(57)【要約】【課題】製造工程中において、高速に半導体装置の歩留まりを予測でき、歩留まりを向上することが可能な半導体装置の生産管理装置及び生産管理方法を提供する。【解決手段】製造装置１０は、半導体基板上に半導体装置を形成する。測定装置２０は、製造装置により半導体基板上に形成された半導体装置の特徴構造を測定する。演算装置３４は、測定装置から得られた測定データに基づき、半導体基板に形成された半導体装置の歩留まり値を演算する。判断装置３２は、演算された歩留まり値に基づき、半導体装置の製造を続行するか、終了するか、修正するかを判断し、修正するものと判断された場合、製造装置の処理パラメータを変更する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体装置を形成する製造装置と、
前記製造装置により半導体基板上に形成された半導体装置の特徴構造を測定する測定装置と、
前記測定装置から得られた測定データに基づき、前記半導体基板に形成された半導体装置の歩留まり値を演算する演算装置と、
前記演算装置により演算された歩留まり値に基づき、前記半導体装置の製造を続行するか、終了するか、修正するかを判断し、修正するものと判断された場合、前記製造装置の処理パラメータを変更する判断装置と
を具備することを特徴とする半導体装置の生産管理装置。
【請求項２】
前記測定装置は、スキャトロメトリ装置であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の生産管理装置。
【請求項３】
半導体基板上に半導体装置を形成し、
前記半導体基板上に形成された半導体装置の特徴構造を測定装置により測定し、
前記測定装置から得られた測定データに基づき、前記半導体基板に形成された半導体装置の歩留まり値を演算し、
前記演算された歩留まり値に基づき、前記半導体装置の製造を続行するか、終了するか、修正するかを判断し、修正するものと判断された場合、前記製造装置の処理パラメータを変更し、終了すべきと判断された場合、前記半導体装置の製造を終了し、続行すべきと判断された場合、半導体装置の製造を続行することを特徴とする半導体装置の生産管理方法。
【請求項４】
前記測定装置は、スキャトロメトリ装置であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の生産管理方法。
【請求項５】
前記測定装置は、前記半導体基板の複数の領域で特徴構造を測定することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の生産管理装置又は請求項２記載の半導体装置の生産管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばあらゆる半導体装置の生産管理に適用可能な半導体装置の生産管理装置及び生産管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＭＯＳトランジスタの閾値電圧などの電気特性は、ゲート形状及び寸法に大きく依存する。例えば上面に比べて下面の面積が小さいゲート電極は、逆テーパ形状となる。このため、イオン注入時に、基板にゲート電極による影領域が発生し、この影領域のイオン注入量が低下しキャリア濃度が低下する。したがって、所望の電気特性が得られないこととなる。
【０００３】
通常、ゲート形状及び寸法の管理にはＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）が用いられる。プロセスライン中でウェハを破損しないＳＥＭ観察は、ＴＥＭに比べて、解像度が低く、サブミクロンのゲート形状及び寸法を測定することが難しい。特に、ゲート形状が逆テーパの場合、ゲート電極の下部が上部により隠れてしまうため、ゲート電極の下部領域の観察が非常に困難となる。
【０００４】
これに対して、断面ＴＥＭ観察は解像度が高く、サブミクロンのゲート形状及び寸法を測定することに適しており、ゲート形状が逆テーパの場合でも、ゲート電極の下部領域を容易に観察できる。しかし、ＴＥＭ観察は、ウェハをプロセスライン外に持ち出し、ウェハを破損しなければ、サンプルを得ることができない。このため、形状観察のために、本来製品になるべきウェハを破損したり、形状測定用ロットを特別に製造したりする必要があるため、経費がかかる。当然、ＴＥＭ観察費用も発生する。このため、ＴＥＭ観察は、現状を認識し、必要であればゲート形成工程に関係するプロセスの条件を変更するために使われる。その際、ＴＣＡＤ（Technical CAD）シミュレーションによって、形状補正の指針を計算によって得ることがある。
【０００５】
これら一連の作業、つまり、形状観察用ウェハの準備、製造、抜取り、ＴＥＭ観察、ＴＣＡＤシミュレーション、形状指針の計算、及びプロセスへのフィードバックには、多大な経費及び多大な時間を要するという大きな問題ある。
【０００６】
また、スキャトロメトリ装置を使用して回路パターンを測定し、高速に製造プロセスの評価を可能とした半導体装置の製造システムが開発されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１５８４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、製造工程中において、高速に半導体装置の歩留まりを予測でき、歩留まりを向上することが可能な半導体装置の生産管理装置及び生産管理方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体装置の生産管理装置の態様は、半導体基板上に半導体装置を形成する製造装置と、前記製造装置により半導体基板上に形成された半導体装置の特徴構造を測定する測定装置と、前記測定装置から得られた測定データに基づき、前記半導体基板に形成された半導体装置の歩留まり値を演算する演算装置と、前記演算装置により演算された歩留まり値に基づき、前記半導体装置の製造を続行するか、終了するか、修正するかを判断し、修正するものと判断された場合、前記製造装置の処理パラメータを変更する判断装置とを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明の半導体装置の生産管理方法の態様は、半導体基板上に半導体装置を形成し、前記半導体基板上に形成された半導体装置の特徴構造を測定装置により測定し、前記測定装置から得られた測定データに基づき、前記半導体基板に形成された半導体装置の歩留まり値を演算し、前記演算された歩留まり値に基づき、前記半導体装置の製造を続行するか、終了するか、修正するかを判断し、修正するものと判断された場合、前記製造装置の処理パラメータを変更し、終了すべきと判断された場合、前記半導体装置の製造を終了し、続行すべきと判断された場合、半導体装置の製造を続行することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製造工程中において、高速に半導体装置の歩留まりを予測でき、歩留まりを向上することが可能な半導体装置の生産管理装置及び生産管理方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１２】
図２は、本実施形態が適用される半導体装置の製造装置を示している。この製造装置は、例えば量産ラインで用いられ、半導体デバイスの加工、製造に関わる第１の装置群１０、及び検査、測定、搬送などに関わる第２の装置群２０、これら第１、第２の装置群１０、２０と双方向に製品名、ロット、ウェハ、レシピ情報や測定データなどの通信を行うことができる生産管理用計算機３０により構成されている。
【００１３】
半導体デバイスの加工、製造に関わる第１の装置群１０は、例えばウェハ上に薄膜を堆積する例えばＣＶＤ装置などからなる薄膜堆積装置１１、レジストを露光する露光装置１２、形成された膜を熱処理するアニール装置１３、ウェハ表面を洗浄する洗浄装置１４、ウェハ内にイオンを注入するイオン注入装置１５、膜をエッチングするエッチング装置１６、及び膜を酸化する酸化装置１７などにより構成されている。検査、測定、搬送などに関わる装置群２０は、例えば検査装置２１、スキャトロメトリ装置を含む測定装置２２、及び搬送装置２３により構成されている。
【００１４】
生産管理用計算機３０は、例えば入出力機器及びシステム３１、生産管理システム３２、データ管理システム３３、データ演算システム３４、データ管理システム３３に接続され、例えば製品の管理規定や各種データを記憶する記憶装置３５、データ演算システム３４に接続され、例えばモデル式を記憶する記憶装置３６により構成されている。入出力機器及びシステム３１は、第１、第２の装置群１０、２０と情報交換を行う機能を有している。通信プロトコルやデータフォーマットの変更も自動的に行うことができる。生産管理システム３２は、常に全ての製品、ロットやウェハが、どの工程、装置に存在し、どのようなレシピで処理されているかをモニタし、コントロールする機能を有している。つまり、半導体装置の生産全体を指揮するシステムである。データ管理システム３３は、送受信したデータを例えばハードディスク装置など記録装置３５に格納し、管理する機能を有している。記憶装置３５に格納されたデータは、インデックス情報が自動的に割り振られ、容易に参照することができる。データ演算システム３４は、データ管理システム３３を通じて記録装置３５に格納された過去や現在のデータを参照することができる。さらに、データ演算システム３４は、後述するモデル式が入力された場合、このモデル式を用いてデータを演算した後、演算結果を、データ管理システム３５を通じて、生産管理システム３２に送る機能も有している。生産管理システム３２は、データ演算システム３４から送られたデータに基づいて、レシピ情報の変更や、製造中止などの処理を自動的に行うことができる。
【００１５】
測定装置２２の１つであるスキャトロメトリ装置は、半導体装置に形成された周期的なパターンに光を照射し、パターンからの反射による偏光状態の変化を測定し、この測定波形と光学モデルより得られた理論波形とを比較することにより、パターンの幅、高さ、角度などの形状情報を同定することができる装置である。
【００１６】
図３、図４及び図５は、典型的なゲート電極形状の断面図を示している。スキャトロメトリ装置を用いることにより、図３に示すゲート電極の最上部の幅、底部の幅、中央部の幅、ゲート電極下部（裾部）の曲率半径、ゲート電極下部側壁（裾部）の角度、ゲート加工の際に生じたシリコン基板の掘れ量、ゲート電極の高さ方向中央部から下部までの高さ（裾部の高さ）、及びゲート電極の高さ方向中央部から上部までの高さ、図４に示すゲート電極の側壁に形成されるオフセット膜の厚さ、オフセット膜を加工する際に生じたシリコン基板の掘れ量、図５に示す側壁絶縁膜の厚さ、側壁絶縁膜の加工の際に生じたシリコン基板の掘れ量などを、非破壊、非接触で測定することができる。
【００１７】
具体的には、予め上記ゲート電極の形状パラメータを様々に組み合わせて、且つ薄膜の反射率、屈折率も入力した光学モデルの理論波形を多数準備し、これら論理波形と実際のパターンから測定された波形とを比較することにより、ゲート電極の形状を逆算する。
【００１８】
従来、ＳＥＭは、パターンの上面方向からのみの測定しかできなかった。これに対して、スキャトロメトリ装置によれば、ゲート電極の底部の幅や、微小なシリコン基板の掘れ量、ゲート電極のくびれ度合い、オフセット膜の厚さなど、破壊しなければ分からなかった情報でさえも測定できる。また、測定に要する時間も数秒程度と短時間である。このため、ウェハ面内の複数の領域に対して測定しても大きな時間のロスを生じない。さらに、寸法測定精度は、±１ｎｍ程度であり、６５ｎｍ世代のトランジスタのゲート長４０ｎｍに比べて、十分な精度がある。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態を示すものであり、図２に示す生産管理用計算機３０による半導体装置の生産管理方法を示している。図１を用いて生産管理方法を概略的に説明する。
【００２０】
図２に示す第１の装置群１０を用いて、ウェハが処理され、シリコン基板の上方にゲート電極及びゲート電極の周辺構造、例えばオフセット膜や側壁絶縁膜が形成される（Ｓ１１）。この後、第２の装置群２０のスキャトロメトリ装置２２によって、ウェハ面内の複数領域においてゲート電極周りの形状、寸法が測定される（Ｓ２）。この測定されたゲート電極周りの形状、寸法の情報は、生産管理用計算機３０内のデータ演算システム３４に送信される。
【００２１】
データ演算システム３４は、後述するモデル式に、測定された形状、寸法情報を代入して演算し、ゲート電極の電気特性を予測する（Ｓ１３）。モデル式で算出された結果は、時間のかかるＴＣＡＤシミュレーションの結果及び実測結果とも相関が強くなるように調整してある。詳細は後述する。
【００２２】
モデル式用いて計算されたウェハ面内の複数領域の計算結果に基づき、例えばロット毎、ウェハ毎の予想歩留まり率が計算される（Ｓ１４）。この計算されたロット毎、ウェハ毎の予想歩留まり率に基づき、後の製造工程を続行するかどうかが判断される（Ｓ１５）。すなわち、予想歩留まり率が製品の管理規定より低い場合、製造を続行しても所定の歩留まりに達しないため、当該ロットやウェハの製造が中止される（Ｓ１６）。また、予想歩留まり率が管理規定以内であるものの、大きく電気特性が規定値からずれており、後述する救済手法で救済できそうなウェハに関しては、救済措置が講じられる（Ｓ１７）。すなわち、モデル式による救済条件が算出され、この算出された救済条件が生産管理用計算機３０から第１の装置群１０にフィードフォワードされ、例えばイオン注入条件等の処理条件が修正される（Ｓ１８）。また、予想歩留まり率が管理規定以内であり、電気特性が規定値以内のウェハは、そのまま後の製造工程が続行され、さらに、前記ステップＳ１８において処理条件が修正されたウェハは、修正された処理条件により製造工程が続行されて製造が終了される（Ｓ１９）。
【００２３】
この後、製造されたウェハに対して最終検査が行われ、最終歩留まり率が算出される（Ｓ２０）。この最終歩留まり率と工程途中で算出された歩留まり率が比較され、前記モデル式や歩留まり率予測式の修正が必要かどうか判断される（Ｓ２１）。この結果、修正の必要がある場合、制御がステップＳ１３、又はステップＳ１４に移行され、モデル式や歩留まり率予測式が修正される。このようにして、常にモデル式及び歩留まり率の予測精度を保つことができる。
【００２４】
また、ステップＳ２１において、モデル式や歩留まり率予測式の修正が不要であると判断された場合、歩留まり率を向上させる作業が必要かどうか判断される（Ｓ２２）。この結果、歩留まりを修正する必要が有る場合、第１の装置群１０における各プロセス装置の影響度が解析され（Ｓ２３）、さらに、各プロセス装置がチューニングされる（Ｓ２４）。
【００２５】
次に、図６を参照して上記モデル式の作成手順について説明する。半導体プロセス及びデバイスシミュレータ（所謂ＴＣＡＤシミュレータ）を用いて、例えば半導体基板の内部で拡散する不純物原子の拡散や偏析、それに伴う電子や正孔の濃度分布、電圧を印加した際のキャリアの拡散、応力によるキャリア移動度の変化などを解き、特定条件下での電気特性を算出する（Ｓ３１）。例えばイオン注入による不純物濃度や加速度、活性化温度、形状などの情報を計算条件として入力し、計算結果として、電気特性（トランジスタの閾値電圧Ｖｔｈ、駆動電流Ｉｏｎや漏れ電流Ｉｏｆｆなど）を出力する。この計算結果を実際の測定結果（Ｓ３２）や実測感度に近づけるべく、シミュレータ入力ファイル内の様々な拡散パラメータや形状などを調整するなどし、合わせこみを行う（Ｓ３３）。このキャリブレーション済み入力ファイルを用いて、実験計画法による直交表に従って、数種類の因子とその水準をパラメータとして、計算を実行する（Ｓ３４）。なお、実験計画は交互作用、実験回数、時間、精度などを考慮して適切に選択すればよい。計算結果を解析することで、各因子の出力に対する影響度の大小や有意性、相関関係か否か、交互作用を有しているか否かの情報を得ることができる（Ｓ３５）。
【００２６】
さらに、計算に用いた各因子の係数から、出力結果を簡易に表現できるモデル式を得ることができる（Ｓ３６）。多くの場合、簡単な四則演算で表現できるため、数ミリ秒と非常に計算が速い。例えば、実験計画法で寸法、イオン注入エネルギー、ドーズ量の因子で計算した場合、モデル式は寸法、イオン注入エネルギー、ドーズ量を変数とする関数が導出される。閾値電圧を求めるモデル式の場合、関数は簡単に式（１）のような形で表現される。
【００２７】
Ｖｔｈ＝ｆ（Ｌ１，Ｌ２，Ｅ１，Ｄ１，Ｅ２，Ｄ２）        …（１）
ここで、Ｌ１、Ｌ２は２箇所の寸法、例えばＬ１は図３に示すゲート底部の幅（ゲート長）、Ｌ２はゲート中央部の幅（長さ）である。また、Ｅ１、Ｄ１は１回目のイオン注入、例えばチャネルイオン注入におけるエネルギー（加速電圧）とドーズ量、Ｅ２、Ｄ２は、２回目のイオン注入、例えばハローイオン注入におけるエネルギーとドーズ量を示す。どの因子をモデル式に入れるべきかは、最初の実験計画法の直交表を作成する時に十分に考慮しなければならない。
【００２８】
結局、図７に示すように、計算した範囲内で各因子の値を式（１）に入力すれば、出力結果を簡便に短時間で推定することができる。但し、ある程度誤差が残留するが、相関係数が最高になるように、モデル式自体の構成（多項式近似、対数近似など）や係数などの調整を十分に精度が高くなるまで行う（Ｓ３７−Ｓ３６）。また、その調整でも精度が高くならない場合は再度、実験計画まで戻ってやり直すことが必要である（Ｓ３７−Ｓ３４）。図７において、モデル式の計算値とキャリブレーション済みファイルによるＴＣＡＤの計算値が等しい場合、４５度の直線となる。
【００２９】
上記モデル式は、Ｌ１、Ｌ２、Ｅ１、Ｄ１、Ｅ２、Ｄ２から閾値電圧Ｖｔｈを求めることも可能であるが、式（２）で示すように、逆に特定の閾値電圧Ｖｔｈ’になるようなＬ１’を求めることもまた可能である。この場合、Ｌ１以外の因子は固定する。
【００３０】
Ｖｔｈ’＝ｆ（Ｌ１’，Ｌ２，Ｅ１，Ｄ１，Ｅ２，Ｄ２）        …（２）
図８、図９は、図１に示す歩留まり率の予測（Ｓ１４）の詳細を示している。図８、図９を参照して歩留まり率の予測の詳細について説明する。図８において、スキャトロメトリ装置によって、容易にウェハ面内複数点のゲート周辺の形状、寸法が測定できる。例えば、測定点１のゲート長データを前述のモデル式、例えば（１）に代入すると、測定点１のトランジスタの閾値電圧が算出される（Ｓ４１−Ｓ４３）。同様にして複数の測定点において、閾値電圧が算出される（Ｓ４４−Ｓ４６）。算出された複数の閾値電圧から、最終歩留まり率が算出される（Ｓ４７）。例えば閾値電圧のスペックを外れたもののチップ割合から、最終歩留まり率を予測することができる。なお、最終歩留まり率の算出は、ウェハ毎やロット毎に集計することもできる。
【００３１】
この後、算出された歩留まり率が所望する歩留まり率よりも高いかどうかが判断される（Ｓ４８）。この結果、歩留まり率が所望する歩留まり率よりも高い場合、ゲート長が測定されたウェハやロットは製造続行可能と判断され、次のプロセスに送られる（Ｓ４９、Ｓ５０）。
【００３２】
一方、歩留まり率が所望する歩留まり率より低い場合、ゲート長が測定されたウェハやロットは製造続行不能と判断され（Ｓ５１）、この情報がウェハやロットの管理情報に追記される。続いて、この低い歩留まり率を後続プロセスで救済できるかが判断される（Ｓ５２）。この結果、あまりに低い歩留まり率である場合、救済不能と判断され、製造中止と判断される（Ｓ５３）。また、救済可能と判断された場合、当該ウェハやロットに救済命令が発令される（Ｓ５４）。すなわち、例えばゲート長測定の後に続くプロセスとしてのイオン注入プロセスにおいて、ドーズ量を調整する（Ｓ５５）。
【００３３】
図１０は、ゲート長と閾値電圧及びイオン注入ドーズ量との関係を示している。図１０に示すように、ゲート長が細く仕上がった場合、本来そのゲート長が有すべき閾値電圧が低くなってしまう。そこでポケットイオン注入ドーズ量を濃くする処理を行う。ドーズ量を濃くすれば、細いゲートでも閾値電圧が上昇し、スペック範囲に収めることができる。すなわち、式（２）に測定したゲート長を代入して閾値電圧を計算する。この計算した閾値電圧がスペック範囲かどうかを検証し、閾値電圧がスペックの範囲内となるドーズ量Ｄｎを求める（図８、Ｓ５６，Ｓ５７）。
【００３４】
また、図１１は、ゲートの側壁長と閾値電圧及びイオン注入ドーズ量との関係を示している。図１１に示すように、ゲートの側壁長が薄く仕上がった場合も同様にドーズ量を濃くする。しかし、この場合は、ポケットイオン注入ではなく、ソース・ドレインイオン注入でスペック範囲に収まるようにドーズ量を調整する。この場合、例えばポケットイオン注入のドーズ量とエネルギー、及び側壁長との関係から閾値電圧を求めるモデル式に例えばドーズ量を代入して閾値電圧を計算する。この計算した閾値電圧がスペックの範囲内かどうかを検証し、ドーズ量を求める（図８、Ｓ５６，Ｓ５７）。
【００３５】
上記のようにして求めたドーズ量と測定されたゲート長から、再度歩留まり率を算出し、判定する（図８、Ｓ５８、図９、Ｓ５９）。この判定の結果、歩留まり率が低い場合、再度、同一プロセスのドーズ量の調整や、他のプロセスのドーズ量の調整が行われる（Ｓ５９−Ｓ５５）。
【００３６】
一方、前記判定の結果、歩留まり率が高い場合、求められたドーズ量になるようにイオン注入プロセスのレシピが変更される。（Ｓ６０）当該ウェハやロットがそのプロセスに到達した時点において、変更したレシピが有効となり、レシピ通りに処理が実行される（Ｓ６１）。実行されたウェハやロットが製造終了した場合、最終歩留まり率が算出される（Ｓ６２）。この算出された最終歩留まり率が、前述の予測歩留まり率と比較される（Ｓ６３）。この結果、最終歩留まり率が予測歩留まり率から大きくずれている場合、モデル式に問題があるため、モデル式の係数が調整されて（Ｓ６４）、制御が前記ステップＳ４２に以降される。また、両者がずれていない場合、一連の処理が終了される。
【００３７】
上記実施形態によれば、ウェハプロセス途中でゲート電極の形状、寸法をスキャトロメトリ装置により、その場で測定し、この測定した形状及び寸法情報に基づいて算出した電気特性値によって、製品の歩留まり率を予測し、この歩留まり率と管理規定値を比較し、この比較結果に基づき、製造工程を中止するか、修正して続行するか、そのまま続行するかを判断している。このため、製造工程の中止、修正して続行（フィードバック制御、又はフィードフォワード制御）、そのまま続行をリアルタイムで判断することが可能となる。このため、結果として歩留まり率を向上でき、製品のばらつきを低減することができる。
【００３８】
また、従来、ゲート周辺構造の形成が終了すると、ウェハ面内の複数の領域において、例えば走査型電子顕微鏡でその形状、寸法を測定し、測定結果を生産管理用計算機に送信する（但し、この測定は上面方向からの測定であるため、主にゲート上部の寸法が測定され、テーパ角度などを測定することはできない）。この後、製造が継続され、ウェハが途中で割れるなど、特に問題が無ければ、製造が終了され、最終歩留まり率の測定が行われる。この歩留まり率が低い場合、プロセス装置に問題があるかどうかを解析し、問題を有するプロセス装置を特定してその装置をチューニングする。このように、従来の生産管理方法の場合、プロセス装置に問題があるときも、歩留まり率を予測するステップがないため、そのまま製造が続行されてしまい、時間とコストの無駄が発生していた。
【００３９】
これに対して、本実施形態によれば、上述したいように製造プロセスの途中で単一あるいは複数の測定データから最終歩留まり率を予測し、低い歩留まり率のロットやウェハは製造を中止するか、救済処置を施して製造を続行している。このため、最終歩留まり率を向上でき、製造時間や製造コストの無駄を省くことが可能である。
【００４０】
図１２は、本発明と従来の歩留まり率を比較して示している。図１２に示すように、本発明の場合、歩留まり率が従来に比べて高くなる。
【００４１】
さらに、例えば閾値電圧がスペックに対してずれているが救済可能なものに対して救済処置が発令される。この救済処置が発令されたロットやウェハは、このずれ量が後続のプロセスで修正されるため、必然的に閾値電圧のばらつきも小さくなる。
【００４２】
図１３は、本発明と従来の閾値電圧の分布を示している。図１３に示すように、本発明の場合、閾値電圧のばらつきが従来に比べて小さくなる。
【００４３】
尚、上記実施形態において、測定装置としては、スキャトロメトリ装置を用いたがこれに限定されるものではなく、製造工程において、基板上に形成された特徴構造の断面形状や寸法を測定できる装置であれば、他の装置を適用することも可能である。
【００４４】
その他、本発明の要旨を変えない範囲において種々変形実施可能なことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本実施形態に係る生産管理方法を示すフローチャート。
【図２】本実施形態が適用される半導体装置の製造装置を示す構成図。
【図３】ゲート電極形状を示す断面図。
【図４】図３に示すゲート電極形状にオフセット膜を形成した状態を示す断面図。
【図５】図４に示すゲート電極形状に側壁絶縁膜を形成した状態を示す断面図。
【図６】本実施形態に係り、モデル式の作成手順を示すフローチャート。
【図７】モデル式の計算値とキャリブレーション済みファイルによるＴＣＡＤの計算値を示す図。
【図８】図１に示す歩留まり率の予測の詳細を示すフローチャート。
【図９】図８に続く動作を示すフローチャート。
【図１０】ゲート長と閾値電圧及びイオン注入ドーズ量との関係を示す図。
【図１１】ゲートの側壁長と閾値電圧及びイオン注入ドーズ量との関係を示す図。
【図１２】本発明と従来の歩留まり率を比較して示す図。
【図１３】本発明と従来の閾値電圧のばらつきを比較して示す図。
【符号の説明】
【００４６】
１０…半導体デバイスの加工、製造に関わる第１の装置群、２０…検査、測定、搬送などに関わる第２の装置群、２２…スキャトロメトリ装置、３０…生産管理用計算機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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