(57)【要約】【課題】２つの基板ステージを接近させての一方の基板ステージから他方の基板ステージに液体を移動させる際に該２つの基板ステージの間隙に液体が進入する【解決手段】液浸露光装置は、ウエハを保持して移動する第１および第２基板ステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２と、第１および第２ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のうち一方のステージと投影光学系１３の最終面との間から他方のステージと投影光学系１３の最終面との間に液体ＩＭＬを移動させる液体移動時における液体ＩＭＬの圧力を制御する制御部１２とを備える。制御部１２は、液体移動時に、ウエハの露光時よりも、第１および第２基板ステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２と投影光学系１３の最終面との間隔を広げる。【選択図】図１
2009099688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と基板との間に液体を介在させて基板を露光する露光装置であって、
基板を保持して移動する第１および第２基板ステージと、
前記第１および第２基板ステージのうち一方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間から前記第１および第２基板ステージのうち他方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間に液体を移動させる液体移動時における前記液体の圧力を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記液体移動時に、基板の露光時よりも、前記第１および前記第２基板ステージと前記投影光学系の最終面との間隔を広げる、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記液体移動時における前記液体の圧力が基板の露光時における前記液体の圧力を超えないように、前記液体移動時における前記第１および前記第２基板ステージと前記投影光学系の最終面との間隔を調整する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記液体移動時に、前記投影光学系の最終面の下の空間に液体を供給し該空間から該液体を回収する液体供給回収部による供給動作および回収動作を停止させる、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記液体移動時における前記液体の圧力が一定になるように、前記投影光学系の最終面の下の空間に液体を供給し該空間から該液体を回収する液体供給回収部を制御する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項５】
投影光学系と基板との間に液体を介在させて基板を露光する露光装置であって、
基板を保持して移動する第１および第２基板ステージと、
前記投影光学系の最終面の下の空間に液体を供給し該空間から該液体を回収する液体供給回収部と、
前記第１および第２基板ステージのうち一方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間から前記第１および第２基板ステージのうち他方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間に液体を移動させる時に前記液体供給回収部による供給動作および回収動作を停止させる制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項６】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置により基板を露光する工程と、
該基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影光学系と基板との間に液体を介在させて基板を露光する露光装置およびそれを用いてデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩなどの極微細パターンで構成される半導体デバイスの製造において、原版に形成されたパターンを感光剤が塗布された基板に縮小投影して転写する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体デバイスにおける集積密度の向上に伴って、パターンの更なる微細化が要求され、レジストプロセスの発展とともに露光装置の解像力が高められてきた。
【０００３】
露光装置の解像力を向上させるアプローチとしては、露光光の波長を短くする方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法とが一般的である。露光光については、３６５ｎｍのｉ線から２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ光に移行しつつあり、更には１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザの開発が進んでいる。更に、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発も行なわれている。
【０００４】
一方、これらとは全く別な解像力向上技術として液浸露光法が注目さている（特許文献１）。液浸露光法では、投影光学系と基板との間に液体を介在させて基板が露光される。従来は、投影光学系の最終面と基板との間の空間は気体で満たされていたが、液浸露光法では、この空間が液体で満たされる。液浸露光法の利点は、従来と同一波長の光源を用いても、より高い解像力が得られることである。例えば、投影光学系と基板との間の空間に提供される液体を純水（屈折率１．３３）とする。また、基板に像を形成する光線の最大入射角が液浸露光法と従来法とで等しいとする。この場合、液浸露光法の解像力は、従来法の１．３３倍である。これは、従来法の投影光学系のＮＡを１．３３倍にすることと等価であり、液浸露光法によれば、従来法では不可能なＮＡ＝１以上の解像力を得ることが可能である。
【０００５】
基板ステージ上には液浸領域を保持するために基板とほぼ同一な高さに配置された平面板（以降同面板）が構成されている。
【０００６】
特許文献２には、２つのステージを備える液浸露光装置が開示されている。特許文献２に記載された液浸露光装置では、一方のステージの上面から他方のステージの上面に液体を移動させるときに、該一方のステージの上面が該他方のステージの上面よりも高くされる。
【０００７】
特許文献３にも、２つのステージを備える液浸露光装置が開示されている。特許文献３に記載された液浸露光装置では、２つのステージの間隔を一定距離に維持しながら一方のステージの他法のステージに液体を移動させることが開示されている。
【特許文献１】特開２００５−１９８６４号公報
【特許文献２】特開２００６−１３５１６５号公報
【特許文献３】特開２００６−３３２６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
液浸露光装置は、投影光学系の最終面と基板ステージとの間の空間に液体を供給し該空間から液体を回収する液体供給回収部を備えている。液体供給回収部によって液体を循環させると、液体の圧力が変動する。液体の圧力が変動すると、一方のステージの上から他方のステージの上に液体を移動させるときに、２つのステージの間隙部分に加わる圧力が変動する。圧力の変動により、間隙部分に液体が浸入しやすくなる。２つのステージの間隙を狭くすると、液体の圧力変動の許容値は大きくなるが、２つのステージが相互に衝突する可能性が増加する。
【０００９】
また、ステージが移動すると、投影光学系の最終面とステージとの間の液体の圧力が増加する。液体の圧力が増加すると、一方のステージの上から他方のステージの上に液体を移動させるときに、２つのステージ間の間隙部分に加わる圧力が増加する。圧力の増加は、前記同様に、液体が間隙に浸入する可能性を高める。２つのステージの間隙を狭くすると、液体の圧力変動の許容値は大きくなるが、２つのステージが相互に衝突する可能性が増加する。
【００１０】
液体の圧力が増加すると、ステージの上で液体が占める領域が大きくなる。したがって、液体の圧力が増加する可能性は、ステージのサイズの増加を要求し、これは、露光装置の重量の増加、サイズの増加、消費電力の増加をもたらしうる。
【００１１】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、例えば、２つの基板ステージを接近させての一方の基板ステージから他方の基板ステージに液体を移動させる際に該２つの基板ステージの間隙に液体が進入することを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の側面は、投影光学系と基板との間に液体を介在させて基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、基板を保持して移動する第１および第２基板ステージと、前記第１および第２基板ステージのうち一方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間から前記第１および第２基板ステージのうち他方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間に液体を移動させる液体移動時における前記液体の圧力を制御する制御部とを備える。前記制御部は、前記液体移動時に、基板の露光時よりも、前記第１および前記第２基板ステージと前記投影光学系の最終面との間隔を広げる。
【００１３】
本発明の第２の側面は、投影光学系と基板との間に液体を介在させて基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、基板を保持して移動する第１および第２基板ステージと、前記投影光学系の最終面の下の空間に液体を供給し該空間から該液体を回収する液体供給回収部と、前記第１および第２基板ステージのうち一方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間から前記第１および第２基板ステージのうち他方の基板ステージと前記投影光学系の最終面との間に液体を移動させる時に前記液体供給回収部による供給動作および回収動作を停止させる制御部とを備える。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、例えば、２つの基板ステージを接近させての一方の基板ステージから他方の基板ステージに液体を移動させる際に該２つの基板ステージの間隙に液体が進入することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。図１に示す露光装置１００は、２つのウエハステージ（第１および第２基板ステージ）ＷＳＴ１、ＷＳＴ２を備える。また、露光装置１００は、投影光学系１３とウエハ（基板）との間に液体を介在させて該ウエハを露光する液浸露光装置として構成されている。
【００１７】
露光装置１００は、露光ステーションＥＳと計測ステーションＭＳとを備える。露光ステーションＥＳでは、照明光学系ＩＬによってレチクル（原版）Ｒが照明され、レチクルＲのパターンが投影光学系１３および液体ＩＭＬを介してウエハ（基板）Ｗ１、Ｗ２に投影され、これによりウエハＷが露光される。計測ステーションＭＳでは、アライメントセンサ１６および検出系１８によってウエハＷ１、Ｗ２が計測される。なお、この明細書では、２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２を区別して表現する必要がない場合には、これらの双方をウエハステージＷＳＴと標記する。また、同様に、２つのウエハＷ１、Ｗ２を区別して表現する必要がない場合には、これらの双方をウエハＷと標記する。
【００１８】
照明光学系ＩＬは、例えば、光源１、整形光学系２、フライアイレンズ３、コンデンサーレンズ４、視野絞り５、可動ブラインド７、リレーレンズ系８等を含みうる。光源１としては、例えば、Ｆ２エキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザまたはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザを使用することができる。光源１としては、或いは、金属蒸気レーザ、ＹＡＧレーザ、水銀ランプ等が使用されてもよい。
【００１９】
光源１から射出された照明光は、整形光学系２により光束径が所定の大きさに設定されてフライアイレンズ３に達する。フライアイレンズ３の射出面には多数の２次光源が形成され、該２次光源から射出された照明光は、コンデンサーレンズ４によって集光され、固定の視野絞り５を経て可動ブラインド（可変視野絞り）７に達する。図１では視野絞り５が可動ブラインド７よりもコンデンサーレンズ４側に配置されているが、視野絞り５は、リレーレンズ系８側へ配置されてもよい。
【００２０】
視野絞り５には、帯状（例えば、矩形または円弧）の開口部が形成され、該開口部を通過した光束は、帯状に整形された光束となり、リレーレンズ系８に入射する。この実施形態では、帯状の光束の長手方向は、Ｙ方向である。
【００２１】
リレーレンズ系８は、可動ブラインド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレンズ系である。可動ブラインド７は、ウエハステージの走査方向（Ｘ方向）の幅を規定する２枚の羽根（遮光板）７Ａ、７Ｂと、走査方向に垂直な非走査方向（Ｙ方向）の幅を規定する２枚の羽根（不図示）とを含む。走査方向の幅を規定する羽根７Ａおよび７Ｂは、それぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより独立に走査方向に駆動される。不図示の非走査方向の幅を規定する２枚の羽も、それぞれ不図示の駆動部によって独立に駆動される。
【００２２】
この実施形態では、固定の視野絞り５により定義されるレチクルＲ上の照明領域２１のうち可動ブラインド７により制限された領域のみが照明光で照明される。
【００２３】
リレーレンズ系８は、両側テレセントリックな光学系であり、レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１ではテレセントリック性が維持されている。レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴに保持されている。レチクルステージＲＳＴは、干渉計制御部２０によって制御される干渉計２２によって位置が検出され、この検出結果に基づいてレチクルステージ駆動部１０により駆動される。レチクルステージＲＳＴには、基準マークが形成された基準プレートＳＰが配置されている。基準プレートＳＰには、校正用の基準マークが配置されている。リレーレンズ系８とレチクルＲとの間には、不図示のＴＴＬ検出系が配置されていて、これにより、基準プレートＳＰの基準マークまたはレチクルＲのマークとウエハＷまたは基準マークＦＭとの相対位置が計測される。
【００２４】
帯状の断面形状を有する照明光で照明されたレチクルＲのパターンの像は、該パターンで回折した光によって、投影光学系１３およびその最終面の下の液体を介してウエハＷに投影される。
【００２５】
ここで、レチクルＲおよびウエハＷは、投影光学系１３の光軸に垂直な平面内で互いに逆方向に走査される。この明細書では、説明の便宜上、走査の方向は、Ｘ軸に平行な方向で、投影光学系１３の光軸は、Ｚ軸に平行な方向として定義されている。
【００２６】
ウエハＷは、不図示のウエハ搬送機構によって、ウエハステージＷＳＴのＺステージＺＳＴの上に搭載されたウエハチャックＷＣの上に搬送され、ウエハチャックＷＣによってチャックされる。ウエハステージＷＳＴは、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウエハＷの位置決めを行うと共にウエハＷを±Ｘ方向に走査するように駆動される。ウエハステージＷＳＴは、ウエハチャックＷＣを支持するＺステージＺＳＴと、ＺステージＺＳＴを光軸方向（Ｚ方向）に位置決めするための駆動機構ＺＤＲＶを含む。ＺステージＺＳＴの位置決めによって、ウエハＷや後述の同面板Ｐも位置決めされる。
【００２７】
ウエハステージＷＳＴは、ステージガイドＳＴＧによってガイド（支持）される。ウエハステージＷＳＴの位置は、干渉計制御部２０によって制御される干渉計２３によって検出される。ウエハステージＷＳＴの位置は、典型的には、Ｘ、ＹおよびＸ軸まわりの回転方向、Ｙ軸まわりの回転方向について検出されうる。ウエハステージＷＳＴには、露光装置の校正およびウエハＷの位置合わせのために使用する基準マークＦＭが配置されている。また、図１には示されていないが、ウエハステージＷＳＴの上には、結像性能、照度等を計測するための各種の計測器が配置されうる。ウエハステージＷＳＴは、ウエハＷの周辺に、ウエハＷの表面とほぼ同じ高さに構成された同面板Ｐを備えている。ウエハステージＷＳＴは、更に、ウエハＷの周辺に、排水部ＤＲを備えうる。この排水部ＤＲは、不図示の排水ラインに接続されうる。基準マークＦＭの周辺にも排水部ＤＲＦＭが設けられうる。この排水部ＤＲＦＭも不図示の排水ラインに接続されうる。
【００２８】
露光装置１００は、投影光学系１３の最終面（露光時にウエハＷに対面する面）の下の空間に液体ＩＭＬを供給し該空間から該液体ＩＭＬを回収する液体供給回収部ＬＳＲを備えている。液供供給回収部ＬＳＲは、図示されていないが、例えば、液体供給ライン、ポンプ、温調部、フィルタ等で構成される供給部、および、液回収用ライン、ポンプ、気液分離機等で構成される回収部とを含みうる。液体供給回収部ＬＳＲは、液体制御部２４を介して主制御部１２によって制御される。
【００２９】
計測ステーションＭＳには、オフアクシス方式のアライメントセンサ１６が配置されている。アライメントセンサ１６により、ウエハＷに形成されているアライメントマークの位置が検出される。アライメントセンサ１６は、アライメントセンサ制御部１７によって制御され、アライメントセンサ１６による検出結果は、主制御部１２に送られる。
【００３０】
計測ステーションＭＳには、ウエハＷの高さおよび傾きを計測する検出器１８が配置されている。検出器１８は、例えば、斜入射方式の検出器でありうる。検出器１８によって、ウエハＷの表面の高さ、傾きが検出され、その検出結果は、検出器１８を制御する制御部１９によって主制御部１２に送られる。
【００３１】
主制御部１２は、例えば、ウエハステージ駆動部１４、１５に指令を送ることにより、ウエハステージＷＳＴの位置決め動作及び走査を制御する。露光ステーションＷＳにおける露光処理については、主制御部１２は、アライメントセンサ１６および検出系１８による検出結果に基づいて、ウエハステージ駆動部１４に指令を送ることにより、ウエハステージＷＳＴの位置決め動作及び走査動作を制御する。
【００３２】
ウエハステージＷＳＴが配置される空間は、不図示の空調装置によって温度および湿度が制御される。
【００３３】
走査露光時におけるレチクルＲの速度をＶＲとし、投影光学系１３の投影倍率をβとする。この場合、レチクルＲの走査と同期して走査されるウエハＷの速度をＶＷとすると、ＶＷ＝−β・ＶＲである。
【００３４】
図２、図３は、２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の一方から他方に液体ＩＭＬを移動させる液体移動処理を説明するための模式図である。図２、図３において、投影光学系１３およびアライメントセンサ１６は一点鎖線で示されている。図２は、ウエハステージＷＳＴ１によって保持されたウエハＷ１が露光されている状態を示している。液体ＩＬＭＬは、それが存在する領域（これを液浸領域と呼ぶことができる）が露光領域ＥＸＰをカバーするように投影光学系１３の最終面とウエハステージＷＳＴ１との間に液体供給回収部ＬＳＲによって維持される。
【００３５】
露光動作と並行して、計測ステーションＭＳにおいて、ウエハステージＷＳＴ２によって保持されたウエハＷ２の計測が行なわれる。ウエハステージＷＳＴ１によって保持されたウエハＷ１の全ショット領域の露光が完了すると、図３に示すように、ウエハステージＷＳＴ２が露光ステーションＥＳに移動する。そして、ウエハステージＷＳＴ１と投影光学系１３の最終面との間からウエハステージＷＳＴ２と投影光学系１３の最終面との間に液体ＩＭＬが移動するようにウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２が駆動される。
【００３６】
ここで、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２のそれぞれ同面板Ｐは、互いに対向させることが可能な位置に張り出しＰＰを有する。ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の一方（例えば、ＷＳＴ１）から他方（例えば、ＷＳＴ２）への液体ＩＭＬの移動は、間隙が形成されるように張り出し部ＰＰを対向させた状態でなされる。なお、この明細書において、液体ＩＭＬの移動は、液体ＩＭＬとウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２との相対的な位置関係を変更することを意味するものである。典型的には、この明細書で説明されているように、液体ＩＭＬの移動は、絶対的な位置の変更を伴うことなく、液体ＩＭＬとウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２との相対的な位置関係が変更されるようになされる。
【００３７】
２つの張り出し部ＰＰの間に形成される間隙は、２つの張り出し部ＰＰ（２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２）が相互に衝突しないように決定される。該間隙は、例えば、０．１〜０．３ｍｍの範囲であることが好ましい。ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の一方から他方への液体ＩＭＬの移動は、２つの張り出し部ＰＰの間隙が維持された状態で、Ｙ方向にウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２を移動させることによってなされる。
【００３８】
図４は、露光時における投影光学系１３の最終面の周辺の様子とともに液供給回収部ＬＳＲの構成例を模式的に示す断面図である。液体供給回収部ＬＳＲは、ウエハ、ウエハステージまたは下方に向けて開口した液体供給口ＳＵＰと液体回収口ＲＥＴとを含む。液体供給口ＳＵＰを通して投影光学系１３の最終面ＦＳの下の空間に液体ＩＭＬが供給され、液体回収口ＲＥＴを通して該空間から液体ＩＭＬが回収される。液体供給口ＳＵＰおよび液体回収口ＲＥＴは、例えば、円形状、楕円形状等のような露光領域を取り囲む形状を有し、例えば、同心状に配置されうる。液体回収口ＲＥＴは、液体供給口ＳＵＰの外側に配置されることが好ましい。
【００３９】
ウエハＷの露光時は、投影光学系１３の最終面ＦＳまたは液体供給回収部ＬＳＲの底面とウエハＷとの間に距離Ｌ０が形成されるようにウエハステージＷＳＴ（より詳しくはウエハステージＷＳＴに備えられた駆動機構ＺＤＲＶ）が主制御部１２によって制御される。ここで、この実施形態では、投影光学系１３の最終面ＦＳと液体供給回収部ＬＳＲの底面とは、１つの平面内に属する。
【００４０】
図５は、２つのウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の一方から他方に液体ＩＭＬを移動させる液体移動時における投影光学系１３の最終面の付近の様子を示す模式図である。液体移動時は、ウエハステージＷＳＴ１の同面板Ｐの張り出し部ＰＰとウエハステージＷＳＴ２の同面板Ｐの張り出し部ＰＰとの間の間隔は、距離Ｄに維持される。この状態で、ウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２がＹ方向に移動することによりウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２の一方から他方に液体ＩＭＬが移動する。この液体移動時は、投影光学系１３の最終面ＦＳまたは液体供給回収部ＬＳＲの底面とウエハＷとの間に距離Ｌ１（Ｌ０＜Ｌ１）が形成されるようにウエハステージＷＳＴ１、ＷＳＴ２が主制御部１２によって制御される。この制御は、この実施形態では、ウエハステージＷＳＴに備えられた駆動機構ＺＤＲＶによってＺステージＺＳＴを駆動することによってなされる。
【００４１】
つまり、液体移動時は、ウエハの露光時よりも、投影光学系１３の最終面ＦＳまたは液体供給回収部ＬＳＲの底面とウエハＷとの間隔が主制御部１２による制御の下で広げられる。このような間隔の制御により、投影光学系１３の最終面ＦＳとウエハステージＷＳＴとの間の液体ＩＭＬの圧力が制御される。
【００４２】
ここで、Ｌ１は、液体移動時における液体ＩＭＬの圧力がウエハの露光時における液体ＩＭＬの圧力を超えないように、より好ましくは液体移動時における液体ＩＭＬの圧力がウエハの露光時における液体ＩＭＬの圧力よりも小さくなるように決定される。
【００４３】
なお、投影光学系１３の最終面ＦＳまたは液体供給回収部ＬＳＲの底面とウエハＷとの間隔を制御することは、投影光学系１３の最終面ＦＳまたは液体供給回収部ＬＳＲの底面と同面板ＰまたはウエハステージＷＳＴとの間隔を制御することでもある。
【００４４】
以上のように、液体移動時におけるウエハステージの移動による液体の圧力上昇は、投影光学系１３の最終面とウエハステージとの間隔を広げることによって抑えられる。よって、液体移動時に、２つのウエハステージＷＳＴの間隙をそれらが衝突し得ない距離に確保しつつ２つのウエハステージＷＳＴへの液体の漏れを防止することができる。また、液体移動時に前記間隔を広げることは、同面板Ｐの上で液体が占める面積の低下に寄与するので、張り出し部ＰＰの縮小に有利である。
【００４５】
更に、上記のような間隔の制御に加えて、または、これに代えて、液体移動時に液体供給回収部ＬＳＲによる液体の供給動作および回収動作を停止させてもよい。これは、液体移動の開始時に主制御部１２が液体供給回収部ＬＳＲに液体の供給動作および回収動作の停止を命令することによってなされうる。液体移動時に液体供給回収部ＬＳＲによる液体の供給動作および回収動作を停止させることにより、液体移動時における液体の圧力上昇が抑えられる。
【００４６】
液体の供給動作および回収動作は、同時に停止されてよいし、供給動作の停止後に回収動作が停止されてもよい。実際の装置では、液体の供給ラインをバルブによって遮断すると同時に液体の回収ラインのポンプを停止させた場合、該ポンプの停止後も回収ラインの負圧によって液体の回収動作が暫くの間は続いて液体の回収動作がなされうる。
【００４７】
このように液体移動時に液体供給回収部ＬＳＲによる液体の供給動作および回収動作を停止させることにより、液体移動時におけるウエハステージＷＳＴ上の液体の量が減るので、液体移動のための領域を小さくすることにも有利である。
【００４８】
図６は、本発明の第２実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。本発明の第２実施形態の露光装置２００は、液体供給回収部ＬＳＲが投影光学系１３の最終面とウエハステージＷＳＴとの間の液体ＩＭＬの圧力を制御するための圧力制御システムを付加的に有する点で第１実施形態と異なる。該圧力制御システムは、投影光学系１３の最終面とウエハステージＷＳＴとの間の液体ＩＭＬを検出する検出器２５と、検出器２５の出力に基づいて投影光学系１３の最終面とウエハステージＷＳＴとの間の液体ＩＭＬの圧力を調整する圧力調整部２６とを含む。圧力調整部２６は、例えば、検出器２５の出力に基づいて投影光学系１３の最終面とウエハステージＷＳＴとの間の空間の液体ＩＭＬに正圧を加えることにより液体ＩＭＬの圧力を増加させ、液体ＩＭＬに負圧を加えることにより液体ＩＭＬの圧力を減少させる。前者は、例えば、前記空間に液体を注入することにより、後者は、例えば、前記空間から液体を吸引することによりなされうる。
【００４９】
主制御部１２は、液体移動時において、液体ＩＭＬの圧力が一定になるように、検出器２５および圧力調整部２６を含む圧力制御システムを制御する。主制御部１２は、更に、液体移動時以外、例えば、ウエハの露光時においても前記圧力制御システムを動作させて液体ＩＭＬの圧力が例えば一定になるように制御してもよい。
【００５０】
この実施形態における圧力制御は、第１実施形態における圧力制御、即ち、投影光学系１３の最終面とウエハステージとの間の間隔の調整による圧力制御、および／または、液体供給回収部の動作の停止による圧力制御と併用されうる。  次に上記の露光装置を利用したデバイス製造方法を説明する。図７は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル作製）では設計した回路パターンに基づいてレチクル（原版）を作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ（基板ともいう）を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のレチクルとウエハを用いて、リソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。  図８は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（ＣＭＰ）ではＣＭＰ工程によって絶縁膜を平坦化する。ステップ１６（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１７（露光）では上記の露光装置を用いて、回路パターンが形成されたマスクを介し感光剤が塗布されたウエハを露光してレジストに潜像パターンを形成する。ステップ１８（現像）ではウエハ上のレジストに形成された潜像パターンを現像してレジストパターンを形成する。ステップ１９（エッチング）ではレジストパターンが開口した部分を通してレジストパターンの下にある層又は基板をエッチングする。ステップ２０（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】２つのウエハステージの一方から他方に液体を移動させる液体移動処理を説明するための模式図である。
【図３】２つのウエハステージの一方から他方に液体を移動させる液体移動処理を説明するための模式図である。
【図４】露光時における投影光学系の最終面の周辺の様子とともに液供給回収部の構成例を模式的に示す断面図である。
【図５】２つのウエハステージの一方から他方に液体を移動させる液体移動時における投影光学系の最終面の付近の様子を示す模式図である。
【図６】本発明の第２実施形態の露光装置の概略構成を示す図である。
【図７】デバイス製造方法を示す図である。
【図８】デバイス製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１：光源、２：整形光学系、３：フライアイレンズ、４：コンデンサーレンズ、５：視野絞り、６Ａ、６Ｂ：可動ブラインド駆動部、７Ａ、７Ｂ：可動ブラインド、８：リレーレンズ、１０：レチクルステージ制御部、１１：可動ブラインド制御部、１２：主制御部、１３：投影光学系、１４、１５：ウエハステージ制御部、１６：アライメントセンサ、１７：アライメントセンサ制御部、１８：フォーカスセンサ、１９：フォーカスセンサ制御部、２０：干渉計制御部、２１：照明領域、２２、２３：干渉計、２４：液体制御部、２５：検出器、２６：液圧調整部、ＲＳＴ：レチクルステージ、ＷＳＴ１、２：ウエハステージ、Ｒ：レチクル、ＳＰ：基準プレート、Ｗ１、２：ウエハ、ＷＣ：ウエハチャック、Ｐ：同面板、ＰＰ：張り出し部、ＦＭ：基準マーク、ＤＲ、ＤＲＦＭ：排水部、ＩＭＬ：液体、ＥＳ：露光ステーション、ＭＳ：計測ステーション、液体供給回収部ＬＳＲ、ＺＳＴ：Ｚステージ、ＺＤＲＶ：駆動機構、ＥＸＰ：露光領域、１００、２００：露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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