側のＭＯＳ電界効果トランジスタ（以下、ＭＯＳトランジスタと記述する）のゲート入力とし、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力に対応した電圧を反転して出力するインバータ回路とを備えた構成となっている。この基板バイアス発生回路は、固体撮像装置において、半導体基板に印加する基板バイアス電圧を発生する回路として用いることができる。また、この基板バイアス発生回路を備えた固体撮像装置は、撮像装置において、その画像入力部として搭載することができる。
【００１０】
上記構成の基板バイアス発生回路、当該基板バイアス発生回路を用いた固体撮像装置および当該固体撮像装置を画像入力部として搭載した撮像装置において、定電圧回路が正の温度特性を持つ２つの定電圧出力を発生するとき、一方の定電圧出力をインバータ回路の電源側のＭＯＳトランジスタのゲート入力とすることで当該インバータ回路の出力電圧が電源電圧の変動に対して安定であり、かつ、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力に対応した電圧を反転することで、当該インバータ回路の出力電圧は負の温度特性を持つ。これにより、基板バイアス発生回路で発生される基板バイアス電圧が電源電圧の変動に対して安定であり、かつ、当該基板バイアス電圧に負の温度特性を持せることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、インバータ回路の作用によって基板バイアス電圧が電源電圧の変動に対して安定であり、かつ負の温度特性を持つために、電源電圧の変動や半導体基板の温度変動に対してセンサ部の飽和電荷量を一定に維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
［基板バイアス発生回路］
図１は、本発明の一実施形態に係る基板バイアス発生回路の構成例を示す回路図である。図１に示すように、本実施形態に係る基板バイアス発生回路１０は、定電圧回路１１とインバータ回路１２とを少なくとも備えた構成となっている。定電圧回路１１は、正の温度特性を持ち、電源電圧ＶＤＤの変動に対して安定な２つの定電圧出力Ｖ１，Ｖ２を発生する。
【００１４】
インバータ回路１２は、定電圧回路１１で発生された一方の定電圧出力Ｖ１を電源側のＭＯＳトランジスタ（後述する）のゲート入力とし、もう一方の正の温度特性を持つ定電圧出力Ｖ２に対応した電圧（本例では、定電圧出力Ｖ２そのもの）を反転して出力する。インバータ回路１２の出力電圧Ｖｏはそのまま基板バイアス電圧Ｖｓｕｂとして使用するようにしても良いし、オペアンプやソースフォロワ、エミッタフォロワなどの後段の回路を経由した後に基板バイアス電圧Ｖｓｕｂとして使用するようにしても良い。
【００１５】
（インバータ回路）
インバータ回路１２は、電源電圧ＶＤＤの電源ライン２４と接地レベルＧＮＤの接地ライン２５との間に直列に接続されたＮチャネルのＭＯＳトランジスタ１２１、負荷抵抗１２２およびＮチャネルの入力ＭＯＳトランジスタ１２３によって構成され、電源電圧ＶＤＤの変動を安定化させる作用をなす。
【００１６】
電源側のＭＯＳトランジスタ１２１のゲート入力は、定電圧回路１１の一方の出力電圧（Ｖ１）であるため一定である。ＭＯＳトランジスタ１２１が飽和領域で動作するように各動作点をあわせると、ノードＮ１１の電圧値（即ち、ＭＯＳトランジスタ１２１のソース電圧）はＭＯＳトランジスタ１２１のゲート電圧に依存し、ドレイン電圧には依存しないため、電源電圧ＶＤＤが変動してもほとんど変動しない。このため、インバータ回路１２の出力電圧Ｖｏも電源電圧ＶＤＤの変動に対して安定している。
【００１７】
定電圧回路１１が正の温度特性を持つことから、定電圧出力Ｖ１、Ｖ２は温度が上昇すると発生値も上昇する。ここで、ΔＴの温度変化があるときの定電圧出力Ｖ１の変動量をΔＶ１、定電圧出力Ｖ２の変動量をΔＶ２、インバータ回路１２の出力電圧Ｖｏの変動量ΔＶｏとし、インバータ回路１２の入出力ゲインを−Ａとすると、
ΔＶｏ＝−Ａ×ΔＶ２＋ΔＶ１
となり、インバータ回路１２のゲイン−Ａを適度な値にすることにより、出力電圧Ｖｏの変動量ΔＶｏは適度な負の値となる。
【００１８】
なお、負荷抵抗１２２については、ＭＯＳトランジスタのドレインとゲートを短絡したダイオード接続による負荷におきかえてもよく、また、そのＭＯＳトランジスタの数も１つである必要はない。
【００１９】
また、インバータ回路１２の構成の他の例として、図２に示すように、入力ＭＯＳトランジスタ１２３のソース側に抵抗Ｒ１を直列に挿入しても良い。抵抗Ｒ１を挿入することにより、インバータ回路１２Ａのゲインを適度に下げることが可能となる。また、抵抗Ｒ１はＭＯＳトランジスタのドレインとゲートを短絡したダイオード接続による負荷におきかえてもよく、また、そのＭＯＳトランジスタの数も１つである必要はない。
【００２０】
（定電圧回路）
図３は、定電圧回路１１の具体的な回路構成の一例を示す回路図である。定電圧発生回路１１は、電源電圧ＶＤＤの電源ライン２４と接地レベルＧＮＤの接地ライン２５との間に直列に接続された例えば４個のＮチャネルのＭＯＳトランジスタＱ１１〜Ｑ１４によって構成されている。
【００２１】
ここで、これらＭＯＳトランジスタＱ１１〜Ｑ１４のソースとドレインの共通接続ノードをノードＮ２１〜Ｎ２３とする。ＭＯＳトランジスタＱ１１，Ｑ１２，Ｑ１３はデプレッションＭＯＳトランジスタであり、飽和領域で動作させる。
【００２２】
定電圧回路１１において、一番接地レベルＧＮＤ側のＭＯＳトランジスタＱ１４は、ゲートとドレインとが短絡されていて抵抗素子として機能する。そして、ＭＯＳトランジスタＱ１４は、その上段のＭＯＳトランジスタＱ１３と共に定電流源を構成している。
【００２３】
このＭＯＳトランジスタＱ１３，Ｑ１４からなる定電流源の作用により、ノードＮ２３には定電圧が発生する。また、ノードＮ２２，Ｎ２１には、ノードＮ２３の定電圧を基準として順に一定のレベルだけ高い定電圧が発生する。
【００２４】
ノードＮ２１〜Ｎ２３に得られる定電圧のうち、例えば、ノードＮ２１に得られる定電圧出力Ｖ１は、インバータ回路１２の電源側のＭＯＳトランジスタ１２１にそのゲート入力として供給される。また、例えば、ノードＮ２２に得られる定電圧出力Ｖ２は、インバータ回路１２の入力ＭＯＳトランジスタ１２３にそのゲート入力として供給される。
【００２５】
一般に、ＭＯＳトランジスタは、温度が上昇するにつれて閾値電圧がデプレッション側にシフトする。このため、ノードＮ２１，Ｎ２２，Ｎ２３に得られる各定電圧は正の温度特性を持っている。すなわち、定電圧回路２１が形成された半導体基板の温度が上昇すると、定電圧回路１１の定電圧出力Ｖ１，Ｖ２（本例では、ノードＮ２１、Ｎ２２の各定電圧）が上昇する。
【００２６】
上述した定電圧回路１１の構成例は一例であり、これに限られるものではない。２つの定電圧出力Ｖ１，Ｖ２のうち、少なくとも一方の定電圧出力Ｖ２が正の温度特性を持ち、定電圧出力Ｖ１，Ｖ２が電源電圧ＶＤＤの変動に対して安定であれば、本発明に係るインバータ回路１２と組み合わせることによって電源電圧ＶＤＤの変動に対して安定であり、負の温度特性を持つ基板バイアス発生回路を作成することは可能である。
【００２７】
（応用例１）
図４は、本発明の応用例１に係る基板バイアス発生回路の構成例を示す回路図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付して示している。
【００２８】
本応用例１に係る基板バイアス発生回路１０Ａは、定電圧回路１１の定電圧出力Ｖ２を入力ＭＯＳトランジスタ１２３のゲートに直接入力するのではなく、抵抗Ｒ２，Ｒ３からなる抵抗分割回路１３を介して入力するようにしている点で、図１の基板バイアス発生回路１０と異なっている。
【００２９】
この基板バイアス発生回路１０Ａにおいて、抵抗Ｒ２，Ｒ３の各抵抗値を例えばヒューズカットによって変えることにより、入力ＭＯＳトランジスタ１２３のゲートの入力電圧を調整できるため、インバータ回路１２の出力電圧Ｖｏ、即ち基板バイアス発生値を調整できる。その結果、基板バイアス発生回路１０Ａを用いる固体撮像素子個々のセンサ形状のばらつきによる飽和信号量のばらつきを基板バイアス発生値の調整で相殺できる。
【００３０】
（応用例２）
図５は、本発明の応用例２に係る基板バイアス発生回路の構成例を示す回路図であり、図中、図４と同等部分には同一符号を付して示している。
【００３１】
本応用例２に係る基板バイアス発生回路１０Ｂは、電源電圧ＶＤＤの電源ライン２４にドレインが接続され、定電圧回路１１の定電圧出力Ｖ２をゲート入力とするＮチャネルのＭＯＳトランジスタ１２４を有し、ＭＯＳトランジスタ１２４のソースと接地レベルＧＮＤの接地ライン２５との間に抵抗Ｒ２，Ｒ３からなる抵抗分割回路１３を接続した構成となっている。
【００３２】
このように、定電圧回路１１の定電圧出力Ｖ２の出力端とインバータ回路１２の入力ＭＯＳトランジスタ１２３のゲートとの間にＭＯＳトランジスタ１２４を介在させることにより、インピーダンス変換を行うことができる。
【００３３】
［本実施形態の作用効果］
上述した基板バイアス発生回路１０およびその応用例１，２に係る基板バイアス発生回路１０Ａ，１０Ｂにおいて、定電圧回路１１が正の温度特性を持つ場合に、定電圧回路１１の後段側に当該定電圧回路１１の定電圧出力Ｖ２に応じた電圧を反転するインバータ回路１２を設けることで、当該インバータ回路１２は、基板バイアス発生回路全体として負の温度特性を持つように作用する。
【００３４】
これにより、インバータ回路１２の出力電圧Ｖｏである基板バイアス電圧Ｖｓｕｂに対しても、負の温度特性を持たせることができる。すなわち、基板バイアス発生回路１０，１０Ａ，１０Ｂが形成された半導体基板の温度が上昇することによって定電圧回路１１の定電圧出力Ｖ２が上昇したときに、基板バイアス発生回路１０，１０Ａ，１０Ｂで生成される基板バイアス電圧Ｖｓｕｂは逆に低下する（負の温度特性）。
【００３５】
上記実施形態に係る基板バイアス発生回路１０や、その応用例１，２に係る基板バイアス発生回路１０Ａ，１０Ｂは、ＣＣＤイメージセンサの半導体基板（以下、単に「基板」と略記する場合もある）に対してそのバイアス電圧として印加する基板バイアス電圧Ｖｓｕｂを発生するための基板バイアス発生回路として用いることができる。この基板バイアス発生回路は、ＣＣＤイメージセンサの基板外に設けられる外部回路として用いることも可能である。ただし、外付け部品の削減などを図る上では、ＣＣＤイメージセンサと同じ基板（チップ）上に実装して用いるのが好ましい。
【００３６】
（ＣＣＤイメージセンサ）
図６は、同一基板上に形成された基板バイアス発生回路を有する本発明に係るＣＣＤイメージセンサの構成の概略を示す図である。
【００３７】
図６において、撮像部５１は、例えばＮ型の半導体基板５０上に複数個のセンサ部（画素部）５２が行列状に２次元配置された構成となっている。センサ部５２は、光電変換素子、例えばＰＮ接合のフォトダイオードを有し、入射光をその光量に応じた電荷量の信号電荷に変換して蓄積する。
【００３８】
撮像部５１には、センサ部５２の行列状配列に対して画素列（垂直列）ごとに画素の配列方向に沿って複数本の垂直転送部５３が設けられている。さらに、センサ部５２の各々と垂直転送部５３との間には、センサ部５２で光電変換され、ここに蓄積された信号電荷を垂直転送部５３へ読み出す読み出しゲート部５４が設けられている。
【００３９】
垂直転送部５３は、読み出しゲート部５４を通して各センサ部５２から読み出された信号電荷を順に垂直方向に転送する。垂直転送部５３による信号電荷の転送先側には、垂直転送部５３から順に垂直転送される信号電荷を水平方向に転送する水平転送部５５が配置されている。
【００４０】
水平転送部５５の転送先側の端部には、例えばフローティング・ディフュージョン・アンプからなる電荷検出部５６が配されている。電荷検出部５６は、水平転送部５５によって転送されてくる信号電荷を電気信号に変換し、出力端子５７を介して基板５０の外部に出力する。
【００４１】
このように、センサ部５２、垂直転送部５３、読み出しゲート部５４、水平転送部５５および電荷検出部５６が形成された半導体基板５０上、即ちＣＣＤイメージセンサと同じ基板（チップ）５０上には、当該基板５０にバイアス電圧として印加する基板バイアス電圧Ｖｓｕｂを発生するための基板バイアス発生回路６０が実装されている。具体的には、基板バイアス発生回路６０は、Ｎ型基板５０上のＰウェル（図示せず）内に形成される。
【００４２】
ＣＣＤイメージセンサにおいて、センサ部５１で光電変換され、当該センサ部５１に蓄積される信号電荷の電荷量は、基板５０側のオーバーフローバリアの高さによって決定される。このオーバーフローバリアの高さは、基板５０に印加される基板バイアスＶ電圧ｓｕｂによって決まる。この基板バイアス電圧Ｖｓｕｂを発生するのが基板バイアス発生回路６０である。そして、基板バイアス発生回路６０として、先述した実施形態に係る基板バイアス発生回路１０やその応用例１，２に係る基板バイアス発生回路１０Ａ，１０Ｂが用いられる。
【００４３】
このように、基板バイアス発生回路６０をＣＣＤイメージセンサと同じ基板５０上に実装することで、基板外に設ける場合に比べて、ＣＣＤイメージセンサの外付け部品を削減できる等の利点がある。
【００４４】
また、基板バイアス発生回路６０として、先述した実施形態に係る基板バイアス発生回路１０やその応用例１，２に係る基板バイアス発生回路１０Ａ，１０Ｂを用いることで、これら基板バイアス発生回路１０，１０Ａ，１０Ｂで発生される基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが負の温度特性を持つために、次のような作用効果を得ることができる。
【００４５】
すなわち、基板５０の温度が上昇することによってセンサ部５１で光電変換された信号電荷が熱エネルギーを持ったとしても、温度上昇によって逆に基板バイアス電圧Ｖｓｕｂが低下することで、デバイス全体として、センサ部５１の飽和電荷量Ｑｓは温度依存性を持たなくなるために、基板５０の温度変化に関係なくセンサ部５１の飽和電荷量Ｑｓを一定に維持することができる。
【００４６】
なお、上記構成のＣＣＤイメージセンサは、ワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
【００４７】
また、上記構成のＣＣＤイメージセンサは、撮像装置において、その画像入力部として用いることができる。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機などの撮像機能を有する電子機器のことを言う。なお、電子機器に搭載される上記モジュール状の形態、即ちカメラモジュールを撮像装置とする場合もある。
【００４８】
［撮像装置］
図７は、本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図７に示すように、本発明に係る撮像装置は、レンズ群６１を含む光学系、画像入力部であるＣＣＤ撮像装置６２、当該ＣＣＤ撮像装置６２を駆動するＣＣＤ駆動回路６３、信号処理回路６４およびシステムコントローラ６５などを有する構成となっている。
【００４９】
レンズ群６１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んでＣＣＤ撮像装置６２の撮像面上に結像する。ＣＣＤ撮像装置６２は、レンズ群６１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
【００５０】
このＣＣＤ撮像装置６２として、先述した実施形態に係る基板バイアス発生回路１０やその応用例１，２に係る基板バイアス発生回路１０Ａ，１０Ｂを、基板バイアス（Ｖｓｕｂ）発生回路６０として用いたＣＣＤイメージセンサを用いることができる。ここでは、図６に示したように、基板バイアス発生回路６０がＣＣＤ撮像装置６２の基板上に実装されている場合を例に挙げるが、基板バイアス発生回路６０をＣＣＤ撮像装置６２の基板の外付け回路とすることも可能である。
【００５１】
ＣＣＤ駆動回路６３は、図６において、センサ部５２から垂直転送部５３への信号電荷の読み出し、垂直転送部５３の転送駆動、水平転送部５５の転送駆動などを行う。信号処理回路６４は、ＣＣＤ撮像装置６２から出力される撮像信号に対して、ＣＤＳ(Correlated Double Sampling;相関二重サンプリング)などの各種の信号処理を行う。
【００５２】
システムコントローラ６５は、ＣＣＤ駆動回路６３や信号処理回路６４に対する種々の制御を行うとともに、ＣＣＤ撮像装置６２に内蔵されている基板バイアス発生回路６０に対して、撮像モードを示すモード信号、具体的には動画モード、静止画モード、静止画モードでもシャッタ速度の高速／低速などを示すモード信号を与える。このモード信号が与えられることで、基板バイアス発生回路６０は、基板バイアス電圧Ｖｓｕｂとして撮像モードに対応した最適値を設定する。
【００５３】
上述したように、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置において、その画像入力部であるＣＣＤ撮像装置６２として、先述した実施形態に係る基板バイアス発生回路１０やその応用例１，２に係る基板バイアス発生回路１０Ａ，１０Ｂを有するＣＣＤイメージセンサを用いることで、当該ＣＣＤイメージセンサでは、使用温度が変化してもセンサ部（フォトダイオード）の飽和電荷量Ｑｓが変化しないために、高画質の画像を撮像できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板バイアス発生回路の構成例を示す回路図である。
【図２】インバータ回路の他の構成例を示す回路図である。
【図３】定電圧発生部の温度特性を示す図である。
【図４】本発明の応用例１に係る基板バイアス発生回路の構成例を示す回路図である。
【図５】本発明の応用例２に係る基板バイアス発生回路の構成例を示す回路図である。
【図６】本発明に係るＣＣＤイメージセンサの構成の概略を示す図である。
【図７】本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，６０…基準バイアス発生回路、１１…定電圧回路、１２，１２Ａ……インバータ回路、１３…抵抗分割回路、５０…半導体基板、５１…撮像部、５２…センサ部、５３…垂直転送部、５４…読み出しゲート部、５５…水平転送部、５６…電荷検出部
【図１】
2009141548.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2009141548.tif 000006
【図５】
2009141548.tif 000007
【図６】
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【図７】
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