(57)【要約】【課題】光量検出の感度変化を防止した上で、計測時間の短縮化を図る。【解決手段】ＴＦＴ１１のソース電極ｓに対し、電極ゲート電極ｇをオン電圧からオフ電圧に変化させたときに、ＴＦＴのソース電極に流れる電極を、オペアンプ１６および抵抗素子１７によって電圧の信号Ｖmonに変換する。この信号Ｖmonに現れる微分波形に基づいて、ＴＦＴ１１への入射光量を求める。例えば、パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化してから、信号Ｖmonがしきい値電圧Ａ／ｅに達するまでの時間Ｔobを計測して、当該時間Ｔobを受光量に換算する。【選択図】図１
2009250945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタへの入射光量を検出する光量検出回路であって、
前記トランジスタのゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とに対し、当該トラ
ンジスタをオン状態からオフ状態とさせる電圧変化を与えたときに、
前記トランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一方または双方
に流れる微分電流または発現される微分電圧の減衰特性に基づいて、前記トランジスタへ
の入射光量を検出する
ことを特徴とする光量検出回路。
【請求項２】
前記ソース電極または前記ドレイン電極を所定の電位に保ち、
前記ゲート電極に印加する電圧の変化によって前記トランジスタをオフ状態とさせたと
きに、前記ソース電極または前記ドレイン電極に流れる電流を電圧に変換する変換回路を
有する
ことを特徴とする請求項１に記載の光量検出回路。
【請求項３】
前記ゲート電極を所定の電位に保ち、
前記ソース電極または前記ドレイン電極に印加する電圧の変化によって前記トランジス
タをオフ状態とさせたときに、前記ソース電極または前記ドレイン電極に流れる電流を電
圧に変換する変換回路を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の光量検出回路。
【請求項４】
前記トランジスタを直列接続とし、前記直列接続したトランジスタのゲート電極のそれ
ぞれに印加する電圧の変化によって前記直列接続したトランジスタをオフ状態とさせたと
きに、前記直列接続したトランジスタの接続点に現れる電圧を増幅する増幅回路を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の光量検出回路。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光量検出回路を有し、所定の表示を行う
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置と、
前記電気光学装置の表示を照明する光源と、
前記光量検出回路により検出された受光量に応じて、前記光源による照明光を制御する
照明制御回路と、
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば薄膜トランジスタを用いて光量検出を行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話や個人向携帯端末（Personal Digital Assistance）などの電子機器に、液晶
素子などをマトリクス状に配列させた電気光学装置が広く用いられている。この電気光学
装置は、明るい状態から暗い状態まで様々な環境下で使用されるので、外光の光量を検出
するとともに、その検出結果に合わせて表示画像を制御する構成となっている。
このような構成において、光量検出のための回路を電気光学装置とは別体に設けると、
実装するスペースが余計に必要となったり、電子機器の外装部に外光を検出するための開
口部を設ける必要が生じたりするなどの問題が生じる。このため、電気光学装置の画素を
スイッチングするトランジスタと共通プロセスによって、光量検出のための回路を形成し
て、電気光学装置それ自体で外光をも検出する技術が提案されている（特許文献１参照）
。
【特許文献１】特開２００６−２９８３２号公報（図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記技術では、経年的に使用していると、光量検出の感度が次第に変化
する、といった問題が指摘された。この問題を解決するため、トランジスタのゲート電極
に正のバイアス電圧を印加する技術も提案されつつあるが、この技術では、光量検出に時
間を要してしまう、という新たな問題も見つかった。
本発明は、上述した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光量検出
に時間を要しない光量検出回路、電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明は、トランジスタへの入射光量を検出する光量検出
回路であって、前記トランジスタのゲート電極と、ソース電極またはドレイン電極とに対
し、当該トランジスタをオン状態からオフ状態とさせる電圧変化を与えたときに、前記ト
ランジスタの前記ソース電極または前記ドレイン電極のいずれか一方または双方に流れる
微分電流または発現される微分電圧の減衰特性に基づいて、前記トランジスタへの入射光
量を検出することを特徴とする。本発明によれば、トランジスタをオフにした直後から計
測が開始することができるので、光量検出に時間は要しない。
【０００５】
本発明において、前記ソース電極または前記ドレイン電極を所定の電位に保ち、前記ゲ
ート電極に印加する電圧の変化によって前記トランジスタをオフ状態とさせたときに、前
記ソース電極または前記ドレイン電極に流れる電流を電圧に変換する変換回路を有する構
成としても良いし、前記ゲート電極を所定の電位に保ち、前記ソース電極または前記ドレ
イン電極に印加する電圧の変化によって前記トランジスタをオフ状態とさせたときに、前
記ソース電極または前記ドレイン電極に流れる電流を電圧に変換する変換回路を有する構
成としても良い。また、前記トランジスタを直列接続とし、前記直列接続のトランジスタ
のゲート電極のそれぞれに印加する電圧の変化により、前記直列接続のトランジスタをオ
フ状態とさせたときに、前記直列接続のトランジスタの接続点に現れる電圧を増幅する増
幅回路を有する構成としても良い。
また、本発明は、このような光量検出回路を有し、所定の表示を行う電気光学装置に適
用可能であるし、前記電気光学装置の表示を照明する光源と、前記光量検出回路により検
出された受光量に応じて、前記光源による照明光を制御する照明制御回路と、を有する電
子機器にも適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の実施形態を説明するために、まず、従来構成において光量検出の感度が変化す
る点、さらに、感度変化を解消するためにトランジスタのゲート電極に正のバイアス電圧
を印加した場合に、光量検出に時間を要してしまう点について、この順番で説明する。
【０００７】
まず、感度の変化が変化する構成について図１１を参照して説明する。
この図に示されるように、薄膜トランジスタ（thin film transistor、以下、適宜「Ｔ
ＦＴ」と略称する）１１のソース電極ｓは、電圧ゼロの基準とする電位Ｇndに接地され、
そのドレイン電極ｄが、容量素子１３の一端およびスイッチＳ２の一端に、それぞれ接続
されている。ＴＦＴ１１のゲート電極ｇには、ソース電極ｓの電位Ｇndよりも低位側の負
電圧に常時バイアスされている。定電圧源１５は、基準電圧Ｖaを出力するものであり、
その正極端子がスイッチＳ２の他端に接続され、負極端子は電位Ｇndに接地されている。
なお、容量素子１３の他端についても、電位Ｇndに接地されている。また、スイッチＳ２
の開閉については、図示省略した制御回路が制御する。
【０００８】
この構成において、まず、スイッチＳ２を閉じて（オンさせて）、容量素子１３に定電
圧源１５による基準電圧Ｖaを充電させる。次に、スイッチＳ２を開くと（オフさせると
）、容量素子１３に充電された基準電圧Ｖaは、ＴＦＴ１１の漏れ電流に応じた放電によ
って徐々に低下する。したがって、容量素子１３に充電された電圧を、信号Ｖdetにより
監視することでＴＦＴ１１への受光量を求めることができる。
例えば、基準電圧ＶaとＧndとの間でしきい値Ｖthを設定するとともに、スイッチＳ２
を開いてから信号Ｖdetの電圧が当該しきい値Ｖthに低下するまでの時間を計測し、当該
計測時間を、テーブルを参照して受光量に変換する等によって、ＴＦＴ１１への受光量を
求めることができる。
ただし、この構成において、ＴＦＴ１１に負の電圧をバイアスし続けると、光量と漏れ
電流量と関係が経年的に変化する、すなわち、感度が変化（劣化）してしまう、という問
題が生じた。
【０００９】
この問題を解消するために、本発明者は、図１２に示されるような、トランジスタのゲ
ート電極に正のバイアス電圧を間欠的に印加する技術を提案した。
この図に示されるように、ＴＦＴ１１のドレイン電極ｄが、さらにスイッチＳ１の一端
に接続される一方、ＴＦＴ１１のゲート電極ｇには、パルス発生回路１２によるパルス信
号Ｇpが供給される。
なお、パルス信号Ｇpは、図１３に示されるように、周期Ｆに対して１／１００程度の
デューディ比でＨレベルとなるパルスであって、ＨレベルがＴＦＴ１１をオン状態にする
オン電圧（Ｖgon）であり、Ｌレベルが当該ＴＦＴ１１をオフ状態にするオフ電圧（Ｖgof
f）である。また、スイッチＳ１、Ｓ２の開閉については、図示省略した制御回路が、パ
ルス発生回路１２によるパルス信号Ｇpの出力に合わせて制御する構成となっている。
【００１０】
この構成において、タイミングｔ１にてパルス信号ＧpがＨレベルとなるとともに、当
該タイミングｔ１からｔ２までの期間にわたってスイッチＳ１が閉じる。スイッチＳ１が
閉じると、容量素子１３の両端が短絡するので、容量素子１３の充電電圧がゼロにリセッ
トされる。このため、信号Ｖdetの電圧が電位Ｇndのゼロとなる。
続いて、タイミングｔ２においてスイッチＳ１が開いた後に、タイミングｔ３からｔ４
までの期間にわたってスイッチＳ２が閉じる。これにより、容量素子１３には、定電圧源
１５による基準電圧Ｖaが充電される。
そして、スイッチＳ２が開くタイミングｔ４以降の期間において、オフ状態にあるＴＦ
Ｔ１１では、そのドレイン電極ｄからソース電極ｓに向かって、受光された光量に応じた
漏れ電流が流れる。このため、容量素子１３は、この漏れ電流に応じて放電するので、信
号Ｖdetは、基準電圧Ｖaから徐々にＧndに向かって低下する。
したがって、スイッチＳ２が開いてから信号Ｖdetがしきい値Ｖthに低下するまでの時
間等を計測することによって、当該計測時間とおおよそ反比例の関係にあるＴＦＴ１１へ
の受光量を求めることができる。
【００１１】
この構成では、ＴＦＴ１１に正のオン電圧が間欠的に印加されるので、感度の変化を防
止することが可能となったものの、受光量を正確に検出するためには時間を要する、ある
いは、短い時間間隔で受光量を検出できない、といった点を発明者らが見出した。
【００１２】
この点について詳述する。薄膜トランジスタは、ゲート電極／絶縁層／半導体層という
層構造で形成される。このため、ＴＦＴ１１の等価回路は、図１４に示されるように、ゲ
ート電極と半導体層とが絶縁層を介して対向するチャネル領域を容量Ｃtrとし、半導体層
であるドレイン・ソース電極の間を抵抗Ｒtrとみなすことができる。
ここで、ＴＦＴ１１を構成する半導体層のうち、チャネル領域の中心に相当する地点を
Ｖtrとしたとき、当該地点Ｖtrからドレイン電極ｄまでの抵抗分と、当該地点Ｖtrからソ
ース電極ｓまでの抵抗分は、それぞれ抵抗Ｒtrの半分ずつのＲtr／２と表すことができる
。
【００１３】
したがって、ＴＦＴ１１の等価回路は、ゲート電極ｇを入力とし、ソース電極ｓおよび
ドレイン電極ｄを出力とする微分回路として表すことができる。いま、ゲート電極ｇに印
加されるパルス信号Ｇpが、図１５に示されるように、オフ電圧からオン電圧に変化した
とき、半導体層の地点Ｖtrでは、その電圧変化方向と同じ正側に向かう微分波形が発生す
る。
ここで、ＴＦＴ１１は、ゲート電極ｇにオン電圧が印加されてオン状態にあるから、ド
レイン電極ｄおよびソース電極ｓの間の抵抗は、極めて小さい。このため、ＴＦＴ１１の
微分回路における時定数が小さいので、地点Ｖtrは、速やかに電位Ｇndに収束する。
次に、パルス信号Ｇpが、オン電圧からオフ電圧に変化したとき、半導体層の地点Ｖtr
では、その電圧変化方向と同じ負側に向かう微分波形が発生する。ＴＦＴ１１は、ゲート
電極ｇにオフ電圧が印加されてオフ状態にあるから、ドレイン電極ｄおよびソース電極ｓ
の間の抵抗は、極めて大きい。このため、ＴＦＴ１１の微分回路における時定数が大きく
なるので、地点Ｖtrが定常状態の電位Ｇndに収束するまでの時間は、極めて長くなる。
【００１４】
パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化した後において、地点Ｖtrが電位Ｇndに収束せずに、
電圧Ｖerrだけ負側にシフトした状態では、ＴＦＴ１１の等価回路における容量Ｃtrに電
圧が残留している。容量Ｃtrに電圧が残留した状態で、スイッチＳ２を閉開させると、容
量素子１３における放電減衰特性が、地点Ｖtrが電位Ｇndにある場合にスイッチＳ２を閉
開させた場合と比較して異なり、受光量を正確に検出できなくなってしまう。
このため、受光量を正確に検出するためには、パルス信号Ｇpをオン電圧からオフ電圧
に変化させたときに、容量Ｃtrに残留する電圧がゼロとみなせる程度にまで十分に減衰し
てから、スイッチＳ２を閉開させる必要があるので、受光量を検出するのに時間を要する
、または、短い時間間隔で受光量を検出できないのである。
【００１５】
ここで、パルス信号Ｇpをオン電圧からオフ電圧に変化させたときにＴＦＴ１１の等価
回路における時定数τ（＝Ｒtr・Ｃtr）は、当該ＴＦＴ１１への入射光量に反比例するこ
とを、本発明者は導き出した。詳細には、図３に示されるように、ある条件で形成された
薄膜トランジスタにおいて、入射光量に対して時定数τはおおよそ反比例の関係となる。
なお、図において横軸の入射光量（照度）および縦軸の時定数については、それぞれ対数
目盛で表されている。
パルス信号Ｇpをオフ電圧に変化させたときに現れる負側の微分波形は当該時定数τで
減衰することから、当該微分波形の減衰度を示すパラメータを計測すれば、ＴＦＴの受光
量に応じた値を間接的に求めることができるはずである。
【００１６】
そこで、パルス信号Ｇpをオフ電圧に変化させたときに現れる負側の微分波形の減衰度
を示すパラメータとして、パルス信号Ｇpをオフ電圧に変化させてから、当該微分波形の
電圧がしきい値電圧に達するまでの時間を計測する実施形態について説明する。
【００１７】
＜実施形態＞
図１は、本発明の実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図である。
この図に示されるように、光量検出回路１０において、ＴＦＴ１１のドレイン電極ｄの
側には、オペアンプ１６および抵抗素子１７が設けられる。ここで、オペアンプ１６にお
いて、その非反転入力端（＋）は電位Ｇndに接地され、その反転入力端（−）はＴＦＴ１
１のドレイン電極ｄに接続されている。
なお、抵抗素子１７は、オペアンプ１６における出力端と反転入力端（−）との間に介
挿されており、これにより、オペアンプ１６から出力される信号Ｖmonは、反転入力端（
−）に流れ込む電流を、電位Ｇndを基準とした反転電圧に変換する変換回路として機能す
る。
【００１８】
図２は、この光量検出回路１０の動作説明を示す図である。
オペアンプ１６の反転入力端（−）に接続されているＴＦＴ１１のドレイン電極ｄは、
定常状態においてオペアンプ１６におけるイマジナリショートによって、非反転入力端（
＋）と同じ電位Ｇnd（電圧ゼロ）となる。
ただし、過渡状態において、ＴＦＴ１１のドレイン電極ｄから非反転入力端（−）に向
かう方向を正とした電流Ｉtrが流れると、オペアンプ１６による信号Ｖmonの電圧は−Ｒ
・Ｉtrとなる。ここで、Ｒは抵抗素子１７の抵抗値である。
【００１９】
さて、ＴＦＴ１１のゲート電極に印加されるパルス信号Ｇpがオフ電圧からオン電圧に
なると、ＴＦＴ１１のソース電極ｓからオペアンプ１６の非反転入力端（−）に向かって
微分電流Ｉtrが流れる。ここで、ＴＦＴ１１がオン状態にあるから、ドレイン電極ｄおよ
びソース電極ｓの間の抵抗は、極めて小さいので、当該電流Ｉtrは速やかに０に収束し、
出力電圧も電位Ｇndに収束する。
次に、パルス信号Ｇpがオン電圧からオフ電圧に変化すると、反対に反転入力端（−）
からＴＦＴ１１のドレイン電極ｄに向かって微分電流Ｉtrが流れる。このとき、ＴＦＴ１
１がオフ状態にあるから、ドレイン電極ｄおよびソース電極ｓの間の抵抗は極めて大きく
、出力電圧はＴＦＴ１１への受光量に応じて緩やかに電位Ｇndに収束する。
【００２０】
詳細には、パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化するタイミングを基準に考えたとき、信号
Ｖmonの電圧は、概ねＡexp（−ｔ／τ）と表すことができる。ここで、しきい値電圧をＡ
／ｅ（ｅは自然対数の底）に設定し、パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化してから、信号Ｖm
onが当該しきい電圧に達するまでの時間Ｔobを計測すると、当該時間Ｔobsは、時定数τ
と一致する。図３に示したように、ＴＦＴ１１の受光量はその時定数τと反比例の関係に
あるので、計測した時間Ｔobを、図３を参照して受光量に換算することができる。
【００２１】
この実施形態によれば、図１２に示した従来構成と同様に感度変化を防止することがで
きる上に、上記従来構成と比較して、パルス信号Ｇpがオフ電圧に変化してから直ちに計
測開始することができるので、受光量を検出するのに時間を要する、または、短い時間間
隔で受光量を検出できない、といった問題も解決することができる。
さらに、実施形態によれば、容量素子１３や、基準電圧Ｖaを出力する定電圧源１５等
が不要であることから、構成の簡易化を図ることもできる。
【００２２】
図１に示した構成では、ＴＦＴ１１のソース電極ｓを電位Ｇndに接地するとともにドレ
イン電極ｄをオペアンプ１６の反転入力端（−）に接続する構成としたが、図４に示すよ
うに、ＴＦＴ１１のドレイン電極ｄを電位Ｇndに接地するとともにソース電極ｓをオペア
ンプ１６の反転入力端（−）に接続する構成としても良い。
【００２３】
＜応用・変形＞
上述した実施形態は、次のように種々の応用・変形が可能である。
【００２４】
＜その１＞
ＴＦＴ１１のソース電極ｓまたはドレイン電極ｄの一方を電位Ｇndに接地し、他方をオ
ペアンプ１６の反転入力端（−）に接続するのではなく、図５に示されるように、双方を
反転入力端（−）に接続する構成としても良い。この構成によれば、ＴＦＴ１１の等価回
路におけるソース・ドレインの抵抗分が並列接続となって、半分になるので、オペアンプ
１６に流れ込む微分電流が倍となる。このため、受光量の検出感度を倍に向上させること
が可能となる。ここで、受光量の検出感度が倍になる、ということは、検出感度を仮に一
定とするのではあれば、その分、ＴＦＴのサイズを小さくすることが可能となる、という
ことを意味する。
【００２５】
＜その２＞
ＴＦＴ１１がオン状態からオフ状態に転じたときの微分電流（電圧）の変化を検出する
ことができれば良いので、ＴＦＴ１１のゲート電極ｄと、ソース電極ｓまたはドレイン電
極ｄとの間において、ＴＦＴ１１がオン状態からオフ状態に転じるだけの相対的な電圧変
化を与えれば足りる。
例えば、図６に示されるように、ＴＦＴ１１のゲート電極ｇを接地し、例えばドレイン
電極ｄをオペアンプ１６の反転入力端（−）に、ソース電極ｓを非反転入力端（＋）に、
それぞれ接続するとともに、パルス発生回路１２が、ＴＦＴ１１をオンさせるときに負側
のオン電圧となり、オフさせるときに正側のオフ電圧となる負のパルス信号Ｇmを出力す
る構成としても良い。
また、受光量の検出感度を向上させるために、図７に示されるように、ＴＦＴ１１のソ
ース電極ｓおよびドレイン電極ｄの双方をオペアンプ１６の反転入力端（−）に接続する
構成としても良い。
【００２６】
＜その３＞
また、図８に示されるように、電源電圧のような定電位の高位側および低位側の間に、
ＴＦＴ１１ａ、１１ｂを直列接続して、その直列接続点Ｍをオペアンプ１６の非反転入力
端（＋）に接続した構成でも良い。この構成では、ＴＦＴ１１のゲート電極ｄがオン電圧
からオフ電圧に変化したとき、直列接続点Ｍに微分電圧波形が現れるので、オペアンプ１
６は、当該微分電圧をバッファリングする構成で済む。このため、電流−電圧変換するた
めに高い抵抗値の抵抗素子１７が不要となる。
【００２７】
なお、上述した実施形態や、その応用・変形例においてＴＦＴ１１は、ｎチャネル型と
して説明したが、本発明では、オフ状態に変化した直後における時定数が重要であるから
、そのチャネル型は問われず、ｐチャネル型であっても良いのはもちろんである。
また、ＴＦＴ１１がオフ状態に変化した直後における時定数を間接的または直接的に求
める構成であれば良いので、ＴＦＴ１１のソースまたはドレインに流れる微分電流を、ホ
ール素子やコイル等を介して検出したり、オフ状態に変化してから微分電流（微分電圧）
がしきい値に達するまでの時間や、オフ状態に変化してから一定時間経過したときの微分
電流（微分電圧）値を、テーブル等を介して時定数に変換したりする構成でも良い。
【００２８】
＜電気光学装置＞
次に、実施形態や、その応用・変形例に係る光量検出回路１０を適用した電気光学装置
について説明する。図９は、この電気光学装置の構成を示す図である。
この図に示されるように、電気光学装置１は、光量検出回路１０を含む表示パネル１０
０、バックライト制御回路３０、白色ＬＥＤ５０を含む。
表示パネル１００は、特に図示しないが、マトリクス状に配列する複数の画素によって
所定の表示を行うものであり、素子基板と対向基板との一対の基板を有し、このうち、素
子基板には、画素をスイッチングするためのＴＦＴや画素電極が形成され、対向基板には
、画素電極に対向するようなコモン電極が形成されて、互いの電極形成面が対向するよう
に、かつ、液晶を挟持するように、一定の間隙を保って素子基板と対向基板とを貼り合わ
せた構成の液晶装置である。
ここで、表示パネル１００は、バックライトによる透過光と、外光による反射光との双
方を変調させる半透過・半反射型であり、画素は図示しない駆動回路によって駆動される
構成となっている。
【００２９】
バックライト制御回路３０（照明制御回路）は、光量検出回路１０から出力される信号
Ｖmonに応じて、白色ＬＥＤ５０に供給する電流を制御するものである。ＬＥＤ５０は、
表示パネル１００を照明するバックライトユニットの光源である。
バックライト制御回路３０は、光量検出回路１０においてパルス信号Ｇpがオフ電圧に
変化したときの信号Ｖmonから、当該ＴＦＴ１１に入射した受光量（すなわち、表示パネ
ル１００における周辺環境の明るさ）を求めて、ＬＥＤ５０に供給する電流を制御する。
なお、このバックライトの制御内容について例示すると、例えば、バックライト制御回
路３０は、求めた受光量が予め定められた範囲（第１範囲）にあれば、当該受光量に対し
てバックライトの光量をリニアに制御する。これにより、周辺環境の明るさに応じてバッ
クライトの照明光量、すなわち、画素を透過して視認される光量が増減されるので、透過
重視の適切な表示が可能となる。
また、バックライト制御回路３０は、求めた受光量が上記第１範囲に対して受光量が多
い方に隣接する範囲（第２範囲）にあれば、バックライトによる光量を最大値で一定とな
るように制御する。これにより、周辺環境がある程度明るいのであれば、透過光と反射光
との双方を併せた適切な表示が可能となる。
さらに、バックライト制御回路３０は、求めた受光量が上記第２範囲を超えていれば、
バックライトをオフさせるように制御する。これにより、周辺環境が過度に明るいときに
反射重視の表示となるので、バックライトにより消費される電力を抑えることが可能とな
る。
【００３０】
なおここでは、光量検出回路１０において検出した周辺環境の明るさに応じて、液晶装
置のバックライトの照射光量を制御する構成としたが、例えば有機ＥＬ素子等の自発光素
子を用いた表示装置においても、暗い場所において表示素子の発光光量を減らして、防眩
性を向上させたり、消費電力を軽減したりすることが可能となる。
【００３１】
次に、上述した電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。図１０は、この
電気光学装置を用いた携帯電話１２００の構成を示す図である。
この図に示されるように、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受
話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した電気光学装置１を備えるものである。
なお、電気光学装置のうち、表示パネル１００に相当する部分以外の構成要素については
外観としては現れない。
【００３２】
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図１０に示される携帯電話の他
にも、デジタルスチルカメラや、フォトストレージ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビュ
ーファインダ型（または、モニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、
ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯ
Ｓ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器
の表示装置として、上述した電気光学装置１が適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態に係る光量検出回路の構成を示す図である。
【図２】同光量検出回路の動作説明図である。
【図３】薄膜トランジスタへの入射光量と時定数との関係を示す図である。
【図４】同光量検出回路の応用・変形例の構成例を示す図である。
【図５】同光量検出回路の応用・変形例の構成例を示す図である。
【図６】同光量検出回路の応用・変形例の構成例を示す図である。
【図７】同光量検出回路の応用・変形例の構成例を示す図である。
【図８】同光量検出回路の応用・変形例の構成例を示す図である。
【図９】同光量検出回路を適用した電気光学装置の構成を示す図である。
【図１０】同電気光学装置が適用された携帯電話の構成を示す図である。
【図１１】従来の光量検出回路の構成を示す図である。
【図１２】従来の光量検出回路を改良した構成を示す図である。
【図１３】改良した光量検出回路の動作説明図である。
【図１４】薄膜トランジスタの等価回路図を示す図である。
【図１５】改良した光量検出回路の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…電気光学装置、１０…光量検出回路、１１…ＴＦＴ、１２…パルス発生回路、
１６…オペアンプ、１７…抵抗素子、５０…ＬＥＤ、１００…表示パネル、１２００…携
帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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