(57)【要約】【課題】基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。【解決手段】現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像処理終了後、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部は、前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットを含み、
前記現像処理ユニットは、現像処理後に基板の端部を洗浄する端部洗浄部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記端部洗浄部は、基板の端部を洗浄するための洗浄ブラシを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記端部洗浄部は、基板の端部を洗浄するための超音波ノズルを含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記端部洗浄部は、基板の端部を洗浄するための二流体ノズルを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理部は、
前記感光性膜形成ユニットにより形成された前記感光性膜を保護する保護膜を基板上に形成する保護膜形成ユニットと、
前記露光装置による露光処理後に前記保護膜形成ユニットにより形成された保護膜を基板から除去する保護膜除去ユニットとをさらに含むことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に密着強化処理を施す密着強化処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
液浸法により基板の露光処理を行った場合、現像処理後にレジスト膜の残渣が基板の端部に付着することがある。これは、次の理由によると考えられる。
【０００８】
液浸法を用いる場合、基板上に満たされる液体中にレジスト膜の成分が溶出することを防止するため、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成されることがある。その場合、レジストカバー膜と基板との密着性を向上させるために基板の表面に密着強化処理が施される。
【０００９】
現像処理時には、密着強化処理が施された基板の端部が露出する状態となる。そのため、除去されるべきレジスト膜の残渣が基板の端部に付着しやすくなると考えられる。
【００１０】
本発明の目的は、基板の端部を清浄に維持することが可能な基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部は、露光装置による露光処理後の基板に現像処理を行う現像処理ユニットを含み、現像処理ユニットは、現像処理後に基板の端部を洗浄する端部洗浄部を有するものである。
【００１２】
この基板処理装置では、処理部において基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。
【００１３】
処理部に戻された基板に現像処理ユニットにおいて現像処理が行われる。さらに、現像処理ユニットでは、現像処理後の基板の端部が端部洗浄部により洗浄される。この場合、現像処理時に感光性膜の残渣等が汚染物として基板の端部に付着しても、現像処理後に端部洗浄部によってその汚染物が確実に取り除かれる。それにより、基板の端部を清浄に維持して基板を基板処理装置から次の処理工程に送ることができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００１４】
（２）端部洗浄部は、基板の端部を洗浄するための洗浄ブラシを含んでもよい。この場合、現像処理後の基板の端部に付着する汚染物を物理的に取り除くことができる。それにより、より確実に基板の端部を清浄に維持することができる。
【００１５】
（３）端部洗浄部は、基板の端部を洗浄するための超音波ノズルを含んでもよい。この場合、基板の端部および基板上に形成される膜を損傷させることなく、現像処理後の基板の端部に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
【００１６】
（４）端部洗浄部は、基板の端部を洗浄するための二流体ノズルを含んでもよい。この場合、基板の端部および基板上に形成される膜を損傷させることなく、現像処理後の基板の端部に付着する汚染物を十分に取り除くことができる。
【００１７】
（５）処理部は、露光装置による露光処理前の基板上に感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットをさらに含んでもよい。
【００１８】
この場合、感光性膜形成ユニットによって基板上に形成された感光性膜が、露光装置において露光される。露光処理後の感光性膜の一部は、現像処理ユニットによる現像処理時に基板上から溶解除去される。現像処理時に感光性膜の残渣が汚染物として基板の端部に付着しても、現像処理後に端部洗浄部によってその汚染物が確実に取り除かれる。
【００１９】
（６）処理部は、感光性膜形成ユニットにより形成された感光性膜を保護する保護膜を基板上に形成する保護膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に保護膜形成ユニットにより形成された保護膜を基板から除去する保護膜除去ユニットとをさらに含んでもよい。
【００２０】
この場合、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。保護膜は、保護膜除去ユニットにより除去される。保護膜の残渣が汚染物として基板の端部に付着しても、現像処理ユニットにおいて端部洗浄部によりその汚染物が確実に取り除かれる。
【００２１】
（７）処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に密着強化処理を施す密着強化処理ユニットをさらに含んでもよい。この場合、基板上に種々の膜を確実に密着させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、現像処理時に感光性膜の残渣等が汚染物として基板の端部に付着しても、現像処理後に端部洗浄部によってその汚染物が確実に取り除かれる。それにより、基板の端部を清浄に維持して基板を基板処理装置から次の処理工程に送ることができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００２４】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４および図６〜図９には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００２５】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００２６】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００２７】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００２８】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００２９】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００３０】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００３１】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００３２】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００３３】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００３４】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００３５】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００３６】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００３７】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００３８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００３９】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。
【００４０】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００４１】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００４２】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００４３】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００４４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００４５】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。現像処理ユニットＤＥＶの詳細については後述する。
【００４６】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００４７】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００４８】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００４９】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００５０】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬ、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に密着強化剤塗布処理部ＡＨＬ、加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５１】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５２】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５４】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５５】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００５６】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００５７】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００５８】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００５９】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００６０】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００６１】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００６２】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００６３】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６４】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。反射防止膜用熱処理部１００，１０１の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬ（図３）では、基板Ｗ上にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が供給される。それにより、基板Ｗに密着強化処理が施される。
【００６５】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から密着強化処理および熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００６６】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００６７】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００６８】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００６９】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００７１】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００７２】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００７３】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００７５】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００７６】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００７７】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００７８】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００８１】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００８４】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【００８５】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【００８６】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００８７】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００８８】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【００８９】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【００９０】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【００９１】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【００９２】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００９３】
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【００９５】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００９６】
（３）成膜工程
次に、基板Ｗの成膜工程について詳細に説明する。図５は、基板Ｗの成膜工程について説明するための模式的断面図である。
【００９７】
図５（ａ）に示すように、基板Ｗは、平坦な表面および裏面を有するとともに、その外周部にベベル部ＢＥを有する。ベベル部ＢＥは、基板Ｗの表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域Ａ、基板Ｗの裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域Ｃ、および端面領域Ｂを含む。
【００９８】
まず、図３に示した反射防止膜用熱処理部１００，１０１の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬにおいて、主に基板Ｗの表面およびベベル部ＢＥに密着強化処理が施される。
【００９９】
続いて、図５（ｂ）に示すように、基板Ｗの表面側に反射防止膜Ｆ１，レジスト膜Ｆ２およびレジストカバー膜Ｆ３が順に形成される。レジスト膜Ｆ２は、反射防止膜Ｆ１よりも外側に広がるように形成される。さらに、レジストカバー膜Ｆ３は、レジスト膜Ｆ２よりも外側に広がるように形成される。図５の例では、レジストカバー膜Ｆ３が、基板Ｗの上ベベル領域Ａまで延びている。
【０１００】
この場合、レジスト膜Ｆ２の周縁部およびレジストカバー膜Ｆ３の周縁部が、密着強化処理が施された基板Ｗの表面または上ベベル領域Ａに接触する。そのため、レジスト膜Ｆ２と基板Ｗとの密着性およびレジストカバー膜Ｆ３と基板Ｗとの密着性が確保される。
【０１０１】
基板Ｗに露光処理が施された後、レジストカバー膜除去ユニットＲＥＭ（図２）により基板Ｗ上のレジストカバー膜Ｆ３が除去される。次いで、現像処理ユニットＤＥＶにより基板Ｗに現像処理が施され、レジスト膜Ｆ２の一部（例えば露光部分）が溶解除去される。
【０１０２】
これにより、図５（ｃ）に示すように、反射防止膜Ｆ１の外側の基板Ｗの領域Ｄ１が、露出する。図５の例では、基板Ｗの表面の周縁領域およびベベル部ＢＥが領域Ｄ１に含まれる。本実施の形態において、領域Ｄ１を基板Ｗの端部と呼ぶ。
【０１０３】
ところで、基板Ｗの表面および基板Ｗのベベル部ＢＥには、密着強化処理が施されている。そのため、レジストカバー膜除去ユニットＲＥＭおよび現像処理ユニットＤＥＶにおいて、レジストカバー膜Ｆ３およびレジスト膜Ｆ２の除去処理を行っても、レジストカバー膜Ｆ３およびレジスト膜Ｆ２の残渣が、密着強化処理が施されている基板Ｗの端部に付着したまま維持されることがある。
【０１０４】
本実施の形態では、現像処理ユニットＤＥＶにおいて、現像処理後に基板Ｗの端部を洗浄する。これにより、端部を清浄に維持して基板Ｗを基板処理装置５００から次の処理工程に送ることができる。
【０１０５】
（４）現像処理ユニット
次に、現像処理ユニットＤＥＶの詳細について説明する。図６は、現像処理ユニットＤＥＶの構成を示す平面図であり、図７は図６の現像処理ユニットＤＥＶのＱ−Ｑ線断面図である。
【０１０６】
図６および図７に示すように、現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持するスピンチャック９０１を備える。スピンチャック９０１は、モータ９０２（図７）の回転軸９０３の先端部に固定され、鉛直方向の軸の周りで回転可能に構成されている。スピンチャック９０１の周囲には、基板Ｗを取り囲むように円形の内側カップ９０４が上下動自在に設けられている。また、内側カップ９０４の周囲には、正方形の外側カップ９０５が設けられている。
【０１０７】
外側カップ９０５の両側にはそれぞれ待機ポッド９０６，９０７が配置され、外側カップ９０５の一方の側部側にはガイドレール９０８が配設されている。また、ノズルアーム９０９がアーム駆動部９１０によりガイドレール９０８に沿って走査方向Ａおよびその逆方向に移動可能に設けられている。外側カップ９０５の他方の側部側には、洗浄用リンス液として純水を吐出するリンス液吐出ノズル９１２が矢印Ｒ１の方向に回動可能に設けられている。
【０１０８】
また、外側カップ９０５の他方の側部側には、略円柱状の洗浄ブラシ９２０が配置されている。洗浄ブラシ９２０の外周面には、断面Ｖ字状の溝Ｃ１が形成されている（図７）。洗浄ブラシ９２０は、アーム９２１の先端部に取り付けられている。アーム９２１は、駆動機構９２２によって矢印Ｒ２（図６）方向に回動するともに、上下方向（Ｚ方向）に昇降する。これにより、洗浄ブラシ９２０が、外側カップ９０５の外方の待機位置と内側カップ９０４内の洗浄位置との間で移動可能となる。
【０１０９】
ノズルアーム９０９には、下端部にスリット状吐出口９１５（図７）を有する現像液吐出ノズル９１１がガイドレール９０８と垂直に取り付けられている。現像液吐出ノズル９１１には、図示しない現像液供給系により現像液が供給される。
【０１１０】
基板Ｗの現像処理時には、現像液吐出ノズル９１１が待機ポット９０６の位置から外側カップ９０５内の位置まで移動する。内側カップ９０４は、その上端部の高さが基板Ｗの高さよりも低くなるように配置される。そして、現像液吐出ノズル９１１が現像液を吐出しつつ基板Ｗの上方を通過する。これにより、基板Ｗ上の全面に現像液が液盛され、レジスト膜の現像処理が進行する。現像液吐出ノズル９１１は、待機ポッド９０７の位置まで移動し、その後、待機ポット９０６の位置に戻る。
【０１１１】
所定時間経過後、リンス液吐出ノズル９１２から基板Ｗ上にリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上における現像処理が停止される。なお、待機ポット９０６に戻った現像液吐出ノズル９１１が、リンス液を吐出しつつ基板Ｗの上方を移動することにより、基板Ｗ上における現像処理が停止されるようにしてもよい。
【０１１２】
続いて、内側カップ９０４が、その上端部の高さが基板Ｗの高さよりも高くなるように上昇する。そして、基板Ｗが回転する状態でリンス液吐出ノズル９１２からリンス液が継続的に吐出される。それにより、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流される。
【０１１３】
続いて、洗浄ブラシ９２０が内側カップ９０５内の洗浄位置に移動する（図７に示す状態）。そして、基板Ｗの回転およびリンス液の吐出が維持された状態で、洗浄ブラシ９２０の溝Ｃ１が基板Ｗの端部に押し当てられる。これにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。なお、洗浄ブラシ９２０を鉛直軸周りに回転駆動する回転駆動機構を設けてもよい。その場合、洗浄ブラシ９２０によって基板Ｗの端部をより効果的に洗浄することができる。
【０１１４】
所定時間経過後、洗浄ブラシ９２０が基板Ｗの外方の待機位置に移動するとともにリンス液の吐出が停止される。そして、基板Ｗが高速で回転することにより、基板Ｗ上のリンス液が振り切られ、基板Ｗが乾燥される。これにより、現像処理ユニットＤＥＶにおける一連の処理が終了する。
【０１１５】
（５）本実施の形態の効果
本実施の形態では、現像処理ユニットＤＥＶにおいて、現像処理後に基板Ｗの端部が洗浄ブラシ９２０により洗浄され、基板Ｗの端部に付着する汚染物が取り除かれる。したがって、端部が洗浄な状態で基板Ｗを基板処理装置５００から次の処理工程に送ることができる。その結果、基板Ｗの処理不良の発生を防止することができる。
【０１１６】
（６）現像処理ユニットの変形例
（６−１）第１の変形例
図８は、現像処理ユニットＤＥＶの第１の変形例を示す断面図である。図８の現像処理ユニットＤＥＶが図６および図７の現像処理ユニットＤＥＶと異なる点は、洗浄ブラシ９２０の代わりに超音波ノズル９３０を備える点である。
【０１１７】
超音波ノズル９３０には、洗浄液供給管９３１を通して洗浄液が供給される。洗浄液としては例えば純水が用いられる。超音波ノズル９３０内には、高周波振動子９３２が内蔵されている。この高周波振動子９３２には、高周波発生装置９３３が電気的に接続されている。
【０１１８】
この現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流された後、基板Ｗが回転する状態で、超音波ノズル９３０から基板Ｗの端部に向かって洗浄液が吐出される。洗浄液の吐出時には、高周波発生装置９３３から高周波振動子９３２に高周波電流が供給される。
【０１１９】
それにより、高周波振動子９３２が超音波振動し、超音波ノズル９３０内を通る洗浄液に高周波電流の値に応じた高周波出力が印加される。高周波出力の値は、基板Ｗの種類および洗浄条件に応じて電気的に可変制御することが可能である。高周波出力が印加された洗浄液は、超音波振動状態となり、基板Ｗの端部に吐出される。それにより、基板Ｗの端部が洗浄される。
【０１２０】
（６−２）第２の変形例
図９は、現像処理ユニットＤＥＶの第２の変形例を示す断面図である。図９の現像処理ユニットＤＥＶが図６および図７の現像処理ユニットＤＥＶと異なる点は、洗浄ブラシ９２０の代わりに二流体ノズル９４０を備える点である。
【０１２１】
二流体ノズル９４０には、洗浄液供給管９４１を通して洗浄液（例えば純水）が供給され、気体供給管９４２を通して不活性ガス（例えば窒素ガス（Ｎ2 ））が供給される。二流体ノズル９４０は、洗浄液供給管９４１を通して供給される洗浄液と、気体供給管９４２を通して供給される不活性ガスとを混合し、洗浄液の微細な液滴を含む霧状の混合流体を吐出する。
【０１２２】
なお、二流体ノズル９４０としては、液体と気体とをノズル本体の外部で混合する外部混合型および液体と気体とをノズル本体の内部で混合する内部混合型のいずれを用いてもよい。
【０１２３】
この現像処理ユニットＤＥＶでは、基板Ｗ上から現像液および溶解したレジスト膜が洗い流された後、基板Ｗが回転する状態で、二流体ノズル９４０から基板Ｗの端部に向かって霧状の混合流体が吐出される。それにより、基板Ｗの端部が洗浄され、基板Ｗの端部に付着するレジストカバー膜の残渣およびレジスト膜の残渣等の汚染物が取り除かれる。
【０１２４】
なお、混合流体の吐出圧および混合流体の気体と液体との比率を制御することにより、基板Ｗの端面Ｒの洗浄条件を容易に制御することが可能である。
【０１２５】
（６−３）他の変形例
洗浄ブラシ９２０（図６）、超音波ノズル９３０（図８）および二流体ノズル９４０（図９）のうちの２種類または３種類を共通の現像処理ユニットＤＥＶ内に設けてもよい。その場合、駆動機構９２２（図６）は、これらの洗浄手段に対して共通であってもよいし別個であってもよい。
【０１２６】
現像液吐出ノズル９１１内に高周波振動子を設けるとともに現像液吐出ノズル９１１に洗浄液を供給することにより、現像液吐出ノズル９１１から超音波振動状態の洗浄液が吐出されるようにしてもよい。
【０１２７】
リンス液吐出ノズル９１２の駆動機構と、洗浄ブラシ９２０（図６）、超音波ノズル９３０（図８）または二流体ノズル９４０（図９）の駆動機構とが共通であってもよい。
【０１２８】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１２９】
上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例である。
【０１３０】
また、洗浄ブラシ９２０、超音波ノズル９３０または二流体ノズル９４０が端部洗浄部の例であり、塗布ユニットＲＥＳが感光性膜形成ユニットの例であり、塗布ユニットＣＯＶが保護膜形成ユニットの例であり、除去ユニットＲＥＭが保護膜除去ユニットの例であり、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬが密着強化処理ユニットの例である。
【０１３１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見が概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】基板の成膜工程について説明するための模式的断面図である。
【図６】現像処理ユニットの構成を示す平面図であり
【図７】図６の現像処理ユニットのＱ−Ｑ線断面図である。
【図８】現像処理ユニットの第１の変形例を示す断面図である。
【図９】現像処理ユニットの第２の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  レジストカバー膜用処理ブロック
１４  レジストカバー膜除去ブロック
１５  インターフェースブロック
１６  露光装置
９１１  現像液吐出ノズル
９２０  洗浄ブラシ
９３０  超音波ノズル
９４０  二流体ノズル
ＡＨＬ  密着強化剤塗布処理部
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ  塗布ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＲＥＭ  除去ユニット
Ｗ  基板
【図１】
2009032888.tif 000003
【図２】
2009032888.tif 000004
【図３】
2009032888.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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