(57)【要約】【課題】  プローブカードをプリヒートすることなく高温検査を行ってプローブの針先位置が変動しても、リアルタイムで適正な接触荷重に補正して信頼性の高い検査を行うことができ、延いてはプローブカードや被検査体の損傷を防止することができる検査装置を提供する。【解決手段】  本発明の検査装置は、半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台１０と、載置台１０の上方に配置されたプローブカード３０と、載置台１０を制御する制御装置４０と、を備え、載置台１０は、温度調整可能な載置体１１と、載置体１１を支持する支持体１２と、支持体１２内に設けられた昇降駆動機構１４と、を備え、載置体１１と支持体１２の間に接触荷重を検出する圧力センサ１５を設け、更に、制御装置４０は、圧力センサ１５の検出信号に基づいて昇降駆動機構１４を制御するように構成されている。【選択図】図１
2009130114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置されたプローブカードと、上記載置台を制御する制御装置と、を備え、上記載置台をオーバードライブさせて上記載置台上に載置された上記被検査体の複数の電極と上記プローブカードの複数のプローブを所定の接触荷重で接触させて上記被検査体の検査を行う検査装置において、上記載置台は、温度調整可能な載置体と、上記載置体を支持する支持体と、上記支持体内に設けられた昇降駆動機構と、を備え、上記載置体と上記支持体の間に上記接触荷重を検出する圧力センサを設け、更に、上記制御装置は、上記圧力センサの検出信号に基づいて上記昇降駆動機構を制御することを特徴とする検査装置。
【請求項２】
上記圧力センサを上記載置体の外周部に沿って複数配置したことを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
上記圧力センサは静電容量型圧力センサからなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
上記圧力センサは、複数の静電容量型圧力センシング素子が縦横に配列されたアレイセンサとして構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の検査装置。
【請求項５】
上記制御装置は、上記圧力センサの検出信号に基づいて上記接触荷重の三次元分布状態を三次元化または二次元化に簡略化して表示装置で可視化することを特徴とする請求項５に記載の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行う検査装置に関し、更に詳しくは、高温下または低温下であっても高い信頼性を持って検査を行うことができる検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の検査装置は、例えば図６に示すように、被検査体（例えば、半導体ウエハ）Ｗを載置する移動可能な載置台１と、載置台１を水平方向及び上下方向へ移動させる駆動機構２と、載置台１の上方に配置されたプローブカード３と、プローブカード３の複数のプローブ３Ａと載置台１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドとの位置合わせするアライメント機構４と、載置台１及びアライメント機構４を含む各種の機器を制御する制御装置５と、を備え、制御装置５の制御下で載置台１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード３の複数のプローブ３Ａとの位置合わせを行って複数の電極パッドと複数のプローブ３Ａとを接触させた後、半導体ウエハＷをオーバードライブさせて所定の接触荷重で半導体ウエハＷの電気的特性検査を行う。
【０００３】
アライメント機構４は、載置台１上の半導体ウエハＷを撮像する第１カメラ４Ａと、プローブカード３のプローブ３Ａを撮像する第２カメラ４Ｂと、第１、第２カメラ４Ａ、４Ｂの撮像画像を画像処理する画像処理部４Ｃ、４Ｄと、を有し、半導体ウエハＷの複数の電極パッド及びプローブカード３の複数のプローブ３Ａそれぞれの撮像画像に基づいて複数の電極パッドと複数のプローブ３Ａとの位置合わせを行う。尚、図６において、４Ｅはアライメントブリッジである。
【０００４】
例えば、半導体ウエハＷの高温検査を行う場合には、載置台１に内蔵された温度調節機構を用いて載置台１上の半導体ウエハＷを例えば１５０℃に加熱する一方、アライメント機構４を介して載置台１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード３の複数のプローブ３Ａとのアライメントを行い、載置台１を昇降駆動機構によって上昇させて複数の電極パッドと複数のプローブ３Ａとを接触させた後、更に、半導体ウエハＷをオーバードライブさせて所定の接触荷重で複数の電極パッドと複数のプローブ３Ａとを電気的に接触させ、１５０℃の高温下で半導体ウエハＷの電気的特性検査を行う。
【０００５】
ところが、検査の初期段階では、半導体ウエハＷは１５０℃の高温まで加熱されているが、プローブカード３は加熱されていないため、半導体ウエハＷとプローブ３Ａの間には大きな温度差がある。そのため、検査時に複数のプローブ３Ａが半導体ウエハＷの最初の電極パッドと接触すると、複数のプローブ３Ａが載置台１上の半導体ウエハＷによって直接加熱されて熱膨張して伸びる。更に、プローブカード３本体も半導体ウエハＷ側からの放熱により徐々に加熱されて熱膨張する。プローブカード３本体及びプローブ３Ａは半導体ウエハＷ内のデバイスの検査を繰り返す間に徐々に温度が高くなってプローブ３Ａが、例えば図７の（ａ）に示す状態から同図の（ｂ）に細線で示すように伸び、その針先位置が当初の位置から徐々に変位するため、予め設定されたオーバードライブ量で半導体ウエハＷをオーバードライブさせるとプローブ３Ａからの接触荷重が過大になってプローブ３Ａや電極パッドＰを傷つける虞があった。しかも、プローブカード３が熱膨張し、プローブ３Ａの針先位置が安定するまでに長時間を要する問題もあった。
【０００６】
そこで、高温検査を行う場合には、プローブカードをプリヒートしてプローブカードを完全に熱膨張させて寸法的に安定させた後、高温検査を行うようにしている。ところが、プローブカードが大型化していることと相俟って、プリヒートには例えば２０〜３０分もの長時間が必要になってきている。そこで、例えば特許文献１に記載の技術では、検査時の高温に設定された半導体ウエハにプローブを直接接触させ、プローブカードの間近からプローブカードをプリヒートしている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−０８８２０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の技術では、高温検査中にはプローブカードが殆ど熱膨張することがなく、所定のオーバードライブでプローブと半導体ウエハの安定した接触荷重を得ることができ、プローブカードや半導体ウエハの損傷を防止することができるが、検査時間とは別にプローブカードのプリヒート時間が必要であり、プリヒートの時間だけ検査時間が長くなるという問題があった。また、被検査体の受け渡しやアライメントなど、載置台１がプローブカード３から離れている間にプローブカードが冷え、プローブ３Ａの位置が変動してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、プローブカードをプリヒートすることなく高温検査を行ってプローブの針先位置が変動しても、リアルタイムで適正な接触荷重に補正して信頼性の高い検査を行うことができ、延いてはプローブカードや被検査体の損傷を防止することができる検査装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に記載の検査装置は、被検査体を載置する移動可能な載置台と、上記載置台の上方に配置されたプローブカードと、上記載置台を制御する制御装置と、を備え、上記載置台をオーバードライブさせて上記載置台上に載置された上記被検査体の複数の電極と上記プローブカードの複数のプローブを所定の接触荷重で接触させて上記被検査体の検査を行う検査装置において、上記載置台は、温度調整可能な載置体と、上記載置体を支持する支持体と、上記支持体内に設けられた昇降駆動機構と、を備え、上記載置体と上記支持体の間に上記接触荷重を検出する圧力センサを設け、更に、上記制御装置は、上記圧力センサの検出信号に基づいて上記昇降駆動機構を制御することを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明の請求項２に記載の検査装置は、請求項１に記載の発明において、上記圧力センサを上記載置体の外周部に沿って複数配置したことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項３に記載の検査装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記圧力センサは静電容量型圧力センサからなることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項４に記載の検査装置は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記圧力センサは、複数の静電容量型圧力センシング素子が縦横に配列されたアレイセンサとして構成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項５に記載の検査装置は、請求項５に記載の発明において、上記制御装置は、上記圧力センサの検出信号に基づいて上記接触荷重の三次元分布状態を三次元化または二次元化に簡略化して表示装置で可視化することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、プローブカードをプリヒートすることなく高温検査を行ってプローブの針先位置が変動しても、リアルタイムで適正な接触荷重に補正して信頼性の高い検査を行うことができ、延いてはプローブカードや被検査体の損傷を防止することができる検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図２〜図５に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。尚、各図中、図１は本発明の検査装置の要部を示す側面図、図２の（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の検査装置に用いられる載置台の一実施形態を示す図で、（ａ）はその分解斜視図、（ｂ）は（ａ）に示す載置台の要部を示す平面図、（ｃ）は載置台の要部を示す断面図、図３の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２に示す圧力センサを模式的に示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大して示す断面図、図４は図２に示す載置台を備えた検査装置の制御系を示すブロック図、図５の（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２に示す載置台上で半導体ウエハとプローブカードを接触させて高温検査を行う状態を部分的に拡大して示す図で、（ａ）は接触直後を示す断面図、（ｂ）はプローブカードが熱膨張する状態を示す断面図である。
【００１７】
本実施形態の検査装置は、図１に示すように、被検査体（例えば、半導体ウエハ）Ｗを載置し、Ｘ、Ｙ、Ｚ及びθ方向へ移動可能な載置台１０と、この載置台１０をＸ、Ｙ方向へ移動させるＸ、Ｙステージ２０と、載置台１０の上方に配置されたプローブカード３０と、プローブカード３０のプローブ３１と載置台１０上の半導体ウエハの電極パッドをアライメントするアライメント機構（図示せず）と、載置台１０及びアライメント機構等の機器を制御する制御装置４０（図４参照）と、を備え、制御装置４０の制御下で載置台１０を介して半導体ウエハＷをオーバードライブさせて複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドを所定の接触荷重で電気的に接触させて半導体ウエハＷの高温検査または低温検査を行うように構成されている。
【００１８】
載置台１０は、図２の（ａ）〜（ｃ）に示すように、半導体ウエハＷを所定の温度に加熱または冷却する温度調整機構を内蔵する載置体１１と、載置体１１を下面中央で支持する支持体１２と、支持体１２の外周面に周方向等間隔を空けて３箇所に配置され且つ昇降ガイド１３Ａを介して支持体１２を昇降可能に支持する昇降支持体１３と、を備え、載置体１１上の半導体ウエハＷを所定の高温温度（例えば、１５０℃）に加熱し、載置体１１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード３０の複数のプローブ３１とを電気的に接触させて半導体ウエハＷの高温検査を行うように構成されている。
【００１９】
支持体１２は、図２の（ａ）、（ｂ）に示すように、載置体１１の外径より小径の円筒状に形成された支持体本体１２Ａと、支持体本体１２Ａの外周面の周方向等間隔を隔てた３箇所から張り出す補強部１２Ｂと、を有している。これらの補強部１２Ｂは、それぞれ支持体１２の下端から上端に向けて徐々に外方へ拡幅する略直角三角形状に形成されている。
【００２０】
図２の（ａ）、（ｂ）に示すように支持体本体１２Ａの内側の空間には昇降駆動機構１４を構成するモータ（図示せず）及びボールネジ１４Ａが収納され、このボールネジ１４Ａは支持体１２の内部に固定されたナット部材と螺合し、モータの駆動によりボールネジ１４Ａ及びナット部材を介して支持体１２がＸＹステージ２０（図２の（ａ）参照）において昇降するようになっている。
【００２１】
ところで、例えば半導体ウエハＷの高温検査を行う時にはプローブカード３０は加熱された半導体ウエハＷとの接触及び半導体ウエハＷからの放熱により熱膨張する。そのため、半導体ウエハＷが載置台１０を介して所定の距離だけオーバードライブしても、プローブカード３０の熱膨張によりプローブ３１の針先位置が変動し、接触荷重が所定の値を超えてしまい、プローブカード３０及び半導体ウエハＷを損傷させる虞がある。そこで、本実施形態では圧力センサを設けて複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドの接触荷重を高温検査に適正な接触荷重を維持するようにしている。
【００２２】
即ち、図２の（ｃ）に示すように載置体１１と支持体１２の３箇所の補強部１２Ｂの上端面の間にはシート状に形成された弾力のある圧力センサ１５がそれぞれ介装され、これらの圧力センサ１５はそれぞれ載置体１１上の半導体ウエハＷとプローブカード３０の複数のプローブ３１との接触荷重をそれぞれの場所において検出し、それぞれの検出信号を制御装置４０へ出力するようにしてある。制御装置４０は、３箇所の圧力センサ１５の検出信号に基づいて載置台１０の昇降駆動機構１４を制御して載置体１１及び支持体１２を昇降させ、複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドを所定の接触荷重を補正し、所期の適正な接触荷重を保持するようにしてある。そこで、まず圧力センサ１５と載置体１１及び支持体１２との位置関係について説明する。尚、３箇所の補強部１２Ｂは、いずれも同一の構造を有するため、そのうちの一つを例に挙げて説明する。
【００２３】
図２の（ａ）〜（ｃ）に示すように補強部１２Ｂの上端面には載置体１１を受ける台座部１２Ｃが形成されている。この台座部１２Ｃは、支持体本体１２Ａの上端面から径方向への延長端部に形成され、その内側の平坦面より僅かに（例えば２ｍｍ）高くして形成されている。この台座部１２Ｃの内側に圧力センサ１５が設けられている。圧力センサ１５は、図２の（ｃ）に示すように台座部１２Ｃの高さｈより僅かに高くなる厚みに形成されており、この圧力センサ１５によって載置体１１を直接支持している。従って、半導体ウエハＷの検査を行わない時には図２の（ｃ）に示すように載置体１１と台座部１２Ｃの間には細隙δが形成され、半導体ウエハＷの検査を行う時には載置体１１は接触荷重により圧力センサ１５を細隙δの範囲内で圧縮させる。圧力センサ１５は、圧縮されることにより半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード３０の複数のプローブ３１の接触荷重を検出する。
【００２４】
プローブカード３０の複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドの接触荷重は、３箇所の圧力センサ１５に分散され、複数のプローブ３１の接触位置によって３箇所の圧力センサ１５は異なる接触荷重（圧力）を検出する。複数のプローブ３１との接触荷重が半導体ウエハＷの如何なる場所でも一定であれば、３箇所の圧力センサ１５の検出圧力の合計値は、常に一定の接触荷重になる。従って、３箇所の圧力センサ１５の検出圧力の合計値を高温検査で要求される適正な接触荷重に制御することにより、信頼性の高い高温検査を行うことができる。
【００２５】
而して、圧力センサ１５は、例えば静電容量型や抵抗型等の種々のタイプのものが知られているが、本実施形態では静電容量型圧力センサが用いられている。この圧力センサ１５は、図３の（ａ）、（ｂ）に示すように多数の静電容量型圧力センシング素子１５１が縦横に配列されたアレイセンサとして形成されている。図３の（ｂ）は静電容量型圧力センシング素子１５１を拡大して示す断面図である。
【００２６】
静電容量型圧力センシング素子１５１は、図３の（ｂ）に示すように、上下二枚の電極１５１Ａ、１５１Ｂと、これらの電極１５１Ａ、１５１Ｂ間に所定の寸法を有する隙間を形成するための弾性のある絶縁支持体１５１Ｃと、絶縁支持体１５１Ｃで形成された隙間及び上下の電極１５１Ａ、１５１Ｂの全面を被覆する弾性のある絶縁体（例えば、シリコンゴム）１５１Ｄと、各電極１５１Ａ、１５１Ｂのリード線１５２、１５１Ｅと、を有し、例えば素子本体が１ｍｍ×２ｍｍ□程度の大きさの圧力センシング素子として形成されている。ここで絶縁支持体１５１Ｃと絶縁体１５１Ｄは、異なる材料であっても同一の材料であっても良い。この圧力センサ１５に矢印で示すように接触荷重が作用すると絶縁支持体１５１Ｃ及びシリコンゴム１５１Ｄが圧縮され、これによって上下二枚の電極１５１Ａ、１５１Ｂ間の寸法が変化し、電極１５１Ａ、１５１Ｂ間の静電容量が大きくなる。静電容量Ｃと電極の面積Ｓ及び電極間の寸法ｄの間には、Ｃ＝ｋ・（Ｓ／ｄ）の関係がある。但し、ｋは比例定数である。シリコンゴム１５１Ｃは、アレイセンサの全領域を被覆している。尚、本実施形態の圧力センサ１５は、多数の静電容量型圧力センシング素子１５１を配列して構成されたものであるが、一個の静電容量型圧力センサによって構成されてものであっても良い。
【００２７】
このように圧力センサ１５は、多数の静電容量型圧力センシング素子１５１が縦横に配列されたアレイセンサとして構成されているため、各静電容量型圧力センシング素子１５１の位置をＸ、Ｙ座標、それぞれの座標位置における検出圧力をＺ座標とすることにより、各静電容量型圧力センシング素子１５１で検出する信号に基づいて圧力分布を三次元的に把握することができる。
【００２８】
３箇所の圧力センサ１５は、図４に示すように、リード線１５２を介してそれぞれの検出部１５３に接続され、それぞれの検出部１５３を介して制御装置４０へ検出信号を出力するように構成されている。制御装置４０は、図４に示すように、３箇所の圧力センサ１５の検出信号に基づいて昇降駆動機構１４を制御する制御プログラムを記憶すると共に複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドとの適正な接触荷重を基準接触荷重として記憶する記憶部４１と、記憶部４１から制御プログラムを読み出して３箇所の圧力センサ１５からの検出信号に基づいて演算処理して昇降駆動機構１４を制御する中央演算処理部４２と、を備えている。
【００２９】
中央演算処理部４２は、制御プログラムの指令信号下で、３箇所の圧力センサ１５それぞれの検出圧力を合計して複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドの接触荷重を検出し、この検出された接触荷重と記憶部４１から読み出された基準接触荷重との比較結果に基づいて載置台１０の昇降駆動機構１４を昇降制御する機能を有している。
【００３０】
また、中央演算処理部４２は、制御プログラムの指令信号下で、３箇所の圧力センサ１５の各静電容量型圧力センシング素子１５１の検出信号に基づいて圧力分布を求め、この圧力分布を表示装置５０において三次元で表示させる機能を有している。従って、３箇所の圧力センサ１５で検出された圧力分布は、表示装置５０において視覚的に確認することができる。
【００３１】
次いで、本実施形態の検査装置の動作について図５をも参照しながら説明する。まず、載置台１０の載置体１１を例えば半導体ウエハＷを１５０℃に設定できる温度まで加熱する。この載置体１１上に半導体ウエハＷを載置すると、載置台１０が移動する間に、アライメント機構を介して載置体１１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード３０の複数のプローブ３１のアライメントを行う。この間に載置体１１上の半導体ウエハＷが１５０℃に設定される。
【００３２】
然る後、載置台１０の昇降駆動機構１４が駆動して載置体１１及び支持体１２が一体的に上昇する。これにより載置体１１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドとプローブカード３０の複数のプローブ３１が接触した後、更にオーバードライブを掛けると図４、図５の（ａ）に示すように載置体１１上の半導体ウエハＷの複数の電極パッドと複数のプローブ３１が接触し、３箇所の圧力センサ１５がこの時の接触荷重を検出部１５３において検出する。各検出信号を検出部１５３は、３箇所の圧力センサ１５からの検出信号を制御装置４０の中央演算処理部４２へ出力する。中央演算処理部４２は、記憶部４１から読み出された制御プログラムに基づいて３箇所の圧力センサ１５の接触荷重の合計値を求め、この合計値と記憶部４１から読み出された基準接触荷重と比較し、この比較結果に基づいて昇降駆動機構１４を制御する。
【００３３】
半導体ウエハＷの高温検査を行う間にプローブカード３０が半導体ウエハＷからの放熱により熱膨張し、複数のプローブ３１が図５の（ａ）に示す状態から徐々に伸びて載置体１１に対する接触荷重が増加すると、３箇所の圧力センサ１５が増加後の接触荷重を検出する。中央演算処理部４２は３箇所の圧力センサ１５からの検出接触荷重と基準接触荷重を比較し、比較結果に基づいて載置体１１が図５の（ｂ）に示すように一点鎖線で示す位置から実線で示す位置まで昇降駆動機構１４を下降し、プローブカード３０の熱膨張による複数のプローブ３１の伸びを吸収して接触荷重を補正して基準接触荷重に設定し、複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドを適正な接触荷重で電気的に接触させて半導体ウエハＷの高温検査を確実に行うことができる。
【００３４】
高温検査中にプローブカード３０が熱膨張しても３箇所の圧力センサ１５の検出信号に基づいて中央演算処理部４２が昇降駆動機構１４を下降させてプローブカード３０の熱膨張による複数のプローブ３１の伸びを吸収して複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドの接触荷重を常に適正な接触荷重に補正し、信頼性の高い高温検査を安定的且つ確実に行うことができる。従って、高温検査時にプローブカード３０及び半導体ウエハＷがプローブカード３０の熱膨張により損傷することがない。
【００３５】
また、中央演算処理部４２は、３箇所の圧力センサ１５の複数の静電容量型圧力センシング素子１５１の検出信号に基づいて接触荷重の圧力分布を三次元で求め、その圧力分布を表示装置５０において三次元で可視化して表示することができるため、表示装置５０によって接触荷重の圧力分布を視覚的に三次元で把握することができる。
【００３６】
以上説明したように本実施形態によれば、半導体ウエハＷを載置する移動可能な載置台１０と、載置台１０の上方に配置されたプローブカード３０と、載置台１０を制御する制御装置４０と、を備え、制御装置４０の制御下で載置台１０をオーバードライブさせて載置台１０上に載置された半導体ウエハＷの複数の電極とプローブカード３０の複数のプローブ３１を所定の接触荷重で接触させて半導体ウエハＷの高温検査を行う際に、載置台１０は、温度調整可能な載置体１１と、載置体１１を支持する支持体１２と、支持体１２内に設けられた昇降駆動機構１４と、を備え、載置体１１と支持体１２の間に接触荷重を検出する圧力センサ１５を設け、更に、制御装置４０は、圧力センサ１５の検出信号に基づいて昇降駆動機構１４を制御するようにしたため、プローブカード３０をプリヒートすることなく高温検査を行ってプローブ３１が伸びて針先位置が変動しても制御装置４０が圧力センサ１５の検出信号に基づいて昇降駆動機構１４を下降させてリアルタイムでプローブ３１の伸びを吸収してプローブ３１と半導体ウエハＷとの接触荷重を適正な接触荷重に保持して信頼性の高い検査を行うことができ、半導体ウエハＷやプローブカード３０を損傷することがない。
【００３７】
また、本実施形態によれば、圧力センサ１５は、複数の静電容量型圧力センシング素子１５１が縦横に配列されたアレイセンサとして構成されているため、複数のプローブ３１と半導体ウエハＷの複数の電極パッドの接触荷重を三次元の圧力分布として表示することができる。また、制御装置４０は、圧力センサ１５の検出信号に基づいて接触荷重の分布状態を三次元化して表示装置５０で可視化することができるため、表示装置５０によって接触荷重の三次元圧力分布を視覚的に把握することができる。
【００３８】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではなく、本発明の構成要素を適宜設計変更することができる。上記各実施形態では圧力センサとして複数の静電容量型圧力センシング素子１５１を備えたアレイセンサ１５２を例に挙げて説明したが、単独の静電容量型圧力センサであっても良く、また、静電容量型圧力センサ以外の抵抗型圧力センサであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、半導体ウエハ等の被検査体の高温検査を行う検査装置に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明のの検査装置の要部を示す側面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の検査装置に用いられる載置台の一実施形態を示す図で、（ａ）はその分解斜視図、（ｂ）は（ａ）に示す載置台の要部を示す平面図、（ｃ）は載置台の要部を示す断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２に示す圧力センサを模式的に示す図で、（ａ）はその平面図、（ｂ）は（ａ）の一部を拡大して示す断面図である。
【図４】図２に示す載置台を備えた検査装置の制御系を示すブロック図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図２に示す載置台上で半導体ウエハとプローブカードを接触させて高温検査を行う状態を部分的に拡大して示す図で、（ａ）は接触直後を示す断面図、（ｂ）はプローブカードが熱膨張する状態を示す断面図である。
【図６】従来の検査装置の一例を模式的に示す構成図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ図７に示す図２に示す検査装置を用いて半導体ウエハとプローブカードを接触させて高温検査を行う状態を部分的に拡大して示す図で、（ａ）は接触直後を示す断面図、（ｂ）はプローブカードが熱膨張する状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０    載置台
１１    載置体
１２    支持体
１５    圧力センサ
３０    プローブカード
３１    プローブ
４０    制御装置
１５１    静電容量型圧力センシング素子
Ｗ    半導体ウエハ（被検査体）
【図１】
2009130114.tif 000003
【図２】
2009130114.tif 000004
【図３】
2009130114.tif 000005
【図４】
2009130114.tif 000006
【図５】
2009130114.tif 000007
【図６】
2009130114.tif 000008
【図７】
2009130114.tif 000009