(57)【要約】【課題】導波損失を抑え、光導波路からの光を効率的にトランジスタ部のチャネルボディに導くことができるようにする。【解決手段】半導体基板１１上に絶縁膜１２を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備える。トランジスタ部のチャネルボディ１６を、リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、光導波路に対して連続的に形成する。また、チャネルボディ１６の両側面に光導波路に対して連続的に形成された側壁部１５Ｃを形成する。半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディに隣接する領域にドレイン領域１５Ａとソース領域１５Ｂとを形成する。【選択図】図１
2009099605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、
前記リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、
前記光導波路の経路上において前記リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部と
を備え、
前記トランジスタ部は、
前記リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、前記光導波路の経路方向に形成されたチャネルボディと、
前記リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、形状的に前記光導波路の側面に連続するように、前記チャネルボディの両側面に形成された側壁部と、
前記半導体層における前記リッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、前記チャネルボディに隣接する一方の領域に形成されたドレイン領域と、
前記半導体層における前記リッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、前記チャネルボディに隣接する他方の領域に形成されたソース領域と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記チャネルボディは、幅方向の断面形状が前記光導波路の断面形状よりも小さい形状とされ、
前記チャネルボディとその両側面に形成された側壁部とを合わせた全体での幅方向の断面形状が、前記光導波路の幅方向の断面形状と同一形状とされている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＯＩ(Silicon On Insulator)基板を用いた半導体装置に関し、特に、リッジ導波路構造を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＳＯＩ基板を用いた半導体装置が種々開発されている。図８は、ＳＯＩ基板の基本構造を示している。このＳＯＩ基板１８０は、半導体基板（シリコン基板）１８１上に、絶縁膜１８２を介して半導体層（シリコン単結晶層）１８３が形成された構造となっている。絶縁膜１８２は、例えばシリコン酸化膜による埋め込み酸化膜層（ＢＯＸ層（Buried Oxide layer））である。このＳＯＩ基板１８０は、周知のＳＩＭＯＸ(Separation by IMplanted OXygen)法や貼り合わせ法などで製造される。
【０００３】
図９は、図８に示したＳＯＩ基板１８０を用いて構成されたＭＯＳ（Metal-Oxide Semiconductor)トランジスタの基本構造を示している。このＭＯＳトランジスタは、ＳＯＩ基板１８０における半導体層１８３に、ソース領域１８８とドレイン領域１８９とチャネルボディ１９０とが形成されている。ソース領域１８８およびドレイン領域１８９はシリコンによるｎ＋型半導体層、チャネルボディ１９０はシリコンによるｐ−型半導体層とされている。また、チャネルボディ１９０の表面には、酸化膜によるゲート絶縁膜１８６を介して、ポリシリコンによるゲート電極１８７が形成されている。なお、図９において、ＶＧはゲート電圧、ＶＤはドレイン電圧、ＶＳはソース電圧を示す。
【０００４】
図１０は、図８に示したＳＯＩ基板１８０を用いて構成されたリッジ型の光導波路の構成例を示している。これは、ＳＯＩ基板１８０における半導体層１８３をエッチング等により加工して部分的に肉厚とされたリッジ構造としたものである。このリッジ構造部分が光導波路１８４となっている。ここで、シリコン材料は屈折率が３．５近くあるため、例えばシリコン材料をコアとし、シリコン酸化膜をクラッドとすることで、コアとクラッドとの間で高い屈折率差が得られ、光が屈折率の高いコアの部分に導波される。従って、リッジ構造部分を構成する半導体層１８３をシリコン材料で構成してコアとし、その下層の絶縁膜１８２をシリコン材料よりも低い屈折率のシリコン酸化膜で構成してクラッドとすることで、コアであるリッジ構造部分の光導波路１８４に光が導波される。なお、図１０において、光導波路１８４は紙面に垂直な方向に延在することで、例えば直線状に光の経路が形成されている。なお、シリコン材料は、１１００ｎｍ以上の波長に対して透明性を有していることから、例えば幹線系の光通信に用いられている１３００ｎｍ帯あるいは１５５０ｎｍ帯の光を光導波路に導波させることができるので、これらの波長を用いた光通信部品として期待されている。シリコン材料を光通信部品として用いるための研究として、波長フィルタ部品、光受光素子、および光アンプ部品などさまざまな研究がなされている。
【０００５】
ここで、特許文献１には、図１０に示したようなリッジ型の光導波路を用いてＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）としてのＭＯＳトランジスタを構成した半導体装置の発明が開示されている。ＭＩＳＦＥＴでは、光導波路を光が導波する際に生じるＴＰＡ(Two Photon Absorption：２光子吸収）現象により発生するキャリアが検知される。ＭＩＳＦＥＴは、通常のＣＭＯＳプロセスをそのまま適用して作製できるため、光導波路で導波される光の検出を低コストで達成できる。
【０００６】
図１１は、リッジ型の光導波路に受光素子１８５としてのＭＯＳトランジスタを形成した半導体装置の一構成例を示している。また、図１２は他の構成例を示している。図１１および図１２において、図８ないし図１０に示した構造に対応する部分には、同一の符号を付している。図１１に示した構成例は、図１０に示した光導波路１８４の長手方向（光の経路方向）に、受光素子１８５を形成したものである。一方、図１２に示した他の構成例は、図１０に示した光導波路１８４の長手方向に直交する方向（幅方向）に、受光素子１８５を形成したものである。図１１および図１２のいずれの構成例においても、光導波路１８４が形成されたリッジ構造部分に、受光素子１８５としてのＭＯＳトランジスタにおけるソース領域１８８と、ドレイン領域１８９と、チャネルボディ１９０とが形成されている。図１１および図１２に示した受光素子１８５は、光導波路１８４を導波してきた光を検出するものである。より詳しくは、ＴＰＡ現象により発生するキャリアをチャネルボディ１９０に蓄積し、その蓄積量を検出することにより、光の有無を検出するものである。
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１４９７９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図９、図１１および図１２に示したトランジスタ構造では、チャネルボディ１９０と、ソース領域１８８およびドレイン領域１８９とが、同一の厚さを持つ同一の半導体層内（同一面内に）に並列的に形成されている。特に、図１１および図１２に示したトランジスタ構造の場合、光を蓄積するチャネルボディ１９０のみならず、ソース領域１８８およびドレイン領域１８９も、光導波路１８４が形成されたリッジ構造部分に形成されている。このため、導波された光がトランジスタ部分においてチャネルボディ１９０に必ずしも効率的に導波されず、基板の面内方向に散逸しやすい構造となっている。また、ｎ型半導体層（ソース領域１８８およびドレイン領域１８９）において、光が吸収される割合が大きい構造となっている。このため、導波損失が大きく、光の利用効率の点ではまだ改善の余地がある構造といえる。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、導波損失を抑え、光導波路からの光を効率的にトランジスタ部のチャネルボディに導くことができるようにした半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して形成され、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分を有する半導体層と、リッジ構造部分の長手方向の一部の領域によって構成され、その長手方向が光の経路とされた光導波路と、光導波路の経路上においてリッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて構成されたトランジスタ部とを備えたものである。そして、トランジスタ部が、リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、光導波路の経路方向に形成されたチャネルボディと、リッジ構造部分の長手方向の他の一部の領域を用いて、形状的に光導波路の側面に連続するように、チャネルボディの両側面に形成された側壁部と、半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディに隣接する一方の領域に形成されたドレイン領域と、半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディに隣接する他方の領域に形成されたソース領域とを有するものである。
【００１１】
本発明の半導体装置では、トランジスタ部のチャネルボディが半導体層における肉厚のリッジ構造部分に形成されると共に、ソース領域およびドレイン領域が半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚部分に形成され、かつ、形状的に光導波路の側面に連続するようにチャネルボディの両側面に側壁部が形成されている。これにより、チャネルボディとソース領域およびドレイン領域とが同一面内に並列的に形成されている構造に比べて、導波された光が基板の面内方向に散逸することが抑制される。また、導波された光がソース領域およびドレイン領域で吸収される量が抑えられる。これにより、導波損失が抑えられ、光導波路からの光が効率的にトランジスタ部のチャネルボディに導かれる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、トランジスタ部のチャネルボディを半導体層における肉厚のリッジ構造部分に形成すると共に、ソース領域およびドレイン領域を半導体層におけるリッジ構造部分よりも薄い膜厚部分に形成し、かつ、形状的に光導波路の側面に連続するようにチャネルボディの両側面に側壁部を形成するようにしたので、導波された光が基板の面内方向に散逸することを抑制できると共に、光がソース領域およびドレイン領域で吸収される量を抑えることができる。これにより、導波損失を抑え、光導波路からの光を効率的にトランジスタ部のチャネルボディに導くことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置におけるトランジスタ部分の基本構造を示している。図２は、この半導体装置における光導波路部分の構成を示している。図３は、この半導体装置の全体構成を上部層の一部を省いて示したものである。図４は、この半導体装置におけるトランジスタ部分に端子電極を設けた場合の構成例を示している。なお、図３におけるＡＡ線の断面が図１および図４に対応し、ＢＢ線の断面が図２に対応している。
【００１４】
この半導体装置は、ＳＯＩ基板（図８参照）を加工して製造されるものであり、半導体基板（シリコン基板）１１と、半導体基板１１上に絶縁膜１２を介して形成された半導体層（シリコン単結晶層）１３とを備えている。絶縁膜１２は、例えばシリコン酸化膜による埋め込み酸化膜層（ＢＯＸ層）である。半導体層１３は、部分的に肉厚とされたリッジ構造部分１０を有している。図３に示したようにリッジ構造部分１０の長手方向の一部の領域によって図２に示した断面構造の光導波路１４が構成され、その長手方向が光の経路とされている。また、光導波路１４の経路上において、リッジ構造部分１０の長手方向の他の一部の領域を用いて、図１に示した断面構造のトランジスタ部（ＭＯＳトランジスタ）が構成されている。トランジスタ部は、局部酸化技術（ＬＯＣＯＳ：Local. Oxidation of Silicon）による素子分離層２６によって素子分離されている。
【００１５】
この半導体装置において、リッジ構造部分１０のうち光導波路１４の構造は従来と同様である。この半導体装置は、トランジスタ部の構造が従来とは異なる特徴的な部分となっている。
【００１６】
トランジスタ部は、図１に示したように、ドレイン領域１５Ａと、ソース領域１５Ｂと、これらドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂの間に配置されたチャネルボディ１６とを有している。ドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂはシリコンによるｎ＋型半導体層、チャネルボディ１６はシリコンによるｐ−型半導体層とされている。チャネルボディ１６の表面には、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）２１を介して、ゲート電極（ポリシリコン電極）２２が形成されている。なお、図１において、ＶＧはゲート電圧、ＶＤはドレイン電圧、ＶＳはソース電圧を示す。
【００１７】
チャネルボディ１６は、図３に示したように、リッジ構造部分１０の長手方向の他の（光導波路１４とは異なる）一部の領域を用いて、光導波路１４の経路方向に形成されている。なお、図３の構成例では、チャネルボディ１６がリッジ構造部分１０以外の領域にも形成されているが、これは、外部との導通を図るためのコンタクトホール２４Ｃを形成するためである。ＭＯＳトランジスタを構成する基本構造としては、少なくともリッジ構造部分１０にのみチャネルボディ１６が設けられていれば良い。チャネルボディ１６の両側面には側壁部１５Ｃが形成されている。側壁部１５Ｃは、リッジ構造部分１０の長手方向の他の一部の領域を用いて、形状的に光導波路１４の側面に連続するように形成されている。より詳しくは、チャネルボディ１６とその両側面に形成された側壁部１５とを合わせた全体での幅方向の断面形状（図１参照）が、光導波路１４の幅方向の断面形状（図２参照）と同一形状とされている。側壁部１５Ｃは、ドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂと同様のシリコンによるｎ＋型半導体層で形成されている。
【００１８】
ドレイン領域１５Ａは、半導体層１３におけるリッジ構造部分１０よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディ１６に隣接する一方の領域（図１の例ではチャネルボディ１６に対して右側の領域）に形成されている。ソース領域１５Ｂは、半導体層１３におけるリッジ構造部分１０よりも薄い膜厚とされた領域であって、チャネルボディ１６に隣接する他方の領域（図１の例ではチャネルボディ１６に対して左側の領域）に形成されている。なお、ドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂは、光導波路１４から導波されてきた光が基板の面内方向に散逸することを抑制するために、チャネルボディ１６の厚さに対して十分に薄くすることが好ましいが、あまり薄くしてしまうと、トランジスタとしてのオン抵抗を上昇させてしまい、検出感度を低下させてしまう。従って、所望とする検出感度が得られる範囲内で膜厚を薄くすることが好ましい。
【００１９】
なお、この半導体装置において、上面の領域（光導波路１４およびトランジスタ部も含む全体）には全体的に、図４に示したように酸化膜によるパッシベーション膜２３が設けられていても良い。そして、パッシベーション膜２３におけるドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂに対応する位置にコンタクトホール２４Ａ，２４Ｂが形成され、コンタクトホール２４Ａ，２４Ｂを介して、端子電極としてドレイン電極２５Ａおよびソース電極２５Ｂが形成されていても良い。
【００２０】
図５は、本実施の形態に係る半導体装置が適用されるデバイスの一例として、ＳＯＣ（System On Chip）デバイス１００を示している。このＳＯＣデバイス１００は、２個のＣＰＵ（Central Processing Unit）１０１Ａ，１０１Ｂと、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）１０２と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１０３と、ロジックＩＣ１０４と、アナログＩＣ１０５と、シリアルＩ／Ｆ（インタフェース）ユニット１０６と、パラレルＩ／Ｆユニット１０７と、光ポート１０８とを備えたシステムＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）である。このＳＯＣデバイス１００の光ポート１０８には外部との通信のために光ファイバ１１０が接続されている。
【００２１】
このＳＯＣデバイス１００は、ＳＯＩ基板を用いて形成されている。このＳＯＣデバイス１００では、例えばＣＰＵ１０１ＡとＣＰＵ１０１Ｂとの間で光通信が行われる。例えば、この光通信を行うためのデバイスとして、本実施の形態に係る半導体装置を用いることができる。
【００２２】
この半導体装置では、リッジ構造部分１０のうち光導波路１４（図２）の部分をシリコンで構成してコアとし、その下層の絶縁膜１２をシリコンよりも低い屈折率のシリコン酸化膜で構成してクラッドとすることで、コアである光導波路１４に光が導波される。光導波路１４の経路方向に配置されたトランジスタ部（図１）は受光素子として機能し、その光導波路１４を導波してきた光を検出する。より詳しくは、トランジスタ部では、ＴＰＡ現象により発生するキャリアをチャネルボディ１６に蓄積し、その蓄積量を検出することにより、光の有無を検出する。
【００２３】
ここで、本実施の形態に係る半導体装置では、トランジスタ部のチャネルボディ１６が半導体層１３における肉厚のリッジ構造部分１０に形成されると共に、ドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂがリッジ構造部分１０よりも薄い膜厚部分に形成され、かつ、形状的に光導波路１４の側面に連続するようにチャネルボディの両側面に側壁部１５Ｃが形成されている。これにより、チャネルボディ１６とドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂとが同一面内に並列的に形成されている構造（図９、図１１および図１２参照）に比べて、導波された光が基板の面内方向に散逸することが抑制される。また、導波された光がドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂで吸収される量が抑えられる。これにより、導波損失が抑えられ、光導波路１４からの光が効率的にトランジスタ部のチャネルボディ１６に導かれる。
【００２４】
次に、図６（Ａ）〜（Ｄ）および図７（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、この半導体装置の製造方法を説明する。なお、以下では図４に示したトランジスタ構造を有する半導体装置の製造方法を説明する。
【００２５】
まず、図６（Ａ）に示したように、低ドープのＳＯＩ基板に対して、半導体層１３をエッチング等により加工することにより、光導波路１４およびトランジスタ部（チャネルボディ１６および側壁部１５Ｃに対応する部分）となるリッジ構造部分１０を形成する。このリッジ構造部分１０の形成後に、ＬＯＣＯＳによる素子分離層２６（図３参照）を形成する。リッジ構造部分１０の形状は例えば、図６（Ａ）に示したように、全体厚（絶縁膜１２からの高さ）が０．７μｍ、幅が１．５μｍ、肉厚部の高さ（段差）が０．３μｍとなるように形成する。
【００２６】
次に、図６（Ｂ）に示したように、半導体層１３におけるトランジスタ部（チャネルボディ１６および側壁部１５Ｃ、ならびにドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂ）となる領域全体にｐ型不純物をドープする。これは、例えばトランジスタ部となる領域以外の部分にｐ型不純物がドープされないよう、レジストによるパターニングを行った後、不純物のイオンを注入し、アニール処理を行うことで形成する。
【００２７】
次に、図６（Ｃ）に示したように、チャネルボディ１６に対応するリッジ構造部分１０の表面に、酸化膜よりなるゲート絶縁膜２１とポリシリコンよりなるゲート電極２２とを連続的に形成する。これは例えば、レジストを用いたパターニングとエッチング加工により形成する。ゲート電極２２の形状は例えば、図６（Ｃ）に示したように、リッジ構造部分１０の幅１．５μｍに対して、その幅よりも小さい幅、例えば１．０μｍとなるように形成する。
【００２８】
次に、図６（Ｄ）に示したように、ゲート電極２２を保護するために酸化膜よりなるゲート保護膜３１を形成する。そして、図７（Ａ）に示したように、トランジスタ部における側壁部１５Ｃ、ならびにドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂとなる領域に、ｎ型不純物をドープする。これは、例えば対象となる領域以外の部分にｎ型不純物がドープされないよう、レジストによるパターニングを行った後、不純物のイオンを注入し、アニール処理を行うことで形成する。
【００２９】
次に、図７（Ｂ）に示したように、この半導体装置における上面の領域（光導波路１４およびトランジスタ部も含む全体）に全体的に、シリコン酸化膜によるパッシベーション膜２３を形成する。パッシベーション膜２３の膜厚は例えば、図７（Ｂ）に示したように０．５μｍ程度に形成する。
【００３０】
次に、図７（Ｃ）に示したように、パッシベーション膜２３におけるドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂに対応する位置にコンタクトホール２４Ａ，２４Ｂを形成する。最後に、図７（Ｄ）に示したように、コンタクトホール２４Ａ，２４Ｂを介して端子電極としてドレイン電極２５Ａおよびソース電極２５Ｂを形成する。なお、図７（Ｃ），図７（Ｄ）には図示していないがゲート部分のコンタクトホール２４Ｃ（図３参照）も形成し、その部分にもゲート端子電極を形成する。
【００３１】
なお、各部の不純物のドープ量は、例えば以下のようにすると良い。
トランジスタ部のチャネルボディ１６のドープ量  ｐ−  １．０×１０17／ｃｍ3
トランジスタ部のソース領域１５Ｂのドープ量  ｎ＋＋  １．０×１０19／ｃｍ3
トランジスタ部以外の領域（光導波路１４の形成領域）ｐ−  １．０×１０15／ｃｍ3
トランジスタ部のドレイン領域１５Ａのドープ量  ｎ＋＋  １．０×１０19／ｃｍ3
【００３２】
以上説明したように、本実施の形態に係る半導体装置によれば、トランジスタ部のチャネルボディ１６を半導体層１３における肉厚のリッジ構造部分１０に形成すると共に、ドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂをリッジ構造部分１０よりも薄い膜厚部分に形成し、かつ、形状的に光導波路１４の側面に連続するようにチャネルボディ１６の両側面に側壁部１５Ｃを形成するようにしたので、導波された光が基板の面内方向に散逸することを抑制できると共に、光がドレイン領域１５Ａおよびソース領域１５Ｂで吸収される量を抑えることができる。これにより、導波損失を抑え、光導波路１４からの光を効率的にトランジスタ部のチャネルボディ１６に導くことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置におけるトランジスタ部分の基本構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る半導体装置における光導波路部分の構成を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の全体構成を示す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る半導体装置における端子電極を含むトランジスタ部分の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る半導体装置が適用されるデバイスの一例を示すブロック図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す説明図である。
【図７】図６に続く製造工程を示す説明図である。
【図８】ＳＯＩ基板の基本構造を示す断面図である。
【図９】ＳＯＩ基板を用いたＭＯＳトランジスタの基本構造を示す断面図である。
【図１０】ＳＯＩ基板を用いたリッジ型の光導波路の構成例を示す断面図である。
【図１１】リッジ型の光導波路にＭＯＳトランジスタを形成した半導体装置の一構成例を示す断面図である。
【図１２】リッジ型の光導波路にＭＯＳトランジスタを形成した半導体装置の他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１１…半導体基板（シリコン基板）、１２…絶縁膜（シリコン酸化膜）、１３…半導体層（シリコン単結晶層）、１４…光導波路、１５Ａ…ドレイン領域（ｎ＋型半導体層）、１５Ｂ…ソース領域（ｎ＋型半導体層）、１５Ｃ…側壁部、１６…チャネルボディ（ｐ−型半導体層）、２１…ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）、２２…ゲート電極（ポリシリコン電極）、２３…パッシベーション膜（酸化膜）、２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ…コンタクトホール，２５Ａ…ドレイン電極、２５Ｂ…ソース電極、２６…素子分離層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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