(57)【要約】【課題】誘電体保護層の経時的劣化によって画面の焼き付きが生じるのを防止する。【解決手段】ＰＤＰが、放電空間Ｓを介して対向する前面ガラス基板１および背面ガラス基板５と、前面ガラス基板１に形成された行電極対（Ｘ，Ｙ）と、この行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層３と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層３の放電空間Ｓ側の面を被覆する誘電体保護層４とを備え、誘電体保護層４が、その層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなる形状に成形されている。【選択図】図５
2009032616.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体保護層が、その層の厚さが中心部と周縁部で異なる形状に成形されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体保護層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなっている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記誘電体保護層の放電空間側の面が、層の厚さが最も大きい中心部を中心に同心円状の等高線を有する略山形形状に成形されている請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記誘電体保護層の中心部の層の厚さに対する周縁部の層の厚さの比が０．７〜０．８に設定されている請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記誘電体保護層が、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層との二層構造を有し、この結晶酸化マグネシウム層の層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなっている請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
酸化マグネシウムの蒸発皿が設置されたチャンバ内に、前記誘電体層が形成された基板が、蒸発皿の上方位置において、誘電体層が下向きの状態で水平に、かつ、その中心部を上方から水平面内において回転自在に支持されて、誘電体層の中心が蒸発皿に鉛直線上において対向され、
前記基板がその中心位置を中心に水平面内において回転されながら、蒸発皿から酸化マグネシウムの蒸気が発生されて、この酸化マグネシウム蒸気が、回転する基板の誘電体層の表面にその回転中心を中心に同心円状に付着される、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記蒸発皿がチャンバ内に複数個用意されて、この複数個の蒸発皿が、チャンバ内に支持された基板の誘電体層の中心部に対向する位置から周縁部に対向する位置に亘って、それぞれ順に誘電体層との間隔を大きくしながら配置される請求項６に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備え、この誘電体保護層が、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層との二層構造を有しているプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記基板がその中心位置を中心に回転している状態で、この基板の誘電体層上に形成された薄膜酸化マグネシウム層上に酸化マグネシウム結晶体の粒子が吹き付けられるとともに、この酸化マグネシウム結晶体の粒子の吹き付け量が、誘電体層の中心部から周縁部にゆくにしたがって減少されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、放電ガスが封入された放電空間を挟んで互いに対向する二枚のガラス基板のうちの一方のガラス基板側に、行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対とこの行電極対を被覆する誘電体層が形成され、他方のガラス基板側に列方向に延び行方向に並設された複数の列電極とこの列電極を被覆する誘電体層が形成され、この行電極対と列電極がそれぞれ交差する部分の放電空間にマトリックス状に配置される放電セルが形成された構成を備えている。
【０００３】
そして、このような構成のＰＤＰは、行電極対と列電極を被覆する誘電体層の少なくとも一方の誘電体層の放電セルに対向する面上に、蒸着法などの薄膜形成方法によって厚さが数百ｎｍの酸化マグネシウムによる誘電体保護層が形成されて、この誘電体保護層により、誘電体層の表面が被覆されている。
【０００４】
この誘電体保護層は、放電セル内における放電によって放電ガスから発生するイオンの衝突により誘電体層が損傷するのを防止する保護層としての機能と、放電セル内に二次電子を放出して放電開始電圧を低減する二次電子放出層としての機能を兼ね備えているものである。
【０００５】
しかしながら、この酸化マグネシウムによって形成された誘電体保護層の耐イオン衝撃性や二次電子放出特性は不安定であり、ＰＤＰの使用時間が長くなるに連れて表面の結晶性が経時的に変化する。
【０００６】
このため、従来のＰＤＰでは、ＰＤＰの使用時間が長くなると、各放電セルにおける放電開始電圧が上昇して表示動作が不安定になり、そして、放電の発生頻度が少ない放電セルほど放電開始電圧が他の放電セルよりも上昇することにより、いわゆる焼き付きという現象が生じるという問題が発生している。
例えば、従来のＰＤＰでは、パネル面に長時間同じ静止映像が表示されるような場合に、この静止映像の表示箇所の画素が焼き付くといった現象が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この発明は、従来のＰＤＰが有している上記のような問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明によるＰＤＰは、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体保護層が、その層の厚さが中心部と周縁部で異なる形状に成形されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【０００９】
第２の発明によるＰＤＰの製造方法は、前記課題を解決するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備えたＰＤＰの製造方法であって、酸化マグネシウムの蒸発皿が設置されたチャンバ内に、前記誘電体層が形成された基板が、蒸発皿の上方位置において、誘電体層が下向きの状態で水平に、かつ、その中心部を上方から水平面内において回転自在に支持されて、誘電体層の中心が蒸発皿に鉛直線上において対向され、前記基板がその中心位置を中心に水平面内において回転されながら、蒸発皿から酸化マグネシウムの蒸気が発生されて、この酸化マグネシウム蒸気が、回転する基板の誘電体層の表面にその回転中心を中心に同心円状に付着されることを特徴としている。
【００１０】
第３の発明によるＰＤＰの製造方法は、前記課題を解決するために、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備え、この誘電体保護層が、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層との二層構造を有しているＰＤＰの製造方法であって、前記基板がその中心位置を中心に回転している状態で、この基板の誘電体層上に形成された薄膜酸化マグネシウム層上に酸化マグネシウム結晶体の粒子が吹き付けられるとともに、この酸化マグネシウム結晶体の粒子の吹き付け量が、誘電体層の中心部から周縁部にゆくにしたがって減少されることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
第１の発明によるＰＤＰは、放電空間を介して背面基板に対向する前面基板に行電極対が形成され、この行電極対が誘電体層によって被覆され、この誘電体層の放電空間側の面が酸化マグネシウムによって形成された誘電体保護層によって被覆され、この誘電体保護層が、その層の厚さが中心部と周縁部で異なる形状、特に、その層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなる形状に成形されているＰＤＰを、その最良の実施形態としている。
【００１２】
このＰＤＰは、誘電体保護層の表面の形状が、中央部の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形形状に成形されていることによって、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶性の経時的変化によって二次電子放出特性が低下することによる誘電体保護層によるＰＤＰの画像表示特性に対する影響が、この誘電体保護層の厚さが大きい中央部よりも厚さが小さい周縁部の方が小さくなり、これによって、静止画像が表示される頻度が多く、また、無表示部となる場合が多い画面の周縁部において、誘電体保護層の経時的変化による焼き付きが発生するのを抑制することが出来るようになる。
【００１３】
上記ＰＤＰの実施形態において、誘電体保護層の放電空間側の面が、層の厚さが最も大きい中心部を中心に同心円状の等高線を有する略山形形状に成形されるようにするのが好ましく、さらに、誘電体保護層の中心部の層の厚さに対する周縁部の層の厚さの比が０．７〜０．８に設定されるようにするのが好ましい。
【００１４】
さらに、上記ＰＤＰの実施形態において、誘電体保護層が、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層との二層構造を有している場合には、この結晶酸化マグネシウム層を、その層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなるように成形するのが好ましい。
【００１５】
これによって、静止画像が表示される頻度が多く、また、無表示部となる場合が多い画面の周縁部において、誘電体保護層を構成する結晶酸化マグネシウム層の経時的変化による焼き付きが発生するのを抑制することが出来るようになる。
【００１６】
第２の発明によるＰＤＰの製造方法は、放電空間を介して背面基板に対向する前面基板に行電極対が形成され、この行電極対が誘電体層によって被覆され、この誘電体層の放電空間側の面が酸化マグネシウムによって形成された誘電体保護層によって被覆されたＰＤＰの製造方法において、酸化マグネシウムの蒸発皿が設置されたチャンバ内に、誘電体層が形成された基板を、蒸発皿の上方位置に、誘電体層が下向きの状態で水平に、かつ、その中心部を上方から水平面内において回転自在に支持して、誘電体層の中心を蒸発皿に鉛直線上において対向させ、基板をその中心位置を中心に水平面内において回転させながら、蒸発皿から酸化マグネシウムの蒸気を発生させて、この酸化マグネシウム蒸気を、回転する基板の誘電体層の表面にその回転中心を中心に同心円状に付着させる方法をその最良の実施形態としている。
【００１７】
この実施形態のＰＤＰの製造方法によれば、蒸発皿から立ち上る酸化マグネシウムの蒸気が、回転する前面基板の誘電体層の表面に、その回転中心を中心に同心円状に付着してゆき、このとき、前面基板の誘電体層の表面と蒸発皿との距離が、誘電体層の中心部が最も短く、周縁部にゆくにしたがって長くなっていることによって、誘電体層の中心部に付着する酸化マグネシウム蒸気の量が最も多く、周縁部にゆくにしたがって減少してゆくため、誘電体層の表面上に、層の厚さが中央部が最も大きく周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形の形状の誘電体保護層が容易に形成される。
【００１８】
上記ＰＤＰの実施形態において、蒸発皿をチャンバ内に複数個用意して、この複数個の蒸発皿を、チャンバ内に支持された基板の誘電体層の中心部に対向する位置から周縁部に対向する位置に亘って、それぞれ順に誘電体層との間隔を大きくしながら配置するようにするのが好ましい。
【００１９】
これによって、さらに、所望の山形形状の誘電体保護層を形成することが出来るようになる。
【００２０】
第３の発明によるＰＤＰの製造方法は、放電空間を介して背面基板に対向する前面基板に行電極対が形成され、この行電極対が誘電体層によって被覆され、この誘電体層の放電空間側の面が酸化マグネシウムによって形成された誘電体保護層によって被覆され、この誘電体保護層が、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層との二層構造を有しているＰＤＰの製造方法において、前面基板がその中心位置を中心に回転している状態で、この前面基板の誘電体層上に形成された薄膜酸化マグネシウム層上に酸化マグネシウム結晶体の粒子を吹き付けるとともに、この酸化マグネシウム結晶体の粒子の吹き付け量を、誘電体層の中心部から周縁部にゆくにしたがって減少させる方法をその最良の実施形態としている。
【００２１】
この実施形態のＰＤＰの製造方法によれば、中央部の層の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって層の厚さが小さくなる略山形形状の結晶酸化マグネシウム層を容易に形成することが出来るようになる。
【実施例１】
【００２２】
図１ないし３は、この発明の実施形態におけるＰＤＰの第１実施例を示しており、図１はこの実施例におけるＰＤＰの正面図，図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図，図３は図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【００２３】
この図１ないし３において、ＰＤＰの表示面を構成する前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、それぞれ行方向（図１の左右方向）に延びるとともに列方向（図１の上下方向）に互いに平行に並設されている。
【００２４】
この行電極対（Ｘ，Ｙ）を構成する行電極ＸとＹは、それぞれ、前面ガラス基板１の行方向に帯状に延びる金属膜からバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａの等間隔位置に接続されているとともに、対になっている相手の行電極側に列方向に延びて互いに放電ギャップｇを介して対向されるＩＴＯ等からなる複数の透明電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【００２５】
前面ガラス基板１の背面の列方向において隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａの間の位置に、このバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）２が形成されている。
さらに、前面ガラス基板１の背面には、誘電体層３が形成されて行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆している。
【００２６】
この誘電体層３の背面の互いに隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａ、および、このバス電極ＸａとＹａの間の領域に対向する部分に、行方向に延びるとともに誘電体層３の背面から突出する嵩上げ誘電体層３Ａが形成されている。
【００２７】
そして、この誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面上には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）によって誘電体保護層４が形成されて、この誘電体保護層４によって誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面の全面が被覆されている。
この誘電体保護層４の構成については、後で詳述する。
【００２８】
前面ガラス基板１には、背面ガラス基板５が所要の間隔を空けて平行に対向されている。
この背面ガラス基板５の前面ガラス基板１に対向する側の面上（表示側の面上）には、複数の列電極Ｄが、それぞれ、行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに放電ギャップｇを介して対向して対になっている透明電極ＸｂとＹｂに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに行方向に所定の間隔を開けて平行に並設されている。
【００２９】
さらに、背面ガラス基板５の表示側の面上には、白色の列電極保護層（誘電体層６）が形成されて、この列電極保護層６によって列電極Ｄが被覆されている。
この列電極保護層６上に、隔壁７が形成されている。
【００３０】
この隔壁７は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘａ，Ｙａにそれぞれ対向する位置において行方向に延びる一対の横壁７Ａと、隣接する列電極Ｄの間の位置に対向する位置において対になっている横壁８Ａ間を列方向に延びる複数の縦壁７Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁７が、それぞれ行方向に延びる隙間ＳＬを挟んで列方向に並設されている。
【００３１】
そして、この各隔壁７によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板５の間の放電空間Ｓが、行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸｂとＹｂに対向する部分毎に区画されて、それぞれ放電セルＣが形成されている。
【００３２】
この各放電セルＣ内に面する隔壁８の横壁８Ａと縦壁８Ｂの側面および列電極保護層７の表面には蛍光体層８が形成されて、これら五つの面が蛍光体層８によって覆われている。
この蛍光体層８の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色に色分けされて、この赤，緑，青の蛍光体層８が行方向に順に並ぶように配列されている。
放電空間Ｓ内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００３３】
上記の誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａの背面を被覆する誘電体保護層４は、蒸着法またはスパッタリングによって形成されている。
【００３４】
この酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が誘電体保護層４の形成に用いられるのは、ＭｇＯ膜は、放電セルＣ内において発生する放電によって生じるイオンが衝突してもその表面がスパッタリングされ難く、誘電体層３および嵩上げ誘電体層３Ａを有効に保護することが出来るとともに、二次電子放出係数が大きいため、放電セルＣ内への二次電子の放出による放電開始電圧の低減効果が大きいことによる。
【００３５】
図４および５は誘電体保護層４の形状を示しており、図４は前面ガラス基板１側の構成を示す側面図であり、図５は誘電体保護層４の表面形状を示すための三次元図である。
この図４および５に示されるように、誘電体保護層４の放電セルＣに面する表面の形状が、その厚さが前面ガラス基板１および誘電体層２の中央部に対向する位置から周縁部に対向する位置にゆくにしたがって小さくなる略山形形状に成形されていて、この誘電体保護層４の前面ガラス基板１および誘電体層２の中央部に対向する部分の厚さが最も大きくなっている。
【００３６】
そして、この誘電体保護層４は、その中心部ｔにおける厚さを１とした場合に周縁部の厚さが最も小さい位置ｂにおける厚さの比が０．７〜０．８になるように設定され、図５に示されるように、層の厚さ分布が、その中心部ｔを中心とした同心円状の等高線αを形成している。
【００３７】
誘電体保護層４の表面が上記のような中心部を頂点とする略山形形状に成形されているのは、以下の様な理由による。
すなわち、ＰＤＰの駆動時に静止画が長時間表示されると、所謂、画面の焼き付きという現象（輝度劣化により固定画像が画面に残ってしまう現象）が生じるが、この画面の焼き付きは、時刻表示や受信チャンネル表示等の静止画像が表示される画面の周縁部で発生し易い。
【００３８】
さらに、１６：９のハイビジョン画面を有するＰＤＰに４：３の通常画面の映像が表示される場合には、パネル面の両サイドの帯状部分に映像が表示されない無表示部が形成されるが、このパネル面の両サイドの無表示部において、静止画像が表示される場合と同様に画面の焼き付きが発生する。
【００３９】
上記ＰＤＰは、前述したように、誘電体保護層４の表面の形状が、中央部の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形形状に成形されているため、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の結晶性の経時的変化によって二次電子放出特性が低下することによる誘電体保護層４の画面表示に対する影響が、この誘電体保護層４の厚さが大きい中央部よりも厚さが小さい周縁部の方が小さくなる。
【００４０】
このため、上記構成のＰＤＰは、静止画像が表示される頻度が多く、また、無表示部となる場合が多い画面の周縁部において、誘電体保護層４の経時的変化による焼き付きが発生するのを抑制することが出来るようになる。
【００４１】
図６は、上記ＰＤＰの製造工程において、誘電体保護層４を形成する装置の概略構成図である。
この図６において、ＥＤは、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の蒸着源となる蒸発皿であり、保護層形成装置ＭのチャンバＣＨ内の底部に配置されている。
【００４２】
ＰＤＰの製造工程において、前面ガラス基板１は、誘電体層３および行電極対その他の構造物（図６では図示を省略）の形成工程が終了した後、保護層形成装置ＭのチャンバＣＨ内に搬入される。
【００４３】
そして、この前面ガラス基板１は、蒸発皿ＥＤの上方位置に、誘電体層３が下向きになる状態で水平に、かつ、その中心部分を上方から水平面内において回転自在に支持される。
このとき、前面ガラス基板１は、その中心位置と蒸発皿ＥＤとが鉛直線上に位置するように配置される。
【００４４】
この状態で、前面ガラス基板１がその中心位置を中心に水平面内において回転され、蒸発皿ＥＤ内に入れられているＭｇＯペレットに向けて電子銃から電子ビームが照射され、蒸発皿ＥＤ内のＭｇＯペレットが昇華して、チャンバＣＨ内にＭｇＯの蒸気流ｓが発生される。
これによって、この蒸発皿ＥＤから立ち上るＭｇＯ蒸気が、回転する前面ガラス基板１の誘電体層３の表面に、その回転中心を中心に同心円状に付着してゆく。
【００４５】
このとき、前面ガラス基板１の誘電体層３の表面と蒸発皿ＥＤとの距離が、誘電体層３の中心部が最も短く、誘電体層３の周縁部にゆくにしたがって長くなっていることによって、誘電体層３の中心部に付着するＭｇＯ蒸気の量が最も多く、誘電体層３の周縁部にゆくにしたがって減少してゆく。
これによって、誘電体層２の表面上に形成された誘電体保護層４は、その層の厚さが中央部が最も大きく、周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形の形状に成形される。
【００４６】
そして、この誘電体保護層４の形成工程において、蒸発皿ＥＤと誘電体層２の表面との間隔が調整されることによって、誘電体保護層４の層の厚さの分布が所望の分布になるように設定される。
【００４７】
図７は、ＰＤＰの製造工程に使用される保護層形成装置の他の例を示す概略構成図である。
【００４８】
上述した図６の保護層形成装置が蒸発皿を一つ備えていたのに対し、この図７の保護層形成装置Ｍ１は、複数個の蒸発皿（図示の例では４個の蒸発皿ＥＤａ，ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄ）を備えている。
【００４９】
この保護層形成装置Ｍ１の複数個の蒸発皿ＥＤａ，ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄは、前述したのと同様の態様でチャンバＣＨ内の上部に回転自在に支持された前面ガラス基板１の下方において、前面ガラス基板１の中心位置から周縁部に亘って順次対向する位置にそれぞれ配置されている。
【００５０】
そして、チャンバＣＨ内の最も内側に位置する蒸発皿ＥＤａが前面ガラス基板１の中心部に対向され、この前面ガラス基板１の中心部から外側に対向する位置に蒸発皿ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄが順に配置されて、チャンバＣＨ内の最も外側に位置する蒸発皿ＥＤｄが前面ガラス基板１の周縁部に対向されている。
【００５１】
この各蒸発皿ＥＤａ，ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄは、前面ガラス基板１に形成された誘電体層３との間の距離が、中心部に位置する蒸発皿ＥＤａが最も短く、次いで蒸発皿ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄの順に周縁部にゆくにしたがって短くなるように配置されている。
【００５２】
これによって、各蒸発皿ＥＤａ，ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄから昇華してくるＭｇＯ蒸気ｓの前面ガラス基板１の誘電体層３への付着量が、誘電体層３の中央部が最も多くなり、周縁部にゆくにしたがって減少することによって、層の厚さが中央部が最も大きく、周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形の誘電体保護層４が形成される。
【００５３】
そして、この誘電体保護層４の形成工程において、各蒸発皿ＥＤａ，ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄと誘電体層３の表面との間隔が適宜調整されることによって、誘電体保護層４の層の厚さ分布が所望の分布になるように設定される。
【実施例２】
【００５４】
図８および９は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２実施例を示しており、図８はこの実施例におけるＰＤＰの図２と同じ位置における断面図であり、図９は前面ガラス基板側の構成を示す側面図である。
【００５５】
この実施例におけるＰＤＰの誘電体保護層以外の部分の構成は前述した第１実施例のＰＤＰと同様であり、第１実施例のＰＤＰと同様の構成部分については、図８および９に図１ないし４と同一の符号が付されている。
【００５６】
この図８，９において、誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面上に形成された誘電体保護層１４は、蒸着法またはスパッタリングによって形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）による薄膜の酸化マグネシウム層（以下、薄膜酸化マグネシウム層という）１４Ａと、この薄膜酸化マグネシウム層１４Ａの背面上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光（ＣＬ発光）を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体（ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体）を含む結晶酸化マグネシウム層１４Ｂの二層構造になっている。
【００５７】
このような構成の誘電体保護層１４を備えたＰＤＰは、結晶酸化マグネシウム層１４Ｂに含まれるＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の特性によって放電遅れなどの放電特性の改善が図られて、良好な放電特性を備えることが出来る。
【００５８】
この結晶酸化マグネシウム層１４Ｂは、前述した第１実施例の誘電体保護層と同様に、中央部の層の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって層の厚さが小さくなる略山形の形状に成形されている。
【００５９】
この結晶酸化マグネシウム層１４Ｂは、ＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の粒子が、スプレ法や静電塗布法などの方法によって薄膜酸化マグネシウム層１４Ａ上に散布されてその表面に付着されることにより形成される。
【００６０】
このとき、薄膜酸化マグネシウム層１４Ａの形成までの工程が終了した前面ガラス基板１がその中心部を中心に水平面内において回転している状態で、薄膜酸化マグネシウム層１４Ａの表面にＣＬ発光ＭｇＯ結晶体の粒子が散布される。
【００６１】
そして、その散布量が前面ガラス基板１の中央部から周縁部にゆくにしたがって減らされることによって、中央部の層の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形形状の結晶酸化マグネシウム層１４Ｂが形成される。
【００６２】
これによって、上記構成のＰＤＰは、静止画像が表示される頻度が多く、また、無表示部となる場合が多い画面の周縁部において、誘電体保護層１４の結晶酸化マグネシウム層１４Ｂの経時的変化による焼き付きが発生するのを抑制することが出来るようになる。
【００６３】
なお、図９には、誘電体保護層１４の薄膜酸化マグネシウム層１４Ａが誘電体層３の背面の全面において同一の厚さを有している例が示されているが、この薄膜酸化マグネシウム層１４Ａが、第１実施例の場合と同様に、中央部の層の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形形状に成形されていても良い。
【００６４】
この場合には、結晶酸化マグネシウム層１４Ｂの経時的変化による焼き付きの発生とともに薄膜酸化マグネシウム層１４Ａの経時的変化による焼き付きの発生を同時に抑制することが出来るようになる。
【００６５】
上記実施例のＰＤＰは、放電空間を介して対向する一対の基板と、この一対の基板のうちの一方の基板に形成された放電電極と、この放電電極を被覆する誘電体層と、酸化マグネシウムによって形成されて誘電体層の放電空間側の面を被覆する誘電体保護層とを備えたＰＤＰにおいて、前記誘電体保護層が、その層の厚さが中心部と周縁部で異なる形状、特に、層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなる形状に成形されているＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。
【００６６】
この実施形態によるＰＤＰは、誘電体保護層の表面の形状が、中央部の厚さが大きく周縁部にゆくにしたがって小さくなる略山形形状に成形されていることによって、酸化マグネシウムの結晶性の経時的変化によって二次電子放出特性が低下することによる誘電体保護層によるＰＤＰの画面表示特性に対する影響が、この誘電体保護層の厚さが大きい中央部よりも厚さが小さい周縁部の方が小さくなり、これによって、静止画像が表示される頻度が多く、また、無表示部となる場合が多い画面の周縁部において、誘電体保護層の経時的変化による焼き付きが発生するのを抑制することが出来るようになる。
【００６７】
上記各実施例のＰＤＰの製造方法は、酸化マグネシウムの蒸発皿が設置されたチャンバ内に、前記誘電体層が形成された基板が、蒸発皿の上方位置において、誘電体層が下向きの状態で水平に、かつ、その中心部を上方から水平面内において回転自在に支持されて、誘電体層の中心が蒸発皿に鉛直線上において対向され、前記基板がその中心部を中心に水平面内において回転されながら、蒸発皿から酸化マグネシウムの蒸気が発生されて、この酸化マグネシウム蒸気が、回転する基板の誘電体層の表面にその回転中心を中心に同心円状に付着される実施形態のＰＤＰの製造方法、または、誘電体保護層が、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層と、この薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンス発光を行う構造を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層との二層構造を有している場合には、基板がその中心部を中心に回転している状態で、この基板の誘電体層上に形成された薄膜酸化マグネシウム層上に酸化マグネシウム結晶体の粒子が吹き付けられるとともに、この酸化マグネシウム結晶体の粒子の吹き付け量が、誘電体層の中心部から周縁部にゆくにしたがって減少される実施形態のＰＤＰの製造方法を、それぞれの上位概念の実施形態としている。
【００６８】
これらの実施形態のＰＤＰの製造方法によれば、容易に、層の厚さが中心部から周縁部にゆくにしたがって小さくなる形状に成形された誘電体保護層を成形することが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】この発明によるＰＤＰの第１実施例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】図１のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図４】同実施例における誘電体保護層の形状を示す側面図である。
【図５】同実施例における誘電体保護層の厚さ分布を示す三次元図である。
【図６】同実施例のＰＤＰの製造装置の概略構成図である。
【図７】同実施例のＰＤＰの他の製造装置の概略構成図である。
【図８】この発明によるＰＤＰの第２実施例を示す断面図である。
【図９】同実施例における誘電体保護層の形状を示す側面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１        …前面ガラス基板（基板）
３        …誘電体層
３Ａ      …嵩上げ誘電体層
４，１４  …誘電体保護層
１４Ａ    …薄膜酸化マグネシウム層
１４Ｂ    …結晶酸化マグネシウム層
Ｓ        …放電空間
Ｘ，Ｙ    …行電極（放電電極）
α        …等高線
ＣＨ      …チャンバ
Ｍ，Ｍ１  …保護層形成装置
ＥＤ，ＥＤａ，ＥＤｂ，ＥＤｃ，ＥＤｄ  …蒸発皿
ｓ        …ＭｇＯの蒸気流
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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