(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを効率よくヒートシンクに接合することができる光デバイスの製造方法。【解決手段】基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って切断することにより分割溝を形成し光デバイス層を個々の光デバイスに分割する工程と、ストリートに対応する区画壁によって区画された複数の収容室を備えたヒートシンク配置治具の複数の収容室にヒートシンクを表面を上側にして収容する工程と、光デバイス層の表面とヒートシンク配置治具に収容された複数のヒートシンクの表面とをストリートと区画壁を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、光デバイス層に複数のヒートシンクが接合された光デバイスウエーハの基板を光デバイス層から剥離する工程とを含む。【選択図】図７
2009239042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法であって、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層を該ストリートに沿って切断することにより分割溝を形成し、該光デバイス層を個々の光デバイスに分割するデバイス層切断工程と、
該ストリートに対応する区画壁によって区画された複数の収容室を備えたヒートシンク配置治具の該複数の収容室にそれぞれ該光デバイスの大きさに相当するヒートシンクを表面を上側にして収容するヒートシンク配置工程と、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層の表面と該ヒートシンク配置治具の該複数の収容室に収容された該複数のヒートシンクの表面とを該ストリートと該ヒートシンク配置治具の区画壁を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、
該光デバイス層に該複数のヒートシンクが接合された該光デバイスウエーハの該基板を該光デバイス層から剥離する基板剥離工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光デバイスの製造工程においては、サファイヤ基板や炭化珪素基板等の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等の光デバイス層によって複数の光デバイスが形成される。このように光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割することによって個々の光デバイスを製造する。
【０００３】
光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、光デバイスウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特許第４４９２０１号公報
【０００４】
一方、光デバイスは発熱することから、放熱するためにヒートシンク部材に接合される。（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特開昭６０−９２６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、光デバイスは例えば一辺が０．３mm角に形成されており、このように小さい光デバイスに個々のヒートシンクを接合するには手間がかかり、生産性が悪いという問題がある。
また、サファイヤ等の基板の表面に形成される光デバイス層の厚みは１〜５μmであり、光デバイス層が形成された後にサファイヤ等の基板を除去することは著しく強度の低下を招くことから、光デバイス層はサファイヤ等の基板とともに分割され基板に装着された状態で光デバイスを構成するために、光デバイスの輝度が低下するという問題がある。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、光デバイス層のみからなる光デバイスにヒートシンクを効率よく接合することができる光デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層によって複数の光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するとともに、各光デバイスにヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法であって、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層を該ストリートに沿って切断することにより分割溝を形成し、該光デバイス層を個々の光デバイスに分割するデバイス層切断工程と、
該ストリートに対応する区画壁によって区画された複数の収容室を備えたヒートシンク配置治具の該複数の収容室にそれぞれ該光デバイスの大きさに相当するヒートシンクを表面を上側にして収容するヒートシンク配置工程と、
該光デバイスウエーハの該光デバイス層の表面と該ヒートシンク配置治具の該複数の収容室に収容された該複数のヒートシンクの表面とを該ストリートと該ヒートシンク配置治具の区画壁を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、
該光デバイス層に該複数のヒートシンクが接合された該光デバイスウエーハの該基板を該光デバイス層から剥離する基板剥離工程と、を含む、
ことを特徴とする光デバイスの製造方法が提供される。
【０００８】
上記ヒートシンクは銅によって形成され裏面に磁性材が装着され、上記ヒートシンク配置治具の該複数の収容室の底面には永久磁石が装着されており、上記ヒートシンク配置工程において複数の収容室に収容されるヒートシンクは磁性材が装着された裏面が該永久磁石に吸引されることが望ましい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明による光デバイスの製造方法は、光デバイスウエーハの光デバイス層をストリートに沿って切断することにより分割溝を形成し、光デバイス層を個々の光デバイスに分割するデバイス層切断工程と、光デバイス層に形成されたストリートに対応する区画壁によって区画された複数の収容室を備えたヒートシンク配置治具の複数の収容室にそれぞれ光デバイスの大きさに相当するヒートシンクを表面を上側にして収容するヒートシンク配置工程と、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面とヒートシンク配置治具の該複数の収容室に収容された複数のヒートシンクの表面とをストリートとヒートシンク配置治具の区画壁を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程と、光デバイス層に複数のヒートシンクが接合された光デバイスウエーハの基板を光デバイス層から剥離する基板剥離工程とからなっているので、ヒートシンク材に接合され基板が剥離されて除去された個々の光りデバイスを得ることができる。従って、光デバイスウエーハにおいて基板の表面に光デバイス層が形成された後には機能上不要となる基板が剥離されて除去されているので、デバイス自体がコンパクトで且つ機能的となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明による光デバイスの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ２は、サファイヤからなる基板２１の表面に窒化ガリウム（GaN）等からなる複数の光デバイス２２を形成する光デバイス層２３が形成されている。そして、光デバイス層２３の表面２３aには各光デバイス２２を区画する格子状のストリート２４が形成されている。また、光デバイスウエーハ２の外周部には、サファイヤ基板２１の結晶方位を表すノッチ２０が形成されている。
【００１１】
以下、上記光デバイスウエーハ２を複数の光デバイス２２を区画するストリート２４に沿って分割するとともに、各光デバイス２２にヒートシンクを接合する光デバイスの製造方法について説明する。
先ず、光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３をストリート２４に沿って切断することにより分割溝を形成し、該光デバイス層２３を個々の光デバイスに分割するデバイス層切断工程を実施する。このデバイス層切断工程は、図２の(a)に示す切削装置３を用いて実施する。図２の(a)に示す切削装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、切削ブレード３２１を備えた切削手段３２と、撮像手段３３を具備している。撮像手段３３は、被加工物を照明する照明手段と、該照明手段によって照明された領域を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた像を撮像する撮像素子（ＣＣＤ）等を備え、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。また、切削装置３は、チャックテーブル３１を矢印Xで示す切削送り方向に移動せしめる切削送り手段や切削手段３２を切削送り方向Xと直交する矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめる割り出し送り手段および切削手段３２を矢印Zで示す切り込み送り方向に移動せしめる切り込み送り手段を備えており、これらは図示しない制御手段によって制御されるようになっている。
【００１２】
図２の(a)に示す切削装置３を用いて上記デバイス層切断工程を実施するには、切削ブレード３２１として脆性材料の切削に適した例えばダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固めた切削ブレードを用いる。そして、図２の(a)に示すようにチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２の基板２１の裏面を載置し、図示しない吸引手段を作動することによりチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２を吸引保持する。従って、光デバイスウエーハ２は光デバイス層２３が上側となる。このようにして、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。
【００１３】
チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって光デバイス層２３を切断すべき切削領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、光デバイス層２３の表面に所定方向に形成されているストリート２４と、切削ブレード３２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、光デバイス層２３の表面に形成されている上記所定方向に対して直交する方向に延びるストリート２４に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。
【００１４】
以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持された光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２３の切削領域のアライメントが行われたならば、チャックテーブル３１を切削領域の切削開始位置に移動する。このとき、図２の(b)に示すように光デバイスウエーハ２は、光デバイス層２３に形成されたストリート２４の一端（図２の(b)において左端）が切削ブレード３２１の直下より所定量右側に位置するように位置付けられる。そして、切削ブレード３２１を図２の(b)において２点鎖線で示す待機位置から図示しない切り込み送り機構によって図２の(b)において実線で示すように下方に所定量切り込み送りする。この切り込み送り位置は、切削ブレード３２１の外周縁が光デバイスウエーハ２の基板２１の表面に達する深さ位置に設定されている。
【００１５】
上述したように切削ブレード３２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード３２１を図２の(b)において矢印３２１aで示す方向に例えば４００００ｒｐｍの回転速度で回転しつつ、チャックテーブル３１を図２の(b)において矢印Ｘ１で示す方向に例えば５０ｍｍ／秒の切削送り速度で移動せしめる。そして、チャックテーブル３１に保持された光デバイスウエーハ２の右端が切削ブレード３２１の直下を通過したらチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、図２の（c）に示すように光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２３にはストリート２４に沿って分割溝２５が形成され、光デバイス層２３は分割溝２５によって切断される。このデバイス層切断工程を光デバイスウエーハ２に形成された全てのストリート２４に沿って実施することにより、光デバイス層２３は分割溝２５によって個々の光デバイスに分割される。
【００１６】
なお、上記デバイス層切断工程は、光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２３のストリート２４に沿ってレーザー光線を照射することにより、光デバイスウエーハ２を構成する光デバイス層２３をストリート２４に沿って切断し、個々の光デバイス２２に分割してもよい。
【００１７】
また、本発明による光デバイスの製造方法においては、図３に示すヒートシンク４を複数個用意する。このヒートシンク４は銅等の熱伝導率の高い金属材料によって上記光デバイス２２の大きさに相当する直方体状に形成されており、表面に金等の接合金属を蒸着した接合金属層５が形成されているとともに、裏面にはニッケル等の磁性材６が装着されている。
【００１８】
更に、本発明による光デバイスの製造方法においては、図４の(a)および(b)に示すヒートシンク配置治具７を用意する。このヒートシンク配置治具７は、上記光デバイスウエーハ２に対応する大きさを有しストリート２４と対応する区画壁７１によって区画された複数の収容室７２を備えている。従って複数の収容室７２は、上記ヒートシンク４を収容することができる大きさに形成される。なお、複数の収容室７２の深さは、上記ヒートシンク４の厚みより小さい値に設定されている。また、図示の実施形態におけるヒートシンク配置治具７は、図４の(b)に示すように複数の収容室７２の底面に７２１にそれぞれ永久磁石７３が装着されている。また、ヒートシンク配置治具７の外周面には、上記光デバイスウエーハ２の外周部に形成されたノッチ２０と対応する合マーク７０が形成されている。
【００１９】
上記複数個のヒートシンク４とヒートシンク配置治具７を用意したならば、ヒートシンク配置治具７の複数の収容室７２にそれぞれヒートシンク４を表面（接合金属層５が形成されている側）を上側にして収容するヒートシンク配置工程を実施する。このとき、ヒートシンク４の裏面にはニッケル等の磁性材６が装着されており、またヒートシンク配置治具７の複数の収容室７２の底面には７２１には永久磁石７３が装着されているので、ヒートシンク４は磁性材６が装着されている裏面が永久磁石７３に吸着され、図５(a)おとび(b)に示すように接合金属層５が形成されている表面を上側にして収容室７２に収容される。このようにヒートシンク配置治具７の複数の収容室７２に収容された複数のヒートシンク４は、図５の(b)に示すようにヒートシンク配置治具７の区画壁７１の上面より突出した状態で配置される。
【００２０】
上述したヒートシンク配置工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aとヒートシンク配置治具７の複数の収容室７２に収容された複数のヒートシンク４の表面とをストリート２４とヒートシンク配置治具７の区画壁７１を対向して対面させ接合金属層を介して接合するヒートシンク材接合工程を実施する。このヒートシンク接合工程は、図６の(a)に拡大して示すように光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aに金等の接合金属を蒸着してそれぞれ接合金属層５を形成する。そして、図６の（ｂ）および（c）に示すように光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aに形成された接合金属層５と上記ヒートシンク配置治具７に配置された複数のヒートシンク４の表面に形成された接合金属層５とを対面させ圧着することにより光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３の表面２３aに形成された接合金属層５とヒートシンク４の表面に形成された接合金属層５が接合される。このとき、図６の（ｂ）に示すように光デバイスウエーハ２に形成されたノッチ２０とヒートシンク配置治具７の外周面に形成された合マーク７０を合致させることにより、光デバイスウエーハ２の光デバイス層２３に形成されたストリート２４とヒートシンク配置治具７の区画壁７１を対向して対面させることができる。
【００２１】
上述したヒートシンク材接合工程を実施したならば、光デバイス層２３に複数のヒートシンク４が接合された光デバイスウエーハ２の基板２１を光デバイス層２３から剥離する基板剥離工程を実施する。この基板剥離工程は、例えば図７の(a)に示すように上記光デバイスウエーハ２を製造する際に基板２１と光デバイス層２３の間にAlGaN層等からなるリフトオフ層２３０を形成しておき、このリフトオフ層２３０に応力を付与することにより、図７の(b)に示すように基板２１を光デバイス層２３から分離する。このように基板と光デバイス層を分離する基板剥離工程は、例えば特開２０００−１０１１３９号公報に開示されている方法によって実施することができる。この基板剥離工程においては、光デバイス層２３が上記デバイス層切断工程によって個々のデバイス２２に分割されているので、基板２１に対する接合面積が全面ではなく断続的であるため、基板２１の光デバイス層２３からの剥離が容易となる。
【００２２】
上述した基板剥離工程を実施することにより、基板２１を光デバイス層２３から分離すると、光デバイス層２３は上記デバイス層切断工程において個々のデバイス２２に分割されているので、ヒートシンク配置治具７からヒートシンク４が接合された光デバイス２２を取り出すことにより（デバイス取り出し工程）、図８に示すようにヒートシンク４が接合され基板が剥離されて除去された個々のデバイス２２を得ることができる。このようにして製造されるヒートシンク４が接合された個々のデバイス２２は、光デバイスウエーハ２においてサファイヤや炭化珪素からなる基板２１の表面に光デバイス層２３が形成された後には機能上不要となる基板２１が剥離されて除去されているので、デバイス自体がコンパクトで且つ機能的となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】光デバイスウエーハの斜視図および要部拡大断面図。
【図２】本発明による光デバイスの製造方法におけるデバイス層切断工程の説明図。
【図３】本発明による光デバイスの製造方法において用いられるヒートシンクの斜視図。
【図４】図３に示すヒートシンクを複数個収容するヒートシンク配置治具の斜視図。
【図５】本発明による光デバイスの製造方法におけるヒートシンク配置工程の説明図。
【図６】本発明による光デバイスの製造方法におけるヒートシンク材接合工程の説明図。
【図７】本発明による光デバイスの製造方法における基板剥離工程の説明図。
【図８】本発明による光デバイスの製造方法によって製造された光デバイスの斜視図。
【符号の説明】
【００２４】
２：光デバイスウエーハ
２１：基板
２２：光デバイス
２３：光デバイス層
２４：ストリート
２５：分割溝
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
４：ヒートシンク
５：接合金属層
６：磁性材
７：ヒートシンク配置治具
７１：区画壁
７２：収容室
７３：永久磁石
【図１】
2009239042.tif 000003
【図２】
2009239042.tif 000004
【図３】
2009239042.tif 000005
【図４】
2009239042.tif 000006
【図５】
2009239042.tif 000007
【図６】
2009239042.tif 000008
【図７】
2009239042.tif 000009
【図８】
2009239042.tif 000010