(57)【要約】【課題】製造コスト及び端子領域の自由度が良好な表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示装置１０は、第１基板１２において、薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域に設けられたＴＥＧ２８を構成する半導体膜と、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部２９と、を備える。【選択図】図２
2009265510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極及びドレイン電極と、活性層を構成する半導体膜と、を備えた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、該画素電極に外部信号を入力する端子部と、該端子部に電気的に接続されて該外部信号を伝達する配線と、が設けられた第１基板と、
上記第１基板に、表示媒体層を介して対向配置された第２基板と、
を備えた表示装置であって、
上記第１基板において、上記薄膜トランジスタ、上記画素電極、上記端子部及び上記配線の非形成領域に設けられたＴＥＧを構成する半導体膜と、
上記ＴＥＧを構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部と、
を備えた表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
上記製造工程管理用マーク部は、上記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成されている表示装置。
【請求項３】
請求項１に記載された表示装置において、
上記製造工程管理用マーク部は、上記画素電極を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成されている表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載された表示装置において、
上記製造工程管理用マーク部は、位置決めマーク部である表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置において、
上記位置決めマーク部は、さらに上記ＴＥＧを構成する半導体膜の非形成領域上にも設けられている表示装置。
【請求項６】
請求項１に記載された表示装置において、
上記第１及び第２基板のいずれか一方は、他方よりも薄く形成されている表示装置。
【請求項７】
請求項１に記載された表示装置において、
上記製造工程管理用マーク部は、品種を示す識別記号部である表示装置。
【請求項８】
請求項１に記載された表示装置において、
上記表示媒体層は、液晶層である表示装置。
【請求項９】
ソース電極及びドレイン電極と、活性層を構成する半導体膜と、を備えた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された画素電極と、該画素電極に外部信号を入力する端子部と、該端子部に電気的に接続されて該外部信号を伝達する配線と、が設けられた第１基板と、
上記第１基板に、表示媒体層を介して対向配置された第２基板と、
を備えた表示装置の製造方法であって、
上記第１基板において、上記薄膜トランジスタ、上記画素電極、上記端子部及び上記配線の非形成領域にＴＥＧを構成する半導体膜を形成する工程と、
上記ＴＥＧを構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部を形成する工程と、
を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された表示装置の製造方法において、
上記薄膜トランジスタの活性層を構成する半導体膜と、上記ＴＥＧを構成する半導体膜とを、同一材料を用いて同時に形成する表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載された表示装置の製造方法において、
上記製造工程管理用マーク部と、上記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極とを、同一の金属薄膜を用いて同時に形成する表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載された表示装置の製造方法において、
上記製造工程管理用マーク部と、上記画素電極とを、同一の金属薄膜を用いて同時に形成する表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４に、一般的な構成の液晶表示装置１００の斜視図を示す。液晶表示装置１００は、液晶セル１０１と、不図示のバックライト等で構成されている。液晶セル１０１は、大きさの異なる第１基板１０２と第２基板１０３とをシール材１０４で貼り合わせた構造を有し、互いに対向する面に各種薄膜を備えている。第１基板１０２は、典型的には薄膜トランジスタを備えたデバイス基板であり、第２基板１０３は、カラーフィルターを備えた基板である。このような液晶セル１０１は、第１基板１０２の母基板と第２基板１０３の母基板とを貼り合わせた状態から、多数個の液晶セルを切り出す方法で製造されている。それぞれの母基板の厚みは、一般的に０．５ｍｍ〜０．７ｍｍ程度とされている。
【０００３】
ここで、外部信号入力用等に用いる端子部１０５は、液晶セル１０１の１辺のみに設けられることが多い。このような構造は、３辺フリー構造とも称されている。以下、「液晶セル」という場合は、いずれもこのように１辺に端子部を設けた構成のものを指す。このように、液晶セル１０１の１辺のみに端子部を設ける構成は、回路部材点数を少なくすることが可能であり、接続の信頼性やコスト面で有利とされている。
【０００４】
薄膜トランジスタ基板等の第１基板１０２の製造においては、例えば、特許文献１又は２に開示のように、薄膜トランジスタや他の素子特性を管理するために、所謂ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）がその母基板上に形成されることが多い。ＴＥＧとしては、例えば電気的特性を測定するもの、膜厚を測定するもの、パターニング精度を測定するもの等が挙げられる。ＴＥＧを配置する領域としては、例えば母基板上の捨て基板領域１０６や液晶セルの端子領域１０７が挙げられる。
【０００５】
また、薄膜トランジスタを備えたデバイス基板の製造にあたっては、その素子特性の管理が重要である。例えば素子を構成する膜厚管理は管理対象の１つであり、例えば半導体膜とゲート電極とを隔てる絶縁膜の膜厚管理がある。
【０００６】
ここで、図５に、従来の薄膜トランジスタ１２３を備えた液晶表示装置１１０の平面図を示す。図６に、図５のＢ−Ｂ’線における断面図を示す。
【０００７】
液晶表示装置１１０は、液晶セル１１１と不図示のバックライト等で構成されている。液晶セル１１１は、ガラス基板１１４を備えた薄膜トランジスタ基板１１２と、ガラス基板１１９及び対向電極１２０を備えたカラーフィルタ基板１１３とが、液晶層１２２及びシール材１２１を介して貼り合わせられた構造を採っている。
【０００８】
薄膜トランジスタ１２３は、ガラス基板１１４上に形成された下地膜１１５、薄膜トランジスタ１２３の活性層を構成する、膜厚が例えば５００Åの半導体膜１２４、下地膜１１５及び半導体膜１２４をそれぞれ覆うように形成された第１絶縁膜１１６（ＧＩ膜とも称する）、第１絶縁膜１１６上に形成されたゲート電極１２６、第１絶縁膜１１６及びゲート電極１２６をそれぞれ覆うように形成された第２絶縁膜１１７（層間絶縁膜とも称する）、第２絶縁膜１１７上に形成され且つコンタクトホールを通して半導体膜１２４にそれぞれ電気的に接続されたソース電極１２５及びドレイン電極１２５’を備えている。
【０００９】
また、液晶セル１１１は、表示領域１３７を構成する画素を形成するために、さらに第２絶縁膜１１７上に形成された第３絶縁膜１１８（保護膜とも称する）と、第３絶縁膜１１８上に形成された画素電極１２７とを備えている。
【００１０】
薄膜トランジスタ基板１１２とカラーフィルタ基板１１３とを貼り合わせて固定するシール材１２１には、液晶セル１１１において、端子部１３４が設けられた辺とは反対の辺側に、真空注入法により液晶材が充填される開口部１３５が設けられている。開口部１３５は、紫外線硬化性の封止樹脂１３６によって封止されている。
【００１１】
薄膜トランジスタ基板１１２の面積は、カラーフィルタ基板１１３の面積よりも大きく形成されており、薄膜トランジスタ基板１１２及びカラーフィルタ基板１１３を貼り合わせると、薄膜トランジスタ基板１１２が露出する部分が生じる。この部分が、端子部１３４、位置決めマーク部１２９，１３２及び識別記号部１３３（製造工程管理用マーク部）等を設ける余剰部１３１、及び、捨て基板領域１３０となっている。
【００１２】
ここで、薄膜トランジスタの品質管理の観点から考えると、第１絶縁膜１１６の膜厚は、半導体膜上で測定することが最も適切である。また、第１絶縁膜１１６は、後工程のエッチングやドーピングの影響を加味して評価する必要があるので、ゲート電極１２６が無い領域で測定することが好ましい。
【００１３】
したがって、デバイス基板の余剰領域であってゲート電極１２６の無い領域に所定の大きさでパターニングした半導体膜を膜厚測定のＴＥＧ１２８として配置して測定することが考えられる。
【００１４】
このようなＴＥＧ１２８を配置できる余剰領域としては、図５及び６に示すように、液晶セル１１１の母基板上の捨て基板領域１３０や、図７に示すように余剰部１３１に設けられた端子領域が挙げられる。
【００１５】
膜厚測定は、デバイス基板表面に傷をつけたりしないように、干渉方式のような非接触の測定方法で実施される。また、簡便な位置合わせによって、短い時間内に効率よく所定の位置の膜厚測定のＴＥＧ１２８で測定できるように、膜厚測定のＴＥＧ１２８となる半導体膜が数ｍｍ四方の寸法の比較的大きな寸法でパターニングされる。
【特許文献１】特開２００５−３５２４１９号公報
【特許文献２】特開２００４−３４１２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、ＴＥＧを図５及び６に示すような捨て基板領域に配置すると、捨て基板領域を小さくすることが困難となり、母基板から切り出す液晶セルの枚数が減り、製造コストが高くなるという問題がある。
【００１７】
また、ＴＥＧを端子領域に配置した場合は、端子領域のレイアウトの自由度が不足し、最悪の場合は端子部や他の製造工程管理用マーク部等を全て配置できなくなるという問題がある。
【００１８】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、製造コスト及び端子領域の自由度が良好な表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明に係る表示装置は、ソース電極及びドレイン電極と、活性層を構成する半導体膜と、を備えた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極と、画素電極に外部信号を入力する端子部と、端子部に電気的に接続されて該外部信号を伝達する配線と、が設けられた第１基板と、第１基板に、表示媒体層を介して対向配置された第２基板と、を備えた表示装置であって、第１基板において、薄膜トランジスタ、画素電極、端子部及び配線の非形成領域に設けられたＴＥＧを構成する半導体膜と、ＴＥＧを構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部と、を備えたことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る表示装置は、製造工程管理用マーク部が、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成されていてもよい。
【００２１】
さらに、本発明に係る表示装置は、製造工程管理用マーク部が、画素電極を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成されていてもよい。
【００２２】
また、本発明に係る表示装置は、製造工程管理用マーク部が、位置決めマーク部であってもよい。
【００２３】
さらに、本発明に係る表示装置は、位置決めマーク部が、さらにＴＥＧを構成する半導体膜の非形成領域上にも設けられていてもよい。
【００２４】
また、本発明に係る表示装置は、第１及び第２基板のいずれか一方が、他方よりも薄く形成されていてもよい。
【００２５】
さらに、本発明に係る表示装置は、製造工程管理用マーク部が、品種を示す識別記号部であってもよい。
【００２６】
また、本発明に係る表示装置は、表示媒体層が、液晶層であってもよい。
【００２７】
本発明の表示装置の製造方法は、ソース電極及びドレイン電極と、活性層を構成する半導体膜と、を備えた薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに接続された画素電極と、画素電極に外部信号を入力する端子部と、端子部に電気的に接続されて該外部信号を伝達する配線と、が設けられた第１基板と、第１基板に、表示媒体層を介して対向配置された第２基板と、を備えた表示装置の製造方法であって、第１基板において、薄膜トランジスタ、画素電極、端子部及び配線の非形成領域にＴＥＧを構成する半導体膜を形成する工程と、ＴＥＧを構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００２８】
また、本発明の表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタの活性層を構成する半導体膜と、ＴＥＧを構成する半導体膜とを、同一材料を用いて同時に形成してもよい。
【００２９】
さらに、本発明の表示装置の製造方法は、製造工程管理用マーク部と、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極とを、同一の金属薄膜を用いて同時に形成してもよい。
【００３０】
また、本発明の表示装置の製造方法は、製造工程管理用マーク部と、画素電極とを、同一の金属薄膜を用いて同時に形成してもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、製造コスト及び端子領域の自由度が良好な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明の実施形態に係る表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。また、表示装置として、液晶表示装置を例に挙げて説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３３】
（液晶表示装置の構成）
図１は、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０の平面図を示す。図２は、図１のＡ−Ａ’線における断面図を示す。液晶表示装置１０は、液晶セル１１及びバックライト（不図示）で構成されている。
【００３４】
液晶セル１１は、例えば、０．５ｍｍ厚のガラス基板１４を備えた薄膜トランジスタ基板１２（第１基板）と、例えば、０．１ｍｍ厚のガラス基板１９を備えたカラーフィルタ基板１３（第２基板）とが、液晶層２２（表示媒体層）及びシール材２１を介して貼り合わせられた構造を採っている。これらのガラス基板１４，１９は、例えば、０．７ｍｍ厚の母基板となるガラス基板を薄型加工して得られる。なお、本実施形態では、カラーフィルタ基板１３が、より薄く形成されているが、これに限らず、薄膜トランジスタ基板１２及びカラーフィルタ基板１３のいずれか一方が、他方よりも薄く形成されていればよい。
【００３５】
液晶セル１１には、薄膜トランジスタ２３を含むソースドライバ回路、ゲートドライバ回路、端子部３４及びそれらを接続する配線が、薄膜トランジスタ基板１２の表面に表示領域３７を構成する画素電極２７とともにモノリシックに形成されている。図１及び２では、ソースドライバ回路及びゲートドライバ回路および配線の図示は省略している。
【００３６】
薄膜トランジスタ２３は、図２に示すように、ガラス基板１４上に形成された下地膜１５、薄膜トランジスタ２３の活性層を構成する、膜厚が例えば５００Åの半導体膜２４、下地膜１５及び半導体膜２４をそれぞれ覆うように形成された第１絶縁膜１６（ＧＩ膜とも称する）、第１絶縁膜１６上に形成されたゲート電極２６、第１絶縁膜１６及びゲート電極２６をそれぞれ覆うように形成された第２絶縁膜１７（層間絶縁膜とも称する）、第２絶縁膜１７上に形成され且つコンタクトホールを通して半導体膜２４にそれぞれ電気的に接続されたソース電極２５及びドレイン電極２５’を備えている。ソース電極２５及びドレイン電極２５’を構成する金属薄膜は、それぞれ、ＴｉやＡｌ等を用いて、例えば数１０００Å厚に形成されている。
【００３７】
また、液晶セル１１は、表示領域を構成する画素を形成するために、さらに第２絶縁膜１７上に形成された第３絶縁膜１８（保護膜とも称する）と、第３絶縁膜１８上に形成された画素電極２７とを備えている。
【００３８】
第１及び第２絶縁膜１６，１７は、それぞれＳｉＯ２又はＳｉＮ等の絶縁物で構成されている。第３絶縁膜１８は、例えば、有機樹脂層等で構成されている。また、第３絶縁膜１８の表面に、反射型液晶セルあるいは反射・透過兼用の液晶セルで用いられる散乱性の凹凸反射層を形成するために、凹凸が付与されていてもよい。
【００３９】
カラーフィルタ基板１３は、ガラス基板１９と、ガラス基板１９上に形成された遮光膜（ブラックマトリクス）及び着色層（それぞれ不図示）と、対向電極２０とを備えている。
【００４０】
薄膜トランジスタ基板１２とカラーフィルタ基板１３とを貼り合わせて固定するシール材２１には、図１に示すように、液晶セル１１において、端子部３４が設けられた辺とは反対の辺側に、真空注入法により液晶材が充填される開口部３５が設けられている。開口部３５は、紫外線硬化性の封止樹脂３６によって封止されている。
【００４１】
薄膜トランジスタ基板１２及びカラーフィルタ基板１３に挟持された液晶層２２は、画素電極２７と対向電極２０との間に印加された電圧によってその配向が制御されている。
【００４２】
薄膜トランジスタ基板１２の面積は、カラーフィルタ基板１３の面積よりも大きく形成されており、薄膜トランジスタ基板１２及びカラーフィルタ基板１３を貼り合わせると、薄膜トランジスタ基板１２の余剰部３１が生じる。この余剰部３１に、ＴＥＧ２８、端子部３４、位置決めマーク部２９，３２、及び、識別記号部３３等が設けられている。
【００４３】
ＴＥＧ２８は、薄膜トランジスタ２３を構成する絶縁膜の膜厚の評価を目的としたものであり、最小構成は半導体膜とその上層に成膜される第１絶縁膜１６である。
【００４４】
尚、ここでＴＥＧ２８の位置が判り易いように、例えばＴＥＧ２８の領域を囲うように、他の適当な金属薄膜をロの字状（矩形の額縁状）にパターニングしておいてもよい。
【００４５】
本実施形態では、薄膜トランジスタ２３を構成している５００Å厚のシリコン膜を用いて２ｍｍ四方の寸法でパターニングし、その上層に測定対象の第１絶縁膜１６及び第２絶縁膜１７を成膜して、絶縁膜の膜厚測定用ＴＥＧ２８としている。ＴＥＧ２８は、薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域に設けられている。ここで薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域とは、これらがパターニングされた基板を平面視してこれらと重ならない領域且つデバイス基板すなわち液晶セルとして切り出される領域内であって、対向基板であるカラーフィルタ基板１３で覆われない領域を指す。
【００４６】
尚、ＴＥＧ２８をデバイス基板領域と捨て基板領域との境界を跨ぐように配置することによっても本発明が成そうとする目的を達成することは可能である。しかしながら、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜もしくはこれに付随する金属薄膜がデバイス基板の切断ラインに存在すると、膜応力を原因としてバリやカケが発生して正常にデバイス基板を切断できない恐れがある。したがってこのような切断不良を避けるために、基板を平面視した場合に、ＴＥＧ２８はデバイス基板すなわち液晶セルとして切り出す切断ラインから離間されていることが好ましい。
【００４７】
なお、膜厚測定用のＴＥＧ２８は、ゲート電極２６の形成以後であって、ソース電極２５及びドレイン電極２５’の形成前に、膜厚の評価を終えるようにしておけば、膜厚測定用のＴＥＧ２８の形成領域を他の膜（例えば、ソース電極２５、ドレイン電極２５’又は画素電極２７）が覆ってもなんら問題はない。
【００４８】
端子部３４は、液晶セル１１の１辺のみに設けられ、各ドライバ回路からの配線が電気的に接続されている。
【００４９】
位置決めマーク部２９，３２は、余剰部３１において、端子部３４の両端方向にそれぞれ１つずつ、合計２箇所に設けられている。２箇所設けられたうちの一方の位置決めマーク部２９は、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に、第１及び第２絶縁膜１６，１７を介して設けられている。他方の位置決めマーク部３２は、上方にＴＥＧ２８を構成する半導体膜が存在しない領域、すなわち、半導体膜の非形成領域上に設けられている。位置決めマーク部２９，３２は、製造工程管理用マーク部の一つであり、装置組み立て時の構成部品の位置確認のために用いられる。位置決めマーク部２９，３２は、薄膜トランジスタ２３を構成するソース電極２５及びドレイン電極２５’を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で構成され、ソース電極２５及びドレイン電極２５’と同様に、第２絶縁膜１７上に形成されている。位置決めマーク部２９，３２は、このように、ゲート電極２６を構成する金属薄膜を用いて形成されていないので、ＴＥＧ２８の測定に影響を及ぼすことがない。
【００５０】
尚、位置決めマーク部２９，３２を双方ともソース電極２５及びドレイン電極２５’を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成したが、位置決めマーク部３２はＴＥＧ２８を伴わないので従来通りゲート電極２６を形成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成しても構わない。
【００５１】
また、絶縁膜の膜厚測定用のＴＥＧ２８を構成する半導体膜は、５００Å厚と薄く、約５０％程度の透過率を有する。このような半導体膜を背景とし、且つ、遮光性の薄膜で位置決めマーク部２９を構成すれば、背景照明によって位置決めマーク部２９の認識に必要な背景とのコントラストが得られる。このため、膜厚測定用のＴＥＧ２８と位置決めマーク部２９とを重ねることが可能となる。なお、半導体膜とソース電極２５及びドレイン電極２５’との反射率は異なるので、落射照明でも位置決めマーク部２９を認識することができる。
【００５２】
なお、位置決めマーク部２９，３２や識別記号部３３等の製造工程管理用マーク部は、ソース電極２５及びドレイン電極２５’以降に成膜される他の金属薄膜、例えば、画素電極２７を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で形成されていてもよい。
【００５３】
識別記号部３３は、英数字等で表されており、余剰部３１において、端子部３４と隣接するように設けられている。識別記号部３３も製造工程管理用マーク部の一つであり、製品の品種を識別するために用いられる。
【００５４】
また、ＴＥＧ２８上に絶縁膜を介して設けられる製造工程管理用マーク部としては、上述のように位置決めマーク部２９に限らず、例えば、図３に示すように、識別記号部３３であってもよい。図３は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置４０の平面図である。液晶表示装置４０の各構成要素として、上述した液晶表示装置１０と同様のものは、同符号を付している。液晶表示装置４０では、半導体膜とその上層の絶縁膜とで構成されるＴＥＧ２８が、ソース電極２５及びドレイン電極２５’と同一の金属薄膜で形成された英数字等の識別記号部３３の背景となっている。すなわち、識別記号部３３は、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に、第１及び第２絶縁膜１６，１７を介して設けられている。
【００５５】
このような構成によれば、絶縁膜の膜厚測定用のＴＥＧ２８を余剰部３１における端子部領域内に配置することが容易となる。なお、液晶表示装置４０においても、識別記号部３３がゲート電極２６を構成する金属薄膜を用いて形成されていないので、ＴＥＧ２８の測定に影響を及ぼすことがない。
【００５６】
また、本実施形態では、膜厚測定用のＴＥＧ２８の半導体膜を、位置決めマーク部２９の背景としているが、膜厚測定は行なわないが位置決めマーク部２９の背景を変えることのみを目的として、位置決めマーク部２９の背景に、周囲の膜と透過率または反射率が異なる薄膜を配置してもよい。
【００５７】
（液晶表示装置１０の製造方法）
次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０の製造方法について説明する。尚、以下に示す製造方法は単なる例示であり、本発明に係る液晶表示装置１０は、以下に示す方法により製造されたものに限定されない。
【００５８】
まず、薄膜トランジスタ基板１２のベースとなるガラス基板１４を用意する。そして、このガラス基板１４の上に、下地膜１５を形成した後、半導体膜２４（アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜）を形成する。次に、下地膜１５上の半導体膜２４をパターニングし、薄膜トランジスタ２３の活性層となる半導体膜２４と、余剰部３１に設けられてＴＥＧ２８を構成する半導体膜と、を同時に形成する。
【００５９】
次いで、下地膜１５及び半導体膜２４上に、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等の絶縁物を用いて第１絶縁膜１６を形成する。続いて、第１絶縁膜１６上であって、半導体膜２４のチャネル領域に対応する領域に、ゲート電極２６をパターン形成する。次いで、第１絶縁膜１６及びゲート電極２６を覆うように、ＳｉＯ２又はＳｉＮ等の絶縁物を用いて第２絶縁膜１７を形成する。
【００６０】
次いで、半導体膜２４のソース及びドレイン領域まで到達するコンタクトホールを第１及び第２絶縁膜１６，１７に形成する。次に、第２絶縁膜１７上に、ＴｉやＡｌ等を用いて金属薄膜を形成し、パターニングすることによって、ソース電極２５、ドレイン電極２５’、及び、２箇所の位置決めマーク部２９，３２を同時に形成する。このとき、一方の位置決めマーク部２９は、第１及び第２絶縁膜１６，１７を介してＴＥＧ２８上に位置するように形成する。また、他方の位置決めマーク部３２は、余剰部３１において、端子部３４形成領域を挟んで一方の位置決めマーク部２９の反対側に形成する。
【００６１】
続いて、第２絶縁膜１７、ソース電極２５、ドレイン電極２５’、及び、余剰部３１の位置決めマーク部２９，３２上に、有機樹脂層等を用いて第３絶縁膜１８を形成した後、ドレイン電極２５’まで到達するコンタクトホールを第３絶縁膜１８に形成する。
【００６２】
続いて、ＩＴＯやＴＺＯ等の透明電極を用いて、第３絶縁膜１８上にコンタクトホールを通してドレイン電極２５’と電気的に接続される画素電極２７を形成後、ポリイミド等を塗布して配向膜を形成する。また、薄膜トランジスタ基板１２の余剰部３１に端子部３４、及び、識別記号部３３を形成する。
【００６３】
以上のようにして、薄膜トランジスタ基板１２を作製する。
【００６４】
次に、カラーフィルタ基板１３のベースとなるガラス基板１９を用意する。そして、このガラス基板１９の所定の領域上に、Ｃｒ等の金属又は黒色樹脂によりブラックマトリクスを形成する。次いで、赤色感光性樹脂、緑色感光性樹脂及び青色感光性樹脂を使用して、ガラス基板１９上に赤色、緑色及び青色のカラーフィルタを形成後、ＩＴＯやＴＺＯ等により対向電極２０を形成する。
【００６５】
次に、対向電極２０上にポリイミド等を塗布して配向膜を形成することにより、カラーフィルタ基板１３を作製する。
【００６６】
このようにして製造した薄膜トランジスタ基板１２及びカラーフィルタ基板１３に対し、それらの間にスペーサ（不図示）を挟むとともに、開口部３５を設けたシール材２１によって貼り合わせる。
【００６７】
次に、基板分断装置等を用いて、上述のように貼り合わされた基板から、捨て基板領域３０を除去する。
【００６８】
続いて、シール材２１の開口部３５から液晶材を注入した後、開口部３５を封止樹脂３６により封止し、紫外光照射等によって封止樹脂３６を硬化させ、液晶セル１１を作製する。
【００６９】
次に、液晶セル１１の厚さ方向の両側にそれぞれ偏光板を配置し、さらに駆動回路及びバックライトを取り付けることにより、液晶表示装置１０が完成する。
【００７０】
なお、本実施形態では、表示装置としてＬＣＤ（liquid crystal display；液晶表示ディスプレイ）に係るものについて示したが、これに限らず、例えば、有機ＥＬ（organic electro luminescence ）、無機ＥＬ（inorganic electro luminescence ）、電気泳動（electrophoretic）、ＰＤ（plasma display；プラズマディスプレイ）、ＰＡＬＣ（plasma addressed liquid crystal display；プラズマアドレス液晶ディスプレイ）、ＦＥＤ（field emission display；電界放出ディスプレイ）、又は、ＳＥＤ（surface-conduction electron-emitter display；表面電界ディスプレイ）等に係る表示装置であってもよい。
【００７１】
（作用効果）
次に、本発明に実施形態に係る液晶表示装置１０の作用効果について説明する。
【００７２】
本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０は、薄膜トランジスタ基板１２において、薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域に設けられたＴＥＧ２８を構成する半導体膜と、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に第１及び第２絶縁層１６，１７を介して設けられた位置決めマーク部２９と、を備えている。
【００７３】
このような構成によれば、ＴＥＧ２８を捨て基板領域３０に配置しないため、捨て基板領域３０を小さくすることができ、母基板から切り出す液晶セル１１の枚数が増加し、製造コストが良好となる。また、位置決めマーク部２９をＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に第１及び第２絶縁層１６，１７を介して設けることで、ＴＥＧ２８を、薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域に形成している。このため、各構成要素を配置する領域のレイアウトの自由度が増加する。
【００７４】
また、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０は、位置決めマーク部２９，３２が、薄膜トランジスタ２３のソース電極２５及びドレイン電極２５’を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で同時に形成されている。
【００７５】
このような構成によれば、位置決めマーク部２９，３２を、薄膜トランジスタ２３の構成要素とは別の部材を用いて、別工程により形成する必要がない。このため、装置の製造効率及び製造コストが良好となる。
【００７６】
なお、位置決めマーク部２９，３２が、画素電極２７を構成する金属薄膜と同一の金属薄膜で同時に形成されていても同様の作用効果を奏する。
【００７７】
さらに、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０は、位置決めマーク部３２が、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜２４の非形成領域上に設けられている。すなわち、液晶表示装置１０には、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜を背景とする位置決めマーク部２９と、背景に当該半導体膜がない位置決めマーク部３２との２つの位置決めマーク部２９，３２が設けられている。
【００７８】
ここで、液晶セル１１を構成する一対の基板を非常に薄くしたような場合、外観判定をしたり、基板の端面（段差）を指で触れたとしても、液晶セル１１の表裏の判別をすることが困難となる。例えば、カラーフィルタ基板１３を非常に薄く加工した場合は、液晶セル１１があたかも薄膜トランジスタ基板１２のみで構成されたかのように判別される。その結果、液晶セル１１の表裏の取り違えによる組み立てミスが生じ易いという問題が生じる。
【００７９】
これに対し、本発明の実施形態に係る構成では、液晶表示装置１０に、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜を背景とする位置決めマーク部２９と、背景に当該半導体膜がない位置決めマーク部３２との２つの位置決めマーク部２９，３２が設けられているため、位置決めマーク部２９，３２の背景にＴＥＧ２８が有るか無いかに基づいて、容易に液晶セル１１や薄膜トランジスタ基板１２の表裏を判別できる。したがって、装置の組み立ての作業性が良好となる。また、このような構成により、ＴＥＧ２８を、膜厚等の測定以外に、装置の表裏判別の手段としても有効利用することができる。
【００８０】
さらに、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０は、製造工程管理用マーク部が、品種を示す識別記号部３３であっても上述と同様の作用効果を奏する。
【００８１】
また、本発明の実施形態に係る液晶表示装置１０は、薄膜トランジスタ基板１２及びカラーフィルタ基板１３のいずれか一方が、他方よりも薄く形成されている。
【００８２】
このような構成によれば、厚く形成された方の基板（例えば、端子部３４を備えた薄膜トランジスタ基板１２）の強度を確保しつつ液晶セル１１の総厚の薄型化が可能となる。
【００８３】
なお、ガラス等からなる透明なデバイス基板の表裏を判別する方法としては、２箇所の位置決めマーク部の形状を変える方法が挙げられるが、位置決めマーク部の形状の違いに対応したマーク認識と位置決めのアルゴリズムが必要になるので、製造条件の管理が煩雑になり易い。これに対し、本発明の実施形態では、位置決めマーク部２９，３２の形状は同一として、それぞれの背景の透過率（または反射率）を変えることによって、デバイス基板の表裏を判別させる方法を採っている。このため、位置決めマーク部２９，３２と背景の画像とのコントラストを調整するだけで、位置決めマーク部２９，３２の認識ができる利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
以上説明したように、本発明は、表示装置及びその製造方法について有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図４】従来の液晶表示装置の斜視図である。
【図５】捨て基板領域にＴＥＧが設けられた従来の液晶表示装置の平面図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図７】端子領域にＴＥＧが設けられた従来の液晶表示装置の平面図である。
【符号の説明】
【００８６】
１０，４０      液晶表示装置
１１      液晶セル
１２      薄膜トランジスタ基板
１３      カラーフィルタ基板
１６      第１絶縁膜
１７      第２絶縁膜
１８      第３絶縁膜
２３      薄膜トランジスタ
２４      半導体膜
２５      ソース電極
２５’    ドレイン電極
２７      画素電極
２８      ＴＥＧ
２９，３２      位置決めマーク部
３０      捨て基板領域
３１      余剰部
３３      識別記号部
３４      端子部
【図１】
2009265510.tif 000003
【図２】
2009265510.tif 000004
【図３】
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【図４】
2009265510.tif 000006
【図５】
2009265510.tif 000007
【図６】
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【図７】
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