(57)【要約】【課題】多層配線構造を有する半導体デバイスにおいて、樹脂層の平坦性を容易に確保できるようにする。【解決手段】集積回路を有する半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた第１樹脂層１２と、第１樹脂層１２上に設けられた第１配線層１３と、第１配線層１３の一部を露呈する開口部１５を有し第１樹脂層１２及び第１配線層１３を覆う第２樹脂層１４と、第２樹脂層１４上に設けられ開口部１５を通じて第１配線層１３と導通する第２配線層１６とを少なくとも備える半導体デバイスにおいて、第１配線層１３の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第１配線層１３と略同一の高さを有する構造体１８を配する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１配線層と、前記第１配線層の一部を露呈する開口部を有し前記第１樹脂層及び第１配線層を覆う第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられ前記開口部を通じて前記第１配線層と導通する第２配線層とを少なくとも備え、
前記第１配線層の近傍を除く前記半導体基板の全域にわたり、前記第１配線層と略同一の高さを有する構造体が配されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記第１配線層と前記構造体との間隔、および前記構造体同士の間隔は、前記第１配線層の短辺の幅の１／２倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
集積回路を有する半導体基板上に、第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、第１配線層、および、前記第１配線層の近傍を除く前記半導体基板の全域にわたって配され前記第１配線層と略同一の高さを有する構造体を形成する工程と、
前記第１配線層の一部を露呈する開口部を有し前記第１配線層および構造体を覆う第２樹脂層と、
前記第２樹脂層上に、前記開口部を通じて前記第１配線層と導通する第２配線層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線構造を有する半導体デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機器や民生部品等に利用される多層配線構造の半導体装置としては、例えば特許文献１に記載されたものがある。特許文献１の図１，図２には、下から半導体基板（ウエハ）、第１樹脂層、第１再配線層、第２樹脂層、第２再配線層を備えたウエハレベル・チップ・サイズ／スケール・パッケージ（ＷＬＣＳＰ）において、第１再配線層が第２再配線層に重なる位置の両側方に、ダミー配線を設けた構成が記載されている（段落００１９を参照）。この構成によれば、第１再配線層と第２再配線層とが重なる位置付近で、第２樹脂層の厚さが薄くなることを抑制し、第１再配線層と第２再配線層との間で十分な絶縁性を得ることができる。
【０００３】
一般的に、ウエハレベルＣＳＰの再配線は、銅メッキで形成される厚膜導体である。したがって、再配線を用いると高性能な受動素子を形成できることが知られている。代表的な受動素子は、スパイラルインダクタや伝送線路等である。ウエハレベルＣＳＰの再配線を用いて形成したスパイラルインダクタの例は、例えば特許文献２に記載されている。
特許文献２における再配線を用いて形成したスパイラルインダクタの構造例を図１に示す。また、この図１のスパイラルインダクタの製造工程を、図２（ａ）から図３（ｃ）を参照して説明する。
【０００４】
まず、図２（ａ）に示すように、シリコン等の半導体基板１を用意する。次に、図２（ｂ）に示すように、スピンコート法などで樹脂を塗布して第１樹脂層２を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、第１配線層３を電気めっきで形成する。次に、図２（ｄ）に示すように、スピンコート法などで樹脂を塗布して第２樹脂層４を形成する。次に、図３（ａ）に示すように、フォトリソグラフィー工程により、コンタクト部５ａの第２樹脂層４を除去する。次に、図３（ｂ）に示すように、ビア部５を介して第１配線層３と導通した第２配線層６を電気めっきで形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、スピンコート法などで樹脂を塗布して、封止樹脂層となる第３樹脂層７を形成することにより、図１に示す半導体装置が完成する。図１に示す半導体装置は、図１（ｂ）に各樹脂層２，４，７を省略した状態の平面図を示すように、第２配線層６には渦巻き状コイルを、第１配線層３には渦巻き状コイルの内周端をその外側に導通させるための配線を備えている。
【特許文献１】特開２００５−３４０２５４号公報
【特許文献２】特開２００６−３１８９４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１（ａ）には、簡単な図として、第２樹脂層４および封止樹脂層７を平坦に図示しているが、実際には、図４に示すように、これらの樹脂層の下に配される配線層３，６が設けられた位置では、配線層３，６が設けられていない位置と比較して、樹脂層４，７が盛り上がった形態となる。このため、第１配線層３の周囲に、第２樹脂層４と封止樹脂層７との界面に段差部８ａ，８ｂが生じたり、第２配線層６の周囲においては、封止樹脂層７の表面に凹部９ａ，９ｂが生じたりする。このように、樹脂層の表面形状が樹脂層の下部に位置する配線層に影響されるため、樹脂層の平坦性を確保することができない。
【０００６】
樹脂層の平坦性が確保されないと、平坦でない樹脂層の上に配線層および樹脂層を積層することになり、多層の配線を形成することが構造的に困難になる。また、樹脂層の平坦性が確保されないと、これに起因して樹脂層や配線層に応力が生じ、その応力が信頼性を脅かす可能性がある。また、樹脂層の平坦性が確保されないと、フォトリソグラフィー等の露光工程やエッチング等のいわゆる液物工程において、歩留まりの悪化を招く可能性がある。すなわち、樹脂層の平坦性が確保されないことが、ウエハレベルＣＳＰにおいて多層化を妨げている最大の原因であり、多層の配線を有する半導体デバイスを再配線で実現することの大きな障壁となっているのである。
従来においても、例えば２層配線構造においては、信頼性試験をクリアでき、実際の使用上は問題ないということはこれまでの検討から分かっている。しかしながら、更なる多層構造、すなわち３層以上の多層配線構造は、技術的には実現に向けたハードルがかなり高いことが予想される。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、多層配線構造を有する半導体デバイスにおいて、樹脂層の平坦性を容易に確保することが可能な半導体デバイスおよびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、集積回路を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１配線層と、前記第１配線層の一部を露呈する開口部を有し前記第１樹脂層及び第１配線層を覆う第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられ前記開口部を通じて前記第１配線層と導通する第２配線層とを少なくとも備え、前記第１配線層の近傍を除く前記半導体基板の全域にわたり、前記第１配線層と略同一の高さを有する構造体が配されていることを特徴とする半導体デバイスを提供する。
前記第１配線層と前記構造体との間隔、および前記構造体同士の間隔は、前記第１配線層の短辺の幅の１／２倍以上２倍以下であることが好ましい。
【０００９】
また本発明は、集積回路を有する半導体基板上に、第１樹脂層を形成する工程と、前記第１樹脂層上に、第１配線層、および、前記第１配線層の近傍を除く前記半導体基板の全域にわたって配され前記第１配線層と略同一の高さを有する構造体を形成する工程と、前記第１配線層の一部を露呈する開口部を有し前記第１配線層および構造体を覆う第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に、前記開口部を通じて前記第１配線層と導通する第２配線層を形成する工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹脂層の下部に、配線層とともに、配線層と略同一の高さを有する構造体を設けているので、当該樹脂層の平坦性を確保することができる。これにより、多層の配線を有する半導体デバイスを再配線で容易に実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図５および図６は、本発明の半導体デバイスの一形態例を示す図面であり、図５（ａ）は模式的断面図、図５（ｂ）は樹脂層を省略して示した平面図、図６は、図５（ａ）をより詳細に表した断面図である。
【００１２】
図５（ａ）に示すように、本形態例の半導体デバイスは、集積回路（図示略）を有する半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた第１樹脂層１２と、第１樹脂層１２上に設けられた第１配線層１３と、第１配線層１３の一部を露呈する開口部１５を有する第２樹脂層１４と、第２樹脂層１４上に設けられ開口部１５を通じて第１配線層１３と導通する第２配線層１６と、封止樹脂層としての第３樹脂層１７を備えている。半導体基板としては、例えばシリコン（Ｓｉ）基板などが挙げられる。また、酸化膜等からなる保護膜が設けられたものが好ましい。
【００１３】
また、本形態例の半導体デバイスは、第１樹脂層１２上において、第１配線層１３の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第１配線層１３と略同一の高さを有する構造体１８が配されている。第１樹脂層１２、ならびに第１樹脂層１２上に設けられた第１配線層１３および構造体１８は、第１配線層１３と第２配線層１６との導通をとるための開口部１５の位置を除き、第２樹脂層１４に覆われている。
【００１４】
すなわち、本形態例の半導体デバイスにおいては、樹脂層の平坦性を確保するための構造体１８が、第２樹脂層１４の下部に設けられているため、図６に示すように、第１配線層１３が存在しない領域においても、第２樹脂層１４およびその上に設けられる第２配線層１６の平坦性の悪化を防ぐことができる。したがって、図４に示す形態と比較すると、第２樹脂層に段差８ａ，８ｂ（図４参照）がなく、図６に示す形態においては、第２樹脂層１４上の第２配線層１６が平坦に形成され、曲がりによる応力等を抑制することができる。
【００１５】
封止樹脂層（最上部の樹脂層）となる第３樹脂層１７については、図７に示すように、省略することもできる。封止樹脂層を省略した半導体デバイスは、例えば試験目的等で使用することができる。さらに本発明においては、封止樹脂層の平坦性を確保するため、図９に示すように、第２樹脂層１４の上にも第１樹脂層１２上の構造体１８と同様の構造体１９を設けることができる。このように、第２樹脂層１４上において、第２配線層１６の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第２配線層１６と略同一の高さを有する構造体１９を配することにより、第３樹脂層１７の平坦性の悪化を防ぐことができる。
【００１６】
構造体１８の平面視におけるパターンは、本形態例においては、図５（ｂ）に示すように、直方体状のオブジェクトを縦横に配置した形態を例示しているが、本発明においては、構造体の形状はこれに限定されない。例えば、円形や多角形等でもよいし、あるいは帯状、環状、ストリップ形状等であってもよい。第２樹脂層１４の平坦性を確保できるものであればよい。なお、本形態例の半導体デバイスは、図５（ｂ）に示すように、第２配線層１６には渦巻き状コイルを、第１配線層１３には渦巻き状コイルの内周端をその外側に導通させるための配線を備えたスパイラルインダクタであるが、配線層の配線パターンは、特にこれに限定されるものではなく、用途や目的等に応じて、種々に設計することができる。
【００１７】
構造体１８は、それより上側の樹脂層や配線層の平坦性を確保するために十分な程度に分布させ、配置する。また、構造体１８が第１配線層１３のごく近くにまで設けられていると、第１配線層１３の形成に影響を与えたり、あるいは構造体１８が導体からなる場合には第１配線層１３と導通したりするおそれがあるため、第１配線層１３の近傍を除く領域に構造体１８を配するものとする。
【００１８】
例えば、図８に示すように、配線層Ｃ１と構造体Ｄ１との間隔Ｇ１、および構造体Ｄ１同士の間隔Ｇ２は、配線層Ｃ１の短辺の幅Ｗ２の１／２倍以上２倍以下であることが好ましい。ここで、配線層Ｃ１と構造体Ｄ１とは、同じ層の上に設けられるものであり、例えば図６に示す構成においては、それぞれ第１配線層１３と構造体１８に相当する。また、図９の構造体１９に関しては、図８の配線層Ｃ１および構造体Ｄ１は、それぞれ第２配線層１６および構造体１９に相当する。
【００１９】
構造体１８の材質については、第１配線層１３と同様に、例えば厚膜の銅めっき層などの導体層から構成することができるが、半導体基板１１や配線層１３，１６からは電気的に絶縁されており、電気的な機能を持たない。したがって、構造体１８は導体に限られるものではなく、絶縁体であってもよい。例えば樹脂ポスト等、樹脂系の材料を用いて構成することもできる。
【００２０】
本形態例の半導体デバイスは、ウエハレベルＣＳＰによって作製することができる。その製造手順は、構造体の形成工程を有する以外は、図２（ａ）から図３（ｃ）に示した従来技術と同様に行うことができる。
【００２１】
まず、集積回路を有する半導体基板１１上に、第１樹脂層１２を形成する。次に、第１樹脂層１２上に、第１配線層１３および構造体１８を形成する。構造体１８は、第１配線層１３の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたって配され、また第１配線層１３と略同一の高さを有する。次に、第１配線層１３の一部を露呈する開口部を有する第２樹脂層１４を形成して、第１配線層１３および構造体１８の上を覆う。次に、第２樹脂層１４上に、開口部１５を通じて第１配線層１３と導通する第２配線層１６を形成する。これにより、図７に示す半導体デバイスとなる。
【００２２】
また、図５に示す半導体デバイスの場合は、第２樹脂層１４の上に、第２配線層１６の上を覆う封止樹脂層１７を形成する。封止樹脂層１７には、第２配線層１６を外部と導通させるための開口部を形成することもできる。また、開口部に露呈された第２配線層１６の上や、封止樹脂層１７の上に、他の部品や種々の構造物を設けることもできる。
【００２３】
また、図９に示す半導体デバイスの場合は、第２樹脂層１４上に、開口部１５を通じて第１配線層１３と導通する第２配線層１６を形成するとともに、構造体１９を形成したのち、第２配線層１６および構造体１９の上を覆う封止樹脂層１７を形成する。
【００２４】
樹脂層は、例えば、スピンコート法などで樹脂を塗布することによって形成することができる。また、配線層は、例えば電気めっきなどで形成することができる。樹脂層の開口部は、例えばフォトリソグラフィー工程により、コンタクト部の樹脂層を除去することにより形成することができる。
【００２５】
以上、本発明を好適な実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【００２６】
図１０は、他の実施例として、略線対称スパイラルインダクタに適用したものを示す図面であり、図１０（ａ）は、略線対称スパイラルインダクタの一例を示す平面図、図１０（ｂ）は、略線対称スパイラルインダクタに対する構造体の配置の一例を示す平面図である。これらの平面図は、図５（ｂ）と同様に、樹脂層を省略して図示している。
【００２７】
図１０（ａ）に示す略線対称スパイラルインダクタ２０において、第１配線層２１および第２配線層２２は、それぞれ図５における第１配線層１３および第２配線層１６に対応するものであり、第１配線層２１は第１樹脂層（図示せず）の上に形成され、第２配線層２２は第２樹脂層（図示せず）の上に形成される。第１配線層１３は、略線対称スパイラルインダクタが平面視で交差する部分に設けられ、交差部において第１配線層２１と第２配線層２２との間は第２樹脂層により絶縁される。また、それぞれの第１配線層２１の両端は、第２樹脂層に設けられた開口部を介して第２配線層２２の端部２３に導通している。また、略線対称スパイラルインダクタ２０の両端には、それぞれ端子２４，２４が設けられている。
【００２８】
このような略線対称スパイラルインダクタ２０をウエハレベルＣＳＰ技術で実現しようとする場合、図４に示すように、第２樹脂層４の表面に段差部８ａ，８ｂが生じると、表面凹凸の影響で第２配線層６の長さが変動してしまい、線対称性が悪化してしまう。本発明によれば、図１０（ｂ）に示すように、第１配線層２１の近傍を除く半導体基板の全域にわたり、第１配線層２１と略同一の高さを有する構造体２５を配することにより、第２配線層の下地となる第２樹脂層の表面の平坦性を確保することができ、線対称性の高い略線対称スパイラルインダクタ２０を実現することができる。これにより、高いＱ値を有する再配線インダクタを、例えば携帯電話等の無線通信機器における発振回路に応用することができ、消費電力の低いデバイスの実現に貢献できる。
【００２９】
また、本発明によれば、３層以上の多層配線構造を有する半導体デバイスを実現することができる。例えば図１１に模式的に示す半導体デバイスは、集積回路（図示略）を有する半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた第１樹脂層１２と、第１樹脂層１２上に設けられた第１配線層１３と、第１配線層１３の一部を露呈する開口部１５を有する第２樹脂層１４と、第２樹脂層１４上に設けられ開口部１５を通じて第１配線層１３と導通する第２配線層１６と、第２配線層１６の一部を露呈する開口部３０を有する第３樹脂層１７と、第３樹脂層１７上に設けられ開口部３０を通じて第２配線層１６と導通する第３配線層３１と、第３配線層３１の一部を露呈する開口部３４を有する第４樹脂層３３と、第４樹脂層３３上に設けられ開口部３４を通じて第３配線層３１と導通する第４配線層３５と、第４配線層３５の一部を露呈する開口部３８を有する第５樹脂層３７と、第５樹脂層３７上に設けられ開口部３８を通じて第４配線層３５と導通する第５配線層３９と、封止樹脂層としての第６樹脂層４０を備えている。
【００３０】
また、図１１の半導体デバイスは、第１樹脂層１２上において、第１配線層１３の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第１配線層１３と略同一の高さを有する構造体１８が配され、第２樹脂層１４上において、第２配線層１６の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第２配線層１６と略同一の高さを有する構造体１９が配され、第３樹脂層１７上において、第３配線層３１の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第３配線層３１と略同一の高さを有する構造体３２が配され、第４樹脂層３３上において、第４配線層３５の近傍を除く半導体基板１１の全域にわたり、第４配線層３５と略同一の高さを有する構造体３６が配されている。
【００３１】
第１樹脂層１２、ならびに第１樹脂層１２上に設けられた第１配線層１３および構造体１８は、第１配線層１３と第２配線層１６との導通をとるための開口部１５の位置を除き、第２樹脂層１４に覆われている。同様に、第２樹脂層１４、第２配線層１６および構造体１９は、第２配線層１６と第３配線層３１との導通をとるための開口部３０の位置を除き、第３樹脂層１７に覆われており、第３樹脂層１７、第３配線層３１および構造体３２は、第３配線層３１と第４配線層３５との導通をとるための開口部３４の位置を除き、第４樹脂層３３に覆われており、第４樹脂層３３、第４配線層３５および構造体３６は、第４配線層３５と第５配線層３９との導通をとるための開口部３８の位置を除き、第５樹脂層３７に覆われている。
【００３２】
このように、樹脂層の平坦性を確保するための構造体１８，１９，３２，３６が、それぞれの樹脂層の下部に設けられているため、配線層が存在しない領域においても、樹脂層の平坦性の悪化を防ぐことができる。これにより、上側の配線層および樹脂層の形成が容易になり、３層以上の多層配線構造を実現することができる。この多層配線構造の一例として、図１１に示す半導体デバイスの場合は、第１配線層１３および第２配線層１６が図５と同様なスパイラルインダクタを構成しており、第３〜第５配線層３１，３５，３９は、スパイラルインダクタと導通した配線になっている。例えば、第３〜第５配線層３１，３５，３９はアンテナあるいはアンテナから信号を伝送する伝送線路として、第１配線層１３および第２配線層１６からなるスパイラルインダクタは、アンテナからの信号を受信回路に受け渡すデバイス構成の一部として用いることが考えられる。
【００３３】
また、本発明において、平坦性を確保するための構造体は、インダクタのシールド層として利用することもできる。これについて、図１２〜図１４を参照して説明する。
図１２（ａ）はシールド層を有しないスパイラルインダクタを、また、図１２（ｂ）はシールド層を有するスパイラルインダクタを、それぞれ樹脂層を省略して図示した斜視図である。図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ渦電流が流れないようなシールド層の形状の一例を示す平面図である。図１４は、本発明の半導体デバイスにおいて、構造体がシールド層と兼用される一例を、樹脂層を省略して図示した平面図である。
【００３４】
図１２（ａ）に示すように、スパイラルインダクタ５３ａは、コイル面と錯交する磁界５４ａを発生させる。その結果、スパイラルインダクタ５３ａの直下のＩＣ回路に影響を及ぼし、ときには誤動作を引き起こす原因となることが知られている。また、図１２（ｂ）に示すように、スパイラルインダクタ５３ｂの直下のＩＣ回路に対する影響を防ぐために、一般的には半導体基板５０ｂ上に金属のシールド層５５ｂを形成する手法が知られている。しかしながら、金属のプレーンをスパイラルインダクタ５３ｂの直下に配置すると、スパイラルインダクタ５３ｂから発生する磁界５４ｂによってシールド層５５ｂ内に渦電流５６ｂが発生し、エネルギーの損失やインダクタンスの減少という好ましくない事態が発生する。なお、金属プレーン上の渦電流は、錯交磁界を軸として周囲に円を描くように流れることが知られている。
【００３５】
そこで、渦電流が流れないようなシールド層を形成することで、渦電流によるエネルギー損失等を防ぐことができる。例えば図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、金属層Ｍａ，Ｍｂ，Ｍｃの内部において、周回方向にスリットＳａ，Ｓｂ，Ｓｃ（金属層が形成されていない部分）が入っているため、渦電流のループはスリットで断ち切られ、渦電流が流れることはできない。
【００３６】
図１４は、本発明の半導体デバイスにおいて、構造体がシールド層と兼用される一例を示す。図１４に示すスパイラルインダクタ６３において、第１配線層６１および第２配線層６２は、それぞれ図５における第１配線層１３および第２配線層１６に対応するものであり、第１配線層６１およびシールド層６４は第１樹脂層（図示せず）の上に形成され、第２配線層６２は第２樹脂層（図示せず）の上に形成されている。シールド層６４は、細長形状の金属パターン部分６５を有し、金属パターン部分６５の間は、渦電流を断ち切るため、スリット６６となっている。また、シールド層６４および金属パターン部分６５には電気的機能はなく、第１配線層６１との間はスリットによって絶縁されている。
【００３７】
また、このシールド層６４は、第１配線層６１と略同一の高さを有する構造体としても機能しており、第２配線層６２の下地となる第２樹脂層の表面の平坦性を、シールド層と兼用される構造体６４によって確保することができる。樹脂層の平坦化の機能と、シールドの機能の両方を、１層の導体層で実現でき、しかもこの導体層は、第１配線層６１と同じ工程で形成することができる。これにより、工数、コストの低減等に貢献することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、例えば無線通信機器や各種民生機器における半導体デバイスに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来のスパイラルインダクタの一例を示す図面であり、（ａ）は模式的断面図であり、（ｂ）は樹脂層を省略して示した平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、図１のスパイラルインダクタの製造工程を説明する模式的な断面工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図１のスパイラルインダクタの製造工程を説明する模式的な断面工程図である。
【図４】図１（ａ）に示すスパイラルインダクタを、より詳細に表した断面図である。
【図５】本発明の半導体デバイスの一例を示す図面であり、（ａ）は模式的断面図であり、（ｂ）は樹脂層を省略して図示した平面図である。
【図６】図５（ａ）に示す半導体デバイスを、より詳細に表した断面図である。
【図７】本発明の半導体デバイスの他の例を示す模式的断面図である。
【図８】配線層と構造体との間隔、および構造体同士の間隔を説明する平面図である。
【図９】本発明の半導体デバイスの他の例を示す断面図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、それぞれ略線対称スパイラルインダクタの樹脂層を省略して図示した平面図である。
【図１１】５層の多層配線構造を有する半導体デバイスの一例を模式的に示す断面図である。
【図１２】（ａ）はシールド層を有しないスパイラルインダクタを、樹脂層を省略して図示した斜視図であり、（ｂ）はシールド層を有するスパイラルインダクタを、樹脂層を省略して図示した斜視図である。
【図１３】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ渦電流が流れないようなシールド層の形状の一例を示す平面図である。
【図１４】本発明の半導体デバイスにおいて、構造体がシールド層と兼用される一例を、樹脂層を省略して図示した平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１１，５０ａ，５０ｂ…半導体基板、１２…第１樹脂層、１３，５１ａ，５１ｂ，６１…第１配線層、１４…第２樹脂層、１５…開口部、１６，５２ａ，５２ｂ，６２…第２配線層、１７…第３樹脂層、１８，１９，３２，３６…構造体、６４…シールド層を兼ねた構造体。
【図１】
2009021495.tif 000003
【図２】
2009021495.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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