(57)【要約】【課題】電子カメラに組み込まれて使用される固体撮像素子において、信号量の減少を抑制しつつ、瞳分割性能を向上させて焦点検出精度を高める。【解決手段】右の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素２Ａは、電荷蓄積部２７Ａの右半分の直上にゲート酸化膜２９を介して光学多層膜２１Ａが形成されている。左の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素２Ｂは、電荷蓄積部２７Ｂの左半分の直上にゲート酸化膜２９を介して光学多層膜２１Ｂが形成されている。これにより、瞳分割位相差方式による焦点検出に際して、信号量が減少してしまう事態を回避すると同時に、クロストークの発生を抑制することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光光束を光電変換して画素信号を生成する複数の撮像用画素が撮像面に設けられ、
受光光束を瞳分割して光電変換し、焦点検出用信号を生成する光電変換部を有する焦点検出用画素が前記撮像面に設けられた固体撮像素子において、
前記焦点検出用画素は、前記光電変換部の少なくとも一部の直上に遮光部材が設けられていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記焦点検出用画素は、電位変動のない配線を有し、この配線は前記遮光部材に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記配線は、ＧＮＤまたは電源であることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記焦点検出用画素においては、前記撮像面上に瞳分割の仮想分割線が所定の分割方向に設定されて複数の遮光領域が形成され、
前記焦点検出用画素には、前記各遮光領域にのみ前記遮光部材が設けられた複数種類が併存していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記分割方向は、垂直方向、水平方向、垂直方向に対して４５°の方向のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記仮想分割線は、複数本あることを特徴とする請求項４または５に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
前記仮想分割線は、前記撮像面上における前記焦点検出用画素の位置に応じて設定されていることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
前記遮光部材は、光学多層膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子カメラに組み込まれて使用される固体撮像素子、特にＣＭＯＳ型の固体撮像素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ビデオカメラやデジタルスチルカメラなどの電子カメラが広く一般に普及している。これらの電子カメラには、増幅型の固体撮像素子が使用されている場合が多い。この増幅型の固体撮像素子は画素領域を有しており、画素領域には複数の画素が２次元状に配置されている。各画素はそれぞれ光電変換部および画素アンプ部を備えており、光電変換部は、入射光に応じて生成された信号電荷を蓄積し、画素アンプ部は、この信号電荷を増幅する。そして、この信号電荷は、周辺回路（垂直走査回路など）からの駆動信号に従って出力される。こうした増幅型の固体撮像素子の主なものとして、画素アンプ部にＭＯＳトランジスタを用いたＣＭＯＳ型の固体撮像素子がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
そして、上記のようなＣＭＯＳ型の固体撮像素子においては、焦点検出機能をも併せ持つ方法が提案されており、その１つとして、瞳分割位相差方式が知られている（例えば、特許文献２、３参照）。この瞳分割位相差方式では、撮像用画素の配列の一部が焦点検出用画素に割り当てられており、撮影レンズの通過光束を瞳分割して一対の分割像を形成し、これらの分割像のパターンずれを検出することにより、撮影レンズのデフォーカス量が検出される。なお、１画素に２つの光電変換部が設けられている構造と、分割された片側の光束だけが１つの光電変換部で検出される構造とがある。後者では、瞳分割された光束の片方しか検出できないため、検出する側を交互に変えた２種類の焦点検出用画素が必要となる。
【特許文献１】特開２００３−２５８２３１号公報
【特許文献２】特開２００７−１２７７４６号公報
【特許文献３】特開２００３−２４４７１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような瞳分割位相差方式においては、焦点検出精度を高めるべく、光束を精度よく瞳分割することが非常に重要である。そのため、瞳分割された片側の光束を検出する機能を発現する画素構成として、既存の配線を用いて光電変換部の上を半分だけ覆い隠すことが考えられる。
【０００５】
しかしながら、これでは、光電変換部の界面と配線の間や配線同士の間で光が多重反射する成分が存在するばかりでなく、光の波動としての性質による回折効果から、瞳分割された光を損失することなく蓄積することは難しい。たとえ最下層の配線を用いて遮光したとしても、配線から光電変換部までには一定の高さが設けられているため、信号量が減少してしまうことは避けられない。
【０００６】
また、クロストークが発生して瞳分割精度が低下するため、分割像のパターンずれを検出しにくくなる。特に、イメージエリアの周辺では、画素に対して斜めに光が入射するので、パターンずれの検出が一層困難となる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑み、瞳分割位相差方式による焦点検出に際して、信号量の減少を抑制しつつ、瞳分割性能を向上させて焦点検出精度を高めることが可能な固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る第１の固体撮像素子（１）は、受光光束を光電変換して画素信号を生成する複数の撮像用画素（４）が撮像面（Ｐ）に設けられ、受光光束を瞳分割して光電変換し、焦点検出用信号を生成する光電変換部（２０）を有する焦点検出用画素（２、６）が前記撮像面に設けられた固体撮像素子において、前記焦点検出用画素は、前記光電変換部の少なくとも一部の直上に遮光部材（２１、３１）が設けられている固体撮像素子としたことを特徴とする。
【０００９】
なお、本発明をわかりやすく説明するため、実施の形態を表す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施の形態に限定されるものでないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、遮光部材（光学多層膜、配線など）が光電変換部の直上に設けられているため、瞳分割位相差方式による焦点検出に際して、信号量が減少してしまう事態を回避すると同時に、クロストークの発生を抑制することができる。そのため、信号量の減少を抑制しつつ、瞳分割性能を向上させて焦点検出精度を高めることが可能な固体撮像素子を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
［発明の実施の形態１］
【００１２】
図１乃至図８には、本発明の実施の形態１を示す。
【００１３】
まず、構成を説明する。
【００１４】
固体撮像素子１は、図１に示すように、撮像面（受光面）Ｐを有している。撮像面Ｐ上には、焦点検出エリア３が複数箇所（中央部、上下各部、左右各部）に分散して設けられており、各焦点検出エリア３には、複数の焦点検出用画素２、６が水平方向または垂直方向に１次元状（一直線状）に配置されている。すなわち、撮像面Ｐ上の中央部には、水平方向に焦点検出を行うべく複数の焦点検出用画素２が水平方向に１次元状に配置されているとともに、垂直方向に焦点検出を行うべく複数の焦点検出用画素６が垂直方向に１次元状に配置されている。また、撮像面Ｐ上の上下各部にはそれぞれ、水平方向に焦点検出を行うべく複数の焦点検出用画素２が水平方向に１次元状に配置されている。さらに、撮像面Ｐ上の左右各部にはそれぞれ、垂直方向に焦点検出を行うべく複数の焦点検出用画素６が垂直方向に１次元状に配置されている。なお、撮像面Ｐ上の焦点検出エリア３以外のエリアは、通常の撮像を行う撮像用エリア５である。
【００１５】
ここで、焦点検出用画素２には、図１に示すように、右の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素２Ａと、左の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素２Ｂとの２種類があり、これらの焦点検出用画素２Ａ、２Ｂは水平方向に交互に並んでいる。
【００１６】
そして、焦点検出用画素２Ａは、図３および図４に示すように、信号電荷を蓄積する光電変換部２０Ａの電荷蓄積部２７Ａと、電荷蓄積部２７Ａに蓄積された信号電荷を転送する転送トランジスタ２２Ａと、転送された信号電荷を電位に変換するフローティングディフュージョン２３Ａと、フローティングディフュージョン２３Ａをリセットするリセットトランジスタ２６Ａと、フローティングディフュージョン２３Ａと配線によって電気的に接続されたゲートを有する増幅トランジスタ２４Ａと、垂直信号線Ｌ１と電気的に接続された選択トランジスタ２５Ａとを備えている。ここで、光電変換部２０Ａは、図２に示すように、Ｐ型のシリコン基板３７上に電荷蓄積部２７Ａを設けて構成されている。電荷蓄積部２７Ａの上側には絶縁性のゲート酸化膜（絶縁膜）２９が配置されており、電荷蓄積部２７Ａの右半分の直上にはゲート酸化膜２９を介して光学多層膜２１Ａが形成されている。
【００１７】
この光学多層膜２１Ａは、図５に示すように、ゲート酸化膜２９上にＮｂ2 Ｏ5 とＳｉＯ2 を１０層ずつ交互に積層した構成となっており、この光学多層膜２１Ａに入射した光は、その波長の長短や入射角度の大小を問わず、ほとんど反射される。すなわち、図６（ａ）は、光学多層膜２１Ａの反射率の波長依存性を示すグラフであり、縦軸は反射率（単位：％）を表し、横軸は波長（単位：ｎｍ）を表す。このグラフによれば、入射光の波長が３５０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲内にある場合、反射率はほぼ９０％に達している。また、図６（ｂ）は、波長５３０ｎｍの光について、光学多層膜２１Ａの反射率の入射角度依存性を示すグラフであり、縦軸は反射率（単位：％）を表し、横軸は入射角度（単位：°）を表す。このグラフによれば、波長５３０ｎｍの光を３０°以下の角度で斜めに入射しても、反射率はほぼ９０％を維持する。
【００１８】
また、光学多層膜２１Ａの上側には層間絶縁膜３３が形成されており、層間絶縁膜３３の上側には３層の配線３０（最下層の配線３０ａ、中間層の配線３０ｂ、最上層の配線３０ｃ）および３層の層間絶縁膜３４（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）が形成されている。さらに、層間絶縁膜３４ｃの上方には順にカラーフィルタ３５Ａ、マイクロレンズ３６Ａが、電荷蓄積部２７Ａの真上に位置するように載置されている。
【００１９】
一方、焦点検出用画素２Ｂは、図３および図４に示すように、信号電荷を蓄積する光電変換部２０Ｂの電荷蓄積部２７Ｂと、電荷蓄積部２７Ｂに蓄積された信号電荷を転送する転送トランジスタ２２Ｂと、転送された信号電荷を電位に変換するフローティングディフュージョン２３Ｂと、フローティングディフュージョン２３Ｂをリセットするリセットトランジスタ２６Ｂと、フローティングディフュージョン２３Ｂと配線によって電気的に接続されたゲートを有する増幅トランジスタ２４Ｂと、垂直信号線Ｌ１と電気的に接続された選択トランジスタ２５Ｂとを備えている。ここで、電荷蓄積部２７Ｂは、図２に示すように、前記シリコン基板３７上に設けられている。電荷蓄積部２７Ｂの上側には前記ゲート酸化膜２９が配置されており、電荷蓄積部２７Ｂの左半分の直上にはゲート酸化膜２９を介して光学多層膜２１Ｂが形成されている。この光学多層膜２１Ｂは、上述した光学多層膜２１Ａと同じ構成となっている。光学多層膜２１Ｂの上側には、上述した層間絶縁膜３３および配線３０ａ、３０ｂ、３０ｃおよび層間絶縁膜３４ａ、３４ｂ、３４ｃが形成されており、その上には順にカラーフィルタ３５Ｂ、マイクロレンズ３６Ｂが、電荷蓄積部２７Ｂの真上に位置するように載置されている。ここで、２個のカラーフィルタ３５Ａ、３５Ｂは、同一色のフィルタとして形成されている。
【００２０】
なお、図３に示すように、焦点検出用画素２Ａの電荷蓄積部２７Ａと焦点検出用画素２Ｂの電荷蓄積部２７Ｂとは、同じサイズとなっている。
【００２１】
また、焦点検出用画素６には、図１に示すように、上の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素６Ａと、下の瞳からの光だけを検出する焦点検出用画素６Ｂとがあり、これらの焦点検出用画素６Ａ、６Ｂは垂直方向に交互に並んでいる。そして、焦点検出用画素６Ａ、６Ｂは、光学多層膜２１Ａ、２１Ｂが電荷蓄積部２７Ａ、２７Ｂの上半分および下半分の直上に設けられていることを除き、上述した焦点検出用画素２Ａ、２Ｂと同じ構成を有している。
【００２２】
なお、焦点検出用画素６の電荷蓄積部２７Ａ、２７Ｂは、焦点検出用画素２の電荷蓄積部２７Ａ、２７Ｂと同じサイズとなっている。
【００２３】
また、焦点検出用画素２、６および撮像用画素４は、図４に示すように、垂直走査回路Ｃ１によって駆動され、また、読み出し回路Ｃ３は水平走査回路Ｃ２によって駆動される。そして、各画素２、４、６から出力される信号は、垂直信号線Ｌ１を介して読み出し回路Ｃ３（より詳しくは、読み出し回路Ｃ３に設けられる水平信号線）に出力されるように構成されている。
【００２４】
ところで、焦点検出用画素２Ａ、２Ｂは、次の手順で製造することができる。
【００２５】
まず、図７（ａ）に示すように、ゲート酸化膜２９を形成した後、レジスト（図示せず）をマスクとして、電荷蓄積部２７Ａ、２７Ｂを公知のイオン注入法に従って形成する。
【００２６】
次に、光学多層膜２１Ａ、２１Ｂを形成する。それには、図７（ｂ）に示すように、ゲート酸化膜２９の上側にＮｂ2 Ｏ5 とＳｉＯ2 を交互に積層して積層体３８を形成した後、図７（ｃ）に示すように、電荷蓄積部２７Ａ上の右半分および電荷蓄積部２７Ｂ上の左半分のみを残すようにエッチングする。なお、Ｎｂ2 Ｏ5 はスパッタリング、ＳｉＯ2 はプラズマＣＶＤ（化学気相蒸着）などにより積層することができる。すると、電荷蓄積部２７Ａの右半分の直上に光学多層膜２１Ａが形成されるとともに、電荷蓄積部２７Ｂの左半分の直上に光学多層膜２１Ｂが形成された状態となる。
【００２７】
続いて、図７（ｄ）に示すように、光学多層膜２１Ａ、２１Ｂの上側に層間絶縁膜３３を堆積し、ＣＭＰ（化学機械研磨）処理により、その上面を平坦化する。
【００２８】
その後、図７（ｅ）に示すように、層間絶縁膜３３の上面に最下層の配線３０ａを形成し、この配線３０ａを覆うように層間絶縁膜３４ａを形成する。次に、図２に示すように、層間絶縁膜３４ａの上面に中間層の配線３０ｂを形成し、この配線３０ｂを覆うように層間絶縁膜３４ｂを形成する。さらに、層間絶縁膜３４ｂの上面に最上層の配線３０ｃを形成し、この配線３０ｃを覆うように層間絶縁膜３４ｃを形成する。
【００２９】
最後に、図２に示すように、層間絶縁膜３４ｃの上方にカラーフィルタ３５Ａ、３５Ｂおよびマイクロレンズ３６Ａ、３６Ｂを載置する。このとき、２個のカラーフィルタ３５Ａ、３５Ｂは、同一色のフィルタとする。
【００３０】
ここで、焦点検出用画素２Ａ、２Ｂの製造が終了する。
【００３１】
また、撮像面Ｐ上には、図１に示すように、撮像用エリア５が設けられており、撮像用エリア５には、図１および図３に示すように、複数の撮像用画素４が水平方向（矢印Ｃ、Ｄ方向）および垂直方向（矢印Ｅ、Ｆ方向）に２次元状（例えば、１２００行１６００列）に配置されている。各撮像用画素４は、上述した焦点検出用画素２、６とほぼ同じ構成を有しているが、図３に示すように、電荷蓄積部２７の直上には光学多層膜２１が形成されていない。なお、撮像用画素４の電荷蓄積部２７は、焦点検出用画素２、６の電荷蓄積部２７と同じサイズとなっている。
【００３２】
以上のような構成を有する固体撮像素子１の動作について説明する。
【００３３】
すなわち、図８に示すように、電荷蓄積部読出期間において、垂直走査回路Ｃ１からの駆動パルスＲＥＳを“Ｌ”状態としてリセットトランジスタ２６をＯＦＦするとともに、垂直走査回路Ｃ１からの駆動パルスＳＥＬを“Ｈ”状態とすることにより、選択トランジスタ２５をＯＮして行を選択し、かつ、垂直走査回路Ｃ１からの駆動パルスＴＸを“Ｈ”状態として転送トランジスタ２２をＯＮする。
【００３４】
すると、光電変換部２０の電荷蓄積部２７に蓄積された信号電荷は、フローティングディフュージョン２３に移動し、フローティングディフュージョン２３で電位に変換された後、増幅トランジスタ２４で増幅される。そのため、電荷蓄積部２７の信号電荷に対応する電気信号が垂直信号線Ｌ１に出力される。こうして垂直信号線Ｌ１に出力された電気信号は、水平走査回路Ｃ２によって順次走査され、読み出し回路Ｃ３によって外部へ読み出される。
【００３５】
このとき、焦点検出用画素２、６は、撮影レンズ（図示せず）の通過光束を瞳分割して一対の分割像を形成するので、これらの分割像のパターンずれを検出することにより、撮影レンズのデフォーカス量を検出することができる。
【００３６】
この実施の形態１によれば、図２に示すように、光学多層膜２１が電荷蓄積部２７の直上に設けられているため、瞳分割位相差方式による焦点検出に際して、信号量が減少してしまう事態を回避することができる。また、光学多層膜２１と電荷蓄積部２７との間には隙間がないので、クロストークの発生を抑制することができる。これらの結果、信号量の減少を抑制しつつ、瞳分割性能を向上させて焦点検出精度を高めることが可能となる。
【００３７】
また、図３に示すように、撮像用画素４と焦点検出用画素２、６とで、光電変換部２０の電荷蓄積部２７のサイズが共通しているため、転送トランジスタ２２およびフローティングディフュージョン２３の位置をすべての撮像用画素４および焦点検出用画素２、６で所定位置に揃えることができる。したがって、撮像面Ｐ上における焦点検出エリア３の配置の如何にかかわらず、レイアウトが容易になるという利点がある。
［発明の実施の形態２］
【００３８】
図９には、本発明の実施の形態２を示す。
【００３９】
この実施の形態２では、図９に示すように、光学多層膜２１Ａ、２１Ｂが互いに連結されて一体化している。その他の構成は、上述した実施の形態１と同様であるので、同一の部分については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４０】
この実施の形態２によれば、上述した実施の形態１と同様の効果を奏する。しかも、たとえ光学多層膜２１Ａと光学多層膜２１Ｂとの間に光が入射しようとしても、その光を反射させることができる。したがって、クロストークの発生を大幅に抑制することが可能となる。
［発明の実施の形態３］
【００４１】
図１０および図１１には、本発明の実施の形態３を示す。
【００４２】
この実施の形態３では、図１０に示すように、光学多層膜２１Ａ、２１Ｂの代わりに配線３１Ａ、３１Ｂが用いられており、これらの配線３１Ａ、３１Ｂが最下層の配線３０ａのうちＧＮＤ（アース）の機能をもつ配線３２と電気的に接続されている。その他の構成は、上述した実施の形態１と同様であるので、同一の部分については、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４３】
ところで、焦点検出用画素２Ａ、２Ｂは、次の手順で製造することができる。
【００４４】
まず、図１１（ａ）に示すように、ゲート酸化膜２９を形成した後、レジスト（図示せず）をマスクとして、電荷蓄積部２７Ａ、２７Ｂを公知のイオン注入法に従って形成する。
【００４５】
次に、図１１（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３３を堆積し、配線３１Ａ、３１Ｂを埋める箇所をゲート酸化膜２９までエッチングする。
【００４６】
続いて、図１１（ｃ）に示すように、アルミニウム等のメタル３９を堆積する。
【００４７】
その後、図１１（ｄ）に示すように、最下層の配線３０ａおよび配線３１Ａ、３１Ｂ、３２が残るようにメタル３９をエッチングする。次に、図１０に示すように、層間絶縁膜３４ａの上面に中間層の配線３０ｂを形成し、この配線３０ｂを覆うように層間絶縁膜３４ｂを形成する。さらに、層間絶縁膜３４ｂの上面に最上層の配線３０ｃを形成し、この配線３０ｃを覆うように層間絶縁膜３４ｃを形成する。
【００４８】
最後に、図１０に示すように、層間絶縁膜３４ｃの上方にカラーフィルタ３５Ａ、３５Ｂおよびマイクロレンズ３６Ａ、３６Ｂを載置する。このとき、２個のカラーフィルタ３５Ａ、３５Ｂは、同一色のフィルタとする。
【００４９】
ここで、焦点検出用画素２Ａ、２Ｂの製造が終了する。
【００５０】
この実施の形態３によれば、上述した実施の形態１、２と同様の効果を奏する。しかも、配線３１Ａ、３１Ｂは、ＧＮＤに電気的に接続されているので、電位の変動に起因して電荷蓄積部２７Ａ、２７Ｂにノイズが混入する事態を回避することができる。
［発明のその他の実施の形態］
【００５１】
なお、上述した実施の形態１、２では、遮光部材として光学多層膜２１Ａ、２１Ｂを使用した場合について説明し、また、上述した実施の形態３では、遮光部材として配線３１Ａ、３１Ｂを使用した場合について説明した。しかし、これら以外の遮光部材（例えば、アルミニウムその他の金属製の薄膜、ポリシリコンをコバルトでシリサイド化した層など）を代用することも可能である。
【００５２】
また、上述した実施の形態３では、配線３１Ａ、３１ＢがＧＮＤに電気的に接続されている場合について説明したが、ＧＮＤに代えて電源に電気的に接続しても構わない。
【００５３】
また、上述した実施の形態１〜３では、焦点検出用画素２Ａ、２Ｂにおいて左右方向に瞳分割するとともに、焦点検出用画素６Ａ、６Ｂにおいて上下方向に瞳分割した場合、すなわち、焦点検出用画素２Ａ、２Ｂにおいて瞳分割の仮想分割線を垂直方向に設定するとともに、焦点検出用画素６Ａ、６Ｂにおいて瞳分割の仮想分割線を水平方向に設定した場合について説明した。しかし、瞳分割の仮想分割線は、どのような方向に設定してもよく、例えば、垂直方向に対して４５°の方向に設定することもできる。
【００５４】
さらに、上述した実施の形態１〜３では、撮像面Ｐ上に瞳分割の仮想分割線を１本だけ設定して２つの遮光領域を形成した場合について説明したが、撮像面Ｐ上に瞳分割の仮想分割線を複数本（２本以上）設定して３つ以上の遮光領域を形成することも可能である。
【００５５】
このとき、撮像面Ｐ上における焦点検出用画素２、６の位置に応じて瞳分割の仮想分割線を適宜設定することもできる。例えば、撮像面Ｐにおいて中心から離れた箇所では、斜め入射によって瞳分割性能が低減する可能性があるので、仮想分割線を中心からずらして設定することが有効である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラその他の電子カメラに広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る固体撮像素子の焦点検出用エリアを示す模式図である。
【図２】図１に示す固体撮像素子のＭ−Ｎ線による断面図である。
【図３】図１に示す固体撮像素子の平面図である。
【図４】図１に示す固体撮像素子の回路構成を示す図である。
【図５】同実施の形態１に係る光学多層膜の構成図である。
【図６】同実施の形態１に係る光学多層膜の反射率を示すグラフであって、（ａ）は反射率の波長依存性を示し、（ｂ）は反射率の入射角度依存性を示す。
【図７】図１に示す固体撮像素子の製造方法を示す工程図である。
【図８】図１に示す固体撮像素子における駆動タイミングチャートを示す図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る固体撮像素子の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る固体撮像素子の断面図である。
【図１１】図１０に示す固体撮像素子の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００５８】
１……固体撮像素子
２……焦点検出用画素
３……焦点検出エリア
４……撮像用画素
５……撮像用エリア
６……焦点検出用画素
２０……光電変換部
２１……光学多層膜（遮光部材）
２２……転送トランジスタ
２３……フローティングディフュージョン
２４……増幅トランジスタ
２５……選択トランジスタ
２６……リセットトランジスタ
２７……電荷蓄積部
２９……ゲート酸化膜
３０ａ……最下層の配線
３０ｂ……中間層の配線
３０ｃ……最上層の配線
３１……配線（遮光部材）
３３、３４……層間絶縁膜
３５……カラーフィルタ
３６……マイクロレンズ
３７……シリコン基板
３８……積層体
３９……メタル
Ｃ１……垂直走査回路
Ｃ２……水平走査回路
Ｃ３……読み出し回路
Ｌ１……垂直信号線
Ｐ……撮像面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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