(57)【要約】【課題】従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供する。【解決手段】基板洗浄装置１は、半導体ウエハＷの周縁部を支持する基板支持機構２を具備している。半導体ウエハＷの表面側に設けられた噴射機構４は、常温常圧で気体の洗浄体、例えば、二酸化炭素の少なくとも一部を、固体又は液体の微粒子として噴射ノズル３から半導体ウエハＷの表面に噴射する。半導体ウエハＷの裏面側の加熱機構６は、加熱された気体を気体ノズル５から半導体ウエハＷの裏面に向けて供給し、噴射ノズル３の噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
常温常圧で気体の洗浄体の少なくとも一部を固体又は液体の微粒子として、噴射ノズルから基板の被洗浄面に噴射するとともに、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位を局所的に加熱することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板洗浄方法であって、
前記噴射ノズルからの噴射位置を、当該噴射ノズルと前記基板とを相対的に移動させて走査するとともに、前記基板の裏面側からの加熱位置を走査することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の基板洗浄方法であって、
前記洗浄体が二酸化炭素であることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の基板洗浄方法であって、
前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位に、加熱した気体を供給して当該部位を局所的に加熱することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項５】
請求項４記載の基板洗浄方法であって、
前記気体が、空気又は窒素ガスであることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項６】
常温常圧で気体の洗浄体の少なくとも一部を固体又は液体の微粒子として、噴射ノズルから基板の被洗浄面に噴射する噴射機構と、
前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する加熱機構と
を具備したことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項７】
請求項６記載の基板洗浄装置であって、
前記噴射ノズルからの噴射位置を、当該噴射ノズルと前記基板とを相対的に移動させて走査するとともに、前記基板の裏面側からの加熱位置を走査する走査機構を具備したことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項８】
請求項６又は７記載の基板洗浄装置であって、
前記噴射機構が、前記洗浄体として二酸化炭素を噴射することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項９】
請求項６〜８いずれか１項記載の基板洗浄装置であって、
前記加熱機構が、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位に、加熱した気体を供給して当該部位を局所的に加熱することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項１０】
請求項９記載の基板洗浄装置であって、
前記気体が、空気又は窒素ガスであることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項１１】
複数の基板を収容可能とされた基板収容容器を載置するための載置部と、
前記基板に所定の処理を施すための処理部と、
常温常圧で気体の洗浄体の少なくとも一部を固体又は液体の微粒子として、噴射ノズルから前記基板の被洗浄面に噴射する噴射機構と、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する加熱機構とを具備した基板洗浄部と、
前記載置部に載置された前記基板収容容器と、前記処理部と、前記基板線上部との間で前記基板を搬送する搬送機構と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の基板処理装置であって、
前記基板洗浄部が、前記噴射ノズルからの噴射位置を、当該噴射ノズルと前記基板とを相対的に移動させて走査するとともに、前記基板の裏面側からの加熱位置を走査する走査機構を具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２記載の基板洗浄装置であって、
前記基板洗浄部の前記噴射機構が、前記洗浄体として二酸化炭素を噴射することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項１１〜１３いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記基板洗浄部の前記加熱機構が、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位に、加熱した気体を供給して当該部位を局所的に加熱することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の基板処理装置であって、
前記気体が、空気又は窒素ガスであることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハや液晶装置用ガラス基板等の基板を洗浄するための基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハや液晶装置用ガラス基板等の基板を洗浄するための基板洗浄方法としては、大別して常温常圧で液体の洗浄剤を用いたウエット洗浄と、このような洗浄剤を用いないドライ洗浄がある。ドライ洗浄としては、エアーの風圧で基板に付着したパーティクルを除去する方法、このようなエアーにさらに超音波をかける方法、二酸化炭素の固体粒子（ドライアイス）を吹き付ける方法（炭酸ガスブラスト洗浄）等が知られている。
【０００３】
上記したドライ洗浄では、基板に吹き付けた二酸化炭素等と基板から剥離したパーティクルを吸引して回収する技術が知られている（例えば、特許文献１参照。）。また、基板全体を加熱して、二酸化炭素の固体粒子（ドライアイス）の蒸発を促進させる技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１６５２２９号公報
【特許文献２】特開平７−８９２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したとおり、従来から二酸化炭素の固体粒子（ドライアイス）等を基板に吹き付けることにより、基板のドライ洗浄を行う洗浄方法が用いられている。また、このような基板のドライ洗浄の際に、基板の周囲から吸引することにより、基板から剥離したパーティクルを回収する技術も知られている。しかしながら、このように吸引を行ったとしても、基板から剥離したパーティクルの再付着を完全に防止することは困難であり、また、吹き付ける気体中に含まれるパーティクルが基板に付着する可能性もあり、さらに基板へのパーティクルの付着可能性を低減して、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法等の開発が必要とされていた。
【０００５】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の基板洗浄方法は、常温常圧で気体の洗浄体の少なくとも一部を固体又は液体の微粒子として、噴射ノズルから基板の被洗浄面に噴射するとともに、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位を局所的に加熱することを特徴とする。
【０００７】
請求項２の基板洗浄方法は、請求項１記載の基板洗浄方法であって、前記噴射ノズルからの噴射位置を、当該噴射ノズルと前記基板とを相対的に移動させて走査するとともに、前記基板の裏面側からの加熱位置を走査することを特徴とする。
【０００８】
請求項３の基板洗浄方法は、請求項１又は２記載の基板洗浄方法であって、前記洗浄体が二酸化炭素であることを特徴とする。
【０００９】
請求項４の基板洗浄方法は、請求項１〜３いずれか１項記載の基板洗浄方法であって、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位に、加熱した気体を供給して当該部位を局所的に加熱することを特徴とする。
【００１０】
請求項５の基板洗浄方法は、請求項４記載の基板洗浄方法であって、前記気体が、空気又は窒素ガスであることを特徴とする。
【００１１】
請求項６の基板洗浄装置は、常温常圧で気体の洗浄体の少なくとも一部を固体又は液体の微粒子として、噴射ノズルから基板の被洗浄面に噴射する噴射機構と、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する加熱機構とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
請求項７の基板洗浄装置は、請求項６記載の基板洗浄装置であって、前記噴射ノズルからの噴射位置を、当該噴射ノズルと前記基板とを相対的に移動させて走査するとともに、前記基板の裏面側からの加熱位置を走査する走査機構を具備したことを特徴とする。
【００１３】
請求項８の基板洗浄装置は、請求項６又は７記載の基板洗浄装置であって、前記噴射機構が、前記洗浄体として二酸化炭素を噴射することを特徴とする。
【００１４】
請求項９の基板洗浄装置は、請求項６〜８いずれか１項記載の基板洗浄装置であって、前記加熱機構が、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位に、加熱した気体を供給して当該部位を局所的に加熱することを特徴とする。
【００１５】
請求項１０の基板洗浄装置は、請求項９記載の基板洗浄装置であって、前記気体が、空気又は窒素ガスであることを特徴とする。
【００１６】
請求項１１の基板処理装置は、複数の基板を収容可能とされた基板収容容器を載置するための載置部と、前記基板に所定の処理を施すための処理部と、常温常圧で気体の洗浄体の少なくとも一部を固体又は液体の微粒子として、噴射ノズルから前記基板の被洗浄面に噴射する噴射機構と、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位を局所的に加熱する加熱機構とを具備した基板洗浄部と、前記載置部に載置された前記基板収容容器と、前記処理部と、前記基板線上部との間で前記基板を搬送する搬送機構とを具備したことを特徴とする。
【００１７】
請求項１２の基板処理装置は、請求項１１記載の基板処理装置であって、前記基板洗浄部が、前記噴射ノズルからの噴射位置を、当該噴射ノズルと前記基板とを相対的に移動させて走査するとともに、前記基板の裏面側からの加熱位置を走査する走査機構を具備したことを特徴とする。
【００１８】
請求項１３の基板処理装置は、請求項１１又は１２記載の基板洗浄装置であって、前記基板洗浄部の前記噴射機構が、前記洗浄体として二酸化炭素を噴射することを特徴とする。
【００１９】
請求項１４の基板処理装置は、請求項１１〜１３いずれか１項記載の基板処理装置であって、前記基板洗浄部の前記加熱機構が、前記基板の裏面側から前記噴射ノズルの噴射位置に対応する部位に、加熱した気体を供給して当該部位を局所的に加熱することを特徴とする。
【００２０】
請求項１５の基板処理装置は、請求項１４記載の基板処理装置であって、前記気体が、空気又は窒素ガスであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、従来に比べて基板へのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に基板を洗浄することのできる基板洗浄方法及び基板洗浄装置並びに基板処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板洗浄方法及び基板洗浄装置の概略構成を模式的に示しており、図２は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示している。
【００２３】
図１に示すように、基板洗浄装置１は、被洗浄基板としての半導体ウエハＷの周縁部を支持する基板支持機構２を具備している。なお、図１において上側が半導体ウエハＷの表面（被洗浄面）であり、下側が半導体ウエハＷの裏面となっている。
【００２４】
上記半導体ウエハＷの表面側には、噴射ノズル３を具備した噴射機構４が設けられている。この噴射機構４は、常温常圧で気体の洗浄体（例えば、二酸化炭素、アルゴン、窒素等（本実施形態では二酸化炭素））の少なくとも一部を、固体又は液体（本実施形態では固体）の微粒子として、噴射ノズル３から半導体ウエハＷの表面（被洗浄面）に噴射するように構成されている。すなわち、本実施形態において、噴射機構４は、所謂ＣＯ2ブラスト洗浄機構から構成されている。なお、本実施形態では、上記の微粒子を空気等の他の気体で圧送する構成となっているが、必ずしも空気等の他の気体で圧送する構成とする必要はない。
【００２５】
一方、半導体ウエハＷの裏面側には、上記した噴射ノズル３と対応する位置に設けられた気体ノズル５を具備した加熱機構６が設けられている。この加熱機構６は、加熱された気体（例えば、空気又は窒素（本実施形態では空気））を気体ノズル５から半導体ウエハＷの裏面に向けて供給し、噴射ノズル３の噴射位置に対応する部位を局所的に加熱するように構成されている。この加熱機構６は、温度が例えば１００℃程度の空気を、流量が例えば毎分数十乃至数百リットルで供給できるようになっている。
【００２６】
また、上記した基板支持機構２は、駆動機構７を具備しており、半導体ウエハＷをｘ−ｙ方向に２次元的に移動させることにより、噴射ノズル３からの噴射位置及び気体ノズル５による加熱位置（洗浄位置）を、半導体ウエハＷの面内で走査するようになっている。
なお、このような洗浄位置の走査は、半導体ウエハＷを固定した状態で、噴射ノズル３と気体ノズル５とを移動させるようにして行ってもよく、半導体ウエハＷと、噴射ノズル３及び気体ノズル５との双方を移動させるようにして行ってもよい。
【００２７】
図３は、上記した半導体ウエハＷの面内における洗浄位置の走査の一例を示すもので、この例では、同図に示す曲線Ｓのように、半導体ウエハＷの面内をジグザグに走査する。なお、このような洗浄位置の走査は、図４に示すようにライン状に噴射させる噴射ノズル３及び気体ノズル５を用いた場合は、同図に示す直線Ｓのように、直線状に走査すればよい。また、図５に示すように、半導体ウエハＷの裏面中央部を支持して半導体ウエハＷを回転可能とした基板支持機構２ａを用いた場合、半導体ウエハＷを回転しつつ、図５に示す直線Ｓのように、噴射ノズル３及び気体ノズル５を半導体ウエハＷの径方向に直線状に走査すればよい。
【００２８】
このようにして、本実施形態の基板洗浄装置１では、噴射ノズル３から二酸化炭素の固体微粒子、すなわちドライアイスの固体微粒子を空気によって圧送して半導体ウエハＷの表面に噴射するとともに、この噴射位置に対応する半導体ウエハＷの裏面側を、気体ノズル５から加熱空気を供給することによって局所的に加熱して洗浄を行う。そして、このような洗浄を走査して行うことにより、半導体ウエハＷ全面の洗浄を行う。これによって、従来に比べて半導体ウエハＷへのパーティクルの付着可能性を低減することができ、清浄に半導体ウエハＷを洗浄することができる。
【００２９】
次に、本実施形態において、上記したように半導体ウエハＷの噴射ノズル３の噴射位置に対応する裏面側を局所的に加熱する理由について説明する。
【００３０】
本発明者は従来から、基板を加熱することにより、熱泳動を利用してパーティクルが基板へ付着することを防止するパーティクル付着防止技術について研究を行っている。この技術では、基板全体を雰囲気温度より高い温度に加熱することにより、基板の表面近傍の雰囲気に温度勾配を生じさせる。この温度勾配によって、浮遊するパーティクルが基板の表面に近づくほど、そのパーティクルには基板から離れる方向の力が大きく働くので、基板表面にパーティクルが付着することを防止できる。
【００３１】
そこで、この熱泳動を利用したパーティクル付着防止技術を、ブラスト洗浄に利用することにより、ブラスト洗浄におけるパーティクルの付着を防止する実験を試みた。この実験では、半導体ウエハを抵抗加熱ヒータを具備した載置台上に載置し、半導体ウエハ全体を加熱しつつ、噴射ノズルからドライアイスの固体微粒子を空気によって圧送して噴射した。
【００３２】
上記の実験の結果、室温が１８℃の際に、載置台の設定加熱温度を２４℃として半導体ウエハＷを加熱すると、半導体ウエハＷを加熱しない場合に比べて、半導体ウエハＷに付着したパーティクルの数を７０％程度にまで減少させる効果があることが確認できた。しかしながら、この結果は、通常の場合の熱泳動を利用したパーティクル付着防止効果よりかなり低いものであった。この実験結果は、ブラスト洗浄により半導体ウエハＷの表面に低温のドライアイス等が噴射されるため、半導体ウエハＷの表面の温度が、熱泳動によるパーティクル付着防止効果が十分発揮される温度まで上昇しないためと考えられた。
【００３３】
そこで、載置台の設定加熱温度を２８℃、４３℃、６８℃に上昇させて同様な実験を行ったところ、２８℃では上記した２４℃の場合と略同一であり、４３℃、６８℃とすると、２４℃の場合より半導体ウエハＷに付着したパーティクルの数が多くなることが判明した。なお、温度を上げすぎると熱泳動を利用したパーティクル付着防止効果が減少するのは、基板上で熱対流が発生するためと考えられる。
【００３４】
そこで、本実施形態では、ブラスト洗浄により半導体ウエハＷの温度が低下し易い噴射機構４による噴射位置に対応する部位のみを加熱機構６によって局所的に加熱することにより、半導体ウエハＷのこの部位の温度を、熱泳動によるパーティクル付着防止効果が発揮される温度に維持できるようにした。これによって、洗浄によって一旦半導体ウエハＷ表面から剥離したパーティクルの再付着を抑制できるとともに、噴射機構４による噴射物中に含まれるパーティクルが半導体ウエハＷに付着することを抑制することができる。
【００３５】
次に、図２を参照して、本実施形態に係る基板処理装置１００の構成について説明する。基板処理装置１００は，被処理基板としての半導体ウエハＷに対して成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行う１つまたは２つ以上の真空処理ユニット１１０と、この真空処理ユニット１１０に対して半導体ウエハＷを搬入搬出する搬送ユニット１２０とを備えている。また、搬送ユニット１２０は、半導体ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室２００を有している。
【００３６】
図２には、２つの真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂを、搬送ユニット１２０の側面に配設した例を示す。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは、それぞれ処理室１４０Ａ，１４０Ｂと、これらのそれぞれに連設され、真空引き可能に構成されたロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂを有している。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは、各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内で半導体ウエハＷに対して例えば同種の処理または異種の処理を施すようになっている。各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内には、半導体ウエハＷを載置するための載置台１４２Ａ，１４２Ｂがそれぞれ設けられている。なお、これらの真空処理ユニット１１０の数は２つに限定されるものではなく、さらに追加して設けてもよい。
【００３７】
上記搬送ユニット１２０の搬送室２００は、例えば、窒素ガスや清浄空気等が供給される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室２００における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，基板収容容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod)（又はカセット）４００Ａ〜４００Ｃがそれぞれ載置される複数の載置台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。なお、載置台１３２Ａ〜１３２Ｃの数は、３つに限らず幾つであってもよい。
【００３８】
各フープ４００Ａ〜４００Ｃは、例えば最大２５枚の半導体ウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できる密閉構造を有しており、内部は例えば窒素ガス雰囲気で満たされている。そして，開閉ドア２２０Ａ〜２２０Ｃを開くことによって、各フープ４００Ａ〜４００Ｃと搬送室２００との間で、半導体ウエハＷの搬出入が可能になる。
【００３９】
搬送室２００内には、半導体ウエハＷをその長手方向（図２に示す矢印方向）に沿って搬送する搬送機構１６０が設けられている。この搬送機構１６０は、基台１６２上に固定され、この基台１６２は、搬送室２００内の中心部を長手方向に沿って設けられた案内レール１６８上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。搬送機構１６０は、図２に示すような２つの多関節アーム１６４Ａ，１６４Ｂと２つの基板保持部としてのピック１６６Ａ，１６６Ｂを備えるダブルアーム機構であってもよく、また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。
【００４０】
搬送室２００における断面略矩形状の長辺を構成する他側面には、上記２つのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの基端が、開閉可能に構成されたゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）１５２Ａ，１５２Ｂをそれぞれ介して連結されている。各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの先端は、開閉可能に構成されたゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）１４４Ａ，１４４Ｂを介してそれぞれ上記処理室１４０Ａ，１４０Ｂに連結されている。
【００４１】
各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ内には、それぞれ半導体ウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂが設けられている。ここで搬送室２００側のバッファ用載置台１５４Ａ，１５４Ｂを第１バッファ用載置台とし、反対側のバッファ用載置台１５６Ａ，１５６Ｂを第２バッファ用載置台とする。そして，両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ間および１５４Ｂ，１５６Ｂ間には、屈伸、旋回および昇降可能に構成された多関節アームよりなる個別搬送機構（真空側搬送機構）１７０Ａ，１７０Ｂが設けられている。
【００４２】
これら個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂの先端にはピック１７２Ａ，１７２Ｂが設けられ、このピック１７２Ａ，１７２Ｂを用いて第１、第２の両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａおよび１５４Ｂ，１５６Ｂ間で半導体ウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。なお，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂから処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内への半導体ウエハＷの搬入搬出は、それぞれ上記個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂを用いて行われる。
【００４３】
搬送室２００の一端部、すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一方の側面（図２中左側の側面）には、ゲートバルブ２２８を介して半導体ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１８０が接続されている。オリエンタ１８０は、例えば内部に回転載置台１８２と半導体ウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１８４とを備え、半導体ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合わせを行う。そして、搬送室２００の反対側の側面（図２中右側の側面）には、ゲートバルブ１０を介して前述した基板洗浄装置１が配設されている。
【００４４】
基板処理装置１００には、装置全体の動作を制御する制御部３００が設けられている。この制御部３００は、所定の設定情報に基づいて所定のプログラムを実行して各部を制御する。これによって、例えば，処理室１４０Ａ，１４０Ｂにおけるプロセス処理、搬送室２００、ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂにおける搬送処理、オリエンタ１８０における位置合わせ処理、基板洗浄装置１における洗浄処理が行われる。
【００４５】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態等に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板洗浄方法及び基板洗浄装置の概略構成を模式的に示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を模式的に示す図。
【図３】図１の基板洗浄方法及び基板洗浄装置における洗浄位置の走査の一例を示す図。
【図４】他の洗浄位置の走査の例を示す図。
【図５】他の洗浄位置の走査の例を示す図。
【符号の説明】
【００４７】
１……基板洗浄装置、２……基板支持機構、３……噴射ノズル、４……噴射機構、５……気体ノズル、６……加熱機構、Ｗ……半導体ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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