(57)【要約】【課題】出力上昇に伴い発熱量が増大する信号増幅ＩＣを片面単層基板に取付ける基板取付構造において、機器間で出力が異なる場合であっても、機器間で基板共通化可能にする【解決手段】一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造において、片面単層基板５２に開口５２ａと蓋部５２ｂとを備えさせ、信号増幅ＩＣ５１の出力が所定値以下となる機器に片面単層基板５２が使用される場合には、蓋部５２ｂ表面に形成された銅箔とサーマルパッド５１ｃとを接続させて銅箔から放熱させ、信号増幅ＩＣ５１の出力が所定値を超える機器に片面単層基板５２が使用される場合には、蓋部５２ｂを割り取り、部品面側から放熱板５３を開口５２ａの幅方向端部に固定し、放熱板５３とサーマルパッド５１ｃとを接続させて放熱板５３から放熱させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造において、
上記信号増幅ＩＣは底面側にサーマルパッドを備えており、
上記片面単層基板が、
上記信号増幅ＩＣの取付け部位に、高さが上記一の対辺間長よりも短く且つ幅が上記信号増幅ＩＣの他の対辺間長より長く形成された開口と、
上記開口の縁に数箇所で接続されており上記開口から割り取り可能であるとともに上記信号増幅ＩＣに面する側に導電膜が形成された蓋部と、
を具備し、
上記信号増幅ＩＣの出力が所定値以下となる機器に上記片面単層基板が使用される場合には、上記導電膜と上記サーマルパッドとを接触させて上記導電膜から放熱させ、
上記信号増幅ＩＣの出力が所定値を超える機器に上記片面単層基板が使用される場合には、上記蓋部を割り取り、幅が上記開口の幅に略一致するとともに高さが上記開口の高さ以下となる放熱板を上記開口の幅方向端部に固定し、上記放熱板と上記サーマルパッドとを接触させて上記放熱板から放熱させることを特徴とする基板取付構造。
【請求項２】
上記放熱板が上記片面単層基板に半田付け固定される請求項１に記載の基板取付構造。
【請求項３】
上記放熱板が上記片面単層基板の部品面側に係止される係止突起を有する請求項１または請求項２に記載の基板取付構造。
【請求項４】
上記放熱板が上記片面単層基板にネジ固定される請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の基板取付構造。
【請求項５】
上記放熱板の幅方向端部から基板面に対して略垂直に突出する突出片を備え、
上記突出片を基板の部品面側に突出させて変形させることにより上記放熱板が上記片面単層基板に固定される請求項１〜請求項４の何れか一項に記載の基板取付構造。
【請求項６】
上記開口が、上記サーマルパッドを上記片面単層基板の部品面側に露見させる第一開口と、該第一開口の左右にそれぞれ形成される第二開口および第三開口と、の３つの開口に架橋構造にて分離されており、
上記放熱板は上記架橋構造に対応する部分が部品面側にオフセットした段構造を有する請求項１〜請求項５の何れか一項に記載の基板取付構造。
【請求項７】
上記放熱板が、上記開口の幅方向端部にて半田面側に略垂直に屈曲起立され、起立された先端が幅方向外側に更に屈曲された断面略ハット型に形成された請求項１〜請求項６の何れか一項に記載の基板取付構造。
【請求項８】
上記信号増幅ＩＣおよび上記放熱板を上記片面単層基板に取付けるにあたり、
上記信号増幅ＩＣを上記片面単層基板の半田面に仮固定し、上記片面単層基板の半田面を半田ディップした後、
上記片面単層基板の利用先機器における信号増幅ＩＣの出力が所定値を超える場合は、上記蓋部を割り取り、上記開口に上記放熱板を固定する上記請求項１〜請求項７の何れか一項に記載の基板取付構造。
【請求項９】
上記信号増幅ＩＣがＤ級アンプであり、
上記導電膜が銅箔であり、
上記所定値が約１０Ｗであり、
上記開口が、上記サーマルパッドを上記部品面側に露見させる第一開口と、該第一開口の左右にそれぞれ形成される第二開口および第三開口と、で構成され、
上記放熱板が上記架橋構造に対応する部分が部品面側にオフセットした段構造を有し、
上記片面単層基板に少なくとも、アンテナから入力されたテレビ放送信号から中間周波信号を生成して出力するチューナ回路と、中間周波信号から音声信号を抽出して該音声信号の増幅を上記信号増幅ＩＣで行う音声処理回路と、が形成されており、
上記中間周波信号から映像信号を抽出して出力する映像信号処理回路と、
上記映像信号を入力されて、入力された映像信号に基づく映像を画面に表示する液晶モジュールと、
上記信号増幅ＩＣで増幅された音声信号を入力されて音声を出力するスピーカと、
を備えた液晶テレビに対して上記信号増幅ＩＣおよび上記放熱板を上記片面単層基板に取付けるにあたり、
片面単層基板の利用先機器における信号増幅ＩＣの最大出力が所定値以下の場合は、上記サーマルパッドと上記銅箔との間に熱伝導グリスを介在させつつ、上記信号増幅ＩＣを上記片面単層基板の半田面に溶融半田に耐性のある接着剤で上記架橋部分に仮固定し、上記片面単層基板の半田面を半田ディップすることにより上記信号増幅ＩＣを上記片面単層基板に固定し、
上記片面単層基板の利用先機器における信号増幅ＩＣの最大出力が所定値を超える場合は、上記蓋部を割り取り、上記信号増幅ＩＣを上記片面単層基板の半田面に溶融半田に耐性のある接着剤で上記架橋部分に仮固定するとともに、上記放熱板を上記架橋部分に前記接着剤で仮固定し、上記片面単層基板の半田面を半田ディップして上記信号増幅ＩＣと上記放熱板を上記片面単層基板に半田付けすることにより上記信号増幅ＩＣと上記放熱板とを上記片面単層基板に固定する請求項１に記載の基板取付構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板取付構造に関し、特に、一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
音声アンプにはＡ級、Ｂ級、Ｃ級、Ｄ級等がある。Ｄ級アンプはＡＢ級アンプよりもはるかに優れた効率と熱的性能を示すため、発熱が低くヒートシンク等の放熱機構を別途使用する必要が無いといわれている。しかしながら、近年、アンプ出力が増大しつつあり、Ｄ級アンプといえども発熱が増大して放熱が必要になってきている。そのため、Ｄ級アンプの放熱機構としては、通常はＩＣの持つサーマルパッド（エクスポーズドパッド）から多層硝子基板のＧＮＤ（銅箔）に熱を逃がし、ＩＣのシャットダウンを防止している。
【特許文献１】実開平６−２１２５４号公報
【特許文献２】実開平２−１１３３８６号公報
【特許文献３】特開平９−１０２６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
Ｄ級アンプを多層ガラス基板取付ける場合は前述の放熱方法が有効であるが、片面単層基板ではグランドへの放熱には限界がある。また、Ｄ級アンプは一般に多層ガラス基板での利用が想定されているため、サーマルパッドが底面側に形成されている。すなわちＤ級アンプの上面は樹脂でパッケージングされており、パッケージを介して放熱器などを取付けても放熱効率が悪く、Ｄ級アンプを正常に動作できない場合がある。このような課題を解決しうる技術の示唆として、引用文献には、ＩＣ取付け部分に開口を設け、この開口を通してＩＣの基板に面する側に放熱器を取付ける構造について開示されている。
【０００４】
しかしながら、例えば薄型テレビに使用される基板では複数インチで基板の大部分を共通化する場合があり、前述の技術では複数の機器間で基板が共通化される状況が想定されていない。すなわち、機器次第で高出力が不要で放熱器を必要としない場合が想定されていない。
【０００５】
本発明は以上の課題を鑑みてなされたものであり、一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造において、機器間で出力が異なる場合であっても、機器間で基板共通化可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の基板取付構造では、
一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造において、
上記信号増幅ＩＣは底面側にサーマルパッドを備えており、
上記片面単層基板が、
上記信号増幅ＩＣの取付け部位に、高さが上記一の対辺間長よりも短く且つ幅が上記信号増幅ＩＣの他の対辺間長より長く形成された開口と、
上記開口の縁に数箇所で接続されており上記開口から割り取り可能であるとともに上記信号増幅ＩＣに面する側に導電膜が形成された蓋部と、
を具備し、
上記信号増幅ＩＣの出力が所定値以下となる機器に上記片面単層基板が使用される場合には、上記導電膜と上記サーマルパッドとを接触させて上記導電膜から放熱させ、
上記信号増幅ＩＣの出力が所定値を超える機器に上記片面単層基板が使用される場合には、上記蓋部を割り取り、幅が上記開口の幅に略一致するとともに高さが上記開口の高さ以下となる放熱板を上記開口の幅方向端部に固定し、上記放熱板と上記サーマルパッドとを接触させて上記放熱板から放熱させる構成としてある。
【発明の効果】
【０００７】
以上説明したように本発明によれば、機器間で出力が異なる場合であっても、機器間で基板共通化可能な基板取付構造を提供することができる。
また請求項２〜５にかかる発明によれば、放熱板を容易に基板に固定する構造を提供可能になる。
そして請求項６にかかる発明によれば、信号増幅ＩＣや放熱板を容易に仮固定可能な基板取付構造を提供できる。
さらに請求項７にかかる発明によれば、放熱板の熱容量および放熱面積を増加し、信号増幅ＩＣの出力増大に対応可能な放熱板を提供可能となる。
また請求項８にかかる発明によれば、信号増幅ＩＣをディップ槽で半田付け可能になる。
さらに請求項９のようなより具体的な構成において、上述した請求項１〜請求項８の各発明と同様の作用を奏することはいうまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本明細書及び添付図面の記載により、少なくとも、以下の事項が明らかとなる。
前記主たる発明の構成によれば、開口との間に隙間を残しつつ開口の略全体を覆う蓋部が、片面単層基板と数箇所で接続しており、この接続部分を工具で切断して片面単層基板から割り取り可能になっているため、必要に応じて蓋部を残したり取除いたりできるようになる。すなわち、蓋部を残しておくと、導体膜を介した放熱が可能であり、蓋部を除くと部品面側から放熱板を取付けて放熱させることが可能になる。すなわち、各機器における信号増幅ＩＣの最大出力に応じた適切な放熱構造を提供可能となる。
【０００９】
また本発明の選択的な一側面として、上記放熱板が上記片面単層基板に半田付け固定される構成としてもよい。
【００１０】
また本発明の選択的な一側面として、上記放熱板が上記片面単層基板の部品面側に係止される係止突起を有する構成としてもよい。
【００１１】
また本発明の選択的な一側面として、上記放熱板が上記片面単層基板にネジ固定される構成としてもよい。
【００１２】
また本発明の選択的な一側面として、上記放熱板の幅方向端部から基板面に対して略垂直に突出する突出片を備え、
上記突出片を基板の部品面側に突出させて変形させることにより上記放熱板が上記片面単層基板に固定される構成としても良い。
【００１３】
また本発明の選択的な一側面として、上記開口が、上記サーマルパッドを上記片面単層基板の部品面側に露見させる第一開口と、該第一開口の左右にそれぞれ形成される第二開口および第三開口と、の３つの開口に架橋構造にて分離されており、上記放熱板は上記架橋構造に対応する部分が部品面側にオフセットした段構造を有する構成としてもよい。該構成によれば、信号増幅ＩＣや放熱板を片面実装基板に仮止めする際に開口間の架橋部分を利用可能となるため、組立作業がより容易になる。
【００１４】
また本発明の選択的な一側面として、上記放熱板が、上記開口の幅方向端部にて半田面側に略垂直に屈曲起立され、起立された先端が幅方向外側に更に屈曲された断面略ハット型に形成された構成としても良い。すなわち、基板面に対して垂直方向にスペースの少ない機器であっても、熱容量と放熱面積の大きな放熱板を取付可能となる。
【００１５】
また本発明の選択的な一側面として、上記信号増幅ＩＣおよび上記放熱板を上記片面単層基板に取付けるにあたり、
上記信号増幅ＩＣを上記片面単層基板の半田面に仮固定し、上記片面単層基板の半田面を半田ディップした後、
片面単層基板の利用先機器における信号増幅ＩＣの出力が所定値を超える場合は、上記蓋部を割り取り、上記開口に上記放熱板を固定する構成としてもよい。該構成によれば、半田ディップで信号増幅ＩＣを固定可能となる。
【００１６】
以下、下記の順序に従って本発明の実施形態を説明する。
（１）薄型テレビの構成：
（２）信号増幅ＩＣの基板取付構造：
（３）変形例：
（４）まとめ：
【００１７】
（１）薄型テレビの構成： 
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は本発明の一実施形態にかかる薄型テレビ１００のリアキャビネットを外して背面側から示した斜視図である。薄型テレビ１００は、概略、キャビネット１０と、スタンド１２と、液晶モジュール１４と、アナログ基板１６と、デジタル基板１８と、スピーカ２０と、を備える。
【００１９】
キャビネット１０はフロントキャビネットとリアキャビネットで構成される。キャビネット１０内部には液晶モジュール１４が収容されている。フロントキャビネットには略矩形の開口が形成されており、この開口から液晶モジュールの表示面を前面側に露出している。スタンド１２は、液晶モジュール１４の表示面が略鉛直に配向するようにキャビネット１０を支持している。フロントキャビネット内部の下部には、スピーカ２０が配置されており、フロントキャビネット前面から視聴者に向けて音声出力されるようになっている。
【００２０】
液晶モジュール１４の背面は金属板で覆われており、背面に薄型テレビ１００の信号処理や各種制御を司るアナログ基板１６およびデジタル基板１８が配置される。アナログ基板１６は例えば紙フェノールなどの片面単層基板で構成される。デジタル基板１８は、例えばガラスエポキシなどの多層基板で構成される。アナログ基板１６はチューナを備えており、アンテナからチューナに入力された放送電波から所望の周波数の信号を受信すると共に、受信した信号から所要の信号だけを選択して高周波増幅し、中間周波信号に変換して出力する。中間周波信号はアナログ基板１６の音声処理回路とデジタル基板１８とにそれぞれ入力される。
【００２１】
音声処理回路では中間周波信号から音声信号を復元し、音声アンプ１６ａで増幅してスピーカ２０に出力・駆動する。デジタル基板１８では、中間周波信号から映像信号を復元してデジタル化し、デジタル化された映像信号に各種の画像処理を施した後、液晶モジュール１４に出力する。映像信号を入力された液晶モジュール１４では、映像信号に基づいて液晶パネルの各画素を駆動する駆動信号を生成し、液晶パネルの表示面に映像を表示する。なお、本実施形態ではアナログ基板１６とデジタル基板１８を例示してあるが、無論、各基板がさらに分割されていてもよいし、各基板が統合されて１枚の基板とされてもよいし、その他の基板があってもよい。
【００２２】
本実施形態の音声アンプ１６ａ１は、例えば、Ｄ級アンプで構成されている。Ｄ級アンプでは、アナログ信号をパルス幅が時間と共に変化する矩形波（ＰＷＭ（Pulse width modulation）信号 ）に変換し、この矩形波でＦＥＴ（Field Effect Transistor）をオン／オフさせ、その信号をローパスフィルタによって積分し、スピーカを駆動する。ＰＷＭ信号は、音声信号を鋸波と比較し、音声信号が高い場合、その電圧の差に関わらず出力をハイにするコンパレータで作成される。すなわち、Ｄ級アンプでは、矩形波を利用するため内部でわずかな電力しか消費せず効率のよい増幅ができる。そのため、放熱構造を追加しなくてもＡＢ級アンプよりも高出力が可能である。
【００２３】
しかしながら、効率がよいとは言え、出力が増大するにつれて発熱の上昇は避けられず、近年の薄型テレビジョン等における音声出力の増大傾向に伴って発熱が上昇してきている。そのため、Ｄ級アンプに対しても放熱構造の追加が検討されている。ところが、Ｄ級アンプの構造として、一般には、ガラス多層基板のグランド等の配線を介して放熱させる構造が利用されているため、放熱用のサーマルパッドが底面側に備えられている。従って、サーマルパッドが底面側にあるＤ級アンプを片面単層基板で使用する場合、配線を介した放熱が難しいので、基板に開口を設けて放熱器を取付ける構造が考えられる。
【００２４】
ただし、片面単層基板を複数種類（複数インチ、液晶テレビ、プラズマテレビ等）の薄型テレビで共通化している場合、前述のように開口を設けてしまうと、低出力の薄型テレビであっても放熱器を取付けなければならなくなる。無論、薄型テレビに限らず、各種の電機電子機器間で基板を共通化する場合においても同様のことが言える。これは、製造コスト、組立作業性、薄型化、のいずれにおいてもデメリットである。そこで、本願では以下の基板取付構造を提案するものである。
【００２５】
（２）信号増幅ＩＣの基板取付構造： 
図２〜図６を参照して信号増幅ＩＣ５１を搭載する片面単層基板５２における、基板取付構造について説明する。図２（ａ）は信号増幅ＩＣを斜め上から見た斜視図、図２（ｂ）は信号増幅ＩＣを斜め下から見た斜視図、図３は基板取付構造を説明するための斜視図、図４は出力の低い機器に使用される基板の基板取付構造を示す断面図、図５は出力の高い機器に使用される基板の基板取付構造を示す断面図、図６は放熱板の取付け状態を示す断面図、である。
【００２６】
基板取付構造は、信号増幅ＩＣ５１を片面単層基板５２に対して取付けるに際し、信号増幅ＩＣ５１の出力に合わせた放熱構造を提供する。つまり、片面単層基板５２が採用される機器における信号増幅ＩＣ５１の最大出力に応じて、適宜、放熱器が使用されることになる。なお、前述の薄型テレビ１００と以下の基板取付構造５０の説明との対応関係は、片面単層基板５２がアナログ基板１６に対応し、信号増幅ＩＣ５１がＤ級アンプに対応する。
【００２７】
まず、信号増幅ＩＣ５１について説明する。信号増幅ＩＣ５１は、平たい長方形のパッケージ５１ａの両方の長辺に外部入出力用のリード５１ｂが並列されたものであり、例えば、表面実装用のＳＯＰ（Small Outline Package）等が例示されうる。この信号増幅ＩＣ５１の底面には、サーマルパッド５１ｃ（エクスポーズドパッド）が形成されている。サーマルパッド５１ｃは、ＩＣ内部のダイに直結されており、樹脂でパッケージされた部位に比べるとＩＣ内部の回路素子の発する熱が伝導しやすくなっている。
【００２８】
なお、本実施形態ではパッケージ５１ａの長辺に沿ってリード５１ｂが並列されているものについて説明するが、無論、リードが短辺に並列されるものであってもよい。すなわち、一の対辺各々に複数リードが並列されていればよい。また本発明の信号増幅ＩＣ５１は、出力上昇に伴い発熱量が増大するものであり、発熱量が所定値を超えると放熱器を利用した放熱が必要になってくる。例えば、Ｄ級アンプであれば１０Ｗ以上で連続出力する場合に、サーマルパッドに対して放熱器を使用する必要が生じてくる。
【００２９】
次に、片面単層基板５２について説明する。片面単層基板５２は、少なくとも信号増幅ＩＣ５１が搭載されるものであり、略矩形の開口５２ａと、半田面に銅箔（導電膜）の層が形成された蓋部５２ｂと、を備えている。開口５２ａは、信号増幅ＩＣ５１取付け部位の下に形成される。開口５２ａの形状は略矩形であり、幅が信号増幅ＩＣ５１の長辺よりも長く、高さが信号増幅ＩＣ５１の短辺よりも短く形成されている。なお開口の長辺には、Ｄ級アンプの各リードが接続されるランドが並列されており、これらのランドから他の回路への配線が形成されている。信号増幅ＩＣ５１の短辺は、開口５２ａを短手方向に跨いでおり、信号増幅ＩＣのリードが開口５２ａの上下縁に沿って形成されたランドに半田付け接続されることになる。また、蓋部５２ｂは、開口５２ａの縁に数箇所で接続されており、割取り前は開口５２ａとの間の僅かな隙間を除いて開口５２ａの略全体を覆っており、開口５２ａから割取り可能になっている。また銅箔が露出された蓋部５２ｂの半田面は、信号増幅ＩＣ５１が基板に取付けられると、サーマルパッドに直接または後述の熱伝導部材を介して間接に接触することになる。
【００３０】
次に、片面単層基板５２に信号増幅ＩＣ５１を取付ける工程について説明する。
【００３１】
最初に、図４を参照しつつ、信号増幅ＩＣ５１の最大出力が所定値を超えない機器に搭載される基板について説明する。まず、サーマルパッド５１ｃに、シリコングリス（放熱グリス）を塗布もしくは、シリコンラバー（熱伝導性ゴムシート）を取付ける。すなわち、サーマルパッド５１ｃに、接触対象部材との密着性や熱伝導率を向上させる熱伝導部材を取付ける。そして、熱伝導部材が蓋部５２ｂの銅箔との間に挟み込まれるように、信号増幅ＩＣを片面単層基板５２の所定位置に配置する。
【００３２】
次にディップ時に信号増幅ＩＣ５１が脱落しないように片面単層基板５２にボンド等で仮止めする。信号増幅ＩＣ５１が取付けられるのは片面単層基板５２の半田面側だからである。仮止め後、片面単層基板５２の半田面が下になるように配置して他の挿入実装部品を基板上に配置する。半田付けする部品の配置が完了すると、片面単層基板５２の半田面をディップ槽に浸し、ディップ半田付けする。以上の工程で、信号増幅Ｉｃ５１のリード５１ｂがランドに半田付けされる。半田付けが完了すると、信号増幅ＩＣ５１の内部で発生する熱は、サーマルパッド５１ｃと熱伝導部材とを介して銅箔に伝導し、銅箔全体から放熱されることになる。
【００３３】
一方、図５に示すように、信号増幅ＩＣ５１の最大出力が所定値を超える機器に搭載される基板における信号増幅ＩＣを取付ける工程は次のようになる。まず、信号増幅ＩＣ５１を片面単層基板５２の所定位置に溶融半田に耐性のある接着剤等で仮止めする。この時点ではサーマルパッドに熱伝導部材を取付けない。仮止め後、片面単層基板５２の半田面が下になるように配置して他の挿入実装部品を基板上に配置する。半田付けする部品の配置が完了すると、片面単層基板５２の半田面をディップ槽に浸し、ディップ半田付けする。
【００３４】
半田付けが完了すると、蓋部５２ｂと開口５２ａとの接続部分を工具で切断し、蓋部５２ｂを片面単層基板５２から割り取る。すると片面単層基板５２の部品面側から、開口５２ａを通して信号増幅ＩＣ５１のサーマルパッドが露見する。この露見したサーマルパッド５１ｃに放熱板５３を取付ける。その際、サーマルパッド５１ｃと放熱板５３の間に、前述の熱伝導性部材を介在させる。そして放熱板５３は、サーマルパッド側の面が片面単層基板５２の半田面と略面一となるように、片面単層基板５２に固定される。この固定については後述する。放熱板５３が基板に固定されると、信号増幅ＩＣ５１内部で発生する熱は、サーマルパッド５１ｃと熱伝導部材とを介して放熱板５３に伝導し、放熱板から放熱される。
【００３５】
なお、図６にも示されるように、放熱板５３のサイズは、長手方向が開口５２ａの長手方向と略一致し、短手方向が開口５２ａの短手方向以下となるように選択される。すなわち放熱板５３取付時には、長手方向端部が開口５２ａの長手方向端部の内側に接するようになり、この接する部分を半田などで固定することになる。このとき開口５２ａの長手方向端部は、レジスト被覆を予め剥がしておくことになる。なお、固定方法は半田付け以外にも、様々なものが採用可能であり、後述の変形例に数例を記載してある。
【００３６】
また、放熱板５３の形状も様々な形状が採用可能であり、例えば、図５，６のように長手方向の端部から略垂直に屈曲起立させた起立部５３ａを設けて、熱容量を増加させつつ放熱面を増加させたりすることが考えられる。また、図７のように、図５，６の起立部５３ａからさらに略垂直に外方に屈曲させた開き出し部５３ｂを設けて、長手方向断面略ハット状に形成してもよい。このように開き出し部５３ｂを設けると、基板面の垂直方向にスペースが確保しづらい筐体においても、十分な熱容量と放熱面とを有した放熱板を簡易な構造で提供可能になる。同様に、長手方向のみならず短手方向も端部から略垂直に屈曲起立させた起立部５３ｃを設けて、一面を開口した箱状に形成してもよい。その他、剣山状に多数の起立突起を形成したり、放熱用のファンを取付けたりする構成も、適宜採用可能である。
【００３７】
なお、放熱板５３の材質は、要求される放熱性能とコストとに応じて、鉄、アルミニウム、銅、等を適宜選択可能である。すなわち、放熱性能もコストも、鉄、アルミニウム、銅の順に高くなる。
【００３８】
（３）変形例： 
本発明は、以下のように変形することも可能である。
【００３９】
まず、放熱板５３が片面単層基板５２に半田付けされるタイミングは、半田ディップ時であってもよい。すなわち、信号増幅ＩＣ５１を基板に仮付けした後、蓋部５２ｂを割りとってサーマルパッド５１ｃを露見させ、サーマルパッド５１ｃに熱伝導部材を取付け、その上に放熱板を載置する。その際、放熱板５３が不安定であれば溶融半田に耐性のある接着剤等で基板に仮付けしてもよい。この状態で半田ディップすると、信号増幅ＩＣ５１や他の挿入実装部品のみならず、放熱板５３の長手方向端部も開口５２ａの端部に半田付けされ、信号増幅ＩＣ５１と放熱板５３を一度に片面単層基板５２に固定することができる。
【００４０】
また、放熱板５３は、片面単層基板５２にネジで固定されてもよい。ネジ止めする場合は、図８のように、起立部５３ａの側面にヒレ部５３ｄを形成する。ヒレ部５３ｄは、起立部５３ａの側面から片面単層基板５２と平行な面として形成され、面上にネジ穴５３ｄ１が形成される。このヒレ部５３ｄは、放熱板５３の取付け時に片面単層基板５２の部品面と略面接触する位置に形成されると好適である。片面単層基板５２には、ネジ穴５３ｄ１に対応する位置には穴５２ｄが形成され、この穴５２ｄとネジ穴５３ｄ１とをネジ止めすることで、放熱板５３が片面単層基板５２に固定される。
【００４１】
また、放熱板５３に片面単層基板５２に係止される爪５３ｈ１，５３ｈ２を設けて、この爪で固定してもよい。例えば、図９のように、放熱板５３の長手方向両端部から長手方向に突出するように爪５３ｈ１，５３ｈ２を設け、放熱板５３を取付けたときに開口５２ａの縁に爪５３ｈ１，５３ｈ２が引っ掛ける。この構造によれば、半田付けやネジ止め等の工程を追加せずに、放熱板５３を固定することが出来るため組立て作業性が向上する。
【００４２】
また、放熱板５３を片面単層基板５２に取付ける際に、半田やネジを利用せずに固定することも可能である。例えば、図１０のように、起立部５３ａの側面に突出片５３ｅを取付けておき、片面単層基板５２にスリット状の穴５２ｅを設けておく。突出片５３ｅは、放熱板５３が所定位置に配置された際に、スリット状の穴５２ｅを挿通して半田面に突出するようになっている。そして図１１のように突出した突出片５３ｅの先端を半田面側で捻ったり、折り曲げたりすることで、放熱板５３が片面単層基板５２に固定されることになる。突出片５３ｅは、予めネジ止めや溶接等で放熱板５３に固定しておけばよい。また、スリット状の穴５２ｅを備える必要は必ずしも無く、開口５２ａの端部で突出片５３ｅを屈曲させて係止することでも同様の固定が可能である。
【００４３】
さらに、図１２のように、放熱板５３に段部５３ｆ，５３ｇを設けるとともに、開口５２ａを３つの開口５２ａ１，５２ａ２，５２ａ３で構成してもよい。すなわち、段部５３ｆ，５３ｇは、開口５２ａ１〜５２ａ３を仕切る架橋部５２ｆ１，５２ｆ２のそれぞれを避けるように部品面方向にオフセットされるように形成される。開口５２ａ１〜５２ａ３は、それぞれ銅箔の層が半田面側に形成された蓋部５２ｂ１〜５２ｂ３で覆われている。なお、蓋部５２ｂ１〜５２ｂ３は、少なくとも架橋部５２ｆ１，５２ｆ２の側で各開口の縁と接続されており、この接続部にも銅箔の層が形成・露出されている。開口５２ａ１〜５２ａ３のうち中央に形成される開口５２ａ１は、サーマルパッド５１ｃよりも広く形成されており、開口５２ａ１の蓋部５２ｂ１を割り取るとサーマルパッド５１ｃが半田面から露見する。すなわち、図１２の構成を採用すると、信号増幅ＩＣ５１の仮止め先を架橋部５２ｆ１，５２ｆ２にしたり、放熱板５３の仮止め先を架橋部５２ｆ１，５２ｆ２にしたりすることができるため、組立作業性が向上して好適である。
【００４４】
（４）まとめ： 
以上説明したように、本実施形態では、一の対辺各々に複数リードが並列され且つ出力上昇に伴い発熱量が増大する略矩形の信号増幅ＩＣを、片面単層基板に取付ける基板取付構造において、片面単層基板５２に開口５２ａと蓋部５２ｂとを備えさせ、信号増幅ＩＣ５１の出力が所定値以下となる機器に片面単層基板５２が使用される場合には、蓋部５２ｂ表面に形成された銅箔とサーマルパッド５１ｃとを接続させて銅箔から放熱させ、信号増幅ＩＣ５１の出力が所定値を超える機器に片面単層基板５２が使用される場合には、蓋部５２ｂを割り取り、部品面側から放熱板５３を開口５２ａの幅方向端部に固定し、放熱板５３とサーマルパッド５１ｃとを接続させて放熱板５３から放熱させる。これにより、出力上昇に伴い発熱量が増大する信号増幅ＩＣを片面単層基板に取付ける基板取付構造において、機器間で出力が異なる場合であっても、機器間で基板共通化可能にできる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施例に限られるものでないことは言うまでもない。当業者であれば言うまでもないことであるが、
・上記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって上記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が上記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
は本発明の一実施例として開示されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】薄型テレビのリアキャビネットを外して背面側から示した斜視図である。
【図２】（ａ）は信号増幅ＩＣを斜め上から見た斜視図、（ｂ）は信号増幅ＩＣを斜め下から見た斜視図である。
【図３】基板取付構造を説明するための斜視図である。
【図４】出力の低い機器に使用される基板の基板取付構造を示す断面図である。
【図５】出力の高い機器に使用される基板の基板取付構造を示す断面図である。
【図６】放熱板の取付け状態を示す断面図である。
【図７】断面略ハット状の放熱板の断面図である。
【図８】ヒレ部を備えた放熱板の断面図である。
【図９】爪を備えた放熱板の断面図である。
【図１０】突出片を備えた放熱板を説明する斜視図である。
【図１１】突出片を備えた放熱板の取付け状態を示す側面図である。
【図１２】段部を備えた放熱板と複数の開口を備えた片面実装基板の斜視図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…キャビネット、１２…スタンド、１４…液晶モジュール、１６…アナログ基板、１６ａ…音声アンプ、１８…デジタル基板、２０…スピーカ、５１…信号増幅ＩＣ、５１ａ…パッケージ、５１ｂ…リード、５１ｃ…サーマルパッド、５２…片面単層基板、５２ａ…開口、５２ｂ…蓋部、５２ｄ…穴、５２ｅ…穴、５２ａ１〜５２ａ３…開口、５２ｆ１…架橋部、５２ｆ２…架橋部、５３…放熱板、５３ａ…起立部、５３ｂ…開き出し部、５３ｄ…ヒレ部、５３ｅ…突出片、５３ｆ，５３ｇ…段部、５３ｄ１…ネジ穴、５３ｈ１，５３ｈ２…爪、１００…薄型テレビ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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