(57)【要約】【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上できる。【解決手段】本発明の例に関わる基板処理装置は、基板９が搬送される加熱チャンバ２と、基板９に対して加熱処理を施す加熱機構３Ｂと、供給されるガスをイオン化して、イオン１２を発生させるイオン発生機構４と、イオン１２と反対の極性に帯電される集塵板５とを備える。【選択図】図１
2009032809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が搬送される加熱チャンバと、
前記基板に対して加熱処理を施す加熱機構と、
供給されるガスをイオン化して、イオンを発生させるイオン発生機構と、
前記イオンと反対の極性に帯電される集塵板とを具備する基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱チャンバに接続される排気室をさらに有し、前記排気室は前記加熱チャンバ内を排気する排気機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板処理装置の加熱チャンバ内に被処理基板を搬送する工程と、
前記被処理基板に加熱処理を施す工程と、
前記加熱チャンバ内に設けられたイオン発生機構によって、供給されたガスをイオン化させて、イオンを発生させる工程と、
前記加熱チャンバ内に設けられた集塵板を前記イオンと反対の極性に帯電させる工程とを具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
基板処理装置の加熱チャンバ内にダミー基板を搬送する工程と、
前記加熱チャンバ内に設けられたイオン発生機構によって、供給されたガスをイオン化させて、イオンを発生させる工程と、
前記加熱チャンバ内に設けられた集塵板及び前記ダミー基板を前記イオンと反対の極性に帯電させる工程とを具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【請求項５】
加熱チャンバのシャッタを開放して、前記加熱チャンバと排気室とを接続する工程と、
前記排気室内に設けられたイオン発生機構によって、供給されたガスをイオン化させて、イオンを発生させる工程と、
前記排気室が備える排気機構によって、前記加熱チャンバ内を排気するとともに、前記排気室内に設けられた集塵板を前記イオンと反対の極性に帯電させる工程とを具備することを特徴とする基板処理装置のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に係り、特に、加熱処理装置に関する。また、本発明は、上記の加熱処理装置を用いた加熱処理方法及び加熱処理装置のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の製造工程におけるフォトリソグラフィ工程では、塗布現像処理装置によって、被処理基板に対して反射防止膜やレジスト膜の塗布処理・加熱処理を施した後、露光装置によって、被処理基板上のレジスト膜に、マスクを介して、回路パターンが露光転写される。
【０００３】
上記の製造工程のうち加熱処理工程において、装置内の浮遊物や、装置内に放出された下層反射防止膜やレジストの塗布液の溶媒は、排気によって装置内から除去される。
【０００４】
しかし、下層反射防止膜のようにベーク温度が高い塗布膜の場合には、溶媒だけでなく昇華物が装置内に放出されことがある。その際、加熱処理装置内の排気が十分でない場合や、加熱処理装置の加熱チャンバの開閉機構（シャッタ）の開閉時に外気によって昇華物が冷却されて析出された場合に、昇華物が被処理基板上に再付着し、パターン加工時に欠陥となってしまう。
【０００５】
そのため、天板の温度を加熱処理装置内の加熱機構と同程度の温度に加熱することで、天板への析出を抑制する処理や、排気機構を改善する処理によって、昇華物が被処理基板に再付着するのを防止している。
【０００６】
近年では、半導体集積回路の微細化がすすんでいるため、微小な昇華物・パーティクルが、被処理基板に付着するのを防止して、パターン加工時の欠陥数を減らし、半導体装置の製造歩留まりを向上させることが求められている。
【０００７】
尚、特許文献１には、塗布膜の溶媒を含む気体などを装置内に給気する処理や、装置内の気体の温度調節する処理によって、塗布膜からの昇華物が析出するのを抑制することで、減少させる技術について、開示されている。
【特許文献１】特開２００６−３１０３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の例は、半導体装置の製造歩留まりを向上できる技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の例に関わる基板処理装置は、基板が搬送される加熱チャンバと、前記基板に対して加熱処理を施す加熱機構と、供給されるガスをイオン化して、イオンを発生させるイオン発生機構と、前記イオンと反対の極性に帯電される集塵板とを備える。
【００１０】
本発明の例に関わる基板処理方法は、基板処理装置の加熱チャンバ内に被処理基板を搬送する工程と、前記被処理基板に加熱処理を施す工程と、前記加熱チャンバ内に設けられたイオン発生機構によって、供給されたガスをイオン化させて、イオンを発生させる工程と、前記加熱チャンバ内に設けられた集塵板を前記イオンと反対の極性に帯電させる工程とを備える。
【００１１】
本発明の例に関わる基板処理装置のクリーニング方法は、基板処理装置の加熱チャンバ内にダミー基板を搬送する工程と、前記加熱チャンバ内に設けられたイオン発生機構によって、供給されたガスをイオン化させて、イオンを発生させる工程と、前記加熱チャンバ内に設けられた集塵板及び前記ダミー基板を前記イオンと反対の極性に帯電させる工程とを備える。
【００１２】
本発明の例に関わる基板処理装置のクリーニング方法は、加熱チャンバのシャッタを開放して、前記加熱チャンバと排気室とを接続する工程と、前記排気室内に設けられたイオン発生機構によって、供給されたガスをイオン化させて、イオンを発生させる工程と、前記排気室が備える排気機構によって、前記加熱チャンバ内を排気するとともに、前記排気室内に設けられた集塵板を前記イオンと反対の極性に帯電させる工程とを具備することを備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の例によれば、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するためのいくつか形態について詳細に説明する。
【００１５】
１．  実施形態  
本発明の実施形態で述べる基板処理装置は、被処理基板表面に形成された塗布膜に対して、加熱処理を施す加熱処理装置に関する。  
本実施形態の加熱処理装置は、イオン発生機構を具備することを特徴とし、装置内にイオンを発生させ、そのイオンによって、装置内を浮遊する浮遊物を電気的に集塵する。  
また、本発明の実施形態においては、イオン発生機構を備えた加熱処理装置を用いた基板処理方法についても説明し、例えば、被処理基板の加熱処理方法、或いは、加熱処理装置のクリーニング方法について説明する。
【００１６】
上記の加熱処理装置及び方法を用い、例えば、加熱処理によって塗布膜から発生する昇華物などの装置内の浮遊物をイオンによって電気的に集塵することで、浮遊物を効果的に除去でき、浮遊物が被処理基板に付着することを防止できる。また、電気的に集塵することによって、微細な浮遊物に対しても、それらを効果的に集塵・除去できる。  
したがって、基板表面に付着した浮遊物（パーティクル）が、回路パターンの露光転写時に欠陥となることを防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上できる
（１）  第１の実施形態  
（ａ）  加熱処理装置の構成  
図１は、本発明の第１の実施形態の加熱処理装置を示している。
【００１７】
図１に示す加熱処理装置１は、加熱機構３Ａ、イオナイザ（イオン発生機構）４、集塵板５を、主な構成部として、加熱チャンバ２内に具備している。
【００１８】
塗布膜１０が形成された基板９は、チャンバシャッタ６を開放し、搬送口を経由して、加熱チャンバ２内に搬送され、基板保持機構３Ｂ上に配置される。基板保持機構３Ｂは、例えば、加熱機構３Ａ上に設けられている。
【００１９】
加熱機構３Ａ及び基板保持機構３Ｂは、例えば、加熱チャンバ２内の底部に設けられる。そして、例えば、加熱機構３Ｂに電圧を印加することによって、基板保持機構３Ｂ上の基板９に対して、所定の温度の加熱処理が施される。
【００２０】
加熱チャンバ２内に設けられたイオナイザ４は、イオナイザ４内に供給されるガスからイオンを発生させる。尚、イオナイザ４は、例えば、発生したイオンを被処理基板９に対して噴出できる位置に配置される。
【００２１】
集塵板５は、被処理基板である塗布膜１０が形成された基板９に対向する位置に設けられ、例えば、加熱チャンバ２内上部に設けられる。本実施形態においては、加熱チャンバ２内上部に設けられる天板を集塵板５として、機能させている。但し、それに限定されず、集塵板を天板とは別途に設けてもよい。
【００２２】
本発明の第１の実施形態の加熱処理装置においては、加熱チャンバ２内のイオナイザ４によってイオンを発生し、加熱チャンバ内の浮遊物を、イオンによって電気的に集塵板５に集塵することを特徴とする。
【００２３】
イオナイザ４は、例えば、コロナ放電によって、イオナイザ４内部に直接供給されたガス（例えば、窒素ガス）を、イオン化させる。それによって、例えば、陰イオン（マイナスのガスイオン）１２が発生され、このイオン化されたガスが、イオナイザ４から基板９に対して噴出される。
【００２４】
そして、加熱処理によって被処理基板表面の塗布膜から発生した昇華物など、加熱チャンバ２内の浮遊物１１に、発生した陰イオン１２が吸着すると、電気的に中性であった浮遊物が、陰イオン１２によってマイナスに帯電する。
【００２５】
この際、加熱チャンバ２内に設けられた集塵板５には、イオナイザ４によって発生されたイオンと反対の極性に帯電させるために、本例においては、プラスの電圧が印加されている。  
そのため、マイナスに帯電した浮遊物１１は、プラスに帯電した集塵板５に、クーロン力によって引き寄せられて移動し、電気的に集塵される。それによって、加熱チャンバ２内の浮遊物を被処理基板９の表面近傍より除去できる。
【００２６】
それゆえ、例えば、被処理基板９表面に形成された塗布膜１０から発生した昇華物などの加熱チャンバ２内の浮遊物が、基板表面に付着することを防止できる。そのため、半導体装置の回路パターンの露光転写時に、基板表面に付着した浮遊物（パーティクル）が欠陥となることを、防止できる。  
また、浮遊物をイオンによって帯電させて電気的に集塵することで、加熱チャンバ内の微小な浮遊物に対しても効果的に除去することができる。そのため、より微細な回路パターンを含む半導体装置の製造工程にあっても、パターンの露光時に、微小な浮遊物が欠陥となることを防止できる。
【００２７】
したがって、本発明の第１の実施形態の加熱処理装置によれば、塗布膜から発生する昇華物の再付着など、基板に対する加熱チャンバ内の浮遊物の付着を防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【００２８】
以下に、本実施形態の加熱処理装置を用いた加熱処理方法について説明する。
【００２９】
（ｂ）  加熱処理方法
図１及び図２を用いて、本発明の第１の実施形態の加熱処理方法について説明する。
【００３０】
図２は、本発明の第１の実施形態の加熱処理方法を示すフローチャートである。
【００３１】
はじめに、例えば、加熱処理温度の高い下層反射防止膜などの塗布膜１０が、被処理基板９の表面に形成された後、その基板９は、図１に示す加熱処理装置１の加熱チャンバ２内に搬送され、基板保持ステージ３Ｂ上に搭載される（ＳＴ０）。  
次に、加熱機構３Ａにより、被処理基板９に対して、例えば、１５０℃〜３５０℃程度の温度で、加熱処理が施される（ＳＴ１）。
【００３２】
続いて、基板に対する加熱の開始とほぼ同時に、イオナイザ４内部に、窒素ガスが供給される。さらに、イオナイザ４内部の電極（図示せず）に、例えば、マイナス電圧を印加して、イオナイザ４内部でコロナ放電を発生させる。それによって、イオナイザ４に供給された窒素ガスがイオン化され、陰イオンが発生する。そして、発生された陰イオン１２は、イオナイザ４から被処理基板９に噴出される（ＳＴ２）。
【００３３】
また、集塵板（天板）５には、例えば、プラス電圧が印加されて、集塵板５はプラスに帯電する。そして、例えば、加熱処理によって塗布膜１０から発生した昇華物などの加熱チャンバ２内の浮遊物１１は、陰イオン１２が吸着することによってマイナスに帯電し、プラスに帯電した集塵板５にクーロン力によって引き寄せされて、電気的に集塵される（ＳＴ３）。  
尚、被処理基板１に対して加熱処理が施されている間、集塵板５にはプラス電圧が印加されているため、集塵板５に電気的に付着している浮遊物１１が剥離して、基板側へ移動（落下）することはない。仮に、集塵された浮遊物が天板５から剥離することがあっても、剥離した浮遊物は発生された陰イオンによって、再度、マイナスに帯電され、集塵板５に集塵される。そのため、集塵板５に集塵された浮遊物１１が剥離して、被処理基板９に再付着することはない。また、集塵板５に印加される電圧の大きさによって、集塵力を調整できるのは勿論である。
【００３４】
そして、加熱処理が終了した後、被処理基板９は加熱チャンバ２から外部へ搬送される。尚、浮遊物が付着した集塵板（天板）５は、加熱処理の終了後に、加熱チャンバ２内から取り出され、別途洗浄されて、集塵板５に付着した浮遊物が除去される。
【００３５】
以上の工程によって、例えば、加熱処理によって塗布膜から発生した昇華物など、加熱チャンバ内の浮遊物１１は、被処理基板９の近傍から除去される。
【００３６】
上述のように本発明の第１の実施形態においては、加熱処理装置内に設けられたイオナイザ４によってイオン１２が発生され、それとともに、集塵板５は発生されたイオンと反対の極性の電圧が印加されて帯電する。  
そして、発生されたイオン１２によって、例えば、塗布膜から発生した昇華物などの加熱チャンバ内の浮遊物１２は帯電し、集塵板５に電気的に引き寄せられて集塵される。
【００３７】
それゆえ、例えば、加熱処理によって塗布膜１０から発生した昇華物などの加熱チャンバ内の浮遊物（パーティクル）１１を、被処理基板９近傍から除去できる。それによって、半導体装置の回路パターンの露光転写時において、被処理基板表面に付着した浮遊物（パーティクル）が欠陥となることを、防止できる。
【００３８】
また、浮遊物をイオンによって電気的に集塵することで、微小な浮遊物に対しても、それらを効果的に被処理基板近傍から除去することができる。そのため、微細な回路パターンを含む半導体装置の製造工程にあっても、パターンの露光時に、微小な浮遊物が欠陥となることを防止できる。
【００３９】
したがって、本発明の第１の実施形態の加熱処理方法によれば、塗布膜から発生する昇華物の再付着など、基板に対する加熱チャンバ内の浮遊物の付着を防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【００４０】
尚、本実施形態においては、窒素ガスを陰イオン化させた例について説明したが、塗布膜及び被処理基板に対して強い反応性を有せず、浮遊物を電気的に集塵できるガス又はイオンであれば、他のガス又はイオン（例えば、空気やアルゴン（Ａｒ））でも良い。
【００４１】
また、本実施形態においては、乾式での加熱処理方法を例として説明したが、水蒸気存在下で基板加熱を行う湿式の加熱処理方法に使用しても良い。その場合には、陰イオンとして、Ｏ２−、ＯＨ−などが発生する。
【００４２】
また、本実施形態においては、被処理基板に対して加熱を行ってから、イオナイザによってイオンを発生する工程について、説明したが、イオンを発生してから、被処理基板に対して加熱を開始してもよい。
【００４３】
（２）  第２の実施形態  
図３及び図４を用いて、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００４４】
尚、図１に示す加熱処理装置と同一部材に関しては、同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４５】
第１の実施形態においては、塗布膜が形成された基板に対して加熱処理を施す際に、加熱チャンバ内の浮遊物を除去する実施例について説明した。  
第２の実施形態においては、半導体装置の製造方法の１つとして、被処理基板に対して加熱処理を行う前或いは後の工程で行われる加熱処理装置の加熱チャンバ内をクリーニングする例について説明する。以下、図３及び図４を用いて、本実施形態の加熱チャンバ内のクリーニング方法について、具体的に説明する。  
図３は、本発明の第２の実施形態で述べる加熱処理装置のクリーニング方法を示すフローチャートである。また、図４は、図３に示すクリーニング方法を説明するための断面工程図である。
【００４６】
はじめに、加熱処理装置１の加熱チャンバ２内に、例えば、ダミー基板９Ａが搬送される（ＳＴ１０）。  
続いて、第１の実施形態と同様に、イオナイザ４に、例えば、窒素ガスを供給し、さらに、マイナス電圧を印加して、コロナ放電を発生させる。それによって、イオナイザ４内に供給された窒素ガスがイオン化されて、陰イオンが発生し、それらが加熱チャンバ２内に噴出される（ＳＴ１１）。  
そして、陰イオンの発生とほぼ同時に、集塵板（天板）５に、例えば、プラス電圧が供給され（ＳＴ１２ａ）、加熱チャンバ２内の浮遊物が電気的に集塵する（ＳＴ１２）。  
また、本実施形態において、搬送されたダミー基板には回路パターンが転写されないため、集塵板（天板）５に対向するダミー基板９Ａ側でも浮遊物の集塵を行ってもよい。例えば、基板保持機構３Ｂに、又は、ダミー基板９Ａに、発生されたイオンと反対の極性の電圧（本例においては、プラス電圧）を印加して、ダミー基板をプラスに帯電させることで集塵板として機能させる（ＳＴ１２ｂ）。それによって、加熱チャンバ２内の浮遊物をより効率的に集塵することができる。
【００４７】
それによって、加熱チャンバ２内の浮遊物の除去が行われ、加熱処理装置内部のクリーニングが行われる。また、上記のクリーニングを行った後、ダミー基板９Ａ及び集塵板５は、加熱チャンバ２内から取り出され、別途洗浄される。
【００４８】
以上のように、本発明の第２の実施形態において、加熱処理装置１内に設けられたイオナイザ４によって、加熱チャンバ２内に供給されたガスがイオン化され、それとともに、集塵板として機能する天板５及びダミー基板９Ａが、発生されたイオンと反対の極性に帯電される。  
そして、発生されたイオン１２によって、加熱チャンバ２内の浮遊物１１は帯電し、天板５及びダミー基板９Ａに電気的に引き寄せられて集塵される。その後、天板５及びダミー基板９Ａが加熱チャンバ２内から取り出され、天板５は洗浄される。
【００４９】
それゆえ、加熱チャンバ２内の浮遊物１１を、加熱処理装置２から除去でき、加熱処理装置１のクリーニングを行うことができる。特に、イオンによって電気的に集塵することで、加熱チャンバ内の微小な浮遊物に対しても効果的に除去することができる。
【００５０】
したがって、本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法（加熱処理装置のクリーニング方法）によれば、加熱チャンバ内のクリーニング後に行われる基板に対する加熱処理において、被処理基板に加熱チャンバ内の浮遊物が付着するのを防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【００５１】
（３）  第３の実施形態  
図５及び図６を用いて、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００５２】
尚、図１に示す加熱処理装置と同一部材に関しては、同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５３】
第２の実施形態においては、ダミー基板を加熱処理装置内に搬送して、加熱処理装置の加熱チャンバ内をクリーニングするための実施例について説明した。  
本発明の第３の実施形態においては、排気機構を組み合わせて、加熱処理装置の加熱チャンバ内のクリーニングを行う方法について、説明する。図５は、本実施形態の加熱処理装置のクリーニング方法のフローチャートを示し、図６は、本実施形態の加熱処理装置の構成及びクリーニング方法を説明するための断面工程図を示している。尚、図６に示す例では、簡単化のため、加熱チャンバ２内に設けられるイオナイザ等の各構成は図示を省略している。
【００５４】
図６に示すように、本実施形態においては、加熱チャンバ２には、排気室１６が接続され、排気機構８によって、加熱チャンバ２内を排気することができる加熱処理装置を示している。  
排気室１６内には、イオナイザ４Ａと集塵板１５が設けられており、イオナイザ４Ａには、マイナスの電圧が印加され、集塵板１５にはプラスの電圧が印加される。
【００５５】
加熱チャンバ２は、チャンバシャッタ６を開放することで排気室１６と接続され、排気機構８によって、加熱チャンバ２内部が、排気される。
【００５６】
以下、図５に示す本実施形態の加熱処理装置のクリーニング方法について説明する。
【００５７】
はじめに、チャンバシャッタ６が開放され、加熱チャンバ２が排気室１６に接続され、加熱チャンバ２内の排気が開始される（ＳＴ２０）。
【００５８】
続いて、第１の実施形態と同様に、イオナイザ４Ａに供給された窒素ガスをイオン化させて、陰イオンを発生させる（ＳＴ２１）。  
また、集塵板１５には、プラス電圧が印加され、集塵板１５はプラスに帯電する。それによって、加熱チャンバ２内から排気され、陰イオン１２によってマイナスに帯電した浮遊物１１が、集塵板１５に集塵される（ＳＴ２２）。
【００５９】
尚、加熱チャンバ２内に設けられた集塵板（図示せず）を帯電させずに、加熱チャンバ２内に設けられたイオナイザ（図示せず）からイオンを発生させて、浮遊物１１をイオンによって帯電させてもよい。
【００６０】
以上のように、本発明の第３の実施形態において、排気室７内に設けられたイオナイザによって、陰イオン１２が発生され、それとともに、排気室７内に設けられた集塵板１５に、発生されたイオンと反対の極性に帯電される。  
それによって、排気機構８によって加熱チャンバ２内から除去された浮遊物１１は、イオン１２によって帯電し、集塵板５Ａに集塵される。
【００６１】
それゆえ、加熱チャンバ２内の浮遊物１１を、加熱チャンバ２内から除去できる。特に、イオンによって電気的に集塵することで、加熱チャンバ２内の微小な浮遊物にたいしても、それらを効果的に除去できる。
【００６２】
したがって、本発明の第３の実施形態の加熱処理装置のクリーニング方法によれば、加熱チャンバ内のクリーニング後に行われる被処理基板に対する加熱処理において、被処理基板に対する加熱チャンバ内の浮遊物の付着を防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【００６３】
（４）  変形例  
図７を用いて、本発明の実施形態の変形例について説明する。尚、第１乃至第３の実施形態と同一部材に関しては、同一符号を付し詳細な説明は省略する。
【００６４】
第１乃至第３の実施形態においては、イオナイザによって発生したイオンによって、加熱チャンバ内の浮遊物を帯電させ、集塵板として機能する天板にそれらの浮遊物を集塵させて、加熱チャンバ内の浮遊物を除去する構成の加熱処理装置について説明した。
【００６５】
本変形例において、加熱処理装置１Ｂは、図７に示すように、イオナイザ４、集塵板（天板）５Ｂが設けられ、それらに加えて、排気機構８が設けられる。
【００６６】
図７に示す加熱処理装置１Ｂによって、加熱チャンバ２内の浮遊物は、イオナイザ４によって発生されたイオンによって帯電し、集塵板５Ｂに集塵されるとともに、排気機構８によって外部に排気されて、加熱チャンバ２内から除去される。
【００６７】
それゆえ、本変形例のように、加熱処理装置１Ｂに、排気機構をさらに備えることによって、例えば、被処理基板９表面の塗布膜から発生する昇華物などの加熱チャンバ２内の浮遊物１１をより効果的・効率的に除去できる。
【００６８】
したがって、本発明の変形例の加熱処理装置においても、基板に対する加熱処理において、被処理基板に対する加熱チャンバ内の浮遊物の付着を防止でき、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【００６９】
（５）  適用例  
図８を用いて、本発明の実施形態の適用例について、説明する。
【００７０】
本発明の実施形態に示す加熱処理装置１は、例えば、半導体装置の製造工程において、下層反射防止膜やレジスト膜などが形成される塗布膜形成工程と半導体装置の回路パターンが露光転写される露光工程との間の塗布膜の加熱処理工程で用いられる。
【００７１】
はじめに、被処理基板は、塗布膜形成装置２０に搬送される。被処理基板９は、塗布膜形成装置２０内の基板保持ステージ２２上に配置される。そして、塗布液が塗布液供給ノズル２１から供給され、回転塗布によって、塗布膜（図示せず）が被処理基板９の表面に形成される。
【００７２】
次に、塗布膜が形成された被処理基板９は、本発明の実施形態で述べた加熱処理装置１内に搬送される。  
そして、例えば、第１の実施形態で述べた加熱処理方法によって、被処理基板９に加熱処理が施される。この際、加熱処理によって塗布膜から発生した昇華物などの加熱チャンバ内の浮遊物は、イオナイザ４によって発生されたイオンによって帯電し、イオンと反対の極性の電圧が印加された集塵板に集塵される。  
それによって、被処理基板表面の塗布膜に対する昇華物の再付着や加熱チャンバ内の浮遊物の付着は低減される。尚、被処理基板９上には、下層反射防止膜、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）膜、化学増幅型レジスト膜、保護膜などの塗布膜が順次形成され、塗布膜形成装置２０によってそれらの塗布膜が形成される度に、上記の加熱処理装置で加熱処理が施される。
【００７３】
本発明の実施形態の加熱処理装置によって加熱処理が施された被処理基板９は、露光装置３０内へ搬送され、露光装置３０内の基板保持ステージ３５上に搭載される。そして、例えば、波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザなどの光源３１からの光によって、その光路ＬＰ上に配置されたレンズ３２及び投影光学系３４を介して、レチクル２のパターンが、被処理基板９表面のレジスト上に、縮小投影されて転写される。
【００７４】
ここで、加熱処理工程において、加熱処理によって塗布膜から発生する昇華物などの加熱チャンバ内の浮遊物はイオンによって電気的に集塵され、浮遊物が被処理基板近傍から除去できるため、浮遊物の基板表面への付着はない。  
そのため、露光による回路パターンの露光転写工程において、基板に付着した浮遊物（パーティクル）によって、基板に露光転写されたパターンに対して欠陥が生じることを防止できる。  
また、イオンを用いて電気的に集塵することで、微細な浮遊物に対しても、それらを効果的に除去できる。そのため、より微細な回路パターンの露光転写においても、欠陥の発生を防止できる。
【００７５】
それゆえ、被処理基板に転写された回路パターンの欠陥を少なくできる。  
したがって、本発明の実施形態の加熱処理装置及び加熱処理方法によれば、半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【００７６】
３．  その他  
本発明の実施形態においては、加熱処理装置内にイオン発生機構を設け、装置内の浮遊物をイオンによって電気的に集塵する例について説明した。しかし、それに限定されず、他の半導体製造装置内にイオン発生機構を設け、装置内の浮遊物をイオンによって電気的に集塵してもよい。また、その装置を用いた半導体装置の製造方法にも適用可能である。
【００７７】
その場合においても、半導体製造装置内の浮遊物を効果的・効率的に除去でき、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【００７８】
本発明の実施形態において、天板を加熱させるための加熱機構を備えてもよい。
【００７９】
本発明の例は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】第１の実施形態における加熱処理装置を示す構成図。
【図２】第１の実施形態における加熱処理方法を示すフロー図。
【図３】第２の実施形態における加熱処理装置のクリーニング方法を示すフロー図。
【図４】第２の実施形態における加熱処理装置のクリーニング方法を説明するための工程図。
【図５】第３の実施形態における加熱処理装置のクリーニング方法を示すフロー図。
【図６】第３の実施形態における加熱処理装置のクリーニング方法を説明するための工程図。
【図７】本発明の変形例の加熱処理装置を示す構成図。
【図８】本発明の実施形態の適用例を示す概略図。
【符号の説明】
【００８１】
１：加熱処理装置、２：加熱チャンバ、２Ａ：ダミー基板、３Ａ：加熱機構、３Ｂ：基板保持機構、４：イオナイザ（イオン発生機構）、５,１５：集塵板（天板）、６：シャッタ（搬送口）、７：排気室、８：排気機構、９：被処理基板、９Ａ：ダミー基板、１０：塗布膜、１１：浮遊物、１２：陰イオン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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