(57)【要約】【課題】処理条件の設定が容易で、かつ、難加工性材料あるいは複雑な構造の被処理基板のエッチング処理にも対応できる処理ステップの記述が可能な記録媒体を提供する。【解決手段】処理ガスを供給するガス供給装置１０９およびガス排気装置を備えた減圧処理室１１０と、前記減圧処理室内に配置され、被処理基板を載置する基板電極１１２と、前記減圧処理室内の処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置１０１と、前記ガス供給装置、ガス排気装置およびプラズマ生成装置を制御する制御装置を備えたプラズマ処理装置における前記制御装置が使用する制御プログラムを記憶したコンピュータ利用可能な記録媒体であって、前記制御プログラムは、前記プラズマ処理装置が前記被処理基板に対して施す複数の処理ステップのそれぞれを記述した部分、前記それぞれの処理ステップの実行順序を記述した部分および実行回数を記述した部分を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを供給するガス供給装置およびガス排気装置を備えた減圧処理室と、
前記減圧処理室内に配置され、被処理基板を載置する基板電極と、
前記減圧処理室内の処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置と、
前記ガス供給装置、ガス排気装置およびプラズマ生成装置を制御する制御装置を備えたプラズマ処理装置における前記制御装置が使用する制御プログラムを記憶したコンピュータ利用可能な記録媒体であって、
前記制御プログラムは、前記プラズマ処理装置が前記被処理基板に対して施す複数の処理ステップのそれぞれを記述した部分、前記それぞれの処理ステップの実行順序を記述した部分および実行回数を記述した部分を備えることを特徴とするコンピュータ利用可能な記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載のコンピュータ利用可能な記録媒体において、
プラズマ処理装置はプラズマ処理の進行状態をモニタするモニタ装置を備え、前記制御プログラムは、前記モニタ装置からのモニタ出力にしたがって前記処理ステップの実行順序を変更することを特徴とするコンピュータ利用可能な記録媒体。
【請求項３】
請求項１記載のコンピュータ利用可能な記録媒体において、
プラズマ処理装置はプラズマ処理の進行状態をモニタするモニタ装置を備え、前記制御プログラムは、前記モニタ装置からのモニタ出力にしたがって前記処理ステップの実行回数を変更することを特徴とするコンピュータ利用可能な記録媒体。
【請求項４】
請求項１記載のコンピュータ利用可能な記録媒体において、
プラズマ処理装置はプラズマ処理の進行状態をモニタするモニタ装置を備え、前記制御プログラムは、前記モニタ装置からのモニタ出力の演算結果にしたがって前記処理ステップの実行順序を変更することを特徴とするコンピュータ利用可能な記録媒体。
【請求項５】
請求項１記載のコンピュータ利用可能な記録媒体において、
プラズマ処理装置はプラズマ処理の進行状態をモニタするモニタ装置を備え、前記制御プログラムは、前記モニタ装置からのモニタ出力の演算結果にしたがって前記処理ステップの処理内容を変更することを特徴とするコンピュータ利用可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体にかかり、特に、プラズマ処理装置が被処理基板に対して施す複数の処理ステップを記述したコンピュータ利用可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
メモリに代表される半導体集積回路素子は、微細化により集積度を高めることで飛躍的な性能向上を続けてきた。しかし、近年、薄膜化によるリーク電流増大の問題等が発生しており、微細化のみによる性能向上は限界に近づいていると言われている。
そこで、この対策として、新材料の導入あるいは新構造の導入等が検討されている。しかし、新材料を導入する場合は、その加工が困難となる場合がある、また、新構造を導入する場合、その構造が複雑となり処理手順も複雑となる。
【０００３】
半導体集積回路素子の製造に際しては、プラズマ処理装置が多用される。複雑な素子構造をもつ半導体の製造あるいは難加工性材料の加工に際しては、プラズマ処理の手順も複雑となる。例えば、多層膜構造を持つ被処理基板をプラズマエッチング装置により加工する場合、各膜の処理に際して、処理に適したガス等の処理条件を順次切り替えることが行われる。このような処理手順はレシピと呼ばれている。このレシピはプラズマ処理装置の制御装置に入力され、プラズマ処理装置は入力されたレシピに従って被処理基板を処理する。
【０００４】
図５は、マイクロ波によりプラズマを発生させるプラズマエッチング装置に用いられるレシピの一例を示す図である。レシピは、図５に示すように、処理に用いるガス種、その供給量、処理室の圧力、プラズマの発生条件等の各項目とそれらの条件を維持する時間を列とし、前記条件が異なる毎に前記列を作成し、作成した列を処理ステップとして順次並べて記載することが多い。複雑な素子構造あるいは複雑な処理手順に対応してレシピの前記処理ステップ数は増大する傾向にある。
【０００５】
特許文献１には、このような処理ステップを有する処理装置が開示されている。この装置は、レシピのステップ間の各設定値の時間変化を階段状でなく、傾斜させて行うようにしてある。
【特許文献１】特表２００２−５２５８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に示される技術では、複雑な処理に対応したステップ数の増大については考慮されていない。プラズマエッチング装置においては、前述の難加工性材料あるいは複雑な構造の被処理基板をエッチング処理する場合、非常に多くのステップ数を用いて加工する必要が生じる。このように多くのステップ数を持つレシピをプラズマエッチング装置に入力する場合には、入力自体が煩雑な作業になるほか、レシピのステップ数に制限が設けられている場合、一定以上のステップ数を持つレシピを入力できなくなる場合が生じる。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、処理条件の設定が容易で、かつ、難加工性材料あるいは複雑な構造の被処理基板のエッチング処理にも対応できる処理ステップの記述が可能な記録媒体を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するため、次のような手段を採用した。
【０００９】
処理ガスを供給するガス供給装置およびガス排気装置を備えた減圧処理室と、前記減圧処理室内に配置され、被処理基板を載置する基板電極と、前記減圧処理室内の処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラズマ生成装置と、前記ガス供給装置、ガス排気装置およびプラズマ生成装置を制御する制御装置を備えたプラズマ処理装置における前記制御装置が使用する制御プログラムを記憶したコンピュータ利用可能な記録媒体であって、前記制御プログラムは、前記プラズマ処理装置が前記被処理基板に対して施す複数の処理ステップのそれぞれを記述した部分、前記それぞれの処理ステップの実行順序を記述した部分および実行回数を記述した部分を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、以上の構成を備えるため、処理条件の設定が容易で、かつ、難加工性材料あるいは複雑な構造の被処理基板のエッチング処理にも対応できる処理ステップの記述が可能な記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、最良の実施形態を添付図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかるプラズマエッチング装置を説明する図である。マイクロ波発生装置１０１により発生したマイクロ波は自動整合機１０２を介して矩形導波管１０３に伝送され、矩形―円形導波管変換機１０４に導入される。さらに円形導波管１０５、空洞部１０６、電磁波導入窓１０７、ガス分散板１０８を介して減圧された処理室１１０内に導入される。
【００１２】
エッチングに用いるガスは、ガス供給装置１０９から、電磁波導入窓１０７とガス分散板１０８の間の微小な間隙を介し、さらにガス分散板１０８に設けられた複数の微小なガス導入孔を介して処理室１１０内に供給される。処理室１１０内には被処理基板１１１を載置する基板電極１１２が設けられている。基板電極１１２には基板バイアス電源１１４が自動整合機１１３を介して接続されており、被処理基板にバイアス電位を与えることができる。
【００１３】
処理室１１０には図示しない真空排気系が接続されており、処理室内部を減圧しガス供給装置１０９により供給される所定流量のガスおよびエッチング反応により生じた反応生成物ガス等を排気することができる。真空排気系は排気速度を調整することにより、処理室１１０内をエッチング処理に適した圧力に制御することができる。さらに処理室１１０の周囲には静磁界発生装置１１５が設置され、処理室内に静磁界を加えることができる。静磁界発生装置１１５は処理室１１０内の静磁界強度および分布を制御することが可能であり、処理室１１０内に発生するプラズマの分布を制御することができる。また、投入するマイクロ波の周波数に対し、電子サイクロトロン共鳴現象を起こす大きさの静磁界を加えることで、マイクロ波のエネルギーが効率的に電子に供給され、プラズマの発生が容易になる。
【００１４】
発生したプラズマにより処理ガスは活性化され、被処理基板１１１のエッチング処理が行われる。被処理基板１１１に印加するバイアス電位により、プラズマ中のイオンを被処理基板１１１表面に引き込み、エッチング速度の向上やエッチング形状など特性の改善を行うことができる。
【００１５】
図２は、プラズマエッチングによる加工途中の被処理基板の断面形状を示す図である。被加工膜２０３上にマスク２０１が設けられており、マスク２０１で被覆されていない領域がエッチングされる。被加工膜２０３にはプラズマ中からバイアス電源による電界にしたがってイオンが引き込まれ、被処理基板の面に対しほぼ垂直に加工が進行する。
【００１６】
一方、プラズマからは化学的に活性なラジカルが被処理基板に入射する。ラジカルは一般に電気的には中性であるため、被処理基板に対しランダムな方向から入射し、被加工膜２０３あるいはマスク２０１と反応する。
【００１７】
エッチングの結果生じた反応生成物は被処理基板に再入射する場合があり、表面に堆積膜２０２を形成する場合がある。また、処理ガスに堆積性に富んだガスを用いて堆積膜２０２をより積極的に形成する場合もある。
【００１８】
一般にプラズマエッチング装置において、加工形状の制御は重要な課題である。加工形状を決める機構は複雑で必ずしも明確でないが、加工形状の制御には前記被処理基板上に到達する下記物質のバランスが重要である。
【００１９】
（１）プラズマ中のイオン、（２）化学的な活性種（以下ラジカルと呼ぶ）、（３）被処理基板上に膜を形成する堆積種、
加工形状の制御については定性的に、次のように推測される。プラズマ中のイオンは被処理基板にバイアス電位を与えることで被処理基板の面に対しほぼ垂直に引き込まれ、主にイオンが衝突した面でのエッチングに寄与する。ラジカルは被処理基板表面の物質と反応してガス化させる等の作用を持つ。ラジカルは被処理基板に対しランダムな方向から入射し、等方的なエッチングに寄与しやすい。
【００２０】
被処理基板上に膜を形成する堆積種は、ラジカル同様、被処理基板にランダムな方向から入射して被処理基板表面に等方的に堆積膜を形成しやすい。比較的等方的に成長した堆積膜はイオンの入射方向に依存して被処理基板と平行な面に付着した部分は除去されやすいが、側面に堆積した膜は除去されにくく、図２に示すように側面に残留する場合が多い。側面に残留した堆積膜は側面のエッチングを抑制し、形状制御に有用である。
【００２１】
上記の様に堆積膜とイオン、ラジカルの入射量は形状などのエッチング特性に影響を与える。これらを制御する方法として、堆積ステップとエッチングステップを交互に繰り返す方法が有効である。この場合、エッチング量と堆積量のバランスを各ステップの継続時間で制御することが可能である。なお、堆積ステップとエッチングステップの交互切替は短時間のステップを多数回繰り返すことが有効である。
【００２２】
例えば、堆積ステップは、堆積性の強いガス系を用い基板バイアス電力を弱めるかまたは印加しない設定とし、エッチングステップは、反応性の高いガス系を用いて高めの基板バイアス電力を印加する設定を用いる。堆積性とエッチング性のバランス調整は、堆積ステップとエッチングステップの時間比により行うことができる。各ステップの継続時間は短くし、繰り返し回数を多くすることが望ましいが、ガス系の流量制御や処理室圧力の制御、投入するマイクロ波電力やバイアス電力の整合制御等の追従性、投入するガスの流量や反応により生じるガスの流量と排気系の排気速度の関係で決まるガスの処理室内滞在時間、等を考慮して決定することが望ましい。
【００２３】
このような制御を機械的な機構により行う場合は、設定値に達するまでに比較的長時間必要となる場合がある。例えば、処理室圧力の制御は、所定のガスを所定の流量を流しながら、排気速度を制御して行われることが多い。排気速度の制御は、処理室の真空排気系の排気速度を調節するためのコンダクタンス可変バルブを用いて行うことが多い。ここで、前記コンダクタンス可変バルブは、プラズマ処理室と真空排気系の間に設けられ、ガス流路の実効的な断面積を機械的に可変することで、排気経路のコンダクタンスを制御する装置である。機械的な動作を伴うため、所定の設定圧力に達するに秒オーダの時間が必要である場合がある。
【００２４】
また、マイクロ波電力あるいはバイアス電力の整合制御にも機械的な機構が用いられることが多い。例えばマイクロ波電力の反射波を抑制するために自動整合機が用いられることが多い。整合動作は、マイクロ波の導波管内にスタブと呼ばれる金属棒を複数挿入し、その挿入長を調整して行われることが多い。スタブの駆動は機械的に行われ、反射波の抑制に秒オーダの時間が必要となる場合もある。同様にバイアス電力の整合機は容量やインダクタンス可変の素子が用いられることが多く、これらは機械的に駆動されることが多い。このため整合動作に秒オーダの時間が必要となる場合がある。
【００２５】
したがって、繰り返し実行するステップの継続時間は全てのパラメータが安定するのに必要な数秒程度以上であることが望ましい。ただし、ステップ切替に伴う不安定性を無視し得る場合や、設定値に素早く制御可能な場合にはこの限りでない。即ち、処理室圧力の変動が小さい場合や、マイクロ波やバイアス電力に対する負荷インピーダンス変化が小さい場合には、圧力制御に要する時間やマイクロ波、バイアス電力の整合に要する時間は短くなる。この場合には繰り返し実行するステップの継続時間は短くても良い。
【００２６】
次に、処理室内のガスを切り替える場合を例に取り以下に説明する。ガス種を切り替えた場合、処理室内のガス置換に必要な時間を評価するのに滞在時間を目安にすることができる。ここで滞在時間とは処理室の体積をガス流量で除した値であり、通常ガス流量は標準状態（０℃、１気圧）での体積速度で表すので、処理室の圧力で換算すると、式（１）が得られる。滞在時間は圧力に比例し、ガス流量に反比例するので、高圧、低流量の場合に長くなることがわかる。
【００２７】
Ｔｒ＝ＶchmberＰ／νＰatm     （式１）
ただし、
Ｔｒ：  滞在時間  （秒）
Ｖchmber：  処理室の体積  （ｍ３）
Ｐatm：  大気圧  （Ｐａ）（＝１０１３２５  （Ｐａ））
Ｐ：  処理室圧力  （Ｐａ）
ν：  ガス流量  （ｍ３／秒）
例えば、直径５００ｍｍ、高さが２００ｍｍ、圧力が１０Ｐａの処理室に１００ｃｃ／ｍｉｎのガスを導入した場合の滞在時間は、２．３秒となる。この場合、例えば処理室のガスをステップ毎に切り替える処理を行う場合、滞在時間の２.３秒より短い時間ステップで切り替えると、処理室内のガスを充分置換する前にガスが切り替わり処理室内部でガスが混合する傾向になる。このためガス置換を充分行うために滞在時間より長い時間ステップで切り替えることが望ましい。
【００２８】
上記の堆積ステップとエッチングステップの繰り返し回数は、所定の回数を指定しても良いが、例えばエッチングの終点を検出して繰り返しを停止しても良い。エッチング終点の検出法としては、プラズマ発光の被エッチング材に起因する発光種、エッチングにより消費されるエッチャントに起因する発光種、あるいは被エッチング材の下地材質に起因する発光種等の発光の時間変化から求めることが一般的であるが、この外に処理室内のガスの質量分析結果、バイアス電圧あるいは電流等の変化から求めることも可能な場合がある。  また、プラズマ発光から堆積ステップおよびエッチングステップの堆積量やエッチング量を推定し、所定の堆積量またはエッチング量に達したことを検出して繰り返しを停止しても良い。上記の繰り返し停止の基準となる信号の検出に失敗する場合を考慮して、最大繰り返し回数を同時に指定しておくとよい。
【００２９】
上記のプラズマ発光から堆積量推定あるいはエッチング量の推定を行う場合、プラズマ発光の演算処理が必要となる。例えば考慮する波長の発光強度の時間的な積分あるいは発光強度比の計算等が必要な場合が多い。このような場合にはプラズマ発光強度等の演算結果をもとに上記の繰り返し回数あるいは各ステップの継続時間、レシピの各設定項目を変化させることができる。
【００３０】
以上はプラズマ発光による処理状態のモニタリングについて述べたが、プラズマ発光のほかにバイアス電圧あるいは電流、マイクロ波電力あるいはバイアス電力の整合状態、処理室の温度あるいは圧力、排気速度等により処理状態をモニタリングしてもよい。
【００３１】
レシピにより複雑な処理の設定が可能になると、レシピ自身も複雑となり、論理的なミスなどの検出が困難となる。この困難さに対応して、レシピに内在するミスを事前に検出できるテスト機能を装置内に搭載しておくことができる。テスト機能は内部にモデル化されたプラズマエッチング装置を有し、該プラズマエッチング装置モデルにテストするレシピを与えて、挙動を確認することができる。プラズマエッチング装置モデルには、レシピによって設定された値が入力され、プラズマエッチング装置モデルの応答がレシピに反映され、逐次、入力と応答をモニタすることでレシピの動作を事前にテストすることができる。
【００３２】
図３は、プラズマ処理装置に搭載するレシピの例をフローチャートで示す図である。この図の例では複数の処理ステップが所定の回数に達するまで繰り返し実行される。また、このレシピは、レシピの各ステップを記述する部分と、各ステップの実行順序を制御する部分に分けて記述されている。レシピの各ステップ（ステップ１ないし４）は、例えば、図５にステップ番号で示す記述方法で表現できる。
【００３３】
図３に示すレシピ（フローチャート）によれば、まず、ステップ１、ステップ２を順次実行後、ステップ３、ステップ４を所定回数繰り返し、さらにステップ５を実行する。図３に示すステップの実行順序制御は、例えばプログラム言語Ｂａｓｉｃ類似の表現で、図６のように記述できる。
【００３４】
すなわち、１〜２行目においてステップ１、ステップ２を順次実行する。３行目において、変数Ｉの値を１から１０まで１ずつ増やしながら６行目までの間（４行目および５行目）を繰り返し実行する。４行目、５行目においてそれぞれ順次ステップ３、ステップ４を実行する。３行目から６行目の繰り返しが終わった後、７行目においてステップ６を実行する。８行目で終了を宣言する。 なお、図３における所定の繰り返し回数は１０回としている。
【００３５】
図４は、プラズマ処理装置に搭載するレシピの他の例をフローチャートで示す図である。
【００３６】
この図の例では、エッチングの終点を検出して繰り返しを停止している。すなわち、ステップ４においてエッチング終点を検出してステップ４、ステップ５の繰り返しを終了する点で、図３の例とは異なる。
【００３７】
図４に示すステップの実行順序制御は、例えばプログラム言語Ｂａｓｉｃ類似の表現で、図７のように記述できる。
【００３８】
すなわち、まず、終点検出の機能を呼び出す関数「ＥｎｄＰｏｉｎｔ」を、ステップ４でエッチングの終点を検出した場合に「ＹＥＳ」を出力するとして定義しておく。４行目から９行目までがブロックｉｆ文と呼ばれる構文であり、４行目で判定される条件が満足されれば５行目を実行し、そうでなければ７行目、８行目を実行する。９行目はブロックｉｆ分の終わりを示す。４行目にて関数「ＥｎｄＰｏｉｎｔ」の値を判定し、「ＹＥＳ」かどうかを調べ、５，６行目の動作を制御する。「ＹＥＳ」の場合は５行目で「ｌｉｎｅｏｕｔ：」（１１行目）に制御が移行し、３〜１０行目のループを抜ける。１１行目には「ｌｉｎｅｏｕｔ：」とラベルを付している。
【００３９】
図８は、発光データを計測し、発光データからステップの最適な継続時間を演算処理により算出して継続時間制御を行う例である。
【００４０】
すなわち、ステップ３の処理実行と共に発光データを計測し、計測した発光データを配列「Ｅｍｉｓｓ」に格納するサブルーチン「Ｓｔｅｐ３」を定義しておく。また、発光データからステップの最適な継続時間を演算処理する関数「ＣａｌｃＣＴ」を定義しておく。また、ステップ４の処理実行と共に継続時間を引数として受け取り変更することのできるサブルーチン「Ｓｔｅｐ４」を定義しておく。１行目で配列「Ｅｍｉｓｓ」を定義する。５行目においてステップ３を実行し、発光データを計測して配列「Ｅｍｉｓｓ」に格納する。６行目において発光データ「Ｅｍｉｓｓ」により最適なステップの継続時間「ｔ４」を計算し、７行目でステップ４実行サブルーチン「Ｓｔｅｐ４」に引数として引き渡して継続時間を調整する。
【００４１】
図９は、関数「ＣａｌｃＣＴ」の定義例である。関数「ＣａｌｃＣＴ」は、図９に示す方法で定義することができる。
【００４２】
ここで、配列「Ｅｍｉｓｓ」は２次元配列として定義され、第１の引数で各波長に対応した２０４８個の発光強度データを示し、第２の引数で各時刻を示す。１行目で関数定義を宣言する。２行目で変数「ａｉｎｔ」にゼロを代入する。３行目から６行目で変数「ａｉｎｔ」に４行目で計算する値を順次加算する。４行目では時刻Ｉにおける２００番目の波長に対する発光強度を同時刻の５００番目の波長に対する発光強度で除して、除算結果を変数「ｄｄｄ」に格納している。ある波長の発光強度はプラズマ中の発光種の密度に概略比例すると考えられる。したがって密度が既知の発光種の発光強度との相対比をとることにより、発光強度取得用の窓の汚れ等の影響を相殺して、より正確にある発光種の密度を推測できる。
【００４３】
また、堆積ステップでの堆積量を推定する方法として、堆積に寄与する発光種の密度を推測し、その値を時間的に積分する方法がある。すなわち、４行目で堆積種の密度を推定し、５行目で推定した密度に比例する値を順次加算することで時間積分を行っている。７行目で変数「ａｉｎｔ」に定数（５．０）を乗じて、堆積量に比例した時間を関数「ＣａｌｃＣＴ」の値として計算している。
【００４４】
以上、プラズマ処理のモニタ方法としてプラズマ発光を例に説明したが、他のモニタ方法を用いても良い。また、ステップの継続時間を制御する例を説明したが、他のパラメータ、例えばマイクロ波電力あるいはガス流量などを制御しても良い。
【００４５】
また、以上の例では各ステップの実行順序あるいは繰り返しの方法をＢａｓｉｃ類似のプログラム言語で記述したが、他の方法で記述することができる。
【００４６】
図１０は、各ステップの実行順序あるいは繰り返しの方法を記述する他の例を示す図である。図１０は、図３に示すステップの実行制御を各ステップの設定値と共に表形式で記述したものである。
【００４７】
図５に示すレシピの例と比較して、図１０に示すレシピは、各ステップを記述する列の間に各ステップの実行を制御する列が挿入されている。また、「制御内容」欄にどのような制御を行うかを記述している。「制御番号１」の列では「ループ開始」、「制御番号２」の列には「ループ終了」と記載されており、この間を繰り返すことを宣言している。「制御番号１」の「制御パラメータ１」欄には「１０回」と記載されており、「制御番号1」列と「制御番号２」列の間のステップ３、ステップ４を１０回繰り返すことを示している。「制御パラメータ１」「制御パラメータ２」等の欄には「制御内容」欄に記載する制御内容に応じた制御パラメータを記載する。図１０の例では「制御内容」が「ループ開始」については制御パラメータは繰り返し回数のみであり、「ループ終了」については制御パラメータはなく、「制御パラメータ１」「制御パラメータ２」等の欄は空欄となっている。
【００４８】
図１１は、各ステップの実行順序あるいは繰り返しの方法を記述する更に他の例を示す図である。図１１において、「制御番号２」の「制御内容」欄に「判断」と記載している。「判断」という制御内容は、先に説明したプログラム言語Ｂａｓｉｃ類似の表現では「ｉｆ」で表した制御と同様であり、ある条件が成立するかどうかを判断して次に実行する内容を変更するものである。制御パラメータ１、２、３、４にそれぞれ「エンドポイント」、「ステップ４」、「Ｇｏｔｏ」、「ラベル１」と記載している。「エンドポイント」、「ステップ４」の記述により、ステップ４のエッチング終了（エンドポイント）が検出されたかどうかを判断し、検出されていなければ何もせずステップ３以下を実行する。エッチング終了を検出していれば、制御パラメータ３記載の「Ｇｏｔｏ」を実行する。「Ｇｏｔｏ」では制御パラメータ４記載の「ラベル１」に制御を移す（Ｇｏｔｏ）ことを示す。「制御番号４」の「制御パラメータ１」に「ラベル」、「制御パラメータ２」に「ラベル1」と記載しており、この位置に「ラベル１」という名称を付したことを示す。
【００４９】
以上説明したように、本実施形態によれば、プラズマ処理装置にレシピを搭載するに際して、前記レシピを、該レシピを構成する各ステップを記述する部分と、各ステップの実行（実行順序および実行回数）を制御する部分に分けて記述する。このため、多数のステップ数を持つレシピであってもプラズマエッチング装置に効率よく入力することが可能になる。また、例えば、難加工性材料あるいは複雑な構造の被処理基板をエッチング処理する場合等の、多数のステップ数が要求されるエッチング処理に容易に対応することができる。
【００５０】
なお、本発明はマイクロ波によるプラズマ発生方法に限定されるものではなく、他のプラズマ発生方法によるプラズマエッチング装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施形態にかかるプラズマエッチング装置を説明する図である。
【図２】プラズマエッチングによる加工途中の被処理基板の断面形状を示す図である。
【図３】プラズマ処理装置に搭載するレシピの例をフローチャートで示す図である。
【図４】プラズマ処理装置に搭載するレシピの他の例をフローチャートで示す図である。
【図５】プラズマエッチング装置に用いられるレシピの一例を示す図である。
【図６】図３に示す処理の実行順序制御を行うプログラム例を示す図である。
【図７】図４に示す処理の実行順序制御を行うプログラム例を示す図である。
【図８】計測した発光データからステップの最適な継続時間を行うプログラム例を示す図である。
【図９】計測した発光データからステップの最適な継続時間を行うプログラム例を示す図である。
【図１０】各ステップの実行順序あるいは繰り返しの方法を記述する他の例を示す図である。
【図１１】各ステップの実行順序あるいは繰り返しの方法を記述する更に他の例を示す図である
【符号の説明】
【００５２】
１０１  マイクロ波発生装置
１０２  自動整合機
１０３  矩形導波管
１０４  矩形―円形導波管変換機
１０５  円形導波管
１０６  空洞部
１０７  電磁波導入窓
１０８  ガス分散板
１０９  ガス供給装置
１１０  処理室
１１１  被処理基板
１１２  基板電極
１１３  自動整合機
１１４  基板バイアス電源
１１５  静磁界発生装置
【図１】
2009032947.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2009032947.tif 000008
【図７】
2009032947.tif 000009
【図８】
2009032947.tif 000010
【図９】
2009032947.tif 000011
【図１０】
2009032947.tif 000012
【図１１】
2009032947.tif 000013