(57)【要約】【課題】低濃度の検出ガスに対しても、大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。【解決手段】基板７上に形成され屈折率がｎ１のコア８と、コア８の上部を覆い屈折率がｎ２のクラッド９と、を備える光導波路を用いたガス検出装置１であって、前記コア８は、少なくとも一辺が直線の断面形状に形成され、クラッド９は、検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下でｎ１≦ｎ２となり、検出ガスが所定濃度以上の雰囲気下でｎ１＞ｎ２となる感応性樹脂で形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され屈折率がｎ１のコアと、前記コアの上部を覆い屈折率がｎ２のクラッドと、を備える光導波路を用いたガス検出装置であって、
前記コアは、光伝播方向に垂直な断面における少なくとも一辺が直線で形成され、
前記クラッドは、検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下でｎ１≦ｎ２となり、前記検出ガスが前記所定濃度以上の雰囲気下でｎ１＞ｎ２となる感応性樹脂で形成されることを特徴とする光導波路を用いたガス検出装置。
【請求項２】
前記コアは、少なくとも前記一辺の長さが２０μｍ以下の方形断面に形成されることを特徴とする請求項１に記載の光導波路を用いたガス検出装置。
【請求項３】
前記一辺の長さが５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路を用いたガス検出装置。
【請求項４】
当該光導波路を用いたガス検出装置は、複数組の前記コア及び前記クラッドを備え、
複数の前記コアは、それぞれ異なる大きさの前記断面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光導波路を用いたガス検出装置。
【請求項５】
当該光導波路を用いたガス検出装置は、複数組の前記コア及び前記クラッドを備え、
複数の前記クラッドは、それぞれ異なる前記所定濃度の前記検出ガスに反応して屈折率が変わる前記感応性樹脂で形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光導波路を用いたガス検出装置。
【請求項６】
前記コアは、前記クラッドよりも光伝播方向の上流側に、当該クラッドに覆われていない露出領域を有し、当該露出領域において、曲げ部分、又は／及び光伝播方向の下流側へ向かっての分岐部分を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の光導波路を用いたガス検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路を用いたガス検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特定のガスを検出するためのセンサとして、光プラスチックファイバを利用したセンサが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この光ファイバセンサは、屈折率ｎＣＯのコアと屈折率ｎＣＬのクラッドとを構成し、所定濃度の検出ガスの有無によって、これら屈折率ｎＣＯと屈折率ｎＣＬとの大小関係が逆転することを利用している。より詳しくは、まず、クラッドを形成する感応性樹脂が、検出ガスに反応して、コアの屈折率ｎＣＯより大きい値から小さい値へと屈折率ｎＣＬを変化させる。そして、この屈折率ｎＣＬの変化により、クラッドから光が漏洩しなくなり出力端からの応答出力が増加することで、検出ガスの検出が可能となっている。
【特許文献１】特開平１１−４４６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載のセンサでは、光プラスチックファイバを用いているために、コア径は小さくても１００μｍ程度はあり、コア径の増加に伴って減少する応答出力と応答速度とを一定以上確保することが困難であった。特に、低濃度の検出ガスの有無に対しては、感応性樹脂の屈折率変化量が小さいために、結果として小さな応答出力しか得られず、応答速度も遅かった。
【０００５】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、低濃度の検出ガスに対しても、大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる光導波路を用いたガス検出装置の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、基板上に形成され屈折率がｎ１のコアと、前記コアの上部を覆い屈折率がｎ２のクラッドと、を備える光導波路を用いたガス検出装置であって、
前記コアは、光伝播方向に垂直な断面における少なくとも一辺が直線で形成され、
前記クラッドは、検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下でｎ１≦ｎ２となり、前記検出ガスが前記所定濃度以上の雰囲気下でｎ１＞ｎ２となる感応性樹脂で形成されることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光導波路を用いたガス検出装置であって、
前記コアは、少なくとも前記一辺の長さが２０μｍ以下の方形断面に形成されることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の光導波路を用いたガス検出装置であって、
前記一辺の長さが５μｍ以下であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光導波路を用いたガス検出装置であって、
当該光導波路を用いたガス検出装置は、複数組の前記コア及び前記クラッドを備え、
複数の前記コアは、それぞれ異なる大きさの前記断面であることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光導波路を用いたガス検出装置であって、
当該光導波路を用いたガス検出装置は、複数組の前記コア及び前記クラッドを備え、
複数の前記クラッドは、それぞれ異なる前記所定濃度の前記検出ガスに反応して屈折率が変わる前記感応性樹脂で形成されることを特徴とする。
ここで、所定濃度の前記検出ガスに反応して屈折率が変わる、とは、請求項１と同様に、検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下でｎ１≦ｎ２となり、前記検出ガスが前記所定濃度以上の雰囲気下でｎ１＞ｎ２となる、ことを意味する。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の光導波路を用いたガス検出装置であって、
前記コアは、前記クラッドよりも光伝播方向の上流側に、当該クラッドに覆われていない露出領域を有し、当該露出領域において、曲げ部分、又は／及び光伝播方向の下流側へ向かっての分岐部分を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、光導波路を用いたガス検出装置であって、コアは、光伝播方向に垂直な断面における少なくとも一辺が直線で形成され、クラッドは、検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下でｎ１≦ｎ２となり、所定濃度以上の雰囲気下でｎ１＞ｎ２となる感応性樹脂で形成されるので、光プラスチックファイバを用いた従来のセンサと異なり、コア径を小さくできるとともに、感応性樹脂の屈折率ｎ２がｎ１＞ｎ２となるだけの変化量さえあれば、当該変化量が僅かであっても応答出力を得ることができる。したがって、低濃度の検出ガスに対しても、大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、コアは、少なくとも一辺の長さが２０μｍ以下の方形断面に形成されるので、より大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明によれば、前記一辺の長さが５μｍ以下であるので、更に大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明によれば、複数組のコア及びクラッドを備え、複数のコアは、それぞれ異なる大きさの断面であるので、コア及びクラッドからなる各組の光導波路が、それぞれ異なる濃度の検出ガスに対して応答する。したがって、広範囲の濃度に亘る検出ガスの検出が可能である。
【００１６】
請求項５に記載の発明によれば、複数組のコア及びクラッドを備え、複数のクラッドは、それぞれ異なる所定濃度の検出ガスに反応して屈折率が変わる感応性樹脂で形成されるので、コア及びクラッドからなる各組の光導波路が、それぞれ異なる濃度の検出ガスに対して応答する。したがって、広範囲の濃度に亘る検出ガスの検出が可能である。
【００１７】
請求項６に記載の発明によれば、コアは、クラッドよりも光伝播方向の上流側に、当該クラッドに覆われていない露出領域を有し、当該露出領域において、曲げ部分、又は／及び光伝播方向の下流側へ向かっての分岐部分を有するので、曲げ形状又は／及び分岐形状に形成されたコアを用いることができる。したがって、自由度の高い形状設計が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係る光導波路を用いたガス検出装置（以下、ガス検出装置）１の斜視図である。
この図に示すように、ガス検出装置１は、光源２と、受光素子３と、発光側，受光側光ファイバ４ａ，４ｂと、発光側，受光側光ファイバアレイ５ａ，５ｂと、光導波路部６とを備えている。このガス検出装置１は、光源２から発光される光を、所定濃度の検出ガスに露出した光導波路部６を介して受光素子３で応答出力として受光することにより、この検出ガスを検出できるようになっている。ここで、検出ガスとは、特に限定はされないが、例えばアルコール類である。
【００２０】
発光側光ファイバ４ａと受光側光ファイバ４ｂは、光源２と受光素子３とを、後述する光導波路部６のコア８の両端面にそれぞれ連結して、図の矢印方向に光を伝播させるようになっている。
発光側光ファイバアレイ５ａと受光側光ファイバアレイ５ｂは、発光側光ファイバ４ａと受光側光ファイバ４ｂとをそれぞれ支持して光導波路部６に固定している。
【００２１】
光導波路部６は、検出ガスを感知する部分であり、図２に示すように、シリコンで形成された基板７と、基板７上に形成され屈折率がｎ１のコア８と、コア８の上部を覆い屈折率がｎ２のクラッド９とを備えている。ここで、図２はスラブ導波路型に構成した光導波路部６の光伝播方向に垂直な断面図である。これら基板７，コア８，及びクラッド９は、それぞれ同じ長さ及び幅の方形板状に形成され、この長さ及び幅を合わせて積層されている。
【００２２】
コア８は、所定の厚さｔに形成されており、この厚さｔは、２０μｍ以下とするのが好ましく、５μｍ以下とするのが更に好ましい。また、コア８は、特に限定はされないが、アクリル、フッ素化ポリイミド、又はシクロオレフィンポリマーで形成されている。
【００２３】
クラッド９は、検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下でｎ１≦ｎ２となり、検出ガスが所定濃度以上の雰囲気下でｎ１＞ｎ２となるような感応性樹脂で形成されている。このような感応性樹脂としては、例えばノボラック樹脂が挙げられる。
【００２４】
また、光導波路部６は、図３に示すように、リッジ導波路型に構成してもよい。ここで、図３はリッジ導波路型に構成した光導波路部６の光伝播方向に垂直な断面図である。この場合、コア８は、基板７及びクラッド９よりも狭い幅に形成され、下面以外をクラッド９に覆われるように形成される。ここで、コア８の厚さｔと幅ｗとは、少なくとも一方を２０μｍ以下とするのが好ましく、５μｍ以下とするのが更に好ましい。但し、コア８の断面形状は、図に示すような略正方形状に限定されず、少なくとも一辺が直線で形成されていればよい。この場合、コア８の断面形状は、例えば矩形状であってもよいし、半円状であってもよい。
【００２５】
この光導波路部６は、一般に知られている、ドライエッチングを用いた方法やパターン露光及び現像を用いた方法によって成形することができる。このように成形される光導波路部６は、従来のセンサに用いられた光プラスチックファイバと異なり、コア８の断面を小さくすることができる。
【００２６】
続いて、ガス検出装置１の動作について説明する。
【００２７】
このガス検出装置１を検出ガスが所定濃度未満の雰囲気下におくと、（コアの屈折率）ｎ１≦（クラッドの屈折率）ｎ２となり、光源２から発光される光はクラッド９から漏洩し、受光素子３での受光量、つまり応答出力は減少する。
【００２８】
一方、ガス検出装置１を検出ガスが所定濃度以上の雰囲気下におくと、感応性樹脂で形成されたクラッド９が反応して（コアの屈折率）ｎ１＞（クラッドの屈折率）ｎ２に変わり、コア８とクラッド９との境界面における反射率が向上する。その結果、受光素子３での受光量、つまり応答出力は、検出ガスが所定濃度未満の場合に比して増加する。
【００２９】
このとき、コア８の断面サイズのうちの厚さｔは、図４に示すように、得られる応答出力に大きく影響する。ここで、図４は、スラブ導波路型の光導波路部６における、コア厚さｔに対する応答出力変化の解析結果を示す図である。図中、解析Ａは有限差分ビーム伝搬法による結果を、解析Ｂは光線追跡法による結果をそれぞれ示しており、いずれも以下の条件で解析を行っている。
コア層屈折率：１．５３２
上クラッド層（クラッド）膜厚：１μｍ
上クラッド層（クラッド）屈折率：１．５１８〜１．５５２
下クラッド層（基板）膜厚：５００μｍ
下クラッド層（基板）屈折率：１．４７１
素子長：１０ｍｍ
波長：０．６４μｍ
【００３０】
この図４において、特に解析Ａの結果に示されるように、コア厚さｔが２０μｍ以下になると応答出力の増加傾向が高まり、５μｍになると顕著に大きな応答出力が得られる。なお、本図にはコア厚さｔ＝５μｍ以下のプロットはないが、グラフの傾向から、コア厚さｔ＝５μｍ以下において更に大きな出力増加となることが推測される。
したがって、スラブ導波路型の光導波路部６においては、コア８の厚さｔを２０μｍ以下とすることでより大きな応答出力を得ることができ、５μｍ以下とすることで更に大きな応答出力を得ることができる。
【００３１】
また、光導波路部６をリッジ導波路型とした場合にも、図５に示すように、コアの断面サイズが応答出力に大きく影響する。ここで、図５は、リッジ導波路型の光導波路部６における、屈折率差Δｎ（＝クラッド９の屈折率ｎ２−コア８の屈折率ｎ１）に対する応答出力変化の実験結果を示す図である。
この実験は、クラッドを備えない光導波路に対し、コアに塗布するオイル状の感応性樹脂の屈折率を１．５２０〜１．５４５の範囲で変化させて応答出力を計測したもので、各計測を、断面サイズ幅ｗ×厚さｔ＝５μｍ×５μｍと、１００μｍ×４０μｍとの２種類のコアを備える光導波路に対してそれぞれ実施している。また、このときの実験条件は、図４に示す解析における上記条件と同様である。
【００３２】
この図５に示すように、コア８の断面サイズを幅ｗ×厚さｔ＝５μｍ×５μｍとすると、幅ｗ×厚さｔ＝１００μｍ×４０μｍとした場合に比べ、屈折率差Δｎがマイナスになるとき、つまりクラッド９から光が漏洩しなくなるときに、より大きな応答出力に向かって急激に変化している。
したがって、リッジ導波路型の光導波路部６においては、コア８の幅ｗ×厚さｔをより小さくすることで、より大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。また、屈折率差Δｎがマイナスになりさえすれば、その際のクラッド９の屈折率ｎ２の変化量が僅かであっても、これら応答出力と応答速度とを得ることができる。
【００３３】
但し、光導波路部６をスラブ導波路型とリッジ導波路型とのいずれとした場合でも、同様の原理に基づいて応答を変化させるため、コア８の断面サイズを変えたときの効果は共通する。すなわち、光導波路部６をスラブ導波路型とリッジ導波路型とのいずれとした場合でも、コア８の光伝播方向に垂直な断面における少なくとも一辺を直線として、この一辺の長さを２０μｍ以下とすることでより大きな応答出力を得ることができ、５μｍ以下とすることで更に大きな応答出力を得ることができる。また、コア８の断面を小さくすることで、屈折率差Δｎがマイナスになりさえすれば、より大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。
【００３４】
このように、ガス検出装置１は、所定濃度の検出ガスの有無によって感応性樹脂の屈折率が変化することを利用して、検出ガスの検出を行うことができる。
【００３５】
以上のように、本実施の形態におけるガス検出装置１によれば、光プラスチックファイバを用いた従来のセンサと異なり、コア８の断面を小さくできるとともに、所定濃度以上の検出ガスの雰囲気下における屈折率差Δｎがマイナスになりさえすれば、クラッド９の屈折率ｎ２の変化量が僅かであっても、応答出力を得ることができる。したがって、クラッド９の屈折率ｎ２が大きく変化しない低濃度の検出ガスに対しても、大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。
【００３６】
また、コア８は、少なくとも一辺の長さが２０μｍ以下の方形断面に形成されることにより、より大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。更に、前記一辺の長さを５μｍとすることにより、一層大きな応答出力と速い応答速度とを得ることができる。
【００３７】
また、クラッド９の屈折率ｎ２の変化量が僅かであっても、低濃度の検出ガスに対して大きな応答出力が得られることから、屈折率変化量の小さい感応性樹脂や低性能の受光素子３等でも使用に耐えることができ、製品コストや開発コストを低減できる。
【００３８】
また、速い応答速度が得られることから、検出ガスの有無に対して応答出力をＯＮ／ＯＦＦさせるデジタル型のセンサが実現できる。
【００３９】
また、コア８の断面は、例えば５μｍ×５μｍの方形断面といった微小な大きさに形成されるため、過剰な接続損失を生じることなくシングルモードファイバと接続できる。このことは、例えばネットワーク化を図る際に有効である。
【００４０】
また、半導体プロセスにより製造が可能なので量産性に優れる上、基板７をシリコンとして光導波路部６を形成できるので集積化や小型化が容易である。
【００４１】
［変形例］
続いて、上記実施の形態の変形例としてのガス検出装置１Ａについて説明する。なお、上記実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
ガス検出装置１Ａは、上記実施の形態における光導波路部６に代えて、光導波路部６Ａを備えている。
【００４３】
光導波路部６Ａは、図６に示すように、基板７Ａ上に４組のコア８１Ａ〜８４Ａ及びクラッド９１Ａ〜９４Ａからなる４つの光導波路６１Ａ〜６４Ａを備えている。
【００４４】
コア８１Ａ〜８４Ａは、光伝播方向に垂直な断面がそれぞれ異なる大きさに形成され、特に限定はされないが、コア８１Ａから図の下方へ向かって順に当該断面が大きくなっている。また、コア８１Ａ〜８４Ａは、図の矢印方向に光が伝播するように、図の左右端でそれぞれ発光側光ファイバ４ａ及び受光側光ファイバ４ｂ（図１参照）を介して光源２及び受光素子３と連結されている。但し、コア８１Ａ〜８４Ａと受光素子３との連結は、コア８１Ａ〜８４Ａのいずれか１つが受光素子３と連結するよう切替が可能になっている。
【００４５】
クラッド９１Ａ〜９４Ａは、それぞれコア８１Ａ〜８４Ａ上に形成され、いずれも上記実施の形態と同様の感応性樹脂で成形されている。
【００４６】
なお、光導波路部６Ａは、図７に示すように、クラッド９１Ａ〜９４Ａよりも光伝播方向の上流側において、コア８１Ａ〜８４Ａがクラッド９１Ａ〜９４Ａに覆われていない露出領域を形成し、この露出領域で光伝播方向の下流側へ向かって１つのコアからコア８１Ａ〜８４Ａへ分岐するように形成してもよい。また、この露出領域で曲げ部分を有したコア形状に形成してもよい。
【００４７】
続いて、ガス検出装置１Ａの動作について説明する。
【００４８】
ガス検出装置１Ａは、クラッド９１Ａ〜９４Ａを形成する各感応性樹脂が、上記実施の形態におけるクラッド９を形成する感応性樹脂と同様に、所定濃度以上の検出ガスに対して反応することにより当該検出ガスの検出ができる。但し、コア８１Ａ〜８４Ａがそれぞれ異なる大きさの断面に形成されていることにより、４つの光導波路６１Ａ〜６４Ａはそれぞれ異なる所定濃度の検出ガスに対して屈折率差Δｎがマイナスになる。より具体的には、最も断面の小さいコア８１Ａを有する光導波路６１Ａでは最も低濃度の検出ガスに対して屈折率差Δｎがマイナスになり、この光導波路６１Ａから最も断面の大きいコア８４Ａを有する光導波路６４Ａまで順番に、より高濃度の検出ガスに対して屈折率差Δｎがマイナスになるよう構成されている。
【００４９】
したがって、受光側光ファイバ４ｂを介して受光素子３と連結されるコア８１Ａ〜８４Ａを切替えることにより、異なる濃度の検出ガスを検出することができる。
【００５０】
また、ガス検出装置１Ａは、光導波路部６Ａに代えて、図８に示すような、光導波路部６Ｂを備えてもよい。この光導波路部６Ｂは、光導波路部６Ａと同様に、基板７Ｂ上に４組のコア８１Ｂ〜８４Ｂ及びクラッド９１Ｂ〜９４Ｂからなる４つの光導波路６１Ｂ〜６４Ｂを備えている。但し、コア８１Ｂ〜８４Ｂはいずれも同じ大きさの断面に形成されており、クラッド９１Ｂ〜９４Ｂは初期屈折率が異なるとともに屈折率変化量が同等の感応性樹脂で形成されている。このような光導波路部６Ｂを備えるガス検出装置１Ａによっても、受光素子３と連結されるコア８１Ｂ〜８４Ｂを切替えることにより、異なる濃度の検出ガスを検出することができる。なお、クラッド９１Ｂ〜９４Ｂは、それぞれ異なる濃度の検出ガスに反応して屈折率が変わる感応性樹脂で形成されていればよく、例えば、初期屈折率が同じで屈折率変化量が異なる感応性樹脂で形成されていてもよい。
【００５１】
以上のように、本実施の形態の変形例におけるガス検出装置１Ａによれば、上記実施の形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、コア８１Ａ〜８４Ａ及びクラッド９１Ａ〜９４Ａからなる光導波路６１Ａ〜６４Ａが、それぞれ異なる濃度の検出ガスに対して応答するので、広範囲の濃度に亘る検出ガスの検出が可能である。
【００５２】
［第二の変形例］
続いて、上記実施の形態の第二の変形例としてのガス検出装置１Ｃについて説明する。なお、上記実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５３】
ガス検出装置１Ｃは、図９に示すように、光源２Ｃと、受光素子３Ｃと、光導波路部６Ｃとを備えている。光導波路部６Ｃは、上記実施の形態における光導波路部６とほぼ同様に構成されているが、基板７Ｃがコア８Ｃ及びクラッド９Ｃより一回り大きく形成されている点において異なっている。この基板７Ｃ上には、コア８Ｃ及びクラッド９Ｃの他、光源２Ｃ及び受光素子３Ｃも配置されており、これら光源２Ｃ及び受光素子３Ｃはそれぞれコア８Ｃの両端に連結されている。
【００５４】
以上のガス検出装置１Ｃによれば、上記実施の形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、基板７Ｃ上に光源２Ｃ及び受光素子３Ｃを集積化したので、小型のセンサデバイスとして使用することができる。
【００５５】
なお、上記実施の形態の変形例において、コア８１Ａ〜８４Ａは受光素子３と切替可能に連結しなくともよく、例えば、コア８１Ａ〜８４Ａそれぞれに異なる受光素子を４つ設け、応答出力を感知した受光素子を識別できるように構成してもよい。
【００５６】
また、光導波路６１Ａ〜６４Ａは、断面の大きさが異なるコア８１Ａ〜８４Ａと、同じ感応性樹脂で形成されたクラッド９１Ａ〜９４Ａとからなるとしたが、クラッド９１Ａ〜９４Ａの感応性樹脂を異なるものとしてもよい。
【００５７】
なお、本発明は、上記実施の形態及びその変形例に限定されるものではなく、適宜変更可能であるのは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】実施の形態におけるガス検出装置の斜視図である。
【図２】スラブ導波路型に構成した光導波路部の光伝播方向と垂直な断面図である。
【図３】リッジ導波路型に構成した光導波路部の光伝播方向と垂直な断面図である。
【図４】スラブ導波路型の光導波路部におけるコア厚さに対する応答出力変化の解析結果を示す図である。
【図５】リッジ導波路型の光導波路部における屈折率差に対する応答出力変化の実験結果を示す図である。
【図６】変形例における光導波路部を示す図である。
【図７】変形例における光導波路部の一例を示す図である。
【図８】変形例における光導波路部の別例を示す図である。
【図９】第二の変形例におけるガス検出装置を示す図である。
【符号の説明】
【００５９】
１，１Ａ    ガス検出装置
６，６Ａ，６Ｂ  光導波路部
７，７Ａ，７Ｂ  基板
８，８１Ａ〜８４Ａ，８１Ｂ〜８４Ｂ  コア
９，９１Ａ〜９４Ａ，９１Ｂ〜９４Ｂ  クラッド
６１Ａ〜６４Ａ，６１Ｂ〜６４Ｂ  光導波路
ｎ１    コアの屈折率
ｎ２    クラッドの屈折率
【図１】
2009250850.tif 000003
【図２】
2009250850.tif 000004
【図３】
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【図４】
2009250850.tif 000006
【図５】
2009250850.tif 000007
【図６】
2009250850.tif 000008
【図７】
2009250850.tif 000009
【図８】
2009250850.tif 000010
【図９】
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