(57)【要約】【課題】近赤外域の遮蔽性に優れ、かつ可視光の透過率が高い熱線遮蔽材料を提供する。【解決手段】金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、前記金属スズ粒子が前記透明導電性酸化物粒子に対し０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことを特徴とする熱線遮蔽材料。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、
前記金属スズ粒子が前記透明導電性酸化物粒子に対し０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことを特徴とする熱線遮蔽材料。
【請求項２】
前記金属スズ粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱線遮蔽材料。
【請求項３】
前記金属スズ粒子の平均粒径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱線遮蔽材料。
【請求項４】
前記金属スズ粒子と前記透明導電性酸化物粒子との平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の熱線遮蔽材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の熱線遮蔽材料を含むことを特徴とする混合液。
【請求項６】
金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、
前記金属スズ粒子が前記透明導電性酸化物粒子に対し０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことを特徴とする熱線遮蔽膜。
【請求項７】
前記金属スズ粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の熱線遮蔽膜。
【請求項８】
前記金属スズ粒子と前記透明導電性酸化物粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の熱線遮蔽膜。
【請求項９】
金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、
可視光（波長５５０ｎｍ）の透過率が８０％以上であり、近赤外線（波長１２００ｎｍ）の透過率が７５％以下であることを特徴とする熱線遮蔽膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱線遮蔽材料、混合液及び熱線遮蔽膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年エネルギー節約等の観点から、住宅や自動車の窓等に熱線遮蔽材料が使用されてきている。これまで太陽光や電球等の外部光源からの熱を除去・減少する方法として、ガラス等の基材表面に可視・赤外域の波長を吸収・反射する材料を利用することが行われていた。
【０００３】
例えば、特許文献１には、銀を含み、さらにパラジウム、銅及び金からなる群から選択された１種もしくは２種以上を含み、かつ、その平均粒径が１００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下の銀系金属微粒子を、溶媒に分散させた日射遮蔽膜用塗布液が開示されている。この塗布液には、透明導電性酸化物を加えてもよいことが記載されている。この塗布液から得られる遮蔽膜は、近赤外線を遮蔽するものの、可視光領域の透明性が低く、また、銀を使用するため高価になるという問題があった。
【０００４】
また、特許文献２には透明導電性皮膜や電磁波遮蔽に使用できる液相法で合成したインジウム系金属微粒子が開示されており、文献中にはさらに導電性酸化物微粒子を含んでもよいという記載がある。
しかしながら、導電性を高めるために用いる金属微粒子としては融点の低いインジウム系金属微粒子が選択されている。さらに導電性を高くするために、インジウム系金属微粒子が導電性酸化物に対して１０ｗｔ%以上含まれている系となっている。そのため実施例での光線透過率は最大８０％と透明性が低くなっている。またその近赤外線遮蔽性能についてはまったく言及されていない。
【０００５】
尚、特許文献１及び２の膜は、ともに光透過率が低いため、可視光領域では反射（ギラギラした外観を与える）又は散乱（透明性が悪くなる）のいずれかが起こっていると考えられる。
【特許文献１】特開平９−３１００３７号公報（請求項１、段落００１２）
【特許文献２】特開２００３−３４２６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、近赤外域の遮蔽性に優れ、かつ可視光の透過率が高い熱線遮蔽材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、以下の熱線遮蔽材料等が提供される。
１．金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、前記金属スズ粒子が前記透明導電性酸化物粒子に対し０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことを特徴とする熱線遮蔽材料。
２．前記金属スズ粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする１に記載の熱線遮蔽材料。
３．前記金属スズ粒子の平均粒径が１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることを特徴とする１に記載の熱線遮蔽材料。
４．前記金属スズ粒子と前記透明導電性酸化物粒子との平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする１に記載の熱線遮蔽材料。
５．上記１〜４のいずれかに記載の熱線遮蔽材料を含むことを特徴とする混合液。
６．金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、前記金属スズ粒子が前記透明導電性酸化物粒子に対し０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことを特徴とする熱線遮蔽膜。
７．前記金属スズ粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする６に記載の熱線遮蔽膜。
８．前記金属スズ粒子と前記透明導電性酸化物粒子の平均粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とする６に記載の熱線遮蔽膜。
９．金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、可視光（波長５５０ｎｍ）の透過率が８０％以上であり、近赤外線（波長１２００ｎｍ）の透過が７５％以下であることを特徴とする熱線遮蔽膜。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、近赤外域の遮蔽性に優れ、かつ可視光透過率の高い熱線遮蔽材料が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明に係る熱線遮蔽材料は、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子を含む。そして、金属スズ粒子を、透明導電性酸化物粒子に対して０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下含むことを特徴とする。
金属スズ粒子が、透明導電性酸化物粒子に対し０．１ｗｔ％以上含有されることにより熱線遮蔽効果が発現する。尚、金属スズ粒子が多く含有されていれば、より高い効果が得られるとは限らない。
本発明では、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子を所定の割合で含有することにより、遮蔽性に優れ、かつ可視光の透過率が高い熱線遮蔽材料が得られる。
尚、本願において近赤外線とは、波長が８００〜１５００ｎｍ付近の光線をいう。また、可視光とは、波長が４００〜８００ｎｍ付近の光線をいう。
【００１０】
本発明において、金属スズ粒子とはスズ系金属の微粒子を意味し、例えば、金属Ｓｎや、ＩｎとＳｎの合金の微粒子が挙げられる。
透明導電性酸化物微粒子としては、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＺＴＯ）、Ｓｎ−Ｓｂ酸化物（ＡＴＯ）、Ｓｎ−Ｆ酸化物（ＦＴＯ）、Ｚｎ−Ａｌ酸化物、Ｚｎ−Ｇａ酸化物が挙げられる。
【００１１】
金属スズ粒子の平均粒径は２００ｎｍ以下であることが好ましい。金属スズ粒子の平均粒径が２００ｎｍより大きいと、膜としたときに透明性が低下するおそれがある。金属スズ粒子は、製造が容易であることから平均粒径が１０ｎｍ以上であることが好ましい。Ｓｎ粒子の平均粒径は１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、さらに、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが特に好ましい。
尚、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子との平均粒径は分散液の散乱平均粒径の値である。具体的に、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子との平均粒径は、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子との混合体を分散させた後、分散液の粒径分布を測定し、得られた散乱平均粒径の値である。本発明では、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子の混合体の平均粒径が１０〜２００ｎｍであれば、金属スズ粒子の平均粒径が１０〜２００ｎｍである。
尚、金属スズ粒子の平均粒径と透明導電性酸化物粒子の平均粒径が２００ｎｍよりも大きい場合、膜を形成した際に透明性が損なわれるおそれがある。
【００１２】
本発明の熱線遮蔽材料は、例えば、金属スズ粒子の原料となる酸化スズと、透明導電性酸化物粒子又は透明導電性酸化物粒子の原料となる酸化物を混合粉砕し、熱処理することにより製造することができる。
透明導電性酸化物粒子の原料としては、例えば、酸化インジウムと酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化インジウムと酸化スズと酸化亜鉛（ＩＺＴＯ）、酸化スズと酸化アンチモン（ＡＴＯ）、酸化亜鉛と酸化ガリウム（ＧＺＯ）、酸化亜鉛と酸化アルミニウム（ＡＺＯ）、等が挙げられる。
【００１３】
原料の混合粉砕法は、原料がよく混合される方法であれば特に限定されない。例えば、ボールミル、遊星ボールミル、ジェットミル、振動ミル等、公知の方法を採用できる。
【００１４】
原料混合粉体を熱処理することにより、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子を生成させる。熱処理は、不活性ガス等を充填でき、炉内を所定の雰囲気に維持できるものであればよく、電気炉等の公知の炉にて実施できる。
熱処理は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス、又は不活性ガスと還元性ガスの混合ガス雰囲気下で行うのが望ましい。
不活性ガスとしては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等が使用できる。この中でも、安価であるため、窒素が好ましい。
また、還元性ガスとしては、水素や一酸化炭素等を用いることができる。
【００１５】
処理温度の最高温度は熱処理装置により適宜選択すればよいが、８００℃から１３００℃の範囲とすることが好ましく、８００℃以上１１００℃以下がより好ましい。熱処理温度が１３００℃より高い場合、熱処理により粒子が粗大化し、分散液中での平均粒径が２００ｎｍとするための粉砕に多くのエネルギーと時間を要してしまう恐れがある。なお、上記観点から、熱処理温度が１１００℃以下であることがより好ましい。分散液中の平均粒径が２００ｎｍを超えると光散乱源となって、膜とした時に曇り（ヘイズ）を生じたり、可視光透過率が減少する原因となる。
一方、８００℃より低い場合、所望とする光学特性が得られないおそれがある。
【００１６】
熱処理時の最高温度における保持時間は適宜選択すればよいが、０．１分以上１時間以下が好ましく、１〜３０分が特に好ましい。１分以上であれば、原料粒子を十分に反応させることができる。１時間以下であれば、生成物の平均粒径を２００ｎｍ以下とすることができる。
【００１７】
上述した製造方法では、酸化物微粒子を機械的に混合し又は粉砕した原料を加熱処理することにより、微小な平均粒径を有する熱線遮蔽材料導電性金属酸化物粉末が得られる。従って、溶液を利用する溶相法のような、廃水処理等が不要なため、プロセスの簡略化やコスト低減を容易に図れる。
【００１８】
この製造法では、原料である酸化スズから金属スズ粒子を生成させるため、生成する金属スズ粒子の量は仕込み量によって大きく変わる。例えば、原料として酸化スズと酸化インジウムを用いた場合、原料における酸化スズと酸化インジウムの比率（Ｉｎ／Ｓｎ：モル％）は３０／７０〜９９．５／０．５が好ましい。特に、４０／６０〜９５／５とすることが好ましい。この場合、酸化スズは金属スズ粒子になるものと、酸化インジウムに固溶するものがあるため、生成する金属スズ粒子の量は透明導電性酸化物粒子に対し２０ｗｔ％以下となる。
【００１９】
熱線遮蔽性能の発現にはキャリヤー（電子）の数が多いことが重要である。キャリヤーは、（１）価数の異なる元素のドーピング、（２）酸素欠損及び（３）金属の生成等により増加する。上記（１）〜（３）の観点から、原料酸化物を細かく粉砕し、十分混合することが異種原料の反応を進ませるために重要である。さらに、高温、還元雰囲気で加熱することが（１）〜（３）の各々を増加させるのに重要である。
ただし高温で長時間反応させることは粒子径の増加につながり、ひいては膜にしたときの散乱により透明性が失われるため最適な条件が存在する。
尚、十分反応させ、粒子径が大きくなった後に機械的に粉砕しても熱線遮蔽性能が低下しないので、粒径が大きくなった場合には、機械的に粉砕し、上記粒子径の熱線遮蔽材料を得ることができる。
【００２０】
本発明に係る熱線遮蔽材料には、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子の他に酸化スズ粒子を含有してもよい。しかしながら、酸化スズ粒子を含有しないほうが好ましい。酸化スズ粒子の含有量が、透明導電性酸化物粒子に対し２０ｗｔ%以下であれば、熱線遮蔽性能を得ることはできる。
酸化スズ粒子の平均粒径は、２００ｎｍ以下であることが好ましい。２００ｎｍより大きいと、光散乱の原因となるおそれがあり、膜の透明性を損なう場合がある。
【００２１】
本発明の熱線遮蔽材料は無機材料であるので、有機材料と比べて耐候性が非常に高く、例えば、太陽光線（紫外線）のあたる部位に使用しても色や諸機能の劣化は殆ど生じない。
本発明の熱線遮蔽材料は、例えば、自動車や建築用の合わせガラス中間膜、または合わせガラス、プラスチックの添加剤（白色フィラー、帯電防止、静電気防止、電磁シールド等）、熱線遮蔽・吸収用シートやフィルム、フィルム、シート、ガラス等の基材にコーティングするための塗料やインク組成物（導電性塗料、熱線反射塗料）等にも使用することができる。
また、例えば、記録材料（フィルム、リスフィルム等）、複写機・プリンタ周辺材料（トナー用電荷調整剤、帯電ローラー、ゴムローラー、感光ドラム、導電ブラシ等）、自動車用材料（近赤外線カット材、熱線遮蔽材）、ディスプレイ周辺材料（液晶偏向板保護材用透明フィルム、ブラウン管用被膜等）、半導体周辺材料（ICチップ搬送材、クリーンルーム用カーテン、窓材、壁、床、タイル等）に好適に用いることができる。
【００２２】
続いて、本発明の混合液について説明する。
本発明の混合液は、金属スズ粒子及び／又は透明導電性酸化物が分散状態の物と、金属スズ粒子及び／又は透明導電性酸化物が沈殿している物の両方を含む。
【００２３】
混合液に使用できる溶媒は、塗布条件、塗布環境、バインダー成分等にあわせて選択可能である。例えば、水、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の各種有機溶媒が使用可能であり、必要に応じて酸やアルカリを添加してｐＨを調整することもできる。
混合液に占める溶媒の量は、成膜時の粘度等を考慮して適宜調製すればよい。一般には、熱線遮蔽材料１重量部に対して１重量部〜１０００重量部程度であり、特に、５重量部〜４００重量部であることが好ましい。
【００２４】
熱線遮蔽材料（微粒子）の分散方法は、微粒子が均一に溶液中に分散する方法であれば任意に選択できる。例えば、ビーズミル、ボールミル、サンドミル、ベイントシェーカー、３本ロールミル、超音波ホモジナイザー等を用いる方法を挙げることができる。
【００２５】
本発明の混合液には、熱線遮蔽材料を適切に分散させるためにバインダーを添付しても良い。バインダーは、熱線遮蔽材料を適切に分散させることができればよい。例えば、アクリル樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂等の樹脂バインダーを利用できる。また、メタクリル樹脂等のアクリル系樹脂、ポリアセチレン系樹脂、メラミン樹脂等のアミノ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリウレタン系樹脂、アルキッド樹脂等のポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ＡＢＳ系樹脂、ポリアミンスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリピロール系樹脂、ポリチオフェン系樹脂、ポリアニリン系樹脂、ポリアセチレン系樹脂、紫外線硬化樹脂、ジアセチルセルロース及びトリアセチルセルロース等のセルロース誘導体等も使用することができる。
【００２６】
バインダーの添加量は、所望の膜強度が得られるような量を適宜選択すればよいが、熱線遮蔽材料と溶媒の合計重量１重量部に対し、０．０００１〜１００重量部であることが好ましく、１〜５０重量部であることが特に好ましい。
【００２７】
さらに、混合液中の熱線遮蔽材料の分散安定性を向上させるために、各種界面活性剤、カップリング剤等を添加することも可能である。
【００２８】
続いて、本発明の熱線遮蔽膜について説明する。
ここで、本発明の熱線遮蔽膜とは、基材上に形成された膜、基板上に積層された膜（中間層、最上層の膜、基板上の膜）、フィルム（単層、複層）状の膜を含む。
本発明に係る熱線遮蔽膜は、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、透明導電性酸化物粒子に対し、金属スズ粒子は０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下である。例えば、上述した本発明に係る混合液を用いることで製造できる。具体的に、上述した混合液を基材に塗布し、乾燥等することにより熱線遮蔽膜が得られる。
【００２９】
混合液の塗布方法は特に限定されず、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法、バーコート法、流し塗り等、混合液を平坦かつ薄く均一に塗布できる方法であればよい。
尚、基材としてはガラスやプラスチック等が挙げられる。
【００３０】
本発明に係る熱線遮蔽膜において、用いる金属スズ粒子の平均粒径は２００ｎｍ以下であることが好ましい。金属スズ粒子の平均粒径が２００ｎｍより大きいと、膜としたときに透明性が低下するおそれがある。Ｓｎ粒子の平均粒径は１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、さらに、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが特に好ましい。
また、金属スズ粒子の平均粒径と透明導電性酸化物粒子の平均粒径が共に２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
本発明の熱線遮蔽膜の他の形態では、金属スズ粒子と透明導電性酸化物粒子とを含み、可視光（波長５５０ｎｍ）の透過率が８０％以上であり、近赤外線（波長１２００ｎｍ）の透過率が７５％以下である。
このように、可視光線の透過率が高いにもかかわらず、近赤外線を遮断する能力を有する熱線遮蔽膜が得られる。
【実施例】
【００３２】
実施例１
図１に示す工程により、熱線遮蔽材料、分散液及び熱線遮蔽膜を作製した。
（１）熱線遮蔽材料の作製
酸化インジウム粉末（添川理化学（株）純度９９．９９％）７８．６５ｇと酸化第二錫（日本化学産業（株）純度９８％）を２１．３５ｇ秤量し、メノウ乳鉢で混合した後、遊星ボールミル（フリッチェ（株））で１０時間混合・粉砕した。
処理後の粉体をアルミナボートに載せ、石英管に入れて管状炉に挿入した。その後、窒素ガスを０．５リットル／分で流しながら熱処理を行った。具体的に、約４０分間で室温から８００℃まで昇温させた後、８００℃で３０分間保持し、その後、１時間かけて冷却した。石英管から取り出して熱線遮蔽材料（焼成後）を得た。
【００３３】
（２）熱線遮蔽膜の調整
上記（１）で得た熱線遮蔽材料１ｇとポリカルボン酸系の分散剤（東亜合成（株）６３３０−Ａ）０．１５ｇを水４０ｃｃに加え、ビーズミル（アイメックッス（株））を用いて２６５０ｒｐｍで３時間撹拌した。
この混合液１重量部に、バインダーとしてポリアクリル酸（日本純薬（株）ＦＣ−６０）を３重量部加え、マグネチックスターラーで１時間撹拌し、混合液を得た。
この分散液を、白板ガラス基板上に２０番手のバーコーターを用いて塗布し、１晩自然乾燥させて熱線遮蔽膜を得た。この熱線遮蔽膜の膜厚を非接触断面計測装置(（株）菱化システム)で測定した結果、約１〜１０μｍであった。
【００３４】
実施例２
上記（１）で、遊星ボールミルでの混合・粉砕を６時間とし、熱処理において窒素ガスではなく窒素９８％と水素２％の混合ガス雰囲気中で行った以外は、実施例１と同様の方法で熱線遮蔽材料を作製し、熱線遮蔽膜を得た。
【００３５】
実施例３
上記（１）で、遊星ボールミルでの混合・粉砕を６時間とし、熱処理を窒素９８％と水素２％の混合ガス雰囲気中、９００℃で行った以外は、実施例１と同様の方法で熱線遮蔽材料を作製し、熱線遮蔽膜を得た。
【００３６】
実施例４
上記（１）において、遊星ボールミルでの混合・粉砕にて処理時間を２０時間とし、また、熱処理の最高温度を９００℃とし窒素雰囲気下にて行った他は、実施例１と同様の方法で熱線遮蔽材料を作製し、熱線遮蔽膜を得た。
【００３７】
比較例１
実施例１（１）において、遊星ボールミルでの混合・粉砕を２時間とした他は、実施例１と同様の方法で熱線遮蔽材料を作製し、熱線遮蔽膜を得た。
【００３８】
比較例２
酸化インジウム粉末（フルウチ化学（株）純度９９．９９％）７８．６５ｇと遊星ボールミル（フリッチェ（株））で１２時間粉砕した酸化第二錫（日本化学産業（株）純度９８％）を２１．３５ｇ秤量し、メノウ乳鉢で混合した後、ボールミルで６時間混合・粉砕を行った。
この混合粉体をアルミナボートに載せ、石英管に入れて管状炉に挿入した。その後、窒素９９％と水素１％の混合ガス雰囲気中を２リットル／分で流しながら熱処理した。具体的に、室温から６００℃まで約４０分間で昇温させた後、６００℃で３０分間保持し、１時間かけて冷却した。その後、石英管から取り出して試料を得た。
【００３９】
表１に各例における原料の混合・粉砕条件、熱処理条件及び得られた熱線遮蔽材料の平均粒径を示す。尚、熱線遮蔽材料の分散液を粒径分布計（Ｍａｌｖｅｒｎ製）で測定した散乱平均粒径を平均粒径とした。
また、熱線遮蔽材料における金属スズ粒子の存在量をＸ線回折測定（ＸＲＤ）によりＲＩＲ値を用いて求めた結果を表２に示す。
【００４０】
【表１】
2009215634.tif 000002
【００４１】
【表２】
2009215634.tif 000003
【００４２】
実施例１，３及び比較例１の熱線遮蔽膜について、分光光度計（（株）島津製作所  ＭＰ−３１００）を用いて測定した、４００〜２５００ｎｍにおける分光スペクトルを図２に示す。尚、膜厚は２５００ｎｍの透過率が１０％以下となるように補正した。
また、図３に金属Ｓｎ（メタル）量と波長５５０ｎｍにおける光線透過率の関係を、図４に金属Ｓｎ（メタル）量と波長１２００ｎｍにおける光線透過率の関係を示す。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の熱線遮蔽材料及び分散液は、熱線遮蔽膜の原料として好適に使用できる。
本発明の熱線遮蔽膜は、窓ガラス（住宅、車、電車用等）や合わせガラス用中間膜、照明ランプ等、可視光線を透過しつつ、近赤外線を遮蔽することが要求される基材に形成する膜、フィルム、組成物として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】実施例における熱線遮蔽材料、分散液及び熱線遮蔽膜の作製フロー図である。
【図２】実施例及び比較例で作製した熱線遮蔽膜の分光スペクトルである。
【図３】金属Ｓｎ量と波長５５０ｎｍにおける光線透過率の関係を示すグラフである。
【図４】金属Ｓｎ量と波長１２００ｎｍにおける光線透過率の関係を示すグラフである。
【図１】
2009215634.tif 000004
【図２】
2009215634.tif 000005
【図３】
2009215634.tif 000006
【図４】
2009215634.tif 000007