(57)【要約】【課題】スイッチング素子としてＦＥＴを使用した自励発振型のインバータ回路において、入力電源の変動時において、ＦＥＴのオフを行い易くし、貫通電流が発生するのを防止する。【解決手段】スイッチングトランス４０は、１組のＦＥＴ（field-effect transistor)のベース電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、自励発振により２次巻線に高周波電圧を発生させる構成であって、前記入力電源の変動を安定化させることなく、該入力電源を用いてバイアス電圧を発生させるためのバイアス電源を生成するバイアス電源生成回路２０と、生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路３０とを有する。【選択図】図２
2009050114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電源からの直流電力を用いてスイッチングトランスを自励発振させて、２次巻線側に高周波電圧を生成するインバータ回路において、
前記スイッチングトランスは、１組のＦＥＴ（field-effect transistor)のゲート電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、プッシュプル方式により自励発振する構成であって、
前記入力電源の変動を安定化させることなく、該入力電源を用いてバイアス電圧を発生させるためのバイアス電源を生成するバイアス電源生成回路と、
生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを有することを特徴とするインバータ回路。
【請求項２】
前記バイアス電源生成回路は、入力電源の電圧値が低下するよう変動した際、前記バイアス電圧を前記変動に合わせて低下させることを特徴とする請求項１に記載のインバータ回路。
【請求項３】
前記バイアス電圧供給回路は、前記ＦＥＴのゲート電極と分割抵抗を用いて接続することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のインバータ回路。
【請求項４】
入力電源からの直流電力を用いてスイッチングトランスを自励発振させて、２次巻線側に高周波電圧を生成するインバータ回路の駆動方法において、
前記スイッチングトランスの１組のＦＥＴ（field-effect transistor)のゲート電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、プッシュプル方式により自励発振を行う際、
前記入力電源の変動を安定化させることなく、該入力電源を用いてバイアス電圧を発生させるバイアス電源を生成し、
生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給することを特徴とするインバータ回路の駆動方法。
【請求項５】
入力電源からの電力を用いてスイッチングトランスを駆動させる自励発振方式のインバータ回路と、
前記インバータ回路に入力電源を供給する電源回路と、
前記インバータ回路が生成した電力により点灯するバックライトと、
前記バックライトからの光を透過させて映像を表示する液晶ディスプレイとを有する液晶表示装置において、
前記スイッチングトランスは、１組のＦＥＴ（field-effect transistor)のゲート電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、プッシュプル方式により自励発振する構成であって、
前記電源回路から前記インバータ回路へ供給する入力電源を変動させて、バックライトの調光制御を行なう制御部と、
前記入力電源からバイアス電源を生成する際、前記調光制御により入力電源の電圧値が低下したことに基づくバイアス電源の電圧値の低下を安定化させることなく生成を行なうバイアス電源生成回路と、
生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを有し、
前記バイアス電圧供給回路は、分割抵抗を用いて前記ＦＥＴのゲート電極と接続する構成であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自励発振式のインバータ回路、インバータ回路の駆動方法、及び液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、放電灯を点灯させる電源を生成するためにプッシュプル方式のインバータ回路が使用されている（例えば、特許文献１参照）。プッシュプル方式のインバータ回路は、１組のスイッチング素子を発振させて、直流の入力電圧から周波数等を制御した交流電圧を生成する回路である。インバータ回路の種類としては、ＩＣ等の制御により発振現象を発生させる他励方式と、ＩＣ制御を使用しない自励方式とが存在する。
【０００３】
インバータ回路で使用されるスイッチング素子として、ＦＥＴ（field-effect transistor)が存在する。ＦＥＴは、ゲート電極に印加される電圧値に基づいて、ソース電極／ドレイン電極間に流れる電流を制御する。ＦＥＴは通常のトランジスタと比較して発熱ロスが少なく、トランジスタよりも小型のものを使用することができる。そのため、インバータ回路の構成を小さくしたり、コストを下げることができる。
【０００４】
図５は、スイッチング素子としてＦＥＴを使用したインバータ回路を表す図である。同図では、入力電源から供給された入力電圧Ｖｉｎを用いて、安定化回路１がバイアス電圧Ｖｂｉａｓを生成する。ここで、安定化回路１は、入力電圧の変動を吸収して安定したバイアス電圧Ｖｂｉａｓを生成するための回路である。生成されたバイアス電圧Ｖｂｉａｓは、ゲート駆動電圧供給回路２からスイッチングトランス３のＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極に供給される。また、入力電源からスイッチングトランス３の１次巻き線に電源が供給されることで、帰還巻線ＷＦからＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極のいずれかに帰還電圧Ｖｆが供給される。ＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極には、バイアス電圧Ｖｂｉａｓと帰還電圧Ｖｆとの合成電圧が印加され、印加されたゲート駆動電圧がゲート電極のしきい値電圧Ｖｓを上回ることでＦＥＴＱ１，Ｑ２はオンする。さらに、ＦＥＴＱ１，Ｑ２のオン／オフを交互に繰り返すことで、スイッチングトランス３は自励発振し、2次巻線に高周波電圧を発生させる。
【０００５】
ＦＥＴＱ１，Ｑ２のオン／オフを切替える電圧は、安定化回路１を介して入力されるバイアス電圧に帰還巻線ＷＦを介して入力される電圧が合成されることでその電圧値が決定される。しかし、スイッチング素子としてＦＥＴを使用した場合、入力電圧Ｖｉｎの変動によりスイッチングトランス３で生成される電圧の周波数が安定せず、振幅レンジが低下する場合がある。振幅レンジが低下すると、帰還巻線ＷＦから供給される帰還電圧Ｖｆも安定しなくなり、ゲート電極に印加される電圧値も変動する。さらには、ＦＥＴのしきい値電圧Ｖｓも固体間でバラつきがある。そのため、自励発振の際、一方のＦＥＴのゲート電極に印加された電圧値がしきい値まで下がらず、両方のＦＥＴがオン状態となり、貫通電流が発生する場合も想定される。貫通電流が発生した場合、ＦＥＴＱ１，Ｑ２を破壊してしまうことがあった。
【０００６】
インバータ回路に関する技術ではないが、分割抵抗によって、異なる電圧値のバイアス電圧を得ることで、ＦＥＴのオン／オフを線形的に駆動させ、ＦＥＴのアイソレーション特性を高いレベルで保つ技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
また、インバータ回路に関する技術ではないが、バイアス電圧を電源から抵抗分割して生成し、ＦＥＴのゲート電極に印加する技術が開示されている。
（例えば、特許文献３，４，５参照。）。
【特許文献１】実用新案登録第３１１２１４４号公報
【特許文献２】特開２００７−９６６０９号公報
【特許文献３】特開２００５−７３１２４号公報
【特許文献４】特開２００５−６２０１号公報
【特許文献５】特開２００４−３０９２８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した特許文献１〜５の技術は、次のような課題があった。つまり、インバータ回路における入力電源の変動に起因する、ＦＥＴの動作不良を改善させるものではなく、本願と解決しようとする課題が異なる。
【０００９】
本発明は、上記課題にかんがみてなされたもので、スイッチング素子としてＦＥＴを使用した自励発振型のインバータ回路において、入力電源の変動時において、ＦＥＴのオフを行い易くし、貫通電流が発生するのを防止することができるインバータ回路、インバータ回路の駆動方法、及び液晶表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１にかかる発明では、入力電源からの直流電力を用いてスイッチングトランスを自励発振させて、２次巻線側に高周波電圧を生成するインバータ回路において、前記スイッチングトランスは、１組のＦＥＴ（field-effect transistor)のゲート電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、プッシュプル方式により自励発振する構成であって、前記入力電源の変動を安定化させることなく、該入力電源を用いてバイアス電圧を発生させるためのバイアス電源を生成するバイアス電源生成回路と、生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを有する構成としてある。
【００１１】
上記のように構成された発明では、入力電源に基づいて、前記スイッチングトランスの１組のＦＥＴの自励発振により２次巻線に高周波電圧を発生させる構成である。また、バイアス電源生成回路は、入力電源の変動を安定化させることなく、この入力電源を用いてバイアス電源を生成する。そして、バイアス電圧供給回路は、前記バイアス電源からバイアス電圧を生成してスイッチングトランスの各ＦＥＴのゲート電極に供給する。このような構成により、供給された入力電源が変動した際、入力電源と同様にバイアス電圧も変動するため、ＦＥＴのゲート電極に供給される電圧をしきい値電圧まで下げやすくすることができる。
【００１２】
好ましくは、前記バイアス電源生成回路は、入力電源の電圧値が低下するよう変動した際、前記バイアス電圧を前記変動に合わせて低下させる。
上記のように構成した発明では、入力電源の電圧が低下した際、バイアス電圧を下げるよう作用する。
【００１３】
好ましくは、前記バイアス電圧供給回路は、前記ＦＥＴのゲート電極と分割抵抗を用いて接続する。
上記のように構成した発明では、バイアス電圧供給回路が生成するバイアス電源の変動を簡易な構成により伝達することができる。
【００１４】
また、本発明の他の側面として、入力電源からの電力を用いてスイッチングトランスを駆動させる自励発振方式のインバータ回路の駆動方法において、前記スイッチングトランスは１組のＦＥＴ（field-effect transistor)の発振により２次巻線に高周波電力を発生させ、前記入力電力に基づいて、その電圧値を安定化させることなくバイアス電圧を生成し、生成された前記バイアス電圧を前記ゲート電極に印加する。
【００１５】
さらに、本発明の他の側面として、入力電源からの電力を用いてスイッチングトランスを駆動させる自励発振方式のインバータ回路と、前記インバータ回路に入力電源を供給する電源回路と、前記インバータ回路が生成した電力により点灯するバックライトと、前記バックライトからの光を透過させて映像を表示する液晶ディスプレイとを有する液晶表示装置において、前記スイッチングトランスは、１組のＦＥＴ（field-effect transistor)のゲート電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、プッシュプル方式により自励発振する構成であって、前記電源回路から前記インバータ回路へ供給する入力電源を変動させて、バックライトの調光制御を行なう制御部と、前記入力電源からバイアス電源を生成する際、前記調光制御により入力電源の電圧値が低下したことに基づくバイアス電源の電圧値の低下を安定化させることなく生成を行なうバイアス電源生成回路と、生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを有し、前記バイアス電圧供給回路は、分割抵抗を用いて前記ＦＥＴのゲート電極と接続する構成である。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように請求項１，２、４に係る発明によれば、ＦＥＴのオフを行い易くし、貫通電流が発生するのを防止することができる。
そして請求項３にかかる発明によれば、バイアス電圧供給回路が生成するバイアス電源の変動を簡易な構成により伝達することができる。
さらに請求項５のような、より具体的な構成において、上述した請求項１〜請求項４の各発明と同様の作用を奏することはいうまでもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、下記の順序に従って本発明の実施形態を説明する。
（１）第一の実施の形態
（１−１）液晶表示装置の構成
（１−２）バックライト駆動回路の構成
（２）第二の実施の形態
（３）まとめ
【００１８】
（１）第一の実施の形態 
本発明は、バックライトから照射した光を透過させて映像を表示する液晶表示装置であって、自励発振方式のインバータ回路を用いてバックライトを駆動するものである。
【００１９】
（１−１）液晶表示装置の構成 
図１は、本発明に係る液晶表示装置１００のブロック構成図である。
本発明に係る液晶表示装置１００は、表示機８０とリモコン装置９０とから構成されている。表示機８０は、液晶表示装置１００の駆動を制御する制御部８１と、電力を供給する電源回路８２と、所定の映像データを取得する映像処理回路８３と、取得した音声データから音声を出力する音声出力部８４と、画像を表示する液晶ディスプレイ８５と、液晶ディスプレイ８５を背面から照らすバックライトユニット７０とを備えている。また、液晶表示装置１００がテレビジョン受信機である場合は、テレビジョン放送を受信するチューナモジュール８６を有し、このチューナモジュール８６には、テレビジョン放送電波を受信するアンテナ２００が接続している。
【００２０】
液晶表示装置１００では、リモコン装置９０の操作により、制御部８１で選局されたテレビジョン放送信号や外部入力信号を取得する。取得されたテレビジョン放送信号や外部入力信号は、映像処理回路８３により所定の信号処理を施された後、映像信号を液晶ディスプレイ８５に出力し、音声信号を音声出力部８４に出力する。
【００２１】
液晶ディスプレイ８５は、バックライトユニット７０からの光源により液晶ディスプレイ８５を背面から照らすことで画像を表示する。液晶ディスプレイ８５の画面は、ＲＧＢの各色が塗布された画素をマトリクス状に配置することにより構成されている。各画素には印加された電圧の強さにより光の透過率を変化させる液晶物質が充填されている。液晶ディスプレイ８５は、入力された映像信号をディジタル／アナログ変換した後、各画素に印加することにより各画素の光の透過率を変化させる。また、バックライトユニット７０は、電源回路８２から供給された入力電圧Ｖｉｎによりバックライトを点灯させて、液晶ディスプレイ８５を背面側から照らす。これにより、画面を構成する各画素は映像信号に基づくアナログ信号によりバックライトユニット７０からの光の透過率を変化させて透過光量に応じた画像を表示する。
【００２２】
また、制御部８１は、電源回路８２からバックライトユニット７０へ供給する電力量を制御することで、バックライトユニット７０を調光制御する。制御部８１は、バックライトの輝度を調整するために、電源回路８２からバックライトユニット７０へ供給する電圧値を調整することができる。
【００２３】
（１−２）バックライト点灯回路の構成
図２はバックライトユニット７０を示すブロック図である。バックライトユニット７０は、インバータ回路５０と、電源回路８２とインバータ回路５０との間を接続する入力ライン６０と、光源としてのバックライト１０とから構成されている。バックライトユニット７０では、まず、電源回路８２から入力ライン６０を通して供給された入力電圧Ｖｉｎを用いて、インバータ回路５０が自励発振により高周波電圧を生成する。生成された高周波電圧はバックライト１０に供給され、バックライト１０を点灯させる。なお、本発明のバックライト１０は、放電灯として冷陰極管を用いている。また、冷陰極管の形状としては、直管やＵ字管、更には擬似Ｕ字管であってもよい。
【００２４】
インバータ回路５０は、入力電源からの電力を用いてスイッチングトランスを駆動させる自励発振方式の回路である。インバータ回路５０は、プッシュプル方式により１組のＦＥＴを自励発振させて、２次巻線に高周波電圧を発生させるスイッチングトランス４０と、スイッチングトランス４０のＦＥＴに印加するバイアス電圧Ｖｂｉａｓを供給するバイアス電圧供給回路３０と、電源回路８２から供給された入力電圧Ｖｉｎからバイアス電圧Ｖｂｉａｓの基となるバイアス電源を生成するバイアス電源生成回路２０とを有している。
【００２５】
上記構成によりインバータ回路５０では、電源回路８２から入力ライン６０を通して供給された入力電圧Ｖｉｎによりバイアス電源生成回路２０がバイアス電源を生成する。また、バイアス電圧供給回路３０は、生成されたバイアス電源に基づいてバイアス電圧Ｖｂｉａｓを生成し、スイッチングトランス４０の各ＦＥＴに印加する。これにより、スイッチングトランス４０が自励発振を行い、２次巻線に高周波電圧を供給する。スイッチングトランス４０の２次巻線にはバックライト１０が接続されており、２次巻線から供給された高周波電圧によりバックライト１０を点灯させる。
【００２６】
また、インバータ回路５０は、電源回路８２の変動に起因して入力電圧Ｖｉｎの電圧値が変動した際、バイアス電圧Ｖｂｉａｓも同様に変動することで、ＦＥＴの動作不良を発生しづらくする。
【００２７】
バイアス電源生成回路２０は、入力電圧Ｖｉｎに基づくバイアス電源を生成する。図２に示すように、バイアス電源生成回路２０は、入力ライン６０と並列に接続されており、電源回路８２からの入力電圧Ｖｉｎが回路内に印加される。バイアス電源生成回路２０は、抵抗Ｒ１とコンデンサＣ１とで直列回路を形成し、この回路における抵抗Ｒ１の入力端でトランジスタＱ３のコレクタと接続し、抵抗Ｒ１の出力端でトランジスタＱ３のベースと電界コンデンサＣ２の正の端子とに並列接続している。
【００２８】
バイアス電圧供給回路３０は、バイアス電源生成回路２０が生成したバイアス電源により、バイアス電圧Ｖｂｉａｓ生成し、スイッチングトランス４０の１組のＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧Ｖｂｉａｓを印加する。バイアス電圧供給回路３０は、バイアス電源生成回路２０と抵抗Ｒ３，Ｒ６を用いて接続している。また、抵抗Ｒ２，Ｒ３を用いてスイッチングトランス４０の帰還巻線ＷＦと接続している。なお、抵抗Ｒ３，Ｒ６の出力端は抵抗Ｒ４，Ｒ７と接続しており、抵抗Ｒ３／Ｒ４（Ｒ６／Ｒ７）間の電位をその抵抗値で分割する分割抵抗回路を形成している。
【００２９】
スイッチングトランス４０は、バイアス電圧供給回路３０からのバイアス電圧Ｖｂｉａｓと、帰還巻線ＷＦからの帰還電圧Ｖｆとの合成電圧により、プッシュプル方式で１組のＦＥＴＱ１，Ｑ２とを自励発振させて２次巻線に高周波電圧を発生させる。スイッチングトランス４０は、１組のＦＥＴＱ１，Ｑ２と、発振コンデンサＣ３と、入力コイルＬ１と、トランスＷとから構成されている。なお、トランスＷは、ＦＥＴＱ１，Ｑ２と接続する１次巻線Ｌ２，Ｌ３と、２次巻線Ｌ４，Ｌ５と、帰還巻線ＷＦとから構成されている。
【００３０】
以下にインバータ回路５０の動作を図３を基に説明する。
図３は、一例としてのトランスに発生する電圧と、ゲート駆動電圧との関係を示す図である。なお、トランスＷに発生する電圧は、その絶対値を表示している。入力ライン６０を通って、直流の入力電圧Ｖｉｎがバイアス電源生成回路２０に印加されると、回路内に電流が流れ、電界コンデンサＣ２に電荷を蓄電する。蓄電された電荷はやがて放出されて、トランジスタＱ３をオンする。
【００３１】
トランジスタＱ３がオンすると、バイアス電圧供給回路３０内にバイアス電源生成回路２０からの電圧が印加される。ここで、抵抗Ｒ３，Ｒ４は、発生した電圧を抵抗値に応じて分割する分割抵抗回路を構成しており、ＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極には、分割された電圧がバイアス電圧Ｖｂｉａｓとして印加される。同様に、抵抗Ｒ６，Ｒ７間に発生した電圧も分割されて、バイアス電圧ＶｂｉａｓとしてＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極に印加される。このため、バイアス電源生成回路２０は、バイアス電圧の発生源としてバイアス電源を生成する。なお、ＦＥＴＱ１，Ｑ２は、ＦＥＴの特定及び、抵抗Ｒ３，Ｒ６の値により、どちらかが先にオンする。
【００３２】
さらに、入力ライン６０を通じて、スイッチングトランス４０の入力コイルＬ１に入力電圧Ｖｉｎが印加され、どちらかのＦＥＴＱ１，Ｑ２のオンに基づいて、トランスＷの１次巻き線Ｌ２，Ｌ３のどちらかに電流が流れる。今、１次巻線Ｌ２に電流が流れたと仮定すると、１次巻線Ｌ２からＦＥＴＱ１のソース電極／ドレイン電極間に電流が流れる。また、１次巻線Ｌ２に電流が流れることでトランスＷに磁界が発生し、２次巻線Ｌ４に誘導起電力が発生する。このとき、発生する誘導起電力は１次巻線Ｌ２と２次巻線Ｌ４との巻き線比に比例して増幅される。また、帰還巻線ＷＦにも、発生した磁界により自己誘導により逆起電力が発生し、ＦＥＴＱ１に負の電圧を印加し、Ｑ２に正の電圧を印加する。これにより、ＦＥＴＱ１のゲート電極の電荷はしきい電圧Ｖｓ以下まで下がり、ＦＥＴＱ１はオフする。また、ＦＥＴＱ２には正の電圧が印加され、ゲート電極に印加されたバイアス電圧Ｖｂｉａｓと合わせることで、ゲート電極の電荷がしきい値電圧Ｖｓを上回り、ＦＥＴＱ２はオンする。これにより、１次巻線Ｌ３に電流が流れる。
【００３３】
上述した、ＦＥＴＱ１，Ｑ２のオン／オフが交互に繰り返されることにより、トランスＷの１次巻線Ｗ２，Ｗ３に向きが異なる電流が交互に流れる。この電流によりトランスＷに磁界が発生し、２次巻線Ｌ４，Ｌ５に図３（ａ）に示すような正の半波と負の半波とからなる誘導起電力が発生する。そのため、バックライト１０には、２次巻線Ｌ４，Ｌ５に交互に発生する正負の電圧から成る交流電圧が印加され、点灯が開始される。
【００３４】
また、本発明に係るインバータ回路５０では、調光制御により電源回路８２の電圧値が変動することで入力ライン６０を通して供給される入力電圧Ｖｉｎが変動した場合、バイアス電源生成回路２０は、入力電圧Ｖｉｎの変動に合わせてバイアス電源を変動させる。つまり、入力電圧Ｖｉｎの電圧値が低下した場合、電圧の低下に同期させてバイアス電圧供給回路３０に印加する電圧値を低下させる。ここで、入力電圧Ｖｉｎはバイアス電源生成回路２０の電界コンデンサＣ２に蓄電された後、トランジスタＱ３をオンすることで、バイアス電圧供給回路３０に供給される。そのため、入力電圧Ｖｉｎの電圧値が低下すれば、電界コンデンサＣ２に蓄電される電荷量も低下し、トランジスタＱ３のオン時間を少なくするため、バイアス電圧供給回路３０に印加される電圧値も低下する。
【００３５】
上述した、バイアス電源の電圧値の低下により、図３（ｂ）に示すように、ＦＥＴＱ１，Ｑ２に印加される電圧値も低下する。ＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート駆動電圧は、帰還巻線ＷＦからの帰還電圧Ｖｆとバイアス電圧Ｖｂｉａｓとの合成電圧である。今、入力電圧Ｖｉｎの電圧値が低下すると、トランスＷに流れる電流が少なくなり、帰還電圧Ｖｆに発生する電圧も低下する。また、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、入力電圧Ｖｉｎの変動に合わせて変動するため、バイアス電圧Ｖｂｉａｓと帰還電圧Ｖｆ両者の電圧値の低下により、ゲート電極の電荷も低下する。そのため、ゲート電極の電荷における立下の傾きが速くなり、ＦＥＴＱ１，Ｑ２はオフし易くなる。このため、入力電源の変動により、スイッチングトランス４０のドライブ周波数が乱れた場合でも、ＦＥＴＱ１，Ｑ２をオフし易くし、ＦＥＴＱ１，Ｑ２に貫通電流等を発生させづらくする。
【００３６】
（２）第二の実施の形態
図４を基に、本発明に係る第二の実施の形態を説明する。
図４は、第二の実施の形態としてのバックライトユニットの回路図である。第一の実施の形態におけるインバータ回路５０では、電源回路８２とスイッチングトランス４０との間にバイアス電源生成回路２０を介在させた。しかしながら、バイアス電源生成回路２０を抹消し、入力ライン６０と、ＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極とを直に繋いでもよい。そのため、電源回路８２からの入力電圧Ｖｉｎが調光制御等により変動した場合、ＦＥＴＱ１，Ｑ２のゲート電極に印加されるゲート駆動電圧も同様に変動する。
【００３７】
（３）まとめ
入力電源からの直流電力を用いてスイッチングトランスを自励発振させて、２次巻線側に高周波電圧を生成するインバータ回路において、前記スイッチングトランスは、１組のＦＥＴのベース電極に、バイアス電圧と前記スイッチングトランスの帰還巻線から印加される帰還電圧との合成電圧を印加することで、自励発振により２次巻線に高周波電圧を発生させる構成であって、前記入力電源の変動を安定化させることなく、該入力電源を用いてバイアス電圧を発生させるためのバイアス電源を生成するバイアス電源生成回路と、生成された前記バイアス電源に基づいて、前記ＦＥＴのゲート電極にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回路とを有する。
【００３８】
なお、本発明は上記実施例に限られるものでないことは言うまでもない。当業者であれば言うまでもないことであるが、
・上記実施例の中で開示した相互に置換可能な部材および構成等を適宜その組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術であって上記実施例の中で開示した部材および構成等と相互に置換可能な部材および構成等を適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
・上記実施例の中で開示されていないが、公知技術等に基づいて当業者が上記実施例の中で開示した部材および構成等の代用として想定し得る部材および構成等と適宜置換し、またその組み合わせを変更して適用すること
は本発明の一実施例として開示されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】一例としての表示装置のブロック構成図である。
【図２】一例としてのバックライトユニットの回路図である。
【図３】一例としてのトランスに発生する電圧と、ゲート駆動電圧との関係を示す図である。
【図４】第二の実施の形態としてのバックライトユニットの回路図である。
【図５】従来のインバータ回路を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…バックライト、２０…バイアス電源生成回路、３０…バイアス電圧供給回路、４０…スイッチングトランス、５０…インバータ回路、６０…入力ライン、７０…バックライトユニット、８０…表示機、８１…制御部、８２…電源回路、８３…映像処理回路、８４…音声出力部、８５…液晶ディスプレイ、８６…チューナモジュール、９０…リモコン装置、１００…液晶表示装置、２００…アンテナ
【図１】
2009050114.tif 000003
【図２】
2009050114.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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