(57)【要約】【課題】  狭ピッチ部品のフロー実装の際に発生していた隣接ピン間の半田ブリッジを防止する。【解決手段】  予備ランドに過剰な半田を吸収させるべく、予備ランドの形状に合わせて半田吸収用ランドの形状を変化させる。あるいは、予備ランドの面積に応じて半田吸収用ランドの形状を変化させる。また、フロー半田方向に対する端子列の方向により半田吸収用ランドの形状を変化させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品の接続端子を半田付けするためのランドが多数並設されているプリント配線基板において、前記並設されたランドの両端に形成可能な予備ランドを設け、前記接続端子の搬送方向下流に設けた半田吸収用ランドの形状を、前記形成可能な予備ランドの形状に応じて変化させることを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記予備ランドの面積に応じて、前記半田吸収用ランドの形状を変化させることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
電子部品の接続端子を半田付けするためのランドが多数並設されているプリント配線板において、前記並設されたランドの両端に設けた予備ランドの形状、前記接続端子に設けた半田吸収用ランドの形状をフロー半田の方向に応じて変化させることを特徴とするプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板の半田付け構造に関するものであり、特にリードピッチが狭小な電子部品のフロー半田時の端子間ブリッジ防止に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プリント配線基板における狭ピッチ部品の端子間の半田ブリッジ対策としては、プリント基板の搬送方向下流側に余分な半田を吸収する半田捨てランドを設けるのが常であった。従来技術としては、特許文献１のように複数のリード端子上の過剰半田を引き寄せる半田呼び込み体を基板に設けることが提案されている。
【特許文献１】特開平６−１３２６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、ＭＰＵ（Ｍｕｌｔｉ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）の機能拡張、データバス幅の拡張等に伴い、狭ピッチで多ピン化したＩＣ、ＬＳＩが発展し、特に表面実装タイプではＱＦＰが知られ、リードピッチも０．５ｍｍ程度まで狭ピッチ化している。また、プリント配線基板としては従来狭ピッチ部品の実装にはＦＲ−４（ガラスエポキシ基板）にリフロー半田を行うのが主であったが、より低コスト化の流れの中でＦＲ−１（紙フェノール基板）の配線精度の向上が図られ、狭ピッチ部品をより低コストなＦＲ−１にフロー半田を行う機会が増えている。しかしながら、狭ピッチの部品をフロー半田行う場合には、隣接ピン間の半田ブリッジを防止する手段として、先に述べたようにプリント基板の搬送方向下流に半田吸収用のランドを設けるのが主であったが、従来設けていたような捨てランドでは十分な効果が得られなくなってきている。加えて、半田ブリッジを検出後、修正するための人員の確保等が必要となり、低コスト化への障害となっていた。
【０００４】
従来例を図４に示す。図４は従来の半田ブリッジ対策を施したプリント配線基板を示している。４１はＩＣ等の各端子と半田にて接続するための部品実装用のランド、４２はフロー半田時に各端子のランド上に余分に余った半田を吸収するために設けた半田吸収用ランドを示している。４３は半田吸収用ランドの両端に設けて半田吸収用ランド４２にて吸収しきれなかった半田を吸収するための予備ランドを示している。矢印の方向はＩＣ等が基板に接着材等で固定された後、フロー半田に投入される際の方向を示している。従来の半田吸収用ランド４２、予備ランド４３ではプリント基板のフロー方向に対して下流側に半田吸収用ランド４２が存在するものの、ランドの寸法を無制限に大きくすることができないため、すべての半田を吸収できなかった。そのため、ランドにて吸収できなかった過剰な半田により端子間に半田ブリッジ４４が発生してしまい、手直しが必要となっていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、
電子部品の接続端子を半田付けするためのランドが多数並設されているプリント配線基板において、
前記並設されたランドの両端に形成可能な予備ランドを設け、
前記接続端子の搬送方向下流に設けた半田吸収用ランドの形状を、
前記形成可能な予備ランドの形状に応じて変化させることを特徴とする。
【０００６】
好ましくは、本発明にかかるプリント配線基板は、
前記予備ランドの面積に応じて、前記半田吸収用ランドの形状を変化させることを特徴とする。
【０００７】
又、本発明にかかるプリント配線基板は、
電子部品の接続端子を半田付けするためのランドが多数並設されているプリント配線板において、
前記並設されたランドの両端に設けた予備ランドの形状、前記接続端子に設けた半田吸収用ランドの形状をフロー半田の方向に応じて変化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により上記従来例のような狭ピッチ部品のフロー実装の際に発生していた隣接ピン間の半田ブリッジを防止することができるため、手直し工程を削減し、トータルコストを抑えたプリント配線基板製造を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、本発明の詳細を実施例の記述に従って説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１は本発明の第一の実施例を示すものである。従来例との違いは予備ランドに過剰な半田を吸収させるべく、予備ランドの形状に合わせて半田吸収用ランドの形状を工夫したところに特徴がある。図１は本実施例を具体的に表したものであるが、半田吸収用ランド１２を予備ランド１３に向かって円弧状に形成したところに特徴がある。すなわち、狭ピッチの端子列の中央から端の端子に向かって半田吸収用ランド１２の面積を円弧状に徐徐に大きくしていき、予備ランド１３により効率的に半田が流れるようにしている。このような形状にすることにより狭ピッチの端子間での過剰半田によるブリッジを防止することができる。なお、本実施例では半田吸収用ランド１２から予備ランド１３に向かって円弧状の形状にしているが、本発明に係る特徴は円弧状に限定したものではなく、直線状あるいは別の形状であっても本発明を逸脱したものではない。
【実施例２】
【００１１】
図２は本発明の第二の実施例を示すものである。第一の実施例との違いは予備ランドの面積に応じて半田吸収用ランドの形状を変化させるところに特徴がある。図２は本実施例を具体的に表したものであるが、プリント配線基板のパターン配線によってはＩＣ等の左右に設けることのできる予備ランドの形状に限りがあるために、左右の面積が同等にならない場合がある。このような場合に左右に設けた予備ランドの形状を同等にして第一の実施例と同様な形状に半田吸収用ランドをしても予備ランドの面積を有効に活用できないために、十分な半田吸収効果が得られないことがある。本実施例ではこのような場合にも半田吸収効果が十分に得られるランド形状を提供することに特徴がある。図２に示したようにＩＣ等の端子左右に設けることのできる予備ランド２３の面積がアンバランスな場合に、半田吸収用ランド２２の形状を端子中央から左右相似な形状にするのではなく、予備ランド２３の面積が大きい端子側を予備ランド２３の小さい端子側に対して半田吸収用ランド２２の面積を大きくとる。すなわち予備ランド２３の面積に反比例して半田吸収用ランド２２の形状を変化させる。この形状にすることにより予備ランド２３の面積の大きい側により多くの半田を吸収させることができ、過剰な半田の吸収効果を高めることができる。すなわち、半田流量を呼びランドが大きい側を予備ランドが小さい側に比べて大きくすることで半田の吸収効果を高めている。なお、本実施例では半田吸収用ランド２２から予備ランド２３に向かって円弧状の形状にしているが、本発明に係る特徴は円弧状に限定したものではない。
【実施例３】
【００１２】
図３は本発明の第三の実施例を示すものであり、第二の実施例との違いはフロー半田方向が異なる場合の半田吸収用ランドと予備ランドの形状に特徴がある。ＩＣ等のＱＦＰ部品の場合にはフロー半田方向に対して、狭ピッチでの端子配列方向が必ず二方向になるため、フロー方向に水平方向と垂直方向とでランド形状を変化させることに特徴がある。すなわち、フロー半田方向と端子配列が直角の場合には実施例１あるいは実施例２のようにランドを形成し、フロー半田方向と端子配列が水平な場合には図３のようにランドを形成する。図３の場合には端子配列とフロー半田方向とが水平な場合にはフロー半田方向下流に向かって半田吸収用ランドの形状を大きくすることにより、半田吸収効果を高めている。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施例に係る第一の実施例を示すプリント配線基板のランド形状。
【図２】本発明の実施例に係る第二の実施例を示すプリント配線基板のランド形状。
【図３】本発明の実施例に係る第三の実施例を示すプリント配線基板のランド形状。
【図４】従来例を示すプリント配線基板のランド形状。
【符号の説明】
【００１４】
１１  部品実装用ランド
１２  半田吸収用ランド
１３  予備ランド
４４  端子間で発生する半田ブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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