(57)【要約】【課題】パターン設計に裕度があり、１枚の基体からの取得デバイス数を低下させないでバンプを形成する中空封止素子の製造方法を提供する。【解決手段】櫛歯電極等を形成した基体上にバンプ形成部が開口するように第1レジストを成膜し、基体全面に給電層を形成し、バンプ形成部が開口するように第２レジストを成膜し、給電層を通して基体の周縁より給電する電気めっき法で第２レジストの開口にバンプを形成し、第２レジストを除去し、バンプをマスクとしてバンプ部以外の給電層を除去し、第1レジストを除去する。【選択図】図４
2009141206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子としての機械的可動部を有する機能部と、その機能部を囲むように素子周縁部に形成された封止部を有する第1の基体と、
少なくとも素子周縁部に封止部を有する第２の基体を、
前記機能部ならびに封止部が内側になるように第1ならびに第２の基体を重ね合わせて、前記封止部どうしを接合して、第1の基体と第２の基体の間に中空部を形成する中空封止素子の製造方法において、
前記第1の基体上に前記機能部を形成する工程と、
その機能部を形成した第1の基体上に第１レジスト層を形成して、バンプ形成部に当たる第１レジスト層の部分を除去開口する工程と、
前記第1の基体上に給電層を形成する工程と、
前記給電層の上に第２レジスト層を形成して、前記給電層上のバンプ形成部に当たる第２レジスト層の部分を除去開口して給電層の一部を露呈する工程と、
前記給電層を通して前記基体の周縁部より給電する電気めっき工法により前記第２レジスト層の開口部にバンプを形成する工程と、
前記第２レジスト層を溶媒により溶解除去する工程と、
前記バンプをマスクとしてバンプ以外の給電層をエッチング除去する工程と、
前記第１レジスト層を溶媒により溶解除去して前記機能部を機械的に可動なように露呈する工程と
を含むことを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項２】
素子としての機械的可動部を有する機能部と、その機能部を囲むように素子周縁部に形成された封止部を有する第1の基体と、
少なくとも素子周縁部に封止部を有する第２の基体を、
前記機能部ならびに封止部が内側になるように第1ならびに第２の基体を重ね合わせて、前記封止部どうしを接合して、第1の基体と第２の基体の間に中空部を形成する中空封止素子の製造方法において、
前記第1の基体上に前記機能部を形成する工程と、
その機能部を形成した第1の基体上に第１レジスト層を形成して、バンプ形成部に当たる第１レジスト層の部分を除去開口する工程と、
前記第1の基体上に給電層を形成する工程と、
前記給電層の上に第２レジスト層を形成して、前記給電層上のバンプ形成部周縁の給電ブリッジ形成領域を残して、バンプ形成部周縁の他の部分に当たる第２レジスト層の部分を所定の幅をもって除去開口して給電層の一部を露呈する工程と、
前記第２レジスト層の開口部の給電層をエッチング除去して、給電層上のバンプ形成部周縁に給電ブリッジを形成する工程と、
前記第２レジスト層を溶媒により溶解除去する工程と、
前記給電層の上に第３レジスト層を形成して、前記給電層上のバンプ形成部に当たる第３レジスト層の部分を除去開口して給電層の一部を露呈する工程と、
前記給電層および給電ブリッジを通して前記基体の周縁部より給電する電気めっき工法により前記第３レジスト層の開口部にバンプを形成する工程と、
前記第３レジスト層を溶媒により溶解除去する工程と、
前記バンプをマスクとしてバンプ以外の給電層および給電ブリッジをエッチング除去する工程と、
前記第１レジスト層を溶媒により溶解除去して前記機能部を機械的に可動なように露呈する工程と
を含むことを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の中空封止素子の製造方法において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプまたは第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の中空封止素子の製造方法において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプならびに第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであって、前記接続用バンプと封止用バンプが同時に形成されることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の中空封止素子の製造方法において、前記給電層は低抵抗金属で構成され、その給電層の上に電気めっきにより形成されるバンプは前記給電層を半田から保護するバリア金属で構成されることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項記載の中空封止素子の製造方法において、前記第２レジスト層または第３レジスト層の開口部にバンプを形成した後、そのレジスト層の開口部内のバンプ上に半田に対する濡れ性を確保するための接続層を連続で電気めっきすることを特徴とする中空封止素子の製造方法。
【請求項７】
素子としての機械的可動部を有する機能部と、その機能部を囲むように素子周縁部に形成された封止部を有する第1の基体と、
少なくとも素子周縁部に封止部を有する第２の基体を、
前記機能部ならびに封止部が内側になるように第1ならびに第２の基体を重ね合わせて、前記封止部どうしを接合して、第1の基体と第２の基体の間に中空部を形成する中空封止素子において、
前記第1の基体と第２の基体を接続するバンプが、電気めっき用の給電層と、その給電層の上に形成されたバリア層を有し、
前記給電層はバンプの外側寸法より小さく形成されて、給電層の周縁にバンプの周縁に届く突出部を有し、前記バリア層は給電層を半田から保護するバリア金属で構成されて、前記突出部を除く給電層の周縁をバリア層で覆っていることを特徴とする中空封止素子。
【請求項８】
請求項７記載の中空封止素子において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプまたは第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであることを特徴とする中空封止素子。
【請求項９】
請求項７記載の中空封止素子において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプならびに第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであることを特徴とする中空封止素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッシベーション膜を用いない弾性表面波デバイスあるいはバルク表面波デバイスなどの中空封止素子およびその製造方法に係り、特に基体上の所定の位置に形成するバンプに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波デバイスは圧電材料からなる基体上に櫛歯電極などの機械的可動部を有する機能部を備え、その機械的可動部を低損失で振動させる必要があるため、パッケージングの際にデバイス表面を封止樹脂で直接モールドすることができない。そのため前記機械的可動部を内側に配置した、中空封止構造が採用されている。
【０００３】
従来、パッシベーション膜を用いない弾性表面波デバイスのバンプ形成には図１５に示すような方法があり、特許文献１で開示されている。図１５は基体上に形成された一つの弾性表面波デバイスのバンプ部を含む断面図で、従来のバンプ形成プロセスを示している。
【０００４】
図１５（１）において、櫛歯電極４０およびパッド電極２０が形成された基体１０に第１レジスト層１１０をラミネートし、フォトリソグラフィ法にてバンプ形成部に逆テーパ状の開口部を形成した後、アンダーバンプメタル３６を蒸着する。次に図１５（２）において、第１レジスト層１１０を除去し、バンプ形成部以外の不要なアンダーバンプメタル３６をリフトオフする。
【０００５】
次に図１５（３）において、第２レジスト層１２０をラミネートし、フォトリソグラフィ法にてアンダーバンプメタル３６が形成されているバンプ形成部に開口部を形成する。次に図１５（４）において、パッド電極２０側を負極として第２レジスト層１２０の開口部にバンプ３０を電気めっきし、次に図１５（５）において、第２レジスト層１２０を除去してバンプ３０を完成する。
【０００６】
図１４はこのようにして製作された弾性表面波デバイスの平面図であり、図１５は図１４のＡ−Ａ’線上の断面に対応している。図１４から分かるように、バンプ３０のめっき時パッド電極２０を負極にするため、ダイシングライン３００の外側に予め給電電極６０を形成しておき、給電電極６０を介してパッド電極２０に負電圧を印加する。なお、給電電極６０の大部分はダイシングライン３００の外側にあり、個片の弾性表面波デバイスに分離するとき切り離される。
【特許文献１】特開平１０−１３５２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記した従来のバンプ形成方法では次のような課題がある。まず、給電電極６０はパッド電極２０や櫛歯電極４０と同一平面にあるため、例えば図１１に示すような配線パターン５０に囲まれたパッド電極２０に対しては図１４に示す給電電極６０に電気的に接続できず、電気めっき工法によるバンプが形成できない。すなわち、パターン設計の自由度が制限される。
【０００８】
また図１４から分かるように、給電電極６０が占める領域はダイシングにより捨てられるため、結果として１枚の基体（ウェハ）から取得できる弾性表面波デバイス数が減ることになり、製造コストが高く、製造効率が悪い。
【０００９】
本発明の第1の目的は、パターン設計の自由度を制限せず、１枚の基体（ウェハ）からの取得デバイス数を低下させないでバンプを形成することのできる中空封止素子の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の第２の目的は、半田接続に対して接続信頼性が確保できる中空封止素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記第1の目的を達成するため、本発明の第１の手段は、例えば櫛歯電極などの素子としての機械的可動部を有する機能部と、その機能部を囲むように素子周縁部に形成された封止部を有する第1の基体と、
少なくとも素子周縁部に封止部を有する第２の基体を、
前記機能部ならびに封止部が内側になるように第1ならびに第２の基体を重ね合わせて、前記封止部どうしを接合して、第1の基体と第２の基体の間に中空部を形成する中空封止素子の製造方法を対象とするものである。
【００１２】
そして前記第1の基体上に前記機能部を形成する工程と、
その機能部を形成した第1の基体上に第１レジスト層を形成して、バンプ形成部に当たる第１レジスト層の部分を除去開口する工程と、
前記第1の基体上に給電層を形成する工程と、
前記給電層の上に第２レジスト層を形成して、前記給電層上のバンプ形成部に当たる第２レジスト層の部分を除去開口して給電層の一部を露呈する工程と、
前記給電層を通して前記基体の周縁部より給電する電気めっき工法により前記第２レジスト層の開口部にバンプを形成する工程と、
前記第２レジスト層を溶媒により溶解除去する工程と、
前記バンプをマスクとしてバンプ以外の給電層をエッチング除去する工程と、
前記第１レジスト層を溶媒により溶解除去して前記機能部を機械的に可動なように露呈する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１３】
前記第1の目的を達成するため、本発明の第２の手段は、素子としての機械的可動部を有する機能部と、その機能部を囲むように素子周縁部に形成された封止部を有する第1の基体と、
少なくとも素子周縁部に封止部を有する第２の基体を、
前記機能部ならびに封止部が内側になるように第1ならびに第２の基体を重ね合わせて、前記封止部どうしを接合して、第1の基体と第２の基体の間に中空部を形成する中空封止素子の製造方法を対象とするものである。
【００１４】
そして前記第1の基体上に前記機能部を形成する工程と、
その機能部を形成した第1の基体上に第１レジスト層を形成して、バンプ形成部に当たる第１レジスト層の部分を除去開口する工程と、
前記第1の基体上に給電層を形成する工程と、
前記給電層の上に第２レジスト層を形成して、前記給電層上のバンプ形成部周縁の給電ブリッジ形成領域を残して、バンプ形成部周縁の他の部分に当たる第２レジスト層の部分を所定の幅をもって除去開口して給電層の一部を露呈する工程と、
前記第２レジスト層の開口部の給電層をエッチング除去して、給電層上のバンプ形成部周縁に給電ブリッジを形成する工程と、
前記第２レジスト層を溶媒により溶解除去する工程と、
前記給電層の上に第３レジスト層を形成して、前記給電層上のバンプ形成部に当たる第３レジスト層の部分を除去開口して給電層の一部を露呈する工程と、
前記給電層および給電ブリッジを通して前記基体の周縁部より給電する電気めっき工法により前記第３レジスト層の開口部にバンプを形成する工程と、
前記第３レジスト層を溶媒により溶解除去する工程と、
前記バンプをマスクとしてバンプ以外の給電層および給電ブリッジをエッチング除去する工程と、
前記第１レジスト層を溶媒により溶解除去して前記機能部を機械的に可動なように露呈する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第３の手段は前記第１または第２の手段において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプまたは第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の第４の手段は前記第１または第２の手段において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプならびに第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであって、前記接続用バンプと封止用バンプが同時に形成されることを特徴とするものである。
【００１７】
本発明の第５の手段は前記第２の手段において、前記給電層は低抵抗金属で構成され、その給電層の上に電気めっきにより形成されるバンプは前記給電層を半田から保護するバリア金属で構成されることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明の第６の手段は前記第１ないし第５の手段において、前記第２レジスト層または第３レジスト層の開口部にバンプを形成した後、そのレジスト層の開口部内のバンプ上に半田に対する濡れ性を確保するための接続層を連続で電気めっきすることを特徴とするものである。
【００１９】
前記第２の目的を達成するため本発明の第７の手段は、素子としての機械的可動部を有する機能部と、その機能部を囲むように素子周縁部に形成された封止部を有する第1の基体と、
少なくとも素子周縁部に封止部を有する第２の基体を、
前記機能部ならびに封止部が内側になるように第1ならびに第２の基体を重ね合わせて、前記封止部どうしを接合して、第1の基体と第２の基体の間に中空部を形成する中空封止素子を対象とするものである。
【００２０】
そして前記第1の基体と第２の基体を接続するバンプが、電気めっき用の給電層と、その給電層の上に形成されたバリア層を有し、
前記給電層はバンプの外側寸法より小さく形成されて、給電層の周縁にバンプの周縁に届く突出部を有し、前記バリア層は給電層を半田から保護するバリア金属で構成されて、前記突出部を除く給電層の周縁をバリア層で覆っていることを特徴とするものである。
【００２１】
本発明の第８の手段は前記第７の手段において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプまたは第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の第９の手段は前記第７の手段において、前記バンプが前記第1の基体と第２の基体を電気的に接続する接続用バンプならびに第1の基体と第２の基体の周縁部を封止する封止用バンプであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の第１ないし第６の手段は前述のような構成になっており、パターン設計の自由度を制限せず、１枚の基体（ウェハ）からの取得デバイス数を低下させないでバンプを形成することのできる中空封止素子の製造方法を提供することができる。
【００２４】
本発明の第７ないし第９の手段は前述のような構成になっており、半田接続に対して接続信頼性が確保できる中空封止素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図とともに説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１１は本実施例に係る弾性表面波デバイスの平面図、図１２は図１１Ａ−Ａ’線上での電気めっきバンプ形成プロセスを示す断面図である。これらの図において１０はＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電材料から成る面積の広い板状の基体、４０は櫛歯電極、３０ａは接続用バンプ、２０はパッド電極、５０は櫛歯電極４０相互および櫛歯電極４０とパッド電極２０とを電気的に接続する配線パターンである。
【００２７】
櫛歯電極４０、パッド電極２０、配線パターン５０は通常ＡｌまたはＡｌ合金でスパッタ成膜、フォトリソグラフィ法によりパターニング形成されている。
【００２８】
次に電気めっきバンプの形成プロセスについて図１２を用いて説明する。図１２（１）において、櫛歯電極４０、パッド電極２０、配線パターン５０が形成されている
基体１０に第１レジスト層１１０を塗布して、通常のフォトリソグラフィ法によりパッド電極２０の上方部にあたるバンプ形成部が開口するようにパターニングする。
【００２９】
次に図１２（２）において、第１レジスト層１１０の上にバンプ３０ａを電気めっきするための給電層３２をスパッタで成膜する。この給電層３２は、基体１０のほぼ全面にわたって形成される。次に図１２（３）において、給電層３２の上に第２レジスト層１２０を塗布またはラミネートし、通常のフォトリソグラフィ法によりバンプ形成部が開口するようにパターニングする。
【００３０】
次に図１２（４）において、基体１０全体をめっき槽に入れ（図示せず）、基体１０の周縁より前記給電層３２を通してバンプ３０ａを電気めっきにより形成する。図示していないが前記給電層３２は基体１０の周縁まで延びて露呈しており、前記めっき槽の（−）電極を前記給電層３２に接触させてバンプ３０ａの電気めっきがなされる。
【００３１】
次に図１２（５）において、第２レジスト層１２０を有機溶剤にて溶解除去し、さらにバンプ３０ａをマスクとして給電層３２をエッチング除去する。最後に、第１レジスト層１１０を有機溶剤にて溶解除去後、図１１に示すダイシングライン３００に沿ってダイシングすることにより、図１１に示す弾性表面波デバイスを個別に得ることができる。
【００３２】
前記したプロセスを採ることにより、従来できなかった配線パターン５０に囲まれたバンプ３０ａの電気めっきによる形成が可能となる。
【００３３】
図１３は弾性表面波デバイスの変形例を示す図で、図１３（１）は弾性表面波デバイスの平面図、図１３（２）は図１３（１）のＡ−Ａ’線上の断面図である。この変形例では素子の周縁に封止電極７０が形成され、その上に封止用バンプ３０ｂが前記実施例と同様のプロセスによって形成することができる。なお、この封止用バンプ３０ｂを前記接続用バンプ３０ａと同じプロセスで同時に形成すれば、生産効率の向上が図れる。
【００３４】
次に図1〜図３を用いて前記バンプ構成およびプロセスについて詳述する。図１（１）は前記プロセスで形成したバンプ３０ａの斜視図、図１（２）は図１（１）のＡ−Ａ’線上の断面図である。
【００３５】
ＡｌまたはＡｌ合金からなるパッド電極２０上にＴｉまたはＣｒからなる密着層３１を介してＣｕなどからなる給電層３２が形成され、その上部に電気めっきによりＮｉあるいはＷ−Ｎｉなど半田に溶融（合金化）しにくい金属でバリア層３３を形成し、最後に半田接続時に半田に対する濡れ性を確保するためＡｕなどの接続層３４を薄く連続電気めっきしてバンプ３０ａが形成されている。その形成プロセスを図２、３で詳述する。
【００３６】
図２（１）において、パッド電極２０、櫛歯電極４０、配線パターン５０が形成された面積の広い板状の基体１０を準備する（図面を簡略化するためパッド電極２０の部分のみ図示）。  
図２（２）において、前記基体１０に光溶解型の第１レジスト層１１０をスピンコート塗布し、パッド電極２０の上方にあたるバンプ形成部に第１マスク１１１を通してＵＶ露光２００する。
【００３７】
図２（３）において、第１レジスト層１１０を現像し、バンプ形成部のみ開口する。  
図２（４）において、図２（３）の状態の基体１０の全面に下地材料への密着性を確保するＴｉまたはＣｒなどをスパッタして、密着層３１を形成する。続いて、電気めっきの給電層３２となるＣｕなどの低抵抗金属を連続スパッタする。
【００３８】
図２（５）において、図２（４）の状態の基体１０上に光溶解型の第２レジスト層１２０をスピンコート塗布し、バンプ形成部に第２マスク１２１を通してＵＶ露光２００する。  
図２（６）において、第２レジスト層１２０を現像し、バンプ形成部のみ開口する。第２レジスト層１２０の開口径は第１レジスト層１１０の開口径よりやや小さくする。
【００３９】
図３（７）において、図２（６）の状態の基体１０全体をめっき槽に入れ（図示せず）、基体１０周縁より給電層３２を通してＮｉなど半田に溶融しにくい金属をバンプ部に電気めっきし、バリア層３３を形成する。続いて半田接続時に半田に対する濡れ性を確保するためＡｕなどの接続層３４を薄く連続で電気めっきする。  
図３（８）において、第２レジスト層１２０を有機溶剤にて溶解除去する。  
図３（９）において、接続層３４およびバリア層３３をマスクとしてバンプ部以外の給電層３２を選択エッチングで除去する。  
図３（１０）において、図３（９）と同様に密着層３１を選択エッチングで除去する。  
図３（１１）において、第１レジスト層１１０を有機溶剤にて溶解除去しバンプ３０ａが完成する。
【００４０】
以上、パッド電極２０上に形成する接続用バンプ３０ａについて説明したが、図１３に示した封止電極７０上に形成する封止用バンプ３０ｂについても同じプロセスで同時に形成することができる。
【実施例２】
【００４１】
前記実施例１のプロセスで形成したバンプ３０ａは図１に示すメタライズ構成となっている。このバンプ３０ａを用いて半田接続する場合、接続温度が高めまたは使用フラックスが強めなど、半田接続条件によっては溶融半田がＣｕなどの給電層３２の端面から給電層３２を侵食し、接続強度を低下させる可能性がある。そこで、本実施例では更に給電層３２の大部分をバリア層３３で覆い、溶融半田による給電層３２の侵食を防ぐバンプ３０ａについて説明する。
【００４２】
図４（１）は給電層３２の大部分をバリア層３３で覆ったバンプ３０ａの斜視図、図４（２）は図４（１）のＡ−Ａ’線上の断面図、図４（３）は図４（２）のＢ−Ｂ’線上の断面図である。
【００４３】
ＡｌまたはＡｌ合金からなるパッド電極２０上に、ＴｉまたはＣｒからなる密着層３１を介してＣｕなどからなる給電層３２が形成されている。ところで、給電層３２の周縁はバンプ３０ａよりやや内側に位置しており、その給電層３２の上部および周縁部の大部分は電気めっきによりＮｉなど半田に溶融しにくい金属で覆われてバリア層３３が形成されている。バンプ最上部は半田接続時に半田に対する濡れ性を確保するためＡｕなどの接続層３４を薄く連続電気めっきされてバンプ３０ａが形成されている。図４（１）に示すように、給電層３２の周囲にはバリア層３３を電気めっきするための電気導通をとる給電ブリッジ３５が適当数形成されている。本実施例では、バンプ３０ａの周囲に給電ブリッジ３５が等間隔に３箇所形成されている。
【００４４】
以下、その形成プロセスを図５〜図９を用いて説明する。  
図５（１）において、パッド電極２０、櫛歯電極４０、配線パターン５０が形成された基体１０を準備する（パッド電極２０のみ図示）。  
図５（２）において、前記基体１０に光溶解型の第１レジスト層１１０をスピンコート塗布し、バンプ形成部に第１マスク１１１を通してＵＶ露光２００する。
【００４５】
図５（３）において、第１レジスト層１１０を現像し、バンプ形成部のみ開口する。  
図５（４）において、図５（３）の状態の基体１０の全面に下地材料への密着性を確保するＴｉまたはＣｒなどをスパッタし、密着層３１とする。続いて、電気めっきの給電層３２となるＣｕなどの低抵抗金属を連続スパッタする。
【００４６】
図５（５）において、図５（４）の状態の基体１０に光溶解型の第２レジスト層１２０をスピンコート塗布し、バンプ形成部に第２マスク１２１を通してＵＶ露光２００する。図８は第２マスク１２１の平面図で、給電層３２の大部分の周囲をバリア層３３で覆うために、バンプ部の周縁に相当する位置にある幅で円弧状に開口した開口部３７が適当数（実施例では３箇所）同一円周上に形成され、開口部３７と開口部３７の連結部３８が給電ブリッジ３５の形成部分となるようなパターンとなっている。
【００４７】
図６（６）において、前記したマスクパターンで第２レジスト層１２０を現像し、開口部を形成する。  
図６（７）において、第２レジスト層１２０の開口部の給電層３２をエッチング除去する。  
図６（８）において、第２レジスト層を溶媒により溶解除去する。図９はこの状態の斜視図である。給電層３２はバンプ部周縁に適当数（実施例では３箇所）の給電ブリッジ３５を残し、かつバンプ部周縁に沿ってある幅で円弧状に除去されて、給電層３２の下側にある密着層３１が露呈している。従って給電ブリッジ３５を除く他の給電層３２の径は、バンプ３０ａの径よりやや小さくなっている。
【００４８】
図６（９）において、第３レジスト層１３０をスピンコート塗布し、バンプ形成部に第３マスク１３１を通してＵＶ露光２００する。  
図６（１０）において、第３レジスト層１３０を現像し、バンプ形成部のみ開口する。
【００４９】
図７（１１）において、図６（１０）の状態の基体１０全体をめっき槽に入れ（図示せず）、基体１０周縁より給電ブリッジ３５および給電層３２を通してＮｉなど半田に溶融（合金化）しにくい金属をバンプ部に電気めっきし、バリア層３３を形成する。このとき給電層３２の周縁は給電ブリッジ３５を除いて、その大部分がバリア層３３で覆われる。続いて半田接続時に半田に対する濡れ性を確保するためＡｕなどの接続層３４を薄く連続電気めっきする。
【００５０】
図７（１２）において、第３レジスト層１３０を有機溶剤にて溶解除去する。  
図７（１３）において、接続層３４およびバリア層３３をマスクとしてバンプ部以外の給電層３２および給電ブリッジ３５の一部を選択エッチングで除去する。このエッチングにより給電ブリッジ３５のバリア層３３で覆われていない外側部分が除去されて、図４ならびに図７に示すように給電層３２の周縁にバンプ３０ａの周縁に届く複数個の突出部３５´が形成され、その突出部３５´を除く給電層３２の周縁がバリア層３３で覆われた構造になる。  
図７（１４）において、図７（１３）と同様に密着層３１を選択エッチング除去する。  
図７（１５）において、第１レジスト層１１０を有機溶剤にて溶解除去し図４に示した給電層３２の大部分をバリア層３３で覆ったバンプ３０ａが完成する。
【００５１】
以上、パッド電極２０上に形成するバンプ形成プロセスについて説明したが、図１３（１）に示したような封止電極７０上に形成するバンプ３０についても同じプロセスで同時に形成することができる。
【００５２】
図１０は、最終組み立てが終了した弾性表面波デバイスの断面図である。前述のようにして上に接続用バンプ３０ａを積層したパッド電極２０、上に封止用バンプ３０ｂを積層した封止電極７０、櫛歯電極４０および配線パターン５０を形成した第1の基体１０と、上に接続用バンプ３０ａを積層したパッド電極２０、上に封止用バンプ３０ｂを積層した封止電極７０、ビアホール８０および外部端子８１を形成した第２の基体１０´とを準備する。なお、前記バンプ３０ａ，３０ｂの上には半田層８２が印刷により形成されている。
【００５３】
前記第1の基体１０は前述のようにＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３など圧電材料から構成され、前記第２の基体１０´は前述の材料あるいはセラミックやガラスなどから構成される。
【００５４】
そしてこの第1及び第２の基体１０、１０´の各バンプ３０ａ，３０ｂどうしを半田層８２を介して接合することにより、内側に中空部８３を有する弾性表面波デバイスを得ることができる。第1の基体１０側の櫛歯電極４０は、配線パターン５０、パッド電極２０、接続用バンプ３０ａ、パッド電極２０、ビアホール８０を介して第２の基体１０´側の外部端子８１と電気的に接続される。
【００５５】
この実施例では第２の基体１０´には櫛歯電極４０を設けていないが、両方の基体１０、１０´に櫛歯電極４０を設けることもできる。この場合、第２の基体１０´はＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３など圧電材料から構成される。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
前記実施例では、パッシベーション膜を用いない弾性表面波デバイスについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、素子表面にパッシベーション膜を用いることができない例えばバルク弾性波デバイスなどの他の中空封止素子にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施例１に係るバンプ部付近の状態を示す図で、同図（１）はバンプ部付近の斜視図、同図（２）は同図（１）Ａ−Ａ´線上の断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係るバンプ形成プロセス図である。
【図３】本発明の実施例１に係るバンプ形成プロセス図である。
【図４】本発明の実施例２に係るバンプ部付近の状態を示す図で、同図（１）はバンプ部付近の斜視図、同図（２）は同図（１）Ａ−Ａ´線上の断面図、同図（３）は同図（２）Ｂ−Ｂ´線上の断面図である。
【図５】本発明の実施例２に係るバンプ形成プロセス図である。
【図６】本発明の実施例２に係るバンプ形成プロセス図である。
【図７】本発明の実施例２に係るバンプ形成プロセス図である。
【図８】本発明の実施例２で用いられる第２マスクの平面図である。
【図９】本発明の実施例２において第２レジスト層を溶解除去した後の状態を示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施例によって得られた最終組み立てが終了した弾性表面波デバイスの断面図である。
【図１１】本発明の実施例に係る弾性表面波デバイスの平面図である。
【図１２】その弾性表面波デバイスのバンプ形成プロセス図である。
【図１３】本発明の他の実施例に係る弾性表面波デバイスを示す図で、同図（１）は弾性表面波デバイスの平面図、同図（２）は同図（１）Ａ−Ａ´線上の断面図である。
【図１４】従来技術に係る弾性表面波デバイスの平面図である。
【図１５】その弾性表面波デバイスのバンプ形成プロセス図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０、１０´：基体、２０：パッド電極、３０：バンプ、３０ａ：接続用バンプ、３０ｂ：封止用バンプ、３１：密着層、３２：給電層、３３：バリア層、３４：接続層、３５：給電ブリッジ、３５´：突出部、３７：開口部、４０：櫛歯電極、５０：配線パターン、７０：封止電極、８０：ビアホール、８１：外部端子、８２：半田層、８３：中空部、１１０：第１レジスト層、１１１：第１マスク、１２０：第２レジスト層、１２１：第２マスク、１３０：第３レジスト層、１３１：第３マスク、２００：ＵＶ露光、３００：ダイシングライン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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