(57)【要約】【課題】高輝度化を図ることが可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】３つのＬＥＤチップ２と、これらのＬＥＤチップ３を囲うケース１と、を備える半導体発光装置Ａ１であって、ケース１には、それぞれが３つのＬＥＤチップ３を各別に囲うコーン状とされた３つのリフレクタ１１が形成されている。【選択図】  図１
2009141254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体発光素子と、
複数の上記半導体発光素子を囲うケースと、
を備える半導体発光装置であって、
上記ケースには、それぞれが上記複数の半導体発光素子を各別に囲うコーン状とされた複数のリフレクタが形成されていることを特徴とする、半導体発光装置。
【請求項２】
隣り合う２つの上記リフレクタは、その中心間距離がそれぞれの外周端円半径の和よりも小であることにより、それぞれの一部どうしが接している、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記リフレクタには、ワイヤボンディング用のパッドを露出させる切り欠きが形成されている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤなどの半導体発光素子を光源とする半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は、従来の半導体発光装置の一例を示している。同図に示された半導体発光装置Ｘは、ケース９１および３つのＬＥＤチップ９２を有している。３つのＬＥＤチップ９２は、たとえば赤色光、緑色光、青色光を発する。ケース９１は、たとえば白色樹脂製であり、リフレクタ９１ａが形成されている。リフレクタ９１ａは、比較的浅いコーン状の傾斜面であり、３つのＬＥＤチップ９２を囲っている。３つのＬＥＤチップ９２からリフレクタ９１ａへと進行した光は、リフレクタ９１ａによって反射されることにより半導体発光装置Ｘ外に出射される。このように、半導体発光装置Ｘにおいては、高輝度化が図られている。
【０００３】
しかしながら、あるＬＥＤチップ９２から発せられた光の一部は、リフレクタ９１ａ以外の部位、たとえば他のＬＥＤチップ９２に向かって進行する。この光は、ＬＥＤチップ９２によって吸収され、あるいは乱反射される。このような吸収または乱反射が生じることにより、半導体発光装置Ｘの高輝度化が阻害されていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１２８７０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化を図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によって提供される半導体発光装置は、複数の半導体発光素子と、複数の上記半導体発光素子を囲うケースと、を備える半導体発光装置であって、上記ケースには、それぞれが上記複数の半導体発光素子を各別に囲うコーン状とされた複数のリフレクタが形成されていることを特徴としている。
【０００７】
このような構成によれば、上記半導体発光素子から側方に発せられた光は、そのほとんどが上記リフレクタによって反射され、上記半導体発光装置外へと出射される。これにより、ある半導体発光素子からの光が他の半導体発光素子に不当に吸収されたり乱反射されたりすることを抑制可能である。したがって、上記半導体発光装置の高輝度化を図ることができる。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、隣り合う２つの上記リフレクタは、その中心間距離がそれぞれの外周端円半径の和よりも小であることにより、それぞれの一部どうしが接している。このような構成によれば、複数の上記半導体発光素子どうしの距離を縮小することが可能である。これは、上記半導体発光装置の小型化に有利である。また、上記半導体発光素子のすべてを点灯させたときに混色を促進することができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記リフレクタには、ワイヤボンディング用のパッドを露出させる切り欠きが形成されている。
【００１０】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
図１〜図４は、本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、ケース１、複数のリード２、３つのＬＥＤチップ３、および封止樹脂５を備えている。なお、図１〜図３においては、理解の便宜上封止樹脂５を省略している。
【００１３】
ケース１は、たとえば白色樹脂からなり、略矩形状とされている。ケース１には、３つのリフレクタ１１が形成されている。各リフレクタ１１は、比較的浅いコーン状の傾斜面であり、本実施形態においては、開き角が１１０度とされている。３つのリフレクタ１１は、互いの中心が正三角形の頂点に相当する位置に配置されている。また、隣り合う２つのリフレクタ１１の中心間距離は、これらのリフレクタ１１の外周端縁１１ａの半径の和よりも小さい。すなわち、３つのリフレクタ１１は、互いに接する関係となっている。これにより、３つのリフレクタ１１の境界にある稜線１１ｂは、外周端縁１１ａよりも低位に位置している。各リフレクタ１１には、切り欠き１２が形成されている。切り欠き１２は、リフレクタ１１のうち周方向角が４０度程度の領域を取り除いた形状である。
【００１４】
複数のリード２は、たとえばＦｅ−Ｎｉ合金、またはＣｕ合金などの金属からなり、その一部ずつがケース１に覆われている。３つのリード２は、３つのリフレクタ１１の底部から露出した部分をそれぞれ有する。これらの部分は、ダイボンディングパッド２１とされている。他の３つのリード２は、３つの切り欠き１２から露出した部分をそれぞれ有する。これらの部分は、ワイヤボンディングパッド２２とされている。リード２のうちケース１の外方に露出した部分は、実装端子２３とされている。実装端子２３は、半導体発光装置Ａ１をたとえば回路基板に面実装するのに用いられる。
【００１５】
３つのＬＥＤチップ３は、本発明で言う半導体発光素子の一例であり、本実施形態においては、たとえば赤色光、緑色光、青色光を発する。３つのＬＥＤチップ３は、３つのダイボンディングパッド２１に各別にダイボンディングされている。各ＬＥＤチップ３にはワイヤ４の一端が接合されている。ワイヤ４の他端は、切り欠き１２を通してワイヤボンディングパッド２２に接合されている。
【００１６】
図４に示すように、封止樹脂５は、３のリフレクタ１１によって囲われた空間に充填されており、３つのＬＥＤチップ３および３つのワイヤ４を覆っている。封止樹脂５は、透明なたとえばシリコーン樹脂からなり、３つのＬＥＤチップ３からの光を透過させる。
【００１７】
次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。
【００１８】
本実施形態によれば、各ＬＥＤチップ３は、それぞれ各別にリフレクタ１１に囲われている。ＬＥＤチップ３から側方に発せられた光は、そのほとんどがリフレクタ１１によって反射され、半導体発光装置Ａ１外へと出射される。これにより、あるＬＥＤチップ３からの光が他のＬＥＤチップ３に不当に吸収されたり乱反射されたりすることを抑制可能である。したがって、半導体発光装置Ａ１の高輝度化を図ることができる。
【００１９】
３つのリフレクタ１１を互いに接する位置関係とすることにより、３つのＬＥＤチップ３どうしの距離を縮小することが可能である。これは、半導体発光装置Ａ１の小型化に有利である。また、３つのＬＥＤチップ３のすべてを点灯させたときに混色を促進し、鮮明な白色光が得られるという利点がある。
【００２０】
図１、図３、および図４によく表れるように、３つのリフレクタ１１の境界である稜線１１ｂは、外周端縁１１ａよりも低位に位置する。このため、半導体発光装置Ａ１の製造工程において、封止樹脂５を形成するための液体樹脂材料を注入するときに、少なくともいずれかのリフレクタ１１に対して注入を継続すれば、この液体樹脂材料が稜線１１ｂを超えて他のリフレクタ１１に流れ込む。このとき、外周端縁１１ａは稜線１１ｂよりも高位に位置するため、上記液体樹脂材料が外周端縁１１ａから漏れ出すおそれが少ない。したがって、封止樹脂５を容易かつ適切に形成することができる。
【００２１】
切り欠き１２を設けることにより、ＬＥＤチップ３に比較的近い位置にワイヤボンディングパッド２２を配置することが可能である。これにより、ワイヤ４を接合するためのワイヤボンディング作業を行いやすい。また、ワイヤ４をたとえば外周端縁１１ａや両線１１ｂを越えるほどの高さに達するものにする必要がない。これは、半導体発光装置Ａ１の薄型化に有利である。
【００２２】
図５は、本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態を示している。なお、本図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。また、理解の便宜上封止樹脂５を省略している。
【００２３】
本実施形態の半導体発光装置Ａ２は、３つのリフレクタ１１の配置が、上述した実施形態と異なっている。本実施形態においては、３つのリフレクタ１１は、互いに接しない配置とされている。このような実施形態によれば、ＬＥＤチップ３から側方に発せられた光のうちリフレクタ１１によって反射する割合を高めることが可能である。したがって、半導体発光装置Ａ２の高輝度化に有利である。
【００２４】
本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００２５】
ＬＥＤチップ３およびリフレクタ１１の個数は、３に限定されず、２または４以上であってもよい。ＬＥＤチップ３から発せられる光の波長は上述した実施形態に限定されない。たとえば青色光を発するＬＥＤチップ３と蛍光材料を含む封止樹脂５を用いることにより、白色光を発する構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の第１実施形態を示す要部斜視図である。
【図２】図１に示す半導体発光装置を示す要部平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図４】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図５】本発明に係る半導体発光装置の第２実施形態を示す要部平面図である。
【図６】従来の半導体発光装置の一例を示す要部平面図である。
【符号の説明】
【００２７】
Ａ１，Ａ２  半導体発光装置
１      ケース
１１    リフレクタ
１１ａ  外周端縁
１１ｂ  稜線
１２    切り欠き
２      リード
２１    ダイボンディングパッド
２２    ワイヤボンディングパッド
２３    実装端子
３      ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
４      ワイヤ
５      封止樹脂
【図１】
2009141254.tif 000003
【図２】
2009141254.tif 000004
【図３】
2009141254.tif 000005
【図４】
2009141254.tif 000006
【図５】
2009141254.tif 000007
【図６】
2009141254.tif 000008