(57)【要約】【課題】短時間で観察箇所を平面的に薄膜化したＴＥＭ用平面試料を作製すること。【解決手段】基板１からマーク２ｂ（観察箇所）を含むとともに柱状になっている試料２を切り出す。その後、試料２を９０度回転する。その後、試料２のマーク２ｂが配された面の反対側の裏面とダミー基板９の側端面とを接着する。その後、試料２のマーク２ｂが配された面から所定の厚さを残すようにして、試料２の側端面から所定の深さで、試料２とダミー基板９との接着面と平行に試料２の裏面側の部分を切削することで、試料２に突出部２ｅを形成する。その後、試料２をダミー基板９から分離する。その後、試料２の突出部２ｅがキャリア６の端面からはみ出すようにして、試料２をキャリア６に接着する。その後、試料２の突出部２ｅの端面の法線方向から収束イオンビーム４を照射して観察箇所を平面的に薄膜化することによって薄膜加工面２ａを形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加工して透過型電子顕微鏡で観察するための試料を作製する試料作製方法であって、
前記基板から観察箇所を含むとともに柱状になっている前記試料を切り出す第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記試料を９０度回転する第２の工程と、
前記第２の工程の後、前記試料の前記観察箇所が配された面の反対側の裏面とダミー基板の側端面とを接着する第３の工程と、
前記第３の工程の後、前記試料の前記観察箇所が配された面から所定の厚さを残すようにして、前記試料の側端面から所定の深さで、前記試料と前記ダミー基板との接着面と平行に前記試料の裏面側の部分を切削することで、前記試料に突出部を形成する第４の工程と、
前記第４の工程の後、前記試料を前記ダミー基板から分離する第５の工程と、
前記第５の工程の後、前記試料の前記突出部がキャリアの端面からはみ出すようにして、前記試料を前記キャリアに接着する第６の工程と、
前記第６の工程の後、前記試料の前記突出部の端面の法線方向から収束イオンビームを照射して前記観察箇所を平面的に薄膜化することによって薄膜加工面を形成する第７の工程と、
を含むことを特徴とする試料作製方法。
【請求項２】
前記第１の工程で切り出される前記試料の幅は、前記基板の厚さと同じ長さであることを特徴とする請求項１記載の試料作製方法。
【請求項３】
前記第４の工程において、前記試料の前記観察箇所が配された面から所定の厚さは、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の試料作製方法。
【請求項４】
前記第４の工程において、前記試料の側端面から所定の深さは、少なくとも前記観察箇所を超える深さであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の試料作製方法。
【請求項５】
前記第１の工程での前記試料の切り出し、前記第４の工程での前記試料の前記突出部の形成、及び、前記第５の工程での前記試料と前記ダミー基板との分離では、ダイサーを用いて行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の試料作製方法。
【請求項６】
前記第１乃至第６の工程を１台の装置内で行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の試料作製方法。
【請求項７】
前記第７の工程の後、前記キャリアと分離した前記試料の前記突出部の側面と第２ダミー基板の平面とを接着する第８の工程と、
前記第８の工程の後、前記薄膜加工面以外の領域の前記試料と前記第２ダミー基板の一部を、前記試料の前記突出部の端面と平行に切削して、前記薄膜加工面を含む前記試料と前記第２ダミー基板の組立体を切り出す第９の工程と、
前記第９の工程の後、前記試料が第２キャリアの端面からはみ出すようにして、前記組立体を前記第２キャリアに接着する第１０の工程と、
前記第１０の工程の後、前記試料の前記薄膜加工面の法線方向から収束イオンビームを照射して、前記観察箇所における前記試料の前記突出部の端面と平行に薄膜化した第２薄膜加工面を形成する第１１の工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の試料作製方法。
【請求項８】
前記第９の工程での前記組立体の切り出しでは、ダイサーを用いて行うことを特徴とする請求項７記載の試料作製方法。
【請求項９】
前記第７の工程の後、前記キャリアと分離した前記試料の前記突出部の側面と第３ダミー基板の平面とを接着する第１２の工程と、
前記第１２の工程の後、前記薄膜加工面以外の領域の前記試料と前記第３ダミー基板の一部を、前記試料の前記突出部の端面と直角に切削して、前記薄膜加工面を含む前記試料と前記第３ダミー基板の組立体を切り出す第１３の工程と、
前記第１３の工程の後、前記試料が第３キャリアの端面からはみ出すようにして、前記組立体を前記第３キャリアに接着する第１４の工程と、
前記第１４の工程の後、前記試料の前記薄膜加工面の法線方向から収束イオンビームを照射して、前記観察箇所における前記試料の前記突出部の端面と直角に薄膜化した第３薄膜加工面を形成する第１５の工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の試料作製方法。
【請求項１０】
前記第１３の工程での前記組立体の切り出しでは、ダイサーを用いて行うことを特徴とする請求項９記載の試料作製方法。
【請求項１１】
切削により基板を分割するダイサーと、
設置された前記基板の位置合せをするためのポジショナと、前記基板の接着に用いられる熱軟化性の接着剤を加熱するホットプレートと、を有する設置台と、
前記基板から切り出した試料を把み出す機構と、把み出した前記試料を回転させる機構を有する把持機構と、
を備えることを特徴とする試料作製装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ；Transmission Electron Microscope）用の試料作製方法及び試料作製装置に関し、特に、観察箇所を平面的に薄膜化した試料を作製するための試料作製方法及び試料作製装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの多層配線化、微細化、プロセスの複雑化により、不良箇所の観察が不可欠となっている。半導体デバイスの不良箇所を観察する方法としてＴＥＭ観察がある。ＴＥＭ観察では電子線が透過できるように観察箇所を０．２μｍ以下に薄膜化した試料を作製する必要がある。薄膜化した試料を作製する方法として、以下に示すような技術が開示されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、（Ａ）半導体集積回路のシリコン基板の裏面側から不良箇所を特定し、その不良箇所を含む領域のシリコン基板を選択的に薄膜化する工程、（Ｂ）前記シリコン基板の裏面側から、不良箇所を含む矩形領域の周囲に収束イオンビームにより溝を形成して中央部に不良箇所を含む小片を形成する工程、（Ｃ）前記小片の１つの側面に対し斜め方向から収束イオンビームを照射して前記小片を切り離すとともに、前記溝により形成されるシリコン基板の穴内で、その切り離された小片を前記側面の方向に倒す工程、（Ｄ）前記側面とは反対側の側面が上を向くように前記シリコン基板を傾ける工程、及び、（Ｅ）上を向いた前記側面に対し垂直方向から収束イオンビームを照射して不良箇所を含む薄膜状の薄片に切り出す工程を含むサンプル作製方法が開示されている。この方法は、試料の観察箇所を平面的に薄膜化する方法（平面間の膜厚を薄膜化した平面試料の作製方法）である。
【０００４】
また、特許文献２では、試料素材の加工面にイオンビームを照射して試料ブロックを切り出し、前記試料ブロックの前記加工面を横に向けて試料ブロックを試料台の載置面上に置き、前記試料ブロックにイオンビームを照射して、前記試料ブロックを前記載置面に対してほぼ垂直に立つ薄膜に加工する試料作製方法が開示されている。この方法は、試料の観察箇所を平面的に薄膜化する方法である。
【０００５】
さらに、収束イオンビーム（ＦＩＢ；Focused Ion Beam）マイクロサンプリング法により試料の観察箇所を平面的に薄膜化する公知技術として、以下のものがある。まず、基板１において試料２となる目的箇所の回りの一箇所だけ接地し、試料２の平面を法線方向に向けた状態で法線方向からＦＩＢ４によって試料２の回りを矩形状の３辺を切削（溝を形成）し、基板１を傾斜させて試料２の残りの１辺を含む裏面側を斜めに切削（溝を形成）して試料２を切り離し、ＦＩＢ装置に備え付けられたマイクロプローブ３の先端部と、切り出された試料２とをタングステン等の接着剤５で接着させる（図７（Ａ）参照）。次に、マイクロプローブ３を上に引き上げ、試料２をキャリア６まで移動する（図７（Ｂ）参照）。次に、試料２をタングステン等の接着剤７でキャリア６に固定し、マイクロプローブ３と試料２を切離す（図７（Ｃ）参照）。次に、試料２の平面が垂直になるようにキャリアを傾斜（回転）させる（図７（Ｄ）参照）。そして、法線方向からＦＩＢ４によって試料２の観察部分の平面を薄膜化するように試料２を薄膜加工（薄膜加工面２ａを形成）する（図７（Ｅ）参照）。こうして作成された試料２の薄膜加工面２ａに電子８を照射してＴＥＭ観察・評価を行う（図７（Ｆ）参照）。
【０００６】
なお、試料の観察箇所を断面的に薄膜化する方法（断面間の膜厚を薄膜化した平面試料の作製方法）については、特許文献３で開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−３４３１０１号公報
【特許文献２】特開２００４−１９８２７６号公報
【特許文献３】特開２００２−３９９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では、矩形領域の周囲に収束イオンビームにより溝を形成し、斜め方向から収束イオンビームを照射して小片を切り離しているため、小片の切り離しに時間がかかるといった問題がある。また、特許文献１では、シリコン基板の裏面側から薄膜化する際、レーザ加工やウェットエッチングを行っているため、レーザ装置やウェットエッチング装置を用いる必要があり、シリコン基板の移送が多く、工程が増えて手間がかかるといった問題がある。
【０００９】
特許文献２では、試料素材の加工面にイオンビームを照射して試料ブロックを切り出しているため、試料ブロックの切り出し加工に時間がかかるといった問題がある。また、特許文献２では、切り出した試料ブロックを試料台の載置面上に置く際、静電気によってガラスプローブの先端部に試料ブロックをトラップして移送することになるため、試料ブロックの落下による破損リスクが高いといった問題がある。さらに、特許文献２では、試料ブロックの加工面を横に向けて試料ブロックを試料台の載置面上に置くため、試料ブロックが試料台にうまく貼り付かないおそれがある。
【００１０】
マイクロサンプリング法による公知技術では、ミリング法と比較して微細領域は狙えるものの、ＦＩＢ加工で基板１から試料２を切り出すのに約２４０分間かかるといった問題がある。また、観察範囲においても、マイクロプローブ３で持ち上がる試料２の大きさが１０〜２０μｍ角程度と限られる。大面積（例えば、２０μｍ角以上）の観察を行いたい場合には、持ち上げる試料２の体積が大きくなってしまうため、マイクロプローブ３と試料２が接着剤５によってうまく接着されないことで試料２が持ち上がらなかったり、持ち上げる際に試料２を落として破損してしまったりするおそれがある。
【００１１】
本発明の主な課題は、短時間で観察箇所を平面的に薄膜化したＴＥＭ用平面試料を作製することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の視点においては、基板を加工して透過型電子顕微鏡で観察するための試料を作製する試料作製方法であって、前記基板から観察箇所を含むとともに柱状になっている前記試料を切り出す第１の工程と、前記第１の工程の後、前記試料を９０度回転する第２の工程と、前記第２の工程の後、前記試料の前記観察箇所が配された面の反対側の裏面とダミー基板の側端面とを接着する第３の工程と、前記第３の工程の後、前記試料の前記観察箇所が配された面から所定の厚さを残すようにして、前記試料の側端面から所定の深さで、前記試料と前記ダミー基板との接着面と平行に前記試料の裏面側の部分を切削することで、前記試料に突出部を形成する第４の工程と、前記第４の工程の後、前記試料を前記ダミー基板から分離する第５の工程と、前記第５の工程の後、前記試料の前記突出部がキャリアの端面からはみ出すようにして、前記試料を前記キャリアに接着する第６の工程と、前記第６の工程の後、前記試料の前記突出部の端面の法線方向から収束イオンビームを照射して前記観察箇所を平面的に薄膜化することによって薄膜加工面を形成する第７の工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の第２の視点においては、試料作製装置において、切削により基板を分割するダイサーと、設置された前記基板の位置合せをするためのポジショナと、前記基板の接着に用いられる熱軟化性の接着剤を加熱するホットプレートと、を有する設置台と、前記基板から切り出した試料を把み出す機構と、把み出した前記試料を回転させる機構を有する把持機構と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板から試料を切り出すのに収束イオンビームを用いずダイサーを用いているので、作製時間を短縮することができる。また、切り出した試料を引き上げる際、マイクロプローブを用いなくてもよく、取り扱いが容易であり、試料の破損を防止することができる。また、試料は従来技術の試料と比べて大きいため、大面積の平面ＴＥＭ観察が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施形態では、基板（図１（Ａ）の１）を加工して透過型電子顕微鏡で観察するための試料（図２の２）を作製する試料作製方法であって、前記基板（図１（Ａ）の１）から観察箇所（図１（Ａ）のマーク２ｂのある箇所）を含むとともに柱状になっている前記試料（図１（Ａ）の２）を切り出す第１の工程と、前記第１の工程の後、前記試料（図１（Ｂ）の２）を９０度回転する第２の工程と、前記第２の工程の後、前記試料（図１（Ｃ）の２）の前記観察箇所が配された面の反対側の裏面とダミー基板（図１（Ｃ）の９）の側端面とを接着する第３の工程と、前記第３の工程の後、前記試料（図１（Ｄ）の２）の前記観察箇所（図１（Ｄ）のマーク２ｂのある箇所）が配された面から所定の厚さを残すようにして、前記試料（図１（Ｄ）の２）の側端面から所定の深さで、前記試料（図１（Ｄ）の２）と前記ダミー基板（図１（Ｄ）の９）との接着面と平行に前記試料（図１（Ｄ）の２）の裏面側の部分を切削することで、前記試料（図１（Ｄ）の２）に突出部（図１（Ｄ）の２ｅ）を形成する第４の工程と、前記第４の工程の後、前記試料（図１（Ｅ）の２）を前記ダミー基板（図１（Ｅ）の９）から分離する第５の工程と、前記第５の工程の後、前記試料（図１（Ｆ）の２）の前記突出部（図１（Ｆ）の２ｅ）がキャリア（図１（Ｆ）の６）の端面からはみ出すようにして、前記試料（図１（Ｆ）の２）を前記キャリア（図１（Ｆ）の６）に接着する第６の工程と、前記第６の工程の後、前記試料（図２の２）の前記突出部（図２の２ｅ）の端面の法線方向から収束イオンビーム（図２の４）を照射して前記観察箇所を平面的に薄膜化することによって薄膜加工面（図２の２ａ）を形成する第７の工程と、を含む。
【実施例１】
【００１６】
本発明の実施例１に係る試料作製方法について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施例１に係る試料作製方法を模式的に示した工程斜視図である。図２は、本発明の実施例１に係る試料作製方法の薄膜化工程を模式的に示した斜視図である。
【００１７】
実施例１に係る試料作製方法は、ＴＥＭ用の試料２を作製する方法であり、試料２の観察箇所を平面（ＸＹ面）的を薄膜化する方法である。試料２は、半導体デバイス等の基板１から切り出したものである。実施例１に係る試料作製方法は、以下のようにして行われる。
【００１８】
まず、ＯＢＩＲＣＨ法等の公知の不良箇所検出装置（図示せず）を用いて、基板１における不良箇所を検出し、不良箇所の位置を特定したときに、レーザなどにより不良箇所の平面位置を示すマーク２ｂを基板１の表面に付与する（図１（Ａ）参照）。なお、マーク２ｂの付与は、ＦＩＢ装置中で試料２の表面から不良箇所の位置が確認できれば省略することができる。
【００１９】
次に、ダイサー（図示せず）を用いて、試料２においてマーク２ｂを含むように基板１を切削して、基板１から四角柱状の試料２を切り出す（図１（Ａ）参照）。この際、試料２の幅（Ｘ軸方向の長さ）は、基板１の厚さＤｍｍ（Ｚ軸方向の長さ）と同じにすることが好ましい。ダミー基板（図１（Ｃ）の９）の厚さと対応させるためである。切り出された試料２の平面形状は、Ｙ軸方向を長手方向とし、Ｘ軸方向を短手方向とした矩形状（短冊状）となる。
【００２０】
次に、切り出された試料２を取り出し、マーク２ｂが付与された面が横（図では右側）に向くように試料２を９０度回転させる（図１（Ｂ）参照）。
【００２１】
次に、試料２の裏面（マーク付与面の反対面）がダミー基板９の側端面に接するようにして、試料２をダミー基板９に貼り付ける（図１（Ｃ）参照）。なお、ダミー基板９の厚さは、基板１の厚さＤｍｍと同じであることが好ましい。試料２とダミー基板９とで段差が生じないようにして、後の切削を正確に行うためである。
【００２２】
次に、ダイサー（図示せず）を用いて、試料２の表面（マーク付与面）から所定の厚さ（例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは２０μｍ）を残すようにして、試料２の裏面（貼付面）側の部分を、試料２の側端面から所定の深さ（少なくともマーク２ｂ部分を超える深さ）でＹ軸方向（試料２とダミー基板６との接着面と平行）に切削する（図１（Ｄ）参照）。これにより、試料２の表面（マーク付与面）側の部分が突出部２ｅとなる。なお、試料２を切削する際、ダミー基板９が切削されてもよい。
【００２３】
次に、ダイサー（図示せず）を用いて、ダミー基板９と試料２が分離するようにＹ軸方向に切削することで、ダミー基板９から試料２を切り離す（図１（Ｅ）参照）。
【００２４】
次に、切り出した試料２の表面（マーク付与面）がキャリア６（Ｃリング等）の平面に接するとともに試料２の突出部２ｅがキャリア６の上端面からはみ出すようにして、試料２をキャリア６に貼り付ける（図１（Ｆ）参照）。
【００２５】
そして、ＦＩＢ装置を用いて、ＦＩＢ４を試料２の突出部２ｅを、その上端面（観察箇所の側端面）の法線方向（鉛直方向）から照射することにより、ＴＥＭ観察の際に電子線が透過する厚さ（例えば、０．２μｍ）になるように、試料２の観察箇所（図１（Ｆ）のマーク２ｂ）を平面的に薄膜化し、ＸＹ面に薄膜加工面２ａを形成する（図２参照）。観察箇所（図１（Ｆ）のマーク２ｂ）を平面的に薄膜化するとは、観察箇所の表裏の平面間膜厚を薄くすることである。こうして作成された試料２の薄膜加工面２ａに電子を照射してＴＥＭ観察・評価を行う。
【００２６】
次に、本発明の実施例１に係る試料作製方法で用いる試料作製装置について図面を用いて説明する。図３は、本発明の実施例１に係る試料作製方法で用いる試料作製装置の構成を示した模式図である。
【００２７】
試料作製装置２０は、図１の基板１からの試料２の切り出し（図１（Ａ）参照）から試料２のキャリア６への貼り付け（図１（Ｆ）参照）までの工程で用いる装置である。試料作製装置２０は、ダイサー２１と、設置台２２と、把持機構２３と、を有する。
【００２８】
ダイサー２１は、切削により基板１を分割する装置である。ダイサー２１は、カッタを回転させるスピンドル（図示せず）と、カッタを移動させる機構とを有する。
【００２９】
設置台２２は、基板１（その他の切削対象物）を設置するための台である。設置台２２は、基板１の位置合せをするためのポジショナ２２ａを内蔵している。設置台２２は、基板１の接着に用いられる熱軟化性の接着剤を加熱するホットプレート２２ｂを有する。基板１を設置台２２に貼り付ける際、ホットプレート２２ｂを加熱して接着剤を軟化させて基板１を設置台２２に貼り付け、その後、ホットプレート２２ｂの加熱をやめて接着剤を硬化させることで基板１が設置台２２に固定される。また、図１（Ｃ）のように試料２をダミー基板９に貼り付ける際や、図１（Ｆ）のように試料２をキャリア６に貼り付ける際にもホットプレート２２ｂを同様に用いる。
【００３０】
把持機構２３は、基板１から切り出した試料（図１（Ｂ）の２）を把み出す機構である。把持機構２３は、図１（Ｂ）のように試料２を把み出して回転させる機構を有する。
【００３１】
実施例１に係る試料作製方法よれば、基板１から試料２を切り出すのにＦＩＢを用いずダイサーを用いているので、作製時間を短縮することができる。また、切り出した試料２を引き上げる際、マイクロプローブ（図７の３）を用いなくてもよく、取り扱いが容易であり、試料２の破損を防止することができる。また、試料２は従来技術の試料と比べて大きいため、大面積の平面ＴＥＭ観察が可能となる。
【００３２】
実施例１に係る試料作製装置２０によれば、基板１からの試料２の切り出し（図１（Ａ）参照）からダミー基板９と試料２の切り離し（図１（Ｅ）参照）までの工程で、基板１の移動（搬送）がなく、効率的に試料２を作製することができる。
【実施例２】
【００３３】
本発明の実施例２に係る試料作製方法について図面を用いて説明する。図４は、本発明の実施例２に係る試料作製方法を模式的に示した工程斜視図である。
【００３４】
実施例２に係る試料作製方法は、実施例１に係る試料作製方法で作製した試料２の観察箇所の平面（ＸＹ面）をＴＥＭ観察した結果、観察箇所の断面（ＹＺ面）をＴＥＭ観察したい場合に、試料２の観察箇所のＹＺ面を薄膜化する方法である。なお、観察箇所のＸＺ面をＴＥＭ観察する場合については、実施例３を参照されたい。実施例２に係る試料作製方法は、以下のようにして行われる。
【００３５】
まず、実施例１に係る試料作製方法で作製した試料（図２の２；キャリア６から分離したもの）の突出部２ｅの側面（段差側の面）をダミー基板１０の平面に接するようにして、試料２をダミー基板１０に貼り付ける（図４（Ａ）参照）。
【００３６】
次に、ダイサー（図示せず）を用いて、試料２の薄膜加工面２ａ（ＸＹ面）のＸ軸方向の両外側の余分なダミー基板１０と試料２を除去するように、ダミー基板１０と試料２の組立体をＹ軸方向（試料２の突出部２ｅの端面と平行）に切削して、薄膜加工面２ａを含む試料２とダミー基板１０の組立体を切り出す（図４（Ｂ）参照）。ここでは、薄膜加工面２ａを切削しないようにする。
【００３７】
次に、切り出した薄膜加工面２ａを含む試料２とダミー基板１０の組立体のＹＺ面がキャリア６（Ｃリング等）の平面に接するとともに試料２がキャリア６の上端面からはみ出すようにして、当該組立体をキャリア６に貼り付ける（図４（Ｃ）参照）。
【００３８】
そして、ＦＩＢ装置を用いて、ＦＩＢ４を試料２の薄膜加工面２ａの法線方向から照射することにより、ＴＥＭ観察の際に電子線が透過する厚さになるように、試料２の観察箇所を断面的（ＹＺ面；試料２の突出部２ｅの端面と平行）に薄膜化し、薄膜加工面２ｃを形成する（図４（Ｃ）参照）。観察箇所を断面的（ＹＺ面）に薄膜化することとは、観察箇所における試料２の突出部２ｅの端面と平行な断面間の膜厚を薄くすることである。こうして作成された試料２の薄膜加工面２ｃに電子を照射してＴＥＭ観察・評価を行う。
【００３９】
実施例２によれば、試料２の薄膜加工面２ａを破損することなく、薄膜加工面２ｃを形成することができ、多面的にＴＥＭ観察・評価を行うことが可能となる。
【実施例３】
【００４０】
本発明の実施例３に係る試料作製方法について図面を用いて説明する。図５、図６は、本発明の実施例３に係る試料作製方法を模式的に示した工程斜視図である。
【００４１】
実施例３に係る試料作製方法は、実施例１に係る試料作製方法で作製した試料２の観察箇所の平面（ＸＹ面）をＴＥＭ観察した結果、観察箇所の断面（ＸＺ面）をＴＥＭ観察したい場合に、試料２の観察箇所のＸＺ面を薄膜化する方法である。なお、観察箇所のＹＺ面をＴＥＭ観察する場合については、実施例２を参照されたい。実施例３に係る試料作製方法は、以下のようにして行われる。
【００４２】
まず、実施例１に係る試料作製方法で作製した試料２の突出部２ｅの側面（段差側の面）をダミー基板１０の平面に接するようにして、試料２をダミー基板１０に貼り付ける（図５（Ａ）参照）。
【００４３】
次に、ダイサー（図示せず）を用いて、試料２の薄膜加工面２ａ（ＸＹ面）のＸ軸方向の両外側の余分なダミー基板１０と試料２を除去するように、ダミー基板１０と試料２の組立体をＹ軸方向（試料２の突出部２ｅの端面と平行）に切削して、薄膜加工面２ａを含む試料２とダミー基板１０の組立体を切り出す（図５（Ｂ）参照）。ここでは、薄膜加工面２ａを切削しないようにする。なお、ここでのＹ軸方向の切削は省略してもよい。
【００４４】
次に、ダイサー（図示せず）を用いて、試料２の薄膜加工面２ａ（ＸＹ面）のＹ軸方向の両外側の余分なダミー基板１０と試料２を除去するように、ダミー基板１０と試料２の組立体をＸ軸方向（基板２の突出部２ｅの端面と直角）に切削して、薄膜加工面２ａを含む試料２とダミー基板１０の組立体を切り出す（図６（Ａ）参照）。ここでは、薄膜加工面２ａを切削しないようにする。
【００４５】
次に、切り出した薄膜加工面２ａを含む試料２とダミー基板１０の組立体のＸＺ面がキャリア６（Ｃリング等）の平面に接するとともに試料２がキャリア６の上端面からはみ出すようにして、当該組立体をキャリア６に貼り付ける（図６（Ｂ）参照）。
【００４６】
そして、ＦＩＢ装置を用いて、ＦＩＢ４を試料２の薄膜加工面２ａの法線方向から照射することにより、ＴＥＭ観察の際に電子線が透過する厚さになるように、試料２の観察箇所を断面的（ＸＺ面；試料２の突出部２ｅの端面と直角）に薄膜化し、薄膜加工面２ｄを形成する（図６（Ｂ）参照）。観察箇所を断面的（ＸＺ面）に薄膜化することとは、観察箇所における試料２の突出部２ｅの端面と直角な断面間の膜厚を薄くすることである。こうして作成された試料２の薄膜加工面２ｄに電子を照射してＴＥＭ観察・評価を行う。
【００４７】
実施例３によれば、試料２の薄膜加工面２ａを破損することなく、薄膜加工面２ｄを形成することができ、多面的にＴＥＭ観察・評価を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例１に係る試料作製方法を模式的に示した工程斜視図である。
【図２】本発明の実施例１に係る試料作製方法の薄膜化工程を模式的に示した斜視図である。
【図３】本発明の実施例１に係る試料作製方法で用いる試料作製装置の構成を示した模式図である。
【図４】本発明の実施例２に係る試料作製方法を模式的に示した工程斜視図である。
【図５】本発明の実施例３に係る試料作製方法を模式的に示した第１の工程斜視図である。
【図６】本発明の実施例３に係る試料作製方法を模式的に示した第２の工程斜視図である。
【図７】従来例に係る試料作製方法を模式的に示した工程斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  基板
２  試料
２ａ、２ｃ、２ｄ  薄膜加工面
２ｂ  マーク
２ｅ  突出部
３  マイクロプローブ
４  ＦＩＢ（収束イオンビーム）
５  接着剤
６  キャリア
７  接着剤
８  電子
９、１０  ダミー基板
２０  試料作製装置
２１  ダイサー
２２  設置台
２２ａ  ポジショナ
２２ｂ  ホットプレート
２３  把持機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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