(57)【要約】      （修正有）【課題】第１導電層および断熱層間の付着性を向上させ、第２導電層が第１導電層へ拡散する拡散始動メカニズムを有効に制御することのできるチップヒューズの製造方法を提供する。【解決手段】チップヒューズの製造方法であって、下記するステップを含む。先ず、断熱層２２０aを基板２１０の第１表面上に形成するとともに、断熱層の基板から遠く離れた第２表面を粗雑面２２２とする。次に、第１導電層を第２表面上に形成する。そして、保護膜を第１導電層２３０の一部上に形成し、第１導電層のその他の部分を保護層２５０の外に露出させる。また、チップヒューズ自体も開示されている。【選択図】図２
2009016338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断熱層を基板の第１表面上に形成するものであり、そのうち、前記断熱層の前記基板から遠く離れた第２表面を粗雑面とすることと；
第１導電層を前記第２表面上に形成することと；
保護層を前記第１導電層の一部上に形成するものであり、そのうち、前記第１導電層のその他の部分を前記保護層の外に露出させることと
を含むチップヒューズの製造方法。
【請求項２】
前記断熱層を形成するステップが：
樹脂塗布銅箔を提供し、それが銅箔層および樹脂層を備えることと；
前記樹脂塗布銅箔を前記基板の前記第１表面上に圧着して、前記銅箔層が前記樹脂層により前記第１表面上に配置されることと；
前記銅箔層の少なくとも一部を除去して、前記樹脂層を前記断熱層とし、前記断熱層の前記第２表面の少なくとも一部を外に露出させ、かつ前記断熱層の前記第２表面を前記粗雑面とすることと
を含む請求項１記載のチップヒューズの製造方法。
【請求項３】
前記断熱層を形成するステップが：
塗布の方式により断熱材料層を前記基板の前記第１表面上に形成することと；
前記断熱材料層を粗雑化して、前記断熱層を形成し、前記断熱層の前記第２表面を前記粗雑面とすることと
を含む請求項１記載のチップヒューズの製造方法。
【請求項４】
前記保護層を形成する前において、更に：バッファー層を前記第１導電層の一部に形成するものであり、そのうち、前記バッファー層の材質を金プラチナ合金、金コバルト合金または純金とすることと；
第２導電層を前記バッファー層上に形成することと
を含む請求項１記載のチップヒューズの製造方法。
【請求項５】
前記第２表面の中心線平均粗雑度が３０００Åより大きいか等しく、かつ５０００Åより小さいか等しいものである請求項１記載のチップヒューズの製造方法。
【請求項６】
更に：２つの背面電極を前記基板の第３表面上に形成することであり、そのうち、前記第３表面が前記第１表面に対向することと；
２つの端面電極を前記基板の互いに対向する２つの端面上に形成することであり、そのうち、前記端面がそれぞれ前記第１表面および前記第３表面に連接し、かつ前記端面電極がそれぞれ前記第１導電層ならびに前記した２つの背面電極の１つに電気接続されることと
を含む請求項１記載のチップヒューズの製造方法。
【請求項７】
前記断熱層の材質が、エポキシ樹脂を含む請求項１記載のチップヒューズの製造方法。
【請求項８】
基板と；
断熱層であり、前記基板の第１表面上に配置され、そのうち、前記断熱層の前記基板から遠く離れた第２表面を粗雑面とするもの（断熱層）と；
前記第２表面上に配置される第１導電層と；
保護層であり、前記第１導電層の一部上に配置され、前記第１導電層のその他の部分を前記保護層の外へ露出するもの（保護層）と
を含むチップヒューズ。
【請求項９】
更に、第２導電層とバッファー層とを含み、前記第２導電層が前記第１導電層の一部上に配置され、前記バッファー層が前記第２導電層および前記第１導電層の一部間に配置されるものであり、そのうち、前記バッファー層の材質が金プラチナ合金、金コバルト合金または純金であり、かつ前記保護層が更に前記バッファー層ならびに前記第２導電層を被覆するものである請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１０】
前記第２表面の中心線平均粗雑度が３０００Åより大きいか等しく、かつ５０００Åより小さいか等しいものである請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１１】
前記断熱層の前記第１表面に形成する正投影が前記第１表面と重なり合うものである請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１２】
更に：前記基板の第３表面上に設置され、そのうち、前記第３表面が前記第１表面に対向する２つの背面電極と；
２つの端面電極であり、前記基板の互いに対向する２つの端面上に配置され、そのうち、前記端面がそれぞれ前記第１表面および前記第３表面に連接し、かつ前記端面電極がそれぞれ前記第１電動層ならびに前記した２つの端面電極の１つに電気接続されるもの（端面電極）と
を含む請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１３】
前記断熱層の材質が、エポキシ樹脂を含む請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１４】
更に、銅箔層を含み、前記断熱層の前記第２表面上に配置するものであり、そのうち、前記銅箔層が前記第２表面の一部を露出し、かつ前記第１導電層が前記第２表面および前記銅箔層上に位置されるものである請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１５】
前記断熱層のガラス転移温度が、摂氏１５０度よりも大きい請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１６】
前記断熱層の熱伝導率が、０．１Ｗ／ｍＫおよび１Ｗ／ｍＫの間にあるものである請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１７】
前記保護層が、更に、第１保護層と第２保護層とを含み、前記第１保護層の材質がエポキシ樹脂を含み、前記第２保護層の材質がポリイミドを含み、かつ前記第１保護層が前記第１導電層および前記第２保護層間に配置されるものである請求項８記載のチップヒューズ。
【請求項１８】
基板と；前記基板の第１表面上に配置される断熱層と；
前記第１導電層の一部上に配置されるバッファー層であり、そのうち、前記バッファー層が金プラチナ合金、金コバルト合金または純金であるもの（バッファー層）と；
前記バッファー層上に配置される第２導電層と；
前記第１導電層の一部上に配置され、前記第２導電層および前記バッファー層を被覆する保護層であり、前記第１導電層のその他の部分が前記保護層の外に露出されるもの（保護層）と
を含むチップヒューズ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ヒューズの構造と製造方法に関し、特に、チップヒューズ（chip fuse）の構造と製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来技術にかかるチップヒューズを示す要部断面図である。図１において、チップヒューズ１０は、既に台湾専利公告第1242876号に開示されている。チップヒューズ１０は、基板（substrate）１１と、断熱層（thermal insulating layer）１２と、第１導電層（conductive layer）１４と、バッファー層（buffer layer）１５と、第２導電層１６と、保護層（protective layer）１７と、２つの背面電極（back electrode）１８，１８と、２つの端面電極（end electrode）１９，１９とを備えている。
【０００３】
断熱層１２は、基板１１の表面１１ａに配置される。第１導電層１４は、基板１１および断熱層１２を被覆する。バッファー層１５が第１導電層１４上に配置され、第２導電層１６がバッファー層１５上に配置される。保護層１７が第２導電層１６とバッファー層１５と第１導電層１４の一部を被覆する。２つの背面電極１８，１８が基板１１の表面１１ｂに配置される。２つの端面電極１９，１９がそれぞれ基板１１の両端面（end surface）１１ｃ，１１ｃに配置され、かつ各端面電極１９が第１導電層１４および、これら背面電極１８の１つに電気接続される。
【０００４】
基板１１の材質を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）とする。断熱層１２の材質をシリコンラバー（silicon rubber）とする。第１導電層１４の材質を銅とする。第２導電層１６の材質を錫とし、かつ第１導電層１４の融点が第２導電層１６の融点よりも大きい。バッファー層１５の材質を窒化チタン（ＴｉＮ）・チタンタングステン（ＴｉＷ）合金・窒化シリコン（ＳｉＮ）・ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）・硫化カドミウム（ＣｄＳ）およびニッケル（Ｎｉ）のうちの１種とする。背面電極１８の材質を銀または銅とする。
【０００５】
チップヒューズ１０が作動する時、電流の増加または作動時間の増長に伴って、チップヒューズ１０の温度が次第に高くなり、第２導電層１６を第１導電層１４中に溶融拡散させる。第２導電層１６の第１導電層１４へ拡散する量が増加するにつれて、拡散を受けた第１導電層１４の融点が次第に降下し、かつ、そのインピーダンスが増加する。また、拡散を受けた第１導電層１４を流れる電流の発生させる熱量が持続的に増加して、第１導電層１４を溶断させて回路を遮断し、その他の回路部材を保護する。従って、チップヒューズ１０の作用は、温度または電流が臨界値を超えた時、直ちに回路動作を遮断して、その他の回路部材を保護することにある。
【０００６】
断熱層１２の作用は、チップヒューズ１０が作動する時、断熱層１２の熱伝導率（heat conductivity）が基板１１の熱伝導率より低いために、拡散を受けた第１導電層１４を流れる電流の発生させる熱量が急速に増加して消散しにくくなることにある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
バッファー層１５の作用は、第２導電層１６が第１導電層１４へ拡散する拡散始動メカニズムを制御することにある。もしもチップヒューズ１０がバッファー層１５を備えていなければ、第２導電層１６が容易に甚だしくは臨界値よりも低く溶融するとともに第１導電層１４へ拡散してしまい、拡散を受けた第１導電層１４の融点が不当に降下することとなり、チップヒューズが容易に焼損して寿命を短縮してしまうこととなる。しかし、チップヒューズ１０の備えるバッファー層１５の材質の融点が比較的高いと、またチップヒューズ１０が容易に溶断しない。その他、第１導電層１４および断熱層１２間には、常に付着性が良くないという問題が存在する。これに鑑みて、適切な材質のバッファー層を選択するとともに、第１導電層および断熱層間の付着性を改善することが努力すべき課題となる。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、第１導電層および断熱層間の付着性を向上させることができるチップヒューズの製造方法を提供することにある。
【０００９】
この発明の別な目的は、第２導電層が第１導電層へ拡散する拡散始動メカニズムを有効に制御することのできるチップヒューズの製造方法を提供することにある。
【００１０】
この発明の提供するチップヒューズの製造方法は、第１導電層および断熱層間の付着性が比較的良いものである。
【００１１】
この発明の提供するチップヒューズの製造方法は、第２導電層が第１導電層へ拡散する拡散始動メカニズムを有効に制御することのできるものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、チップヒューズの製造方法を提供するものであって、下記するステップを含む。先ず、断熱層を基板の第１表面上に形成するとともに、断熱層の基板から遠く離れた第２表面を粗雑面とする。次に、第１導電層を第２表面上に形成する。そして、保護膜を第１導電層の一部上に形成し、第１導電層のその他の部分を保護層の外に露出させる。
【００１３】
この発明の実施形態中、断熱層を形成するステップが下記の手順（procedure）を含む。先ず、樹脂塗布銅箔を提供するものであって、それが銅箔層と樹脂層とを備える。その後、樹脂塗布銅箔を基板の第１表面上に圧着して、銅箔層を樹脂層により第１表面上に配置する。次に、銅箔層の一部を除去して、樹脂層を断熱層とする。断熱層の第２表面の少なくとも一部を外に露出させ、かつ断熱層の第２表面を粗雑面とする。
【００１４】
この発明の実施形態中、断熱層を形成するステップが塗布（coating）の方式により断熱層を基板の第１表面上に形成することを含み、次に、断熱層を粗雑化して、断熱層を形成するとともに、断熱層の第２表面を粗雑面とする。
【００１５】
この発明の実施形態中、チップヒューズの製造方法は、保護層を形成する前に、更に、バッファー層を第１導電層の一部上に形成すること及び第２導電層をバッファー層上に形成することを含む。バッファー層の材質は、金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とすることができる。
【００１６】
この発明の実施形態中、第２表面の中心線平均粗雑度（center-line average roughness = Ra）は、３０００オングストローム（angstrom = Å）より大きいか等しく、かつ５０００Åより小さいか等しいことができる。
【００１７】
この発明の実施形態中、チップヒューズの製造方法は、更に、下記の手順を含む。先ず、２つの背面電極を基板の第３表面上に形成し、かつ第３表面が第１表面に対向する。次に、２つの端面電極を基板の互いに対向する端面上に形成する。各端面が第１表面および第３表面に連接し、かつ各端面電極が第１導電層および、これら背面電極の１つに電気接続する。
【００１８】
この発明の実施形態中、断熱層の材質がエポキシ樹脂を含む。
【００１９】
この発明は、基板と断熱層と第１導電層と第２導電層と保護層とを含むチップヒューズを提供する。断熱層が基板の第１表面上に形成され、かつ断熱層の基板から遠く離れた第２表面を粗雑面とする。第１導電層が第２表面上に配置される。保護層が第１導電層の一部上に配置されるとともに、第１導電層のその他の部分が保護層の外に露出される。
【００２０】
この発明の実施形態中、チップヒューズが更に第２導電層とバッファー層とを含み、第２導電層が第１導電層の一部上に配置される。バッファー層が第２導電層および第１導電層の一部間に配置される。バッファー層の材質が金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とし、かつ保護層が更にバッファー層と第２導電層とを被覆する。
【００２１】
この発明の実施形態中、第２表面の中心線平均粗雑度は、３０００Åより大きいか等しく、かつ５０００Åより小さいか等しいことができる。
【００２２】
この発明の実施形態中、断熱層の第１表面に形成する正投影が第１表面と重なり合える。
【００２３】
この発明の実施形態中、チップヒューズが更に２つの背面電極および２つの端面電極を含む。２つの背面電極が基板の第３表面上に配置され、かつ第３表面が第１表面に対向する。２つの端面電極が基板の互いに対向する端面上に配置され、かつ各端面が第１表面および第３表面に連接する。各端面電極が第１導電層および、これら背面電極の１つに電気接続する。
【００２４】
この発明の実施形態中、断熱層の材質がエポキシ樹脂を含む。
【００２５】
この発明の実施形態中、チップヒューズが更に銅箔層を含み、それが断熱層の第２表面上に配置される。銅箔層が第２表面の一部を露出させ、かつ第１導電層が第２表面および銅箔層上に配置される。
【００２６】
この発明の実施形態中、断熱層のガラス転移温度（glass transition temperature）は、摂氏１５０度より大きいことができる。
【００２７】
この発明の実施形態中、断熱層の熱伝導率は、０．１Ｗ／ｍＫおよび１Ｗ／ｍＫの間にある。
【００２８】
この発明の実施形態中、保護層が更に第１保護層および第２保護層を含む。第１保護層の材質がエポキシ樹脂を含み、第２保護層の材質がポリイミドを含み、かつ第１保護層が第１導電層および第２保護層間に配置される。
【００２９】
この発明は、基板と断熱層と第１導電層とバッファー層と第２導電層と保護層とを含むチップヒューズを提供する。断熱層が基板の第１表面上に配置される。第１導電層が断熱層上に配置される。バッファー層が第１導電層の一部上に配置され、かつバッファー層の材質を金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とする。第２導電層がバッファー層上に配置される。保護層が第１導電層の一部上に配置されて第２導電層およびバッファー層を被覆し、かつ第１導電層のその他の部分が保護層の外に露出される。
【００３０】
「作用」
つまり、この発明の実施形態にかかる第１導電層と断熱層との付着性が比較的良好である。また、この発明の実施形態にかかるバッファー層は、第２導電層が第１導電層へ拡散する拡散始動メカニズムを有効に制御できる。更に、この発明の実施形態にかかる断熱層の被覆する範囲が比較的大きく、かつ熱伝導率が低いため、断熱効果が比較的優れている。
【発明の効果】
【００３１】
以上をまとめると、この発明のチップヒューズとその製造方法は、少なくとも以下の長所を備えている。
１．この発明の実施形態にかかる断熱層は、それが第１導電層と相互接触する表面を粗雑面とするので、第１導電層および断熱層間の付着性に優れ、かつ第１導電層が脱落しにくい。
２．この発明の実施形態にかかる断熱層の材質は、金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とすることができ、その融点が低いものである。従って、従来技術と比較すると、この発明の実施形態にかかるチップヒューズは、溶断しにくいものとはならない。言い換えれば、材質を例えば金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とするバッファー層は、第２導電層が第１導電層へ拡散する拡散始動メカニズムを有効に制御することができる。
３．この発明の実施形態にかかる断熱層は、基板の表面を完全に被覆することができ、しかも熱伝導率が低いため、従来技術と比較して、この発明の実施形態の断熱効果は、優良なものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、この発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
＜第１実施例＞
図２は、この発明の第１実施例にかかるチップヒューズを示す要部断面図である。図２において、この実施例のチップヒューズ２００は、基板２１０と、断熱層２２０ａと、第１導電層２３０と、第２導電層２４０と、保護層２５０とを含む。
【００３３】
断熱層２２０ａが基板２１０の表面２１２上に配置され、かつ断熱層２２０ａの基板２１０から遠く離れた表面２２２を粗雑面とする。第１導電層２３０が表面２２２上に配置され、第２導電層２４０が第１導電層２３０の一部上に配置され、かつ第２導電層２４０の融点が第１導電層２３０の融点より低くできる。保護層２５０が第１導電層２３０の一部上に配置され、かつ第１導電層２３０のその他の部分が保護層２５０の外に露出される。
【００３４】
断熱層２２０ａの表面２２２が粗雑面なので、第１導電層２３０および表面２２２間の付着性が良好であり、第１導電層２３０が容易には脱落しない。この実施例中、断熱層２２０ａの表面２２２の中心線平均粗雑度が例えば３０００Åより大きいか等しく、かつ５０００Åより小さいか等しいものである。
【００３５】
この実施例中、断熱層２２０ａが基板２１０の表面２１２に形成する正投影（orthogonal projection）は、表面２１２と重なり合う（coincide）ことができる。言い換えれば、断熱層２２０ａは、基板２１０の表面２１２を完全に被覆することができる。また、断熱層２２０ａは、耐燃性であり、ガラス転移温度が高く、熱伝導率が低いという長所を備える。詳しく言えば、この実施例の断熱層２２０ａのガラス転移温度は、摂氏１５０度よりも高くすることができ、その熱伝導率は、０．１Ｗ／ｍＫ〜１Ｗ／ｍＫ間とすることができ、しかも、その固化温度（curing temperature）は、摂氏１５０度と２５０度との間とすることができる。従って、従来技術と比較すると、この実施例の断熱層２２０ａのカバーする範囲が大きく、しかも熱伝導率が低いので、断熱効果に優れている。更に、保護層２５０の作用は、第１導電層２３０および第２導電層２４０が溶断する時に飛び散って他の回路部材（図示せず）を汚染することを回避することができる。
【００３６】
この実施例中、基板２１０の材質がガラスまたは酸化アルミニウムを含み、かつ断熱層２２０ａの材質がエポキシ樹脂（epoxy resin）を含む。第１導電層２３０の材質を例えば銅または銅錫合金とする。第２導電層２４０の材質を例えば錫とする。保護層２５０の材質を例えばソルダーマスク（solder mask）の材料またはポリイミド（polyimide）およびエポキシ樹脂（epoxy resin）を含むものとする。詳しく言えば、保護層２５０が第１保護層（図示せず）および第２保護層（図示せず）を備え、かつ第１保護層の材質をエポキシ樹脂により組成することができ、第２保護層の材質をポリイミドにより組成することができる。第１保護層が第１導電層２３０上に配置され、かつ第２保護層が第１保護層上に配置される。この実施例中、第１保護層が第２導電層２４０および第２保護層間に配置される。第２保護層の弾力性が比較的良好なので、第１導電層２３０および第２導電層２４０が溶断する時、第１保護層が先に溶融するが、第２保護層が変形しても第２導電層２４０を被覆しているため、第２導電層２４０が溶断する時、材質を例えば錫とする第２導電層２４０が飛び散って他の回路部材を汚染することを回避できる。
【００３７】
この実施例中、チップヒューズ２００が更にバッファー層２６０を含み、それが第２導電層２４０および第１導電層２３０の一部間に配置されて、バッファー層２６０・第１導電層２３０および第２導電層２４０がヒューズ部を形成する。また、保護層２５０が更にバッファー層２６０を被覆することができる。バッファー層２６０の材質を金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とすることができる。ここで説明すべきことは、従来技術と比較して、材質を例えば金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とするバッファー層２６０の融点が低いので、チップヒューズ２００が溶断しにくいということはない。例を挙げて言えば、従来技術がニッケルを採用してバッファー層とした場合、その融点が１４００℃以上であり、この発明が金プラチナ合金・金コバルト合金または純金を採用してバッファー層２６０とする場合、その融点は約１０８０℃であるため、従来技術のチップヒューズが比較的溶断しにくい。言い換えれば、材質を例えば金プラチナ合金・金コバルト合金または純金とするバッファー層２６０は、第２導電層２４０が第１導電層２３０へ拡散する拡散始動メカニズムを有効に制御することができる。更に、詳細な実験データは、以下に示す通りである。
【００３８】
【表１】
2009016338.tif 000003
【００３９】
各種チップヒューズの２倍定格電流時に多数回の実験を経た平均溶断時間および耐パルス後の抵抗値変化率は、表１に整理した通りである。表１と図１と図２とにおいて、第１種のチップヒューズ１０（従来技術）は、材質を銅とする第１導電層１４と、材質をニッケルとするバッファー層１５と、材質を錫とする第２導電層１６とを備える。第２種のチップヒューズ２００（即ち、この発明の可能な実施例）は、材質を銅とする第１導電層２３０と、材質を金とするバッファー層２６０と、材質を錫とする第２導電層２４０とを備える。表１から分かるように、第１種のチップヒューズ１０は、２倍定格電流を印加された時、非常に溶断しにくく、第２種のチップヒューズ２００は、２倍定格電流を印加された時、溶断時間を短縮することができ、しかも抵抗値変化率が小さいために、耐パルス（pulse）またはサージ（surge）能力に優れている。
【００４０】
この実施例中、チップヒューズ２００は、更に、銅箔層２２０ｂと、電気メッキシード層（seed layer）２９０とを含み、電気メッキシード層２９０の材質をニッケルまたはクロム化ニッケルとすることができる。銅箔層２２０ｂが断熱層２２０ａの表面２２２の一部上に配置され、かつ銅箔層２２０ｂが表面２２２の一部を露出させる。詳細に言えば、銅箔層２２０ｂが断熱層２２０ａの両側に配置されて、表面２２２の中心部分を露出させている。銅箔層２２０ｂの厚さは、通常、第１導電層２３０の厚さよりも大きい。電気メッキシード層２９０が銅箔層２２０ｂおよび銅箔層２２０ｂにより露出された断熱層２２０ａの表面２２２上に直接配置され、かつ第１導電層２３０が電気メッキシード層２９０上に配置される。言い換えれば、電気メッキシード層２９０の一部が断熱層２２０ａの表面２２２上に直接配置され、電気メッキシード層２９０の別な一部分が断熱層２２０ａの表面２２２上に間接的に配置され、かつ第１導電層２３０が表面２２２および銅箔層２２０ｂ上に間接的に配置される。上述から分かるように、この実施例の第１導電層２３０は、電気メッキの方式により形成される。もしも第１導電層２３０がスパッタリングの方式で形成されるのであれば、電気メッキシード層２９０の配置を省略することができる。言い換えれば、第１導電層２３０が銅箔層２２０ｂおよび銅箔層２２０ｂにより露出された断熱層２２０ａの表面２２２上に直接配置されることができるが、図面には示していない。ここで説明すべきことは、銅箔層２２０ｂおよび断熱層２２０ａは、樹脂塗布銅箔（図示せず）により予め基板２１０の表面２１２上に圧着しておいてから、後続する加工処理を行って形成することができるということであり、詳細な製造過程は、後述する。
【００４１】
この実施例中、チップヒューズ２００は、更に、２つの背面電極２７０，２７０と、２つの端面電極２８０，２８０とを含む。２つの背面電極２７０，２７０が基板２１０の表面２１４上に配置され、かつ表面２１４が表面２１２に対向する。２つの端面電極２８０，２８０が基板２１０の互いに対向する２つの端面２１６，２１６上に配置され、かつ各端面２１６が表面２１２および表面２１４に連接するとともに、各端面電極２８０が第１導電層２３０と銅箔層２２０ｂとこれら背面電極２７０の１つとに電気接続される。第１導電層２３０の厚さが比較的薄いため、比較的大きい厚さの銅箔層２２０ｂを設置することによって、端面電極２８０の端面電気接続面積を増加させ、抵抗値の計測をより精確なものとできる。
【００４２】
以下、チップヒューズ２００の製造方法について説明する。図３Ａ〜図３Ｈは、図２のチップヒューズの製造方法を示すフローチャート（要部断面図）である。先ず、図３Ａと図３Ｂとにおいて、断熱層２２０ａを基板２１０の表面２１２上の形成し、かつ断熱層２２０ａの基板２１０から遠く離れた表面２２２を粗雑（rough）面とする。
【００４３】
この実施例中、断熱層２２０ａを形成するステップが下記の手順を含む。先ず、図３Ａにおいて、樹脂塗布銅箔（resin coated copper = RCC）２２０を提供し、それが樹脂層２２０ｃと銅箔層２２０ｂとを備える。説明すべきことは、樹脂塗布銅箔２２０の銅箔層２２０ｂと樹脂層２２０ｃとが互いに接触する表面は既に予め粗雑化されることを経ており、しかも樹脂層２２０ｃが銅箔層２２０ｂの粗雑化された表面に塗布されているので、樹脂層２２０ｃが銅箔層２２０ｂの粗雑化された表面に沿って粗雑面を形成するものとなる。次に、樹脂塗布銅箔２２０を基板２１０の表面２１２上に圧着して、樹脂塗布銅箔２２０が樹脂層２２０ｃにより表面２１２上に配置される。注意すべきことは、樹脂層２２０ｃが耐燃性を有し、ガラス転移温度が高く、熱伝導率が低いという長所を備えていることである。
【００４４】
次に、図３Ｂにおいて、少なくとも銅箔層２２０ｂの一部を除去して樹脂層２２０ｃを断熱層２２０ａとし、かつ断熱層２２０ａの少なくとも一部分を外に露出させる。強調すべきことは、上述したように、樹脂層２２０ｃが銅箔層２２０ｂの粗雑化された表面に沿って粗雑面を形成するものとなるということである。従って、少なくとも銅箔層２２０ｂの一が除去された後、断熱層２２０ａの外に露出された表面２２２が粗雑面となる。この実施例中、銅箔層２２０ｂは、また完全に除去することもできるが、設計者の必要に応じて決定される。
【００４５】
断熱層２２０ａを形成した後、図３Ｃにおいて、第１導電層２３０を表面２２２上に形成する。第１導電層２３０を形成する方法は、例えば、電気メッキまたはスパッタリングである。この実施例中、第１導電層２３０を形成する方法が電気メッキである時、通常、第１導電層２３０を電気メッキする前に銅箔層２２０ｂと銅箔層２２０ｂによって露出された断熱層２２０ａの表面２２２上に電気メッキシード層２９０をスパッタリングする。第１導電層２３０を形成する方法がスパッタリングである時、電気メッキシード層２９０をスパッタリングするステップを省略できる。説明すべきことは、第１導電層２３０の厚さが通常は銅箔層２２０ｂの厚さより小さいことである。
【００４６】
次に、図３Ｄにおいて、バッファー層２６０を第１導電層２３０の一部上に形成する。続いて、図３Ｅにおいて、第２導電層２４０を第１導電層２３０の一部上に形成する。その後、図３Ｆにおいて、保護層２５０を第１導電層２３０の一部上に形成して第２導電層２４０を被覆し、かつ第１導電層２３０のその他の部分を保護層２５０の外に露出させる。この実施例中、保護層２５０が更にバッファー層２６０を被覆することができる。一般的に言って、保護層２５０を形成する方法は、印刷（プリント）である。
【００４７】
図３Ｇにおいて、２つの背面電極２７０，２７０を基板２１０の表面２１４上に形成することができるが、表面２１４は、表面２１２に対向するものである。その後、図３Ｈにおいて、２つの端面電極２８０，２８０を基板２１０の互いに対向する２つの端面２１６，２１６上に形成することができ、各端面２１６が表面２１２および表面２１４に連接する。各端面電極２８０が第１導電層２３０および、これら背面電極２７０の１つに電気接続する。一般的に言って、背面電極２７０および端面電極２８０を形成する方法は、例えば、スパッタリングである。
【００４８】
＜第２実施例＞
図４は、この発明の第２実施例にかかるチップヒューズを示す要部断面図である。図４と図２とにおいて、この実施例のチップヒューズ４００と第１実施例のチップヒューズ２００との差異は、チップヒューズ４００がチップヒューズ２００の銅箔層２２０ｂを備えていないことである。また、この実施例のチップヒューズ４００の断熱層４２０の製作方法は、第１実施例で述べた断熱層２２０ａの製作方法により達成できる以外に、下記のように他の方式でも達成することができる。
【００４９】
図５Ａ〜図５Ｂは、図４の断熱層の製作過程を示すフローチャート（要部断面図）である。先ず、図５Ａにおいて、塗布の方式により基板４１０の表面４１２上に断熱材料層４２０ａを形成する。次に、図５Ａと図５Ｂとにおいて、断熱材料層４２０ａを粗雑化して、断熱層４２０を形成し、断熱層４２０の表面４２２を粗雑面とすることができる。この実施例中、断熱材料層４２０ａをイオン衝撃（ion bombardment）する方式によって断熱材料層４２０ａを粗雑化することができる。注意すべきことは、上述した断熱層４２０の形成方法が例示説明に過ぎず、この発明を限定するためのものではないことである。図４において、後続の電気メッキシード層４９０・第１導電層４３０・バッファー層４４０・第２導電層４５０・保護層４６０・２つの背面電極４７０，４７０および２つの端面電極４８０，４８０を基板２１０の形成方式ならびに位置は、第１実施例で述べたことを参考にすることができるので、改めて説明を繰り返さない。
【００５０】
ここで強調すべきことは、もしも第１導電層４３０がスパッタリングの方式により形成されるならば、電気メッキシード層４９０を形成するステップおよび電気メッキシード層４９０の配置を省略することができるということである。
【００５１】
以上のごとく、この発明を最良の実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来技術にかかるチップヒューズを示す要部断面図である。
【図２】この発明の第１実施例にかかるチップヒューズを示す要部断面図である。
【図３Ａ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｂ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｃ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｄ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｅ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｆ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｇ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図３Ｈ】図２のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図４】この発明の第２実施例にかかるチップヒューズを示す要部断面図である。
【図５Ａ】図４のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【図５Ｂ】図４のチップヒューズの製造工程フローを示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
２００，４００  チップヒューズ
２１０，４１０  基板
２１２，４１２  表面
２１４  表面
２１６  端面
２２０ａ，４２０  断熱層
２２０ｂ  銅箔層
２２２，４２２  粗雑面
２３０，４３０  第１導電層
２４０，４５０  第２導電層
２６０，４４０  バッファー層
２５０，４６０  保護層
２７０，４７０  背面電極
２８０，４８０  端面電極
２９０，４９０  電気メッキシード層
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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