(57)【要約】【課題】シリコンのエッチングレートを大きくし、選択比を高める。【解決手段】供給源１３からのＣＦ４（ハロゲン系ガス）に加湿器１５で水分を含ませ、大気圧プラズマ生成部１０の一対の電極１１間に導入してプラズマ化する。オゾン生成部２０でオゾンを生成する。ノズル３０には、プラズマ生成部に連なるプラズマガス路３１と、オゾン生成部２０に連なるオゾンガス路３２とを形成する。これらガス路３１，３２の合流部３３に吹出し路３４を連ね、その先端開口３４ａを被処理物９０と対向させる。合流部３３から被処理物９０までの距離を、１５ｍｍ以下に設定する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物に形成されたシリコン層をエッチングする装置において、
一対の電極を有し、水分を含むハロゲン系ガスを略大気圧でプラズマ化するプラズマ生成部と、
オゾンを生成するオゾン生成部と、
前記プラズマ生成部に連なるプラズマガス路と、前記オゾン生成部に連なるとともに前記プラズマガス路と合流するオゾンガス路と、前記２つのガス路の合流部に連なるとともに先端が開口された吹出し路とを有し、前記吹出し路の先端開口が被処理物と対向すべきノズルと、
を備え、前記合流部から被処理物までの距離が、１５ｍｍ以下であることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記合流部から被処理物までの距離が、５〜１２ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
被処理物に形成されたシリコン層をエッチングする装置において、
一対の電極を有し、水分を含むハロゲン系ガスを略大気圧でプラズマ化するプラズマ生成部と、
オゾンを生成するオゾン生成部と、
前記プラズマ生成部に連なるとともに先端が被処理物を向くように開口されたプラズマガス路と、
前記オゾン生成部に連なるとともに先端が前記プラズマガス路から離れて被処理物を向くように開口されたオゾンガス路と、
を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記プラズマガス路と前記オゾンガス路との間に、先端が被処理物を向くように開口された吸引路が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記ハロゲン系ガスが、ＣＦ４を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いてシリコンをエッチングする装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低圧下でグロー放電プラズマを発生させて被処理物の表面改質、薄膜形成などを行なう方法が実用化されている。しかし、低圧下での処理には真空チャンバー、真空排気装置等が必要であり、高価なものとなっていた。また、大面積の基板を処理するのは容易でなかった。そこで、大気圧付近の圧力下でプラズマ放電を生成し処理する技術が開発されてきた（特許文献１〜５等）。この大気圧プラズマ処理装置は、真空設備を必要とせず、低コスト化、小型化、小フットプリント化を図ることができる。
【０００３】
特許文献４、５の大気圧プラズマ処理装置では、１つのガス種をプラズマ化した後のガス路に他のガス種を通すガス路を合流させて吹き出し、被処理物を表面処理している。
【特許文献１】特開平０９−２０５２７２号公報
【特許文献２】特開平０９−０９２４９３号公報
【特許文献３】特開２００３−１７１７６８号公報
【特許文献４】特開２００４−１２４２３９号公報
【特許文献５】特開２００４−１２８４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置の製造分野等において、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の下地材上に成膜されたシリコン（Ｓｉ）の層をエッチングすることが求められる場合がある。その場合、大気圧プラズマ処理装置によってＣＦ４等のハロゲン系ガスをプラズマ化したガスとオゾン（Ｏ３）とを混合してシリコン層に吹き付けることが考えられる。しかし、シリコン層のエッチングがなかなか進まず、むしろ下地材の窒化シリコンのほうがエッチングされてしまうという問題があった。特に、ＣＦ４等のハロゲン系ガスにＨ２Ｏを添加してプラズマ化した場合、その傾向が顕著であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明者は、上記問題点を解決するため、鋭意研究を行なった。その結果、ハロゲン系のプラズマガスとオゾンとの合流部から被処理物の表面までの距離によって、シリコンのエッチングレートが変動し、ひいてはシリコンと窒化シリコンの選択比が変動することを発見した（図４）。これは、オゾンが上記合流後被処理物に吹付けられるまでの間にプラズマガス中のＨ２Ｏと反応して減少していくためと考えられる。
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであり、被処理物に形成されたシリコン層をエッチングする装置において、
一対の電極を有し、水分（Ｈ２Ｏ）を含むハロゲン系ガス（ＣＦ４等）を略大気圧でプラズマ化するプラズマ生成部と、
オゾンを生成するオゾン生成部と、
前記プラズマ生成部に連なるプラズマガス路と、前記オゾン生成部に連なるとともに前記プラズマガス路と合流するオゾンガス路と、前記２つのガス路の合流部に連なるとともに先端が開口された吹出し路とを有し、前記吹出し路の先端開口が被処理物と対向すべきノズルと、
を備え、前記合流部から被処理物までの距離が、１５ｍｍ以下であることを特徴とする。
これによって、シリコンのエッチングレートを窒化シリコン等のエッチングレートより大きくでき、シリコンを選択的にエッチングすることができる。
【０００６】
前記合流部から被処理物までの距離は、好ましくは１２ｍｍ以下であり、より好ましくは１０ｍｍ以下である。
前記合流部から被処理物までの距離は、小さければ小さいほどシリコンのエッチングレートを大きくでき、好ましい。
前記合流部から被処理物までの距離の下限は、少なくともノズルと被処理物との間の間隔（ワーキングディスタンス）以上であり、５ｍｍ以上であるのが好ましい。
【０００７】
また、本発明は、被処理物に形成されたシリコン層をエッチングする装置において、
一対の電極を有し、水分を含むハロゲン系ガス（ＣＦ４等）を略大気圧でプラズマ化するプラズマ生成部と、
オゾンを生成するオゾン生成部と、
前記プラズマ生成部に連なるとともに先端が被処理物を向くように開口されたプラズマガス路と、
前記オゾン生成部に連なるとともに先端が前記プラズマガス路から離れて被処理物を向くように開口されたオゾンガス路と、
を備えたことを特徴とする。
これによって、シリコンのエッチングレートを窒化シリコン等のエッチングレートより十分大きくでき、シリコンを確実に選択的にエッチングすることができる（実施例４）。
【０００８】
前記プラズマガス路と前記オゾンガス路との間に、先端が被処理物を向くように開口された吸引路が設けられていることが好ましい。吸引路には真空ポンプ等の吸引手段が接続される。
これによって、プラズマガス路から吹き出されたハロゲン系のプラズマガスと、オゾンガス路から吹き出されたオゾン含有ガスとが、被処理物上を互いに接近するように流れて合流されるようにすることができる。
【０００９】
ここで、略大気圧（大気圧近傍）とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シリコンのエッチングレートを大きくでき、シリコンを選択的にエッチングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を説明する。
図１は、本発明の第１実施形態を示したものである。被処理物９０は、例えば半導体ウェハやガラス基板からなる基材９１の上に下地材として窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の層９２が形成され、この窒化シリコン層９２の上にエッチング対象のアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）の層９３が積層されている。
図において、基材９１及び各層９２，９３の厚さは誇張されている。
【００１２】
大気圧プラズマエッチング装置Ｍは、大気圧プラズマ生成部１０と、オゾナイザー２０（オゾン生成部）と、ノズル３０と、ステージ４０（被処理物配置部）とを備えている。
ステージ４０上に被処理物９０が配置されている。ステージ４０にはヒータ等の温調手段（図示省略）が組み込まれている。これにより、被処理物９０が温調されるようになっている。被処理物９０の温度は、２０〜６０℃が好ましい。
【００１３】
ステージ４０は、移動手段５０に接続されている。移動手段５０によって、ステージ４０ひいては被処理物９０が左右に往復移動（スキャン）されるようになっている。移動速度は、１０００〜１００００ｍｍ／ｍｉｎ程度が好ましい。
移動手段５０がノズル３０に接続され、被処理物９０が位置固定される一方、ノズル３０が移動されるようになっていてもよい。
被処理物配置部は、ステージ４０に限られず、ローラコンベア等であってもよい。その場合、ローラコンベアは移動手段５０をも兼ねる。
【００１４】
プラズマ生成部１０には、互いに対向する一対の電極１１，１１が設けられている。少なくとも一方の電極１１の対向面にはアルミナ等の固体誘電体層（図示せず）が形成されている。これら電極１１の一方は、電源１２に接続されて電界印加電極となり、他方は、電気的に接地されて接地電極となっている。
電源１２からの電圧供給によって一対の電極１１，１１どうしの間に大気圧プラズマが生成されるようになっている。
電源１２からの供給電圧は、例えばパルス波状になっているが、これに限定されるものではなく、正弦波等の連続波状になっていてもよい。
【００１５】
ＣＦ４（ハロゲン系ガス）の供給源１３から供給路１４が延び、電極間空間１１ａの上端部（上流端）に連なっている。
供給路１４の中途部には、加湿器１５が設けられている。加湿器１５には水（Ｈ２Ｏ）が蓄えられている。この加湿器１５において、ＣＦ４供給源１３からのＣＦ４にＨ２Ｏが添加される。加湿後のガス（ＣＦ４＋Ｈ２Ｏ）が電極間空間１１ａへ導入されることによりプラズマ化（分解、励起、活性化、ラジカル化、イオン化を含む）され、ＨＦ等の反応性成分が生成されるようになっている。
【００１６】
オゾナイザー２０には、複数の電極が設けられている（詳細図示省略）。これら電極間に酸素供給源２１からの酸素（Ｏ２）が導入され、オゾン化されるようなっている。オゾナイザー２０出口でのオゾン濃度は、Ｏ３／（Ｏ２＋Ｏ３）＝６〜１０％程度が好ましく、約８％程度がより好ましい。
【００１７】
ノズル３０は、ステージ４０の上方に離れて設置されている。ノズル３０の下面（被処理物対向面）が、被処理物９０と対向するようになっている。ノズル３０の下面と被処理物９０の上面との間の間隔（ワーキングディスタンス）は、例えば１ｍｍ程度になっている。
【００１８】
ノズル３０には、プラズマガス路３１と、オゾンガス路３２が形成されている。プラズマガス路３１は、上記プラズマ生成部１０の電極間空間１１ａの下端部（下流端）に連なるとともに下方へ延びている。オゾンガス路３２は、オゾナイザー２０の出口に連なるとともに下方へ延びている。プラズマガス路３１とオゾンガス路３２とは、ノズル３０の内部で合流されている。この合流部３３から吹出し路３４が真っ直ぐ下方へ延びている。吹出し路３４の下端（先端）は、ノズル３０の下面に達して開口され、吹出し口３４ａを構成している。吹出し口３４ａは、図１の紙面直交方向にスリット状に延びているが、これに限定されるものではなく、小孔状になっていてもよい。
吹出し路３４の上端から下端までの路長は、５〜１５ｍｍ程度が好ましい。
【００１９】
ノズル３０には、更に吸引路が形成されている。吸引路は、吹出し路３４を挟んで両側に配置され、下端部がノズル３０の下面に開口されている。吸引路の上端部には吸引ポンプ等の吸引手段（図示省略）が接続されている。
【００２０】
合流部３３の中央部から被処理物９０の表面までの距離Ｄは、Ｄ≦１５ｍｍの範囲で設定されており、好ましくはＤ＝５〜１０ｍｍの範囲に設定されている。
【００２１】
上記構成のプラズマエッチング装置Ｍによれば、ＣＦ４供給路１４からの加湿ＣＦ４ガスがプラズマ生成部１０でプラズマ化され、ノズル３０のプラズマガス路３１に導出される。プラズマガスには、ＨＦ等の反応性成分や未反応のＨ２Ｏ等が含まれている。また、オゾナイザー２０からのオゾン含有ガスが、ノズル３０のオゾンガス路３２に導出される。これらプラズマガスとオゾン含有ガスとが合流部３３で合流して混合される。この混合ガスが、吹出し路３４を経てノズル３０から吹き出され、直下の被処理物９０に吹き付けられる。これにより、混合ガス中のオゾンによってアモルファスシリコン９３が酸化され、この酸化シリコンと混合ガス中のＨＦ等が反応し、ＳｉＦ４等の揮発性成分が生成される。こうして、アモルファスシリコン９３のエッチングがなされる。
処理済みのガスは、吸引路に吸込まれ、排出される。
併行して、移動手段５０よってステージ４０を左右に移動（スキャン）させることにより、被処理物９０の全面をエッチング処理することができる。
【００２２】
プラズマガスとオゾン含有ガスとが混合されてから被処理物９０に到達するまでの行程ＤがＤ＝３〜１５ｍｍの範囲に設定されているため、オゾンがプラズマガス中のＨ２Ｏとの反応で消滅しないうちに被処理物９０に到達するようにできる。したがって、被処理物９０の表面上でのオゾン濃度を高く維持することができる。これによって、アモルファスシリコン９３のエッチングレートを十分に高くでき、窒化シリコン９２に対する選択比を大きくすることができる。したがって、処理時間を短縮できるとともに、下地材の窒化シリコン９２までもがエッチングされるのを防止することができる。
【００２３】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図２に示すように、本発明の第２実施形態では、ノズル３０の中央部にプラズマガス路３１が配置され、ノズル３０の両側部に一対のオゾンガス路３２が配置されている。プラズマガス路３１とオゾンガス路３２は、ノズル３０の内部において互いに合流することなく、下端（先端）が個別にノズル３０の下面に達して開口され、それぞれ吹出し口３１ａ，３２ａを構成している。各オゾンガス路３２の下端開口３２ａは、プラズマガス路３１の下端開口３１ａから左右に離れて配置されている。
【００２４】
左右のオゾンガス路３２には、互いに共通のオゾナイザー２０からオゾン含有ガスが導入されるようになっているが、オゾナイザー２０をオゾンガス路３２ごとに設けることにしてもよい。
【００２５】
ノズル３０のプラズマガス路３１とオゾンガス路３２との間には、吸引路３６が設けられている。吸引路３６の上端部は、図示しない吸引手段に接続されている。吸引路３６の下端は、ノズル３０の下面に達して開口され、吸引口３６ａを構成している。プラズマガス路３１の吹出し口３１ａと吸引口３６ａとの間の距離Ｄ１は、Ｄ１＝２０〜４０ｍｍ程度が好ましい。オゾンガス路３２の吹出し口３２ａと吸引口３６ａとの間の距離Ｄ２は、Ｄ２＝２０〜４０ｍｍ程度が好ましい。
【００２６】
第２実施形態によれば、プラズマガスとオゾン含有ガスが互いに混合されることなく別々に吹き出される。したがって、オゾンが被処理物９０に到達する前にプラズマガス中のＨ２Ｏとの反応で消滅するのを一層確実に防止でき、被処理物９０の表面上でのオゾン濃度を確実に高く維持することができる。これにより、アモルファスシリコン９３の酸化反応を一層確実に起こすことができ、ひいてはアモルファスシリコン９３のエッチングレートを十分に大きくすることができる。
【００２７】
プラズマガス路３１から吹き出されたプラズマガスと、オゾンガス路３２から吹き出されたオゾン含有ガスは、被処理物９０上を互いに接近するように流れて、吸引路３６の下方で合流される。そして、吸引路３６に吸込まれる。
【００２８】
本発明は、上記第１、第２実施形態に限定されず、当業者に自明な範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、プラズマ生成部１０に導入されるハロゲン系ガスの主成分は、ＣＦ４に限られず、ＣＦ等であってもよい。これらハロゲン系化合物をＮ２、Ａｒ等の不活性ガスで希釈することにしてもよい。
プラズマガス路３１とオゾンガス路３２とが、ちょうど先端開口で合流され、吹出し路３４の長さがほとんど０ｍｍになり、合流部から被処理物９０までの距離Ｄが、ノズル３０と被処理物９０との間の間隔（ワーキングディスタンス）と略等しくなるようにしてもよい。
【００２９】
第２実施形態において、プラズマガス路３１とオゾンガス路３２との間に吸引路３６を設けなくてもよい。その場合、プラズマガス路３１の吹出し口３１ａとオゾンガス路３２の吹出し口３２ａとの離間距離は、１０〜２０ｍｍ程度にするのが好ましい。
【００３０】
図３に示すように、ノズル３０を左右に複数並設してもよい。各ノズル３０のプラズマガス路３１には、プラズマ生成部１０が接続され、オゾンガス路３２には、オゾナイザー２０が接続される。隣り合うノズル３０の間には、窒素等の不活性ガスを吹き出す雰囲気制御ノズル６０を設けることにしてもよい。
図３の装置では、ノズル３０が２つ並設されているが、３つ以上のノズル３０を並設することにしてもよい。
図３の各ノズル３０は、第１実施形態（図１）と同様の合流路形式のノズル３０になっているが、第２実施形態（図２）と同様の分流形式のノズル３０であってもよい。
図３において、複数のノズル３０のプラズマガス路３１に互いに共通のプラズマ生成部１０が接続されていてもよく、プラズマガス路３１ごとにプラズマ生成部１０が設けられていてもよい。複数のノズル３０のオゾンガス路３２に互いに共通のオゾナイザー２０が接続されていてもよく、オゾンガス路３２ごとにオゾナイザー２０が設けられていてもよい。
【実施例１】
【００３１】
実施例を説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
図１に示す大気圧プラズマエッチング装置Ｍと実質的に同じ装置を用いた。
被処理物９０のアモルファスシリコン層９３の初期厚さは、１５５０Åであった。
ノズル３０下面と被処理物９０の上面との間の間隔（ワーキングディスタンス）は、１ｍｍとし、合流部３３から被処理物９０の上面までの距離Ｄは、Ｄ＝５ｍｍとした。吹出し口３４ａの左右方向の幅は、２ｍｍであり、図１の紙面直交方向に沿う長さは、４０ｍｍであった。
ＣＦ４供給源１３からのＣＦ４流量は、０．５ｓｌｍ／ｍｉｎとし、このＣＦ４を露点が１８℃になるよう加湿器１５で加湿した後、プラズマ生成部１０に導入してプラズマ化した。電極１１への供給電圧は、Ｖｐｐ＝１３５Ｖ、周波数２０ｋＨｚ、立ち上がり速度１０μｓのパルス波とした。
Ｏ２供給源２１からのＯ２流量は、０．３ｓｌｍとし、オゾナイザー２０出口でのオゾン含有ガス中のオゾン濃度は、８ｖｏｌ％とした。
左右両側の吸引路での吸引流量は、それぞれ１．５ｓｌｍとした。
被処理物９０の温度は３０℃とした。
移動手段５０によるスキャン速度は１００００ｍｍ／ｍｉｎとし、窒化シリコン層９２が析出するまでスキャン（１往復＝２スキャン）を行なった。
【００３２】
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり２６Åであった。析出後の窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１６Åであった。スキャン回数は、１００回であった。
【実施例２】
【００３３】
合流部３３から被処理物９０の上面までの距離Ｄを、Ｄ＝１０ｍｍとし、他の条件は実施例１と同じにしてエッチングを行なった。
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり２２Åであった。窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１６Åであった。スキャン回数は、１００回であった。
【実施例３】
【００３４】
合流部３３から被処理物９０の上面までの距離Ｄを、Ｄ＝１５ｍｍとし、他の条件は実施例１と同じにしてエッチングを行なった。
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり１９Åであった。窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１６Åであった。スキャン回数は、１１０回であった。
【００３５】
〔比較例１〕
合流部３３から被処理物９０の上面までの距離Ｄを、Ｄ＝１８ｍｍとし、他の条件は実施例１と同じにしてエッチングを行なった。
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり１５Åであった。窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１６Åであった。スキャン回数は、１５０回であった。
【００３６】
〔比較例２〕
合流部３３から被処理物９０の上面までの距離Ｄを、Ｄ＝２３ｍｍとし、他の条件は実施例１と同じにしてエッチングを行なった。
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり１２Åであった。窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１６Åであった。スキャン回数は、１７０回であった。
【００３７】
〔比較例３〕
合流部３３から被処理物９０の上面までの距離Ｄを、Ｄ＝４０ｍｍとし、他の条件は実施例１と同じにしてエッチングを行なった。
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり８Åであった。窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１５Åであった。スキャン回数は、１７０回であった。
【００３８】
表１及び図４は、実施例１〜４、比較例１〜３の結果をまとめたものである。
【表１】
2009099880.tif 000003
【００３９】
以上のように、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のエッチングレートは、合流部３３から被処理物９０までの距離Ｄにほとんど影響されなかったが、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）のエッチングレートは、距離Ｄの大きさによって変動し、距離Ｄが小さくなるほどエッチングレートが増大した。
これにより、合流部３３から被処理物９０までの距離Ｄを、Ｄ≦１５ｍｍとすると、アモルファスシリコンのエッチングレートが窒化シリコンのエッチングレートを上回り、アモルファシリコンを窒化シリコンに対し選択的にエッチングできることが判明した。また、距離Ｄが小さければ小さいほど、アモルファシリコンの選択比を大きくできることが判明した。
【実施例４】
【００４０】
図２に示す大気圧プラズマエッチング装置と実質的に同じ装置を用いた。
ノズル３０下面と被処理物９０との間の距離（ワーキングディスタンス）は、１ｍｍとした。プラズマガス路３１の吹出し口３１ａと吸引口３６ａとの間の距離Ｄ１は、Ｄ１＝１５ｍｍとした。オゾンガス路３２の吹出し口３２ａと吸引口３６ａとの間の距離Ｄ２は、Ｄ２＝１５ｍｍとした。各吹出し口３１ａ，３２ａの幅は、２ｍｍであり、長さ（図２の紙面直交方向の寸法）は、４０ｍｍであった。
ＣＦ４供給源１３からのＣＦ４流量は、０．５ｓｌｍ／ｍｉｎとし、このＣＦ４を露点が１８℃になるよう加湿器１５で加湿した後、プラズマ生成部１０に導入してプラズマ化した。電極１１への供給電圧は、Ｖｐｐ＝１３５Ｖ、周波数２０ｋＨｚ、立ち上がり速度１０μｓのパルス波とした。
オゾナイザー２０出口でのオゾン含有ガス中のオゾン濃度は、８ｖｏｌ％とし、左右の各オゾンガス路３２のオゾン含有ガスの流量は、０．２ｓｌｍとした。
各吸引路３６からの吸引流量は、０．７ｓｌｍとした。
各吸引路３５からの吸引流量は、０．７ｓｌｍとした。
被処理物９０の温度は３０℃とした。
移動手段５０によるスキャン速度は１００００ｍｍ／ｍｉｎとし、窒化シリコン層９２が析出するまでスキャン（１往復＝２スキャン）を８０回行なった。
その結果、アモルファスシリコン層９３のエッチング速度は、１スキャンあたり３５Åであった。析出後の窒化シリコン層９２のエッチング速度は、１スキャンあたり１６Åであった。
これにより、ＣＦ４プラズマとオゾンを別々に吹出すことにすると、ノズル３０内で混合して吹き出すよりもシリコンの選択比を大きくできることが判明した。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、例えば半導体基板の製造やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る大気圧プラズマエッチング装置の概略構成を示す解説断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る大気圧プラズマエッチング装置の概略構成を示す解説断面図である。
【図３】本発明に係る大気圧プラズマエッチング装置において、ノズルを複数並設した変形例を示す解説断面図である。
【図４】実施例１〜３及び比較例１〜３の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４３】
Ｍ        大気圧プラズマエッチング装置
Ｄ        合流部から被処理物までの距離
Ｄ１      プラズマガス路の吹出し口と吸引口との間の距離
Ｄ２      オゾンガス路の吹出し口と吸引口との間の距離
１０      プラズマ生成部
１１      電極
１１ａ    電極間空間
１２      電源
１３      ＣＦ４供給源（ハロゲン系ガス供給源）
１４      供給路
１５      加湿器
２０      オゾナイザー（オゾン生成部）
２１      酸素供給源
３０      ノズル
３１      プラズマガス路
３１ａ    プラズマガス路の先端開口（吹出し口）
３２      オゾンガス路
３２ａ    オゾンガス路の先端開口（吹出し口）
３３      合流部
３４      吹出し路
３４ａ    吹出し路の先端開口（吹出し口）
３５      吸引路
３６      吸引路
３６ａ    吸引路の先端開口（吸引口）
４０      ステージ（被処理物配置部）
５０      移動手段
９０      被処理物
９１      基材
９２      窒化シリコン層（下地層）
９３      アモルファスシリコン層（被エッチング層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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