(57)【要約】【課題】動画の暗部の細かい描写力と動画特性とを向上させることができる画像表示装置を提供する。【解決手段】複数の画素回路が配列された画像表示装置であって、第１方向に並ぶ複数の画素回路に対して共通かつ電気的に接続される画像信号線と、第１方向とは異なる第２方向に並ぶ複数の画素回路に対して共通かつ電気的に接続される走査信号線と、を備える。この画像表示装置では、各画素回路が、第１および第２電極を含み、且つ第１電極と第２電極との間における電流によって発光輝度が調節される発光素子と、第３、第４、および第５電極を含み、第３電極に付与される電位によって第４電極と第５電極との間に電流が流れ得る導通状態に設定され、且つ第５電極が第１電極に対して電気的に接続されるトランジスタと、を有する。そして、第４電極が、画像信号線に対して電気的に接続され、第３電極が、走査信号線に対して電気的に接続される。【選択図】図２
2009222870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素回路が配列された画像表示装置であって、
第１方向に並ぶ複数の画素回路に対して共通かつ電気的に接続される画像信号線と、
前記第１方向とは異なる第２方向に並ぶ複数の画素回路に対して共通かつ電気的に接続される走査信号線と、
を備え、
各前記画素回路が、
第１および第２電極を含み、且つ前記第１電極と前記第２電極との間における電流によって発光輝度が調節される発光素子と、
第３、第４、および第５電極を含み、前記第３電極に付与される電位によって前記第４電極と前記第５電極との間に電流が流れ得る導通状態に設定され、且つ前記第５電極が前記第１電極に対して電気的に接続されるトランジスタと、
を有し、
前記第４電極が、前記画像信号線に対して電気的に接続され、
前記第３電極が、前記走査信号線に対して電気的に接続されることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像表示装置であって、
前記トランジスタが、
キャリアが正孔のトランジスタを含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の画像表示装置であって、
各前記第２電極が、共通に接地されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れかに記載の画像表示装置であって、
各前記発光素子が、
有機ＥＬ素子を含むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像表示装置であって、
各前記有機ＥＬ素子が、
燐光材料を使用したものを含むことを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電界発光を利用した有機ＥＬ(Electroluminescent)素子を用いた表示パネル（以下「ＯＬＥＤパネル」と称する）が知られている。
【０００３】
このＯＬＥＤパネルには、いわゆるパッシブ型のものと、アクティブ型のものとがある。そして、アクティブ型のＯＬＥＤパネルは、画素ごとにトランジスタやコンデンサなどの多数の電子回路が必要であるが、パッシブ型のＯＬＥＤパネルは、有機ＥＬ素子のダイオード特性を利用して走査対象となるラインの選択を順次行うだけで駆動するため、比較的簡単な構造であり且つ製造コストの低減が実現可能である。なお、パッシブ型のＯＬＥＤパネルに係る技術としては、下記特許文献１，２の技術などが挙げられる。
【０００４】
図７は、従来のパッシブ型の表示パネル８００の回路構成を例示する回路図である。図７で示すように、表示パネル８００では、マトリックス状に有機ＥＬ素子８１０が配列されている。そして、図中の縦方向に沿って並べられた有機ＥＬ素子８１０の各列に対して共通の画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)（Ｎは自然数）がそれぞれ電気的に接続され、図中の横方向に沿って並べられた有機ＥＬ素子８１０の各行に対して共通の走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)（Ｍは自然数）がそれぞれ電気的に接続されている。図７では、各有機ＥＬ素子８１０のうち、アノード電極８１０ａが各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対して電気的に接続され、カソード電極８１０ｂが各走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)に対して電気的に接続されている。
【０００５】
このような表示パネル８００では、画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)が画像信号に応じた電流が供給可能な状態に設定されつつ、走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)のうちの何れか１本の走査信号線が順次に低電位に設定されるとともに、他の走査信号線が正の高電位に設定される。したがって、走査対象すなわち発光の対象となっている行の各有機ＥＬ素子８１０では、画像信号に応じた電流が画像信号線から走査信号線に向けて流れ、画像信号に応じた発光が行われる。
【０００６】
【特許文献１】特表２０００−１４７１２号公報
【特許文献２】特開２００２−３２８６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、パッシブ型のＯＬＥＤパネルでは、(ａ)パネルのサイズが大きくなると微少な電流の制御が難しく、低輝度の発光による動画の暗部の描写が容易でない、(ｂ)ＯＬＥＤパネルを構成する画素数が多くなり解像度が高くなると高輝度の発光が難しく、発光効率が悪くなる、といった問題点を有する。したがって、一般的には、パッシブ型のＯＬＥＤパネルは、画素数の少ない解像度の低い表示パネルに向く。そして、上記問題点は、図８で示すように、表示パネル８００のうち、走査対象となっている有機ＥＬ素子８１０の行以外の残余の行を構成する有機ＥＬ素子８１０がコンデンサＣ０として機能するために発生する。そして、パネルのサイズが大きくなると、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に影響を及ぼすコンデンサＣ０の数が多くなり、有機ＥＬ素子８１０に流す微少電流の制御が難しくなる。
【０００８】
また、パッシブ型のＯＬＥＤパネルでは、走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)の電位を設定するＹドライバにおいて、有機ＥＬ素子８１０の発光時に、走査対象の行に含まれる全ての有機ＥＬ素子８１０で流れる電流が、１本の走査信号線（図８では走査信号線Ｌｓ１）を介して１箇所に集中する。このため、大電流に耐えうるＹドライバが必要となり、Ｙドライバの大型化、ひいてはＯＬＥＤパネルの大型化を招いてしまう。
【０００９】
また、パッシブ型のＯＬＥＤパネルでは、走査対象の有機ＥＬ素子８１０の行が変更される際に、発光している有機ＥＬ素子８１０に対して、発光開始時に印加された電圧とは逆方向の電圧（逆バイアス）が印加され、有機ＥＬ素子８１０の発光が強制的に停止される。このようなＯＬＥＤパネルでは、駆動のデューティが発光のデューティと比例している。そのため、有機ＥＬ素子８１０の発光輝度が矩形波のような経時的な変化を呈し、いわゆる発光のデューティが低減する。したがって、パネルの明るさを考慮すると、パッシブ型のＯＬＥＤパネルは、画素数の少ない低解像度の表示パネルにしか適用することができず、ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)のように各画素の発光輝度が素早く上昇した後に徐々に下降していくといった動画特性に適した発光状態も得られない。
【００１０】
更に、各色の有機ＥＬ素子８１０によって、劣化の度合いが異なる。このため、各有機ＥＬ素子８１０の劣化に応じて所望の発光輝度を得るために所望の電流を各有機ＥＬ素子８１０に流そうとして画像信号線に印加される電圧を適宜上昇させても、走査対象でない行の有機ＥＬ素子８１０の電気容量の影響により所望の発光輝度で安定させるまでに必要な時間が変わってしまう。すなわち、動画特性の劣化を招いてしまう。
【００１１】
以上で述べた問題は、パッシブ型のＯＬＥＤパネル以外の電流によって発光輝度が制御される発光素子を採用したパッシブ型の表示パネルに共通する。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、動画の暗部の細かい描写力と動画特性とを向上させることができる画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の態様に係る画像表示装置は、複数の画素回路が配列された画像表示装置であって、第１方向に並ぶ複数の画素回路に対して共通かつ電気的に接続される画像信号線と、前記第１方向とは異なる第２方向に並ぶ複数の画素回路に対して共通かつ電気的に接続される走査信号線と、を備える。この画像表示装置では、各前記画素回路が、第１および第２電極を含み、且つ前記第１電極と前記第２電極との間における電流によって発光輝度が調節される発光素子と、第３、第４、および第５電極を含み、前記第３電極に付与される電位によって前記第４電極と前記第５電極との間に電流が流れ得る導通状態に設定され、且つ前記第５電極が前記第１電極に対して電気的に接続されるトランジスタと、を有する。そして、前記第４電極が、前記画像信号線に対して電気的に接続され、前記第３電極が、前記走査信号線に対して電気的に接続される。
【００１４】
また、本発明の第２の態様に係る画像表示装置は、第１の態様に係る画像表示装置であって、前記トランジスタが、キャリアが正孔のトランジスタを含む。
【００１５】
また、本発明の第３の態様に係る画像表示装置は、第１または第２の態様に係る画像表示装置であって、各前記第２電極が、共通に接地されている。
【００１６】
また、本発明の第４の態様に係る画像表示装置は、第１から第３の態様に係る画像表示装置であって、各前記発光素子が、有機ＥＬ素子を含む。
【００１７】
また、本発明の第５の態様に係る画像表示装置は、第４の態様に係る画像表示装置であって、各前記有機ＥＬ素子が、燐光材料を使用したものを含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、動画の暗部の細かい描写力と動画特性とを向上させることができる。
【００１９】
請求項２に記載の発明によれば、例えば、ポリシリコンを用いた場合でも大電流に耐え得るトランジスタを実現することが容易であるため、高輝度の発光と画質の向上とを容易に図ることができる。したがって、パネルの設計も容易となる。
【００２０】
請求項３に記載の発明によれば、大電流が走査信号線を制御する回路に流れなくなるため、走査信号線を制御する回路の簡略化を図ることができる。
【００２１】
請求項５に記載の発明によれば、電流効率および動画特性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２３】
＜画像表示装置の全体構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る画像表示装置１の構成を例示するブロック図である。
【００２４】
図１で示すように、画像表示装置１は、信号受信部２、画像処理部３、タイミング制御部４、Ｘドライバ５、Ｙドライバ６、電源回路７、および表示パネル８を備えて構成されている。画像表示装置１としては、例えば、表示画面を有する携帯電話機や薄型テレビなどといった各種電子機器などが挙げられる。
【００２５】
信号受信部２は、外部機器などから画像信号を受信して、画像処理部３に出力する。
【００２６】
画像処理部３は、信号受信部２から入力された画像信号に対して各種画像処理を施す。この画像処理部３では、例えば、アナログの画像信号がデジタルの画像信号に変換された後に、垂直同期信号、水平同期信号、およびデータイネーブル信号などがタイミング制御部４に出力される一方で、いわゆるＹＣ分離およびγ補正などの処理が施されて、Ｘドライバ５に各画素のデータ信号（画素データ信号）が順次出力される。
【００２７】
タイミング制御部４は、画像処理部３から入力された各種信号に応答して、表示パネル８の駆動タイミングを制御するための各種制御信号をＸドライバ５、Ｙドライバ６、および電源回路７に対して出力する。
【００２８】
Ｘドライバ５は、タイミング制御部４からの制御信号に応答して、表示パネル８に配設されたＮ（Ｎは自然数）本の画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対して画素データ信号に応じた電流を供給する。
【００２９】
Ｙドライバ６は、タイミング制御部４からの制御信号に応答して、表示パネル８に配設されたＭ（Ｍは自然数）本の走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)に対して所定の電位を印加する。このＹドライバ６は、例えば、各走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)を、第１所定電位（例えば、高電位）および第２所定電位（例えば、低電位）に選択的に設定する。
【００３０】
表示パネル８は、複数の画素回路８０がマトリックス状に配列されて構成されている。そして、列方向（図１の縦方向）に沿って並ぶ複数の画素回路８０に対して共通の画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）がそれぞれ電気的に接続され、行方向（図１の横方向）に沿って並ぶ複数の画素回路８０に対して共通の走査信号線Ｌｓ０（Ｌｓ１〜Ｌｓ(Ｍ−１)）がそれぞれ電気的に接続される。
【００３１】
＜表示パネルの構成＞
図２は、本発明の実施形態に係る表示パネル８の回路構成を例示する回路図である。なお、図２では、各画素回路８０が破線で囲まれて示されている。
【００３２】
図２で示すように、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対して、列方向（図２の縦方向）に沿って配列されたＭ個の画素回路８０がそれぞれ電気的に接続され、各走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)に対して、行方向（図２の横方向）に沿って配列されたＮ個の画素回路８０がそれぞれ電気的に接続されている。そして、行方向（図２の横方向）に沿って配列されたＮ個の画素回路８０は、赤(Ｒ)色の光を発する発光素子８１を含む画素回路８０と、緑(Ｇ)色の光を発する発光素子８１を含む画素回路８０と、青(Ｂ)色の光を発する発光素子８１を含む画素回路８０とがこの順番で並べられて構成されている。
【００３３】
全ての画素回路８０は、同様な回路構成を有しているため、以下では、代表例として図２の左上の画素回路８０に着目して、画素回路８０の回路構成について説明する。
【００３４】
画素回路８０は、発光素子８１とトランジスタ８２とを備える。
【００３５】
発光素子８１は、燐光材料を用いたタイプ（燐光タイプ）の有機ＥＬ素子によって構成され、アノード電極８１ａ（本発明の「第１電極」に相当）およびカソード電極８１ｂ（本発明の「第２電極」に相当）を有し、アノード電極８１ａとカソード電極８１ｂとの間における電流によって発光輝度が調節される。ここでは、発光素子８１が所定色の光を発する際に電流が順方向に流れ、その際に、アノード電極８１ａが高電位側となり、カソード電極８１ｂが低電位側となる。また、全ての画素回路８０にそれぞれ含まれる複数のカソード電極８１ｂが共通に接地されている。
【００３６】
トランジスタ８２は、キャリアが正孔であるタイプ(ｐ型)のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)の一種である薄膜トランジスタ(TFT：Thin Film Transistor)、すなわちｐ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成される。
【００３７】
このトランジスタ８２は、制御電極８２ａ（本発明の「第３電極」に相当）、一方電極８２ｂ（本発明の「第４電極」に相当）、および他方電極８２ｃ（本発明の「第５電極」に相当）を有する。そして、ゲートに相当する制御電極８２ａが走査信号線Ｌｓ０に対して電気的に接続され、一方電極８２ｂが画像信号線Ｌｄ０に対して電気的に接続され、他方電極８２ｃがアノード電極８１ａに対して電気的に接続されている。したがって、ゲートに相当する制御電極８２ａに付与される電位、具体的には、一方電極８２ｂに与えられた電位と、他方電極８２ｃに与えられた電位を比較して高いほうの電位を基準とした制御電極８２ａの電位（ゲート電圧）によって、一方電極８２ｂと他方電極８２ｃとの間、すなわちソースとドレインとの間に電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００３８】
＜表示パネルの駆動＞
図２で示した表示パネル８において、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)が、各画素データ信号に応じた電流を供給可能に設定され、複数の走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)に含まれる何れか１本の走査信号線が図２の上から順に選択的に第２所定電位（ここでは、低電位）に設定される。そして、第２所定電位に設定されている走査信号線以外の残余の走査信号線は第１所定電位（高電位）に設定される。なお、第２所定電位に設定されている走査信号線は、発光させる対象のライン（以下「走査対象ライン」とも称する）を構成する複数の画素回路８０が接続された走査信号線にあたる。
【００３９】
図３は、本発明の実施形態に係る表示パネル８の駆動を説明するための回路図である。図３では、図中の上から２行目の画素回路８０の発光を開始させるために、図中の上から２本目の走査信号線Ｌｓ１が第２所定電位に設定されている際の回路の接続状態が例示されている。
【００４０】
図３で示すように、２行目の複数の画素回路８０では、各制御電極８２ａに低電位が付与されて、各トランジスタ８２が導通状態となる。一方、２行目の画素回路８０以外の残余の行を構成する複数の画素回路８０では、各制御電極８２ａに高電位が付与されて、トランジスタ８２が非導通状態となる。つまり、走査対象ラインの各画素回路８０では、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)から各発光素子８１に対して電流が供給され得る状態となる。一方、走査対象ライン以外の残余のラインを構成する画素回路８０では、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)から各発光素子８１に対して電流が供給され得ない状態となり、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)と各発光素子８１とが切り離された状態となる。したがって、図８で示した従来技術のように、走査対象ライン以外の残余のラインを構成する複数の発光素子８１がコンデンサとして働かない。
【００４１】
なお、トランジスタ８２も電極間がコンデンサとして働くが、その容量（例えば、０．０２ｐＦ）は、発光素子８１がコンデンサとして働く場合の容量（例えば、１ｐＦ）よりも２桁程度小さなものとなる。つまり、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)から走査対象ラインの各発光素子８１に対して電流を供給する際には、走査対象ライン以外の残余のラインを構成する複数の画素回路８０は、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対してほとんど影響を及ぼさない。
【００４２】
このように、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対する電気容量の負荷が大きく低減されるため、所望の走査対象ラインを構成する複数の発光素子８１に素早く所望の電流を供給することができる。そして、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)から微少な電流を各発光素子８１に供給する場合にも、所望の走査対象ラインの発光素子８１に素早く且つ精度良く所望の電流を供給することができる。したがって、動画において低輝度の発光による暗部の描写が容易となる。
【００４３】
また、図３で示すように、複数の画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)から走査対象ラインの複数の発光素子８１に供給される電流は、接地されている電極（グランド電極）に流れる。このため、図８で示した従来技術のように、Ｙドライバに大電流が流れず、例えば、Ｙドライバ６に対して、ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)用の電圧制御用のドライバを適用することも可能である。また、発光素子８１のカソード電極８１ｂを表示パネル８全体で共通のものとすることも可能である。したがって、カソード電極８１ｂを共通とした比較的簡易な発光素子８１の製法を採用することができる。
【００４４】
図４は、本発明の実施形態に係る表示パネル８の駆動を説明するための回路図である。図４では、１つの画素回路８０に着目した回路図が示されており、図４(ａ)は、走査対象ラインを構成する１つの画素回路８０に係る回路図を示し、図４(ｂ)は、図４(ａ)で示した電流が発光素子８１へ供給されている状態から、発光素子８１への電流の供給が停止された状態における１つの画素回路８０に係る回路図を示している。
【００４５】
図４(ａ)を参照しつつ、走査対象ラインの画素回路８０の駆動について説明する。
【００４６】
コンデンサＣ１は、画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）の容量に相当するものであり、コンデンサＣ２は、発光素子８１の容量に相当するものである。そして、図４(ａ)で示す状態では、走査信号線Ｌｓ０（Ｌｓ１〜Ｌｓ(Ｍ−１)）により制御電極８２ａに所定の低電位が付与され、トランジスタ８２の接地方式がいわゆるゲート接地となる。このとき、トランジスタ８２のいわゆる入力インピーダンスが低く、画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）に対する電気容量の負荷が小さいため、一方電極８２ｂ（ソースに相当）に素早く所望の電流を供給することができる、すなわち時定数が小さな状態が得られる。換言すれば、所望の走査対象ラインの各発光素子８１に所望の電流を供給しようとする場合に、素早く且つ精度良く所望の電流が供給される。すなわち、電流供給についての応答性が良いと言える。
【００４７】
また、トランジスタ８２のいわゆる出力インピーダンスが高いため、複数の画素回路８０の間で各発光素子８１を所望の輝度で発光させるために必要な電圧がばらついても、各発光素子８１に所望の輝度で発光させるための略一定の電流が流れる。つまり、画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）は、所望の電流をトランジスタ８２のソースに供給し、各発光素子８１の特性、例えば、電圧と電流との関係（Ｖ−Ｉ特性）および発光素子８１の種類や劣化の特性によらず、各発光素子８１に略一定の電流が流れる。
【００４８】
なお、トランジスタ８２は、ゲート電圧によってソースとドレインとの間に流れる電流量を調節するものではなく、導通状態と非導通状態とを選択的に設定するためのスイッチとして働く。このため、複数の画素回路８０の画素間でトランジスタ８２の特性がばらついても、各発光素子８１を所望の輝度で発光させることができる。
【００４９】
次に、図４(ｂ)を参照しつつ、発光素子８１への電流の供給が停止された際における画素回路８０の駆動について説明する。
【００５０】
図４(ｂ)で示すように、走査信号線Ｌｓ０（Ｌｓ１〜Ｌｓ(Ｍ−１)）に付与される電位が第２所定電位（低電位）から第１所定電位（高電位）に変更されると、トランジスタ８２が非導通状態となり、画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）が発光素子８１とは電気的に切り離された状態となる。このとき、発光素子８１はインピーダンスが高い状態となり、逆バイアスも掛けられないため、発光素子８１の電気容量に蓄積されたエネルギーが徐々に低下することで、発光素子８１の発光輝度が徐々に減衰して自然に消える。したがって、図７および図８で示した従来のパッシブ型のＯＬＥＤパネルのように、駆動のデューティが小さい場合であっても、発光輝度が矩形波のような経時的な変化を呈して発光デューティが小さくなるといった不具合が解消される。
【００５１】
図５は、本発明の実施形態に係る表示パネル８における発光輝度の経時変化を例示するイメージ図である。図５では、横軸が時刻を示し、上から順に、(ａ)比較例として従来のパッシブ方式のＯＬＥＤパネルにおける発光輝度、(ｂ)本実施形態に係る表示パネル８において発光素子８１に対して蛍光材料が使用された場合に想定される発光輝度、および(ｃ)本実施形態に係る表示パネル８（発光素子８１に対して燐光材料を使用）における発光輝度、の経時的な変化が相互に比較可能な態様で示されている。
【００５２】
図５で示すように、従来のパッシブ方式のＯＬＥＤパネルでは、時刻Ｔ１〜Ｔ２において、発光素子８１０に電流が供給された場合、電流の供給の停止とともに発光輝度が急激に低下する（図中の斜線ハッチング部を参照）。これに対して、本実施形態に係る表示パネル８では、発光素子８１に電流が供給される期間（時刻Ｔ１〜Ｔ２）の後に、発光素子８１への電流の供給が停止されても、時刻Ｔ２〜Ｔ４（例えば、約１０μ秒）において徐々に発光輝度が低下していく（図中の砂地ハッチング部を参照）。
【００５３】
また、発光素子８１に蛍光材料を使用した場合にも、時刻Ｔ２〜Ｔ３において徐々に発光輝度が低下していくため、従来のパッシブ方式のＯＬＥＤパネルと比較して、デューティを増大させる効果が得られる。但し、デューティをより増大させる観点から言えば、発光素子８１に蓄積されたエネルギーが減衰する期間が相対的に長い燐光材料を使用した発光素子８１の方が好ましい。また、燐光タイプの発光素子８１は、電流効率が良く、表示パネル８における消費電力の低減にも資する。
【００５４】
したがって、本実施形態に係る表示パネル８では、従来のパッシブ方式のＯＬＥＤパネルと比較して、発光素子８１の発光輝度が比較的急速に上昇し、発光輝度がゆっくりと下降する発光が実現される。このような発光パターンは、ＣＲＴ(Cathode Ray Tube)で得られる発光パターンと同様であり、このような発光パターンにより、人間の眼にとって複数のフレームが自然に表示ならびに切り替わるように見える特性、すなわち動画特性が向上する。
【００５５】
以上説明したように、本発明の実施形態に係る画像表示装置１では、１本の画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）に対して電気的に接続される複数の画素回路８０のうち、走査対象ラインに属していない複数の発光素子８１が、該画像信号線Ｌｄ０（Ｌｄ１〜Ｌｄ(Ｎ−１)）から電気的に切り離された状態となる。このため、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)から微少な電流を供給する場合にも、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対する電気容量の負荷が著しく低減し、所望の走査対象ラインの各発光素子８１に素早く且つ精度良く所望の電流を供給することができる。また、走査対象ラインの発光素子８１に対する電流の供給が終了した直後に該発光素子８１に対して逆バイアスが掛けられないため、該発光素子８１の発光輝度が徐々に減衰して自然に消える発光パターンが得られる。したがって、動画の暗部の細かい描写力と動画特性の向上とを実現することができる。
【００５６】
また、表示パネル８の全体にわたって、複数のカソード電極８１ｂが共通に接地されているため、大電流が走査信号線Ｌｓ０（Ｌｓ１〜Ｌｓ(Ｍ−１)）を制御する回路に流れなくなる。したがって、走査信号線Ｌｓ０（Ｌｓ１〜Ｌｓ(Ｍ−１)）を制御する回路（ここでは、Ｙドライバ）の簡略化、およびＹドライバの製造コストの低減を図ることができる。
【００５７】
また、燐光タイプの発光素子８１を使用することで、電流効率および動画特性の向上を図ることができる。
【００５８】
＜変形例＞
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００５９】
◎例えば、上記実施形態では、表示パネル８０が、発光素子８１とｐ型のトランジスタ８２とをそれぞれ備える複数の画素回路８０Ａが配列されて構成されたが、これに限られない。例えば、各画素回路が、発光素子８１とｎ型のトランジスタ８５とを備えて構成されたものが採用されても良い。以下、ｎ型のトランジスタ８５を備える画素回路８０Ａが配列された表示パネル８Ａの具体例を説明する。なお、表示パネル８Ａ以外の構成については、上記実施形態と同様な構成を採用することが可能であるため、説明を省略する。
【００６０】
図６は、本発明の変形例に係る表示パネル８Ａの回路構成を例示する回路図である。なお、上記実施形態と同様な構成については同じ符号を付して説明を省略する。
【００６１】
上記実施形態と同様に、図６で示すように、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対して、列方向（図６の縦方向）に沿って配列されたＭ個の画素回路８０Ａがそれぞれ電気的に接続され、各走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)に対して、行方向（図６の横方向）に沿って配列されたＮ個の画素回路８０Ａがそれぞれ電気的に接続されている。そして、行方向（図６の横方向）に沿って配列されたＮ個の画素回路８０Ａは、赤(Ｒ)色の光を発する発光素子８１を含む画素回路８０Ａと、緑(Ｇ)色の光を発する発光素子８１を含む画素回路８０Ａと、青(Ｂ)色の光を発する発光素子８１を含む画素回路８０Ａとがこの順番で並べられて構成されている。
【００６２】
そして、各画素回路８０Ａの回路構成は同様であるため、ここでは、代表例として図６の左上の画素回路８０Ａに着目して、画素回路８０Ａの回路構成について説明する。
【００６３】
図６で示すように、画素回路８０Ａは、発光素子８１とトランジスタ８５とを備える。但し、発光素子８１は、上記実施形態に係る発光素子８１と同様な構成を有しているが、ここでは、カソード電極８１ｂが、本発明の第１電極に相当し、アノード電極８１ａが、本発明の第２電極に相当する。そして、アノード電極８１ａは、電源部８６に接続されている。この電源部８６は、所定の高電位に設定され、発光素子８１に対して適宜電流を供給する。
【００６４】
トランジスタ８５は、キャリアが電子であるタイプ(ｎ型)のＭＩＳ(Metal Insulator Semiconductor)構造を採用した電界効果トランジスタ(FET:Field Effect Transistor)の一種である薄膜トランジスタ(TFT：Thin Film Transistor)、すなわちｎ−ＭＩＳＦＥＴＴＦＴによって構成されている。
【００６５】
このトランジスタ８５は、上記実施形態と同様に、制御電極８５ａと一方電極８５ｂと他方電極８５ｃとを備えて構成される。そして、ゲートに相当する制御電極８５ａが走査信号線Ｌｓ０に対して電気的に接続され、一方電極８５ｂが画像信号線Ｌｄ０に対して電気的に接続され、他方電極８５ｃが発光素子８１のカソード電極８１ｂに対して電気的に接続されている。したがって、ゲートに相当する制御電極８５ａに付与される電位、具体的には、一方電極８５ｂと他方電極８５ｃに与えられた電位を比較して低いほうの電位を基準とした制御電極８５ａの電位（ゲート電圧）によって、トランジスタ８５が、一方電極８５ｂと他方電極８５ｃとの間、すなわちソースとドレインとの間に電流が流れ得る状態（導通状態）と、電流が流れ得ない状態（非導通状態）とに選択的に設定される。
【００６６】
そして、上記実施形態と同様に、図６で示した表示パネル８において、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)が、各画素データ信号に応じた電流を画素回路８０Ａから導出可能に設定され、複数の走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)に含まれる何れか１本の走査信号線が図６の上から順に選択的に第２所定電位（ここでは、正の高電位）に設定される。そして、第２所定電位に設定されている走査信号線以外の残余の走査信号線は第１所定電位（ここでは、低電位）に設定される。このような画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)および走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)における電気的な設定により、表示パネル８Ａにおいて動画表示が行われる。
【００６７】
そして、この表示パネル８Ａにおいても、上記実施形態に係る表示パネル８と同様に、各画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)に対する電気容量の負荷の顕著な低減により、各発光素子８１に微少な電流を供給する場合にも、所望の走査対象ラインの発光素子８１に素早く且つ精度良く所望の電流を供給することができる。また、走査対象ラインの発光素子８１に対する電流の供給が終了した直後に該発光素子８１に対して逆バイアスが掛けられないため、発光素子８１の発光輝度が徐々に減衰して自然に消える発光パターンが得られる。したがって、動画の暗部の細かい描写力と動画特性の向上とを実現することができる。また、燐光タイプの発光素子８１を使用することで、電流効率および動画特性の向上を図ることができる。
【００６８】
なお、上記変形例に係る表示パネル８Ａの説明では、アノード電極８１ａが電源部８６に対して接続される例を挙げて説明したが、これに限られない。例えば、Ｎ本の画像信号線Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)およびＭ本の走査信号線Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)の電気的な設定を適宜変更することで、表示パネル８０Ａ全体の複数の各アノード電極８１ａが共通して接地されるような構成を採用しても良い。
【００６９】
このように、ｎ型のトランジスタ８５を用いても上記実施形態と同様な効果が得られる。なお、ｐ型およびｎ型のトランジスタとしてはアモルファスシリコンを用いたもの及びポリシリコンを用いたものが使用可能である。特に、ポリシリコンを用いたｐ型のトランジスタ８２については、大電流に耐え得るトランジスタを容易に作製可能であるため、高輝度の発光と画質の向上とを容易に図ることが可能であり、表示パネルの設計も容易となる点で、他のものと比較して好ましい。
【００７０】
◎また、上記実施形態では、有機ＥＬ素子を用いた画像表示装置１を挙げて説明したが、本発明の適用対象はこれに限られず、例えば、無機材料によって構成されたＥＬ素子など、電流量によって発光輝度が調整されるタイプ（電流制御型）の発光素子が配列された画像表示装置一般に本発明を適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施形態に係る画像表示装置の概略構成を例示する図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示パネルの回路図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示パネルの駆動を説明するための回路図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示パネルの駆動を説明するための回路図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示パネルの輝度の経時変化を例示する図である。
【図６】本発明の変形例に係る表示パネルの回路図である。
【図７】従来のパッシブ型の表示パネルを説明するための図である。
【図８】従来のパッシブ型の表示パネルを説明するための図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  画像表示装置
８，８Ａ  表示パネル
８０，８０Ａ  画素回路
８１  有機ＥＬ素子
８２，８５  トランジスタ
８６  電源部
Ｌｄ０〜Ｌｄ(Ｎ−１)  画像信号線
Ｌｓ０〜Ｌｓ(Ｍ−１)  走査信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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