(57)【要約】【課題】本発明は、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１電極層１３と、第１電極層１３と間を空けて併設されるコンタクト電極層１１と、コンタクト電極層１１の直上に形成される導電層１８と、第１電極層１３上から導電層１８上にかけて形成され、且つ第１電極層１３の一部と導電層１８の一部を露出するとともに、導電層１８との間に隙間Ｇを有する絶縁物１７と、露出する第１電極層１３上から露出する導電層１８上にかけて形成され、且つ一部が隙間Ｇに充填される電荷注入層１４と、第１電極層１３の直上に位置する電荷注入層１４上に形成される有機発光層１５と、有機発光層１５上から導電層１８の直上に位置する電荷注入層１４上にかけて形成される第２電極層１６と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ１。【選択図】図３
2009156913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、
前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、
前記コンタクト電極層の直上に形成される導電層と、
前記第１電極層上から前記導電層上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記導電層の一部を露出するとともに、前記導電層との間に隙間を有する絶縁物と、
前記露出する第１電極層上から前記露出する導電層上にかけて形成され、且つ一部が前記隙間に充填される電荷注入層と、
前記第１電極層の直上に位置する前記電荷注入層上に形成される有機発光層と、
前記有機発光層上から前記導電層の直上に位置する前記電荷注入層上にかけて形成される第２電極層と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記第１電極層と前記絶縁物との間には、外光吸収層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記外光吸収膜は、前記導電層と同一材料から成ることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬディスプレイにおいて、
前記導電層は、ニッケル、クロム、モリブデン又はインジウム錫酸化物のいずれかを含むとともに、前記電荷注入層は、複素環化合物又は芳香族アミン化合物のいずれかを含むことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項５】
第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記コンタクト電極層の直上に形成される導電層と、前記第１電極層上から前記導電層上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記導電層の一部を露出するとともに、前記導電層との間に隙間を有する絶縁物と、を備えた基板を準備する工程と、
前記露出する第１電極層上から前記露出する導電層上にかけて電荷注入層を形成する工程と、
前記電荷注入層に熱を加えて、前記電荷注入層の一部を流動させ、前記隙間に前記電荷注入層の一部を充填する工程と、
前記第１電極層上に位置する前記電荷注入層上に、有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上から前記導電層の直上に位置する前記電荷注入層上にかけて、第２電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイは、薄型、広視野角、低消費電力、優れた動画表示特性などの特色を有しており、複数個の画素をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から知られている。
【０００３】
かかる画素には、有機ＥＬ素子が設けられており、有機ＥＬ素子は、素子基板上に形成される第１電極層と、第１電極層上に形成される有機発光層と、有機発光層上に形成される第２電極層と、から構成されている。なお、有機発光層は、有機材料から成る電荷注入層等の複数の層から構成されているものが一般的に用いられている。
【０００４】
有機発光層は、第１電極層及び第２電極層に電圧を加えて、第１電極層及び第２電極層から有機発光層に正孔及び電子を注入し、有機発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が有機発光層中の発光分子を励起する。そして、有機発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。
【０００５】
また、第２電極層は、第１電極層と間を空けて形成されるコンタクト電極層と電気的に接続されたものが開示されている（下記特許文献１参照）。特許文献１に示すように、第１電極層とコンタクト電極層との間には、両者が電気的に短絡しないように絶縁物が形成されている。
【０００６】
なお、特許文献１には、コンタクト電極層と第２電極層との間に、第１電極層の酸化を抑制するキャップ層が形成されたものが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１５８４４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、絶縁物とキャップ層との間には隙間が形成されることがあり、第２電極層が絶縁物上からキャップ層上に形成されると、その隙間による段差によって第２電極層が断線することがある。その結果、コンタクト電極層と第２電極層との間の電気的接続が不安定になり、有機ＥＬ素子が発光しないことがある。
【０００８】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬディスプレイは、第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記コンタクト電極層の直上に形成される導電層と、前記第１電極層上から前記導電層上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記導電層の一部を露出するとともに、前記導電層との間に隙間を有する絶縁物と、前記露出する第１電極層上から前記露出する導電層上にかけて形成され、且つ一部が前記隙間に充填される電荷注入層と、前記第１電極層の直上に位置する前記電荷注入層上に形成される有機発光層と、前記有機発光層上から前記導電層の直上に位置する前記電荷注入層上にかけて形成される第２電極層と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記第１電極層と前記絶縁物との間には、外光吸収層が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記外光吸収膜は、前記導電層と同一材料から成ることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記導電層は、ニッケル、クロム、モリブデン又はインジウム錫酸化物のいずれかを含むとともに、前記電荷注入層は、複素環化合物又は芳香族アミン化合物のいずれかを含むことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層と間を空けるとともに、前記コンタクト電極層上を被覆する導電層と、前記第１電極層の端部上から前記導電層の端部上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記導電層の一部を露出するとともに、前記導電層との間に隙間を有する絶縁物と、を備えた基板を準備する工程と、前記露出する第１電極層上から前記露出する導電層上にかけて電荷注入層を形成する工程と、前記電荷注入層に熱を加えて、前記電荷注入層の一部を流動させ、前記隙間に前記電荷注入層の一部を充填する工程と、前記第１電極層上に位置する前記電荷注入層上に、有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上から前記導電層の直上に位置する前記電荷注入層上にかけて、第２電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁物とコンタクト電極層との間にて、第２電極層が断線するのを抑制することによって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることができる有機ＥＬディスプレイを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の平面図である。図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の平面図である。また、図３は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の拡大断面図である。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁物と導電層との間の拡大断面図である。
【００１６】
有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、基板としての素子基板２と、素子基板２上に複数の画素３と、かかる画素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。
【００１７】
素子基板２は、例えばガラスやプラスチックから成り、素子基板２の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ４が実装されている。
【００１８】
画素３は、図２に示すように、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機ＥＬ素子５が設けられている。また、コンタクト領域Ｒ２には、後述するコンタクト電極層１１が形成される。
【００１９】
また、各画素３は、隔壁６によって仕切られている。隔壁６は、上部よりも下部が幅狭であって、後述する絶縁物１７上に形成され、画素３を取り囲むように配置されている。隔壁６は、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素又は酸化窒化ケイ素等の無機材料や、フェノール樹脂、ノボラック樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。
【００２０】
また、画素３は、赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機ＥＬ素子５を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。なお、本実施形態においては、画素を赤色、緑色又は青色のいずれかの色を発光するものとしたが、例えば白色や橙色等の色を発光するようにしてもよい。
【００２１】
また、素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板７が形成されている。封止基板７は透明の基板から成り、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。なお、本実施形態においては、素子基板２側から封止基板７側に向けて光が発せられるトップエミッション型の有機ＥＬディスプレイであるため、封止基板７は透明の部材が用いられる。
【００２２】
素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材８が形成されており、素子基板２と隔壁６と封止基板７とシール材８によって各画素３を密封している。各画素３を密封することによって、各画素３に酸素又は水分が浸入するのを低減し、各画素３が劣化するのを抑制することができる。また、シール材８は、接着材としての機能を有し、硬化することによって素子基板２と封止基板７とを固着することができる。なお、シール材８は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。
【００２３】
次に、図３に示すように、素子基板２と封止基板７との間に形成される各種層について説明する。素子基板２上には、ＴＦＴや電気配線等から成る回路層９が形成されている。さらに、回路層９上には、回路層９に正常に電流が流れるように、外部と電気的に絶縁するために、例えば窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等から成る絶縁層１０が形成されている。
【００２４】
また、絶縁層１０上には、回路層９及び絶縁層１０の凹凸を低減するための平坦化膜１２が形成されている。回路層９は、複数の電気配線がパターニングされているため、その表面には凹凸が形成される。有機ＥＬ素子５を凹凸な面上に形成すると、有機ＥＬ素子５を構成する電極層同士が短絡し、有機ＥＬ素子５が発光しないことがある。そのため、回路層９及び絶縁層１０上に平坦化膜１２が形成される。
【００２５】
かかる平坦化膜１２は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１２の厚みは、例えば２μｍ以上５μｍ以下に設定されている。
【００２６】
また、平坦化膜１２には、平坦化膜１２を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。コンタクトホールＳは、各画素３に形成されており、コンタクトホールＳの底部には、回路層９の一部が露出している。かかるコンタクト電極層１１と回路層９の一部とが電気的に接続されている。また、コンタクトホールＳの内周面から平坦化膜１２の上面にかけて、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の金属、あるいはこれらの合金から成るコンタクト電極層１１が形成されている。
【００２７】
さらに、発光領域Ｒ１に位置する平坦化膜１２上には、有機ＥＬ素子５が形成されている。有機ＥＬ素子５は、第１電極層１３と、第１電極層１３上に形成された電荷注入層１４と、電荷注入層１４上に形成された有機発光層１５と、有機発光層１５上に形成された第２電極層１６と、を含んで構成されている。
【００２８】
第１電極層１３は、平坦化膜１２上に形成されるとともに、コンタクト電極層１１と間を空けて併設されている。第１電極層１３は、例えばアルミニウム、銀、銅、金、ロジウム又はネオジム等の金属、あるいはこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１３を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子５においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１３の厚みは、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下に設定されている。
【００２９】
第１電極層１３の端部及びコンタクト電極層１１上には、導電層１８が形成されている。なお、導電層１８は、例えばニッケル、クロム、モリブデン又はタングステン等の金属材料、あるいはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の酸化物から成る。なお、第１電極層１３の端部上に形成される導電層１８を導電層１８ａとし、コンタクト電極層１１上に形成される導電層１８を導電層１８ｂとする。
【００３０】
第１電極層１３の端部上に形成される導電層１８ａに、ニッケル、クロム、モリブデン又はタングステン等の金属材料を用いた場合、導電層１８ａは外光吸収層として機能する。かかる導電層１８ａは、封止基板７側から素子基板２側に向けて進行する、例えば太陽光等の外光の多くを吸収するブラックマトリックスとして機能する。仮に、導電層１８ａの表面にて外光が反射し、封止基板７側に外光が進行すると、有機ＥＬ素子５が発する光及び外光とが混ざって、光のコントラストが低下する。そのため、外光吸収層としての導電層１８ａを形成することによって、導電層１８ａが外光の多くを吸収し、光のコントラストが低下するのを抑制することができる。さらに、回路層９は外光が進入することによって誤作動を生じる可能性があるが、導電層１８ａを設けることによって、回路層９に外光が進入するのを抑制することができ、誤作動の問題を低減することができる。
【００３１】
また、コンタクト電極層１１上に形成される導電層１８ｂは、コンタクト電極層１１を被覆するように形成されている。導電層１８ｂはコンタクト電極層１１の表面が酸化するのを抑制する機能を有している。コンタクト電極層１１は、導電性の優れた金属材料から構成されるため、その表面が酸化しやすい。その結果、酸化膜によって内部抵抗が大きくなり、消費電力が大きくなってしまう。そのため、コンタクト電極層１１を被覆するように導電層１８ｂを形成し、コンタクト電極層１１の表面が酸化するのを抑制することによって、消費電力が大きくなるのを効果的に抑えることができる。また、導電層１８ｂ自体の内部抵抗は小さいため、消費電力が必要以上に大きくなるようなことがない。さらに、導電層１８ｂに、ニッケル又はモリブデン等の金属材料を用いた場合、外光から回路層を保護する領域を大きくすることができ、回路層９の誤作動を効果的に防止することができる。導電層１８ｂの厚みは、例えば５ｎｍ以上２００ｎｍ以下に設定されている。
【００３２】
絶縁物１７は、平面視してコンタクト領域Ｒ２を取り囲むように形成されている。また、絶縁物１７は、断面視して導電層１８ａの端部上から導電層１８ｂの端部上にかけて形成されている。絶縁物１７は、第１電極層１３と第２電極層１６とが短絡するのを防止している。ここで、導電層１８ａの端部及び導電層１８ｂの端部とは、絶縁物１７の一部が形成されうる箇所をいう。なお、絶縁物１７は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料、あるいは窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。
【００３３】
また、絶縁物１７には、図３のＸ１部分の拡大図である図４（Ａ）に示すように、導電層１８ｂと間を空けるように第１隙間Ｇ１が形成されることがある。第１隙間Ｇ１は、例えば、絶縁物１７と導電層１８ｂとの接着性が十分でない場合に発生すると考えられる。第１隙間Ｇ１の高さは、絶縁物１７と導電層１８ｂとの間が最も空いている箇所においては、例えば３ｎｍ以上空いていることがある。第１隙間Ｇ１の大きさが、絶縁物１７上から導電層１８ｂ上にかけて形成される第２電極層１６の厚みよりも大きいと、第２電極層１６が断線することがある。そのため、後述するように、第１隙間Ｇ１に電荷注入層１４の一部を充填することによって、第２電極層１６のステップカバレッジを良好にし、第２電極層１６が断線するのを効果的に抑制することができる。
【００３４】
また、絶縁物１７には、図３のＸ２部分の拡大図である図４（Ｂ）に示すように、導電層１８ａと間を空けるように第２隙間Ｇ２が形成されることがある。第２隙間Ｇ２は、例えば、絶縁物１７と導電層１８ａとの接着性が十分でない場合に発生すると考えられる。第２隙間Ｇ２は、絶縁物１７と導電層１８ａとの間が最も空いている箇所においては、例えば３ｎｍ以上空いていることがある。発光領域Ｒ１においては、電荷注入層１４が直接第１電極層１３と接するため、第２隙間Ｇ２が大きいと、第２隙間Ｇ２と導電層１８ａとの厚みに起因する段差によって、第２電極層１６が断線することがある。そのため、第２隙間Ｇ２に電荷注入層１４の一部を充填することによって、第２電極層１６のステップカバレッジを良好にし、第２電極層１６が断線するのを効果的に抑制することができる。
【００３５】
電荷注入層１４は、第１電極層１３の中央領域上から導電層１８ｂ上にかけて形成されている。第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みは、有機ＥＬ素子が発する光が屈折率や厚みに依存するため、所定の厚みに設計されている。ここで、第１電極層１３の中央領域とは、有機発光層１５が形成される領域をいう。なお、導電層１８ｂと第２電極層１６との間に被着する電荷注入層１４の厚みは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下に形成されている。また、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗は、４．２×１０６Ω以下に設定されている。電荷注入層１４の厚みを５ｎｍ以上に設定することで、第１隙間Ｇ１に電荷注入層１４の一部を充填することができ、第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができる。また、電荷注入層１４の厚みを３０ｎｍ以下に設定することで、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗を効果的に抑制することができ、消費電力が大きくなるのを抑えることができる。
【００３６】
電荷注入層１４は、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族又は芳香族アミン化合物を用いることができる。また、電荷注入層は、１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン又はそれにシアノ基などが結合した誘導体等の複素環化合物を用いることができる。さらに、電荷注入層は、上述した材料を複数積層した積層体、あるいは共蒸着を用いて、上述した材料を複数混入した蒸着膜を用いることができる。
【００３７】
有機発光層１５は、第１電極層１３の直上に位置する電荷注入層１４上に形成される。かかる有機発光層１５は、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等のホスト材料、あるいはこれらのホスト材料にＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、スチリルアミン又はペルリン等のドーパント材料を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層１５と第２電極層１６との間に、例えばα‐ＮＰＤ、ＴＰＤ、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等を介在させることができる。
【００３８】
第２電極層１６は、有機発光層１５上から絶縁物１７上まで延在されており、該延在部が導電層１８ｂと直接接続されている。第２電極層１６は、有機発光層１５の上面側から光を取り出すために、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、錫酸化物等の光透過性を有する導電材料を用いて形成される。また、第２電極１６が、例えばマグネシウム、銀、アルミニウム又はカルシウム等の材料から成る場合、その厚みを１００ｎｍ以下にすることによって、光透過性の電極とすることができる。
【００３９】
また、第２電極層１６上には、有機ＥＬ素子５を酸素又は水分から保護するための保護膜１９が形成されている。保護膜１９は、表示領域Ｄ１を被覆するように形成されている。かかる封止膜１９は、例えば窒化珪素、酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。さらに、保護膜１９上にシール材８を介して封止基板７が形成される。
【００４０】
以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図５から図１４を用いて詳細に説明する。
【００４１】
まず、回路層９と、絶縁層１０とを上面に有する素子基板２を準備する。なお、回路層９及び絶縁層１０は、従来周知の蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等の薄膜形成技術、フォトリソグラフィ法又はエッチング法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。
【００４２】
そして、図５（Ａ）に示すように、回路層９及び絶縁層１０を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて、有機樹脂膜１２ａを形成する。なお、有機樹脂膜１２ａは、硬化後に平坦化膜１２となる。さらに、有機樹脂膜１２ａ上に露光マスクを用いて有機樹脂膜１２ａを露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図５（Ｂ）に示すように、回路層９の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜１２を形成する。
【００４３】
次に、図６（Ａ）に示すように、平坦化膜１２上に、例えばアルミニウム及びネオジウムとの合金から成る金属膜１３ｘを形成する。さらに、図６（Ｂ）に示すように、露出した金属膜１３ｘ上に、例えばスパッタリング法を用いて、金属膜１３ｘの表面が酸化しないように、例えばモリブデンから成る導電層１８ｘを形成する。
【００４４】
次に、図７（Ａ）に示すように、露出した導電層１８ｘ及び金属膜１３ｘに対して、従来周知のエッチング法を行うことで、パターニングする。具体的には、露出した導電層１８ｘがエッチングされて、その直下に位置する金属膜１３ｘがエッチングされる。このように、金属膜１３ｘをパターニングして、第１電極層１３とコンタクト電極層１１を同時に形成する。また、導電層１８ｘをパターニングして、導電層１８ａと導電層１８ｂを同時に形成する。次に、図７（Ｂ）に示すように、例えばスピンコート法を用いて、導電層１８ａ、導電層１８ｂ及び一部露出した平坦化膜１２上に、例えばアクリル樹脂から成る有機絶縁材料層１７ｘを形成する。
【００４５】
そして、図８（Ａ）に示すように、有機絶縁材料層１７ｘに対してフォトリソグラフィ法を用いて、有機絶縁材料層１７ｘをパターニングして、絶縁物１７を形成する。さらに、図８（Ｂ）に示すように、従来周知の薄膜形成技術及び薄膜加工技術を用いて、発光領域Ｒ１に対応する導電層１８ａの表面を露出するように、フォトレジストＦをパターニングして形成する。
【００４６】
次に、発光領域Ｒ１に対応する導電層１８ａに対して、例えば燐酸、硝酸、酢酸又はそれらの混合液等のエッチング液を浸透させて、発光領域Ｒ１に対応する導電層１８ａをエッチングして、図９（Ａ）に示すように、第１電極層１３を露出させる。そして、図９（Ｂ）に示すように、フォトレジストＦを、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）又は水酸化カリウム（ＫＯＨ）等の現像液によって取り除く。
【００４７】
次に、図１０（Ａ）に示すように、絶縁物１７上に、従来周知の薄膜形成技術及び薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な隔壁６を形成する。かかる隔壁６は、各画素３を取り囲むように形成される。そして、蒸着法を用いて図１０（Ｂ）に示すように、発光領域Ｒ１及びコンタクト領域Ｒ２の全面に電荷注入層１４を形成する。
【００４８】
ここで、絶縁体１７と導電層１８との間の隙間について説明する。絶縁体１７を形成する際、例えば、現像液によって、絶縁体１７と導電層１８との間に、現像液が滲みこんで隙間が形成されることがある。また、環境温度の変化によって、絶縁体１７が収縮して、絶縁体１７と導電層１８との間で、隙間が生じることがある。さらに、導電層１８を構成する材料として、ニッケル又はモリブデン等の金属材料を用いた場合、導電層１８と絶縁体１７との密着力が弱く、絶縁体１７の端部に隙間が形成されることがある。上述したように、かかる隙間によって、第２電極層１６が断線する虞がある。
【００４９】
上述したように、電荷注入層１４を導電層１８ｂ上に被着させた直後は、図１１（Ａ）に示すように、絶縁体１７と導電層１８ｂとの間に第１隙間Ｇ１が空いている。そこで、電荷注入層１４に対して、電荷注入層１４を構成する材料のガラス転移点以上の温度であって、素子基板２上に形成されるその他の構造物が劣化することがない温度未満の熱を加えて、電荷注入層１４を流動させる。そして、図１１（Ｂ）に示すように、電荷注入層１４の一部を第１隙間Ｇ１に流し込んで、第１隙間Ｇ１を電荷注入層１４の一部によって充填することができる。なお、電荷注入層１４に対して加える熱の温度は、例えば１００度以上２００度以下である。その結果、絶縁体１７上から導電層１８ｂ上にかけて形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２電極層１６の断線を抑制することができる。
【００５０】
また、電荷注入層１４を第１電極層１３上に被着させた直後は、図１２（Ａ）に示すように、絶縁体１７と導電層１８ａとの間には第２隙間Ｇ２が空いている。そこで、上述したように電荷注入層１４に熱を加えて、電荷注入層１４の一部を流動させて、図１２（Ｂ）に示すように、第２隙間Ｇ２に電荷注入層１４の一部を充填する。その結果、絶縁体１７上から第１電極層１３上にかけて形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２電極層１６の断線を抑制することができる。
【００５１】
次に、図１３（Ａ）に示すように、例えば蒸着法を用いて、第１電極層１３の直上に位置する電荷注入層１４上に、有機発光層１５を形成する。有機発光層１５を形成する際は、蒸着マスクを隔壁６上に載置して、各画素３に、赤色、緑色又は青色と発光する色に応じた有機材料を塗り分けることができる。そして、図１３（Ｂ）に示すように、有機発光層１５上から導電層１８ｂ上にかけて、第２電極層１６を形成する。第２電極層１６を構成する際は、蒸着マスクを用いることなく、有機発光層１５上及び導電層１８ｂ上に第２電極層１６を形成することができる。そして、導電層１８ｂと第２電極層１６とを断線することなく直接接続することができ、導電層１８ｂと第２電極層１６との間の電気的接続を安定にすることができる。このようにして、有機ＥＬ素子５を形成することができる。
【００５２】
さらに、図１４に示すように、例えばスパッタリング法を用いて、表示領域Ｄ１上に有機ＥＬ素子５が劣化しないように、保護膜１９を形成する。そして、図３に示すように、有機ＥＬ素子５が形成された素子基板２に対して、封止基板７を対向配置し、両者をシール材８を介して接着する。具体的には、封止基板７に対して、例えばスピンコート法を用いて予めシール材８を被着させておく。そして、素子基板２に対してシール材８を介して封止基板７を固着させる。なお、封止基板７をシール材８によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。
【００５３】
そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を作製することができる。
【００５４】
上述したように、本発明の実施形態によれば、絶縁物１７と導電層１８との間の隙間に、電荷注入層１４の一部を充填させることができる。そのため、発光領域Ｒ１及びコンタクト領域Ｒ２に形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２絶縁層１６の断線を抑制することができ、導電層１８ｂと第２電極層１６との電気的接続を安定にすることができる。
【００５５】
また、従来技術である図１５に示すように、電荷注入層１４を形成する際に、コンタクト領域Ｒ２をマスクｍにて被覆するマスキング工程が必要であったが、本発明の実施形態に係る電荷注入層１４の形成方法によれば、マスキング工程を省略することができる。従来技術によれば、微細なコンタクト領域Ｒ２のみをマスキングするのは、位置合わせが難しく、画素が小さくなるにつれさらにコンタクト領域Ｒ２も小さくなり、マスキングすることは困難な作業となる。一方、本発明の実施形態に係る電荷注入層１４の形成方法によれば、製造工程を単純化することによって、生産性を向上させることができる。
【００５６】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る画素の拡大平面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図であって、図３（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁体とコンタクト電極層との間の隙間を示す拡大断面図である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁体と導電層との間の隙間を示す拡大断面図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図９】図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図１３】図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図１４】図１４（Ａ）、図１４（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図１５】従来技術を説明する図面であって、従来の電荷注入層の形成方法を説明する平面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１    有機ＥＬディスプレイ
２    素子基板
３    画素
４    駆動ＩＣ
５    有機ＥＬ素子
６    隔壁
７    封止基板
８    シール材
９    回路層
１０    絶縁層
１１    コンタクト電極層
１２    平坦化膜
１３    第１電極層
１４    電荷注入層
１５    有機発光層
１６    第２電極層
１７    絶縁物
１８    導電層
１９    保護膜
Ｄ１  表示領域
Ｄ２  非表示領域
Ｒ１  発光領域
Ｒ２  コンタクト領域
Ｓ    コンタクトホール
Ｇ１  第１隙間
Ｇ２  第２隙間
【図１】
2009156913.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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