(57)【要約】【課題】銅又は銅合金からなるリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金からなるリード基材に形成された純錫メッキ層であってもウィスカの発生を抑制可能な電子部品の外部リード及びその製造方法を提供する。【解決手段】所定のリード基材１６上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リード１４において、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層１８からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層２０からなる電子部品の外部リード１４とする。【選択図】図２
2009019215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のリード基材上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リードにおいて、
前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層からなることを特徴とする電子部品の外部リード。
【請求項２】
前記光沢錫メッキ層は前記リード基材を被覆し、前記無光沢錫メッキ層は前記光沢錫メッキ層を被覆してなる請求項１に記載の電子部品の外部リード。
【請求項３】
前記無光沢錫メッキ層は前記リード基材を被覆し、前記光沢錫メッキ層は前記無光沢錫メッキ層を被覆してなる請求項１に記載の電子部品の外部リード。
【請求項４】
電子部品の外部リードメッキ方法において、
光沢錫メッキ層を形成する光沢錫メッキ工程と、
無光沢錫メッキ層を形成する無光沢錫メッキ工程と、を有することを特徴とする電子部品の外部リードメッキ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の外部リードに関し、特に外部リードに形成されるメッキ構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、集積回路（以下「ＩＣ」という。）、トランジスタ等の電子部品は、その素子部分が例えばリードフレーム上に固着された後、ワイヤボンディングなどによりリードフレームと電気的に接続され、さらにモールド樹脂等により樹脂封止される。そして、電子部品とプリント基板等の外部回路とを接続するために、モールド樹脂の外側に露出したリード（以下「外部リード」という。）に、例えば錫―鉛合金、いわゆる鉛半田メッキ層が形成される。
【０００３】
ところが、近年の鉛フリー化の要請に伴い、鉛半田メッキ層に含まれる鉛の使用が規制されつつある。そのため、鉛半田メッキ層に替わる外部リードのメッキ構造に関する様々な提案がなされており、例えば錫に微量のビスマス等の金属を添加した錫−ビスマス合金によるメッキ層や、純錫によるメッキ層等が上げられる。
【０００４】
しかし、上述した錫―ビスマス合金によるメッキの場合はビスマスがいわゆるレアメタルであるためコストアップする問題がある。また、メッキ浴のアノードにビスマスが析出し、その除去作業が必要になる等、メッキ浴の管理が煩雑になる等の問題がある。
一方、純錫によるメッキ層の場合は、コストアップの問題やメッキ浴の管理上の問題はないものの、電子部品の実使用環境下において外部リードの表面に、ウィスカと呼ばれる金属ヒゲが、発生しやすいことが知られている。このウィスカは、例えばその幅が略数μｍで長さが最大で数ｍｍ程度の細長いヒゲ状の生成物である。そのため、純錫によるメッキ層は、このウィスカが隣接する外部リード間の短絡の原因となるおそれがあるという問題があった。
【０００５】
そこで、純錫メッキ層に起因するウィスカの抑制方法についていくつかの提案がなされている。例えば、銅又は銅合金に０．１５μｍ以上の錫メッキを施した後に、加熱処理を行って錫メッキ層を銅―錫拡散層とし、その上に錫メッキを施すウィスカの抑制方法が知られている（たとえば特許文献１）。
【特許文献１】特開平５−３３１８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１は、あくまでも銅又は銅合金のリード基材上の銀メッキ層を銅―錫拡散層とすることでウィスカを抑制するものであって、その他の金属からなるリード基材に適用した場合でもウィスカの抑制効果が得られるか否かは定かではない。
他方、リード基材の主流の素材としては、銅又は銅合金以外にも、鉄―ニッケル合金が多用されている。そのため、少なくともリード基材が鉄―ニッケル合金であっても純錫によるメッキ層においてウィスカを抑制する技術が望まれるところである。
【０００７】
また、特許文献１によれば、リード基材上に一旦錫メッキ層を形成した後に、例えば錫メッキ浴から電子部品を引き上げて加熱処理炉に入れる等の工程追加や、加熱処理に必要な恒温槽等の導入のための新たな投資等が必要となるおそれがある。したがって、特許文献１によると、メッキ工程の複雑化や、メッキ工程のコストアップにつながるおそれがあった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、銅又は銅合金からなるリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金やその他の金属からなるリード基材に形成された純錫メッキ層であってもウィスカの発生を抑制可能であるとともに、メッキ工程のコストが安価な電子部品の外部リード及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、光沢錫メッキ層と無光沢錫メッキ層との２重構造からなる錫メッキ構造が優れたウィスカ抑制効果を奏することを見出した。
すなわち、請求項１の発明では、所定のリード基材上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リードにおいて、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層からなることを特徴とする電子部品の外部リードとした。
【００１０】
請求項２の発明では、請求項１に記載の電子部品の外部リードにおいて、前記光沢錫メッキ層は前記リード基材を被覆し、前記無光沢錫メッキ層は前記光沢錫メッキ層を被覆してなる構成とした。
【００１１】
請求項３の発明では、請求項１に記載の電子部品の外部リードにおいて、前記無光沢錫メッキ層は前記リード基材を被覆し、前記光沢錫メッキ層は前記無光沢錫メッキ層を被覆してなる構成とした。
【００１２】
請求項４の発明では、電子部品の外部リードのメッキ方法において、光沢錫メッキ工程と、無光沢錫メッキ工程と、を有することを特徴とする電子部品の外部リードメッキ方法とした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、所定のリード基材上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リードにおいて、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層からなる構成とすることによって、銅合金のリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金のリード基材であってもウィスカの発生を抑制可能であるとともに、メッキ工程のコストが安価な電子部品の外部リード及びそのメッキ方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について説明する。
発明者は、これまでリード基材に、単層の純錫メッキ層である光沢錫メッキ層を形成した外部リード及び単層の純錫メッキ層である無光沢錫メッキ層を形成した外部リードとウィスカの発生との関係について様々な研究を行った。その結果、単層の光沢錫メッキ層の場合は、温度サイクル試験（後述）に対するウィスカの抑制効果は高いが、外部リードに荷重を加えた状態で所定の時間放置する加重試験（後述）に対するウィスカの抑制効果は低く、一方、単層の無光沢錫メッキ層の場合は、温度サイクル試験に対するウィスカの抑制効果は低いが、加重試験に対するウィスカの抑制効果は高い、という知見を得た。
【００１５】
当該知見を基に、発明者は、光沢錫メッキ層と無光沢錫メッキ層の２重のメッキ構造からなる外部リードを発案するに至ったのである。このように、リード基材を被服するメッキ層を、光沢錫メッキ層と無光沢錫メッキ層との２重構造にすることで、ウィスカの抑制効果が発揮されることは意外な事実である。
すなわち、本発明の電子部品の外部リードは、所定のリード基材上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リードにおいて、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層からなることを特徴とする電子部品の外部リードである。
【００１６】
その際、光沢錫メッキ層はリード基材を被覆し、無光沢錫メッキ層は前記光沢錫メッキ層を被覆してなる構成であってもよいし、また、無光沢錫メッキ層はリード基材を被覆し、光沢錫メッキ層は前記無光沢錫メッキ層を被覆してなる構成であってもよい。すなわち、２重のメッキ層の内側を光沢錫メッキ層とし、外側を無光沢錫メッキ層とする構成であってもよいし、２重のメッキ層の内側を無光沢錫メッキ層とし、外側を光沢錫メッキ層とする構成であってもよい。
このようにすることで、外部リードの外側のメッキ層を光沢錫メッキ層又は無光沢錫メッキ層のいずれであっても形成可能となり、外部リードの表面状態の選択の幅が広まる。
【００１７】
上記外部リードは、光沢錫メッキ層を形成する光沢錫メッキ工程と、無光沢錫メッキ層を形成する無光沢錫メッキ工程と、を有する電子部品の外部リードメッキ方法により得ることができる。
そうすることで、所定のリード基材上に２重のメッキ層を有し、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層からなる電子部品の外部リード電子部品の外部リードを製造可能となる。
【００１８】
本発明において「電子部品」は、ＩＣ等やトランジスタ等の半導体装置、抵抗及びコンデンサ等の回路素子を含むが、本実施形態においては半導体装置を電子部品の例として説明する。
【００１９】
また、「リード基材」は、その上に半田メッキ層が形成される外部リードの基材部分を意味する。したがって、半導体装置のリードフレームの場合は、リード基材の材質とリードフレームの材質とは同一となる。
【００２０】
以下、添付図面を用いて、本発明に係る最良の実施形態について具体的に説明する。
図１は本発明の第１実施形態に係る半導体装置１０の例の説明図であり、図１（ａ）は同半導体装置１０の斜視説明図、図１（ｂ）は同半導体装置１０の平面図である。
【００２１】
図１において、１２は本実施形態に係る半導体装置１０の樹脂封止部、１４は外部リードである。樹脂封止部１２の内側には、ワイヤボンディング等により外部リード１４と電気的に接続された半導体素子（図示しない）が樹脂封止されている。なお外部リード１４は、図１に示すように、曲げ加工を施されている。
【００２２】
本実施形態における半導体装置１０のパッケージの形態は、図１に示すＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）としているが、例えばＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装型のパッケージや、ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  ｉｎ  Ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の挿入型のパッケージであってもよく、パッケージについては何ら限定されるものではない。
【００２３】
次に、外部リード１４のメッキ構造について、図２を用いて説明する。図２は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線断面を説明する模式図である。
外部リード１４は、図２に示すように、所定のリード基材１６上に、光沢錫メッキ層１８と無光沢錫メッキ層２０とからなる２重のメッキ層を有するものである。
本実施形態のリード基材１６は、例えば略０．２ｍｍ〜０．５ｍｍの幅と０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍの厚さで所要の長さを有する短冊状薄板部材で形成される。また、リード基材１６は、半導体装置１０のリードフレームとして多用される、例えば４２アロイと称される鉄―４２Ｗｔ％ニッケル合金（以下「４２アロイ」という。）製や、例えば２Ｗｔ％鉄含有の銅合金（以下「銅合金」という。）製で形成される。
なお、リード基材の断面形状は、本実施形態の長方形状に限らず、円形状であってもよい。
【００２４】
そして、本実施形態の外部リード１４は、図２に示すように、光沢錫メッキ層１８はリード基材１６を被服し、無光沢錫メッキ層２０は光沢錫メッキ層１８を被服する構成となっている。
【００２５】
光沢錫メッキ層１８は、後述するメッキ方法（例えばステップＳ１４）により形成される光沢のある純錫メッキ層であり、例えば略１μｍ〜３μｍの厚さでリード基材１６を被覆するように形成される。次に、無光沢錫メッキ層２０は、後述するメッキ方法（例えばステップＳ１８）により形成される光沢のない純錫メッキ層であり、例えば略７〜９μｍの厚さで、光沢錫メッキ層１８を被覆するように形成される。
このように構成することで、例えば半導体装置１０の外部リード１４の最表面を無光沢錫メッキ層２０で形成するとともに、ウィスカの発生を抑制可能な半導体装置１０の外部リード１４を提供できる。
【００２６】
ここで、光沢錫メッキ層１８の表面及び無光沢錫メッキ層２０の表面について図３を用いて説明する。図３（ａ）は、リード基材上に光沢錫メッキ層１８（略１μｍ〜３μｍ厚）を形成し、その表面を略５０００倍に拡大したＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。図３（ｂ）は、リード基材上に無光沢錫メッキ層２０（略７μｍ〜９μｍ厚）を形成し、その表面を略５０００倍に拡大したＳＥＭ写真である。
先ず、図３（ｂ）示すように、無光沢錫メッキ層２０の表面を形成する個々の結晶粒径は略２μｍ〜８μｍとなっている。一方、図３（ｂ）と図３（ａ）を比較すると解かるように、光沢錫メッキ層１８を形成する個々の結晶粒サイズは無光沢錫メッキ層より小さく、略１μｍ以下となっている。
【００２７】
上述のように形成される、光沢錫メッキ層１８と無光沢錫メッキ層２０の表面の光沢度を測定した。光沢度計（ＧＲＡＰＨＩＣ  ＡＲＴＳ  ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＩＮＧ社製のＧＡＭ  ｄｉｇｉｔａｌ  ｄｅｎｓｉｔｏｍｅｔｅｒ  ＭＯＤＥＬ１４４）による測定では、上記光沢錫メッキ層１８の光沢度は１．８６〜１．９３で、上記無光沢錫メッキ層２０の光沢度は０．１５〜０．１７であった。すなわち、光沢錫メッキ層１８の光沢度の方が無光沢錫メッキ層２０の光沢度より高いことが認められた。
これは、上述したように、無光沢錫メッキ層２０表面の結晶粒径が、光沢錫メッキ層１８表面の結晶粒径より大きいことから、無光沢錫メッキ層２０の表面に照射される光が、光沢錫メッキ層１８の表面に照射される光に比べて乱反射されやすくなるためと考えられる。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。上述した第１実施形態と第２の実施形態との相違点は、第１の実施形態の内側の錫メッキ層と外側の錫メッキ層とが逆になっている点である。すなわち、第２の実施形態は無光沢錫メッキ層２０がリード基材１６を被覆し、光沢錫メッキ層１８が無光沢錫メッキ層２０を被覆する構成としている。
【００２９】
上記無光沢錫メッキ層２０は、後述するメッキ方法（例えばステップＳ１８）により形成される光沢のない純錫メッキ層であり、例えば略７〜９μｍの厚さで、リード基材１６を被覆するように形成される。一方、光沢錫メッキ層１８は、後述するメッキ方法（例えばステップＳ１４）により形成される光沢のある純錫メッキ層であり、例えば略１μｍ〜３μｍの厚さで無光沢錫メッキ層２０を被覆するように形成される。
このように構成することで、例えば半導体装置１０の外部リード１４の最表面を光沢錫メッキ層１８で形成するとともに、ウィスカの発生を抑制可能な半導体装置１０の外部リード１４を提供できる。
【００３０】
次に、本実施形態の半導体装置の外部リードメッキ方法について図を用いて説明する。図４は、前述した第１実施形態に係る半導体装置１０の外部リードメッキ方法を説明するフローチャートである。図５は、第２の実施形態に係る半導体装置１０の外部リードメッキ方法を説明するフローチャートである。
先ず、第１実施形態に係る半導体装置１０の外部リードメッキ方法では、図４に示すように、樹脂封止部１２近傍（図１参照）のリード基材１６に付着した不要なモールド樹脂等を除去する樹脂漏れ除去工程（ステップＳ１０）を行う。
【００３１】
次に、リード基材１６を酸等に浸漬し、その表面を活性化する前処理工程（ステップＳ１２）を行う。
【００３２】
次に、光沢錫メッキ工程（ステップＳ１４）を行う。
当該光沢錫メッキ工程は、上述した光沢錫メッキ層１８を形成するための工程である。光沢錫メッキ工程では、所定の光沢錫メッキ液にリード基材１６を浸漬しつつ、例えば略０．５〜１０Ａ／ｄｍ２の電流を略３０〜１８０秒間印加し、略１μｍ〜３μｍの厚さの光沢錫メッキ層１８を形成する。上述した光沢錫メッキ液は、例えば純水（１０６Ω―ｃｍ程度）に市販の錫メッキ液とスルホン酸とを混入し、さらに例えばアルデヒドを含む添加剤を略２０〜７０ｃｃ／Ｌ添加して建浴される。また、光沢錫メッキ液にリード基材１６を浸漬する方法のみならず、リード基材１６に対して、前記光沢錫メッキ液を噴流させる方法であってもよい。
【００３３】
次に、外部リード１４の表面の光沢錫メッキ液を洗い流すための水洗工程（ステップＳ１６）を行う。
【００３４】
次に、無光沢錫メッキ工程（ステップＳ１８）を行う。
当該無光沢錫メッキ工程は、上述した無光沢錫メッキ層２０を形成するための工程である。無光沢錫メッキ工程では、所定の無光沢錫メッキ液に前記光沢錫メッキ層を形成したリード基材１６を浸漬しつつ、例えば１〜２０Ａ／ｄｍ２の電流を１〜８分間印加し、略７μｍ〜９μｍの厚さの無光沢錫メッキ層２０を形成する。上述した無光沢錫メッキ液は、例えば純水（１０６Ω―ｃｍ程度）に市販の錫メッキ液とスルホン酸とを混入し、さらに市販の添加剤をメーカ規定の体積比で添加して建浴される。また、無光沢錫メッキ液にリード基材１６を浸漬する方法のみならず、リード基材１６に前記無光沢錫メッキ液を噴流させる方法であってもよい。
【００３５】
次に、外部リードの表面の無光沢錫メッキ液を洗い流すための水洗工程（ステップＳ２０）と、乾燥工程（ステップＳ２２）を経て終了する。
【００３６】
このように、本実施形態の半導体装置の外部リードメッキ方法は、光沢錫メッキ層１８を形成する光沢錫メッキ工程（ステップＳ１４）と、無光沢錫メッキ層２０を形成する無光沢錫メッキ工程（ステップＳ１８）と、を有する構成となっているのである。
【００３７】
また、上述した外部リードメッキ方法においては、光沢錫メッキ工程（ステップＳ１４）の後に無光沢錫メッキ工程（ステップＳ１８）を行ったが、この順番を入れ替え、図５に示すように、無光沢錫メッキ工程（ステップＳ１８）の後に光沢錫メッキ工程（ステップＳ１４）を行うフローとすれば、上述した第２の実施形態に係る外部リード１４を形成することができる。なお、本実施形態の外部リードメッキ方法は、外部リードの曲げ加工前に実施される。
【００３８】
［ウィスカ抑制評価］
次に、本発明の実施例に係る電子部品の外部リードに関するウィスカ抑制評価について具体的に説明する。
【００３９】
ウィスカ抑制評価の対象となる実施例及び、公知の錫メッキ処理を施した比較例は以下の通りである。
〈実施例１〉
４２アロイからなるリード基材１６に図４に示すフローを介して光沢錫メッキ及び無光沢錫メッキを行った。
〈実施例２〉
４２アロイからなるリード基材１６に図５に示すフローを介して無光沢錫メッキ及び光沢錫メッキを行った。
〈実施例３〉
銅合金からなるリード基材１６に図４に示すフローを介して光沢錫メッキ及び無光沢錫メッキを行った。
〈実施例４〉
銅合金からなるリード基材１６に図５に示すフローを介して無光沢錫メッキ及び光沢錫メッキを行った。
〈比較例１〉
４２アロイからなるリード基材１６に、上述した光沢錫メッキ液を用い、略１０μｍの厚さの光沢錫メッキ層を形成した。
〈比較例２〉
銅合金からなるリード基材１６に、上述した光沢錫メッキ液を用い、略１０μｍの厚さの無光沢錫メッキ層を形成した。
〈比較例３〉
４２アロイからなるリード基材１６に、上述した無光沢錫メッキ液を用い、略１０μｍの厚さの光沢錫メッキ層を形成した。
〈比較例４〉
銅合金からなるリード基材１６に、上述した無光沢錫メッキ液を用い、略１０μｍの厚さの無光沢錫メッキ層を形成した。
【００４０】
これらの実施例及び比較例に係る外部リードに対して、後述する加重試験或いは温度サイクル試験を実施し、下記のサンプル１〜１２を得た。
ここで、ウィスカはメッキ層の内部応力が高いほど発生しやすい傾向にあることが知られている。後述する加重試験及び温度サイクル試験は、メッキ層内部の応力を高め、ウィスカの発生を促進するための試験である。
本実施形態の加重試験について図６を用いて説明する。図６は、加重試験を説明する断面模式図である。加重試験は、図６に示すように、例えばアクリル樹脂製の加重板５０，５１で外部リード１４を上下から挟持し、下側加重板５１を固定した状態で上側加重板５０に略５００ｇ／ｍｍ２の加重を加え、常温で所定の時間放置する試験である。当該加重試験によれば、図６に示すように、外部リード１４の側面にウィスカ２２が発生し易い。
次に、温度サイクル試験は、高温側が１２５℃，３０分で、低温側がー４０℃，３０分を１サイクルとし、これを所要のサイクル数繰り返す試験である。
なお、これらの試験は、上述したメッキ処理後であって、曲げ加工前に実施した。
【００４１】
次に、表１に、サンプル番号と実施例、比較例、加重試験、温度サイクル試験との関係をまとめた。
【表１】
2009019215.tif 000003
【００４２】
次に、表１のサンプル１〜４及びサンプル９及び１０のウィスカの発生状況について図７を用いて説明する。図７（ａ）は、サンプル１、図７（ｂ）はサンプル２、図７（ｃ）はサンプル９の、図７（ｄ）はサンプル３、図７（ｅ）はサンプル４、図７（ｆ）はサンプル１０、それぞれのＳＥＭ写真、特に外部リード１４の側面近傍の略４００倍のＳＥＭ写真である。
図７から明らかなように、サンプル９及び１０は、加重試験を１２０時間実施した時点で既に略数１０μｍ〜数１００μｍのウィスカの成長が認められる（図７（ｃ）及び図７（ｆ）参照）。これに対し、サンプル１〜４は加重試験を６００時間実施した時点でもウィスカの発生は認められない（図７（ａ）、図７（ｂ）、図７（ｄ）、図７（ｅ）参照）。
【００４３】
次に、表１のサンプル５〜８及びサンプル１１及び１２のウィスカの発生状況について図８及び図９を用いて説明する。図８（ａ）は、サンプル５、図８（ｂ）はサンプル６、図８（ｃ）はサンプル１１、図８（ｄ）はサンプル７、図８（ｅ）はサンプル８、図８（ｆ）はサンプル１２、それぞれのＳＥＭ写真、特にタイバと外部リード１４とが交差する近傍の略２００倍のＳＥＭ写真であるである。図９は、ウィスカ発生の概略を説明する外部リードの表面近傍の断面模式図である。
【００４４】
ウィスカ２２は、図９に示すように、例えば複数の結晶粒のうち一部の結晶粒が外部リードの表面から外方に向かって成長することで形成されることが知られている。したがって、ウィスカ２２が発生した外部リードの表面は、ウィスカ２２による凹凸のため、ＳＥＭ写真では荒れているように観察される。
図８から明らかなように、サンプル１１は、略１０μｍのウィスカが発生しているとともにその表面が荒れているのが認められる（図８（ｃ）参照）。これに対し、サンプル１１と同じリード基材（４２アロイ）からなるサンプル５及びサンプル６は、サンプル１１に比較してウィスカの発生が抑制されていること認められる（図８（ａ）及び図８（ｂ））。
また、図８から明らかなように、リード基材が銅合金の場合は、４２アロイに比較してその表面が荒れておらず、ウィスカが発生し難い傾向にあるものの、サンプル１２よりサンプル７及びサンプル８の方がウィスカの発生が抑制されていることが認められる（図８（ｄ）、図８（ｅ）、図８（ｆ）参照）。
【００４５】
以上のウィスカ抑制評価結果によると、本実施例に係る外部リードは、リード基材が銅合金のみならず４２アロイであっても、また温度サイクル試験及び加重試験のいずれの試験であってもウィスカの抑制効果があることが確認された。このような効果を奏するのは、温度サイクル試験や加重試験等によるストレスがメッキ層にかかっても、無光沢錫メッキ層と光沢錫メッキ層との界面の存在によりメッキ層の内部応力が緩和されることによるものと思われる。
【００４６】
以上説明してきたように、本実施形態の電子部品の外部リード１４及びその外部リードメッキ方法によれば、銅合金のリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金のリード基材であってもウィスカの発生を抑制可能であるとともに、メッキ工程のコストが安価な電子部品の外部リード及びそのメッキ方法を提供できる。
【００４７】
以上、本発明の実施形態のうちのいくつかを図面に基づいて詳細に説明したが、これらはあくまでも例示であり、当業者の知識に基づいて種々の変形、改良を施した他の形態で本発明を実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態の電子部品の斜視図及び平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面を説明する模式図である。
【図３】錫メッキ層の表面を説明するＳＥＭ写真である。
【図４】本発明の一実施形態の外部リードメッキ方法を説明するフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態の外部リードメッキ方法を説明するフローチャートである。
【図６】加重試験を説明する模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る電子部品の外部リードのウィスカ抑制効果を説明するＳＥＭ写真である。
【図８】本発明の実施形態に係る電子部品の外部リードのウィスカ抑制効果を説明するＳＥＭ写真である。
【図９】ウィスカ発生の概略を説明する外部リードの表面近傍の断面模式図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０    半導体製造装置
１２    樹脂封止部
１４    外部リード
１６    リード基材
１８    光沢錫メッキ層
２０    無光沢錫メッキ層
【図１】
2009019215.tif 000004
【図２】
2009019215.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図３】
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【図７】
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【図８】
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