(57)【要約】【課題】製造工程を複雑にすることなく導体層と層間接続部材との間の接続信頼性を向上させること。【解決手段】電子回路モジュール１は、複数の導体層１１ａ〜１１ｅと絶縁層１３とが形成され、絶縁層１３を貫通して導体層１１間を接続する層間接続部材１５ａ〜１５ｃが配置されて構成されており、例えば電子回路モジュール１全体を加熱するリフロー工程を経て、電子部品１２０と接続される。また、このリフロー工程での加熱により、導体層１１ａや導体層１１ｂと層間接続部材１５ａとの接触部分、導体層１１ｄや導体層１１ｅと層間接続部材１５ｃとの接触部分、導体層１１ｃや導体層１１ｄと層間接続部材１５ｂとの接触部分で固相拡散反応が生じ、接合層１７ａ〜１７ｆが形成されて配置される。これによって、接触状態にある導体層１１と層間接続部材１５との間が固相拡散接合によって接合される。【選択図】図１−２
2009099720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層により絶縁された２層以上の導体層と、該導体層間を接続する層間接続部材とを備えた電子回路モジュールであって、
前記導体層と前記層間接続部材との間に、前記導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られる接合層が配置されていることを特徴とする電子回路モジュール。
【請求項２】
前記導体層と前記層間接続部材との間に添加物層が形成されており、
前記接合層は、少なくとも前記導体層を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間、および、前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間が固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする請求項１に記載の電子回路モジュール。
【請求項３】
前記接合層は、前記導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする請求項２に記載の電子回路モジュール。
【請求項４】
前記導体層は、電子部品または基板と接続される接続部となる導体層を含み、
前記接合層は、前記接続部となる導体層と前記層間接続部材との間に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【請求項５】
前記導体層は、それぞれ基板と接続される接続部となる複数の導体層を含み、
前記接合層は、前記複数の接続部となる導体層のうち、当該電子回路モジュールの端部近傍に配置されて前記基板と接続される接続部となる導体層と前記層間接続部材との間に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【請求項６】
前記層間接続部材は、前記絶縁層を貫通する接続穴に堆積されて形成され、前記導体層間を接続することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子回路モジュール。
【請求項７】
第１の接続部となる第１の導体層を備えた第１の基板と、
第２の接続部となる第２の導体層を備えた第２の基板と、
一端面が前記第１の導体層と接続され、他端面が前記第２の導体層と接続されて、前記第１の接続部および前記第２の接続部間を接続する層間接続部材と、
を備え、
前記第１の導体層と前記層間接続部材との間および／または前記第２の導体層と前記層間接続部材との間に、前記第１の導体層を形成する金属および／または前記第２の導体層を形成する金属と、前記層間接続部材を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られた接合層が配置されていることを特徴とする電子回路モジュール。
【請求項８】
前記第１の導体層と前記層間接続部材との間および／または前記第２の導体層と前記層間接続部材との間に添加物層が形成されており、
前記接合層は、少なくとも前記第１の導体層を形成する金属および／または前記第２の導体層を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間、および、前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間が固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする請求項７に記載の電子回路モジュール。
【請求項９】
前記接合層は、前記第１の導体層を形成する金属および／または前記第２の導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする請求項８に記載の電子回路モジュール。
【請求項１０】
電子部品または基板と接続される少なくとも一つの接続部となる導体層を含み、絶縁層により絶縁された２層以上の導体層と、該導体層間を接続する層間接続部材とを備えた電子回路モジュールの製造方法であって、
加熱によって前記電子部品または前記基板と前記接続部とを接続するリフロー工程を含み、
前記リフロー工程での加熱によって、少なくとも前記接続部と前記層間接続部材との間に前記導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属とを固相状態で相互に拡散させた接合層を配置することを特徴とする電子回路モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路モジュールおよび電子回路モジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子部品が実装される基板は、導体層間が絶縁層によって絶縁され、この絶縁層を貫通する層間接続部材によって導体層間が電気的に接続されて構成されている。導体層と層間接続部材との間は、高い接続信頼性で接続することが重要である。例えば特許文献１には、内層回路の導体層間を、バイアホールを介して電気的に接続する形式の多層プリント配線板において、導体層表面に酸化処理や電解処理等による粗化処理を施すことによってバイアホールによる層間接続の接続信頼性を高める技術が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−７０３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている技術では、導体層表面に粗化処理を施すための専用の装置が必要であり、製造工程も複雑化するという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みなされたものであって、製造工程を複雑にすることなく導体層と層間接続部材との間の接続信頼性を向上させることができる電子回路モジュールおよびこの電子回路モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明にかかる電子回路モジュールは、絶縁層により絶縁された２層以上の導体層と、該導体層間を接続する層間接続部材とを備えた電子回路モジュールであって、前記導体層と前記層間接続部材との間に、前記導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られる接合層が配置されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記導体層と前記層間接続部材との間に添加物層が形成されており、前記接合層は、少なくとも前記導体層を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間、および、前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間が固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記接合層は、前記導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記導体層は、電子部品または基板と接続される接続部となる導体層を含み、前記接合層は、前記接続部となる導体層と前記層間接続部材との間に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記導体層は、それぞれ基板と接続される接続部となる複数の導体層を含み、前記接合層は、前記複数の接続部となる導体層のうち、当該電子回路モジュールの端部近傍に配置されて前記基板と接続される接続部となる導体層と前記層間接続部材との間に配置されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記層間接続部材は、前記絶縁層を貫通する接続穴に堆積されて形成され、前記導体層間を接続することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、第１の接続部となる第１の導体層を備えた第１の基板と、第２の接続部となる第２の導体層を備えた第２の基板と、一端面が前記第１の導体層と接続され、他端面が前記第２の導体層と接続されて、前記第１の接続部および前記第２の接続部間を接続する層間接続部材と、を備え、前記第１の導体層と前記層間接続部材との間および／または前記第２の導体層と前記層間接続部材との間に、前記第１の導体層を形成する金属および／または前記第２の導体層を形成する金属と、前記層間接続部材を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られた接合層が配置されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記第１の導体層と前記層間接続部材との間および／または前記第２の導体層と前記層間接続部材との間に添加物層が形成されており、前記接合層は、少なくとも前記第１の導体層を形成する金属および／または前記第２の導体層を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間、および、前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属との間が固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明にかかる電子回路モジュールは、上記の発明において、前記接合層は、前記第１の導体層を形成する金属および／または前記第２の導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属と前記添加物層を形成する金属とが固相状態で相互に拡散することによって得られることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明にかかる電子回路モジュールの製造方法は、電子部品または基板と接続される少なくとも一つの接続部となる導体層を含み、絶縁層により絶縁された２層以上の導体層と、該導体層間を接続する層間接続部材とを備えた電子回路モジュールの製造方法であって、加熱によって前記電子部品または前記基板と前記接続部とを接続するリフロー工程を含み、前記リフロー工程での加熱によって、少なくとも前記接続部と前記層間接続部材との間に前記導体層を形成する金属と前記層間接続部材を形成する金属とを固相状態で相互に拡散させた接合層を配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、導体層および層間接続部材を互いに固相状態で拡散現象を生じる材料で形成することにより、導体層と層間接続部材との間に接合層を配置して導体層と層間接続部材との間を固相拡散接合によって接合することができる。したがって、製造工程を複雑にすることなく導体層と層間接続部材との間の接合を強固にでき、これらの接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照し、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００１８】
（実施の形態１）
図１−１，１−２は、実施の形態１における電子回路モジュール１を示す一部断面図であり、図１−１は、リフロー工程前の電子回路モジュール１を示し、図１−２は、リフロー工程後の電子回路モジュール１を示している。実施の形態１の電子回路モジュール１は、配線パターンが形成された配線基板であってもよいし、内部に電子回路等が実装されたものであってもよい。
【００１９】
図１−１に示すように、電子回路モジュール１は、複数の導体層１１（１１ａ〜１１ｅ）と絶縁層１３とが形成され、絶縁層１３を貫通して導体層１１間を接続する層間接続部材１５（１５ａ〜１５ｃ）が配置されて構成される。導体層１１は金（Ａｕ）めっき層であり、層間接続部材１５はスズ（Ｓｎ）で形成される。そして、電子回路モジュール１は、接続部となる導体層である導体層１１ｂ，１１ｅ上に搭載された例えば半田バンプ等のろう接部材１１０によって、電子回路や別の電子回路モジュール等の電子部品１２０と接続される。具体的には、電子回路モジュール１は、ヒートツールや加熱炉等で例えば電子回路モジュール１全体を所定温度（例えば、２２０℃）に加熱するリフロー工程を経て、図１−２に示すように、電子部品１２０と接続される。ろう接部材１１０としては、例えばリフロー温度が２２０℃近傍（２１７℃）であるスズ、銀および銅の合金を用いる。
【００２０】
また、このリフロー工程での加熱により、電子回路モジュール１が電子部品１２０と接続される一方で、導体層１１ａや導体層１１ｂと層間接続部材１５ａとの接触部分、導体層１１ｄや導体層１１ｅと層間接続部材１５ｃとの接触部分、導体層１１ｃや導体層１１ｄと層間接続部材１５ｂとの接触部分で固相拡散反応が生じ、これらの間にそれぞれ接合層１７（１７ａ〜１７ｆ）が形成されて配置される。これは、導体層１１を形成する金属であるＡｕと層間接続部材１５を形成する金属であるＳｎとが固相状態で相互に拡散する拡散現象（固相拡散反応）を起こす材料であって、Ａｕ−Ｓｎ間の固相拡散接合による接合温度が約２２０℃であるためである。これによって、接触状態にある導体層１１と層間接続部材１５との間が固相拡散接合によって接合される。
【００２１】
この実施の形態１によれば、電子回路モジュール１を構成する導体層１１と層間接続部材１５との間に、固相拡散反応によって形成された接合層１７をそれぞれ配置することができる。そして、このように導体層１１と層間接続部材１５との間に配置された接合層１７によって、導体層１１と層間接続部材１５とをその接触部分において一体化させ、これらの密着強度を向上させることができるので、導体層１１と層間接続部材１５との間の機械的な接続信頼性を高めるとともに、電気的な接続信頼性を高めることができる。さらに、電子部品１２０を実装するためのリフロー工程での加熱によって接合層１７を配置することができるので、接合層１７を配置するための新たな工程を必要としない。したがって、製造時に特別な工程を必要とせずに導体層と層間接続部材との接合を強固にでき、導体層と層間接続部材との間の接続信頼性に優れた電子回路モジュールを提供できる。
【００２２】
なお、上記した実施の形態１では、リフロー工程において電子回路モジュール全体を加熱したが、必ずしも電子回路モジュール全体を加熱する必要はなく、接合層を設けたい箇所、例えば、ろう接部材１１０の近傍のみを局所的に加熱してもよい。局所的に加熱する方法としては、具体的にはレーザによる加熱方法がある。
【００２３】
また、リフロー工程での加熱によって接合層を配置する場合に限らず、接合層を配置するための加熱工程を別途独立して行うこととしてもよい。またこのとき、ろう接部材１１０の近傍以外で、接合層を配置したい導体層と層間接続部材との接触部分近傍を部分的に加熱することとしてもよい。
【００２４】
（実施の形態２）
実施の形態２では、導体層と層間接続部材との間に、導体層を形成する金属および層間接続部材を形成する金属の双方と相互に固相拡散反応を起こす添加物層を配置する。図２は、この場合の導体層２３と層間接続部材２１との接合構造を示す図であり、図２（ａ）に示すように、導体層２３と層間接続部材２１との間に添加物層２５が配置されている。例えば、導体層２３はスズ（Ｓｎ）で形成され、層間接続部材２１は亜鉛（Ｚｎ）で形成され、添加物層２５はビスマス（Ｂｉ）で形成される。このように導体層２３と層間接続部材２１との間に添加物層２５を配置した状態で加熱処理すると、導体層２３と添加物層２５との接触部分および層間接続部材２１と添加物層２５との接触部分でそれぞれ固相拡散反応が生じる。これにより、導体層２３のＳｎ、層間接続部材２１のＺｎおよび添加物層２５のＢｉが相互に拡散し、図２（ｂ）に示すように、導体層２３と層間接続部材２１との間に、ＳｎとＢｉの固相拡散反応によって形成されたＳｎ−Ｂｉ拡散層２７と、ＺｎとＢｉの固相拡散反応によって形成されたＺｎ−Ｂｉ拡散層２８と、Ｓｎ、ＺｎおよびＢｉの固相拡散反応によって形成されたＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ拡散層２９とで構成された接合層２６が配置される。ここで、Ｂｉは、ＳｎやＺｎと比較して拡散温度が低い。このように、拡散温度の低い例えばＢｉを添加物層２５として用いて導体層２３と層間接続部材２１との間に配置し、加熱処理することによって、接合層２６を得るための加熱温度を添加物層２５を配置しない場合と比較して低く設定できる。この実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を奏することができるとともに、接合層を配置する際に電子回路モジュールに与える熱ダメージを軽減できる。
【００２５】
なお、上記した実施の形態２では、Ｓｎ、ＺｎおよびＢｉの固相拡散反応によってＳｎ−Ｚｎ−Ｂｉ拡散層２９が形成される場合について説明したが、図２（ｂ）において、少なくともＳｎ−Ｂｉ拡散層２７とＺｎ−Ｂｉ拡散層２８が形成されていればよく、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ拡散層２９は形成されずに、この領域がＢｉの添加物層２５のままであっても構わない。
【００２６】
（実施の形態３）
図３は、実施の形態３の電子回路モジュール３の一例を示す一部断面図である。また、図４は、図３中に示す破線部分を拡大した図である。図３に示すように、実施の形態３の電子回路モジュール３は、内部に複数の層間接続部材３１１が配置された基板３１と、この基板３１上に実装された電子部品３３とで構成される。具体的には、図４に示すように、各層間接続部材３１１の上端面にそれぞれ接合層３１５が介在した状態で接続部となる導体層である部品実装用電極３１３が配置されており、部品実装用電極３１３上の半田バンプ等のろう接部材３５によって、基板３１と電子部品３３とが接続されている。接合層３１５は、実施の形態１と同様に加熱によって形成され、部品実装用電極３１３と層間接続部材３１１との間に配置されるものであり、リフロー工程での加熱によって接合層３１５を配置する構成としてもよいし、接合層３１５を配置するための加熱工程を別途独立して行う構成としてもよい。
【００２７】
ところで、図３中に二点鎖線の矢印で示すように、基板３１上に電子部品３３を実装する場合、これらの熱膨張差や温度変化に起因する熱応力、あるいは外部からの曲げ応力等による負荷が生じる場合がある。部品実装用電極３１３と層間接続部材３１１との接合構造について、図５に示す従来の接合構造と比較して説明すると、従来の電子回路モジュール４は、基板４１の内部に配置された各層間接続部材４１１の上端面に部品実装用電極４１３が配置され、部品実装用電極４１３上のろう接部材４５によって基板４１と電子部品４３とが接続されて構成されている。ここで、部品実装用電極４１３は、層間接続部材４１１上にめっきで形成されたものである。このため、従来の接合構造では部品実装用電極４１３と層間接続部材４１１との接合強度が不十分であり、電子回路モジュール４に熱応力や外部からの曲げ応力等の負荷がかかると、図５に示すように部品実装用電極４１３が層間接続部材４１１から剥離してしまう恐れがあった。これに対して実施の形態３の電子回路モジュール３では、部品実装用電極３１３と層間接続部材３１１との間に配置された接合層３１５によってこれらの接合を強固にできるので、熱応力や外部からの曲げ応力等の負荷が生じた場合であっても部品実装用電極３１３が層間接続部材３１１から剥離するといった事態を防止できる。これによれば、基板３１と電子部品３３との機械的および電気的な接続強度を向上させることが可能となる。
【００２８】
（実施の形態４）
図６は、実施の形態４の電子回路モジュール５の一例を示す正面図である。また、図７は、図６のＡ−Ａ矢視断面の一部断面図である。実施の形態４の電子回路モジュール５は、図６中に破線で示す複数の接合箇所で基板５１０と接合されて基板５１０上に実装される。具体的には、図７に示すように、電子回路モジュール５は、各接合箇所に内部を貫通する層間接続部材５１がそれぞれ配置され、その下端面に接続部となる導体層である部品実装用電極５３が配置されて構成されており、各部品実装用電極５３直下の半田バンプ等のろう接部材５２０によって基板５１０上に実装される。より具体的には、各接合箇所のうちの、電子回路モジュール５の四隅に位置する接合箇所Ｐ５１〜Ｐ５４（図６参照）において、部品実装用電極５３と層間接続部材５１の下端面との間に接合層５５が配置されている。接合層５５は、実施の形態１と同様に加熱によって形成され、部品実装用電極５３と層間接続部材５１との間に配置されるものであり、実施の形態４では、各接合箇所Ｐ５１〜Ｐ５４における部品実装用電極５３と層間接続部材５１の接触部分近傍を部分的に加熱処理する加熱工程を経て配置される。
【００２９】
この実施の形態４によれば、電子回路モジュール５の四隅の接合箇所Ｐ５１〜Ｐ５４において層間接続部材５１と部品実装用電極５３との間に固相拡散反応によって形成された接合層５５がそれぞれ配置される。これによれば、熱応力や外部からの曲げ応力等の負荷が集中する電子回路モジュール５の四隅の接合箇所Ｐ５１〜Ｐ５４において、層間接続部材５１と部品実装用電極５３との密着強度を向上させ、これらの接合を強固にできる。
【００３０】
なお、上記した実施の形態４において、層間接続部材５１と部品実装用電極５３との間に実施の形態２で説明した添加物層を配置することとしてもよい。この場合には、電子回路モジュール５の四隅の接合箇所Ｐ５１〜Ｐ５４において、層間接続部材５１と部品実装用電極５３との間に添加物層を配置すればよいので、添加物層を形成するために必要な材料を削減でき、コスト削減が実現できる。
【００３１】
（実施の形態５）
次に、実施の形態５の電子回路モジュールについて説明する。図８−１〜４は、実施の形態５の電子回路モジュールの製造工程を説明する図であり、製造工程順にその断面図を示したものである。本製造工程では、図８−１に示すように、絶縁層６１１の両面に導体層６１２，６１３が形成された基板６１を用意する。そして先ず、図８−２に示すように、ドリルやレーザ照射によって基板６１に穴あけ加工を施し、導体層６１２を露出させてビアホール６１４を形成する。続いて、図８−３に示すように、例えばスパッタやめっきによってビアホール６１４の内面に導体層を堆積させる。そして、堆積させた導体層によって、導体層６１２，６１３の間を接続する層間接続部材６１５を形成する。続いて基板６１を加熱処理し、図８−４に示すように、導体層６１２，６１３と層間接続部材６１５との間に接合層６１６ａ，６１６ｂを配置し、これらを固相拡散接合によって接合する。この実施の形態５の電子回路モジュールの製造方法では、バッチ処理による一括加工が可能であるため、低コストでの加工が可能である。なお、導体層６１２，６１３と層間接続部材６１５との接触部分に適宜実施の形態２で説明した添加物層を配置することとしてもよい。
【００３２】
（実施の形態６）
図９は、実施の形態６の電子回路モジュール７の一例を模式的に示した斜視図である。また、図１０は、図９に示す電子回路モジュール７の一部断面図である。図９に示すように、実施の形態６の電子回路モジュール７は、上面に複数の第１の接続部となる第１の導体層である基板電極７１１が形成された第１の基板である基板７１と、下面に複数の第２の接続部となる第２の導体層である基板電極７３１が形成された第２の基板である基板７３とを備え、各基板７１，７３間が、基板電極７１１，７３１を介して複数の金属柱７５によって機械的および電気的に接続されて構成されている。より具体的には、図１０に示すように、基板７１の基板電極７１１と金属柱７５の上端面との間にはそれぞれ接合層７７ａが配置されている。また、基板７３の基板電極７３１と金属柱７５の下端面との間にはそれぞれ接合層７７ｂが配置されている。
【００３３】
この電子回路モジュール７を製造する際には、先ず、各金属柱７５の上端面にそれぞれ基板電極７１１が位置し、かつ各金属柱７５の下端面にそれぞれ基板電極７３１が位置するように各基板７１，７３を配置する。そして、基板７１の基板電極７１１と金属柱７５の上端面および基板７３の基板電極７３１と金属柱７５の下端面を、例えばリフロー半田実装によってそれぞれ接続する。このとき、金属柱７５の上端面の全域が基板電極７１１と接触している必要はなく、一部が接触していればよい。同様にして、金属柱７５の下端面の全域が基板電極７３１と接触している必要はなく、一部が接触していればよい。また、このリフロー工程での加熱により、基板電極７１１と金属柱７５の上端面との間の接合層７７ａを配置するとともに基板電極７３１と金属柱の下端面との間に接合層７７ｂを配置し、これらを固相拡散接合によって接合する。なお、接合層７７ａ，７７ｂを配置するための加熱工程を別途独立して行う構成としてもよい。
【００３４】
この実施の形態６によれば、接合層７７ａ，７７ｂの配置によって各基板７１，７３の基板電極７１１，７３１と金属柱７５との接合を強固にできる。従来は、２枚の基板間を実施の形態５のような工法で接続する場合、層間接続部材６１５用の穴加工精度やめっき精度が要求されていたが、実施の形態６では、金属柱７５の上端面および下端面がそれぞれ基板電極７１１，７３１と接触するように各基板７１，７３と金属柱７５とを位置合わせすることで基板電極７１１，７３１と金属柱７５との機械的および電気的な接続信頼性を確保することができるので、電子回路モジュールの設計自由度が高い。なお、基板７１の基板電極７１１と金属柱７５の上端面との接触部分および／または基板７３の基板電極７３１と金属柱７５の下端面との接触部分に実施の形態２で説明した添加物層を配置することとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１−１】実施の形態１におけるリフロー工程前の電子回路モジュールを示す一部断面図である。
【図１−２】リフロー工程後の電子回路モジュールを示す一部断面図である。
【図２】実施の形態２における導体層と層間接続部材との接合構造を示す図である。
【図３】実施の形態３の電子回路モジュールの一例を示す一部断面図である。
【図４】図３中の破線部分を拡大した図である。
【図５】従来の導体層と層間接続部材との接合構造を説明する図である。
【図６】実施の形態４の電子回路モジュールの一例を示す正面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ矢視断面の一部断面図である。
【図８−１】実施の形態５の電子回路モジュールの製造工程を説明する図である。
【図８−２】図８−１の次の製造工程を説明する図である。
【図８−３】図８−２の次の製造工程を説明する図である。
【図８−４】図８−３の次の製造工程を説明する図である。
【図９】実施の形態６の電子回路モジュールの一例を模式的に示した斜視図である。
【図１０】図９の電子回路モジュールの一部断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１      電子回路モジュール
１１（１１ａ〜１１ｅ）      導体層
１３      絶縁層
１５（１５ａ〜１５ｃ）      層間接続部材
１７（１７ａ〜１７ｆ）      接合層
１１０      ろう接部材
１２０      電子部品
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図８−３】
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【図８−４】
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【図９】
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【図１０】
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