(57)【要約】    【課題】  基板保持具の転倒防止構造を具備する基板処理装置に於いて、金属部分の腐食を防止して、基板の汚染を防止し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させる。    【解決手段】  反応管５と、該反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部１０と、前記反応管から処理ガスを排気する処理ガス排気部１６と、前記反応管内に収納可能であり、基板７を保持する基板保持具８と、前記反応管内に前記基板保持具を出入れする昇降可能な蓋体２５と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具受台２９と、該基板保持具受台との間で前記基板保持具を固定する基板保持具固定部３３と、前記基板保持具を回転させる回転機構２７とを備え、該回転機構と前記基板保持具受台とに掛渡り、該基板保持具受台と前記基板保持具固定部との間に不活性ガスを流通させる気体流路が形成された。    【選択図】          図１
2009099608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管と、該反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管から処理ガスを排気する処理ガス排気部と、前記反応管内に収納可能であり、基板を保持する基板保持具と、前記反応管内に前記基板保持具を出入れする昇降可能な蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具受台と、該基板保持具受台との間で前記基板保持具を固定する基板保持具固定部と、前記基板保持具を回転させる回転機構とを備え、該回転機構と前記基板保持具受台とに掛渡り、該基板保持具受台と前記基板保持具固定部との間に不活性ガスを流通させる気体流路が形成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記気体流路及び、前記基板保持具受台と前記基板保持具固定部の間に不活性ガスを流通させつつ、前記反応管に処理ガスを供給し、基板を処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、酸化処理、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置として、所定枚数の基板を一度に処理するバッチ式の基板処理装置があり、該バッチ式の基板処理装置では所定枚数の基板を基板保持具に保持し、該基板保持具を処理炉内に装入し、基板を加熱した状態で処理炉内に処理ガスを導入して所要の処理が行われる。
【０００３】
バッチ式の処理を行う処理炉としては、特許文献１に示されるものがある。
【０００４】
基板保持具（ボート）は、炉口部を気密に閉塞する炉口蓋（シールキャップ）に載置され、該シールキャップが昇降手段（ボートエレベータ）によって上昇されることで、前記ボートが前記処理炉内に装入される。又、処理中、処理品質が均一となる様にボート回転機構によってボートが回転される構造となっている。
【０００５】
上記した処理炉では、ボートは単に前記シールキャップに載置されているだけであり、地震等で前記ボートに横荷重が作用した場合、転倒する虞れがある。特に、ボートの装脱時、或はボートを処理炉から引出した状態では転倒は大きな事故となり、基板処理装置を長時間停止する状態となる等稼働時間に大きく影響する。
【０００６】
この為、ボートをシールキャップに機械的に拘束し、ボートの転倒を防止した基板処理装置がある。斯かる処理炉では、ボートの固定部分、固定手段は、機械的強度の関係から金属材料が用いられ、固定部分、固定手段はボートと共に処理炉内に装入されることとなる。
【０００７】
基板処理を行う場合、例えば成膜処理で腐食性ガス（例えばＨＣｌ）を使用する場合、或は腐食性ガスを用いてエッチング処理を行う場合等では、固定部分、固定手段が腐食性ガスにより腐食し、基板の汚染原因となる虞れがあった。
【０００８】
従来、金属部分を石英製の部材で覆い、金属部分が直接炉内に露出しない様にしているが、腐食性ガスは狭小な隙間に浸入して、やはり金属腐食を生じさせていた。
【０００９】
【特許文献１】特開平６−１６８９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板保持具の転倒防止構造を具備する基板処理装置に於いて、金属部分の腐食を防止して、基板の汚染を防止し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、反応管と、該反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管から処理ガスを排気する処理ガス排気部と、前記反応管内に収納可能であり、基板を保持する基板保持具と、前記反応管内に前記基板保持具を出入れする昇降可能な蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具受台と、該基板保持具受台との間で前記基板保持具を固定する基板保持具固定部と、前記基板保持具を回転させる回転機構とを備え、該回転機構と前記基板保持具受台とに掛渡り、該基板保持具受台と前記基板保持具固定部との間に不活性ガスを流通させる気体流路が形成された基板処理装置に係るものである。
【００１２】
又本発明は、上記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記気体流路及び、前記基板保持具受台と前記基板保持具固定部の間に不活性ガスを流通させつつ、前記反応管に処理ガスを供給し、基板を処理する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、反応管と、該反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管から処理ガスを排気する処理ガス排気部と、前記反応管内に収納可能であり、基板を保持する基板保持具と、前記反応管内に前記基板保持具を出入れする昇降可能な蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具受台と、該基板保持具受台との間で前記基板保持具を固定する基板保持具固定部と、前記基板保持具を回転させる回転機構とを備え、該回転機構と前記基板保持具受台とに掛渡り、該基板保持具受台と前記基板保持具固定部との間に不活性ガスを流通させる気体流路が形成されたので、金属の表面が不活性ガスに覆われ、腐食が防止されると共に基板の汚染が防止され、処理品質、歩留りが向上する。
【００１４】
又本発明によれば、上記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記気体流路及び、前記基板保持具受台と前記基板保持具固定部の間に不活性ガスを流通させつつ、前記反応管に処理ガスを供給し、基板を処理するので、金属の表面が不活性ガスに覆われ、腐食が防止されると共に基板の汚染が防止され、処理品質、歩留りが向上する等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１６】
先ず、図１に於いて、本発明に用いられる処理炉の一例を説明する。
【００１７】
処理炉１は加熱機構としてのヒータ２を有する。該ヒータ２は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース３に立設されている。
【００１８】
前記ヒータ２の内側には、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である均熱管（外管）４が、前記ヒータ２と同心に配設されている。又、前記均熱管４の内側には、例えば石英（ＳｉＯ2 ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し、下端が開口した円筒形状である反応管（内管）５が、前記均熱管４と同心に配設されている。前記反応管５は処理室６を画成し、該処理室６には基板保持具であるボート８が収納される。該ボート８は石英製であり、基板としてのウェーハ７を水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で保持する様に構成されている。
【００１９】
前記反応管５の下端部にはガス導入部９が設けられており、該ガス導入部９から前記反応管５の天井部１１に至る迄、前記反応管５の外壁に添ってガス導入管としての細管１２が配設されている。
【００２０】
前記ガス導入部９には、ガス供給管１０が接続されている。該ガス供給管１０の前記ガス導入部９との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）１４を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。尚、前記処理室６に水蒸気を供給する必要がある場合は、前記ガス供給管１０の前記ＭＦＣ１４よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
【００２１】
前記ＭＦＣ１４には、ガス流量制御部１５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００２２】
前記ガス導入部９から導入されたガスは、前記細管１２を流通して前記天井部１１に至り、該天井部１１に設けられた複数のガス導入口１３から前記処理室６に導入される。
【００２３】
前記反応管５の下端部の前記ガス導入部９と異なる位置にはガス排気部１６が設けられ、該ガス排気部１６にはガス排気管１７が接続されている。該ガス排気管１７の前記ガス排気部１６との接続側とは反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ１８及び圧力調整装置１９を介して排気装置２１が接続されており、前記処理室６の圧力が所定の圧力となる様、排気し得る様に構成されている。
【００２４】
前記圧力調整装置１９及び前記圧力センサ１８には、圧力制御部２２が電気的に接続されており、該圧力制御部２２は前記圧力センサ１８により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置１９により前記処理室６の圧力が所望の圧力となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００２５】
前記反応管５の下端部には、該反応管５の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース２４と、炉口蓋体としてのシールキャップ２５が設けられている。該シールキャップ２５は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。
【００２６】
前記ベース２４は、例えば石英からなり、円盤状に形成され、前記シールキャップ２５上に重合する様に取付けられている。前記ベース２４の上面には前記反応管５の下端と当接するシール部材としてのＯリング２６が設けられる。
【００２７】
前記シールキャップ２５の下側には、前記ボート８を回転させる回転機構２７が設置されている。該回転機構２７の回転軸２８は前記シールキャップ２５と前記ベース２４を貫通し、前記回転軸２８の上端には基板保持具受台２９が固着され、該基板保持具受台２９に前記ボート８が載置される様になっている。
【００２８】
該ボート８の下部は断熱部３１となっており、該断熱部３１の底板３２が石英製の押え板３３と前記基板保持具受台２９との間に挾持される構成であり、前記底板３２が前記基板保持具受台２９と前記押え板３３間に拘束されることで、前記ボート８の転倒が防止される様になっている。
【００２９】
前記シールキャップ２５は前記反応管５の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ３４によって垂直方向に昇降される様に構成されており、該ボートエレベータ３４により前記ボート８を昇降させ、前記処理室６に装脱することが可能となっている。前記回転機構２７及び前記ボートエレベータ３４には、駆動制御部３５が電気的に接続されており、所望の動作をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３０】
前記ボート８は、基板保持部と該基板保持部の下方で、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした前記断熱部３１を具備し、該断熱部３１は前記ヒータ２からの熱が前記反応管５の下端側に伝わり難くなる様に構成されている。
【００３１】
前記均熱管４と前記反応管５との間には、温度検出器としての温度センサ３６が設置されている。前記ヒータ２と前記温度センサ３６には、電気的に温度制御部３７が接続されており、前記温度センサ３６により検出された温度情報に基づき前記ヒータ２への通電具合を調整することにより前記処理室６の温度が所望の温度分布となる様、所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３２】
前記ガス流量制御部１５、前記圧力制御部２２、前記駆動制御部３５、前記温度制御部３７は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部３８に電気的に接続されている。これら、前記ガス流量制御部１５、前記圧力制御部２２、前記駆動制御部３５、前記温度制御部３７、前記主制御部３８はコントローラ３９として構成されている。
【００３３】
次に、上記構成に係る処理炉１を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ウェーハ７に酸化、拡散等の処理を施す方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の動作は前記コントローラ３９により制御される。
【００３４】
所定枚数のウェーハ７が前記ボート８に装填（ウェーハチャージ）されると、該ボート８は、前記ボートエレベータ３４によって持上げられて前記処理室６に装入（ボートローディング）される。この状態で、前記シールキャップ２５は前記ベース２４、前記Ｏリング２６を介して前記反応管５下端開口（炉口部）を気密に閉塞した状態となる。
【００３５】
前記処理室６が所望の圧力となる様に前記排気装置２１によって排気される。この際、前記処理室６の圧力は、前記圧力センサ１８で測定され、この測定された圧力に基づき前記圧力調整装置１９が、フィードバック制御される。又、前記処理室６が所望の温度となる様に前記ヒータ２によって加熱される。この際、前記処理室６が所望の温度分布となる様に前記温度センサ３６が検出した温度情報に基づき前記ヒータ２への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構２７により、前記基板保持具受台２９を介して前記ボート８が回転されることで、処理中ウェーハ７が回転される。
【００３６】
次いで、処理ガス供給源及びキャリアガス供給源から供給され、前記ＭＦＣ１４にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管１０から前記ガス導入部９及び前記細管１２を流通し前記天井部１１に至り、前記ガス導入口１３から前記処理室６にシャワー状に導入される。
【００３７】
尚、ウェーハ７に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、前記ＭＦＣ１４にて所望の流量となる様に制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を含むガスが前記処理室６に導入される。導入されたガスは該処理室６を流下し、前記ガス排気部１６から排気される。ガスは前記処理室６を通過する際にウェーハ７の表面と接触し、ウェーハ７に対して薄膜の生成、酸化、拡散等の処理がなされる。
【００３８】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、前記処理室６が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室６の圧力が常圧に復帰される。
【００３９】
その後、前記ボートエレベータ３４により前記シールキャップ２５が降下されて、炉口部が開口されると共に、処理済ウェーハ７が前記ボート８に保持された状態で前記反応管５から搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェーハ７は前記ボート８より取出される（ウェーハディスチャージ）。
【００４０】
尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、ＨＣＬ酸化処理に於いては、処理温度１０００℃〜１２００℃、処理圧力９００００Ｐａ〜１０１３０００Ｐａ、ガス種、ガス供給流量、Ｏ2 （酸素）ガスを５０００ｓｃｃｍ〜２００００ｓｃｃｍとＨＣＬ（塩化水素）ガス若しくはジクロロエチレン（Ｃ2 Ｈ2 Ｃｌ2 ）ガスを１００ｓｃｃｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。尚、ウェーハを処理する前段階の処理室内の洗浄工程として、ＨＣＬガス若しくは、ジクロロエチレンガスを用いる工程を設けてもよい。
【００４１】
次に、前記底板３２の固定構造について、図２、図３により、更に説明する。
【００４２】
前記回転軸２８の上端には金属製で円形の前記基板保持具受台２９が固着され、該基板保持具受台２９に石英製で円形の前記底板３２が同心に載置される。該底板３２の中央部には開孔４１が、前記底板３２と同心に穿設されている。
【００４３】
前記押え板３３は、石英製であり、下面に前記開孔４１に嵌合する下面凸部４２が形成され、前記押え板３３の上面に、前記下面凸部４２と同心に凹孔４４が形成される。
【００４４】
前記下面凸部４２の突出高さは前記底板３２の板厚より若干小さくなっており、前記下面凸部４２が前記開孔４１に嵌合した状態では、前記下面凸部４２の下面と前記基板保持具受台２９の上面との間で間隙４３が形成される。尚、該間隙４３を形成する方法としては、前記下面凸部４２の底面、前記基板保持具受台２９の上面の一方若しくは両方に凹部を形成してもよい。
【００４５】
前記凹孔４４には石英製の凹孔カバー４５が嵌合される。該凹孔カバー４５は前記凹孔４４に嵌合する凸部と前記凹孔４４の周縁部を覆うフランジ部を有している。
【００４６】
前記凹孔４４を金属製の固着具、例えばステンレス材のボルト４６が貫通し、該ボルト４６は前記基板保持具受台２９に螺着して前記押え板３３が前記底板３２に隙間ｘ，ｙを形成する様に固着される。前記ボルト４６の嵌通部分は座刳られ、前記ボルト４６の頭部は座刳り部４９に収納され、前記凹孔４４の底面より突出しない様になっている。
【００４７】
而して、前記押え板３３は複数本のボルト４６によって前記基板保持具受台２９に隙間ｘ，ｙを形成する様に固着され、前記底板３２は前記押え板３３によって半径方向の位置決めがなされると共に該押え板３３と前記基板保持具受台２９との間に挾持される。従って、前記ボート８は前記底板３２を介して前記基板保持具受台２９に機械的に固定され、前記ボート８に横荷重が作用しても転倒することはない。尚、ステンレス材は石英材に比べて熱膨張率が大きい為、隙間ｘ，ｙを形成し、前記ボルト４６が熱膨張した際に前記押え板３３が割れるのを防ぐ。又、図示しないが、前記基板保持具受台２９には位置決めピンが複数設けられており、更に前記底板３２の半径方向の位置ずれを防ぐ様になっている。
【００４８】
又、金属製の前記基板保持具受台２９の上面は、石英製の前記底板３２及び前記押え板３３によって覆われる。又、前記押え板３３に前記凹孔カバー４５が設けられることで、前記凹孔４４が前記凹孔カバー４５で閉塞されると共に前記座刳り部４９が前記凹孔カバー４５の下面で閉塞され、前記ボルト４６の頭部も石英製の前記凹孔カバー４５によって覆われる。
【００４９】
前記ベース２４の上面には、石英製の凸リング４７が設けられ、該凸リング４７に前記基板保持具受台２９が遊嵌する様になっており、該基板保持具受台２９は前記凸リング４７によって囲まれると共に前記基板保持具受台２９の底面、周面には間隙４８が形成される。
【００５０】
前記回転機構２７は固定座５１を有し、該固定座５１が前記シールキャップ２５に取付けられ、前記固定座５１の上面と前記ベース２４の下面との間には円板状の空間５２が形成される。
【００５１】
前記回転軸２８は下端にフランジ部を有し、前記回転機構２７の出力軸５３にインロー方式で連結され、前記フランジ部を介してボルトにより前記出力軸５３に固着されている。
【００５２】
前記回転軸２８は、前記固定座５１、前記ベース２４を貫通して前記基板保持具受台２９に固着され、前記回転軸２８の下端部の周囲には密閉された空間であるガス溜め５４が形成され、前記回転軸２８の前記固定座５１の貫通部、前記ベース２４の貫通部にはそれぞれ間隙が形成され、前記ガス溜め５４、前記空間５２、前記間隙４８とは連通している。
【００５３】
前記固定座５１には半径方向に導入流路５５が穿設され、該導入流路５５は前記ガス溜め５４と連通すると共に前記固定座５１の外周面に開口し、前記導入流路５５に不活性ガス導入配管５６が接続され、該不活性ガス導入配管５６は、窒素ガス等の不活性ガス供給源（図示せず）に接続されている。
【００５４】
前記回転軸２８には軸心に沿って中心流路５７が穿設され、該中心流路５７は前記基板保持具受台２９を貫通して前記間隙４３に連通している。又、前記回転軸２８の下端部には半径方向に連絡路５８が穿設され、該連絡路５８は前記ガス溜め５４と前記中心流路５７とを連通している。
【００５５】
而して、前記ガス溜め５４と前記空間５２を経て前記間隙４８に連通する第１気体流路が形成され、前記ガス溜め５４と前記連絡路５８、前記中心流路５７を経て前記間隙４３に連通する第２気体流路が形成される。
【００５６】
前記ボート８が前記処理室６に装入され、少なくとも基板が処理されている状態で、前記不活性ガス導入配管５６より窒素ガスを供給する。尚、常時前記不活性ガス導入配管５６より窒素ガスを供給してもよいが、好ましくは、前記ボルト４６、基板保持具受台２９、回転軸２８等の処理室内に一部が剥出しになる金属が腐食されてしまう様な状態の時に、例えば、前記処理室６に腐食性ガスを供給している状態や、前記処理室６に腐食性ガスが残留している状態の時に、前記不活性ガス導入管５６より窒素ガスを供給すると窒素ガスの無駄な消費をなくしつつ、より金属表面の腐食が防げる。
【００５７】
窒素ガスは、前記導入流路５５を経て前記ガス溜め５４に流入し、前記第１気体流路を経て前記間隙４８に導かれる。即ち、前記回転軸２８の前記固定座５１貫通部、前記ベース２４貫通部を経て前記間隙４８に流入し、更に前記基板保持具受台２９の周囲より前記処理室６に流出する。
【００５８】
窒素ガスが前記第１気体流路を流通することで、金属材料である前記回転軸２８の表面、前記基板保持具受台２９の表面は窒素ガスに覆われる。従って、前記回転軸２８、前記基板保持具受台２９の下面、周面が処理ガスと接触することはなく、処理ガスに腐食性のガスが使用されたとしても、前記回転軸２８、前記基板保持具受台２９が腐食することはない。
【００５９】
又窒素ガスは、前記ガス溜め５４から第２気体流路を経て前記間隙４３に導かれる。即ち、前記連絡路５８を通って前記中心流路５７に流入し、更に前記間隙４３に到達し、該間隙４３を窒素ガスで充満する。該間隙４３の窒素ガスは、前記ボルト４６の周囲の僅かな隙間ｘ，ｙを通って前記座刳り部４９を充満し、更に前記凹孔カバー４５と前記押え板３３との僅かな隙間を通って前記処理室６に流出する。又、前記間隙４３の窒素ガスは、前記基板保持具受台２９と前記底板３２との間隙に浸入する。
【００６０】
前記凹孔４４に前記凹孔カバー４５が嵌合することで、前記凹孔４４と前記凹孔カバー４５との間の間隙の圧力は、前記処理室６の圧力より高くなり、特に前記凹孔カバー４５で閉塞された前記座刳り部４９の圧力は、前記処理室６の圧力よりも高くなる。
【００６１】
従って、金属製の前記ボルト４６の表面は窒素ガスによって覆われ、更に前記座刳り部４９の圧力が陽圧となっているので、前記処理室６からの処理ガスの浸入が防止される。又、前記基板保持具受台２９と前記底板３２との間隙に浸入した窒素ガスによって、前記基板保持具受台２９の上面も窒素ガスによって覆われ、腐食が防止される。
【００６２】
而して、ボートの転倒を防止する耐震構造の基板処理装置に於いて、処理炉に収納される金属部材、ボートを固定する金属部材の腐食が防止され、基板の汚染が防止される。
【００６３】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６４】
（付記１）反応管と、該反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記反応管から処理ガスを排気する処理ガス排気部と、前記反応管内に収納可能であり、基板を保持する基板保持具と、前記反応管内に前記基板保持具を出入れする昇降可能な蓋体と、前記基板保持具を載置する少なくとも一部が金属で形成される基板保持具受台と、該基板保持具受台との間で前記基板保持具を固定する基板保持具固定部と、前記基板保持具を回転させる回転機構とを備え、該回転機構と前記基板保持具受台とに掛渡り、該基板保持具受台と前記基板保持具固定部との間に不活性ガスを流通させる気体流路が形成されたことを特徴とする基板処理装置。
【００６５】
（付記２）前記回転機構は、前記基板保持具と連結される回転軸を具備し、前記気体流路は前記回転機構の外部と連通する第１流路と、該第１流路と連通し、前記基板保持具受台との連結部に至る迄前記回転軸に設けられた第２流路とで少なくとも形成されている付記１の基板処理装置。
【００６６】
（付記３）前記第１流路は、前記回転軸の周囲に形成された空間と、前記回転軸に半径方向に穿設され、前記空間と前記第２流路とを連通する連絡路で構成された付記２の基板処理装置。
【００６７】
（付記４）前記基板保持具の底板に開孔が穿設され、該開孔に前記基板保持具固定部の中央部下面が嵌合し、該中央部を金属製固着具で前記基板保持具受台に固定し、前記基板保持具固定部の中央部上面を覆うカバーを設け、前記第２流路は前記中央部下面と前記基板保持具受台との間の間隙に連通する付記１又は付記２の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。
【図２】該処理炉の断面拡大図である。
【図３】ボート固定部の拡大斜視断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１              処理炉
２              ヒータ
５              反応管
６              処理室
７              ウェーハ
８              ボート
２４            ベース
２７            回転機構
２８            回転軸
２９            基板保持具受台
３２            底板
３３            押え板
４１            開孔
４２            下面凸部
４３            間隙
４５            凹孔カバー
４６            ボルト
４８            間隙
５２            空間
５４            ガス溜め
５５            導入流路
５６            不活性ガス導入配管
５７            中心流路
【図１】
2009099608.tif 000003
【図２】
2009099608.tif 000004
【図３】
2009099608.tif 000005