(57)【要約】      （修正有）【課題】マザーフラッシュメモリを作成したフラッシュファイルシステムのフラッシュメモリのソケットに、マザーフラッシュメモリをコピーしたフラッシュメモリを差し込んでも、データの論理的な並びは同じでも物理的な並びが変わっているために読み取ることができない現象が生じることを改善する。【解決手段】フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの各ブロックの物理アドレスを論理アドレスに変換するようにしたフラッシュファイルシステム。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの各ブロックの物理アドレスを論理アドレスに変換することを特徴とするフラッシュファイルシステム。
【請求項２】
該物理アドレスを該論理アドレスに変換した結果をフラッシュファイルシステムのメモリに記録して使用する請求項１記載のフラッシュファイルシステム。
【請求項３】
該物理アドレスを該論理アドレスに変換した結果を該フラッシュメモリの先頭ブロックに記録して使用する請求項１記載のフラッシュファイルシステム。
【請求項４】
フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの不良ブロックの番号を該フラッシュファイルシステムのメモリに記録するフラッシュファイルシステム。
【請求項５】
フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの不良ブロックの番号を該フラッシュメモリの先頭番地に記録するフラッシュファイルシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュファイルシステムを使用したＲＯＭライター対応であって、ＲＯＭライターで量産したフラッシュメモリをフラッシュファイルシステムで読み込むときの課題を解決する手法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、音楽や映像、地図や辞書のデータはフラッシュファイルシステムを使用して１つのフラッシュメモリに書き込みマザーメモリとすることは多い。また、それらのフラッシュメモリ（マザーメモリ）に書かれたデータはＲＯＭライターを用いて量産することが常である。またはＲＯＭライターと同様の手段によって、論理的に同一のフラッシュメモリを量産することがある。このように、フラッシュメモリを用いた量産は、マザーとなるフラッシュメモリをコピーして量産しなければならない。
【０００３】
フラッシュファイルシステムのＲＯＭライター対応に関する文献は無いが、フラッシュファイルシステムに関するものは以下のとおりである。
【特許文献１】特開２００７−０１３８０５
【特許文献２】特開２００４−２８８１５０
【特許文献３】特開２００４−０１３８９５
【特許文献４】特開２００１−００６３７４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フラッシュメモリは必ず不良ブロックの存在を考慮する必要があるため、同一のデータをＲＯＭライターにより書き込んでも、ＲＯＭライターは不良ブロックを飛ばしてデータを書き込むため、物理的に同一のフラッシュメモリは量産できない。このように、フラッシュメモリを用いて量産すると、マザーフラッシュメモリと必ずしも物理的に同一のフラッシュメモリができるわけではない。
【０００５】
そのため、マザーフラッシュメモリを作成したフラッシュファイルシステムのフラッシュメモリのソケットに、それらのコピーしたフラッシュメモリを差し込んでも読み取ることができない現象が生じる。データの論理的な並びは同じでも、物理的な並びが変わっているからである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで本願はマザーフラッシュメモリを作成したフラッシュファイルシステムが、マザーフラッシュメモリを作成したフラッシュメモリのソケットにコピーしたフラッシュメモリを差し込み読み取るときに、予め読み取るフラッシュメモリの不良ブロックを読み取り、物理ブロックを論理ブロックに変換する変換表を作り、または不良ブロックのリストを作り、フラッシュファイルシステムのメモリ部や当該フラッシュメモリの先頭番地に書き込んでおき、当該フラッシュメモリを読み込むときには、概論物変換表や不良ブラック表を参照して、常に論理ブロックを読み込むと、正しく読み込むことができる。
【０００７】
即ち、課題を解決するための手段は、フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの各ブロックの物理アドレスを論理アドレスに変換することを特徴とし、該物理アドレスを該論理アドレスに変換した結果をフラッシュファイルシステムのメモリまたはフラッシュメモリの先頭ブロックに記録して使用する。さらには、フラッシュファイルシステムがＲＯＭライターによりコピーされたフラッシュメモリのデータを読み込むとき、予め該フラッシュメモリの不良ブロックの番号を該フラッシュファイルシステムのメモリまたはフラッシュメモリの先頭番地に記録する方法を取る。
【発明の効果】
【０００８】
フラッシュファイルシステムで作成したマザーフラッシュメモリを用いてＲＯＭライターで量産したとき、フラッシュファイルシステムは量産されたフラッシュメモリを読むことができない。本願はこれらの課題を解決したため、フラッシュファイルシステムで作成したマザーフラッシュメモリを自由にＲＯＭライターで量産することが可能となった。
【実施例１】
【０００９】
外部フラッシュメモリの読み書きは図２のようなＣＰＵ１、フラッシュメモリ用ソケット５、主記憶装置６により構成される。主記憶装置６の中にはソフトウェアとしてフラッシュファイルシステム２とＯＳ３が搭載されている。ＣＰＵ１を通して作られた音楽や映像、地図や辞書のデータは一旦、ワーキングＲＡＭ４に蓄えられる。その後、フラッシュファイルシステム２はワーキングＲＡＭ４のデータをバス７を介してフラッシュメモリ用ソケット５に差し込まれたマザーフラッシュメモリ（図示されていない）に書き込まれる。
【００１０】
このようにして作られたマザーフラッシュメモリは、別途用意されたＲＯＭライターを使用し、多くのコピーが量産される。しかし課題にも述べたようにそれらの複製されたフラッシュメモリは、そのままフラッシュメモリ用ソケット５に差し込んでもファラッシュファイルシステム２はワーキングＲＡＭ４へ転送することはできない。それは、複製された全てのフラッシュメモリはマザーフラッシュメモリと物理的には同一ではないからである。
【００１１】
そこで図１に上記の方法で作られたマザーフラッシュメモリの物理ブロック番号と論理ブロック番号の対比を示す。フラッシュメモリには必ず不良ブロックが存在するため、マザーフラッシュメモリの不良ブロックを４と６とすると、図のように（物理ブロック、論理ブロック）は（１，１）（２，２）（３，３）（５，４）（７，５）・・・。となる。次に、コピーされたフラッシュメモリ１は不良ブロックが２，７だとすると図のように（物理ブロック、論理ブロック）は（１，１）（３，２）（４，３）（５，４）（６，５）・・・。となる。また、コピーされたフラッシュメモリ２は不良ブロックが３，５であるので図のように（物理ブロック、論理ブロック）は（１，１）（２，２）（４，３）（６，４）（７，５）・・・。となる。さらに、コピーされたフラッシュメモリ３は不良ブロックが１，４であるので図のように（物理ブロック、論理ブロック）は（２，１）（３，２）（５，３）（６，４）（７，５）・・・。となる。
【００１２】
このようにそれぞれのフラッシュメモリに応じて物理ブロック番号と論理ブロック番号の対比をワーキングＲＡＭ４や各フラッシュメモリのブロック０（先頭ブロック）に書き込んでおけば、フラッシュファイルシステム２はどのようなフラッシュメモリがフラッシュメモリ用ソケット５に差し込まれても、そのデータを読む順序がわかるため、フラッシュファイルシステム２を通して読みこみ、ワーキングＲＡＭ４に書き込むことができる。
【００１３】
また、このように物理ブロックの番号と論理ブロックの番号の対比表を予め作っておかなくても、不良ブロックの番号のみをワーキングＲＡＭ４内に書き込んでおくか、または各々のフラッシュメモリーのブロック番号０（先頭ブロック）に書き込んでおくことにより、そのデータを元に物理ブロックと論理ブロックの対比表をいつでも作ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００１４】
近年、フラッシュメモリの用途は著しく増加している。それに伴い、フラッシュファイルシステムの増加も著しい。さらにフラッシュファイルシステムを使用したアプリケーションも増加する中で、マザーフラッシュメモリのコピーに課題がある。これらの課題を克服したフラッシュファイルシステムのＲＯＭ対応技術は産業上の利用価値が極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】マザーフラッシュメモリと複製されたフラッシュメモリ。
【図２】フラッシュファイルシステムを使用した外部フラッシュメモリの読み書きの構成。
【符号の説明】
【００１６】
１    ＣＰＵ
２    フラッシュファイルシステム
３    ＯＳ
４    ＲＡＭ
５    フラッシュメモリ用ソケット
６    主記憶装置
７    バス
【図１】
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【図２】
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