(57)【要約】【課題】光照射による電析膜の形成方法を用いて、大面積の基板にわたって精度よく所望の膜厚の電析膜を形成することを目的とする。【解決手段】光源ユニット１０３のいずれかの面の上に電極１０２が設けられていて、電極１０２と半導体層が形成される基板１０１とが金属イオンを含有する電解液１０６の中で半導体層が電極１０２と対向するように置かれていて、基板１０１と電極１０２とに電圧を加えつつ光励起キャリアを生成する波長の光を光源ユニット１０３から基板１０１上に照射することで基板１０１上に電析膜を形成する電析膜の形成方法において、電極１０２は、光源ユニット１０３からの光を部分的に透過するスリットを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源ユニットのいずれかの面の上に電極が設けられていて、該電極と半導体層が形成される基板とが金属イオンを含有する電解液の中で該半導体層が前記電極と対向するように置かれていて、前記基板と前記電極とに電圧を加えつつ光励起キャリアを生成する波長の光を前記光源ユニットから前記基板上に照射することで前記基板上に電析膜を形成する電析膜の形成方法において、
前記電極は、前記光源ユニットからの光を部分的に透過するスリットを有することを特徴とする電析膜の形成方法。
【請求項２】
前記スリットは、縞状に形成されることを特徴とする請求項１記載の電析膜の形成方法。
【請求項３】
前記電極は、前記金属イオンと同じ種類の金属を含有していることを特徴とする請求項１又は２記載の電析膜の形成方法。
【請求項４】
前記電極と前記光源ユニットとの間には、遮光用のフィルターが設けられていることを特徴とする請求項２又は３記載の電析膜の形成方法。
【請求項５】
前記スリットには、レンズが設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の電析膜の形成方法。
【請求項６】
前記レンズは凸レンズであることを特徴とする請求項５記載の電析膜の形成方法。
【請求項７】
前記レンズは凹レンズであることを特徴とする請求項５記載の電析膜の形成方法。
【請求項８】
前記基板は帯状であり、
前記基板は前記電析膜の形成の際に一定の速度で搬送され、
前記縞状のスリットは前記基板の搬送方向と略直交するように形成され、
前記光源ユニットから照射される光の強度を周期的に変化させることを特徴とする請求項６記載の電析膜の形成方法。
【請求項９】
前記スリットのピッチを、光の強度変化の１周期に対応する前記基板の移動距離の整数倍となるように設けることを特徴とする請求項８記載の電析膜の形成方法。
【請求項１０】
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とにより構成されるｐｎ接合が基板上に形成され、該ｐｎ接合の上に透明導電膜が形成される薄膜太陽電池の製造方法において、
前記透明導電膜が、請求項１から９のいずれか１項記載の電析膜の形成方法によって形成されることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
前記金属イオンは、亜鉛イオンであることを特徴とする請求項１０記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
前記透明導電膜の膜厚が、集電電極からの距離が大きくなるに従って減少するように、前記光の強度を変化させて前記透明導電膜を形成することを特徴とする請求項１０又は１１記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１３】
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とにより構成されるｐｎ接合が基板上に形成され、該ｐｎ接合の上に透明導電膜が形成される薄膜太陽電池において、
前記透明導電膜の膜厚が、集電電極からの距離が大きくなるに従って減少することを特徴とする薄膜太陽電池。
【請求項１４】
前記ｐ型半導体層とｎ型半導体層との界面に高抵抗バッファ層が設けられていることを特徴とする請求項１３記載の薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電析膜の形成方法、薄膜太陽電池及びその製造方法に関し、特に、化合物半導体薄膜を用いた電析膜の形成方法、薄膜太陽電池及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体薄膜上に電析法を用いて電析膜を形成する方法として、半導体表面に光照射しながら外部電源から電流を供給する方法が開示されている（例えば、特許文献１を参照）。これにより、大電流を流すことなく電析薄膜を形成することが可能になるため、半導体層への損傷を抑えることが可能になる。
【０００３】
一方、薄膜太陽電池の一候補として、近年カルコパイライト構造をもつ化合物半導体薄膜の太陽電池の開発が盛んに進められている。
【０００４】
これらの太陽電池はｐｎへテロ接合を有し、光吸収層であるｐ型半導体層は例えばＣｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓ２、Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２が用いられている。
【０００５】
ｎ型半導体層は、硫化カドミウムやＺｎＯ(酸化亜鉛)系薄膜が一般的に用いられており、ＣＢＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｂａｔｈ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やスパッタ法で形成されている。
【０００６】
透明導電膜としては、ＺｎＯやＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ)が好適に用いられ、製造においてはスパッタ法又はＭＯＣＶＤ法を用いて通常形成されている（例えば、特許文献２を参照）。ＭＯＣＶＤ法は、Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法の略である。
【０００７】
また、透明導電膜としてＺｎＯ膜の別の形成方法として、硝酸イオンと亜鉛イオンを含有する溶液を用いた電気化学法により形成する方法が開示されている（例えば、特許文献３を参照）。
【特許文献１】特開昭６０−１８９９３１号公報
【特許文献２】特開２００６−３３２４４０号公報
【特許文献３】特開平１１−１５０２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、特許文献１には、光の照射法に関する詳細な記載はない。この技術では、良好な特性の電析膜を部分的には形成できても、大面積の基板全面にわたって所望の膜厚を形成することは必ずしも容易ではなかった。
【０００９】
一方、近年太陽電池薄膜用の透明導電膜の形成方法として用いられているＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）は真空設備を用いることや、排ガス処理設備が必要になることから、高コスト化が避けられなかった。
【００１０】
従来の透明導電膜の製造方法では場所ごとに精度よく膜厚を制御することは困難であったため、抵抗ロスによる出力低下を起こさないように集電電極近傍の電流値にあわせて膜厚が設計されていた。つまり、集電電極から距離が遠く、太陽電池動作時の電流が少ないような場所では必要以上に厚い透明導電膜が形成されていた。
【００１１】
透明導電膜は各波長に対して有限の吸収率を持つため、厚いほど光透過率が低下し、光電流の低下の原因になる。
【００１２】
この対策として、透明電極膜の厚さを集電電極からの距離によって精度よく変化させることが有効となるが、従来の方法では局所的な膜厚を精度よく制御することができなかった。
【００１３】
そこで、本発明は、光照射による電析膜の形成方法を用いて、大面積の基板にわたって精度よく所望の膜厚の電析膜を形成することを目的とする。
【００１４】
特に、薄膜太陽電池の透明導電膜の製造方法において、光照射による電析法を用いることで、膜厚の制御性を高めて大面積の基板に低コストで薄膜太陽電池を製造できる方法を提供することを目的とする。
【００１５】
さらに、高い電析膜の膜厚制御性を用いることで、より高効率な薄膜太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、光源ユニットのいずれかの面の上に電極が設けられていて、該電極と半導体層が形成される基板とが金属イオンを含有する電解液の中で該半導体層が前記電極と対向するように置かれていて、前記基板と前記電極とに電圧を加えつつ光励起キャリアを生成する波長の光を前記光源ユニットから前記基板上に照射することで前記基板上に電析膜を形成する電析膜の形成方法において、前記電極は、前記光源ユニットからの光を部分的に透過するスリットを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、対向電極がスリットからなり、スリットの背面より前記光を照射することで、基板側への光照射領域と光照射強度を精度よく制御することが可能になる。そのため、半導体層が形成されている大面積基板において、電析膜の膜厚の制御性を高めることが可能になる。
【００１８】
また、本発明によれば、大面積基板上において、透明導電膜の形成に電析法という低コストの形成方法を用いることが可能になるため、従来のスパッタ法やＭＯＣＶＤ法に比べて低コストの薄膜太陽電池の製造が可能になる。
【００１９】
さらに、本発明によれば、透明導電膜から集電電極までの距離が大きくなるに従って、透明導電膜の膜厚を連続的又は段階的に減少するように形成する。そのため、太陽電池に入射する光のうち、これまで透明導電膜で吸収されていた光の一部を透過できるようになり、高効率の薄膜太陽電池の形成が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態としての電析膜の形成方法において使用される装置を示す模式斜視図である。
【００２２】
図１において、１０１は基板、１０２は対向電極、１０３は光源ユニット、１０４はＤＣ電源、１０５は電界槽、１０６は電解液、１０７は給電電極である。
【００２３】
また、１０８、１０９は基板上の方向を示すものであり、１０８は給電電極と平行の方向でＸ方向、１０９は給電電極１０７と垂直の方向でＹ方向と定義する。
【００２４】
ｐ型半導体層とｎ型半導体層とによりｐｎ接合が形成されている基板１０１を電解液１０６が充填されている電界槽１０５内に設置し、対向電極１０２と対向させる。ここで、基板１０１上に形成されている半導体層は光電変換により光励起キャリアを生成できるものであればよい。ｐ型半導体とｎ型半導体によりｐｎ接合が形成されているもののみに限定されるわけではなく、ｐ型半導体又はｎ型半導体どちらか一方だけでもよい。
【００２５】
電解液１０６は金属イオンを含有する電解液で、例えば、金属イオンが亜鉛イオンの場合、０.１ｍｏｌ／ｌから０.００１ｍｏｌ／ｌの硝酸亜鉛水溶液や酢酸亜鉛水溶液が好適に用いられる。
【００２６】
ＤＣ電源１０４の陰極は給電電極１０７を介して基板１０１の裏面側の電極である金属電極(不図示)に接続されており、陽極は対向電極１０２に接続されている。
【００２７】
対向電極１０２は縞状のスリット形状やメッシュ形状等の所望の形状をしており、後方に設置されている光源ユニット１０３から放射される光を透過して基板１０１に照射できる構造になっている。
【００２８】
光源ユニット１０３から放射される光は光電変換に寄与する半導体層のバンドギャップ以上の波長を少なくとも含み、光励起キャリアを生じる波長であればいかなる波長を用いても良い。
【００２９】
また、光源ユニット１０３から放射される光の強度を制御して、基板面内で光照射強度分布を持たせることができる構造になっており、基板内のＸ方向１０８及びＹ方向１０９の各位置で自由に調整が可能になっている。
【００３０】
基板１０１面内の光照射強度の調整には、光源ユニット１０３自体の輝度を調整する方法やスリットの間隔や密度の調整する方法、面内分布をもつ遮光用のフィルターを対向電極１０２の背面に設置する方法等がある。
【００３１】
光源ユニット１０３からあらかじめ設定しておいた光の強度分布で照射するとともに、ＤＣ電源１０４から所望のＤＣ電圧を印加する。このようにすることで、基板面内での光照射強度分布と外部から印加されたＤＣ電圧の大きさにより、所望の膜厚分布を持つ電析膜が半導体層上に形成される。形成される電析膜は、光が照射された領域のみに形成される。
【００３２】
本実施の形態で形成した構造は、対向電極１０２のスリット幅８ｍｍ、対向電極１０２の幅７ｍｍとした。
【００３３】
したがって、電極のピッチは１５ｍｍである。対向電極１０２の厚さは１０ｍｍであるので、あまりスリットが狭いと光源の光が基板１０１に届かない。スリットは５ｍｍ以上が好適である。
【００３４】
対向電極１０２と給電電極１０７の距離は１０ｍｍから２０ｍｍで変化させた。２枚の電極間の距離が短くなりすぎると電界分布が不均一となる。
【００３５】
また、長くなりすぎると装置が大きくなり、電解液も多量に必要となる。
【００３６】
したがって、実効的には５ｍｍ〜５０ｍｍが望ましい。
【００３７】
特許文献１に記載される電析法では、面内分布を制御することが困難であったが、本実施の形態のように、スリットを持つ対向電極の背面より光を照射することで、制御良く所望の位置に所望の膜厚の電析膜を形成できる。特に、大面積の基板を用いた場合、面内分布を制御することが困難であったが、これが解決された。
【００３８】
つまり、これまで大面積基板では、基板全面にわたって所望の膜厚を得ることは困難であったが、スリットの位置や幅又は基板１０１と対向電極１０２の距離を自由に変えることで、所望の膜厚を得ることが可能になる。
【００３９】
また、スリットが対向電極１０２を兼ねているために、基板１０１に対して均一な電界分布を形成しやすくなるため、電気化学反応による電析膜の均一性が向上する。
【００４０】
さらに、対向電極１０２の材料を電析膜として基板上に形成される金属材料と同一の種類のものを用いることが好ましい。
【００４１】
それにより電析膜の形成とともに減少する金属イオンを対向電極から直接供給できるようになる。スリット状の対向電極が、電析膜が形成される基板の領域とほぼ同等の領域に対向して存在するため、金属イオン濃度の分布が少ない電解液を維持して均一性を向上することができる。
【００４２】
図２は、図１において対向電極と光源ユニットとの間に遮光用のフィルターを挿入した例を示す概略断面図である。
【００４３】
このようにすることで、基板の給電電極と垂直な方向に光照射強度分布をもたせて電析膜を形成することができる。
【００４４】
本実施形態は、給電電極から基板までの距離による電圧降下により、大面積の基板に印加される電界が基板内位置によって異なる場合の電析膜の形成方法である。
【００４５】
図２において、２０１は基板、２０２は対向電極、２０３は光源ユニット、２０４はフィルター、２０５は給電電極、２０６は給電電極と垂直な方向（Ｙ方向）である。
【００４６】
対向電極２０２と光源ユニット２０３の間に挿入されたフィルター２０４は基板２０１のＹ方向２０６に所望の光照射強度分布を形成する。
【００４７】
従来、大面積基板においては、光の照射強度が同じであっても、給電電極から各基板内位置までの距離に依存して電圧降下の大きさが異なるために、形成される電析膜の膜厚が異なっていた。
【００４８】
つまり半導体層中にかかる外部電界の大きさが異なると、励起されたキャリアが外部に取り出される割合が変わり、流れる電流量が変化して形成される膜厚に分布が生じる。
【００４９】
したがって、給電電極２０５と垂直な基板のＹ方向２０６で膜厚分布が形成される。本実施の形態では、Ｙ方向２０６に所望の光の照度分布を意図的につけることで形成される電析膜を均一に形成する方法を提供する。
【００５０】
対向電極２０２が縞状のスリットの場合、透過光量が給電電極２０５からの距離に比例して増加するように、対向電極２０２と光源ユニット２０３の間に遮光用のフィルター２０４を装着することで均一な膜厚を形成できる。
【００５１】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態としての電析膜の形成方法に使用される光源ユニットと対向電極とを示す模式断面図である。
【００５２】
本実施形態においては、対向電極のスリットにレンズを挿入することでより制御性の高い膜厚分布をもつ電析膜の形成方法を示す。
【００５３】
図３において、５０１は基板、５０２は対向電極、５０３は光源ユニット、５０４は凹レンズ、５０５は凸レンズである。
【００５４】
対向電極５０２のスリットに凹レンズ又は凸レンズを装着することで光の照射範囲と照射強度の制御性を向上させることができる。
【００５５】
例えば、図３（ａ）のように、対向電極５０２と基板５０１との距離をある程度近づける必要がある場合に、スリットの間隔だけでは基板全面にわたって均一な光照射強度が得られないことがある。
【００５６】
そのときは凹レンズ５０４を装着して、光が到達し難い場所にも光を供給することができる。
【００５７】
また、基板内で微細な膜厚分布を形成したい場合には、図３（ｂ）のように凸レンズ５０５をスリットに装着して光の照射エリアを焦点位置近傍に絞り、電析膜が形成される領域を限定することで所望の膜厚分布を形成できる。
【００５８】
これは、以降の第３の実施形態で説明する基板搬送による形成方法と組み合わせることでより制御性を向上させることができる。
【００５９】
（第３の実施形態）
図４は、本発明の第３の実施形態としての電析膜の形成方法を用いて長尺の帯状基板に電析膜を形成する装置の一例を示す模式断面図である。
【００６０】
本実施形態においては、搬送している基板上に周期的な膜厚分布を持つ電析膜を形成する方法を示す。
【００６１】
図４において、３０１は長尺の帯状基板、３０２は対向電極、３０３は光源ユニット、３０４はＤＣ電源、３０５はスリット、３０６は電解液、３０７は送り出しローラー、３０８は巻き取りローラーである。
【００６２】
帯状基板３０１は送り出しローラー３０７から送り出されて巻き取りローラー３０８に巻き取られる。
【００６３】
対向電極３０２には縞状のスリット３０５が基板の搬送方向と略直交するように形成されている。
【００６４】
帯状基板３０１にはあらかじめ半導体薄膜が形成されている。光源ユニット３０３から放射された所望の波長の光がスリット３０５を通って帯状基板３０１に部分的に照射される。
【００６５】
また、スリット３０５には凸レンズが装着されており、光源ユニット３０３から放射された光が基板３０１上の狭い照射エリア幅に収束するように選択されている。
【００６６】
ＤＣ電源３０４の陽極を対向電極３０２に、陰極を基板３０１に接続し、所望の電圧を印加すると電解液３０６中に溶けている金属イオンが陰極で電気化学反応を起す。その結果、帯状基板３０１上に金属又はその化合物の電析膜が形成される。
【００６７】
このとき、基板の搬送速度を一定として、光源ユニットから放射される光の強度を周期的に変化させることで、堆積する電析膜の膜厚を制御することが可能になる。
【００６８】
特に、スリットのピッチを、光の強度変化の１周期に対応する基板の移動距離の整数倍となるように設けることで、長尺基板の長手方向に周期的な膜厚分布を持った電析膜を形成できる。
【００６９】
例えば、スリットのピッチが３０ｍｍ、光の照射エリア幅が１０ｍｍとし、光の強度変化の周期を１秒（ｓｅｃ）、基板の搬送速度を１０ｍｍ／ｓｅｃと設定する。
【００７０】
すなわち、基板の搬送方向におけるスリットの長さは１０ｍｍ、対向電極の長さは２０ｍｍとした。
【００７１】
このような製造装置及び方法によって、１０ｍｍ間隔で基板の搬送方向に平行な方向に周期的な膜厚分布を持った電析膜を形成することができる。
【００７２】
また、周期的な膜厚分布を形成するためには光の強度変化の１周期に対応する基板の移動距離が少なくとも光の照射エリア幅よりも大きい必要がある。
【００７３】
また、周期的な膜厚分布の間隔を短くする場合には、スリット３０５に装着されている凸レンズの焦点を絞って狭くするとともに、搬送速度を速くして電析膜を形成すればよい。
【００７４】
以上のように、大面積の長尺基板上に制御性良く電析膜を形成することができる。さらに、周期的な膜厚分布を持った電析膜を形成することが可能になる。
【００７５】
（第４の実施形態）
図５は、本発明の第４の実施形態としての電析膜の形成方法で電析膜が形成された薄膜太陽電池の構造を示す概略断面図である。
【００７６】
図５において、４０１は基板、４０２は金属電極、４０３はｐ型半導体層、４０４はｎ型半導体層、４０５は透明導電膜、４０６は集電電極であり、基板４０１上に順次積層されている。
【００７７】
基板４０１はＳＵＳのような導電性基板であってもよく、またソーダライムガラスのような絶縁性基板であってもよい。
【００７８】
金属電極４０２は、高融点金属が望ましく、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等が用いられ、スパッタ法等により形成される。
【００７９】
ｐ型半導体層４０３は、ｐ型の化合物半導体薄膜である。ｐ型半導体層４０３の材料には、以下のものが好適に用いられる。
【００８０】
カルコパイライト型構造を持つ二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）
二セレン化銅インジウムガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ２）
ケステライト構造又はスタナイト構造を持つ四硫化二銅亜鉛スズ（Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４）
ｐ型半導体層４０３は、蒸着法又はセレン化法（若しくは硫化法）等により形成される。
【００８１】
ｎ型半導体層４０４は、ｐ型半導体層４０３と良好なｐｎ接合を形成できるｎ型半導体薄膜が用いられ、硫化カドミウム薄膜やＺｎＯ薄膜等が好適に用いられる。
【００８２】
また、透明導電膜４０５は高い透過率と導電率を兼ね備えている酸化亜鉛（ＺｎＯ）やインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）等が好適であり、特に電析法で低抵抗膜が形成できるＺｎＯ膜が望ましい。
【００８３】
透明導電膜４０５の形成は、上記の実施形態で示した電析膜の形成方法を用いる。
【００８４】
隣り合う集電電極４０６の間隔は６ｍｍとした。このように微細な周期構造を作成するには図３で示したレンズつきのスリットを用いることが有効である。照射エリアの幅が０.６ｍｍとなるようレンズで集光する光源ユニットを用いた。
【００８５】
形成されるＺｎＯ膜はボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、硫黄（Ｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の不純物元素をドーピングすることで導電率やバンド不整合を調整することが好ましい。
【００８６】
ここではｎ型半導体層と透明導電膜が異なる膜の積層構造の構成を示しているが、ＺｎＯ膜のようにｎ型半導体層と透明導電膜とを兼用できるものでもよい。
【００８７】
集電電極４０６は低抵抗な金属である銀（Ａｇ）やＡｌが好適に用いられ、スパッタ法、蒸着法、スクリーンプリンティング法等いかなる方法を用いても良い。
【００８８】
ここで、本実施形態の太陽電池では透明導電膜４０５の膜厚は集電電極４０６の近傍で最も厚く形成されており、集電電極４０６からの距離が大きくなるに従って連続的又は段階的に減少するように形成されている。
【００８９】
一定に形成した場合と膜厚に分布を持たせて形成した場合で、透明導電膜の抵抗値による電力損失が同じになるように計算すると、透明導電膜の必要堆積量は、一定の場合に比べて最大で７５％に減少できる。
【００９０】
例えば、膜厚が１.６μｍで一定の透明導電膜に対して、分布を持たせることで平均膜厚を１.２μｍまで減少することが可能になる。
【００９１】
したがって、透明導電膜としてＺｎＯを用いた場合、太陽光の透過率損の改善から光電流量の向上が可能になる。
【００９２】
このように、従来の太陽電池においては透明導電膜の膜厚が一定のため、光電流の必要以上の損失により光電変換効率を低下させる要因となっていた。
【００９３】
そこで、本実施形態の方法を用いることで、微小な領域に透明導電膜４０６の膜厚を変化させて形成できるようになり、太陽電池の発電時の電流密度を向上させることができるようになる。そのため、より高効率の太陽電池を提供できるようになる。
【００９４】
また、図５には記載していないが、ｐ型半導体層とｎ型半導体層の界面に高抵抗バッファ層を挿入してもよい。
【００９５】
高抵抗バッファ層はｐ型半導体表面に低抵抗の部分が存在すると良好なｐｎ接合が形成できない場合があるため、それを補償する役割を果たす。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明は、化合物半導体薄膜を用いた薄膜太陽電池及びその製造の際に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１の実施形態としての電析膜の形成方法において使用される装置を示す模式斜視図である。
【図２】図１において対向電極と光源ユニットとの間に遮光用のフィルターを挿入した例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態としての電析膜の形成方法に使用される光源ユニットと対向電極とを示す模式断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態としての電析膜の形成方法を用いて長尺の帯状基板に電析膜を形成する装置の一例を示す模式断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態としての電析膜の形成方法で電析膜が形成された薄膜太陽電池の構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１  基板
１０２、２０２、３０２、５０２  対向電極
１０３、２０３、３０３、５０３  光源ユニット
１０４、３０４  ＤＣ電源
１０５  電解槽
１０６、３０６  電解液
１０７、２０５  給電電極
１０８  Ｘ方向
１０９、２０６  Ｙ方向
２０４  フィルター
３０５  スリット
３０７  送り出しローラー
３０８  巻き取りローラー
４０２  金属電極
４０３  ｐ型半導体層
４０４  ｎ型半導体層
４０５  透明導電膜
４０６  集電電極
５０４  凹レンズ
５０５  凸レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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