(57)【要約】【課題】  装置数や設置面積、設備投資等の増大を押さえ、個々の半導体ウェハ群について製造時間を短縮可能な半導体製造システム及び方法を提供する。【解決手段】  半導体ウェハに対する所定のプロセス処理を実行可能なプロセス処理装置の複数と、複数の半導体ウェハからなる半導体ウェハ群の一部の検査対象ウェハに対する所定の測定検査処理を実行可能な測定検査装置２０と、プロセス処理装置間で半導体ウェハ群を搬送可能な第１収容部及びプロセス処理装置と測定検査装置２０の間で検査対象ウェハを搬送する第２収容部を有する搬送装置３０と、を備え、第２収容部が、半導体ウェハ群の全半導体ウェハに対するプロセス処理の実行期間内に、プロセス処理装置からプロセス処理の実行後の検査対象ウェハを受け取って測定検査装置２０に搬送し、測定検査装置２０が、半導体ウェハ群に対するプロセス処理と並行して検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行する。【選択図】        図１
2009099901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の半導体ウェハに対する所定のプロセス処理を実行可能なプロセス処理装置の複数と、
前記プロセス処理装置の間で、２以上の所定数の前記半導体ウェハからなる半導体ウェハ群を搬送可能な第１収容部を備えてなる搬送装置と、
前記半導体ウェハ群の一部を検査対象ウェハとし、前記検査対象ウェハに対する所定の測定検査処理を実行可能な測定検査装置の１または複数と、を備えた半導体製造システムであって、
前記搬送装置が、前記プロセス処理装置と前記測定検査装置の間で前記検査対象ウェハを搬送する第２収容部を備え、
前記第２収容部が、前記半導体ウェハ群の全ての前記半導体ウェハに対する前記プロセス処理の実行期間内に、前記プロセス処理装置から前記プロセス処理の実行後の前記検査対象ウェハを受け取り、受け取った前記検査対象ウェハに対する前記測定検査処理を実行する前記測定検査装置に搬送し、
前記測定検査装置が、前記半導体ウェハ群に対する前記プロセス処理と並行して、前記検査対象ウェハに対する前記測定検査処理を実行することを特徴とする半導体製造システム。
【請求項２】
前記検査対象ウェハが、前記半導体ウェハ群内の一部の前記半導体ウェハであって、前記半導体ウェハ群の全ての前記半導体ウェハに対する前記プロセス処理の実行期間内に、前記測定検査処理を終了可能な前記半導体ウェハであることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造システム。
【請求項３】
前記検査対象ウェハが、前記半導体ウェハ群内の、最初に前記プロセス処理が実行される前記半導体ウェハであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造システム。
【請求項４】
前記搬送装置が、前記測定検査処理の前に実行される前記プロセス処理を実行する前記プロセス処理装置に対し、複数の前記第２収容部を備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体製造システム。
【請求項５】
前記プロセス処理装置が、搬入用の前記第１収容部から前記半導体ウェハを所定枚数ずつ、実行する前記プロセス処理を構成する部分プロセス処理夫々の処理時間に応じて決まる処理間隔毎に装置内部に搬送し、前記プロセス処理が終了した前記検査対象ウェハを前記第２収容部に搬送し、前記プロセス処理が終了した前記検査対象ウェハ以外の前記半導体ウェハを搬出用の前記第１収容部に搬送し、前記測定検査処理が終了した前記検査対象ウェハを前記第２収容部から搬出用の前記第１収容部に搬送する搬送部を備えて構成されることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体製造システム。
【請求項６】
前記プロセス処理装置が、前記検査対象ウェハに付された識別情報を読み取る識別情報取得部を備えることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体製造システム。
【請求項７】
前記プロセス処理装置の複数及び測定検査装置の１または複数が、機能別に配置されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の半導体製造システム。
【請求項８】
前記プロセス処理装置が、前記測定検査装置の前記測定検査処理の結果に基づいて、前記プロセス処理の処理条件を変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体製造システム。
【請求項９】
２以上の所定数の半導体ウェハからなる半導体ウェハ群を収容した搬入用の第１収容部から、１または複数の前記半導体ウェハに対する所定のプロセス処理を実行可能なプロセス処理装置内に、前記半導体ウェハを所定枚数ずつ、前記プロセス処理を構成する部分プロセス処理夫々の処理時間に応じて決まる処理間隔毎に搬送する第１搬送工程と、
前記プロセス処理装置により、前記半導体ウェハ群の前記半導体ウェハに対し前記プロセス処理を実行するプロセス処理工程と、
前記半導体ウェハ群の一部を検査対象ウェハとし、前記半導体ウェハ群の全ての前記半導体ウェハに対する前記プロセス処理の実行完了前に、前記プロセス処理の実行後の前記検査対象ウェハを、前記プロセス処理装置から前記検査対象ウェハを収容可能な第２収容部に搬送する第２搬送工程と、
前記プロセス処理が終了した前記検査対象ウェハ以外の前記半導体ウェハを、前記プロセス処理装置から搬出用の前記第１収容部に搬送する第３搬送工程と、
前記検査対象ウェハを収容した前記第２収容部を、前記プロセス処理装置から、収容した前記検査対象ウェハに対する所定の測定検査処理を実行する測定検査装置に搬送する第４搬送工程と、
前記検査対象ウェハを、前記第２収容部から前記測定検査装置に搬送する第５搬送工程と、
前記プロセス処理工程と並行して、前記測定検査装置により、前記検査対象ウェハに対する前記測定検査処理を実行する測定検査工程と、
前記測定検査処理の実行後の前記検査対象ウェハを、前記測定検査装置から搬出用の前記第１収容部に搬送する第６搬送工程と、を実行することを特徴とする半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造システム、特に、複数の半導体ウェハで構成される半導体ウェハ群に対するプロセス処理と半導体ウェハ群の一部の検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行する半導体製造システム、及び、半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、通常、半導体ウェハに対して所定のプロセス処理を行うプロセス装置や、プロセス処理後に異物や欠陥等を検出するための検査処理及びレジストパターンの線幅や厚み等を測定する測定処理等を行う測定検査装置、半導体ウェハをプロセス装置及び測定検査装置等の製造装置間で搬送する搬送装置等、複数の装置を用いて製造されている。
【０００３】
より具体的には、プロセス装置としては、例えば、レジストを塗布し現像処理を行う塗布現像機や露光処理を行う露光機を備えるフォト装置や、ＳｉＯ２膜を形成するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、ドライエッチングを行うためのドライエッチング装置等がある。また、測定検査装置としては、線幅を測定する線幅測定機や膜厚を測定する膜厚測定機、レジストパターンの位置ずれを測定する重ね合わせ測定機、異物やレジストパターンの欠陥を検査する欠陥検査機等がある。また、搬送装置は、カセット、キャリア、フープ等と呼ばれる搬送容器と、搬送容器を製造装置間で搬送する自動搬送路を備えて構成されており、搬送容器は、複数、例えば、２５枚の半導体ウェハ（以下、適宜「被処理体」と称する）からなる半導体ウェハ群を収容可能に構成されている。搬送装置は、更に、搬送容器を一時的に待機させるストッカ等を備える場合もある。
【０００４】
以下、半導体デバイスの製造方法について、図７を基に簡単に説明する。尚、ここでは、簡単のために、半導体デバイスの製造工程中の一部、フォト工程及びその測定検査工程について説明する。
【０００５】
図７は、フォト工程及びその測定検査工程における処理手順の概略の一例を示している。尚、ここでの測定検査工程は、通常、同時期に処理された半導体ウェハの特性が略同程度であるとみなして、搬送容器に収容された半導体ウェハの一部を検査対象ウェハとし、当該検査対象ウェハに対してのみ実行する。更に、ここでは、説明のため、２５枚の半導体ウェハを半導体ウェハ群とし、半導体ウェハ群の内の１枚を検査対象ウェハとする場合について説明する。
【０００６】
先ず、フォト工程（ステップ＃１１０）の前処理として、搬送装置により、半導体ウェハ群を収容した搬送容器を、ＣＶＤ装置に搬送し（ステップ＃１１１）、搬送容器に収容された２５枚の半導体ウェハの夫々にＳｉＯ２膜を成膜する（ステップ＃１１２）。ＳｉＯ２膜の成膜処理後、搬送容器をフォト装置のポートの１つに搬送する。
【０００７】
ポートに搬送容器が搬送されると、本発明システムは、フォト工程（ステップ＃１１０）を開始する。フォト工程では、先ず、フォト装置の自動搬送機が、搬送容器内の半導体ウェハを所定枚数ずつ、ここでは、１枚ずつ、フォト処理を構成するレジスト塗布処理や露光処理等に応じて決まる処理間隔毎に、フォト装置の塗布現像機に搬送する（ステップ＃１１３）。
【０００８】
ここで、図４は、フォト処理を構成する部分プロセス処理の夫々について、実行順位を示す「プロセスステップ」、部分プロセス処理の内容を示す「処理工程」、部分プロセス処理を実行する部分プロセス処理装置数（同時に処理可能な半導体ウェハ数）を示す「ユニット数」、１台の部分プロセス処理装置における半導体ウェハ１枚当たりの「処理時間」、部分プロセス処理装置間の「搬送時間」、ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ Ａｒｏｕｎｄ Ｔｉｍｅ）を夫々示している。
【０００９】
図４に示すように、ここでのフォト処理は、１２のプロセスステップで構成されている。ＴＡＴは、（処理時間＋搬送時間）/ユニット数で規定され、ＴＡＴの最大値が上記処理間隔となる。ここでの処理間隔は、図４に示すように、６０秒である。フォト装置の自動搬送機は、処理間隔６０秒毎に、フープ３２ａのＳｌｏｔ１から順にＳｌｏｔ２５まで、１枚ずつ、半導体ウェハを塗布現像機に搬送する。尚、図４では、プリベーク処理、ＰＥＢ処理、現像処理、ポストベーク処理は比較的処理時間が長いため、ユニット数を増やしてＴＡＴを短縮している。
【００１０】
続いて、塗布現像機は、フォト工程におけるレジスト塗布処理の前処理として、レジストの密着性を向上させるために、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を１１０℃のホットプレート上で気相塗布するＨＭＤＳ塗布処理を行い、更に、２３℃のクーリングプレート上で半導体ウェハを冷却するクーリング処理を行う。続いて、塗布現像機は、スピンコータを用い、半導体ウェハ上に感光性有機材料（化学増幅型ポジ型レジスト材料）を膜厚が０.６ｕｍとなるように塗布する（ステップ＃１１４）。更に、レジストを固定するために、１００℃のホットプレート上で半導体ウェハを熱するプリベーク処理及び２３℃のクーリングプレート上で半導体ウェハを冷却するクーリング処理を行う。
【００１１】
続いて、半導体ウェハを露光機に搬送し、ウェハエッジから１ｍｍの部分のみ露光するエッジ露光処理を行い、更に、所望のマスクを用い、波長２４８ｎｍのＵＶ光を照射して、レジストにマスクパターンを転写する露光処理（ステップ＃１１５）を行う。引き続き、半導体ウェハを塗布現像機に搬送し、現像処理の前処理として、１１０℃のホットプレート上で半導体ウェハを熱するＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）処理、２３℃のクーリングプレート上で半導体ウェハを冷却するクーリング処理を行う。引き続き、塗布現像機は、アルカリ現像液を半導体ウェハ上に液盛りし、レジストパターンを形成した後、純水を吐出し難溶解物を除去する現像処理（ステップ＃１１６）を行い、１１０℃のホットプレート上で半導体ウェハを熱して、残存する溶剤や水分等を除去するポストベーク処理を実行する。
【００１２】
同様にして、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対してフォト工程を実行する。フォト工程実行後、各半導体ウェハは、フォト装置の自動搬送機により、フォト装置のポートの１つに接続された搬送容器に収容される。図７において、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対するフォト工程（ステップ＃１１０）が終了すると、半導体ウェハ群を収容した搬送容器をフォト装置から測定検査装置に搬送し（ステップ＃１００１）、半導体ウェハ群の内の検査対象ウェハに対し、測定検査工程を実行する（ステップ＃１２０）。
【００１３】
具体的には、先ず、フォト工程（ステップ＃１１０）で形成されたレジストパターンの形状を判定するために、測定検査装置の自動搬送ロボットにより検査対象ウェハを線幅測定機に搬送し、線幅測定機により、レジストパターンの線幅を測定する（ステップ＃１２１）。線幅が所定の範囲内である場合には（ステップ＃１２２で「ＯＫ」分岐）、測定検査装置の自動搬送ロボットにより検査対象ウェハを重ね合わせ測定機に搬送し、重ね合わせ測定機により、レジストパターンの位置ずれを判定するための重ね合わせ測定を行う（ステップ＃１２３）。レジストパターンの位置ずれ量が所定の範囲内である場合には（ステップ＃１２４で「ＯＫ」分岐）、測定検査装置の自動搬送ロボットにより検査対象ウェハを欠陥検査機に搬送し、欠陥検査機により、異物やレジストパターンの欠陥、例えば、ショート等を検出する欠陥検査を行う（ステップ＃１２５）。
【００１４】
欠陥検査によって欠陥が検出されない場合は（ステップ＃１２６で「ＯＫ」分岐）、測定検査工程を終了し、次工程、例えば、エッチング工程やイオン注入工程に移行する。線幅測定、重ね合わせ測定、欠陥検査の何れかにおいて不良判定された場合は（ステップ＃１２２、＃１２４、＃１２６の何れかで「ＮＧ」分岐）、レジストを剥離し、フォト工程の実施条件を変更して（ステップ＃１００３）、再度、フォト工程（ステップ＃１１０）から実行する。具体的には、ＡＰＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｐｒｏｃｅｓｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ：高度プロセス制御）と呼ばれる手法を用い、線幅測定、重ね合わせ測定、欠陥検査の結果から、露光機の露光量や、露光機におけるアライメントのオフセット量等の露光条件を再設定する。
【００１５】
上述したように、半導体デバイスの製造では、フォト工程を実行するための露光機や塗布現像機等を備えたフォト装置や、線幅測定機や重ね合わせ測定機、欠陥検査機等の測定検査装置等の製造装置が複数用いられている。これらの製造装置は、一般的に、ベルトコンベアのように半導体デバイスの製造工程順に各製造工程を実行する製造装置を配置するフローショップ方式、または、機能別に各製造装置を配置するジョブショップ方式により、工場内のエリア（ベイ）に設置されている。
【００１６】
上述したフローショップ方式では、半導体デバイスの製品やプロセス等に応じて製造装置を製造工程順に配置するため、製造装置間で半導体ウェハを搬送する搬送時間がジョブショップ方式と比較して短くなる。しかし、フローショップ方式では、半導体デバイス毎に製造装置を設置する必要があることから、ジョブショップ方式の場合と比べ、製造装置の設置数が多くなり、これに伴い、各製造装置の設置面積、例えば、クリーンルームの面積等が相当大きくなり、設備投資が増大する可能性がある。
【００１７】
これに対し、ジョブショップ方式では、製造装置を機能別に配置するので、製造装置間で半導体ウェハを搬送する搬送時間がかかるが、同一製品で繰り返し同じ製造装置を使用する、或いは、複数の製品間で一定の製造装置を共有することが可能になる。具体的には、例えば、フォト工程の測定検査処理及びエッチング工程の測定検査処理では、何れもレジストパターンの線幅を測定するため、同じ線幅測定機を、フォト工程後の測定検査処理とエッチング工程後の測定検査処理に用いることができる。同様に、ＣＶＤ工程後の測定検査処理及びＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ & Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程後の測定検査処理に、同じ膜厚測定機を用いることができる。
【００１８】
上述したように、ジョブショップ方式では、製造装置の設置数や設置面積、設備投資を低減できるため、半導体デバイスの製造では、主に、ジョブショップ方式が採用されている。
【００１９】
ところで、半導体デバイスは、例えば、１３０ｎｍのプロセスでは、一般的に、約３００〜６００程度の製造工程で製造されている。具体的には、例えば、図７に示す製造工程中のフォト工程は、１０〜５０工程で構成されている。近年、プロセスの微細化が進んでおり、これに伴って、製造工程数が増加し、製造時間が増大している。このため、製造時間の短縮が課題となっており、ジョブショップ方式における製造時間の短縮が求められている。
【００２０】
半導体デバイスの製造の効率化を図る技術としては、例えば、半導体ウェハの内の測定検査対象となる検査用ウェハを、プロセス処理装置と測定検査装置の間で搬送するための専用の搬送装置を設けた半導体製造システムがある（例えば、特許文献１参照）。
【００２１】
この半導体製造システムは、プロセス処理装置と測定検査装置間で搬送するための専用の搬送装置を設けることにより、２つのプロセス処理装置の間における半導体ウェハ群の搬送、及び、プロセス処理装置と測定検査装置の間における半導体ウェハ群の搬送を、互いに干渉することなく円滑に行うことを可能にしている。これによって、測定検査待ち時間の短縮や発生防止、測定検査待ち時間の長期化等による在庫増加の防止、搬送装置の簡素化及び搬送装置の製造容易化が可能となっている。
【００２２】
また、半導体デバイスの製造時間の短縮を図る技術としては、例えば、所定のプロセス処理単位で設定されたベイ（工場内のエリア）毎に、所定のプロセス処理を行うプロセス処理装置、被処理体に対する測定及び検査を行う測定検査装置、被処理体をプロセス処理装置及び測定検査装置の間で搬送するための搬送装置、及び、各製造装置を制御するプロセス制御装置を備える半導体製造システムがある（例えば、特許文献２参照）。
【００２３】
【特許文献１】特開平１０−１２６９４号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体製造システムは、半導体ウェハ群の搬送処理における測定検査待ち時間の短縮や発生防止を図るものであり、他の半導体ウェハ群との関係で半導体ウェハ群の製造時間の増加防止を図ることはできるが、個々の半導体ウェハ群における製造時間の短縮を効果的に図ることはできなかった。また、プロセス処理装置と測定検査装置の間で半導体ウェハ群を搬送するための専用の搬送装置を設けるので、半導体製造システム全体で、設置面積及び設置コストが増大することになる。
【００２５】
同様に、特許文献２に記載の半導体製造システムは、測定検査装置をベイ毎に設けるので、ジョブショップ方式における測定検査処理の待ち時間が生じるのを防止して、他の半導体ウェハ群との関係で半導体ウェハ群の製造時間の増加防止を図ることはできるが、個々の半導体ウェハ群における製造時間の短縮を効果的に図ることはできなかった。更に、ベイ毎に測定検査装置を設ける構成であるため、測定検査装置を、複数のプロセス処理からの半導体ウェハ群の間で共有することができなくなる。即ち、半導体製造システム全体で、測定検査装置の台数の増加を招き、これによって、設置面積及び設置コストが増大することになる。
【００２６】
即ち、上記特許文献１及び特許文献２に記載の半導体製造システムでは、他の半導体ウェハ群との関係で半導体ウェハ群全体での製造時間の増加を低減することはできるが、個々の半導体ウェハ群における製造時間の短縮を図ることはできず、製造装置の設置数や設置面積の増大を押さえることは困難であった。
【００２７】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製造装置の設置数や設置面積、設備投資の増大を押さえつつ、個々の半導体ウェハ群についての製造時間の短縮を図ることができる半導体製造システムを提供する点にある。また、当該半導体製造システムにおいて、個々の半導体ウェハ群についての製造時間の短縮を図ることができる半導体製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
上記目的を達成するための本発明に係る半導体製造システムは、１または複数の半導体ウェハに対する所定のプロセス処理を実行可能なプロセス処理装置の複数と、前記プロセス処理装置の間で、２以上の所定数の前記半導体ウェハからなる半導体ウェハ群を搬送可能な第１収容部を備えてなる搬送装置と、前記半導体ウェハ群の一部を検査対象ウェハとし、前記検査対象ウェハに対する所定の測定検査処理を実行可能な測定検査装置の１または複数と、を備えた半導体製造システムであって、前記搬送装置が、前記プロセス処理装置と前記測定検査装置の間で前記検査対象ウェハを搬送する第２収容部を備え、前記第２収容部が、前記半導体ウェハ群の全ての前記半導体ウェハに対する前記プロセス処理の実行期間内に、前記プロセス処理装置から前記プロセス処理の実行後の前記検査対象ウェハを受け取り、受け取った前記検査対象ウェハに対する前記測定検査処理を実行する前記測定検査装置に搬送し、前記測定検査装置が、前記半導体ウェハ群に対する前記プロセス処理と並行して、前記検査対象ウェハに対する前記測定検査処理を実行することを第１の特徴とする。
【００２９】
上記特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記検査対象ウェハが、前記半導体ウェハ群内の一部の前記半導体ウェハであって、前記半導体ウェハ群の全ての前記半導体ウェハに対する前記プロセス処理の実行期間内に、前記測定検査処理を終了可能な前記半導体ウェハであることを第２の特徴とする。
【００３０】
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記検査対象ウェハが、前記半導体ウェハ群内の、最初に前記プロセス処理が実行される前記半導体ウェハであることを第３の特徴とする。
【００３１】
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記搬送装置が、前記測定検査処理の前に実行される前記プロセス処理を実行する前記プロセス処理装置に対し、複数の前記第２収容部を備えることを第４の特徴とする。
【００３２】
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記プロセス処理装置が、搬入用の前記第１収容部から前記半導体ウェハを所定枚数ずつ、実行する前記プロセス処理を構成する部分プロセス処理夫々の処理時間に応じて決まる処理間隔毎に装置内部に搬送し、前記プロセス処理が終了した前記検査対象ウェハを前記第２収容部に搬送し、前記プロセス処理が終了した前記検査対象ウェハ以外の前記半導体ウェハを搬出用の前記第１収容部に搬送し、前記測定検査処理が終了した前記検査対象ウェハを前記第２収容部から搬出用の前記第１収容部に搬送する搬送部を備えて構成されることを第５の特徴とする。
【００３３】
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記プロセス処理装置が、前記検査対象ウェハに付された識別情報を読み取る識別情報取得部を備えることを第６の特徴とする。
【００３４】
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記プロセス処理装置の複数及び測定検査装置の１または複数が、機能別に配置されていることを第７の特徴とする。
【００３５】
上記何れかの特徴の本発明に係る半導体製造システムは、前記プロセス処理装置が、前記測定検査装置の前記測定検査処理の結果に基づいて、前記プロセス処理の処理条件を変更可能に構成されていることを第８の特徴とする。
【００３６】
上記目的を達成するための本発明に係る半導体製造方法は、２以上の所定数の半導体ウェハからなる半導体ウェハ群を収容した搬入用の第１収容部から、１または複数の前記半導体ウェハに対する所定のプロセス処理を実行可能なプロセス処理装置内に、前記半導体ウェハを所定枚数ずつ、前記プロセス処理を構成する部分プロセス処理夫々の処理時間に応じて決まる処理間隔毎に搬送する第１搬送工程と、前記プロセス処理装置により、前記半導体ウェハ群の前記半導体ウェハに対し前記プロセス処理を実行するプロセス処理工程と、前記半導体ウェハ群の一部を検査対象ウェハとし、前記半導体ウェハ群の全ての前記半導体ウェハに対する前記プロセス処理の実行完了前に、前記プロセス処理の実行後の前記検査対象ウェハを、前記プロセス処理装置から前記検査対象ウェハを収容可能な第２収容部に搬送する第２搬送工程と、前記プロセス処理が終了した前記検査対象ウェハ以外の前記半導体ウェハを、前記プロセス処理装置から搬出用の前記第１収容部に搬送する第３搬送工程と、前記検査対象ウェハを収容した前記第２収容部を、前記プロセス処理装置から、収容した前記検査対象ウェハに対する所定の測定検査処理を実行する測定検査装置に搬送する第４搬送工程と、前記検査対象ウェハを、前記第２収容部から前記測定検査装置に搬送する第５搬送工程と、前記プロセス処理工程と並行して、前記測定検査装置により、前記検査対象ウェハに対する前記測定検査処理を実行する測定検査工程と、前記測定検査処理の実行後の前記検査対象ウェハを、前記測定検査装置から搬出用の前記第１収容部に搬送する第６搬送工程と、を実行することを第１の特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
上記特徴の半導体製造システムによれば、搬送装置を、プロセス処理装置間で半導体ウェハを搬送する第１収容部とは別に、プロセス処理装置と測定検査装置の間で検査対象ウェハを搬送する第２収容部を備えるように構成し、測定検査装置を、半導体ウェハ群に対するプロセス処理と並行して、検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行するように構成したので、個々の半導体ウェハ群における製造時間について、検査対象ウェハに対する測定検査処理にかかる時間を短縮可能になる。
【００３８】
言い換えると、従来の半導体製造システムでは、フープ等の第１収容部に収容された複数の半導体ウェハの全てについてプロセス処理が終了するのを待って、検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行していたため、測定検査処理の前に数分〜数十分の待ち時間が発生していた。これに対し、上記特徴の半導体製造システムでは、検査対象ウェハについては、同じ半導体ウェハ群の他の半導体ウェハに対するプロセス処理の実行中に、並行して測定検査処理を実行するため、測定検査処理の前の待ち時間を短縮可能になる。
【００３９】
また、上記特徴の半導体製造システムによれば、搬送装置に第２収容部を設けるのみでプロセス処理と測定検査処理の並行実施が可能になるので、半導体製造システムの装置点数の大幅な増加や設置面積の増大を押さえることができる。例えば、従来の半導体製造システムにおける搬送装置の搬送容器を、第１収容部または第２収容部として機能するように制御することで、半導体製造システムの装置点数の増加や設置面積の増大を防止できる。
【００４０】
上記第２の特徴の半導体製造システムのように、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対するプロセス処理の実行期間内に測定検査処理を終了可能な半導体ウェハを検査対象ウェハとすれば、個々の半導体ウェハ群について、測定検査処理にかかる時間を短縮することができる。また、上記第３の特徴の半導体製造システムのように、半導体ウェハ群内の最初にプロセス処理が実行される半導体ウェハを検査対象ウェハとすれば、個々の半導体ウェハ群について、プロセス処理及び測定検査処理の全体で処理時間をより効果的に短縮することが可能になる。
【００４１】
更に、上記第４の特徴の半導体製造システムのように、測定検査処理の前に実行されるプロセス処理を実行するプロセス処理装置に対し、複数の第２収容部を備えるように構成すれば、例えば、検査対象ウェハが複数ある場合に、搬送処理待ちや測定検査処理待ちが発生するのをより効果的に防止できる。
【００４２】
上記第５の特徴の半導体製造システムによれば、プロセス処理装置と搬送装置のより具体的な構成を得ることができ、プロセス処理装置に既設の搬送部の制御を変更するのみで本発明システムを実現でき、本発明システムの構築を容易にすることが可能になる。
【００４３】
上記第６の特徴の半導体製造システムのように、プロセス処理装置が、識別情報を読み取るように構成すれば、検査対象ウェハ及びその半導体ウェハ群の管理が容易になる。
【００４４】
上記第７の特徴の半導体製造システムによれば、プロセス処理装置の複数及び測定検査装置の１または複数が、機能別に配置されている場合、例えば、ジョブショップ方式のシステムに本発明装置を適用するので、プロセス処理装置や測定検査装置、搬送装置の設置点数や設置面積の低減と、個々の半導体ウェハ群における製造時間の短縮とを、両方同時に実現可能になる。
【００４５】
更に、上記特徴の半導体製造システムを、測定検査装置による測定検査処理の結果を、自動的にフォト装置の実施条件設定に反映させるＡＰＣ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ：高度プロセス制御）を用いるシステムに適用すれば、プロセス処理から、測定検査処理の結果をフォト装置の実施条件設定に反映させるまでの時間を短縮することが可能になるため、ＡＰＣによる実施条件設定の精度の低下を防止することが可能になる。
【００４６】
また、上記特徴の半導体製造方法によれば、上記第１の特徴の半導体製造システムにおける具体的な搬送装置の制御態様を得ることができ、個々の半導体ウェハ群における製造時間について、検査対象ウェハに対する測定検査処理にかかる時間を短縮可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、本発明に係る半導体製造システム（以下、適宜「本発明システム」と略称する）の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００４８】
先ず、本発明システムの構成について、図１及び図２を基に説明する。ここで、図１は、本発明システム１の概略構成例を示しており、図２は、本発明システム１におけるプロセス処理装置と搬送装置３０の間での半導体ウェハの受け渡しに関する部分の概略部分構成例を示している。
【００４９】
本発明システム１は、基本構成として、図１に示すように、１または複数の半導体ウェハに対する所定のプロセス処理を実行可能なプロセス処理装置の複数と、プロセス処理装置の間で、２以上の所定数の半導体ウェハからなる半導体ウェハ群を搬送可能な第１収容部を備えてなる搬送装置３０と、半導体ウェハ群の一部を検査対象ウェハとし、検査対象ウェハに対する所定の測定検査処理を実行可能な測定検査装置２０の１または複数と、を備えている。
【００５０】
更に、本発明システム１は、本発明に係る構成として、搬送装置３０が、プロセス処理装置と測定検査装置２０の間で検査対象ウェハを搬送する第２収容部を備え、第２収容部が、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対するプロセス処理の実行期間内に、プロセス処理装置からプロセス処理の実行後の検査対象ウェハを受け取り、受け取った検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行する測定検査装置２０に搬送するように構成され、測定検査装置２０が、半導体ウェハ群に対するプロセス処理と並行して、検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行するように構成されている。
【００５１】
より具体的には、本実施形態では、本発明システム１が、半導体製造工場の各ベイＢ１〜Ｂ３に機能別にプロセス処理装置及び測定検査装置２０を配置するジョブショップ方式を採用している場合について説明する。また、本発明システム１のプロセス処理装置、測定検査装置２０及び搬送装置３０は、夫々、ＭＥＳ（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ  Ｓｙｓｔｅｍ）と呼ばれるネットワークを介してデータ通信可能に構成されており、本発明システム１の制御装置（図示せず）からの指示によって動作制御するように構成されている。
【００５２】
プロセス処理装置は、既知のプロセス処理装置であり、図１は、説明のために、プロセス処理装置の一部例を示している。より具体的には、図１では、プロセス処理装置の一例として、露光処理及び塗布現像処理を行うフォト装置１０、ＳｉＯ２膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により成膜するためのＣＶＤ装置１４、ＣＶＤ装置１４によって成膜されたＳｉＯ２膜等をドライエッチングするためのドライエッチング装置１３を示している。
【００５３】
フォト装置１０は、図１に示すように、本実施形態では、ベイＢ１内に４台が設置されている。フォト装置１０ａ〜１０ｄの夫々は、露光機であるＫｒＦスキャナ１１ａ〜１１ｄと、レジストを塗布し現像処理を行う塗布現像機１２ａ〜１２ｄを備えている。尚、本実施形態では、塗布現像機１２によるレジストの塗布処理からＫｒＦスキャナ１１による露光処理までの時間、及び、ＫｒＦスキャナ１１による露光処理から塗布現像機１２によるＰＥＢ（Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）の熱処理までの時間を高精度に制御するために、ＫｒＦスキャナ１１と塗布現像機１２をインライン接続している。
【００５４】
ここで、図２は、プロセス処理装置の一例であるフォト装置１０と、搬送装置３０を構成するフープ３２ａ（第１収容部に相当）及びフープ３２ｂ（第２収容部に相当）の間の半導体ウェハの受け渡しに関する部分の概略部分構成例を示している。より詳細には、図２に示すフォト装置１０は、本実施形態では、東京エレクトロン製のＡＣＴ１２を想定しており、フープを搬入可能な４つのポートＰ１〜Ｐ４と、ポートＰ１〜Ｐ４と塗布現像機１２の間で半導体ウェハを搬送する搬送部１５を備えて構成されている。本実施形態では、ポートＰ１にフープ３２ａを搬入し、ポートＰ３にフープ３２ｂを搬入するように構成されている。尚、図２において、フープ３２’ａはフープ３２ａと同じフープであり、フープ３２ａは、ポートＰ１に搬入される前の状態を、フープ３２’ａは、ポートＰ１から搬出されたときの状態を夫々示している。また、フープ３２’ｂはフープ３２ｂと同じフープであり、フープ３２ｂは、ポートＰ３に搬入される前の状態を、フープ３２’ｂは、ポートＰ３から搬出されたときの状態を夫々示している。
【００５５】
図２に示す搬送部１５は、搬入用のフープ３２ａから半導体ウェハを所定枚数ずつ、本実施形態では１枚ずつ、実行するプロセス処理を構成する部分プロセス処理夫々の処理時間に応じて決まる処理間隔毎に装置内部に搬送する。更に、搬送部１５は、プロセス処理が終了した検査対象ウェハをフープ３２ｂに搬送し、プロセス処理が終了した検査対象ウェハ以外の半導体ウェハを搬出用のフープ３２ａに搬送し、測定検査処理が終了した検査対象ウェハをフープ３２ｂから搬出用のフープ３２ａに搬送するように構成されている。
【００５６】
ＣＶＤ装置１４及びドライエッチング装置１３は、本実施形態では、図１に示すように、ベイＢ２内に夫々２台ずつ設置されている。ベイＢ１のフォト装置１０、ベイＢ２のＣＶＤ装置１４及びドライエッチング装置１３の夫々の間は、後述する搬送装置３０のフープ３２ａ（第１収容部）が自在に移動可能となるように接続されている。
【００５７】
測定検査装置２０は、半導体ウェハ群に対するプロセス処理と並行して、フープ３２ｂ（第２収容部）によって搬送された検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行する。本実施形態では、測定検査装置２０として、例えば、半導体ウェハ上に形成されたパターンの線幅を測定する線幅測定機２１、パターンの位置ずれを測定する重ね合わせ測定機２２、異物の付着等の欠陥を検査する欠陥検査機２３、及び、ウェハ移載機２４を想定している。これらの測定検査装置２０は、ベイＢ３に配設されており、後述する搬送装置３０のストッカ３１及び搬送経路により、プロセス処理装置等と接続されている。
【００５８】
本発明システム１の搬送装置３０は、プロセス処理装置の間で半導体ウェハを搬送するフープ３２ａ（第１収容部）、プロセス処理装置と測定検査装置２０の間で検査対象ウェハを搬送するフープ３２ｂ（第２収容部）、各装置やストッカ等の間を接続してフープ３２ａ及びフープ３２ｂを搬送する搬送経路、及び、プロセス処理の実行を待つ半導体ウェハ群を収容したフープ３２ａや測定検査処理の実行を待つ検査対象ウェハを収容したフープ３２ｂが待機するストッカ３１を備えて構成されている。
【００５９】
より具体的には、フープ３２ａは、２５枚の半導体ウェハを収容可能な搬送容器であり、半導体ウェハを搬入するためのＳｌｏｔ１〜Ｓｌｏｔ２５を備えている。本実施形態では、フープ３２ａの夫々に収容される２５枚の半導体ウェハが、半導体ウェハ群を構成している。
【００６０】
フープ３２ｂは、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対するプロセス処理の実行期間内に、プロセス処理装置からプロセス処理の実行後の検査対象ウェハを受け取り、受け取った検査対象ウェハに対する測定検査処理を実行する測定検査装置２０に搬送するように構成されている。フープ３２ｂは、本実施形態では、フープ３２ａと同じ構成、即ち、２５枚の半導体ウェハを収容可能に構成されている。尚、本実施形態では、フープ３２ｂがフープ３２ａと同じ構成の搬送容器である場合を想定して説明するが、これに限られるものではなく、検査対象ウェハを少なくとも１枚若しくは数枚収容可能な搬送容器であれば良い。
【００６１】
ストッカ３１は、複数のフープ３２ｂを収容可能に構成されており、図示しないが、これらのフープ３２ｂを各測定検査装置２０に搬送するための搬送ロボットを備えている。
【００６２】
以下、本発明システム１上で実行される本発明方法について、図３を基に説明する。ここで、図３は、本発明方法の処理手順を示している。本実施形態では、プロセス処理工程の一例として、フォト工程を実行する場合について説明する。
【００６３】
本発明システム１は、先ず、フォト工程（ステップ＃１１０）の前処理として、搬送装置３０のフープ３２ａを、搬送経路を介して、図１に示すベイＢ２に設置されたＣＶＤ装置１４に搬送し（ステップ＃１１１）、フープ３２ａに収容されている半導体ウェハの夫々にＳｉＯ２膜を成膜する（ステップ＃１１２）。ＳｉＯ２膜の成膜処理後、本発明システム１は、フープ３２ａを、ベイＢ１に設置されたプロセス処理装置の一例であるフォト装置１０に搬送し、図２に示すフォト装置１０のポートＰ１に搬入する。
【００６４】
フォト装置１０のポートＰ１にフープ３２ａが搬入されると、本発明システムは、フォト工程（ステップ＃１１０）を開始する。より詳細には、本発明システム１は、フォト装置１０の搬送部１５により、フープ３２ａに収容された半導体ウェハを所定枚数ずつ、本実施形態では１枚ずつ、フォト処理を構成するレジスト塗布処理や露光処理等に応じて決まる処理間隔毎に、フォト装置１０の塗布現像機１２に搬送する（第１搬送工程、ステップ＃１１３）。
【００６５】
尚、本実施形態では、図４に示すように、フォト処理が１２のプロセスステップ（部分プロセス処理）で構成されており、処理間隔が６０秒である場合を想定している。搬送部１５は、処理間隔６０秒毎に、フープ３２ａのＳｌｏｔ１から順にＳｌｏｔ２５まで、１枚ずつ、半導体ウェハを塗布現像機１２に搬送する。尚、本実施形態では、フープ３２ａに収容された半導体ウェハの内、最初に処理されるＳｌｏｔ１の半導体ウェハを検査対象ウェハとしている。
【００６６】
半導体ウェハが塗布現像機１２の装置内部に搬送されると、本実施形態では、先ず、塗布現像機１２に配設されたウェハＩＤ読み取り装置（例えば、反射型センサ、識別情報取得部に相当）により、半導体ウェハの裏面に予め付された１２桁の英数文字からなるウェハＩＤ（識別情報に相当）の読み取りを行い、ＭＥＳを介して制御装置に伝送する。尚、ウェハＩＤは、半導体ウェハの夫々に固有に設定されており、フープ３２ａ、３２ｂと各装置間のウェハ移載時において、ウェハ移載が正確に行われたかの検証等がより容易になる。
【００６７】
ウェハＩＤの読み取り後、本発明システム１は、図３に示すように、塗布現像機１２により、ＨＭＤＳ塗布処理、クーリング処理、レジスト塗布処理（ステップ＃１１４）、プリベーク処理、クーリング処理をこの順に実行し、続いて、露光機により、エッジ露光処理、露光処理（ステップ＃１１５）を行う。引き続き、塗布現像機１２により、ＰＥＢ処理、クーリング処理、現像処理（ステップ＃１１６）、ポストベーク処理をこの順に実行する。尚、プロセスステップの実行手順については従来技術と同様である。
【００６８】
本実施形態では、処理間隔６０秒毎に、フォト装置１０に半導体ウェハを搬送して個々の半導体ウェハに対するフォト工程（ステップ＃１１０）を実行するように構成しているため、搬送部１５は、処理間隔６０秒毎にフォト工程を終了した半導体ウェハを塗布現像機１２から受け取るように構成されている。
【００６９】
搬送部１５は、受け取った半導体ウェハが検査対象ウェハの場合は（ステップ＃１０１で「ＹＥＳ」分岐）、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対するフォト工程の実行完了前に、ポートＰ３に予め搬入されているフープ３２ｂに搬送する（ステップ＃１０４、第２搬送工程）。また、受け取った半導体ウェハが検査対象ウェハ以外のウェハの場合は（ステップ＃１０１で「ＮＯ」分岐）、ポートＰ１のフープ３２ａに搬送する（ステップ＃１０２、第３搬送工程）。ここでは、最初に処理が終了するフープ３２ａのＳｌｏｔ１に収容されていた半導体ウェハ（検査対象ウェハ）をフープ３２ｂに、Ｓｌｏｔ２〜Ｓｌｏｔ２５に収容されていた半導体ウェハをフープ３２ａに搬送する。尚、搬送部１５は、個々の半導体ウェハについて、搬出用のフープ３２ａでのＳｌｏｔ番号が、搬入用のフープ３２ａでのＳｌｏｔ番号と同じ番号となるように搬送する。
【００７０】
搬送装置３０は、フォト装置１０の搬送部１５によって、最後にフォト工程を実行したＳｌｏｔ２５の半導体ウェハがフープ３２ａに搬送されると、フープ３２ａを図１に示すベイＢ３のストッカ３１に移動させる（ステップ＃１０２）。
【００７１】
また、搬送装置３０は、フォト装置１０の搬送部１５によって、フォト工程実行後の検査対象ウェハがフープ３２ｂに搬送されると、フープ３２ｂをベイＢ３のストッカ３１に移動させる（ステップ＃１０３、第４搬送工程）。検査対象ウェハを収容したフープ３２ｂがベイＢ３のストッカ３１に搬送されると、ストッカ３１は、ストッカ３１に配設されたウェハ移載機２４に検査対象ウェハを搬送し、ウェハ移載機２４に搭載されたウェハＩＤ読み取り装置（反射型センサ）により、半導体ウェハの裏面に予め付された１２桁の英数文字からなるウェハＩＤの読み取りを行い、ＭＥＳを介して制御装置に伝送する。
【００７２】
続いて、本発明システム１は、検査対象ウェハに対し測定検査装置２０による測定検査工程（ステップ＃１２０）を実行する。測定検査工程では、先ず、測定検査装置２０の自動搬送ロボットによりフープ３２ｂから線幅測定機２１に検査対象ウェハを搬送し（第５搬送工程）、線幅測定機２１によるレジストパターンの線幅測定（ステップ＃１２１）を実行する。線幅が所定の範囲内である場合には（ステップ＃１２２で「ＯＫ」分岐）、測定検査装置２０の自動搬送ロボットにより重ね合わせ測定機２２に検査対象ウェハを搬送し、重ね合わせ測定機２２によるレジストパターンの位置ずれの測定（ステップ＃１２３）を行う。レジストパターンの位置ずれ量が所定の範囲内である場合には（ステップ＃１２４で「ＯＫ」分岐）、測定検査装置２０の自動搬送ロボットにより検査対象ウェハを欠陥検査機２３に搬送し、欠陥検査機２３による異物やレジストパターンの欠陥を検出する欠陥検査（ステップ＃１２５）を実行する。本発明システム１では、制御装置が、線幅測定、重ね合わせ測定、欠陥検査の夫々の結果を、ＭＥＳを介して取得する。
【００７３】
欠陥検査（ステップ＃１２０）が終了した場合、または、線幅測定、重ね合わせ測定、欠陥検査の何れかにおいて不良判定された場合（ステップ＃１２２、＃１２４、＃１２６の何れかで「ＮＧ」分岐）、測定検査装置２０は、測定検査工程の実行後の検査対象ウェハをストッカ３１内に配設されたウェハ移載機２４を用いて、フープ３２ａに搬送する（ステップ＃１０６、＃１０７、第６搬送工程）。本実施形態では、フープ３２ａのＳｌｏｔ１に収容されていた半導体ウェハを検査対象ウェハとしているため、検査対象ウェハをフープ３２ａのＳｌｏｔ１に収容する。
【００７４】
欠陥検査（ステップ＃１２５）によって欠陥が検出されない場合は（ステップ＃１２６で「ＯＫ」分岐）、搬送装置３０により、２５枚の半導体ウェハが収容されたフープ３２ａを、次工程を実行するプロセス処理装置、ここでは、ベイＢ２に設置されているドライエッチング装置１３に搬送する。尚、本実施形態では、搬送装置３０により次工程のプロセス処理装置に搬送される前に、ストッカ３１のウェハ移載機２４が読み取ったウェハＩＤの照合を行う。
【００７５】
線幅測定、重ね合わせ測定、欠陥検査の何れかにおいて不良判定された場合は（ステップ＃１２２、＃１２４、＃１２６の何れかで「ＮＧ」分岐）、再度、フォト工程（ステップ＃１１０）を実行するために、フープ３２ａをプロセス処理装置に搬送してレジスト剥離を行い、フォト工程の実施条件を変更する（ステップ＃１３０）。
【００７６】
ここで、図５は、本実施形態の本発明システム１におけるプロセス処理、測定検査処理、搬送処理の実行タイミングの一例を時系列で示しており、図６は、従来技術に係る半導体製造システムにおけるプロセス処理、測定検査処理、搬送処理の実行タイミングの一例を時系列で示している。
【００７７】
尚、プロセス処理の各プロセスステップの実行時間、フォト装置１０とストッカ３１の間の搬送時間、測定検査装置２０間の搬送時間、各測定検査装置２０における測定検査時間は、夫々、本発明システム１と従来技術に係る半導体製造システムの場合で同じである。各プロセスステップの実行時間は図４に示す処理時間に応じて６０秒単位で設定されている。また、フォト装置１０とストッカ３１の間の搬送時間、及び、測定検査装置２０間の搬送時間は、夫々、３分であり、測定検査装置２０の測定検査時間は、何れも、４分である。また、本発明システム１において、ストッカ３１の移載機がフープ３２ｂからフープ３２ａに検査対象ウェハを搬送するのにかかる時間は３分である。
【００７８】
図５及び図６から分かるように、本発明システム１では、フォト工程の開始（Ｓｌｏｔ１の半導体ウェハに対するウェハＩＤの読み取り開始）から４７分で、フォト工程及びフォト工程に伴う測定検査工程が終了する。これに対し、従来技術に係る半導体製造システムでは、フォト工程の開始から６２分で、フォト工程及びフォト工程に伴う測定検査工程が終了する。即ち、本発明システム１では、従来技術に係る半導体製造システムに比べ、フォト工程及びフォト工程に伴う測定検査工程にかかる時間が、１５分短縮されている。尚、フォト工程及びフォト工程に伴う測定検査工程は、半導体デバイスの製造工程の一部であり、半導体デバイスの全製造工程においては、更なる時間短縮が期待できる。
【００７９】
〈別実施形態〉
〈１〉上記実施形態では、半導体ウェハ群内で最初に処理されるＳｌｏｔ１の半導体ウェハを検査対象ウェハとしたが、これに限るものではない。
【００８０】
例えば、検査対象ウェハが、半導体ウェハ群内の一部の半導体ウェハであって、半導体ウェハ群の全ての半導体ウェハに対するプロセス処理の実行期間内に、測定検査処理を終了可能な半導体ウェハであっても良い。この場合、検査対象ウェハ夫々の時間短縮効果は全て同じになる。
【００８１】
具体的には、図５の場合、フォト工程にかかる時間は１７分であり、フォト工程に伴う測定検査工程にかかる時間は、搬送時間も含め、２４分である。そうすると、４７分で測定検査工程を終了可能な半導体ウェハは、Ｓｌｏｔ１〜Ｓｌｏｔ４の半導体ウェハとなる。Ｓｌｏｔ１〜Ｓｌｏｔ４の半導体ウェハを検査対象ウェハとした場合、夫々、フォト工程及びフォト工程に伴う測定検査工程にかかる時間を１５分短縮できることになる。
【００８２】
〈２〉上記実施形態では、検査対象ウェハを、半導体ウェハ群内で最初に処理されるＳｌｏｔ１の半導体ウェハの１枚としたが、これに限るものではない。検査対象ウェハは、半導体ウェハ郡内で複数設定しても良いし、半導体ウェハ群の間で異なる数を設定しても良い。
【００８３】
尚、検査対象ウェハを複数設定する場合には、搬送装置３０が、測定検査処理の前に実行されるプロセス処理を実行するプロセス処理装置に対し、複数のフープ３２ｂ（第２収容部）を備えるように構成しても良い。
【００８４】
〈３〉上記実施形態では、搬送装置３０の第１収容部及び第２集要部として、２５枚の半導体ウェハからなる半導体ウェハ群を収容可能なフープを想定して説明したが、これに限るものではない。半導体ウェハの構成等に応じた適切な搬送容器であれば良い。
【００８５】
また、本実施形態では、フープの収容数で半導体ウェハ群を構成する半導体ウェハの数を設定したが、これに限られるものではなく、半導体ウェハ群を構成する半導体ウェハの数は、プロセス処理装置の構成等に応じて適切に設定する。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明に係る半導体製造システムの概略構成例を示すブロック図
【図２】本発明に係る半導体製造システムにおいて、プロセス処理装置と搬送装置の間の半導体ウェハの受け渡しに関する部分の概略部分構成例を示すブロック図
【図３】本発明に係る半導体製造方法の一部分例を示すフローチャート
【図４】部分プロセス処理の一例を示す表
【図５】本発明に係る半導体製造方法の工程の一部であるプロセス処理、測定検査処理及び搬送処理についてのタイミングチャート
【図６】従来技術に係る半導体製造方法の工程の一部であるプロセス処理、測定検査処理及び搬送処理についてのタイミングチャート
【図７】従来技術に係る半導体製造システムにおける半導体製造方法の一部分例を示すフローチャート
【符号の説明】
【００８７】
１      本発明に係る半導体製造システム
１０    フォト装置（プロセス処理装置）
１１    ＫｒＦスキャナ
１２    塗布現像機
１３    ドライエッチング装置（プロセス処理装置）
１４    ＣＶＤ装置（プロセス処理装置）
１５    搬送部
２０    測定検査装置
２１    線幅測定機
２２    重ね合わせ測定機
２３    欠陥検査機
２４    ウェハ移載機
３０    搬送装置
３１    ストッカ
３２ａ  フープ（第１収容部）
３２ｂ  フープ（第２収容部）
Ｂ１    ベイ
Ｂ２    ベイ
Ｂ３    ベイ
Ｐ１    ポート
Ｐ２    ポート
Ｐ３    ポート
Ｐ４    ポート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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