(57)【要約】【課題】装置を停止することなく不具合の発生を未然に防止することができる回転式基板処理装置を提供する。【解決手段】エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、基板Ｗを回転させつつ露光ヘッド５３０から光を照射して基板Ｗの端縁部を露光する。端縁部の露光処理に先立って、保持回転部２００によって基板Ｗを１回転させつつエッジセンサ８００が基板Ｗの端縁部の位置を検知してエッジデータを取得する。ＥＥＷコントローラ９００は、取得されたエッジデータに基づいて、基板Ｗの偏心量の異常、基板ＷのノッチＮＴの角度異常およびエッジセンサ８００の異常の有無を判断する。そして、エッジデータに異常有りと判断されたときには、ＥＥＷコントローラ９００アラーム発報を行う。【選択図】図６
2009032898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を回転させつつ所定の処理を行う回転式基板処理装置であって、
基板を保持して回転させる保持回転手段と、
前記保持回転手段に保持される基板の端縁部の位置を検知する端縁部検知手段と、
前記所定の処理を行う前に、前記保持回転手段に基板を回転させつつ当該基板の端縁部の位置を前記端縁部検知手段に順次検知させて当該基板の端縁部位置情報を含むエッジデータを取得する端縁部位置情報取得手段と、
取得された前記エッジデータを監視する監視手段と、
を備えることを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の回転式基板処理装置において、
前記監視手段は、前記エッジデータに基づいて、前記保持回転手段によって保持される基板の偏心量の異常の有無を判断することを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の回転式基板処理装置において、
前記監視手段は、前記エッジデータに含まれる前記端縁部位置情報によって描かれるサインカーブの振幅が所定の閾値以上であるときに基板の偏心量が異常であると判断することを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の回転式基板処理装置において、
前記監視手段は、前記エッジデータに基づいて、前記保持回転手段によって保持される基板のノッチ角度の異常の有無を判断することを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の回転式基板処理装置において、
前記監視手段は、前記エッジデータに基づいて、前記端縁部検知手段の異常の有無を判断することを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれかに記載の回転式基板処理装置において、
前記監視手段によって異常有りと判断されたときに警告を発報する警告発報手段をさらに備えることを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項７】
請求項２または請求項３に記載の回転式基板処理装置において、
前記監視手段によって基板の偏心量に異常有りと判断されたときに、前記エッジデータに基づいて前記回転式基板処理装置に基板を搬入する搬送ロボットの教示情報を補正する教示情報補正手段をさらに備えることを特徴とする回転式基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の回転式基板処理装置において、
前記保持回転手段によって保持される基板の端縁部に光を照射する露光ヘッドをさらに備え、
前記所定の処理は、前記保持回転手段によって回転される基板の端縁部に前記露光ヘッドから光を照射して当該端縁部を露光する端縁部露光処理であることを特徴とする回転式基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を回転させつつ端縁部露光処理等の所定の処理を行う回転式基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうちレジスト塗布処理を行う塗布処理ユニット、露光後の現像処理を行う現像処理ユニットおよびそれらに付随する熱処理を行う熱処理ユニットを１つの基板処理装置に搭載したものがいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。
【０００３】
通常、かかる基板処理装置には、基板を処理ユニット間で搬送するための搬送ロボットが設けられている。基板処理装置内における処理ユニットと搬送ロボットとのレイアウトの一例として、搬送アームを昇降、旋回および進退移動可能な搬送ロボットの周囲に塗布処理ユニット、現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを多段に積層して配置し、該搬送アームに基板を保持して各処理ユニットに順次搬送するように構成されたものがある。
【０００４】
ところで、各処理ユニットにおいて高精度な基板処理を行うためには、予め決められた基板搬入位置に搬送ロボットが正確に基板を搬入する必要がある。特に、回転式の塗布処理ユニットのように基板を回転させつつ処理を行う場合には、基板の中心が少しでも回転中心から偏心していると処理が不均一になるばかりでなく、基板やユニットの内部機構を損傷するおそれもある。また、熱処理ユニットの場合も、基板の載置位置が所定の基板搬入位置からずれていると、基板の面内温度分布が不均一になる可能性がある。
【０００５】
このため、各処理ユニット内の所定の基板搬入位置に基板を正確に搬入することができるように搬送ロボットを予め学習させておくティーチングと称される作業が行われている（例えば、特許文献１参照）。従来より行われている一般的なティーチングの手法は、各処理ユニット内の基板搬入位置をマーキングするとともに、搬送ロボットの搬送アームに光学測定素子を搭載した治具を持たせ、その光学測定素子によって基板搬入位置のマークを測定した結果を搬送ロボットの制御機構に教示するというものであった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１９９６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
正確なティーチングを行ったとしても、搬送ロボットに何らかのトラブル（例えば、処理ユニットの基板搬出入口との微妙な接触）が発生すると、ティーチングによって教示された基板搬入位置から実際の搬入位置がずれるという事態が突発的に生じる。しかしながら、従来においては、このような突発的なティーチングのずれが生じても、それを装置稼働中に検出することは極めて困難であり、例えば搬送アームから基板が落下するなどの大きな不具合が発生して初めてずれの問題が露呈していた。かかるティーチングのずれを検出するためには一定時間装置を停止する必要があったが、そのダウンタイムは当然に装置稼働率低下に直結するものである。
【０００８】
また、通常、上記の基板処理装置にて処理される複数の基板は一定の向きに揃えられているのであるが、各処理ユニットに順次搬送される過程において角度ずれを生じる場合もある。従来においては、このような角度ずれが生じたときにもそれを装置稼働中に検出することができなかったため、具体的な不具合が現出してから発覚することとなっていた。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、装置を停止することなく不具合の発生を未然に防止することができる回転式基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板を回転させつつ所定の処理を行う回転式基板処理装置において、基板を保持して回転させる保持回転手段と、前記保持回転手段に保持される基板の端縁部の位置を検知する端縁部検知手段と、前記所定の処理を行う前に、前記保持回転手段に基板を回転させつつ当該基板の端縁部の位置を前記端縁部検知手段に順次検知させて当該基板の端縁部位置情報を含むエッジデータを取得する端縁部位置情報取得手段と、取得された前記エッジデータを監視する監視手段と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る回転式基板処理装置において、前記監視手段は、前記エッジデータに基づいて、前記保持回転手段によって保持される基板の偏心量の異常の有無を判断することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る回転式基板処理装置において、前記監視手段は、前記エッジデータに含まれる前記端縁部位置情報によって描かれるサインカーブの振幅が所定の閾値以上であるときに基板の偏心量が異常であると判断することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る回転式基板処理装置において、前記監視手段は、前記エッジデータに基づいて、前記保持回転手段によって保持される基板のノッチ角度の異常の有無を判断することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る回転式基板処理装置において、前記監視手段は、前記エッジデータに基づいて、前記端縁部検知手段の異常の有無を判断することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項６の発明は、請求項２から請求項５のいずれかの発明に係る回転式基板処理装置において、前記監視手段によって異常有りと判断されたときに警告を発報する警告発報手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項７の発明は、請求項２または請求項３の発明に係る回転式基板処理装置において、前記監視手段によって基板の偏心量に異常有りと判断されたときに、前記エッジデータに基づいて前記回転式基板処理装置に基板を搬入する搬送ロボットの教示情報を補正する教示情報補正手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項８の発明は、請求項１から請求項７のいずれかの発明に係る回転式基板処理装置において、前記保持回転手段によって保持される基板の端縁部に光を照射する露光ヘッドをさらに備え、前記所定の処理は、前記保持回転手段によって回転される基板の端縁部に前記露光ヘッドから光を照射して当該端縁部を露光する端縁部露光処理であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１から請求項８の発明によれば、所定の処理を行う前に、保持回転手段に基板を回転させつつ当該基板の端縁部の位置を端縁部検知手段に順次検知させて当該基板の端縁部位置情報を含むエッジデータを取得し、その取得されたエッジデータを監視しているため、装置を稼働させながらエッジデータに現出した異常を見つけることができ、装置を停止することなく不具合の発生を未然に防止することができる。
【００１９】
また、特に、請求項２および請求項３の発明によれば、装置を停止することなく基板の偏心量異常に起因した不具合の発生を未然に防止することができる。
【００２０】
また、特に、請求項４の発明によれば、装置を停止することなく基板のノッチ角度の異常に起因した不具合の発生を未然に防止することができる。
【００２１】
また、特に、請求項５の発明によれば、装置を停止することなく端縁部検知手段の異常不具合の発生を未然に防止することができる。
【００２２】
また、特に、請求項６の発明によれば、大きな不具合が発生する前に異常が告知されることとなる。
【００２３】
また、特に、請求項７の発明によれば、装置を停止して再度搬送ロボットの教示を行うことなく教示情報を自動的に補正することができるため、装置の稼働率低下を抑制することが可能となる。
【００２４】
また、特に、請求項８の発明によれば、ハードウェアの改変を行うことなく請求項１の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明に係る回転式基板処理装置を組み入れた基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１から図４にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２７】
本実施形態の基板処理装置は、基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、以下の説明において、本実施形態の基板処理装置が処理対象とする基板はφ３００ｍｍの円形の半導体ウェハであるが、これに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。
【００２８】
本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。また、本実施形態の基板処理装置および露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して接続されている。
【００２９】
インデクサブロック１は、装置外から受け取った未処理基板をバークブロック２やレジスト塗布ブロック３に払い出すとともに、現像処理ブロック４から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００３０】
インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。
【００３１】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。
【００３２】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００３３】
次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。
【００３４】
バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００３５】
下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３、スピンチャック２２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００３６】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。
【００３７】
このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（バークブロック２ではホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。
【００３８】
図５は、搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。
【００３９】
搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。
【００４０】
また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。
【００４１】
このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４２】
次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００４３】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。
【００４４】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている。
【００４５】
レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。
【００４６】
レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００４７】
レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にレジスト液を吐出する塗布ノズル３３、スピンチャック３２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００４８】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。
【００４９】
各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。
【００５０】
ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。
【００５１】
このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。
【００５２】
このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対して直接に基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。
【００５３】
搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の搬送アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１，３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５４】
次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００５５】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。
【００５６】
基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている。
【００５７】
現像処理ブロック４は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。
【００５８】
現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を下から順に積層配置して構成されている。なお、５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４、スピンチャック４３を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００５９】
図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１４とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板仮置部およびクールプレートＣＰ１４はインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の側には開口しているが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３の側には閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。
【００６０】
また、熱処理タワー４２の最上段には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。
【００６１】
次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗをレジスト塗布ブロック３から受け取って本基板処理装置とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４に渡すブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの端縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２と、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２、クールプレートＣＰ１４およびエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２に対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。
【００６２】
図６は、エッジ露光ユニットＥＥＷ１の構成を示す斜視図である。図６においても、図１から図４と同様のＸＹＺ直交座標系を付している。なお、以下はエッジ露光ユニットＥＥＷ１についての説明であるが、エッジ露光ユニットＥＥＷ２についても全く同様であり、２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２を特に区別しない場合はこれらを総称してエッジ露光部ＥＥＷとする。
【００６３】
エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、基板Ｗの主面上に形成されたレジスト膜の端縁部の露光処理を行う装置であって、基台１０１、保持回転部２００、Ｙ軸駆動部３００、Ｘ軸駆動部４００、露光部５００、Ｘ軸センサ６００、Ｙ軸センサ７００、エッジセンサ８００およびＥＥＷコントローラ９００を備えている。
【００６４】
保持回転部２００は、吸着チャック２１０により基板Ｗを略水平姿勢にて吸着保持し、回転モータ（θ軸モータ）２２０の駆動により鉛直軸（Ｚ軸）方向を回転軸としてその周りでθ方向に基板Ｗを回転させる。
【００６５】
Ｙ軸駆動部３００は、露光部５００をＹ軸方向に並進駆動させる駆動機構である。Ｙ軸駆動部３００は、基台１０１に固設されたＹ軸モータ３１０と、その回転軸に連結されたＹ軸ボールネジ３２０と、Ｙ軸リニアガイド３３０と、それに摺動自在に取り付けられるとともにＹ軸ボールネジ３２０により並進駆動されるＹ軸ベース３４０とを備えている。
【００６６】
Ｘ軸駆動部４００は、露光部５００をＸ軸方向に並進駆動させる駆動機構である。Ｘ軸駆動部４００は、Ｙ軸駆動部３００のＹ軸ベース３４０にＸ軸方向に沿って設けられたＸ軸リニアガイド４１０並びにＸ軸モータ４２０およびそのＸ軸モータ４２０の回動軸に掛けられるとともにＸ軸方向に沿って設けられたタイミングベルト４３０を備えるＸ軸方向の駆動機構である。
【００６７】
露光部５００は、Ｘ軸駆動部４００のＸ軸リニアガイド４１０に摺動自在に取り付けられた露光ベース５１０と、タイミングベルト４３０に連結されてその駆動力を露光ベース５１０に伝える駆動力伝達部材５２０と、露光ベース５１０に設けられた露光ヘッド５３０とを備えており、光を基板Ｗ上に照射してその主面端縁部を露光する。露光ヘッド５３０は、水銀キセノンランプなどで構成される光源、反射ミラーおよび集光のためのレンズ系を内蔵しており、保持回転部２００によって保持される基板Ｗの端縁部に光を照射する。
【００６８】
Ｘ軸センサ６００は、発光素子および受光素子が対向してＹ軸ベース３４０上に設けられたフォトセンサであり、露光部５００のＸ軸方向における所在位置を検出する。発光素子と受光素子との間隙は露光部５００の露光ベース５１０の下端に設けられた図示しない突起が通過可能であり、その通過状況を検知することによって露光部５００（厳密には露光ベース５１０）のＸ軸方向における所在位置を検出する。
【００６９】
Ｙ軸センサ７００は、上記Ｘ軸センサ６００と同様のフォトセンサが基台１０１上に設けられたものであり、露光部５００のＹ軸方向における所在位置を検出する。Ｙ軸センサ７００は、Ｙ軸ベース３４０の下面に設けられた突起を検知することによって、露光部５００（厳密にはＹ軸ベース３４０）のＹ軸方向における所在位置を検出する。
【００７０】
エッジセンサ８００もＸ軸センサ６００およびＹ軸センサ７００と同様のフォトセンサであり、上下から保持回転部２００の吸着チャック２１０上に保持された基板Ｗを挟むように発光素子と受光素子とを備えており、その基板Ｗの端縁部の水面内における位置（ＸＹ平面内の位置）を検知する。エッジセンサ８００によって検知されるのは、フォトセンサによって上下から挟み込まれている基板Ｗの端縁部位置である。
【００７１】
上述した要部以外にも、エッジ露光ユニットＥＥＷ１は、露光ヘッド５３０から照射される光の照度を検出する照度センサや吸着チャック２１０による基板Ｗの吸着状態を確認する吸着センサなどを備えている。また、ＥＥＷコントローラ９００についてはさらに後述する。
【００７２】
また、図２に示すように、２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２は、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えている。
【００７３】
２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２の下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。
【００７４】
搬送機構５５は、図２に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台５５ａを備え、この可動台５５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム５５ｂを搭載している。保持アーム５５ｂは、可動台５５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。
【００７５】
以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。
【００７６】
また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。
【００７７】
一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１の基板移載機構１２やインターフェイスブロック５の搬送機構５５も含まれる。
【００７８】
本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、機械的に分割した単位であるバークブロック２と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と結果として同じ構成になっている。
【００７９】
一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。
【００８０】
また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。
【００８１】
なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【００８２】
インターフェイスセルは、外部装置である露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。
【００８３】
次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図７は、制御機構の概略を示すブロック図である。本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
【００８４】
第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしても良い。
【００８５】
第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。図７には、露光後ベークセルのセルコントローラＣＣを例示している。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順に従って循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。
【００８６】
また、第３階層のユニットコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってユニット内の動作機構（例えば、モータやヒータなど）を制御するものである。図６に示したＥＥＷコントローラ９００もそのようなユニットコントローラの１つであり、露光後ベークセルのセルコントローラＣＣの指示に従ってエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２の動作機構を制御する。図８は、ＥＥＷコントローラ９００およびその周辺の制御機構を示すブロック図である。
【００８７】
エッジデータ取得部９０１、エッジデータ監視部９０２、アラーム発報部９０３およびティーチングデータ補正部９０４は、ＥＥＷコントローラ９００のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによってそれぞれ実現される処理部である。エッジデータ取得部９０１、エッジデータ監視部９０２、アラーム発報部９０３およびティーチングデータ補正部９０４のそれぞれの処理内容については後述する。
【００８８】
ＥＥＷコントローラ９００には、上述したＸ軸センサ６００、Ｙ軸センサ７００、エッジセンサ８００、露光ヘッド５３０の他に、Ｘ軸モータ４２０を駆動するＸ軸駆動回路４２５、Ｙ軸モータ３１０を駆動するＹ軸駆動回路３１５および回転モータ２２０を駆動するθ軸駆動回路２２５が電気的に接続されている。ＥＥＷコントローラ９００は、各センサの検出結果に基づいて、各駆動回路を制御することにより、露光部５００のＸＹ平面内での移動、吸着チャック２１０に保持された基板Ｗの回転、および露光ヘッド５３０からの光照射を行わせる。なお、エッジセンサコントローラ８０５はエッジセンサ８００を直接的に制御するものであり、ＥＥＷコントローラ９００はエッジセンサコントローラ８０５を介してエッジセンサ８００の検出信号を受ける。
【００８９】
また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、本実施形態の基板処理装置が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。
【００９０】
なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピに従って動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。
【００９１】
次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。ここでは、まず、上記の基板処理装置における一般的な基板Ｗの循環搬送の概略手順について簡単に説明した後に、エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２での処理手順について説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容に従ったものである。
【００９２】
まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１に搬入される。続いて、インデクサブロック１から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が搬送アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３では、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。
【００９３】
塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【００９４】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送するようにしても良い。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理してレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。密着強化処理が行われた基板Ｗには反射防止膜を形成しないため、冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって直接基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【００９５】
また、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に脱水処理を行うようにしても良い。この場合はまず、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに単に脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。脱水のための加熱処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送され、加熱処理によって基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。さらにその後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却された後、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【００９６】
基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。
【００９７】
レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、レジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００９８】
レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２のいずれかに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２においては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。なお、エッジ露光処理が終了した基板Ｗを露光ユニットＥＸＰに搬入する前に、搬送ロボットＴＲ４によってクールプレート１４に搬入して冷却処理を行うようにしても良い。
【００９９】
パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構５５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、冷却機構を備えたローカル搬送機構（加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２内の搬送機構：図１参照）によって搬送されることにより冷却され、上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【０１００】
基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送する。クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３においては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３から基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。
【０１０１】
その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
【０１０２】
次に、エッジ露光ユニットＥＥＷ１の処理内容について説明する。図９は、エッジ露光ユニットＥＥＷ１における処理手順を示すフローチャートである。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷ２における処理手順についても全く同様である。
【０１０３】
まず、上述の如く、レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗが搬送ロボットＴＲ４によってエッジ露光ユニットＥＥＷ１に搬入される（ステップＳ１）。搬入された基板Ｗは、保持回転部２００の吸着チャック２１０に渡されて略水平姿勢にて吸着保持される。このときには、露光後ベークセルの搬送ロボットコントローラＴＣがティーチングデータＴＤ（図７参照）に基づいて搬送ロボットＴＲ４を制御することにより、基板Ｗが正確にエッジ露光ユニットＥＥＷ１に搬入されて吸着チャック２１０に渡される。
【０１０４】
ティーチングデータＴＤは、搬送ロボットＴＲ４の動作を微調整するための教示情報である。基板処理装置が上記一連のフォトリソグラフィー処理を開始する前、例えば基板処理装置を組み立てた直後の時点で各搬送ロボットのティーチングを行う。ティーチングとは、エッジ露光ユニットＥＥＷ１のような受渡対象部への基準搬入位置（本来搬入されるべき位置であり、エッジ露光ユニットＥＥＷ１であれば吸着チャック２１０の回転中心と基板Ｗの中心とが一致する位置）を各搬送ロボットに教示する作業である。具体的には、光学測定素子を備えた治具を載置した搬送アームを搬送ロボットが受渡対象部にアクセスさせ、基準搬入位置と実際のアクセス位置とのずれを光学的に検出し、そのずれを解消する微調整データを取得する。その取得された微調整データがティーチングデータとして各セルコントローラＣＣの磁気ディスク等に記憶される。例えば、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４についてのティーチングデータＴＤは露光後ベークセルのセルコントローラＣＣの磁気ディスクに格納される。なお、ティーチングデータＴＤはメモリなどの他の記憶手段に記憶するようにしても良いし、メインコントローラＭＣの記憶手段に記憶するようにしても良い。ティーチングを行うことによって各搬送ロボットが基準搬入位置に正確にアクセスすることとなり、上述した一連のフォトリソグラフィー処理が高い精度にて進行する。
【０１０５】
次に、図９のステップＳ２に進み、エッジデータ取得部９０１の制御下において、吸着チャック２１０に吸着保持された基板Ｗを回転モータ２２０が鉛直軸方向を回転軸としてその周りでθ方向に３６０°回転させつつ基板Ｗの端縁部の位置をエッジセンサ８００に順次検知させて基板Ｗの端縁部位置情報を含むエッジデータを取得する。つまり、エッジデータ取得部９０１が保持回転部２００に基板Ｗを水平面内にて１回転させつつエッジセンサ８００に基板Ｗの端縁部の位置を検知させてエッジデータを取得するのである。本実施形態のように基板Ｗがφ３００ｍｍの円形の半導体ウェハである場合には、基板Ｗが１回転する間にエッジセンサ８００が約３０００点の端縁部位置を検知してエッジデータを取得する。
【０１０６】
エッジデータが取得された後、ステップＳ３に進んでエッジデータ監視部９０２がエッジデータの異常の有無を判定する。図１０は、ステップＳ２にて取得されたエッジデータの一例を示す図である。既述したように、搬送ロボットＴＲ４はティーチングデータＴＤに従って基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ１に搬入しているため、基板Ｗは正確に基準搬入位置に搬入されているはずである。理想的に搬入された場合、基板Ｗの回転中心から端縁部までの距離は回転角度によらず常に一定（３００ｍｍ）となる。しかしながら、実際には如何に正確に基準搬入位置に搬入したとしても、微視的には僅かな偏心が不可避的に生じており、基板Ｗの回転中心から端縁部までの距離は回転角度に応じて微小に変動する。このような基板Ｗの端縁部位置の変動がエッジデータとして取得されており、図１０の縦軸は基板Ｗの端縁部位置の基準位置（基板Ｗが完璧に基準搬入位置に搬入されているときの端縁部位置）からの変位を示している。すなわち、基板Ｗの回転中心から端縁部までの距離と基板Ｗの半径（３００ｍｍ）との差分である。また、図１０の横軸は基板Ｗの回転角度を示している。
【０１０７】
基板Ｗの搬入位置が僅かでも偏心していると、図１０に示すように、基板Ｗの端縁部位置の変位はサインカーブを描く。そして、エッジデータ監視部９０２はそのサインカーブの振幅が閾値Ｔｈ以上であるときには基板Ｗの偏心量が許容量を超えて過大であるとして異常有りと判断する。一方、サインカーブの振幅が閾値Ｔｈ未満であればエッジデータ監視部９０２は基板Ｗの偏心量については異常なしと判断する。なお、サインカーブの振幅が閾値Ｔｈより大きいときに基板Ｗの偏心量が異常であると判断するようにしても良い。
【０１０８】
また、図１０の符合Ａ１に示すように、エッジデータには基板Ｗのノッチ角度の情報も含まれている。本実施形態の基板Ｗである半導体ウェハは単結晶シリコンのインゴットを特定の結晶方位に沿ってスライスしたものである。そして、処理中における基板Ｗの向きを合わせるために、基板Ｗの結晶方位に応じた所定の位置に図６に示すようなノッチＮＴ（Ｖ字型の切り込み）が刻設されている。ステップＳ２にてエッジデータを取得する際には、エッジセンサ８００がノッチＮＴにおける端縁部位置をも検知するため、図１０の符合Ａ１に示すようなノッチ角度の情報がエッジデータに含まれるのである。
【０１０９】
複数の未処理基板ＷがキャリアＣに収納された状態でインデクサブロック１に搬入される段階においては、キャリアＣ内の各基板Ｗのノッチ角度は揃えられている。よって、エッジ露光ユニットＥＥＷ１に搬入される基板Ｗのノッチ角度も一定となるはずであるが、上述した一連の処理手順においてエッジ露光ユニットＥＥＷ１に基板Ｗが到達するまでのいずれかのユニットにて基板Ｗの角度ずれが生じると、エッジデータのノッチ角度にもずれが生じる。このため、エッジデータのノッチ角度（エッジデータにおいてノッチが検出された位置の回転角度）が基準となる基板Ｗでのノッチ角度から所定値以上に乖離しているときには、エッジデータ監視部９０２は保持回転部２００によって保持される基板Ｗのノッチ角度に異常が有ると判断する。
【０１１０】
また、基板Ｗの端縁部位置によって描かれるサインカーブに、図１０の符合Ａ２に示すような離散的なデータ（不連続値）が現出することもある。このような離散的なデータが現出するときは、エッジセンサ８００またはエッジセンサコントローラ８０５に不具合が生じている場合が多い。このため、エッジデータに離散的なデータが現出するときには、エッジデータ監視部９０２はエッジセンサ８００またはエッジセンサコントローラ８０５に異常が有ると判断する。
【０１１１】
エッジデータ監視部９０２によってエッジデータに異常有りと判断された場合には、ステップＳ４に進み、アラーム発報部９０３がアラーム発報を行う。具体的には、例えばアラーム発報部９０３がメインパネルＭＰに警告メッセージを表示するようにすれば良い。これに併せて、アラームの内容、すなわち”偏心量異常”、”ノッチ角度異常”、”エッジセンサ異常”を表示するようにしても良い。
【０１１２】
アラーム発報を認識した作業者は必要な対策を講じる。例えば、基板Ｗの偏心量に異常が有る場合には、搬送ロボットＴＲ４に何らかのトラブルが生じて突発的なティーチングのずれが発生したと考えられる。このため、搬送ロボットＴＲ４の動作およびティーチングデータＴＤを確認し、必要であれば再度ティーチングを行う。また、基板Ｗのノッチ角度に異常が有る場合には、下地塗布処理部ＢＲＣまたはレジスト塗布処理部ＳＣのいずれかの処理ユニットにおいて基板Ｗの角度ずれが生じていると考えられるため、これらの処理ユニットの検査を行う。さらに、エッジセンサ８００またはエッジセンサコントローラ８０５に異常が有る場合には、エッジ露光ユニットＥＥＷ１自身に原因があるため、エッジセンサ８００およびエッジセンサコントローラ８０５の点検を行う。
【０１１３】
一方、エッジデータ監視部９０２がエッジデータに上記のような異常を認めなかった場合には、ステップＳ５に進み、エッジ露光処理が実行される。具体的には、まず、ＥＥＷコントローラ９００がＸ軸センサ６００およびＹ軸センサ７００からの検出結果を参照しつつ、Ｘ軸モータ４２０およびＹ軸モータ３１０を駆動して露光部５００を所定の露光位置まで移動させる。所定の露光位置とは、露光ヘッド５３０から照射される光が吸着チャック２１０に保持された半導体ウェハＷの端縁部に到達する位置である。
【０１１４】
続いて、ＥＥＷコントローラ９００が露光ヘッド５３０からの光照射を開始させるとともに、回転モータ２２０を駆動することによって半導体ウェハＷの回転を開始する。このときに、常に一定の露光幅が得られるように、予め取得した上記のエッジデータに基づき、基板Ｗの回転に伴ってＥＥＷコントローラ９００が露光部５００を微妙に移動させて偏心補正を行う。すなわち、基板Ｗの端縁部位置によって描かれるサインカーブの振幅が上記の閾値Ｔｈ未満であったとしても、端縁部位置の微小な変動は存在しており、露光部５００を定位置に固定したまま基板Ｗを回転させてエッジ露光処理を行うと露光幅が不均一となる。このため、エッジデータのサインカーブに従って、ＥＥＷコントローラ９００がＸ軸駆動回路４２５およびＹ軸駆動回路３１５に制御信号を伝達してＸ軸モータ４２０およびＹ軸モータ３１０を駆動し、基板Ｗの端縁部位置の微小変動を打ち消すように露光部５００を移動させるのである。このようにして、エッジ露光処理が進行して終了した後、吸着チャック２１０による吸着が解除され、基板Ｗが搬送ロボットＴＲ４によってエッジ露光ユニットＥＥＷ１から搬出される。
【０１１５】
以上のように、本実施形態においては、処理対象となる全ての基板Ｗごとにエッジ露光ユニットＥＥＷ１においてエッジ露光処理を行う前に、当該基板Ｗの端縁部位置情報を含むエッジデータを取得して常時監視し、そのエッジデータに基づいて異常の有無、具体的には基板Ｗの偏心量の異常、基板Ｗのノッチ角度の異常およびエッジセンサ８００またはエッジセンサコントローラ８０５の異常の有無を判断している。このエッジデータ自体は、異常の有無の判断だけでなく、エッジ露光処理時に一定の露光幅を得るための基板Ｗの偏心補正にも使用されるものであり、良好なエッジ露光処理を行うために必要なデータでもある。換言すれば、エッジデータはプロセス上の必要のために取得されるデータでもあり、そのようなエッジデータを用いて異常の有無を判断すれば、装置を停止して特別な作業を行うことなく大きな不具合の発生を未然に防止することができる。
【０１１６】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、エッジデータに異常有りと判断された場合にはアラーム発報部９０３がアラーム発報を行うことによって作業者に異常を告知するようにしていたが、アラーム発報に代えてまたは加えてティーチングデータ補正部９０４がティーチングデータＴＤの補正を行うようにしても良い。具体的には、基板Ｗの偏心量に異常が認められたときには、エッジ露光ユニットＥＥＷ１に基板Ｗを搬入する搬送ロボットＴＲ４についての突発的なティーチングのずれが発生したと考えられるため、得られたエッジデータに基づいてティーチングデータ補正部９０４が搬送ロボットＴＲ４のティーチングデータＴＤを補正する。このようにすれば、装置を停止して再度ティーチングを行うことなくティーチングデータＴＤを自動的に補正することができるため、装置稼働率の低下を抑制することが可能となる。
【０１１７】
また、上記実施形態においては、エッジデータに基づいてエッジデータ監視部９０２が基板Ｗの偏心量の異常、ノッチ角度の異常およびエッジセンサ８００またはエッジセンサコントローラ８０５の異常の有無を判断していたが、エッジデータ監視部９０２による監視の対象項目はこれらに限定されるものではなく他の異常の有無を判断するようにしても良い。
【０１１８】
また、上記実施形態においては、エッジセンサ８００を固定して基板Ｗを１回転させることによってエッジデータを取得していたが、これとは逆に基板Ｗを固定してエッジセンサ８００を基板Ｗの端縁部に沿って移動させることによりエッジデータを取得するようにしても良い。すなわち、エッジセンサ８００を基板Ｗの端縁部に対して相対的に移動させるようにすれば良い。
【０１１９】
また、本発明に係る回転式基板処理装置はエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２に限定されるものではなく、上記の基板処理装置に組み込まれて基板Ｗを回転させつつ所定の基板処理を行う他の処理ユニットであっても良い。例えば、塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３や現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５にエッジセンサ８００を設置し、レジスト塗布処理や現像処理の前にエッジデータを取得して異常の有無を判断するようにしても良い。さらには、上記基板処理装置とは異なる、例えば基板Ｗを回転させつつ洗浄処理を行う洗浄処理ユニットに本発明を適用しても良い。もっとも、エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２であればプロセス上必要な必須の要素としてエッジセンサ８００を備えているため、そのエッジセンサ８００を利用してエッジデータを取得することができ、ハードウェアの改変を行うことなく本発明を実施することができる。
【０１２０】
また、本発明に係る回転式基板処理装置によって処理対象となる基板Ｗはφ３００ｍｍの半導体ウェハに限定されるものではなく、φ２００ｍｍの半導体ウェハであっても良く、さらには液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。φ２００ｍｍの半導体ウェハである場合には、ノッチに代えてオリフラ（オリエンテーションフラット）が形成されているため、エッジデータに基づいてオリフラ角度の異常を判断することとなる。
【０１２１】
また、本発明に係る回転式基板処理装置を組み込んだ基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、種々の配置構成を採用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】本発明に係る回転式基板処理装置を組み入れた基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。
【図４】図１の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。
【図５】搬送ロボットを説明するための図である。
【図６】エッジ露光ユニットの構成を示す斜視図である。
【図７】図１の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。
【図８】ＥＥＷコントローラおよびその周辺の制御機構を示すブロック図である。
【図９】エッジ露光ユニットにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】エッジデータの一例を示す図である。
【符号の説明】
【０１２３】
１  インデクサブロック
２  バークブロック
３  レジスト塗布ブロック
４  現像処理ブロック
５  インターフェイスブロック
２００  保持回転部
２１０  吸着チャック
２２０  回転モータ
３００  Ｙ軸駆動部
４００  Ｘ軸駆動部
５００  露光部
５３０  露光ヘッド
８００  エッジセンサ
９００  ＥＥＷコントローラ
９０１  エッジデータ取得部
９０２  エッジデータ監視部
９０３  アラーム発報部
９０４  ティーチングデータ補正部
ＥＥＷ１，ＥＥＷ２  エッジ露光ユニット
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３  塗布処理ユニット
ＣＣ  セルコントローラ
ＭＣ  メインコントローラ
ＮＴ  ノッチ
ＳＤ１〜ＳＤ５  現像処理ユニット
ＴＣ  搬送ロボットコントローラ
ＴＤ  ティーチングデータ
ＴＲ１〜ＴＲ４  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009032898.tif 000009
【図８】
2009032898.tif 000010
【図９】
2009032898.tif 000011
【図１０】
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