(57)【要約】【課題】特に多層配線基板における導電ビアと配線用導電層との層間接触界面部分の熱サイクル耐性を向上し高い接続信頼性を得ることができる回路配線基板を提供する。【解決手段】回路配線基板１０は、絶縁基板１と、前記絶縁基板を貫通して形成されたビアホールＶＨ１と、前記ビアホールに導電性ペーストを充填して形成された導電ビア２と、前記絶縁基板の両面にそれぞれ配置され前記導電ビアの両端面に各々接続された回路配線用の導電層３ａ、３ｂとを備え、前記両方の導電層の少なくとも一方は、前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部３ａｃ（３ｂｃ）を有することを特徴とする。【選択図】図１
2009038113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通して形成されたビアホールと、前記ビアホールに導電性ペーストを充填して形成された導電ビアと、前記絶縁基板の両面にそれぞれ配置され前記導電ビアの両端面に各々接続された回路配線用の導電層とを備え、前記両方の導電層の少なくとも一方は、前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有することを特徴とする回路配線基板。
【請求項２】
層間接続用の導電ビアを有する少なくとも１つの配線基板材を含む複数の配線基板材を積層してなる回路配線基板であって、前記導電ビアを有する配線基板材は、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通して形成されたビアホールと、前記ビアホールに導電性ペーストを充填して形成された導電ビアと、前記絶縁基板の少なくとも一方の面に配置され前記導電ビアの端面に接続された回路配線用の導電層とを備え、前記導電層は、前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有することを特徴とする積層形の回路配線基板。
【請求項３】
前記導電ビアが形成された絶縁基板の一方の面に配置された回路配線用の一方の導電層は、前記前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有し、前記絶縁基板の他方の面に配置された回路配線用の他方の導電層は、前記ビアホールから遠ざかる方向に窪む凹状層間コンタクト部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路配線基板。
【請求項４】
前記導電層の層間コンタクト部の端面と前記導電ビア端面との接触界面は、その周囲の前記導電層と絶縁基板との接触界面から前記絶縁基板の厚さ方向に偏位していることを特徴とする請求項１〜請求項３のうちいずれか１つに記載の回路配線基板。
【請求項５】
前記導電層の凸状層間コンタクト部は、前記導電層の厚さをｔ、前記層間コンタクト部の凸状高さをｈとするとき、前記凸状の高さｈが０μｍ＜ｈ≦（ｔ−５）μｍの関係で形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の回路配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路配線基板に関し、特に多層配線基板における層間接続用の導電ビアと回路配線用の導電層との高い接続信頼性を得ることができる回路配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やノートブック型パソコンに代表される各種デジタル電子機器等の小型化・軽量化及び多機能化が急速に進展している。これらの電子機器に装着される各種電子部品間の配線距離はできる限り短くすることが望まれているために、電子部品を実装する配線基板は高密度配線、高多層化の方向に進み、多層プリント配線基板のような積層配線基板技術を採用する傾向が益々高まってきている。
【０００３】
この種の積層配線基板に係わる従来技術の具体例としては、次の従来技術１や従来技術２が知られている。
【０００４】
＜従来技術１＞：（一例として特許文献１参照）
フィルム状絶縁体表面に導電パターンを形成した配線基板材を複数枚積層し、各導電パターン層間接続のために、前記各フィルム状絶縁体に所望の位置関係で形成されたＩＶＨ（Interstitial  Via  Hole）に導電性ペースト（導電ビア）を充填する技術。このＩＶＨ利用技術によれば、各配線基板材の任意の位置で層間接続ができ、各配線基板材に設けられる各導電ビアを上下スタック状態に配置することも可能であり、積層配線基板としての配線の自由度が高く、高密度配線に対応できるために、次世代実装基板として開発が盛んに行われている。
【０００５】
＜従来技術２＞：（一例として特許文献２参照）
従来技術１と同様の分野において、導電性ペースト充填による導電ビアと導電パターンとの接続抵抗の低減や耐熱信頼性の改善を目的として、前記導電ビアの端面に接触する導電パターンの接触表面を粗面化し、その表面粗さと前記導電ペーストに使用される導電性粉体の直径との関係を調整する技術。
【０００６】
ところで、多層配線基板の電気的な層間接続の接続信頼性を評価するために、その一手法としての耐熱衝撃試験が行われる。この試験は多層配線基板を低温−高温環境下に交互に曝して回路抵抗値の変化を測定するものである。このような低温−高温サイクル中において、前記フィルム状絶縁体を含む各配線基板材は膨張−収縮を繰り返すため、前記導電ペースト（導電ビア）と導電パターンとの接触界面に応力が集中する。その結果、特に前記導電ペーストの接触界面付近の部分が応力劣化して界面剥離による断線或いは接続抵抗値の著しい上昇を惹き起こし耐熱衝撃試験に不合格となることがある。
【０００７】
前記従来技術１及び２の積層配線基板は、いずれにおいても、特に層間接続に最も重要な部分であるビアホール内の前記導電ペースト端面と導電パターン内面との接触界面が、その周囲のフィルム絶縁体と導電パターンとの接触界面と同一平面に揃った状態となっている。従って、前記各従来技術では、前述のような耐熱衝撃試験が行われる際に、前記導電ペースト端面と導電パターン内面との接触界面への前記低温−高温サイクルによる剪断応力の集中が避け難いために、前記層間接触界面部分の熱サイクル耐性及び接続信頼性が低下するという問題がある。
【特許文献１】特開２０００−３８４６４号公報
【特許文献２】特開２００１−２４３２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前記従来の問題点を解決するものであり、特に、多層配線基板における導電ビアと配線用導電層との層間接触界面部分の熱サイクル耐性を向上してその高い接続信頼性を得ることができる回路配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の本発明の回路配線基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通して形成されたビアホールと、前記ビアホールに導電性ペーストを充填して形成された導電ビアと、前記絶縁基板の両面にそれぞれ配置され前記導電ビアの両端面に各々接続された回路配線用の導電層とを備え、前記両方の導電層の少なくとも一方は、前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項２に記載の本発明は、層間接続用の導電ビアを有する少なくとも１つの配線基板材を含む複数の配線基板材を積層してなる回路配線基板であって、前記導電ビアを有する配線基板材は、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通して形成されたビアホールと、前記ビアホールに導電性ペーストを充填して形成された導電ビアと、前記絶縁基板の少なくとも一方の面に配置され前記導電ビアの端面に接続された回路配線用の導電層とを備え、前記導電層は、前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の本発明は、請求項１または請求項２に記載の回路配線基板において、前記導電ビアが形成された絶縁基板の一方の面に配置された回路配線用の一方の導電層は、前記前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有し、前記絶縁基板の他方の面に配置された回路配線用の他方の導電層は、前記ビアホールから遠ざかる方向に窪む凹状層間コンタクト部を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の本発明は、請求項１〜請求項３のうちいずれか１つに記載の回路配線基板において、前記導電層の層間コンタクト部の端面と前記導電ビア端面との接触界面は、その周囲の前記導電層と絶縁基板との接触界面から前記絶縁基板の厚さ方向に偏位していることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に記載の本発明は、請求項１〜請求項４のいずれか１つに記載の回路配線基板において、前記導電層の凸状層間コンタクト部は、前記導電層の厚さをｔ、前記層間コンタクト部の凸状高さをｈとするとき、前記凸状の高さｈが０μｍ＜ｈ≦（ｔ−５）μｍの関係で形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
前記絶縁基板の両面にそれぞれ配置された回路配線用の導電層の少なくとも一方が、前記ビアホール内に突出する凸状層間コンタクト部を有しているために、配線基板の熱衝撃試験等に際しても、特に導電ビアと導電層との接触界面部分の熱サイクル耐性が向上し、その高い接続信頼性を得ることができるという効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係わる回路配線基板の実施形態について説明するが、まず、第１実施形態について図１を参照して説明する。ここで、図１（ａ）は回路配線基板の第１実施形態を示す断面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の左側の一部を示す拡大断面図である。
【００１６】
（第１実施形態）：
回路配線基板１０の本体部分を構成する絶縁基板１は、例えば、それ自身が加熱接着性を有する絶縁物材料とされ、熱硬化性や熱可塑性の樹脂を含浸させた繊維織物製の厚さ１００μｍのプリプレグからなっている。
【００１７】
前記絶縁基板１には、例えばＮＣドリルによって、直径２００μｍの円筒状のビアホールＶＨ１が貫通形成されている。このビアホールＶＨ１の数やピッチは、実際上は、応用電子機器の小形／軽量化や多機能化に応じて、狭いピッチで多数設けられることになるが、ここでは、２個のビアホールＶＨ１が代表的に図示されている。
【００１８】
前記各ビアホールＶＨ１内に設けられた各導電ビア２は、ビアホールＶＨ１内に、導電性ペーストを例えばスクリーン印刷法によって充填し、加熱プレスすることによって圧縮かつ熱硬化させた良導電性の層間接続導電路を構成する。前記導電性ペーストには、例えばエポキシ系樹脂接着剤のような熱硬化性樹脂接着剤に銀、銅などの高導電性金属及び錫などの低融点金属の各粒子或いは粉体を混合したものが用いられ、後述する配線用導電層の出発材料である銅箔とも合金を形成して良好な電気的導通を得られるように、混合される金属材料の種類が選択されている。
【００１９】
また、前記絶縁基板１の上下両面にそれぞれ配置され接着された回路配線用の導電層３ａ及び３ｂは、例えば厚さ１８μｍの銅箔を導電層形成用の出発材料として用い、例えばサブトラクティブ法によりエッチングすることによって所望の回路パターン形状に形成されている。
【００２０】
前記回路配線用の一方の導電層３ａは、前記各ビアホールＶＨ１及び各導電ビア２に対応した部分に、前記銅箔の厚さと同様の厚さ１８μｍの凸状層間コンタクト部３ａｃを有し、導電層３ａのうち前記層間コンタクト部３ａｃ以外の部分は薄肉になっている。また、他方の導電層３ｂは、前記一方の導電層３ａの場合と同様で、前記層間コンタクト部３ａｃと同様の厚さ／形状／寸法の凸状層間コンタクト部３ｂｃを有している。
【００２１】
このような各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃは各ビアホールＶＨ１の横断面形状及び直径と同一または各々対応する形状及び寸法とされ、円板形或いは円台形の凸状に形成されていて、その凸状部が各ビアホールＶＨ１にそれぞれ嵌め込まれ、前記各凸状端面が前記導電性ペーストからなる各導電ビア２にそれぞれ押圧接続されている。
【００２２】
そして、図１（ｂ）の拡大図に示すように、前記各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃは、前記導電層３ａ、３ｂの厚さのうち最も厚い部分を構成しており、この部分における導電層の厚さがｔ（μｍ）で表され、各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃの凸状高さがｈ（μｍ）で表されている。従って、各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃと導電ビア２との接触界面は、その周辺の絶縁基板１と各回路配線用の導電層３ａ、３ｂとの接触界面に対して、絶縁基板１の厚さ方向に、前記凸状高さｈの分だけ偏位している。
【００２３】
このような第１実施形態によれば、前記凸状高さｈに相当する接触界面の偏位があるために、層間接触界面部分は、前述の耐熱衝撃試験における低温−高温サイクルによる剪断応力の集中が避けられ、熱サイクル耐性及び接続信頼性が向上する。また、導電性ペーストより導電度の高い金属製の導電層３ａ、３ｂの一部である厚い各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃが導電性ペーストからなる導電ビア２を前記凸状高さｈの２倍分だけ薄肉に圧縮しているために、層間接続のシリーズ抵抗を低減することもできる。
【００２４】
次に、前記第１実施形態における回路配線基板１０の製造方法の一実施形態について図２の工程図を参照して説明する。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１を用意する。前記絶縁基板１としては、ここでは、それ自身が加熱接着性を有するもので、熱硬化性や熱可塑性の樹脂を含浸させた繊維織物であるプリプレグ、例えば松下電工株式会社製の製品型名Ｒ−１６５０Ｃ（厚さ１００μｍ）が用いられている。
【００２６】
次に、図２（ｂ）の工程において、前記絶縁基板１に、例えばＮＣドリルによって、直径２００μｍの円筒状のビアホールＶＨ１を貫通形成する。このビアホールＶＨ１の数やピッチは、実際上は、応用電子機器の小形／軽量化や多機能化に伴う高密度実装に応じて、狭いピッチで多数設けられることになるが、ここでは、２個のビアホールＶＨ１が代表的に図示されている。
【００２７】
図２（ｃ）の工程では、前記各ビアホールＶＨ１に、導電性ペーストを例えばスクリーン印刷法によって充填して各導電ビア２を形成する。前記導電性ペーストには、例えばエポキシ系樹脂接着剤のような熱硬化性樹脂接着剤に銀、銅などの高導電性金属及び錫などの低融点金属の各粒子或いは粉体を混合したものが用いられ、後述する配線用導電層の出発材料である銅箔とも合金を形成して良好な電気的導通を得られるように、混合される金属材料の種類が選択される。
【００２８】
前記導電性ペーストとして熱硬化性樹脂接着剤に銀、銅などの高導電性金属の各粒子或いは粉体を混合したものを用いてもよいが、前述のように銅に拡散し易い錫を更に混合した方が合金化を促進させることできる。そして、後述する図２（ｆ）に示すまでの工程においては、前記導電性ペースト２並びに前記絶縁基板１に含まれる加熱接着材料は、未硬化或いは半硬化状態にある。
【００２９】
一方、図２（ｄ）に示すように、前記絶縁基板１の両面にそれぞれ配線用導電層を形成するための導電層出発材料として、例えば銅箔３Ａ及び３Ｂを用意する。前記銅箔３Ａ及び３Ｂとしては、ここでは、いずれも古河サーキットフォイル株式会社製の製品型名Ｆ２−ＷＳ（厚さ１８μｍ）を用いる。そして、前記銅箔３Ａ及び３Ｂの絶縁基板１と対面する側に、例えばサブトラクティブ法によるエッチングを施して、前記各ビアホールＶＨ１にそれぞれ対応する各層間コンタクト部３ａｃ及び３ｂｃの銅箔部分を凸状に残存させ、その周囲の銅箔表面部分を破線で示すように除去する。
【００３０】
前記各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃの凸状高さｈ（μｍ）は、厚さ１８μｍの前記銅箔３Ａ、３Ｂに対して、０μｍを超えて１７μｍ以下の範囲で調整される。言い換えると、前記各銅箔の厚さを１μｍを残す範囲でエッチング深さの量を制御することにより、前記凸状高さｈ（μｍ）が調整される。
【００３１】
そして、図２（ｅ）の工程では、前記各銅箔のエッチング加工によって得られた配線用導電層基材３Ａ１及び３Ｂ１を前記絶縁基板１の上下両面にそれぞれ対面配置する。エッチング加工済みの各配線用導電層基材３Ａ１及び３Ｂ１は、それぞれ凸状層間コンタクト部３ａｃ及び３ｂｃを有していて、各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃは、各ビアホールＶＨ１の横断面形状及び直径と同一またはに各々対応する形状及び寸法とされ、円板形或いは円台形の凸状に形成されている。
【００３２】
次に、図２（ｆ）の工程では、前記絶縁基板１と各配線用導電層基材３Ａ１、３Ｂ１とを位置合わせして重ね合わせ、真空或いは減圧下において加熱プレスすることによって、
各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃの凸状部が各ビアホールＶＨ１にそれぞれ嵌め込まれ、前記各凸状端面が前記導電性ペーストからなる各導電ビア２にそれぞれ押圧接続される。
【００３３】
前記加熱プレス工程において、前記導電性ペーストからなる各導電ビア２は圧縮されて上下の前記各層間コンタクト部３ａｃと３ｂｃとを層間接続すると共に、前記絶縁基板１に含浸された接着剤が熱硬化して、前記絶縁基板１両面に、各配線用導電層基材３Ａ１及び３Ｂ１がそれぞれ接着固定される。
【００３４】
図２（ｇ）工程に示すように、前記各配線用導電層基材３Ａ１及び３Ｂ１に例えばサブトラクティブ法によるエッチングを施してパターニングすることによって回路配線用の導電層３ａ及び３ｂが絶縁基板１の両面にそれぞれ形成された回路配線基板１０を得る。このようにして、各層間コンタクト部３ａｃ、３ｂｃと導電ビア２との接触界面は、前記ビアホールＶＨ１の空間内で、その周辺の絶縁基板１と各回路配線用の導電層３ａ、３ｂとの接触界面に対して、絶縁基板１の厚さ方向に偏位されている。
【００３５】
次に、このような第１実施形態により作製された前記回路配線基板１０に適用した耐熱信頼性試験について説明する。評価パターンとしては１００ビアを直列に接続したデイジーチェーン回路を用い試験前後の抵抗値を測定して抵抗変化率を算出する方法を採用した。そうして、温度条件１５０℃で５００時間の高温放置試験を行った結果、抵抗変化率が許容値である１０％以下であった。ちなみに特許文献２の従来技術によれば、抵抗変化率１０％以下を保てるのは、温度条件１５０℃で１００時間程度であり、かなり短時間のうちに抵抗変化率が大きくなり、実用に供し得ない。
【００３６】
同様にはんだ耐熱試験として３０℃−６０％ＲＨで１９５時間放置後、２６０℃−１０秒の熱処理を３サイクル行った結果においても抵抗変化率が許容値である１０％以下であった。ちなみに特許文献２の従来技術で抵抗変化率１０％以下を保てるのは、はんだ漕浸漬後１０秒程度であり、極めて短時間で抵抗変化率が大きくなる。
【００３７】
更に、前記はんだ耐熱試験を前処理として耐熱衝撃試験（低温条件；−２５℃の温度で９分間、高温条件；＋１２５℃の温度で９分間）を低温−高温サイクル３０００サイクルに亘って行い、図３に示すような結果を得た。図３には、１８μｍの厚さｔを有する前記導電層（銅箔）に対して種々の凸状部高さｈ（μｍ）を有する複数種の配線基板を対象として、凸状高さｈ（μｍ）毎の低温−高温サイクル数と抵抗値変化率（％）との関係が表されている。
【００３８】
即ち、凸状高さｈ＝０（凸状部なし）では、１０００サイクル未満において、急激な抵抗値上昇を起こし、その後、断線不良となった。この試験後、断線不良の配線基板のビアホール部分の断面を観察したところ、図４（ａ）に示されているように、絶縁基板Ａ上の配線用導電層（銅箔）Ｂと導電性ペーストＤとの界面にペースト剥離による空間Ｅがみられた。凸状高さｈ≧１．０μｍでは抵抗値上昇が著しく抑制され、低温−高温サイクルが１０００サイクル程度でも抵抗値変化率が許容範囲である２０％以下に維持されている。凸状高さｈ＝２．０μｍでは２０００サイクル程度でも抵抗値変化率が２０％以下に維持され、凸状高さｈ＝３．０μｍでは３０００サイクルを超えてもなお抵抗値変化率が２０％以下に維持された。
【００３９】
凸状高さｈを前記導電層（銅箔）の厚さ１８μｍに近づかせ、前記凸状高さｈが１３μｍを超えて、凸状部の周辺の導電層（銅箔）厚さが５μｍ以下になると、真空下で加熱プレスしたときに前記導電層（銅箔）が破損して断線不良を起こすこともあった。その破損は、例えば図４（ｂ）に示されているように、絶縁基板Ａ上の配線用導電層（銅箔）Ｂの層間コンタクト部ＢＣの主に凸状根元近傍に裂け目ＣＲとして生じることがある。
【００４０】
以上の説明から分かるように、前記凸状部の凸状高さｈは、導電層の厚さｔとの関係において０μｍ＜ｈ≦（ｔ−５）μｍの関係を保つ範囲で調整されることが好ましい。
【００４１】
また、図５は前記凸状部高さｈ（μｍ）に対する抵抗値変化率％を表すグラフであり、抵抗値変化率％の許容範囲を２０％以下にて得ようとする場合は、前記ｈは１．０μｍ以上でｔ−５μｍ以下の範囲であることが好ましいことが分かる。このように、より低い抵抗値変化率％を得ようとする場合は、前記凸状部の形成に当たって、１．０μｍ≦ｈ≦（ｔ−５）μｍの範囲で高さｈを調整すると本発明の効果がより一層確実に発揮される。
【００４２】
次に、本発明に係わる回路配線基板の第２乃至第６実施形態について順次説明する。
【００４３】
ここで、各実施形態に係わる各図において同一或いは同様な部分については同一の符号を付し、その部分の詳細な説明を省略する。
【００４４】
（第２実施形態）：
第２実施形態の回路配線基板は、図６に示すように、前記第１実施形態の回路配線基板１０の下面に、前記絶縁基板１と同様な材料からなる絶縁基板１１が配置されたものであり、導電ビアを備えない配線基板材と導電ビアを備えた配線基板材とを積層して形成された積層型の回路配線基板である。
【００４５】
ここで、このような積層形の回路配線基板の組立手段の一例について説明する。例えば、上側の絶縁基板１に導電ビア２が設けられた回路配線基板材（前記回路配線基板１０に相当する）は、上面側の導電層３ａを有するが下面側の導電層３ｂを有しない形態で用意される。一方、導電ビアを備えない配線基板材は、前記導電層３ｂを前記絶縁基板１１の上面に予め一体化形成した形態で用意される。そして、前記絶縁基板１１に一体化された前記導電層３ｂの凸状の各層間コンタクト部３ｂｃは、各ビアホールＶＨ１に位置合わせし、加熱プレスすることによって、前記各導電ビア２下端に押圧接続されると共に、各絶縁基板１及び１１は相互に接着固定され、積層型の回路配線基板が得られる。
【００４６】
なお、前記第１実施形態の回路配線基板１０は、それ自体が完成品とされる場合には回路配線基板と称されるが、他の配線基板材と積層される場合には一部品扱いとなるので、回路配線基板材と称してもよい。
【００４７】
（第３実施形態）：
第３実施形態の積層形の回路配線基板は、図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、導電ビアを備えない第１配線基板材２０、導電ビアを備えた第２及び第３配線基板材３０及び４０をこの順序で上方に積層した積層形の回路配線基板である。前記第１配線基板材２０は、第１絶縁基板２１の上表面にパターニング形成された配線用の第１導電層２２を有し、前記第１導電層２２には、複数の凸状層間コンタクト部２３が形成されている。
【００４８】
第２配線基板材３０は、前記各凸状層間コンタクト部２３に対応してビアホールＶＨ１が形成された第２絶縁基板３１、前記各ビヤホールに充填された導電性ペーストからなっていて前記第１導電層２２の各層間コンタクト部２３に押圧接続された複数の導電ビア３２、及び前記第２絶縁基板３１の上面にパターニング形成された配線用の第２導電層３３を有する。
【００４９】
前記第２導電層３３には、前記各ビアホールＶＨ１に対応する複数の凸状層間コンタクト部３４が形成されている。そして、前記凸状層間コンタクト部３４は、上下両方向に突出する両面凸状部を有する形状であり、下向きの凸状部端面が前記ビアホールＶＨ１の上端に嵌め合わされるように挿入され、前記導電ビア３２の上端に押圧接続されている。
【００５０】
第３配線基板材４０は、前記第２導電層３３の各層間コンタクト部３４に対応してビアホールＶＨ２が形成された第３絶縁基板４１、前記各ビヤホールに充填された導電性ペーストからなっていて前記第２導電層３３の各層間コンタクト部３４に押圧接続された複数の導電ビア４２、及び前記第３絶縁基板４１の上面にパターニング形成された配線用の第３導電層４３を有する。
【００５１】
前記第３導電層４３には、前記各ビアホールＶＨ２に対応する複数の凸状層間コンタクト部４４が形成されている。そして、前記層間コンタクト部４４の凸状部下端面が前記ビアホールＶＨ２の上端に嵌め合わされるように挿入され、前記導電ビア３２の上端に押圧接続されている。
【００５２】
前記各絶縁基板２１、３１及び４１は、いずれも前記第１実施形態において用いた絶縁基板１と同様なプリプレグを使用することができ、前記第１及び第３導電層２２及び４３の出発材料としては、前記第１実施形態における導電層３ａ、３ｂと同様の銅箔を用いてもよい。しかし、中間層となる前記第２導電層３３は、層間コンタクト部３４が両面凸状部を有するように両面から前述のようなエッチング加工することになるので、前記第１、第３導電層２２、４３に対して厚さが大凡２倍（例えば３０μｍオーダー）の銅箔を出発材料として用いるとよい。
【００５３】
前記積層形の回路配線基板は、図７（ｂ）に示すように、第１配線基板材２０を第１絶縁基板２１及び第１導電層２２を有するユニット、第２配線基板材３０を第２絶縁基板３１、第２導電層３３及び導電ビア３２を有するユニット、第３配線基板材４０を第３絶縁基板４１、第３導電層４３及び導電ビア４４を有するユニットとして用意し、これらを一括積層加熱プレスすることによって形成することができる。また、前記各ユニット形態は適宜組み合わせ変更できる。例えば、前記第２配線基板材３０は、前記第２導電層３３を除外して第２絶縁基板３１及び導電ビア３２だけを有するユニットとし、その代わりに、前記第２導電層３３を第３配線基板材４０の下面に組み込などの様々なユニット形態の変更が可能である。
【００５４】
前記第２及び第３実施形態のいずれにおいても、前記凸状高さｈに相当する接触界面の偏位があるために、層間接触界面部分は、前述の耐熱衝撃試験における低温−高温サイクルによる剪断応力の集中が避けられ、熱サイクル耐性及び接続信頼性が向上する。このような効果は、配線基板材の積層数が増すほどに大きな効果として発揮される。また、凸状層間コンタクト部の厚さが厚いことにより、層間接続のシリーズ抵抗を低減することもできる。
【００５５】
（第４実施形態）：
第４実施形態の回路配線基板について図８を参照して説明すると、絶縁基板５１の上面に配置された一方の配線用導電層５２の層間コンタクト部５２ａは、ＶＨから遠ざかる方向に窪んだ凹状部分を有し、絶縁基板５１下面に配置された他方の配線用導電層５３の層間コンタクト部５３ａは、ＶＨの下端に突入する凸状部分を有している。そして、導電性ペーストからなる導電ビア５４の上端部及び下端部は、上側の層間コンタクト部５２ａの凹状部分内面及び下側の層間コンタクト部５３ａの凸状部分端面にそれぞれ押圧接続されている。また、前記上側の層間コンタクト部５２ａを凸状とし、下側の層間コンタクト部５３ａを凹状とした組み合わせであってもよい。
【００５６】
この実施形態によれば、前記導電ビア５４の両端面と各層間コンタクト部５２ａ及び５３ａとの各接触界面は、絶縁基板５１の両面と各導電層５２及び５３との各接触界面から偏位していると共に、凹状部分を有する層間コンタクト部５２ａと導電ビア５４との接触面積が広くなっている。従って、耐熱衝撃試験の低温−高温サイクルによる剪断応力の集中が避けられ、層間接触界面部分の熱サイクル耐性及び接続信頼性が向上すると共に、接触抵抗や層間接続のシリーズ抵抗の低減を図ることができる。
【００５７】
（第５実施形態）：
第５実施形態の回路配線基板は、図９に示すように、ビアホールＶＨを有する絶縁基板６１上に設けられた配線用導電層６２の凸状層間コンタクト部６２ａは、ビアホールＶＨ内径とほぼ同等の外径を有する先端部６２ａ１、及びビアホールＶＨ内径より大きい外径を有する根元部６２ａ２を備えた階段状に形成されている。前記根元部分６２ａ２は絶縁基板６１のビアホールＶＨの周辺部分に食い込ませるように圧入接着されているので、絶縁基板６１との接着強度が増し、導電層６２の本体部分の厚さをビアホールＶＨ周辺において厚くしているので、耐熱衝撃試験の低温−高温サイクルを受けても図４（ｂ）中に示された裂け目ＣＲのような破損の問題は避け易いという利点がある。
【００５８】
（第６実施形態）：
第６実施形態の回路配線基板は、図１０に示すように、ビアホールＶＨを有する絶縁基板７１上に設けられた配線用導電層７２の凸状層間コンタクト部７２ａの先端面に粗面７２ｂを設けたことが特徴である。前記粗面７２ｂが、前記各実施形態の回路配線基板の配線用導電層の層間コンタクト部に適用されれば、本発明のいずれの実施形態においても、層間コンタクト部の導電ビアに対する接触面積を更に大きくでき、前記導電層と導電ビアとの密着性を高め、これら相互の接続抵抗が更に低減される。前記粗面化は例えば適切な粒径の砥粒を衝突させて行うサンドブラスト法によって行うことができる。
【００５９】
ところで、本発明の回路配線基板及び回路配線基板材は、前記第１〜第６実施形態に係わるいずれの場合においても、プリプレグ以外にもガラスエポキシ樹脂などを絶縁基板として用いたリジッド配線基板（ＲＰＣ）、及びポリイミド樹脂や液晶ポリマーなどを絶縁基板として用いたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）のいずれにも適用できる。
【００６０】
前述のビアホール形成は、絶縁基板材料の種類に応じて、ＮＣドリルの代わりに、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、ＣＯ２レーザ及びエキシマレーザを選択して使用することができる。導電層の層間コンタクト部の凸状加工手段としては、プラズマエッチング法や機械的切削技術を適用してもよい。
【００６１】
なお、積層される複数の回路配線基板材相互の接着手段には、前述のように絶縁基板自身に接着機能を持たせる以外に、各絶縁基板に予め貼着させた接着樹脂フィルム或いは塗布形成された接着材による接着を適用してもよい。複数の回路配線基板材の積層一体化は、各基板を位置合わせして重ね合わせた後、一括加熱プレスして行う一括積層方式の他に各配線基板材を１枚ずつ同様な手法で多層化していく逐次積層方式によって行うことも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路配線基板を説明するための図であり、（ａ）はその回路配線基板を示す断面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に回路配線基板の製造方法を説明するための図であり、（ａ）〜（ｈ）は製造工程別断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る回路配線基板の耐熱衝撃試験結果を示すグラフでである。
【図４】本発明の第１実施形態に係る回路配線基板の配線用導電層の厚さｔと凸状部高さｈとの関係における層間接続状態を説明するための要部断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る回路配線基板の配線用導電層の厚さｔと凸状部高さｈとの関係における抵抗値変化率を示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る回路配線基板を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る回路配線基板を説明するための図であり、（ａ）はその回路配線基板を示す断面図、（ｂ）は回路配線基板の組立て前の分解断面図である。
【図８】本発明の第４実施形態に係る回路配線基板の要部断面図である。
【図９】本発明の第５実施形態に係る回路配線基板の要部断面図である。
【図１０】本発明の第６実施形態に係る回路配線基板の要部断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１、１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、Ａ    絶縁基板
２、３２、４２、５４、Ｄ    導電ビア（導電性ペースト）
３ａ、３ｂ、２２、３３、４３、５２、６２、７２、Ｂ    配線用導電層
３ａｃ、３ｂｃ、２３、３４、４４、５３ａ、６２ａ、７２ａ    層間コンタクト部
１０    回路配線基板（材）
２０、３０、４０    回路配線基板材
ＶＨ、ＶＨ１、ＶＨ２    ビアホール
【図１】
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【図２】
2009038113.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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