(57)【要約】【課題】  ＴＡＢテープキャリアにおける配線パターンの表面を粗面化して絶縁性保護層との密着性を確保すると共に、接続部の表面を平滑化して良好なボンディング特性を確保する。【解決手段】  絶縁性基板１上に金属導体材料である銅箔４からなる配線パターン５を形成し、配線パターン５のうち外部との電気的接続を行うための接続部５ｂの表面を避けてその表面は露出させるように絶縁性保護層６を形成し、少なくとも接続部５ｂの表面に錫めっき層７を形成してＴＡＢテープキャリアを製造するにあたり、絶縁性保護層６を形成する以前に、配線パターン５の表面を粗面化処理し、絶縁性保護層６の形成以後であってかつ錫めっき層７の形成以前に、配線パターン５のうち絶縁性保護層６から露出している接続部５ｂの銅表面１２を、その銅表面１２の銅箔４を平滑化する薬液による平滑化処理によって平滑化する。【選択図】  図１
2009016716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に金属導体材料からなる配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンが形成された前記絶縁性基板上に、前記配線パターンのうち外部との電気的接続を行うための接続部の表面を避けて当該表面は露出させるように、絶縁性保護層を形成する工程と、少なくとも前記接続部の表面にめっき層を形成する工程とを有するＴＡＢテープキャリアの製造方法であって、
前記絶縁性保護層を形成する以前に、前記配線パターンの表面を粗面化処理する工程と、
前記絶縁性保護層の形成以後であってかつ前記めっき層の形成以前に、前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層から露出している接続部の表面を、当該表面の金属導体材料を平滑化する薬液による化学的表面処理によって、平滑化処理する工程と
を含むことを特徴とするＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記配線パターンが、前記金属導体材料として銅箔をパターニングしてなるものであり、
前記粗面化処理では、前記配線パターン全体の表面を、表面粗さＲａが０．３５〜０．５０μｍとなるように粗面化し、
かつ前記平滑化処理では、前記絶縁性保護層から露出している前記接続部の表面を、表面粗さＲａが０．１５〜０．２５μｍとなるように平滑化する
ことを特徴とするＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記平滑化処理を行うための薬液として、硫酸／過酸化水素を主成分として含んだ薬液を用いる
ことを特徴とするＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項４】
絶縁性基板上に金属導体材料からなる配線パターンが形成され、前記配線パターンが形成された前記絶縁性基板上に、前記配線パターンのうち外部との電気的接続を行うための接続部の表面を避けて当該表面は露出させるように、絶縁性保護層が形成され、少なくとも前記接続部の表面にめっき層が形成されたＴＡＢテープキャリアであって、
前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層で覆われている部分の表面には、粗面化処理が施されており、
かつ前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層から露出している前記接続部の表面には、平滑化処理が施されている
ことを特徴とするＴＡＢテープキャリア。
【請求項５】
請求項４記載のＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記配線パターンが、前記金属導体材料として銅箔をパターニングしてなるものであり、
前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層で覆われている部分の表面の表面粗さＲａが０．３５〜０．５０μｍであり、
かつ前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層から露出している前記接続部の表面の表面粗さＲａが０．１５〜０．２５μｍである
ことを特徴とするＴＡＢテープキャリア。
【請求項６】
請求項４または５記載のＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記絶縁性保護層が、ソルダーレジストまたはポッティング樹脂からなるものである
ことを特徴とするＴＡＢテープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に係り、特に、配線パターンのほぼ全面を覆うようにソルダーレジスト層のような絶縁性保護層が形成されていると共に、その絶縁性保護層から露出して外部の半導体装置等に対して電気的に接続されるように設定されている接続用電極やインナーリードなどのような接続部の表面にはニッケル−金めっきのようなめっき層が形成されている、ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のＴＡＢテープキャリアでは、ポリイミド樹脂フィルムのような絶縁性基板上に、接着剤層等を介して貼り合わされた銅箔をフォトエッチング法などによりパターニングして、配線パターンが形成されている。その配線パターンのうち、特にリードの部分に安定した接合性を付与することが要請されるので、少なくともそのリード部分を含めた配線パターンの表面に、ニッケル−金めっき等によるめっき層が形成される。
【０００３】
このようなＴＡＢテープキャリアにおける、ＩＣチップなどの半導体装置の実装は、例えば、半導体装置をデバイスホールに配置し、そのデバイスホールに突出するように設けられたインナーリードと半導体装置の接続用電極（接続用パッド等とも言う）とを位置合わせして、両者をボンディングツールにより圧着する。半導体装置の接続用電極には一般に金バンプまたは金めっきを被着してなる断面凸状の接続パッド等が設けられている場合が多く、圧着時に加熱された状態になると、ニッケル−金めっきが溶融して半導体装置側の金バンプ等との間で、金−ニッケル−金合が溶融接合されることにより、インナーリードと接続用電極とが確実に接続されるように設定されている。
【０００４】
図４は、従来のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。まず、図４（ａ）に示したように、ポリイミド樹脂フィルムのような材料からなる絶縁性基板１０１の片面上に銅箔接着用接着剤層１０２が設けられたキャリアテープ基材１００を用意する。これに、図４（ｂ）に示したように、ビアホール（Via Hole）１０３を形成する。続いて、図４（ｃ）に示したように、絶縁性基板１０１の片面上に銅箔接着用接着剤層１０２を介して銅箔１０４を貼り合せる。そして、図４（ｄ）に示したように、銅箔１０４をフォトエッチング法によりパターニングして、配線パターン１０５（配線１０５ａおよび接続部１０５ｂ）を形成する。
続いて、図４（ｅ）に示したように、外部の半導体装置の金バンプやボンディングワイヤ等と接続されるように設定されている接続用電極やリードなどのような接続部１０５ｂを避けてその部分は露出させるようにすると共に、他の配線１０５を含む絶縁性基板１上ほぼ全面を覆うように絶縁性保護層１０６を形成する。
そして、図４（ｆ）に示したように、絶縁性保護層１０６から露出している接続部１０５ｂの表面に、ニッケルめっきおよび金めっきをこの順で施して、ニッケル−金めっき層１０７を形成する。
【０００５】
このＴＡＢテープキャリアには、その後、半導体装置（例えばＩＣチップなど；図示省略）が実装される。その実装作業の概要としては、まずＴＡＢテープキャリア上に半導体装置を接着剤等で固定し、半導体装置側の接続用電極または金バンプとＴＡＢテープキャリア側の接続部１０５ｂとの間を金ワイヤによってワイヤーボンディングするという方式や、金バンプとリードとを加熱圧着法によって接合するといった方式などが採用されている。それらのいずれの方式を採用する場合でも、より確実に、半導体装置とＴＡＢテープキャリアとの間での電気的接続の耐久性や信頼性を確保するためには、ＴＡＢテープキャ
リア側の接続部１０５ｂの銅表面が平坦で、確実にニッケル−金めっき層１０７が施されていることが必要となる。
【０００６】
ところで、近年では、半導体装置の回路配線のさらなる高密度化が進んでおり、それに伴って、ＴＡＢテープキャリアにも配線パターンのさらなる高密度化が強く要請されるようになってきている。
ところが、そのようにＴＡＢテープキャリアにおける配線１０５ａがさらに高密度化すると、ＴＡＢテープキャリアの全面積に対する配線１０５ａの面積占有率が増加することとなる。そうすると、一般に配線１０５ａの形成材料である銅または銅系合金は、ソルダーレジストやポッティング樹脂などのような絶縁性保護層１０６の形成材料の表面に対する密着性（いわゆる食い付き性）よりも、絶縁性基板１０１の形成材料であるポリイミド樹脂材料の表面に対する密着性の方が高いので、絶縁性保護層１０６のＴＡＢテープキャリア全体に対する密着強度が益々低下することとなり、甚だしくはその絶縁性保護層１０６が剥離するといった不都合が発生する虞が高くなる傾向にある。
そこで、そのような不都合を解消するために、配線１０５ａの銅表面を粗面化するという方策が、例えば特開２００６−２１０４９２号公報にて提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２１０４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のように配線１０５ａの銅表面を粗面化すると、接続部１０５ｂの銅表面も粗面化されるので、その上に施されるニッケル−金めっき層１０７のボンディング特性が低下してしまう虞が高くなるという問題がある。
このようなボンディング特性の低下を回避するためには、接続部１０５ｂ以外の配線１０５ａに対してのみ、選択的に粗面化処理を行い、かつ接続部１０５ｂに対してのみ、選択的に平滑化処理を行うようにすればよいとも考えられる。
ところが、そのようにするためには、粗面化処理工程では、接続部１０５ｂを覆ってこの部分のみは粗面化されないようするためのマスキングを施し、処理後にはそのマスキングを除去するプロセスを追加する必要があり、かつ平滑化処理工程では、接続部１０５ｂ以外の配線１０５ａを覆ってこの部分のみは平滑化されないようするためのマスキングを施し、処理後にはそのマスキングを除去するプロセスを追加する必要がある。延いては、全体としてこのＴＡＢテープキャリアの製造工程を煩雑なものとしてしまうという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、ＴＡＢテープキャリアの製造工程を煩雑化することなく、簡易かつ確実に、絶縁性保護層で覆われる部分の配線パターンの表面を粗面化して、その表面と絶縁性保護層との間での良好な密着性を確保することができると共に、外部との接続を行うためのニッケル−金めっき層等が施される接続部の表面を平滑化して、その接続部における良好なボンディング特性を確保することができる、ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１のＴＡＢテープキャリアの製造方法は、絶縁性基板上に金属導体材料からなる配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンが形成された前記絶縁性基板上に、前記配線パターンのうち外部との電気的接続を行うための接続部の表面を避けて当該表面は露出させるように、絶縁性保護層を形成する工程と、少なくとも前記接続部の表面にめっき層を形成する工程とを有するＴＡＢテープキャリアの製造方法であって、前記絶縁性保護層を形成する以前に、前記配線パターンの表面を粗面化処理する工程と、前記絶縁
性保護層の形成以後であってかつ前記めっき層の形成以前に、前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層から露出している接続部の表面を、当該表面の金属導体材料を平滑化する薬液による化学的表面処理によって、平滑化処理する工程とを含むことを特徴としている。
【００１１】
本発明の第２のＴＡＢテープキャリアの製造方法は、上記第１のＴＡＢテープキャリアの製造方法において、前記配線パターンが、前記金属導体材料として銅箔をパターニングしてなるものであり、前記粗面化処理では、前記配線パターン全体の表面を、表面粗さＲａが０．３５〜０．５０μｍとなるように粗面化し、かつ前記平滑化処理では、前記絶縁性保護層から露出している前記接続部の表面を、表面粗さＲａが０．１５〜０．２５μｍとなるように平滑化することを特徴としている。
【００１２】
本発明の第３のＴＡＢテープキャリアの製造方法は、上記第１または第２のＴＡＢテープキャリアの製造方法において、前記平滑化処理を行うための薬液として、硫酸／過酸化水素を主成分として含んだ薬液を用いることを特徴としている。
【００１３】
本発明のＴＡＢテープキャリアは、絶縁性基板上に金属導体材料からなる配線パターンが形成され、前記配線パターンが形成された前記絶縁性基板上に、前記配線パターンのうち外部との電気的接続を行うための接続部の表面を避けて当該表面は露出させるように、絶縁性保護層が形成され、少なくとも前記接続部の表面にめっき層が形成されたＴＡＢテープキャリアであって、前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層で覆われている部分の表面には、粗面化処理が施されており、かつ前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層から露出している前記接続部の表面には、平滑化処理が施されていることを特徴としている。
【００１４】
本発明の第２のＴＡＢテープキャリアは、上記第１のＴＡＢテープキャリアにおいて、前記配線パターンが、前記金属導体材料として銅箔をパターニングしてなるものであり、前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層で覆われている部分の表面の表面粗さＲａが０．３５〜０．５０μｍであり、かつ前記配線パターンのうち前記絶縁性保護層から露出している前記接続部の表面の表面粗さＲａが０．１５〜０．２５μｍであることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第３のＴＡＢテープキャリアは、上記第４または第５のＴＡＢテープキャリアにおいて、前記絶縁性保護層が、ソルダーレジストまたはポッティング用樹脂からなるものであることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、絶縁性保護層で覆われる部分の配線パターンの表面が粗面化され、絶縁性保護層との良好な密着性を確保することが可能となると共に、絶縁性保護層から露出してニッケル−金めっき層等が施されて外部との接続が行われる接続部の表面が平滑化され、接続部における良好なボンディング特性を確保することが可能となる。延いては、絶縁性保護層に覆われた配線パターンの絶縁性、耐マイグレーション性のさらなる向上が達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアの主要な製造工程の流れを示す図である。
【００１８】
本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアは、次のようにして製造される。
まず、図１（ａ）に示したような、ポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性基板１の片面上に銅箔接着用接着剤層２が設けられたキャリアテープ基材１０を用意する。これに、図１（ｂ）に示したように、ビアホール３を例えばレーザー穿孔法などによって形成する。
【００１９】
続いて、図１（ｃ）に示したように、絶縁性基板１の片面上に銅箔接着用接着剤層２を介して銅箔４を貼り合せる。そして、図１（ｄ）に示したように、銅箔４をフォトエッチング法によりパターニングして、配線５ａおよび接続部５ｂを形成する。このパターニング工程では、さらに具体的には、例えば、ドライフィルムレジスト（図示省略）を銅箔４上にラミネートし、それにフォトマスクおよび露光装置等（いずれも図示省略）を用いて所定のパターンの露光〜現像を行ってレジストパターンを形成し、それをエッチングマスクとして用いたウェットエッチングプロセスによって銅箔４をパターニングすることにより、所定のパターン形状の配線５ａおよび接続部５ｂを形成する。
【００２０】
続いて、図１（ｅ）に示したように、銅箔４の表面を化学的に粗面化する薬液として、例えば硫酸／過酸化水素系／添加剤Ａを主成分とする薬液を用いて、その薬液中に製造途中のＴＡＢテープキャリアを浸潤する、またはスプレー法により薬液を吹き付けるなどして、全ての配線５ａの表面に粗面化処理を施す。この粗面化処理工程では、配線５ａの銅表面１１を、表面粗さＲａが０．３５〜０．５０μｍとなるように粗面化する。
このとき、接続部５ｂも、絶縁性基板１上に露出している状態にあり、また配線５ａと同じ銅箔４からなるものであるから、配線５ａの銅表面１１と共に接続部５ｂの銅表面１２も粗面化される。また、この粗面化処理工程では、薬液によって配線５ａの銅表面１１および接続部５ｂの銅表面１２が微量に蝕刻されることとなる。
【００２１】
続いて、図１（ｆ）に示したように、外部の半導体装置の金バンプやボンディングワイヤ等（図示省略）と接続されるように設定されている接続部５ｂを避けて、その部分は露出させるようにすると共に、それ以外の配線５ａを含む絶縁性基板１上ほぼ全面を覆うように、絶縁性保護層６を形成する。この絶縁性保護層６の材質は、例えばポッティング用エポキシ樹脂またはソルダーレジストなどのような一般的なものである。
この絶縁性保護層６の形成工程では、配線５ａの銅表面１１が上記のように粗面化されているので、その配線５ａの銅表面１１に対して強固に密着するように絶縁性保護層６が形成されることとなる。
【００２２】
続いて、図１（ｇ）に示したように、配線パターン５のうち絶縁性保護層６で覆われておらずに露出している接続部５ｂの銅表面１２を化学的に平滑化する能力を有する薬液として、例えば硫酸／過酸化水素系／添加剤Ｂを主成分とする薬液を用いて、その薬液中に製造途中のＴＡＢテープキャリアを浸潤する、またはスプレー法によりその薬液を吹き付けるなどしてその接続部５ｂの銅表面１２に平滑化処理を施す。この平滑化処理では、接続部５ｂの銅表面１２を、表面粗さＲａが０．１５〜０．２５μｍとなるように平滑化する。
このとき、平滑化処理の必要がない配線５ａの銅表面１１は、既に絶縁性保護層６によって覆われているので、別段にマスキング等を全く設けることなく、極めて簡易に、接続部５ｂの銅表面１２のみに対して選択的に平滑化を行うことができる。
【００２３】
また、この平滑化処理工程では、薬液によって接続部５ｂの銅表面１２が微量に蝕刻されることとなるが、このとき仮に配線５ａも絶縁性保護層６で覆われておらずに露出していたとすると、その配線５ａの銅表面１１も同様に蝕刻されてしまうので、上記の粗面化処理の際の蝕刻に因って細った配線５ａが、さらに細く痩せることになってしまう虞がある。しかし、本実施の形態に係る製造方法によれば、この平滑化処理工程では、絶縁性保
護層６から露出した接続部５ｂのみを選択的に平滑化処理することが可能であるので、配線５ａの銅表面１１をさらに蝕刻して痩せさせてしまうような虞は全くない。但し、ビアホール３によって配線５ａの下面側（裏面側）の一部分であるホール底１３が露出しているので、この部分も平坦処理工程で若干蝕刻されることとなるが、ビアホール３の直径は極めて微細なものであり、実質的な悪影響はない。それよりも、このビアホールによって露出する配線５ａの下面側のホール底１３の部分も平滑化処理を行うことができるので、このホール底１３の部分におけるニッケル−金めっき層の付着特性等のさらなる向上を図ることができるという利点もある。
【００２４】
また、配線５ａの銅表面１１は粗面化処理によって絶縁性保護層６に対して隙間や剥離等がなく強固に密着した状態で覆われているので、この平滑化処理工程で用いられる薬液が配線５ａと絶縁性保護層６との間に浸入するといった不都合の発生を確実に回避することができる。また、絶縁性保護層６は具体的にはソルダーレジストまたはポッティング用樹脂からなるものであり、これらの材質はいずれも耐薬品性や水分に対する耐浸潤性が高いものであるから、この平滑化処理工程で用いられる薬液や洗浄液等の浸み込みや化学的蝕刻の進攻を、別段のマスキング等を全く用いることなく、十分効果的に防ぐことができる。
【００２５】
続いて、絶縁性保護層６から露出している接続部５ｂの表面に、ニッケルめっきおよび金めっきをこの順で、例えば無電解めっき法または電解めっき法によって施して、ニッケル−金めっき層７を形成する。
【００２６】
このようにして製造される、本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアは、図１（ｈ）にその主要部がほぼ完成した状態を示したように、絶縁性基板１と、ビアホール３と、配線パターン５（配線５ａおよび接続部５ｂ）と、絶縁性保護層６と、ニッケル−金めっき層７とを、その主要部として備えている。
ポリイミド樹脂からなる絶縁性基板１の表裏を貫通するように、所定の位置ごとにビアホール３が形成されている。
【００２７】
絶縁性基板１の表面上には、ファインピッチ対応の高密度に形成してなる配線５ａと、およびその配線５ａと連続していて（換言すれば配線パターン５の一部分である）外部の半導体装置の金バンプや接続パッド等との電気的接続用のリードや接続用電極等として用いられるように設定された接続部５ｂとが形成されている。その接続部５ｂの表面上には、ニッケル−金めっき層７が形成されている。
それら配線５ａやニッケル−金めっき層７などが形成された絶縁性基板１の表面上に、接続部５ｂの上を避けて（つまりリードや接続用電極のような接続部５ｂの表面は外部の半導体装置の接続パッドや金バンプ等に対して接続可能とするべく露出させるようにして）、絶縁性保護層６が形成されている。
【００２８】
絶縁性基板１における、絶縁性保護層６で覆われている配線５ａの銅表面１１ほぼ全面には、粗面化処理が施されており、この配線５ａの銅表面１１と絶縁性保護層６との密着性（いわゆる食い付き性）が極めて良好なものとなっている。またそれにより、本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアの全体的な耐マイグレーション性が極めて良好なものとなっている。他方、絶縁性保護層６で覆われておらずに露出している接続部５ｂの銅表面１２には、平滑化処理が施され、その銅表面１２上にはニッケル−金めっき層４が形成されている。このように接続部５ｂの銅表面１２に平滑化処理が施されていることにより、接続部５ｂ上に形成されたニッケル−金めっき層４の表面におけるボンディング特性が極めて良好なものとなっている。
【００２９】
このように、本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアおよびその製造工程によれば、
絶縁性保護層６を形成する以前に、配線５ａの銅表面１１を粗面化処理し、絶縁性保護層６を形成した後、その絶縁性保護層６から露出している接続部５ｂの銅表面１２を、薬液による化学的表面処理によって平滑化処理するようにしたので、配線５ａのみに対して選択的にマスキングを施すことや、接続部５ｂのみに対して選択的にマスキングを施すといった煩雑な工程の追加を全く必要とすることなく、簡易かつ確実に、配線パターン５のうち絶縁性保護層６で覆われる部分である配線５ａの銅表面１１を粗面化して、その銅表面１１と絶縁性保護層６との間での良好な密着性を確保することができると共に、絶縁性保護層６から露出して外部との電気的接続が行われる部分である接続部５ｂの銅表面１２を平滑化して、その接続部５ｂにおける良好なボンディング特性を確保することができる。延いては、完成した製品としてのＴＡＢテープキャリアの絶縁性や耐マイグレーション性の長期信頼性を確保することが可能となる。
【実施例】
【００３０】
上記の実施の形態で説明したような製造方法によってＴＡＢテープキャリアを試験的に作製し、金ワイヤを接続部５ｂ上にボンディングして、特性評価試験を実施し、絶縁性保護層６のピール強度およびボンディングワイヤのピール強度について確認した。また、比較例として、従来の製造方法によって従来の構成のＴＡＢテープキャリアを作製し、本実施例のＴＡＢテープキャリアの場合と同等の特性評価試験を行って、両者の結果を比較・検討した。
図２は、本実施例に係るＴＡＢテープキャリアと比較例に係るＴＡＢテープキャリアとの、それぞれについての配線および接続部における表面粗さの設定を纏めて示す図、図３は、本実施例に係るＴＡＢテープキャリアと比較例に係るＴＡＢテープキャリアとの、それぞれについての特性評価結果を纏めて示す図である。
【００３１】
本実施例に係るＴＡＢテープキャリアについては、キャリアテープ基材１０としては、厚さ２５〜５０μｍの厚さのポリイミド樹脂フィルムからなる絶縁性基板１の片面上に、銅箔接着用接着剤層２を介して、厚さ１０〜２０μｍ、粗面処理前の（つまり未処理・未加工の金属材料層としての銅箔状態での）表面粗さがＲａ＝０．２〜０．３μｍの銅箔４を貼り合わせてなるものを用いた。
【００３２】
粗面化処理工程では、硫酸／過酸化水素系／添加剤Ａを主成分とする溶液からなる薬液を用いた。
その薬液の主成分は、さらに具体的には、硫酸０．５ｗｔ％〜５ｗｔ％、過酸化水素系０．５〜３ｗｔ％、および添加剤Ａとした。添加剤Ａは、これを薬液に加えることで、銅表面１１、１２における銅結晶の粒界を選択的にエッチングする作用を促進して、さらに良好な粗面を得ることが可能となるようにするためのものである。従って、換言すれば、添加剤Ａとしては、そのような粒界の選択的なエッチングを促進する機能を有しているものを好適に用いることが可能である。
この粗面化処理では、配線パターン５の銅表面１１（および銅表面１２）のエッチング量が０．１〜０．５μｍとなり、粗面化処理された銅表面１１の表面粗さがＲａ＝０．３５〜０．５０μｍとなるようにした。
【００３３】
また、平滑化処理工程では、硫酸／過酸化水素系／添加剤Ｂを主成分とする溶液からなる薬液を用いた。その薬液の主成分は、さらに具体的には、硫酸１．５ｗｔ％〜５ｗｔ％、過酸化水素系０．５〜３ｗｔ％、および添加剤Ｂとした。添加剤Ｂは、これを薬液に加えることで、銅表面１２における突出した銅結晶の粒界を選択的にエッチングして銅表面１２全体の平坦化を促進して、さらに良好な平滑面を得ることが可能となるようにするためのものである。従って、換言すれば、添加剤Ｂとしては、そのような銅表面１２の平滑化を促進する機能を有しているものを好適に用いることが可能である。
この平滑化処理では、接続部５ｂの銅表面１２のエッチング量が０．１〜１．０μｍと
なり、平滑化処理後の銅表面１２の表面粗さがＲａ＝０．１５〜０．２５μｍとなるようにした。
接続部５ｂの銅表面１２上に施すニッケル−金めっき層７の厚さは、ニッケルめっきの厚さを０．０５〜０．５μｍとし、金めっきの厚さを０．１〜０．２μｍとした。
【００３４】
他方、比較例１のＴＡＢテープキャリアについては、本実施例と同等の粗面化処理を行うが平滑化処理は行わないようにして、配線パターン５全体（すなわち配線５ａも接続部５ｂも共に）の銅表面１１、１２の表面粗さがＲａ＝０．３５〜０．５０μｍとなるようにした。
また、比較例２のＴＡＢテープキャリアについては、配線パターン５全体の銅表面１１、１２に対して粗面化処理も平滑化処理も行わないで、銅箔４の表面粗さＲａ＝０．２０〜０．３０μｍのままとした。
【００３５】
これら本実施例、比較例１、比較例２の、それぞれのＴＡＢテープキャリアについて、９０度ピール試験および耐リフロー試験を行って、各々のピール強度および耐リフロー特性を計測・評価した。また、本実施例、比較例１、比較例２の、それぞれのＴＡＢテープキャリアにおける接続部に金線からなるボンディングワイヤーをボンディングして、ワイヤーピール試験および耐リフロー試験を行い、その各々のワイヤーピール強度および耐リフロー特性を計測・評価した。
この９０度ピール強度の評価試験では、所定のピール強度特性を有するか否かを判定するための基準として、９０度ピール試験におけるピール強度＝７５０Ｎ／ｍを判定基準値とした。また、耐リフロー試験では、所定の温度および湿度に設定された恒温恒湿槽内に試料を一定時間暴露させた後、一般的にパッケージング時に最も高い温度環境となる、はんだリフロー工程と同等の温度を負荷させる、という２種類のリフロー負荷を複数ステップに亘って行った。そして、その全リフロー負荷を経た後の各試料について、外観観察を行い、絶縁性保護層６にいわゆるブリスタ（blister；膨れ）が全く発生していないこと
を合格基準とした。
その各ステップは、具体的には、ステップ１として、まず、大気環境暴露〜２６０℃リフロープロファイルを２回負荷した。続いて、ステップ２として、さらに温度８５℃・湿度８５％の雰囲気中に２４時間暴露〜２６０℃プロファイルを１回負荷した。続いて、ステップ３として、さらに温度８５℃・湿度８５％の雰囲気中に２４時間暴露〜２６０℃プロファイルを１回負荷した。そして、ステップ４として、さらに温度８５℃・湿度８５％の雰囲気中に７２時間暴露〜２６０℃プロファイルを１回負荷した。
また、ワイヤーピール強度の評価試験では、作製したＴＡＢテープキャリア１ピース（１個）につき、直径２５μｍの金ワイヤ４０本を、平滑化処理された銅表面１２上にボンディングしたものを３ピース用意し、それらに対して機械的な一般の引張強度試験を行って、ワイヤ破壊が１ｓｔまたは２ｎｄボンドのネック切れまたはワイヤループ切れであって、銅表面１２でのワイヤ剥離ではなく、かつピール強度が３ｇｆ以上で、Ｃｐｋ（Ｃｐｌ）が１．３３以上であることを、合格基準とした。
【００３６】
その結果、図３に示したように、本実施例に係る製造方法によって作製されたＴＡＢテープキャリアでは、絶縁性保護層のピール強度およびボンディングワイヤのワイヤピール強度の両方が所定の評価（合格）基準を満たしており、配線の絶縁性保護層に対する界面密着特性も接続部のボンディングワイヤに対するボンディング特性も、共に良好なものとなることが確認された。
【００３７】
他方、比較例１のＴＡＢテープキャリアでは、絶縁性保護層と配線との間でのピール強度は所定の評価基準を満たしていたものの、ワイヤピール強度が所定の評価基準を満たしておらず、接続部のボンディングワイヤに対するボンディング特性が不十分なものとなる虞があることが確認された。
また、比較例２のＴＡＢテープキャリアでは、ワイヤピール強度は所定の評価基準を満たしていたが、絶縁性保護層と配線との間でのピール強度が所定の評価基準を満たしておらず、配線と絶縁性保護層との界面密着特性が不十分なものとなる虞があることが確認された。
【００３８】
このように、本実施例に係るＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法によれば、簡易かつ確実に、配線５ａの銅表面１１を粗面化して、その銅表面１１と絶縁性保護層６との間での良好な密着性を確保することができると共に、製造工程の煩雑化を招き易いマスキング等を行うことなく、接続部５ｂの銅表面１２を平滑化して、その接続部５ｂにおける良好なボンディング特性を確保することができ、延いては完成した製品としてのＴＡＢテープキャリアの絶縁性や耐マイグレーション性などの長期信頼性を確保することができることが確認された。
【００３９】
なお、粗面化処理工程で用いる薬液としては、上記の組成のもの以外にも、例えばシランカップリング剤を主成分とする薬液を用いることなども可能である。
あるいは、粗面化処理については、配線パターン５を形成する以前の銅箔４に対して、例えばブラスト法やポリッシング法等による機械的な粗面化処理を行うようにしてもよい。但しその場合でも、平滑化処理については上記実施の形態や実施例で説明したものと同様の機能を有する薬液を用いて化学的な平滑化処理を行うようにすることは勿論である。
【００４０】
また、平滑化処理工程で用いる薬液としては、上記以外にも、塩化鉄系の処理液などを用いることも可能である。その場合には、薬液の詳細な組成や濃度等を適宜に設定することにより、上記と同様の銅表面の粗化および平滑化を実現することが可能となる。
その他、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々のバリエーションが可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本実施の形態に係るＴＡＢテープキャリアの主要な製造工程の流れを示す図である。
【図２】本実施例に係るＴＡＢテープキャリアと比較例に係るＴＡＢテープキャリアとの、それぞれについての配線および接続部における表面粗さの設定を纏めて示す図である。
【図３】本実施例に係るＴＡＢテープキャリアと比較例に係るＴＡＢテープキャリアとの、それぞれについての特性評価結果を纏めて示す図である。
【図４】従来のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    絶縁性基板
２    銅箔接着用接着剤層
３    ビアホール
４    銅箔
５    配線パターン
５ａ  配線
５ｂ  接続部
６    絶縁性保護層
７    ニッケル−金めっき層
１１  （配線の）銅表面
１２  （接続部の）銅表面
【図１】
2009016716.tif 000003
【図２】
2009016716.tif 000004
【図３】
2009016716.tif 000005
【図４】
2009016716.tif 000006