(57)【要約】【課題】ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】各処理ユニット１〜４では、予め規定された３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。一方で、ロット側でも、予め規定された３つの要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと３つの要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係に基づいて、要求レベルに応じて処理ユニット１〜４のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理される。【選択図】図３
2009032715.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して処理を施す処理ユニットと、
前記処理ユニットの清浄度を測定する測定手段と、
予め規定された複数の測定清浄度レベルから前記測定手段の測定結果に対応する清浄度レベルを測定レベルとして設定するとともに、前記複数の測定清浄度レベルに関連付けて予め規定された複数の要求清浄度レベルから前記基板が属するロットに要求される清浄度レベルを要求レベルとして設定する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できるか否かを判断し、許容できる場合には前記処理ユニットで前記基板を処理させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できない場合には、前記処理ユニットでの前記基板に対する処理を禁止する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できない場合であって、前記処理ユニットの清浄度の改善が要求されたとき、前記処理ユニットに対して洗浄処理を実行または前記処理ユニットに対するメンテナンスを要求する請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理ユニットが複数個設けられ、前記複数の処理ユニットのうちの２個以上の処理ユニットが互いに同一種類の処理を前記基板に対して施す請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記制御手段は、前記要求レベルに応じて互いに同一種類の処理を施す２個以上の処理ユニットのいずれかを選択し、選択された処理ユニットで前記基板を処理させる基板処理装置。
【請求項５】
前記複数個の処理ユニットの全てが同一種類の処理を前記基板に対して施す請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数個の処理ユニットの各々に対応して前記測定手段が設けられ、
各測定手段は対応する前記処理ユニットの清浄度を常時測定する請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記複数個の処理ユニットに対して共通の前記測定手段が設けられ、
前記測定手段は所定時間おきに各処理ユニットの清浄度を順に測定する請求項４または５記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記測定レベルを表示する表示手段をさらに備える請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理ユニットの内部に形成された処理空間で前記基板に処理液を供給して前記基板に対して前記処理を施す請求項１ないし８のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記測定手段は前記処理空間の清浄度を測定するとともに前記処理液の清浄度を測定する基板処理装置。
【請求項１０】
基板に対して処理を施す処理ユニットの清浄度を測定する測定工程と、
予め規定された複数の測定清浄度レベルから前記測定工程の測定結果に対応する清浄度レベルを測定レベルとして設定するユニット側設定工程と、
前記複数の測定清浄度レベルに関連付けて予め規定された複数の要求清浄度レベルから前記基板が属するロットに要求される清浄度レベルを要求レベルとして設定するロット側設定工程と、
前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できるか否かを判断する判断工程と
を備え、
前記判断工程で、前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できる場合には前記処理ユニットで前記基板を処理させることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記判断工程で、前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できない場合には、前記処理ユニットでの前記基板に対する処理を禁止する請求項１０記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記判断工程で、前記要求レベルに対して前記測定レベルが許容できない場合であって、前記処理ユニットの清浄度の改善が要求されたとき、前記処理ユニットに対して洗浄処理を実行または前記処理ユニットに対するメンテナンスを要求する請求項１１記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記処理ユニットが複数個設けられ、前記複数の処理ユニットのうちの２個以上の処理ユニットが互いに同一種類の処理を前記基板に対して施す請求項１０ないし１２のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記要求レベルに応じて互いに同一種類の処理を施す２個以上の処理ユニットのいずれかを選択し、選択された処理ユニットで前記基板を処理させる基板処理方法。
【請求項１４】
前記複数個の処理ユニットの全てが同一種類の処理を前記基板に対して施す請求項１３記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記処理ユニットの内部に形成された処理空間で前記基板に処理液を供給して前記基板に対して前記処理を施す請求項１０ないし１４のいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記測定工程では、前記処理空間の清浄度を測定するとともに前記処理液の清浄度を測定する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複数枚の基板から構成されるロットに含まれる各基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関するものである。基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの電子部品の製造工程では、基板の表面に成膜やエッチングなどの処理を繰り返し施して微細パターンを形成していく工程が含まれる。ここで、微細加工を良好に行うためには基板を清浄な状態に保つ必要がある。しかしながら、基板が処理される処理空間内にパーティクル等の汚染物が存在すると、該汚染物が基板に付着することに起因して製造品の歩留まりの低下を引き起こすことがある。また、基板に対して薬液や純水などの処理液を供給して基板に対して湿式処理を行う場合には、処理液中に存在する汚染物によって基板が汚染され、製造品の歩留まりの低下を引き起こすことがある。
【０００３】
そこで、上記製造工程では、処理空間および処理液の清浄度を測定することが行われている。例えば、特許文献１に記載の装置では、処理液を貯留した処理槽に基板を浸漬させている。そして、処理槽からオーバーフローした処理液の一部を採取して処理液の清浄度をリアルタイムで連続的にモニタリングしている。これにより、処理液に汚染物が混入した場合でも、直ちにこれを検出することによって処理液に汚染物が混入した状態で処理が継続されるのを防いでいる。また、特許文献２に記載の装置では、装置内に形成された処理空間にレーザ光を導入するとともに処理空間からの散乱光を受光することにより、処理空間に存在する汚染物を計測している。これにより、処理空間の清浄度をリアルタイムで測定することを可能としている。そして、処理空間の清浄度レベルに応じて処理を停止させ、装置のクリーニングやオーバーホールを実行している。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１２１３９１号公報（図１）
【特許文献２】特開平１１−３３７４７２号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、基板処理プロセスでは、基板を複数枚まとめて「ロット」という一単位でロットを構成する各基板に対して同一種類の処理が施されるが、ロットに要求される清浄度レベルはロットごとに異なっている。例えば、粒径が０．０３μｍ程度の微小なパーティクル付着による汚染が問題となるロットが存在する一方で、清浄度をほとんど考慮することなく、単に薬液を用いた処理が実施されればよいというロットも存在する。しかしながら、従来装置では、このようなロット側の事情、つまりロットに要求される清浄度レベルについては考慮されることがなく、結果として次のような問題が発生することがあった。すなわち、従来装置では、測定された処理液や処理空間の清浄度レベルのみに基づいて処理を停止させている。このため、ロットに要求される清浄度レベルによっては、基板処理を実行しても問題がない場合であっても、基板処理が停止される場合があった。このように、ロットに要求される清浄度レベルと、装置の清浄度レベルとのミスマッチが生じることがあった。その結果、装置の稼働率が低下してしまうという問題が発生していた。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、ロットに含まれる基板に対して所定の処理を施す際に、装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる基板処理装置は、基板に対して処理を施す処理ユニットと、処理ユニットの清浄度を測定する測定手段と、予め規定された複数の測定清浄度レベルから測定手段の測定結果に対応する清浄度レベルを測定レベルとして設定するとともに、複数の測定清浄度レベルに関連付けて予め規定された複数の要求清浄度レベルから基板が属するロットに要求される清浄度レベルを要求レベルとして設定する制御手段とを備え、制御手段は、要求レベルに対して測定レベルが許容できるか否かを判断し、許容できる場合には処理ユニットで基板を処理させることを特徴としている。
【０００８】
また、この発明は、基板に対して処理を施す処理ユニットの清浄度を測定する測定工程と、予め規定された複数の測定清浄度レベルから測定工程の測定結果に対応する清浄度レベルを測定レベルとして設定するユニット側設定工程と、複数の測定清浄度レベルに関連付けて予め規定された複数の要求清浄度レベルから基板が属するロットに要求される清浄度レベルを要求レベルとして設定するロット側設定工程と、要求レベルに対して測定レベルが許容できるか否かを判断する判断工程とを備え、判断工程で、要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には処理ユニットで基板を処理させることを特徴としている。
【０００９】
このように構成された発明（基板処理装置および方法）では、予め規定された複数の測定清浄度レベルから処理ユニットの清浄度の測定結果に対応する清浄度レベルが測定レベルとして設定される。その一方で、複数の測定清浄度レベルに関連付けて予め規定された複数の要求清浄度レベルから基板が属するロットに要求される清浄度レベルが要求レベルとして設定される。そして、要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には処理ユニットで基板が処理される。このように、処理ユニット側の測定レベルがロット側の要求レベルを満たすことができれば、基板処理が禁止されることなく実行される。このため、例えば、処理ユニットの清浄度レベルが最高の状態でなくとも、ロットに要求される清浄度レベルを満たすことができれば、基板が処理される。したがって、従来技術で発生していた事態、つまりロットに要求される清浄度レベルと、処理ユニットの清浄度レベルとのミスマッチが生じるという事態を回避して装置の稼働率を向上させることができる。
【００１０】
ここで、要求レベルに対して測定レベルが許容できない場合には、処理ユニットでの基板に対する処理を禁止すると、処理ユニット側の測定レベルがロット側の要求レベルを満たさない状態で該ロットに含まれる基板が処理されるのを確実に防止することができる。これにより、基板の汚染による歩留まりの低下を防止することができる。
【００１１】
また、要求レベルに対して測定レベルが許容できない場合であって、処理ユニットの清浄度の改善が要求されたとき、処理ユニットに対して洗浄処理を実行または処理ユニットに対するメンテナンスを要求するようにしてもよい。これにより、処理ユニットでの基板に対する処理が禁止されるだけでなく、該処理ユニットに対して洗浄処理または処理ユニットに対するメンテナンスが実行される。これにより、処理ユニットの清浄度を改善することが可能となる。
【００１２】
また、処理ユニットが複数個設けられ、複数の処理ユニットのうちの２個以上の処理ユニットが互いに同一種類の処理を基板に対して施す基板処理装置においては、要求レベルに応じて互いに同一種類の処理を施す２個以上の処理ユニットのいずれかを選択し、選択された処理ユニットで基板を処理させてもよい。この構成によれば、互いに同一種類の処理を行う２個以上の処理ユニットが設けられ、要求レベルに応じてこれらの処理ユニットのいずれかで選択的に基板が処理される。このため、互いに同一種類の処理を施す２個以上の処理ユニットのいずれかで、要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、処理を停止させることなく、基板を処理することができる。したがって、ロットに要求される清浄度レベルに合わせて柔軟に対応することが可能となり、装置の稼働率を向上させる上で有効となっている。さらに、このような観点からは、複数の処理ユニットの全てが同一種類の処理を基板に対して施すように装置を構成することが好ましい。
【００１３】
ここで、複数個の処理ユニットの清浄度を測定する具体的な態様としては、次のような態様を採用することができる。例えば、複数個の処理ユニットの各々に対応して測定手段を設けて、各測定手段が対応する処理ユニットの清浄度を常時測定するように構成することができる。この構成によれば、処理ユニットの清浄度の履歴を連続的にモニタリングするとともに処理ユニットの最新の清浄度を把握することができる。また、複数個の処理ユニットに対して共通の測定手段を設けて、測定手段が所定時間おきに各処理ユニットの清浄度を順に測定するように構成することができる。この構成によれば、複数の処理ユニットの清浄度を単一の測定手段を用いてモニタリングすることができ、装置構成を簡素化することができる。
【００１４】
また、測定レベルを表示する表示手段をさらに設けることが好ましい。これにより、オペレータが表示内容から処理ユニットの清浄度がどのレベルにあるのかを把握することができる。その結果、基板処理を継続するのか、あるいは処理ユニットの清浄度の改善を要求するのかといった対応をオペレータが的確に判断することができるようになる。
【００１５】
また、処理ユニットの内部に形成された処理空間で基板に処理液を供給して基板に対して処理を施す基板処理装置においては、測定手段は処理空間の清浄度を測定するとともに処理液の清浄度を測定してもよい。これにより、基板の汚染にかかわる処理ユニットの清浄度を一度に測定することができ、処理ユニットの状態を的確に検出することができる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、処理ユニット側の測定レベルがロット側の要求レベルを満たすことができれば、基板処理が実行される。したがって、ロットに要求される清浄度レベルと、処理ユニットの清浄度レベルとのミスマッチが生じるという事態を回避して装置の稼働率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜第１実施形態＞
図１はこの発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ等の基板Ｗに対して処理液や処理ガスなどによる処理を施すための枚葉式の処理装置である。この基板処理装置は、基板Ｗに対して処理を施す基板処理部ＰＰと、この基板処理部ＰＰに結合されたインデクサ部ＩＤと、処理流体（液体または気体）の供給／排出のための構成を収容した処理流体ボックス１１，１２とを備えている。
【００１８】
インデクサ部ＩＤは、基板Ｗを収容するためのカセットＣ（複数の基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）、ＳＭＩＦ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒ  Ｆａｃｅ）ポッド、ＯＣ（Ｏｐｅｎ  Ｃａｓｓｅｔｔｅ）など）を複数個保持することができるカセット保持部２１と、このカセット保持部２１に保持されたカセットＣにアクセスして、未処理の基板ＷをカセットＣから取り出したり、処理済の基板をカセットＣに収納したりするためのインデクサロボット２２とを備えている。
【００１９】
各カセットＣには、複数枚の基板Ｗが「ロット」という一単位で収容されている。複数枚の基板Ｗはロット単位で種々の基板処理装置の間に搬送され、各基板処理装置でロットを構成する各基板Ｗに対して同一種類の処理が施される。各カセットＣは、複数枚の基板Ｗを微小な間隔をあけて上下方向に積層して保持するための複数段の棚（図示省略）を備えており、各段の棚に１枚ずつ基板Ｗを保持することができるようになっている。各段の棚は、基板Ｗの下面の周縁部に接触し、基板Ｗを下方から保持する構成となっており、基板Ｗは表面（パターン形成面）を上方に向け、裏面を下方に向けたほぼ水平な姿勢でカセットＣに収容されている。
【００２０】
基板処理部ＰＰは、平面視においてほぼ中央に配置された基板搬送ロボット（基板搬送装置）１３と、この基板搬送ロボット１３が取付けられたフレーム３０とを有している。このフレーム３０には、基板搬送ロボット１３を取り囲むように、複数個（この実施形態では４個）の処理ユニット１，２，３，４が搭載されている。この実施形態では、処理ユニット１〜４として例えば半導体ウエハのようなほぼ円形の基板Ｗに対して所定の処理を施す処理ユニットＸ１がフレーム３０に搭載されている。処理ユニットＸ１としては、例えば、基板Ｗに対して薬液による薬液処理および純水などのリンス液によるリンス処理を施す薬液処理ユニットＭＰを採用することができる。以下、薬液およびリンス液を総称する場合は「処理液」という。処理ユニット１，２，３，４はそれぞれ、内部に基板Ｗに対して処理を施すための処理空間が形成された処理チャンバー１ａ，２ａ，３ａ，４ａを有する。そして、各処理チャンバー１ａ〜４ａ内で基板Ｗに処理液が供給され該基板Ｗに対して湿式処理が施される。このように、この実施形態では、複数の処理ユニット１〜４の全てにおいて互いに同一種類の処理を施すようにしている。
【００２１】
処理ユニットＸ１としては、薬液処理ユニットＭＰ以外に、スクラブ洗浄ユニットＳＳ、ポリマー除去ユニットＳＲ、ベベル洗浄ユニットＣＢおよび気相洗浄ユニットＶＰから選択した任意の処理ユニットを採用することができる。ここで、スクラブ洗浄ユニットＳＳは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗに純水を供給するとともに、基板表面をスクラブブラシでスクラブする。また、ポリマー除去ユニットＳＲは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗにポリマー除去液を供給して基板Ｗ上の残渣物を除去する。また、ベベル洗浄ユニットＣＢは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗの周端面および表面周縁部（ベベル部）に処理液を供給してベベル部に対して処理を施す。また、気相洗浄ユニットＶＰは、基板Ｗに薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給して基板Ｗを処理する。
【００２２】
また、この実施形態では、複数の処理ユニット１，２，３，４の各々に対応して処理ユニットの清浄度を測定するためにパーティクルカウンタ４１，４２，４３，４４（本発明の「測定手段」に相当）が設けられている。パーティクルカウンタ４１〜４４は、各処理チャンバー１ａ〜４ａ内に形成された処理空間（基板Ｗが処理される雰囲気中）に存在するパーティクルの粒径、粒子数をカウントして処理空間の清浄度を測定するとともに基板Ｗに供給される処理液中に存在するパーティクルの粒径、粒子数をカウントして処理液の清浄度を測定することが可能となっている。これにより、基板Ｗの汚染にかかわる処理ユニット１〜４の清浄度を一度に測定することができ、処理ユニット１〜４の状態を的確に検出することができる。このように、この実施形態では、複数の処理ユニット１〜４の各々に対応してパーティクルカウンタ４１〜４４が設けられているので、各処理ユニット１〜４の清浄度を常時測定することが可能となっている。このため、処理ユニット１〜４の清浄度の履歴を連続的にモニタリングするとともに処理ユニット１〜４の最新の清浄度を把握することができる。
【００２３】
基板搬送ロボット１３は、インデクサロボット２２から未処理の基板Ｗを受け取ることができ、かつ処理済の基板Ｗをインデクサロボット２２に受け渡すことができる。より具体的には、例えば、基板搬送ロボット１３は、当該基板処理部ＰＰのフレーム３０に固定された基台部と、この基台部に対して昇降可能に取付けられた昇降ベースと、この昇降ベースに対して鉛直軸回りの回転が可能であるように取付けられた回転ベースと、この回転ベースに取付けられた一対のハンドとを備えている。一対の基板保持ハンドは、それぞれ、上記回転ベースの回転軸線に対して近接／離反する方向に進退可能に構成されている。このような構成により、基板搬送ロボット１３は、インデクサロボット２２および処理ユニット１〜４のいずれかに対して基板保持ハンドを向け、その状態で基板保持ハンドを進退させることができ、これによって、基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００２４】
インデクサロボット２２は、次に説明する制御部により指定されたカセットＣから未処理の基板Ｗを取り出して基板搬送ロボット１３に受け渡すとともに、基板搬送ロボット１３から処理済の基板Ｗを受け取ってカセットＣに収容する。処理済の基板Ｗは、当該基板Ｗが未処理の状態のときに収容されていたカセットＣに収容されてもよい。また、未処理の基板Ｗを収容するカセットＣと処理済の基板Ｗを収容するカセットＣとを分けておいて、未処理の状態のときに収容されていたカセットＣとは別のカセットＣに処理済の基板Ｗが収容されるように構成してもよい。
【００２５】
図２は図１の基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置は装置全体の制御を行う制御部１００（本発明の「制御手段」に相当）を備えており、各処理ユニット１〜４およびパーティクルカウンタ４１〜４４を統括的に制御する。制御部１００は、その本体部であって演算処理を行うＣＰＵ１０１、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく記憶部１０２および外部装置との間で通信を行う通信部１０３を有しており、それぞれをバスライン１９０によって接続した構成となっている。記憶部１０２は、制御用のプログラムなどを記憶するＲＯＭ、演算の作業領域となるＲＡＭ、ログファイルなどを記憶しておく固定ディスク等から構成される。通信部１０３はネットワーク（図示せず）に接続されており、ネットワークを介して基板処理装置の外部に設けられているホストコンピュータ等とデータ通信を行う。なお、データ通信の方式は有線および無線のいずれであってもよい。
【００２６】
バスライン１９０には、複数の処理ユニット１〜４とともに、各種情報の表示を行う表示部１３０、オペレータからの各種情報の入力及び操作を受け付ける操作部１４０、磁気ディスクや光磁気ディスクなどの記録媒体９１から各種データの読み取りを行う読取装置１５０なども電気的に接続されている。これにより、制御部１００の制御下において、基板処理装置の各部間でバスライン１９０を介してデータの受け渡しが可能となっている。
【００２７】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について図３ないし図５を参照しつつ説明する。図３は図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。ここでは、複数のロット（この実施形態では、３つのロットＬ１〜Ｌ３）に対して各ロットに含まれる基板Ｗに対して処理液を用いた湿式処理を施す場合について説明する。この実施形態では、パーティクルカウンタ４１〜４４により各処理ユニット１〜４の清浄度が常時測定されており（ステップＳ１；測定工程）、各処理ユニット１〜４の清浄度が以下のように分類される。
【００２８】
図４は各処理ユニットの清浄度の測定結果の一例を示す図である。制御部１００は予め規定された複数（この実施形態では３つ）の測定清浄度レベルからパーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果に対応する清浄度レベルを測定レベルとして設定する（ステップＳ２；ユニット側設定工程）。この実施形態では、３つの測定清浄度レベルとして、例えば、清浄度が高い方から順に測定清浄度レベルＭＡ（パーティクル粒径：０．０３μｍ以上０．１μｍ未満、粒子数：５個以内）、測定清浄度レベルＭＢ（パーティクル粒径：０．１μｍ以上０．２μｍ未満、粒子数：５個以内）および測定清浄度レベルＭＣ（パーティクル粒径：０．２μｍ以上、粒子数：５個以内）が予め規定されている。そして、パーティクルカウンタ４１〜４４の測定結果がそれぞれＭＡ、ＭＢ、ＭＢ、ＭＣに対応するものであったときには、図３の右上段ボックスや図４に示すように、処理ユニット１〜４の測定レベルはそれぞれＭＡ、ＭＢ、ＭＢ、ＭＣに設定されて制御部１００の記憶部１０２に記憶される。
【００２９】
その一方で、ロット側でも制御部１００は予め規定された複数（この実施形態では３つ）の要求清浄度レベルから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルを要求レベルとして設定する（ステップＳ３；ロット側設定工程）。３つの要求清浄度レベルとして、例えば、清浄度が高い方から順に最高レベルの清浄度を要求する要求清浄度レベルＲＡ、通常レベルの清浄度を要求する要求清浄度レベルＲＢおよび清浄度を殆ど気にしない要求清浄度レベルＲＣが予め規定されている。このような要求清浄度レベルの分類（レベル分け）は、例えばロットを構成する基板Ｗの表面に形成されたパターンの線幅などを基準に行われる。ここでは、図３の右中段ボックスに示すように、ロットＬ１〜Ｌ３の要求レベルがそれぞれＲＡ、ＲＢ、ＲＣに設定されている場合の動作を適宜例示して説明する。
【００３０】
この実施形態では、上記した要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣは３つの測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと以下のようにして関連付けられている。図５は測定清浄度レベルと要求清浄度レベルとの間の対応関係を示す図である。このように測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣと要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣとの間の対応関係を規定しているのは次の理由による。すなわち、ロットに要求される清浄度レベルが高いにもかかわらず、当該ロットに含まれる基板Ｗが低清浄度レベルの処理ユニットで処理されてしまうと、基板Ｗが汚染されることにより基板Ｗが致命的なダメージを受けるおそれがある。このため、ロット側の要求清浄度レベルごとに処理を施しても問題が生じない測定清浄度レベルを規定している。例えば、要求清浄度レベルがＲＡでは、測定清浄度レベルがＭＡの場合に限って処理を許可するように規定されている（図５（ａ））。また、要求清浄度レベルがＲＢでは、測定清浄度レベルがＭＡおよびＭＢの場合に処理を許可するように規定されている（図５（ｂ））。また、要求清浄度レベルがＲＣでは、測定清浄度レベルにかかわらず、つまり測定清浄度レベルがＭＡ〜ＭＣのいずれの場合でも処理を許可するように規定されている（図５（ｃ））。
【００３１】
そして、制御部１００は、ステップＳ４〜Ｓ９を実行して各ロットＬ１〜Ｌ３に対して処理可能な処理ユニットを設定する。このステップＳ４で最初のロット、例えばロットＬ１が選択される。そして、制御部１００は上記対応関係に基づき該ロットの要求レベルに対して各処理ユニット１〜４の測定レベルが許容できるか否か判断する（ステップＳ５；判断工程）。そして、要求レベルに対して測定レベルが許容できない場合（ステップＳ５でＮＯ）、具体的にはロット側の要求レベルに対して測定レベルが許容できる処理ユニットが存在しない場合には、そのロットに含まれる基板Ｗの処理を禁止する（ステップＳ６）。つまり、これに該当する場合には、処理可能な処理ユニットはない旨を記憶部１０２に記憶する。これに対し、要求レベルに対して測定レベルが許容できる処理ユニットが処理ユニット１〜４に存在する場合（ステップＳ５でＹＥＳ）、図５に示す対応関係に従って決定される処理ユニットを「処理可能な処理ユニット」として設定して記憶部１０２に記憶する。例えば、図３の右上段、右中段ボックスに示すように設定されている場合には、ロットＬ１に対して処理ユニット１のみが「処理可能な処理ユニット」として設定される。また、このロットに対する設定が完了すると、次のステップＳ８で制御部１００は全ロットについて「処理可能な処理ユニット」の設定が完了しているか否かを判断する（ステップＳ８）。そして、ステップＳ８で「ＹＥＳ」と判断されるまで、次のロットについて「処理可能な処理ユニット」の設定を行う（ステップＳ５〜Ｓ７）。こうして、すべてのロットＬ１〜Ｌ３について「処理可能な処理ユニット」の設定が完了すると、図３の右下段ボックスに示すように、各ロットＬ１〜Ｌ３を構成する基板Ｗに対して処理可能な処理ユニットが設定される。そして、制御部１００は処理可能な処理ユニットに関する情報に基づきロットＬ１〜Ｌ３を構成する基板Ｗを処理可能な処理ユニットに振り分けながら処理を実行する（ステップＳ１０）。より詳しくは、次のように処理が実行される。
【００３２】
複数の基板Ｗを収容したカセットＣがインデクサロボット２２によりインデクサ部ＩＤに搬送されてくると、以下のようにして各基板Ｗに対して処理が行われる。すなわち、制御部１００は、インデクサ部ＩＤに搬送されたロットがＬ１である場合には、ロットＬ１に含まれる各基板Ｗは処理ユニット１で処理される（ステップＳ１０）。また、インデクサ部ＩＤに搬送されたロットがＬ２である場合には、ロットＬ２に含まれる各基板Ｗは処理ユニット１〜３のいずれかで処理される（ステップＳ１０）。さらに、インデクサ部ＩＤに搬送されたロットがＬ３である場合には、ロットＬ３に含まれる各基板Ｗは処理ユニット１〜４のいずれかで処理される（ステップＳ１０）。つまり、処理ユニット１〜４のうち測定レベルと要求レベルに応じて処理ユニットが選択され、この選択処理ユニットで基板Ｗが処理される。なお、この実施形態では、測定レベルと要求レベルに応じた処理ユニットの選択が３つのロットＬ１〜Ｌ３に対して一括して行われているが、ロットごとに処理ユニットの選択を行ってもよい。つまり、１つのロットに対して処理ユニットの選択と該ロット内の基板Ｗに対する処理とを行った後に、次のロットに対して同様の処理を繰り返すように構成してもよい。また、前ロットの処理中に次ロットの処理ユニットの選択を行ってもよい。
【００３３】
次に、処理ユニットの清浄度が低下した場合の対処方法について説明する。処理ユニットの清浄度が低下した場合には、処理ユニットの清浄度を向上させるために何らかの復旧処置が必要となっている。したがって、この実施形態では、復旧処置を講じるか否かを判断するために測定清浄度レベルに対して基準値を設定し、処理ユニットの清浄度が低下して測定レベルが基準値を下回る（測定レベルが基準値に対して低くなる）場合には以下のように対処している。
【００３４】
図６は測定レベルが基準値を下回った場合の対処例を示すフローチャートである。また、図７は測定レベルが基準値を下回った場合の対処例を説明するための動作説明図である。ここでは、測定清浄度レベルＭＡと測定清浄度レベルＭＢとの境界値を基準値とした場合について説明する。すなわち、測定レベルがＭＡからＭＢまたはＭＣに低下した場合に復旧処置を講じる場合について説明する。
【００３５】
処理ユニット１〜４のうち、例えば処理ユニット３および４において測定レベルが基準値を下回っている場合（測定レベルがＭＢまたはＭＣとなっている場合）、要求レベルに対して測定レベルが許容できない基板処理を禁止する（図７（ａ））。具体的には、処理ユニット３および４において要求レベルがＲＡに設定されたロットに含まれる基板Ｗの処理を禁止する（ステップＳ２１）。これにより、処理ユニット側の測定レベルがロット側の要求レベルを満たさない状態で該ロットに含まれる基板Ｗが処理されるのを確実に防止することができる。ここで、基板Ｗの処理中に測定レベルが基準値を下回った場合（ステップＳ２２でＹＥＳ）には、基板Ｗのログファイルに測定レベルが基準値を下回った状態で当該基板Ｗが処理されたことを記録する（ステップＳ２３）。これにより、基板Ｗがどのような状態で処理されたかを事後的に確認することが可能となる。
【００３６】
続いて、制御部１００は処理ユニット１〜４の測定レベルおよび処理ユニット３および４の測定レベルが基準値を下回っていることを表示部１３０に表示させるとともに（ステップＳ２４）、アラームを発生させてオペレータに報知する（ステップＳ２５）。これにより、オペレータが処理ユニット１〜４の清浄度がどのレベルにあるかを把握することができる。その結果、基板処理を継続するのか、あるいは処理ユニットの清浄度の改善を要求するのかといった対応をオペレータが的確に判断することができるようになる。また、制御部１００は処理ユニット３および４の測定レベルが基準値を下回っていることを通信部１０３を介してホストコンピュータに報知する。
【００３７】
その後、オペレータまたはホストコンピュータが処理ユニット３および４の清浄度の改善を要求するか否かについて対応を判断する。そして、オペレータまたはホストコンピュータが処理ユニット３および４の清浄度の改善を要求しない場合（ステップＳ２６でＮＯ）には、要求レベルに対して測定レベルが許容できるロットに含まれる基板Ｗの処理を継続する（ステップＳ２７）。具体的には、例えば処理ユニット３および４の測定レベルがＭＢである場合、要求レベルがＲＢまたはＲＣに設定されたロットに含まれる基板Ｗの処理を継続する。その一方で、オペレータまたはホストコンピュータが処理ユニット３および４の清浄度の改善を要求する場合（ステップＳ２６でＹＥＳ）には、処理ユニット３および４における基板処理を停止させる（ステップＳ２８）。続いて、オペレータの操作によってまたは自動的に予め規定された洗浄レシピにしたがって処理ユニット３および４の洗浄を実行する（ステップＳ２９）。なお、処理ユニット３および４における基板処理を停止させている間、処理ユニット１または２において基板処理が続行される（図７（ｂ））。
【００３８】
ユニット洗浄の実行後、処理ユニット３および４の清浄度が改善した場合（ステップＳ３０でＹＥＳ）には、処理ユニット３および４における基板処理を再開させる（図７（ｃ））。具体的には、処理ユニット３および４の測定レベルは基準値以上となっているので、どのような要求レベルに設定されたロットであっても要求レベルを満たしながら処理することが可能となる。
【００３９】
その一方で、ユニット洗浄を実行したにもかかわらず、処理ユニット３および４の清浄度が改善しなかった場合（ステップＳ３０でＮＯ）には、制御部１００は当該処理ユニットに対して専門のエンジニアによるメンテナンスを要求する（ステップＳ３１）。ここで、直ちに専門のエンジニアによるメンテナンスが実行可能な場合（ステップＳ３２でＹＥＳ）には、処理ユニットを停止させた状態でメンテナンスが行われる（ステップＳ３３）。これにより、処理ユニット３および４の清浄度が改善され、処理ユニット３および４における基板処理が再開される。一方で、専門のエンジニアが不在等である場合（ステップＳ３２でＮＯ）には、直ちにメンテナンスを実行することができない。この場合には、装置の稼働率を向上させるために、要求レベルに対して測定レベルが許容できるロットに含まれる基板Ｗの処理を実行する（ステップＳ３４）。具体的には、例えば処理ユニット３および４の測定レベルがＭＢである場合、要求レベルがＲＢまたはＲＣに設定されたロットに含まれる基板Ｗの処理を実行する。これにより、専門のエンジニアが不在等であった場合でも、処理ユニット３および４における基板処理を停止させることがなく、装置の稼働率を向上させることができる。その後、エンジニアによるメンテナンスが行われ（ステップＳ３３）、処理ユニット３および４における基板処理が再開される。
【００４０】
以上のように、この実施形態によれば、予め規定された複数（３つ）の測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣから処理ユニット１〜４の清浄度の測定結果に対応する清浄度レベルを測定レベルとして設定する一方で、複数（３つ）の測定清浄度レベルＭＡ〜ＭＣに関連付けて予め規定された複数の要求清浄度レベルＲＡ〜ＲＣから基板Ｗが属するロットに要求される清浄度レベルを要求レベルとして設定している。そして、要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、処理ユニット１〜４で基板Ｗを処理させている。つまり、処理ユニット側の測定レベルがロット側の要求レベルを満たすことができれば、基板処理が禁止されることなく実行される。このため、例えば、処理ユニット１〜４の清浄度が最高の状態でなくとも、ロットに要求される清浄度レベルを満たすことができれば、基板Ｗが処理される。その一方で、要求レベルに対して測定レベルが許容できない場合には、処理ユニットでの基板Ｗに対する処理を禁止している。このため、処理ユニット側の測定レベルがロット側の要求レベルを満たさない状態で該ロットに含まれる基板Ｗが処理されるのを確実に防止することができる。これにより、基板Ｗの汚染による歩留まりの低下を防止することができる。
【００４１】
ここで、従来技術のように、ロットに要求される清浄度レベルについて考慮しない場合には、次のような問題が発生してしまう。例えば図８に示すように、処理ユニット１〜４の測定レベルがＭＢまたはＭＣである場合には、すべての処理ユニット１〜４で基板Ｗに対する処理が実行できなくなってしまう。というのも、処理ユニット側では被処理ロットに要求される清浄度レベルが不明であるために、どのようなロットであっても要求される清浄度レベルを満たすべく、測定レベルをＭＡに保つ必要がある。そのため、測定レベルがＭＢまたはＭＣとなっている場合には、基板処理を禁止する必要があるからである。その結果、被処理ロットの要求レベルが実際にはＭＢであった場合、本来であれば処理ユニット１〜３のいずれかで処理可能であるにもかかわらず、処理できなくなってしまう。
【００４２】
これに対し、この実施形態によれば、ロットに要求される清浄度レベルによっては基板処理を実行しても問題が生じない場合にまで基板処理が停止されるという事態を回避することができる。つまり、ロットに要求される清浄度レベルと、処理ユニットの清浄度レベルとのミスマッチが生じるという事態を回避することができる。その結果、装置の稼働率を向上させることができる。
【００４３】
また、この実施形態によれば、複数個（４個）の処理ユニット１〜４の全てが同一種類の処理を基板Ｗに対して施すように装置を構成している。このため、処理ユニット１〜４のうち１個でも要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、基板処理を停止させることなく、基板Ｗを処理することができる。したがって、ロットに要求される清浄度レベルに合わせて柔軟に対応することが可能となり、装置の稼働率を向上させる上で有効となっている。
【００４４】
＜第２実施形態＞
図９はこの発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。この第２実施形態にかかる基板処理装置が第１実施形態と大きく相違する点は、複数個（４個）の処理ユニット１〜４の各々に対応してパーティクルカウンタ４１〜４４を設けることに替えて複数個の処理ユニット１〜４に共通のパーティクルカウンタ４０が設けられている点である。なお、その他の構成および動作は基本的に第１実施形態と同様であるため、ここでは同一符号を付して説明を省略する。
【００４５】
この実施形態では、パーティクルカウンタ４０が所定時間おき（例えば１分おき）に各処理ユニット１〜４の清浄度を順に測定するように構成されている。具体的には、パーティクルカウンタ４０が所定時間おきに順に各処理ユニット１〜４の処理チャンバー１ａ〜４ａ内に形成された処理空間に存在するパーティクルの粒径、粒子数をカウントして処理空間の清浄度を測定するとともに基板Ｗに供給される処理液中に存在するパーティクルの粒径、粒子数をカウントして処理液の清浄度を測定するように構成されている。この構成によれば、複数の処理ユニット１〜４の清浄度を単一のパーティクルカウンタを用いてモニタリングすることができ、装置構成を簡素化することができる。
【００４６】
＜第３実施形態＞
図１０はこの発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。この第３実施形態にかかる基板処理装置は以下の点において第１実施形態と大きく相違している。すなわち、第１実施形態では、処理ユニット１〜４として処理ユニットＸ１がフレーム３０に搭載されており、処理ユニット１〜４の全てにおいて互いに同一種類の処理を施していた。これに対し、この第３実施形態では、互いに異なる種類の処理を施す２種類の処理ユニットＸ１，Ｙ１がフレーム３０に搭載されている。具体的には、処理ユニット１および２として処理ユニットＸ１がフレーム３０に搭載される一方、処理ユニット３および４として処理ユニットＸ１と異なる種類の処理を基板Ｗに対して施す処理ユニットＹ１がフレーム３０に搭載されている。処理ユニットＹ１としては、処理ユニットＸ１と異なる種類の処理を施す処理ユニットであって、薬液処理ユニットＭＰ、スクラブ洗浄ユニットＳＳ、ポリマー除去ユニットＳＲ、ベベル洗浄ユニットＣＢおよび気相洗浄ユニットＶＰから選択した任意の処理ユニットを採用することができる。
【００４７】
この実施形態では、処理内容に応じてロットを構成する各基板Ｗが処理ユニットＸ１または処理ユニットＹ１で処理される。ここで、例えばロットを構成する各基板Ｗが処理ユニットＸ１で処理される場合、処理ユニット１または処理ユニット２のいずれかが選択され、選択された処理ユニットで基板Ｗが処理されることになる。具体的には、例えばロット側の要求レベルがＲＢに設定される一方、処理ユニット１の測定レベルがＭＡ、処理ユニット２の測定レベルがＭＢに設定されている場合には、ロットに含まれる基板Ｗは両方の処理ユニット１および２のいずれでも処理可能とされる。また、例えばロット側の要求レベルがＲＢに設定される一方、処理ユニット１の測定レベルがＭＢ、処理ユニット２の測定レベルがＭＣに設定されている場合には、ロットは処理ユニット１のみで処理可能とされる。つまり、２個の処理ユニット１および２のうち１個でも要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、基板処理を停止させることなく、基板Ｗを処理することが可能となっている。なお、ロットを構成する各基板Ｗが処理ユニットＹ１で処理される場合についても、処理ユニットＸ１で処理される場合と同様である。
【００４８】
さらに、処理ユニットＸ１（処理ユニット１および２）で、要求レベルに対して測定レベルが許容できない場合には、処理ユニットＸ１での基板Ｗの処理が禁止される。しかしながら、この場合でも、処理ユニットＹ１（処理ユニット３および４）で要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、処理ユニットＹ１で基板Ｗを処理させることができる。同様にして、処理ユニットＹ１で、要求レベルに対して測定レベルが許容できない場合には、処理ユニットＹ１での基板Ｗの処理が禁止されるが、この場合でも、処理ユニットＸ１で要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、処理ユニットＸ１で基板Ｗを処理させることができる。
【００４９】
このように、この実施形態では、処理ユニット１〜４のうち互いに同一種類の処理を基板Ｗに対して施す２個の処理ユニットが設けられ、要求レベルに応じて２個の処理ユニットのいずれかで選択的に基板Ｗを処理している。このため、互いに同一種類の処理を施す２個の処理ユニットのいずれかで、要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、基板処理を停止させることなく、基板Ｗを処理することができる。したがって、装置の稼働率を向上させる上で有効となっている。
【００５０】
＜その他＞
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、基板処理装置に複数個の処理ユニットが配設されているが、これに限定されず、基板処理装置に単一の処理ユニットを配設するように構成してもよい。この場合であっても、要求レベルに対して測定レベルが許容できる場合には、処理ユニットで基板Ｗが処理される。このため、従来技術で発生していた事態、つまりロットに要求される清浄度レベルと、処理ユニットの清浄度レベルとのミスマッチが生じるという事態を回避して、装置の稼働率を向上させることができる。
【００５１】
また、上記実施形態では、複数個の処理ユニットとして４個の処理ユニットを基板処理装置に配設した場合について説明しているが、処理ユニットの個数は４個に限定されず、任意である。
【００５２】
また、上記実施形態では、複数個（４個）の処理ユニットのうちの２個以上の処理ユニットが互いに同一種類の処理を基板Ｗに対して施す基板処理装置について説明しているが、これに限定されず、複数個の処理ユニットが互いに異なる種類の処理を基板Ｗに対して施す基板処理装置についても本発明を適用することができる。
【００５３】
また、上記第３実施形態では、２種類の処理ユニットＸ１，Ｙ１をそれずれ２個ずつ基板処理装置に配設しているが、処理ユニットＸ１を１個配設し、処理ユニットＹ１を３個配設したり、処理ユニットＸ１を３個配設し、処理ユニットＹ１を１個配設したりすることもできる。
【００５４】
また、上記実施形態では、複数の測定清浄度レベルとしてＭＡ〜ＭＣの３段階に設定しているが、これに限定されず、２段階または４段階以上に測定清浄度レベルを設定するようにしてもよい。また、複数の要求清浄度レベルとしてＲＡ〜ＲＣの３段階に設定しているが、これに限定されず、２段階または４段階以上に測定清浄度レベルを設定するようにしてもよい。
【００５５】
また、上記実施形態では、測定清浄度レベルと要求清浄度レベルとの間の対応関係を図５に示すように規定しているが、両者の間の対応関係はこれに限定されない。例えば、複数の測定清浄度レベルとしてＭＡ〜ＭＣの３段階に設定する一方、複数の要求清浄度レベルとしてＲＨ（比較的高い清浄度を要求）およびＲＬ（比較的低い清浄度を要求）の２段階に設定して、両者の間の対応関係を図１１に示すように規定してもよい。具体的には、要求清浄度レベルがＲＨでは、測定清浄度レベルがＭＡの場合に限って処理を許可するように規定する一方、要求清浄度レベルがＲＬでは、測定清浄度レベルがＭＡおよびＭＢの場合に処理を許可するように規定してもよい。要は、複数の測定清浄度レベルと複数の要求清浄度レベルとの間の対応関係が明確になっていればよい。なお、図１１に示す対応関係の場合、測定レベルがＭＣに設定された処理ユニットでは、要求レベルがＲＨまたはＲＬのいずれであっても基板Ｗを処理することができない。したがって、測定レベルがＭＣに設定された処理ユニットについては、処理ユニットに対して洗浄処理または専門のエンジニアによるメンテナンスが実行される。
【００５６】
また、上記実施形態では、パーティクルカウンタは各処理チャンバー１ａ〜４ａ内に形成された処理空間（基板Ｗが処理される雰囲気中）の清浄度を測定するとともに基板Ｗに供給される処理液の清浄度を測定しているが、これに限定されない。例えば、基板Ｗの処理内容によっては、パーティクルカウンタは処理空間の清浄度のみまたは基板Ｗに供給される処理液の清浄度のみを測定するようにしてもよい。
【００５７】
また、上記実施形態では、処理ユニットの清浄度の改善が要求されたとき、処理ユニットに対する洗浄処理の実行後、処理ユニットの清浄度の改善が見られない場合に専門のエンジニアによるメンテナンスを実行している。しかしながら、処理ユニットの清浄度の改善が要求されたときの対処方法はこれに限定されず、処理ユニットの清浄度の改善が要求されたとき、直ちに専門のエンジニアによるメンテナンスを要求するようにしてもよい。
【００５８】
また、上記実施形態では、ロットを構成する各基板を処理ユニット内で１枚ずつ処理させる枚葉式の基板処理装置に対して本発明を適用している。しかしながら、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、処理ユニット内で複数枚の基板Ｗを一括して処理させるバッチ式の基板処理装置に対しても本発明を適用することができる。例えば、内部に処理空間が形成された処理槽内に複数枚の基板Ｗを配置して、該複数基板Ｗに対して一括して処理を施すようにしてもよい。要は、ロット単位で要求レベルが設定され、要求レベルを満たすようにロットを構成する各基板Ｗに対して処理が施されればよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などを含む基板全般に対して所定の処理を施す基板処理装置および基板処理方法に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す図である。
【図２】図１の基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】図１の基板処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】各処理ユニットの清浄度の測定結果の一例を示す図である。
【図５】測定清浄度レベルと要求清浄度レベルとの間の対応関係を示す図である。
【図６】測定レベルが基準値を下回った場合の対処例を示すフローチャートである。
【図７】測定レベルが基準値を下回った場合の対処例を説明するための動作説明図である。
【図８】ロット側が要求する清浄度を考慮しない場合の比較例を示す図である。
【図９】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図１０】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【図１１】測定清浄度レベルと要求清浄度レベルとの間の対応関係の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
１，２，３，４…処理ユニット
４０，４１，４２，４３，４４…パーティクルカウンタ（測定手段）
１００…制御部（制御手段）
１３０…表示部（表示手段）
ＭＡ，ＭＢ，ＭＣ…測定清浄度レベル
ＲＡ，ＲＢ，ＲＣ，ＲＨ，ＲＬ…要求清浄度レベル
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…ロット
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009032715.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009032715.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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