(57)【要約】【課題】電極パッドと突起電極との間の密着性を十分確保することができ、しかも総厚みを薄くできる実装構造体を提供することを目的とする。【解決手段】半導体チップ本体４ａと半導体チップ本体４ｂを加熱して熱硬化性樹脂３ａ，３ｂを熱硬化させながら回路基板１０に押し付けて、回路基板１０の電極パッド２ａに半導体チップ本体４ａに設けられた突起電極８ａが当接し、回路基板１０に形成された電極パッド２ｂに半導体チップ本体４ｂに設けられた突起電極８ｂが当接し、それとともに半導体チップ本体４ａに設けられた突起電極８ａを、電極パッド２ａと回路基板１０と硬化途中または硬化した熱硬化性樹脂３ｂを介して半導体チップ本体４ｂに当接して圧縮し塑性変形させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板を挟んで第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体を対向させて配置し、
前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、
前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接するとともに、
回路基板と第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体の間に熱硬化性樹脂が介装された実装構造体であって、
第１の半導体チップ本体には、
第２の半導体チップ本体の第２の突起電極と前記回路基板の第２の電極パッドとの当接位置に対応する第１の特定位置を外して第１の突起電極を配置し、
前記回路基板の第２面で第１の電極パッドの配設位置に対応する部分が第２の半導体チップ本体に直接または熱硬化性樹脂を介して当接して第１の突起電極が塑性変形している
実装構造体。
【請求項２】
第２の半導体チップ本体には、第１の半導体チップ本体の第１の突起電極と前記回路基板の第１の電極パッドとの当接位置に対応する第２の特定位置を外して第２の突起電極を配置し、
前記回路基板の第１面で第２の電極パッドの配設位置に対応する部分が第１の半導体チップ本体に直接または熱硬化性樹脂を介して当接して第２の突起電極が塑性変形している
請求項１記載の実装構造体。
【請求項３】
第１の半導体チップ本体には、第１の特定位置と第１の突起電極を交互に配置し、
第２の半導体チップ本体には、第２の特定位置と第２の突起電極を交互に配置した
請求項２記載の実装構造体。
【請求項４】
第１の突起電極が第１の半導体チップ本体の端部に配置され、
第２の突起電極が第２の半導体チップ本体の第１の半導体チップの前記端部とは反対側の端部に配置され、
前記回路基板の第１面で第２の電極パッドの配設位置に対応する部分が第１の半導体チップ本体に直接または熱硬化性樹脂を介して当接し
て第２の突起電極が塑性変形している
請求項１記載の実装構造体。
【請求項５】
第１の半導体チップ本体に形成された第１の突起電極が回路基板を挟んで対向する第２の半導体チップ本体の投影面外に配置され、かつ、前記第２の半導体チップ本体に形成された第２の突起電極が前記第１の半導体チップ本体の投影面外に配置され、
前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、
前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接し、
第１の半導体チップ本体と前記回路基板の第１面との間に熱硬化性樹脂が介装され、
第２の半導体チップ本体と前記回路基板の第２面との間に熱硬化性樹脂が介装され、
第１，第２の突起電極が塑性変形している
実装構造体。
【請求項６】
回路基板が有機樹脂シートであり、厚みが１００μｍ以下である
請求項１〜請求項５の何れかに記載の実装構造体。
【請求項７】
回路基板を挟んで第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体を対向させて配置し、
前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、
前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接した実装構造体を製造するに際し、
第１の半導体チップ本体には、第２の半導体チップ本体の第２の突起電極と前記回路基板の第２の電極パッドとの当接位置に対応する第１の特定位置を外して第１の突起電極を配置し、
第１の半導体チップ本体と前記回路基板の第１面との間ならびに２の半導体チップ本体と前記回路基板の第２面との間に熱硬化性樹脂を介装し、
第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体を加熱して前記熱硬化性樹脂を熱硬化させながら前記回路基板に押し付けて、前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接し、それとともに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極を、第１の電極パッドと前記回路基板と硬化途中または硬化した前記熱硬化性樹脂を介して第２の半導体チップ本体に当接して圧縮し塑性変形させる
実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の両面のそれぞれに半導体チップが実装された実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体プロセスの微細化技術の進展に伴い、メモリ素子の高容量化が進んでいる。
そのような背景のもと、記録媒体として従来から使われている磁気記録媒体や光記録媒体に代わって、フラッシュメモリのような固体メモリが使われだしている。固体メモリの応用例として、ＩＣカードやデジタルカメラなどのメモリカードがあり、さらにはセキュリティ機能を持ったメモリカードなどが広まっている。このようなメモリカードは音楽情報や映像情報などを記録するために今後益々大容量化が要望されている。
【０００３】
メモリの大容量化を実現する有効な方法の一つに複数（例えば、２枚）の半導体チップを立体的に重ね合わせて一つのメモリカードとする方法がある。この場合、メモリカードの薄型化を損なうことなく複数の半導体チップを立体的に接続するための三次元実装や両面ベアチップ実装技術が用いられる。このような実装技術により構成された実装構造体の一例は特許文献１などに記載されている。
【０００４】
図５（ｃ）は完成した実装構造体２００を示し、図５（ａ）（ｂ）はその製造過程を示している。
実装構造体２００は、回路基板１０の第１面ＵＳに第１の半導体チップ本体４ａが実装され、回路基板１０の第２面ＬＳに第２の半導体チップ本体４ｂが実装されている。
【０００５】
回路基板１０は図５（ａ）に示すように、第１の電極パッド２ａ１〜２ａ４が第１面ＵＳに設けられており、第２面ＬＳには第２の電極パッド２ｂ１〜２ｂ４が設けられている。第１，第２の電極パッド２ａ１〜２ａ４，２ｂ１〜２ｂ４の上には、熱硬化性樹脂３ａ，３ｂが盛られている。
【０００６】
製造工程は、図５（ａ）に示すように回路基板１０を挟んでこの回路基板１０の第１，第２の電極パッド２ａ１〜２ａ４，２ｂ１〜２ｂ４に対して第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを配置し、次に図５（ｂ）に示すよう加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによって第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを回路基板１０に押し付ける。
【０００７】
これによって、第１の半導体チップ本体４ａに設けられた第１の突起電極８ａ１〜８ａ４が回路基板１０の第１の電極パッド２ａ１〜２ａ４に当接し、第２の半導体チップ本体４ｂに設けられた第２の突起電極８ｂ１〜８ｂ４が回路基板１０の第２の電極パッド２ｂ１〜２ｂ４に当接する。
【０００８】
この状態でさらに第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを回路基板１０に押し付けると、第１の半導体チップ本体４ａの第１の突起電極８ａ１〜８ａ４と第２の半導体チップ本体４ｂの第２の突起電極８ｂ１〜８ｂ４とが回路基板１０を介して向かい合って当接しているため、加圧加熱工程の前後において、第１，第２の突起電極８ａ１〜８ａ４，８ｂ１〜８ｂ４の高さは、図５（ａ）に示すＨａから塑性変形して図５（ｃ）に示すＨｂに低くなる。この状態で熱硬化性樹脂３ａ，３ｂが硬化して、図５（ｃ）に示す実装構造体２００が完成し、回路基板１０を介して第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂに対してデータの書き込み，読み出しが実行されている。
【０００９】
図６（ａ）は別の従来例を示す。
これは第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂの対向する位置に突起電極が形成されない場合であって、図５では第１の半導体チップ本体４ａに設けられた第１の突起電極８ａ２に対向して設けられていた第２の突起電極８ｂ２が第２の半導体チップ本体４ｂに欠落しており、第２の半導体チップ本体４ｂに設けられた第２の突起電極８ｂ３に対向して設けられていた第１の突起電極８ａ３が第１の半導体チップ本体４ａに欠落している。
【００１０】
このような場合、第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを回路基板１０に押付けながら加熱する工程において、第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３とその他の突起電極で高さに差が生じる。
【００１１】
すなわち、対向する位置に突起電極が形成されている第１，第２の突起電極８ａ１，８ａ４，８ｂ１，８ｂ４は、相互に押圧されることによって塑性変形して高さがＨｂになる。これに対し、対向する位置に突起電極が形成されていない第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３は、塑性変形せずにほぼ当初の高さＨａを維持する。このように、突起電極の高さＨａとＨｂの差ΔＨを原因として回路基板１０が第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３によって押され、第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３と接する第１，第２の電極パッド２ａ２，２ｂ３は大きく撓む。このとき、電極パッドが突起電極の先端で突かれて過度に変形して第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３が第１，第２の電極パッド２ａ２，２ｂ３に部分的に食い込むと共に、第１，第２の電極パッド２ａ２，２ｂ３と第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３との間の密着性を十分確保できなくなる。
【００１２】
そこで、この問題の解決を図るために特許文献２では、設計等の理由により図６（ａ）に示したように第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂの互いに対向する位置に突起電極が形成されない場合には、図６（ｂ）に示すように第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂにダミー突起電極８ｃ３，８ｄ２を形成して、第１，第２の突起電極８ａ２，８ｂ３もその他の突起電極と同様に塑性変形させて、加圧負荷の相殺により回路基板１０の第１，第２の電極パッド２ａ２，２ｂ３が大きく撓んで変形することを防止している。
【特許文献１】特開２００３−１９７８５３号公報
【特許文献２】ＷＯ２００６／０７０８６３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図６（ｂ）に示した実装構造体では、第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂの互いに対向する位置に突起電極が形成されない場合であってもダミー突起電極８ｃ３，８ｄ２を形成することによって、安定した電気的接続を確保できるが、更なるメモリの高容量化を実現するためには、実装構造体の総厚みを薄くしなければならない。
【００１４】
本発明はこのような従来の問題点を鑑みてなされたもので、第１，第２の電極パッド２ａ２，２ｂ３と第１の突起電極８ａ２，８ｂ３との間の密着性を十分確保することができ、しかも従来よりも実装構造体の総厚みを薄くできる実装構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１記載の実装構造体は、回路基板を挟んで第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体を対向させて配置し、前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接するとともに、回路基板と第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体の間に熱硬化性樹脂が介装された実装構造体であって、第１の半導体チップ本体には、第２の半導体チップ本体の第２の突起電極と前記回路基板の第２の電極パッドとの当接位置に対応する第１の特定位置を外して第１の突起電極を配置し、前記回路基板の第２面で第１の電極パッドの配設位置に対応する部分が第２の半導体チップ本体に直接または熱硬化性樹脂を介して当接して第１の突起電極が塑性変形していることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項２記載の実装構造体は、請求項１において、第２の半導体チップ本体には、第１の半導体チップ本体の第１の突起電極と前記回路基板の第１の電極パッドとの当接位置に対応する第２の特定位置を外して第２の突起電極を配置し、前記回路基板の第１面で第２の電極パッドの配設位置に対応する部分が第１の半導体チップ本体に直接または熱硬化性樹脂を介して当接して第２の突起電極が塑性変形していることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項３記載の実装構造体は、請求項２において、第１の半導体チップ本体には、第１の特定位置と第１の突起電極を交互に配置し、第２の半導体チップ本体には、第２の特定位置と第２の突起電極を交互に配置したことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項４記載の実装構造体は、請求項１において、第１の突起電極が第１の半導体チップ本体の端部に配置され、第２の突起電極が第２の半導体チップ本体の第１の半導体チップの前記端部とは反対側の端部に配置され、前記回路基板の第１面で第２の電極パッドの配設位置に対応する部分が第１の半導体チップ本体に直接または熱硬化性樹脂を介して当接して第２の突起電極が塑性変形していることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項５記載の実装構造体は、第１の半導体チップ本体に形成された第１の突起電極が回路基板を挟んで対向する第２の半導体チップ本体の投影面外に配置され、かつ、前記第２の半導体チップ本体に形成された第２の突起電極が前記第１の半導体チップ本体の投影面外に配置され、前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接し、第１の半導体チップ本体と前記回路基板の第１面との間に熱硬化性樹脂が介装され、第２の半導体チップ本体と前記回路基板の第２面との間に熱硬化性樹脂が介装され、第１，第２の突起電極が塑性変形していることを特徴とする。
【００２０】
本発明の請求項６記載の実装構造体は、請求項１〜請求項５の何れかにおいて、回路基板が有機樹脂シートであり、厚みが１００μｍ以下であることを特徴とする。
本発明の請求項７記載の実装構造体の製造方法は、回路基板を挟んで第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体を対向させて配置し、前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接した実装構造体を製造するに際し、第１の半導体チップ本体には、第２の半導体チップ本体の第２の突起電極と前記回路基板の第２の電極パッドとの当接位置に対応する第１の特定位置を外して第１の突起電極を配置し、第１の半導体チップ本体と前記回路基板の第１面との間ならびに２の半導体チップ本体と前記回路基板の第２面との間に熱硬化性樹脂を介装し、第１の半導体チップ本体と第２の半導体チップ本体を加熱して前記熱硬化性樹脂を熱硬化させながら前記回路基板に押し付けて、前記回路基板の第１面に形成された第１の電極パッドに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が当接し、前記回路基板の第２面に形成された第２の電極パッドに第２の半導体チップ本体に設けられた第２の突起電極が当接し、それとともに第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極を、第１の電極パッドと前記回路基板と硬化途中または硬化した前記熱硬化性樹脂を介して第２の半導体チップ本体に当接して圧縮し塑性変形させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
この構成によると、回路基板の第１の電極パッドと前記回路基板と硬化途中または硬化した前記熱硬化性樹脂を介して、第１の半導体チップ本体に設けられた第１の突起電極が第２の半導体チップ本体に当接して圧縮し塑性変形させるので、第１の電極パッドと第１の突起電極との間の密着性を十分確保することができ、しかも実装構造体の総厚みを薄くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実装構造体の製造方法を具体的な各実施の形態に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１（ｃ）は完成した実装構造体２００を示し、図１（ａ）（ｂ）はその製造過程を示している。
【００２３】
実装構造体２００は、回路基板１０の第１面ＵＳに第１の半導体チップ本体４ａが実装され、回路基板１０の第２面ＬＳに第２の半導体チップ本体４ｂが実装されている。
回路基板１０は図１（ａ）に示すように、第１の電極パッド２ａ２，２ａ４が第１面ＵＳに設けられており、第２面ＬＳには第２の電極パッド２ｂ１，２ｂ３が設けられている。回路基板１０における第１の電極パッド２ａ２は、第２面ＬＳに設けられた第２の電極パッド２ｂ１，２ｂ３の中間で、反対側の第１面ＵＳに形成されている。回路基板１０における第２の電極パッド２ｂ３は、第１面ＵＳに設けられた第１の電極パッド２ａ２，２ａ４の中間で、反対側の第２面ＬＳに形成されている。第１の電極パッド２ａ２，２ａ４の上には熱硬化性樹脂３ａが盛られている。第２の電極パッド２ｂ１，２ｂ３の上には、熱硬化性樹脂３ｂが盛られている。
【００２４】
第１の半導体チップ本体４ａには、回路基板１０の第１の電極パッド２ａ２，２ａ４の間隔で第１の突起電極８ａ２，８ａ４が設けられており、第２の半導体チップ本体４ｂには、回路基板１０の第２の電極パッド２ｂ１，２ｂ３の間隔で第２の突起電極８ｂ１，８ｂ３が設けられている。
【００２５】
つまり、第１の突起電極８ａ２，８ａ４を、第２の突起電極８ｂ１と第２の電極パッド２ｂ１との当接位置、ならびに第２の突起電極８ｂ３と第２の電極パッド２ｂ３との当接位置、に対応する第１の特定位置Ｐ１を外して配置されている。
【００２６】
同様に、第２の突起電極８ｂ１，８ｂ３を、第１の突起電極８ａ２と第１の電極パッド２ａ２との当接位置、ならびに第１の突起電極８ａ３と第２の電極パッド２ｂ３との当接位置、に対応する第２の特定位置Ｐ２を外して配置されている。
【００２７】
次に図１（ｂ）に示すよう加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによって加熱しながら第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを回路基板１０に押し付ける。
これによって、第１の半導体チップ本体４ａに設けられた第１の突起電極８ａ２，８ａ４が回路基板１０の第１の電極パッド２ａ２，２ａ４に当接し、第２の半導体チップ本体４ｂに設けられた第２の突起電極８ｂ１，８ｂ３が回路基板１０の第２の電極パッド２ｂ１，２ｂ３に当接する。この時点では熱硬化性樹脂３ａ，３ｂがまだ柔らかいため、第１，第２の突起電極８ａ２，８ａ４，８ｂ１，８ｂ３の高さは、図１（ａ）と同じＨａである。
【００２８】
加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによる加熱と第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂの回路基板１０への押し付けが進むと、熱硬化性樹脂３ａ，３ｂが硬化を始める。これによって、第２の半導体チップ本体４ｂの第２の突起電極８ｂ１は、第２の電極パッド２ｂ１と回路基板１０と硬化を始めた熱硬化性樹脂３ａを介して第１の半導体チップ本体４ａに当接して支持されて圧縮され塑性変形を開始する。第２の半導体チップ本体４ｂの第２の突起電極８ｂ３は、第２の電極パッド２ｂ３と回路基板１０と硬化を始めた熱硬化性樹脂３ａを介して第１の半導体チップ本体４ａに当接して支持されて圧縮され塑性変形を開始する。
【００２９】
同様に、第１の半導体チップ本体４ａの第１の突起電極８ａ２は、第１の電極パッド２ａ２と回路基板１０と硬化を始めた熱硬化性樹脂３ｂを介して第２の半導体チップ本体４ｂに当接して支持されて圧縮され塑性変形を開始する。第１の半導体チップ本体４ａの第１の突起電極８ａ４は、第１の電極パッド２ａ４と、回路基板１０と、硬化を始めた熱硬化性樹脂３ｂとを介して、第２の半導体チップ本体４ｂに当接して支持されて圧縮され塑性変形を開始する。
【００３０】
このようにして第１の突起電極８ａ２，２ａ４，２ｂ１，２ｂ３は図１（ｃ）に示すように図１（ａ）に示したＨａよりも低いＨｂになって、第２の半導体チップ本体４ｂの第２の突起電極８ｂ１，８ｂ３は、硬化した熱硬化性樹脂３ａを介して第１の半導体チップ本体４ａに当接し、第１の半導体チップ本体４ａの第１の突起電極８ａ２，８ａ４は、硬化した熱硬化性樹脂３ｂを介して第２の半導体チップ本体４ｂに当接して、突起電極と電極パッドとの電気的に良好な接触状態が得られるとともに、従来のようにダミー突起電極を設けなくても全ての突起電極の高さがＨａよりも低いＨｂに塑性変形しているため、実装構造体の総厚みを薄くできる。
【００３１】
なお、図１（ｃ）に示した仕上がり状態では、硬化した熱硬化性樹脂３ａ，３ｂが回路基板１０と第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂの間に介在していたが、熱硬化性樹脂３ａ，３ｂの成分調製、加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによる加熱のプロファイル、加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによる第１，第２の半導体チップ４ａ，４ｂの回路基板１０への押し付けのプロファイルの少なくとも何れかのコントロールによって、図２に示すように仕上がり状態において回路基板１０と第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂの間に介在する硬化した熱硬化性樹脂３ａ，３ｂの層厚をより薄くすることができ、回路基板１０を直接に第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂに当接させることもでき、実装構造体の総厚みをより薄くできる。
【００３２】
なお、図１，図２の何れの場合も、第１の突起電極８ａ２，２ａ４，２ｂ１，２ｂ３は、硬化途中または硬化した熱硬化性樹脂３ａ，３ｂを介して第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂに当接して塑性変形しているので、第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂに作用する力が分散され、組立時に第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを破損から保護できる。
【００３３】
（実施の形態２）
図３（ａ）（ｂ）は完成した実装構造体２００を示す。
図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図で、熱硬化性樹脂は図示されていない。
【００３４】
第１の突起電極８ａ１，８ａ２，８ａ３，８ａ４が第１の半導体チップ本体４ａの端部に沿って設けられ、第２の突起電極８ｂ１，８ｂ２，８ｂ３，８ｂ４が第２の半導体チップ本体４ｂの第１の半導体チップ４ａの前記端部とは反対側の端部に沿って設けられている。回路基板１０の第２面ＬＳで第１の電極パッド２ａ１，２ａ２，２ａ３，２ａ４の配設位置に対応する部分は、第２の半導体チップ本体４ｂに直接または熱硬化性樹脂３ｂを介して当接して第１の突起電極８ａ１，８ａ２，８ａ３，８ａ４が塑性変形している。同様に、回路基板１０の第１面ＵＳで第２の電極パッド２ｂ１，２ｂ２，２ｂ３，２ｂ４の配設位置に対応する部分は、第１の半導体チップ本体４ａに直接または熱硬化性樹脂３ａを介して当接して第２の突起電極８ｂ１，８ｂ２，８ｂ３，８ｂ４が塑性変形している。
【００３５】
製造工程は図１の場合と同じで、加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによって加熱しながら第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを回路基板１０に押し付け、第１の突起電極８ａ１〜８ａ４，８ｂ１〜８ｂ４は、硬化途中または硬化した熱硬化性樹脂３ａ，３ｂを介して第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂに当接して塑性変形させる。
【００３６】
（実施の形態３）
図４（ｂ）は完成した実装構造体２００を示す。
第１の突起電極８ａ１，８ａ２，８ａ３，８ａ４が第１の半導体チップ本体４ａの端部に沿って設けられ、第２の突起電極８ｂ１，８ｂ２，８ｂ３，８ｂ４が第２の半導体チップ本体４ｂの第１の半導体チップ４ａの前記端部とは反対側の端部に沿って設けられている点は、図３に示した実施の形態２と同じであるが、第１の半導体チップ本体４ａに形成された第１の突起電極８ａ１〜８ａ４が、回路基板１０を挟んで対向する第２の半導体チップ本体４ｂの投影面外に配置され、かつ、第２の半導体チップ本体４ｂに形成された第２の突起電極８ｂ１〜８ｂ４が第１の半導体チップ本体４ａの投影面外に配置されている点が異なっている。
【００３７】
製造工程は、図４（ａ）に示すように加圧加熱ヘッド２０ａ，２０ｂによって加熱しながら第１，第２の半導体チップ本体４ａ，４ｂを回路基板１０に押し付け、熱硬化性樹脂３ａの硬化させる過程で第１の突起電極８ａ１〜８ａ４は、第１の電極パッド２ａ１〜２ａ４と回路基板１０を介して加圧加熱ヘッド２０ｂに当接して当接して塑性変形し、最終的に熱硬化性樹脂３ａが硬化する。また、熱硬化性樹脂３ｂの硬化させる過程で第２の突起電極８ｂ１〜８ｂ４は、第２の電極パッド２ｂ１〜２ｂ４と回路基板１０を介して加圧加熱ヘッド２０ａに当接して塑性変形し、最終的に熱硬化性樹脂３ｂが硬化する。
【００３８】
上記の各実施の形態において、回路基板１０のベースプレートはポリイミド樹脂などの有機樹脂シート材料から成り、厚みが１００μｍ以下、好ましくは数十μｍ以下の厚みを有するものを使用している。突起電極の具体例は、材質がＡｕ、直径が約８０μｍ、高さＨａ＝約６０μｍ、高さＨｂ＝約３５μｍである。
【００３９】
上記の各実施の形態において、突起電極が一列のみ配列された例が示されているが、半導体チップ本体の辺に沿って千鳥配列のように複数列に突起電極が配列されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、回路基板の両面にベアＩＣを実装して構成される各種の半導体装置の信頼性の向上に寄与できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態１の実装構造体の製造方法の工程を示す断面図
【図２】同実施の形態の仕上がり状態の別の断面図
【図３】本発明の実施の形態２の実装構造体の断面図と要部の断面図
【図４】本発明の実施の形態３の実装構造体の製造方法の工程を示す断面図
【図５】従来の実装構造体の製造方法の工程を示す断面図
【図６】別の従来例の断面図
【符号の説明】
【００４２】
２００    実装構造体
２ａ２，２ａ４    第１の電極パッド
２ｂ１，２ｂ３    第２の電極パッド
３ａ    熱硬化性樹脂
３ｂ    熱硬化性樹脂
４ａ    第１の半導体チップ本体
４ｂ    第２の半導体チップ本体
８ａ２，８ａ４    第１の突起電極
８ｂ１，８ｂ３    第２の突起電極
１０    回路基板
２０ａ，２０ｂ    加圧加熱ヘッド
ＵＳ    第１面
ＬＳ    第２面
Ｐ１    第１の特定位置
Ｐ２    第２の特定位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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