(57)【要約】【課題】  マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。【解決手段】  マイクロマシン装置１は、その主面上に信号線１５が設けられた基板１１と、前記基板１１の前記主面上に前記信号線１５を跨いで設けられ、前記信号線１５を中心として一方側と他方側との構造が非対称な両持の梁形状部分１６ａが、電界の作用により梁形状部分１６ａが前記信号線に対して接離する方向に弾性変形可能に保持されるマイクロマシン１６と、前記基板１１の主面上に設けられ、中空部１７を介して前記マイクロマシンを覆う封止体２１と、を備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その主面上に信号線が設けられた基板と、
前記基板の前記主面上に前記信号線を跨いで設けられ、前記信号線を中心として一方側と他方側との構造が非対称な両持の梁形状部分が、電界の作用により前記梁形状部分が前記信号線に対して接離する方向に弾性変形可能に保持されるマイクロマシンと、
前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置。
【請求項２】
前記基板上において前記信号用配線を挟んで前記一方側と前記他方側にそれぞれ駆動電極が形成され、
前記梁形状部分は複数の開口を有し、前記開口の配置、形状、構造、大きさまたは数が、前記駆動電極の直上に対応する部分の近傍において、前記信号線を中心とした一方側と他方側で対称であり、前記駆動電極の直上部から離間した部分において、前記信号線を中心とした前記一方側と前記他方側で非対称に構成されたことを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン装置。
【請求項３】
前記マイクロマシンは、複数の板状部材が、絶縁性の接続継手を介して接続され、
前記信号線を中心とした一方側と前記他方側とにおいて、前記接続継手の配置、材質、形状、構造、大きさまたは数が異なることを特徴とする請求項１または２記載のマイクロマシン装置。
【請求項４】
前記マイクロマシンの前記一方側に補強部材が設けられ、前記他方側よりも前記一方側の強度が高く構成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載のマイクロマシン装置。
【請求項５】
信号線が設けられた基板の主面上に、前記信号線を中心として一方側と他方側との構造が非対称である両持ち梁形状を成し、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って前記信号線との相対関係を変化させて電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と
前記マイクロマシン上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば微小電気機械部品のパッケージング等のマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシン装置の一例として、図１４〜図１６に示されるように、基板１０２上に動作を伴うマイクロマシン素子としてのＭＥＭＳ素子１０４が搭載され、中空に封止された、微小電気機械部品（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ）１０１が知られている（例えば、特許文献１または２参照）。微小電気機械部品１０１は、基板１０２、絶縁層１０３、ＭＥＭＳ素子１０４、信号用配線１０５、駆動電極１０６、下部電極１０７、第１封止体１０８および第２封止体１０９で構成され、内部に中空部１１０を構成する。ＭＥＭＳ素子１０４は両持ちの梁構造であり、梁の中央部分が信号用配線１０５と数μｍ程度のギャップを持って成形されている。ＭＥＭＳ素子１０４の直下の絶縁層１０３には、信号用配線１０５がＡｕなどで形成されている。ＭＥＭＳ素子１０４は、ばね特性の高いＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）もしくはＡｌ（アルミニウム）などで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線１０５の方へ近接する。また、この駆動力を除荷すると、ＭＥＭＳ素子１０４は自身のばね特性により、再び信号用配線１０５とギャップを持った位置に戻る。このようにＭＥＭＳ素子１０４と信号用配線１０５との間のギャップを変化させることで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
【０００３】
ＭＥＭＳ素子１０４の動作と保護のため、これを中空に封止する必要がある。製造コストの低減や小型化を目的として成膜プロセスによるマイクロマシン装置の製造方法が提供されている。図１７に示すように、まずＭＥＭＳ素子１０４と基板間にギャップを持たせるために、後の工程で完全に除去する犠牲層１１１を基板１０２上に形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１０４を、犠牲層１１１上に形成する。この犠牲層１１１上に形成されたＭＥＭＳ素子１０４に、第２の犠牲層１１２を形成する。第２の犠牲層１１２上に、第１封止体１０８を形成する。第１封止体１０８に、成膜中もしくは成膜後に、ＭＥＭＳ素子１０４の周囲の犠牲層１１１，１１２を除去する際にエッチング材を導入するための開口形状部１０８ａを形成する。犠牲層除去用エッチング材を開口形状部１０８ａより導入し、全ての犠牲層１１１，１１２を完全に除去する。最後に第２封止体１０９を、開口形状部１０８ａが完全に閉口するまで第１封止体１０８上に形成する。
【０００４】
以上により、図１４に示すように、第１および第２封止体１０８，１０９で構成された封止体によって、ＭＥＭＳ素子１０４を中空に封止することが可能となる。中空部１１０は減圧された雰囲気となっている。なお、ここでは、第２封止体１０９をＣＶＤ、スパッタリング等の成膜方法で形成する際に、開口形状部１０８ａの直下に膜材が堆積するため、ＭＥＭＳ素子１０４に膜材を堆積させないよう、ＭＥＭＳ素子１０４から離れた位置に開口形状部１０８ａが設けられている。
【０００５】
このような微小電気機械部品１０１では、通常、静電力を印荷したときに、両持ち梁状のＭＥＭＳ素子１０４の変形特性を向上させて少ない電力で信号用配線１０５との相対関係を変化させるために、ＭＥＭＳ素子１０４の構造を、信号用配線１０５を中心として左右対称の形状としている。
【特許文献１】特開２００５−２０７９５９号公報
【特許文献２】米国特許第７００８８１２Ｂ１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の技術では、以下のような問題があった。すなわち、左右対称形状の両持ち梁状のＭＥＭＳ素子は、そのばね特性により、静電力を除荷したときの振動が静定しにくいため、出力信号にノイズを含む原因となる。特に、中空部内の減圧された雰囲気では流体抵抗が小さいため、ＭＥＭＳ素子の振動を静定することが困難である。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、マイクロマシンの振動を収まりやすくすることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置は、その主面上に信号線が設けられた基板と、前記基板の前記主面上に前記信号線を跨いで設けられ、前記信号線を中心として一方側と他方側との構造が非対称な両持の梁形状部分が、電界の作用により前記梁形状部分が前記信号線に対して接離する方向に弾性変形可能に保持されるマイクロマシンと、前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置の製造方法は、信号線が設けられた基板の主面上に、前記信号線を中心として一方側と他方側との構造が非対称である両持ち梁形状を成し、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って前記信号線との相対関係を変化させて電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と前記マイクロマシン上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、前記第１封止体上に、第２封止体を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、出力信号のノイズが低減されたマイクロマシン装置の提供を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の第１実施形態にかかるマイクロマシン装置１について、図１乃至図３を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中Ｘ，Ｙ，Ｚは、互いに直交する三方向を示している。
【００１２】
マイクロマシン装置１は例えば微小電気機械部品（ＭＥＭＳ）であり、基板を構成するベース基板１１及び絶縁層１２と、ＭＥＭＳ素子１６（マイクロマシン）と、信号用配線１５（信号線）等を備えるとともに、封止体２０が基板と結合して、内部に常圧の気体が封入された雰囲気が形成される中空部１７を形成した状態で、気密に封止されている。封止体２０は、中空部１７を規定する第１封止体２１と第２封止体２２とが順次積層されて構成されている。
【００１３】
ベース基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス基板、またはサファイア基板であり、所定の板形状に形成されている。  
絶縁層１２は、ベース基板１１上に形成され、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる。これらベース基板１１及び絶縁層１２により基板が構成される。
【００１４】
絶縁層１２の上面には、下部電極１３、駆動電極１４、信号用配線１５及びＭＥＭＳ素子１６が形成されている。信号用配線１５はＡｕ（金）などで形成され、図２中Ｙ方向に延びて形成されている。駆動電極１４は、絶縁層１２上であって、信号用配線１５を挟んで図中Ｘ方向における両側に設けられている。
【００１５】
絶縁層１２の上面には、ＭＥＭＳ素子１６が形成されている。ＭＥＭＳ素子１６は封止体２０の外部に通じる下部電極１３に接続されている。ＭＥＭＳ素子１６の直下の絶縁層１２の表面に信号用配線１５が配置されている。
【００１６】
ＭＥＭＳ素子１６はマイクロマシンの可動機構部であり、段差を有する両持ち梁形状部を成し、その両端部分は下部電極１３に接続され、梁状の中央部分は、信号用配線１５と数μｍ程度のギャップを持って離間して配されている。例えば、後述するように数μｍ程度の厚さをもつ犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成するような製造プロセスを経ることでギャップ構造を確保することが可能である。
【００１７】
ＭＥＭＳ素子１６は、例えばＰｏｌｙ−ＳｉやＡｌ等で構成された矩形の板状部材１６ａ（梁形状部分）がＳｉＯ２等の絶縁材料から矩形の板状に構成された接続継手１９を介して接続されて両持ち梁状に構成されている。この梁状のＭＥＭＳ素子１６は、ばね特性を有し、その中央が上下方向に変位するように厚み方向に弾性的に曲げ変形可能であり、弾性復元力を有する。
【００１８】
ＭＥＭＳ素子１６は、例えば、電界の作用として駆動電極１４から静電力等の駆動力が与えられると、弾性変形して中央部分が信号用配線１５の方へ近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、静電力等の駆動力が印加、除荷されることにより、ＭＥＭＳ素子１６が駆動力に応じて信号用配線１５との間隔を変化させるように変形することで、マイクロマシン装置１の電気特性を変える。その変え方に応じて、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
【００１９】
ＭＥＭＳ素子１６の板状部材１６ａには、厚み方向に貫通された複数の開口１６ｂが形成されている。このため、板状部材１６ａは、プルイン時に下方へ変形しやすい。また、犠牲層除去用のドライエッチングガスがこの開口１６ｂを通ることにより短時間で犠牲層１８をエッチングすることが可能となる。
【００２０】
信号用配線１５を中心とする一方側である図中右側に形成された開口１６ｂの数は、他方側である左側に形成された開口１６ｂの数よりも多い。図３に示すように、右側は１２個、左側は１０個の開口１６ｂが形成されている。
【００２１】
なお、信号用配線１５の両側に形成された駆動電極１４の直上に対応する部位おいては、左右同数、ここでは６つずつの開口１６ｂが形成されている。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、駆動電極１４の直上においては左右同様に構成されるとともに、駆動電極１４から外れた部分においてその構造が左右で異なり、非対称な構造となっている。
【００２２】
第１封止体２１は、その辺縁部分がＭＥＭＳ素子１６と離間した位置で周囲の絶縁層１２の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を上方から覆うように形成されている。すなわち、第１封止体２１はＭＥＭＳ素子１６から離間している。
【００２３】
第１封止体２１は、厚さ１〜２μｍ程度の膜であり、ＭＥＭＳ素子１６と数〜数十μｍ程度距離を保って設置される。例えば、後述するように、数十μｍ程度の厚さをもつ犠牲層を形成した後に第１封止体２１を形成し、犠牲層１８を除去することにより、中空部１７の形成が可能となる。
【００２４】
第１封止体２１は、製造工程において、犠牲層除去用のドライエッチングガス（Ｏ２プラズマガス等）の導入のために設けられた開口であった第１開口形状部２１ａが複数設けられている。第１開口形状部２１ａは、ＭＥＭＳ素子１６の上方を避けて、ＭＥＭＳ素子１６の周囲において、例えば５０μｍの間隔で並列されて形成されている。
【００２５】
この開口部を含む第１封止体２１の外側は、第２封止体２２に覆われている。第２封止体２２は、１〜２μｍ程度の厚みを有する膜であり、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）等の無機材料から構成されている。第２封止体２２は第１開口形状部２１ａを気密に閉塞して、中空部１７を密封するように成膜される。
【００２６】
このような構成のマイクロマシン装置１において、駆動電流が印加されたプルイン時には、図４に示すように、の中央部分が下方に向かって変位するように板状部材１６ａが変形し、信号用配線１５に接触するとともに、中央部分の左右近傍が駆動電極１４にそれぞれ接触する。
【００２７】
駆動電流を除荷したプルアウトの際には、図５に示すように、プルイン時の変形が元に戻るよう弾性復元力が生じ、これにより中央部分が信号用配線１５及び駆動電極１４から離れる方向すなわち上方に向かって変位するように板状部材１６ａが変形する。この弾性復元力により板状部材１６ａが厚み方向に振動する。この際、信号用配線１５を中心とした左右両側においてそれぞれ異なる弾性復元力が生じるため、左右の構造の相違により振動特性が異なり互いに相殺されることにより板状部材１６ａの厚み方向の振動がすぐに静定される。したがって、左右対称の構造を有するＭＥＭＳ素子に比べて、電力除荷後の減衰時間が短い。また、駆動電極１４に対応する部分は左右同様に構成されているため、プルイン時の電気的な特性は損なわれない。
【００２８】
次に、本実施形態にかかるマイクロマシン装置１の製造方法について図６乃至図１２を参照して説明する。  
まず、図６に示すように、ベース基板１１上に絶縁層１２を形成し、絶縁層１２上に信号用配線１５を形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１６として、例えば、Ａｕを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。
【００２９】
このとき、まず信号用配線１５とＭＥＭＳ素子１６との間にギャップを持たせるために、信号用配線１５上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層１８ａを形成して段差を形成してから、この犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成する。以上により、ＭＥＭＳ素子１６が、段差を有し、信号用配線１５から離間する板状部材１６ａを有する所定の両持ち梁形状に形成される。
【００３０】
特に、開口１６ｂが、図３に示すように２次元的に配置されるので、犠牲層１８ａを除去する際、短時間でエッチングが可能である。
【００３１】
さらに、図７に示すように、ＭＥＭＳ素子１６が形成された状態の上に、ＭＥＭＳ素子１６を覆うように犠牲層１８ｂを形成する。
【００３２】
犠牲層１８ａ、１８ｂは、例えば、スピンコート法によりポリイミド膜が成膜され、図７に示すように、パターニングにより所定形状に形成され、硬化されて構成されている。
【００３３】
図８に示すように、犠牲層１８ａ，１８ｂの形成後、第１封止体２１として、プラズマＣＶＤ装置により、ＳｉＯ２を、所定厚さで形成する。
【００３４】
さらに、フォトリソグラフィ処理等により、第１封止体２１に、成膜中もしくは成膜後にＭＥＭＳ素子１６の周囲の犠牲層１８ａ，１８ｂを除去する際に除去材を導入するための犠牲層除去用の開口であり、犠牲層除去の後で閉塞される開口形状部２１ａを複数形成する。
【００３５】
ついで、犠牲層除去用のエッチング材を開口形状部２１ａより導入し、図９に示すように、全ての犠牲層１８ａ，１８ｂを完全に除去する。例えば、多結晶シリコンを選択的に除去するＸｅＦ２ガスを、開口形状部２１ａから導入することにより、全ての犠牲層が除去される。この結果、第１封止体２１及び第２封止体２２で覆われる内部に中空部１７が形成される。
【００３６】
ついで、第１封止体２１上に、例えば、プラズマＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置により、第１封止体２１を覆うように、低透湿のＳｉＮを、例えば数μｍ以上の厚さで成膜し、第２封止体２２を形成する。この第２封止体２２が薄膜プロセスによって形成されることで、第１封止体２１の開口形状部２１ａが密封されることにより、中空部１７の気密性が保たれ、内気の漏れが防止される。
【００３７】
以上により、図１及び図２に示すマイクロマシン装置１が完成する。このようにして構成されたマイクロマシン装置１としてのパッケージは、例えばドライバＩＣチップ等に用いることができる。
【００３８】
本実施形態にかかる及びマイクロマシン装置１及びマイクロマシン装置１の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６の構造を非対称にすることにより、駆動電力を除荷した場合にＭＥＭＳ素子１６の弾性復元力により生じる振動を相殺し抑制することができる。なお、プルイン時は、プルアウト時よりも構造による影響が少ないため、左右非対称としてもプルインの際の特性に対する影響は少ない。また、駆動電極１４に対応する部位については左右対称としたため、電気的特性は損なわれない。
【００３９】
例えば、図２で示す板状部材１６ａの振動は、左右対称な構造とした場合の中空封止構造と比べ、その減衰率を３倍以上とすることが可能である。したがって、出力信号のノイズを抑え、部品としての精度を向上することができる。
【００４０】
さらに、ＭＥＭＳ素子１６の板状部材１６ａを貫通する開口１６ｂを多数設けたことにより、駆動電流を印加した際の変形しやすい構造とするとともに、犠牲層１８除去の際のエッチングガスの流動を可能として除去時間を短縮することが可能となる。  
さらに、封止体２０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの絶縁性を有する材料で構成されているため、導電性をもつＭＥＭＳ素子１６との間に電気容量を形成しない。したがって、ＭＥＭＳ素子１６と周囲の導体とでの容量形成を回避し可変電気容量を用途とした電気機械部品において、高い容量変化をもつ性能を実現できる。
【００４１】
［第２実施形態］
次に本発明の第１実施形態に係るマイクロマシン装置２について図１０を参照して説明する。また各図において説明のため、適宜、構成を拡大、縮小または省略して示している。なお、本実施形態において、ＭＥＭＳ素子１６の構造以外については上記第１実施形態のマイクロマシン装置１と同様であるため、同符号を付して説明を省略する。
【００４２】
ＭＥＭＳ素子１６は、複数の板状部材１６ａが、絶縁性の接続継手１９を介して接続されている。本実施形態では、開口１６ｂの形状、大きさ、及び配置は左右対称であって、接続継手１９の形状、大きさ、配置、数が異なる。すなわち信号用配線１５の一方側である図中Ｘ方向における右側には、図中Ｙ方向に沿うＭＥＭＳ素子１６の幅方向に長い矩形状を呈する接続継手１９が１つ配置され、他方側である左側には、幅方向に短い矩形状の接続継手１９が互いに離間して２つ並列されて構成されている。
【００４３】
すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、その右側における接続強度及び曲げ強度が左側よりも高くなるように構成されている。したがって、プルアウト時の弾性復元力による変形の際に、右側よりも左側が大きく振幅するため左右において振動特性のずれが生じる。このずれにより両側において振動が相殺されて静定される。
【００４４】
本実施形態に係るマイクロマシン装置２においても、上記第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００４５】
［第３実施形態］
次に本発明の第１実施形態に係るマイクロマシン装置３について図１１及び図１２を参照して説明する。また各図において説明のため、適宜、構成を拡大、縮小または省略して示している。なお、本実施形態において、ＭＥＭＳ素子１６の構造以外については上記第１実施形態のマイクロマシン装置１と同様であるため、同符号を付して説明を省略する。
【００４６】
ＭＥＭＳ素子１６は、複数の板状部材１６ａが、絶縁性の接続継手１９を介して接続されている。本実施形態では、開口１６ｂの形状、大きさ、及び配置は左右対称であって、図１２中左側にのみ補強部材１６ｃが設けられている。このため、右側よりも左側の厚み方向における曲げ強度が高く構成されている。
【００４７】
したがって、プルアウト時の弾性復元力による変形の際に、左側よりも右側が大きく振幅するため左右において振動特性のずれが生じる。このずれにより両側において振動が相殺される。このため、振動が減衰しやすい。なお、電気的な特性を維持するため、補強部材１６ｃは駆動電極１４の直上部分から外れた左側端部に配置されている。
【００４８】
本実施形態に係るマイクロマシン装置３においても、上記第１実施形態また第２実施形態と同様の効果を奏する。
【００４９】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各構成要素の材質、形状、配置、サイズ、構造・動作等を適宜変更して実施することができる。例えば上記第１実施形態においては開口部の数を違えて両側の構造を非対称としたが、これに限らず、開口１６ｂの開口部の配置や大きさを違えることにより両側の振動特性を異なるように構成してもよい。さらには板状部材１６ａの形状や材質が異なるように構成しても、上記各実施形態と同様の効果が得られる。
【００５０】
たとえば、図１４に示すように、開口１６ｂの大きさを左右で違えてもよい。すなわち、図１４で示すＭＥＭＳ素子１６では、右側の２つの開口１６ｂが、他の開口１６ｂよりも小さく構成されている。この小さく構成された開口部１６ｂは駆動電極１４の直上から外れた位置に配置されている開口部１６ｂである。このような形状としても、信号用配線１５を中心として左右で構造が異なり、上記各実施形態と同様に、振動が静定されやすい。なお、この形態においても、駆動電極１４の直上に対応する部分においては左右の開口１６ｂの大きさ、形状、配置、数、は左右対称に構成されているため、電気的特性は損なわれない。
【００５１】
また、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。また、複数の犠牲層１８ａ，１８ｂは同一材料であっても異なる材料であっても良い。また、基板として、ベース基板１１上に絶縁層１２を備えた構造について説明したが絶縁層１２を省略してベース基板１１のみで基板を構成し、このベース基板１１上にＭＥＭＳ素子１６、信号用配線１５を形成してもよい。また、ＭＥＭＳ素子１６は接続継手１９を介して接続されている場合について説明したが、梁状部材が一体に板状に形成されている場合も同様である。
【００５２】
この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の１実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す平面図。
【図２】同マイクロマシン装置の断面図。
【図３】同マイクロマシン装置のＭＥＭＳ素子の構成を示す平面図。
【図４】同マイクロマシン装置のプルイン時の動作を示す断面図。
【図５】同マイクロマシン装置のプルアウト時の動作を示す断面図。
【図６】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図７】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図８】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図９】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１０】本発明の２実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す平面図。
【図１１】本発明の３実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す断面図。
【図１２】同マイクロマシン装置の平面図。
【図１３】本発明の他の実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す平面図。
【図１４】マイクロマシン装置の一例を示す断面図。
【図１５】同マイクロマシン装置を一部切欠して示す斜視図。
【図１６】同マイクロマシン装置を示す平面図。
【図１７】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００５４】
１、２、３…マイクロマシン装置、１１…ベース基板、１２…絶縁層、
１３…下部電極、１４…駆動電極、１５…信号配線、１６…ＭＥＭＳ素子、１６ａ…板状部材、１６ｂ…開口、１６ｃ…補強部材、１７…中空部、１８ａ．１８ｂ…犠牲層、
１９…接続継手、２０…封止体、２１…第１封止体、２１ａ…開口形状部、２２…第２封止体。
【図１】
2009226497.tif 000003
【図２】
2009226497.tif 000004
【図３】
2009226497.tif 000005
【図４】
2009226497.tif 000006
【図５】
2009226497.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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