(57)【要約】【課題】支持部とワークテーブルとの間の空間に発生するよどみ領域を解消して、ワークテーブル上を清浄な状態にすることを可能とする。【解決手段】第１室１１と、それに隣接して設けた第２室１２と、両室間を移動可能とするワークテーブル２３と、ワークテーブル２３の移動領域上の両室間の境界に設けられていてワークテーブル２３上の被処理物５０を処理する処理部２５が支持されている支持部２４と、支持部２４の側面もしくは支持部２４の外周部に両室間を仕切る隔壁１３と、第１室１１の天井部に設けられていて該第１室１１内に送風する第１ファンフィルタ１５と、第２室１２の天井部に設けられていて該第２室１２内に送風する第２ファンフィルタ１６とを備え、支持部２４とワークテーブル２３の移動領域との間の空間１４で第１室１１と第２室１２とが連通されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009032756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１室と、
前記第１室に隣接して設けた第２室と、
前記第１室と前記第２室との間を移動可能とするワークテーブルと、
前記ワークテーブルの移動領域上の前記第１室と前記第２室との境界に設けられていて前記ワークテーブル上の被処理物を処理する処理部が支持されている支持部と、
前記支持部の側面もしくは前記支持部の外周部に前記第１室と前記第２室とを仕切る隔壁と、
前記第１室の天井部に設けられていて該第１室内に送風する第１ファンフィルタと、
前記第２室の天井部に設けられていて該第２室内に送風する第２ファンフィルタとを備え、
前記支持部と前記ワークテーブルの移動領域との間の空間で前記第１室と前記第２室とが連通されている
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記第１室内の気圧と前記第２室内の気圧とで気圧差を有し、
前記第１室および第２室のうち少なくとも気圧の低い室に排気部が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記処理部は前記ワークテーブル上に置かれた被処理物にレーザ光を照射するレーザ光照射部を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記第１室内の気圧と前記第２室内の気圧とで気圧差を有するように、前記第１ファンフィルタと前記第２ファンフィルタの送風量が調節される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ファンフィルタを備えた室内に設置される半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザ結晶化技術では、アニール処理により、非晶質シリコン膜を形成した基板にレーザ光を照射して、非晶質シリコン膜を加熱することで多結晶シリコン膜に転換させる。
【０００３】
このとき、レーザ光の照射エネルギーを効率的に利用するために熱変換層が積極的に用いられている。レーザ光の照射時に、基板には瞬時に高熱が与えられるので、基板上にパーテイクルが存在した場合は、熱変換層に照射したレーザ光のエネルギーが吸収される前にパーテイクルがレーザ光の照射エネルギーを吸収することになる。パーテイクルが有機物の場合には、有機物が爆発して周辺に飛び散ることによって、パーテイクルが存在していた場所においてはエネルギーが不足して不十分なアニール処理となる。もしくは、パーテイクル爆発の衝撃によって基板もしくは被処理物が破損して不良品を作ることになる。また飛び散った破片は以降のプロセスにおいて不具合を引き起こす。パーテイクルが無機物の場合にはその部位において選択的に熱変換が行われるため、基板が破損して不良品となる。
【０００４】
パーテイクルが発生する場所は主に装置の可動部である。案内面の摺動部では摩擦によって発生する金属粉、シール部材などの樹脂粉、潤滑油滴がある。駆動部では摩擦によって発生する金属粉、配線の被覆がこすれあうことによって発生する樹脂粉・金属粉がある。可動部と比べると量は少なくなるが固定部においても部材の劣化により金属粉・樹脂粉は発生する。
【０００５】
パーテイクル発生を抑える手段を講じても完全に抑制することはできない。そのため、被処理物の上方には、これらパーテイクル発生源が配置されないように装置を構成する必要がある。例えば被処理物の搬送姿勢を平置きから縦置きに変更すれば、被処理物上にパーテイクルは堆積しない。レーザアニール装置は高い照射位置精度が要求されるためワークを縦置きにして処理する装置構成よりも平置きにして処理する装置構成のほうが実現しやすい。平置きにしてアニール処理を行う場合には被処理物上方からレーザ光を照射する構成とすると精度・コスト・安全などの面から有利である。そのためレーザ光の照射を行うレーザヘッドは被処理物上方に設けた水平方向のカラムに固定する必要がある。レーザヘッドをマルチ化してスループットを向上させることを考えた場合には、レーザヘッドの間隔を調整するために駆動機構や案内をカラムに設ける必要がある。
【０００６】
図７に示した概略構成斜視図によって、従来のレーザアニール装置１０１の一例を説明する。
【０００７】
図７に示すように、定盤２１上にワークテーブル移動装置２２を備え、ワークテーブル移動装置２２には、該ワークテーブル移動装置２２により移動自在となっているワークテーブル２３が設けられている。定盤２１上には支持部２４が設置されており、支持部２４にレーザヘッドを移動する移動部３０を介してレーザ照射部３５が設置されている。ワークテーブル移動装置２２と、上記支持部２４に形成された案内部２９に沿って移動可能な移動部３０によってレーザ照射部３５とワークテーブル２３は相対的に運動が可能になっている。または移動部３０を排除しワークテーブル移動装置２２に同等の機構を備えることで実現してもよい。ワークテーブル２３上には被処理物（ワーク）５０が固定されており、レーザ照射部３５からレーザ光を照射することによりアニール処理が行われる。
【０００８】
また、上記装置構成に制限があり、被処理物５０の上方にパーテイクル発生源を配置しなければならないような装置では、パーティクル発生源を完全に覆う防塵カバーを設け、その防塵カバー内部を排気することにより、被処理物５０上へのパーテイクルの飛散を防止する手段がとられる。
【０００９】
次に、図８に示した概略構成斜視図によって、防塵カバー３２を設けた従来のレーザアニール装置１０３の一例を説明する。
【００１０】
図８に示すように、パーテイクルの飛散を防止する防塵カバー３２を設置する。具体的には支持部２４の梁部２８とともに上記レーザ照射部３５、移動部３０を覆う形状の防塵カバー３２を設置し、防塵カバー３２に設けた排出口３３から排気を行うことで梁部２８に設けた案内部２９にそって上記レーザ照射部３５を移動させる移動部３０から発生するパーテイクルを積極的に排出し、ワークテーブル２３上に載せられている被処理物５０上にパーテイクルが飛散しない構造を実現している。
【００１１】
上記の対応と併用される手段として、図９に示すレーザアニール装置１０５がある。
【００１２】
図９に示すように、レーザアニール装置１０５は、その本体部２０（前記図８に示した半導体製造装置１０３に相当）全体をブース１０内に入れて、ブース１０の天井部に設置した第１、第２ファンフイルタ１５、１６を用いて、ブース１０内部を強制的に換気する構成のものである。この第１、第２ファンフイルタ１５、１６の性能はブース１０内部の容積と換気回数によって決定される。この第１、第２ファンフイルタ１５、１６によって、ブース１０内で発生した粉塵を排気部１７、１８よりブース１０外に積極的に排出する方法がとれる。この場合、ブース１０内部から被処理物５０上にわたって第１、第２ファンフイルタ１５、１６で発生させる層流をできるだけ乱さない装置配置にすることで、被処理物５０上にパーテイクルが堆積することを防止し、万が一、被処理物５０上にパーテイクルが堆積した場合にも被処理物５０上から取り除くことが可能になる。
【００１３】
ブース１０内部で第１、第２ファンフイルタ１５、１６の層流が乱れると、被処理物５０上のパーテイクルを取り除くことが困難になるだけでなく、パーテイクルの巻上が発生し被処理物５０上以外の場所に堆積していたパーテイクルが被処理物５０上に堆積する可能性が発生する。
【００１４】
次に、図１０の半導体製造装置のブース内の本体部を側面図によって示した図面によって、ブース１０の天井部に３台のファンフィルタ１５、１６、１９を設置したレーザアニール装置１０７の一例を説明する。
【００１５】
図１０に示すように、レーザアニール装置１０７は、ブース１０内にその本体部２０（前記図８に示した半導体製造装置１０３に相当）が設置されている。上記本体部２０を構成する定盤２１上に設置された門型の支持部２４を境にして、ブース１０の天井部に２台の同等の吹き出し能力を有する第１、第２ファンフイルタ１５、１６が設置されている。さらに、支持部２４上のブース１０の天井部に上記と同等の吹き出し能力を有する第３ファンフイルタ１９が設置されている。このような構成では、第３ファンフイルタ１９から発生する層流を支持部２４に設けた防塵カバー３２が妨害して、この第３ファンフイルタ１９はほとんど意味を成さなくなる。また、第１、第２、第３ファンフイルタ１５、１６、１９から吹き出された気流は、第１、第２ファンフイルタ１５、１６間および第２、第３ファンフイルタ１６、１９間のブース１０の天井側空間によどみ領域４３、４４を形成する。さらに、定盤２１と支持部２４との間の空間によどみ領域４５を形成する。これは、支持部２４の両側から支持部２４下の空間に入り込む流れが衝突するためである。このよどみ領域４５は、すでに層流ではなく複雑な方向に流れる乱流になるか、パーテイクルをブース１０外に排出するための速度と比べて速度が非常に遅い流れになる。そのためパーテイクルが堆積しやすく、パーティクルの巻上げも発生しやすい。よって、ワークテーブル２３上の空間を清浄に保つことが困難となる。
【００１６】
次に、図１１の半導体製造装置のブース内の本体部を側面図によって示した図面によって、前記説明したレーザアニール装置１０５におけるよどみ領域４１、４２の発生状態について説明する。
【００１７】
図１１に示すように、ブース１０内には、半導体製造装置の本体部２０が設置されていて、その本体部２０を構成する定盤２１上に設置された門型の支持部２４を境にして、ブース１０の天井部に２台の同等の吹き出し能力を有する第１、第２ファンフイルタ１５、１６が設置されている。このような構成では、第１、第２ファンフイルタ１５、１６から吹き出された気流は、大部分は排気部１７、１８より排気されるが、一部は第１、第２ファンフイルタ１５、１６間の支持部２４上の空間によどみ領域４１を生じ、定盤２１と支持部２４に設けた防塵カバー３２との間の空間によどみ領域４２を生じる。特に、上記よどみ領域４２が生じることによって、前記説明したように、支持部２４の下方領域に来たワークテーブル２３上の空間１４の空気の流れが層流でなくなるか、流量が不十分な流れとなるので、その空間１４を清浄に保つことが困難となる。
【００１８】
また、支持部２４にはレーザ照射部３１を精度よく保持するために、十分な剛性を持たせる必要がある。このため支持部２４は大型になるので、パーティクルを飛散させないために支持部２４を囲う範囲(例えば防塵カバー３２の大きさ)も必然的に肥大化し、上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６からの層流を妨害する領域も大きくななるので、第１、第２ファンフイルタ１５、１６の性能を十分に発揮することができなくなっていた。
【００１９】
上記のような問題は、レーザアニール装置にとどまらず、ブース内に半導体製造装置が収納されている露光装置についても、ブース内の天井に例えば２つのファンフィルタが設置され、そのファンフィルタから床側に静浄な空気を流す構成がとられている（例えば、特許文献１参照。）。このような構成では、露光装置によってファンフィルタからの層流を妨害し、ファンフイルタの性能を十分に発揮することができないという上記同様な問題を含んでいる。
【００２０】
【特許文献１】特開平４−２２１１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
解決しようとする問題点は、ブースの天井部に設置されたファンフィルタから送風される気流において、支持部とワークテーブルとの間の空間に発生するよどみ領域を解消することが困難な点である。
【００２２】
本発明は、支持部とワークテーブルとの間の空間に発生するよどみ領域を解消して、ワークテーブル上を清浄な状態にすることを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明は、第１室と、前記第１室に隣接して設けた第２室と、前記第１室と前記第２室との間を移動可能とするワークテーブルと、前記ワークテーブルの移動領域上の前記第１室と前記第２室との境界に設けられていて前記ワークテーブル上の被処理物を処理する処理部が支持されている支持部と、前記支持部の側面もしくは前記支持部の外周部に前記第１室と前記第２室とを仕切る隔壁と、前記第１室の天井部に設けられていて該第１室内に送風する第１ファンフィルタと、前記第２室の天井部に設けられていて該第２室内に送風する第２ファンフィルタとを備え、前記支持部と前記ワークテーブルとの間の空間で前記第１室と前記第２室とが連通されていることを特徴とする。
【００２４】
本発明では、第１室内に送風する第１ファンフィルタと、第２室内に送風する第２ファンフィルタとを備え、隔壁によって支持部の側面もしくは前記支持部の外周部で第１室と第２室とが仕切られていて、支持部とワークテーブルとの間で第１室と第２室とが連通されていることから、第１ファンフィルタからの送風量と第２ファンフィルタからの送風量を調節することで、第１室と第２室との気圧差を生じさせることができる。よって、その気圧差を生じさせることで、ワークテーブルの移動領域上の第１室と第２室とが連通されている空間を層流にすることが可能となる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体製造装置は、ワークテーブルの移動領域上の第１室と第２室とが連通されている空間を層流にすることが可能となるため、ワークテーブル上を清浄な状態にできる。よって、歩留り向上、品質向上が可能になるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の半導体製造装置に係る一実施の形態（第１実施例）を、図１の概略構成を示した部分破断斜視図および図２のブース内の半導体製造装置の本体部を示した側面図によって説明する。図１および図２では、半導体製造装置の一例として、レーザ加工装置（例えばレーザアニール装置）を示し、また図１では、ブース内の状態がわかるようにブース内を透視した状態で示した。
【００２７】
図１および図２に示すように、半導体製造装置１は、ブース１０と、このブース１０内に設置された半導体製造装置の本体部（以下、本体部という）２０とからなる。
【００２８】
上記本体部２０は、定盤２１と、その上部に備えられていてワークテーブルの移動領域となるワークテーブル移動装置２２と、ワークテーブル移動装置２２によって移動させられるワークテーブル２３と、上記定盤２１上でかつ上記ワークテーブル移動装置２２上方に設置された支持部２４と、ワークテーブル移動装置２２上方で上記支持部２４に支持されていて上記ワークテーブル２３上の被処理物５０を処理する処理部２５とを有している。
【００２９】
上記支持部２４の側面には、上記ブース１０を第１室１１と第２室１２とに仕切る隔壁１３が設けられている。そして支持部２４とワークテーブル２３の移動領域との間の空間、具体的には、支持部２４とワークテーブル２３が移動されるワークテーブル移動装置２２との間の空間１４で第１室１１と第２室１２とが連通されている。上記隔壁１３は、例えば上記支持部２４の上記支持部２４の外周部に設けられていてもよい。また支持部２４の側面に上記隔壁１３が設けられるときは、第１室１１側の側面であっても、第２室１２側の側面であってもよい。
【００３０】
上記ワークテーブル移動装置２２は、例えば、第１室１１と第２室１２とを結ぶｘ方向、ｘ−ｙ面内を回転するθ方向に移動可能とする駆動機構（図示せず）が備えられている。この駆動機構は、上記移動方向に限定されず、さらに定盤２１の表面に対して垂直方向（ｚ方向）に移動可能な機構を備えていてもよい。また、ｙ方向に移動可能な機構を備えていてもよい。
【００３１】
上記支持部２４は、例えば、上記ワークテーブル移動装置２２の両側に設けられたカラム２６、２７と、両カラム２６、２７上部に支持された梁部２８からなる、いわゆる門型の構成となっている。したがって、支持部２４はワークテーブル２３の移動領域を跨ぐように形成されている。上記梁部２８には、上記処理部２５を案内する案内部２９が形成されている。上記処理部２５は上記案内部２９に沿って移動自在とする移動部３０と、移動部３０に設けられた処理部本体３１とからなり、処理部本体３１は、ワークテーブル２３上の被処理物５０に、例えばレーザ光を照射するレーザ光照射部からなる。このレーザ光照射部は、例えばレーザ光を発振する光源（図示せず）と、光源より発振されたレーザ光を均一な光強度分布とする均一化光学系（図示せず）を有する。なお、上記支持部２４は、上記処理部２５を高精度に支持することができるならば、門型ではなく、片持ち梁型であってもよい。
【００３２】
上記構成では、ワークテーブル移動装置２２と移動部３０によって処理部２５とワークテーブル２３とは相対的に運動することが可能になっている。移動部３０を排除して、その機能をワークテーブル移動装置２２に備えるようにしてもよい。ワークテーブル２３上には被処理物５０が固定されており、処理部本体３１のレーザ光照射部からレーザ光を照射することによりレーザ加工処理（例えばアニール処理）を行う。
【００３３】
また、上記案内部２９にそって移動可能な移動部３０および処理部本体３１を覆うように、案内部２９、移動部３０等で発生するパーテイクルの飛散を防止する防塵カバー３２が設置されていてもよい。具体的には、処理部２５を含めて支持部２４の梁部２８を覆う形状の防塵カバー３２を設置し、防塵カバー３２に設けた排気部３３から排気を行うことで、例えば移動部３０から発生するパーテイクルを積極的に排出し、被処理物５０上にパーテイクルが飛散しない構造を実現する。なお、上記防塵カバー３２には、図示はしていないが、例えば上記排気部３３に対向する位置に清浄化フィルタを設けた空気取り入れ口が設けられている。さらに、上記防塵カバー３２の底部側には、上記処理部２５の処理部本体３１から照射されるレーザ光が透過されるように、例えばガラスのようなレーザ光に対して透明性を有し、防塵カバー３２の気密性が保持される窓３４が設けられている。
【００３４】
上記第１室１１の天井部には第１ファンフイルタ１５が設置されていて、第１室１１内に清浄な空気を送風して第１室１１内部を強制的に換気する。同様に、上記第２室１２の天井部には第２ファンフイルタ１６が設置されていて、第２室１２内に清浄な空気を送風して第２室１２内部を強制的に換気する。上記第１、第２ファンフィルタ１５、１６は、ブース１０の外部の空気を取り込んで、内蔵されたフィルタによって取り込んだ空気を清浄にし、ブース１０内に清浄化した空気を送るものである。また、第１室１１の底部には第１排気部１５が設けられている。第２室１２の底部には第２排気部１６が設けられている。そして、第１室１１内の気圧と第２室１２内の気圧とで気圧差が一定に生じるように、上記第１、第２ファンフィルタ１５、１６の送風量と、上記第１、第２排気部１７、１８の排気量が調節されている。
【００３５】
例えば、上記第１ファンフィルタ１５の送風量と上記第２ファンフィルタ１６の送風量とが調節されることで、第１室１１と第２室１２とに気圧差をつけて、上記処理部２５が収納されている防塵カバー３２と上記ワークテーブル２３との間で上記第１室１１と上記第２室１２とが連通されている空間を通じて、第１室１１側から第２室１２側に、もしくはその逆方向に一定量の送風を可能にしている。このため、上記ワークテーブル２３上における気体の流れは層流となっている。例えば第１室１１の気圧が第２室１２の気圧より高く設定することで、ワークテーブル移動装置２２（ワークテーブル２３）上の空間の気流は、第１室１１から第２室１２方向に流れる層流となる。
【００３６】
上記第１、第２排気部１７、１８は、上記第１室１１および第２室１２のうち少なくとも気圧の低い室に設けてもよい。例えば、第１室１１のほうを第２室１２より気圧が低い状態にするのであれば、第１室１１側に第１排気部１７のみを設けてもよい。その逆に、第２室１２のほうを第１室１１より気圧が低い状態にするのであれば、第２室１２側に第１排気部１８のみを設けてもよい。また、上記第１、第２排気部１７、１８には、排気量を調整する排気弁（図示せず）を設けてもよい。さらに、上記第１、第２排気部１７、１８には、室内を強制排気する排気装置（図示せず）を設けてもよい。また排気装置を設けない場合には自然排気となるが、この場合には、上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６の送風量の調整によって、第１室１１および第２室１２の気圧差が調整される。
【００３７】
また、第１、第２ファンフイルタ１５、１６は、上記第１室１１および第２室１２内部の容積に対する換気量によって性能が決定される。上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６が同等の送風能力を持つものとして、上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６の送風量は、例えば、第１、第２ファンフイルタ１５、１６のそれぞれの吹き出し口で風速を測定した結果に基づいて調節される。もしくは、第１、第２ファンフイルタ１５、１６のそれぞれの吹き出し口で風圧を測定した結果に基づいて調節される。
【００３８】
上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６によって、半導体製造装置１のブース１１内で発生したパーティクル（塵埃）は第１、第２排気部１７、１８よりブース１１外に積極的に排出される。この場合、第１、第２ファンフイルタ１５、１６から被処理物５０上にわたって発生する層流をできるだけ乱さない装置配置にすることで、被処理物５０上にパーテイクルが堆積することを防止する。万が一、被処理物５０上にパーテイクルが堆積した場合には、被処理物５０上を流れる空気によって被処理物５０上のパーティクルを取り除くことが可能になる。
【００３９】
例えば、第１室１１に設置された第１ファンフイルタ１５の吹き出し口での風速を０．５［ｍ／ｓ］とし、もう一方の第２室１２に設置された第２ファンフイルタ１６の吹き出し口での風速を０．３［ｍ／ｓ］とする。それぞれの吹き出し口から出た清浄な空気は隔壁１３によって分断されているため相互に干渉することはできない。第１室１１および第２室１２内の気流は、防塵カバー３２と定盤２１の間にできる空間の近傍に到達して初めて相互に干渉するようになる。このときに風速（設定値では風速であるが実際には気圧（風圧）の差となる）の差があるので、第１ファンフィルタ１５の吹き出し口での風速が０．５［ｍ／ｓ］に設定された気流は、他方の空間である第２室１２に侵入することが可能になる。この圧力差によってできる流れがパーテイクルをブース１０外に運ぶ流れとして働くため、第１室１１と第２室１２との間の防塵カバー３２と定盤２１の間にできる空間の清浄度を保つことができるようになる。
【００４０】
次に、上記半導体製造装置１における空気な流れのシミュレーション結果を、図３の気流の概略を示した断面図および図４の要部の風速分布図によって説明する。図中の矢印は、矢印の長さが風速を示し、矢印の大きさが風量を示す。また、図４では、防塵カバー３２とワークテーブル２３の移動領域(ワークテーブル移動装置２２（前記図１参照）上）との間の空間１４の気流をシミュレーションした結果の風速分布を示している。
【００４１】
図３および図４に示すように、本発明の半導体製造装置１では、ブース１０の天井側に送風能力が同等な第１、第２ファンフイルタ１５、１６の２台が設置されている。上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６から吹き出された空気Ａ、Ｂは、ワークテーブル２３の移動領域およびその近傍を通ってブース１０の底部に設けた排気部１７、１８より外部に排出されている。
【００４２】
例えば、第１ファンフィルタ１５は、その吹き出し口での風速が０．５［ｍ／ｓ］になるように設定され、第２ファンフイルタ１６は、その吹き出し口での風速が０．３［ｍ／ｓ］になるように設定されている。したがって、第１室１１のほうが第２室１２よりも気圧が高くなるので、第１ファンフイルタ１５を吹き出した空気Ａは、主として第１室１１側から第２室１２側に流れ、排気部１８よりブース１０の外部に排気される。また第１ファンフイルタ１５を吹き出した空気Ａの一部は、ブース１０の底部に設けた排気部１７より外部に排出されている。一方、第１室１１より気圧が低くなる第２室１２に第２ファンフイルタ１６から吹き出した空気Ｂは、排気部１８よりブース１０の外部に排気される。特に、第１室１１から第２室１２側に流れる空気は、隔壁１３が設けられていることよって、防塵カバー３２下部で、ワークテーブル２３上の被処理物５０が処理部２５によって処理される空間１４を流れることになる。そして図４に示すように、防塵カバー３２下部の上記空間１４では、第１室１１側から第２室１２側に流れる流れは層流となっていることがわかる。
【００４３】
よって、上記層流となっている空気の流れはパーテイクルを巻き上げることなく、他の空気とともに排気部１８から排出される。また、例えばワークテーブル２３上にパーティクルがあったとしても、上記層流に乗って流され、排気部１８からブース１０外に排出される。
【００４４】
次に、比較例として、本発明の構成要素である隔壁を設けずに、ブースの天井部に２台のファンフィルタを設置した半導体製造装置の一例を、図５に示したブース内の側面図および図６に示した要部の風速分布図によって説明する。図６では、防塵カバー３２とワークテーブル２３の移動領域(ワークテーブル移動装置２２（前記図５参照）上）との間の空間１４の気流をシミュレーションした結果の風速分布を示している。
【００４５】
図５に示すように、比較例の半導体製造装置は、前記図９および前記図１１によって説明した半導体製造装置１０５である。この半導体製造装置１０５では、ブース１０の天井側に送風能力が同等な第１、第２ファンフイルタ１５、１６の２台が設置されている。上記第１、第２ファンフイルタ１５、１６から吹き出された空気Ａ、Ｂはブース１０の底部に設けた排気部１７、１８より外部に排出されている。
【００４６】
例えば、第１ファンフィルタ１５は、その吹き出し口での風速が０．３［ｍ／ｓ］になるように設定され、第２ファンフイルタ１６は、その吹き出し口での風速が０．３［ｍ／ｓ］になるように、同等に設定されている。したがって、第１室１１と第２室１２との気圧差はないので、第１ファンフイルタ１５を吹き出した空気Ａは、主として第１室１１側から排気部１７よりブース１０の外部に排気される。一方、第２ファンフイルタ１６から吹き出した空気Ｂは、主として第２室１２側から排気部１８よりブース１０の外部に排気される。このような構成では、第１、第２ファンフイルタ１５、１６から吹き出された気流は、第１、第２ファンフイルタ１５、１６間の支持部２４に設けた防塵カバー３２上の空間によどみ領域４１を生じ、定盤２１と支持部２４に設けた防塵カバー３２との間の空間によどみ領域４２を生じる。
【００４７】
特に、図６に示すように、ワークテーブル２３上の被処理物５０が防塵カバー３２内に設けられた処理部２５（前記図５参照）によって処理される上記空間１４では、大きな渦が発生し、乱流となっていることがわかる。このため定盤２１（前記図５参照）上に堆積していたパーテイクルを巻き上げてしまう。したがって、ワークテーブル２３が移動される空間１４を清浄に保つことが困難となっていた。
【００４８】
また、第１ファンフィルタ１５の吹き出し口での風速と第２ファンフィルタ１６の吹き出し口での風速とを違えても、本願発明のように隔壁１３が設置されていないので、例えば、第１ファンフィルタ１５の吹き出し口での風速を第２ファンフィルタ１６の吹き出し口での風速よりも早くしたとしても、支持部２４とブース１０の天井部との間、支持部２４とブース１０の側壁との間、支持部２４下方等のいたるところに流れが生じるため、その流れが集まる領域では、乱流となり、パーティクルの巻上げが発生しやすくなる。したがって、単に、第１、第２ファンフイルタ１５、１６の吹き出し口での風速を違えただけでは、上記空間１４を層流にして、清浄に保つことは困難である。また、第１、第２ファンフイルタ１５、１６の吹き出し口での風速を遅くすれば、全体の流れが層流になるが、それでは、ブース１０内に発生したパーティクルをブース１０外に排出することが難しくなり、ブース１０内を清浄に保持することが困難になる。
【００４９】
このように、ブース１０を２室に分離する隔壁を持たない上記比較例と比較して、本発明の半導体製造装置１は、ワークテーブル２３上で第１室１１と第２室１２とを連通させるように、ブース１０を第１室１１と第２室１２とに仕切る隔壁１３を設けたことから、前記図５に示したようなよどみ領域４１、４２は発生しない。よって、従来技術よりも、ワークテーブル２３が移動される空間を清浄に保つことができる。また、ワークテーブル２３上を清浄にする機能を十分に果たしていない第３ファンフィルタ１９（前記図１０参照）を設けないことから、装置コストを低減することができる。
【００５０】
以上説明したように、上記半導体製造装置１では、第１室１１内に送風する第１ファンフィルタ１５と、第２室１２内に送風する第２ファンフィルタ１６とを備え、支持部２４の側面もしくは支持部２４の外周部で、隔壁１３によって第１室１１と第２室１２とが仕切られていて、支持部２４とワークテーブル２３との間で第１室１１と第２室１２とが連通されていることから、第１ファンフィルタ１５からの送風量と第２ファンフィルタ１６からの送風量を調節することで、第１室１１と第２室１２とに気圧差を生じさせやすくすることができる。よって、その気圧差を生じさせることで、ワークテーブル２３の移動領域上の第１室１１と第２室１２とが連通されている空間１４を層流にすることが可能となる。よって、ワークテーブル２３が移動される空間１４を清浄な状態にできるので、歩留りの向上、品質の向上が可能になるという利点がある。また清浄度が向上するので、洗浄の回数を削減することが可能になり製品単価の下げることができるという利点がある。
【００５１】
また、本発明の半導体製造装置１は、上記説明したレーザアニール装置に限らず、半導体装置の製造に用いるレーザ加工装置全般、検査装置、リペア装置などパーテイクルの影響を受けるプロセスではあるが被処理物５０上方にパーテイクル発生源を配置せざるを得ない装置にも適用することができる。また、本発明の半導体製造装置１は、隔壁１３を設置するという現存の装置に簡単な改造を加えるだけで、ワークテーブル２３上の空間の清浄度を得ることが可能になるので、今までの装置資産を無駄にすることなく、装置の清浄度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の半導体製造装置に係る一実施の形態（第１実施例）を示した概略構成を示した部分破断斜視図である。
【図２】第１実施例のブース内の半導体製造装置の本体部を示した側面図である。
【図３】半導体製造装置１における気流の概略を示した断面図である。
【図４】半導体製造装置１における気流のシミュレーション結果を示した要部の風速分布図である。
【図５】比較例の２台のファンフィルタを設置した半導体製造装置を示したブース内の側面図である。
【図６】比較例の半導体製造装置の気流のシミュレーション結果を示した要部の風速分布図である。
【図７】従来のレーザアニール装置の一例を示した概略構成斜視図である。
【図８】防塵カバーを設けた従来のレーザアニール装置の一例を示した概略構成斜視図である。
【図９】２台のファンフィルタを設けた従来のレーザアニール装置の一例を示した概略構成斜視図である。
【図１０】３台のファンフィルタを設けた従来のレーザアニール装置のブース内の本体部を側面図によって示した図面である。
【図１１】２台のファンフィルタを設けた従来のレーザアニール装置のブース内の本体部を側面図によって示した図面である。
【符号の説明】
【００５３】
１…半導体製造装置、１１…第１室、１２…第２室、１３…隔壁、１４…空間、２３…ワークテーブル、２４…支持部、２５…処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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