(57)【要約】【課題】温度特性が良好であり、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出すること。【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、錘部１２ａ〜１２ｄを有するシリコン製基板１１と、このシリコン製基板１１の一方の主面と接合されており、錘部１２ａ〜１２ｄに対して静電容量を検出するための固定電極１４ａ〜１４ｆを有するとガラス基板１３と、シリコン製基板１１の他方の主面と接合されたガラス基板１５とを、具備し、Ｚ軸方向用のセンサ部は、錘部１２ｃが加速度によりシリコン製基板１１に対して撓み梁１１ｃにより昇降可能に支持されてなるセンシング部Ａと、このセンシング部Ａの静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部Ｂと、を有し、参照部Ｂにおいては、錘部１２ｄがシリコン製基板１１に対して支持されていることを特徴とする。【選択図】図１
2009270944.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
錘として機能する可動電極と固定電極との間の静電容量の変化から少なくともＺ軸方向の加速度を検出する静電容量型加速度センサであって、可動電極を有する第１基板と、前記第１基板の一方の主面と接合されており、前記可動電極に対して前記静電容量を検出するための固定電極を有すると第２基板と、前記第１基板の他方の主面と接合された第３基板とを、具備し、前記Ｚ軸方向用のセンサ部は、前記可動電極が加速度により前記第１基板に対して撓み梁により昇降可能に支持されてなるセンシング部と、前記センシング部の静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部と、を有し、前記参照部においては、前記可動電極が前記第１基板に対して支持されていることを特徴とする静電容量型加速度センサ。
【請求項２】
前記参照部において、前記可動電極が前記第１基板に対してダイヤフラムにより支持されていることを特徴とする請求項１記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項３】
前記参照部において、前記可動電極が前記第１基板に対して撓み梁により支持されていることを特徴とする請求項１記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項４】
前記参照部における撓み梁のばね定数が、前記センシング部における撓み梁のばね定数の５倍以上であることを特徴とする請求項３記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項５】
前記センシング部及び前記参照部において、それぞれ前記可動電極が前記第１基板から所定の距離をおいて位置しており、前記センシング部及び前記参照部における前記所定の距離がほぼ等しいことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の静電容量型加速度センサ。
【請求項６】
前記Ｚ軸方向の加速度を検知する静電容量型加速度センサと、固定電極が一対の検出用電極対であり、可動電極が前記第１基板に対して捩り梁により揺動可能に支持されているＸ軸方向用のセンサ部及びＹ軸方向用のセンサ部とを、同一センサ内に有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の静電容量型加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量を用いて加速度を検出する静電容量型加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
加速度を検出するセンサとして、例えば静電容量型加速度センサがある。この静電容量型加速度センサは、固定電極と、Ｇ（加速度）が加わることにより揺動する可動電極（錘）とで構成され、固定電極と可動電極との間の静電容量の変化を検出することにより、加速度を求めることができる。
【０００３】
このような静電容量型加速度センサ、特に、Ｚ軸方向（鉛直方向）の加速度を検出する静電容量型加速度センサとして、図９に示す構造のものがある（特許文献１）。この静電容量型加速度センサは、可動電極である錘が加速度により昇降可能に支持されたセンシング部１０１と、センシング部１０１の静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部１０２とを備えている。この静電容量型加速度センサは、固定電極基板１０３にセンシング部１０１側の凹部１０４ａと、参照部１０２側の凹部１０４ｂとが設けられており、それぞれの凹部１０４ａ，１０４ｂの底部に固定電極１０５が形成されている。また、固定電極基板１０３と接合された可動電極基板１０６のセンシング部１０１側には梁１０７により昇降自在に支持された錘１０８が形成されている。
【特許文献１】特開平５−２０３６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
静電容量型加速度センサを表面実装可能にするために、静電容量型加速度センサを内蔵したパッケージが開発されている。このようにパッケージにする場合、センシング部１０１と参照部１０２とで熱応力による変形形状が異なるため、加速度を検出する際に用いるセンシング部と参照部との間の静電容量の容量差が温度変化に影響を受けてしまい、安定して加速度検出を行うことができない、すなわち温度特性が悪いという問題がある。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、温度特性が良好であり、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出することができる静電容量型加速度センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の静電容量型加速度センサは、錘として機能する可動電極と固定電極との間の静電容量の変化から少なくともＺ軸方向の加速度を検出する静電容量型加速度センサであって、可動電極を有する第１基板と、前記第１基板の一方の主面と接合されており、前記可動電極に対して前記静電容量を検出するための固定電極を有すると第２基板と、前記第１基板の他方の主面と接合された第３基板とを、具備し、前記Ｚ軸方向用のセンサ部は、前記可動電極が加速度により前記第１基板に対して撓み梁により昇降可能に支持されてなるセンシング部と、前記センシング部の静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部と、を有し、前記参照部においては、前記可動電極が前記第１基板に対して支持されていることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、参照部は、加速度には実質的に感応せず、熱応力による変形がセンシング部と同程度起こる。これにより、熱応力による変形形状が異なることがなく、しかもセンシング部と参照部との間で加速度検出に十分な容量差を得ることが可能となる。これにより、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出することができる。
【０００８】
本発明の静電容量型加速度センサにおいては、前記参照部において、前記可動電極が前記第１基板に対してダイヤフラムにより支持されていることが好ましい。
【０００９】
本発明の静電容量型加速度センサにおいては、前記参照部において、前記可動電極が前記第１基板に対して撓み梁により支持されていることが好ましい。この場合においては、前記参照部における撓み梁のばね定数が、前記センシング部における撓み梁のばね定数の５倍以上であることが好ましい。
【００１０】
本発明の静電容量型加速度センサにおいては、前記センシング部及び前記参照部において、それぞれ前記可動電極が前記第１基板から所定の距離をおいて位置しており、前記センシング部及び前記参照部における前記所定の距離がほぼ等しいことが好ましい。
【００１１】
本発明の静電容量型加速度センサにおいては、前記Ｚ軸方向の加速度を検知する静電容量型加速度センサと、固定電極が一対の検出用電極対であり、可動電極が前記第１基板に対して捩り梁により揺動可能に支持されているＸ軸方向用のセンサ部及びＹ軸方向用のセンサ部とを、同一センサ内に有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の静電容量型加速度センサによれば、錘として機能する可動電極と固定電極との間の静電容量の変化から少なくともＺ軸方向の加速度を検出する静電容量型加速度センサであって、可動電極を有する第１基板と、前記第１基板の一方の主面と接合されており、前記可動電極に対して前記静電容量を検出するための固定電極を有すると第２基板と、前記第１基板の他方の主面と接合された第３基板とを、具備し、前記Ｚ軸方向用のセンサ部は、前記可動電極が加速度により前記第１基板に対して撓み梁により昇降可能に支持されてなるセンシング部と、前記センシング部の静電容量に対して参照容量となる容量を持つ参照部と、を有し、前記参照部においては、前記可動電極が前記第１基板に対して支持されているので、温度特性が良好であり、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１（ａ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型加速度センサを示す平面図である。また、図１（ｂ）は、図１におけるＩＢ−ＩＢ線に沿う断面図である。
【００１４】
図１に示す静電容量型加速度センサは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の加速度をそれぞれ独立して検出するための４つの可動電極である錘部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有する第１基板であるシリコン製基板１１の一方の主面と、それぞれの錘部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄに対して所定の間隔を持つ、静電容量の変化を容量差として検出するそれぞれ一対の検出用電極対（固定電極）１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ及び検出用電極（固定電極）１４ｅ，１４ｆを有する第２基板であるガラス基板１３とが接合されて構成されている。また、シリコン製基板１１の他方の主面には、錘部１２ａ，１２ｂを揺動させ、錘部１２ｃ，１２ｄを昇降させる領域（キャビティ）１８を構成するように、第３基板であるガラス基板１５が接合されている。
【００１５】
図１に示す静電容量型加速度センサにおいては、Ｘ軸方向の加速度に感度を持つ可動電極が錘部１２ａであり、Ｙ軸方向の加速度に感度を持つ可動電極が錘部１２ｂであり、Ｚ軸方向の加速度に感度を持つ可動電極が錘部１２ｃである。Ｘ軸方向用錘部１２ａに対する一対の検出用電極対は固定電極１４ａ，１４ｂであり、Ｙ軸方向用錘部１２ｂに対する一対の検出用電極対は固定電極１４ｃ，１４ｄであり、センシング部Ａ用のＺ軸方向用錘部１２ｃに対する検出用電極は固定電極１４ｅである。そして、参照部Ｂ用のＺ軸方向用錘部１２ｄに対する検出用電極は固定電極１４ｆである。
【００１６】
図１（ｂ）に示すように、センシング部Ａ用のＺ軸方向用錘部１２ｃに対する固定電極１４ｅには、導電部材（貫通電極）１６ａが電気的に接続されており、参照部Ｂ用のＺ軸方向用錘部１２ｄに対する固定電極１４ｆには、導電部材（貫通電極）１６ｂが電気的に接続されている。また、導電部材１６ａ，１６ｂの他方の露出面には引き出し電極１７ａ，１７ｂが形成されており、導電部材１６ａ，１６ｂと引き出し電極１７ａ，１７ｂとがそれぞれ電気的に接続されている。なお、図１（ｂ）には図示されていないが、Ｘ軸方向用錘部１２ａに対する固定電極１４ａ，１４ｂ、Ｙ軸方向用錘部１２ｂに対する固定電極１４ｃ，１４ｄについても同様な構成で導電部材及び引き出し電極が設けられている。また、ガラス基板１３とシリコン製基板１１との間には、電極１９が形成されている。
【００１７】
Ｘ軸方向用錘部１２ａは、平面視において略矩形状を有しており、対向する辺において捩り梁１１ａによりシリコン製基板１１に対して揺動可能に支持されている。Ｙ軸方向用錘部１２ｂは、平面視において略矩形状を有しており、対向する辺において捩り梁１１ｂによりシリコン製基板１１に対して揺動可能に支持されている。それぞれの捩り梁１１ａ，１１ｂは、平面視において錘部１２ａ，１２ｂのそれぞれ対向する辺の中央付近に設けられている。一方、センシング部ＡのＺ軸方向用錘部１２ｃは、平面視において略矩形状を有しており、その周囲が撓み梁１１ｃによりシリコン製基板１１に対して昇降可能に支持されている。また、参照部ＢのＺ軸方向用錘部１２ｄは、平面視において略矩形状を有しており、その周囲がダイヤフラム１１ｄによりシリコン製基板１１に対して昇降可能に支持されている。
【００１８】
ガラス基板１３上には、２対の検出用電極対が形成されている。Ｘ軸方向用錘部１２ａに対する固定電極１４ａ，１４ｂは、ほぼ同じ面積を有しており、図１から分かるように、平面視においてＸ軸方向用錘部１２ａの下方であって、捩り梁１１ａを通る中央部分を境界にして分割して形成されている（図１（ａ）において左右分割）。２つの固定電極１４ａ，１４ｂの面積を合わせてＸ軸方向用錘部１２ａの面積とほぼ等しくなるようになっている。
【００１９】
Ｙ軸方向用錘部１２ｂに対する固定電極１４ｃ，１４ｄは、ほぼ同じ面積を有しており、図１から分かるように、平面視においてＹ軸方向用錘部１２ｂの下方であって、捩り梁１１ｂを通る中央部分を境界にして分割して形成されている（図１（ａ）において上下分割）。２つの固定電極１４ｃ，１４ｄの面積を合わせてＹ軸方向用錘部１２ｂの面積とほぼ等しくなるようになっている。
【００２０】
Ｚ軸方向用錘部１２ｃ，１２ｄに対する固定電極１４ｅ，１４ｆは、それぞれＺ軸方向用錘部１２ｃ，１２ｄとほぼ同じ面積を有しており、それぞれＺ軸方向用錘部１２ｃ，１２ｄの下方に形成されている。
【００２１】
ガラス基板１３上には、シリコン製基板１１が接合されている。ここでは、梁部の形成を容易にするためにシリコン製基板としてＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いている。また、シリコン製基板１１上には、ガラス基板１５が接合されている。これにより、Ｘ軸方向用錘部１２ａとそれに対応する固定電極１４ａ，１４ｂとが配置されたキャビティと、Ｙ軸方向用錘部１２ｂとそれに対応する固定電極１４ｃ，１４ｄとが配置されたキャビティと、が形成される。なお、ガラス基板１３とシリコン製基板１１との間や、ガラス基板１５とシリコン製基板１１との間の接合には、基板間で形成するキャビティの気密性を高めるために陽極接合を行うことが好ましい。また、キャビティ内においては、ＳＯＩ基板の活性層１１ｆが捩り梁１１ａ，１１ｂや撓み梁１１ｃ、ダイヤフラム１１ｄとなり、Ｘ軸方向用錘部１２ａやＹ軸方向用錘部１２ｂを揺動可能に支持し、Ｚ軸方向用錘部１２ｃ，１２ｄを昇降可能に支持する。
【００２２】
捩り梁１１ａ，１１ｂ、撓み梁１１ｃ、及びダイヤフラム１１ｄは、錘部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの底面側に形成されている。すなわち、それぞれの錘部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、シリコン製基板１１の厚さ方向において対向する一対の面を有しており、捩り梁１１ａ，１１ｂ、撓み梁１１ｃ、及びダイヤフラム１１ｄがそれぞれの錘部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄの一方の面に沿って形成されている。
【００２３】
本発明の静電容量型加速度センサにおいては、Ｚ軸方向用のセンサ部は、錘部１２ｃが加速度によりシリコン製基板１１に対して撓み梁１１ｃにより昇降可能に支持されてなるセンシング部Ａと、このセンシング部Ａの静電容量に対して参照容量となる容量を持ち、錘部１２ｄがシリコン製基板１１に対してダイヤフラム１１ｄにより支持されている参照部Ｂとを備えている。
【００２４】
このような構成を有する参照部Ｂは、加速度には実質的に感応せず、熱応力による変形がセンシング部Ａと同程度起こる。これにより、熱応力による変形形状が異なることがなく、しかもセンシング部Ａと参照部Ｂとの間で加速度検出に十分な容量差を得ることが可能となる。これにより、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出することができる（すなわち、温度特性が良好である）。
【００２５】
このような構成の静電容量型加速度センサにおいては、Ｘ軸方向の加速度が加わると、捩り梁１１ａを支点としてＸ軸方向用錘部１２ａが揺動する。このように錘部１２ａが揺動して変位することにより、対向した固定電極１４ａ，１４ｂとの間の距離が変わり、その距離の変化による静電容量の変化を容量差として検出することができ、その静電容量変化で加速度を測定することができる。また、Ｙ軸方向の加速度が加わると、捩り梁１１ｂを支点としてＹ軸方向用錘部１２ｂが揺動する。このように錘部１２ｂが揺動して変位することにより、対向した固定電極１４ｃ，１４ｄとの間の距離が変わり、その距離の変化による静電容量の変化を容量差として検出することができ、その静電容量変化で加速度を測定することができる。また、Ｚ軸方向の加速度が加わると、撓み梁１１ｃによりＺ軸方向用錘部１２ｃが昇降して、錘部１２ｃが昇降して変位する。このため、錘部１２ｃが昇降して変位し、対向した固定電極１４ｅとの間の距離が変わる。このとき、ダイヤフラム１１ｄは加速度によっては錘部１２ｄを昇降させない。したがって、錘部１２ｃと固定電極１４ｅとの間の距離の変化による静電容量の変化を参照電極１４ｆとの容量差として検出することができ、その静電容量変化で加速度を測定することができる。
【００２６】
図１に示す構成においては、参照部Ｂでダイヤフラム１１ｄによりシリコン製基板１１に対して錘部１２ｄを支持する場合を示しているが、本発明はこれに限定されず、加速度には実質的に感応せず、熱応力による変形がセンシング部Ａと同程度起こる構造を参照部Ｂの錘部１２ｄの支持構造に設ければ良い。例えば、図２に示すように、参照部Ｂの錘部１２ｄの支持構造に撓み梁２１を用いても良く、図３に示すように、参照部Ｂの錘部１２ｄの支持構造に撓み梁２２を用いても良い。また、図４に示すように、参照部Ｂの錘部１２ｄの支持構造にセンシング部Ａの撓み梁１１ｃよりも厚さが大きい撓み梁２３を用いても良い。なお、図２及び図３に示すように、参照部Ｂの錘部１２ｄの支持構造に撓み梁２１，２２を用いる場合には、参照部Ｂの加速度に対する感度をセンシング部Ａの加速度に対する感度の約２０％以下にすると想定した場合、参照部Ｂにおける撓み梁２１，２２のばね定数が、センシング部Ａにおける撓み梁１１ｃのばね定数の５倍以上であることが好ましい。
【００２７】
センシング部Ａ及び参照部Ｂにおいて、それぞれ錘部１２ｃ，１２ｄがシリコン製基板１１から所定の距離をおいて位置しており、センシング部Ａ及び参照部Ｂにおける所定の距離がほぼ等しいことが好ましい。このようにすることにより、シリコン製基板１１から錘部１２ｃ，１２ｄを同じ工程で形成する場合に、エッチングレートが揃うために、安定した特性を発揮するセンサを製造することができる。
【００２８】
次に、上記構成を有する静電容量型加速度センサの製造方法の一例について説明する。ここでは、参照部Ｂでダイヤフラム１１ｄによりシリコン製基板１１に対して錘部１２ｄを支持する場合について説明する。図５（ａ）〜（ｄ）、図６（ａ），（ｂ）、図７（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る静電容量型加速度センサの製造方法を説明するための図である。
【００２９】
図５（ａ）に示すように、シリコン基板１６の一方の主面にフォトリソグラフィ及びドライエッチングにより導電部材１６ａ，１６ｂとなる突出部を形成する。次いで、シリコン基板１６の突出部上にガラス基板１３を載せ、図５（ｂ）に示すように、加熱しながら押圧してガラス基板１３に突出部を埋め込むようにして両基板を接合する。その後、図５（ｃ）に示すように、得られた複合体の両主面を研磨して、導電部材１６ａ，１６ｂを両主面で露出させる。なお、図５は、Ｚ軸方向用のセンサ部に対応する構成に基づいて示しているが、Ｘ軸方向用のセンセ部やＹ軸方向用のセンサ部に対応する構成も同時に形成される。すなわち、Ｘ軸方向用錘部１２ａ及びＹ軸方向用錘部１２ｂに対応する固定電極１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄに対する導電部材も同様に形成される。
【００３０】
次いで、図５（ｄ）に示すように、露出した導電部材１６ａ，１６ｂ上にスパッタリングにより電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、それぞれ固定電極１４ｅ，１４ｆ及び電極１９を形成する。
【００３１】
次いで、図６（ａ）に示すように、活性層１１ｆ、絶縁層１１ｇ及びベース層１１ｅを有するＳＯＩ基板（シリコン製基板１１）の活性層１１ｆ及びベース層１１ｅをフォトリソグラフィ及びエッチングによりそれぞれ凹部１１ｈ，１１ｊを形成する。なお、ＳＯＩ基板の活性層１１ｆの厚さが梁の厚さに相当する。次いで、図６（ｂ）に示すように、活性層１１ｆをフォトリソグラフィ及びエッチングすることにより撓み梁１１ｃ及びダイヤフラム１１ｄを形成する。なお、図５は、Ｚ軸方向用のセンサ部に対応する構成に基づいて示しているが、Ｘ軸方向用のセンセ部やＹ軸方向用のセンサ部に対応する構成も同時に形成される。すなわち、Ｘ軸方向用錘部１２ａ及びＹ軸方向用錘部１２ｂに対応する捩り梁１１ａ，１１ｂも同様に形成される。
【００３２】
次いで、図７（ａ）に示すように、図５（ｄ）に示す構造のガラス基板１３の固定電極をＳＯＩ基板の活性層１１ｆが覆うようにして、図６（ｂ）に示すシリコン製基板１１を積層し、両基板１１，１３を接合する。このとき、陽極接合により接合を行うことが好ましい。次いで、図７（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板のベース層及び絶縁層１１ｇの所定の部分をフォトリソグラフィ及びエッチングにより除去してＺ軸方向用錘部１２ｃ，１２ｄを形成する。次いで、図７（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板のベース層１１ｅ上にガラス基板１５を接合する。このとき、陽極接合により接合を行うことが好ましい。次いで、ガラス基板１３の主面に露出した導電部材１６ａ，１６ｂ上にそれぞれ電極材料を被着し、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、それぞれ引き出し電極１７ａ，１７ｂを形成する。
【００３３】
このようにして得られた静電容量型加速度センサは、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の加速度を独立して検出することができる。この構成においては、参照部Ｂは、加速度には実質的に感応せず、熱応力による変形がセンシング部Ａと同程度起こる。これにより、熱応力による変形形状が異なることがなく、しかもセンシング部Ａと参照部Ｂとの間で加速度検出に十分な容量差を得ることが可能となる。これにより、温度変化の影響を小さくして、安定して加速度を検出することができる。
【００３４】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
図１に示す構成、すなわちＺ軸方向用のセンサ部の参照部の錘部の支持にダイヤフラムを用いた構造（実施例）においてＺ軸方向の加速度検出の際の差分容量の温度特性を調べた。その結果を図８に示す。また、比較のために、図９に示す構成、すなわちＺ軸方向用のセンサ部の参照部が錘部で構成されていない構造（比較例）においてＺ軸方向の加速度検出の際の差分容量の温度特性を調べた。その結果を図８に併記する。
【００３５】
図８から分かるように、実施例の静電容量型加速度センサは、温度変化に影響を受けず、センシング部と参照部との間で熱変形がほぼ同程度となり、加速度検出に十分な差分容量を得ることができたが、比較例の静電容量型加速度センサは、温度変化に影響を受けて、温度によってはセンシング部と参照部との間で熱変形が異なり、加速度検出に十分な差分容量を得ることができなかった。
【００３６】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することができる。上記実施の形態においては、ガラス基板とシリコン製基板を用いた場合について説明しているが、本発明においては、ガラス基板やシリコン製基板以外の基板を用いても良い。また、センサにおける電極や各層の厚さや材質については本発明の効果を逸脱しない範囲で適宜設定することができる。また、上記実施の形態で説明したプロセスについてはこれに限定されず、工程間の適宜順序を変えて実施しても良い。例えば、ギャップの形成を対向面であるＳＯＩ基板１１の側に行っているが、ガラス基板のエッチングによって行っても良い。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る静電容量型加速度センサを示す平面図であり、（ｂ）は、図１のＩＢ−ＩＢ線に沿う断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る静電容量型加速度センサの他の例を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る静電容量型加速度センサの他の例を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る静電容量型加速度センサの他の例を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る静電容量型加速度センサの製造方法を説明するための図である。
【図６】（ａ），（ｂ）は、本発明に係る静電容量型加速度センサの製造方法を説明するための図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る静電容量型加速度センサの製造方法を説明するための図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る静電容量型加速度センサの特性を説明するための図である。
【図９】従来の静電容量型加速度センサを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１  シリコン製部材
１１ａ，１１ｂ  捩り梁
１１ｃ，２１，２２，２３  撓み梁
１１ｄ  ダイヤフラム
１１ｇ  絶縁層
１１ｅ  ベース層
１１ｆ  活性層
１２ａ〜１２ｄ  錘部
１３，１５  ガラス基板
１４ａ〜１４ｆ  固定電極
１６ａ，１６ｂ  導電部材
１７ａ，１７ｂ  引き出し電極
１８  キャビティ
１９  電極
【図１】
2009270944.tif 000003
【図２】
2009270944.tif 000004
【図３】
2009270944.tif 000005
【図４】
2009270944.tif 000006
【図５】
2009270944.tif 000007
【図６】
2009270944.tif 000008
【図７】
2009270944.tif 000009
【図８】
2009270944.tif 000010
【図９】
2009270944.tif 000011