(57)【要約】 【課題】露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置は、露光液体を介して露光光で基板を露光する。露光装置は、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を所定部材に塗布する塗布装置と、所定部材に形成された第１液体の膜を加熱する加熱装置とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を所定部材に塗布する塗布装置と、
前記所定部材に形成された前記第１液体の膜を加熱する加熱装置と、を備えた露光装置。
【請求項２】
前記第１液体は、フッ素を含む請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記加熱装置は、前記膜に光を照射する請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記加熱装置は、前記光を射出する光源装置と、
前記光源装置からの光を集光する集光光学系とを含む請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記加熱装置は、前記光を射出する光源装置と、
前記光源装置からの光が照射される、前記所定部材上の領域を規定するための開口を有する絞り部材とを含む請求項３又は４記載の露光装置。
【請求項６】
前記加熱装置は、前記膜が形成された前記所定部材上の一部の領域を局所的に加熱する請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項７】
前記塗布装置は、第１液浸部材を有し、前記第１液浸部材と前記所定部材との間に前記第１液体で第１液浸空間を形成する請求項１〜６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項８】
前記第１液浸部材は、前記第１液体を供給する第１供給口を有する請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記第１液浸部材は、前記第１液体を回収する第１回収口を有する請求項７又は８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１液浸部材と前記所定部材との間に、前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を溶解可能な第２液体で第２液浸空間を形成し、
前記塗布装置は、前記第２液体を使って前記膜が除去された部分に前記第１液体を塗布する請求項７〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１１】
前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部の除去する除去装置を備え、
前記塗布装置は、前記除去装置で前記膜が除去された部分に前記第１液体を塗布する請求項１〜９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記除去装置で除去された前記膜は、前記露光液体に対する撥液性が低下した撥液膜を含む請求項１１記載の露光装置。
【請求項１３】
前記除去装置は、前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する前記膜を溶解可能な第２液体を用いて、前記膜の少なくとも一部を除去する請求項１１又は１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記除去装置は、前記第２液浸部材を有し、前記第２液浸部材と前記所定部材との間に前記第２液体で第２液浸空間を形成する請求項１３記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２液浸部材は、前記第２液体を供給する第２供給口を有する請求項１４記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２液浸部材は、前記第２液体を回収する第２回収口を有する請求項１４又は１５記載の露光装置。
【請求項１７】
前記除去装置は、前記所定部材の表面を研磨する研磨装置を含む請求項１１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。  
【請求項１８】
前記所定部材は、前記露光液体と接触する請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
前記所定部材は、前記露光液体と接触した状態で、前記露光光を照射される請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２０】
前記所定部材は、前記露光光が照射される位置に移動可能である請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２１】
前記露光光の光路を前記露光液体で満たすように前記露光液体で第３液浸空間を形成可能な第３液浸部材を備え、
前記塗布装置及び前記加熱装置は、前記第３液浸部材と異なる位置に配置されている請求項２０記載の露光装置。
【請求項２２】
前記所定部材は、前記基板を保持しながら移動可能な第１可動部材を含む請求項１〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第１可動部材は、前記基板を保持する第１保持部と、前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材を着脱可能に保持する第２保持部とを有し、
前記所定部材は、前記プレート部材を含む請求項２２記載の露光装置。
【請求項２４】
前記所定部材は、前記基板を保持せずに、計測器を搭載しながら移動可能な第２可動部材を含む請求項１〜２３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２５】
前記計測器は、光を透過可能な光学部材を有し、
前記所定部材は、前記光学部材を含む請求項２４記載の露光装置。
【請求項２６】
請求項１〜２５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項２７】
露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
前記露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を前記露光装置の所定部材に塗布することと、
前記所定部材に形成された前記第１液体の膜を加熱することと、を含むメンテナンス方法。
【請求項２８】
前記塗布は、前記所定部材上に前記第１液体で第１液浸空間を形成することを含む請求項２７記載のメンテナンス方法。
【請求項２９】
前記膜が形成された前記所定部材上の一部の領域を局所的に加熱する請求項２７又は２８記載のメンテナンス方法。
【請求項３０】
前記加熱は、前記膜に光を照射することを含む請求項２７〜２９のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３１】
前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去することを含み、
前記膜が除去された部分に、前記第１液体が塗布される請求項２７〜３０のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３２】
前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜は、前記露光液体に対する撥液性が低下した撥液膜を含む請求項３１記載のメンテナンス方法。
【請求項３３】
前記除去は、前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜を溶解可能な第２液体で第２液浸空間を前記所定部材上に形成することを含む請求項３１又は３２記載のメンテナンス方法。
【請求項３４】
前記除去は、前記所定部材の表面を研磨することを含む請求項３１〜３３のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３５】
前記所定部材は、前記露光液体と接触する請求項２７〜３４のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３６】
前記所定部材は、前記露光液体と接触した状態で、前記露光光を照射される請求項２７〜３５のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３７】
前記所定部材は、前記露光光が照射される位置に移動可能である請求項２７〜３６のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３８】
前記所定部材は、前記基板を保持しながら移動可能な第１可動部材を含む請求項２７〜３７のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項３９】
前記第１可動部材は、前記基板を保持する第１保持部と、前記第１保持部の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材を着脱可能に保持する第２保持部とを有し、
前記所定部材は、前記プレート部材を含む請求項３８記載のメンテナンス方法。
【請求項４０】
前記所定部材は、前記基板を保持せずに、計測器を搭載しながら移動可能な第２可動部材を含む請求項２７〜３９のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【請求項４１】
前記計測器は、光を透過可能な光学部材を有し、
前記所定部材は、前記光学部材を含む請求項４０記載のメンテナンス方法。
【請求項４２】
露光液体を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置で用いられる膜形成装置であって、
所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する除去装置と、
前記露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を前記所定部材に塗布する塗布装置と、
前記所定部材に形成された前記第１液体の膜を加熱する加熱装置と、を含む膜形成装置。
【請求項４３】
前記除去装置は、前記所定部材の表面の少なくとも一部を形成する前記膜を溶解可能な第２液体を用いて、前記膜の少なくとも一部を除去する請求項４２記載の膜形成装置。
【請求項４４】
前記加熱装置は、前記第１液体の膜に光を照射する請求項４２又は４３記載の膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、デバイス製造方法、露光装置のメンテナンス方法、及び液浸露光装置で用いられる膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献に開示されているような、液体を介して基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置においては、露光されるウエハ等の基板のみならず、各種の所定部材と液体とが接触する。その所定部材の表面状態が悪化している状態を放置しておくと、露光不良が発生する可能性がある。例えば、液体に対する所定部材の表面の撥液性が低下している状態を放置しておくと、液体が漏出したり、所定部材上に液体（例えば液体の膜、滴等）が残留したりする可能性がある。漏出した液体、あるいは残留した液体の気化に起因して、露光装置が置かれている環境（温度、湿度、クリーン度等）が変化したり、所定部材、あるいは周辺の部材が熱変形したりする可能性がある。そのような不具合が生じると、露光装置の性能が低下し、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、製造されるデバイスが不良となる可能性がある。
【０００４】
本発明は、露光不良の発生を抑制できる露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光不良の発生を抑制できる露光装置のメンテナンス方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光不良の発生を抑制できる膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を所定部材に塗布する塗布装置と、所定部材に形成された第１液体の膜を加熱する加熱装置と、を備えた露光装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、露光液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を露光装置の所定部材に塗布することと、所定部材に形成された第１液体の膜を加熱することと、を含むメンテナンス方法が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、露光液体を介して基板を露光光で露光する液浸露光装置で用いられる膜形成装置であって、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する除去装置と、露光液体に対して撥液性を有する材料を含む第１液体を所定部材に塗布する塗布装置と、所定部材に形成された第１液体の膜を加熱する加熱装置と、を含む膜形成装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば米国特許第６，８９７，９６３号公報、欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報などに開示されているような、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１と、基板Ｐを保持せずに、露光に関する所定の計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載しながら移動可能な計測ステージ２とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
【００１２】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１と、基板Ｐを保持せずに、露光に関する計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載し、基板ステージ１とは独立して移動可能な計測ステージ２と、マスクステージ３を移動する第１駆動システム４と、基板ステージ１及び計測ステージ２を移動する第２駆動システム５と、各ステージ１、２、３の位置情報を計測するレーザ干渉計６Ｍ、６Ｐを含む干渉計システム６と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。
【００１３】
なお、ここでいう基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、例えばシリコンウエハのような半導体ウエハ等の基材に感光膜が形成されたものを含む。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。また、基板Ｐには、感光膜とは別に保護膜（トップコート膜）等の各種の膜が形成されていてもよい。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含み、例えばガラス板等の透明板部材上にクロム等の遮光膜を用いて所定のパターンが形成されたものである。この透過型マスクは、遮光膜でパターンが形成されるバイナリーマスクに限られず、例えばハーフトーン型、あるいは空間周波数変調型などの位相シフトマスクも含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００１４】
露光装置ＥＸは、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれを移動可能に支持するガイド面ＧＦを有するベース部材（定盤）ＢＰを備えている。基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、ガイド面ＧＦ上を移動可能である。本実施形態においては、ガイド面ＧＦは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、ガイド面ＧＦに沿って、ＸＹ方向（二次元方向）に移動可能である。
【００１５】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間の少なくとも一部が露光液体ＬＱで満たされるように、露光液体ＬＱで液浸空間を形成する。なお、露光光ＥＬの光路空間は、露光光ＥＬが通過する光路を含む空間である。液浸空間は、液体で満たされた空間である。本実施形態においては、露光液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１６】
本実施形態においては、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子８と、その終端光学素子８と対向する所定部材との間の露光光ＥＬの光路空間が露光液体ＬＱで満たされるように、露光液体ＬＱで液浸空間が形成される。終端光学素子８は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する下面（射出面）８Ａを有し、露光液体ＬＱの液浸空間は、終端光学素子８の下面８Ａと、その終端光学素子８の下面８Ａと対向する所定部材との間の露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように形成される。露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。
【００１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで液浸空間を形成可能な液浸部材３０を備えている。液浸部材３０は、終端光学素子８の近傍に配置されている。液浸部材３０は、終端光学素子８の下面８Ａと対向する位置に配置される所定部材と対向可能な下面（液体接触面）３０Ａを有する。下面３０Ａは、露光液体ＬＱと接触可能である。本実施形態においては、終端光学素子８及び液浸部材３０と、その終端光学素子８及び液浸部材３０と対向する所定部材との間に保持される露光液体ＬＱによって液浸空間が形成される。
【００１８】
終端光学素子８及び液浸部材３０と対向可能な所定部材は、終端光学素子８の射出側（投影光学系ＰＬの像面側）で移動可能であり、終端光学素子８の下面８Ａから射出される露光光ＥＬが照射される位置に移動可能な部材を含む。
【００１９】
本実施形態においては、終端光学素子８の下面８Ａから射出される露光光ＥＬが照射される位置に移動可能な所定部材は、基板ステージ１、基板ステージ１に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２の少なくとも１つを含む。また、本実施形態においては、基板ステージ１は、プレート部材Ｔを含み、計測ステージ２は、基準板５０、スリット板６０、及び上板７０等、各種の光学部材を含む。
【００２０】
基板Ｐの露光時には、基板ステージ１に保持された基板Ｐが、終端光学素子８及び液浸部材３０と対向するように配置される。液浸部材３０は、少なくとも基板Ｐの露光時に、終端光学素子８と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように、露光液体ＬＱで液浸空間を形成する。
【００２１】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱに対して撥液性を有する材料を含む第１液体Ｌ１を、上述の所定部材に塗布する塗布装置８０と、その所定部材に形成された第１液体Ｌ１の膜を加熱する加熱装置９０とを備えている。
【００２２】
本実施形態において、塗布装置８０及び加熱装置９０は、液浸部材３０と異なる位置に配置されている。一例として、本実施形態においては、図１に示すように、液浸部材３０の＋Ｙ側に塗布装置８０が配置され、その塗布装置８０の＋Ｙ側に加熱装置９０が配置されている。また、基板ステージ１が終端光学素子８及び液浸部材３０と対向する位置に配置されているとき、計測ステージ２が塗布装置８０及び加熱装置９０の少なくとも一方と対向する位置に配置可能である。
【００２３】
本実施形態において、塗布装置８０は、上述の所定部材との間に第１液体Ｌ１で液浸空間を形成可能な液浸部材８１を有する。液浸部材８１は、第１液体Ｌ１と接触可能な下面（液体接触面）８１Ａを有し、上述の所定部材は、液浸部材８１の下面８１Ａと対向する位置に移動可能である。本実施形態においては、液浸部材８１と、その液浸部材８１と対向する所定部材との間に保持される第１液体Ｌ１によって液浸空間が形成される。塗布装置８０は、液浸部材８１と所定部材との間に第１液体Ｌ１で液浸空間を形成することによって、第１液体Ｌ１を所定部材に塗布する。
【００２４】
本実施形態において、加熱装置９０は、第１液体Ｌ１の膜に光を照射する。本実施形態において、加熱装置９０は、光を射出する光源装置９１と、光源装置９１からの光を集光する集光光学系９２とを有する。集光光学系９２は、光を射出する下面（射出面）９２Ａを有し、上述の所定部材は、集光光学系９２の下面９２Ａと対向する位置に移動可能である。
【００２５】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する除去装置１００を備えている。本実施形態において、除去装置１００は、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜を溶解可能な第２液体Ｌ２を用いて、その膜の少なくとも一部を除去する。本実施形態においては、除去装置１００は、上述の液浸部材８１を含み、液浸部材８１の下面８１Ａは、第２液体Ｌ２と接触可能である。除去装置１００は、液浸部材８１と所定部材との間に第２液体Ｌ２で液浸空間を形成することによって、所定部材の表面の少なくとも一部を形成する膜の少なくとも一部を除去する。
【００２６】
ここで、以下の説明においては、露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで液浸空間を形成可能な液浸部材３０を適宜、第１液浸部材３０、と称し、第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２の少なくとも一方で液浸空間を形成可能な液浸部材８１を適宜、第２液浸部材８１、と称する。第２液浸部材８１は、第１液浸部材３０と異なる位置に配置される。
【００２７】
また、以下の説明においては、第１液体Ｌ１で形成される液浸空間を適宜、第１液浸空間ＬＳ１、と称し、第２液体Ｌ２で形成される液浸空間を適宜、第２液浸空間ＬＳ２、と称し、露光液体ＬＱで形成される液浸空間を適宜、第３液浸空間ＬＳ３、と称する。第１液浸部材３０は、所定部材との間に露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成可能である。第２液浸部材８１は、所定部材との間に第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成可能であり、所定部材との間に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成可能である。
【００２８】
本実施形態においては、上述の所定部材の表面の一部の領域（局所的な領域）が露光液体ＬＱで覆われるように、第１液浸部材３０によって第３液浸空間ＬＳ３が形成され、その所定部材の表面と第１液浸部材３０の下面３０Ａとの間に露光液体ＬＱの気液界面（メニスカス、エッジ）が形成される。基板Ｐの露光時には、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐ上の一部の領域が露光液体ＬＱで覆われるように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３が形成される。すなわち、本実施形態の液浸露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。
【００２９】
また、本実施形態においては、上述の所定部材の表面の一部の領域（局所的な領域）が第１液体Ｌ１（又は第２液体Ｌ２）で覆われるように、第２液浸部材８１によって第１液浸空間ＬＳ１（又は第２液浸空間ＬＳ２）が形成され、その所定部材の表面と第２液浸部材８１の下面８１Ａとの間に第１液体Ｌ１（又は第２液体Ｌ２）の気液界面（メニスカス、エッジ）が形成される。
【００３０】
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００３１】
マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含む第１駆動システム４により、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。マスクステージ３（マスクＭ）の位置情報は、干渉計システム６のレーザ干渉計６Ｍによって計測される。レーザ干渉計６Ｍは、マスクステージ３に設けられた計測ミラー３Ｒを用いて、マスクステージ３のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計６Ｍを含む干渉計システム６の計測結果に基づいて第１駆動システム４を駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を実行する。
【００３２】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。投影光学系ＰＬは、複数の光学素子を有しており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸはＺ軸方向と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００３３】
基板ステージ１は、ステージ本体１１と、ステージ本体１１上に搭載され、基板Ｐを保持可能な基板テーブル１２とを有する。基板テーブル１２は、終端光学素子８の下面８Ａ、第１液浸部材３０の下面３０Ａ、第２液浸部材８１の下面８１Ａ、及び集光光学系９２の下面９２Ａと対向可能な上面１Ｔを有する。基板テーブル１２の上面１Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。ステージ本体１１は、気体軸受によって、ガイド面ＧＦに非接触で支持されており、ガイド面ＧＦ上をＸＹ方向に移動可能である。基板ステージ１は、基板Ｐを保持した状態で、終端光学素子８の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）において、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向する位置、第２液浸部材８１と対向する位置、及び集光光学系９２と対向する位置を含むガイド面ＧＦ上の所定領域内を移動可能である。
【００３４】
計測ステージ２は、ステージ本体２１と、ステージ本体２１上に搭載され、計測器及び計測部材を搭載可能な計測テーブル２２とを有する。計測テーブル２２は、終端光学素子８の下面８Ａ、第１液浸部材３０の下面３０Ａ、第２液浸部材８１の下面８１Ａ、及び集光光学系９２の下面９２Ａと対向可能な上面２Ｔを有する。計測テーブル２２の上面２Ｔは、平坦であり、ＸＹ平面とほぼ平行である。ステージ本体２１は、気体軸受によって、ガイド面ＧＦに非接触で支持されており、ガイド面ＧＦ上をＸＹ方向に移動可能である。計測ステージ２は、計測器を搭載した状態で、終端光学素子８の光射出側（投影光学系ＰＬの像面側）において、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向する位置、第２液浸部材８１と対向する位置、及び集光光学系９２と対向する位置を含むガイド面ＧＦ上の所定領域内を、基板ステージ１と独立して移動可能である。
【００３５】
第２駆動システム５は、例えばリニアモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体１１及びステージ本体２１のそれぞれをガイド面ＧＦ上でＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動することによって、ステージ本体１１上の基板テーブル１２、及びステージ本体２１上の計測テーブル２２を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能な粗動システム５Ａと、例えばボイスコイルモータ等のアクチュエータを含み、ステージ本体１１に対して基板テーブル１２をＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能な微動システム５Ｂと、ステージ本体２１に対して計測テーブル２２をＺ軸、θＸ、及びθＹ方向に移動可能な微動システム５Ｃとを備えている。粗動システム５Ａ及び微動システム５Ｂ、５Ｃを含む第２駆動システム５は、基板テーブル１２及び計測テーブル２２のそれぞれを、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。制御装置７は、第２駆動システム５を制御することにより、基板テーブル１２（基板Ｐ）及び計測テーブル２２（計測器）のＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に関する位置制御を実行可能である。
【００３６】
基板テーブル１２及び計測テーブル２２の位置情報（Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報）は、干渉計システム６のレーザ干渉計６Ｐによって計測される。レーザ干渉計６Ｐは、基板テーブル１２及び計測テーブル２２のそれぞれに設けられた計測ミラー１２Ｒ、２２Ｒを用いて、基板テーブル１２及び計測テーブル２２それぞれのＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。
【００３７】
また、露光装置ＥＸは、斜入射方式のフォーカス・レベリング検出システム（不図示）を備えている。基板テーブル１２に保持された基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）、及び計測テーブル２２の上面２Ｔの面位置情報等は、フォーカス・レベリング検出システムによって検出される。干渉計システム６のレーザ干渉計６Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果は、制御装置７に出力される。制御装置７は、レーザ干渉計６Ｐの計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて、第２駆動システム５を駆動し、基板テーブル１２に保持されている基板Ｐ等の位置制御を実行する。
【００３８】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭ上のアライメントマーク、及び計測ステージ２に設けられた基準板５０上の第１基準マークＦＭ１等を検出する、露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）方式の第１アライメントシステムＲＡを備えている。第１アライメントシステムＲＡの少なくとも一部は、マスクステージ３の上方に配置されている。第１アライメントシステムＲＡは、マスクＭ上のアライメントマークと、そのアライメントマークに対応するように計測ステージ２に設けられた基準板５０上の第１基準マークＦＭ１の投影光学系ＰＬを介した共役像とを同時に観察する。本実施形態の第１アライメントシステムＲＡは、例えば米国特許５，６４６，４１３号等に開示されているような、対象マーク（マスクＭ上のアライメントマーク、及び基準板５０上の第１基準マークＦＭ１等）に対して光を照射し、ＣＣＤカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するＶＲＡ（Visual Reticle Alignment）方式を採用する。
【００３９】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐ上のアライメントマーク、及び計測ステージ２に設けられた基準板５０上の第２基準マークＦＭ２等を検出する、オフアクシス方式の第２アライメントシステムＡＬＧを備えている。第２アライメントシステムＡＬＧの少なくとも一部は、投影光学系ＰＬの先端の近傍に配置されている。本実施形態の第２アライメントシステムＡＬＧは、例えば米国特許５，４９３，４０３号等に開示されているような、基板Ｐ上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を対象マーク（基板Ｐ上のアライメントマーク、及び基準板５０上の第２基準マークＦＭ２等）に照射し、その対象マークからの反射光によって受光面に結像された対象マークの像と指標（第２アライメントシステムＡＲＧ内に設けられた指標板上の指標マーク）の像とをＣＣＤ等の撮像素子を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムを採用する。
【００４０】
図２は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一部を拡大した側断面図である。図２において、第１液浸部材３０は、環状の部材であって、終端光学素子８の周囲に配置されている。第１液浸部材３０は、終端光学素子８の下面８Ａと対向する位置に配置された開口３０Ｋを有する。また、第１液浸部材３０は、露光液体ＬＱを供給可能な第１供給口３１と、露光液体ＬＱを回収可能な第１回収口３２とを備えている。
【００４１】
第１供給口３１は、第３液浸空間ＬＳ３を形成するために、露光光ＥＬの光路空間に露光液体ＬＱを供給可能である。第１供給口３１は、露光光ＥＬの光路空間の近傍において、露光光ＥＬの光路空間と対向する第１液浸部材３０の所定位置に配置されている。また、露光装置ＥＸは、露光液体供給装置３６を備えている。露光液体供給装置３６は、清浄で温度調整され、十分に脱気された露光液体ＬＱを送出可能である。第１供給口３１と露光液体供給装置３６とは、供給流路３５を介して接続されている。供給流路３５は、第１液浸部材３０の内部に形成された流路３５Ａ、及びその流路３５Ａと露光液体供給装置３６とを接続する供給管で形成される流路３５Ｂを含む。露光液体供給装置３６から送出された露光液体ＬＱは、供給流路３５を介して第１供給口３１に供給される。第１供給口３１は、露光液体供給装置３６からの露光液体ＬＱを露光光ＥＬの光路空間に供給する。
【００４２】
第１回収口３２は、第１液浸部材３０の下面３０Ａと対向する所定部材上の露光液体ＬＱの少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、第１回収口３２は、露光光ＥＬの光路の周囲に配置されている。第１回収口３２は、所定部材の表面と対向する第１液浸部材３０の所定位置に配置されている。また、露光装置ＥＸは、露光液体ＬＱを回収可能な露光液体回収装置３８を備えている。露光液体回収装置３８は、真空システムを含み、露光液体ＬＱを吸引して回収可能である。第１回収口３２と露光液体回収装置３８とは、回収流路３７を介して接続されている。回収流路３７は、第１液浸部材３０の内部に形成された流路３７Ａ、及びその流路３７Ａと露光液体回収装置３８とを接続する回収管で形成される流路３７Ｂを含む。第１回収口３２から回収された露光液体ＬＱは、流路３７を介して、露光液体回収装置３８に回収される。
【００４３】
本実施形態においては、制御装置７は、第１供給口３１を用いる液体供給動作と並行して、第１回収口３２を用いる液体回収動作を実行することによって、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向する所定部材との間に露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成可能である。少なくとも基板Ｐを露光するとき、制御装置７は、露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように第３液浸空間ＬＳ３を形成する。
【００４４】
次に、基板テーブル１２について説明する。基板テーブル１２は、基板Ｐを着脱可能に保持する第１保持部ＰＨ１と、第１保持部ＰＨ１の周囲の少なくとも一部に配置され、プレート部材Ｔを着脱可能に保持する第２保持部ＰＨ２とを有する。基板テーブル１２は、基材１３を有し、第１保持部ＰＨ１及び第２保持部ＰＨ２は、基材１３に設けられている。本実施形態においては、第２保持部ＰＨ２は、第１保持部ＰＨ１の周囲に配置されている。本実施形態において、基板テーブル１２（基板ステージ１）の上面１Ｔは、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの表面を含む。
【００４５】
プレート部材Ｔは、基板テーブル１２とは別の部材であって、基板テーブル１２の第２保持部ＰＨ２に着脱可能に保持される。プレート部材Ｔの中央には、基板Ｐを配置可能な略円形状の開口ＴＨが形成されている。第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの周囲に配置される。第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの外側のエッジ（側面）と、その基板Ｐの外側に配置され、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの内側（開口ＴＨ側）のエッジ（内側面）との間には所定のギャップが形成される。
【００４６】
本実施形態において、第１保持部ＰＨ１は、基板Ｐの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。第２保持部ＰＨ２は、プレート部材Ｔの表面とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、プレート部材Ｔを保持する。また、本実施形態においては、基板Ｐの表面及びプレート部材Ｔの表面は平坦である。本実施形態においては、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの表面と、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの表面とは、同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される（面一である）。プレート部材Ｔは、基板ステージ１の第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの周囲に平坦部を形成する。
【００４７】
基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材Ｗと、基材Ｗ上に形成された感光膜Ｒｇとを含む。
【００４８】
プレート部材Ｔは、露光液体ＬＱに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、プレート部材Ｔの表面は、フッ素を含む材料の膜Ｔｆで形成されている。具体的には、プレート部材Ｔは、ステンレス鋼等の金属で形成された基材Ｔｂと、その基材Ｔｂの表面に形成されたフッ素を含む材料の膜Ｔｆとを有する。本実施形態においては、膜Ｔｆを形成する材料は、例えばＰＦＡ（Tetra fluoro ethylene-perfluoro alkylvinyl ether copolymer）、テフロン（登録商標）を含む。
【００４９】
第１保持部ＰＨ１は、所謂ピンチャック機構を含み、基材１３上に形成され、基板Ｐの裏面を支持する複数のピン状の支持部材１４と、複数の支持部材１４を囲むように基材１３上に形成された第１周壁１５とを備えている。第１周壁１５は、基板Ｐの外形とほぼ同形状の環状に形成されており、その第１周壁１５の上面は、基板Ｐの裏面の周縁領域（エッジ領域）と対向する。また、第１周壁１５の内側の基材１３上には、気体を吸引可能な第１吸引口１６が複数設けられている。第１吸引口１６のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置に接続されている。制御装置７は、吸引装置を使って、基板Ｐの裏面と第１周壁１５と基材１３とで囲まれた第１空間の気体を第１吸引口１６を介して吸引して、第１空間を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面を支持部材１４で吸着保持する。また、第１吸引口１６に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第１保持部ＰＨ１より基板Ｐを外すことができる。
【００５０】
第２保持部ＰＨ２は、所謂ピンチャック機構を含み、第１周壁１５を囲むように基材１３上に形成された第２周壁１７と、第２周壁１７を囲むように基材１３上に形成された第３周壁１８と、第２周壁１７と第３周壁１８との間の基材１３上に形成され、プレート部材Ｔの裏面を支持する複数のピン状の支持部材１９とを備えている。第２周壁１７の上面は、開口ＴＨ近傍のプレート部材Ｔの裏面の内縁領域（内側のエッジ領域）と対向する。第３周壁１８の上面は、プレート部材Ｔの裏面の外縁領域（外側のエッジ領域）と対向する。
【００５１】
また、第２周壁１７と第３周壁１８との間の基材１３上には、気体を吸引可能な第２吸引口２０が複数設けられている。第２吸引口２０のそれぞれは、真空システム等を含む吸引装置に接続されている。制御装置７は、吸引装置を使って、プレート部材Ｔの裏面と第２周壁１７と第３周壁１８と基材１３とで囲まれた第２空間の気体を第２吸引口２０を介して吸引して、第２空間を負圧にすることによって、プレート部材Ｔの裏面を支持部材１９で吸着保持する。また、第２吸引口２０に接続された吸引装置による吸引動作を停止することにより、第２保持部ＰＨ２よりプレート部材Ｔを外すことができる。
【００５２】
なお、図２に示すように、例えば基板Ｐの表面の周縁領域（エッジショット）に露光光ＥＬが照射されるとき、プレート部材Ｔの一部が、第３液浸空間ＬＳ３の露光液体ＬＱと接触する。この場合、第３液浸空間ＬＳ３は、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と、基板Ｐ及びプレート部材Ｔとの間に保持される露光液体ＬＱによって形成される。
【００５３】
次に、計測ステージ２について説明する。図３は、基板ステージ１及び計測ステージ２を示す概略斜視図、図４は、基板ステージ１及び計測ステージ２を示す平面図である。計測ステージ２は、露光に関する各種計測を行うための複数の計測器及び計測部材（光学部材）を備えている。計測ステージ２の計測テーブル２２の上面２Ｔの所定位置には、計測部材（光学部材）として、複数の基準マークＦＭ１、ＦＭ２が形成された基準板５０が設けられている。本実施形態においては、基準板５０は、計測テーブル２２に設けられた第３保持部ＰＨ３に着脱可能に保持される。また、計測テーブル２２の上面２Ｔの所定位置には、計測部材（光学部材）として、スリット部６１が形成された光を透過可能なスリット板６０が設けられている。本実施形態においては、スリット板６０は、計測テーブル２２に設けられた第４保持部ＰＨ４に着脱可能に保持される。また、計測テーブル２２の上面の所定位置には、計測部材（光学部材）として、開口パターン７１が形成された光を透過可能な上板７０が設けられている。本実施形態においては、上板７０は、計測テーブル２２に設けられた第５保持部ＰＨ５に着脱可能に保持される。
【００５４】
本実施形態においては、第３保持部ＰＨ３に保持された基準板５０の表面と、第４保持部ＰＨ４に保持されたスリット板６０の表面と、第５保持部ＰＨ５に保持された上板７０の表面と、計測テーブル１２の上面２Ｔとは、ほぼ同一平面内（ＸＹ平面内）に配置される（面一である）。
【００５５】
基準板５０は、低熱膨張材料からなる基材５１と、基材５１上に形成され、第１アライメントシステムＲＡで計測される第１基準マークＦＭ１と、基材５１上に形成され、第２アライメントシステムＡＬＧで計測される第２基準マークＦＭ２とを備えている。第１、第２基準マークＦＭ１、ＦＭ２は、Ｃｒ（クロム）等の金属で形成されている。
【００５６】
基準板５０は、露光液体ＬＱに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、基準板５０の表面は、フッ素を含む材料の膜５０ｆで形成されている。本実施形態においては、基準板５０の表面を形成する膜５０ｆは、光（露光光ＥＬ）を透過可能なフッ素を含む透明な材料で形成されている。
【００５７】
スリット板６０は、ガラス板部材６４の上面中央に設けられたＣｒ（クロム）等からなる遮光膜６２と、その遮光膜６２の周囲、すなわちガラス板部材６４の上面のうち遮光膜６２以外の部分に設けられたアルミニウム等からなる反射膜６３と、遮光膜６２の一部に形成された開口パターンであるスリット部６１とを備えている。スリット部６１においては透明部材であるガラス板部材６４が露出しており、光はスリット部６１を透過可能である。ガラス板部材６４の形成材料としては、露光光ＥＬに対する透過性の良い合成石英あるいは螢石等が用いられる。スリット部６１は、遮光膜６２を例えばエッチング処理することで形成可能である。スリット板６０は、例えば米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書等に開示されているような、空間像計測システム６０Ｓの一部を構成する。スリット板６０の下方には、空間像計測システム６０Ｓの一部を構成する受光素子が配置されている。
【００５８】
スリット板６０は、露光液体ＬＱに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、スリット板６０の表面は、フッ素を含む材料の膜６０ｆで形成されている。
【００５９】
上板７０は、ガラス板部材７４の上面に設けられたＣｒ（クロム）等からなる遮光膜７２と、その遮光膜７２の一部に形成された開口パターン７１とを備えている。開口パターン７１においては透明部材であるガラス板部材７４が露出しており、光は開口パターン７１を透過可能である。ガラス板部材７４の形成材料としては、露光光ＥＬに対する透過性の良い合成石英あるいは螢石等が用いられる。開口パターン７１は、遮光膜７２を例えばエッチング処理することで形成可能である。上板７０は、露光光ＥＬの露光エネルギーに関する情報（光量、照度、照度むら等）を計測する、例えば米国特許第４，４６５，３６８号等に開示されているように照度むらを計測可能な計測器、例えば特開２００１−２６７２３９号公報に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するためのむら計測器、例えば米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書等に開示されているような照射量計測器（照度計測器）の一部を構成する。あるいは、上板７０が、例えば国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応する欧州特許第１，０７９，２２３号明細書）等に開示されているような、波面収差計測器の一部を構成していてもよい。上板７０の下方には、これら計測器の一部を構成する受光素子が配置されている。
【００６０】
上板７０は、露光液体ＬＱに対して撥液性の表面を有している。本実施形態においては、上板７０の表面は、基準板５０、スリット板６０と同様、フッ素を含む材料の膜７０ｆで形成されている。
【００６１】
なお、膜５０ｆ、膜６０ｆ、膜７０ｆを形成するためのフッ素を含む透明な材料としては、住友スリーエム社製の「ＥＧＣ」シリーズ、旭硝子社製「サイトップ」、あるいは東京応化工業社製の「ＴＳＰ-３Ａ（レジスト保護膜材料）」を用いることができる。
【００６２】
また、本実施形態においては、各計測部材５０、６０、７０の表面以外の計測テーブル２２の上面２Ｔは、ＰＦＡ等、フッ素を含む材料の膜で形成されており、露光液体ＬＱに対して撥液性を有する。
【００６３】
次に、図５及び図６を参照しながら、第２液浸部材８１について説明する。図５は、第２液浸部材８１の近傍を示す側断面図、図６は、第２液浸部材８１を下方から見た図である。図５及び図６に示すように、第２液浸部材８１は、第２液浸部材８１の下面８１Ａと対向する所定部材との間に第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成可能である。また、第２液浸部材８１は、第２液浸部材８１の下面８１Ａと対向する所定部材との間に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成可能である。なお、図５においては、第２液浸部材８１の下面８１Ａと対向する位置に、所定部材として、基板テーブル１２（プレート部材Ｔ）が配置されている状態が示されている。
【００６４】
第２液浸部材８１は、液体（第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２の少なくとも一方）を供給可能な第２供給口８２と、液体（第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２の少なくとも一方）を回収可能な第２回収口８３とを備えている。第２供給口８２は、第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、第１液体Ｌ１を供給可能である。また、第２供給口８２は、第２液浸空間ＬＳ２形成するために、第２液体Ｌ２を供給可能である。第２供給口８２は、第２液浸部材８１の下面８１Ａのほぼ中央に配置されている。
【００６５】
第２回収口８３は、第２液浸部材８１の下面８１Ａと対向する所定部材上の液体（第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２の少なくとも一方）の少なくとも一部を回収可能である。本実施形態においては、第２回収口８３は、第２液浸部材８１の下面８１Ａにおいて、第２供給口８２の周囲に配置されている。
【００６６】
露光装置ＥＸは、第１液体Ｌ１を発生する第１液体供給装置８４と、第２液体Ｌ２を発生する第２液体供給装置８５と、液体（第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２の少なくとも一方を含む）を回収可能な液体回収装置８６とを備えている。第１液体供給装置８４、第２液体供給装置８５、及び液体回収装置８６は、制御装置７に制御される。第１液体供給装置８４と第２供給口８２とは、供給流路８７を介して接続されている。供給流路８７は、第２液浸部材８１の内部に形成された流路８７Ａ、及びその流路８７Ａと第１液体供給装置８４とを接続する供給管で形成される流路８７Ｂを含む。第２液体供給装置８５は、流路切替機構８８を介して、供給流路８７と接続されている。流路切替機構８８は、制御装置７に制御される。
【００６７】
第１液体供給装置８４は、第１液体Ｌ１を、第２供給口８２に向けて送出可能である。第２液体供給装置８５は、第２液体Ｌ２を、第２供給口８２に向けて送出可能である。
【００６８】
液体回収装置８６は、真空システムを含み、第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２を回収可能である。液体回収装置８６と第２回収口８３とは、回収流路８９を介して接続されている。回収流路８９は、第２液浸部材８１の内部に形成された流路８９Ａ、及びその流路８９Ａと液体回収装置８６とを接続する回収管で形成される流路８９Ｂを含む。第２回収口８３から回収された液体（第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２の少なくとも一方を含む）は、回収流路８９を介して、液体回収装置８６に回収される。
【００６９】
本実施形態において、制御装置７は、流路切替機構８８、第１液体供給装置８４、及び第２液体供給装置８５を制御して、第１液体供給装置８４から送出された第１液体Ｌ１が第２供給口８２へ供給されるとき、第２液体供給装置８５から第２供給口８２への第２液体Ｌ２の供給を停止することができる。また、制御装置７は、第２液体供給装置８５から送出された第２液体Ｌ２が第２供給口８２へ供給されるとき、第１液体供給装置８４から第２供給口８２への第１液体Ｌ１の供給を停止することができる。
【００７０】
例えば、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、制御装置７は、第２液体供給装置８５から第２供給口８２への第２液体Ｌ２の供給を停止し、第１液体供給装置８４から第１液体Ｌ１を送出する。第１液体供給装置８４から送出された第１液体Ｌ１は、供給流路８７を流れた後、第２供給口８２に供給される。第２供給口８２は、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成するために、第１液体供給装置８４からの第１液体Ｌ１を、第２液浸部材８１の下面８１Ａと、下面８１Ａと対向する所定部材との間に供給する。また、液体回収装置８６の作動によって、第２回収口８３から回収された第１液体Ｌ１は、回収流路８９を介して液体回収装置８６に回収される。制御装置７は、第２供給口８２を用いる第１液体Ｌ１の供給動作と並行して、第２回収口８３を用いる第１液体Ｌ１の回収動作を実行することによって、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成する。
【００７１】
また、第２液体ＬＣで第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、制御装置７は、第１液体供給装置８４から第２供給口８２への第１液体Ｌ１の供給を停止し、第２液体供給装置８５から第２液体Ｌ２を送出する。第２液体供給装置８５から送出された第２液体Ｌ２は、供給流路８７を流れた後、第２供給口８２に供給される。第２供給口８２は、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成するために、第２液体供給装置８５からの第２液体Ｌ２を、第２液浸部材８１の下面８１Ａと、下面８１Ａと対向する所定部材との間に供給する。また、液体回収装置８６の作動によって、第２回収口８３から回収された第２液体Ｌ２は、回収流路８９を介して液体回収装置８６に回収される。制御装置７は、第２供給口８２を用いる第２液体Ｌ２の供給動作と並行して、第２回収口８３を用いる第２液体Ｌ２の回収動作を実行することによって、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成する。
【００７２】
このように、本実施形態においては、第２供給口８２は、第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２のそれぞれを供給可能である。また、第２回収口８３は、第１液体Ｌ１及び第２液体Ｌ２のそれぞれを回収可能である。
【００７３】
以下の説明においては、第１液体供給装置８４から第２供給口８２に第１液体Ｌ１が供給される状態を適宜、第１供給モード、と称し、第２液体供給装置８５から第２供給口８２に第２液体Ｌ２が供給される状態を適宜、第２供給モード、と称する。
【００７４】
図７は、第４保持部ＰＨ４に保持されたスリット板６０を示す断面図である。図７に示すように、計測テーブル２２の上面２Ｔの一部には開口が形成されており、計測テーブル２２の内部には、開口に接続する内部空間が形成されている。スリット板６０は、計測テーブル２２の開口近傍に配置された第４保持部ＰＨ４に着脱可能に保持される。第４保持部ＰＨ４は、所謂ピンチャック機構を含み、スリット部６１を透過した露光光ＥＬを遮らないように環状に形成された基材６７と、基材６７の内縁に沿うように基材６７上に形成された内側周壁６７Ａと、内側周壁６７Ａを囲むように基材６７上に形成された外側周壁６７Ｂと、内側周壁６７Ａと外側周壁６７Ｂとの間に形成され、スリット板６０の裏面を支持する複数のピン状の支持部材６８と、内側周壁６７Ａと外側周壁６７Ｂとの間に配置され、気体を吸引可能な吸引口６９とを有する。第４保持部ＰＨ４に保持されたスリット板６０の表面と、計測テーブル２２の上面２Ｔとは、ほぼ面一である。
【００７５】
空間像計測システム６０Ｓの少なくとも一部は、計測テーブル２２の内部空間に配置されている。空間像計測システム６０Ｓは、スリット板６０と、計測テーブル２２の内部空間においてスリット部６１の下方に配置された光学系６５と、光学系６５を介した光（露光光ＥＬ）を受光可能な受光素子６６とを備えている。
【００７６】
図７に示すように、制御装置７は、スリット板６０を用いた計測処理を実行する際、終端光学素子８の下面８Ａと対向する位置にスリット板６０を配置し、終端光学素子８とスリット板６０との間の露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成した状態で、露光光ＥＬをスリット板６０に照射する。スリット板６０の表面は、露光液体ＬＱと接触した状態で、露光光ＥＬを照射される。受光素子６６は、スリット板６０（スリット部６１）を透過した露光光ＥＬを、光学系６５を介して受光し、空間像の計測を実行する。
【００７７】
なお、図示は省略するが、計測テーブル２２には、基準板５０を着脱可能に保持するピンチャック機構を有する第３保持部ＰＨ３が設けられている。制御装置７は、基準板５０を用いた計測処理を実行する際、終端光学素子８の下面８Ａと対向する位置に基準板５０を配置し、終端光学素子８と基準板５０との間の露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成した状態で、露光光ＥＬ又は露光光ＥＬとほぼ同じ波長の光（紫外光）を、基準板５０に照射する。基準板５０の表面は、露光液体ＬＱと接触した状態で、露光光ＥＬ又は露光光ＥＬとほぼ同じ波長の光（紫外光）を照射される。
【００７８】
また、図示は省略するが、計測テーブル２２には、上板７０を着脱可能に保持するピンチャック機構を有する第５保持部ＰＨ５が設けられている。制御装置７は、上板７０を用いた計測処理を実行する際、終端光学素子８の下面８Ａと対向する位置に上板７０を配置し、終端光学素子８と上板７０との間の露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成した状態で、露光光ＥＬを上板７０に照射する。上板７０の表面は、露光液体ＬＱと接触した状態で、露光光ＥＬを照射される。上板７０の下方に配置されている受光素子は、上板７０を透過した露光光ＥＬを受光し、所定の計測を実行する。
【００７９】
このように、計測テーブル２２を用いて計測処理を実行する場合等においては、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向する位置に配置された計測テーブル２２と、終端光学素子８及び第１液浸部材３０との間に露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３が形成される。
【００８０】
また、本実施形態においては、例えば欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報、米国特許公開第２００６／００２３１８６号公報等に開示されているように、制御装置７は、基板テーブル１２及び計測テーブル２２の少なくとも一方が終端光学素子８及び第１液浸部材３０との間で露光液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとを接近又は接触させた状態で、基板テーブル１２の上面１Ｔ及び計測テーブル２２の上面２Ｔの少なくとも一方と終端光学素子８の下面８Ａ及び第１液浸部材３０の下面３０Ａとを対向させつつ、終端光学素子８及び第１液浸部材３０に対して、基板テーブル１２と計測テーブル２２とをＸＹ方向に同期移動させる。これにより、制御装置７は、露光液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとの間で露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を移動可能である。なお、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとの間で露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を移動するときに、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとはほぼ同じ高さ（面一）となるように調整される。
【００８１】
同様に、制御装置７は、基板テーブル１２及び計測テーブル２２の少なくとも一方が第２液浸部材８１との間で第１液体Ｌ１を保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとを接近又は接触させた状態で、基板テーブル１２の上面１Ｔ及び計測テーブル２２の上面２Ｔの少なくとも一方と第２液浸部材８１の下面８１Ａとを対向させつつ、第２液浸部材８１に対して、基板テーブル１２と計測テーブル２２とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置７は、第１液体Ｌ１の漏出を抑制しつつ、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとの間で第１液体Ｌ１の第１液浸空間ＬＳ１を移動可能である。
【００８２】
同様に、制御装置７は、基板テーブル１２及び計測テーブル２２の少なくとも一方が第２液浸部材８１との間で第２液体Ｌ２を保持可能な空間を形成し続けるように、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとを接近又は接触させた状態で、基板テーブル１２の上面１Ｔ及び計測テーブル２２の上面２Ｔの少なくとも一方と第２液浸部材８１の下面８１Ａとを対向させつつ、第２液浸部材８１に対して、基板テーブル１２と計測テーブル２２とをＸＹ方向に同期移動させることができる。これにより、制御装置７は、第２液体Ｌ２の漏出を抑制しつつ、基板テーブル１２の上面１Ｔと計測テーブル２２の上面２Ｔとの間で第２液体Ｌ２の第２液浸空間ＬＳ２を移動可能である。
【００８３】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法の一例について説明する。
【００８４】
まず、制御装置７は、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と計測ステージ２とを対向させた状態で、露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成する。もちろん、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と基板ステージ１とを対向させた状態で、露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成してもよい。
【００８５】
次に、制御装置７は、基板Ｐを露光する前に、計測ステージ２に搭載されている計測器、計測部材の少なくとも一つを用いて、各種の計測を実行する。例えば、図７を参照して説明したように、制御装置７は、空間像計測システム６０Ｓを用いて、投影光学系ＰＬの結像特性を計測する。
【００８６】
そして、制御装置７は、その計測結果に基づいて、各種調整（キャリブレーション）を行う。例えば、空間像計測システム６０Ｓの計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬの結像特性の調整が行われる。
【００８７】
計測ステージ２を用いた計測が終了した後、制御装置７は、上述したように基板ステージ１と計測ステージ２とを同期移動して、露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を計測ステージ２から基板ステージ１へ移動する。次に、制御装置７は、基板ステージ１上の基板Ｐに対するアライメント処理を開始する。制御装置７は、基板ステージ１をＸＹ方向に移動し、第２アライメントシステムＡＬＧの検出領域に、基板Ｐ上の各ショット領域に対応するように設けられている複数のアライメントマークを順次配置する。そして、制御装置７は、レーザ干渉計６Ｐを含む干渉計システム６を用いて、基板ステージ１の位置情報を計測しつつ、第２アライメントシステムＡＬＧを用いて、基板Ｐ上の複数のアライメントマークを、露光液体ＬＱを介さずに順次検出する。これにより、制御装置７は、レーザ干渉計６Ｐを含む干渉計システム６によって規定される座標系内での基板Ｐ上のアライメントマークの位置情報を求めることができる。
【００８８】
そして、制御装置７は、基板Ｐのアライメントマークの位置情報に基づいて、基板ステージ１上の基板Ｐの位置を制御し、基板Ｐ上の複数のショット領域に対する露光を開始する。制御装置７は、基板Ｐ上のショット領域を露光するために、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。照明系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、マスクＭを照明する。マスクＭを介した露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬ及び第３液浸空間ＬＳ３の露光液体ＬＱを介して、基板Ｐに照射される。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影され、基板Ｐは露光光ＥＬで露光される。制御装置７は、少なくともマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影している間、露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成する。
【００８９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、基板Ｐを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明系ＩＬの照明領域に対してマスクＭをＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと露光液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する。
【００９０】
ところで、基準板５０、スリット板６０、上板７０、プレート部材Ｔ、基板テーブル１２、及び計測テーブル２２等を含む所定部材の表面状態が悪化する可能性がある。ここで、以下の説明において、基準板５０、スリット板６０、上板７０、プレート部材Ｔ、基板テーブル１２、及び計測テーブル２２等、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向する位置（露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能（配置可能）な部材を適宜、所定部材Ｓ、と総称する。所定部材Ｓの表面は、基準板５０の表面、スリット板６０の表面、上板７０の表面、プレート部材Ｔの表面（基板テーブル１２の上面１Ｔ）、及び計測テーブル２２の上面２Ｔの少なくとも１つを含む。また、所定部材Ｓの表面を形成するフッ素を含む材料の撥液性の膜を適宜、膜Ｓｆ、と称する。膜Ｓｆは、上述の膜５０ｆ、６０ｆ、７０ｆ、Ｔｆの少なくとも１つを含む。
【００９１】
例えば、所定部材Ｓの表面に対する露光光ＥＬ（紫外光）の照射によって、露光液体ＬＱに対する所定部材Ｓの表面（所定部材Ｓの表面を形成する膜Ｓｆ）の撥液性が低下する可能性がある。例えば、図８に示すような初期状態の膜Ｓｆに対して、露光光ＥＬが照射されると、図９に示すように、膜Ｓｆの表層の物性（性質、材料特性）が変化し、変質領域Ｓｃが形成される可能性がある。なお、初期状態は、露光光ＥＬが照射される前、あるいは露光液体ＬＱと接触する前、あるいは露光液体ＬＱと接触した状態で露光光ＥＬが照射される前の状態を含み、露光液体ＬＱに対して所望レベルの撥液性（例えば、露光液体ＬＱに対する接触角が９０度以上）を有する。
【００９２】
露光液体ＬＱに対する所定部材Ｓ（膜Ｓｆ）の表面の撥液性が低下した状態を放置しておくと、終端光学素子８の下面８Ａ及び第１液浸部材３０の下面３０Ａと所定部材Ｓの表面との間で露光液体ＬＱを良好に保持することができず、第３液浸空間ＬＳ３を良好に形成できなくなる可能性がある。また、所定部材Ｓ上に露光液体ＬＱの滴が残留する可能性が高くなる。
【００９３】
例えば、上述のように、スリット板６０を用いた計測処理が終了した後、制御装置７は、終端光学素子８及び第１液浸部材３０（露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３）に対して計測ステージ２を所定の移動条件（速度、加速度、移動方向を含む）で移動して、スリット板６０を、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向しない位置に移動する。スリット板６０を終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向しない位置に移動した場合、露光液体ＬＱに対するスリット板６０の表面の撥液性が低下していると、そのスリット板６０の表面に露光液体ＬＱ（例えば露光液体ＬＱの滴、膜等）が残留する可能性がある。また、終端光学素子８及び第１液浸部材３０（露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３）に対して、スリット板６０（計測ステージ２）を所定の移動条件でＸＹ方向に移動した場合、露光液体ＬＱに対するスリット板６０の表面の撥液性が低下していると、露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３（露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３の形状等）を所望状態に維持することが困難となり、露光液体ＬＱが漏出する可能性がある。特に、スループットの向上等を目的として、スリット板６０（計測ステージ２）の移動速度を高めた場合、露光液体ＬＱが残留したり、露光液体ＬＱが漏出したりする可能性が高くなる。
【００９４】
同様に、露光液体ＬＱに対する基準板５０、上板７０の表面の撥液性が低下していると、基準板５０、上板７０の表面に露光液体ＬＱが残留したり、露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を所望状態に維持できず、露光液体ＬＱが漏出したりする可能性がある。
【００９５】
また、上述のように、基板Ｐの表面の周縁領域（エッジショット）に露光光ＥＬが照射されるとき、プレート部材Ｔの少なくとも一部が、第３液浸空間ＬＳ３の露光液体ＬＱと接触する。露光液体ＬＱに対するプレート部材Ｔの表面の撥液性が低下していると、プレート部材Ｔの表面に露光液体ＬＱが残留したり、露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を所望状態に維持できず、露光液体ＬＱが漏出する可能性がある。
【００９６】
また、所定部材Ｓの表面の撥液性が低下している場合には、第１液浸部材３０の第１回収口３２を使って露光液体ＬＱを全て回収しようとしても、所定部材Ｓの表面に露光液体ＬＱが残留してしまう可能性がある。
【００９７】
そこで、本実施形態においては、所定部材Ｓの表面状態を所望の状態にするために、具体的には、露光液体ＬＱに対する所定部材Ｓの表面の撥液性を所望レベルにするために、露光液体ＬＱに対して撥液性を有する材料を含む第１液体Ｌ１を塗布装置８０を用いて所定部材Ｓに塗布する処理、及び所定部材Ｓに形成された第１液体Ｌ１の膜を加熱装置９０を用いて加熱する処理を含むメンテナンス処理を実行する。
【００９８】
以下、本実施形態に係るメンテナンス方法の一例について、図１０のフローチャート、及び図１１〜図１４の模式図を参照しながら説明する。図１０に示すように、本実施形態においては、所定部材Ｓの表面を形成する、露光液体ＬＱに対して撥液性が低下した膜Ｓｆの少なくとも一部を、除去装置１００を用いて除去する処理（ステップＳ１）と、膜Ｓｆが除去された所定部材Ｓの少なくとも一部分に、塗布装置８０を用いて第１液体Ｌ１を塗布する処理（ステップＳ２）と、所定部材Ｓに形成された第１液体Ｌ１の膜を加熱装置９０を用いて加熱する処理（ステップＳ３）とが実行される。
【００９９】
以下の説明においては、所定部材Ｓの一例として、スリット板６０をメンテナンスする場合を例にして説明する。
【０１００】
まず、制御装置７は、除去装置１００を用いて、膜６０ｆ（膜Ｓｆ）の少なくとも一部を除去する処理を開始する（ステップＳ１）。
【０１０１】
図１１は、除去装置１００が膜６０ｆ（膜Ｓｆ）の少なくとも一部を除去している状態を示す模式図である。制御装置７は、除去装置１００を用いて、露光液体ＬＱに対する撥液性が低下した膜６０ｆの少なくとも一部を除去する。除去装置１００は、スリット板６０の表面に第２液体Ｌ２を供給して、スリット板６０上に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成することによって、スリット板６０の表面を形成する膜６０ｆを溶解し、除去することができる。
【０１０２】
制御装置７は、スリット板６０の表面を形成する膜６０ｆを溶解するために、流路切替機構８８を第２供給モードに設定する。これにより、第２液体供給装置８５から送出された第２液体Ｌ２は、供給流路８７を介して、第２供給口８２に供給される。第２供給口８２から第２液体Ｌ２が供給されることによって、第２液浸部材８１とスリット板６０との間に、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２が形成される。
【０１０３】
また、制御装置７は、第２供給口８２を用いる第２液体Ｌ２の供給動作と並行して、第２回収口８３を用いる第２液体Ｌ２の回収動作を実行する。
【０１０４】
また、制御装置７は、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成した状態で、第２液浸部材８２に対して、スリット板６０（計測ステージ２）をＸＹ方向に移動する。
【０１０５】
本実施形態において、第２液体Ｌ２は、膜６０ｆを溶解可能な物質を所定液体に溶解させたものである。上述のように、スリット板６０の表面は、フッ素を含む材料の膜６０ｆで形成されている。第２液体Ｌ２は、フッ素を含有する溶剤を含み、膜６０ｆを溶解可能である。すなわち、本実施形態においては、膜６０ｆを溶解可能な物質として、フッ素を含有する溶剤を用いる。以下の説明においては、フッ素を含有する溶剤を適宜、フッ素系溶剤、と称する。
【０１０６】
フッ素系溶剤としては、例えば、ハイドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）、ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）等が挙げられる。ハイドロフルオロカーボンとしては、例えば、三井デュポンフロロケミカル社製「バートレルＸＦ」が挙げられる。また、フッ素系溶剤としては、例えば、住友スリーエム社製「フロリナートＦＣ−７７」も挙げられる。
【０１０７】
また、本実施形態の第２液体Ｌ２は、上述のフッ素系溶剤をアルコールに溶解させたものである。すなわち、本実施形態においては、膜６０ｆを溶解可能な物質（フッ素系溶剤）を溶解させる所定液体として、アルコールを用いる。換言すれば、本実施形態の第２液体Ｌ２は、溶質をフッ素系溶剤とし、溶媒をアルコールとした溶液である。フッ素系溶剤を溶解させるためのアルコールとしては、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ペンタノール等が挙げられる。
【０１０８】
第２液体Ｌ２の溶媒としては、露光液体ＬＱ、及び第２液体Ｌ２の溶質の両方に対して可溶性を有するものを用いることが望ましい。上述のように、本実施形態においては、第２液体Ｌ２の溶媒は、アルコールであり、露光液体ＬＱは、純水であり、第２液体Ｌ２の溶質は、フッ素系溶剤であって、純水及びフッ素系溶剤は、それぞれアルコールに可溶である。
【０１０９】
また、本実施形態の第２液体供給装置８５は、アルコールにフッ素系溶剤を溶解させて、所定濃度のフッ素系溶剤を含む第２液体Ｌ２を送出することができるとともに、アルコール（溶媒）のみを送出することもできる。
【０１１０】
なお、第２液体Ｌ２が、フッ素系溶剤を含まず、アルコールのみで形成されていてもよい。例えば第２液体Ｌ２が、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコールであってもよい。また、第２液体Ｌ２が、アルコールを含まず、フッ素系溶剤のみで形成されていてもよい。例えば第２液体Ｌ２が、ハイドロフルオロカーボンエーテル（ＨＦＥ）、ハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）であってもよい。また、第２液体Ｌ２が、過酸化水素水であってもよい。
【０１１１】
図１２は、本実施形態に係るメンテナンス方法によって、スリット板６０の表面状態が変化する様子を示す模式図である。図１２（Ａ）は、スリット板６０に対する第２液体Ｌ２の供給を開始した直後の状態を示す。第２供給口８２より供給された第２液体Ｌ２は、スリット板６０の表面と接触する。
【０１１２】
図１２（Ｂ）は、スリット板６０に対する第２液体Ｌ２の供給を開始してから第１の時間経過した後の状態を示す。図１２（Ｂ）に示すように、スリット板６０（膜６０ｆ）と第２液体Ｌ２とが接触することによって、膜６０ｆの変質領域Ｓｃがスリット板６０より徐々に除去される。
【０１１３】
本実施形態においては、スリット板６０のメンテナンスを実行するとき、制御装置７は、第２供給口８２を用いる第２液体Ｌ２の供給動作と並行して、第２回収口８３を用いる第２液体Ｌ２の回収動作を実行し、第２供給口８２よりスリット板６０上に供給された第２液体Ｌ２を第２回収口８３より回収する。したがって、第２液体Ｌ２によってスリット板６０より除去された、変質領域Ｓｃを含む膜６０ｆの一部は、第２液体Ｌ２とともに第２回収口８３より回収される。したがって、スリット板６０より除去された膜６０ｆの一部、あるいは溶解した膜６０ｆを含む第２液体Ｌ２が、スリット板６０に付着（再付着）することを抑制できる。
【０１１４】
また、制御装置７は、第２液浸部材８１とスリット板６０との間に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成した状態で、第２液浸部材８１とスリット板６０とを相対的に移動するので、スリット板６０の表面の広い領域に対して均一に第２液体Ｌ２を接触させることができ、膜６０ｆを均一に溶解し、除去できる。
【０１１５】
図１２（Ｃ）は、スリット板６０に対する第２液体Ｌ２の供給を開始してから第２の時間が経過した後の状態を示す。図１２（Ｃ）に示すように、スリット板６０（膜６０ｆ）と第２液体Ｌ２とが接触し続けることによって、物性が変化している膜６０ｆの表層、すなわち変質領域Ｓｃが全て除去される。
【０１１６】
本実施形態においては、制御装置７は、膜６０ｆが全て除去されるまで、スリット板６０と第２液体Ｌ２とを接触し続ける。これにより、図１２（Ｄ）に示すように、膜６０ｆが全て除去され、スリット板６０の遮光膜６２（又は反射膜６３）が露出する。このように、本実施形態においては、制御装置７は、除去装置１００を用いて、スリット板６０の膜６０ｆを全て除去する。
【０１１７】
膜６０ｆの除去処理が終了した後、制御装置７は、除去装置１００で膜６０ｆが除去された部分に、塗布装置８０を用いて、第１液体Ｌ１を塗布する処理を開始する（ステップＳ２）。
【０１１８】
図１３は、塗布装置８０が第１液体Ｌ１をスリット板６０に塗布している状態を示す模式図である。制御装置７は、塗布装置８０を用いて、第１液体Ｌ１をスリット板６０に塗布する。
【０１１９】
本実施形態において、塗布装置８０は、第２液浸部材８１を含み、制御装置７は、第２液浸部材８１とスリット板６０との間に、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成することによって、スリット板６０に第１液体Ｌ１を塗布する。
【０１２０】
制御装置７は、スリット板６０に第１液体Ｌ１を塗布するために、流路切替機構８８を第１供給モードに設定する。これにより、第１液体供給装置８４から送出された第１液体Ｌ１は、供給流路８７を介して、第２供給口８２に供給される。第２供給口８２から第１液体Ｌ１が供給されることによって、第２液浸部材８１とスリット板６０との間に、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１が形成される。
【０１２１】
また、制御装置７は、スリット板６０に第１液体Ｌ１を塗布するとき、第２供給口８２を用いる第１液体Ｌ１の供給動作と並行して、第２回収口８３を用いる第１液体Ｌ１の回収動作を実行する。
【０１２２】
また、制御装置７は、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、第２液浸部材８１に対して、スリット板６０（計測ステージ２）をＸＹ方向に移動する。第２液浸部材８１とスリット板６０との間に第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、第２液浸部材８１とスリット板６０とを相対的に移動することによって、スリット板６０の表面の広い領域に対して均一に第１液体Ｌ１を塗布することができる。
【０１２３】
本実施形態において、第１液体Ｌ１は、フッ素を含む。一例として、第１液体Ｌ１は、上述のサイトップを、所定のフッ素系溶剤に溶解させたものである。なお、第１液体Ｌ１が、ＰＦＡを所定の溶剤に溶解させたものであってもよい。
【０１２４】
なお、第２供給モードを第１供給モードに変更する際、制御装置７は、流路切替機構８８、第２液体供給装置８５等を制御して、第２供給口８２からの第２液体Ｌ２の供給を停止する。また、制御装置７は、第２回収口８３を用いて、第２液浸空間ＬＳ２の第２液体Ｌ２を全て回収する。次いで、制御装置７は、流路切替機構８８、第１液体供給装置８４等を制御して、第１液体供給装置８４から第１液体Ｌ１を送出する。これにより、第２供給モードが第１供給モードに変更される。なお、第２供給モードを第１供給モードに変更する際、第１液体供給装置８４から第１液体Ｌ１を送出する前に、第２液体供給装置８５より第２供給口８２に対して所定時間、アルコールのみを供給して、第２液浸部材８１とスリット板６０（所定部材Ｓ）との間に、アルコールで液浸空間を形成してもよい。こうすることにより、供給流路８７、第２液浸部材８１の下面８１Ａ、及びスリット板６０（所定部材Ｓ）の表面をアルコールでクリーニングすることができる。そして、アルコールを用いたクリーニングが終了し、液浸空間のアルコールを全て回収した後、第１液体供給装置８４から第１液体Ｌ１を供給して、スリット板６０（所定部材Ｓ）に第１液体Ｌ１を塗布する処理が開始される。
【０１２５】
制御装置７は、スリット板６０に第１液体Ｌ１を塗布する処理を終了した後、第２供給口８２からの第１液体Ｌ１の供給を停止し、第２回収口８３を用いて、第１液浸空間ＬＳ１の第１液体Ｌ１を全て回収する。なお、スリット板６０上から第１液体Ｌ１の第１液浸空間ＬＳ１を取り去るために、第１液浸空間ＬＳ１を形成した状態で、第２液浸部材８１に対してスリット板６０（計測ステージ２）をＸＹ方向に移動するようにしてもよい。
【０１２６】
次に、制御装置７は、加熱装置９０を用いて、スリット板６０に形成された第１液体Ｌ１の膜を加熱（ベーク）する処理を開始する（ステップＳ３）。
【０１２７】
図１４は、加熱装置９０がスリット板６０に形成された第１液体Ｌ１の膜を加熱している状態を示す模式図である。本実施形態においては、加熱装置９０は、第１液体Ｌ１の膜に光を照射することによって、第１液体Ｌ１の膜を加熱する。
【０１２８】
図１４に示すように、本実施形態の加熱装置９０は、光を射出する光源装置９１と、光源装置９１からの光を集光する集光光学系９２とを有する。光源装置９１は、例えばハロゲンランプ、水銀灯を含む。光源装置９１から射出された光は、集光光学系９２により集光され、集光光学系９２の射出面９２Ａより射出される。本実施形態において、集光光学系９２の射出面９２Ａは、−Ｚ方向を向いており、スリット板６０と対向可能である。
【０１２９】
本実施形態においては、第１液体Ｌ１の膜を加熱するとき、制御装置７は、集光光学系９２の射出面９２Ａと、スリット板６０に形成された第１液体Ｌ１の膜とが対向するように、計測ステージ２を移動して、ＸＹ方向におけるスリット板６０の位置を調整する。これにより、集光光学系９２の射出面９２Ａより射出された光は、スリット板６０に形成された第１液体Ｌ１の膜に照射可能である。なお、加熱装置９０を移動可能な駆動装置を設け、加熱装置９０の集光光学系９２の射出面９２Ａがスリット板６０に形成された第１液体Ｌ１の膜と対向するように加熱装置９０を移動してもよいし、加熱装置９０とスリット板６０との両方を移動してもよい。
【０１３０】
制御装置７は、集光光学系９２の射出面９２Ａとスリット板６０に形成された第１液体Ｌ１の膜とを対向させた状態で、光源装置９１より光を射出する。光源装置９１より射出された光は、集光光学系９２を介して、スリット板６０に照射される。これにより、そのスリット板６０に形成されている第１液体Ｌ１の膜が加熱される。第１液体Ｌ１の膜は、加熱されることによって、固化し、露光液体ＬＱに対して撥液性を有する膜６０ｆに変換される。これにより、露光液体ＬＱに対して所望レベルの撥液性を有する膜６０ｆがスリット板６０に新たに形成される。
【０１３１】
本実施形態においては、加熱装置９０は、光源装置９１から射出された光を集光する集光光学系９２を備えており、第１液体Ｌ１の膜が形成されたスリット板６０の一部の領域を局所的な領域に光を照射可能である。したがって、加熱装置９０は、スリット板６０上の一部の領域を局所的に加熱可能である。
【０１３２】
本実施形態においては、スリット板６０上の一部の領域が局所的に加熱されるので、スリット板６０の周辺の機器、部材が不要に加熱されることを抑制でき、それら機器、部材への影響を抑えることができる。
【０１３３】
また、制御装置７は、加熱装置９０より光を射出した状態で、加熱装置９０に対して、スリット板６０（計測ステージ２）をＸＹ方向に移動する。なお、加熱装置９０より光を射出した状態で、加熱装置９０をＸＹ方向に移動してもよいし、加熱装置９０とスリット板６０との両方を移動してもよい。加熱装置９０より光を射出した状態で、加熱装置９０とスリット板６０とを相対的に移動することによって、スリット板６０（第１液体Ｌ１の膜）の広い領域を良好に加熱することができる。
【０１３４】
なお、本実施形態において、除去装置１００、塗布装置８０、及び加熱装置９０を含む膜形成装置を用いた所定部材Ｓに対するメンテナンス処理は、定期的に実行される。膜形成装置を用いたメンテナンス処理は、例えば基板Ｐを所定枚数露光処理した毎、ロット毎、所定時間間隔毎等に実行することができる。
【０１３５】
なお、上述の説明では、主に、スリット板６０をメンテナンスする場合を例にして説明したが、制御装置７は、スリット板６０のみならず、基準板５０、上板７０、プレート部材Ｔ、基板テーブル１２、及び計測テーブル２２等、終端光学素子８の下面８Ａと対向する位置、すなわち終端光学素子８からの露光光ＥＬが照射可能な位置に移動可能（配置可能）であり、終端光学素子８及び第１液浸部材３０の間で露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を形成可能な部材をメンテナンスすることができる。
【０１３６】
以上説明したように、本実施形態によれば、所定部材Ｓの表面の露光液体ＬＱに対する撥液性が、例えば露光光ＥＬの照射等によって低下しても、除去装置１００、塗布装置８０、及び加熱装置９０を含む膜形成装置を用いて所定部材Ｓをメンテナンスすることによって、その所定部材Ｓに新たな膜Ｓｆを形成（再形成）して、露光液体ＬＱに対する所定部材Ｓの表面の撥液性を所望レベルに回復させることができる。したがって、液浸露光処理、あるいは液浸露光処理のための計測処理を実行する際、所定部材Ｓ上に露光液体ＬＱが残留することを抑制し、露光液体ＬＱの第３液浸空間ＬＳ３を所望状態に維持することができる。したがって、露光装置ＥＸの性能を維持でき、露光不良の発生を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光して、所望の性能を有するデバイスを製造できる。
【０１３７】
本実施形態においては、露光装置ＥＸ内で、新たな膜Ｓｆの形成処理（再形成処理）を含む所定部材Ｓのメンテナンス処理を実行できる。そのため、従来のように、撥液性が低下した所定部材Ｓを交換したり、その交換のために露光装置ＥＸの稼動を長時間停止したりすることなく、撥液性が低下した所定部材Ｓの表面の撥液性を回復させることができる。また、撥液性が低下した所定部材Ｓを交換する必要が生じても、その交換の頻度を抑えることができる。したがって、露光装置ＥＸの稼動率の低下を抑制し、露光不良の発生を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光できる。
【０１３８】
また、所定部材Ｓの膜Ｓｆが汚染したり、膜Ｓｆに異物が付着したり、膜Ｓｆの一部が損傷したりする等、膜Ｓｆの表面状態が悪化する可能性がある。例えば、基板Ｐを露光するとき、第３液浸空間ＬＳ３の露光液体ＬＱは、基板Ｐの表面に接触するとともに、終端光学素子８、第１液浸部材３０、及び所定部材Ｓの表面に接触する。基板Ｐと接触した露光液体ＬＱに、例えば基板Ｐの一部の物質（例えば感光材の一部）が混入（溶出）した場合、その物質が所定部材Ｓの表面に付着し、その所定部材Ｓの表面が汚染される可能性がある。また、基板Ｐから発生した物質に限られず、例えば、露光装置ＥＸが置かれている空間中を浮遊する物質（異物）によっても、所定部材Ｓの表面が汚染される可能性がある。また、所定部材Ｓの表面は、露光液体ＬＱとの接触が繰り返されるので、膜Ｓｆが損傷し、その一部が剥離する可能性もある。所定部材Ｓの表面状態が悪化している状態を放置しておくと、露光不良が発生し、露光装置ＥＸの性能が低下する可能性がある。例えば、所定部材Ｓの表面に汚染物が付着している状態を放置しておくと、その汚染物が基板Ｐの表面に付着し、例えば基板Ｐに形成されるパターンに欠陥を引き起こす等、露光不良が発生する可能性がある。また、計測器（光学部材）の表面が汚染している状態を放置しておくと、その計測器を用いた計測精度の低下に起因して、露光不良が発生し、露光装置ＥＸの性能が低下する可能性がある。
【０１３９】
本実施形態によれば、表面状態が悪化した膜Ｓｆを除去装置１００で除去して、新たな膜Ｓｆを形成するので、膜Ｓｆの表面状態を所望状態に回復させることができる。したがって、露光装置ＥＸの性能の低下を抑制することができる。
【０１４０】
また、本実施形態においては、加熱装置９０は、第１液体Ｌ１の膜が形成された所定部材Ｓ上の一部の領域を局所的に加熱するので、周辺の機器、部材が不要に加熱されることを抑制し、露光装置ＥＸの性能の低下を抑制することができる。
【０１４１】
なお、本実施形態においては、除去装置１００が、所定部材Ｓ（スリット板６０）の膜Ｓｆを全て除去する場合を例にして説明したが、膜Ｓｆを全て除去しなくてもよい。例えば、図１２（Ｃ）を参照して説明したように、変質領域Ｓｃのみを除去し、所定部材Ｓ上に残っている膜Ｓｆ上に第１液体Ｌ１を塗布して、第１液体Ｌ１の膜を形成してもよい。すなわち、除去装置１００を用いて、厚み方向（Ｚ軸方向）に関する膜Ｓｆの一部を除去した後、その除去された部分に第１液体Ｌ１を塗布するようにしてもよい。また、除去装置１００を用いて、表面と平行な方向（ＸＹ方向）に関する膜Ｓｆの一部を除去した後、その除去された部分に第１液体Ｌ１を塗布するようにしてもよい。例えば、スリット板６０に形成されている膜６０ｆのうち、スリット部６１近傍の領域における膜６０ｆの撥液性の低下が顕著であり、スリット部６１から離れた領域における膜６０ｆの撥液性が所望レベルに維持されている場合には、スリット部６１から離れた領域における膜６０ｆを除去することなく、スリット部６１近傍の領域における一部の膜６０ｆのみを除去装置１００で除去した後、その除去された部分に第１液体Ｌ１を塗布するようにしてもよい。
【０１４２】
なお、本実施形態においては、第１液浸部材３０が露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成し、第２液浸部材８１が第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成するとともに、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成しているが、例えば、第１液浸部材３０が露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成するとともに、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成し、第２液浸部材８１が第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成してもよい。また、第１液浸部材３０が露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成するとともに、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成し、第２液浸部材８１が第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成してもよい。また、第２液浸部材８１を省略して、第１液浸部材３０が、露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成し、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成し、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成してもよい。
【０１４３】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１４４】
第２実施形態の特徴的な部分は、所定部材Ｓとの間に第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成するための第２液浸部材８１Ｂと、所定部材Ｓとの間に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成するための第３液浸部材１０１Ｂとが別々に設けられている点にある。
【０１４５】
図１５に示すように、本実施形態の露光装置ＥＸは、所定部材Ｓとの間に第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成するための第２液浸部材８１Ｂと、所定部材Ｓとの間に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成するための第３液浸部材１０１Ｂとを備えている。なお、図１５には示していないが、本実施形態の露光装置ＥＸは、第２液浸部材８１Ｂ及び第３液浸部材１０１Ｂとは別に、露光光ＥＬの光路空間を露光液体ＬＱで満たすように露光液体ＬＱで第３液浸空間ＬＳ３を形成可能な第１液浸部材３０を備えている。
【０１４６】
第２液浸部材８１Ｂは、第１液体Ｌ１を供給する第２供給口８２Ｂと、第１液体Ｌ１を回収する第２回収口８３Ｂとを有し、第２供給口８２Ｂを用いる第１液体Ｌ１の供給動作と並行して、第２回収口８３Ｂを用いる第１液体Ｌ１の回収動作を実行することによって、所定部材Ｓとの間に第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成する。これにより、第２液浸部材８１Ｂは、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１を塗布することができる。
【０１４７】
第３液浸部材１０１Ｂは、第２液体Ｌ２を供給する第３供給口１０２Ｂと、第２液体Ｌ２を回収する第３回収口１０３Ｂとを有し、第３供給口１０２Ｂを用いる第２液体Ｌ２の供給動作と並行して、第２回収口１０３Ｂを用いる第２液体Ｌ２の回収動作を実行することによって、所定部材Ｓとの間に第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成する。これにより、第３液浸部材１０１Ｂは、所定部材の膜を除去することができる。
【０１４８】
所定部材Ｓのメンテナンスをするとき、制御装置７は、第３液浸部材１０１Ｂと所定部材Ｓとを対向させ、第３液浸部材１０１Ｂと所定部材Ｓとの間に、第２液体Ｌ２で第２液浸空間ＬＳ２を形成する。これにより、所定部材Ｓの表面を形成する膜Ｓｆが除去される。膜Ｓｆが除去された後、制御装置７は、第２液浸部材８１Ｂと所定部材Ｓとを対向させ、第２液浸部材８１Ｂと所定部材Ｓとの間に、第１液体Ｌ１で第１液浸空間ＬＳ１を形成する。これにより、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１の膜が形成される。その後、制御装置７は、上述の第１実施形態と同様、加熱装置９０を用いて、第１液体Ｌ１の膜を加熱する。これにより、所定部材Ｓに新たな膜Ｓｆが形成される。
【０１４９】
なお、図１５においては、所定部材Ｓの表面上に第１液浸空間ＬＳ１と第２液浸空間ＬＳ２が同時に形成されているが、膜Ｓｆが除去された後、第２液体Ｌ２を全て回収した後に、所定部材Ｓの表面上に第１液浸空間ＬＳ１を形成して、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１の膜を形成してもよい。
【０１５０】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。第３実施形態においては、加熱装置の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５１】
図１６は、第３実施形態に係る加熱装置９０Ｃを示す図である。図１６において、加熱装置９０Ｃは、光を射出する光源装置９１と、光源装置９１からの光が照射される、所定部材Ｓ上の領域を規定するための開口９３を有する絞り部材９４とを備えている。光源装置９１から射出された光は、絞り部材９４の開口９３を通過して、所定部材Ｓに照射される。
【０１５２】
本実施形態によれば、絞り部材９４を設けたことにより、所定部材Ｓの一部の領域を局所的に加熱することができる。したがって、周辺の機器、部材が不要に加熱されることを抑制することができる。
【０１５３】
また、図１４を用いて説明したような集光光学系９２と、図１６を用いて説明したような絞り部材９４とを組み合わせてもよい。例えば、光源装置９１から射出された光が入射される位置に集光光学系９２を配置し、集光光学系９２の射出面９２Ａと所定部材Ｓとの間に絞り部材９４を配置してもよい。
【０１５４】
なお、光源装置９１からの光による、例えば絞り部材９４の温度上昇を抑制するために、絞り部材９４を所定温度に維持するための温度調整装置（冷却装置）を設けることができる。
【０１５５】
なお、上述の第１、第２実施形態においては、加熱装置９０（９０Ｃ）が、第１液体Ｌ１の膜に光を照射する場合を例にして説明したが、例えば赤外光、マイクロ波等、可視光以外の電磁波を第１液体Ｌ１の膜に照射してもよい。また、電熱線等を含むヒータ装置を用いて第１液体Ｌ１の膜を加熱してもよい。この場合、ヒータ装置は、投影光学系ＰＬと離れた位置に配置されることが望ましい。また、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方を収容可能なチャンバ機構を設け、そのチャンバ機構に収容された基板ステージ１あるいは計測ステージ２をヒータ装置で加熱することができる。
【０１５６】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。第４実施形態においては、除去装置の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１５７】
図１７は、第４実施形態に係る除去装置１００Ｄを示す図である。図１７において、除去装置１００Ｄは、所定部材Ｓの表面を研磨する研磨装置１１０を含む。所定部材Ｓの表面を研磨することによっても、露光液体ＬＱに対する撥液性が低下した膜Ｓｆを除去することができる。そして、研磨装置１１０で膜Ｓｆが除去された部分に、第１液体Ｌ１が塗布される。
【０１５８】
図１７に示す研磨装置１１０は、研磨部材１１２と、研磨部材１１２を支持可能な支持部材１１３と、支持部材１１３を移動可能な駆動装置１１４とを備えている。本実施形態において、研磨部材１１２の下面（研磨面）１１１は、ＸＹ平面とほぼ平行である。また、本実施形態においては、研磨部材１１２の下面１１１は、ＸＹ平面内において円環状である。
【０１５９】
本実施形態において、研磨部材１１２は、砥石を含む。砥石は、多孔質部材（例えば、アルミナ（ＡＬ2Ｏ3）、白セラミックス、アルカンサスストーン、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ルビー、アルテック等）を材料としている。本実施形態においては、研磨部材１１２は、円筒状の側板部１１２Ａと、側板部１１２Ａの上端に接続された上板部１１２Ｂとを有する。上板部１１２Ｂの中央には開口１１２Ｃが形成されている。下面（研磨面）１１１は、側板部１１２Ａの下端に配置されている。
【０１６０】
支持部材１１３は、Ｚ軸方向に長いロッド部１１３Ａと、ロッド部１１３Ａの下端に接続されたフランジ部１１３Ｂとを有する。フランジ部１１３Ｂは、研磨部材１１２の側板部１１２Ａと上板部１１２Ｂとで形成される内部空間に配置される。ロット部１１３Ａの一部は、上板部１１２Ｂの開口１１２Ｃの内側に配置される。ＸＹ平面内におけるフランジ部１１３Ｂの外形は、開口１１２Ｃよりも大きい。また、ＸＹ平面内におけるロッド部１１３Ａの外形（ロッド部１１３Ａの直径）は、開口１１２Ｃよりも小さい。ロッド部１１３Ａは、開口１１２Ｃの内側において、研磨部材１１２に対してＺ軸方向に移動可能（昇降可能）である。
【０１６１】
駆動装置１１４は、支持部材１１３をＺ軸方向に移動可能である。本実施形態において、駆動装置１１４は、シリンダ部１１４Ａを含み、そのシリンダ部１１４Ａの内部に、支持部材１１３のロッド部１１３Ａが配置される。駆動装置１１４は、シリンダ部１１４Ａの内部に配置されたロッド部１１３ＡをＺ軸方向に移動可能である。駆動装置１１４によって、ロッド部１１３ＡがＺ軸方向に移動することによって、フランジ部１１３Ｂの上面１１３Ｔと上板部１１２Ｂの下面１１２Ｕとが接触したり、離れたりする。駆動装置１１４は、フランジ部１１３Ｂの上面１１３Ｔと上板部１１２Ｂの下面１１２Ｕとを接触させた状態で、ロッド部１１３Ａを＋Ｚ方向に移動（上昇）することによって、支持部材１１３とともに、研磨部材１１２を＋Ｚ方向に移動（上昇）することができる。
【０１６２】
研磨装置１１０を用いて所定部材Ｓの膜Ｓｆを除去する際、図１７に示すように、制御装置７は、研磨部材１１２の下面１１１と所定部材Ｓの表面とを接触させた状態で、研磨部材１１２と所定部材Ｓの表面とが下面１１１とほぼ平行なＸＹ方向へ相対的に移動するように、所定部材Ｓを移動する。これにより、研磨部材１１２によって、所定部材Ｓの表面を形成する膜Ｓｆが研磨され、除去される。なお、本実施形態においては、研磨部材１１２を用いた研磨処理中において、研磨部材１１２の開口１１２Ｃの内側に、支持部材１１３のロッド部１１３Ａが配置されているので、所定部材ＳのＸＹ方向への移動に伴って、研磨部材１１２がＸＹ方向に大きく移動してしまうことを抑制することができる。
【０１６３】
本実施形態においては、制御装置７は、研磨部材１１２を用いた研磨処理が終了し、研磨部材１１２と所定部材Ｓとを離した後、図１８に示すように、所定部材Ｓと第２液浸部材８１Ｄとを対向させる。そして、制御装置７は、第２液浸部材８１Ｄと所定部材Ｓとの間に、第４液体Ｌ４で第４液浸空間ＬＳ４を形成する。第２液浸部材８１Ｄは、第２供給口８２Ｄを用いる第４液体Ｌ４の供給動作と並行して、第２回収口８３Ｄを用いる第４液体Ｌ４の回収動作を実行する。
【０１６４】
第２供給口８２Ｄを用いる第４液体Ｌ４の供給動作と並行して、第２回収口８３Ｄを用いる第４液体Ｌ４の回収動作が実行されることによって、研磨処理によって発生した所定部材Ｓ上の異物（研磨かす）は、第４液体Ｌ４とともに、第２回収口８３Ｄより回収され、所定部材Ｓ上より除去される。所定部材Ｓの表面の異物は、研磨部材１１２を用いた研磨処理によって容易に除去可能な状態となっているので、所定部材Ｓの表面上に第４液浸空間ＬＳ４を形成することによって、第４液体Ｌ４とともに、第２回収口８３Ｄから容易に回収することができる。また、所定部材Ｓ上には、第２供給口８２Ｄより、新たな（清浄な）第４液体Ｌ４が供給され続けるので、その第４液体Ｌ４によって、所定部材Ｓの表面をクリーニングすることができる。
【０１６５】
膜Ｓｆの少なくとも一部を除去する処理が終了した後、上述の各実施形態と同様、制御装置７は、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１を塗布し、所定部材Ｓに形成された第１液体Ｌ１を加熱する。
【０１６６】
なお、膜Ｓｆの少なくとも一部を除去する処理として、紫外線を照射してもよい。
【０１６７】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。第５実施形態においては、塗布装置の変形例について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１６８】
図１９は、第５実施形態に係る塗布装置８０Ｅの一例を示す図である。本実施形態に係る塗布装置８０Ｅは、第１液体Ｌ１に圧力をかけて、第１液体Ｌ１を霧状に噴射するスプレー装置１５０を含む。スプレー装置１５０は、第１液体Ｌ１を霧状に噴射可能な噴射口１５１を有するスプレーヘッド１５２を備える。噴射口１５１は、所定部材Ｓの表面と対向可能であり、塗布装置８０Ｅは、噴射口１５１から噴射される第１液体Ｌ１を所定部材Ｓの表面に供給可能である。噴射口１５１から噴射される第１液体Ｌ１によって、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１が塗布される。
【０１６９】
図２０は、塗布装置８０Ｆの一例を示す図である。図２０に示す塗布装置８０Ｆは、第１液体Ｌ１の滴を吐出するインクジェット装置１６０を含む。インクジェット装置１６０は、第１液体Ｌ１の滴を吐出する吐出口１６１を有するインクジェットヘッド１６２を備える。吐出口１６１は、所定部材Ｓの表面と対向可能であり、塗布装置８０Ｆは、吐出口１６１から吐出される第１液体Ｌ１の滴を所定部材Ｓの表面に供給可能である。吐出口１６１から吐出される第１液体Ｌ１によって、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１が塗布される。
【０１７０】
なお、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１を塗布する塗布装置としては、スプレー装置１５０、インクジェット装置１６０に限られず、例えば、スリット状の開口より第１液体Ｌ１を供給しながら、そのスリット状の開口と所定部材Ｓとを相対的に移動して、所定部材Ｓ上に第１液体Ｌ１を塗布する、スリットコート法等、各種の塗布方法を用いて、所定部材Ｓに第１液体Ｌ１を塗布することができる。
【０１７１】
なお、上述の各実施形態において、例えば塗布装置の近傍に、第１液体Ｌ１（第１液体Ｌ１の溶剤等）から発生するガスを排気するための排気装置を配置することができる。これにより、第１液体Ｌ１を所定部材Ｓに塗布するときに、その第１液体Ｌ１から発生するガスが露光装置ＥＸ内に拡散することを抑制することができる。
【０１７２】
なお、上述の各実施形態においては、スリット板６０等の所定部材Ｓに新たな膜Ｓｆを再形成するためのメンテナンス処理を、定期的に実行するように説明したが、所定部材Ｓの表面エネルギーが減少しているか否か（所定部材Ｓの表面の撥液性が低下しているか否か）を検出し、その検出結果に基づいてメンテナンス処理を実行するタイミングを決定することもできる。例えば、第２アライメントシステムＡＬＧで所定部材Ｓの表面の画像（光学像）を取得し、その取得した画像情報に基づいて、膜Ｓｆを再形成するためのメンテナンス処理を実行するか否かを決定するようにしてもよい。上述のように、本実施形態の第２アライメントシステムＡＬＧは、ＣＣＤ等の撮像素子を有しており、所定部材Ｓの画像を取得可能である。所定部材Ｓの表面エネルギーが増大しているとき（所定部材Ｓの表面の撥液性が劣化しているとき）、所定部材Ｓの表面から露光液体ＬＱを取り去る動作を実行したにもかかわらず、その所定部材Ｓの表面に露光液体ＬＱ（滴）が残留している可能性が高い。そこで、制御装置７は、第２アライメントシステムＡＬＧを用いて取得した所定部材Ｓの表面の画像情報に基づいて、その所定部材Ｓの表面に露光液体ＬＱ（滴）が残留していると判断した場合、所定部材Ｓの表面の撥液性が劣化していると判断（推定）し、所定部材Ｓに膜Ｓｆを再形成するためのメンテナンス処理を実行する。また露光装置ＥＸに、所定部材Ｓの表面における露光液体ＬＱの滴の接触角を測定する測定装置を搭載し、その測定結果に基づいてメンテナンス処理を行うか否かを決定してもよい。
【０１７３】
また、所定部材Ｓに、その所定部材Ｓの表面の温度を検出可能な温度センサを設け、その温度センサの検出結果に基づいて、膜Ｓｆを形成するためのメンテナンス処理を実行するか否かを決定するようにしてもよい。所定部材Ｓの表面エネルギーが増大しているとき（所定部材Ｓの表面の撥液性が劣化しているとき）には、その所定部材Ｓの表面に露光液体ＬＱ（滴）が残留する可能性が高く、その残留した露光液体ＬＱの気化によって、所定部材Ｓの表面の温度が大きく変化（低下）する可能性がある。そこで、制御装置７は、温度センサの検出結果に基づいて、所定部材Ｓの表面の温度が大きく変化していることを検知した場合、所定部材Ｓの表面の撥液性が劣化して、その所定部材Ｓの表面に露光液体ＬＱ（滴）が残留し易くなっていると判断（推定）し、所定部材Ｓの表面エネルギーを減少させるための表面処理動作を実行する。
【０１７４】
なお、上述の各実施形態においては、主に露光光ＥＬが照射されることによって撥液性が低下した膜Ｓｆを再形成するために、所定部材Ｓに対するメンテナンス処理が実行される場合を例にして説明したが、メンテナンス対象の所定部材Ｓとしては、露光光ＥＬが照射されない部材であってもよい。露光光ＥＬが照射されない部材であっても、その部材の表面の撥液性が、例えば経時的に劣化する可能性がある。そのような場合でも、その部材の表面に新たな撥液性の膜を形成することによって、所定部材Ｓの表面の撥液性を回復させることができる。
【０１７５】
なお、上述の各実施形態においては、所定部材Ｓの表面はフッ素を含む材料によって形成されているものとしたが、所定部材Ｓの表面が、例えばシリコン、アクリル等、フッ素以外の材料によって形成されていてもよい。シリコン、アクリル等を含む材料によって所定部材Ｓの表面を形成することにより、その所定部材Ｓの表面は撥液性を有する。この場合、使用する第２液体Ｌ２としては、所定部材Ｓの表面を形成する材料に応じて適宜選択される。すなわち、所定部材Ｓの表面を形成する材料に応じて、所定部材Ｓの表面（膜）を溶解可能な物質が適宜選択される。
【０１７６】
また、上述の実施形態においては、終端光学素子８及び第１液浸部材３０と対向する位置（露光光ＥＬが照射可能な位置）に移動可能（配置可能）な所定部材Ｓをメンテナンス対象としているが、投影光学系ＰＬの一部の光学素子（例えば終端光学素子８）の表面の少なくとも一部（側面など）、及び第１液浸部材３０の表面の少なくとも一部（終端光学素子８の側面と対向する内側面など）撥液性の膜が形成されている場合には、これらの少なくとも一方をメンテナンス対象としてもよい。この場合も、所定の位置に撥液性が低下した膜を除去する除去装置、新しい膜を塗布する塗布装置、膜を固化するための加熱装置を設ければよい。
【０１７７】
また、上述の各実施形態において、所定部材Ｓなどに新しい膜を形成する場合、膜の種類（材料）によっては、膜の除去、及び新しい膜の加熱の少なくとも一方を省略してもよい。
【０１７８】
なお、上述の各実施形態の露光液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、露光液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。また、露光液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。また、露光液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、露光液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（終端光学素子など）を形成してもよい。露光液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１７９】
なお、上述の各実施形態の投影光学系は、終端光学素子８の像面（射出面）側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子８の物体面（入射面）側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。
【０１８０】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような、露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置を採用可能である。
【０１８１】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１８２】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）を採用することができる。
【０１８３】
さらに、露光装置ＥＸとして、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置を採用してもよい。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置を採用することもできる。
【０１８４】
また、露光装置ＥＸとして、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などを採用することができる。また、露光装置ＥＸとして、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどを採用することができる。
【０１８５】
また、露光装置ＥＸとして、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置を採用することもできる。
【０１８６】
更に、米国特許第６，８９７，９６３号公報、欧州特許出願公開第１，７１３，１１３号公報などに開示されているように、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【０１８７】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１８８】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いてマスクステージ、基板ステージ、及び計測ステージの各位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
【０１８９】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許７,０２３,６１０号に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【０１９０】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。
【０１９１】
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明光学系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
【０１９２】
なお、上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に採用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【０１９３】
また、露光装置ＥＸとして、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）を採用することができる。
【０１９４】
本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１９５】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクからの露光光で基板を露光すること、及び露光した基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。上述の各実施形態で説明した露光装置ＥＸにおけるメンテナンス方法は、基板処理ステップ２０４に含まれ、そのメンテナンス方法でメンテナンスされた露光装置ＥＸを用いて、基板Ｐを露光することが行われる。
【０１９６】
なお、上述のように本発明の実施形態を説明したが、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いることが可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。
【０１９７】
なお、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１９８】
【図１】第１実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。
【図２】図１の一部を拡大した側断面図である。
【図３】基板ステージ及び計測ステージを示す斜視図である。
【図４】基板ステージ及び計測ステージを上方から見た平面図である。
【図５】第１実施形態に係る第２液浸部材の近傍を拡大した側断面図である。
【図６】第２液浸部材を下方から見た図である。
【図７】スリット板の近傍を示す側断面図である。
【図８】撥液性の膜を有する所定部材の一例を説明するための模式図である。
【図９】表面エネルギーが増大した状態の所定部材を説明するための模式図である。
【図１０】第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を示すフローチャートである。
【図１１】第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための模式図である。
【図１２】第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための模式図である。
【図１３】第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための模式図である。
【図１４】第１実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための模式図である。
【図１５】第２実施形態に係る露光装置の一例を説明するための模式図である。
【図１６】第３実施形態に係る加熱装置の一例を示す図である。
【図１７】第４実施形態に係る除去装置の一例を示す図である。
【図１８】第４実施形態に係るメンテナンス方法の一例を説明するための模式図である。
【図１９】第５実施形態に係る塗布装置の一例を示す図である。
【図２０】第５実施形態に係る塗布装置の一例を示す図である。
【図２１】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１９９】
１…基板ステージ、２…計測ステージ、５…第２駆動システム、８…終端光学素子、３０…第１液浸部材、３１…第１供給口、３２…第１回収口、５０…基準板、５０ｆ…膜、６０…スリット板、６０ｆ…膜、７０…上板、７０ｆ…膜、８０…塗布装置、８１…第２液浸部材、８２…第２供給口、８３…第２回収口、９０…加熱装置、９１…光源装置、９２…集光光学系、９３…開口、９４…絞り部材、１００…除去装置、１１０…研磨装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＩＬ…照明系、Ｌ１…第１液体、Ｌ２…第２液体、ＬＱ…露光液体、ＬＳ１…第１液浸空間、ＬＳ２…第２液浸空間、ＬＳ３…第３液浸空間、Ｐ…基板、ＰＨ１…第１保持部、ＰＨ２…第２保持部、Ｓ…所定部材、Ｓｆ…膜、Ｔ…プレート部材、Ｔｆ…膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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