(57)【要約】【課題】高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブ及びカンチレバーと、それらプローブ及びカンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能な製造方法とを提供することを目的とする。【解決手段】プローブ１１を製造する場合、まず、シリコン基板３０の腐食面で形成される溝３１を形成し、溝３１に窒化シリコン膜３２を堆積する。続いて、窒化シリコン膜３２上にフォトレジスト３３を塗布し、溝３１の底部にフォトレジスト３３が残留するように露光及び現像する。続いて、フォトレジスト３３で被覆された部分以外の窒化シリコン膜３２を除去し、露出した溝３１の上面に熱酸化処理を施して熱酸化膜３４を形成する。続いて、フォトレジスト３３で覆われている底部の窒化シリコン膜３２を除去して溝３１に金３５を堆積し、その金３５を熱酸化膜３４で被覆する。そして最後に、シリコン基板３０を除去する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
用意された結晶基板に四角錐状の溝を腐食面で形成する工程と、
前記溝の底部以外を熱酸化膜で覆う工程と、
前記底部以外の熱酸化膜に重ねて前記溝に導電性材料を堆積する工程と、
を含むプローブ針の製造方法。
【請求項２】
用意された結晶基板に四角錐状の溝を溶液による腐食面により形成する工程と、
前記溝に絶縁膜を堆積する工程と、
前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、
前記溝の底部に前記フォトレジストが残留するように、塗布した前記フォトレジストを露光及び現像する工程と、
残留したフォトレジストにより被覆された部分以外の前記絶縁膜を除去する工程と、
前記絶縁膜の除去により露出した前記溝の上面に熱酸化処理を施すことで該上面に熱酸化膜を形成する工程と、
熱酸化膜が形成された後に、残留している前記フォトレジストで覆われている前記底部の絶縁膜を除去する工程と、
前記底部の絶縁膜が除去された後に、前記溝に導電性材料を堆積する工程と、
前記導電性材料が堆積された後に該導電性材料を熱酸化膜で被覆する工程と、
熱酸化されなかった基板を除去する工程と、
を含み、
前記溝の腐食面に形成される前記導電性材料の頂上部以外が前記熱酸化膜で覆われる、
プローブ針の製造方法。
【請求項３】
前記結晶基板の腐食面の相対向する頂角が該結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まる請求項１又は２に記載のプローブ針の製造方法。
【請求項４】
前記結晶基板が立方晶または正方晶の結晶であって、
前記腐食面の相対向する頂角が略７０．６度である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプローブ針の製造方法。
【請求項５】
前記結晶基板が六方晶の結晶であって、
前記腐食面の結晶壁によって定まる相対向する頂角が前記結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まる、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプローブ針の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブ針の製造方法により得られたプローブ針を板状の梁部の先端に設ける工程を含むカンチレバーの製造方法。
【請求項７】
用意された基板に、参照電極を作製するための電極用溝と、対向電極を作製するための電極用溝とを形成する工程と、
前記各電極用溝が形成された基板に絶縁膜を堆積する工程と、
前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、
前記各電極用溝の底部に前記フォトレジストが残留するように、塗布した前記フォトレジストを露光及び現像する工程と、
残留したフォトレジストにより被覆された部分以外の前記絶縁膜を除去する工程と、
前記絶縁膜の除去により露出した前記基板の上面に熱酸化処理を施すことで該上面に熱酸化膜を形成する工程と、
熱酸化膜が形成された後に、残留している前記フォトレジストで覆われている前記各電極用溝の底部の絶縁膜を除去する工程と、
前記各電極用溝の底部の絶縁膜が除去された後に、前記基板に導電性材料を堆積する工程と、
を更に含み、
前記四角錐状の溝と前記各電極用溝とに導電性材料が堆積された後に該導電性材料を熱酸化膜で被覆する、
請求項６に記載のカンチレバーの製造方法。
【請求項８】
導電性材料を含んで形成される四角錐状の針部と、
前記針部の先端部以外の領域を覆う酸化膜部と、
を備え、
前記先端部の頂角が、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法における前記結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まる、
プローブ針。
【請求項９】
前記先端部の頂角が略７０．６度である、
請求項８に記載のプローブ針。
【請求項１０】
板状の梁部と、該梁部の先端に設けられたプローブ針と、該梁部の長手方向に沿って設けられ、該プローブ針と電気的に接続する配線とを備えるカンチレバーであって、
前記プローブ針が、
導電性材料を含んで形成される角錐台状の台部と、
前記導電性材料を含んで形成され、前記台部の上面に配置された角柱状の中間部と、
前記導電性材料を含んで形成され、前記中間部の上面に配置された四角錐状の先端部と、
前記台部及び前記中間部の側面を覆う酸化膜部と、
を備え、
前記先端部の頂角が、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブ針の製造方法における前記結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まる、
ことを特徴とするカンチレバー。
【請求項１１】
板状の梁部と、
該梁部の先端に設けられた、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブ針の製造方法により得られるプローブ針と、
該梁部の長手方向に沿って設けられ、該プローブ針と電気的に接続する配線と、
を備えるカンチレバー。
【請求項１２】
前記梁部に、前記配線と並行に配置された参照電極と、
前記梁部に、前記配線を挟んで前記参照電極と対向するように配置された対向電極と、
を更に備えることを特徴とする請求項１０又は１１に記載のカンチレバー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope；ＡＦＭ）に用いられるプローブ、カンチレバー及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＡＦＭに用いられるプローブが知られている。ＡＦＭの空間分解能はプローブの先端の径に依存するので、先鋭なプローブを作製する必要がある。下記特許文献１には、カンチレバーの先端側領域に設けられたプローブ及びその製造方法が記載されている。下記特許文献１では、プローブ（探針）を覆っている酸化ケイ素膜を加熱された水酸化カリウム水溶液に浸漬してその酸化ケイ素膜を等方的にわずかにエッチング除去することで、プローブの先端を露出させている。
【特許文献１】特開平８−１８９９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記特許文献１に記載の手法を用いた場合には、酸化ケイ素膜の除去範囲が拡がってしまい、プローブの先端のみを露出させる処理を高い再現性をもって実現することは極めて困難である。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブ及びカンチレバーと、それらプローブ及びカンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能な製造方法とを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のプローブ針の製造方法は、用意された結晶基板に角錐状の溝を腐食面で形成する工程と、溝の底部以外を熱酸化膜で覆う工程と、底部以外の熱酸化膜に重ねて溝に導電性材料を堆積する工程と、を含む。
【０００６】
このようなプローブの製造方法によれば、溝の底部が一度も熱酸化膜で覆われない。これにより、先端部分の導電性材料を一度も熱酸化膜で被覆することなくプローブを作製することができるので、高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブを簡易且つ確実に製造することが可能になる。
【０００７】
本発明のプローブ針の製造方法は、用意された結晶基板に角錐状の溝を溶液による腐食面により形成する工程と、溝に絶縁膜を堆積する工程と、絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、溝の底部にフォトレジストが残留するように、塗布したフォトレジストを露光及び現像する工程と、残留したフォトレジストにより被覆された部分以外の絶縁膜を除去する工程と、絶縁膜の除去により露出した溝の上面に熱酸化処理を施すことで該上面に熱酸化膜を形成する工程と、熱酸化膜が形成された後に、残留しているフォトレジストで覆われている底部の絶縁膜を除去する工程と、底部の絶縁膜が除去された後に、溝に導電性材料を堆積する工程と、導電性材料が堆積された後に該導電性材料を熱酸化膜で被覆する工程と、熱酸化されなかった基板を除去する工程と、を含み、溝の腐食面に形成される導電性材料の頂上部以外が熱酸化膜で覆われる。
【０００８】
本発明のプローブ針の製造方法は、結晶基板の腐食面の相対向する頂角が該結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まることが好ましい。
【０００９】
本発明のプローブ針の製造方法は、結晶基板が立方晶または正方晶の結晶であって、
腐食面の相対向する頂角が略７０．６度であることが好ましい。
【００１０】
本発明のプローブ針の製造方法は、結晶基板が六方晶の結晶であって、腐食面の結晶壁によって定まる相対向する頂角が結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まることが好ましい。
【００１１】
このようなプローブの製造方法によれば、塗布したフォトレジストが四角錐状の溝の底部に残留するように露光及び現像が行われ、その残留部分以外の部分について絶縁膜が除去され酸化膜が形成される。続いて、残留しているフォトレジストで覆われている絶縁膜が除去され、その後、溝に導電性材料が堆積され、その導電性材料が熱酸化膜で被覆される。これにより、先端部分の導電性材料を一度も熱酸化膜で被覆することなくプローブを作製することができるので、高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブを簡易且つ確実に製造することが可能になる。
【００１２】
本発明のカンチレバーの製造方法は、上記プローブ針の製造方法により得られたプローブ針を板状の梁部の先端に設ける工程を含む。
【００１３】
このようなカンチレバーの製造方法によれば、プローブ針を作成するための溝の底部が一度も熱酸化膜で覆われない。これにより、先端部分の導電性材料を一度も熱酸化膜で被覆することなくプローブを作製することができるので、高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るカンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能になる。
【００１４】
本発明のカンチレバーの製造方法では、用意された基板に、参照電極を作製するための電極用溝と、対向電極を作製するための電極用溝とを形成する工程と、各電極用溝が形成された基板に絶縁膜を堆積する工程と、絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、各電極用溝の底部にフォトレジストが残留するように、塗布したフォトレジストを露光及び現像する工程と、残留したフォトレジストにより被覆された部分以外の絶縁膜を除去する工程と、絶縁膜の除去により露出した基板の上面に熱酸化処理を施すことで該上面に熱酸化膜を形成する工程と、熱酸化膜が形成された後に、残留しているフォトレジストで覆われている各電極用溝の底部の絶縁膜を除去する工程と、各電極用溝の底部の絶縁膜が除去された後に、基板に導電性材料を堆積する工程と、を更に含み、四角錐状の溝と各電極用溝とに導電性材料が堆積された後に該導電性材料を熱酸化膜で被覆することが好ましい。
【００１５】
この場合、参照電極と対向電極とを備えるカンチレバーを作製できる。これら二つの電極も、プローブと同様に電極部分の導電性材料を一度も熱酸化膜で被覆することなく作製できるので、カンチレバーを簡易且つ確実に製造することが可能になる。
【００１６】
本発明のプローブ針は、導電性材料を含んで形成される四角錐状の針部と、針部の先端部以外の領域を覆う酸化膜部と、を備え、先端部の頂角が、上記プローブ針の製造方法における結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まる。
【００１７】
本発明のプローブ針では、先端部の頂角が略７０．６度であることが好ましい。
【００１８】
このようなプローブによれば、四角錐状の先端部が所定の高さだけ露出しているので、多少磨耗したとしても一定期間は酸化膜部から露出し続ける。そのため、プローブやカンチレバーを交換することなく長期間にわたって高い分解能を維持するＡＦＭを実現し得る。また、プローブの土台部分が酸化膜部により覆われるので、先端部以外からのノイズを極限まで抑制することが可能になる。
【００１９】
本発明のカンチレバーは、板状の梁部と、該梁部の先端に設けられたプローブ針と、該梁部の長手方向に沿って設けられ、該プローブ針と電気的に接続する配線とを備えるカンチレバーであって、プローブ針が、導電性材料を含んで形成される角錐台状の台部と、導電性材料を含んで形成され、台部の上面に配置された角柱状の中間部と、導電性材料を含んで形成され、中間部の上面に配置された四角錐状の先端部と、台部及び中間部の側面を覆う酸化膜部と、を備え、先端部の頂角が、上記プローブ針の製造方法における結晶基板の腐食面の結晶壁によって定まる、ことを特徴とする。
【００２０】
このようなカンチレバーによれば、プローブの先端部が所定の高さだけ露出しているので、プローブの酸化膜部が多少磨耗したとしても、一定期間、先端部は酸化膜部から露出し続ける。そのため、プローブやカンチレバーを交換することなく長期間にわたって高い分解能を維持するＡＦＭを実現し得る。また、プローブの土台部分が酸化膜部により覆われるので、先端部以外からのノイズを極限まで抑制することが可能になる。
【００２１】
本発明のカンチレバーは、板状の梁部と、該梁部の先端に設けられた、プローブ針の製造方法により得られるプローブ針と、該梁部の長手方向に沿って設けられ、該プローブ針と電気的に接続する配線と、を備える。
【００２２】
このようなカンチレバーによれば、プローブの先端部が所定の高さだけ露出しているので、プローブの酸化膜部が多少磨耗したとしても、一定期間、先端部は酸化膜部から露出し続ける。そのため、プローブやカンチレバーを交換することなく長期間にわたって高い分解能を維持するＡＦＭを実現し得る。また、プローブの土台部分が酸化膜部により覆われるので、先端部以外からのノイズを極限まで抑制することが可能になる。
【００２３】
本発明のカンチレバーでは、梁部に、配線と並行に配置された参照電極と、梁部に、配線を挟んで参照電極と対向するように配置された対向電極と、を更に備えることが好ましい。
【００２４】
この場合、参照電極及び対向電極がカンチレバーに設けられるので、装置の小型化を実現できる。
【発明の効果】
【００２５】
このようなプローブ及びカンチレバーによれば、プローブの先端部が所定の高さだけ露出しているので、プローブやカンチレバーを交換することなく長期間にわたって高い分解能を維持するＡＦＭを実現し得る。また、このようなプローブ及びカンチレバーの製造方法によれば、先端部分の導電性材料を一度も熱酸化膜で被覆することなくプローブを作製することができるので、プローブ及びカンチレバーを簡易且つ確実に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２７】
まず、図１〜３を用いて、実施形態に係るカンチレバーの構造を説明する。図１はカンチレバーを模式的に示す底面図である。図２は、図１に示すプローブを模式的に示す斜視図である。図３は図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【００２８】
カンチレバー１は、板状の梁部１０と、プローブ（プローブ針ともいう）１１と、プローブ用電極パッド１２と、参照電極１３と、参照電極用電極パッド１４と、対向電極１５と、対向電極用電極パッド１６とを備えている。梁部１０は、プローブ１１、参照電極１３、対向電極１５、プローブ用電極パッド１２、参照電極用電極パッド１４及び対向電極用電極パッド１６の部分を除いて熱酸化膜１７により被覆されている。
【００２９】
プローブ１１は、梁部１０の長手方向の一端（先細状の端部）に設けられている。プローブ用電極パッド１２、参照電極用電極パッド１４及び対向電極用電極パッド１６は、梁部１０の長手方向の他端に、梁部１０の幅方向に並んで設けられている。プローブ１１とプローブ用電極パッド１２とは、梁部１０の長手方向に沿って延びるプローブ用配線１８により電気的に接続されている。参照電極１３は、プローブ用配線１８と並行に配置されており、梁部１０の長手方向に沿って延びる参照電極用配線１９を介して参照電極用電極パッド１４と電気的に接続されている。対向電極１５は、プローブ用配線１８を挟んで参照電極１３と対向するように配置され、梁部１０の長手方向に沿って延びる対向電極用配線２０を介して対向電極用電極パッド１６と電気的に接続されている。
【００３０】
プローブ１１、プローブ用電極パッド１２及びプローブ用配線１８は金で形成され、参照電極１３、対向電極１５、参照電極用電極パッド１４、対向電極用電極パッド１６、参照電極用配線１９及び対向電極用配線２０は、白金で形成されている。もっとも、導電性材料として何を用いるかは限定されない。
【００３１】
プローブ１１は、角錐台状の台部１１１と、台部１１１の上面に配置された角柱状の中間部１１２と、中間部１１２の上面に配置された四角錐状の先端部１１３と、台部１１１及び中間部１１２の側面を覆う酸化膜部１１４とを含んで構成されており、全体として略四角錐状の外形をなしている。台部１１１、中間部１１２及び先端部１１３を合わせると四角錐状の針部になる。先端部１１３の各側面において、底角（底辺と斜辺とのなす角度、図３における角度θ）は５４．７度であり、頂角（二つの斜辺がなす角度、図３における角度φ）は１８０−５４．７×２＝７０．６度である。先端部１１３の横方向断面は正方形又は長方形である。断面台部１１１、中間部１１２及び先端部１１３はそれぞれ金で形成されており、互いに一体化している。酸化膜部１１４は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成されている。
【００３２】
本実施形態のカンチレバー１及びプローブ１１によれば、プローブ１１の先端部１１３が所定の高さだけ露出しているので、多少磨耗したとしても一定期間は酸化膜部１１４から露出し続ける。そのため、プローブ１１やカンチレバー１を交換することなく長期間にわたって高い分解能を維持するＡＦＭを実現し得る。また、プローブ１１の土台部分が酸化膜部１１４により覆われるので、先端部１１３以外からのノイズを極限まで抑制することが可能になる。
【００３３】
また、参照電極１３及び対向電極１５がカンチレバー１に設けられるので、装置の小型化を実現できる。
【００３４】
次に、図４〜８を用いて、本実施形態に係るカンチレバーの製造方法について説明する。図４〜６はカンチレバーの製造工程を模式的に示す断面図である。図７は製造により得られたカンチレバーの拡大写真である。図８は、図７に示すプローブの拡大写真である。
【００３５】
まず、シリコン基板（結晶基板）３０を用意し、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を用いた異方性エッチングによりそのシリコン基板３０上に四角錐状の溝（断面がＶ字状の溝）３１を形成する（図４（ａ）参照）。溝３１はシリコン基板３０の腐食面（結晶壁）に沿って形成され、例えば、シリコン基盤３０の（１１１）面に沿って形成される。腐食面（結晶壁）の底角は５４．７度であり、頂角は１８０−５４．７×２＝７０．６度である。すなわち、プローブ１１の先端部１１３の頂角は、シリコン基板３０の腐食面の結晶壁により定まる。溝３１の開口部の形状は正方形又は長方形である。
【００３６】
続いて、減圧ＣＶＤ法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により、溝３１の部分を含むシリコン基板３０上に窒化シリコン膜（絶縁膜）３２を堆積する（図４（ｂ）参照）。続いて、スピンコート法により窒化シリコン膜３２上にフォトレジスト３３を塗布する（図４（ｃ）参照）。
【００３７】
続いて、溝３１の底部にフォトレジスト３３が残留するように、塗布したフォトレジスト３３を露光及び現像する（図５（ａ）参照）。具体的には、露光時間と現像時間を調整することで底部に微量のフォトレジストを残す。一例としては、溝３１の各底辺が６μｍである場合に、フォトレジスト３３を０．５μｍの厚さで塗布し、２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線強度で１分間露出して２分間現像する。この場合には、最終的に製造されるプローブ１１の先端部１１３の各底辺が１μｍになる程度のフォトレジスト３３が残留する。言い換えれば、溝３１の底部に幅１μｍにわたってフォトレジスト３３が残留する。
【００３８】
続いて、残留したフォトレジスト３３により被覆された部分以外の窒化シリコン膜３２を反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）により除去する（図５（ｂ）参照）。続いて、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidationof Silicon）法を用いて、窒化シリコン膜３２の除去により露出したシリコン基板３０の上面（溝３１の上部を含む）を熱酸化処理することで、その上面に熱酸化膜３４（図１における熱酸化膜１７）を形成する（図５（ｃ）参照）。
【００３９】
続いて、残留しているフォトレジスト３３で覆われている底部の窒化シリコン膜３２を除去し（図６（ａ）参照）、導電性材料である金３５をスパッタリングにより堆積させる（図６（ｂ）参照）。すなわち、溝３１の底部以外の熱酸化膜３４に重ねて溝３１に金３５を堆積する。続いて、パターニングにより図１に示すようなカンチレバーの形状を形成し、その上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）をスパッタリングにより堆積させることで熱酸化膜３６を形成し、金３５（導電部分）を被覆する（図６（ｃ）参照）。そして最後に、熱酸化されなかったシリコン基板３０を二フッ化キセノン（ＸｅＦ２）を用いたドライエッチングにより除去する（図６（ｄ）参照）。これにより、図７に示すようなカンチレバー２が完成する。このカンチレバー２のうちプローブ１１以外の部分は熱酸化膜１７で覆われている。製造されたプローブ１１は、図８に示すように四角錐状をなしている。
【００４０】
プローブ用電極パッド１２も、シリコン基板３０上に形成する溝の形がプローブ１１の場合と異なる点を除いて、プローブ１１と同様の方法で作製できる。例えば、図４（ａ）に示す行程において、四角錐状の溝と共に直方体状あるいは円柱状の溝を形成し、図５（ａ）に示す行程において、各溝の底部にフォトレジストが残留するようにフォトレジストを露光及び現像し、図６（ａ）に示す行程において、各溝の底部の窒化シリコン膜を除去することで、プローブ用電極パッド１２とプローブ１１とを備えるカンチレバー１を作製できる。
【００４１】
また、参照電極１３及び対向電極１５も、シリコン基板３０上に形成する溝の形がプローブ１１の場合と異なる点を除いて、プローブ１１同様の方法で作製できる。例えば、まず参照電極１３及び対向電極１５について図４（ａ）〜図６（ｂ）の一連の処理を行い、その後プローブ１１について図４（ａ）〜図６（ｂ）の一連の処理を行い、最後に図６（ｃ）及び図６（ｄ）の処理を行うことで、プローブ１１、参照電極１３及び対向電極１５を備えるカンチレバー１を作製できる。なお、参照電極１３及び対向電極１５のために設けられる溝の形状は、例えば直方体形状とすることができる。
【００４２】
このようなプローブ１１及びカンチレバー１の製造方法によれば、塗布したフォトレジスト３３が四角錐状の溝３１の底部に残留するように露光及び現像が行われ、その残留部分以外の部分について窒化シリコン膜３２が除去され熱酸化膜３４が形成される。続いて、残留しているフォトレジスト３３で覆われている窒化シリコン膜３２が除去され、その後、溝３１に金３５が堆積され、その金３５が二酸化ケイ素膜（熱酸化膜）３６で被覆される。これにより、先端部１１３を一度も熱酸化膜３４で被覆することなくプローブ１１を作製することができるので、高い分解能を有するＡＦＭを実現し得るプローブ１１及びカンチレバー１を簡易且つ確実に製造することが可能になる。
【００４３】
また、参照電極１３及び対向電極１５も、プローブ１１と同様に一度も熱酸化膜３４で被覆することなく作製できるので、カンチレバー１を簡易且つ確実に製造することが可能になる。
【００４４】
以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で以下のような様々な変形が可能である。
【００４５】
上記実施形態ではシリコン基板に溝を形成してプローブ及びカンチレバーを製造したが、ガリウム砒素を基板として用いてもよいし、六方晶の窒化ガリウムや正方晶の結晶を基板として用いてもよい。六方晶や正方晶の結晶の場合、形成される溝の腐食面の頂角の角度はその結晶独自の値となる。
【００４６】
上記実施形態では、カンチレバー１が参照電極１３と対向電極１５とを備えていたが、これら二つの電極を有さないカンチレバーにも本発明を適用できる。また、本発明は、プローブ１１を一つ備えるカンチレバー以外に、プローブを一又は複数備える部品や、プローブ単体に対して適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態に係るカンチレバーを模式的に示す底面図である。
【図２】図１に示すプローブを模式的に示す斜視図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）はカンチレバーの製造工程を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）はカンチレバーの製造工程を模式的に示す断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）はカンチレバーの製造工程を模式的に示す断面図である。
【図７】製造されたカンチレバーの拡大写真である。
【図８】図７に示すプローブの拡大写真である。
【符号の説明】
【００４８】
１，２…カンチレバー、１０…梁部、１１…プローブ、１３…参照電極、１５…対向電極、１８…プローブ用配線、３０…シリコン基板、３１…溝、３２…窒化シリコン膜（絶縁膜）、３３…フォトレジスト、３４，３６…熱酸化膜、３５…金（導電性材料）、１１１…台部、１１２…中間部、１１３…先端部、１１４…酸化膜部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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