(57)【要約】【課題】リカバリ電流の集中を抑制する半導体装置を提供する。【解決手段】ダイオード（半導体装置）１００は、第１導電型の半導体基板２と、半導体基板２の表層で規則的な間隔で繰り返し形成されている第２導電型の第１半導体領域４と、第１半導体領域をループ状に囲んでいる第２導電型の第２半導体領域６と、半導体基板２の両面に配置されている一対の主電極８、１２を備えている。一方の主電極８が、第１半導体領域４の表面に接触しているとともに、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂよりも内側で第２半導体領域６に接触している。第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域４ａの間隔Ｗ２が、第１半導体領域同士の間隔Ｗ１よりも広い。これによって、第１半導体領域４ａから終端領域へ注入されるキャリアの量が低減される。従って、終端領域からキャリアが逆流することによって発生するリカバリ電流の集中を抑制することができる。【選択図】図２
2009032734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
半導体基板の表層において、規則的な間隔で繰り返し形成されている第２導電型の第１半導体領域群と、
半導体基板の表層において、第１半導体領域群の周囲を一巡してループ状に伸びている第２導電型の第２半導体領域と、
半導体基板の両面に配置されている一対の主電極を備えており、
半導体基板の表層側に配置されている主電極が、第１半導体領域群の表面に接触しているとともに、第２半導体領域が形成するループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域の表面に接触しており、
第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔が、第１半導体領域同士の間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔が、第１導電型の半導体基板における少数キャリアの拡散長以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔内に、第１半導体領域群よりも深さが浅い第２導電型の第３半導体領域と、第１半導体領域群よりも不純物濃度が低い第２導電型の第４半導体領域と、第１半導体領域群よりも浅くかつ不純物濃度が低い第２導電型の第５半導体領域のいずれかが形成されていることを特徴する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
ループ状に伸びている第２半導体領域の内側であって第１半導体領域群が形成されていない範囲に、第２導電型の第６半導体領域群が規則的な間隔で繰り返し形成されており、
半導体基板の表層に配置されている主電極に接触する第１半導体領域群の合計面積が、その主電極に接触する第６半導体領域群の合計面積よりも広いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
ループ状に伸びている第２半導体領域の外側に他の半導体素子が形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１導電型の半導体基板と、
半導体基板の表層の一部に形成されている第２導電型の第１半導体領域と、
半導体基板の表層において、第１半導体領域の周囲を一巡してループ状に伸びている第２導電型の第２半導体領域と、
半導体基板の両面に配置されている一対の主電極を備えており、
半導体基板の表層に配置されている主電極が、第１半導体領域の表面に接触しているとともに、第２半導体領域が形成するループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域の表面に接触しており、
第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域が、第１導電型の半導体基板における少数キャリアの拡散長以下の長さを隔てて離間していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板と、
半導体基板の表層の一部に形成されている第２導電型の第１半導体領域と、
半導体基板の表層において、第１半導体領域の外縁に接しているとともに、第１半導体領域の周囲を一巡してループ状に伸びている第２導電型の第２半導体領域と、
半導体基板の両面に配置されている一対の主電極を備えており、
半導体基板の表層に配置されている主電極が、第１半導体領域の表面に接触しているとともに、第２半導体領域が形成するループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域の表面に接触しており、
第１半導体領域は、深さが一定の平坦底領域と、平坦底領域の外縁から第２半導体領域との境界に向かって深さが徐々に浅くなる辺縁領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リカバリ電流を抑制した半導体装置に関する。特に、第１導電型の半導体基板の素子形成領域内の表層に第２導電型の第１半導体領域群が規則的な間隔で繰り返し形成されているとともに、第１半導体領域群の周囲をループ状に伸びている第２導電型の第２半導体領域が形成されている半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばダイオードの中には、第１導電型の半導体基板のダイオード素子形成領域内の表層にストライプ状、或いはループ状に伸びている第２導電型の第１半導体領域群が規則的な間隔で（例えば等間隔で）繰り返し形成されているものが知られている。その半導体装置の耐圧を確保するために、第１半導体領域群が平行に配置されている範囲の周囲に、ループ状に伸びている第２導電型の第２半導体領域が形成されているが存在する。
ＭＯＳの場合であれば、ループ状の第２半導体領域の内側に、複数個のソース領域が規則的な間隔で繰り返し形成されている。ＩＧＢＴの場合であれば、ループ状の第２半導体領域の内側に、複数個のソース領域が規則的な間隔で繰り返し形成されている。
【０００３】
ダイオードの主電極間に印加されている電圧が順方向（ｐ型の半導体層の電位がｎ型の半導体層の電位よりも高い電圧）から逆方向に切り替わる時に、一時的に逆方向（ｎ型の半導体層に接している主電極からｐ型の半導体層に接している主電極に向かう方向）に電流が流れる。この現象は、順方向の電圧が印加されていた間に、ｐｎ接合の一方側の半導体領域から他方側の半導体領域に注入されたキャリアが、逆方向の電圧に切り替わった時に、もとの半導体領域へ逆流することによって生じる。一時的に逆方向に流れる電流は、リカバリ電流と呼ばれている。リカバリ電流が過大になると、半導体装置が破壊に至ることがある。リカバリ電流を抑制する必要がある。
【０００４】
リカバリ電流は、素子形成領域を取り囲んでいる終端領域と素子形成領域の境界で集中しやすいことが知られている。素子形成領域と終端領域の境界に集中するリカバリ電流を抑制する技術が例えば特許文献１に開示されている。
特許文献１に開示されているダイオードは、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の表層において同一ピッチで繰り返し形成されている第２導電型の第１半導体領域と、半導体基板の表層に配置されているとともに第１半導体領域の表面に接触している一方の主電極と、半導体基板の裏面側に配置されている他方の主電極を備えている。
表層側の主電極は、第１半導体領域の中央部ではその表面に接触しているものの、第１半導体領域の周辺部（中央部をループ状に囲むととともにその外縁が終端領域に隣接している領域）は、表層側の主電極と接触していない。第１半導体領域の周辺部が、半導体基板における少数キャリアの拡散長Ｌｐ以上の幅で主電極と接触せずに中央部を囲んでいる。
【０００５】
特許文献１に開示されたダイオードは、第１半導体領域の周辺部が主電極と接触していないために高抵抗となり、主電極間に順方向の電圧が印加された時に、素子形成領域内の第１半導体領域から終端領域の半導体基板に注入されるキャリアの量が抑制される。このため、電圧が順方向から逆方向に切り替わった時に終端領域から第１半導体領域へ向かって移動するキャリアの量が少なくなり、終端領域と素子形成領域の境界に集中するリカバリ電流が抑制される。特に、主電極と接触しない第１半導体領域の周辺部の幅ＬをＬ≧Ｌｐとすることで、順方向の電圧が印加されたときに主電極に接触している部位の第１半導体領域から、Ｌｐ以上の距離だけ隔たっている終端領域に到達するキャリアの量が顕著に少なくなり、リカバリ電流を顕著に抑制することができる。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２３２５９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
第１導電型の半導体基板を利用して形成される半導体装置の耐圧を向上するために、第２導電型の第１半導体領域群が形成されている素子形成領域の周囲を一巡する第２導電型の第２半導体領域を形成する技術が知られている。すなわち、終端領域に第１半導体領域群を囲んでループ状に伸びる第２導電型の第２半導体領域を形成する技術が知られている。第１導電型の半導体基板の終端領域に第２導電型の第２半導体領域を形成すると、素子形成領域から終端領域に空乏層が広がり、半導体装置の耐圧が向上する。
第１半導体領域群をループ状に囲む第２半導体領域は、第１半導体領域群とともに主電極に接触していることが好ましい。第１半導体領域群と第２半導体領域を同電位にすることで、素子形成領域から終端領域に亘って厚い空乏層を形成することができる。
【０００８】
特許文献１の技術は、第１半導体領域群をループ状に囲んでいる第２半導体領域を主電極に接触させる技術と両立しない。特許文献１の技術では、素子形成領域に形成されている第１半導体領域群の周辺部には主電極を接触させない。すなわち、第１半導体領域が形成されている範囲の中央部にのみ主電極を形成する。当然に、主電極は第１半導体領域群を囲んでいる第２半導体領域に接触しない。
逆に言うと、第２半導体領域に接触するまで主電極を拡大すると、第１半導体領域群の周辺部に、主電極と接触していない領域を確保することができない。すなわち、高耐圧性能を確保することができない。
【０００９】
本発明は、高耐圧性能を確保するとともに、主電極間に順方向の電圧が印加された時に素子形成領域内の第１半導体領域から終端領域の半導体基板に注入されるキャリアの量を抑制して終端領域から素子形成領域に流れるにリカバリ電流を抑制する技術を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の表層において、規則的な間隔で繰り返し形成されている第２導電型の第１半導体領域群と、半導体基板の表層において、第１半導体領域群の周囲を一巡してループ状に伸びている第２導電型の第２半導体領域と、半導体基板の両面に配置されている一対の主電極を備える半導体装置に具現化することができる。
この半導体装置は、半導体基板の表層側（第１半導体領域群が形成されている側）に配置されている主電極（第１主電極）が、第１半導体領域群の表面に接触しているとともに、第２半導体領域が形成するループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域の表面に接触している。さらに、第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔が、第１半導体領域同士の間隔よりも広くなっている。
ここで、第１半導体領域群が「規則的な間隔で繰り返し形成されている」とは、典型的には第１半導体領域群が等間隔で形成されている場合を意味するが、必ずしも「等間隔」に限られない。第１半導体領域群が、異なる複数の間隔が周期的に繰り返されて形成されている場合、或いは、半導体基板の中央から外側に向かって徐々に広がる（或いは狭まる）間隔で繰り返し形成されている場合も含む。第１半導体領域同士の間隔の大きさが複数種類ある場合には、第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔が、第１半導体領域同士の間隔のうち最も広い間隔よりも広くなっている。
【００１１】
この半導体装置は、第１半導体領域群をループ状に囲んでいる第２半導体領域が、第１半導体領域群とともに第１主電極に接触している。従って高耐圧を確保することができる。
またこの半導体装置は、第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間隔が、第１半導体領域同士の間隔よりも広い。従って、第１半導体領域群から素子形成領域の半導体基板に注入されるキャリアの量に比較して、第１半導体領域群から終端領域の半導体基板へ注入されるキャリアの量を抑制することができる。素子形成領域では、第１半導体領域が規則的な間隔で形成されており、順方向の電圧を印加したときに充分な量のキャリアが注入される。即ち、大電流を流すことができる。他方、素子形成領域と終端領域の境界では、ループ状の第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間に広い間隔（第１半導体領域同士の間隔よりも広い間隔）が確保されているため、第１半導体領域から終端領域へ注入されるキャリアの量が抑制される。従って、印加電圧が順方向から逆方向に切り替わったときに流れるリカバリ電流を抑制することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体装置は、ループ状の第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間に広い間隔を確保することによって、第２半導体領域が形成するループの内側に位置する第１半導体領域群から終端領域へ注入されるキャリアの量を低減する。第２半導体領域からも終端領域へキャリアが注入されるが、第１半導体領域から終端領域へ注入されるキャリアの量を低減することによって、終端領域に注入されるキャリアの総量を低減する。第１半導体領域群をループ状に囲んでいるとともに第１主電極に接触している第２半導体領域を備えることによって高耐圧性能が確保できる。同時に、ループ状の第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間に広い間隔を確保することによって、リカバリ電流を抑制することができる。
さらに、本発明の半導体装置は、第１主電極の外縁からループの外縁までの間に、拡散長Ｌｐ以上の幅を確保することなく、終端領域に注入されるキャリアの量を低減し、リカバリ電流を抑制することができる。即ち、第１主電極より外側に広い領域を確保する必要がないため、広い素子形成領域を確保できる。
【００１３】
ループ状の第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔が、第１導電型の半導体基板における少数キャリアの拡散長以下であることが好ましい。半導体基板における少数キャリアとは、第１半導体領域における多数キャリアと同タイプのキャリアであり、換言すれば、順方向の電圧が印加されたときに第１半導体領域から半導体基板へ注入されるキャリアと同タイプのキャリアを意味する。第１半導体領域から半導体基板へ注入されるキャリア（半導体基板における少数キャリアと同タイプのキャリア）は、平均的にはその拡散長を超えて広がることはない。従って、ループ状の第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間隔を、半導体基板における少数キャリアの拡散長よりも大きくしても、第１半導体領域から終端領域へ注入されるキャリアの量を低減する効果は大きく向上することはない。従って、ループ状の第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間隔を、半導体基板における少数キャリアの拡散長以下の範囲で設定することで、第１半導体領域から終端領域へ注入されるキャリアの量を効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置は、さらに、第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域の間隔内に、第１半導体領域群よりも深さが浅い第２導電型の第３半導体領域と、第１半導体領域群よりも不純物濃度が低い第２導電型の第４半導体領域と、第１半導体領域群よりも浅くかつ不純物濃度が低い第２導電型の第５半導体領域のいずれかが形成されていてよい。第３〜５半導体領域のいずれが形成されていても、半導体基板へ注入されるキャリアの量を、素子形成領域の中央部に比べて周辺部で低減することができる。即ち、順方向の電圧が印加されたときに終端領域へ注入されるキャリアの量を低減することができ、リカバリ電流を抑制できる。
【００１５】
本発明の半導体装置は、ループ状に伸びている第２半導体領域の内側であって第１半導体領域群が形成されていない範囲に、規則的な間隔で第２導電型の第６半導体領域群が繰り返し形成されており、半導体基板の表層に配置されている主電極に接触する第１半導体領域群の合計面積が、その主電極に接触する第６半導体領域群の合計面積よりも広いことが好ましい。第６半導体領域群に加えて、合計面積が第１半導体領域群よりも小さい第２導電型の第７半導体領域群、或いは第２導電型の第８領域群が、ループ状に伸びている第２半導体領域の内側であって第１半導体領域群が形成されていない範囲に規則的な間隔で繰り返し形成されていてもよい。順方向の電圧を印加したときに流すことのできる電流の大きさとリカバリ電流の大きさは、第１主電極と接触している面積が最も大きい第１半導体領域群が支配的に決定する。従って、上記の第６乃至第８半導体領域群が形成されても、順方向の電圧を印加したときに流すことのできる電流の大きさに比較してリカバリ電流を抑制することができる。
【００１６】
本発明は、ひとつの半導体基板に複数の半導体素子が形成されている半導体装置にも適用できる。即ち、ループ状に伸びている第２半導体領域の外側に他の半導体素子が形成されていてもよい。
【００１７】
上記の半導体装置は、第１半導体領域群が規則的な間隔で繰り返し形成されている半導体装置を対象とした。第１半導体領域群が規則的な間隔で繰り返し形成されていない半導体装置の場合（典型的には、第２半導体領域が形成するループの内側に第１半導体領域がひとつ或いは２つだけ形成されている場合）、第２半導体領域に隣接する第１半導体領域と第２半導体領域を、第１導電型の半導体基板における少数キャリアの拡散長以下の長さを隔てて離間させることによっても、第１半導体領域から終端領域に注入されるキャリアの量を素子形成領域の中央部に比較して低減できる。
或いは、第２半導体領域が、半導体基板の表層において、第１半導体領域の周囲をループ状に囲んでいるとともに第１半導体領域の外縁に接している半導体装置の場合、第１半導体領域が、深さが一定の平坦底領域と、平坦底領域の外縁から第２半導体領域との境界に向かって深さが徐々に浅くなる辺縁領域を有することによっても、第１半導体領域から終端領域へ注入されるキャリアの量を素子形成領域の中央部に比較して抑制することができる。この半導体装置は、第２半導体領域のループに内接する辺縁領域以外では、一様な深さの平坦底領域を有しているため、順方向の電圧が印加されたときに多くの電流を流すことができる。辺縁領域では第１半導体領域の深さが浅いので、順方向の電圧が印加されたときに終端領域の半導体基板へ注入されるキャリアの量を、素子形成領域の中央部に比較して少なくすることができる。順方向の電圧が印加されたときに流すことのできる電流の大きさに比較してリカバリ電流の大きさを抑制した半導体装置を実現できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体装置は、高耐圧性能を確保するとともに、終端領域の半導体基板へ注入されるキャリアの量を抑制し、終端領域と素子形成領域の境界でリカバリ電流が集中することを防止する半導体装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（１）  第１半導体領域群は、第２半導体領域とともに中心を略同一にするループ状に形成されている。ループに交差する断面において、第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間隔が、第１半導体領域同士の間隔よりも広くなっている。素子形成領域と終端領域の境界の全周に亘って、リカバリ電流を抑制することができる。
（２）  第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間隔内に、第１半導体領域群よりも深さが浅い第２導電型の第３半導体領域と、第１半導体領域群よりも不純物濃度が低い第２導電型の第４半導体領域と、第１半導体領域群よりも浅くかつ不純物濃度が低い第２導電型の第５半導体領域のいずれかが形成されている。このとき、第２半導体領域とこれに隣接する第１半導体領域の間に形成されている半導体領域（第３乃至第５半導体領域）とこれに隣接する半導体領域との間隔が、第１半導体領域同士の間隔よりも広い。
【実施例】
【００２０】
（第１実施例）
図面を参照して、実施例に係る半導体装置を説明する。第１実施例の半導体装置は、ダイオード１００である。図１に、ダイオード１００の模式的平面図を示す。図２に、図１のII−II線に沿った模式的部分断面図を示す。ダイオード１００は、ｎ型の半導体基板２に形成されている。半導体基板２の表層に、ｐ＋型の第１半導体領域群４（第１半導体領域４ａ、４ｂ、及び４ｃ）が形成されている。また半導体基板２の表層には、第１半導体領域群４の周囲を一巡してループ状に伸びているｐ＋型の第２半導体領域６が形成されている。
半導体基板２の両面に一対の主電極８、１２が配置されている。半導体基板２の表層側（第１半導体領域群４が形成されている側）の主電極がアノード電極（第１主電極）８であり、半導体基板２の裏面側の主電極がカソード電極（第２主電極）１２である。なお、図１では、図面を見易くするために、アノード電極８の図示を省略している。
【００２１】
図示１０は、ｎ型の半導体基板２が加工されないで残っている領域であり、第１半導体領域群４との間、及び第２半導体領域６との間でｐｎ接合を構成する。ｎ型半導体領域１０の不純物濃度が低い場合には、カソード電極１２と接する範囲にｎ型不純物を高濃度に含む領域を用意することがある。
【００２２】
複数の第１半導体領域４（４ａ、４ｂ、４ｃ）は、中心を略同一にするループ状に形成されており、隣接する第１半導体領域同士の間隔は距離Ｗ１である。即ち、第１半導体領域群４は、規則的な間隔を隔てて（距離Ｗ１の等間隔で）繰り返し形成されている。なお、図１では、図面を見易くするために、外側の３つの第１半導体領域４ａ、４ｂ、４ｃのみを図示している。第１半導体領域４ｃの内側にも、距離Ｗ１で等間隔に多数の第１半導体領域が形成されているが、それらは図示を省略している。
第２半導体領域６が形成するループの内縁６ａからループの内側の領域が素子形成領域であり、ループの内縁６ａから外側の領域が終端領域である。
【００２３】
アノード電極８は、第１半導体領域群４の表面に接触している。また、アノード電極８は、第２半導体領域６のループの外縁６ｂよりも内側の範囲で第２半導体領域６の表面に接触している。アノード電極８に接触している第２半導体領域６は、第１半導体領域４と同電位に維持されるので、素子形成領域と終端領域の境界付近で空乏層の曲率を緩やかにして高耐圧を確保する作用を奏する。すなわち、ダイオード１００は、アノード電極（主電極）８に接触しているループ状の第２半導体領域６を有することによって、高耐圧性能を確保している。
【００２４】
このダイオード１００は、順方向の電圧（アノード電極８の電位がカソード電極１２の電位よりも高い電圧）を印加すると、アノード電極８からかカソード電極１２に向かって電流が流れ、逆方向の電圧を印加すると電流は流れない。但し、印加する電圧が順方向から逆方向に切り替わるときには一時的にカソード電極１２からアノード電極８へリカバリ電流が流れる。前述したように、リカバリ電流は、主として、順方向の電圧が印加されたときに第１半導体領域４や第２半導体領域６から終端領域に位置する半導体基板２に注入されたキャリアが、電圧が逆方向に切り替わるときに第２半導体領域６へ逆流することによって発生する。
【００２５】
ダイオード１００は、以下の特徴を有する。
隣接する第１半導体領域４同士の間隔は距離Ｗ１であるが、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域４ａの間隔は距離Ｗ２である。ここで、距離Ｗ２は、距離Ｗ１よりも大きい。即ち、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域４ａとの間隔が、隣接する第１半導体領域同士（例えば第１半導体領域４ｃとこれに隣接する第１半導体領域４ｂ）の間隔よりも広い。
また、距離Ｗ２は、半導体基板２における少数キャリア（本実施例の場合は、ｎ型の半導体層１０における少数キャリアは正孔である）の拡散長Ｌｐよりも小さい。なお、拡散長Ｌｐは、半導体基板２における少数キャリアの拡散係数Ｄとライフタイムτによって、次の式（１）で与えられる。
Ｌｐ＝√（Ｄ×τ）      ・・・（１）
【００２６】
このダイオード１００は、上記の特徴によって、次の効果を奏する。
ダイオード１００に順方向の電圧が印加されると、第１半導体領域群４及び第２半導体領域６から半導体基板２へキャリア（正孔）が注入される。キャリアの注入によって、アノード電極８からカソード電極１２へ電流が流れる。キャリアは、半導体基板２の終端領域にも注入される。ここで、素子形成領域では、第１半導体領域群４が距離Ｗ１の間隔で形成されている。一方、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域４ａの間隔は距離Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）である。素子形成領域の半導体基板２へ注入されるキャリアの量に比べて、終端領域の半導体基板２へ注入されるキャリアの量は少なくなる。従って、主電極８、１２の間に順方向の電圧が印加されたときに流れる電流の大記載に比較して、印加される電圧が順方向から逆方向に切り替わったときに、終端領域に注入されていたキャリアが第２半導体領域６に戻ることによって流れるリカバリ電流を抑制することができる。すなわち、ダイオード１００は、順方向の電圧が印加されたときに流すことのできる電流の大きさに比較して、終端領域と素子形成領域の境界で集中するリカバリ電流を抑制することができる。
また、ダイオード１００では、アノード電極８の外縁８ａから、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂまでの距離を大きくすることなく、リカバリ電流を抑制することができる。すなわち、ダイオード１００は、半導体基板２の面積を有効に活用しながら（基板の面積に比較して広い素子形成領域を確保できる）、リカバリ電流を抑制することができる。
【００２７】
また、ダイオード１００では、第２半導体領域６とアノード電極８（主電極）が接触している部分の幅Ｌ２が、第１半導体領域４の幅Ｌ１よりも狭い。従って、図２の断面でみたときに、第２半導体領域６から半導体基板２へ注入されるキャリアの量は、ひとつの第１半導体領域（例えば第１半導体領域４ａ）から半導体基板２へ注入されるキャリアの量よりも少ない。この点も、素子形成領域の半導体基板２に注入されるキャリアの量と比較して、終端領域の半導体基板２へ注入されるキャリアの量を低減すること（即ち、リカバリ電流を抑制すること）に寄与する。
【００２８】
（第２実施例）
次に第２実施例のダイオード２００（半導体装置）について説明する。図３は、ダイオード２００の模式的部分断面図である。なお、図３が示す断面は、図２の断面に相当する。第２実施例のダイオード２００において、第１実施例のダイオード１００と同じ部品には同じ符号を付している。
ダイオード２００は、ダイオード１００と同様に、ｎ型の半導体基板２に形成されている。ダイオード２００はまた、半導体基板２の表層に、ｐ＋型の第１半導体領域群４（第１半導体領域４ａ、４ｂ、及び４ｃ）と、第１半導体領域群４の周囲を一巡してループ状に伸びているｐ＋型の第２半導体領域６が形成されている。半導体基板２の両面に一対の主電極８、１２が配置されている。
ダイオード２００は、第２半導体領域６と、これに隣接する第１半導体領域４ａの間にｐ＋型の第３半導体領域２０が形成されている点が第１実施例のダイオード１００と異なる。その他の点は第１実施例のダイオード１００と同じである。
【００２９】
第３半導体領域２０は、ｐ＋型の不純物の濃度は第１半導体領域群４と同じであるが、その深さが第１半導体領域群４の深さよりも浅い。従って、順方向の電圧が印加されたときに第３半導体領域２０から半導体基板２へ注入されるキャリアの量は、第１半導体領域群４の個々の半導体領域から半導体基板２へ注入されるキャリアの量よりも少ない。また、最外周の第１半導体領域４ａと第３半導体領域２０との間隔Ｗ３、及び、第３半導体領域２０と第２半導体領域６との間隔Ｗ４は、いずれも、隣接する第１半導体領域同士の間隔Ｗ１以上である（本実施例では、Ｗ３とＷ４は、Ｗ１にほぼ等しい）。従って、素子形成領域の中央部における半導体基板２への単位体積当たりのキャリア注入量に比べて、素子形成領域の周辺部における半導体基板２への単位体積当たりのキャリア注入量は小さい。従って、ダイオード２００は、第１半導体領域群４と第２半導体領域６が等間隔に形成されているダイオードよりも、終端領域へ注入されるキャリアの量を低減できる。即ち、リカバリ電流を抑制できる。
ダイオード２００では、アノード電極８の外縁８ａから、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂまでの距離を大きくすることなく、リカバリ電流を抑制することができる。その上、最外周の第１半導体領域４ａと第２半導体領域６の間に形成された第３半導体領域２０によって、順方向の電圧が印加されたときに主電極間に流れる電流の大きさを大きくすることができる。即ち、順方向の電圧が印加されたときに流すことができる電流の大きさに比較してリカバリ電流を小さくすることができる。このことはまた、ダイオード２００が、半導体基板２の面積を有効に活用しながら、リカバリ電流を抑制できることを意味する。
なお、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域４ａの間に、第１半導体領域４の深さよりも浅い第３半導体領域２０を形成するかわりに、ｐ型の不純物の濃度（第２導電型の不純物の濃度）が第１半導体領域群４よりも低い第４の半導体領域を形成してもよい。或いは、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域４ａの間に、第１半導体領域４の深さよりも浅く、かつ、ｐ型の不純物の濃度（第２導電型の不純物の濃度）が第１半導体領域群よりも低いｐ型の第５の半導体層を形成してもよい。いずれの場合も、第２実施例のダイオード２００と同じ効果を得ることができる。
【００３０】
（第３実施例）
次に、第３実施例の半導体装置について説明する。本実施例の半導体装置は、ダイオード３００である。
図４に、ダイオード３００の模式的部分断面図を示す。なお、図４が示す断面は、図２の断面に相当する。第３実施例のダイオード３００において、第１実施例のダイオード１００と同じ部品には同じ符号を付している。
【００３１】
ダイオード３００は、ダイオード１００と同様に、ｎ型の半導体基板２に形成されている。ダイオード３００はまた、半導体基板２の表層に、ｐ＋型の第１半導体領域群３０４と、第１半導体領域群３０４の周囲を一巡してループ状に伸びているｐ＋型の第２半導体領域６が形成されている。半導体基板２の両面に一対の主電極８、１２が配置されている。なお、図４には、５つの第１半導体領域３０４ａ、３０４ｂ、３０４ｃ、３０４ｄ、３０４ｅのみを示しているが、第１半導体領域３０４ｅよりも内側にさらに別の第１半導体領域が形成されている。
【００３２】
ダイオード３００では、第１半導体領域群３０４が、異なる２つの間隔（距離Ｗ５と距離Ｗ６）を交互に有して繰り返し形成されている。なお、第１半導体領域３０４ｅよりも内側でも、第１半導体領域群が、異なる２つの間隔（距離Ｗ５と距離Ｗ６）を交互に有して繰り返し形成されている。図４に示すように、第１半導体領域３０４ａとその内側で隣接する第１半導体領域３０４ｂとの間隔、及び、第１半導体領域３０４ｃとその内側で隣接する第１半導体領域３０４ｄとの間隔が距離Ｗ６であり、第１半導体領域３０４ｂとその内側で隣接する第１半導体領域３０４ｃとの間隔、及び、第１半導体領域３０４ｄとその内側で隣接する第１半導体領域３０４ｅとの間隔が距離Ｗ５である。即ち、ダイオード３００では、等間隔ではないが、第１半導体領域群３０４が規則的な間隔で繰り返し形成されている。
【００３３】
隣接する第１半導体領域４同士の間隔は距離Ｗ５又はＷ６であるが、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域３０４ａの間隔は距離Ｗ２である。ここで、距離Ｗ２は、距離Ｗ５よりも大きく、かつ距離Ｗ６よりも大きい。即ち、第２半導体領域６とこれに隣接する第１半導体領域３０４ａとの間隔が、隣接する第１半導体領域同士のいずれの間隔よりも広い。
また、距離Ｗ２は、半導体基板２における少数キャリア（本実施例の場合は、ｎ型の半導体層１０における少数キャリアは正孔である）の拡散長Ｌｐよりも小さい。拡散長Ｌｐは前述した式（１）で与えられる。
本実施例のダイオード３００も、第１実施例のダイオード１００と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
（第４実施例）
次に、第４実施例の半導体装置について説明する。本実施例の半導体装置は、ダイオード４００である。
図５は、ダイオード４００の模式的部分断面図である。なお、図５が示す断面は、図２の断面に相当する。第４実施例のダイオード４００において、第１実施例のダイオード１００と同じ部品には同じ符号を付している。
【００３５】
ダイオード４００は、ダイオード１００と同様に、ｎ型の半導体基板２に形成されている。ダイオード４００はまた、半導体基板２の表層に、ｐ＋型の第１半導体領域群４０４（４０４ａ、４０４ｂ、４０４ｃ）と、第１半導体領域群３０４の周囲を一巡してループ状に伸びているｐ＋型の第２半導体領域６が形成されている。なお、図５には、３つの第１半導体領域４０４ａ、４０４ｂ、４０４ｃのみを示しているが、第１半導体領域４０４ｃよりも内側にさらに別の第１半導体領域が形成されている。第１半導体領域群４０４は、距離Ｗ７の等間隔を隔てて繰り返し形成されている。
また、ダイオード４００には、第２半導体領域６が形成するループの内側であって第１半導体領域群４０４が形成されていない範囲に、規則的な間隔を隔ててｐ＋型の第６半導体領域群４２０（４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃ）が形成されている。なお、図５には、３つの第６半導体領域４２０ａ、４２０ｂ、４２０ｃのみを示しているが、第６半導体領域４２０ｃよりも内側にさらに別の第６半導体領域が形成されている。第６半導体領域群４２０は、個々の第１半導体領域（４０４ａ等）の外側に距離Ｗ８を隔てて規則的に繰り返し形成されている。
【００３６】
半導体基板２の両面に一対の主電極８、１２が配置されている。半導体基板２の表層側（第１半導体領域群４０４が形成されている側）の主電極がアノード電極（第１主電極）８であり、半導体基板２の裏面側の主電極がカソード電極（第２主電極）１２である。
半導体基板２の表層側（第１半導体領域群４０４が形成されている側）に配置されているアノード電極８は、第１半導体領域群４０４の表面に接触しているとともに、第６半導体領域群４２０の表面に接触している。アノード電極８は、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂよりも内側の範囲で第２半導体領域６の表面に接触している。
【００３７】
図５に示されているように、第１半導体領域群４０４の夫々は、幅Ｌ４を有している。第６半導体領域群４２０の夫々は、幅Ｌ５を有している。夫々の第１半導体領域の幅Ｌ４は、第６半導体領域の幅Ｌ５よりも大きい。従って、アノード電極８に接触している第１半導体領域群４０４の合計面積が、アノード電極８に接触している第６半導体領域４２０の合計面積よりも広い。
また、ループを形成している第２半導体領域６と、これに隣接する第１半導体領域４０４ａとの間隔は距離Ｗ２であり、Ｗ２＞Ｗ７（距離Ｗ７は、隣接する第１半導体領域同士の間隔）である。
ダイオード４００は、アノード電極８に接触している第１半導体領域群４０４の合計面積が、アノード電極８に接触している第６半導体領域４２０の合計面積よりも広いため、ダイオードの特性は第１半導体領域群４０４に支配される。従って、第６半導体領域群４２０が存在しても、Ｗ２＞Ｗ７とすることによって、ダイオード４００は第１実施例のダイオード１００と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
（第５実施例）
次に、第５実施例の半導体装置について説明する。本実施例の半導体装置は、ｎ型の半導体基板２に形成されたダイオード５００である。
図６に、ダイオード５００の模式的部分断面図を示す。なお、図６が示す断面は、図２の断面に相当する。本実施例のダイオード５００において、第１実施例のダイオード１００と同じ部品には同じ符号を付している。第１実施例のダイオード１００と同じ部品については説明を省略する。本実施例のダイオード５００は、第１半導体領域４４が一つである点が、第１実施例のダイオード１００と異なる。その他の点は第１実施例のダイオード１００と同じである。
ダイオード５００では、図１に示した第１実施例のダイオード１００と同様に、第２半導体領域６が、ひとつの第１半導体領域４４をループ状に囲んでいる。
ダイオード５００では、第１半導体領域４４と第２半導体領域６が距離Ｗ２を隔てて離間している。ここで、距離Ｗ２は、半導体基板２における少数キャリアの拡散長Ｌｐよりも小さい。
ダイオード５００では、素子形成領域の中央部における半導体基板２への単位体積当たりのキャリア注入量に比べて、素子形成領域の周辺部における半導体基板２への単位体積当たりのキャリア注入量が小さくなる。従って、ダイオード５００は、第２半導体領域６のループの内側に一様な第１半導体領域（深さが一定の第１半導体領域）が形成されているダイオードに比較して、終端領域の半導体基板へ注入されるキャリアの量を低減できる。即ち、リカバリ電流を抑制できる。
また、ダイオード５００では、アノード電極８の外縁８ａから、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂまでの距離を大きくすることなく、リカバリ電流を抑制することができる。すなわち、ダイオード５００は、半導体基板２の面積を有効に活用しながら、リカバリ電流を抑制することができる。
なお、第２実施例のダイオード２００と同様に、第２半導体領域６と、これに隣接する第１半導体領域４４の間に、第１半導体領域４４の深さよりも浅いｐ＋型の別の半導体領域を形成することも好適である。また、第１半導体領域４４の深さよりも浅いｐ＋型の別の半導体領域の代わりに、ｐ型の不純物の濃度（第２導電型の不純物の濃度）が第１半導体領域よりも低い別の半導体領域を形成することも好適である。或いは、第２半導体領域６と、これに隣接する第１半導体領域４４の間に、第１半導体領域４４の深さよりも浅く、かつ、ｐ型の不純物の濃度（第２導電型の不純物の濃度）が第１半導体領域よりも低いさらに別の半導体領域を形成することも好適である。
【００３９】
（第６実施例）
次に、第６実施例の半導体装置について説明する。本実施例の半導体装置は、半導体基板２に形成されたダイオード６００である。図７は、ダイオード６００の模式的部分断面図である。なお、図７が示す断面は、図２の断面に相当する。本実施例のダイオード６００において、第１実施例のダイオード１００と同じ部品には同じ符号を付している。第１実施例のダイオード１００と同じ部品については説明を省略する。本実施例のダイオード６００は、第１半導体領域５４が一つである点が、第１実施例のダイオード１００と異なる。また、第１半導体領域５４の外縁が第２半導体領域６に接している点が第５実施例のダイオード５００と異なる。
ダイオード６００では、図１に示した第１実施例のダイオード１００と同様に、第２半導体領域６が、ひとつの第１半導体領域５４をループ状に囲んでいる。なお、前述したように、第２半導体領域６は、第１半導体領域５４の外縁に接している。
第１半導体領域５４は、深さがｄ１で一定の平坦底領域５４ａと、平坦底領域５４ａの外縁から第２半導体領域６との境界に向かって深さが徐々に浅くなる辺縁領域５４ｂを有している。即ち、第１半導体領域５４が第２半導体領域６に接している境界の深さｄ２が、平坦底領域５４ａの深さｄ１よりも浅くなっている。
ダイオード６００では、素子形成領域の中央部（平坦底領域５４ａ）における半導体基板１０への単位体積当たりのキャリア注入量に比べて、素子形成領域の周辺部（辺縁領域５４ｂ）における半導体基板１０への単位体積当たりのキャリア注入量が小さくなる。従って、ダイオード６００は、第２半導体領域６のループの内側に一様な第１半導体領域（深さが一定の第１半導体領域）が形成されているダイオードに比べて、終端領域へ注入されるキャリアの量を低減できる。即ち、リカバリ電流を抑制できる。
さらにダイオード６００では、アノード電極８の外縁８ａから、第２半導体領域６が形成するループの外縁６ｂまでの距離を大きくすることなく、リカバリ電流を抑制することができる。すなわち、ダイオード６００は、半導体基板２の面積を有効に活用しながら、リカバリ電流を抑制することができる。
【００４０】
（第７実施例）
次に第７実施例について説明する。本実施例の半導体装置は、ひとつの半導体基板に２つのダイオードが形成された半導体装置７００である。図８に、半導体装置７００の模式的平面図を示し、図９に、図８のIX−IX線に沿った模式的断面図を示す。なお、図８、９には、本発明を説明するために必要な部位のみを図示しており、半導体装置７００が備えるべき全ての部品を図示していない。
半導体装置７００には、第１ダイオード７５０（図８、９において半導体基板７０２の左半分）と、第２ダイオード７６０（図８、９において半導体基板７０２の右半分）が形成されている。
【００４１】
半導体装置７００は、ひとつのｎ型の半導体基板７０２に２つのダイオード７５０、７６０が形成されている半導体装置である。まず、ダイオード７５０について説明する。
図８、９において、半導体基板７０２の表層の左側に、ｐ＋型の第１半導体領域群７０４（第１半導体領域７０４ａ、７０４ｂ、７０４ｃ）が形成されている。半導体基板７０２の表層にはまた、第１半導体領域群７０４の周囲を一巡してループ状に伸びているｐ＋型の第２半導体領域７０６が形成されている。なお、後述するように、半導体基板７０２の表層の右側には、ｐ＋型の他の第１半導体領域群７６４（第１半導体領域７６４ａ、７６４ｂ、７６４ｃ）が形成されており、第２半導体領域７０６が、他の第１半導体領域群７６４をループ状に囲んでいる。即ち、第２半導体領域７０６は、第１ダイオード７５０の素子形成領域を囲むループと第２ダイオード７６０の素子形成領域を囲むループの２つのループを備える８字形状を形成している。第１ダイオード７５０の素子形成領域を囲むループを第１ループと称し、第２ダイオード７６０の素子形成領域を囲むループを第２ループと称する。
【００４２】
半導体基板７０２の両面に一対の主電極７０８、７１２が配置されている。半導体基板７０２の表層側（第１半導体領域群７０４が形成されている側）の主電極が第１ダイオード７５０のアノード電極（第１主電極）７０８であり、半導体基板２の裏面側の主電極がカソード電極（第２主電極）７１２である。なお、図１では、図面を見易くするために、アノード電極７０８を破線で描いている。
【００４３】
図示７１０は、ｎ型の半導体基板７０２が加工されないで残っている領域であり、第１半導体領域群７０４との間、及び第２半導体領域７０６との間でｐｎ接合を構成する。ｎ型半導体領域７１０の不純物濃度が低い場合には、カソード電極７１２と接する範囲にｎ型不純物を高濃度に含む領域を用意することがある。
【００４４】
複数の第１半導体領域７０４（７０４ａ、７０４ｂ、７０４ｃ）は、中心を略同一にするループ状に形成されており、隣接する第１半導体領域同士の間隔は距離Ｗ１０である。即ち、第１半導体領域群７０４は、規則的な間隔（距離Ｗ１０の等間隔）を隔てて繰り返し形成されている。なお、第１半導体領域７０４ｃのループの内側にも、距離Ｗ１０で等間隔に多数の第１半導体領域が形成されている。図８では、図面を見易くするために、外側の３つの第１半導体領域７０４ａ、７０４ｂ、７０４ｃのみを図示しており、第１半導体領域７０４ｃより内側の第１半導体領域は図示を省略している。
【００４５】
アノード電極７０８は、第１半導体領域群７０４の表面に接触している。また、アノード電極７０８は、第２半導体領域６の第１ループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域７０６の表面に接触している。アノード電極７０８に接触している第２半導体領域７０６は、第１ダイオード７５０の素子形成領域と終端領域の境界付近で空乏層の曲率を緩やかにする作用を奏する。
【００４６】
隣接する第１半導体領域７０４同士の間隔は距離Ｗ１０であるが、第２半導体領域７０６とこれに隣接する第１半導体領域７０４ａの間隔は距離Ｗ１２である。ここで、距離Ｗ１２は、距離Ｗ１０よりも大きい。即ち、第２半導体領域７０６とこれに隣接する第１半導体領域７０４ａとの間隔が、隣接する第１半導体領域同士（例えば第１半導体領域７０４ｃとこれに隣接する第１半導体領域７０４ｂ）の間隔よりも広い。
また、距離Ｗ１２は、半導体基板７０２における少数キャリア（本実施例の場合は、ｎ型の半導体基板７０２における少数キャリアは正孔である）の拡散長Ｌｐよりも小さい。なお、拡散長Ｌｐは、半導体基板７０２における少数キャリアの拡散係数Ｄとライフタイムτによって、前述した式（１）で与えられる。
【００４７】
次に、第２ダイオード７６０について説明する。
前述したように、図８、９において、半導体基板７０２の表層の右側に、ｐ＋型の他の第１半導体領域群７６４（第１半導体領域７６４ａ、７６４ｂ、７６４ｃ）が形成されている。前述したように、第２半導体領域７０６が、他の第１半導体領域群７６４をループ状に囲んでいる（第２ループ）。
【００４８】
半導体基板７０２の両面に一対の主電極７６８、７１２が配置されている。半導体基板７０２の表層側（他の第１半導体領域群７６４が形成されている側）の主電極が第２ダイオード７６０のアノード電極（第１主電極）７６８であり、半導体基板２の裏面側の主電極がカソード電極（第２主電極）７１２である。なお、図８では、図面を見易くするために、第２ダイオード７６０のアノード電極７６８を破線で描いている。カソード電極７１２は、第１ダイオード７５０と第２ダイオード７６０に共通である。
【００４９】
他の第１半導体領域群７６４（７６４ａ、７６４ｂ、７６４ｃ）は、中心を略同一にするループ状に形成されており、隣接する第１半導体領域同士の間隔は距離Ｗ２０である。即ち、他の第１半導体領域群７６４は、規則的な間隔（距離Ｗ２０の等間隔）を隔てて繰り返し形成されている。なお、他の第１半導体領域７６４ｃのループの内側にも、距離Ｗ２０で等間隔に多数の第１半導体領域が形成されている。図８では、図面を見易くするために、外側の３つの第１半導体領域７６４ａ、７６４ｂ、７６４ｃのみを図示しており、第１半導体領域７６４ｃより内側の第１半導体領域は図示を省略している。
【００５０】
第２ダイオード７６０のアノード電極７６８は、他の第１半導体領域群７６４の表面に接触している。また、アノード電極７６８は、第２半導体領域６の第２ループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域７０６の表面に接触している。アノード電極７６８に接触している第２半導体領域７０６は、第２ダイオード７５０の素子形成領域と終端領域の境界付近で空乏層の曲率を緩やかにする作用を奏する。
【００５１】
隣接する第１半導体領域７６４同士の間隔は距離Ｗ２０であるが、第２半導体領域７０６とこれに隣接する第１半導体領域７６４ａの間隔は距離Ｗ２２である。ここで、距離Ｗ２２は、距離Ｗ２０よりも大きい。即ち、第２半導体領域７０６とこれに隣接する第１半導体領域７６４ａとの間隔が、隣接する第１半導体領域同士（例えば第１半導体領域７６４ｃとこれに隣接する第１半導体領域７６４ｂ）の間隔よりも広い。
また、距離Ｗ２２は、半導体基板７０２における少数キャリアの拡散長Ｌｐよりも小さい。
【００５２】
本実施例の半導体装置７００は、ひとつの半導体基板７０２に、第１実施例のダイオード１００を２つ連続して形成したものである。従って、半導体装置７００は、第１実施例のダイオード１００と同様の効果を奏することができる。
【００５３】
（第８実施例）
次に、第８実施例について説明する。本発明は、第２半導体領域のループが囲む素子形成領域であって規則的な間隔で繰り返し形成されている第２導電型の第１半導体領域群が形成されていない領域に第２導電型の不純物の濃度が第１半導体領域よりも低い第９半導体領域が形成されていてもよい。そのような半導体装置の例として図１０に、第９半導体領域が形成されたダイオード１１０の断面図を示す（第８実施例）。図１０のダイオード１１０は、図１、２に示したダイオード１００に第９半導体領域１１２が形成されたものである。別言すれば、ダイオード１１０は、第９半導体領域１１２以外は図１、２のダイオード１００と同じ構成を備えている。図１０は、図２の断面図に対応している。
ダイオード１１０は、ｐ＋型の第１半導体領域群４（第１半導体領域４ａ、４ｂ、及び４ｃ）と、第１半導体領域群４の周囲を一巡してループ状に伸びているｐ＋型の第２半導体領域６と、第２半導体領域６のループの内側であって第１半導体領域群４が形成されていない領域に、第９半導体領域１１２が半導体基板２の表層に形成されている。第９半導体領域１１２は、ｐ型の不純物の濃度が第１半導体領域群４の濃度よりも低いｐ−型の半導体領域である。ダイオード１１０のように第９半導体領域が形成されていても、半導体基板２の表層側に配置されている主電極８（アノード電極）が、第１半導体領域群４の表面に接触しているとともに、第２半導体領域６が形成するループの外縁よりも内側の範囲で第２半導体領域６の表面に接触しており、第２半導体領域６に隣接する第１半導体領域４ａと第２半導体領域６の間隔が第１半導体領域同士の間隔よりも広ければ、図１のダイオード１００と同じ効果を得ることができる。
【００５４】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、第２半導体領域のループの外側に、ガードリングが形成されていてもよい。あるいは、第２半導体領域６は、いわゆるリサーフ構造を有していても良い。
また、第２半導体領域が形成するループは、完全な閉ループでなくともよく、一部に数ミクロン程度の欠落部分が形成されているループであってもよい。数ミクロン程度の欠落であれば、ループに沿って実質的に一様な空乏層を形成することができるからである。
【００５５】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施例の半導体装置の模式的平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿った模式的部分断面図である。
【図３】第２実施例の半導体装置の模式的部分断面図である。
【図４】第３実施例の半導体装置の模式的部分断面図である。
【図５】第４実施例の半導体装置の模式的部分断面図である。
【図６】第５実施例の半導体装置の模式的部分断面図である。
【図７】第６実施例の半導体装置の模式的部分断面図である。
【図８】第７実施例の半導体装置の模式的平面図である。
【図９】図８のIX−IX線に沿った模式的部分断面図である。
【図１０】第８実施例の半導体装置の模式的部分断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
２：半導体基板
４：第１半導体領域
６：第２半導体領域
８：アノード電極（第１の主電極）
１２：カソード電極（第２の主電極）
１００、１１０、２００、３００、４００、５００、６００：ダイオード（半導体装置）
７００：半導体装置
【図１】
2009032734.tif 000003
【図２】
2009032734.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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