(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルの駆動時の消費電力を低減させる。【解決手段】（ａ）前面基板（第１基板）１３の一方の面に複数のＸ電極（第１電極）１４、Ｙ電極（第１電極）１５が形成され、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５を被覆する誘電体層１７が形成された前面構造体（第１構造体）１１と、背面基板（第２基板）１９の一方の面に複数のアドレス電極（第２電極）２０と複数の隔壁２２とが形成された背面構造体（第２構造体）１２とを用意する工程と、（ｂ）前面構造体１１の誘電体層１７の表面にＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）を含む保護層を形成する工程と、（ｃ）前面構造体１１と、背面構造体１２とを組み立てる工程とを有し、（ｃ）工程には、保護層に含まれるＳｒＣＯ３の少なくとも一部がＳｒＯ（酸化ストロンチウム）に変換された保護層１８に変換する変換工程が含まれる製造方法によりＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）１０を製造する。【選択図】図１
2009032422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１基板の一方の面に複数の第１電極が形成され、前記第１電極を被覆する誘電体層が形成された第１構造体と、
第２基板の一方の面に複数の第２電極と複数の隔壁とが形成された第２構造体とを用意する工程と、
（ｂ）前記第１構造体の前記誘電体層の表面にＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）を含む保護層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１構造体と、前記第２構造体とを組み立てる工程とを有し、
前記（ｃ）工程には、
前記保護層に含まれるＳｒＣＯ３の少なくとも一部をＳｒＯ（酸化ストロンチウム）に変換する変換工程が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記（ｃ）工程には、
前記第１構造体の前記保護層が形成された面と、前記第２構造体の前記複数の隔壁が形成された面とを対向させた状態で前記第１構造体と前記第２構造体とを封着する封着工程が含まれ、
前記変換工程は前記封着工程の後で行われることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記変換工程は、前記保護層を加熱した状態で保持することにより行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記（ｃ）工程では、ＳｒＣＯ３の一部をＳｒＯに変換する際に発生するガスを排気した後、所定の放電ガスを充填することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記変換工程では、前記保護層を加熱した状態で、前記保護層と前記複数の隔壁とで区画される放電空間内にＯ２（酸素）ガスを導入することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記変換工程には、
前記保護層を冷却する工程と、
前記冷却する工程の後に前記保護層と前記複数の隔壁とで区画される放電空間内にＯ２（酸素）ガスを導入する工程とが含まれ、
前記放電空間内にＯ２ガスが封入された状態で放電を発生させることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記変換工程は、前記保護層と前記複数の隔壁とで区画される放電空間内にＯ３（オゾン）を含む酸素ガスを導入することにより行うことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記変換工程は、前記保護層を冷却した後に前記酸素ガスを導入することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
前記（ｂ）工程で形成される前記保護層には元素としてＣａ（カルシウム）が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
（ａ）第１基板の一方の面に複数の第１電極が形成され、前記第１電極を被覆する誘電体層が形成された第１構造体と、
第２基板の一方の面に複数の第２電極と複数の隔壁とが形成された第２構造体とを用意する工程と、
（ｂ）前記第１構造体の前記誘電体層の表面にＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）で構成される保護層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１構造体と、前記第２構造体とを組み立てる工程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
互いに対向して配置される第１構造体と第２構造体とを有し、
前記第１構造体は、
基板と、
前記基板の一方の面に形成される複数の電極と、
前記複数の電極を被覆する誘電体層と、
前記誘電体層の表面に形成される保護層とを有し、
前記保護層には、ＳｒＯ（酸化ストロンチウム）およびＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）が含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記保護層には、元素としてＣａ（カルシウム）が含まれていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
互いに対向して配置される第１構造体と第２構造体とを有し、
前記第１構造体は、
基板と、
前記基板の一方の面に形成される複数の電極と、
前記複数の電極を被覆する誘電体層と、
前記誘電体層の表面に形成される保護層とを有し、
前記保護層は、ＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）で構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ技術に関し、特に、少なくとも一方の基板に形成される誘電体層の表面に保護層を形成するプラズマディスプレイパネルに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ；Plasma Display Panel）は、例えば希ガスなどの放電ガスを封入したセルと呼ばれる放電空間内で、気体放電を発生させ、この際に発生する真空紫外線で蛍光体を励起させ、画像を表示する表示パネルである。
【０００３】
ＰＤＰは一般に、一対の基板を互いに対向させた状態で固定した構造となっている。この基板の少なくとも一方には、電極と、該電極を被覆する誘電体層が形成される。また、誘電体層の表面にはプラズマによる電離イオンの衝突（スパッタ）から誘電体層を保護するための保護層が形成されている。
【０００４】
この保護層に電子や電離イオンが衝突すると、保護層から二次電子が放出される。保護層の二次電子放出係数を高くすると、放電開始電圧を低減することができる。すなわち、ＰＤＰの駆動時の消費電力を低減することができる。
【０００５】
このため、保護層には二次電子放出係数が金属よりも高いＭｇＯ（酸化マグネシウム）が一般に用いられる。また、放電開始電圧をさらに低減するため、保護層を構成する種々の材料が提案されている。
【０００６】
例えば、特開２００７−１２４３６号公報（特許文献１）には、保護層としてＣａとＳｒの複合化合物である（ＳｒＣａ）Ｏを用いたプラズマディスプレイパネルが開示されている。
【０００７】
また例えば、特開平１０−１４９７６７号公報（特許文献２）には、保護層としてＳｒＯを用いたプラズマディスプレイパネルが開示されている。
【特許文献１】特開２００７−１２４３６号公報
【特許文献２】特開平１０−１４９７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者は、プラズマディスプレイの放電開始電圧を低減させることができる技術について検討を行い、以下の課題を見出した。
【０００９】
保護層に用いられる酸化金属は空気中の水分を吸着しやすい性質を有している。酸化金属に水分が吸着すると、酸化金属は水と反応して潮解する、あるいは水酸化金属化合物に変質する。この水酸化金属化合物は耐スパッタ特性や二次電子放出係数が酸化金属と比較して著しく劣る。このため、スパッタにより保護層の結晶構造が破壊されやすくなる。また、放電開始電圧を低減することができなくなるという問題がある。
【００１０】
このため、例えば、前記特開２００７−１２４３６号公報（特許文献１）では、真空中（減圧雰囲気中）あるいは不活性ガス中で放電空間を封着して保護層の吸湿を抑制する方法が提案されている。
【００１１】
ところが、本発明者の検討によれば、ＳｒＯの吸湿性はＭｇＯと比較しても特に高く、例えば、１×１０−４Ｐａ程度の減圧雰囲気（高真空雰囲気）中でも、雰囲気中の僅かな水分を吸着して潮解する、あるいは水酸化金属化合物であるＳｒ（ＯＨ）２に変質することが判明した。また、不活性ガス中で行う場合も、不活性ガス中に僅か（例えば１×１０−４Ｐａ程度）でも水分の分圧がある場合、ＳｒＯは潮解する、あるいはＳｒ（ＯＨ）２に変質する。
【００１２】
このため、ＰＤＰの量産ラインにこの方法を適用することは困難であるという課題がある。
【００１３】
また、特開平１０−１４９７６７号公報（特許文献２）には、保護層を被覆するＭｇＯなどの一次保護膜を製膜して、ＰＤＰの組み立て後にＰＤＰ内部にプラズマを発生させて一次保護膜を除去する方法が提案されている。この方法によれば、ＰＤＰの組み立て工程中の保護層への水分の吸着を防止することができる。
【００１４】
しかし、本発明者の検討によれば、この方法では、プラズマを発生させても一次保護膜の一部が残留する可能性があり、一次保護膜の一部が残留すると、放電開始電圧が経時的に変動する可能性があることが判明した。放電開始電圧が変動すると、ＰＤＰの信頼性を損なう結果となる。
【００１５】
このように、ＳｒＯはＭｇＯとして二次電子放出係数が高いため、放電開始電圧を低減することが出来るが、吸湿性が高いため、安定的に低い放電開始電圧を維持することができないという課題がある。
【００１６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ＰＤＰの駆動時の消費電力を低減することのできる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１８】
すなわち、本発明は、以下の工程を含む；
（ａ）第１基板の一方の面に複数の第１電極が形成され、前記第１電極を被覆する誘電体層が形成された第１構造体と、
第２基板の一方の面に複数の第２電極と複数の隔壁とが形成された第２構造体とを用意する工程と、
（ｂ）前記第１構造体の前記誘電体層の表面にＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）を含む保護層を形成する工程と、
（ｃ）前記第１構造体と、前記第２構造体とを組み立てる工程とを有し、
前記（ｃ）工程には、
前記保護層に含まれるＳｒＣＯ３の少なくとも一部をＳｒＯ（酸化ストロンチウム）に変換する変換工程が含まれる。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２０】
すなわち、ＰＤＰの駆動時の消費電力を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本実施の形態を説明するための全図において同一機能を有するものは同一の符号を付すようにし、その繰り返しの説明は原則として省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
＜ＰＤＰの構造＞
まず、図１および図２を用いて本実施の形態１のＰＤＰの構造について交流面放電型のＰＤＰを例に説明する。図１は本実施の形態１のＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大斜視図、図２は図１に示す前面構造体と背面構造体が組み立てられた状態を示す要部拡大断面図である。なお、図１ではＰＤＰの構造を説明し易くするため、前面構造体と背面構造体とが所定の間隔よりも離れた状態を示している。
【００２３】
図１において、ＰＤＰ１０は前面構造体（第１構造体）１１と背面構造体（第２構造体）１２とを有している。前面構造体１１と背面構造体１２とは互いに対向した状態で組み合わされている。
【００２４】
前面構造体１１はＰＤＰ１０の表示面を有し、表示面側には主にガラスで構成される前面基板（第１基板）１３を有している。前面基板１３の表示面と反対側の面には維持放電を行うための複数のＸ電極（第１電極）１４及びＹ電極（第１電極）１５が形成されている。このＸ電極１４およびＹ電極１５はＰＤＰ１０の表示面側に形成されるため、透明な電極材料で形成されている。
【００２５】
Ｘ電極１４およびＹ電極１５はそれぞれ横（行）方向に沿って延在するように形成されている。また、Ｘ電極１４およびＹ電極１５はそれぞれが延在する方向と交差する縦（列）方向に所定の配置間隔で交互に配置されている。また、各Ｘ電極１４、Ｙ電極１５は互いに平行となるように配置されている。ＰＤＰ１０は一対のＸ電極１４とＹ電極１５とが表示の行を構成する。
【００２６】
また、Ｘ電極１４およびＹ電極１５上にはそれぞれバス電極１６が形成されている。Ｘ電極１４およびＹ電極１５の電気抵抗を低減するためバス電極１６は金属材料で構成されている。
【００２７】
これらの電極群（Ｘ電極１４、Ｙ電極１５およびバス電極１６）は、誘電体層（第１誘電体層）１７で被覆されている。誘電体層１７は例えば低融点ガラスと呼ばれる酸化鉛などを主成分とする材料で構成され、厚さ２５μｍで形成されている。
【００２８】
また、誘電体層１７の表面には、保護層１８が形成されている。保護層１８は誘電体層１７の一方の表面を覆うように形成されている。保護層１８の構成については後で詳述する。
【００２９】
一方、背面構造体１２は、主にガラスで構成される背面基板（第２基板）１９を有している。背面基板１９上には、複数のアドレス電極（第２電極）２０が形成されている。各アドレス電極２０は、Ｘ電極１４およびＹ電極１５が延在する方向と交差する（略直角）の縦（列）方向に、延在するように形成されている。また、各アドレス電極２０は、互いに平行となるように所定の配置間隔を持って配置されている。
【００３０】
アドレス電極２０は、誘電体層（第２誘電体層）２１で被覆されている。誘電体層２１上には背面構造体１２の厚さ方向に伸びる複数の隔壁２２が形成されている。隔壁２２はアドレス電極２０が延在する方向に沿ってライン状に延在するように形成されている。また、隔壁２２の平面上の位置は、隣り合うアドレス電極２０の間に配置されている。隔壁２２を隣り合うアドレス電極２０の間に配置することにより、各アドレス電極の位置に対応して誘電体層２１の表面を列方向に区分けする空間が形成される。
【００３１】
また、アドレス電極２０上の誘電体層２１上面、および隔壁２２の側面には、紫外線により励起されて赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色の可視光を発生する蛍光体２３が塗布されている。
【００３２】
ＰＤＰ１０は、一対のＸ電極１４とＹ電極１５とアドレス電極２０との交差に対応して１個のセルが構成される。また、Ｒ，Ｇ，Ｂの各セルのセットにより画素（ピクセル）が構成される。
【００３３】
次に、図２に示すように、前面構造体１１と背面構造体１２とは、保護層１８が形成された面と隔壁２２が形成された面とが対向した状態で固定される。保護層１８と隔壁２２とは少なくとも一部が接触した状態で固定されている。
【００３４】
保護層１８と隔壁２２とが接触した状態で固定することにより、保護層１８と隔壁２２とに区画された放電空間２４が形成され、放電空間２４の背面構造体１２側の面（底面および両側面）には蛍光体２３が塗布された状態となる。この放電空間２４には、放電ガスと呼ばれるガス（例えばＮｅとＸｅの混合ガス）が所定の圧力で充填されている。
【００３５】
ＰＤＰ１０は、放電空間２４内のセル毎に放電を発生させて、放電により発生する真空紫外線によりＲ、Ｇ、Ｂの各蛍光体２３を励起して発光させる構造となっている。
【００３６】
ここで、ＰＤＰ１０が有する保護層１８は２つの役割を有している。
【００３７】
第１には、放電時の電離イオンの衝突（スパッタ）から誘電体層１７を保護する機能である。誘電体層１７には、例えば酸化鉛を主成分とする低融点ガラスと呼ばれる材料が用いられるが、誘電体層１７がスパッタされると、酸化鉛が金属鉛に還元され、放電電圧が上昇してしまう。このため、保護層１８は誘電体層１７が放電空間２４に対して露出しないように誘電体層１７を覆うように形成される。
【００３８】
また、保護層１８自身のスパッタ耐性が低いと、スパッタにより保護層１８が崩壊して誘電体層１７の一部が露出してしまう場合がある。したがって、保護層１８のスパッタ耐性を向上させることによりＰＤＰ１０の製品寿命を向上させることができる。
【００３９】
第２には、保護層１８から二次電子を放出することにより、放電開始電圧を低減する機能である。イオンが保護層１８に衝突すると二次電子が放出され、この放出された二次電子がさらにイオンなどと衝突して二次電子を放出する。保護層１８の二次電子放出係数が高い（二次電子を放出し易い）場合、このような二次電子放出の連鎖が放電空間２４内の多くの箇所で発生するので、放電させるために必要な電圧、すなわち放電開始電圧を低減することができる。
【００４０】
このような役割を有する保護層として、一般にＭｇＯ（酸化マグネシウム）が用いられるが、本実施の形態１の保護層１８は主にＳｒＯ（酸化ストロンチウム）で構成されている。ＳｒＯはＭｇＯよりも二次電子放出係数が高く、放電開始電圧を低減することができる。具体的には、保護層１８をＭｇＯの単一成分に置き換えた場合と比較して、放電開始電圧を３０Ｖ程度低減することができる。
【００４１】
ここで、保護層１８は主にＳｒＯで構成されるが、ＳｒＯの他に、ＰＤＰ１０の製造方法に起因するＳｒＣＯ３（炭酸ストロンチウム）を含んでいる。保護層１８中におけるＳｒＣＯ３は、保護層１８の誘電体層１７との接触面側に多く含まれている。一方、保護層１８の放電空間２４と接する面側にはＳｒＣＯ３が含まれておらず、ＳｒＯで構成されている。保護層１８がこのような構造となる理由についてはＰＤＰ１０の製造方法を説明する際に詳述する。
【００４２】
また、保護層にＳｒ元素を含める場合、ＭｇＯを主成分とする保護層に添加物としてＳｒ元素を含める場合があるが、本実施の形態１の保護層１８は、ＳｒＯとＳｒＣＯ３とを主成分として構成されている。ここで保護層１８の主成分とは保護層１８に含まれる金属成分のうち、最も多い割合で含まれる金属成分を指す。本実施の形態１では、保護層１８の主成分はＳｒ元素である。
【００４３】
ところで、ＰＤＰ１０は、要求性能や駆動方式などに応じて各種構造が存在するが、本実施の形態１のＰＤＰ１０は図１および図２に示す構造に限定されない。例えば、図１では、放電空間をライン状（縦方向）に伸びている隔壁２２により区画する例について説明した。
【００４４】
しかし、輝度を向上させるなどの目的で、この放電空間を格子状に配置された隔壁で区画する場合もある。本実施の形態１のＰＤＰ１０はこのような構成を取ることもできる。
【００４５】
＜ＰＤＰの製造方法＞
次に、本実施の形態１のＰＤＰ１０の製造方法について図３〜図６を用いて説明する。図３は本実施の形態１のＰＤＰの製造方法において、予め用意する前面構造体の構造を示す要部拡大斜視図、図４は本実施の形態１のＰＤＰの製造方法において、予め用意する背面構造体の構造を示す要部拡大斜視図である。
【００４６】
図５は図３に示す前面構造体に保護層を形成した状態を示す要部拡大斜視図、図６は本実施の形態１のＰＤＰの製造方法において、前面構造体と背面構造体が組み合わされたパネル構造体の周囲部の構造を示す要部拡大断面図である。
【００４７】
（ａ）まず、図３に示す前面構造体（第１構造体）１１を用意する。図３に示す前面構造体１１は例えば以下のように予め製造される。
【００４８】
まず、前面基板１３を用意して一方の面にＸ電極１４およびＹ電極１５を所定のパターンで形成する。また、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５上にそれぞれバス電極１６を形成する。次に前面基板１３上に、Ｘ電極１４、Ｙ電極１５およびバス電極１６を覆うように誘電体層１７を形成する。この段階では、前面構造体１１には図１に示す保護層１８は形成されていない。
【００４９】
また、図４に示す背面構造体（第２構造体）１２を用意する。図４に示す背面構造体１２は例えば以下のように予め製造される。
【００５０】
まず、背面基板１９を用意して一方の面にアドレス電極２０を所定のパターンで形成する。次に背面基板１９の表面にアドレス電極２０を覆うように誘電体層２１を形成する。次に誘電体層２１の表面に放電空間を規定する隔壁２２を形成する。隔壁２２は、アドレス電極２０に沿って延在するように形成する。
【００５１】
なお、背面構造体１２は、必ずしもこの段階で用意する必要はなく、後述する（ｃ）組み立て工程の前に用意すれば良い。
【００５２】
（ｂ）次に、保護層形成工程として、前面構造体１１の誘電体層１７の表面に図５に示す保護層（一時保護層）２５を形成する。保護層２５はＳｒＣＯ３で構成され、例えば蒸着法により形成することができる。本実施の形態１では、ターゲットとしてＳｒＣＯ３ソースを用いた電子ビームによる真空蒸着法で、誘電体層１７の表面に膜厚が１μｍの保護層２５を製膜した。
【００５３】
ここで、図１に示す保護層１８は主に金属酸化物であるＳｒＯで構成されている。金属酸化物は雰囲気中の水分などを吸着しやすい性質を有しているため、この段階で誘電体層１７の表面に金属酸化物を製膜すると、本工程以降の工程で金属酸化物の表面が水分などと反応して変質する可能性がある。
【００５４】
特にＳｒＯは、同じ金属酸化物であるＭｇＯよりも吸湿性が高く、本工程以降の工程を例えば１×１０−４Ｐａ程度の減圧雰囲気（高真空雰囲気）中で行ったとしても、雰囲気中の僅かな水分を吸着してしまう。
【００５５】
しかし、本実施の形態１の保護層２５に用いたＳｒＣＯ３は、ＳｒＯと比較して（ＭｇＯと比較しても）大気中での安定性が高い。すなわち、雰囲気中の水分などを吸着し難く、また、反応し難い。
【００５６】
したがって、例えば、本工程以降の工程（後述する変換工程までの工程）を大気雰囲気中で行ったとしても、保護層２５の変質を抑制ないしは防止することができる。また、本工程以降の工程を真空（減圧）雰囲気中で行った場合は、保護層２５の変質をより確実に防止することができる。
【００５７】
（ｃ）次に、図１に示すＰＤＰ１０を組み立てる。図４に示す背面構造体１２と図５に示す前面構造体１１の組み立ては以下のように行う。
【００５８】
（ｃ１）まず、位置合せ工程として、図６に示すように、前面構造体１１の保護層２５が形成された面と、背面構造体１２の隔壁２２が形成された面とを対向させた状態で位置合せをする。位置合せ工程では、前面構造体１１のＸ電極１４（図５参照）、Ｙ電極１５（図５参照）と背面構造体１２のアドレス電極２０とが所定の位置関係となるように調整する。
【００５９】
本位置合せ工程を真空（減圧）雰囲気中で行う場合、作業が繁雑になるため位置合せに時間を要する。しかし、本実施の形態１によれば、位置合せ工程を大気雰囲気中で行うことができるので、位置合せに要する時間を短縮し、製造効率を向上させることができる。また、真空チャンバを必要としないので、製造装置を小型化することができる。
【００６０】
（ｃ２）次に、封着工程として前面構造体１１と背面構造体１２との周囲部を封着する。封着工程では、前面構造体１１または背面構造体１２の一方の周囲部に低融点ガラスなどの接着材２６を塗布しておき（接着材２６の塗布は位置合せ工程の前に行うことが好ましい）、接着材２６を加熱することにより前面構造体１１と背面構造体１２とを封着する。
【００６１】
封着後に冷却すると、接着材２６が硬化して前面構造体１１と背面構造体１２とは所定の位置関係で固定される。本実施の形態１では、封着工程として４５０℃の加熱温度で１０分間保持した。
【００６２】
この封着工程が終わると、前面構造体１１と背面構造体１２との周囲部がシールされ、一体構造のパネル構造体２７となる。ただし、接着材２６で封着された領域の内側には、少なくとも１箇所以上に前面構造体１１または背面構造体１２を貫通する孔部２８が形成されている（図６には孔部２８が前面構造体１１に形成された例を示している）。
【００６３】
また、この孔部２８に位置を合わせてガラス管などのチップ管（通気手段）２９が固定されている。封着工程が終了した段階では、チップ管２９は開口状態である。放電空間２４は完全にパネル構造体２７の外部と遮断されている訳ではなく、このチップ管２９を通じてパネル構造体２７の外部との通気（外部からのガスの吸気、または外部へのガスの排気）ができる状態となっている。
【００６４】
（ｃ３）次に、変換工程として保護層２５を構成するＳｒＣＯ３をＳｒＯに変換する。ＳｒＣＯ３は強熱すると、ＳｒＯとＣＯ２とに分解する特性を有している。本実施の形態１ではＳｒＣＯ３のこの特性を利用して、４５０℃で５分間保持した。詳しくは、前記封着工程での保持時間である１０分をさらに５分間延長した。
【００６５】
この変換工程で、保護層２５のＳｒＣＯ３は少なくとも一部がＳｒＯに変換される。特に保護層２５の表面（保護層２５の放電空間２４と接する面）側では全てのＳｒＣＯ３がＳｒＯに変換される。一方、保護層２５の誘電体層１７との接触面側では、一部のＳｒＣＯ３がＳｒＯに変換されない状態で残る。すなわち、変換工程で図６に示す保護層２５を図１および図２で説明した保護層１８に変換することができる。
【００６６】
この変換工程では、ＳｒＣＯ３がＳｒＯに分解される際にＣＯ２が発生する。このＣＯ２はチップ管２９に接続された通気経路（図示は省略）を通じてパネル構造体２７の外部に排気される。
【００６７】
ここで、本実施の形態１の変換工程の変形例として以下の方法を用いることもできる。前記封着工程の後、保護層２５が加熱された状態（例えば４５０℃で保持された状態）で放電空間２４内にＯ２（酸素）ガスを導入する。Ｏ２ガス導入後、チップ管２９に接続された通気経路を一時遮断し、例えば５分間保持する。Ｏ２ガスは、ＳｒＯへの変換工程の終了後にＣＯ２とともにチップ管２９に接続された通気経路を通じてパネル構造体２７の外部に排気する。
【００６８】
Ｏ２ガスを導入することにより、保護層２５を構成するＳｒＣＯ３の酸化が促進し、より効率的にＳｒＯに変換することが可能となる。本発明者が検討した所、Ｏ２ガスを導入した場合、単に保持時間を５分間延長する場合よりも残留するＳｒＣＯ３の割合が少ないことが判った。詳しくは、Ｏ２ガスを導入した場合、保護層２５の誘電体層１７との接触面側に僅かにＳｒＣＯ３が残留するが、保護層２５のほぼ全体がＳｒＯに変換されていた。
【００６９】
保護層２５のほぼ全体をＳｒＯに変換することにより、層内の結晶構造を強固な構造とすることができる。つまり、保護層１８（図１参照）のスパッタ耐性を向上させることができるので、ＰＤＰ１０（図１参照）の製品寿命を延長することが可能となる。
【００７０】
ところで、保護層２５の一部にＳｒＣＯ３が残留する実施態様について説明したが、本実施の形態１によれば、保護層２５が加熱された状態で保持する時間を更に延長することにより、ＳｒＣＯ３を完全にＳｒＯに変換させることも可能である。この場合、変換工程後の保護層１８（図１参照）は、保護層１８を構成するＳｒＯがＳｒＣＯ３から変換されたＳｒＯであることが特徴となる。
【００７１】
しかし、保護層２５の誘電体層１７との接触面側に僅かにＳｒＣＯ３が残留する程度であれば、製品寿命の観点、あるいは放電開始電圧低減の観点から実効上特に問題はない。そこで、変換工程に要する時間を削減し、製造効率を向上させるため、ＳｒＣＯ３の一部が残留した状態で変換工程を終了することが好ましい。
【００７２】
（ｃ４）次に、放電ガス導入工程として、チップ管２９に接続された通気経路を通じて、放電空間２４内に所定の放電ガスを導入する。放電ガスを導入する前に、放電空間２４内の残ガスは予め排気する。
【００７３】
本実施の形態１では、排気手段として真空ポンプを用いて放電空間２４内の残ガスを排気した後、送ガスポンプを用いてＮｅとＸｅの混合ガス（分圧比は８５：１５）を５００ｔｏｒｒ（約６７ｋＰａ）で導入した。
【００７４】
（ｃ５）最後に封止工程でチップ管２９の開口部を封じながら切断し、図１および図２に示すＰＤＰ１０が完成する。
【００７５】
＜ＰＤＰ１０の放電開始電圧の評価＞
次に、図１および図２に示すＰＤＰ１０の放電開始電圧の評価を行った結果について説明する。本評価では、ＰＤＰ１０の放電開始電圧の低減効果を確認するため、３種類のＰＤＰを比較例として用意した。また、放電開始電圧の評価方法は、各ＰＤＰに電圧を供給し、ＰＤＰが点灯するために必要な電圧を放電開始電圧として評価した。また、ＰＤＰの耐久性を確認するため、６０ｋＨｚにて５０４時間（３週間）連続して点灯させた後に一旦電圧の供給を停止し、再度点灯させるために必要な電圧（以下再点灯開始電圧と記す）も測定した。
【００７６】
第１比較例として、図１に示す保護層１８をＭｇＯに置き換えたＰＤＰを用意した。第１比較例と本実施の形態１のＰＤＰ１０との相違点は、保護層としてＭｇＯの単一成分の膜を形成した点である。このため第１比較例では、本実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程は行っていない。また、（ｂ）保護層形成工程から（ｃ５）封止工程までを１×１０−４Ｐａの減圧雰囲気下で行った。
【００７７】
第１比較例の初期の放電開始電圧は２１０Ｖであった。また、再点灯開始電圧も２１０Ｖであった。
【００７８】
また、第２比較例として、ＰＤＰ１０とは製造方法の異なるＰＤＰを用意した。第２比較例と本実施の形態１のＰＤＰ１０との相違点は、（ｂ）保護層形成工程でＳｒＯの単一成分の膜を形成した点である。このため第２比較例では、本実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程は行っていない。また、（ｂ）保護層形成工程から（ｃ５）封止工程までを１×１０−４Ｐａの高真空（減圧）雰囲気下で行った。
【００７９】
第２比較例の初期の放電開始電圧は１８０Ｖであった。しかし、再点灯開始電圧は２００Ｖに上昇した。第２比較例の保護層の状態を確認すると、保護層の一部（特に表面）の結晶構造が崩壊した状態となっていた。この結果から、（ｂ）保護層形成工程でＳｒＯの単一成分の膜を形成すると、以降（ｃ５）封止工程までを、１×１０−４Ｐａの高真空（減圧）雰囲気下で行ったとしてもＳｒＯの表面が変質することが判った。
【００８０】
また、第３比較例として、ＰＤＰ１０とは製造方法の異なるＰＤＰを用意した。第３比較例と本実施の形態１のＰＤＰ１０との相違点は、（ｂ）保護層形成工程でＳｒＯの単一成分の膜を形成した後、引き続き保護層表面に０．０５μｍのＭｇＯの一時保護膜を連続して形成し、（ｃ２）封着工程の後で取り除いた点である。このため第３比較例では、本実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程の代わりに、放電空間内にプラズマを発生させて一時保護膜を取り除く工程を行った。また、（ｂ）保護層形成工程から（ｃ５）封止工程までを１×１０−４Ｐａの高真空（減圧）雰囲気下で行った。
【００８１】
第３比較例の初期の放電開始電圧は１８０Ｖであった。また、再点灯開始電圧も１８０Ｖであった。ところが、第３比較例を消灯状態で、１ヶ月間室温で放置した後、再度放電開始電圧を評価した所、放電開始電圧は２００Ｖに上昇していた。
【００８２】
第３比較例の保護層の状態を確認すると、保護層の一部（特に表面）にＭｇＯの一時保護膜を取り除いた際の残留物が付着していた。この結果から、一時保護膜を完全に取り除くことが困難であり、保護層周辺に残留物が残ると、該残留物の影響により放電開始電圧が経時的に変動することが判った。
【００８３】
次に本実施の形態１のＰＤＰ１０の初期の放電開始電圧は１８０Ｖであった。また、再点灯開始電圧も１８０Ｖであった。また、第３比較例の場合と同様に消灯状態で、１ヶ月間室温で放置した後、再度放電開始電圧を評価したが、放電開始電圧は１８０Ｖで変動がなかった。
【００８４】
つまり、ＰＤＰ１０は第１比較例よりも３０Ｖ（約１４％）放電開始電圧を低減することができる。したがって、ＰＤＰ１０は第１比較例よりも駆動時の消費電力を削減することができる。
【００８５】
また、ＰＤＰ１０は第２比較例や第３比較例のように放電開始電圧が経時的に変動しない。すなわち、安定して放電開始電圧を低減することができる。
【００８６】
＜本実施の形態１の変形例＞
本実施の形態１の変形例として、図１に示す保護層１８に元素としてＣａ（カルシウム）が含まれた構造とすることもできる。この場合、Ｃａは保護層１８中にＣａＯ（酸化カルシウム）あるいは複合体である（ＳｒＣａ）Ｏとして含有されることとなる。
【００８７】
このように保護層１８に元素としてＣａを含めることにより、保護層１８のスパッタ耐性をさらに向上させることができるので、ＰＤＰ１０の製品寿命をさらに向上させることができる。
【００８８】
保護層１８に元素としてＣａを含める方法は例えば、以下の方法により実現できる。前記（ｂ）保護層形成工程で、保護層２５を形成する際に真空蒸着法であればターゲットとしてＳｒＣＯ３とＣａＣＯ３の複合物ソースを用いる。この複合物ソースを用いることで、保護層２５にＳｒＣＯ３とＣａＣＯ３とを含ませることができる。
【００８９】
以降の工程はＰＤＰ１０と同様の工程を用いることができる。すなわち、ＳｒＣＯ３とＣａＣＯ３とを含んだ保護層２５を（ｃ３）変換工程でＳｒＯ、ＣａＯ、あるいは（ＳｒＣａ）Ｏを含んだ保護層１８に変換することができる。
【００９０】
（実施の形態２）
本実施の形態２では、前記実施の形態１とは異なる方法でＳｒＣＯ３をＳｒＯに変換する方法について説明する。なお、本実施の形態２と前記実施の形態１の相違点は（ｃ３）変換工程のみであり、ＰＤＰ１０の構造は前記実施の形態１と同様である。したがって、本実施の形態２では図１〜図６を適宜引用して説明する。また、前記実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程以外の工程は、本実施の形態２に適用することができるので、変換工程以外の工程は説明を省略する。
【００９１】
本実施の形態２では（ｃ３）変換工程で図６に示す保護層２５に含まれるＳｒＣＯ３を以下の方法でＳｒＯに変換する。
【００９２】
（ｃ３）封着工程が終了した後、保護層２５を含むパネル構造体２７を室温（例えば２５℃）まで冷却する。
【００９３】
次に、放電空間２４内の残留ガスを排気した後、チップ管２９に接続された通気経路を通じてＯ２ガスを導入する。本実施の形態２では分圧１００％のＯ２ガスを１ｔｏｒｒ（約１３３Ｐａ）の圧力で導入し、チップ管２９に接続された通気経路を一時遮断した。
【００９４】
次に、放電空間２４内にＯ２ガスが封入された状態で、Ｘ電極１４（図５参照）、Ｙ電極１５（図５参照）の各電極端子間に所定の電圧を供給して放電を発生させ、放電が発生している状態で所定時間保持した。本実施の形態２では、電極端子間に２３０Ｖ（６０ｋＨｚ）の電圧を供給し、放電状態を５分間保持した。
【００９５】
本実施の形態２では、保護層２５に含まれるＳｒＣＯ３が、酸素雰囲気下で放電に曝されることにより、酸素ラジカル酸化されＳｒＯに変換される。
【００９６】
この変換工程が終了した後の保護層２５を観察すると、前記実施の形態１で保護層２５を加熱した状態でＯ２ガスを導入した場合と同様に、保護層２５の誘電体層１７との接触面側に僅かにＳｒＣＯ３が残留するが、保護層２５のほぼ全体がＳｒＯに変換されていた。
【００９７】
すなわち、本実施の形態２によれば、保護層２５を単に加熱、保持する場合と比較して、層内の結晶構造を強固な構造とすることができる。したがって、保護層１８（図１参照）のスパッタ耐性を向上させることができるので、ＰＤＰ１０（図１参照）の製品寿命を延長することが可能となる。
【００９８】
本実施の形態２によれば、前記実施の形態１の場合と比較して保護層２５を加熱した状態で保持する時間を短縮することができるので、前記実施の形態１で説明した効果に加えて、ＰＤＰ１０の製造に要するエネルギーを削減することができる。また、室温環境下でＯ２ガスを導入するので製造設備を簡略化することができる。
【００９９】
ところで、前記実施の形態１で、保護層２５が加熱された状態で保持する時間を更に延長することにより、ＳｒＣＯ３を完全にＳｒＯに変換させることも可能である旨説明したが、本実施の形態２でも放電状態を保持する時間を延長することにより、ＳｒＣＯ３を完全にＳｒＯに変換させることも可能であることは言うまでもない。
【０１００】
本実施の形態２の製造方法によって得られたＰＤＰ１０について放電開始電圧の評価を行った所、初期の放電開始電圧は１８０Ｖであった。また、再点灯開始電圧も１８０Ｖであった。また、前記実施の形態１で説明した第３比較例の場合と同様に消灯状態で、１ヶ月間室温で放置した後、再度放電開始電圧を評価したが、放電開始電圧は１８０Ｖで変動がなかった。
【０１０１】
つまり、本実施の形態２の製造方法によっても前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１０（図１および図２参照）が得られることが判った。
【０１０２】
（実施の形態３）
本実施の形態３では、前記実施の形態１あるいは前記実施の形態２とは異なる方法でＳｒＣＯ３をＳｒＯに変換する方法について説明する。なお、本実施の形態３のＰＤＰ４０と前記実施の形態１のＰＤＰ１０の構造上の相違点は保護層の構造のみであり、製造工程上の相違点は（ｃ３）変換工程のみである。
【０１０３】
したがって、本実施の形態３では前記実施の形態１で説明した図２に対応するＰＤＰ４０の拡大断面図のみ示し、その他は図１〜図６を適宜引用して説明する。また、前記実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程以外の工程は、本実施の形態３に適用することができるので、変換工程以外の工程は説明を省略する。
【０１０４】
図７は本実施の形態３のＰＤＰ４０の構造を示す要部拡大断面図である。
【０１０５】
図７において、本実施の形態３のＰＤＰ４０が有する保護層４１は、ＳｒＣＯ３で構成される第１保護層４２とＳｒＯで構成される第２保護層４３が積層された構造となっている。保護層４１のうち、誘電体層１７と接する面側に配置される第１保護層４２はＳｒＣＯ３で構成され、放電空間２４と接する面側に配置される第２保護層４３はＳｒＯで構成されている。
【０１０６】
図７では、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１０との相違点を明確にするため保護層４１の厚さを厚く記載しているが、保護層４１の厚さは前記実施の形態１で説明した保護層１８（図２参照）と同等で、例えば１μｍである。
【０１０７】
第１保護層４２の厚さは例えば０．７〜０．８μｍである。また、第２保護層４３の厚さは第１保護層４２よりも薄く例えば０．２〜０．３μｍである。ただし、第１保護層４２と第２保護層４３の境界は明確に規定される訳ではなく、境界領域ではＳｒＣＯ３とＳｒＯとが混在した状態となっている。
【０１０８】
ＰＤＰ４０の保護層４１が上記のような積層構造となる理由について以下のＰＤＰ４０の製造工程で説明する。
【０１０９】
本実施の形態３では（ｃ３）変換工程で図６に示す保護層２５に含まれるＳｒＣＯ３を以下の方法でＳｒＯに変換する。
【０１１０】
（ｃ３）封着工程が終了した後、保護層２５を含むパネル構造体２７を室温（例えば２５℃）まで冷却する。
【０１１１】
次に、放電空間２４内の残留ガスを排気した後、チップ管２９に接続された通気経路を通じてＯ３（オゾン）を含む酸素ガス（Ｏ２とＯ３の混合ガス）を導入する。酸素ガスに含まれるＯ３の分圧はＯ２の分圧よりも少なくて良い。Ｏ３の量を極端に多くしても酸化の効果は大きくは変わらないためである。本実施の形態３では分圧比９９：１でＯ２とＯ３を含む酸素ガスを５００ｔｏｒｒ（約６７ｋＰａ）の圧力で導入し、チップ管２９に接続された通気経路を一時遮断した。
【０１１２】
次に、放電空間２４内にＯ３を含む酸素ガスが封入された状態で所定時間保持する。本実施の形態３では５分間保持した。
【０１１３】
本実施の形態３では、保護層２５に含まれるＳｒＣＯ３が、Ｏ３を含む酸素ガス雰囲気下に曝されることにより、酸化されＳｒＯに変換される。
【０１１４】
ただし、この酸化を室温環境下で行うので、５分間という保持時間では保護層２５の全ては酸化されず、Ｏ３を含む酸素ガスに曝された部分、すなわち放電空間２４に接する面側がＳｒＯに変換される。このため、本実施の形態３のＰＤＰ４０は、図７に示すようにＳｒＣＯ３で構成される第１保護層４２とＳｒＯで構成される第２保護層４３が積層された構造となる。
【０１１５】
本実施の形態３の製造方法によって得られたＰＤＰ４０について放電開始電圧の評価を行った所、初期の放電開始電圧は１８０Ｖであった。また、再点灯開始電圧も１８０Ｖであった。また、前記実施の形態１で説明した第３比較例の場合と同様に消灯状態で、１ヶ月間室温で放置した後、再度放電開始電圧を評価したが、放電開始電圧は１８０Ｖで変動がなかった。
【０１１６】
つまり、本実施の形態３の製造方法によって得られるＰＤＰ４０は前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１０（図１および図２参照）と同程度の放電開始電圧の低減効果が得られることが判った。
【０１１７】
また、本実施の形態３によれば、前記実施の形態１の場合と比較して保護層２５を加熱した状態で保持する時間を短縮することができるので、ＰＤＰ４０はＰＤＰ１０よりも製造エネルギーコストを削減することができる。また、変換工程を室温環境下で行うので製造設備を簡略化することができる。
【０１１８】
ただし、ＰＤＰ４０は、ＰＤＰ１０と比較してＳｒＣＯ３の残留量が相対的に多くなるので、製品寿命はＰＤＰ１０の方がＰＤＰ４０よりも長いと考えられる。
【０１１９】
（実施の形態４）
本実施の形態４では、保護層がＳｒＣＯ３で構成されるＰＤＰについて説明する。なお、本実施の形態４のＰＤＰ５０と前記実施の形態１のＰＤＰ１０の構造上の相違点は保護層を構成する材料のみであり、製造工程上の相違点は（ｃ３）変換工程を行わない点である。
【０１２０】
したがって、本実施の形態４では前記実施の形態１で説明した図２に対応するＰＤＰ５０の拡大断面図のみ示し、その他は図１〜図６を適宜引用して説明する。また、前記実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程以外の工程は、本実施の形態４に適用することができるので、変換工程以外の工程は説明を省略する。
【０１２１】
図８は本実施の形態４のＰＤＰ５０の構造を示す要部拡大断面図である。
【０１２２】
図８において、本実施の形態４のＰＤＰ５０が有する保護層５１は、ＳｒＣＯ３で構成されている。すなわち、保護層５１はＳｒＣＯ３の単一成分で製膜されている。
【０１２３】
ＳｒＣＯ３はＳｒＯと比較すると、二次電子放出係数が低いが、ＭｇＯと比較すると二次電子放出係数が高い。ＰＤＰ５０について放電開始電圧の評価を行った所、初期の放電開始電圧は２００Ｖであった。また、再点灯開始電圧も２００Ｖであった。また、前記実施の形態１で説明した第３比較例の場合と同様に消灯状態で、１ヶ月間室温で放置した後、再度放電開始電圧を評価したが、放電開始電圧は２００Ｖで変動がなかった。
【０１２４】
つまり、本実施の形態４のＰＤＰ５０は、前記実施の形態１で説明した第１比較例よりも放電開始電圧を１０Ｖ（約５％）低減することができる。したがって、ＰＤＰ５０は第１比較例よりも駆動時の消費電力を削減することができる。
【０１２５】
また、ＰＤＰ５０は前記実施の形態１で説明した第２比較例や第３比較例のように放電開始電圧が経時的に変動しない。すなわち、安定して放電開始電圧を低減することができる。
【０１２６】
本実施の形態４のＰＤＰ５０は、前記実施の形態１で説明した（ｃ３）変換工程を省略して製造することができる。すなわち、前記実施の形態１で説明したＰＤＰ１０よりも工程を短縮することができるので、製造効率を向上させることができる。
【０１２７】
（実施の形態５）
本実施の形態５では、前記実施の形態１〜４で説明したＰＤＰ１０、４０、５０をプラズマディスプレイモジュール（以下ＰＤＰモジュールと記す）、あるいはプラズマディスプレイ装置（以下ＰＤＰ装置と記す）に組み込んだ構成例について説明する。
【０１２８】
なお、本実施の形態５では、ＰＤＰ１０、４０、５０を組み込んだＰＤＰモジュール１００およびＰＤＰ装置２００の一例を示すものであり、前記実施の形態１〜４で説明したＰＤＰ１０、４０、５０以外の構造はこれに限定されない。
【０１２９】
本実施の形態５において、ＰＤＰモジュールとはＰＤＰと、ＰＤＰの表示面の反対側に配置されてＰＤＰを支持するベースシャーシと、ベースシャーシの裏面（ＰＤＰと対向する面の反対側の面）側に配置され、ＰＤＰモジュールを駆動、制御する各種回路基板とを備えたモジュールである。また、ＰＤＰ装置とは、ＰＤＰモジュールを外部筐体でカバーするとともに、例えばスタンドなどの支持構造物に固定した表示装置である。
【０１３０】
図９は本実施の形態５のＰＤＰ装置２００を表示面側からみた平面図、図１０は図９に示すＰＤＰ装置２００を背面側からみた平面図、図１１は図９に示すＰＤＰ装置２００の前面枠カバー１を取り除いた状態を示す平面図である。
【０１３１】
図９および図１０において本実施の形態５のＰＤＰ装置２００は、ＰＤＰモジュール１００を有している。また、ＰＤＰ装置２００はこのＰＤＰモジュール１００を収納する前面枠カバー１と背面カバー２とからなる外部筐体３を備えている。
【０１３２】
またＰＤＰ装置２００は外部支持構造物であるスタンド（外部支持構造物）４を備え、ＰＤＰモジュール１００はこのスタンド４に支持される構成となっている。
【０１３３】
また、図１１に示すようにＰＤＰモジュール１００の表示面側には、前記実施の形態１〜４で説明したＰＤＰ１０、４０、５０のいずれかが固定されている。ＰＤＰ１０、４０、５０は前面構造体１１が表示面側に配置される態様で固定されている。
【０１３４】
また、ＰＤＰ１０、４０、５０を構成する前面構造体１１および背面構造体１２の外縁辺の長さは異なっており、互いに一部がはみ出た状態で重なっている。また、前面構造体１１と背面構造体１２とが対向して重なる領域の角部には、前記実施の形態１で説明したチップ管２９が、開口部を封じられた状態で配置されている。
【０１３５】
また、ＰＤＰ１０、４０、５０の背面構造体１２側は、ベースシャーシ６０に固定されている。ＰＤＰ１０、４０、５０をベースシャーシ６０に固定する固定手段は例えば、両面テープなどの接着層を介して強固に接着されている。
【０１３６】
次に、図１２を用いて、ＰＤＰモジュールの背面側の構造について説明する。図１２は図１０に示すＰＤＰ装置２００の背面カバー２を取り除いた状態を示す平面図である。
【０１３７】
図１２において、このベースシャーシ６０には、ベースシャーシ６０を外部支持構造物であるスタンド４に固定するための取り付け部材６３が複数固定されている。
【０１３８】
ＰＤＰモジュール１００はベースシャーシ６０に固定した取り付け部材６３がスタンド４に、固定されることにより支持される。
【０１３９】
スタンド４に取り付け部材６３を固定する手段は、重量物であるＰＤＰモジュール１００を支持させるため、強固な固定を可能とする固定手段が適宜選択されるが、例えばスタンド４および取り付け部材６３の一部に貫通孔を形成し、ボルト５とナット（図示は省略）などで固定することができる。
【０１４０】
次にＰＤＰモジュール１００を駆動、制御するための回路について説明する。図１２に示すようにＰＤＰモジュール１００は複数の回路基板６１を備えている。各回路基板６１は例えばネジなどによりベースシャーシ６０に固定されている。
【０１４１】
ＰＤＰモジュール１００の回路としては、ＰＤＰ１０、４０、５０のＸ電極１４（図１参照）に電圧を印加するためのＸ駆動回路、Ｙ電極１５（図１参照）に電圧を印加するためのＹ駆動回路、アドレス電極２０（図１参照）に電圧を印加するためのアドレス駆動回路（アドレス中継回路）及びアドレスドライバモジュール（ＡＤＭ）６２、各部へ電源供給する電源回路、及び各部を含む全体を制御する制御回路を有する。
【０１４２】
ＰＤＰモジュール１００ではこれらの回路が複数の回路基板６１に形成される。これら各種回路をいずれの回路基板に形成するかは、ＰＤＰモジュールのレイアウトや駆動方式に応じて適宜変更することができる。
【０１４３】
また、本実施の形態５ではＰＤＰモジュール１００は８個のＡＤＭ６２を備え、それぞれ一方の端部がアドレス駆動回路に電気的に接続されている。ＡＤＭ６２は図１２に示すようにベースシャーシ６０の縁部の外側を回り込んでＰＤＰ１０、４０、５０（図１１参照）側に延出され、ＡＤＭ６２の他方の端部は図１に示すアドレス電極２０の端子部に電気的に接続される。
【０１４４】
本実施の形態５では、アドレス駆動回路及びＡＤＭ６２がＰＤＰモジュール１００の下辺部に配置されているが、駆動方式などに応じて上下辺部の両方に配置される構成も可能である。
【０１４５】
また、その他の回路基板６１も、配線７を通じてＰＤＰ１０、４０、５０の端子部、と接続される。この配線７にはＡＤＭ６２のようなフレキシブル基板や、変形自在のフラットケーブルと呼ばれる帯状の配線などを用いることができる。また、各回路基板６１も配線７を通じてそれぞれ電気的に接続される。
【０１４６】
前記実施の形態１〜４で説明したＰＤＰ１０、４０、５０を本実施の形態５で説明したＰＤＰモジュール１００、あるいはＰＤＰ装置２００に組み込むことにより、駆動時の消費電力を低減することのできるＰＤＰモジュール１００、あるいはＰＤＰ装置２００を得ることができる。
【０１４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１４８】
例えば、実施の形態１の変形例として保護層中に元素としてＣａを含めた構造について説明したが、実施の形態２で説明したＰＤＰ１０、あるいは実施の形態３で説明したＰＤＰ４０の保護層に適用してもよい。
【０１４９】
この場合、保護層のスパッタ耐性が向上することは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
本発明は、ＰＤＰ、ＰＤＰモジュール、あるいはこれを用いたＰＤＰ装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明の実施の形態１であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図２】図１に示す前面構造体と背面構造体が組み立てられた状態を示す要部拡大断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１であるＰＤＰの製造方法において、予め用意する前面構造体の構造を示す要部拡大斜視図である。
【図４】本発明の実施の形態１であるＰＤＰの製造方法において、予め用意する背面構造体の構造を示す要部拡大斜視図である。
【図５】図３に示す前面構造体に保護層を形成した状態を示す要部拡大斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態１であるＰＤＰの製造方法において、前面構造体と背面構造体が組み合わされたパネル構造体の周囲部の構造を示す要部拡大断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４であるＰＤＰの要部を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図９】本発明の実施の形態５であるＰＤＰ装置を表示面側から見た平面図である。
【図１０】図９に示すＰＤＰ装置を表示面の反対側の面（背面）側からみた平面図である。
【図１１】図９に示すＰＤＰ装置の前面枠カバー（外部筐体）を取り除いた状態を示す平面図である。
【図１２】図１０に示すＰＤＰ装置の背面カバー（外部筐体）を取り除いた状態を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１  前面枠カバー
２  背面カバー
３  外部筐体
４  スタンド（外部支持構造物）
５  ボルト
７  配線
１０  ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）
１１  前面構造体（第１構造体）
１２  背面構造体（第２構造体）
１３  前面基板（第１基板）
１４  Ｘ電極（第１電極）
１５  Ｙ電極（第１電極）
１６  バス電極
１７  誘電体層
１８  保護層
１９  背面基板（第２基板）
２０  アドレス電極（第２電極）
２１  誘電体層
２２  隔壁
２３  蛍光体
２４  放電空間
２５  保護層（一次保護層）
２６  接着材
２７  パネル構造体
２８  孔部
２９  チップ管
４０  ＰＤＰ
４１  保護層
４２  第１保護層
４３  第２保護層
５０  ＰＤＰ
５１  保護層
６０  ベースシャーシ
６１  回路基板
６２  ＡＤＭ（アドレスドライバモジュール）
６３  取り付け部材
１００  ＰＤＰモジュール（プラズマディスプレイモジュール）
２００  ＰＤＰ装置（プラズマディスプレイ装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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