(57)【要約】【課題】感度、および記録スピードに優れ、記録後のコントラストを大きく設定でき、かつ、２値記録に適した光記録媒体を提供する。【解決手段】基板２上に所定の不定比率δを有するアンチモン（Ｓｂ）の酸化物系の相分離記録材料（Ｓｂ２Ｏ５−δ）により形成された記録層３、および、熱干渉層としての機能および記録層３を保護するための保護層４とを有して構成し、保護層４の一方を急冷性保護層とし、他方を蓄熱性保護層とする。【選択図】図２
2009032329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
所定の不定比率δを有し、スピノーダル線の内側に位置して相分離を起こす領域内にある組成の酸化物、窒化物、炭化物、水素化物、または、それらの複数からなる混合物の不定比率化合物からなる相分離記録材料により前記基板上に記録膜として形成され、記録光により光記録される記録層と、
前記記録層の一方の側に形成された急冷性保護層と、
前記記録層の他方の側に形成された蓄熱性保護層と、
を有することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記記録層は、前記不定比率化合物が、Ｓｂ２Ｏ５−δであって、前記所定の不定比率δが、０．４＜δ＜１．８であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記記録層は、前記相分離記録材料を反応性スパッタリングにより前記基板上に記録膜として形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記急冷性保護層は、酸化物系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、硫化物系材料、または、それらの２以上を混合してなる高熱伝導性材料からなる保護層であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記高熱伝導性材料は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＳｉＯ、または、Ａｌ２Ｏ３であることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記蓄熱性保護層は、酸化物系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、硫化物系材料、または、それらの２以上を混合してなる低熱伝導性材料からなる保護層であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記低熱伝導性材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
前記急冷性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の面に形成されると共に前記蓄熱性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の反対側の面に形成されることにより、光記録媒体の記録極性が反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）とされ、一方、前記蓄熱性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の面に形成されると共に前記急冷性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の反対側の面に形成されることにより、光記録媒体の記録極性が反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）とされていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記記録光を入射する側の反対側の面に形成された前記急冷性保護層または蓄熱性保護層は、前記記録光を入射する側の反対側の面に、金属反射層を有していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
前記急冷性保護層は、前記記録層の前記記録光を入射する側の反対側の面に形成され、前記蓄熱性保護層は、前記記録光を入射する側の面に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体。
【請求項１１】
前記急冷性保護層または前記蓄熱性保護層は、前記記録光を入射する側の保護層の厚さが略λ／２に設定され、前記記録光を入射する側の反対側の保護層の厚さが略λ／４に設定されることにより、光記録媒体の記録極性が反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）とされていることを特徴とする請求項９または１０に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に関し、特に、相分離記録媒体を用いた光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体として相分離記録材料を用いたもの、すなわち、温度に対して上に凸の単調曲線（バイノーダル線、スピノーダル線）を描くと共にこの上に凸の単調曲線を示す組成範囲で不変反応線が含まれない相図で定義されるバイノーダル分解（核生成、および成長による相分離）もしくはスピノーダル分解を生じる不定比化合物の均一な相を用い、不定比化合物の均一な相中に、レーザ光の照射によって互いに組成の異なる複数の領域に相分離した部位を形成させて、均一相と相分離した部位との反射率変化を利用して記録する光記録媒体が既に提案されている（特許文献１）。
【０００３】
上記の光記録媒体によれば、スピノーダル線の内側に位置して相分離を起こす領域内にある組成では、スピノーダル分解を起こす駆動力と核生成及び成長による分解を起こす駆動力の両者が併存し、その各駆動力の大きさと熱履歴により、スピノーダル分解またはバイノーダル分解のどちらの分解が生起するかが決定される。スピノーダル分解による相分離が起きるスピノーダル組成領域の場合には、記録膜の反射率がＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ（ＬＨ）に変化する。
【特許文献１】特開平３−１１４７７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１の光記録媒体では、記録層の片側に熱干渉層が形成された実施の形態が示されているが、記録層の両側に熱干渉層が形成された例は示されていない。また、熱干渉層の熱伝導率に着目し、レーザ光の照射による熱の蓄積および移動を考慮して光記録媒体が構成されたものではない。
【０００５】
ここで、光記録媒体としては、感度、および記録スピードの観点から、スピノーダル分解を利用した記録材料となる組成が好ましく、また、２値記録の場合、１、０間の遷移領域をシャープにして、ジッター成分をなるべく小さくするために、いわゆる切れの良いマークを書くことが重要であり、そのためにはできるだけ諧調性が無いほうが好ましく、核生成及び成長を伴わないスピノーダル分解を利用した記録材料となる組成が好ましい。上記示した感度、および記録スピードに優れた記録材料により、記録特性として、短パルスの振幅が十分大きく、短パルスと長パルスのコントラスト比の優れた光記録媒体が好ましい。また、反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）と反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の光記録媒体の両方が設計可能な媒体構成が好ましい。
【０００６】
従って、本発明の目的は、感度、および記録スピードに優れ、記録後のコントラストを大きく設定でき、かつ、２値記録に適し、反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）と反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の光記録媒体の両方が設計可能な光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１］本発明は、上記目的を達成するために、基板と、所定の不定比率δを有し、スピノーダル線の内側に位置して相分離を起こす領域内にある組成の酸化物、窒化物、炭化物、水素化物、または、それらの複数からなる混合物の不定比率化合物からなる相分離記録材料により前記基板上に記録膜として形成され、記録光により光記録される記録層と、前記記録層の一方の側に形成された急冷性保護層と、前記記録層の他方の側に形成された蓄熱性保護層と、を有することを特徴とする光記録媒体を提供する。
［２］前記記録層は、前記不定比率化合物が、Ｓｂ２Ｏ５−δであって、前記所定の不定比率δが、０．４＜δ＜１．８であることを特徴とする上記［１］に記載の光記録媒体であってもよい。
［３］また、前記記録層は、前記相分離記録材料を反応性スパッタリングにより前記基板上に記録膜として形成されたものであることを特徴とする上記［１］または［２］に記載の光記録媒体であってもよい。
［４］また、前記急冷性保護層は、酸化物系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、硫化物系材料、または、それらの２以上を混合してなる高熱伝導性材料からなる保護層であることを特徴とする上記［１］に記載の光記録媒体であってもよい。
［５］また、前記高熱伝導性材料は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＳｉＯ、または、Ａｌ２Ｏ３であることを特徴とする上記［４］に記載の光記録媒体であってもよい。
［６］また、前記蓄熱性保護層は、酸化物系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、硫化物系材料、または、それらの２以上を混合してなる低熱伝導性材料からなる保護層であることを特徴とする上記［１］に記載の光記録媒体であってもよい。
［７］また、前記低熱伝導性材料は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２であることを特徴とする上記［６］に記載の光記録媒体であってもよい。
［８］また、前記急冷性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の面に形成されると共に前記蓄熱性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の反対側の面に形成されることにより、光記録媒体の記録極性が反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）とされ、一方、前記蓄熱性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の面に形成されると共に前記急冷性保護層が前記記録層の前記記録光を入射する側の反対側の面に形成されることにより、光記録媒体の記録極性が反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）とされていることを特徴とする上記［１］乃至［７］のいずれか１項に記載の光記録媒体であってもよい。
［９］また、前記記録光を入射する側の反対側の面に形成された前記急冷性保護層または蓄熱性保護層は、前記記録光を入射する側の反対側の面に、金属反射層を有していることを特徴とする上記［１］乃至［７］のいずれか１項に記載の光記録媒体であってもよい。
［１０］また、前記急冷性保護層は、前記記録層の前記記録光を入射する側の反対側の面に形成され、前記蓄熱性保護層は、前記記録光を入射する側の面に形成されていることを特徴とする上記［９］に記載の光記録媒体であってもよい。
［１１］また、前記急冷性保護層または前記蓄熱性保護層は、前記記録光を入射する側の保護層の厚さが略λ／２に設定され、前記記録光を入射する側の反対側の保護層の厚さが略λ／４に設定されることにより、光記録媒体の記録極性が反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）とされていることを特徴とする上記［９］または［１０］に記載の光記録媒体であってもよい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、感度、および記録スピードに優れ、記録後のコントラストを大きく設定でき、かつ、２値記録に適し、反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）と反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の光記録媒体の両方が設計可能な光記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
［相分離の原理］
相分離における結晶化動力学は、カーン（Ｃａｈｎ）、ヒリアード（Ｈｉｌｌｉａｒｄ）等によってかなりの程度まで確立されており、それによれば、分離相の組成変動はこのカーン（Ｃａｈｎ）−ヒリアード（Ｈｉｌｌｉａｒｄ）の非線形拡散方程式によって表され、スピノーダル分解とバイノーダル分解の駆動力もこのカーン−ヒリアードの非線形拡散方程式からそれぞれ線形項あるいは非線形項として求められる。
【００１０】
図１は、不定比化合物からなる相分離記録材料の相分離の状態を示す組成―温度の相図である。横軸は組成、すなわち、元素Ｍの不定比率δであり、縦軸は不定比化合物の温度である。実線で示す曲線１００はバイノーダル線、点線で示す曲線２００はスピノーダル線、Ｔｃは臨界温度である。バイノーダル線１００およびスピノーダル線２００は、図示したように、温度に対して上に凸な単調な曲線となっている。臨界温度Ｔｃより高い温度の領域では、不定比化合物は相分離を起こしておらず、溶融して均一な相（格子欠陥が均一に分布）となっている。この領域は、混和領域とよばれる。
【００１１】
一方、上記バイノーダル線１００とスピノーダル線２００との間に位置して相分離を起こす領域内にある組成では、スピノーダル分解を起こす駆動力はほとんどゼロで、核生成及び成長による相分離を起こす駆動力のみなので、核生成及び成長によるバイノーダル分解のみが生起する。
【００１２】
また、スピノーダル線２００の内側に位置して相分離を起こす領域内にある組成では、スピノーダル分解を起こす駆動力と核生成及び成長による分解を起こす駆動力の両者が併存し、その各駆動力の大きさと熱履歴により、どちらかの分解が生起するかが決定される。
【００１３】
［バイノーダル分解］
所定のスポット径に絞ったレーザ光を記録領域に所定のパワーで照射して臨界温度Ｔｃより高い温度Ｔ２にした後、準平衡的プロセスが生起するような徐冷により温度が低下して臨界温度Ｔｃより低くなると、不定比化合物は、空格子点の多い相と少ない相に分離するバイノーダル分解による相分離が起こる。バイノーダル分解による相分離は、バイノーダル分解機構によって進行する。この分解機構によれば、均一な組成中に組成変動が生じると、その組成変動の内、ある限界値以上の組成変動のみが安定に生き残る。このような相分離では、初期段階から２相間の界面での組成差がはっきりし、核が生ずる。この核が成長することにより、相分離が進行する。
バイノーダル線１００は、この時の相分離により出来る２つの相での不定比率を示す曲線である。例えば、元素Ｍ：元素Ｘ＝ｍ：（ｎ−δ）の組成の不定比化合物の温度が、臨界温度Ｔｃより高いＴ２から徐々に低下して、Ｔ１になった時点のバイノーダル線１００上の点をＰ，Ｑとすると、それらの点の横軸の値ｐ，ｑを不定比率として持つ次の２つの相に分離する。
元素Ｍ：元素Ｘ＝ｍ：（ｎ−ｐ）元素Ｍ：元素Ｘ＝ｍ：（ｎ−ｑ）
【００１４】
尚、上記のＴ１は、略室温であるが、所定のパワーのレーザ光を照射して所定の温度に上昇させ、レーザ光照射を停止した後、基板、記録層、保護層等の熱的境界条件により定まる冷却後の定常温度である。
【００１５】
バイノーダル分解により相分離した部位は、核が成長した球晶とそれ以外の部分に相分離し、斑模様を呈する。この相分離をしている部位はレーリー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）散乱を起こし、その結果、相分離をしている部位とそうでない部位との間には、反射率に大きな差異を生ずる。
【００１６】
［スピノーダル分解］
所定のスポット径に絞ったレーザ光を記録領域に所定のパワーで照射して臨界温度Ｔｃより高い温度Ｔ３にした後、非平衡的プロセスが生起するような急冷により温度が低下して臨界温度Ｔｃより低くなると、スピノーダル分解による相分離が起こる。
【００１７】
スピノーダル分解による相分離は、スピノーダル分解機構によって進行する。この分解機構によれば、均一な組成中に最初に生じた微小な組成変動が相分離の端緒となり、それが助長され、次第に拡散されていくというふうに相分離は進行する。このような相分離においては、初期の段階では２相の界面での組成差ははっきりとはせず、連続的である。
【００１８】
スピノーダル線２００は、この時の相分離により出来る２つの相での不定比率を示す曲線である。例えば、不定比化合物が、前記温度Ｔ２よりも更に高い温度Ｔ３の状態から冷却され始めると、周囲との温度差が大であるから、冷却は急激に行われる。「急激に冷却」されてＴ１になった時点のスピノーダル曲線２００上の点をＵ，Ｖとすると、それらの点の横軸の値ｕ，ｖを不定比率として持つ次の２つの相に分離する。
元素Ｍ：元素Ｘ＝ｍ：（ｎ−ｕ）元素Ｍ：元素Ｘ＝ｍ：（ｎ−ｖ）
【００１９】
相分離構造は、２つの異なった組成の部分が絡み合った形態となっている。この相分離をしている部位も、レーリー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）散乱を起こし、相分離をしている部位とそうでない部位との間には、反射率に大きな差異を生ずる。以上のように、相分離した部位は光の反射率が大きく変化する。しかも、上記した相分離は、安定な結晶質状態を維持したままで、相転移に要する時間よりも短時間で行われる。
【００２０】
（本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体の構造を示す断面図である。
【００２１】
本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体１は、基板２、この基板２上に所定の不定比率δを有するアンチモン（Ｓｂ）の酸化物系の相分離記録材料（Ｓｂ２Ｏ５−δ）により形成された記録層３、および、熱干渉層としての機能および記録層３を保護するための保護層４とを有した３層構造として構成されている。記録層３は、ＲＦまたはＤＣ反応性スパッタリングにより基板２上に記録膜として形成されている。また、保護層４は、記録光としてのレーザ光１０が入射する側に形成される入射側保護層５および反対側保護層６として記録層３の両側に形成され、保護層４の一方は、急冷性保護層であり、他方は、蓄熱性保護層とされている。
【００２２】
尚、光記録媒体として使用しやすくするため、上記の構成に付加して、ＵＶ樹脂８を介してダミー基板９を貼り合わせた構成としている。
【００２３】
基板２には、トラッキングおよびフォーカシングのためのグルーブ２１およびランド２２が形成されており、レーザ光１０は、基板２側から入射されてグルーブ２２において情報の記録が行なわれる。尚、上記以外に、ダミー基板９側からレーザ光１０を入射させたり、グルーブ２１部に情報の記録を行なったりすることも可能である。
【００２４】
［基板］
基板２の材料としては、例えば、ガラス、光透過性のアクリル、ポリカーボネート、エポキシ等の光透過性材料を挙げることができる。
【００２５】
［相分離記録材料］
記録層３を形成する相分離記録材料としては、それが光、熱等の手段で相分離を起こすものであって、スピノーダル線２００の内側に位置して相分離を起こす領域内にある組成であればよく、具体的には、Ｓｂ−Ｏ系や、ＰｂＴｅ−ＧｅＴｅ混合系、Ａｕ−Ｐｔ混合系、Ａｕ−Ｎｉ混合系、ＰｂＳ−ＰｂＴｅ混合系、ＧｅＳｅ２−ＧｅＳｅ混合系、Ａｓ−Ｇｅ−Ｔｅ混合系等の合金や、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２混合系、Ｎａ２Ｏ−ＳｉＯ２混合系、ＢａＯ−ＳｉＯ２混合系、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２混合系、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２混合系、Ｌｉ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３混合系、Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３混合系、Ｋ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３混合系、Ｒｂ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３混合系、Ｃｓ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３混合系、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３混合系等の酸化物−酸化物混合系材料や、ＺｒＯ２−ＴｈＯ２混合系、ＣａＯ−ＳｉＯ２混合系、Ｂ２Ｏ３−ＰｂＯ混合系、Ｂ２Ｏ３−Ｖ２Ｏ５混合系、ＳｎＯ２−ＴｉＯ２混合系、ＮｉＯ−ＣｏＯ混合系、Ａｌ２Ｏ３−Ｃｒ２Ｏ３混合系、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３混合系、ＺｎＷＯ４−ＭｎＷＯ４混合系、ＣａＷＯ４−ＮａＳｍ（ＷＯ４）２混合系、ＣａＷＯ４−Ｓｍ２（ＷＯ４）３混合系、ＭｎＭｏＯ４−ＺｎＭｏＯ４混合系、Ｆｅ２ＴｉＯ４−Ｆｅ３Ｏ４混合系、Ｃａ３Ｃｒ２Ｓｉ３Ｏ１２−Ｃａ３Ｆｅ２Ｓｉ３Ｏ１２混合系、６５ＭｇＳｉＯ３／３５ＦｅＳｉＯ３−ＣａＳｉＯ３混合系、ＬｉＡｌ５Ｏ８−ＬｉＦｅ５Ｏ８混合系、ＮａＡｌＳｉ３Ｏ８−ＫＡｌＳｉ３Ｏ８混合系、Ｎａ２Ｏ−Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２混合系等の酸化物−酸化物混合系材料や、ＬｉＣｌ−ＮａＣｌ混合系、ＫＣｌ−ＮａＣｌ混合系、ＣｓＣｌ−ＴｌＣｌ混合系、ＣａＣｌ２−ＭｎＣｌ２混合系、ＣａＣｌ２−ＳｒＣｌ２混合系、ＬｉＢｒ−ＡｇＢｒ混合系、ＡｇＢｒ−ＮａＢｒ混合系、ＫＢｒ−ＮａＢｒ混合系、ＴｌＢｒ−ＣｓＢｒ混合系、ＫＩ−ＮａＩ混合系、ＮａＩ−ＣａＩ２混合系、（ＧａＩ２）２−ＮａＧａＩ４混合系、（ＧａＩ２）２−ＫＧａＩ４混合系、（ＧａＩ２）２−ＲｂＧａＩ４混合系、ＧａＡｌＩ４−Ｇａ２Ｉ４混合系等のハロゲン化物−ハロゲン化物混合系材料や、ＣｅＯｎ系、Ｂｉ−Ｂｉ２Ｏ３混合系、ＣａＣＯ３−ＭｎＣＯ３混合系等の酸化物やハロゲン化物等の不定比化合物である。
【００２６】
上記示した不定比化合物の中で、特に、低融点である不定比化合物が好ましく、例えば、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ２、Ａｕ２Ｏ、Ｂｉ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ５、ＳｎＯ、ＴｅＯ２、ＧｅＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｎＯ２、Ｖ２Ｏ５の不定比化合物が挙げられる。
【００２７】
本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体を構成する、低融点で所定の不定比率δを有する酸化物系の不定比率化合物からなる相分離記録材料としては、上記に種々示した不定比化合物の中で、特に、不定比率δが０．４＜δ＜１．８である不定比化合物、すなわち、Ｓｂ２Ｏ５−δが挙げられる。不定比率δは、図１で示したスピノーダル線２００の内側に位置する範囲であればよいが、好ましくは、不定比率δが０．４＜δ＜１．８であり、さらに、より好ましくは、不定比率δが０．８＜δ＜１．４である。
【００２８】
また、相分離記録材料としては、低融点で所定の不定比率δを有する酸化物系の不定比率化合物以外に、低融点で所定の不定比率δを有する窒化物系の不定比率化合物も同様に使用できる。また、上記示した酸化物または窒化物系の不定比率化合物に、少量の金属、高融点酸化物を添加したものでもよい。
【００２９】
［記録層］
記録層３は、基板２上に略均一厚で相分離記録材料が形成されたものであり、公知の従来技術である、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布・コーティング法等により形成可能である。この中で、ＰＶＤ法の一種であるスパッタリング、特に、ＲＦまたはＤＣ反応性スパッタリングにより記録層３を形成するのが好ましい。このＲＦまたはＤＣ反応性スパッタリングを使用した製造方法によれば、高速に記録層３が形成でき生産性に優れると共に、均一な酸化アンチモン膜が記録層３として基板２上に形成される。この効果については後述する。
【００３０】
［保護層］
急冷性保護層は、酸化物系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、硫化物系材料、または、それらの２以上を混合してなる高熱伝導性材料が好ましい。具体的に高熱伝導性材料としては、ＡｌＮ（７０〜２７０）、ＳｉＮ（４０〜６０）、ＴｉＮ（１９．３）、ＴｉＯ2、ＳｉＯ２（１．４）、ＳｉＯＣ、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３（２１）、ＣｒＮ（６９．４）、ＢＮ（１３００）が挙げられる。カッコ内は熱伝導率であり、単位はＷ／ｍ・ｋである。
また、蓄熱性保護層は、酸化物系材料、窒化物系材料、炭化物系材料、硫化物系材料、または、それらの２以上を混合してなる低熱伝導性材料が好ましい。具体的に低熱伝導性材料としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ２が挙げられる。尚、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の熱伝導率は、０．１５７（Ｗ／ｍ・ｋ）であり、上記示した高熱伝導性材料と比較して熱伝導率が低い。
【００３１】
［本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体の作用］
（スピノーダル分解による相分離）
図３は、Ｓｂ２Ｏ５−δ（不定比率δ）の相図である。これに基づいて、本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体の作用および効果を説明する。
【００３２】
図３において、記録層３は、不定比率δが０．４＜δ＜１．８の範囲に設定され、図示した点Ｒが、温度Ｔ１（室温）での記録層３の初期状態とする。
【００３３】
点Ｒから、記録しようとする領域に、所定のパワーのレーザ光を照射して臨界温度Ｔｃより高い温度Ｔ４の点Ｓまで加熱する。記録領域への加熱により記録膜が溶融し、レーザ光の照射が終了した時点からその領域は冷却される。記録層３は、不定比率δが０．４＜δ＜１．８に設定されているので、スピノーダル分解の駆動力がバイノーダル分解の駆動力よりも大きい領域であるが、徐冷または急冷等の冷却のプロセスにより、バイノーダル分解またはスピノーダル分解による相分離が起こる。
【００３４】
すなわち、温度Ｔ４からの冷却により非平衡的プロセスが生起すると前述の［スピノーダル分解］の項で説明したようなスピノーダル分解による相分離が起こり、温度Ｔ４からの冷却により準平衡的プロセスが生起すると前述の［バイノーダル分解］の項で説明したようなバイノーダル分解による相分離が生じる。
【００３５】
しかし、本発明の第１の実施の形態では、記録層３をＲＦまたはＤＣ反応性スパッタリングにより、スピノーダル分解による相分離が生じる。
【００３６】
これは、ＲＦまたはＤＣ反応性スパッタリングは、高エネルギーにより膜形成をするので、基板上には均一なアモルファス状の酸化アンチモン膜が形成されると考えられる。すなわち、バイノーダル分解の核となるＳｂ、またはＳｂ２Ｏ５のような結晶核が単独で存在しにくい状態で膜形成されるので、溶融後冷却時の相分離現象において核の成長を伴わないスピノーダル分解が優先的に生じるものと推測される。
【００３７】
（保護膜の構成による記録作用）
前述したように、記録層３の両側に保護層４（入射側保護層５および反対側保護層６）を有する３層構造として構成されているので、図２に示すように、レーザ光１０による熱、あるいは、この熱の一部が入射側（反射側）保護層５に蓄積され、この熱は、記録層３を挟んで反対側に形成された反射側（入射側）保護層６に伝熱される。入射側保護層５および反対側保護層６により、レーザ光１０による記録層３の記録領域の加熱、および冷却時の冷却効率が向上して、記録特性に優れた光記録媒体が可能となる。
【００３８】
（記録極性の制御）
本実施の形態では、スピノーダル分解が優先的に生じ、組成の異なる２相に分離し、１相が他の１相よりも透過率が低くなり、全体として記録（マーク）部の透過率が大きくなり、マークのところに光が透過する窓が形成されたようになるので、記録層３の反射率変化は、記録層３への光記録後に反射率が増加するＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈである。従って、光記録媒体１の記録極性は、基本的に反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）となる。
【００３９】
入射側保護層５、記録層３、反対側保護層６とからなる３層構造においては、入射側保護層５に蓄熱性保護層を形成し、反対側保護層６に急冷性保護層を形成することにより、Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗモードの記録極性を有する光記録媒体となる。これは、蓄熱性保護層と急冷性保護層との屈折率の差によるものである。例えば、蓄熱性保護層であるＺｎＳ−ＳｉＯ２は、屈折率が約２．３あり、基板を構成するＰＣの屈折率と異なるため、この層の境界で反射が起こり、膜厚を変えることにより反射率、およびコントラストを制御できるのに対し、急冷性保護層であるＡｌＮは屈折率が約１．７でＰＣ（ポリカーボネート）とほぼ同じ屈折率で層の境界で光が反射されにくく、光学的には層が存在しないと見なせる。すなわち、入射側保護層が高屈折率で、記録層との２層構造により初期反射率を上げている一方、記録後、相分離により、記録層を透過する光量が増加し、反対側保護層側に光が抜けていくため、反射率が下がり、Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗモードの記録極性となる。
【００４０】
一方、入射側保護層５に急冷性保護層を形成し、反対側保護層６に蓄熱性保護層を形成することにより、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈモードの記録極性を有する光記録媒体となる。
【００４１】
［本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体の効果］
上記のように構成された光記録媒体１は、以下のような効果を有する。
（１）所定の不定比率δを有する酸化アンチモンにより形成された記録層３の組成は、スピノーダル線２００の内側に位置して相分離を起こす領域内にある組成であるので、熱的条件によりバイノーダル分解またはスピノーダル分解のどちらの相分離現象も生じうる。しかし、記録層３をＲＦまたはＤＣスパッタリング法により形成しているので、熱的条件によらず、スピノーダル分解による相分離が優先的に生じる。この効果により、層構成、熱的境界条件等によらずにスピノーダル分解による相分離が可能となるので、媒体設計の自由度が増し、また、容易になる。
（２）スピノーダル分解による光記録は、核生成または成長を伴わないので、相分離に要する時間が短くなるので諧調性が小さくなり、２値記録に適した光記録媒体に有利である。また、記録に要する時間が短く、高速記録に適した光記録媒体に有利である。
（３）スピノーダル分解による相分離記録は、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈモードの記録となるので、初期反射率を小さくでき、記録後のコントラストを大きく設定できる。
（４）記録層３の両側に保護層４（入射側保護層５および反対側保護層６）を有する構成としているので、レーザ光１０による記録層３の記録領域の加熱、および冷却時の冷却効率が向上して、記録特性に優れた光記録媒体が可能となる。
（５）本実施の形態は、スピノーダル分解が優先的に生じるので、記録層３の反射率変化は、記録層３への光記録後に反射率が増加するＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈであって、光記録媒体１の記録極性は、基本的に反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）となる。しかし、入射側保護層５に蓄熱性保護層を形成し、反対側保護層６に急冷性保護層を形成することにより、反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）だけでなく、反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の光記録媒体をも設計・製造可能であるという顕著な効果を有する。
【００４２】
（本発明の第２の実施の形態に係る光記録媒体）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光記録媒体の構造を示す断面図である。
【００４３】
本発明の第２の実施の形態に係る光記録媒体５０は、第１の実施の形態に係る光記録媒体１に金属反射層を追加して構成したものであって、基板２に所定の不定比率δを有するアンチモン（Ｓｂ）の酸化物系の相分離記録材料（Ｓｂ２Ｏ５−δ）により形成された記録層３、熱干渉層としての機能および記録層３を保護するための保護層４、および、金属反射層７とを有して構成されている。記録層３は、ＤＣ反応性スパッタリングにより基板２上に記録膜として形成されている。また、保護層４は、入射側保護層５および反対側保護層６として、記録層３の両側に形成され、保護層４の一方は、急冷性保護層であり、他方は、蓄熱性保護層とされている。また、金属反射層７は、反対側保護層６の記録層３に接しない側に形成されている。
【００４４】
尚、光記録媒体として使用しやすくするため、上記の構成に付加して、ＵＶ樹脂８を介してダミー基板９を貼り合わせた構成としている。
【００４５】
［金属反射層］
金属反射層７は、光記録に使用する光の波長を反射するものであればよく、特にＡｌまたはその合金が好ましいが、他に、Ａｕ、Ａｇ等の他の金属材料も使用可能である。公知のスパッタリング等により形成できる。
【００４６】
基板２、記録層３、保護層４等は第１の実施の形態と同様であるので、説明を省略する。
【００４７】
第２の実施の形態においては、入射側保護層５を蓄熱性保護層とし、反対側保護層６を急冷性保護層とすることが好ましい。入射側保護層５を蓄熱性保護層とし、反対側保護層６を急冷性保護層とすることにより、レーザ光１０による熱がまず入射側保護層５である蓄熱性保護層に蓄熱され、この熱が急冷性保護層に向って膜の垂直方向に向かって速やかに伝熱されるので、急冷効果が向上し、さらに面内方向への熱拡散が防止されるからである。これにより、さらに記録特性に優れた光記録媒体が可能となる。
【００４８】
（記録極性の制御）
本実施の形態では、スピノーダル分解が優先的に生じるので、記録層３の反射率変化は、記録層３への光記録後に反射率が増加するＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈである。従って、光記録媒体１の記録極性は、基本的に反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）となる。
【００４９】
これに対して、光記録媒体の記録極性を、記録層３への光記録後に反射率が減少する反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）とする場合は、入射側保護層５の膜厚を概略λ／２に、反射層側保護層６の膜厚を概略λ／４の膜厚とに設定するのが好ましい。さらに、上記の膜厚の合計は、記録層３の膜厚を含めて、往復の光路長が半波長の略整数倍に設定されるのが好ましい。
【００５０】
上記のように設定すると、記録層３への光記録前は、記録層３からの反射が支配的であるので、入射側保護層５の厚さλ／２により往復の光路長が略波長に等しくなり光記録媒体としては反射率が高くなる。一方、記録層３への光記録後はスピノーダル分解により記録領域の反射率が減少するので、レーザ光１０は反対側保護層６および金属反射層７からの反射光が支配的となり、往復の光路長を半波長の略整数倍に設定しているので光記録媒体としては反射率が低くなる。従って、反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の光記録媒体とすることが可能となる。
【００５１】
［本発明の第２の実施の形態に係る光記録媒体の効果］
（１）第１の実施の形態に係る光記録媒体の効果に加え、金属反射層７による反射光が増加するので、光記録時の効率が向上する。
（２）入射側保護層５を蓄熱性保護層とし、反対側保護層６を急冷性保護層とすることにより、急冷効果が向上し、より記録特性に優れた光記録媒体が可能となる
（３）保護膜の厚さ、すなわち、入射側保護層５の膜厚、および反射層側保護層６の膜厚を制御することにより、反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）または反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の記録極性を有する光記録媒体とすることが可能となる。特に、スピノーダル分解による相分離記録方式の本実施の形態は、記録に要する時間が短く高速記録に適した光記録媒体でありながら、反射率増加タイプ（Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ）だけでなく、反射率減少タイプ（Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ）の光記録媒体をも設計・製造可能であるという顕著な効果を有する。
【００５２】
［実施例１］
媒体構造を、レーザ光１０の入射側から、入射側保護層５、Ｓｂ２Ｏ５−δからなる記録層３、反対側保護層６とし、入射側保護層５に高熱伝導率をもつＡｌＮ膜を配し、反対側保護層６に蓄熱性のあるＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる保護層を配して、記録層の両側を保護層により挟み込んだ３層構造とし，保護層、記録層、保護層の順に０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂７を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板８と貼り合わせ、光記録媒体とした。
【００５３】
Ｓｂ２Ｏ５−δのスパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３．５ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定されてある。完成された光記録媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。記録極性は、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈである。
【００５４】
図５は、実施例１における長パルス１１Ｔと短パルス３Ｔを記録再生したときのオシログラフの再生波形を示す図である。後述する比較例１〜４と比較すると、劇的に短パルスの振幅が大きくなり、コントラストが増大し、記録特性（Ｓ／Ｎ比、長パルスと短パルスのコントラスト等）は実用上問題ないレベルであった。しかし、同時に長パルスの振幅も大きくなるので、高密度記録を考慮すると、長パルスと短パルスのコントラスト比は改良の余地がある。
【００５５】
［実施例２］
媒体構造を、レーザ光１０の入射側から、入射側保護層５、Ｓｂ２Ｏ５−δからなる記録層３、反対側保護層６とし、入射側保護層５に蓄熱性のあるＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる保護層を配し、反対側保護層６に高熱伝導率をもつＡｌＮ膜を配して、記録層の両側を保護層により挟み込んだ３層構造とし，保護層、記録層、保護層の順に０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂７を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板８と貼り合わせ、光記録媒体とした。
【００５６】
Ｓｂ２Ｏ５−δのスパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３．５ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定されてある。完成された光記録媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。実施例１では、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈの記録極性だったが、実施例２ではＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗとなった。これは、保護層ＺｎＳ−ＳｉＯ２とＡｌＮの屈折率の差によるものである。ＺｎＳ−ＳｉＯ２は、屈折率が約２．３あり、基板を構成するＰＣの屈折率と異なるため、この層の境界で反射が起こり、膜厚を変えることにより反射率、およびコントラストを制御できるのに比較し、ＡｌＮは屈折率が約１．７でＰＣとほぼ同じ屈折率で層の境界で光が反射されにくく、光学的には層が存在しないと見なせる。実施例２では、入射側保護層ＺｎＳ−ＳｉＯ２が高屈折率で、記録層との２層構造により初期反射率を上げている一方、記録後、相分離により、記録層を透過する光量が増加し、反対側保護層側に光が抜けていくため、反射率が下がる。尚、記録極性は実施例１と逆であったが、記録特性（Ｓ／Ｎ比、長パルスと短パルスのコントラスト等）は実施例１と同程度であって実用上問題ないレベルであった。
【００５７】
よって、実施例１との対比から、金属反射層７を有しない、入射側保護層５、記録層３、反対側保護層６とからなる３層構造においては、以下のように光記録媒体の記録極性を設定可能である。すなわち、入射側保護層５に急冷性保護層を形成し、反対側保護層６に蓄熱性保護層を形成することにより、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈモードの記録極性を有する光記録媒体が可能となり、入射側保護層５に蓄熱性保護層を形成し、反対側保護層６に急冷性保護層を形成することにより、Ｈｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗモードの記録極性を有する光記録媒体が可能となる。
【００５８】
［実施例３］
媒体構造を、レーザ光１０の入射側から、入射側保護層５、Ｓｂ２Ｏ５−δからなる記録層３、反対側保護層６、Ａｌからなる金属反射層７とし、入射側保護層５に高熱伝導率をもつＡｌＮ膜を配し、反対側保護層６に蓄熱性のあるＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる保護層を配して、記録層の両側を保護層および金属反射層により挟み込んだ４層構造とし，保護層、記録層、保護層、金属反射層の順に０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂７を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板８と貼り合わせ、光記録媒体とした。
【００５９】
Ｓｂ２Ｏ５−δのスパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３．５ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定されてある。完成された光記録媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。記録極性は、Ｌｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈである。
【００６０】
図６は、実施例３における長パルス１１Ｔと短パルス３Ｔを記録再生したときのオシログラフの再生波形を示すものである。実施例１と比較し、短パルス３Ｔの振幅は同様に大きくなり、コントラストが増大し、かつ長パルス１１Ｔの振幅も程よく抑えられ、長パルスと短パルスのコントラスト比が約０．４になり、かつアシンメトリーもほぼ０になり、理想的な波形が実現できた。
【００６１】
［実施例４］
媒体構造を、実施例３とは保護層の順序が逆となる構造とした。すなわち、レーザ光１０の入射側から、入射側保護層５、Ｓｂ２Ｏ５−δからなる記録層３、反対側保護層６、Ａｌからなる金属反射層７とし、入射側保護層５に蓄熱性のあるＺｎＳ−ＳｉＯ２膜を配し、反対側保護層６に高熱伝導率をもつＡｌＮ膜からなる保護層を配して、記録層の両側を保護層および金属反射層により挟み込んだ４層構造とし，保護層、記録層、保護層、金属反射層の順に０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂７を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板８と貼り合わせ、光記録媒体とした。
【００６２】
Ｓｂ２Ｏ５−δのスパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３．５ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定されてある。完成された光記録媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。その結果、実施例２とほぼ同じ結果が得られ、理想的な波形が実現できた。かつ、感度が実施例２よりも約０．５ｍＷ向上した。
【００６３】
［実施例５］
実施例４で、記録後の反射率が低下するＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗモードに設定するため、入射側保護層５（ＺｎＳ−ＳｉＯ２膜）の厚さを概略λ／２に、反射層側保護層６（ＡｌＮ膜）の膜厚を概略λ／４の膜厚とし、さらに反射側保護層６の上にＡｌからなる金属反射層７を設けた４層構造とし、保護層、記録層、保護層、反射層の順に  ０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板と貼り合わせ、光記録媒体とした。
【００６４】
Ｓｂ２Ｏ５−δのスパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３．５ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定されてある。完成された媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生試験をした。その結果、実施例４とほぼ同じ波形を逆極性で実現できた。
【００６５】
【表１】
2009032329.tif 000003
【００６６】
［比較例１］
媒体構造をＳｂ２Ｏ５−δからなる記録層３の１層からなる１層構造とし、０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板と貼り合わせ、光記録媒体とした。
【００６７】
スパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３ｓｃｃｍ、全圧：７．５ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定したものである。完成された媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。再生レーザーパワーは、０．５ｍＷ、線速度は６．６１ｍ／ｓ、記録信号は１１Ｔとした。反射率変化を見るため、書き込み周波数には、１１Ｔの信号を使用した。
【００６８】
図７は、信号出力（振幅）ｖｓ記録パワーの特性を示す図である。比較例１での特性は、特性Ａ３０１で示され、この結果から、この媒体では、反射率が飽和に達するパワーより大きなパワーでは膜が破壊されていることが分かった。
【００６９】
［比較例２］
媒体構造を、Ｓｂ２Ｏ５−δからなる記録層の上下両側にＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる保護層により挟み込んだ３層構造とし，保護層、記録層、保護層の順に０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板と貼り合わせ、光記録媒体とした。入射側保護層の膜厚を概略λ／８に、反射側保護層の厚さを概略λ／２に設定した。
【００７０】
スパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：２ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定したものである。完成された媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。再生レーザーパワーは、０．５ｍＷ、線速度は６．６１ｍ／ｓ、記録信号は１１Ｔとした。反射率変化を見るため、書き込み周波数には、１１Ｔの信号を使用した。比較例２での特性は、特性Ｂ３０２で示され、この結果から、記録層を上下２層の保護膜で挟み込んだ構造にすると、膜が破れるレーザーパワーが大きくなり、保護膜の効果が確認された。しかし、高パワーでは比較例１と同様に、膜が破壊され損傷を受けることが判明した。単に記録層の両側を保護層で保護しただけでは完全ではないことが判明した。また、諧調性がかなりあり、明確なスレショールドが存在せず、ジッターが大きい。
【００７１】
［比較例３］
この例は、Ｓｂ２Ｏ５−δの酸素組成をスピノーダル領域に設定し、酸素組成を比較例２よりも大きくしたものである。媒体構造は比較例２と同様である。
【００７２】
スパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときの完成された媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。反射率変化を見るため、書き込み周波数には、１１Ｔの信号を使用した。比較例３での特性は、特性Ｃ３０３で示され、高パワーでは比較例１と同様に、記録膜が破壊され損傷を受けることが判明した。この結果は、概略比較例２と同様であるが、酸素組成が大きいために、スピノーダル分解の駆動力が大きいことが推定され、諧調性が小さくなり、より２値記録に適していると判断される。また、３Ｔや４Ｔの短いパルスの書込みを行うと、十分なコントラスト、アシンメトリーを得ることはできなかった。
【００７３】
［比較例４］
媒体構造を、Ｓｂ２Ｏ５−δからなる記録層の両側に高熱伝導率をもつＡｌＮ膜を配して、記録層の両側を保護層により挟み込み、過剰な熱の蓄積を防止し、記録層の破壊を防止する構造とした３層構造とし，保護層、記録層、保護層の順に０．６ｍｍ厚のＰＣ基板上に着膜し、さらにＵＶ樹脂を約１０ミクロン塗布し、０．６ｍｍ厚のダミー基板と貼り合わせ、媒体とした。
【００７４】
Ｓｂ２Ｏ５−δのスパッタ条件を、Ａｒ流量：１００ｓｃｃｍ、酸素流量：３．５ｓｃｃｍ、全圧：７．４ｍｂａｒ、ＤＣスパッタパワー：１ＫＷ、着膜時間：６秒とした。このときのＳｂ２Ｏ５−δの酸素組成は、スピノーダル領域に設定し、酸素組成を比較例３よりも大きくしたものである。完成された媒体を波長４０５ｎｍのレーザー光源、ＮＡ＝０．６５のレンズを使用した光記録試験機により、記録再生を試みた。反射率変化を見るため、書き込み周波数には、１１Ｔの信号を使用した。比較例４での特性は、特性Ｄ３０４で示され、記録膜が破壊されるレーザーパワーはより大きくなり、パワーマージンが増大した。この結果、長パルスの反射率の増大が抑えられ、逆に短パルスの反射率が増大し、コントラストが増大し、アシンメトリーの最適化が可能であることを示す。しかし、長パルスと短パルスの振幅の比率は、長パルスの振幅が抑えられたため、十分ではない。また、高熱伝導率の保護膜を採用したために、熱の蓄積が少なくなり、感度が低下した。
【００７５】
【表２】
2009032329.tif 000004
【００７６】
以上、実施例１〜４および比較例１〜４の記録再生の結果を考慮すると、記録層３の両側を異なる保護膜、すなわち、急冷性保護層（高熱伝導率の保護膜）と蓄熱性保護層（低熱伝導率の保護膜）で挟み込んだ構成が効果的であり、さらに、金属反射層を有する４層構造とすることにより、短パルスの振幅が大きく、コントラストが増大し、かつ長パルスの振幅も程よく抑えられ、長パルスと短パルスのコントラスト比が良好になり、かつ、アシンメトリーもほぼ０の、良好な記録再生波形が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】図１は、不定比化合物からなる相分離記録材料の相分離の状態を示す組成―温度の相図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光記録媒体の構造を示す断面図である。
【図３】図３は、Ｓｂ２Ｏ５−δ（不定比率δ）の相図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る光記録媒体の構造を示す断面図である。
【図５】図５は、実施例１における長パルス１１Ｔと短パルス３Ｔを記録再生したときのオシログラフの再生波形を示す図である。
【図６】図６は、実施例２における長パルス１１Ｔと短パルス３Ｔを記録再生したときのオシログラフの再生波形を示す図である。
【図７】図７は、信号出力（振幅）ｖｓ記録パワーの特性を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
１、５０‥光記録媒体、  ２‥基板、  ３‥記録層
４‥保護層、  ５‥入射側保護層、  ６‥反対側保護層
７‥金属反射層、  ８‥ＵＶ樹脂、  ９‥ダミー基板
１０‥レーザ光、  ２１‥グルーブ、  ２２‥ランド
１００‥バイノーダル線、  ２００‥スピノーダル線
【図１】
2009032329.tif 000005
【図２】
2009032329.tif 000006
【図３】
2009032329.tif 000007
【図４】
2009032329.tif 000008
【図５】
2009032329.tif 000009
【図６】
2009032329.tif 000010
【図７】
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