(57)【要約】【課題】従来技術でのほとんどでは高エネルギーのレーザ光を用いて、基板または発光ダイオード素子を分離するものであるが、このような方式では処理速度が遅く、しかも高価な設備で行う必要がある。【解決手段】III族窒素化合物半導体発光素子の製造方法であって、第１のIII族窒素化合物半導体層をベース基板の表面に成長させる工程と、エピマスク層を前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、第２のIII族窒素化合物半導体層を前記エピマスク層および被覆されていない前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる工程と、前記エピマスク層を除去する工程と、第３のIII族窒素化合物半導体層を前記第２のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる工程と、導電性材料層を前記第３のIII族窒素化合物半導体層上に堆積させる工程と、前記第３のIII族窒素化合物半導体層およびその上の構造体を前記第２のIII族窒素化合物半導体層から分離する工程と、を含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＩＩＩ族窒素化合物半導体層をベース基板の表面に形成する工程と、
第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層を前記第１のＩＩＩ族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、
第３のＩＩＩ族窒素化合物半導体層を前記第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、
導電性材料層を前記第３のＩＩＩ族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、を含むＩＩＩ族窒素化合物半導体発光素子の製造方法であって、
第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層を形成する前に、パターンニングされたエピマスク層を前記第１のＩＩＩ族窒素化合物半導体層上に形成し、
前記第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層を前記エピマスク層および被覆されていない前記第１のＩＩＩ族窒素化合物半導体層上に形成し、
前記エピマスク層を除去し、
前記第３のＩＩＩ族窒素化合物半導体層およびベース基板を前記第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層から分離する、ことを特徴とするＩＩＩ族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記第３のＩＩＩ族窒素化合物半導体層と前記導電性材料層との間に金属鏡面層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層がウェットエッチングにより分解されることで、前記第３のＩＩＩ族窒素化合物半導体層および前記導電性材料層との複合体が前記ベース基板から分離できることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記パターンニングされたエピマスク層が複数個の突起と、前記複数個の突起の中間に介在されている複数の溝とを備え、前記複数個の突起が六角柱体、円柱体または四角柱体であり、前記複数の溝が前記突起の各々の周囲をそれぞれ囲むか、または狭い長尺状体であり、前記複数の溝が隣接する前記突起を隔てていることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層がキノコ状であるか、またはキノコ棒状の構造体を前記第１のＩＩＩ族窒素化合物半導体層上に立設したものであり、前記第３のＩＩＩ族窒素化合物半導体層が、前記第２のＩＩＩ族窒素化合物半導体層における各々のキノコ状構造体の両側から横方向に成長して互いに接合するとともに、成長条件を調節することで、前記キノコ状構造体の形状を変えることが可能であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法およびその構造に関し、とりわけ発光ダイオードの発光構造を成長させるための製造方法およびその構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、窒化ガリウムまたはIII族窒化物を発光材料とした発光ダイオードはサファイヤを基板とすることが多いが、これは主にサファイヤとIII族窒化物との結晶の格子定数の不一致程度が低いことによる（一般的には、結晶の格子定数の不一致を改善するためのバッファ層を必要とする）。しかし、サファイヤを基板とするものにも少なからず欠点がある。例えば、絶縁性が大きいため、III族窒化物の発光ダイオードにおいて垂直素子構造を製作しにくくなる。したがって、その他の材料（例えば炭化シリコン）を基板とすることで、上記した欠点を改善する技術が絶えず開発され続けている。そして炭化シリコンはその導電性により導体基板とすることができるうえ、炭化シリコンとIII族窒化物発光層との結晶格子の不一致率が小さいため、窒化ガリウム、窒化アルミガリウムなどのバッファ層を用いて、III族窒化物を炭化シリコン基板上にエピタキシャル成長させる。しかも炭化シリコンの安定性は高いことから、炭化シリコンは日増しに重要性を増している。窒化ガリウム、窒化アルミガリウムなどのバッファ層により、III族窒化物を炭化シリコン基板上にエピタキシャル成長させたとしても、III族窒化物と炭化シリコンとの結晶格子の一致率は、窒化アルミニウムと炭化シリコンとの結晶格子の一致率よりも低い。したがって、窒化ガリウム、窒化アルミガリウムのエピタキシャルバッファ層を炭化シリコン基板上に形成した場合、後のエピタキシャル層中に欠陥が生じてしまううえ、炭化シリコン基板はコストが嵩んでしまう。
【０００３】
図１Ａおよび１Ｂは特許文献１の基板分離の概略図である。まず、サファイヤ基板１１上に順に分離領域１２と、窒化シリコン層１３を形成した後、接合層１４を窒化シリコン層１３の表面に塗布する。接合層１４の接着特性により、シリコン基板１５と前記サファイヤ基板１１の積層構造とを互いに接着する。レーザビーム１６がサファイヤ基板１１の表面を透過して分離領域１２を照射することで、分離領域１２の材料が分解（ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）する。次に分解後に残留した分離領域１２の材料をクリーニング除去して、シリコン基板１５および窒化シリコン層１３の複合体を得ることができる。しかしシリコン基板１５と窒化シリコン層１３との間には非導電性の接合層１４があるため、垂直素子の基本構造とすることはできない。しかも接合層１４の塗布または材料の選択が良くないと、接合の結果に影響を及ぼし、最悪、薄膜の窒化シリコン層１３に欠陥が生じてしまう。
【０００４】
図２は特許文献２の基板分離の概略図である。本従来技術は図１Ａ〜１Ｂにおける従来技術に似ている。第１の半導体層２１および第２の半導体層２２もまたレーザビーム２３を界面に照射することで、第２の半導体層２２が界面箇所で分解されて、最終的に第１の半導体層２１が第２の半導体層２２上から分離する。前記第２の半導体層２２は基板上に形成される膜層とする、つまり第１の半導体層２１を基板に代えて、この両者を分離することができる。
【０００５】
図３は特許文献３の基板分離前の概略図である。まず基板３１上に、第１タイプの導体領域３２と、発光ＰＮ接合面領域３３と、第２タイプの導体領域３４とを含む複数のエピタキシャル層を成長させるものである。第２タイプの導体領域３４の方向から前記複数のエピタキシャル層のカッティングライン３６をカッティングすることで、基板３１上に複数個に分離された発光ダイオードチップ３５が形成される。第２タイプの導体領域３４とサブマウント（ｓｕｂｍｏｕｎｔ）３１とを接合する。上記従来技術に類似したものをもって、同様にレーザ光が基板３１の表面を通過して、基板３１と第１タイプの導体領域３２とを分離する。分離された発光ダイオードチップ３５はサブマウント３１から取り外すことが可能となることで、封止工程を行うことになる。明らかなことは、前記複数のエピタキシャル層をカッティングした後、各発光ダイオードチップ３５がサブマウント３１に接合されるときに外力により互いに押圧されてしまいやすいため、ダイクラック（ｄｉｅ ｃｒａｃｋ）が生じて損傷しやすくなってしまうということである。
【０００６】
図４は特許文献４の基板分離の概略図である。まずサファイヤ基板４１に窒化ガリウム層４２を形成した後、エッチング工程にて窒化ガリウム層４２に複数の溝４４を形成する。その後、接着剤でシリコン基板４３を、溝４４を有する前記窒化ガリウム層４２の表面に接着するとともに、紫外線エキシマレーザ４５が出射したレーザビーム４６がサファイヤ基板４１に照射される。レーザビーム４６が透明のサファイヤ基板４１を透過して、更に窒化ガリウム層４２に触れてこれが分解されることで、窒化ガリウム層４２を備えたシリコン基板４３が得られる。しかしながら、前記窒化ガリウム層４２の分解箇所にはなおも塩酸で残留しているガリウムを処理して、この表面を補修しなければ、後続のエピタキシャル工程を行うことはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第６，０７１，７９５号明細書
【特許文献２】米国特許第６，７４０，６０４号明細書
【特許文献３】米国特許第６，７４６，８８９号明細書
【特許文献４】米国特許第６，６１７，２６１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
前記した従来技術のほとんどでは高エネルギーのレーザ光を用いて、基板または発光ダイオード素子を分離するものであるが、このような方式では処理速度が遅く、しかも高価な設備で行う必要がある。上記をまとめるに、業界においては、上記した従来技術の各種欠点を改善でき、品質の安定が確保され、量産可能な分離技術が必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の主な目的は、非導電性のベース基板がエピタキシャルであるものを基礎とし、前記ベース基板を除去して垂直導通構造のIII族窒素化合物半導体発光素子を形成する、III族窒素化合物半導体発光素子の製造方法およびその構造を提供するものである。
【００１０】
本発明の他の目的は、既存の製造工程および設備を用いることで、製造コストを削減可能であるIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法およびその構造を提供するものである。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一実施例では、第１のIII族窒素化合物半導体層をベース基板の表面に成長させる工程と、パターンニングされたエピマスク層を前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、第２のIII族窒素化合物半導体層を前記エピマスク層および被覆されていない前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる工程と、前記エピマスク層を除去する工程と、第３のIII族窒素化合物半導体層を前記第２のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる工程と、導電性材料層を前記第３のIII族窒素化合物半導体層上に堆積または接着する工程と、前記第３のIII族窒素化合物半導体層およびその上の構造体を前記第２のIII族窒素化合物半導体層から分離する工程と、を含むIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法およびその構造を開示している。
【００１２】
前記エピマスク層が二酸化シリコンであることが好ましい。
【００１３】
前記第３のIII族窒素化合物半導体層と前記導電性材料層との間に金属鏡面層を形成する工程を更に含む。
【００１４】
前記導電性材料層は電気めっきまたは複合電気めっきで堆積させた銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはタングステン銅合金（ＣｕＷ）である。
【００１５】
前記ベース基板の材質がサファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）およびガリウムヒ素である。
【００１６】
前記第２のIII族窒素化合物半導体層はウェットエッチングにより分解されることで、前記第３のIII族窒素化合物半導体層および前記導電性材料層との複合体が前記ベース基板から分離する。
【００１７】
前記第３のIII族窒素化合物半導体層と前記金属鏡面層との間にＮ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを形成する工程を更に含む。
【００１８】
前記パターンニングされたエピマスク層は、複数個の突起と、前記複数個の突起の中間に介在されている複数の溝とを備える。
【００１９】
前記導電性材料層および前記金属鏡面層の表面にエッチング保護層を施す工程を更に含む。
【００２０】
前記第２のIII族窒素化合物半導体層はキノコ状であるか、またはキノコ棒状の構造体を前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に立設したものである。前記第３のIII族窒素化合物半導体層は、前記第２のIII族窒素化合物半導体層における各々のキノコ状構造体の両側から横方向に成長して互いに接合している。前記第３のIII族窒素化合物半導体層は成長条件を調節することで、前記キノコ状構造体の形状を変えることができる。
【００２１】
本発明の一実施例では、III族窒素化合物半導体層と、前記III族窒素化合物半導体層上に形成されている金属鏡面層と、前記金属鏡面層上に形成されている導電性材料層とを備えたIII族窒素化合物半導体発光素子を開示している。
【００２２】
前記III族窒素化合物半導体層の材料がＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮであり、このうち０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１Ａおよび図１Ｂは米国特許第６，０７１，７９５号の基板分離の概略図
【図２】米国特許第６，７４０，６０４号の基板分離の概略図
【図３】米国特許第６，７４６，８８９号の基板分離前の概略図
【図４】米国特許第６，６１７，２６１号の基板分離の概略図
【図５】本発明のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造工程のフローチャート
【図６−１】図６Ａないし図６Ｃは本発明のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造の概略図
【図６−２】図６Ｄおよび図６Ｅは本発明のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造の概略図
【図６−３】図６Ｆおよび図６Ｇは本発明のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造の概略図
【図７】図７Ａおよび図７Ｂは本発明の他の実施例におけるIII族窒素化合物半導体発光素子の製造の概略図
【図８】図８Ａないし図８Ｄは本発明のパターンニングされた第１のIII族窒素化合物半導体層の概略図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図５は本発明のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造工程のフローチャートである。工程Ｓ５１に示すように、第１のIII族窒素化合物半導体層を、例えばサファイヤ（つまりアルミナ化合物Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）およびガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などであるベース基板の表面に成長させる。次に工程Ｓ５２に示すように、フォトリソエッチング工程で、パターンニングされたエピマスク層（Ｅｐｉ−Ｍａｓｋ）を前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に形成する。例えば二酸化シリコン、つまりエピマスク層が所定のパターンで第１のIII族窒素化合物半導体層の表面の一部を被覆する。
【００２５】
その後、工程Ｓ５３に示すように、更に第２のIII族窒素化合物半導体層を前記エピマスク層および被覆されていない前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる。工程Ｓ５４およびＳ５５に示すように、前記第２のIII族窒素化合物半導体層が前記エピマスク層を完全に被覆する前に成長を停止させて、続いて前記エピマスク層を除去する。
【００２６】
工程Ｓ５６に基づいて、第３のIII族窒素化合物半導体層を前記第２のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる。しかも工程Ｓ５７に示すように、前記第３のIII族窒素化合物半導体層にて生じた光を反射可能な金属鏡面（ｍｅｔａｌ ｍｉｒｒｏｒ）層を前記第３のIII族窒素化合物半導体層上に形成する。工程Ｓ５８に基づいて、例えば電気めっきまたは複合電気めっきで堆積させた銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはタングステン銅合金（ＣｕＷ）である導電性材料層を前記第３のIII族窒素化合物半導体層上に堆積させることで、垂直構造の発光ダイオードを形成することができる。ところが、工程Ｓ５９に示すように、前記第３のIII族窒素化合物半導体層およびその上の構造体を前記第２のIII族窒素化合物半導体層から分離しなければ、垂直構造のIII族窒素化合物半導体発光素子単体を得ることはできない。エッチング工程により前記第２のIII族窒素化合物半導体層を分解しても良い。
【００２７】
図６Ａないし図６Ｇは本発明のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造の概略図である。第１のIII族窒素化合物半導体層６２をベース基板６１の表面に成長させるとともに、パターンニングされたエピマスク層６３を前記第１のIII族窒素化合物半導体層６２上に形成する。図６Ｃを参照されたい。その後、更に第２のIII族窒素化合物半導体層６４をエピマスク層６３および前記エピマスク層６３で被覆されていない前記第１のIII族窒素化合物半導体層６２上に成長させる。第２のIII族窒素化合物半導体層６４はエピマスク層６３で被覆されていない第１のIII族窒素化合物半導体層６２上の開口部中央から両側横方向に成長（ｌａｔｅｒａｌ ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）しているので、スレッド転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）の欠陥を減らすことができる。また、開口部中における第２のIII族窒素化合物半導体層６４のスレッド転位がエピマスク層６３上方で湾曲されるとともに、ベース基板６１の表面と平行する方向に延びて、かつ他方に屈曲する転位と合わさることにより、垂直におけるスレッド転位の密度は大幅に減少する。
【００２８】
図６Ｄに示すように、エッチング工程により前記エピマスク層６３を除去するとともに、溝６３’を残すことにより、キノコ状またはキノコ棒状の第２のIII族窒素化合物半導体層６４が第１のIII族窒素化合物半導体層６２上に直立する。しかも、第３のIII族窒素化合物半導体層６５をキノコ状またはキノコ棒状の第２のIII族窒素化合物半導体層６４上に成長させるものであり、そして前記第３のIII族窒素化合物半導体層６５も第２のIII族窒素化合物半導体層６４における各々のキノコ状構造体の両側から横方向に成長して互いに接合する。図６Ｅに示すように、金属鏡面層６６が第３のIII族窒素化合物半導体層６５上に形成されている。
【００２９】
例えば電気めっきまたは複合電気めっきで堆積させた銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはタングステン銅合金（ＣｕＷ）である導電性材料層６７を前記金属鏡面層６６上に堆積または接着し、導電性以外にも熱伝導性の効果も高めている。エッチング保護層６８（例えば二酸化シリコンＳｉＯ）を堆積させて導電性材料層６７および金属鏡面層６６を保護しているため、導電性材料層６７および金属鏡面層６６がエッチング液に触れて損傷するのを防止している。更にエッチング液を第２のIII族窒素化合物半導体層６４における溝６３’に流し込むことで、第２のIII族窒素化合物半導体層６４および第３のIII族窒素化合物半導体層６５の一部が分解されるとともに、処理後の第３のIII族窒素化合物半導体層６５’およびその上の構造体が第１のIII族窒素化合物半導体層６２から分離する。また図６Ｇに示すように、更にエッチング保護層６８を除去することで、III族窒素化合物半導体発光素子６０が得られる。
【００３０】
前記金属鏡面層６６は選択可能であって、発光素子の封止方式に応じて金属鏡面層６６で光を反射させることができる。また第２のIII族窒素化合物半導体層６４および第３のIII族窒素化合物半導体層６５の材料がＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮであり、このうち０≦ｘ＜１および０≦ｙ＜１となり、エピタキシャル成長の方式でその表面にシリコンドープドＮ型窒化ガリウム薄膜を成長させやすくしている。前記第３のIII族窒素化合物半導体層６５は発光構造、つまりＮ型半導体層と、活性層（または発光層）と、Ｐ型半導体層とを備えるか、または前記第３のIII族窒素化合物半導体層６５と金属鏡面層６６との間に発光構造層を形成しても良い。
【００３１】
そして、例えばIII族窒素化合物元素のガス流量、温度および時間などといった成長条件を調節して第２のIII族窒素化合物半導体層の形状を変えることができる。図６Ｃと比較するに、図７Ａ中における第２のIII族窒素化合物半導体層６４’の頭部が尖らず平面となっている。図７Ｂに示すように、同様に、前記エピマスク層６３を除去した後に、第３のIII族窒素化合物半導体層６５、金属鏡面層６６、導電性材料層６７およびエッチング保護層６８を順に形成する。更にウェットエッチングにより第３のIII族窒素化合物半導体層６５およびその上の構造体を第１のIII族窒素化合物半導体層６２から分離することで、垂直構造のIII族窒素化合物半導体発光素子が得られる。
【００３２】
図８Ａないし図８Ｄは本発明のパターンニングされたエピマスク層の概略図である。図８Ａに示すように、エピマスク層６３は複数の六角柱体６３１と、互いに連通している複数の溝６３２とを備えている。図８Ｂに示すように、エピマスク層６３は複数の円柱体６３３と、互いに連通している複数の溝６３４とを備えている。図８Ｃに示すように、エピマスク層６３は複数の四角柱体６３５と、互いに連通している複数の溝６３６とを備えている。図８Ｄに示すように、エピマスク層６３は複数個の突起６３７と、隣接する突起６３７を隔てる複数の溝６３８とを備えており、また突起６３７は狭い長尺状体である。
【００３３】
本発明の技術内容および技術的特長は上記したとおりであるが、当業者であれば本発明の教示および開示に基づいて、本発明の技術的思想に違わない各種の置換および付加を行うことができる。したがって、本発明の保護範囲は実施例に開示したものに限定されることなく、本発明の技術的思想に違わない各種の置換および付加を含むとともに、別紙の特許請求の範囲に含まれるべきである。
【００３４】
以下、本発明の好ましい実施態様を項分け記載する。
【００３５】
（実施態様１）
第１のIII族窒素化合物半導体層をベース基板の表面に成長させる工程と、
パターンニングされたエピマスク層を前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、
第２のIII族窒素化合物半導体層を前記エピマスク層および被覆されていない前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる工程と、
前記エピマスク層を除去する工程と、
第３のIII族窒素化合物半導体層を前記第２のIII族窒素化合物半導体層上に成長させる工程と、
導電性材料層を前記第３のIII族窒素化合物半導体層上に形成する工程と、
前記第３のIII族窒素化合物半導体層および導電性材料層を前記第２のIII族窒素化合物半導体層から分離する工程と、を含むことを特徴とするIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００３６】
（実施態様２）
前記エピマスク層が二酸化シリコンであることを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００３７】
（実施態様３）
前記第３のIII族窒素化合物半導体層と前記導電性材料層との間に金属鏡面層を形成する工程を更に含むことを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００３８】
（実施態様４）
前記導電性材料層が電気めっきまたは複合電気めっきで堆積させた銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはタングステン銅合金（ＣｕＷ）であることを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００３９】
（実施態様５）
前記ベース基板の材質がサファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、シリコン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）およびガリウムヒ素であることを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４０】
（実施態様６）
前記第２のIII族窒素化合物半導体層がウェットエッチングにより分解されることで、前記第３のIII族窒素化合物半導体層および前記導電性材料層との複合体が前記ベース基板から分離することを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４１】
（実施態様７）
前記第３のIII族窒素化合物半導体層と前記金属鏡面層との間にＮ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを形成する工程を更に含むことを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４２】
（実施態様８）
前記パターンニングされたエピマスク層が、複数個の突起と、前記複数個の突起の中間に介在されている複数の溝とを備えたことを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４３】
（実施態様９）
前記複数個の突起が六角柱体、円柱体または四角柱体であり、前記複数の溝が前記突起の各々の周囲をそれぞれ囲んでいることを特徴とする実施態様８に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４４】
（実施態様１０）
前記複数個の突起が狭い長尺状体であり、前記複数の溝が隣接する前記突起を隔てていることを特徴とする実施態様８に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４５】
（実施態様１１）
前記導電性材料層および前記金属鏡面層の表面にエッチング保護層を施す工程を更に含むことを特徴とする実施態様３に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４６】
（実施態様１２）
前記第２のIII族窒素化合物半導体層がキノコ状であるか、またはキノコ棒状の構造体を前記第１のIII族窒素化合物半導体層上に立設したものであることを特徴とする実施態様１に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４７】
（実施態様１３）
前記第３のIII族窒素化合物半導体層が、前記第２のIII族窒素化合物半導体層における各々のキノコ状構造体の両側から横方向に成長して互いに接合していることを特徴とする実施態様１２に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４８】
（実施態様１４）
前記第３のIII族窒素化合物半導体層は成長条件を調節することで、前記キノコ状構造体の形状を変えることを特徴とする実施態様１２に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子の製造方法。
【００４９】
（実施態様１５）
III族窒素化合物半導体層と、
前記III族窒素化合物半導体層上に形成されている金属鏡面層と、
前記金属鏡面層上に形成されている導電性材料層と、を備えたことを特徴とするIII族窒素化合物半導体発光素子。
【００５０】
（実施態様１６）
前記III族窒素化合物半導体層の材料がＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮであり、このうち０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１であることを特徴とする実施態様１５に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子。
【００５１】
（実施態様１７）
前記導電性材料層が電気めっきまたは複合電気めっきで堆積させた銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）またはタングステン銅合金（ＣｕＷ）であることを特徴とする実施態様１５に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子。
【００５２】
（実施態様１８）
前記III族窒素化合物半導体層と前記金属鏡面層との間に設けられているＮ型半導体材料層と、活性層と、Ｐ型半導体材料層とを更に備えたことを特徴とする実施態様１５に記載のIII族窒素化合物半導体発光素子。
【符号の説明】
【００５３】
１１，４１  サファイヤ基板
１２  分離領域
１３  窒化シリコン層
１４  接合層
１５，４３  シリコン基板
１６，２３，４６  レーザビーム
２１  第１の半導体層
２２  第２の半導体層
３１  基板
３２  第１タイプの導体領域
３３  発光ＰＮ接合面領域
３４  第２タイプの導体領域
３５  発光ダイオードチップ
３６  カッティングライン
４２  窒化ガリウム層
４４，６３’，６３２、６３４、６３６、６３８  溝
４５  紫外線エキシマレーザ
６１  ベース基板
６２  第１のIII族窒素化合物半導体層
６３  エピマスク層
６４、６４’  第２のIII族窒素化合物半導体層
６５  第３のIII族窒素化合物半導体層
６６  金属鏡面層
６７  導電性材料層
６８  エッチング保護層
６３１  六角柱体
６３３  円柱体
６３５  四角柱体
６３７  突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図６−３】
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【図７】
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【図８】
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