(57)【要約】【課題】本発明は、相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。【解決手段】この方法は、第１膜内に開口部を形成すること、第１膜上及び開口部内に相変化物質を形成すること、相変化物質が開口部内にリフローされる第１温度で相変化物質を加熱すること、及び相変化物質を加熱した後に相変化物質をパターニングして、第１開口部内に相変化要素を定義することを含む。第１温度は、相変化物質の溶融温度より低い。リフローする間に第１膜は、相変化物質を濡らし、相変化物質は、第１膜上に直接形成される。【選択図】図２Ｆ
2009038379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１膜内に開口部を形成すること、
前記第１膜上及び前記開口部内に相変化物質を形成すること、
前記相変化物質が開口部内にリフローするための第１温度に前記相変化物質を加熱し、前記第１温度は、前記相変化物質の溶融温度より低いこと、
前記相変化物質を前記第１温度に加熱した後に、前記相変化物質をパターニングして、前記開口部内に相変化要素を定義することを含む相変化記憶素子の形成方法。
【請求項２】
前記リフローする間に前記第１膜は、前記相変化物質を濡らし、前記相変化物質は、前記第１膜上に直接形成されることを特徴とする請求項１に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項３】
前記相変化物質を形成する前に、前記第１膜上にウェット層を形成することをさらに含み、前記ウェット層は、前記相変化物質と接触することを特徴とする請求項１に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項４】
前記ウェット層は、前記開口部の側壁上に形成され、前記ウェット層は、前記開口部内で前記相変化物質を前記第１膜から離隔させることを特徴とする請求項３に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項５】
前記ウェット層は、前記開口部の側壁上にのみ形成されることを特徴とする請求項４に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項６】
前記ウェット層は、Ｔｉ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｇｅ、ＧｅＣ、ＧｅＮ、ＧｅＯ、Ｃ、ＣＮ、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉＣ、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＳｉＯ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＡｌＯ、ＴｉＷ、ＴｉＷＣ、ＴｉＷＮ、ＴｉＷＯ、Ｔａ、ＴａＣ、ＴａＮ、ＴａＯ、Ｃｒ、ＣｒＣ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、Ｐｔ、ＰｔＣ、ＰｔＮ、ＰｔＯ、Ｉｒ、ＩｒＣ、ＩｒＮ及びＩｒＯのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項７】
前記ウェット層は、ＴｉＮ及びＴｉＯのうち、少なくとも一つを含み、前記相変化物質は、ＧＳＴを含むことを特徴とする請求項６に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項８】
前記相変化物質を前記第１温度に加熱する前に、前記相変化物質上に少なくとも一つの膜を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの膜を形成することは、窒化物及び酸化物のうち、少なくとも一つを含むキャッピング膜を形成することを含むことを特徴とする請求項８に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの膜を形成することは、電極物質膜を形成することを含むことを特徴とする請求項８に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの膜を形成することは、前記電極物質膜上にキャッピング膜を形成することを含み、前記電極物質膜は、前記相変化物質及び前記キャッピング膜間に配置されることを特徴とする請求項１０に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項１２】
前記第１温度は、少なくとも前記相変化物質の結晶化温度の大きさであることを特徴とする請求項１に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項１３】
前記相変化物質の結晶化温度は、相変化記憶素子内で前記相変化物質が結晶状態に変換されるために加熱される熱の温度であることを特徴とする請求項１２に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項１４】
前記相変化物質は、ＧＳＴで、前記第１温度は、６３２℃より小さく、前記第１温度は、４５０℃と等しいか、又は大きいことを特徴とする請求項１２に記載の相変化記憶素子の形成方法。
【請求項１５】
開口部を有する第１絶縁膜と、
前記開口部内に配置され、自己発熱により結晶状態及び非晶質状態間の変換が可能な相変化要素と、
前記相変化要素の上部面及び底面に各々接触された第１電極及び第２電極を含み、前記相変化要素の相変化物質のためのウェット物質が前記相変化要素と接触された相変化記憶素子。
【請求項１６】
前記相変化物質のためのウェット物質は、前記第１絶縁膜の一部分であることを特徴とする請求項１５に記載の相変化記憶素子。
【請求項１７】
ウェット層が前記第１絶縁膜と前記相変化要素との間の前記開口部の側壁上に配置され、前記相変化要素のための前記ウェット物質は、前記ウェット層の一部分であることを特徴とする請求項１５に記載の相変化記憶素子。
【請求項１８】
前記相変化要素及び前記第１電極間の接触面積は、前記相変化要素の下半分に限定されることを特徴とする請求項１５に記載の相変化記憶素子。
【請求項１９】
前記相変化要素及び前記第１電極間の接触面積は、前記相変化要素の下部面に限定されることを特徴とする請求項１５に記載の相変化記憶素子。
【請求項２０】
前記ウェット物質は、前記開口部内で前記相変化要素の横方向幅を画定する特徴とする請求項１５に記載の相変化記憶素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子及びその形成方法に関し、特に、相変化記憶素子及びその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記憶素子の継続的な開発は、より高集積化した記憶構造を形成することでありうる。相変化記憶素子（すなわち、相変化ランダムアクセス記憶素子）は、高集積化に優れているという長所を有することができる。また、相変化記憶素子は、不揮発性記憶素子として使用されることができる。半導体産業が高度に発展するにつれて、相変化記憶素子の集積度及び／又は信頼性の向上に対する要求が益々増加している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高集積化に最適化された相変化記憶素子及びその形成方法を提供することにある。
【０００４】
本発明の他の目的は、優れた信頼性を有する相変化記憶素子及びその形成方法を提供することにある。
【０００５】
本発明のさらに他の目的は、向上した相変化物質のリフロー工程を用いて、高集積化及び／又は信頼性が向上した相変化記憶素子及びその形成方法を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、相変化物質内のボイドを最小化又は除去して、高集積化及び／又は信頼性が向上した相変化記憶素子及びその形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した技術的課題を解決するための相変化記憶素子の形成方法を提供する。前記方法は、第１膜内に開口部を形成すること、前記第１膜上及び前記開口部内に相変化物質を形成すること、前記相変化物質が開口部内にリフローするための第１温度に前記相変化物質を加熱し、前記第１温度は、前記相変化物質の溶融温度より低いこと、前記相変化物質を前記第１温度に加熱した後に、前記相変化物質をパターニングして、前記開口部内に相変化要素を定義することを含む。
【０００８】
一実施の形態によると、前記リフローする間に前記第１膜は、前記相変化物質を濡らすことができ、前記相変化物質は、前記第１膜上に直接形成されることができる。
【０００９】
一実施の形態によると、前記方法は、前記相変化物質を形成する前に、前記第１膜上にウェット層を形成することをさらに含むことができる。このとき、前記ウェット層は、前記相変化物質と接触することができる。前記ウェット層は、前記開口部の側壁上に形成されることができる。これによって、前記ウェット層は、前記開口部内で前記相変化物質を前記第１膜から離隔させることができる。前記ウェット層は、前記開口部の側壁上にのみ形成されることもできる。
【００１０】
一実施の形態によると、前記ウェット層は、Ｔｉ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｇｅ、ＧｅＣ、ＧｅＮ、ＧｅＯ、Ｃ、ＣＮ、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉＣ、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＳｉＯ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＡｌＯ、ＴｉＷ、ＴｉＷＣ、ＴｉＷＮ、ＴｉＷＯ、Ｔａ、ＴａＣ、ＴａＮ、ＴａＯ、Ｃｒ、ＣｒＣ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、Ｐｔ、ＰｔＣ、ＰｔＮ、ＰｔＯ、Ｉｒ、ＩｒＣ、ＩｒＮ及びＩｒＯのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記ウェット層は、ＴｉＮ及びＴｉＯのうち、少なくとも一つを含み、前記相変化物質は、ＧＳＴを含むことができる。
【００１１】
一実施の形態によると、前記方法は、前記相変化物質を前記第１温度に加熱する前に、前記相変化物質上に少なくとも一つの膜を形成することをさらに含むことができる。前記少なくとも一つの膜を形成することは、窒化物及び酸化物のうち、少なくとも一つを含むキャッピング膜を形成することを含むことができる。前記少なくとも一つの膜を形成することは、電極物質膜を形成することを含むことができる。前記少なくとも一つの膜を形成することは、前記電極物質膜上にキャッピング膜を形成することを含むことができる。このとき、前記電極物質膜は、前記相変化物質及び前記キャッピング膜間に配置されることができる。
【００１２】
前記第１温度は、少なくとも前記相変化物質の結晶化温度の大きさでありうる。前記相変化物質の結晶化温度は、相変化記憶素子内で前記相変化物質が結晶状態に変換されるために加熱される熱の温度でありうる。前記相変化物質は、ＧＳＴで、前記第１温度は、６３２℃より小さく、前記第１温度は、４５０℃と等しいか、又は大きいことができる。
【００１３】
上述した技術的課題を解決するための相変化記憶素子を提供する。前記素子は、開口部を有する第１絶縁膜と、前記開口部内に配置され、自己発熱により結晶状態及び非晶質状態間の変換が可能な相変化要素と、前記相変化要素の上部面及び底面に各々接触された第１電極及び第２電極を含む。前記相変化要素の相変化物質のためのウェット物質が前記相変化要素と接触される。
【００１４】
一実施の形態によると、前記相変化物質のためのウェット物質は、前記第１絶縁膜の一部分でありうる。
【００１５】
一実施の形態によると、ウェット層が前記第１絶縁膜と前記相変化要素との間の前記開口部の側壁上に配置されることができる。このとき、前記相変化要素のための前記ウェット物質は、前記ウェット層の一部分でありうる。
【００１６】
一実施の形態によると、前記相変化要素及び前記第１電極間の接触面積は、前記相変化要素の下半分に限定されることができる。
【００１７】
一実施の形態によると、前記相変化要素及び前記第１電極間の接触面積は、前記相変化要素の下部面に限定されることができる。
【００１８】
一実施の形態によると、前記ウェット物質は、前記開口部内で前記相変化要素の横方向幅を画定することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、高集積化に最適化された相変化記憶素子及びその形成方法を得ることができる。
【００２０】
また、本発明によると、優れた信頼性を有する相変化記憶素子及びその形成方法を得ることができる。
【００２１】
また、本発明によると、向上した相変化物質のリフロー工程を用いて、高集積化及び／又は信頼性が向上した相変化記憶素子及びその形成方法を得ることができる。
【００２２】
また、本発明によると、相変化物質内のボイドを最小化又は除去して、高集積化及び／又は信頼性が向上した相変化記憶素子及びその形成方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態を詳しく説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施の形態に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施の形態は、開示された内容が徹底的、かつ完全になるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図面において、層（又は膜）及び領域の厚さは、明確性のために誇張されて示されている。また、層（又は膜）が他の層（又は膜）又は基板「上」にあると説明される場合、それは、他の層（又は膜）又は基板上に直接的に形成されるか、又はそれらの間に第３の層（又は膜）が介在されうる。本明細書において「及び／又は」は、前後に羅列された構成要素のうち、少なくとも一つを含む意味として使用される。明細書全般にわたって同じ参照番号で表示された部分は、同じ構成要素を示す。
【００２４】
本発明による実施の形態は、相変化記憶素子及びその形成方法を提供する。前記方法は、相変化物質が開口部（例えば、高い縦横比の開口部）内に蒸着されること、及び相変化物質にリフロー工程を提供することを含む。前記相変化物質を濡らす物質が前記リフロー工程と共に使用されることができる。前記リフロー工程は、前記相変化物質の溶融温度より低い温度で加熱することを含むことができる。
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施の形態による相変化記憶素子の一セルを示す。第１絶縁層間膜１１０は、基板１００上に配置されうる。前記第１絶縁層間膜１１０は、開口部１１５を有する。下部電極１２０が前記開口部１１５の底部に配置されることができる。ウェット層パターン１２５ａが前記下部電極１２０上、前記開口部１１５の側壁上、及び前記第１絶縁層間膜１１０上に配置されることができる。相変化物質パターン１３０ａが前記開口部１１５内の前記ウェット層パターン１２５ａ上、及び前記第１絶縁層間膜１１０上の前記ウェット層パターン１２５ａ上に配置されることができる。上部電極１４０ａは、前記相変化物質パターン１３０ａ上に配置されることができ、キャッピング膜パターン１４５ａは、前記上部電極１４０ａ上に配置されることができる。導電性プラグ１１５ａは、前記キャッピング膜パターン１４５ａ及び第２絶縁層間膜１５０を貫通するように延びることができる。また、前記導電性プラグ１１５ａは、前記上部電極１４０及び金属ライン１６０と接触できる。本実施の形態による相変化記憶素子は、記憶セルを選択するためのダイオード又はトランジスタなどを備えることができる。前記相変化物質パターン１３０ａの相変化（例えば、結晶状態及び非晶質状態間の変化）は、自己発熱により発生できる。例えば、前記自己発熱は、前記上部及び下部電極１４０ａ、１２０間をすぎ前記相変化物質パターンを通す電流により発生するジュール熱でありうる。一実施の形態によると、前記上部及び下部電極１４０ａ、１２０は、前記相変化物質パターン１３０ａに低抵抗電気的パスを提供することができる。これにより、抵抗加熱は、前記上部及び下部電極１４０ａ、１２０内から発生しない。
【００２６】
前記開口部１１５は、比較的に狭い幅及び／又は高い縦横比（すなわち、幅に対する高さの高い比）を有することができる。したがって、前記開口部１１５内の前記相変化物質パターン１３０ａは、狭い幅及び／又は高い縦横比を有することができる。相変化物質パターン１３０ａの幅は、前記ウェット層パターン１２５ａによって前記開口部１１５の幅より小さくありうる。前記相変化物質パターン１３０ａの前記縦横比は、前記開口部１１５の縦横比と等しいか、又は異なりうる。前記相変化物質パターン１３０ａが前記相変化記憶素子において占める面積は小さい。したがって、高集積化した相変化記憶素子を具現できる。すなわち、単位面積当たりの前記相変化物質パターン１３０ａの数は増加される。また、前記狭い幅及び／又は高い縦横比は、隣接した相変化物質パターン１３０ａ間の距離を維持した状態で、集積度を増加することを許容することができる。したがって、隣接した他の相変化記憶セルの熱擾乱が減少するか、又は前記熱擾乱がない状態で相変化記憶セルは動作できる。例えば、前記熱擾乱は、データ書き込み動作時に発生する熱により引き起こされることができる。
【００２７】
図１に開示された記憶素子の形成方法を、図２Ａ乃至図２Ｆを参照してさらに詳細に説明する。図２Ａに示すように、前記第１絶縁層間膜１１０を前記基板１００上に形成することができる。前記基板１００は、相変化記憶素子のために使用される安定した基板物質でありうる。また、前記基板は、活性素子及び受動素子を含むことができる。前記開口部１１５は、リソグラフィー工程及び後続する前記第１絶縁層間膜１１０をエッチングすることにより形成されうる。前記リソグラフィー工程は、マスキング、露光、及び感光膜に現像することを含むことができる。前記第１絶縁層間膜１１０は、パターンニングされた感光膜をエッチングマスクとして使用してエッチングされることにより、前記開口部１１５が形成されうる。次に、前記感光膜は除去されうる。
【００２８】
次に、図２Ｂに示すように、下部電極物質を前記開口部１１５内に蒸着して、前記下部電極１２０を形成する。前記下部電極１２０の形成方法は、下部電極物質膜を、前記第１絶縁層間膜１１０上及び前記開口部１１５内に蒸着すること、及び前記下部電極物質膜を、化学的機械的研磨工程を用いて平坦化することを含むことができる。前記平坦化された下部電極物質膜を、前記開口部１１５内にリセスして、前記下部電極１２０を形成することができる。前記下部電極１２０は、下に配置された配線又は他の導電体と電気的に接続されうる。
【００２９】
ウェット層１２５を前記下部電極１２０上、前記開口部１２０の側壁上、及び／又は前記第１絶縁層間膜１１０の上部面上に形成できる。前記ウェット層１２５は、後続に行われる相変化物質パターンの形成工程に提供されるリフロー工程の効果を向上させることができる。前記ウェット層１２５は、化学気相蒸着法又は原子層積層法のようなコンフォーマルな蒸着工程を用いて形成されうる。前記ウェット層１２５は、前記第１絶縁層間膜１１０と異なる化学的組成比を有することができる。前記ウェット層１２５は、Ｔｉ、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＴｉＯ、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｇｅ、ＧｅＣ、ＧｅＮ、ＧｅＯ、Ｃ、ＣＮ、ＴｉＳｉ、ＴｉＳｉＣ、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＳｉＯ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＡｌＯ、ＴｉＷ、ＴｉＷＣ、ＴｉＷＮ、ＴｉＷＯ、Ｔａ、ＴａＣ、ＴａＮ、ＴａＯ、Ｃｒ、ＣｒＣ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、Ｐｔ、ＰｔＣ、ＰｔＮ、ＰｔＯ、Ｉｒ、ＩｒＣ、ＩｒＮ及びＩｒＯのうち、少なくとも一つを含むことができる。次に、相変化物質膜１３０を形成する。前記相変化物質膜１３０のための特別な物質を基にして、特別なウェット物質（又はウェット組み合わせ物質）が選択されることもできる。例えば、前記ウェット層１２５は、ＴｉＮ及びＴｉＯの組み合わせを使用して形成されることができ、このとき、前記相変化物質膜１３０は、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５（ＧＳＴ）から形成されうる。前記ウェット層１２５は、約１００Å以下の厚さを有することができる。又は、前記ウェット層１２５は、エッチバックされてから、前記下部電極１２０上に約１００Å以下の厚さを有することができる。これは、完成された記憶素子において、前記下部電極１２０から前記相変化物質パターン１３０ａを介して電流を流すようにするためである。
【００３０】
図２Ｃに示すように、前記相変化物質膜１３０は、前記ウェット層１２５上に形成されうる。上部電極膜１４０及びキャッピング膜１４５を、前記相変化物質膜１３０上に形成できる。前記キャッピング膜１４５は、酸化物キャッピング膜又は窒化物キャッピング膜から形成されうる。前記相変化物質膜１４０として使用される物質は、一つ又は一つ以上のカルコゲニドを含むことができる。例えば、前記相変化物質膜１４０として使用される物質は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｓ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｓ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ及びＩｎ−Ｓｂ−Ｔｅのうち、少なくとも一つを含むことができる。前記相変化物質膜１３０は、スパッタリングのような物理気相成長法により形成されうる。
【００３１】
図２Ｃは、前記相変化物質膜１３０を物理気相成長法により前記ウェット層１２５上に形成したことを示す。物理気相成長法によって、前記ウェット層１２５は、前記開口部１１５の上部分内、及び／又は前記開口部の底面に形成されうる。採択された物質、物理気相成長法の条件及び前記開口部１１５の幅及び縦横比に依存して、ボイド１３５が前記開口部１１５内に存在できる。前記ボイド１３５は、前記相変化物質膜１３０によって満たされる。一般に、ボイド１３５の形成を防止するために、前記開口部１１５を広くするか、前記開口部１１５が低い縦横比を有するように形成させることができる。例えば、開口部の縦横比を１より少なくセッティングできる。すなわち、開口部の幅が開口部の高さより大きく形成できる。しかしながら、縦横比を１より少なくしても、ボイド１３５が依然として発生できる。
【００３２】
図７は、多様な縦横比を有する開口部内のボイド形成に対するシミュレーション結果を示す。図７に示すように、前記シミュレーションは、開口部を有する基板上に相変化物質膜を多様な角度（７５゜、８０゜、８５゜及び９０゜）のスパッタリングで形成した結果を示す。前記開口部は、５０ｎｍの直径を有し、前記基板は、７０ｎｍの高さ（図７の上部図）、５０ｎｍの高さ（図７の中間図）及び３０ｎｍの高さ（図７の下部図）を有する。前記シミュレーションから分かるように、縦横比が１（すなわち、高さ及び直径が１：１）であっても、一部開口部は、スパッタリングされた相変化物質によって完全に満たされないこともできる（前記中間図（５０ｎｍ厚さの基板）の最も右側のサンプル（９０゜スパッタリング角度）を参照）。実際の素子において、ボイドの形成は、スキャニング電子マイクロスコープ（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）により発見されることができる。
【００３３】
ボイド１３５の形成を防止するために、開口部１１５の縦横比を下げるか、開口部１１５の幅を大きくするデザインは、単位面積当たり低密度の記憶セルを引き起こすことができる。また、記憶セルがあまり近く配置されることによって、隣接した記憶セル間の熱的干渉が引き起こされることができる。これとは異なり、本発明によると、前記相変化物質膜をリフローさせるためのリフロー工程が行われることができる。これにより、狭いか、又は高い縦横比の開口部１１５を使用しても、前記ボイド１３５の大きさを減少させるか、又は前記ボイド１３５を完成された相変化記憶素子から除去させることができる。例えば、前記リフロー工程は、３（３：１）の縦横比を有し、約５０ｎｍの幅を有する開口部１１５を使用しても、ボイド１３５の大きさの減少又はボイド１３５の除去を可能にすることができる。
【００３４】
上述したように、前記リフロー工程は、狭い開口部１１５の使用を許容することができる。これで、各セルが占める面積が減少することによって、記憶セルの密度が増加できる。また、隣接した記憶セル間の離隔距離を増加させることを許容することができる。これに加えて、高くかつ狭い開口部１１５、すなわち、高い縦横比の開口部１１５の使用は、前記開口部１１５内に形成された相変化物質パターン１３０ａを通す長い電気的通路を提供する。長い電気的通路は、非晶質状態の相変化物質パターン１３０ａの全体抵抗を増加させることができる。これにより、非正常状態及び結晶状態間でスイッチングする時に抵抗の変化を大きくすることができる。その結果、前記２種類の状態（すなわち、非晶質状態及び結晶状態）をさらに容易に区別することができる。すなわち、論理「１」及び論理「０」をより容易に区別することができる。
【００３５】
図２Ｄに示すように、前記リフロー工程は、前記開口部１１５内の相変化物質のリフローのために行われる。リフローされた相変化物質膜１３０’は、前記相変化物質で前記開口部１１５を部分的又は完全に満たすことができる。前記上部電極膜１４０及びキャッピング膜１４５は、前記リフローの間に前記相変化物質の蒸発を防止することに役立つことができる。前記リフローされた相変化物質膜１３０’、前記上部電極膜１４０及びキャッピング膜１４５のうち、一つ又はそれ以上は、図２Ｄに示すように非平坦な上部面を示すことができる。
【００３６】
前記リフロー工程の間に、前記相変化物質膜１３０は、前記相変化物質の溶融温度より低く、前記相変化物質の結晶化温度と等しいか、又は高い温度で加熱されることができる。前記結晶化温度は、相変化記憶素子のプログラミングの間に前記相変化物質パターン１３０ａが結晶状態に変換される時に前記相変化物質パターン１３０ａに加熱される温度でありうる。前記結晶状態は、非晶質状態より低い比抵抗を有することができる。これにより、相変化記憶素子に格納されたデータに該当する抵抗差を提供することができる。
【００３７】
特別な例によると、前記相変化物質膜１３０がＧＳＴで形成される場合に、前記相変化物質膜１３０の溶融温度は、約６３２℃で、前記リフロー工程は、４５０℃の温度（すなわち、前記溶融温度より約１８２℃低い温度）で前記相変化物質膜１３０を加熱することができる。そして、前記リフロー工程は、４５０℃の温度を約３０分間維持させることができる。追加的な例として、前記リフロー工程は、以下に挙げた物質から形成された相変化物質膜１３０を溶融温度（Ｔｍ）より低い温度で加熱させることができる。ＧｅＳｂ４Ｔｅ７（Ｔｍ＝６０７℃）、ＧｅＳｂ２Ｔｅ４（Ｔｍ＝６１４℃）、Ｇｅ４Ｓｂ２Ｔｅ７（Ｔｍ＝６３４℃）、Ｇｅ８Ｓｂ２Ｔｅ１１（Ｔｍ＝６９０℃）、Ｉｎ４９Ｓｂ２３Ｔｅ２８（Ｔｍ＝６２０℃）、Ａｓ２４Ｓｂ１６Ｔｅ６０（Ｔｍ＝３７７℃）、Ｓｅ２０Ｓｂ２０Ｔｅ６０（Ｔｍ＝３９６℃）及びＡｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６０Ｔｅ３０（Ｔｍ＝５７３℃）。
【００３８】
上述したように、前記ウェット層１２５は、前記リフロー工程の効果を向上させることができる。特に、前記リフロー工程の間に、前記ウェット層１２５は、前記相変化物質膜１３０がフローされて前記ボイド１３５を満たすことを可能にすることができる。液体がガラス容器内で凹型のメニスカスを形成することと同じ方式により、前記ウェット層１２５は、前記相変化物質が前記開口部１３５の側壁を濡らすことができる。これとは異なり、前記ウェット層１２５が存在しない場合に、前記リフロー工程時に前記相変化物質は、ガラス容器内の水銀により形成された凸型のメニスカスと類似の凸型の上部面を示すことができる。これに加えて、前記ウェット層１２５は、前記リフロー工程の間に前記相変化物質が移動する距離を向上させることができる。例えば、前記ウェット層１２５が省略された場合のリフローは、前記相変化物質の移動が少ないか、又は前記相変化物質が移動しない結果を引き起こすことができる。これとは異なり、前記ウェット層１２５を含むリフローは、前記相変化物質が約１０ｎｍ又は顕著に多い程度に移動する結果を引き起こすことができる。
【００３９】
図２Ｅに示すように、前記リフロー工程を行った後に、前記ウェット層１２０、相変化物質膜１３０’、前記上部電極膜１４０及びキャッピング膜１４５を、リソグラフィー工程を用いてパターニングできる。これにより、前記ウェット層パターン１２０ａ、前記相変化物質パターン１３０ａ、前記上部電極１４０ａ及びキャッピング膜パターン１４５ａが形成される。次に、第２絶縁層間膜１５０を前記第１絶縁層間膜１１０上、及び前記積層されたウェット層パターン１２０ａ、相変化物質パターン１３０ａ、上部電極１４０ａ及びキャッピング膜パターン１４５ａ上に形成できる。前記第２絶縁層間膜１５０及びキャッピング膜パターン１４５ａを貫通する導電プラグ１５５を形成することができる。前記導電プラグ１５５は、前記上部電極１４０ａと接触できる。前記導電プラグ１５５は、前記第２絶縁層間膜１５０及びキャッピング膜パターン１４５ａをパターニングするためのリソグラフィー工程を使用すること、第２絶縁層間膜１５０上に導電膜を提供すること、及び前記第２絶縁層間膜１５０を介して延びた前記導電プラグ１５５を残すために、第２絶縁層間膜１５０から導電膜を除去することにより形成されうる。例えば、導電膜は、化学的機械的研磨工程によって、第２絶縁層間膜１５０から除去されうる。次に、図２Ｆに示すように、金属ライン１６０が前記導電プラグ１５５と接触されるように形成されうる。
【００４０】
図３Ａ乃至図３Ｃは、本発明の第２の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。図３Ａに示すように、前記相変化物質膜１３０は、前記ウェット層１２５上に形成されうる。例えば、前記相変化物質膜１３０は、図２Ｃを参照して説明した物理気相成長法により形成されうる。上述したリフローされた相変化物質膜１３０’は、前記開口部１１５、すなわち、ボイド１３５を部分的又は完全に満たすことができる。
【００４１】
前記キャッピング膜１４５は、前記相変化物質膜１３０上に形成されうる。本実施の形態において、上述した上部電極膜１４０は省略できる。特に、前記キャッピング膜１４５は、前記相変化物質膜１４０上に直接形成されうる。図３Ｂに示すように、前記キャッピング膜１４５が前記相変化物質膜１３０上に形成された状態で、前記相変化物質膜１３０がリフローされうる。したがって、図２Ｃに関連した上述した実施の形態と比較して、本実施の形態では、前記リフロー工程を行う間に、前記上部電極膜１４０が形成されない場合もある。
【００４２】
前記相変化物質膜１３０に使用される物質に依存して、前記リフロー工程の間に前記上部電極膜１４０の存在は、前記相変化物質膜１３０の蒸発を防止することに役立つことができる。この場合に、上述したように、前記リフロー工程前に、前記上部電極膜１４０及びキャッピング膜１４５を形成することが好ましい。これに加えて、前記上部電極膜１４０のための物質に依存して、前記キャッピング膜１４５は、省略されるか、又はリフロー後に形成されることもできる。
【００４３】
図３Ｃに示すように、次に、前記キャッピング膜１４５、前記リフローされた相変化物質膜１３０’、及び前記ウェット層１２５を選択的に除去する。これにより、ウェット層パターン１２５ｂ及び相変化物質パターン１３０ｂが前記開口部１１５内に形成される。例えば、前記キャッピング膜１４５、リフローされた相変化物質膜１３０’及びウェット層１２５は、化学的機械的研磨工程を用いて選択的に除去されうる。前記ウェット層１２５を前記第１絶縁層間膜１１０が露出するまでエッチバックすることにより、完成した相変化記憶素子の全体高さを減少させることができる。次に、上部電極１４０ｂを前記第１絶縁層間膜１１０、ウェット層パターン１２５ｂ及び相変化物質パターン１３０ｂ上に形成できる。前記第２絶縁層間膜１５０及び前記導電性プラグ１５５を、前記上部電極１４０ｂ上に形成できる。例えば、前記第２絶縁層間膜１５０及び前記導電性プラグ１５５は、図２Ｅを参照して説明したものと同じ方法により形成されうる。次に、図２Ｆを参照して説明したものと同じ方法により、金属ライン（図示せず）を形成することができる。
【００４４】
図４Ａ乃至図４Ｃは、本発明の第３の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。図４Ａに示すように、ウェット層パターン１２５ｃが前記開口部１１５の側壁上に形成されうる。前記ウェット層パターン１２５ｃは、前記第１絶縁層間膜１１０の上部面を露出させることができる。また、前記ウェット層パターン１２５ｃは、前記開口部１１５内の下部電極１２０を露出させることができる。例えば、前記ウェット層１２５を、図２Ｂを参照して説明したように形成した後に、化学的機械的研磨工程及び／又は他のエッチング工程を行って、前記第１絶縁層間膜１１０の上部面及び前記開口部１１５内の下部電極１２０から前記ウェット層１２５を選択的に除去する。
【００４５】
前記第１絶縁層間膜１１０の上部面から前記ウェット層１２５を除去することは、完成した相変化記憶素子の全体高さが減少することを許容する。また、前記下部電極１２０から前記ウェット層１２５が除去されることは、下部電極１２０及び相変化物質パターン１３０ａ間の電気的導電性を向上させることができる。これに加えて、前記ウェット層１２５が選択的に除去されることによって、厚い膜及び／又は他の物質が前記ウェット層１２５のために使用されることができる。
【００４６】
次に、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、前記相変化物質膜１３０、前記上部電極膜１４０及びキャッピング膜１４５が形成されうる。次に、図２Ｃ及び図２Ｄを参照して説明したものと同じ方法によりリフロー工程を行って、前記開口部１１５内に存在できるボイド１３５を満たすことができる。次に、図４Ｃに示すように、相変化物質パターン１３０ａの形成方法及び後続の工程は、図２Ｅ及び図２Ｆを参照して説明したものと同様に行うことができる。
【００４７】
図５Ａ乃至図５Ｄは、本発明の第４の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。図５Ａに示すように、第１絶縁層間膜２１０が後続に形成される相変化物質膜１３０に対して、ウェット特性（ｗｅｔｔｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を有する絶縁物質を使用して形成される。したがって、図５Ｂに示すように、前記相変化物質膜１３０は、前記第１絶縁層間膜２１０上に直接形成されうる。
【００４８】
上述した第１乃至第３の実施の形態に開示されたウェット層１２５の使用を避けることによって、前記開口部１１５の全体ボリュームが相変化物質パターン１３０ａにより満たされることができる。また、前記開口部１１５内に前記ウェット層１２５が存在しないことによって、前記開口部１１５は、より広くなりうる。これにより、相変化物質膜１３０が前記開口部１１５をより容易に満たすことができる。その結果、相変化物質膜１３０の蒸着工程に対する柔軟性を確保することができる。これに加えて、ウェット層１２５の不使用によって、開口部１１５の幅を減少させることができ、及び／又は多少劣悪な物理気相成長法により形成された相変化物質から前記相変化物質膜１３０を形成することができる。その結果、前記相変化物質膜１３０のために使用される物質の柔軟性を確保することができる。
【００４９】
図５Ｂに示すように、図２Ｃを参照して説明したものと同様に、前記上部導電膜１４０及びキャッピング膜１４５を前記相変化物質膜１３０上に形成できる。図５Ｃに示すように、図２Ｄを参照して説明したものと同様に、前記相変化物質膜１３０はリフローされて、前記開口部１１５内に存在できるボイド１３５を満たすことができる。図５Ｄに示すように、図２Ｅ及び図２Ｆを参照して説明したものと同様に、前記リフローされた相変化物質膜１３０’、上部電極１４０及びキャッピング膜１４５をパターニングして、相変化物質パターン１３０ｄ、上部電極１４０ａ及びキャッピング膜パターン１４５ａを形成することができる。次に、第２絶縁層間絶縁膜１５０、導電性プラグ１５５及び金属ライン１６０を形成することができる。図５Ｄに開示されたものと同様に、前記相変化物質パターン１３０ａは、前記開口部１１５内及び前記第１絶縁層間膜２１０の上部面上に配置されることができる。前記開口部１１５内の前記相変化物質パターン１３０ａの前記幅及び／又は縦横比は、前記開口部１１５の幅及び／又は縦横比と同一でありうる。
【００５０】
図６Ａ乃至図６Ｄは、本発明の第５の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。図６Ａに示すように、前記第１層間絶縁膜２１０は、後続に形成される相変化物質膜１３０に対してウェット特性を有する絶縁物質を使用して形成されうる。したがって、図６Ｂに示すように、前記相変化物質膜１３０は、前記第１絶縁層間膜２１０上に直接形成できる。
【００５１】
図６Ｂに示すように、前記キャッピング膜１４５は、前記相変化物質膜１３０上に直接形成されうる。次に、相変化物質膜１３０は、リフローされうる。図６Ｃに示すように、前記キャッピング膜１４５及びリフローされた相変化物質膜１３０’が選択的に除去されて、相変化物質パターン１３０ｂが形成されうる。図３Ｃを参照して説明したものと同様に、上部電極膜１４０が提供されパターニングされて、上部電極１４０ｂが形成されうる。図３Ｃを参照して説明したものと同様に、第２絶縁層間膜１５０及び導電性プラグ１５５が形成されうる。金属ライン１６０が形成されて、前記導電性プラグ１５５と接触できる。図６Ｄに示すように、前記相変化物質パターン１３０ｂは、前記開口部１１５を完全に満たすことができる。前記上部電極１４０ｂ及び前記第１絶縁層間膜２１０の上部面間に前記相変化物質パターン１３０ｂが介在されないことによって、相変化記憶セルの全体高さを最小化させることができる。
【００５２】
本発明は、上述した実施の形態に限定されない。上述した実施の形態は、本発明を説明するために具体化したものである。例えば、上述した実施の形態は、相変化物質膜をリフローして、ボイドを減少又は除去した後に、前記相変化物質膜をパターニングする。これとは異なり、相変化物質膜は、パターニングされた後にリフローされうる。したがって、本発明は、多様な形態に変化できる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施の形態による相変化記憶素子を示す図である。
【図２Ａ】図１における相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図２Ｂ】図１における相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図２Ｃ】図１における相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図２Ｄ】図１における相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図２Ｅ】図１における相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図２Ｆ】図１における相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第２の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図４Ａ】本発明の第３の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第３の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第３の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図５Ａ】本発明の第４の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第４の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】本発明の第４の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図５Ｄ】本発明の第４の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図６Ａ】本発明の第５の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第５の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第５の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第５の実施の形態による相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である。
【図７】多様な縦横比を有する開口部内のボイド形成に対するシミュレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  基板
１１０  第１絶縁層間膜
１１５  開口部
１２０  下部電極
１２５ａ  ウェット層パターン
１３０ａ  相変化物質パターン
１４０ａ  上部電極
１４５ａ  キャッピング膜パターン
１５０  第２絶縁層間膜
１５５  導電プラグ
１６０  金属ライン
【図７】
2009038379.tif 000003
【図１】
2009038379.tif 000004
【図２Ａ】
2009038379.tif 000005
【図２Ｂ】
2009038379.tif 000006
【図２Ｃ】
2009038379.tif 000007
【図２Ｄ】
2009038379.tif 000008
【図２Ｅ】
2009038379.tif 000009
【図２Ｆ】
2009038379.tif 000010
【図３Ａ】
2009038379.tif 000011
【図３Ｂ】
2009038379.tif 000012
【図３Ｃ】
2009038379.tif 000013
【図４Ａ】
2009038379.tif 000014
【図４Ｂ】
2009038379.tif 000015
【図４Ｃ】
2009038379.tif 000016
【図５Ａ】
2009038379.tif 000017
【図５Ｂ】
2009038379.tif 000018
【図５Ｃ】
2009038379.tif 000019
【図５Ｄ】
2009038379.tif 000020
【図６Ａ】
2009038379.tif 000021
【図６Ｂ】
2009038379.tif 000022
【図６Ｃ】
2009038379.tif 000023
【図６Ｄ】
2009038379.tif 000024