(57)【要約】【課題】従来よりもリバースチルトドメインを減少させると共に、リップル現象の発生を防止して、表示品位を向上させることができる液晶装置を提供する。【解決手段】第二電極１１の開口部１１ａは、開口部１１ａの延在方向に延びる長辺部１１Ｌと、開口部１１ａの幅方向に延びて開口部１１ａの端部１１ｅを規定する短辺部１１Ｓとにより形成され、長辺部１１Ｌは、液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄから回転方向ＲＤとは逆回転方向ＲＩに鋭角をなし、その途中には開口部１１ａの内側に突出する凸部Ｐが形成され、凸部Ｐは、長辺部１１Ｌと短辺部１１Ｓとの交点１１Ｉに近い側に第一傾斜部Ｐ１を有し、第一傾斜部Ｐ１が初期配向方向Ｄとなす鋭角θ１が、長辺部１１Ｌが初期配向方向Ｄとなす鋭角θよりも大きいこと特徴とする。【選択図】図４
2009250993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板には第一電極が形成され、前記第一電極
上には絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上には複数のスリット状の開口部を備えた第二電極
が形成され、前記開口部の形成領域において前記第一電極と前記第二電極との間に生じる
電界によって前記液晶層を構成する液晶分子を初期配向方向から所定の回転方向に駆動さ
せる液晶装置であって、
前記開口部は、前記開口部の延在方向に延びる長辺部と、前記開口部の幅方向に延びて
前記開口部の端部を規定する短辺部とにより形成され、
前記長辺部は、前記初期配向方向から前記回転方向とは逆回転方向に鋭角をなし、その
途中には前記開口部の内側に突出する凸部が形成され、
前記凸部は、前記長辺部と前記短辺部との交点に近い側、または前記長辺部が前記開口
部の延在方向の前記第一電極の端部と重なる領域に近い側に第一傾斜部を有し、
前記第一傾斜部が前記初期配向方向となす鋭角が、前記長辺部が前記初期配向方向とな
す鋭角よりも大きいことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第一傾斜部は、少なくとも一部が直線により形成されていることを特徴とする請求
項１記載の液晶装置。
【請求項３】
前記凸部は、前記長辺部と前記短辺部との交点から遠い側、または前記長辺部が前記第
一電極の前記開口部の延在方向の端部と重なる領域から遠い側に第二傾斜部を備え、
前記第二傾斜部が前記初期配向方向から前記逆回転方向になす鋭角が、前記第一傾斜部
が前記初期配向方向となす鋭角よりも小さいことを特徴とする請求項１または請求項２記
載の液晶装置。
【請求項４】
前記凸部が前記長辺部から前記開口部の内側に突出する高さが、前記開口部の幅の半分
以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記凸部に対向する前記長辺部には、前記凸部に対応する凹部が形成され、前記開口部
の幅が均一に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に
記載の液晶装置。
【請求項６】
前記凸部は前記開口部の延在方向に複数設けられていることを特徴とする請求項１ない
し請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶層を挟持する一対の基板のうち一方の基板には第一の電極が形成され、
その第一の電極上には絶縁膜が形成され、その絶縁膜上には複数のスリット状の開口部を
備えた第二の電極が形成され、その開口部の形成領域において第一の電極と第二の電極と
の間に生じる電界によって液晶層を構成する液晶分子を初期配向方向から所定の回転方向
に駆動させる液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２５６９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の液晶装置においては、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すよう
に、画素電極１１の開口部１１ａの両側の端部１１ｅ，１１ｅにおいて、共通電極４１と
画素電極１１との間に生じる電界Ｅ３の傾きが、長辺部１１Ｌにおける電界Ｅの傾きと逆
の傾きになる領域が発生するという課題がある。
【０００４】
画素電極１１の開口部１１ａの延在方向に延びる長辺部１１Ｌは、通常、ほぼ液晶分子
Ｍの初期配向方向Ｄに沿って延びるように形成され、液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄに対し
て僅かに傾いている。例えば、液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄの傾きを０°としたときに、
開口部１１ａの長辺部１１Ｌは例えば約５°程度の正の傾きを有している。この場合には
、開口部１１ａの長辺部１１Ｌにおいては、長辺部１１Ｌと略垂直な方向（初期配向方向
Ｄから約９５°程度の角度）に電界Ｅが発生する。すなわち、図示右方向をＸ軸正方向と
し、図示上方向をＹ軸正方向としたときに、長辺部１１Ｌでは、ＸＹ平面内で負の傾きを
有する電界Ｅが発生する。
【０００５】
一方、開口部１１ａの両側の端部１１ｅ，１１ｅにおいては、液晶分子Ｍの初期配向方
向Ｄに対して略垂直な方向（初期配向方向Ｄから約９０°の角度）に開口部１１ａの短辺
部１１Ｓが形成されている。そのため、両側の端部１１ｅ，１１ｅでは、短辺部１１Ｓに
よる電界の影響を受け、電界Ｅが長辺部１１Ｌとは逆の正の傾きになる領域（リバースチ
ルトドメインＲ）が発生する。
リバースチルトドメインＲでは、電界Ｅ３が発生したときに液晶分子Ｍが初期配向方向
Ｄから電界Ｅ３の方向に回転する回転方向ＲＩが、開口部１１ａの長辺部１１Ｌにおける
回転方向ＲＤと逆になる。このため、リバースチルトドメインＲでは、電界Ｅ３の発生時
に液晶分子Ｍの配向方向が開口部１１ａの長辺部１１Ｌと異なってしまい、液晶装置の表
示品位を低下させる原因となっていた。
【０００６】
また、このような状態で液晶装置の表示面に押圧力が作用すると、液晶分子Ｍの配向が
乱れやすくなり、リバースチルトドメインＲが開口部１１ａの長辺部１１Ｌの中央部付近
まで拡大し、容易には正常な状態に復帰しない現象（リップル）が発生するという課題が
ある。
【０００７】
そこで、この発明は、従来よりもリバースチルトドメインを減少させると共に、リップ
ルの発生を防止して、表示品位を向上させることができる液晶装置を提供するものである
。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のう
ち一方の基板には第一電極が形成され、前記第一電極上には絶縁膜が形成され、前記絶縁
膜上には複数のスリット状の開口部を備えた第二電極が形成され、前記開口部の形成領域
において前記第一電極と前記第二電極との間に生じる電界によって前記液晶層を構成する
液晶分子を初期配向方向から所定の回転方向に駆動させる液晶装置であって、前記開口部
は、前記開口部の延在方向に延びる長辺部と、前記開口部の幅方向に延びて前記開口部の
端部を規定する短辺部とにより形成され、前記長辺部は、前記初期配向方向から前記回転
方向とは逆回転方向に鋭角をなし、その途中には前記開口部の内側に突出する凸部が形成
され、前記凸部は、前記長辺部と前記短辺部との交点に近い側、または前記長辺部が前記
開口部の延在方向の前記第一電極の端部と重なる領域に近い側に第一傾斜部を有し、前記
第一傾斜部が前記初期配向方向となす鋭角が、前記長辺部が前記初期配向方向となす鋭角
よりも大きいことを特徴とする。
【０００９】
このように構成することで、長辺部において長辺部と略垂直な方向に発生した電界が液
晶分子の初期配向方向となす鋭角よりも、第一傾斜部に第一傾斜部と略垂直な方向に発生
した電界が液晶分子の初期配向方向となす鋭角の方が小さくなる。
ここで、第一電極と第二電極との間に電界が発生すると、液晶分子は初期配向方向から
できるだけ小さい回転角度で電界の方向に向こうとする。また、液晶分子が回転する角度
が小さいほど、液晶分子を電界の方向に配向させる力が強くなる。
そのため、長辺部において液晶分子を電界方向に配向させる力よりも、第一傾斜部にお
いて液晶分子を電界方向に配向させる力の方が大きくなる。また、第一傾斜部においては
、第一傾斜部に略垂直な方向に配向された液晶分子が第一傾斜部の延在方向に多数存在す
ることとなる。
したがって、第一電極が複数の画素に亘って形成され、第二電極が個々の画素に形成さ
れている場合には、第二電極の開口部の端部の近傍において、長辺部における電界の傾き
とは逆の傾きの電界が発生した場合であっても、第一傾斜部と略垂直な方向に配向された
多数の液晶分子によって、逆の傾きの電界が発生した領域における液晶分子が、長辺部に
おける液晶分子の回転方向とは逆の回転方向に回転することを抑制できる。
また、第一電極が個々の画素に形成され、第二電極及びその開口部が複数の画素に亘っ
て形成されている場合には、開口部の形成領域内であって開口部の延在方向の第一電極の
両側の端部の近傍において、長辺部における電界の傾きとは逆の傾きの電界が発生した場
合であっても、第一傾斜部と略垂直な方向に配向された多数の液晶分子によって、逆の傾
きの電界が発生した領域における液晶分子が、長辺部における液晶分子の回転方向とは逆
の回転方向に回転することを抑制できる。
また、液晶装置の表示面に押圧力が作用した場合であっても、長辺部における配向規制
力よりも強い配向規制力を有する第一傾斜部の近傍に発生した電界によって第一傾斜部の
近傍の液晶分子を正しく配向させ、押圧力により発生した液晶分子の乱れが第一傾斜部を
超えて開口部の中央部側に拡大することを防止できる。
よって、本発明によれば、リバースチルトドメインを減少させると共に、リップル現象
を防止して、より表示品位の高い液晶装置を提供することができる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置は、前記第一傾斜部は、少なくとも一部が直線により形成され
ていることを特徴とする。
【００１１】
このように構成することで、直線により形成された部分の幅方向に第一傾斜部に略垂直
に発生する電界が略等しい角度で発生する。したがって、第一傾斜部の近傍に略等しい角
度で配向された液晶分子を増加させ、第一傾斜部の近傍における液晶分子の配向規制力を
より増加させることができる。
【００１２】
また、本発明の液晶装置は、前記凸部は、前記長辺部と前記短辺部との交点から遠い側
、または前記長辺部が前記第一電極の前記開口部の延在方向の端部と重なる領域から遠い
側に第二傾斜部を備え、前記第二傾斜部が前記初期配向方向から前記逆回転方向になす鋭
角が、前記第一傾斜部が前記初期配向方向となす鋭角よりも小さいことを特徴とする。
【００１３】
このように構成することで、第二傾斜部において発生する電界の方向を長辺部において
発生する電界の方向に近づけて、第一傾斜部における液晶分子の配向規制力をより効果的
に発揮させることができる。
【００１４】
また、本発明の液晶装置は、前記凸部が前記長辺部から前記開口部の内側に突出する高
さが、前記開口部の幅の半分以下であることを特徴とする。
【００１５】
このように構成することで、第一傾斜部において発生する電界の方向を、第一傾斜部と
略垂直な方向に維持することができ、第一傾斜部における液晶分子の配向規制力を十分に
発揮させることができる。
【００１６】
また、本発明の液晶装置は、前記凸部に対向する前記長辺部には、前記凸部に対応する
凹部が形成され、前記開口部の幅が均一に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
このように構成することで、開口部の開口面積を増加させ、第一電極と第二電極との間
に発生する電界により配向される液晶分子を増加させることができる。したがって、液晶
装置の表示品位を向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の液晶装置は、前記凸部は前記開口部の延在方向に複数設けられているこ
とを特徴とする。
【００１９】
このように構成することで、第一傾斜部に垂直な方向の電界による長辺部よりも強い配
向規制力により配向される液晶分子を増加させ、リバースチルトドメインをより効果的に
減少させることができる。また、開口部の端部の近傍でリップルが発生し、端部側の凸部
を越えて開口部の中央部側にリップルが拡大した場合であっても、開口部の中央部側に隣
接する別の凸部によってリップルが開口部の中央部側に拡大することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
＜第一実施形態＞
以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面で
は、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材により縮
尺を適宜変更している。
本実施形態における液晶装置は、はＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式を用いたカ
ラー液晶装置であって、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画
素で１個の画素を構成する液晶装置である。
【００２１】
図１は、本実施形態の液晶装置１の等価回路図である。
図１に示すように、液晶装置１においては、画素を構成するサブ画素がマトリックス状
に配置されている。サブ画素の各々には、それぞれ画素電極（第二電極）１１と、画素電
極１１をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ
）素子１２とが形成されている。このＴＦＴ素子１２は、ソースが液晶装置１に設けられ
たデータ線駆動回路１３から延在するデータ線１４に接続され、ゲートが液晶装置１に設
けられた走査線駆動回路１５から延在する走査線１６に接続され、ドレインが画素電極１
１に接続されている。
【００２２】
データ線駆動回路１３は、データ線１４を介して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各サ
ブ画素に供給する構成となっている。また、走査線駆動回路１５は、走査線１６を介して
走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各サブ画素に供給する構成となっている。ここで、デー
タ線駆動回路１３は、画像信号Ｓ１〜Ｓｎをこの順で線順次で供給してもよく、互いに隣
接する複数のデータ線１４同士に対してグループごとに供給してもよい。また、走査線駆
動回路１５は、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００２３】
液晶装置１は、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１２が走査信号Ｇ１〜Ｇｍの入力に
より一定期間だけオン状態とされることで、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１〜
Ｓｎが所定のタイミングで画素電極１１に書き込まれる構成となっている。
画素電極１１を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１〜Ｓｎは、画素電
極１１と液晶を介して配置された後述する共通電極４１との間で一定期間保持される。こ
こで、保持された画像信号Ｓ１〜Ｓｎがリークすることを防止するため、画素電極１１と
後述する共通電極４１との間に形成される液晶容量と並列接続されるように蓄積容量１８
が付与されている。この蓄積容量１８は、ＴＦＴ素子１２のドレインと容量線１９との間
に設けられている。
【００２４】
図２は、本実施形態の液晶装置１のサブ画素を示す部分拡大平面図である。図３は、図
２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。なお、図２では、対向基板２２の図示を省略してい
る。
図２及び図３に示すように、本実施形態の液晶装置１は、液晶層２３を挟持する素子基
板２１と対向基板２２とを備えている。素子基板２１は、例えばガラスや石英、プラスチ
ックなどの透光性材料からなる基板本体３１を備えている。基板本体３１上には、走査線
１６及び容量線１９が形成されている。また、素子基板２１上には、走査線１６及び容量
線１９を覆って、例えば、ＳｉＯ２等のシリコン酸化物からなるゲート絶縁膜３２が形成
されている。
【００２５】
ゲート絶縁膜３２上には、走査線１６と平面的に重なる領域に、半導体層４２が形成さ
れている。また、ゲート絶縁膜３２上には、図２に示すように、各サブ画素の縦方向（Ｙ
軸方向）の境界に上述のデータ線１４が形成され、横方向（Ｘ軸方向）の境界に、走査線
１６及び容量線１９が形成されている。素子基板２１の画素表示領域には、マトリックス
状に配列された複数のサブ画素に対応して、複数のデータ線１４と、複数の走査線１６お
よび容量線１９とが格子状に配線されている。
【００２６】
半導体層４２のソース領域にはデータ線１４から分岐されたソース電極４３が接続され
、ドレイン領域には容量電極４５から分岐されたドレイン電極４４が接続されている。そ
して、これら半導体層４２と、ソース電極４３と、ドレイン電極４４と、によってＴＦＴ
素子１２が構成されている。なお、走査線１６は半導体層４２のチャネルに対向する領域
に形成され、ＴＦＴ素子１２のゲート電極として機能するように構成されている。
また、容量電極４５は、ゲート絶縁膜３２上の容量線１９と平面的に重なる領域に、容
量線１９の延在方向に延びる略矩形状に形成されている。また、容量電極４５と容量線１
９とによって蓄積容量１８が構成されている。
【００２７】
これらＴＦＴ素子１２及び各配線等を覆って、図３に示すように、例えばＳｉＯ２等の
絶縁材料からなる絶縁膜３６が形成されている。絶縁膜３６上には、共通電極（第一電極
）４１が形成されている。共通電極４１は液晶装置１の画素表示領域の略全域に複数の画
素に亘って形成されている。共通電極４１は、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等
の透明導電性材料により形成されている。共通電極４１上には、共通電極４１を覆うよう
に、例えばＳｉＯ２等の絶縁材料からなる電極間絶縁膜３３が形成されている。
【００２８】
電極間絶縁膜３３上には、各サブ画素に対応して画素電極（第二電極）１１が形成され
ている。画素電極１１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電性材料により形成されている。画
素電極１１は、電極間絶縁膜３３および絶縁膜３６を貫通して容量電極４５に到達するコ
ンタクトホール３３ａを介して、容量電極４５に接続されている。画素電極１１には、複
数のスリット状の開口部１１ａが形成されている。
【００２９】
ここで、図２に示すように、本実施形態の液晶装置１では、画素電極１１の開口部１１
ａが、開口部１１ａの延在方向に延びる長辺部１１Ｌと、開口部１１ａの幅Ｗ方向に延び
て開口部１１ａの端部１１ｅを規定する短辺部１１Ｓとにより形成されている。本実施形
態では、長辺部１１Ｌは、ラビング方向Ｒｂの傾きを０°としたときに、例えば約５°程
度、ＸＹ平面における正の傾きを有している。
また、長辺部１１Ｌの途中の短辺部１１Ｓの近傍には、開口部１１ａの形成領域の内側
に向けて突出する凸部Ｐが形成されている。また、凸部Ｐが形成された長辺部１１Ｌに対
向する長辺部１１Ｌには、凸部Ｐに対向する部分に凸部Ｐの形状に対応する形状の凹部Ｖ
が形成され、開口部１１ａの一方の端部１１ｅから他方の端部１１ｅまでの開口部１１ａ
の幅Ｗが均一に形成されている。ここで、本実施形態では、開口部１１ａの幅Ｗは、例え
ば約４μｍ程度に形成されている。
【００３０】
また、電極間絶縁膜３３上には、画素電極１１を覆って、例えばポリイミド等の有機材
料や、シリコン酸化物などの無機材料からなる配向膜３４が形成されている。
配向膜３４の上面には、液晶層２３を構成する液晶分子を配向規制するための配向処理
が施されている。なお、配向膜３４は、電極間絶縁膜３３およびこの上面に形成された画
素電極１１を覆うように上述した有機材料を塗布してこれを乾燥、硬化させた後、その上
面にラビング処理を施すことによって形成されている。図２に示すように、本実施形態で
は、ラビング処理を行うラビング方向Ｒｂは、各サブ画素の横方向（Ｘ軸方向）の境界と
略平行になっている。これにより、液晶分子の初期配向方向が配向膜３４のラビング方向
Ｒｂと平行になるように構成されている。
また、図３に示すように、素子基板２１の外側（液晶層２３の反対側）には、偏光板２
４が接合されている。
【００３１】
また、素子基板２１に対向配置された対向基板２２は、例えばガラスや石英、プラスチ
ックなどの透光性材料で構成された基板本体５１を備えている。基板本体５１の内側（液
晶層２３側）には、カラーフィルタ層５２が形成されている。カラーフィルタ層５２は、
サブ画素に対応して配置されており、例えばアクリルなどで構成されて各サブ画素の表示
色に対応する色材を有している。
【００３２】
カラーフィルタ層５２上には、素子基板２１のデータ線１４、走査線１６、容量線１９
及びＴＦＴ素子１２と平面的に重なる格子状の遮光膜（図示略）が形成されている。そし
て、遮光膜及びカラーフィルタ層５２を覆うように、例えばポリイミドなどの有機材料や
、シリコン酸化物などの無機材料からなる配向膜５３が形成されている。配向膜５３は、
その配向方向が配向膜３４の配向方向と同方向となっている。
また、対向基板２２の外側（液晶層２３の反対側）には偏光板２５が接合されている。
偏光板２４、２５は、それぞれの透過軸が互いに直交するように設けられている。
【００３３】
また、液晶装置１には、素子基板２１と対向基板２２とが対向する領域の縁端に沿って
シール材（図示略）が設けられており、このシール材、素子基板２１および対向基板２２
によって液晶層２３が封止されている。そして、液晶装置１は、素子基板２１の外面側か
ら照明光が照射される構成となっている。
【００３４】
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、画素電極１１の開口部１１ａの両側の端部１１ｅ，１１
ｅ近傍の拡大平面図である。なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）では、液晶層２３中の液晶
分子Ｍを模式的に表している。
本実施形態の液晶装置１では、図２に示すように、配向膜３４，５３のラビング方向Ｒ
ｂが、サブ画素の横方向（Ｘ軸方向）と略平行になっている。そのため、図４（ａ）及び
図４（ｂ）に示すように、液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄもサブ画素の横方向（Ｘ軸方向）
と略平行になっている。
【００３５】
また、画素電極１１の開口部１１ａの長辺部１１Ｌにおいては、画素電極１１と共通電
極４１との間に長辺部１１Ｌと略垂直な電界Ｅが発生するように構成されている。
ここで、長辺部１１Ｌに電界Ｅが発生すると、液晶分子Ｍは液晶分子Ｍの初期配向方向
Ｄと電界Ｅとがなす角のうち、小さい方の角αを回転角として回転する。
すなわち、本実施形態の液晶装置１は、画素電極１１の開口部１１ａの長辺部１１Ｌの
近傍において、液晶層２３を構成する液晶分子Ｍを、初期配向方向Ｄから右回りの回転方
向ＲＤに駆動させるように構成されている。
【００３６】
また、長辺部１１Ｌは、ラビング方向Ｒｂと平行な液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄから、
液晶分子Ｍの回転方向ＲＤとは逆向きの回転方向に、例えば約５°程度の鋭角θをなして
いる。そして、上述のように、長辺部１１Ｌの途中には、開口部１１ａの内側に突出する
凸部Ｐが形成されている。
凸部Ｐは、長辺部１１Ｌと短辺部１１Ｓとの交点１１Ｉに近い側（開口部１１ａの端部
１１ｅの近傍）に、第一傾斜部Ｐ１を有している。第一傾斜部Ｐ１は、略全体が直線によ
り形成され、上述の液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄ（ラビング方向Ｒｂ）と鋭角θ１をなし
ている。また、第一傾斜部Ｐ１と初期配向方向Ｄとがなす鋭角θ１は、長辺部１１Ｌが初
期配向方向Ｄとなす鋭角θよりも大きくなっている。ここで、鋭角θ１は、例えば鋭角θ
よりも大きくかつ約３５°よりも小さい角度範囲に設定されている。本実施形態では、鋭
角θ１は約２９°〜約３２°程度の角度範囲に形成されている。
【００３７】
また、凸部Ｐは、長辺部１１Ｌと短辺部１１Ｓとの交点１１Ｉから遠い側に第二傾斜部
Ｐ２を備えている。第二傾斜部Ｐ２は、第一傾斜部Ｐ１と同様に略全体が直線により形成
されている。また、第二傾斜部Ｐ２が初期配向方向Ｄから液晶分子Ｍの回転方向ＲＤと逆
向きの回転方向になす鋭角θ２は、第一傾斜部Ｐ１が初期配向方向Ｄとなす鋭角θ１より
も小さくなっている。ここで、鋭角θ２は、鋭角θ１よりも小さいという条件を満たしつ
つ、例えば長辺部１１Ｌが初期配向方向Ｄとなす鋭角θ（例えば約５°）以上かつ約２５
°未満の角度範囲に設定されている。本実施形態では、鋭角θ２は約１９°〜約２２°程
度の角度範囲に形成されている。
【００３８】
また、凸部Ｐが長辺部１１Ｌから開口部１１ａの内側に突出する高さＨは、開口部１１
ａの幅Ｗ（図２参照）の約半分以下となるように設定されている。本実施形態では、凸部
Ｐの高さＨは、幅Ｗ（約４μｍ）の約半分の約２μｍ程度に形成されている。
【００３９】
次に、この実施の形態の作用について説明する。
図１に示すように、ＴＦＴ素子１２に走査信号Ｇ１〜Ｇｍを入力して一定期間オン状態
にして、データ線１４から供給される画像信号Ｓ１〜Ｓｎを所定のタイミングで画素電極
１１に書き込んで、蓄積容量１８により保持する。
これにより、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、画素電極１１の開口部１１ａの
長辺部１１Ｌにおいて、画素電極１１と共通電極４１との間に電界Ｅが発生し、液晶層２
３の液晶分子Ｍが初期配向方向Ｄから右回りの回転方向ＲＤに駆動される。
【００４０】
ここで、本実施形態の液晶装置１では、上述のように凸部Ｐの第一傾斜部Ｐ１が初期配
向方向Ｄとなす鋭角θ１が、長辺部１１Ｌが初期配向方向Ｄとなす鋭角θよりも大きくな
るように形成されている。そのため、長辺部１１Ｌに発生した電界Ｅが液晶分子Ｍの初期
配向方向Ｄとなす角αよりも、第一傾斜部Ｐ１において第一傾斜部Ｐ１と略垂直な方向に
発生した電界Ｅ１が液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄとなす角α１の方が小さくなる。
【００４１】
共通電極４１と画素電極１１との間に電界Ｅ，Ｅ１が発生すると、液晶分子Ｍは初期配
向方向Ｄからできるだけ小さい回転角度で電界Ｅ，Ｅ１の方向に向こうとする。また、液
晶分子Ｍが回転する角度α，α１が小さいほど、液晶分子Ｍを電界Ｅ，Ｅ１の方向に配向
させる力が強くなる。
そのため、長辺部１１Ｌにおいて液晶分子Ｍを電界Ｅの方向に配向させる力よりも、第
一傾斜部Ｐ１において液晶分子Ｍを電界Ｅ１の方向に配向させる力の方が大きくなる。ま
た、第一傾斜部Ｐ１に略垂直な方向に配向された液晶分子Ｍが第一傾斜部Ｐ１の延在方向
に多数存在することとなる。
【００４２】
また、画素電極１１の開口部１１ａの両側の端部１１ｅ，１１ｅの長辺部１１Ｌと短辺
部１１Ｓとの交点１１Ｉ付近においては、短辺部１１Ｓにおいて発生する電界の影響によ
り、長辺部１１Ｌ及び第一傾斜部Ｐ１における電界Ｅ，Ｅ１の傾きとは逆の正の傾きの電
界Ｅ３が発生する。また、電界Ｅ３が発生した長辺部１１Ｌと短辺部１１Ｓとの交点１１
Ｉと反対側の交点１１Ｉにおいては、電界Ｅ，Ｅ１の傾きと同じ負の傾きの電界Ｅ４が発
生する。このとき、開口部１１ａの端部１１ｅにおいて発生した逆の傾きの電界Ｅ３は、
液晶分子Ｍを、長辺部１１Ｌ及び第一傾斜部Ｐ１における液晶分子Ｍの右回りの回転方向
ＲＤとは逆方向の左回りの回転方向ＲＩに回転させようとする。
【００４３】
しかし、本実施形態では、長辺部１１Ｌにおける配向規制力よりも強い配向規制力によ
り右回りの回転方向ＲＤに回転され、第一傾斜部Ｐ１の幅方向に多数存在する液晶分子Ｍ
によって、端部１１ｅの液晶分子Ｍが左回りの回転方向ＲＩに回転することを規制できる
。そのため、端部１１ｅの液晶分子Ｍが長辺部１１Ｌ及び第一傾斜部Ｐ１における液晶分
子Ｍの回転方向ＲＤとは逆の回転方向ＲＩに回転することを抑制できる。これにより、リ
バースチルトドメインの発生を防止すると共に、リバースチルトドメインを減少させるこ
とができる。
【００４４】
また、液晶装置１の表示面に押圧力が作用して液晶分子Ｍの配向が乱れた場合であって
も、長辺部１１Ｌにおける配向規制力よりも強い配向規制力を有する第一傾斜部Ｐ１の近
傍に発生した電界Ｅ１によって第一傾斜部の近傍の液晶分子Ｍを正しく配向させることが
できる。また、押圧力により発生した液晶分子Ｍの乱れ（リップル現象）が第一傾斜部Ｐ
１を超えて開口部１１ａの中央部側（端部１１ｅから遠い側）に拡大することを防止でき
る。
【００４５】
また、第一傾斜部Ｐ１は略全体が直線により形成されているため、第一傾斜部Ｐ１の直
線により形成された部分の幅方向（第一傾斜部Ｐ１の延在方向）に、電界Ｅ１が略等しい
角度で発生する。したがって、第一傾斜部Ｐ１の近傍に略等しい角度で配向された液晶分
子Ｍを増加させ、第一傾斜部Ｐ１の近傍における液晶分子Ｍの配向規制力をより増加させ
ることができる。
【００４６】
ここで、第二傾斜部Ｐ２が液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄとなす鋭角θ２が、第一傾斜部
Ｐ１が液晶分子Ｍの初期配向方向Ｄとなす鋭角θ１よりも大きい場合には、第一傾斜部Ｐ
１に発生する電界Ｅ１による液晶分子Ｍの配向規制力が十分に発揮できない虞がある。
しかし、本実施形態では鋭角θ２が鋭角θ１よりも小さく形成されている。これにより
、第二傾斜部Ｐ２において発生する電界Ｅ２の方向を長辺部１１Ｌにおいて発生する電界
Ｅの方向に近づけて、第一傾斜部Ｐ１における電界Ｅ１による液晶分子Ｍの配向規制力を
より効果的に発揮させることができる。
【００４７】
また、凸部Ｐが長辺部１１Ｌから開口部１１ａの内側に突出する高さＨが、開口部１１
ａの幅Ｗの半分よりも大きい場合には、第一傾斜部Ｐ１において発生する電界Ｅ１が乱れ
、電界Ｅ１による液晶分子Ｍの配向規制力を十分に発揮できない虞がある。
しかし、本実施形態では、高さＨが開口部１１ａの幅Ｗの半分以下に形成されている。
このため、第一傾斜部Ｐ１において発生する電界Ｅ１の方向を、第一傾斜部Ｐ１と略垂直
な方向に維持することができ、第一傾斜部Ｐ１における液晶分子Ｍの配向規制力を十分に
発揮させることができる。
【００４８】
また、凸部Ｐに対向する長辺部１１Ｌには、凸部Ｐに対応する凹部Ｖが形成され、開口
部１１ａの幅Ｗが均一に形成されているので、凹部Ｖを形成しない場合と比較して、開口
部１１ａの開口面積を増加させることができる。これにより、画素電極１１と共通電極４
１との間に発生する電界Ｅ１により配向される液晶分子Ｍを増加させることができる。し
たがって、液晶装置１の表示品位を向上させることができる。
【００４９】
また、長辺部１１Ｌと短辺部１１Ｓとの交点１１Ｉの近傍にリバースチルトドメインが
発生した場合であっても、長辺部１１Ｌにおいて液晶分子Ｍを配向させる力よりも大きな
力で第一傾斜部Ｐ１の近傍の液晶分子Ｍを第一傾斜部Ｐ１と略垂直な方向に配向させるこ
とができる。これにより、リバースチルトドメインを第一傾斜部Ｐ１と交点１１Ｉの間に
封じ込め、リバースチルトドメインが拡大することを防止して、従来よりもリバースチル
トドメインの発生領域を減少させることができる。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態によれば、リバースチルトドメインを減少させると共
に、リップル現象を防止して、より表示品位の高い液晶装置１を提供することができる。
【００５１】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の第二実施形態について、図１及び図３を援用し、図５、図６（ａ）及び
図６（ｂ）を用いて説明する。本実施形態の液晶装置１Ｂは、凹部Ｖが形成されていない
点で上述の第一実施形態で説明した液晶装置１と異なっている。その他の点は第一実施形
態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して説明は省略する。
【００５２】
図５に示すように、本実施形態の液晶装置１Ｂは、画素電極１１の開口部１１ａに、第
一実施形態の液晶装置１と同様の凸部Ｐが形成されている。また、図６（ａ）及び図６（
ｂ）に示すように、凸部Ｐに対向する長辺部１１Ｌは、一直線状かつ平坦に形成されてい
る。そのため、画素電極１１と共通電極４１との間に電界が発生すると、凸部Ｐに対向す
る長辺部１１Ｌの近傍の液晶分子Ｍは、凸部Ｐに対向する長辺部１１Ｌに略垂直な電界Ｅ
１の方向に配向される。
したがって、本実施形態の液晶装置１Ｂによれば、上述の第一実施形態の液晶装置１と
同様の効果が得られるだけでなく、長辺部１１Ｌと同じ方向に配向される液晶分子Ｍを増
加させ、液晶装置１Ｂの表示品位を向上させることができる。
【００５３】
＜第三実施形態＞
次に、本発明の第三実施形態について、図１、図３、図６（ａ）及び図６（ｂ）を援用
し、図７を用いて説明する。本実施形態の液晶装置１Ｃは、凸部Ｐが長辺部１１Ｌの延在
方向に複数形成されている点で、上述の第二実施形態で説明した液晶装置１Ｂと異なって
いる。その他の点は第二実施形態と同様であるので、同一の部分には同一の符号を付して
説明は省略する。
【００５４】
図７に示すように、本実施形態の液晶装置１Ｃは、画素電極１１の開口部１１ａの対向
する長辺部１１Ｌ，１１Ｌに、それぞれ２つずつ凸部Ｐが形成されている。
したがって、本実施形態の液晶装置１Ｃによれば、第二実施形態の液晶装置１Ｂと同様
の効果が得られるだけでなく、第一傾斜部Ｐ１に垂直な方向の電界Ｅ１により、長辺部１
１Ｌよりも強い配向規制力により配向される液晶分子Ｍを増加させ、リバースチルトドメ
インをより効果的に防止あるいは減少させることができる。また、開口部１１ａの端部１
１ｅの近傍でリップルが発生し、端部１１ｅ側の凸部Ｐを越えて開口部１１ａの中央部側
にリップルが拡大した場合であっても、開口部１１ａの中央部側に隣接する別の凸部Ｐに
よってリップルが開口部１１ａの中央部側に拡大することを防止できる。
【００５５】
尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上述の実施形態では、個々の画素に形成される画素電極に開口部が形成されて
いる場合について説明したが、開口部は複数の画素に亘って形成される共通電極に形成し
てもよい。この場合には、共通電極（第二電極）は画素電極（第一電極）よりも液晶層側
に配置され、開口部は複数のサブ画素及び画素に跨って形成される。そして、凸部は、開
口部の長辺部が開口部の延在方向の画素電極の端部と重なる領域に近い側に第一傾斜部を
有し、第一傾斜部が液晶分子の初期配向方向となす鋭角が、長辺部が液晶分子の初期配向
方向となす鋭角よりも大きくなるように形成される。
【００５６】
また、第一傾斜部はその一部が曲線により形成されていてもよく、全部が曲線により形
成されていてもよく、複数の直線により形成されていてもよい。第一傾斜部が曲線により
形成されている場合には、第一傾斜部のある点において第一傾斜部と液晶分子の初期配向
方向がなす角は、第一傾斜部のその点における接線と液晶分子の初期配向方向がなす角と
みなす。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第一実施形態における液晶装置の等価回路図である。
【図２】本発明の第一実施形態における液晶装置のサブ画素を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第一実施形態における画素電極の開口部の端部近傍における拡大平面図である。
【図５】本発明の第二実施形態における液晶装置のサブ画素を示す平面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は従来の液晶装置における画素電極の開口部の端部近傍における拡大平面図である。
【図７】本発明の第三実施形態における液晶装置のサブ画素を示す平面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は従来の液晶装置における画素電極の開口部の端部近傍の拡大平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１，１Ｂ，１Ｃ  液晶装置、１１  画素電極（第二電極）、１１Ｉ  交点、１１ａ  開口
部、１１ｅ  端部、１１Ｌ  長辺部、１１Ｓ  短辺部、２１  素子基板（基板）、２２  
対向基板（基板）、２３  液晶層、３３  電極間絶縁膜（絶縁膜）、４１  共通電極（第
一電極）、θ，θ１，θ２  鋭角、Ｄ  初期配向方向、Ｅ，Ｅ１，Ｅ２  電界、Ｈ  高さ
、Ｍ  液晶分子、Ｐ  凸部、Ｐ１  第一傾斜部、Ｐ２  第二傾斜部、ＲＤ  回転方向、Ｒ
Ｉ  回転方向（逆回転方向）、Ｖ  凹部、Ｗ  幅
【図１】
2009250993.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009250993.tif 000009
【図８】
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