(57)【要約】【課題】複数のセラミック層を積層してなる基板本体の表面に開口するキャビティの底面に発光素子が追って実装され、該発光素子が発する光を上記キャビティの側面および底面の近傍で確実に反射し得る発光素子実装用配線基板を提供する。【解決手段】１０質量％以下のガラス成分を含むセラミック層ｓ１〜ｓ５、あるいはガラス成分を含まないセラミック層ｓ１〜ｓ５を複数積層してなり、表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、該基板本体２ａの表面３に開口し、側面７および底面６を有するキャビティ５と、基板本体２ａを構成する上記複数のセラミック層ｓ１〜ｓ５間に形成され、且つ該基板本体２ａに内蔵される導体層１５〜１７と、を備え、該導体層１５〜１７は、キャビティ５の側面７および底面６から５００μｍ以上(ｄ)離れている、発光素子実装用配線基板１ａ。【選択図】  図１
2009239017.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０質量％以下のガラス成分を含むセラミック層、あるいはガラス成分を含まないセラミック層を複数積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、側面および底面を有するキャビティと、
上記基板本体を構成する上記複数のセラミック層間に形成され、且つ該基板本体に内蔵される導体層と、を備え、
上記導体層は、キャビティの側面および底面の少なくとも一方から５００μｍ以上離れている、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。
【請求項２】
４０〜６０質量％のガラス成分を含む複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し、側面および底面を有するキャビティと、
上記基板本体を構成する上記複数のセラミック層間に形成され、且つ該基板本体に内蔵される導体層と、を備え、
上記導体層は、キャビティの側面および底面の少なくとも一方から８００μｍ以上離れている、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のセラミック層が積層されてなる基板本体に内設するキャビティに発光素子が実装される発光素子実装用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のセラミック層を積層してなる基板本体の表面に開口するキャビティの底面に発光素子が追って実装され、該キャビティの側面に形成したＡｇを含む光反射層によって、上記発光素子が発した光を、効率良く反射して外部に放射するようにした発光素子実装用配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２１６７６４号公報（第１〜１０頁、図１〜８）
【０００４】
しかし、前記特許文献１の発光素子実装用配線基板において、キャビティの底面に露出するセラミック層から基板本体の内部に形成された配線層までの間に位置するセラミック部分の厚みが小さいと、キャビティに実装された発光素子が発する光の一部が、該セラミック部分を透過した後、上記配線層やこれを形成する金属の拡散層に吸収される。その結果、上記光がキャビティ側に反射されないため、反射率が低下する一因となる、という問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、背景技術において説明した問題点を解決し、複数のセラミック層を積層してなる基板本体の表面に開口するキャビティの底面に追って発光素子が実装され、該発光素子が発する光を上記キャビティの側面近傍および底面近傍で確実に反射し得る発光素子実装用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、セラミックが露出するキャビティの底面や側面と、基板本体の内部に形成された導体層との間に位置するセラミック部分の距離を規定する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による第１の発光素子実装用配線基板（請求項１）は、１０質量％以下のガラス成分を含むセラミック層、あるいはガラス成分を含まないセラミック層を複数積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に開口し、側面および底面を有するキャビティと、上記基板本体を構成する上記複数のセラミック層間に形成され、且つ該基板本体に内蔵される導体層と、を備え、該導体層は、キャビティの側面および底面の少なくとも一方から５００μｍ以上離れている、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記キャビティを囲む基板本体が、１０質量％以下のガラス成分を含み且つ気孔が比較的多いセラミック層、あるいはガラス成分を含まず且つ気孔が著しく多いセラミック層を複数積層したもので構成されている。しかも、基板本体に内蔵され且つ上記セラミック層間に形成された導体層と、キャビティの側面および底面の少なくとも一方とが、５００μｍ以上のセラミック部分を挟んで離れている。その結果、追ってキャビティの底面に実装される発光素子が発する光は、キャビティの側面や底面から基板本体を構成する何れかのセラミック層中に進入しても、上記側面および底面の少なくとも一方から５００μｍ未満の位置に透過するまでの間に、殆どが反射され、上記導体層に達しにくくなる。従って、上記発光素子の光を、キャビティの側面および底面の近傍において、高い反射率により反射させ、基板本体の外部に放射させることが可能となる。
【０００８】
尚、前記セラミック層は、セラミック成分を主体とする高温焼成セラミックからなり、隣接するセラミック粒子間に粒径が約１μｍ程度の微小な気孔を含んでいるが、併せてガラス成分を含まないか、ガラス成分の含有量が少ないため、気孔の分布密度が比較的高く、これに応じて光の反射率も高くなる傾向がある。
また、前記導体層とキャビティの側面および底面との間が５００μｍよりも短くなると、キャビティの底面に実装される発光素子から発光された光の一部が、該キャビティの底面や側面を形成する前記セラミック層内に透過した後、前記導体層に吸収されるため、上記光の反射率が約１０％以上低下し得る。かかる反射率の低下を防ぐため、前記距離（間隔）を設定した。望ましい距離は、６００μｍ以上、より望ましくは、７００μｍ以上である。但し、該距離の上限値は、１．５ｍｍ、実用的には、約１ｍｍである。
更に、上記距離は、前記導体層とキャビティの側面および底面の少なくとも一方との間における最短の距離である。
また、前記導体層は、前記セラミック層間に形成されるベタ状の導体層や配線層、あるいは所要のパターンを有する引き回し用の配線層を含む。但し、上記セラミック層を貫通するビア導体や、前記キャビティの底面に形成される電極、および発光素子実装用のパッドと接続される配線層は、上記導体層から除かれる。
加えて、前記導体層は、ＷまたはＭｏ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなり、発光素子の光を吸収し易い傾向を有する。
【０００９】
一方、本発明による第２の発光素子実装用配線基板（請求項２）は、４０〜６０質量％のガラス成分を含む複数のセラミック層を積層してなり、表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の表面に開口し、側面および底面を有するキャビティと、上記基板本体を構成する上記複数のセラミック層間に形成され、且つ該基板本体に内蔵される導体層と、を備え、該導体層は、キャビティの側面および底面の少なくとも一方から８００μｍ以上離れている、ことを特徴とする。
【００１０】
これによれば、前記キャビティを囲む基板本体が、４０〜６０質量％のガラス成分を含み且つ気孔が比較的少ないセラミック層を複数積層したもので構成されている。しかも、基板本体に内蔵され且つ上記セラミック層間に形成された導体層と、キャビティの側面および底面の少なくとも一方とが、８００μｍ以上のセラミック部分を挟んで離れている。その結果、追ってキャビティの底面に実装される発光素子が発する光は、キャビティの側面や底面から基板本体を構成する何れかのセラミック層中に進入しても、上記側面および底面の少なくとも一方から８００μｍ未満の位置に透過するまでの間に、殆どが反射され、上記導体層に達しにくくなる。従って、上記発光素子の光を、キャビティの側面および底面の近傍において、高い反射率により反射させ、基板本体の外部に放射させることが可能となる。
【００１１】
尚、前記セラミック層は、セラミック成分とガラス成分とを４０〜６０質量％乃至６０〜４０質量％の割合で含む低温焼成セラミックからなり、隣接するセラミック粒子間に気孔とガラス成分とが併存しているため、発光素子の光が吸収され易く、これに応じて光の反射率も低くなる傾向がある。
また、前記導体層とキャビティの側面および底面との間が８００μｍよりも短くなると、キャビティの底面に実装される発光素子から発光された光の一部が、該キャビティの底面や側面を形成する前記セラミック層内に透過した後、上記導体層に吸収されるため、上記光の反射率が５％以上低下し得る。かかる反射率の低下を防ぐため、前記距離（間隔）を設定した。望ましい距離は、９００μｍ以上である。但し、該距離の上限値は、１．５ｍｍ、実用的には、約１ｍｍである。
更に、前記距離の定義、および導体層の範囲は、それぞれ前記と同じである。
加えて、前記導体層は、ＡｇまたはＣｕ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなり、該導体層自体、あるいはＡｇやＣｕの拡散層によって、発光素子の光を吸収する傾向を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による第１および第２の発光素子実装用配線基板（以下、単に配線基板と称する）に共通する一形態の配線基板１ａを示す垂直断面図である。
配線基板１ａは、図１に示すように、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ５を積層してなり、平面視がほぼ正方形の表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、該基板本体２ａの表面３に開口し、平面視が円形の底面６および全体が円柱形の側面７を有するキャビティ５と、を備えている。
【００１３】
また、基板本体２ａを構成するセラミック層ｓ１〜ｓ５間には、所定パターンの配線層（導体層）１５〜１７と、キャビティ５の底面６における側面７側に形成された電極１１、およびキャビティ５の底面６の中央部に形成された発光ダイオード（発光素子）１９実装用のパッド１０と接続される一対の配線層１２と、が形成されている。該一対の配線層１２は、セラミック層ｓ３，ｓ４間を通過し、基板本体２ａの外側面に垂直に形成された接続配線１３を介して、基板本体２ａの裏面４に形成された裏面端子電極１４と導通可能とされている。更に、図１に示すように、配線層１２，１５，１６，１７は、セラミック層ｓ２〜ｓ５を貫通するビア導体ｖを介して、相互に導通可能とされている。
【００１４】
本発明による第１の配線基板１ａの場合、基板本体２ａを構成する前記セラミック層ｓ１〜ｓ５は、１０重量％以下のガラス成分を含むか、ガラス成分を含まず、例えば、アルミナを主成分とした高温焼成セラミックからなる。
また、前記パッド１０、電極１１、配線層１２，１５，１６，１７、裏面端子電極１４、および接続配線１３は、ＷまたはＭｏ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。
更に、配線層（導体層）１５，１６，１７は、キャビティ５の底面６および側面７の少なくとも一方から、５００μｍ以上の距離ｄ離れている。該距離ｄは、前記セラミック層ｓ２〜ｓ４のセラミック部分である。
【００１５】
一方、本発明による第２の配線基板１ａの場合、基板本体２ａを構成する前記セラミック層ｓ１〜ｓ５は、４０〜６０重量％のガラス成分を含み、例えば、ガラス−アルミナ（セラミック）の低温焼成セラミックからなる。
また、前記パッド１０、電極１１、配線層１２，１５，１６，１７、裏面端子電極１４、および接続配線１３は、ＡｇまたはＣｕ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。
更に、配線層（導体層）１５，１６，１７は、キャビティ５の底面６および側面７の少なくとも一方から、８００μｍ以上の距離ｄ離れている。該距離ｄは、前記セラミック層ｓ２〜ｓ４のセラミック部分である。
【００１６】
図２は、本発明による第１および第２の配線基板に共通する異なる形態の配線基板１ｂを示す垂直断面図である。
配線基板１ｂは、図２に示すように、複数のセラミック層ｓ１〜ｓ３，ｓ６，ｓ７を積層してなり、平面視がほぼ正方形の表面３および裏面４を有する基板本体２ｂと、該基板本体２ｂの表面３に開口し、平面視が円形の底面６および全体がほぼ逆円錐形の側面９を有するキャビティ８と、を備えている。
また、基板本体２ｂを構成するセラミック層ｓ１〜ｓ３，ｓ６，ｓ７間には、前記同様の配線層（導体層）１５〜１７が形成されている。
【００１７】
更に、セラミック層ｓ３，ｓ４間には、キャビティ８の底面６における側面９側に形成された電極１１、およびキャビティ５の底面６の中央部に形成された発光ダイオード（発光素子）１９実装用のパッド１０と接続される一対の配線層１２、が形成されている。該一対の配線層１２は、セラミック層ｓ３，ｓ４間を通過し、基板本体２ａの外側面に垂直に形成された接続配線１３を介して、基板本体２ａの裏面４に形成された裏面端子電極１４と導通可能とされている。
加えて、図２に示すように、配線層１２，１５，１６，１７は、セラミック層ｓ２，ｓ３，ｓ６を貫通するビア導体ｖを介して、相互に導通可能とされている。
【００１８】
本発明による第１の配線基板１ｂの場合、基板本体２ｂを構成する前記セラミック層ｓ１〜ｓ３，ｓ６，ｓ７は、１０重量％以下のガラス成分を含むか、ガラス成分を含まず、例えば、アルミナを主成分とした高温焼成セラミックからなる。
また、前記パッド１０、電極１１、配線層１２，１５，１６，１７、裏面端子電極１４、および接続配線１３は、ＷまたはＭｏ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。
更に、配線層（導体層）１５，１６，１７は、キャビティ５の底面６および側面７の少なくとも一方から、５００μｍ以上の距離ｄ離れている。該距離ｄは、前記セラミック層ｓ２，ｓ３，ｓ６のセラミック部分である。
【００１９】
一方、本発明による第２の配線基板１ｂの場合、基板本体２ｂを構成する前記セラミック層ｓ１〜ｓ３，ｓ６，ｓ７は、４０〜６０重量％のガラス成分を含み、例えば、ガラス−アルミナ（セラミック）の低温焼成セラミックからなる。
また、前記パッド１０、電極１１、配線層１２，１５，１６，１７、裏面端子電極１４、および接続配線１３は、ＡｇまたはＣｕ、あるいはこれらの一方をベースとする合金からなる。
更に、配線層（導体層）１５，１６，１７は、キャビティ５の底面６および側面７の少なくとも一方から、８００μｍ以上の距離ｄ離れている。該距離ｄは、前記セラミック層ｓ２，ｓ３，ｓ６のセラミック部分である。
【００２０】
以上のような第１の配線基板１ａ，１ｂによれば、基板本体２ａ，２ｂが、１０質量％以下のガラス成分を含み且つ気孔が比較的少ないセラミック層ｓ１〜ｓ７、あるいは、ガラス成分を含まず且つ気孔が極く少ないセラミック層ｓ１〜ｓ７を積層したもので構成されている。しかも、基板本体２ａ，２ｂに内蔵され且つセラミック層ｓ１〜ｓ７間に形成された配線層（導体層）１５〜１７と、キャビティ５，８の側面７，９および底面６の少なくとも一方とが、５００μｍ以上ｄ離れている。その結果、追ってキャビティ５の底面６のパッド１０上に実装される発光ダイオード１９が発する光は、キャビティ５，８の側面７，９や底面６から基板本体２ａ，２ｂ内に進入しても、上記側面７，９および底面６の少なくとも一方から５００μｍ未満の位置に透過するまでの間に、殆どが反射され、配線層１５〜１７に達しにくくなる。従って、発光ダイオード１９の光を、キャビティ５の側面７，９および底面６の近傍において、高い反射率により反射させ、基板本体２ａの外部に放射させることが可能となる。
【００２１】
また、前記のような第２の配線基板１ａ，１ｂによれば、基板本体２ａ，２ｂが、４０〜６０重量％のガラス成分を含み且つ比較的気孔が少ないセラミック層ｓ１〜ｓ７で構成され、基板本体２ａ，２ｂに内蔵され且つセラミック層ｓ１〜ｓ７間に形成された配線層（導体層）１５〜１７と、キャビティ５，８の側面７，９および底面６の少なくとも一方とが、８００μｍ以上ｄ離れている。その結果、追ってキャビティ５，８の底面６のパッド１０上に実装される発光ダイオード１９が発する光は、キャビティ５，８の側面７，９や底面６から基板本体２ａ，２ｂ内に進入しても、上記側面７，９および底面６の少なくとも一方から８００μｍ未満の位置に透過するまでの間に、殆どが反射され、配線層１５〜１７に達しにくくなる。従って、発光ダイオード１９の光を、キャビティ５，８の側面７，９および底面６の近傍において、高い反射率により反射させ、基板本体２ａ，２ｂの外部に放射させることが可能となる。
【００２２】
以下において、前記配線基板１ａの製造方法について説明する。
予め、アルミナ粉末、８．５質量％（１０質量％以下）、あるいは５０質量％（４０〜６０質量％）のガラス成分、所定量の有機バインダ、および溶剤を個別に瓶量し、これらを攪拌して得られたセラミックスラリをドクターブレード法によってシート状に成形することで、図３に示すように、グリーンシートｇ１〜ｇ５を製作した。
次に、追って前記セラミック層ｓ４，ｓ５となるグリーンシートｇ４，ｇ５の中央部に対し、パンチングによる打ち抜き加工を施して、図３に示すように、断面が円形の貫通孔Ｈ１をそれぞれ形成した。また、追って前記セラミックｓ２〜ｓ４となるグリーンシートｇ２〜ｇ４ごとの所定の位置に対し、上記同様の打ち抜き加工を施して、個別にビアホールｈを形成した。
【００２３】
次いで、グリーンシートｇ２〜ｇ４のビアホールｈごとに、図示しないメタルマスクおよびスキージを用いて、Ｗ粉末あるいはＡｇ粉末を含む導電性ペーストを充填することで、図４に示すように、未焼成のビア導体ｖを形成した。
更に、グリーンシートｇ１〜ｇ４の表面および裏面の少なくとも一方に対し、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、未焼成の配線層１２，１５〜１７、パッド１０、電極１１、および裏面端子電極１４を形成した。
この際、図４に示すように、上記配線層１５〜１７は、追ってキャビティ５の底面６となるグリーンシートｇ３の表面または側面７となる貫通孔Ｈ１の内面から、焼成後において少なくとも５００μｍ以上、あるいは８００μｍ以上の距離ｄが離れた位置に形成された。
【００２４】
次に、前記グリーンシートｇ１〜ｇ５を、図４中の矢印で示すように、それらの厚み方向に積層した後、圧着した。
その結果、グリーンシートｇ１〜ｇ５を積層した図示しないグリーンシート積層体が得られた。該積層体の外側面におけるグリーンシートｇ１〜ｇ３に、前記導電性ペーストを塗布して、前記接続配線１３（図示せず）を形成した
次いで、上記グリーンシート積層体を、所定の温度帯で焼成した。その結果、グリーンシートｇ１〜ｇ５は、前記セラミック層ｓ１〜ｓ５となり、且つ前記基板本体２ａとなった。同時に、焼成された配線層１５〜１７は、前記キャビティ５の底面６および側面７の少なくとも一方から５００μｍ以上、あるいは８００μｍ以上離れていた。
【００２５】
そして、上記基板本体２ａを図示しない電解Ｎｉメッキ槽および電解Ａｕメッキ槽に順次浸漬し、且つ基板本体２ａに設けた図示しないメッキ用結線などを用いて外部電極と通電して電解メッキを施した。その結果、キャビティ５の底面６に露出する前記パッド１０，電極１１、および基板本体２ａの裏面４に露出する裏面端子電極１４の表面に、所定厚さのＮｉメッキ層、およびＡｕメッキ層が、順次被覆された。
以上のような各工程を経て、前記図１で示した配線基板１ａを製造した。
【００２６】
次に、前記配線基板１ｂの製造方法の概略について説明する。
予め、前記同様の組成であるグリーンシートｇ１〜ｇ３，ｇ６，ｇ７を製作した。このうち、追って前記セラミック層ｓ６，ｓ７となるグリーンシートｇ６，ｇ７の中央部に対し、パンチとその外径よりも大きな内径の受け入れ孔を有するダイとによる打ち抜き加工を施して、図５に示すようにほぼ逆円錐形の貫通孔Ｈ２，Ｈ３を形成した。尚、該貫通孔Ｈ２，Ｈ３の傾斜角度は同じである。
また、追って前記セラミック層ｓ２，ｓ３，ｓ６となるグリーンシートｇ２，ｇ３，ｇ６ごとの所定の位置に対し、前記同様の打ち抜き加工を施して、個別にビアホールｈを形成した。次いで、該グリーンシートｇ２，ｇ３，ｇ６のビアホールｈごとに、前記同様の導電性ペーストを充填して、図６に示すように、未焼成のビア導体ｖを形成した。
【００２７】
更に、グリーンシートｇ１〜ｇ３，ｇ６の表面および裏面の少なくとも一方に対し、前記同様の導電性ペーストをスクリーン印刷して、未焼成の配線層１２，１５〜１７、パッド１０、電極１１、および裏面端子電極１４を形成した。
この際、図６に示すように、上記配線層１５〜１７は、追ってキャビティ８の底面６または側面９となる貫通孔Ｈ２，Ｈ３の内面から、焼成後において少なくとも５００μｍ以上、あるいは８００μｍ以上の距離ｄが離れた位置に形成した。
これ以降の積層、接続配線１３の形成、焼成、およびＮｉ・Ａｕメッキ工程は、前記と同様に行った。
以上のような各工程を経て、前記図２で示した配線基板１ｂを製造した。
尚、前記配線基板１ａ，１ｂは、多数個取りの方法によっても製造できる。
【実施例】
【００２８】
以下において、前記配線基板１ａの実施例を、比較例と併せて説明する。
図７の断面図に示すように、セラミック層ｓ１〜ｓ３を積層してなり、表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、その表面３に開口し、円形の底面６および円柱形の側面７からなるキャビティ５と、セラミック層ｓ１，ｓ２間に形成した配線層（導体層）１６とを備えた配線基板を、セラミック層ｓ１〜ｓ３の材料組成およびセラミック層ｓ１，ｓ２の厚みをそれぞれ替えて複数個形成した。
尚、上記キャビティ５の直径ａは、３．０ｍｍ、セラミック層ｓ３の厚みｂは、０．５ｍｍ、セラミック層ｓ１，ｓ２の合計厚みｃは、１．５ｍｍ、基板本体２ａの一辺ｅは、３．５ｍｍであった。前記配線層１６には、セラミック層ｓ１〜ｓ３の材料組成に応じて、ＷあるいはＡｇを適用した。
【００２９】
また、複数の前記配線基板は、セラミック層ｓ１〜ｓ３は、ガラス成分を８．５質量％含み残部がアルミナからなる組と、ガラス成分を５０質量％含み残部がほぼアルミナからなる組と、に分けた。
各組ごとに、前記セラミック層ｓ１，ｓ２の厚みを替えて、配線層１６とキャビティ５の底面６との距離ｄを、図８のグラフの横軸に示すように変化させると共に、キャビティ５ごとの底面６中央部に、同じ発光ダイオード（発光素子）１９を同じ条件で通電可能にして実装した。更に、各配線基板ごとのキャビティ５内に、同じ封止樹脂を同じ条件で充填した。
個々の配線基板ごとに、発光ダイオード１９を発光させ、キャビティ５の開口部の上方に配置した光反射率計を用いて、発光された光のうち、セラミック層ｓ１〜ｓ３に透過ないし吸収された光を除き、キャビティ５の開口部側に反射された光の割合（％）を測定した。それらの結果を、図８のグラフに示した。
【００３０】
図８のグラフによれば、ガラス成分を８．５質量％含む組のセラミック層ｓ１〜ｓ３から構成された基板本体２ａの配線基板のうち、配線層１６とキャビティ５の底面６との距離ｄが５００μｍ以上であった実施例の配線基板１ａは、反射率が約７９〜８０％と高くなった。一方、上記距離ｄが５００μｍ未満であった比較例の配線基板は、反射率が約７８％またはこれ以下に留まった。
また、図８のグラフによれば、ガラス成分を５０質量％含む組のセラミック層ｓ１〜ｓ３から構成された基板本体２ａの配線基板のうち、配線層１６とキャビティ５の底面６との距離ｄが８００μｍ以上であった実施例の配線基板１ａは、反射率が約７７％以上と高くなった。一方、上記距離ｄが８００μｍ未満であった比較例の配線基板は、反射率が約７６％またはこれ以下に留まった。
【００３１】
以上のような実施例の配線基板１ａの結果は、セラミック層ｓ１〜ｓ３の材料組成に応じて、配線層１６とキャビティ５の底面６との距離ｄを、５００μｍ以上、あるいは８００μｍ以上確保することで、発光ダイオード１９の光を、セラミック層ｓ２などの内部に透過させず、且つ配線層１６やその付近の拡散層に吸収されずに、キャビティ５の開口部側に多く反射させることができた、ものと推定される。
前記のような実施例の配線基板１ａによって、本発明の効果が裏付けられた。
【００３２】
本発明は、前述した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記キャビティの側面を形成するセラミック層は、１層のみでも、３層以上であっても良い。
また、前記キャビティは、平面視が長円形で且つ全体が長円柱形、平面視が長円形で且つ全体が長円錐形、平面視が楕円形で且つ全体が楕円柱形、あるいは、平面視が楕円形で且つ全体が楕円錐形を呈する形態であっても良い。これらのキャビティを有する配線基板の基板本体の表・裏面は、長方形の形態が望ましい。
更に、前記キャビティの底面には、複数の発光素子を実装するための複数のパッド、およびこれと同数の電極用を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明による一形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図２】本発明の異なる形態の配線基板を示す垂直断面図。
【図３】図１の配線基板の製造工程を示す概略断面図。
【図４】図３に続く製造工程を示す概略断面図。
【図５】図２の配線基板の製造工程を示す概略断面図。
【図６】図５に続く製造工程を示す概略断面図。
【図７】実施例および比較例の配線基板を示す垂直断面図。
【図８】実施例および比較例の配線基板の反射率を示すグラフ。
【符号の説明】
【００３４】
１ａ，１ｂ…配線基板（発光素子実装用配線基板）
２ａ，２ｂ…基板本体
３……………表面
４……………裏面
５，８………キャビティ
６……………底面
７，９………側面
１５〜１７…配線層（導体層）
ｓ１〜ｓ７…セラミック層
ｄ……………距離
【図１】
2009239017.tif 000003
【図２】
2009239017.tif 000004
【図３】
2009239017.tif 000005
【図４】
2009239017.tif 000006
【図５】
2009239017.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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