(57)【要約】【課題】層間絶縁膜や下層配線に熱ストレスがかかり難くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】酸化銅１０が表面に形成された半導体ウエハＷをチャンバ内に設置し、チャンバに向けて水素ガスと二酸化炭素ガスとを供給し、半導体ウエハＷの表面から酸化銅１０を除去する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化銅が表面に形成された半導体ウエハをチャンバ内に設置する工程と、
前記チャンバに向けて水素ガスと二酸化炭素ガスとを供給し、前記半導体ウエハの表面から前記酸化銅を除去する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとが前記チャンバの内部に供給される前に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを混合することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを混合する際に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを、前記半導体ウエハの温度以上に加熱することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを混合する際に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとに励起エネルギを印加することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記励起エネルギが高周波電力であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記励起エネルギがマイクロ波であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記励起エネルギが光であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを混合する際に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを、触媒に接触させることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体ウエハの温度を３５０℃未満にして、前記半導体ウエハの基板表面から前記酸化銅を除去することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
水素ガスを供給する水素ガス供給源と、
二酸化炭素ガスを供給する二酸化炭素ガス供給源と、
半導体ウエハが載置される載置部を備えるチャンバと、を備え、
前記半導体ウエハの表面から前記酸化銅を除去する際、前記水素ガス供給源から前記水素ガスを前記チャンバに向けて供給するとともに、前記二酸化炭素ガス供給源から前記二酸化炭素ガスを前記チャンバに向けて供給することを特徴とする半導体基板の処理装置。
【請求項１１】
前記半導体ウエハの基板表面から前記酸化銅を除去する際、前記半導体ウエハの温度を３５０℃未満にすることを特徴とする請求項１０に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１２】
水素ガスを供給する水素ガス供給源と、
二酸化炭素ガスを供給する二酸化炭素ガス供給源と、
前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを混合する混合室と、
半導体ウエハが載置される載置部を備え、前記混合室で混合されたガスが供給されるチャンバと、
を具備することを特徴とする半導体基板の処理装置。
【請求項１３】
前記混合室に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを前記半導体ウエハの温度以上に加熱する加熱手段が備えられていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１４】
前記混合室に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとに励起エネルギを印加する印加手段が備えられていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１５】
前記印加手段が互いに対向する一対の電極対を備え、電極対の一方が高周波電力源に接続され、他方が接地されていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１６】
前記印加手段が光源を備えていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１７】
前記混合室に、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとに接触される触媒が備えられていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板の処理装置。
【請求項１８】
コンピュータ上で動作し、半導体基板の処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法が行われるように、コンピュータに前記半導体基板の処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法、半導体基板の処理装置、及び記憶媒体に係わり、特に、銅もしくは銅含有合金膜を備えた半導体装置の製造方法、半導体基板の処理装置、及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは近時、動作速度の向上ならびに小型化を目的として、配線が多層に設けられている。また、動作速度を高めるには、電気的接続部材である配線の抵抗および配線間の電気容量を低減させる必要があるため、配線には抵抗の低い銅（Ｃｕ）が多く用いられており、Ｃｕ配線間に設けられる層間絶縁膜にはＣｕ配線間の容量が低減されるように低誘電率絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が多く用いられている。また、配線はダマシン法を用いて形成されるのが一般的になっている。
【０００３】
Ｃｕは酸化されやすく、その表面には容易に酸化銅が形成される。酸化銅は抵抗を増大させるため、水素ガスアニールを用いて酸化銅を還元し、除去する処理が行われる。水素ガスアニールを用いて酸化銅を還元し、除去する技術は、特許文献１に記載されている。
【０００４】
しかしながら、水素ガスアニールで酸化銅を還元できる温度は、例えば、３５０℃以上と高温であり、層間絶縁膜や下層配線に熱ストレスがかかりやすい、という事情がある。
【特許文献１】特開平１１−０８７３５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、酸化銅を除去する際に、層間絶縁膜や下層配線に熱ストレスがかかり難くすることが可能な半導体装置の製造方法、この製造方法に使用される半導体基板の処理装置、及び上記製造方法を実行するレシピを備えた記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、酸化銅が表面に形成された半導体ウエハをチャンバ内に設置する工程と、前記チャンバに向けて水素ガスと二酸化炭素ガスとを供給し、前記半導体ウエハの表面から前記酸化銅を除去する工程と、を具備する。
【０００７】
この発明の第２の態様に係る半導体基板の処理装置は、水素ガスを供給する水素ガス供給源と、二酸化炭素ガスを供給する二酸化炭素ガス供給源と、半導体ウエハが載置される載置部を備えるチャンバと、を備え、前記半導体ウエハの表面から前記酸化銅を除去する際、前記水素ガス供給源から前記水素ガスを前記チャンバに向けて供給するとともに、前記二酸化炭素ガス供給源から前記二酸化炭素ガスを前記チャンバに向けて供給する。
【０００８】
この発明の第３の態様に係る半導体基板の処理装置は、水素ガスを供給する水素ガス供給源と、二酸化炭素ガスを供給する二酸化炭素ガス供給源と、前記水素ガスと前記二酸化炭素ガスとを混合する混合室と、半導体ウエハが載置される載置部を備え、前記混合室で混合されたガスが供給されるチャンバと、を具備する。
【０００９】
この発明の第４の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、半導体基板の処理装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１に記載の半導体装置の製造方法が行われるように、コンピュータに前記半導体基板の処理装置を制御させる。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、酸化銅を除去する際に、層間絶縁膜や下層配線に熱ストレスがかかり難くすることが可能な半導体装置の製造方法、この製造方法に使用される半導体基板の処理装置、及び上記製造方法を実行するレシピを備えた記憶媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。図面には、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１２】
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体基板の処理装置の一例を示す断面図である。図１に示す半導体基板の処理装置は、例えば、酸化銅が基板表面に形成された半導体ウエハから酸化銅を除去する装置である。
【００１３】
図１に示すように、処理装置１００は、半導体ウエハ（半導体基板）Ｗを収容可能なチャンバ１０１と、チャンバ１０１の内部に水素ガス（Ｈ２）を供給する水素ガス供給機構１０２と、チャンバ１０１の内部に二酸化炭素ガス（ＣＯ２）を供給する二酸化炭素ガス供給機構１０３と、チャンバ１０１の内部を所定の圧力、例えば、真空圧に減圧可能な減圧機構１０４と、処理装置１００を制御する制御機構１０５と、を備えている。
【００１４】
チャンバ１０１の形状は、上部が開口した略筒状または箱状である。
【００１５】
チャンバ１０１の底部には、収容した半導体ウエハＷが載置されるサセプタ１０６が設けられている。サセプタ１０６の内部には、半導体ウエハＷを加熱するヒーター１０６ａが埋設されている。
【００１６】
チャンバ１０１の側壁には、半導体ウエハＷを搬入出するための搬入出口１０１ａが形成されている。搬入出口１０１ａはゲートバルブＧにより開閉される。
【００１７】
チャンバ１０１の上部には、開口を閉塞し、かつ、サセプタ１０６に対向するシャワーヘッド１０７が設けられている。本例のシャワーヘッド１０７は、その内部に拡散空間１０７ａを備えている。本例では、水素ガス及び二酸化炭素ガスは、拡散空間１０７ａに供給され、ここで拡散される。拡散空間１０７ａのサセプタ１０６と対向する面には吐出孔１０７ｂが形成されている。拡散空間１０７ａで拡散された水素ガス及び二酸化炭素ガスは、吐出孔１０７ｂを介してチャンバ１０１の内部に吐出される。
【００１８】
チャンバ１０１の底部には排気口１０１ｂが形成されており、排気口１０１ｂには排気管１０４ａが接続される。
【００１９】
減圧機構１０４は、上記排気管１０４ａと、排気装置１０４ｂとを備えている。排気装置１０４ｂは、排気管１０４ａを介してチャンバ１０１の内部を強制排気する。
【００２０】
水素ガス供給機構１０２は、水素ガスを供給する水素ガス（Ｈ２）供給源１０２ａと、開閉バルブ、及びマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を含み、水素ガスの流量を調整する流量調整機構１０２ｂと、水素ガスを水素ガス供給源１０２ａから、流量調整機構１０２ｂを介してチャンバ１０１の内部、本例ではシャワーヘッド１０７の拡散空間１０７ａを介してチャンバ１０１の内部に向けて供給する供給管１０２ｃとを備えている。
【００２１】
二酸化炭素ガス供給機構１０３は、二酸化炭素ガス（ＣＯ２）供給源１０３ａと、水素ガス供給機構１０２と同様の流量調整機構１０３ｂと、供給管１０３ｃとを備えている。
【００２２】
本例の処理装置１００は、水素ガスと二酸化炭素とを混合する混合室１０８を、さらに備えている。上記供給管１０２ｃ及び１０３ｃは混合室１０８に接続され、水素ガス及び二酸化炭素ガスは、混合室１０８の内部で混合され、混合ガスとされてから、二次供給管１０９を介してチャンバ１０１の内部、本例ではシャワーヘッド１０６の拡散空間１０６ａを介してからチャンバ１０１の内部に向けて供給されるようになっている。
【００２３】
制御機構１０５は、プロセスコントローラ１０５ａと、プロセスコントローラ１０５ａに接続されたユーザーインターフェース１０５ｂと、同じくプロセスコントローラ１０５ａに接続された記憶部１０５ｃとを備える。ユーザーインターフェース１０５ｂは、処理装置１００を管理するためにコマンドを入力したりする入力手段、例えば、キーボードや、操作者に対して稼働状況を可視化して表示する表示手段、例えば、ディスプレイ等を備える。記憶部１０５ｃは記憶媒体を有し、記憶媒体に、半導体ウエハＷに対する処理を実行したり、処理条件に応じてガス流量等を調節したりするコンピュータ読み取り可能なプログラム、すなわちレシピが格納される。プロセスコントローラ１０５ａは、レシピを読み取り、読み取ったレシピに従って処理装置１００を制御する。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであっても良いし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のある記憶媒体であっても良い。また、レシピは記憶媒体に格納するだけでなく、他の装置から、例えば、専用回線を介してプロセスコントローラ１０５ａに伝送させることも可能である。本例のレシピは、特に、半導体ウエハの表面から酸化銅を除去するとき、チャンバ１０１に向けて水素ガスと二酸化炭素ガスとを供給するように、流量調節機構１０２ｂ、及び１０２ｃを制御するプログラムが含まれている。
【００２４】
このように一実施形態に係る半導体基板の処理装置１００は、水素ガス供給機構１０２と、二酸化炭素ガス供給機構１０３とを備えているから、半導体ウエハＷの表面に形成された酸化銅を除去するとき、チャンバ１０１に向けて水素ガスと二酸化炭素ガスとを供給することができる。
【００２５】
酸化銅を除去するときに、水素ガスに二酸化炭素ガスを加えることで、例えば、水素ガスのみを用いた酸化銅の除去（水素ガスアニール）に比較して温度を低くすることができる。
【００２６】
例えば、水素ガスアニールでは、酸化銅を還元するために、半導体ウエハＷの温度を、例えば、３５０℃以上にしなければならないが、本実施形態では、水素ガスに二酸化炭素ガスを加えることで半導体ウエハＷの温度を、例えば、３５０℃未満に下げることができる。
【００２７】
従って、本一実施形態によれば、酸化銅を除去する際に、層間絶縁膜や下層配線に熱ストレスがかかり難くすることが可能な半導体基板の処理装置を得ることができる。
【００２８】
さらに、本一実施形態に係る処理装置１００は、水素ガスと二酸化炭素ガスとがチャンバ１０１の内部に供給される前に、水素ガスと二酸化炭素ガスとを混合する混合室１０８を備えている。
【００２９】
このように水素ガスと二酸化炭素ガスとを、チャンバ１０１の内部に供給される前に混合しておくことで、上記温度をさらに低くすることができる。例えば、混合室１０８を備えた処理装置１００によれば、酸化銅を還元し、除去するときの半導体ウエハＷの温度を、１５０℃以上２００℃以下まで下げることができる。
【００３０】
さらに、半導体ウエハＷの温度を下げられる効果を、よりよく得るために、混合室１０８には、次のような工夫が施されても良い。
【００３１】
（第１例）
第１例は、混合室１０８に、水素ガス（Ｈ２）と二酸化炭素ガス（ＣＯ２）とを、半導体ウエハの温度以上に加熱する加熱手段を備えたものである。
【００３２】
加熱手段の一例は、図２に示すように、ヒーター２０１である。本例のヒーター２０１は、混合室１０８の全体を加熱する。このようなヒーター２０１を用いて、水素ガスと二酸化炭素ガスとを、半導体ウエハの温度以上に加熱する。例えば、半導体ウエハの温度が１５０℃であったならば、水素ガスと二酸化炭素ガスとを１５０℃以上、好ましくは１５０℃を超える温度に加熱する。
【００３３】
このように水素ガスと二酸化炭素ガスとを半導体ウエハの温度以上、好ましくは半導体ウエハの温度を超える温度に加熱することで、半導体ウエハの温度が低い状態でも、酸化銅の除去効果を高めることができる。
【００３４】
（第２例）
第２例は、混合室に、水素ガスと二酸化炭素ガスとに励起エネルギを印加する印加手段を備えたものである。
【００３５】
印加手段の一例は、図３に示すように、混合室１０８の内部に設けられた、互いに対向する一対の電極対２０２ａ、２０２ｂである。電極対の一方２０２ａは高周波電力源２０２ｃに接続され、他方２０２ｂは接地される。高周波電力源２０２ｃから与えられる周波数の例は、１３．５６ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下である。電極対２０２ａ、２０２ｂに高周波電力を与えることで、水素ガスと二酸化炭素ガスとを、例えば、プラズマ化することができる。
【００３６】
このように水素ガスと二酸化炭素ガスとに高周波電力を与えて励起させることで、半導体ウエハの温度が低い状態でも、酸化銅の除去効果を高めることができる。
【００３７】
また、高周波電力に限らず、マイクロ波を使用することもできる。マイクロ波の周波数の一例は、２．４５ＧＨｚである。
【００３８】
印加手段の他例は、図４に示すように、混合室１０８の内部に光を照射する光源２０３である。光源２０３の例としては、例えば、紫外線ランプ、赤外線ランプなどを挙げることができる。光源２０３から光を照射することで、水素ガスと二酸化炭素ガスとに光エネルギを与えることができる。
【００３９】
このように水素ガスと二酸化炭素ガスとに光エネルギを与えて励起させることで、半導体ウエハの温度が低い状態でも、酸化銅の除去効果を高めることができる。
【００４０】
（第３例）
第３例は、混合室１０８に、水素ガスと二酸化炭素ガスとに接触される触媒２０４を備えたものである。
【００４１】
触媒２０４の一例は金属錯体である。金属錯体の一例はルテニウムである。また、触媒２０４は、例えば、図５に示すように、混合室１０８の内部に、水素ガスと二酸化炭素ガスとが、触媒２０４の内部を通過するように配置される。水素ガスと二酸化炭素ガスとを、触媒２０４に接触させることで、水素ガスと二酸化炭素ガスとを、より活性な、例えば、酸化銅を還元しやすい状態に、より活性化することができる。
【００４２】
このように水素ガスと二酸化炭素ガスとを、触媒２０４に接触させることで、半導体ウエハの温度が低い状態でも、酸化銅の除去効果を高めることができる。
【００４３】
また、第１例乃至第４例の中から、複数の工夫を併用しても良い。
【００４４】
（半導体装置の製造方法）
次に、一実施形態に係る処理装置１００を用いた半導体装置の製造方法の一例を説明する。
【００４５】
図６乃至図８は、この発明の一実施形態に係る処理装置を用いた半導体装置の製造方法の一例を、主要な製造工程毎に示す断面図である。
【００４６】
図６には、半導体装置の製造途中の断面例が示されている。この断面例は、酸化銅が表面に形成された半導体ウエハＷの一例である。
【００４７】
図６に示すように、層間絶縁膜等が形成されている半導体基体１の上方に、溝３を有する第１層層間絶縁膜２が形成され、溝３の内部には配線４が形成されている。本例の配線４は銅（Ｃｕ）を用いた導電膜からなり、バリアメタル層５上に形成されている。
【００４８】
配線４が形成された第１層層間絶縁膜２上には、溝７を有する第２層層間絶縁膜６が形成されている。
【００４９】
図６に示す断面例は、フォトレジスト膜１２をマスクに用いて第２層層間絶縁膜６に溝７を形成し、フォトレジスト膜１２を、例えば、アッシングにより除去した時点を示している。この時点では、配線４の上面４ａが溝７から露出しており、かつ、上面４ａには酸化銅１０が形成されている。
【００５０】
次に、図７に示すように、上面４ａから酸化銅１０を除去する。この酸化銅１０の除去に、処理装置１００が利用される。即ち、半導体ウエハＷが載置されたチャンバ１０１の内部に向けて、水素ガス供給機構１０２から水素ガスと、二酸化炭素ガス供給機構１０３から二酸化炭素ガスとを供給し、半導体ウエハＷの表面から酸化銅１０を除去する。
【００５１】
酸化銅１０を除去した後、図８に示すように、第２層層間絶縁膜６上にバリアメタル層８を形成し、さらに、バリアメタル層８上に、銅を用いた導電膜９を形成する。
【００５２】
この後は、特に図示しないが、周知の方法を用いて、導電膜９を溝７の内部に埋め込み、さらに、第２層層間絶縁膜６上に、層間絶縁膜や配線を、必要な数だけ形成していけば良い。
【００５３】
このように一実施形態に係る処理装置１００は、例えば、図６乃至図８に示すような配線４に銅を用いた半導体装置において、配線４の上面に形成される酸化銅１０の除去工程等に利用することができる。
【００５４】
さらに、処理装置１００を用いた酸化銅１０の除去は低温でできるので、層間絶縁膜２及び６に低誘電率絶縁膜（以下Ｌｏｗ−ｋ膜という）を使用した半導体装置の適用に有利である。本例では、層間絶縁膜２がＬｏｗ−ｋ膜２ａと、Ｌｏｗ−ｋ膜２ａ上に形成されたハードマスク層２ｂとを含んでおり、同様に層間絶縁膜６がエッチストップ層６ｃと、エッチストップ層６ｃ上に形成されたＬｏｗ−ｋ膜６ａと、Ｌｏｗ−ｋ膜６ａ上に形成されたハードマスク層６ｂとを含んでいる。
【００５５】
Ｌｏｗ−ｋ膜２ａ及び６ａは、誘電率は無機シリコン酸化膜よりも低いので配線間容量の低減に有用であるが、無機シリコン酸化膜よりも熱に弱い。このため、高温の工程が続くと、熱ストレスにより、Ｌｏｗ−ｋ膜２ａ及び６ａが劣化してしまう可能性がある。
【００５６】
この点、処理装置１００を用いると、特に、酸化銅１０の除去工程を低温でできるから、処理装置１００を用いない場合に比較してＬｏｗ−ｋ膜２ａ及び６ａにかかる熱ストレスを低減することができる。このため、Ｌｏｗ−ｋ膜２ａ及び６ａの劣化を抑制することができる。
【００５７】
本明細書におけるＬｏｗ−ｋ膜は誘電率が４．２未満の絶縁膜と定義する。この根拠は、例えば、原料ガスをＴＥＯＳとし、ＣＶＤ法を用いて堆積された無機シリコン酸化膜の誘電率ｋが約４．２であることに由来する。
【００５８】
誘電率が４．２未満のＬｏｗ−ｋ膜としては、
１）シロキサン系材料
２）有機系材料
３）多孔質材料
などを挙げることができる。
【００５９】
上記シロキサン系材料の例としては、
１）Ｓｉ、Ｏ、Ｈを含む材料
例えば、ＨＳＱ（Ｈｙｄｒｏｇｅｎ-Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）
２）Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、Ｈを含む材料
例えば、ＭＳＱ（Ｍｅｔｈｙｌ-Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）
などを挙げることができる。
【００６０】
上記有機系材料の例としては、
１）ポリアリレンエーテル系材料
２）ポリアリレンハイドロカーボン系材料
３）パリレン系材料
４）ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）系材料
５）ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）系材料
６）フッ化ポリイミド系材料
７）フルオロカーボンガスを原料にして形成されるＣＦ系材料
などを挙げることができる。
【００６１】
上記多孔質材料の例としては、
１）ポーラスＭＳＱ
２）ポーラスポリアリレンハイドロカーボン
３）ポーラスシリカ
などを挙げることができる。
【００６２】
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は一実施形態に限られるものではなく様々な変形が可能である。また、この発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００６３】
例えば、上記一実施形態は、溝７の形成後に、溝７から露出した配線４の上面４ａに形成された酸化銅１０の除去に処理装置１００を利用したが、例えば、図８に示す導電膜９を研磨して溝７に埋め込んだ後に、導電膜９の上面に形成された酸化銅１０の除去に処理装置１００を利用しても良い。要するに、酸化銅が表面に形成されており、この酸化銅を除去する必要がある半導体ウエハであれば、どの工程であっても適用することができる。
【００６４】
その他、上記一実施形態は、この発明の主旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体基板の処理装置の一例を示す断面図
【図２】第１例に係る混合室が備える加熱手段の一例を示す断面図
【図３】第２例に係る混合室が備える印加手段の一例を示す断面図
【図４】第２例に係る混合室が備える印加手段の他例を示す断面図
【図５】第３例に係る混合室が備える触媒の配置例を示す断面図
【図６】一実施形態に係る処理装置を用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面図
【図７】一実施形態に係る処理装置を用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面図
【図８】一実施形態に係る処理装置を用いた半導体装置の製造方法の一例を示す断面図
【符号の説明】
【００６６】
１０…酸化銅、１０１…チャンバ、１０２…水素ガス供給機構、１０３…二酸化炭素ガス供給機構、１０５…制御機構、１０８…混合室、２０１…ヒーター、２０２ａ、２０２ｂ…電極対、２０３…高周波電源、２０４…触媒
【図１】
2009043977.tif 000003
【図２】
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【図３】
2009043977.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2009043977.tif 000008
【図７】
2009043977.tif 000009
【図８】
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