(57)【要約】【課題】半導体膜やその下地にダメージを与えることなく、また半導体膜を汚染することなく、半導体膜のパターニングを可能とする。【解決手段】両面に粘着性を有する粘着シート２１をフォトマスク３１に貼り付ける工程と、前記フォトマスク３１の前記粘着シート２１が貼られていない面から前記粘着シート２１を露光して、前記粘着シート２１の所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、半導体膜１２が形成された基体１１に対して前記フォトマスク３１を位置合わせして、前記フォトマスク３１に貼り付けられた前記粘着シート２１の粘着面を前記半導体膜１２表面に押し当てる工程と、前記半導体膜１２から前記粘着シート２１を剥がすことにより、前記基体１１より不要な半導体膜１２を剥がし取り、前記基体１１に前記半導体膜１２の所望のパターン１３を形成する工程とを有することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に粘着性を有する粘着シートをフォトマスクに貼り付ける工程と、
前記フォトマスクの前記粘着シートが貼られていない面から前記粘着シートを露光して、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、
半導体膜が形成された基体に対して前記フォトマスクを位置合わせして、前記フォトマスクに貼り付けられた前記粘着シートの粘着面を前記半導体膜表面に押し当てる工程と、
前記半導体膜から前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体より不要な半導体膜を剥がし取り、前記基体に残した前記半導体膜で所望のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記粘着シートは、前記基体と前記半導体膜との密着性よりも前記フォトマスクとの粘着性および前記半導体膜との粘着性が強い
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基体と前記半導体膜との密着性は、前記基体のどの界面の密着性よりも弱い状態となっている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
片面に粘着性を有する粘着シートを基体上に形成された半導体膜表面に貼り付ける工程と、
前記基体に対して位置合わせしたフォトマスクを用いて前記粘着シートを露光し、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、
前記半導体膜より前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体に残した前記半導体膜で所望のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記粘着シートは、前記基体と前記半導体膜との密着性よりも前記半導体膜との粘着性のほうが強い
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基体と前記半導体膜との密着性は、前記基体のどの界面の密着性よりも弱い状態となっている
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
両面に粘着性を有する粘着シートをフォトマスクに貼り付ける工程と、
前記フォトマスクの前記粘着シートが貼られていない面から前記粘着シートを露光して、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、
有機エレクトロルミネッセンス膜が形成された基体に対して前記フォトマスクを位置合わせして、前記フォトマスクに貼り付けられた前記粘着シートの粘着面を前記有機エレクトロルミネッセンス膜表面に押し当てる工程と、
前記半導体膜から前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体表面より不要な有機エレクトロルミネッセンス膜を剥がし取り、前記基体に残した前記有機エレクトロルミネッセンス膜で所望のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【請求項８】
片面に粘着性を有する粘着シートを基体上に形成された有機エレクトロルミネッセンス膜表面に貼り付ける工程と、
前記基体に対して位置合わせしたフォトマスクを用いて前記粘着シートを露光し、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス膜より前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体に残した前記有機エレクトロルミネッセンス膜で所望のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および有機発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体装置の有機半導体膜をパターニングする方法には、例えば、基体上に形成された有機半導体層上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクに用いて有機半導体層をドライエッチングしてパターニングする第１の従来方法がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかしながら、上記第１の従来方法では、有機半導体膜はレジストに含まれる有機溶媒によってダメージを受けるか、もしくは溶けてしまう場合が多いという問題がある。またドライエッチング時に有機半導体膜だけでなく、下地までエッチングされるという問題もある。さらにエッチング後に有機半導体膜上にレジストが残り、半導体膜が汚染されるという問題がある。
【０００４】
また、上記問題点を解決する方法として、第２の従来方法がある。この方法は、基体上に金属マスクを設置し、例えば蒸着法によって、金属マスクの開口部に所望の有機半導体膜を形成するという方法である。
【０００５】
しおかしながら、上記第２の従来方法では、金属マスクの開口部に有機半導体膜を堆積しているため、パターンの精細度が悪いという問題がある。また、金属マスクを用いているため、大面積の基板に対するアライメントが困難となっている。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第６，５００，６０４  Ｂ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
解決しようとする問題点は、パターニングの際に半導体膜やその下地にダメージを与える点であり、半導体膜が汚染される可能性がある点である。
【０００８】
本発明は、半導体膜やその下地にダメージを与えることなく、また半導体膜を汚染することなく、半導体膜のパターニングを可能にすることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係る本発明は、両面に粘着性を有する粘着シートをフォトマスクに貼り付ける工程と、前記フォトマスクの前記粘着シートが貼られていない面から前記粘着シートを露光して、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、半導体膜が形成された基体に対して前記フォトマスクを位置合わせして、前記フォトマスクに貼り付けられた前記粘着シートの粘着面を前記半導体膜表面に押し当てる工程と、前記半導体膜から前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体より不要な半導体膜を剥がし取り、前記基体に残した前記半導体膜で所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
請求項１に係る本発明では、フォトマスクを用いた露光により基体に残したい半導体膜となる部分に対応する粘着シートの粘着性を消失させて、粘着シートの粘着性がある部分で半導体膜の不要部分を剥がし取ることから、フォトマスクの精度で半導体膜のパターニングが行える。また半導体膜を残す部分の粘着シートの粘着性が消失しているので、半導体膜にダメージを与えることなくパターニングできる。また、半導体膜のパターニングにドライエッチングのような真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になる。したがって、大面積の半導体膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に半導体膜の上に何も残らないので、半導体膜への汚染がない。
【００１１】
請求項４に係る本発明は、片面に粘着性を有する粘着シートを基体上に形成された半導体膜表面に貼り付ける工程と、前記基体に対して位置合わせしたフォトマスクを用いて前記粘着シートを露光し、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、前記半導体膜より前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体に残した前記半導体膜で所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る本発明では、フォトマスクを用いた露光により基体に残したい半導体膜となる部分に対応する粘着シートの粘着性を消失させて、粘着シートの粘着性がある部分で半導体膜の不要部分を剥がし取ることから、フォトマスクの精度で半導体膜のパターニングが行える。また半導体膜を残す部分の粘着シートの粘着性が消失しているので、半導体膜にダメージを与えることなくパターニングできる。また、半導体膜のパターニングにドライエッチングのような真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になる。したがって、大面積の半導体膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に半導体膜の上に何も残らないので、半導体膜への汚染がない。
【００１３】
請求項７に係る本発明は、両面に粘着性を有する粘着シートをフォトマスクに貼り付ける工程と、
前記フォトマスクの前記粘着シートが貼られていない面から前記粘着シートを露光して、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、
有機エレクトロルミネッセンス膜が形成された基体に対して前記フォトマスクを位置合わせして、前記フォトマスクに貼り付けられた前記粘着シートの粘着面を前記有機エレクトロルミネッセンス膜表面に押し当てる工程と、
前記半導体膜から前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体表面より不要な有機エレクトロルミネッセンス膜を剥がし取り、前記基体に残した前記有機エレクトロルミネッセンス膜で所望のパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項７に係る本発明では、フォトマスクを用いた露光により基体に残したい有機エレクトロルミネッセンス膜となる部分に対応する粘着シートの粘着性を消失させて、粘着シートの粘着性がある部分で有機エレクトロルミネッセンス膜の不要部分を剥がし取ることから、フォトマスクの精度で有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングが行える。また有機エレクトロルミネッセンス膜を残す部分の粘着シートの粘着性が消失しているので、有機エレクトロルミネッセンス膜にダメージを与えることなくパターニングできる。また、有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングにドライエッチングのような真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になる。したがって、大面積の有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に有機エレクトロルミネッセンス膜の上に何も残らないので、有機エレクトロルミネッセンス膜への汚染がない。
【００１５】
請求項８に係る本発明は、片面に粘着性を有する粘着シートを基体上に形成された有機エレクトロルミネッセンス膜表面に貼り付ける工程と、前記基体に対して位置合わせしたフォトマスクを用いて前記粘着シートを露光し、前記粘着シートの所望パターン部の粘着性を消失させる工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス膜より前記粘着シートを剥がすことにより、前記基体に残した前記有機エレクトロルミネッセンス膜で所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る本発明では、フォトマスクを用いた露光により基体に残したい有機エレクトロルミネッセンス膜となる部分に対応する粘着シートの粘着性を消失させて、粘着シートの粘着性がある部分で有機エレクトロルミネッセンス膜の不要部分を剥がし取ることから、フォトマスクの精度で有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングが行える。また有機エレクトロルミネッセンス膜を残す部分の粘着シートの粘着性が消失しているので、有機エレクトロルミネッセンス膜にダメージを与えることなくパターニングできる。また、有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングにドライエッチングのような真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になる。したがって、大面積の有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に有機エレクトロルミネッセンス膜の上に何も残らないので、有機エレクトロルミネッセンス膜への汚染がない。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体膜にダメージを与えることなくパターニングできるため、その半導体膜を用いた半導体素子性能の劣化を防止することができる。また、フォトマスクの精度で半導体膜のパターニングを行うことができ、高精細な半導体素子の形成が可能になる。また真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になり、しかも、大面積の半導体膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に半導体膜への汚染がないので、半導体膜を用いて形成される半導体素子の信頼性の劣化が防止できる。
【００１８】
本発明の有機発光装置の製造方法によれば、有機エレクトロルミネッセンス膜にダメージを与えることなくパターニングできるため、その有機エレクトロルミネッセンス膜を用いた発光素子性能の劣化を防止することができる。また、フォトマスクの精度で有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングを行うことができ、高精細な発光素子の形成が可能になる。また真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になり、しかも、大面積の有機エレクトロルミネッセンス膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に有機エレクトロルミネッセンス膜への汚染がないので、有機エレクトロルミネッセンス膜を用いて形成される発光素子の信頼性の劣化が防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第１実施例）を、図１および図２の製造工程斜視図によって説明する。
【００２０】
図１（１）に示すように、紫外線（ＵＶ）照射により粘着力が消失するような両面に粘着性を有する粘着シート２１をフォトマスク３１のコンタクト面３２に貼り付ける。この粘着シート２１は、後述する基体１１とこの基体１１上に形成された半導体膜１２との密着性よりもフォトマスク３１との粘着性および半導体膜１２との粘着性が強いという特徴を有しているものである。上記粘着シート２１には、例えば、積水化学工業（株）製のＳＥＬＦＡを用いることができるが、本発明の粘着シート２１の特性を有するものであればこれに限定されるものではない。
【００２１】
次に、図１（２）に示すように、上記フォトマスク３１の上記粘着シート２１を貼っていない面側から、上記粘着シート２１を露光して、上記粘着シート２１の所望パターン部２２の粘着性を消失させる。上記露光には、例えば紫外線を用いる。
【００２２】
次に、図２（３）に示すように、例えばコンタクトアライナー等の露光装置（図示せず）を用いて、全面に半導体膜１２を形成した基体１１の上に、上記基体１１に対して上記フォトマスク３１の位置を合わせながら、フォトマスク３１に貼り付けた粘着シート２１の粘着面を上記半導体膜１２表面に押し当てる。なお、上記基体１１と上記半導体膜１２との密着性は、この基体１１のどの界面（例えば、基板と、基板に形成された膜との界面、膜同士の界面等）の密着性よりも弱い状態となっている。
【００２３】
次に、図２（４）に示すように、半導体膜１２より粘着シート２１を剥がす。このとき、半導体膜１２と基体１１との密着性は、半導体膜１２と粘着シート２１との粘着性よりも弱いので、半導体膜１２の不要部１４は粘着シート２１の粘着部に転写される。よって、基体１１に圧着していたフォトマスク３１を取り外すことにより基体１１には半導体膜１２の所望のパターン１３が形成される。
【００２４】
上記紫外線（ＵＶ）照射により粘着力が消失するような上記粘着シート２１の代わりに、ＵＶ粘着剤をフォトマスクに塗布乾燥させて、片面粘着シートの粘着性を持たない面をＵＶ粘着剤の塗布面に貼り付けてもよい。また、フォトマスク３１を使う代わりにレーザー加工によって、非粘着部をパターニングした粘着シートを用いても良い。
【００２５】
上記第１実施例の製造方法では、半導体膜１２を残す部分の粘着シート２１の粘着性が消失しているので、半導体膜１２にダメージを与えることなくパターニングできる。このため、その半導体膜１２で半導体素子を形成した場合、半導体素子性能の劣化を防止できる。また、また、密着性の差を利用して、粘着シート２１に不要な半導体膜１２部分を貼り付けて剥がし取るので、半導体膜１２の下地にダメージを与えない。そのため、半導体膜１２で半導体素子を形成した場合、半導体素子性能の劣化を防止できる。粘着シート２１へのパターニングはフォトマスク３１を用いているので、半導体膜１２に微細なパターンを形成することができる。半導体膜１２のパターニングにドライエッチングのような真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になる。したがって、大面積の半導体膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に半導体膜１２の上に何も残らないので、半導体膜１２への汚染がない。よって、その半導体膜を用いて形成される半導体素子の信頼性の劣化が防止できる。
【００２６】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を、図３ないし図５の製造工程斜視図によって説明する。
【００２７】
図３に示すように、紫外線（ＵＶ）照射により粘着力が消失するような片面に粘着性を有する粘着シート２５を基体１１上に形成された半導体膜１２表面に貼り付ける。この粘着シート２５は、後述する基体１１とこの基体１１上に形成された半導体膜１２との密着性よりも上記半導体膜１２との粘着性のほうが強いという特徴を有しているものである。なお、上記基体１１と上記半導体膜１２との密着性は、この基体１１のどの界面（例えば、基板と、基板に形成された膜との界面、膜同士の界面等）の密着性よりも弱い状態となっている。上記粘着シート２５には、例えば、古河電気工業（株）製のＳＰシリーズ、ＵＣシリーズ、日東電工（株）製のＵＢシリーズ、ＵＥシリーズ、東洋インキ製造（株）製のＬＥ９８０Ｋ等を用いることができるが、上記粘着特性を有するものであればこれらに限定されるものではない。
【００２８】
次に、図４に示すように、例えばコンタクトアライナー等の露光装置（図示せず）を用いて、上記基体１１に対してフォトマスク３１を位置合わせして、このフォトマスク３１上より上記粘着シート２５を露光して、上記粘着シート２５の所望パターン部（図示せず）の粘着性を消失させる。上記露光には、例えば紫外線を用いる。
【００２９】
次に、図５に示すように、基体１１より粘着シート２５を剥がす。このとき、半導体膜１２と基体１１との密着性は、半導体膜１２と粘着シート２５との粘着性よりも弱いので、半導体膜１２の不要部１４は粘着シート２５の粘着部に転写される。よって、基体１１に貼り付けていた粘着シート２５を剥がすことにより基体１１には半導体膜１２の所望のパターン１３が形成される。
【００３０】
上記第２実施例の製造方法では、半導体膜１２を残す部分の粘着シート２１の粘着性が消失しているので、半導体膜１２にダメージを与えることなくパターニングできる。このため、その半導体膜１２で半導体素子を形成した場合、半導体素子性能の劣化を防止できる。また、また、密着性の差を利用して、粘着シート２１に不要な半導体膜１２部分を貼り付けて剥がし取るので、半導体膜１２の下地にダメージを与えない。そのため、半導体膜１２で半導体素子を形成した場合、半導体素子性能の劣化を防止できる。また、粘着シート２５へのパターニングはフォトマスク３１を用いているので、半導体膜１２に微細なパターンを形成することができる。半導体膜１２のパターニングにドライエッチングのような真空雰囲気を利用していないので、プロセスが容易になる。したがって、大面積の半導体膜のパターニングにも対応できるようになる。さらに、パターニングした後に半導体膜１２の上に何も残らないので、半導体膜１２への汚染がない。よって、その半導体膜を用いて形成される半導体素子の信頼性の劣化が防止できる。
【００３１】
上記第１実施例および第２実施例で説明した半導体膜１２には、以下のような材料を用いることができる。
【００３２】
例えば、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ルブレンなどのポリアセン類がある。
【００３３】
上記ポリアセン類の炭素の一部を窒素（Ｎ）、イオウ（Ｓ）、酸素（Ｏ）等の原子、カルボニル基等の官能基で置換した誘導体がある。
【００３４】
ポリアズレン類、ポリピレン類、ポリ（ｐ−フェニレン）類に代表される芳香族共役系化合物がある。
【００３５】
金属フタロシアニン類がある。
【００３６】
Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン類、カーボンナノチューブがある。
【００３７】
テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体がある。
【００３８】
ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン類に代表される複素環式共役系化合物、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類に代表される混合系共役系化合物、ポリアニリン類に代表される含ヘテロ原子共役系化合物、ポリアセチレン類に代表される脂肪族共役系化合物がある。
【００３９】
酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、二酸化スズ（ＳｎＯ2）、二酸化チタン（ＴｉＯ2）、二酸化バナジウム（ＶＯ2）、三酸化二インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、四酸化亜鉛ガリウムインジウム（ＩｎＧａＺｎＯ4）に代表される酸化物半導体などがある。
【００４０】
上記半導体膜１２は、例えば、蒸着法、塗布法等で成膜される。
【００４１】
例えば、蒸着法により成膜される材料としては、アントラセン、ナフタセン、ペンタセン、ヘキサセン、ルブレン、オリゴチオフェン、カーボンナノチューブ、フラーレン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化亜鉛ガリウムインジウムＩｎＧａＺｎＯ4等が挙げられる。
【００４２】
例えば、塗布法により成膜される材料としては、ポリフェニレン、ポリフェニレン誘導体、ポリチオフェン、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンビニレン誘導体等が挙げられる。
【００４３】
例えば、蒸着法および塗布法のどちらでも成膜可能な材料としては、アセン系誘導体，オリゴチオフェン誘導体、金属フタロシアニン、金属フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００４４】
上記半導体膜１２は、必要に応じて複数層の膜で形成されていてもよい。
【００４５】
また、上記基体１１を形成する絶縁膜の種類としては、以下の材料がある。
【００４６】
例えば、ポリビニルフェノール、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニールアルコール、ポリアセタール、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリシロキサン、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリメタクリルアミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリメチルペンテン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、フェノールノボラック、ポリクロロピレンがある。
【００４７】
窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素及び酸化アルミニウムなどがある。
【００４８】
上記基体１１を形成する電極材料の種類としては、以下の材料がある。
【００４９】
例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、ネオジム（Ｎｄ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ロジウム（Ｒｈ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）等の金属、もしくは上記金属元素を含む合金、もしくは上記金属から成る導電性粒子、もしくは上記金属を含む合金の導電性粒子がある。
【００５０】
錫酸化物、酸化インジウム、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）がある。
【００５１】
ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳや不純物をドーピングしたポリアニリンといった有機材料などがある。
【００５２】
次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。この製造方法は、前記半導体装置の製造方法において、半導体膜の代わりを正孔輸送層、発光層および電子輸送層の有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという）膜とした方法である。ここでは、有機発光装置の製造方法における有機ＥＬ膜をパターニングする工程に適用した一例を以下に説明する。両面に粘着性を有する粘着シートを用いた（前記第１実施例を適用した）一例を第１実施例として、図６および図７によって説明し、片面に粘着性を有する粘着シートを用いた（前記第２実施例を適用した）一例を第２実施例として、図８および図９によって説明する。
【００５３】
まず、有機発光装置の製造方法の第１実施例を説明する。
【００５４】
図６に示すように、基板５１上に、アノード電極５２を形成した後、このアノード電極５２を覆うように、正孔輸送層５３、発光層５４および電子輸送層５５を下層より順に形成する。以下、正孔輸送層５３、発光層５４、電子輸送層５５の各膜を有機ＥＬ膜５６と呼ぶ。なお、上記基板５１と有機ＥＬ膜５６との密着性は、有機ＥＬ膜５６の膜間の密着性よりも弱い状態となっている。
【００５５】
一方、紫外線（ＵＶ）照射により粘着力が消失するような両面に粘着性を有する粘着シート２１をフォトマスク３１のコンタクト面３２に貼り付ける。この粘着シート２１は、上記基板５１と有機ＥＬ膜５６との密着性よりも、フォトマスク３１との粘着性および有機ＥＬ膜５６との粘着性が強いという特徴を有しているものである。また、有機ＥＬ膜５６最表面に段差が生じている場合には、上記粘着シート２１は、その膜厚が上記段差より厚く、かつ粘着シート２１を有機ＥＬ膜５６に押し付けた際に、粘着シート２１の粘着面全面が有機ＥＬ膜５６最表面に貼りつくような厚さおよび弾性を有していることが好ましい。
【００５６】
次に、上記フォトマスク３１の上記粘着シート２１を貼っていない面側から、上記粘着シート２１を露光して、上記粘着シート２１の所望パターン部２２の粘着性を消失させる。上記露光には、例えば紫外線を用いる。
【００５７】
次に、図７に示すように、コンタクトアライナー等の露光装置（図示せず）を用いて、上記有機ＥＬ膜５６を形成した基板５１に対して上記フォトマスク３１の位置を合わせながら、フォトマスク３１に貼り付けた粘着シート２１の粘着面を上記有機ＥＬ膜５６表面に押し当てる。
【００５８】
次に、上記有機ＥＬ膜５６表面より粘着シート２１を剥がす。このとき、上記有機ＥＬ膜５６と基板５１との密着性は、有機ＥＬ膜５６と粘着シート２１との粘着性よりも弱いので、積有機ＥＬ膜５６の不要部５７は粘着シート２１の粘着部に転写される。よって、有機ＥＬ膜５６に圧着していたフォトマスク３１を取り外すことにより基板５１には、正孔輸送層５３、発光層５４および電子輸送層５５からなる有機ＥＬ膜５６のパターン５８が形成される。その後、カソード電極（図示せず）を全面に形成する。このカソード電極には、透明電極を用いる。
【００５９】
この第２実施例の説明では、有機ＥＬ膜５６のパターニング例を示したが、有機ＥＬ層上にカソード電極を形成した積層膜とし、その積層層を上記パターニング方法でパターニングを行うことも可能である。
【００６０】
次に、有機発光装置の製造方法の第２実施例を説明する。
【００６１】
図８に示すように、基板５１上に、アノード電極５２を形成した後、このアノード電極５２を覆うように、正孔輸送層５３、発光層５４および電子輸送層５５を下層より順に形成する。以下、正孔輸送層５３、発光層５４、電子輸送層５５の各膜を有機ＥＬ膜５６と呼ぶ。なお、上記基板５１と有機ＥＬ膜５６との密着性は、有機ＥＬ膜５６の膜間の密着性よりも弱い状態となっている。さらに、紫外線（ＵＶ）照射により粘着力が消失するような片面に粘着性を有する粘着シート２５を上記有機ＥＬ膜５６表面に貼り付ける。この粘着シート２５は、基板５１と有機ＥＬ膜５６との密着性よりも上記有機ＥＬ膜５６最表面との粘着性のほうが強いという特徴を有しているものである。
【００６２】
次にコンタクトアライナー等の露光装置（図示せず）を用いて、上記基板５１に対してフォトマスク３１を位置合わせして、このフォトマスク３１上より上記粘着シート２５を露光して、上記粘着シート２５の所望パターン部（図示せず）の粘着性を消失させる。上記露光には、例えば紫外線を用いる。
【００６３】
次に、図９に示すように、有機ＥＬ膜５６より粘着シート２５を剥がす。このとき、有機ＥＬ膜５６と基板５１との密着性は、有機ＥＬ膜５６と粘着シート２５との粘着性よりも弱いので、有機ＥＬ膜５６の不要部５７は粘着シート２５の粘着部に転写される。よって、基板５１に貼り付けていた粘着シート２５を剥がすことにより基板１１には、正孔輸送層５３、発光層５４および電子輸送層５５からなる所望の有機ＥＬ膜５６のパターン５８が形成される。
【００６４】
この第２実施例の説明では、有機ＥＬ膜５６のパターニング例を示したが、有機ＥＬ層上にカソード電極を形成した積層膜とし、その積層層を上記パターニング方法でパターニングを行うことも可能である。
【００６５】
上記有機発光装置の製造方法の第１、第２実施例において、表面処理によりアノード電極５２と有機ＥＬ層５６の密着性を良くしておき、基板５１と有機ＥＬ層５６の密着性を悪くしておくと、より歩留り良く有機ＥＬ層のパターニングを行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図６】本発明の有機発光装置の製造方法の一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図７】本発明の有機発光装置の製造方法の一実施の形態（第１実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図８】本発明の有機発光装置の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程斜視図である。
【図９】本発明の有機発光装置の製造方法の一実施の形態（第２実施例）を示した製造工程斜視図である。
【符号の説明】
【００６７】
１１…基体、１２…半導体膜、１３…所望のパターン、２１…粘着シート、２２…所望パターン部、３１…フォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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