(57)【要約】【課題】より短時間で確実にアーク放電を消弧可能な温度ヒューズを提供する。【解決手段】一対の電極１、２と、電極間に橋架され分断により電極間の導通を遮断する低融点導体３と、低融点導体に接触して設けられ、軟化又は溶融した低融点導体を分断して低融点導体を貫通する絶縁材にてなるセラミック板４と、セラミック板を付勢し、セラミック板に対して低融点導体を分断させて貫通させる付勢力を有する付勢部材５とを備えた。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配置された一対の電極と、
上記電極の融点よりも低い融点を有する導体にてなり、上記電極に接続されて上記電極間に橋架され、分断により上記電極間の導通を遮断する低融点導体と、
上記低融点導体の中央部に接触して設けられ、軟化又は溶融した上記低融点導体の上記中央部を分断して上記低融点導体を貫通する絶縁材にてなる分断部材と、
上記分断部材に接続されて上記分断部材を付勢し、上記分断部材に対して上記低融点導体を分断させ上記低融点導体を貫通させる付勢力を有する付勢部材と、
を備えたことを特徴とする温度ヒューズ。
【請求項２】
上記分断部材は、上記低融点導体を加熱する発熱体を内蔵するヒータにてなる、請求項１記載の温度ヒューズ。
【請求項３】
上記分断部材は、一対のそれぞれの上記電極に接触する外面を有する、請求項２記載の温度ヒューズ。
【請求項４】
上記付勢部材の付勢力は、上記低融点導体を分断後、上記低融点導体の表面より規定量にて上記分断部材の一端を突出させる付勢力である、請求項１から３のいずれか１項に記載の温度ヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機械の回路ショートや回路部品の故障などに起因する過電流によって生じる機器の発熱を感知し回路を遮断する温度ヒューズに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の温度ヒューズとして、絶縁材にてなる支持体と、導体からなる２つの接点要素と、導体からなるヒューズエレメントと、バネ要素とを備えたものが知られている。上記２つの接点要素は、上記支持体上に互いに分離して配置される。上記ヒューズエレメントは、２つの接点要素間に橋渡して配置され、その両端部がそれぞれの上記接点要素に半田付けされている。また、上記バネ要素は、ヒューズエレメントを接点要素から引き離すようにヒューズエレメントを付勢する。
【０００３】
このような構成において、通常温度時では、電流は、一方の接点要素から、当該一方の接点要素とヒューズエレメントとの半田付け部分（以下、第１ヒューズ導体部という。）、ヒューズエレメント、及び他方の接点要素とヒューズエレメントとの半田付け部分（以下、第２ヒューズ導体部という。）を通り、他方の接点要素へと流れる。
【０００４】
一方、過電流等により所定の温度を超えたときには、第１ヒューズ導体部及び第２ヒューズ導体部の少なくとも一方における半田が溶融する。そして、上記バネ要素の付勢力により、ヒューズエレメントと接点要素とが強制的に分離され、２つの接点要素間の電気接続が遮断される。該動作により、電流を遮断するときに妨害となるアーク放電を回避しようとするものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３１７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のような従来の温度ヒューズにあっては、ヒューズ導体部が複数存在し、それぞれのヒューズ導体部の温度上昇は異なることから、それぞれのヒューズ導体部が軟化、溶融するまでの時間がまちまちとなる。よって、電気接続が遮断されるとき、第１ヒューズ導体部及び第２ヒューズ導体部のどちらが溶断するかは、わからず、全てのヒューズ導体部を同時に溶断するのは困難であった。
一方、全てのヒューズ導体部が同時に溶断しなければ、バネ要素の付勢力を用いても、絶縁距離として問題となる沿面放電距離を大きく確保することはできない。
【０００７】
したがって、従来の温度ヒューズでは、溶断したヒューズ導体部間で生じるアーク放電を素早く消弧することができず、アーク放電が継続し続けるという問題があった。
【０００８】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたもので、より短時間で確実にアーク放電を消弧可能な温度ヒューズを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様における温度ヒューズは、対向して配置された一対の電極と、上記電極の融点よりも低い融点を有する導体にてなり、上記電極に接続されて上記電極間に橋架され、分断により上記電極間の導通を遮断する低融点導体と、上記低融点導体の中央部に接触して設けられ、軟化又は溶融した上記低融点導体の上記中央部を分断して上記低融点導体を貫通する絶縁材にてなる分断部材と、上記分断部材に接続されて上記分断部材を付勢し、上記分断部材に対して上記低融点導体を分断させ上記低融点導体を貫通させる付勢力を有する付勢部材とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１態様における温度ヒューズによれば、対向して配置された一対の電極間を低融点導体で接続し、その低融点導体に、絶縁材にてなる分断部材を付勢部材により付勢させて配置した。よって、低融点導体が軟化又は溶融したときには、付勢部材の付勢力により分断部材が低融点導体を分断し、分断部材は低融点導体を貫通する。このように、分断された低融点導体は、その間に絶縁材にてなる分断部材が挟まることにより、低融点導体間の実際の直線距離よりも大きい距離にて隔離されることができる。したがって、第１態様の温度ヒューズによれば、絶縁距離を速やかに確保でき、低融点導体の溶断時に発生するアーク放電を、素早く確実に消弧することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態である温度ヒューズについて、図を参照しながら以下に説明する。尚、各図において、同一又は同様の構成部分については同じ符号を付している。
【００１２】
実施の形態１．
図１から図３を参照して、本発明の実施の形態１による温度ヒューズ１０１について説明する。尚、図１等では、温度ヒューズ１０１の要部のみを図示しており、要部以外の図示は省略している。
【００１３】
温度ヒューズ１０１は、基本的構成部分として、一対の電極１，２と、低融点導体３と、絶縁材にてなる分断部材の機能を果たす一例に相当するセラミック板４と、付勢部材の機能を果たす一例に相当するバネ５とを備え、ここでは、さらに絶縁材にてなる枠材６を備える。
このような温度ヒューズ１０１は、通常状態では、一方の電極、例えば電極１から他方の電極、例えば電極２へ、低融点導体３を介して電流を流し、規定値を超える過剰な電流が電極１，２間に流れたときには、低融点導体３が分断されて、電流の遮断を実行する。
【００１４】
各構成部分について説明する。
一対の電極１、２は、互いに平板状にてなる導体であり、配列方向１１１に沿って所定の間隔をあけて対向し突き合わされて枠体６に固定されている。
低融点導体３は、電極１、２の融点よりも低い融点を有しかつ電極１、２よりも電気抵抗率の大きい材料からなる導体であり、その両端部分にて電極１、２に接続して電極１、２間に橋架させる。又、低融点導体３は、例えば金属にて形成され、例えば半田等が用いられる。尚、図２に示すように、本実施形態では、上記配列方向１１１に直角な幅方向１１２に沿う低融点導体３の幅寸法は、電極１、２の幅寸法に等しいが、電極１、２の幅寸法よりも狭くてもよい。
【００１５】
セラミック板４は、図１に示すように、配列方向１１１において低融点導体３の中央部３ｃに接するようにして、枠材６内に設置される。又、図１に示すように、低融点導体３に接触するセラミック板４の一端４ａに対向する他端４ｂに接して、バネ５が枠材６内に設けられる。よって、セラミック板４は、バネ５の付勢力により、その一端４ａにて低融点導体３を押圧し、後述するように、突出方向１１３に移動して低融点導体３を分断する。ここで、突出方向１１３とは、上記配列方向１１１及び上記幅方向１１２に直交する方向である。尚、電極１、２と、セラミック板４と、バネ５との位置関係が変化しないように、これらは枠材６にて、固定又は配置されている。
【００１６】
セラミック板４の材料は、絶縁体であればよい。本実施形態では、セラミック板４の材料はセラミックであるが、プラスチック等でも、要求を満足する材料であればかまわない。例えばアルミナ等が高融点で絶縁性も高いため適している。このような材料では、例えば厚み１ｍｍ程度の部材が工業的に普及しており、好適である。又、本実施形態では、セラミック板４は、平板状のものを使用するが、セラミック板４の形状は平板に限定されない。
【００１７】
又、後述するように、セラミック板４は、低融点導体３を分断するが、分断された低融点導体３が幅方向１１２に沿ってセラミック板４の側方に流れて、電極１、２間を導通させるのを防止するために、セラミック板４は、図２に示すように、電極１、２の幅寸法を超える幅寸法を有している。尚、好ましくは、電極１、２が延在する配列方向１１１は、水平方向であり、よって、セラミック板４は、鉛直方向に沿って配置される。
【００１８】
バネ５は、図１に示すような巻きバネであるのが好ましいが、セラミック板４を素早く移動させ、低融点導体３を分断できるものであればよく、例えば板バネや皿バネ等でもよい。さらに、セラミック板４を素早く移動させ、低融点導体３を分断できるという機能を有していれば、付勢部材は、バネ材に限定するものではない。例えば、弾力性を有する樹脂材等の弾性部材であってもよい。
【００１９】
以上のように構成される本実施形態の温度ヒューズ１０１における動作について、以下に説明する。
規定値未満の電流が低融点導体３を介して電極１、２に流れているときには、低融点導体３及び電極１、２でのジュール発熱は小さく、低融点導体３が軟化あるいは溶融するまでには至らない。よって、電極１、２間の導通は維持される。
【００２０】
一方、規定値以上の電流が低融点導体３を介して電極１、２に流れたときには、低融点導体３及び電極１、２には、ジュール発熱により比較的大きな温度上昇が生じる。上述のように、低融点導体３の電気抵抗率が電極１、２よりも大きいことから、電極１、２に比して低融点導体３に局所的な温度上昇が発生する。そして低融点導体３の融点付近にまで低融点導体３の温度が上昇することで、低融点導体３は、軟化あるいは溶融する。一方、セラミック板４は、バネ５の付勢力にて低融点導体３を押圧していることから、図３に示すように、セラミック板４は、軟化又は溶融した低融点導体３を分断し、さらに、分断した分断後低融点導体３ａ、３ｂの間に挟まる。これにより、電極１、２間の導通が遮断される。
【００２１】
上述したように、従来の温度ヒューズでは、溶断する部分であるヒューズ導体部が複数存在し、ヒューズ導体部が溶断したときの絶縁距離を大きく確保するためには、全てのヒューズ導体部を同時に分断することが必要となる。複数のヒューズ導体部が存在すると、それぞれのヒューズ導体部での温度上昇は、まちまちであり、それぞれのヒューズ導体部における半田が軟化又は溶融するまでの時間に差が生じる。よって、同時に複数のヒューズ導体部を分断するのは極めて困難であった。
【００２２】
これに対し、本実施形態の温度ヒューズ１０１の構成によれば、電極１、２間を一つの低融点導体３で接続しており、かつ、電極１と電極２との隙間部分にて、低融点導体３が軟化あるいは溶融する。よって、バネ５及びセラミック板４を用いて、確実に低融点導体３を分断することが可能となる。又、低融点導体３が軟化あるいは溶融した後に、セラミック板４により低融点導体３が分断され分断後の低融点導体３ａ、３ｂ間にセラミック板４が挟まれる。よって、電極１，２間における実際の直線距離に比較して、絶縁距離を大きく確保することが可能となる。したがって、回路遮断動作が起こったときに発生するアーク放電を、より短時間で確実に消弧することができる。このように、本実施形態の温度ヒューズ１０１では、高電圧におけるアーク遮断特性が高められている。
【００２３】
本実施形態の温度ヒューズ１０１では、図３に示すように、セラミック板４が反重力方向に移動して低融点導体３を分断するように構成している。一方、上述したようにセラミック板４の移動方向は、図３に示す反重力方向に限定されず突出方向１１３であればよい。又、低融点導体３が軟化あるいは溶融したときに、重力を利用することで、より迅速に低融点導体３の絶縁距離を確保することができる。よって、本実施形態とは逆に、セラミック板４が重力方向に移動するように、温度ヒューズを構成するのがより好ましい。
【００２４】
又、本実施形態の温度ヒューズ１０１の構成において、低融点導体３が分断された後、図３に示すように、セラミック板４の一端４ａは、電極１、２の表面１ａ、２ａを超えて突出する。しかしながら、その突出高さ１１４が十分でない場合や、低融点導体３の量が過剰である場合、又はこれらが組み合わされた場合には、低融点導体３がたとえ分断されても、発生したアーク放電を消弧するために必要な絶縁距離を確保することができず、発生したアーク放電を素早く消弧できない。あるいは、電極１、２間を接続する低融点導体３の面積に、場所による大きな偏りが存在した場合、軟化あるいは溶融した低融点導体３は、セラミック板４によって上手く分断されず、回路遮断がなされないといった事態が発生する。
【００２５】
このような事態を避けるため、電極１、２の表面１ａ、２ａからのセラミック板４の突出高さ１１４、並びに、電極１、２を接続する低融点導体３の量及び形状は、低融点導体３が軟化あるいは溶融したときに、電極１、２間の導通が確実に遮断されるものであるように設定される。即ち、セラミック板４は、軟化あるいは溶融した低融点導体３を確実に分断する高さを少なくとも含む長さを有する。ここで、上記分断する高さとは、図３に示す突出高さ１１４に対応するもので、電極１、２の表面１ａ，２ａからセラミック板４の一端４ａまでの長さである。さらに、バネ５は、軟化あるいは溶融した低融点導体３を確実に分断する高さまで、セラミック板４を移動させるだけの伸び量を有する。
【００２６】
尚、実際には、上述のように低融点導体３の量及び形状が変化することから、セラミック板４の上述の突出高さは、電極１、２の表面１ａ、２ａからではなく、低融点導体３の表面からセラミック板４の一端４ａまでの突出高さとするのが好ましい。
【００２７】
具体的には、セラミック板４の上記突出高さについて、低融点導体３の表面より概ね２ｍｍ以上、セラミック板４の一端４ａが突出していれば、数百Ｖ程度の電圧において、アーク放電を素早くかつ確実に消弧可能であることがわかっている。つまり、上記突出高さは、低融点導体３を分断後、アーク放電を素早くかつ確実に消弧するための長さである、と言える。よって、セラミック板４の上記突出高さは、低融点導体３の表面より約２ｍｍ以上、より好ましくは５ｍｍ以上である。又、低融点導体３は、セラミック板４が接している位置より軟化あるいは溶融し、分断されたときには、電極１、２の導通を遮断する量と形状を有する。
【００２８】
尚、セラミック板４の形状は、本実施形態に示すような平板に限定されるものではない。即ち、セラミック板４は、低融点導体３が軟化あるいは溶融したときに、低融点導体３を分断し、分断した低融点導体３間にて生じるアーク放電を素早く消弧させる形状であればよい。例えば、セラミック板４は、三角形の断面や、円形の断面等を有していてもよい。又、セラミック板４の全体は平板状であり、セラミック板４の一端４ａのみを凸形状、例えば三角形や、円形の断面にて形成してもよい。要するに、セラミック板４は、軟化あるいは溶融した低融点導体３を確実に分断可能な形状であればよく、好ましくは、低融点導体３の分断時に、低融点導体３の一部が意図せぬ方向へ飛散せず、確実に電極１、２側へ分断可能な形状が良い。
【００２９】
又、実施形態１の温度ヒューズ１０１は、上述の構成を有する限り、その形状は、自由に変更可能である。例えば図４に示す温度ヒューズ１０２のような形状でもかまわない。図４において、符号２１、２２は電極であり、上述の電極１、２に対応する。符号２３は低融点導体であり、上述の低融点導体３に対応する。符号２４は、分断部材に相当するセラミック板であり、上述のセラミック板４に対応する。符号２５は、付勢部材に相当するバネであり、上述のバネ５に対応する。符号２６は枠材であり、上述の枠材６に対応する。
【００３０】
尚、温度ヒューズ１０２の構成において、低融点導体２３が分断された後、分断後の低融点導体がバネ２５を通じて再び電極２１、２２間を導通されることがないように、バネ２５の周囲を絶縁体の枠材２６で覆い、バネ２５の片端を枠材２６に固定する等、の対策を講じるのが望ましい。
【００３１】
実施の形態２
図５は、本発明の実施の形態２による温度ヒューズ１０３を示している。尚、図５等では、温度ヒューズ１０３の要部のみを図示しており、要部以外の図示は省略している。
【００３２】
本実施形態２の温度ヒューズ１０３と、上述した実施形態１における温度ヒューズ１０１との相違点は、セラミック板４に代えてセラミックヒータ３８を設け、セラミックヒータ３８の外面３８ｃが電極３１、３２に接触するように構成した点である。ここで、セラミックヒータ３８は、分断部材の機能を果たす一例に相当する。
【００３３】
尚、図５において、符号３１、３２は、上述の電極１、２に対応する。符号３３は低融点導体であり、上述の低融点導体３に対応する。符号３５は、付勢部材に相当するバネであり、上述のバネ５に対応する。符号３６は枠材であり、上述の枠材６に対応する。これらの構成及び変形例に関する説明は、本実施形態１における温度ヒューズ１０１の場合に同じであり、ここでの説明は省略する。
以下には、上記相違点に対応する構成部分についてのみ説明する。
【００３４】
セラミックヒータ３８は、シース部分３８ａと、シース部分３８ａ内に収納される発熱体３８ｂと、発熱体３８ｂに接続され電力供給を行うリード線３９とを備える。セラミックヒータ３８の形状は、本実施形態２では、上述したセラミック板４と同様に、平板である。しかしながら、上述したように、セラミックヒータ３８の形状は、軟化あるいは溶融した低融点導体３３を確実に分断可能な形状であればよく、好ましくは、低融点導体３３の分断時に、低融点導体３３の一部が意図せぬ方向へ飛散せず、確実に電極３１、３２側へ分離可能な形状を採ることができる。又、セラミックヒータ３８のシース部分３８ａの材料は、絶縁体であればよいが、例えばアルミナ等が高融点で絶縁性も高いため適している。
【００３５】
さらに、上述のようにセラミックヒータ３８は、電極３１、３２に接触する外面、つまりシース部分３８ａにおける外面３８ｃを有する。このように、電極３１、３２を、セラミックヒータ３８の外面３８ｃに接触するように配置することで、セラミックヒータ３８から発生する熱を、電極３１、３２を介して効率的に低融点導体３３に伝導することが可能となる。これにより、セラミックヒータ３８の温度上昇を抑制しながら、効率的に低融点導体３３を加熱することが可能となる。よって、セラミックヒータ３８の加熱開始から短時間にて低融点導体３３を分断することが可能となる。
【００３６】
又、セラミックヒータ３８においても、上述したように、幅方向１１２に沿った電極３１、３２の幅寸法を超える幅寸法を有する。しかしながら本実施形態２では、シース部分３８ａ内に収納されている発熱体３８ｂは、電極３１、３２の幅寸法を超える部分には配置していない。即ち、セラミックヒータ３８に接触している電極３１、３２の領域に対応して、発熱体３８ｂは配置されている。勿論、当該構成に限定するものではなく、電極３１、３２の幅寸法を超えて発熱体３８ｂを配置することもできる。
【００３７】
又、本実施形態２の温度ヒューズ１０３では、電極３１、３２をセラミックヒータ３８の両側面、つまり外面３８ｃに接触するように配置しているが、実施形態１のように、セラミックヒータ３８に接触しない位置に、電極３１、３２を配置してもよい。但しこの場合、上述した、セラミックヒータ３８の発熱により得られる効果は、電極３１、３２をセラミックヒータ３８の外面３８ｃに接触するように配置した場合と比較して、小さくなる。
【００３８】
又、リード線３９は、バネ３５の動作を阻害せず、バネ３５と電気的に接触することのないように発熱体３８ｂに接続する。即ち、リード線３９は、発熱体３８ｂとの接続部を除いて、絶縁性の被膜等で覆われ、電気的に絶縁されていることが好ましい。
【００３９】
以上のように構成された本実施形態２の温度ヒューズ１０３における動作について以下に説明する。
温度ヒューズ１０３においても、上述した温度ヒューズ１０１、１０２の動作と同様に、以下のような基本動作が行われる。
即ち、規定値以上の電流が低融点導体３３を介して電極３１、３２に流れたときには、低融点導体３３に局所的な温度上昇が発生する。そして低融点導体３３が軟化あるいは溶融したとき、図６に示すように、バネ３５にて付勢されているセラミックヒータ３８により、軟化又は溶融した低融点導体３３は分断され、分断された低融点導体３３ａ、３３ｂの間にセラミックヒータ３８が介在する。これにより、電極３１、３２間の導通が遮断される。
【００４０】
このように、低融点導体３３が軟化あるいは溶融した後に、セラミックヒータ３８により低融点導体３３が分断されることで、電極３１、３２間の実際の直線距離と比較して絶縁距離を大きく確保することが可能となる。よって回路遮断動作が生じたときに発生するアーク放電を、より短時間で確実に消弧することができ、高電圧におけるアーク遮断特性が高められている。
【００４１】
以上の基本動作に加え、さらに温度ヒューズ１０３では、リード線３９からの通電により、セラミックヒータ３８を加熱することで、低融点導体３３を加熱して軟化あるいは溶融することが可能となる。即ち、温度ヒューズ１０３では、低融点導体３３に印加されている電圧に関係なく、セラミックヒータ３８により低融点導体３３を軟化あるいは溶融させることが可能である。又、温度ヒューズ１０３では、セラミックヒータ３８の発熱量を調節することで、低融点導体３３を分断するまでの時間を、ある程度任意に設定することが可能になるという効果を得ることができる。
【００４２】
又、上述したように、セラミックヒータ３８の外面３８ｃは、電極３１、３２に接触させている。よって、セラミックヒータ３８の熱を、効率的に低融点導体３３に伝導することが可能となる。これによってセラミックヒータ３８の温度上昇を抑制しながら、効率的に低融点導体３３を加熱することが可能となる。よって、加熱開始から短時間で低融点導体３を分断することが可能となる。
【００４３】
即ち、発熱体３８ｂが関与する、セラミックヒータ３８の外面３８ｃと電極３１、３２との接触面積が小さいと、セラミックヒータ３８から低融点導体３３への熱伝導において大きな温度勾配が生じてしまう。又、上記接触面積が小さいと、熱伝達効率が悪くなることから、低融点導体３３を軟化あるいは溶融させるために、セラミックヒータ３８に大きな発熱量を与えねばならない。当然ながら、セラミックヒータ３８にも使用温度の上限が存在することから、セラミックヒータ３８を破損しないために、安全に使用できる発熱量には限界がある。
【００４４】
したがって、セラミックヒータ３８から低融点導体３３への熱抵抗を抑制することが、セラミックヒータ３８の発熱量を大きくし、速やかに低融点導体３３を分断するのに有効である。
【００４５】
本実施形態２では、セラミックヒータ３８は板状であり、セラミックヒータ３８の外面３８ｃの内、上記配列方向１１１における両側面３８ｃ−１、３８ｃ−２に接触して電極３１、３２を配置している。よって、伝熱面積が従来例に比して、少なくとも２倍多く得ることができ、飛躍的にセラミックヒータ３８の発熱密度を高めることが可能となっている。
【００４６】
したがって、低融点導体３３を迅速に軟化あるいは溶融させることができ、かつ電極３１、３２の直線距離間は、セラミックヒータ３８及び絶縁体の枠材３６によって絶縁されている。よって、低融点導体３３の分断後における、分断後低融点導体３３ａ、３３ｂ（図６）の間のギャップを急速に広げることができる。よって、回路遮断動作が生じたときに発生したアーク放電を、素早く消弧することができ、高電圧におけるアーク遮断特性を高めている。
【００４７】
又、本実施形態２では、上述したように、セラミックヒータ３８の発熱体３８ｂは、電極３１、３２に対応した領域部分にのみ配置している。よって、セラミックヒータ３８と、電極３１、３２、及び低融点導体３との間の温度勾配をより小さくでき、セラミックヒータ３８の発熱密度を高めることが可能となっている。
【００４８】
尚、実施形態２の温度ヒューズ１０３は、上述した構成を有する限り、構成部分の形状は、自由に変更可能である。例えば図７に示すような、温度ヒューズ１０４を構成してもよい。図７において、符号４１、４２は電極であり、温度ヒューズ１０３における電極３１、３２に対応する。又、符号４６は枠材であり、温度ヒューズ１０３における枠材３６に対応する。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態１による温度ヒューズの要部を示す断面図である。
【図２】図１に示す温度ヒューズの平面図である。
【図３】図１に示す温度ヒューズの低融点導体が溶断した後の状態を示す図である。
【図４】図１に示す温度ヒューズの変形例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２による温度ヒューズの要部を示す断面図である。
【図６】図５に示す温度ヒューズの低融点導体の溶断後の状態を示す図である。
【図７】図５に示す温度ヒューズの変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  電極、２  電極、３  低融点導体、３ｃ  中央部、４  セラミック板、
５  バネ、６  枠材、
２１  電極、２２  電極、２３  低融点導体、２４  セラミック板、２５  バネ、
２６  枠材、
３１  電極、３２  電極、３３  低融点導体、３５  バネ、３６  枠材、
３８  セラミックヒータ、３８ｂ  発熱体、３８ｃ  外面、
１０１〜１０４  温度ヒューズ。
【図１】
2009043575.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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