(57)【要約】【課題】効率的かつ正確なホットスポット試験を盛り込んだ太陽電池モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るホットスポット検査装置は、セル３１０に接続される上プローブ３２０および下プローブ３３０、逆バイアス電源３４０、電流計３５０、サーモカメラ３６０、解析装置３７０を備える。サーモカメラ３６０は、逆バイアス電源３４０により電圧が印加された際のセル３１０の温度を測定する。解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果に基づき、セル３１０が発熱しているかどうか判定する。【選択図】図１２
2009141056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池モジュールの製造方法であって、
半導体から複数の太陽電池セルを製造するステップと、
前記複数の太陽電池セルの各々について、電圧を印加した際の各前記太陽電池セルの温度を測定するステップと、
前記測定結果に基づき、各前記太陽電池セルに、設定された閾値以上の温度の発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、
前記発熱箇所があると判定されていない前記太陽電池セルを電気的に接続して太陽電池モジュールを製造するステップとを備える、太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記発熱箇所があると判定された前記太陽電池セルに対し、前記発熱箇所の修復処理を行なうステップをさらに備える、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記発熱箇所があると判定された前記太陽電池セルを分割切断するステップをさらに備える、請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記修復処理が行なわれた太陽電池セルに電圧を印加した際の、前記修復処理が行なわれた太陽電池セルの温度を測定するステップと、
前記測定結果に基づき、前記修復処理が行なわれた太陽電池セルに前記発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、
前記修復処理が行なわれた太陽電池セルのうち、前記発熱箇所があると判定された太陽電池セルを分割切断するステップとをさらに備える、請求項２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記太陽電池セルに電圧を印加し、前記電圧を印加された際に発生する電流を測定するステップと、
前記電流が設定された値以上であるかどうかを判定するステップとをさらに備え、
前記電流が設定された値以上である場合に前記温度を測定し、前記発熱箇所があるかどうかを判定する、請求項１から４のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記温度の測定を非接触の温度識別装置で行なう、請求項１から５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
太陽電池セルを接続して太陽電池モジュールを製造する太陽電池モジュール製造装置であって、
前記太陽電池セルに電圧を印加する電源と、
前記電源により前記電圧を印加された前記太陽電池セルの温度を測定する温度識別装置と、
前記温度識別装置の測定結果に基づき、設定された閾値以上の温度の発熱箇所が前記太陽電池セルにあるかどうかを判定する解析装置と、
前記発熱箇所があると判定された太陽電池セルを前記太陽電池モジュールの製造ラインから排出する移動手段と、
前記移動手段により排出されていない前記太陽電池セルを電気的に接続する接続装置とを備える、太陽電池モジュールの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池モジュールの製造方法に関し、特に、不良セルを検出する検査工程を伴う太陽電池モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
エネルギー問題に対する意識の向上から、近年、太陽光発電に対する期待が高まっている。需要が多岐に広がるにつれ、さまざまな設置環境下において、太陽電池を安全かつ有効に稼動させるため、太陽電池モジュールの製造プロセスにもさまざまな試験・検査方法の導入が求められている。
【０００３】
近年、太陽電池は一般家屋に設置されることも多くなり、設置される場所が一般住居地区になると、太陽電池の特定部分に影が生じる場所に設置される事も少なくない。この様な設置環境に置かれた太陽電池モジュールはホットスポット熱による故障を誘発する危険がある。
【０００４】
ＪＩＳ  Ｃ  ８９３８：「アモルファス太陽電池モジュールの環境試験方法及び耐久性試験方法」、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１７：「結晶系太陽電池モジュールの環境試験方法及び耐久性試験方法」にホットスポット試験についての記載がある。ここでは、「太陽電池モジュールに太陽電池セル性能のばらつき、クラックまたは局部的な影（外部構造物の影やモジュール表面への不透明物体の付着等）によって短絡電流のミスマッチなどが発生した場合、そのセルが電気的負荷として作用し、異常に発熱（ホットスポット熱という。）するが、そのホットスポット熱によって生じるストレスに対するモジュールの耐久性を判定する事を目的とする。」と説明されている。
【０００５】
さて、従来の太陽電池モジュールの製造プロセスを図１から図１０に従い説明する。一例として、Ｐ型多結晶Ｓｉ半導体基板（以下、基板とよぶ）を使用する場合の製造プロセスを説明する。製造プロセスは、以下の各工程からなる。
【０００６】
（ｉ）エッチング
図１は、エッチング工程について説明するための図である。エッチング工程では、図１（ａ）に示すように、基板１０を、８０℃前後の数％アルカリ水溶液(ＮａＯＨ等)に数秒間浸漬し、表面の洗浄、および、シリコンウエハのスライス時に表面に発生した欠陥層（表面ダメージ層１１）のエッチング除去を行う。その後、アルカリ水溶液の中和処理を行い、表面を純水で洗浄する。図１（ｂ）は、エッチング工程後の基板１０の様子を示す図である。
【０００７】
（ｉｉ）拡散剤塗布
図２は、拡散剤塗布工程について説明するための図である。図２（ａ）に示すように、リン等の拡散源を含む薬液を、基板１０の表面に、数百〜数千ｒｐｍの回転速度でスピン塗布し、塗布膜２０を形成する。図２（ｂ）は、拡散剤塗布工程後の基板１０の様子を示す図である。
【０００８】
（ｉｉｉ）Ｎ型拡散層形成
図３は、Ｎ型拡散層形成工程について説明するための図である。図３（ａ）に示すように、塗布膜２０が形成された基板１０を９００℃程度の高温の炉内で数十分処理し、Ｎ＋を拡散させて、基板１０の表面にＮ型拡散層３０を形成する。Ｎ＋の拡散後、塗布膜２０を除去する。図３（ｂ）は、Ｎ型拡散層形成工程後の基板１０の様子を示す図である。
【０００９】
（ｉｖ）反射防止膜形成
図４は、反射防止膜形成工程について説明するための図である。図４（ａ）に示すように、反射防止膜およびパッシベーション膜（表面保護膜）となるＳｉ３Ｎ４膜４０を、Ｐ−ＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマ化学蒸着法）にて、基板１０の表面に成膜する。図４（ｂ）は、反射防止膜形成後の基板１０の様子を示す図である。
【００１０】
（ｖ）裏面電極形成（１）（２）
図５および図６は、それぞれ、裏面電極形成工程（１）、裏面電極形成工程（２）について説明するための図である。図５（ａ）に示すように、裏面電極形成工程（１）では、基板１０の裏面に、銀（Ａｇ）ペースト５０の電極パターンを印刷法にて形成する。図５（ｂ）は、裏面電極形成工程（１）後の基板１０を裏面から見た図である。続いて、裏面電極形成工程（２）では、図６（ａ）に示すように、アルミ（Ａｌ）ペースト６０の電極パターンを印刷法にて形成する。７００〜８００℃程度の高温の炉内で熱処理を行い、電極金属を基板１０と合金化することで、コンタクトを形成する。また、アルミ電極下に形成されるＰ＋層６２は、ＢＳＦ（ｂａｃｋ  ｓｕｒｆａｃｅ  ｆｉｅｌｄ）構造となるため、長波長側の分光感度を向上させることができる。図６（ｂ）は、裏面電極形成工程（２）後の基板１０を裏面から見た図である。
【００１１】
（ｖｉ）表面電極形成
図７は、表面電極形成工程について説明するための図である。図７（ａ）に示すように、基板１０の表面に、銀ペースト７０の電極パターンを印刷法にて形成する。そして、７００〜８００℃程度の高温の炉内で熱処理を行い、Ｓｉ３Ｎ４膜をファイヤースルーすることで、電極金属を基板１０と合金化させ、コンタクトを形成する。図７（ｂ）は、表面電極形成後の基板１０を表面から見た図である。
【００１２】
（ｖｉｉ）はんだコート
図８は、はんだコート形成工程について説明するための図である。表面・裏面の銀電極表面に無鉛はんだメッキ層８０を形成する。図８（ｂ）は、はんだコート形成工程後の基板１０を表面から見た図である。
【００１３】
（ｖｉｉｉ）ソーラーシュミレータによるＩ−Ｖ測定
次に、図９に示すように、擬似太陽光照射下にて、（ｉ）〜（ｖｉｉ）の工程を経て作成された太陽電池セル（以下、セル９０とよぶ）のＩ−Ｖ測定を行い、セル９０の電気特性を調べる。
【００１４】
工程（ｉ）〜（ｖｉｉｉ）の一連の処理をセルプロセスとよび、以下の工程（ｉｘ）からの一連の処理をモジュールプロセスとよぶ。モジュールプロセスでは、ストリング配線・組み付け等を経て、太陽電池セルをモジュール化する。以下、モジュールプロセスについて図１０を参照しつつ説明する。図１０は、モジュールプロセスについて説明するための図である。
【００１５】
（ｉｘ）セル配線
図１０（ａ）は、セル配線工程について説明するための図である。セル９０の表面電極と銅配線（リードタブ１００）とをはんだ付け接続する。
【００１６】
（ｘ）ストリング配線
次に、図１０（ｂ）に示すように、リードタブの付いたセルを直線配置し、リードタブと隣接セルの裏面電極とを、はんだ付けにより、直列接続する。直列接続されたセル９０をセル列１１０と呼ぶ。
【００１７】
（ｘｉ）バスバー付け
次に、図１０（ｃ）に示すように、複数のセル列１１０を併設し、バスバー１２０によりストリング配線をはんだ付け接続する。
【００１８】
（ｘｉｉ）材料セッティング
図１０（ｄ）に示すように、バックカバー１３０、セル列１３２、セル列を挟む２枚のＥＶＡ（エチレンビニールアセテート）１３４、ガラス１３６を位置あわせし、重ね合わせる。
【００１９】
（ｘｉｉｉ）ラミネート、端子ボックス＆アルミ枠取付け
セッティングした材料を真空脱気しながら加熱し、ＥＶＡを溶融させ、基材をラミネートする。そして、ラミネートされた基材に、端子ボックス１４０およびアルミ枠１４２を取付ける。この工程で、太陽電池モジュールができ上がる。
【００２０】
（ｘｉｖ）完成品検査
最後に、完成した太陽電池モジュールのＩ−Ｖ特性および出力動作確認を行う。正常に動作するものを出荷する。
【００２１】
従来、太陽電池の性能検査は、上記工程（ｘｉｖ）のように、モジュールプロセスにて行われていた。
【００２２】
例えば、特許文献１（特開２００１−２４２０４号公報）には、太陽電池モジュールを遮蔽する手段と、温度を検知する手段をあわせもつ検査装置を用いて、太陽電池モジュールの遮蔽した部分の温度を検出することで、ホットスポットが発生するセルを特定することが記載されている。
【００２３】
また、太陽電池モジュールあるいは太陽電池セルに逆バイアス電圧を印加し、そのときのリーク電流値から、それらの異常を検出する方法が知られている。特許文献２（特開２００４−３６３１９６号公報）には、太陽電池モジュールに逆バイアス電圧を印加し、リーク電流を四端子法により計測し、その計測値を予め求めておいた値と比べることにより太陽電池モジュール内部の接触不良箇所の有無を検査する方法が記載されている。図１１は、特許文献２に記載の検査方法に用いられる装置の概略図である。この装置は、太陽電池モジュール２１０、太陽電池モジュール２１０に接続された上プローブ２２０および下プローブ２３０、逆バイアス電源２４０、電流計２５０を備える。この装置によるモジュールの検査は、例えば、次のようにして行なわれる。まず、逆バイアス電源２４０により一定の逆バイアス電圧を太陽電池モジュール２１０に印加し、その際に上プローブ２２０と下プローブ２３０に流れる電流値を測定する。そして、その測定値が、予め求めておいた正常な太陽電池モジュールの電流値の範囲にない場合に、太陽電池モジュール２１０内部に接触不良箇所が有ると判断する。
【特許文献１】特開２００１−２４２０４号公報
【特許文献２】特開２００４−３６３１９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
従来、特許文献１に記載の方法により検出されるモジュール状態での発熱は、セル内部におけるリーク電流によるものであることは認識されていた。そのため、太陽電池セルに対するリーク電流測定は行われていた。しかしながら、昨今の市場不良解析から、モジュール状態での発熱の原因は、発熱の局所性であることが明らかとなってきている。つまり、不良セルの検査にあたっては、このような局所発熱をもつセルを抽出する必要がある。
【００２５】
前述の特許文献１に記載されたようなモジュール形態での発熱検査では、ガラス、ＥＶＡ、金属フレーム等の構造機構部材の影響でセルの発熱が分散され、本当に抽出すべき局所発熱をもつセルの抽出ができていなかった。
【００２６】
また、モジュール形態での検査では、検査によって不良と判断されたモジュールから不良セルを取り除くために、太陽電池モジュールを解体・修理する必要がある。工程（ｘｉｉｉ）のラミネートまで完了したあとに検査を行なった場合には、異常が発見されたモジュールは、廃棄せざるを得ないこととなる。さらに、不良セルを含むセルが、モジュールプロセスに投入されるため、モジュール生産効率が悪くなる。
【００２７】
一方、特許文献２のように、リーク電流を測定して、太陽電池セルの異常を発見する方法を、ホットスポット試験に用いると、過剰判定となる可能性がある。例えば、太陽電池セル周辺部に見られるリーク電流は、接合分離が不十分である事により生じるもので、局所的な電流密度の増加をもたらすわけではない。つまり、リーク電流を検出されたセルのいずれもが、故障に繋がるようなホットスポット熱を生じるわけではない。
【００２８】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであって、効率的かつ正確なホットスポット試験を盛り込んだ太陽電池モジュールの製造方法を提供する事である。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
１つの局面に係る本願発明は、太陽電池モジュールの製造方法であって、半導体基板から複数の太陽電池セルを製造するステップと、複数の太陽電池セルの各々について、電圧を印加した際の太陽電池セルの温度を測定するステップと、測定結果に基づき、太陽電池セルに、設定された閾値以上の温度の発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、発熱箇所があると判定されていない太陽電池セルを電気的に接続して太陽電池モジュールを製造するステップとを備える。
【００３０】
好ましくは、発熱箇所があると判定された太陽電池セルに対し、発熱箇所の修復処理を行なうステップをさらに備える。
【００３１】
好ましくは、発熱箇所があると判定された太陽電池セルを分割切断するステップをさらに備える。
【００３２】
さらに好ましくは、修復処理が行なわれた太陽電池セルに電圧を印加した際の、修復処理が行なわれた太陽電池セルの温度を測定するステップと、測定結果に基づき、修復処理が行なわれた太陽電池セルに発熱箇所があるかどうかを判定するステップと、修復処理が行なわれた太陽電池セルのうち、発熱箇所があると判定された太陽電池セルを分割切断するステップとをさらに備える。
【００３３】
好ましくは、太陽電池セルに電圧を印加し、電圧を印加された際に発生する電流を測定するステップと、電流が設定された値以上であるかどうかを判定するステップとをさらに備え、電流が設定された値以上である場合に温度を測定し、発熱箇所があるかどうかを判定する。
【００３４】
好ましくは、温度の測定を非接触の温度識別装置で行なう。
他の局面に係る本願発明は、太陽電池セルを接続して太陽電池モジュールを製造する太陽電池モジュール製造装置であって、太陽電池セルに電圧を印加する電源と、電源により電圧を印加された太陽電池セルの温度を測定する温度識別装置と、温度識別装置の測定結果に基づき、設定された閾値以上の温度の発熱箇所が太陽電池セルにあるかどうかを判定する解析装置と、発熱箇所があると判定された太陽電池セルを太陽電池モジュールの製造ラインから排出する移動手段と、移動手段により排出されていない太陽電池セルを電気的に接続する接続装置とを備える。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、電圧を印加された太陽電池セルの発熱箇所の有無を判定し、発熱箇所のない太陽電池セルをモジュールプロセスに投入する。したがって、モジュールプロセスに投入される太陽電池セルはホットスポットの原因となる高発熱セルが排除されたものであるため、モジュールプロセスでの歩留まり向上が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部分には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがってそれらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００３７】
本発明に係る太陽電池セルの製造方法に含まれるホットスポット検査に用いる装置について、図１２を参照しつつ説明する。図１２は、ホットスポット検査装置の構成図である。ホットスポット検査装置は、図１２（ａ）に示すように、セルプロセスを完了した太陽電池セル３１０（以下、単にセルとよぶ）に接続される上プローブ３２０および下プローブ３３０、逆バイアス電源３４０、電流計３５０、サーモカメラ３６０、解析装置３７０を備える。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示したホットスポット検査装置を、上側から見た図である。逆バイアス電源３４０は、上プローブ３２０と下プローブ３３０との間に逆バイアス電圧を印加する。サーモカメラ３６０は、太陽電池セル３１０の温度を測定する。サーモカメラ３６０は、温度識別装置の一例であり、他の種類の温度識別装置を用いてもよい。ただし、被測定物（セル３１０）との接触部の耐久性が問題とならず、ハンドリングも容易で、製造工数が増加しない非接触型の温度識別装置を用いることが好ましい。解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果を解析する。
【００３８】
本発明においては、次の検査方法で、セルが不良かどうか検査する。
まず、逆バイアス電源３４０によりセル３１０に逆バイアスを印加し、電流計３５０によりリーク電流を測定する。そして、規定値以上のリーク電流が検出されると、サーモカメラ３６０は、逆バイアスの印加中に、規定値以上のリーク電流が検出されたセル３１０の温度計測を行う。このように、リーク電流が大きく、ホットスポットを生じる可能性があるセルについてのみ、後のホットスポット試験を行うことで、試験の効率が向上する。ただし、リーク電流を測定する工程を省くことも可能である。なお、上述の規定値は、予め設定されているものであってもよいし、利用者が設定するものであってもよい。
【００３９】
解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果から、セル３１０の温度、発熱箇所、および、発熱面積を求める。ここで、発熱箇所とは、設定された閾値以上の温度の箇所のことをいう。また、発熱面積とは、設定された閾値以上の温度になった発熱部の面積のことをいう。閾値は、予め設定されているものであってもよい。また、利用者により設定されるものであってもよい。この場合、利用者は、セルに求められるホットスポット耐性に応じて、閾値を定めることができる。解析装置３７０は、解析結果に応じて、例えば、図１３に示すような画面を表示するものとする。図１３は、解析結果の表示の一例を示す図である。発熱部は、セル３１０を表す図内で色を変えて示している部分である。また、発熱箇所、発熱面積も表示されている。このように、発熱箇所や発熱面積を求めておくことにより、不良セルの再利用が容易になる。
【００４０】
解析装置３７０は、セルの発熱状態に基づき、不良セルの選別を行なう。そして、不良であると判定されたセルは、モジュールの製造ラインから排出される。ここで、「発熱箇所が存在する」かどうかは、発熱面積と、設定された閾値を比較して判定する場合も含むものとする。すなわち、解析装置３７０は、発熱面積が閾値以上の場合に、「発熱箇所が存在する」と判定してもよい。
【００４１】
上述の不良セルの排出は、装置により自動的に行なうことができる。例えば、解析装置３７０は、不良であると判定されたセルを、モジュールの製造ラインから排出するように他の機器に指示する。なお、この場合、各セルに、セルを識別するための識別番号が付されているものとする。セルの検査、排出は、識別番号により管理される。
【００４２】
不良であると判定されていないセルは、モジュールプロセスに投入される。モジュールプロセスでは、背景技術で説明したように、太陽電池セルが電気的に接続され、太陽電池モジュールが製造される。
【００４３】
このように本発明においてモジュールプロセスに投入される太陽電池セルは、ホットスポットの原因となる高発熱セルが排除されたものである。したがって、本発明を用いることによりモジュールプロセスでの歩留まり向上が可能となる。
【００４４】
さらに、本発明においては、不良セルの修復を行なってもよい。不良セルの修復工程を含む太陽電池モジュールの製造方法について、図１４を参照しつつ説明する。図１４は、不良セルの修復工程を含む太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【００４５】
まず、セル製造装置５００により、半導体からセル３１０が製造される。解析装置３７０は、サーモカメラ３６０の測定結果から、セル３１０が不良であると判定すると、Ｘ−Ｙテーブル等の移動装置５１０に、セル３１０を修復作業を行う箇所に移動させるための指示を送る。指示を受け付けた移動装置５１０は、セル３１０を製造ラインから修復ラインに移動する。セル３１０が正常の場合は、セル３１０は、そのまま、モジュールプロセスへと送られる。モジュールプロセスでは、接続装置３１０により複数のセル３１０が接続され、太陽電池モジュールが製造される。
【００４６】
解析装置３７０は、発熱箇所および発熱面積に基づき、発熱部周辺にレーザー光が照射されるように、移動装置５１０、固体レーザー５２０に指示を与える。指示を受けた移動装置５１０は、セル３１０を登録座標に移動する。そして、解析装置３７０の指示に基づいて固体レーザー５２０から出射されるレーザー光により、修復ラインに送られたセル３１０の発熱部周辺のＮ＋層および表面電極は、完全に分断する形で切断され、部分的にＰＮ接合が破壊される。
【００４７】
なお、固体レーザー５２０は、セル３１０の表面部を切断できる装置の一例であり、他の装置を用いてもよい。また、上記の説明では、固体レーザー５２０を固定し、セル３１０を移動させるものとしたが、固体レーザー５２０を動かしてもよい。
【００４８】
発熱部の分断の様子を図１５に示す。図１５は、発熱部の分断の様子を説明するための図である。図１５（ａ）は、セル３１０を上面から見た図である。発熱部６１０を囲むレーザー照射領域６２０に、レーザーを照射することで、発熱部６１０を正常な部分から分断する。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）中のＡ−Ｂの断面図である。セル３１０は、反射防止膜およびパッシベーション膜（表面保護膜）として機能するＳｉ３Ｎ４膜６３０、表面電極６４０、Ｓｉ３Ｎ４膜６３０と表面電極６４０を接続する表面電極コンタクト部６５０、Ｎ＋層６６０、Ｐ型Ｓｉ６７０、Ｐ＋層６８０、裏面電極６９０からなる。レーザーによりＮ＋層が破壊され、レーザー切断痕６９５が生じる。
【００４９】
なお、発熱箇所の修復方法は上記のものに限られない。例えば、不良セルの判定において、発熱箇所の位置による分類を行ない、発熱箇所がセルの外周辺の場合、端面部をブラッシング、つまり、軽く研磨してもよい。セルの外周辺の発熱の原因は、主としてセル端面での絶縁破壊によるリーク電流であり、ブラッシングにより容易に発熱が改善されることが多い。
【００５０】
上述のような発熱箇所の修復処理を行った後、再度、Ｉ−Ｖ測定、サーモカメラ３６０によるホットスポット検査を実施し、異常がない場合、モジュールプロセスへセルを進める。
【００５１】
発熱箇所の改善が見られない場合、ダイシング装置５４０によりセルダイシングを行なうことができる。セルダイシングについて、図１６を用いて説明する。図１６は、セルダイシングについて説明するための図である。セルダイシングでは、セル３１０を切断し、小さなサイズのセルを作る。図１６では、まず、セル３１０を縦のダイシングライン７１０ａに沿って切断する。すると、右半分のセルは、発熱部６１０を含まないため、再利用できる。また、左半分のセルは、さらに横のダイシングライン７１０ｂに沿って切断する。すると、下半分のセルは、再利用できる。つまり、廃棄部分７２０の面積を小さくできる。なお、図１６では、１／２サイズ、１／４サイズのセルを作る例を示したが、ダイシングラインの位置を変えることで、他のサイズのセルを作って再利用してもよい。このようにセルダイシングにより、発電に有効な太陽電池部分を選択利用する事が可能となる。
【００５２】
なお、ここでは、発熱箇所の修復後に、セルダイシングを行なうものとしたが、発熱箇所の修復をせずに、セルダイシングを行なっても構わない。
【００５３】
図１７を用いて、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造の流れを説明する。図１７は、本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造の流れを示すフローチャートである。
【００５４】
まず、ステップＳ１０１において、製造装置は、例えば、背景技術の（ｉ）から（ｖｉｉｉ）で説明した処理により、半導体基板から太陽電池セルを作成する。
【００５５】
次に、ステップＳ１０３において、逆バイアス電源３４０によりセル３１０に逆バイアス電流を印加し、電流計３５０によりリーク電流を測定する。そして、解析装置３７０がリーク電流が規定値未満であると判断したとき（ステップＳ１０３においてＮｏ）、セル３１０をモジュールプロセスに進める。
【００５６】
リーク電流が規定値以上であると判断した場合（ステップＳ１０３においてＹｅｓ）、解析装置３７０は、ステップＳ１０５において、セル３１０に発熱があるかどうか判断する。具体的には、例えば、すでに説明したように、閾値以上の温度の箇所が存在するとき、あるいは、閾値以上の温度の領域の面積が規定の面積よりも大きいときに、発熱があると判断する。解析装置３７０は、セル３１０に発熱がないと判断したとき（ステップＳ１０５においてＮｏ）、セル３１０をモジュールプロセスに進める。
【００５７】
セルに発熱があると判断された場合（ステップＳ１０５においてＹｅｓ）、ステップＳ１０７において、製造装置は、セルの不良箇所の修復を行なう。例えば、固体レーザー５２０により、発熱部周辺のＰＮ接合の切断を行う。
【００５８】
次に、製造装置は、ステップＳ１０７において、セルの不良箇所が修復したかどうか判断する。具体的には、ステップＳ１０３およびステップＳ１０５と同様の検査が行なわれ、解析装置３７０は、リーク電流が規定値未満、かつ、セルに発熱がない場合に、セルの不良箇所が修復したと判断する。解析装置３７０が不良箇所が修復したと判断したとき（ステップＳ１０９においてＹｅｓ）、セル３１０をモジュールプロセスに進める。
【００５９】
不良箇所が修復したと判断された場合（ステップＳ１０９においてＮｏ）、ステップＳ１０６において、ダイシング装置５４０により、セル３１０を小さなサイズのセルに分割する。この分割でできた発熱箇所を含まない他サイズのセルは、他の用途に転用できる。
【００６０】
製造装置は、ステップＳ１１３において、上記の各工程でモジュールプロセスにまわされたセルから、太陽電池モジュールを製造する。ステップＳ１１３は、例えば、背景技術の（ｉｘ）から（ｘｉｉｉ）で説明した工程からなる。
【００６１】
このように本発明は、セルに対して発熱検査を行うため、効率的かつ正確にホットスポットの試験を行える。また、セルへの検査であるため、検査システムの小型化が可能である。さらに、高温高湿環境下でのホットスポット検査を行う等、市場要求に柔軟な検査が可能となる。
【００６２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】エッチング工程について説明するための図である。
【図２】拡散剤塗布工程について説明するための図である。
【図３】Ｎ型拡散層形成工程について説明するための図である。
【図４】反射防止膜形成工程について説明するための図である。
【図５】裏面電極形成工程（１）について説明するための図である。
【図６】裏面電極形成工程（２）について説明するための図である。
【図７】表面電極形成工程について説明するための図である。
【図８】はんだコート形成工程について説明するための図である。
【図９】セル９０のＩ−Ｖ測定について説明するための図である。
【図１０】モジュールプロセスについて説明するための図である。
【図１１】特許文献２に記載の検査方法に用いられる装置の概略図である。
【図１２】ホットスポット検査装置の構成図である。
【図１３】解析結果の表示の一例を示す図である。
【図１４】不良セルの修復工程を含む太陽電池モジュールの製造方法について説明するための図である。
【図１５】発熱部の分断の様子を説明するための図である。
【図１６】セルダイシングについて説明するための図である。
【図１７】本実施の形態に係る太陽電池モジュールの製造の流れを示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６４】
１０  基板、１１  表面ダメージ層、２０  塗布膜、３０  Ｎ型拡散層、４０  Ｓｉ３Ｎ４膜、５０  銀ペースト、６０  アルミペースト、６２  Ｐ＋層、７０  銀ペースト、８０  無鉛はんだメッキ層、９０  セル、１００  リードタブ、１１０  セル列、１２０  バスバー、１３０  バックカバー、１３２  セル列、１３４  ＥＶＡ、１３６  ガラス、１４０  端子ボックス、１４２  アルミ枠、２１０  太陽電池モジュール、２２０  上プローブ、２３０  下プローブ、２４０  逆バイアス電源、２５０  電流計、３１０  セル、３２０  上プローブ、３３０  下プローブ、３４０  逆バイアス電源、３５０  電流計、３６０  サーモカメラ、３７０  解析装置、５１０  移動装置、５２０  固体レーザー、５３０  接続装置、５４０  ダイシング装置、６１０  発熱部、６２０  レーザー照射領域、６３０  Ｓｉ３Ｎ４膜、６４０  表面電極、６５０  表面電極コンタクト部、６６０  Ｎ＋層、６７０  Ｐ型Ｓｉ、６８０  Ｐ＋層、６９０  裏面電極、６９５  レーザー切断痕、７１０ａ  縦のダイシングライン、７１０ｂ  横のダイシングライン、７２０  廃棄部分。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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