(57)【要約】【課題】照射される光の長波長成分のみならず短波長成分の感度を抑制し、人間の視感度特性に略一致した分光感度特性を有する半導体受光素子および照度センサを提供する。【解決手段】半導体受光素子は、Ｐ型半導体基板の表面に沿って並置されたＰ型ウェル領域およびＮ型ウェル領域と、Ｐ型ウェル領域の表面近傍に形成された高濃度Ｎ型領域と、Ｎ型ウェル領域の表面近傍に形成された高濃度Ｐ型領域と、を有する。Ｐ型ウェル領域と高濃度Ｎ型領域とにより形成されるＰＮ接合を流れる第１の光電流と、Ｎ型ウェル領域と高濃度Ｐ型領域とにより形成されるＰＮ接合を流れる光電流にＮ型ウェル領域とＰ型半導体基板とにより形成されるＰＮ接合を流れる光電流を加えた第２の光電流と、を抽出し、第１および第２の光電流に所定の演算処理を施して出力電流を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型半導体基板内に形成される半導体受光素子であって、
前記Ｐ型半導体基板の表面に沿って並置されたＰ型ウェル領域およびＮ型ウェル領域と、
前記Ｐ型ウェル領域の表面近傍に形成された高濃度Ｎ型領域と、
前記Ｎ型ウェル領域の表面近傍に形成された高濃度Ｐ型領域と、を有することを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
前記Ｐ型半導体基板の表面に設けられた光透過性の絶縁膜を有し、
前記絶縁膜を貫通して前記Ｐ型ウェル領域、前記Ｎ型ウェル領域、前記高濃度Ｎ領域および前記高濃度Ｐ型領域にそれぞれ電気的に接続された複数の金属電極を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体受光素子。
【請求項３】
前記Ｎ型ウェル領域と前記高濃度Ｐ型領域とにより形成されるＰＮ接合は、前記Ｐ型ウェル領域と前記高濃度Ｎ型領域とにより形成されるＰＮ接合よりも前記Ｐ型半導体基板表面から浅い位置に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体受光素子。
【請求項４】
前記Ｐ型ウェル領域の不純物濃度は前記Ｐ型半導体基板の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の半導体受光素子。
【請求項５】
前記Ｐ型ウェル領域は、互いに注入エネルギーの異なる２回のイオン注入により形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の半導体受光素子。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１に記載の半導体受光素子を含む照度センサであって、
前記Ｐ型ウェル領域と前記高濃度Ｎ型領域とにより形成されるＰＮ接合を流れる第１の光電流と、前記Ｎ型ウェル領域と前記高濃度Ｐ型領域とにより形成されるＰＮ接合を流れる光電流に前記Ｎ型ウェル領域と前記Ｐ型半導体基板とにより形成されるＰＮ接合を流れる光電流を加えた第２の光電流と、を抽出し、前記第１および第２の光電流に所定の演算処理を施して得た電流を検知出力とする演算回路を有することを特徴とする照度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、視感度照度測定等に用いられる半導体受光素子および照度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、人間の視感度特性に近い分光感度特性を有する照度センサの需要が高まりつつある。このような照度センサは、例えば携帯電話機に搭載することで、昼間や明るい室内のように照度センサに照射される光量が多ければキーパッドのバックライトを消灯するとともに液晶パネルのバックライトを最大輝度に上げ、一方、夜間の屋外のように照度センサに照射される光量が少ない場合にはキーパッドのバックライトを点灯するとともに液晶パネルのバックライトを減光するといった制御に用いることができる。このように、照度センサを用いて周囲の明るさに応じてバックライトの点灯制御や輝度制御を行うことで、電池の消費を低減させ、連続通話時間や待ち受け時間を長くすることが可能となる。
【０００３】
このような照度センサの分光感度特性のピーク値は５５０ｎｍ〜６００ｎｍ程度と人間の視感度のピーク値である５５５ｎｍにかなり近づきつつある。しかしながら、光源が例えば蛍光灯である場合と太陽光である場合とでは同じ照度であっても出力電流が異なるといった不具合が生じる場合がある。これは、光源によって発光スペクトルに差があること、照度センサは人間の目には感知されない赤外光や紫外光にも感度を有することに起因する。つまり、照度センサの感度を人間の視感度特性に一致させるためには、分光感度特性のピーク波長を合わせるだけでなく、ピーク値から長波長側と短波長側のそれぞれの分光感度特性を人間の視感度に合わせる必要がある。
【０００４】
特許文献１（図５）には、かかる問題を解消するべく、赤外光に基づく出力電流への影響を除去し、視感度に対応した分光感度特性を有する受光素子の例が示されている。具体的には、ｎ型半導体層２に２つのｐ型領域３４、３５をそれぞれ１．５ｕｍおよび３ｕｍの深さで形成し、これにより２つのダイオードＤ４、Ｄ５を形成し、演算回路によってダイオードＤ５の出力を１．０５倍し、その値をダイオードＤ４の出力から差し引くことにより赤外領域の感度をほぼゼロにでき、視感度に対応した分光感度特性を実現できることが記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２４５２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１に記載の受光素子においては、分光感度の異なる２つのダイオードの出力を演算処理することにより、赤外領域の感度をほぼゼロとすることが記載されており、同文献の図６には、出力電流の波長依存性を示すグラフが示されている。このグラフによれば、赤外領域については改善効果が見られるものの、短波長側については依然として感度を有しており、人間の視感度特性に対応しているものとはいい難く、改善の余地がある。
【０００６】
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、照射される光の長波長成分のみならず短波長成分の感度を抑制し、人間の視感度特性に略一致した分光感度特性を有する半導体受光素子および照度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体受光素子は、Ｐ型半導体基板内に形成される半導体受光素子であって、前記Ｐ型半導体基板の表面に沿って並置されたＰ型ウェル領域およびＮ型ウェル領域と、前記Ｐ型ウェル領域の表面近傍に形成された高濃度Ｎ型領域と、前記Ｎ型ウェル領域の表面近傍に形成された高濃度Ｐ型領域と、を有することを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の照度センサは、上記半導体受光素子を含む照度センサであって、前記Ｐ型ウェル領域と前記高濃度Ｎ型領域とにより形成されるＰＮ接合を流れる第１の光電流と、前記Ｎ型ウェル領域と前記高濃度Ｐ型領域とにより形成されるＰＮ接合を流れる光電流に前記Ｎ型ウェル領域と前記Ｐ型半導体基板とにより形成されるＰＮ接合を流れる光電流を加えた第２の光電流と、を抽出し、前記第１および第２の光電流に所定の演算処理を施して得た電流を検知出力とする演算回路を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体受光素子および照度センサによれば、人間の視感度特性に略一致した分光感度特性を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ説明する。尚、以下に示す図において、実質的に同一又は等価な構成要素、部分には同一の参照符を付している。
【００１１】
図１は、本発明の実施例である半導体受光素子１の断面構造図である。半導体受光素子１は、Ｐ型の半導体基板１０内においてその表面に沿って並置するように形成された２つのフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２により構成される。
【００１２】
フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ型半導体基板１０内に形成されたＰ型ウェル領域１１と、Ｐ型ウェル領域１１内の表面近傍に並置するように形成された高濃度のＮ型領域１２およびＰ型領域１３により構成される。Ｐ型ウェル領域１１とＮ型領域１２とにより形成される第１のＰＮ接合は、半導体受光素子１の表面から０．７ｕｍ程度の深さに設けられる。Ｐ型ウェル領域１１の不純物濃度は、Ｐ型半導体基板１０の不純物濃度よりも１桁以上高く、例えばＰ型半導体基板１０の不純物濃度が１Ｅ１５ｃｍ-3である場合には、１Ｅ１６ｃｍ-3以上であることが望ましい。また、Ｎ型領域１２およびＰ型領域１３の不純物濃度は、１Ｅ２０ｃｍ-3以上であることが望ましい。Ｐ型半導体基板１０の表面には例えばＳｉＮ等からなる光透過性の絶縁膜３０が設けられており、Ｎ型領域１２およびＰ型領域１３の上部には、絶縁膜３０の開口部を介してアルミ電極１４および１５が電気的に接続された状態で形成される。Ｐ型領域１３は、アルミ電極１５とＰ型ウェル領域１１とをオーミック接触させるために設けられるものである。
【００１３】
一方、フォトダイオードＰＤ２は、Ｐ型半導体基板１０内においてＰ型ウェル領域と並置するように形成されたＮ型ウェル領域２１と、Ｎ型ウェル領域２１内の表面近傍において並置するように形成された高濃度のＰ型領域２２およびＮ型領域２３により構成される。すなわち、フォトダイオードＰＤ２にはＮ型ウェル領域２１とＰ型領域１０により形成される第２のＰＮ接合と、Ｐ型半導体基板１０とＮ型ウェル領域２１により形成される第３のＰＮ接合とを有する。上記第２のＰＮ接合は、フォトダイオードＰＤ１のＰ型ウェル領域１１とＮ型領域１２により形成される第１のＰＮ接合より浅い位置、例えば基板表面から０．４ｕｍ程度の深さに設けられる。Ｎ型ウェル領域２１の不純物濃度は、例えば１Ｅ１７ｃｍ-3程度であり、Ｐ型領域２２およびＮ型領域２３の不純物濃度は、１Ｅ２０ｃｍ-3以上であることが望ましい。Ｐ型領域２２およびＮ型領域２３上部には、絶縁膜３０の開口部を介してアルミ電極２４および２５が電気的に接続された状態で形成される。Ｎ型領域２３は、アルミ電極２５とＮウェル領域２１とをオーミック接触させるために形成されるものである。
【００１４】
尚、Ｐ型半導体基板１０内には、さらに図示しない拡散領域等が設けられ、光照射によってフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２より生成される光電流に対して所定の演算処理を行う演算回路が、例えば図２に示されるような回路構成で形成されている。
【００１５】
以下に、上記した構造の半導体受光素子１の製造方法について、図３（ａ）〜（ｇ）に示す製造工程図を参照しつつ説明する。まず、Ｐ型半導体基板１０を用意する。本実施例においては、一般的な不純物濃度が１Ｅ１５ｃｍ-3程度のものを使用している（図３（ａ））。
【００１６】
次に、Ｐ型半導体基板１０に熱酸化処理を施しての表面にＳｉＯ2等からなる厚さ１００Å程度の絶縁膜４０を形成する（図３（ｂ））。絶縁膜４０は、この後のイオン注入工程における基板表面へのダメージ緩和を目的として導入されるものである。
【００１７】
次に、絶縁膜４０が形成されたＰ型半導体基板１０上にフォトレジスト５０を塗布した後、Ｐ型ウェル領域１１の形成位置に対応する部分をエッチングしてレジスト開口を形成する。次に、例えば１１Ｂや４９ＢＦ等のＰ型不純物をイオン注入しＰ型ウェル領域１１を形成する（図３（ｃ））。このイオン注入工程は同じＰ型不純物を注入エネルギーを変えて２回行う。すなわち、１回目のイオン注入は、Ｐ型半導体基板１０とＰ型ウェル領域１１との間にエネルギー障壁を形成するために実施されるものであり、注入エネルギーを１４００〜１５００ＫｅＶに設定し、当該イオン注入に基づく不純物の濃度ピークが基板表面から２．２〜２．４ｕｍ付近に分布するようにイオン注入を行う。Ｐ型ウェル領域１１とＰ型半導体基板１０とは同じ導電型の接合であるが、Ｐ型半導体基板１０とＰ型ウェル領域１１との間にエネルギー障壁が形成されることにより、不純物濃度の低い側（基板側）で発生した入射光の長波長成分に基づくキャリアが不純物濃度の高い側（Ｐ型ウェル領域側）に流れ込むのを抑制する。つまり、フォトダイオードＰＤ１は、入射光の長波長成分によりＰ型半導体基板１０内で発生するキャリアに基づく光電流の影響を受けくい構造となっている。一方、２回目のイオン注入は、上記したようにＰ型ウェル領域１１とＮ型領域１２とにより構成される第１のＰＮ接合を０．７ｕｍ付近に位置させ、さらに第１のＰＮ接合近傍に形成される空乏層Ｄ１の幅を０．９〜１．０ｕｍとするために実施されるものであり、注入エネルギーを１０００〜１１００ＫｅＶとし、当該イオン注入に基づく不純物の濃度ピークが基板表面から１．８〜２．０ｕｍ付近に分布するようにイオン注入を行う。２回のイオン注入により形成されるＰウェル領域１１の不純物濃度は、Ｐ型半導体基板１０の不純物濃度よりも１桁以上高い１Ｅ１６ｃｍ-3以上とすることが望ましい。
【００１８】
次に、Ｐ型半導体基板１０上に新たなフォトレジスト５０を塗布した後、Ｎ型ウェル領域２１の形成位置に対応する部分をエッチングしてレジスト開口を形成する。次に、例えば３１Ｐ等のＮ型不純物をイオン注入しＮ型ウェル領域２１を形成する（図３（ｄ））。このイオン注入工程では、注入エネルギーを例えば５００ＫｅＶに設定してイオン注入を行い、Ｎ型ウェル領域２１の不純物濃度を１Ｅ１７ｃｍ-3とする。Ｎ型ウェル領域２１はＰ型ウェル領域１１よりも浅く形成される。
【００１９】
次に、Ｐ型半導体基板１０上に新たなフォトレジスト５０を塗布した後、Ｎ型領域１２および２３の形成位置に対応する部分をエッチングしてレジスト開口を形成する。次に、例えば３１Ｐ等のＮ型不純物をイオン注入し高濃度のＮ型領域１２および２３を形成する（図３（ｅ））。このイオン注入工程では、注入エネルギーを例えば６０ＫｅＶに設定してイオン注入を行い、第１のＰＮ接合を基板表面から０．７ｕｍ程度の深さ位置に形成し、Ｎ型領域１２および２３の不純物濃度を１Ｅ２０ｃｍ-3以上とする。
【００２０】
次に、Ｐ型半導体基板１０上に新たなフォトレジスト５０を塗布した後、Ｐ型領域１３および２２の形成位置に対応する部分をエッチングしてレジスト開口を形成する。次に、例えば１１Ｂや４９ＢＦ２等のＰ型不純物をイオン注入し高濃度のＰ型領域１３および２２を形成する（図３（ｆ））。このイオン注入工程では、注入エネルギーを例えば４０ＫｅＶに設定してイオン注入を行い、第２のＰＮ接合を基板表面から０．４ｕｍ程度の深さ位置に形成し、Ｐ型領域１３および２２の不純物濃度を１Ｅ２０ｃｍ-3以上とする。
【００２１】
次に、Ｐ型半導体基板１０上に形成された絶縁膜４０を除去した後、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ等からなる膜厚８０００Å程度の光透過性を有する絶縁膜３０を基板上に形成した後、Ｎ型領域１２、２３およびＰ型領域１３、２２の上部にコンタクト開口を形成する。その後、スパッタ法によりＡｌ膜を形成し、ホトリソおよびエッチング処理によりＡｌ電極を形成する（図３（ｇ））。以上の工程を経ることにより、本発明の半導体受光素子１が完成する。
【００２２】
次に、本発明の半導体受光素子１の動作について図４に示す断面図および図５（ａ）〜（ｃ）に示す測定データを参照しつつ説明する。本発明の半導体受光素子１を用いて照度測定を行う際には、フォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２をそれぞれ１Ｖ程度で逆バイアスする。フォトダイオードＰＤ１を逆バイアスする場合には、図４に示すように電極１４にバイアス電源の正側端子を接続し、電極１５にバイアス電源の負側端子を接続する。フォトダイオードＰＤ２を逆バイアスする場合には、電極２５にバイアス電源の正側端子を接続し、電極２４にバイアス電源の負側端子を接続する。この逆バイアス電圧によってフォトダイオードＰＤ１のＰ型ウェル領域１１とＮ型領域１２により形成される第１のＰＮ接合近傍には空乏層Ｄ１が形成され、フォトダイオードＰＤ２のＮ型ウェル領域２１とＰ型領域２２により形成される第２のＰＮ接合近傍には空乏層Ｄ２が形成される。この状態で半導体受光素子１に３００〜１１００ｎｍの波長成分を含む光を照射すると、半導体受光素子１の各領域において電子正孔対が生成される。空乏層Ｄ１およびＤ２中では、その内部に生じている電界の作用により電子はＮ型領域１２又はＮ型ウェル領域２１に向けて加速され、正孔はＰ型ウェル領域１１又はＰ型領域２２に向けて加速される。
【００２３】
フォトダイオードＰＤ１においては、Ｐ型領域１３およびＰウェル領域１１内で発生した電子正孔対のうち正孔は空乏層Ｄ１を経由してＮ型領域１２から流れてきた正孔とともにＰ型領域１３に蓄積され、一方、Ｎ型領域１２内で発生した電子正孔対のうち電子は空乏層Ｄ１を経由してＰ型ウェル領域１１から流れてきた電子とともにＮ型領域１２に蓄積される。図５（ａ）は、フォトダイオードＰＤ１により生成された光電流の波長依存性を示すグラフである。ここで、光電流Ｉn1はバイアス電源の正側端子と電極１４の間に挿入された電流計Ｊ２により測定された電流であり、Ｎ型領域１２に蓄積された電子を引き出すことにより生じる光電流である。一方、光電流Ｉpw1はバイアス電源の負側端子と電極１５の間に挿入された電流計Ｊ１により測定された電流であり、Ｐ型領域１３に蓄積された正孔を引き出すことにより生じる光電流である。尚、図５（ａ）においては、半導体受光素子１に電流が流れ込む方向を正として表示している。光電流Ｉn1およびＩpw1は、同様の波長依存性を示し、５００ｎ〜９００ｎｍの波長領域において概ね均一な値をとる。すなわち、フォトダイオードＰＤ１はこの波長領域において概ね均一な分光感度特性を有する。このような特性が得られるのは、ＰＮ接合の形成位置を基板表面から０．７ｕｍ程度としたこと、空乏層Ｄ１の幅が０．９〜１．０ｕｍとなるように各領域の不純物濃度を制御したこと、Ｐ型半導体基板１０とＰ型ウェル領域１１との間にエネルギー障壁を形成し、入射光の長波長成分によりＰ型半導体基板１０内で生成されるキャリアの流れ込みを抑制したことによる。フォトダイオードＰＤ１で生成された上記２つの光電流のうち、Ｉn1が演算回路による演算処理の対象となる。
【００２４】
フォトダイオードＰＤ２においては、Ｐ型領域２２内で発生した電子正孔対のうち正孔は空乏層Ｄ２を経由してＮ型ウェル領域２１から流れてきた正孔とともにＰ型領域２２に蓄積される。一方、Ｎ型領域２３およびＮウェル領域２１内で発生した電子正孔対のうち電子はＰ型領域２２およびＰ型半導体基板１０から流れてきた電子とともにＮ型領域２３に蓄積される。図５（ｂ）は、フォトダイオードＰＤ２により生成された光電流の波長依存性を示すグラフである。ここで、光電流Ｉp2はバイアス電源の負側端子と電極２４の間に挿入された電流計Ｊ３により測定された電流であり、Ｐ型領域２２に蓄積された電子を引き出すことにより生じる光電流である。この光電流Ｉp2は、４５０ｎｍ付近の短波長領域においてピークを有する。これは、Ｐ型領域２２とＮ型ウェル領域２１とにより形成される第２のＰＮ接合の深さが比較的浅い位置に形成されるためである。一方、光電流Ｉnw2はバイアス電源の正側端子と電極２５の間に挿入された電流計Ｊ４により測定された電流であり、Ｎ型領域２３に蓄積された電子を引き出すことにより生じる光電流である。すなわち、光電流Ｉnw2は、Ｐ型領域２２とＮ型ウェル領域２１とにより比較的浅い位置に形成される第２のＰＮ接合を介して供給される電子に基づく光電流と、Ｎウェル領域２１とＰ型半導体基板１０とにより比較的深い位置に形成される第３のＰＮ接合を介して供給される電子に基づく光電流とが足し合わされたものとなる。上記第２のＰＮ接合を介して供給される電子に基づく光電流は、光電流Ｉp2と同様の波長依存性を示し、４５０ｎｍ付近にピークを有するものである。一方、上記第３のＰＮ接合を介して供給される電子に基づく光電流は、赤外光に相当する長波長領域にピークを有するものである。従って、これらの電流が足し合わされた光電流Ｉnw2は、図４（ｂ）に示す如く、短波長領域から長波長領域に亘る広い範囲において感度を有し、特に赤外光に相当する波長領域にピークを有する。フォトダイオードＰＤ２で生成された上記２つの光電流のうち、Ｉnw2が演算回路による演算処理の対象となる。
【００２５】
フォトダイオードＰＤ１により取り出された光電流Ｉn1とフォトダイオードＰＤ２により取り出された光電流Ｉnw2は、図２に示す如き回路構成を有する演算回路によってＩout=Ｋ1（Ｉn1−Ｋ2・Ｉnw2）なる演算処理が行われ、出力電流Ioutとして取り出される。かかる演算処理により得られる出力電流Ioutの波長依存性を図４（ｃ）に示す。同図に示す如く、出力電流Ioutは、人間の視感度のピーク値である５５５ｎｍ付近に感度のピークを有し、且つ人間の目では感知されない４００ｎｍ以下の短波長領域および８００ｎｍ以上の長波長領域においては、殆ど感度を有していない。つまり、２つのフォトダイオードからなる本発明の半導体受光素子により生成された光電流に所定の演算処理を行うことにより、人間の視感度に略一致した分光感度特性を有する照度センサを構成することが可能となる。
【００２６】
図６は、本発明の半導体受光素子１の分光感度特性と比較するために製造された半導体受光素子２の構造を示す断面図である。半導体受光素子２は、本発明の半導体受光素子１と同様、２つのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２により構成される。半導体受光素子２は、フォトダイオードＰＤ１の構造が本発明の半導体受光素子１と異なり、フォトダイオードＰＤ２は本発明の半導体受光素子１と同一の構造を有する。半導体受光素子２のフォトダイオードＰＤ１は、フォトダイオードＰＤ２と同一の構造であり、Ｐ型ウェル領域内にＮ型領域およびＰ型領域が形成されて構成される。すなわち、半導体受光素子２は同一構造のフォトダイオードが並置された構成となっている。図７は、かかる構造を有する半導体受光素子２により生成された光電流に対して上記した如き演算処理を施して得られた出力電流Ioutの波長依存性と、本発明の半導体受光素子１を使用した場合の出力電流Ioutの波長依存性を比較したグラフである。同図に示す如く、本発明に係る半導体受光素子１の方が４００ｎｍ以下の短波長領域および８００ｎｍ以上の長波長領域の双方において、出力電流が抑えられていることから、より人間の視感度特性に近い分光感度特性を有しているといえる。つまり、半導体受光素子１は、人間の視感度特性に一致した分光感度特性を得るために好適な構造であるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施例である半導体受光素子の断面構造図である。
【図２】本発明の実施例である演算回路の等価回路図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は本発明の実施例である半導体受光素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例である半導体受光素子の動作を示す断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施例である半導体受光素子により生成された光電流の波長依存性を示すグラフであり、（ｃ）は本発明の実施例である半導体受光素子により生成された光電流の演算処理により得られた出力電流の波長依存性を示すグラフである。
【図６】本発明の実施例である半導体受光素子と特性比較を行うために製造された半導体受光素子の断面構造図である。
【図７】出力電流の波長依存性を比較したグラフである。
【符号の説明】
【００２８】
１  半導体受光素子
１０  Ｐ型半導体基板
１１  Ｐ型ウェル領域
１２  高濃度Ｎ型領域
１３  高濃度Ｐ型領域
２１  Ｎ型ウェル領域
２２  高濃度Ｐ型領域
２３  高濃度Ｎ型領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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