(57)【要約】【課題】温度の変化にともなう歪みによる半導体チップの特性の変化を低減するセラミックパッケージを提供する。【解決手段】セラミックパッケージは、上方から順に第一層グリーンシート５１から第六層グリーンシート５６までを積層して焼成される。配線パターン４１を有している第六層グリーンシート５６は、配線パターン４１と反対側の端面５６２にダミーパターン６０を有している。ダミーパターン６０は、配線パターン４１の反転形状を有している。そのため、グリーンシートを積層して焼成するとき、第六層グリーンシート５６は配線パターン４１による変形とダミーパターン６０による変形とが互いの変形を相殺する。その結果、第六層グリーンシート５６、第五層グリーンシート５５およびダイアタッチ面３１を有する第四層グリーンシート５４の変形が低減される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のグリーンシートを積層して焼成することにより形成されるセラミックパッケージであって、
積層される複数の前記グリーンシートのうち、半導体チップが搭載される搭載部を有する搭載グリーンシートと、
積層される前記グリーンシートの下端面に設けられ、前記搭載部に搭載された前記半導体チップと電気的に接続される配線パターンと、
積層される複数の前記グリーンシートのうち少なくともいずれか一つの層のグリーンシートに設けられ、前記搭載グリーンシートの変形を緩和する変形緩和部と、
を備えることを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項２】
前記変形緩和部は、前記グリーンシートの少なくともいずれか一つの層に設けられているダミーパターンであることを特徴とする請求項１記載のセラミックパッケージ。
【請求項３】
前記ダミーパターンは、前記配線パターンによる前記下端側グリーンシートの変形を相殺する形状であることを特徴とする請求項２セラミックパッケージ。
【請求項４】
前記配線パターンは、前記半導体チップと外部とを電気的に接続する複数の主電極を有し、
前記ダミーパターンは、前記主電極に対応する部分を避けた前記配線パターンの反転形状を有することを特徴とする請求項３記載のセラミックパッケージ。
【請求項５】
前記変形緩和部は、前記グリーンシートの少なくともいずれか一つの層に設けられている変形吸収構造部であることを特徴とする請求項１記載のセラミックパッケージ。
【請求項６】
前記変形吸収構造部は、前記グリーンシートを板厚方向と概ね垂直に伸びる複数の空隙を有することを特徴とする請求項５記載のセラミックパッケージ。
【請求項７】
前記変形吸収構造部は、積層されている前記グリーンシートのいずれかの間に設けられている波板を有することを特徴とする請求項５記載のセラミックパッケージ。
【請求項８】
前記変形吸収構造部は、積層されている前記グリーンシートのいずれか一つの層に設けられ、この層を板厚方向へ貫く複数の孔を有することを特徴とする請求項５記載のセラミックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを封止するセラミックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップを封止するパッケージとしてセラミックパッケージが広く利用されている。このようなセラミックパッケージは、積層した複数のグリーンシートを焼成することにより形成される。半導体チップは、例えば樹脂製の接着剤によって焼成されたセラミックパッケージに搭載されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２２０４５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、セラミックパッケージに半導体チップを接着する場合、セラミックパッケージの歪みによって半導体チップの特性が変化する。例えば半導体チップとして各種のセンサチップを用いる場合、温度によってセンサチップの出力値が変化する。これは、セラミックパッケージに歪みが生じると、この歪みは接着剤を経由して半導体チップに伝達される。そのため、温度の変化にともなって半導体チップに歪みが生じ、半導体チップの特性が変化するからである。特許文献１では、半導体チップに塗布する接着剤の塗布形状および塗布面積を工夫することにより、セラミックパッケージの変形にともなう半導体チップの変形の低減を図っている。しかし、接着剤の塗布形状および塗布面積は、セラミックパッケージの搭載部の形状によってばらつきが生じる。そのため、所望の接着剤の塗布形状や塗布面積の確保が困難である場合、半導体チップの特性の変化が低減されにくいという問題がある。
【０００４】
そこで、本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、温度の変化にともなう歪みによる半導体チップの特性の変化を低減するセラミックパッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１記載の発明では、積層して焼成されるグリーンシートのいずれか一つの層に変形緩和部を備えている。変形緩和部は、半導体チップが搭載される搭載グリーンシートの変形を緩和する。配線パターンは、焼成されるグリーンシートと線膨張係数が異なる。そのため、グリーンシートの焼成時や焼成後の使用時に温度の変化が生じると、配線パターンの周囲に歪みが生じ、この歪みが半導体チップの変形の要因となる。グリーンシートのいずれかに変形緩和部を設けることにより、半導体チップが搭載される搭載グリーンシートの変形が低減される。したがって、温度の変化にともなう歪みが低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【０００６】
請求項２記載の発明では、変形緩和部はダミーパターンである。上述のようにセラミックパッケージの歪みは、配線パターンと焼成されるグリーンシートとの線膨張係数の差が原因である。そこで、グリーンシートのいずれかに変形緩和部であるダミーパターンを設けることにより、焼成時における膨張係数の差によるグリーンシートの変形は緩和される。したがって、温度の変化にともなう歪みが低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【０００７】
請求項３記載の発明では、ダミーパターンは、配線パターンによる下端側グリーンシートの変形を相殺する形状である。すなわち、グリーンシートは、配線パターンによって変形が生じる部分と、搭載部側でダミーパターンによって変形が生じる部分とが互いに変形を打ち消し合う。したがって、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【０００８】
請求項４記載の発明では、ダミーパターンは、配線パターンの主電極部分を避けた配線パターンの反転形状を有している。これにより、配線パターンによって生じる下端側グリーンシートの変形は、ダミーパターンによって生じる変形により相殺される。したがって、搭載グリーンシートの変形が低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【０００９】
請求項５記載の発明では、変形緩和部は変形吸収構造部である。上述のようにセラミックパッケージの歪みは、配線パターンと焼成されるグリーンシートとの線膨張係数の差が原因である。そこで、グリーンシートのいずれかの層に変形緩和部である変形吸収構造部を設けることにより、焼成によるグリーンシートの変形が緩和される。したがって、温度の変化にともなう歪みが低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【００１０】
請求項６記載の発明では、変形吸収構造部としてグリーンシートを板厚方向と概ね垂直に伸びる複数の空隙を有している。これにより、積層されたグリーンシートは、空隙の部分と空隙以外の部分との間で厚さが変化する。すなわち、積層されたグリーンシートには、板厚方向と概ね垂直な方向へ強度の差が生じる。そのため、焼成によって生じるグリーンシートの歪みは強度の低い部分の変形によって吸収される。したがって、搭載グリーンシートの変形が低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【００１１】
請求項７記載の発明では、グリーンシート間に波板を設けている。これにより、積層されたグリーンシートには、板厚方向と概ね垂直な方向へ強度の差が生じる。そのため、焼成によって生じるグリーンシートの歪みは強度の低い部分の変形によって吸収される。したがって、搭載グリーンシートの変形が低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【００１２】
請求項８記載の発明では、変形吸収構造部としてグリーンシートのいずれかにこのグリーンシートを板厚方向へ貫く孔を有している。これにより、積層されたグリーンシートは、孔の部分と孔以外の部分とで強度に差が生じ、板厚方向と概ね垂直な方向へ強度の分布が生じる。そのため、焼成によって生じるグリーンシートの歪みは強度の低い部分の変形によって吸収される。したがって、搭載グリーンシートの変形が低減され、半導体チップの特性の変化を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明によるセラミックパッケージの複数の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態によるセラミックパッケージを適用した加速度センサを図２に示す。図２は、本発明の第１実施形態による加速度センサ１０の概略を示す断面図である。加速度センサ１０は、センサチップ１１、回路チップ１２およびセラミックパッケージ２０を備えている。センサチップ１１は、周知のマイクロマシン加工により形成されている。センサチップ１１は、例えば静電容量の変化によって加速度などの物理量を検出する周知のセンサチップである。具体的には、センサチップ１１は、例えばＳＯＩ基板に形成されている図示しない可動部および固定部を有している。可動部および固定部は、櫛歯状に形成されており、電極を形成している。可動部は、梁構造部によって所定の方向へ移動可能に支持されている。可動部の櫛歯と固定部の櫛歯とは、所定の隙間を形成して互いに噛み合っている。加速度の変化によって可動部と固定部との間の距離が変化すると、可動部の櫛歯と固定部の櫛歯との間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を検出することにより、加速度などの物理量が検出される。
【００１４】
センサチップ１１は、回路チップ１２に搭載されている。回路チップ１２は、センサチップ１１と電気的に接続されるとともに、センサチップ１１とともに加速度検出回路を構成している。回路チップ１２は、例えば樹脂製の接着剤１３によってセラミックパッケージ２０に搭載されている。本実施形態の場合、センサチップ１１および回路チップ１２は、特許請求の範囲の半導体チップに相当する。
【００１５】
セラミックパッケージ２０は、図２の上方から第一層部２１、第二層部２２、第三層部２３、第四層部２４、第五層部２５および第六層部２６の順に積層されている。第一層部２１の上方すなわち第二層部２２とは反対側には、カバー２７が搭載される。第一層部２１、第二層部２２および第三層部２３は、内側がそれぞれ開口した環状に形成されている。一方、第四層部２４、第五層部２５および第六層部２６は、内側に開口のない平板状に形成されている。これにより、第四層部２４の上方は、第一層部２１、第二層部２２および第三層部２３の開口に面している。この開口に面している第四層部２４の上方の端面は、ダイアタッチ面３１を形成している。ダイアタッチ面３１は、特許請求の範囲における搭載部に相当する。
【００１６】
第一層部２１の上方にカバー２７を搭載することにより、セラミックパッケージ２０とカバー２７との間には収容室３２が形成される。ダイアタッチ面３１にセンサチップ１１および回路チップ１２を搭載することにより、センサチップ１１および回路チップ１２は収容室３２に収容される。そして、セラミックパッケージ２０にカバー２７を取り付けることにより、センサチップ１１および回路チップ１２は収容室３２に封止される。収容室３２に収容されている回路チップ１２は、ボンディングワイヤ１４によって第二層部２２に接続される。
【００１７】
セラミックパッケージ２０を構成する第一層部２１、第二層部２２、第三層部２３、第四層部２４、第五層部２５および第六層部２６は、いずれも例えばアルミナなどのセラミックによって形成されている。すなわち、セラミックパッケージ２０は、アルミナなどからなるグリーンシートで第一層部２１、第二層部２２、第三層部２３、第四層部２４、第五層部２５および第六層部２６を形成した後、これらを積層して焼成することにより完成する。
セラミックパッケージ２０は、第六層部２６側が外部の図示しない基板に取り付けられる。本明細書中では、便宜上、基板に面する第六層部２６側を下方とし、カバー２７側を上方として説明する。したがって、基板への取り付け方によっては必ずしも第六層部２６側が重力方向において下方に位置するとは限らない。
【００１８】
セラミックパッケージ２０の最下層に位置する第六層部２６は、基板側の端面２６１に配線パターン４１を有している。配線パターン４１は、図示しない基板の回路パターンに接続される。これにより、例えばセラミックパッケージ２０に搭載されているセンサチップ１１および回路チップ１２は、配線パターン４１を経由して基板の回路パターンに接続される。配線パターン４１は、例えば銅やアルミニウムなどの金属の導電体によって形成されている。なお、配線パターン４１は、第六層部２６の裏面すなわち第五層部とは反対側の端面２６１に形成されており、第六層部２６の厚さに比較してきわめて薄い。そのため、図２では、説明を簡略化するため、配線パターン４１を第六層部２６に埋め込んだ状態で示している。
【００１９】
次に、上述のセラミックパッケージ２０を構成するグリーンシートについて説明する。セラミックパッケージ２０は、グリーンシートからなる第一層部２１、第二層部２２、第三層部２３、第四層部２４、第五層部２５および第六層部２６を積層し焼成することにより形成される。セラミックパッケージ２０を形成する各層部は、それぞれグリーンシートによって形成される。第一層部２１は、図１（Ａ）に示すように第一層グリーンシート５１によって形成される。同様に、第二層部２２は図１（Ｂ）に示すように第二層グリーンシート５２、第三層部２３は図１（Ｃ）に示すように第三層グリーンシート５３、第四層部２４は図１（Ｄ）に示すように第四層グリーンシート５４、第五層部２５は図１（Ｅ）に示すように第五層グリーンシート５５、第六層部２６は図１（Ｆ）および図１（Ｇ）に示すように第六層グリーンシート５６によって形成される。これらのグリーンシートを積層して焼成したとき、第四層グリーンシート５４は第四層部２４となりダイアタッチ面３１を形成する。したがって、第四層グリーンシート５４は、特許請求の範囲の搭載グリーンシートに相当する。
【００２０】
ここで、図１（Ａ）は、第一層グリーンシート５１を上方すなわちカバー２７側から見た概略図である。図１（Ｂ）は、第二層グリーンシート５２を上方すなわち第一層グリーンシート５１側から見た概略図である。図１（Ｃ）は、第三層グリーンシート５３を上方すなわち第二層グリーンシート５２側から見た概略図である。図１（Ｄ）は、第四層グリーンシート５４を上方すなわち第三層グリーンシート５３側から見た概略図である。図１（Ｅ）は、第五層グリーンシート５５を上方すなわち第四層グリーンシート５４側から見た概略図である。図１（Ｆ）は、第六層グリーンシート５６を上方すなわち第五層グリーンシート５５側から見た概略図である。図１（Ｇ）は、第六層グリーンシート５６を下方すなわち第五層グリーンシート５５とは反対側から見た概略図である。
【００２１】
第一層グリーンシート５１は、内側に開口５１１を有している。第二層グリーンシート５２は、内側に開口５２１を有している。第二層グリーンシート５２の開口５２１は、第一層グリーンシート５１の開口５１１よりも小さい。そのため、積層して焼成したとき、セラミックパッケージ２０は、図２に示すように第一層部２１と第二層部２２との間に段差２８を形成する。第二層グリーンシート５２は、この段差２８に相当する部分に図１（Ｂ）に示すようにボンディングパッド４２を有している。図１に示すように、セラミックパッケージ２０の収容室３２に収容された回路チップ１２は、ボンディングワイヤ１４によって第二層部２２の段差２８に形成されているボンディングパッド４２と電気的に接続される。
【００２２】
図１に示すように、第三層グリーンシート５３は、第二層グリーンシート５２の開口５２１と概ね同一の大きさの開口５３１を有している。第四層グリーンシート５４、第五層グリーンシート５５および第六層グリーンシート５６は、開口を有していない平板状に形成されている。第二層グリーンシート５２は、ボンディングパッド４２から伸びる接続配線パターン４３を有している。また、第三層グリーンシート５３は接続配線パターン４４を有し、第四層グリーンシート５４は接続配線パターン４５を有し、第五層グリーンシート５５は接続配線パターン４６を有している。なお、図１では、ボンディングパッド４２および接続配線パターン４４、４５、４６をハッチングで示している。
【００２３】
第六層グリーンシート５６は、図１（Ｇ）に示すように裏面側すなわち第五層グリーンシート５５とは反対側の端面５６１に配線パターン４１を有している。配線パターン４１は、主電極パターン４１１と副電極パターン４１２とから構成されている。主電極パターン４１１は、セラミックパッケージ２０を図示しない基板に実装したとき、基板の回路パターンと電気的に接続される。一方、副電極パターン４１２は、主電極パターン４１１と基板の回路パターンとが確実に接続されるようにセラミックパッケージ２０を基板上に支持する。
【００２４】
第六層グリーンシート５６に形成されている主電極パターン４１１および副電極パターン４１２は、例えばコンタクトプラグやスルーホールなどを経由して、第二層グリーンシート５２の接続配線パターン４３、第三層グリーンシート５３の接続配線パターン４４、第四層グリーンシート５４の接続配線パターン４５および第五層グリーンシート５５の接続配線パターン４６とそれぞれ相互に接続している。これにより、第六層グリーンシート５６の配線パターン４１は、第二層グリーンシート５２の接続配線パターン４３を経由してボンディングパッド４２と電気的に接続されている。
【００２５】
第六層グリーンシート５６は、第五層グリーンシート５５側の端面５６２に変形緩和部としてのダミーパターン６０を有している。ダミーパターン６０は、例えばタングステンやモリブデンなどの線膨張係数が小さな導電性の金属によって形成されている。これにより、各グリーンシートが積層された後に焼成されたセラミックパッケージ２０は、図２に示すように第五層部２５と第六層部２６との間にダミーパターン６０を有している。このダミーパターン６０は、特許請求の範囲の変形緩和部に相当する。
【００２６】
図１（Ｆ）に示すようにダミーパターン６０は、図１（Ｇ）に示す下端側の端面５６１に設けられている主電極パターン４１１を避ける形状を有している。すなわち、ダミーパターン６０は、第六層グリーンシート５６の下端側の端面５６１に設けられている配線パターン４１を反転した反転形状に形成されている。ダミーパターン６０は、主電極パターン４１１を経由して例えば基板のＧＮＤ電極に接続される。すなわち、ダミーパターン６０は、例えば静電気などで帯電したセラミックパッケージ２０の電荷をＧＮＤ電極に逃がすことを目的として設けられている。なお、図１（Ｆ）および図１（Ｇ）では、第六層グリーンシート５６の配線パターン４１およびダミーパターン６０をハッチングで示している。
【００２７】
従来のセラミックパッケージの場合、図３に示すように第六層グリーンシート５６は、第五層グリーンシート５５側のほぼ全体を覆うダミーパターン１６０を有している。各グリーンシートを積層して焼成する際、第六層グリーンシート５６と配線パターン４１との線膨張係数の差により、第六層グリーンシート５６は主電極パターン４１１が形成されている部分とそれ以外の部分とで膨張率に差が生じる。そのため、第六層グリーンシート５６には、主電極パターン４１１が形成されている部分とそれ以外の分との間にうねり状の歪みが生じる。この第六層グリーンシート５６に生じるうねり状の歪みは、ダミーパターン１６０に転写されるとともに、第六層グリーンシート５６に積層された第五層グリーンシート５５および第四層グリーンシート５４にも歪みを生じさせる。その結果、センサチップ１１および回路チップ１２が搭載されるダイアタッチ面３１にも歪みが生じる。
【００２８】
第１実施形態の場合、第六層グリーンシート５６は、配線パターン４１と反転形状のダミーパターン６０を有している。そのため、第六層グリーンシート５６は、線膨張係数の差によって、配線パターン４１との間で変形を生じるとともに、ダミーパターン６０との間でも変形を生じる。ダミーパターン６０は配線パターン４１の反転形状を有しているため、第六層グリーンシート５６の配線パターン４１部分での変形はダミーパターン６０部分での変形によって相殺される。その結果、第六層グリーンシート５６は、セラミックパッケージ２０の焼成時における変形が全体として緩和される。これにより、第六層グリーンシート５６から第五層グリーンシート５５および第四層グリーンシート５４への変形の伝達が緩和され、ダイアタッチ面３１の変形も低減される。また、焼成後のセラミックパッケージ２０も、温度の変化による変形が低減される。
【００２９】
以上説明したように、第１実施形態では、配線パターン４１を有している第六層グリーンシート５６は、配線パターン４１と反対側の端面５６２にダミーパターン６０を有している。ダミーパターン６０は、配線パターン４１の反転形状を有している。そのため、各グリーンシートを積層して焼成するとき、第六層グリーンシート５６は配線パターン４１による変形とダミーパターン６０による変形とが互いの変形を相殺する。その結果、第六層グリーンシート５６、第五層グリーンシート５５およびダイアタッチ面３１を有する第四層グリーンシート５４の変形が低減される。また、焼成されたセラミックパッケージ２０は、ダミーパターン６０により配線パターン４１によって生じる変形が低減される。したがって、焼成時および焼成後の温度の変化にともなう歪みを低減することができ、センサチップ１１の特性の変化を低減することができる。
【００３０】
第１実施形態による加速度センサ１０は、温度の変化にともなうセラミックパッケージ２０の変形が低減される。そのため、ダイアタッチ面３１に搭載されたセンサチップ１１の変形も低減される。したがって、センサチップ１１の温度による特性の変化が低減され、センサチップ１１の検出精度を高めることができる。
【００３１】
（第２、第３実施形態）
本発明の第２実施形態および第３実施形態によるセラミックパッケージを図４または図５にそれぞれ示す。
第２実施形態では、ダミーパターンの形状が第１実施形態と異なる。第２実施形態では、図４に示すように第六層グリーンシート５６に設けられているダミーパターン６１は、市松模様状に形成されている。市松模様状のダミーパターン６１を形成する導電膜は、それぞれ電気的に接続されている。ダミーパターン６１を形成する導電膜は、導電膜のパターンよって接続してもよいし、例えばボンディングワイヤなどによって接続してもよい。
【００３２】
第２実施形態では、ダミーパターン６１を市松模様状に形成することにより、第六層グリーンシート５６はダミーパターン６１の有無によって変形量に差が生じる。変形量に分布をもたらすダミーパターン６１により、第六層グリーンシート５６は全体的な変形が低減される。したがって、温度の変化にともなう歪みを低減することができ、センサチップ１１の特性の変化を低減することができる。
【００３３】
第３実施形態では、ダミーパターンの形成位置が第１実施形態と異なる。第３実施形態では、図５に示すように第五層グリーンシート５５はダミーパターン６２を有している。本実施形態の場合、ダミーパターン６２は、第五層グリーンシート５５の第六層グリーンシート５６側に設けられている。ダミーパターン６２は、第五層グリーンシート５５に設けられている接続配線パターン４６の内側に設けられている。ダミーパターン６２は、配線パターン４１による第六層グリーンシート５６の変形を相殺する位置に設けられている。一方、第六層グリーンシート５６の第五層グリーンシート５５側の端面５６２には、従来と同様にほぼ全体を覆うダミーパターン６３が設けられている。
【００３４】
配線パターン４１による第六層グリーンシート５６の変形は、ダイアタッチ面３１に至るまでに緩和すればよい。そのため、第六層グリーンシート５６に限らず、第五層グリーンシート５５または第四層グリーンシート５４にダミーパターンを設けてもよい。このように、第六層グリーンシート５６の配線パターン４１から第四層グリーンシート５４のダイアタッチ面３１までの間にダミーパターンを設けることにより、ダイアタッチ面３１の変形を低減することができる。
【００３５】
なお、ダミーパターンは、第五層グリーンシート５５の第四層グリーンシート５４側に設けてもよい。また、第五層グリーンシート５５の両端面にそれぞれダミーパターンを設けてもよい。さらに、ダミーパターンは、図５に示す形状に限らず、図４に示す第２実施形態のように市松模様状であってもよい。
【００３６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態によるセラミックパッケージを図６に示す
第４実施形態の場合、図６に示すようにセラミックパッケージ２０は、第五層部２５に変形吸収構造部７０を有している。変形吸収構造部７０は、図６に示すように第六層部２６と第四層部２４との間に挟まれている波板７１を有している。すなわち、変形吸収構造部７０は、図６および図７に示すように第六層部２６の上方側の平板状の端面２６２および第四層部２４の下方側の平板状の端面２４１からなる一対の平行な平板と、これらの間に挟み込まれた波板７１とを有している。このように第五層部２５を波板７１で形成することにより、第五層部２５にはセラミックパッケージ２０の板厚方向に対し概ね垂直に第五層部２５を貫く複数の空隙７２が形成される。複数の空隙７２を有する波板状の第五層部２５は、第六層グリーンシート５６と第四層グリーンシート５４との間に波板状の第五層グリーンシート５５を積層して焼成することにより形成される。
【００３７】
第４実施形態の場合、第五層部２５に変形吸収構造部７０を設けることにより、積層したグリーンシートを焼成するとき、配線パターン４１との線膨張係数の差によって生じる第六層部２６の変形は、第五層部２５の変形吸収構造部７０によって吸収される。詳細には、第六層部２６が変形すると、その変形が第五層部２５に伝わる。しかし、第五層部２５は、板厚方向と垂直に伸びる空隙７２を有しているため、その板厚すなわち強度に分布を含んでいる。その結果、第五層部２５は、強度の小さな空隙７２部分の変形が大きくなるのに対し、強度の大きな波板７１部分の変形は小さくなる。これにより、第六層部２６の変形は、強度に分布がある第五層部２５によって吸収される。したがって、第六層部２６の変形が第四層部２４へ伝達されず、ダイアタッチ面３１の変形が低減される。
第４実施形態では、第五層部２５によって第六層部２６の変形が吸収される。したがって、温度の変化にともなうダイアタッチ面３１の変形を低減することができ、センサチップ１１の特性の変化を低減することができる。
【００３８】
（第４実施形態の変形例）
第４実施形態では、図７に示すように第四層部２４と第六層部２６との間に第五層部２５として波形状の波板７１を挟み込む構成について説明した。しかし、波板７１は、第４実施形態に示す形状に限らず、例えば図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）に示すように任意の形状を適用することができる。すなわち、第四層部２４と第六層部２６との間に波板７１を挟み込むことにより形成する空隙７２は、板厚に垂直な方向へ第五層部２５を貫くことなく途中で仕切られていてもよい。また、図８に示す各波板７１の形状も一例であり、板厚方向に対し概ね垂直に伸びる空隙７２を形成可能な形状であれば上述の例に限るものではない。
【００３９】
また、第五層部２５に形成する空隙７２は、波板７１によって形成するものに限らない。例えば、図９（Ａ）に示すように第五層部２５を板厚方向に対し概ね垂直へ伸びる溝７３を形成してもよい。この場合でも、第五層部には、板厚方向に対し概ね垂直に伸びる空隙７４が形成される。したがって、ダイアタッチ面３１の変形を低減することができ、センサチップ１１の特性の変化を低減することができる。この場合、溝の断面は、図９（Ａ）に示す矩形状に限らず、円形状であってもよい。また、第五層部２５に形成した溝７３を第四層部２４または第六層部２６で覆う構成としてもよいし、図９（Ｂ）に示すように第五層部２５を貫く構成としてもよい。
【００４０】
さらに、空隙７２、７４は、板厚方向に対し概ね垂直に貫くものに限らない。例えば、第五層部２５は、板厚方向へ貫く空隙７５を有する編み目形状に形成してもよい。すなわち、第五層部２５に板厚方向へ貫く孔７６を形成してもよい。この場合、第五層部２５に形成する孔７６は、断面形状が円形、矩形、多角形など任意の形状を適用することができる。また、孔７６の断面形状は、六角形すなわちハニカム形状としてもよい。
【００４１】
さらにまた、変形吸収構造部７０は、第五層部２５に限らず、第六層部２６からダイアタッチ面３１までの間の任意の層部に設けてもよい。
（その他の実施形態）
以上説明した複数の実施形態では、加速度センサ１０を例に説明した。しかし、加速度センサ１０に限らず、その他の任意のセンサ、特に温度による変形の影響を受けやすいセンサに適用することができる。また、複数の実施形態では、第一層部２１から第六層部２６まで六層で形成するセラミックパッケージ２０について説明したが、セラミックパッケージ２０の層の数は任意に設定することができる。この場合でも、ダミーパターン６０、６１、６２および変形吸収構造部７０を配線パターン４１が設けられている最下層の層部からダイアタッチ面３１までの間に設けることにより、ダイアタッチ面３１の変形を低減することができる。
さらに、本発明の複数の実施形態では、各実施形態を個別にセラミックパッケージ２０へ適用する例について説明した。しかし、複数の実施形態を組み合わせてセラミックパッケージ２０に適用してもよい。
【００４２】
以上説明した本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の実施形態に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態による加速度センサにおいて、セラミックパッケージの各層部を示す概略図
【図２】本発明の第１実施形態による加速度センサの概略を示す断面図
【図３】従来のセラミックパッケージにおけるダミーパターンを示す概略図
【図４】本発明の第２実施形態による加速度センサにおいて、図１に相当する概略図
【図５】本発明の第３実施形態による加速度センサにおいて、図１に相当する概略図
【図６】本発明の第４実施形態による加速度センサの概略を示す断面図
【図７】本発明の第４実施形態による加速度センサにおいて、変形吸収構造部を示す模式図
【図８】本発明の第４実施形態による加速度センサにおいて、変形吸収構造部の変形例を示す模式図
【図９】本発明の第４実施形態による加速度センサにおいて、変形吸収構造部の変形例を示す模式図
【図１０】本発明の第４実施形態による加速度センサにおいて、変形吸収構造部の変形例を示す模式図
【符号の説明】
【００４４】
図面中、１１はセンサチップ（半導体チップ）、１２は回路チップ（半導体チップ）、２０はセラミックパッケージ、３１はダイアタッチ面（搭載部）、４１は配線パターン、５１は第一層グリーンシート、５２は第二層グリーンシート、５３は第三層グリーンシート、５４は第四層グリーンシート（搭載グリーンシート）、５５は第五層グリーンシート、５６は第六層グリーンシート、６０、６１、６２はダミーパターン（変形緩和部）、７０は変形吸収構造部、７１は波板、７２、７４は空隙、７６は孔、２６１は端面（下端面）、４１１は主電極パターン、５６１は端面（下端面）を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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