(57)【要約】      （修正有）【課題】安価に且つ簡易な回路構成により、過電流検出レベルの低下と、高精度化とを両立することができる充放電保護回路および電池パックを提供する。【解決手段】充放電保護回路は、負荷と接続され、電流を通電させる接続端子と、接続端子からのラインにドレイン・ソース間が挿入され、過電流検出信号に応じてゲートをＯＦＦに切り替えて、電流を遮断する少なくとも１つ以上の電界効果型トランジスタと、電界効果型トランジスタと直列に接続された挿入抵抗と、電圧を検出し、検出された電圧の降下が過電流検出電圧より高い場合に、電界効果型トランジスタのゲートに対して過電流検出信号を送出する電圧監視部とを備える。電圧監視部は、電界効果型トランジスタおよび挿入抵抗の両端の電圧を検出するので、挿入抵抗がない場合と比較して、過電流検出レベルを低下させ、過電流が検出される電流範囲のバラツキを小さくすることができる。【選択図】図１
2009077610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷と接続される第１および第２の出力端子と、
上記第１および第２の出力端子の一方の出力端子と二次電池の一方の電極との間を接続するラインにドレイン・ソース間が挿入され、過電流検出信号によってＯＦＦされることによって、負荷電流を遮断する１つ以上の電界効果型トランジスタと、
上記電界効果型トランジスタの上記ドレイン・ソースと直列に接続された抵抗と、
上記電界効果型トランジスタおよび上記抵抗の両端で生じる電圧降下を検出し、
検出された上記電圧降下が所定の電圧より高い場合に、上記電界効果型トランジスタをＯＦＦさせる上記過電流検出信号を出力する電圧監視部と、
を備えることを特徴とする充放電保護回路。
【請求項２】
上記抵抗がチップ抵抗である
ことを特徴とする請求項１記載の充放電保護回路。
【請求項３】
上記抵抗と直列に電流制御素子が接続される
ことを特徴とする請求項１記載の充放電保護回路。
【請求項４】
二次電池と、充放電保護回路とを備え、
上記充放電保護回路は、
負荷と接続される第１および第２の出力端子と、
上記第１および第２の出力端子の一方の出力端子と二次電池の一方の電極との間を接続するラインにドレイン・ソース間が挿入され、過電流検出信号によってＯＦＦされることによって、負荷電流を遮断する１つ以上の電界効果型トランジスタと、
上記電界効果型トランジスタの上記ドレイン・ソースと直列に接続された抵抗と、
上記電界効果型トランジスタおよび上記抵抗の両端で生じる電圧降下を検出し、
検出された上記電圧降下が所定の電圧より高い場合に、上記電界効果型トランジスタをＯＦＦさせる上記過電流検出信号を出力する電圧監視部と、
を備えることを特徴とする電池パック。
【請求項５】
上記抵抗がチップ抵抗である
ことを特徴とする請求項４記載の電池パック。
【請求項６】
上記抵抗と直列に電流制御素子が接続される
ことを特徴とする請求項４記載の電池パック。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、充放電保護回路および電池パックに関し、詳しくは携帯型音楽再生機器等の小型かつ軽量な電子機器に用いられる充放電保護回路および電池パックに関する。
【背景技術】
【０００２】
二次電池例えばリチウムイオン二次電池は、小型、軽量、高エネルギー密度、高出力等の特徴を有しているために、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、可搬型パーソナルコンピュータ等のアプリケーション機器の電源として広く使用されている。かかるリチウムイオン二次電池の使用安全性を確保するため、電池パック内には、過充電、過放電、過電流から電池を保護するための充放電保護回路が搭載されている。
【０００３】
図５は、過電流検出回路を含む従来の電池パックの一例を示す。この電池パックは、二次電池１および充放電保護回路１００により構成される。
【０００４】
充放電保護回路１００は、＋側電池接続端子２、−側電池接続端子３、＋側出力端子４、−側出力端子５、および電圧監視部６を主に備える。＋側電池接続端子２は二次電池１の正極に接続され、−側電池接続端子３は二次電池１の負極に接続される。＋側出力端子４と−側出力端子５との間に負荷が接続される。
【０００５】
−側電池接続端子３と−側出力端子５とを結ぶ−側の電源ライン中には、充放電制御スイッチである放電制御ＦＥＴ（Field Effect Transistor ：電界効果型トランジスタ）７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａが直列に挿入される。放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御８ａのそれぞれのドレイン・ソース間には、寄生ダイオード７ｂおよび８ｂが存在する。寄生ダイオード７ｂは、＋側出力端子４から二次電池１の方向に流れる充電電流に対して順方向で、−側出力端子５から二次電池１の方向に流れる放電電流に対して逆方向の極性を有する。寄生ダイオード８ｂは、充電電流に対して逆方向で、放電電流に対して順方向の極性を有する。
【０００６】
放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのそれぞれのゲートには、電圧監視部６からの制御信号ＤＯおよびＣＯがそれぞれ供給される。通常の充電および放電動作では、制御信号ＤＯおよびＣＯがハイレベルとされ、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａがＯＮ状態とされる。放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａはＮチャンネル型であるので、ソース電位より所定値以上高いゲート電位によってＯＮする。すなわち、通常の充電および放電動作では、制御信号ＤＯおよびＣＯが論理“Ｈ”レベルとされ、ＦＥＴ７ａおよび８ａがＯＮ状態とされる。
【０００７】
電圧監視部６は例えばＩＣ（Integrated Circuit）であり、図５中のＶＳＳで示す基準電位端子およびＶＭで示す過電流検出端子の両端の電圧を検出し、検出された電圧から、等価的に充放電保護回路１００に流れる電流を検出する。基準電位端子ＶＳＳと過電流検出端子ＶＭとの間には、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａが設けられる。すなわち、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａの抵抗によって生じる電圧降下に基づいて等価的に放電電流を検出し、規定の電流値以上の負荷電流（すなわち、過電流）が流れた場合に、放電制御ＦＥＴ７ａをＯＦＦさせて負荷電流を遮断する。これにより、二次電池１、機器本体、および電池パック内の回路等の劣化や損傷を防止している。
【０００８】
次に、この充放電保護回路１００による、過電流の検出と保護動作について説明する。以下では次のことを仮定する。二次電池１の電圧が４Ｖである。放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａの通電時の抵抗（以下、通電時の抵抗をオン抵抗と適宜称する）は、合計で３０ｍΩである。電圧監視部６の過電流検出電圧は０．１Ｖとする。
【０００９】
この状態において、＋側出力端子４および−側出力端子５と接続された機器（負荷）の負荷抵抗の抵抗値が０．４Ωになったとする。この場合、二次電池１の電圧が４Ｖであるので、負荷には１０Ａの負荷電流が流れる。
【００１０】
したがって、負荷電流による放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのソース両端での電圧降下は０．３Ｖとなり、過電流検出電圧０．１Ｖより大きくなる。これにより、電圧監視部６は過電流が発生したものと判断して、論理“Ｌ”レベルの制御信号ＤＯ（過電流検出信号）を出力する。
【００１１】
この過電流検出信号により放電制御ＦＥＴ７ａがＯＦＦし、＋側出力端子４と−側出力端子５との間に接続された負荷と電池パックとの接続を切り離して放電電流を遮断し、二次電池１、機器本体、および電池パック内の回路等を保護する。
【００１２】
このように、従来では、過電流検出電圧と、負荷電流による放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａにおける電圧降下を比較して過電流を検出しているが、過電流検出電圧や、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのオン抵抗には製造上のバラツキと温度特性による変動がある。さらに、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのオン抵抗は、ゲート電圧への依存性も有している。したがって、最終的に過電流検出される電流範囲に大きなバラツキを生じてしまい、過電流検出の精度が悪くなるという問題がある。
【００１３】
このような問題を改善するため、下記特許文献１には、センス抵抗を用いて、センス抵抗の両端の電圧を検出して過電流検出を行う方法が開示されている。
【００１４】
【特許文献１】特開平１１−２０７１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、例えば携帯型音楽再生機器等の機器では負荷電流は非常に小さく、例えば０．５Ａ以下である場合が多い。このように負荷電流の小さな機器には、低い検出値で、且つ高精度に過電流を検出および保護できる充放電保護回路が要求される。また、機器の特徴からも、小型且つ安価な充放電保護回路が必要になる。
【００１６】
しかしながら、図５および表１に示す過電流検出電流の計算例に示すような従来の充放電保護回路では、例えば過電流検出電圧が０．１Ｖ、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのオン抵抗の合計値が３０ｍＡの場合、最小でも１．７０Ａの電流が流れないと過電流保護動作が働かない。また、上述のように過電流検出される電流範囲には大きなバラツキがあり、表１に示すように、最大値では５．７５Ａもの大きな電流が流れないと、過電流保護が働かない。このように、負荷電流の小さな機器に従来の充放電保護回路を用いた場合、二次電池の劣化や機器本体の損傷等の問題が生じる。
【００１７】
そこで、過電流検出精度の高い電圧監視部や、オン抵抗のバラツキの小さなＦＥＴ等の部品を新たに開発し、これらを充放電保護回路に用いる方法も考えられる。しかしながら、製品の開発期間が短く且つモデルライフの短い機器に、このような汎用性の低い高価な部品を用いることは好ましくない。
【００１８】
特許文献１に記載の方法によれば、過電流検出レベルを低下させることはできるが、回路構成が複雑になり、高価な電気部品を使用せざるを得ないという問題がある。
【００１９】
したがって、この発明の目的は、安価に且つ簡易な回路構成により、過電流検出レベルの低下と、高精度化とを両立することができる充放電保護回路および電池パックを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上述の課題を解決するために、この発明は、負荷と接続される第１および第２の出力端子と、
第１および第２の出力端子の一方の出力端子と二次電池の一方の電極との間を接続するラインにドレイン・ソース間が挿入され、過電流検出信号によってＯＦＦされることによって、負荷電流を遮断する１つ以上の電界効果型トランジスタと、
電界効果型トランジスタのドレイン・ソースと直列に接続された抵抗と、
電界効果型トランジスタおよび抵抗の両端で生じる電圧降下を検出し、
検出された電圧降下が所定の電圧より高い場合に、電界効果型トランジスタをＯＦＦさせる過電流検出信号を出力する電圧監視部と、
を備えることを特徴とする充放電保護回路である。
【００２１】
また、この発明は、二次電池と、充放電保護回路とを備え、
充放電保護回路は、
負荷と接続される第１および第２の出力端子と、
第１および第２の出力端子の一方の出力端子と二次電池の一方の電極との間を接続するラインにドレイン・ソース間が挿入され、過電流検出信号によってＯＦＦされることによって、負荷電流を遮断する１つ以上の電界効果型トランジスタと、
電界効果型トランジスタのドレイン・ソースと直列に接続された抵抗と、
電界効果型トランジスタおよび抵抗の両端で生じる電圧降下を検出し、
検出された電圧降下が所定の電圧より高い場合に、電界効果型トランジスタをＯＦＦさせる過電流検出信号を出力する電圧監視部と、
を備えることを特徴とする電池パックである。
【００２２】
この発明によれば、電界効果型トランジスタと直列に挿入抵抗が接続され、電界効果型トランジスタおよび挿入抵抗の両端の電圧降下を検出して電流を検出するので、過電流検出レベルを低下させると共に、過電流検出のバラツキを小さくすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、電界効果型トランジスタと直列に抵抗を接続するという簡易な方法により、過電流検出レベルの低下と高精度化を両立した充放電保護回路および電池パックを提供することができる。したがって、例えば携帯型音楽再生機器等の負荷電流の小さな機器に用いられる充放電保護回路および電池パックとして、要求される仕様を満足させつつ、機器の小型化および低価格化を実現させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、この発明の一実施形態による電池パックの構成を示すブロック図である。この電池パックは、二次電池１および充放電保護回路１０により構成される。
【００２５】
二次電池１は、リチウムイオン電池等の二次電池で、例えば１個の電池セルを直列に接続した構成である。例えば、単電池セル当たりの満充電電圧が４．２Ｖの二次電池１を用いることができる。
【００２６】
充放電保護回路１０は、＋側電池接続端子２、−側電池接続端子３、＋側出力端子４、−側機器出力端子５、電圧監視部６、放電制御ＦＥＴ７ａ、充電制御ＦＥＴ８ａ、および抵抗例えばチップ抵抗９を主に備える。チップ抵抗９を有する以外の構成は、図５を用いて説明した従来の充放電保護回路１００の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００２７】
チップ抵抗９は、電圧監視部６の基準電位端子ＶＳＳと過電流検出端子ＶＭとの間に設けられ、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａと直列に接続される。携帯型音楽再生機器等の最大負荷電流の小さい機器にこの発明の一実施形態による電池パックを用いる場合、電池パックの小型化も考慮して、小型の部品であるチップ抵抗９が使用される。また、定格電力の小さい、且つ精度も高くない安価なチップ抵抗を用いることが可能である。
【００２８】
充放電保護回路１０のチップ抵抗９の位置に挿入する抵抗としては、チップ電流ヒューズやＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）等の電流制限素子を用いることもできる。図１では簡単のため図示を省略しているが、これらの電流制限素子は、本来電池パック内に設置されるべきものであるので、その設置位置を変えるだけで、従来の電池パックに比してコストアップすることなく充放電回路１０の構成を実現することができる。
【００２９】
基準電位端子ＶＳＳと過電流検出端子ＶＭとの間に挿入されるチップ抵抗９または上記電流制限素子等の数は、一つであっても複数であってもよい。
【００３０】
なお、例えば携帯電話機やディジタルスチルカメラ等の機器ではピーク電流の高いパルス電流放電を行う場合があるため、充放電保護回路１０内の抵抗成分は極力低い値に抑えて放電終止電圧に到達するまでの時間を長くする、すなわち放電容量を大きくし、機器の利用可能な時間を長くすることが必要である。一方、携帯型音楽再生機器等の機器では負荷電流が小さいため、充放電保護回路１０内にチップ抵抗９または上記電流制限素子等を設けることによる抵抗成分の増加は、実質的に問題とならない。
【００３１】
図２は、電池パックの他の実施の形態を示す。図２では、チップ抵抗９と直列にチップ電流ヒューズやＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）等の電流制限素子１１が接続される。電流制限素子１１を設けることにより、電池パックが過電流状態になったときに二重の保護を図れると共に、電池パック内の抵抗値を調整することができる。
【００３２】
この発明の一実施形態では、放電制御ＦＥＴ７ａ、充電制御ＦＥＴ８ａ、およびチップ抵抗９の抵抗によって生じる電圧降下に基づいて、放電電流を検出する。これにより、過電流検出レベルを低下させると共に、過電流検出のバラツキを小さくして高精度化を実現することができる。
【００３３】
以下、電池パックの過電流検出電流値およびそのバラツキについて、具体的に説明する。ここでは、例えば定格放電電流０．３５Ａ、最大負荷電流０．５０Ａという仕様の携帯型音楽再生機器において、電池パックの充放電保護回路の過電流検出電流を０．５５Ａ〜１．００Ａの範囲で機能させたい場合、すなわち過電流検出電流の目標値を０．５５Ａ〜１．００Ａとする場合について説明する。
【００３４】
まず、下記の表１に、図５に示すような従来の電池パックの過電流検出電流の計算値を示す。なお、電圧監視部６の過電流検出電圧の仕様は、標準値０．１００Ｖとする。放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのオン抵抗の合計値は、標準値３０ｍΩとする。
【００３５】
【表１】
2009077610.tif 000003
【００３６】
電圧監視部６の過電流検出電圧は、製造上のバラツキ、温度特性などの影響により、標準値０．１００Ｖに対して例えば±１５ｍＶの精度である。放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのオン抵抗の合計値は、標準値３０ｍΩに対して最小値２０ｍΩから最大値５０ｍΩと大きなバラツキがある。
【００３７】
過電流検出電流は、過電流検出電圧およびオン抵抗から、Ｉ＝Ｖ／Ｒの計算式により求められる。すなわち、過電流検出電流の標準値［Ａ］は、
（過電流検出電流の標準値［Ａ］）＝（過電流検出電圧の標準値［Ｖ］）／（オン抵抗の標準値［Ω］）・・・（１）
である。
【００３８】
過電流検出電流の最小値［Ａ］は、過電流検出電流およびオン抵抗のバラツキを考慮して、
（過電流検出電流の最小値［Ａ］）＝（過電流検出電圧の最小値［Ｖ］）／（オン抵抗の最大値［Ω］）・・・（２）
となる。
【００３９】
同様に、過電流検出電流の最大値［Ａ］は、
（最大値［Ａ］）＝（過電流検出電圧の最大値［Ｖ］）／（オン抵抗の最小値［Ω］）・・・（３）
となる。
【００４０】
以上の計算により求められる過電流検出電流の範囲は、表１に示すように、１．７０Ａ〜５．７５Ａとなる。ここで、図５に示すような回路構成の電池パックは一般的な携帯電話機用に普及されているものである。一般的な携帯電話機では、最大連続放電電流（最大負荷電流）が１．７０Ａより小さいので、それを超える異常な電流を速やかに遮断することで、二次電池１や機器本体側の回路を保護することが望ましい。なお、電池パック内に、充放電保護回路以外に、二次的な保護素子を搭載する場合もあるが、簡単のため省略し、図示していない。
【００４１】
このように従来の充放電保護回路の過電流検出電流の最小値が１．７Ａであり，かかる保護回路を携帯型音楽再生機器に用いた場合には、過電流検出電流の値が高すぎて、異常時に速やかに過電流から保護することができない。したがって、携帯型音楽再生機器の最大負荷電流に重ならない範囲において、できるだけ低い電流値に過電流検出レベルを低下させる必要がある。
【００４２】
そこで、電圧監視部６の過電流検出電圧の仕様を変更して、標準値を０．０４５Ｖに引き下げた場合の過電流検出電流を、（１）〜（３）の計算式により求めた。結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
2009077610.tif 000004
【００４４】
表２に示すように、過電流検出電流の範囲を０．６０Ａ〜３．００Ａに低下させることができる。過電流検出電流の最小値は０．６０Ａであるため、最小値は過電流検出電流の目標値０．５５Ａをほぼ満足させることができる。しかしながら、電圧監視部６の電圧検出精度は変わらないため、過電流検出電流の最大値は３. ００Ａとなり、最大値は過電流検出電流の目標値１．００Ａよりも大きくなり過ぎてしまう。したがって、電池パックの過電流状態を有効に保護することができない電流領域が増えてしまう。
【００４５】
過電流検出電流の最大値を目標値に適合させるため、電圧監視部６の過電流検出電圧の仕様を変更して、標準値を０．００５Ｖまでさらに引き下げた場合の過電流検出電流を、（１）〜（３）の計算式に計算により求めた。結果を表３に示す。
【００４６】
【表３】
2009077610.tif 000005
【００４７】
表３に示すように、過電流検出電流の範囲は−０．２０Ａ〜１．００Ａとなる。過電流検出電流の最大値は目標値１．００Ａを満足させることができる。しかしながら、電圧監視部６の電圧検出精度はそのままであるため、過電流検出電流の最小値は−０．２０Ａと小さくなり過ぎてしまい、通常の放電も行えなくなるという不具合を生じる。
【００４８】
一方、図１に示すこの発明の一実施形態による電池パックの過電流検出電流を計算により求めた。結果を表４に示す。なお、電圧監視部６の過電流検出電圧の仕様は、標準値０．１００Ｖとする。放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａのオン抵抗の合計値は、標準値３０ｍΩとする。また、チップ抵抗９の抵抗値は、標準値１００ｍΩとする。
【００４９】
【表４】
2009077610.tif 000006
【００５０】
安価でかつ高精度ではない、一般的に容易に入手し得る５％の精度のチップ抵抗９は、標準値１００ｍΩに対して、最小値９５ｍΩから最大値１０５ｍΩのバラツキがある。
【００５１】
この発明の一実施形態による過電流検出電流の標準値［Ａ］は、過電流検出電圧、オン抵抗、およびチップ抵抗９の抵抗の標準値から、
（過電流検出電流の標準値［Ａ］）＝（過電流検出電圧の標準値［Ｖ］）／（オン抵抗の標準値［Ω］＋チップ抵抗９の標準値［Ω］）
により求められる。
【００５２】
過電流検出電流の最小値［Ａ］は、過電流検出電流およびオン抵抗のバラツキを考慮して、
（過電流検出電流の最小値［Ａ］）＝（過電流検出電圧の最小値［Ｖ］）／（オン抵抗の最大値［Ω］＋チップ抵抗９の最大値［Ω］）
となる。
【００５３】
同様に、過電流検出電流の最大値［Ａ］は、
（過電流検出電流の最大値［Ａ］）＝（過電流検出電圧の最大値［Ｖ］）／（オン抵抗の最小値［Ω］＋チップ抵抗９の最小値［Ω］）
となる。
【００５４】
以上の計算により求められる過電流検出電流の範囲は、０．５５Ａ〜１．００Ａとなる。このように、ＦＥＴ７ａおよびＦＥＴ８ａと直列にチップ抵抗９を接続するだけで過電流検出電流を目標値に収めることができる。
【００５５】
図３に、表１〜表４の過電流検出電流の範囲をまとめて示す。図３中の矢印ａは、表４に示すこの発明の一実施形態による電池パックの過電流検出電流の範囲である。また、矢印ｂは表１に示される過電流検出電流の範囲を示し、矢印ｃは表２に示される過電流検出電流の範囲を示し、矢印ｄは表３に示される過電流検出電流の範囲をそれぞれ示す。図３に示すように、この発明の一実施形態によれば、過電流検出レベルの低下と、高精度化とを両立できることがわかる。
【００５６】
図４に、過電流検出電流の実測値のグラフを示す。このグラフは、図１に示す電池パックの＋側出力端子４および−側出力端子５に負荷を接続し、負荷電流を通電させてから電流が遮断されるまでの時間（過電流検出遅延時間）を、オシロスコープにより観測される電圧の変化から読み取って、プロットしたものである。縦軸は過電流検出遅延時間［ｍｓ］であり、横軸は負荷電流［Ａ］である。
【００５７】
図４より、過電流検出遅延時間がスペックに入る領域を過電流検出したとして判定すると、０．５５Ａ〜１．００Ａの範囲で過電流検出していることが確認された。なお、本実測データを得る際に用いた電圧監視ＩＣの過電流検出遅延時間のスペックは、１５ｍｓである。これは、図３中の矢印ａに示す過電流検出電流の目標値の範囲内である。具体的には、負荷電流が約０．７５Ａで過電流検出が機能し始め、それよりも負荷電流が大きい領域では、過電流を約１０ｍｓの短時間で遮断した。したがって、負荷電流の小さな機器の過電流を、速やかに遮断できることが分かる。
【００５８】
このように、この発明の一実施形態によれば、従来の電池パックの回路構成を複雑にしたり変更したりすることなく、チップ抵抗９を挿入するという簡単な方法で、過電流検出レベルの低下と高精度化とを両立することができる。
【００５９】
以上、この発明の一実施形態について具体的に説明したが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【００６０】
例えば、上述の一実施形態において挙げた数値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる数値を用いてもよい。
【００６１】
また、上述の一実施形態では、−側の電源ライン中に放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａを挿入する構成としたが、＋側の電源ライン中に放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａを挿入することも可能である。この場合、放電制御ＦＥＴ７ａおよび充電制御ＦＥＴ８ａとしては、ソース電位に対して所定値以上低いゲート電圧でＯＮするＰチャンネル型の充放電制御ＦＥＴが使用される。
【００６２】
また、この発明はリチウムイオン電池の他、Ｎｉ−Ｃｄ（ニッカド）電池、Ｎｉ−ＭＨ（ニッケル水素）電池など、種々の電池に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明の一実施形態による電池パックの充放電保護回路のブロック図である。
【図２】この発明の一実施形態による電池パックの充放電保護回路の変形例を示すブロック図である。
【図３】電池パックの過電流検出範囲を示す略線図である。
【図４】この発明の一実施形態による電池パックの過電流検出電圧を測定したときのグラフである。
【図５】従来の電池パックの充放電保護回路の構成の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６４】
１・・・二次電池
２・・・＋側電池接続端子
３・・・−側電池接続端子
４・・・＋側出力端子
５・・・−側出力端子
６・・・電圧監視部
７ａ・・・放電制御ＦＥＴ
７ｂ、８ｂ・・・寄生ダイオード
８ａ・・・充電制御ＦＥＴ８ａ
９・・・チップ抵抗
１０・・・本発明による充放電保護回路
１１・・・電流制御制限素子
１００・・・従来の充放電保護回路
【図１】
2009077610.tif 000007
【図２】
2009077610.tif 000008
【図３】
2009077610.tif 000009
【図４】
2009077610.tif 000010
【図５】
2009077610.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成19年11月14日(2007.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
１・・・二次電池
２・・・＋側電池接続端子
３・・・−側電池接続端子
４・・・＋側出力端子
５・・・−側出力端子
６・・・電圧監視部
７ａ・・・放電制御ＦＥＴ
７ｂ、８ｂ・・・寄生ダイオード
８ａ・・・充電制御ＦＥＴ８ａ
９・・・チップ抵抗
１０・・・本発明による充放電保護回路
１１・・・電流制限素子
１００・・・従来の充放電保護回路
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009077610.tif 000012
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009077610.tif 000013
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009077610.tif 000014