(57)【要約】【課題】多層配線基板の穴あけ位置を基板の内層の状態に応じた最適の位置に決定することができる穴あけ位置決定方法、穴あけ位置決定装置とそれらを用いた多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本方法は、多層配線基板のガイドマークに放射線を照射して撮像する方向の異なる複数の放射線画像を検出器によって取得する放射線画像取得工程と、多層配線基板のガイドマークに放射線を照射して撮像する方向の異なる複数の放射線画像を検出器によって取得する放射線画像取得工程と、取得した複数の放射線画像から３次元再構成画像を生成する再構成画像生成工程と、生成した３次元再構成画像から各層の水平スライス画像を抽出するスライス画像抽出工程と、抽出した上記水平スライス画像より穴あけのための各ガイドマークの配設状態を得るための処理を行う画像処理工程と、その処理結果に基づいて上記穴あけ位置を決定する穴あけ位置決定工程と、を備える。【選択図】図２
2009032993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層配線基板のガイドマークに放射線を照射して撮像する方向の異なる複数の放射線画像を検出器によって取得する放射線画像取得工程と、
取得した上記複数の放射線画像から３次元再構成画像を生成する再構成画像生成工程と、
生成した上記３次元再構成画像から上記多層配線基板の基板面に水平な各層の水平スライス画像を抽出するスライス画像抽出工程と、
抽出した上記水平スライス画像より穴あけのための各ガイドマークの配設状態を得るための処理を行う画像処理工程と、
上記画像処理工程によって得られた処理結果に基づいて穴あけ位置を決定する穴あけ位置決定工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の穴あけ位置決定方法。
【請求項２】
上記穴あけ位置決定工程によって決定された上記穴あけ位置は、上記画像処理工程において上記各ガイドマークの外径の輪郭を抽出して重ね合わせ、重ね合わせた上記各ガイドマークの外形の輪郭の最も内側の輪郭部分の重心位置に基づいて決定される請求項１に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定方法。
【請求項３】
上記穴あけ位置決定工程は、上記穴あけ位置から上記内側の輪郭までの最短距離と、穴あけを行うドリル径に基づいた基準値と、を比較して該穴あけ位置の良否を判定する穴あけ位置良否判定工程を更に備える請求項１または２に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定方法。
【請求項４】
上記穴あけ位置決定工程は、予め設定された穴あけ位置許容範囲に基づいて上記穴あけ位置を決定する請求項１に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定方法。
【請求項５】
上記穴あけ位置決定工程は、予め設定された上記穴あけ位置許容範囲の共通範囲の有無を判別して上記穴あけ位置の良否を判定する穴あけ位置良否判定工程を更に備える請求項４に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定方法。
【請求項６】
上記穴あけ位置良否判定工程において、判定結果によって導電層を通常よりも厚くする補正指示の要否をさらに判定する請求項３に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定方法。
【請求項７】
スルーホール内側導電層を備える多層配線基板の穴あけ位置決定装置であって、
多層配線基板のガイドマークに放射線を照射して撮像する方向の異なる複数の放射線画像を検出器によって取得する放射線画像取得手段と、
取得した上記複数の放射線画像から３次元再構成画像を生成する再構成画像生成手段と、
生成した上記３次元再構成画像から上記多層配線基板の基板面に水平な各層の水平スライス画像を抽出するスライス画像抽出手段と、
抽出した上記水平スライス画像より穴あけのための各ガイドマークの配設状態を得るための処理を行う画像処理手段と、
上記画像処理手段によって得られた処理結果に基づいて穴あけ位置を決定する穴あけ位置決定手段と、を備えることを特徴とする多層配線基板の穴あけ位置決定装置。
【請求項８】
上記穴あけ位置決定手段によって決定された上記穴あけ位置は、上記画像処理手段において上記各ガイドマークの外径の輪郭を抽出して重ね合わせ、重ね合わせた上記各ガイドマークの外形の輪郭の最も内側の輪郭部分の重心位置に基づいて決定される請求項７に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定装置。
【請求項９】
上記穴あけ位置決定手段は、上記穴あけ位置から上記内側の輪郭までの最短距離と、穴あけを行うドリル径に基づいた基準値と、を比較して該穴あけ位置の良否を判定する穴あけ位置良否判定手段を更に備える請求項７または８に記載の多層配線基板の穴あけ位置決定装置。
【請求項１０】
スルーホール内側導電層を備える多層配線基板の製造方法であって、
上記多層配線基板のガイドマークに放射線を照射して撮像する方向の異なる複数の放射線画像を検出器によって取得する放射線画像取得工程と、
取得した上記複数の放射線画像から３次元再構成画像を生成する再構成画像生成工程と、
生成した上記３次元再構成画像から上記多層配線基板の基板面に水平な各層の水平スライス画像を抽出するスライス画像抽出工程と、
抽出された上記水平スライス画像より穴あけのための各ガイドマークの外径の輪郭を抽出して重ね合わせ、重ね合わせた上記各ガイドマークの外形の輪郭の最も内側の輪郭部分の重心位置を算出する画像処理工程と、
上記画像処理工程によって算出した上記重心位置に基づいて穴あけ位置を決定し且つ上記穴あけ位置から上記内側の輪郭までの最短距離と、穴あけを行うドリル径に基づいた基準値と、を比較して該穴あけ位置の良否を判定し、判定結果によってめっき層を通常よりも厚くする補正指示の要否をさらに判定する穴あけ位置良否判定工程を備える穴あけ位置決定工程と、
上記穴あけ位置決定工程の穴あけ位置良否判定工程によって判定された上記補正指示の要否に従って上記めっき層を形成するめっき層形成工程と、を備えることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の穴あけ位置決定方法およびその装置ならびに多層配線基板の製造方法に関し、さらに詳しくは、多層配線基板の基準穴や貫通穴のための穴あけ位置を、多層配線基板に照射した放射線による３次元再構成画像から抽出した各層のマークやランドの位置ずれを基に穴あけ位置を決定する多層配線基板の穴あけ位置決定方法およびその装置ならびにそれらを用いて穴をあけられた多層配線基板に導電層を設ける多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、穴あけ装置のテーブルに多層配線基板を固定するための基準穴や層間を銅めっきにより接続するための貫通穴（検査用のテストクーポンを含む）を基板に開ける場合には、Ｘ線などの透視画像によって穴あけの基準となる各層のマークや接続用のランドを透視し、重なったマークやランドの位置ずれから基準穴や貫通穴の穴あけ位置を修正していた。これらの手法を用いる製造方法として、基準穴については同じ位置に形成したマークを、また、貫通穴については各層毎に位置をずらして形成したランドやマーク（テストクーポン）を、それぞれＸ線で透視する提案が行われている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２３２１４９号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８５５２号公報
【０００４】
しかしながら、上述したＸ線の透視によって同一位置または異なる位置に形成したマークやランドを撮像する方法にあっては、多層配線基板の層数が増えるに従い同じ位置に形成したマークが透視できなくなったり、あるいは各層毎に位置をずらして形成したマークの基板に対して占める割合が大きくなることによって層数の増加に従い多層配線基板の内層の位置ずれ計測にＸ線の透視手法が採用できなくなるといった問題があった。
また、同じ位置に形成した基準穴のための各層のマークが位置ずれを起こしている場合には、１枚の透視画像に全層のマークが重なって撮像されるため、内層の位置ずれがどの層で生じているかを特定することができないといった問題があった。
【０００５】
このため、上述の提案は基準穴位置における内層の位置ずれが大きく、ランドと貫通穴との許容誤差が小さい場合の穴あけ位置の計測には適用することができないといった問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、多層配線基板、特に８層以上の高多層配線基板の基準穴のためのマークや貫通穴のためのランド（以下、同一位置に形成された穴あけ用のマークやランドを総称してガイドマークと呼ぶ。）の画像を各層毎に抽出して内層における位置ずれを基に穴あけ位置を修正することが可能な多層配線基板の穴あけ位置修正方法およびその装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、位置ずれした層の属性や各層のランドとランドに接続される配線位置などにより位置ずれに対する穴あけ位置を修正することが可能な多層配線基板の穴あけ位置決定方法およびその装置ならびに多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
具体的には、電源やアースからなる層の場合にはランドに代わり面状の配線パターンが貫通穴に対して一様に接続されるのに対して、制御回路を含む層の場合には配線の密度に応じた小さなランドに微細な配線パターンが任意の方向から接続されるため、内層に位置ずれが生じている場合には各層の属性と配線位置に応じた穴あけ位置を修正することが必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１にかかる多層配線基板の穴あけ位置決定方法は、多層配線基板のガイドマークに放射線を照射して撮像する方向の異なる複数の放射線画像を検出器によって取得する放射線画像取得工程と、取得した上記複数の放射線画像から３次元再構成画像を生成する再構成画像生成工程と、生成した上記３次元再構成画像から上記多層配線基板の基板面に水平な各層の水平スライス画像を抽出するスライス画像抽出工程と、抽出した上記水平スライス画像より穴あけのための各ガイドマークの配設状態を得るための処理を行う画像処理工程と、上記画像処理工程によって得られた処理結果に基づいて穴あけ位置を決定する穴あけ位置決定工程と、を備えることを特徴とする。
従って、本発明によれば、ガイドパターンに対する各層の位置ずれに応じた穴あけ位置を決定することができるため、内層の位置ずれが大きい場合においても、全てのランドに対して導通に影響を与えない位置に穴あけ位置を決定することができる。
【０００９】
なお、放射線画像取得工程においては、放射線の出力範囲内に多層配線基板のガイドマーク部を配置し、透過した放射線を検出器によって撮影した放射線画像（２次元投影画像）を取得する。ここで、放射線画像を取得するためには、放射線源からの放射線を撮像対象であるガイドマーク部に対して照射することができればよい。そこで、穴あけ位置決定装置の構造を簡易な構造とし、可動部を少なくして検査の高速化を図るためには、所定の立体角の範囲に放射線を出力することができる放射線源を採用するのが好ましい。
【００１０】
本発明においては、放射線の出力範囲に検出面が含まれるように放射線の検出器を配置すればよい。すなわち、本発明においては、照射範囲に制約のある放射線管を使用するのではなく、広い範囲に放射線が照射される放射線管を使用することによって、放射線画像の撮影に際して放射線源の角度変更や移動を伴わずに複数の放射線画像を取得可能とすることが望ましい。なお、このような放射線源としては、例えば、開放型Ｘ線管を採用すればよい。すなわち、開放型Ｘ線管においては、薄いターゲットに衝突した電子によって放射線が発生し、放射線がこのターゲットを透過して外部に出力される際にほぼ全方位（立体角２π）が出力範囲になる。
【００１１】
なお、本発明において、複数の方向からの放射線画像を撮影するためには、単一あるいは複数の位置に配設された検出器を回転させることによって複数の放射線画像を撮像すればよい。検出器としては、２次元的に配置したＣＣＤによって放射線の強度を計測するセンサ等を採用することができる。ただし、３次元画像を取得するための構成としては、上記のように、開放型Ｘ線管を固定して多層配線基板の撮像対象部と検出器とを開放型Ｘ線管の焦点を回転軸として同期して回転させる構造の他に、開放型Ｘ線管又は密閉型Ｘ線管と傾斜した検出器との光軸（図３のｌ）の間に多層配線基板の撮像対象であるガイドマーク部を配置し、ガイドマークを３６０度回転する構造を採用してもよく、多層配線基板の３次元画像を再構成するための層間の放射線画像を複数撮影できる構造を持つものであればよい。
【００１２】
再構成画像生成工程においては、複数の放射線画像に基づいて再構成演算を実行することができればよく、例えば、フィルタ修正逆投影法などを採用可能である。
スライス画像抽出工程においては、生成した３次元再構成画像における任意の面についてのスライス画像を作成可能であるので、例えば、生成した３次元再構成画像を所定の間隔で水平にスライスした各水平スライス面から配線パターン面の水平スライス画像を抽出することができればよい。
このための構成としては、例えば、各水平スライス面における輝度変動率（単位輝度あたりの分散）を利用してもよい。すなわち、放射線画像内においては、放射線の吸収率によって画像の濃度が異なるので、その濃度を輝度として表し、これにより各水平スライス面における輝度変動率を算出し、予め決められた閾値以上の値を示す輝度変動率近傍において極大の位置に対応する水平スライス画像を抽出することにより配線パターンを含む水平スライス面を特定することができる（図８参照）。また、予め決められた閾値未満の値を示す輝度変動率の位置に対応する水平スライス面は、絶縁層における水平スライス面であるとして、これらより水平スライス画像を抽出する水平スライス面を特定することができる。
【００１３】
画像処理工程においては、各層のガイドマークの配設状態を特定できる処理を実行できればよい。ガイドマークの配設状態を特定するための処理としては種々の方法が採用可能である。例えば、２値化処理によって輝度で表された画像を２値画像に変換したり、Ｓｏｂｅｌフィルタ，Ｐｒｅｗｉｔｔフィルタ等を用いた輪郭抽出処理によって画像内の輪郭画素を抽出したりする方法を採用することができる。
【００１４】
穴あけ位置決定工程においては、画像処理工程において得られた処理結果に基づいて穴あけ位置を決定できればよい。例えば、処理結果より各穴あけ位置を自動で算出して決定してもよいし、また、ディスプレイ等の表示装置等に表示された処理結果に基づいて、操作員等が各穴あけ位置を決定してもよい。
【００１５】
また、請求項２のように、画像処理工程において上記各ガイドマークの外径の輪郭を抽出して重ね合わせ、この重ね合わせた上記各ガイドマークの外径の輪郭の最も内側の輪郭部分の重心位置を算出し、この重心位置に基づいて各穴あけ位置を修正決定するようにしてもよい。すなわち、算出した基準となるガイドマークの重心位置により、設計データとしてＣＡＭデータなどから編集したスルーホールに対するＮＣデータ等の各穴あけ位置を修正することができる。また、この位置ずれに対する修正量は、複数箇所のガイドマーク部それぞれの位置ずれ量から平均値として算出してもよいし、製作精度の高い基板であれば、１箇所のガイドマーク部の位置ずれ量から算出してもよい。
さらに、請求項３のように、穴あけ位置決定工程において決定された穴あけ位置から、各ガイドマークの外径の輪郭の最も内側の輪郭までの距離を求め、その距離と、実際に穴あけに使用されるドリル径や、予め設定された穴あけ位置の位置ずれ許容値等に基づいた基準値と、を比較するようにし、その穴あけ位置の良否を判定するようにしてもよい。
【００１６】
また、特定の層の制御回路のランドのみが一方の方向にずれている場合においても、配線の接続方向と逆の位置に穴あけを行う場合には穴あけ位置の許容ずれ範囲を裕度の大きい数値に修正することができる。
【００１７】
また、請求項４のように、各層の属性や配線の特質に応じて位置ずれ量の許容範囲を設定し、穴あけ位置を決定してもよい。すなわち、制御回路か電源回路かの各層の属性や、配線上の制約があるか否かの属性、ランドの配線接続側か否かの属性等によって各層の位置のずれ量の許容範囲を設定し、その許容範囲に基づいて、穴あけ位置を決定する。
さらに、請求項５のように、重ね合わせた各層の許容範囲が、すべての許容範囲に共通の範囲を有しているかを判別し、穴あけ位置の良否を判定することもできる。
【００１８】
また、請求項６のように、穴あけ位置良否判定工程における判定結果によって、めっき層等の導電層を通常よりも厚くする補正指示の要否をさらに判定することもできる。
【００１９】
以上は、本発明が方法として実現される場合について説明したが、請求項７乃至９のいずれかにかかる発明は、上記に対応した方法を実現する構成としてある。その実質的な動作については上述した方法の場合と同様である。すなわち、前記の方法発明において説明した各「工程」は、各々、各「手段」と読み替えるものであり、前記に示す「穴あけ位置決定方法」に係わる本発明において説明した事項は、全て、本「穴あけ位置決定装置」にも適用できるものである。
以上のような穴あけ位置決定装置は、単独で実現される場合もあるし、ある方法に適用され、あるいは同方法が他の機器に組み込まれた状態で利用されることも可能である。
さらに、請求項１０にかかる発明は、上記方法を用いた多層回路基板の製造方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）本発明の構成：
（２）穴あけ位置決定処理：
（２−１）実施形態１（各ランドの配設状態に基づいた穴あけ位置決定方法）
（２−２）実施形態２（各ランドに対して、穴あけ位置のランド重心からのずれ量の許容値がそれぞれ異なる場合の穴あけ位置決定方法）
（２−３）実施形態３（穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変えて対応する場合の穴あけ位置決定方法）
（３）穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変える多層配線基板の製造方法：
【００２１】
（１）本発明の構成：
図１は本発明にかかる多層配線基板の穴あけ位置決定方法によって実現された穴あけ位置決定装置１０の概略ブロック図である。同図において、この穴あけ位置決定装置１０は、放射線発生器１１とＸ−Ｙステージ１２と放射線検出器１３ａと搬送装置１４とを備えており、各部をＣＰＵ２５によって制御する。すなわち、穴あけ位置決定装置１０はＣＰＵ２５を含む制御系として放射線制御機構２１とステージ制御機構２２と画像取得機構２３と搬送機構２４とＣＰＵ２５と入力部２６と出力部２７とメモリ２８とを備えている。この構成において、ＣＰＵ２５は、メモリ２８に記録された図示しないプログラムを実行し、各部を制御し、また所定の演算処理を実施することができる。
【００２２】
メモリ２８はデータを蓄積可能な記憶媒体であり、穴あけ位置データ２８ａと撮像条件データ２８ｂとが記録されている。穴あけ位置データ２８ａは、ガイドマークとしての基準穴のマーク（図５の５０）やテストクーポン（図５の４０）やスルーホールのランドの中心位置を示すデータであり、マークやランドを放射線検出器１３ａの視野に配設するためのデータである。以下、基準穴のためのマークを用いて穴あけ位置を修正する場合も全く同様であるが、理解を容易とするために、ガイドマークとしてのテストクーポンのランドに対して穴あけ位置を修正する場合を例として説明する。撮像条件データ２８ｂは、放射線発生器１１にて放射線を発生させる際の条件を示すデータであり、放射線管に対する印加電圧，撮像時間、撮像回数等を含む。
【００２３】
また、メモリ２８には、ＣＰＵ２５の処理過程で生成される各種データを記憶することが可能である。例えば、上記放射線検出器１３ａによって取得した放射線画像を示す放射線画像データ２８ｃや、この放射線画像データ２８ｃに基づいて再構成演算を行った３次元画像データ２８ｄを記憶することができる。なお、メモリ２８はデータを蓄積可能であればよく、ＲＡＭやＨＤＤ等種々の記憶媒体を採用可能である。
【００２４】
放射線制御機構２１は、上記撮像条件データ２８ｂを参照し、放射線発生器１１を制御して所定の放射線を発生させることができる。放射線発生器１１は、いわゆる開放型Ｘ線管であり、放射線の出力位置である焦点Ｆからほぼ全方位、すなわち、立体角２πの範囲に放射線を出力する。傾斜角度はα＝６０度としている。尚、放射線発生器１１より出力される放射線としては、測定対象部の２次元投影画像を撮像することが出来ればよく、種々の放射線を採用可能である。例えば、Ｘ線、γ線等が採用可能である。また、放射線発生器１１は撮像倍率を変化させるための図示しない昇降機構を備えているが、放射線画像取得時には穴あけ位置決定装置１０において固定的に配置されている。すなわち、撮像倍率を変化させるためにＺ軸方向へ移動する以外は放射線発生器１１の位置や角度は変更されず、放射線画像取得時には装置に対して固定されたまま移動されることはない。
【００２５】
ステージ制御機構２２はＸ−Ｙステージ１２と接続されており、上記穴あけ位置データ２８ａに基づいて同Ｘ−Ｙステージ１２を制御する。また、搬送機構２４は、搬送装置１４を制御して多層配線基板（以下、基板と呼ぶ。）１２ａをＸ−Ｙステージ１２に搬送する。すなわち、搬送装置１４によって一方向に基板１２ａを搬送し、Ｘ−Ｙステージ１２において基板１２ａに形成されたランドの位置を測定し、搬送装置１４にて測定後の基板１２ａを搬送する処理を連続的に実施できるように構成されている。
【００２６】
本実施形態において、測定対象は全層に渡って形成されたランドであり、ランドが配設された基板をＸ−Ｙステージ１２上に載置して穴あけ位置のずれの判定を行う。なお、上述のように穴あけ位置データ２８ａは基板１２ａ中の特定の測定位置を放射線検出器１３ａの視野に配設するためのデータであり、ステージ制御機構２２は、基板１２ａに形成されたガイドマークが放射線検出器１３ａの視野に含まれるようにＸ−Ｙステージ１２を制御する。
【００２７】
画像取得機構２３は放射線検出器１３ａに接続されており、同放射線検出器１３ａが出力する検出値によって測定対象部の放射線画像を取得する。取得した放射線画像は、放射線画像データ２８ｃとしてメモリ２８に記憶される。本実施形態における放射線検出器１３ａは、２次元的に分布したセンサを備えており、検出した放射線から放射線強度に関する２次元分布を示す放射線画像データを生成することができる。
【００２８】
放射線検出器１３ａはアームを介して回転機構１３ｂに接続されており、放射線検出器１３ａは、放射線発生器１１の焦点Ｆから鉛直上方に延ばした軸Ａを中心に半径Ｒの円周上を回転可能である。この回転機構１３ｂは、画像取得機構２３のθ制御部２３ａによって制御される。また、放射線発生器１１の焦点Ｆから放射線検出器１３ａにおける検出面の中心に対して延ばした直線と、この検出面とが直交するように検出面が配向されている。
【００２９】
出力部２７は上記放射線画像等を表示するディスプレイであり、入力部２６は利用者の入力を受け付ける操作入力機器である。すなわち、利用者は入力部２６を介して種々の入力を実行可能であるし、ＣＰＵ２５の処理によって得られる種々の演算結果と放射線画像データと３次元画像データとスライス画像データと測定対象の位置ずれデータを出力部２７において表示したり印字したりすることができる。
【００３０】
ＣＰＵ２５は、メモリ２８に蓄積された各種制御プログラムに従って所定の演算処理を実行可能であり、穴あけ位置の位置ずれ判定のために、図１に示す搬送制御部２５ａと放射線制御部２５ｂとステージ制御部２５ｃと画像取得部２５ｄと再構成画像生成部２５ｅとスライス画像抽出部２５ｆと画像処理部２５ｇと穴あけ位置決定部２５ｈとにおける演算を実行する。搬送制御部２５ａは、搬送機構２４を制御して、適切なタイミングで基板１２ａをＸ−Ｙステージ１２に供給し、また、適切なタイミングで搬送装置１４を駆動して位置ずれ測定済みの基板１２ａをＸ−Ｙステージ１２から取り除く。
【００３１】
放射線制御部２５ｂは、上記穴あけ位置データ２８ａを取得し、上記放射線制御機構２１を制御して所定の放射線を放射線発生器１１から出力させる。ステージ制御部２５ｃは、上記穴あけ位置データ２８ａを取得し、個々のテストクーポンを逐次放射線検出器１３ａの視野内に配置するための座標値を算出し、ステージ制御機構２２に供給する。この結果、ステージ制御機構２２は、それぞれの座標値を持つテストクーポンが放射線検出器１３ａの視野に含まれるようにＸ−Ｙステージ１２を移動させる。
【００３２】
画像取得部２５ｄは、画像取得機構２３のθ制御部２３ａに指示を行い、放射線検出器１３ａを回転させる。また、画像取得機構２３が取得する放射線画像データ２８ｃをメモリ２８に記録する。上記放射線画像データ２８ｃは、複数の角度によってテストクーポンを撮影して得られるデータである。なお、画像取得部２５ｄにおいては、上記複数の角度のピッチを適宜調整可能であり、高精度の良否判定に十分な撮影回数となるようにピッチを狭くしてもよいし、代表的な複数の角度で撮影し、間の角度における放射線画像は画像補間演算によって取得してもよい。
再構成画像生成部２５ｅは、上記各放射線画像データ２８ｃを用いて３次元画像を再構成し３次元画像データ２８ｄとしてメモリ２８に記録する。
【００３３】
スライス画像抽出部２５ｆは、上記３次元画像データ２８ｄより測定対象における各層の水平スライス画像を抽出し、抽出したスライス画像データ２８ｅとしてメモリ２８に記録する。
画像処理部２５ｇは、上記抽出した各スライス画像データ２８ｅを用いて測定対象である各層のランドに対する所定の画像処理を実行し、その処理結果を画像処理データ２８ｆとしてメモリ２８に記録する。
穴あけ位置決定部２５ｈは、上記画像処理データ２８ｆを用いて、測定対象であるランドの位置ずれを判定する。
【００３４】
（２）穴あけ位置決定処理：
本実施形態においては、上述の構成において図２に示すフローチャートに従ってテストクーポンの穴あけ位置の決定処理を行う。本実施形態においては、多数の基板１２ａを搬送装置１４によって搬送し、Ｘ−Ｙステージ１２上で基板１２ａのテストクーポンの放射線画像を取得する。このため、放射線画像の取得に際しては、まずステップＳ１００にて搬送制御部２５ａが搬送機構２４に指示を出し、搬送装置１４によって測定対象の基板１２ａをＸ−Ｙステージ１２上に搬送する。
【００３５】
次に、特定のテストクーポンを放射線検出器１３ａの視野内に移動させて放射線画像を取得するため、変数ｎおよびｍをそれぞれ"１"に初期化する（ステップＳ１０５）。続いて、画像取得部２５ｄはθ制御部２３ａに指示を行い、回転機構１３ｂを駆動して予め決められた回転位置に放射線検出器１３ａを移動させる（ステップＳ１１０）。本実施形態においては、回転角θｎをθｎ＝（ｎ／Ｎ）×３６０°と定義しており、θ＝０°における放射線検出器１３ａの配置は予め決めてある。
【００３６】
また、上記変数ｎは最大値をＮとする整数である。従って、放射線検出器１３ａは３６０°／Ｎずつ回転することになる。Ｎは、放射線画像を撮影する回転位置の数であり、穴あけ位置決定処理において穴あけ位置を決定しうる画像処理データを得るに十分な３次元再構成画像が得られるように決定すればよい。本実施例においては、説明の簡略化のため、Ｎ＝４（９０°ピッチ、４カ所で撮影）における例として説明するが、例えば、２０層以上の高多層配線基板の場合に、Ｎ＝１８０以上（２°ピッチ、１８０カ所で撮影）の放射線画像から生成される３次元再構成画像が検査を行うに当たって最も適当である。
【００３７】
放射線検出器１３ａの回転動作を行うと、この回転後の検出器の視野内に基板１２ａの最初のテストクーポンが含まれるようにＸ−Ｙステージ１２を移動させる（ステップＳ１１５）。このとき、ステージ制御部２５ｃは上記穴あけ位置データ２８ａを参照し、座標（ｘｉ，ｙｉ）が放射線検出器１３ａの視野中心となるようにステージ制御機構２２に指示する。この結果、ステージ制御機構２２はＸ−Ｙステージ１２を移動させ、座標（ｘｉ，ｙｉ）を放射線検出器１３ａの視野中心に配置する。
【００３８】
すなわち、座標（ｘｉ，ｙｉ）は、特定のテストクーポンを放射線検出器１３ａの視野内に移動させるために予め基板１２ａ上に設定された座標であり、放射線検出器１３ａが上記回転角θｎに配設されているときの視野中心は、放射線検出器１３ａと放射線発生器１１の焦点Ｆとの相対関係から取得することができる。そこで、座標（ｘｉ，ｙｉ）を放射線検出器１３ａの視野内に移動させることで、テストクーポンの２次元投影像が放射線検出器１３ａで取得されるように基板１２ａの位置を制御することができる。
【００３９】
図３，図４は、この例を説明するための図であり、座標系および放射線検出器１３ａ、放射線発生器１１の位置関係を示す図である。これらの図においては、Ｘ−Ｙステージ１２による移動平面をｘ−ｙ平面とし、この平面に垂直な方向をｚ方向としている。図３は、ｚ−ｘ平面を眺めた図であり、図４はｘ−ｙ平面を眺めた図である。
【００４０】
図３に示すように、放射線検出器１３ａの検出面は、その中心と焦点Ｆとを結ぶ直線ｌに対して垂直になるように配向されている。すなわち、軸Ａに対して傾斜され、ｘ−ｙ平面と検出面とに対して所定の角度（傾斜角）αが与えられている。上記直線ｌは、放射線検出器１３ａの視野中心に相当するので、放射線検出器１３ａの回転角θｎから図４に示すように視野領域ＦＯＶを特定することができる。
【００４１】
すなわち、上記直線ｌと上記ｘ−ｙ平面との交点を含む所定の領域が放射線検出器１３ａの視野領域ＦＯＶとなるので、図４に示す例のように変数ｎが１〜４であることを想定すれば、図４に破線の矩形で示すように、視野領域ＦＯＶを特定することができる。そこで、上記ステージ制御機構２２は図４の各矩形における中心と座標（ｘｉ，ｙｉ）とが一致するように、Ｘ−Ｙステージ１２を移動させることになる。
【００４２】
なお、図４においては、中心Ｏから−ｙ方向に延ばした直線をθ＝０とし、時計回りの回転角がθｎであり、θｎ＝９０°，１８０°，２７０°，３６０°の視野領域をそれぞれＦＯＶ１〜ＦＯＶ４としている。むろん、ステップＳ１１５においては、放射線検出器１３ａの視野内にテストクーポンを配設することができる限りにおいて種々の制御手法を採用可能である。
【００４３】
ステップＳ１１５にて、座標（ｘｉ，ｙｉ）を放射線検出器１３ａの視野中心に配置したら、放射線制御部２５ｂおよび画像取得部２５ｄの制御により、放射線検出器１３ａにて回転角θｎの放射線画像Ｐθｎを撮影する（ステップＳ１２０）。すなわち、放射線制御部２５ｂは、上記撮像条件データ２８ｂを取得し、この撮像条件データ２８ｂに示される条件で放射線を出力するように放射線制御機構２１に対して指示を行う。この結果、放射線発生器１１が立体角２πの範囲で放射線を出力するので、画像取得部２５ｄは放射線検出器１３ａが検出した放射線画像（透過像）を取得する。
【００４４】
ステップＳ１２０にて回転角θｎの放射線画像Ｐθｎを撮影すると、変数ｎが最大値Ｎに達しているか否かを判別し（ステップＳ１２５）、最大値Ｎに達していると判別されなければ変数ｎをインクリメントして（ステップＳ１３０）、ステップＳ１１０以降の処理を繰り返す。ステップＳ１２５にて変数ｎが最大値Ｎに達していると判別されたときには必要な回数の撮影が終了しているので、再構成画像生成部２５ｅは、放射線画像Ｐθ１〜ＰθＮを用いて３次元画像の再構成演算を行い（ステップＳ１３５）、３次元画像データ２８ｄとしてメモリ２８に記録する。
【００４５】
再構成演算は、測定対象部の３次元構造を再構成することができれば良く、種々の処理を採用可能である。例えば、フィルタ修正逆投影法を採用可能である。この処理においては、まず、放射線画像Ｐθ１〜ＰθＮのいずれかに対してフーリエ変換を実施し、フーリエ変換で得られた結果に対して周波数空間でフィルタ修正関数を乗じる。さらに、この結果に対して逆フーリエ変換を実施することで、フィルタ修正を行った画像を取得する。なお、このフィルタ修正関数は、画像のエッジを強調するための関数等を採用可能である。
【００４６】
続いて、フィルタ修正後の画像を、それが投影された軌跡に沿って３次元空間へ逆投影する。すなわち、放射線検出器１３ａの検出面におけるある位置の像に対応する軌跡は、放射線発生器１１の焦点Ｆとこの位置とを結ぶ直線であるので、この直線上に上記画像を逆投影する。以上の逆投影を放射線画像Ｐθ１〜ＰθＮの全てについて行うと、３次元空間上で銅等の導電性金属からなるガイドマークが存在する部分の放射線吸収係数分布が強調され、測定対象部の３次元形状を示す３次元画像データ２８ｄが得られる。そこで、スライス画像抽出部２５ｆは、上記３次元画像データ２８ｄより、水平スライス画像を抽出し、この水平スライス画像の輝度変動率ｓ２ｍを算出する（ステップＳ１４０）。この輝度変動率ｓ２ｍは閾値ＴｈＳと比較される（ステップＳ１４５）。すなわち、図８のように、閾値ＴｈＳ以上の値を示す輝度変動率近傍において極大の位置に対応する水平スライス画像は、放射線吸収率の高い配線パターンを含む水平スライス画像、すなわち、配線パターン層における水平スライス画像であると判定され（ステップＳ１５０）、また、それ以外の、閾値ＴｈＳ未満の値を示す輝度変動率の位置に対応する水平スライス画像は絶縁層における水平スライス画像であると判定される（ステップＳ１５５）。これらにより抽出する水平スライス画像を特定することができる。判定が終了した水平スライス画像は、スライス画像データ２８ｅとしてメモリ２８に記録される（ステップＳ１６０）。
なお、上記のステップＳ１４０において、配線パターン層のスライス画像の抽出に、配線パターンによる輝度値の変化（輝度変動率ｓ２ｍ）を用いる方法を提示したが、この方法に限定されるものではなく、配線パターンによるエッジ量の変化（エッジ強度）として配線パターン層の有無を判別してもよく、種々の方法を用いることが可能である。
【００４７】
次に、変数ｍが最大値Ｍに達しているか否かを判別し（ステップＳ１６５）、最大値Ｍに達していると判別されなければ変数ｍをインクリメントして（ステップＳ１７０）、ステップＳ１４０以降の処理を繰り返す。ステップＳ１６０にて変数ｍが最大値Ｍに達していると判別されたときにはすべての水平スライス画像の判定が終了しているので、全てのテストクーポンに対する位置ずれ判定が実行され、全てのテストクーポンの各層のランドに対しての穴あけ位置の決定が行われる（ステップＳ１７５）。
最後に、上記の位置ずれ決定にて得られた判定結果が出力部２７から出力される。
なお、Ｍはテストクーポンのスライス画像をスライス画像データ２８ｅに記録するために予め設定する枚数であるが、スライス画像データ２８ｅに記録するデータとしては上述した配線パターン層のスライス画像の他に、絶縁層の間のスライス画像を加えた総枚数をＭとしてもよい。この場合、絶縁層をスライスするタイミングは、既知である絶縁層の厚みと上記した水平スライス画像を抽出するピッチとによって記録する各絶縁層の位置を設定しておけばよい。
【００４８】
（２−１）実施形態１（各ランドの配設状態に基づいた穴あけ位置決定方法）
本実施形態では、各ランドの配設状態に基づいた穴あけ位置決定方法について説明する。図７（ａ）のように、各層においてランド３１ａ、３１ｂ、３１ｃに位置ずれが生じ、設計上の穴位置（補正しない穴位置）Ｔ１にスルーホールＨを形成してしまうと不良となってしまうといった場合、各ランドの配設状態より、図７（ｂ）のように、その位置ずれ量に応じた穴あけ位置Ｔ２に穴あけ位置を補正し、最適な穴あけ位置とすることができる。
【００４９】
図６に示すフローチャートのように、最初に、変数ｎ及びｍを"１"に初期化する（ステップＳ２００）。この変数ｎは最大値をＮとする整数で、このＮは、各テストクーポンに係るランド数である。また、上記変数ｍは最大値をＭとする整数で、このＭは、この穴あけ位置決定処理を行うテストクーポンの数である。各テストクーポンの位置において、そのテストクーポンに係るランドは予め決まっているので、画像処理部２５ｇ（図１参照）は、上記輝度変動率ｓ２ｍに基づいて、対象となるランドに対応したスライス画像データ２８ｅ（図１参照）を特定し（ステップＳ２０５）、このスライス画像データ２８ｅより画像処理データ２８ｆ（図１参照）を取得し、この画像処理データ２８ｆに基づいて、配線パターン層におけるランドの外径の輪郭を抽出する（ステップＳ２１０）。輪郭を抽出するための画像処理としては、特に限定されないが、Ｓｏｂｅｌフィルタ、ＰｒｅｗｉｔｔフィルタまたはＬａｐｌａｃｉａｎフィルタ等を用いたエッジ抽出処理等を採用することができる。
【００５０】
ここで、変数ｎが最大値Ｎに達しているか否かを判別し（ステップＳ２１５）、最大値Ｎに達していると判別されなければ変数ｎをインクリメントして（ステップＳ２２０）、ステップＳ２０５以降の処理を繰り返す。ステップＳ２１５にて変数ｎが最大値Ｎに達していると判別されたときには、取得した全てのランドの輪郭をｘ−ｙ平面上で重ね合わせ（ステップＳ２２５）、重ね合わされた各ランドの輪郭において、最も内側の輪郭に対する面積重心ＧＩｍ（Ｔ２）を算出する（ステップＳ２３０）。この重心を算出する方法は、特に限定されないが、上述のように、最も内側の輪郭において、全ての輪郭画素との距離の和が最小になる点として算出することができる。そして、その算出した重心ＧＩｍから最も近い輪郭線までの距離Ｒｍを算出し（ステップＳ２３５）、その算出した距離Ｒｍが、予め決められた閾値ＴｈＲ１より大きいか否かを判別する（ステップＳ２４０）。
【００５１】
ここで、閾値ＴｈＲ１は、良品とすることができる場合の距離Ｒｍの許容値に基づいて決定されている。この閾値ＴｈＲ１より距離Ｒｍの値が小さい場合は、ステップＳ２４５において不良判定を行う。距離Ｒが閾値ＴｈＲ１より大きい場合は、上記算出した重心ＧＩｍの位置がこのテストクーポンの穴あけ位置とされ、この重心ＧＩｍの座標を実際に穴あけを行うＮＣデータのドリルの座標位置に変換し（ステップＳ２５０）、そのドリル座標位置を記憶する（ステップＳ２５５）。
【００５２】
ここで、変数ｍが最大値Ｍに達しているか否かを判別し（ステップＳ２６０）、最大値Ｍに達していないと判別した場合には変数ｍをインクリメントして（ステップＳ２６５）、ステップＳ２０５以降の処理を繰り返す。一方、ステップＳ２６０にて変数ｍが最大値Ｍに達していると判別した場合には、全てのテストクーポンの穴あけ位置を取得しているので、この基板の各テストクーポンの穴あけ位置は全て決定されたことになる。
【００５３】
以上より、各ランドの配設状態に基づいて穴あけ位置を決定することができる。
なお、上記実施形態では、算出した重心ＧＩｍの座標を実際の穴あけ位置としてこれをドリル座標に変換したが、これに限らず、このドリル座標（設計上の座標）を基準として、各ランドの位置ずれを比較し、各層の許容値を考慮に入れてドリル座標を決定するようにしてもよい。また、上記のようにして１または２以上のテストクーポンのランドをガイドマークとして利用し、それぞれの位置ずれ量の平均値に基づいて基準穴位置や全てのスルーホール位置を決定することができる。さらに、上記の実施形態ではテストクーポンにおける各層のランドを用いて多層配線基板の各層のずれ量を求め、それに基づいて穴あけ位置を求めたが、これに限らず、ガイドマークとしての基準穴のためのマーク等、多層配線基板の各層のずれ量を求めることができるマークであればどのような形態でもよく、本実施形態は、それらのマークを用いた全ての多層配線基板の穴あけ位置の決定に適用できる。
【００５４】
（２−２）実施形態２（各ランドに対して、穴あけ位置のランド重心からのずれ量の許容値がそれぞれ異なる場合の穴あけ位置決定方法）
上記実施形態１における穴あけ位置決定方法においては、穴あけ位置と各ランドの重心とのずれ量の許容値は、どのランドに対しても同じであったが、本実施形態は、各ランドに対して、穴あけ位置のランド重心からのずれ量の許容値がそれぞれ異なる場合における穴あけ位置決定方法である。図９（ａ）のように、各配線パターン層のうちの、ある配線パターン層におけるランド３１の許容される穴あけ位置のずれ量を示す範囲はＡ１（比較的広い場合）であったり、また図９（ｂ）のように、ある配線パターン層におけるランド３１ではＡ２（比較的狭い場合）であったり、というように、各ランド３１から各配線パターン層３２を通じて接続される制御回路か否かの各層の属性や、配線上の属性（例えば、ランドとスルーホールの間の最小導通幅）、ランドの配線接続側か否かの属性によって各層の位置のずれ量の許容値が設定されている場合には、図９（ｃ）のように、それぞれ穴あけ位置のずれ量の許容値が異なる各ランド３１ａ、３１ｂ、３１ｃの各許容範囲Ａ３、Ａ４、Ａ５を重ね合わせ、この重ね合わせた許容範囲に基づいて、穴あけ位置を決定する。
【００５５】
図１０に示すフローチャートのように、最初に、変数ｎ及びｍを"１"に初期化する（ステップＳ３００）。この変数ｎは最大値をＮとする整数で、このＮは、各テストクーポンに係るランド数である。また、上記変数ｍは最大値をＭとする整数で、このＭは、この穴あけ位置決定処理を行うテストクーポンの数である。各テストクーポンの位置において、そのテストクーポンに係るランドは予め決まっているので、画像処理部２５ｇ（図１参照）は、上記輝度変動率ｓ２ｍに基づいて、対象となるランドに対応したスライス画像データ２８ｅ（図１参照）を特定し（ステップＳ３０５）、このスライス画像データ２８ｅより画像処理データ２８ｆ（図１参照）を取得し、この画像処理データ２８ｆに基づいて、配線パターン層におけるランドの外径の輪郭を抽出する（ステップＳ３１０）。輪郭を抽出するための画像処理としては、特に限定されないが、Ｓｏｂｅｌフィルタ、ＰｒｅｗｉｔｔフィルタまたはＬａｐｌａｃｉａｎフィルタ等を用いたエッジ抽出処理等を採用することができる。
【００５６】
上記画像処理データ２８ｆより抽出した、ランドのｘ−ｙ平面における外径の輪郭より、ランドのｘ−ｙ平面における外径の重心ＧＬｎを算出する（ステップＳ３１５）。この重心を算出する方法は、特に限定されないが、上述のように、全ての輪郭画素との距離の和が最小になる点として算出することができる。そして、その算出した重心を基準として、各ランドに対する穴あけ位置ずれ量許容範囲を設定する（ステップＳ３２０）。この穴あけ位置ずれ量許容範囲は各ランドによって予め決められており、許容される位置ずれ量を領域で表したものである。
【００５７】
ここで、変数ｎが最大値Ｎに達しているか否かを判別し（ステップＳ３２５）、最大値Ｎに達していると判別されなければ変数ｎをインクリメントして（ステップＳ３３０）、ステップＳ３０５以降の処理を繰り返す。ステップＳ３２５にて変数ｎが最大値Ｎに達していると判別されたときには、取得した全てのランドの穴あけ位置ずれ量許容範囲をｘ−ｙ平面上で重ね合わせ（ステップＳ３３５）、重ね合わされた各ランドの穴あけ位置ずれ量許容範囲が、図９（ｃ）のように、全てのランドにおいて穴あけ位置ずれ量許容範囲内となる穴あけ位置の範囲、すなわち、重ね合わされた全ての許容範囲における共通範囲（全ての位置ずれ許容範囲の最も内側の輪郭線Ｌの範囲内）を取得する。
【００５８】
ここで、各ランドの位置ずれ量が大きく、各ランドの穴あけ位置ずれ量許容範囲の共通範囲が存在しない場合があるため、その共通範囲が存在するかどうかを判別する（ステップＳ３４０）。共通範囲がないと判別された場合、その基板は各ランドの位置ずれ量が大きいために適したスルーホールを形成できない、と判断され、不良品であると判定される（ステップＳ３４５）。共通範囲があると判別された場合、その共通範囲の輪郭を抽出する（ステップＳ３５０）。さらに、その抽出した共通範囲の輪郭より、共通範囲の面積重心ＧＡｍを算出し（ステップＳ３５５）、この位置をスルーホールの穴あけ位置とする。この重心を算出する方法は、特に限定されないが、上述のように、全ての輪郭画素との距離の和が最小になる点として算出することができる。そして、算出した重心位置を実際に穴あけを行うドリルの座標位置に変換し（ステップＳ３６０）、そのドリル座標位置を記憶する（ステップＳ３６５）。
【００５９】
ここで、変数ｍが最大値Ｍに達しているか否かを判別し（ステップＳ３７０）、最大値Ｍに達していないと判別した場合には変数ｍをインクリメントして（ステップＳ３７５）、ステップＳ３０５以降の処理を繰り返す。一方、ステップＳ３７０にて変数ｍが最大値Ｍに達していると判別した場合には、全てのテストクーポンの穴あけ位置を取得しているので、この基板の各テストクーポンの穴あけ位置は全て決定されたことになる。
【００６０】
以上より、各ランドに対して、穴あけ位置のランド重心からのずれ量の許容値がそれぞれ異なる場合の穴あけ位置を決定することができる。
なお、上記実施形態では、算出した重心ＧＡｍの座標を実際の穴あけ位置としてこれをドリル座標に変換したが、これに限らず、このドリル座標（設計上の座標）を基準として、各ランドの位置ずれを比較し、各層の許容値を考慮に入れてドリル座標を決定するようにしてもよい。また、上記のようにして複数のテストクーポンのランドをガイドマークとして利用し、それぞれの位置ずれ量の平均値に基づいて基準穴位置や全てのスルーホール位置を決定することができる。さらに、上記の実施形態ではテストクーポンにおける各層のランドを用いて多層配線基板の各層のずれ量を求め、それに基づいて穴あけ位置を求めたが、これに限らず、ガイドマークとしての基準穴のためのマーク等、多層配線基板の各層のずれ量を求めることができるマークであればどのような形態でもよく、本実施形態は、それらのマークを用いた全ての多層配線基板の穴あけ位置の決定に適用できる。
【００６１】
（２−３）実施形態３（穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変えて対応する場合の穴あけ位置決定方法）
穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変えて対応する場合の穴あけ位置決定方法について説明する。図１１（ａ）において、スルーホールＨの外径と、その外径と最も近いランド３１ｂの外径との間隔ｍ１は、十分な間隔を確保することできているが、一般的に、多層配線基板の層の数が多くなればなるほど、各層間の位置ずれが生じやすくなり、各ランド３１ａ、３１ｂ、３１ｃに対する最適な穴あけ位置を確保することが困難になる。しかしながら、図１１（ｂ）のように、上記実施形態１の方法によって決定した穴あけ位置の各ランドの重心位置に対する穴あけ位置ずれ量が、通常許容されるずれ量よりも大きく、スルーホールとランドの外径との距離ｍが小さい、またはほとんど、もしくはまったくなく、通常は不良品と判定されてしまうような穴あけ位置しか確保できない、といったような場合においても、銅めっき層の厚さｔ２を通常の厚さよりも厚くすることによって各ランド３１ａ、３１ｂ、３１ｃと、スルーホール内側の銅めっき層３０との導通を確保し、その基板を良品とすることで、多層配線基板の生産の歩留まりを向上させることができる。本方法では、上記実施形態１の方法によって決定する穴あけ位置において、さらに、ずれ量の大きさに応じて、後工程において銅めっき層を通常よりも厚くするように指示し、多層配線基板の生産効率を向上させることができる。
【００６２】
図１２に示すフローチャートのように、最初に、変数ｎ及びｍを"１"に初期化する（ステップＳ４００）。この変数ｎは最大値をＮとする整数で、このＮは、各テストクーポンに係るランド数である。また、上記変数ｍは最大値をＭとする整数で、このＭは、この穴あけ位置決定処理に用いられる穴あけ位置ずれ量を求めるテストクーポンの数である。各テストクーポンの位置において、そのテストクーポンに係るランドは予め決まっているので、画像処理部２５ｇ（図１参照）は、上記輝度変動率ｓ２ｍに基づいて、対象となるランドに対応したスライス画像データ２８ｅ（図１参照）を特定し（ステップＳ４０５）、このスライス画像データ２８ｅより画像処理データ２８ｆ（図１参照）を取得し、この画像処理データ２８ｆに基づいて、配線パターン層におけるランドの外径の輪郭を抽出する（ステップＳ４１０）。輪郭を抽出するための画像処理としては、特に限定されないが、Ｓｏｂｅｌフィルタ、ＰｒｅｗｉｔｔフィルタまたはＬａｐｌａｃｉａｎフィルタ等を用いたエッジ抽出処理等を採用することができる。
【００６３】
ここで、変数ｎが最大値Ｎに達しているか否かを判別し（ステップＳ４１５）、最大値Ｎに達していると判別されなければ変数ｎをインクリメントして（ステップＳ４２０）、ステップＳ４０５以降の処理を繰り返す。ステップＳ４１５にて変数ｎが最大値Ｎに達していると判別されたときには、取得した全てのランドの輪郭をｘ−ｙ平面上で重ね合わせ（ステップＳ４２５）、重ね合わされた各ランドの輪郭において、最も内側の輪郭に対する面積重心ＧＩｍを算出する（ステップＳ４３０）。この重心を算出する方法は、特に限定されないが、上述のように、最も内側の輪郭において、全ての輪郭画素との距離の和が最小になる点として算出することができる。そして、その算出した重心ＧＩｍから最も近い輪郭線までの距離Ｒｍを算出し（ステップＳ４３５）、その算出した距離Ｒｍが、予め決められた閾値ＴｈＲ２より大きいか否かを判別する（ステップＳ４４０）。
【００６４】
ここで、閾値ＴｈＲ２は、銅めっき層厚さの補正によって良品とすることができる穴あけ位置のずれ量の許容値に基づいて決定されている。この閾値ＴｈＲ２より距離Ｒｍの値が小さい場合は、銅めっき層が通常よりも厚くなるようにめっきを施したとしても、ランドと銅めっき層との導通を確保できる補正をすることができないと判別し、この場合には、ステップＳ４４５において不良判定を行う。距離Ｒｍが閾値ＴｈＲ２より大きい場合は、さらに、距離Ｒｍが、予め決められた閾値ＴｈＲ１より大きいか否かを判別する（ステップＳ４５０）。ここで、閾値ＴｈＲ１は、銅めっき層厚さの補正を行うことなく、上記実施形態１の方法と同様に、通常の銅めっき層厚さであっても良品とすることができる穴あけ位置のずれ量の許容値に基づいて決定されている。
【００６５】
この閾値ＴｈＲ１より距離Ｒｍの値が小さい場合は、この基板に形成される銅めっき層厚さは通常よりも厚くする必要があると判別され、後のめっき工程において、銅めっき層を通常よりも厚くするように補正指示を出す（ステップＳ４５５）。距離Ｒｍが閾値ＴｈＲ１より大きい場合は、銅めっき層厚さの補正を必要としない穴あけ位置を確保できると判別される。銅めっき層厚さの補正が必要か否かを判別したのち、上記算出した重心ＧＩｍに基づいて実際に穴あけを行うドリル座標位置に変換し（ステップＳ４６０）、そのドリル座標位置を記憶する（ステップＳ４７０）。
【００６６】
ここで、変数ｍが最大値Ｍに達しているか否かを判別し（ステップＳ４７５）、最大値Ｍに達していないと判別した場合には変数ｍをインクリメントして（ステップＳ４８０）、ステップＳ４０５以降の処理を繰り返す。一方、ステップＳ４７５にて変数ｍが最大値Ｍに達していると判別した場合には、銅めっき層厚さの補正が必要か否かを含めた全てのテストクーポンの穴あけ位置を取得しているので、この基板の各テストクーポンの穴あけ位置は全て決定されたことになる。
【００６７】
以上より、穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変えて対応する場合の穴あけ位置を決定することができる。
なお、上記実施形態では、位置ずれ量を２つの閾値を用いて判定し、通常どおりの銅めっき層厚さ、または通常よりも厚い銅めっき層厚さ、というように判断したが、これに限らず、位置ずれ量に応じた銅めっき層厚さ、となるように銅めっき層厚さの補正指示を出してもよい。また、上記実施形態において、不良と判定されるような各層の位置ずれ量が比較的大きい基板においても、例えば、銅めっき層を極めて厚くする、または導電性銅ペースト等を充填する等により対応し、後工程における、導通部の品質を保証できうる検査工程において、導通部の状態の良否を判定すれば、多層配線基板の生産の歩留まりをさらに向上させることができ、多層配線基板の生産効率をさらに向上させることができる。
さらに、上記実施形態では、算出した重心ＧＩｍの座標を実際の穴あけ位置としてこれをドリル座標に変換したが、これに限らず、このドリル座標（設計上の座標）を基準として、各ランドの位置ずれを比較し、各層の許容値を考慮に入れてドリル座標を決定するようにしてもよい。また、上記のようにして複数のテストクーポンのランドをガイドマークとして利用し、それぞれの位置ずれ量の平均値に基づいて基準穴位置や全てのスルーホール位置を決定することができる。さらに、上記の実施形態ではテストクーポンにおける各層のランドを用いて多層配線基板の各層のずれ量を求め、それに基づいて穴あけ位置を求めたが、これに限らず、ガイドマークとしての基準穴のためのマーク等、多層配線基板の各層のずれ量を求めることができるマークであればどのような形態でもよく、本実施形態は、それらのマークを用いた全ての多層配線基板の穴あけ位置の決定に適用できる。
【００６８】
さらに、上記穴あけ位置決定方法では、ランドの外径の輪郭を重ね合わせ、その重ね合わせた全ての輪郭の最も内側の輪郭要素の面積重心を穴あけ位置の基準としたが、これに限らず、上記実施形態２の方法のように、予め設定したランドに対する穴あけ位置の位置ずれ許容範囲を重ね合わせ、この重ね合わされた全ての位置ずれ許容範囲における共通範囲の重心位置を基準として穴あけ位置を決定してもよい。この場合、銅めっき層厚さの補正が必要な範囲と補正を必要としない範囲を予め設定しておくことにより、共通範囲の重心位置が銅めっき層厚さの補正が必要な範囲であるか否かを判別することができる。
【００６９】
（３）穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変える多層配線基板の製造方法
上記実施形態３の方法によって決定した穴あけ位置に実際にスルーホールを形成する場合、図１１（ｂ）のように、スルーホールの外径とランドの外径との間隔が最も小さい位置における間隔ｍ２が、通常許容される間隔よりも小さいために、通常の銅めっき層厚さでは所定の導通を確保できないが、銅めっき層の厚さｔ２を通常の厚さよりも厚くすることによってランド３１とスルーホール内側の銅めっき層３０との導通を確保し、その基板を良品とすることで、多層配線基板の生産の歩留まりを向上させることができる。
【００７０】
すなわち、上記実施形態３のステップＳ４５０において、通常の銅めっき層厚さであっても良品とすることができる穴あけ位置のずれ量の許容値に基づいて決定されている閾値ＴｈＲ１よりも、距離Ｒｍが小さいと判別され、ステップＳ４５５において、銅めっき層厚さの補正指示を受けた多層配線基板１２ａは、めっき工程において、図１３（ｃ）のように、通常よりも厚い銅めっき層３０ａの厚さｔ２となるように銅めっきを施される。また、上記実施形態３のステップＳ４５０において、閾値ＴｈＲ１よりも距離Ｒｍが大きいと判別された多層配線基板１２ａは、めっき工程において、図１３（ａ）のように、通常どおりの銅めっき層３０の厚さｔ１となるように銅めっきを施される。
【００７１】
以上より、穴あけ位置のランド重心からのずれ量に応じてめっき層の厚さを変えて、多層配線基板を製造することができる。
さらに、上記の方法で穴あけ位置を決定し、銅めっきを施された多層配線基板は、所望の電子部品等を実装したり、基板の表面に表面絶縁層等を敷設したりすることもできる。
【００７２】
また、各ランドに対して、穴あけ位置のランド重心からのずれ量の許容値がそれぞれ異なる場合において、図１３（ｂ）のランド３１ｄのように、十分な導通を要求されず、位置ずれ量が比較的大きくてもよいような場合、またはスルーホールＨの外径と、ランド３１の外径との間隔ｍが３０μｍ以上の場合には、通常の銅めっき層厚さとできるが、図１３（ｃ）のランド３１ｄのように、例えば、間隔ｍが３０μｍ以下の場合には、本実施形態と同様に、銅めっき層厚さを通常よりも厚く（ｔ２）することによって、十分な導通を確保することができる。
【００７３】
なお、図１３では、便宜上４層（配線パターン層５層）を例として説明したが、実際には８層以上等のより多くの層からなる多層配線基板の製造方法において、上記方法は極めて有効である。
【００７４】
なお、本発明においては、上記各実施形態に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施形態をとることができる。即ち、ガイドマークとしては、テストクーポンのランド及び基準穴のマークの一方を備えることもできるが、図５に示すように両方を備えることもできる。この場合は、検査用のテストクーポンを切り出した場合においても、ガイドマークを備えるので、後工程において便宜である。また、このガイドマークの数及び配置場所も特に限定されないが、通常は、図５のテストクーポンに示すように、基板の四隅に設けられるが、これに限らず、対象位置に配置された２個でもよいし、図５に示すように四隅にテストクーポンかつ対向辺の中央に２個の基準穴用マークの合計６個等とすることもできる。また、本発明において、配線基板の積層数は、特に限定されないが、８層以上、特に１０層以上、更には２０層以上というように、より多くの多層の場合には、各層のずれが僅かでも全体としてのズレが比較的大きく生じる場合もあるので、上記の穴あけ位置の決定を行うことにより、歩留りを大きく向上させることができる。
【００７５】
さらに、本件各発明及び上記実施形態１〜３においても、その後に所定位置にスルーホール（通常、多数のスルーホール）を開け、その後、その内面に銅メッキを施し、次いで、上記の如く、所定電子部品を実装したり、表裏面に絶縁層を形成したりして、多層配線基板を製造することもできる。
また、参考として、各スルーホールを形成するために、直接的に、その穴あけ位置において上記各実施形態を適用することにより、基板にテストクーポン等のガイドマークを設けることなく、直接的にかつ確実に、実装配線基板に必要とされるスルーホール用の各穴あけ位置を決定することができる。この場合は、確実に適正位置に穴を開けることができるので、歩留りを大幅に向上させることができ、また、テストクーポンの形成・作成を回避できるので、工程を減らすことができるとともに、経済的でもある。さら、上記のように、スルーホール（通常、多数のスルーホール）を開け、その後、その内面に銅メッキを施し、次いで、上記の如く、所定電子部品を実装したり、表裏面に絶縁層を形成したりして、多層配線基板を製造することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明にかかる穴あけ位置決定装置の概略ブロック図である。
【図２】穴あけ位置決定処理のフローチャートである。
【図３】放射線検査装置の構成を座標系とともに説明する説明図である。
【図４】視野領域の例を示す図である。
【図５】テストクーポンおよびガイドマークを備える多層回路基板の例を示す説明図である。
【図６】本実施形態１に係る穴あけ位置決定処理のフローチャートである。
【図７】各ランドの配設状態とスルーホールと位置関係を示す説明図である。
【図８】各水平スライス画像における各像の輝度変動率を示す説明図である。
【図９】各ランドの配設状態およびそれぞれの穴あけ位置許容範囲とスルーホールとの位置関係を示す説明図である。
【図１０】本実施形態２に係る穴あけ位置決定処理のフローチャートである。
【図１１】各ランドの配設状態とスルーホールに形成された銅めっき層と位置関係を示す説明図である。
【図１２】本実施形態３に係る穴あけ位置決定処理のフローチャートである。
【図１３】各ランドの配設状態とスルーホールに形成された銅めっき層と位置関係を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７７】
１０…穴あけ位置決定装置
１１…放射線発生器
１２…Ｘ−Ｙステージ
１２ａ…基板
１３ａ…放射線検出器
１３ｂ…回転機構
１４…搬送装置
２１…放射線制御機構
２２…ステージ制御機構
２３…画像取得機構
２３ａ…θ制御部
２４…搬送機構
２５…ＣＰＵ
２５ａ…搬送制御部
２５ｂ…放射線制御部
２５ｃ…ステージ制御部
２５ｄ…画像取得部
２５ｅ…再構成画像生成部
２５ｆ…スライス画像抽出部
２５ｇ…画像処理部
２５ｈ…穴あけ位置決定部
２６…入力部
２７…出力部
２８…メモリ
２８ａ…穴あけ位置データ
２８ｂ…撮像条件データ
２８ｃ…放射線画像データ
２８ｄ…３次元画像データ
２８ｅ…スライス画像データ
２８ｆ…画像処理データ
３０…銅めっき層（内側導電層）
３１…ランド
３３…絶縁層
４０…テストクーポン
５０…ガイドマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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