(57)【要約】【課題】特別な駆動回路を必要とすることなく圧電素子の消極による劣化を防ぐことができ、安定した液滴吐出することができる液滴吐出ヘッドを提供する。【解決手段】ノズルを有するノズルプレートと、前記ノズルプレートを重ねて、前記ノズルに連通する圧力室を形成する流路基板と、前記圧力室を構成する壁に設けられている圧電素子と、を備えた液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子の分極方向とは逆に流れる電流を抑える整流手段が設けられている。【選択図】図３
2009226676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルを有するノズルプレートと、
前記ノズルプレートを重ねて、前記ノズルに連通する圧力室を形成する流路基板と、
前記圧力室を構成する壁に設けられている圧電素子と、
を備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
前記圧電素子の分極方向とは逆に流れる電流を抑える整流手段が設けられていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
前記流路基板は、ｎ型シリコンからなり、
前記整流手段は、前記壁に形成されたｐ型拡散層と前記ｎ型シリコンと、を接合したものであることを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
前記流路基板は、ｐ型シリコンからなり、
前記整流手段は、前記壁に形成されたｎ型拡散層と前記ｐ型シリコンと、を接合したものであることを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
前記流路基板は、ｎ型シリコン又はｐ型シリコンからなり、
前記整流手段は、前記壁に形成された金属膜と前記ｎ型シリコン又はｐ型シリコンと、を接合したものであることを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小なインク滴を用いて画像を記録する方法として、インクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）のようにノズルから液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドを用いる方法がある。記録ヘッドでは、圧力室の例えば底部の振動板（ダイヤフラムとも称される。）に設けてある圧電素子に電圧を印加することによりダイヤフラムを変形させて圧力室内の液体のインクに圧力を付与する。この圧力の付与により、ノズルから液滴を記録紙等に向けて吐出し、この吐出された液滴が記録紙に付着することによって画像が形成される。
【０００３】
記録紙に画像を形成する場合、圧電素子には、例えば数十ｋＨｚの矩形パルス電圧が印加される。この時、圧電素子の充電又は放電又はその前後に生じる圧電素子の歪みがゼロの状態あるいはゼロの状態を超えて圧縮と伸張の両方を繰り返す場合、圧電素子は、疲労破壊が発生し、電気機械変換特性の素子間のばらつきが著しくなり実用的でなくなってしまう。これに対応するため、圧力室の拡張又は縮小又はその前後の何れかにおいても圧電素子に常に一定方向の歪みを与える機構を備えているインクジェット記録装置がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−２９７７０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の圧電素子を駆動源としたインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッド）においては、ある圧電素子を駆動させると、その駆動による振動が周辺の他の圧電素子に伝わり、この他の圧電素子において圧電効果より電圧を生じる。この生じた電圧の極性は、圧電素子に対して駆動時と同じ極性である場合と逆の極性である場合とが生じる。また、例えば圧電素子の駆動電圧としてパルス電圧を印加すると、圧電素子は伸張した後、急に元に戻るため、元の位置を超えて戻りすぎる（アンダーシュート）場合が生じ、圧電素子自体におけるこの場合も圧電効果より駆動時と逆極性の電圧を生じる。逆極性の電圧が圧電素子に印加された状態となると、圧電素子において消極（減極）が生じアクチュエータとしての機能が低下してしまい、液滴の吐出不良を生じることになる。
【０００５】
こうした消極を抑える方法として、特許文献１に記載されている、圧電素子に常に一定方向の歪みを与えるように、圧電素子に圧電素子の分極電圧と同じ方向のバイアス電圧を常に印加する機構を備える方法ある。
【０００６】
しかしながら、バイアス電圧にパルス電圧を重畳した駆動電圧を圧電素子に印加する駆動回路はその構成が複雑になる。また、バイアス電圧を重畳できる駆動回路を用意する場合、圧電素子を消極させるに至らないように十分なバイアス電圧を印加することが必要である。
【０００７】
しかし、バイアス電圧を十分な値にしようとすると、駆動回路への供給電圧を高くすることが必要となり、また、高電圧に耐えうる駆動回路を構成することが必要となる。このため、駆動回路やこれに電力を供給する電源等が高価になってしまう。また、駆動する記録ヘッドが製品仕様等で想定される所定の期間において吐出機能を十分維持できるようにバイアス電圧の設定値を的確に決める必要がある。上記のような圧電素子による振動が圧電素子自体、また他の圧電素子にどのような振動を生じさせるのかは、記録ヘッドの圧力室の数や構造、振動板の厚み等により異なる。よって、バイアス電圧の設定値を的確に決め、コストと性能のバランスがとれた駆動回路とするためには、例えば実際に駆動する記録ヘッドを用意して多大の時間を費やして駆動試験を行うことが必要となる。
【０００８】
本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、特別な駆動回路を必要とすることなく圧電素子の消極による劣化を防ぐことができ、安定した液滴吐出することができる液滴吐出ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題は、以下の構成により解決される。
【００１０】
１．  ノズルを有するノズルプレートと、
前記ノズルプレートを重ねて、前記ノズルに連通する圧力室を形成する流路基板と、
前記圧力室を構成する壁に設けられている圧電素子と、
を備えた液滴吐出ヘッドにおいて、
前記圧電素子の分極方向とは逆に流れる電流を抑える整流手段が設けられていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【００１１】
２．  前記流路基板は、ｎ型シリコンからなり、
前記整流手段は、前記壁に形成されたｐ型拡散層と前記ｎ型シリコンと、を接合したものであることを特徴とする１に記載の液滴吐出ヘッド。
【００１２】
３．  前記流路基板は、ｐ型シリコンからなり、
前記整流手段は、前記壁に形成されたｎ型拡散層と前記ｐ型シリコンと、を接合したものであることを特徴とする１に記載の液滴吐出ヘッド。
【００１３】
４．  前記流路基板は、ｎ型シリコン又はｐ型シリコンからなり、
前記整流手段は、前記壁に形成された金属膜と前記ｎ型シリコン又はｐ型シリコンと、を接合したものであることを特徴とする１に記載の液滴吐出ヘッド。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の液滴吐出ヘッドによれば、特別な駆動回路を必要とすることなく圧電素子の消極による劣化を防ぐことができ、安定した液滴吐出をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明に係わる実施の形態のインクジェット式記録ヘッドの一例に基づいて詳細に説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。尚、各実施形態の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複の説明を適宜省略する。
【００１６】
図１はインクジェット式記録ヘッド（以下、記録ヘッドと称する。）Ａを構成している、ノズルプレート１、流路基板２、圧電素子３を模式的に表している。
【００１７】
ノズルプレート１には、インク吐出のためのノズル１１を複数配列してある。また、流路基板２には、ノズルプレート１を貼り合わせることで、圧力室となる圧力室溝２４、インク供給路となるインク供給路溝２３及び共通インク室となる共通インク室溝２２、並びにインク供給口２１が形成されている。
【００１８】
ノズルプレート１のノズル１１と流路基板２の圧力室溝２４とが一対一で対応するようにノズルプレート１と流路基板２とを貼り合わせることで流路ユニットＭを形成する。ここで、以後、上記で説明に使用した圧力室溝、供給路溝、共通インク室溝の各符号はそれぞれ圧力室、供給路、共通インク室にも使用する。
【００１９】
図２は、この記録ヘッドＡにおけるノズルプレート１のＹ−Ｙ’、及び流路基板２のＸ−Ｘ’の位置での断面を模式的に示している。記録ヘッドＡには、インク吐出用アクチュエータとして圧電素子３を流路基板２のノズルプレート１を接着する面と反対側の各圧力室２４を構成する壁の一部である底部２５の背面に接着してある。底部２５は、圧電素子３の振動を圧力室内のインクに振動を伝える振動板（ダイヤフラムとも称す。）として機能する。
【００２０】
記録ヘッドＡの各圧電素子３に駆動パルス電圧が印加され、圧電素子３が変形変位することで発生する振動が圧力室２４の底部２５に伝えられ、この底部２５の振動により圧力室２４内の圧力を変動させることでノズル１１からインク滴を吐出させる。
【００２１】
流路基板２において、基体はｎ型シリコンであり、ノズルプレート１が設けられる面に対向する対向面側の底面部はｎ型シリコンに硼素（Ｂ）等のｐ型不純物が拡散されｐ型拡散層２ａ（図２中の斜線部）が形成されている。このため、流路基板２においては、基体のｎ型シリコンと底部２５のｐ型拡散層２ａとにより整流作用を備えるｐｎ型接合が構成されている。
【００２２】
図３は、図１に示す記録ヘッドＡにおけるノズルプレート１のＷ−Ｗ’、及び流路基板２のＺ−Ｚ’の位置で隣接する２つの圧電素子３１、３２が設けてある圧力室溝２４１、２４２の底部２５１、２５２の周辺断面を模式的に示し、圧電素子３１、３２を駆動する駆動回路部５０を示している。圧電素子３１、３２は、それぞれの両面に電極３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂが設けてある。それぞれ一方の電極３１ａ、３２ａは電気的接続が可能な導電性接着剤等により、流路基板２の底部２５１、２５２のノズルプレート１が設けられている面に対向する面に固定されている。圧電素子３１、３２の電極３１ａ、３２ａは、流路基板２の底部２５１、２５２の外側に物理的に固定されることにより、整流作用を備えるｐｎ接合を構成するｐ型拡散層２ａに電気的に接続されることになる。
【００２３】
駆動回路部５０は、圧電素子３１、３２を駆動するための矩形状のパルス電圧を出力する。圧電素子３１、３２にパルス電圧を印加する際の一方の配線は共通線ＣＬとして流路基板２の基体に接続し、他方の配線ＡＬ１、ＡＬ２は圧電素子３１、３２個々の電極３１ｂ、３２ｂに接続される。
【００２４】
圧電素子３１、３２は、底部２５１、２５２に固定される電極３１ａ、３２ａをマイナス、反対側の電極３１ｂ、３２ｂをプラスとし予め分極処理されており、圧電素子３１、３２を変形駆動させるためには、分極する際と同じ極性の電圧を印加する。このため、上述の通り配線した状態で、駆動回路部５０は、共通線ＣＬをＧＮＤとして、プラスのパルス電圧を配線ＡＬ１、ＡＬ２を介して各圧電素子３１、３２の電極３１ｂ、３２ｂに印加することによって圧電素子３１、３２を駆動する。
【００２５】
駆動回路部５０より、パルス電圧が出力されると、流路基板２の底面部に設けられているｐｎ接合に対して順方向のプラス電圧が印加され、プラス電圧が印加された圧電素子３１、３２は、ｐｎ接合が設けられていない場合と同様に変形することができる。
【００２６】
ここで、例えば圧電素子３１が駆動され、圧電素子３２が駆動されない場合の底面部に設けられているｐｎ接合に関して以下に説明する。圧電素子３１が駆動されると、底部２５１が振動するが、この振動は液滴の吐出に至らない範囲内で駆動されていない隣接している底部２５２に伝達される。底部２５２に伝達された振動により圧電素子３２は振動し変形が生じるため、圧電素子３２においては圧電効果により電圧を生じる。
【００２７】
圧電素子３２に生じる電圧の極性は、圧電素子３２に加わる振動によるため交互に入れ替わり、電極３２ａがプラス、電極３２ｂがマイナスとなる場合が含まれ、この場合は圧電素子３２に対して消極を生じる極性である。しかしながら、圧電素子３２の電極３２ａが固定されているｐ型拡散層２ａと基体のｎ型シリコンとで構成されているｐｎ接合からすると、上述の消極を生じる電圧の極性は逆方向となり電流が流れ難いため、圧電素子３２に対する消極は十分に抑えられることができる。従って、圧電素子３２に常に一定方向の歪みを与えるバイアス電圧を与えるといった消極を生じさせない特別な機能を駆動回路部５０に持たせることなく、圧電素子３２の消極による劣化を防ぐことができ、安定した液滴吐出することができる。
【００２８】
上記では、駆動されている圧電素子の振動が他の駆動されていない圧電素子に圧電効果を生じさせる場合を説明したが、駆動されている圧電素子自体の場合も同様である。例えば、パルス電圧が印加されて液滴吐出のため圧力室が狭くなるように変形させた圧電素子が、パルス電圧が０に戻ると、圧電素子の変形状態が元に戻る。この時、戻る勢いで、元の位置を超えて戻りすぎ（アンダーシュート）を生じてしまう場合が生じて、電極３２ａがプラス、電極３２ｂがマイナスとする消極を生じる極性の電圧を生じる。しかし、この場合も上記と同様に、ｐｎ接合による整流作用のため、消極を生じる電圧の極性は電流が流れ難い逆方向となるため、圧電素子に対する消極は十分に抑えられることができる。従って、圧電素子３２に常に一定方向の歪みを与えるバイアス電圧を与えるといった消極を生じさせない特別な機能を駆動回路部５０に持たせることなく、圧電素子３２の消極による劣化を防ぐことができ、安定した液滴吐出することができる。
【００２９】
これまで説明した流路基板２のｐｎ接合としては、流路基板２の基体をｎ型シリコンとし、底面部にｐ型拡散層２ａを設けた構成としたが、流路基板２の基体をｐ型シリコンとし、底面部にｎ型拡散層を設けた構成としてもよい。この場合、圧電素子の分極の極性、及び圧電素子に印加する駆動電圧の極性は逆となる。
【００３０】
また、図３に示したｐ型拡散層２ａは、流路基板２の圧力室溝２４１、２４２の底の外側全面に設けてあるが、図４に示すように、圧電素子３１、３２が固定される位置それぞれにｐ型拡散層２ｂ１、２ｂ２を島状に設けてもよい。
【００３１】
流路基板２に設けた整流手段として、上記のｐｎ型接合の構成に代わりショットキー接合の構成とすることもできる。図５に示すように、流路基板２の基体はｎ型若しくはｐ型シリコンで、底面部に金属膜２ｃを設け、これによりショットキー接合が構成され、上述した内容と同じ効果を得ることができる。尚、底面部に設けた金属膜２ｃは、圧電素子３を固定する上での電極を兼ねることができる。また、金属膜２ｃは、図４で示したように、圧電素子３１、３２が固定される位置それぞれにｐ型拡散層２ｂ１、２ｂ２に代わり金属膜を島状に設けてもよい。
【００３２】
これまで説明した整流手段が設けられた流路基板２は、公知の技術により製造することができる。流路基板２の底面部にｐｎ型接合を設ける場合は、例えば以下がある。例えば、ｎ型シリコン基板の一方の面にＢＦ3ガスを用いて硼素（Ｂ）をイオン注入した後、熱処理による拡散を行いｐ型拡散層を形成しｐｎ接合を構成する。このｐｎ接合を形成したシリコン基板を用いて公知の技術により流路基板２を製造する。例えば、ｐｎ接合が形成されていない面において、公知のフォトリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像）及びエッチング法を用いて、図１に示すように、個々のノズル１１にそれぞれ連通する複数の圧力室となる圧力室溝２４、圧力室にそれぞれ連通する複数のインク供給路となるインク供給路溝２３、インク供給路に連通する共通インク室となる共通インク室溝２２、及びインク供給口２１等を形成する。上記のエッチング法としては、異方性ドライエッチング法を用いることが好ましい。
【００３３】
ｐ型シリコン基板の場合は、例えばＰＦ3ガスあるいはＡｓＨ3ガスを用いてリン（Ｐ）又はヒ素（Ａｓ）をイオン注入した後、熱処理を行うことによりｎ型拡散層を形成しｐｎ接合を構成する。以降は、上述と同じく公知のフォトリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像）及びエッチング法を用いて流路基板２を製造する。
【００３４】
例えば図３、図４に示す流路基板２の底部２５においては、不純物が拡散されていない厚み方向の部分がある方が好ましい。底部２５に不純物が拡散されていない部分があると、ｐｎ接合面が広くなり整流がより効果的となる。底部２５がダイヤフラムとして機能することから、その厚みが例えば１０μｍから４０μｍ程度とすると、不純物が拡散されていない部分の厚みは、少なくとも数μｍ、好ましくは５μｍ以上とするのが好ましい。
【００３５】
流路基板２の底面部にショットキー接合を設ける場合は、例えば以下がある。上述のｐｎ接合の場合と順序を入れ替え、例えば、ｎ型シリコン基板を用いて、最初に公知のフォトリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像）及びエッチング法を用いて流路基板２を製造する。具体的な内容は上記と同じであるので省略する。この後、スパッタリング法により金属膜として例えば白金薄膜を形成した後、熱処理により拡散を行うことによりショットキー接合を形成することができる。
【００３６】
白金薄膜の厚みは、ダイヤフラムとして機能する底部２５の厚みと合わせて上記と同じく１０μｍから４０μｍ程度とすればよいが、膜応力の関係から０．５μｍから１μｍの範囲が好ましい。
【００３７】
上記の例では、ｎ型シリコン基板にショットキー接合を形成する金属として白金を使用したが、これに限定されることはなく良好なショットキー接合を形成できれば、金等の他の金属であってもよいし、例えば金シリサイド等のこれら金属の金属珪素化合物（シリサイド）であってもよい。また、ｎ型シリコン基板の代わりにｐ型シリコン基板を用いる場合も上記と同様の金属を使用することができる。
【００３８】
所望の特性のショットキー接合を得るには、例えば金属の種類、半導体の種類や不純物の型、濃度、これら材料の組み合わせを適切に行う必要がある。一般的には、ｎ型シリコンの場合、金属の仕事関数φｍがシリコンの仕事関数φｓより大きければよく、ｐ型シリコンの場合は、逆にシリコンの仕事関数φｓが金属の仕事関数φｍより大きければよく、これらを参考に実験等により適宜選択すればよい。
【実施例】
【００３９】
（実施例１）
ｎ型シリコン基板の一方の面にイオン注入技術を用いて硼素（Ｂ）をｐ型不純物として注入した後、熱処理を行いｐ型拡散層を設けてｐｎ接合を構成した。次に、このｐ型拡散層の設けてない他方の面において、フォトリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像）及びドライエッチング法を用いて圧力室溝等を形成して図１に示すような流路基板２を得た。この後、別途製造したノズルプレート１と圧電素子３を貼り付けて図１に示すような液滴吐出ヘッドＡ１を製造した。ノズル数は３２個とした。
【００４０】
ダイヤフラムである底部２５の厚みは、１５μｍとし、使用した圧電素子３の厚みは５０μｍ、圧電定数ｄ31は、３００とした。圧電素子３の分極の極性は、後述の駆動電圧のプラス側で行っている。
【００４１】
液滴吐出ヘッドＡ１の全ての圧電素子３に図６に示す駆動電圧Ｖ（振幅電圧：３５Ｖ、周波数：３０ｋＨｚ）を同時に印加して、３２個の圧電素子内の中央部２つの何れかの圧電素子３の中央部の振動幅を測定した。振幅幅の測定には、ＬＡＳＥＲ  ＶＩＢＲＯＭＥＴＥＲ（型式ＡＴ３５００  ＧＲＡＰＴＥＣ社）を使用した。整流の効果の確認を容易にするため、駆動電圧Ｖとしてプラス電圧のみでなくプラス・マイナスの交番電圧（±３５Ｖ）を印加している。駆動開始１０秒後の振幅を１００と正規化して、所定の時間経過した毎の振動幅を測定し、この測定結果を表１に示す。
【００４２】
尚、駆動開始直後の圧電素子３の振動幅（Ｐ−Ｐ）は約３μｍであり、この振動幅は、以降の実施例２〜４、比較例１、２のいずれにおいてもほぼ同じであった。
（実施例２）
ｎ型シリコン基板を用いて、フォトリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像）及びドライエッチング法を用いて圧力室溝等を形成して図１に示すような流路基板２を得た。この後、流路基板２の圧力室溝を形成した反対面にスパッタリング技術を用いて金薄膜を１μｍ設けた後熱処理を行いショットキー接合を設けた。この後、別途製造したノズルプレート１と圧電素子を貼り付けて図１に示すような液滴吐出ヘッドＡ２を製造した。
【００４３】
ダイヤフラムである底部２５の厚みは、金薄膜の厚みを合わせて１５μｍとし、使用した圧電素子の厚みは５０μｍ、圧電定数ｄ31は、３００とした。圧電素子３の分極の極性は、実施例１と同じである。
【００４４】
以下、実施例１と同じく、液滴吐出ヘッドＡ２を用いて、圧電素子３の振動幅を測定し、この測定結果を表１に示す。
（比較例１）
ｎ型シリコン基板を用いて、フォトリソグラフィー技術（レジスト塗布、露光、現像）及びドライエッチング法を用いて図１に示すような流路基板２を形成した。この後、別途製造したノズルプレート１と圧電素子３を貼り付けて液滴吐出ヘッドＢを製造した。
【００４５】
ダイヤフラムである底部２５の厚みは、１５μｍとし、使用した圧電素子３の厚みは５０μｍ、圧電定数ｄ31は、３００とした。圧電素子３の分極の極性は、実施例１と同じである。
【００４６】
以下、実施例１と同じく、液滴吐出ヘッドＢを用いて、圧電素子３の振動幅を測定し、この測定結果を表１に示す。
【００４７】
更に、上記の実施例１、実施例２及び比較例１と同じ液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２及びＢを用意し、圧電素子３に図７に示す駆動電圧Ｖ（振幅電圧：３５Ｖ、周波数：３０ｋＨｚ）を印加して、他は実施例１と同じとして圧電素子３の振動幅を測定した。駆動電圧Ｖは、図７に示すように、０Ｖ〜３５Ｖとしてマイナス電圧を印加しないようにした。
【００４８】
駆動開始１０秒後の振幅を１００と正規化して、所定の時間経過した毎の振動幅を測定し、この測定結果を、液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２及びＢに対応させて、それぞれ実施例３、実施例４及び比較例２として表２に示す。
【００４９】
尚、これまでとは別に、図７に示す駆動電圧Ｖにバイアスとして直流電圧＋２Ｖを重畳させて、駆動電圧を０Ｖ〜３７Ｖ（振幅電圧：３５Ｖ）として、上記と同じ液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２及びＢを用いて、駆動電圧以外は、実施例１と同じく圧電素子３の振動幅を測定したが、液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２及びＢの何れにおいても、表１に示す例えば実施例１と同様に振動幅の劣化は認められなかった。
【００５０】
【表１】
2009226676.tif 000003
【００５１】
【表２】
2009226676.tif 000004
【００５２】
表１に示す通り、流路基板２にｐｎ接合、ショットキー接合が設けられている実施例１、２の液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２においては、圧電素子は劣化することなく安定して動作することが確認できた。一方、従来の整流手段が設けられていない比較例１の液滴吐出ヘッドＢにおいては、圧電素子が次第に劣化し動作できなくなった。
【００５３】
また、表２に示す通り、流路基板２にｐｎ接合、ショットキー接合が設けられている実施例３、４の液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２においては、圧電素子は劣化することなく安定して動作することが確認できた。一方、従来の整流手段が設けられていない比較例２の液滴吐出ヘッドＢにおいては、圧電素子が次第に劣化し十分な動作ができなくなった。
【００５４】
これらの結果より、液滴吐出ヘッドＡ１、Ａ２に応じた圧電素子の消極を抑えるための駆動電圧にバイアス電圧を設けるとする特別な駆動回路を設けることなく、流路基板２に設けられたｐｎ接合、ショットキー接合による整流の効果により、安定した液滴吐出することができることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】インクジェット式記録ヘッドの一例を示す分解斜視図である。
【図２】インクジェット式記録ヘッドの断面図を示す図である。
【図３】圧電素子が設けてある流路基板の圧力室の周辺の断面と圧電素子の駆動回路部の一例を示す図である。
【図４】圧電素子が設けてある流路基板の圧力室の周辺の断面と圧電素子の駆動回路部の一例を示す図である。
【図５】圧電素子が設けてある流路基板の圧力室の周辺の断面と圧電素子の駆動回路部の一例を示す図である。
【図６】実施例にて圧電素子に印加する電圧波形を示す図である。
【図７】実施例にて圧電素子に印加する電圧波形を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
Ａ  記録ヘッド
１  ノズルプレート
２  流路基板
２ａ、２ｂ１、２ｂ２  ｐ型拡散層
２ｃ  金属膜
３、３１、３２  圧電素子
３１ａ、３１ｂ、３２ａ、３２ｂ  電極
１１  ノズル
２１  インク供給口
２２  共通インク室（溝）
２３  インク供給路（溝）
２４、２４１、２４２  圧力室（溝）
２５、２５１、２５２  底部
５０  駆動回路部
Ｍ  流路ユニット
ＣＬ  共通線
ＡＬ１、ＡＬ２  配線
【図１】
2009226676.tif 000005
【図２】
2009226676.tif 000006
【図３】
2009226676.tif 000007
【図４】
2009226676.tif 000008
【図５】
2009226676.tif 000009
【図６】
2009226676.tif 000010
【図７】
2009226676.tif 000011