(57)【要約】【課題】受信コイルと共振キャパシタとの共振周波数を、調整用キャパシタを用いて調整する検波装置において、検波出力波形の歪みを抑制する。【解決手段】検波用回路装置は、第１の端子３、第２の端子４と、基準端子５と、第１の端子３と基準端子５との間に設けられた第１の調整用キャパシタ６ａと、第２の端子４と基準端子５との間に設けられた第２の調整用キャパシタ６ｂと、第１の端子３と基準端子５との間で第１の調整用キャパシタ６ａと直列に接続された第１のスイッチ９ａと、第２の端子４と基準端子５との間で第２の調整用キャパシタ６ｂと直列に接続された第２のスイッチ９ｂとを有する受信周波数調整部と、第１のスイッチ９ａの動作を制御する第１の制御回路１２ａと、第２のスイッチ９ｂの動作を制御する第２の制御回路１２ｂとを有する制御回路部とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信インダクタによって、第１の端子と基準端子との間、または第２の端子と前記基準端子との間に生じる電圧を整流するために用いられる検波用回路装置であって、
前記第１の端子および前記第２の端子と、
前記基準端子と、
前記第１の端子と前記基準端子との間に設けられた第１の調整用キャパシタと、前記第２の端子と前記基準端子との間に設けられた第２の調整用キャパシタと、前記第１の端子と前記基準端子との間で前記第１の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第１の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第１のスイッチと、前記第２の端子と前記基準端子との間で前記第２の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第２の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第２のスイッチとを有する受信周波数調整部と、
前記第１のスイッチの動作を制御する第１の制御回路と、前記第２のスイッチの動作を制御する第２の制御回路とを有する制御回路部とを備えている検波用回路装置。
【請求項２】
前記第１の調整用キャパシタは、ｎを２以上の整数とした場合ｎ個設けられ、且つ前記第１の調整用キャパシタ同士は互いに並列に接続されており、
前記第１のスイッチは前記第１の調整用キャパシタの各々に対応してｎ個設けられ、且つ前記第１のスイッチ同士は互いに並列に接続されており、
前記第１の制御回路はｎ個の前記第１のスイッチの動作を個別に制御し、
前記第２の制御回路はｎ個の前記第２のスイッチの動作を個別に制御することを特徴とする請求項１に記載の検波用回路装置。
【請求項３】
ｎ個の前記第１のスイッチのうちいずれのスイッチを導通状態または非導通状態にするかについての第１の情報と、ｎ個の前記第２のスイッチのうちいずれのスイッチを導通状態または非導通状態にするかについての第２の情報とを記憶するデータ格納部を有する調整データ格納部をさらに備えていることを特徴とする請求項２に記載の検波用回路装置。
【請求項４】
前記データ格納部はラッチ回路を有していることを特徴とする請求項３に記載の検波用回路装置。
【請求項５】
前記データ格納部は不揮発性メモリを有していることを特徴とする請求項３に記載の検波用回路装置。
【請求項６】
少なくとも前記第１の調整用キャパシタ、前記第２の調整用キャパシタ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第１の制御回路、および前記第２の制御回路は、同じ半導体基板上に集積化されることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の検波用回路装置。
【請求項７】
信号を受信して両端に電圧を生じ、一端が前記第１の端子に、他端が前記第２の端子にそれぞれ接続された前記受信インダクタと、
一方の電極が前記受信インダクタの一端および前記第１の端子に接続され、他方の電極が前記基準端子に接続されるとともに、前記第１の調整用キャパシタに並列に接続される第１のキャパシタと、
一方の電極が前記受信インダクタの他端および前記第２の端子に接続され、他方の電極が前記基準端子に接続されるとともに、前記第２の調整用キャパシタに並列に接続される第２のキャパシタとを有する電波受信部をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の検波用回路装置。
【請求項８】
前記第１のキャパシタおよび前記第２のキャパシタは、前記第１の調整用キャパシタおよび前記第２の調整用キャパシタが設けられた基板の外部に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の検波用回路装置。
【請求項９】
前記第１の調整用キャパシタおよび前記第２の調整用キャパシタの静電容量は、前記第１のキャパシタおよび前記第２のキャパシタの静電容量よりも小さいことを特徴とする請求項７または８に記載の検波用回路装置。
【請求項１０】
出力部と、アノードが前記第１の端子に接続され、カソードが前記出力部に接続された第１のダイオードと、アノードが前記第２の端子に接続され、カソードが前記出力部に接続された第２のダイオードとを有する検波回路部をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜９のうちいずれか１つに記載の検波用回路装置。
【請求項１１】
前記検波回路部は、アノードが前記基準端子に接続され、カソードが前記第１のダイオードのアノードおよび前記第１の端子に接続された第３のダイオードと、アノードが前記基準端子に接続され、カソードが前記第２のダイオードのアノードおよび前記第２の端子に接続された第４のダイオードとを有し、
前記第１のダイオード、前記第２のダイオード、前記第３のダイオード、および前記第４のダイオードは、ブリッジ整流回路を構成することを特徴とする請求項１０に記載の検波用回路装置。
【請求項１２】
前記検波回路部は、前記第１の端子の電位と前記第２の端子の電位とを比較するコンパレータと、前記コンパレータの出力により制御され、前記第１のダイオードのアノードとカソードとを短絡する第３のスイッチと、前記コンパレータの出力の反転信号により制御され、前記第２のダイオードのアノードとカソードとを短絡する第４のスイッチとをさらに有していることを特徴とする請求項１１に記載の検波用回路装置。
【請求項１３】
信号を受信して両端に電圧を生じ、一端が前記第１の端子および前記第２の端子に接続され、他端が前記基準端子に接続された前記受信インダクタと、
一方の電極が前記受信インダクタの一端、前記第１の端子、および前記第２の端子に接続され、他方の電極が前記基準端子および前記受信インダクタの他端に接続されるとともに、前記第１の調整用キャパシタおよび前記第２の調整用キャパシタに並列に接続されるキャパシタとを有する電波受信部をさらに備えていることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の検波用回路装置。
【請求項１４】
信号を受信して両端に電圧を生じる受信インダクタと、一方の電極が前記受信インダクタの一端または他端に接続されたキャパシタとを有する電波受信部と、共振周波数を前記信号の周波数に合わせるための受信周波数調整部と、前記受信周波数調整部の動作を制御する制御回路部と、前記制御回路部が前記受信周波数調整部を制御するための情報を記憶する調整データ格納部と、前記受信周波数調整部の出力を受ける検波回路部とを有する検波回路装置と、前記電波受信部と前記受信周波数調整部との間で前記信号の授受を行うための第１の端子、第２の端子および基準端子とを備えた携帯機器であって、
前記受信周波数調整部は、前記第１の端子と前記基準端子との間に設けられた第１の調整用キャパシタと、前記第２の端子と前記基準端子との間に設けられた第２の調整用キャパシタと、前記第１の端子と前記基準端子との間で前記第１の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第１の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第１のスイッチと、前記第２の端子と前記基準端子との間で前記第２の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第２の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第２のスイッチとを有しており、
前記制御回路部は、前記第１のスイッチの動作を制御する第１の制御回路と、前記第２のスイッチの動作を制御する第２の制御回路とを有している携帯機器。
【請求項１５】
前記第１の調整用キャパシタは、ｎを２以上の整数とした場合ｎ個設けられ、且つ前記第１の調整用キャパシタ同士は互いに並列に接続されており、
前記第１のスイッチは前記第１の調整用キャパシタの各々に対応してｎ個設けられ、且つ前記第１のスイッチ同士は互いに並列に接続されており、
前記第１の制御回路はｎ個の前記第１のスイッチの動作を個別に制御し、
前記第２の制御回路はｎ個の前記第２のスイッチの動作を個別に制御することを特徴とする請求項１４に記載の携帯機器。
【請求項１６】
前記調整データ格納部は、ｎ個の前記第１のスイッチのうちいずれのスイッチを導通状態または非導通状態にするかについての第１の情報と、ｎ個の前記第２のスイッチのうちいずれのスイッチを導通状態または非導通状態にするかについての第２の情報とを記憶するラッチ回路を有していることを特徴とする請求項１５に記載の携帯機器。
【請求項１７】
前記調整データ格納部は、ｎ個の前記第１のスイッチのうちいずれのスイッチを導通状態または非導通状態にするかについての第１の情報と、ｎ個の前記第２のスイッチのうちいずれのスイッチを導通状態または非導通状態にするかについての第２の情報とを記憶する不揮発性メモリを有していることを特徴とする請求項１５に記載の携帯機器。
【請求項１８】
少なくとも前記第１の調整用キャパシタ、前記第２の調整用キャパシタ、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第１の制御回路、および前記第２の制御回路は、同じ半導体基板上に集積化されることを特徴とする請求項１４〜１７のうちいずれか１つに記載の携帯機器。
【請求項１９】
前記キャパシタは、一方の電極が前記受信インダクタの一端および前記第１の端子に接続され、他方の電極が前記基準端子に接続されるとともに、前記第１の調整用キャパシタに並列に接続される第１のキャパシタと、一方の電極が前記受信インダクタの他端および前記第２の端子に接続され、他方の電極が前記基準端子に接続されるとともに、前記第２の調整用キャパシタに並列に接続される第２のキャパシタとを含んでいることを特徴とする請求項１４〜１８のうちいずれか１つに記載の携帯機器。
【請求項２０】
前記検波回路部は、出力部と、アノードが前記第１の端子に接続され、カソードが前記出力部に接続された第１のダイオードと、アノードが前記第２の端子に接続され、カソードが前記出力部に接続された第２のダイオードとを有していることを特徴とする請求項１４〜１９のうちいずれか１つに記載の携帯機器。
【請求項２１】
前記検波回路部は、アノードが前記基準端子に接続され、カソードが前記第１のダイオードのアノードおよび前記第１の端子に接続された第３のダイオードと、アノードが前記基準端子に接続され、カソードが前記第２のダイオードのアノードおよび前記第２の端子に接続された第４のダイオードとを有し、
前記第１のダイオード、前記第２のダイオード、前記第３のダイオード、および前記第４のダイオードは、ブリッジ整流回路を構成することを特徴とする請求項２０に記載の携帯機器。
【請求項２２】
前記検波回路部は、前記第１の端子の電位と前記第２の端子の電位とを比較するコンパレータと、前記コンパレータの出力により制御され、前記第１のダイオードのアノードとカソードとを短絡する第３のスイッチと、前記コンパレータの出力の反転信号により制御され、前記第２のダイオードのアノードとカソードとを短絡する第４のスイッチとをさらに有していることを特徴とする請求項２１に記載の携帯機器。
【請求項２３】
前記キャパシタは、一方の電極が前記受信インダクタの一端、前記第１の端子、および前記第２の端子に接続され、他方の電極が前記基準端子および前記受信インダクタの他端に接続されるとともに、前記第１の調整用キャパシタおよび前記第２の調整用キャパシタに並列に接続されることを特徴とする請求項１４〜１８のうちいずれか１つに記載の携帯機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受信アンテナとなるコイルと共振コンデンサとの共振周波数を、調整用コンデンサを用いて調整する検波用回路装置、およびこれを備えた携帯機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの携帯機器において、非接触IＣカードなどと同様の非接触通信方式の受信機能などを搭載した機器が用いられている。携帯機器はバッテリーなどの電源を内蔵しているので、非接触IＣカードのように電力の伝送を受ける必要は無く、受信機能として受信信号を検波する機能のみを備えていればよい。このような検波装置は、受信アンテナとなるコイルに誘起される受信信号を、この受信用コイルとキャパシタとで構成される共振回路及び整流回路を介して出力する。
【０００３】
従来の検波装置としては、特許文献１に記載のものが知られている。図７は、特許文献１に記載された、従来の検波装置の構成を示す回路図である。特許文献１には、以下で説明するように、エネルギー及びデータの非接触伝送システムに関する技術が開示されている。
【０００４】
図７に示すように、従来の検波装置は、コイル１０１と、コイル１０１と並列に接続されたキャパシタ１０２と、コイル１０１の一端およびキャパシタ１０２の一方の電極に接続された第１の端子１０３と、コイル１０１の他端およびキャパシタ１０２の他方の電極に接続された第２の端子１０４と、基準端子１０５と、一方の電極が第１の端子１０３に接続され、互いに並列に接続された調整用キャパシタ１０６ａ、１０７ａ、…１０８ａと、一方の電極が第２の端子１０４に接続され、互いに並列に接続された調整用キャパシタ１０６ｂ、１０７ｂ、…１０８ｂと、調整用キャパシタ１０６ａ、１０７ａ、…１０８ａと基準端子１０５との間にそれぞれ設けられたトランジスタ１０９ａ、１１０ａ、…１１１ａと、調整用キャパシタ１０６ｂ、１０７ｂ、…１０８ｂと基準端子１０５との間にそれぞれ設けられたトランジスタ１０９ｂ、１１０ｂ、…１１１ｂと、トランジスタ１０９ａ、１１０ａ、１１１ａ、１０９ｂ、１１０ｂ、１１１ｂのゲート端子に制御信号を入力する制御回路１１２と、制御回路１１２の制御信号の情報を記憶する不揮発性メモリ１１３と、第１の端子１０３および第２の端子１０４に接続されたブリッジ整流回路１２０と、出力端子１２１と基準端子１０５との間に設けられた平滑キャパシタ１２２とを備えている。
【０００５】
トランジスタ１０９ａ、１０９ｂのゲート端子同士は互いに接続され、調整用キャパシタ１０６ａと調整用キャパシタ１０６ｂとは互いに同じ静電容量を有している。調整用キャパシタ１０６ａ、１０６ｂ、およびトランジスタ１０９ａ、１０９ｂが一対の調整要素を構成する。これと同様に、トランジスタ１１０ａ、１１０ｂのゲート端子同士は互いに接続され、トランジスタ１１１ａ、１１１ｂのゲート端子同士は互いに接続され、調整用キャパシタ１０７ａ、１０７ｂは互いに同じ静電容量を有し、調整用キャパシタ１０８ａと１０８ｂはそれぞれ同じ静電容量を有する。調整用キャパシタ１０７ａ、１０７ｂ、トランジスタ１１０ａ、１１０ｂは一対の調整要素を構成し、調整用キャパシタ１０８ａ、１０８ｂ、トランジスタ１１１ａ、１１１ｂは一対の調整要素を構成する。
【０００６】
ブリッジ整流回路１２０は基準端子５を整流電圧の負極としており、ブリッジ整流回路１２０からの正極出力は出力端子１２１から出力される。
【０００７】
従来の非接触伝送システムにおいて、コイル１０１が、検波装置の外部にある送信用コイルとの粗い磁気結合を介して信号を受信することによって第１の端子１０３と第２の端子１０４との間に発生する電圧は、ブリッジ整流回路１２０によって整流され、検波出力として出力端子１２１から出力される。ここで、第１の端子１０３と第２の端子１０４との間に発生する受信電圧は、その伝送周波数がコイル１０１とキャパシタ１０２との共振周波数に相当する場合に最大振幅となる。この共振周波数を調整して検波出力を最大化するため、調整用キャパシタ１０６ａ、１０７ａ、１０８ａ、１０６ｂ、１０７ｂ、１０８ｂのうちから、互いに接続され、１つの調整要素を構成するキャパシタ対が選択される。例えば、コイル１０１のインダクタンスをＬ、キャパシタ１０２の静電容量をＣ２、調整用キャパシタ１０６ａ、１０６ｂの静電容量を共にＣ６とすると、制御回路１１２によってトランジスタ１０９ａ、１０９ｂが選択的にＯＮ（導通）状態にされると、共振回路を構成するキャパシタの合成容量は（Ｃ２＋Ｃ６／２）となる。このようにして最大振幅が得られるように共振キャパシタの静電容量の調整が行われる。また、キャパシタ１０２に追加されるキャパシタ対の組み合わせ、即ち、トランジスタ１０９ａ〜１１１ｂのどれを導通させるかという情報は、不揮発性メモリ１１３に記憶される。この記憶情報に基づき、機器の始動過程の際に制御回路１１２へ信号が送出され、制御回路１１２はこの情報に基づいて共振回路の共振周波数を適切な値に設定する。
【０００８】
図８は、図７に示す検波装置において、例えばトランジスタ１０９ａ、１０９ｂが導通状態にある場合の第１の端子１０３および第２の端子１０４に発生する理想的な電圧波形Ａ、Ｂと、出力端子１２１に発生する理想的な合成電圧波形Ｃとを示す図である。特許文献１に記載された非接触伝送システムは、電力伝送も目的とするために、平滑キャパシタ１２２によって出力端子１２１の電圧を平滑して直流電源電圧としている。なお、ここでは電力伝送については考慮しないため、平滑キャパシタ２２は存在しないもの、もしくは静電容量が小さいものであるとした場合の波形を示す。
【０００９】
図８において、Ａ１は第１の端子１０３に印加される電圧波形Ａの波高、Ｂ１は第２の端子１０４に印加される電圧波形Ｂの波高、Ｔは１周期を示す。電圧波形Ａと電圧波形Ｂとは、位相が１８０度ずれた関係にあり、電圧波形Ａと電圧波形Ｂのうち高い方が、検波出力である合成電圧波形Ｃとして現れる。電圧波形Ａ、Ｂの振幅は理想的には互いに等しく、受信信号（波形Ａ−波形Ｂ）の最大値の絶対値の半分に分割されたものとなる。
【特許文献１】特許第３０７１４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の構成では、調整用キャパシタ１０６ａと１０６ｂの容量値のばらつきなどによって、第１の端子１０３及び第２の端子１０４に接続される静電容量に差が生じると、検波出力波形が歪んでしまい、出力端子１２１で検波された波形で、読み取り装置の誤動作の原因になる場合がある。
【００１１】
図９は、上から順に、従来の検波装置において、調整用キャパシタのばらつきなどにより容量値に差が発生した場合の第１の端子１０３、第２の端子１０４および出力端子１２１での電圧変化を示す波形図である。すなわち、図中の１ｂは第１の端子１０３の電圧波形、２ｂは第２の端子１０４の電圧波形を示し、３ｂは出力端子１２１から出力される合成電圧波形を示す。また、Ａ２は電圧波形Ｄの波高、Ｂ２は電圧波形Ｅの波高、Δは合成電圧波形Ｆでの振幅の差分、Ｔは１周期を示す。以下に図７、図８、図９を用いて振幅の差が生じる様子を説明する。
【００１２】
空芯のコイルが使用される非接触伝送の場合、コイルのインダクタンスは１〜２μＨである。伝送周波数が十数ＭＨｚであれば、キャパシタ１０２としては静電容量が１００ｐＦ前後のものが使用される。これに対し、調整用キャパシタ１０６ａ〜１０８ａ、１０６ｂ〜１０８ｂの静電容量は数ｐＦより小さく、通常トランジスタ１０９ａ〜１１１ａ、１０９ａ〜１１１ｂとともに半導体集積回路内に形成される。このため調整用キャパシタ１０６ａと調整用キャパシタ１０６ｂの静電容量のばらつきは、集積回路の生成プロセスにもよるが、±２０％程度にはなる。コイル１０１とキャパシタ１０２とで構成される共振回路で発生して調整用キャパシタ１０６ａと調整用キャパシタ１０６ｂを流れる充放電電流は等しいので、第１の端子１０３の電圧波形Ｄと第２の端子１０４の電圧波形Ｅの振幅および波高は各調整用キャパシタの静電容量に反比例する。調整用キャパシタ１０６ａの静電容量が調整用キャパシタ１０６ｂの静電容量の０．８倍であったとすると、電圧波形Ｄの波高Ａ２は電圧波形Ｅの波高Ｂ２の１．２５倍になる。波高および振幅の大きくなった電圧波形Ｄは、ブリッジ整流回路１２０の負極側ダイオードの導通によって、その下限値が基準端子１０５の電位でクランプされる。この時、電圧波形Ｅは元の受信信号とほぼ等しくなり、波形の歪みはさらに悪化する。また、いずれのトランジスタもＯＦＦ（非導通）とされる可能性もあり、その場合、第１の端子１０３、第２の端子１０４に接続されるのは調整用キャパシタとトランジスタの寄生容量との直列容量になり、電圧のばらつきはさらに大きくなる。
【００１３】
以上のように、調整用キャパシタの静電容量差は、第１の端子１０３、第２の端子１０４の電圧波形の振幅に差を生じ、検波出力波形を歪ませる。このような歪んだ検波波形は、それを処理あるいは入力される装置の誤動作の原因になる場合がある。
【００１４】
本発明は、上記従来技術の課題の解決を図るものであり、受信アンテナとなるコイルと共振キャパシタとの共振周波数を、調整用キャパシタを用いて調整する検波装置において、検波出力波形の歪みを抑制すること、及びこの検波装置を備えた携帯機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の目的を達成するために本発明の検波用回路装置は、受信インダクタによって、第１の端子と基準端子との間、または第２の端子と前記基準端子との間に生じる電圧を整流するために用いられる検波用回路装置であって、前記第１の端子および前記第２の端子と、前記基準端子と、前記第１の端子と前記基準端子との間に設けられた第１の調整用キャパシタと、前記第２の端子と前記基準端子との間に設けられた第２の調整用キャパシタと、前記第１の端子と前記基準端子との間で前記第１の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第１の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第１のスイッチと、前記第２の端子と前記基準端子との間で前記第２の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第２の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第２のスイッチとを有する受信周波数調整部と、前記第１のスイッチの動作を制御する第１の制御回路と、前記第２のスイッチの動作を制御する第２の制御回路とを有する制御回路部とを備えている。
【００１６】
この構成によれば、第１のスイッチと第２のスイッチとを別個に制御することができるので、調整用キャパシタ間で静電容量がばらついた場合でも、第１の調整用キャパシタおよび第２の調整用キャパシタを適宜導通状態または非導通状態にして、受信インダクタとキャパシタとで構成される共振回路の共振周波数を精度良く調節することが可能となる。そのため、検波出力波形の歪みの発生を効果的に抑制することができる。このため、本発明の検波用回路装置を携帯機器等に用いることで、非接触伝送システムにおける読み取り装置の誤動作等を抑制することが可能となる。
【００１７】
特に、共振回路を構成するキャパシタが２つの直列に接続された第１のキャパシタと第２のキャパシタであり、これらのキャパシタ間のノードが基準端子に接続されていれば、第１の調整用キャパシタと第１のキャパシタ、第２の調整用キャパシタと第２のキャパシタとがそれぞれ並列接続されることになり、第１の調整用キャパシタと第２の調整用キャパシタとの静電容量のばらつきの影響をより小さくすることができる。
【００１８】
本発明の携帯機器は、信号を受信して両端に電圧を生じる受信インダクタと、一方の電極が前記受信インダクタの一端または他端に接続されたキャパシタとを有する電波受信部と、共振周波数を前記信号の周波数に合わせるための受信周波数調整部と、前記受信周波数調整部の動作を制御する制御回路部と、前記制御回路部が前記受信周波数調整部を制御するための情報を記憶する調整データ格納部と、前記受信周波数調整部の出力を受ける検波回路部とを有する検波回路装置と、前記電波受信部と前記受信周波数調整部との間で前記信号の授受を行うための第１の端子、第２の端子および基準端子とを備えた携帯機器であって、前記受信周波数調整部は、前記第１の端子と前記基準端子との間に設けられた第１の調整用キャパシタと、前記第２の端子と前記基準端子との間に設けられた第２の調整用キャパシタと、前記第１の端子と前記基準端子との間で前記第１の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第１の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第１のスイッチと、前記第２の端子と前記基準端子との間で前記第２の調整用キャパシタと直列に接続され、前記第２の調整用キャパシタと前記基準端子とを導通状態または非導通状態にする第２のスイッチとを有しており、前記制御回路部は、前記第１のスイッチの動作を制御する第１の制御回路と、前記第２のスイッチの動作を制御する第２の制御回路とを有している。
【００１９】
この構成によれば、第１のスイッチと第２のスイッチとを別個に制御することができるので、調整用キャパシタ間で静電容量がばらついた場合でも、第１の調整用キャパシタおよび第２の調整用キャパシタを適宜導通状態または非導通状態にして、受信インダクタとキャパシタとで構成される共振回路の共振周波数を精度良く調節することが可能となる。そのため、検波出力波形の歪みの発生を効果的に抑制することができる。その結果、非接触伝送を行う際の装置の誤動作等の発生が抑制され、従来の携帯機器に比べてより確実に通信を行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明によれば、受信アンテナとなるコイルと共振キャパシタとの共振周波数を、調整用キャパシタを用いて調整する検波装置（検波用回路装置）において、調整用キャパシタのばらつきを吸収して検波出力波形の歪みを抑制できるため、検波の読み取り側装置の誤動作を効果的に防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る検波装置（検波用回路装置）の構成を示すブロック図であり、（ｂ）は、当該検波装置の具体構成例を示す回路図である。本実施形態の検波装置は、磁気を用いた非接触伝送システムに用いられ、特に、電源を備えた携帯機器等に好ましく用いられる。なお、非接触伝送システムにはデータを伝送する回路やその後段に接続された評価回路なども含まれるが、ここでは共振回路の共振周波数を調整するための構成のみ説明する。以下、本実施形態の検波装置の詳細を説明する。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、本実施形態の検波装置は、外部の機器等からの信号を受信する電波受信部３１と、共振周波数を受信信号の周波数に合わせるための受信周波数調整部３２と、受信周波数調整部３２を制御する制御回路部３３と、制御回路部３３に供給する制御情報を保持する調整データ格納部３４と、受信周波数調整部３２の出力を受けて検波結果を出力する検波回路部３５とを備えている。
【００２３】
図１（ｂ）に示すように、電波受信部３１は、コイル（受信インダクタ）１と、一方の電極にコイル１の一端が接続された第１のキャパシタ２ａと、一方の電極にコイル１の他端が接続され、他方の電極に第１のキャパシタ２ａが接続された第２のキャパシタ２ｂとを有している。また、電波受信部３１と受信周波数調整部３２との間には基準端子５と、信号の授受を行うための第１の端子３および第２の端子４とが設けられている。第１の端子３はコイル１の一端および第１のキャパシタ２ａの一方の電極に接続され、第２の端子４はコイル１の他端および第２のキャパシタ２ｂの一方の電極に接続されている。基準端子５は、第１のキャパシタ２ａの他方の電極と第２のキャパシタ２ｂの他方の電極とに接続されている。
【００２４】
受信周波数調整部３２は、第１の端子３と基準端子５との間にそれぞれ設けられ、互いに並列に接続された調整用キャパシタ６ａ、７ａ、…８ａと、第２の端子４と基準端子５との間に設けられ、互いに並列に接続された調整用キャパシタ６ｂ、７ｂ、…８ｂと、調整用キャパシタ６ａ、７ａ、…８ａと基準端子５との間にそれぞれ設けられ、調整用キャパシタ６ａ、７ａ、…８ａと基準端子５とを導通状態または非導通状態にするトランジスタ（第１のスイッチ）９ａ、１０ａ、１１ａと、調整用キャパシタ６ｂ、７ｂ、…８ｂと基準端子５とを導通状態または非導通状態にするトランジスタ（第２のスイッチ）９ｂ、１０ｂ、１１ｂとを有している。調整用キャパシタ６ａ、７ａ、…８ａは第１のキャパシタ２ａと並列に接続され、調整用キャパシタ６ｂ、７ｂ、…８ｂは第２のキャパシタ２ｂと並列に接続されている。なお、第１の端子３と基準端子５との間に設けられた調整用キャパシタと、この調整用キャパシタと同じ静電容量を持つように設計され、第２の端子４と基準端子５との間に設けられた調整用キャパシタとで構成されるキャパシタ対の数は任意に設定すればよく、特に限定されない。調整用キャパシタ６ａと調整用キャパシタ６ｂ、調整用キャパシタ７ｂと調整用キャパシタ７ｂ、および調整用キャパシタ８ａと調整用キャパシタ８ｂはそれぞれ同じ静電容量を有している。
【００２５】
制御回路部３３は、トランジスタ９ａ、１０ａ、１１ａの動作を個別に制御する第１の制御回路１２ａと、トランジスタ９ｂ、１０ｂ、１１ｂの動作を個別に制御する第２の制御回路１２ｂとを有している。
【００２６】
調整データ格納部３４は、トランジスタ９ａ〜１１ａ、９ｂ〜１１ｂのうちいずれのトランジスタを導通状態にするかについての情報を記憶する不揮発性メモリ１３を有しており、この情報を第１の制御回路１２ａおよび第２の制御回路１２ｂに供給する。トランジスタの制御情報は、あらかじめ記憶されたものであってもよいし、検波装置の外部から送信されたものであってもよい。不揮発性メモリ１３としては、例えば検波回路の製造後に書込み可能なＲＯＭや、ＦｅＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＭＯＮＯＳなどが用いられる。なお、検波装置の外部から制御情報が供給される場合には、不揮発性メモリ１３に代えてラッチ回路やＤＲＡＭなどを用いてもよい。
【００２７】
検波回路部３５は、出力端子２１と、基準端子５と出力端子２１との間に設けられた出力キャパシタ２２と、第１の端子３および第２の端子４と出力端子２１との間に設けられたブリッジ整流回路２０とを有している。出力端子２１は検波装置の出力端子ともなっており、ブリッジ整流電圧の正極である。基準端子５は整流電圧の負極となっている。ブリッジ整流回路２０は、アノードが第１の端子３に接続され、カソードが出力端子２１に接続された第１のダイオードと、アノードが第２の端子４に接続され、カソードが出力端子２１に接続された第２のダイオードと、アノードが基準端子５に接続され、カソードが第１のダイオードのアノードおよび第１の端子３に接続された第３のダイオードと、アノードが基準端子５に接続され、カソードが第２のダイオードのアノードおよび第２の端子４に接続された第４のダイオードとを有している。出力キャパシタ２２は検波出力を平滑化するためのものであり、回路構成によっては省略される場合もある。
【００２８】
図１（ｂ）に示す例では、受信周波数調整部３２、制御回路部３３、調整データ格納部３４、検波回路部３５、第１の端子３、第２の端子４、基準端子５および出力端子２１は同一の半導体基板（図１（ｂ）に示す破線）上に集積化されている。ただし、検波回路部３５、調整データ格納部３４などを受信周波数調整部３２が設けられた半導体基板と異なる基板上に設けてもよい。
【００２９】
調整用キャパシタ６ａ、７ａ、８ａ、６ｂ、７ｂ、８ｂの静電容量は第１のキャパシタ２ａ、第２のキャパシタ２ｂの静電容量に比べて非常に小さくなっている。
【００３０】
以上のように構成された検波装置について、その動作について説明する。
【００３１】
本実施形態の検波装置において、コイル１が、検波装置の外部にある送信用コイルとの粗い磁気結合を介して信号を受信することによって第１の端子３と第２の端子４間に電圧が発生する。両端子間に発生した電圧は、ブリッジ整流回路２０によって整流され、検波出力として出力端子２１から出力される。受信信号の周波数は、例えば、１３．５６ＭＨｚ〜１４ＭＨｚ程度である。ここで、第１の端子３と第２の端子４との間に発生する受信電圧は、受信信号の周波数がコイル１、第１のキャパシタ２ａおよび第２のキャパシタ２ｂとを含む共振回路の共振周波数に相当する場合に最大振幅となる。この共振周波数を調整して検波出力を最大化するため、調整用キャパシタ６ａ〜８ａ、６ｂ〜８ｂのうちから共振回路に接続されるキャパシタ対が選択される。例えば、コイル１のインダクタンスをＬ、第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂの静電容量をそれぞれＣ２、調整用キャパシタ６ａ、６ｂの静電容量をそれぞれＣ６とするとき、第１の制御回路１２ａおよび第２の制御回路１２ｂによってトランジスタ９ａおよび９ｂが導通状態にされると、調整用キャパシタ６ａは第１のキャパシタ２ａと、調整用キャパシタ６ｂは第２のキャパシタ２ｂとそれぞれ並列接続することになり、共振回路を構成するキャパシタの合成容量は、（Ｃ２＋Ｃ６）／２となる。このようにして最大振幅が得られるように共振キャパシタの静電容量の調整が行われる。また、第１のキャパシタ２ａおよび第２のキャパシタ２ｂに追加されるキャパシタの組み合わせ、即ち、トランジスタ９ａ〜１１ａ、９ｂ〜１１ｂのうちいずれを導通させるかという情報は、上述のように不揮発性メモリ１３に記憶される。調整データ格納部３４は、この記憶情報に基づき、機器の始動過程の際に第１の制御回路１２ａ、第２の制御回路１２ｂへ信号を送出し、共振回路の共振周波数を適切な値に設定する。
【００３２】
図１（ｂ）に示す本実施形態の検波装置おいて、第１の端子３、第２の端子４、および出力端子２１に発生する電圧波形は、従来の検波装置と同様に、理想的には図８に示す波形Ａ、Ｂ、Ｃのようになる。即ち、第１の端子３の電圧波形Ａと第２の端子４の電圧波形Ｂは、位相が１８０度異なる同波高（Ａ１＝Ｂ１）の波形となる。出力端子２１に発生する合成電圧波形Ｃとしては、電圧波形Ａと電圧波形Ｂのうち高い方が現れる。電圧波形ＡとＢの振幅は理想的には互いに等しく、受信信号（波形Ａ−波形Ｂ）の最大値の絶対値の半分に分割されたものとなる。
【００３３】
次に、調整用キャパシタの静電容量がばらついた場合の各部での波形について説明する。例えば、コイル１のインダクタンスが１〜２μＨで、受信信号の伝送周波数が十数ＭＨｚであれば、第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂは互いに直列に接続されているので、第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂとしては、それぞれ２００ｐＦ前後の静電容量を有するものが使用される。これに対し、調整用キャパシタ６ａ〜８ａ、６ｂ〜８ｂの静電容量は数ｐＦ以下程度であり、トランジスタ９ａ〜１１ａ、９ｂ〜１１ｂとともに半導体集積回路内に形成されることが多い。このため、調整用キャパシタの静電容量のばらつきは、集積回路の生成プロセスにもよるが、±２０％程度になる。例えば、周波数調整においてトランジスタ９ａ、９ｂのみが導通状態であり、第１のキャパシタ２ａ、第２のキャパシタ２ｂの静電容量が共に２００ｐＦ、調整用キャパシタ６ａの静電容量が４ｐＦ、調整用キャパシタ６ｂの静電容量が５ｐＦであったとする。この場合、第１の端子３と基準端子５との間には第１のキャパシタ２ａと調整用キャパシタ６ａとの並列容量２０４ｐＦが、第２の端子４と基準端子５との間には第２のキャパシタ２ｂと調整用キャパシタ６ｂとの並列容量２０５ｐＦが接続されていることになり、その静電容量差は共振回路を構成する静電容量に比べて微小となる。ここで、第１のキャパシタ２ａおよび第２のキャパシタ２ｂは集積回路とは別個に設けられており、調整用キャパシタに比べて静電容量のばらつきを大幅に抑えることが可能である。従って、本実施形態の検波装置では、第１のキャパシタ２ａ、第２のキャパシタ２ｂの静電容量の方がはるかに大きく支配的であり、且つ第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂとの静電容量差は微小であるため、調整用キャパシタのばらつきは吸収される。その結果、第１の端子３での波形と第２の端子４での波形の振幅差は振幅の０．００２％程度となり、出力端子２１での検波波形にはほとんど歪みが生じない。よって、本実施形態の検波装置の第１の端子３、第２の端子４、および出力端子２１での波形はほぼ図８に示す理想的な波形Ａ、Ｂ、Ｃのようになる。このため、本実施形態の検波装置を携帯電話やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等の携帯機器に搭載した場合には、情報の読み取り装置の誤動作などを起こすことなく所望の情報通信を行うことができる。
【００３４】
また、本実施形態の検波装置では、トランジスタ９ａ〜１１ａと、トランジスタ９ｂ〜１１ｂとは、別個に導通状態／非導通状態に設定できるようになっている。
【００３５】
この構成により、第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂとの静電容量のばらつきも調整できるようになっている。例えば、第１のキャパシタ２ａの静電容量が２００ｐＦ、第２のキャパシタ２ｂの静電容量が２０４ｐＦである場合、トランジスタ９ａを導通状態に、トランジスタ９ｂを非導通状態にすることによって、第１の端子３と第２の端子４には共に２０４ｐＦの静電容量が接続されることになる。この場合、共振周波数の調整は、他の調整用キャパシタで行うことが可能であり、第１の端子３と第２の端子４の振幅差をほとんどなくなり、検波波形に生じる歪みは抑制される。
【００３６】
なお、本実施形態の検波装置によれば、第１の端子３と第２の端子４とに発生する電圧変化は、位相が１８０°反転した振幅の等しい波形となる。それらの電圧波形の最下点は基準端子５の電位以上となるので、図１に示すブリッジ整流回路２０のうち、基準端子５に接続される２つの負極側ダイオードは、定常動作時において導通することはない。従って、図２に示すような構成であっても構わない。
【００３７】
図２は、本実施形態の検波装置の変形例を示す回路図である。この変形例に係る検波装置では、図１に示すブリッジ整流回路２０（図１（ｂ）参照）から、基準端子５に接続されたアノードを有する２つのダイオードが省かれている。
【００３８】
しかしながら、起動時や、受信用コイルと送信用コイルとの位置関係が変化するような過渡状態において、受信波形の振幅が変動しても第１の端子３、第２の端子４の電圧が負電位とならないようにするには、ブリッジ整流回路２０を備える構成を有することが望ましい。
【００３９】
また、本実施形態の検波装置において、第１のキャパシタ２ａ、第２のキャパシタ２ｂを受信周波数調整部３２や制御回路部３３などと同一の半導体基板上に集積化することもできる。この場合は上述のように、第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂの静電容量のばらつきは、両キャパシタを集積回路と別個に形成する場合に比べて大きくなるが、トランジスタ９ａ、１０ａ、…１１ａとトランジスタ９ｂ、１０ｂ、…１１ｂとを別個に制御することにより静電容量のばらつきを低減することができる。このように、第１のキャパシタ２ａと第２のキャパシタ２ｂを集積回路内に設けることにより、両キャパシタを集積回路の外部に設ける場合に比べて検波装置の実装面積を大幅に縮小することができる。
【００４０】
また、受信周波数調整部３２において、第１の端子３に接続された調整用キャパシタが複数個設けられる場合、各調整用キャパシタの静電容量同士は等しくてもよいし、適宜異なっていてもよい。これは、第２の端子４に接続された調整用キャパシタについても同様である。
【００４１】
（第２の実施形態）
図３は、本発明の第２の実施形態に係る検波装置の構成を示す回路図である。
【００４２】
本実施形態の検波装置が図１に示す第１の実施形態に係る検波装置と異なる点は、検波回路部のブリッジ整流回路２０に、第１の端子３と第２の端子４の電位を比較するコンパレータ１４と、コンパレータ１４の出力を反転するインバータ１５と、コンパレータ１４の出力により制御されてダイオード２３ａのアノードとカソード間を短絡するトランジスタ１６ａと、インバータ１５の出力により制御されたダイオード２３ｂのアノードとカソード間を短絡するトランジスタ１６ｂとが追加されていることである。
【００４３】
すなわち、本実施形態の検波装置の特徴は、受信状態が変化する過渡時にのみ導通し、定常動作時において導通することはない負極側ダイオード２４ａ、２４ｂに対し、正極側整流回路を同期整流回路の構成とする点にある。その他の構成は第１の実施形態の検波装置と同様である。
【００４４】
本実施形態の検波装置において、ダイオード２３ａに並列接続されたトランジスタ１６ａは第１の端子３の電圧が第２の端子４の電圧より高い時に導通し、ダイオード２３ｂに並列接続されたトランジスタ１６ｂは第２の端子４の電圧が第１の端子３の電圧より高い時に導通する。トランジスタのオン抵抗による電圧降下はダイオードによる電圧降下に比べて小さいため、上述の構成により、正極側整流回路の順方向電圧降下は抑制され、検波出力のレベルを大きくすることができる。
【００４５】
なお、第１の実施形態および第２の実施形態の検波装置において、調整用キャパシタのばらつきによる静電容量差は、調整用キャパシタをトランジスタと同じ半導体集積回路内で形成するために生じると説明してきたが、本発明の検波装置はこれらの構成に限定されるものではない。ばらつきの抑制された調整用キャパシタを集積回路外に設置する場合においても、動作時に期せずして全てのトランジスタが非導通となる可能性がある。その場合、第１の端子３と第２の端子４に接続されるのは調整用キャパシタとトランジスタの寄生容量との直列容量になり、容量のばらつきはさらに大きくなる。したがって、本発明の構成は、調整用キャパシタが集積回路の内部にあるか外部にあるかによらず検波波形の歪み抑制効果を奏するものであり、非接触伝送システムでの誤動作等の発生を効果的に抑えることができる。
【００４６】
また、本発明の検波装置の主要構成要素を集積回路として同一の半導体基板上に形成することによって、その利便性が向上する。例えば、図４に示すように、図１に示す検波装置のうち調整用キャパシタ６ａ〜８ａ、６ｂ〜８ｂ、トランジスタ９ａ〜１１ａ、９ｂ〜１１ｂ、第１の制御回路１２ａ、第２の制御回路１２ｂ、および不揮発性メモリ１３を１つの半導体集積回路とし、第１の端子３を調整用キャパシタ６ａ〜８ａと電波受信部との接続点とし、第２の端子４を調整用キャパシタ６ｂ〜８ｂと電波受信部との接続点とする。また、第３の端子４０は、トランジスタの制御情報を外部から受け取るための端子である。
【００４７】
なお、先に触れたように、調整用キャパシタとこれに対応するトランジスタとは個数に限定はなく、この調整要素を増やすことによって静電容量のより広範な調節、または微調整が可能となる。これにより、例えば検波装置の受信状態の変化や、通信周波数の切り換えなどに対応することが容易となる。
【００４８】
（第３の実施形態）
図５は、本発明の第３の実施形態に係る検波装置の構成を示す回路図である。第１の実施形態および第２の実施形態に係る検波装置は受信信号をいわゆる全波整流するものであったが、本実施形態の検波装置はいわゆる半波整流を行うものである。
【００４９】
本実施形態の検波装置においては、第１の端子３を調整用キャパシタ６ａ〜８ａと電波受信部との接続点とし、第２の端子４を調整用キャパシタ６ｂ〜８ｂと電波受信部との接続点としている。
【００５０】
具体的には、本実施形態の検波装置ではコイル１と共振回路を構成するキャパシタ２が分割されておらず、第１の端子３と第２の端子４とは、コイル１の同一端（一方の端子）、およびキャパシタ２の同一電極（一方の電極）に接続されている。また、基準端子５はコイル１の他端およびキャパシタ２の他方の電極に接続されている。調節用キャパシタ６ａ、６ｂは互いに同じ静電容量を有するように設計され、且つ共にキャパシタ２と並列に接続されている。また、調整用キャパシタ６ａと基準端子５との間にはトランジスタ９ａが設けられ、調整用キャパシタ６ｂと基準端子５との間にはトランジスタ９ｂが設けられている。トランジスタ９ａとトランジスタ９ｂとは、それぞれ第１の制御回路１２ａと第２の制御回路１２ｂにより個別に動作制御されている。ダイオード１７のアノードはコイル１、キャパシタ２、第１の端子３および第２の端子４にそれぞれ接続され、カソードは出力端子２１ａおよび出力キャパシタ２２に接続されている。不揮発性メモリ１３は、第３の端子４０に接続されている。
【００５１】
このような構成であっても、トランジスタ９ａ、９ｂを個別に制御できるので、調整用キャパシタ６ａ、６ｂの静電容量のばらつきを抑えることが可能となっている。
【００５２】
本実施形態の検波装置でも、調整用キャパシタ６ａ、６ｂ、トランジスタ９ａ、９ｂ、第１の制御回路１２ａ、第２の制御回路１２ｂおよび不揮発性メモリ等を同一の半導体基板上に集積化することで利便性の向上を図ることができる。
【００５３】
なお、集積回路において、第１の端子３に接続された調整用キャパシタの個数、および第２の端子に接続された調整用キャパシタの個数は特に限定されない。
。
【００５４】
（第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態として、本発明の検波装置を搭載した携帯機器の構成を説明する。図６は、第４の実施形態に係る検波装置を備えた携帯機器を示すブロック図である。ここでは、第１の実施形態で説明した図１（ａ）に示す検波装置を用いた携帯機器を示す。
【００５５】
図６に示すように、本実施形態の携帯機器３９は、検波装置３０と、検波装置３０から出力された信号を処理するデータ処理部３６と、データ処理部３６との間で双方向に通信を行うベースバンド部３７と、記憶装置であるメモリ３８とを備えている。
【００５６】
検波装置３０は、電波受信部３１と、受信周波数調整部３２と、制御回路部３３と、調整データ格納部３４と、検波回路部３５とを有している。
【００５７】
図６に示す携帯機器において、調整データ格納部３４からの出力信号が制御回路部３３に入力され、制御回路部３３から出力された制御信号が受信周波数調整部３２に入力され、受信周波数調整部３２から出力された信号が電波受信部３１に入力される。また、電波受信部３１からの出力信号は受信周波数調整部３２を介して検波回路部３５に入力され、検波回路部３５の出力信号は、データ処理部３６に入力される。
【００５８】
電波受信部３１は、図１に示す受信用のコイル１、第１のキャパシタ２ａ、および第２のキャパシタ２ｂに相当し、受信用コイルが外部送信用コイルとの粗い磁気結合を介して信号を受信する。電波受信部３１で発生した受信信号は受信周波数調整部３２と検波回路部３５とを介して検波出力として出力される。
【００５９】
また、受信周波数調整部３２は図１に示す調整用キャパシタ６ａ〜８ａ、６ｂ〜８ｂ、およびトランジスタ９ａ〜１１ａ、９ｂ〜１１ｂに相当し、検波回路部３５はブリッジ整流回路２０および出力キャパシタ２２に相当する。検波回路部３５からの検波出力はデータ処理部３６に入力され、データ処理部３６において論理信号に変換処理された信号はベースバンド部３７に送られる。ここで、電波受信部３１の共振周波数を調整して検波出力を最大化するため、ベースバンド部３７から調整データ格納部３４へ周波数調整を指示する信号が送出される。調整データ格納部３４に格納されているデータは、制御回路部３３が受信周波数調整部３２においてどの調整用キャパシタを電波受信部３１に接続させるかについての情報である。即ち、制御回路部３３は図１に示す第１の制御回路１２ａ、第２の制御回路１２ｂに相当し、調整データ格納部３４は不揮発性メモリ１３に相当する。ただし、本実施形態の携帯機器では、第３の端子４０を介してベースバンド部３７から動作時に制御情報が書き込まれるため、制御情報を一時的に記憶するラッチ回路や、ＤＲＡＭなどの揮発性メモリで調整データ格納部３４を構成してもよい。この場合には、不揮発性メモリを用いる場合に比べて集積化が容易であり、製造コストの低減を図ることもできる。
【００６０】
電波受信部３１の共振周波数は受信周波数調整部３２で調整され、検波回路部３５からの検波出力をデータ処理部３６へ送出する。データ処理部３６は、論理信号に処理されたデータをベースバンド部３７へ送出する。ベースバンド部３７は、検波出力レベルが適切となる周波数に設定されるまで調整データ格納部３４へ周波数調整のための信号を送出し、上記のような周波数調整の動作を繰り返し行わせる。
【００６１】
電波受信部３１の共振周波数が適切な周波数になった場合、その調整データを調整データ格納部３４に格納しておき、調整データ格納部３４はこの記憶情報に基づき、携帯機器３９の始動過程の際に制御回路部３３へ制御信号を送出し、電波受信部３１の共振周波数を始動過程毎に適切な値に設定する。そして、調整データ格納部３４が一度調整した値を記憶しておくことで、以後、始動過程での周波数調整動作が不要になる。なお、ラッチ回路等の揮発性メモリで調整データ格納部３４を構成する場合でも、以上で説明したのと同様の動作を行う。
【００６２】
本実施形態の携帯機器においては、調整用キャパシタのばらつきを吸収して検波出力波形の歪みが抑制された検波装置を用いることにより、通信の際の誤動作を抑え、より確実に非接触データ通信を行うことができる。
【００６３】
なお、本実施形態の検波装置は、第１〜第３の実施形態で説明したいずれの構成を有するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、非接触通信方式の受信機能を搭載した端末機器等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る検波装置の構成を示すブロック図であり、（ｂ）は、当該検波装置の具体構成例を示す回路図である。
【図２】第１の実施形態に係る検波装置の変形例を示す回路図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る検波装置の構成を示す回路図である。
【図４】本発明の検波装置の主要構成要素を含む半導体集積回路を示す回路図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る検波装置の構成を示す回路図である。
【図６】第４の実施形態に係る検波装置を備えた携帯機器を示すブロック図である。
【図７】従来の検波装置の構成を示す回路図である。
【図８】共振回路を備えた検波装置において、各端子に発生する理想的な電圧波形を示す図である。
【図９】従来の検波装置において、調整用キャパシタの静電容量に差が発生した場合の第１の端子、第２の端子および出力端子での電圧変化を示す波形図である。
【符号の説明】
【００６６】
１      コイル
２      キャパシタ
２ａ    第１のキャパシタ
２ｂ    第２のキャパシタ
３      第１の端子
４      第２の端子
５      基準端子
６ａ〜８ａ、６ｂ〜８ｂ    調整用キャパシタ
９ａ〜１１ａ、９ｂ〜１１ｂ      トランジスタ
１２ａ    第１の制御回路
１２ｂ    第２の制御回路
１３      不揮発性メモリ
１４      コンパレータ
１５      インバータ
１６ａ、１６ｂ    トランジスタ
１７、２３ａ、２３ｂ      ダイオード
２０      ブリッジ整流回路
２１、２１ａ      出力端子
２２      出力キャパシタ
２４ａ、２４ｂ    負極側ダイオード
３０      検波装置
３１      電波受信部
３２      受信周波数調整部
３３      制御回路部
３４      調整データ格納部
３５      検波回路部
３６      データ処理部
３７      ベースバンド部
３８      メモリ
３９      携帯機器
４０      第３の端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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