(57)【要約】【課題】基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置が提供される。【解決手段】前記基板保持ユニットは、ベース板及び前記ベース板に形成された保持部を含む。前記保持部は、二つの保持台及び複数の保持部材を含む。前記二つの保持台は、所定方向に沿って伸び、相互離隔する。前記複数の保持部材は、前記所定方向に沿って互いに離隔するように設けられ、それぞれが前記保持台を連結する。【選択図】図３
2009099985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース板と、
前記ベース板に形成され、第１方向に沿って配列された複数の基板を保持する少なくとも一つ以上の保持部と、を備え、
前記保持部は、
前記第１方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、
前記第１方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする基板保持ユニット。
【請求項２】
前記保持部材は、前記第１方向と直交する第２方向に対して傾いていることを特徴とする請求項１に記載の基板保持ユニット。
【請求項３】
前記第１方向に沿って隣接する二つの保持部材が、その間に挿入される単一基板を保持し、前記隣接する二つの保持部材のうち一つが前記単一基板の上面に接触し、他の一つが前記単一基板の下面に接触することを特徴とする請求項２に記載の基板保持ユニット。
【請求項４】
前記保持部は、互いに平行に離隔した第１保持部及び第２保持部を含み、前記第１及び第２保持部の保持部材は、互いに同じ方向に傾いていることを特徴とする請求項２に記載の基板保持ユニット。
【請求項５】
前記保持部は、互いに平行に離隔した第１保持部及び第２保持部を含み、前記第１及び第２保持部の保持部材は、互いに対称方向に傾いていることを特徴とする請求項２に記載の基板保持ユニット。
【請求項６】
前記保持部材が前記第２方向に対して傾いた角度は１０度以下であることを特徴とする請求項２に記載の基板保持ユニット。
【請求項７】
前記保持部材は前記第１方向から見た時、部分的に円形のリング形状を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の基板保持ユニット。
【請求項８】
前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、前記複数の基板を保持するように前記第１方向に沿って溝が形成された補助保持部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板保持ユニット。
【請求項９】
前記補助保持部は、前記第１方向に沿って相互離隔するように伸び、各々に前記溝が形成された少なくとも二つの補助保持台を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板保持ユニット。
【請求項１０】
前記保持部は前記補助保持部を介して互いに対称的に配置された第１保持部及び第２保持部を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板保持ユニット。
【請求項１１】
前記第１方向に沿って伸び、前記ベース板から突出した連結ロッドをさらに含み、前記保持台は前記連結ロッドに締結されることを特徴とする請求項１に記載の基板保持ユニット。
【請求項１２】
ベース板と、
前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第１方向に沿って配列された複数の基板を保持する保持部と、を含み、
前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板に接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする基板保持ユニット。
【請求項１３】
前記溝は前記第１方向と直交する第２方向に対して傾くように形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の基板保持ユニット。
【請求項１４】
前記基板は前記第２方向と平行に前記溝に挿入されることを特徴とする請求項１３に記載の基板保持ユニット。
【請求項１５】
前記本体は、前記溝が形成された領域で前記第１方向から見た時、部分的に円形のリング形状を有することを特徴とする請求項１２乃至１４のうちの何れか一項に記載の基板保持ユニット。
【請求項１６】
工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、
前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直に配置する基板保持ユニットと、を備え、
前記基板保持ユニットは、
ベース板と、
前記ベース板に形成され、第１方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、
前記保持部は、
前記第１方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、
前記第１方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板の各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
前記保持部材は、前記第１方向と直交する第２方向に対して傾いたことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記第１方向に沿って隣接する二つの保持部材がその間に挿入される単一基板を保持し、前記隣接する二つの保持部材のうち一つが前記単一基板の上面に接触し、他の一つが前記単一基板の下面に接触することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、
前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直にする基板保持ユニットと、を備え、
前記基板保持ユニットは、
ベース板と、
前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第１方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、
前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板が接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２０】
前記溝は前記第１方向と直交する第２方向に対して傾くように形成されたことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記基板は前記第２方向と平行に前記溝に挿入されることを特徴とする請求項２０に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置に関し、より詳細には、半導体基板に対する工程遂行時に前記基板を安定的に保持する基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ素子または平板表示装置のような電子装置は基板からなる。前記基板はシリコンウェハやガラス基板であり得る。前記基板上には複数の導電膜パターンが形成され、また、互いに異なる複数の導電膜パターンの間を絶縁する絶縁膜パターンが形成される。前記導電膜パターンや絶縁膜パターンは、露光、現像及びエッチングのような一連の工程によって形成される。
【０００３】
上記の一連の工程は、処理液が入った処理槽で行われる。前記処理槽は対象工程によって複数備えられる。前記複数の処理槽は、同じ工程を行なうための同じ処理液が入った処理槽であるか、または互いに異なる工程を行なうための互いに異なる処理液が入った処理槽であり得る。また、前記処理槽には、基板を工程溶液で処理した後、基板を洗浄するための洗浄液が入った処理槽を含む。
【０００４】
処理槽及び処理液の種類に関わらず、工程遂行時に対象基板は前記処理槽の前記処理液に浸漬され、前記対象基板が前記処理液と反応しながら該当の工程が行なわれる。従って、工程が行なわれる間、前記処理槽内部で対象基板は安定的に保持される必要がある。特に、近年、工程効率が向上するように、多数の基板が一度の工程で同時に処理されるため、様々な処理槽で共通的に使用可能で、同時に多数の基板を安定的に保持できる手段が必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、上記従来の基板保持ユニット及びこれを利用する基板処理装置の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、基板を安定的に保持する基板保持ユニットを提供することにある。
本発明の他の目的は、前記基板保持ユニットを利用する基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に形成され、第１方向に沿って配列された複数の基板を保持する少なくとも一つ以上の保持部と、を備え、前記保持部は、前記第１方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、前記第１方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
また、前記目的を達成するためになされた本発明による基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第１方向に沿って配列された複数の基板を保持する保持部と、を含み、前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板に接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
又、前記他の目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直に配置する基板保持ユニットと、を備え、前記基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に形成され、第１方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、前記保持部は、前記第１方向に沿って伸び、相互離隔した二つの保持台と、前記第１方向に沿って互いに離隔するように複数設けられ、各々が前記保持台を連結しながら前記基板の各々に接触する保持部材と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、前記目的を達成するためになされた本発明による基板処理装置は、工程に対応した所定の溶液で満たされ、基板に対する工程が行なわれる処理槽と、前記工程遂行時に前記処理槽内に配置され、複数の前記基板を保持ユニットに垂直にする基板保持ユニットと、を備え、前記基板保持ユニットは、ベース板と、前記ベース板に少なくとも一つ以上形成され、第１方向に沿って配列された前記基板を保持する複数の保持部と、を含み、前記保持部は互いに対向する二つの側壁体及び前記側壁体を連結する本体を含み、前記本体には前記基板が接触するように複数の溝が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本実施の形態によれば、工程進行中に基板が安定的に保持されて、工程効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、本発明に係る基板処理装置を実施するための最良の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は、本発明の実施の形態による基板処理装置の斜視図である。
図１を参照すると、基板処理装置にはロードポート１０、トランスファユニット２０及び処理ユニット３０が備えられる。ロードポート１０では半導体ウェハのような基板がローディング、アンローディングされる。ロードポート１０では、カセット１１を用いて一度に複数枚のウェハが処理される。一つのカセット１１は、最大２５枚のウェハを収容することができる。従って、二つのカセット１１を用いて、一度に最大５０枚のウェハを処理することができる。
【００１３】
トランスファユニット２０は、ロードポート１０からウェハを受け取って処理ユニットに移送する。トランスファユニット２０の下端部には、ウェハを移送する移送ロボット（図示せず）が配置される。
【００１４】
処理ユニット３０は、トランスファユニット２０から移送されたウェハを工程処理する。処理ユニット３０は複数のサブ処理ユニットを含む。即ち、処理ユニット３０は、第１サブ処理ユニット３１、第２サブ処理ユニット３２及び第３サブ処理ユニット３３を含む。処理ユニット３０は必要に応じて、第１乃至第３サブ処理ユニット３１、３２、３３の他に追加的なサブ処理ユニットをさらに含む。または、処理ユニット３０は必要に応じて、第１乃至第３サブ処理ユニット３１、３２、３３のうち一部を省略できる。
【００１５】
第１乃至第３サブ処理ユニット３１、３２、３３のそれぞれは、ウェハに対する様々な工程を行なうための工程溶液が入った処理槽を含む。例えば、前記工程はエッチング、洗浄及び乾燥を含むことができる。前記エッチング、洗浄及び乾燥時に、工程溶液やガスとしてフッ酸、硫酸、脱イオン水、イソプロピルアルコール、窒素などを様々に使用できる。
【００１６】
第１乃至第３サブ処理ユニット３１、３２、３３それぞれの処理槽に入った工程溶液は同じ工程を行なうための同じ工程溶液であり得る。または、第１乃至第３サブ処理ユニット３１、３２、３３それぞれの処理槽に入った工程溶液は、同じ工程に対して互いに異なる成分を有する工程溶液であっても良い。または、第１乃至第３サブ処理ユニット３１、３２、３３それぞれの処理槽に入った工程溶液は、相違する工程を行うための互いに異なる工程溶液であっても良い。
【００１７】
図２は、図１に図示されたサブ処理ユニットの構成図である。図２は、第１乃至第３処理ユニット３１、３２、３３のうち何れか一つを示しており、ここに図示された構造は第１乃至第３処理ユニット３１、３２、３３の全てに対して適用できる。
【００１８】
図２を参照すると、サブ処理ユニットは、処理槽１００、処理槽１００に設けられた基板保持ユニット２００、供給部３００及び循環部４００を含む。処理槽１００では、ウェハＷのような半導体基板に対する工程が行なわれる。供給部３００は処理槽１００に工程溶液を提供する。循環部４００は、処理槽１００に提供された工程溶液を循環させる。
【００１９】
具体的に、処理槽１００は内槽１１０及び外槽１２０を含む。内槽１１０は、上部から工程溶液が提供されるように、上部が開放されている。内槽１１０の底面には、工程溶液を排出するための排出口（図示せず）が形成される。外槽１２０は内槽１１０の外側を取り囲み、内槽１１０から溢れ出る工程溶液を収容する。
【００２０】
内槽１１０の内部には、工程進行時にウェハＷが保持される基板保持ユニット２００が設けられる。基板保持ユニット２００は多数のウェハＷを同時に保持することができる。基板保持ユニット２００の詳細構造に対しては後述する。
【００２１】
外槽１２０には流出口１３０が形成され、内槽１１０には流入口１４０が形成される。流出口１３０及び流入口１４０は循環部４００と連結される。循環部４００は流出口１３０から流出した工程溶液を循環させて、流入口１４０を介して処理槽１００に提供する。工程が行なわれる間、工程溶液はウェハＷとの反応によりその成分が変更されて、該当の工程に対する機能が弱化する可能性がある。循環部４００は前記工程溶液を循環させながら、工程が行なわれる間、工程溶液の成分を維持する。
【００２２】
供給部３００は、互いに異なる二つの工程溶液を提供する。以下、前記二つの工程溶液を区分して、第１工程溶液及び第２工程溶液と称する。前記第１工程溶液を提供するために、供給部３００は、第１工程溶液が格納された第１容器３１０及び第１工程溶液が移動する第１供給ライン３１１を備える。第１供給ライン３１１の所定位置で、第１補助供給ライン３１２が分岐する。第１補助供給ライン３１２は処理槽１００に連結する。第１供給ライン３１１の一側は第１容器３１０に連結し、反対側は処理槽１００に連結する。また、第１供給ライン３１１上には第１補助容器３１３が備えられる。第１供給ライン３１１上には、第１補助容器３１３の前／後の位置にそれぞれバルブ３１５、３１６が設けられる。また、第１補助供給ライン３１２上にもバルブ３１７が設けられる。前記バルブ３１５、３１６、３１７はそれぞれが設けられた位置で第１工程溶液の流れを制御する。
【００２３】
前記第１工程溶液と同様に、前記第２工程溶液を提供するために、供給部３００には第２容器３２０、第２供給ライン３２１、第２補助供給ライン３２２、第２補助容器３２３、複数のバルブ３２５、３２６、３２７を備える。
【００２４】
第１供給ライン３１１は第１工程溶液を処理槽１００に供給し、第１補助容器３１３は処理槽１００に供給される第１工程溶液の量を調節し、第１補助供給ライン３１２は第１工程溶液の供給を補う役割を果たす。同じく、第２供給ライン３２１は第２工程溶液を処理槽１００に供給し、第２補助容器３２３は処理槽１００に供給される第２工程溶液の量を調節し、第２補助供給ライン３２２は第２工程溶液の供給を補う役割を果たす。
【００２５】
処理槽１００での工程がウェハＷを洗浄するための洗浄工程であれば、前記工程溶液は硫酸と過酸化水素の混合物であり得る。この場合、第１工程溶液は硫酸であり、第２工程溶液は過酸化水素である。前記硫酸と過酸化水素は、それぞれ別途の第１及び第２容器３１０、３２０に保管され、それぞれ別途に供給された後、処理槽１００で混合される。
【００２６】
一方、ウェハＷの洗浄のためにＳＣ−１方式の湿式洗浄が適用できる。この場合、前記工程溶液は、過酸化水素、水酸化アンモニウム及び純水を含む。このように、前記工程溶液が互いに異なる３種類の成分の溶液を含めば、供給部２００には別途の容器、供給ライン、補助供給ライン、補助容器及び複数のバルブが追加される。もし、前記工程溶液が４種類以上の溶液の混合物であれば、工程溶液の種類による別途の容器等がさらに追加される。一方、前記工程溶液として一種類の溶液だけが単独で使用されれば、供給部２００から第２容器３２０、第２供給ライン３２１、第２補助供給ライン３２２、第２補助容器３２３、複数のバルブ３２５、３２６、３２７は省略されても良い。
【００２７】
図３は、図２に図示した基板保持ユニットの斜視図であり、図４（ａ）は、図３に図示した基板保持ユニットの保持部の斜視図であり、図４（ｂ）は、図３に図示した基板保持ユニットの保持部の使用状態図である。
【００２８】
図３を参照すると、基板保持ユニット２００は、ベース板２０１及び保持部２１０、２２０を含む。ベース板２０１は、中心部分が窪んでいる「Ｖ」字形状を有する。保持部２１０、２２０は複数形成され、ベース板２０１のエッジに第１保持部２１０及び第２保持部２２０が互いに対向するように配置される。ウェハＷ（図４（ｂ）参照）は縁部で第１及び第２保持部２１０、２２０によって２ヶ所で保持される。
【００２９】
第１及び第２保持部２１０、２２０は、ベース板２０１から突出してベース板２０１と一体に形成される。または、第１及び第２保持部２１０、２２０は別途に加工され、ベース板２０１に締結される。この場合、図３に示すように、ベース板２０１には第１連結ロッド２０６及び第２連結ロッド２０７が形成される。第１保持部２１０はねじのような締結部材２０５によって第１連結ロッド２０６に締結され、第２保持部２２０は締結部材２０５によって第２連結ロッド２０７に締結される。
【００３０】
図４（ａ）を参照すると、第１保持部２１０は、二つの保持台２１１及び複数の保持部材２１２を含む。前記二つの保持台２１１は互いに対向しながら所定方向に伸びる。ここで、説明の便宜上、保持台２１１が伸びる方向を第１方向Ｄ１と称し、第１方向Ｄ１と直交する方向を第２方向Ｄ２と称する。前記二つの保持台２１１は保持部材２１２によって連結される。保持部材２１２は第１方向Ｄ１に沿って複数形成され、第１方向Ｄ１に沿って均一に配列される。
【００３１】
それぞれの保持部材２１２は、第２方向Ｄ２に沿って部分的にリング形状を有し、前記リング形状の部分が二つの保持台２１１を連結する。図４（ａ）で、保持部材２１２は円形のリング形状を有することに図示したが、保持部材２１２の形状はこれに限定されない。例えば、保持部材２１２は四角形のリング形状や三角形のリング形状を有することもできる。
【００３２】
二つの保持台２１１及び複数の保持部材２１２はそれぞれ分離されるが、全体的には一つの本体を形成する。前記本体では溝２１２ｈが形成され、前記溝２１２ｈにウェハＷが挿入されて保持される。また、この場合においては、前記第１保持部２１０は互いに対向する二つの側壁体である保持台２１１及び前記側壁体を連結する本体である保持部材２１２を含み、前記本体には前記基板が接触するように複数の溝が形成されている。
【００３３】
前記二つの保持台２１１それぞれには、下部方向に延長された連結板２１３が形成され、連結板２１３には貫通ホール２１４が形成される。第１保持部材２１０は、貫通ホール２１４に挿入される締結部材２０５によって、第１連結ロッド２０６に締結される。第１連結ロッド２０６は一体に形成され、一面に前記二つの保持台２１１のうち一つ２１１ａが締結され、反対面に残りの２１１ｂが締結されるこ。または、第１連結ロッド２０６は、前記二つの保持台２１１にそれぞれ対応して締結するように、相互分離された二つの本体を有する。上記の連結板２１３及び貫通ホール２１４は、第１保持部２１０を第１連結ロッド２０６に締結するための一例であり、様々な他の結合構造が適用できる。
【００３４】
一方、第２保持部２２０及び第２連結ロッド２０７は、第１保持部２１０及び第１連結ロッド２０６に対応する構造を有し、これに対する詳細な説明は省略する。
【００３５】
図４（ｂ）を参照すると、ウェハＷは互いに隣接する保持部材２１２の間に第２方向Ｄ２に沿って形成された溝２１２ｈに挿入される。隣接する二つの保持部材２１２の間の間隔はウェハＷの厚さに対応する。第１方向Ｄ１に沿って隣接する二つの保持部材２１２のうち一つの保持部材２１２にウェハＷの一面が接触し、残りの一つの保持部材２１２にウェハＷの反対面が接触する。
【００３６】
従って、ウェハＷは隣接する二つの保持部材２１２によって、両面で均一に保持される。また、保持部材２１２がリング形状を有するので、前記リング形状に該当する面積がウェハＷに接触する。これは、単純に溝やスロットによってウェハを点接触方式で保持することに比べて、ウェハＷに接触する面積が大きいため、ウェハＷを安定的に保持できるという長所がある。
【００３７】
上記のように、リング形状を有する保持部材２１２を利用してウェハＷを安定的に保持する基板保持ユニットは、様々な実施の形態を有する。以下では、例示的な観点で上記の様々な実施の形態のうち幾つかを説明する。但し、後述する実施の形態において前述した実施の形態と重複する部分に対する詳細な説明は省略する。
【００３８】
図５は、本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図であり、図６（ａ）は、図５に図示した基板保持ユニットの保持部の斜視図であり、図６（ｂ）は、図５に図示した基板保持ユニットの保持部の使用状態図ある。
【００３９】
図５、図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照すると、基板保持ユニット２００は、ベース板２０１及び複数の保持部２１０、２２０、２３０を含む。ベース板２０１は中心部分が窪んでおり、ベース板２０１のエッジに第１保持部２１０及び第２保持部２２０が位置し、ベース板２０１中心の窪んでいる部分に第３保持部２３０が位置する。従って、ウェハＷの縁部分は、第１保持部２１０、第３保持部２３０及び第２保持部２２０の順に３ヶ所で保持される。ベース板２０１の形状及び第１乃至第３保持部２１０、２２０、２３０の位置によって、ウェハＷが立てられた状態で第３保持部２３０がウェハＷの一番下の部分を保持する。
【００４０】
第１乃至第３保持部２１０、２２０、２３０は互いに対応する構造を有する。例えば、第１保持部２１０は二つの保持台２１１及び保持部材２１２を含む。前記二つの保持台２１１は互いに対向しながら第１方向Ｄ１に伸びる。前記二つの保持台２１１を区分して第１保持台２１１ａ及び第２保持台２１１ｂと称すれば、第１及び第２保持台２１１ａ、２１１ｂは保持部材２１２によって連結される。
【００４１】
図６（ａ）に示すように、複数の保持部材２１２は第１方向Ｄ１に沿って均一に配列され、第１方向Ｄ１と直交する第２方向Ｄ２に対して傾いた第３方向Ｄ３に形成される。保持部材２１２はリング形状を有し、隣接する保持部材２１２の間に溝２１２ｈが形成される。複数の保持部材２１２は全体的に部分螺旋形状の階段模様を有するようになる。このように、保持部材２１２が傾くように形成される場合、図６（ｂ）に示すように、ウェハＷは第１方向Ｄ１に沿って互いに隣接する保持部材２１２の間に位置し、前記隣接する二つの保持部材１３７のうち何れか一つが単一ウェハＷの上面に接触し他の一つが前記単一ウェハＷの下面に接触する。
【００４２】
上面で保持部材２１２に接触するウェハＷの部分と下面で他の保持部材２１２に接触するウェハＷの部分は、互いに対応するように位置しない。概略的に、前記上面で接触する部分と下面で接触する部分は、点対称に対応するように位置し、これによってウェハＷの揺れを最大限防止して、より安定的にウェハＷを保持すできる。また、前記の実施の形態に比べて、ウェハＷと保持部材２１２が接触する部分の面積が減少する。前記ウェハＷと保持部材２１２が接触する部分には工程進行時に薬液が到逹できないので、本実施の形態でウェハＷが安定的に保持されると同時に前記面積が減少して工程効率が向上する。
【００４３】
前記保持部材２１２の傾斜角度が大き過ぎると、前記大きく傾いた保持部材２１２の間でウェハＷが平行な状態を維持し難い。従って、保持部材２１２の傾斜角度には一定の限界があり、概略的に前記角度は１０度以下であることが好ましい。ただ、同じ角度であればウェハＷの厚さが薄いほど、より容易に平行な状態を維持できる。従って、前記保持部材２１２の傾斜角度はウェハＷの厚さに対応し、ウェハＷが厚いほど減少する。
【００４４】
第２及び第３保持部２２０、２３０は第１保持部２１０に対応するように、二つの保持台及び保持部材を有する。また、第２及び第３保持部２２０、２３０の保持部材も第３方向Ｄ３に傾く。第２及び第３保持部２２０、２３０の詳細な構造に対する説明は省略する。
【００４５】
図７は、本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図であり、図８（ａ）は、図７に図示された基板保持ユニットの補助保持部の斜視図であり、図８（ｂ）は、図７に図示された基板保持ユニットの補助保持部の使用状態図である。
【００４６】
図７を参照すると、基板保持ユニット２００は、ベース板２０１及び保持部２１０、２２０が備える。保持部２１０、２２０はベース板２０１のエッジに位置する第１保持部２１０及び第２保持部２２０を含む。第１及び第２保持部２１０、２２０は、それぞれの保持部材の傾斜方向が対称になることを除いて、前述した実施の形態と同じ構造を有する。即ち、第１保持部２１０の保持部材は第３方向Ｄ３に傾き、第２保持部２２０の保持部材は第２方向Ｄ２に対して第３方向Ｄ３に対称する第４方向Ｄ４に傾く。ただ、第１及び第２保持部２１０、２２０それぞれの保持部材は、互いに同じ傾斜方向に配置できる。
【００４７】
第１及び第２保持部２１０、２２０の間の中心部分でベース板２０１は窪んでおり、前記中心部分には補助保持部２５０が位置する。その結果、ウェハＷは縁部分に沿って第１保持部２１０、補助保持部２５０及び第２保持部２２０の順に保持される。
【００４８】
図８（ａ）を参照すると、補助保持部２５０は第１方向Ｄ１に沿って伸び、相互離隔した第１補助保持台２５１ａ及び第２補助保持台２５１ｂを含む。第１及び第２補助保持台２５１ａ、２５１ｂそれぞれには溝２５２ｈが形成される。また、第１補助保持台２５１ａ及び第２補助保持台２５１ｂそれぞれには、ベース板２０１に締結できるように貫通ホール２５３が形成される。
【００４９】
図８（ｂ）を参照すると、第１補助保持台２５１ａに形成された溝２５２ｈと第２補助保持台２５１ｂに形成された溝は、第２方向Ｄ２に沿って互いに対応するように位置する。その結果、一つのウェハＷが第２方向Ｄ２に挿入され、前記対応するように位置する２ヶ所の溝２５２ｈに挿入されて保持される。但し、補助保持部２５０は保持部２１０、２２０を補助してウェハＷを保持するので、保持部２１０、２２０と同じ程度の保持力を有する必要はない。従って、補助保持部２５０を構成する補助台の個数は流動的である。例えば、第２補助保持台２５１ｂが省略されるか、第１及び第２補助保持台２５１ａ、２５１ｂ以外の他の補助保持台が追加できる。
【００５０】
図９は、本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図であり、図１０（ａ）は、図９に図示した基板保持ユニットの補助保持部の斜視図であり、図１０（ｂ）は、図９に図示した基板保持ユニットの補助保持部の使用状態図である。
【００５１】
図９を参照すると、基板保持ユニット２００は、ベース板２０１、補助保持部２５０、第１及び第２保持部２１０、２２０が備える。補助保持部２５０、第１及び第２保持部２１０、２２０は、第２方向Ｄ２に沿って順にベース板２０１に設けられる。第１及び第２保持部２１０、２２０それぞれの保持部材は、第３方向Ｄ３に対して傾くように形成される。
【００５２】
図１０（ａ）を参照すると、補助保持部２５０は、第１方向Ｄ１に沿って伸び、相互離隔した第１補助保持台２５１ａ及び第２補助保持台２５１ｂを含む。第１及び第２補助台２５１ａ、２５１ｂそれぞれには溝２５２ｈが形成される。第１補助台２５１ａの溝２５２ｈを第１溝２５２ｈ１と称し、第２補助台２５１ｂの溝を第２溝２５２ｈ２と称すれば、第１及び第２溝２５２ｈ１、２５２ｈ２は第２方向Ｄ２に対して互いにずれるように配置されている。
【００５３】
図１０（ｂ）を参照すると、第１溝２５２ｈ１及び第２溝２５２ｈ２は第３方向Ｄ３に沿って互いに対応するように配置される。従って、第１溝２５２ｈ１はウェハＷの一面に接触し、第２溝２５２ｈ２は前記ウェハＷの反対面に接触する。これは、傾くように形成される保持部材と同じく、ウェハＷの揺れを最大限防止して、より安定的にウェハＷを保持するためである。
【００５４】
以上で説明したように、前記実施の形態によれば、工程中に基板が安定的に保持されて、工程効率が向上する。尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。例えば、前記保持部の個数や補助保持部を含めるか否か、保持部材や補助保持部の溝が傾くか否かは、様々に組み合わされて様々な構造を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態による基板処理装置の斜視図である。
【図２】図１に図示されたサブ処理ユニットの構成図である。
【図３】図２に図示された基板保持ユニットの斜視図である。
【図４】（ａ）図３に図示された基板保持ユニットの保持部の斜視図である。              （ｂ）図３に図示された基板保持ユニットの保持部の使用状態図である。
【図５】本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図である。
【図６】（ａ）図５に図示された基板保持ユニットの保持部の斜視図である。              （ｂ）図５に図示された基板保持ユニットの保持部の使用状態図である。
【図７】本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図である。
【図８】（ａ）図７に図示された基板保持ユニットの補助保持部の斜視図である。          （ｂ）図７に図示された基板保持ユニットの補助保持部の使用状態図である。
【図９】本発明の他の実施の形態による基板保持ユニットの斜視図である。
【図１０】（ａ）図９に図示された基板保持ユニットの補助保持部の斜視図である。          （ｂ）図９に図示された基板保持ユニットの補助保持部の使用状態図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０    ロードポート
１１    カセット
２０    トランスファユニット
３０    処理ユニット
１００  処理槽
２００  基板保持ユニット
２１０  第１保持部
２２０  第２保持部
２５０  補助保持部
３００  供給部
４００  循環部
Ｗ      ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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