(57)【要約】【課題】  微動ステージを鉛直方向に高精度で位置決めできる露光装置を提供する。【解決手段】  本発明は、原版に形成されたパターンを基板に転写する露光装置である。露光装置は、粗動ステージ２と、微動ステージ１と、計測光を反射する第１反射面６６を有する第１部材７ａ，７ｂと、参照光を反射する第２反射面を有する第２部材８ａ，８ｂと、干渉計９ａ，９ｂと、を備える。粗動ステージ２は水平面上の少なくとも一軸方向に移動可能であり、微動ステージ１は粗動ステージ２の上に支持され、基板を保持する。第１部材７ａ，７ｂは微動ステージ１に取り付けられ、第２部材８ａ，８ｂは基準構造体４に取り付けられる。干渉計９ａ，９ｂは、計測光及び参照光を出射し、第１反射面６６で反射された計測光と第２反射面で反射された参照光とを用いて微動ステージ１の鉛直方向の位置を計測する。第１反射面６６と微動ステージ１の上面及び下面の一方とが面一であるように、第１部材７ａ，７ｂが微動ステージ１の一方の面に取り付けられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版に形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、
水平面上の少なくとも一軸方向に移動可能な粗動ステージと、
前記粗動ステージの上に支持され、基板を保持する微動ステージと、
前記微動ステージに取り付けられ、計測光を反射する第１反射面を有する第１部材と、
基準構造体に取り付けられ、参照光を反射する第２反射面を有する第２部材と、
前記計測光及び前記参照光を出射し、前記第１反射面で反射された計測光と前記第２反射面で反射された参照光とを用いて前記微動ステージの鉛直方向の位置を計測する干渉計と、を備え、
前記第１反射面と前記微動ステージの上面及び下面の一方とが面一であるように、前記第１部材が前記微動ステージの前記一方の面に取り付けられていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１部材の下面が前記第１反射面であり、前記第１部材が前記微動ステージの上面に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１部材は平面バーミラーであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１部材は、前記参照光を透過又は通過させる窓をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記干渉計は、前記計測光の光路を中心として対称となるように一対の参照光を出射し、前記一対の参照光と前記計測光とに基づいて前記微動ステージの鉛直方向の位置を計測することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１部材は、前記微動ステージの前記第１部材が取り付けられる面の１辺に沿って延設されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光装置は、前記第１部材を２つ備え、
前記２つの第１部材は、前記微動ステージの前記第１部材が取り付けられる面の互いに対抗する２辺に沿って延設されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置を用いて原版に形成されたパターンを基板に転写する工程と、
前記パターンが転写された基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶等のデバイスを製造する工程で用いられる露光装置において、基板を高精度に位置決めする必要がある。このような露光装置の位置決め機構として、大きな範囲で移動する粗動ステージと、粗動ステージに対して小さな範囲で移動する微動ステージとから構成されるものがある。
【０００３】
特許文献１には、露光装置において、ウエハを搭載した微動ステージのＺ方向（鉛直方向）の位置を計測する方法が開示されている。以下、図１２を用いて特許文献１に記載の露光装置を簡単に説明する。
【０００４】
原版であるレチクル７０及び投影光学系６９を介して、照明系６８からの露光光を基板であるウエハ６３上に照射する。ウエハ６３は、ウエハチャック６２を介してウエハステージ５７上に吸着保持され、ウエハステージ５７は、投影光学系６９の像面と平行なＸＹ平面に沿って定盤５９上で２次元移動可能となっている。即ち、ウエハステージ５７は、定盤５９上でＹ方向に一定速度で移動すると共に、Ｘ方向及びＹ方向にステップ移動する。
【０００５】
さらに、露光装置は、ウエハチャック６２を介してウエハ６３を保持する微動ステージ５０及びＸＹ平面に沿って定盤５９上で２次元移動可能な粗動ステージ５１を備えている。微動ステージ５０は、粗動ステージ５１上にＺ軸方向に変位する３つのアクチュエータ及び該アクチュエータの駆動量をそれぞれ検出するエンコーダを有するＺ駆動装置５２を介して保持されている。３つのアクチュエータは一直線上にならないように分散配置されている。これらのアクチュエータを同一の量だけ駆動することによって微動ステージ５０をＺ軸方向に平行移動し、これらの駆動量を相違させることによって微動ステージ５０をＸＹ平面に対して傾けることができるようになっている。
【０００６】
Ｚ干渉計５３からほぼＹ軸方向に沿って同一の光路上に出射された計測光５４及び参照光５５は、分離素子６４に入射される。この分離素子６４は、詳細な図示は省略するが、ハーフミラー、偏光ビームスプリッタ、反射ミラー等の光学素子を組み合わせて構成されている。分離素子６４は、入射された計測光５４と参照光５５とを分離するとともに、計測光５４を２本の光線に分割し、参照光５５を中心としてその上下に対称となるように、一対の計測光５４ａ，５４ｂを出射している。分離素子６４から出射された計測光５４ａ，５４ｂ及び参照光５５は、ウエハステージ５７の粗動ステージ５１に設けられた反射素子としてのミラー５６でそれぞれ互いに離間した位置で直角上方向（＋Ｚ軸方向）に反射される。この反射光は微動ステージ５０の天板端部に設けられたミラー６５に至る。
【０００７】
ミラー６５は、一対の計測光５４ａ，５４ｂを反射するための反射面と参照光５５を通過させるための通孔６５ａとを有している。一対の計測光５４ａ，５４ｂはミラー６５の反射面で−Ｚ軸方向に反射され、進行してきた光路上を逆に進行し、ミラー５６でさらに＋Ｙ軸方向に反射され、分離素子６４に至る。一方、ミラー６５の通孔６５ａを通過した参照光５５は、投影光学系６９に固定されたミラー５８で−Ｚ軸方向に反射されて、進行してきた光路上を逆に進行し、前記通孔６５ａを再度通過し、ミラー５６で＋Ｙ軸方向に反射されて、分離素子６４に至る。分離素子６４に帰還した一対の計測光５４ａ，５４ｂ及び参照光５５は、分離素子６４による分離機能の逆の作用により結合されて、同一の光路上を進行してＺ干渉計５３に帰還する。Ｚ干渉計５３に帰還した一対の計測光５４ａ、５４ｂと参照光５５を干渉させることによってＺ位置を計測している。
【特許文献１】特開２００５−０４５０５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１に記載の従来技術では、Ｚ干渉計からの計測光を反射させ、通孔を介して参照光を通過させるためのミラーが微動ステージ天板の側面から張り出すように取り付けられている。その結果、天板上面及び側面の平面度、天板上面と側面との直交度、ミラー取付面及び反射面の平面度、及び、ミラー取付面と反射面との直交度が天板上面のＺ位置計測に影響するため、計測誤差が増加する。
【０００９】
本発明は、微動ステージを鉛直方向に高精度で位置決めできる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、原版に形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、水平面上の少なくとも一軸方向に移動可能な粗動ステージと、粗動ステージの上に支持され、基板を保持する微動ステージと、微動ステージに取り付けられ、計測光を反射する第１反射面を有する第１部材と、基準構造体に取り付けられ、参照光を反射する第２反射面を有する第２部材と、計測光及び参照光を出射し、第１反射面で反射された計測光と第２反射面で反射された参照光とを用いて微動ステージの鉛直方向の位置を計測する干渉計と、を備え、第１反射面と微動ステージの上面及び下面の一方とが面一であるように、第１部材が微動ステージの一方の面に取り付けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、微動ステージを鉛直方向に高精度で位置決めできる露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本発明による露光装置及びデバイス製造方法について説明する。
【００１３】
（露光装置の第１の実施形態）
第１の実施形態に係る露光装置について図１〜図３を参照して説明する。露光装置は、半導体集積回路等の半導体デバイスや、マイクロマシン、薄膜磁気ヘッド等の微細なパターンが形成されたデバイスの製造に利用される。原版であるレチクル３０に形成されたパターン及び投影光学系２０としての投影レンズを介して、照明系４０から出射された露光光を基板であるウエハ１３上に照射する。この照射によって、ステージ装置１５に搭載されたウエハ１３の上に所望のパターンが転写される。パターンを転写する方法としてはステップアンドリピート方式であってもステップアンドスキャン方式であってもよい。
【００１４】
ステージ装置１５は、定盤５に対して水平面上の少なくとも一軸方向に大きな範囲で移動可能な粗動ステージ２と、粗動ステージ２上に支持され粗動ステージ２に対して小さな範囲で移動する微動ステージ１とを有している。微動ステージ１は、ウエハチャック１４を介してパターンに対して高精度に基板（ウエハ）１３を保持する。
【００１５】
この実施形態では、粗動ステージ２は定盤５に対してＸＹ方向で移動可能に支持されている。粗動ステージ２は、定盤５に対して、エアベアリングを用いて浮上させてもよく、磁気吸引力やローレンツ力といった磁力を利用して浮上させてもよく、定盤５に非接触であることが精度の面からも好ましい。本実施形態では、粗動ステージ２の駆動機構として平面モータを用いている。平面モータは、一般に可動子（粗動ステージ２）又は固定子（定盤５）にコイルを設け、コイルに電流を流すことによって駆動力を発生するが、その方式は可変磁気抵抗方式（平面パルスモータ）であっても、ローレンツ力方式であってもよい。これらの機構は、特開平１１−１９０７８６号公報や特開２００４−２５４４８９号公報において開示されているため、詳細な説明は省略する。
【００１６】
微動ステージ１は、例えば電磁継手によって粗動ステージ２とともにＸＹ方向に大ストロークで移動する。粗動ステージ２と微動ステージ１との間には、アクチュエータ３が設けられており、微動ステージ１は粗動ステージ２の移動に対して小さな範囲で移動することができる。アクチュエータとして、リニアモータ、電磁石、エアアクチュエータ、ピエゾ素子等を用いることができ、微動ステージ１は粗動ステージ２に対して非接触であることが精度の面から好ましい。
【００１７】
微動ステージ１の駆動軸については、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ（鉛直）方向、ωｘ方向（Ｘ軸周りの回転方向）、ωｙ方向（Ｙ軸周りの回転方向）、ωｚ方向（Ｚ軸周りの回転方向）の６軸駆動であることが好ましいが、この限りではない。
【００１８】
微動ステージ１の位置を計測する上で基準となる基準構造体４は、本実施形態では投影光学系２０を支持する支持部材である。
【００１９】
次に、本実施形態に係る微動ステージの鉛直方向（Ｚ方向）の位置計測について図２ａ、図２ｂ及び図２ｃを用いて説明する。図２ａは図１の部分拡大図である。支持部材４には、微動ステージ１のＸ位置計測をするためのＸ干渉計１０、Ｙ位置計測をするためのＹ干渉計（不図示）、Ｚ位置計測をするためのＺ干渉計９ａ，９ｂが設けられている。
【００２０】
粗動ステージ２には、反射面とＺ方向のなす角が鋭角（ここでは４５°）であるミラー６ａ，６ｂが設けられている。ミラー６ａ，６ｂはＺ干渉計９ａ，９ｂから照射される計測光及び参照光をＺ方向に反射させる機能を有するものであればよい。
【００２１】
微動ステージ１の上面には、計測光を反射する第１反射面６６を有する第１部材として２つのミラー７ａ，７ｂが備えられている。ミラー７ａ，７ｂの下面に設けられた第１反射面６６が鉛直方向に対して垂直でかつ微動ステージ１の上面と面一であるように、ミラー７ａ，７ｂが微動ステージ１の上面に取り付けられている。ミラー７ａ，７ｂはミラー１１ａ，１１ｂとは別体の平面バーミラーである。また、ミラー７ａ，７ｂは、ミラー６ａ，６ｂにより反射された計測光をさらに反射する第１反射面６６に加え、参照光を透過又は通過させる窓６７を備えている（図２ｂ、図２ｃ）。
【００２２】
基準構造体としての支持部材４には、参照光を反射する第２反射面を有する第２部材としてのミラー８ａ，８ｂが取り付けられている。第２反射面は鉛直方向に対して垂直に設けられている。ミラー８ａ，８ｂは、ミラー６ａ，６ｂにより反射された参照光と、ミラー６ａ，６ｂにより反射されミラー７ａ，７ｂを透過又は通過した参照光をさらに反射する機能を有していればよい。
【００２３】
Ｚ干渉計９ａ、９ｂは、計測光及び参照光を出射し、第１反射面で反射された計測光と、第２反射面で反射された参照光とを用い、それらを干渉させることによって微動ステージ１の鉛直方向における位置の変位を計測する。図２ａ、図２ｂ、図２ｃにおける点線は計測光及び参照光の光路を表す。Ｚ干渉計９ａ、９ｂから出射された計測光Ｌａと、計測光Ｌａの光路を中心として上下に対称となるように出射された一対の参照光Ｌｂ、Ｌｃは、ミラー６ａ、６ｂによってＺ方向に折り曲げられる。計測光Ｌａと参照光Ｌｂ、Ｌｃとがミラー６ａ、６ｂの反射面にあたる位置をそれぞれ異ならせる。そうすることで、計測光Ｌａはミラー７ａ、７ｂの第１反射面６６で、参照光Ｌｂはミラー８ａ、８ｂの第２反射面で−Ｚ方向に反射され、再びミラー６ａ、６ｂで折り曲げられてＺ干渉計９ａ、９ｂに入射する。一方、参照光Ｌｃはミラー７ａ、７ｂの窓（透過部）６７を透過してミラー８ａ、８ｂで−Ｚ方向に反射されて再びミラー７ａ、７ｂの窓６７を透過し、ミラー６ａ、６ｂで折り曲げられてＺ干渉計９ａ、９ｂに入射する。そして、計測光と参照光を干渉させることで微動ステージ１と支持部材４との間のＺ方向変位ｄｚを計測することができる。
【００２４】
計測光と参照光が導光される光路のうち、ｄｚ以外の光路は、計測光と参照光の２つとも略同一の空間を通っており、空気揺らぎの影響がキャンセルされるため、計測誤差の低減を図ることができる。
【００２５】
Ｘ干渉計１０からの計測光はミラー１１ａ（ＹＺ平面）によって反射されてＸ干渉計１０に入射する。Ｘ干渉計１０は計測光と不図示の参照光との差分から微動ステージ１のＸ位置計測をすることができる。ミラー１１ａ，１１ｂはミラー７ａ，７ｂとは別体の平面バーミラーで、微動ステージ１の側面に配置している。
【００２６】
Ｙ位置計測についても、ＸＺ平面を有するミラーを微動ステージ１の側面に設け、Ｙ干渉計（不図示）からの計測光を反射させることで、Ｘ位置計測と同様にすることができる。
【００２７】
また、Ｘ干渉計又はＹ干渉計を複数本設けることにより、微動ステージ１の回転方向（ωｘ、ωｙ、ωｚ方向）の位置を計測することができる。
【００２８】
図３は本実施形態に係る位置決め装置を＋Ｚ方向から見た図である。図のように、一対のミラー６ａ，６ｂ及び一対のミラー７ａ，７ｂがＹ方向に沿って配置されている。これにより、粗動ステージ２の移動に対してＺ干渉計を移動させることなく、Ｚ方向の位置計測を継続して行うことが可能となる。
【００２９】
また、一対のミラー６ａ，６ｂが粗動ステージ２の対辺となる位置に設けられ、一対のミラー７ａ，７ｂが微動ステージ１の上面の互いに対抗する２辺に沿って延設されている。これにより、一方のミラー（例えば６ａ）の上方に投影光学系２０が位置するときでも、他方のミラー（例えば７ａ）を用いて微動ステージ１のＺ位置計測をすることができる。つまり、粗動ステージ２が大きな範囲で移動した場合でも、Ｚ干渉計９ａ及び９ｂの少なくともいずれかが微動ステージ１のＺ位置計測をすることができ、結果として常にＺ位置計測ができる。
【００３０】
上述の構成では、ミラー８ａ，８ｂの第２反射面を支持部材４の下面全域に設ける必要がなく、ミラー８ａ，８ｂはミラー６ａ，６ｂ及びミラー７ａ，７ｂに対して垂直な方向（Ｘ方向）に沿って、投影光学系２０を通る直線上に分割して配置されている。この場合、精度の必要なミラー面積が小さくてすむため、精度の向上又はコストの低減を図ることができる。本実施形態では、第１反射面を有するミラーが２つ備えられているが、微動ステージ１の上面の１辺に沿って第１反射面を有するミラーを１つだけ延設する態様も可能である。
【００３１】
Ｚ干渉計９ａ，９ｂの計測光はミラー８ａ，８ｂの下方でミラー６ａ，６ｂにＸ方向から照射されるように導光されていればよい。
【００３２】
ミラー６ａ，６ｂ及びミラー７ａ，７ｂをＸ方向に沿って配置し、ミラー８ａ，８ｂをＹ方向に沿って配置し、Ｚ干渉計がミラー６ａ，６ｂに対してＹ方向から照射するように配置することも可能である。
【００３３】
本実施形態によると、ミラー７ａ，７ｂの第１反射面と微動ステージ１の上面とが面一であるように構成しているので、ミラー７ａ，７ｂの第１反射面の平面度を高精度にするだけで天板のＺ位置計測の誤差を低減できる。また、計測光Ｌａの光路を中心として、上下に対称となるように一対の参照光Ｌｂ、Ｌｃを照射し、この一対の参照光Ｌｂ、Ｌｃの平均と計測光Ｌａとから位置計測することにより、アッベ誤差を生じることが少なくなる。よって、Ｚ位置計測の誤差をより低減させることができる。
【００３４】
本実施形態において、ステージの位置決め装置は露光装置に適用されているが、例えば工作機器においても適用が可能である。
【００３５】
更に、粗動ステージと微動ステージの組合せが複数設けられている場合においても適用が可能である。
【００３６】
（露光装置の第２の実施形態）
図４、図５を用いて本発明の第２の実施形態に係る露光装置について説明する。図中で第１の実施形態と同様の機能を有する構成要素については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
【００３７】
第１の実施形態では、Ｚ干渉計９ａ、９ｂから計測光Ｌａと計測光Ｌａの光路を中心として、上下に対称となるように一対の参照光Ｌｂ、Ｌｃを照射する構成であった。それに対し、第２の実施形態では図４、図５に示すようにＺ干渉計９ａ、９ｂから計測光Ｌａと参照光Ｌｂを照射する構成である。Ｚ干渉計９ａ、９ｂから照射した計測光Ｌａと参照光Ｌｂは、ミラー６ａ、６ｂによってＺ方向に折り曲げられる。計測光Ｌａと参照光Ｌｂがミラー６ａ、６ｂの反射面にあたる位置をそれぞれ異ならせることで、計測光Ｌａは第１反射面を有する第１部材であるミラー７ａ、７ｂに、参照光Ｌｂは第２反射面を有する第２部材であるミラー８ａ、８ｂに照射する。ミラー７ａ、７ｂ、ミラー８ａ、８ｂに＋Ｚ方向で照射した計測光及び参照光はそれぞれ−Ｚ方向で反射されて再びミラー６ａ、６ｂで折り曲げられてＺ干渉計９ａ、９ｂに入射する。そして、計測光と参照光を干渉させることで、微動ステージ１と支持部材４との間のＺ方向変位ｄｚを計測することができる。
【００３８】
本実施形態によると、第１の実施形態と同様に、Ｚ位置計測するミラー７ａ，７ｂの第１反射面と微動ステージ１の上面とが面一であるように構成している。したがって、ミラー７ａ，７ｂの反射面の平面度を高精度にするだけで微動ステージ１上面のＺ位置計測の誤差を低減できる。
【００３９】
第１の実施形態よりもＺ位置計測誤差は増加するが、参照光が計測光を中心として対称となるように照射する構成ではないので、ミラー７ａ，７ｂの外形を小さくすることができ、軽量な位置決め装置及びこれを備えた露光装置を提供することが可能となる。また、参照光がミラー７ａ，７ｂを透過しない構成としている。そのため、ミラー７ａ，７ｂが光を透過する材料（例えばガラス等）である必要がなく、剛性の高い材料（例えばＳｉＮ等）を使用することができ、高剛性な位置決め装置及びこれを備えた露光装置を提供することが可能となる。
【００４０】
なお、本実施形態において、ステージの位置決め装置は露光装置に適用されているが、例えば工作機器においても適用が可能である。
【００４１】
更に、粗動ステージと微動ステージの組合せが複数設けられている場合においても適用が可能である。
【００４２】
（露光装置の第３の実施形態）
図６、図７を用いて本発明の第３の実施形態に係る露光装置について説明する。図中で第１の実施形態と同様の機能を有する構成要素については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
【００４３】
第１、２の実施形態の説明では、第１反射面を有しＺ位置計測するミラー７ａ，７ｂは、第１反射面が鉛直方向に対して垂直かつ第１反射面と微動ステージ１の上面が面一であるような構成にしていた。しかし、第３の実施形態では、図６、図７に示すようにミラー７ａ，７ｂの第１反射面が鉛直方向に対して垂直かつ微動ステージ１の下面と面一であるように取り付けられる。
【００４４】
本実施形態では、Ｚ位置計測するミラー７ａ，７ｂの第１反射面と微動ステージ１の下面とが面一であるように構成している。したがって、微動ステージ１の上下面の平面度及び平行度、並びに、ミラー７ａ，７ｂの取付面と第１反射面の平面度及び平行度とを高精度にすれば微動ステージ上面のＺ位置計測誤差を低減できる。
【００４５】
第１、２の実施形態よりもＺ位置計測誤差は増加するが、微動ステージ及びミラーの直交度が計測精度に影響しないので、従来例よりもＺ位置計測誤差を低減できる。
【００４６】
また、Ｚ位置計測するミラー７ａ，７ｂを微動ステージ１の下面側に配置することにより、微動ステージ１の上面の無駄な領域（第１、２の実施形態でのミラー７ａ，７ｂを配置する領域）が無くなる。すなわち、微動ステージ１の外形を小さくすることができ、軽量かつ低コストな位置決め装置を備えた露光装置を提供することが可能となる。
【００４７】
なお、本実施形態において、ステージの位置決め装置は露光装置に適用されているが、例えば工作機器においても適用が可能である。
【００４８】
更に、粗動ステージと微動ステージの組合せが複数設けられている場合においても適用が可能である。
【００４９】
（露光装置の第４の実施形態）
次に、図８、図９を用いて本発明の第４の実施形態に係る露光装置について説明する。図中で第１の実施形態と同様の機能を有する構成要素については同一の番号を付して詳細な説明を省略する。
【００５０】
第１〜３の実施形態では、粗動ステージ２は平面モータによって駆動していたが、これに限られるものではなく、さまざまな駆動機構が考えられる。第４の実施形態ではガイドを用いたリニアモータによって粗動ステージ２を駆動させている。リニアモータ固定子１６Ｘ、１６Ｙが定盤５に設けられており、リニアモータ可動子１７Ｘはリニアモータ固定子１６Ｘに対してＸ方向に移動し、リニアモータ可動子１７Ｙはリニアモータ固定子１６Ｙに対してＹ方向に移動する。リニアモータ可動子１７Ｘ、１７Ｙは粗動ステージ２を貫通するように設けられており、リニアモータ可動子１７Ｘ、１７Ｙが移動することで粗動ステージ２はＸＹ方向に大きな範囲で移動することができる。
【００５１】
なお、本実施形態において、ステージの位置決め装置は露光装置に適用されているが、例えば工作機器においても適用が可能である。
【００５２】
（デバイス製造の実施形態）
次に、第１〜４の実施形態における露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいて原版を作製する。
【００５３】
一方、ステップ３（基板製造）ではシリコン等の材料を用いて基板を製造する。ステップ４（基板プロセス）は前工程と呼ばれ、上記の原版と基板を用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用して基板上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製された基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００５４】
図１１は、ステップ４の基板プロセスの詳細なフローチャートである。ステップＳ１１（酸化）では、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１２（ＣＶＤ）では、基板の表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１３（電極形成）では、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１４（イオン打ち込み）では、基板にイオンを打ち込む。ステップＳ１５（レジスト処理）では、基板に感光剤を塗布する。ステップＳ１６（露光）では、露光装置によって原版に作成された回路のパターンを基板に転写する。ステップＳ１７（現像）では、パターンが転写された基板を現像する。ステップＳ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップＳ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって基板上に多重に回路パターンが形成される。
【００５５】
このように、第１〜４の実施形態に記載の位置決め装置を基板ステージとして用いた露光装置によってデバイスを製造することで、安価又は微細なデバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置の概略を示す側面図である。
【図２ａ】図１の部分拡大図である。
【図２ｂ】図２ａを拡大した図である。
【図２ｃ】図２ｂを上から見た図である。
【図３】第１の実施形態に係る露光装置の平面図である。
【図４】第２の実施形態に係る露光装置の概略を示す側面図である。
【図５】図４を拡大した図である。
【図６】第３の実施形態に係る露光装置の概略を示す側面図である。
【図７】図６を拡大した図である。
【図８】第４の実施形態に係る露光装置の概略を示す側面図である。
【図９】第４の実施形態に係る露光装置の概略を示す平面図である。
【図１０】デバイス製造方法を示す図である。
【図１１】図１０における基板プロセスを示す図である。
【図１２】従来の露光装置を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１，５０：微動ステージ、２，５１：粗動ステージ、３，５２：アクチュエータ、４：支持部材（基準構造体）、５，５９：定盤、６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂ，８ａ，８ｂ，１１ａ，１１ｂ，５６，５８，６１，６５：ミラー、９ａ，９ｂ，５３：Ｚ干渉計、１０：Ｘ干渉計、１３、６３：ウエハ（基板）、１４、６２：ウエハチャック、１５、５７：ウエハステージ（基板ステージ）、１６Ｘ，１６Ｙ：リニアモータ固定子、１７Ｘ，１７Ｙ：リニアモータ可動子、２０：投影光学系、３０：レチクル（原版）、４０、６８：照明系、５４，５４ａ，５４ｂ，Ｌａ：計測光、５５，Ｌｂ，Ｌｃ：参照光、６０：Ｙ干渉計、６４：分離素子、６５ａ：通孔、６６：第１反射面、６７：窓、６９：投影光学系、７０：レチクル（原版）
【図１】
2009038258.tif 000003
【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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