(57)【要約】【課題】大きさの制御性に優れた、コンタクトホール形成方法を提供する。【解決手段】絶縁層Ｚ１に覆われる配線Ｗ１に、絶縁層を貫通して接続するためのコンタクトホールＣＨを形成する。配線上のコンタクトホール形成領域ＤＡに、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する撥液材料の液滴ＦＬを塗布して撥液部ＨＦを形成する工程と、撥液部を除いて、配線を覆って絶縁層形成材料を含む液滴ＺＬを塗布して絶縁層Ｚ１を形成する工程と、を有する。【選択図】図９
2009021552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に覆われる配線に、前記絶縁層を貫通して接続するためのコンタクトホールを形成する方法であって、
前記配線上のコンタクトホール形成領域に、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する撥液材料の液滴を塗布して撥液部を形成する工程と、
前記撥液部を除いて、前記配線を覆って前記絶縁層形成材料を含む液滴を塗布して絶縁層を形成する工程と、
を有することを特徴とするコンタクトホール形成方法。
【請求項２】
請求項１記載のコンタクトホール形成方法において、
前記コンタクトホールの直径を前記撥液性液滴の吐出量で調整することを特徴とするコンタクトホール形成方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のコンタクトホール形成方法において、
前記撥液材料は、シラン化合物及びフルオロアルキル基を有する化合物の少なくとも一方を含むことを特徴とするコンタクトホール形成方法。
【請求項４】
請求項３記載のコンタクトホール形成方法において、
前記シラン化合物は、自己組織化膜であることを特徴とする導電ポスト形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載のコンタクトホール形成方法において、
前記撥液材料は、フッ素化合物を含むことを特徴とするコンタクトホール形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載のコンタクトホール形成方法において、
配線形成材料を含む液滴に対して親液性を有する配線形成面の非配線形成領域に、前記配線形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する第２撥液材料の液滴を塗布して配線用撥液部を形成する工程と、
前記配線用撥液部の間の親液部に前記配線形成材料を含む液滴を塗布して前記配線を形成する工程とを有することを特徴とするコンタクトホール形成方法。
【請求項７】
絶縁層に覆われる配線に、前記絶縁層を貫通して接続する導電ポストを形成する方法であって、
請求項１から６のいずれか一項に記載のコンタクトホール形成方法により、コンタクトホールを形成する工程と、
形成されたコンタクトホールに導電材料を含む液滴を塗布して導電ポストを形成する工程とを有することを特徴とする導電ポスト形成方法。
【請求項８】
請求項７記載の導電ポスト形成方法において、
前記撥液部にエネルギー光を照射する工程を有することを特徴とする導電ポスト形成方法。
【請求項９】
請求項７記載の導電ポスト形成方法において、
少なくとも前記撥液部と前記導電ポストとを加熱して、前記配線と前記導電ポストとを溶着させる工程を有することを特徴とする導電ポスト形成方法。
【請求項１０】
絶縁層に覆われる配線に、前記絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して接続する第２配線を形成する配線パターン形成方法であって、
請求項１から６のいずれか一項に記載のコンタクトホール形成方法により、コンタクトホールを形成する工程と、
前記絶縁層を硬化させる工程と、
前記撥液部及び前記絶縁層にエネルギー光を照射する工程と、
前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨って、前記第２配線を形成する工程とを有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に、導電材料を含む液滴を塗布して前記第２配線を形成することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の配線パターン形成方法において、
前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に、めっき用触媒材料を含む液滴を塗布してめっき用触媒層を形成する工程と、
めっき処理により前記めっき用触媒層上に前記第２配線を形成する工程とを有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項１３】
絶縁層を介して第１配線及び第２配線が積層され、前記第１配線と前記第２配線とがコンタクトホールを介して接続される多層配線基板の製造方法であって、
前記コンタクトホールを請求項１から６のいずれか一項に記載のコンタクトホール形成方法により形成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の多層配線基板の製造方法を用いることを特徴とする電子機器製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトホール形成方法、導電ポスト形成方法、多層配線基板の製造方法及び電子機器製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出法（インクジェット方式）を用いてパターンを形成する場合、液状体の液滴（インク）を吐出し、基板上の所定位置に着弾させることによってパターンを形成している。このように、液滴を吐出して基板に着弾させた場合、基板表面の特性によっては着弾した液滴が濡れ拡がり過ぎたり、分離したりする虞がある。この場合、所望の配線パターンを得ることができないという問題が生じる。
【０００３】
そこで、特許文献１には、基板のパターン形成面となる面を撥液加工し、この撥液加工面に光触媒を通過した紫外光レーザビームを照射しながら親液パターン形成を行う技術が開示されている。
また、特許文献２には、パターンを形成する基板上に光触媒を含有した撥水性の下地を塗布した後に、マスクを介して露光することにより、露光部分のみを親水化する技術が開示されている。
【０００４】
ところで、上記の配線パターンを積層して多層配線構造を採る場合、配線パターン同士はコンタクトホールに設けられた導電ポストを介して接続される。この導電ポスト（コンタクトホール）を形成する技術としては、例えば第１配線上の導電ポスト（コンタクトホール）非形成領域に絶縁材料を含む液滴を塗布、硬化させ、絶縁層を形成した後に、導電ポスト形成領域に導電材料を含む液滴を塗布・硬化させる技術が開示されている（例えば特許文献３、４参照）。
【特許文献１】特開２００４−２００２４４号公報
【特許文献２】特開平１１−３４４８０４号公報
【特許文献３】特開２００３−２８２５６１号公報
【特許文献４】特開２００６−１４０４３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
特に金属配線では、表面の濡れ性がよいため、コンタクトホール非形成領域（導電ポスト非形成領域）に絶縁材料を含む液滴を塗布した場合に、液滴が濡れ拡がりやすいため、コンタクトホール形成領域（導電ポスト形成領域）を所望の大きさに制御することが困難であるという問題があった。
また、配線パターンの形成については、上記特許文献１、２に記載された技術では、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源を用いるため、コストアップを招くという問題を招いてしまう。また、本来、非パターン面のみに必要な撥液材料を基板全面に塗布するため、省材料という観点からも望ましいものとはいえない。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、大きさの制御性に優れたコンタクトホール形成方法、導電ポスト形成方法、多層配線基板の製造方法及び電子機器製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明の別の目的は、コストアップを招くことなく良質な上記パターンが形成可能なコンタクトホール形成方法、導電ポスト形成方法、配線パターン形成方法、多層配線基板の製造方法及び電子機器製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明のコンタクトホール形成方法は、絶縁層に覆われる配線に、前記絶縁層を貫通して接続するためのコンタクトホールを形成する方法であって、前記配線上のコンタクトホール形成領域に、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する撥液材料の液滴を塗布して撥液部を形成する工程と、前記撥液部を除いて、前記配線を覆って前記絶縁層形成材料を含む液滴を塗布して絶縁層を形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
従って、本発明のコンタクトホール形成方法では、撥液部を除いて、配線を覆って前記絶縁層形成材料を含む液滴を塗布した際に、撥液部の撥液性により前記絶縁層形成材料を含む液滴がはじかれるため、コンタクトホール形成領域は絶縁層形成材料で覆われることが防止され、撥液部の大きさで絶縁層が開口することにより、配線が露出するコンタクトホールを形成することができる。これにより、本発明では、撥液部の大きさに応じた優れた制御性でコンタクトホールを形成することができる。
【０００９】
また、本発明では、前記コンタクトホールの直径を前記撥液性液滴の吐出量で調整する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、前記撥液性液滴の吐出量、または各液滴の吐出量が一定の場合には吐出液滴数を調整することにより、容易にコンタクトホールの直径を制御することが可能になる。
【００１０】
また、本発明では、酸素プラズマ処理により、コンタクトホール形成領域の前記撥液部を除去する手順を採用できる。
この場合、酸素プラズマ処理時間またはＵＶ照射処理時間を調整することにより、撥液部における撥液性（絶縁層形成材料を含む液状体に対する接触角）を制御することができる。
【００１１】
前記撥液材料としては、シラン化合物及びフルオロアルキル基を有する化合物の少なくとも一方を含む構成を採用できる。この場合、前記シラン化合物としては、自己組織化膜である構成を採用できる。
また、前記撥液部としては、前記基板の表面に前記フルオロアルキル基を有する化合物からなる自己組織化膜によって形成される構成も採用できる。
さらに、前記撥液材料としては、フッ素化合物を含む構成も採用できる。
【００１２】
また、本発明では、配線形成材料を含む液滴に対して親液性を有する配線形成面の非配線形成領域に、前記配線形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する第２撥液材料の液滴を塗布して配線用撥液部を形成する工程と、前記配線用撥液部の間の親液部に前記配線形成材料を含む液滴を塗布して前記配線を形成する工程とを有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、親液性を有する配線形成面に配線形成材料を含む液滴を塗布することにより、配線用撥液部にはじかれた配線形成材料を含む液状体を、親液部の配置（すなわち配線用撥液部の配置）に応じた配線を配線形成面に高精度に形成することができる。また、本発明では、第２撥液材料を含む液滴を塗布することにより配線用撥液部をパターニング形成するため、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを防止することが可能である。
【００１３】
また、本発明の導電ポスト形成方法は、絶縁層に覆われる配線に、前記絶縁層を貫通して接続する導電ポストを形成する方法であって、先に記載のコンタクトホール形成方法により、コンタクトホールを形成する工程と、形成されたコンタクトホールに導電材料を含む液滴を塗布して導電ポストを形成する工程とを有することを特徴とするものである。
従って、本発明の導電ポスト形成方法では、撥液部が形成された配線を覆って前記絶縁層形成材料を含む液滴を塗布した際に、撥液部の撥液性により前記絶縁層形成材料を含む液滴がはじかれるため、導電ポスト形成領域は絶縁層形成材料で覆われることが防止され、撥液部の大きさで絶縁層が開口することにより、配線が露出するコンタクトホールを形成することができる。そして、導電材料を含む液滴を塗布することにより、配線に接続し絶縁層を貫通する導電ポストを形成することができる。
これにより、本発明では、撥液部の大きさに応じた優れた制御性で導電ポストを形成することができる。
【００１４】
また、本発明では、前記撥液部にエネルギー光を照射する工程を有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、絶縁層を硬化させるとともに、撥液部の撥液性を低下させた後に、導電材料を含む液滴を塗布することにより、配線に接続し絶縁層を貫通する導電ポストを形成することができる。
【００１５】
また、本発明では、少なくとも前記撥液部と前記導電ポストとを加熱して、前記配線と前記導電ポストとを溶着させる工程を有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、撥液部により配線と導電ポストとの導通を阻害されることなく、確実に配線と導電ポストとを電気的に接続することが可能になる。
【００１６】
そして、本発明の配線パターン形成方法は、絶縁層に覆われる配線に、前記絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して接続する第２配線を形成する配線パターン形成方法であって、先に記載のコンタクトホール形成方法により、コンタクトホールを形成する工程と、前記絶縁層を硬化させる工程と、前記撥液部及び前記絶縁層にエネルギー光を照射する工程と、前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨って、前記第２配線を形成する工程とを有することを特徴とするものである。
これにより、本発明では、撥液部の大きさで開口する絶縁層を硬化させた後に、撥液部及び絶縁層にエネルギー光を照射することにより、これらに親液性を付与することができる。そして、親液性を付与された撥液部及び絶縁層に跨って第２配線を形成することにより、大きさが規定されたコンタクトホールを介して配線と接続される第２配線を形成することができる。
【００１７】
上記の配線パターン形成方法においては、前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に、導電材料を含む液滴を塗布して前記第２配線を形成する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、液滴吐出方式で前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に導電材料を含む液滴を塗布することにより、大きさが規定されたコンタクトホールに塗布された導電性材料を介して配線と第２配線とを接続させることができる。
【００１８】
また、上記の配線パターン形成方法においては、前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域に、めっき用触媒材料を含む液滴を塗布してめっき用触媒層を形成する工程と、めっき処理により前記めっき用触媒層上に前記第２配線を形成する工程とを有する手順も好適に採用できる。
これにより、本発明では、液滴吐出方式で前記絶縁層上及び前記コンタクトホールに跨る第２配線形成領域にめっき用触媒層を形成した後にめっき処理することにより、このめっき用触媒層上に第２配線を析出させることができ、大きさが規定されたコンタクトホールに塗布された導電性材料を介して配線と接続された緻密で導電性に優れた第２配線を形成することができる。
【００１９】
一方、本発明の多層配線基板の製造方法は、絶縁層を介して第１配線及び第２配線が積層され、前記第１配線と前記第２配線とがコンタクトホールを介して接続される多層配線基板の製造方法であって、前記コンタクトホールを先に記載のコンタクトホール形成方法により形成することを特徴とするものである。
従って、本発明の多層配線基板の製造方法では、優れた制御性でコンタクトホールの大きさが設定された高品質の多層配線基板を製造することができる。
【００２０】
そして、本発明の電気光学装置製造方法は、先に記載の多層配線基板の製造方法を用いることを特徴とするものである。
また、本発明の電子機器製造方法は、先に記載の多層配線基板の製造方法を用いることを特徴とするものである。
従って、本発明では、高品質の多層配線基板を有することで、高品質の電気光学装置及び電子機器を製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明のコンタクトホール形成方法、導電ポスト形成方法、配線パターン形成方法、多層配線基板の製造方法、及び電気光学装置製造方法並びに電子機器製造方法の実施の形態を、図１乃至図１６を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２２】
（液滴吐出装置）
まず、本実施形態に係るパターン形成方法に用いる液滴吐出装置について説明する。
図１は、液滴吐出装置の概略的な構成図である。
液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪは、液滴吐出ヘッドから基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００２３】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００２４】
Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。
【００２５】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２６】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向を非走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２７】
図２は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用インク等）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００２８】
なお、液滴吐出法の吐出技術としては、上記の電気機械変換式の他に、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。
【００２９】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３０】
続いて、上記の液滴吐出装置ＩＪを用いてコンタクトホール及び導電ポストを形成する方法について、図３乃至図９を参照して説明する。
ここでは、図３に示すように、配線が複数層に亘って形成される多層配線基板を製造する場合について説明する。
【００３１】
図３に示す多層配線基板ＣＢは、少なくとも表面Ｐａが親液部として親液性を有する基板Ｐ上に配線パターン（配線、第１配線）Ｗ１が形成され、この配線パターンＷ１を覆うアクリル等により形成された絶縁層Ｚ１上に配線パターン（配線、第２配線）Ｗ２が形成された構成となっている。配線パターンＷ１、Ｗ２は絶縁層Ｚ１を貫通するコンタクトホールＣＨに設けられた導電ポストＤＰによって電気的に接続されている。なお、配線パターンＷ２は絶縁層Ｚ２で覆われて、さらに多層に積層された配線パターンと導通ポストで接続されるが、ここでは絶縁層Ｚ２以降の層については説明を省略する。
【００３２】
基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板、ポリイミドなど各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３３】
まず、基板Ｐ上に配線パターンＷ１を形成する方法について説明する。
ここでは、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、筋状に複数（ここでは３箇所）の撥液部Ｈが互いに隙間をあけて設けられ、これら撥液部Ｈの間に導電性の配線パターンＷ１を形成する場合について説明する。なお、ここで記載する撥液部とは、導電性材料を含む液滴（以下、パターン用液滴と称する）に対する接触角が所定値以上となる領域を示し、親液部とは導電性材料を含む液滴に対する接触角が所定値以下となる領域を示している。
また、この配線パターンＷ１は、上述した配線パターン用のインク液滴を基板Ｐ上に塗布することにより形成されるものであり、表面処理工程、撥液部形成工程、材料配置工程及び熱処理／光処理工程から概略構成される。
以下、各工程毎に詳細に説明する。
【００３４】
（表面処理工程）
表面処理工程では、基板Ｐの表面Ｐａに対して洗浄処理を行うことにより、親液性を高める処理を実施する。
例えば、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成材料（インク）に対して親液性を有しているが、この表面処理によりさらに親液性を高める。
【００３５】
具体的には、表面処理工程では、洗浄処理として、ＵＶエキシマ洗浄、低圧水銀灯洗浄、Ｏ２プラズマ洗浄、ＨＦや硫酸等を用いた酸洗浄、アルカリ洗浄、超音波洗浄、メガソニック洗浄、コロナ処理、グロー洗浄、スクラブ洗浄、オゾン洗浄、水素水洗浄、マイクロバブル洗浄、フッ素系洗浄等を実施する。
【００３６】
ここで、表面（親液部）Ｐａのパターン用液滴に対する接触角が２５度を超えるとバルジ（液滴溜まり）が発生しやすくなり、また２０度以下であればバルジは生じない。そこで、本実施形態では、洗浄処理条件を調整することにより、基板表面Ｐａのパターン用液滴に対する接触角を２０度以下とする。
具体的には、洗浄処理が、例えばＵＶエキシマ洗浄の場合にはＵＶ光（紫外光）の照射時間、強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することができ、また、洗浄処理が例えばＯ２プラズマ洗浄の場合には、プラズマ処理時間を調整することにより、親液性（接触角）を調整することができる。この洗浄処理により、表面Ｐａに有機物等の異物が付着していた場合でも、表面Ｐａから除去することが可能になり、清浄度及び親液性を維持することができる。
【００３７】
（撥液部形成工程）
続いて、洗浄処理（親液化処理）が行われた基板Ｐの表面（配線形成面）Ｐａの所定領域（パターンＷ１の形成する領域の周囲；非配線領域）に撥液部（配線用撥液部）Ｈを形成する。
具体的には、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い液滴吐出ヘッド３０１からパターン用液滴に対して撥液性を有する材料（第２撥液材料）を含む液状体の液滴（以下、撥液性液滴と称する）を吐出して、基板Ｐ上の所定領域に塗布する。
【００３８】
撥液性を有する材料としては、シラン化合物、フルオロアルキル基を有する化合物、フッ素樹脂（フッ素を含む樹脂）、及びこれらの混合物を用いることができる。
シラン化合物としては、（Ａ）一般式（１）
Ｒ１Ｓｉ Ｘ１ｍＸ２（３−ｍ）    …（１）
（式中、Ｒ１ は有機基を表し、Ｘ１ およびＸ２は−ＯＲ２ 、−Ｒ２、−Ｃｌを表し、Ｒ２ は炭素数１〜４のアルキル基を表し、ｍは１から３の整数である。）で表される１種又は２種以上のシラン化合物（成分Ａ）を用いることができる。
【００３９】
一般式（１）で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合手にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Ｒ１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
Ｘ１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。
【００４０】
一般式（Ｉ）で表されるシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、１−プロペニルメチルジクロロシラン、プロピルジメチルクロロシラン、プロピルメチルジクロロシラン、プロピルトリクロロシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、スチリルエチルトリメトキシシラン、テトラデシルトリクロロシラン、３−チオシアネートプロピルトリエトキシシラン、ｐ−トリルジメチルクロロシラン、ｐ−トリルメチルジクロロシラン、ｐ−トリルトリクロロシラン、ｐ−トリルトリメトキシシラン、ｐ−トリルトリエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブチロキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、ジ−ｔ−ブチルジ−ｔ−ブチロキシシラン、オクタデシルトリクロロシラン、オクタデシルメチルジエトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）、オクタデシルジメチルクロロシラン、オクタデシルメチルジクロロシラン、オクタデシルメトキシジクロロシラン、７−オクテニルジメチルクロロシラン、７−オクテニルトリクロロシラン、７−オクテニルトリメトキシシラン、オクチルメチルジクロロシラン、オクチルジメチルクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、１０−ウンデセニルジメチルクロロシラン、ウンデシルトリクロロシラン、ビニルジメチルクロロシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルドデシルジエトキシシラン、メチルオクタデシルジメトキシシラン、メチルオクタデシルジエトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジメトキシシラン、ｎ−オクチルメチルジエトキシシラン、トリアコンチルジメチルクロロシラン、トリアコンチルトリクロロシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルイソプロポキシシラン、メチル−ｎ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、メチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルイソプロポキシシラン、エチル−ｎ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブチロキシシラン、エチルトリ−ｔ−ブチロキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、ｎ−ドデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、２−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、４−〔２−（トリクロロシリル）エチル〕ピリジン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、１，３−（トリクロロシリルメチル）ヘプタコサン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルジメチルメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、フェニルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ベンジルトリメトキシシラン、ベンジルメチルジメトキシシラン、ベンジルジメチルメトキシシラン、ベンジルジメトキシシラン、ベンジルジエトキシシラン、ベンジルメチルジエトキシシラン、ベンジルジメチルエトキシシラン、ベンジルトリエトキシシラン、ジベンジルジメトキシシラン、ジベンジルジエトキシシラン、３−アセトキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、４−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、６−（アミノヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｐ−アミノフェニルエトキシシラン、ｍ−アミノフェニルトリメトキシシラン、ｍ−アミノフェニルエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、アミルトリエトキシシラン、ベンゾオキサシレピンジメチルエステル、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、２−クロロメチルトリエトキシシラン、クロロメチルメチルジエトキシシラン、クロロメチルメチルジイソプロポキシラン、ｐ−（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、２−（４−クロロスルフォニルフェニル）エチルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキシシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、シアノメチルフェネチルトリエトキシシラン、３−シアノプロピルトリエトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリメトキシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリエトキシシラン、３−シクロヘキセニルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルトリクロロシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルジメチルクロロシシラン、２−（３−シクロヘキセニル）エチルメチルジクロロシシラン、シクロヘキシルジメチルクロロシラン、シクロヘキシルエチルジメトキシシラン、シクロヘキシルメチルジクロロシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、（シクロヘキシルメチル）トリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロオクチルトリクロロシラン、（４−シクロオクテニル）トリクロロシラン、シクロペンチルトリクロロシラン、シク���ペンチルトリメトキシシラン、１,１−ジエトキシ−１−シラシクロペンタ−３−エン、３−（２，４−ジニトロフェニルアミノ）プロピルトリエトキシシラン、（ジメチルクロロシリル）メチル−７,７−ジメチルノルピナン、（シクロヘキシルアミノメチル）メチルジエトキシシラン、（３−シクロペンタジエニルプロピル）トリエトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、（フルフリルオキシメチル）トリエトキシシラン、２−ヒドロキシ−４−（３−トリエトキシプロポキシ）ジフェニルケトン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルメチルジクロロシラン、３−（ｐ−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）メチルジクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）トリクロロシラン、ｐ−（メチルフェネチル）ジメチルクロロシラン、３−モルフォリノプロピルトリメトキシシラン、（３−グリシドキシプロピル）メチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−メチルジエトキシシリル−２−ノルボルネン、１，２，３，４，７，７，−ヘキサクロロ−６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネン、３−ヨードプロピルトリメトキシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、（メルカプトメチル）メチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メチル｛２−（３−トリメトキシシリルプロピルアミノ）エチルアミノ｝−３−プロピオネート、７−オクテニルトリメトキシシラン、Ｒ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、Ｓ−Ｎ−α−フェネチル−Ｎ’−トリエトキシシリルプロピルウレア、フェネチルトリメトキシシラン、フェネチルメチルジメトキシシラン、フェネチルジメチルメトキシシラン、フェネチルジメトキシシラン、フェネチルジエトキシシラン、フェネチルメチルジエトキシシラン、フェネチルジメチルエトキシシラン、フェネチルトリエトキシシラン、（３−フェニルプロピル）ジメチルクロロシラン、（３−フェニルプロピル）メチルジクロロシラン、Ｎ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（トリエトキシシリルプロピル）ダンシルアミド、Ｎ−（３−トリエトキシシリルプロピル）−４，５−ジヒドロイミダゾール、２−（トリエトキシシリルエチル）−５−（クロロアセトキシ）ビシクロヘプタン、（Ｓ）−Ｎ−トリエトキシシリルプロピル―Ｏ―メントカルバメート、３−（トリエトキシシリルプロピル）−ｐ−ニトロベンズアミド、３−（トリエトキシシリル）プロピルサクシニック無水物、Ｎ−〔５−（トリメトキシシリル）−２−アザ−１−オキソ−ペンチル〕カプロラクタム、２−（トリメトキシシリルエチル）ピリジン、Ｎ−（トリメトキシシリルエチル）ベンジル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウ���クロライド、フェニルビニルジエトキシシラン、３−チオシアナートプロピルトリエトキシシラン、（トリデカフロオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロオクチル）トリエトキシシラン、Ｎ−｛３−（トリエトキシシリル）プロピル｝フタルアミド酸、（３，３，３−トリフルオロプロピル）メチルジメトキシシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシシラン、１−トリメトキシシリル−２−（クロロメチル）フェニルエタン、２−（トリメトキシシリル）エチルフェニルスルホニルアジド、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジン、トリメトキシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムブロマイド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリブチルアンモニウムクロライド、Ｎ−トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムクロライド、ビニルメチルジエトキシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルメチルジクロロシラン、ビニルフェニルジクロロシラン、ビニルフェニルジエトキシシラン、ビニルフェニルジメチルシラン、ビニルフェニルメチルクロロシラン、ビニルトリフェノキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシラン、アダマンチルエチルトリクロロシラン、アリルフェニルトリクロロシラン、（アミノエチルアミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、３−アミノフェノキシジメチルビニルシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルジメチルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン、ベンジルトリクロロシラン、ベンジルジメチルクロロシラン、ベンジルメチルジクロロシラン、フェネチルジイソプロピルクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、フェネチルジメチルクロロシラン、フェネチルメチルジクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリクロロシラン、５−（ビシクロヘプテニル）トリエトキシシラン、２−（ビシクロヘプチル）ジメチルクロロシラン、２−（ビシクロヘプチル）トリクロロシラン、１,４−ビス（トリメトキシシリルエチル）ベンゼン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−フェノキシプロピルジメチルクロロシラン、３−フェノキシプロピルトリクロロシラン、
ｔ−ブチルフェニルクロロシラン、ｔ−ブチルフェニルメトキシシラン、ｔ−ブチルフェニルジクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルジメチルクロロシラン、ｐ−（ｔ−ブチル）フェネチルトリクロロシラン、１,３−（クロロジメチルシリルメチル）ヘプタコサン、（（クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン、（（クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、２−シアノエチルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルジメチルエトキシシラン、３−シアノプロピルメチルジクロロシラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、等が挙げられる。
【００４１】
フッ素を含有するシラン化合物（撥液性シラン化合物）としては、含フッ素アルキルシラン化合物が挙げられる。すなわち、Ｓｉと結合したパ−フルオロアルキル構造ＣｎＦ２ｎ＋１で表される構造を有するものであり、下記一般式（２）で表される化合物を例示することができる。式（２）中、ｎは１から１８の整数を、ｍは２から６までの整数をそれぞれ表している。Ｘ１及びＸ２は−ＯＲ２、−Ｒ２、−Ｃｌを示し、Ｘ１及びＸ２に含まれるＲ２は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａは１〜３の整数である。
【００４２】
ＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１ａＸ２（３−ａ）  …（２）
Ｘ１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。  
含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性を付与することができる。
【００４３】
より具体的には、ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）１１−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２等が挙げられる。
【００４４】
また、撥液部Ｈの形成にフッ素樹脂を用いる場合には、所定量のフッ素樹脂を所定溶媒に溶解させたものが用いられる。具体的には、住友スリーエム株式会社製「EGC1720」（ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）溶媒にフッ素樹脂を０．１ｗｔ％溶解させたもの）を用いることができる。この場合、ＨＦＥにアルコール系、炭化水素系、ケトン系、エーテル系、エステル系の溶剤を適宜混合することにより、液滴吐出ヘッド３０１から安定して吐出可能に調整可能である。この他に、フッ素樹脂としては、旭硝子株式会社製「ルミフロン」（各種溶媒に溶解可能）、ダイキン工業株式会社製「オプツール」（溶媒；ＰＦＣ、ＨＦＥ等）、大日本インキ化学工業株式会社製「ディックガード」（溶媒；トルエン、水・エチレングリコール）等を用いることができる。
さらに、フッ素を含む樹脂としては、側鎖にＦ基、−ＣＦ３、−ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ３、−（ＣＦ２）ｎＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦＣｌ−が含まれるものを用いることが可能である。
【００４５】
そして、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、上記の撥液性材料を含む撥液性液滴Ｌを液滴吐出ヘッド３０１から各撥液部Ｈに対して連続的に吐出する。
このとき、各撥液部Ｈにおいては、基板Ｐの表面Ｐａに着弾した撥液性液滴Ｌが、隣り合う液滴同士で重なり合う位置に吐出・塗布される。これにより、各撥液部Ｈは、液滴吐出ヘッド３０１と基板との一回の走査で塗布形成されることになる。
【００４６】
ここで、図４（ａ）に示すように、配線パターンＷ１の幅ＷＡは、撥液部Ｈの配列ピッチＨＰと撥液部Ｈの幅ＨＡとの差で設定される。この配列ピッチＨＰは、配線パターンＷ１の仕様として決定されるため、配線パターンＷ１の幅ＷＡは撥液部Ｈの幅ＨＡに依存することになる。この撥液部Ｈの幅ＨＡは、本実施形態では滴吐出ヘッド３０１から吐出する撥液性液滴Ｌの吐出量及び図５（ａ）に示す吐出ピッチＬＰにより管理する。
具体的には、例えば液滴Ｌの吐出量を二通り（Ｌａ、Ｌｂとする、例えばＬａ＝２．５ｐｌ、Ｌｂ＝４．５ｐｌ）とし、各吐出量Ｌａ、Ｌｂ毎に吐出ピッチＬＰを１０、２０、３０μｍでそれぞれ吐出・塗布したときに、基板Ｐ上に形成される撥液部Ｈの幅ＨＡを、吐出量及び吐出ピッチＬＰに対応させたテーブルとして保持しておき、所望の幅ＨＡで撥液部Ｈを形成する際には、テーブルから当該幅ＨＡに対応する吐出量及び吐出ピッチＬＰを呼び出し、撥液性液滴の吐出工程では、この呼び出した吐出量及び吐出ピッチＬＰで液滴Ｌを吐出する。
【００４７】
そして、基板Ｐ上に吐出した撥液性液滴Ｌを予備乾燥することにより、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、基板Ｐ上に直線状の撥液部Ｈが互いに間隔をあけて数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さで形成される。
この撥液部Ｈは、上述した撥液性材料を用いることにより、パターン用液滴に対する接触角を５０度以上とする。従って、親液部（表面）Ｐａと撥液部Ｈとのコントラスト（接触角の差）は３０度以上となる。
【００４８】
（材料配置工程）
次に、基板Ｐの表面Ｐａの撥液部Ｈ間にパターン用液滴を吐出して、配線パターンＷ１を形成する。
配線パターン形成材料としては、一般に、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液からなる。本実施の形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、パラジウム、ニッケル及びＩＴＯのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液体吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００４９】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００５０】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００５１】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００５２】
そして、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、上記の配線パターン形成材料を含むパターン用液滴ＷＬを液滴吐出ヘッド３０１から撥液部Ｈ間の隙間に対して連続的に吐出して塗布する。具体的には、撥液部Ｈ（親液部Ｐａ）の長さ方向（配線パターンの形成方向）に沿って、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐとを相対移動させつつ、所定のピッチでパターン用液滴ＷＬを複数吐出する。
【００５３】
ここで、基板Ｐの表面Ｐａは、パターン用液滴ＷＬに対して接触角が２０度以下となっているため、塗布されたパターン用液滴ＷＬは、分断されたりバルジを生じさせることなく撥液部Ｈの間を濡れ拡がる。また、撥液部Ｈと表面Ｐａとのパターン用液滴ＷＬに対する接触角の差（コントラスト）が３０度以上あるため、パターン用液滴ＷＬは、この濡れ性の差に基づいて撥液部Ｈからはじかれて撥液部Ｈの間の表面Ｐａに導入されて溜まる。このコントラストとしては、３０度以上で十分であるが、後述する実施例を考慮した場合、３５度以上であることがより好ましい。
【００５４】
なお、上記の撥液部Ｈは、厚さが数ｎｍ〜数十ｎｍと微少量であるため、塗布されたパターン用液滴ＷＬの位置を規定する隔壁としての機能を有しておらず、パターン用液滴ＷＬは上述した接触角（濡れ性）の差に起因して親液部Ｐａに配置されることになる。
【００５５】
（熱処理／光処理工程）
次に、熱処理／光処理工程では、基板上に配置された液滴に含まれる分散媒あるいはコーティング剤を除去する。すなわち、基板上に配置された導電膜形成用の液体材料は、微粒子間の電気的接触をよくするために、分散媒を完全に除去する必要がある。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング剤がコーティングされている場合には、このコーティング剤も除去する必要がある。
【００５６】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行ってもよい。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング剤の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。
【００５７】
例えば、有機物からなるコーティング剤を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行なうことが好ましい。ここでは、２５０℃、６０分で焼成した。
熱処理及び／又は光処理は、例えばホットプレート、電気炉などの加熱手段を用いた一般的な加熱処理の他に、ランプアニールを用いて行ってもよい。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態例では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。
上記熱処理及び／又は光処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
以上説明した一連の工程により、基板Ｐ上に図４（ａ）に示した線状の配線パターンＷ１が形成される。
【００５８】
（実施例）
溶媒−金属をグリコール系−ＩＴＯ、エーテル系−ＩＴＯ、グリコール系−Ｎｉ、水系−Ａｇ、炭化水素系−Ａｇとし、撥液部Ｈの幅ＨＡ＝１００μｍ、配線パターンＷの幅ＷＡ＝４０μｍとしたときに、撥液部Ｈ、親液部Ｐａの接触角、コントラスト、描画結果の関係を図７に示す。
この図に示すように、親液部の接触角が２０°以下であればバルジが生じず、また撥液部の接触角が５０°以上で、コントラストが３０°以上（好ましくは３５°以上）であれば、良好に均一な配線パターンが成膜された。
【００５９】
続いて、配線パターンＷ１上にコンタクトホールＣＨ及び導電ポストＤＰを形成する手順について、図９を参照して説明する。
まず、図９（ａ）に示すように、配線パターンＷ１上のコンタクトホール形成領域（導電ポスト形成領域）ＤＡ（後にコンタクトホールＣＨ及び導電ポストＤＰが形成される箇所・領域）に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて液滴吐出ヘッド３０１から、絶縁層Ｚ１の絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する、ここでは上述した撥液性材料の中、フッ素樹脂（撥液材料）を含む液滴ＦＬを塗布・乾燥することにより、絶縁層形成材料を含む液状体に対する撥液部（絶縁層用撥液部）ＨＦを形成する。
【００６０】
ここで、撥液部ＨＦの大きさ（直径）は、後に形成される導電ポストＤＰの大きさ（直径）に対応するため、形成すべき導電ポストＤＰの直径に応じた直径で撥液部ＨＦを形成する。本実施形態では、液滴ＦＬの吐出重量と、この液滴ＦＬが配線パターンＷ１上に着弾した後の直径との相関関係（例えば、吐出重量２ｎｇで着弾径が約４０μｍ、吐出重量３ｎｇで着弾径が約６５μｍ）を求めてテーブルとして保持しておき、撥液部ＨＦを形成する際には、形成する導電ポストＤＰの大きさに応じてテーブルから吐出重量を求め、この吐出重量で液滴ＦＬを吐出する。
【００６１】
続いて、図９（ｂ）に示すように、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて液滴吐出ヘッド３０１から、撥液部ＨＦを除いて、配線パターンＷ１を覆って絶縁層形成材料を含む液滴ＺＬ（以後、絶縁層形成用液滴ＺＬと称する）を塗布する。この絶縁層形成材料としては、本実施形態では光硬化性を有する材料を含んでいる。具体的には、本実施形態の光硬化性材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−と、を含んでいる。一般的には、この光硬化性材料は、溶剤と、溶剤に溶解した樹脂と、を含有してよい。ここで、この場合の光硬化性材料は、それ自体が感光して重合度を上げる樹脂を含有してもよいし、あるいは、樹脂と、その樹脂の硬化を開始させる光重合開始剤と、を含有していてもよい。また、このような形態に代えて、光硬化性材料として、光重合して不溶の絶縁樹脂を生じるモノマーと、そのモノマーの光重合を開始させる光重合開始剤と、を含有してもよい。ただしこの場合の光硬化性材料は、モノマー自体が光官能基を有していれば、光重合開始剤を含有しなくてもよい。
また、熱硬化性のポリイミド等を絶縁層形成材料としてもよい。
【００６２】
配線パターンＷ１上に塗布された絶縁層形成用液滴ＺＬは、コンタクトホール形成領域ＤＡに形成された撥液部Ｈの撥液性によりはじかれて、当該コンタクトホール形成領域ＤＡにおいては未充填状態となって開口し、撥液部ＨＦが露出し、当該撥液部ＨＦの大きさで規定される大きさでコンタクトホールＣＨが形成される。この後、基板Ｐの表面側からエネルギー光として、紫外光（ＵＶ光）を撥液部ＨＦ及び絶縁層Ｚ１に照射する。これにより、絶縁層Ｚ１が硬化するとともに、撥液部ＨＦが分解・除去される、または撥液性が低下する。フッ素樹脂を用いて形成された撥液部ＨＦの場合、紫外光の照射時間に応じて撥液性が低下するが、撥液性が十分に低下する時間で紫外光を照射する（例えば、接触角が２０°以下となる６０秒）。
【００６３】
この後、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、導電材料を含む液滴、ここでは配線パターンＷ１を形成する際に用いた液滴ＷＬを導電ポスト形成領域ＤＡに位置するコンタクトホールＣＨに塗布・乾燥することにより、図９（ｃ）に示すように、導電ポストＤＰを形成する。このとき、撥液部ＨＦが紫外光照射で完全に除去されていなくても、フッ素樹脂は数ｎｍ〜数十ｎｍと微少量であるので、撥液部ＨＦは導電材料である微粒子の熱処理または光処理による電気的接触が確保される際に部分的に分解されたり、導電材料である微粒子同士の融着等の反応により、導電ポストＤＰは配線パターンＷ１と良好なコンタクト（導通）を確保した状態で形成される。
そして、導通ポストＤＰが露出する絶縁層Ｚ１の表面を配線形成面として、上記の工程を繰り返すことにより、導通ポストＤＰに接続する配線パターンＷ２等を有する多層配線基板ＣＢが製造される。
【００６４】
以上のように、本実施の形態では、予め配線パターンＷ１上に、コンタクトホール形成領域ＤＡに撥液部ＨＦを形成した後に、絶縁層形成用液滴ＺＬを塗布するため、液滴ＺＬが配線パターンＷ１上で濡れ拡がった場合でも、コンタクトホール形成領域ＤＡの大きさ、すなわちコンタクトホールＣＨ及び導電ポストＤＰの大きさを所望の値に確保・制御することが可能になり、高精度に配線パターンＷ１、Ｗ２及び導電ポストＤＰが形成された多層配線基板ＣＢを製造することが可能になる。また、本実施形態では、導通ポストＤＰと配線パターンＷ１とのコンタクトを確保するために必要な撥液部ＨＦの除去処理を、紫外光の照射により絶縁層Ｚ１の硬化処理と同時に行っているため、個別に処理工程を設ける必要がなくなり、生産性の向上に寄与できる。
【００６５】
また、本実施形態では、コンタクトホールＣＨ及び導電ポストＤＰの直径を、予め設定したテーブルに基づき、撥液性液滴ＦＬの吐出量で調整しているため、形成すべきコンタクトホールＣＨ及び導電ポストＤＰの直径に応じて設定する撥液性液滴ＦＬの吐出量を容易、且つ迅速に選定することが可能になり、さらなる生産性の向上に寄与することができる
【００６６】
加えて、本実施形態では、配線パターンＷ１の形成に際しても、親液部の表面Ｐａを有する基板Ｐに対して撥液性液滴Ｌを塗布することにより撥液部Ｈをパターニング形成するため、高価な露光機やフォトマスク、レーザ光源等を用いる必要がなくなり、コストアップを防止することが可能になる。また、本実施形態では、撥液性液滴Ｌの吐出量及び吐出ピッチを調整することにより、撥液部Ｈの幅ＨＡ、すなわち配線パターンＷの幅を容易に調整することができる。特に、本実施形態では、上記吐出量及び吐出ピッチと撥液部Ｈの幅ＨＡとの相関関係を示すテーブルを用いているため、形成すべき配線パターンＷの幅ＷＡに応じて設定する撥液性液滴Ｌの吐出量及び吐出ピッチを容易、且つ迅速に選定することが可能になり、生産性の向上に寄与することができる。
【００６７】
（配線パターン形成方法；第１実施形態）
次に、配線パターン形成方法の第１実施形態について、図１０を参照して説明する。
図１０（ａ）は、図９（ｂ）で示した状態と同様に、撥液部ＨＦを除いて、配線パターンＷ１を覆って絶縁層形成用液滴ＺＬを塗布することにより、コンタクトホールＣＨが形成されて硬化した絶縁層Ｚ１を示す図である。
なお、この図において、図１乃至図９で示した上記実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００６８】
図１０（ａ）に示すように、撥液部ＨＦを除いて配線パターンＷ１を覆う絶縁層Ｚ１が形成されると、基板Ｐの表面側からエネルギー光として、紫外光を撥液部ＨＦ及び絶縁層Ｚ１に照射する。
これにより、絶縁層Ｚ１が硬化するとともに、その上面が親液化される。また、同時に、図１０（ｂ）に示すように、撥液部ＨＦが分解・除去される、または撥液性が低下する。フッ素樹脂を用いて形成された撥液部ＨＦの場合、紫外光の照射時間に応じて撥液性が低下するが、撥液性が十分に低下する時間で紫外光を照射する。
なお、上述した絶縁層Ｚ１に対する親液化処理の前に、別の硬化工程（例えば加熱処理）を実行してもよい。
【００６９】
この後、図１０（ｃ）に示すように、上記コンタクトホールＣＨ及び絶縁層Ｚ１上に跨る配線パターンＷ２の形成領域に、上述した配線パターンＷ１と同様に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、導電材料を含む液滴、ここでは配線パターンＷ１を形成する際に用いた液滴ＷＬを塗布し、乾燥・焼成することにより、コンタクトホールＣＨを介して配線パターンＷ１と接続される配線パターンＷ２を形成することができる。
【００７０】
このように、本実施形態においても、撥液部ＨＦを用いることにより、当該撥液部ＨＦで規定された大きさのコンタクトホールＣＨを高精度で形成し、且つこのコンタクトホールＣＨを介して接続された配線パターンＷ１、Ｗ２を容易に形成することができる。
また、本実施形態では、導電ポストを別途形成する工程を設ける必要がなくなるため、製造効率の向上に寄与できる。
【００７１】
（配線パターン形成方法；第２実施形態）
続いて、配線パターン形成方法の第２実施形態について、図１１乃至図１３を参照して説明する。
上記配線パターン形成方法の第１実施形態では、導電材料を含む液滴を塗布して配線パターンＷ１、Ｗ２を形成する構成としたが、第２実施形態ではめっき処理を用いて配線パターンを形成する場合について説明する。
なお、この図において、図１乃至図９で示した上記実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００７２】
図１１（ａ）に示すように、例えばＰＩ（ポリイミド）で形成された基板Ｐの表面ＰａにＵＶ照射等の表面洗浄処理を施した後に、Ｏ２プラズマ処理等の親液化処理を施す。
そして、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、めっき触媒材料を含む液滴を表面Ｐａの配線パターン形成領域（第１配線形成領域）に塗布・乾燥（例えば１００℃、１５分間）することにより、めっき触媒層Ｃ１を形成する。
【００７３】
めっき触媒材料を含む液状体としては、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の触媒作用を有する金属を含有する有機溶媒を用いることができる。また、この液状体としては、基板Ｐとの密着性を付与するために、カップリング剤を含有する構成としてもよい。カップリング剤としては、例えばアミノ基を有するＳｉカップリング剤を挙げることができ、中性もしくは酸性であり、より好ましくは液滴吐出ヘッドに対するダメージを軽減する観点から中性のものを用いることが好ましい。
本実施形態では、めっき触媒材料としてパラジウム（Ｐｄ）を用いている。
【００７４】
次に、無電解めっき処理を施して、図１１（ｂ）に示すように、めっき触媒層Ｃ１上に導電層Ｄ１を成膜し、例えばホットプレート上で１２０℃、３０分間の熱処理を行うことにより第２配線としての配線パターンＷ１を形成する。無電解めっき処理に用いられる無電解めっき液としては、めっき触媒材料を含む液状体と同様に、好ましくは中性、もしくは酸性であり、基板Ｐへのダメージを考慮すると、中性のものを用いることが好ましい。
また、導電層としては、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｃｏ、ＣｕまたはＰｄを用いることができる。導電層は、複数のめっき層が積層された構成であってもよく、例えばＣｕめっき層の上にＡｕめっき層が形成される構成であってもよい。
本実施形態では、導電層形成材料としてＣｕ（すなわち、銅めっき処理）を用いている。
【００７５】
次に、配線パターンＷ１上のコンタクトホール形成領域ＤＡに、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて液滴吐出ヘッド３０１から、絶縁層Ｚ１の絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する液滴を塗布・乾燥することにより、絶縁層形成材料を含む液状体に対する撥液部（絶縁層用撥液部）ＨＦを形成する。続いて、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い、撥液部ＨＦを除いて配線パターンＷ１を覆って絶縁層形成材料（ＰＩ、アクリル、エポキシ樹脂等）を含む液滴を塗布し、硬化処理を施すことにより、絶縁層Ｚ１を形成する。この硬化処理としては、絶縁層形成材料が熱硬化性材料であれば、例えば２００℃、３０分間の加熱処理を行い、絶縁層形成材料が光硬化性材料であれば、例えばＵＶ光を１０００〜３０００ｍｊ照射する処理を行う。
【００７６】
この後、基板Ｐの表面に対して、ＵＶ照射処理またはＯ２プラズマ処理を実施することにより、絶縁膜Ｚ１の表面を親液化するとともに、撥液部ＨＦ（撥液性分）が除去されて、図１２（ａ）に示すように、絶縁膜Ｚ１に囲まれて配線パターンＷ１が露出するコンタクトホールＣＨが形成される。
【００７７】
続いて、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い、上述しためっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴を、図１２（ｂ）に示すように、２つのコンタクトホールＣＨ及び、これら２つのコンタクトホールＣＨの間の絶縁層Ｚ１上に跨る配線パターン形成領域（第２配線形成領域）にパターニング塗布し、乾燥（例えばホットプレート上で８０℃、５分間）することにより、２つのコンタクトホールＣＨに充填されるとともに、これらのコンタクトホールＣＨ間に懸架して成膜されるめっき触媒層Ｃ２を形成する。
【００７８】
めっき触媒層Ｃ２が形成されると、無電解めっき処理を施して、図１２（ｃ）に示すように、めっき触媒層Ｃ２上に導電層Ｄ２を成膜し、例えばホットプレート上で１２０℃、３０分間の熱処理を行うことにより第２配線として、Ｃｕめっきによる配線パターンＷ２を形成する。
【００７９】
次に、図１３（ａ）に示すように、配線パターンＷ２上のコンタクトホール形成領域ＤＡ２に、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、絶縁層形成材料を含む液状体に対して撥液性を有する液滴を塗布・乾燥することにより、絶縁層形成材料を含む液状体に対する撥液部（絶縁層用撥液部）ＨＦ２を形成する。続いて、上述した液滴吐出装置ＩＪを用い、撥液部ＨＦ２を除いて配線パターンＷ２を覆って絶縁層形成材料（ＰＩ、アクリル、エポキシ樹脂等）を含む液滴を塗布し、絶縁層に対する硬化処理を施すことにより、絶縁層Ｚ２を形成する。この硬化処理としては、絶縁層Ｚ１に対する硬化処理と同様の処理を選択できる。
【００８０】
この後、基板Ｐの表面に対して、ＵＶ照射処理またはＯ２プラズマ処理を実施することにより、絶縁膜Ｚ２の表面の親液化、撥液部ＨＦ２（撥液性分）の除去によるコンタクトホールＣＨ２の形成、めっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴のパターニング塗布・乾燥によるめっき触媒層Ｃ３の形成、無電解めっき処理によりめっき触媒層Ｃ３上への導電膜Ｄ３の成膜を順次行うことにより、図１３（ｂ）に示すように、コンタクトホールＣＨ２で配線パターンＷ２と接続する配線パターンＷ３を形成することができる。
【００８１】
次いで、同様に、図１３（ｃ）に示すように、撥液部の形成、撥液部を除いた領域への絶縁層Ｚ３の形成、絶縁層Ｚ３表面への親液化及び撥液部除去によるコンタクトホールＣＨ３の形成、めっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴のパターニング塗布・乾燥によるめっき触媒層Ｃ４の形成、無電解めっき処理によりめっき触媒層Ｃ４上への導電膜Ｄ４の成膜を順次行うことにより、コンタクトホールＣＨ３で配線パターンＷ３と接続する配線パターン（パッド部）Ｗ４を形成することができる。
【００８２】
このように、本実施形態では、撥液部形成、絶縁層形成及び親液化処理・撥液部除去処理、めっき触媒層形成処理、めっき触媒層上への導電層成膜による配線パターン形成処理を繰り返すことにより、撥液部で規定された大きさのコンタクトホールを高精度で形成し、且つこのコンタクトホールを介して接続された積層構造の配線パターンＷ１〜Ｗ４を容易に形成することができる。
【００８３】
また、本実施形態では、コンタクトホールへの充填部も含めて配線パターンＷ１〜Ｗ４がめっき処理により成膜されるため、液滴吐出方式と比べて緻密で電気抵抗の小さい配線を形成することが可能になる。
【００８４】
なお、上記実施形態では、めっき触媒材料（Ｐｄ）を含む液滴のパターニング塗布前に、撥液部の除去処理を実施しているが、例えばめっき処理で形成した配線上に塗布した撥液材が濡れ拡がって、膜厚が薄くなった場合には、撥液部の除去処理を行うことなく、コンタクトホールに露出する配線との電気的接続が可能になる場合もある。そのため、上記撥液部の除去処理は必須というものではなく、コンタクトホールに露出する配線との電気的接続の可否に応じて適宜実施すればよい。
【００８５】
（多層配線基板）
続いて、多層配線基板の別形態について図１４を参照して説明する。
ここでは、携帯電話に搭載される多層配線基板の例を用いて説明する。
図１４に示す多層配線基板５００は、シリコンからなる基材１０上に、３つの配線層Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３が積層されてなるものである。
なお、基材１０としては、他にもガラス、石英ガラス、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、絶縁膜、有機膜、などが下地層として形成されたものも含む。
【００８６】
配線層Ｐ１は、電極部２０ａを有するチップ部品（電子部品）２０及び電極部２１ａを有するチップ部品（電子部品）２１が絶縁膜（絶縁層）１３に埋め込まれ、この絶縁膜１３上に電極部２０ａ、２１ａに接続される配線１５が成膜されてなるものである。配線１５は、第１層間絶縁膜６０に覆われており、図１０中、両側に位置する配線１５は、第１層間絶縁膜６０を貫通するスルーホール（導電ポスト）Ｈ１、Ｈ２にそれぞれ接続されている。
【００８７】
前記チップ部品２０、２１としては、抵抗、コンデンサー、ＩＣチップ等が挙げられ、本実施形態では、チップ部品２０として抵抗を用い、チップ部品２１としてコンデンサーを用いた。また、チップ部品２０、２１は、その電極部２０ａ、２１ａを上方に向けた状態で基材１０上に配置されている。
なお、実際には電極部２０ａ、２１ａは、チップ部品２０、２１の上面と略面一であるが、ここでは、突起状に図示している。また、液滴吐出方式等を用いて導電性インクを吐出することで実際に突起を形成してもよい。
【００８８】
絶縁膜（絶縁層）１３、６０は、上述した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出方式を用いて絶縁性インク（絶縁材料）を塗布し、該絶縁性インクを硬化させることで形成されたものである。この絶縁性インクとしては、ここでは光エネルギを付与した際に硬化する光硬化性、及び熱エネルギを付与した際に硬化する熱硬化性を有する材料として、アクリル系の感光性樹脂を含んでいる。
【００８９】
配線１５及びスルーホールＨ１、Ｈ２は、液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出方式を用いて導電性インクを吐出することで形成されたものである。本実施形態では、銀微粒子を含む導電性インクを用いている。
【００９０】
配線層Ｐ２は、第１層間絶縁膜６０上に配設され外部接続用の端子７２を有するＩＣチップ（電子部品）７０と、スルーホールＨ１に接続される配線６１と、これらＩＣチップ７０及び配線６１が覆われる第２層間絶縁膜６２と、配線６１に接続され絶縁膜６２を貫通するスルーホールＨ３と、同じく絶縁膜６２を貫通する上述したスルーホールＨ２の一部とを有している。
【００９１】
第２層間絶縁膜６２は、上述した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出方式を用いて上記絶縁膜１３、６０と同一材料で形成されている。
また、配線６１及びスルーホールＨ３は、液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出方式を用いて配線１５及びスルーホールＨ１、Ｈ２と同一材料で形成されている。
【００９２】
配線層Ｐ３は、絶縁膜６２上に形成されＩＣチップ７０の端子７２及びスルーホールＨ２に接続される配線６３Ａと、ＩＣチップ７０の端子７２及びスルーホールＨ３に接続される配線６３Ｂと、これら配線６３Ａ、６３Ｂが覆われる第３層間絶縁膜６４と、配線６３Ａに接続され絶縁膜６４を貫通するスルーホールＨ４と、配線６３Ｂに接続され絶縁膜６４を貫通するスルーホールＨ５と、絶縁膜６４上に設けられスルーホールＨ５と接続されるチップ部品（電子部品）２４と、絶縁膜６４上に設けられスルーホールＨ４と接続されるチップ部品（電子部品）２５とを有している。
【００９３】
第３層間絶縁膜６４は、上述した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出方式を用いて上記絶縁膜１３、６０、６２と同一材料で形成されている。
また、配線６３Ａ、６３Ｂ、スルーホールＨ４、Ｈ５は、液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出方式を用いて配線１５、６１及びスルーホールＨ１、Ｈ２、Ｈ３と同一材料で形成されている。
また、チップ部品２４、２５としては、ここでは、アンテナ素子及び水晶振動子がそれぞれ実装される。
【００９４】
本実施形態の多層配線基板５００においては、スルーホールＨ１〜Ｈ５が上述したコンタクトホール形成方法及び導電ポスト形成方法で形成されるため、スルーホールの大きさを所望の値に確保・制御することが可能になり、高精度にスルーホールが形成された多層配線基板５００を製造することが可能になる。
なお、上記スルーホール（導電ポスト）を別途形成する工程を設けることなく、上述した配線パターン形成方法を用い、上層の配線パターンを形成する際に、コンタクトホールに配線パターン形成材料を充填することにより、下層の配線パターンとの電気的接続を確保する構成としてもよい。
【００９５】
（スイッチング素子（ＴＦＴ素子））
次に、上述したコンタクトホール形成方法、導電ポスト形成方法、配線パターン形成方法を用いて形成されたスイッチング素子（ＴＦＴ素子）の例について、図１５を参照して説明する。
本実施形態では、複数の画素領域を有し、互いに異なる発光特性により各画素領域で複数の発光色で発光する有機ＥＬ装置に設けられたＴＦＴ素子について説明する。
【００９６】
図１５に、有機ＥＬ装置１００における表示領域の断面構造を拡大した図を示す。この図１５には３つの画素領域Ａを示している。有機ＥＬ装置１００は、基板２０２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部２１４と、有機層（発光部）１１０が形成されたＥＬ素子部２１１とが順次積層されて構成されている。
この有機ＥＬ装置１００においては、有機層１１０から基板２側に発した光が、回路素子部２１４及び基板２０２を透過して基板２０２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機層１１０から基板２０２の反対側に発した光が陰極２１２により反射されて、回路素子部２１４及び基板２０２を透過して基板２０２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、陰極２１２として透明な材料を用いることにより、この陰極２１２側から光を出射させることも可能である。
【００９７】
回路素子部２１４には、基板２０２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２０２ｃが形成され、この下地保護膜２０２ｃ上には多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。なお、半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成されており、また、Ｐが導入されなかった部分はチャネル領域１４１ｃとなっている。
さらに、回路素子部２１４には、下地保護膜２０２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。ゲート電極１４３は、半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。
【００９８】
また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース・ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されており、これらコンタクトホール１４５、１４６内にはそれぞれ導電材料が埋め込まれている。
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。
また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１６３に接続されている。
このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）１２３が形成されている。
【００９９】
ＥＬ素子部２１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機層１１０と、各画素電極１１１及び有機層１１０の間に備えられて各有機層１１０を区画するバンク部１１２と、有機層１１０上に形成された対向電極（陰極）２１２とを主体として構成されている。
ここで、画素電極１１１は、透明導電性材料、例えばＩＴＯによって形成されたもので、平面視略矩形にパターニングされたものである。この各画素電極１１１…の間にはバンク部１１２が設けられている。
【０１００】
バンク部１１２は、基板２０２側にＳｉＯ２等からなる無機バンク層１１２ａと、この無機バンク層１１２ａ上に形成された有機バンク層１１２ｂとから構成されたものである。
無機バンク層１１２ａは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されたもので、平面視した状態で画素電極１１１の周囲と無機バンク層１１２ａとが平面的に重なるように配置された構造となっている。また、有機バンク層１１２ｂも、平面視した状態で画素電極１１１の一部と重なるように配置されている。
また、有機バンク層１１２ｂには開口部１１２ｃが形成されており、後述するようにこの開口部１１２ｃ内に機能層の形成材料が配置され成膜されることにより、機能層からなる有機層１１０が形成されるようになっている。なお、有機バンク層１１２ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶媒性のある材料によっって形成されている。
【０１０１】
有機層１１０は、画素電極（陽極）１１１と対向電極（陰極）２１２との間に配設されたことにより、これら画素電極１１１と対向電極２１２と共に有機ＥＬ素子を構成するものとなっている。ここで、本実施形態においては、異なる発光特性としてフルカラー表示をなすべく、赤色の発光特性を有する画素Ｒとなる有機ＥＬ素子と、緑色の発光特性を有する画素Ｇとなる有機ＥＬ素子と、青色の発光特性を有する画素Ｂとなる有機ＥＬ素子とが備えられている。
【０１０２】
本実施形態では、これら３種類の有機ＥＬ素子それぞれが、その有機層１１０として、正孔注入／輸送層（第１有機層）１５１（１５１Ｒ、１５１Ｇ、１５１Ｂ）と発光層（第２有機層）１５０（１５０Ｒ、１５０Ｇ、１５０Ｂ）とを備えた構成となっている。
【０１０３】
そして、本実施形態では、コンタクトホール１４５、１４６を上述したコンタクトホール形成方法や導電ポスト形成方法を用いて形成することができ、また、当該コンタクトホール１４６と接続される電源線１６３や、コンタクトホール１４５と接続される画素電極１１１を形成する際には、上述した配線パターン形成方法を用いることができる。
【０１０４】
従って、本実施形態では、コンタクトホールの大きさを所望の値に確保・制御することが可能になり、高精度にコンタクトホールが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）１２３を製造することが可能になる。
【０１０５】
（電子機器）
続いて、本発明に係る電子機器の具体例について説明する。
図１６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１６（ａ）において、６００は上記実施形態の多層配線基板を備えた携帯電話本体を示し、６０１は液晶表示部を示している。
図１６（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１６（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は上記実施形態の多層配線基板を備えた情報処理本体、７０２は液晶表示部を示している。
図１６（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１６（ｃ）において、８００は上記実施形態の多層配線基板を備えた時計本体を示し、８０１は液晶表示部を示している。
図１６（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の多層配線基板製造方法を用いて製造されたものであるので、高精度に形成された配線、導電ポストを有するため、高品質に製造することが可能になる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１０６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【０１０７】
また、上記実施形態では、基板Ｐに対して親液性を高めるために、表面処理工程として洗浄処理を実施するものとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば機能液（パターン用液滴）に対して親液性を示すシランカップリング剤やチタンカップリング剤を表面Ｐａに塗布しておく構成や、酸化チタン微粒子を塗布しておく構成を採ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】液滴吐出装置の概略的な構成図である。
【図２】液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
【図３】多層配線基板の概略構成図である。
【図４】基板上に形成された撥液部、配線パターンを示す図である。
【図５】パターン形成工程を示す図である。
【図６】パターン形成工程を示す図である。
【図７】パターン形成工程を示す図である。
【図８】撥液部、親液部の接触角、コントラスト、描画結果の関係を示す図である。
【図９】導電ポストを形成する手順を示す図である。
【図１０】配線パターン形成方法の工程を示す図である。
【図１１】配線パターン形成方法の工程を示す図である。
【図１２】配線パターン形成方法の工程を示す図である。
【図１３】配線パターン形成方法の工程を示す図である。
【図１４】多層配線基板の概略構成を示す断面図である。
【図１５】有機ＥＬ装置１００における表示領域の断面構造を拡大した図である。
【図１６】電子機器の具体例を示す図である。
【符号の説明】
【０１０９】
Ｃ１…めっき触媒層、  ＣＢ…多層配線基板、  ＣＨ…コンタクトホール、  ＤＡ…導電ポスト形成領域、  ＤＰ…導電ポスト、  ＧＢ…額縁部、  Ｈ…撥液部（配線用撥液部）、  ＨＦ…撥液部（絶縁層用撥液部）、  Ｌ…液滴、  ＭＳ…メッシュ部、  Ｐ…基板、  Ｐａ…表面（親液部、配線形成面）、  ＳＬ…電磁波シールド（電気光学装置）、  Ｗ１…配線パターン（配線、第１配線）、  Ｗ２…配線パターン（配線、第２配線）、  １００…液晶表示装置（電気光学装置）、  ４００…非接触型カード媒体（電子機器）、  ５００…プラズマ型表示装置（電気光学装置）、  ６００…携帯電話本体（電子機器）、  ７００…情報処理装置（電子機器）、  ８００…時計本体（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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