(57)【要約】【課題】簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供する。【解決手段】基板の上に液滴塗布法を用いて導電膜パターンを形成する形成方法において、導電膜パターンを形成する部分の内側に互いに離間した複数の突起構造体を形成する工程と、突起構造体の間に導電性材料を溶媒に溶解又は分散した液滴を滴下する工程と、溶媒を蒸発させて突起構造体の間に導電性材料からなる導電膜パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。【選択図】図１
2009038185.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に液滴塗布法を用いて導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、
前記導電膜パターンを形成する部分の内側に互いに離間した複数の突起構造体を形成する工程と、
前記突起構造体の間に導電性材料を溶媒に溶解又は分散した液滴を滴下する工程と、
前記溶媒を蒸発させて前記突起構造体の間に前記導電性材料からなる導電膜パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【請求項２】
前記突起構造体を形成する工程の前に、前記基板の上に撥液層を形成する工程を行って該撥液層の上に前記突起構造体を形成する、ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項３】
前記突起構造体を形成する工程の後、前記導電膜パターンを形成する部分に親液性を付与する工程を行う、ことを特徴とする請求項１または２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項４】
前記突起構造体は前記液滴に対して親液性を有する、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜パターンの形成方法、および配線基板、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、従来のシリコンを材料とした薄膜トランジスタ（以下ＴＦＴと記す）素子のデメリットを補う技術として、有機半導体材料を用いた有機ＴＦＴ素子の研究開発が盛んに進められている（特許文献１、非特許文献１等参照）。
【０００３】
有機ＴＦＴ素子は低温プロセスで製造可能であるため、軽く、割れにくい樹脂基板を用いることができ、さらに、樹脂フィルムを支持体として用いたフレキシブルなディスプレイが実現できると言われている（非特許文献２等参照）。また、大気圧下で、印刷や塗布などのウェットプロセスで製造できる有機半導体材料を用いることで、生産性に優れ、非常に低コストのディスプレイが実現できる。
【０００４】
ところでＴＦＴを表示装置の駆動素子として利用するには、電気信号を供給するための配線パターンが必要となる。例として図８（ａ）に公知の表示装置の画素等価回路、図８（ｂ）に、画素配列レイアウトを示す。ただし、図８（ｂ）では、配線部分のみ図示している。
【０００５】
図８に示す表示装置の一つの画素はＴＦＴ１０と表示素子１３から構成され、ＴＦＴ１０のゲート電極７は行配線１１に、ソース電極３は列配線１２に接続されている。表示素子１３は画素電極８と対向電極９からなり、画素電極８はドレイン電極４に接続され、対向電極９は接地されている。列配線１２には所定の電圧が印加されており、行配線１１に所定の電圧を印加するとＴＦＴ１０がオンになり、画素電極８に列配線１２の電圧が印加される。表示素子は、このようにして印加された電圧に応じて表示を行う。
【０００６】
図８（ｂ）に示すように、同一行に属する各画素のゲートには共通の行配線１１が、同一列に属する画素のソースには共通な列配線１２が接続されている。このような表示装置においてＴＦＴを高密度に実装し、画素の開口を大きくするためには各配線の線幅を細くすることが課題である。
【０００７】
一方、有機ＴＦＴの製造工程を簡略化するためには配線パターンも印刷や塗布等のプロセスにより形成することが望ましい。例えば、インクジェット法に代表される液滴塗布法は、所望の位置のみに材料を滴下するので、材料資源の浪費がなく、また不要部分の除去工程もないため、製造工程を簡略にすることができる。液滴塗布法で線幅の細い配線を形成するためには、液滴を連続的に塗布して、基板に着弾した液滴がお互いにつながるようにする必要がある。
【０００８】
ところが、お互いにつながるような位置に液滴を連続塗布すると、基板上で液滴同士が結合して１つの大きな液滴になってしまい線状に塗布することは出来ない。図９（１−ａ）、（１−ｂ）、（１−ｃ）はこのような問題を説明するための説明図である。図９（１−ａ）は液滴５０ａを滴下した状態、図９（１−ｂ）は液滴５０ａを滴下した直後、お互いにつながるような位置に液滴５０ｂを滴下した状態を示している。すると図９（１−ｃ）に示すように大きな１つの液滴５０ｃなってしまう。
【０００９】
このため、図９（２−ａ）に示すようにまず点状に液滴５０ｅ、５０ｆ、５０ｇを塗布し、乾燥して膜を形成した後、図９（２−ｂ）に示すよう点状の膜の間に液滴５０ｈ、５０ｉを塗布することで線状の形状を得る、ということが行われている。
【００１０】
しかしながら、この方法では、塗布、乾燥、塗布の工程が必要であり、工程が複雑化してコスト高になる。また得られる配線幅は液滴の着弾サイズで決定されてしまうため、配線の細線化には液滴サイズを小さくする必要があるが、着弾サイズを１／ｎにするためには液滴の体積を１／ｎ3にする必要があるため、技術的に難しい。
【００１１】
このような問題を改善するため、基板表面を多孔質とし、着弾した液滴の液体成分が直ちに吸収されるようにすることで基板に着弾した液滴同士の結合を防ぐ、という方法が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【００１２】
また、基板にあらかじめ溝状構造を設けておき、溝の内面を親液性、それ以外を撥液性としておいて、溝に向けて液滴を塗布し、液を溝内面に導入し、溝状に塗布する、という方法が提案されている（例えば特許文献３参照）。
【特許文献１】特開平１０−１９０００１号公報
【特許文献２】特開２００４−６５７８号公報
【特許文献３】特開２００３−３１８４０１号公報
【非特許文献１】Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌ誌  ２００２年  第２号  ９９頁（レビュー）
【非特許文献２】ＳＩＤ’０１  Ｄｉｇｅｓｔ  ５７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献２に開示されている方法では、塗布工程を１回にすることができるが、配線幅は着弾サイズによって決定されるため上述のように配線の細線化は難しい。
【００１４】
一方、特許文献３に開示されている方法では、塗布工程は１回であり、塗布膜の細線化も可能であるが、液滴の着弾サイズに比べて溝幅を細くしすぎると溝に入りきらなかった溶液が溝の外で乾燥し、塗布膜が溝の外にできてしまう場合があった。
【００１５】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
１．
基板の上に液滴塗布法を用いて導電膜パターンを形成する導電膜パターンの形成方法において、
前記導電膜パターンを形成する部分の内側に互いに離間した複数の突起構造体を形成する工程と、
前記突起構造体の間に導電性材料を溶媒に溶解又は分散した液滴を滴下する工程と、
前記溶媒を蒸発させて前記突起構造体の間に前記導電性材料からなる導電膜パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする導電膜パターンの形成方法。
【００１７】
２．
前記突起構造体を形成する工程の前に、前記基板の上に撥液層を形成する工程を行って該撥液層の上に前記突起構造体を形成する、ことを特徴とする１に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１８】
３．
前記突起構造体を形成する工程の後、前記導電膜パターンを形成する部分に親液性を付与する工程を行う、ことを特徴とする１または２に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００１９】
４．
前記突起構造体は前記液滴に対して親液性を有する、ことを特徴とする１乃至３の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法。
【００２０】
５．
１乃至４の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする配線基板。
【００２１】
６．
１乃至４の何れか１項に記載の導電膜パターンの形成方法によって形成された導電膜パターンを配線として有することを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板の上に設けた複数の突起構造体の間に導電性材料を溶媒に溶解又は分散した液滴を滴下した後、溶媒を蒸発させて前記突起構造体の間に前記導電性材料からなる導電膜パターンを形成するので、簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、実施形態により本発明を詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２４】
図１は第１の実施形態の導電膜パターンの形成方法を説明する説明図である。
【００２５】
本発明に係る導電膜パターンの形成方法の一例として、次の工程Ｓ１〜Ｓ４を説明する。
Ｓ１・・・・・撥液層を形成する工程
Ｓ２・・・・・突起構造形成層を形成する工程
Ｓ３・・・・・突起構造体を形成する工程
Ｓ４・・・・・導電膜パターンを形成する工程
図１を用いて、基板１上に導電膜パターン５１を形成する製造方法の一例について順を追って説明する。
【００２６】
図１（１−ａ）〜図１（５−ａ）は基板１の平面図、図１（１−ｂ）〜図１（５−ｂ）は図１（１−ａ）〜図１（５−ａ）のＡ−Ａで示す部分の断面図である。
【００２７】
本発明において、基板１は特に材料を限定されない。例えばガラスやポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）などを用いることができる。
【００２８】
本実施形態では、図１（５−ａ）のように紙面上下方向に線幅ｗの直線状の導電膜パターン５１を形成する例について説明する。
【００２９】
Ｓ１・・・・・撥液層５を形成する工程
後の工程で滴下する導電性材料を溶解又は分散した溶液に対して撥液性のある材料を、既知の塗布方法、例えばスピンコート法を用いて基板１の上に図１（１−ａ）、（１−ｂ）のように塗布する。撥液材料としては例えばフッ素樹脂、ポリイミドなどを用いることができる。
【００３０】
Ｓ２・・・・・突起構造形成層２０を形成する工程
基板１上に既知の塗布方法、例えばスピンコート法にて、突起構造体２１を形成する前工程として突起構造体２１の材料を図１（２−ａ）、（２−ｂ）のように塗布する。図１（２−ａ）では基板１の全面に突起構造形成層２０を形成しているが、インクジェット法やディスペンサ法などを用いて、導電膜パターン５１を形成する部分の付近だけ突起構造形成層２０を形成しても良い。
【００３１】
突起構造体２１の材料には、後の工程で滴下する導電性材料を溶解又は分散した溶液に対して親液性のある材料、例えばポリビニルアルコールなどを用いることができる。
【００３２】
Ｓ３・・・・・突起構造体を形成する工程
基板１の最上層に感光性レジストを塗布後、突起構造体２１のパターンを有するフォトマスクを介して露光後、現像して、突起構造体２１のパターンのレジスト層を形成する。次に各種のエッチング法、例えばＯ2プラズマエッチング法などのドライエッチング法を用いて突起構造形成層２０の不要部分を除去した後、レジストを除去し図１（３−ａ）、（３−ｂ）のように突起構造体２１を形成する。図１の例では突起構造体２１は、導電膜パターン５１を形成する部分の内側に２列の突起構造体２１が互いに離間して配設されている。
【００３３】
本実施形態では、突起構造体２１が円柱状の例について説明するが、突起構造体２１の形状は円柱状に限られるものではなく、四角柱状や三角柱状、あるいは円錐形状などでも良い。また、突起構造体２１の形状は同一形状に限られるものではなく、大きさや形状の異なる突起構造体２１を導電膜パターン５１を形成する部分の内側に互いに離間するよう複数配置しても良い。
【００３４】
また、突起構造体２１の突起部の高さによって、突起構造体２１の間に工程Ｓ４で滴下する導電性材料の溶液を保持する量が変わるので液滴５０の液量や、導電膜パターンに必要な導電率等を考慮して突起部の形状を決定すればよい。突起構造体２１の高さを高くすると、突起構造体２１の間に形成された導電膜に含まれる導電材料の量を増すことができるので、導電率を高くすることができる。
【００３５】
Ｓ４・・・・・導電膜パターンを形成する工程
基板１上に形成された突起構造体２１の間に、既知の液滴塗布方法、例えばインクジェット法やディスペンサ法にて導電性材料を溶媒に溶解又は分散した溶液の液滴５０を図１（４−ａ）、（４−ｂ）のように滴下する。図１（４−ａ）、（４−ｂ）には図示していない部分の導電膜パターンは、液滴５０を滴下する位置を順次移動させて滴下する。
【００３６】
液滴５０として、例えば、ＡｇナノインクやＩＴＯナノインク、Ａｕナノインク等の金属ナノ粒子インクや、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリアニリンを溶液に分散させた有機導電インクを用いることが出来る。
【００３７】
液滴５０を突起構造体２１の間に滴下すると、図１（５−ａ）、（５−ｂ）のように親液性のある突起構造体２１の間に液滴５０が広がる。このように導電性材料の溶液を突起構造体２１の間に満たした後、溶液を乾燥させて導電膜とし、線幅ｗの導電膜パターン５１を形成する。
【００３８】
第１の実施形態の導電膜パターンの形成方法の説明は以上である。
【００３９】
このようにして所望の導電膜パターンを形成した基板１は、配線基板として用いることができる。また、図８に示す表示装置の配線基板としても用いることができる。
【００４０】
次に、液滴５０の着弾サイズより細い線幅ｗの導電膜パターン５１を形成する条件について図２〜図４を用いて説明する。
【００４１】
図２は、図１（４−ａ）、（４−ｂ）のように突起構造体２１の間に滴下した直後の液滴５０が突起構造体２１ｃ、２１ｄから突起構造体２１ａ、２１ｂの方に広がっていく状態の一例を模式的に示している。矢印Ｂは図１（５−ａ）に示すように紙面下側方向であり、導電膜パターン５１の方向を示している。矢印ｗは導電膜パターン５１の線幅ｗである。
【００４２】
図２では滴下した液滴５０が突起構造体２１の間を矢印Ｂ方向に広がっていく状態を示している。突起構造体表面における液滴５０の液面の高さは、液滴が基板と接する部分に近いほど低く、遠いほど高い。図中の矢印ｈは、突起構造体２１ｃ、２１ｄの表面の、液滴が基板と接する部分から最も遠い部分における液滴５０の液面の高さであり、突起構造体２１ａ、２１ｂの表面の、液滴が基板と接する部分から最も近い部分における液滴５０の液面の高さは０である。
【００４３】
広がった液滴５０の液面は、基板１上の撥液層５に対し図２のように接触角θの角度をなすものとする。ｒは円柱状の突起構造体２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄの半径である。
【００４４】
突起構造体２１の表面の溶液に濡れている部分と濡れていない部分の境界線の長さを接触境界線長Ｌとする。Ｌ21、Ｌ22、Ｌ23、Ｌ24は、突起構造体２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄのそれぞれの接触境界線長である。
【００４５】
突起構造体２１の表面に液滴５０が薄膜状に広がっていく速度を拡張濡れ速度とすると、拡張濡れ速度は各々の突起構造体２１の接触境界線長Ｌに依存する。すなわち、接触境界線長Ｌが長いほど拡張濡れ速度が速くなり、滴下した液滴は親液性を有する突起構造体２１の表面に急速に広がっていく。そのため、突起構造体２１から離れて着弾した溶液も溶液が乾燥するまでに突起構造体２１の間に広がり、所望の導電膜パターンの外に導電膜ができることはない。
【００４６】
一方、接触境界線長Ｌが短いと拡張濡れ速度が遅くなり、滴下した液滴は親液性を有する突起構造体２１の間に広がる速度が遅くなってしまう。そのため、突起構造体２１から離れて着弾した溶液は突起構造体２１の間に広がる前に乾燥し、所望の導電膜パターンの外に導電膜ができてしまうことがある。
【００４７】
図１、図２の例では突起構造体２１は所望の線幅ｗの方向に隙間ｄを空けて２つ、また矢印Ｂ方向にも隙間ｄを空けて複数配設されている。図２のように滴下した液滴が４つの突起構造体２１に接しながら広がるとすると、４つの接触境界線長Ｌ21、Ｌ22、Ｌ23、Ｌ24の総和が大きいほど滴下した液滴は突起構造体２１の間に速く広がっていく。突起構造体２１の半径ｒと隙間ｄを小さくし、線幅の間に配設する突起構造体２１を増すと接触境界線長Ｌを増すことができる。
【００４８】
接触境界線長Ｌの算出方法について図２、図３を用いて説明する。
【００４９】
図３には、図２に示す突起構造体２１の一つを図示している。
【００５０】
図３に示す突起構造体２１の接触境界線長Ｌ2unitは数１で算出できる。
【００５１】
【数１】
2009038185.tif 000003
【００５２】
ただしＥは数２に示す第２種楕円積分関数である。
【００５３】
【数２】
2009038185.tif 000004
【００５４】
次に、図１（５−ａ）のように直線状の導電膜パターン５１を形成する場合を例に説明する。図１（５−ａ）の例では線幅ｗ方向に２個の突起構造体２１されているが、一般には線幅ｗ方向にｎ個の突起構造体２１を隙間ｄで配設し、図２の矢印Ｂ方向にも同じ隙間ｄで突起構造体２１を配設するものとする。
【００５５】
線幅ｗが１０μｍの場合の線幅ｗの間に配設できる円柱状の突起構造体２１の個数と、突起構造体２１の間の隙間ｄの例を下表に示す。
【００５６】
【表１】
2009038185.tif 000005
【００５７】
図２に示す距離Ｐは、数３で算出できる。
【００５８】
【数３】
2009038185.tif 000006
【００５９】
ｈ＝１μｍのとき、距離Ｐの間に配設できる半径ｒの突起構造体２１の数ｎを表２に示す。
【００６０】
【表２】
2009038185.tif 000007
【００６１】
表２では、半径ｒが２μｍ、１．５μｍ、１．２μｍのとき、接触角θが５°、１０°、２０°、３０°の場合についてそれぞれ突起構造体２１の数ｎを示している。突起構造体２１の数ｎは円柱の一部だけが液面から出ている場合も接触境界として機能することを考慮して、１未満の数値まで算出した。
【００６２】
次に、接触境界線長の総和Ｌ2を求める。接触境界線長Ｌ2は、表２で求めた突起構造体２１の数ｎに一つの突起構造体２１の接触境界線長Ｌ2unitをかけることで求められる。
【００６３】
比較のため、従来例の接触境界線長Ｌ1算出方法について図４を用いて説明する。図４は、従来例の基板上に設けた溝５５に滴下した液滴５０が溝の中を広がっていく状態を示す模式図である。
【００６４】
図４の溝５５は、基板に設けられた幅ｗ、深さｈの断面形状が長方形の溝である。図４では、溝５５に滴下した液滴５０の先端部が接触角θで溝５５の中を流れている状態を示している。Ｌ1は接触境界線長であり、溝５５内部の溶液に濡れている部分と濡れていない部分の境界線の長さを表している。
【００６５】
図４に示す溝５５の接触境界線長Ｌ1は数４で算出できる。
【００６６】
【数４】
2009038185.tif 000008
【００６７】
表３は、突起構造体２１が円柱状で半径ｒが２μｍ、１．５μｍ、１．２μｍの場合について、それぞれ液滴５０との接触角θが５°、１０°、２０°、３０°のときの接触境界線長Ｌ2を求めた結果である。また、表３に比較のため、図４に示す溝５５に接触角θが５°、１０°、２０°、３０°で液滴５０が接している場合の接触境界線長Ｌ1を記している。
【００６８】
【表３】
2009038185.tif 000009
【００６９】
表３から、接触角θが小さい場合は従来例より接触境界線長Ｌ2が大きく、着弾した液滴５０が突起構造体２１の間に広がりやすいことがわかる。また、半径ｒの小さい突起構造体２１を、導電膜パターン５１を形成する部分の内側にたくさん配設するほど接触境界線長Ｌ2を大きくできることがわかる。
【００７０】
このようにして、導電膜パターンを形成する部分の内側に接触境界線長Ｌ2ができるだけ大きくなる条件で突起構造体２１を形成すると、線幅ｗより大きな液滴５０を滴下しても所望の導電膜パターン５１からはみ出さず、細い線幅の導電膜パターン５１を形成することができる。
【００７１】
次に、円錐、四角錐、三角錐などの錐体状の突起構造体２１を形成する場合について説明する。工程Ｓ３の突起構造体を形成する工程以外の工程は第１の実施形態と同様であり説明を省略する。
【００７２】
図５、図６は錐体状の突起構造体を形成する工程を説明する説明図である。
【００７３】
図５、図６は基板１に形成する突起構造体２１部分の断面図であり、図５、図６では１つの突起構造体２１を部分的に図示している。
【００７４】
最初に、図５を用いて錐体状の突起構造体２１を形成する方法の一例を説明する。
【００７５】
図５（ａ）のように、突起構造形成層２０が形成された基板１の最上層にレジスト層２３を形成する。
【００７６】
次に、グレイマスク露光と現像を行うと図５（ｂ）のように、錐体状のレジスト層２３が残る。次の工程で、ドライエッチング等の技術を用いて突起構造形成層２０をエッチングする。このとき、レジスト層と突起構造形成層のエッチングレートを同程度にしておけば、レジスト層の形状を突起構造形成層に転写することができるので、錐体状の突起を形成することが可能となる。
【００７７】
図５（ｃ）はエッチングの途中の状態であり、エッチング終了後レジストを除去すると図５（ｄ）のように錐体状の突起構造体２１が形成できる。
【００７８】
この後、図１の例と同様に工程Ｓ４の導電膜パターンを形成する工程を行って導電膜パターンを形成する。
【００７９】
次に、図６に示す錐体状の突起構造体２１を形成する方法の例を説明する。
【００８０】
図６（ａ）のように、突起構造形成層２０が形成された基板１の最上層に、レジスト層２３を形成する。
【００８１】
次に、通常の露光と現像を行うと図６（ｂ）のように、レジスト層２３が残る。次の工程で、ウェットエッチング等の技術を用いて突起構造形成層２０をエッチングする。このとき、図６（ｃ）のように故意にオーバーエッチングにする。
【００８２】
エッチング終了後レジストを除去すると図６（ｄ）のように錐体状の突起構造体２１が形成できる。
【００８３】
この後、図１の例と同様に工程Ｓ４の導電膜パターンを形成する工程を行って導電膜パターンを形成する。
【００８４】
このように錐体状の突起構造体２１を形成すると、着弾した液滴５０の先端部分の接触境界線長Ｌ2を大きくできるので、溶液がより突起構造体２１の間に広がりやすくすることができる。
【００８５】
また、円柱状の突起構造形成層２０と同様に所望の導電膜パターンを形成した基板１は、配線基板として用いることができる。
【００８６】
次に第２の実施形態の導電膜パターンの形成方法を説明する。
【００８７】
図７は第２の実施形態の導電膜パターンの形成方法を説明する説明図である。第２の実施形態と第１の実施形態との違いは、突起構造体を形成する工程の後に前記導電膜パターンを形成する部分に親液性を付与する工程を行う点である。第１の実施形態と同じ工程には同じ工程番号を付し、説明を省略する。
【００８８】
図７を用いて、第２の実施形態の工程について順を追って説明する。
【００８９】
図７（１−ａ）〜図７（６−ａ）は基板１の平面図、図７（１−ｂ）〜図７（６−ｂ）は図７（１−ａ）〜図７（６−ａ）にＡ−Ａで示す部分の断面図である。
【００９０】
Ｓ１・・・・・撥液層を形成する工程
第１の実施形態と同様に、図７（１−ａ）、（１−ｂ）のように撥液層５を形成する。
【００９１】
Ｓ２・・・・・突起構造形成層を形成する工程
基板１上に既知の塗布方法、例えばスピンコート法にて、突起構造体２１を形成する前工程として突起構造体２１の材料を図７（２−ａ）、（２−ｂ）のように塗布する。図７（２−ａ）では基板１の全面に突起構造形成層２０を形成しているが、インクジェット法やディスペンサ法などを用いて、導電膜パターン５１を形成する部分の付近だけ突起構造形成層２０を形成しても良い。
【００９２】
突起構造体２１の材料は特に親液性を有する必要はない。例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン等の有機化合物を用いることができる。また、第１の実施形態と同様の親液性を有する材料を用いることもできる。
【００９３】
Ｓ３・・・・・突起構造体を形成する工程
第１の実施形態と同様の方法で、図７（３−ａ）、（３−ｂ）のように突起構造体２１を形成する。
【００９４】
Ｓ３．５・・・導電膜パターンを形成する部分に親液性を付与する工程
図７（４−ａ）、（４−ｂ）のように導電膜パターンを形成する部分以外を遮光する露光マスク３０を基板１の上に配置し、図７（４−ｂ）の矢印で示すように導電膜パターンを形成する部分に紫外線光を照射する。紫外線光は例えば低圧水銀ランプの波長１８５ｎｍの光を用いる。紫外線光の照射により突起状構造表面の分子のＣ−Ｏ、Ｃ−Ｈ等の結合が切断され、紫外線光によって生成された活性酸素原子が表面に作用することで表面が親液化される。
【００９５】
紫外線光照射の際、突起状構造のみでなく、突起状構造近辺、例えば突起状構造同士に挟まれた領域にも光が照射されるようにしておいてもよい。照射された部分の撥液層表面が親液化する効果が期待できるので、より拡張ぬれがおきやすくなる。
【００９６】
Ｓ４・・・・・導電膜パターンを形成する工程
基板１上に形成された突起構造体２１の間に、第１の実施形態と同様に液滴５０を図７（５−ａ）、（５−ｂ）のように滴下する。図７（５−ａ）、（５−ｂ）には図示していない部分の導電膜パターンは、液滴５０を滴下する位置を順次移動させて滴下する。
【００９７】
液滴５０を突起構造体２１の間に滴下すると、図７（６−ａ）、（６−ｂ）のように親液性のある突起構造体２１の間に液滴５０が広がる。このように導電性材料の溶液を突起構造体２１の間に満たした後、溶液を乾燥させて導電膜とし、線幅ｗの導電膜パターン５１を形成する。
【００９８】
第２の実施形態の導電膜パターンの形成方法の説明は以上である。
【００９９】
また、第１の実施形態と同様に所望の導電膜パターンを形成した基板１は、表示装置などの配線基板として用いることができる。
【実施例】
【０１００】
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
［実施例１］
本実施例では、基板１にはガラス基板を用いた。
【０１０１】
以降の工程は、図１で説明したＳ１〜Ｓ４の工程で作製したので、各工程の番号を付して順に説明し、共通する点は説明を省略する。
【０１０２】
Ｓ１・・・・・撥液層を形成する工程
スピンコート法を用いてポリイミドを塗布し、撥液層５を形成した。
【０１０３】
Ｓ２・・・・・突起構造形成層を形成する工程
スピンコート法を用いてポリビニルアルコールを塗布し、突起構造形成層２０を形成した。
【０１０４】
Ｓ３・・・・・突起構造体を形成する工程
通常のフォトリソグラフィー工程により、パターニング処理を行い、円柱状の突起構造体２１を形成した。円柱の高さは１μｍ、円柱の半径ｒは１．５μｍとし、円柱間の隙間ｄは０．３４μｍで、１０μｍの線幅ｗの間に３つの円柱列を形成した。
【０１０５】
Ｓ４・・・・・導電膜パターンを形成する工程
インクジェット装置を用いて、Ａｇナノ粒子分散インクを突起構造体２１の間にパターンに沿って順次滴下した。液滴５０の体積は１０ｐｌ、着弾サイズは１７μｍである。滴下後、室温にて基板１を乾燥させ導電膜パターン５１を形成した。
【０１０６】
〔実験結果〕
基板１上に形成した突起構造体２１の間に導電膜パターン５１が形成され、それ以外の部分に不要な導電膜が形成されることは無かった。また、導電膜パターン５１の両端の抵抗値が配線パターンとして十分低い値であることが確認できた。
［実施例２］
本実施例では、基板１にはガラス基板を用いた。
【０１０７】
以降の工程は、図７で説明した第２の実施形態の工程で作製したので、各工程の番号を付して順に説明し、共通する点は説明を省略する。
【０１０８】
Ｓ１・・・・・撥液層を形成する工程
スピンコート法を用いてポリイミドを塗布し、撥液層５を形成した。
【０１０９】
Ｓ２・・・・・突起構造形成層を形成する工程
スピンコート法を用いてポリアミドを塗布し、突起構造形成層２０を形成した。
【０１１０】
Ｓ３・・・・・突起構造体を形成する工程
通常のフォトリソグラフィー工程により、パターニング処理を行い、円柱状の突起構造体２１を形成した。円柱の高さは１μｍ、円柱の半径ｒは１．５μｍとし、円柱間の隙間ｄは０．３４μｍで、１０μｍの幅の間に３つの円柱列を形成した。
【０１１１】
Ｓ３．５・・・導電膜パターンを形成する部分に親液性を付与する工程
図７（４−ａ）、（４−ｂ）のように導電膜パターンを形成する部分以外を遮光する露光マスク３０を基板１の上に配置し、図７（４−ｂ）の矢印で示すように導電膜パターンを形成する部分に紫外線光を照射した。紫外線光は例えば低圧水銀ランプの波長１８５ｎｍの光を用いた。
【０１１２】
Ｓ４・・・・・導電膜パターンを形成する工程
インクジェット装置を用いて、Ａｇナノ粒子分散インクを突起構造体２１の間にパターンに沿って順次滴下した。液滴５０の体積は１０ｐｌ、着弾サイズは１７μｍである。室温にて基板１を乾燥させ導電膜パターン５１を形成した。
【０１１３】
〔実験結果〕
基板１上に形成した突起構造体２１の間に導電膜パターン５１が形成され、それ以外の部分に不要な導電膜が形成されることは無かった。また、導電膜パターン５１の両端の抵抗値が配線パターンとして十分な値であることが確認できた。
【０１１４】
以上このように、本発明によれば、簡単な工程で線幅の細い導電膜パターンを製造する導電膜パターンの形成方法、さらにはこの導電膜パターンを用いてなる配線基板、表示装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】第１の実施形態の導電膜パターンの形成方法を説明する説明図である。
【図２】突起構造体２１の間に滴下した直後の液滴５０が突起構造体２１の間に広がっていく状態を示す模式図である。
【図３】図２に示す突起構造体２１の一つを示す説明図である。
【図４】従来例の基板上に設けた溝に滴下した液滴５０が溝の中を広がっていく状態を示す模式図である。
【図５】第１の実施形態の突起構造体を形成する工程の一例を説明する説明図である。
【図６】第１の実施形態の突起構造体を形成する工程の他の例を説明する説明図である。
【図７】第２の実施形態の導電膜パターンの形成方法を説明する説明図である。
【図８】表示装置の画素回路構成の説明図である。
【図９】従来の液滴塗布法の問題点を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１  基板
３  ソース電極
４  ドレイン電極
５  撥液層
７  ゲート電極
８  画素電極
９  対向電極
１０  スイッチング素子
１１  行配線
１２  列配線
１３  表示素子
２０  突起構造体形成層
２１  突起構造体
２３  レジスト層
５０  液滴
５５  溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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