(57)【要約】【課題】  視認性を阻害することなく限られたスペースにマーク情報を刻印することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  配線基板１上に形成された半導体チップ６を覆う封止部１０を有する半導体装置１００であって、封止部１０の上面に形成された第１のマーク１１と、第１のマーク１１の形成領域内に第１のマーク１１よりも小さく形成された第２のマーク１２とを有する。【選択図】  図１
2009141126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に形成された半導体チップを覆う封止部を有する半導体装置において、
封止部の上面に形成された第１のマークと、
第１のマークの形成領域内に第１のマークよりも小さく形成された第２のマークとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のマークは、前記第１のマークの視認性を阻害することなく前記第１のマークの形成領域内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のマークには固定な識別情報が付加されており、前記第２のマークには可変な生産情報が付加されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１のマークの識別情報はメーカ名又は製品名を含み、前記第２のマークの生産情報は製品の製造ロット番号又は製造日を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のマークは、前記第１のマークの形成領域内の余白に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２のマークをドットにて形成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２のマークを前記第１のマークの形成領域内の複数箇所に形成したことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記配線基板上と前記半導体チップとはワイヤにより接続されており、前記第２のマークはワイヤ接続部の無い領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のマークは、前記封止部内の第１の深さに第１の刻印面として形成され、
前記第２のマークは、前記封止部内の前記第１の深さよりも深い第２の深さに第２の刻印面として形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１のマーク及び前記第２のマークに付加された情報は、光学認識装置の焦点位置を変更することにより切り分けて認識することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２のマークを形成する角度を、前記第１のマークを形成する角度と異なる角度に設定したことを特徴とする請求項９に半導体装置。
【請求項１２】
前記第１のマーク及び前記第２のマークに付加された情報は、光学認識装置の角度を変更することにより切り分けて認識することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
少なくとも前記第２のマークは視認不可能なマークであり、超音波映像装置を用いて認識されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２のマークには、前記第１のマークとは異なる色が付されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
配線基板上に半導体チップを形成し、
半導体チップを覆うように封止部を形成し、
封止部の上面に第１のマークを形成し、
第１のマークの形成領域内に第１のマークよりも小さく第２のマークを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１のマーク及び前記第２のマークは、マーク表示される情報が形成されたガラスマスクを有するレーザーマーク装置により形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１のマーク及び前記第２のマークは、不良品には形成しないようにしたことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２のマークは、レーザーで直接印字されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２のマークに付加される情報は、装置プログラムを変更することにより可変に設定されることを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第２のマークに付加される情報は、生産情報を含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記封止部を形成する工程において、モールド金型の上型のキャビティ部に凸部を形成しておき、キャビティ部内に封止樹脂を流し込みモールドすることにより、前記封止部の上面に前記第１のマークを凹部として形成することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板上に形成された半導体チップを覆う封止部を有する半導体装置及びその製造方法に関し、特に、封止部の上面に所定のマークが付された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の技術の発展に伴い、携帯電話機等の小型・薄型の電子機器に搭載するため、半導体装置の小型化が進んでいる。これに伴い、半導体装置に刻印されるマーク等の形成スペースは小さくなっている。しかしながら、製品のトレーサビリティを向上するために、製品型番以外の情報（生産ロット番号等の生産情報等）を製品に付加するニーズもある。
【０００３】
従来、製品のロット番号等の生産情報を半導体装置にマークする技術としては、例えば特開２０００−１８３２３８号公報（特許文献１）がある。その概要は、識別マークを表示する表示領域を縦横方向に分割された複数の領域で構成し、それぞれの領域に識別マークを形成したものである。
【０００４】
しかしながら、マークを表示する表示領域が複数に分割されることで、製品のロット番号等の生産情報等も半導体装置に付加することが可能となるが、一つの領域で表示される領域も小さくなってしまい、メーカ名や製品名等の識別マークも小さくなってしまう。これによりメーカ名や製品名等を識別し難くなってしまう恐れがある。さらに、近年は半導体装置の小型化が進んでおり、マークの表示領域も小さくなっている。
【０００５】
また、半導体パッケージ（ＰＫＧ）のマークではないが、限られたスペースに情報をマークする技術としては、特開１１−１６２８００号公報（特許文献２）がある。その概要としては、半導体ウエハのスクライブラインに、２Ｄコード化したドットマークをマーキングするものである。しかしながら、省スペースの部位に情報を書きこむことは可能となるが、２Ｄコード化したドットマークでは、メーカ名や製品名等の識別マークの視認性が悪くなってしまう。また、２Ｄ化したドットマークでは、同一エリアに複数の情報を示すマークを形成することが困難となる。
【０００６】
さらに、本技術による刻印にはマスクを使用するため、製造ロット番号や製造日などのようなフレキシブルに変更したい情報の刻印には適用できないという問題がある。
【０００７】
また、半導体装置の表面にレーザー光線を照射することにより、半導体装置の表面にマークを形成するレーザーマーキング技術としては、例えば特開２００２−１１３５８４号公報（特許文献３）がある。本技術による刻印は、（１）刻印層は１層のみのため単位面積あたりの刻印数が少ない、（２）ＰＫＧの封止層の上に、色下地層、その上に表面層を形成する必要があり層形成の工数が増えるという問題がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１８３２３８号公報
【特許文献２】特開平１１−１６２８００号公報
【特許文献３】特開２００２−１１３５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的は、視認性を阻害することなく限られたスペースにマーク情報を刻印することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、一定面積にサイズ、深さ、色あるいは場所を調整して複数のマーク情報を刻印することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
また、本発明のさらに他の目的は、製造ロット番号や製造日などのようなフレキシブルに変更したい情報の刻印に適用可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明では、配線基板上に形成された半導体チップを覆う封止部を有する半導体装置において、封止部の上面に形成された第１のマークと、第１のマークの形成領域内に第１のマークよりも小さく形成された第２のマークとを有する。
【００１３】
好ましくは、前記第２のマークは、前記第１のマークの視認性を阻害することなく前記第１のマークの形成領域内に形成されている。
【００１４】
好ましくは、前記第１のマークには固定な識別情報が付加されており、前記第２のマークには可変な生産情報が付加されている。
【００１５】
例えば、前記第１のマークの識別情報はメーカ名又は製品名を含み、前記第２のマークの生産情報は製品の製造ロット番号又は製造日を含む。
【００１６】
好ましくは、前記第２のマークは、前記第１のマークの形成領域内の余白に形成されている。
【００１７】
また、前記第２のマークをドットにて形成しても良い。
【００１８】
また、前記第２のマークを前記第１のマークの形成領域内の複数箇所に形成しても良い。
【００１９】
好ましくは、前記配線基板上と前記半導体チップとはワイヤにより接続されており、前記第２のマークはワイヤ接続部の無い領域に形成されている。
【００２０】
好ましくは、前記第１のマークは、前記封止部内の第１の深さに第１の刻印面として形成され、前記第２のマークは、前記封止部内の前記第１の深さよりも深い第２の深さに第２の刻印面として形成されている。
【００２１】
ここで、前記第１のマーク及び前記第２のマークに付加された情報は、光学認識装置の焦点位置を変更することにより切り分けて認識することが好ましい。
【００２２】
また、前記第２のマークを形成する角度を、前記第１のマークを形成する角度と異なる角度に設定しても良い。
【００２３】
この場合には、前記第１のマーク及び前記第２のマークに付加された情報は、光学認識装置の角度を変更することにより切り分けて認識することが好ましい。
【００２４】
また、少なくとも前記第２のマークは視認不可能なマークであり、超音波映像装置を用いて認識しても良い。
【００２５】
また、前記第２のマークには、前記第１のマークとは異なる色を付するようにしても良い。
【００２６】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、配線基板上に半導体チップを形成し、半導体チップを覆うように封止部を形成し、封止部の上面に第１のマークを形成し、第１のマークの形成領域内に第１のマークよりも小さく第２のマークを形成する。
【００２７】
好ましくは、前記第１のマーク及び前記第２のマークは、マーク表示される情報が形成されたガラスマスクを有するレーザーマーク装置により形成される。
【００２８】
前記第１のマーク及び前記第２のマークは、不良品には形成しないようにすることが好ましい。
【００２９】
例えば、前記第２のマークは、レーザーで直接印字するようにしても良い。
【００３０】
この場合には、前記第２のマークに付加される情報は、装置プログラムを変更することにより可変に設定されることが好ましい。
【００３１】
例えば、前記第２のマークに付加される情報は、生産情報を含む。
【００３２】
また、前記封止部を形成する工程において、モールド金型の上型のキャビティ部に凸部を形成しておき、キャビティ部内に封止樹脂を流し込みモールドすることにより、前記封止部の上面に前記第１のマークを凹部として形成するようにしても良い。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、視認性を阻害することなく限られたスペースにマーク情報を刻印することができる。
【００３４】
また、一定面積にサイズ、深さ、色あるいは場所を調整して複数のマーク情報を刻印することができる。
【００３５】
さらに、製造ロット番号や製造日などのようなフレキシブルに変更したい情報の刻印ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００３７】
図１は、実施例１のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置（パッケージ）を示す平面図である。図２は、図１Ａ−Ａ’間の断面図である。図３は、図２の半導体装置の表面の一部拡大図である。
【００３８】
図１及び図２に示すように、実施例１の半導体装置１００は、略四角形で所定の配線が形成された配線基板１を有している。配線基板１は、例えば０．２５ｍｍのガラスエポキシ基板であり、所定の配線が形成されている。配線基板１の一面には、複数の接続パッド２が形成されている。また、配線基板１の他面には、複数のランド３が格子状に形成されている。そして、接続パッド２とこれに対応するランド３に隣接する配線端部とは、配線基板１の配線４により電気的に接続されている。また、複数のランド３には、外部端子５となる半田ボールがそれぞれ搭載されており、外部端子５は所定の間隔で格子状に配置されている。
【００３９】
配線基板１の一面の略中央部位には、半導体チップ６が絶縁性の接着剤７を介して接着固定されている。半導体チップ６は、一面に例えば論理回路や記憶回路等（図示せず）が形成されている。また、半導体チップ６の周辺近傍位置には複数の電極パッド８が形成されている。
【００４０】
半導体チップ６の電極パッド８は、それぞれ対応する配線基板１の接続パッド２と導電性のワイヤ９により結線されることで電気的に接続されている。ワイヤ９は、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ等が用いられる。
【００４１】
配線基板１の一面は、半導体チップ６及びワイヤ９を覆うように封止部１０で覆われている。封止部１０は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性の樹脂からなる。
【００４２】
封止部１０の上面には、第１のマーク１１と第２のマーク１２が形成されている。第１のマーク１１は、例えばメーカ名や製品名等の識別マークである。そして、第１のマーク１１の上に、第１のマーク１１より小さい大きさで第２のマーク１２が形成されている。第２のマーク１２は、例えば製品の製造ロット番号や製造日等の生産情報である。第２のマーク１２は、第１のマーク１１上に第１のマーク１１より小さく形成されている。このため、製品（半導体装置１００）の第１のマーク１１の視認性を阻害せずに、第１のマーク１１の形成領域内に生産情報等を付加することができる。
【００４３】
図３に示すように、第１のマーク１１は、封止部１０内の第１の深さ（ＰＫＧ表面３１からＤ１の距離）に第１の刻印面３２として形成されている。第２のマーク１２は、封止部１０内の第１の深さ（Ｄ１）よりも深い第２の深さ（ＰＫＧ表面３１からＤ２の距離）に第２の刻印面３３として形成されている。
【００４４】
第２のマーク１２は第１のマーク１１と異なる深さで形成しているため、図４に示すように、光学認識装置４０の焦点位置を変更することで、第１のマーク１１（図４（ａ）参照）と第２のマーク１２（図４（ｂ）参照）を切り分けて認識することができる。
【００４５】
また、マークは光学認識装置４０でなく、超音波映像装置（図示せず）を用いて認識しても良い。超音波映像装置を用いる場合には、視認不可能な微細な刻印に対しても認識できる。
【００４６】
また、第２のマーク１２は、ワイヤ接続部の無いエリアに設けることで、封止部１０（パッケージ）からワイヤ９を露出させることなく第２のマーク１２を形成できる。
【００４７】
次に、図５を参照して実施例１の半導体装置１００の製造方法を説明する。
【００４８】
まず、実施例１の半導体装置１００の製造に用いる配線母基板５０は、ガラスエポキシ基材からなる基板であり、複数の製品形成領域５１を有している。製品形成領域５１はマトリックス状に配置されており、それぞれの製品形成領域５１間にはダイシングライン５２が形成されている。このダイシングライン５２に沿って配線母基板５０を切断することにより、半導体装置１００の配線基板１となる。
【００４９】
製品形成領域５１は、半導体装置１００の配線基板１と同様の構造であり、一面の半導体チップ６の搭載される部位の周囲には複数の接続パッド２が形成されており、他面側には格子状に配置された複数のランド３が形成されている。接続パッド２と対応するランド３とは配線４を介して電気的に接続されている。このようにして、配線母基板５０が準備される（図５（ａ））。
【００５０】
配線母基板５０はダイボンディング工程に移行され、図５（ａ）に示すように、それぞれの製品形成領域５１の中央領域に半導体チップ６が搭載される。半導体チップ６は図示しないダイボンディング装置により、例えば絶縁性の接着剤７を介して製品形成領域５１に固着される。
【００５１】
次に、配線母基板５０はワイヤボンディング工程に移行され、図５（ｂ）に示すように、半導体チップ６上の電極パッド８とそれに対応する配線基板１の接続パッド２とを、例えばＡｕ等からなる導電性のワイヤ９により結線する。ワイヤボンディングは、図示しないワイヤボンディング装置により、溶融され先端にボールが形成されたワイヤを電極パッド８に超音波熱圧着し、その後、所定のループ形状を描きながら後端を配線基板１の接続パッド２上に超音波熱圧着により接続することで行われる。全ての電極パッド８と接続パッド２とをワイヤ９にて結線する。
【００５２】
次に、ワイヤボンディングの完了した配線母基板５０は、モールド工程に移行される。モールド工程では、図示しないトランスファモールド装置の上型と下型により配線母基板５０を型閉めした状態で、溶融された封止樹脂、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等を充填させ、充填させた状態でキュアする。これにより、封止樹脂が熱硬化し、図５（ｃ）に示すように、複数の製品形成領域５１を一括的に覆う封止部１０が形成される。一括モールドを用いたことにより、効率良く封止部１０を形成することができる。
【００５３】
次に、図５（ｄ）に示すように、封止部１０上に第１のマーク１１が形成される。マーク工程では、例えばレーザーマーク装置等により、配線母基板５０の製品形成領域５１毎に封止体１０の上部に第１のマーク１１が形成される。レーザーマーク装置においては、例えば図６に示すように、ＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ）レーザ等のレーザー発振機６０から発振されたレーザー光が、反射鏡６１を介してマスク６２に到達する。マスク６２としては、例えばガラスマスクが用いられ、マーク表示される文字等が形成されている。マスク６２を通ったレーザー光は結像レンズ６３により製品形成領域５１の封止部１０の表面に到達して所定の第１のマーク１１が刻印される。尚、不良の製品形成領域にはマークを形成しないようにすることで、不良品の識別が容易になる。
【００５４】
配線母基板５０は、製品形成領域５１がマトリックス状に形成されているため、全ての製品形成領域５１に一括的に第１のマーク１１を形成するようにしても良い。一括マーキングにより製造効率が向上する。
【００５５】
また、第２のマーク１２も第１のマーク１１と同様に形成する。尚、第２のマーク１２は、レーザーで直接印字するように形成しても良い。レーザーで直接印字する場合には、装置プログラムの変更で異なるマークを形成できるので、生産情報等のフレキシブルな情報をマークすることができる。
【００５６】
次に、配線母基板５０はボールマウント工程に移行される。ボールマウント工程では、図５（ｅ）に示すように、配線母基板５０の他面のランド３上に半田ボールを搭載することで外部端子５が形成される。ボールマウント工程は、例えばボールマウンターのマウントツール５３により半田ボールを真空吸着し、フラックスを介して半田ボールを配線基板１のランド３上に搭載する。その後、配線母基板５０をリフローすることで半田ボールが外部端子５としてランド３上に接続される。
【００５７】
次に、外部端子５としての半田ボールの搭載された配線母基板５０は、基板ダイシング工程に移行される。基板ダイシング工程では、図５（ｆ）に示すように封止部１０をダイシングテープ５４に貼着固定し、高速回転のダイシングブレード５５により、配線母基板５０のダイシングライン５２を回転研削することで、個々の製品形成領域５１毎に切断・分離する。その後、ダイシングテープ５４から製品形成領域５１をピックアップすることで、図１に示すような半導体装置１００が得られる。
【００５８】
本実施例１によれば、製品型番等の第１のマーク１１（第１層刻印）の可視性を損なうことなく、第２層（第１のマーク１２）以降で生産ロット番号等の生産情報を半導体装置１００に付与できる。これにより、製品のトレーサビリティが向上する。
【００５９】
また、既存のマーク設備でも、文字サイズ及び深さを変えて複数回刻印することで実現可能である。
【００６０】
さらに、目視不能のマークを付与することで、半導体装置１００へのインパクトが少ない部分に識別性が高いサイズ及び 深さでマークを印字できる。
【実施例２】
【００６１】
図７は、実施例２の半導体装置１００のマークを示す要部断面図である。
【００６２】
図７に示すように、第２のマーク１２を形成する角度を、第１のマーク１１を形成する角度と異なる角度で構成したことにより、光学認識装置４０（図４参照）の角度を変更することで、第１のマーク１１と第２のマーク１２の認識を切り分けることができる。
【００６３】
具体的には、第１のマーク１１は、ＰＫＧ表面７１を基準にして、封止部１０内の第１の深さに第１の角度で第１の刻印面７２として形成される。また、第２のマーク１２は、ＰＫＧ表面７１を基準にして、封止部１０内の第２の深さに第２の角度で第２の刻印面７３として形成されている。
【実施例３】
【００６４】
図８は、第１のマーク１１の形成方法の変形例を示す断面図である。
【００６５】
図８（ａ）に示すように、モールド金型８０は上型８１と下型８２とから成り、モールド金型８０の上型８１のキャビティ部８３に第１のマーク１１となる凸部８４を形成しておく。
【００６６】
そして、図８（ｂ）に示すように、キャビティ部８１内に封止樹脂を流し込み一括モールドする。これにより、図８（ｃ）に示すように、それぞれの製品形成領域に第１のマーク１１となる凹部８５が形成される。このようにモールド工程において、第１のマーク１１を形成することで製造効率を向上することができる。
【実施例４】
【００６７】
図９は、第２のマーク１２の変形例を示す平面図である。
【００６８】
図９に示すように第２のマーク１２をドットにて形成することで、第１のマーク１１の小スペース上に表示する情報量を多くできる。
【実施例５】
【００６９】
図１０は、第２のマーク１２の変形例を示す平面図である。
【００７０】
図１０に示すように第２のマーク１２ａ、１２ｂを第１のマーク１１の複数箇所に表示するように構成しても良い。これにより、さらに製品（半導体装置１００）に付加される情報量を多くすることができる。
【００７１】
上記本発明の実施例によれば、第１のマーク１１上に、第１のマーク１１より小さい第２のマーク１２を形成することにより、第１のマーク１１の視認性を阻害せずに、半導体装置１００に表示される製造情報等を増やすことができる。
【００７２】
また、第１のマーク１１と第２のマーク１２とを認識する角度を変更することで、異なるマークを認識できる。
【００７３】
また、第２のマーク１２をドット表示にて形成することにより、第１のマーク１１上の小スペースにたくさんの情報を付加できる。
【００７４】
また、第２のマーク１２を、第１のマーク１１の複数箇所に設けることにより、第１のマーク１１上に形成する情報を増やすことができる。
【００７５】
また、第２のマーク１２を第１のマーク１１より深く形成することにより、認識装置の焦点の深さを変えることで、第１のマーク１１と第２のマーク１２の認識を変更できる。
【００７６】
また、刻印情報は装置プログラムで変更可能に設定でき、装置が保持する生産情報等も刻印情報として刻印できる。これにより、生産情報等のフレキシブルな情報をマークすることができる。
【００７７】
また、刻印深さ及び刻印色の設定範囲は光学認識のみでなく超音波映像装置の可読範囲までも含めることにより、見えないマークを刻印できる。これにより目視不可なマークも製品に付与できる。
【００７８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００７９】
例えば、本実施例ではＢＧＡタイプの半導体装置に適用した場合に適用したが、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ-ｌｅａｄ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等、マーク形成が必要なパッケージであればどのようなパッケージにも適用可能である。
【００８０】
また、上記実施例１では、図３に示すように、第１のマーク１１は、封止部１０内の第１の深さに第１の刻印面３２として形成され、第２のマーク１２は、封止部１０内の第１の深さよりも深い第２の深さに第２の刻印面３３として形成されているが、第２のマーク１２に第１のマーク１１とは異なる色を付すようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施例１の半導体装置を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’間の断面図である。
【図３】図２の半導体装置の表面の一部拡大図である。
【図４】光学認識装置を使用して第１のマークを認識する方法（ａ）と第２のマークを認識する方法（ｂ）とを示す図である。
【図５】本発明の実施例１の半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】レーザーマーク装置を使用して配線母基板の封止体上部に第１のマークを形成する方法を示す図である。
【図７】本発明の実施例２の半導体装置のマークを示す要部断面図である。
【図８】本発明の実施例３に係る第１のマークの形成方法の変形例を示す断面図である。
【図９】本発明の実施例４に係る第２のマークの変形例を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施例５に係る第２のマークの変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  配線基板
２  接続パッド
３  ランド
４  配線
５  外部端子
６  半導体チップ
７  接着剤
８  電極パッド
９  ワイヤ
１０  封止部
１１  第１のマーク
１２  第２のマーク
１００  半導体装置
【図１】
2009141126.tif 000003
【図２】
2009141126.tif 000004
【図３】
2009141126.tif 000005
【図４】
2009141126.tif 000006
【図５】
2009141126.tif 000007
【図６】
2009141126.tif 000008
【図７】
2009141126.tif 000009
【図８】
2009141126.tif 000010
【図９】
2009141126.tif 000011
【図１０】
2009141126.tif 000012