(57)【要約】【課題】長期間動作できる２次元画像読取装置を提供すること。【解決手段】最上層に配置されている静電除去層３６を、その端が当該２次元画像読取装置の側面に露出しているショートバー４０ａの端と間隔を空くように形成することより、当該２次元画像読取装置端面付近に付着している汚染物質と水分を介在した微小な電流リークパスの影響を小さく（電界を小さく）して、前記ショートバー４０ａでの電蝕の進行を低減することで、２次元画像読取装置の長期間にわたった動作を可能とする。【選択図】図６
2009021446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたフォトセンサと、
前記基板の側面で露出し、前記フォトセンサに接続された第１導電性膜で形成された配線の端と、
周端が、前記基板の側面からの距離が２．４４ｍｍ以上である第２導電性膜と、
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記フォトセンサは、トランジスタであることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記第１導電性膜は、前記フォトセンサのトップゲート電極、ボトムゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の少なくともいずれかに接続されていることを特徴とする請求項２記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記第２導電性膜は、静電除去層であることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記第２導電性膜は、絶縁膜を介して第１導電性膜の上方に設けられていることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記第１導電性膜は、長さが４．２１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像読取装置に関し、特に、複数のフォトセンサをマトリクス状に配列したフォトセンサアレイ上に、被検出体を接触させて、その画像パターンを読み取る画像読取装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、印刷物や写真、あるいは、指紋等の微細な凹凸の形状、手の静脈パターン等を読み取る２次元画像の読取装置として、光電変換素子（フォトセンサ）をマトリクス状に配列して構成されるフォトセンサアレイ上に設けられた検出面に被検出体を載置、接触させて、被検出体の２次元画像を読み取る構造のものがある。
【０００３】
このような２次元画像読取装置におけるフォトセンサとしては、例えば、特許文献１に開示されているように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等が用いられている。
【特許文献１】特開２００２−１９９１６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的な要求として、前記のような２次元画像読取装置においても、更に長期間にわたって動作できるようにすることが望まれている。
【０００５】
本発明は、前記の点に鑑みてなされたもので、長期間にわたって動作することが可能な画像読取装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、請求項１の発明は、画像読取装置において、
基板上に設けられたフォトセンサと、
前記基板の側面で露出し、前記フォトセンサに接続された第１導電性膜で形成された配線の端と、
周端が、前記基板の側面からの距離が２．４４ｍｍ以上である第２導電性膜と、
を備えることを特徴とする。
【０００７】
また前記フォトセンサは、トランジスタであってもよい。
【０００８】
前記第１導電性膜は、前記フォトセンサのトップゲート電極、ボトムゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の少なくともいずれかに接続されていてもよい。
【０００９】
前記第２導電性膜は、静電除去層であってもよい。
【００１０】
前記第２導電性膜は、絶縁膜を介して第１導電性膜の上方に設けられていてもよい。
【００１１】
前記第１導電性膜は、長さが４．２１ｍｍ以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板側面付近に付着している汚染物質と水分を介在した微小な電流リークパスの影響を小さく（電界を小さく）できるので、前記配線での電蝕の進行を低減することができ、よって、長期間にわたって動作することが可能な画像読取装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して説明する。
【００１４】
［第１実施形態］
まず、本発明に係る２次元画像読取装置に適用して良好なフォトセンサの構成について説明する。
【００１５】
従来の２次元画像読取装置は、ＴＦＴで形成したフォトセンサを２次元配列して構成されるものであるが、各フォトセンサを選択状態にするための選択トランジスタを各フォトセンサ別に設ける必要があるため、画素数を増加させると、それにしたがって２次元画像読取装置自体が大型化してしまうという問題を有している。そこで、近年、このような問題を解決するための構成として、フォトセンサ自体にフォトセンス機能と選択トランジスタ機能とを持たせた、いわゆる、ダブルゲート構造を有するＴＦＴ（以下、「フォトセンサ」という）を２次元画像読取装置に適用して、装置の小型化、及び、画素の高密度化を図る試みがなされている。
【００１６】
このような２次元画像読取装置は、概略、ガラス基板等の一面側にトップゲート電極及びボトムゲート電極を備えたフォトセンサをマトリックス状に形成して、フォトセンサアレイを構成し、例えば、ガラス基板の他面（背面）側に設けられた光源から照射光を照射して、ガラス基板の一面側（フォトセンサアレイの上方）に載置された被写体の２次元画像の画像パターン（例えば、指の指紋パターン等）に応じた反射光を、フォトセンサにより明暗情報として検出し、前記２次元画像を読み取るものである。
【００１７】
本発明における２次元画像読取装置においても、このダブルゲート型トランジスタを良好に適用することができる。
【００１８】
図１（Ａ）は、本発明の第１実施形態に係る２次元画像読取装置の全体構成を示す概略構成図であり、図１（Ｂ）は、要部断面図である。
【００１９】
図１（Ｂ）に示すように、ダブルゲート型トランジスタによるフォトセンサ１０は、励起光（ここでは、可視光）が入射されると電子−正孔対が生成されるアモルファスシリコン等の半導体層（チャネル層）１２と、半導体層１２の両端にそれぞれ設けられたｎ＋シリコンからなる不純物層１４，１６と、不純物層１４，１６上に形成されたクロム、クロム合金、アルミ、アルミ合金等から選択された可視光に対して不透明のドレイン電極１８及びソース電極２０と、半導体層１２の上方（図面上方）にブロック絶縁膜２２及び上部（トップ）ゲート絶縁膜２４を介して形成されたＩＴＯ等の透明導電層からなり、可視光に対して透過性を示すトップゲート電極（第１のゲート電極）２６と、半導体層１２の下方（図面下方）に下部（ボトム）ゲート絶縁膜２８を介して形成されたクロム、クロム合金、アルミ、アルミ合金等の可視光に対して不透明なボトムゲート電極（第２のゲート電極）３０と、を有している。そして、このような構成を有するフォトセンサ１０は、ガラス基板等の透明な絶縁性基板３２上に形成されている。
【００２０】
ここで、トップゲート絶縁膜２４、ブロック絶縁膜２２、ボトムゲート絶縁膜２８、及び、トップゲート電極２６上に設けられる保護絶縁膜３４は、いずれも半導体層１２を励起する可視光に対して透過率の高い絶縁性の材質、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等により構成され、また、保護絶縁膜３４上に設けられる静電気除去用の静電除去層３６は、半導体層１２を励起する可視光に対して透過率の高い材質、例えば、ＩＴＯ等の透明導電性材料により構成されていることにより、図面上方からの光のみが半導体層１２に入射する構造を有している。
【００２１】
図１（Ａ）に示すように、２次元画像読取装置は、大別して、多数のフォトセンサ１０を、例えば、ｎ行×ｍ列のマトリクス状に配列したフォトセンサアレイ３８と、各フォトセンサ１０のトップゲート端子（トップゲート電極２６）及びボトムゲート端子（ボトムゲート電極３０）を各々行方向（ｘ方向）に接続して延伸するトップゲートライン（第１のゲートライン）４０及びボトムゲートライン（第２のゲートライン）４２と、各フォトセンサ１０のドレイン端子（ドレイン電極１８）を列方向（ｙ方向）に接続したドレインライン（データライン）４４と、ソース端子（ソース電極２０）を列方向に接続したソースライン（コモンライン）４６と、トップゲートライン４０に接続されたトップゲートドライバ（第１のドライバ）４８と、ボトムゲートライン４２に接続されたボトムゲートドライバ（第２のドライバ）５０と、ドレインライン４４に接続されたドレインドライバ（出力回路）５２と、を有して構成されている。
【００２２】
ここで、トップゲートライン４０は、トップゲート電極２６とともに、ＩＴＯ等の透明導電層で一体的に形成され、ボトムゲートライン４２、ドレインライン４４並びにソースライン４６は、それぞれボトムゲート電極３０、ドレイン電極１８、ソース電極２０と同一の励起光に不透明な材料で一体的に形成されている。また、ソースライン４６には、例えば接地電位等の定電位電源に接続される。なお、少なくともフォトセンサ１０が配置されたセンサエリアＳａの全域を被覆するように積層された光透過性を有する保護絶縁膜３４上に、透明な導電性材料からなる静電除去層３６が設けられている。
【００２３】
このような構成において、トップゲートドライバ４８からトップゲートライン４０を介して、トップゲート電極２６に信号φＴｉ（ｉ＝１、２、・・・ｎ）を印加することにより、フォトセンス機能が実現され、ボトムゲートドライバ５０からボトムゲートライン４２を介して、ボトムゲート電極３０に信号φＢｉ（ｉ＝１、２、・・・ｎ）を印加し、ドレインライン４４を介して検出信号をドレインドライバ５２に取り込んで、シリアルデータ又はパラレルデータとして出力（Ｖｏｕｔ）することにより、選択読み出し機能が実現される。
【００２４】
図２は、このような２次元画像読取装置を実際の１パネルのデバイスとして製造した際の平面的な配置関係を示す図である。
【００２５】
前記トップゲートドライバ４８、ボトムゲートドライバ５０及びドレインドライバ５２は、１つのドライバＬＳＩ ５４（駆動回路）として、ガラス基板等の透明な絶縁性基板３２上であって、絶縁性基板３２の一辺に沿って形成される。前記センサエリアＳａから前記トップゲートライン４０を引き回すためのトップゲートラインエリアＴＧＬａと、前記センサエリアＳａから前記ボトムゲートライン４２を引き回すためのボトムゲートラインエリアＢＧＬａは、前記センサエリアＳａの両側に振り分けられている。これらトップゲートラインエリアＴＧＬａを引き回されたトップゲートライン４０及びボトムゲートラインエリアＢＧＬａを引き回されたボトムゲートライン４２は、それぞれ、配線層エリアＬａを引き回された図示しない配線層を介して、前記ドライバＬＳＩ ５４に接続される。
【００２６】
なお、この配線層エリアＬａを引き回される各配線層は、前記ボトムゲートライン４２と同様、前記ボトムゲート電極３０と同一の材料で同一のプロセスで形成される。従って、各ボトムゲートライン４２とそれに対応する配線層とは連続的な一つの層として形成されている。これに対して、前記トップゲートラインエリアＴＧＬａを引き回されたトップゲートライン４０は、前記トップゲート電極２６と同一の材料で同一のプロセスで形成されるため、前記ボトムゲート電極３０と同一の材料で同一のプロセスで形成される前記配線層との間には、ボトムゲート絶縁膜２８及びトップゲート絶縁膜２４が介在している。そこで、詳細は後述するようにして、それらボトムゲート絶縁膜２８及びトップゲート絶縁膜２４が除去されたコンタクト部ＣＴにおいて、各トップゲートライン４０とそれに対応する配線層とが接続される構成となっている。
【００２７】
また、前記ドレインライン４４は、ドレインラインエリアＤＬａを引き回されてドライバＬＳＩ ５４に直接接続されている。これに対して、前記ソースライン４６は、前記センサエリアＳａの前記ドライバＬＳＩ ５４側とは反対側のソースラインエリアＳＬａを引き回されている。そこで、前記トップゲートライン４０の場合と同様に、前記ソースライン４６は、コンタクト部ＣＴにおいて前記ソースライン用の配線層と接続され、該配線層を介してドライバＬＳＩ ５４と接続される構成となっている。
【００２８】
なお、ドライバＬＳＩ ５４の前記ドレインラインエリアＤＬａと反対側には、図示しない信号線及び電源線が引き回されるコネクタラインエリアＣＬａが配されており、該コネクタラインエリアＣＬａの信号線及び電源線に対しコネクタ部材が取り付けられ、ドライバＬＳＩ ５４と外部回路との接続が行えるように構成される。
【００２９】
次いで、上述した２次元画像読取装置の駆動制御方法について、図面を参照して説明する。図３は、２次元画像読取装置の駆動制御方法の一例を説明するタイミングチャートを示す図であり、図４は、フォトセンサの動作概念図であり、図５は、２次元画像読取装置の出力電圧の光応答特性を示す図である。ここでは、上述したフォトセンサ及び２次元画像読取装置の構成（図１、図２）を適宜参照して説明する。
【００３０】
まず、リセット動作においては、図３、図４の（ａ）に示すように、ｉ番目の行のトップゲートライン４０にパルス電圧（リセットパルス；例えばＶｔｇ＝＋１５Ｖのハイレベル）φＴｉを印加して、各フォトセンサ１０の半導体層１２、及び、ブロック絶縁膜２２における半導体層１２との界面近傍に蓄積されているキャリヤ（ここでは、正孔）を放出する（リセット期間Ｔｒｅｓｅｔ）。
【００３１】
次いで、光蓄積動作においては、図３、図４の（ｂ）に示すように、トップゲートライン４０にローレベル（例えばＶｔｇ＝−１５Ｖ）のバイアス電圧φＴｉを印加することにより、リセット動作を終了し、キャリヤ蓄積動作による光蓄積期間Ｔａがスタートする。光蓄積期間Ｔａにおいては、トップゲート電極側から入射した光量に応じて半導体層１２の入射有効領域、即ち、キャリヤ発生領域で生成された電子−正孔対が生成され、半導体層１２、及び、ブロック絶縁膜２２における半導体層１２との界面近傍、即ちチャネル領域周辺に正孔が蓄積される。
【００３２】
そして、プリチャージ動作においては、図３、図４の（ｃ）に示すように、光蓄積期間Ｔａに並行して、プリチャージ信号φｐｇに基づいてドレインライン４４に所定の電圧（プリチャージ電圧）Ｖｐｇを印加し、ドレイン電極１８に電荷を保持させる（プリチャージ期間Ｔｐｒｃｈ）。次いで、読み出し動作においては、図３、図４の（ｄ）に示すように、プリチャージ期間Ｔｐｒｃｈを経過した後、ボトムゲートライン４２にハイレベル（例えばＶｂｇ＝＋１０Ｖ）のバイアス電圧（読み出し選択信号；以下、読み出しパルスという）φＢｉを印加することにより、フォトセンサ１０をＯＮ状態にする（読み出し期間Ｔｒｅａｄ）。
【００３３】
ここで、読み出し期間Ｔｒｅａｄにおいては、チャネル領域に蓄積されたキャリヤ（正孔）が逆極性のトップゲート電極２６に印加されたＶｔｇ（−１５Ｖ）を緩和する方向に働くため、ボトムゲート電極３０のＶｂｇによりｎチャネルが形成され、ドレイン電流に応じてドレインライン４４のドレインライン電圧ＶＤは、図５（Ａ）に示すように、プリチャージ電圧Ｖｐｇから時間の経過とともに徐々に低下する傾向を示す。
【００３４】
即ち、光蓄積期間Ｔａにおける光蓄積状態が暗状態で、チャネル領域にキャリヤ（正孔）が蓄積されていない場合には、図４の（ｅ）、図５（Ａ）に示すように、トップゲート電極２６に負バイアスをかけることによって、ボトムゲート電極３０の正バイアスが打ち消され、フォトセンサ１０はＯＦＦ状態となり、ドレイン電圧、即ち、ドレインライン４４の電圧ＶＤが、ほぼそのまま保持されることになる。
【００３５】
一方、光蓄積状態が明状態の場合には、図４の（ｄ）、図５（Ａ）に示すように、チャネル領域に入射光量に応じたキャリヤ（正孔）が捕獲されているため、トップゲート電極２６の負バイアスを打ち消すように作用し、この打ち消された分だけボトムゲート電極３０の正バイアスによって、フォトセンサ１０はＯＮ状態となる。そして、この入射光量に応じたＯＮ抵抗に従って、ドレインライン４４の電圧ＶＤは、低下することになる。
【００３６】
したがって、図５（Ａ）に示したように、ドレインライン４４の電圧ＶＤの変化傾向は、トップゲート電極２６へのリセットパルスφＴｉの印加によるリセット動作の終了時点から、ボトムゲート電極３０に読み出しパルスφＢｉが印加されるまでの時間（光蓄積期間Ｔａ）に受光した光量に深く関連し、蓄積されたキャリヤが少ない場合には緩やかに低下する傾向を示し、また、蓄積されたキャリヤが多い場合には急峻に低下する傾向を示す。そのため、読み出し期間Ｔreadがスタートして、所定の時間経過後のドレインライン４４の電圧ＶＤを検出することにより、あるいは、所定のしきい値電圧を基準にして、その電圧に至るまでの時間を検出することにより、照射光の光量が換算される。
【００３７】
上述した一連の画像読み取り動作を１サイクルとして、ｉ＋１番目の行のフォトセンサ１０にも同等の処理手順を繰り返すことにより、フォトセンサ１０を２次元の画像読取装置として動作させることができる。なお、図３に示したタイミングチャートにおいて、プリチャージ期間Ｔｐｒｃｈの経過後、図４の（ｆ）、（ｇ）に示すように、ボトムゲートライン４２にローレベル（例えばＶｂｇ＝０Ｖ）を印加した状態を継続すると、フォトセンサ１０はＯＦＦ状態を持続し、図５（Ｂ）に示すように、ドレインライン４４の電圧ＶＤは、プリチャージ電圧Ｖｐｇを保持する。このように、ボトムゲートライン４２への電圧の印加状態により、フォトセンサ１０の読み出し状態を選択する選択機能が実現される。
【００３８】
上述したような２次元画像読取装置を指紋読取装置に適用する場合には、図１（Ｂ）に示すように、フォトセンサ１０が形成されたガラス基板（絶縁性基板３２）下方側にバックライト（面光源）５６を設ける。そして、このバックライト５６から照射光Ｌａを入射させ、この照射光Ｌａがフォトセンサ１０（詳しくは、ボトムゲート電極３０、ドレイン電極１８、ソース電極２０）の形成領域を除く、透明な絶縁性基板３２と絶縁膜２８，２４，３４を透過して、透明な静電除去層３６上の検出面３６ａに載置された指（被検出体）５８に照射される。
【００３９】
そして、指紋読取装置による指紋の検出時においては、指５８の皮膚表層６０の半透明層が、フォトセンサアレイ３８の最上層に形成された透明な層（静電除去層３６）に接触することにより、静電除去層３６と皮膚表層６０との間の界面に屈折率の低い空気層が無くなる。ここで、皮膚表層６０の厚さは、可視光上限（８００ｎｍ程度）より厚いため、指紋６２の凸部６２ａにおいて内部に入射された可視光Ｌａは、皮膚表層６０内を散乱、反射しながら伝搬する。伝搬された可視光Ｌｂの一部は、透明な静電除去層３６、透明な絶縁膜３４，２４，２２及びトップゲート電極２６を透過してフォトセンサ１０の半導体層１２に励起光として入射される。
【００４０】
このように、指５８の凸部６２ａに対応する位置に配置されたフォトセンサ１０の半導体層１２に光が入射されて生成されるキャリヤ（正孔）が蓄積されることにより、上述した一連の駆動制御方法にしたがって、指５８の画像パターンを明暗情報として読み取ることができる。なお、指紋６２の凹部６２ｂにおいては、照射された光Ｌａは、静電除去層３６の検出面３６ａと空気層との間の界面を通過し、空気層の先の指に到達して皮膚表層６０内で散乱するが、指５８の皮膚表層６０は空気より屈折率が高いため、ある角度で界面に入射された皮膚表層６０内の光Ｌｃは空気層に抜けにくく、また、凹部６２ｂの表面とその近傍のフォトセンサ１０との距離が、指紋６２の凸部６２ａの表面とその近傍のフォトセンサ１０との距離よりも長いため、凹部６２ｂに対応する位置に配置されたフォトセンサ１０の半導体層１２への光Ｌｃの入射が抑制される。
【００４１】
図６は、本第１実施形態に係る２次元画像読取装置におけるパネル端部の構成を示す図であり、図中の左端が、図２の絶縁性基板３２におけるトップゲートラインエリアＴＧＬａ側の端面３２ａに一致する。図６（ａ）は、トップゲートラインエリアＴＧＬａ側の領域を上面から見た平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）の一部を拡大し、さらにセンサエリアＳａの一部を上面から見た平面図であり、図６（ｃ）は、図６（ｂ）のｃ−ｃ線に沿った断面図であり、図６（ｄ）は、図６（ｂ）のｄ−ｄ線に沿った断面図である。
【００４２】
フォトセンサアレイ３８の形成工程内において、ガラス基板（絶縁性基板３２）上にボトムゲートメタル層を成膜後にパターニングすることによって、前記ボトムゲート電極３０を形成すると同時に、前記ボトムゲートライン４２及び前記配線層エリアＬａの配線４２ａを形成する。
【００４３】
配線４２ａは、ボトムゲートラインエリアＢＧＬａにおいてボトムゲートライン４２に接続される複数の配線及びトップゲートラインエリアＴＧＬａにおいてトップゲートライン４０に接続される複数の配線を有している。
【００４４】
その後、その上にボトムゲート絶縁膜２８を形成した後、前記センサエリアＳａの半導体層１２、ブロック絶縁膜２２、不純物層１４及び１６、ドレイン電極１８（並びにドレインライン４４）及びソース電極２０（並びにソースライン４６）を順次成膜することによって形成していくが、その際に、コンタクト部ＣＴにおける前記配線４２ａ上に、それに電気的に接続するようにパッド電極層４６ａを形成する。即ち、コンタクト部ＣＴのボトムゲート絶縁膜２８を除去して前記配線４２ａを露出するようにコンタクトホールを形成した後、励起光に不透明な材料のソース、ドレインメタル層を成膜後にパターニングすることによって、前記ドレイン電極１８及びソース電極２０を形成すると同時に、露出された配線４２ａ上にソース、ドレインメタル層のパッド電極層４６ａを形成する。ソース、ドレインメタル層は、ＣｒまたはＣｒ合金の単層であってもよく、下層をＣｒまたはＣｒ合金を含む層として上層をＩＴＯ等の透明導電層とした積層構造であってもよい。後者の場合、下層及び上層をそれぞれスパッタにより被膜後、ドライエッチにより一括してパターニングすることによって得られる。なお、センサエリアＳａ左側に配された複数のコンタクト部ＣＴの内、最も前記ソースラインエリアＳＬａ側のコンタクト部ＣＴ１及びセンサエリアＳａ右側のコンタクト部ＣＴについては、前記パッド電極層４６ａとともにパターニング形成されるパッド電極層兼配線層４６ｂがボトムゲート絶縁膜２８に形成されたコンタクトホールに埋設されるとともに連続して前記ボトムゲート絶縁膜２８上まで延伸して、前記ソースラインエリアＳＬａを引き回されるソースライン４６に接続するように形成される。
【００４５】
そして、それらの上に前記トップゲート絶縁膜２４を形成した後に、透明導電層を被膜してパターニングして前記トップゲート電極２６及びトップゲートライン４０を形成する。この際、前記センサエリアＳａ左側に配された複数のコンタクト部ＣＴの内、最も前記ソースラインエリアＳＬａ側のコンタクト部ＣＴ１以外で、前記トップゲートライン４０が前記パッド電極層４６ａに電気的に接続されるように重なって形成する。即ち、それらパッド部ＣＴのトップゲート絶縁膜２４を前記パッド電極層４６ａが露出するように除去してコンタクトホールを形成した後に、トップゲートライン４０を被膜して形成する。これにより、前記トップゲート電極２６が、前記トップゲートライン４０、パッド電極層４６ａ、配線層エリアＬａの配線４２ａを介してドライバＬＳＩ ５４に電気的に接続されることとなる。
【００４６】
その後、その上に保護絶縁膜３４を形成した後、更にその上に静電気を除去するために接地されている静電除去層３６を形成する。
【００４７】
ところで、前記のような２次元画像読取装置を図２に示すように１パネルのデバイスとして製造する場合、１パネルずつ製造するのではなく、一般的な液晶パネルの製造方法におけるのと同様に、大きなマザーガラス基板（絶縁性基板３２）上に複数のディスプレイ領域を同時に形成し、Ｓ／Ｂ（スクライブ／ブレイク）工程と称される工程において、個々の液晶パネルに分割されるのが通常である。
【００４８】
このような製造方法を採用した場合、フォトセンサアレイ３８の形成工程内において、各フォトセンサ１０の全てのトップゲートライン４０を単個のパネル外へ引き出すため、図６の（ｂ）及び（ｄ）に示すように、ショートバー４０ａを各トップゲートライン４０に接続して設け、それらショートバー４０ａを大きな１枚の絶縁性基板３２上の端材部において相互に接続し接地電位と接続することにより、当該絶縁性基板３２上の全てのフォトセンサ１０のトップゲート電極２６を等電位状態に保持する。そして、電解液中で、前記ショートバー４０ａを例えば正電位に、絶縁性基板３２を例えば負電位にして直流電圧を印加し、電位間に位置する絶縁不良のフォトセンサ１０を破壊することでスクリーニングを行い、不良品の流出を防ぐＣＣ（Cathode Corrosion）処理と称される処理を実施するようにしている。また、Ｓ／Ｂ工程の前工程中にトップゲート電極２６及びトップゲートライン４０がフローティングにより不安定にならず、正常なフォトセンサ１０や各配線の静電破壊を防止することができる。こうしてＣＣ処理が行われた後、Ｓ／Ｂ工程において、前記絶縁性基板３２の端材部を切断して除去することで、各々のフォトセンサ１０に分離独立するとともに各フォトセンサ１０内の各々のトップゲートライン４０（及びショートバー４０ａ）が分離独立することとなる。
【００４９】
こうして製造された２次元画像読取装置は、その駆動時に、図３、図４に示したように、トップゲート電極２６には、リセットパルスφＴｉの電位Ｖｔｇとして＋１５Ｖと−１５Ｖが印加される。即ち、導電成膜で形成された配線（ショートバー４０ａ（トップゲートライン４０））にこの３０Ｖの電位差が加わる。このような大きな電位差が加わった場合、前記Ｓ／Ｂ工程後にパネル端面に露出したショートバー４０ａの端と最上層に配置されている異なる電位の静電除去層３６の端との間に、パネル端面付近に付着しているＮａまたはナトリウムイオンを含む汚染物質（コンタミネーション）がと水分が介在することによって生じる微小な電流のリークパスが形成されやすい。その影響によって、構造上、それらショートバー４０ａの端と静電除去層３６の端との距離が近い場合、その影響が大きい（電界が大きい）ため、前記ショートバー４０ａ或いは静電除去層３６が電蝕されやすい。汚染物質がナトリウムイオンのような陽イオンの場合、相対的に負電位側で電蝕が生じる。ここでは、図３に示すように、処理サイクルで＋１５Ｖよりも長期に−１５Ｖが印加されるショートバー４０ａが腐蝕されやすい。例えば、図６（ａ）と異なり、静電除去層３６の周端部がパネル端面３２ａ近傍、例えばパネル端面３２ａから０〜０．５ｍｍ程度内側の位置にあるような構造、つまり、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが０〜０．５ｍｍ程度の場合、この電蝕領域は、パネル端面３２ａから内側へ向かって、ショートバー４０ａとトップゲートライン４０との接続部６４まで進行してやがては、パッド電極層４６ａまで進み、トップゲートライン４０が導通不良を引き起こしてしまい、ドライバＬＳＩ ５４からセンサエリアＳａのフォトセンサ１０のトップゲート電極２６への給電が不十分となり、線欠陥不良となってしまう。
【００５０】
そこで、本第１実施形態に係る２次元画像読取装置では、図６の（ａ）に示すように、透明な導電性材料からなる静電除去層３６は、パネル端面３２ａまで形成するのではなく、パネル端面３２ａより内側に入った位置、例えば２．５ｍｍ程度内側の位置（センサエリアＳａから２．０ｍｍ程度外側の位置）に形成するようにしている。
【００５１】
トップゲートライン４０に接続されたショートバー４０ａは、前記ＣＣ処理を行うためにパネル端面３２ａまで形成されることは免れないが、静電除去層３６をパネル端面３２ａより内側に引込めることにより、パネル端面３２ａに露出しているショートバー４０ａの端と静電除去層３６の端との間隔を空けた構成とすることができる。これにより、パネル端面３２ａ付近に付着している汚染物質と水分の経路がショートバー４０ａの端と静電除去層３６との間に連続して介在しにくくなり、電流リークパスが発生しにくくできるので、電蝕の進行を低減することができる。よって、長期間にわたって動作することが可能な２次元画像読取装置を提供することができる。
【００５２】
［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態に係る２次元画像読取装置におけるパネル端部の構成を示す図である。
【００５３】
本第２実施形態では、上述した第１実施形態のようにパネル端面３２ａに露出しているショートバー４０ａの端と静電除去層３６の端との間隔を空けた構成に、更に、ショートバー４０ａをパネル端面近傍で切断した構造を加えたものである。
【００５４】
具体的には、ショートバー４０ａをＣＣ処理後のセンサアレイ形成工程内において、パネル端面近傍の各々のショートバー４０ａ毎に、その上部の保護絶縁膜３４を除去し開口部３４ａを形成し、その後、エッチング処理によって当該箇所のショートバー４０ａを切断する。なお、前記開口部３４ａの大きさは、レイアウト状況に応じたサイズとすれば良く、例えばショートバー４０ａのライン／スペース＝１０／４０μｍ、ピッチ＝５０μｍとすれば、３０μｍ角の大きさとする。また開口部３４ａは上面から見た形状が矩形の直方体でなくても、上面から見た形状が円形の円柱であってもよい。
【００５５】
このように、ショートバー４０ａを、ＣＣ処理後のセンサアレイ形成工程内においてパネル端面近傍で切断したことにより、パネル端面に露出したショートバー４０ａに汚染物質と水分が付着しても電蝕が進行しないという利点がある。
【００５６】
但し稀ではあるが、前記ショートバー４０ａの切断部の内側に汚染物質と水分が付着する場合があるが、そのような場合にも、前述の第１実施形態と同様、その切断部端面に露出しているショートバー４０ａの端と静電除去層３６の端との間隔を充分に空けた構成としているため、切断部端面付近に付着している汚染物質と水分を介在した微小な電流リークパスの影響を小さく（電界を小さく）できるので、電蝕の進行を低減することができる。
【００５７】
よって、長期間にわたって動作することが可能な２次元画像読取装置を提供することができる。
【００５８】
以上実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形や応用が可能なことは勿論である。
【００５９】
例えば、フォトセンサとしてダブルゲート型フォトセンサを用いた場合について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、周知のフォトダイオードやＴＦＴ等を用いても、前記ＣＣ処理をその製造工程中に含む場合つまりショートバーの端をパネル端面に露出せざるを得ない構造を持つ場合には、同様に適用することができることはいうまでもない。
【００６０】
更には、ＴＦＴを用いたＬＣＤディスプレイ等においても、前記ＣＣ処理をその製造工程中に含む場合には、同様に適用することができることはいうまでもない。
【００６１】
なお、上述の実施形態では、ゲート端子（電極）によりＯＮ−ＯＦＦの制御される端子（電極）を、それぞれ各図に対応して、ソース端子（電極）とドレイン端子（電極）と呼んでいるが、ＴＦＴの場合、場合によって、各図のソース端子（電極）がドレイン端子（電極）、ドレイン端子（電極）がソース端子（電極）というように逆に呼ばれることもある。
【００６２】
また上記各実施形態では、ショートバーとして、トップゲートライン４０に接続されたショートバー４０ａを適用したが、ショートバーが端面で露出されていればこれに限らず、ボトムゲートライン４２に接続されたショートバーであってもよく、ドレイン電極１８に接続されたショートバーであってもよく、或いはソース電極２０に接続されたショートバーであってもよく、トップゲート電極、ボトムゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の少なくともいずれかに接続されていればよい。
【００６３】
（実施例）
図６に示す構造において、トップゲートメタルをＩＴＯとし、トップゲートライン４０と同時に形成されたショートバー４０ａを設け、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが２．４４ｍｍとし、ショートバーの長さを４．２１ｍｍとしたパネルを複数作成し、温度４０℃、湿度９０％の雰囲気で電蝕の進行を測定した。いずれも５００時間超であっても電蝕による不良が発生しなかった。
【００６４】
（比較例１）
図６に示す構造において、ソース、ドレインメタル（パッド電極層４６ａ）をＣｒとし、ショートバーを、トップゲートライン４０と同時に形成されたショートバー４０ａではなく、ボトムゲート絶縁膜２８上において、ソース、ドレインメタルのパッド電極層４６ａを絶縁性基板３２の端面３２ａまで延長させたショートバーとし、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが０．３ｍｍとし、ショートバーの長さをそれぞれ０．５〜２．５９ｍｍとしたパネルを作成し、温度４０℃、湿度９０％の雰囲気で電蝕の進行を測定した。いずれも１５０時間以内に電蝕による不良が発生した。
【００６５】
（比較例２）
図６に示す構造において、ソース、ドレインメタル（パッド電極層４６ａ）をＣｒとし、ショートバーを、トップゲートライン４０と同時に形成されたショートバー４０ａではなく、ボトムゲート絶縁膜２８上において、ソース、ドレインメタルのパッド電極層４６ａを絶縁性基板３２の端面３２ａまで延長させたショートバーとし、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが０．３４ｍｍとし、ショートバーの長さを２．５９ｍｍとしたパネルを複数作成し、温度４０℃、湿度９０％の雰囲気で電蝕の進行を測定した。いずれも４００時間以内に電蝕による不良が発生した。
【００６６】
（比較例３）
図６に示す構造において、トップゲートメタルをＩＴＯとし、トップゲートライン４０と同時に形成されたショートバー４０ａを設け、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが０．３４ｍｍとし、ショートバーの長さを２．５９ｍｍとしたパネルを複数作成し、温度４０℃、湿度９０％の雰囲気で電蝕の進行を測定した。いずれも４００時間以内に電蝕による不良が発生した。
【００６７】
（比較例４）
図６に示す構造において、トップゲートメタルをＩＴＯとし、トップゲートライン４０と同時に形成されたショートバー４０ａを設け、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが０．０２ｍｍとし、ショートバーの長さを２．２７ｍｍとしたパネルを複数作成し、温度４０℃、湿度９０％の雰囲気で電蝕の進行を測定した。いずれも１００時間以内に電蝕による不良が発生した。
【００６８】
（比較例５）
図６に示す構造において、トップゲートメタルをＩＴＯとし、トップゲートライン４０と同時に形成されたショートバー４０ａを設け、静電除去層３６の周端部とパネル端面３２ａとの距離Ｌが０．３４ｍｍとし、ショートバーの長さを４．５３ｍｍとしたパネルを複数作成し、温度４０℃、湿度９０％の雰囲気で電蝕の進行を測定した。いずれも４００時間以内に電蝕による不良が発生した。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】（Ａ）は本発明の第１実施形態に係る２次元画像読取装置の全体構成を示す概略構成図であり、（Ｂ）はその要部断面図である。
【図２】２次元画像読取装置を実際の１パネルのデバイスとして製造した際の平面的な配置関係を示す図である。
【図３】２次元画像読取装置の駆動制御方法の一例を説明するタイミングチャートを示す図である。
【図４】フォトセンサの動作概念図である。
【図５】２次元画像読取装置の出力電圧の光応答特性を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る２次元画像読取装置におけるパネル端部の構成を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る２次元画像読取装置におけるパネル端部の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０…フォトセンサ、  １２…半導体層、  １４，１６…不純物層、  １８…ドレイン電極、  ２０…ソース電極、  ２２…ブロック絶縁膜、  ２４…トップゲート絶縁膜、  ２６…トップゲート電極、  ２８…ボトムゲート絶縁膜、  ３０…ボトムゲート電極、  ３２…絶縁性基板、  ３４…保護絶縁膜、  ３６…静電除去層、  ３６ａ…検出面、  ３８…フォトセンサアレイ、  ４０…トップゲートライン、  ４０ａ…ショートバー、  ４２…ボトムゲートライン、  ４２ａ…配線、  ４４…ドレインライン、  ４６…ソースライン、  ４６ａ…パッド電極層、  ４８…トップゲートドライバ、  ５０…ボトムゲートドライバ、  ５２…ドレインドライバ、  ５４…ドライバＬＳＩ、  ５６…バックライト、  ５８…指、  ６０…皮膚表層、  ６２…指紋、  ６２ａ…凸部、  ６２ｂ…凹部、  ６４…接続部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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