(57)【要約】【課題】本発明はパターンの分割方法に関し、描画の際の走査丸め誤差をできるだけ少なくなるようにすることを目的としている。【解決手段】パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分割する際の基準値を指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、該分割により生じたパターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有して構成される。【選択図】図５
2009141306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、
パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、
多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を指定する工程と、
描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、
該分割により生じたパターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、
該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、
前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、
を有し、
前記矩形パターンの分割を被分割パターンの中央付近から行なっていくようにしたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法。
【請求項２】
荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、
パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、
多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を指定する工程と、
描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、
該分割により生じた描画パターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、
該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、
該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、
を有し、
前記矩形パターンの分割を被分割パターンの周辺部分から行なっていくようにしたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法。
【請求項３】
荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、
パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、
多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を指定する工程と、
描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、
該分割により生じたパターンをＳｓで分割する工程と、
該Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、
該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、
該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、
を有するように構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法。
【請求項４】
荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、
パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、
描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、
描画パターン内の多角形から基準となる頂点を定義する工程と、
前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）を計算する工程と、
前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍になるように当該頂点座標を変更する工程と、
前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せずその誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する工程と、
多角形の頂点座標が再定義された後、各頂点からＸ，Ｙ方向に仮の分割線を導入して頂点座標と仮分割線の交点でパターンを仮分割する工程と、
仮分割したパターンを組み合わせ、より大きな寸法のパターンを再構成する工程と、
を有するように構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法。
【請求項５】
荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、
パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、
描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、
描画パターン内の多角形から基準となる頂点を定義する工程と、
前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）を計算する工程と、
前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍になるように当該頂点座標を変更する工程と、
前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せずその誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する工程と、
前記多角形内の４個の頂点座標から、台形、矩形が存在することを判断してこれを抜き出す工程と、
頂点座標が再定義された後、各頂点からＸ，Ｙ方向に仮の分割線を導入して頂点座標と仮分割線の交点でパターンを仮分割する工程と、
仮分割したパターンを組み合わせ、より大きな寸法のパターンを再構成する工程と、
を有するように構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法。
【請求項６】
荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、
パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、
描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、
描画パターン内の多角形から分割された矩形、台形、或いは入力された当該電子線描画装置用のフォーマット図形の各頂点座標から、矩形の場合は辺の長さ、台形の場合は上辺、下辺、高さを計算する工程と、
前記多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）を計算する工程と、
前記長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍になるように当該頂点座標を変更する工程と、
前記長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２を超えかつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する工程と、
を有するように構成したことを特徴とする荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法に関し、更に詳しくは荷電粒子ビーム描画おいて、描画の際の丸め誤差をできるだけ少なくなるようにした荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子線描画装置では、描画パターンデータを、描画時前に、描画装置用のデータフォーマットに変換する。このフォーマット変換前、描画すべきパターンはフィールドサイズ、及び／若しくはフィールドサイズに準ずるサイズ（以下サブフィールドサイズ）で分割され、更にこのような分割で生じた多角形パターンを台形乃至は矩形分割される。
【０００３】
図１９はフィールド分割並びに多角形分割の説明図である。図に示すように、描画すべきパターン１をフィールドＦ１に分割する。ここで、１フィールドとは、ステージを移動させないでビーム偏向により描画できる領域のことである。図の実線がフィールド分割ラインである。Ｆ２はサブフィールドであり、図の破線がサブフィールド分割ラインである。
【０００４】
同図では描画すべきパターン１は４つのフィールドＦ１に分割され、各フィールドＦ１は４個のサブフィールドＦ２からなる。例えば、電子線の走査によって被描画材料上に描画する際は、フィールドＦ１又はサブフィールドＦ２を基準にしてフィールド単位で描画が行われる。２はサブフィールドＦ２内の多角形パターンで、該多角形パターンは更に台形乃至は矩形パターンに分割される。
【０００５】
そして、指定した分割サイズに従ってこのようなパターンを更に分割し、各パターン内を指定した走査ステップサイズに従って電子線走査して被描画材料上にパターンが描画される。図２０はパターンの分割並びにパターン内ビーム走査の説明図である。分割によって生じた各パターン内を走査ステップサイズＳｓに従って電子線走査する。ここで、走査ステップサイズＳｓとは、スポットビーム間の距離である。
【０００６】
従来のこの種の装置としては、パターンを直角三角形と内角又は外角が全て直角の直角パターンとに分割し、それぞれのパターンを所定幅のストライプパターンに分けて描画する装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００７】
また、底角が４５°の整数倍の基本台形図形に分解できない複雑な入力図形を底角が任意の角の台形図形に分割し、分割した図形を底角が４５°の整数倍の台形に分割して電子線描画する装置が知られている（例えば特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平４−１４８５３０号公報（第２頁右下欄第１０行〜第３頁右下欄第２行目、第４Ａ図〜第４Ｄ図）
【特許文献２】特開平５−２６７１３２号公報（段落００１１、段落００１３〜００２１、図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
電子線描画装置の中でも、スポット型電子線描画装置は、描画すべきパターンを電子線でデジタル走査することで描画を実施するため、電子線の照射位置に丸め誤差が発生する。図２１は走査丸め誤差発生のようすを示す図である。矢印方向は描画の順序を示している。Ｘ方向の長さＬｘ、Ｙ方向の長さＬｙが走査ステップサイズＳｓの整数倍でない場合、分割によって生じたパターン内にビームが均等に照射されない。図２２も走査丸め誤差発生例を示す図である。このように、従来のパターン分割では、走査丸め誤差が発生し、パターン描画の精度向上に支障をきたしていた。
【０００９】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、描画の際の走査丸め誤差をできるだけ少なくなるようにすることができる荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）請求項１記載の発明は、荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、該分割により生じたパターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有し、前記矩形パターンの分割を被分割パターンの中央付近から行なっていくようにしたことを特徴とする。
【００１１】
（２）請求項２記載の発明は、荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、該分割により生じた描画パターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有し、前記矩形パターンの分割を被分割パターンの周辺部分から行なっていくようにしたことを特徴とする。
【００１２】
（３）請求項３記載の発明は、荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、該分割により生じたパターンをＳｓで分割する工程と、該Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、を有するように構成したことを特徴とする。
【００１３】
（４）請求項４記載の発明は、荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、描画パターン内の多角形から基準となる頂点を定義する工程と、前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）を計算する工程と、前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍になるように当該頂点座標を変更する工程と、前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せずその誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する工程と、多角形の頂点座標が再定義された後、各頂点からＸ，Ｙ方向に仮の分割線を導入して頂点座標と仮分割線の交点でパターンを仮分割する工程と、仮分割したパターンを組み合わせ、より大きな寸法のパターンを再構成する工程と、を有するように構成したことを特徴とする。
【００１４】
（５）請求項５記載の発明は、荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、描画パターン内の多角形から基準となる頂点を定義する工程と、前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）を計算する工程と、前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍になるように当該頂点座標を変更する工程と、前記描画パターン内の多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せずその誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する工程と、前記多角形内の４個の頂点座標から、台形、矩形が存在することを判断してこれを抜き出す工程と、頂点座標が再定義された後、各頂点からＸ，Ｙ方向に仮の分割線を導入して頂点座標と仮分割線の交点でパターンを仮分割する工程と、仮分割したパターンを組み合わせ、より大きな寸法のパターンを再構成する工程と、を有するように構成したことを特徴とする。
【００１５】
（６）請求項６記載の発明は、荷電粒子ビームによる走査によりパターンを被描画材料上に描画するに当たり、描画すべきパターンを矩形パターンに分割する荷電粒子ビーム描画におけるパターン分割方法において、パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程と、描画すべきパターンをフィールドサイズ及び／若しくはサブフィールドサイズで分割する工程と、描画パターン内の多角形から分割された矩形、台形、或いは入力された当該電子線描画装置用のフォーマット図形の各頂点座標から、矩形の場合は辺の長さ、台形の場合は上辺、下辺、高さを計算する工程と、前記多角形の基準頂点座標と同多角形内各頂点のＸ，Ｙ方向の長さ（ΔＸ，ΔＹ）を計算する工程と、前記長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍になるように当該頂点座標を変更する工程と、前記長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍に一致せず、その誤差がＳｓの±１／２を超えかつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する工程と、を有するように構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
（１）請求項１記載の発明によれば、分割により生じたパターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有し、前記矩形パターンの分割を被分割パターンの中央付近から行なっていくようにすることで、最終的な残差部分をパターンの周囲に集中させることができ、本来のパターンは確実に描画することができ、また残差部分も少なくなるので、丸め誤差による影響をできるだけ少なくなるようにすることができる。
【００１７】
（２）請求項２記載の発明によれば、分割により生じた描画パターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有し、前記矩形パターンの分割を被分割パターンの周辺部分から行なっていくようにすることで、最終的な残差をパターンの中央付近に集中させることができ、残差部分は描画時に周囲のパターンの滲みにより描画されるので、丸め誤差による影響をできるだけ少なくなるようにすることができる。
【００１８】
（３）請求項３記載の発明によれば、分割により生じたパターンをＳｓで分割する工程と、該Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、該Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、該Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、を有することで、丸め誤差による影響をできるだけ少なくなるようにすることができる。
【００１９】
（４）請求項４記載の発明によれば、多角形の中から基準となる頂点を定義し、残りの頂点の前記基準点からの長さがパターン分割サイズＳｐ、ステップサイズＳｓの整数倍となるように配置することで、分割後のパターン描画時の走査丸め誤差を少なくすることができる。
【００２０】
（５）請求項５記載の発明によれば、多角形の４個の頂点座標から、台形、矩形が存在することを判断してこれを抜き出すことにより、大きな図形で抜き出すことができ、全体の描画のスループットを向上させることができる。
【００２１】
（６）請求項６記載の発明によれば、ΔＸ又はΔＹをＳｐの整数倍となるように頂点座標を変更することにより、パターン描画時に走査丸め誤差をできるだけ少なくなるようにすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
（実施の形態１）
本発明は以下のような工程より構成される。
Ｓ１：パターン分割サイズＳｐ、走査ステップサイズＳｓを指定する工程。
【００２３】
図１はＳｐ及びＳｓを基準にしたパターン分割の説明図である。図において、Ｓｐがパターン分割サイズ、Ｓｓが走査ステップサイズである。Ｓｓはスポットビームの間隔である（図２０参照）。ＡはＳｐの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。ＢはＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターン、ＣはＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。ＤはＳｓの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。
Ｓ２：多角形パターンを四辺形パターンに分割する際の矩形パターン、台形パターン選択基準値を指定する工程。
【００２４】
工程Ｓ２は、後述する多角形パターンを四辺形パターンに分割した時に、該四辺形パターンを矩形パターン又は台形パターンに分類するための四辺形パターンの長辺と短辺のなす角度を指定するものである。
Ｓ３：ＣＡＤ等で作成した描画すべきパターンをフィールドサイズ、及びサブフィールドサイズで分割する工程。
【００２５】
図１９にフィールドサイズと、サブフィールドサイズで分割する様子が示されている。
Ｓ４：前記多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合、長辺と短辺のなす角度に相当する基準値から矩形パターンと台形パターンの判断を行なう工程。
【００２６】
図２はθの値により台形パターンと矩形パターンに分類されるようすを示す図である。θは長辺と短辺のなす角である。ここで、θに範囲を決め、θ＞θｔ（θ１＜θｔ＜θ２）の場合に矩形パターンと判断するものである。（ａ）はθ＝θ１であり台形パターンとされ、（ｂ）はθ＝θ２であり矩形パターンと判断され、（ｃ）はθ＝π／２であり矩形パターンと判断された場合を示している。つまり、θ＝π／２に近い時には矩形パターンと判断されている。
Ｓ５：前記四辺形パターンを最終的に矩形パターンに分割した時に生じるパターンデータから、Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程。
【００２７】
図１にＳｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンＡが示されている。
Ｓ６：前記四辺形パターンを最終的に矩形パターンに分割した時に生じるパターンからＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程。
【００２８】
図１にＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンＢ，Ｃが示されている。
Ｓ７：前記四辺形パターンを最終的に矩形パターンに分割した時に生じるパターンデータからＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程。
【００２９】
図１にＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンＤが示されている。
Ｓ８：前記工程Ｓ５〜Ｓ７で生じたパターンデータを当該電子線描画装置用のフォーマットに変換する工程。
以上の工程を持つ実施の形態１のパターンの分割方法について説明すれば、以下の通りである。
【００３０】
本実施の形態は、Ｓｓを基本にしたパターン分割、１本線データの発生、点パターンデータの発生によっても充填できない、当初の設計パターンとフォーマット変換されるパターンとの残差部分を、パターンの周囲に発生させるようにパターンを分割していくものである。残差部分をパターンの周囲に発生させるため、丸め誤差は発生しにくくなり、正確な描画を得ることができるようになる。
【００３１】
図３は本発明を実施するシステム構成例を示す図である。図において、１０はＣＡＤ等により作成された設計パターンデータが記憶されている記憶装置で、例えばハードディスク装置が用いられる。１１は各種コマンド、数値を入力するための操作部で、例えばキーボードとマウスが用いられる。１２は記憶装置１０及び操作部１１と接続され、後述するパターン分割を実施する演算装置である。該演算装置１２としては、例えばマイクロコンピュータが用いられる。
【００３２】
１３は演算装置１２と接続され、各種情報を表示する表示部である。該表示部１３としては、例えばＣＲＴやＬＣＤが用いられる。１４は演算装置１２と接続され、フォーマット変換された描画データを受けて、被描画材料（図示せず）上に所定のパターンを描画する電子線描画装置である。ここでは、電子線描画装置としては、スポットビーム方式の描画装置が用いられている。電子線描画装置１４は、電子銃とコンデンサレンズ系、偏向系、対物レンズ等よりなり、被描画材料上に所定のパターンを描画していく。
【００３３】
このように構成された装置を用いて、第１の実施の形態を説明する。先ず、操作部１１からパターン分割サイズＳｐと走査ステップＳｓを入力する。入力されたＳｐとＳｓは表示部１３に表示されるので、オペレータはＳｐとＳｓが正確に入力されたかを確認することができる。正確に入力されていない場合には、操作部１１から入力をやり直す。次に、操作部１１から多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を入力する。この基準値としては、例えば四辺形パターンの長辺と短辺とがなす角度が考えられる。この角度も表示部１３に表示されて、オペレータはこの基準値を確認することができる。入力されたＳｐ、Ｓｓ、基準値は演算装置１２に記憶される。
【００３４】
演算装置１２は、記憶装置１０に記憶されているＣＡＤにより作成された設計パターンデータを読み出し、フィールドサイズ、及びサブフィールドサイズで分割する。フィールドサイズ、及びサブフィールドサイズについては、図１９で説明した通りである。演算装置１２は、フィールド及びサブフィールド内の多角形パターンを四辺形パターンに分割する。次に、分割した四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する。この場合において、前記入力された基準値を基に矩形パターンと台形パターンに分割する。この基準値が、四辺形パターンの長辺と短辺のなす角度である場合、該角度が基準値よりも小さい場合は台形パターンと判断され、該角度が基準値よりも大きい場合は矩形パターンと判断される（図２参照）。
【００３５】
矩形パターンは以下の手順で分割されるが、台形パターンであった場合には、台形パターン内部から矩形パターンを分割する。図４は台形パターンから矩形パターンの分割の説明図である。図において、２０が台形パターンである。この台形パターン２０から、図に示すように矩形パターン２１を分割する。つまり、台形パターンは最終的には矩形パターンとして分割処理されることになる。
【００３６】
次に、演算装置１２は、分割によって生じたパターンからＳｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する。この際、できるだけ大きなサイズの矩形パターンをパターン中央付近から分割する。図５はパターン中央部からの矩形パターン分割のようすを示す図である。図において、３０が目的とするパターンである。ＥはＳｐの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。この矩形パターンＥは、できるだけ大きなサイズでパターン中央付近から分割されたものである。
【００３７】
次に、演算装置１２は、前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する。この場合において、先に分割で生じた矩形パターンＥと接する部分からパターンの周囲に広がるように分割する。図５のＦがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。
【００３８】
次に、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する。図５のＧがＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンである。このように、この実施の形態では、最初にできるだけ大きなサイズの矩形パターンをパターン中央付近から分割し、以後分割された矩形パターンと接するように新規の分割矩形パターンをパターン周囲に向かって形成することで、最終的な残差部分をパターンの周囲に集中させることが可能となる。図５のハッチング領域が残差部分である。この残差部分は、スポットビームパターン描画がされない領域になるが、本来のパターンの部分は確実に描画されるので、特に問題とはならない。このようにしてパターンの分割が終了した後、演算装置１２は電子線描画装置１４に前記各分割によって生じたパターンデータをフォーマット変換して与える。該電子線描画装置１４は、描画材料上に丸め誤差による影響をできるだけ少なくした描画を行なうことになる。
【００３９】
このように、第１の実施の形態によれば、多角形パターンを分割して生じたパターンから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有し、前記矩形パターンの分割を描画パターンの中央付近から行なっていくようにすることで、最終的な残差部分をパターンの周囲に集中させることができ、本来のパターンは確実に描画することができ、また残差部分も少なくなるので、丸め誤差による影響をできるだけ少なくなるようにすることができる。
（実施の形態２）
実施の形態２も、図３に示す装置の動作の工程も前述した実施の形態１の場合と同じである。本実施の形態は、Ｓｓを基本にしたパターン分割、１本線データの発生、点パターンデータの発生によっても充填できない、当初の設計パターンとフォーマット変換されるパターンとの残差部分を、パターンの中央付近に発生させるようにパターンを分割していくものである。残差部分をパターンの中央付近に発生させるため、パターンの基本的な部分は描画され、パターンの中央付近に残った残差はスポット照射による滲み効果で中央付近も描画されたのと同様の効果が得られる。このため、丸め誤差は発生しにくくなり、正確な描画を得ることができるようになる。
【００４０】
図３に示す装置を用いて、第２の実施の形態を説明する。先ず、操作部１１からパターン分割サイズＳｐと走査ステップＳｓを入力する。入力されたＳｐとＳｓは表示部１３に表示されるので、オペレータはＳｐとＳｓが正確に入力されたかを確認することができる。次に、操作部１１から多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を入力する。この基準値としては、例えば四辺形パターンの長辺と短辺とがなす角度が考えられる。この角度も表示部１３に表示されて、オペレータはこの基準値を確認することができる。入力されたＳｐ、Ｓｓ、基準値は演算装置１２に記憶される。
【００４１】
演算装置１２は、記憶装置１０に記憶されているＣＡＤにより作成された設計パターンデータを読み出し、フィールドサイズ、及びサブフィールドサイズで分割する。フィールドサイズ、及びサブフィールドサイズについては、図１９で説明した通りである。演算装置１２は、フィールド及びサブフィールド内の多角形パターンを四辺形パターンに分割する。次に、分割した四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する。この場合において、前記入力された基準値を基に矩形パターンと台形パターンに分類する。この基準値が、四辺形パターンの長辺と短辺のなす角度である場合、該角度が基準値よりも小さい場合は台形パターンと判断され、該角度が基準値よりも大きい場合は矩形パターンと判断される（図２参照）。
【００４２】
矩形パターンは以下の手順で分割されるが、台形パターンであった場合には、台形パターン内部から矩形パターンを分割する。図４は台形パターンから矩形パターンの分割の説明図である。図において、２０が台形パターンである。この台形パターン２０から、図に示すように矩形パターン２１を分割する。つまり、台形パターンは最終的には矩形パターンとして分割処理されることになる。
【００４３】
次に、演算装置１２は、分割によって生じたパターンからＳｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する。この際、できるだけ大きなサイズの矩形パターンをパターンの周囲から中央に向かうようにできるだけ大きなサイズの矩形パターンを分割する。図６はパターン周辺部からの矩形パターン分割のようすを示す図である。図において、４０が目的とするパターンであるものとする。Ｈ,ＩはＳｐの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。この矩形パターンＨ,Ｉは、できるだけ大きなサイズでパターン周辺部から分割されたものである。
【００４４】
次に、演算装置１２は、前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する。この場合において、先に分割で生じた矩形パターンＨ,Ｉと接する部分からパターンの中央に向かうように分割する。図６のＪ,ＫがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。
【００４５】
次に、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する。図６のＬがＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンである。このように、この実施の形態では、最初にできるだけ大きなサイズの矩形パターンをパターン周辺部から分割していき、以後分割された矩形パターンと接するように新規の分割矩形パターンをパターン中央に向かって形成することで、最終的な残差部分をパターンの中央に集中させることが可能となる。図６では残差部分が示されていないが、実際は残差が生じるのが通常である。
【００４６】
この残差部分は、スポットビームパターン描画がされない領域になるが、本来のパターンの部分は確実に描画されるので、特に問題とはならない。このようにしてパターンの分割が終了した後、演算装置１２は電子線描画装置１４に前記各分割によって生じたパターデータをフォーマット変換して与える。該電子線描画装置１４は、描画材料上に丸め誤差による影響をできるだけ少なくした描画を行なうことになる。
【００４７】
このように、第２の実施の形態によれば、多角形パターンを分割して生じたパターンデータから前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割した残りのパターン部分から前記Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを分割する工程と、を有し、前記矩形パターンの分割を描画パターンの周辺部分から行なっていくようにすることで、最終的な残差をパターンの中央付近に集中させることができ、残差部分は描画時に周囲のパターンの滲みにより描画されるので、丸め誤差による影響をできるだけ少なくなるようにすることができる。
（実施の形態３）
実施の形態３は、以下のような工程からなる。
Ｓ１：パターン分割サイズＳｐと走査ステップサイズＳｓを指定する工程。
【００４８】
この工程は、操作部１１からオペレータがＳｐとＳｓを入力することで実現される。入力されたＳｐとＳｓは表示部１３に表示されるので、オペレータはＳｐとＳｓを正確に入力したかどうかを確認することができる。若し誤った数値が入力されていたら、操作部１１からＳｐ又はＳｓの値を入力し直す。
Ｓ２：多角形パターンを四辺形パターンに分割する際の矩形パターン、台形パターン選択基準値を指定する工程。
【００４９】
この工程は、四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する時の基準値として、四辺形パターンの長辺と短辺のなす角度を用いている（図２参照）。
Ｓ３：前記描画すべきパターンデータをフィールドサイズ、及びサブフィールドサイズで分割する工程（図１９参照）。
Ｓ４：前記四辺形パターンを最終的に矩形パターンに分割した時に生じるパターンをＳｓで分割する工程。
【００５０】
図７はＳｓの長さを基にしたパターン分割の説明図である。全てのパターンがＳｓで分割されている。
Ｓ５：Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程。
【００５１】
図７に示す図で、ＯがＳｐの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。
Ｓ６：Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程。
【００５２】
図７に示す図で、Ｐ,ＱがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンである。
Ｓ７：Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程。
【００５３】
図７に示す図で、ＲがＳｓの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンである。
Ｓ８：前記工程Ｓ５〜Ｓ７で生じたパターンデータを、電子線描画装置用のフォーマットに変換する工程。
【００５４】
図３に示す装置を用いて、第３の実施の形態を説明する。先ず、操作部１１からパターン分割サイズＳｐと走査ステップＳｓを入力する。入力されたＳｐとＳｓは表示部１３に表示されるので、オペレータはＳｐとＳｓが正確に入力されたかを確認することができる。正確に入力されていない場合には、操作部１１から入力をやり直す。次に、操作部１１から多角形パターンを四辺形パターンに分割する場合における四辺形パターンを矩形パターンと台形パターンに分類する際の基準値を入力する。この基準値としては、例えば四辺形パターンの長辺と短辺とがなす角度が考えられる。この角度も表示部１３に表示されて、オペレータはこの基準値を確認することができる。入力されたＳｐ、Ｓｓ、基準値は演算装置１２に記憶される。
【００５５】
演算装置１２は、ＣＡＤ等で作成した設計パターンデータを、フィールドサイズ、及びサブフィールドサイズで分割する。そして、多角形パターンから分割された四辺形パターンは、指定した矩形パターン定義基準（例えば四辺形パターンの長辺と短辺のなす角度）を満たすパターンは矩形パターンと葉判断され、そうでない図形は台形パターンと判断する。矩形パターンは以下の手順で分割されるが、台形パターンの場合は、台形パターン内部から矩形パターンを分割する（図４参照）。
【００５６】
次に、演算装置はこのような分割によって生じたパターンをＳｓで分割する（図７参照）。そして、Ｓｓで分割された矩形パターンを組み合わせＳｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する（図７参照）。前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｓで分割された矩形パターンを組み合わせて、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する（図７参照）。
【００５７】
次に、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りの領域に、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する（図７参照）。このようにして、パターンの分割が終了した後、演算装置１２はこれらのパターンデータを当該電子線描画装置用のフォーマットに変換し、電子線描画装置１４に入力する。該電子線描画装置１４は、丸め誤差がほとんどない正確なパターン描画を行なう。
【００５８】
このように、第３の実施の形態によれば、四辺形パターンを最終的に矩形パターンに分割した時に生じるパターンデータをＳｓで分割する工程と、Ｓｓで分割されたパターンを組み合わせ、Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、前記Ｓｐの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、前記Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成した残りのパターン領域に、Ｓｓの整数倍の辺の長さを持つ矩形パターンを形成する工程と、を有するように構成することで、丸め誤差による影響をできるだけ少なくなるようにすることができる。
【００５９】
上述の実施の形態では、Ｓｐの整数倍の長さの辺を持つ矩形パターンを正方形で示しているが、本発明はこれに限るものではなく、長方形でもいいことはいうまでもない。
（実施の形態４）
図３に示すシステム構成例を用いて、実施の形態４を説明する。先ず、ＣＡＤ等で作成した描画パターンを、スポット型電子線描画装置用にフォーマット変換する際、操作部１１からパターン分割サイズＳｐ、走査ステップサイズＳｓを指定する。ＳｐとＳｓは表示部１３に表示されるので、オペレータはＳｐとＳｓを確認することができる。次に、演算装置１２はＣＡＤ等で作成した描画パターンを、フィールドサイズ及びサブフィールドサイズで分割する。フィールド境界、並びにフィールドサイズに準ずるサイズで分割されたパターンを含む各多角形から、基準となる頂点を定義する。
【００６０】
図８は基準頂点の定義の説明図である。ある任意の頂点Ａを基準点とする。ここで、Ａ点の座標を（Ｘ１，Ｙ１）とする。この基準点Ａを、座標原点（０，０）にシフトすると、Ａ点以外の頂点の座標を分かりやすい形で求めることができる。この頂点Ａの定義は任意である。演算装置１２は、ここで定義された頂点（以下、基準頂点と呼ぶ）座標から、他の同多角形内の各頂点Ｂ〜Ｆの座標を計算する。
【００６１】
図９は基準点から各頂点の相対座標の定義の説明図である。ここでは、各頂点Ｂ〜Ｆと基準頂点Ａ間のＸ，Ｙ方向の長さ（距離）を（ΔＸ，ΔＹ）とする。Ｂ点の長さは（ΔＸ１，ΔＹ１）、Ｃ点の長さが（ΔＸ２，ΔＹ２）、Ｄ点の長さが（ΔＸ３，ΔＹ３）、Ｅ点の長さが（ΔＸ４，ΔＹ４）、Ｆ点の長さが（ΔＸ５，ΔＹ５）で表される。ここで、演算装置１２は、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍と一致せず、かつその誤差がＳｓの±１／２以内の場合、ΔＸ又はΔＹをＳｐの整数倍と一致させるように当該頂点座標を変更する。
【００６２】
図１０は基準頂点からの相対座標の修正の説明図である。図１０の（ｂ）は（ａ）の拡大図である。（ａ）において、頂点Ｂの座標（ΔＸ１，ΔＹ１）がパターン分割サイズＳｐの整数倍と一致していない。その拡大図（ｂ）をみると、この誤差がＳｓの±１／２以内であるということが分かる。ここで、演算装置１２は、Ｂ点がＳｐの境界線に乗るように座標（ΔＸ１，ΔＹ１）を（ΔＸ１’，ΔＹ１’）に変更する。（ｂ）を見ると分かるように、座標（ΔＸ１’，ΔＹ１’）はＳｐの交点Ｂ’に一致している。なお、誤差がＳｓの±１／２以内であるかどうかはオペレータが操作部１１から行なう。
【００６３】
また、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍と一致せず、かつその誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、演算装置１２はΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する。図１１は基準頂点座標からの相対座標の修正の説明図である。（ΔＸ１，ΔＹ１）の点が実際の頂点Ｃである。この点ＣはＳｓの格子の線に乗っていない。そこで、この点Ｃを格子の点Ｃ’に変更する。座標で言えば（ΔＸ１，ΔＹ１）の点Ｃを、（ΔＸ１’，ΔＹ１’）の点Ｃ’に変更する。
【００６４】
ここで、Ｓｓの整数倍と１／２に一致した場合、この１／２を切り上げるか、切り捨てるかはオペレータが操作部１１から行なう。
以上の過程で、当該多角形の各頂点間長さは、
Ｓｐの整数倍
Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍
Ｓｓの整数倍
の何れかに該当するため、演算装置１２は各頂点から、Ｘ，Ｙ方向に仮分割線を導入する。そして、仮分割線の交点と頂点から構成される矩形、台形に仮分割する。図１２は多角形分割の説明図である。前記頂点Ａ〜Ｆを持つ多角形において、仮分割した図形間での組み合わせが可能な場合は、より大きな矩形、台形に再構成する。図１３は図１２に示す仮分割線によりできた矩形と台形同士を整理してより大きな矩形・台形を求めたものである。ＧとＨがこのようにして求めた大きな台形を示している。
【００６５】
なお、本願発明は、新規の頂点は発生させないが、もともとの頂点と仮分割線の交点では矩形、台形が形成できない場合、矩形の辺の長さ、台形の上辺、下辺、高さが
Ｓｐの整数倍
Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍
Ｓｓの整数倍
のどれかに該当するような頂点を発生させて、矩形、台形を作成する。図１４は頂点の発生の説明図である。図において、頂点Ｉから頂点Ｊまで直線を引いた場合の辺と交わる点をＪとすると、Ｊで分割された長さＬｘ１とＬｘ２は何れも走査ステップＳｓの整数倍となっている。
【００６６】
更に、最終的な残存図形となった場合は、前記本願発明手法を用いることができないので、演算装置１２は通常のアルゴリズムを用いて頂点を発生させ、矩形、台形を作成する。図１５は頂点の発生の他の説明図である。図中のＬｘ３は走査ステップＳｓの整数倍とはならないので、通常のビーム描画方法を用いる。
【００６７】
そして、最終的に矩形、台形パターンに分割された後、当該電子線描画装置用のフォーマットに変換して出力する。
以上、説明したように、実施の形態４によれば、多角形の中から基準となる頂点を定義し、残りの頂点の前記基準点からの長さがパターン分割サイズＳｐ、ステップサイズＳｓの整数倍となるように配置することで、分割後のパターン描画時の走査丸め誤差を少なくすることができる。
（実施の形態５）
システムとしては、図３に示すシステムを用いる。ＣＡＤ等で作成した描画パターンを、フィールドサイズ及びサブフィールドサイズで分割する。フィールド境界、並びにサブフィールドサイズで分割されたパターンを含む各多角形から、基準となる頂点を定義する（図８参照）。この定義は任意であってよい。演算装置１２は、ここで基準頂点座標から、他の同多角形内の各頂点座標を計算する（図９参照）。各頂点と基準頂点間のＸ，Ｙ方向の距離を  （ΔＸ，ΔＹ）とする。
【００６８】
ここで、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍と一致せず、かつその誤差がＳｓの±１／２以内の場合、演算装置１２はΔＸ，ΔＹをＳｐの整数倍と一致させるように当該頂点座標を変更する（図１０参照）。誤差がＳｓの±１／２に一致する場合の該当、非該当の指定はオペレータが操作部１１から行なう。
【００６９】
また、ΔＸ、又はΔＹがＳｐの整数倍と一致せず、かつ、その誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、演算装置１２はΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、当該頂点座標をＳｓの±１／２以内の範囲で変更する（図１１参照）。誤差がＳｓの整数倍と１／２に一致した場合、この１／２を切り上げるか、切り捨てるかの指定はオペレータが操作部１１から行なう。
【００７０】
以上の過程で、当該多角形の各頂点間距離は、
Ｓｐの整数倍
Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍
Ｓｓの整数倍
のどれかに該当するため、演算装置１２は当該多角形中の４座標のうち、同じＸ（Ｙ）座標を持つ２組の座標が存在する場合は、これを台形、又は矩形と認識して当該多角形から抜き出す。図１６は、多角形から矩形、台形の抜き出しの説明図である。図形ＡＢＣＤを、矩形として多角形から抜き出す。
【００７１】
演算装置１２は残りの領域でも同様に判断を行ない、台形、又は矩形を抜き出し、抜き出した台形、矩形間での組み合わせが可能な場合は、より大きい台形、矩形に再構成する（図１３参照）。
【００７２】
矩形、台形の抜き出しができなくなった、或いはできない状況では、演算装置１２は実施の形態４に従い、各頂点からＸ，Ｙ方向に仮分割線を導入する。そして、仮分割線の交点と頂点から構成される矩形、台形に仮分割する（図１２参照）。仮分割した図形は、組み合わせてより大きな矩形、台形に再構成する（図１３参照）。
【００７３】
この実施の形態では原則として新規の頂点は発生させないが、もともとの頂点と仮分割線の交点では矩形、台形が形成できない場合、演算装置１２は矩形の辺の長さ、台形の上辺、下辺、高さが
Ｓｐの整数倍
Ｓｐの整数倍とＳｓの整数倍
Ｓｓの整数倍
のどれかに該当するような頂点を発生させて、矩形、台形を作成する（図１４参照）。更に、最終的な残存図形となった場合は、前記制約に関係なく、新たな頂点を発生させて矩形、台形を作成する（図１５参照）。そして、最終的に矩形、台形パターンに分割された後、当該電子線描画装置用のフォーマットに変換して出力する。
【００７４】
この実施の形態によれば、多角形を分割することで、分割された図形を描画する際、走査丸め誤差をできるだけ少なくなるようにすることが可能となる。即ち、多角形の４個の頂点座標から、台形、矩形が存在することを判断してこれを抜き出すことにより、大きな図形で抜き出すことができ、全体の描画のスループットを向上させることができる。
（実施の形態６）
この実施の形態も図３に示すシステムを用いる。演算装置１２は、ＣＡＤ等で作成した描画パターンデータをフィールドサイズ及びサブフィールドサイズで分割する。多角形は、当該電子線描画装置で操作、描画できる矩形、台形に分割する。ここで、演算装置１２は、多角形の頂点座標から、当該多角形内の各頂点座標を求め、矩形の場合は辺、台形の場合は上辺、下辺、高さを計算する。
【００７５】
この長さ（ΔＸ，ΔＹ）がＳｐの整数倍と一致せず、かつその誤差がＳｓの±１／２以内の場合、演算装置１２はΔＸ又はΔＹをＳｐの整数倍と一致させるように当該頂点座標を変更する。図１７は頂点の修正の説明図である。ＡＢＣＤの矩形の辺ＡＢがＳｓの境界に届いていない。そこで、演算装置１２は、頂点Ａ（ΔＸ１，ΔＹ１）とＢ（ΔＸ１，ΔＹ２）を、Ｓｓの境界に位置する点Ａ’（ΔＸ１’，ΔＹ１）と点Ｂ’（ΔＸ１’，ΔＹ２）に移動させる。ここで、誤差がＳｓの±１／２に一致する場合の該当、非該当の指定、或いはどの頂点の座標を変更するかはオペレータが操作部１１から行なう。
【００７６】
また、ΔＸ又はΔＹがＳｐの整数倍と一致せず、かつその誤差がＳｓの±１／２を超え、かつその誤差がＳｓの整数倍にならない場合、ΔＸ、又はΔＹがＳｐの整数倍とＳｓの整数倍の和になるように、演算装置１２が当該頂点座標をＳｓの±１／２の範囲で変更する。図１８は頂点の他の修正の説明図である。ＡＢＣＤの矩形の辺ＡＢがＳｓの境界に届いていない。そこで、演算装置１２は、頂点Ａ（ΔＸ１，ΔＹ１）とＢ（ΔＸ１，ΔＹ２）を、Ｓｓの境界に位置する点Ａ’（ΔＸ１’，ΔＹ１）と点Ｂ’（ΔＸ１’，ΔＹ２）に移動させる。ここで、誤差がＳｓの整数倍と１／２に一致した場合、この１／２を切り上げるか、切り捨てるかの指定は、オペレータが操作部１１から行なう。
【００７７】
そして、最終的に矩形、台形パターンに分割された後、当該電子線描画装置用のフォーマットに変換して出力する。
この実施の形態によれば、分割された図形を描画する際、操作丸め誤差をできるだけ少なくなるようにすることが可能となる。即ち、ΔＸ又はΔＹをＳｐの整数倍となるように頂点座標を変更することにより、パターン描画時に走査丸め誤差をできるだけ少なくなるようにすることが可能となる。
【００７８】
このように、本発明によれば、スポット型電子線描画用のパターンデータフォーマット変換の際、描画時のパターン分割サイズ、走査ステップサイズを指定し、入力パターンの各頂点間の距離（ΔＸ，ΔＹ）を描画時のパターン分割サイズＳｐ、走査ステップサイズＳｓの整数倍に調整することで、分割後のパターン描画時の走査丸め誤差が少なくなる。また、描画の際の丸め誤差が少なくなることで、描画線幅の均一性の向上が期待できる。
【００７９】
図２３は本発明の追加の技術を示す図である。（ａ）は実施の形態６のフローチャートを示し、（ｂ）は追加の技術のフローチャートを示している。実施の形態６がＣＡＤからの描画パターンデータを演算装置３０に入力し、該演算装置３０内で描画時のパターン分割サイズ、走査ステップサイズを指定し（Ｓ１）、描画パターン各頂点間の距離調整を行ない（Ｓ２）、フォーマット変換を行ない（Ｓ３）、スポット型電子線描画用のフォーマットに変換されたパターンデータを描画装置２０に入力しているのに対し、追加の技術では、ＣＡＤからの描画パターンデータを演算装置３０’に入力し、該演算装置３０’内でデータベース２１に保存されている既存のスポット型電子線描画用のフォーマットに変換されたパターンデータを入力し（Ｓ１’）、描画パターン各頂点間の距離調整を行ない（Ｓ２’）、フォーマット変換して（Ｓ３’）、スポット型電子線描画用のフォーマットに変換されたパターンデータを描画装置２０に入力している。このようにすることで、描画の際の丸め誤差が少なくなり、描画均一性の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】Ｓｐ及びＳｓを基準にしたパターン分割の説明図である。
【図２】θの値により台形パターンと矩形パターンに分類されるようすを示す図である。
【図３】本発明を実施するシステム構成例を示す図である。
【図４】台形パターンから矩形パターンの分割の説明図である。
【図５】パターン中央部からの矩形パターン分割のようすを示す図である。
【図６】パターン周辺部からの矩形パターン分割のようすを示す図である。
【図７】Ｓｓの長さを基にしたパターン分割の説明図である。
【図８】基準頂点の定義の説明図である。
【図９】基準点から各頂点の相対座標の定義の説明図である。
【図１０】基準頂点からの相対座標の修正の説明図である。
【図１１】基準頂点座標からの相対座標の修正の説明図である。
【図１２】多角形分割の説明図である。
【図１３】分割された矩形・台形の再構成の説明図である。
【図１４】頂点の発生の説明図である。
【図１５】頂点の発生の他の説明図である。
【図１６】多角形から矩形、台形の抜き出しの説明図である。
【図１７】頂点の修正の説明図である。
【図１８】頂点の他の修正の説明図である。
【図１９】フィールド分割並びに多角形分割の説明図である。
【図２０】パターンの分割並びにパターン内ビーム走査の説明図である。
【図２１】走査丸め誤差発生のようすを示す図である。
【図２２】走査丸め誤差の発生例を示す図である。
【図２３】本発明の追加の技術を示す図である。
【符号の説明】
【００８１】
１０  記憶装置
１１  操作部
１２  演算装置
１３  表示部
１４  電子線描画装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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