(57)【要約】【課題】中空構造を有する半導体パッケージにおいて、簡単な構造で中空部内の結露を抑制するとともに、該中空部内への異物侵入や、電極など金属部の腐食を抑制した半導体パッケージを提供する。【解決手段】本発明に係る半導体パッケージ１は、半導体基板１０、該半導体基板の一面側に配された機能素子１１、前記半導体基板の一面と対向して配され、前記半導体基板の表面から所定の間隔を介して配されたキャップ基板２０、及び、前記機能素子の周囲に配され、前記半導体基板と前記キャップ基板とを接合する封止部材２１、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、前記封止部材は、透湿樹脂層２２を少なくとも有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板、該半導体基板の一面側に配された機能素子、
前記半導体基板の一面と対向して配され、前記半導体基板の表面から所定の間隔を介して配されたキャップ基板、及び、
前記機能素子の周囲に配され、前記半導体基板と前記キャップ基板とを接合する封止部材、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、
前記封止部材は、透湿樹脂層を少なくとも有することを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記封止部材は、前記透湿樹脂層及び水蒸気透過係数の低い接着剤層から構成され、
前記透湿樹脂層は前記キャップ基板側に、前記接着剤層は前記半導体基板側に、それぞれ配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記半導体パッケージの縦断面方向から見て、前記透湿樹脂層の幅は、前記半導体基板の外端部から前記機能素子の外端部までの距離よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
半導体基板、該半導体基板の一面側に配された機能素子、
前記半導体基板の一面と対向して配され、前記半導体基板の表面から所定の間隔を介して配されたキャップ基板、及び、
前記機能素子の周囲に配され、前記半導体基板と前記キャップ基板とを接合する封止部材、を少なくとも備え、
前記封止部材は、透湿樹脂層を少なくとも有する半導体パッケージの製造方法であって、
前記キャップ基板側に前記透湿樹脂層を形成する工程と、
前記半導体基板側に水蒸気透過係数の低い接着剤層を形成する工程と、
前記透湿樹脂層に前記接着剤層を接着させて前記封止部材とし、前記キャップ基板と前記半導体基板とを前記封止部材により接合する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、中空構造を有する半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
中空構造を有するパッケージが必要な半導体デバイスとしては、ＭＥＭＳデバイスと呼ばれる光学センサ、圧カセンサ、加速度センサが代表的である。これらの半導体デバイスにおいて中空構造パッケージを行うために、シリコンやガラスなどからなるキャップ基板と半導体デバイスとを対向させて接合する。接合の手法としては、陽極接合もしくは常温接合による直接接合、低融点金属もしくは低融点セラミック、そして樹脂材料を接合材料とした間接接合が主流である。
【０００３】
前述した半導体デバイスの一部には、特性上の必要から樹脂材料が用いられている。一般的な樹脂材料は２００℃以上で変性するため、樹脂材料を用いた半導体デバイスではパッケージ加工の上限温度が低くなる。そのため、これらの半導体デバイスに中空構造パッケージを行うためには接合方法として樹脂接合が選択される。
【０００４】
従来の半導体パッケージにおける樹脂接合では、一般的に接着剤と呼ばれる樹脂材料が用いられている。代表的な接着剤成分はアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。
これらの樹脂材料は、接合する基板の片方又は両方の上に供給される。供給方法としてはディップ法、スプレ一法、スピンコート法が一般的である。供給後には両基板を対向させ、加圧、加熱、紫外線照射など樹脂材料に適した手法を用いて接合を行う。
【０００５】
前述した中空構造を実現するためには、樹脂材料をパターニングする必要がある。これは印刷法、フォトレジストを用いたリフトオフ法又はエッチング法にて行われる。樹脂材料が感光性を有する場合には、フォトリソグラフィによりパターンを形成する。樹脂材料の供給後は、前記と同様の手法にて接合を行う。
【０００６】
しかしながら、樹脂接合により中空構造を形成する半導体パッケージでは、樹脂材料を経由した中空部内への水蒸気侵入、侵入水蒸気の放出不十分、又は雰囲気温度低下による結露現象が問題である。特に光学センサーデバイスのパッケージにおいては、中空部内で発生する結露が光学センサーヘの到達光量に影響を及ぼし、光学センサの感度が見かけ上低下してしまう。
【０００７】
このような中空部内の結露を防ぐため、特許文献１では中空部と外気との間に通気孔を設ける半導体パッケージ構造が提案されている。この構造においては中空部内と外気との間で気体が容易に移動できるため、急激な雰囲気変化が起きても中空部内の結露は起こりにくい。
【０００８】
しかしながら、通気孔内を移動するのは気体だけでなく、液体としての水、固体としての塵も同様であるため中空部内の汚染が生じやすい。
中空部内の結露を防ぐ手法としては、樹脂材料の選定も有効である。すなわち、（１）防湿樹脂（水蒸気透過性の低い樹脂材料）による中空部内への水蒸気侵入の抑制、（２）透湿樹脂（水蒸気透過性の高い樹脂材料）による中空部内と外気との間の水蒸気移動の促進である。水蒸気透過性の低い樹脂材料としてはポリビニリデンクロライド、エチルビニルアルコール、ポリエチレンテレフタラート、ポリエチレンが代表的である。一方、水蒸気透過性の高い樹脂材料としては多孔質フッ素樹脂、シリコーン樹脂が代表的である。
【０００９】
その他、吸水性に優れた樹脂材料を用いた中空部封止による中空部結露防止や（例えば、特許文献２参照）。また、前記吸水性樹脂を用いた中空型樹脂パッケージ構造が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
しかしながら、前記の防湿及び透湿樹脂を中空構造形成のための接合樹脂として用いることは困難である。前述した通り、接着材料と防湿及び透湿材料には両方の機能を有する材料が存在しないためである。
【００１０】
その他の結露対策としては、以下の提案がなされている。
例えば、イメージセンサモジュールの凹形状基板とガラス板との接合部中に透湿部材層を設けることでガラス板への結露を防ぐ構造を提案されている（例えば、特許文献２参照）。図４は、特許文献２に記載の半導体モジュールの構成を示す断面図である。１０２はイメージセンサモジュール、１０６はベース、１０８はＣＣＤイメージセンサ、１１０はガラス板、１１１は透湿部材、１１４はワイヤボンディング、１１８は配線、１２０は接着層、１２２は収容室である。
【００１１】
その他にも、パッケージ材料の熱伝導率差を利用し、結露による影響のない面へ優先的に結露させることで結露によるデバイス特性への影響を回避する方法や（例えば、特許文献４参照）、外部電子機器を用いた半導体チップ冷却機構の利用により中空部の結露を防止する方法（例えば、特許文献５参照）等が提案されている。
【００１２】
しかしながら、前述した方法においても、以下に示すような問題があった。
すなわち、特許文献１に記載の通気孔を形成する方法では、通気孔からごみ、粉塵等異物の侵入の虞がある。また、特許文献２に記載の吸水性樹脂による封止では、樹脂の吸水量に限界があり、結露を十分に防止することは困難である。特許文献３に記載の透湿部材による封止では、適用がチップレベルパッケージに限定されてしまう。特許文献４に記載の熱伝導率差を利用した結露防止法では、材料がセラミックのみに限定されてしまう。また、特許文献５に記載の、外部に冷却機構を用いた方法では、コストが高くなってしまう。
【特許文献１】特開２００２−１２４５８９号公報
【特許文献２】特開２００７−０８４８１４号公報
【特許文献３】特開２００６−１９６９２９号公報
【特許文献４】特開２００４−１５３１４５号公報
【特許文献５】特開２０００−１０１０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、中空構造を有する半導体パッケージにおいて、簡単な構造で中空部内の結露を抑制するとともに、該中空部内への異物侵入や、電極など金属部の腐食を抑制した半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、中空構造を有する半導体パッケージにおいて、中空部内の結露を抑制するとともに、該中空部内への異物侵入や、電極など金属部の腐食を抑制した半導体パッケージを、簡単な工程で製造することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の請求項１に記載の半導体パッケージは、半導体基板、該半導体基板の一面側に配された機能素子、前記半導体基板の一面と対向して配され、前記半導体基板の表面から所定の間隔を介して配されたキャップ基板、及び、前記機能素子の周囲に配され、前記半導体基板と前記キャップ基板とを接合する封止部材、を少なくとも備えた半導体パッケージであって、前記封止部材は、透湿樹脂層を少なくとも有することを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体パッケージは、請求項１において、前記封止部材は、前記透湿樹脂層及び水蒸気透過係数の低い接着剤層から構成され、前記透湿樹脂層は前記キャップ基板側に、前記接着剤層は前記半導体基板側に、それぞれ配されていることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体パッケージは、請求項２において、前記半導体パッケージの縦断面方向から見て、前記透湿樹脂層の幅は、前記半導体基板の外端部から前記機能素子の外端部までの距離よりも小さいことを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法は、半導体基板、該半導体基板の一面側に配された機能素子、前記半導体基板の一面と対向して配され、前記半導体基板の表面から所定の間隔を介して配されたキャップ基板、及び、前記機能素子の周囲に配され、前記半導体基板と前記キャップ基板とを接合する封止部材、を少なくとも備え、前記封止部材は、透湿樹脂層を少なくとも有する半導体パッケージの製造方法であって、前記キャップ基板側に前記透湿樹脂層を形成する工程と、前記半導体基板側に水蒸気透過係数の低い接着剤層を形成する工程と、前記透湿樹脂層に前記接着剤層を接着させて前記封止部材とし、前記キャップ基板と前記半導体基板とを前記封止部材により接合する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、半導体基板とキャップ基板とを接合する封止部材が、透湿樹脂層を少なくとも有することで、透湿樹脂層が水蒸気移動経路として働き、外気〜中空部間の水蒸気移動が容易となるため、中空パッケージ内の結露が抑制される。これにより本発明の半導体パッケージは、簡単な構造で中空部内の結露を抑制するとともに、該中空部内への異物侵入や、電極など金属部の腐食を抑制した半導体パッケージを提供することができる。
また、本発明では、キャップ基板側に透湿樹脂層を形成し、半導体基板側に水蒸気透過係数の低い接着剤層を形成し、前記透湿樹脂層に前記接着剤層を接着させて前記封止部材とし、前記キャップ基板と前記半導体基板とを前記封止部材により接合することで、中空部内の結露を抑制するとともに、該中空部内への異物侵入や、電極など金属部の腐食を抑制した半導体パッケージを、簡単な工程で製造することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係る半導体パッケージの一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る半導体パッケージの一実施形態を示す断面図である。
本発明の半導体パッケージ１Ａ（１）は、半導体基板１０、該半導体基板１０の一面側に配された機能素子１１、前記半導体基板１０の一面と対向して配され、前記半導体基板１０の表面から所定の間隔を介して配されたキャップ基板２０、及び、前記機能素子１１の周囲に配され、前記半導体基板１０と前記キャップ基板２０とを接合する封止部材２１、を少なくとも備え、前記封止部材２１は、透湿樹脂層２２を有することを特徴とする。
【００１８】
本発明では、半導体基板１０とキャップ基板２０とを接合する封止部材２１が、透湿樹脂層２２を少なくとも有することで、透湿樹脂層２２が水蒸気移動経路として働き、外気〜中空部２間の水蒸気移動が容易となるため、中空パッケージ内の結露が抑制される。接着剤のみで半導体デバイスとガラス板を接合した従来構造と比較して急激な外気変動による中空部内結露を抑制することができる。これにより本発明の半導体パッケージ１は、簡単な構造で中空部２内の結露を抑制するとともに、該中空部２内への異物侵入や、金属からなる電極パッド１２などの腐食を抑制することができる。
【００１９】
本発明は、シリコン貫通配線技術とＷＬＣＳＰ(ウエハレベルチップサイズパッケージ)とを組み合わせた構造提案であるためウエハレベルでの一括形成、凹形状のベースを用いないためパッケージ面積及び高さの軽減が可能である。
【００２０】
前記封止部材２１は、前記透湿樹脂層２２及び水蒸気透過係数の低い接着剤層２３から構成され、前記透湿樹脂層２２は前記キャップ基板２０側に、前記接着剤層２３は前記半導体基板１０側に、それぞれ配されている。
【００２１】
電極パッド１２等を有する半導体基板１０側には透湿性の低い接着剤層２３が配されているため、前述した特許文献１に記載の透湿部材／接着層／透湿部材の３層構造の場合と比較して、高温水蒸気と電極金属との接触が抑制され電極腐食が起こりにくい。また、透湿樹脂層２２をキャップ基板２０側に形成するため、半導体基板１０に起因する温度制約を上回る樹脂材料の使用が可能となる。
また、半導体基板１０の表面は接着剤層２３で保護されているため、金属からなる電極パッド１２などの腐食が抑制される。
【００２２】
半導体基板１０は、例えばシリコン等からなる。半導体基板１０は、一方の表面１０ａに機能素子１１と、電極パッド１２が形成され、他方の表面１０ｂと該電極パッド１２を電気的に接続する貫通電極１３を備えている。貫通電極１３は半導体基板１０の表裏両面を貫通する微細孔１４の内面に、絶縁膜１５を介しての導電体１６を充填して構成されている。また、貫通電極１３と電気的に接続された配線部１７には、外部接続のためのバンプ１８が配されている。
【００２３】
本形態例における機能素子１１は、例えばＣＣＤ素子等のイメージセンサである。このように、機能素子１１が光学的デバイスである場合、機能素子１１の使用波長帯において光透過性を有することが好ましく、この場合は、ガラスや透光性樹脂などからなるキャップ基板２０を用いることができる。また、キャップ基板２０は、各種の光学フィルタ機能やレンズ機能などの光学的機能を有するものでもよい。
【００２４】
機能素子１１の他の例として、例えばＭＥＭＳデバイス（ＭＥＭＳ＝Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）などをウエハレベルでパッケージングする場合に、可動部が存在する等の理由からＭＥＭＳデバイスの周囲にキャビティを必要とするようなパッケージにおいても適用が可能である。パッケージング対象となりうるＭＥＭＳデバイスとしては、例えばマイクロリレー、マイクロスイッチ、圧力センサ、加速度センサ、高周波フィルタ、マイクロミラー等が挙げられる。
【００２５】
電極パッド１２及び配線部１７としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）合金等の導電性に優れる材料が好適に用いられるが、これらの材料は酸化されやすい性質を有している。
【００２６】
絶縁膜１５としては、酸化珪素（ＳｉＯ２ ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、リンシリケートガラス（ＰＳＧ）、ボロンリンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等が利用でき、半導体パッケージ１の使用環境に応じて適宜選択すればよい。
導電体１６としては、電気の良導体であれば特に制限は無く、例えば電気抵抗が低い銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、銀、錫等の他に、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ等の合金、あるいはＳｎ基、Ｐｂ基、Ａｕ基、Ｉｎ基、Ａｌ基などのはんだ合金等の金属が利用できる。
【００２７】
キャップ基板２０は、機能素子１１の上方に間隔を介して配置され、機能素子１１を保護する等の役割を有する。キャップ基板２０としては、樹脂やガラス、金属等からなる板材を用いることができる。
【００２８】
封止部材２１は、半導体基板１０とキャップ基板２０との間隔を確保するともに、キャップ基板２０を半導体基板１０と接合すものである。封止部材２１は、キャップ基板２０を半導体基板１０と接合したときに、機能素子１１の周囲を切れ目なく囲い、かつ、機能素子１１の上を覆わないような所定位置に設けられる。これにより、機能素子１１の周囲の空間（中空部２）が半導体基板１０とキャップ基板２０と封止部材２１とにより気密に封止される。
【００２９】
封止部材２１の高さ（厚み）は、特に限定されるものではなく、機能素子１１から要求される仕様などの条件に応じて自由に選択可能であるが、例えば数μｍ〜数百μｍの範囲であれば、機能素子１１の周囲に十分なキャビティを確保することができるとともに、半導体パッケージ１全体の寸法を抑制することができる。
【００３０】
封止部材２１は、前記透湿樹脂層２２及び水蒸気透過係数の低い接着剤層２３から構成され、前記透湿樹脂層２２は前記キャップ基板２０側に、前記接着剤層２３は前記半導体基板１０側に、それぞれ配される。
本発明による中空部結露抑制のキーポイントは、透湿樹脂の水蒸気透過係数、及び透湿樹脂層２２の面積と厚さである。結露抑制のためには水蒸気透過係数の高い樹脂を選定することが重要である。このような透湿樹脂としては、例えば、多孔質フッ素樹脂、シリコーン樹脂等を用いることができる。
【００３１】
透湿樹脂層２２の面積であるが、一般的には中空部面積が大きいほど温度低下により液化する水分量が多く、また中空部／チップ面積比が小さい場合には中空部から外気への水蒸気移動を律造する樹脂層の長さが大きくなるため結露が発生しやすい。しかしながらこれらの寸法は半導体デバイスの仕様に制約を受けるため、結露抑制のためには透湿樹脂層２２の厚さをかせぐことが重要である。これらのパラメーターは半導体デバイスの仕様ごとに設計する必要がある。
【００３２】
透湿樹脂層２２を所定位置に形成するには、例えば液状樹脂を使用して印刷法により所定位置に塗布したり、ドライフィルムをラミネートしてこれをフォトリソグラフィ技術により所定位置のみ残してパターニングする方法等が利用できる。
【００３３】
接着剤層２３に用いられる接着剤としては、例えばエポキシ樹脂や感光性ＢＣＢ樹脂などを用いることができる。接着剤層２３は、半導体基板１０の表面に接着剤を塗布することによって形成することができる。接着剤の塗布方法は特に限定されるものでないが、例えばスタンピング、ディスペンス、スピンコート、スプレーコート等の手法を用いることが可能である。接着剤層２３の厚さは、接着剤材料の種類に応じて十分な接着強度が得られる厚さとする。
【００３４】
図２は、本発明の半導体パッケージの他の実施形態を示す断面図である。
この半導体パッケージ１Ｂ（１）では、半導体パッケージ１Ｂの縦断面方向から見て、前記透湿樹脂層２２の幅Ｗが、前記半導体基板１０の外端部から前記機能素子１１の外端部までの距離Ｌよりも小さくなされている。
【００３５】
本発明では、透湿樹脂層２２の寸法を変更することも可能である。水蒸気移動の容易性を考慮した場合、固体物質の存在しない中空通気孔が水蒸気移動の理想的形態となる。透湿樹脂といえども中空通気孔と比較した場合には水蒸気移動度の低下を避けられず、その程度はフィックの法則から明らかなとおり透湿樹脂層２２の幅（拡散長）に比例する。
【００３６】
しかしながら前述した通り、中空通気孔を形成した場合にはパーティクル侵入による中空部内汚染の恐れがある。よって透湿樹脂層２２の存在は必須であり、さらにその幅は可能な限り狭いことが望ましい。
図２のように透湿樹脂層２２の幅を狭くした場合、本発明で提案する結露抑制効果が最大限に発揮される。なお、接着剤層２３の幅は半導体デバイス表面保護の観点から、半導体デバイスの仕様通りであることが好ましい。
【００３７】
次に、前述した半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
本発明の半導体パッケージの製造方法は、前記キャップ基板２０側に前記透湿樹脂層２２を形成する工程と、前記半導体基板１０側に水蒸気透過係数の低い接着剤層２３を形成する工程と、前記透湿樹脂層２２に前記接着剤層２３を接着させて前記封止部材２１とし、前記キャップ基板２０と前記半導体基板１０とを前記封止部材２１により接合する工程と、を少なくとも備えたことを特徴とする。
【００３８】
本発明の半導体パッケージの製造方法では、キャップ基板２０側に透湿樹脂層２２を形成し、半導体基板１０側に水蒸気透過係数の低い接着剤層２３を形成し、前記透湿樹脂層２２に前記接着剤層２３を接着させて前記封止部材２１とし、前記キャップ基板２０と前記半導体基板１０とを前記封止部材２１により接合することで、中空部内の結露を抑制するとともに、該中空部内への異物侵入や、電極パッド１２など金属部の腐食を抑制した半導体パッケージ１を、簡単な工程で製造することが可能となる。
以下、各工程ごとに詳しく説明する。
【００３９】
（１）まず、シリコン等からなる半導体基板１０の表面に、例えば光デバイス等の所望の機能素子１１や電極パッド１２を通常の半導体製造プロセスを利用して形成する。また、半導体基板１０の表裏両面を貫通する微細孔１４を形成し、その内面に絶縁膜１５を介して導電体１６を充填して貫通電極１３を形成する。さらに、接続に必要な配線部１７及びバンプ１８を形成する［図３（ａ）参照］。
【００４０】
（２）キャップ基板２０側に透湿樹脂層２２を形成する［図３（ｂ）参照］。
透湿樹脂層２２の形成方法としてはスピンコート法、印刷法、ディスペンス法があり、選定した透湿樹脂材料に適した方法を用いる。続いて透湿樹脂層２２をパターニングする。前述の通りこれら透湿樹脂材料は感光性を有さないため、成膜方法としては印刷法もしくはディスペンス法を用いることが好ましい。
【００４１】
スピンコート法を採用する場合は、予めキャップ基板２０上にレジスト層をパターン形成しておき、透湿樹脂層２２の形成後にレジスト層を剥離するリフトオフ法、もしくは透湿樹脂層２２の形成後にフォトマスクなどを用いたマスキングを施し、その後透湿樹脂層２２のエッチング、マスク層の除去を行うことが必要となる。
透湿樹脂層２２のパターニング後、必要に応じて透湿樹脂層２２の加熱硬化を行う。この際の温度上限はガラス板の融点であり、前述した温度制約を無視することができる。
【００４２】
（３）半導体基板１０側に水蒸気透過係数の低い接着剤層２３を形成する［図３（ｃ）参照］。
続いて半導体基板１０上に接着剤層２３の成膜及びパターニングを行う。この際、接着剤は感光性を有しているためフオトリングラフィーによるパターニングが可能である。接着剤層２３の形成方法、露光時の光源波長、現像液種類は選定した接着剤材料に適した条件で実施すればよい。
なお、前記（２）と（３）の工程は、順番が逆であっても構わない。
【００４３】
（４）透湿樹脂層２２に接着剤層２３を接着させて封止部材２１とし、キャップ基板２０と半導体基板１０とを封止部材２１により接合する［図３（ｄ）参照］。
接着剤層２３を形成した半導体基板１０と、透湿樹脂層２２を形成したキャップ基板２０とを、接着剤層２３及び透湿樹脂層２２がそれぞれ形成された面を対向させて、位置合わせする。
【００４４】
その後、接着剤層２３を形成した半導体基板１０と、透湿樹脂層２２を形成したキャップ基板２０とを接合する。接着剤による接合では熱・紫外線などの接着剤硬化反応源を必要とする。また、接着剤の接着力発現には適度な加重印加も必要であり、以上の理由から一般的にはプレス版を用いた熱圧着を用いる。この加工により透湿樹脂層２２／接着剤層２３界面接合が形成される。
以上により、図１に示すような半導体パッケージ１が完成する。
【００４５】
以上、本発明の半導体パッケージについて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、前述した実施形態では、半導体基板上の機能素子１つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の機能素子を備えた半導体パッケージに適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、中空構造を有する半導体パッケージに広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る半導体装置の一例を示す断面図。
【図２】本発明に係る半導体装置の他の一例を示す断面図。
【図３】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図。
【図４】従来の半導体パッケージの一例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体パッケージ、２  中空部、１０  半導体基板、１１  機能素子、１２  電極パッド、１３  貫通電極、１４  微細孔、１５  絶縁膜、１６  導電体、１７  配線部、１８  バンプ、２０  キャップ基板、２１  封止部材、２２  透湿樹脂層、２３  接着剤層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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