(57)【要約】【課題】金属配線層同士のショートを防止することの可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜２２Ｄがポジ型の材料からなる場合には、層間絶縁膜２２Ｄのうち金属配線層２３，２４との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い露光量で上記対向部分の所定の領域を露光したのち層間絶縁膜２２Ｄを現像する。一方、層間絶縁膜２２Ｄがネガ型の材料からなる場合には、露光感度よりも高い露光量で上記所定の領域を露光すると共にその露光量よりも高い露光量で層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域を除く領域を露光する。次に、層間絶縁膜２２Ｄを含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより層間絶縁膜２２Ｄのうち上記所定の領域に対応する部分（残膜２２Ｅ）を除去する。【選択図】図１３
2009060020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１絶縁層を形成したのち、前記第１絶縁層の表面上に互いに独立した複数の金属配線層を形成し、さらに前記各金属配線層を含む表面上に感光性の第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層がポジ型の材料からなる場合には前記第２絶縁層のうち前記金属配線層との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い第１露光量で前記対向部分の所定の領域を露光したのち前記第２絶縁層を現像し、前記第２絶縁層がネガ型の材料からなる場合には前記露光感度よりも高い第２露光量で前記所定の領域を露光すると共に前記第２露光量よりも高い第３露光量で前記第２絶縁層のうち前記所定の領域を除く領域を露光する工程と、
前記第２絶縁層を含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより前記第２絶縁層のうち前記所定の領域に対応する部分を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記アッシングは酸素プラズマを用いて行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属酸化処理は前記第２絶縁層を含む表面全体を、酸素を含む雰囲気中に曝した状態で加熱することにより行われる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属酸化処理は酸化反応を利用したアッシングである
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アッシングは酸素プラズマを用いて行われる
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２絶縁層は、ポジ型の感光性樹脂からなる
ことを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２絶縁層は、ポリイミドからなる
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２絶縁層は、ポリベンゾオキサゾールからなる
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記残膜は、０．５μｍ以上２μｍ以下の厚さを有する
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に、絶縁層および複数の金属配線層を交互に積層してなる多層配線構造を備えた半導体装置の製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高機能化および小型化に伴い、半導体装置の高密度化が要求されている。この要求を満たすために、チップサイズパッケージ構造（ＣＳＰ構造）を用い、半導体装置のうち集積回路の形成されている側に、集積回路の電極パッドと配線層を介して接続された外部電極端子をエリアアレイ状に配列する方策が一般的に用いられている。このＣＳＰ構造は、同一サイズのクワッドフラットパッケージ構造（ＱＦＰ構造）よりも外部電極端子数を増加させることが可能なものであることから、高密度表面実装型の半導体装置における主たる構造となっている。
【０００３】
このＣＳＰ構造の半導体装置において、電極パッドの数は、高機能化に伴い、飛躍的に増加している。その結果、電極パッド同士の間のピッチが狭くなり、一の面内だけで配線層を引き回して外部電極端子をエリアアレイ状に配列することが困難となっている。そこで、最近では、配線層を多層化することにより、配線層の引き回しを容易にしている。
【０００４】
以下、図２４ないし図３９を参照して、ＣＳＰ構造の半導体装置における多層配線構造の一般的な形成方法について説明する。
【０００５】
図２４は半導体ウェハ１００の上面構成の一部（ダイシングストリートで囲まれた部分）を表したものである。図２５（Ａ）は図２４の半導体ウェハ１００のＡ−Ａ矢視方向の断面構成を、図２５（Ｂ）は図２４の半導体ウェハ１００のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成をそれぞれ表すものである。図２６、図２８、図３０、図３２、図３４、図３６および図３８は製造過程におけるチップの上面構成を表すものである。図２７（Ａ）、図２９（Ａ）、図３１（Ａ）、図３３（Ａ）、図３５、図３７および図３９はそれぞれ、一つ前の図面におけるＡ−Ａ矢視方向の断面構成を表すものであり、図２７（Ｂ）、図２９（Ｂ）、図３１（Ｂ）および図３３（Ｂ）はそれぞれ、一つ前の図面におけるＢ−Ｂ矢視方向の断面構成を表すものである。
【０００６】
まず、多層配線構造を形成する半導体ウェハ１００を準備する（図２４、図２５（Ａ），（Ｂ））。この半導体ウェハ１００は、一の表面に集積回路（図示せず）の形成されたシリコン基板１１０の集積回路側の表面上に、層間絶縁膜１２０およびパッシベーション層１３０をこの順に形成したものである。層間絶縁膜１２０内には、集積回路と電気的に接続された配線層およびビア（いずれも図示せず）が形成されている。また、層間絶縁膜１２０の上面には、複数の電極パッド１４０が例えば一列に配列して形成されており、各電極パッド１４０は、層間絶縁膜１２０の配線層およびビアを介して、集積回路と電気的に接続されている。また、パッシベーション層１３０には、各電極パッド１４０に対応して開口が設けられており、その開口から各電極パッド１４０が露出している。
【０００７】
ここで、集積回路は、例えば、素子分離、拡散層、チャネル、ゲートなどで構成された一般的なＭＯＳ(Metal Oxide Semiconductor)、またはバイポーラなどのトランジスタ、ダイオード、キャパシタなどで構成されている。層間絶縁膜１２０およびパッシベーション層１３０は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）や、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、またはこれらよりも低い比誘電率を有する絶縁性材料からなる。配線層、ビアおよび電極パッド１４０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。
【０００８】
次に、半導体ウェハ１００上に、各電極パッド１４０に対応して開口２００Ａを有する層間絶縁膜２００を形成する（図２６、図２７（Ａ），（Ｂ））。これにより、各電極パッド１４０が開口２００Ａから露出する。この層間絶縁膜２００は、例えば感光性樹脂（ポリイミドなど）からなり、例えば、半導体ウェハ１００上に感光性樹脂を塗布したのち、プリベークし、続いてパターン露光および現像を行うことにより形成される。なお、必要に応じて現像残り（スカム）を酸素プラズマ下にてエッチングするディスカム工程を追加しても良い。
【０００９】
次に、各電極パッド１４０の表面から半導体ウェハ１００の表面の所定の部位にまで延在する複数の金属配線層３００と、各電極パッド１４０および各金属配線層３００と接することなく半導体ウェハ１００の表面上に延在する金属配線層３１０とを形成する（図２８、図２９（Ａ），（Ｂ））。ここで、金属配線層３００，３１０は、例えば、チタン（Ｔｉ）およびＣｕを半導体ウェハ１００側から順に積層してなる下地層上に、Ｃｕからなる配線層を形成したものであり、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。
【００１０】
なお、セミアディティブ法とは、例えば、半導体ウェハ１００の表面全体に、スパッタンリングによりＴｉおよびＣｕ（下地層）を成膜し、その上に、金属配線層３００，３１０を形成することとなる部分に開口を有するめっき用レジストを形成した上で、Ｃｕ（配線層）を電解めっき等により成膜したのち、めっき用レジストを剥離除去し、さらに、Ｃｕ（配線層）をマスクとして、ＴｉおよびＣｕ（下地層）をウエットエッチングにより除去する方法のことを指す。
【００１１】
次に、金属配線層３００，３１０を含む表面上に、各金属配線層３００のうち電極パッド１４０と対向していない方の端部３００Ａと、金属配線層３１０の両端部とに対応して開口４００Ａを有する層間絶縁膜４００を形成する（図３０、図３１（Ａ），（Ｂ））。これにより、各金属配線層３００の端部３００Ａと、金属配線層３１０の両端部が開口４００Ａから露出する。この層間絶縁膜４００は、例えば感光性樹脂（ポリイミドなど）からなり、例えば、金属配線層３００，３１０を含む表面上に感光性樹脂を塗布したのち、プリベークし、続いてパターン露光および現像を行うことにより形成される。なお、必要に応じて現像残り（スカム）を酸素プラズマ下にてエッチングするディスカム工程を追加しても良い。
【００１２】
次に、一の金属配線層３００の端部３００Ａの表面から他の金属配線層３００との対向部分を通過して層間絶縁膜４００の表面の所定の部位にまで延在する金属配線層５００と、複数の金属配線層３００のうち金属配線層５００と接触していない金属配線層３００の端部３００Ａに接するランド部６１０とを形成する（図３２、図３３（Ａ），（Ｂ））。ここで、金属配線層３００，ランド部６１０は、例えば、チタン（Ｔｉ）およびＣｕを半導体ウェハ１００側から順に積層してなる下地層上に、Ｃｕからなる配線層を形成したものであり、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。
【００１３】
次に、必要に応じて、各ランド部６１０上に柱状の柱状電極６２０Ａを形成する（図３４、図３５）。この柱状電極６２０Ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）およびＣｕを半導体ウェハ１００側から順に積層してなる下地層上に、Ｃｕからなる配線層を形成したものであり、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。
【００１４】
次に、柱状電極６２０Ａを形成した場合には、柱状電極６２０Ａを含む表面全体に、例えばトランスファモールド法、ディスペンサ法、ディッピング法または印刷法などにより、柱状電極６２０Ａの高さよりも厚く封止樹脂を成膜したのち、封止樹脂の上面を研磨し除去する。これにより、上面が露出した柱状電極６２０が形成されると共に、柱状電極６２０の上面とほぼ同一面内に上面を有する封止層７００が形成される（図３６、図３７）。なお、研磨により柱状電極６２０の上面にバリが生じた場合には、このバリをウエットエッチングなどにより除去したり、さらにこの後の酸化を防止するため、柱状電極６２０の上面に無電界めっきによるニッケル層を形成するなどの表面処理を行ってもよい。
【００１５】
次に、柱状電極６２０を形成した場合には柱状電極６２０の上面に、柱状電極６２０を形成していない場合にはランド部６１０の上面に、半田バンプ６３０を形成する（図３８、図３９）。半田バンプ６３０は、例えば、柱状電極６２０の上面に直接、半田ボールを搭載した後にリフローするか、あるいは、印刷法やディスペンサ法などにより、半田ペーストを柱状電極６２０の上面に塗布した後にリフローするなどの方法により形成される。
【００１６】
最後に、ダイシングストリートＳに沿って、半導体ウェハ１００を切断する（図示せず）。このようにして、ＣＳＰ構造の半導体装置における多層配線構造が形成される。
【００１７】
ところで、上記した多層配線構造の形成過程において、何らかの原因（例えば材料、設備、環境）により発生したパーティクルがシリコン基板１００上に付着し、金属配線層同士でショートを起こしたり、金属配線層内でオープンとなる不良を発生させることがある。これは、パーティクル自体が導電性材料である場合には、配線間に存在するだけでショートを引き起こす。また、パーティクルの材料に拘らず、付着したパーティクルによって層間絶縁膜が変形したり、時として層間絶縁膜の膜形成が妨げられたりすることがある。例えば、図４０、図４１（Ａ），（Ｂ）に示したように、製造過程において、何らかの原因で半導体ウェハ１００上にパーティクルＰが付着した場合には、パーティクルＰによって金属配線層３００が押し上げられ、金属配線層３００と金属配線層５００との短絡が発生し得ることがわかる。ここで、パーティクルＰの存在によって短絡した金属配線層３００と金属配線層５００とは本来は絶縁分離されている必要があることから、パーティクルＰの存在によって配線異常が生じていることがわかる。このように、パーティクルに起因して配線異常が発生した場合には、歩留まりが低下する虞がある。
【００１８】
また、パーティクル以外にも、ピンホール等の層間絶縁膜の欠陥や配線材料のヒロック等の異常により、上層と下層の金属配線層同士がショートし、歩留まりの低下を引き起こす場合がある。
【００１９】
そこで、例えば特許文献１に示されているように、あらかじめ金属配線層の表面全体を酸化して、その表面全体に酸化膜を形成することにより、金属配線層同士のショートを防止することが考えられる。
【００２０】
また、例えば特許文献２に示されているように、何らかの原因により金属配線層が層間絶縁膜から露出した場合に、その露出部分を酸素雰囲気にて酸化して、その露出部分に酸化膜を形成することにより、金属配線層同士のショートを防止することが考えられる。
【００２１】
【特許文献１】特開２００５−２５２１６２号公報
【特許文献２】特開平０１−１１０７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
しかし、特許文献１の方策では、金属配線層の表面全体を酸化して酸化膜を形成したのち、フォトリソグラフィ工程と酸化膜エッチング工程を新たに追加して、その酸化膜のうち上層の金属配線層とコンタクトをとる部分に開口部を設けることが必要となる。ここで、フォトリソグラフィ工程は一般的に高価であることから、フォトリソグラフィ工程を追加した場合には、製造コストが大幅に上昇してしまう。また、表面全体を酸化した金属配線層上に、上層の金属配線層とコンタクトをとる部分に対応して開口部を有する層間絶縁膜を感光性樹脂等で形成したのち、その層間絶縁膜をマスクとしてエッチングすることにより酸化膜の露出部分を除去する場合においては、酸化膜の除去に希硫酸等のエッチャントを用いる必要があり、エッチャントによる層間絶縁膜の膨潤や、場合によっては層間絶縁膜の剥離が発生し、層間絶縁膜としての機能が損なわれる虞がある。
【００２３】
また、特許文献２の方策では、金属配線層を酸化することにより形成された酸化膜に開口部を設ける工程を新たに追加する必要はない。しかし、下層の金属配線層の一部がその上の層間絶縁膜を貫通し、大幅に突出するような突起状となっている場合には、酸化膜を形成した金属配線層を含む表面全体に酸化シリコンからなる層間絶縁膜を形成したのち、その層間絶縁膜のうち上層の金属配線層とコンタクトをとる部分に開口部を有するレジストを設けた際に、金属配線層の突起状となっている部分がレジストによって被膜されず、露出してしまう可能性がある。そして、実際に金属配線層の突起状となっている部分がレジストから露出してしまった場合には、レジストをマスクとして層間絶縁膜をエッチングする際に、酸化シリコンからなる層間絶縁膜と、金属配線層を酸化することにより形成された酸化膜との選択比を十分にとることができず、せっかく形成した酸化膜も一緒にエッチングされてしまう場合があり、歩留まりの向上に結びつかない虞がある。
【００２４】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、金属配線層同士のショートを防止することの可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法は、まず、半導体基板上に第１絶縁層を形成したのち、第１絶縁層の表面上に互いに独立した複数の金属配線層を形成し、さらに各金属配線層を含む表面上に感光性の第２絶縁層を形成する。次に、第２絶縁層がポジ型の材料からなる場合には、第２絶縁層のうち金属配線層との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い第１露光量で上記対向部分の所定の領域を露光したのち第２絶縁層を現像する。一方、第２絶縁層がネガ型の材料からなる場合には、露光感度よりも高い第２露光量で上記所定の領域を露光すると共に第２露光量よりも高い第３露光量で第２絶縁層のうち上記所定の領域を除く領域を露光する。次に、第２絶縁層を含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより第２絶縁層のうち上記所定の領域に対応する部分を除去する。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法では、第２絶縁層がポジ型の材料からなる場合には、第２絶縁層のうち金属配線層との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度よりも低い第１露光量で上記対向部分の所定の領域が露光されたのち第２絶縁層が現像され、第２絶縁層がネガ型の材料からなる場合には、露光感度よりも高い第２露光量で上記所定の領域が露光されると共に第２露光量よりも高い第３露光量で第２絶縁層のうち上記所定の領域を除く領域が露光される。これにより、上記所定の領域に第２絶縁膜の残膜が形成される。次に、第２絶縁層を含む表面全体に対して金属酸化処理が行われる。これにより、何らかの原因により第２絶縁層を含む表面に金属配線層の一部が露出していた場合には、その露出部分の表面に酸化膜が形成される。このとき、上記所定の領域には第２絶縁膜の残膜が形成されており、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分が残膜によって保護されているので、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分が酸化されることはない。次に、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより第２絶縁層のうち上記所定の領域に対応する部分が除去される。これにより、先の工程において金属配線層の露出部分の表面に酸化膜が形成されていた場合であっても、その酸化膜を除去することなく、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分を露出させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分を第２絶縁膜の残膜で保護した状態で、第２絶縁層を含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより第２絶縁層のうち上記所定の領域に対応する部分を除去するようにしたので、何らかの原因により第２絶縁層を含む表面に、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分を除く部分が露出していた場合であっても、その露出部分の表面に酸化膜を形成すると共に、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分を露出させることができる。これにより、何らかの原因により表面上に付着したパーティクルに起因して金属配線層の一部が第２絶縁膜を含む表面に露出した場合であっても、第２絶縁層上に、金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分と電気的に接続された金属配線層を新たに形成した際に、その金属配線層が第２絶縁膜直下の金属配線層のうち上記所定の領域との対向部分を除く部分と直接に接触する虞をなくすることができる。その結果、パーティクルに起因する金属配線層同士のショートを防止することができるので、歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
図１は本発明の一実施の形態に係る製造方法によって製造されたＣＳＰ構造の半導体装置１の上面構成を表したものである。図２は図１の半導体装置１のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を、図３（Ａ）は図１の半導体装置１のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を、図３（Ｂ）は図１の半導体装置１のＣ−Ｃ矢視方向の断面構成の一例をそれぞれ表すものである。なお、図１、図２、図３（Ａ），（Ｂ）は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状とは異なっている。
【００３０】
この半導体装置１は、半導体基板１０上に、多層配線構造２０を備えたものである。
【００３１】
半導体基板１０は、一の表面に集積回路（図示せず）の形成されたシリコン基板１１の集積回路側の表面上に、層間絶縁膜１２およびパッシベーション層１３をこの順に形成したものである。層間絶縁膜１２内には、集積回路と電気的に接続された配線層およびビア（いずれも図示せず）が形成されている。また、層間絶縁膜１２の上面には、複数の電極パッド１４が例えば一列に配列して形成されており、各電極パッド１４は、層間絶縁膜１２の配線層およびビアを介して、集積回路と電気的に接続されている。また、パッシベーション層１３には、各電極パッド１４に対応して開口が設けられており、その開口から各電極パッド１４が露出している。なお、図１、図２、図３（Ａ），（Ｂ）には、電極パッド１４が５つ設けられている場合が例示されている。
【００３２】
ここで、集積回路は、例えば、素子分離、拡散層、チャネル、ゲートなどで構成された一般的なＭＯＳ、またはバイポーラなどのトランジスタ、ダイオード、キャパシタなどで構成されている。層間絶縁膜１２およびパッシベーション層１３は、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯ２）や、シリコン窒化物（ＳｉＮ）、またはこれらよりも低い比誘電率を有する絶縁性材料からなる。配線層、ビアおよび電極パッド１４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。
【００３３】
多層配線構造２０は、半導体基板１０の集積回路の形成された側の表面上に形成されたものであり、層間絶縁膜２１，２２と、金属配線層２３，２４，２５と、外部電極端子２６とを有している。層間絶縁膜２１，２２および金属配線層２３，２４，２５は、半導体基板１０（パッシベーション層１３）側から、層間絶縁膜２１、金属配線層２３，２４、層間絶縁膜２２、金属配線層２５の順に積層されている。
【００３４】
層間絶縁膜２１は、半導体基板１０の表面上に形成されたものであり、各電極パッド１４に対応して開口部２１Ａを有している。これにより、各電極パッド１４は層間絶縁膜２１の表面において開口部２１Ａから露出している。
【００３５】
層間絶縁膜２２は、金属配線層２３，２４を含む表面上に形成されたものであり、各金属配線層２３の端部２３Ａ（後述）と、金属配線層２４の両端部とに対応して開口２２Ａを有している。これにより、各金属配線層２３の端部２３Ａと、金属配線層２４の両端部が層間絶縁膜２２の表面において開口部２２Ａから露出している。
【００３６】
ここで、層間絶縁膜２１，２２は、例えばポリイミドやＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）等の耐熱性の感光性樹脂を含んで構成されており、耐熱性の感光性樹脂だけで構成されていてもよいし、感光性を有しない絶縁性樹脂層上に感光性樹脂層を重ね合わせた多層構造としてもよい。なお、感光性樹脂には、露光された（紫外線が照射された）部分がその後の現像工程にて溶解除去されるポジ型と、逆に、露光された部分が硬化しそれ以外の未露光部分が現像工程にて溶解除去されるネガ型の２種類がある。層間絶縁膜２１については、どちらのタイプの感光性樹脂を使用してもかまわないが、層間絶縁膜２２については、残膜コントロールの容易なポジ型の感光性樹脂を使用することが好ましい。
【００３７】
金属配線層２３は、電極パッド１４の表面および層間絶縁膜２１の表面上に形成されたものであり、各電極パッド１４の表面から層間絶縁膜２１の表面の所定の部位にまで延在して形成されている（図１、図２、図３（Ｂ））。ここで、金属配線層２３のうち電極パッド１４と対向していない方の端部を２３Ａとする。なお、図１、図２、図３（Ｂ）には、５つの電極パッド１４のそれぞれに金属配線層２３が１つずつ設けられている場合が例示されている。
【００３８】
金属配線層２４は、層間絶縁膜２１の表面上に形成されたものであり、各電極パッド１４および各金属配線層２３と接することなく半導体基板１０（パッシベーション層１３）の表面上に延在して形成されている（図１）。なお、図１には、金属配線層２４が１つだけ設けられている場合が例示されている。
【００３９】
金属配線層２５は、複数の金属配線層２３のうち少なくとも１つの金属配線層２３の端部を２３Ａの表面、金属配線層２４の一方の端部の表面、および層間絶縁膜２２の表面上に連続して形成されたものであり、金属配線層２３の端部２３Ａの表面から金属配線層２３との対向部分を通過して金属配線層２４の一方の端部の表面にまで延在して形成されている（図１、図３（Ａ））。なお、図１、図３（Ａ）には、金属配線層２５が２つの金属配線層２３の端部２３Ａの表面と連結されている場合が例示されている。
【００４０】
金属配線層２３，２４，２５は、例えば、チタン（Ｔｉ）および銅（Ｃｕ）を半導体ウェハ１００側から順に積層してなる下地層（図示せず）上に、例えば硫酸銅を使用したメッキＣｕからなる配線層（図示せず）を形成したものである。
【００４１】
外部電極端子２６は、複数の金属配線層２３のうち金属配線層２５と連結されていない各金属配線層２３のうち電極パッド１４と対向していない方の端部２３Ａの表面上に形成されたものであり、例えば、ランド部２６Ａ、柱状電極部２６Ｂおよびバンプ部２６Ｃを端部２３Ａの表面側から順に積層したものである。
【００４２】
ランド部２６Ａは、端部２３Ａとの連結をとるためのものであり、例えば、チタン（Ｔｉ）および銅（Ｃｕ）を半導体ウェハ１００側から順に積層してなる下地層（図示せず）上に、例えば硫酸銅を使用したメッキＣｕからなる配線層（図示せず）を形成したものである。
【００４３】
柱状電極部２６Ｂは、外部電極端子２６の高さを一定にすると共にモジュールへの実装時の応力を緩和するためのものであり、例えば、ランド部２６Ａと同様にして形成されている。
【００４４】
バンプ部２６Ｃは、プリント基板などの電極パッド（図示せず）との連結をとるためのものであり、例えば、半球形状の半田からなる。
【００４５】
また、金属配線層２５および層間絶縁膜２２を含む表面上には、封止層２７が形成されている。この封止層２７は、例えば、エポキシ系樹脂などの有機樹脂からなり、金属配線層２５および層間絶縁膜２２を覆うと共に、外部電極端子２６の一部（ランド部２６Ａおよび柱状電極部２６Ｂ）を覆っている。
【００４６】
ところで、半導体装置１内には、例えば、図２、図３（Ａ）に例示したように、パーティクルＰが混入している。このパーティクルＰは、製造過程における様々な要因によって発生したダストが付着したものであり、例えば、直径が層間絶縁膜２２または２４の厚さよりも大きな異形状となっている。
【００４７】
一般に、半導体装置１の製造工程は、クリーンルームと呼ばれる、パーティクルの極めて少ない管理された環境下で行われるが、工程中で使用している各種設備の不具合や、クリーンルーム環境の部分的な汚染、さらにはクリーンルーム内でウェーハをハンドリングする人間を起因としたもの等、パーティクル発生の原因としては様々な理由が挙げられる。
【００４８】
従って、パーティクルＰの構成材料は、パーティクルＰの発生要因によって異なるが、例えば、導電性または絶縁性の材料により構成されている。
【００４９】
パーティクルＰが、図２、図３（Ａ）に例示したように、金属配線層２３と金属配線層２５とが積層方向から見て互いに交差する箇所に混入している場合には、金属配線層２３が、パーティクルＰの上面を含む領域に形成され、パーティクルＰによって積層方向の上方に押し上げられた状態で形成されている。
【００５０】
このとき、金属配線層２３のうちパーティクルＰによって積層方向の上方に押し上げられた部分の頂部が、層間絶縁膜２２から露出しており、上層の金属配線層２５と層間絶縁膜２２を介さずに接しているが、金属配線層２３のうち層間絶縁膜２２から露出した部分の表層には絶縁膜２８が設けられている。この絶縁膜２８は、後述するように、金属配線層２３のうち層間絶縁膜２２から露出した部分を酸化することにより形成されたものであり、金属配線層２３の一部をなしている。従って、金属配線層２３と金属配線層２５とは、金属配線層２３のうち層間絶縁膜２２から露出した部分において、絶縁膜２８によって絶縁分離されており、電気的に導通していない。
【００５１】
次に、図４ないし図２３を参照して、半導体装置１における多層配線構造２０の形成方法の一例について説明する。
【００５２】
図４は半導体ウェハ１０Ａの上面構成の一部（ダイシングストリートで囲まれた部分）を表したものである。なお、半導体ウェハ１０Ａをダイシングストリートにそって切断したものが半導体基板１０に対応する。図５（Ａ）は図４の半導体ウェハ１０ＡのＡ−Ａ矢視方向の断面構成を、図５（Ｂ）は図３の半導体ウェハ１０ＡのＢ−Ｂ矢視方向の断面構成をそれぞれ表すものである。図６、図８、図１２、図１４、図１６、図１８、図２０および図２２は製造過程におけるチップの上面構成を表すものである。図７（Ａ）、図９（Ａ）、図１３（Ａ）、図１５（Ａ）、図１７（Ａ）、図１９（Ａ）、図２１（Ａ）および図２３（Ａ）はそれぞれ、一つ前の図面におけるＡ−Ａ矢視方向の断面構成を表すものであり、図７（Ｂ）、図９（Ｂ）、図１３（Ｂ）、図１５（Ｂ）、図１７（Ｂ）、図１９（Ｂ）、図２１（Ｂ）および図２３（Ｂ）はそれぞれ、一つ前の図面におけるＢ−Ｂ矢視方向の断面構成を表すものである。
【００５３】
まず、多層配線構造２０を形成する半導体ウェハ１０Ａを準備する（図４、図５（Ａ），（Ｂ））。このとき、半導体ウェハ１０Ａの表面には、パッシベーション層１３が露出しており、電極パッド１４Ａがパッシベーション層１３の開口部から露出している。また、パッシベーション層１３の表面上には、パーティクルＰが付着している。なお、ここでは、パーティクルＰは、以下の工程で形成する層間絶縁膜２２Ｄの厚さよりも大きな直径を有しており、金属配線層２３と金属配線層２５とが積層方向の上方から見て互いに交差する部分に付着しているものとする。
【００５４】
次に、半導体ウェハ１０Ａの集積回路側の表面上に、各電極パッド１４に対応して開口２１Ａを有する層間絶縁膜２１を形成する（図６、図７（Ａ），（Ｂ））。これにより、各電極パッド１４が開口２１Ａから露出する。この層間絶縁膜２１は、例えば、半導体ウェハ１０Ａ上に感光性樹脂（ポリイミドなど）を塗布したのち、プリベークし、続いてパターン露光および現像を行うことにより形成される。なお、このとき、必要に応じて現像残り（スカム）を酸素プラズマ下にてエッチングするディスカム工程を追加しても良い。
【００５５】
次に、各電極パッド１４の表面から層間絶縁膜２１の表面の所定の部位にまで延在する複数の金属配線層２３と、各電極パッド１４および各金属配線層２２と接することなく層間絶縁膜２１の表面上に延在する金属配線層２４とを形成する（図８、図９（Ａ），（Ｂ））。ここで、金属配線層２３，２４は、例えばセミアディティブ法などのメッキ技法を用いて形成される。具体的には、層間絶縁膜２１の表面全体に、スパッタンリングによりＴｉおよびＣｕ（下地層）を成膜し、その上に、金属配線層２３，２４を形成することとなる部分に開口を有するめっき用レジストを形成した上で、Ｃｕ（配線層）を電解めっき等により成膜したのち、めっき用レジストを剥離除去し、さらに、Ｃｕ（配線層）をマスクとして、ＴｉおよびＣｕ（下地層）をウエットエッチングにより除去することにより、金属配線層２３，２４を形成する。
【００５６】
このとき、金属配線層２３と金属配線層２５とが積層方向から見て互いに交差することとなる部分にパーティクルＰが付着しているため、金属配線層２３のうちパーティクルＰ上に形成された部分は、パーティクルＰによって積層方向の上方に押し上げられた状態となっている。
【００５７】
次に、金属配線層２３，２４を含む表面上に、耐熱性の感光性樹脂を成膜したのち、成膜した感光性樹脂のうち、各金属配線層２３の端部２３Ａと、各金属配線層２４の両端部とに対応する部分を露光したのち現像する。
【００５８】
このとき、感光性樹脂としてポジ型の材料（例えばポリイミドやＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール））を用いた場合には、成膜した感光性樹脂のうち金属配線層２３，２４との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度（図１０のＤＴに相当する露光量）よりも低い露光量（第１露光量）で、各金属配線層２３の端部２３Ａと、各金属配線層２４の両端部とに対応する部分を露光したのち、成膜した感光性樹脂を現像する。
【００５９】
また、感光性樹脂としてネガ型の材料を用いた場合には、成膜した感光性樹脂のうち金属配線層２３，２４との対向部分の残膜率がゼロとなる露光感度（図１１のＤＴに相当する露光量）よりも高い露光量（第２露光量）で、各金属配線層２３の端部２３Ａと、各金属配線層２４の両端部とに対応する部分を露光すると共に、ＤＴよりも高い露光量（第３露光量）で、成膜した感光性樹脂のうち上で露光する領域を除く領域を露光したのち、成膜した感光性樹脂を現像する。
【００６０】
なお、図１０、図１１は、露光量と残膜率の関係を表した表であり、この図から、露光量と残膜率が比較的比例していることがわかる。そのため、ポジ型の場合には露光感度より若干低い露光量で露光し、ネガ型の場合には露光感度より若干高い露光量で露光するなど、露光量を微調整することにより、露光した箇所に故意に残膜を発生させることが可能である。
【００６１】
これにより、図１２、図１３（Ａ），（Ｂ）に示したように、各金属配線層２３の端部２３Ａと、各金属配線層２４の両端部とに対応する部分に感光性樹脂の残膜２２Ｅを有する層間絶縁膜２２Ｄが形成される。
【００６２】
ここで、残膜２２Ｅの厚さは、後の工程において残膜２２Ｅを除去する際の除去しやすさを考慮すると、０．５〜２μｍ程度であることが好ましく、０．５〜０．８μｍ程度であることがより好ましい。
【００６３】
ここで、金属配線層２３のうちパーティクルＰ上に形成された部分が、層間絶縁膜２２Ｄからむき出しの状態となっており、このむき出しの状態となっている部分（露出部分２３Ｂ）は層間絶縁膜２２Ｄで覆われて（保護されて）いない。なお、金属配線層２３は、感光性樹脂を成膜した段階で、本来であれば、すべて覆われていることが必要であるが、このケースでは、パーティクルＰの存在によって露出部分２３Ｂが生じてしまっている。
【００６４】
次に、半導体ウェハ１０Ａを２００〜４００℃程度に加熱できるオーブンにセットし、露出部分２３Ｂを含む表面全体に対して、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中にて金属酸化処理を行い、露出部分２３Ｂの表層に、熱酸化による酸化膜２８を形成する（図１４、図１５（Ａ），（Ｂ））。
【００６５】
ここで、設定温度は、露出部分２３Ｂの表層が酸化される程度の温度（露出部分２３Ｂが銅からなる場合には２００℃程度）とする。２００℃に設定されたオーブンにて銅からなる露出部分２３Ｂを２時間加熱した場合には、酸化膜２８の厚さを５０ｎｍ〜７０ｎｍ程度にまで厚くすることができる。
【００６６】
なお、オーブンの設定温度や加熱時間は、露出部分２３Ｂの材料や、酸化膜２８の厚さをどれくらいにしたいかによって変化する。また、酸化膜２８を、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中にて加熱する方法だけでなく、他の方法を用いて形成するようにしてもよい。例えば、過酸化水素水等の薬品（薬液）を用いて形成してもよいし、亜酸化銅被膜（いわゆる黒化膜）を形成する黒化処理を施して形成してもよい。また、露出部分２３Ｂを酸素プラズマ中に曝すことによって形成してもよい。
【００６７】
次に、露光量を調整することにより故意に発生させた残膜２２Ｅに対して、酸素プラズマ中でアッシングを行う。これにより、残膜２２Ｅが除去され、層間絶縁膜２２には開口部２２Ａが形成されると共に、その開口部２２Ａから金属配線層２３が露出する（図１６、図１７（Ａ），（Ｂ））。
【００６８】
このとき、露出部分２３Ｂに形成された酸化膜２８は、酸素プラズマに対しては不動体であり、酸素プラズマによる影響を受けることがないので、残膜２２Ｅだけを選択的に除去することができる。
【００６９】
ここで、アッシング条件としては、使用する設備によっても異なるが、平行平板のＲＩＥタイプの設備を使用した場合には、印加電力＝５００Ｗ、チャンバー内圧力＝１５０Ｐａ、酸素流量＝１０００ｓｃｃｍ、基板加熱温度＝１００℃の条件において、０．５μｍ／ｍｉｎ程度のアッシングレートが得られる。
【００７０】
なお、このアッシング工程については、この後の層間絶縁膜２２の硬化を行った後に行ってよい。このようにした場合には、層間絶縁膜２２の耐性が増しているので、先に述べたアッシング条件を使用した場合には、硬化前にアッシングした場合と比較して、アッシング量が１／３以下になり生産性は悪くなる。しかし、硬化前にアッシングを行う場合と同様に、酸素プラズマによる影響を受けることがないので、残膜２２Ｅだけを選択的に除去することができる。
【００７１】
次に、半導体ウェハ１０Ａをオーブンにセットし、層間絶縁膜２２に対して硬化ベークを行う。このとき、上記の金属酸化処理工程において使用したオーブンを兼用することもできるが、ポリイミドやＰＢＯの本硬化は、窒素置換され酸素濃度が２０ｐｐｍ以下に制御できるオーブン内で２００〜４００℃の温度で硬化するのが一般的である。この状態においては、開口部２２Ａ内に露出している金属配線層２３の表面は、硬化が低酸素状態で行われていることから、露出表面が酸化されることは少ないが、何らかの原因で多少酸化されてしまった場合には、この後に、酸素およびアルゴンの混合ガス等を使用して、開口部２２Ａ内に露出している金属配線層２３の表面の酸化膜（図示せず）を軽く除去してもよい。ただし、この除去処理を多く行うと、酸化膜２８も同時に除去されてしまうことから注意を要する。
【００７２】
次に、複数の金属配線層２３のうち少なくとも１つの金属配線層２３の端部を２３Ａの表面、金属配線層２４の一方の端部の表面、および層間絶縁膜２２の表面上に渡って金属配線層２５を形成すると共に、複数の金属配線層２３のうち金属配線層２５と連結されていない各金属配線層２３のうち電極パッド１４と対向していない方の端部２３Ａの表面上にランド部２６Ａを形成する（図１８、図１９（Ａ），（Ｂ））。これら金属配線層２５およびランド部２６Ａは、上記金属配線層２３と同様の方法により形成される。
【００７３】
ここで、金属配線層２５は、金属配線層２３のうち層間絶縁膜２２から露出した部分の表層に形成された絶縁膜２８によって、金属配線層２３と絶縁分離されており、電気的に導通していない。
【００７４】
次に、必要に応じて、各ランド部２６Ａ上に柱状の柱状電極２６Ｂを形成する（図２０、図２１（Ａ），（Ｂ））。この柱状電極２６Ｂについても、上記金属配線層２３と同様の方法により形成される。
【００７５】
次に、柱状電極２６Ｂを形成した場合には、柱状電極２６Ｂを含む表面全体に、例えばトランスファモールド法、ディスペンサ法、ディッピング法または印刷法などにより、柱状電極２６Ｂの高さよりも厚く封止樹脂を成膜したのち、封止樹脂の上面を研磨し除去する。これにより、上面が露出した柱状電極２６Ｂが形成されると共に、柱状電極２６Ｂの上面とほぼ同一面内に上面を有する封止層２７が形成される（図２２、図２３（Ａ），（Ｂ））。
【００７６】
なお、研磨により柱状電極２６Ｂの上面にバリが生じた場合には、このバリをウエットエッチングなどにより除去したり、さらにこの後の酸化を防止するため、柱状電極２６Ｂの上面に無電界めっきによるニッケル層を形成するなどの表面処理を行ってもよい。
【００７７】
次に、柱状電極２６Ｂを形成した場合には柱状電極２６Ｂの上面に、柱状電極２６Ｂを形成していない場合にはランド部２６Ａの上面に、半田バンプ２６Ｃを形成する（図１、図２、図３（Ａ））。これにより、外部電極端子２６が形成される。半田バンプ２６Ｃは、例えば、柱状電極２６Ｂの上面に直接、半田ボールを搭載した後にリフローするか、あるいは、印刷法やディスペンサ法などにより、半田ペーストを柱状電極２６Ｂの上面に塗布した後にリフローするなどの方法により形成される。
【００７８】
最後に、ダイシングストリートＳに沿って、半導体ウェハ１０Ａを切断する（図示せず）。このようにして、ＣＳＰ構造の半導体装置１における多層配線構造２０が形成される。
【００７９】
本実施の形態の半導体装置１の製造方法では、金属配線層２３，２４のうち所定の領域との対向部分を層間絶縁膜２２の残膜２２Ｅで保護した状態で、層間絶縁膜２２を含む表面全体に対して金属酸化処理を行ったのち、酸化反応を利用したアッシングを行うことにより層間絶縁膜２２のうち上記所定の領域に対応する部分を除去するようにしたので、何らかの原因により層間絶縁膜２２を含む表面に、金属配線層２３，２４のうち上記所定の領域との対向部分を除く部分が露出していた場合であっても、その露出した部分（露出部分２３Ｂ）の表面に酸化膜２８を形成すると共に、金属配線層２３，２４のうち上記所定の領域との対向部分を露出させることができる。
【００８０】
これにより、何らかの原因により表面上に付着したパーティクルＰに起因して金属配線層２３，２４の一部が層間絶縁膜２２を含む表面に露出した場合であっても、層間絶縁膜２２上に、金属配線層２３，２４のうち上記所定の領域との対向部分と電気的に接続された金属配線層２５を新たに形成した際に、その金属配線層２５が層間絶縁膜２２直下の金属配線層２３，２４のうち上記所定の領域との対向部分を除く部分と直接に接触する虞をなくすることができる。その結果、パーティクルＰに起因する金属配線層同士のショートを防止することができるので、歩留まりが向上する。
【００８１】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００８２】
例えば、層間絶縁膜２２Ｄ（図１２、図１３（Ａ），（Ｂ）参照）を形成する際に、耐熱性の感光性樹脂を用いる代わりに、感光性を有しない絶縁性樹脂を用いてもよい。ただし、その場合には、例えば、以下のようにして層間絶縁膜２２Ｄを形成することができる。
【００８３】
まず、金属配線層２３，２４を含む表面上に、感光性を有しない絶縁性樹脂層を成膜したのち、プリベークする。次に、プリベークした絶縁性樹脂層の表面全体に渡ってポジ型のレジスト層を成膜したのち、各金属配線層２３の端部２３Ａと、各金属配線層２４の両端部とに対応する部分を露光する。次に、例えばＴＭＡＨ水溶液（水酸化アンモニウム）等の強アルカリ液を用いてポジ型のレジスト層を現像したのち、例えば現像に用いたエッチャントを用いて、現像により形成されたレジスト層の開口部を介して絶縁性樹脂層をエッチングする。このとき、絶縁性樹脂層のエッチング量を微調整することにより、エッチングした箇所に故意に残膜を発生させることが可能である。これにより、図１２、図１３（Ａ），（Ｂ）に示したように、各金属配線層２３の端部２３Ａと、各金属配線層２４の両端部とに対応する部分に感光性樹脂の残膜２２Ｅを有する層間絶縁膜２２Ｄを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置の断面構成図である。
【図２】図１の半導体装置のＡ−Ａ矢視方向の断面構成図である。
【図３】図１の半導体装置のＢ−Ｂ，Ｃ−Ｃ矢視方向の断面構成図である。
【図４】図１の半導体装置の製造方法について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図５】図４の半導体ウェハの断面構成図である。
【図６】図４に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図７】図６の半導体ウェハの断面構成図である。
【図８】図６に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図９】図８の半導体ウェハの断面構成図である。
【図１０】ポジ型の樹脂における残膜率と露光量との関係図である。
【図１１】ネガ型の樹脂における残膜率と露光量との関係図である。
【図１２】図８に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図１３】図１２の半導体ウェハの断面構成図である。
【図１４】図１２に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図１５】図１４の半導体ウェハの断面構成図である。
【図１６】図１４に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図１７】図１６の半導体ウェハの断面構成図である。
【図１８】図１６に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図１９】図１８の半導体ウェハの断面構成図である。
【図２０】図１８に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図２１】図２０の半導体ウェハの断面構成図である。
【図２２】図２０に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図２３】図２２の半導体ウェハの断面構成図である。
【図２４】従来の半導体装置の製造方法について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図２５】図１の半導体ウェハの断面構成図である。
【図２６】図２４に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図２７】図２６の半導体ウェハの断面構成図である。
【図２８】図２６に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図２９】図２８の半導体ウェハの断面構成図である。
【図３０】図２８に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図３１】図３０の半導体ウェハの断面構成図である。
【図３２】図３０に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図３３】図３２の半導体ウェハの断面構成図である。
【図３４】図３２に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図３５】図３４の半導体ウェハの断面構成図である。
【図３６】図３４に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図３７】図３６の半導体ウェハの断面構成図である。
【図３８】図３６に続く工程について説明するための半導体ウェハの上面構成図である。
【図３９】図３８の半導体ウェハの断面構成図である。
【図４０】半導体装置内にパーティクルが混入した様子を模式的に表した上面構成図である。
【図４１】図４０の半導体装置の断面構成図である。
【符号の説明】
【００８５】
１…半導体装置、１０…半導体基板、１０Ａ…半導体ウェハ、１１…シリコン基板、１２，２１，２２…層間絶縁膜、１３…パッシベーション層、１４…電極パッド、２０…多層配線構造、２３，２４，２５…金属配線層、２６…外部電極端子、２６Ａ…ランド部、２６Ｂ…柱状電極部、２６Ｃ…バンプ部、２７…封止層。２８…絶縁膜、Ｐ…パーティクル。
【図１】
2009060020.tif 000003
【図２】
2009060020.tif 000004
【図３】
2009060020.tif 000005
【図４】
2009060020.tif 000006
【図５】
2009060020.tif 000007
【図６】
2009060020.tif 000008
【図７】
2009060020.tif 000009
【図８】
2009060020.tif 000010
【図９】
2009060020.tif 000011
【図１０】
2009060020.tif 000012
【図１１】
2009060020.tif 000013
【図１２】
2009060020.tif 000014
【図１３】
2009060020.tif 000015
【図１４】
2009060020.tif 000016
【図１５】
2009060020.tif 000017
【図１６】
2009060020.tif 000018
【図１７】
2009060020.tif 000019
【図１８】
2009060020.tif 000020
【図１９】
2009060020.tif 000021
【図２０】
2009060020.tif 000022
【図２１】
2009060020.tif 000023
【図２２】
2009060020.tif 000024
【図２３】
2009060020.tif 000025
【図２４】
2009060020.tif 000026
【図２５】
2009060020.tif 000027
【図２６】
2009060020.tif 000028
【図２７】
2009060020.tif 000029
【図２８】
2009060020.tif 000030
【図２９】
2009060020.tif 000031
【図３０】
2009060020.tif 000032
【図３１】
2009060020.tif 000033
【図３２】
2009060020.tif 000034
【図３３】
2009060020.tif 000035
【図３４】
2009060020.tif 000036
【図３５】
2009060020.tif 000037
【図３６】
2009060020.tif 000038
【図３７】
2009060020.tif 000039
【図３８】
2009060020.tif 000040
【図３９】
2009060020.tif 000041
【図４０】
2009060020.tif 000042
【図４１】
2009060020.tif 000043