(57)【要約】【課題】キャリアを滞留させるために非発光性の層を挿入することで、製造工程は煩雑なものとなる。加えて、電流が流れる領域に、電流の流れを阻害するキャリアブロック層を挿入するため、駆動電圧が上昇し、有機ＥＬ素子の、駆動電力に対しての発光効率は必ずしも向上しないという課題がある。【解決手段】赤色発光層２１５を青色発光層２１６、緑色発光層２１４で挟む。この状態で駆動電圧を印加すると、青色発光層２１６と赤色発光層２１５との界面には電子ｅ-が蓄積され、緑色発光層２１４と赤色発光層２１５との界面には正孔ｈ+が蓄積される。青色発光層２１６と赤色発光層２１５との界面に電子ｅ-が蓄積されることで、青色発光層２１６側から注入される正孔ｈ+は青色発光層２１６と赤色発光層２１５の界面で再結合を行い発光する。そのため、青色発光強度と赤色発光強度とをバランス良く発光させることができる。【選択図】図６
2009043576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１発光層と、
第２発光層と、
前記第１発光層と前記第２発光層に狭持され、前記第１発光層と前記第２発光層と比べて、ＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）のエネルギー準位が高く、かつＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）のエネルギー準位が低い第３発光層と、を含むことを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
請求項１に記載のカラー有機ＥＬディスプレイであって、前記第３発光層のエネルギー準位は、前記第１発光層及び前記第２発光層のエネルギー準位と比べ、ＨＯＭＯでのエネルギー準位差が０．５ｅＶ以下であり、かつＬＵＭＯでのエネルギー準位差が０．５ｅＶ以下であることを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のカラー有機ＥＬディスプレイを含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カラー有機ＥＬディスプレイ及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
カラー有機ＥＬディスプレイとして、Ｒ，Ｇ，Ｂ（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））三原色を含む白色光を発光させ、Ｒ，Ｇ，Ｂ三原色のカラーフィルタを用いてフルカラー表示を行う構造が知られている。ここで、白色光を発光させるための技術として、Ｒ，Ｇ，Ｂ三原色に対応した複数の発光層を積層し、それぞれの発光層からの光を重ね合わせることで白色光を得る構造が知られている。
これら複数の発光層からの光強度をバランス良く発光させることで色バランスの良いディスプレイを得ることができる。そのため、カラー有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子の光強度を各色に対してバランス良く発光させるべく技術開発が行われている。例えば特許文献１や特許文献２に示されるように、キャリアの滞留を発生させるためのキャリアブロック層を挿入し、キャリアの注入量、即ち電流強度に対しての発光効率を向上させる技術が知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２０４２５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１２９４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１及び、特許文献２に用いられる技術を用いる場合、キャリアを滞留させるべく非発光性の層を挿入するため、製造工程は煩雑なものとなる。加えて、電流が流れる領域に、電流の流れを阻害するキャリアブロック層を挿入するため駆動電圧が上昇し、有機ＥＬ素子の、駆動電力に対しての発光効率は必ずしも向上しないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例にかかるカラー有機ＥＬディスプレイは、第１発光層と、第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層に狭持され、前記第１発光層と前記第２発光層と比べて、ＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）のエネルギー準位が高く、かつＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）のエネルギー準位が低い第３発光層と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、カラー有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子に電流を流した場合、第１発光層と第３発光層との界面に電子が蓄積され、かつ第２発光層と第３発光層との界面に正孔が蓄積される。そのため、注入されたキャリアの流出は抑制され、両界面に蓄積される。そのため、キャリアの再結合により生じる発光を、従来技術のキャリア流出を抑制しない場合と比べ、高い効率で行うことができる。また、非発光性のキャリアブロック層の挿入を必要としないため、駆動電圧の上昇に伴う消費電力の増加を従来技術と比べ抑えることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例にかかるカラー有機ＥＬディスプレイにおいて、前記第３発光層のエネルギー準位は、前記第１発光層及び前記第２発光層のエネルギー準位と比べ、ＨＯＭＯでのエネルギー準位差が０．５ｅＶ以下であり、かつＬＵＭＯでのエネルギー準位差が０．５ｅＶ以下であることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、電子が第３発光層から第２発光層を超え、かつ正孔が第３発光層から第１発光層を超えるための電圧の上昇が抑えられる。そのため、カラー有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子に印加する駆動電圧の上昇を抑えることが可能となる。
【００１０】
［適用例３］本適用例にかかる電子機器は、上記したカラー有機ＥＬディスプレイを含むことを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、従来技術と比べて消費電力の抑制を可能とする電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（カラー有機ＥＬディスプレイの構成）
以下、本実施形態にかかるカラー有機ＥＬディスプレイについて、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す模式図である。カラー有機ＥＬディスプレイ１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴと称する。）を用いている。例えばＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３を用いたアクティブマトリクス方式のものでは、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、サブ画素４０が設けられている。なお、サブ画素４０は、後述するカラーフィルタ２００（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青））を含んでいる。
【００１３】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００１４】
サブ画素４０の各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ１２２と、スイッチング用のＴＦＴ１２２を介して信号線１０２と共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、が含まれる。そして、保持容量１１３によって保持される画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１２３と、ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに、当該電源線１０３から駆動電流が与えられる画素電極２３と、画素電極２３と対向する対向電極５０との間に挟み込まれた有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）と、が設けられている。
【００１５】
次に、本実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイ１の具体的な態様を、図２を参照して説明する。ここで、図２はカラー有機ＥＬディスプレイ１の構成を模式的に示す平面図である。
【００１６】
図２に示すように、基板２０Ａ上の実表示領域４には、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応して設けられたサブ画素４０がマトリクス状に規則的に配置される。
ここで、基板２０Ａは、基板本体２０、及び基板本体２０上に設けられる、層間絶縁層等が配置されるカバー層２１（後述する図４参照）を含む。
また、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のサブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）は１つの基本単位となって表示単位画素４１を構成している。また、サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の各々は、ＴＦＴ１２２、ＴＦＴ１２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ，Ｇ，Ｂ各々の発光に対応する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）を備える構成を有している。
【００１７】
詳細については後述するが、本実施形態では有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（図１参照）の光を、各有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）に対応するカラーフィルタ２００（Ｒ，Ｇ，Ｂ）（後述する図３参照）を透過させることで、各サブ画素４０（Ｒ，Ｇ，Ｂ）からＲ，Ｇ，Ｂの発光をそれぞれ得ることが可能となる。これによって表示単位画素４１は、Ｒ，Ｇ，Ｂの発光を混色させてフルカラー表示を行う。
【００１８】
なお、本実施形態において画素部３（図中一点鎖線内）は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線及び二点鎖線の間の領域）とに区画されている。そして、実表示領域４を挟むように、走査線駆動回路８０が配置されている。
【００１９】
また、実表示領域４の上方には検査回路９０が配置されている。検査回路９０は、カラー有機ＥＬディスプレイ１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時におけるカラー有機ＥＬディスプレイの品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。
【００２０】
（有機ＥＬ素子）
次に、図３、図４を参照して、カラー有機ＥＬディスプレイ１の断面構造を説明する。図３はカラー有機ＥＬディスプレイ１（図１参照）を構成する有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の模式断面図である。有機ＥＬ素子１７（Ｒ，Ｇ，Ｂ）には各々対応するカラーフィルタ２００（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が与えられている。なお、説明の便宜上、図面上側を「上」と定義して以下の説明を行う。
【００２１】
図４は、１つの色に対応する有機ＥＬ素子１７を構成する積層構造を示す模式断面図である。以下に説明する有機ＥＬ素子１７は、例えばカラーフィルタ２００（Ｒ，Ｇ，Ｂ）を含めて構成されるカバー層２１と、光透過可能な基板本体２０を含む基板２０Ａ上に形成され、基板２０Ａ側に光を出射するいわゆるボトムエミッション構成を有している。
【００２２】
基板２０Ａ上には、ＩＴＯを用いてなる光学的に透明な陽極２１９が配置される。陽極２１９の層厚は、例えば１００ｎｍ程度の値が用いられる。そして、陽極２１９上には、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いてなる正孔注入層２１８が配置される。正孔注入層２１８の層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。そして、正孔注入層２１８上には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を用いてなる正孔輸送層２１７が配置される。正孔輸送層２１７の層厚は、例えば４０ｎｍ程度である。
【００２３】
そして、正孔輸送層２１７上には、ＢＨ２１５＋ＢＤ１０２（共に出光興産製）が第１発光層としての青色発光層２１６として配置される。青色発光層２１６の層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。そして、青色発光層２１６上には、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）＋ルブレン（５，６，１１，１２−テトラフェニルテトラセン）＋ジシアノメチレンピラン誘導体（ＤＣＭ２）を用いてなる第３発光層としての赤色発光層２１５が配置される。赤色発光層２１５の層厚は、例えば５ｎｍ程度である。そして、赤色発光層２１５の上には、ＢＨ２１５＋ＧＤ２０６（共に出光興産製）が第２発光層としての緑色発光層２１４として配置される。緑色発光層２１４の層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。
【００２４】
そして、緑色発光層２１４上には、Ａｌｑ３を用いてなる電子輸送層２１３が配置される。電子輸送層２１３の層厚は例えば２０ｎｍ程度である。そして、電子輸送層２１３上には、フッ化リチウムＬｉＦ（ＬｉＦ）を用いてなる電子注入層２１２が配置される。電子注入層２１２の層厚は、例えば１ｎｍ程度である。そして、電子注入層２１２上にはアルミニウム（Ａｌ）を用いてなる陰極２１１が形成されており、層厚は、例えば１００ｎｍ程度の厚さを有している。
【００２５】
図５は、駆動電圧をかけていない状態での青色発光層２１６、赤色発光層２１５、緑色発光層２１４のエネルギーダイアグラムである。赤色発光層２１５は、青色発光層２１６と緑色発光層２１４に挟まれている。赤色発光層２１５は、ＨＯＭＯ（最高占有分子軌道）とＬＵＭＯ（最低非占有分子軌道）のエネルギーギャップが青色発光層２１６と緑色発光層２１４に対して小さくなっている。
【００２６】
図６は、駆動電圧の印加時での青色発光層２１６、赤色発光層２１５、緑色発光層２１４が示すエネルギーダイアグラムである。この状態で駆動電圧を印加すると、青色発光層２１６と赤色発光層２１５との界面には電子ｅ-が蓄積され、緑色発光層２１４と赤色発光層２１５との界面には正孔ｈ+が蓄積される。青色発光層２１６と赤色発光層２１５との界面に電子ｅ-が蓄積されることで、青色発光層２１６側から注入される正孔ｈ+は青色発光層２１６と赤色発光層２１５の界面で再結合を行い発光する。そのため、青色発光強度と赤色発光強度とをバランス良く発光させることができる。
【００２７】
同様にして、緑色発光層２１４と赤色発光層２１５との界面に正孔ｈ+が蓄積されることで、緑色発光層２１４側から注入される電子ｅ-は緑色発光層２１４と赤色発光層２１５の界面で再結合を行い発光する。そのため、緑色発光と赤色発光とを、強度バランス良く発光させることができる。即ち、Ｒ，Ｇ，Ｂ全色をバランス良く発光させることができる。Ｒ，Ｇ，Ｂのバランスが悪く、例えばＧの発光強度が弱い場合には、ＲとＢを強く発光させてＲとＢの発光成分に含まれるＧ成分をカラーフィルタにより抽出させて補正させることが必要となる。そのため、ＲとＢとを構成する青色発光層２１６と赤色発光層２１５の寿命が縮まり、早期劣化を引き起こす。
【００２８】
本実施形態によれば、Ｒ，Ｇ，Ｂ全色をバランス良く発光させることができる。そのため、青色発光層２１６、赤色発光層２１５、緑色発光層２１４の発光強度を無理に上げる必要がなく、各発光層を長寿命化することができる。
【００２９】
また、電子ｅ-が蓄積されている発光部では正孔ｈ+の注入量により発光強度が支配される。そして正孔ｈ+が蓄積されている発光部では電子ｅ-の注入量により発光強度が支配される。そのため、発光強度は駆動電流強度に対して高い相関性を持つので、光強度の制御を容易に行うことができる。
【００３０】
また、発光部の位置変動が抑えられる（界面に限定される）。そのため、輝度を変動させる場合においても、色純度や色相の変動を抑えることが可能となり、色再現性に優れた有機ＥＬ素子１７を提供することが可能となる。
【００３１】
また、本実施形態では、ＬＵＭＯ側のエネルギー差が０．１ｅＶ、ＨＯＭＯ側のエネルギー差は０．２ｅＶに抑えられている。そのため、キャリアの伝達を妨げることなく電子、正孔の蓄積領域を形成することができる。このエネルギー差が０．５ｅＶ以下に抑えることで駆動電圧の上昇を抑えることができる。そして、光強度は駆動電流にほぼ比例する。すなわち、ＬＵＭＯ側、ＨＯＭＯ側のエネルギー差を０．５ｅＶ以下に抑えることで、消費電力という観点に対しても優れた有機ＥＬ素子１７を提供することができる。
【００３２】
（変形例）
上記した有機ＥＬ素子１７は、陽極側に青色発光層２１６を設け、陰極側に緑色発光層２１４を設け、赤色発光層２１５を挟む構成について説明したが、これは陽極側に緑色発光層２１４を設け、陰極側に青色発光層２１６を設け、赤色発光層２１５を挟む構成を用いても良い。
また、本実施形態では、陽極２１９としてＩＴＯを用いる例について説明したが、陽極２１９は導電性がある透明な素材を用いることが可能であり例えば、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物や、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらを含む合金等や、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることが可能である。
【００３３】
また、正孔注入層２１８としてＣｕＰｃを用いる例について説明したが、これは、ＣｕＰｃに代えて、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることが可能である。
【００３４】
また、正孔輸送層２１７として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を用いる例について説明したが、これは低分子の正孔輸送材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、ＴＰＴＥ、４，４’，４’’−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）のようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、ＯｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属又は無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属又は無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−���ル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等を用いることができる。低分子系の材料を用いる場合、例えば蒸着法を用いて正孔輸送層２１７を形成することが可能となる。
【００３５】
一方、高分子系の正孔輸送材料としては、例えば、ポリアリールアミンのようなアリールアミン骨格を有するもの、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレン骨格を有するもの、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミン骨格及びフルオレン骨格の双方を有するもの、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂又はその誘導体等を用いることができる。高分子系の正孔輸送材料を用いる場合には、スピンコート法やインクジェット法により正孔輸送層２１７を形成することが可能となる。
【００３６】
また、青色発光層２１６、赤色発光層２１５、緑色発光層２１４としてＢＨ２１５（出光興産製）＋ＢＤ１０２（出光興産製）、Ａｌｑ３＋ルブレン＋ＤＣＭ２、ＢＨ２１５（出光興産製）＋ＧＤ２０６（出光興産製）を用いる例について説明している。この場合、これらの発光材料に代えて、例えば低分子の発光材料として、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属又は無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、トリス（４−メチル−８キノリノレート） アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、８−ヒドロキシキノリン亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィンプラチナム（II）のような各種金属錯体等を用いることが可能である。
【００３７】
また、高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等を用いることが可能である。
【００３８】
また、電子輸送層２１３としてＡｌｑ３を用いる例について説明したが、これは１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属又は無金属のフタロシアニン系化合物、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等を用いることが可能である。また、オキサジアゾール系高分子（ポリオキサジアゾール）、トリアゾール系高分子（ポリトリアゾール）等の高分子系の材料を用いても良い。
【００３９】
また、電子注入層２１２としてＬｉＦを用いる例について説明したが、これは無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ2Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ2Ｓ、Ｎａ2Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ2、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2、ＢｅＦ2等が挙げられる。
【００４０】
また、無機半導体材料としては、例えば、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
また、有機材料としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、又は、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上組み合わせて（例えば、複数層の積層体等として）用いることが可能である。
【００４２】
また、陰極２１１としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる例について説明したが、これは、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｓ、Ｒｂ又は、これら及びＡｌを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００４３】
（電子機器への搭載例）
以下、図７を参照して、上述したカラー有機ＥＬディスプレイ１を含む電子機器について説明する。図７（ａ）に、カラー有機ＥＬディスプレイ１を備えたモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、カラー有機ＥＬディスプレイ１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。図７（ｂ）に、カラー有機ＥＬディスプレイ１を備えた携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしてのカラー有機ＥＬディスプレイ１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、カラー有機ＥＬディスプレイ１に表示される画面がスクロールされる。図７（ｃ）に、カラー有機ＥＬディスプレイ１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしてのカラー有機ＥＬディスプレイ１を備える。電源スイッチ４００２や操作ボタン４００１を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報がカラー有機ＥＬディスプレイ１に表示される。
【００４４】
なお、カラー有機ＥＬディスプレイ１が搭載される電子機器としては、図７に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述したカラー有機ＥＬディスプレイ１が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】カラー有機ＥＬディスプレイの配線構造を示す模式図。
【図２】カラー有機ＥＬディスプレイの構成を模式的に示す平面図。
【図３】カラー有機ＥＬディスプレイを構成する有機ＥＬ素子の模式断面図。
【図４】１つの有機ＥＬ素子を構成する発光層の積層構造を示す模式断面図。
【図５】駆動電圧をかけていない状態での青色発光層、赤色発光層、緑色発光層のエネルギーダイアグラム。
【図６】駆動電圧の印加時での青色発光層、赤色発光層、緑色発光層が示すエネルギーダイアグラム。
【図７】（ａ）〜（ｃ）カラー有機ＥＬディスプレイを搭載した電子機器の斜視図。
【符号の説明】
【００４６】
１…カラー有機ＥＬディスプレイ、３…画素部、４…実表示領域、５…ダミー領域、１７…有機ＥＬ素子、２０…基板、２０Ａ…基板、２１…カバー層、２３…画素電極、４０…サブ画素、４１…表示単位画素、８０…走査線駆動回路、９０…検査回路、１００…データ線駆動回路、１０１…走査線、１０２…信号線、１０３…電源線、１１３…保持容量、１２２…ＴＦＴ、１２３…ＴＦＴ、２００…カラーフィルタ、２１１…陰極、２１２…電子注入層、２１３…電子輸送層、２１４…緑色発光層、２１５…赤色発光層、２１６…青色発光層、２１７…正孔輸送層、２１８…正孔注入層、２１９…陽極、２０００…パーソナルコンピュータ、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２０１０…本体部、３０００…携帯電話機、３００１…操作ボタン、３００２…スクロールボタン、４０００…情報携帯端末、４００１…操作ボタン、４００２…電源スイッチ、ｈ+…正孔、ｅ-…電子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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