(57)【要約】      （修正有）【課題】エッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに半導体ウェハー表面の有機物質の洗浄または改質処理をも一つの装置で行える回路基板の製造装置を提供する。【解決手段】半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、上部が上下に分離可能で下部がロータ１２に固定され、さらに側部に流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と、上部が上下に分離可能な外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部とを上方に持ち上げる昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間を減圧化する真空ポンプ５８とを備えている。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、中空回転軸１４の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有する切替用中空回転軸６２に連結されている。【選択図】図１
2009130086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛直に立設された中空回転軸と同中空回転軸の上部に配設された、半導体ウェハーを保持するウェハー保持部とを有するロータと、
前記ウェハー保持部に保持された半導体ウェハーの処理面に対向して配設され、同処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する複数個のノズルを並列配置した流体噴射機構と、
前記半導体ウェハーの処理面に対向して配設され、同処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプと、
前記ウェハー保持部、前記流体噴射機構および前記紫外線照射ランプを包覆し、かつ上部が上下に分離可能であり、下部が前記ロータに固定され、さらに、側部に流体抜き隙間を有する内側タンクと、
前記内側タンクを気密に収容し、かつ上部が上下に分離可能な外側タンクと、
前記内側タンクの上部と前記外側タンクの上部とを上下に移動する昇降機構と、
前記内側タンクと前記外側タンクとの間の空間を減圧化する真空ポンプと、
前記ロータの前記中空回転軸を回転駆動する動力機構とを備え、
前記流体噴射機構と前記紫外線照射ランプは、前記ウェハー保持部の上面に対して前記ロータの前記中空回転軸の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有するように立設された切替用中空回転軸に連結され、かつ、いずれか一方が前記中空回転軸の回転軸心を横断している状態のときに、他方が前記中空回転軸の回転軸心を横断しない状態となるように径方向に固持されていることを特徴とする回路基板の製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板の製造装置において、
前記切替用中空回転軸の下端部が前記内側タンク内に気密に挿入されており、
各種薬液または洗浄液を導通する液導通管と窒素ガスを導通するガス導通管と前記紫外線照射ランプに電力を供給する配線とが、前記切替用中空回転軸の上端部に配設されたロータリーカプラに連結され、
前記各種薬液または洗浄液が前記切替用中空回転軸の内部空洞を経て前記流体噴射機構に導入され、
前記窒素ガスが前記切替用中空回転軸の内部空洞を経て前記内側タンク内に導入され、
前記配線が前記切替用中空回転軸の内部空洞を経て前記紫外線照射ランプに接続されていることを特徴とする回路基板の製造装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の回路基板の製造装置において、
前記昇降機構は、前記内側タンクの上部と前記外側タンクの上部とを、前記切替用中空回転軸を保持する保持枠を介して上下動させるタンク用シリンダを備えたものであることを特徴とする回路基板の製造装置。
【請求項４】
流体抜き隙間を有する内側タンクと前記内側タンクを収容して密閉可能とされた外側タンクとの間の空間を減圧化する減圧化工程と、
前記減圧化工程を作動した状態で、前記内側タンク内に配置された半導体ウェハーを回転させるウェハー回転工程と、  前記減圧化工程と前記ウェハー回転工程を作動した状態で、前記半導体ウェハーの処理面に、複数個のノズルを並列配置した流体噴射機構により各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射工程と、
前記減圧化工程と前記ウェハー回転工程を作動した状態であって、前記流体噴射工程を作動しない状態で、前記半導体ウェハーの処理面に紫外線照射ランプにより紫外線を放射する紫外線放射工程とを含み、
前記流体噴射機構または前記紫外線照射ランプのいずれか一方を前記半導体ウェハーの中心点を横断している状態で作動し、かつ他方を前記半導体ウェハーの中心点を横断しない状態で作動停止することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の回路基板の製造方法において、
前記流体噴射機構から噴射される洗浄液としてドライアイスペレットまたはシャーベット氷を使用することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハーやガラス基板の表面に集積回路を作成した回路基板を製造する工程におけるエッチング、洗浄および乾燥の一連の処理を行い得る回路基板の製造装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハー上に必要とされる大規模集積回路を形成するには、複雑な工程が必要とされるが、電気的回路をウェハー上に適確に形成するためにはエッチング反応を利用した処理が必要不可欠なものとなっている。例えば、所定の薬液を塗布・噴霧した上で半導体ウェハーを回転処理して薬液の均一化を図るスピン式エッチング装置がある。
【０００３】
本発明者は、先に、流体噴射ノズルを用いてエッチング処理工程とエッチング処理後の洗浄、乾燥などの工程と一体化することにより、装置の省スペース化を図ると共に、エッチング処理工程自体を効率化する新たなエッチング処理方法およびその装置を発明し、これを特許出願した（特許文献１参照）。
【０００４】
このエッチング処理方法およびその装置は、通気隙間を有する内側タンク内のロータ上の所定位置に処理すべき半導体ウェハーを設置し、該内側タンクを収容する密閉可能な外側タンクを減圧化状態とすることで内外タンク間に気圧差状態に基づく空気流を形成し、該空気流を維持したままでロータにより半導体ウェハーを高速回転しながら、各種エッチング薬液を流体噴射ノズルにより内側タンク内の半導体ウェハー表面に噴霧または塗布してエッチング反応を進行させ、さらにロータに必要最小限の回転を付与して各種エッチング薬液を半導体ウェハー表面から排除するものである。
【０００５】
これは、通常の大気圧よりも減圧化された状態でエッチング処理や洗浄、乾燥処理を行うことが処理効率および製品の品質向上に有効であることを見出し、これを利用したものである。なお、本発明においてエッチング処理というのは、純然たるエッチング処理の場合と、本発明方法および装置を利用することで一体連続化することが可能な洗浄および乾燥処理をも含めたエッチング処理との両者を含んだものである。
【特許文献１】特開２００１−１８９２９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
既知の従来の技術には、次のような解決すべき課題があった。
上記従来の回路基板の製造装置には、半導体ウェハーの表面に付着した有機物質の洗浄または改質処理をするための紫外線照射装置が付設されていない。半導体ウェハーの表面の有機物質の洗浄または改質処理をするためには、別途構成された紫外線照射装置を使用することになる。
【０００７】
ところで、半導体ウェハーの表面に付着した有機物質の洗浄または改質処理をする紫外線照射装置は周知である。しかし、このような紫外線照射装置を単に上記従来の回路基板の製造装置に一体的に組み込むのは、装置が大型化し易く、また半導体ウェハーの全面に斑なく電気的回路を形成することが困難である等の課題があった。
【０００８】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、一つの装置で流体噴射機構によりエッチング処理と洗浄処理を行うだけでなく、さらに紫外線照射ランプを用いて半導体ウェハーの表面に付着した有機物質の洗浄または改質処理をも適確に行えるようにした回路基板の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以下の構成はそれぞれ上記の課題を解決するための手段である。
〈構成１〉
鉛直に立設された中空回転軸と同中空回転軸の上部に配設された、半導体ウェハーを保持するウェハー保持部とを有するロータと、上記ウェハー保持部に保持された半導体ウェハーの処理面に対向して配設され、同処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する複数個のノズルを並列配置した流体噴射機構と、上記半導体ウェハーの処理面に対向して配設され、同処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプと、上記ウェハー保持部、上記流体噴射機構および上記紫外線照射ランプを包覆し、かつ上部が上下に分離可能であり、下部が上記ロータに固定され、さらに、側部に流体抜き隙間を有する内側タンクと、上記内側タンクを気密に収容し、かつ上部が上下に分離可能な外側タンクと、上記内側タンクの上部と上記外側タンクの上部とを上下に移動する昇降機構と、上記内側タンクと上記外側タンクとの間の空間を減圧化する真空ポンプと、上記ロータの上記中空回転軸を回転駆動する動力機構とを備え、上記流体噴射機構と上記紫外線照射ランプは、上記ウェハー保持部の上面に対して上記ロータの上記中空回転軸の回転軸心とは異なる位置に回転軸心を有するように立設された切替用中空回転軸に連結され、かつ、いずれか一方が上記中空回転軸の回転軸心を横断している状態のときに、他方が上記中空回転軸の回転軸心を横断しない状態となるように径方向に固持されていることを特徴とする回路基板の製造装置。
【００１０】
流体噴射機構と紫外線照射ランプとは、切替用回転軸に一直線状に連結され、切替用回転軸を１８０度回転することにより、いずれか一方をロータの回転軸心を横断した状態とすることができる。したがって、半導体ウェハー中心部近傍に未処理部分（デッドゾーン）が生じるのを防止できる。この装置一台で回路基板を製造する工程において、半導体ウェハーのエッチング、洗浄および乾燥の一連のすべての処理を行うことができる。
【００１１】
〈構成２〉
構成１に記載の回路基板の製造装置において、上記切替用中空回転軸の下端部が上記内側タンク内に気密に挿入されており、各種薬液または洗浄液を導通する液導通管と窒素ガスを導通するガス導通管と上記紫外線照射ランプに電力を供給する配線とが、上記切替用中空回転軸の上端部に配設されたロータリーカプラに連結され、上記各種薬液または洗浄液が上記切替用中空回転軸の内部空洞を経て上記流体噴射機構に導入され、上記窒素ガスが上記切替用中空回転軸の内部空洞を経て上記内側タンク内に導入され、上記配線が上記切替用中空回転軸の内部空洞を経て上記紫外線照射ランプに接続されていることを特徴とする回路基板の製造装置。
【００１２】
ロータリーカプラを介していることにより、外部から供給される各種薬液、洗浄液、窒素ガスや配線等を、回転する切替用中空回転軸の内部空洞を経て内側タンク内に導入できる。
【００１３】
〈構成３〉
構成１または２に記載の回路基板の製造装置において、上記昇降機構は、上記内側タンクの上部と上記外側タンクの上部とを、上記切替用中空回転軸を保持する保持枠を介して上下動させるタンク用シリンダを備えたものであることを特徴とする回路基板の製造装置。
【００１４】
内側タンクの上側のカバーを、外側タンクの上部と共に上方に持ち上げて外側タンクと内側タンクの上面を開放して外部から半導体ウェハーをロータのウェハー保持部にセットできる。
【００１５】
〈構成４〉
流体抜き隙間を有する内側タンクと上記内側タンクを収容して密閉可能とされた外側タンクとの間の空間を減圧化する減圧化工程と、上記減圧化工程を作動した状態で、上記内側タンク内に配置された半導体ウェハーを回転させるウェハー回転工程と、上記減圧化工程と上記ウェハー回転工程を作動した状態で、上記半導体ウェハーの処理面に、複数個のノズルを並列配置した流体噴射機構により各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射工程と、上記減圧化工程と上記ウェハー回転工程を作動した状態であって、上記流体噴射工程を作動しない状態で、上記半導体ウェハーの処理面に紫外線照射ランプにより紫外線を放射する紫外線放射工程とを含み、上記流体噴射機構または上記紫外線照射ランプのいずれか一方を上記半導体ウェハーの中心点を横断している状態で作動し、かつ他方を上記半導体ウェハーの中心点を横断しない状態で作動停止することを特徴とする回路基板の製造方法。
【００１６】
流体噴射機構と紫外線照射ランプは、いずれか一方が前記ロータの回転軸心を横断している状態で作動するようにするので、半導体ウェハー中心部近傍に未処理部分（デッドゾーン）が生じるのを防止できる。
【００１７】
〈構成５〉
構成４に記載の回路基板の製造方法において、上記流体噴射機構から噴射される洗浄液としてドライアイスペレットまたはシャーベット氷を使用することを特徴とする回路基板の製造方法。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は実施例１の回路基板の製造装置１０を示す概略図、図２は同装置１０の上面の一部を示す平面図、図３は同装置の各種薬液、洗浄液（純水を含む）、窒素ガス等の流動経路を示す断面概略図、図４は同装置１０の昇降機構５６を作動したときの状況を示す概略図、図５は同装置１０の外側タンク４０内の底面を示す平面図である。
【００２０】
回路基板の製造装置１０は、これらの図に示すように、中空回転軸１４とウェハー保持部２２とを有するロータ１２と、半導体ウェハー２０の処理面に各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射機構２４と、半導体ウェハー２０の処理面に紫外線を放射する紫外線照射ランプ３０と、ウェハー保持部２２、流体噴射機構２４および紫外線照射ランプ３０を包覆する内側タンク３２と、この内側タンク３２を気密に収容する外側タンク４０と、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部を開口する昇降機構５６と、内側タンク３２と外側タンク４０との間の空間３３を減圧化する真空ポンプ５８と、中空回転軸１４を回転駆動する動力機構１８とを備えている。これらは、外枠１１内に設置されている。
【００２１】
ロータ１２の中空回転軸１４は、外側タンク４０の下部４１に鉛直に立設され、モータ等の動力機構１８によりベルト１９を介して回転駆動される。ロータ１２のウェハー保持部２２は、表面を処理すべき半導体ウェハー２０を保持するもので、中央部が中空回転軸１４の上端面に連結支持されて半導体ウェハー２０を保持した状態で回転駆動される。
【００２２】
ロータ１２に対する半導体ウェハー２０の保持機構としては、半導体ウェハー２０の平面の中心点部分において真空チャック５４により半導体ウェハー２０を吸い付けて保持固定する、周知の一点接触保持方式を採用することが可能である。すなわち、図１に示するように、窒素ガスを中空回転軸１４の下端から中心孔を経て真空チャック５４に圧送し、半導体ウェハー２０裏面の中心点部分に噴射することにより半導体ウェハー２０をウェハー保持部２２に牽引保持するものである。中空回転軸１４の下端部には窒素ガスの流入を適時停止する、周知のストッパ５５が配設されている。
【００２３】
流体噴射機構２４は、図３に示すように、複数個のノズル２６を管体２５に並列配置したものである。紫外線照射ランプ３０はイクシマランプあるいはＵＶランプである。流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、図１および図６に示すように、中空回転軸１４の回転軸心１６とは異なる位置に回転軸心６４を有する切替用中空回転軸６２の下部周面に一直線状に連結され、かつウェハー保持部２２に保持された半導体ウェハー２０の処理面に対向可能に配設されている。
【００２４】
切替用中空回転軸６２の下端部は内側タンク３２内に気密に挿入されている。図１および図２に示すように、各種薬液または洗浄液を導通する液導通管６６Ａと窒素ガスを導通するガス導通管６８Ａと紫外線照射ランプ３０に電力を供給する配線７０Ａとが、切替用中空回転軸６２の上端部に配設されたロータリーカプラ７２に連結されている。ロータリーカプラ７２は、液導通管６６Ａ、ガス導通管６８Ａおよび配線７０Ａと、回転する切替用中空回転軸６２とを回転可能に連結するものである。切替用中空回転軸６２の上端部、ロータリーカプラ７２は、キャップ状の覆い７４によりカバーされている。
【００２５】
図３に示すように、各種薬液または洗浄液は、それぞれの供給源（図示せず）から弁体８８を備えた配管８９を介して集合体９０に送られ、ガス供給源９１から送られた圧搾ガス（窒素ガス）と共に液導通管６６Ａに適時供給される。さらに、各種薬液または洗浄液は、配管６６Ａからロータリーカプラ７２を経て切替用中空回転軸６２内の液導通管６６Ｂを通り流体噴射機構２４の管体２５に導入され、ノズル２６から外部に噴射される。
【００２６】
窒素ガスは、ガス導通管６８Ａからロータリーカプラ７２を経て切替用中空回転軸６２内のガス導通管６８Ｂを通って内側タンク３２内に導入される。配線７０Ａはロータリーカプラ７２を経て配線７０Ｂに接続され切替用中空回転軸６２の内部空洞を経て紫外線照射ランプ３０やその他の電気機器の端子に接続されている。切替用中空回転軸６２は、モータ等の動力機構６３によりベルト６５を介して電動で回転駆動されるが、手動で回動するようにしてもよい。
【００２７】
内側タンク３２は、上部３４が上下に分離可能で、側部に流体抜き隙間３８を有している。すなわち、全体的に２枚の皿状カバーを合わせた形状をなしており、上側の皿状カバーの上部３４が周辺に立設されたガイドピン３６にそって上下に分離可能とされている。また、２枚の皿状カバーの合せ縁部にそって流体抜き隙間３８が設けられ、さらに下部がロータ１２のウェハー保持部２２に一体的に固定されている。外側タンク４０は、上部が上下に分離可能に構成されている。外側タンク４０の上部は、外枠１１の上部にパッキング５２を介して分離可能に接合されている。
【００２８】
流体抜き隙間３８は、内側タンク３２内の窒素ガスや半導体ウェハー２０処理面を処理した後の各種薬液または洗浄液を、減圧化された外側タンク４０内の空間３３に流入させる通路となる。
【００２９】
昇降機構５６は、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部３４、４２を開口するものである。すなわち、内側タンク３２および外側タンク４０の各上部３４、４２がそれぞれ上下に分離可能に構成され、さらに、昇降機構５６により上方に持上げられるように構成されている。
【００３０】
昇降機構５６は、内側タンク３２の上部３４と外側タンク４０の上部４２とを、切替用中空回転軸６２を保持する保持枠４４を介して上下動させるシリンダ５０を備えている。保持枠４４は、切替用中空回転軸６２を回動自在に保持する円筒体とその両端にそれぞれ連結された鍔板とから構成されている。
【００３１】
内側タンク３２の上部３４は、保持枠４４の下側鍔体に複数個が下向きに配置された連結部材４６に結合されている。外側タンク４０の上部４２は、保持枠４４の上側鍔体に複数個が下向きに配置された連結部材４８に結合されている。シリンダ５０は外枠１１の側部周囲の２〜４箇所に配設されている。
【００３２】
図４は、昇降機構５６を作動させて内側タンク３２および外側タンク４０の各上部３４、４２を開口した状態を示している。この作動状況を説明する。
【００３３】
先ず、回路基板の製造装置１０が図１に示す状態であるとき、シリンダ５０を作動させることにより、図４に示すように、内側タンク３２の上側の皿状カバーの上部３４を、外側タンク４０の上部４２と共に上方に持ち上げて外側タンク４０と内側タンク３２の上面を開口する。この状態で、外部から半導体ウェハー２０をロータ１２のウェハー保持部２２に取付けたり取外しを行う。
【００３４】
外側タンク４０の下面４１は、図１に示すように中心部に向かってゆるやかな凸面をなし、さらに図５に示すように外縁の４箇所にドレン抜き孔８４が設けられている。これらのドレン抜き孔８４にはそれぞれ配管８５Ａが接続されている。これらの配管８５Ａは配管８５Ｂにより気液分離するセパレ−タ８６に連結されている。セパレ−タ８６には配管８５Ｃを介して真空ポンプ５８が連結されている。符号８７は、動力機構１８、６３、紫外線照射ランプ３０、真空チャック５４等を作動制御する制御ボックスを示している。
【００３５】
真空ポンプ５８の稼動によって、内側タンク３２内から流体抜き隙間３８を経て外側タンク４０の空間３３内に流入した窒素ガスおよび外側タンク４０の下面４１に落下した各種薬液、洗浄液等の液体は、ドレン抜き孔８４、配管８５Ａおよび配管８５Ｂを経てセパレータ８６に回収される。さらに、セパレータ８６の下側で気液分離され、窒素ガスは上側を経て清浄化等された上で配管８５Ｃを経て排出される。一方、液体はさらに種類毎に分離された上でセパレータ８６の下側の配管８５Ｄを経て再利用可能なものとして回収され、本発明装置１０において改めて利用されることとなる。
【００３６】
流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、切替用中空回転軸６２を回転することにより、ウェハー保持部２２に保持された半導体ウェハー２０の処理面にそって回動し変位する。この移動状況を、流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０の動作状態を示した図６および図７で説明する。
【００３７】
図６および図７は、流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０を、内側タンク３２の下面３５上のウェハー保持部２２に保持された半導体ウェハー２０に対向配置した状態を示している。
【００３８】
図６は、図１に示した状態の流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０を平面図で示したものである。すなわち、紫外線照射ランプ３０が中空回転軸１４の回転軸心１６を横断し、流体噴射機構２４が回転軸心１６を横断していない状態を示している。半導体ウェハー２０に対する紫外線照射ランプ３０による紫外線照射は図６に示した状態で行う。
【００３９】
また、図７は、切替用中空回転軸６２を、図６に示す状態から１８０度回転して流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０を回動し変位した状態を示している。すなわち、流体噴射機構２４が回転軸心１６を横断しており、かつ紫外線照射ランプ３０が回転軸心１６を横断しない状態を示している。半導体ウェハー２０に対する流体噴射機構２４による各種薬液または洗浄液の噴射は図７に示した状態で行う。
【００４０】
このように、流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０は、ウェハー保持部２２の上面に対してロータ１２の中空回転軸１４の回転軸心１６とは異なる位置に回転軸心６４を有するように立設された切替用中空回転軸６２に連結され、かつ、いずれか一方が中空回転軸１４の回転軸心１６を横断している状態のときに、他方が中空回転軸１４の回転軸心１６を横断しない状態となるように径方向に固持されている。
【００４１】
したがって、エッチング、洗浄等の処理や有機物質の洗浄または改質処理に際して中空回転軸１４の回転軸心１６を中心として高速回転される半導体ウェハー２０の中心部近傍においても、流体噴射機構２４または紫外線照射ランプ３０によるエッチングや洗浄等の処理が行われるので、未処理部分（デッドゾーン）が生じるのを防止できる。
【００４２】
流体噴射機構２４と紫外線照射ランプ３０とは、切替用回転軸に一直線状に連結され、切替用回転軸を１８０度回転するだけで、いずれか一方をロータ１２の回転軸心を横断した状態とすることができる。この装置一台で回路基板を製造する工程における半導体ウェハー２０のエッチング、洗浄および乾燥の一連の処理を行うことができる。
【００４３】
本発明装置１０を用いて本発明によるエッチング処理、洗浄処理および乾燥処理を実施する場合において、その処理の準備から終了までの一連の工程を一体化して行うが、その代表例を示すと以下のとおりである。
【００４４】
先ず、処理すべき半導体ウェハー２０の所望の枚数がローダー部（図示せず）に設置されて準備状態となるが、当然にそれ以前に、図示を省略したが、近傍雰囲気はクリーンユニットによって清浄化され無塵状態とされている。次いで、自動制御されるロボット部を介して稼動される搬送ユニットによってローダー部から処理すべき半導体ウェハー２０が取り出されてエッチング処理等を行う内側タンク３２内に必要に応じて一体化されているロータ１２の所定箇所に配置される。このとき、図４に示したように、昇降機構５６を作動させて外側タンク４０と内側タンク３２のそれぞれの上部３４、４２は開放状態とされている。
【００４５】
ウェハー保持部２２に半導体ウェハー２０を設置した後、昇降機構５６を作動させて外側タンク４０と内側タンク３２のそれぞれの上部３４、４２は閉ざされる。外側タンク４０は密閉状態とされるが、内側タンク３２の側部の流体抜き隙間３８により、内側タンク３２内の窒素ガスやエッチング薬液を外側タンク４０内に流出できるようにされる。流体抜き隙間３８の大きさは各処理状況に応じて一定範囲から適宜に選択されるべきものである。次いで、動力機構１８の動力によりロータ１２を回転して処理すべき半導体ウェハー２０に所望の回転運動を付与し、また、真空ポンプ５８を稼動して外側タンク４０内を減圧化する。
【００４６】
以上の準備を終えた後、内側タンク３２内に設置され、必要な各種薬液の供給を受ける流体噴射機構２４により、回転されている半導体ウェハー２０の表面に各工程に応じて必要とされる薬液を噴霧または塗布する。このとき、流体噴射機構２４は図７に示された状態とされている。さらに流体噴射機構２４の各ノズル２６からリンス剤をも噴霧または塗布し、このようなエッチング薬液とリンス剤の塗布または噴霧を所望の回路が半導体ウェハー２０上に形成されるのに必要な回数繰り返して行う。
【００４７】
上記のエッチング処理を終えた半導体ウェハー２０に対しては、続いて純水の噴霧などによる洗浄処理および乾燥処理を施すことになるが、本発明装置１０ではこれらの処理も内側タンク３２内に半導体ウェハー２０を設置したままで連続的に行うことが可能である。すなわち、流体噴射機構２４の各ノズル２６からエッチング薬液に代えて純水を送り込んで洗浄処理を行ない、乾燥処理自体は内側タンク３２内で適宜に半導体ウェハー２０を回転させながら行うことができる、つまり、特に、洗浄水の水切りおよび乾燥処理は、内側タンク３２内に内外タンク間の気圧差に基づく空気流が形成され、かつ、外気圧よりも相対的に減圧化状態となっていることによる気化反応促進状態を利用する。
【００４８】
さらに、半導体ウェハー２０の表面に付着した有機物質の洗浄または改質処理を行なう場合には、紫外線照射ランプ３０を用いる。紫外線照射ランプ３０は切替用中空回転軸６２を１８０度回転して図６に示す状態とされ、回転されている半導体ウェハー２０の表面に紫外線を所定条件にて照射する。
【００４９】
以上のエッチング処理、洗浄処理および乾燥処理を終えた時点で、外側タンク４０と内側タンク３２のそれぞれの上部３４、４２が開かれて、処理を終えた半導体ウェハー２０は搬送ユニットによってアンローダー部に移動収納されて本発明による一連の処理は終了することとなる。
【００５０】
本発明においては、流体抜き隙間３８を有する内側タンク３２と内側タンク３２を収容して密閉可能とされた外側タンク４０との間の空間３３を減圧化する減圧化工程と、減圧化工程を作動した状態で、内側タンク３２内に配置された半導体ウェハー２０を回転させるウェハー回転工程と、減圧化工程とウェハー回転工程を作動した状態で、半導体ウェハー２０の処理面に、複数個のノズル２６を並列配置した流体噴射機構２４により各種薬液または洗浄液を窒素ガスと共に噴射する流体噴射工程と、減圧化工程とウェハー回転工程を作動した状態であって、流体噴射工程を作動しない状態で、半導体ウェハー２０の処理面に紫外線照射ランプ３０により紫外線を放射する紫外線放射工程とを含み、流体噴射機構２４または紫外線照射ランプ３０のいずれか一方を半導体ウェハー２０の中心点を横断している状態で作動し、かつ他方を半導体ウェハー２０の中心点を横断しない状態で作動停止する回路基板の製造方法を含んでいる。
【００５１】
なお、上記流体噴射工程においては、洗浄液として配管輸送の可能なドライアイスペレットまたはシャーベット氷を使用してもよい。すなわち、ドライアイスペレットをショット材として洗浄を行う、所謂ドライアイスショット洗浄、または、シャーベット氷を噴射して洗浄を行う、所謂シャーベット氷洗浄を採用してもよい。
【００５２】
本発明によるときは、エッチング処理を中心としてそれと連続する洗浄および乾燥処理または改質処理を同一の装置１０内で同様の技術的有利性を利用しながら一体化して行うことができる。なお、本発明によれば、エッチング処理、洗浄処理および乾燥処理のいずれか任意の処理のみを実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施例１の回路基板の製造装置を示す概略図である。
【図２】同装置の上面の一部を示す平面図である。
【図３】（ａ）は各種薬液、洗浄液、窒素ガス等の流動経路を示す断面概略図、（ｂ）は（ａ）のノズルの拡大断面図である。
【図４】同装置の昇降機構を作動したときの状況を示す概略図である。
【図５】同装置の外側タンク内の下面を示す平面図である。
【図６】同装置の流体噴射機構と紫外線照射ランプの動作状態の説明図である。
【図７】同装置の流体噴射機構と紫外線照射ランプの動作状態の説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０  回路基板の製造装置
１１  外枠
１２  ロータ
１４  中空回転軸
１６  中空回転軸の軸心
１８  動力機構
１９  ベルト
２０  半導体ウェハー
２２  ウェハー保持部
２４  流体噴射機構
２５  管体
２６  ノズル
２８  通路
３０  紫外線照射ランプ
３２  内側タンク
３３  空間
３４  内側タンクの上部
３５  内側タンクの下面
３６  ガイドピン
３８  流体抜き隙間
４０  外側タンク
４１  外側タンクの下面
４２  外側タンクの上部
４４  保持枠
４６  連結部材
４８  連結部材
５０  タンク持上げ用シリンダ
５２  パッキング
５４  真空チャック
５５  ストッパ
５６  昇降機構
５８  真空ポンプ
６０  動力機構
６２  切替用中空回転軸
６３  動力機構
６４  切替用中空回転軸の軸心
６５  ベルト
６６Ａ、６６Ｂ  液導通管
６８Ａ、６８Ｂ  ガス導通管
７０Ａ、７０Ｂ  配線
７２  ロータリーカプラ
７４  覆い
８４  ドレン抜き孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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