(57)【要約】【課題】より工数を少なく、安価に製造することが可能な電気回路素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１１上にインダクタ及びキャパシタを備え、インダクタは、基板１１上に設けられた第１の絶縁層１２と、第１の絶縁層１２上に設けられた第１の配線層２２と、第１の配線層２２を覆い第１の絶縁層１２上に設けられた樹脂層からなる第２の絶縁層１４と、第２の絶縁層１４上に設けられ第１の配線層２２と導通する第２の配線層からなる渦巻き状のコイル２３とから構成され、キャパシタ２４は、第１の絶縁層１２上に形成された第３の配線層２４ａと、第２の絶縁層１４上に形成された第４の配線層２４ｂとが、第２の絶縁層１４を介して対向する位置に配置されることにより構成され、インダクタの渦巻き状のコイル２３と、キャパシタ２４を構成する第３の配線層２４ａまたは第４の配線層２４ｂのいずれかとが、電気的に接続されている。【選択図】図１
2009043835.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にインダクタ及びキャパシタを備えた電気回路素子であって、
前記インダクタは、前記基板上に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられた第１の配線層と、前記第１の配線層を覆い前記第１の絶縁層上に設けられた樹脂層からなる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に設けられ前記第１の配線層と導通する第２の配線層からなる渦巻き状のコイルとから構成され、
前記キャパシタは、前記第１の絶縁層上に形成された第３の配線層と、前記第２の絶縁層上に形成された第４の配線層とが、前記第２の絶縁層を介して対向する位置に配置されることにより構成され、
前記インダクタの渦巻き状のコイルと、前記キャパシタを構成する第３の配線層または第４の配線層のいずれかとが、電気的に接続されていることを特徴とする電気回路素子。
【請求項２】
前記第２の絶縁層の上に、前記第２の配線層及び第４の配線層を覆う樹脂層からなる第３の絶縁層が設けられ、前記第３の絶縁層の上に、多層の配線層及び樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気回路素子。
【請求項３】
前記第２の絶縁層の上に、前記第２の配線層及び第４の配線層を覆う樹脂層からなる第３の絶縁層が設けられ、前記第３の絶縁層の上に、金属層または保護層で覆われた金属層が１層以上設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気回路素子。
【請求項４】
前記基板上にシールド層が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電気回路素子。
【請求項５】
前記インダクタ及びキャパシタを構成する各配線層が、光沢めっきで形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電気回路素子。
【請求項６】
基板上に第１の絶縁層を設ける工程と、
前記第１の絶縁層上に、インダクタの下部配線となる第１の配線層及びキャパシタの下部電極となる第３の配線層を設ける工程と、
前記第１の配線層及び第３の配線層の一部を露呈するように、前記第１の配線層及び第３の配線層を覆う樹脂層からなる第２の絶縁層を、前記第１の絶縁層上に設ける工程と、
前記第２の絶縁層上に、前記第１の配線層と導通する第２の配線層からなる渦巻き状のコイルを設け、前記第１の配線層との導通によりインダクタを構成する工程と、
前記第２の絶縁層上に、前記第２の絶縁層を介して前記第３の配線層と対向する位置に配置されたキャパシタの上部電極となる第４の配線層を設けてキャパシタを構成する工程と、
前記インダクタの渦巻き状のコイルと、前記キャパシタを構成する第３の配線層または第４の配線層のいずれかとを、電気的に接続する工程を有することを特徴とする電気回路素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波用集積回路に利用することが可能な、ウエハレベルパッケージ技術を応用したＬＣ素子内蔵装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上にインダクタとキャパシタ（コンデンサ）を有するＬＣ素子内蔵装置としては、例えば非特許文献１や特許文献１に記載されたものがある。また、高周波用途の集積化受動素子で使用されるＭＩＭキャパシタ（ＭＩＭ：金属／誘電体／金属）は、下部電極（金属）、上部電極（金属）とそれらの間に配される誘電体層からなる。ＭＩＭキャパシタを用いる技術は、（１）ウエハレベルＣＳＰ技術に属するものと、（２）高周波ＩＣ回路技術に属するものとの、大きくは二つに分類される。ウエハレベルＣＳＰ技術に属するものとしては、特許文献２〜４が挙げられる。また、高周波ＩＣ回路技術に属するものとしては、特許文献５，６が挙げられる。
【非特許文献１】カイ・ゾシュケ（Ｋａｉ  Ｚｏｓｃｈｋｅ）ら、“Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｐａｓｓｉｖｅｓ  ―  Ｓｉｎｇｌｅ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ，  Ｆｉｌｔｅｒｓ，  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｄｅｖｅｉｃｅｓ”、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ２００４  Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ５４ｔｈ、２００４年６月、第１巻、ｐ．２９４−３０１
【特許文献１】特開平１０−６５４７６号公報
【特許文献２】特開２００５−１０８９２９号公報
【特許文献３】特開２００２−５７２９１号公報
【特許文献４】特開２０００−２３５９７９号公報
【特許文献５】特開２００２−６４３４５号公報
【特許文献６】特開２００１−２６７３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献６の図２に示されるとおり、同文献記載のＬＣ素子内蔵半導体装置には、キャパシタが内蔵されている（図２（ａ）参照）。このキャパシタは、下から半導体基板、層間絶縁膜、Ｃｕ埋め込み配線、ＴａＮ電極、Ｔａ２Ｏ５膜、ＴａＮ電極、層間絶縁膜という構成になっている。また、同文献記載のＬＣ素子内蔵半導体装置には、インダクタが記載されている（図２（ｂ）参照）。図２（ａ）に示すキャパシタの上に、さらにＣｕ埋め込み配線、層間絶縁膜、Ｃｕ埋め込みリード線を設けることで、インダクタを内蔵した半導体装置が完成する。また、特許文献６の図２において符号３で示される金属膜はシールド層となっており、下部にあるデバイスとの磁気的な結合を遮断する目的で設けられたものである。特許文献６の図２に示された構成の半導体装置を製造する技術はいわゆる多層配線技術に属するものであり、多層化を実現するための平坦性に優れたダマシン配線と呼ばれる金属埋め込み多層配線が要素技術となっている。特許文献６の段落０００６以降に製造プロセスに関する記載があるが、完成までには非常に多くの工程を有し、製造の難易度が高い分野と言うことができる。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、より工数を少なく、安価に製造することが可能な電気回路素子およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、本発明は、基板上にインダクタ及びキャパシタを備えた電気回路素子であって、前記インダクタは、前記基板上に設けられた第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられた第１の配線層と、前記第１の配線層を覆い前記第１の絶縁層上に設けられた樹脂層からなる第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に設けられ前記第１の配線層と導通する第２の配線層からなる渦巻き状のコイルとから構成され、前記キャパシタは、前記第１の絶縁層上に形成された第３の配線層と、前記第２の絶縁層上に形成された第４の配線層とが、前記第２の絶縁層を介して対向する位置に配置されることにより構成され、前記インダクタの渦巻き状のコイルと、前記キャパシタを構成する第３の配線層または第４の配線層のいずれかとが、電気的に接続されていることを特徴とする電気回路素子を提供する。
【０００６】
本発明の電気回路素子においては、前記第２の絶縁層の上に、前記第２の配線層及び第４の配線層を覆う樹脂層からなる第３の絶縁層が設けられ、前記第３の絶縁層の上に、多層の配線層及び樹脂層が設けられていることが好ましい。
前記第２の絶縁層の上に、前記第２の配線層及び第４の配線層を覆う樹脂層からなる第３の絶縁層が設けられ、前記第３の絶縁層の上に、金属層または保護層で覆われた金属層が１層以上設けられていることが好ましい。
前記基板上にシールド層が設けられていることが好ましい。
前記インダクタ及びキャパシタを構成する各配線層が、光沢めっきで形成されていることが好ましい。
【０００７】
また、本発明は、基板上に第１の絶縁層を設ける工程と、前記第１の絶縁層上に、インダクタの下部配線となる第１の配線層及びキャパシタの下部電極となる第３の配線層を設ける工程と、前記第１の配線層及び第３の配線層の一部を露呈するように、前記第１の配線層及び第３の配線層を覆う樹脂層からなる第２の絶縁層を、前記第１の絶縁層上に設ける工程と、前記第２の絶縁層上に、前記第１の配線層と導通する第２の配線層からなる渦巻き状のコイルを設け、前記第１の配線層との導通によりインダクタを構成する工程と、前記第２の絶縁層上に、前記第２の絶縁層を介して前記第３の配線層と対向する位置に配置されたキャパシタの上部電極となる第４の配線層を設けてキャパシタを構成する工程と、前記インダクタの渦巻き状のコイルと、前記キャパシタを構成する第３の配線層または第４の配線層のいずれかとを、電気的に接続する工程を有することを特徴とする電気回路素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第１の絶縁層上に設けられた配線層と、第２の絶縁層上に設けられた配線層とにより、インダクタ及びキャパシタを構成して内蔵することができるので、より少ない工数で作製でき、製造コストの削減と、歩留まりや信頼性の向上を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の第１形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図であり、図２は、図１に示す電気回路素子の配線層の部分を示す平面図であり、図３は、図１に示す電気回路素子の配線層の部分を示す斜視図である。
【００１０】
第１形態例に係る電気回路素子は、基板１１上にインダクタ及びキャパシタを備えた電気回路素子であって、インダクタは、基板１１上に設けられた第１の絶縁層１２と、第１の絶縁層１２上に設けられた第１の配線層２２と、第１の配線層２２を覆い第１の絶縁層１２上に設けられた樹脂層からなる第２の絶縁層１４と、第２の絶縁層１４上に設けられ前記第１の配線層２２と導通する第２の配線層からなる渦巻き状のコイル２３とから構成され、キャパシタ２４は、第１の絶縁層１２上に形成された第３の配線層２４ａと、第２の絶縁層１４上に形成された第４の配線層２４ｂとが、第２の絶縁層１４を介して対向する位置に配置されることにより構成され、インダクタの渦巻き状のコイル２３と、キャパシタ２４を構成する第３の配線層２４ａまたは第４の配線層２４ｂのいずれかとが、電気的に接続されているものである。
【００１１】
図１の場合、基板１１の片面にはパッシベーション膜などの保護膜１１ａが設けられ、第１の絶縁層１２は、保護膜１１ａの上に設けられている。また、図１に示す電気回路素子は、第２の配線層２３及び第４の配線層２４ｂを覆い第２の絶縁層１４上に設けられた
第３の絶縁層１６を有しており、この第３の絶縁層１６により、インダクタ及びキャパシタが封止されている。
【００１２】
第１の配線層２２と第３の配線層２４ａは、いずれも第１の絶縁層１２の上に設けられた第１の導体層１３として形成されており、この第１の導体層１３は、第１の絶縁層１２と第２の絶縁層１４との間に配置されている。また、第２の配線層２３と第４の配線層２４ｂは、いずれも第２の絶縁層１４の上に設けられた第２の導体層１５として形成されており、この第２の導体層１５は、第２の絶縁層１４と第３の絶縁層１６との間に配置されている。本形態例の場合、第２の導体層１５は、さらに、第１のパッド２１及び第２のパッド２５を有しているが、これらのパッド２１，２５は、本発明において特に必須のものではなく、省略しても良い。
【００１３】
第１の導体層１３と第２の導体層１５とは、図１〜図３に示すように、第２の絶縁層１４を貫通するビア部２６，２７，２８によって層間導通されている。第１のビア部２６は、第２の絶縁層１４の上に設けられた第１のパッド２１と、インダクタの下部配線となる第１の配線層２２との間を電気的に接続している。第２のビア部２７は、インダクタの下部配線となる第１の配線層２２と、渦巻き状のコイル２３との間を電気的に接続している。第３のビア部２８は、渦巻き状のコイル２３と、キャパシタ２４の下部電極となる第３の配線層２４ａとの間を電気的に接続している。キャパシタ２４は、第３の配線層２４ａを下部電極とし、第４の配線層２４ｂを上部電極とし、第２の絶縁層１４の両電極２４ａ，２４ｂ同士の間にある部分を誘電体層としてＭＩＭキャパシタを構成している。第４の配線層２４ｂは、第２の絶縁層１４の上に設けられた第２のパッド２５と導通している。このような構成により、本形態例に係る電気回路素子は、第１のパッド２１と第２のパッド２５との間で、インダクタとキャパシタが直列接続された電気回路素子として機能する。
【００１４】
これらの配線層を構成する配線材料としては、主として銅（Ｃｕ）が挙げられるが、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等、他の金属材料であっても良い。絶縁層１２，１４，１６は、樹脂層から構成することができ、具体例としては感光性のポリイミドやエポキシ系樹脂等が挙げられる。基板１１としては、ＩＣを有する半導体基板、ＩＣを有しない半導体基板、ガラス基板、セラミック基板等が挙げられる。基板１１の表面の保護層（例えば半導体基板における酸化膜）は、あっても無くても良い。
【００１５】
このような電気回路素子によれば、インダクタとキャパシタをそれぞれ上下２層の配線層から構成し、かつ同じ層に内蔵することができる。また、キャパシタの上下の電極をインダクタ配線と同じ材料から構成することができ、キャパシタの電極間の誘電材料を、配線層間の樹脂層と同じ材料から構成することができる。このため、構造が単純となり、工数を削減して低コストにて製造することが可能になる。
【００１６】
本発明の電気回路素子は、インダクタとキャパシタが同じ基板上に設けられているので、例えば無線通信における高周波フィルタや増幅器等、各種能動素子へのマッチング用途、発振器へのＬＣフィルタ、ＬＣタンク、共振器等として利用することが可能である。
【００１７】
第１形態例に係る電気回路素子は、例えば以下の手順によって作製することができる。
まず、基板１１上に第１の絶縁層１２を設けた後、第１の絶縁層１２上に、インダクタの下部配線となる第１の配線層２２及びキャパシタ２４の下部電極となる第３の配線層２４ａを含む第１の導体層１３を設ける。第１の導体層１３を形成する方法としては、第１の絶縁層１２上に、第１の導体層１３が設けられる領域が開口したレジストを設けた後、そのレジストの開口に電気めっきなどで第１の導体層１３を設けた後、レジストを剥離する方法が例示できる。
【００１８】
次に、第１の配線層２２及び第３の配線層２４ａの一部（詳しくは、ビア部２６，２７，２８と導通される部分）を露呈するように、第１の配線層２２及び第３の配線層２４ａを覆う第２の絶縁層１４を、第１の絶縁層１２上に設ける。この段階では、ビア部２６，２７，２８が設けられる部分において第２の絶縁層１４に開口部を設けておく。
【００１９】
次に、第２の絶縁層１４上に、渦巻き状のコイル２３及びキャパシタ２４の上部電極となる第４の配線層２４ｂを含む第２の導体層１５を設ける。第２の導体層１５を形成する方法としては、第２の絶縁層１４上に、第２の導体層１５が設けられる領域が開口したレジストを設けた後、そのレジストの開口に電気めっきなどで第２の導体層１５を設けた後、レジストを剥離する方法が例示できる。
【００２０】
第２の導体層１５を形成する際、同じ導電材料を用いてビア部２６，２７，２８を形成することができる。第２のビア部２７の形成により、渦巻き状のコイル２３を第１の配線層２２と導通させることができる。また、第３のビア部２８の形成により、渦巻き状のコイル２３をキャパシタ２４の下部電極となる第３の配線層２４ａと電気的に接続することができる。なお、この例では、渦巻き状のコイル２３がキャパシタ２４の下部電極と導通されているが、渦巻き状のコイル２３をキャパシタ２４の上部電極と導通する構成とすることも可能である。次に、第２の導体層１５を覆い第２の絶縁層１４上に設けられた第３の絶縁層１６を設けることで、図１に示す構造の電気回路素子が完成する。
【００２１】
以上、本発明を好適な実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は上述の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。なお、以下の改変例の説明において、図１〜図３に用いたものと同一の符号は、第１形態例における構成と同一又は対応するものであることを示し、重複する説明を省略する場合がある。
【００２２】
図４は、本発明の第２形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子の場合、基板１１はＩＣ３０を設けた半導体基板であり、第１の絶縁層１２を貫通する第４のビア部２９を介して、キャパシタ２４の下部電極２４ａがＩＣ３０と電気的に接続されているものである。このような電気回路素子によれば、インダクタ及びキャパシタが内蔵された半導体装置を提供することができる。なお、図４では、渦巻き状のコイル２３の外周端をキャパシタ２４の上部電極２４ｂと導通した例を示しているが、これとは逆に、渦巻き状のコイル２３がキャパシタ２４の下部電極と導通する構成とすることも可能である。
【００２３】
図５は、本発明の第３形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子の場合、第２の配線層２３及び第４の配線層２４ｂを覆う樹脂層からなる第３の絶縁層１６が設けられた上に、多層の配線層及び樹脂層が設けられている。具体的には、第３の絶縁層１６の上に設けられた第３の導体層４１と、その上を覆う第４の絶縁層４２と、第４の絶縁層４２の上に設けられた第４の導体層４３と、その上を覆う第５の絶縁層４４と、第５の絶縁層４４の上に設けられた第５の導体層４５と、その上を覆う第６の絶縁層４６とを有し、第１の導体層１３及び第２の導体層１５にインダクタ及びキャパシタが形成されたのと同様に、第３の導体層４１に設けられた下部電極４７ａと第４の導体層４３に設けられた上部電極４７ｂとによりキャパシタ４７が構成され、第４の導体層４３に設けられた渦巻き状のコイル４８及び第５の導体層４５に設けられた上部配線とにより第２のインダクタが構成されたものである。ここで、第２のインダクタの上部配線とは、一端が渦巻き状のコイル４８の内周端に導通されるとともに、他端が渦巻き状のコイル４８の外側に導通されたものである。導体層４１，４３，４５は、電気めっき等によるめっき配線層でも、スパッタ法等による薄膜配線層でも良い。
【００２４】
図６は、本発明の第４形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図であり、図７は、本発明の第５形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図であり、図８は、本発明の第６形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図であり、図９は、本発明の第７形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【００２５】
図６に示す電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成に加えて、第３の絶縁層１６上に、第３の絶縁層１６を介して第４の配線層２４ｂと対向する位置に金属層３１が設けられ、金属層３１及び第４の配線層２４ｂとこれらの間の第３の絶縁層１６とにより、キャパシタが構成されたものである。金属層３１は、スパッタ法によって形成された金属薄膜でも、めっき法によって形成された金属配線でも良い。
【００２６】
図７に示す電気回路素子は、図６に示す電気回路素子の構成に加えて、金属層３１を覆う保護層３２を、第３の絶縁層１６上に設けたものである。保護層３２は、ＣＶＤ、スピンコート塗布、スプレーコート塗布等で形成した絶縁膜（樹脂膜や酸化物膜等）とすることができる。
【００２７】
図８に示す電気回路素子は、図７に示す電気回路素子の構成に加えて、保護層３２の上に、保護層３２を介して金属層３１と対向する位置に金属層３３が設けられ、金属層３１及び金属層３３とこれらの間の保護層３２とにより、キャパシタが構成されたものである。金属層３３は、スパッタ法によって形成された金属薄膜でも、めっき法によって形成された金属配線でも良い。
【００２８】
図９に示す電気回路素子は、図８に示す電気回路素子の構成に加えて、金属層３３を覆う保護層３４を、保護層３２上に設けたものである。保護層３４は、ＣＶＤ、スピンコート塗布、スプレーコート塗布等で形成した絶縁膜（樹脂膜や酸化物膜等）とすることができる。
【００２９】
図６〜図９に示す電気回路素子によれば、第２の配線層２３及び第４の配線層２４ｂを覆う樹脂層からなる第３の絶縁層１６の上に、金属層３１，３３または保護層３２，３４で覆われた金属層３１，３３が１層以上設けられているので、これらの金属層３１，３３を用いてキャパシタをさらに積層することができる。
【００３０】
図１０は、本発明の第８形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図であり、図１１は、本発明の第９形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図であり、図１２は、本発明の第１０形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【００３１】
図１０に示す電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成において、第２のパッド２５の一部が露呈される開口部１６ａを第３の絶縁層１６に設けたものである。このような構成によれば、開口部１６ａを通じてボンディングワイヤを設けたり、部品実装を行ったりすることができる。
【００３２】
図１１に示す電気回路素子は、図１０に示す電気回路素子の構成に加えて、開口部１６ａにバンプ部１７を設けたものである。バンプ部１７としては、例えばスクリーン印刷やボール搭載法などで形成した半田バンプが挙げられることができるが、そのほかスタッドバンプ等でも良い。このような構成によれば、電気回路素子を他の配線板等に実装することができる。
【００３３】
図１２に示す電気回路素子は、図１０に示す電気回路素子の構成に加えて、開口部１６ａに電子部品１８を実装し、導体１８ａを通じて第２のパッド２５と導通したものである。このような構成によれば、同一の基板１１上で電子部品１８をＬＣ素子と電気的に接続することができる。
【００３４】
図１３は、本発明の第１１形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成に加えて、第１の絶縁層１２の下にシールド層３５を設けたものである。これによれば、例えば基板１１がＩＣ（図４の符号３０を参照）を設けた半導体基板であるときに、保護膜１１ａ上にスパッタ法等で金属層を形成してシールド層３５とすることにより、シールド層３５の下部にあるデバイスとの磁気的な結合を遮断することができる。
【００３５】
図１４は、本発明の第１２形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成における第１の導体層１３を、めっき配線層ではなく、スパッタ等による薄膜配線層１３Ａに置き換えたものである。このような構成によれば、基板１１上の構成部分の厚みを低減することができる。なお、図１４には第１の導体層１３を薄膜配線層に置き換えたものを示したが、本発明においては、第２の導体層１５を薄膜配線層に置き換えることもできる。
【００３６】
図１５は、本発明の第１３形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成における第１の導体層１３を、めっき配線層の代わりに、スパッタ等による薄膜配線層１３Ａに置き換えるとともに、樹脂層１２を省略して、保護膜１１ａを第１の絶縁層として用いたものである。第１の絶縁層としての保護膜１１ａ上に、第１の導体層としての薄膜配線層１３Ａを直接形成することにより、基板１１上の構成部分の厚みをさらに低減することができる。
【００３７】
図１６は、本発明の第１４形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成においてキャパシタの誘電材料となる第２の絶縁層１４を、一般的な樹脂層ではなく、他の樹脂層より誘電率の高い誘電体材料からなる層（高誘電体材料層）１４Ａに置き換えたものである。このような構成によれば、キャパシタの電気容量を増加することができる。
【００３８】
図１７は、本発明の第１５形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。この電気回路素子は、図１に示す電気回路素子の構成において、封止樹脂層となる第３の絶縁層１６を省略したものである。このような構成によれば、インダクタの渦巻き状のコイルやキャパシタの上部電極が露呈されているので、評価等のテスト用途で用いるとき簡便に評価を行うことができる。
【００３９】
また、本発明においては、任意のめっき配線層を、光沢めっきで形成することができる。例えば、インダクタ及びキャパシタを構成する各配線層が、光沢めっきで形成されているものとすることにより、導体表面が滑らかで凹凸の小さいものとなり、高周波特性（エネルギーの散逸）を向上させることが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、例えば高周波用集積回路に利用することが可能な、ウエハレベルパッケージ技術を応用したＬＣ素子内蔵装置として、例えばＬＣ共振器、ＬＣフィルタ等に利用することができる。高周波用のアプリケーションとしては、例えば数ＧＨｚ〜数十ＧＨｚ（一例として５〜２０ＧＨｚ）の周波数領域が挙げられ、分野としては、移動体通信、無線ＬＡＮ（ＷＬＡＮ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、高度道路交通システム（ＩＴＳ）におけるノンストップ自動料金支払いシステム（ＥＴＣ）等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の第１形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す電気回路素子の配線層の部分を示す平面図である。
【図３】図１に示す電気回路素子の配線層の部分を示す斜視図である。
【図４】本発明の第２形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の第３形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の第４形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の第５形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の第６形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図９】本発明の第７形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明の第８形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の第９形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明の第１０形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明の第１１形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１４】本発明の第１２形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１５】本発明の第１３形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１６】本発明の第１４形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【図１７】本発明の第１５形態例に係る電気回路素子を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１１…基板、１２…第１の絶縁層、１４…第２の絶縁層、２２…第１の配線層、２３…第２の配線層（渦巻き状のコイル）、２４…キャパシタ、２４ａ…第３の配線層（下部電極）、２４ｂ…第４の配線層（上部電極）、３１，３３…金属層、３２，３４…保護層、３５…シールド層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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