(57)【要約】【課題】本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。【解決手段】ガラス基板２上に形成された磁性層６に、磁気記録領域９Ａと分離領域１０とを有する磁気記録媒体であって、分離領域１０は、前記磁気記録領域９Ａと分離領域１０との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部１０Ａと、この第１の分離領域部１０Ａに囲繞された磁性層６の表面に形成された第２の分離領域部１０Ｂと、前記第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部に位置し磁性層６と同一磁気特性を有する内部領域１２とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に磁気記録膜を形成する第１の工程と、
該磁気記録膜に磁気記録可能な磁気記録領域と磁気記録不能な分離領域とを形成する第２の工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
第２の工程は、
前記磁気記録膜の前記磁気記録領域に対応する位置と前記分離領域に対応する位置との境界位置に第１のイオン注入を行うことにより磁気記録不能な第１の分離領域部を形成する工程と、
前記分離領域に対応する位置に第２のイオン注入を行うことにより前記分離領域の表面に第２の分離領域部を形成し、第１及び第２の分離領域部からなる前記分離領域を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記第１のイオン注入のイオン注入条件と、前記第２のイオン注入のイオン注入条件とを異ならせた請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
非磁性基板上に形成された磁気記録膜に、磁気記録領域と、該磁気記録領域を磁気的に分離する分離領域とを有する磁気記録媒体であって、
前記分離領域は
前記磁気記録領域と前記分離領域との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部と、
前記第１の分離領域部に囲繞された前記磁気記録膜の表面に形成された第２の分離領域部と、
前記第１及び第２の分離領域部の内部に位置し、前記磁気記録膜と同一磁気特性を有する内部領域とを有する磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁気記録膜は、第１の磁気記録層と、該第１の磁気記録層と異なる第２の磁気記録層とを積層した構成である請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
付記３又は４に記載の磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対して磁気記録再生処理を行う磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドを支持するアームと、
該アームを移動させる移動手段とを有する磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データの高速アクセス及び高速転送が可能な大容量記憶装置として主流であり、年率１００％近く面記録密度が向上しており、さらなる記録密度向上が求められている。
【０００３】
ＨＤＤの記録密度を向上させるためには、トラック幅の縮小、記録ビット長の短縮が必要であるが、トラック幅を縮小させると、隣接するトラック同士が干渉し易くなる問題が発生する。トラック幅の縮小は、記録時においては磁気記録情報が隣接するトラックに重ね書きされ易いという問題や、再生時においては隣接するトラックからの漏洩磁界によるクロストークの問題が起き易い問題を生じる。
【０００４】
これらの問題は、いずれも再生信号のＳ／Ｎ比の低下を招き、エラーレートが劣化するという問題を引き起こす要因となる。また、記録ビット長の短縮を進めると、ビットの安定性が低下する、熱揺らぎ現象が発生する。
【０００５】
これに対して垂直磁気記録は、ディスク媒体の隣接するビットの磁化は対向せず、互いのビットを強め合う性質があり、隣接ビットの磁化が対向する長手磁気記録に比べ、原理的に高密度化に向いており、すでに多くのメーカが垂直磁気記録方式への転換を開始している。
【０００６】
しかし、従来の連続媒体を用いる垂直磁気記録方式では、1 Tbpsi以上の超高密度記録を実現することは難しい。このため、超高密度記録を可能とする方式として媒体記録膜を加工して予めディスク上にビットパターンを作りこむ、ビットパターンド媒体（以下、BPMと略称する）が注目されている。
【０００７】
しかしながら、BPMによる磁気記録媒体の作成方法は、ビット以外の部分をエッチング加工して磁性膜を除去し、その後非磁性物質を充填して平坦化加工することで、磁気記録媒体上での磁気ヘッドの浮上特性を安定なものとする、非常に複雑な製造プロセスを行う必要があり、製造コストも増大する問題が生じる。
【０００８】
これらの問題を回避するための方法として、イオンを磁性膜にイオン注入して局所的に磁気状態を変える加工方法が検討されている（特許文献１参照）。イオン注入して磁気状態を変えるため、エッチングや充填、平坦化などの複雑な製造プロセスが必要ではなくなり、製造コスト増大を押さえることが可能となる。
【０００９】
従来におけるイオン注入によるBPMの製造方法としては、例えば高い磁気異方性を有するCuAuI型規則構造のFePt磁性膜に局所的イオン注入を行うことにより低保磁力化させる方法が用いられていた。この従来の方法では、イオン注入がされた領域を磁気記録不能な領域（分離領域）とし、イオン注入が行われなかった領域を磁気記録可能な記録領域とする。
【特許文献１】特開２００５−２２８９１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように従来のBPMの製造方法は、基板上に形成される磁性膜として磁気記録可な材料を選定すると共に、記録領域以外の部位の全体にイオン注入を行い磁気記録不能な特性に改質処理を行うことにより、同一磁性膜内に記録領域と分離領域とを形成する方法が用いられていた。
【００１１】
一般に分離記録領域は、記録領域に対して大きな体積を有した領域とされている。しかしながら従来のBPMの製造方法では、記録領域に対して大きな体積を有する分離記録領域の全体にイオン注入を行っていたため、イオン注入に要する時間が長くなり、磁気記録媒体の製造効率が低下してしまうという問題点があった。
【００１２】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成しうる磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
前記非磁性基板上に前記磁気記録膜を形成する第１の工程と、
該磁気記録膜に磁気記録可能な磁気記録領域と磁気記録不能な分離領域とを形成する第２の工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
第２の工程は、
前記磁気記録膜の前記磁気記録領域に対応する位置と前記分離領域に対応する位置との境界位置に第１のイオン注入を行うことにより磁気記録不能な第１の分離領域部を形成する工程と、
前記分離領域に対応する位置に第２のイオン注入を行うことにより前記分離領域の表面に第２の分離領域部を形成し、第１及び第２の分離領域部からなる前記分離領域を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法により解決することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、分離領域の形成に際し、分離領域の全領域にイオン注入を行う必要がなくなり、イオン注入量の削減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００１６】
図１（Ａ）は第１実施形態明に係る垂直磁気記録媒体１Ａ（以下、磁気記録媒体１Ａという）の断面図、図１（Ｂ）は磁気記録媒体１Ａの平面図である。
【００１７】
図１（Ａ）に示すように、磁気記録媒体１Ａは非磁性基板２の上に磁気記録膜３を積層した構成とされている。また、磁気記録膜３は、軟磁性層４、中間層５、及び硬磁性層６を積層した構成とされている。更に、磁気記録膜３の上面には、硬磁性層６を保護する保護層（図示せず）が形成されている。この磁気記録媒体１Ａは、例えばハードディスクドライブ（HDD）の磁気記録再生媒体として使用されるものである。
【００１８】
非磁性基板２は磁気記録膜３の支持部材として機能するものであり、ガラス、アルミニウム、Ｓｉ等の非磁性材料で形成されている。本実施形態では、非磁性基板１としてガス板を用いている（以下、ガラス基板２という）。
【００１９】
ガラス基板２の上部には、磁気記録膜３を構成する軟磁性層４が形成されている。軟磁性層４は磁気ヘッドと共に磁気閉回路を形成するための磁性層であり、例えば非晶質のCo合金であるCoZrNb，CoZrTa，COZrTa，FeCoB，FeCoB等を用いることができる。
【００２０】
また軟磁性層４は、これらの各Co合金と非磁性層とを積層した構成のものを適用することもできる。更に、軟磁性層４は、最もBs（飽和磁束密度）の高くなるFe:Co＝65：35を主成分としたFeCoBのほか、高Bs(1.5T以上)材料となる材料を選定することが望ましい。本実施形態では、FeCoB層を用い、その厚さは25nmとしている。
【００２１】
中間層５は配向制御層として機能するものであり、その上部に形成される硬磁性層６の結晶性を向上する機能を奏する。この中間層５は、例えば、Ru層、FeCoB層、Ru層の積層等で形成できる。本実施形態では、中間層５として厚さ0.8nmのRu層、厚さ25nmのFeCoB層、厚さ10nmのRu層を積層したものを用いている。
【００２２】
更に、磁性層６は、磁気記録可能な磁気特性を有している。具体的には、5.2kOe程度の保磁力を有している。本実施形態では、磁性層６としてCoCrPt-SiO2よりなる単層膜を用い、その厚さを15nmとしている。
【００２３】
保護層は、磁性層６上に例えばCN等を被膜形成した構成とされている。尚、上記した磁気記録膜３を構成する軟磁性層４，中間層５，及び磁性層６の材質及びその厚さは、上記したものに限定されるものではなく、適宜選定が可能なものである。
【００２４】
ここで、硬磁性層６の構造について説明する。磁性層６には、後述する製造方法を用いることにより、磁気記録領域９Ａ及び分離領域１０が形成される。図１（Ｂ）に示すように、記録領域９Ａは分離領域１０内に所定のピッチで形成されている。この記録領域９Ａは、磁気記録媒体１ＡをＨＤＤの媒体して用いた場合には、データ記録領域やサーボパターン領域となる。
【００２５】
分離領域１０は、後述するようにイオン注入が行われることにより、磁性層６が高保磁力（以下、高Ｈｃという）化或いは非磁性に改質した領域である。即ち、分離領域１０は磁気的に記録不能な領域であり、この分離領域１０により磁性層６内において隣接する磁気記録領域９Ａを磁気的に分離することができる。
【００２６】
本実施形態の分離領域１０は、第１の分離領域部１０Ａと、第２の分離領域部１０Ｂと、内部領域１２とにより構成されている。第１の分離領域部１０Ａは、分離領域１０と磁気記録領域９Ａとの境界位置に形成されている。この第１の分離領域部１０Ａはイオン注入されることにより形成されるものであり、よって磁気記録不能な特性に改質されている。また、この第１の分離領域部１０Ａは、磁性層６の厚さ方向に磁性層６を貫通して形成されている。
【００２７】
第２の分離領域部１０Ｂは、磁性層６の第１の分離領域部１０Ａに囲まれる領域の表面から所定深さに亘り形成されている。この第２の分離領域部１０Ｂはイオン注入されることにより形成されるものであり、よって第１の分離領域部１０Ａと同様に磁気記録不能な特性に改質されている。
【００２８】
内部領域１２は、第１の分離領域部１０Ａと第２の分離領域部１０Ｂとにより囲まれた領域である。この内部領域１２にはイオン注入はされておらず、よって内部領域１２の磁気特性は磁気記録領域９Ａの磁気特性と略同一の特性を有している。即ち、内部領域１２は磁気記録が可能な領域である。
【００２９】
しかしながら、前記のように内部領域１２は、高Ｈｃ或いは非磁性とされた第１の分離領域部１０Ａ及び第２の分離領域部１０Ｂに囲まれている。このため、分離領域１０は内部に磁気記録可能な内部領域１２を有していても、磁気記録領域９Ａを確実に時期的に分離する機能を奏する。
【００３０】
上記した本実施形態に係る磁気記録媒体１Ａは、第１の分離領域部１０Ａの全体にイオン注入がされているのではなく、内部領域１２の外周部分に位置する第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂのみにイオン注入がされた構成とされている。このため、分離領域の全体にイオン注入する構成に比べ、本実施形態に係る磁気記録媒体１Ａでは、イオン注入がされイオン量を削減することができる。
【００３１】
この際、第１の分離領域部１０Ａの幅（図１（Ａ）における左右方向の幅）は、1nm以上5nm以下とすることが望ましい。更に、第２の分離領域部１０Ｂの厚さ（図１（Ａ）における上下方向の厚さ）は、1nm以上5nm以下であることが望ましい。これは、第１の分離領域部１０Ａの幅が5μｍ以上、第２の分離領域部１０Ｂの厚さが5nm以上となると、分離領域１０を形成するために注入されるイオン量が増大してしまうからである。また、第１の分離領域部１０Ａの幅が1nm以下、第２の分離領域部１０Ｂの厚さが1nm以下となると、磁気記録領域９Ａが分離領域１０により磁気的に適正に分離されなくなるおそれがあるからである。しかし、磁気記録領域サイズによっても、分離領域部１０Ａ，１０Ｂの厚さは、上記範囲以外の値をとり得ることもある。
【００３２】
次に、上記構成とされた磁気記録媒体１Ａの製造方法について説明する。図２は、磁気記録媒体１Ａの製造方法を説明するための図である。尚、図２において、図１に示した構成と対応する構成については同一符号を付してその説明を省略する。
【００３３】
磁気記録媒体１Ａを製造するには、先ずガラス基板１上に軟磁性層４となる厚さ25nmのFeCoB膜をArガス圧０．５Ｐａ、スパッタ電力１ｋＷで成膜する。本実施例では、軟磁性層４を単層の磁性裏打ち層としている。図２（Ａ）は、ガラス基板２上に軟磁性層４が形成された状態を示している。
【００３４】
次に、軟磁性層４の上に、中間層５を成膜する。中間層５は、厚さ0.8nmのRu層をアルゴンガス圧0.8Ｐａ，スパッタ電力100Ｗのスパッタリングで成膜し、その上に厚さ25nmのFeCoB層をArガス圧0.5Ｐａ，スパッタ電力1ｋＷのスパッタリングで成膜し、更にその上に厚さ10nmのRu層をArガス圧0.8Pa、スパッタ電力0.3ｋＷのスパッタリングで成膜することにより形成する。このように本実施例では、Ru層、FeCoB層、Ru層が３層積層構造の中間層５を構成する。図２（Ｂ）は、軟磁性層４上に中間層５が形成された状態を示している。
【００３５】
上記のように中間層５が形成されると、この中間層５上に磁性層６を成膜する。この磁性層６を形成するには、中間層５上に15nmのCoCrPt合金をArガス圧2Ｐａ，スパッタ電力0.5ｋＷのスパッタリングで成膜することにより形成する。図２（Ｃ）は、中間層５上に磁性層６が形成されることにより、軟磁性層４，中間層５，及び磁性層６よりなる磁気記録膜３が形成された状態を示している。
【００３６】
そして、最後に硬磁性層６の上部に、厚さ３ｎｍのＣＮ層を保護膜（図示せず）として形成した。尚、実際に使用する場合は、保護膜の上部に更に液体潤滑層を塗布することが好ましい。上記の図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す各工程を行うことにより、ガラス基板２上に軟磁性層４，中間層５，及び硬磁性層６を含む磁気記録膜３が形成される。
【００３７】
上記のようにガラス基板２上に磁気記録膜３が形成されると、続いて磁気記録膜３の上部に、第１の分離領域部１０Ａの形成領域に対応する位置にのみ開口を有した第１のマスク２２を配設する。そして、この第１のマスク２２を介して磁性層６に対し、イオン注入処理（第１のイオン注入）が行われる。このイオン注入処理は、周知のイオン注入装置を用いて実施される。図２（Ｄ）は、磁性層６に対してイオン注入を行っている状態を示している。
【００３８】
この際実施されるイオン注入は、打ち込みエネルギ等を調整することにより、硬磁性層６の厚さ方向全体にイオン注入が行われるように設定する。また、イオン注入するイオンとしては、硬磁性層６の飽和磁化を低減しうるイオン種であれば特定されることはない。本実施形態では、ドープイオンとしてArイオンを用いた。また、イオン注入条件は、電圧5,15,25keVに順次変化させ、トータルのドーズ量5×1015atoms/cm2とした。
【００３９】
図２（Ｅ）は、磁性層６（磁気記録膜３）に第１の分離領域部１０Ａが形成された状態を示している。この第１の分離領域部１０Ａの幅は、前記のように1nm以上5nm以下となるよう形成される。尚、この第１のイオン注入処理が終了した状態では、第１の分離領域部１０Ａに囲まれた磁性層６の上面は改質されない状態となっている。
【００４０】
上記のように第１の分離領域部１０Ａが形成されると、磁性層６の上部に第２のマスク２３が配設される。この第２のマスク２３は、第１の分離領域部１０Ａに囲繞される位置で、かつ分離領域１０に対応する位置にのみ開口を有した構成とされている。そして、この第２のマスク２３を介して磁性層６に対し、イオン注入処理（第２のイオン注入）が行われる。このイオン注入処理も、周知のイオン注入装置を用いて実施される。図３（Ａ）は、磁性層６に対してイオン注入を行っている状態を示している。
【００４１】
この際実施されるイオン注入は、打ち込みエネルギ等を調整することにより、硬磁性層６の表面の所定幅に対してイオン注入が行われるように設定する。また、イオン注入するイオンとしては、硬磁性層６の飽和磁化を低減しうるイオン種であれば特定されることはない。本実施形態では、ドープイオンとしてArイオンを用いた。
【００４２】
また、イオン注入条件は、第１の分離領域部１０Ａを形成するときのイオン注入条件と異なり、電圧5keV一定、ドーズ量5×1015atoms/cm2とした。このように第１のイオン注入の打ち込みエネルギに対し第２のイオン注入の打ち込みエネルギを小さく一定に設定したのは、第１の分離領域部１０Ａは磁性層６の厚さ方向全体にイオン注入を行う必要があり、これに対して第２の分離領域部１０Ｂは磁性層６の表面から所定の厚さについてのみイオン注入を行えばよいことによるものである。
【００４３】
図３（Ｂ）は、磁性層６（磁気記録膜３）に第２の分離領域部１０Ｂが形成された状態を示している。この第２の分離領域部１０Ｂの厚さは、前記のように1nm以上5nm以下となるよう形成される。また、第１の分離領域部１０Ａと第２の分離領域部１０Ｂは一体的に接続した構成となり、よって第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部には内部領域１２が形成される。
【００４４】
上記した各製造工程を実施することにより、磁気記録媒体１Ａを製造することができる。上記した本実施形態による磁気記録媒体１Ａを製造によれば、分離領域１０（第１の分離領域部１０Ａ及び第２の分離領域部１０Ｂ）の形成に際し、分離領域の全領域にイオン注入を行う必要がなくなり、イオン注入量の削減を図ることができる。よって、イオン注入処理に要する時間を短縮することができ、磁気記録媒体１Ａの製造効率を高めることができる。また、分離領域１０に対するイオン注入時間が短くなることにより、磁気記録領域９Ａに対するイオン注入の影響を抑制することができ、磁気記録領域９Ａの磁気特性の劣化を防止することができる。
【００４５】
次に、上記のように製造された磁気記録媒体１Ａの磁気特性を、図６を用いて説明する。
【００４６】
図６は、イオン注入による分離領域１０の保磁力低減効果を調べた実験結果を示している。実験方法としては、先に説明した磁気記録媒体１Ａの製造方法によりガラス基板２上に磁性層６を成膜した媒体（以下、これを試験媒体という）を作製し、これを10mm角にパターニングする。そして、このパターニングされた領域内に上記した第１実施形態に係る製造方法を用いてイオン注入を行った。
【００４７】
そして、イオン注入の回数を変化させたときの保磁力(Hc)及び飽和磁化(Ms)の結果を求めた。尚、これら磁気特性評価は、振動試料型磁力計(VSM)を用いて行った。
【００４８】
図６に示す参考例は、イオン注入を行わないときの磁性層６の磁気特性を示している。磁性層６の保持力は5.2kOeであり、磁気記録可能な値となっている。
【００４９】
実施例1〜2は、磁性層６の全面に対して１回のイオン注入を行ったときの特性を示している。具体的には、実施例１はイオンの注入エネルギを10keVとし、実施例２はイオンの注入エネルギを20keVとした結果を示している。実施例1,2のように磁性層６の全面に対して１回のイオン注入を行った場合、比較例に対して保磁力は低減するものの、磁気記録が可能であり、よって磁気記録領域９Ａを分離する分離領域１０としては不適である。
【００５０】
これに対して実施例3〜5は、磁性層６に対して上記した磁気記録媒体１Ａの製造方法と同様の手法で複数回のイオン注入を行ったときの特性を示している。実施例3のように注入エネルギを細かく変化（5,15,25keVと変化）させた場合には、保磁力及びMsを共に磁気特性が大きく改質し、略非磁性とすることができた。また、実施例4,5のように、に注入エネルギを実施例3に比べて比較的大きく変化させた場合にも、保磁力及びMsを改質させることができ、略非磁性とすることができることが確認できた。
【００５１】
次に、第２実施形態である磁気記録媒体１Ｂ及びその製造方法について、図４及び図５を用いて説明する。尚、図４及び図５において、図１乃至図３に示した構成と対応する構成については同一符号を付してその説明を省略する。
【００５２】
図２は、磁気記録媒体１Ａの製造方法を説明するための図である。尚、図２において、図１に示した構成と対応する構成については同一符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
本実施形態に係る磁気記録媒体１Ｂ（図５（Ａ）参照）は、第１実施形態に係る磁気記録媒体１Ａと略同一構成を有しているが、第１実施形態に係る磁気記録媒体１Ａの磁性層６が単層であったのに対し、本実施形態に係る磁気記録媒体１Ｂでは磁性層６が高Ｈｃ磁性膜６Ａと低Ｈｃ磁性膜６Ｂとを積層した積層構造である点で相違している。以下、この磁気記録媒体１Ｂの製造方法について説明する。
【００５４】
図４（Ａ）〜（Ｃ）に示す工程は、図２（Ａ），（Ｂ）で説明した工程と同一である。即ち、ガラス基板２の上部に軟磁性層４及び中間層５を順次積層する処理を行う。中間層５が形成されると、続いて中間層５の上部に高Ｈｃ磁性膜６Ａを形成する。本実施形態では、高Ｈｃ磁性膜６ＡとしてCo膜とPd膜の人工格子構造を用いている。尚、高Ｈｃ磁性膜６ＡはCo膜とPd膜の人工格子構造に限定されるものではなく、例えばFe膜とPt膜を積層した人工格子構造とすることも可能である。
【００５５】
上記のように高Ｈｃ磁性膜６Ａが形成されると、続いて高Ｈｃ磁性膜６Ａの上部に低Ｈｃ磁性膜６Ｂが形成される。この低Ｈｃ磁性膜６Ｂは、第１実施形態における磁性層６と同一材料である。この低Ｈｃ磁性膜６Ｂは、例えば5nmの厚さで形成される。
図２（Ｄ）は、中間層５上に磁性層６（高Ｈｃ磁性膜６Ａ及び低Ｈｃ磁性膜６Ｂ）が形成されることにより、軟磁性層４，中間層５，及び磁性層６よりなる磁気記録膜３が形成された状態を示している。また、硬磁性層６の上部には保護膜（図示せず）が形成される。
【００５６】
上記のようにガラス基板２上に磁気記録膜３が形成されると、続いて磁気記録膜３の上部に、第１の分離領域部１０Ａの形成領域に対応する位置にのみ開口を有した第１のマスク２２を配設する。そして、この第１のマスク２２を介して磁性層６に対し、イオン注入処理（第１のイオン注入）が行われる。図４（Ｅ）は、磁性層６に対してイオン注入を行っている状態を示している。この時のイオン注入条件は、図２（Ｄ）と同様に設定できる。
【００５７】
このイオン注入により、磁性層６（磁気記録膜３）には第１の分離領域部１０Ａが形成される。図４（Ｆ）は、磁性層６（磁気記録膜３）に第１の分離領域部１０Ａが形成された状態を示している。尚、この第１のイオン注入処理が終了した状態では、第１の分離領域部１０Ａに囲まれた磁性層６の上面は改質されない状態となっている。
【００５８】
上記のように第１の分離領域部１０Ａが形成されると、磁性層６の上部に第２のマスク２３が配設される。この第２のマスク２３は、第１の分離領域部１０Ａに囲繞される位置で、かつ分離領域１０に対応する位置にのみ開口を有した構成とされている。そして、この第２のマスク２３を介して磁性層６に対し、イオン注入処理（第２のイオン注入）が行われる。このイオン注入処理も、周知のイオン注入装置を用いて実施される。図５（Ａ）は、磁性層６に対してイオン注入を行っている状態を示している。この時のイオン注入条件は、図３（Ａ）と同様に設定できる。
【００５９】
図５（Ｂ）は、磁性層６（磁気記録膜３）に第２の分離領域部１０Ｂが形成された状態を示している。この第２の分離領域部１０Ｂの厚さは、前記のように1nm以上5nm以下となるよう形成される。また、第１の分離領域部１０Ａと第２の分離領域部１０Ｂは一体的に接続した構成となり、よって第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部には内部領域１２が形成される。
【００６０】
このように、磁性層６を高Ｈｃ磁性膜６Ａと低Ｈｃ磁性膜６Ｂとの積層構造としても、第１実施形態と同様の製造方法で磁気記録媒体１Ｂを製造することができる。
【００６１】
次に、本実施形態の磁気記録媒体１Ａ，１Ｂを装着しうる磁気記録再生装置２０ついて説明する。図７は、磁気記録再生装置２０の平面図である。この磁気記録再生装置２０は、パーソナルコンピュータやテレビの録画装置に搭載されるハードディスク装置である。
【００６２】
この磁気記録再生装置２０では、磁気記録媒体１０が、スピンドルモータ等によって回転可能な状態でハードディスクとして筐体１７に収められる。更に、筐体１７の内部には、軸１６を中心にしてＶＣＭ１８（ボイスコイルモータ）により回転可能なキャッリッジアーム１４が設けられている。磁気ヘッド１３はキャリッジアーム１４の先端に設けられており、磁気ヘッド１３が磁気記録媒体１０の上方を走査することにより磁気記録媒体１０への磁気情報の書き込みと読み取りが行われる。
【００６３】
尚、磁気ヘッド１３の種類は特に限定されず、GMR(Giant Magneto-Resistive)素子やTuMR(Tunneling Magneto-Resistive)素子等の磁気抵抗素子で磁気ヘッドを構成してよい。また、磁気記録再生装置２０は、上記のようなハードディスク装置に限定されず、可撓性のテープ状の磁気記録媒体に対して磁気情報を記録するための装置であってもよい。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。
【００６５】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
(付記１）
非磁性基板上に磁気記録膜を形成する第１の工程と、
該磁気記録膜に磁気記録可能な磁気記録領域と磁気記録不能な分離領域とを形成する第２の工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
第２の工程は、
前記磁気記録膜の前記磁気記録領域に対応する位置と前記分離領域に対応する位置との境界位置に第１のイオン注入を行うことにより磁気記録不能な第１の分離領域部を形成する工程と、
前記分離領域に対応する位置に第２のイオン注入を行うことにより前記分離領域の表面に第２の分離領域部を形成し、第１及び第２の分離領域部からなる前記分離領域を形成する工程とを有する磁気記録媒体の製造方法。
(付記２）
前記第１のイオン注入は、前記磁気記録膜の厚さ方向の全体に亘り形成する付記１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記３）
前記第１のイオン注入のイオン注入条件と、前記第２のイオン注入のイオン注入条件とを異ならせた付記１又は２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記４）
前記第１のイオン注入の打ち込みエネルギに対し、前記第２のイオン注入の打ち込みエネルギを小さく設定した付記３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記５）
前記磁気記録膜は、第１の磁気記録層と、該第１の磁気記録層と異なる第２の磁気記録層とを積層した構成である付記１乃至４のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記６）
前記第１の分離領域部の幅が1nm以上5nm以下となるよう形成した付記１乃至５のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記７）
前記第２の分離領域部の厚さが1nm以上5nm以下となるよう形成した付記１乃至６のいずれか一項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記８）
非磁性基板上に形成された磁気記録膜に、磁気記録領域と、該磁気記録領域を磁気的に分離する分離領域とを有する磁気記録媒体であって、
前記分離領域は
前記磁気記録領域と前記分離領域との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部と、
前記第１の分離領域部に囲繞された前記磁気記録膜の表面に形成された第２の分離領域部と、
前記第１及び第２の分離領域部の内部に位置し、前記磁気記録膜と同一磁気特性を有する内部領域とを有する磁気記録媒体。
(付記９）
前記磁気記録膜は、第１の磁気記録層と、該第１の磁気記録層と異なる第２の磁気記録層とを積層した構成である付記８に記載の磁気記録媒体。
(付記１０）
前記第１の分離領域部の幅は、1nm以上5nm以下である付記８又は９に記載の磁気記録媒体。
(付記１１）
前記第２の分離領域部の厚さは、1nm以上5nm以下である付記８乃至１０のいずれか一項に記載の磁気記録媒体。
(付記１２）
前記第１又は第２の磁気記録層の内、一方がCo膜とPt膜とを積層した多層膜である付記９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記１３）
前記第１又は第２の磁気記録層の内、一方がCo膜とPd膜とを積層した多層膜である付記９に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記１４）
前記第１又は第２の磁気記録層の内、他方がCoCr系の磁性膜である付記１２又は１３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
(付記１５）
付記８乃至１４のいずれ一項に記載の磁気記録媒体と、
該磁気記録媒体に対して磁気記録再生処理を行う磁気ヘッドと、
該磁気ヘッドを支持するアームと、
該アームを移動させる移動手段とを有する磁気記録再生装置。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】図１は、第１実施形態である磁気記録媒体を示しており、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図である。
【図２】図２は、第１実施形態である磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である（その１）。
【図３】図３は、第１実施形態である磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である（その２）。
【図４】図４は、第２実施形態である磁気記録媒体及びその製造方法を示す断面図である（その１）。
【図５】図５は、第２実施形態である磁気記録媒体及びその製造方法を示す断面図である（その２）。
【図６】図６は、イオン注入条件を変化させたときの磁気記録媒体の磁気特性を比較例と共に示す図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態である磁気記録再生装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１Ａ，１Ｂ  磁気記録媒体
２  ガラス基板
３  磁気記録膜
４  ベース層
５  下地層
６  磁性膜
６Ａ  低Ｈｃ磁性膜
６Ｂ  高Ｈｃ磁性膜
７  保護膜
８  ＵＶ硬化樹脂
９Ａ  磁気記録領域
９Ｂ  磁気記録領域
１０  分離領域
１０Ａ  第１の分離領域部
１０Ｂ  第２の分離領域部
１１  ディスク
１２  内部領域
１３  磁気ヘッド
１４  アーム
１８  ＶＣＭ
２０  磁気記録再生装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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