(57)【要約】【課題】デジタル形態の温度情報を生成して、半導体集積回路外部に出力できるようにした半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置を提供する。【解決手段】半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置において、リセット信号に応答して、温度による第１制御信号の周期変化に対応するタイミングに第２制御信号を多重分周する多重分周信号をラッチおよび復号して温度情報を生成する温度情報生成部と、および前記生成された温度情報を出力するためのパッドとを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リセット信号に応答して、温度による第１制御信号の周期変化に対応するタイミングに第２制御信号を多重分周する多重分周信号をラッチおよび復号して温度情報を生成する温度情報生成部、および
前記生成された温度情報を出力するためのパッドを備えることを特徴とする半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項２】
前記第１制御信号は温度により周期が可変される信号で、前記第２制御信号は温度に拘わらず周期が一定の信号であることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項３】
前記第１制御信号は、ＬＴＣＳＲオシレータを用いて生成することを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項４】
前記第２制御信号は、ＥＭＲＳを用いて生成することを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項５】
前記温度情報生成部は、
前記第２制御信号を用いて前記多重分周信号を生成する多重分周信号生成部、
前記第１制御信号のパルス発生タイミングにより伝達制御信号を生成するように構成された制御部、
前記伝達制御信号により前記多重分周信号をラッチする周期ラッチ部、および
前記周期ラッチ部でラッチされた多重分周信号を復号して前記温度情報を生成する復号部を備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項６】
前記多重分周信号生成部は、
前記第２制御信号を各々の分周比で順次分周して出力する複数の分周器を備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項７】
前記複数の分周器の分周比は互いに同一であることを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項８】
前記制御部は、
前記リセット信号に応答して前記伝達制御信号を初期化させ、前記第１制御信号に応答して前記伝達制御信号のレベルを遷移させるように構成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項９】
前記制御部は、
前記リセット信号に応答して前記伝達制御信号を第１レベルに遷移させるように構成された第１スイッチング素子、
パワーアップ信号に応答して前記伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第２スイッチング素子、および
前記第１制御信号に応答して前記伝達制御信号を前記第２レベルに遷移させるように構成された第３スイッチング素子を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１０】
前記制御部は、
前記第１スイッチング素子の出力段、前記第２スイッチング素子の出力段、および前記第３スイッチング素子の出力段と共通接続されたラッチをさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１１】
前記制御部は、
前記リセット信号に応答して前記伝達制御信号を初期化させ、前記第１制御信号又は前記第２制御信号に応答して前記伝達制御信号のレベルを遷移させるように構成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１２】
前記制御部は、
前記リセット信号に応答して前記伝達制御信号を第１レベルに遷移させるように構成された第１スイッチング素子、
パワーアップ信号に応答して前記伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第２スイッチング素子、
前記第１制御信号に応答して前記伝達制御信号を前記第２レベルに遷移させるように構成された第３スイッチング素子、および
前記第２制御信号に応答して前記伝達制御信号を前記第２レベルに遷移させるように構成された第４スイッチング素子を備えることを特徴とする請求項１１に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１３】
前記制御部は、
前記第１スイッチング素子の出力段、前記第２スイッチング素子の出力段、前記第３スイッチング素子の出力段、および前記第４スイッチング素子の出力段と共通接続されたラッチをさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１４】
前記周期ラッチ部は、
前記伝達制御信号の遷移に応答して前記多重分周信号の入力を遮断するとともにラッチするか、前記多重分周信号が入力されるように構成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１５】
前記周期ラッチ部は、
前記伝達制御信号の共通入力を受けて、前記複数の分周器から出力された多重分周信号が入力される複数のラッチ回路部を備えることを特徴とする請求項１４に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１６】
前記ラッチ回路部は、
前記伝達制御信号に応答して前記多重分周信号を通過させる第１スイッチング素子、
前記第１スイッチング素子の出力をラッチする第１ラッチ、
反対論理の前記伝達制御信号に応答して前記第１ラッチの出力を通過させる第２スイッチング素子、および
前記第２スイッチング素子の出力をラッチする第２ラッチを備えることを特徴とする請求項１５に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１７】
前記復号部は、
前記周期ラッチ部にラッチされた多重分周信号を、温度を定義する第１デジタルコード形態で復号する第１復号器、および
前記第１復号器から出力された第１デジタルコードを半導体メモリ規格に合う第２デジタルコードで復号する第２復号器を備えることを特徴とする請求項５に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１８】
前記第１制御信号および前記第２制御信号のうち少なくとも１つを分周させるための分周部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項１９】
前記リセット信号により前記第１制御信号および前記第２制御信号のうち少なくとも１つの生成が開始されることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【請求項２０】
前記第２制御信号を用いて前記リセット信号を発生させるためのリセット信号発生部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の代表的な例として、半導体記憶装置はメモリセルにデータを記録したり、前記メモリセルに記録されたデータを外部に出力したりする装置である。
【０００３】
前記半導体記憶装置は、メモリセルに記録されたデータの損失を防止するために必須に行わなければならないリフレッシュ（Ｒｅｆｒｅｓｈ）という動作モードを備えている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
前記リフレッシュは、半導体記憶装置内部で自ら行うセルフリフレッシュ（Ｓｅｌｆ  Ｒｅｆｒｅｓｈ）と半導体記憶装置外部の命令により行うオートリフレッシュ（Ａｕｔｏ  Ｒｅｆｒｅｓｈ）とに区分することができる。
前記セルフリフレッシュは、半導体記憶装置内部で周期的に行われる。
【０００５】
したがって、半導体記憶装置は、セルフリフレッシュ動作のタイミングを定めるための周期信号を必要とする。
【０００６】
前記周期信号をセルフリフレッシュ信号といい、半導体記憶装置内部で生成して用いる。
前記セルフリフレッシュ動作の効率を上げるために周辺温度により前記セルフリフレッシュ信号の周期を可変させる技術が適用されている。
【０００７】
前記オートリフレッシュ動作も周辺温度によりオートリフレッシュ信号の周期を可変させる技術適用のために半導体記憶装置周りの温度情報を必要としており、Ｍｏｂｉｌｅ  ＤＲＡＭ関連のＪＥＤＥＣ（Ｊｏｉｎｔ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  Ｃｏｕｎｃｉｌ）規格にはＤＲＡＭのパッドＤＱ８〜ＤＱ１０を介して出力される温度情報によるリフレッシュレート（Ｒｅｆｒｅｓｈ  Ｒａｔｅ）が定義されている。
【０００８】
しかし、現在までは半導体集積回路側で前記温度情報を提供するためのハードウェアおよびソフトウェアの具体的な開発が行われていない。
【特許文献１】特開２００６−４５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、デジタル形態の温度情報を生成して、半導体集積回路外部に出力できるようにした半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置は、リセット信号に応答して、温度による第１制御信号の周期変化に対応するタイミングに第２制御信号を多重分周する多重分周信号をラッチおよび復号して温度情報を生成する温度情報生成部と、および前記生成された温度情報を出力するためのパッドとを備えることを特徴とする。
【００１１】
上記発明において、第１制御信号は温度により周期が可変される信号で、第２制御信号は温度に拘わらず周期が一定の信号であることが好ましい。また、上記発明において、第１制御信号は、ＬＴＣＳＲオシレータ（線形温度補償型セルフリフレッシュ発振回路：Ｌｉｎｅａｒ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｓｅｌｆ  Ｒｅｆｒｅｓｈ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）を用いて生成することが好ましい。さらに、上記発明において、第２制御信号は、ＥＭＲＳ（拡張モードレジスタセッティング：Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｍｏｄｅ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  Ｓｅｔ）を用いてモード設定コマンドとして生成することが好ましい。
【００１２】
上記発明において、温度情報生成部は、第２制御信号を用いて多重分周信号を生成する多重分周信号生成部、第１制御信号のパルス発生タイミングにより伝達制御信号を生成するように構成された制御部、伝達制御信号により多重分周信号をラッチする周期ラッチ部、および周期ラッチ部でラッチされた多重分周信号を復号して温度情報を生成する復号部を備えることが好ましい。
【００１３】
上記発明において、多重分周信号生成部は、第２制御信号を各々の分周比で順次分周して出力する複数の分周器を備えることが好ましい。また、上記発明において、複数の分周器の分周比は互いに同一であることが好ましい。さらに、上記発明において、制御部は、リセット信号に応答して伝達制御信号を初期化させ、第１制御信号に応答して伝達制御信号のレベルを遷移させるように構成されることが好ましい。
【００１４】
上記発明において、制御部は、リセット信号に応答して伝達制御信号を第１レベルに遷移させるように構成された第１スイッチング素子、パワーアップ信号に応答して伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第２スイッチング素子、および第１制御信号に応答して伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第３スイッチング素子を備えることが好ましい。
【００１５】
上記発明において、制御部は、第１スイッチング素子の出力段、第２スイッチング素子の出力段、および第３スイッチング素子の出力段と共通接続されたラッチをさらに備えることが好ましい。また、上記発明において、制御部は、リセット信号に応答して伝達制御信号を初期化させ、第１制御信号又は第２制御信号に応答して伝達制御信号のレベルを遷移させるように構成されることが好ましい。
【００１６】
上記発明において、制御部は、リセット信号に応答して伝達制御信号を第１レベルに遷移させるように構成された第１スイッチング素子、パワーアップ信号に応答して伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第２スイッチング素子、第１制御信号に応答して伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第３スイッチング素子、および第２制御信号に応答して伝達制御信号を第２レベルに遷移させるように構成された第４スイッチング素子を備えることが好ましい。
【００１７】
上記発明において、制御部は、第１スイッチング素子の出力段、第２スイッチング素子の出力段、第３スイッチング素子の出力段、および第４スイッチング素子の出力段と共通接続されたラッチをさらに備えることが好ましい。また、上記発明において、周期ラッチ部は、伝達制御信号の遷移に応答して多重分周信号の入力を遮断するとともにラッチするか、多重分周信号が入力されるように構成されることが好ましい。さらに、上記発明において、周期ラッチ部は、伝達制御信号の共通入力を受けて、複数の分周器から出力された多重分周信号が入力される複数のラッチ回路部を備えることが好ましい。
【００１８】
上記発明において、ラッチ回路部は、伝達制御信号に応答して多重分周信号を通過させる第１スイッチング素子、第１スイッチング素子の出力をラッチする第１ラッチ、反対論理の伝達制御信号に応答して第１ラッチの出力を通過させる第２スイッチング素子、および第２スイッチング素子の出力をラッチする第２ラッチを備えることが好ましい。
【００１９】
上記発明において、復号部は、周期ラッチ部にラッチされた多重分周信号を、温度を定義する第１デジタルコード形態で復号する第１復号器、および第１復号器から出力された第１デジタルコードを半導体メモリ規格に合う第２デジタルコードで復号する第２復号器を備えることが好ましい。また、上記発明において、第１制御信号および第２制御信号のうち少なくとも１つを分周させるための分周部をさらに備えることが好ましい。
【００２０】
上記発明において、リセット信号により第１制御信号および第２制御信号のうち少なくとも１つの生成が開始されることが好ましい。さらに、上記発明において、第２制御信号を用いてリセット信号を発生させるためのリセット信号発生部をさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置は、デジタル形態の温度情報を自ら生成し、外部で使用可能な形式に出力することができるため、半導体集積回路に係る技術変化に速かに対応して半導体集積回路の活用範囲を拡大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置の好ましい実施例を説明すれば次の通りである。
本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置は、図１に示すように、第１周期信号発生部１００、第１分周部２００、第２周期信号発生部３００、第２分周部４００、温度情報生成部５００、およびリセット信号発生部６００を備える。
【００２３】
前記第１周期信号発生部１００は、リセット信号ＲＳＴにより動作が開始され、温度により周期が可変される第１周期信号ＯＳＣ１を発生するように構成される。前記第１周期信号発生部１００は、ＬＴＣＳＲオシレータ（Ｌｉｎｅａｒ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｓｅｌｆ  Ｒｅｆｒｅｓｈ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）で構成することができる。
【００２４】
前記第１分周部２００は、前記第１周期信号ＯＳＣ１を予め設定された分周比（例えば、２分周）で分周し、第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１を出力するように構成される。
【００２５】
前記第２周期信号発生部３００は、前記リセット信号ＲＳＴにより動作が開始され、温度に拘わらず一定の周期を有する第２周期信号ＯＳＣ２を発生するように構成される。前記第２周期信号発生部３００は、ＥＭＲＳ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ  Ｍｏｄｅ  Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  Ｓｅｔ）信号を発生させるＥＭＲＳオシレータで構成することができる。
前記第２分周部４００は、前記第２周期信号ＯＳＣ２を予め設定された分周比（例えば、８分周）で分周し、第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２を出力するように構成される。
【００２６】
前記リセット信号発生部６００は、予め設定された周期で前記リセット信号ＲＳＴを発生するようにカウンタで構成することができる。前記リセット信号発生部６００は、前記第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２を定められた分周比で分周し、前記リセット信号ＲＳＴを生成することができる。
【００２７】
前記温度情報生成部５００は、図２に示すように、温度による前記第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１の周期変化に対応するタイミングに、前記第２周期信号ＯＳＣ２を多重分周する多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４をラッチおよび復号して温度情報を生成するように構成される。前記温度情報生成部５００は、多重分周信号生成部５１０、制御部５２０、周期ラッチ部５３０、第１復号器５４０、および第２復号器５５０を備える。
【００２８】
前記多重分周信号生成部５１０は、前記第２周期信号ＯＳＣ２の入力を受けて定められた分周比（Ｘ２）で順次分周して出力する複数の分周器５１１を備える。前記複数の分周器５１１は同一に構成することができる。
【００２９】
前記制御部５２０は、前記第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１又は前記第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２のパルス発生タイミングにより伝達制御信号Ａ，Ｂを生成するように構成される。前記制御部５２０は、リセット信号ＲＳＴが活性化すれば前記伝達制御信号Ａ，Ｂを定められた第１レベルで生成し、前記周期ラッチ部５３０が多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の入力動作を開始することができるように構成される。前記制御部５２０は、前記第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１又は前記第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２のパルスが発生すれば前記伝達制御信号Ａ，Ｂを定められた第２レベルで生成し、前記周期ラッチ部５３０がラッチされた多重分周信号Ｓ１＿ＬＡＴ〜Ｓ６４＿ＬＡＴの出力動作を開始することができるように構成される。
【００３０】
前記制御部５２０は、前記第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１が１つだけでもあれば動作が可能である。前記第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２をさらに用いる理由は次の通りである。前記第１周期信号ＯＳＣ１を、セルフリフレッシュレートを定める基準として用いる場合、特定温度（例えば、３７℃）以下では前記第１周期信号ＯＳＣ１が無限大に増加し、リフレッシュ不良を招くことを防止するためにコールドストッパ（Ｃｏｌｄ  Ｓｔｏｐｐｅｒ）という機能により、前記第１周期信号ＯＳＣ１の代わりに基本周期に比べて４分周したＥＭＲＳによる周期を用いる。したがって、温度が３７℃以下になる場合に備えるために、第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２を用いるようになる。また、第１周期信号ＯＳＣ１を２分周した第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１を用いる理由は分周比率が大きくなるほど温度検出性能が向上するためである。また、第１周期信号ＯＳＣ１の代わりに２分周した第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１を用いるため、４分周されたＥＭＲＳによる周期信号の代わりに８分周した第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２を用いるようになる。
【００３１】
前記周期ラッチ部５３０は、前記伝達制御信号Ａ，Ｂにより前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４をラッチするように構成される。前記周期ラッチ部５３０は、前記伝達制御信号Ａ，Ｂの遷移に応答して前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の入力を遮断するとともに出力およびラッチするか、前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４が入力されるように構成される。前記周期ラッチ部５３０は、前記伝達制御信号Ａ，Ｂが共通に入力され、前記複数の分周器５１１から出力された多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の入力を受ける複数のラッチ回路部５３１を備える。前記複数のラッチ回路部５３１は同一に構成することができる。
【００３２】
前記第１復号器５４０は、前記周期ラッチ部にラッチされた多重分周信号Ｓ１＿ＬＡＴ〜Ｓ６４＿ＬＡＴを、温度を定義する第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５Ｌで復号するように構成される。
【００３３】
前記第２復号器５５０は、前記第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５Ｌを半導体メモリ規格に合う、すなわち、ＪＥＤＥＣ規格に合う３ビットの第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２で復号してパッドＤＱ８〜ＤＱ１０に出力するように構成される。
【００３４】
前記制御部５２０は、図３に示すように、複数のインバータＩＶ１〜ＩＶ６、複数のトランジスタＭ１〜Ｍ４、およびラッチ５２１を備える。前記トランジスタＭ１は、前記リセット信号ＲＳＴに応答して前記伝達制御信号Ａ，Ｂを第１レベル（Ａ＝ハイレベル、Ｂ＝ローレベル）に遷移させるように構成される。前記インバータＩＶ１およびトランジスタＭ２は、パワーアップ信号ＰＷＲＵＰに応答して前記伝達制御信号Ａ，Ｂを第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）に遷移させるように構成される。前記インバータＩＶ２およびトランジスタＭ３は、第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１に応答して前記伝達制御信号Ａ，Ｂを第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）に遷移させるように構成される。前記インバータＩＶ３およびトランジスタＭ４は、前記第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２に応答して前記伝達制御信号Ａ，Ｂを第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）に遷移させるように構成される。前記ラッチ５２１とインバータＩＶ６は、前記複数のトランジスタＭ１〜Ｍ４のドレーンと共通接続され、伝達制御信号Ａ，Ｂのレベルを維持させるように構成される。
【００３５】
前記ラッチ回路部５３１は、図４に示すように、複数のトリステートインバータＴＩＶ１１，ＴＩＶ１２、複数のラッチ５３１−１，５３１−２、およびインバータＩＶ１５を備える。前記トリステートインバータＴＩＶ１１は、前記伝達制御信号Ａ，Ｂが第１レベル（Ａ＝ハイレベル、Ｂ＝ローレベル）である場合に、前記多重分周信号Ｓ１を通過させるように構成される。前記トリステートインバータＴＩＶ１２は、前記伝達制御信号Ａ，Ｂが第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）である場合に、ラッチ５３１−１の出力を通過させるように構成される。前記ラッチ５３１−２およびインバータＩＶ１５は、前記トリステートインバータＴＩＶ１２の出力をラッチし、ラッチされた多重分周信号Ｓ１＿ＬＡＴを出力するように構成される。
【００３６】
このように構成された本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置の動作を説明すれば次の通りである。
【００３７】
先ず、本発明の動作原理を図５および図６を参照して説明すれば次の通りである。
前記第１周期信号ＯＳＣ１は、温度ごとに周期が異なるため、パルス発生タイミングも異なるようになる。図５は、前記第１周期信号ＯＳＣ１のパルス発生タイミングを温度区間別に第２周期信号ＯＳＣ２を分周した多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４にマッチングさせた図である。前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４は、温度には関わらず一定の周期を有するため、前記第１周期信号ＯＳＣ１のパルス発生タイミングに前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４をラッチし、その値を認識すれば常に図６のような値を有するようになる。本発明は、上述した原理により第１周期信号ＯＳＣ１を分周した第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１のパルス発生タイミングに前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４をラッチし、そのラッチされた値を復号して図６のようにＪＥＤＥＣ規格に合うデジタル温度情報として出力するものである。前記図６における温度範囲はＪＥＤＥＣ規格ではなく、製造会社側で任意に設定できる値の一例を示したものである。
【００３８】
以下、本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置の動作を説明する。
リセット信号発生部６００でリセット信号ＲＳＴが活性化すれば、第１周期信号発生部１００および第２周期信号発生部３００が第１周期信号ＯＳＣ１と第２周期信号ＯＳＣ２の生成を開始する。
【００３９】
前記第１分周部２００が前記第１周期信号ＯＳＣ１を分周して第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１を出力し、第２分周部４００が前記第２周期信号ＯＳＣ２を分周して第２分周周期信号Ｘ８ＯＳＣ２を出力する。
【００４０】
図２の温度情報生成部５００の各分周器５１１は、前記リセット信号ＲＳＴにより前記第２周期信号ＯＳＣ２を分周して多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４を生成する。
図３の制御部５２０は、パワーアップ信号ＰＷＲＵＰが活性化すれば伝達制御信号Ａ，Ｂを第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）に遷移させ、前記リセット信号ＲＳＴが活性化する前まで周期ラッチ部５３０の全てのラッチ回路部５３１が多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の入力を遮断する。
【００４１】
図３の制御部５２０は、前記リセット信号ＲＳＴが活性化すれば前記伝達制御信号Ａ，Ｂを第１レベル（Ａ＝ハイレベル、Ｂ＝ローレベル）に遷移させ、前記周期ラッチ部５３０の全てのラッチ回路部５３１が多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の入力を受けるようにする。
【００４２】
前記リセット信号ＲＳＴが活性化すれば、現在温度により定められた周期で前記第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１のパルスが発生する。
前記制御部５２０は、前記第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１のパルスが発生すれば、前記伝達制御信号Ａ，Ｂを再び第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）に遷移させる。
【００４３】
図４を参照すれば、前記周期ラッチ部５３０の ラッチ回路部５３１は、前記伝達制御信号Ａ，Ｂが第２レベル（Ａ＝ローレベル、Ｂ＝ハイレベル）に遷移されれば、ラッチ５３１−１にラッチされた多重分周信号Ｓ１がトリステートインバータＴＩＶ１２を通過してラッチ５３１−２およびインバータＩＶ１５を介して多重分周信号Ｓ１＿ＬＡＴとして出力される。同じように、残り多重分周信号Ｓ２〜Ｓ６４も各々多重分周信号Ｓ２＿ＬＡＴ〜６４として出力される。
【００４４】
前記図２の第１復号器５４０は、前記ラッチされた多重分周信号Ｓ１＿ＬＡＴ〜Ｓ６４＿ＬＡＴを復号して第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５Ｌとして出力する。前記第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５Ｌのうち、前記ラッチされた多重分周信号Ｓ１＿ＬＡＴ〜Ｓ６４＿ＬＡＴの値に該当する温度範囲のコードだけがハイレベルに復号される。例えば、前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の値がＸ／Ｘ／Ｘ／Ｌ／Ｌ／Ｌ／Ｌ、Ｘ／Ｘ／Ｌ／Ｈ／Ｌ／Ｌ／Ｌ、又はＬ／Ｌ／Ｈ／Ｈ／Ｌ／Ｌ／Ｌのうち１つであれば、温度が１００℃以上であるから前記第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５ＬのうちＴｅｍｐ１００だけをハイレベルに復号し、残り値はローレベルに復号する。前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の値のうちでＸはｄｏｎ'ｔ  ｃａｒｅ、Ｌはローレベル、Ｈはハイレベルを意味する。
【００４５】
前記図２の第２復号器５５０は、前記第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５ＬをＪＥＤＥＣ規格に合うように第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２で復号して出力する。図６に示すように、例えば第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５ＬのうちＴｅｍｐ８５だけがハイレベルに復号されているならば、第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２を「１０１」に復号する。また他の例として、第１デジタルコードＴｅｍｐ１００〜Ｔｅｍｐ５５ＬのうちＴｅｍｐ７５だけがハイレベルに復号されているならば、第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２を「００１」に復号する。
【００４６】
１００℃温度での実際のシミュレーション結果が図７に示されている。図７を参照すれば、リセット信号ＲＳＴが活性化した以後最初に第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１のパルスが発生する時点に前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４をラッチした値がＬ／Ｌ／Ｈ／Ｈ／Ｌ／Ｌ／Ｌであり、図６の１００℃以上の温度区間に定義された多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４の値と同一であることがが分かる。
【００４７】
また、７０℃温度でのシミュレーションの結果が図８に示されている。図８を参照すれば、リセット信号ＲＳＴが活性化した以後最初に第１分周周期信号Ｘ２ＯＳＣ１のパルスが発生する時点に前記多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４をラッチした値がＬ／Ｈ／Ｌ／Ｈ／Ｈ／Ｌ／Ｌであり、図６の５５℃以上温度区間に定義された多重分周信号Ｓ１〜Ｓ６４値のＸ／Ｘ／Ｘ／Ｈ／Ｈ／Ｌ／Ｌに該当することが分かる。
【００４８】
上述したように生成された第２デジタルコードＤＴＩ０〜ＤＴＩ２の値がパッドＤＱ８〜ＤＱ１０を介してデジタル温度情報として半導体集積回路外部に出力されれば、メモリコントローラ、例えば、ＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）が前記デジタル温度情報を、オートリフレッシュレート（Ａｕｔｏ  Ｒｅｆｒｅｓｈ  Ｒａｔｅ）を定める時に使うことができる。
【００４９】
本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態によって実施することができるということを理解できる。したがって、以上で記述した実施形態は全ての面で例示的なものであり、限定的なものではないことを理解しなければならない。本発明の範囲は前記詳細な説明よりは特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味および範囲そしてその等価概念から導き出される全ての変更又は変形された形態は本発明の範囲に含まれると解釈しなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る半導体集積回路のデジタル温度情報生成装置のブロック図である。
【図２】図１の温度情報生成部のブロック図である。
【図３】図２の制御部の回路図である。
【図４】図２の周期ラッチ部の回路図である。
【図５】温度による第１周期信号と第２周期信号との周期比較グラフである。
【図６】本発明に係る温度情報復号方法を示す図面である。
【図７】図６の特定温度での温度情報復号シミュレーションの結果を示す波形図である。
【図８】図６の特定温度での温度情報復号シミュレーションの結果を示す波形図である。
【符号の説明】
【００５１】
１００…第１周期信号発生部
２００…第１分周部
３００…第２周期信号発生部
４００…第２分周部
５００…温度情報生成部
５１０…多重分周部
５２０…制御部
５３０…周期ラッチ部
５４０…第１復号器
５５０…第２復号器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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