(57)【要約】【課題】有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止する。【解決手段】基板２の上面に形成された画素電極２０ａ及び画素トランジスタ２１，２２と、画素電極２０ａの外周部及び画素トランジスタ２１，２２を被覆するように形成された保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２の上部に形成された隔壁６と、画素電極２０ａの上部に形成された有機化合物層２０ｂと、有機化合物層２０ｂ及び隔壁６の上部に形成された対向電極２０ｄとを備え、隔壁６には、画素電極２０ａの外周部に沿って溝６ｂが形成されているエレクトロルミネッセンスディスプレイパネル１０である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、
前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、
前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極とを備え、
前記画素トランジスタ上部に形成された前記隔壁には、溝が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項２】
前記溝の底部は前記保護絶縁膜の上面まで達していることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項３】
前記溝の深さは前記隔壁の高さよりも浅いことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項４】
前記溝は、断面略Ｖ字状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
【請求項５】
前記溝は、断面略Ｕ字状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンスパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に有機化合物層が介在した積層構造を為しており、アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。それぞれ赤、緑、青に発光する複数の有機エレクトロルミネッセンス素子をサブピクセルとして基板上にマトリクス状に配列し、画像表示を行うエレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが実現化されている。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、図１５に示すように、製造プロセスの簡略化のために、基板上に画素トランジスタ１２１と画素電極１２０ａとを形成し、画素トランジスタ１２１及び画素電極１２０ａを覆う保護絶縁膜１３２に画素電極１２０ａを露出させる露出孔３３を形成し、画素電極１２０ａ上に有機化合物層１２０ｂを形成する構造が検討されている。
【０００５】
しかし、保護絶縁膜１３２は光を透過させるため、この構造では、図１５に示すように、有機化合物層１２０ｂから側方に放出される光や絶縁基板１０２で反射した光が保護絶縁膜１３２に入射し、隔壁１０６を通過して対向電極１２０ｄで反射されて画素トランジスタ１２１に到達することが考えられる。このような場合、画素トランジスタ１２１に光劣化を引き起こすなどの不都合が考えられる。
【０００６】
本発明の課題は、有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、エレクトロルミネッセンスパネルであって、基板の上面に形成された画素電極に接続された画素トランジスタと、前記画素トランジスタを被覆するように形成された保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜の上部に形成された隔壁と、前記画素電極の上部に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層及び前記隔壁の上部に形成された対向電極とを備え、前記画素トランジスタ上部に形成された前記隔壁には、溝が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスパネルであって、前記溝の底部は前記保護絶縁膜の上面まで達していることを特徴とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のエレクトロルミネッセンスパネルであって、前記溝の深さは前記隔壁の高さよりも浅いことを特徴とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンスパネルであって、前記溝は、断面略Ｖ字状であることを特徴とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンスパネルであって、前記溝は、断面略Ｕ字状であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子から放射される光により画素トランジスタが劣化することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０における１つのサブピクセルの回路図であり、図２は1つのサブピクセルの平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図である。このＥＬディスプレイパネル１０においては、赤、青及び緑のサブピクセルによって１ドットの画素が構成され、このような画素がマトリクス状に配列されている。水平方向の配列に着目すると赤のサブピクセル、青のサブピクセル、緑のサブピクセルの順に繰り返し配列され、垂直方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１５】
このＥＬディスプレイパネル１０においては、サブピクセルに各種の信号を出力するために、複数の走査線２５、信号線２４及び供給線２６が設けられている。走査線２５及び供給線２６と、信号線２４とは互いに直行する方向に延在している。
【００１６】
サブピクセルは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、有機ＥＬ素子２０とを有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線２５、信号線２４及び供給線２６の入力信号に応じて有機ＥＬ素子２０に電圧を印加する。
【００１７】
図２、図３に示すように、透明な絶縁基板２の上にトランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線２４が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００１８】
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６が設けられている。なお、図２に示すように、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されており、ドレイン電極２１Ｄは供給線２６と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線２４はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線２５はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２Ｇと導通されている。
【００１９】
また、ゲート絶縁膜３１の上には、サブピクセル電極２０ａ（画素電極）がマトリクス状に配列されている。なお、これらサブピクセル電極２０ａは、気相成長法によって成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。サブピクセル電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２０】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、サブピクセル電極２０ａは共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２のサブピクセル電極２０ａの部分にはサブピクセル電極２０ａを露出させる露出孔３３が形成されている。露出孔３３が形成されることにより保護絶縁膜３２はサブピクセル電極２０ａの間を縫うように格子状に形成されるとともにサブピクセル電極２０ａの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極２０ａを囲繞している。露出孔３３内に後述する有機ＥＬ層２０ｂが形成される。
なお、絶縁基板２から隔壁６までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００２１】
保護絶縁膜３２上には、隔壁６が、ＥＬディスプレイパネル１０に２次元配列される複数の表示画素相互の境界領域（各サブピクセル電極２０ａ間の領域）を囲繞する領域であって、ＥＬディスプレイパネル１０の縦横方向に格子状の平面パターンを有するように配列されている。即ち、隔壁６は露出孔３３よりも大きい開口６ａを有するように形成されている。隔壁６は、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線２５、信号線２４及び供給線２６よりも十分に厚い。  また、トランジスタ２１上部に形成された隔壁６には、溝６ｂが形成されている。図２、図３に示すように、隔壁６に形成された溝６ｂは開口６ａの外周部に沿って形成されていてもよい。溝６ｂは、図３に示すように、断面略Ｖ字状であり、底部が保護絶縁膜３２まで達している。
【００２２】
溝６ｂを有する隔壁６は、例えばグラデーションマスク、ハーフトーンマスク等を用いてポリイミド等の感光性樹脂をパターニングすることで形成することができる。あるいは、隔壁６を形成した後に溝６ｂを切削してもよい。
【００２３】
サブピクセル電極２０ａ上には正孔注入層２０ｅ、発光層２０ｆが順に積層されて有機ＥＬ層２０ｂ（有機化合物層）が形成されている。正孔注入層２０ｅは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層２０ｆは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。なお、有機ＥＬ層２０ｂは発光層の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層２０ｂはサブピクセル電極２０ａの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。
【００２４】
正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆは、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層２０ｅとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｆとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜するが、厚膜の隔壁６が設けられているので、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２５】
なお、サブピクセルが赤の場合には発光層２０ｆが赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層２０ｆが緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層２０ｆが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００２６】
発光層２０ｆ上には、有機ＥＬ素子２０のカソードを構成する電子注入層２０ｃが成膜されている。電子注入層２０ｃは、全てのサブピクセルに共通して形成される共通電極である。電子注入層２０ｃは、サブピクセル電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金で形成されている。あるいは、電子注入層２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
【００２７】
電子注入層２０ｃ、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって１００ｎｍ以上成膜することによって対向電極２０ｄが形成されている。なお、対向電極２０ｄは、溝６ｂの底部まで形成されている。
サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、電子注入層２０ｃ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００２８】
なお、図示しないが、対向電極２０ｄの上には、封止層が堆積されており、封止層は表示部３全体を被覆するように形成されている。つまり、封止層は、複数の有機ＥＬ素子１０全体を被覆するように形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
【００２９】
次に、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。まず、図４〜図１３を用いてトランジスタアレイパネル５０の製造方法について説明する。なお、図４〜図１３において、（ａ）は図３と同じ断面の図であり、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける断面図である。
【００３０】
まず、図４に示すように、絶縁基板２の上部にべた一面にゲート金属３５を成膜し、パターニングすることで、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線２４を形成する。次に、図５に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６、及び、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をべた一面に形成する。次に、図６に示すように、窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をパターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
【００３１】
次に、図７に示すように、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３８）をべた一面に形成する。
次に、図８に示すように、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
次に、図９に示すように、ソース・ドレイン金属３９をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３８に形成された孔の部分でゲート金属３５とソース・ドレイン金属３９とが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される。
【００３２】
次に、図１０に示すように、ソース・ドレイン金属３９をパターニングすることでソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図１１に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極２０ａを形成する。
【００３３】
次に、図１２に示すように、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及びサブピクセル電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２をべた一面に形成し、サブピクセル電極２０ａの部分に露出孔３３を形成する。その後、図１３に示すように、ポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、グラデーションマスク、ハーフトーンマスクを用いて保護絶縁膜３２の上部に残すようにパターニングし、隔壁６を露出孔３３よりも大きい開口６ａを有する格子状に形成するとともに、開口６ａの外周部に沿って溝６ｂを形成する。なお、隔壁６を形成した後に溝６ｂを切削してもよい。
【００３４】
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、サブピクセル電極２０ａの表面を、有機ＥＬ層２０ｂの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００３５】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを形成することができる。
【００３６】
正孔注入層２０ｅを形成した後、正孔注入層２０ｅを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００３７】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層２０ｅ上に発光層２０ｆを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００３８】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層２０ｆを形成することができる。
【００３９】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００４０】
次に、気相成長法により電子注入層２０ｃを成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。次に、気相成長法により対向電極２０ｄを電子注入層２０ｃ、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部に成膜する。
以上により、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００４１】
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極２０ｄの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
【００４２】
本実施形態においては、隔壁６には開口６ａの外周部に沿って溝６ｂが形成され、溝６ｂの底部が保護絶縁膜３２まで達しており、対向電極２０ｄが、溝６ｂの底部まで形成されている。このため、図３に示すように、有機ＥＬ素子２０から放射され保護絶縁膜３２を透過して隔壁の溝６ｂよりも開口６ａ側に入射した光が、隔壁６の溝６ｂにおける対向電極２０ｄとの界面で反射される。したがって、有機ＥＬ素子２０の光がトランジスタ２１，２２に到達することを防止することができる。
【００４３】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。
【００４４】
例えば、プリンタヘッドの露光装置にも応用することができる。
【００４５】
＜変形例１＞
例えば、図１４に示すように、溝６ｂの深さを隔壁６の高さよりも浅くしてもよいし、断面を略Ｕ字状としてもよい。溝６ｂの深さを浅くする方法としては、例えばハーフトーンマスクを用いてパターニングする方法がある。あるいは、隔壁６を形成するのに用いる感光性材料の最小加工寸法よりも溝６ｂの幅を狭くすることで、底部が保護絶縁膜３２まで達しない溝６ｂを形成することができる。
溝６ｂの深さを浅くした場合、溝６ｂの底部における対向電極２０ｄとトランジスタ２１，２２との距離が離れるため、対向電極２０ｄとトランジスタ２１，２２との干渉を軽減することができる。
【００４６】
図１４の場合においても、図１４に示すように、有機ＥＬ素子２０から放射され保護絶縁膜３２を透過して隔壁の溝６ｂよりも開口６ａ側に入射した光が、隔壁６の溝６ｂにおける対向電極２０ｄとの界面で反射される。したがって、トランジスタ２１，２２に到達する光を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態に係るＥＬディスプレイパネル１０における１つのサブピクセルの回路図である。
【図２】ＥＬディスプレイパネル１０の１つのサブピクセルの平面図であり、
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図５】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図６】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図７】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図８】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図９】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１０】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１１】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１２】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１３】（ａ）は図３と同じ断面における、（ｂ）はコンタクトホール２８ａにおける、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明するための断面図である。
【図１４】本発明の第１の変形例に係るＥＬディスプレイパネル１０を示す断面図である。
【図１５】従来のＥＬディスプレイパネルを示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
２  基板
６  隔壁
６ａ  開口
６ｂ  溝
１０  ＥＬディスプレイパネル
２０  エレクトロルミネッセンス素子
２０ａ  画素電極
２０ｂ  有機化合物層
２０ｄ  対向電極
２１，２２  画素トランジスタ
３２  保護絶縁膜
【図１】
2009238456.tif 000003
【図２】
2009238456.tif 000004
【図３】
2009238456.tif 000005
【図４】
2009238456.tif 000006
【図５】
2009238456.tif 000007
【図６】
2009238456.tif 000008
【図７】
2009238456.tif 000009
【図８】
2009238456.tif 000010
【図９】
2009238456.tif 000011
【図１０】
2009238456.tif 000012
【図１１】
2009238456.tif 000013
【図１２】
2009238456.tif 000014
【図１３】
2009238456.tif 000015
【図１４】
2009238456.tif 000016
【図１５】
2009238456.tif 000017