(57)【要約】【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜を堆積する工程と、
前記金属膜上に前記金属膜の一部を覆うマスクを形成する工程と、
異方性エッチングにより前記金属膜の前記マスクから露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、前記金属膜に前記異方性エッチングにともなう再付着膜に覆われた側壁を形成する工程と、
前記金属膜の前記マスクから露出された部分と前記再付着膜とを前記基板の材質のエッチング速度よりも前記金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターンを形成する工程とを備えた、金属パターンの形成方法。
【請求項２】
前記異方性エッチングはプロセスガスとして不活性ガスを用いる、請求項１に記載の金属パターンの形成方法。
【請求項３】
前記異方性エッチングはイオンビームエッチングである、請求項１または２に記載の金属パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属パターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical Systems)）を用いたデバイス（ＭＥＭＳデバイス）の開発が進んでいる。ＭＥＭＳデバイスは、一般的な半導体デバイスに比して、膜厚の厚い金属パターンを多用している。すなわち、一般的な半導体デバイスにおいては数百ｎｍの厚みの金属パターンが頻用されるが、ＭＥＭＳデバイスにおいては２〜３μｍの厚みの金属パターンが頻用される。このように金属パターンの厚み寸法が大きい場合、金属パターンの側壁の高さ寸法も大きくなるので側壁の形状を無視することができなくなってくる。このためウェットエッチング法のように側壁のエッチング（サイドエッチング）が生じてしまう技術は好ましくない。
【０００３】
またメッキ法のように側壁が逆テーパ状になってしまう技術も好ましくない。なぜならば、金属パターン上に層間絶縁膜などが堆積された際にこの逆テーパ状の部分の下に空隙が形成されてしまうことにより、この金属パターンを有するデバイスの信頼性が低下してしまうからである。またそもそもメッキ法は、膜厚の面内均一性が低く、また表面が粗いという問題もあった。なお側壁が逆テーパ状になるのは、メッキ法が以下の工程を有するためである。
【０００４】
まず基板上にシード層が形成される。次にシード層上の領域のうち金属パターンが形成されない領域が、正テーパ状の断面を有するポジ型レジストにより保護される。次にポジ型レジストから露出しているシード層上にメッキが行なわれることで金属パターンが形成される。次に有機洗浄によりポジ型レジストが除去される。次に金属パターンがレジストで保護される。次に基板上に露出しているシード層がウェットエッチングにより除去される。上記の工程において、正テーパ状のポジ型レジストが形成されていない領域に金属パターンが形成されるので、金属パターンの側壁は逆テーパ状になってしまう。
【０００５】
上記の問題などによりウェットエッチング法やメッキ法が適用できない場合に、金属パターンの形成方法としてリアクティブドライエッチング法（たとえば、特許文献１参照）やイオンビームエッチング法（たとえば、特許文献２参照）が広く用いられている。
【特許文献１】特開２０００−１８３２８７号公報
【特許文献２】特開昭６２−２３２１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のイオンビームエッチング法は主に物理的な作用を用いたエッチングであるため、金属薄膜と基板とのエッチング選択比を大きくすることが困難である。このため基板のオーバーエッチング量が大きくなるという問題があった。また上記のリアクティブドライエッチング法は、化学的なエッチング作用を有するものの、イオンビームエッチングと同様の物理的なエッチング作用も有する。このためウェットエッチングに比して金属薄膜と基板とのエッチング選択比を大きくすることができないので、基板のオーバーエッチング量が大きくなるという問題があった。このように、イオンビームエッチング法およびリアクティブドライエッチング法のいずれによる方法においても、サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することは困難であった。
【０００７】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の金属パターンの形成方法は、以下の工程を有している。
まず基板上に金属膜が堆積される。金属膜上に金属膜の一部を覆うマスクが形成される。異方性エッチングにより金属膜のマスクから露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜に異方性エッチングにともなう再付着膜に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜のマスクから露出された部分と再付着膜とを基板の材質のエッチング速度よりも金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターンが形成される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板の材質のエッチング速度よりも金属膜の材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で金属パターンが形成されるので、基板のオーバーエッチング量を抑制することができる。またこの金属パターンを形成するエッチングの際に側壁が再付着膜により覆われているのでサイドエッチングを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。図１を参照して、本実施の形態の金属パターンとして、アルミニウムからなる金属配線２ｐがシリコン基板１上に設けられている。
【００１１】
次に、本実施の形態の金属パターンとしての金属配線の形成方法について説明する。図２〜図５は本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【００１２】
図２を参照して、シリコン基板１が準備される。
図３を参照して、シリコン基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２の膜厚は、たとえば２μｍである。金属膜２の材質は、シリコン基板１およびシリコン基板１上に設けられた何らかの部材（図示せず）に対して選択性のあるエッチングを行なうことが容易な材質からなることが好ましい。金属膜２の具体的な材質としては、たとえばアルミニウム、または１％以下のシリコンを含有するアルミニウムなどがある。
【００１３】
図４を参照して、金属膜２を覆うように、所望の配線パターンの形状を有するポジレジスト３（マスク）が形成される。ポジレジスト３の適切な膜厚は、このポジレジスト３がマスクとして用いられるエッチングの方法に依存する。たとえばイオンビームエッチングが用いられる場合、金属膜２の材質であるアルミニウムのエッチング速度をポジレジスト３のエッチング速度の約２倍とすることができる。よってポジレジスト３の膜厚は、金属膜２の膜厚とおおよそ同じ程度とすればよく、たとえば２μｍとされる。
【００１４】
主に図５を参照して、異方性エッチング法の一種であるイオンビームエッチングが行なわれる。このエッチングにより、金属膜２（図４）のポジレジスト３から露出された部分が厚み方向に部分的にエッチングされる。この結果、金属膜２から、エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁を有する金属膜２ｍが形成される。すなわち金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。ポジレジスト３から十分に遠い位置において、金属膜２ｍは膜厚ＤＭを有している。また再付着膜４は膜厚ＷＲを有している。膜厚ＤＭと膜厚ＷＲとは、ほぼ同じである。
【００１５】
このイオンビームエッチングのプロセスガスとしては、不活性ガスであるアルゴンが用いられる。このアルゴンがプラズマ分解された上でグリッド加速されてイオンビームが生成される。そしてイオンビームのイオンが被加工物表面に衝突させられる。これにより被加工物の表面の一部が弾き飛ばされることで、純粋に物理的なエッチングが行なわれる。イオンビームの入射角度（イオンビームの方向とシリコン基板１の主面の法線とのなす角度）は、エッチングによる加工形状が最適となるように調整される。
【００１６】
次に、金属膜２ｍのポジレジスト３から露出された部分と、再付着膜４とが、シリコン基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングされる。等方性エッチングの方法としてはウェットエッチング法が用いられる。この後、ポジレジスト３が除去される。これにより、図１に示す金属配線２ｐが形成される。
【００１７】
次に、本実施の形態の比較例について説明する。
図６は、第１の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図６を参照して、第１の比較例の金属パターン２ｗは、ポジレジスト３をマスクとして用いた単純なウェットエッチングにより形成される。ウェットエッチングは等方的に進行するため、金属パターン２ｗの幅寸法（図中横方向の寸法）はポジレジスト３の幅寸法よりも縮小された幅となっている。この縮小幅（サイドエッチング量）は、金属パターン２ｗとなる金属膜とポジレジスト３との密着力により変動するが、最小の場合でも金属膜の膜厚程度の大きさを有してしまう。密着力が弱い場合は、金属膜とポジレジスト３との界面が剥離するのでサイドエッチング量がさらに増大する。またサイドエッチングされた部分の断面は裾野を引いたような形状となる。
【００１８】
なおウェットエッチングのエッチング液としては、シリコン基板１上のポジレジスト３やその他構成部材に対して金属膜を選択的にエッチングすることができる溶剤が用いられる。またポジレジスト３の除去は、有機溶剤を用いた方法もしくはアッシング法により行なわれる。
【００１９】
図７は、第２の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図７を参照して、第２の比較例の金属パターン２ｒは、ポジレジスト３をマスクとして用いた単純なリアクティブドライエッチングにより形成される。エッチング装置としては平行平板型のリアクティブドライエッチング装置などが用いられる。またプロセスガスとして塩素系の反応性ガスが用いられることにより化学的なエッチングが行なわれる。電離した反応性ガスがシリコン基板１に引き込まれることで、横方向のエッチングの速度をほぼゼロとし、金属膜を厚み方向にのみエッチングすることができる。すなわちサイドエッチングを防止することができる。しかしこの引き込みにより厚み方向に物理的なエッチングがなされるようになり、シリコン基板１がオーバーエッチングされる。なおこの物理的なエッチングにともない、金属パターン２ｒおよびポジレジスト３の側壁に差異付着膜４ｒが形成される。シリコン基板１に電離した反応性ガスを引き込まない場合は、等方的なエッチングが行なわれるので、金属パターン２ｗ（図６）と同様の形状の金属パターンが形成される。
【００２０】
図８は、第３の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。図８を参照して、第３の比較例の金属パターン２ｉは、ポジレジスト３をマスクとして用いた単純なイオンビームエッチングにより形成される。プロセスガスとしてアルゴンガスのみを用いたイオンビームエッチングの場合、化学的エッチング作用がないのでサイドエッチングは全くないが、物理的にエッチングされた金属が金蔵パターン２ｉおよびポジレジスト３の側壁に再付着して再付着膜４ｉが形成される。また、ポジレジスト３に遮られてイオンビームが入射し難い領域が形成される効果（いわゆるシャドウ効果）により、金属パターン２ｉのエッジが裾野（図示せず）を引きやすくなる。さらに、金属パターン２ｉとシリコン基板１とのエッチングの選択性が乏しいため、シリコン基板１のオーバーエッチング量が大きい。
【００２１】
本実施の形態によれば、シリコン基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２の材質のエッチング速度が大きくなるようなウェットエッチングで金属配線２ｐが形成されるので、シリコン基板１のオーバーエッチング量を抑制することができる。また、図５にしめすように金属配線２ｐを形成するエッチングの際に金属膜２ｍの側壁が再付着膜４により覆われているので、サイドエッチングを抑制することができる。
【００２２】
また、金属膜２（図４）を厚み方向に部分的にエッチングするための異方性エッチングのプロセスガスとして、不活性ガスであるアルゴンが用いられる。これにより異方性エッチングが物理的となるので、異方性エッチング時の化学的な反応により形成された物質をほとんど含まない再付着膜４（図５）が形成される。この再付着膜４は金属膜２ｍと同じ材質であるため、異方性エッチングの後に行なわれるウェットエッチングにより、再付着膜４と、金属膜２ｍの一部とを同時にエッチングして除去することができる。なお、この不活性ガスを用いた異方性エッチングの代わりに、異方性を有する反応性ドライエッチングが用いられると、後の等方性エッチングにより再付着膜４を除去することが困難となる。
【００２３】
また、この異方性エッチングはイオンビームエッチングである。これにより、イオンビームの角度を調整することで金属配線２ｐの形状を調整することができる。
【００２４】
（実施の形態２）
図９は、本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。図９を参照して、本実施の形態の金属パターンである金属配線２ｐが、クロムからなる中間膜５ｐ上に設けられている。中間膜５ｐはシリコン基板１上に設けられている。この中間膜５ｐは、金属配線２ｐの下地膜であって、金属配線２ｐの密着力を高める機能を有している。中間膜５ｐの膜厚は、たとえば金属配線２ｐの膜厚の５％であり、具体的には、たとえば０．０５μｍである。
【００２５】
次に、本実施の形態の金属パターンとしての金属配線の形成方法について説明する。図１０〜図１４は本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【００２６】
図１０を参照して、シリコン基板１が準備される。
図１１を参照して、シリコン基板１上に中間膜５が堆積される。この中間膜５の上に連続して金属膜２が堆積される。
【００２７】
主に図１２を参照して、図４（実施の形態１）と同様の方法により、ポジレジスト３が形成される。
【００２８】
主に図１３を参照して、図５（実施の形態１）と同様の方法により、金属膜２から金属膜２ｍが形成される。次に実施の形態１と同様の方法により、ウェットエッチングが行なわれる。
【００２９】
図１４を参照して、上記のウェットエッチングにより、金属配線２ｐが形成される。さらにウェットエッチングが行なわれることにより、中間膜５の露出部が除去される。
【００３０】
再び図９を参照して、上記の中間膜５の露出部の除去により、シリコン基板１上に金属配線２ｐおよび中間膜５ｐが形成された構成が得られる。なお金属配線２ｐをマスクとして中間膜５の露出部のウェットエッチングにより中間膜５が若干サイドエッチングされることで、金属配線２ｐのパターン端部である中間膜５の側壁にはわずかな凹部（図示せず）が形成される。この凹部の深さは中間膜５の厚みと同程度である。
【００３１】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００３２】
本実施の形態によれば、中間膜５ｐと金属配線２ｐとの２層構造からなる金属パターンを形成することができる。また中間膜５ｐにより金属配線２ｐの密着力を高めることができる。
【００３３】
なお上記の実施の形態１および２の説明において金属膜２、２ｍおよび金属配線２ｐの材質として用いられるアルミニウムは、純粋なアルミニウムに限定されるものではなく、たとえば１重量％以下のシリコンが添加されたアルミニウムであってもよい。このようなシリコンが添加されたアルミニウムは半導体装置において一般的に用いられている。またアルミニウムにシリコンおよび銅が添加された三元系のメタル材料を用いることもできる。
【００３４】
また本発明の金属パターンの材質はアルミニウムに限定されるものではなく、金属パターンが形成される下地の材質に対して選択的に除去することが可能な材質であればよい。たとえば金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）などを用いることができる。
【００３５】
また中間膜５および５ｐの材質はクロムに限定されるものではなく、シリコン基板１やシリコン基板１上に形成された構成部材に対して選択的に除去することができる材質であればよい。
【００３６】
また金属パターンが形成される基板としてシリコン基板１が用いられたが、半導体装置の製造工程に適した他の基板を用いることもできる。たとえばガラス基板やセラミック基板を用いることができる。
【００３７】
また金属配線２ｐを形成する等方性エッチングとしてウェットエッチングが用いられたが、等方性の反応性ドライエッチングであってもよい。なおエッチング時間はエッチング方法によって適宜調整される。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
図１５〜図１７は、実施例１における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。
【００３９】
図１５を参照して、シリコン基板１上に厚さ０．０５μｍのクロムからなる中間膜（図１５において図示せず）が形成された。次にこの中間膜の上に金属膜２として膜厚２μｍのアルミニウム膜がスパッタ法により形成された。次にこの金属膜２の上にポジレジスト３が形成された。
【００４０】
主に図１６を参照して、まず最適なエッチング量を決定するための試験として、ポジレジスト３をマスクとする入射角３０°のイオンビームエッチングにより金属膜２（図１５）の露出部をすべて除去するように深さ２μｍのエッチング（図中の膜厚ＤＭ１がゼロとなるようなエッチング）が行なわれた。イオンビームエッチングのプロセスガスとしてはアルゴンが用いられた。このときの再付着膜４の膜厚は０．８μｍであった。この実験結果から、エッチング時間を調整することにより、膜厚ＤＭ１およびＷＲ１をともに０．５７μｍとすることができることが予想された。
【００４１】
次に図１５に示す構成を有する別のサンプルに対して、上記のエッチング時間だけイオンビームエッチングが行なわれることにより、金属膜２から金属膜２ｍ１が形成された。次に再付着膜４が除去されるようにウェットエッチングが行なわれた。エッチング液としては、リン酸系の混合液を用いた。
【００４２】
図１７を参照して、このウェットエッチングの結果、幅ＷＴ１＝２．３μｍ、高さＤＭ１＝０．２μｍの裾野形状を有する金属パターン２ｐ１が形成された。さらにオーバーエッチングを金属パターン２ｐ１の材質が０．２μｍエッチングされるような時間にわたって行なったところ、金属パターン２ｐ１の若干のパターン幅減少は生じたものの、金属パターン２ｐ１の下地をオーバーエッチングすることなく、上記の裾野形状を除去することができた。次にポジレジスト３が有機洗浄により除去された。次に水洗および乾燥が行なわれた。これにより図１８および図１９に示す金属パターン２ｐ１が形成された。
【００４３】
上記のように、本実施例のイオンビームエッチング工程は、入射角３０°で、金属膜２および中間膜の合計膜厚の約８０％がエッチングされる条件を有していた。本発明者は、イオンビームの入射角と、このイオンビームによるエッチング量とのそれぞれについて検討を行なったが、本実施例の条件による金属パターン２ｐ１の側壁の平面性が最も良好であった。
【００４４】
なお、たとえばスパッタ法により形成された金属膜２はシリコン基板１上において、通常、±５〜８％程度の膜厚分布を有している。このため金属膜２ｍ１のうちの不要な部分を確実に除去するためには、ウェットエッチングの時間を１０％程度延長すればよい。
【００４５】
また、金属膜２ｍ１および再付着膜４はともにアルミニウムからなるものの、金属膜２ｍ１に比して再付着膜４の方がウェットエッチングされる速度が遅かった。このため再付着膜４の膜厚ＷＲ１を過剰に大きくしてしまうと、ウェットエッチングが困難となる。
【００４６】
（実施例２）
図２０および図２１は、実施例２における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。なお図１５に示す工程までは実施例１と同じであるためその説明を繰り返さない。
【００４７】
主に図２０を参照して、本実施例においてはイオンビームの入射角が０°とされた。まず最適なエッチング量を決定するための試験として、ポジレジスト３をマスクとする入射角３０°のイオンビームエッチングにより金属膜２（図１５）の露出部をすべて除去するように深さ２μｍのエッチング（図２０の膜厚ＤＭ２がゼロとなるようなエッチング）が行なわれた。この結果、再付着膜４の膜厚は０．８μｍであった。この実験結果から、エッチング時間を調整することにより、膜厚ＤＭ２およびＷＲ２をともに０．６７μｍとすることができることが予想された。
【００４８】
次に、図１５に示す構成を有する別のサンプルに対して、上記のエッチング時間だけイオンビームエッチングが行なわれることにより、金属膜２から金属膜２ｍ２が形成された。次に再付着膜４が除去されるようにウェットエッチングが行なわれた。
【００４９】
図２１を参照して、このウェットエッチングにより金属パターン２ｐ２が形成された。金属パターン２ｐ２は、ウェットエッチングにより幅ＷＳ２＝約０．６７μｍにわたってサイドエッチングされた領域を有していた。
【００５０】
（実施例３）
図２２および図２３は、実施例３における金属パターンの形成方法を工程順に示す概略断面図である。なお図１５に示す工程までは実施例１と同じであるためその説明を繰り返さない。
【００５１】
主に図２２を参照して、本実施例においてはイオンビームの入射角が６０°とされた。まず最適なエッチング量を決定するための試験として、ポジレジスト３をマスクとする入射角６０°のイオンビームエッチングにより金属膜２（図１５）の露出部をすべて除去するように深さ２μｍのエッチング（図２２の膜厚ＤＭ３がゼロとなるようなエッチング）が行なわれた。この結果、再付着膜４の膜厚は０．２μｍであった。この実験結果から、エッチング時間を調整することにより、膜厚ＤＭ３およびＷＲ３をともに０．１８μｍとすることができることが予想された。
【００５２】
次に、図１５に示す構成を有する別のサンプルに対して、上記のエッチング時間だけイオンビームエッチングが行なわれることにより、金属膜２から金属膜２ｍ３が形成された。次に再付着膜４が除去されるようにウェットエッチングが行なわれた。
【００５３】
図２３および図２４を参照して、このウェットエッチングにより金属パターン２ｐ３が形成された。金属パターン２ｐ３は、幅ＷＴ３＝約７μｍ、高さＤＴ３＝約１μｍおよび傾斜角＝約８°の裾野形状ＴＬ３を有していた。本実施例のようにイオンビームの入射角が比較的大きいと、上記のように顕著な裾野形状ＴＬ３が形成されてしまう。この裾野形状はパターンの幾何学的形状に影響されて決まる。なおこの裾野形状ＴＬ３を除去するためにウェットエッチング時間が延長されると、金属パターン２ｐ３の側壁が等方的にエッチングされることになり、パターン形状がシュリンクしてしまう。
【００５４】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、金属パターンの形成方法に特に有利に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図６】第１の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。
【図７】第２の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。
【図８】第３の比較例における金属パターンの構成を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の構成を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における金属パターンとしての金属配線の形成方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図１５】実施例１における金属パターンの形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１６】実施例１における金属パターンの形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１７】実施例１における金属パターンの形成方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１８】実施例１で得られた金属パターンの縁部分の顕微鏡写真である。
【図１９】実施例１で得られた金属パターンの全体の顕微鏡写真である。
【図２０】実施例２における金属パターンの形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２１】実施例２における金属パターンの形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２２】実施例３における金属パターンの形成方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２３】実施例３における金属パターンの形成方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２４】実施例３で得られた金属パターンの縁部分の顕微鏡写真である。
【符号の説明】
【００５７】
１  シリコン基板（基板）、２  金属膜、２ｉ，２ｐ１，２ｐ２，２ｐ３，２ｒ，２ｗ  金属パターン、２ｍ，２ｍ１，２ｍ２，２ｍ３  金属膜、２ｐ  金属配線（金属パターン）、３  ポジレジスト（マスク）、４，４ｉ，４ｒ  再付着膜、５，５ｐ  中間膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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