(57)【要約】【課題】ダイシングによる個片化プロセス中に必要な密着性を備えつつ、その後の剥離プロセスを容易に実行することのできる可撓性基板を提供する。【解決手段】支持基板から剥離して用いる可撓性基板であって、第１の密着性の可撓性材料層１１と、第１の密着性の可撓性材料層１１よりも低い第２の密着性の可撓性材料層１２と、を備え、支持基板２０と接していた面は、第１及び第２の密着性の可撓性材料層からなるとともに、第１の密着性の可撓性材料層１１が切断面近傍に位置し、かつ、切断面近傍を囲っている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板から剥離して用いる可撓性基板であって、第１の密着性の可撓性部材と、
前記第１の密着性の可撓性部材よりも密着性が低い第２の密着性の可撓性部材とを備え、
前記支持基板と接していた面は、前記第１及び第２の密着性の可撓性部材からなるとともに、前記第１の密着性の可撓性部材が切断面近傍に位置し、かつ、切断面近傍を囲っていることを特徴とする可撓性基板。
【請求項２】
前記支持基板と接していた面の大部分は前記第２の密着性の可撓性部材から成ることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基板。
【請求項３】
前記第１の密着性の可撓性部材は、プライマーを含有した部材、又は、プライマーを塗布した部材であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の可撓性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度実装に用いられる薄くて微細配線を有する可撓性基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高機能化に伴い、高密度に電子部品を実装することが求められている。曲げることの出来る可撓性基板は、立体的に部品、基板を配置するのに適し、現在広く使われているが、今後のさらなる高密度実装化のためにより微細配線化、薄膜化高位置精度化が必要とされている。しかしながら、可撓性基板は熱や湿度による膨張収縮、可撓性を有するために外力の影響を受けやすく、可撓性基板の微細配線加工は難しい状況になりつつある。また、極めて薄い可撓性基板は支持基板がなければ取り扱いが難しいので、可撓性基板作成後すぐに支持基板から剥離せずに、電子部品実装後、ダイシング等により個片化してから支持基板を可撓性基板から分離することが望ましい。このような手順で可撓性基板を形成するものとして、例えば、特許文献１（特開２００６−２６９９９４号公報）では、支持基体を用いて、ダイシングを経て、配線基板を製造する配線基板の製造方法が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２６９９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の配線基板の製造方法においては、可撓性基板を支持基板に密着させるために用いる２つの密着層をウェットエッチングによって除去するため、ダイシングによる個片化プロセス後の作業が煩雑になるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ダイシングによる個片化プロセス中に必要な密着性を備えつつ、その後の剥離プロセスを容易に実行することのできる可撓性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の可撓性基板は、支持基板から剥離して用いる可撓性基板であって、第１の密着性の可撓性部材と、第１の密着性の可撓性部材よりも密着性が低い第２の密着性の可撓性部材と、を備え、支持基板と接していた面は、第１及び第２の密着性の可撓性部材からなるとともに、第１の密着性の可撓性部材が切断面近傍に位置し、かつ、切断面近傍を囲っていることを特徴としている。
【０００７】
本発明の可撓性基板において、支持基板と接していた面の大部分は第２の密着性の可撓性部材から成ることが好ましい。
【０００８】
本発明の可撓性基板において、第１の密着性の可撓性部材は、プライマーを含有した部材、又は、プライマーを塗布した部材であるとよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ダイシングによる個片化プロセス中に必要な密着性を備えつつ、その後の剥離プロセスを容易に実行することのできる可撓性基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態にかかる可撓性基板１０について図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
可撓性基板１０は、密着性の強い第１可撓性材料層（第１の密着性の可撓性部材）１１、第１可撓性材料層１１を構成する材料よりも密着性の弱い第２可撓性材料層（第２の密着性の可撓性部材）１２、並びに、可撓性基板１０の仕様などに対応して形成された絶縁層１３、及び、配線層１４を備える。この可撓性基板１０は、図１に示すように、支持基板２０上に積層形成されて積層体（ウエハ）３０を形成した後に、図２に示すように、層の厚さ方向に沿ってダイシングを施されて複数の積層体３１、３２、３３に切断され、最後に支持基板２０を剥離することによって形成される（図３）。ここで、図１は、支持基板２０上に可撓性基板１０が形成された状態の層構成を示す縦断面図である。図２は、図１の積層体をダイシングによって切断した状態を示す縦断面図である。図３は、可撓性基板１０から支持基板２０を剥離した状態を示す縦断面図である。
【００１２】
図１〜図３に示すように、可撓性基板１０が支持基板２０と接していた底面１８は、第１可撓性材料層１１及び第２可撓性材料層１２から形成されている。さらに、可撓性基板の底面１８においては、ダイシングによる切断面（ダイシングライン）３６、３７、３８、３９及びその近傍に第１可撓性材料層１１が配置されている。また、第１可撓性材料層１１は、切断面３６、３７、３８、３９の少なくとも一部を囲っている。密着性の強い第１可撓性材料層１１をこのように配置したことにより、ダイシング中に可撓性基板１０が支持基板２０から剥がれてしまうことを防止することができる。このように、密着性の強い第１可撓性材料層１１は、ダイシングされる部分の最外周近傍の少なくとも一部に配置されていることが好ましい。さらに好ましくは、例えば矩形にダイシングするとき、剥離を開始する部分（領域）を除き、最外周近傍の略四辺を囲むように配置されていることが望ましい。
【００１３】
上述したように、図３は、可撓性基板１０を支持基板２０から剥離した直後の縦断面図を示している。可撓性基板１０は、第１可撓性材料層１１（密着性の強い可撓性部材）と第２可撓性材料層１２（密着性の弱い可撓性部材）が積層されて成る。可撓性基板１０と支持基板２０が接していた面には、このように、密着性の弱い可撓性材料から成る領域と、これよりも密着性の強い可撓性材料から成る領域がある。
また、可撓性基板１０においては、底面１８の大部分を占めるように第２可撓性材料層１２が形成されている。このように、可撓性基板１０の底面１８の大部分を密着性の弱い第２可撓性材料層１２で構成することにより、ダイシング終了後の支持基板２０の剥離を小さな力で容易に行うことができる。これにより、剥離時に可撓性基板１０に与えるダメージを抑えることが可能となる。
【００１４】
次に、図１に本実施形態に係る可撓性基板１０を製造するためのプロセスについて、図４を参照しつつ説明する。図４は、本実施形態に係る可撓性基板１０の製造プロセスの流れを示すフローチャートである。
【００１５】
まず、成膜装置（不図示）にセットした支持基板２０（ステップＳ１）の全面に対して、第２可撓性材料層１２を構成する密着性の弱い材料の成膜（ステップＳ２）を行う。次に、第２可撓性材料層１２を所定の平面形状にするためにパターニングを行う（ステップＳ３）。
【００１６】
続いて、第１可撓性材料層１１を構成する密着性の強い材料をウエハ全面に成膜する（ステップＳ４）。これにより、密着性の弱い材料と強い材料が支持基板２０上で接するようになる。すなわち、ダイシングによる切断面となる位置及びその近傍に第１可撓性材料層１１が配置された底面１８が形成される。
【００１７】
次に、配線層形成（ステップＳ５）、並びに、層間膜形成、及び、パッシベーション即ち保護膜の形成（ステップＳ６）を行う。これらの工程は、可撓性基板１０における配線層の設計情報に応じて繰り返し行われ、所定の回数だけ行われたところで（ステップＳ７でＹＥＳ）成膜を終了する。
【００１８】
その後、電子部品を実装（ステップＳ８）してから、ダイシングによりウエハをチップに個片化する（ステップＳ９）。このとき、ダイシングのブレード幅を第１可撓性材料層１１の領域の幅より小さく設定して、基本的に、第１可撓性材料層１１の領域内をダイシングしていく。
【００１９】
最後に、硬質の支持基板２０から可撓性基板１０を剥離（ステップＳ１０）して可撓性基板１０の製造を完了する。
【００２０】
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
上述の実施形態では、第１可撓性材料層１１と第２可撓性材料層１２を異なる物質で構成したが、両者を同じベース物質（例えばポリイミド）で構成するとともに、第１可撓性材料層１１にはプライマーを含有し、第２可撓性材料層１２にはプライマーを含ませないようにすることができる。ここでいうプライマーは、硬質基板と可撓性基板の両方に対して良好な密着性を示すものであればよく、例えば、有機シラン系化合物で硬質基板と可撓性基板の材料に対して密着性を促進する官能基を有するものが該当する（以下、同様）。
【００２１】
また、上記実施形態では、第２可撓性材料層１２上に第１可撓性材料層１１を積層したが、これに代えて、図５に示すように、両者の間にプライマー層１５を形成（塗布）して積層体５０を形成することもできる。このようなプライマー層は、例えば、有機溶剤に溶かした有機シラン系化合物を可撓性基板の材料をスピンコートする前に、可撓性基板の表面に塗布して形成することができる。この積層体５０がダイシングにより、複数の積層体５１、５２、５３に分割されるのは、上記実施形態の積層体３１、３２、３３と同様である。この場合、第１可撓性材料層１１及び第２可撓性材料層１２を同じ物質、例えば、共に密着性が弱い物質（プライマーの含まれていないポリイミド）で構成することができるだけでなく、プライマー層１５により第１可撓性材料層１１の密着性を高めることができる。
【００２２】
図４に示すプロセスでは、密着性の弱い可撓性材料の成膜（ステップＳ２）、パターニング（ステップＳ３）、密着性の強い可撓性材料の成膜（ステップＳ４）の順に層形成を行っているが、層間膜の形成回数を減らす観点からは、密着性の弱い可撓性材料の成膜（ステップＳ２）及びパターニング（ステップＳ３）の後に、配線層１４を形成してから密着性の強い可撓性材料を成膜して層間絶縁膜１３が支持基板２０と接するようにしてもよい。
なお、ステップＳ２とステップＳ４は入れ替えて、ウエハ全面に密着性の弱い可撓性材料を成膜することも可能である。
【００２３】
以上説明したように、支持基板に対して密着性の異なる材料からなる２層以上の積層構造として、支持基板に対して密着性の強い部分と弱い部分で接するようにする。特に、可撓性基板の大部分は密着性の弱い状態で支持基板に接し、スクライブラインのみが密着性の強い状態で支持基板と接しているようにする。ダイシングは密着性の強い部分の幅より狭いブレード幅のブレードで行う。
【００２４】
このため、上記構造では、ダイシングした端面の密着性が強いために、そこから切削水が浸み込んで可撓性基板がダイシング中に剥がれることを防ぐことができる。加えて、基板の大部分は支持基板に対して密着性が低いので、剥離中は可撓性基板に大きな力を加える必要がなく、基板へのダメージがほとんどない。このようにして、ダイシングによる個片化に必要な密着性と剥離の容易性が両立できるようになる。また、基板材料自体の密着性を制御して可撓性基板を作成することで、他の材料により密着性を制御して可撓性基板を作成した場合に比べて、支持基板から可撓性基板剥離後に不要な層を除去する等の工程が不必要になるという利点もある。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
以上のように、本発明にかかる可撓性基板は、小型の電子機器、例えば内視鏡に用いる基板に適している。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態に係る可撓性基板が支持基板上に形成された状態の層構成を示す縦断面図である。
【図２】図１の積層体をダイシングによって切断した状態を示す縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る可撓性基板から支持基板を剥離した状態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る可撓性基板の製造プロセスの流れを示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態の変形例に係る可撓性基板が支持基板とともにダイシングによって切断した状態を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１０  可撓性基板
１１  第１可撓性材料層
１２  第２可撓性材料層
１３  絶縁層（層間絶縁膜）
１４  配線層
１５  プライマー層
１８  底面（支持基板と接していた面）
２０  支持基板
３０  積層体
３６  切断面
３７  切断面
３８  切断面
３９  切断面
５０  積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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