(57)【要約】【課題】半導体素子の封止工程において、金属板露出型半導体装置の金属板露出部への樹脂バリの発生を回避することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】金属板１の一主面上に半導体素子２を搭載し、金属板１の周辺に複数の金属リード５を配置し、半導体素子２の電極パッド３と複数の金属リード５を電気的に金属細線４で接続し、金属板１に半導体素子２を搭載した面の反対の主面の中央部分が突出した突出部Ｔ１と、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体で一主面上に半導体素子を搭載した金属板と、
前記金属板の周辺に配置した複数の金属リードと、
前記半導体素子の電極パッドと前記複数の金属リードを電気接続する金属細線とを備え、
前記金属板における前記半導体素子の搭載面とは反対側の主面中央部分に突出した突出部を形成し、
前記金属板における前記半導体素子の搭載面とは反対側の主面中央部分以外の部分に前記突出部を囲むように形成した壁を配置し、
前記壁で囲まれた前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を覆う絶縁性樹脂を形成した
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記壁を前記突出部から離して配置することにより、前記壁と前記突出部との間に溝を形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記壁は、前記突出部に接触するように配置したことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記壁は、前記金属板と材質が異なることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記壁は、前記絶縁性樹脂と異なる樹脂材料よりなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
板状体で一主面上に半導体素子を搭載した金属板と、
前記金属板の周辺に配置した複数の金属リードと、
前記半導体素子の電極パッドと前記複数の金属リードを電気接続する金属細線とを備え、
前記金属板における前記半導体素子の搭載面とは反対側の主面中央部分に突出した突出部を形成し、
前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を覆う絶縁性樹脂を形成し、
前記絶縁性樹脂の形成時に、前記突出部の露出部分への前記絶縁性樹脂の流入を阻止するために一時的に前記突出部を囲むように配置された壁を、前記絶縁性樹脂の形成終了後時に除去したことで、前記突出部と前記絶縁性樹脂との間に形成された溝を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
金属基板を構成する板状体で一主面上の中央部分に突出した突出部が形成された金属板の前記突出部の形成面で中央部分以外の部分に、前記突出部を囲むように壁を形成して配置する工程と、
前記金属板の前記突出部の形成面とは反対側の主面上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極パッドと前記金属板の周辺に配置された金属基板を構成する複数の金属リードを金属細線で電気接続する工程と、
前記壁で囲まれた前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を、絶縁性樹脂で覆って樹脂封止する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
金属基板を構成する板状体で一主面上の中央部分に突出した突出部が形成された金属板の前記突出部の形成面で中央部分以外の部分に、前記突出部を囲むように壁を形成して配置する工程と、
前記金属板の前記突出部の形成面とは反対側の主面上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の電極パッドと前記金属板の周辺に配置された金属基板を構成する複数の金属リードを金属細線で電気接続する工程と、
前記壁で囲まれた前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を、絶縁性樹脂で覆って樹脂封止する工程と、
前記壁を除去する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記壁は、前記絶縁性樹脂により前記樹脂封止する工程より先に形成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記壁を前記突出部から離して配置することにより、前記壁と前記突出部との間に溝を形成することを特徴とする請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記壁は、前記突出部に接触するように配置することを特徴とする請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記壁は、前記金属板と材質が異なる材料で形成することを特徴とする請求項７から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記壁は、前記絶縁性樹脂と異なる樹脂材料で形成することを特徴とする請求項７から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放熱性を考慮して金属板の半導体素子搭載部を露出させた構造を有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置として、動作時の放熱性を考慮して、金属板（例えば、リードフレーム）の半導体素子搭載部の一部を、装置を覆う絶縁性樹脂から露出させた構造を有する半導体装置が多く使用されている。
【０００３】
この種の半導体装置は、半導体素子と、半導体素子搭載部およびリード部を有する金属板と、半導体素子とリード部を電気的に接続する金属細線と、半導体素子と金属板からなる半導体素子搭載部およびリード部と金属細線とを、金属板の半導体素子搭載面の反対側主面の中央部分が露出するように覆う絶縁性樹脂とを備えて構成される。
【０００４】
また、半導体装置では、動作時に半導体素子が発熱するため、半導体装置の熱容量が問題視される。このような半導体素子の熱を効果的に半導体装置外部へ逃がす方法の一つに、金属板からなる半導体素子搭載部の一部を絶縁性樹脂外部へ露出させることがある。
【０００５】
このように半導体装置の絶縁性樹脂から露出した半導体素子搭載部の露出部は、外気に触れる又は半導体装置の実装基板上に形成された熱伝導性の良い金属パターンに接触するため、半導体素子で発生した熱は金属板からなる半導体素子搭載部を介して装置外部へ放出される。
【０００６】
従来の金属板露出型半導体装置の断面概略図を図９に示し、従来の金属板露出型半導体装置の製造方法における樹脂注入時の断面概略図を図１０に示した。
金属板露出型半導体装置では、放熱性の向上を目的として、図９のように、半導体素子搭載部を形成する金属板１の突出部Ｔ１部分における一部を絶縁性樹脂６から外部に露出させて露出部Ｒ１を形成するため、図１０のように、絶縁性樹脂６の注入時に、金属板１の露出部Ｒ１と封止金型８を接触させる。
【０００７】
このとき、金属板１の露出部Ｒ１と封止金型８との接触面に間隙Ｓ１が生じる場合があり、そのような場合には、間隙Ｓ１に絶縁性樹脂６が流れ込むことにより、図９のように、金属板１の露出部Ｒ１に樹脂バリ１１を形成する。
【０００８】
そのため、この種の半導体装置では、金属板１の露出部Ｒ１に発生した樹脂バリ１１を除去することが重要な要素の一つとなっている。
以上のような金属板１の突出部Ｔ１部分における露出部Ｒ１と封止金型８との接触面への絶縁性樹脂６の流れ込みを防止する従来技術（例えば、特許文献１を参照）について、以下に説明する。
【０００９】
この半導体装置は、金属板１の露出部Ｒ１側の封止金型８との接触部分にテーパー部を設けるとともに、封止金型８側に凹部を設け、金属板１の露出部Ｒ１側のテーパー部と封止金型８側の凹部を干渉させることにより、金属板１の露出部Ｒ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを阻止するものである。
【特許文献１】特開２００１−３５８６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら上述した従来の半導体装置およびその製造方法では、金属板１の露出部Ｒ１側のテーパー部と封止金型８側の凹部との干渉具合によっては、金属板１の露出部Ｒ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを阻止できない場合がある。
【００１１】
その結果、金属板露出型半導体装置において、金属板１の露出部Ｒ１に発生した樹脂バリ１１は、放熱性の低下、外観品質の低下、実装基板への接続性の阻害といった問題が発生する。
【００１２】
そのため、この半導体装置では、装置温度が上昇し、その温度上昇により誤作動を生じる可能性があり、この半導体装置を搭載したＰＤＰ−ＴＶ、液晶ＴＶ、有機ＥＬパネルを使用した製品、カーオーディオ機器、ゲーム機、携帯電話などのシステム全体を誤作動させたり、停止させたり、最悪の場合には発火させたりして火災事故を起こす可能性がある。
【００１３】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、樹脂バリによる半導体装置の放熱性の低下、外観品質の低下、実装基板への接続性の阻害などの問題を解消することができるとともに、半導体装置の温度上昇による誤作動、半導体装置を搭載したシステム全体の誤作動・停止、火災事故発生の可能性を低減することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の半導体装置は、板状体で一主面上に半導体素子を搭載した金属板と、前記金属板の周辺に配置した複数の金属リードと、前記半導体素子の電極パッドと前記複数の金属リードを電気接続する金属細線とを備え、前記金属板における前記半導体素子の搭載面とは反対側の主面中央部分に突出した突出部を形成し、前記金属板における前記半導体素子の搭載面とは反対側の主面中央部分以外の部分に前記突出部を囲むように形成した壁を配置し、前記壁で囲まれた前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を覆う絶縁性樹脂を形成したことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置であって、前記壁を前記突出部から離して配置することにより、前記壁と前記突出部との間に溝を形成したことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項３に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置であって、前記壁は、前記突出部に接触するように配置したことを特徴とする。
また、本発明の請求項４に記載の半導体装置は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置であって、前記壁は、前記金属板と材質が異なることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項５に記載の半導体装置は、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置であって、前記壁は、前記絶縁性樹脂と異なる樹脂材料よりなることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項６に記載の半導体装置は、板状体で一主面上に半導体素子を搭載した金属板と、前記金属板の周辺に配置した複数の金属リードと、前記半導体素子の電極パッドと前記複数の金属リードを電気接続する金属細線とを備え、前記金属板における前記半導体素子の搭載面とは反対側の主面中央部分に突出した突出部を形成し、前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を覆う絶縁性樹脂を形成し、前記絶縁性樹脂の形成時に、前記突出部の露出部分への前記絶縁性樹脂の流入を阻止するために一時的に前記突出部を囲むように配置された壁を、前記絶縁性樹脂の形成終了後時に除去したことで、前記突出部と前記絶縁性樹脂との間に形成された溝を有することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、金属基板を構成する板状体で一主面上の中央部分に突出した突出部が形成された金属板の前記突出部の形成面で中央部分以外の部分に、前記突出部を囲むように壁を形成して配置する工程と、前記金属板の前記突出部の形成面とは反対側の主面上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の電極パッドと前記金属板の周辺に配置された金属基板を構成する複数の金属リードを金属細線で電気接続する工程と、前記壁で囲まれた前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を、絶縁性樹脂で覆って樹脂封止する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の請求項８に記載の半導体装置の製造方法は、金属基板を構成する板状体で一主面上の中央部分に突出した突出部が形成された金属板の前記突出部の形成面で中央部分以外の部分に、前記突出部を囲むように壁を形成して配置する工程と、前記金属板の前記突出部の形成面とは反対側の主面上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の電極パッドと前記金属板の周辺に配置された金属基板を構成する複数の金属リードを金属細線で電気接続する工程と、前記壁で囲まれた前記突出部を露出するように、前記金属板と前記複数の金属リードと前記半導体素子と前記金属細線を、絶縁性樹脂で覆って樹脂封止する工程と、前記壁を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の請求項９に記載の半導体装置の製造方法は、請求項７または請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、前記壁は、前記絶縁性樹脂により前記樹脂封止する工程より先に形成することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の請求項１０に記載の半導体装置の製造方法は、請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記壁を前記突出部から離して配置することにより、前記壁と前記突出部との間に溝を形成することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の請求項１１に記載の半導体装置の製造方法は、請求項７から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記壁は、前記突出部に接触するように配置することを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の請求項１２に記載の半導体装置の製造方法は、請求項７から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記壁は、前記金属板と材質が異なる材料で形成することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の請求項１３に記載の半導体装置の製造方法は、請求項７から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、前記壁は、前記絶縁性樹脂と異なる樹脂材料で形成することを特徴とする。
【００２６】
以上により、絶縁性樹脂を形成する工程より先に金属板の中央部以外の部分に突出部を囲むように壁部を形成することにより、絶縁性樹脂の形成時に壁部と封止金型が接触し、金属板と封止金型との空間を埋めるため、金属板の突出部部分における露出部への絶縁性樹脂の流れ込みを回避して樹脂バリの発生を防止した製造方法により、樹脂バリを除去する工程を省略することが可能となる。
【００２７】
また、金属板露出型半導体装置において、金属板の素子搭載面の反対側主面の中央部以外の部分に突出部を囲むように壁部を形成することにより、金属板の露出部での樹脂バリの発生を回避することができる。
【発明の効果】
【００２８】
以上のように本発明によれば、金属板の突出部の周囲に壁を設けることにより、絶縁性樹脂注入時に金属板の突出部における露出部への絶縁性樹脂の流れ込みを回避し、金属板における露出部での樹脂バリの発生を防止することができる。
【００２９】
また、上記のような樹脂バリの発生を防止することにより、樹脂封止後の樹脂バリを除去する工程を省略することができる。
その結果、樹脂バリによる半導体装置の放熱性の低下、外観品質の低下、実装基板への接続性の阻害などの問題を、確実に解消することができるとともに、半導体装置の温度上昇による誤作動、半導体装置を搭載したシステム全体の誤作動・停止、火災事故発生の可能性を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施の形態を示す半導体装置およびその製造方法について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本実施の形態１の金属板露出型半導体装置の構成を図１に示した。図１（ａ）は半導体装置下面側の概略図、図１（ｂ）は図１（ａ）をＡ−Ａ’方向に切断した断面概略図である。
【００３１】
本実施の形態の金属板露出型半導体装置の全体構成は、図１に示すように、金属板１、半導体素子２、電極パッド３、金属細線４、金属リード５、絶縁性樹脂６、壁７より構成され、図１（ｂ）のように、金属板１の半導体素子２を搭載した面の反対側の主面中央部分に突出した突出部Ｔ１を設け、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を設けている。
【００３２】
また、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、図１（ｂ）のように、突出部Ｔ１と壁７が非接触のため、突出部Ｔ１と壁７との間に溝９が形成される。
（実施の形態２）
本実施の形態２の金属板露出型半導体装置の構成を図２に示した。図２（ａ）は半導体装置下面側の概略図、図２（ｂ）は図２（ａ）をＢ−Ｂ方向に切断した断面概略図である。
【００３３】
本実施の形態の金属板露出型半導体装置の全体構成は、図２に示すように、金属板１、半導体素子２、電極パッド３、金属細線４、金属リード５、絶縁性樹脂６、壁７より構成され、図２（ｂ）のように、金属板１の半導体素子２を搭載した面の反対側の主面中央部分に突出した突出部Ｔ１を設け、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を設けている。
【００３４】
また、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、図２（ｂ）のように、突出部Ｔ１と壁７が接触する構造になるように配置されている。この場合、突出部Ｔ１と壁７との間には図１のような溝９は形成されない。
（実施の形態３）
図４は本実施の形態３の金属板露出型半導体装置の構成を示す断面概略図である。
【００３５】
本実施の形態の金属板露出型半導体装置の全体構成は、図４に示すように、金属板１、半導体素子２、電極パッド３、金属細線４、片面（上面）が金属細線４との接続領域となり金属細線４との接続領域と反対の面が外部端子の役割を担う複数の金属リード５、絶縁性樹脂６、壁７より構成され、金属板１の半導体素子２を搭載した面の反対側の主面中央部分に突出した突出部Ｔ１を設け、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を突出部Ｔ１と非接触となるように設けている。
【００３６】
また、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、図４のように、突出部Ｔ１と壁７が非接触のため、突出部Ｔ１と壁７との間に溝９が形成される。
（実施の形態４）
図５は本実施の形態４の金属板露出型半導体装置の構成を示す断面概略図である。
【００３７】
本実施の形態の金属板露出型半導体装置の全体構成は、図５に示すように、金属板１、半導体素子２、電極パッド３、金属細線４、片面（上面）が金属細線４との接続領域となり金属細線４との接続領域と反対の面が外部端子の役割を担う複数の金属リード５、絶縁性樹脂６、壁７より構成され、金属板１の半導体素子２を搭載した面の反対側の主面中央部分に突出した突出部Ｔ１を設け、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を突出部Ｔ１と接触するように設けている。
【００３８】
また、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、図５のように、突出部Ｔ１と壁７が接触する構造になるように配置されているため、突出部Ｔ１と壁７との間には図４のような溝９は形成されない。
【００３９】
上記実施の形態１〜４の半導体装置の製造方法において、絶縁性樹脂注入時の断面概略図を図３に示した。
この半導体装置の製造方法においては、金属板１の突出部Ｔ１側の面の反対側の主面上に半導体素子２を搭載し、半導体素子２の電極パッド３と金属リード５を金属細線４で電気的に接続し、壁７で囲われた金属板１の中央部を露出するように、かつ金属板１と複数の金属リード５と半導体素子２と金属細線４を覆うように、絶縁性樹脂６を、図３のように、封止金型８で挟み込んだ内部へ注入する。
【００４０】
これらの実施の形態では、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を設けてかつ封止金型８と壁７が接触させることにより、封止金型８内への絶縁性樹脂６注入時に、絶縁性樹脂６の流れが壁７と封止金型８とでせき止められるので、金属板１の突出部Ｔ１部分における露出部Ｒ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを回避することができる。
【００４１】
したがって、金属板１の露出部Ｒ１への樹脂バリの発生を防止し、樹脂バリが起因の金属板露出型半導体装置としての放熱性の低下、外観品質の低下、実装基板への接続性の阻害など問題を解消できる。
（実施の形態５）
図６は本実施の形態５の金属板露出型半導体装置の構成を示す断面概略図である。
【００４２】
この金属板露出型半導体装置の全体構成は、図６に示すように、金属板１、半導体素子２、電極パッド３、金属細線４、金属リード５、絶縁性樹脂６より構成され、金属板１の半導体素子２を搭載した面の反対側の主面中央部分に突出した突出部Ｔ１を設け、絶縁性樹脂６と金属板１中央の突出部Ｔ１との間に溝１０が形成される。
【００４３】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、初めに金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を形成し、金属板１の突出部Ｔ１側の面の反対側の主面上に半導体素子２を搭載し、半導体素子２の電極パッド３と金属リード５を金属細線４で電気的に接続し、壁７で囲われた金属板１の中央部を露出するように、かつ金属板１と複数の金属リード５と半導体素子２と金属細線４を覆ように絶縁性樹脂６を形成し、その後、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７を取り除く。
【００４４】
この製造方法のように、壁７を取り除くことで、金属板１の中央部の突出部Ｔ１と絶縁性樹脂６との間に溝１０を形成する。
（実施の形態６）
図７は本実施の形態６の金属板露出型半導体装置の構成を示す断面概略図である。
【００４５】
この金属板露出型半導体装置の全体構成は、図７に示すように、金属板１、半導体素子２、電極パッド３、金属細線４、片面（上面）が金属細線との接続領域となり金属細線４との接続領域と反対の面が外部端子の役割を担う複数の金属リード５、絶縁性樹脂６で構成され、金属板１の半導体素子２を搭載した面の反対側の主面中央部分に突出した突出部Ｔ１を設け、金属板１の突出部Ｔ１と絶縁性樹脂６との間に溝１０が存在する。
【００４６】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、初めに金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を形成し、金属板１の突出部Ｔ１側の面の反対側の主面上に半導体素子２を搭載し、半導体素子２の電極パッド３と金属リード５を金属細線４で電気的に接続し、壁７で囲われた金属板１の中央部を露出するように、かつ金属板１と複数の金属リード５と半導体素子２と金属細線４を覆うように絶縁性樹脂６を形成し、その後、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７を取り除く。
【００４７】
この製造方法のように、壁７を取り除くことで、金属板１の中央部の突出部Ｔ１と絶縁性樹脂６との間に溝１０を形成する。
なお次に、上記各実施の形態の半導体装置に使用する金属板を含む金属基板について説明する。
【００４８】
図８は本実施の形態の金属板露出型半導体装置に使用する金属板１を含む金属基板Ｍ１の概略図である。図８（ａ）は金属基板Ｍ１下面側の概略図、図８（ｂ）は図８（ａ）をＣ−Ｃ’方向に切断した断面概略図である。
【００４９】
この金属基板Ｍ１の全体構成は、図８に示すように、半導体素子搭載部１２とその反対の面の主面中央部に突出した突出部Ｔ１が形成された金属板１と、半導体素子搭載部１２の周辺に配置された複数の金属リード１３とを設け、半導体素子搭載部１２の反対の面の主面中央部の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように壁７を設けている。
【００５０】
ここで、金属板１の半導体素子搭載部１２の反対の面の主面中央部の中央部以外の部分に、突出部Ｔ１を囲むように形成する壁７は、樹脂材料で金属板１へ接着することが好ましい。
【００５１】
特に金属板１への壁７の接着は、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーンで接着することが好ましい。
また、本発明の半導体装置において、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、前記金属板１と材質が異なることが好ましい。
【００５２】
また、金属板１の半導体素子搭載部１２の反対の面の主面中央部の中央部以外の部分に、突出部Ｔ１を囲むように形成する壁７は、樹脂材料でありかつ絶縁性樹脂６と異なる物性の樹脂材料であることが好ましい。
【００５３】
また、本発明の半導体装置では、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７として、熱可塑性樹脂を用いることが可能である。壁７の熱可塑性樹脂は絶縁性樹脂６の注入時の加熱により流動化する。流動化した壁７の可塑性樹脂は、金属板１と封止金型８との空間を埋めるため、金属板１の露出部Ｒ１と封止金型８との接触面に生じる間隙Ｓ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを回避し、樹脂バリ１１の発生を防止する。
【００５４】
壁７は、熱可塑性樹脂として、アクリル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、熱可塑性ポリイミドなどを用いることが好ましい。
また、本発明の半導体装置では、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７として、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００５５】
壁７の熱硬化性樹脂は、絶縁性樹脂の注入時の加熱により一旦流動化する。流動化した壁７の熱硬化性樹脂は、金属板１と封止金型８との空間を埋めたのち硬化するため、金属板１の露出部Ｒ１と封止金型８との接触面に生じる間隙Ｓ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを回避し、樹脂バリ１１の発生を防止する。
【００５６】
特に壁７は、熱硬化性樹脂として、エポキシ系樹脂、ポリイミドアミド、フェノール系樹脂、ポリウレタン樹脂を用いることが好ましい。
また、本発明の半導体装置において、金属板１の中央部に設けた突出部Ｔ１の厚さは、金属板１の厚さの１／２以下とする。
【００５７】
また、金属板１の中央部以外の突出部を囲むように形成した壁７の厚さは、金属板１の中央部に設けた突出部Ｔ１の厚さ以上とする。
壁７の厚みを、金属板１の半導体素子搭載部１２の反対の面の主面中央部に設けた突出部Ｔ１の厚さ以上とすることで、金属板露出型半導体装置の製造時に、壁７と封止金型８とが接触して金属板１と封止金型８との空間を埋めるため、金属板１露出部Ｒ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを回避し、樹脂バリ１１の発生を防止する。
【００５８】
また、金属板１の中央部以外の突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、図８に示すように、突出部Ｔ１を一周囲むように形成することが好ましい。
金属板１の壁７は、金属板１の突出部全周を周縁で囲むよう形成することで、金属板露出型半導体装置の製造時に、金属板１の露出部Ｒ１への絶縁性樹脂６の流れ込みを、露出部Ｒ１の全方向において回避し、露出部Ｒ１の全方向において樹脂バリ１１の発生を防止する。
【００５９】
また、本発明の半導体装置では、金属板１の中央部以外の部分に突出部Ｔ１を囲むように形成した壁７は、突出部Ｔ１の形状が多角形の場合、突出部Ｔ１の周縁に一辺以上に設ける。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明の半導体装置およびその製造方法は、樹脂バリによる半導体装置の放熱性の低下、外観品質の低下、実装基板への接続性の阻害などの問題を解消することができるとともに、半導体装置の温度上昇による誤作動、半導体装置を搭載したシステム全体の誤作動・停止、火災事故発生の可能性を低減することができるもので、半導体装置の中でも、放熱を伴う高消費電力商品・ＰＤＰ−ＴＶ・液晶ＴＶ・有機ＥＬパネルを使用した製品・カーオーディオ機器・ゲーム機・携帯電話などに使用される半導体装置の信頼性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造を示す概略構成図
【図２】本発明の実施の形態２の半導体装置の構造を示す概略構成図
【図３】本発明の実施の形態の半導体装置の製造方法における絶縁性樹脂注入時の概略断面図
【図４】本発明の実施の形態３の半導体装置の構造を示す概略断面図
【図５】本発明の実施の形態４の半導体装置の構造を示す概略断面図
【図６】本発明の実施の形態５の半導体装置の構造を示す概略断面図
【図７】本発明の実施の形態６の半導体装置の構造を示す概略断面図
【図８】本発明の実施の形態の半導体装置に使用する金属板の構造を示す概略構成図
【図９】従来の半導体装置の製造方法における絶縁性注入時の概略断面図
【図１０】従来の半導体装置の構造を示す概略断面図
【符号の説明】
【００６２】
１    金属板
２    半導体素子
３    電極パッド
４    金属細線
５    金属リード
６    絶縁性樹脂
７    壁
８    封止金型
９    溝
１０    溝
１１    樹脂バリ
１２    半導体素子搭載部
１３    金属リード
Ｍ１    金属基板
Ｔ１    突出部
Ｒ１    露出部
Ｓ１    隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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