(57)【要約】【課題】  複数の被処理物を連続的に処理する電子線照射処理装置において、被処理物を処理する領域における雰囲気ガスを低酸素濃度域に確実に維持し、かつ、効率的に連続処理を行うことが可能な装置構成を提供する。【解決手段】  ＥＢ照射室前後に予備室を設け、各室間は、密閉及び開放可能な仕切りによって区切られている。  ワークのある部屋、若しくは移動先部屋における酸素濃度が所定の値になったら、仕切りが開放し、ワークが移動する構成とする。【選択図】  図１
2009270828.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を非処理物に照射する際に用いる電子線照射処理装置において、
少なくとも下記(1)〜(7)から構成されてなることを特徴とする電子線照射処理装置。
(1) 被処理物に電子線を照射する電子線照射手段
(2) 電子線照射領域を収容する処理室
(3) 該処理室に被処理物が搬入される搬入口の外側、及び又は、排出される搬出口の外側に設けられた、1つ又は複数の予備室
(4) 該処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
(5) 予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
(6) 処理室における該搬入口、及び又は、該排出口、及び又は、隣接した予備室と予備室の間に設けられた開閉が自在に行える仕切り扉
(7) 隣接した予備室と他の予備室の間、及び又は、隣接した予備室と処理室の間で、被処理物を搬送する搬送手段
【請求項２】
予備室Ａと、該予備室Ａと仕切り扉を隔てて隣接し、かつ、室内の酸素濃度が予備室Ａ以下の値である予備室Ｂの間を被処理物が予備室Aから予備室Bへ移動する際において、次の工程に従って、被処理物が移動されることを特徴とする請求項1に記載の電子線照射処理装置。
(1) 予備室Aの内部が、所定の酸素濃度以下になるまで、若しくは、所定の時間が経過するまで、予備室Aの内部に不活性ガスを供給する。
(2) 予備室Ａと予備室Ｂの間の仕切り扉を開放する。
(3) 予備室ＡからＢに、被処理物を搬送する。
(4) 該仕切り扉を密閉する。
【請求項３】
予備室Cと、該予備室Cと仕切り扉を隔てて隣接し、かつ、室内の酸素濃度が予備室C以上の値である予備室Dの間を被処理物が予備室CからDへ移動する際において、次の工程に従って、被処理物が移動されることを特徴とする請求項1に記載の電子線照射処理装置。
(1) 予備室Dの内部が、所定の酸素濃度以下になるまで、若しくは、所定の時間が経過するまで、予備室Dの内部に不活性ガスを供給する。
(2) 予備室Cと予備室Dの間の仕切り扉を開放する。
(3) 予備室Cから予備Dに、被処理物を搬送する。
(4) 該仕切り扉を密閉する。
【請求項４】
仕切り扉を隔てて隣接した処理室と予備室の間を被処理物が移動する際において、次の工程に従って、被処理物が移動されることを特徴とする請求項1に記載の電子線照射処理装置。
(1) 予備室の内部が、所定の酸素濃度以下になるまで、若しくは、所定の時間が経過するまで、予備室の内部に不活性ガスを供給する。
(2) 処理室と予備室の間の仕切り扉を開放する。
(3) 処理室、予備室間において、被処理物を搬送する。
(4) 該仕切り扉を密閉する。
【請求項５】
少なくとも請求項1〜請求項3のいずれかに記載の電子線照射処理装置を備え、該電子線照射処理装置を電子写真感光体における被覆層の硬化工程に用いることを特徴とする電子写真感光体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は被処理物に電子線を照射する電子線照射処理装置に関し、特には連続的に複数の被処理物を処理する際に、電子線照射領域における酸素濃度を低濃度に、かつ効率的に維持し得る構成を有する電子線照射処理装置に関する。
【０００２】
特には、電子線照射処理装置を電子写真感光体の製造に用いる電子写真感光体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、樹脂やゴム等の硬化・架橋、飲料容器や医療用具の滅菌等に関して、電子線が広く利用されている。硬化・架橋、及び滅菌等の処理に対しては、従来古くから加熱処理が行われているが、加熱には次の問題が挙げられる。すなわち、第一に処理に長い時間がかかること、第二にエネルギーの消費量が大きいこと、第三に対象物における熱劣化等の影響、第四に対象物が溶剤を含む場合、火が出る恐れを伴うこと、等の問題が挙げられる。又,樹脂等の硬化・架橋処理に関しては、上述した問題が改善された方法としてＵＶ照射が挙げられる。ＵＶ照射は、処理時間が加熱処理に対して１／１０以下に短縮できる場合が多く、またエネルギー消費量も少ない。更に、被処理物の熱劣化、火が出る等の懸念も少ない利点もあり、有用な方法といえる。しかし問題点として、反応開始剤を必要とする点が挙げられる。反応開始剤の使用はコストアップの要因になるばかりでなく、製品の用途によっては反応開始剤を被処理物に混入することが不可能な場合もあり対象物が制限される。更に、ＵＶ照射は、顔料など紫外線を透過しない材料が被処理物に含まれる際には充分な効果が得られない場合がある。
【０００４】
一方、電子線照射においては、ＵＶ照射における前記問題点はない。すなわち、反応開始剤を必要とせず、また、被処理物における光透過性は問わない。更に、処理時間やエネルギー消費量はＵＶ照射より一層低く抑えられる場合が多い。このような理由から、電子線照射は、硬化・架橋、及び滅菌等の処理に対して広く利用されている。
【０００５】
電子線照射を用いる際には、処理雰囲気内における酸素の存在に注意をする必要がある。空気雰囲気下で電子線を照射すると、酸素分子が人体に有害なオゾンに変化する。更に、電子線照射の用途が重合反応を利用した塗膜硬化である場合は、酸素が存在することで重合阻止作用を受け、重合度が上がらず、必要な塗膜硬度が得られなくなる。
【０００６】
又、例えば特許文献1には、電子写真感光体の表面層として、連鎖重合性官能基を有する正孔輸送性化合物を電子線照射により重合硬化する旨の記載があるが、この場合、重合物そのものが電荷輸送能をもつため、高い酸素濃度下での硬化反応は正孔輸送性化合物の重合度を下げるだけでなく、感光体の感度低下、残留電位の上昇、及びフォトメモリー発生の要因となることがわかっている。
【０００７】
これら酸素による影響を防止するには、電子線の照射領域における酸素濃度を下げるために、窒素、ヘリウム、ネオンなどの不活性ガスによって照射域内の空気を置換する、若しくは、照射域を真空状態にする必要があるが、一般的には、装置の耐圧構造が不要若しくは簡易で済む前者を採用することが多い。
【０００８】
不活性ガス置換を行う装置構成として、特許文献2には、被処理物を照射領域に出し入れする時以外は、被処理物の出し入れ口が密閉される構成が記載されている。この場合、ガス置換は低酸素濃度まで確実に行えるものの、被処理物を照射領域に出し入れするたびに、出し入れ口から大気が流入してしまい、照射領域の酸素濃度は大気近辺まで上昇してしまうために、被処理物を照射領域に入れてから照射を開始するまでのガス置換に要する時間が長くなる。すなわち、量産前提で非処理物を連続的に処理する必要がある場合には、製造速度において著しく不利になる。
【０００９】
一方、特許文献3には、非処理物を連続搬送する場合の窒素置換を行う装置の構成が記載されている。特許文献3によれば、装置構成は電子線照射領域と、照射領域の前後に位置するチャンバーからなる。最も低酸素濃度雰囲気が必要な照射領域には常時新しい窒素ガスが供給され、更に照射領域前後のチャンバーには別途、照射領域に供給したものより酸素濃度の高い窒素ガスを供給している。各領域の酸素濃度が安定しており、被処理物のチャンバーと照射領域間での移動において、置換のための待ち時間を必要としない。すなわち、複数の被処理物に連続処理を行う際の製造速度において有利な構成となっている。
【００１０】
しかしこの装置構成では、照射領域と照射領域より酸素濃度が高い領域とが気密的に遮断されていないために、照射領域においてとりわけ低いレベルの酸素濃度雰囲気を必要とする場合には、照射領域を所望の酸素濃度に維持できない可能性がある。例えば電子線照射を前述したような電子写真感光体の表面層の重合反応に用いる際には、照射領域における酸素濃度は低いほど好適であり、例えば10000ｐｐｍ、更には1000ppm、更には100ｐｐｍ以下に維持することが好ましいが、このような低い酸素濃度の維持を実現するためには、照射領域と、照射領域より酸素濃度の高い領域との間は、密閉され、照射領域に酸素濃度の高い気体が流入しないような構成をとる必要がある。
【特許文献１】特開2004-212959号公報
【特許文献２】特開平09-68600号公報
【特許文献３】特開2000-9900号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこれらの状況に鑑み、複数の被処理物を連続的に処理する電子線照射処理装置において、被処理物を処理する領域における雰囲気ガスを低酸素濃度域に確実に維持し、かつ、効率的に連続処理を行うことが可能な装置構成を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、電子線を非処理物に照射する際に用いる電子線照射処理装置において、少なくとも下記(1)〜(7)から構成されてなることを特徴とする電子線照射処理装置である。
(1) 被処理物に電子線を照射する電子線照射手段
(2) 電子線照射領域を収容する処理室
(3) 該処理室に被処理物が搬入される搬入口の外側、及び又は、排出される搬出口の外側に設けられた、1つ又は複数の予備室
(4) 該処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
(5) 予備室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段
(6) 処理室における該搬入口、及び又は、該排出口、及び又は、隣接した予備室と予備室の間に設けられた開閉が自在に行える仕切り扉
(7) 隣接した予備室と他の予備室の間、及び又は、隣接した予備室と処理室の間で、被処理物を搬送する搬送手段
【発明の効果】
【００１３】
本発明における電子線照射処理装置によれば、複数の被処理物を連続的に処理する際に、被処理物を処理する領域における酸素濃度を確実に低く抑え、かつ効率的な連続処理が行える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図1に本発明による電子線照射処理装置の構成の例を示す。電子線照射領域を収納する処理室2には、ガス供給口aが備えられており、不活性ガスとして窒素ガスが供給されている。処理室内の酸素濃度を一様にするため、窒素ガスの流れが一方向とならないように、方向の異なるガス供給口を複数設けることが好ましい。又,ガス供給口の向きを可動式にして断続的に変化させても良い。供給する窒素ガスは酸素濃度が10ppm以下の高純度のものが望ましく、例えば液体窒素を気化したものが好適である。又、高純度窒素ガス発生装置で製造したものを用いても良い。処理室から排出された低酸素濃度ガスは、配管50及び52を介して其々予備室B及びCに供給されることで、再利用が図られる。又、予備室B、Cから排出されたガスは配管51、53を介して、其々予備室A、Dに供給される。各予備室には、処理室と同様、液体窒素のような窒素ガス供給源から直接窒素ガスを供給してもよいが、上述したように処理室から排出されたものを再利用する方が経済的である。又、配管50、51、52、53においては、状況に応じてガス流量の制御機構を持たせても良い。
【００１５】
予備室A及びDには各々排気口が備えられている。排気口A及びDの近傍には、ダクト（不図示）を設けることで、電子線照射処理装置外部の作業場の酸素濃度を下げないようにしてある。又、処理室及び各予備室内の酸素濃度は、各々酸素濃度計によりモニターされている。
【００１６】
電子線照射処理装置での連続処理を開始する前の準備段階として、処理室が所定の酸素濃度に達するまでの窒素置換が必要となる。この時、処理室の酸素濃度を所定濃度に降下するための窒素の必要供給流量は、連続処理を行う際に処理室の酸素濃度を維持するための必要供給流量よりも多量である場合が多く、処理室への窒素供給量は、処理室の酸素濃度に応じて制御される機構となっている。
【００１７】
次に電子線照射処理装置における連続処理を行う際の一連の流れを述べる。
【００１８】
まず、予備室Aと外部を気密的に遮断している仕切り扉61が開き、被処理物3が予備室A内に搬入される。ここで、搬送手段としては、図1に示すように被処理物を搬送台（パレット）4に搭載し、パレット4をアーム（不図示）で押し引きする方法の他、搬送ロボットにより直接被処理物を把持して搬送する方法、ベルトコンベアを介する方法等が挙げられるが、予備室の容積を小さく抑えられる点、及び、扉の密閉性に与える影響が少ない点より、パレットを用いる方法が特に好適である。
【００１９】
扉61が開く直前、予備室Aの酸素濃度は1000ｐｐｍ以下に降下されているが、扉61が開き被処理物が予備室Aに入る際には、同時に外部の大気も流入するため、20％近傍まで上昇する。次に扉61が閉まり大気の流入が止まることで、予備室Aの酸素濃度は下降を開始する。予備室Aの酸素濃度が1000ｐｐｍ以下に下がると、酸素濃度計からの信号出力を受け、扉62が開き、被処理物3は予備室Bに移動する。扉62が開く直前、予備室Bの酸素濃度は50ｐｐｍ以下に降下されているが、扉62が開き被処理物が予備室Aから予備室Bに移動する際には、同時に予備室Aの雰囲気ガスも流入するため、1000ｐｐｍ近傍まで上昇する。
【００２０】
次に被処理物が予備室Bに入ると、扉62は閉まり、予備室Bの酸素濃度は下降を始める。予備室Bの酸素濃度が50ｐｐｍ以下に下がると、扉63が開き、被処理物は処理室2に搬入され、扉62は閉まる。更に被処理物は処理室内の照射領域へ移動し、電子線照射手段1によって照射処理される。
【００２１】
次に扉64が開き、被処理物は予備室Cに移動する。扉64が開く直前には、予備室Cの酸素濃度は50ｐｐｍ以下に降下されている。従って、扉64の開閉により処理室・予備室Cの酸素濃度に大きな変動はない。なお、処理室の入口・出口に位置する扉63及び64は、X線遮断可能なように鉛若しくは充分に厚いステンレスが使用されている。被処理物が予備室Cに入った後,扉64は閉まる。
【００２２】
次に扉65が開き、被処理物は予備室Cから予備室Dに移動する。扉65が開く直前には、予備室Dの酸素濃度は1000ｐｐｍ以下（1000ｐｐｍ近傍）に降下されている。扉65が開くと予備室Cに予備室Dの雰囲気ガスが流入し、予備室Cの酸素濃度も1000ｐｐｍ近傍に上昇する。被処理物が予備室Dに入り、扉65が閉まった後、予備室Cにおいては、処理室から次の被処理物が搬送されてくるのに備え、50ｐｐｍ以下になるように酸素濃度下降が開始される。次に扉66が開き、被処理物は電子線照射処理装置の外部に搬出される。
【００２３】
扉66が開いたため予備室Dの酸素濃度は20％近傍に上昇する。被処理物が搬出され扉66が閉まった後、予備室Dにおいては、予備室Ｃから次の被処理物が搬送されて来るのに備え、1000ｐｐｍ以下になるよう酸素濃度下降が開始される。
【００２４】
なお上述したように、各仕切り扉が開くタイミングは、対象とする予備室の酸素濃度を酸素濃度計が検知し信号出力することによって制御されているが、別の方法として、酸素濃度が所定濃度まで降下する時間をあらかじめ測定しておき、タイマーによる制御としても良い。
【００２５】
ここまで述べた各予備室及び処理室における酸素濃度の推移を表1に示す。
【００２６】
図2には、電子写真感光体ドラムの表面層における重合硬化反応に、本発明による電子線照射処理装置を用いる際の装置構成例を示す。
【００２７】
処理室の酸素濃度は常時10ｐｐｍ以下に維持されている。又、各予備室の酸素濃度の推移を表2に示す。感光体は円筒形状を有し、図3に示すようにパレット上に立てた状態で搭載する。本装置では、被処理物を電子線照射した後に硬化反応を促進するため、処理室内に高周波誘導加熱装置（IH）が付設されている。処理室内の照射領域はX線漏洩防止のために鉛、若しくはX線漏洩防止に充分な厚さのステンレスで囲まれている。照射領域とIH加熱領域との間も、鉛、若しくはX線漏洩防止に充分な厚さのステンレス製の扉10で遮蔽されている。照射領域同様にIH加熱領域の酸素濃度は常に10ｐｐｍ以下を維持しているため、扉10の開閉に伴う各領域の酸素濃度の大きな変動はない。ＩＨ加熱領域も含めた処理室全体を鉛若しくは厚いステンレスで囲むのに比較して、図2の装置構成は必要最低領域、すなわち照射領域のみにX線漏洩対応することで、他の部分はＸ線漏洩を考慮せずに加工しやすい材質の選択が可能であり、例えばメンテナンス用扉の付設など設計自由度の点で有利である。
【００２８】
感光体は電子線照射が終了した後にIH加熱ステージに移動するが、電子線照射終了から加熱開始までの時間は短時間である方が好ましく、本装置では照射終了後7秒で加熱が開始される。IHは、必要な加熱時間と要求される製造速度のバランスに応じて複数台設けても良い。加熱工程において硬化反応を均一に行うためには、感光体の昇温時における温度ムラを小さく抑える必要がある。本電子線照射処理装置においては、IH加熱時における感光体の上端部、中央部、下端部の温度を非接触式温度計にてモニターしており、感光体の温度ムラが10℃以内、更には5℃以内に収まるように制御している。感光体の温度ムラを抑止するためには、感光体全域において感光体とIHコイル8のギャップバランスを考慮してIHコイル形状を調整する。更に、加熱時に感光体を30〜300rpmで自転させることで周方向の温度ムラを抑止する。感光体を自転させる際には、感光体の上下両端を抑えることが望ましいが、感光体を抑えるための把持部材は、IHによる誘導加熱が為されず、更に機械特性・熱特性の強い材質が好ましく、具体例としてPEEK、PPS、PSFなどの樹脂、若しくはセラミック等が挙げられる。又、把持部材には、複数の被処理物の連続的処理を繰り返す際に被処理物の熱が伝わり蓄積していくことで、徐々に温度が上昇する傾向があり、この現象は感光体自体の温度ムラ要因となる。これを防止するため、把持部材は必要な機械強度を損なわない範囲で空洞化し薄肉化したり、通気孔を複数設けることにより、放冷を促進する構造としてある。更に本装置では、把持部材に窒素ガスを直接吹きかけ冷却を促す機構を有している。冷却機構としては、他に水冷式、若しくは他の冷却部材を接触させる方法を用いても良い。
【００２９】
本電子線照射装置においては、感光体をパレットに搭載したままでパレットごと加熱ステージに移動し、感光体の上方から把持治具ｂが下降し、感光体上端部を把持することで図4に示すように感光体を上下で支えたうえで、感光体を自転させる構成としている。パレットに付設されており、感光体の下端部を抑えるための把持部材42が、ベアリング等を用いてパレットの台座41上で自転可能な仕組みとなっている。又、連続的な加熱処理に対して、図4に示すように複数の上端部把持部材ｂ1、ｂ2を交替で使用することによって、ｂ1、ｂ2が冷却されるための時間を確保できる仕組みとしてある。本装置では、一つの加熱ステージに対して上端部把持部材を2個装備しているが、必要に応じて3個以上としてもよい。
【００３０】
把持部材を複数装備し、1回の加熱処理の度に交換して使用することで、冷却時間を設ける仕組みとしてある。
【００３１】
感光体に電子線を照射する際には、照射距離すなわち電子線を発生する照射窓と感光体被照射表面の距離を均一に制御する必要がある。特に120KV以下の加速電圧で感光体を照射する場合、照射距離の振れが線量に影響する度合いが大きく、製品の均一性を阻害する要因となる。具体的には、感光体の全照射領域における照射距離のムラは0.5ｍｍ以下、更には0.2ｍｍ以下に抑えることが好ましい。特に感光体の自転による回転振れ精度にも注意を要する。図2の装置においては、感光体が処理室に入った後、感光体はパレットから照射ステージ7に載せ替えられる。照射ステージは、感光体の上下端部を抑え自転させる機能を有しており、回転による照射距離の振れは0.2ｍｍ以下になるように厳密に調整されている（不図示）。尚、照射の終了した感光体は、再びパレット上に戻され次工程に進む仕組みになっている。
【００３２】
図2に示した電子線照射処理装置は、処理室の前後に各々3つの予備室を備えており、1つの予備室には感光体を搭載したパレットが1枚ずつ入る構成となっているが、必要となる生産速度に応じて、予備室の数を増やしたり、1つの予備室に複数のパレットが同時に入る構成とする、若しくは、1つのパレットに複数の被処理物を搭載するなど、装置構成により窒素置換にかかる時間の最適化を図ることが可能である。
【００３３】
以下、実施例を用いて本発明を更に詳細に説明する。なお、実施例中の配合量の「部」は「質量部」を意味する。
【実施例１】
【００３４】
直径３０ｍｍ×３５７．５ｍｍのアルミニウムシリンダーを導電性支持体として用い、そのアルミニウムシリンダー上に以下の材料より構成される導電層用塗布液を導電性支持体上に浸漬コーティング法で塗布し、１４０℃で３０分間熱硬化して、膜厚が１８μｍの導電層を形成した。
【００３５】
・導電性顔料：ＳｎＯ２コート処理硫酸バリウム                １０部
・抵抗調節用顔料：酸化チタン                                  ２部
・結着樹脂：フェノール樹脂                                    ６部
・レベリング材：シリコーンオイル                      ０．００１部
・溶剤：メタノール／メトキシプロパノール＝０．２／０．８    １５部
この上にＮ−メトキシメチル化ナイロン３部及び共重合ナイロン３部をメタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶媒に溶解した中間層用塗布液を浸漬コーティング法で塗布して、膜厚が０．７μｍの中間層を形成した。
【００３６】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折のブラッグ角（２θ±０．２°）の７．４°及び２８．２°に強いピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン４部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレック（登録商標）ＢＸ−１、積水化学工業（株）製）２部及びシクロヘキサノン８０部を、直径１ｍｍガラスビーズを用いたサンドミル装置で４時間分散した後、酢酸エチル８０部を加えて電荷発生層用塗布液を調製した。これを浸漬コーティング法で中間層上に塗布して、膜厚が０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【００３７】
下記一般式（1）で示されるスチリル化合物７部、及びポリカーボネート樹脂（商品名：ユーピロン（登録商標）Ｚ８００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部をモノクロロベンゼン１０５部／ジクロロメタン３５部の混合溶媒中に溶解して調製した電荷輸送層用塗布液を用いて、前記電荷発生層上に電荷輸送層を形成した。このときの電荷輸送層の膜厚は１０μｍであった。
【００３８】
【化１】
2009270828.tif 000003
【００３９】
分散剤としてのフッ素原子含有高分子（商品名：ＧＦ−３００、東亞合成（株）製）１．５部を、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（商品名：ゼオローラＨ、日本ゼオン（株）製）のフッ素系溶剤１５０部に溶解した後、潤滑剤として４フッ化エチレン樹脂粒子（商品名／ルブロンＬ−２、ダイキン工業（株）製）３０部を加え、高圧分散機（商品名：マイクロフルイダイザーＭ−１１０ＥＨ、米Ｍｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ社製）で６００ｋｇｆ／ｃｍ２（５８．８４ＭＰａ）の圧力で３回の処理を施し均一に分散させた。これを１μｍのＰＴＦＥメンブレンフィルターで濾過を行い、潤滑剤分散液を作成した。その後、下記一般式（2）で示される正孔輸送性化合物７０部を潤滑剤分散液に加え、ＰＴＦＥプレフィルター（商品名：ＰＦ０２０、アドバンテック東洋（株）製）で濾過を行い、表面層用塗布液を調製した。
【００４０】
【化２】
2009270828.tif 000004
【００４１】
この表面層用塗布液を循環させながら浸漬コーティングにて前記電荷輸送層上に表面層を塗布した。塗布後、５０℃で１０分加熱乾燥を行い、加熱乾燥後、図2に示す電子線照射処理装置を用いて表面層を硬化させた。この時の予備室、処理室の酸素濃度は表2に示したとおりであり、電子線照射条件は、加速電圧１2０ＫＶ、線量２.０Ｍｒａｄ、照射後のIH加熱は25秒間で感光体中央部温度が25℃から120℃に昇温する設定とした。本電子線照射処理装置による加工を感光体1本につき30秒の速度で連続的に100回行ったところ、各予備室の酸素濃度は表2に示した数値を安定的に指示し、処理室においては、10ｐｐｍ以下を安定して維持した。又、感光体のIH加熱時の温度ムラは最初から最後まで5℃以内を維持した。
【００４２】
［比較例］
図2の電子線照射処理装置において、全ての予備室を処理室から取り外した構成とした以外は実施例1と同様の条件で感光体の硬化処理を行った。扉64が開き、感光体が外部から処理室に搬入されると処理室の酸素濃度は20％近傍まで上昇し、処理室の酸素濃度が再び10ｐｐｍ以下に降下するまでに多くの時間を要し、連続処理は感光体1本につき480秒の速度であった。
【００４３】
【表１】
2009270828.tif 000005
【００４４】
【表２】
2009270828.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明による電子線照射処理装置の概略平面図の例。
【図２】本発明による電子線照射処理装置の概略平面図の例。（電子写真感光体における硬化工程に用いた場合）
【図３】電子写真感光体を搬送用パレットに搭載した図。
【図４】本発明による電子線照射処理装置のIH加熱工程において、感光体を上下把持した図。
【符号の説明】
【００４６】
1  電子線発生手段
2  処理室
21  処理室（照射領域）
22  処理室（ＩＨ加熱領域）
3  被処理物
4  搬送台（パレット）
41  パレットの台座
42  パレットの台座に付設された感光体下端部把持部材
50,51,52,53  不活性ガス配管
54,55,56,57,58,59  不活性ガス配管
61,62,63,64,65,66,  仕切り扉
7  電子線照射ステージ
8  高周波誘導加熱（IH）用コイル
91,92,93,94,95,96,97,98  仕切り扉
10 照射室内における照射領域と加熱領域間の仕切り扉
101  電子写真感光体
A,B,C,D  予備室
E,F,G,H,I,J  予備室
ａ  窒素供給口
ｂ1  ＩＨ加熱ステージにおける感光体上端部把持部材  （使用時側）
ｂ2  ＩＨ加熱ステージにおける感光体上端把持部材  （放冷待機時側）
ｄ  排気口
【図１】
2009270828.tif 000007
【図２】
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【図３】
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【図４】
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