(57)【要約】【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程（ＳＴ１）と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程（ＳＴ２）と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程（ＳＴ３）とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、
前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、
前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
被処理基板に対して疎水化処理を行う工程と、
前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、
前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、
前記塗布膜を形成した後且つ前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
前記親水化処理は、前記基板端部又は前記被処理基板のベベル部の裏面に対して行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記親水化処理は、アルカリ溶液、オゾン水の供給及びＵＶ光の照射のうちいずれか１つで行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
被処理基板を保持する被処理基板保持手段と、
前記被処理基板の表面に塗布液を供給するための塗布液供給手段と、
前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を施すための基板裏面親水化処理手段と、
前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給するための基板裏面洗浄手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法に係り、特に、被処理基板の裏面の洗浄方法に関する。又、本発明は、上記の基板処理方法に使用される基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、リソグラフィ技術が用いられており、それによって、半導体装置の回路パターンが、被処理基板上に塗布されたレジストに露光転写されている。
【０００３】
レジストや下層反射防止膜などの塗布膜を形成する工程においては、塗布膜が被処理基板の端部を経由して被処理基板裏面に回り込み、被処理基板の端部や基板裏面側のベベル部などを汚染することがあるため、塗布膜形成工程の後に、被処理基板の裏面はバックリンス処理などによって、洗浄されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかし、一般的に、塗布膜が被処理基板上に形成される前に、被処理基板と塗布膜との密着性を向上させるために、被処理基板に対して、疎水化処理が施されている。
【０００５】
この疎水化処理時に、疎水化処理液が被処理基板の裏面に回りこみ、基板裏面まで疎水化されてしまい、基板裏面の洗浄を行う際の洗浄液と基板裏面との接触角が大きくなる。
【０００６】
このため、基板裏面洗浄処理工程の際、特に、被処理基板終端部の面取り加工されたベベル部に洗浄液が十分行き渡らず、基板端部や基板裏面側のベベル部に、汚染物質が残存してしまう。
【特許文献１】特開２００６−３３２１８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の例は、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを備える。
【０００９】
本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板に対して疎水化処理を行う工程と、前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程と、前記疎水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程と、前記塗布膜を形成した後且つ前記親水化処理を行った後、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程とを備える。
【００１０】
本発明の例に関わる基板処理装置は、被処理基板を保持する被処理基板保持手段と、前記被処理基板の表面に塗布液を供給するための塗布液供給手段と、前記被処理基板の裏面に対して親水化処理を施すための基板裏面親水化処理手段と、前記被処理基板の裏面に洗浄液を供給するための基板裏面洗浄手段とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の例によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するためのいくつかの形態について詳細に説明する。
【００１３】
２．  実施形態  
（１）  基本形態  
図１を用いて、本発明の実施形態である基板処理方法の基本形態について、説明する。
【００１４】
図１に示すように、本実施形態の基板処理方法において、はじめに、被処理基板表面に塗布膜が形成される（ＳＴ１）。次に、被処理基板の裏面に対して、親水化処理が行われる（ＳＴ２）。その後、親水化された被処理基板の裏面に対して、洗浄液が供給され、被処理基板裏面が洗浄される（ＳＴ３）。
【００１５】
上記の基板処理方法において、被処理基板裏面が、親水化処理されることによって、被処理基板の裏面の親水性が高まり、被処理基板と基板裏面洗浄のための洗浄液との接触角を小さくすることができる。
【００１６】
よって、被処理基板裏面に対する洗浄効果が向上し、塗布液が基板裏面側に回り込むことによって形成される塗布膜の除去を容易に行うことができる。
【００１７】
それゆえ、本発明の実施形態によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する被処理基板表面に形成された保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、被処理基板裏面の汚染物質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置などの汚染を防止することができる。  
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【００１８】
上記の基板処理方法は、特に、被処理基板と塗布膜との密着性の向上のために、被処理基板が疎水化処理される際に、基板裏面も疎水化されてしまい、基板裏面洗浄工程において、基板裏面と洗浄液との接触角が大きくなることで、基板裏面に形成された塗布膜の除去が困難となってしまう場合に、より効果的となる。
【００１９】
以下、上記の基本形態に基づくいくつかの実施形態について、下層反射防止膜の塗布工程に対して本発明の実施形態が適用される場合を例として、説明する。
【００２０】
（２）  第１の実施形態  
以下、図２乃至図６を用いて、本発明の第１の実施形態について説明する。
【００２１】
図２は、本実施形態の基板処理方法の各工程を示すフローチャートである。
【００２２】
はじめに、図２に示すように、被処理基板は、疎水化処理液又はその蒸気によって、疎水化処理される（ＳＴ０）。次に、疎水化処理された被処理基板の表面に、塗布膜として、例えば、下層反射防止膜が、形成される（ＳＴ１）。
【００２３】
続いて、被処理基板の裏面に親水化処理液が供給され、基板裏面が親水化される（ＳＴ２ａ）。その後、親水化された被処理基板の裏面に対して、洗浄液が供給され、基板裏面洗浄が行われる（ＳＴ３）。
【００２４】
以上の工程に示すように、被処理基板裏面に対して親水化処理工程（ＳＴ２ａ）を行うことで、疎水化処理液によって疎水化された被処理基板裏面は、親水化される。そのため、被処理基板１の裏面の親水性が高まり、基板裏面洗浄工程において、被処理基板１の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。
【００２５】
それゆえ、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、塗布液が被処理基板裏面側に回り込むことで基板裏面に形成される下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
【００２６】
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する被処理基板表面に形成される保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、被処理基板裏面の汚染物質に起因する露光転写時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
【００２７】
以上のように、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【００２８】
また、図３は、本発明の第１の実施形態の基板処理方法に使用される基板処理装置２０を示している。基板処理装置２０は、例えば、基板裏面洗浄機構を有する塗布膜形成装置を図示している。
【００２９】
図３に示すように、本実施形態の基板処理装置２０において、被処理基板１は、基板保持ステージ（被処理基板保持手段）２Ａ上に搭載される。基板保持ステージ２Ａは回転機構２Ｂを備え、基板保持ステージ２Ａ上の被処理基板１を回転機構２Ｂによって回転させることで、下層反射防止膜などの塗布膜が被処理基板１表面に形成される。
【００３０】
基板処理装置２０内の被処理基板表面側には、塗布液供給ノズル（塗布液供給手段）３が設けられ、塗布液は、塗布液供給ノズル３によって被処理基板１表面に供給される。この塗布液供給ノズル３は、例えば、塗布液を被処理基板１表面の全面に供給できるように、移動機構を備えている。
【００３１】
基板処理装置２０内の被処理基板裏面側には、親水化処理ノズル（基板裏面親水化手段）４及び洗浄ノズル（基板裏面洗浄手段）５が設けられている。親水化処理液は、親水化処理ノズル４によって、被処理基板１裏面に供給される。また、親水化処理ノズル４は、例えば、親水化処理液を、被処理基板１裏面側のベベル部まで供給できるように、移動機構を備えている。同様に、洗浄液は、洗浄ノズル５によって、被処理基板１裏面に供給される。
【００３２】
また、飛散防止カップ６が、親水化処理液や洗浄液の飛散を防止するために、被処理基板１及び基板保持ステージ２の周囲を取り囲むように、設けられる。尚、例えば、被処理基板１に疎水化処理を施すための疎水化処理手段を、さらに備えていてもよい。
【００３３】
以下、図４乃至図６を用いて、図３に示される基板処理装置によって行われる本実施形態の基板処理方法について、詳細に説明する。
【００３４】
はじめに、被処理基板１は、被処理基板と後の工程で形成される塗布膜との密着性を向上させるために、例えば、基板処理装置２０とは別途の装置を用いて、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）などの疎水化溶液又はその蒸気によって、疎水化処理される（ＳＴ０）。尚、基板処理装置２０が疎水化手段を備える場合には、それによって、被処理基板１に対して、疎水化処理を施してもよい。
【００３５】
次に、疎水化処理された被処理基板１は、基板処理装置２０内に搬送され、図４に示すように、基板処理装置２０の基板保持ステージ２Ａ上に搭載される。  
そして、塗布液が、塗布液供給ノズル３から被処理基板１表面、主に、回路パターンが露光転写されて素子が形成される素子形成領域に供給され、回転機構２Ｂによる回転塗布によって、塗布膜の形成及び乾燥されて、被処理基板１の表面に下層反射防止膜が形成される（ＳＴ１）。  
図４に示すように、回転塗布において下層反射防止膜を形成する場合、供給された塗布液が被処理基板１裏面側に回りこみ、下層反射防止膜１０が、被処理基板１の端部１Ａや、被処理基板１の裏面、特に、ベベル部１Ｂの裏面に、付着してしまうことがある。このように被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜が、汚染物質として、半導体装置の製造歩留まりを低下させてしまう。
【００３６】
続いて、図５に示すように、被処理基板１の裏面に対し、例えば、現像液などのアルカリ溶液が、親水化処理液として親水化処理ノズル４から供給される（ＳＴ２ａ）。これによって、基板端部１Ａ及びベベル部１Ｂを含む被処理基板１の裏面は親水性が高まり、被処理基板１裏面と後の工程で供給される洗浄液との接触角を小さくすることができる。
【００３７】
被処理基板１裏面の親水化処理工程の後、図６に示すように、被処理基板１の裏面に対して、洗浄液が、洗浄ノズル５から供給され、被処理基板１の裏面の洗浄が行われる（ＳＴ３）。それによって、ベベル部１Ｂの裏面などの被処理基板１裏面や被処理基板１の端部１Ａに形成された下層反射防止膜が除去される。  
この際、基板裏面の親水化処理工程によって、洗浄液と被洗浄基板裏面との接触角が小さくなっているため、洗浄効果は向上し、基板裏面に回り込んで形成された下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
【００３８】
尚、洗浄液には、例えば、シクロヘキサンが使用される。使用する溶剤としては、塗布膜に含まれる物質を溶解しやすいものが好ましく、例えば、ガンマブチロラクトンや、ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）とＰＧＭＥＡ（プロプレングリコールモノメチルエーテルアセテート）の混合溶剤が用いられる。
【００３９】
被処理基板裏面洗浄工程（ＳＴ３）の後、被処理基板１表面の下層反射防止膜上には、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜（図示せず）、化学増幅型レジスト膜（図示せず）、保護膜（図示せず）が順次形成される。この際、被処理基板１の裏面の汚染物質は除去されており、基板裏面に付着した汚染物質に起因して、下層反射防止膜上に形成される各塗布膜の被覆性の悪化や剥がれを防止できる。また、各塗布膜を形成するための塗布装置・現像装置の汚染を防止できる。
【００４０】
その後、所定のパターンが、露光用レチクルを介して、ＡｒＦエキシマレーザによって、被処理基板上のレジスト膜に縮小投影露光される。この際、基板裏面に形成された下層反射防止膜のような汚染物質に起因して、被処理基板がレチクルに対して傾くことを防止でき、露光転写時のデフォーカスを抑制できる。また、基板裏面の汚染物質に起因する露光装置の汚染を防止できる。
【００４１】
尚、本発明の第１の実施形態は、基板裏面洗浄工程（ＳＴ３）の前ならば、塗布膜形成工程と親水化処理工程との順序は問わず、図７に示すように、親水化処理工程（ＳＴ１１）の後に、塗布膜形成工程（ＳＴ１２）を行っても良い。この場合には、被処理基板裏面は親水化されているので、被処理基板の裏面と親水化処理工程の後に形成される塗布膜との密着性は低下する。それゆえ、基板裏面洗浄工程（ＳＴ１３）において、被処理基板裏面に対する洗浄効果は向上し、基板裏面に付着した汚染物質の除去を容易に行うことができる。
【００４２】
以上のように、本発明の第１の実施形態において、被処理基板１の裏面に対して親水化処理が施される。それによって、被処理基板１の裏面の親水性が高まり、基板裏面洗浄工程において、被処理基板１の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。
【００４３】
そのため、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、基板裏面に回り込んで基板端部１Ａや裏面側のベベル部１Ｂに形成された下層反射防止膜（塗布膜）の除去を容易に行うことができる。また、基板裏面に対して親水化処理を施すことによって、上述のような基板裏面の塗布膜以外の基板裏面の汚染物（例えば、パーティクル）に対しても、洗浄効果を向上させることができる。
【００４４】
それゆえ、被処理基板裏面の汚染物質に起因する基板表面に形成された保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、基板裏面の汚染物質質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
【００４５】
したがって、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【００４６】
（３）  第２の実施形態  
以下、図８を用いて、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００４７】
第１の実施形態においては、親水化処理液として、例えば、現像液などのアルカリ溶液を用いて、被処理基板裏面の親水化処理工程を行った。しかし、親水化処理液はアルカリ溶液に限定されず、例えば、オゾン水を用いて被処理基板裏面の親水化処理を行っても良い。  
第２の実施形態においては、親水化処理液にオゾン水を用いた場合の基板処理方法について説明する。尚、本実施形態の基板処理方法に用いられる基板処理装置は、図３に示す基板処理装置と同じでよく、説明は省略する。
【００４８】
図８に示すように、第１の実施形態と同様に、被処理基板に対して疎水化処理工程（ＳＴ０）が行われた後、被処理基板の表面に、下層反射防止膜が形成される（ＳＴ１）。この際、回転塗布においては、塗布液が被処理基板の裏面に回りこみ、基板裏面に塗布液が付着してしまうことがある。
【００４９】
そして、下層反射防止膜が形成された後、被処理基板の裏面に対し、オゾン水が供給され、オゾン水による親水化処理が行われる（ＳＴ２ｂ）。  
親水化処理液としてオゾン水を用いることで、被処理基板裏面は親水化される。また、その酸化作用により、下層反射防止膜を構成する有機物の表面にカルボニル基やカルボキシル基が形成されるため、下層反射防止膜の表面も親水化される。  
それによって、被処理基板裏面の基板端部及びベベル部の親水性が高まり、基板裏面と後の工程で供給される洗浄液との接触角を小さくすることができる。  
また、親水化効果に加え、オゾン水による酸化作用によって、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜が含む有機物が分解され、基板裏面の洗浄効果がさらに向上する。
【００５０】
そして、被処理基板の裏面に対して、洗浄液が供給され、基板裏面洗浄が行われる（ＳＴ３）。それによって、被処理基板１のベベル部１Ｂの裏面や被処理基板１の端部１Ａに形成された下層反射防止膜が除去される。  
この際、基板裏面の親水化処理工程によって、洗浄液と被洗浄基板裏面との接触角が小さくなっているため、洗浄効果は向上し、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜の除去を容易に行うことができる。
【００５１】
その後、第１の実施形態と同様に、下層反射防止膜上には、ＳＯＧ膜、化学増幅型レジスト膜、保護膜が順次形成される。さらに、所定のパターンが、被処理基板上のレジスト膜に縮小投影露光される。
【００５２】
以上のように、本発明の第２の実施形態において、被処理基板裏面の親水化処理工程の際に、被処理基板は、親水化処理液としてのオゾン水によって親水化される。それによって、被処理基板１の裏面の親水性が高まり、基板裏面洗浄工程において、被処理基板１の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。また、オゾン水による酸化作用により、被処理基板の裏面に形成された下層反射防止膜が含む有機物が分解される。
【００５３】
そのため、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、裏面に回り込んで形成された下層反射防止膜（塗布膜）の除去が容易になる。また、基板裏面の他の汚染物（例えば、パーティクル）の除去に対しても、有効である。
【００５４】
それゆえ、被処理基板に形成される保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、基板裏面の汚染物質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
【００５５】
したがって、本発明の第２の実施形態によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【００５６】
尚、本発明の第２の実施形態においては、被処理基板の表面に下層反射防止膜を形成した後に、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行った基板処理方法について説明したが、第１の実施形態と同様に、被処理基板裏面の親水化処理を行った後に、被処理基板の表面に下層反射防止膜を形成してもよい。
【００５７】
（４）  第３の実施形態
以下、図９及び図１０を用いて、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００５８】
第１及び第２の実施形態においては、アルカリ溶液又はオゾン水などの親水化処理液を用いて、被処理基板裏面の親水化処理工程を行った。
【００５９】
しかし、本発明の実施形態は、親水化処理液による親水化処理に限定されず、図９に示すように、ＵＶ光を用いたＵＶ洗浄によって被処理基板裏面の親水化処理工程を行ってもよい。この場合、本実施形態の基板処理装置２０は、図１０に示すように、親水化処理手段として、ＵＶ光源７を備えている。
【００６０】
図９を用いて、第３の実施形態の基板処理方法について説明する。
【００６１】
図９に示すように、第１及び第２の実施形態と同様に、被処理基板が疎水化処理された（ＳＴ０）後、被処理基板の表面に下層反射防止膜が形成される（ＳＴ１）。
【００６２】
次に、被処理基板裏面に対して、ＵＶ洗浄が行われる（ＳＴ２ｃ）。具体的には、例えば、波長が１８４ｎｍのＵＶ光が、ＵＶ光源から照射され、それによって、基板処理装置内に、オゾンが発生する（ＳＴ２ｃ−１）。  
さらに、発生したオゾンに対して、例えば、２５４ｎｍの波長のＵＶ光が、ＵＶ光源から被処理基板裏面に照射される。それによって、励起状態の酸素原子が生成される。この酸素原子の酸化作用によって、被処理基板裏面の表面や下層反射防止膜を構成する有機物表面に、カルボニル基やカルボキシル基などが生成されるため、被処理基板裏面は親水化される（ＳＴ２ｃ−２）。  
また、ＵＶ光（波長２５４ｎｍ）を被処理基板裏面に照射することによって、基板裏面の下層反射防止膜に含まれる有機物の結合が切断される。そして、有機物の未結合手と励起状態の酸素原子とが反応することで、有機物からＣＯ２やＨ２Ｏが生成され、有機物が揮発する。
【００６３】
続いて、被処理基板の裏面に洗浄液が供給され、洗浄液による洗浄効果と、ＵＶ洗浄による有機物の揮発によって、被処理基板１のベベル部１Ｂの裏面や被処理基板１の端部１Ａに形成された下層反射防止膜が除去される（ＳＴ３）。
【００６４】
その後、第１の実施形態と同様に、下層反射防止膜上には、ＳＯＧ膜、化学増幅型レジスト膜、保護膜が順次形成される。さらに、所定のパターンが、被処理基板上のレジスト膜に縮小投影露光される。
【００６５】
以上のように、本発明の第３の実施形態においては、被処理基板裏面の親水化処理工程の際に、被処理基板の裏面がＵＶ光よって励起された酸素原子による酸化作用によって、親水化される。それによって、被処理基板１の裏面の親水性が高まり、基板裏面の洗浄工程において、被処理基板１の裏面と洗浄液との接触角を小さくすることができる。  
また、ＵＶ光が被処理基板裏面の下層反射防止膜に照射されることによって、励起状態の酸素原子と下層反射防止膜に含まれる有機物が反応し、有機物が揮発・除去される。
【００６６】
そのため、被処理基板裏面の洗浄効果が向上し、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜の除去が容易になる。また、基板裏面の他の汚染物（例えば、パーティクル）の除去に対しても、有効である。
【００６７】
それゆえ、被処理基板に形成される保護膜の被覆性の悪化やはがれを防止できる。また、基板裏面の汚染物質に起因する露光時のデフォーカスを抑制できる。さらに、塗布装置や現像装置、露光装置の汚染を防止することができる。
【００６８】
したがって、本発明の第３の実施形態によれば、被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【００６９】
尚、本発明の第３の実施形態においては、被処理基板の表面に下層反射防止膜を形成した後に、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行った基板処理方法について説明したが、第１の実施形態と同様に、ＵＶ洗浄による親水化処理の後に、下層反射防止膜を形成しても良い。
【００７０】
３．  その他  
本発明の第１乃至第３の実施形態においては、被処理基板裏面の汚染物質として、被処理基板裏面に形成された下層反射防止膜（塗布膜）を例としたが、それに限定されない。  
例えば、回転塗布によって形成されるＳＯＧ膜、化学増幅型レジスト膜及び保護膜や、パーティクルなども、被処理基板裏面の汚染物質に含まれるのは、勿論である。
【００７１】
本発明の例は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施形態の基板処理方法の基本形態を示すフローチャート。
【図２】第１の実施形態の基板処理方法の一形態を示すフローチャート。
【図３】第１の実施形態の基板処理装置を示す基本構成図。
【図４】第１の実施形態の基板処理方法の一工程を示す断面図。
【図５】第１の実施形態の基板処理方法の一工程を示す断面図。
【図６】第１の実施形態の基板処理方法の一工程を示す断面図。
【図７】第１の実施形態の基板処理方法の一形態を示すフローチャート。
【図８】第２の実施形態の基板処理方法を示すフローチャート。
【図９】第３の実施形態の基板処理方法を示すフローチャート。
【図１０】第３の実施形態の基板処理装置を示す基本構成図。
【符号の説明】
【００７３】
１：被処理基板、１Ａ：基板端部、１Ｂ：ベベル部、２Ａ：基板保持ステージ、２Ｂ：回転機構、３：塗布液供給ノズル、４：親水化処理ノズル、５：洗浄ノズル、６：飛散防止カップ、７：ＵＶ光源、１０：下層反射防止膜、２０：基板処理装置。
【図１】
2009099856.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009099856.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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