(57)【要約】【課題】動作の信頼性の高いＸ線検出器を製造できる製造方法を提供する。【解決手段】回路基板17上にフォトダイオード素子18を構成するアモルファスシリコン膜35および透明導電膜39を積層する。１回目の透明導電膜除去工程で、フォトダイオード素子18の形成域を除き透明導電膜39を除去する。フォトダイオード素子18の形成域を除きアモルファスシリコン膜35を除去する。２回目の透明導電膜除去工程で、アモルファスシリコン膜35を除去に伴ってこのアモルファスシリコン膜35より回路基板17の面方向に突出する透明導電膜39の周辺部を除去する。製造過程でアモルファスシリコン膜35より回路基板17の面方向に突出する透明導電膜39の周辺部を除去しているため、Ｘ線検出器の動作の信頼性が高まる。【選択図】図１
2009032864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板上に光電変換素子および蛍光変換膜が形成される放射線検出器の製造方法であって、
前記回路基板上に光電変換素子を構成する半導体層および透明導電膜を積層する工程と、
前記光電変換素子の形成域を除き透明導電膜を除去する１回目の透明導電膜除去の工程と、
前記光電変換素子の形成域を除き半導体層を除去する工程と、
前記半導体層の除去に伴ってこの半導体層より回路基板の面方向に突出する透明導電膜の周辺部を除去する２回目の透明導電膜除去の工程と
を具備していることを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項２】
１回目の透明導電膜除去の工程と２回目の透明導電膜除去の工程との間には感光性樹脂の塗布、露光、現像の工程を含まずに、２回目の透明導電膜除去の工程で半導体層より突出する透明導電膜の周辺部を除去する
ことを特徴とする請求項１記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項３】
２回目の透明導電膜除去の工程では、有機酸を主成分とする水溶液を使用して半導体層より突出する透明導電膜の周辺部を除去する
ことを特徴とする請求項１または２記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項４】
回路基板上に光電変換素子および蛍光変換膜が形成された放射線検出器であって、
前記光電変換素子は、半導体層を有し、この半導体層上に透明導電膜が形成されているとともにこの透明導電膜の周辺部は半導体層より前記回路基板の面方向に突出していない
ことを特徴とする放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を検出する放射線検出器の製造方法および放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
新世代の診断用Ｘ線画像検出器として、アクティブマトリックスを用いた平面形のＸ線検出器が注目を集めている。このＸ線検出器にＸ線を照射することより、Ｘ線撮影像またはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。このＸ線検出器は、固体検出器であることから、画質性能や安定性の面でも極めて期待が大きく、多くの研究開発が進められている。
【０００３】
実用化の最初の用途として、比較的大きな線量で、静止画像を収集する胸部あるいは一般撮影用に開発され、近年商品化されている。より高性能で、透視線量下で毎秒３０フレーム以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。この動画用途に対しては、Ｓ／Ｎの改善や微小信号のリアルタイム処理技術などが重要な開発項目となっている。
【０００４】
この種のＸ線検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との二方式がある。直接方式は、Ｘ線をａ−Ｓｅなどの光導電膜により直接電荷信号に変換し、電荷蓄積用のキャパシタに導く方式である。一方、間接方式は、シンチレータ層である蛍光変換膜によりＸ線を受けて一旦可視光に変換し、可視光をａ−ＳｉフォトダイオードやＣＣＤにより信号電荷に変換し、電荷蓄積用のキャパシタに導く方式である。
【０００５】
現在実用化されているＸ線検出器の多くが間接方式を採用している。従来の間接方式のＸ線検出器においては、人体などを透過したＸ線画像をＸ線検出器に入射し、その画像情報を電気信号に変換する。この際、蛍光変換膜によってＸ線を可視光に変換し、その可視光を光電変換基板の格子状に形成された画素毎に検出し、二次元的な画像情報の電気信号として出力する。
【０００６】
光電変換基板は、液晶表示装置の製造工程に類似している薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）パネル製造工程により、信号配線および薄膜トランジスタを形成した回路基板を作成し、その回路基板上に入力面からの蛍光を検出するフォトダイオード素子を画素毎に格子状に形成し、そのフォトダイオード素子を下部に配置されている薄膜トランジスタに電気的に接続している。
【０００７】
光電変換基板の画素毎に格子状に形成されるフォトダイオード素子は、一般的にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を主成分とし、真性半導体であるｉ型のアモルファスシリコン層を、リンを添加することにより実現されるｎ型アモルファスシリコン層と、ホウ素を添加することにより実現されるｐ型アモルファスシリコン層とにより挟み込んだ構造をしている。一般的には信号配線と薄膜トランジスタを形成した回路基板上にｎ型アモルファスシリコン層、ｉ型アモルファスシリコン層、ｐ型アモルファスシリコン層をＣＶＤ法（気相成長法）により順次積層している。その後、フォトダイオード素子の内部における面内方向への電荷移動による画像の解像度劣化を避けるため、フォトダイオード素子を画素毎に分離し、画素毎に電気的に独立させた後、フォトダイオード素子の上部への電圧供給用の配線を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
このような工程により製造された光電変換基板上に入力面の蛍光変換膜が形成されている。蛍光変換膜は入射Ｘ線を可視光に変換する機能を有する蛍光物質から構成され、蛍光物質の種類としてはＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ（テルビウム添加硫化酸化ガドリニウム）やＣｓＩ：Ｔｌ（タリウム添加沃化セシウム）が用いられることが多い。
【０００９】
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂを蛍光物質として用いる場合、粒子状のＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂを樹脂中に分散した膜を用いる。それに対してＣｓＩ：Ｔｌを蛍光物質として用いる場合、真空蒸着法により光電変換基板上にＣｓＩ：Ｔｌ膜を形成するもので、その際に適切な製造条件をとることで、光電変換基板に対して垂直方向の柱状構造を持つＣｓＩ：Ｔｌ膜を形成することができる。その柱状構造を持つＣｓＩ：Ｔｌ入力面は、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂを用いた入力面より入射Ｘ線に対する解像度が高く、高性能のＸ線画像検出器が可能となる。
【００１０】
そして、フォトダイオード素子は、薄膜トランジスタを形成した回路基板上に形成されており、フォトダイオード素子の内部で発生した電荷が、フォトダイオード素子の上部に形成されているＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）の透明導電膜と、フォトダイオード素子および回路基板の間に形成された下部電極とを通して取り出される。下部電極は回路基板の薄膜トランジスタのドレイン端子に接続され、薄膜トランジスタの駆動に応じて電荷が外部に出力される。ここで用いられる下部電極であるが、通常は薄膜の形成が容易であり、抵抗率が低くパターン形成の容易なアルミニウムを主成分とする金属物質が用いられることが多い。
【００１１】
アモルファスシリコンを主成分とするフォトダイオード素子の製造工程においては、回路基板上の全面にＣＶＤ（科学気相成長法）により積層形成され、このアモルファスシリコン膜の形成後にインジウム酸化物を主成分とする透明導電膜が回路基板上の全面に積層形成される。
【００１２】
回路基板上の全面に形成されたアモルファスシリコン膜の状態では、入力した光画像により発生した電荷がアモルファスシリコン膜の内部を通じて横方向に広がってしまい、画像の解像度が極度に悪化してしまうため、透明導電膜を含むアモルファスシリコン膜を画素単位にて分離し、入射光により発生した電荷が横方向に広がるのを防ぐ必要がある。
【００１３】
アモルファスシリコン膜および透明導電膜を画素毎に分離するためには、透明導電膜上に感光性レジスト膜を塗布し、紫外線照射により画素パターンを感光性レジスト膜に露光し、現像処理を行い、画素毎に分離をしたレジストパターンを形成する。その後、透明導電膜を塩酸もしくは蓚酸を主成分とするエッチング液を用いて、レジストパターンの無い領域の透明導電膜を除去する。
【００１４】
透明導電膜のパターン形成を終えた後に、アモルファスシリコン膜を画素毎に分離する工程となる。アモルファスシリコン膜上にはパターン形成された透明導電膜と感光性レジスト膜とが積層された状態となっている。この回路基板をフッ素を含むガス（ＣＦ4、ＳＦ6）を高周波電力などによりプラズマ状態にしたチャンバ内に導入することにより、露出している領域のアモルファスシリコン膜はフッ素イオン、フッ素ラジカル原子と反応し、気体状のフッ素化合物になって、回路基板の表面より離脱する。この反応によって感光性レジスト膜もしくは透明導電膜にて覆われていない領域のアモルファスシリコン膜を全て除去することが可能となり、画素毎に分離したアモルファスシリコン膜が完成する。
【００１５】
アモルファスシリコン膜を画素毎に分離した後、回路基板上の全面を透明樹脂にて覆う。そして、アモルファスシリコン膜上に残された透明導電膜上の透明樹脂にコンタクトホールを形成し、コンタクトホール内部を含む領域に上部電極を形成することで個々のアモルファスシリコン膜に電圧を印加することが可能となる。最後に、再度、透明樹脂を回路基板上の全面に塗布形成することで、フォトダイオード素子と回路基板を含む光電変換基板が完成する。この光電変換基板上にＸ線により蛍光を発する蛍光変換膜を重ね、外部回路を接続することによって、Ｘ線検出器が完成する。
【特許文献１】特開平９−９００４８号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上述した、Ｘ線検出器の製造方法では、アモルファスシリコン膜の除去時に、パターン形成された感光性レジスト膜とそれと同じ形状をした透明導電膜よりもアモルファスシリコン膜の形状が小さくなる現象が発生する。これは、アモルファスシリコン膜をフッ素を含むプラズマガスにより除去する際に、パターン形成された感光性レジスト膜の周辺部からプラズマ化したガスが入り込み、感光性レジスト膜で覆われたアモルファスシリコン膜の一部が除去されてしまうことに起因する。
【００１７】
アモルファスシリコン膜上に形成された透明導電膜は、その上にパターン形成された感光性レジスト膜と同形状であるため、透明導電膜の形状はアモルファスシリコン膜よりも大きくなり、透明導電膜の周辺部はアモルファスシリコン膜の周辺部より突出した庇形状をとる。
【００１８】
透明導電膜の厚みは極めて薄く、一般的には７０ｎｍ程度の厚みとなる。そのため、庇形状になった透明導電膜の周辺部は力学的に脆弱であり、その後に行う製造過程において破損しやすく、導電性の異物となって他の領域にて短絡現象を引き起こし、Ｘ線検出器の動作に重大な悪影響を及ぼす可能性がある。
【００１９】
また、透明導電膜の周辺部が庇形状となることで、アモルファスシリコン膜の周辺部にはその後の工程にて使用する薬品や材料の回り込みが困難となることが予想される。その後の工程にて行う薬品による処理に不都合があることで、アモルファスシリコン膜の周辺部に未処理部分が発生し、その影響でＸ線検出器の動作に支障をきたすおそれがある。また、その後に透明樹脂にてアモルファスシリコン膜の周辺部を覆うが、このときに液体状の透明樹脂が庇形状となっている透明導電膜の周辺部近傍のアモルファスシリコン膜への回り込みに支障が発生し、アモルファスシリコン膜の周辺部の一部に空洞が発生する可能性がある。この透明樹脂の空洞は高電界がかかるアモルファスシリコン膜の周辺部の電界分布を乱し、耐電圧特性の悪化を引き起こすことが考えられる。
【００２０】
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、動作の信頼性の高い放射線検出器の製造方法および放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の放射線検出器の製造方法は、回路基板上に光電変換素子および蛍光変換膜が形成される放射線検出器の製造方法であって、前記回路基板上に光電変換素子を構成する半導体層および透明導電膜を積層する工程と、前記光電変換素子の形成域を除き透明導電膜を除去する１回目の透明導電膜除去の工程と、前記光電変換素子の形成域を除き半導体層を除去する工程と、前記半導体層の除去に伴ってこの半導体層より回路基板の面方向に突出する透明導電膜の周辺部を除去する２回目の透明導電膜除去の工程とを具備しているものである。
【００２２】
また、本発明の放射線検出器は、回路基板上に光電変換素子および蛍光変換膜が形成された放射線検出器であって、前記光電変換素子は、半導体層を有し、この半導体層上に透明導電膜が形成されているとともにこの透明導電膜の周辺部は半導体層より前記回路基板の面方向に突出していないものである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、製造過程で半導体層より回路基板の面方向に突出する透明導電膜の周辺部を除去しているため、放射線検出器の動作の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の一実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００２５】
図９に放射線検出器の分解状態の斜視図を示す。
【００２６】
11は放射線検出器としてのＸ線検出器で、このＸ線検出器11は、間接形のＸ線画像検出器であり、マトリクス状に配列された複数の画素12を有する光電変換基板13、およびこの光電変換基板13の表面に積層形成された入力面である蛍光変換膜14によって構成されている。
【００２７】
光電変換基板13は、主にガラスで構成される基板15上に回路層16が形成された回路基板17を有し、この回路基板17上に光電変換素子としてのフォトダイオード素子18が各画素毎に形成されている。
【００２８】
そして、蛍光変換膜14中に放射線としてのＸ線19が入射すると、蛍光変換膜14にてＸ線19の二次元分布に対応する可視光が発生し、発生した可視光がフォトダイオード素子18に入射して電荷に変換される。
【００２９】
次に、図１０に放射線検出器を模式的に示す正面図を示す。
【００３０】
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）21とコンデンサ22とフォトダイオード素子18とは、それぞれ組として格子状に配置され、それぞれの組がＸ線画像の画素12に対応する。基板15上には、各薄膜トランジスタ21のゲート電極を接続する複数の制御電極23が行方向に配列され、各薄膜トランジスタ21のドレインを接続する複数の読出電極24が列方向に配列されている。このような回路構成にすることにより、画素12毎の各フォトダイオード素子18にて発生した電荷は、それぞれに接続されている薄膜トランジスタ21のゲート電極がオン状態になるまでそれぞれに接続されたコンデンサ22に保持され、その状態のときに制御電極23を１つだけオン状態にすると、そのオンになった制御電極23に接続された同じ列の薄膜トランジスタ21がオン状態になり、その薄膜トランジスタ21を通じてそれに接続されているコンデンサ22の電荷が読出電極24に流れる。これによって、特定の行に対応する画像情報が外部に出力されることになる。さらに、オンにする制御電極23を順々に変えることにより、全体の画像情報を外部に映像信号として出力することが可能となる。
【００３１】
次に、図１に放射線検出器の断面図を示すもので、１つの画素12を示している。
【００３２】
基板15上に薄膜トランジスタ21のゲート電極27が形成され、このゲート電極27を含む基板15上に絶縁膜28が形成されている。絶縁膜28上には、ゲート電極27に対向して半導体膜29が形成されている。半導体膜29を含む絶縁膜28上には、薄膜トランジスタ21のソース電極30およびドレイン電極31が形成されているとともに、これらソース電極30およびドレイン電極31上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの保護膜32が形成されている。ソース電極30およびドレイン電極31には導電性や環境性に優れるＡｌ合金膜やＡｌ／Ｍｏ積層膜などが用いられ、絶縁膜28や保護膜32には酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの材料が用いられている。これら基板15やこの基板15上に形成された薄膜トランジスタ21などによって回路基板17が構成されている。
【００３３】
なお、この回路基板17の製造方法は、一般的なアクティブ型液晶表示装置と同じ手法により実現可能であり、また材料も同等のものを使用することができる。
【００３４】
薄膜トランジスタ21のドレイン電極31上には、フォトダイオード素子18が形成されている。このフォトダイオード素子18は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を主成分とした半導体層としてのアモルファスシリコン膜35であり、薄膜トランジスタ21のドレイン電極31上、ｎ型アモルファスシリコン層36、ｉ型アモルファスシリコン層37、ｐ型アモルファスシリコン層38がＣＶＤ法によって順次積層され、外部から入射した光子を電荷に変換する機能を有している。このフォトダイオード素子18上には、フォトダイオード素子18への電流供給と外部からの光を透過する機能を有する透明導電膜39がスパッタ蒸着法によって形成されている。フォトダイオード素子18および透明導電膜39は、Ｘ線検出器11の画素12の単位で分離した構造を有しており、隣接する画素12間による電気的接続を遮断することにより、解像度の高いＸ線画像を得ることが可能となっている。
【００３５】
薄膜トランジスタ21、フォトダイオード素子18および透明導電膜39を覆って樹脂や無機絶縁物などで構成される絶縁層42が形成され、この絶縁層42上に透明導電膜39に電気的に接続される主に金属で構成されたバイアス電極43が形成され、絶縁層42およびバイアス電極43を覆って上部保護膜44が形成されている。そして、回路基板17やこの回路基板17上に形成されたフォトダイオード素子18などによって光電変換基板13が構成されている。
【００３６】
次に、Ｘ線検出器11の光電変換基板13の製造工程を説明する。
【００３７】
図２には、一般的な液晶表示装置の製造工程により製造された回路基板17を示し、基板15上に、ゲート電極27、絶縁膜28、半導体膜29、ソース電極30、ドレイン電極31および保護膜32を形成している。
【００３８】
図３に示すように、回路基板17の表面全体に、アモルファスシリコン膜35を構成するｎ型アモルファスシリコン層36、ｉ型アモルファスシリコン層37、ｐ型アモルファスシリコン層38をＣＶＤ法によって順次積層形成する。その際、シラン（ＳｉＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、フォスフィン（ＰＨ３）などをプラズマ状態にて分解し、基板表面に各アモルファスシリコン層36，37，38を順番に積層形成する。
【００３９】
各アモルファスシリコン層36，37，38の形成後には、ｐ型アモルファスシリコン層38上に、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化インジウム（ＩＺＯ）などの透明導電膜39を真空スパッタ蒸着によって形成する。
【００４０】
続いて、図４に示すように、透明導電膜39の表面に感光性樹脂を塗布し、紫外線露光技術により感光性樹脂に格子状パターンを露光する。その後、現像工程を行うことによって、透明導電膜39上に感光性レジスト膜47のパターンを形成する。
【００４１】
続いて、図５に示すように、蓚酸もしくは王水を主成分とする溶液中にて透明導電膜39の感光性レジスト膜47で覆われていない露出箇所を除去する１回目の透明導電膜除去の工程を実施する。この状態で、透明導電膜39は、感光性レジスト膜47と同形状となる。
【００４２】
続いて、図６に示すように、アモルファスシリコン膜35の除去工程となる。シリコンはフッ素と反応することにより揮発性の高いフッ素化合物となることが知られている。図６にて示した基板を真空装置内に入れ、フッ素を含むガスを真空装置内に流した状態で外部から高周波電力を入力することで、基板周囲にフッ素を含むガスのプラズマを発生させることができる。一例としてはガスの種類としてＣＦ4（四フッ化炭素）を３０ｍＴｏｒｒの圧力になるように流し、同時に１３．５６ＭＨｚの周波数を持ち数百ワットの高周波電力を外部から加えることで、真空装置内部を容易にプラズマ状態にすることが可能となる。このとき、フッ素を含むガスはプラズマよりエネルギを得て励起状態のフッ素原子やイオン状態のフッ素原子を大量に発生させる。特に励起状態のフッ素原子はシリコンと容易に反応し、揮発性の高いフッ素化合物になってシリコン表面から離脱する。この反応が図５に示した基板上のアモルファスシリコン膜35の表面にて連続的に発生する。感光性レジスト膜47と透明導電膜39の表面は励起状態のフッ素原子に対して耐性があるため、感光性レジスト膜47および透明導電膜39にて覆われていない領域のアモルファスシリコン膜35は選択的に除去されることで、図５に示した基板表面状態は図６に示す基板表面状態へと変化する。
【００４３】
図６には、アモルファスシリコン膜35を画素分離した直後の基板表面状態を示す。感光性レジスト膜47および透明導電膜39はフッ素プラズマでは除去が困難であるため残されている。それに対して、アモルファスシリコン膜35はフッ素プラズマにより一部除去された状態である。この際にガス状態のフッ素プラズマにより感光性レジスト膜47および透明導電膜39にて覆われたアモルファスシリコン膜35の周辺部の一部も除去され、透明導電膜39の周辺部がアモルファスシリコン膜35の周辺部よりも外側にはみ出して突出した庇形状となってしまう。これはプラズマによって発生した励起状態のフッ素原子は方向性の無いランダムな運動をしており、そのため、アモルファスシリコン膜35を完全に画素分離する状態になるまでにアモルファスシリコン膜35の周辺部に対して横方向から侵食が進むためである。
【００４４】
図６に示したように、透明導電膜39の周辺部がアモルファスシリコン膜35の周辺部よりもはみ出した庇形状を持つ場合、次のような不都合が考えられる。アモルファスシリコン膜35の周囲部分を含む大部分の領域は、その後の工程にて透明樹脂にて完全に覆う必要がある。これはフォトダイオード素子18として機能するアモルファスシリコン膜35には高電界状態になるため、アモルファスシリコン膜35の周辺部を透明かつ絶縁性のある樹脂にて覆うことで外部の水分や異物、汚染などから防護し、高電界による短絡を起こすことを防止するためである。しかし、透明導電膜39が庇形状となっている場合には、庇形状の直下部分への樹脂の緻密な形成は困難であり、樹脂の無い空洞などを発生しやすいと考えられる。空洞の存在によりアモルファスシリコン膜35の周辺部の防護効果は弱くなり、また、空洞と樹脂との誘電率の差から空洞周囲のアモルファスシリコン膜35の電界強度分布が乱れて一部に高電界領域が発生し、アモルファスシリコン膜35が絶縁破壊を起こしやすくなる。
【００４５】
このような問題を回避するため、２回目の透明導電膜除去の工程により、図６に示した基板を蓚酸を主成分とする溶液中に漬け込むことで、透明導電膜39の庇部分のみを除去することが可能となる。この際に庇部分の透明導電膜39の下面は露出しているため蓚酸により分解、除去される。その他の領域の透明導電膜39は感光性レジスト膜47とアモルファスシリコン膜35により両面とも覆われているため、蓚酸により分解されることは無い。また、その他に露出している保護膜32はシリコン酸化物やシリコン窒化物を主成分としているため蓚酸による分解はされずに残る。また、ドレイン電極31は一般的にアルミニウムを主成分とする金属元素により構成されているが、アルミニウム表面は蓚酸によるエッチング速度が極めて遅いという特徴があり、蓚酸によって大きなダメージを受けることはなく原型のまま保存される。これはドレイン電極31に他の金属を用いた場合も同様の効果が期待でき、例えばＭｏ、Ｔｉ、Ｃｒ等を用いることが可能である。
【００４６】
なお、透明導電膜39の除去において、蓚酸以外にも、カルボン基（−ＣＯＯＨ）をもつその他の有機酸、例としてマロン酸、マレイン酸、クエン酸、酢酸、サリチル酸、マルキル酢酸などを用いても、同様の効果を期待できる。
【００４７】
そして、蓚酸により透明導電膜39の庇部分を除去した状態を図７に示す。この状態の基板を有機溶剤中に入れることにより感光性レジスト膜47を除去することで図８に示す状態となる。この後に、図１に示すように、感光性のある保護層42を塗布し、紫外線により露光、現像することによって電気的接続部を露出する。さらに、バイアス電極43をＴＦＴ回路形成技術を用いて形成し、さらに上部保護層44を形成することで、光電変換基板13が完成する。
【００４８】
このように、製造過程でアモルファスシリコン膜35より回路基板の面方向に突出する透明導電膜39の周辺部を除去しているため、Ｘ線検出器11の動作の信頼性を高めることができる。
【００４９】
また、透明導電膜39の庇部分を除去する方法としては、アモルファスシリコン膜35を画素ごとに分離した後に、透明導電膜39を含む基板表面全体に感光性レジスト膜を形成し、アモルファスシリコン膜35の外周形状よりも小さな領域をもつ紫外線パターンにより露光、現像処理を行うことで、透明導電膜39の庇部分を含む周辺部を露出させ、その後に露出した透明導電膜39の周辺部を薬品により分解除去することもできる。ただし、この方法では、多額の費用がかかる追加の露光、現像工程が必要となり、最終的な製品の価格が高くなる。したがって、１回目の透明導電膜除去の工程と２回目の透明導電膜除去の工程との間には感光性樹脂の塗布、露光、現像の工程を含まずに、２回目の透明導電膜除去の工程でアモルファスシリコン膜35より突出する透明導電膜の周辺部を除去する方が、製造が簡素化され、安価な製品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態を示す放射線検出器の断面図である。
【図２】同上放射線検出器の製造プロセスを示す断面図である。
【図３】同上放射線検出器の図２に続く製造プロセスを示す断面図である。
【図４】同上放射線検出器の図３に続く製造プロセスを示す断面図である。
【図５】同上放射線検出器の図４に続く製造プロセスを示す断面図である。
【図６】同上放射線検出器の図５に続く製造プロセスを示す断面図である。
【図７】同上放射線検出器の図６に続く製造プロセスを示す断面図である。
【図８】同上放射線検出器の図７に続く製造プロセスを示す断面図である。
【図９】同上放射線検出器の分解状態の斜視図である。
【図１０】同上放射線検出器を模式的に示す正面図である。
【符号の説明】
【００５１】
11    放射線検出器としてのＸ線検出器
14    蛍光変換膜
17    回路基板
18    光電変換素子としてのフォトダイオード素子
35    半導体層としてのアモルファスシリコン膜
39    透明導電膜
【図１】
2009032864.tif 000003
【図２】
2009032864.tif 000004
【図３】
2009032864.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2009032864.tif 000008
【図７】
2009032864.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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