(57)【要約】      （修正有）【課題】高い保磁力を維持したまま、耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上させた媒体保護層を備える垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】垂直磁気記録媒体は、ディスク基体１上に、軟磁性層１４と、磁気記録層２２と、基体の面内方向に磁気的に連続した連続層２４と、連続層に与える衝撃を遮断する遮断層２６と、遮断層の上に成膜され、カーボンを含む媒体保護層２８と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、
軟磁性層と、
磁気記録層と、
前記基体の面内方向に磁気的に連続した連続層と、
前記連続層に与える衝撃を遮断する遮断層と、
前記遮断層の上に成膜され、カーボンを含む媒体保護層と、
を備えることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記媒体保護層は、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法もしくはスパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記媒体保護層を成膜する際に、前記基体にバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記遮断層は、非磁性体で構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記遮断層は、アモルファスであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記遮断層は、前記連続層に含まれる元素で構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記遮断層は、ＣｒまたはＣｒ合金で構成されることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記媒体保護層は、ダイヤモンドライクカーボンを含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記連続層は、ＣｏＣｒ合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
基体上に、軟磁性層と、磁気記録層と、前記基体の面内方向に磁気的に連続した連続層と、カーボンを含む媒体保護層とをこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
前記連続層の上に該連続層が受ける衝撃を遮断する遮断層を成膜する工程と、
前記遮断層の上に前記媒体保護層を成膜する工程と、
を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて磁性粒が微細化するほど反磁界（Ｈｄ）が大きくなって保磁力Ｈｃが向上し、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
また、このような情報記録密度の増加に伴い、磁気ディスクの円周方向の線記録密度（ＢＰＩ:Bit Per Inch）、半径方向のトラック記録密度（ＴＰＩ:Track Per Inch）は、いずれも増加の一途を辿っている。さらに、磁気ディスクの磁性層と、磁気ヘッドの記録再生素子との間隙（磁気的スペーシング）を狭くしてＳ／Ｎ比を向上させる技術も検討されている。近年望まれる磁気ヘッドの浮上量は１０ｎｍ以下である。
【０００５】
上記のように磁気ヘッドが低浮上量化してきたことに伴い、外部衝撃や飛行の乱れによって磁気ヘッドがディスク表面に接触する可能性が高まっている。このため垂直磁気記録ディスクでは、磁気ヘッドが垂直磁気記録ディスクに衝突した際、磁気記録層の表面が傷つかないように保護する媒体保護層が設けられる。媒体保護層は、カーボンオーバーコート（ＣＯＣ）、即ち、カーボン皮膜によって高硬度な皮膜を形成する。媒体保護層には、カーボンの硬いダイヤモンドライク結合と、柔らかいグラファイト結合とが混在しているものもある（例えば、特許文献１）。また、ダイヤモンドライク結合保護膜を、ＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)法によって製造する技術も開示されている（例えば、特許文献２）。
【０００６】
また媒体保護層の上には、磁気ヘッドが衝突した際に媒体保護層および磁気ヘッドを保護するために、潤滑層が形成される。潤滑層は、例えばパーフルオロポリエーテルを塗布して焼結することにより形成される。
【特許文献１】特開平１０−１１７３４号公報
【特許文献２】特開２００６−１１４１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように磁気記録層の上には媒体保護層や潤滑層が必要であるが、高記録密度化に伴い磁気ヘッドと磁気記録層との間隔（ギャップ）をさらに狭くする要請がある。特に垂直磁気記録媒体では磁気記録層に垂直方向の強い磁界を印加するために軟磁性層を形成する場合が多いが、磁気ヘッドと軟磁性層との間隔はさらに大きくなっている。このため、軟磁性層より基体表面側の層、特に磁気記録層より基体表面側の層は、できるだけ薄くすることが好ましい。
【０００８】
しかし、特許文献１および２に記載の従来のＣＶＤ法を用いて、単に媒体保護層を薄膜化しても、媒体保護層自体の耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性が劣化することとなる。
【０００９】
本発明は、媒体保護層を成膜する際に発生する上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、高い保磁力を維持したまま、耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上させた媒体保護層を備える垂直磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の発明者らが鋭意検討したところ、従来の方法で成膜した媒体保護層よりも硬い媒体保護層を成膜できれば、媒体保護層自体を薄膜化しても、耐久性を維持できると考えた。従来の媒体保護層よりも硬い媒体保護層を成膜する方法としては、ＣＶＤ法におけるバイアス電圧を上げる方法が考えられる。
【００１１】
しかし、ＣＶＤ法において、バイアス電圧を上げると、磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）が低下するという問題点があった。媒体保護層は、磁気記録層の上に書き込み特性を上げるために設けられた連続層の上に成膜される。そしてＣＶＤ法によって媒体保護層を成膜する際に高いバイアス電圧を印加すると、カーボン粒子が高いエネルギーをもって激しく連続層に衝突する。このため、硬い媒体保護層が形成される反面、媒体保護層の直下に成膜されている磁気記録層の書き込み特性をあげるための連続層が、一部破壊されているためであると考えられる。
【００１２】
そこで発明者らは、基体に高いバイアス電圧を印加しても磁気記録媒体の保磁力（Ｈｃ）の低下を防止すれば媒体保護層の薄膜化を図ることができることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１３】
すなわち上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、基体上に、軟磁性層と、磁気記録層と、基体の面内方向に磁気的に連続した連続層と、連続層に与える衝撃を遮断する遮断層と、遮断層の上に成膜され、カーボンを含む媒体保護層と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
連続層と媒体保護層の間に遮断層を備える構成により、媒体保護層を成膜する際に生じる衝撃を、遮断層が遮断するため、連続層が直接損傷を受ける確率が著しく減少する。したがって、高い保磁力（Ｈｃ）を維持したまま、硬い媒体保護層を成膜することが可能となり、媒体保護層の薄膜化を図ることができる。
【００１５】
また、媒体保護層は、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法もしくはスパッタリング法を用いて成膜されることが好ましい。
【００１６】
ＣＶＤ法もしくはスパッタリング法を用いて媒体保護層を成膜することにより、さらに緻密で硬度の高いカーボンを含む媒体保護層を成膜することができるため、媒体保護層の薄膜化を図ることができる。
【００１７】
また、媒体保護層を成膜する際に、基体にバイアス電圧を印加してもよい。これにより、緻密で硬度の高いカーボンを含む媒体保護層を成膜することができる。また、連続層と媒体保護層の間に遮断層を備えているため、基体に高いバイアス電圧を印加して媒体保護層を成膜しても、遮断層が衝撃を遮断するため、連続層が直接損傷を受けず、硬い媒体保護層を成膜することが可能となるため、媒体保護層の薄膜化を図ることができる。
【００１８】
また、遮断層は、非磁性体で構成されてもよい。これにより、遮断層の直下にある連続層や磁気記録層に磁気的影響を与えることがないため、ノイズが増加するおそれがない。
【００１９】
また、遮断層は、アモルファスであってもよい。これにより、ＣＶＤ法もしくはスパッタリング法を用いて媒体保護層を成膜する際に生じる連続層への衝撃を確実に遮断することができる。
【００２０】
また、遮断層は、連続層に含まれる元素で構成されてもよい。これにより、連続層以下に成膜された膜の性質を変化させることなく遮断層を好適に成膜することができる。
【００２１】
また、遮断層は、ＣｒまたはＣｒ合金で構成されていてもよい。Ｃｒは、非磁性であるため、遮断層の下にある層に磁気的影響を与えることがない。また、Ｃｒは硬度が高いため、薄く成膜しても、連続層を確実に保護することができる。また、遮断層の上に媒体保護層を成膜する際に、媒体保護層を構成するＣ（カーボン）と結合し、遮断層と媒体保護層の境界でクロムカーバイトを生成する。クロムカーバイトは硬度が高いため、媒体保護層としてさらなる硬化が期待できる。
【００２２】
また、媒体保護層は、ダイヤモンドライクカーボンを含んでもよい。これにより、緻密で耐久性のある媒体保護層とすることができる。
【００２３】
また、連続層は、ＣｏＣｒ合金を含んでもよい。これにより、磁気記録層の書き込み特性が向上する。
【００２４】
上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、基体上に、軟磁性層と、磁気記録層と、基体の面内方向に磁気的に連続した連続層と、カーボンを含む媒体保護層とをこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法であって、連続層の上に連続層が受ける衝撃を遮断する遮断層を成膜する工程と、遮断層の上に媒体保護層を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
上述した垂直磁気記録媒体の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該垂直磁気記録媒体の製造方法にも適用可能である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明にかかる垂直磁気記録媒体は、高い保磁力を維持したまま、耐摩耗性や耐衝撃性等の耐久性を向上させた媒体保護層を備えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
(実施例)
本発明にかかる垂直磁気記録媒体の実施例について説明する。図１は本実施例に係る垂直磁気記録媒体の構成を説明する図、図２はバイアス電圧と保磁力Ｈｃの関係を示す図、図３は膜厚と保磁力Ｈｃの関係を示す図である。なお、以下の実施例に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。
【００２８】
図１に示す垂直磁気記録媒体は、ディスク基体１、付着層１２、第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃ、配向制御層１６、第１下地層１８ａ、第２下地層１８ｂ、微細化促進層２０、第１磁気記録層２２ａ、第２磁気記録層２２ｂ、連続層２４、遮断層２６、媒体保護層２８、潤滑層３０で構成されている。なお第１軟磁性層１４ａ、スペーサ層１４ｂ、第２軟磁性層１４ｃは、あわせて軟磁性層１４を構成する。第１下地層１８ａと第２下地層１８ｂはあわせて下地層１８を構成する。第１磁気記録層２２ａと第２磁気記録層２２ｂとはあわせて磁気記録層２２を構成する。
【００２９】
まず、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円盤状に成型し、ガラスディスクを作成した。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１を得た。
【００３０】
得られたディスク基体１上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、Ａｒ雰囲気中でＤＣマグネトロンスパッタリング法にて、付着層１２から遮断層２６まで順次成膜を行い、媒体保護層２８はＣＶＤ法により成膜した。この後、潤滑層３０をディップコート法により形成した。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および製造方法について説明する。
【００３１】
付着層１２は１０ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１２を形成することにより、ディスク基体１と軟磁性層１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１４の剥離を防止することができる。付着層１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。
【００３２】
軟磁性層１４は、第１軟磁性層１４ａと第２軟磁性層１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１４から生じるノイズを低減することができる。具体的には、第１軟磁性層１４ａ、第２軟磁性層１４ｃの組成はＣｏＦｅＴａＺｒとし、スペーサ層１４ｂの組成はＲｕ（ルテニウム）とした。
【００３３】
配向制御層１６は、軟磁性層１４を防護する作用と、下地層１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００３４】
下地層１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００３５】
本実施例において下地層１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏの結晶格子の大きさに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００３６】
微細化促進層２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。微細化促進層２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。
【００３７】
磁気記録層２２は、膜厚の薄い第１磁気記録層２２ａと、膜厚の厚い第２磁気記録層２２ｂとから構成されている。
【００３８】
第１磁気記録層２２ａは、非磁性物質の例としての酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、２ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３のｈｃｐ結晶構造を形成した。非磁性物質は磁性物質の周囲に偏析して粒界を形成し、磁性粒（磁性グレイン）は柱状のグラニュラー構造を形成した。この磁性粒は、微細化促進層のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。
【００３９】
第２磁気記録層２２ｂは、非磁性物質の例としての酸化チタン（ＴｉＯ２）を含有するＣｏＣｒＰｔからなる硬磁性体のターゲットを用いて、１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。第２磁気記録層２２ｂにおいても磁性粒はグラニュラー構造を形成した。
【００４０】
ここで、第１磁気記録層２２ａの雰囲気ガス圧は、３Ｐａ〜１０Ｐａの高圧とした。このように高圧の雰囲気ガスによって成膜することにより、高いＨｃおよびＨｎを得ることができた。第２磁気記録層２２ｂの雰囲気ガス圧は、０．６Ｐａ〜３Ｐａの低圧とした。このように低圧の雰囲気ガスによって成膜することにより、高い耐衝撃性を得ることができた。
【００４１】
本実施例では、第１磁気記録層２２ａと第２磁気記録層２２ｂで異なる材料（ターゲット）であるが、これに限定されず組成や種類が同じ材料であってもよい。なお非磁性領域を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯＸ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００４２】
連続層２４はグラニュラー磁性層の上に高い飽和磁化Ｍｓと垂直磁気異方性を示す薄膜（補助記録層）を形成し、ＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）を構成するものである。これによりグラニュラー層の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、連続膜の高熱耐性を付け加えることができる。連続層２４の組成は、ＣｏＣｒＰｔＢとした。
【００４３】
遮断層２６は、ＣｒＴｉ合金層となるように、ＣｒＴｉターゲットを用いて成膜した。遮断層２６は、後述する媒体保護層２８をＣＶＤ法を用いて成膜する際に発生する、Ｈｃの低下を抑えることができる。本実施例において遮断層２６は、ＣｒＴｉ合金で構成されるが、これに限定されず、Ｃｒ単体や他のＣｒ合金等連続層２４に含まれる元素でも好適に構成することができる。
【００４４】
Ｃｒは、非磁性であるため、遮断層２６の下にある層に磁気的影響を与えることがない。また、Ｃｒは硬度が高いため、薄く成膜しても、連続層２４を確実に保護することができる。また、遮断層２６の上に後述する媒体保護層２８を成膜する際に、媒体保護層２８を構成するＣ（カーボン）と結合し、遮断層２６と媒体保護層２８の境界でクロムカーバイトを生成する。クロムカーバイトは硬度が高いため、媒体保護層２８としてさらなる硬化が期待できる。さらに、ＣｒまたはＣｒＴｉはアモルファスとなるため、ＣＶＤ法を用いて媒体保護層２８を成膜する際に生じる連続層２４への衝撃を確実に遮断することができる。またＣｒは安価であるため、製造コストを削減することができる。
【００４５】
媒体保護層２８は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜し、ダイヤモンドライクカーボンを含んで構成される。媒体保護層２８は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。本実施形態において、媒体保護層２８はＣＶＤ法を用いて成膜しているが、これに限定されずスパッタリング法を用いて成膜してもよい。また媒体保護層２８を成膜する際に、ディスク基体１に印加するバイアス電圧を上げれば、膜硬度を向上させることができる。
【００４６】
ここで、ＣＶＤ法におけるバイアス電圧とＨｃの関係について、図２を用いて説明する。図２に示すように、遮断層２６を備えない場合、バイアス電圧を上げると急激にＨｃが低下する。一方、遮断層２６を備えた場合、バイアス電圧を上げても、Ｈｃには殆ど影響していない。
【００４７】
したがって、高いバイアス電圧を印加したＣＶＤ法を用いて媒体保護層２８を成膜しても、遮断層２６が衝撃を遮断するため、連続層２４が直接損傷を受ける確率が著しく減少する。したがって、高い保磁力（Ｈｃ）を維持したまま、硬い媒体保護層２８を成膜することが可能となるため、媒体保護層の薄膜化を図ることができる。
【００４８】
ここで、遮断層２６の膜厚とＨｃの関係について、図３を用いて説明する。図３に示すように、遮断層２６がＣｒＴｉで構成される場合、膜厚を厚くするにしたがって、Ｈｃが向上する。Ｈｃは膜厚０．２５ｎｍを最高値とし、これ以上膜厚を厚くしてもＨｃはほぼ一定になる。また遮断層２６がＣｒで構成される場合、膜厚を厚くするにしたがって、Ｈｃが向上し、Ｈｃは膜厚０．５ｎｍを最高値とし、これ以上膜厚を厚くしてもＨｃはほぼ一定になる。
【００４９】
上述したように遮断層２６は、ＣｒＴｉである場合は０．２５ｎｍ程度、Ｃｒである場合は０．５ｎｍ程度の膜厚があれば、Ｈｃを維持することができる。このように１ｎｍ以下の極めて薄い遮断層２６を備えるだけでＨｃの低下を防ぐことが可能であることから、遮断層２６を設けたとしても磁気ヘッドと磁気記録層２２との間隔が広がってしまうことを最小限にすることができる。さらには、媒体保護層２８を硬くすることができるため、媒体保護層２８の薄膜化を図ることができ、磁気ヘッドと磁気記録層２２との距離を短くして高記録密度化に資することができる。
【００５０】
潤滑層３０は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜した。潤滑層３０の膜厚は約１ｎｍである。
【００５１】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施例に係る磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】バイアス電圧と保磁力Ｈｃの関係を示す図である。
【図３】膜厚と保磁力Ｈｃの関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１     …ディスク基体
１２   …付着層
１４   …軟磁性層
１４ａ  …第１軟磁性層
１４ｂ  …スペーサ層
１４ｃ  …第２軟磁性層
１６   …配向制御層
１８   …下地層
１８ａ  …第１下地層
１８ｂ  …第２下地層
２０   …微細化促進層
２２   …磁気記録層
２２ａ  …第１磁気記録層
２２ｂ  …第２磁気記録層
２４   …連続層
２６   …遮断層
２８   …媒体保護層
３０   …潤滑層
【図１】
2009099247.tif 000003
【図２】
2009099247.tif 000004
【図３】
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