(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配向膜の付きまわりを向上させて、高品質な画像を表示する。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、前記基板上に形成されており、前記基板の面に対して、所定角度で切り立った側面（９ｈ）を夫々有する複数の画素電極（９ａ）と、前記基板上で平面的に見て、前記複数の画素電極の各々の周囲を少なくとも部分的に囲うように、前記側面に沿って形成されており、前記所定角度より緩やかな勾配を有する側壁（２１０）と、前記複数の画素電極上に形成された配向膜（４００）とを備える。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されており、前記基板の面に対して、所定角度で切り立った側面を夫々有する複数の画素電極と、
前記基板上で平面的に見て、前記複数の画素電極の各々の周囲を少なくとも部分的に囲うように、前記側面に沿って形成されており、前記所定角度より緩やかな勾配を有する側壁と、
前記複数の画素電極上に形成された配向膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の画素電極のうち、互いに隣り合う画素電極における、互いに対向する側面に沿って形成された側壁は、夫々別体として、切り離されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数の画素電極のうち、互いに隣り合う画素電極における、互いに対向する側面に沿って形成された側壁は、前記互いに隣り合う画素電極間を少なくとも部分的に埋めるように、一体的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。
【請求項５】
基板上に、
前記基板の面に対して、所定角度で切り立った側面を有する夫々有する複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、
前記基板上で平面的に見て、前記複数の画素電極の各々の周囲を少なくとも部分的に囲うように、前記所定角度より緩やかな勾配を有する側壁を前記側面に沿って形成する側壁形成工程と、
前記複数の画素電極上に配向膜を形成する配向膜形成工程と
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記側壁形成工程は、
前記画素電極上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜を前記側面に残すようにパターニングすることで、前記側壁を形成する成形工程と
を備えることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記成形工程は、ドライエッチングを含むことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記成形工程は、ウェットエッチングを含むことを特徴とする請求項６又は７に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法、並びに、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）、データ線、走査線及び画素電極等の部材が、基板上において積層構造をなして形成されるものがある。上述した各部材は、配置される領域によって異なる密度で形成されているため、積層構造の最表面には各部材の配置等に応じて局所的な段差が生じる場合がある。このため、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等の研磨技術によって積層構造の表面を研磨し、段差を平坦化するという技術が提案されている。例えば特許文献１では、ＣＭＰによって画素電極を覆う絶縁膜を研磨して、積層構造の表面を平坦化するという技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２７０７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したＣＭＰを用いる技術によれば、平坦化の精度にバラツキが生じることによって、例えば取り除かれるべき絶縁膜が画素電極の表面等に残るなどして、積層構造の表面における均一性が悪化してしまうおそれがある。即ち、上述した技術では、平坦化の精度が低下することによって、表示する画像の品質が低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００５】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置、及び該電気光学装置の製造方法、並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に形成されており、前記基板の面に対して、所定角度で切り立った側面を夫々有する複数の画素電極と、前記基板上で平面的に見て、前記複数の画素電極の各々の周囲を少なくとも部分的に囲うように、前記側面に沿って形成されており、前記所定角度より緩やかな勾配を有する側壁と、前記複数の画素電極上に形成された配向膜とを備える。
【０００７】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時に、基板上に形成された複数の画素電極に画像信号が供給され、複数の画素電極が配列されてなる画素領域を有する電気光学パネルが駆動される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極を含んでおり、基板の面に対して所定角度で切り立った側面を有している。
【０００８】
画素電極には、基板上で平面的に見て、周囲を少なくとも部分的に囲うように側壁が形成されている。側壁は、画素電極の側面に沿って形成されており、所定角度より緩やかな勾配（即ち、側面より緩やかな勾配）を有している。言い換えれば、「所定角度」とは、側壁が有する勾配と比べて相対的に急傾斜をなす角度を意味する。即ち、所定角度をθ１とし、側壁が有する勾配をθ２とするとき、θ２＜θ１≦９０度であり、典型的には、θ１≒９０度であるが、若干のテーパ或いは逆テーパが付いている場合も除外されない。尚、ここでの「勾配」とは、画素電極の上端から下端にかけての勾配を意味する。また、側壁は全ての画素電極に設けられるのが望ましいが、側壁の設けられない画素電極が存在していてもよい。また、画素電極の上面は、好ましくは、側壁によって殆ど又は全く覆われることなく、配向膜によって覆われている。言い換えれば、画素電極は、その側面において側壁によって覆われ、その上面において少なくとも部分的に側壁を構成する材料から露出する（例えば、中央領域において露出し且つ縁に沿って覆われている）と共に配向膜によって覆われている。
【０００９】
上述したような側壁を形成すれば、画素電極が形成されることによって基板の表面に生じてしまう段差の勾配を緩やかなものとすることができる。具体的には、画素電極における所定角度で切り立った側面が側壁によって覆われることで、画素電極及び側壁が一体的に、より緩やかな勾配を有する形状となる。
【００１０】
画素電極上には、例えば液晶分子の傾斜方向や傾斜角度等を設定するための配向膜が形成される。ここで本発明では特に、上述したように、画素電極の側面に側壁が形成されているため、画素電極に対する配向膜の付きまわりを向上させることが可能である。即ち、画素電極及び配向膜間に不必要な間隙が生じたり、配向膜の表面に段差が生じたりすることを防止することができる。
【００１１】
尚、画素電極の側面を削るなどして成形することで、緩やかな勾配を有する形状とすることも可能であるが、このような場合は、画素電極の形状が変化することにより、装置における透過率やコントラスト等が低下してしまう。これに対し、本発明の側壁を有する形状であれば、上述したような不都合を回避しつつ、配向膜の付きまわりを向上させることができる。
【００１２】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極上に形成される配向膜の付きまわりを向上させることができる。従って、高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数の画素電極のうち、互いに隣り合う画素電極における、互いに対向する側面に沿って形成された側壁は、夫々別体として、切り離されて形成されている。
【００１４】
この態様によれば、互いに隣り合う画素電極における、互いに対向する側面に沿って形成された側壁が夫々別体として形成されている。即ち、互いに対向する側面に沿って形成された側壁は、互いに繋がって形成されることなく、切り離されて形成されている。
【００１５】
側壁が上述したように別体として形成されることにより、側壁の配置スペースを小さくすることができる。よって、例えば装置を小型化するために、互いに隣り合う画素電極間のスペースが狭くなっている場合等であっても、確実に側壁を形成することが可能である。また、互いに隣り合う画素電極間に、側壁が形成されないスペースが存在するため、側壁を形成することによる、装置の透過率やコントラスト等の変化を低減することが可能である。
【００１６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の画素電極のうち、互いに隣り合う画素電極における、互いに対向する側面に沿って形成された側壁は、前記互いに隣り合う画素電極間を少なくとも部分的に埋めるように、一体的に形成されている。
【００１７】
この態様によれば、互いに隣り合う画素電極における、互いに対向する側面に沿って形成された側壁は、一体的に形成されている。即ち、互いに隣り合う画素電極間を少なくとも部分的に埋めるように、互いに繋がるようにして形成されている。
【００１８】
側壁が上述したように一体的に形成されることにより、画素電極における勾配をより緩やかなものとすることができる。また、例えば互いに隣り合う画素電極間を完全に埋めるように側壁を形成しつつ、画素電極における勾配をより緩やかなものとすることができる。よって、より効果的に画素電極上に形成される配向膜の付きまわりを向上させることができる。従って、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１９】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、前記基板の面に対して、所定角度で切り立った側面を有する夫々有する複数の画素電極を形成する画素電極形成工程と、前記基板上で平面的に見て、前記複数の画素電極の各々の周囲を少なくとも部分的に囲うように、前記所定角度より緩やかな勾配を有する側壁を前記側面に沿って形成する側壁形成工程と、前記複数の画素電極上に配向膜を形成する配向膜形成工程とを備える。
【００２２】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、側壁形成工程において、画素電極の周囲に側壁が形成されるため、画素電極が形成されることによって基板の表面に生じてしまう段差の勾配を緩やかなものとすることができる。よって、画素電極上に形成される配向膜の付きまわりを向上させることができる。従って、高品質な画像を表示することが可能な電気光学装置を製造することが可能である。
【００２３】
尚、本発明の電気光学装置の製造方法においても、上述した本発明の電気光学装置における各種態様と同様の各種態様を採ることが可能である。
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記側壁形成工程は、前記画素電極上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜を前記側面に残すようにパターニングすることで、前記側壁を形成する成形工程とを備える。
【００２５】
この態様によれば、側壁形成工程では、先ず絶縁膜形成工程が実行され、画素電極上に絶縁膜を形成される。尚、絶縁膜は、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等によって平坦化される場合と比べて、膜厚が薄くなるように（例えば、２００ｎｍ程度に）形成される。
【００２６】
絶縁膜が形成されると、成形工程が実行され、絶縁膜が側面に残るようにパターニングされる。これにより、画素電極の側面に沿って側壁が形成される。パターニングは、典型的には、エッチング等によって行われる。
【００２７】
上述したように側壁を形成することで、画素電極の側面に沿った側壁を容易且つ確実に形成することができる。即ち、適切な位置に、適切な形状の側壁を形成することが可能である。従って、画素電極上に形成される配向膜の付きまわりを確実に向上させることができる。
【００２８】
上述した成形工程を備える態様では、前記成形工程は、ドライエッチングを含むように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、成形工程がドライエッチングを含むため、例えばウェットエッチングによりパターニングを行う場合と比較して、より精度の高いエッチングが可能となり、所望の形状の側壁を形成することが容易となる。特に、装置の小型化などのために画素電極間のスペースが狭い場合等に、上述した効果は顕著に発揮される。
【００３０】
尚、ドライエッチングに加えて、ウェットエッチング、或いは他のパターニング方法を利用して側壁を形成するようにしてもよい。このように、複数のパターニング方法を利用すれば、上述したドライエッチングの利点を生かしつつ、より好適に側壁を形成することが可能となる。
【００３１】
或いは、上述した成形工程を備える態様では、前記成形工程は、ウェットエッチングを含むように構成してもよい。
【００３２】
このように構成すれば、成形工程がウェットエッチングを含むため、例えばドライエッチングによりパターニングを行う場合と比較して、ストッパー膜を要しない時間制御によるなど、エッチングの際の制御が容易である。よって、より容易に側壁を形成することが可能となる。
【００３３】
尚、ウェットエッチングに加えて、ドライエッチング、或いは他のパターニング方法を利用して側壁を形成するようにしてもよい。このように、複数のパターニング方法を利用すれば、上述したウェットエッチングの利点を生かしつつ、より好適に側壁を形成することが可能となる。
【００３４】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００３６】
＜電気光学装置及び電気光学装置の製造方法＞
本実施形態に係る電気光学装置及び電気光学装置の製造方法について、図１から図１４を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３７】
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００３８】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、本発明の「基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４１】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００４２】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４３】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。画素電極９ａ周辺の構成については後に詳述する。他方、対向基板２０上には、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成された後に、その全面に亘って対向電極２１が設けられており、更には最上層部分に配向膜が形成されている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる。
【００４４】
このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００４５】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００４６】
続いて、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４７】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４８】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００４９】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５０】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと電気的に並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
【００５１】
続いて、ＴＦＴアレイ基板上に構築される層構造について、図４を参照して下層側から順に説明する。ここに図４は、ＴＦＴアレイ基板上の具体的な層構造を示す断面図である。尚、図４では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、説明の便宜上、画素電極より上層側の各層・各部材、及び後述する画素電極の側面に形成される側壁を省略して図示してある。
【００５２】
図４において、下ＴＦＴアレイ基板１０上には、例えばタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等からなる走査線１１ａが形成されており、図示しないコンタクトホール等によって後述するゲート電極３ａと電気的に接続されている。また走査線１１ａは、遮光性を有する材料を用いることで、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光のうちＴＦＴ３０に進行する光を遮光する下側遮光膜としても機能する。
【００５３】
下地絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜等からなる。下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００５４】
ＴＦＴ３０は、半導体層１ａと、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３ａとを含んで構成されている。
【００５５】
半導体層１ａは、例えばポリシリコンを含んでおり、チャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、ＴＦＴ３０は、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
【００５６】
ゲート電極３ａは、例えば導電性ポリシリコンからなり、半導体層１ａよりも上層側に、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２０２を介して配置される。また、半導体層１ａにおけるチャネル領域１ａ’に対向する部分においては、ゲート絶縁膜２を介して配置される。
【００５７】
ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも第１層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００が誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００５８】
上部容量電極は、容量線３００の一部として形成されている。その構成については図示を省略してあるが、容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続される。これにより、上部容量電極３００は、固定電位に維持され、固定電位側容量電極として機能し得る。上部容量電極３００は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極３００は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属、或いはこれらのうちの少なくとも一つを含む合金、金属シリサイド、ポリシリサイド等から構成されていてもよい。
【００５９】
下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されると共に、図示しない中継層等にも電気的に接続されている。下部容量電極７１は、例えば導電性のポリシリコン、或いは例えばＡｌ（アルミニウム）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されている。
【００６０】
誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００６１】
ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも第２層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａが設けられている。データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、絶縁膜２０２、第１層間絶縁膜４１、誘電体膜７５及び第２層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。
【００６２】
画素電極９ａは、データ線６ａよりも第３層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３及び図示しない中継層等を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００６３】
ここで、上述した層構造のうち第３層間絶縁膜４３より上層側の構造について、図５から図１０を参照して、その製造方法と共に詳細に説明する。ここに図５から図７及び図９は夫々、第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、順を追って示す工程断面図である。また図８は、第１実施形態に係る電気光学装置の画素電極周辺の構成を示す平面図であり、図１０は、比較例に係る電気光学装置の画素電極周辺の構成を示す断面図である。尚、図５から図１０においては、説明の便宜上、図４において示した第３層間絶縁膜より下層側の各層・各部材を省略して図示してある。
【００６４】
図５において、第１実施形態に係る電気光学装置では、第３層間絶縁膜４３が形成されると、先ず画素電極９ａがパターニングされる。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜などの透明導電膜からなり、上述したＴＦＴ３０に対応するようにマトリクス状に形成される。また、画素電極９ａは、第３層間絶縁膜４３から垂直に切り立った側面９ｈを有している。尚、側面９ｈは、図５に示すような第３層間絶縁膜４３から垂直に切り立ったものに限られず、例えば第３層間絶縁膜４３から斜めに切り立ったものであってもよい。このような場合であっても、後述する側壁が、側面の角度より緩やかな勾配を有するものであれば、本実施形態における効果は十分に発揮される。
【００６５】
図６において、画素電極９ａがパターニングされると、画素電極９ａを覆うように側壁作成用絶縁膜２００が形成される。側壁作成用絶縁膜２００は、例えばＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）等によって構成されている。尚、側壁作成用絶縁膜２００は、ＣＭＰ等によって平坦化処理を行う場合に形成される絶縁膜と比べると、膜厚が薄く（例えば、２００ｎｍ程度に）形成される。
【００６６】
図７において、側壁作成用絶縁膜２００は、エッチング等によりパターニングされて、側面９ｈに沿った側壁２１０として成形される。即ち、図６に示す側壁作成用絶縁膜２００のうち、不必要な部分が削られて、図７に示す側壁２１０とされる。側壁２１０は、例えば、先ずドライエッチングによって、図７に示すような形となるようにパターニングされ、続いてウェットエッチングによって、滑らかな表面となるように形成される。ドライエッチングを用いることによって、より精度の高いエッチングが可能となり、所望の形状の側壁を形成することが容易となる。
【００６７】
尚、本実施形態では、側壁作成用絶縁膜２００は、画素電極９ａの上面からは完全にエッチング除去されているが、側壁作成用絶縁膜２００の材質によっては、画素電極９ａの上面に薄く或いは部分的に（例えば、縁に沿って）残されてもよい。例えば、透明であって画素電極上に形成しても電圧印加の妨げにならず且つその上に配向膜を形成することに問題が無い膜であれば、側壁以外の画素電極表面にも、多少残っていてかまわない。
【００６８】
図８に示すように、基板上方向から見ると、側壁２１０は、画素電極９ａの周囲を囲うように形成される。尚、図８に示すように、画素電極９ａの周囲を全て囲む必要はなく、画素電極９ａを部分的に囲うように形成されてもよい。
【００６９】
図９において、画素電極９ａ及び側壁２１０上には、配向膜４００が形成される。配向膜４００は、例えばポリイミド膜などの有機膜からなり、ラビング処理等の所定の配向処理が施されることで、液晶層５０（図２参照）における液晶分子の配向方向を規定する。
【００７０】
ここで図１０に示すように、側壁２１０が形成されていないとすると、画素電極９ａ及び配向膜４００間に間隙が生じてしまう場合がある。また、配向膜４００の表面に生じる段差が比較的大きくなるため、装置によって表示する画像の品質が低下してしまうおそれがある。
【００７１】
しかるに本実施形態に係る電気光学装置では特に、上述したように、画素電極９ａにおける側面９ｈに沿って側壁２１０が形成されているため、側面９ｈによる段差が側壁２１０によって緩やかな勾配とされている。従って、画素電極９ａに対する配向膜４００の付きまわりが向上する。
【００７２】
また本実施形態に係る電気光学装置では、画素電極９ａ自体の形状が、最初にパターニングされた際の形状から変化しないため、例えば画素電極９ａにおける側面９ｈを削るなどして配向膜４００の付きまわりを向上させる場合のように、装置における透過率やコントラスト等が低下してしまうことを防止できる。
【００７３】
以上説明したように、第１実施形態に係る電気光学装置によれば、画素電極９ａ上に形成される配向膜４００の付きまわりを向上させることができる。従って、高品質な画像を表示することが可能である。
【００７４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法について、図１１から図１４を参照して説明する。ここに図１１、図１２及び図１４は夫々、第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、順を追って示す工程断面図であり、図１３は、第２実施形態に係る電気光学装置の画素電極周辺の構成を示す平面図である。尚、第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、側壁の構成及び製造方法が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。また、図１１から図１４においては、図５から図１０に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付している。
【００７５】
図１１において、第２実施形態に係る電気光学装置では、図５に示すように画素電極９ａがパターニングされると、画素電極９ａを覆うように側壁作成用絶縁膜２００が形成される。この際、側壁作成用絶縁膜２００は、上述した第１実施形態と比べると、膜厚が厚く（例えば、５００ｎｍ程度に）形成される。
【００７６】
図１２において、側壁作成用絶縁膜２００は、例えばウェットエッチングによってパターニングされて、側面９ｈに沿った側壁２１０として成形される。即ち、図６に示す側壁作成用絶縁膜２００のうち、不必要な部分が削られて、図７に示す側壁２１０とされる。ウェットエッチングは、ドライエッチングと比較して、エッチングの際の制御が容易である。よって、より容易に側壁を形成することが可能となる。第２実施形態に係る電気光学装置においては、互いに隣り合う画素電極９ａに設けられた側壁２１０同士が、一体的に形成されている。このため、例えば上述した第１実施形態と比較して、より緩やかな勾配が実現される。
【００７７】
図１３に示すように、基板上方向から見ると、側壁２１０は、画素電極９ａが配置される画像表示領域１０ａ（図１参照）を全体的に覆うように形成される。尚、図に示すように、画像表示領域１０ａの全てが覆われなくともよく、部分的に第３層間絶縁膜４３が露出する部分が存在してもよい。
【００７８】
図１４において、画素電極９ａ及び側壁２１０上には、配向膜４００が形成される。ここで第２実施形態では、画素電極９ａにおける側面９ｈに沿って側壁２１０が形成されているため、側面９ａによる段差が側壁２１０によって緩やかな勾配とされている。従って、画素電極９ａに対する配向膜４００の付きまわりが向上する。また第１実施形態と比べて、側壁２１０がより緩やかな勾配とされているので、より効果的に、画素電極９ａに対する配向膜４００の付きまわりを向上させることができる。
【００７９】
以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、画素電極９ａ上に形成される配向膜４００の付きまわりを向上させることができる。従って、高品質な画像を表示することが可能である。
【００８０】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１５は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００８１】
図１５に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００８２】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００８３】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００８４】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００８５】
尚、図１５を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００８６】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００８７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置の製造方法、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】ＴＦＴアレイ基板上の具体的な層構造を示す断面図である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図６】第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図７】第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図８】第１実施形態に係る電気光学装置の画素電極周辺の構成を示す平面図である。
【図９】第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図１０】比較例に係る電気光学装置の画素電極周辺の構成を示す断面図である。
【図１１】第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１２】第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１３】第２実施形態に係る電気光学装置の画素電極周辺の構成を示す平面図である。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１５】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１ａ…半導体層、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、４３…第３層間絶縁膜、５０…液晶層、２００…側壁作成用絶縁膜、２１０…側壁、４００…配向膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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