(57)【要約】【課題】導電性を有するコア部を備えるコア基板において、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡することを防止し、高密度に配線が形成される配線基板の製造に好適に利用することができるコア基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】導通スルーホール５２が貫通する下孔１８が設けられた、導電性を有するコア部１０と、該コア部１０の両面に積層して形成された配線層４８と、前記下孔１８の内壁面に被着形成されためっき層１９と、前記めっき層１９と前記導通スルーホール５２の外周面との間に充填された絶縁材２０とを備える。【選択図】図４
2009099619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導通スルーホールが貫通する下孔が設けられた、導電性を有するコア部と、
該コア部の両面に積層して形成された配線層と、
前記下孔の内壁面を被覆するめっき層と、
前記めっき層と前記導通スルーホールの外周面との間に充填された絶縁材と
を備えることを特徴とするコア基板。
【請求項２】
前記下孔の内壁面を被覆するめっき層に積層して絶縁被膜が被覆されていることを特徴とする請求項１記載のコア基板。
【請求項３】
前記めっき層は、前記下孔の内壁面を平滑にする厚さに設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のコア基板。
【請求項４】
前記めっき層は、前記下孔の内壁面に付着する導電体付着物を遮蔽する厚さに設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のコア基板。
【請求項５】
前記コア部は、カーボンファイバを含有するプリプレグが複数枚加圧および加熱されて平板体に形成されたカーボンファイバ強化プラスチックからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のコア基板。
【請求項６】
導通性を有するコア部に下孔を形成する工程と、
該下孔が形成された基板にめっきを施し、前記下孔の内壁面をめっき層により被覆する工程と、
該めっき層が形成された下孔に絶縁材を充填する工程と、
該絶縁材が充填された下孔内を貫通する貫通孔を形成する工程と、
めっきにより前記貫通孔の内壁面にめっき層を被着形成し、導通スルーホールを形成する工程
とを備えることを特徴とするコア基板の製造方法。
【請求項７】
前記下孔に絶縁材を充填する工程に続いて、基板の両面に基板と一体に配線層を形成する工程を備え、
該配線層が一体形成された基板に、前記下孔内を貫通する貫通孔を形成することを特徴とする請求項６記載のコア基板の製造方法。
【請求項８】
前記下孔が形成された基板にめっきを施して、前記下孔の内壁面をめっき層により被覆する工程に続いて、前記めっき層を電源供給層とする電着法により、前記めっき層に積層して絶縁被膜を形成する工程を備え、
該絶縁被膜が形成された下孔に絶縁材を充填することを特徴とする請求項６または７記載のコア基板の製造方法。
【請求項９】
前記下孔が形成された基板にめっきを施す際に、前記下孔の内壁面を平滑化する厚さにめっき層を被着形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項記載のコア基板の製造方法。
【請求項１０】
前記下孔が形成された基板にめっきを施す際に、前記下孔の内壁面に付着する導電体付着物を遮蔽する厚さにめっき層を被着形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項記載のコア基板の製造方法。
【請求項１１】
前記コア部を形成する工程として、カーボンファイバを含有するプリプレグを複数枚積層し、加圧および加熱して平板体として形成する工程を備えることを特徴とする請求項６記載のコア基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜５のいずれか一項記載のコア基板に配線層が積層して形成されていることを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性を有するコア部を備えたコア基板およびその製造方法、並びにこのコア基板を用いた配線基板に関し、より詳細にはコア基板に導通スルーホールを形成する方法を特徴とするコア基板およびその製造方法、並びにこのコア基板を用いた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載する配線基板や半導体ウエハの検査に使用される試験用基板には、カーボンファイバ強化プラスチック（CFRP)をコア基板に備えている製品がある。このカーボンファイバ強化プラスチックを備えたコア基板は、従来のガラスエポキシ基板からなるコア基板と比較して低熱膨張率であり、基板の熱膨張係数を基板に搭載される半導体素子の熱膨張係数にマッチングさせることができ、半導体素子と配線基板との間に生じる熱応力を回避することができるという利点を有する。
【０００３】
配線基板はコア基板の両面に配線層を積層して形成され、コア基板には、その両面に積層される配線層と電気的導通をとるための導通スルーホールPTH（Plated through hole)が形成される。この導通スルーホールは、基板に貫通孔を形成し、めっきにより貫通孔の内壁面に導通部（めっき層）を形成することによって形成される。
【０００４】
ところで、カーボンファイバ強化プラスチックのような導電性を有するコア部を備えるコア基板の場合には、単に基板に貫通孔を形成して貫通孔の内壁面にめっきを施すと、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡してしまう。このため、導電性を有するコア部を備えるコア基板に導通スルーホールを形成する際には、コア基板に導通スルーホールよりも大径の下孔を形成し、下孔に絶縁性を有する樹脂を充填した後、下孔に導通スルーホールを貫通させて、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡しないようにしている（特許文献１、２参照）。
【特許文献１】再表２００４／０６４４６７号公報
【特許文献２】特開２００６−２２２２１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、コア基板に設ける下孔をドリル加工によって形成したような場合には、下孔の内壁面にバリが生じ、下孔に貫通させた導通スルーホールとコア部とが電気的に導通するおそれがある。このため、たとえば特許文献２においては、下孔の内壁面を絶縁層によって被覆し、導通スルーホールと導電性を備えるコア部とが電気的に短絡しないようにする方法がとられている。しかしながら、粗面に形成された下孔の内壁面を、確実に絶縁層によって被覆することは必ずしも容易ではない。
また、配線基板は近年ますます高密度化し、それとともに導通スルーホールは細径化して導通スルーホールと下孔の内壁面との離間間隔が狭くなり、導通スルーホールとコア部とは一層、導通（短絡）しやすい状態になっている。
【０００６】
本発明は、コア部１０のように導電体をコア部とするコア基板の製造工程において、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡することを防止し、高密度に配線が形成される配線基板の製造に好適に利用することができるコア基板およびその製造方法、並びにこのコア基板を用いた配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、本発明に係るコア基板は、導通スルーホールが貫通する下孔が設けられた、導電性を有するコア部と、該コア部の両面に積層して形成された配線層と、前記下孔の内壁面を被覆するめっき層と、前記めっき層と前記導通スルーホールの外周面との間に充填された絶縁材とを備えることを特徴とする。
前記コア基板は、前記下孔の内壁面を被覆するめっき層に積層して絶縁被膜が被覆されていることによって、さらに確実に、導通スルーホールと導電性を有するコア部との電気的短絡を防止することができる。
【０００８】
また、前記めっき層は、前記下孔の内壁面を平滑にする厚さに設けられていることにより、下孔に樹脂等の絶縁材を充填した際に、樹脂中にボイドを生じさせないようにして充填することができ、導通スルーホールとコア部との電気的短絡を防止する上で有効である。
また、前記めっき層は、前記下孔の内壁面に付着する導電体付着物を遮蔽する厚さに設けられていることにより、ドリル加工等によって下孔を加工した際に下孔の内壁面に付着したカーボン等の導電体付着物が、下孔に充填する絶縁材中に混入することを効果的に防止することができ、導通スルーホールとコア部との電気的短絡を防止する上で有効である。
【０００９】
また、前記コア基板は、前記コア部が、カーボンファイバを含有するプリプレグを複数枚積層し、加圧・加熱して平板体に形成されたカーボンファイバ強化プラスチックからなるものが好適に使用される。
【００１０】
また、コア基板の製造方法において、導通性を有するコア部に下孔を形成する工程と、該下孔が形成された基板にめっきを施し、前記下孔の内壁面をめっき層により被覆する工程と、該めっき層が形成された下孔に絶縁材を充填する工程と、該絶縁材が充填された下孔内を貫通する貫通孔を形成する工程と、めっきにより前記貫通孔の内壁面にめっき層を被着形成し、導通スルーホールを形成する工程とを備えることを特徴とする。
なお、コア部に下孔を加工する方法としては、ドリル加工に限定されるものではなく、種々の下孔加工方法に対して本発明を適用することができる。
また、前記下孔に絶縁材を充填する工程に続いて、基板の両面に基板と一体に配線層を形成する工程を備え、該配線層が一体形成された基板に、前記下孔内を貫通する貫通孔を形成する製造工程によることもできる。
【００１１】
また、前記下孔が形成された基板にめっきを施して、前記下孔の内壁面をめっき層により被覆する工程に続いて、前記めっき層を電源供給層とする電着法により、前記めっき層に積層して絶縁被膜を形成する工程を備え、該絶縁被膜が形成された下孔に絶縁材を充填することにより、めっき層に積層して絶縁被膜を形成することができ、導通スルーホールとコア部との電気的短絡を好適に回避する配線基板として提供することができる。
【００１２】
また、前記下孔が形成された基板にめっきを施す際に、前記下孔の内壁面を平滑化する厚さにめっき層を被着形成すること、また、前記下孔が形成された基板にめっきを施す際に、前記下孔の内壁面に付着する導電体付着物を遮蔽する厚さにめっき層を被着形成することによって、下孔に絶縁材を充填する際に絶縁材中にボイドが生じることを効果的に抑制することができ、また下孔の内壁面に付着した導電体付着物が下孔の内壁面から剥離することを効果的に抑制して導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡することを防止することができる。
また、前記コア部を形成する工程として、カーボンファイバを含有するプリプレグを複数枚積層し、加圧および加熱して平板体として形成する工程を備えることを特徴とする。
また、前記コア基板に配線層を積層することにより多層の配線基板として得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るコア基板は、導通スルーホールが貫通する下孔の内壁面をめっき層により被覆したことにより、下孔に絶縁材を充填する際に絶縁材中にボイドが生じることを防止し、導通スルーホールとコア部との電気的短絡を防止することができる。また、下孔を加工した際に下孔の内壁面に導電体の付着物が存在していたような場合には、めっき層により下孔の内壁面から導電体付着物が剥離することを防止し、導電体付着物をめっき層によて遮蔽することにより、下孔に充填する絶縁材に導電体が混入することを防止して絶縁材の絶縁性を維持し、導電体付着物によって導通スルーホールとコア部とが短絡すること防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（下孔形成工程）
図１、２は、本発明に係るコア基板の製造工程において、導通スルーホールを貫通させる下孔を基板に形成し、下孔に絶縁材を充填するまでの工程を示す。
図１（ａ）は、カーボンファイバ強化プラスチックからなるコア部１０の両面にプリプレグ１２を介して銅箔１４を接合し、平板体に形成した基板１６を示す。コア部１０は、カーボンクロスにエポキシ樹脂などの高分子材料を含浸させたプリプレグを４枚積層し加熱および加圧して一体形成される。なお、コア部１０を構成するカーボンファイバを含むプリプレグの積層数は任意に選択できる。
【００１５】
本実施形態では、長繊維カーボンファイバからなるカーボンファイバクロスを使用してコア部１０を形成したが、カーボンファイバクロスの他に、カーボンファイバ不織布、カーボンファイバメッシュ等が使用できる。カーボンファイバの熱膨張係数は約０ppm／℃であり、カーボンファイバ強化プラスチックを構成するカーボンファイバの含有率、カーボンファイバに含浸させる樹脂の素材、樹脂に混入させるフィラーの材料を選択することによってコア部１０の熱膨張係数を調節することができる。実施形態のコア部１０の熱膨張係数は１ppm／℃程度である。
【００１６】
また、カーボンファイバ強化プラスチックからなるコア部１０を備えるコア基板全体としての熱膨張係数は、コア基板を構成する配線層、および配線層間に介在させる絶縁層の熱膨張係数を選択することによって調節することができる。また、コア基板の両面にビルドアップ層を積層して形成される配線基板の熱膨張係数は、コア基板とビルドアップ層の熱膨張係数を選択することによって適宜調節することができる。半導体素子の熱膨張係数は約３．５ppm／℃である。配線基板の熱膨張係数をこれに搭載する半導体素子の熱膨張係数にマッチングさせることは容易に可能である。
【００１７】
図１（ｂ）は、基板１６に下孔１８をあけた状態である。下孔１８はドリル加工によって基板１６を厚さ方向に貫通するように形成する。下孔１８は後工程で形成する導通スルーホールの貫通孔よりも大径に形成される。本実施形態では、下孔１８の孔径を０．８ｍｍとし、導通スルーホールの孔径を０．３５ｍｍとした。下孔１８はコア基板に形成する導通スルーホールの各々の平面配置位置に合わせて形成する。
【００１８】
下孔１８をドリル加工によってあけると、ドリルの磨耗等によって下孔１８の内壁面にばりが生じ、下孔１８が粗面（凹凸面）になり、下孔１８の内壁面にコア部１０の切粉１１が付着して残留することがある。
カーボンファイバ強化プラスチックからなるコア部１０の場合は、カーボンの切粉１１が下孔１８の内壁面に付着して残留し、この切粉１１は導電性を有することから、切粉１１が下孔１８に充填される樹脂２０に混入すると、樹脂２０の絶縁性が阻害され、導通スルーホールとコア部１０とが電気的に短絡するという障害が生じる。
【００１９】
本実施形態においては、この問題を回避するために、基板１６に下孔１８をあけた後、基板１６に無電解銅めっきおよび電解銅めっきをこの順に施し、下孔１８の内壁面をめっき層１９によって被覆する工程を採用する。基板１６に無電解銅めっきを施すことによって、下孔１８の内面の全面と、基板１６の表裏面の全面に無電解銅めっき層が形成される。この無電解銅めっき層をめっき給電層として電解銅めっきを施すことにより、下孔１８の内面と、基板１６の両面にめっき層１９を形成することができる。無電解銅めっき層の厚さは０．５μｍ程度、電解銅めっき層の厚さは１０〜２０μｍ程度である。
【００２０】
基板１６にめっきを施して下孔１８の内壁面を被覆する目的は、ドリル加工によって粗面となった下孔１８の内壁面を平滑化することと、下孔１８の内壁面に付着して残留する切粉１１が内壁面から剥離しないようにすることにある。したがって、めっき層１９は、下孔１８の内壁面を平滑化でき、下孔に付着した切粉１１が遮蔽できる厚さに設ければよい。
基板１６に無電解銅めっきと電解銅めっきを施すことによって、下孔１８の内壁面の全面をめっき層１９によって確実に被覆することができる。
【００２１】
図１（ｄ）は、下孔１８に樹脂２０を充填した状態である。樹脂２０はスクリーン印刷法あるいはメタルマスクを用いて下孔１８に充填することができる。下孔１８に樹脂２０を充填した後、加熱キュア工程により、樹脂２０を硬化させる。樹脂２０を熱硬化させた後、下孔１８から突出する樹脂２０の端面を研磨し、平坦化するとともに、樹脂２０の端面を基板１６の表面（めっき層１９の表面）と面一にする。
樹脂２０は下孔１８に充填する絶縁材であり、適宜絶縁材料が使用できる。本実施形態では、熱硬化型のエポキシ樹脂を使用した。
【００２２】
本実施形態においては、下孔１８に樹脂２０を充填する前に、基板１６にめっきを施して下孔１８の内壁面をめっき層１９によって被覆するから、下孔１８の内壁面に残留した切粉１１が樹脂２０に混入することが防止され、樹脂２０の絶縁性が確保される。
また、下孔１８の内壁面にめっきを施したことによって下孔１８の内壁面が平滑面になり、めっき層１９に対する樹脂２０の濡れ性が良好であることから、下孔１８への樹脂２０の充填性が良好になり、樹脂２０中にボイドが生じることを抑制することができる。
下孔１８の内壁面が粗面に形成されていると、下孔１８に樹脂２０を充填する際に、樹脂２０中にエアが巻き込まれやすく、樹脂２０中にボイドが生じる障害が見られる。このボイドは、後工程で導通スルーホールを形成する際に、導通スルーホールとコア部とを連通させるように作用し、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡する原因になる。下孔１８の内壁面をめっき層１９によって被覆することは、樹脂２０中にボイドが発生することを抑制し、導通スルーホールとコア部とが電気的に短絡することを抑制するという作用効果を有する。
【００２３】
図２は、図１（ｃ）に示しためっき工程後、さらに電着法によって下孔１８の内壁面に絶縁被膜２１を被着形成する工程を示す。図２（ａ）は、基板１６にめっきを施して下孔１８の内壁面と基板１６の表面をめっき層１９によって被覆した状態である。
図２（ｂ）は、電着法によって下孔１８の内壁面と基板１６の表面に絶縁被膜２１を形成した状態を示す。めっき層１９は下孔１８の内壁面と基板１６の両面全体に被着しているから、めっき層１９を電源供給層とする電着法を適用することによって、下孔１８の内面の全面と基板１６の表面の全面に絶縁被膜２１を被着させることができる。絶縁被膜２１は、一例として、エポキシ樹脂の電着液中に基板１６を浸漬し、めっき層１９を直流電源に接続し、定電流法によって電着することができる。絶縁被膜を基板１６の表面および下孔１８の内壁面に被着した後、乾燥処理および加熱処理を行って絶縁被膜２１を硬化させる。絶縁被膜２１の厚さは１０〜２０μｍである。
【００２４】
図２（ｃ）は、電着法によって絶縁被膜２１を被着させた後、下孔１８に樹脂２０を充填した状態を示す。下孔１８に樹脂２０を充填して樹脂２０を熱硬化させた後、研磨加工によって下孔１８から突出する樹脂２０の端面を研磨して平坦化する。この際に、同時に基板１６の表面に被着する絶縁被膜２１を研磨して除去する。
【００２５】
本実施形態のように、基板１６にめっきを施した後、さらに下孔１８の内壁面に絶縁被膜２１を被着する方法によれば、ドリル加工によって形成した下孔１８の内壁面がめっき層１９に加えて絶縁被膜２１によっても被覆されるから、下孔１８の内壁面の平滑性をさらに向上させることができる。また、下孔１８の内壁面に付着する切粉を被覆する作用をより確実にすることができる。下孔１８の内壁面がさらに平滑になることにより、下孔１８に樹脂２０を充填した際に樹脂２０中にボイドが生じることを抑えることができ、樹脂２０中に切粉１１が混入することを防止することによって樹脂２０の絶縁性が劣化することを防止し、導通スルーホールとコア部１０とが電気的に短絡することを防止することができる。
【００２６】
製造工程によっては、基板１６に下孔１８を形成した後、基板１６にデスミア処理を施し、下孔１８の内壁面の汚れを除去する操作を行う場合がある。デスミア処理によれば、基板１６の表面や下孔１８内の汚れが除去される一方、下孔１８の内壁面の表面粗さが助長される。このような場合には、めっき層１９を形成する工程に加えて絶縁被膜２１によって下孔１８の内壁面を被覆することによって、下孔１８の内壁面を平滑化することができ、導通スルーホールとコア部１０とが短絡することを回避することができる。
【００２７】
なお、上記製造工程においては、ドリル加工によって基板１６に下孔１８を形成したが、本発明はドリル加工によって下孔１８を形成する場合に限るものではない。たとえば、他の機械加工による場合やレーザー加工による場合等においても適用できる。また、上記製造工程ではコア部１０としてカーボンファイバ強化プラスチックを使用した例を示したが、コア部１０としてはこれ以外の導電体を使用する場合にも適用できるものである。
【００２８】
（コア基板の製造工程）
図３、４は、基板１６の両面に配線層を形成し、コア基板３０を形成するまでの工程を示す。
図３（ａ）は、下孔１８の内壁面をめっき層１９によって被覆し、下孔１８に樹脂２０を充填して形成した基板１６の両面に配線層を形成するため、プリプレグ４０、配線シート４２、プリプレグ４４、銅箔４６をこの順に配置した状態を示す。配線シート４２は絶縁樹脂シート４１の両面に配線パターン４２ａを形成したものである。配線シート４２は、たとえば、ガラスクロスからなる絶縁樹脂シートの両面に銅箔を被着した両面銅張り基板の銅箔層を所定パターンにエッチングして形成することができる。
【００２９】
プリプレグ４０、配線シート４２、プリプレグ４４、銅箔４６を基板１６の両面に位置合わせして積層し、加熱下で加圧することによりプリプレグ４０、４４を熱硬化させ、基板１６に一体に配線層４８を接合する（図３（ｂ））。プリプレグ４０、４４はガラスクロスに熱硬化型の樹脂材料を含浸して形成され、未硬化状態で層間に介装して加熱および加圧することにより、各層間を電気的に絶縁した状態で配線層４８を一体化する。
基板１６の両面に形成する配線層４８は、プリプレグを介して配線シート４２を任意の枚数積層することによって多層構造に形成することができる。配線層４８の表面の銅箔４６はコア基板の両面にビルドアップ層を形成する際に、最下層の配線パターンが形成される層である。
【００３０】
次に、配線層４８が積層された基板１６に導通スルーホールを形成するための貫通孔５０を形成する。貫通孔５０は、ドリル加工により、下孔１８と同芯に、配線層４８および基板１６を厚さ方向に貫通させて形成することができる（図３（ｃ））。貫通孔５０は下孔１８よりも小径に形成するから、貫通孔５０の樹脂２０を通過する部位では、樹脂２０が貫通孔５０の内壁面に露出する。
【００３１】
図４（ａ）は、貫通孔５０を形成した後、基板に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施して貫通孔５０の内面に導通スルーホール５２を形成した状態を示す。無電解銅めっきにより、貫通孔５０の内面および基板の表面の全面に、無電解銅めっき層が形成される。この無電解銅めっき層をめっき給電層として電解銅めっきを施すことにより、貫通孔５０の内壁面の全面と基板の表面の全面にめっき層５２ａが被着形成される。貫通孔５０の内壁面に形成されためっき層５２ａは基板の表裏面の配線パターンを電気的に接続する導通スルーホール５２となる。
【００３２】
図４（ｂ）は、貫通孔５０に絶縁性の樹脂５４を充填する工程を示す。樹脂５４としては、例としてエポキシ樹脂が使用できる。樹脂５４はスクリーン印刷法等によって貫通孔５０に充填することができる。樹脂５４を充填した後、加熱キュア工程により樹脂５４を熱硬化させる。
【００３３】
図４（ｃ）は、基板の表面に被着形成された銅箔４６とめっき層５２ａとを所定パターンにエッチングし、基板の表面に配線パターン５６を形成してコア基板５８とした状態を示す。本実施形態では、図４（ｂ）の工程後、基板の表面に蓋めっき５５を設け、蓋めっき５５とめっき層５２ａと銅箔４６とをエッチングして配線パターン５６を形成した。
コア基板５８の表裏面に形成された配線パターン５６は、導通スルーホール５２を介して電気的に接続する。また、配線層４８の内層に形成された配線パターン４２ａが適宜位置において導通スルーホール５２に接続する。
【００３４】
本実施形態のコア基板の製造方法においては、基板１６に導通スルーホール５２を貫通させるための下孔１８を形成した後、めっきにより下孔１８の内壁面をめっき層１９によって被覆する工程を採用することにより、下孔１８の内壁面と導通スルーホール５２の外周面との間には絶縁材としての樹脂２０が充填され、導通スルーホール５２とコア部１０との電気的な絶縁が確保される。下孔１８の内壁面に付着して残留するカーボン等の導電性付着物はめっき層１９によって遮蔽されてて樹脂２０中に混入することが防止され、樹脂２０の電気的な絶縁性が確保されること、下孔１８に樹脂２０を充填する際に樹脂２０中にボイドが生じることが抑えられて、導通スルーホール５２とめっき層１９とがボイドによって電気的に短絡することが防止されるからである。
【００３５】
図５は、図２（ｃ）に示した、下孔１８の内壁面にめっき層１９を被着形成し、さらにめっき層１９の表面を絶縁被膜２１によって被覆した基板１６について、図３、４に示した工程と同様にして、基板１６の両面に配線層４８を形成し、基板を貫通する導通スルーホール５２を形成してコア基板５８とした状態を示す。コア基板５８の両面には配線パターン５６が形成され、導通スルーホール５２を介してコア基板５８の両面の配線パターン５６が電気的に接続されている。
【００３６】
本実施形態のコア基板５８においては、コア部１０に形成した下孔１８の内壁面がめっき層１９と絶縁被膜２１とによって二重に被覆され、下孔１８の内側面が絶縁被膜２１となっているから、下孔１８に樹脂２０を充填した際に、仮に樹脂２０中にボイドが発生し、ボイド部分で導通スルーホール５２に膨張部５２ｂが生じたとしても、絶縁被膜２１がめっき層１９との間に介在することによって、導通スルーホール５２とコア部１０とが短絡することを防止することができる。
【００３７】
この絶縁被膜２１の作用は、下孔１８に樹脂２０を充填した際に、下孔１８の側面にボイドが発生すると、ボイド部分で導通スルーホール５２と下孔１８の内壁面とが連通する状態になることがあり、これによって導通スルーホール５２と下孔１８の内壁面とが導通するという問題が背景にある。下孔１８の内壁面をめっき層１９によって被覆することにより、樹脂２０中にボイドが発生することを抑制することができるが、絶縁被膜２１を設ける方法は、樹脂２０中にボイドが仮に発生しても、確実に導通スルーホール５２とコア部１０とを絶縁する方法として有効である。
【００３８】
（配線基板の製造方法）
図４（ｃ）に示すコア基板５８の表裏面に配線パターンを積層形成することによって配線基板を形成することができる。図６は、図４（ｃ）に示すコア基板５８の両面に配線パターンを積層して形成した配線基板を示す。
コア基板５８の両面に配線パターンを積層構造に形成する方法としては、たとえばビルドアップ法によって配線パターンを積層構造とすることができる。図６（ａ）は、コア基板５８の両面に１層目のビルドアップ層６０ａを形成した状態、図６（ｂ）は第２層目のビルドアップ層６０ｂを積層して形成した状態を示す。図６ではビルドアップ層６０を２層に積層した構成を示すが、ビルドアップ層６０は任意の層数の積層構造とすることができる。
【００３９】
図６（ａ）に示す１層目のビルドアップ層６０ａは、絶縁層６１ａと絶縁層６１ａの表面に形成された配線パターン６２ａと、下層の配線パターン５６と上層の配線パターン６２ａとを電気的に接続するビア６３ａとを備える。図６（ｂ）に示す２層目のビルドアップ層６０ｂも絶縁層６１ｂと配線パターン６２ｂとビア６３ｂとを備える。
コア基板５８の両面に形成されたビルドアップ層６０の配線パターン６２ａ、６２ｂは導通スルーホール５２およびビア６３ａ、６３ｂを介して電気的に導通される。
【００４０】
ビルドアップ層６０を形成する工程は、以下のような工程である。
まず、ビルドアップ層の例として、コア基板５８の両面にエポキシフィルム等の絶縁性樹脂フィルムをラミネートして絶縁層６１ａを形成し、レーザ加工により、ビア６３ａを形成するビア穴を底面でコア基板５８の表面に形成されている配線パターン５６が露出するように絶縁層６１ａに開口させる。
次に、デスミア処理によりビア穴の内面を粗化し、無電解銅めっきを施してビア穴の内面および絶縁層６１ａの表面に無電解銅めっき層を形成する。
次に、無電解銅めっき層の表面にフォトレジストを被着し、露光および現像操作により、無電解銅めっき層の配線パターン６２ａとなる部位を露出させたレジストパターンを形成する。
【００４１】
次いで、レジストパターンをマスクとして、無電解銅めっき層をめっき給電層とする電解銅めっきを施し、無電解銅めっき層が露出している部位に電解銅めっきを盛り上げ形成する。この工程で、ビア穴に電解銅めっきが充填され、ビア６３ａが形成される。
次に、レジストパターンを除去し、無電解銅めっき層の露出領域をエッチングして除去することにより、絶縁層６１ａの表面に所定のパターンで配線パターン６２ａが形成される。
【００４２】
第２層目のビルドアップ層６０ｂについても、上記工程と同様にして形成することができる。各配線層では、任意のパターンに配線パターン６２ａ、６２ｂを形成することができる。最上層では、半導体素子を接続するための電極、あるいは外部接続端子を接合するための接続パッドをパターン形成し、外部に露出する電極あるいは接続パッドを除いて保護膜によって被覆する。外部に露出する電極あるいは接続パッドについては、金めっき等の所要の保護めっきが施される。
【００４３】
図７は、図５に示したコア基板５８の両面にビルドアップ層６０を形成した例を示す。ビルドアップ層６０の構成は、上述した図６に示すビルドアップ層６０と変わらない。
【００４４】
上記例は、ビルドアップ法による製造工程の一例を述べたもので、ビルドアップ法による配線層の形成方法には具体的にはさまざまな方法がなされている。また、配線層を積層構造に形成する方法はビルドアップ法の他に種々の方法がある。本発明に係る配線基板はビルドアップ法による製造方法に限定されるものではなく、配線層を積層構造に形成する種々の方法を利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】基板に下孔を形成し、樹脂を充填するまでの製造工程を示す断面図である。
【図２】基板に下孔を形成し、樹脂を充填するまでの製造工程を示す断面図である。
【図３】コア基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】コア基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】コア基板の他の構成例を示す断面図である。
【図６】配線基板の構成および配線基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】配線基板の他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  コア部
１１  切粉
１２  プリプレグ
１４  銅箔
１６  基板
１８  下孔
１９  めっき層
２０  樹脂
２１  絶縁被膜
４０、４４  プリプレグ
４１  絶縁樹脂シート
４２  配線シート
４２ａ  配線パターン
４６  銅箔
４８  配線層
５０  貫通孔
５２  導通スルーホール
５２ａ  めっき層
５２ｂ  膨張部
５４  樹脂
５５  蓋めっき
５６  配線パターン
５８  コア基板
６０、６０ａ、６０ｂ  ビルドアップ層
６１ａ、６１ｂ  絶縁層
６２ａ、６２ｂ  配線パターン
６３ａ、６３ｂ  ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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