(57)【要約】【課題】  ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を備えた半導体装置において、ファンアウト端子構造とし、且つ、薄型化する。【解決手段】  銅箔からなるベース板５１の上面にエポキシ系樹脂等からなる下層絶縁膜１を形成する。次に、下層絶縁膜１の上面に半導体構成体２を接着層３を介して搭載する。次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面にエポキシ系樹脂等からなる上層絶縁膜３２を形成する。この場合、上層絶縁膜３２の上面には銅箔からなるサブベース板５４が設けられている。次に、ベース板５１およびサブベース板５４を除去する。したがって、完成した半導体装置はベース板５１を備えておらず、外部接続用電極の配置領域が半導体構成体２の平面サイズよりも大きい（Ｆａｎ−ｏｕｔ）ものにおいて、薄型化することができる。【選択図】  図３
2009043858.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜と、前記下層絶縁膜下に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられた下層配線と、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に設けられた絶縁層と、前記半導体構成体および前記絶縁層上に設けられた上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜上に設けられた上層配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は前記下層絶縁膜上に接着層を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記上層絶縁膜に設けられた貫通孔内に上下導通部が前記下層配線および前記上層配線に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜の上面に別の下層配線が前記下層配線に接続されて設けられ、前記上層絶縁膜の下面に別の上層配線が前記上層配線に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発明において、前記半導体構成体は前記上層絶縁膜下に接着層を介して接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体の周囲において前記上層配線下の前記絶縁層上に、別の下層配線、別の上層配線およびそれらを接続する上下導通部を有する方形枠状の回路基板が設けられ、前記下層配線は前記別の下層配線に接続され、前記上層配線は前記別の上層配線に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発明において、前記下層配線を含む前記下層絶縁膜下に、前記下層配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する下層オーバーコート膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記下層オーバーコート膜の開口部内およびその下方に半田ボールが前記下層配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記下層配線および前記上層配線は多層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記半導体基板下における前記外部接続用電極間に設けられた封止膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記半導体基板下における前記外部接続用電極間に設けられた接着層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
ベース板上に下層絶縁膜を形成する工程と、
前記下層絶縁膜上に、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を固着する工程と、
前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に絶縁層を形成し、且つ、前記半導体構成体および前記絶縁層上に上層絶縁膜を形成する工程と、
前記ベース板を除去する工程と、
前記下層絶縁膜下に下層配線を前記半導体構成体の外部接続用電極に接続させて形成し、且つ、前記上層絶縁膜上に上層配線を形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記上層絶縁膜を切断して半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着材を予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発明において、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着シートを予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の発明において、前記ベース板を除去した後に、前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記上層絶縁膜に貫通孔を形成し、前記下層配線および前記上層配線を形成する工程は、前記貫通孔内に上下導通部を前記下層配線および前記上層配線に接続させて形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の発明において、前記下層絶縁膜上において半導体構成体搭載領域の周囲に別の下層配線が予め形成され、且つ、前記上層絶縁膜下に別の上層配線が予め形成され、前記下層絶縁膜下に前記下層配線を前記別の下層配線に接続させて形成し、且つ、前記上層絶縁膜上に前記上層配線を前記別の上層配線に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の発明において、前記絶縁層および前記上層配線を形成する工程は、前記半導体構成体の周囲において前記上層配線下の前記絶縁層上に、別の下層配線、別の上層配線およびそれらを接続する上下導通部を有する方形枠状の回路基板を配置する工程を含み、前記下層絶縁膜下に前記下層配線を前記別の下層配線に接続させて形成し、且つ、前記上層絶縁膜上に前記上層配線を前記別の上層配線に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の発明において、前記上層絶縁膜は当初はサブベース板下に形成され、前記ベース板を除去する工程は前記サブベース板を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の発明において、金属からなる前記ベース板上に下層保護金属層および下層下地金属層が形成され、前記下層絶縁膜は前記下層下地金属層上に形成し、且つ、金属からなる前記サブベース板下に上層保護金属層および上層下地金属層が形成され、前記上層絶縁膜は前記上層下地金属層下に形成し、前記ベース板および前記サブベース板を除去する工程は前記下層保護金属層および前記上層保護金属層を除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の発明において、前記下層下地金属層の上面および前記上層下地金属層の下面に予め表面粗化処理を施し、前記下層絶縁膜および前記上層絶縁膜を樹脂を含む材料によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の発明において、前記下層配線を形成する工程は、前記下層下地金属層下に別の下層下地金属層を形成し、前記別の下層下地金属層下に電解メッキにより下層上部金属層を形成する工程を含み、前記下層配線は前記下層下地金属層、前記別の下層下地金属層および前記下層上部金属層の３層構造であり、且つ、前記上層配線を形成する工程は、前記上層下地金属層上に別の上層下地金属層を形成し、前記別の上層下地金属層上に電解メッキにより上層上部金属層を形成する工程を含み、前記上層配線は前記上層下地金属層、前記別の上層下地金属層および前記上層上部金属層の３層構造であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の発明において、前記ベース板、前記下層下地金属層、前記別の下層下地金属層、前記下層上部金属層、前記サブベース板、前記上層下地金属層、前記別の上層下地金属層および前記上層上部金属層は銅からなり、前記下層保護金属層および前記上層保護金属層はニッケルからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、シリコン基板下に複数の外部接続用の柱状電極が設けられたものがある（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、従来のこのような半導体装置は、半導体構成体の平面の面積領域内に外部接続用電極を設ける（Ｆａｎ−ｉｎ）構成であるため、外部接続用電極の配置数が多くなり配置ピッチが所定の寸法、例えば、０．５μｍ程度より小さくなる場合には適用ができないものであった。
【０００３】
そこで、従来の他の半導体装置には、ＣＳＰ(chip size package)と呼ばれる半導体構成体を該半導体構成体よりも平面サイズの大きいベース板上に設け、このベース板のほぼ全領域を半導体構成体の外部接続用電極の配置領域とする（Ｆａｎ−ｏｕｔ）ことにより、外部接続用電極の配置数が多い場合にも、小型の半導体装置としたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２２３５１８号公報
【特許文献２】特開２００５−２１６９３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の半導体装置では、ベース板を用いているため、装置全体が厚くなってしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、この発明は、外部接続用電極の配置領域が半導体構成体の平面サイズよりも大きい（Ｆａｎ−ｏｕｔ）ものにおいて、薄型化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜と、前記下層絶縁膜下に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられた下層配線と、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に設けられた絶縁層と、前記半導体構成体および前記絶縁層上に設けられた上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜上に設けられた上層配線とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は前記下層絶縁膜上に接着層を介して接着されていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記上層絶縁膜に設けられた貫通孔内に上下導通部が前記下層配線および前記上層配線に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜の上面に別の下層配線が前記下層配線に接続されて設けられ、前記上層絶縁膜の下面に別の上層配線が前記上層配線に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項４に記載の発明において、前記半導体構成体は前記上層絶縁膜下に接着層を介して接着されていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体の周囲において前記上層配線下の前記絶縁層上に、別の下層配線、別の上層配線およびそれらを接続する上下導通部を有する方形枠状の回路基板が設けられ、前記下層配線は前記別の下層配線に接続され、前記上層配線は前記別の上層配線に接続されていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下層配線を含む前記下層絶縁膜下に、前記下層配線の接続パッド部に対応する部分に開口部を有する下層オーバーコート膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置は、請求項７に記載の発明において、前記下層オーバーコート膜の開口部内およびその下方に半田ボールが前記下層配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記下層配線および前記上層配線は多層構造を有することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記半導体基板下における前記外部接続用電極間に設けられた封止膜を有することを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記半導体基板下における前記外部接続用電極間に設けられた接着層を有することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、ベース板上に下層絶縁膜を形成する工程と、前記下層絶縁膜上に、半導体基板および該半導体基板下に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を固着する工程と、前記半導体構成体の周囲における前記下層絶縁膜上に絶縁層を形成し、且つ、前記半導体構成体および前記絶縁層上に上層絶縁膜を形成する工程と、前記ベース板を除去する工程と、前記下層絶縁膜下に下層配線を前記半導体構成体の外部接続用電極に接続させて形成し、且つ、前記上層絶縁膜上に上層配線を形成する工程と、前記半導体構成体間における前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記上層絶縁膜を切断して半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着材を予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記下層絶縁膜上に前記半導体構成体を固着する工程は、前記下層絶縁膜上に接着シートを予め供給し、前記半導体構成体を前記下層絶縁膜上に加熱加圧する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記ベース板を除去した後に、前記下層絶縁膜、前記絶縁層および前記上層絶縁膜に貫通孔を形成し、前記下層配線および前記上層配線を形成する工程は、前記貫通孔内に上下導通部を前記下層配線および前記上層配線に接続させて形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記下層絶縁膜上において半導体構成体搭載領域の周囲に別の下層配線が予め形成され、且つ、前記上層絶縁膜下に別の上層配線が予め形成され、前記下層絶縁膜下に前記下層配線を前記別の下層配線に接続させて形成し、且つ、前記上層絶縁膜上に前記上層配線を前記別の上層配線に接続させて形成することを特徴とするものである。
請求項１７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記絶縁層および前記上層配線を形成する工程は、前記半導体構成体の周囲において前記上層配線下の前記絶縁層上に、別の下層配線、別の上層配線およびそれらを接続する上下導通部を有する方形枠状の回路基板を配置する工程を含み、前記下層絶縁膜下に前記下層配線を前記別の下層配線に接続させて形成し、且つ、前記上層絶縁膜上に前記上層配線を前記別の上層配線に接続させて形成することを特徴とするものである。
請求項１８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記上層絶縁膜は当初はサブベース板下に形成され、前記ベース板を除去する工程は前記サブベース板を除去する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項１９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１８に記載の発明において、金属からなる前記ベース板上に下層保護金属層および下層下地金属層が形成され、前記下層絶縁膜は前記下層下地金属層上に形成し、且つ、金属からなる前記サブベース板下に上層保護金属層および上層下地金属層が形成され、前記上層絶縁膜は前記上層下地金属層下に形成し、前記ベース板および前記サブベース板を除去する工程は前記下層保護金属層および前記上層保護金属層を除去する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項２０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１９に記載の発明において、前記下層下地金属層の上面および前記上層下地金属層の下面に予め表面粗化処理を施し、前記下層絶縁膜および前記上層絶縁膜を樹脂を含む材料によって形成することを特徴とするものである。
請求項２１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項２０に記載の発明において、前記下層配線を形成する工程は、前記下層下地金属層下に別の下層下地金属層を形成し、前記別の下層下地金属層下に電解メッキにより下層上部金属層を形成する工程を含み、前記下層配線は前記下層下地金属層、前記別の下層下地金属層および前記下層上部金属層の３層構造であり、且つ、前記上層配線を形成する工程は、前記上層下地金属層上に別の上層下地金属層を形成し、前記別の上層下地金属層上に電解メッキにより上層上部金属層を形成する工程を含み、前記上層配線は前記上層下地金属層、前記別の上層下地金属層および前記上層上部金属層の３層構造であることを特徴とするものである。
請求項２２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項２１に記載の発明において、前記ベース板、前記下層下地金属層、前記別の下層下地金属層、前記下層上部金属層、前記サブベース板、前記上層下地金属層、前記別の上層下地金属層および前記上層上部金属層は銅からなり、前記下層保護金属層および前記上層保護金属層はニッケルからなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、半導体構成体下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜下に下層配線を半導体構成体の外部接続用電極に接続させて設けているので、ファンアウト端子構造とすることができ、しかもベース板を備えていないので、薄型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置はエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる平面方形状の下層絶縁膜１を備えている。下層絶縁膜１の上面中央部には半導体構成体２がエポキシ系樹脂等からなる接着層３を介して搭載されている。この場合、下層絶縁膜１の平面サイズは半導体構成体２の平面サイズよりも大きくなっている。
【００１０】
半導体構成体２は平面方形状のシリコン基板（半導体基板）４を備えている。シリコン基板４の下面４ａには所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、下面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド５が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド５の中央部を除くシリコン基板４の下面には酸化シリコン等からなる絶縁膜６が設けられ、接続パッド５の中央部は絶縁膜６に設けられた開口部７を介して露出されている。
【００１１】
絶縁膜６の下面にはポリイミド系樹脂等からなる保護膜８が設けられている。絶縁膜６の開口部７に対応する部分における保護膜８には開口部９が設けられている。保護膜８の下面には配線１０が設けられている。配線１０は、保護膜８の下面に設けられた銅からなる下地金属層１１と、下地金属層１１の下面に設けられた銅からなる上部金属層１２との２層構造となっている。配線１０の一端部は、絶縁膜６および保護膜８の開口部７、９を介して接続パッド５に接続されている。
【００１２】
配線１０の接続パッド部下面には銅からなる柱状電極（外部接続用電極）１３が設けられている。配線１０を含む保護膜８の下面にはエポキシ系樹脂等からなる封止膜１４がその下面が柱状電極１３の下面と面一となるように設けられている。そして、半導体構成体２は、その柱状電極１３および封止膜１４の下面がエポキシ系樹脂等からなる接着層３を介して下層絶縁膜１の上面中央部に接着されていることにより、下層絶縁膜１の上面中央部に搭載されている。
【００１３】
半導体構成体２の柱状電極１３の下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜１および接着層３には開口部２１が設けられている。下層絶縁膜１の下面には下層配線２２が設けられている。下層配線２２は、下層絶縁膜１の下面に設けられた銅からなる下地金属層２３と、下地金属層２３の下面に設けられた銅からなる上部金属層２４との２層構造となっている。下層配線２２の一端部は、下層絶縁膜１および接着層３の開口部２１を介して半導体構成体２の柱状電極１３に接続されている。
【００１４】
下層配線２２を含む下層絶縁膜１の下面にはソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜２５が設けられている。下層配線２２の接続パッド部に対応する部分における下層オーバーコート膜２５には開口部２６が設けられている。下層オーバーコート膜２５の開口部２６内およびその下方には半田ボール２７が下層配線２２の接続パッド部に接続されて設けられている。
【００１５】
接着層３を含む半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面には絶縁層３１が設けられている。絶縁層３１は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなっている。半導体構成体２および絶縁層３１の上面には、下層絶縁膜１と同一の材料からなる上層絶縁膜３２が設けられている。
【００１６】
上層絶縁膜３２の上面には上層配線３３が設けられている。上層配線３３は、上層絶縁膜３２の上面に設けられた銅からなる下地金属層３４と、下地金属層３４の上面に設けられた銅からなる上部金属層３５との２層構造となっている。上層配線３３を含む上層絶縁膜３２の上面にはソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜３６が設けられている。上層配線３３の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜３６には開口部３７が設けられている。
【００１７】
下層配線２２と上層配線３３とは、下層絶縁膜１、絶縁層３１および上層絶縁膜３２の所定の箇所に設けられた貫通孔４１の内壁面に設けられた上下導通部４２を介して接続されている。上下導通部４２は、貫通孔４１の内壁面に設けられた銅からなる下地金属層４３と、下地金属層４３の内面に設けられた銅からなる上部金属層４４との２層構造となっている。上下導通部４２内にはソルダーレジスト等からなる充填材４５が充填されている。
【００１８】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、銅箔からなるベース板５１の上面にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる下層絶縁膜１が形成されたものを用意する。この場合、この用意したもののサイズは、図１に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能なサイズとなっている。また、下層絶縁膜１中のエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。
【００１９】
また、半導体構成体２を用意する。この半導体構成体２は、ウエハ状態のシリコン基板４下に集積回路（図示せず）、アルミニウム系金属等からなる接続パッド５、酸化シリコン等からなる絶縁膜６、ポリイミド系樹脂等からなる保護膜８、配線１０（銅からなる下地金属層１１および銅からなる上部金属層１２）、銅からなる柱状電極１３およびエポキシ系樹脂等からなる封止膜１４を形成した後、ダイシングにより個片化することにより得られる。
【００２０】
次に、下層絶縁膜１の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体２の柱状電極１３および封止膜１４の下面をエポキシ系樹脂等からなる接着層３を介して接着することにより、半導体構成体２を搭載する。この場合、下層絶縁膜１の上面の半導体構成体搭載領域に、ＮＣＰ(Non-Conductive Paste)といわれる接着材を印刷法やディスペンサ等を用いて、またはＮＣＦ(Non-Conductive Film)といわれる接着シートを予め供給しておき、加熱圧着により半導体構成体２を下層絶縁膜１に固着する。
【００２１】
次に、図３に示すように、接着層３を含む半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面に格子状の絶縁層形成用シート３１ａをピン等で位置決めしながら配置する。絶縁層形成用シート３１ａは、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により複数の方形状の開口部５２を形成したものである。絶縁層形成用シート３１ａの開口部５２のサイズは半導体構成体２のサイズよりもやや大きくなっている。このため、絶縁層形成用シート３１ａと半導体構成体２との間には隙間５３が形成されている。
【００２２】
次に、絶縁層形成用シート３１ａの上面に、銅箔からなるサブベース板５４の下面に上層絶縁膜形成用層３２ａが形成されたものを配置する。上層絶縁膜形成用層３２ａは下層絶縁膜１と同一の材料からなり、そのうちのエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は半硬化状態とされている。
【００２３】
次に、図４に示すように、一対の加熱加圧板５５、５６を用いて上下から絶縁層形成用シート３１ａおよび上層絶縁膜形成用層３２ａを加熱加圧する。この加熱加圧により、絶縁層形成用シート３１ａおよび上層絶縁膜形成用層３２ａ中の熱硬化性樹脂が流動して図３に示す隙間５３に充填され、その後の冷却により固化して、接着層３を含む半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面に絶縁層３１が形成され、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面に上層絶縁膜３２が形成される。
【００２４】
この場合、下層絶縁膜１は、そのうちの熱硬化性樹脂が予め硬化されているため、加熱加圧されてもほとんど変形しない。また、サブベース板５４により、上側の加熱加圧板５５の下面に上層絶縁膜形成用層３２ａ中の熱硬化性樹脂が不要に付着するのを防止することができる。この結果、上側の加熱加圧板５５をそのまま再使用することができる。
【００２５】
次に、ベース板５１およびサブベース板５４をエッチングにより除去すると、図５に示すように、下層絶縁膜１の下面が露出され、且つ、上層絶縁膜３２の上面が露出される。この状態では、ベース板５１およびサブベース板５４を除去しても、下層絶縁膜１、絶縁層３１および上層絶縁膜３２の存在により、強度を十分に確保することができる。
【００２６】
次に、図６に示すように、半導体構成体２の柱状電極１３の下面中央部に対応する部分における下層絶縁膜１および接着層３に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部２１を形成する。また、下層絶縁膜１、絶縁層３１および上層絶縁膜３２の所定の箇所に、メカニカルドリルを用いて、貫通孔４１を形成する。
【００２７】
次に、図７に示すように、下層絶縁膜１および接着層３の開口部２１を介して露出された半導体構成体２の柱状電極１３の下面を含む下層絶縁膜１の下面全体、上層絶縁膜３２の上面全体および貫通孔４１の内壁面に、銅の無電解メッキにより、下地金属層２３、３４、４３を形成する。次に、下地金属層２３、３４、４３をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、下地金属層２３、３４、４３の表面に上部金属層２４、３５、４４を形成する。
【００２８】
次に、フォトリソグラフィ法により、上部金属層２４、３５および下地金属層２３、３４をパターニングすると、図８に示すようになる。すなわち、下層絶縁膜１の下面に、下地金属層２３および上部金属層２４からなる２層構造の下層配線２２が形成される。また、上層絶縁膜３２の上面に、下地金属層３４および上部金属層３５からなる２層構造の上層配線３３が形成される。さらに、貫通孔４１の内壁面に、下地金属層４３および上部金属層４２からなる２層構造の上下導通部４２が形成される。
【００２９】
次に、図９に示すように、下層配線２２を含む下層絶縁膜１の下面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜２５を形成する。また、上層配線３３を含む上層絶縁膜３２の上面に、スクリーン印刷法、スピンコート法等により、ソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜３６を形成する。この状態では、上下導通部４２内にソルダーレジスト等からなる充填材４５が充填されている。
【００３０】
次に、下層配線２２の接続パッド部に対応する部分における下層オーバーコート膜２５に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部２６を形成する。また、上層配線３３の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜３６に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部３７を形成する。
【００３１】
次に、下層オーバーコート膜２５の開口部２６内およびその下方に半田ボール２７を下層配線２２の接続パッド部に接続させて形成する。次に、互いに隣接する半導体構成体２間において、下層オーバーコート膜２５、下層絶縁膜１、絶縁層３１、上層絶縁膜３２および上層オーバーコート膜３６を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００３２】
このようにして得られた半導体装置では、半導体構成体２下およびその周囲に設けられた下層絶縁膜１下に下層配線２２を半導体構成体２の柱状電極１３に接続させて設けているので、半田ボール（外部接続用電極）２７の配置領域が半導体構成体２の平面サイズよりも大きい（Ｆａｎ−ｏｕｔ）とすることができ、しかもベース板５１を備えていないので、薄型化することができる。なお、ベース板５１はアルミニウム等の他の金属によって形成してもよい。
【００３３】
ところで、図７に示す工程において、下地金属層２３、３４、４３を形成した後に、図１０に示すようにしてもよい。すなわち、下地金属層２３の下面および下地金属層３４の上面にメッキレジスト膜５７、５８をパターン形成する。この場合、貫通孔４１を含む上部金属層２４形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜５７には開口部５９が形成されている。また、貫通孔４１を含む上部金属層３５形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜５８には開口部６０が形成されている。
【００３４】
次に、下地金属層２３、３４、４３をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜５７の開口部５９内の下地金属層２３の下面に上部金属層２４を形成し、またメッキレジスト膜５８の開口部６０内の下地金属層３４の上面に上部金属層３５を形成し、さらに、貫通孔４１内の下地金属層４３の内面に上部金属層４４を形成する。
【００３５】
次に、メッキレジスト膜５７、５８を剥離し、次いで、上部金属層２４、３５をマスクとして下地金属層２３、３４の不要な部分をエッチングして除去すると、図８に示すように、上部金属層２４上にのみ下地金属層２３が残存され、また上部金属層３５下にのみ下地金属層３４が残存される。また、この状態では、貫通孔４１の内壁面に、下地金属層４３および上部金属層４２からなる２層構造の上下導通部４２が形成されている。
【００３６】
（第２実施形態）
図１１はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、下層配線２２を、銅からなる第１の下地金属層（下層下地金属層）２３ａ、銅からなる第２の下地金属層（別の下層下地金属層）２３ｂおよび銅からなる上部金属層（下層上部金属層）２４の３層構造とし、上層配線３３を、銅からなる第１の下地金属層（上層下地金属層）３４ａ、銅からなる第２の下地金属層（別の上層下地金属層）３４ｂおよび銅からなる上部金属層（上層上部金属層）３５の３層構造とした点である。この場合、半導体構成体２の柱状電極１３の下面中央部に対応する部分における第１の下地金属層２３ａ、下層絶縁膜１および接着層３には開口部２１が設けられている。
【００３７】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図１２に示すように、銅箔からなるベース板５１の上面に無電解ニッケルメッキからなる保護金属層（下層保護金属層）６１、無電解銅メッキからなる第１の下地金属層２３ａおよびエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる下層絶縁膜１が形成されたものを用意する。
【００３８】
この場合も、この用意したもののサイズは、図１１に示す完成された半導体装置を複数個形成することが可能なサイズとなっている。また、下層絶縁膜１中のエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。ここで、第１の下地金属層２３ａの上面は、該上面に形成される樹脂を含む材料からなる下層絶縁膜１との密着性を良くするため、予め表面粗化処理を施すことにより粗化面となっている。この点が上記第１実施形態の場合と大きく異なる点である。ここで、表面疎化処理の一例として、第１の下地金属層２３ａの上面を、適宜なエッチング液に浸漬する方法が挙げられるが、この方法に限定されるものではない。
【００３９】
次に、下層絶縁膜１の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体２の柱状電極１３および封止膜１４の下面をエポキシ系樹脂等からなる接着層３を介して接着することにより、半導体構成体２を搭載する。この場合も、ＮＣＰ(Non-Conductive Paste)といわれる接着材、またはＮＣＦ(Non-Conductive Film)といわれる接着シートを、下層絶縁膜１の上面の半導体構成体搭載領域に予め供給しておき、加熱圧着により半導体構成体２を下層絶縁膜１に固着する。
【００４０】
次に、図１３に示すように、接着層３を含む半導体構成体２の周囲における第１の下地金属層３２ａの上面に格子状の絶縁層形成用シート３１ａをピン等で位置決めしながら配置する。この場合も、絶縁層形成用シート３１ａは、ガラス布等からなる基材にエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となし、パンチング等により複数の方形状の開口部５２を形成したものである。絶縁層形成用シート３１ａの開口部５２のサイズは半導体構成体２のサイズよりもやや大きくなっている。このため、絶縁層形成用シート３１ａと半導体構成体２との間には隙間５３が形成されている。
【００４１】
次に、絶縁層形成用シート３１ａの上面に、銅箔からなるサブベース板５４の下面に無電解ニッケルメッキからなる保護金属層（上層保護金属層）６２、無電解銅メッキからなる第１の下地金属層３４ａおよび上層絶縁膜形成用層３２ａが形成されたものを配置する。この場合も、上層絶縁膜形成用層３２ａは下層絶縁膜１と同一の材料からなり、そのうちのエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は半硬化状態とされている。ここで、第１の下地金属層３４ａの下面は、該下面に形成される樹脂を含む材料からなる上層絶縁膜３２との密着性を良くするため、予め表面粗化処理を施すことにより粗化面となっている。この点も上記第１実施形態の場合と大きく異なる点である。
【００４２】
次に、図１４に示すように、一対の加熱加圧板５５、５６を用いて上下から絶縁層形成用シート３１ａおよび上層絶縁膜形成用層３２ａを加熱加圧する。この加熱加圧により、絶縁層形成用シート３１ａおよび上層絶縁膜形成用層３２ａ中の熱硬化性樹脂が流動して図１３に示す隙間５３に充填され、その後の冷却により固化して、接着層３を含む半導体構成体２の周囲におけるベース板５１の上面に絶縁層３１が形成され、且つ、半導体構成体２および絶縁層３１の上面に上層絶縁膜３２が形成される。
【００４３】
次に、ベース板５１および保護金属層６１とサブベース板５４および保護金属層６２とをエッチングにより連続して除去すると、図１５に示すように、第１の下地金属層２３ａの下面が露出され、且つ、第１の下地金属層３４ａの上面が露出される。この場合、ニッケルからなる保護金属層６１、６２は、銅からなるベース板５１およびサブベース板５４をエッチングにより除去するとき、同じく銅からなる第１の下地金属層２３ａ、３４ａがエッチングされないように保護するためのものである。そして、この状態では、ベース板５１および保護金属層６１とサブベース板５４および保護金属層６２とを除去しても、下層絶縁膜１、絶縁層３１および上層絶縁膜３２の存在により、強度を十分に確保することができる。
【００４４】
次に、図１６に示すように、半導体構成体２の柱状電極１３の下面中央部に対応する部分における第１の下地金属層２３ａ、下層絶縁膜１および接着層３に、レーザビームの照射によるレーザ加工により、開口部２１を形成する。また、第１の下地金属層２３ａ、下層絶縁膜１、絶縁層３１、上層絶縁膜３２および第１の下地金属層３４ａの所定の箇所に、メカニカルドリルを用いて、貫通孔４１を形成する。
【００４５】
次に、図１７に示すように、第１の下地金属層２３ａ、下層絶縁膜１および接着層３の開口部２１を介して露出された半導体構成体２の柱状電極１３の下面を含む第１の下地金属層２３ａの下面全体、第１の下地金属層３４ａの上面全体および貫通孔４１の内壁面に、銅の無電解メッキにより、下地金属層２３ｂ、３４ｂ、４３を形成する。次に、下地金属層２３ｂ、３４ｂ、４３をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうことにより、下地金属層２３ｂ、３４ｂ、４３の表面に上部金属層２４、３５、４４を形成する。
【００４６】
次に、フォトリソグラフィ法により、上部金属層２４、３５および第１、第２の下地金属層２３ａ、３４ａ、２３ｂ、３４ｂをパターニングすると、図１８に示すようになる。すなわち、下層絶縁膜１の下面に、第１、第２の下地金属層２３ａ、２３ｂおよび上部金属層２４からなる３層構造の下層配線２２が形成される。また、上層絶縁膜３２の上面に、第１、第２の下地金属層３４ａ、３４ｂおよび上部金属層３５からなる３層構造の上層配線３３が形成される。さらに、貫通孔４１の内壁面に、下地金属層４３および上部金属層４２からなる２層構造の上下導通部４２が形成される。以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、図１１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００４７】
（第３実施形態）
図１９はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と大きく異なる点は、下層配線および上層配線を２層配線構造とした点である。すなわち、第１の下層絶縁膜１Ａの下面に設けられた第１の下層配線２２Ａの一端部は、第１の下層絶縁膜１Ａおよび接着層３に設けられた開口部２１Ａを介して半導体構成体２の柱状電極１３に接続されている。第１の下層配線２２Ａを含む第１の下層絶縁膜１Ａの下面には、第１の下層絶縁膜１Ａと同一の材料からなる第２の下層絶縁膜１Ｂが設けられている。
【００４８】
第２の下層絶縁膜１Ｂの下面に設けられた第２の下層配線２２Ｂの一端部は、第２の下層絶縁膜１Ｂに設けられた開口部２１Ｂを介して第１の下層配線２２Ａの接続パッド部に接続されている。第２の下層配線２２Ｂを含む第２の下層絶縁膜１Ｂの下面には下層オーバーコート膜２５が設けられている。下層オーバーコート膜２５の開口部２６内およびその下方には半田ボール２７が第２の下層配線２２Ｂの接続パッド部に接続されて設けられている。
【００４９】
第１の上層絶縁膜３２Ａの上面に設けられた第１の上層配線３３Ａは上下導通部４２を介して第１の下層配線２２Ａに接続されている。第１の上層配線３３Ａを含む第１の上層絶縁膜３２Ａの上面には、第１の上層絶縁膜３２Ａと同一の材料からなる第２の上層絶縁膜３２Ｂが設けられている。
【００５０】
第２の上層絶縁膜３２Ｂの上面に設けられた第２の上層配線３３Ｂの一端部は、第２の上層絶縁膜３２Ｂに設けられた開口部７１を介して第１の上層配線３３Ａの接続パッド部に接続されている。第２の上層配線３３Ｂを含む第２の上層絶縁膜３２Ｂの上面には上層オーバーコート膜３６が設けられている。第２の上層配線３３Ｂの接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜３６には開口部３７が設けられている。なお、下層配線および上層配線は３層以上の配線構造としてもよい。
【００５１】
（第４実施形態）
図２０はこの発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１９に示す半導体装置と大きく異なる点は、下層絶縁膜および上層絶縁膜を１層とし、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面に第２の下層配線２２Ｂを設け、上層絶縁膜３２の下面に第２の上層配線３３Ｂを設けた点である。
【００５２】
そして、下層絶縁膜１の下面に設けられた第１の下層配線２２Ａは、下層絶縁膜１に設けられた開口部７２を介して第２の下層配線２２Ｂの接続パッド部に接続されている。上層絶縁膜３２の上面に設けられた第１の上層配線３３Ａは、上層絶縁膜３２に設けられた開口部７３を介して第２の上層配線３３Ｂの接続パッド部に接続されている。なお、この場合、半導体構成体２のシリコン基板４の上面は、接着層７４を介して第２の上層配線３３Ｂを含む上層絶縁膜３２の下面中央部に接着されている。
【００５３】
次に、この半導体装置の製造方法の一例における当初の工程について、図２１を参照して説明する。この場合、ベース板５１の上面に形成された下層絶縁膜１の上面には、無電解銅メッキからなる下地金属層および電解銅メッキからなる上部金属層からなる２層構造の第２の下層配線２２Ｂが形成されている。サブベース板５４の下面に形成された上層絶縁膜３２中のエポキシ系樹脂等からなる熱硬化性樹脂は既に硬化されている。そして、上層絶縁膜３２の下面には、無電解銅メッキからなる下地金属層および電解銅メッキからなる上部金属層からなる２層構造の第２の上層配線３３Ｂが形成されている。
【００５４】
さて、当初の工程においては、まず、下層絶縁膜１の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体２の柱状電極１３および封止膜１４の下面を接着層３を介して接着することにより、半導体構成体２を搭載する。次に、接着層３を含む半導体構成体２の周囲における第２の下層配線２２Ｂを含む下層絶縁膜１の上面に格子状の絶縁層形成用シート３１ａをピン等で位置決めしながら配置する。
【００５５】
次に、半導体構成体２のシリコン基板４の上面に、ディスペンサー等を用いて、エポキシ系樹脂等からなる液状の接着材７４ａを塗布する。次に、絶縁層形成用シート３１ａの上面に、サブベース板５４の下面に上層絶縁膜３２および第２の上層配線３３Ｂが形成されたものをピン等で位置決めしながら配置する。次に、一対の加熱加圧板を用いて上下から加熱加圧し、以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程を経ると、図２０に示す半導体装置が複数個得られる。
【００５６】
このようにして得られた半導体装置では、図１９に示す半導体装置と比較して、下層配線および上層配線を２層配線構造としても、下層絶縁膜および上層絶縁膜が１層であるので、その分、薄型化することができる。なお、一対の加熱加圧板を用いた加熱加圧工程において、絶縁層形成用シート３１ａ中の流動化した熱硬化性樹脂が半導体構成体２のシリコン基板４の上面に十分に回り込むことができれば、接着層７４を省略してもよい。
【００５７】
（第５実施形態）
図２２はこの発明の第５実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１９に示す半導体装置と大きく異なる点は、上下導通部４２を有せず、且つ、下層絶縁膜および上層絶縁膜を１層とし、半導体構成体２の周囲に方形枠状で両面配線構造の回路基板８１を配置した点である。
【００５８】
すなわち、回路基板８１は、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる方形枠状の基板８２を備えている。基板８２の下面には銅箔からなる第２の下層配線２２Ｂが設けられ、上面には銅箔からなる第２の上層配線３３Ｂが設けられている。第２の下層配線２２Ｂと第２の上層配線３３Ｂとは、基板８２の内部に設けられた導電性ペースト等からなる上下導通部８３を介して接続されている。
【００５９】
そして、回路基板８１は半導体構成体２の周囲に間隔をおいて配置され、回路基板８１と下層絶縁膜１との間および回路基板８１と半導体構成体２との間には絶縁層３１が設けられている。半導体構成体２、回路基板８１および絶縁層３１の上面には上層絶縁膜３２が設けられている。
【００６０】
下層絶縁膜１の下面に設けられた第１の下層配線２２Ａは、下層絶縁膜１および絶縁層３１に設けられた開口部８４を介して第２の下層配線２２Ｂの接続パッド部に接続されている。上層絶縁膜３２の上面に設けられた第１の上層配線３３Ａは、上層絶縁膜３２に設けられた開口部８５を介して第２の上層配線３３Ｂの接続パッド部に接続されている。
【００６１】
次に、この半導体装置の製造方法の一例における当初の工程について、図２３を参照して説明する。まず、下層絶縁膜１の上面の半導体構成体搭載領域に、半導体構成体２の柱状電極１３および封止膜１４の下面を接着層３を介して接着することにより、半導体構成体２を搭載する。次に、接着層３を含む半導体構成体２の周囲における第２の下層配線２２Ｂを含む下層絶縁膜１の上面に格子状の絶縁層形成用シート３１ａをピン等で位置決めしながら配置する。
【００６２】
次に、絶縁層形成用シート３１ａの上面に格子状の回路基板８１をピン等で位置決めしながら配置する。次に、回路基板８１の上面に、サブベース板５４の下面に上層絶縁膜形成用層３２ａが形成されたものを配置する。次に、一対の加熱加圧板を用いて上下から加熱加圧し、以下、上記第１実施形態の場合と同様の工程（ただし、上下導通部４１形成工程は除く、また切断工程で回路基板８１を切断する）を経ると、図２２に示す半導体装置が複数個得られる。
【００６３】
このようにして得られた半導体装置では、図１９に示す半導体装置と比較して、下層配線および上層配線を２層配線構造としても、下層絶縁膜および上層絶縁膜が１層であるので、その分、薄型化することができる。また、上下導通部４１を備えていないので、メカニカルドリルによる貫通孔４１の形成を行なう必要はない。
【００６４】
（第６実施形態）
図２４はこの発明の第６実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体２が封止膜１４を備えていない点である。したがって、この場合、半導体構成体２の配線１０および柱状電極１３を含む保護膜８の下面は接着層３を介して下層絶縁膜１の上面中央部に接着されている。そして、下層配線２２の一端部は、下層絶縁膜２２および接着層３の開口部２１を介して半導体構成体２の柱状電極１３に接続されている。
【００６５】
（第７実施形態）
図２５はこの発明の第７実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２４に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体２がさらに柱状電極１３を備えていない点である。したがって、この場合、半導体構成体２の配線１０を含む保護膜８の下面は接着層３を介して下層絶縁膜１の上面中央部に接着されている。そして、下層配線２２の一端部は、下層絶縁膜２２および接着層３の開口部２１を介して半導体構成体２の配線１０の接続パッド部（外部接続用電極）に接続されている。
【００６６】
（第８実施形態）
図２６はこの発明の第８実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２５に示す半導体装置と異なる点は、半導体構成体２の配線１０を含む保護膜８の下面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂等の絶縁材からなる静電気防止用の保護膜８６を設けた点である。したがって、この場合、半導体構成体２の静電気用保護膜８６の下面は接着層３を介して下層絶縁膜１の上面中央部に接着されている。そして、下層配線２２の一端部は、下層絶縁膜２２、接着層３および保護膜８６の開口部２１を介して半導体構成体２の配線１０の接続パッド部に接続されている。
【００６７】
ところで、半導体構成体２を下層絶縁膜１上に搭載する前においては、保護膜８６には開口部２１は形成されていない。そして、開口部２１を有しない保護膜８６は、それ自体がウエハ状態のシリコン基板４下に形成された時点から半導体構成体２が下層絶縁膜１上に搭載される時点までにおいて、シリコン基板４下に形成された集積回路を静電気から保護するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図１に示す半導体装置の製造方法の他の例において、所定の工程を説明するために示す断面図。
【図１１】この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。
【図１２】図１１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【図１５】図１４に続く工程の断面図。
【図１６】図１５に続く工程の断面図。
【図１７】図１６に続く工程の断面図。
【図１８】図１７に続く工程の断面図。
【図１９】この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２０】この発明の第４実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２１】図２０に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図２２】この発明の第５実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２３】図２２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初の工程の断面図。
【図２４】この発明の第６実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２５】この発明の第７実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２６】この発明の第８実施形態としての半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【００６９】
１  下層絶縁膜
２  半導体構成体
３  接着層
４  シリコン基板
５  接続パッド
６  絶縁膜
８  保護膜
１０  配線
１３  柱状電極
１４  封止膜
２２  下層配線
２５  下層オーバーコート膜
２７  半田ボール
３１  絶縁層
３２  上層絶縁膜
３３  上層配線
３６  上層オーバーコート膜
４１  貫通孔
４２  上下導通部
５１  ベース板
５４  サブベース板
【図１】
2009043858.tif 000003
【図２】
2009043858.tif 000004
【図３】
2009043858.tif 000005
【図４】
2009043858.tif 000006
【図５】
2009043858.tif 000007
【図６】
2009043858.tif 000008
【図７】
2009043858.tif 000009
【図８】
2009043858.tif 000010
【図９】
2009043858.tif 000011
【図１０】
2009043858.tif 000012
【図１１】
2009043858.tif 000013
【図１２】
2009043858.tif 000014
【図１３】
2009043858.tif 000015
【図１４】
2009043858.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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