(57)【要約】【課題】半導体素子と第１の金属回路板との接合部に生じる歪を抑制しつつ、第１の金属回路板を電気回路として用いる場合でも電気的特性を向上できる半導体装置を提供することにある。【解決手段】  本発明の半導体装置は、金属回路板３と、金属回路板３の表面に実装された半導体チップ１とを備えている。更に、金属回路板３の表面上で、かつ、半導体チップ１を囲む位置に、金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材１１が接合されている。【選択図】図１
2009038305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属回路板の表面に実装された１つまたは複数の半導体素子を含む半導体装置において、
前記第１の金属回路板の前記表面上で、かつ、前記半導体素子を囲む位置に、前記第１の金属回路板の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材を接合することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の金属回路板の裏面に、絶縁板が接合されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁板における前記第１の金属回路板と接合する面と対向する面に、第２の金属回路板が接合され、
前記第１の金属回路板の厚みをｔ1と、前記第２の金属回路板の厚みをｔ２としたとき、ｔ１＞ｔ２となることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記膨張抑制部材の角は、Ｒ面取りまたはＣ面取り形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記膨張抑制部材は、円形に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記膨張抑制部材は、複数に分割されており、前記半導体素子の角を囲うように設置されたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュールに用いられる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップから基板への電流密度の増加に対応するために基板の厚みを増すと、熱による基板の変位量も増大し、チップと基板との接合面での熱歪が大きくなる。そこで、基板周囲に膨張抑制部材を設けることで、基板の熱膨張を抑制するものが知られている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−７７５８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述した周囲に膨張抑制部材を設けた基板では、基板の熱膨張を抑制できるものの、上記基板を電気回路として用いる場合、膨張抑制部材によって電気抵抗が増加し、電気的特性が悪化するといった問題があった。
【０００４】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、半導体素子と第１の金属回路板との接合部に生じる歪を抑制しつつ、第１の金属回路板を電気回路として用いる場合でも電気的特性を向上できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的達成のため、本発明に係る半導体装置では、第１の金属回路板の表面上で、かつ、半導体素子を囲む位置に、第１の金属回路板の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材を接合することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明により、第１の金属回路板の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材を、半導体素子を取り囲む位置に設けることで、第１の金属回路板の熱膨張を抑制できる。よって、半導体素子と第１の金属回路板との接合部に生じる歪を抑制できる。更に、第１の金属回路板を電気回路として用いる場合でも、膨張抑制部材は電流の流れを阻害しないので、電気的特性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下に、本発明の第１乃至第７の実施形態に係る半導体装置について、図１乃至図７を参照して説明する。第１乃至第７の実施形態に係る半導体装置は、パワーモジュールに用いられている。
【０００８】
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る半導体装置について図１を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図である。ここで、図１（ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の平面図を示し、図１（ｂ）は矢視ＡＡから見た断面図を示している。図１（ａ）に示すように、第１の実施形態に係る半導体装置は、第１の金属回路板３と、金属回路板３の表面に実装された半導体素子である半導体チップ１とを備えている。更に、金属回路板３の表面上で、かつ、半導体チップ１を囲む位置に、金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材１１が接合されている。膨張抑制部材１１はセラミックスから形成され、金属回路板３はＡｌまたはＣｕから形成されている。また、半導体チップ１は、図１（ｂ）に示すように、はんだ２で実装されている。
【０００９】
次に、第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。まず、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１を接合する工程を実施する。当該工程は溶湯法で行われている。溶湯法では、主に型を用いて製造する。そこで、型の中に膨張抑制部材１１を設置した後、型に溶けたＡｌまたはＣｕを流し込むことで、当該工程は終了する。次に、半導体チップ１の実装工程を実施する。具体的には、膨張抑制部材１１で囲われた領域に、はんだ２を敷いて半導体チップ１を載置した後、半導体装置全体を高温に晒し、はんだ２を溶融する。その後、冷却することで、半導体チップ１の実装工程が終了する。当該工程により、半導体装置は高温に晒された後、冷却されるため、金属回路板３は収縮しようとするが、膨張抑制部材１１があることで、金属回路板３の収縮は抑制される。結果、膨張抑制部材１１により、はんだ２と金属回路板３との接合部に生じる残留応力（歪）を小さくできる。
【００１０】
以上より、第１の実施形態に係る半導体装置では、金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材１１を、半導体チップ１を取り囲む位置に設けているので、膨張抑制部材１１周辺の金属回路板３における熱膨張を抑制できる。これから、半導体チップ１と金属回路板３との接合部、すなわち、はんだ２に生じる熱歪を抑制できる。更に、上述のように、半導体チップ１の実装工程における冷却時、膨張抑制部材１１周辺の金属回路板３における収縮も抑制できる。これから、膨張抑制部材１１により、はんだ２と金属回路板３との接合部に生じる残留応力（歪）を小さくできる。また、金属回路板３を電気回路として用いる場合でも、膨張抑制部材１１は電流の流れを阻害しないので、電気抵抗が増加しない。これにより、金属回路板３を電気回路として用いる場合でも、半導体チップ１と金属回路板３との接合部に生じる歪を抑制しつつ、電気的特性を向上することができる。よって、半導体チップ１と金属回路板３との接合部の歪を抑制しつつ、電気抵抗が増加しないので、金属回路板３を電気回路として用いる場合でも、当該接合部の寿命を確保しつつ、半導体装置の小型化を実現できる。
【００１１】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る半導体装置について、第１の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図２を参照して説明する。また、第２の実施形態に係る半導体装置について、第１の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図である。ここで、図２（ａ）は第２の実施形態に係る半導体装置の平面図を示し、図２（ｂ）は矢視ＢＢから見た断面図を示している。第２の実施形態に係る半導体装置が、第１の実施形態と異なる点は、金属回路板３の裏面に、セラミックスからなる絶縁板５を接合したことだけである。これにより、第１の実施形態と同様の効果を取得することができる。
【００１２】
次に、第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。まず、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１を接合し、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合する工程を実施する。第１の実施形態と同様に、当該工程は溶湯法で行われている。溶湯法では、主に型を用いて製造する。そこで、型の中に膨張抑制部材１１および絶縁板５を設置した後、型に溶けたＡｌまたはＣｕを流し込むことで、当該工程は終了する。次に、半導体チップ１の実装工程を実施する。具体的には、第１の実施形態と同様に、膨張抑制部材１１で囲われた領域に、はんだ２を敷いて半導体チップ１を載置した後、半導体装置全体を高温に晒し、はんだ２を溶融する。その後、冷却することで、半導体チップ１の実装工程が終了する。当該工程により、半導体装置は高温に晒された後、冷却されるため、金属回路板３は収縮しようとするが、膨張抑制部材１１および絶縁板５があることで、金属回路板３の収縮は抑制される。結果、膨張抑制部材１１により、はんだ２と金属回路板３との接合部に生じる残留応力（歪）を小さくできる。
【００１３】
第２の実施形態に係る半導体装置では、金属回路板３の裏面に絶縁板５を接合していることから、金属回路板３を絶縁することが可能となる。また、膨張抑制部材１１を接合せず、金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有するセラミックからなる絶縁板５を金属回路板３の裏面に接合するだけでも、絶縁板５周辺の金属回路板３における熱膨張を抑制できるが、金属回路板３を厚膜化すると、金属回路板３の表面は金属本来の膨張収縮を示すようになり、半導体チップ１と金属回路板３との接合部には多大な応力・歪が加わる虞を否定できなくなる。そこで、第２の実施形態に係る半導体装置では、更に、金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する膨張抑制部材１１を半導体チップ１を取り囲む位置に設けることで、膨張抑制部材１１および絶縁板５周辺の金属回路板３における熱膨張を抑制可能としている。これから、半導体チップ１の電流密度増大に対応して、金属回路板３を厚膜化した場合でも、半導体チップ１と金属回路板３との接合部に生じる歪を抑制できる。
【００１４】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態に係る半導体装置について、第２の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図３を参照して説明する。また、第３の実施形態に係る半導体装置について、第２の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図３は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の断面図である。第３の実施形態に係る半導体装置が、第２の実施形態と異なる点は、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面に、ＡｌまたはＣｕからなる第２の金属回路板４を接合したこと、第１の金属回路板３の厚みｔ１と第２の金属回路板４の厚みｔ２が、ｔ１＞ｔ２の関係になるように、金属回路板３および金属回路板４を形成していることだけである。これにより、第２の実施形態と同様の効果を取得することができる。
【００１５】
次に、第３の実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。第３の実施形態に係る半導体装置の製造工程は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程と同じである。すなわち、まず、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１を接合し、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合し、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面の所定の位置に金属回路板４を接合する工程を溶湯法により実施する。次に、第２の実施形態と同様に、膨張抑制部材１１で囲われた領域に、はんだ２を敷いて半導体チップ１を載置した後、半導体装置全体を高温に晒し、はんだ２を溶融した後、冷却することで、半導体チップ１の実装工程を実施する。これにより、第２の実施形態と同様に、膨張抑制部材１１により、はんだ２と金属回路板３との接合部に生じる残留応力（歪）を小さくできる。
【００１６】
ここで、第３の実施形態に係る半導体装置の特徴的部分は、第１の金属回路板３の厚みｔ１と第２の金属回路板４の厚みｔ２が、ｔ１＞ｔ２の関係になるように、金属回路板３および金属回路板４を形成していることである。第３の実施形態に係る半導体装置において、金属回路板３と金属回路板４を同じ材料で形成し、かつ、第１の金属回路板３の厚みｔ１と第２の金属回路板４の厚みｔ２を同じにした場合、第３の実施形態に係る半導体装置に反りが発生する虞を否定できない。すなわち、溶湯法により、中に膨張抑制部材１１および絶縁板５が設置された型に、溶けたＡｌまたはＣｕを流し込み、冷却する際、および、半導体チップ１の実装工程における冷却の際、膨張抑制部材１１および絶縁板５により、金属回路板３の収縮は抑制されるものの、金属回路板４の絶縁板５と接合する面と対向する面は収縮するため、半導体装置の半導体チップ１側を上として凸の反りが発生する虞を否定できない。そこで、第３の実施形態に係る半導体装置では、第１の金属回路板３の厚みｔ１と第２の金属回路板４の厚みｔ２が、ｔ１＞ｔ２の関係になるように、金属回路板３および金属回路板４を形成することで、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１を接合し、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合し、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面の所定の位置に金属回路板４を接合するために、溶湯法により、中に膨張抑制部材１１および絶縁板５が設置された型に、溶けたＡｌまたはＣｕを流し込み、冷却する際、および、半導体チップ１の実装工程における冷却の際、半導体装置に発生する反りを防止できる。
【００１７】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る半導体装置について、第３の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図４を参照して説明する。また、第４の実施形態に係る半導体装置について、第３の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図４は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の平面図である。第４の実施形態に係る半導体装置が、第３の実施形態と異なる点は、膨張抑制部材１２の角（４角）がＲ面取り形成されていることだけである。更に、第４の実施形態に係る半導体装置の製造工程は、４角がＲ面取り形成された膨張抑制部材１２を用いること以外、第３の実施形態に係る半導体装置の製造工程と全く同じである。これにより、第３の実施形態と同様の効果を取得することができる。なお、図４に示されていないが、第４の実施形態に係る半導体装置も金属回路板４を備えている。
【００１８】
また、第１乃至第３の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１１の４角は面取りされていないので、膨張抑制部材１１周辺の金属回路板３における熱膨張によって発生する応力が、膨張抑制部材１１の４角に集中するものの、第４の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１２の４角をＲ面取り形成しているので、上記応力集中を緩和することができる。
【００１９】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る半導体装置について、第４の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図５を参照して説明する。また、第５の実施形態に係る半導体装置について、第４の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図５は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の平面図である。第５の実施形態に係る半導体装置が、第４の実施形態と異なる点は、膨張抑制部材１３の角（４角）がＣ面取り形成されていることだけである。更に、第５の実施形態に係る半導体装置の製造工程は、４角がＣ面取り形成された膨張抑制部材１３を用いること以外、第４の実施形態に係る半導体装置の製造工程と全く同じである。これにより、第４の実施形態と同様の効果を取得することができる。なお、図５に示されていないが、第５の実施形態に係る半導体装置も金属回路板４を備えている。
【００２０】
（第６の実施形態）
次に、第６の実施形態に係る半導体装置について、第４の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図６を参照して説明する。また、第６の実施形態に係る半導体装置について、第４の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図６は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の平面図である。第６の実施形態に係る半導体装置が、第４の実施形態と異なる点は、膨張抑制部材１４が円形に形成されていることだけである。更に、第６の実施形態に係る半導体装置の製造工程は、円形に形成された膨張抑制部材１４を用いること以外、第４の実施形態に係る半導体装置の製造工程と全く同じである。これにより、第４の実施形態と同様の効果を取得することができる。なお、図６に示されていないが、第６の実施形態に係る半導体装置も金属回路板４を備えている。
【００２１】
（第７の実施形態）
次に、第７の実施形態に係る半導体装置について、第５の実施形態に係る半導体装置と異なる点を中心に図７を参照して説明する。また、第７の実施形態に係る半導体装置について、第５の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。図７は、本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の平面図である。第７の実施形態に係る半導体装置が、第５の実施形態と異なる点は、膨張抑制部材１３を４分割して形成した膨張抑制部材１５を、半導体チップ１の角（４角）を囲うように設置していることだけである。これにより、第５の実施形態と同様の効果を取得することができる。なお、図７に示されていないが、第７の実施形態に係る半導体装置も金属回路板４を備えている。
【００２２】
また、第１乃至第６の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１１乃至１４と半導体チップ１との寸法誤差から、半導体チップ１と膨張抑制部材１１乃至１４との距離の縮小には限界がある。そのため、半導体装置の小型化にも限界がある。そこで、第７の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１３を４分割して形成した膨張抑制部材１５で半導体チップ１の４角を囲いつつ、膨張抑制部材１５同士を離して配置している。これにより、半導体チップ１の４角に限りなく近づけて、膨張抑制部材１５を設置することが可能になる。ただし、第７の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１５は半導体チップ１の４角に限りなく近づけて、囲うように設置されてはいるが、膨張抑制部材１５同士を離しているので、半導体チップ１と金属回路板３との接合部全域に生じる歪を抑制する効果はない。しかしながら、従来のように膨張抑制部材１５を金属回路板３に接合しない場合、金属回路板３の膨張収縮によって発生する応力が半導体チップ１の４角に最も集中するが、膨張抑制部材１５を接合することで、半導体チップ１の４角における金属回路板３の膨張収縮を局所的に抑制することができる。
【００２３】
次に、第７の実施形態に係る半導体装置の製造工程について説明する。まず、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合し、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面の所定の位置に金属回路板４を接合する工程を実施する。当該工程は溶湯法で行われている。溶湯法に用いられる型の中に絶縁板５を設置した後、型に溶けたＡｌまたはＣｕを流し込むことで、当該工程は終了する。次に、半導体チップ１および膨張抑制部材１５の実装工程を実施する。具体的には、金属回路板３の表面上の所定の位置に、はんだ２を敷いて半導体チップ１および４枚の膨張抑制部材１５を載置した後、半導体装置全体を高温に晒し、はんだ２を溶融した後、冷却することで、半導体チップ１および膨張抑制部材１５の実装工程が終了する。上記の製造工程により、第７の実施形態に係る半導体装置を実現できる。
【００２４】
なお、以上に述べた実施形態は、本発明の実施の一例であり、本発明の範囲はこれらに限定されるものでなく、特許請求の範囲に記載した範囲内で、他の様々な実施形態に適用可能である。例えば、第１乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、金属回路板３の表面上に１個の半導体チップ１を実装しているが、特にこれに限定されるものでなく、半導体チップ１を複数個実装しても良い。この場合、全半導体チップ１を囲うよう膨張抑制部材１１乃至１５が存在し、第１乃至第７の実施形態に示す構造を有する限り、第１乃至第７の実施形態と同様の効果を取得できる。
【００２５】
また、第１乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、半導体チップ１を長方形で形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、いずれの形状でも適用可能である。
【００２６】
また、第１乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、金属回路板３をＡｌまたはＣｕから形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、他の金属でも良い。同様に、第３乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、金属回路板４をＡｌまたはＣｕから形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、他の金属でも良い。
【００２７】
更に、第１乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１１乃至１５をセラミックから形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有していれば、他の材料でも適用可能である。また、第２乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、絶縁板５をセラミックから形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、絶縁物であれば他の材料でも適用可能である。しかし、絶縁板５を金属回路板３の熱膨張率より小さい熱膨張率を有する材料で形成したほうが、絶縁板５周辺の金属回路板３における熱膨張を抑制できるので望ましい。また、第２乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１１乃至１５と絶縁板５を同じ材料から形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、異なる材料で形成しても良い。しかし、膨張抑制部材１１乃至１５と絶縁板５を同じ材料から形成したほうが、金属回路板３の表面および裏面で、熱膨張による変位差が同じになるので望ましい。
【００２８】
また、第４乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面の所定の位置に金属回路板４を接合しているが、特にこれに限定されるものでなく、金属回路板４は無くても良い。同様に、第４乃至第７の実施形態に係る半導体装置では、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合しているが、特にこれに限定されるものでなく、絶縁板５は無くても良い。
【００２９】
また、第１乃至第６の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１１乃至１４の中心部に長方形の空洞を形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、いずれの形状でも適用可能である。しかし、半導体装置の小型化の観点から、膨張抑制部材１１乃至１４の中心部の空洞の形状は、半導体チップ１の形状の相似形が望ましい。また、第１乃至第５の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１１乃至１３の外形を長方形にしているが、特にこれに限定されるものでなく、いずれの形状でも適用可能である。同様に、第６の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１４の外形を円形にしているが、特にこれに限定されるものでなく、いずれの形状でも適用可能である。また、第７の実施形態に係る半導体装置では、膨張抑制部材１３を４分割して膨張抑制部材１５を形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、膨張抑制部材１１、１２、１４を４分割して膨張抑制部材１５を形成しても良い。更に、第７の実施形態では、膨張抑制部材１３を４分割して膨張抑制部材１５を形成しているが、特にこれに限定されるものでなく、半導体チップ１の角における金属回路板３の膨張収縮を局所的に抑制できれば、いくつに分割しても良い。
【００３０】
また、第１の実施形態では、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１を接合する工程を溶湯法で実施しているが、特にこれに限定されるものでなく、ろう付け法で実施して良い。また、第２の実施形態では、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１を接合し、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合する工程を溶湯法で実施しているが、特にこれに限定されるものでなく、ろう付け法で実施しても良い。この場合、絶縁板５を金属回路板３に接合する際、膨張抑制部材１１を重ねて接合できる。同様に、第３乃至第６の実施形態では、金属回路板３の表面上の所定の位置に膨張抑制部材１１乃至１４を接合し、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合し、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面の所定の位置に金属回路板４を接合する工程を溶湯法で実施しているが、特にこれに限定されるものでなく、ろう付け法で実施しても良い。この場合、絶縁板５を金属回路板３に接合する際、膨張抑制部材１１乃至１４を重ねて接合できる。更に、第７の実施形態では、金属回路板３の裏面の所定の位置に絶縁板５を接合し、絶縁板５における金属回路板３と接合する面と対向する面の所定の位置に金属回路板４を接合する工程を溶湯法で実施しているが、特にこれに限定されるものでなく、ろう付け法で実施しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す図
【図３】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の断面図
【図４】本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の平面図
【図５】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の平面図
【図６】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の平面図
【図７】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の平面図
【符号の説明】
【００３２】
１  半導体チップ、２  はんだ、３  第１の金属回路板、
４  第２の金属回路板、５  絶縁板、
１１、１２、１３、１４、１５  膨張抑制部材、
ｔ１  第１の金属回路板の厚み、ｔ２  第２の金属回路板の厚み
【図１】
2009038305.tif 000003
【図２】
2009038305.tif 000004
【図３】
2009038305.tif 000005
【図４】
2009038305.tif 000006
【図５】
2009038305.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009038305.tif 000009