(57)【要約】【課題】一画素当たり単層構造の転送電極を２個有する構成で且つ柔軟な転送モード及び高速な駆動に対応した固体撮像装置を実現できるようにする。【解決手段】固体撮像装置は、規則的に形成された複数の受光部２０と、転送チャネル２１と、転送チャネル２１の上に形成された複数の第１の転送電極３１Ａ及び複数の第２の転送電極３２Ｂと、それぞれが対応する第１の転送電極３１Ａに電位を印加する複数の第１の配線３２Ａと、それぞれが対応する第２の転送電極３１Ｂに電位を印加する複数の第２の配線３２Ｂとを備えている。第１の配線３２Ａと第２の配線３２Ｂとは互いに交差する方向に延びている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に規則的に形成された複数の受光部と、
前記半導体基板における前記受光部同士の間の領域に形成され、第１の方向に延びる転送チャネルと、
前記転送チャネルの上に形成された複数の第１の転送電極と、
前記転送チャネルの上における前記第１の転送電極と同一の層に形成され、対応する前記受光部に蓄積された電荷を前記転送チャネルに読み出す読み出し電極としての機能を有する複数の第２の転送電極と、
それぞれが対応する前記第１の転送電極に電位を印加する複数の第１の配線と、
それぞれが対応する前記第２の転送電極に電位を印加し、前記第１の配線と交差する方向に延びる複数の第２の配線とを備えていることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１の配線は前記第１の方向に延び、前記第２の配線は第２の方向に延びることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２の方向に隣り合う前記第１の転送電極同士は一体に形成され、
前記第２の方向に隣り合う前記第２の転送電極同士は一体に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２の方向に隣り合う前記第１の転送電極同士は一体に形成され、
前記第２の方向に隣り合う前記第２の転送電極同士は互いに独立に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の方向に隣り合う前記第１の転送電極は互いに異なる前記第１の配線と接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方は、ポリシリコン又はポリシリコンよりも抵抗率が小さい材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記ポリシリコンよりも抵抗率が小さい材料は、タングステン、アルミニウム又は金属シリサイドであることを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第１の配線は、前記転送チャネルを遮光する遮光膜としての機能を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関し、特にＣＣＤ(Charge Coupled Device)型の固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤ(Charge Coupled Device)型の固体撮像装置は、大画角化や画素の微細化、高速駆動化が求められている。ＣＣＤ型の固体撮像装置は、受光部において光から変換された信号電荷を読み出し、出力部へ転送するため、転送チャネル上に配置された転送電極に転送パルスとして電位を周期的に印加する必要がある。
【０００３】
転送電極は、隣接する転送電極の一部を重ね合わせて配置した多層構造のものと、隣接する転送電極を重ね合わせずに配置した単層構造のものとがある。近年の固体撮像装置の微細化により一つの画素サイズが１.７μｍ程度となってきているため、画素周辺部の高さを低減し、入射光のけられを小さくするために、単層構造のものが一般的になってきている。
【０００４】
一画素当たりの転送電極の数は、かつては３個以上が主であった。しかし、最近では一画素当たり、転送電極と読み出し電極を兼ねる転送電極との２個を有する形態が一般的である。これは、画素の微細化に伴い転送電極も微細化が要求され、一画素当たりの転送電極の面積を大きくして、一つの転送電極あたりに蓄積できる電荷の量を確保する必要があるためである。
【０００５】
また、一般的に転送電極の抵抗が高くなると、転送電極の端に印加された電位パルスが鈍りや遅延を起こし、センサ中央部に位置する画素の信号電荷を適切に読み出せない現象が生じる。この現象は、大画角化により転送電極が長くなった場合、画素の微細化により転送電極が細くなった場合及び高速転送のために高周波転送パルスを印加した場合に顕著に現れる。
【０００６】
転送電極の高抵抗化を回避するために、転送電極上に抵抗の低い材料で配線を形成し（いわゆる低抵抗配線）、転送電極と接続することにより、電位パルスの鈍りや遅延を抑制し、大画角化、微細化及び高速化に対応する技術が確立されている。例えば転送方向に沿って低抵抗配線を形成し、配線と転送電極又は読み出し電極を兼ねる転送電極とを周期的に接続する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００７】
また、水平方向に配置された転送電極上に沿って低抵抗配線を形成し、これと転送電極又は読み出し電極を兼ねる転送電極とを周期的に接続することにより、転送電極の高抵抗化を抑制しつつ、転送モードの制約も回避する技術が知られている（例えば、特許文献２を参照。）。
【０００８】
また、一画素当たり３個の転送電極を有するＣＣＤ型固体撮像装置において、転送方向及びこれと直交する方向にそれぞれ低抵抗配線を形成し、高速駆動化や入射光の遮りを低減する技術が開示されている（例えば、特許文献３を参照。）。この場合、一部の転送電極には低抵抗配線を形成しない技術も知られている（例えば、特許文献４を参照。）。
【特許文献１】米国特許３１６０９１５号明細書
【特許文献２】特開２００６−４１３６９号公報
【特許文献３】特開平１０−２２４９７号公報
【特許文献４】特開２００６−８６３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、今後は１０００万以上の画素を有する固体撮像装置に対して、静止画撮影及び動画撮影等を可能にする柔軟な転送モード及び高速駆動を実現することが要求される。このため、転送電極が単層構造であること、一画素当たり転送電極及び読み出し電極を兼ねる転送電極の２個の電極を有する構造であること、転送電極へ電位を印加するための低抵抗配線を有することは、いずれも欠かすことのできない技術である。
【００１０】
しかし、従来の転送方向に沿って低抵抗配線を形成し、配線と転送電極あるいは読み出し電極を兼ねる転送電極を周期的に接続する方式では、信号電荷の転送モードが制約される。このため、動画撮影用の間引き転送などに使用される多相駆動を適用しにくいという問題を有する。
【００１１】
また、従来の転送電極上に沿って低抵抗配線を形成する方式では、転送電極及び読み出し電極を兼ねる転送電極それぞれに電位を印加しなければならない。従って、配線を転送電極上の同一層内に２本形成しなければならず、画素の微細化につれて形成が困難となるという問題がある。
【００１２】
また、一画素当たり３個以上の転送電極を有するＣＣＤ型の固体撮像装置は、画素の微細化に伴う転送電極の微細化という観点からみると、不利な構造であるという問題がある。
【００１３】
本発明は、前記従来の問題を解決し、一画素当たり単層構造の転送電極を２個有する構成で且つ柔軟な転送モード及び高速な駆動に対応した固体撮像装置を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の目的を達成するため、本発明は固体撮像装置を、互いに交差する方向に延びる第１の配線と第２の配線とを備えた構成とする。
【００１５】
具体的に、本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板に規則的に形成された複数の受光部と、半導体基板における受光部同士の間の領域に形成され、第１の方向に延びる転送チャネルと、転送チャネルの上に形成された複数の第１の転送電極と、転送チャネルの上における第１の転送電極と同一の層に形成され、対応する受光部に蓄積された電荷を転送チャネルに読み出す読み出し電極としての機能を有する複数の第２の転送電極と、それぞれが対応する第１の転送電極に電位を印加する複数の第１の配線と、それぞれが対応する第２の転送電極に電位を印加し、第１の配線と交差する方向に延びる複数の第２の配線とを備えていることを特徴とする。
【００１６】
本発明の固体撮像装置は、それぞれが対応する第１の転送電極に電位を印加する複数の第１の配線と、それぞれが対応する第２の転送電極に電位を印加し、第１の配線と交差する方向に延びる複数の第２の配線とを備えている。このため、第１の配線の幅と第２の配線の幅とをそれぞれ転送電極の幅とほぼ同じにすることができる。従って、配線の高抵抗化を防止することができるので、電位パルスの鈍り及び遅延を抑制することができる。また、配線の形成プロセスも容易となる。さらに、ポリシリコンよりも抵抗率が低い材料を用いて配線を形成すれば、電位パルスの鈍り及び遅延をさらに抑制することが可能となる。
【００１７】
本発明の固体撮像装置において、第１の配線は第１の方向に延び、第２の配線は第２の方向に延びる構成としてもよい。
【００１８】
本発明の固体撮像装置において、第２の方向に隣り合う第１の転送電極同士は一体に形成され、第２の方向に隣り合う第２の転送電極同士は一体に形成されている構成としてもよい。
【００１９】
本発明の固体撮像装置において、第２の方向に隣り合う第１の転送電極同士は一体に形成され、第２の方向に隣り合う第２の転送電極同士は互いに独立に形成されている構成としてもよい。
【００２０】
本発明の固体撮像装置において、第１の方向に隣り合う第１の転送電極は互いに異なる第１の配線と接続されている構成としてもよい。
【００２１】
本発明の固体撮像装置において、第１の配線及び第２の配線の少なくとも一方は、ポリシリコン又はポリシリコンよりも抵抗率が小さい材料からなる構成としてもよい。
【００２２】
本発明の固体撮像装置において、ポリシリコンよりも抵抗率が小さい材料は、タングステン、アルミニウム又は金属シリサイドであってもよい。
【００２３】
本発明の固体撮像装置において、第１の配線は、転送チャネルを遮光する遮光膜としての機能を有する構成としてもよい。第１の配線には読み出し転送パルスが印加されることがない。従って、このような構成としても遮光膜の縁から発生する電界強度の差に起因する周期的なノイズの発生を低減することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る固体撮像装置によれば、一画素当たり単層構造の転送電極を２個有する構成で且つ柔軟な転送モード及び高速な駆動に対応した固体撮像装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（一実施形態）
本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。図１は一実施形態に係る固体撮像装置の平面構成を示している。図２は図１のII−II線における断面構成を示し、図３は図１のIII−III線における断面構成を示し、図４は図１のIV−IV線における断面構成を示している。
【００２６】
図１〜４に示すように、本実施形態の固体撮像装置は４相駆動ＣＣＤである。半導体基板１０に、複数の受光部２０が行列状に形成されている。半導体基板１０における受光部２０同士の間の領域には、第１の方向に延びる複数の転送チャネル２１が形成されている。転送チャネル２１の上には、互いに間隔をおいて転送電極３１が形成されている。転送電極３１は第１の転送電極３１Ａと、読み出し電極を兼ねる第２の転送電極３１Ｂとを含む。第１の転送電極３１Ａと第２の転送電極３１Ｂとは、オーバーラップしないように交互に形成されている。本実施形態においては、第１の方向と交差する第２の方向に隣接する第１の転送電極３１Ａ及び第２の転送電極３１Ｂは、それぞれ受光部２０の間の領域を通って連結され一体に形成されている。
【００２７】
転送電極３１の上には、転送電極３１に電位を供給する複数の配線３２が形成されている。配線３２は、第１の方向に延びる第１の配線３２Ａと第２の方向に延びる第２の配線３２Ｂとを含む。第１の配線３２Ａは、プラグ３３Ａにより第１の転送電極３１Ａと接続され、第２の配線３２Ｂは、プラグ３３Ｂにより第２の転送電極３１Ｂと接続されている。第１の方向に隣接する第１の転送電極３１Ａは、互いに異なる第１の配線３２Ａと接続されている。
【００２８】
受光部２０は、ｎ型シリコン基板である半導体基板１０の上部に形成された第１のｐ型ウェル１１に形成されたｎ型領域２０Ａとｐ型領域２０Ｂとを有するフォトダイオードである。転送チャネル２１は、受光部２０と間隔をおいて形成された第２のｐ型ウェル１２に形成されたｎ型領域である。
【００２９】
隣接する受光部２０間において信号電荷の流出及び流入を防止するため、受光部２０の周囲には、一部を除いてｐ型のチャネルストップ部２２が形成されている。
【００３０】
第１の転送電極３１Ａ及び第２の転送電極３１Ｂは、半導体基板１０の上に絶縁膜１５を介して形成されたポリシリコン等からなる。絶縁膜１５は転送電極３１のゲート絶縁膜となる。第１の転送電極３１Ａ及び第２の転送電極３１Ｂの膜厚は１００ｎｍ程度とすればよい。受光部２０と転送チャネル２１との間におけるチャネルストップ部２２が形成されていない領域は、第２の転送電極３１Ｂにより制御され受光部２０に蓄積された信号電荷を読み出す読み出しゲート部２３となる。信号電荷の読み出しの観点からは、第２の転送電極３１Ｂにおける第１の方向の長さを第１の転送電極３１Ａよりも長くする方が好ましい。
【００３１】
第１の転送電極３１Ａ及び第２の転送電極３１Ｂの上には第２の配線３２Ｂと第１の配線３２Ａとが形成されている。第１の配線３２Ａ及び第２の配線３２Ｂは、ポリシリコン又はポリシリコンよりも抵抗率が小さい材料により形成することが好ましい。具体的には、タングステン、アルミニウム又は金属シリサイド等とすればよい。この場合、第１の配線３２Ａ及び第２の配線３２Ｂの膜厚は１００ｎｍ程度とすればよい。
【００３２】
第１の転送電極３１Ａ及び第２の転送電極３１Ｂは、酸化シリコン（ＳｉＯ2）等からなる第１の絶縁膜４１により覆われており、第２の配線３２Ｂと第１の転送電極３１Ａとは絶縁されている。また、第２の配線３２Ｂと対応する第２の転送電極３１Ｂとは、第１の絶縁膜４１を貫通するプラグ３３Ｂにより電気的に接続されている。
【００３３】
第２の配線３２Ｂは、ＳｉＯ2等からなる第２の絶縁膜４２に覆われており、第１の配線３２Ａと第２の配線３２Ｂ及び第２の転送電極３１Ｂとは絶縁されている。また、第１の配線３２Ａと対応する第１の転送電極３１Ａとは、第１の絶縁膜を貫通するプラグ３３Ａにより電気的に接続されている。第１の配線３２Ａは、ＳｉＯ2等からなる第３の絶縁膜により覆われている。
【００３４】
転送チャネル２１への光の入射を防止するためにタングステン等からなる遮光膜５０が形成されている。遮光膜５０は、第１の転送電極３１Ａ、第２の転送電極３１Ｂ、第１の配線３２Ａ及び第２の配線３２Ｂを覆うように形成されている。第１の転送電極３１Ａと第２の転送電極３１Ｂとは第１の絶縁膜４１に覆われ、第２の配線３２Ｂは第２の絶縁膜４２に覆われ、第１の配線３２Ａは第３の絶縁膜４３に覆われている。このため、これらと遮光膜５０とは絶縁されている。
【００３５】
遮光膜５０の上には、第１の転送電極３１Ａ、第２の転送電極３１Ｂ、第１の配線３２Ａ及び第２の配線３２Ｂにより形成された段差を平坦化する第４の絶縁膜４４が形成されている。第４の絶縁膜４４はＢＰＳＧ（Borophosphosilicate glass）膜等により形成すればよい。
【００３６】
第４の絶縁膜４４の上における受光部２０と対応する位置には、ＳｉＯ2又は窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる層内レンズ５１が形成されている。レンズ間の谷間を平坦化するために、可視光に対して透過率の高い樹脂からなる第１の平坦化層５２が形成されている。第１の平坦化層５２における層内レンズ５１の上側の領域にはＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色成分のカラーフィルタ５３が形成されている。各色の配置は、市松状に配置されたＧ色成分の間をＲ色成分及びＢ色成分が交互に埋めるようになっている。カラーフィルタ５３はこれに限らず、例えば、補色系でもよい。カラーフィルタ５３は、第２の平坦化層５４により平坦化され、カラーフィルタ５３の上にはオンチップレンズ５５が形成されている。
【００３７】
以下に、本実施形態に係る固体撮像装置の駆動方法の一例を示す。まず、所定の受光部２０から転送チャネル２１へ信号電荷の読み出しを行う。第２の配線３２Ｂを通して読み出しを行う受光部２０に対応する第２の転送電極３１Ｂに読み出しパルスφＶＲを印加する。読み出しパルスφＶＲの電位は例えば１２Ｖとすればよい。このとき、他の第２の転送電極３１Ｂはローレベルの状態とする。また、読み出しを行う受光部２０に対応する第１の転送電極３１Ａはハイレベルとし、他の第１の転送電極３１Ａはローレベルとする。ハイレベル及びローレベルは、それぞれ０Ｖ及び−６Ｖとすればよい。
【００３８】
これにより、転送チャネル２１はそのポテンシャル深さが受光部２０から信号電荷を受け取ることのできる状態になる。また、読み出しゲート部２３のポテンシャルが変化し、受光部２０から転送チャネル２１への信号電荷の読み出し動作を行う。
【００３９】
次に、第１の転送電極３１Ａ及び第２の転送電極３１Ｂに対して、４相駆動に対応した転送パルスφＶ１〜φＶ４を所定のタイミングで印加する。転送パルスφＶ１〜φＶ４は、例えば−６Ｖ〜０Ｖとすればよい。これにより、転送チャネル２１に読み出された信号電荷は、転送チャネル２１中を転送される。さらに、水平転送部（図示せず）により水平方向に転送され、出力部（図示せず）により信号電荷量に応じた電圧に変換されて出力される。
【００４０】
本実施形態の固体撮像装置は、１層のポリシリコンにより第１の転送電極３１Ａと読み出し電極を兼ねる第２の転送電極３１Ｂとを形成する単層転送電極構造を有している。また、転送チャネルと平行な第１の方向に延び、第１の転送電極３１Ａに駆動パルスを供給する第１の配線３２Ａと、第１の方向と交差する方向に延び、第２の転送電極３１Ｂに駆動パルスを供給する第２の配線３２Ｂとを有している。第１の配線３２Ａが延びる方向と第２の配線３２Ｂが延びる方向とが異なっているため、第１の配線３２Ａ及び第２の配線３２Ｂの太さを、共に転送電極の幅とほぼ同じにすることが可能となる。これにより、転送パルスの鈍りや遅延を低減することができる。
【００４１】
配線を太くすることにより、配線を薄くすることが可能となるため、受光部に入射する入射光のけられを小さくすることが可能となる。また、同一方向で２層にする場合と異なり、全体の高さが高くなることがない。さらに、配線の材質をポリシリコンよりも抵抗率が低い材料とすれば、配線をより薄くすることができる。例えば、一般に用いられるポリシリコンの抵抗率は１×１０-4Ｗｃｍ程度であるが、抵抗率が５×１０-9Ｗｃｍ程度のタングステンを用いれば、膜厚を１５０ｎｍ以下とすることが可能となる。
【００４２】
第１の配線３２Ａと第２の配線３２Ｂとを独立した構造とすることにより、第１の転送電極３１Ａと第２の転送電極３１Ｂとに独立に転送パルスを印加することが可能となる。これにより、動画撮影時の間引き転送などの転送モードに柔軟に対応することが可能となる。
【００４３】
（一実施形態の第１変形例）
以下に、本発明の一実施形態の第１変形例について図面を参照して説明する。図５は一実施形態の第１変形例に係る固体撮像装置の平面構成を示している。図５において図１と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００４４】
本変形例の固体撮像装置は、第２の転送電極３１Ｂがそれぞれ独立に形成されており、第２の方向に隣り合う第２の転送電極３１Ｂ同士は、転送電極３１よりも上側の層に形成された第２の配線３２Ｂにより電気的に接続されている。このため、第１の方向に隣り合う受光部２０の間に形成されたチャネルストップ部２２に読み出しパルスφＶＲが印加されことを避けることができる。従って、読み出しパルスφＶＲを印加した場合に、第１の方向に隣り合う受光部２０の間において混色の発生を低減できる。
【００４５】
（一実施形態の第２変形例）
以下に、本発明の一実施形態の第２変形例について図面を参照して説明する。図６は一実施形態の第２変形例に係る固体撮像装置の平面構成を示している。図７は図６のVII−VII線における断面構成を示し、図８は図６のVIII−VIII線における断面構成を示し、図９は図６のIX−IX線における断面構成を示している。図６〜９において図１〜４と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００４６】
第２変形例に係る固体撮像装置は、第１の配線３２Ｃが転送チャネル２１を遮光する遮光膜として機能する。遮光膜を兼ねる第１の配線３２Ｃは受光部２０の上を覆う絶縁膜１５と接している。このため、第１の配線３２Ｃに駆動パルスが印加されると、第１の配線３２Ｃの端部から発生する電界が絶縁膜１５を介して、受光部２０のポテンシャルに影響を及ぼすおそれがある。
【００４７】
従来の固体撮像装置の場合、遮光膜を兼ねる配線には、読み出しパルスφＶＲ、ハイレベル転送パルス及びローレベル転送パルスを印加する必要がある。読み出しパルスφＶＲ、ハイレベル転送パルス及びローレベル転送パルスは、例えば、１２Ｖ、０Ｖ及び−６Ｖであり、それぞれ電位が異なっている。異なる電位のパルスが印加された配線から発生する電界の強度は異なっている。このため、受光部２０のポテンシャルに影響を及ぼし読み出し効率に差を生じてしまう。また、順次信号電荷を転送するＣＣＤにおいては、異なる電位のパルスが印加された配線の配置は周期的となる。このため、周期的なノイズとなってしまう。
【００４８】
しかし、本変形例の固体撮像装置は、第２の方向に延びる第２の配線３２Ｂを備えており、読み出しパルスφＶＲは第２の配線３２Ｂのみに印加され、遮光膜を兼ねる第１の配線３２Ｃには印加されない。このため、遮光膜を兼ねる第１の配線３２Ｃの縁から生じる電界の差は２種類となる。従って、従来の第１の方向に沿ってのみ低抵抗配線を形成する技術と比較して、受光部２０端のポテンシャルへの影響が軽減され、画質の劣化を抑制することができる。
【００４９】
本実施形態及び変形例において、受光部２０が行列状に配置された例を示したが、受光部２０は規則的に配置されていれば、行列状に配置されていなくてもよい。また、インターライン転送型について説明してきたが、フレームインターライントランスファ転送型の固体撮像装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明に係る固体撮像装置は、一画素当たり単層構造の転送電極を２個有する構成で且つ柔軟な転送モード及び高速な駆動に対応した固体撮像装置を実現でき、特にＣＣＤ型の固体撮像装置等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置を示し、図１のII−II線における断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置を示し、図１のIII−III線における断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る固体撮像装置を示し、図１のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明の一実施形態の第１変形例に係る固体撮像装置を示す平面図である。
【図６】本発明の一実施形態の第２変形例に係る固体撮像装置を示す平面図である。
【図７】本発明の一実施形態の第２変形例に係る固体撮像装置を示し、図６のVII−VII線における断面図である。
【図８】本発明の一実施形態の第２変形例に係る固体撮像装置を示し、図６のVIII−VIII線における断面図である。
【図９】本発明の一実施形態の第２変形例に係る固体撮像装置を示し、図６のIX−IX線における断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０      半導体基板
１１      第１のｐ型ウェル
１２      第２のｐ型ウェル
１５      絶縁膜
２０      受光部
２０Ａ    ｎ型領域
２０Ｂ    ｐ型領域
２１      転送チャネル
２２      チャネルストップ部
２３      読み出しゲート部
３１      転送電極
３１Ａ    第１の転送電極
３１Ｂ    第２の転送電極
３２      配線
３２Ａ    第１の配線
３２Ｂ    第２の配線
３２Ｃ    第１の配線
３３Ａ    プラグ
３３Ｂ    プラグ
４１      第１の絶縁膜
４２      第２の絶縁膜
４３      第３の絶縁膜
４４      第４の絶縁膜
５０      遮光膜
５１      層内レンズ
５２      第１の平坦化層
５３      カラーフィルタ
５４      第２の平坦化層
５５      オンチップレンズ
【図１】
2009238875.tif 000003
【図２】
2009238875.tif 000004
【図３】
2009238875.tif 000005
【図４】
2009238875.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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