(57)【要約】【課題】２つの平行平板電極を配置したプラズマＣＶＤ室において基板に薄膜を形成するに当たり、平行平板電極の距離を一定にして基板にうねり等の不具合が発生するのを抑制し、薄膜の均一性を向上させることが可能な薄膜製造装置を提供することにある。【解決手段】原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室３に２つの平行平板電極７，８を設置し、平行平板電極７，８に高周波電力を供給することにより、原料ガスを分解して平行平板電極７，８の間に置かれた基板１０上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた薄膜製造装置において、２つの平行平板電極７，８の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサ１３を設け、スペーサ１３を、平行平板電極７，８間距離が一定となるように平行平板電極７，８間に配設している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室に２つの平行平板電極を設置し、該平行平板電極に高周波電力を供給することにより、前記原料ガスを分解して前記平行平板電極の間に置かれた基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた薄膜製造装置において、前記２つの平行平板電極の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサを設け、該スペーサを、前記平行平板電極間距離が一定となるように前記平行平板電極間に配設したことを特徴とする薄膜製造装置。
【請求項２】
前記薄膜を形成する基板は可撓性フィルム基板であり、該可撓性フィルム基板は、送りロールを収納した送り室と巻取りロールを収納した巻取り室との間に配置される前記プラズマＣＶＤ室内を板面が水平もしくは垂直の状態で走行するように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項３】
前記絶縁性のスペーサは、窒化物・酸化物、または金属の周りを絶縁物で被覆されたスペーサであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項４】
前記絶縁性のスペーサは、その一部に１個もしくは複数の溝が加工され、膜がスペーサの全面に付着しないような形状になっていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項５】
前記絶縁性のスペーサは、湾曲状の盤を一定間隔で重ねた構造に形成され、膜がスペーサの全面に付着しないような形状になっていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項６】
前記２つの平行平板電極の一方の電極上に前記基板を載せ、他方の電極側に前記絶縁性のスペーサを１本以上設けたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項７】
前記２つの平行平板電極の一方の電極を他方の電極側に移動させて、前記絶縁性のスペーサに押し当てることで前記２つの平行平板電極間の距離を一定にする機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項８】
前記可撓性フィルム基板としては、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフオン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド、ポリアミド等の材料のうち、少なくともポリイミドもしくはポリアミドが用いられていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜製造装置。
【請求項９】
前記原料ガスが、シランやジシランなどのＳｉを含むガスおよび水素ガスであり、前記基板に形成される膜が、微結晶シリコン、アモルファスシリコンなどのＳｉ薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項１０】
前記基板に形成される膜が太陽電池の半導体膜であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項１１】
前記２つの平行平板電極の電極間距離が１０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項１２】
前記絶縁性のスペーサの一部は、直径１０ｍｍ以下に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、住宅の屋根、ビルディングの屋上等に設置することにより太陽光を利用して電力を発生する薄膜太陽電池等の製造に用いられ、可撓性を有する基板上に、プラズマＣＶＤ法により半導体膜などの薄膜を均一性良く形成する薄膜製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
住宅の屋根、ビルディングの屋上等に敷設することにより、太陽光を利用して電力を発生する太陽電池は、その資源（太陽光）が無限であること、無公害であることから注目を集めており、同一基板上に形成された複数の光電変換素子が直列接続されている太陽電池（光電変換装置）の代表例としては、薄膜太陽電池がある。
薄膜太陽電池は、薄型で軽量、かつ製造コストが安価であり、大面積化が容易であることなどから、今後の太陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建物の屋根や窓などに取付けて利用される業務用、一般住宅用にも需要が広がってきている。
【０００３】
薄膜太陽電池には、その中核をなす光電変換ユニットを作成するのに、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が広く用いられている。このプラズマＣＶＤ法よる薄膜太陽電池は、バルク結晶シリコン太陽電池に比べて原料が少なくて済むことや、軽量で可撓性を有するフィルム基板への形成が可能なこと等の特徴がある。かかるプラズマＣＶＤ法よる薄膜太陽電池に用いられる材料としては、シリコン系薄膜がある。
【０００４】
シリコン系薄膜は、水素で希釈したシランガスを原料にプラズマ中で分解して基板上に堆積するものであり、基板温度やシランガスの希釈率などを制御することで、水素化アモルファスシリコン膜や微結晶シリコン膜を得ることができる。薄膜を形成する際に、不純物元素を含むポスフィンやジボランガスを原料ガスに添加することによって、ｎ型やｐ型の半導体膜が得られることになる。
太陽電池は、ｎ型、不純物をドープしないｉ型とｐ型半導体を積層することによって得られる。良質のシリコン薄膜を得るためには高い基板温度が必要であり、水素化アモルファスシリコン膜では３００℃以上、微結晶シリコン膜でも２００℃程度とされている。
このため、基板を加熱することが必須となっている.高基板温度に耐えるフィルム基板としては、軟化点が約３００℃以上のポリイミドフィルムが主に使用されている。
【０００５】
上記薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置としては、平行平板電極に高周波電力を供給する容量結合型が使われている。これは、平行平板電極を大きくすることで大面積の膜形成が可能となるため、量産性に優れた手法となっている。
微結晶のＳｉ膜では、成膜速度が速くて良質な膜を得るために、つまり光電変換特性を改善するために、平行平板電極間の距離が短くなってきている。
特願平１１−３３０５２０号に記載されているように、平行平板電極間の距離が１０ｍｍを下回るようになってきた。このため、大きな面積に渡って均一な膜を形成するためには、平行平板電極間の平行度を上げることが要求されている。
【０００６】
特許文献１（特許第３９６０７９２号公報）においては、カソード電極とアノード電極に載置した基板表面の間隔が１〜１０ｍｍと記載され、その距離を得るために絶縁性のスペーサを入れることが謳われている。このスペーサは、カソード電極から吹き出すガスの流路を妨げないように電極の外部に設けられている。しかし、この特許文献１のプラズマＣＶＤ装置では、電極のサイズが大きくなるとともに、電極間の平行度を保つことが難しくなっている。
また、フレキシブル型の太陽電池では、耐熱性のフィルム上にシリコン薄膜が形成されている。このようなフィルムは張力制御が難しく、うねりが生じる。しかも、２００℃を超える温度となるために熱膨張でフィルムが伸びてしまい、うねりが発生することになる。このため、電極の平行度が出ていても、うねりの影響で薄膜の均一性が悪くなるという問題がある。
【特許文献１】特許第３９６０７９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、薄膜型の太陽電池は、その量産性を上げるために基板のサイズが大きくなってきている。一方、微結晶シリコン太陽電池においては、その光電変換特性を上げるために、プラズマＣＶＤ装置における電極間の距離が１０ｍｍ以下と短くなっている。したがって、電極間の平行度を出すことは、膜の厚さや膜質の均一性に影響を与えるために、重要な問題となっている。
【０００８】
また、フィルム基板においては、それ自体がうねりを持ち、さらに、２００℃を超える高温で成膜を行うために、熱膨張によるフィルムのうねりが、付け加わることになる。上述したように、電極間の距離が短くなっているため、このうねりも薄膜の均一性に影響を与えることが課題となっている。
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであって、その目的は、２つの平行平板電極を配置したプラズマＣＶＤ室において基板に薄膜を形成するに当たり、平行平板電極の距離を一定にして基板にうねり等の不具合が発生するのを抑制し、薄膜の均一性を向上させることが可能な薄膜製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室に２つの平行平板電極を設置し、該平行平板電極に高周波電力を供給することにより、前記原料ガスを分解して前記平行平板電極の間に置かれた基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いた薄膜製造装置において、前記２つの平行平板電極の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサを設け、該スペーサを、前記平行平板電極間距離が一定となるように前記平行平板電極間に配設している。
【００１１】
また、本発明は、ステッピングロール方式のプラズマＣＶＤ装置に最適であり、前記薄膜を形成する基板は可撓性フィルム基板であり、該可撓性フィルム基板は、送りロールを収納した送り室と巻取りロールを収納した巻取り室との間に配置される前記プラズマＣＶＤ室内を板面が水平もしくは垂直の状態で走行するように構成されている。
【００１２】
さらに、本発明において、具体的には次のように構成されていることが好ましい。
（１）前記絶縁性のスペーサは、窒化物・酸化物、または金属の周りを絶縁物で被覆されたスペーサである。
（２）前記絶縁性のスペーサは、その一部に１個もしくは複数の溝が加工され、膜がスペーサの全面に付着しないような形状になっている。
（３）前記絶縁性のスペーサは、湾曲状の盤を一定間隔で重ねた構造に形成され、膜がスペーサの全面に付着しないような形状になっている。
（４）前記２つの平行平板電極の一方の電極上に前記基板を載せ、他方の電極側に前記絶縁性のスペーサを１本以上設けている。
（５）前記２つの平行平板電極の一方の電極を他方の電極側に移動させて、前記絶縁性のスペーサに押し当てることで前記２つの平行平板電極間の距離を一定にする機構を備えている。
【００１３】
（６）前記可撓性フィルム基板としては、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフオン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド、ポリアミド等の材料のうち、少なくともポリイミドもしくはポリアミドが用いられている。
（７）前記原料ガスが、シランやジシランなどのＳｉを含むガスおよび水素ガスであり、前記基板に形成される膜が、微結晶シリコン、アモルファスシリコンなどのＳｉ薄膜である。
（８）前記基板に形成される膜が太陽電池の半導体膜である。
（９）前記２つの平行平板電極の電極間距離が１０ｍｍ以下である。
（１０）前記絶縁性のスペーサの一部は、直径１０ｍｍ以下に形成されている。
【発明の効果】
【００１４】
上述の如く、本発明に係る薄膜製造装置は、原料ガスが導入されるプラズマＣＶＤ室に２つの平行平板電極を設置し、該平行平板電極に高周波電力を供給することにより、前記原料ガスを分解して前記平行平板電極の間に置かれた基板上に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法を用いており、前記２つの平行平板電極の少なくとも一方に複数本の絶縁性材料からなるスペーサを設け、該スペーサを、前記平行平板電極間距離が一定となるように前記平行平板電極間に配設している。
特に、本発明は、ステッピングロール方式のプラズマＣＶＤ装置に最適であり、前記薄膜を形成する基板は可撓性フィルム基板であり、該可撓性フィルム基板は、送りロールを収納した送り室と巻取りロールを収納した巻取り室との間に配置される前記プラズマＣＶＤ室内を板面が水平もしくは垂直の状態で走行するように構成されている。
このため、本発明の薄膜製造装置によれば、２つの平行平板電極の間隔を一定に保つとともに、可撓性を有する基板のうねりを押さえ付けることが可能となり、基板に形成されるＳｉ薄膜の分布を良くすることができる。したがって、基板に形成される薄膜の均一性を向上させることができ、これを適用した太陽電池の品質を高めることができる。
【００１５】
また、本発明において、前記絶縁性のスペーサは、その一部に１個もしくは複数の溝が加工され、あるいは前記絶縁性のスペーサは、湾曲状の盤を一定間隔で重ねた構造に形成され、膜がスペーサの全面に付着しないような形状になっているので、スペーサの表面に膜が付着することによる電流の漏洩を防止でき、薄膜製造装置の耐久性向上を図り、薄膜製造装置を長期間にわたり連続運転することができる。
【００１６】
さらに、本発明において、前記２つの平行平板電極の一方の電極上に前記基板を載せ、他方の電極側に前記絶縁性のスペーサを１本以上設け、しかも、前記２つの平行平板電極の一方の電極を他方の電極側に移動させて、前記絶縁性のスペーサに押し当てることで前記２つの平行平板電極間の距離を一定にする機構を備えているので、基板のうねりを抑制した状態で、基板上に薄膜を確実に形成することができる。
【００１７】
そして、本発明において、前記２つの平行平板電極の電極間距離が１０ｍｍ以下であるので、成膜速度が速くても良質な微結晶のＳｉ膜を得ることができる。
また、本発明において、前記絶縁性のスペーサの一部は、直径１０ｍｍ以下に形成されているので、スペーサによる成膜領域の減少を最小限にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る薄膜製造装置について、図面を参照しながら、その実施形態の基づき詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る薄膜製造装置が適用される容量結合型平行平板プラズマＣＶＤ装置の概略図である。
このプラズマＣＶＤ装置は、例えば、ステッピングロール方式で成膜を行うように構成されている。すなわち、本発明の実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、図１に示すように、可撓性を有するＡｇ電極膜付きフィルム（基板）１０を巻き取った送りロール５が収納される一端側の送り室１と、このフィルム１０を巻取る巻取りロール６が収納される他端側の巻取り室４と、これら送り室１と巻取り室４との間に配置され、フィルム１０に形成したＡｇ電極膜上にシリコン薄膜を形成するプラズマＣＶＤ室３とから構成されており、送り室１の送りロール５から送り出されたフィルム１０は、板面が水平もしくは垂直の状態で走行してプラズマＣＶＤ室３に入り、該プラズマＣＶＤ室３で成膜が行われた後に、巻取り室４の巻取りロール６に巻取られるようになっている。
そのため、プラズマＣＶＤ室３の中には、２つの平行平板電極であるカソード電極７とアノード電極８とが互いに間隔を置いて対向して設置され、原料ガス（例えば、シラン及び水素などのＳｉ化合物ガス）Ｇがマスフローコントローラによって流量を制御されて原料ガス導入管１２を通してカソード電極７の表面からシャワー状に供給されるように構成されている。しかして、プラズマＣＶＤ装置は、成膜時において、アノード電極８がフィルム１０を押さえた状態で、カソード電極７に高周波電力を供給することによりプラズマを発生させ、供給された原料ガスＧを分解してフィルム１０の表面上に薄膜が形成され、成膜が行われるようになっている。
【００１９】
上記プラズマＣＶＤ室３内の圧力は、真空ポンプと真空槽の間に設けられた圧力コントローラ（いずれも図示省略）を用いて任意の圧力に設定されている。また、カソード電極７は、コンデンサを介して高周波電源１１に接続され、アノード電極８との間でプラズマを発生させるように構成されている。
カソード電極７及びアノード電極８は、ステンレス製で大きさが２５０ｍｍ角程度の四角形状に形成されており、お互いが平行となるように配置されている。アノード電極８の内部には、フィルム１０を加熱するためのヒータ９が設けられ、該ヒータ９は前後に移動できるようになっている。  
また、フィルム１０を巻取るときは、アノード電極８をカソード電極７と反対側に引いてフィルム１０と接触しないようになっており、プラズマＣＶＤ室３内で薄膜を形成するときには、アノード電極８をフィルム１０に押し当て、ヒータ９によりフィルム１０を設定の温度に昇温している。
【００２０】
図２（Ａ）は本発明の実施形態に係るスペ−サの第１例の配置を示す図１のカソード電極及びアノード電極近傍図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図３（Ａ）は本発明の実施形態に係るスペーサの第２例の配置を示す図１の両電極近傍図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置においては、２つの平行平板電極のうち、一方のカソード電極７の表面に絶縁性材料からなる複数本のスペーサ１３が突出して設けられており、該スペーサ１３は、カソード電極７とアノード電極８との間隔が一定の距離を保つようにカソード電極７及びアノード電極８の間に配設されている。
すなわち、図２に示すように、スペーサ１３は、カソード電極７の４角にそれぞれ１本ずつ設けられ、あるいは、図３に示すように、カソード電極７の４角に１本ずつ設けられているとともに、中間位置にもそれぞれ等間隔で設置され、全部で１６本設けられている。
【００２１】
上記スペーサ１３の材質としては、耐熱性の絶縁体が好適であり、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムや酸化マグシウムなどの酸化物、窒化アルミニウム等の窒化物、シリカやパイレックスなどのガラスを用いることが可能である。
しかも、これら絶縁性のスペーサ１３は、図４及び図５に示すように、表面に膜が付着しないような工夫が施されている。
【００２２】
すなわち、図４に示すスペーサ１３では、中心部１３ａを残して側面に複数の溝１３ｂが軸方向へ一定の間隔を空けて刻設されており、これら溝１３ｂの存在により中心部１３ａへの膜付着が抑制され、膜の表面を通して、カソード電極７とアノード電極８間に電流が流れるのを防止している。
また、図５に示すスペーサ１３では、溝の距離を長くするために、側面へ向かって斜めに溝１３ｂを刻設した構造となっており、図４に示す構造のスペーサ１３よりもさらに中心部への膜付着が抑制されている。なお、このスペーサ１３の構造は、一体もので製作することが難しいため、湾曲状の盤である絶縁部品１４aと絶縁部品１４ｂとを一定間隔で交互に重ねて、中心の金属棒１５で固定した構造となっている。
一方、可撓性を有する基板のフィルム１０としては、上記したように、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフオン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリアミド、などの樹脂が使用可能であるが、本実施形態では、耐熱性の高いポリイミド（またはポリアミド）が用いられている。
【実施例１】
【００２３】
次に、上記スペーサ１３を設けてなる平行平板電極を用いた実施例について説明する。
フィルム（基板）１０には、５０μm厚さのポリイミドフィルムにＡｇ電極をスパッタ法で２００nm形成したものを使用した。
フィルム１０の温度が２００℃となるようにアノード電極８内のヒータ９で加熱制御した。原料ガスＧとしてシランと水素ガスをそれぞれ３５ｓｃｃｍと２０００ｓｃｃｍ導入し、圧力を５ｔｏｒｒとなるように制御した。高周波電源１１は、２７ＭＨｚでカソード電極７に３００Ｗの電力を供給し、プラズマを発生させた。
【００２４】
カソード電極７に設ける絶縁性のスペーサ１３には、円柱（高さ１０ｍｍ、直径１０ｍｍ）が用いられ、図２（Ｂ）に示すように、カソード電極７の４隅に配置した。スペーサ１３の材料としては、酸化アルミニウムや酸化マグネシウムを主成分とする切削加工が可能なセラミックスを用いた。
また、絶縁性のスペーサ１３には、図４に示すように、表面に幅１ｍｍの溝１３ｂが刻設されている。
【００２５】
以上の条件でフィルム１０上に形成されたＳｉ膜は、厚さが約１．３μmであった。また、ラマン分光測定では、波数５２０ｃｍ-1に結晶Ｓｉのシャープなピークと、４８０ｃｍ-1にアモルファスＳｉのブロードなピークが観測され、微結晶Ｓｉ膜であることが分かった。
その高さの比（Ｉｃ/Ｉａ)は約３であった。Ｓｉ膜の厚さには分布があり、フィルム１０の幅方向に図６のＡ線で示すような分布となった。
【比較例１】
【００２６】
上記実施例１に用いたカソード電極7上に絶縁性のスペーサ１３を設けず、カソード電極７とアノード電極８との間隔が１０ｍｍとなるように設置され、実施例１と同じ条件で成膜を行った。
この条件でフィルム１０上に形成されたＳｉ膜は、厚さが約１．３μmであり、ラマン分光のピーク高さの比（Ｉｃ/Ｉａ) が約３の微結晶Ｓｉ膜であった。Ｓｉ膜の厚さ分布は実施例１と同じ位置で図６に示す比較従来例１のＢ線となった。
【００２７】
図６から明らかなように、比較例１に比べて実施例１の方が膜厚の均一性が良いことが分かる。すなわち、カソード電極７とアノード電極８の位置による傾きが改善されていることが分かる。これは絶縁性のスペーサ１３の設置により、２つの平行平板電極７，８の間隔が一定になったものとみなせる。
【実施例２】
【００２８】
上記実施例１において、図３（Ｂ）に示すように、絶縁性のスペーサ１３を約８ｃｍの等間隔で１６本に配置し、実施例１と同じ条件で成膜を行った。
この条件でフィルム１０上に形成されたＳｉ膜は、厚さが約１．４μmであり、ラマン分光のピーク高さの比（Ｉｃ/Ｉａ) が約３の微結晶Ｓｉ膜であった。
このＳｉ膜の厚さ分布は、上記実施例１と同じ位置で、図７に示すようになった。
【００２９】
図７から明らかなように、Ｃ線の実施例２はＡ線の実施例１に比べて、さらに膜厚の均一性が良いことが分かる。実施例１においては位置により膜厚が揺らいでいるが、実施例２ではこれが改善されている。これはフィルム１０のうねりを絶縁性のスペーサ１３が押さえ付けたことにより、分布が改善されたものと考えられる。ただし、絶縁性のスペーサ１３がフィルム基板１０にあたった部分は膜が形成されなかった。
【００３０】
以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的概念に基づいて各種の変更及び変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜製造装置が適用される容量結合型平行平板プラズマＣＶＤ装置を示す概略図である。
【図２】（Ａ）は本発明の実施形態に係るスペーサの第１例の配置を示す図１のカソード電極及びアノード電極近傍図、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】（Ａ）は本発明の実施形態に係るスペーサの第２例の配置を示す図１のカソード電極及びアノード電極近傍図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係るスペーサの構造例を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係るスペーサの別の構造例を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例１及び比較従来例１で得られたＳｉ膜の厚さと電極位置の関係を示す線図である。
【図７】本発明の実施例１及び実施例２で得られたＳｉ膜の厚さと電極位置の関係を示す線図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  送り室
３  プラズマＣＶＤ室
４  巻取り室
５  送りロール
６  巻取りロール
７  カソード電極
８  アノード電極
９  ヒータ    
１０  Ａｇ電極膜付きフィルム（基板）
１１  高周波電源
１３  絶縁性のスペーサ
１３ｂ  溝
【図１】
2009270161.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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