(57)【要約】【課題】感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができると共に、温度変化や中点電位ズレに対して有利である磁気センサを提供すること。【解決手段】磁気抵抗効果素子１１と、この磁気抵抗効果素子１１を挟持する一対の軟磁性体１２とによりセンサ部材を構成している。磁気センサ１においては、磁気抵抗効果素子１１ａと、この磁気抵抗効果素子１１ａを挟持する一対の軟磁性体１２ａ，１２ｂとで一つのセンサ部材を構成し、磁気抵抗効果素子１１ｂと、この磁気抵抗効果素子１１ｂを挟持する一対の軟磁性体１２ｃ，１２ｄとで一つのセンサ部材を構成している。センサ部材における磁気抵抗効果素子１１及び軟磁性体１２は、磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に沿って並設されている。一方のセンサ部材の軟磁性体と、他方のセンサ部材の軟磁性体との間には、それぞれ磁気抵抗効果素子１３が配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ長手方向を有し、長手方向に沿って所定の間隔をおいて配置されると共に、前記長手方向に略直交する方向に沿って所定の間隔をおいて配置された二対の軟磁性体と、前記軟磁性体のうち長手方向に沿って配置された軟磁性体間に挟持されて電気的に接続された一対の第１磁気抵抗効果素子と、前記軟磁性体のうち長手方向に直交する方向に沿って配置された軟磁性体間に挟持されて電気的に接続された一対の第２磁気抵抗効果素子と、を具備することを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
前記軟磁性体が、前記第１磁気抵抗効果素子と並設する第１軟磁性体と、前記第２磁気抵抗効果素子と並設する第２軟磁性体とに分割されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記第２軟磁性体の前記磁化容易軸方向に略直交する方向における幅が相対的に短いことを特徴とする請求項２記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記軟磁性体は、前記長手方向に磁化容易軸を持つ一軸異方性を有していることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の磁気センサ。
【請求項５】
前記二対の軟磁性体の間隔が全て等しく設定され、前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子における、前記軟磁性体に挟持される方向に直交する方向の幅が全て等しいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気センサに関し、特に磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果素子の抵抗変化を利用する磁界センサとしては、例えば、特許文献１に開示されたものがある。特許文献１に開示されている磁気センサは、その概略を図示すると図１０に示すようになる。図１０に示す磁気センサにおいては、特定方向に感度を持つように磁気抵抗効果素子１０１を一対の軟磁性体１０２で挟持してなる２つのセンサ部材の軟磁性体１０２間に、磁気抵抗効果素子１０３を挟持した一対の非磁性体１０４が配置されている。この配置においては、磁気抵抗効果素子１０３は、磁気抵抗効果素子１０１の感度軸と直交する。これにより、感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができ、高い感度でセンシングを行うことができる。
【特許文献１】特開２００２−１３１４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、図１０に示す磁気センサにおいては、軟磁性体１０２と非磁性体１０４とが存在するので、軟磁性体１０２及び非磁性体１０４を同じ薬液に浸漬する工程では、軟磁性体１０２と非磁性体１０４の電気陰性度の差により電池効果が生じてしまい、腐食してしまうという問題がある。温度変化や中点電位ズレを考慮すると、図１０に示す軟磁性体１０２の間隔Ｇ1，Ｇ2が等しいことが望ましいが、電池効果により腐食が生じると、軟磁性体１０２の間隔を制御することが難しくなる。また、製造プロセス上、膜の数が少ないことが望まれる。
【０００４】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができると共に、温度変化や中点電位ズレに対して有利である磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の磁気センサは、それぞれ長手方向を有し、長手方向に沿って所定の間隔をおいて配置されると共に、前記長手方向に略直交する方向に沿って所定の間隔をおいて配置された二対の軟磁性体と、前記軟磁性体のうち長手方向に沿って配置された軟磁性体間に挟持されて電気的に接続された一対の第１磁気抵抗効果素子と、前記軟磁性体のうち長手方向に直交する方向に沿って配置された軟磁性体間に挟持されて電気的に接続された一対の第２磁気抵抗効果素子と、を具備することを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、感度軸方向に直交する方向において軟磁性体と磁気抵抗効果素子との間に非磁性体を介在させていないので、軟磁性体と非磁性体の電気陰性度の差により電池効果が生じることがなく、腐食することがない。このため、精度良く軟磁性体の間隔や軟磁性体を形成することができる。これにより、軟磁性体の間隔を正確に設けることができるので、中点電位ズレを小さく抑えることが可能となる。また、この構成においては、膜の数が従来に比べて少なく、磁気抵抗効果素子材料と軟磁性材料のそれぞれの物質のプロセスで製造することができるので、物質の差によるエッチングレート差に起因するばらつきや、物質の違いによる磁気抵抗効果素子との間の接触抵抗の差を考慮する必要がなく、プロセス上非常に有利である。
【０００７】
本発明の磁気センサにおいては、前記軟磁性体が、前記第１磁気抵抗効果素子と並設する第１軟磁性体と、前記第２磁気抵抗効果素子と並設する第２軟磁性体とに分割されていることが好ましい。この場合において、前記第２軟磁性体の前記磁化容易軸方向に略直交する方向における幅が相対的に短いことが好ましい。
【０００８】
本発明の磁気センサにおいては、前記軟磁性体は、前記長手方向に磁化容易軸を持つ一軸異方性を有していることが好ましい。
【０００９】
本発明の磁気センサにおいては、前記二対の軟磁性体の間隔が全て等しく設定され、前記第１磁気抵抗効果素子及び前記第２磁気抵抗効果素子における、前記軟磁性体に挟持される方向に直交する方向の幅が全て等しいことが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の磁気センサによれば、それぞれ長手方向を有し、長手方向に沿って所定の間隔をおいて配置されると共に、前記長手方向に略直交する方向に沿って所定の間隔をおいて配置された二対の軟磁性体と、前記軟磁性体のうち長手方向に沿って配置された軟磁性体間に挟持されて電気的に接続された一対の第１磁気抵抗効果素子と、前記軟磁性体のうち長手方向に直交する方向に沿って配置された軟磁性体間に挟持されて電気的に接続された一対の第２磁気抵抗効果素子と、を具備するので、感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができると共に、温度変化や中点電位ズレに対して有利である磁気センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す図である。図１に示す磁気センサ１は、磁気抵抗効果素子１１と、この磁気抵抗効果素子１１を挟持する一対の軟磁性体１２とを備えている。この磁気抵抗効果素子１１と一対の軟磁性体１２とによりセンサ部材を構成している。磁気センサ１においては、磁気抵抗効果素子１１ａと、この磁気抵抗効果素子１１ａを挟持する一対の軟磁性体１２ａ，１２ｂとで一つのセンサ部材を構成し、磁気抵抗効果素子１１ｂと、この磁気抵抗効果素子１１ｂを挟持する一対の軟磁性体１２ｃ，１２ｄとで一つのセンサ部材を構成している。それぞれのセンサ部材は、特定方向に感度軸を持つように構成されている。すなわち、センサ部材における磁気抵抗効果素子１１及び軟磁性体１２は、磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に沿って並設されている。したがって、二対の軟磁性体は、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、それぞれ長手方向を有し、長手方向に沿って所定の間隔をおいて配置されると共に、この長手方向に略直交する方向に沿って所定の間隔をおいて配置されており、一対の第１磁気抵抗効果素子１１ａ（１１ｂ）は、軟磁性体１２のうち長手方向に沿って配置された軟磁性体１２ａ，１２ｂ（１２ｃ，１２ｄ）間に挟持されて電気的に接続されており、一対の第２磁気抵抗効果素子１３ａは、軟磁性体１２のうち長手方向に直交する方向に沿って配置された軟磁性体１２ａ，１２ｃ（１２ｂ，１２ｄ）間に挟持されて電気的に接続されている。
【００１２】
一方のセンサ部材の軟磁性体と、他方のセンサ部材の軟磁性体との間には、それぞれ磁気抵抗効果素子１３が配置されている。すなわち、図１においては、一方のセンサ部材の軟磁性体１２ａ，１２ｂと、他方のセンサ部材の軟磁性体１２ｃ，１２ｄとの間には、それぞれ磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｂが配置されている。したがって、軟磁性体１２ａと軟磁性体１２ｃとの間に磁気抵抗効果素子１３ａが配置され、軟磁性体１２ｂと軟磁性体１２ｄとの間に磁気抵抗効果素子１３ｂが配置されている。一方のセンサ部材の軟磁性体１２ａ，１２ｂ、他方のセンサ部材の軟磁性体１２ｃ，１２ｄ及び磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｂが磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に略直交する方向に沿って並設されている。すなわち、軟磁性体１２ａ、磁気抵抗効果素子１３ａ及び軟磁性体１２ｃが磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に略直交する方向に沿って並設されており、軟磁性体１２ｂ、磁気抵抗効果素子１３ｂ及び軟磁性体１２ｄが磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に略直交する方向に沿って並設されている。軟磁性体１２には、それぞれリード１４が設けられている。これらのリード１４は、磁気センサに印加される磁場変化に起因する抵抗変化を測定するための端子である。
【００１３】
図２は、図１に示す磁気センサを示す回路図である。図２から分かるように、磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂと、磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｂとによりブリッジ回路を構成している。すなわち、磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂを可変抵抗とし、磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｂを基準抵抗としている。したがって、磁気的影響により磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂの抵抗値が変化すると、それに応じて電圧が変化する。これにより、磁気的影響（磁界）のセンシングを行うことができる。
【００１４】
図１に示す磁気センサ１においては、磁気抵抗効果素子１１，１３はそれぞれ同じ材料を用いることができる。例えば、磁気抵抗効果素子１１，１３としては、スピンバルブ型ＧＭＲ（Giant MagnetoResistance）膜や、Ｍｇ，Ａｌ，Ｙ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａなどの金属のフッ化物や酸化物の絶縁膜中にＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどの磁性金属微粒子がナノオーダで分散してなるグラニュラ膜などを用いることができる。
【００１５】
軟磁性体１２を構成する材料としては、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ合金）、ハードパーム（ＦｅＮｉＮｂ合金）、ＣｏＮｂＺｒアモルファス合金、ＣｏＦｅＳｉＢアモルファス合金、ファインメットＦｅＳｉＢＮｂＣｕ合金などを挙げることができる。このような軟磁性体１２で磁気抵抗効果素子１１を挟持することにより、軟磁性体１２が磁束を収束して磁気抵抗効果素子１１に磁束を集めることができる。これにより、磁気抵抗効果素子１１の磁場変化の感度を上げることができる。
【００１６】
本発明に係る磁気センサは、磁気抵抗効果素子と軟磁性体とで構成されるので、膜の数を最小限に抑えることができる。これにより、製造プロセスを簡略化することができる。また、このような構成においては、製造プロセスで異なる金属が同じ薬液に浸漬されることはなく、電池効果が生じることがない。これにより電池効果に起因する膜の腐食を防止することができ、軟磁性体間の間隔（ギャップ）を正確に設けることができる。また、このような構成においては、軟磁性体間の間隔（ギャップ）を磁気抵抗効果素子のみで設けることができるので、より容易に軟磁性体間の間隔（ギャップ）を正確に設けることが可能となる。
【００１７】
本構成においては、本来であれば磁気抵抗変化を持つ磁気抵抗効果素子１３を基準抵抗として用いているので、この磁気抵抗効果素子１３が磁気抵抗変化を起こさないようにする必要がある。本発明者は、この点について、軟磁性体１２の形状による磁化の差（形状磁気異方性）及び磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸・磁化困難軸の利用により、磁気抵抗効果素子１３が磁気抵抗変化を起こさないようにすることができることを見出し本発明をするに至った。
【００１８】
すなわち、センサ部材の軟磁性体１２において、磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向に略直交する方向の幅に対する磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向の長さの比（Ｌ／Ｗ）が相対的に大きくなるようにする。すなわち、図３において、Ｌ12／Ｗ12が相対的に大きくなるようにする（磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸方向（感度軸方向）に沿って長尺になるようにする）。
【００１９】
なお、軟磁性体１２が磁束を収束して磁気抵抗効果素子１１に磁束を集める効果については、軟磁性体１２の厚さを厚くすることによっても向上させることができる。また、この効果は、軟磁性体１２のＭｓ（飽和磁化）を大きくすることによっても向上させることができる。
【００２０】
また、磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂの厚さ、すなわち磁化容易軸方向（感度軸方向）における軟磁性体１２間のギャップを相対的に小さくすることにより、軟磁性体１２で収束された磁束を磁気抵抗効果素子１１に効率良く加えることができる。さらに、軟磁性体１２間のギャップを相対的に小さくすることにより、磁気抵抗効果素子１１に印加される外部磁場もより透磁率の高い軟磁性体１２に収束して磁気抵抗効果素子１１から逃げるので、磁化容易軸側の直交感度を低くすることが可能となる。例えば、軟磁性体１２のＷ12を２０μｍとし、Ｌ12を１５０μｍとし、厚さを０．５μｍとし、磁気抵抗効果素子のＷ11，Ｗ13を１０μｍとし、磁気抵抗効果素子のＬ11，Ｗ13を２μｍとすると、磁化容易軸／磁化困難軸の感度差を２００倍程度とすることが可能となる。
【００２１】
なお、二対の軟磁性体の間隔Ｌ11，Ｌ13が全て等しく設定され、磁気抵抗効果素子１１ａ，１１ｂ及び磁気抵抗効果素子１３ａ，１３ｂにおける、軟磁性体１２に挟持される方向に直交する方向の幅Ｗ11，Ｗ13が全て等しいことが好ましい。
【００２２】
図４は外部磁場と磁化との間の関係を示す図であり、（ａ）は磁化容易軸方向Ａの外部磁場と磁化との間の関係を示し、（ｂ）は磁化困難軸方向Ｂの外部磁場と磁化との間の関係を示す。上述したように、Ｌ12／Ｗ12が相対的に大きくなるようにすることにより、軟磁性膜単体における磁化曲線のＨｋ（異方性磁界）を小さくし、Ｍｓ（飽和磁化）を大きくすることができる。図４（ａ）において、磁化曲線２１ａは軟磁性膜単体を示し、磁化曲線２１ｂはＬ12／Ｗ12を相対的に大きくしたときのセンサ部材を示す。図４（ａ）から分かるように、軟磁性膜単体のＭｓよりもセンサ部材のＭｓが大きい。すなわち、軟磁性体１２においてＬ12／Ｗ12が相対的に大きくなるようにすることにより、磁化容易軸方向における感度を増幅することができる。
【００２３】
一方、磁化困難軸方向Ｂにおいては、Ｌ12／Ｗ12が相対的に小さくなるようにすることにより、軟磁性膜単体における磁化曲線のＨｋ（異方性磁界）を大きくし、Ｍｓ（飽和磁化）を小さくすることができる。図４（ｂ）において、磁化曲線２２ａは等方性軟磁性膜単体を示し、磁化曲線２２ｂは等方性軟磁性膜Ｌ12／Ｗ12を相対的に小さくしたときのセンサ部材を示し、磁化曲線２３ａは異方性軟磁性膜単体を示し、磁化曲線２３ｂは異方性軟磁性膜でＬ12／Ｗ12を相対的に小さくしたときのセンサ部材を示す。図４（ｂ）から分かるように、等方性膜でも異方性膜でも軟磁性膜単体のＭｓよりもセンサ部材のＭｓが小さい。すなわち、軟磁性体１２においてＬ12／Ｗ12が相対的に小さくなるようにすることにより、磁化困難軸方向における感度を減少させることができる。
【００２４】
図４（ｂ）から分かるように、等方性軟磁性膜よりも異方性軟磁性膜の方がＭｓを小さくすることができる。このため、軟磁性体１２は、長手方向に磁化容易軸を持つ一軸異方性を有していることが好ましい。例えば、一軸異方性を持つ軟磁性材料としては、ＣｏＦｅＳｉＢアモルファス合金を一軸磁場中でアニール処理してなるものなどを挙げることができる。このように構成することにより、効率良く磁気抵抗効果素子１３が磁気抵抗変化を起こさないようにすることができる。
【００２５】
なお、磁気センサにおいて、等方性軟磁性体と等方性磁気抵抗効果素子を用いることにより、図５に示すように、上述した軟磁性体１２の形状磁気異方性を利用して面内においてあらゆる感度軸を構成することが可能となる。
【００２６】
このように、本発明に係る磁気センサは、感度軸方向に直交する方向において軟磁性体と磁気抵抗効果素子との間に非磁性体を介在させていないので、軟磁性体と非磁性体の電気陰性度の差により電池効果が生じることがなく、腐食することがない。このため、精度良く軟磁性体の間隔や軟磁性体を形成することができる。これにより、磁気抵抗効果素子１１の感度軸方向の長さＬ11と、磁気抵抗効果素子１３の直交方向の長さＬ13とをほぼ等しくし、磁気抵抗効果素子１１の直交方向の長さＷ11と、磁気抵抗効果素子１３の感度軸方向の長さＷ13とをほぼ等しくすることができ、あるいは、磁気抵抗効果素子１１の感度軸方向と直交方向の長さの比Ｌ11／Ｗ11と、磁気抵抗効果素子１３の感度軸方向と直交方向の長さの比Ｌ13／Ｗ13とをほぼ等しくすることができる。このため、軟磁性体１２の間隔を正確に設けることができるので、中点電位ズレを小さく抑えることが可能となる。
【００２７】
また、この構成においては、膜の数が従来に比べて少なく、磁気抵抗効果素子材料と軟磁性材料のそれぞれの物質のプロセスで製造することができるので、物質の差によるエッチングレート差に起因するばらつきや、物質の違いによる磁気抵抗効果素子との間の接触抵抗の差を考慮する必要がなく、プロセス上非常に有利である。
【００２８】
また、このような構成においては、軟磁性体１２の形状による磁化の差（形状磁気異方性）及び磁気抵抗効果素子１１の磁化容易軸・磁化困難軸の利用により、磁気抵抗効果素子１３が磁気抵抗変化を起こさないようにしているので、感度軸方向の感度と直交軸方向の感度との間の比を大きくとることができる。この構成における感度比であれば、１０°レベルで方位を測定することが十分に可能である。
【００２９】
ここで、図１に示すような磁気抵抗効果素子１１，１３及び軟磁性体１２で構成した磁気センサ（実施例）と、図１０に示すような磁気抵抗効果素子１０１，１０３、軟磁性体１０２及び非磁性体１０４で構成した磁気センサ（比較例）とで中点電位のズレについて調べた。
【００３０】
実施例については、磁気抵抗効果素子１１の感度軸方向の長さＬ11（感度軸方向のギャップ）、及び磁気抵抗効果素子の１３の直交方向の長さＬ13（直交方向のギャップ）をそれぞれ２μｍとし、磁気抵抗効果素子１１の抵抗と磁気抵抗効果素子１３の抵抗は同じであるとし、それぞれＲ11＝Ｒ13＝｛Ｌ11／Ｗ11（又はＬ13／Ｗ13）｝×Ｒ0（Ｒ0：磁気抵抗効果素子１１，１３のシート抵抗）とする。比較例については、電池効果に起因する腐食によりＬ13が−０．２μｍの寸法変化を起こしたとする。したがって、Ｒ11＝｛Ｌ11／Ｗ11｝×Ｒ0、Ｒ13＝（Ｌ13-0.2／Ｗ13）×Ｒ0となる。
【００３１】
図６に示すようなハーフブリッジ構造で考え、入力電圧をＶinとすると、電位差ｄＶは、実施例及び比較例で以下のように求められる。
（実施例）
実施例においては、寸法のばらつきが加工精度のばらつきのみと考えることができるので、加工精度のばらつきを−０．０５μｍとして、
ｄＶ／Ｖin＝Ｒ11／（Ｒ11＋Ｒ13）−Ｒ13／（Ｒ11＋Ｒ13）
＝0.05／（2×2−0.05）
＝0.012658Ｖ／Ｖ
（比較例）
ｄＶ／Ｖin＝Ｒ11／（Ｒ11＋Ｒ13）−Ｒ13／（Ｒ11＋Ｒ13）
＝（Ｒ11−Ｒ13）／（Ｒ11＋Ｒ13）
＝｛（0.2／Ｗ11）×Ｒ0｝／［｛（2×Ｌ11−0.2）／Ｗ11｝×Ｒ0］
＝0.2／（2×Ｌ11−0.2）
＝0.2／（2×2−0.2）
＝0.052632Ｖ／Ｖ
ここで、
（Ｒ11−Ｒ13）＝（Ｌ11／Ｗ11）×Ｒ0−（Ｌ13−0.2／Ｗ13）×Ｒ0
＝｛Ｌ11−（Ｌ13−0.2）／Ｗ11｝×Ｒ0
＝（0.2／Ｗ11）×Ｒ0
（Ｒ11＋Ｒ13）＝（Ｌ11／Ｗ11）×Ｒ0＋（Ｌ13−0.2／Ｗ13）×Ｒ0
＝｛Ｌ11＋（Ｌ13−0.2）／Ｗ11｝×Ｒ0
＝｛（2×Ｌ11−0.2）／Ｗ11｝×Ｒ0
【００３２】
例えば、入力電位Ｖinが２５００ｍＶとすると、中点電位は実施例で31.64557ｍＶとなり、比較例で131.5789ｍＶとなる。このように中点電位が大きくなると、磁気センサを組み込んだシステムで考えた場合に、システムに負荷をかけることになる。すなわち、図７に示すように、中点電位が小さければ、必要な計測範囲で計測が可能であるが、中点電位が大きいと、必要な計測範囲で計測できない領域に中点電位が存在することが生じ、その領域についてはＩＣによる補正が必要となる。このため、システムに大きな負荷がかかることになる。
【００３３】
図８は、本発明の実施の形態に係る磁気センサの他の例を示す図である。図８に示す構成においては、軟磁性体１２が、磁気抵抗効果素子１１と並設する第１軟磁性体１２１ａ，１２１ｂと、磁気抵抗効果素子１３と並設する第２軟磁性体１２２ａ，１２２ｂとに分割されている。すなわち、図８に示す構成では、磁化容易軸方向において、磁気抵抗効果素子１１を一対の第１軟磁性体１２１で挟持し、磁化困難軸方向において、磁気抵抗効果素子１３を一対の第２軟磁性体１２２ａ，１２２ｂで挟持する。したがって、磁気抵抗効果素子１１と、一対の第１軟磁性体１２１とでセンサ部材を構成し、磁気抵抗効果素子１３と、一対の第２軟磁性体１２２ａ，１２２ｂとで磁気抵抗効果素子１３の抵抗変化を抑えるユニットを構成する。このように構成することにより、より効率良く磁化困難軸方向における感度を減少させることができる。
【００３４】
図８に示す構成において、第２軟磁性体１２２ａ，１２２ｂの磁化容易軸方向に略直交する方向における幅が相対的に短いことが好ましい。これにより、反磁場効果が発揮されて、より効率良く磁化困難軸方向における感度を減少させることができる。また、図９（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子１３を囲繞するように第２軟磁性体１２２を設けて、第２軟磁性体１２２と磁気抵抗効果素子１３とを接続部１２３で接続した構成や、図９（ｂ）に示すように、第２軟磁性体１２２ａ，１２２ｂをそれぞれ略コの字形状に形成し、それぞれの先端部１２４を対向させて先端部１２４間に磁気抵抗効果素子１３が配置される構成としても良い。これらの構成は磁束が入りにくい構成であるので、より効率良く磁化困難軸方向における感度を減少させることができる。
【００３５】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。また、上記実施の形態で説明した形状、寸法、材質などについては、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更することができる。その他、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気センサを示す図である。
【図２】図１に示す磁気センサを示す回路図である。
【図３】図１に示す磁気センサを示す部分拡大図である。
【図４】外部磁場と磁化との間の関係を示す図であり、（ａ）は磁化容易軸方向Ａの外部磁場と磁化との間の関係を示し、（ｂ）は磁化困難軸方向Ｂの外部磁場と磁化との間の関係を示す。
【図５】本発明の実施の形態に係る磁気センサの他の例を示す図である。
【図６】中点電位ズレを説明するための図である。
【図７】中点電位ズレを説明するための図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る磁気センサの他の例を示す図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る磁気センサの他の例を示す図である。
【図１０】従来の磁気センサを説明するための図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  磁気センサ
１１，１１ａ，１１ｂ，１３，１３ａ，１３ｂ  磁気抵抗効果素子
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ  軟磁性体
１４  リード
１２１ａ，１２１ｂ  第１軟磁性体
１２２，１２２ａ，１２２ｂ  第２軟磁性体
１２３  接続部
１２４  先端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009079927.tif 000005
【図４】
2009079927.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2009079927.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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