(57)【要約】【課題】封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部（光結合半導体装置）を形成することができる光結合半導体装置用リードフレームおよび光結合半導体装置製造方法提供する。【解決手段】第１素子用リードフレーム１０の第１素子用フレーム枠部１１および第２素子用リードフレーム２０の第２素子用フレーム枠部２１を重ね合わせたときに第１素子用タイバー１２は、第２素子用フレーム枠部２１が有する溝部２５に嵌め込まれる。第１素子用タイバー１２は樹脂封止部３０側の側面に溝部２５に対向する第１凸部１６を有すし、溝部２５は第１素子用タイバー１２に対向する側面に第１凸部１６と噛み合う凹部２６を有する。【選択図】図４
2009032733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１素子用フレーム枠部と、該第１素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第１素子用タイバーと、該第１素子用タイバーから延伸された第１素子用リード端子の先端に配置され第１光半導体素子チップが搭載される第１素子用ヘッダ部とを有する第１素子用リードフレーム、および、第２素子用フレーム枠部と、該第２素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第２素子用タイバーと、該第２素子用タイバーから延伸された第２素子用リード端子の先端に配置され第２光半導体素子チップが搭載される第２素子用ヘッダ部とを有する第２素子用リードフレームを備え、前記第１素子用フレーム枠部および前記第２素子用フレーム枠部を重ね合わせて前記第１光半導体素子チップおよび前記第２光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成することで光結合半導体装置を形成する光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第２素子用フレーム枠部は、前記第１素子用フレーム枠部および前記第２素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに前記第１素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有し、
前記第１素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記溝部に対向する第１凸部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項２】
請求項１に記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部は、前記第１素子用タイバーに対向する側面に前記第１凸部と噛み合う凹部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第１素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記第２素子用フレーム枠部に沿う第２凸部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第２素子用フレーム枠部は、前記樹脂封止部側の側面に前記第１素子用タイバーに沿う第３凸部を有することを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第１凸部は、第１素子用タイバーの板厚より薄くされた薄板部を有し、前記凹部は、第２素子用フレーム枠部の板厚より薄くされた薄板部を有し、前記第１凸部の前記薄板部および前記凹部の前記薄板部は、互いに逆の面に配置され相互に当接して重ねられるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項６】
請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第１凸部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記凹部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記第１凸部の前記傾斜部および前記凹部の前記傾斜部は、互いに対面するように配置され相互に重ねられるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第１凸部は、第１素子用タイバーの板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記凹部は、第２素子用フレーム枠部の板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記第１凸部の前記段差部および前記凹部の前記段差部は、互いに逆の面に配置され相互に噛み合わされるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項８】
請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部は、前記第２素子用フレーム枠部の板厚の途中に底面となる溝底部を有してあり、前記第１素子用タイバーの前記溝部に嵌め込まれる嵌合薄板部は、前記第１素子用タイバーの板厚より薄くしてあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部および前記第１凸部にわたる領域にプレス加工を施してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第２素子用フレーム枠部は、前記溝部の近傍で貫通孔を備えることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項１０のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記第１素子用フレーム枠部は、前記第１素子用タイバーの近傍で貫通孔を備えることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項１１のいずれか一つに記載の光結合半導体装置用リードフレームであって、
前記溝部に前記第１素子用タイバーを嵌め込んだ状態では、前記樹脂封止部に対応する第１素子用タイバーおよび第２素子用タイバーは面一となるように形成してあることを特徴とする光結合半導体装置用リードフレーム。
【請求項１３】
第１素子用フレーム枠部および該第１素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第１素子用タイバーを備えた第１素子用リードフレームが有する第１素子用ヘッダ部に第１光半導体素子チップを搭載して第１素子用リードフレームを準備する第１リードフレーム準備工程と、第２素子用フレーム枠部および該第２素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第２素子用タイバーを備えた第２素子用リードフレームが有する第２素子用ヘッダ部に第２光半導体素子チップを搭載して第２素子用リードフレームを準備する第２リードフレーム準備工程と、前記第１素子用リードフレームおよび前記第２素子用リードフレームを重ね合わせて前記第２素子用フレーム枠部が有する溝部に前記第１素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、前記第１素子用タイバーを前記溝部に嵌め込んだ状態で前記第１光半導体素子チップおよび前記第２光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成する樹脂封止工程とを備える光結合半導体装置製造方法であって、
前記リードフレーム嵌合工程の後に、前記第１素子用タイバーが前記樹脂封止部側の側面で前記溝部に対向して有する第１凸部と前記溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程を備えることを特徴とする光結合半導体装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子および半導体受光素子を光結合させて樹脂封止することにより形成される光結合半導体装置に適用される光結合半導体装置用リードフレームおよびこのような光結合半導体装置用リードフレームを適用して光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源回路などの高電圧の電子機器では、高い絶縁性を要求されることからフォトカプラ（光結合半導体装置）が適用されることが多い。電子機器の低価格化、高機能化に伴いフォトカプラへの要求も厳しくなり、低価格化、高信頼性が要求されるようになっている。
【０００３】
低価格化、高信頼性を実現するために、トランスファーモールド形式のフォトカプラが提案されている。トランスファーモールド形式のフォトカプラの製造には、トランスファーモールドに適合したリードフレーム（光結合半導体装置用リードフレーム）が提案されている。
【０００４】
図１４ないし図１９に基づいて、従来の光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。
【０００５】
図１４は、従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第１素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。
【０００６】
図１５は、従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第２素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【０００７】
第１素子用リードフレーム１１０および第２素子用リードフレーム１２０は相対的なものであり、例えば第１素子用リードフレーム１１０に半導体受光素子を搭載した場合は第２素子用リードフレーム１２０には半導体発光素子を搭載することになる。また、第１素子用リードフレーム１１０に半導体発光素子を搭載した場合は第２素子用リードフレーム１２０には半導体受光素子を搭載することとなる。
【０００８】
第１素子用リードフレーム１１０は、第１素子用フレーム枠部１１１と、第１素子用フレーム枠部１１１から交差方向に延伸された第１素子用タイバー１１２と、第１素子用タイバー１１２から延伸された第１素子用リード端子１１３の先端に配置され第１光半導体素子チップ（不図示）が搭載される第１素子用ヘッダ部１１４とを有する。
【０００９】
また、第２素子用リードフレーム１２０は、第２素子用フレーム枠部１２１と、第２素子用フレーム枠部１２１から交差方向に延伸された第２素子用タイバー１２２と、第２素子用タイバー１２２から延伸された第２素子用リード端子１２３の先端に配置され第２光半導体素子チップ（不図示）が搭載される第２素子用ヘッダ部１２４とを有する。
【００１０】
第２素子用フレーム枠部１２１は、第１素子用フレーム枠部１１１および第２素子用フレーム枠部１２１を重ね合わせたときに第１素子用タイバー１１２が嵌め込まれる溝部１２５を有する。
【００１１】
また、第１素子用タイバー１１２は、第１素子用フレーム枠部１１１および第２素子用フレーム枠部１２１を重ね合わせたときに溝部１２５に嵌め込まれるように屈曲部１１５を形成してある。つまり、第１素子用タイバー１１２は、第２素子用フレーム枠部１２１の板厚に対応させて屈曲させてある。
【００１２】
図１６は、従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第１素子用リードフレームおよび第２素子用リードフレームを重ね合わせた状態を示す平面図である。
【００１３】
図１７は、従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。
【００１４】
例えば、半導体発光素子を搭載した第１素子用リードフレーム１１０と半導体受光素子を搭載した第２素子用リードフレーム１２０とを重ね合わせる。つまり、第１素子用リードフレーム１１０および第２素子用リードフレーム１２０で光結合半導体装置用リードフレームが構成される。
【００１５】
第１素子用フレーム枠部１１１および第２素子用フレーム枠部１２１を重ね合わせた後、第１素子用ヘッダ部１１４（例えば半導体発光素子）および第２素子用ヘッダ部１２４（例えば半導体受光素子）が光結合状態となるように樹脂封止部１３０を形成する。樹脂封止部１３０を形成する封止樹脂は第１素子用タイバー１１２および第２素子用タイバー１２２で画定される樹脂充填領域Ｒｆａで堰き止められ、樹脂封止部１３０を形成することが可能となる。
【００１６】
樹脂封止部１３０を形成した後、光結合半導体装置用リードフレーム（第１素子用タイバー１１２、第２素子用タイバー１２２）を適宜切断し、樹脂バリ除去により、光結合半導体装置を形成することとなる。
【００１７】
図１８は、従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成するときの樹脂漏れ経路の状態を示す説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【００１８】
図１７に示した樹脂封止部１３０を形成したときの封止樹脂が樹脂充填領域Ｒｆａから漏出する状態を説明する。
【００１９】
第２素子用フレーム枠部１２１の溝部１２５に屈曲された第１素子用タイバー１１２が嵌め込まれることから、樹脂充填領域Ｒｆａから漏出する封止樹脂の樹脂漏れ経路Ｒｒｓは、第２素子用フレーム枠部１２１および第１素子用フレーム枠部１１１が重ね合わされた領域で堰き止められる。
【００２０】
図１９は、従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成したときの樹脂漏れ経路が短い場合の状態を示す説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【００２１】
低価格化を実現するために、光結合半導体装置用リードフレームにおいても単位面積あたりの取り数を増やすために小型化、サイズの縮小化が図られている。例えば、従来の光結合半導体装置用リードフレームの場合、第２素子用フレーム枠部１２１の幅Ｗｆを縮小することが求められ、結果として溝部１２５の長さＬｇが短くなることがある。
【００２２】
溝部１２５の長さＬｇを短くした場合、樹脂充填領域Ｒｆａから漏出した封止樹脂は、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを介して第１素子用リードフレーム１１０（第１素子用フレーム枠部１１１）と第２素子用リードフレーム１２０（第２素子用フレーム枠部１２１）とが重ね合わされた領域へ回り込み、第１素子用タイバー１１２を超えて漏出樹脂領域Ｒｔａを形成する恐れがある。
【００２３】
また、第１素子用タイバー１１２と第２素子用フレーム枠部１２１の溝部１２５との間の間隙Ｇｉを封止樹脂の漏出を防ぐために狭くした場合、樹脂封止部１３０を形成するときに光結合半導体装置用リードフレームに熱を加えることから、光結合半導体装置用リードフレームが熱膨張し、溝部１２５に対する第１素子用タイバー１１２の嵌め込みが正常に実現できない状態となり工程不良を生じる恐れがある。
【００２４】
つまり、理想的には、第１素子用タイバー１１２と溝部１２５の間には十分な余裕間隙があり、かつ封止樹脂が樹脂漏れ経路Ｒｒｓを介して漏出しないことが望ましい。
【００２５】
このような従来の問題を解決する方法としては、重ね合わせの領域を大きくして樹脂漏れ経路Ｒｒｓの距離を長くし、封止樹脂を樹脂漏れ経路Ｒｒｓの途中で止める方法がある。
【００２６】
しかし、第２素子用フレーム枠部１２１の幅Ｗｆを広くとった場合、製品取れ数が減少し、生産性が低下することから、生産効率の面から好ましいことではない。また、第２素子用フレーム枠部１２１の幅Ｗｆを広くすることは、光結合半導体装置用リードフレームの無駄な部分を増やすこととなり、材料費が大きくなるという問題が生じる。
【００２７】
なお、例えば特許文献１には、樹脂漏れ対策を施した光結合半導体装置用リードフレームの形状が開示してあるが、上述した問題までは解決することが困難である。また、光結合半導体装置用リードフレームとして特許文献２、特許文献３などが開示されている。
【特許文献１】特開平６−２３７０１０号公報
【特許文献１】特開平３−１４１６７７号公報
【特許文献１】特開平６−１３２５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、第１素子用フレーム枠部および第２素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに第１素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有する第２素子用フレーム枠部と、樹脂封止部側の側面に溝部に対向する第１凸部を有する第１素子用タイバーとを備えることにより、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部（光結合半導体装置）を形成することができる光結合半導体装置用リードフレーム提供することを目的とする。
【００２９】
また、本発明は、第１素子用リードフレームおよび第２素子用リードフレームを重ね合わせて第２素子用フレーム枠部が有する溝部に第１素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、第１素子用タイバーが樹脂封止部側の側面で溝部に対向して有する第１凸部と溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程とを備えることにより、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路を狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部を形成することが可能な光結合半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームは、第１素子用フレーム枠部と、該第１素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第１素子用タイバーと、該第１素子用タイバーから延伸された第１素子用リード端子の先端に配置され第１光半導体素子チップが搭載される第１素子用ヘッダ部とを有する第１素子用リードフレーム、および、第２素子用フレーム枠部と、該第２素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第２素子用タイバーと、該第２素子用タイバーから延伸された第２素子用リード端子の先端に配置され第２光半導体素子チップが搭載される第２素子用ヘッダ部とを有する第２素子用リードフレームを備え、前記第１素子用フレーム枠部および前記第２素子用フレーム枠部を重ね合わせて前記第１光半導体素子チップおよび前記第２光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成することで光結合半導体装置を形成する光結合半導体装置用リードフレームであって、前記第２素子用フレーム枠部は、前記第１素子用フレーム枠部および前記第２素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに前記第１素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有し、前記第１素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記溝部に対向する第１凸部を有することを特徴とする。
【００３１】
この構成により、第２素子用フレーム枠部の幅を縮小して溝部の樹脂流出経路方向での長さを縮小した場合でも、樹脂漏れ経路を狭小化あるいは長距離化することが可能となり、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部を形成することができる。
【００３２】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部は、前記第１素子用タイバーに対向する側面に前記第１凸部と噛み合う凹部を有することを特徴とする。
【００３３】
この構成により、樹脂漏れ経路を確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。
【００３４】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第１素子用タイバーは、前記樹脂封止部側の側面に前記第２素子用フレーム枠部に沿う第２凸部を有することを特徴とする。
【００３５】
この構成により、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。
【００３６】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第２素子用フレーム枠部は、前記樹脂封止部側の側面に前記第１素子用タイバーに沿う第３凸部を有することを特徴とする。
【００３７】
この構成により、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。
【００３８】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第１凸部は、第１素子用タイバーの板厚より薄くされた薄板部を有し、前記凹部は、第２素子用フレーム枠部の板厚より薄くされた薄板部を有し、前記第１凸部の前記薄板部および前記凹部の前記薄板部は、互いに逆の面に配置され相互に当接して重ねられるように形成してあることを特徴とする。
【００３９】
この構成により、第１凸部の薄板部および凹部の薄板部を当接させることから、樹脂漏れ経路を狭小化あるいは長距離化することが可能となり、樹脂漏れ経路を介する封止樹脂の漏出を確実に遮断することが可能となる。
【００４０】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第１凸部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記凹部の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部を有し、前記第１凸部の前記傾斜部および前記凹部の前記傾斜部は、互いに対面するように配置され相互に重ねられるように形成してあることを特徴とする。
【００４１】
この構成により、第１凸部の傾斜部および凹部の傾斜部を互いに対面させることから、双方の傾斜部を相互に近接させることが可能となり、樹脂漏れ経路を介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。
【００４２】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第１凸部は、第１素子用タイバーの板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記凹部は、第２素子用フレーム枠部の板厚より薄い複数の板厚で構成された段差部を有し、前記第１凸部の前記段差部および前記凹部の前記段差部は、互いに逆の面に配置され相互に噛み合わされるように形成してあることを特徴とする。
【００４３】
この構成により、第１凸部の段差部および凹部の段差部を互いに噛み合わせることから、樹脂漏れ経路を介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。
【００４４】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部は、前記第２素子用フレーム枠部の板厚の途中に底面となる溝底部を有してあり、前記第１素子用タイバーの前記溝部に嵌め込まれる嵌合薄板部は、前記第１素子用タイバーの板厚より薄くしてあることを特徴とする。
【００４５】
この構成により、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化することが可能となる。
【００４６】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部および前記第１凸部にわたる領域にプレス加工を施してあることを特徴とする。
【００４７】
この構成により、第２素子用フレーム枠部（溝部）と第１素子用タイバー（第１凸部）との間の位置合わせ余裕のための空間をプレス加工によって狭小化することが可能となることから、樹脂漏れ経路をさらに確実に狭小化することができる。
【００４８】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第２素子用フレーム枠部は、前記溝部の近傍で貫通孔を備えることを特徴とする。
【００４９】
この構成により、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム（第２素子用リードフレーム）の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。
【００５０】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記第１素子用フレーム枠部は、前記第１素子用タイバーの近傍で貫通孔を備えることを特徴とする。
【００５１】
この構成により、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム（第１素子用リードフレーム）の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。
【００５２】
また、本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームでは、前記溝部に前記第１素子用タイバーを嵌め込んだ状態では、前記樹脂封止部に対応する第１素子用タイバーおよび第２素子用タイバーは面一となるように形成してあることを特徴とする。
【００５３】
この構成により、樹脂漏れ経路での樹脂漏れが少なく、高精度に歩留まり良く樹脂封止部を形成することが可能となる。
【００５４】
また、本発明に係る光結合半導体装置製造方法は、第１素子用フレーム枠部および該第１素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第１素子用タイバーを備えた第１素子用リードフレームが有する第１素子用ヘッダ部に第１光半導体素子チップを搭載して第１素子用リードフレームを準備する第１リードフレーム準備工程と、第２素子用フレーム枠部および該第２素子用フレーム枠部から交差方向に延伸された第２素子用タイバーを備えた第２素子用リードフレームが有する第２素子用ヘッダ部に第２光半導体素子チップを搭載して第２素子用リードフレームを準備する第２リードフレーム準備工程と、前記第１素子用リードフレームおよび前記第２素子用リードフレームを重ね合わせて前記第２素子用フレーム枠部が有する溝部に前記第１素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、前記第１素子用タイバーを前記溝部に嵌め込んだ状態で前記第１光半導体素子チップおよび前記第２光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部を形成する樹脂封止工程とを備える光結合半導体装置製造方法であって、前記リードフレーム嵌合工程の後に、前記第１素子用タイバーが前記樹脂封止部側の側面で前記溝部に対向して有する第１凸部と前記溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程を備えることを特徴とする。
【００５５】
この構成により、リードフレーム嵌合工程の後に、溝部および第１凸部にわたる領域をプレス加工することが可能となることから、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路を狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部を形成することが可能な光結合半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００５６】
本発明に係る光結合半導体装置用リードフレームによれば、第２素子用フレーム枠部は、第１素子用フレーム枠部および第２素子用フレーム枠部を重ね合わせたときに第１素子用タイバーが嵌め込まれる溝部を有し、第１素子用タイバーは、樹脂封止部側の側面に溝部に対向する第１凸部を有することから、第２素子用フレーム枠部の幅を縮小して溝部の樹脂流出経路方向での長さを縮小した場合でも、樹脂漏れ経路を狭小化あるいは長距離化することが可能となり、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部を形成することができるという効果を奏する。
【００５７】
また、本発明に係る光結合半導体装置製造方法によれば、第１素子用リードフレームおよび第２素子用リードフレームを重ね合わせて第２素子用フレーム枠部が有する溝部に第１素子用タイバーを嵌め込むリードフレーム嵌合工程と、第１素子用タイバーが樹脂封止部側の側面で溝部に対向して有する第１凸部と溝部とにわたる領域にプレス加工を施すプレス工程とを備えることにより、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路を狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部を形成することが可能な光結合半導体装置の製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００５９】
＜実施の形態１＞
図１ないし図３に基づいて、本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。
【００６０】
図１は、本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第１素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【００６１】
図２は、本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第２素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。なお、側面図では、第２素子用ヘッダ部は省略してある。
【００６２】
光結合半導体装置を形成する本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームは、第１素子用リードフレーム１０および第２素子用リードフレーム２０を備える。つまり、第１素子用リードフレーム１０および第２素子用リードフレーム２０で光結合半導体装置用リードフレームが構成される。
【００６３】
従来技術について説明したとおり、第１素子用リードフレーム１０および第２素子用リードフレーム２０は相対的なものであり、例えば第１素子用リードフレーム１０に半導体受光素子を搭載した場合は第２素子用リードフレーム２０には半導体発光素子を搭載することになる。また、第１素子用リードフレーム１０に半導体発光素子を搭載した場合は第２素子用リードフレーム２０には半導体受光素子を搭載することとなる。
【００６４】
以下、第１素子用リードフレーム１０に搭載される半導体素子を第１光半導体素子チップとし、第２素子用リードフレーム２０に搭載される半導体素子を第２光半導体素子チップとする。なお、本発明は、光結合半導体装置用リードフレームに関するものであるので、半導体素子についての説明は、省略する。
【００６５】
第１素子用リードフレーム１０は、第１素子用フレーム枠部１１と、第１素子用フレーム枠部１１から交差方向に延伸された第１素子用タイバー１２と、第１素子用タイバー１２から延伸された第１素子用リード端子１３の先端に配置され第１光半導体素子チップ（不図示）が搭載される第１素子用ヘッダ部１４とを有する。
【００６６】
また、第２素子用リードフレーム２０は、第２素子用フレーム枠部２１と、第２素子用フレーム枠部２１から交差方向に延伸された第２素子用タイバー２２と、第２素子用タイバー２２から延伸された第２素子用リード端子２３の先端に配置され第２光半導体素子チップ（不図示）が搭載される第２素子用ヘッダ部２４とを有する。
【００６７】
第２素子用フレーム枠部２１は、第１素子用フレーム枠部１１および第２素子用フレーム枠部２１を重ね合わせたときに第１素子用タイバー１２が嵌め込まれる溝部２５を有する。したがって、溝部２５は、第２素子用フレーム枠部２１の板厚Ｔｆ方向で貫通させて形成してある。
【００６８】
また、第１素子用タイバー１２は、第１素子用フレーム枠部１１および第２素子用フレーム枠部２１を重ね合わせたときに溝部２５に嵌め込まれるように屈曲部１５を形成してある。つまり、第１素子用タイバー１２は、第２素子用フレーム枠部２１の板厚に対応させて屈曲させてある（図１（Ｂ）参照）。
【００６９】
第１素子用リードフレーム１０は、平面状の第１素子用フレーム枠部１１に対して板厚分屈曲された平面状の第１素子用タイバー１２を有する。また、第２素子用リードフレーム２０は、平面状であり、第２素子用フレーム枠部２１に第１素子用フレーム枠部１１が重ねられる。したがって、第２素子用リードフレーム２０は、第１素子用タイバー１２と共に同一の平面を構成する状態となっている。
【００７０】
なお、第１素子用ヘッダ部１４および第２素子用ヘッダ部２４は、第１光半導体素子チップおよび第２光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように適宜屈曲させて形成される。この点については、周知技術のとおりであるので、説明は省略する。
【００７１】
図３は、本発明の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。
【００７２】
例えば、半導体発光素子を搭載した第１素子用リードフレーム１０（第１素子用フレーム枠部１１）と半導体受光素子を搭載した第２素子用リードフレーム２０（第２素子用フレーム枠部２１）とを重ね合わせて、溝部２５に第１素子用タイバー１２を嵌め込む。
【００７３】
溝部２５に第１素子用タイバー１２を嵌め込んだ状態では、樹脂封止部３０に対応する第１素子用タイバー１２および第２素子用タイバー２２は面一となるように形成してある。したがって、樹脂漏れ経路Ｒｒｓ（図４参照）での樹脂漏れが少なく、工程不良を抑制して、高精度に歩留まり良く樹脂封止部３０を形成することが可能となる。
【００７４】
第１素子用フレーム枠部１１および第２素子用フレーム枠部２１を重ね合わせた後、第１素子用ヘッダ部１４（例えば半導体発光素子）および第２素子用ヘッダ部２４（例えば半導体受光素子）が光結合状態となるように周知の封止技術（トランスファーモールド）を適用して樹脂封止部３０を形成する。
【００７５】
樹脂封止部３０を形成する封止樹脂は第１素子用タイバー１２および第２素子用タイバー２２で画定される樹脂充填領域Ｒｆａに堰き止められ、樹脂封止部３０を形成することが可能となる。
【００７６】
樹脂封止部３０を形成した後、光結合半導体装置用リードフレーム（第１素子用タイバー１２、第２素子用タイバー２２）を適宜切断し、樹脂バリ除去により、光結合半導体装置を形成することとなる。
【００７７】
図４は、本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームの要部構成を説明する説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【００７８】
上述したとおり、第２素子用フレーム枠部２１は、第１素子用フレーム枠部１１および第２素子用フレーム枠部２１を重ね合わせたときに第１素子用タイバー１２が嵌め込まれる溝部２５を有する。また、第１素子用タイバー１２は、樹脂封止部３０側の側面に溝部２５に対向する第１凸部１６を有する。
【００７９】
したがって、第２素子用フレーム枠部２１の幅Ｗｆを縮小して溝部２５の樹脂漏れ経路方向での長さＬｇを縮小した場合でも、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを狭小化あるいは長距離化することが可能となり、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、封止樹脂の樹脂漏れを防止して工程不良を低減し歩留まり良く高精度の樹脂封止部３０を形成することができる。
【００８０】
また、溝部２５は、第１素子用タイバー１２に対向する側面に第１凸部１６と噛み合う凹部２６を有する。したがって、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となる。なお、凹部２６を設けない状態で、第１凸部１６を溝部２５に対向させた場合にも同様な作用が得られる。
【００８１】
樹脂漏れ経路Ｒｒｓを長距離化することが可能となることから、第１素子用タイバー１２と溝部２５との間隙Ｇｉを広くした場合でも、樹脂漏れ経路Ｒｒｓでの封止樹脂の漏出に対する抵抗は大きいことから、樹脂漏れを抑制、防止することが可能となる。
【００８２】
光結合半導体装置用リードフレーム（第１素子用リードフレーム１０、第２素子用リードフレーム２０）としては、銅材料や、鉄材料が用いられるが、熱膨張が比較的大きい材質を用いた場合でも大きな効果を奏する。
【００８３】
本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームによれば、従来に比較して、生産効率を維持しつつ、樹脂漏れなどの工程不良を抑制、低減して生産性を向上させることが可能となる。
【００８４】
＜実施の形態２＞
図５および図６に基づいて、本発明の実施の形態２に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、第１素子用タイバー１２、または、第２素子用フレーム枠部２１に対して凸部を補助的に追加した実施の形態１に対する変形例である。
【００８５】
本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。
【００８６】
図５は、本発明の実施の形態２に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例１）の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。
【００８７】
本実施の形態に係る第１素子用リードフレーム１０が備える第１素子用タイバー１２は、樹脂封止部３０側の側面に第２素子用フレーム枠部２１に沿う第２凸部１７を有する。したがって、樹脂漏れ経路Ｒｒｓをさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となり、実施の形態１に比較してさらに優れた作用効果を得られる。
【００８８】
図６は、本発明の実施の形態２に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例２）の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。
【００８９】
図６に示した光結合半導体装置用リードフレームは、図５に示した光結合半導体装置用リードフレームと同様、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを狭小化あるいは長距離化するものである。
【００９０】
本実施の形態に係る第２素子用リードフレーム２０が備える第２素子用フレーム枠部２１は、樹脂封止部３０側の側面に第１素子用タイバー１２に沿う第３凸部２７を有する。したがって、樹脂漏れ経路Ｒｒｓをさらに確実に狭小化あるいは長距離化することが可能となり、実施の形態１に比較してさらに優れた作用効果を得られる。
【００９１】
＜実施の形態３＞
図７ないし図９に基づいて、本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、第１素子用タイバー１２、または、第２素子用フレーム枠部２１に対して板厚方向での形状変更を加えた実施の形態１に対する変形例である。
【００９２】
本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態１、実施の形態２に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。
【００９３】
図７は、本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例３）の要部構成を説明する説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面を示す端面図である。
【００９４】
本実施の形態に係る第１素子用リードフレーム１０が有する第１凸部１６は、第１素子用タイバー１２の板厚Ｔｔより薄くされた薄板部１６ｈを有する。また、本実施の形態に係る第２素子用リードフレーム２０が有する凹部２６は、第２素子用フレーム枠部２１の板厚Ｔｆより薄くされた薄板部２６ｈを有する。
【００９５】
さらに、第１凸部１６の薄板部１６ｈおよび凹部２６の薄板部２６ｈは、互いに逆の面に配置され相互に当接して重ねられるように形成してある。
【００９６】
つまり、第１凸部１６の薄板部１６ｈおよび凹部２６の薄板部２６ｈを当接させることから、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを狭小化あるいは長距離化することが可能となり、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。
【００９７】
図８は、本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例４）の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例３と同様に構成することができるので図示を省略する。
【００９８】
本実施の形態に係る第１素子用リードフレーム１０が有する第１凸部１６の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部１６ｓｐを有する。また、本実施の形態に係る第２素子用リードフレーム２０が有する凹部２６の側面は、一方の面から他方の面にかけて傾斜させた傾斜部２６ｓｐを有する。
【００９９】
さらに、第１凸部１６の傾斜部１６ｓｐおよび凹部２６の傾斜部２６ｓｐは、互いに対面するように配置され相互に重ねられるように形成してある。
【０１００】
つまり、第１凸部１６の傾斜部１６ｓｐおよび凹部２６の傾斜部２６ｓｐを互いに対面させることから、傾斜部１６ｓｐ、２６ｓｐを相互に近接させることが可能となり、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。
【０１０１】
図９は、本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例５）の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例３と同様に構成することができるので図示を省略する。
【０１０２】
本実施の形態に係る第１素子用リードフレーム１０が有する第１凸部１６は、第１素子用タイバー１２の板厚Ｔｔより薄い複数の板厚（Ｔｔ１＜Ｔｔ２＜Ｔｔ）で構成された段差部１６ｓｔを有する。また、本実施の形態に係る第２素子用リードフレーム２０が有する凹部２６は、第２素子用フレーム枠部２１の板厚Ｔｆより薄い複数の板厚（Ｔｆ１＜Ｔｆ２＜Ｔｆ）で構成された段差部２６ｓｔを有する。
【０１０３】
さらに、第１凸部１６の段差部１６ｓｔおよび凹部２６の段差部２６ｓｔは、互いに逆の面に配置され相互に噛み合わされるように形成してある。
【０１０４】
つまり、板厚Ｔｔ１に対して板厚Ｔｆ２を、板厚Ｔｔ２に対して板厚Ｔｆ１を対向させることにより、第１凸部１６の段差部１６ｓｔおよび凹部２６の段差部２６ｓｔを互いに噛み合わせることから、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを介する封止樹脂の漏出を確実に抑制、防止することが可能となる。
【０１０５】
＜実施の形態４＞
図１０に基づいて、本発明の実施の形態４に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、第１素子用タイバー１２と第２素子用フレーム枠部２１の溝部２５とを相互に嵌め込む場合の板厚方向での形状変更を加えたものであり、実施の形態１に対する変形例である。
【０１０６】
本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。
【０１０７】
図１０は、本発明の実施の形態４に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例６）の要部構成を説明する説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面を示す端面図である。
【０１０８】
本実施の形態に係る第１素子用リードフレーム１０および第２素子用リードフレーム２０の平面形状は、実施の形態２の変形例１（図５）と同様としてある。変形例１に対して、本実施の形態（変形例６）では、溝部２５を第２素子用フレーム枠部２１の板厚Ｔｆの途中に底面となる溝底部２５ｂをもたせた構成としてある。溝底部２５ｂは、第２素子用フレーム枠部２１を例えばハーフエッチすることにより形成することが可能である。
【０１０９】
つまり、溝部２５は、第２素子用フレーム枠部２１の板厚Ｔｆの途中に溝底部２５ｂを有してあり、第１素子用タイバー１２の溝部２５に嵌め込まれる嵌合薄板部１２ｈは、第１素子用タイバー１２の板厚Ｔｔより薄くしてある。なお、嵌合薄板部１２ｈは、溝底部２５ｂに当接した状態で、第１素子用タイバー１２と面一となるようにしてある。
【０１１０】
したがって、変形例１に比較して樹脂漏れ経路Ｒｒｓをさらに確実に狭小化することが可能となる。
【０１１１】
＜実施の形態５＞
図１１に基づいて、本発明の実施の形態５に係る光結合半導体装置用リードフレームおよびこのような光結合半導体装置用リードフレームを適用した光結合半導体装置を製造する光結合半導体装置製造方法について説明する。
【０１１２】
本実施の形態は、実施の形態１（図４）で示した光結合半導体装置用リードフレームに対してプレス加工を加えた変形例である。
【０１１３】
本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態４に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。
【０１１４】
上述したとおり、本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームは、実施の形態１と同様な平面形状としてある。しかし、これに限らず、他の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームに対しても同様に適用することが可能である。
【０１１５】
図１１は、本発明の実施の形態５に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例７）の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。
【０１１６】
本実施の形態では、溝部２５および第１凸部１６にわたる領域（プレス加工領域Ｐｓ）にプレス加工を施してある。
【０１１７】
したがって、第２素子用フレーム枠部２１（溝部２５）と第１素子用タイバー１２（第１凸部１６）との間の位置合わせ余裕のための空間をプレス加工によって狭小化することが可能となることから、樹脂漏れ経路Ｒｒｓをさらに確実に狭小化することができる。
【０１１８】
また、上述したとおり、本実施の形態として本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームを適用した光結合半導体装置製造方法を併せて説明する。本実施の形態に係る光結合半導体装置製造方法は、他の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームを適用した場合にもプレス加工を施すプレス工程を除いて同様に適用することが可能である。
【０１１９】
本実施の形態に係る光結合半導体装置製造方法は、第１リードフレーム準備工程と、第２リードフレーム準備工程と、リードフレーム嵌合工程と、プレス工程と、樹脂封止工程とを備える。
【０１２０】
第１リードフレーム準備工程では、第１素子用フレーム枠部１１および第１素子用フレーム枠部１１から交差方向に延伸された第１素子用タイバー１２を備えた第１素子用リードフレーム１０が有する第１素子用ヘッダ部１４に第１光半導体素子チップ（不図示）を搭載して第１素子用リードフレーム１０を準備する。
【０１２１】
第２リードフレーム準備工程では、第２素子用フレーム枠部２１および第２素子用フレーム枠部２１から交差方向に延伸された第２素子用タイバー２２を備えた第２素子用リードフレーム２０が有する第２素子用ヘッダ部に第２光半導体素子チップ（不図示）を搭載して第２素子用リードフレーム２０を準備する。
【０１２２】
リードフレーム嵌合工程では、第１素子用リードフレーム１０および第２素子用リードフレーム２０を重ね合わせて第２素子用フレーム枠部２１が有する溝部２５に第１素子用タイバー１２を嵌め込む。
【０１２３】
リードフレーム嵌合工程（第１素子用リードフレーム１０および第２素子用リードフレーム２０を重ね合わせた状態）の後にプレス加工を施す。
【０１２４】
プレス工程では、第１素子用タイバー１２が樹脂封止部３０側の側面で溝部２５に対向して有する第１凸部１６と溝部２５とにわたる領域（プレス加工領域Ｐｓ）にプレス加工を施す。
【０１２５】
プレス工程の後、周知のトランスファーモールド技術を適用した樹脂封止工程によって樹脂封止部３０を形成する。
【０１２６】
樹脂封止工程では、第１素子用タイバー１２を溝部２５に嵌め込んだ状態で第１光半導体素子チップおよび第２光半導体素子チップが光結合可能な状態となるように樹脂封止部３０を形成する。
【０１２７】
本実施の形態に係る光結合半導体装置の製造方法では、リードフレーム嵌合工程の後に、溝部２５および第１凸部１６にわたる領域（プレス加工領域Ｐｓ）をプレス加工することから、光結合半導体装置用リードフレームを小型化した場合であっても、樹脂漏れ経路Ｒｒｓを狭小化して樹脂封止工程での封止樹脂の漏出を防止し、工程不良を低減して高精度の樹脂封止部３０を形成することが可能となる。
【０１２８】
＜実施の形態６＞
図１２、図１３に基づいて、本発明の実施の形態６に係る光結合半導体装置用リードフレームについて説明する。本実施の形態は、実施の形態１ないし実施の形態５で示した光結合半導体装置用リードフレームに対して適用可能な変形例である。
【０１２９】
本実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームの基本構成は、実施の形態１ないし実施の形態５に係る光結合半導体装置用リードフレームと同様であるので、同一符号を適用して適宜説明を省略し、主に異なる事項に対して説明する。
【０１３０】
図１２は、本発明の実施の形態６に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例８）を構成する第２素子用リードフレームを示す平面図である。
【０１３１】
本実施の形態に係る第２素子用リードフレーム２０では、第２素子用フレーム枠部２１は、溝部２５の近傍で貫通孔２８を備える。
【０１３２】
したがって、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム（第２素子用リードフレーム２０）の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。
【０１３３】
図１３は、本発明の実施の形態６に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例９）を構成する第１素子用リードフレームを示す平面図である。
【０１３４】
本実施の形態に係る第１素子用リードフレーム１０では、第１素子用フレーム枠部１１は、第１素子用タイバー１２の近傍で貫通孔１８を備えることを特徴とする。
【０１３５】
したがって、樹脂封止のときの光結合半導体装置用リードフレーム（第１素子用リードフレーム１０）の熱膨張を吸収することが可能となり、ストレスを吸収して嵌め込み精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第１素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームを構成する第２素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る光結合半導体装置用リードフレームの要部構成を説明する説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例１）の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例２）の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例３）の要部構成を説明する説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面を示す端面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例４）の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例３と同様に構成することができるので図示を省略する。
【図９】本発明の実施の形態３に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例５）の要部構成での断面を示す端面図である。平面図は、変形例３と同様に構成することができるので図示を省略する。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例６）の要部構成を説明する説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面を示す端面図である。
【図１１】本発明の実施の形態５に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例７）の要部構成を拡大して示す拡大平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例８）を構成する第２素子用リードフレームを示す平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態６に係る光結合半導体装置用リードフレーム（変形例９）を構成する第１素子用リードフレームを示す平面図である。
【図１４】従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第１素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの端面図である。
【図１５】従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第２素子用リードフレームを説明する説明図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の側面図である。
【図１６】従来の光結合半導体装置用リードフレームを構成する第１素子用リードフレームおよび第２素子用リードフレームを重ね合わせた状態を示す平面図である。
【図１７】従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成した状態を示す平面図である。
【図１８】従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成するときの樹脂漏れ経路の状態を示す説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【図１９】従来の光結合半導体装置用リードフレームに対して樹脂封止部を形成したときの樹脂漏れ経路が短い場合の状態を示す説明図であり、（Ａ）は拡大平面図、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｂ−Ｂでの断面の端面を示す端面図である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０  第１素子用リードフレーム
１１  第１素子用フレーム枠部
１２  第１素子用タイバー
１２ｈ  嵌合薄板部
１３  第１素子用リード端子
１４  第１素子用ヘッダ部
１５  屈曲部
１６  第１凸部
１６ｈ  薄板部
１６ｓｐ  傾斜部
１６ｓｔ  段差部
１７  第２凸部
１８  貫通孔
２０  第２素子用リードフレーム
２１  第２素子用フレーム枠部
２２  第２素子用タイバー
２３  第２素子用リード端子
２４  第２素子用ヘッダ部
２５  溝部
２５ｂ  溝底部
２６  凹部
２６ｈ  薄板部
２６ｓｐ  傾斜部
２６ｓｔ  段差部
２７  第３凸部
２８  貫通孔
３０  樹脂封止部
Ｇｉ  間隙
Ｌｇ  長さ
Ｐｓ  プレス加工領域
Ｒｆａ  樹脂充填領域
Ｒｒｓ  樹脂漏れ経路
Ｔｆ、Ｔｆ１、Ｔｆ２  板厚
Ｔｔ、Ｔｔ１、Ｔｔ２  板厚
Ｗｆ  幅
【図１】
2009032733.tif 000003
【図２】
2009032733.tif 000004
【図３】
2009032733.tif 000005
【図４】
2009032733.tif 000006
【図５】
2009032733.tif 000007
【図６】
2009032733.tif 000008
【図７】
2009032733.tif 000009
【図８】
2009032733.tif 000010
【図９】
2009032733.tif 000011
【図１０】
2009032733.tif 000012
【図１１】
2009032733.tif 000013
【図１２】
2009032733.tif 000014
【図１３】
2009032733.tif 000015
【図１４】
2009032733.tif 000016
【図１５】
2009032733.tif 000017
【図１６】
2009032733.tif 000018
【図１７】
2009032733.tif 000019
【図１８】
2009032733.tif 000020
【図１９】
2009032733.tif 000021