(57)【要約】      （修正有）【課題】電子線リソグラフィー又はＥＵＶリソグラフィーに適した、解像度、感度の性能に加えて、特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型レジスト組成物を与える化合物を提供する。【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。式中、Ｒ１〜Ｒ５は、互いに独立に水素原子、トリアリールスルホニウム基等の残基を有する置換基、又は脂環式アルコキシカルボニル基等の官能基を有する置換基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つはトリアリールスルホニウム基等の残基を有する置換基を表す。2009221194.tif 000114【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）で表される化合物。
2009221194.tif 000100
（式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ５は、互いに独立に、水素原子、式（ＩＩ）で表される基又は式（ＩＩＩ）で表される基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つは式（II）で表される基を表す。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
2009221194.tif 000101
（式（II）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。）
2009221194.tif 000102
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基又はα−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。ただし、Ｗがカルボニルオキシ基以外を表す場合、Ｚ１は水素原子でもよい。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【請求項２】
式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つが式（III）で表される基である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
式（III）において、Ｘ１及びＸ２が水素原子であり、ｎが０であり、Ｗがカルボニルオキシ基である請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
Ｑ１及びＱ２が、フッ素原子である請求項１〜３のいずれか記載の化合物。
【請求項５】
Ａ＋が、式（VIａ）〜式（VIｃ）で表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のカチオンである請求項１〜４のいずれか記載の化合物。
2009221194.tif 000103
（式（VIａ）中、Ｐ１〜Ｐ３は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２の炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
2009221194.tif 000104
（式（VIｂ）中、Ｐ４及びＰ５は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
2009221194.tif 000105
（式（VIｃ）中、Ｐ６及びＰ７は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、又はＰ６とＰ７とが結合してＳ＋を含んで形成された環を表す。
Ｐ８は、水素原子を表し、Ｐ９は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基もしくは置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香環基を表すか、又はＰ８とＰ９が結合して形成された炭素数３〜１２の環を表す。ここで、該環上のメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。）
【請求項６】
式（Ｉ）で表される化合物において、その分子量が５００〜５０００である請求項１〜５のいずれか記載の化合物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか記載の化合物及び溶剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
【請求項８】
さらに、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有する請求項７記載の組成物。
2009221194.tif 000106
（式（Ｉ’）中、Ｒ１’〜Ｒ５’は、互いに独立に、水素原子又は式（ＩＩＩ）で表される基を表す。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
2009221194.tif 000107
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基又はα−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。ただし、Ｗがカルボニルオキシ基以外を表す場合、Ｚ１は水素原子でもよい。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
2009221194.tif 000108
（式（Ｉ’−２）中、Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
2009221194.tif 000109
（式（Ｉ’−３）中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基又は水素原子を表す。
Ｒ７４は、互いに独立に、素原子又は水酸基を表す。）
2009221194.tif 000110
（式（Ｉ’−４）中、Ｒ７５は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基又は水素原子を表す。
Ｒ７６は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。）
【請求項９】
さらに、式（Ｉ’）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物を含有する請求項７記載の組成物。
【請求項１０】
さらに、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物及び式（Ｉ’−３）で表される化合物を含有する請求項７記載の組成物。
【請求項１１】
式（ＶII）で表される化合物と式（ＶIII）で表される化合物とを塩基の存在下に反応させることを特徴とする式（Ｉ）で表される化合物の製造法。
2009221194.tif 000111
（式（VII）中、Ｒ１１〜Ｒ１５は、互いに独立に、水素原子又は式（III）で表される酸不安定基を表す。ただし、Ｒ１１〜Ｒ１５の少なくとも１つは、水素原子である。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
2009221194.tif 000112
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基、α−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
2009221194.tif 000113
（式（ＶIII）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。ただし、前記の炭化水素基中のメチレン基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、アルキルアミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基で置換されてもよい。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。
Ｌは、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキルスルホニルオキシ基または、炭素数６〜１２のアリールスルホニルオキシ基を表す。該アリール基の炭素原子は、ヘテロ原子で置換されていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の微細加工に用いられる化学増幅型レジスト組成物並びに該組成物に用いられる光酸発生基結合型多価フェノール誘導体及び該誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の微細加工が進むにつれて、解像度を向上させることが求められている。原理的には露光波長が短いほど解像度を上げることが可能であり、半導体の製造に用いられるリソグラフィー用露光光源は、波長４３６ｎｍのｇ線、波長３６５ｎｍのｉ線、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーと、年々短波長になってきている。次世代の露光光源として、波長１３ｎｍ付近の極端紫外光（ＥＵＶ）あるいはＸ線が光源として提案されている。また電子線リソグラフィーも高価なマスクを必要としないことで半導体の製造に活用されている。
【０００３】
微細加工技術のさらなる進歩に伴い、従来の化学増幅型レジスト組成物をさらに上回る性能、例えば、解像度、感度、パターン形状のほか、ラインエッジラフネスがより良好であることが要望されている。特に近年、パターンが細密になるにつれて、ラインエッジラフネスに要求されるレベルが、通常用いられている樹脂の分子の大きさに匹敵するようになり、従来用いられていた樹脂ではラインエッジラフネスの制御が限界になりつつある。
【０００４】
加えて、微細加工技術の進歩に伴うさらなる要求として、露光プロセスにかかる時間の短縮のため、より高感度なレジストの開発が望まれている。一般に、レジストの感度を高感度（少ない露光エネルギーで感光する）にすると、ラインエッジラフネスが悪くなる事が知られている。（例えば、非特許文献２参照。）そこで、高感度でかつ、ラインエッジラフネスの良好なレジストの開発が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５８７３９号公報  請求項７
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】Proceedings of SPIE, Vol.5374 (2004), pp.74-85
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、電子線リソグラフィー又はＥＵＶリソグラフィーに適した、解像度、感度の性能に加えて、特に、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型レジスト組成物を与える化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、化学増幅型レジスト組成物用の化合物について鋭意検討を加えた結果、本発明を完成するに至った。
【０００９】
すなわち、本発明は、以下を提供する。
【００１０】
１．式（Ｉ）で表される化合物。
【００１１】
2009221194.tif 000002
【００１２】
（式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ５は、互いに独立に、水素原子、式（ＩＩ）で表される基又は式（ＩＩＩ）で表される基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つは式（II）で表される基を表す。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
【００１３】
2009221194.tif 000003
【００１４】
（式（II）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。）
【００１５】
2009221194.tif 000004
【００１６】
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基又はα−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。ただし、Ｗがカルボニルオキシ基以外を表す場合、Ｚ１は水素原子でもよい。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【００１７】
２．式（Ｉ）において、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つが式（III）で表される基である請求項１記載の化合物。
３．式（III）において、Ｘ１及びＸ２が水素原子であり、ｎが０であり、Ｗがカルボニルオキシ基である請求項１又は２記載の化合物。
４．Ｑ１及びＱ２が、フッ素原子である請求項１〜３のいずれか記載の化合物。
５．Ａ＋が、式（VIａ）〜式（VIｃ）で表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のカチオンである請求項１〜４のいずれか記載の化合物。
【００１８】
2009221194.tif 000005
【００１９】
（式（VIａ）中、Ｐ１〜Ｐ３は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２の炭化水素基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。
【００２０】
2009221194.tif 000006
【００２１】
（式（VIｂ）中、Ｐ４及びＰ５は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。）
【００２２】
2009221194.tif 000007
【００２３】
（式（VIｃ）中、Ｐ６及びＰ７は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表すか、又はＰ６とＰ７とが結合してＳ＋を含んで形成された環を表す。
Ｐ８は、水素原子を表し、Ｐ９は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基もしくは置換されていてもよい炭素数６〜１０の芳香環基を表すか、又はＰ８とＰ９が結合して形成された炭素数３〜１２の環を表す。ここで、該環上のメチレン基は、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。）
【００２４】
６．式（Ｉ）で表される化合物において、その分子量が５００〜５０００である請求項１〜５のいずれか記載の化合物。
７．請求項１〜６のいずれか記載の化合物及び溶剤を含有することを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。
８．さらに、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有する請求項７記載の組成物。
【００２５】
2009221194.tif 000008
【００２６】
（式（Ｉ’）中、Ｒ１’〜Ｒ５’は、互いに独立に、水素原子又は式（ＩＩＩ）で表される基を表す。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
【００２７】
2009221194.tif 000009
【００２８】
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基又はα−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。ただし、Ｗがカルボニルオキシ基以外を表す場合、Ｚ１は水素原子でもよい。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【００２９】
2009221194.tif 000010
【００３０】
（式（Ｉ’−２）中、Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
【００３１】
2009221194.tif 000011
【００３２】
（式（Ｉ’−３）中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基又は水素原子を表す。
Ｒ７４は、互いに独立に、素原子又は水酸基を表す。）
【００３３】
2009221194.tif 000012
【００３４】
（式（Ｉ’−４）中、Ｒ７５は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数７〜１３のアラルキル基又は水素原子を表す。
Ｒ７６は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。）
【００３５】
９．さらに、式（Ｉ’）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物を含有する請求項７記載の組成物。
１０．さらに、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物及び式（Ｉ’−３）で表される化合物を含有する請求項７記載の組成物。
１１．式（ＶII）で表される化合物と式（ＶIII）で表される化合物とを塩基の存在下に反応させることを特徴とする式（Ｉ）で表される化合物の製造法。
【００３６】
2009221194.tif 000013
【００３７】
（式（VII）中、Ｒ１１〜Ｒ１５は、互いに独立に、水素原子又は式（III）で表される酸不安定基を表す。ただし、Ｒ１１〜Ｒ１５の少なくとも１つは、水素原子である。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
【００３８】
2009221194.tif 000014
【００３９】
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基、α−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【００４０】
2009221194.tif 000015
【００４１】
（式（ＶIII）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。ただし、前記の炭化水素基中のメチレン基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、アルキルアミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基で置換されてもよい。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。
Ｌは、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキルスルホニルオキシ基または、炭素数６〜１２のアリールスルホニルオキシ基を表す。該アリール基の炭素原子は、ヘテロ原子で置換されていてもよい。）
【発明の効果】
【００４２】
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、電子線リソグラフィー又はＥＵＶリソグラフィーに適しており、半導体製造用の微細加工において、解像度、感度が優れるとともに、ラインエッジラフネスが良好であるので、工業的に有用である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
本発明の化合物は、式（Ｉ）で表される。
【００４４】
2009221194.tif 000016
【００４５】
（式（Ｉ）中、Ｒ１〜Ｒ５は、水素原子、式（ＩＩ）で表される基又は式（ＩＩＩ）で表される基を表す。ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つは、式（II）で表される基である。
Ｒ５１〜Ｒ６７は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
【００４６】
2009221194.tif 000017
【００４７】
（式（II）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。ただし、前記の炭化水素基中のメチレン基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、アルキルアミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基で置換されてもよい。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。）
【００４８】
2009221194.tif 000018
【００４９】
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基又はα−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。ただし、Ｗがカルボニルオキシ基以外を表す場合、Ｚ１は水素原子でもよい。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【００５０】
式（II）におけるＡ＋は、有機対イオンを表し、具体的には、以下に示す式（ＶIａ）、式（ＶIｂ）又は式（ＶIｃ）のいずれかで表されるカチオンからなる群から選ばれる少なくとも１種のカチオンが挙げられる。
【００５１】
2009221194.tif 000019
【００５２】
式（ＶIａ）中、Ｐ１〜Ｐ３は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表し、該アルキル基及び該アルコキシ基は、直鎖でも分岐していてもよい。
該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられ、アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基などが挙げられる。
【００５３】
式（ＶIａ）で表されるカチオンの中でも、式（ＶIｄ）で表されるカチオンが、その製造が容易であることから好ましい。
【００５４】
2009221194.tif 000020
【００５５】
式（ＶIｄ）中、Ｐ２２〜Ｐ２４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。
【００５６】
式（ＶIｂ）は、ヨウ素カチオンを含む下記式である。
【００５７】
2009221194.tif 000021
【００５８】
式（ＶIｂ）中、Ｐ４及びＰ５は、互いに独立に、水素原子、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数１〜１２のアルコキシ基を表す。該アルキル基及び該アルコキシ基は、式（ＶIａ）のアルキル基及びアルコキシ基と同じ意味を表す。
【００５９】
2009221194.tif 000022
【００６０】
式（ＶIｃ）中、Ｐ６及びＰ７は、互いに独立に、炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられる。該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。また、Ｐ６とＰ７とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基であってもよい。
Ｐ８は水素原子を表し、Ｐ９は炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又はフェニル基、ベンジル基などの、置換されていてもよい芳香環基を表すか、Ｐ８とＰ９とが結合して、アルキレン基などの炭素数３〜１２の２価の炭化水素基を表す。Ｐ９がアルキル基の場合、該アルキル基は、直鎖でも分岐していてもよい。該アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基などが挙げられる。Ｐ９がシクロアルキル基の場合、該シクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基などが挙げられる。ここで、式（ＶIｃ）における２価の炭化水素基に含まれる炭素原子は、いずれも、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子に置換されていてもよい。
【００６１】
式（ＶIａ）で表されるカチオンＡ＋の具体例としては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。
【００６２】
2009221194.tif 000023
【００６３】
2009221194.tif 000024
【００６４】
式（ＶIｂ）で表されるカチオンＡ＋の具体例としては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。
【００６５】
2009221194.tif 000025
【００６６】
式（ＶIｃ）で表されるカチオンＡ＋の具体例としては、下記式で表されるカチオンが挙げられる。
【００６７】
2009221194.tif 000026
【００６８】
2009221194.tif 000027
【００６９】
2009221194.tif 000028
【００７０】
式（ＩＩ）で表される基としては、例えば、式（ＩＩａ）〜式（ＩＩｘ）で表される基が挙げられる。
【００７１】
2009221194.tif 000029
【００７２】
2009221194.tif 000030
【００７３】
2009221194.tif 000031
【００７４】
式（ＩＩ）中のＱ１及びＱ２の具体例としては、フッ素原子、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基が挙げられる。ここで、Ｑ１及びＱ２としては、フッ素原子及びトリフルオロメチル基である場合が好ましく、フッ素原子である場合がさらに好ましい。
【００７５】
式（ＩＩ）中、Ｕは炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基中の炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、アルキルアミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基で置換されてもよい。例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基、ヘキサデカメチレン基、ヘプタデカメチレン基、オクタデカメチレン基、ノナデカメチレン基、エイコサメチレン基、エチレンカルボニルエチル基、以下に化学構造を具体的に挙げるが、これらに限定されるものではない。一端を有する線は、結合手を示す。
【００７６】
2009221194.tif 000032
【００７７】
2009221194.tif 000033
【００７８】
2009221194.tif 000034
【００７９】
2009221194.tif 000035
【００８０】
2009221194.tif 000036
【００８１】
式（ＩＩＩ）におけるＸ１〜Ｘ４としては、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられ、好ましくは水素原子、メチル基及びエチル基が挙げられる。
ｎは、０〜３の整数を表し、好ましくは０又は１を表す。
【００８２】
式（III）における、環ＹとＺ１とを含む式（IIIａ）で表される基としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。一端を有する線は、結合手を示す。
【００８３】
2009221194.tif 000037
【００８４】
2009221194.tif 000038
【００８５】
2009221194.tif 000039
【００８６】
2009221194.tif 000040
【００８７】
2009221194.tif 000041
【００８８】
本発明の化学増幅型レジスト組成物に含有される式（Ｉ）で表される化合物としては、式（ＩＶ）で表される化合物が好ましい。
【００８９】
2009221194.tif 000042
【００９０】
（式（IV）中、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも一つが式（II）で表される基であり、残りは式（Ｖ）で表される基又は水素原子を表す。）
【００９１】
2009221194.tif 000043
【００９２】
（式（II）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。）
【００９３】
2009221194.tif 000044
【００９４】
（式（Ｖ）中、Ｚ２は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【００９５】
式（Ｖ）における環ＹとＺ２とを含む下記式
【００９６】
2009221194.tif 000045
【００９７】
で表される化学構造としては、下記のものが表されるが、これらに限定されるものではない。一端を有する線は、結合手を表す。
【００９８】
2009221194.tif 000046
【００９９】
2009221194.tif 000047
【０１００】
2009221194.tif 000048
【０１０１】
式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つが式（II）で表される基であり、残りは式（III）で表される基又は水素原子を表し、好ましくはＲ１〜Ｒ５のうち、１〜４個が式（ＩＩ）で置換された化合物であり、より好ましくは１〜４個が式（ＩＩ）で置換された化合物であり、さらに好ましくは１〜３個が式（ＩＩ）で置換された化合物である。
【０１０２】
式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、式（ＩＩ）で表される基を１個有する化合物と２個有する化合物とを混合して用いてもよいし、１個有する化合物と２個有する化合物と３個有する化合物とを混合して用いてもよい。
混合物の分子量は、好ましくは５００〜５０００、より好ましくは６００〜３０００、さらに好ましくは６００〜２０００である。
式（Ｉ）で表される化合物としては、次の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０３】
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが式（ＩＩ）で表される基であり、残りの四つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが式（ＩＩ）で表される基であり、三つが水素原子であり、一つが式（ＩＩＩ）で表される基である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが式（ＩＩ）で表される基であり、二つが水素原子であり、二つが式（ＩＩＩ）で表される基である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが式（ＩＩ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが式（ＩＩ）で表される基であり、二つが水素原子であり、一つが式（ＩＩＩ）で表される基である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、三つが式（ＩＩ）で表される基であり、二一つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、四つが式（ＩＩ）で表される基であり、一つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ５のうち、五つが式（ＩＩ）で表される基である化合物。
【０１０４】
式（Ｉ）で表される化合物としては、具体的には、次の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０５】
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩａ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩａ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩａ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが前記式（ＩＩａ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩａ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩｂ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｃ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩＩｃ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｄ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｅ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩＩｄ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｆ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｅ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが前記式（ＩＩｇ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩＩｆ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｈ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｇ）で表される基であり、一つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが前記式（ＩＩｉ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｊ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｈ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｋ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩｌ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩＩｉ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｍ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｊ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｎ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｋ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、三つが前記式（ＩＩｏ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｐ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｌ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが前記式（ＩＩｑ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩＩｍ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｒ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩａ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２及びＲ６４が水素原子であり、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ６１、Ｒ６３、Ｒ６５、Ｒ６６及びＲ６７がメチル基であり、Ｒ５９がｔｅｒｔ−ブチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、二つが前記式（ＩＩｓ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｔ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｎ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｕ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｏ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｖ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｐ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｒ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｑ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｗ）で表される基であり、一つが前記式（ＩＩＩａ）で表される基であり、三つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｂ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩａ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
式（Ｉ）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１〜Ｒ５のうち、一つが前記式（ＩＩｘ）で表される基であり、二つが前記式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、二つが水素原子である化合物。
【０１０６】
前記の式（Ｉ）で表される化合物は、溶剤に溶解されることによって、化学増幅型レジスト組成物として用いることができる。
【０１０７】
また、式（Ｉ）において、Ｒ1〜Ｒ5のうちの１つが式（ＩＩ）で表される基である化合物と、Ｒ1〜Ｒ5のうちの２つが式（ＩＩ）で表される基である化合物とを含んでなる混合物もまた、溶剤に溶解されることによって、化学増幅型レジスト組成物として用いることができる。
【０１０８】
前記の溶剤としては、各成分を溶解し、適当な乾燥速度を有し、溶剤が蒸発した後に均一で平滑な塗膜を与えるものであればよく、この分野で一般に用いられている溶剤が使用しうる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、ジエチレングリコールジメチルエーテルのようなエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノンのようなケトン類、γ−ブチロラクトンのような環状エステル類などを挙げることができる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組合せて用いることができる。
【０１０９】
また、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、さらに、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有することができ、好ましくは式（Ｉ’−１）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有し、より好ましくは式（Ｉ’−１）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物を含有することができる。
さらに、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、さらに、式（Ｉ’−１）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物に加えて、式（Ｉ’−３）で表される化合物を含有することができる。
【０１１０】
2009221194.tif 000049
【０１１１】
（式（Ｉ’）中、Ｒ1'〜Ｒ5'は、互いに独立に、水素原子又は式（ＩＩＩ）で表される基を表す。
Ｒ51〜Ｒ67は、互いに独立に、炭素数１〜４のアルキル基又は水素原子を表す。）
【０１１２】
2009221194.tif 000050
【０１１３】
（式（III）中、Ｘ1〜Ｘ4は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｗは、カルボニルオキシ基、オキシメチレンオキシ基、オキシメチレンオキシカルボニル基、オキシ−α−（メチル）メチレンオキシ基又はα−ジメチルメチレンオキシカルボニル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ1は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。ただし、Ｗがカルボニルオキシ基以外を表す場合、Ｚ1は水素原子でもよい。
環Ｙは、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基を表す。）
【０１１４】
式（Ｉ’）において、Ｒ1'〜Ｒ5'のうち、少なくとも１つが式（ＩＩＩ）で表される基である化合物を用いることができる。
【０１１５】
2009221194.tif 000051
【０１１６】
（式（Ｉ’−２）中、Ｒ５１〜Ｒ６７は、式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。）
【０１１７】
2009221194.tif 000052
【０１１８】
（式（Ｉ’−３）中、Ｒ７１〜Ｒ７３は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１３のアラルキル基を表す。
Ｒ７４は、水素原子又は水酸基を表す。）
【０１１９】
2009221194.tif 000053
【０１２０】
（式（Ｉ’−４）中、Ｒ７５は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜４のアルケニル基、炭素数３〜８のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１３のアラルキル基を表す。
Ｒ７６は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。）
【０１２１】
前記式（Ｉ’）で表される化合物としては、Ｒ１’〜Ｒ５’のうち、１〜３つが式（ＩＩＩ）で表される基であることが好ましく、Ｒ１’〜Ｒ５’が式（ＩＩＩ）で表される基であることがより好ましい。
式（Ｉ’）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基である化合物。
前記式（Ｉ’）で表される化合物として、具体的には、例えば、以下の化合物が挙げられる。
式（Ｉ’）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１’〜Ｒ５’のうち、３つが式（ＩＩＩａ）で表される基であり、２つが水素原子である化合物。
式（Ｉ’）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１’〜Ｒ５’のうち、３つが式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、２つが水素原子である化合物。
式（Ｉ’）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１’〜Ｒ５’のうち、２つが式（ＩＩＩａ）で表される基であり、３つが水素原子である化合物。
式（Ｉ’）で表される化合物において、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であり、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であり、Ｒ１’〜Ｒ５’のうち、２つが式（ＩＩＩｂ）で表される基であり、３つが水素原子である化合物。
【０１２２】
前記式（Ｉ’−２）で表される化合物としては、Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５４、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ６０、Ｒ６２、Ｒ６４、Ｒ６６及びＲ６７が水素原子であることが好ましく、Ｒ５３、Ｒ５５、Ｒ５６、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６３及びＲ６５がメチル基であることが好ましい。
前記式（Ｉ’−２）で表される化合物としては、具体的には、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【０１２３】
2009221194.tif 000054
【０１２４】
前記式（Ｉ’−３）及び式（Ｉ’−４）において、炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基及びｔｅｒｔ−ブチル基が挙げられる。
炭素数２〜４のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基及び３−ブテニル基などが挙げられる。
炭素数３〜８のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基などが挙げられる。
炭素数６〜１２のアリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基及びナフチル基などが挙げられる。
炭素数７〜１３のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基などが挙げられる。
【０１２５】
式（Ｉ’−３）におけるＲ７１〜Ｒ７３は、互いに独立に、水素原子、メチル基及びエチル基であることが好ましい。
式（Ｉ’−４）におけるＲ７５〜Ｒ７３は、水素原子、メチル基及びエチル基であることが好ましい。
前記式（Ｉ’−３）及び式（Ｉ’−４）で表される化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【０１２６】
2009221194.tif 000055
【０１２７】
式（Ｉ’−３）で表される化合物は、米国特許５５５６９９５に記載された方法により合成することができる。
式（Ｉ’−４）で表される化合物は、米国特許５３７４７４２に記載された方法により合成することができる。
【０１２８】
本発明の化学増幅型レジスト組成物が、式（Ｉ）で表される化合物及び溶剤に加えて、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を含有する場合、式（Ｉ）で表される化合物の使用量は、式（Ｉ）で表される化合物、式（Ｉ’）で表される化合物、式（Ｉ’−２）で表される化合物、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物の合計量を１００重量％としたときに、通常、２〜９５重量％、好ましくは５〜８０重量％、より好ましくは１０〜６０である。
【０１２９】
本発明の化学増幅型レジスト組成物が、式（Ｉ）で表される化合物及び溶剤に加えて、式（Ｉ’）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物を含有する場合、式（Ｉ’）で表される化合物の含有量及び式（Ｉ’−２）で表される化合物の含有量は、それぞれ、式（Ｉ’）で表される化合物及び式（Ｉ’−２）で表される化合物の合計量を１００重量％としたとこに、好ましくは１〜９９重量％である。
【０１３０】
本発明の化学増幅型レジスト組成物が、式（Ｉ）で表される化合物及び溶剤に加えて、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物を含有する場合、式（Ｉ’−３）で表される化合物の含有量及び式（Ｉ’−４）で表される化合物の含有量は、それぞれ、式（Ｉ’−３）で表される化合物及び式（Ｉ’−４）で表される化合物の合計量を１００重量％としたとこに、好ましくは１〜９９重量％である。
【０１３１】
光酸発生基結合型多価フェノール誘導体である式（Ｉ）で表される化合物は、式（ＶＩＩ）で表される化合物と式（ＶＩＩＩ）で表される化合物とを塩基の存在下に反応させることによって得ることができる。
【０１３２】
2009221194.tif 000056
【０１３３】
（式（VII）中、Ｒ１１〜Ｒ１５は、式（III）で表される基又は、水素原子を表す。）
【０１３４】
2009221194.tif 000057
【０１３５】
（式（III）中、Ｘ１〜Ｘ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
ｎは、０〜３の整数を表す。
Ｚ１は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表す。
環Ｙは、脂環式炭化水素基を表す。）
【０１３６】
2009221194.tif 000058
【０１３７】
（式（ＶIII）中、Ｑ１及びＱ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｕは、炭素数１〜２０の二価の炭化水素基を表す。ただし、前記の炭化水素基中のメチレン基は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、アルキルアミノ基、カルボニル基、カルボニルオキシ基で置換されてもよい。
Ａ＋は、有機対イオンを表す。
Ｌは、ハロゲン原子、炭素数１〜１２のアルキルスルホニルオキシ基または、炭素数６〜１２のアリールスルホニルオキシ基を表す。該アリール基の炭素原子は、ヘテロ原子で置換されていてもよい。）
【０１３８】
式（ＶＩＩ）で表される化合物と式（ＶＩＩＩ）で表される化合物との反応は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中で行われ、反応温度は、−３０〜２００℃、好ましくは、０〜１５０℃である。反応は塩基を添加することが好ましく、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基、あるいは水素化ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウムのような無機塩基、あるいはこれらの混合物が用いられる。
【０１３９】
式（ＶＩＩＩ）で表される化合物の使用量は、式（ＶＩＩ）で表される化合物１モルに対して、１〜６倍モル量、好ましくは、１〜４倍モル量であり、塩基の使用量は、１〜６倍量、好ましくは、１〜４倍モル量である。
反応には、テトラブチルアンモニウムブロミドのような相間移動触媒を添加することも可能である。
【０１４０】
得られた縮合物は、通常の後処理によって取り出すことができる。この縮合物は、クロマトグラフィー、再結晶あるいは蒸留によって精製することも可能である。
【０１４１】
式（ＶＩＩ）で表される化合物は、式（Ｉ’−２）で表される化合物と式（ＩＸ）で表される化合物とを反応させることにより得られる。
【０１４２】
2009221194.tif 000059
【０１４３】
（式（Ｉ’−２）及び式（ＶＩＩ）中、Ｒ５１〜Ｒ６７は、式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。
式（ＩＸ）中、Ｘ１〜Ｘ４、Ｗ、Ｚ１及びｎは、式（ＩＩＩ）におけるものと同じ意味を表す。
Ｌ１は、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基又はｐ−トルエンスルホニルオキシ基を表す。）
【０１４４】
式（Ｉ’−２）で表される化合物は、米国特許５８６６７２４に記載された方法によって製造することができる。
【０１４５】
式（ＩＸ）で表される化合物は、市販品を用いることができ、また、公知の方法により製造することができる。
【０１４６】
式（Ｉ’−２）で表される化合物と式（ＩＸ）で表される化合物との反応は、通常、トルエン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキドなどの不活性溶媒中で、行われる。該反応において、その温度は、通常、−３０〜２００℃、好ましくは０〜１５０℃である。
該反応において、式（ＩＸ）で表される化合物の使用量は、式（Ｉ’−２）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜６モル、好ましくは１〜４モルである。
該反応は、好ましくは塩基の存在下で行われる。該塩基としては、例えば、トリエチルアミン及びピリジンなどの有機塩基、ナトリウムメトキサイド、ナトリウムエトキサイド及びカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキサイドなどのアルカリ金属アルコキシド、水素化ナトリウム、カリウムカーボネート、及び水酸化ナトリウムなどの無機塩基などが挙げられる。
該塩基の使用量は、式（Ｉ’−２）で表される化合物１モルに対して、通常、１〜６モル、好ましくは１〜４モルである。
また、該反応は、テトラブチルアンモニウムブロミドなどの相間移動触媒を用いて行われてもよい。
また、該反応は、ヨウ化カリウムなどのヨウ素化合物の存在下で行われてもよい。
【０１４７】
反応の完了後、式（ＶＩＩ）で表される化合物は、例えば、反応混合物から抽出操作により取り出し、有機層を濃縮することにより得られる。また、さらに、例えば、カラムクロマトグラフィ、再結晶及び蒸留など、従来から行われている精製方法を適用することができる。
【０１４８】
式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、式（Ｘ）で表される化合物と式（ＸＩ）で表される化合物とを反応させることにより得られる。
【０１４９】
2009221194.tif 000060
【０１５０】
（式（Ｘ）中、Ｑ１、Ｑ２、Ｕ及びＬは、式（ＶＩＩＩ）におけるものと同じ意味を表す。Ｍ＋は、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋及びＡｇ＋を表す。
式（ＸＩ）中、Ａ＋は、式（ＶＩＩＩ）におけるものと同じ意味を表す。
Ｚ−は、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＢＦ４−、ＡｓＦ６−、ＳｂＦ６−、ＰＦ６−又はＣｌＯ４−を表す。）
【０１５１】
式（Ｘ）で表される化合物と式（ＸＩ）で表される化合物との反応は、通常、溶媒中で行われる。前記の溶媒としては、例えば、クロロホルム、クロロメタン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、アニソール、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの有機溶媒や水、およびそれらの混合物が挙げられる。
前記の反応において、その温度は、通常、−３０〜２００℃、好ましくは−１０〜１００℃である。
式（ＸＩ）で表される化合物の使用量は、式（Ｘ）で表される化合物１モルに対して、通常、０．５〜５モル、好ましくは１〜２モルである。
反応終了後、式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、例えば、反応混合物から抽出操作により取り出し、有機層を濃縮することにより得られる。また、さらに、例えば、カラムクロマトグラフィ、再結晶及び蒸留など、従来から行われている精製方法を適用することができる。
【０１５２】
式（Ｘ）で表される化合物は、式（ＸＩＩ）で表されるアルコールと、式（ＸＩＩＩ）で表されるカルボン酸とを反応させることにより得られる。
【０１５３】
2009221194.tif 000061
【０１５４】
（式（ＸＩＩ）中、Ｕ及びＬは、式（ＶＩＩＩ）におけるものと同じ意味を表す。
式（ＸＩＩＩ）中、Ｑ１、Ｑ２及びＭ＋は、式（Ｘ）におけるものと同じ意味を表す。）
【０１５５】
式（ＸＩＩ）で表されるアルコールと式（ＸＩＩＩ）で表されるカルボン酸との反応は、通常、クロロホルム、クロロメチレン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中において、行われる。
前記の反応において、その温度は、通常、−３０〜２００℃、好ましくは用いられる溶媒の沸点から１５０℃である。
式（ＸＩＩＩ）で表されるカルボン酸の使用量は、式（ＸＩＩ）で表されるアルコール１モルに対して、通常、０．５〜５モル、好ましくは０．８〜２モルである。
式（ＸＩＩ）で表されるアルコールと式（ＸＩＩＩ）で表されるカルボン酸との反応は、好ましくは酸触媒の存在下で行われる。
前記の酸触媒としては、例えば、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸及びｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、硫酸、塩酸及び塩酸塩などの無機酸、ナフィオン（登録商標）などの強酸性硫酸樹脂などが挙げられる。
これらの酸触媒は、単独でも、２種以上を混合して用いてもよい。
【０１５６】
脱酸剤としては、１，１’−カルボニルジイミダゾール、Ｎ，Ｎ’−ジシクロヘキシルカルボジイミド、１−アルキル−２−ハロピリジニウム塩、ビス（２−オキソ−３−オキサゾリジニル）フォソフィニッククロライド、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド・ハイドロクロライド、ジ−２−ピリジルカーボネート、ジ−２−ピリジルチオカーボネート及び６−メチル−２−ニトロベンゾイックアシッド無水物／４−（ジメチルあみの）ピリジンなどが挙げられる。
酸触媒を用いる場合、反応は、その時間を短くするために、好ましくはディーンスターク法を用いることができる。
酸触媒を用いる場合、その使用量は、式（ＸＩＩ）で表されるアルコールに対して、通常、０．００１〜３モル、好ましくは０．０１〜１モルである。
脱酸剤を用いる場合、その使用量は、式（ＸＩＩ）で表されるアルコールに対して、通常、１〜３モル、好ましくは１〜２モルである。
反応終了後、式（Ｘ）で表される化合物は、例えば、反応混合物を濃縮したり、冷却することにより得られる。式（Ｘ）で表される化合物は、また、さらに、例えば、カラムクロマトグラフィ、再結晶及び蒸留など、従来から行われている精製方法を適用することができる。
【０１５７】
Ｍ＋がＬｉ＋、Ｎａ＋又はＫ＋である式（Ｘ）で表される化合物は、式（ＸＩＩ）で表されるアルコールと式（ＸＩＶ）で表されるカルボン酸との反応によって式（ＸＶ）で羅和される化合物を得て、該（ＸＶ）で表されるカルボン酸を加水分解することにより、得られる。
【０１５８】
2009221194.tif 000062
【０１５９】
（式（ＸＩＶ）及び式（ＸＶ）中、Ｑ１及びＱ２は、式（Ｉ）におけるものと同じ意味を表す。Ｕ及びＬは、式（ＶＩＩＩ）におけるものと同じ意味を表す。）
【０１６０】
式（ＸＩＩ）で表される化合物と式（ＸＩＶ）で表されるカルボン酸との反応は、通常、クロロホルム、クロロメチレン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中において、行われる。
式（ＸＩＶ）で表されるカルボン酸の加水分解反応は、通常、クロロホルム、クロロメチレン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒中で、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム及び炭酸水素カリウムなどの無機塩基を用いて行われる。
前記の反応において、その温度は、通常、−３０〜２００℃であり、好ましくは−１０〜１５０℃である。
前記の反応において、無機塩基の使用量は、式（ＸＩＶ）で表されるカルボン酸１モルに対して、通常、１〜５モル、好ましくは１〜２モルである。
Ｍ＋がＡｇ＋である式（Ｘ）で表される化合物は、得られたＭ＋がＬｉ＋、Ｎａ＋又はＫ＋である式（Ｘ）で表される化合物と硝酸銀とを反応させることにより得られる。
【０１６１】
本発明の式（Ｉ）で表される化合物は、アルカリ水溶液に対して不溶又は難溶性の多価フェノール誘導体であるが、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる多価フェノール誘導体であり、この本発明の光酸発生基結合型多価フェノール誘導体を含有する化学増幅型レジスト組成物は、電子線又はＥＵＶ用の化学増幅型レジスト組成物として好適である。
【０１６２】
本発明の式（Ｉ）で表される化合物は、多価フェノール誘導体に光酸発生基を導入することによって、解像度などの各種のレジスト性能とともに、ラインエッジラフネスが良好である化学増幅型レジスト組成物を与えることができる化合物となったものと考えられる。
【０１６３】
本発明のレジスト組成物における式（Ｉ）で表される化合物は、その物質自体に、あるいはその物質を含むレジスト組成物に、活性光線又は放射線を作用させることにより、その物質が分解して酸を発生するものである。式（Ｉ）で表される化合物は単独で用いることができるが、他の光酸発生剤をさらに添加することも可能である。このような光酸発生剤としては、例えば、オニウム塩化合物、有機ハロゲン化合物、スルホン化合物、スルホネート化合物などが包含される。具体的には、次のような化合物を挙げることができる。
【０１６４】
ジフェニルヨードニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム・テトラフルオロボレート、
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム・ヘキサフルオロホスフェート、
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
【０１６５】
トリフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
トリフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム・アダマンタンメトキシカルボニルジフルオロメチルスルホネート、
トリフェニルスルホニウム・１−（３−ヒドロキシメチルアダマンタン）メトキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム・１−（ヘキサヒドロ−２−オキソ−３,５−メタノ−２Ｈ−シクロペンタ［ｂ］フラン−６−イルオキシカルボニル）ジフルオロメタンスルホネート、
トリフェニルスルホニウム・４−オキソ−１−アダマンチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−トリルジフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
ｐ−トリルジフェニルスルホニウム・パーフルオロオクタンスルホネート、
２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
４−tert−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロホスフェート、
４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
１−（２−ナフトイルメチル）チオラニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウム・トリフルオロメタンスルホネート、
【０１６６】
２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシ−１−ナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（ベンゾ［ｄ］［１，３］ジオキソラン−５−イル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（４−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（３，４，５−トリメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（３，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２，４−ジメトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
２−（２−メトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−ブトキシスチリル）−４，６−ビス(トリクロロメチル)−１，３，５−トリアジン、
２−（４−ペンチルオキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
【０１６７】
１−ベンゾイル−１−フェニルメチル・ｐ−トルエンスルホネート（通称ベンゾイントシレート）、
２−ベンゾイル−２−ヒドロキシ−２−フェニルエチル・ｐ−トルエンスルホネート（通称α−メチロールベンゾイントシレート）、
１，２，３−ベンゼントリイル・トリスメタンスルホネート、
２，６−ジニトロベンジル・ｐ−トルエンスルホネート、
２−ニトロベンジル・ｐ−トルエンスルホネート、
４−ニトロベンジル・ｐ−トルエンスルホネート、
【０１６８】
ジフェニル  ジスルホン、
ジ−ｐ−トリル・ジスルホン、
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
（ベンゾイル）（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
【０１６９】
Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（トリフルオロメチルスルホニルオキシ）ナフタルイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）ナフタルイミドなど。
【０１７０】
式（Ｉ）で表される化合物に加えて、酸発生剤を含有する場合、式（Ｉ）で表される化合物の使用量は、式（Ｉ）で表される化合物と酸発生剤との合計重量に対して、好ましくは２〜９５重量％、より好ましくは５〜８０重量％、さらに好ましくは２０〜６０％である。
【０１７１】
また、本発明の化学増幅型のレジスト組成物においては、塩基性化合物、特に塩基性含窒素有機化合物、例えばアミン類を、クエンチャーとして添加することにより、露光後の引き置きに伴う酸の失活による性能劣化を改良できる。クエンチャーに用いられる塩基性化合物の具体的な例としては、以下の各式で表されるようなものが挙げられる。
【０１７２】
2009221194.tif 000063
【０１７３】
式中、Ｔ１及びＴ２は、互いに独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。該アルキル基は、好ましくは１〜６個程度の炭素原子を有し、該シクロアルキル基は好ましくは５〜１０個程度の炭素原子を有し、該アリール基は、好ましくは６〜１０個程度の炭素原子を有する。更に、該アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、ヒドロキシル基、アミノ基、又は１〜６個の炭素数を有するアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、互いに独立に、１〜４個の炭素数を有するアルキル基で置換されていてもよい。
Ｔ３及びＴ４は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表す。更に、該アルキル基、該シクロアルキル基、該アリール基及び該アルコキシ基上の水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、炭素数１〜４個のアルキル基で置換されていてもよい。
Ｔ５は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基
互いに独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を表す。
更に、該アルキル基、該シクロアルキル基、該アリール基及び該アルコキシ基上の水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基又は炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子の少なくとも１個は、炭素数１〜４個のアルキル基で置換されていてもよい。
Ｔ６は、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数３〜１０のシクロアルキル基を表す。更に該アルキル基及び該シクロアルキル基上の水素原子は、ヒドロキシル基、アミノ基、炭素数１〜６のアルコキシ基で置換されていてもよい。該アミノ基上の水素原子は、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよい。
【０１７４】
このような化合物として、具体的には、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、アニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、１−又は２−ナフチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３′−ジエチルジフェニルメタン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、Ｎ−メチルアニリン、ピペリジン、ジフェニルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２，６−イソプロピルアニリン、イミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、４−メチルイミダゾール、ビピリジン、２，２’−ジピリジルアミン、ジ−２−ピリジルケトン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ビス（２−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、１，２−ビス（４−ピリジルオキシ）エタン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、１，２−ビス（４−ピリジル）エチレン、２，２’−ジピコリルアミン、３，３’−ジピコリルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−オクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−トリフルオロメチルフェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称：コリン）などを挙げることができる。
【０１７５】
式（Ｉ）で表される化合物に加えて、クエンチャーを含有する場合、その含有量は、式（Ｉ）で表される化合物１００重量部に対して、好ましくは０．００１〜１０重量部、よりこの増しｋは０．０１〜５重量％である。
本発明の化学増幅型レジスト組成物はまた、必要に応じて、増感剤、溶解抑止剤、ポリマー、界面活性剤、安定剤、染料など、各種の添加物を少量含有することもできる。
【０１７６】
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、通常、シリコンウェハーなどの基体上に、スピンコートなど常法により、塗布される。
基体上に塗布され、加熱等により乾燥されたレジスト膜には、パターニングのための露光処理が施され、次いで脱保護基反応を促進するための加熱処理を行った後、アルカリ現像液を用いて常法により現像される。ここで用いるアルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液が用いられる。
【実施例】
【０１７７】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中、含有量ないし使用量を表す％及び部は、特記ないかぎり重量基準である。
【０１７８】
実施例１
（混合物（Ｐ−１））
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノールを主成分とする混合物（化合物１：７．５ｇ）とトリフェニルスルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物Ａ：５．０ｇ；１当量）及び炭酸カリウム（１．５ｇ；１．５当量）をアセトン（６０ｇ）中で４時間還流した。冷却後、２％シュウ酸水で中和希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄して、濃縮して、主成分として式（７）で表される化合物を含む混合物（Ｐ−１）８．９ｇを収率７５．２％で得た。
【０１７９】
2009221194.tif 000064
【０１８０】
（式（７）中、Ｙ３１〜Ｙ３５のうち、二つが次の基であり、
【０１８１】
2009221194.tif 000065
【０１８２】
一つが次の基であり、
【０１８３】
2009221194.tif 000066
【０１８４】
二つが水素原子である。）
【０１８５】
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  １３６９（Ｃ81Ｈ103Ｆ2Ｏ14Ｓ-＝１３６９．７０）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
【０１８６】
実施例２
（混合物（Ｐ−２））
【０１８７】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−ヒドロキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノール（５核体；４．６ｇ）とトリフェニルスルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物Ａ：１０．３ｇ；２当量）及び炭酸カリウム（３．１ｇ；３当量）をアセトン（６０ｇ）中で３時間還流した。冷却後、２％シュウ酸水で中和希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄して、濃縮して、主成分として式（８）で表される化合物を含む混合物（Ｐ−２）１１．８ｇを収率８６．６％で得た。
【０１８８】
2009221194.tif 000067
【０１８９】
（式（８）中、Ｙ３５〜Ｙ４０のうち、二つが次の基であり、
【０１９０】
2009221194.tif 000068
【０１９１】
三つが水素原子である。）
【０１９２】
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  １２９８（Ｃ69Ｈ90Ｆ4Ｏ15Ｓ2-＝１２９８．５７）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
【０１９３】
実施例３
（混合物（Ｐ−３））
【０１９４】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノールを主成分とする混合物（化合物３：１０．０ｇ）とトリフェニルスルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物Ａ：６．５ｇ；１当量）及び炭酸カリウム（１．６ｇ；１．２当量）をアセトン（６０ｇ）中で４時間還流した。冷却後、２％シュウ酸水で中和希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄して、濃縮して、主成分として式（９）で表される化合物を含む混合物（Ｐ−３）１３．０ｇを収率８２．７％で得た。
【０１９５】
2009221194.tif 000069
【０１９６】
（式（９）中、Ｙ４１〜Ｙ４５のうち、二つが次の基であり、
【０１９７】
2009221194.tif 000070
【０１９８】
一つが次の基であり、
【０１９９】
2009221194.tif 000071
【０２００】
二つが水素原子である。）
【０２０１】
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  １３９７（Ｃ83Ｈ107Ｆ2Ｏ14Ｓ-＝１３９７．７３）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
【０２０２】
実施例４
（混合物（Ｐ−４））
【０２０３】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノールを主成分とする混合物（化合物１：５．０ｇ）とトリ（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）スルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物Ｄ：５．２ｇ；１当量）及び炭酸カリウム（１．０ｇ；１．２当量）をアセトン（４０ｇ）中で３時間還流した。冷却後、２％シュウ酸水でｐＨ３として、酢酸エチルで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄して、濃縮して、主成分として式（１０）で表される化合物を含む混合物（Ｐ−４）６．７５ｇを収率６９．６％で得た。
【０２０４】
2009221194.tif 000072
【０２０５】
（Ｙ４６〜Ｙ５０のうち、一つが次の基であり、
【０２０６】
2009221194.tif 000073
【０２０７】
一つが次の基であり、
【０２０８】
2009221194.tif 000074
【０２０９】
三つが水素原子である。）
【０２１０】
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ４３１（Ｃ３０Ｈ３９Ｓ＋＝４３１．２８）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  １１６４（Ｃ６８Ｈ８８Ｆ２Ｏ１２Ｓ−＝１１６４．４６）
【０２１１】
実施例５
（混合物（Ｐ−５））
【０２１２】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノールを主成分とする混合物（化合物１：５．０ｇ）とトリフェニルスルホニウム・６−ブロモ−１−ヘキシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物Ｂ：３．０ｇ；１当量）及び炭酸カリウム（０．８０ｇ；１．２当量）をアセトン（４０ｇ）中で３時間還流した。冷却後、２％シュウ酸水でｐＨ３として、酢酸エチルで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄して、濃縮して、主成分として式（１１）で表される化合物を含む混合物（Ｐ−５）５．２２ｇを収率６９．３％で得た。
【０２１３】
2009221194.tif 000075
【０２１４】
（式（１１）中、Ｙ５１〜Ｙ５５のうち、二つが次の基であり、
【０２１５】
2009221194.tif 000076
【０２１６】
一つが次の基であり、
【０２１７】
2009221194.tif 000077
【０２１８】
二つが水素原子である。）
【０２１９】
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  １２７１（Ｃ７４Ｈ８９Ｆ２Ｏ１４Ｓ−＝１２７１．５９）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ１８Ｈ１５Ｓ＋＝２６３．０９）
【０２２０】
実施例６
（混合物（Ｐ−６））
【０２２１】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−エチル−２−アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノールを主成分とする混合物（化合物３：５．０ｇ）とテトラヒドロ−１−（２−オキソ−２−フェニルエチル）チオフェニウム・１２−オキシ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物Ｅ：３．１ｇ；１当量）及び炭酸カリウム（０．８１ｇ；１．２当量）をアセトン（４０ｇ）中で３時間還流した。冷却後、２％シュウ酸水でｐＨ３として、酢酸エチルで抽出した。有機層をイオン交換水で洗浄して、濃縮して、主成分として式（１２）で表される化合物を含む混合物（Ｐ−６）５．１８ｇを収率６８．２％で得た。
【０２２２】
2009221194.tif 000078
【０２２３】
（Ｙ５５〜Ｙ６０のうち、二つが次の基であり、
【０２２４】
2009221194.tif 000079
【０２２５】
一つが次の基であり、
【０２２６】
2009221194.tif 000080
【０２２７】
二つが水素原子である。）
【０２２８】
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  １３９７（Ｃ８３Ｈ１０７Ｆ２Ｏ１４Ｓ−＝１３９７．７３）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２０７（Ｃ１２Ｈ１５ＯＳ＋＝２０７．０８）
【０２２９】
合成例１
（混合物１）
【０２３０】
2009221194.tif 000081
【０２３１】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−ヒドロキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノール（５核体；１０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ；１００ｇ）に溶解し、炭酸カリウム（６．８ｇ；３倍モル）を加えて攪拌した。クロロ酢酸・２−メチル−２−アダマンチル（７．９ｇ；２倍モル）のＤＭＦ（４０ｇ）溶液を５０℃以下で滴下した。反応溶液にヨウ化カリウム（０．６ｇ；０．２倍モル）を添加して、さらに５０℃で５時間攪拌した。冷却後、１％シュウ酸水溶液で希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗後、硫酸マグネシウム及び活性炭を用いて乾燥し、脱色し、さらに濃縮して、式（１）〜式（３）で表される化合物を含む、１５．３ｇの混合物１を得た。
【０２３２】
2009221194.tif 000082
【０２３３】
（式（１）中、Ｙ１〜Ｙ５のうち、一つが次の基であり、
【０２３４】
2009221194.tif 000083
【０２３５】
四つが水素原子である。）
【０２３６】
2009221194.tif 000084
【０２３７】
（式（２）中、Ｙ６〜Ｙ１０のうち、二つが次の基であり、
【０２３８】
2009221194.tif 000085
【０２３９】
三つが水素原子である。）
【０２４０】
2009221194.tif 000086
【０２４１】
（式（３）中、Ｙ１１〜Ｙ１５のうち、三つが次の基であり、
【０２４２】
2009221194.tif 000087
【０２４３】
二つが水素原子である。）
【０２４４】
ＬＣ−ＭＳ分析：１置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝８６１．４  （Ｍ+＝８２２．４５）
２置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝１０６７．４  （Ｍ+＝１０２８．５８）
３置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝１２７３．６  （Ｍ+＝１２３４．７１）
【０２４５】
混合物１を液体クロマトグラフィーで分析すると、式（１）：式（２）：式（３）＝６：９２：２であった。
【０２４６】
合成例２
（混合物２）
【０２４７】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−アダマンチルオキシカルボニルメトキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノール（化合物１：５０ｇ）及びクロロ酢酸・２−メチル−２−アダマンチル（１１．８ｇ；１倍モル）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１５０ｇ）に溶解し、炭酸カリウム（１０．１ｇ；１．５倍モル）を加えて攪拌した。反応溶液にヨウ化カリウム（１．６ｇ；０．２倍モル）を添加して、５７〜５８℃で、９時間攪拌した。冷却後、２％シュウ酸水溶液で希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗後、硫酸マグネシウム及び活性炭を用いて、乾燥し、脱色し、濃縮した。得られた残滓をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル展開）で精製して、式（２）及び式（３）で表される化合物を含む、２０．０ｇの混合物２を得た。
【０２４８】
混合物２を液体クロマトグラフィーで分析すると、式（２）：式（３）＝２９：７１であった。
【０２４９】
合成例３
（混合物３）
【０２５０】
2009221194.tif 000088
【０２５１】
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−ヒドロキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノール（５核体；３．６ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３６ｇ）に溶解し、炭酸カリウム（０．２ｇ；３倍モル）を加えて攪拌した。クロロ酢酸・２−エチル−２−アダマンチル（ＲＮ＝６２５１２２−３８−５；３．０ｇ；２倍モル）のＤＭＦ（１５ｇ）溶液を室温で滴下した。反応溶液にヨウ化カリウム（０．２ｇ；０．２倍モル）を添加して、５０℃で５時間攪拌した。冷却後、５％シュウ酸水溶液で希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗後、硫酸マグネシウム及び活性炭を用いて、乾燥し、脱色し、濃縮して、式（４）〜式（６）で表される化合物を含む、３．４１ｇの混合物３を得た。
【０２５２】
2009221194.tif 000089
【０２５３】
（式（４）中、Ｙ１６〜Ｙ２０のうち、一つが次の基であり、
【０２５４】
2009221194.tif 000090
【０２５５】
四つが水素原子である。）
【０２５６】
2009221194.tif 000091
【０２５７】
（式（５）中、Ｙ２１〜Ｙ２５のうち、二つが次の基であり、
【０２５８】
2009221194.tif 000092
【０２５９】
三つが水素原子である。）
【０２６０】
2009221194.tif 000093
【０２６１】
（式（６）中、Ｙ２６〜Ｙ３０のうち、三つが次の基であり、
【０２６２】
2009221194.tif 000094
【０２６３】
二つが水素原子である。）
【０２６４】
ＬＣ−ＭＳ分析：１置換体  ［Ｍ＋Ｋ］＋＝８７５．５  （Ｍ＋＝８３６．４７；Ｍｗ＝８３７．０９）
２置換体  ［Ｍ＋Ｋ］＋＝１０９５．４  （Ｍ＋＝１０５６．６１；Ｍｗ＝１０５７．４０）
３置換体  ［Ｍ＋Ｋ］＋＝１３１５．５  （Ｍ＋＝１２７６．７６；Ｍｗ＝１２７７．７１）
混合物３を液体クロマトグラフィーで分析すると、式（１）：式（２）：式（３）＝１２：８４：４であった。
【０２６５】
合成例４
トリフェニルスルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ａ））の合成
【０２６６】
2009221194.tif 000095
【０２６７】
ジフルオロスルホ酢酸（ＲＮ＝４２２−６７−３）のナトリウム塩（２１ｇ）及び１２−ブロモ−１−ドデカノール（２５ｇ）をトルエン（３００ｇ）に加えて、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒量添加した。１３時間還流脱水反応を行って冷却した。析出した結晶をろ過して、少量のトルエンで洗浄後、乾燥して、１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（３４．１ｇ；収率８１．２％）を得た。
【０２６８】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）４．３３（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；３．４０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；１．８５（ｍ，２Ｈ）；１．７８〜１．１０（ｍ，１８Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ４２１（Ｃ14Ｈ24ＢｒＦ2Ｏ5Ｓ-＝４２１．０５）
【０２６９】
ついで、１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（３４．１ｇ）をクロロホルム（２００ｇ）に溶解した。塩化トリフェニルスルホニウムの水溶液（１９２ｇ；１３．１％）を加えて一晩室温で攪拌した。有機層をイオン交換水で洗浄、濃縮して、トリフェニルスルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ａ）：４８．７ｇ；収率９２．７％）を得た。
【０２７０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）７．８７〜７．７６（ｍ，１５Ｈ）；４．１７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；３．５０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；１．７５（ｍ，２Ｈ）；１．５７（ｍ，２Ｈ）；１．３７〜１．２３（ｍ，１６Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ(ＤＭＳＯ−ｄ6、内部標準物質フルオロベンゼン) ：δ（ｐｐｍ）  −１０５．１９
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ４２１（Ｃ14Ｈ24ＢｒＦ2Ｏ5Ｓ-＝４２１．０５）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
【０２７１】
合成例５
トリフェニルスルホニウム・６−ブロモ−１−ヘキシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｂ））の合成
【０２７２】
2009221194.tif 000096
【０２７３】
ジフルオロスルホ酢酸（ＲＮ＝４２２−６７−３）のナトリウム塩（１０ｇ）及び６−ブロモ−１−ヘキサノール（１０．８ｇ）をトルエン（５０ｇ）に加えて、トリフルオロメタンスルホン酸を触媒量添加した。９時間還流脱水反応を行って冷却した。析出した結晶をろ過して、少量のトルエンで洗浄後、乾燥して、６−ブロモ−１−ヘキシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（１２．３ｇ；収率７２．０％）を得た。
【０２７４】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）４．３５（２Ｈ）；３．４２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；１．８６（ｍ，２Ｈ）；１．７３（ｍ，２Ｈ）；１．４７（ｍ，２Ｈ）；１．４０（ｍ，２Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３３７（Ｃ8Ｈ12ＢｒＦ2Ｏ5Ｓ-＝３３６．９６）
【０２７５】
ついで、６−ブロモ−１−ヘキシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（１２．１ｇ）をクロロホルム（２００ｇ）に溶解した。塩化トリフェニルスルホニウムの水溶液（８４．１ｇ；１３．１％）を加えて一晩室温で攪拌した。有機層をイオン交換水で洗浄、濃縮して、トリフェニルスルホニウム・６−ブロモ−１−ヘキシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｂ）：１７．２ｇ；収率８５．３％）を得た。
【０２７６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）７．７７〜７．６８（ｍ，１５Ｈ）；４．２５（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；３．３７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；１．８１（ｍ，２Ｈ）；１．７０（ｍ，２Ｈ）；１．４５〜１．３６（ｍ，４Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6；内部標準物質フルオロベンゼン）：δ（ｐｐｍ）  −１０６．４２
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３３７（Ｃ8Ｈ12ＢｒＦ2Ｏ5Ｓ-＝３３６．９６）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
【０２７７】
合成例６
トリフェニルスルホニウム・２−［２−（２−クロロエトキシ）エトキシ］エチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｃ））の合成
【０２７８】
2009221194.tif 000097
【０２７９】
ジフルオロスルホ酢酸（ＲＮ＝４２２−６７−３）のナトリウム塩（１０ｇ）及び２−［２−（２−クロロエトキシ）エトキシ］エタノール（７．５ｇ）をトルエン（５０ｇ）に加えて、トリフルオロメタンスルホン酸を触媒量添加した。１０時間還流脱水反応を行って冷却した。反応溶液を濃縮して、２−［２−（２−クロロエトキシ）エトキシ］エチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（１７．８ｇ；収率  定量的）を得た。
【０２８０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）３．８８〜３．６３（１２Ｈ）
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３２５（Ｃ８Ｈ１２ＣｌＦ２Ｏ７Ｓ−＝３２５.００）
【０２８１】
２−［２−（２−クロロエトキシ）エトキシ］エチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（１７．８ｇ）をクロロホルム（２００ｇ）に溶解した。塩化トリフェニルスルホニウムの水溶液（１２８．１ｇ；１３．１％）を加えて一晩室温で攪拌した。有機層をイオン交換水で洗浄、濃縮して、トリフェニルスルホニウム・２−［２−（２−クロロエトキシ）エトキシ］エチルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｃ）：１８．０ｇ；収率５９．９％）を得た。
【０２８２】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）７．７８〜７．６５（ｍ，１５Ｈ）；３．７９〜３．５７（１２Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ(ＤＭＳＯｄ6、内部標準物質フルオロベンゼン) ：δ（ｐｐｍ）  −１０６．５０
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ３２５（Ｃ8Ｈ12ＣｌＦ2Ｏ7Ｓ-＝３２５.００）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２６３（Ｃ18Ｈ15Ｓ+＝２６３．０９）
【０２８３】
合成例７
トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｄ））の合成
【０２８４】
2009221194.tif 000098
【０２８５】
１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（２０．０ｇ）をクロロホルム（１２０ｇ）に溶解した。塩化トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムの水溶液（２１０ｇ；１０％）を加えて一晩室温で攪拌した。有機層をイオン交換水で洗浄、濃縮して、トリ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム・１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｄ）：３３．４ｇ；収率８７．１％）を得た。
【０２８６】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３−ｄ１；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）７．７１〜７．６７（ｍ，１２Ｈ）；４．２６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；３．４１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；１．８６（ｍ，２Ｈ）；１．７０（ｍ，２Ｈ）；１．４６〜１．２１（ｍ，１６Ｈ）；１．３３（ｓ，２７Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ(ＤＭＳＯ−ｄ6、内部標準物質フルオロベンゼン) ：δ（ｐｐｍ）  −１０６．０３
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ４２２，４２３（Ｃ１４Ｈ２４ＢｒＦ２Ｏ５Ｓ２−＝４２１．０５）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ４３１（Ｃ３０Ｈ３９Ｓ-＝４３１．２８）
【０２８７】
合成例８
テトラヒドロ−１−（２−オキソ−２−フェニルエチル）チオフェニウム・１２−オキシ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナートの合成（化合物（Ｅ））
【０２８８】
2009221194.tif 000099
【０２８９】
１２−ブロモ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホン酸・ナトリウム塩（１５．０ｇ）をクロロホルム（１００ｇ）に溶解した。臭化テトラヒドロ−１−（２−オキソ−２−フェニルエチル）チオフェニウム（９．７ｇ）を加えて一晩室温で攪拌した。反応溶液にイオン交換水（２０ｇ）を加えて、有機層を分液した。有機層をイオン交換水で洗浄、濃縮して、テトラヒドロ−１−（２−オキソ−２−フェニルエチル）チオフェニウム・１２−オキシ−１−ドデシルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホナート（化合物（Ｅ））：１２．４ｇ；収率５８．５％）を得た。
【０２９０】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３−ｄ１；内部標準物質テトラメチルシラン）：δ（ｐｐｍ）７．９９（ｄ、２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；７．６０（ｔ、１Ｈ，Ｊ＝７．７Ｈｚ）；７．４５（ｔ、２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ）；５．３５（ｓ、２Ｈ）；４．１１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．９Ｈｚ）；２．４８〜２．４３（ｍ、４Ｈ）；２．３０〜２．２６（ｍ、４Ｈ）；１．８６（ｍ，２Ｈ）；１．６０（ｍ，２Ｈ）；１．４２（ｍ、２Ｈ）；１．２８〜１．２４（ｍ，１４Ｈ）
19Ｆ−ＮＭＲ(ＤＭＳＯ−ｄ6、内部標準物質フルオロベンゼン) ：δ（ｐｐｍ）  −１０６．３９
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ−  ４２２，４２３（Ｃ１４Ｈ２４ＢｒＦ２Ｏ５Ｓ２−＝４２１．０５）
ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋  ２０７（Ｃ１２Ｈ１５ＯＳ+＝２０７．０８）
【０２９１】
合成例９
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−ヒドロキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノール（５核体；１０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｇ）に溶解し、炭酸カリウム（３．４ｇ；１倍モル）を加えて攪拌した。クロロ酢酸・２−メチル−２−アダマンチル（４．０ｇ；１倍モル）のＤＭＦ（４０ｇ）溶液を５０℃以下で滴下した。反応溶液にヨウ化カリウム（０．３ｇ；０．１倍モル）を添加して、さらに５０℃で５時間攪拌した。冷却後、１％シュウ酸水溶液で希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗後、乾燥脱色（硫酸マグネシウム／活性炭）、濃縮して褐色固体を７．６ｇ得た。
同じ操作を２回繰り返して、褐色固体を合計２５．０ｇ得た。
得られた褐色固体２５．０ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（シリカゲル：１００ｇ；展開溶媒はヘキサン／酢酸エチル）で精製した。分画を行って、１置換体を主成分とする固体５．５ｇを得た。
１置換体を主成分とする固体を、液体クロマトグラフィーで分析すると、式（１）：式（２）＝９６：４であった。
【０２９２】
ＬＣ−ＭＳ分析：１置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝８６１．４  （Ｍ+＝８２２．４５）
２置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝１０６７．４  （Ｍ+＝１０２８．５８）
【０２９３】
合成例１０
２，６−ビス［４−ヒドロキシ−３−｛２−（２−メチル−２−ヒドロキシ）−５−メチルベンジル｝−２，５−ジメチルベンジル］−４−メチルフェノール（５核体；１０ｇ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｇ）に溶解し、炭酸カリウム（６．１ｇ；２．７倍モル）を加えて攪拌した。クロロ酢酸・２−メチル−２−アダマンチル（７．１ｇ；１．８倍モル）のＤＭＦ（４０ｇ）溶液を５０℃以下で滴下した。反応溶液にヨウ化カリウム（０．５ｇ；０．１８倍モル）を添加して、さらに５０℃で５時間攪拌した。冷却後、１％シュウ酸水溶液で希釈して、酢酸エチルで抽出した。有機層を水洗後、乾燥脱色（硫酸マグネシウム／活性炭）、濃縮して褐色固体を１２．５ｇ得た。
得られた褐色固体を液体クロマトグラフィーで分析すると、原料５核体：式（１）：式（２）＝１：２１：７８であった。
【０２９４】
ＬＣ−ＭＳ分析：１置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝８６１．４  （Ｍ+＝８２２．４５）
２置換体  ［Ｍ＋Ｋ］+＝１０６７．４  （Ｍ+＝１０２８．５８）
【０２９５】
比較合成例１
メタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（２０：８０；樹脂１）及びメタクリル酸２−エチル−２−アダマンチル／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体（３０：７０；樹脂２）については、特開２００３−１０７７０８号に準じて合成を行った。
【０２９６】
次に、表に示す各多価フェノール誘導体のほか、以下に示す酸発生剤及びクエンチャーを用いてレジスト組成物を調製し、評価した例を掲げる。
【０２９７】
＜酸発生剤＞
酸発生剤Ｓ１：（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウム・パーフルオロブタンスルホナート
＜クエンチャー＞
クエンチャーＱａ：２，６−ジイソプロピルアニリン
クエンチャーＱｂ：テトラブチルアンモニウムヒドロキシド
【０２９８】
＜溶剤＞
・溶剤Ｙ組成：
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・溶剤Ｚ組成
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート  １６０部
プロピレングリコールモノメチルエーテル            １００部
γ−ブチロラクトン                                    ５部
【０２９９】
実施例１〜６及び比較例１〜３
以下の各成分を表１に記載の部数で混合して溶解し、さらに孔径０．２μｍのフッ素ポリマー製フィルターで濾過して、レジスト液を調製した。
【０３００】
シリコンウェハーを、ダイレクトホットプレート上にて、ヘキサメチルジシラザンを用いて表２の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒処理した上で、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が表２の「膜厚」の欄に示す膜厚となるようにスピンコートした。レジスト液塗布後は、ダイレクトホットプレート上にて、表２の「ＰＢ」の欄に示す温度で６０秒間プリベークした。こうしてレジスト膜を形成したそれぞれのウェハーに、電子線描画機〔ＨＬ−８００Ｄ；（株）日立製作所製；５０ＫｅＶ〕を用い、露光量を段階的に変化させてラインアンドスペースパターンを露光した。
露光後は、ホットプレート上にて表２の「ＰＥＢ」の欄に示す温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行い、さらに２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行った。
シリコン基板上のもので現像後のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、その結果を表３に示した。
【０３０１】
実効感度：０．１０μｍのラインアンドスペースパターンが１：１となる露光量で表示した。
解像度：実効感度の露光量で分離するラインアンドスペースパターンの最小寸法で表示した。
ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）：０．１２μｍの１：１のラインアンドスペースパターンにおけるラインエッジラフネスを、走査型電子顕微鏡で上面より観察し、パターンの側壁のがたつき幅が軽微なものを○、パターンの側壁のがたつき幅が大きなものを×で表記する。
【０３０２】
〔表１〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例 No.    化合物                          酸発生剤  クエンチャー        溶剤
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1   P-1/化合物1/5核体＝3部/5部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝320部
実施例2   P-1/化合物1/5核体＝4部/4部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝320部
実施例3   P-1/化合物1/5核体/3核体＝4部/5部/1部/1部  無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝320部
実施例4   P-1/化合物3/5核体＝5部/3部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝320部
実施例5   P-1/化合物3/5核体＝4部/4部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝320部
実施例6   P-1/化合物3/5核体＝3部/5部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝320部
実施例7   P-3/化合物3/5核体＝5部/3部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝220部
実施例8   P-3/化合物3/5核体＝4部/4部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Y＝220部
実施例9   P-2/化合物3/5核体＝4部/4部/2部    無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Z＝270部
実施例10  P-1/P-2/化合物3/5核体＝2部/2部/4部/2部  無し  Qa/Qb＝0.2部/0.05部  Z＝270部
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
比較例1   比較樹脂1/比較樹脂2＝5部/5部   S1=1部  Qa/Qb＝0.01部/0.01部  Y＝320部
比較例2   比較樹脂1/比較樹脂2＝5部/5部   S1=1部  Qa＝0.05部            Y＝320部
比較例3   比較樹脂1/比較樹脂2＝5部/5部   S1=3部  Qa/Qb＝0.2部/0.05部   Y＝320部
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０３０３】
［表２］
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例No.         ＰＢ    ＰＥＢ        膜厚
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1       110℃   100℃       0.10μｍ
実施例2       110℃   100℃       0.10μｍ
実施例3       110℃   100℃       0.10μｍ
実施例4       110℃   100℃       0.10μｍ
実施例5       110℃   100℃       0.10μｍ
実施例6       110℃   100℃       0.10μｍ
実施例7       110℃    90℃       0.10μｍ
実施例8       110℃    90℃       0.10μｍ
実施例9       110℃    90℃       0.10μｍ
実施例10      110℃    90℃       0.10μｍ
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
比較例1       110℃   100℃       0.10μｍ
比較例2       110℃   100℃       0.10μｍ
比較例3       110℃   100℃       0.10μｍ
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０３０４】
〔表３〕
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
例No.     実効感度    解像度        ＬＥＲ
（μC）     （ｎｍ）
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
実施例1     18          70            ○
実施例2     22          70            ○
実施例3     28          70            ○
実施例4     16          70            ○
実施例5     20          70            ○
実施例6     26          60            ○
実施例7     24          60            ○
実施例8     32          60            ○
実施例9     32          70            ○
実施例10    32          60            ○
──────────────────────
比較例1     14          90            ×
比較例2     28          70            ×
比較例3     48          60            ○
━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０３０５】
実施例のいずれも、比較例に比べて、高感度（実効感度値が小さい）かつ、ラインエッジラフネスが良好な結果であった。
【産業上の利用可能性】
【０３０６】
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、実効感度が高く、解像度およびラインエッジラフネスが良好であり、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザーや波長１３ｎｍ付近の極端紫外光（ＥＵＶ）あるいはＸ線、電子線等の光源を用いる電子線リソグラフィー又はＥＵＶリソグラフィーに有用である。