(57)【要約】【課題】検出効率と検出精度の向上を図る。【解決手段】入射側の光ファイバ３を支持する第１支持体１と、出射側の光ファイバ４を支持する第２支持体２と、光を検出する光検出素子５とを備える。第１支持体１及び光ファイバ３の一方の端面が傾斜角４５度の傾斜面であり、第２支持体２及び光ファイバ４の一方の端面も傾斜角４５度の傾斜面となっている。第１支持体１と第２支持体２とは双方の光ファイバ３，４の端面（傾斜面７，８）同士が略平行に対向する形で接着剤によって接着される。故に、接着層９の幅がダイシングブレードの厚みで規制されないため、従来例における傾斜溝の幅よりも接着層９の幅を容易に狭めることができて散乱光を抑制することができる。その結果、検出効率と検出精度の向上が図れる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバが活線状態にあるか否かを検出する活線検出装置であって、
入射側の光ファイバを支持する第１支持体と、出射側の光ファイバを支持する第２支持体と、光を検出する光検出素子とを備え、
第１支持体及び入射側の光ファイバの一方の端面は、当該端面の法線方向と入射側の光ファイバの軸方向とが鋭角となる傾斜面であり、
第２支持体及び出射側の光ファイバの一方の端面は、当該端面の法線方向と出射側の光ファイバの軸方向とが鋭角となる傾斜面であり、
第１支持体と第２支持体とは、入射側及び出射側双方の光ファイバの前記一方の端面同士が略平行に対向する形で透光性を有する接着剤によって接着されてなり、
光検出素子は、入射側及び出射側の光ファイバの前記一方の端面と接着層との界面で反射した反射光の光路上に配設されることを特徴とする光ファイバの活線検出装置。
【請求項２】
前記傾斜面の法線方向と当該光ファイバの軸方向とのなす角度が略４５度であることを特徴とする請求項１記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項３】
一つの光ファイバ並びに当該一つの光ファイバを支持する一つの支持体を分断することにより第１支持体と第２支持体並びに入射側の光ファイバと出射側の光ファイバが形成され、当該断面の法線方向と光ファイバの軸方向とのなす角度が前記傾斜面の角度に等しいことを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項４】
前記断面が研磨されていることを特徴とする請求項３記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項５】
一つの光ファイバ並びに当該一つの光ファイバを支持する一つの支持体を当該光ファイバの軸方向と略直交する方向に分断し且つ当該断面を研磨して前記傾斜面を形成することで第１支持体と第２支持体並びに入射側の光ファイバと出射側の光ファイバが形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項６】
前記接着層を形成する接着剤の屈折率が入射側及び出射側の光ファイバのコアの屈折率よりも低いことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項７】
第１支持体並びに第２支持体は、複数本の光ファイバがそれぞれの軸方向を揃える形で嵌め込まれる複数条の固定溝を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項８】
光検出素子は、光ファイバを挟んで前記固定溝と対向する位置に配設され、固定溝の表面には光の反射を防止する反射防止膜が形成されることを特徴とする請求項７記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項９】
光検出素子と入射側及び出射側の光ファイバとの間における前記反射光の光路を除く部位に遮光膜が形成されることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の光ファイバの活線検出装置。
【請求項１０】
入射側又は出射側の光ファイバは、コアを挟んで光検出素子と対向する側の外周面に反射膜が形成されることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の光ファイバの活線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバが活線状態にあるか否かを検出する活線検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信線路として光ファイバが急速に普及してきており、光通信事業者の光通信局や一般のオフィスビルに引き込まれた光ファイバケーブルを局内若しくはビル内における光配線用の多数の光ファイバコードに接続するために光成端箱（光成端トレイとも呼ばれる）が用いられている。また、この種の光成端箱では、光ファイバコードの各心線（光ファイバ心線）が活線状態（光信号が伝送されている状態）か否かを検出する活線検出装置が搭載されている。  
【０００３】
従来の活線検出装置として特許文献１に記載されているものがある。この従来装置は、図８（ａ）に示すようにシリコン基板５０１上にコア層５１０及びこのコア層５１０を覆う上部及び下部クラッド層５０３、５０２が形成されてなる光導波路を備え、当該光導波路のコア層５１０並びにクラッド層５０２，５０３にはダイシングによる傾斜溝が形成され、当該傾斜溝の内部には透明樹脂５１１が充填されており、コア層５１０を伝搬する光信号の一部が前記傾斜溝の側面を利用した反射鏡５１２で反射される光を光検出素子５０６の受光部５０７で受光する構成となっている。
【特許文献１】特開２００１−１３３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載されている従来例では、ダイシングによってコア層５１０並びにクラッド層５０２，５０３に傾斜溝を形成しているため、当該傾斜溝がダイシングブレードの厚み程度の幅寸法を有している。例えば、特許文献１には傾斜溝の幅が２０μメートルと記載されており、クラッド層５０２，５０３の厚み（１０μメートル）に比べて２倍程度の大きさになっている。このように傾斜溝の幅が大きくなっていると、図８（ｂ）に示すようにコア層５１０を伝搬する光が傾斜溝に充填された透明樹脂５１１内で散乱してしまい、受光部５０７に達する反射光の光量が減少して検出効率が低下してしまう虞がある。しかしながら、従来例では傾斜溝の幅がダイシングブレードの厚みで決まってしまうので、当該幅を狭めることは容易ではない。また、上記散乱光の影響によって何れかの光導波路を伝搬する光信号が隣接する光導波路に対応する受光部５０７で誤検出されてしまう現象（いわゆるクロストーク）が生じて検出精度が低下してしまう虞がある。
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みて為されたものであり、その目的は、検出効率と検出精度の向上が図れる光ファイバの活線検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、上記目的を達成するために、光ファイバが活線状態にあるか否かを検出する活線検出装置であって、入射側の光ファイバを支持する第１支持体と、出射側の光ファイバを支持する第２支持体と、光を検出する光検出素子とを備え、第１支持体及び入射側の光ファイバの一方の端面は、当該端面の法線方向と入射側の光ファイバの軸方向とが鋭角となる傾斜面であり、第２支持体及び出射側の光ファイバの一方の端面は、当該端面の法線方向と出射側の光ファイバの軸方向とが鋭角となる傾斜面であり、第１支持体と第２支持体とは、入射側及び出射側双方の光ファイバの前記一方の端面同士が略平行に対向する形で透光性を有する接着剤によって接着されてなり、光検出素子は、入射側及び出射側の光ファイバの前記一方の端面と接着層との界面で反射した反射光の光路上に配設されることを特徴とする。
【０００７】
請求項１の発明によれば、接着層の幅がダイシングブレードの厚みで規制されないため、従来例における傾斜溝の幅よりも接着層の幅を容易に狭めることができて散乱光を抑制することができる。その結果、検出効率と検出精度の向上が図れる。
【０００８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記傾斜面の法線方向と当該光ファイバの軸方向とのなす角度が略４５度であることを特徴とする。
【０００９】
請求項２の発明によれば、光ファイバの軸方向と反射光の光路とが略直交するために光検出素子による検出効率をさらに向上することができる。
【００１０】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、一つの光ファイバ並びに当該一つの光ファイバを支持する一つの支持体を分断することにより第１支持体と第２支持体並びに入射側の光ファイバと出射側の光ファイバが形成され、当該断面の法線方向と光ファイバの軸方向とのなす角度が前記傾斜面の角度に等しいことを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明によれば、入射側の光ファイバと出射側の光ファイバとの軸合わせが容易に行える。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、前記断面が研磨されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４の発明によれば、研磨しない場合と比較して断面における光の散乱を低減して検出効率と検出精度をさらに向上することができる。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１又は２の発明において、一つの光ファイバ並びに当該一つの光ファイバを支持する一つの支持体を当該光ファイバの軸方向と略直交する方向に分断し且つ当該断面を研磨して前記傾斜面を形成することで第１支持体と第２支持体並びに入射側の光ファイバと出射側の光ファイバが形成されることを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明によれば、分断時に傾斜面を形成する場合と比較して、第１支持体と第２支持体並びに入射側の光ファイバと出射側の光ファイバを容易に形成することができる。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項１〜５の何れか１項の発明において、前記接着層を形成する接着剤の屈折率が入射側及び出射側の光ファイバのコアの屈折率よりも低いことを特徴とする。
【００１７】
請求項６の発明によれば、接着層を伝搬する反射光を抑制して検出効率をさらに向上することができる。
【００１８】
請求項７の発明は、請求項１〜６の何れか１項の発明において、第１支持体並びに第２支持体は、複数本の光ファイバがそれぞれの軸方向を揃える形で嵌め込まれる複数条の固定溝を有することを特徴とする。
【００１９】
請求項７の発明によれば、入射側の光ファイバと出射側の光ファイバとの軸合わせが容易に行える。
【００２０】
請求項８の発明は、請求項７の発明において、光検出素子は、光ファイバを挟んで前記固定溝と対向する位置に配設され、固定溝の表面には光の反射を防止する反射防止膜が形成されることを特徴とする。
【００２１】
請求項８の発明によれば、界面で生じる散乱光が固定溝の表面に反射することで隣接する光検出素子に到達して誤検出されてしまう現象（いわゆるクロストーク）を抑制して検出精度の向上が図れる。
【００２２】
請求項９の発明は、請求項１〜８の何れか１項の発明において、光検出素子と入射側及び出射側の光ファイバとの間における前記反射光の光路を除く部位に遮光膜が形成されることを特徴とする。
【００２３】
請求項９の発明によれば、界面で生じる散乱光が遮光膜で遮光されるので、散乱光が隣接する光検出素子に到達して誤検出されてしまう現象（いわゆるクロストーク）を抑制して検出精度の向上が図れる。
【００２４】
請求項１０の発明は、請求項１〜９の何れか１項の発明において、入射側又は出射側の光ファイバは、コアを挟んで光検出素子と対向する側の外周面に反射膜が形成されることを特徴とする。
【００２５】
請求項１０の発明によれば、界面で生じる散乱光が反射膜で反射されて光検出素子に到達するので、検出効率をさらに向上することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、検出効率と検出精度の向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明に係る光ファイバの活線検出装置の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
（実施形態１）
本実施形態の活線検出装置は、図１に示すように入射側の４本の光ファイバ３を支持する第１支持体１と、出射側の４本の光ファイバ４を支持する第２支持体２と、光を検出する光検出素子５とを備えている。
【００２９】
第１支持体１は、断面形状Ｖ字形の４本の固定溝（Ｖ溝）１１が平行且つ等間隔で表面に形成されたＶ溝基板１０と、Ｖ溝基板１０との間で固定溝１１に嵌め込まれた光ファイバ３を狭持するカバー１２とで構成されている。同様に第２支持体２は、断面形状Ｖ字形の４本の固定溝（Ｖ溝）２１が平行且つ等間隔で表面に形成されたＶ溝基板２０と、Ｖ溝基板２０との間で固定溝２１に嵌め込まれた光ファイバ４を狭持するカバー２２とで構成されている。Ｖ溝基板１０，２０はシリコン基板からなり、ＫＯＨ（水酸化カリウム）若しくはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ水溶液を用いた異方性エッチングによって、主面（表面）に固定溝１１，２１が形成されている。但し、Ｖ溝基板１０，２０を石英又は金属又はポリマー材料で形成し、切削などの機械加工によって固定溝１１，２１を形成することも可能である。
【００３０】
カバー１２，２２は透明であり且つ光ファイバ３，４のクラッド３１，４１よりも屈折率の高い材料によって平板状に形成されている。尚、カバー１２，２２は、光ファイバ３，４を固定するために固定溝１１，２１に充填される接着剤６によってＶ溝基板１０，２０の主面（表面）に貼着される（図１（ｃ）参照）。
【００３１】
このようにＶ溝からなる固定溝１１，２１に嵌め込むことで光ファイバ３，４を保持しているので、複数本の光ファイバ３，４の位置精度を容易に高めることができる。しかも、個々の光ファイバ３，４が固定溝１１，２１の両側面とカバー１２，２２によって３方向から支持されているため、光ファイバ３，４のがたつきを無くすことができる。
【００３２】
第１支持体１及び入射側の光ファイバ３の一方の端面（図１（ｂ）における右側の端面）は、当該端面の法線方向と入射側の光ファイバ３の軸方向（図１（ｂ）における左右方向）とが鋭角（本実施形態では４５度）となる傾斜面７として形成されている。また、第２支持体２及び出射側の光ファイバ４の一方の端面（図１（ｂ）における左側の端面）は、当該端面の法線方向と出射側の光ファイバ４の軸方向（図１（ｂ）における左右方向）とが鋭角（本実施形態では４５度）となる傾斜面８として形成されている。そして、第１支持体１と第２支持体２とは、傾斜面７，８同士が略平行に対向する形で透光性を有する接着剤によって接着され、第１支持体１の傾斜面７と第２支持体２の傾斜面８との間には前記接着剤からなる接着層９が介在している。
【００３３】
光検出素子５は、長手方向の寸法が第１支持体１及び第２支持体２の幅寸法（図１（ａ）における上下方向の長さ寸法）と略等しい平面視長方形の半導体基板５０と、半導体基板５０の短手方向中央において長手方向に一列に並ぶ形で形成された４つの受光部５１とを有するフォトダイオードアレイからなる。尚、半導体基板５０の長手方向における受光部５１のピッチ（間隔）は第１支持体１及び第２支持体２に支持されている光ファイバ３，４におけるコア３０，４０のピッチ（間隔）と略一致している（図１（ｃ）参照）。また、第１支持体１並びに第２支持体２のカバー１２，２２表面において、第１支持体１並びに第２支持体２の厚み方向（図１（ｂ）における上下方向）から見て光ファイバ３，４のコア３０，４０の端面と接着層９との界面に４つの受光部５１がそれぞれ重なる位置に光検出素子５が配置され、カバー１２，２２を形成する材料よりも屈折率の高い接着剤によってカバー１２，２２の表面に実装（ダイボンディング）されている。
【００３４】
而して、入射側の光ファイバ３を伝搬する光（光信号）の一部が、傾斜面７と接着層９の界面並びに接着層９と傾斜面８の界面において光ファイバ３，４の軸方向（図１（ｂ）における左右方向）と直交する方向に反射し、反射した光（反射光）がその光路上に配設されている光検出素子５の受光部５１に入射することになる。よって、光検出素子５からは反射光の光量に応じた電流信号が出力されるため、この電流信号の大小に応じて光ファイバ３，４の活線状態を検出することができる。ここで、本実施形態では第１支持体１と第２支持体２とが接着層９を介して接合されているので、第１支持体１に支持された光ファイバ３の端面と第２支持体２に支持された光ファイバ４の端面との距離（接着層９の厚み）を、従来例における傾斜溝の幅よりも充分に狭めることができる。何故なら、従来例では傾斜溝を形成するためのダイシングブレードの厚みによって傾斜溝の幅が決まってしまうが、本実施形態では接着層９の厚みをダイシングブレードの厚みよりも充分に狭くすることができるからである。
【００３５】
このように本実施形態の活線検出装置では、接着層９の幅がダイシングブレードの厚みで規制されないため、従来例における傾斜溝の幅よりも接着層９の幅を容易に狭めることができて散乱光を抑制することができる。そして、散乱光を抑制することで検出効率の向上が図れるとともに、何れかの光ファイバ３，４の端面と接着層９の界面で反射した反射光が隣り合う別の光ファイバ３，４に対応した受光部５１で受光されてしまう現象（クロストーク）を低減して検出精度の向上が図れるものである。尚、接着層９を形成する接着剤の屈折率が光ファイバ３，４のコア３０，４０の屈折率よりも高いと、図２に示すように接着層９と光ファイバ４の端面との界面で反射した反射光（図２における破線矢印イ参照）の一部（図２における破線矢印ロ参照）が接着層９に伝搬されてしまうために受光部５１に入射する反射光の光量が減少して検出効率が低下してしまうことになる。従って、接着層９を形成する接着剤には、光ファイバ３，４のコア３０，４０よりも屈折率の低いものを用いる必要がある。また、反射光の光量については、接着層９を形成する接着剤の屈折率と光ファイバ３，４のコア３０，４０の屈折率との差（屈折率差）を増減することで容易に調整できる。
【００３６】
ここで、本実施形態では傾斜面７，８の傾斜角（傾斜面７，８の法線方向と光ファイバ３，４の軸方向とがなす角度。以下同じ。）が４５度に設定されているので、反射光の光路が光ファイバ３，４の軸方向と直交することになる。一方、光検出素子５が実装されるカバー１２，２２の表面は光ファイバ３，４の軸方向と平行であるから、光検出素子５の受光部５１の受光面（図２における下面）に対して反射光が垂直に入射することになって効率的な検出が可能となる。しかも、反射光の光路上に受光部５１を配置するに当たっては、第１支持体１並びに第２支持体２の厚み方向（図２における上下方向）から見て光ファイバ３，４のコア３０，４０の端面と接着層９との界面に４つの受光部５１がそれぞれ重なるようにすればよいから、位置合わせを容易に行うことができて光検出素子５の実装工程を簡素化して製造コストを削減することができる。
【００３７】
ところで本実施形態では、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように一つの光ファイバ１１０並びに当該一つの光ファイバ１１０を支持する一つの支持体１００を分断することによって第１支持体１と第２支持体２並びに入射側の光ファイバ３と出射側の光ファイバ４を形成している。すなわち、図３（ａ）に示すように支持体１００はＶ溝基板１０１とカバー１０２で構成され、Ｖ溝基板１０１に形成された固定溝１０３に光ファイバ１１０が嵌め込まれるとともにＶ溝基板１０１に貼着されるカバー１０２との間で光ファイバ１１０を挟み込んで支持している。
【００３８】
上述のように構成された支持体１００並びに光ファイバ１１０を、光ファイバ１１０の軸方向に対して４５度傾斜した方向からダイシングすれば、図３（ｂ）に示すように断面（傾斜面７，８）の法線方向と光ファイバ３，４の軸方向とのなす角度が４５度となった２つの部分、すなわち、第１支持体１及び入射側の光ファイバ３と、第２支持体２及び出射側の光ファイバ４とに分断することができる。そして、既に説明したように第１支持体１と第２支持体２とを、傾斜面７，８同士が略平行に対向する形で接着剤によって接着する（図３（ｃ）参照）。このとき、双方のＶ溝基板１０，２０の底面を基準面として第１支持体１と第２支持体２を結合すれば、もともとは一つの支持体１００を分断したものであることから、支持体１，２の厚み方向（図３（ｃ）における上下方向）においては光ファイバ３，４の軸合わせが容易に行えるものである。尚、傾斜面７，８における散乱光を抑制して反射光の損失を低減するため、光ファイバ３，４の断面を研磨することが望ましい。
【００３９】
尚、上述のように光ファイバ１１０の軸方向に対して４５度傾斜した方向からダイシングする切断方法は汎用的ではなく、また支持体１，２や光ファイバ３，４の肉厚が薄くなる鋭角部分ではチッピングによる不良が発生し易い。そこで、図４（ａ），（ｂ）に示すように光ファイバ１１０を支持した支持体１００を、ダイシングによって光ファイバ１１０の軸方向と略直交する方向に分断し、さらに当該断面を研磨して傾斜面７，８を形成することで第１支持体１と第２支持体２並びに入射側の光ファイバ３と出射側の光ファイバ４を形成すれば、チッピングによる不良は発生しない。また、上述のように傾斜した方向からダイシングする場合と比較して、断面を研磨して傾斜面７，８を形成する加工作業の方が汎用技術を利用して容易に実行できる。
【００４０】
（実施形態２）
本実施形態は、図５に示すように第１支持体１並びに第２支持体２の各固定溝１１，２１の表面に、光の反射を防止する反射防止膜１３，２３が形成されている点に特徴がある。但し、これ以外の構成は実施形態１と共通であるから、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４１】
実施形態１で説明したように接着層９の幅を狭めることで界面における光の散乱を抑制することができるものの、散乱光を完全に無くすことはできない。界面において光の散乱が発生すると、図５に破線矢印ハで示すように反射光の光路と異なる方向に伝搬した散乱光が固定溝１１，２１の表面で反射し、隣の光ファイバ３，４に対応する受光部５１に到達してクロストークが生じてしまう虞がある。
【００４２】
そこで本実施形態では、上述のように固定溝１１，２１の表面に反射防止膜１３，２３を形成することにより、散乱光が隣の光ファイバ３，４に対応する受光部５１に到達することを抑制してクロストークを低減しているのである。
【００４３】
（実施形態３）
本実施形態は、図６に示すように光検出素子５の受光部５１と入射側及び出射側の光ファイバ３，４との間における反射光の光路を除く部位に遮光膜１４（２４）が形成されている点に特徴がある。但し、これ以外の構成は実施形態１と共通であるから、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４４】
遮光膜１４（２４）は、カバー１２，２２のＶ溝基板１０，２０との対向面（接合面）に光を吸収する材料が成膜されて形成されている。そして、第１支持体１並びに第２支持体２の厚み方向（図６における上下方向）から見て光ファイバ３（４）のコア３０（４０）の端面と接着層９との界面にそれぞれ重なる位置においては、遮光膜１４（２４）が形成されていない窓孔１５（２５）が開口している。
【００４５】
而して、本実施形態によれば、界面で反射した反射光は遮光膜１４（２４）に開口する窓孔１５（２５）を通過して対応する受光部５１で受光されるが、界面で生じた散乱光は遮光膜１４（２４）で遮光されて隣の光ファイバ３（４）に対応する受光部５１に到達しないので、クロストークを抑制して検出精度の向上が図れるものである。尚、本実施形態の構成と実施形態２の構成を組み合わせることでクロストークをさらに抑制（低減）することができる。
【００４６】
（実施形態４）
本実施形態は、図７に示すように出射側の光ファイバ４において、コア４０を挟んで光検出素子５の受光部５１と対向する側の外周面（図７における下側の外周面）に反射膜２６が形成されている点に特徴がある。但し、これ以外の構成は実施形態１と共通であるから、共通の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００４７】
反射膜２６は、光ファイバ４のクラッド４１の外周面に金又は銀若しくは金合金や銀合金などの金属を蒸着やスパッタリング、めっき等の周知の方法で成膜することで形成される。
【００４８】
而して、本実施形態によれば、図７に破線矢印で示すように界面で生じる散乱光の一部が反射膜２６で反射され、反射光と同じ光路を通って対応する受光部５１に到達するので、受光部５１の受光光量が増大することで検出効率をさらに向上することができる。しかも、反射膜２６がコア４０を挟んで受光部５１と対向する側の外周面にのみ形成されているので、反射膜２６で反射した散乱光が隣の光ファイバ４に対応する受光部５１に到達しないので、クロストークを抑制して検出精度の向上が図れるものである。尚、本実施形態の構成を実施形態２又は３の構成の少なくとも何れか一方と組み合わせても構わない。また、本実施形態では出射側の光ファイバ４に反射膜２６が形成されているが、第１支持体１の傾斜面７と第２支持体２の傾斜面８の相対的な位置関係（上下関係）を反転させた場合には、入射側の光ファイバ３に反射膜を形成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態１を示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面矢視図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ’線断面矢視図である。
【図２】同上の断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は同上の製造工程を説明するための断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は同上の別の製造工程を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施形態２を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態３を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態４を示す断面図である。
【図８】従来例を示し、（ａ）は側面断面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ’線断面矢視図である。
【符号の説明】
【００５０】
１  第１支持体
２  第２支持体
３  入射側の光ファイバ
４  出射側の光ファイバ
５  光検出素子
７  傾斜面
８  傾斜面
９  接着層
５１  受光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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