(57)【要約】【課題】本発明は、監視対象となる電流が所定の設定値に達しているか否かを検出する際に、その設定値を任意に可変制御することが可能な電流監視回路の提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る電流監視回路１４は、カレントミラーを形成するトランジスタＱ１、Ｑ２と；トランジスタＱ１、Ｑ２の一端にそれぞれ定電流ＸＩｉｎ、ＹＩｉｎを供給する定電流源Ｉ１、Ｉ２と；監視対象となるモニタ電流Ｉｐ（＝Ｉｏ／Ｎ）が流され、その両端電圧がトランジスタＱ１、Ｑ２の他端にそれぞれ印加されるセンス抵抗Ｒ１と；トランジスタＱ２に流れる電流量に応じた論理レベルの監視信号ＯＣＰを生成する出力段（Ｑ３、Ｑ４、Ｒ２）と；を有して成り、定電流源Ｉ１、Ｉ２の少なくとも一方は、生成する定電流の大きさが可変制御される構成とされている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カレントミラーを形成する第１、第２トランジスタと；
第１、第２トランジスタの一端にそれぞれ定電流を供給する第１、第２定電流源と；
監視対象となる電流が流され、その両端電圧が第１、第２トランジスタの他端にそれぞれ印加されるセンス抵抗と；
第２トランジスタに流れる電流量に応じた論理レベルの監視信号を生成する出力段と；
を有して成り、
第１、第２定電流源の少なくとも一方は、生成する定電流の大きさが可変制御されることを特徴とする電流監視回路。
【請求項２】
第１、第２定電流源の少なくとも一方は、複数の定電流源と、所定の制御信号に応じて前記複数の定電流源を選択するスイッチと、を有して成ることを特徴とする請求項１に記載の電流監視回路。
【請求項３】
前記スイッチは、前記複数の定電流源毎に、各々の定電流からミラー電流を生成する複数のカレントミラー段を有して成り、各段のミラー電流を合成出力するものであって、
前記複数のカレントミラー段は、それぞれ、前記制御信号に応じて、前記ミラー電流の生成動作が許可／禁止されることを特徴とする請求項２に記載の電流監視回路。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電流監視回路と；
前記監視信号に基づいて、モータの駆動電流が過電流状態であるか否かを判断し、所定の保護動作を行うロジック回路と；
を有して成ることを特徴とするモータ駆動装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電流監視回路と；
前記監視信号に基づいて、モータのマイクロステップ駆動制御を行うロジック回路と；
を有して成ることを特徴とするモータ駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、監視対象となる電流が所定の設定値に達しているか否かを検出する電流監視回路及びこれを用いたモータ駆動装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、モータドライバＩＣやスイッチング電源ＩＣなど、比較的大きな電流を取り扱う半導体装置には、その安全性を高めるべく、過電流保護装置が搭載されている。
【０００３】
図５は、過電流保護装置の一従来例を示す回路図である。
【０００４】
本従来例の過電流保護装置は、カレントミラーを形成するトランジスタＱｘ、Ｑｙのエミッタ間にセンス抵抗Ｒｓの両端電圧（監視対象となる電流Ｉｏに応じた電圧信号）を印加し、電流Ｉｏの大小に応じてトランジスタＱｙに流れる電流を変化させることにより、トランジスタＱｚのベース電流を制御して、トランジスタＱｚのオン／オフ状態に応じた論理レベルの過電流保護信号Ｓｏｃｐを生成する構成とされている。
【０００５】
なお、上記従来例の過電流保護装置では、電流Ｉｏが所定の上限値に達したときに、トランジスタＱｚがオンされて、過電流保護信号Ｓｏｃｐの出力論理がハイレベルからローレベルに変遷される。
【０００６】
また、上記に関連する従来技術としては、特許文献１〜３などを挙げることができる。
【特許文献１】特開平１１−５５９４６号公報
【特許文献２】特開２００３−１８９４６０号公報
【特許文献３】特開平９−２３５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
確かに、上記従来の過電流保護装置であれば、監視対象となる電流Ｉｏが過大となることを防止して、システムの安全性を高めることが可能となる。
【０００８】
しかしながら、上記従来の過電流保護装置では、電流Ｉｏが過電流状態であるか否かの判定レベルが固定的に設定されており、過電流保護回路が搭載されるアプリケーションやその動作モードに応じて、これを任意に可変制御することはできなかった。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑み、監視対象となる電流が所定の設定値に達しているか否かを検出するに際して、その設定値を任意に可変制御することが可能な電流監視回路、及び、これを用いたモータ駆動装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達すべく、本発明に係る電流監視回路は、カレントミラーを形成する第１、第２トランジスタと；第１、第２トランジスタの一端にそれぞれ定電流を供給する第１、第２定電流源と；監視対象となる電流が流され、その両端電圧が第１、第２トランジスタの他端にそれぞれ印加されるセンス抵抗と；第２トランジスタに流れる電流量に応じた論理レベルの監視信号を生成する出力段と；を有して成り、第１、第２定電流源の少なくとも一方は、生成する定電流の大きさが可変制御される構成（第１の構成）とされている。
【００１１】
なお、上記第１の構成から成る電流監視回路において、第１、第２定電流源の少なくとも一方は、複数の定電流源と、所定の制御信号に応じて前記複数の定電流源を選択するスイッチと、を有して成る構成（第２の構成）にするとよい。
【００１２】
また、上記第２の構成から成る電流監視回路において、前記スイッチは、前記複数の定電流源毎に、各々の定電流からミラー電流を生成する複数のカレントミラー段を有して成り、各段のミラー電流を合成出力するものであって、前記複数のカレントミラー段は、それぞれ、前記制御信号に応じて、前記ミラー電流の生成動作が許可／禁止される構成（第３の構成）にするとよい。
【００１３】
また、本発明に係るモータ駆動装置は、上記第１〜第３いずれかの構成から成る電流監視回路と；前記監視信号に基づいて、モータの駆動電流が過電流状態であるか否かを判断し、所定の保護動作を行うロジック回路と；を有する構成（第４の構成）とされている。
【００１４】
また、本発明に係るモータ駆動装置は、上記第１〜第３いずれかの構成から成る電流監視回路と；前記監視信号に基づいて、モータのマイクロステップ駆動制御を行うロジック回路と；を有して成る構成（第５の構成）とされている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る電流監視回路であれば、監視対象となる電流が所定の設定値に達しているか否かを検出するに際して、その設定値を任意に可変制御することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下では、モータドライバＩＣの過電流保護手段として、本発明に係る電流監視回路を用いた構成を例に挙げて、詳細な説明を行う。
【００１７】
図１は、本発明に係る電流監視回路を備えたモータドライバＩＣの一実施形態を示すブロック図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態のモータドライバＩＣ１０は、モータ２０の駆動制御を行う主段であり、ロジック回路１１と、プリドライバ１２と、ドライバ１３と、過電流保護回路１４（以下では、ＯＣＰ［Over Current Protection］回路１４と呼ぶ）と、を集積化して成る。
【００１９】
ロジック回路１１は、モータドライバＩＣの動作を統括的に制御する主体であり、特に本発明に関連した機能としては、ＯＣＰ回路１４から入力される過電流保護信号Ｓｏｃｐに基づいて、所定の非常保護動作（例えば、モータ２０の駆動停止やホスト（不図示）への通報）を行う機能を具備している。
【００２０】
プリドライバ１２は、ロジック回路１１から入力されるプリ駆動制御信号に対してレベルシフトや波形成形を施すことで、ドライバ１３の駆動制御信号を生成する手段である。
【００２１】
ドライバ１３は、プリドライバ１２から入力される駆動制御信号に基づいて、モータ２０を構成するコイルに駆動電流を供給する手段である。なお、ドライバ１３は、互いに異なる２電源間（例えばＶｃｃ／ＧＮＤ間）に一対のスイッチ素子（ハイサイドスイッチとローサイドスイッチ）が直列接続されたトーテムポール型の出力段を有して成る。
【００２２】
ＯＣＰ回路１４は、モータ２０のコイルに流れる駆動電流を監視して、過電流保護信号Ｓｏｃｐを生成する手段である。なお、ＯＣＰ回路１４の構成や動作については、後ほど詳述する。
【００２３】
モータドライバＩＣ１０には、上記した回路ブロックのほかにも、電源電圧Ｖｃｃから所定の内部電圧ＶＲＥＧを生成するレギュレータや、電源電圧Ｖｃｃの過電圧状態を監視する過電圧保護回路、異常温度状態を監視する温度保護回路、及び、低電圧状態を監視するＵＶＬＯ［Under Voltage Lock Out］保護回路など、種々の回路ブロックが集積化されているが、図１では、説明を簡単とするために、それらの描写が省略されている。
【００２４】
次に、ＯＣＰ回路１４の構成及び動作について、詳細な説明を行う。
【００２５】
図２は、ＯＣＰ回路１４の一構成例を示す回路図である。
【００２６】
図２に示すように、本構成例のＯＣＰ回路１４は、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタＱ１〜Ｑ４と、抵抗Ｒ１、Ｒ２と、定電流源Ｉ１、Ｉ２と、Ｎチャネル型ＭＯＳ［Metal Oxide Semiconductor］電界効果トランジスタＮ１と、を有して成る。
【００２７】
トランジスタＱ１のコレクタは、定電流源Ｉ１の定電流出力端に接続されている。トランジスタＱ２のコレクタは、定電流源Ｉ２の定電流出力端に接続されている。トランジスタＱ１、Ｑ２のベースは、いずれもトランジスタＱ１のコレクタに接続されている。トランジスタＱ１のエミッタは、抵抗Ｒ１の一端に接続されている。トランジスタＱ２のエミッタは、抵抗Ｒ１の他端に接続されている。このように、トランジスタＱ１、Ｑ２は、各々のエミッタに抵抗Ｒ１の両端電圧（モニタ電流Ｉｐに応じた電圧信号）が印加される形でカレントミラーを形成している。なお、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ面積比は、ｎ：ｍに設計されている。
【００２８】
トランジスタＮ１のドレインは、ドライバ１３のローサイドスイッチとして機能するＮチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＮ０のドレインに接続されている。トランジスタＮ１のソースは、抵抗Ｒ１を介してパッドＴ１に接続されている。トランジスタＮ０のソースは、パッドＴ１に直接接続されている。パッドＴ１には、帰還信号ＦＢを生成するための抵抗ＲＮＦが外付けされている。トランジスタＮ０、Ｎ１のゲートは、互いに接続されている。なお、トランジスタＮ０、Ｎ１のソース面積比は、Ｎ：１に設計されている。すなわち、トランジスタＮ１は、トランジスタＮ０に流れるモータ２０の駆動電流Ｉｏをモニタ電流Ｉｐ（＝Ｉｏ／Ｎ）として引き込むためのダミートランジスタである。
【００２９】
トランジスタＱ３のコレクタは、トランジスタＱ２のコレクタに接続されている。トランジスタＱ３のベースは、トランジスタＱ３のコレクタに接続されている。トランジスタＱ３のエミッタは、トランジスタＱ４のベースに接続されている。トランジスタＱ４のコレクタは、抵抗Ｒ２を介して内部電圧ＶＲＥＧの印加端に接続される一方、過電流保護信号Ｓｏｃｐの出力端として、ロジック回路１１（図２では不図示）にも接続されている。トランジスタＱ４のエミッタは、接地端に接続されている。
【００３０】
定電流源Ｉ１は、各々定電流Ｉｉｎを生成する定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂと、定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂを選択するスイッチＳＷ１と、を有して成り、生成する定電流の大きさ（Ｘ×Ｉｉｎ）が可変制御される構成とされている。なお、符号Ｘは、スイッチＳＷ１で選択された定電流源の本数（図２の例では、Ｘ＝１または２）を示している。
【００３１】
定電流源Ｉ２は、各々定電流Ｉｉｎを生成する定電流源Ｉ２ａ、Ｉ２ｂと、定電流源Ｉ２ａ、Ｉ２ｂを選択するスイッチＳＷ２と、を有して成り、生成する定電流の大きさ（Ｙ×Ｉｉｎ）が可変制御される構成とされている。なお、符号Ｙは、スイッチＳＷ２で選択された定電流源の本数（図２の例では、Ｙ＝１または２）を示している。
【００３２】
次に上記構成から成るＯＣＰ回路１４の動作について詳細に説明する。
【００３３】
今、トランジスタＱ１、Ｑ２から成るカレントミラーの電流平衡状態を考えると、下記の（１）式が成立する。
【００３４】
【数１】
2009156835.tif 000003
【００３５】
なお、上記（１）式中、並びに、その導出式中において、符号Ｖｂｅ１、Ｖｂｅ２は、それぞれ、トランジスタＱ１、Ｑ２のベース・エミッタ間電圧を示しており、符号Ｒは、抵抗Ｒ１の抵抗値を示している。また、符号ＶＴは、トランジスタＱ１、Ｑ２の熱電圧を示しており、符号Ｉｓは、トランジスタＱ１、Ｑ２の素子定数を示している。
【００３６】
抵抗Ｒ１に流れるモニタ電流Ｉｐが上記（１）式で導かれる電流値よりも大きいときには、トランジスタＱ２に流れるコレクタ電流が定電流（Ｙ×Ｉｉｎ）よりも小さくなり、その差分電流がトランジスタＱ３を介してトランジスタＱ４のベースに流れ込む。その結果、トランジスタＱ４がオンして、過電流保護信号Ｓｏｃｐがローレベルとされる。
【００３７】
逆に、モニタ電流Ｉｐが上記（１）式で導かれる電流値よりも小さいときには、トランジスタＱ２の流れるコレクタ電流が定電流（Ｙ×Ｉｉｎ）よりも大きくなり、その差分電流がトランジスタＱ３を介してトランジスタＱ４のベースから引き込まれる。その結果、トランジスタＱ４がオフして、過電流保護信号Ｓｏｃｐがハイレベルとされる。
【００３８】
すなわち、上記（１）式で導かれる電流値は、モータ２０の駆動電流Ｉｏが過電流状態であるか否かを判断するためのスレッショルドレベルに相当する。
【００３９】
そして、上記（１）式からも分かる通り、モニタ電流Ｉｐのスレッショルドレベルは、抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒ、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ面積比ｍ：ｎ、及び、定電流源Ｉ１、Ｉ２の電流比Ｘ：Ｙを適宜設定することで、任意に調整することができる。
【００４０】
例えば、抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒを固定とし、かつ、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ面積比ｍ：ｎを１：１に設定すれば、モニタ電流Ｉｐのスレッショルドレベルを定電流源Ｉ１、Ｉ２の電流比Ｘ：Ｙのみによって調整することが可能となる。さらに、Ｘを１に固定すれば、Ｙの値だけでモニタ電流Ｉｐのスレッショルドレベルを決定することができる。
【００４１】
なお、出力電流Ｉｏについては、下記の（２）式が成立するため、モニタ電流Ｉｐのスレッショルドレベルを定電流源Ｉ１、Ｉ２の電流比Ｘ：Ｙのみによって任意に設定し得るということは、すなわち、出力電流Ｉｏのスレッショルドレベルを定電流源Ｉ１、Ｉ２の電流比Ｘ：Ｙのみによって任意に設定し得るということである。
【００４２】
【数２】
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【００４３】
上記したように、本構成例のＯＣＰ回路１４は、カレントミラーを形成するトランジスタＱ１、Ｑ２と；トランジスタＱ１、Ｑ２の一端にそれぞれ定電流を供給する定電流源Ｉ１、Ｉ２と；監視対象となる電流Ｉｐが流され、その両端電圧がトランジスタＱ１、Ｑ２の他端にそれぞれ印加されるセンス抵抗Ｒ１と；トランジスタＱ２に流れる電流量に応じた論理レベルの過電流保護信号Ｓｏｃｐを生成する出力段（Ｑ３、Ｑ４、Ｒ２）と；を有して成り、定電流源Ｉ１、Ｉ２の少なくとも一方は、生成する定電流の大きさが可変制御される構成とされている。
【００４４】
このように、過電流判定のスレッショルドレベルを任意に調整可能な構成であれば、例えば、モータ２０の動作モードに応じて常に最適な過電流保護を行うことが可能となる。
【００４５】
なお、過電流判定のスレッショルドレベルを調整する際には、抵抗Ｒ１の抵抗値Ｒを可変制御することも考えられるが、このような構成では、比較的大きなモニタ電流Ｉｐの流れる経路上にスイッチを挿入する必要があり、検出精度の低下や素子サイズの増大が招来される。これに対して、本構成例のＯＣＰ回路１４は、電流源Ｉ１、Ｉ２の電流比Ｘ：Ｙを適宜設定することにより、過電流判定のスレッショルドレベルを決定する構成とされており、出力電流Ｉｏやモニタ電流Ｉｐに比べて、十分小さな定電流（Ｘ×Ｉｉｎ、Ｙ×Ｉｉｎ）の流れる経路上にスイッチを挿入すれば足りるため、上記の課題は生じない。
【００４６】
また、過電流判定のスレッショルドレベルを調整する際には、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタ面積比ｍ：ｎを可変制御することも考えられるが、このようなエミッタ面積比ｍ：ｎの可変制御を精度良く実現することは、技術的にも極めて難しい。これに対して、本構成例のＯＣＰ回路１４であれば、定電流源Ｉ１、Ｉ２で生成される定電流（Ｘ×Ｉｉｎ、Ｙ×Ｉｉｎ）を可変制御すれば足りるため、容易にかつ高精度にこれを実現することが可能である。
【００４７】
次に、スイッチＳＷ１、ＳＷ２の構成について、詳細な説明を行う。なお、スイッチＳＷ１、ＳＷ２は、同一の構成であるため、以下では、スイッチＳＷ１のみを例に挙げて説明を行う。
【００４８】
図３は、スイッチＳＷ１の一構成例を示す回路図である。
【００４９】
本図に示すように、本構成例のスイッチＳＷ１は、ｐｎｐ型バイポーラトランジスタＱａ〜Ｑｆを有して成る。
【００５０】
トランジスタＱａ〜Ｑｆのエミッタは、いずれも内部電圧ＶＲＥＧの印加端に接続されている。トランジスタＱａ、Ｑｂのベースは、いずれもトランジスタＱａのコレクタに接続されている。トランジスタＱｃ、Ｑｄのベースは、いずれもトランジスタＱｄのコレクタに接続されている。トランジスタＱｅのベースは、制御信号Ｓ１の印加端に接続されている。トランジスタＱｆのベースは、制御信号Ｓ２の印加端に接続されている。トランジスタＱａ、Ｑｅのコレクタは、いずれも、定電流源Ｉ１ａの出力端（定電流Ｉｉｎの引込端）に接続されている。トランジスタＱｄ、Ｑｆのコレクタは、いずれも定電流源Ｉ１ｂの出力端（定電流Ｉｉｎの引込端）に接続されている。トランジスタＱｂ、Ｑｃのコレクタは、スイッチＳＷ１の出力端（定電流Ｘ×Ｉｉｎの出力端）として、トランジスタＱ１のコレクタ（図３では不図示）に接続されている。
【００５１】
トランジスタＱａ、Ｑｂは、トランジスタＱａに流れる定電流Ｉｉｎをミラーして、トランジスタＱｂから出力する第１のカレントミラー段を形成している。また、トランジスタＱｃ、Ｑｄは、トランジスタＱｄに流れる定電流Ｉｉｎをミラーして、トランジスタＱｃから出力する第２のカレントミラー段を形成している。なお、トランジスタＱｂ、Ｑｃのコレクタは、互いに接続されており、第１、第２のカレントミラー段で生成されるミラー電流は、合成電流（Ｘ×Ｉｉｎ）としてトランジスタＱ１に出力される。
【００５２】
トランジスタＱｅ、Ｑｆは、制御信号Ｓ１、Ｓ２に応じて、第１、第２のカレントミラー段におけるミラー電流の生成動作を許可／禁止するスイッチとして機能する。具体的に述べると、制御信号Ｓ１、Ｓ２がいずれもハイレベルのときには、第１、第２のカレントミラー段の両方でミラー電流の生成動作が許可されるので、トランジスタＱ１には、２本分の合成電流（２×Ｉｉｎ）が供給される。一方、制御信号Ｓ１、Ｓ２のいずれか一方がローレベルのときには、一方のカレントミラー段でミラー電流の生成動作が許可され、他方のカレントミラー段ではミラー電流の生成動作が禁止されるので、トランジスタＱ１には、１本分の合成電流（１×Ｉｉｎ）のみが供給される。
【００５３】
上記構成から成るスイッチＳＷ１であれば、制御信号Ｓ１、Ｓ２に応じて定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂを選択し、容易にかつ高精度に、トランジスタＱ１のコレクタに供給する定電流（Ｘ×Ｉｉｎ）の可変制御を実現することが可能である。
【００５４】
なお、スイッチＳＷ１については、上記構成のほか、図４に示すように、定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂからトランジスタＱ１への電流経路上に、スイッチ素子（ここでは、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＰ３、Ｐ４）を設けて、各電流経路の導通／遮断を行う構成としてもよい。
【００５５】
ただし、このような構成を採用する場合には、各電流経路を遮断している際に、定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂを構成するトランジスタが飽和して、定電流量Ｉｉｎにばらつきを生じるおそれがあるため、定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂを形成するトランジスタとして、ＭＯＳ電界効果トランジスタを用いることが望ましい。
【００５６】
図４の例では、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタＰ０〜Ｐ２を用いて、１入力２出力のカレントミラーを形成し、定電流源Ｉ０で生成される定電流ＩｉｎをトランジスタＰ１、Ｐ２に各々ミラーすることで、定電流源Ｉ１ａ、Ｉ１ｂを形成している。
【００５７】
なお、上記の実施形態では、モータドライバＩＣの過電流保護手段として、本発明に係る電流監視回路を用いた構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、例えば、大電流を取り扱うスイッチング電源ＩＣなど、様々なＩＣやＬＳＩの過電流保護手段として、本発明に係る電流監視回路を用いることができる。
【００５８】
また、本発明に係る電流監視回路は、過電流保護手段としての用途以外にも種々利用することができる。例えば、モータの駆動電流が所定の設定値に達する毎に、電流監視回路のスレッショルドレベルを正弦波状に順次切り換えていき、ロジック回路では、電流監視回路で得られる監視信号に基づいて、モータの駆動電流を適宜調整することにより、モータのマイクロステップ駆動制御を行うことが可能となる。
【００５９】
このような構成であれば、モータのマイクロステップ駆動制御を行うに際して、デジタル／アナログ変換器などを用いる必要がなくなるので、回路規模の縮小や消費電流の低減を図ることが可能となる。
【００６０】
また、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００６１】
例えば、上記実施形態では、ドライバ１３のローサイドスイッチ側に流れる電流を監視対象とした構成を例に挙げて説明を行ったが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、ハイサイド側に流れる電流を監視対象としても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、監視対象となる電流が所定の設定値に達しているか否かを検出する電流監視回路の回路規模縮小や特性向上を実現する上で有用な技術である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】は、本発明に係る電流監視回路を備えたモータドライバＩＣの一実施形態を示すブロック図である。
【図２】は、ＯＣＰ回路１４の一構成例を示す回路図である。
【図３】は、スイッチＳＷ１の一構成例を示す回路図である。
【図４】は、スイッチＳＷ１の別の一構成例を示す回路図である。
【図５】は、過電流保護装置の一従来例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０    モータドライバＩＣ
１１    ロジック回路
１２    プリドライバ
１３    ドライバ
１４    過電流保護回路（ＯＣＰ）
２０    モータ
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４    ｎｐｎ型バイポーラトランジスタ
Ｑａ、Ｑｂ、Ｑｃ、Ｑｄ、Ｑｅ、Ｑｆ    ｐｎｐ型バイポーラトランジスタ
Ｉ０、Ｉ１、Ｉ１ａ、Ｉ１ｂ、Ｉ２、Ｉ２ａ、Ｉ２ｂ    定電流源
ＳＷ１、ＳＷ２    スイッチ
Ｒ１、Ｒ２、ＲＮＦ    抵抗
Ｎ０、Ｎ１    Ｎチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
Ｐ０、Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４    Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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