(57)【要約】【課題】簡単な工程でサイドシールドを設けることが可能な垂直磁気記録ヘッド、およびその製造方法を提供する。【解決手段】第一非磁性層３９に、浮上面４８に直交する前後方向に延びる溝部３９ａを形成するステップと、溝部３９ａの内壁に、軟磁性体から成るサイドシールド１２ａを形成するステップと、溝部３９ａ内の、サイドシールド１２ａの表面に、第二非磁性層１４を形成するステップと、溝部３９ａ内の、第二非磁性層１４の表面に、前記サイドシールド１２ａと静磁気結合していない軟磁性体から成る主磁極前端部８０ａを形成するステップと、サイドシールド１２ａと磁気的に絶縁され、主磁極前端部８０ａとは磁気的に接続する、主磁極前端部８０ａから後方に向かって幅広となる主磁極ヨーク部８０ｂを形成するステップとを含む。【選択図】図１
2009099184.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一非磁性層に、浮上面に直交する前後方向に延びる溝部を形成するステップと、
前記溝部の内壁に、軟磁性体から成るサイドシールドを形成するステップと、
前記溝部内の、前記サイドシールドの表面に、第二非磁性層を形成するステップと、
前記溝部内の、前記第二非磁性層の表面に、前記サイドシールドと静磁気結合していない軟磁性体から成る主磁極前端部を形成するステップと、
前記サイドシールドと磁気的に絶縁され、前記主磁極前端部とは磁気的に接続する、主磁極前端部から後方に向かって幅広となる主磁極ヨーク部を形成するステップとを含むことを特徴とする垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記第一非磁性層の前記溝部内および前記溝部外の表面にわたって、前記サイドシールドを構成する第一軟磁性層と、前記第二非磁性層と、前記主磁極前端部を構成する第二軟磁性層とを形成し、
前記第二軟磁性層、前記第二非磁性層、および前記第一軟磁性層を、上面から前記第一非磁性層に至るまで平坦化することで、前記溝部内にのみ、前記サイドシールド、第二非磁性層、および前記主磁極前端部を設けることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項３】
浮上面に直交する前後方向に延びる溝部が形成された第一非磁性層と、
前記溝部の内壁に沿って形成された、軟磁性体から成るサイドシールドと、
前記溝部内の前記サイドシールドの内壁に沿って形成された第二非磁性層と、
前記溝部内の前記第二非磁性層の内側に形成された、前記サイドシールドと静磁気結合していない軟磁性体から成る主磁極前端部と、
前記サイドシールドと磁気的に絶縁され、前記主磁極前端部とは磁気的に接続する、主磁極前端部から後方に向かって幅広となる主磁極ヨーク部とを備えることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記溝部は、後端部において、当該溝部の幅方向の中央部が両縁部よりも後方に延びるよう形成され、
前記溝部内に形成される前記サイドシールドの後端部が、前記主磁極前端部の後端部よりも前方に位置するよう設けられていることを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記第二非磁性層の厚さが、２０ｎｍ以上、かつ、前記主磁極前端部の上面のコア幅の半分よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項３または４記載の垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主磁極前端部の両側にサイドシールドが形成された垂直磁気記録ヘッド、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面説明図を、図３に示す。図３は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを、コア幅方向の中心部分で、浮上面に直交する断面で切断した断面図である。
図３の薄膜磁気ヘッドは、磁気ディスク等の磁気記録媒体（図示せず）の記録層を所定の磁化パターンに磁化して、記録層に磁気情報を記録する垂直磁気記録ヘッドと、磁気記録媒体に記録された磁気情報を読み取るリードヘッドとを備える。
リードヘッドは、下部シールド層２０、上部シールド層３０、およびリード素子８２から成る。
垂直磁気記録ヘッドは、主磁極８０、第１リターンヨーク８８、第２リターンヨーク９６、バックギャップ９２、トレーリングシールド９４、およびコイル３６ａ，３６ｂから成る。
なお、図３において、各層間の空白の箇所は、アルミナ等の非磁性体で埋められている。
【０００３】
図４は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの主磁極８０（磁極）の、積層方向上方から見た平面形状を示す説明図である。
図４に示すように、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの主磁極８０は、浮上面（浮上切断面）４８側の前端部８０ａが、コア幅が狭幅かつ等幅のネック部に形成され、後端部側が、前端部８０ａから後方に向かって次第に拡幅するヨーク部８０ｂに形成される。
そして、磁気ディスク装置等の磁気記憶装置においては、前端部８０ａの浮上面４８に露出する端面が磁気ディスク等の磁気記録媒体に対向して設けられ、その端面から発せられる磁界により、磁気記録媒体の記録層に磁気情報が記録される。
なお、本願において、薄膜磁気ヘッドの、磁気記録媒体側（浮上面側）を「前方」と呼び、磁気記録媒体（浮上面）から遠い方を「後方」と呼ぶ。また、「前後方向」とは、磁気記録媒体面（浮上面）に直交する方向のことである。
【０００４】
図３に示した垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面図を用いて、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法の概要を説明する。
【０００５】
まず、ウエハ基板（図示せず）上に、リードヘッドの下部シールド層２０を湿式めっきにて形成する。続いて、下部シールド層２０の表面を研磨することで、下部シールド層２０を平坦化する。
続いて、下部シールド層２０の上層に、ＴＭＲ素子またはＣＰＰ型のＧＭＲ素子から成るリード素子８２を形成する。
続いて、リード素子８２の両側（図３中の手前側と奥側）に、ハードバイアス膜（図示せず）を形成し、また、リード素子８２の後方には、非磁性層２６を設ける。
次に、リード素子８２、非磁性層２６、およびハードバイアス膜上に、上部シールド層３０を形成する。
次に、上部シールド層３０上に非磁性層３２を形成する。
【０００６】
さらに、非磁性層３２上に、垂直磁気記録ヘッドの第１リターンヨーク８８を形成する。
続いて、第１リターンヨーク８８上に非磁性層３３を形成するとともに、非磁性層３３上に第一コイル３６ａを形成する。続いて、その表面全面に、非磁性層４１をスパッタし、表面を研磨することで平坦化する。次に、第一コイル３６ａの上層に非磁性層３９をスパッタする。
【０００７】
続いて、非磁性層３９上に、主磁極８０を形成する。
主磁極８０の形成後、主磁極８０の後端側にバックギャップ９２を積み上げて形成するとともに、主磁極８０上に非磁性層を形成し、さらに非磁性層上に、バックギャップ９２を取り巻くように第二コイル３６ｂを形成する。また、主磁極８０の先端部の上方には、主磁極８０と離間させて、トレーリングシールド９４を形成する。さらに、第二コイル３６ｂの上層に非磁性層を形成するとともに、さらにその上層に、バックギャップ９２およびトレーリングシールド９４に連結するリターンヨーク９６を形成する。
さらに、リターンヨーク９６上に保護層（図示せず）を積層し、外部接続端子等を設ける等の工程を踏んで、ウエハ基板上に、スライダーの積層構造が完成する。
【０００８】
さて、主磁極を形成する手法には、種々の手法がある。特許文献１には、いわゆるダマシン（Ｄａｍａｓｃｅｎｅ）法を用いた垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの製造方法が記載されている。図５は、特許文献１に記載された主磁極前端部の形成工程の前半を示す説明図である。なお、図５は、主磁極前端部を浮上面側から見た断面図である。
【０００９】
図５（Ａ）に示すように、まず、中間非磁性層５３２（図３の非磁性層３９に該当）上に、レジストパターン１００を形成し、さらにレジストパターン１００上に下地層１０１となるＴａ膜を例えばスパッタリング法等によって成膜する。
【００１０】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、下地層１０１上に、第１の主磁極軟磁性層５４００となる合金膜１０２を成膜する。さらに、この合金膜１０２上に、第２の主磁極軟磁性層５４０１となる合金膜１０３を成膜する。
【００１１】
さらに、図５（Ｃ）に示すように、合金膜１０３上に、主磁極軟磁性中心層５４０２となる合金膜１０４を例えばめっき法によって成膜する。この際の成膜は、主磁極層となるべき台形部分の領域がこの合金膜１０４によって少なくとも全部埋められるまで行う。
【００１２】
次いで、図５（Ｄ）に示すように、ＣＭＰ法及び／又はイオンミリング法を用いて、第１及び第２の主磁極軟磁性層５４００及び５４０１と、主磁極軟磁性中心層５４０２とが主磁極軟磁性中心層５４０２を中心として露出している端面１０５を形成する。その後、図５（Ｅ）に示すように、レジストパターン１００を除去する。以上の工程によって、主磁極層５４０となる積層体１０６が、中間非磁性層５３２上にむき出しの形で形成される。
【００１３】
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、主磁極を形成する後半の工程を示す。
図６（Ａ）に示すように、主磁極層５４０となる積層体１０６及び中間非磁性層５３２上に、例えばスパッタリング法によって上部非磁性層５３３となる例えばアルミナ等の第１の被覆膜１１０を成膜する。次いで、例えばスパッタリング法及びフォトリソグラフィ法等を用いて、ＣＭＰによる研磨率が低い材料である例えばＴａ等からなるストップ膜１１１を、積層体１０６の近傍であって中間非磁性層５３２の上層面から見て積層体１０６の端面１０５よりも近い位置に形成する。
【００１４】
次いで、図６（Ｂ）に示すように、第１の被覆膜１１０及びストップ膜１１１上に、例えばスパッタリング法によって例えばアルミナ等からなる第２の被覆膜１１２を成膜する。その後、図６（Ｃ）に示すように、ストップ膜１１１の位置までＣＭＰを行って、第１及び第２の被覆膜１１０及び１１２の研磨面と面の揃った、補助磁極層と対向すべき端面５４０ｂを形成することによって主磁極層５４０（図３の主磁極８０に該当）及び上部非磁性層５３３（図３の非磁性層３９に該当）を完成させる。
【００１５】
ところで、垂直磁気記録方式において、記録密度の高度化の要求に伴って、磁気記録媒体（磁気ディスク）上のトラック間隔を狭くする（狭トラック化する）必要が生じている。この狭トラック化に伴い、主磁極から横方向（コア幅方向・トラックをまたぐ方向）に向かう漏れ磁界による、サイドトラックイレースが問題になりつつある。
【００１６】
このサイドトラックイレースの問題を解決するため、主磁極前端部の両側にサイドシールドを設けることが提案されている。特許文献２および特許文献３には、主磁極前端部にサイドシールドを設けた垂直磁気記録ヘッドが記載されている。
【００１７】
特に、特許文献２には、サイドシールドの形成方法が記載されている。
図７に、特許文献２に記載されたサイドシールドの形成方法の説明図を示す。左側が浮上面方向から見た断面図で、右側が浮上面からの前後方向の断面図である。
【００１８】
図７（ａ）は、非磁性層上に主磁極１１を形成したところを示す。次に、図７（ｂ）に示すように、この主磁極１１の上に、アルミナ膜２１をスパッタリング法により形成する。次に、図７（ｃ）に示すように、イオンミリングにて、アルミナ膜２１をエッチングし、ギャップ膜２２を形成する。
【００１９】
続いて、めっき用の下地膜（図示せず）を製膜後、図７（ｄ）の右側に示すように、レジストフレームパターン２３を形成する。続いて、図７（ｄ）で形成しためっき下地膜とレジストフレーム２３を用いて、図７（ｅ）に示すように、トレーリングサイドシールド１３となる磁性膜をめっきする。続いて、図７（ｆ）示すように、レジストフレーム２３、めっき下地膜及びめっき膜の不要部を除去し、主磁極１１上にギャップ膜２２を介してトレーリングサイドシールド１３を形成する。ヘッドの最終形態では、浮上面加工により、トレーリングサイドシールド１３が所望の厚みＧｄに加工される。
【００２０】
【特許文献１】特開２００６−１９６１４２号公報（段落０１０１−０１１０，第１０，１１図）
【特許文献２】特開２００５−１９０５１８号公報（段落００３４−００３６，第１７図）
【特許文献３】特開２００４−１２７４８０号公報（第２，５，８図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、特許文献２に記載のサイドシールドの形成方法は、主磁極の形成後に、サイドシールドを形成するために多くの工程（図７（ｂ）〜（ｆ））を踏む必要があり、工程が複雑であるとともに、技術的な難易度も高いという課題がある。
【００２２】
本発明は上記課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、簡単な工程でサイドシールドを設けることが可能な垂直磁気記録ヘッド、およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、第一非磁性層に、浮上面に直交する前後方向に延びる溝部を形成するステップと、前記溝部の内壁に、軟磁性体から成るサイドシールドを形成するステップと、前記溝部内の、前記サイドシールドの表面に、第二非磁性層を形成するステップと、前記溝部内の、前記第二非磁性層の表面に、前記サイドシールドと静磁気結合していない軟磁性体から成る主磁極前端部を形成するステップと、前記サイドシールドと磁気的に絶縁され、前記主磁極前端部とは磁気的に接続する、主磁極前端部から後方に向かって幅広となる主磁極ヨーク部を形成するステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、溝部内に軟磁性体を形成するという簡単な構成で、主磁極前端部の周辺にサイドシールドを設けることができる。
【００２４】
また、前記第一非磁性層の前記溝部内および前記溝部外の表面にわたって、前記サイドシールドを構成する第一軟磁性層と、前記第二非磁性層と、前記主磁極前端部を構成する第二軟磁性層とを形成し、前記第二軟磁性層、前記第二非磁性層、および前記第一軟磁性層を、上面から前記第一非磁性層に至るまで平坦化することで、前記溝部内にのみ、前記サイドシールド、第二非磁性層、および前記主磁極前端部を設けることを特徴とする。
これによれば、簡単な構成で、溝部内にサイドシールド、第二非磁性層、および主磁極前端部を設けることができる。
【００２５】
また、本発明に係る垂直磁気記録ヘッドは、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、浮上面に直交する前後方向に延びる溝部が形成された第一非磁性層と、前記溝部の内壁に沿って形成された、軟磁性体から成るサイドシールドと、前記溝部内の前記サイドシールドの内壁に沿って形成された第二非磁性層と、前記溝部内の前記第二非磁性層の内側に形成された、前記サイドシールドと静磁気結合していない軟磁性体から成る主磁極前端部と、前記サイドシールドと磁気的に絶縁され、前記主磁極前端部とは磁気的に接続する、主磁極前端部から後方に向かって幅広となる主磁極ヨーク部とを備えることを特徴とする。
これによれば、溝部内に軟磁性体を形成するという簡単な構成で、主磁極前端部の周辺にサイドシールドを設けることができる。
【００２６】
さらに、前記溝部は、後端部において、当該溝部の幅方向の中央部が両縁部よりも後方に延びるよう形成され、前記溝部内に形成される前記サイドシールドの後端部が、前記主磁極前端部の後端部よりも前方に位置するよう設けられていることを特徴とする。
これによれば、サイドシールドの後端部を、主磁極前端部の後端部よりも前寄り（浮上面寄り）に設けることができる。これにより、ヨーク部を設ける際、主磁極の前端部とヨーク部とを確実に接続しながらも、前端部よりも幅広のヨーク部とサイドシールドとの距離を大きく保って両者間を磁気的に確実に絶縁することができる。
【００２７】
また、前記第二非磁性層の厚さが、２０ｎｍ以上、かつ、前記主磁極前端部の上面のコア幅の半分よりも厚く形成されていることを特徴とする。
これによれば、主磁極前端部とサイドシールドとの間隔が十分に保たれるから、主磁極前端部とサイドシールドとの静磁的な結合を起こすことなく、サイドシールドの機能性を十分に確保できる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る垂直磁気記録ヘッド、およびその製造方法によれば、簡単な工程でサイドシールドを設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る垂直磁気記録ヘッド、およびその製造方法を実施するための最良の形態を説明する。
本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドが構成される薄膜磁気ヘッドの基本構成は、図３に示した前述の薄膜磁気ヘッドと同じである。また、その薄膜磁気ヘッドの製造方法の基本構成も、図３を参照して説明した前述の方法と同様である。
本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法は、主磁極およびサイドシールドの構成およびその製造方法に特徴がある。以下、その点に絞って説明を行う。
【００３０】
図１は、本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法の説明図であり、アルミナから成る第一非磁性層３９（図３参照）の形成後に、主磁極８０を形成する方法を示している。図１（ａ）〜（ｇ）のそれぞれにおいて、左側が、垂直磁気記録ヘッドの浮上面（浮上切断面）４８での断面図であり、右側が、垂直磁気記録ヘッドを薄膜の積層方向上方から見た図である。
【００３１】
まず、図１（ａ）に示すように、アルミナから成る第一非磁性層３９上に、ハードマスク１０を形成する。ハードマスク１０には、浮上面４８（浮上切断面）に直交する前後方向に、浮上面４８をまたいで延び、第一非磁性層３９を露出する溝部１０ａがパターニングされる。
【００３２】
続いて、ハードマスク１０上から反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を施し、ハードマスク１０の溝部１０ａから露出した第一非磁性層３９をエッチングする。これにより、図１（ｂ）に示すように、第一非磁性層３９に、浮上面４８に直交する前後方向に延びる溝部３９ａを形成する。なお、ハードマスク１０は、アルミナから成る第一非磁性層３９に対して、反応性イオンエッチングのエッチングレートの低い材料で構成される。
溝部３９ａは、浮上面における断面形状がＶ字状、すなわち内壁面が斜面に形成され、また、溝部３９ａの後端部３９ｂの内壁面は、薄膜積層方向とほぼ平行な鉛直面に形成されるよう、ハードマスク１０や反応性イオンエッチングの条件が設定される。
溝部３９ａの上部の開口幅は、特に限定されるものではないが、２００〜５００ｎｍ程度、好適には約３６０ｎｍとなるよう設定される。また、溝部３９ａの深さは、２００〜５００ｎｍ程度、好適には約３６０ｎｍとなるよう設定される。
その後、ハードマスク１０を除去する。
【００３３】
続いて、図１（ｃ）に示すように、第一非磁性層３９の溝部３９ａ外の上面、および溝部３９ａの内壁面に、例えばスパッタリング法または蒸着法により、軟磁性体から成る第一軟磁性層１２を形成する。第一軟磁性層１２の溝部３９ａの内壁面上における層厚は、５０〜１１０ｎｍ程度、好適には約８０ｎｍに設定される。第一軟磁性層１２は、後にサイドシールド１２ａとなるものである。第一軟磁性層１２の材料としては、例えばニッケル−鉄合金が採用できる。
【００３４】
続いて、図１（ｄ）に示すように、第一軟磁性層１２の表面（溝部３９ａ外の上面、および溝部３９ａ内）に、例えばスパッタリング法または蒸着法により、非磁性体の薄膜から成る第二非磁性層１４を形成する。第二非磁性層１４の溝部３９ａ内における層厚は、例えば２０〜８０ｎｍ程度、好適には約５０ｎｍに設定される。第二非磁性層１４の材料としては、例えばタンタルが採用できる。
【００３５】
続いて、図１（ｅ）に示すように、第二非磁性層１４の表面（溝部３９ａ外の上面、および溝部３９ａ内）に、例えば第一軟磁性層１２および第二非磁性層１４を給電層とした電解めっきを施すことで、第二軟磁性層１６を形成する。第二軟磁性層１６は、後に主磁極８０の前端部８０ａとなるものである。第二軟磁性層１６の材料としては、例えば鉄−コバルト合金が採用できる。ここで、第一軟磁性層１２と第二軟磁性層１６は静磁気結合していない。
【００３６】
続いて、第二軟磁性層１６、第二非磁性層１４、および第一軟磁性層１２を、上面から第一非磁性層３９に至るまで平坦化することで、図１（ｆ）に示すように、溝部３９ａ内にのみ、サイドシールド１２ａ、第二非磁性層１４、および主磁極前端部８０ａを設ける。
なお、サイドシールド１２ａは、前記平坦化によって溝部３９ａ内に残った第一軟磁性層１２の一部であり、主磁極前端部８０ａは、前記平坦化によって溝部３９ａ内に残った第二軟磁性層１６の一部である。この平坦化により、主磁極前端部８０ａの上面の幅（コア幅）が、１００ｎｍとなるよう設定される。
この平坦化の手法には、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）法が採用できる。
【００３７】
なお、第二非磁性層１４の溝部３９ａ内における層厚は、２０ｎｍ以上、かつ、主磁極前端部８０ａの上面のコア幅の半分（本実施の形態ではコア幅１００ｎｍの半分で５０ｎｍ）よりも厚く形成することが望ましい。これにより、後述する主磁極前端部８０ａとサイドシールド１２ａとの間隔が十分に保たれ、主磁極前端部とサイドシールドとの静磁的な結合を起こすことなく、サイドシールドの機能性を十分に確保できる。
【００３８】
続いて、図１（ｇ）に示すように、主磁極前端部８０ａの後方に、主磁極前端部８０ａの後端部の上面に接続し、そこから後方に向かって幅広となる主磁極ヨーク部８０ｂを形成する。主磁極ヨーク部８０ｂは、例えばフォトリソグラフィ法を用いためっき盛り上げ等で構成することができる。主磁極ヨーク部８０ｂは、図１（ｇ）の右図に示すように、サイドシールド１２ａとは接続しないよう、すなわちサイドシールド１２ａとは磁気的に絶縁される位置に配設される。
【００３９】
その後、図３に示したように、主磁極８０（主磁極前端部８０ａおよび主磁極ヨーク部８０ｂ）上をアルミナ等の非磁性層で覆い、さらにその非磁性層上に、第二コイル３６ｂ、トレーリングシールド９４、およびリターンヨーク９６を形成する。これらの工程については、背景技術で説明したとおりである。なお、図３においては、サイドシールド１２ａは記載していない。
【００４０】
上記実施の形態においては、第一軟磁性層１２および第二非磁性層１４を、スパッタリング法または蒸着法で形成するものとしたが、これらを電解めっき法で形成する構成としてもよい。
この場合には、図１（ｂ）の溝部３９ａを形成してハードマスク１０を除去した後、第一軟磁性層１２の表面（溝部３９ａ外の上面、および溝部３９ａ内）に、例えばスパッタリング法により、めっき給電層として例えばチタン層を形成する（図示せず）。続いて、そのめっき給電層（チタン層）に給電した電解めっき法で、第一軟磁性層１２（例えばニッケル−鉄合金層）を形成する。さらに、そのめっき給電層（チタン層）に給電した電解めっき法で、第二非磁性層１４（例えば銅層）を形成する。さらに、同様に給電を行って第二軟磁性層１６（鉄−コバルト合金）の電解めっきまで行うことができる。
【００４１】
図２に、本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッド、およびその製造方法の他のバリエーションを示す。
このバリエーションにおいては、図２（ａ）に示すように、ハードマスク１０の溝部１０ａを、その後端部１０ｂにおいて、溝部１０ａの幅方向の中央部が両縁部よりも後方に延びるよう形成する。言い換えれば、溝部１０ａの後端部１０ｂにおいて、その開口縁部の平面形状が、後端側に向かって先鋭状となるよう形成する。
これにより、ハードマスク１０の溝部１０ａに対応して形成される第一非磁性層３９の溝部３９ａは、その後端部３９ｂにおいて、溝部３９ａの幅方向の中央部が両縁部よりも後方に延びるよう形成される。言い換えれば、溝部３９ａの後端部３９ｂにおいて、その開口縁部の平面形状が、後端側に向かって先鋭状となるよう形成される。
図２（ｃ）〜（ｇ）の工程については、図１（ｃ）〜（ｇ）の工程と同じ処理を採用できるため、説明を省略する。
【００４２】
このバリエーションのように溝部３９ａを形成することにより、図２（ｆ）の右図に示すように、サイドシールド１２ａの後端部を、主磁極前端部８０ａの後端部よりも前寄り（浮上面寄り）に設けることができる。これにより、図２（ｇ）の右図に示すように、主磁極ヨーク部８０ｂを設ける際、主磁極前端部８０ａと主磁極ヨーク部８０ｂとを確実に接続しながらも、ヨーク部８０ｂとサイドシールド１２ａとの距離を大きく保って両者間を磁気的に確実に絶縁することができる。また、これによれば、図１（ｇ）と図２（ｇ）の各右図の比較から分かるように、ヨーク部８０ｂとサイドシールド１２ａとの絶縁を保ちながら、ヨーク部８０ｂの後端側に向かう広がり角度を、より大きく取ることができる。
【００４３】
本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法、およびそれにより製造された垂直磁気記録ヘッドによれば、溝部３９ａ内に第一軟磁性層１２を形成するという簡単な構成で、主磁極前端部の周辺にサイドシールド１２ａを設けることができる。
【００４４】
なお、特許文献１の第８図（Ｄ）には、溝部内に磁性層と非磁性層とが積層されて形成された主磁極の先端部が記載されているが、これは、非磁性層に区切られた磁性層のいずれもが、主磁極の後方部（ヨーク部）に接続されて一体的に磁極を形成しているものであり、また磁性層間の非磁性層の膜厚も非常に薄く、各磁性層が静磁的結合を起こす構成となっている。これは、主磁極とサイドシールドとが磁気的に完全に絶縁されるとともに、両者が静磁的結合を起こさない程度に十分に離間した構成を有する本願発明とは、構成においても技術的思想においても全く異なるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法、および垂直磁気記録ヘッドの説明図である。
【図２】本実施の形態に係る垂直磁気記録ヘッドの製造方法、および垂直磁気記録ヘッドの説明図である。
【図３】垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの断面説明図である。
【図４】垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの磁極の、積層方向上方から見た平面形状を示す説明図である。
【図５】従来の主磁極前端部の形成方法を示す説明図である。
【図６】従来の主磁極前端部の形成方法を示す説明図である。
【図７】従来のサイドシールドの形成方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  ハードマスク
１２  第一軟磁性層
１２ａ  サイドシールド
１４  第二非磁性層
１６  第二軟磁性層
３９  第一非磁性層
３９ａ  溝部
３９ｂ  溝部の後端部
４８  浮上面
８０  主磁極
８０ａ  主磁極前端部
８０ｂ  主磁極ヨーク部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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