(57)【要約】      （修正有）【課題】構造が簡単で、フォトレジストの厚みムラの少ないスピンコータを提供する。【解決手段】角形基板や半導体ウエハーなどの基板Ｋを回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータ１において、前記基板Ｋ等の外周側に円板２を配置し、前記基板Ｋ等の端面と前記円板２との間に全周に亘って吸引スリット３を形成し、この吸引スリット３に減圧させて前記基板Ｋ等の端面より吸引排気することによって前記基板Ｋ等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、
前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴とするスピンコータ。
【請求項２】
角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、
前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に、僅かに突出した状態で全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって、前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴とする請求項１記載のスピンコータ。
【請求項３】
角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータであって、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する装置において、
前記基板が角形基板である場合は、前記吸引スリットの内の角部を開口し、隣接する角部の間の直線部分の一部を吸引力が作用しないか、あるいは弱めるように構成したことを特徴とする請求項１あるいは２に記載のスピンコータ。
【請求項４】
角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、更に、前記円板の下方にこの円板を支持する支持板を配置し、前記支持板と円板との間に環状に吸引排気装置を構成する遠心翼を形成し、スピンコータの回転に伴って前記遠心翼を回転させて前記吸引口を介して前記円板の表面を流れる空気を前記吸引スリットを介して吸引排気するように構成したことを特徴とする請求項１あるいは２に記載のスピンコータ。
【請求項５】
角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、
更に、前記円板の下方を支持板で支持すると共に、この支持板の下面中央部を駆動筒によって支持し、この駆動筒の中央部に配置された吸引パイプの上端で前記基板の下面の中央部を吸引支持し、
更に前記駆動筒を減圧源に連通して前記吸引スリットを介して前記基板上に付与された処理液の余剰部分を吸引排出するように構成したことを特徴とする請求項１あるいは２に記載のスピンコータ。
【請求項６】
角形基板や半導体ウエハーからなる基板の周囲に配置された円板は、前記基板の表面を流れる空気が基板の縁部に廻り込まないガイド板を構成していることを特徴とする請求項１ないし５に記載のスピンコータ。
【請求項７】
前記基板等の外周単に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って形成された吸引スリットにおいて、前記円板の基板に対する位置を調節して前記吸引スリットの間隔を調整するように構成したことを特徴とする請求項１ないし６に記載のスピンコータ
【請求項８】
前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気するように構成した装置において、
前記円板の内周端であって、前記基板の表面ないしその近傍の高さに相当する位置に、基板の表面に向かう吸引スリットを開口したことを特徴とする請求項１ないし７に記載のスピンコータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円形の半導体ウエハーなどの基板、あるいは角形の基板の表面にフォトレジストなどの薄膜を形成するスピンコータの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する工程においては、円形の半導体ウエハーやガラス板などの角形基板上に微細な回路パターンを形成するフォトリソグラフ工程があり、この工程においてはフォトレジストを滴下して塗膜を形成し、続いてベーキング処理や露光処理などの一連の処理工程が順次実施される。
【０００３】
前記フォトレジスト工程においては、基板の表面に薄くフォトレジスト膜を形成しなければならないが、そのフォトレジストを粘性によって、特に「角形基板」の場合、その角部にフォトレジスト層が局部的に盛り上って厚くなる部分（膨出部分）が発生し、この部分により画像が不正確となるなどの欠点が発生する。
【０００４】
さて、角形の半導体基板上に塗布したフォトレジストの一部が盛り上がって厚くなる現象は、角形の基板を使用する液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）にも発生する。もっとも、円板状の半導体基板の場合は、その表面を流れる空気流が全周に亘って均一であることからフォトレジスト膜に対する影響も全周方向に同様であり、また塗装も比較的均一に形成されやすいので、この基板を高速回転させてフォトレジストを遠心分離操作によって前記膨出部分が形成されることを積極的に防ぐ方法を採用できる。
【０００５】
しかし、前記ＬＣＤ基板の場合は、その基板が四角形や矩形のものが使用されるので、その基板の回転中心から角（コーナー）の部分の各部まで距離がそれぞれ異なる上に、回転する際のバランス上の問題もあり、この高速回転による方法ではフォトレジスト膜が厚くなる膨出部分を除去することができなかった。
【０００６】
角形の基板上に形成されたフォトレジストの膨出部分を除去する方法としては、例えば、特許文献１が提案されている。
【０００７】
基板上に塗布形成されたフォトレジスト膜の一部を除去する方法は、かなり煩雑であるので、この後処理の問題を解決するために、フォトレジストの塗膜を基板上に形成する段階で、均一に塗布することを考慮した各種のスピンコータが提案されている（特許文献２および３参照）。
【特許文献１】特開２００１−９３４７号公報
【特許文献２】特開２００２−２３９４４３号公報
【特許文献３】特開２００３−１２６７５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記特許文献１に記載された発明は、スピンコータにおける角形の基板を可動保持部によって保持する装置を示している。しかし、角形基板の角部に発生するフォトレジストの厚みムラを解消する装置を提案するものではない。
【０００９】
また、前記特許文献２に記載されたスピンコータは、このスピンテーブルの下方に、羽根を設け、スピンテーブルが回転すると、この羽根がスピンテーブルの回転数より減速されてスピンテーブルの回転と同期回転し、この羽根によって発生された下降気流により基板の周囲の空気や余剰コーティング液のミストを排出するように構成した装置である。
【００１０】
また、前記特許文献３に記載されたスピンコータは、基板の周囲に環状のミスト飛散防止部材を配置し、基板上に塗布されたフォトレジストのミストが基板の裏側に入り込まないように、基板の周囲と平面方向に気流を積極的に流して排出するようにした装置である。
【００１１】
なお、特許文献２および３に記載された装置で処理される基板は円板形のものが主体であって、角形（四角形、矩形）の基板における処理液の塗布厚のムラを防止するものではなく、無理に使用すると下記理由からフォトレジストの塗布厚を正確に規制することが困難である。
（角形の基板に形成される塗布ムラの問題）
図８、９および図１０を参照し、角形の基板Ｋを回転軸Ｓで回転させながら、この基板Ｋの上面にフォトレジストＲを滴下供給し、この基板Ｋの表面に薄いフォトレジスト膜ｆを形成する際の状態について説明する。
【００１２】
図示しないスピンテーブル上に配置された基板Ｋは、回転軸Ｓを中心として回転しながら、その表面にフォトレジストＲを中心部に滴下供給すると、遠心力で瞬時に基板Ｋの表面に分布してフォトレジスト膜ｆを形成しながら流動し、移動距離が長く、遠心力が大きく作用する角部Ｃに分厚い膜Ｆ（盛上がり部分）を形成し、この分厚い膜Ｆの先端より液滴ｅが分離・離脱し、空中に飛散してミストとなる。
【００１３】
前記基板Ｋの角部Ｃの分厚く形成された厚い膜Ｆの中央に形成される円形の部分には、厚さが本体部分に形成されたものと殆ど変わらない均一厚さ部分ｆが形成される。
【００１４】
このように塗膜の厚さが場所によって変化する様子を観察してみると、図９に示すように、基板Ｋは回転軸Ｓからの距離、つまり半径の長い角部Ｃ（コーナー部分）と、この半径の長い角部Ｃの間の半径の短い部分（直線部分）が存在しており、この基板Ｋが高速回転すると、その角部Ｃは空気を切ってこの部分から大きな渦ｖが発生する。
【００１５】
一方、角部Ｃの間の直線部分には、図９および図１０に示すように基板Ｋの表面側から下面側に、あるいはこの逆方向に基板Ｋの縁部を回る剥離するような渦ｖが発生する。
【００１６】
なお、この気流の状態は煙を閉じこめるか、少し流した観察箱の中で各種の基板を、異なる回転速度で回転させた際の煙の乱れを観察し、撮影できる「スモーク実験」から判断したものである。つまり、このスモーク実験から理解できることは、高速回転する基板Ｋの表面には空気の流れが発生しており、このような雰囲気の中にある基板Ｋの表面の中心部にフォトレジストＲを滴下すると、このフォトレジストＲの移動距離と、その際に気流による力などの影響を受けて、図８に示すような塗布・形成されたフォトレジストに薄い部分ｆと厚い部分Ｆとが必然的に発生するのである。
【００１７】
本発明は、前記基板Ｋ上面およびその縁部に発生する空気の渦と、基板Ｋ上に形成される塗布の流れに基づく塗膜ｆの厚さが変化する原因を解消する方法およびその装置を提供することを第一の目的とする。
【００１８】
また、塗布の厚さを均一に形成できる装置を提供することを第二の目的とする。
【００１９】
更に、前記方法によって精度のよい塗膜を形成した基板を効率的に製造することを第三の目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
前記目的を達成するための本発明にかかるスピンコータは、次のように構成されている。
【００２１】
１．角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴としている。
【００２２】
２．角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に、僅かに突出した状態で全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって、前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出することを特徴としている。
【００２３】
３．角形基板や半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータであって、前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気することによって前記基板等の表面に形成された薄膜の周囲の部分を吸引排出する装置において、前記基板が角形基板である場合は、前記吸引スリットの内の角部を開口し、隣接する角部の間の直線部分の一部を吸引力が作用しないか、あるいは弱めるように構成したことを特徴としている。
【００２４】
４．角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、更に、前記円板の下方にこの円板を支持する支持板を配置し、前記支持板と円板との間に環状に吸引排気装置を構成する遠心翼を形成し、スピンコータの回転に伴って前記遠心翼を回転させて前記吸引口を介して前記円板の表面を流れる空気を前記吸引スリットを介して吸引排気するように構成したことを特徴としている。
【００２５】
５．角形基板や半導体ウエハーからなる基板を中心としてその外周側に略同一平面に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板の内周端面との間に吸引スリットを開口し、更に、前記円板の下方を支持板で支持すると共に、この支持板の下面中央部を駆動筒によって支持し、この駆動筒の中央部に配置された吸引パイプの上端で前記基板の下面の中央部を吸引支持し、更に前記駆動筒を減圧源に連通して前記吸引スリットを介して前記基板上に付与された処理液の余剰部分を吸引排出するように構成したことを特徴としている。
【００２６】
６．角形基板や半導体ウエハーからなる基板の周囲に配置された円板は、前記基板の表面を流れる空気が基板の縁部に回り込まないガイド板を構成していることを特徴としている。
【００２７】
７．前記基板等の外周単に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って形成された吸引スリットにおいて、前記円板の基板に対する位置を調節して前記吸引スリットの間隔を調整するように構成したことを特徴としている。
【００２８】
８．前記基板等の外周側に円板を配置し、前記基板等の端面と前記円板との間に全周に亘って吸引スリットを形成し、この吸引スリットに減圧を作用させて前記基板等の端面より吸引排気するように構成した装置において、前記円板の内周端であって、前記基板の表面ないしその近傍の高さに相当する位置に、基板の表面に向かう吸引スリットを開口したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明は、角形基板や円板状の半導体ウエハーなどの基板を回転させてその表面に薄膜を形成し、乾燥するスピンコータにおいて、前記基板の周囲に円板を配置し、前記基板の周囲と円板の外周との間に間隙からなる吸引口を設け、更に前記円板の下方に排気ブロアを構成する遠心翼を形成している。
【００３０】
従って、スピンコータの回転と共に排気ブロアが駆動されて、吸引口を介して排気するので、基板の周縁部を流れる空気は周縁部を強制的に方向を変化させて通過することになる。従って、この部分の流れが速くなり、余剰のフォトレジストを強制的に、また、回転に比例して除去し、排出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
次に図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（実施例１）
図１は、本発明に係るスピンコータ（回転塗膜形成装置）の平面図、図２は、同装置の中央の横断面図である。この図において、スピンコータ１の中央部に基板Ｋ（被処理物：この実施例においては角形のＬＣＤ用基板）が配置され、その周囲に４枚の分割板２ａ〜２ｄで構成される円板２が配置されている。また、この基板Ｋの周囲の縁部と、円板２を構成する各分割板２ａ〜２ｄとの内縁部との間には小間隙の吸引スリット３が額縁状に形成されている。そして、これらの分割板２ａ〜２ｄは、好ましくは、相対的に移動可能に支持して前記吸引スリット３の幅を調節して排気状態を調整できるように構成するのがよい。
【００３２】
図２に示すようにこの円板２を構成する分割板２ａ〜２ｄは、それぞれが支持板５などの下部構造に固定されている場合、また、前記のように基板Ｋの端面との距離を変化させて吸引スリット３の開口面積を変化させるために集合・分離するような構造が採用することもされる。
【００３３】
図２（Ａ）において、駆動筒４によって支持板５の下面の中央部が支えられ、この駆動筒４の中央部には、前記基板Ｋの下面を吸引支持するために吸引パイプ６が配置されている。この支持板５は、図３に示すように中央部に前記吸引パイプ６を通すための孔７が貫通され、その周囲に基板Ｋの裏面を支持する支持部材８（例えばゴムなどの弾性体製）が等間隔に配置されている。
【００３４】
前記支持板５の上面の外周部分に形成された「ドーナツ形」の部分は、排気装置９（排気ブロア）を形成した部分であって、この排気装置９は複数枚の遠心翼１０で構成されている。この排気装置９は、支持板５の矢印「ア」の方向の回転に伴って中央の空気流入部１２に流入した空気を前記支持板５の矢印「イ」（図３）で示すように外周方向に排出する機能を有している。
【００３５】
この排気装置９は、基板Ｋの表面にフォトレジストの塗膜を形成する際の回転数（例えば、１５０ｒｐｍ）でも十分に不要なフォトレジストを吸引除去できる空気の流れを形成する機能を持つように設計されている。
【００３６】
次に、図４を参照して基板Ｋ上の形成されたフォトレジストＲの塗膜ｆの厚い部分Ｆ（図８参照）を除去する機構について説明すると、基板Ｋの回転に伴って基板Ｋ上に滴下供給されたフォトレジストＲは、瞬時に基板Ｋ上に分散延展され、その外周方向に移動して塗膜ｆを形成しながら基板Ｋの縁部より離脱して小粒体ｒとなり、あるいは分解されてミストとなる。
【００３７】
図１および図２に示すように、基板Ｋの周囲には円板２（一種の整流板）が配置され、この円板２を構成する分割板２ａ〜２ｄの内縁と前記基板Ｋの縁部との間には小間隙からなる排気スリット３が額縁型に形成され、更にこの基板Ｋの下方の外周方向に複数枚の遠心翼１０で構成された排気装置９が一体的に形成されている。
【００３８】
従って、支持板５とともに基板Ｋ及び円板２が回転すると、この遠心翼９が排気ブロアとして空気を強制的に排出するので、空気は基板Ｋの表面を流れ、前記吸引スリット３より吸引されて矢印「ハ」のような流れを発生しながら排気される。この空気の流れに伴って基板Ｋの表面に形成されたフォトレジスト膜ｆの内、角部（図８のＣの部分）に分厚く盛り上がっている部分を強制的に吸引して剥離する。
【００３９】
その際、フォトレジスト膜ｆは図８（Ａ）に示すように、その場所によって予定した厚さｆの部分と、角部Ｃの分厚い部分Ｆとが形成されるが、両者の部分とも、図４に示す空気流「ハ」によって排気スリット３内に吸引され、剥離されて円板２の外周より排出されることになる。
【００４０】
排気装置９には基板Ｋより分離されたフォトレジストＲの余剰分が通過するので、その遠心翼１０の表面などにこれが付着して排気機能が低下することがあるので、時々洗浄操作が必要である。
【００４１】
前記のように、このスピンコータ１は、基板Ｋの支持構造自体が排気装置である排気ブロアを構成しているので、その構成を簡略化することができる。なお、この装置における基板Ｋの回転数は、フォトレジストの粘性や延展性に関係し、また、排気装置９の回転数は、前記基板Ｋの回転数に比例し、その回転数に関係して排気性能が変化するので、その遠心翼１０の形状の設計は、この点を十分に考慮しながら行う必要がある。
【００４２】
（実施例２）
図５は、第２の実施例のスピンコータ１Ａの平面図を示すもので、分割板２ａ〜２ｄからなる円板２の下方あるいは支持板５の外周部の上面に形成された遠心翼１０は、基板Ｋの角部Ｃの空気を排気するもの以外は、閉鎖壁１０ａによって閉鎖されて遠心翼１０としての機能を一部で発揮しないようになっている。このように、遠心翼１０を構成することによって基板Ｋの角部Ｃを流れる空気流を局部的に限定してその排気効果を増加させている。
【００４３】
（実施例３）
図６は半導体ウエハー型の基板Ｋ１にフォトレジストの塗膜を形成するためのスピンコータ１Ｂの平面図であって、基板Ｋ１の周囲に環状形の円板２Ｘ（一種の整流板）が配置され、基板Ｋ１の端面と円板２Ｘの内周端面との間に狭い円形の小間隙で形成された排気スリット３Ａが形成されている。なお、排気装置９については、図２及び図３に示した構成を採用する。
【００４４】
（実施例４）
図７は、第４の形式のスピンコータ１Ｃの構成を示すもので、図１に示す装置におけるスピンコータ機能とは別に真空源を準備し、基板Ｋの周囲に形成された小間隙からなる排気スリット３ｃと真空源と連通した点に特徴がある。
【００４５】
このスピンコータ１Ｃは、駆動筒４０の内部を真空源Ｖａに連結し、この駆動筒４０の上部のフランジ４０ａの中央に排気孔を開口すると共に、このフランジ４０ａに支持されている支持板５０の中央に基板Ｋの外形に合わせて排気孔５０ａを開口する。そして、駆動筒４０の中央部に配置されている吸引パイプ６０の周囲と、基板Ｋの裏側の空間５０ｂと、更に前記排気スリット３ｃとの間に排気路を連通形成した構造を示している。
【００４６】
このスピンコータ１Ｃの場合は、吸引パイプ６０の先端の吸着部６０ａに基板Ｋを所定の位置に供給配置してこのパイプ６０の内部に真空を作用させて吸着する。そして前記駆動筒４０を回転させ、所定の速度に到達したならば、図示しない真空源Ｖａを操作してこの駆動筒４０の内部に真空を作用させる。そして通常のスピンコータ１Ｃとしての塗膜操作を実施するのである。
【００４７】
前記したように基板Ｋの角部Ｃ（図８参照）には、分厚い膜Ｆが形成されようとするが、前記排気スリット３ｃを通じた空気の吸引効果で、角部Ｃに形成される分厚いフォトレジストＦは、移動方向と直交する方向からの排気スリット３ｃの吸引作用によって恰も切断（剪断）されるような作用を受けて綺麗に除去され、その結果、基板Ｋの表面には均一なフォトレジストの塗膜を効率よく形成することができる。
【００４８】
（実施例５）
この実施例は、基板Ｋの表面に沿って気流を発生させてフォトレジスト膜を吸引除去する装置を示すものである。
【００４９】
図１１（Ａ）に示すように基板Ｋの周囲には円板２Ｚが配置されている。この円板２Ｚは基板Ｋの表面より距離ｈだけ突出しており、基板Ｋの周囲が額縁状に突出し、前記基板Ｋと円板２Ｚとの間には間隔３０が形成されているが、この実施例においては前記実施例のような吸引スリットとしての機能を有しておらず、前記距離ｈがその機能を有しているのである。前記距離ｈが壁面を形成しており、この壁面の中間部に吸引スリット３１を形成しており、この吸引スリット３１は図示しない減圧源に接続されている。
【００５０】
図１１（Ｂ）は、フォトレジストＲを基板Ｋの中心部に滴下供給した状態を示しており、フォトレジストＲは瞬時に展開されて基板Ｋの表面全面に図（Ｃ）の如く薄い塗膜ｆを形成しようとするが、周囲に厚い部分Ｆが形成される。この厚い部分Ｆは図（Ｄ）に示すように円板２Ｚの内面の壁面に形成されている吸引スリット３１に吸引され、図（Ｅ）に示すように基板Ｋの表面には好ましい厚さの塗膜ｆが形成されるのである。
【００５１】
前記基板Ｋとその周囲に配置される円板２Ｚとの間には、微妙な関係がある。図１２（Ａ）は基板Ｋの表面と円板２Ｚの表面とが一致しているもので、この場合の吸引スリットは３２で示されている。
【００５２】
図１２（Ｂ）は基板Ｋの表面より円板２Ｚを距離ｈ１だけ上昇させた装置を示しており、この距離ｈ１によってフォトレジストの塗膜を受け止め、吸引スリット３２より吸引除去することができる。
【００５３】
図１２（Ｃ）は、図１１に示したスピンコータの要部を示している。この装置の作用効果は前記したとおりである。この装置においては円板２Ｚの内縁の全周に亘って吸引スリット３１を開口する必要があるので、排気孔３１Ａを全周に設けるなどして吸引力が平均して作用するように設計しておくことが好ましい。
【００５４】
また、変形として、基板Ｋに対して円板２Ｚの上下位置を微妙に調節して基板Ｋの周囲、特に角部Ｃに形成される分厚いと膜Ｆが形成される状態に合わせて想定的に上下するように構成するのがよい。
【００５５】
（その他の実施例）
図１３は、基板Ｋの周囲に薄い円板２を配置し、厚い遠心翼を形成することによって排気量を増加させるように構成した装置を示している。
【００５６】
また図１４は、図７において基板Ｋの下面の支持に使用した支持部材８を省略し、基板Ｋの下面の空間５０ｂを薄く形成することによって流速を増し、基板Ｋの上面に作用する圧力を減少させる構造のものを示している。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】第１の実施例に係るスピンコータの平面図である。
【図２】（Ａ）は図１に示した装置の横断面図、（Ｂ）は排気の流れの説明図である。
【図３】遠心翼を有する排気装置の平面図である。
【図４】排気装置による排気作用を示す説明図である。
【図５】第２の実施例に係るスピンコータの平面図である。
【図６】円板形の基板を使用するスピンコータの平面図である。
【図７】真空源を使用するスピンコータの横断面図である。
【図８】（Ａ）は、基板の表面に形成されるフォトレジストの厚みムラの説明図である。（Ｂ）は、規定の厚みの塗装を示す断面図である。（Ｃ）は、角部に形成される塗膜と、余剰なフォトレジストの分離状態を示す断面図である。
【図９】回転する基板の周囲に発生する渦の説明図である。
【図１０】基板の端部に発生する渦の説明図である。
【図１１】第５の実施例のスピンコータの動作を示す図であり、（Ａ）は、動作前の装置の構造を示す断面図、（Ｂ）は、基板上にフォトレジストを供給した状態を示す断面図である。（Ｃ）は、塗装の厚さに変化を生じた状態の断面図、（Ｄ）は、厚い塗膜の部分が吸収されている状態を示す図、（Ｅ）は、本発明の装置によって均一な塗膜が形成された基板を示す断面図である。
【図１２】第５の実施例に使用した装置の説明図であって、（Ａ）は、基板と円板とが同一平面上にある状態の説明図、（Ｂ）は、円板が上昇した状態の概略図、（Ｃ）は、第５の実施例に係る装置説明図である。
【図１３】排気量の大きな遠心翼を使用したスピンコータの要部断面図である。
【図１４】基板への押圧力を減少させる形式のスピンコータの側断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  基板
２  円板（整流板）
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ  分割板（分割板）
３、３Ａ、３Ｃ  吸気スロット（小間隙、排気孔）
４  駆動筒
５  支持板
６  吸引筒
８  支持部材
９  排気装置（排気ブロワ）
１０  遠心翼
１０ａ  閉鎖壁
４０  駆動筒
４０ａ  フランジ
５０ａ  排気孔
５０ｂ  空間
６０  パイプ
【図１】
2009099910.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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