(57)【要約】【課題】簡単な方法でダイシング処理の後にウェハの剛性を維持すること。【解決手段】半導体ウェハ１において、素子構造６の形成された中央領域４以外の外周余剰領域５の裏面の外周端部にリブ２が形成されている。リブ２の形成されたウェハ１の裏面の全面には、隙間が入らないように薄膜樹脂３が形成されている。また、ウェハ１のおもて面からダイシング処理がおこなわれ、リブ２を残したまま、素子構造６が個々のチップ８に区切られている。このため、ダイシング処理の後にも、リブ２と個々のチップ８とが薄膜樹脂３によって固定されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
おもて面に複数の素子構造が設けられた中央領域と、前記中央領域を囲む外周端部の裏面に設けられた、前記中央領域より厚いリブと、からなる半導体ウェハを有する半導体装置において、
前記半導体ウェハの裏面の全面に設けられた薄膜樹脂と、
前記半導体ウェハのおもて面に、前記中央領域に設けられた複数の素子構造を、それぞれのチップに区切るように設けられた切れ込みと、
を備え、
前記切れ込みによって区切られたそれぞれの前記チップと、前記リブと、が前記薄膜樹脂によって固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体ウェハの裏面の外周端部からの前記薄膜樹脂のせり出しが、２ｍｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記切れ込みは、前記半導体ウェハの全面に設けられ、当該切れ込みの深さが、前記リブの厚さの２分の１以内であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記薄膜樹脂は、紫外線硬化型の粘着テープであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リブは、厚さが２００μｍ以上であり、前記中央領域は、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
おもて面に複数の素子構造が設けられた中央領域と、前記中央領域を囲む外周端部の裏面に設けられた、前記中央領域より厚いリブと、からなる半導体ウェハを有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェハの裏面の全面に薄膜樹脂を形成する樹脂形成工程と、
前記半導体ウェハの、前記薄膜樹脂が形成された裏面を下にして、前記リブを残したまま、前記半導体ウェハのおもて面に、前記中央領域に形成された複数の素子構造を、それぞれのチップに区切るように切れ込みを入れるウェハ切断工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂形成工程は、
前記半導体ウェハを裏面を上にして剛体の平板に配置し、当該半導体ウェハの裏面の上に、前記薄膜樹脂を配置する配置工程と、
前記薄膜樹脂の上から押板により加圧することで、当該薄膜樹脂を前記半導体ウェハの裏面の全面に貼り付ける貼付工程と、
前記半導体ウェハの裏面の外周端部からせり出した前記薄膜樹脂を切断する樹脂切断工程と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記貼付工程において、前記薄膜樹脂と接する面に弾性体を有する前記押板によって加圧することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記貼付工程において、前記薄膜樹脂と接する面からガスを吹き出す吹き出し部を有する前記押板によって、ガスを吹き出しながら加圧することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配置工程において、前記半導体ウェハの裏面の上に、紫外線硬化型の粘着テープを配置することを特徴とする請求項７〜９のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記樹脂切断工程は、前記半導体ウェハの裏面からせり出した前記薄膜樹脂が２ｍｍ以内となるように当該薄膜樹脂を切断することを特徴とする請求項７〜１０のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂形成工程は、
前記半導体ウェハを裏面を上にしてスピンチャックに配置する配置工程と、
前記スピンチャックにより前記半導体ウェハを回転させながら、前記半導体ウェハの裏面の上から、当該半導体ウェハの裏面の全面に液状の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ウェハ切断工程において、前記中央領域から、前記中央領域と前記外周端部の間の外周余剰領域への前記切れ込みが５ｍｍ以内であることを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ウェハ切断工程において、前記半導体ウェハのおもて面の全面に、前記リブの厚さの２分の１以内の深さで切れ込みを入れることを特徴とする請求項６〜１３のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ウェハ切断工程は、
前記半導体ウェハのおもて面の全面に、レジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記レジストにダイシングパターンを形成するパターン形成工程と、
前記ダイシングパターンを用いたドライエッチングによって、前記リブを残したまま、前記半導体ウェハのおもて面に、前記中央領域に形成された複数の素子構造を、それぞれのチップに区切るようにトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
を含むことを特徴とする請求項６〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特にデバイス厚が薄い半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスがおもて面側に複数形成されたウェハは、ダイシング装置等を用いて個々のチップに分割されて、各種電子機器に組み込まれる。近年、電子機器の小型化、軽量化等を図るため、個々のチップに分割される前に、たとえば、厚さが５０μｍ以上１００μｍ以下程度となるようにウェハの裏面を研磨して、チップを薄型化する開発が進んでいる。
【０００３】
しかしながら、ウェハを薄くするとウェハの剛性を維持できないため、ダイシング処理の後の工程、たとえば、外観チェック工程、ウェハチェック（電気評価）工程、ピックアップ工程等でのウェハの取り扱いが困難になる。たとえば、ウェハが薄いと、ウェハのおもて面や裏面に形成された膜の応力により、ウェハに反りが発生し、ウェハの搬送や各工程での処理が困難となる。さらに、ウェハの端面が鋭利なナイフエッジとなるため、ウェハに割れや欠けが発生するという問題がある。
【０００４】
これらの課題を解決するために、ウェハの外周端部を、ウェハ中央部のデバイス形成領域よりも厚くしたリブ構造のウェハが提案されている（たとえば、下記特許文献１参照。）。このようなウェハは、ウェハの裏面を、外周端部を残して研磨することで形成される。または、ウェハの裏面の外周端部に接着材によりリング状の保護部材を貼り着けることで形成される。
【０００５】
リブ構造のウェハをダイシングする際には、ダイシングフレームを用いずにダイシング処理をおこなうことができる。具体的には、ウェハの裏面にダイシングテープ等を貼り付け、ウェハの裏面を、リブ部分を除いた直径よりも小さい経の吸着ステージ上に固定して、ウェハのおもて面側からダイシング処理をおこなう。このとき、リブ部分を切り落とし、ダイシングテープから剥離する。そして、後のピックアップ工程においてチップをピックアップしやすくするためにダイシングテープを引き伸ばす。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３３２２７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献１の技術では、ダイシング工程において、リブを切り落としてしまうため、ダイシング後のピックアップ工程等において、そのままではウェハの剛性を維持することができない。したがって、ダイシングテープを引き伸ばした後に、ウェハの外周端部に、ウェハの剛性を維持するためのリングを貼り付ける工程等が必要となり、手間がかかるという問題がある。
【０００８】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、簡単な方法でダイシング処理の後にウェハの剛性を維持することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる半導体装置は、おもて面に複数の素子構造が設けられた中央領域と、前記中央領域を囲む外周端部の裏面に設けられた、前記中央領域より厚いリブと、からなる半導体ウェハを有する半導体装置において、前記半導体ウェハの裏面の全面に設けられた薄膜樹脂と、前記半導体ウェハのおもて面に、前記中央領域に設けられた複数の素子構造を、それぞれのチップに区切るように設けられた切れ込みと、を備え、前記切れ込みによって区切られたそれぞれの前記チップと、前記リブと、が前記薄膜樹脂によって固定されていることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２の発明にかかる半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体ウェハの裏面の外周端部からの前記薄膜樹脂のせり出しが、２ｍｍ以内であることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の発明にかかる半導体装置は、請求項１または２に記載の発明において、前記切れ込みは、前記半導体ウェハの全面に設けられ、当該切れ込みの深さが、前記リブの厚さの２分の１以内であることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明にかかる半導体装置は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明において、前記薄膜樹脂は、紫外線硬化型の粘着テープであることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明にかかる半導体装置は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記リブは、厚さが２００μｍ以上であり、前記中央領域は、厚さが１００μｍ以下であることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明にかかる半導体装置の製造方法は、おもて面に複数の素子構造が設けられた中央領域と、前記中央領域を囲む外周端部の裏面に設けられた、前記中央領域より厚いリブと、からなる半導体ウェハを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体ウェハの裏面の全面に薄膜樹脂を形成する樹脂形成工程と、前記半導体ウェハの、前記薄膜樹脂が形成された裏面を下にして、前記リブを残したまま、前記半導体ウェハのおもて面に、前記中央領域に形成された複数の素子構造を、それぞれのチップに区切るように切れ込みを入れるウェハ切断工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項６に記載の発明において、前記樹脂形成工程は、前記半導体ウェハを裏面を上にして剛体の平板に配置し、当該半導体ウェハの裏面の上に、前記薄膜樹脂を配置する配置工程と、前記薄膜樹脂の上から押板により加圧することで、当該薄膜樹脂を前記半導体ウェハの裏面の全面に貼り付ける貼付工程と、前記半導体ウェハの裏面の外周端部からせり出した前記薄膜樹脂を切断する樹脂切断工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
また、請求項８の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記貼付工程において、前記薄膜樹脂と接する面に弾性体を有する前記押板によって加圧することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項９の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記貼付工程において、前記薄膜樹脂と接する面からガスを吹き出す吹き出し部を有する前記押板によって、ガスを吹き出しながら加圧することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項７〜９のいずれか一つに記載の発明において、前記配置工程において、前記半導体ウェハの裏面の上に、紫外線硬化型の粘着テープを配置することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項７〜１０のいずれか一つに記載の発明において、前記樹脂切断工程は、前記半導体ウェハの裏面からせり出した前記薄膜樹脂が２ｍｍ以内となるように当該薄膜樹脂を切断することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項６に記載の発明において、前記樹脂形成工程は、前記半導体ウェハを裏面を上にして、スピンチャックに配置する配置工程と、前記スピンチャックにより前記半導体ウェハを回転させながら、前記半導体ウェハの裏面の上から、当該半導体ウェハの裏面の全面に液状の樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項６〜１２のいずれか一つに記載の発明において、前記ウェハ切断工程において、前記中央領域から、前記中央領域と前記外周端部の間の外周余剰領域への前記切れ込みが５ｍｍ以内であることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１４の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項６〜１３のいずれか一つに記載の発明において、前記ウェハ切断工程において、前記半導体ウェハのおもて面の全面に、前記リブの厚さの２分の１以内の深さで切れ込みを入れることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項１５の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項６〜１２のいずれか一つに記載の発明において、前記ウェハ切断工程は、前記半導体ウェハのおもて面の全面に、レジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記レジストにダイシングパターンを形成するパターン形成工程と、前記ダイシングパターンを用いたドライエッチングによって、前記リブを残したまま、前記半導体ウェハのおもて面に、前記中央領域に形成された複数の素子構造を、それぞれのチップに区切るようにトレンチを形成するトレンチ形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
上記各発明によれば、ダイシング処理の後にも半導体ウェハの裏面の外周端部に形成されたリブが残ったままであり、このリブと、半導体ウェハに形成された個々のチップと、が薄膜樹脂によって固定されている。したがって、半導体装置の製造方法におけるダイシング処理の後の工程、たとえば、ピックアップ工程などにおいて、リングを貼り付けなくても、半導体ウェハの剛性を維持することができる。
【００２５】
また、請求項３および請求項１４の発明によれば、ダイシング処理の際に、半導体ウェハの全面に切れ込みを入れても、ダイシング処理の後の半導体ウェハの剛性を維持することができる。したがって、簡単な方法でダイシング処理をおこなっても、ダイシング処理の後の半導体ウェハの剛性を維持することができる。
【００２６】
また、請求項７〜１２の発明によれば、半導体ウェハの裏面と薄膜樹脂との間に、隙間を形成せずに、半導体ウェハの裏面に薄膜樹脂を形成することができる。これによって、ダイシングの処理の際の、チップの欠けや割れを防ぐことができる。
【００２７】
また、請求項４および１０の発明によれば、半導体ウェハの裏面に薄膜樹脂として、紫外線硬化型の粘着テープを貼り付けることができる。これによって、個々のチップのピックアップの際に、予め薄膜樹脂に紫外線を照射しておくことによって、半導体ウェハと薄膜樹脂との粘着性が弱くなるため、簡単にピックアップ処理をおこなうことができる。このため、ピックアップの際のチッピングを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明にかかる半導体装置およびその製造方法によれば、簡単な方法でダイシング処理の後にウェハの剛性を維持することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置およびその製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明およびすべての添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００３０】
（実施の形態１）
まず、実施の形態１にかかる半導体装置について説明する。図１は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。また、図２は、図１の切断線Ａ−Ａ’の断面構造を示す断面図である。図１または図２に示すように、シリコン等のウェハ１の裏面の外周端部には、中央領域４より厚いリブ２が設けられている。実施の形態１においては、中央領域４の厚さは、たとえば、５０〜１００μｍであり、リブ２の厚さは、たとえば、２００〜５００μｍである。
【００３１】
図３は、ウェハの反り量と、リブの厚さと、の関係について示す特性図である。図３に示すように、リブを厚くすることによって、ウェハの反り量が小さくなる。一例として、ウェハを搬送する際のウェハの反り量の許容範囲は、２ｍｍ以下である。したがって、ウェハの反り量の許容範囲が２ｍｍ以下である場合には、リブの厚さは、２００μｍ以上が好ましい。なお、図３に示す特性図は、ウェハの直径が１５０ｍｍであり、ウェハ中央部（デバイス形成領域）の厚さが６０μｍであり、リブの幅が３ｍｍであるウェハについて計測した結果である。
【００３２】
また、図１または図２に示すように、ウェハ１のおもて面の中央領域４には、素子構造６が形成され、ダイシング処理による切れ込み７によって個々のチップ８に区切られている。ダイシング処理による切れ込み７の中央領域４の端部からの余剰切断長さｘ１は、たとえば、１〜５ｍｍ程度である。これは、ダイシング処理の後のウェハ１の剛性を維持するためである。また、ウェハ１における中央領域４以外の領域は、１個分のチップを取れない外周余剰領域５である。従って、前記余剰切断長さｘ１とは、外周余剰領域５における切れ込み７の長さのことである。
【００３３】
ウェハ１の裏面の全面には、ダイシングテープ等の薄膜樹脂３が、気泡等による隙間がない状態で設けられている。また、ウェハ１の端部からの薄膜樹脂３のせり出し幅ｘ２は、たとえば２ｍｍ以下である。その理由は、ウェハの搬送や位置合わせの精度の悪化を抑制することができるからである。また、薄膜樹脂３をウェハ１の端部からせり出させる理由は、リブ２と薄膜樹脂３との接着面積を増やし、密着性をよくすることができるからである。なお、リブ２と薄膜樹脂３が十分に接着されていれば、薄膜樹脂３がウェハ１の端部からせり出していなくてもよい。
【００３４】
つぎに、実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。まず、半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について説明する。図４〜図６は、実施の形態１にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について順に示す断面図である。これらの図において、図示はしないが、ウェハ１のおもて面（図では、下側の面）にはデバイスの素子構造が形成されている。まず、ウェハ１の裏面に研削やエッチングをおこなって、ウェハ１の中央部の厚さを、たとえば、５０〜１００μｍとする。また、ウェハ１の外周端部から、たとえば、２〜５ｍｍ内側までの領域の厚さを、たとえば、２００〜５００μｍとして、リブ２を形成する。なお、リブ２は、ウェハ１の裏面の外周端部にリング状の保護部材を貼り付けることで形成してもよい。
【００３５】
ついで、図４に示すように、リブ２の設けられたウェハ１を、その裏面を上にして、平板１１の上に配置し、さらにその上にダイシングテープ等の薄膜樹脂３を配置する。ついで、薄膜樹脂３の上から押板１２により加圧して、ウェハ１の裏面に薄膜樹脂３を密着させる。ウェハ１の裏面は、リブ２が突出しているため凹形状となっている。ウェハ１の裏面に薄膜樹脂３を貼り付けると、この凹形状の内側の角の、ウェハ１と薄膜樹脂３との間に隙間ができ、気泡が入ってしまうことがある。ここで、ウェハ１と薄膜樹脂３との間に気泡が入らないようにするためには、第１に、薄膜樹脂３をしわが生じないように配置することと、第２に、押板１２の平坦性および平行度の精度が重要である。また、押板１２の薄膜樹脂３と接する面に、弾性体を貼り付けてもよい。弾性体を貼り付けることで、押板１２による加圧の面内分布を均一にすることができる。
【００３６】
ついで、図５に示すように、カッター１３を用いて、ウェハ１の端部からの薄膜樹脂３のせり出し幅ｘ２がたとえば２ｍｍ以下になるように、ウェハ１の裏面の外周に沿って薄膜樹脂３を切断する。なお、リブ２と薄膜樹脂３とが十分に接着されていれば、薄膜樹脂３をウェハ１の外周端部より内側で切断してもよい。ついで、図６に示すように、薄膜樹脂３が貼り付けられたウェハ１を取り出す。これによって、ウェハ１の裏面への薄膜樹脂３の形成が完了する。これら一連の処理は、自動あるいは半自動の装置によっておこなわれてもよい。
【００３７】
つぎに、半導体装置のおもて面をダイシングする方法について説明する。図７は、実施の形態１にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について示す断面図である。図７に示すように、素子構造６の形成されたウェハ１を、そのおもて面を上にして、ウェハ１の裏面の凹形状とほぼ同じサイズの凸形状を有するステージ１４に配置する。このとき、たとえば、ウェハ１のおもて面を図示しない吸着アームによって保持し、ロボットによる搬送をおこなうことによって、±１００μｍ程度の位置精度でステージ１４にウェハ１を配置することができる。
【００３８】
ついで、ウェハ１をステージ１４に吸着させて、図１および図２に示すように、ウェハ１のおもて面側から、ブレードダイシングまたはレーザダイシング等のダイシング処理をおこなう。ここで、ダイシング処理の後のリブ２の機械的強度を維持するためには、ダイシング領域（切れ込み７ができる領域）を極力小さくすることが好ましい。このため、中央領域４の端部からの余剰切断長さｘ１が、たとえば、１〜５ｍｍ程度となるようにダイシング処理をおこなう。また、このとき、ダイシング処理による切れ込み７が、薄膜樹脂３を貫通しないようにする。これによって、ウェハのおもて面のダイシング処理が完了する。
【００３９】
このように、本実施の形態１によれば、ダイシング処理の後に、ウェハの外周端部にリブが残ったままであり、このリブとダイシング処理により区切られた個々のチップとが薄膜樹脂によって固定されている。このため、ダイシング処理の後にもチップがばらばらにならず、ウェハの剛性を維持することができる。したがって、ダイシング処理の後に、ウェハの剛性を維持するための工程、たとえば、ウェハの外周端部にリングを貼り付ける工程等を省くことができる。つまり、ダイシング処理の後に余計な工程をおこなうことなく、ウェハを容易に取り扱うことができる。
【００４０】
（実施の形態２）
つぎに、実施の形態２にかかる半導体装置について説明する。実施の形態２にかかる半導体装置の構造は、実施の形態１にかかる半導体装置の構造と同様のため、説明を省略する。
【００４１】
つぎに、実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法は、ウェハの裏面に薄膜樹脂を形成する方法が異なる。図８は、実施の形態２にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。図８に示すように、押板１５には、薄膜樹脂３と接する面にシャワー部１６が設けられ、押板１５のシャワー部１６以外の領域にガス導入口１７が設けられている。
【００４２】
リブ２の設けられたウェハ１を、その裏面を上にして、平板１１の上に配置し、さらにその上に薄膜樹脂３を配置する。ついで、薄膜樹脂３の上から押板１５により加圧して、ウェハ１の裏面に薄膜樹脂３を密着させる。このとき、押板１５においては、ガス導入口１７から導入された空気や窒素等の気体が、シャワー部１６から吹き出す。このように、シャワー部１６から吹き出した気体によって薄膜樹脂３を押すことで、加圧の面内分布が均一となる。これによって、ウェハ１の裏面と薄膜樹脂３との間に、気泡を入れずにウェハ裏面に薄膜樹脂３を貼り付けることができる。
【００４３】
ついで、カッター１３を用いて、ウェハ１の端部からの薄膜樹脂３のせり出し幅ｘ２がたとえば２ｍｍ以下になるように、ウェハ１の裏面の外周に沿って薄膜樹脂３を切断する（図５参照）。ついで、薄膜樹脂３が貼り付けられたウェハ１を取り出して（図６参照）、ウェハの裏面への薄膜樹脂の形成が完了する。
【００４４】
実施の形態２によれば、実施の形態１において、押板の、薄膜樹脂と接する面に弾性体を貼り付けた場合と同様の効果を得ることができる。さらに、弾性体を貼り付けた押板を用いた場合には、加圧により弾性体の弾性が変化することがあるが、実施の形態２では、弾性体を用いないので、弾性体等の部材の交換をしなくてよい。このように、部材交換をおこなわずに、長期間安定して押板を使用することができる。
【００４５】
なお、実施の形態１および実施の形態２においては、ダイシング処理の後にもウェハにリブが残っているため、チップのピックアップ処理の前に薄膜樹脂であるダイシングテープのエキスパンド処理をおこなう必要がない。このエキスパンド処理をおこなわない場合、ピックアップ処理の際に、チップ間隔が３０〜５０μｍ程度であるため、チップ擦れによるチッピングの生じる可能性がある。このため、薄膜樹脂として、たとえば、紫外線硬化型のダイシングテープ等を用い、ピックアップ処理をおこなう前に薄膜樹脂に紫外線を照射して薄膜樹脂の粘着力を極力小さくすることで、チッピングを抑制することができる。
【００４６】
（実施の形態３）
つぎに、実施の形態３にかかる半導体装置について説明する。実施の形態３にかかる半導体装置の構造は、実施の形態１および実施の形態２にかかる半導体装置の構造と同様のため、説明を省略する。
【００４７】
つぎに、実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法は、ウェハの裏面に薄膜樹脂を形成する方法が異なる。実施の形態３においては、スピンコーターを用いて、ウェハの裏面に液状樹脂を塗布することで薄膜樹脂を形成する。図９は、実施の形態３にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。図９に示すように、ウェハ１のおもて面（図では、下側の面）側をスピンチャック１８で保持する。そして、ウェハ１を回転させながら、液状樹脂供給口１９からウェハ１の裏面に液状樹脂を供給し、ウェハ１の裏面に塗布する。ついで、薄膜樹脂３が塗布されたウェハ１を取り出して（図６参照）、ウェハ１の裏面への薄膜樹脂３の形成が完了する。
【００４８】
実施の形態３によれば、実施の形態１または実施の形態２と同様の効果を得ることができる。さらに、ウェハの端部から薄膜樹脂がせり出さないため、薄膜樹脂を切断する処理を省くことができる。
【００４９】
（実施の形態４）
つぎに、実施の形態４にかかる半導体装置について説明する。図１０は、実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。また、図１１は、図１０の切断線Ｂ−Ｂ’の断面構造を示す断面図である。図１０に示すように、ウェハ１の全面にダイシング処理による切れ込み７が設けられている。また、図１１に示すように、ダイシング処理による切れ込み７の深さｘ３は、リブ２の厚さｘ４のたとえば１／２以下である。このようにすることで、ウェハの機械的強度を十分に維持することができる。
【００５０】
つぎに、実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態４においては、半導体装置のおもて面をダイシングする方法が異なる。まず、実施の形態１〜３のいずれかに示す方法で、ウェハの裏面に薄膜樹脂を形成する。ついで、素子構造６が形成されたウェハ１のおもて面を上にして、ウェハ１の裏面の凹形状とほぼ同じサイズのステージ１４に配置する（図７参照）。
【００５１】
ついで、ウェハ１をステージ１４に吸着させて、図１０または図１１に示すように、ダイシング処理による切れ込み７の深さｘ３をリブ２の厚さｘ４のたとえば１／２以下に設定して、ウェハ１の全面にダイシング処理をおこなう。具体的には、たとえば、リブ２の厚さが５００μｍ、中央領域４の厚さが７０μｍのウェハ１に、厚さが７０μｍの薄膜樹脂３が貼り付けられている場合について説明する。このウェハに、ダイシング処理による切れ込み７の深さを１００μｍに設定して、ウェハ１のおもて面にブレードダイシング処理をおこなう。このとき、リブ２の厚さｘ４に対するダイシング処理による切れ込み７の深さｘ３の割合は２０％となる。したがって、十分に機械的強度が維持される。これによって、ウェハ１のおもて面のダイシング処理が完了する。
【００５２】
実施の形態４によれば、ウェハ１のおもて面の全面にダイシング処理をおこなっても、実施の形態１〜実施の形態３と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
（実施の形態５）
つぎに、実施の形態５にかかる半導体装置について説明する。実施の形態５にかかる半導体装置の構造は、実施の形態１〜実施の形態４にかかる半導体装置の構造と同様のため、説明を省略する。
【００５４】
つぎに、実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について説明する。実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法は、ウェハのおもて面のダイシング処理が異なる。実施の形態５においては、ウェハのおもて面のダイシング処理をドライエッチングによっておこなう。図１２〜図１５は、実施の形態５にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について順に示す断面図である。まず、実施の形態１〜３のいずれかに示す方法で、ウェハの裏面に薄膜樹脂を形成する。
【００５５】
ついで、素子構造６の形成されたウェハ１のおもて面を上にして、ウェハ１の裏面の凹形状とほぼ同じサイズのステージ１４に配置する（図７参照）。ついで、ウェハ１をステージ１４に吸着させて、図１２に示すように、薄膜樹脂３が裏面に形成されたウェハ１の、おもて面の全面にレジスト２０を塗布する。ついで、図１３に示すように、フォトリソグラフィ処理等によりレジスト２０にパターンを形成する。ついで、図１４に示すように、パターンの形成されたレジスト２０をマスクとして、ウェハ１にトレンチエッチングをおこなう。ここで、トレンチエッチングは、たとえば、誘導結合型のプラズマエッチング装置を用いて、反応容器に四フッ化炭素（ＣＦ４）や六フッ化硫黄（ＳＦ６）や塩素（Ｃｌ２）等を導入し、高周波電力を印加することでエッチングをおこなう。
【００５６】
ここでは、具体的に、リブ２の厚さが５００μｍであり、中央領域４の厚さが５０μｍである、直径１５０ｍｍのウェハ１にボッシュプロセスによるドライエッチングをおこなう。ボッシュプロセスは、シリコンを垂直に深掘りするエッチングと、深堀りしたシリコン側壁に保護膜を形成するデポジションと、を交互に繰り返すエッチング方法である。デポジションは、基板温度を２３℃、圧力を５Ｐａ、パーフルオロシクロブタン（Ｃ４Ｆ８）を３００ｃｃ／ｍｉｎとして、１３．５６ＭＨｚ、５０００Ｗの高周波出力でおこなう。また、エッチングは、基板温度２３℃、圧力を１２Ｐａ、ＳＦ６を１０００ｃｃ／ｍｉｎとして、１３．５６ＭＨｚ、５０００Ｗの高周波出力でおこなう。そして、デポジション／エッチングを２ｓｅｃ／７ｓｅｃのサイクルで４分間の処理をおこなう。
【００５７】
ついで、図１５に示すように、アッシング等によりレジスト２０を除去して、ドライエッチングによるウェハ１のおもて面のダイシング処理が完了する。
【００５８】
実施の形態５によれば、ダイシング処理をドライエッチングによっておこなう場合にも、実施の形態１〜実施の形態４と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上のように、本発明にかかる半導体装置およびその製造方法は、デバイス厚の薄い半導体装置に有用であり、特に、裏面の外周端部にリブの形成されたリブ構造の半導体ウェハを有する半導体装置に適している。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施の形態１にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。
【図２】図１の切断線Ａ−Ａ’の断面構造を示す断面図である。
【図３】ウェハの反り量と、リブの厚さと、の関係について示す特性図である。
【図４】実施の形態１にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。
【図５】実施の形態１にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。
【図６】実施の形態１にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。
【図７】実施の形態１にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について示す断面図である。
【図８】実施の形態２にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。
【図９】実施の形態３にかかる半導体装置の裏面に薄膜樹脂を形成する方法について示す断面図である。
【図１０】実施の形態４にかかる半導体装置の構造を示す平面図である。
【図１１】図１０の切断線Ｂ−Ｂ’の断面構造を示す断面図である。
【図１２】実施の形態５にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について示す断面図である。
【図１３】実施の形態５にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について示す断面図である。
【図１４】実施の形態５にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について示す断面図である。
【図１５】実施の形態５にかかる半導体装置のおもて面をダイシングする方法について示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  ウェハ
２  リブ
３  薄膜樹脂
４  中央領域
５  外周余剰領域
６  素子構造
７  切れ込み
８  チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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