(57)【要約】【課題】高性能でコンパクトな構成の検査光源装置、及びそれを用いた欠陥検査装置を提供することである。【解決手段】本発明の一態様に係る欠陥検査装置１は、１μｍ帯の波長のレーザ光を発生するレーザ光源を有し、１μｍ帯の波長のレーザ光の第五高調波を出力し、かつ、１μｍ帯の波長のレーザ光の第四高調波を出力する検査光源１００を備え、第五高調波を検査用照明光として用い、第四高調波をオートフォーカス用レーザ光として用いる。【選択図】図１
2009156728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１μｍ帯の波長のレーザ光を発生するレーザ光源を備え、
前記レーザ光の第五高調波を出力し、かつ、前記レーザ光の第四高調波を出力する検査光源装置。
【請求項２】
前記レーザ光源は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、ファイバレーザ、ガラスレーザのいずれかである請求項１に記載の検査光源装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の検査光源装置を備え、
前記レーザ光の第五高調波を、検査用照明光として用いる欠陥検査装置。
【請求項４】
前記レーザ光の第四高調波を、オートフォーカス用レーザ光として用いる請求項３に記載の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記レーザ光の第四高調波を、観察用レーザ光として用いる請求項３又は４に記載の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程で利用されるフォトマスク（以下、単にマスクと呼ぶ。）等の欠陥を検出する際に利用される検査光源装置及び欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にマスクの欠陥検査法には、マスクパターンと設計データとの比較検査法（一般にＤｉｅ−ｔｏ−ｄａｔａｂａｓｅ比較法と呼ばれる。）と、２つのマスクにおけるパターン比較検査法（一般にＤｉｅ−ｔｏ−ｄｉｅ比較法と呼ばれる。）との２通りの方法が広く知られている。これらの検査方法では、いずれもマスクのパターン像を顕微鏡で検出している。その際に光学的顕微鏡を用いる場合、マスクパターンを光で照明する必要がある。その光源（すなわち検査光源）には、ランプを用いる場合とレーザを用いる場合とに大別される。レーザを用いる欠陥検査装置では、連続のレーザ光が発生する連続レーザが一般に用いられている。
【０００３】
近年、半導体の進歩すなわち微細化と共に、検出が要求される欠陥サイズは年々小さくなっている。欠陥検出感度を高めるために、検査光源の短波長化が必要となっている。そこで、波長２５７ｎｍの連続レーザ光（これはアルゴンレーザにおける最大出力ラインである波長５１４ｎｍの第二高調波である）を用いた欠陥検査装置が市販されている。しかし、検出感度の点から、検査光源のさらなる短波長化が望まれている。なお、このような波長２５７ｎｍの連続レーザ光を用いた従来の欠陥検査装置は、例えば、非特許文献１あるいは非特許文献２に示されている。
【０００４】
一方、欠陥検査装置においては、前述したような検査光源だけでなく、マスクの観察部に対物レンズの焦点を合わせるためのオートフォーカス機構にもレーザ装置が用いられている。オートフォーカス用レーザには、フォーカス位置を高速に追従させる必要があることから、連続発振型、あるいは数十ｋＨｚ以上の高繰り返し型のレーザが必要である。そこで、波長４０５〜４０８ｎｍのブルーの半導体レーザや、波長４７３ｎｍの波長変換型固体レーザが用いられることが多かった。
【０００５】
ここで、欠陥検査装置のオートフォーカス用レーザの波長に関して説明する。一般に、フォトマスクのパターン形成面上に形成されるパターン状の膜は、厚みが約１００〜３００ｎｍ程度である。このため、マスクの欠陥検査時には、そのパターン面に１００ｎｍ程度以下の精度で焦点を合わせる必要がある。従って、オートフォーカス用レーザの波長は短い程良い。ところが、オートフォーカス用レーザは、検査光源の照明光と一緒にマスク上に照射させる必要がある。このため、ダイクロイックミラーを用いて、それぞれの光を同軸上に合わせて、マスク上に照射させている。
【０００６】
ダイクロイックミラーは、反射率・透過率に波長依存性を有する。このダイクロイックミラーの特性から、オートフォーカス用レーザの波長は、検査光源の波長から少なくとも５０ｎｍ程度離れている必要がある。そこで、従来、例えば検査光源の波長が２５７ｎｍである場合、オートフォーカス用レーザの波長は３１０ｎｍより長くしている。また、装置のコンパクト性も考慮すると、前述した波長４０５ｎｍの半導体レーザが最適であった。なお、波長４０５ｎｍの光源をオートフォーカスに用いることに関しては、例えば、特許文献１に示されている。
【０００７】
また、波長４０５ｎｍ以下の連続レーザとしては、波長３７０ｎｍ程度まではコンパクトな市販品の半導体レーザ（例えば、日亜化学製）が入手できる。しかしながら、半導体レーザでは、波長が４００ｎｍよりも短くなるとレーザ出力が大幅に低下してしまう。例えば、波長３８５ｎｍの半導体レーザでは、最大出力は１０ｍＷ程度までのものしか市販されていない。
【０００８】
一方、波長４００ｎｍ以下で連続発振する波長変換型固体レーザとしては、波長２６６ｎｍのＹＡＧレーザの第四高調波が代表的である。このＹＡＧレーザは、出力が数百ｍＷのものまで市販されている。しかしながら、ＹＡＧレーザは装置が大きく、また非常に高価であるため、オートフォーカス専用レーザとして利用することには問題が多かった。
【０００９】
また、欠陥検査装置では、微小な観察部だけでなく、多少広い部分を観察するために低倍率の観察光学系を設ける場合がある。これは低倍レビューと呼ばれることもある。この場合の照明光として、レーザかランプが必要であった。従来の一般的な欠陥検査装置では、オートフォーカス用や低倍レビュー用に別のレーザ装置が必要であり、検査光源を含めると、レーザ装置が最低２台必要になっていた。
【特許文献１】米国特許出願公開６６６１５８０号明細書
【非特許文献１】Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ． ４４６， ｐｐ．２６５−２７８，２００４．
【非特許文献２】東芝レビュー、第５８巻、第７号、第５８〜６１頁、２００３年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このように、従来の欠陥検査装置では、オートフォーカス用や低倍レビュー用に、検査光源とは別のレーザ装置が必要であるため、装置構成をコンパクトにすることが困難であった。
【００１１】
本発明は、このような事情を背景としてなされたものであり、本発明の目的は、高性能でコンパクトな構成の検査光源装置、及びそれを用いた欠陥検査装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様に係る検査光源装置は、１μｍ帯の波長のレーザ光を発生するレーザ光源を備え、前記レーザ光の第五高調波を出力し、かつ、前記レーザ光の第四高調波を出力するものである。これにより、高性能でコンパクトな構成の検査光源装置を提供することができる。また、１μｍ帯の波長のレーザ光の第五高調波は、波長２００ｎｍ程度になるため、検査光源として感度的に優れている。
【００１３】
本発明の第２の態様に係る検査光源装置は、上記の検査光源装置において、前記レーザ光源は、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、ファイバレーザ、ガラスレーザのいずれかである。
【００１４】
本発明の第３の態様に係る欠陥検査装置は、上記のいずれかに記載の検査光源装置を備え、前記レーザ光の第五高調波を、検査用照明光として用いるものである。これにより、これにより、高性能でコンパクトな構成の欠陥検査装置を提供することができる。また、１μｍ帯の波長のレーザ光の第五高調波は、波長２００ｎｍ程度になるため、検査光源として感度的に優れている。
【００１５】
本発明の第４の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置において、前記レーザ光の第四高調波を、オートフォーカス用レーザ光として用いるものである。検査光源である１μｍ帯の波長のレーザ光の第五高調波を発生させる際に、変換されずに残った１μｍ帯の波長のレーザ光の第四高調波を、オートフォーカス用の光源として利用することができる。よって、新たなレーザ光源装置が不要となり、装置構成をコンパクトにできる。
【００１６】
本発明の第５の態様に係る欠陥検査装置は、上記の欠陥検査装置において、前記レーザ光の第四高調波を、観察用レーザ光として用いるものである。検査光源である１μｍ帯の波長のレーザ光の第五高調波を発生させる際に、変換されずに残った１μｍ帯の波長のレーザ光の第四高調波を、観察用レーザ光として利用することができる。よって、新たなレーザ光源装置が不要となり、装置構成をコンパクトにできる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高性能でコンパクトな構成の検査光源装置、及びそれを用いた欠陥検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態について以下に図面を参照して説明する。以下の説明は、本発明の好適な実施の形態を示すものであって、本発明の範囲が以下の実施の形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一の符号が付されたものを実質的に同様の内容を示している。
【００１９】
本発明の実施の形態に係る欠陥検査装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施の形態に係る欠陥検査装置１の構成を示す図である。図１に示すように、本実施の形態に係る欠陥検査装置１は、大別して、検査光源１００と欠陥検査装置本体２００とで構成されている。検査光源１００は、紫外線を出射する紫外線光源である。本実施の形態においては、検査光源１００からは、例えば、波長２１３ｎｍのレーザ光Ｌ０８と、波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７とが取り出され、欠陥検査装置本体２００内に供給される。
【００２０】
図２に、検査光源１００の構成を示す。本発明に係る検査光源１００では、基本波レーザ１０１は１μｍ帯の波長のレーザ光を発生する。図２に示すように、本実施の形態では、基本波レーザ１０１は、波長１０６４ｎｍのレーザ光Ｌ０１を発生する。この基本波レーザ１０１としては、Ｎｄ：ＹＶＯ４結晶を用いた固体レーザが適している。なお、基本波レーザ１０１としては、これに限定されず、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶を用いた固体レーザ、Ｎｄ：ＹＬＦ結晶を用いた固体レーザ、ファイバレーザ、あるいは、ガラスレーザ等を用いることができる。また、基本波レーザ１０１から発生するレーザ光の波長は、１０６４ｎｍに限定されず、適宜変更可能である。
【００２１】
波長１０６４ｎｍのレーザ光Ｌ０１は、波長変換結晶（あるいは非線形光学結晶と呼ばれる。）１０２ａに入射し、第二高調波である波長５３２ｎｍと、未変換の残留基本波を含んだレーザ光Ｌ０２が出射される。波長変換結晶１０２ａには、例えば、ＬＢＯ結晶などを用いることができる。
【００２２】
波長５３２ｎｍの第二高調波と、波長１０６４ｎｍの基本波を含んだレーザ光Ｌ０２は、波長変換結晶１０２ｂに入射する。これによって、その第二高調波（基本波の第四高調波）である波長２６６ｎｍと未変換のレーザ光を含むレーザ光Ｌ０３が出射される。なお、波長変換結晶１０２ｂには、例えば、ＣＬＢＯ結晶、ＢＢＯ結晶などが好ましい。
【００２３】
レーザ光Ｌ０３はダイクロイックミラー１０３ａに入射し、波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０５と残留基本波である波長１０６４ｎｍのレーザ光Ｌ０５は反射し、未変換の波長５３２ｎｍのレーザ光Ｌ０４は透過する。
【００２４】
残留基本波を含んだ波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０５は、ミラー１０４ａで曲げられ、波長変換結晶１０２ｃに入射する。これによって、これらの和周波である波長２１３ｎｍのレーザ光（基本波の第五高調波）と、未変換の波長２６６ｎｍのレーザ光を含むレーザ光Ｌ０６が出射する。波長変換結晶１０２ｃには、ＢＢＯ結晶や、ＣＬＢＯ結晶などが好ましい。
【００２５】
レーザ光Ｌ０６は、ダイクロイックミラー１０３ｂに入射し、波長２１３ｎｍのレーザ光Ｌ０８は反射し、未変換部の波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７は透過する。波長２１３ｎｍのレーザ光Ｌ０８はミラー１０４ｂで反射して、欠陥検査装置本体２００の方に進む。また、波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７は、欠陥検査装置本体２００に出力される。
【００２６】
本実施の形態に係る欠陥検査装置１で用いられる検査光源１００は、基本波が波長１．０６μｍの赤外レーザを用いて、それを僅か３回波長変換するだけで、検査光である波長２１３ｎｍの紫外レーザ光を発生させることができる。また、波長２１３ｎｍを発生させる際に残留する未変換の２６６ｎｍのレーザ光を再利用することができる。このため、従来の欠陥検査装置のようにオートフォーカス用や低倍レビュー用に検査光源とは別のレーザ装置を設ける必要がなく、装置構成を簡素化することができる。
【００２７】
次に、本発明の欠陥検査装置本体２００の構成について図１を参照して説明する。欠陥検査装置本体２００では、検査光源１００から取り出される波長２１３ｎｍのレーザ光Ｌ０８と、波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７とが供給される。レーザ光Ｌ０８はハーフミラー２０１に入射して２方向に分岐する。ここで、２方向に分岐したレーザ光Ｌ０８の一方により、反射照明を行い、他方により透過照明を行っている。まず。透過照明について説明する。ハーフミラー２０１を出射したレーザ光Ｌ１１は、レンズ２０２ａで集光され、均一化光学系２０３ａに入射する。均一化光学系２０３ａには、例えば、ロッド型インテグレータと呼ばれるものなどが適する。あるいは、均一化光学系２０３ａとしてバンドルファイバを用いることもできる。レーザ光Ｌ１１は均一化光学系２０３ａ内で全反射を繰り返しながら伝播していく。
【００２８】
均一化光学系２０３ａから、空間的に強度分布が均一化されたレーザ光Ｌ１２が出射する。これはレンズ２０２ｂを通り、偏光ビームスプリッタ２０４ａに入射し、レーザ光Ｌ１３のように下方に反射する。レーザ光Ｌ１３は、ダイクロイックミラー２０５を通過してから、λ／４波長板２０６ａを通って円偏光になる。円偏光となったレーザ光Ｌ１３は、対物レンズ２０７ａを通ってマスク２０８上の観察領域２１０ａを照明する。なお、以上は反射照明と呼ばれる照明系である。
【００２９】
マスク２０８を反射して上方に進むレーザ光Ｌ１４は、対物レンズ２０７ａを通過後、再びλ／４波長板２０６ａを通過して直線偏光に戻る。ここで、上方に進むレーザ光Ｌ１４と下方に進むレーザ光Ｌ１３とは偏光方向が直交する。このため、上方に進むレーザ光Ｌ１４は偏光ビームスプリッタ２０４ａを透過する。その結果、レーザ光Ｌ１５のように進んで結像レンズ２１１ａを透過して二次元光検出器２１２ａに当たる。これによって観察領域２１０ａを二次元光検出器２１２ａ上に拡大投影させて、パターン像を得ることができる。このように、λ／４波長板２０６ａを用いて、マスクに入射するレーザ光Ｌ１３とマスクで反射したレーザ光Ｌ１４との偏光方向を直交させる。これにより、光の利用効率を向上することができる。
【００３０】
一方、ハーフミラー２０１を下方に進むレーザ光Ｌ２１は、ミラー２１３ａで反射してレンズ２０２ｃを通過して均一化光学系２０３ｂに入射する。レーザ光Ｌ２１は、均一化光学系２０３ｂ内を進むことで、空間的に強度分布が均一化されたレーザ光Ｌ２３が出射される。均一化光学系２０３ｂは均一化光学系２０３ａと同様の構成を有している。均一化光学系２０３ｂを出射したレーザ光Ｌ２３はミラー２１３ｂで反射してコンデンサレンズ２１４を通り、マスク２０８上の観察領域２１０ａを照射する。なお、以上は透過照明と呼ばれる照明系である。そして、このマスク２０８上の観察領域２１０ａを通過した透過光は、透過照明と同様に、二次元光検出器２１２ａで検出される。すなわち、対物レンズ２０７ａ、λ／４波長板２０６ａ、ダイクロイックミラー２０５、偏光ビームスプリッタ２０４ａ、結像レンズ２１１ａを透過して、二次元光検出器２１２ａに入射する。なお、反射照明による観察領域２１０ａと透過照明による観察領域２１０ａは、同じ位置としている。すなわち、透過照明におけるコンデンサレンズ２１４での照明位置と、反射照明における対物レンズ２０７ａでの照明位置とは一致している。
【００３１】
ところで、欠陥検査装置１には、マスク２０８の観察領域２１０ａと対物レンズ２０７ａとの間隔を微調整することで、観察領域２１０ａの像が、二次元光検出器２１２ａでシャープに投影されるように調整する必要である。そのため、欠陥検査装置１には、以下に説明するようなオートフォーカス機構が備わっている。
【００３２】
本発明の欠陥検査装置１のオートフォーカス機構では、検査光源１００から取り出された波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７をＡＦ光として利用している。つまり、図１に点線で示したように、レーザ光Ｌ０７は細いままで利用され、ダイクロイックミラー２０５に当たってレーザ光Ｌ３１のように下方に反射し、対物レンズ２０７ａを通過してマスク２０８の観察領域２１０ａに当たる。ここで反射するレーザ光Ｌ３２は、再びダイクロイックミラー２０５で反射すると、三角ミラー２１５で反射するため、位置センサー２１６に当たる。この位置センサー２１６は、日の字センサーとも呼ばれ、光量センサーが２個つながったものであり、ここに当たるレーザ光の中心位置が検出できるようになっている。なお、これに関しては、図３を用いて以下に説明する。
【００３３】
図３は本発明の欠陥検査装置１におけるオートフォーカス機構を示した図である。オートフォーカス用のレーザ光Ｌ０７は、初め、図１と同様に点線で示されている。すなわち、レーザ光Ｌ３１のようにマスク２０８に入射する。そして、マスク２０８のパターン面が対物レンズ２０７ａの合焦点位置となっていると、レーザ光Ｌ３２のように進む。すなわち、マスク２０８で反射したレーザ光Ｌ３２は、位置センサー２１６の中央に入射する。
【００３４】
ここで、マスク２０８が矢印のように下方に移動した場合（つまり、マスク２０８と対物レンズ２０７ａとの間隔が拡大した場合）、マスク２０８のパターン面からのレーザ光Ｌ３１の反射光は、図３中一点鎖線で示すレーザ光Ｌ３２'のように、レーザ光Ｌ３２とは異なる経路を進むことになる。その結果、レーザ光Ｌ３２'が三角ミラー２１５で反射すると、位置センサー２１６では、レーザ光Ｌ３３'のように図３中で右側にシフトする。位置センサー２１６は例えば、２分割フォトダイオードであり、２分割された領域の差分を出力する。よって、このシフト量が位置センサー２１６によって検出され、マスク２０８の焦点位置がずれたことが判別される。そして、マスク２０８と対物レンズ２０７ａとの間隔を補正するようにオートフォーカス機構が働く。
【００３５】
以上のように、本実施形態の欠陥検査装置１において用いられるオートフォーカス機構では、細いレーザビームを用いる必要があり、細くても広がりにくいビームの特性が要求される。なお、レーザ光の広がり角は、その波長に比例することから、細いビームを広がりにくくするためにも、出来るだけ短波長であることが好ましい。そこで、本実施形態では、オートフォーカス用レーザに波長２６６ｎｍの紫外レーザ光を用いており、その結果、従来、一般に用いられてきた波長４０５ｎｍの半導体レーザの場合や、波長４７３ｎｍの固体レーザを用いた場合に比べて短波長化されたことから、オートフォーカスの精度が高まる。
【００３６】
一方、ダイクロイックミラー２０５の透過率特性は波長依存性を有する。このダイクロイックミラーの特性から、オートフォーカス用レーザの波長は、検査光源の波長から少なくとも５０ｎｍ程度離れている必要がある。本実施の形態では、検査光源の波長は２１３ｎｍであり、オートフォーカス用レーザ光の波長は２６６ｎｍである。このため、波長２１３ｎｍのレーザ光では高い透過率を示すが、波長２６６ｎｍのレーザ光は高く反射でき、ダイクロイックミラー２０５での分離効率を非常に高くできる。従って、本発明によれば、従来よりもオートフォーカスの精度が高く、かつダイクロイックミラーでの分離特性も良いという二つの特性を両立させることができる。
【００３７】
なお、本実施の形態においては、波長２６６ｎｍのレーザ光をオートフォーカス用として用いたがこれに限定されるものではない。例えば、オートフォーカス用以外に、低倍率レビュー用照明光としても利用することができる。
【００３８】
また、図４に示すように、波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７の一部をオートフォーカス用として、残りを低倍率レビュー用照明光として兼用して用いることも可能である。波長２６６ｎｍのレーザ光Ｌ０７をオートフォーカス用と低倍率レビュー用とで兼用する場合、欠陥検査装置本体２００におけるダイクロイックミラー２０５をレーザ光Ｌ０７のＰ波が３０〜５０％透過する特性のものに交換する。ただし、Ｓ波に関しては、ほぼ１００％反射する特性が好ましい。
【００３９】
その結果、Ｐ波として供給されたレーザ光Ｌ０７の一部がダイクロイックミラー２０５を透過して、ビームエキスパンダー２１７で拡大され、λ／２波長板２１８を通過してＳ波になる。Ｓ波となったレーザ光Ｌ０７は、偏光ビームスプリッタ２０４ｂに当って下方に反射し、λ／４波長板２０６ｂを通過する。λ／４波長板２０６ｂはＳ波を円偏光にする。λ／４波長板２０６ｂを通過したレーザ光Ｌ０７は、対物レンズ２０７ｂを通過してマスク２０８上の観察領域２１０ｂに照射される。
【００４０】
そこからの反射光は再び対物レンズ２０７ｂを通り、λ／４波長板２０６ｂを通過してから偏光ビームスプリッタ２０４ｂに入射する。ここで、Ｐ波であったレーザ光Ｌ０４は往復でλ／４波長板２０６ｂを２回通過しているので、Ｓ波となる。よって、マスク２０８からの反射光は、偏光ビームスプリッタ２０４ｂを透過する。偏光ビームスプリッタ２０４ｂを透過した反射光は、結像レンズ２１１ｂを通って二次元光検出器２１２ｂに当たる。なお、対物レンズ２０７ｂと結像レンズ２１１ｂとの焦点距離の比から定まる拡大率は、対物レンズ２０７ａと結像レンズ２１１ａとの焦点距離の比から定まる検査用の光学系の拡大率よりも低くなっており、低倍レビューとして用いられる。
【００４１】
以上説明したように、新たな光源やレーザ装置を備えることなく、検査には不必要となる２６６ｎｍのレーザ光を用いて低倍レビュー機能を実現できる。低倍レビュー用光源として、検査用のレーザ光Ｌ０８を分岐して用いる必要がないことから、検査用のレーザ光Ｌ０８のパワーを損なうことない。また、低倍レビュー用には波長２６６ｎｍのレーザ光を用いていることから、対物レンズ２０７ｂや結像レンズ２１１ｂには、高価なＤＵＶ用石英やフッ化カルシウムを硝材に用いる必要がなく、通常の石英を用いることができる。
【００４２】
以上に説明したように、本発明に係る欠陥検査装置は、次世代マスクの製造時の欠陥検査に利用できるだけでなく、半導体製造工場におけるマスクの品質管理にも利用できる。さらに、上記の検査光源は、数ＭＨｚ以上の繰り返し周波数で利用することができるため、擬似ＣＷのレーザ光となり、マスク検査に好適である。本実施の形態によれば、３回の波長変換だけで２１３ｎｍのレーザ光を発生できる。これを検査用照明光として用いることにより、感度を向上することができ、正確に検査を行うことができる。なお、１μｍ帯の波長のレーザ光源として１０３０ｎｍで発振するファイバレーザを用いると、検査用レーザ光の波長は２０６ｎｍ、オートフォーカス用レーザ光の波長は２５７．５ｎｍとすることができ、感度をさらに向上させることができる。
【００４３】
また、本発明によれば、検査光源用レーザ光のパワーを全く低下させることなく、オートフォーカス用レーザ光として、波長２６６ｎｍのレーザ光を供給でき、オートフォーカス専用のレーザ装置を備える必要がない。また、従来のオートフォーカス用光源の波長４０５〜４７３ｎｍよりも短波長のレーザ光でオートフォーカスを行えることから、解像度が高まり、マスク上でのオートフォーカス光のスポットを小さくできる。その結果、高精度でオートフォーカスができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施の形態に係る欠陥検査装置の構成を示す図である。
【図２】実施の形態に係る検査光源の構成を示す図である。
【図３】実施の形態に係るオートフォーカス機構を説明するための図である。
【図４】実施の形態に係る欠陥検査装置の他の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１    欠陥検査装置
１００    検査光源
１０２ａ〜１０２ｃ    波長変換結晶
１０３ａ〜１０３ｃ    ダイクロイックミラー
１０４ａ〜１０４ｃ    ミラー
２００    欠陥検査装置本体
２０１    ハーフミラー
２０２ａ〜２０２ｄ    レンズ
２０３ａ、２０３ｂ    均一化光学系
２０４ａ、２０４ｂ    偏光ビームスプリッタ
２０５    ダイクロイックミラー
２０６ａ、２０６ｂ    λ／４波長板
２０７ａ、２０７ｂ    対物レンズ
２０８    マスク
２１０ａ、２１０ｂ    観察領域
２１１ａ、２１１ｂ    結像レンズ
２１２ａａ、２１２ｂ    二次元光検出器
２１３ａ、２１３ｂ    ミラー
２１４    コンデンサレンズ
２１５    三角ミラー
２１６    位置センサー
２１７    ビームエキスパンダー
２１８    λ／２波長板
Ｌ０１    波長１０６４ｎｍのレーザ光
Ｌ０２    波長１０６４ｎｍ及び波長５３２ｎｍを含むレーザ光
Ｌ０３    波長１０６４ｎｍ、波長５３２ｎｍ及び波長２６６ｎｍを含むレーザ光
Ｌ０４    波長５３２ｎｍのレーザ光
Ｌ０５    波長１０６４ｎｍ及び波長２６６ｎｍを含むレーザ光
Ｌ０６    波長１０６４ｎｍ、波長２６６ｎｍ及び波長２１３ｎｍを含むレーザ光
Ｌ０７    波長２６６ｎｍのレーザ光
Ｌ０８    波長２１３ｎｍのレーザ光
【図１】
2009156728.tif 000003
【図２】
2009156728.tif 000004
【図３】
2009156728.tif 000005
【図４】
2009156728.tif 000006