(57)【要約】【課題】熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない信頼性の高いリードフレームを安定的に供給するリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を搭載するダイパットと、外部回路と結線を行うアウターリードと、アウターリードに延在し半導体素子上の接続用パッドに結線するインナーリードと、を備えるリードフレームであって、リードフレームの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とするリードフレーム。【選択図】図１
2009099871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載するダイパットと、
外部回路と結線を行うアウターリードと、
前記アウターリードに延在し前記半導体素子上の接続用パッドに結線するインナーリードと、
を備えるリードフレームであって、
前記リードフレームの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記リードフレームの材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）からなる素地金属を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記リードフレームの全面に銅ストライクメッキが被覆され、前記インナーリードと前記ダイパッドとの部分に銀メッキが順次被覆されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のリードフレーム。
【請求項７】
素地金属をエッチングすることによりダイパット、アウターリード及びインナーリードを有するリードフレーム素材を形成し、
前記リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記素地金属の材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）を有することを特徴とする請求項７に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項７又は８に記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
前記リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工する方法として、エッチング、化学研磨及び電解研磨のいずれかを用いることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
前記リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１２】
前記インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至６のいずれかに記載の前記リードフレームと、
前記ダイパッド上に搭載された前記半導体素子と、
前記半導体素子を封止する前記封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至６のいずれかに記載の前記リードフレームの前記ダイパッド上に前記半導体素子を搭載し、
前記半導体素子を封止樹脂を用いて封止させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関し、特に、熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわないリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の組み立て部材として用いられる（単層）リードフレームは、通常、コバール、４２合金及び銅系合金のような導電性に優れた金属からなり、プレス法もしくはエッチング法によりパターン形成されていた。
【０００３】
また、リードフレームの種類の一つに、樹脂封止（プラスチックパッケージ）型のリードフレームが知られている。樹脂封止（プラスチックパッケージ）型リードフレームの形態としてＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ、ＬＯＣ（Ｌｅａｄ  Ｏｎ  Ｃｈｉｐ）タイプ及びＣＯＬ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｌｅａｄ）タイプ等が挙げられるが、ここではＱＦＰタイプを例に取り、樹脂封止（プラスチックパッケージ）型のリードフレームの説明を行う。
【０００４】
図８に示すように、ＱＦＰタイプのリードフレーム１２０は、半導体装置（ＩＣチップ）を搭載する部位であるダイパッド１２１と、ダイパッド１２１上に搭載する半導体素子に形成された接続用パッドと結線されるダイパッド１２１の周囲に設けられた複数のインナーリード１２３と、外部回路との結線を行うインナーリード１２３から連続するアウターリード１２２と、リードフレーム１２０を樹脂封止１３５する際に封止樹脂１３５をせき止めるダムとなるダムバー１２４と、リードフレーム１２０全体を保持するフレーム（枠）部１２５等を備えている。なお、ダムバー１２４及びフレーム（枠）部１２５は、最終的に切断除去される部位である。
【０００５】
図９に示すように、半導体装置１００は、ダイパッド１２１上に半導体素子１１０を搭載した後、半導体素子１１０に形成された接続用パッド１１１とインナーリード１２３の先端部とを、金（Ａｕ）等のワイヤー１３０で結線（ワイヤーボンディング）を行う。樹脂１３５にて半導体素子１１０を覆うようダムバー１２４より内側を樹脂封止１３５した後、ダムバー１２４部の切断、アウターリード１２２を所定の形状に形成する等の工程を経て半導体装置１００を得るものである。
【０００６】
上述した例に示すリードフレーム１２０は、図１０に示すように、ワイヤーボンディング時及びダイパッド１２１に半導体素子１１０を搭載する際に、リードフレーム１２０との強い結合力と導電性とを得るため、ワイヤーボンディングを行うインナーリード１２３の先端部及び半導体素子１１０を搭載する面側のダイパッド１２１面に貴金属めっきを施しているものである。貴金属めっきとしては、銀めっき１４０が一般的に行われており、図１０では、銀めっき１４０部位を黒塗りにて示している。なお、インナーリード１２３の先端部及び半導体素子１１０を搭載する面側のダイパッド１２１面等、リードフレーム１２０の所定の部位に選択的に行う銀めっき１４０を、以下、部分銀めっき１４０と記す。
【０００７】
図１０に示すように、銅合金を素材とするリードフレーム１２０に部分銀めっき１４０処理を行うにあたり、リードフレーム１２０に銅ストライクめっきを被覆した後、半導体素子１１０搭載部であるダイパッド１２１とインナーリード１２３との先端部とに部分銀めっき１４０を形成したものである。その部分銀めっき１４０工程の一例を以下に記す（図示せず）。
【０００８】
まず、プレス法、もしくはフォトエッチング法等の公知の手段により所定の形状に外形加工されたリードフレーム１２０に対し、脱脂、酸洗浄等の前処理工程を行う。
【０００９】
次に、部分銀めっき１４０の下地となる下地めっきをリードフレーム１２０に施す。下地めっきは銅めっきが通常的に用いられ、厚さ０．１μｍ〜０．２μｍ程度の銅（Ｃｕ）ストライクめっきとすることが一般的となっている。
【００１０】
次に、所定の領域、例えば、インナーリード１２３の先端部及び半導体素子１１０を搭載する面側のダイパッド１２１面等に厚さ１．５μｍ〜１０μｍ程度の部分銀めっき１４０を施す。なお、部分銀めっき１４０の形成方法としては、所定の開口部を有するマスキング治具をリードフレーム１２０に密着させ、または、所定の開口部を有する電着レジストをリードフレーム１２０に形成し、その後、リードフレーム１２０に銀めっき１４０を行うことで、開口部より露出した部位に選択的に銀めっき１４０を行う方法等が知られている。
【００１１】
次に、めっき液がモレる等で、部分銀めっき１４０が施されてはならないリードフレーム１２０部位に付着した銀を除去する電解剥離処理を行う。次に、酸化、水酸化による銀めっき１４０の変色を防止するため変色防止処理を行う。なお、変色防止処理の方法としては、例えば、銀めっき１４０表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜を形成することが一般的となっている。
【００１２】
銅合金を素地金属とし、下地めっき（銅ストライクめっき）を介して部分銀めっき１４０を施したリードフレーム１２０においては、リードフレーム１２０製造後に行われる、半導体素子１１０の搭載、ワイヤーボンディング、樹脂封止１３５等の半導体装置１００の製造工程や半導体装置１００の実装工程において、下地めっき（銅ストライクめっき）が剥離することがなく、また、半導体装置１００を使用する際にも下地めっき（銅ストライクめっき）が剥離しないことが要求されている。
【００１３】
また、封止樹脂１３５にてリードフレーム１２０を封止後、リードフレーム１２０からの封止樹脂１３５のデラミネーション（剥離）が生じないことが要求される。すなわち、デラミネーションが生じた場合、リードフレーム１２０と封止樹脂１３５の隙間より湿気が進入し、半導体装置１００の耐久性、信頼性を低下させる等の問題が生じるためである。
【００１４】
封止用樹脂１３５とリードフレーム１２０及びダイパッド１２１とリードフレーム１２０との界面でのデラミネーションの主な要因は、封止樹脂１３５、リードフレーム１２０及びＩＣチップの熱膨張係数の差である。また、一方で銅合金を素地金属としたリードフレーム１２０では、ＩＣ（半導体装置１００）組み立て工程中の加熱工程で、銅合金表面に酸化膜が生じ、この酸化膜が金属（銅合金）封止樹脂１３５の密着性を低下させていると考えられている。
【００１５】
このような状況のもと、特許文献１には、封止用樹脂とダイパッド裏面との界面や封止用樹脂とリードフレーム全面との界面の密着強度を向上させ、デラミネーション発生を防止するための方法が開示されている。さらに、特許文献１では、クロムと亜鉛との混合体あるいはクロム及び亜鉛それぞれの単体からなる薄い被膜で全面を覆ったリードフレームが開示されている。しかし、このリードフレームは、銀めっき部分も他の金属被膜で覆われるため、金ワイヤーボンディング性が劣るという問題がある。また、リードフレーム素材の表面粗さを大きくし、アンカー効果により、リードフレームと封止樹脂の物理的な密着強度を向上する試みもなされている。
【００１６】
一方で、ＩＣ組み立て工程の条件は、組立を実施するＩＣメーカーにより異なり、近年はより高温でのプロセスへの対応が求められている。また、比較的低温プロセスを用いるＩＣメーカーにおいても、さらなる信頼性の向上が求められている。
【００１７】
このように、リードフレームにおいては、リードフレーム、封止樹脂及びＩＣチップの熱膨張係数の違いに起因するデラミネーションが発生しており、高温プロセス対応及び信頼性の向上が求められている。
【特許文献１】特表平７−５０３１０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない信頼性の高いリードフレームを安定的に供給するリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の請求項１に係る発明は、半導体素子を搭載するダイパットと、外部回路と結線を行うアウターリードと、アウターリードに延在し半導体素子上の接続用パッドに結線するインナーリードと、を備えるリードフレームであって、リードフレームの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とするリードフレームとしたものである。
【００２０】
本発明の請求項２に係る発明は、インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレームとしたものである。
【００２１】
本発明の請求項３に係る発明は、リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至２に記載のリードフレームとしたものである。
【００２２】
本発明の請求項４に係る発明は、インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリードフレームとしたものである。
【００２３】
本発明の請求項５に係る発明は、リードフレームの材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）からなる素地金属を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリードフレームとしたものである。
【００２４】
本発明の請求項６に係る発明は、リードフレームの全面に銅ストライクメッキが被覆され、インナーリードとダイパッドとの部分に銀メッキが順次被覆されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のリードフレームとしたものである。
【００２５】
本発明の請求項７に係る発明は、素地金属をエッチングすることによりダイパット、アウターリード及びインナーリードを有するリードフレーム素材を形成し、リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工することを特徴とするリードフレームの製造方法としたものである。
【００２６】
本発明の請求項８に係る発明は、前記素地金属の材料は、銅合金材または４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）を有することを特徴とする請求項７に記載のリードフレームの製造方法、本発明の請求項９に係る発明は、インナーリードの断面形状が丸みを帯びていることを特徴とする請求項７又は８に記載のリードフレームの製造方法としたものである。
【００２７】
本発明の請求項１０に係る発明は、リードフレーム素材の断面形状が丸みを帯びるように加工する方法として、エッチング、化学研磨及び電解研磨のいずれかを用いることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載のリードフレームの製造方法としたものである。
【００２８】
本発明の請求項１１に係る発明は、リードフレームの丸みを帯びた部分の半径（Ｒ）は２０μｍ以上であることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方法としたものである。
【００２９】
本発明の請求項１２に係る発明は、インナーリードの先端部には平坦化された平坦部が形成されていることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれかに記載のリードフレームの製造方法としたものである。
【００３０】
本発明の請求項１３に係る発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載のリードフレームと、ダイパッド上に搭載された半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂と、を備えたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置としたものである。
【００３１】
本発明の請求項１４に係る発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載のリードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載し、半導体素子を封止樹脂を用いて封止させたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、熱膨張係数の違いに起因したデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない信頼性の高いリードフレームを安定的に供給するリードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。
【００３４】
図１に示すように、本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０は、半導体素子を搭載するダイパッド１と、半導体素子上に選択的に形成された接続用パッドと結線されるインナーリード３と、インナーリード３から延在する外部回路との結線を行うアウターリード２と、リードフレーム１０を樹脂封止する際に封止樹脂をせき止めるダムバー４と、リードフレーム１０全体を保持するフレーム（枠）部５とを備え、さらに吊りバー６を備えている。
【００３５】
本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０の素地金属としては、銅合金に加え、４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）及びコバール等の導電性に優れた材料を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。リードフレーム１０の厚さとしては、リードフレーム１０としての強度を保持する為、０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍであることが望ましい。
【００３６】
本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０の素地金属には銅合金を用い、銅合金をフォトエッチングにより図１に示すようにそれぞれのパターンを形成することでリードフレーム１０素材を作製することができる。パターン形成のためのフォトエッチングは、リードフレーム１０の角部に丸みが帯びるように半径Ｒを形成するため銅合金の厚みの減少を考慮して、予め弱めにエッチングを行なう、すなわち、リードフレーム１０等の厚みを所定量より厚く形成することが好ましい。
【００３７】
リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成方法としては、エッチング、化学研磨及び電解研磨等の方法を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。丸みを帯びた半径Ｒの形成方法にエッチングを用いる場合には、塩化第二鉄系、塩化第二銅系のエッチング液等を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。丸みを帯びた半径Ｒの形成方法に化学研磨を用いる場合には、過硫酸アンモニウム系、硫酸・過酸化水素系の液等を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。丸みを帯びた半径Ｒの形成方法に電解研磨を用いる場合には、りん酸・硝酸系、アルカリ系の液等を用いることができるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００３８】
本発明の実施の形態に係るリードフレーム１０の製造方法は、図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、素地金属である銅合金を用いてエッチングを用いて所望の形状に形成しリードフレーム１０のパターンを作製した。ここで、図２（ｂ）に示すように、リードフレーム１０の断面は逆オーバーハング形状である。
【００３９】
次に、図２（ｄ）に示すように、エッチング、化学研磨及び電解研磨等の処理を行うことによって、リードフレーム１０を断面から見た場合の角の部分に丸みを帯びた半径Ｒを形成し、リードフレーム１０を作製した。
【００４０】
リードフレーム１０の角部に丸みが帯びるよう半径Ｒを形成するにはエッチング、化学研磨及び電解研磨等の処理を行うことにより、リードフレーム１０に急峻な角が無くなり、ＩＣ（半導体装置）組み立て工程中の熱処理によって熱応力が発生しても、応力集中が緩和され、熱膨張係数の違いによるデラミネーションを抑止することができる。
【００４１】
図３（ａ）〜（ｄ）は、図２（ａ）〜（ｄ）と同じ製造方法を用いてリードフレーム１０を作製するため詳細の説明は省略する。素地金属である銅合金を用いてエッチングを用いて所望の形状に形成しリードフレーム１０のパターンを作製した際に、図３（ｂ）では、リードフレーム１０の断面はオーバーハング形状である。
【００４２】
図４に示すように、リードフレーム１０の角部に形成された丸みを帯びた半径Ｒは２０μｍ以上であることが好ましい。丸みを帯びた半径Ｒが２０μｍ以上である場合、熱膨張係数の違いにより発生した応力をリードフレーム１０の角部に集中することなく効果的に分散できる。丸みを帯びた半径Ｒが２０μｍ未満の場合、リードフレーム１０の角部が急峻であるため、リードフレーム１０の角部の応力集中を抑制する効果が低下してしまうためである。
【００４３】
図５（ａ）〜（ｄ）に示すように、素地金属である銅合金を用いてエッチングにて所望の形状にリードフレーム１０を作製する場合、予めエッチングを弱めに行い、所定の厚みより厚くリードフレーム１０を形成する。
【００４４】
その後、フォトレジスト７剥離を行い、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成を行う。丸みを帯びた半径Ｒの形成と同時にリードフレーム１０の厚みの規定を行うことで、丸みを帯びた半径Ｒの形成時にリードフレーム１０の厚みが薄くなる事を抑制することができる。
【００４５】
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、前述した図５（ａ）〜図５（ｄ）と同一構成及び同一の形成方法のため説明は省略する。
【００４６】
図６（ｅ）に示すように、リードフレーム１０の角部が丸みを帯びるよう半径Ｒを形成した後、インナーリード３先端部のワイヤーボンド部に、プレス等の方法で平坦化して平坦部を形成することにより、ワイヤーボンド時に必要となるインナーリード３先端部の平坦部を増加させるものである。リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成により、インナーリード３先端部の平坦部が減少した場合でも、プレス等の方法で平坦化する平坦部を増加させることで、ワイヤーボンディングに必要な面積を作製することができる。インナーリード３先端部に平坦部を形成することで、狭ピッチのリードフレーム１０に形成されたパターンに対しても安定的にワイヤーボンディングを行なうことができる。
【００４７】
図７（ｂ）に示すように、銅ストライクめっき２０をリードフレーム１０の表面全体に形成することができる。その後、図７（ｃ）に示すよう所定の部位に部分銀めっき３０を形成することができる。
【００４８】
銅ストライクめっき２０の形成方法を説明する。銅ストライクめっき２０の形成条件は、液温５０℃のシアン化銅とシアン化ナトリウムとを適量混合しためっき液にて約２０秒間電解銅めっきを行い、０．1μｍの厚さの銅ストライクめっき２０を形成した。銅ストライクめっき２０の厚さは０．０５μｍ〜０．３μｍが望ましい。
【００４９】
銅ストライクめっき２０が形成されたリードフレーム１０表面を水洗洗浄した後、部分銀めっき３０を行う際にリードフレーム１０の不要な部分に銀が析出しないよう、リードフレーム１０全面に置換防止処理を行った。置換防止処理とは薄い銀（Ａｇ）有機被膜をリードフレーム１０表面に形成したものである。
【００５０】
次に、部分銀めっき３０の形成方法について説明する。半導体素子を搭載する面側のダイパッド１面及びインナーリード３先端部の領域が露出するよう、所定の開口部を有するマスキング治具でリードフレーム１０を覆った後、リードフレーム１０を陰極として、めっき液をノズルよりリードフレーム１０に噴射する方式のめっき法により、厚さ３μｍの部分銀めっき３０をリードフレーム１０の所定領域に形成した（図７（ｃ））。
【００５１】
部分銀めっき３０を形成した後に、リードフレーム１０を水洗洗浄し、ダイパッド１面及びインナーリード３先端部以外の銀が付着してはならない部位に付着した銀めっき３０、例えば、マスキンング治具よりモレた銀めっき３０を電解剥離により除去した。その後、リードフレーム１０を水洗洗浄し、温風でリードフレーム１０を乾燥させた。なお、電解剥離を行った後に、変色防止処理を行うことができる。変色防止処理とは、例えば、銀めっき３０表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜を形成することである。
【００５２】
リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒを形成することにより、熱膨張係数の違いに起因する応力の集中を緩和でき、ＩＣ組み立て工程において高温にさらされても、デラミネーションの発生しにくいリードフレーム１０を作製することができる。
【実施例】
【００５３】
［実施例１］
リードフレーム１０には、厚さ０．１２５ｍｍの銅合金材、古河電工（株）製、商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ材」を用いた。銅合金材をフォトエッチングにより、リードフレーム１０のパターン（外形）をそれぞれ形成した。リードフレーム１０の断面は図３（ｃ）と同様のオーバーハング形状であり、丸みを帯びた半径Ｒは形成されていなかった。
【００５４】
フォトレジスト７を剥離した後、４０℃の塩化第二鉄液にディップ法を用いて、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒを形成した。形成されたインナーリード３の丸みを帯びた半径Ｒは２５μｍであり、平坦幅は６０μｍであった。
【００５５】
次に、リードフレーム１０に脱脂、水洗等の前処理を行い、銅ストライクめっき２０を形成した（図７（ｂ））。その後、部分銀めっき３０、余分な銀めっきの電解剥離、変色防止処理を行った。最後にインナーリード３先端部のプレスを行い、平坦幅８０μｍを得た。この時のインナーリード３先端部の丸みを帯びた半径Ｒは３０μｍであった。
【００５６】
［実施例２］
外形形成のエッチングを予め弱く行ったこと、丸みを帯びた半径Ｒの形成方法、インナーリード３先端部のプレスを行わなかったこと以外は実施例１と同様の方法を用いてリードフレーム１０を形成した。
【００５７】
具体的には、リードフレーム１０の外形形成のエッチング時間を短くし、図５（ｂ）と同様の断面形状を得た。フォトレジスト７を剥離した後、５０℃の化学研磨液、三菱ガス化学(株)製、商品名「ＣＰＥ−７５０」を用いてディップ処理を行い、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒを形成した。得られたインナーリード３の丸みを帯びた半径Ｒは３０μｍであり、平坦幅は８５μｍであった。
【００５８】
次に、リードフレーム１０に脱脂、水洗等の前処理を行い、銅ストライクめっき２０、部分銀めっき３０、余分な銀めっきの電解剥離、変色防止処理を行った。上記部分銀めっき３０形成後のインナーリード３先端部の丸みを帯びた半径Ｒは、処理前と同様の３０μｍであった。
【００５９】
［比較例１］
比較例１のリードフレーム１０は、リードフレーム１０の角部に丸みを帯びた半径Ｒの形成を行わず、インナーリード３先端部のプレスを行わなかったこと以外は実施例１と同様の方法を用いてリードフレーム１０を得た。得られたインナーリード３の断面形状は図３（ｃ）と同様のオーバーハング形状であり、リードフレーム１０の断面に丸みを帯びた半径Ｒはなく、平坦幅は８５μｍであった。
【００６０】
実施例１、２及び比較例１で得られたリードフレーム１０に、通常のＩＣ組み立て工程、例えばＩＣチップマウント:１５０℃、３ｍｉｎ、ワイヤーボンディング：２４０℃、５ｍｉｎよりも厳しい条件である、３００℃、１０ｍｉｎの熱処理を行った。その後、エポキシ系の封止樹脂を用い、成形温度１７５℃にてトランスファーモールド法にて封止を行った。樹脂封止後のリードフレーム１０と封止樹脂のデラミネーションの有無を超音波映像装置（ＳＡＴ：Ｓｃａｎ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）にて判断した。
【００６１】
実施例１、２においては樹脂のデラミネーションは全く観測されなかったが、比較例１においては、数カ所デラミネーションが発生していた。
【００６２】
以上の事より、リードフレーム１０に丸みを帯びた半径Ｒを形成することにより、封止樹脂とリードフレームとの熱膨張係数の違いに起因する応力の集中を緩和でき、ＩＣ組み立て工程において高温にさらされても、デラミネーションの発生しにくいリードフレーム１０を作製することができた。
【００６３】
以上、本発明の実施例及び比較例について説明したが、本発明の実施の形態は上述した説明に限定されることなく、本発明の趣旨に基づき種々の変形を行っても構わない。例えば、上述した説明では、ＱＦＰタイプのリードフレームでの例を示したが、ＬＯＣタイプやＣＯＬタイプ等の樹脂封止型リードフレームに本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態に係るリードフレームを示す概略平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示す概略断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示す概略断面図である。
【図４】リードフレームの丸みを帯びた半径Ｒを概念的に示す概略断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示した概略断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は本発明の実施の形態に係るリードフレームの要部を工程順に示した概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るリードフレームへのめっき工程を示す概略断面図である。
【図８】リードフレームの一例を示す概略平面図である。
【図９】半導体装置の要部を示す概略断面図である。
【図１０】リードフレームに施した部分銀めっきの一例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  ダイパッド
２  アウターリード
３  インナーリード
４  ダムバー
５  フレーム（枠）部
６  吊りバー
７  フォトレジスト
１０  リードフレーム
Ｒ  丸みを帯びた半径
１００  半導体装置
１１０  半導体素子
１１１  接続用パッド
１２０  リードフレーム
１２１  ダイパッド
１２２  アウターリード
１２３  インナーリード
１２４  ダムバー
１２５  フレーム（枠）部
１３０  ワイヤー
１３５  樹脂
１４０  銀めっき
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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