(57)【要約】【課題】インプリント兼磁界印加手段によりサーボ部信号品位が良好である次世代磁気記録媒体を安定かつ効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法の提供。【解決手段】円板状の基板と、該基板の表面に、該表面を基準として磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応する複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなるモールド構造体と、磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に前記モールド構造体を押圧して該モールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写すると共に、該モールド構造体を介して磁界を印加して前記サーボ部に磁気転写するインプリント兼磁界印加手段と、を少なくとも有する磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法である。【選択図】図４
2009043317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板と、該基板の表面に、該表面を基準として磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応する複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなるモールド構造体と、
磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に前記モールド構造体を押圧して該モールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写すると共に、該モールド構造体を介して磁界を印加して前記サーボ部に磁気転写するインプリント兼磁界印加手段と、を少なくとも有することを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項２】
サーボ部及びデータ部に対してモールド構造体を介して磁界を印加する請求項１に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項３】
サーボ部及びデータ部に対してモールド構造体を介して磁界を磁気記録媒体の表面に対して垂直方向に印加する請求項２に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項４】
磁気記録媒体のデータ部のみにインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層を形成するデータ部レジスト層形成手段を有する請求項１から３のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項５】
磁気記録媒体のサーボ部に対して磁気転写を実施した後に、前記サーボ部上に保護層を被覆する保護層被覆手段を有する請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項６】
磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層を加熱する加熱手段と、
前記加熱したインプリントレジスト層にモールド構造体を押圧した後、該インプリントレジスト層を冷却する冷却手段とを、少なくとも有する請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項７】
加熱手段が、インプリントレジスト組成物に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上の温度に加熱する請求項６に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項８】
磁気記録媒体の磁性層上に付与したインプリントレジスト組成物にモールド構造体を押圧して、光照射することにより該インプリントレジスト組成物を硬化させる光照射手段を、少なくとも有する請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項９】
インプリントレジスト組成物が光硬化性樹脂を少なくとも含有する請求項８に記載の磁気記録媒体の製造装置。
【請求項１０】
円板状の基板と、該基板の表面に、該表面を基準として磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応する複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなるモールド構造体を用い、
磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に前記モールド構造体を押圧して該モールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写すると共に、該モールド構造体を介して磁界を印加して前記サーボ部に磁気転写するインプリント兼磁界印加工程を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーボ部とデータ部とを有する磁気記録媒体を複数の凸部を有するモールド構造体を用いて製造する磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体における記録密度向上を図るために、従来の連続磁性層を有する磁気記録媒体に代わって磁性層がパターニングされたＤＴＭ（ディスクリート・トラック・メディア）、ＢＰＭ（ビット・パターンド・メディア）が提唱されている（例えば、特許文献１及び２参照）。磁性層をパターニングするためには、所望の形状パターンを有するマスク層が必要である。マスク層の作製方法として、加工対象物にレジストを塗布し、所望の形状に基材を加工したモールドを前記レジストが塗布された加工対象物に押し当て、レジストに対して所望パターンを形成する、ナノインプリント方式（ＮＩＬ）が提唱されている。
磁気記録媒体の製造方法として提唱されているＮＩＬは、先述したように、レジストに対して形状加工モールドを押し当てる。そのため、モールドパターンは、主にデータ部を構成する同芯円形態を有する凹凸パターン、サーボ部を構成する凹凸パターンで構成されている。サーボ部パターンは記録信号のアドレス管理に役割を持っており、すべて異なる形態のパターンで構成される。そのため、データ部、サーボ部間では、例えば、パターン断面積、深さなどが異なっていることにより、レジストが受ける圧力が変化し、圧力印加後のレジストパターンが所望の形態と異なる可能性がある。具体的には、パターン凸部で印加し残存したレジスト厚（残渣）がデータ部、及びサーボ部間、更に詳細にはサーボ部の内部構造内でも異なり、マスク特性が不均一となってしまう。マスク特性が不均一になると、磁性層パターニングも不均一な状態となり、所望の特性を有したＤＴＭ、ＢＰＭを製造することができない。
サーボ部におけるナノインプリント（ＮＩＬ）特性とデータ部におけるナノインプリント（ＮＩＬ）特性とを両立することは難しい。
更に、サーボ部における信号はデータ部における信号と異なりセンシング信号であるため、高度な信号処理方式の適用が難しく、信号自身の信号品位（Ｓ/Ｎ）の確保が必要である。しかし、サーボ部における信号は磁性層の有／無（１／０）により情報が記録されるので、従来方式と比べてＳ／Ｎが半減（−６ｄＢ）し、サーボ精度の劣化、記録密度向上の大きな障害となる。
特に、ＤＴＭにおいては、サーボ部では磁性層の有無（１／０）により情報が記録されるのに対し、データ部では磁性層における反対方向の磁化（１／−１）により情報が記録される。そこで、この情報の記録方法の差異によって生じるサーボ部及びデータ部間の信号振幅による差異を信号処理によって補正することがなされている（例えば、特許文献３参照）。
【０００３】
そこで、サーボ部における信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）を維持するため、磁気転写方法によるサーボ信号記録を行うという技術思想では、特許文献４が先行技術として挙げられる。この特許文献４には、データ部（図２１で後述する１２２）に対応する領域１００に凸部１０１を有し、サーボ部（図２１で後述する１２３）に対応する領域１０２に磁性層１０３が埋め込まれた広く平坦になった凸部１０４を有する金型１１０（図２０参照）を用いて製造された磁気記録媒体が提案されている。しかし、この提案では、レジスト１１１が塗布された磁気記録媒体１２０に金型１１０を押し当てる際には広く平坦になった凸部１０４と磁気記録媒体１２０との間にレジスト残渣１２１が過剰に残存してしまい、金型１１０の広く平坦になった凸部１０４と磁気記録媒体１２０との間の距離を短くすることができず、良好な磁気転写状態を実現することは困難である。良好な磁気転写状態を実現するためには、マスター／スレーブ間の隙間をディスク全面に亘り、数十ｎｍオーダーにて制御する必要があるということが、磁気転写手法の長年の実験により得られた磁気転写法原理に基づく帰結である。
金属膜１３０をコーティングする金属膜コーティング工程（図２２参照）、リフトオフ（図２３参照）、データ部１２２、サーボ部１２３に形成されたレジスト残渣１２１及び金属膜１３０が除去された後に行われるエッチング工程によってデータ部１２２及びサーボ部１２３が形状加工される。サーボ部１２３はデータ部１２２に比べてパターンの断面積が広く、データ部１２２に比べて多くのレジスト残渣１２１が残存する。そのため、リフトオフ工程で本来残存しなければならないサーボ部１２３上の金属膜が除去されてしまう（図２３参照）。サーボ部１２３上の金属膜が除去されることでサーボ部１２３の磁性層がエッチングされてしまい（図２４）、サーボ部１２３の磁性層特性劣化（膜厚減少による信号品位劣化）が発生する。加えてエッチングによりデータ部１２２、サーボ部１２３間に微少な段差ができるために（図２４）、サーボ部１２３上をヘッドが走行した際に気流が乱れ、ヘッド浮上状態が不安定となりヘッド・メディアが破損し、ドライブとして機能しないという懸念が大きい。
【０００４】
また、前記特許文献４には、サーボ部とデータ部とを有する磁気記録媒体を複数の凸部を有するモールド構造体を用いて製造する際に、サーボ信号の記録は磁気転写法で行い、データ部の凹凸パターンはナノインプリント法で、一度に効率良く行うことができる磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法については、開示も示唆もされていない。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０２９９号公報
【特許文献３】特開２００６−６５９１８号公報
【特許文献４】特開２００６−２１６２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、インプリント兼磁界印加手段により磁気記録媒体のサーボ信号の記録は磁気転写法で行い、データ部の凹凸パターンはナノインプリント法で効率よく形成でき、サーボ部信号品位が良好である次世代磁気記録媒体を安定かつ効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  円板状の基板と、該基板の表面に、該表面を基準として磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応する複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなるモールド構造体と、
磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に前記モールド構造体を押圧して該モールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写すると共に、該モールド構造体を介して磁界を印加して前記サーボ部に磁気転写するインプリント兼磁界印加手段と、を少なくとも有することを特徴とする磁気記録媒体の製造装置である。
＜２＞  サーボ部及びデータ部に対してモールド構造体を介して磁界を印加する前記＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜３＞  サーボ部及びデータ部に対してモールド構造体を介して磁界を磁気記録媒体の表面に対して垂直方向に印加する前記＜２＞に記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜４＞  磁気記録媒体のデータ部のみにインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層を形成するデータ部レジスト層形成手段を有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜５＞  磁気記録媒体のサーボ部に対して磁気転写を実施した後に、前記サーボ部上に保護層を被覆する保護層被覆手段を有する前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜６＞  磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層を加熱する加熱手段と、
前記加熱したインプリントレジスト層にモールド構造体を押圧した後、該インプリントレジスト層を冷却する冷却手段とを、少なくとも有する前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜７＞  加熱手段が、インプリントレジスト組成物に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度以上の温度に加熱する前記＜６＞に記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜８＞  磁気記録媒体の磁性層上に付与したインプリントレジスト組成物にモールド構造体を押圧して、光照射することにより該インプリントレジスト組成物を硬化させる光照射手段を、少なくとも有する前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜９＞  インプリントレジスト組成物が光硬化性樹脂を少なくとも含有する前記＜８＞に記載の磁気記録媒体の製造装置である。
＜１０＞  円板状の基板と、該基板の表面に、該表面を基準として磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応する複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなるモールド構造体を用い、
磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に前記モールド構造体を押圧して該モールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写すると共に、該モールド構造体を介して磁界を印加して前記サーボ部に磁気転写するインプリント兼磁界印加工程を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、従来における諸問題を解決でき、インプリント兼磁界印加手段により磁気記録媒体のサーボ信号の記録は磁気転写法で行い、データ部の凹凸パターンはナノインプリント法で効率よく形成でき、サーボ部信号品位が良好である次世代磁気記録媒体を安定かつ効率よく製造することができる磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法）
本発明の磁気記録媒体の製造装置は、モールド構造体と、インプリント兼磁界印加手段とを少なくとも有し、データ部レジスト層形成手段、保護層被覆手段、加熱手段、冷却手段、光照射手段、更に必要に応じてその他の手段を有してなる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、モールド構造体を用い、インプリント兼磁界印加工程を少なくとも含み、データ部レジスト層形成工程、保護層被覆工程、加熱工程、冷却工程、光照射工程、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明の磁気記録媒体の製造装置により好適に実施することができ、前記インプリント兼磁界印加工程は前記インプリント兼磁界印加手段により行うことができ、前記データ部レジスト層形成工程は前記データ部レジスト層形成手段により行うことができ、前記保護層被覆工程は前記保護層被覆手段により行うことができ、前記加熱工程は前記加熱手段により行うことができ、前記冷却工程は前記冷却手段により行うことができ、前記光照射工程は前記光照射手段により行うことができ、前記その他の工程は前記その他の手段により行うことができる。
【００１０】
＜モールド構造体＞
前記モールド構造体は、円板状の基板と、該基板の表面（両面を含む）に、該表面を基準として磁気記録媒体のサーボ部及びデータ部に対応する複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有してなる。
【００１１】
前記データ部は、略同心円状の凸パターンからなり、データを記録する領域である。
前記サーボ部は、凸部面積の異なる複数種類の凸パターンからなる。
前記サーボ部としては、トラッキングサーボ制御用の信号に対応するものであり、例えばプリアンブル、サーボタイミングマーク、アドレスパターン、バーストパターン、などで主に構成されている。
前記プリアンブルパターンは、アドレスパターン領域等から各種制御信号を読み取るための基準クロック信号を生成する部位である。
前記サーボタイミングマークは、アドレス、バーストパターンを読み取るためのトリガー信号である。
前記アドレスマークは、セクタ（角度）情報、トラック（半径）情報で構成されおり、ディスクの絶対位置（アドレス）を示している。
前記バーストパターンは、磁気ヘッドがオントラック状態にあるとき、ヘッド走行位置を微調整し、高精度な位置決めを達成する機能を有している。
【００１２】
前記モールド構造体の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。
前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂などが挙げられる。
【００１３】
本発明において、前記モールド構造体は、インプリント用モールド及び磁気転写用マスターディスクとして使用するので、前記凹凸パターン表面に磁性層を有する。
前記磁性層の磁性材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＣｏ、Ｃｏ合金（ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＺｒ、ＣｏＮｂＴａＺｒ等）、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌ、ＦｅＴａＮ等）、Ｎｉ、Ｎｉ合金（ＮｉＦｅ等）などが挙げられる。これらの中でも、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉが特に好ましい。
前記磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空成膜法、メッキ法、塗布法などにより成膜することができる。
前記磁性層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜１５０ｎｍがより好ましい。
なお、前記磁性層上に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、スパッタカーボン等の保護膜を設けることが好ましく、該保護膜の上に更に潤滑剤層を設けてもよい。この場合、保護膜として厚みが３ｎｍ〜３０ｎｍのＤＬＣ膜と潤滑剤層とする構成が好ましい。また、磁性層と保護膜との間に、Ｓｉ等の密着強化層を設けるようにしてもよい。潤滑剤はスレーブディスクとの接触過程で生じるずれを補正する際の、摩擦による傷の発生などの耐久性の劣化を改善する効果を有する。
【００１４】
ここで、図１は、前記モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分斜視図である。なお、凹凸パターン表面の磁性層は省略している。
図１に示すように、円盤状をなす基板２の一方の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある）に、所定の間隔で形成されてなる複数の凸部３と、更に必要に応じて、その他の凸凹を備えている。なお、少なくともモールド構造体１は、磁気転写が可能となるように、少なくとも凸部最表面を強磁性体で構成する必要がある。前記強磁性体としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｏなどを少なくとも１種類含有する金属、合金より構成される。凸凹を有する基体自体を強磁性体で構成してもよい。また、磁性層の磁気異方性を制御するために下地層を設けてもよい。モールド構造体１の表面に、耐久性確保のための保護層を設けてもよい。この保護層は、例えば、硬質炭素素材により構成され、２ｎｍ〜１０ｎｍ程度の膜厚が好ましい。
【００１５】
なお、前述の凸部３は、データ部１２ａに対応するデータパターン用凸部３ａ（図７参照）と、サーボ部１２ｂに対応するサーボパターン用凸部３ｂ（図７参照）とを有する。データパターン用凸部３ａに加えて、サーボパターン用凸部３ｂも記録したいサーボ信号に対応した凸凹パターンにて設けることにより、特開２００６−２１６２００号公報における金型を用いた場合と比較して、ナノインプリント（ＮＩＬ）時のモールド構造体１及び磁気記録媒体基体１２間、特にサーボ部１２３に存在するレジスト残渣１３ａを軽減すると共に、磁気記録媒体基体１２全面に対してほぼ均一な残渣状態が実現可能となる。
【００１６】
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基材２上に層状に形成され、インプリントレジスト層１３に対して剥離機能を備えたモールド表層等が挙げられる。
【００１７】
以下、前記モールド構造体の製造方法について説明する。
−原盤の作製−
図２は、モールド構造体の製造方法における原盤の作製の一例を示す断面図である。
まず、図２のＡに示すように、Ｓｉ基板５０上に、スピンコート法などによりノボラック系樹脂等を含むフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層５１を形成する。前記レジスト層の材料としては、ポジ型レジスト材料及びネガ型レジスト材料のいずれであってもよい。
次に、図２のＢに示すように、Ｓｉ基板５０を回転させながら、データ記録用トラック及びサーボ情報に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
次に、図２のＣに示すように、フォトレジスト層５１を現像処理し、露光部分を除去して残ったフォトレジスト層２１によって所望の凹凸パターンを形成する。
次に、図２のＤに示すように、形成されたフォトレジスト層５１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；反応性イオンエッチング）などにより選択エッチングを行い、基板１０に凹凸パターンを形成する。
次に、図２のＥに示すように、残余フォトレジスト層５１を除去して、凹凸形状を有する原盤５２を作製する。
【００１８】
−モールド構造体の作製−
原盤からモールド構造体を作製するモールド構造体の作製方法としてはメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
前記メッキ法でのモールド構造体の作製方法としては以下の通りである。
まず、原盤表面に導電層を形成する。導電層の形成方法としては、一般的に、真空製膜方法（スパッタリング、蒸着等）、無電解メッキ法などを用いることができる。導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、及びＣｏから選択される少なくとも１種の元素を含有する金属、又は合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金が特に好ましい。また、導電性を示すＴｉＯ等の非金属材料も導電層として使用可能である。
前記導電層の厚みは、５ｎｍ〜３０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍがより好ましい。
前記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に原盤からメッキ基体を剥離することでモールド構造体を形成する。モールド構造体を構成するメッキ素材としては、例えばＮｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができるが、Ｎｉ素材を用いたものが好ましい。原盤から引き剥がし後のモールド構造体の厚みは、５０μｍ〜３００μｍが好ましく、７５μｍ〜１７５μｍがより好ましい。前記厚みが５０μｍ未満であると、モールド構造体１の剛性が低下し機械特性を確保することができない。加えて、多数回ＮＩＬを実施することで、モールド構造体１自身が変形を起こし、著しく実用特性が低下する。３００μｍを超えると、剛性が高くなりすぎるため、ＮＩＬ／磁気転写時のモールド構造体１／磁気記録媒体間の密着を確保することができない。密着確保のためには密着圧力をあげる必要があるため、異物などが混入した際にはモールド構造体１／磁気記録媒体に致命的な形状欠陥が発生する。
上記モールド構造体を原盤として用いて、更にモールド構造体の複製を行ってもよい。
【００１９】
次に、図３は、モールド構造体の製造方法におけるモールド構造体の作製の一例を示す断面図である。
図３のＡに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層５４が一方の面に形成された被加工基板としての石英基板５３に対して、原盤５２を押し当て、原盤５２上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層５４に転写される。
ここで、本発明における被加工基板の材料は、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）、樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板５３にインプリントレジスト層５４が形成される一方の面から出射するように、前記被加工基板５３の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長４００ｎｍ以下の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体基板１２上に形成されたインプリントレジスト層１３に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
【００２０】
次に、図３のＢに示すように、インプリントレジスト層５４に熱を印加する、あるいは、紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。紫外線を照射してパターンを硬化する場合は、パターニング後であってモールド構造体と磁気記録媒体とを剥離した後に紫外線を照射し硬化してもよい。
その後、図３のＣに示すように、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸パターンを形成する。以上により、モールド構造体１を作製することができる。
また、基材の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを基として無機系材質マスクを形成し、この無機系材質マスクを用いて基材をエッチングし、モールド構造体１を形成してもよい。
【００２１】
上記工程により形成したモールド構造体１上に、磁気転写用磁性層を形成する。前記転写用磁性層の形成手法としては、例えば真空製膜法（スパッタリング、蒸着等）、メッキ法、などが挙げられる。前記磁気転写用磁性層としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｂ、Ｗ、及びＴａから選択される少なくとも１種の元素を含む金属、あるいは合金を使用することができる。これらの中でも、高い飽和磁化を有するＦｅＣｏ合金、ＦｅＣｏＮｉ合金が特に好ましい。
前記磁性層の厚みは、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜１５０ｎｍがより好ましい。
また、モールド構造体１自身を磁気転写用磁性層材質で形成することも可能である。
【００２２】
−インプリントレジスト層の形成−
前記インプリントレジスト層の形成は、図６に示すように、基材１０の表面（好ましくは両面）に磁性層１１を有する磁気記録媒体基体１２にインプリントレジスト層１３を形成する。
【００２３】
−基材−
基材１０としては、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記形状としては、前記磁気記録媒体がハードディスク等の磁気ディスクである場合には、円板状である。また、前記構造としては、単層構造であっても、積層構造であってもよい。また、前記材質としては、磁気記録媒体の基材材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、シリコン表面に熱酸化膜を形成してなるＳｉＯ２／Ｓｉ、などが挙げられる。これらの基板材料は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
−磁性層−
前記磁性層１１の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記磁性層１１の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
前記磁性層１１の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、スパッタリング法、電着（電着法）等により行うことができる。
基材１０と磁性層１１間に磁性層配向用の結晶配向層、軟磁性下地層を適宜形成してもよい。特に軟磁性下地層は単層、あるいは複数層にて構成してもよい。
【００２５】
―インプリントレジスト層―
前記インプリントレジスト層１３としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある）を磁気記録媒体基体１２に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層１３を形成するインプリントレジスト組成物としては、磁気転写工程において、後述するモールド構造体１から磁気記録媒体基体１２に磁気信号転写を阻害しない材料、即ち、比透磁率が１以上である材料、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが好ましい。また、磁気転写の記録性能改善を目的とし、比透磁率を向上させるためにレジスト中に金属微粒子を分散させてもよい。前記金属微粒子としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉの内少なくとも１種元素を含有する金属、あるいは合金である。またエッチング耐久性付与のためにＰｔ、Ｉｎ、Ｒｕ、Ｏ、Ｎなどの非磁性元素を導入してもよい。
【００２６】
本発明においては、前記インプリントレジスト層は、以下のデータ部レジスト層形成手段によっても形成することができる。
−データ部レジスト層形成手段及びデータ部レジスト層形成工程−
前記データ部レジスト層形成手段は、磁気記録媒体の磁性層上のデータ部のみにインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層を形成する手段である。
図１３に示すように、磁気記録媒体基体１２のデータ部１２ａのみにインプリントレジスト層１３を形成する方法として、前記インプリントレジスト液を磁気記録媒体基体１２のデータ部１２ａのみに塗布してもよいし、前記インプリントレジスト液を磁気記録媒体基体１２のデータ部１２ａのみならずサーボ部１２ｂにも塗布し、磁気記録媒体基体１２の全体にインプリントレジスト層を形成した後、磁気記録媒体基体１２のサーボ部１２ｂに形成されたインプリントレジスト層のみを除去してもよい。
前記データ部レジスト層形成手段としては、特に制限はなく、公知の塗布手段を用いることができる。
【００２７】
−レジスト凹凸パターンの形成−
レジスト凹凸パターンを形成する方法としては主に２種類の方式がある。一つは熱ナノインプリント（ＮＩＬ）方式であって、もう一つは光ナノインプリント（ＮＩＬ）方式である。
前記熱ＮＩＬ方式は、以下の通りである。
前記レジスト凹凸パターン形成工程は、図７に示すように、磁気記録媒体基体１２の表面に形成されたインプリントレジスト層１３にモールド構造体１の複数の凸部３を押し当てて凹凸パターンを形成する工程である。ここでは、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層１３が前記インプリントレジスト液に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。インプリントモールド構造体１を剥離すると、インプリントレジスト層１３に凹凸パターンが形成される。
【００２８】
一方、光ＮＩＬ方式は、以下の通りである。
光ＮＩＬ方式においては、光透過性を有し、モールド構造体として機能する強度を有する材料（例えば、石英（ＳｉＯ２）や、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等）からなるモールド構造体１を用いてレジスト凹凸パターンを形成する。
その後、少なくとも光硬化性樹脂を含むインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層１３に紫外線等を照射して転写されたパターンを硬化させる。なお、パターニング後であってモールド構造体１と磁気記録媒体基体１２とを剥離した後に紫外線を照射して硬化してもよい。
【００２９】
＜インプリント兼磁界印加手段及びインプリント兼磁界印加工程＞
前記インプリント兼磁界印加工程は、磁気記録媒体の磁性層上のインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層に前記モールド構造体を押圧して該モールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンを転写すると共に、該モールド構造体を介して磁界を印加して前記サーボ部に磁気を転写する工程であり、インプリント兼磁界印加手段を用いて行われる。
サーボ部及びデータ部に対してモールド構造体を介して磁界を印加することが好ましい。更には垂直磁気記録媒体に対しては、サーボ部及びデータ部に対してモールド構造体を介して磁界を磁気記録媒体の表面に対して垂直方向に印加することがより好ましい。
【００３０】
前記インプリント工程と前記磁気転写工程とは両者を同時に行ってもよい。これはインプリントレジスト層の硬化処理と同時に磁気転写処理を行うことを意味する。また、インプリント工程前、あるいはインプリント工程後に磁気転写を行ってもよい。インプリント工程前とは、モールド及びレジスト基板が密着状態にあり、レジスト硬化処理前に磁気転写工程を実施することを意味し、インプリント工程後とはモールド及びレジスト基板が密着状態にあり、レジスト硬化処理終了後に磁気転写工程を実施することを意味する。
【００３１】
前記インプリント兼磁界印加手段としては、インプリント法と磁気転写法とを一緒に（一つの手段で）効率よく実施できる機能を有していれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、従来の磁気転写装置に加圧機能（押圧手段）を追加し、更に必要に応じて加熱手段、冷却手段、光照射手段などを追加したものなどが挙げられる。
前記押圧手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばボールネジ等を用いた通常の機械的圧力印加方法、圧力印加容器内を減圧雰囲気とし大気圧間圧力差を用いた方式、高圧空気を用いて中間体を介在して印加する方式、などが挙げられる。
本発明の磁気記録媒体の製造装置としては、具体的には、図４及び図５に示すインプリント・磁気転写装置が用いられる。
【００３２】
ここで、図４は、本発明のインプリント・磁気転写装置の一例を示す概略斜視図、図５は押圧手段の一例を示す概略図である。
図４のインプリント・磁気転写装置２００を構成するインプリント兼磁界印加手段２３０は、押圧手段（図５参照）により磁気記録媒体２０２にモールド構造体２０３，２０４を上下方向からに押し付けた状態で保持する上ホルダ２５０ａ、下ホルダ２５０ｂの上面及び下面に配置された磁石２３０Ａと２３０Ｂ、及び圧力印加容器（ホルダ）２５０を支持するとともにホルダ２５０を磁石２３０Ａと２３０Ｂに対して、図４中の矢印Ａ方向に回転させる回転手段（不図示）で構成されている。なお、ホルダを固定し、磁界印加機構を回転させてもよい。
インプリント方式に応じて、熱インプリント法では、加熱手段及び冷却手段を少なくとも備えており、光インプリント法では、光照射手段を少なくとも備えている。なお、熱インプリント法、及び光インプリント法の両機能を具備していてもよい。
【００３３】
図５に示す押圧手段のバルブ２２１を閉め、バルブ２２２を開け、真空ポンプ２２３を作動させて、圧力印加容器（ホルダ）２５０内を真空排気して上ホルダ２５０ａと、下ホルダ２５０ｂとの間に配置された磁気記録媒体２０２に上下方向からモールド構造体２０３，２０４を押し付けることにより、磁気記録媒体のインプリントレジスト層にモールド構造体の凹凸部に基づく凹凸パターンが転写される。
一方、磁石２３０Ａには電磁石が用いられ、図４に示すように、少なくとも磁気記録媒体２０２の最内周トラックから最外周トラックに亘って半径方向に延びるギャップ２３１を構成するヘッドを備えたコア２３２と、コア２３２に巻き付けられたコイル（不図示）とからなっている。磁石２３０Ｂも同様な構成である。
コイルに通電することにより直流磁界が発生し、回転手段（不図示）がホルダ２５０を回転させて磁気記録媒体２０２のトラック全領域にモールド構造体２０３、２０４の情報が転写されるようになっている。なお、磁石２３０Ａ、磁石２３０Ｂとして電磁石を用いたが、永久磁石を用いてもよい。図４では面内（周）方向に対する磁界印加設備を記載しているが、垂直磁気記録媒体に対しては垂直方向に磁界を印加する設備を用いてもよい。
磁気転写は、事前に磁気記録媒体基材１２（スレーブディスク）に対して、磁束が基材１０の表面に直交する方向に初期化磁界を印加し、一方向に均一に磁化した状態とする。初期化後の磁気記録媒体基材１２（スレーブディスク）に対して、前記初期化磁界と反平行方向にモールド構造体１を介して所定の磁界６０を印加して（図８）、サーボ部１２ｂ及びデータ部１２ａにおける磁性層１１に、磁化６１が正方向に配向し、磁化６２が負方向に配向するように磁気を転写する工程である。所定の磁界６０は、前記初期化方向とは逆方向の転写磁界からなる。
インプリント用モールド構造体１は所定の磁界６０の印加を受けることで、磁束が基材１０の表面に直交する方向に流通して、磁化が確立される。
【００３４】
また、モールド構造体１（マスターディスク）による磁気転写は、図示を省略しているが、磁気記録媒体基体１２（スレーブディスク）の片面にモールド構造体１（マスターディスク）を近づけて片面に転写を行う場合と、磁気記録媒体基体１２（スレーブディスク）の両面に一対のモールド構造体１（マスターディスク）を近づけて両面で同時転写を行う場合とがある。
【００３５】
なお、磁気記録媒体２０２を２つのモールド構造体で挟み込み、磁気記録媒体２０２の上下両面にマスターディスクの情報を転写するように構成したため、ホルダ２５０の上面及び下面に磁石２３０Ａと磁石２３０Ｂとを配置したが、１つのモールド構造体を用い磁気記録媒体２０２の上面又は下面のみに磁気情報を転写する場合は、磁石はホルダ２５０の片側に１個配置するのみでもよい。
【００３６】
図４に示すように、磁石２３０Ａによってコア２３２のヘッド間ギャップ２３１にトラック方向に沿って、初期磁化とは逆方向に磁気記録媒体２０２への転写用磁界Ｈｄｕが発生される。電磁石２３０Ｂの側も同様である。
なお、転写用磁界Ｈｄｕの強度は、磁気記録媒体２０２の上面及び下面の磁性層２０２ｂ、２０２ｃの保持力Ｈｃの０．６倍〜１．３倍が好ましく、０．８倍〜１．２倍がより好ましく、０．９倍〜１．１倍が更に好ましい。
【００３７】
前記インプリント兼磁界印加手段によるインプリントが、熱インプリント法で行われる場合には、以下の加熱手段及び冷却手段を備えている。
−加熱手段及び冷却手段−
前記加熱手段は、磁気記録媒体の基板上の熱可塑性樹脂を少なくとも含むインプリントレジスト組成物からなるインプリントレジスト層を、該熱可塑性樹脂のガラス転移温度近傍、又はそれ以上に加熱する手段である。
前記加熱手段としては、型及び基板の面内温度分布を均一にして高精度に温度制御ができるものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばヒータ、赤外線照射装置、誘導加熱装置、などが挙げられる。また、インプリントレジスト層のみではなく、モールド自身を所定の温度に加熱してもよい。
前記冷却手段は、前記加熱手段により加熱したインプリントレジスト層にモールド構造体を押圧した後、該インプリントレジスト層を冷却する手段である。
前記冷却手段としては、例えば、放熱による自然冷却、空気等の冷媒を介在した強制空冷方式、ヒートシンクを用いた接触式冷却方式、ペルチェ素子等による電子冷却方式、などが挙げられる。
【００３８】
前記インプリント兼磁界印加手段によるインプリントが、光インプリント法で行われる場合には、以下の光照射手段を備えている。
−光照射手段及び光照射工程−
前記光照射手段は、磁気記録媒体の基板上に付与した光硬化性樹脂を少なくとも含むインプリントレジスト組成物にモールド構造体を押圧して、光照射することにより該インプリントレジスト組成物を硬化させる手段である。
前記光照射手段としては、例えば高圧紫外線ランプ、低圧紫外線ランプ、紫外線ＬＥＤなどを用いることができる。照射方法としては、通常の直射に加えて、ファイバー等で導入してもよい。また、パルス照射方式なども使用することができる。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体の製造装置は、以下の保護層被覆手段を備えていることが好ましい。
＜保護層被覆手段及び保護層被覆工程＞
前記保護層被覆手段は、磁気記録媒体のサーボ部に対して磁気転写を実施した後に、前記サーボ部上に保護層を被覆する手段である。被覆領域はインプリントレジスト層に形成された凹凸パターンが有る、或いは無い場合においてもサーボ部を意味する。
図１０に示すように、サーボ部１２ｂにおけるインプリントレジスト層１３に形成されたレジスト凹凸パターンをレジスト層７０（他のレジスト層）で被覆して保護する。これにより、データ部磁性層加工に伴うサーボ部の磁性層除去、劣化を防止できる。
前記レジスト層７０としては、インプリントレジスト組成物と同じく、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、及び無機ガラス樹脂から選択される少なくとも１種が好適に用いられる。インプリントレジストに使用した溶媒に対して不溶な素材を用いてもよい。
前記保護層被覆方法としては、例えばピールコート法、マスクを用いた光リソグラフ法、インクジェット法などを用いることができる。
【００４０】
本発明の磁気記録媒体の製造方法には、更に必要に応じてその他の工程として、例えばクリーニング工程、磁気記録媒体上にレジストを塗布する工程、インプリント及び磁気転写後にレジスト層を更に硬化させる工程、制御工程、などを備えている。
前記クリーニング工程は、事前に磁気記録媒体をクリーニングする工程であり、クリーニング手段により行われる。前記クリーニング手段としては、例えば磁気ヘッド、テープによる方法などが挙げられる。
前記制御工程は、前記各手段の動きの制御、モールド及び磁気記録媒体の位置決め、圧力印加、硬化機構などを制御する工程であり、制御手段により行われる。前記制御手段としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シークエンサー、コンピュータ等の機器が挙げられる。
【００４１】
以下、本発明の磁気記録媒体の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法について、図６〜図１２を参照して説明する。
【００４２】
まず、図６に示すように、基板１０の表面（好ましくは両面）に磁性層１１と、該磁性層１１上にインプリントレジスト層１３を形成する。
【００４３】
次に、図４及び図５に示す磁気記録媒体の製造装置（インプリント・磁気転写装置）を用い、図７に示すように、磁気記録媒体の磁性層１１上に形成されたインプリントレジスト層１３にモールド構造体１の複数の凸部３を押し当てて凹凸パターンを形成する。ここでは、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリントレジスト層１３が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。これにより、インプリントレジスト層１３に凹凸パターンが形成される。
【００４４】
次に、図４及び図５に示す磁気記録媒体の製造装置（インプリント・磁気転写装置）を用い、図８に示すように、モールド構造体１を介して所定の磁界６０を印加してサーボ部１２ｂ及びデータ部１２ａにおける磁性層１１に磁化６１が正方向に配向し、磁化６２が負方向に配向するように磁気転写する。インプリント用モールド構造体１は所定の磁界６０に曝されることによって、磁束が基板１０の表面に直交する方向に流通して、基板１０の表面に直交する方向に磁化６１、６２が確立される。なお、所定の磁界６０は、初期化磁界と前記初期化方向とは逆方向の転写磁界とからなる。
ここで、モールド構造体を剥離すると、図９に示すように、インプリントレジスト層１３に凹凸パターンが形成され、磁性層１１に磁気が記録される。
【００４５】
次に、図１０に示すように、サーボ部１２ｂにおけるインプリントレジスト層１３に形成されたレジスト凹凸パターンをレジスト層７０で被覆する。被覆方法としてはピールコート法、マスクを用いた光リソグラフ法、インクジェット法などを用いることができる。
レジスト層７０としては、前記インプリントレジスト組成物と同じく、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが挙げられ、インプリントレジストに使用した溶媒に対して不溶な素材を用いてもよい。
【００４６】
次に、図１１に示すように、サーボ部１２ｂにおけるレジスト層７０をマスクにして、ダータ部１２ａにおけるインプリントレジスト層１３に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状をデータ部１２ａの磁性層１１に形成する。
凸凹形成方法としては、イオンビームエッチング、ＲＩＥ、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはＡｒ、ＲＩＥのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
この磁性層パターニング工程におけるエッチングによりデータ部１２ａの一部磁性層が除去されるため、データ部１２ａに転写された磁気（磁化６１、６２）が消失、あるいは減衰する。
【００４７】
次に、図１２に示すように、磁性層１１の凸部１１ａ上のインプリントレジスト層１３を除去する。除去方法としてはレジスト可溶な溶媒での浸透法、反応性イオンエッチング法などを用いることができる。浸透法では超音波を印加し、レジスト除去を促進させてもよい。
更に必要に応じて、前記磁性層の凹部１１ｂをＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
以下、第２実施形態に係る本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法について、図１３〜図１９を参照して説明する。
【００４９】
まず、図１３に示すように、基板１０の表面（好ましくは両面）に磁性層１１を形成し、該磁性層表面のデータ部１２ａのみにインプリントレジスト層１３を形成する。
【００５０】
次に、図４及び図５に示す磁気記録媒体の製造装置（インプリント・磁気転写装置）を用い、図１４に示すように、磁気記録媒体基体１２のデータ部１２ａのみに形成されたインプリントレジスト層１３にモールド構造体１の複数の凸部３（データパターン用凸部３ａ）を押し当てて凹凸パターンを形成する。
【００５１】
次に、図４及び図５に示す磁気記録媒体の製造装置（インプリント・磁気転写装置）を用い、図１５に示すように、モールド構造体１を介して所定の磁界６０を印加してサーボ部１２ｂ及びデータ部１２ａにおける磁性層１１に磁化６１が正方向に配向し、磁化６２が負方向に配向するように磁気転写する。インプリント用モールド構造体１は所定の磁界６０に曝されることによって、磁束が基板１０の表面に直交する方向に流通して、基板１０の表面に直交する方向に磁化６１、６２が確立される。なお、所定の磁界６０は、初期化磁界と前記初期化方向とは逆方向の転写磁界とからなる。
磁気転写工程において、サーボパターン用凸部３ｂがサーボ部１２ｂにおける磁性層１１に密着した状態で所定の磁界６０が印加されているので、サーボ部１２ｂにおける磁性層１１に確実に磁気を転写することができる。
ここで、モールド構造体を剥離すると、図１６に示すように、インプリントレジスト層１３に凹凸パターンが形成され、磁性層１１に磁気が記録される。
【００５２】
次に、図１７に示すように、サーボ部１２ｂにおける磁性層１１をレジスト層７０で被覆する。被覆方法としては、例えばピールコート法、マスクを用いた光リソグラフ法、インクジェット法などを用いることができる。
レジスト層７０としては、前記インプリントレジスト組成物と同じく、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが挙げられ、インプリントレジストに使用した溶媒に対して不溶な素材を用いてもよい。
【００５３】
次に、図１８に示すように、サーボ部１２ｂの磁性層１１を被覆するレジスト層７０をマスクにして、データ部１２ａにおけるインプリントレジスト層１３に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状をデータ部１２ａの磁性層１１に形成する。凸凹形成方法としてはイオンビームエッチング、ＲＩＥ、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。イオンビームエッチングでのプロセスガスとしてはＡｒ、ＲＩＥのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
この磁性層パターニング工程におけるエッチングによりデータ部１２ａの一部磁性層が除去されるため、データ部１２ａに転写された磁気（磁化６１、６２）が消失、あるいは減衰する。
【００５４】
次に、図１９に示すように、磁性層１１の凸部１１ａ上のインプリントレジスト層１３を除去する。除去方法としてはレジスト可溶な溶媒での浸透法、反応性イオンエッチング法などを用いることができる。浸透法では超音波を印加し、レジスト除去を促進させてもよい。
【００５５】
更に必要に応じて、前記磁性層の凹部１１ｂをＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；円滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
【００５６】
本発明の磁気記録媒体の製造装置により製造された磁気記録媒体は、図１２及び図１９に示すように、サーボ部１２ｂにおけるサーボ信号が、正方向に配向した磁化６１と負方向に配向した磁化６２とで形成されている。また、データ部１２ａに形成された凹凸パターン磁性層凸部幅の３σ値が１５ｎｍ以下である。
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法により製造された磁気記録媒体は、ディスクリート型磁気記録媒体及びパターンドメディア型磁気記録媒体の少なくともいずれかであることが好適である。
【実施例】
【００５７】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００５８】
（実施例１）
＜モールドの作製＞
−原盤の作製−
８インチＳｉウェハー上に電子線レジストをスピンコート法により１００ｎｍ塗布した。回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凸凹パターン有するレジストＳｉ基材を作製した。凸凹パターン有するレジストＳｉ基材に対して反応性イオンエッチング処理を行い、凸凹レジストをマスクとして用い、Ｓｉ基材上に凸凹形状を形成した。残存するレジストを可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥させて原盤を作製した。
【００５９】
使用したパターンはデータ部とサーボ部に大別される。前記データ部は、凸幅：９０ｎｍ、凹幅：３０ｎｍ（ＴＰ＝１２０ｎｍ）のパターンとした。前記サーボ部に関しては、基準信号長が８０ｎｍであり、総セクタ数が１２０であり、プリアンブル部（４０ｂｉｔ）／サーボマーク部（６ｂｉｔ）／ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）／ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）／バースト部（Ｂｕｒｓｔパターン）で構成されている。また、前記サーボマーク部は“００１０１０”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部はＢｉｎａｒｙであり、前記ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部はＧｒａｙ変換を用いた。前記バースト部は一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）であり、マンチェスター変換を使用した。
【００６０】
−メッキ法によるモールド中間体の作製−
前記原盤上にスパッタ法によりＮｉ導電性膜を２０ｎｍ形成した。導電性膜形成後の原盤をスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し電界メッキにより厚み２００μｍのＮｉ膜を形成した後、Ｓｉ原盤よりＮｉ膜を引き剥がし、洗浄を行うことでメッキ法によるモールド中間体を得た。
【００６１】
−磁気転写用磁性層形成方法−
前記モールド中間体上に、スパッタリング法にてＦｅＣｏ３０原子％磁性層を厚み１００ｎｍに形成し、モールドを作製した。
【００６２】
＜垂直磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基材上に以下の手順で垂直磁気記録媒体を作製した。前記作製した垂直磁気記録媒体は、順次形成された、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層（磁性層）、保護層、潤滑剤層を少なくとも備える。前記軟磁性層、前記第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層、保護層についてはスパッタリング法で作製し、潤滑剤層はディップ法で作製した。
軟磁性層材料としてＣｏＺｒＮｂを厚み１００ｎｍ積層した。ガラス基材をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１５００Ｗで成膜した。
第１非磁性配向層としてＴｉを厚み５ｎｍ、第２非磁性配向層としてＲｕを厚み１０ｎｍを形成した。第１非磁性配向層はＴｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。第１非磁性配向層形成後にＲｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入、ＤＣ１，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２非磁性配向層Ｒｕを成膜した。
更に、記録層としてＣｏＣｒＰｔＯを厚み１５ｎｍに形成した。ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２を０．０４％含むＡｒガスを圧力が１８Ｐａになるように流入し、ＤＣ２９０Ｗで放電し記録層を成膜した。磁性層形成後にＣターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入し、ＤＣ１，０００Ｗで放電してＣ保護層を厚み４ｎｍで成膜した。垂直磁気記録媒体の保磁力は３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）であった。
【００６３】
−ナノインプリント、磁気転写工程、及び磁性層パターニング−
図４及び図５に示す磁気記録媒体の製造装置（インプリント・磁気転写装置）を用いて、前記垂直磁気記録媒体に対しナノインプリント前に前記垂直磁気記録媒体の初期化を実施した。ノボラック系レジスト（マイクロレジスト社製、ｍｒ−Ｉ７０００Ｅ）を厚みが１００ｎｍとなるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）にて塗布した。
前記レジスト塗布済み垂直磁気記録媒体に対して前記モールドを対向するように配置し、前記垂直磁気記録媒体を１００℃で加熱した後、３ＭＰａの圧力にて前記モールドと前記垂直磁気記録媒体とを１０秒間密着させ、磁界を印加し磁気転写を実施した。磁気転写に用いる磁界強度は４．２ｋＯｅであった。磁界の印加を終了した後、前記モールドと前記垂直磁気記録媒体を剥離した。
【００６４】
次に、サーボ部１２ｂに対してピールコートでレジスト層（図１０におけるレジスト層７０）としてのＳＵ−８（マイクロケム社製）を貼り付けた。
【００６５】
モールド剥離後の垂直磁気記録媒体に対してＯ２ＲＩＥにてインプリント部に残存したレジストを除去した。
上記レジスト除去工程後に磁性層の凸凹形状加工を実施した。磁性層の凸凹形状加工としてはＡｒガスを用いたイオンビームエッチング法を用いた。磁性層の凸凹形状加工後、Ｏ２ＲＩＥにて残存レジストを除去した。上記磁性層の凸凹形状加工工程後にディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。以上により、磁気記録媒体を作製した。
【００６６】
（実施例２）
【００６７】
実施例１と同様にして作製したモールド、垂直磁気記録媒体を用いて、以下のようにして、ナノインプリント、磁気転写工程、及び磁性層パターニングを行った。
【００６８】
−ナノインプリント、磁気転写工程、及び磁性層パターニング−
図４及び図５に示す磁気記録媒体の製造装置（インプリント・磁気転写装置）を用いて、前記垂直磁気記録媒体に対してナノインプリント前に前記垂直磁気記録媒体の初期化を実施した。ノボラック系レジスト（マイクロレジスト社製、ｍｒ−Ｉ７０００Ｅ）を厚みが１００ｎｍとなるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）にて塗布した。塗布されたノボラック系レジスト上にエポキシ系レジスト（化薬マイクロケム社製、ＳＵ−８−２）を１０ｎｍとなるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）にて作製した。
サーボ信号のセクタに対応した位置に、Ｃｒ膜を具備するマスクを用意（データ領域では除去）し、前記レジスト塗布済み記録媒体を紫外線で露光後、現像した。前記エポキシ系レジストは、ネガ型であるため、サーボフレーム以外（露光部分）にレジストが残存する。サーボフレーム以外にレジストが残存した状態で、アセトンに２０秒間浸すことで、サーボ部に残存するノボラック系レジスト（マイクロケム社製、ＳＵ−８−２）を除去した。
前記レジスト塗布済み垂直磁気記録媒体に対して前記モールドを対向するように配置し、前記垂直磁気記録媒体を１１０℃で加熱した後、１．５ＭＰａの圧力にて前記モールドと前記垂直磁気記録媒体とを３０秒間密着させ、磁界を印加し磁気転写を実施した。磁気転写に用いる磁界強度は４．６ｋＯｅであった。磁界の印加を終了した後、前記モールドと前記垂直磁気記録媒体を剥離した。
【００６９】
次に、サーボ部１２ｂに対してピールコートでレジスト層（図１７におけるレジスト層７０）としてのＳＵ−８（マイクロケム社製）を貼り付けた。
【００７０】
モールド剥離後の垂直磁気記録媒体に対してＯ２ＲＩＥにてインプリント部に残存したレジストを除去した。
上記レジスト除去工程後に磁性層の凸凹形状加工を実施した。磁性層の凸凹形状加工としてはＡｒガスを用いたイオンビームエッチング法を用いた。磁性層の凸凹形状加工後、Ｏ２ＲＩＥにて残存レジストを除去した。上記磁性層の凸凹形状加工工程後にディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。以上により、磁気記録媒体を作製した。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明の磁気記録媒体の製造装置は、インプリント兼磁界印加手段により磁気記録媒体のサーボ信号の記録は磁気転写法で行い、データ部の凹凸パターンはナノインプリント法で効率よく作製でき、サーボ部信号品位が良好である磁気記録媒体を安定かつ効率よく製造することができるので、高性能な次世代の磁気記録媒体の製造に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】図１は、本発明で用いるモールド構造体の一例を示す部分斜視図である。
【図２】図２は、モールド構造体の製造方法における原盤の作製を示す工程図である。
【図３】図３は、モールド構造体の製造方法におけるモールドの作製を示す工程図である。
【図４】図４は、本発明の磁気記録媒体の製造装置の一例を示す図である。
【図５】図５は、本発明の磁気記録媒体の製造装置における押圧手段の一例を示す図である。
【図６】図６は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の磁気記録媒体の製造装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図２０】図２０は、従来の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図２１】図２１は、従来の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図２２】図２２は、従来の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図２３】図２３は、従来の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【図２４】図２４は、従来の磁気記録媒体の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７３】
１      モールド構造体
２      基板
２ａ    表面
３      凸部
３ａ    データパターン用凸部
３ｂ    サーボパターン用凸部
１０    基板
１１    磁性層
１２    磁気記録媒体基体
１２ａ  データ部
１２ｂ  サーボ部
１３    インプリントレジスト層
１３ａ  レジスト残渣
５０    Ｓｉ基板
５１    フォトレジスト層
５２    原盤
５３    被加工基板
５４    インプリントレジスト層
６０    磁界
６１    磁化
６２    磁化
７０    レジスト層
１００    データ部に対応する領域
１０１    凸部
１０２    サーボ部に対応する領域
１０３    磁性層
１０４    凸部
１１０    金型
１１１    レジスト
１２０    磁気記録媒体
１２１    レジスト残渣
１２２    データ部
１２３    サーボ部
１３０    金属膜
２１０    磁気記録媒体の製造装置
２２０    押圧手段
２２１    バルブ
２２２    バルブ
２２３    真空ポンプ
２３０    インプリント兼磁界印加手段
２３０Ａ    磁石
２３２    コア
２５０    ホルダ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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