(57)【要約】【課題】プラズマ生成室で生成されたプラズマから発生する紫外光と水素イオンを遮蔽して水素ラジカルのみを処理室に供給できるとともに，金属原子や板状部材を構成する材料が飛散して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲する。【解決手段】プラズマ生成室１０４と処理室１０２との間にこれらを隔てる隔壁部材１４０を設け，隔壁部材は，２枚の板状部材１４２，１４４をそれぞれ間隔を開けて重ね合わせた構成とし，各板状部材にはそれぞれ，水素ラジカルを通す複数の貫通孔１４２ａ，１４４ａを形成し，各板状部材の貫通孔はそれぞれ，他の板状部材の貫通孔と互いに重ならないようにずらして配置し，板状部材はすべて紫外光を透過しない絶縁部材料で構成した。【選択図】図１
2009016453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素を含む処理ガスをプラズマ励起させて発生した水素ラジカルを用いて被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室と，
前記プラズマ生成室に連通する処理室と，
前記処理室内に配置され，前記被処理基板を載置する載置台と，
前記プラズマ生成室と前記処理室を隔てる隔壁部材と，を備え，
前記隔壁部材は，複数の板状部材をそれぞれ間隔を開けて重ね合わせた構成とし，
前記各板状部材にはそれぞれ，前記水素ラジカルを通す複数の貫通孔を形成し，
前記各板状部材の貫通孔はそれぞれ，他の板状部材の貫通孔と互いに重ならないようにずらして配置し，
前記板状部材はすべて，紫外光を透過しない絶縁部材料で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記絶縁部材料は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記絶縁部材料は酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心部領域は前記貫通孔を形成しない領域とし，前記中心部領域よりも外側の領域に前記貫通孔を複数形成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心部領域及びその周囲を囲む環状部領域は前記貫通孔を形成しない領域とし，前記中心部領域と前記環状部領域との間の領域及び前記環状部領域よりも外側の領域に前記貫通孔を形成したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心から周縁に向かうほど，前記複数の貫通孔が疎から密になるように配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心から周縁に向かうほど，前記複数の貫通孔の孔径が大きくなるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，水素を含む処理ガスをプラズマ励起させて発生した水素ラジカルを用いて被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体製造プロセスにおいては，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」という）の表面に形成したレジスト膜をマスクとして用いて，ウエハ上の所定の膜を選択的にエッチング除去し，その後にレジスト膜をアッシング除去する処理が行われる。このようなアッシング処理には従来より酸素含有ガスをプラズマ励起して発生した酸素ラジカルが用いられている。また，近年の半導体素子の更なる多層化の要求に応えるため，多層配線構造に適した膜として例えばＬｏｗ−ｋ膜などの低誘電率絶縁膜が多用されている。このような低誘電率絶縁膜は，酸素ラジカルによるダメージを受けやすいため，低誘電率絶縁膜のエッチング処理やアッシング処理には，よりダメージを抑えることのできる水素ラジカルが用いられている。
【０００３】
このように，ラジカルによるウエハの処理を行うプラズマ処理装置としては，例えば処理ガスを励起させてプラズマを発生させるプラズマ発生室と，このプラズマ発生室に連通する処理室とを設けて構成されるものが知られている（例えば特許文献１，２参照）。プラズマ発生室で発生するプラズマからはラジカルの他にウエハ上の膜にダメージを与えるイオンも発生するので，ウエハのダメージを抑えてラジカルによる処理を行うために，プラズマ発生室と処理室の間にはプラズマ発生室から処理室に向かうイオンは捕獲して，ラジカルは通過させる隔壁部材が配置されている。具体的には，隔壁部材にラジカルを通すための複数の貫通孔を形成するとともに，アルミニウムなどの金属で構成して，隔壁部材の電位を例えば接地レベルに調整することで，イオンを引きつけて捕獲する。
【０００４】
このような隔壁部材は，従来より１枚の板状部材で構成されていた。ところが，１枚の板状部材で構成した場合には，ラジカルを通過させるために形成された貫通孔を遮るものがないため，プラズマ生成室において処理ガスをプラズマ励起したときに発生する紫外光（真空紫外光を含む）が，その貫通孔を透過してしまう問題があった。紫外光が貫通孔を透過してウエハ表面に直接照射されると，ウエハ上の膜にダメージを与える虞があるのでこれも遮蔽する必要がある。例えば，ウエハ上にＬｏｗ−ｋ膜が形成されている場合には，紫外光によってＬｏｗ−ｋ膜のＳｉ−Ｃ結合が切れてしまい，炭素が抜け出し，膜の誘電率が高くなってしまう。また，Ｌｏｗ−ｋ膜の親水性が高くなり，膜に水分が多く含まれることになり，結果として膜の機械的強度が低下してしまう。このため，隔壁部材を２枚の板状部材で構成し，紫外光を透過させないようにするために，各板状部材に形成される貫通孔をずらすようにするものもある。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−７３７２２号公報
【特許文献２】特開２００２−８３８０３号公報
【特許文献３】特開平８−１４８４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，従来の隔壁部材は，上述したようにアルミニウムなどの金属で構成されており，しかも隔壁部材の電位が例えば接地レベルに調整されていたので，隔壁部材と水素プラズマとの間に大きな電気ポテンシャルが生じることから，イオンは隔壁部材に捕獲される際に，隔壁部材に強い力で引き寄せられその表面に高い速度で衝突していた。従って，イオンによって隔壁部材の金属表面がスパッタされる可能性が高い状態であった。
【０００７】
このように隔壁部材の金属表面がイオンによってスパッタされると，隔壁部材表面から金属原子が飛び出し，処理室内空間にパーティクルとなって飛散してしまうと共に，処理室内部材やウエハが金属原子によって汚染されてしまう蓋然性が高い。特に，上記のように隔壁部材が紫外光の遮光を目的として２枚の板状部材に貫通孔を互いにずらして配置する場合には，プラズマからのイオンは直進性が高いので，両方の板状部材の貫通孔を通過できず，そのほとんどが２枚の板状部材のどちらかの表面に高いエネルギーを保ったまま衝突し，その部分をスパッタしてしまう。従って，１枚の板状部材で構成された隔壁部材に比べて，イオンの衝突機会が多くなり，イオンによってスパッタされて各板状部材の表面から飛び出す金属原子の数が多くなってしまう。
【０００８】
このように，隔壁部材を複数の板状部材で構成する場合に，これら板状部材をアルミニウムなどの金属で構成すると，イオンによってスパッタされて飛散する金属原子の数が多くなってしまい，これに伴ってウエハ上へのパーティクルの飛散や金属汚染が拡大してしまうという問題があった。
【０００９】
この点，上記特許文献３には，プラズマを発生させる反応室とウエハを処理する処理室との間に，複数の貫通孔を有する１枚の遮蔽板を設け，金属で構成する場合の熱変形を防止する目的で，さらに遮蔽板を石英などの絶縁材で構成するものが記載されている。ところが，１枚の遮蔽板の構成材料をアースされた金属から絶縁材に代えただけでは，イオンを引き寄せる力が弱まってしまう。このままではイオンが遮蔽板の貫通孔を通過してウエハに到達してしまい，ウエハ上の膜がダメージを受けてしまうので，特許文献３の遮蔽板ではさらに，その遮蔽板に形成するラジカルを通す孔の孔径をより小さくして，イオンの通過を阻止するようにしている。
【００１０】
しかしながら，このように貫通孔の孔径を小さくしても，プラズマから生じた紫外光については貫通孔を通過するので，ウエハに直接到達してしまい，ウエハ上の膜にダメージを与える虞がある。しかも，貫通孔の孔径が小さくなると，ウエハに対する所定の処理，例えばエッチング，アッシング，成膜などに寄与するラジカルの通過量も制限され，これらの処理レートが低下してしまう。
【００１１】
なお，特許文献３には，イオンの捕獲機能を向上させるため，絶縁メッシュに金属メッシュを併用した複数枚の遮蔽板を重ねたものも記載されているが，これは貫通孔をずらしていない点で１枚の遮蔽板と同様に紫外光を通過させてしまう問題は依然として残り，また１枚でも金属メッシュを併用すれば，処理室内が金属によって汚染されてしまう問題も残る。
【００１２】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，プラズマ生成室で生成されたプラズマから発生する紫外光と水素イオンを遮蔽して水素ラジカルのみを処理室に供給できるとともに，金属原子や板状部材の構成材料が飛散して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲できる隔壁部材を備えたプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，水素を含む処理ガスをプラズマ励起させて発生した水素ラジカルを用いて被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，前記処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室と，前記プラズマ生成室に連通する処理室と，前記処理室内に配置され，前記被処理基板を載置する載置台と，前記プラズマ生成室と前記処理室を隔てる隔壁部材とを備え，前記隔壁部材は，複数の板状部材をそれぞれ間隔を開けて重ね合わせた構成とし，前記各板状部材にはそれぞれ，前記水素ラジカルを通す複数の貫通孔を形成し，前記各板状部材の貫通孔はそれぞれ，他の板状部材の貫通孔と互いに重ならないようにずらして配置し，前記板状部材はすべて，紫外光を透過しない絶縁部材料で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。
【００１４】
このような本発明によれば，プラズマ生成室と処理室を隔てる隔壁部材を紫外光を透過しない複数の板状部材で構成するとともに各板状部材の貫通孔を互いにずらして配置することにより，水素を含む処理ガスをプラズマ励起して発生する紫外光，水素イオン，水素ラジカルのうち，紫外光と水素イオンについては直進性が高いため，２枚の板状絶縁部材の貫通孔を通過できず，いずれかの板状部材の表面で遮蔽される。一方，水素ラジカルについては，直進性が低いため，各板状部材の貫通孔を通過することができる。これにより，紫外光と水素イオンによるダメージを与えることなく，水素ラジカルのみによって被処理基板に対する所定の処理を行うことができる。
【００１５】
また，本発明にかかる隔壁部材を構成する複数の板状部材のうちのすべてを絶縁体で構成するので，イオンが衝突しても金属原子を飛散させることはないことはもちろん，複数の板状部材を金属で構成した場合に比して，水素イオンの引き込み力を抑制できるので板状部材との衝突エネルギーも抑制できる。従って，複数の板状部材で貫通孔をずらして構成することで，１枚の板状部材で構成した場合に比して各板状部材と衝突する可能性が極めて高くなったとしても，各板状部材は電気的フローティング状態となるため，イオンを引き込む力は弱く，スパッタの可能性も低くなる。したがって，板状部材の構成材料の飛散も防止される。このため，板状部材の構成材料が処理室内にパーティクルとして入り込むことも防止できる。しかも，各板状部材が電気的フローティング状態であっても，その表面にはシースが発生し，このシースによって隔壁部材と水素プラズマとの間には水素イオンを捕獲できる程度の電気的ポテンシャルが生じている。従って，本発明にかかる隔壁部材によれば，金属原子や板状部材の構成材料が飛び出して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲できる。
【００１６】
また，上記板状部材は，例えば酸化シリコンを含む材料であることが好ましい。なお，上記板状部材は，酸化アルミニウムを含む材料であってもよい。このような材料であれば，各板状部材に水素イオンが衝突しても，金属が飛散して処理室内に入り込むことはなく，上述したように水素イオンの衝突力が弱いため，たとえ板状部材の表面がスパッタされたとしても，板状部材を構成する材料がその板状部材の表面に付着するだけで，飛び出して処理室内に入り込むことはない。しかも，こうして板状部材に付着した付着物はフッ化水素などの薬液で簡単に拭き取って除去することができる。
【００１７】
また，上記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心部領域は前記貫通孔を形成しない領域とし，前記中心部領域よりも外側の領域に前記貫通孔を複数形成するようにしてもよい。これにより，被処理基板に供給される水素ラジカルの量を，被処理基板の周縁近傍よりも中心近傍の方が少なくなるように抑制できる。このため，被処理基板の周辺近傍によりも中心近傍へ水素ラジカルが集中し易い環境下であっても，被処理基板の表面全体へ満遍なく水素ラジカルを供給できるようになり，処理の面内均一性を向上させることができる。
【００１８】
また，上記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心部領域及びその周囲を囲む環状部領域は前記貫通孔を形成しない領域とし，前記中心部領域と前記環状部領域との間の領域及び前記環状部領域よりも外側の領域に前記貫通孔を形成するようにしてもよい。これにより，被処理基板に供給される水素ラジカルの量を，被処理基板の中心近傍のみならず，中心と周縁の間の領域においても調整できるので，被処理基板の処理の均一性をさらに向上することができる。
【００１９】
また，上記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心から周縁に向かうほど，前記複数の貫通孔が疎から密になるように配置するようにしてもよい。これによっても，被処理基板に供給される水素ラジカルの量を，被処理基板の周縁近傍よりも，中心近傍の方が少なくなるように抑制できるので，被処理基板の処理の均一性を向上することができる。
【００２０】
また，上記複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心から周縁に向かうほど，前記複数の貫通孔の孔径が大きくなるようにするようにしてもよい。これによっても，被処理基板に供給される水素ラジカルの量を，被処理基板の周縁近傍よりも，中心近傍の方が少なくなるように抑制できるので，被処理基板の処理の均一性を向上することができる。
【００２１】
なお，本明細書中１Ｔｏｒｒは（１０１３２５／７６０）Ｐａ，１ｓｃｃｍは（１０−６／６０）ｍ３／ｓｅｃとする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば，プラズマ生成室で生成されたプラズマから発生する紫外光と水素イオンを遮蔽して水素ラジカルのみを処理室に供給できるとともに，金属原子や板状部材を構成する材料が飛散して処理室内に入り込むことを防止しながらも，的確に水素イオンを捕獲することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
（プラズマ処理装置の構成例）
まず，本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，水素を含む処理ガスを励起させて発生したプラズマ（以下，「水素プラズマ」ともいう）により生成された水素ラジカルを用いたダウンフロータイプのプラズマ処理装置を例に挙げる。図１は，本実施形態にかかるプラズマ処理装置１００の概略構成を示す縦断面図である。プラズマ処理装置１００は，例えばＬｏｗ−ｋ膜などの低誘電率絶縁膜を有するウエハＷに対して水素ラジカルを供給して，低誘電率絶縁膜上に形成されているフォトレジスト膜をアッシング除去する処理を行うようになっている。
【００２５】
図１に示すように，プラズマ処理装置１００は，ウエハＷの処理を行う処理室１０２と，この処理室１０２に連通し，処理ガスを励起させてプラズマを生成するプラズマ生成室１０４を備える。プラズマ生成室１０４は，処理室１０２の上方に設けられ，誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）方式によって導入される処理ガスのプラズマを生成するように構成されている。
【００２６】
具体的には，プラズマ生成室１０４は，例えば石英，セラミックス等の絶縁部材料からなる略円筒状の反応容器１０５を備える。反応容器１０５の上部は，着脱自在の蓋体１０７で気密に閉塞されている。蓋体１０７にはガス導入口１２２が形成されており，ガス供給源１２０から所定の処理ガスがこのガス導入口１２２を介してプラズマ生成室１０４の内部空間に導入されるようになっている。ガス供給源１２０とガス導入口１２２を接続するガス配管１２４には，図示はしないが，ガス配管１２４を開閉するための開閉バルブ，処理ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラなどが備えられている。
【００２７】
上記処理ガスとしては，水素を含有するガスであって水素ラジカル（Ｈ＊）を発生させるガスを用いる。例えば水素ガス単体でもよく，また水素ガスと不活性ガスとの混合ガスであってもよい。この場合の不活性ガスとしては，例えばヘリウムガス，アルゴンガス，ネオンガスが挙げられる。なお，水素ガスと不活性ガスの混合ガスを処理ガスとして用いる場合には，水素ガスの混合比は，例えば４％に調整される。
【００２８】
反応容器１０５の外周には，アンテナ部材としてのコイル１１６が巻回されている。コイル１１６には高周波電源１１８が接続されている。高周波電源１１８は，３００ｋＨｚ〜６０ＭＨｚの高周波電源を出力することができる。そして，高周波電源１１８からコイル１１６に例えば４５０ｋＨｚの所定のパワーの高周波電力を供給することにより，プラズマ生成室１０４内に誘導電磁界が形成される。これにより，処理室１０２内に導入された処理ガスは励起され，プラズマが生成される。
【００２９】
処理室１０２内にはウエハＷを水平に支持する円板状の載置台１０６が設けられている。載置台１０６は，処理室１０２の底部に設けられた円筒状の支持部材１０８に支持されている。載置台１０６は，例えば窒化アルミニウムなどのセラミックスからなる。載置台１０６の外縁部には，載置台１０６に載置されたウエハＷをクランプするクランプリング１１０が設けられている。また，載置台１０６内にはウエハＷを加熱するためのヒータ１１２が埋設されており，このヒータ１１２はヒータ電源１１４から給電されることによりウエハＷを所定の温度（例えば３００℃）に加熱できるようになっている。このときの温度は，低誘電率絶縁膜が大きなダメージを受けない程度の温度，例えば２５０℃〜４００℃程度の範囲で設定されることが好ましい。
【００３０】
処理室１０２の底壁には排気管１２６が接続されており，この排気管１２６には真空ポンプを含む排気装置１２８が接続されている。排気装置１２８を作動させることにより処理室１０２及びプラズマ生成室１０４内を所定の真空度まで減圧することができる。
【００３１】
また，処理室１０２の側壁には，ゲートバルブ１３０によって開閉自在な搬出入口１３２が形成されている。ウエハＷの搬出入は，例えば図示しない搬送アームなどの搬送機構によって行われる。
【００３２】
プラズマ生成室１０４の反応容器１０５の下方の開口縁部は，処理室１０２の上方の開口縁部に取付けられている。この取付位置付近には，処理室１０２とプラズマ生成室１０４とを隔てる隔壁部材１４０が着脱自在に設けられている。隔壁部材１４０は，例えば図１に示すように処理室１０２側の開口縁部の内壁に設けられる。なお，隔壁部材１４０の取付位置は図１に示すものに限られるものではない。プラズマ生成室１０４と処理室１０２とを隔てることができれば，隔壁部材１４０をプラズマ生成室１０４側に設けてもよく，またプラズマ生成室１０４と処理室１０２に跨って設けるようにしてもよい。隔壁部材１４０は，プラズマ生成室１０４で水素含有処理ガスがプラズマ励起されて発生する水素ラジカルのみを通すように構成される。すなわち，水素含有処理ガスが励起されプラズマが発生すると，水素ラジカル，水素イオン，紫外光などが発生する。このうち，水素イオンと紫外光を遮蔽して，水素ラジカルのみを処理室１０２側へ通過させるようになっている。
なお，このような隔壁部材１４０の具体的な構成例は後述する。
【００３３】
このようなプラズマ処理装置１００において，ウエハＷに対して水素ラジカルを用いた処理を行う場合，まずゲートバルブ１３０を開いて，搬出入口１３２から処理室１０２内にウエハＷを搬入する。そして，載置台１０６上にウエハＷを載置し，このウエハＷをクランプリング１１０によってクランプする。
【００３４】
次に，ゲートバルブ１３０を閉じて，排気装置１２８によって処理室１０２内及びプラズマ生成室１０４内を排気して所定の減圧状態にする。また，ウエハＷが所定の温度（例えば３００℃）になるように，ヒータ電源１１４からヒータ１１２に供給する電力を設定する。
【００３５】
続いて，ガス供給源１２０からプラズマ生成室１０４内にガス導入口１２２を介して処理ガスとしての水素含有ガスを供給しつつ，高周波電源１１８からコイル１１６に高周波電力（例えば４０００Ｗ）を供給して，プラズマ生成室１０４内に誘導電磁界を形成すると，プラズマ生成室１０４内に水素プラズマが生成される。すると，この水素プラズマにより紫外光，水素イオン，水素ラジカルが発生する。これらのうち，紫外光，水素イオンは隔壁部材１４０により遮蔽され，水素ラジカルのみが通過するので，処理室１０２内のウエハＷの表面は，紫外光と水素イオンからのダメージを受けることなく，水素ラジカルのみによって，例えばウエハＷ上のフォトレジスト膜のアッシング処理などの所望の処理を実行できる。特にウエハＷ上にＬｏｗ−ｋ膜などの低誘電率絶縁膜が形成されている場合には，紫外光と水素イオンによるダメージを受けやすいので，これらを遮蔽することにより，低誘電率膜に対するダメージを防止する効果は大きい。
【００３６】
なお，ここでは，プラズマ生成室１０４を，誘導結合プラズマ方式によって水素プラズマを生成するように構成した場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではない。例えばマイクロ波励起方式によって水素プラズマを生成するように構成してもよい。
【００３７】
（隔壁部材の構成例）
次に，本実施形態にかかる隔壁部材１４０の具体的な構成例について図面を参照しながら説明する。図１に示すように，隔壁部材１４０は，複数の板状部材をそれぞれ間隔を開けて重ね合わせて構成される。図１では，隔壁部材１４０を円板状の上側板状部材１４２と下側板状部材１４４の２枚で構成した場合を例に挙げている。なお，上側板状部材１４２と下側板状部材１４４との間には，その周縁部の邪魔にならない位置（例えば後述する貫通孔１４２ａ，１４４ａが形成されない領域）に，これらの間隔を一定に保持するためのスペーサ１４６が介在している。このスペーサ１４６によって，上側板状部材１４２と下側板状部材１４４との間隔は所定の間隔（例えば５ｍｍ）に保持される。
【００３８】
上側板状部材１４２と下側板状部材１４４はともに，紫外光を透過しない絶縁部材で構成されている。ここでいう紫外光は，ウエハにダメージを与えるおそれのある，可視光よりも短い波長の光であり，例えば太陽紫外光のような波長の光のみならず，さらに短い真空紫外光のような波長の光も含まれる。このような紫外光を透過しない絶縁部材としては，例えば石英などの酸化シリコンを含む材料の他，酸化アルミニウムを含む材料などが挙げられる。なお，スペーサ１４６については，上側板状部材１４２と下側板状部材１４４と同様の絶縁部材で形成してもよく，またアルミニウムなどの金属で形成してもよい。
【００３９】
上側板状部材１４２と下側板状部材１４４にはそれぞれ，プラズマ発生室で発生した水素ラジカルのみを通す複数の貫通孔が形成されている。具体的には上側板状部材１４２には，その上面（表面）側から下面（裏面）側へ貫通する複数の貫通孔１４２ａが設けられており，下側板状部材１４４には，その上面（表面）側から下面（裏面）側へ貫通する複数の貫通孔１４４ａが設けられている。
【００４０】
上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａと下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａとは，互いに重ならないようにずらして配置されている。これらの貫通孔１４２ａ，１４４ａの配置は，例えば図２に示すようになっている。図２は，各板状部材１４２，１４４の貫通孔１４２ａ，１４４ａの配置例を説明するための図であって，図１に示す隔壁部材１４０をプラズマ生成室１０４側から見た場合の平面図である。ここでは，それぞれの貫通孔１４２ａ，１４４ａを各板状部材１４２，１４４の表面全域にわたり等間隔にマトリックス状に配置した場合の例を挙げる。なお，隔壁部材１４０をプラズマ生成室１０４側から見ると，下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａは，上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａ以外の部分に隠れて見えないので，図２において貫通孔１４２ａは実線で示し，貫通孔１４４ａは点線で示している。また，図２における貫通孔１４２ａ，１４４ａの数は，説明を簡単にするため，実際よりも少なくして表現している。
【００４１】
図２に示すように，上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａは，下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａに対して，円板表面においてＸ方向とＹ方向にそれぞれ１／２ピッチずつずれた位置に形成されている。各貫通孔１４２ａと各貫通孔１４４ａとは，貫通方向に互いにずれることになる。これによれば，例えばプラズマ生成室１０４側から隔壁部材１４０を見たとき，隔壁部材１４０によって視線が遮られて，処理室１０２内の載置台１０６上のウエハＷは見えなくすることができる。なお，貫通孔１４２ａ，貫通孔１４４ａの配列は図２に示すものに限られるものではない。
【００４２】
このように，上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａと下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａとを互いに重ならないようにずらして配置することにより，プラズマ生成室１０４でプラズマが発生したときに，発生する直進性の高い紫外光や水素イオンなどを遮蔽することができる。
【００４３】
ここで，このような隔壁部材１４０の作用について図面を参照しながらより詳細に説明する。図３は，隔壁部材１４０の作用説明図であり，図１に示す上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａと下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａを拡大して示したものである。なお，図３に示す水素ラジカル１５０，水素イオン１５２は，紫外光１５４は，説明のために模式的に表現したものである。
【００４４】
プラズマ生成室１０４において水素プラズマが生成されると，図３に示すように，隔壁部材１４０は水素プラズマから発生した水素ラジカル１５０，水素イオン１５２，紫外光１５４のダウンフローに晒される。これらのうち，水素イオン１５２と紫外光１５４については直進性が高いため，鉛直方向に進んで隔壁部材１４０に到達する。従って，本実施形態のように上側板状部材１４２と下側板状部材１４４とを紫外光を通さない部材で構成するとともに，それぞれの貫通孔１４２ａ，１４４ａを互いにずらして配置することで，水素イオン１５２と紫外光１５４は，上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａ以外の上面で遮蔽されるか，又は上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａを通り抜けても，下側板状部材１４４の上面で遮蔽される。
【００４５】
これに対して，水素ラジカル１５０は，水素イオン１５２や紫外光１５４に比べて直進性が低く，ふらつきながら進むため，上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａと上側板状部材１４２の貫通孔１４２ａとがずれていても，その両方を通り抜けることができる。
【００４６】
こうして，水素イオン１５２と紫外光１５４は隔壁部材１４０で遮蔽され，水素ラジカル１５０のみが隔壁部材１４０を通り抜けて処理室１０２内に入り込む。これにより，載置台１０６上のウエハＷの表面には水素ラジカル１５０のみが供給されるので，紫外光と水素イオンからのダメージを受けることなく，水素ラジカルのみによって，例えばウエハＷ上のフォトレジスト膜のアッシング処理などの所望の処理を実行できる。
【００４７】
ところで，もし隔壁部材１４０を構成する複数の板状部材をアルミニウムなどの金属で構成し，例えば接地電位又はそれよりも低い電位に調整するようにすれば，隔壁部材１４０と水素プラズマとの間に大きな電気ポテンシャルが生じ，水素イオン１５２は，隔壁部材１４０に強い力で引き寄せられる。これによれば，水素イオン１５２の捕獲はされ易くなるものの，隔壁部材１４０を構成する板状部材のいずれかの表面に，より高い速度で衝突するようになるため，水素イオン１５２によって隔壁部材１４０を構成する板状部材の金属表面がスパッタされて金属原子が飛散してしまう。この金属原子が処理室１０２内に侵入すると，ウエハＷへのパーティクルの飛散や金属汚染の原因となり得る。
【００４８】
しかも，本実施形態の上側板状部材１４２と下側板状部材１４４のように，隔壁部材１４０を２枚以上の板状部材で各貫通孔をずらして構成する場合には，より上層の板状部材の貫通孔を通過した水素イオンについても，それよりも下層の板状部材の表面に衝突するので，水素イオンが衝突する可能性が高くなる。このため，隔壁部材１４０を１枚の板状部材で構成して貫通孔を設ける場合に比して，水素イオン１５２が衝突する機会も増加する。従って，もし隔壁部材１４０を構成する板状部材のすべてをアルミニウムなどの金属で構成するとすれば，１枚の板状部材で構成するよりも，２枚以上の板状部材で構成する方が，水素イオン１５２によってスパッタされて各板状部材の表面から飛び出す金属原子の数も多くなり，ウエハＷへのパーティクルの飛散や金属汚染が発生する可能性も高まる。
【００４９】
この点，本実施形態では，隔壁部材１４０を構成する複数の板状部材のすべてについて，すなわち図１では上側板状部材１４２と下側板状部材１４４の両方を石英などの絶縁部材で構成するので，上側板状部材１４２と下側板状部材１４４は電気的フローティング状態となって，隔壁部材１４０と水素プラズマとの間の電気ポテンシャルを抑制することができる。
【００５０】
このように，本実施形態によれば，隔壁部材１４０と水素プラズマとの間の電気ポテンシャルを抑制できるので，上側板状部材１４２と下側板状部材１４４に捕獲される際の水素イオン１５２の速度を抑えることができるため，これらの板状部材の表面に水素イオン１５２が衝突したときにこれらの表面からこれらを構成する絶縁部材の粒子が飛び出すことはない。これにより，処理室１０２内及び載置台１０６上のウエハＷの表面を清浄な状態に保つことができ，その結果，ウエハＷに対する良好な処理結果が得られる。
【００５１】
なお，上側板状部材１４２と下側板状部材１４４が電気的フローティング状態であっても，その表面にはシースが発生し，このシースによって隔壁部材１４０と水素プラズマとの間には水素イオンを捕獲できる程度の電気的ポテンシャルが生じているので，隔壁部材１４０によって水素イオン１５２を効率よく捕獲することができる。
【００５２】
また，もし上側板状部材１４２と下側板状部材１４４を構成する絶縁部材の表面が水素イオン１５２によってスパッタされてもその絶縁部材の粒子はその近傍の表面に付着するだけで飛び出すことはない。この付着物は例えばフッ化水素などの薬液を用いて拭き取ることにより簡単に除去することができる。
【００５３】
また，本実施形態にかかる隔壁部材１４０によれば，各板状部材１４２，１４４の貫通孔１４２ａ，１４４ａを互いにずらすことによって，水素イオン１５２と紫外光１５４を遮蔽できるので，例えば隔壁部材１４０を１枚で構成する従来のように，水素イオン１５２の通過を阻止するために貫通孔１４２ａ，１４４ａの孔径を小さくする必要がない。このため，貫通孔１４２ａ，１４４ａの孔径を小さくしすぎて，水素イオン１５２のみならず，水素ラジカル１５０までも通過し難くなるようなこともない。すなわち，本実施形態にかかる隔壁部材１４０によれば，各板状部材１４２，１４４の貫通孔１４２ａ，１４４ａの孔径もウエハＷの処理の種類などに合わせて自由に決めることができるので，ウエハＷの処理に合わせて十分な量の水素ラジカル１５０をウエハＷまで供給することができる。
【００５４】
（プラズマ処理装置を用いた実験結果）
次に，本実施形態にかかるプラズマ処理装置１００を用いた実験結果について説明する。本実験では，例えばトランジスタのゲートなどに用いられる酸化膜，Ｌｏｗ−ｋ膜，フォトレジスト膜をこの順に形成したウエハＷに対して，フォトレジスト膜を除去するアッシング処理を施し，そのときのウエハＷ表面への水素イオンの到達量，紫外光の到達量，トランジスタ（ゲート酸化膜）の良品率，Ｌｏｗ−ｋ膜のダメージの大きさをそれぞれ測定した。
【００５５】
なお，トランジスタの良品率は，ゲート酸化膜の絶縁が保たれているか否かによって判断される。また，Ｌｏｗ−ｋ膜のダメージは，アッシング処理後のＬｏｗ−ｋ膜のフッ化水素溶液に対する溶解量（浸食の深さ）に基づいて判断される。
【００５６】
本実験におけるアッシング処理のプロセス条件は次の通りである。処理室１０２内の圧力を１．２５Ｔｏｒｒに調整し，プラズマ生成室１０４に水素ガスとヘリウムガスの混合ガス（水素ガスの混合割合４％）を流量９０００ｓｃｃｍで導入しつつ，高周波電源１１８からコイル１１６に例えば３ｋＷの高周波電力を供給して，プラズマ生成室１０４内に誘導電磁界を形成した。また，ウエハＷの温度が３００℃になるように，ヒータ電源１１４からヒータ１１２に供給する電力を設定した。
【００５７】
本実験では，本実施形態にかかる隔壁部材１４０の効果を確認するために，プラズマ処理装置１００に隔壁部材１４０を取り付けた場合（隔壁部材ありの場合）と取り外した場合（隔壁部材なしの場合）の両方について実験を行った。その測定結果を図４に示す。この図４に示す実験結果によれば，隔壁部材ありの場合には，隔壁部材なしの場合に比して，ウエハＷへの水素イオンの到達量は約１／１１に減少するとともに，紫外光の到達量も１／２以下に減少している。これにより，隔壁部材１４０を備えることによって，プラズマ生成室１０４から処理室１０２へ向かう水素イオンと紫外光のほとんどが，隔壁部材１４０にて遮蔽されていることがわかる。
【００５８】
このように，ウエハＷへの水素イオンと紫外光の到達量が大幅に減少しているため，トランジスタの良品率及びＬｏｗ−ｋ膜のダメージの各測定結果にも顕著な差異が見られる。具体的には，トランジスタの良品率については，隔壁部材なしの場合には１０％だったものが，隔壁部材ありの場合には１００％と大幅に改善されている。また，Ｌｏｗ−ｋ膜のダメージについても，隔壁部材ありの場合には，隔壁部材なしの場合に比して，フッ化水素溶液に対する溶解量（浸食の深さ）が約１／７に減少し，膜質についても大幅に改善されていることがわかる。なお，トランジスタの良品率の改善については，ウエハＷの金属汚染が抑制されていることも功を奏していると考えられる。
【００５９】
以上のように，本実施形態によれば，隔壁部材１４０によって，プラズマ生成室１０４から処理室１０２に向かう水素ラジカル１５０，水素イオン１５２，紫外光１５４のうち，水素ラジカル１５０のみをウエハＷに供給することができるため，水素イオン１５２及び紫外光１５４に起因するウエハＷ上の膜のダメージを抑制しつつ，水素ラジカルのみによって，例えばウエハＷ上のフォトレジスト膜のアッシング処理などの所望の処理を実行できる。この結果，良好な処理結果が得られる。
【００６０】
しかも，本実施形態にかかる隔壁部材１４０は，これを構成する複数の板状部材のすべてを絶縁部材で構成するので，これらの１枚でも金属で構成した場合に発生する処理室内への金属原子の飛散を防止できる。また，隔壁部材１４０に水素イオン１５２が捕獲される際の隔壁部材１４０表面のスパッタを効果的に抑制することができる。したがって，隔壁部材１４０の板状部材を構成する絶縁部材の粒子が処理室１０２内への飛散することも防止できる。これにより，水素ラジカルによる処理の後のウエハＷの膜質を良好な状態に維持することができる。
【００６１】
なお，本実施形態では，隔壁部材１４０の各板状部材１４２，１４４に形成する貫通孔１４２ａ，１４４ａの配置をそれぞれ，各板状部材１４２，１４４の全面に均一になるようにした場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではない。例えば各板状部材１４２，１４４の面内領域で貫通孔１４２ａ，１４４ａの配置を変えることにより，水素ラジカルが隔壁部材１４０を通過する量を面内領域で調整できる。これにより，ウエハＷの処理の面内均一性を調整することができる。具体的にはウエハＷの処理の進行を抑えたい領域には，少なくとも一方の板状部材１４２，１４４の貫通孔１４２ａ，１４４ａを形成せずに，ウエハＷの処理を進行させたい領域に，貫通孔１４２ａ，１４４ａを形成することにより調整できる。
【００６２】
このようなウエハＷの処理の面内均一性は処理条件やプラズマ密度の面内領域での相違などによって異なる場合があるので，プラズマ処理装置１００で実行するウエハＷの処理（例えばアッシングレートなど）の面内均一性の処理結果に基づいて貫通孔１４２ａ，１４４ａの配置を決定することで，ウエハＷの処理の面内均一性をより向上させることができる。
【００６３】
（面内均一性の実験結果）
ここで，隔壁部材１４０を構成する下側板状部材１４４の面内領域で貫通孔１４４ａの配置を変えたものを用いて，ウエハＷの処理の面内均一性を確認した実験結果について図面を参照しながら説明する。本実験では，フォトレジスト膜が全面に形成された実験用の直径３００ｍｍのウエハＷを用いて，フォトレジスト膜を除去するアッシング処理を実行した場合のアッシングレートのウエハ面内分布を測定した。
【００６４】
この実験におけるアッシング処理の処理条件（プロセス条件）は次の通りである。処理室１０２内の圧力を１．５Ｔｏｒｒに調整し，プラズマ生成室１０４に水素ガスとヘリウムガスの混合ガスを流量２５００ｓｃｃｍで導入しつつ，高周波電源１１８からコイル１１６に例えば５ｋＷの高周波電力を供給して，プラズマ生成室１０４内に誘導電磁界を形成した。また，また，ウエハＷの温度が３００℃になるように，ヒータ電源１１４からヒータ１１２に供給する電力を設定した。アッシング処理時間は５分間とした。
【００６５】
先ず，比較のために，プラズマ処理装置１００において隔壁部材１４０を取り外した状態でアッシング処理を実行した場合のアッシングレートのウエハ面内分布を図５に示す。図５は，ウエハＷの面内に，ウエハＷの中心を原点とするＸＹ座標を設定し，Ｘ軸上とＹ軸上の複数のポイントにおけるアッシング量を測定し，各ポイントでのアッシングレートを算出してグラフにしたものである。
【００６６】
このように隔壁部材１４０がない場合には，図５に示すように，アッシングレートの平均値は１０３．２ｎｍ／ｍｉｎと大きいものの，面内均一性は±４４．０％とばらつきも非常に大きい。具体的には，ウエハＷの周縁に比して，中心のアッシングレートが大きくなっている。これは，ウエハＷの周縁よりも，中心の方に多くの水素ラジカルが供給される傾向にあるからと考えられる。
【００６７】
従って，このようなアッシングレートの面内均一性を向上させるためには，中心近傍の水素ラジカルの供給量を周縁近傍よりも抑制すればよいと考えられる。そこで，本実験では，隔壁部材１４０の下側板状部材１４４の面内領域のうち，ウエハＷの中心近傍の領域に対向する中心部領域を，貫通孔１４４ａを形成しない領域（貫通孔非形成領域）としたものを用いて上記と同様の実験を行った。
【００６８】
このような隔壁部材１４０の下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａの配置例を図６Ａに示し，図６Ａの下側板状部材１４４と，全面に貫通孔１４２ａを形成した上側板状部材１４２とにより構成した隔壁部材１４０の断面図を図６Ｂに示す。図６Ａ，図６Ｂに示す隔壁部材１４０は，中心部領域１６６を貫通孔非形成領域とし，中心部領域１６６の外側の周縁部領域に貫通孔１４４ａを均等に形成したものである。
【００６９】
図６Ｂに示す隔壁部材１４０を用いて上記と同様のアッシング処理を行ってアッシングレートのウエハ面内分布を検出した結果を図７に示す。図７に示すように，中心部領域１６６を貫通孔非形成領域とした隔壁部材１４０では，アッシングレートの平均値は６６．２ｎｍ／ｍｉｎと全体的には低くなるものの，面内均一性は±３５．８％と改善している。図７に示すアッシングレートは，図５に示す場合に比して，ウエハＷの中心近傍が低くなっており，ばらつきが改善していることがわかる。このように，図６Ｂに示すような隔壁部材１４０を用いることにより，ウエハＷに供給される水素ラジカルの量を，ウエハＷの周縁近傍よりも，中心近傍の方が少なくなるように抑制できる。
【００７０】
ただし，図７に示すアッシングレートによれば，ウエハＷの中心と周縁よりも，ウエハＷの中心と周縁との間の領域が高くなっていることがわかる。従って，ウエハＷの中心近傍の領域のみならず，中心と周縁との間の領域についても水素ラジカルの供給量を抑制すれば，さらに面内均一性を低下できるものと想定される。そこで，本実験では，隔壁部材１４０の下側板状部材１４４を，中心部領域のみならず，その中心部領域から離間して周囲を囲む環状部領域（ウエハＷの中心と周縁との間の領域に対向する領域）をも貫通孔１４４ａを形成しない領域（貫通孔非形成領域）としたものを用いて上記と同様の実験を行った。
【００７１】
このような隔壁部材１４０の下側板状部材１４４の貫通孔１４４ａの配置例を図８Ａに示し，図８Ａの下側板状部材１４４と，全面に貫通孔１４２ａを形成した上側板状部材１４２とにより構成した隔壁部材１４０の断面図を図８Ｂに示す。図８Ａ，図８Ｂに示す隔壁部材１４０は，中心部領域１６６及び環状部領域１６８を貫通孔非形成領域とし，中心部領域１６６と環状部領域１６８の間の領域と，環状部領域１６８よりも外側の領域にそれぞれ貫通孔１４４ａを均等に形成したものである。
【００７２】
図８Ｂに示す隔壁部材１４０を用いて上記と同様のアッシング処理を行ってアッシングレートを検出した結果を図９に示す。図９に示すように，中心部領域１６６及び環状部領域１６８を貫通孔非形成領域とした隔壁部材１４０では，アッシングレートの平均値は８２．６ｎｍ／ｍｉｎとなり，図７に示す場合に比して高くなっている。さらに面内均一性も±２３．０％となり，図７に示す場合に比してばらつきが改善しており，図５に示す場合に比べると大幅な改善となる。このように，図８Ｂに示すような隔壁部材１４０を用いることにより，ウエハＷに供給される水素ラジカルの量を，ウエハＷの中心近傍のみならず，その中心と周縁との間の領域においても調整できる。
【００７３】
このように，隔壁部材１４０を構成する各板状部材１４２，１４４の面内領域で貫通孔１４２ａ，１４４ａの配置を変えることによって，水素ラジカルが隔壁部材１４０を通過する量を面内領域で調整できる。これにより，ウエハＷに供給される水素ラジカルの量をウエハＷ全面にわたり均一化させることができ，アッシングレートなどウエハＷの処理の面内均一性を改善することができる。このため，ウエハＷの処理結果を向上させることができる。
【００７４】
なお，本実施形態では，隔壁部材１４０を構成する下側板状部材１４４のみに貫通孔１４４ａを形成しない領域を設けた場合について説明したが，これに限定されるものではない。例えば隔壁部材１４０を構成する上側板状部材１４２のみに貫通孔１４２ａを形成しない領域を設けるようにしてもよく，また上側板状部材１４２と下側板状部材１４４の両方に貫通孔１４４ａを形成しない領域を設けるようにしてもよい。
【００７５】
また，本実施形態では，隔壁部材を構成する複数の板状部材のうち，少なくとも１つの板状部材に貫通孔を形成しない領域を設けることによって，ウエハＷへの水素ラジカルの供給量をウエハＷの面内領域で調整する場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，例えば貫通孔の密度を板状部材の面内領域毎に変えるようにしてもよい。具体的には例えば隔壁部材を構成する複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心から周縁に向かうほど，複数の貫通孔が疎から密になるように配置する。これにより，ウエハＷの周縁近傍よりも中心近傍への水素ラジカルの供給量が抑えられるため，ウエハＷの処理の面内均一性を向上させることができる。
【００７６】
また，板状部材に形成される貫通孔の孔径を板状部材の面内領域毎に変えるようにしてもよい。具体的には例えば隔壁部材を構成する複数の板状部材のうちの少なくとも１つは，その板状部材の面内領域において，中心から周縁に向かうほど，複数の貫通孔の孔径が大きくなるようにする。これによっても，ウエハＷの周縁近傍よりも中心近傍への水素ラジカルの供給量を抑えることができるので，ウエハＷの処理の面内均一性を向上させることができる。
【００７７】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７８】
例えば，本発明は，アッシング処理のみならず，エッチング処理や成膜処理など，被処理基板に対してプラズマ処理を行う各種プラズマ処理装置に適用可能である。また，本発明にかかるプラズマ生成室としては，上述したダウンフロータイプのものに限られるものではなく，ウエハＷから離れた空間にプラズマを発生させるリモートプラズマタイプのものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は，水素を含む処理ガスをプラズマ励起させて発生した水素ラジカルを用いて被処理基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】本実施形態における隔壁部材を構成する各板状部材の貫通孔の配置例を説明するための図であって，図１に示す隔壁部材をプラズマ生成室側から見た場合の平面図である。
【図３】本実施形態における隔壁部材の作用説明図であり，図１に示す各板状部材の貫通孔の一部を拡大して示したものである。
【図４】同実施形態にかかる隔壁部材を設けたことにより得られる効果を確認した実験結果を示す図である。
【図５】プラズマ処理装置において隔壁部材を取り外した状態でアッシング処理を実行した場合のアッシングレートのウエハ面内分布をグラフにした図である。
【図６Ａ】中心部領域を貫通孔を形成しない領域とした下側板状部材の貫通孔の配置例を示す平面図である。
【図６Ｂ】図１に示す上側板状部材と図６Ａに示す下側板状部材とから成る隔壁部材の概略構成を示す縦断面図である。
【図７】図６Ｂに示す隔壁部材を用いてアッシング処理を実行した場合のアッシングレートのウエハ面内分布をグラフにした図である。
【図８Ａ】中心部領域と環状領域とを貫通孔を形成しない領域とした下側板状部材の貫通孔の配置例を示す平面図である。
【図８Ｂ】図１に示す上側板状部材と図８Ａに示す下側板状部材とから成る隔壁部材の概略構成を示す縦断面図である。
【図９】図８Ｂに示す隔壁部材を用いてアッシング処理を実行した場合のアッシングレートのウエハ面内分布をグラフにした図である。
【符号の説明】
【００８１】
１００      プラズマ処理装置
１０２      処理室
１０４      プラズマ生成室
１０５      反応容器
１０６      載置台
１０７      蓋体
１０８      支持部材
１１０      クランプリング
１１２      ヒータ
１１４      ヒータ電源
１１６      コイル
１１８      高周波電源
１２０      ガス供給源
１２２      ガス導入口
１２４      ガス配管
１２６      排気管
１２８      排気装置
１３０      ゲートバルブ
１３２      搬出入口
１４０      隔壁部材
１４２      上側板状部材
１４２ａ    貫通孔
１４４      下側板状部材
１４４ａ    貫通孔
１４６      スペーサ
１５０      水素ラジカル
１５２      水素イオン
１５４      紫外光
１６６      中心部領域
１６８      環状部領域
Ｗ      ウエハ
【図１】
2009016453.tif 000003
【図２】
2009016453.tif 000004
【図３】
2009016453.tif 000005
【図４】
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【図５】
2009016453.tif 000007
【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
2009016453.tif 000009
【図７】
2009016453.tif 000010
【図８Ａ】
2009016453.tif 000011
【図８Ｂ】
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【図９】
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