(57)【要約】    【課題】  反応管とアダプタを有する基板処理装置に於いて、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減する。    【解決手段】  反応室７がフランジ状のアダプタ１５と該アダプタに立設される反応管２とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝４２を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面１５ｃが機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成され、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する。    【選択図】          図２
2009016532.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理等の熱処理をして半導体装置を製造する基板処理装置及び該基板処理装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置の１つとして、縦型熱処理炉を具備し、該縦型熱処理炉の処理室に所定数の基板を水平姿勢で多段に収納して、基板に薄膜の生成、アニール処理する等の基板処理するバッチ式の基板処理装置があり、該基板処理装置では前記基板は基板保持具（ボート）に保持され、該ボートは昇降装置（ボートエレベータ）によって処理炉下端の炉口部より前記処理室に装脱される。又、ボートの装入状態では、前記炉口部はボートエレベータに載置される蓋体(シールキャップ)により気密に閉塞され、ボート引出し時には前記炉口部はゲートバルブによって気密に閉塞される様になっている。
【０００３】
従来の縦型熱処理炉について、図７により概略を説明する。
【０００４】
熱処理炉１は石英製の反応管２、該反応管２を収納し、該反応管２と同心に設けられた均熱管３、該均熱管３を収納する様に設けられた加熱装置４を具備し、前記反応管２の上端にガス供給口５が連通し、前記反応管２の下端部にはガス排気口６が連通している。
【０００５】
前記反応管２は処理室７を画成し、該処理室７にはボート８に保持された基板（ウェーハ）９が収納される。前記ボート８はシールキャップ１０に載置される様になっており、該シールキャップ１０は前記ボート８が前記処理室７に収納された状態で、前記反応管２の下端開口（炉口部）１１を気密に閉塞する。尚、図７中、１３は前記ボート８の一部として、或は該ボート８とは分離して設けられる断熱部である。
【０００６】
前記ボート８が前記処理室７に収納され、前記加熱装置４により前記処理室７が処理温度に加熱され、前記ガス供給口５から処理ガスが導入され、前記ガス排気口６から前記処理室７が処理圧に維持される様排気される。
【０００７】
前記反応管２と前記シールキャップ１０との間にはＯリング１２が設けられ、外気の浸入がない様に、又前記処理室７のガスが外部に漏出しない様に、シールされている。
【０００８】
反応管として石英が用いられる熱処理炉は、石英の耐熱温度との関連で処理温度が１２００℃以下となっており、石英の熱伝導率が小さい等より、Ｏリングの使用が可能となっている。
【０００９】
これに対し、１３００℃以上の高温で熱処理が行われる熱処理炉では、耐熱性の問題から反応管の材質にはＳｉＣが用いられる。ＳｉＣを用いた場合複雑な加工が困難であり、反応管に直接、処理ガス供給管を接続したり、排気管を接続したりすることが困難である。
【００１０】
この為、ガスの給排を行う為、処理ガス供給管を接続し、又、排気管を接続する為の石英製のアダプタが用いられる。
【００１１】
高温処理を行う基板処理装置の熱処理炉１について図８により概略を説明する。尚、図８に示される熱処理炉１では、前記均熱管３が省略されている。
【００１２】
図８中、図７中で示したものと同等のものには同符号を付しその説明を省略する。
【００１３】
ＳｉＣ製の反応管２の下端には円筒形状をした石英製のアダプタ１５が連設され、該アダプタ１５の下端開口部が炉口部１１を構成する。前記アダプタ１５にガス供給口５が接続され、又該ガス供給口５に接続されたガスノズル１６が設けられる。又ガス排気口６が前記アダプタ１５に接続される。
【００１４】
前記炉口部１１が前記アダプタ１５によって構成され、前記炉口部１１がシールキャップ１０で閉塞される。前記アダプタ１５は石英製であり、伝熱性が悪いので、前記シールキャップ１０のシールにＯリング１２の使用が可能となる。
【００１５】
一方で、前記反応管２と前記アダプタ１５との間に、接合部が構成され、該接合部もシールされなければならないが、前記反応管２はＳｉＣ製であるので、熱伝導性がよく高温となるので、Ｏリングを使用することはできない。
【００１６】
従って、前記接合部にはリング状の溝又はリング状の室１７が形成され、該室１７にシールガス供給管１８を連通し、該シールガス供給管１８より前記室１７に不活性ガスを供給し、該室１７を反応室、反応室外よりも圧力を高く（正圧）して、前記処理室７からのガス漏れ、該処理室７への外部ガスの浸入を防止している。
【００１７】
前記室１７の圧力を正圧とすると、前記アダプタ１５と前記反応管２との境界からのリークは避けられないが、リーク量は接合部の面精度に影響される。
【００１８】
基本的に石英製品については加工時の微細なクラック、残留応力を除去する為に、表層を溶かす焼仕上げが行われる。ところが、焼仕上げをすることで、表面粗さは減少するが、平面度自体は低下する。この為、リーク量が多くなることは避けられなかった。
【００１９】
リーク量が多くなると、反応室で局所的に流れるシールガスが処理室７の圧力バランス、ガスの流れに悪影響を及ぼし、ウェーハの成膜の均一性を悪化させる。これは、ゲート酸化膜等について、薄膜化が進むにつれて顕著な問題となっている。
【００２０】
更に、基板処理がアニール処理であった場合、前記処理室７の圧力は排気側のＡＰＣ弁（自動排気制御弁）により制御しているので、リークガスが混入すると、正しい制御でなくなり、前記処理室７の圧力制御が困難になる。
【００２１】
更に、シールガスのリーク量が増大すると、シールガスの使用流量が増大し、ランニングコストが増大するという問題も生じる。
【００２２】
尚、反応管２とアダプタ１５の接合部にシールガスを供給してシールすることについては、特許文献１に示されている。
【００２３】
【特許文献１】特開２００５−２０９８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は斯かる実情に鑑み、反応管とアダプタの境界部をシールガスでシールする場合に、リーク量を減少させ、基板の処理品質を向上させると共にランニングコストを低減しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明は、反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されている基板処理装置に係るものである。
【００２６】
又本発明は、前記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されているので、又、前記基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、前記シール溝にシールガスを供給しつつ、前記反応室内で基板を処理する工程を有するので、前記アダプタの境界部を形成する面の面精度が高くシールガスのリーク量が減少し、基板の処理品質が安定し、又シールガスの消費量が減少してランニングコストの低減が図れる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２９】
先ず、本発明が実施される基板処理装置について、図１、図２を参照して説明する。又、図１、図２中、図８中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００３０】
図示される基板処理装置２１は、バッチ式縦型基板処理装置であり、主要部が配置される筺体２２を有する。該筺体２２の正面側には、ポッドステージ２３が接続されており、該ポッドステージ２３に基板搬送容器であるポッド２４が搬送される。該ポッド２４には、例えば２５枚の被処理基板としてのウェーハ９が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態で前記ポッドステージ２３にセットされる。
【００３１】
前記筺体２２内の正面側であって、前記ポッドステージ２３に対向する位置に、ポッド搬送装置２５が配置されている。該ポッド搬送装置２５の近傍には、ポッド棚２６、ポッドオープナ２７及び基板枚数検知器２８が配置されている。前記ポッド棚２６は前記ポッドオープナ２７の上方に配置され、前記基板枚数検知器２８は前記ポッドオープナ２７に隣接して配置される。前記ポッド搬送装置２５は、前記ポッドステージ２３と前記ポッド棚２６と前記ポッドオープナ２７との間でポッド２４を搬送する。前記ポッドオープナ２７は、ポッド２４の蓋を開けるものであり、蓋が開けられたポッド２４内のウェーハの枚数が前記基板枚数検知器２８により検知される。
【００３２】
更に、前記筺体２２内には、基板移載機３０、ノッチアライナ３１及びボート８が配置されている。前記基板移載機３０は、例えば５枚のウェーハを取出すことができるアーム（ツイーザ）３３を有し、該アーム３３を進退、回転、昇降することにより、前記ポッドオープナ２７の位置に置かれたポッド２４、前記ノッチアライナ３１及び前記ボート８間でウェーハを搬送する。前記ノッチアライナ３１は、ウェーハ９に形成されたノッチ又はオリエンテーションフラットを検出してウェーハのノッチ又はオリエンテーションフラットを一定の位置に揃えるものである。
【００３３】
更に、前記筺体２２内の背面側上部には熱処理炉１が配置されている。該熱処理炉１内に、複数枚のウェーハ９を装填したボート８が装入され熱処理が行われる。
【００３４】
図２に熱処理炉１の一例を示す。該熱処理炉１は、炭化珪素（ＳｉＣ）製の反応管２を有する。該反応管２は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、開放された下端部にはフランジが形成されている。該反応管２の下方には該反応管２を支持する様石英製のアダプタ１５が配置される。
【００３５】
該アダプタ１５は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、開放された上端部と下端部にはそれぞれフランジ部１５ａ，１５ｂが形成されている。前記フランジ部１５ａの上面に前記反応管２のフランジ部２ａの下面が当接している。前記反応管２と前記アダプタ１５により反応容器３４が構成され、該反応容器３４は処理室７を画成する。前記反応容器３４のアダプタ１５を除いた周囲には、加熱装置としてヒータ３５が配置されている。
【００３６】
前記反応容器３４の下部は、炉口部１１を構成し、該炉口部１１は炉口蓋であるシールキャップ１０がＯリングを挾んで気密に閉塞される。前記シールキャップ１０には前記ボート８が載置され、前記シールキャップ１０は前記ボート８と共に昇降手段（ボートエレベータ）（図示せず）により昇降可能となっている。前記シールキャップ１０と前記ボート８との間は、断熱部３６となっており、前記炉口部１１からの放熱を抑制している。
【００３７】
前記ボート８はウェーハ保持部を有し、該ウェーハ保持部には、多数枚、例えば２５〜１００枚のウェーハ９が略水平状態で隙間を持って多段に保持される。前記ボート８は、図示しない昇降装置（ボートエレベータ）によって前記反応管２内（処理室７）に装脱される。
【００３８】
前記アダプタ１５には、該アダプタ１５と一体にガス供給口５とガス排気口６とが設けられている。前記ガス供給口５にはガス導入管３７が、前記ガス排気口６には排気管３８がそれぞれ接続されている。
【００３９】
前記アダプタ１５の内壁は前記反応管２の内壁よりも内側にあり（突出しており）、前記アダプタ１５の側壁部（肉厚部）には、前記ガス供給口５と連通し、垂直方向に向かうガス導入経路３９が設けられ、該ガス導入経路３９は、前記反応管２の内部であり、前記アダプタ１５の上面に開口している。前記ガス導入経路３９の上端にガスノズル１６が挿入され固定されている。該ガスノズル１６は、前記反応管２の内壁に沿ってウェーハ配列領域の上端よりも上方、即ち前記ボート８の上端よりも上方迄延びる様に構成される。
【００４０】
前記ガスノズル１６は、前記アダプタ１５の上面の前記処理室７に臨接する部分に接続され、前記アダプタ１５の上面により前記ガスノズル１６が支持されることとなる。斯かる構成により、ノズル接続部は熱で変形し難く、又破損し難い。又、前記ガスノズル１６と前記アダプタ１５の組立て、解体が容易になるという利点もある。
【００４１】
前記反応管２のフランジ部２ａ下面と前記アダプタ１５の上面によって境界部が形成される。
【００４２】
前記アダプタ１５の上面で、前記反応管２の下端に形成されたフランジ部２ａの下面に接合する部分には環状の溝４２が形成され、該溝４２にはシールガス供給管１８が連通し、該シールガス供給管１８より前記溝４２にシールガスを供給する様になっている。好ましくは、このシールガスの供給により、前記溝４２内を前記反応容器３４外より加圧状態にすると、反応容器３４内外間のシール性が向上する。更に好ましくは、シールガスの供給により、前記溝４２内を前記反応容器３４内外より加圧状態にするとより一層反応容器内外間のシール性が向上する。好ましくは、シールガスとして、後述する処理ガスと同じガスを用いるか、若しくは不活性ガスを用いる。
【００４３】
尚、前記シールガス供給管１８は複数箇所に設けてもよく、更に前記溝４２には排気管（図示せず）を連通させて押出し排気してもよいし、前記排気管から、シールガスを吸引して排気してもよい。又、シール性を向上させる為には、前記溝４２には、シールガスを供給する方が好ましいが、シールガスを供給せず、前記溝４２を吸収するのみでもよいし、前記溝４２を処理室外に自然開放する様にしてもよい。
【００４４】
前記アダプタ１５は、上面、少なくとも前記フランジ部２ａと接合する接合面１５ｃは機械加工した状態とし、該接合面１５ｃを除く他の部分を表面処理する。表面処理としては、機械加工時の微細なクラック、残留応力を除去する為の焼仕上げが行われる。或は、残留応力除去の為の熱処理がなされている。
【００４５】
前記接合面１５ｃを機械加工のままとすることで、平面度は０．０２ｍｍ程度に維持される。尚、焼仕上げとした場合には平面度は０．１ｍｍ程度に低下する。又、前記アダプタ１５について、前記接合面１５ｃ以外を焼仕上げとすることで、特に前記処理室７に臨接する面を焼仕上げすることで、鏡面状態となり、微細なクラック、或は加工時に発生した微粉が除去される。このことで、反応生成物等のパーティクルの原因となる物質の付着が防止され、パーティクルの発生が抑制できる。
【００４６】
前記接合面１５ｃについて、前記アダプタ１５全体を焼仕上げした後、前記接合面１５ｃ部分を機械加工してもよいが、焼仕上げにより硬化した表面に亀裂等が発生する虞れがあり、機械加工後前記接合面１５ｃ部分を残置して焼仕上げすることが好ましい。
【００４７】
前記接合面１５ｃの平面度が向上することで、反応室内外へのリーク量が減少する。
【００４８】
従って、反応室で局所的に流れるシールガスがなくなり、或は減少して処理ガスの流れが影響を受けることがなく、ウェーハの成膜の均一性が向上する。
【００４９】
更に、前記処理室７の圧力は排気側のＡＰＣ弁（自動排気制御弁）による圧力制御が容易に、且つ精度よく行える。又、シールガスの使用量が減少するので、ランニングコストが低減する。
【００５０】
尚、前記反応管２の処理については、材質がＳｉＣであることから、焼仕上げはせず、最後に酸化処理をして表面の汚染レベルの高い部分を酸化膜として除去する。
【００５１】
次に上述した様に構成された基板処理装置２１の作用について説明する。
【００５２】
尚、以下の説明に於いて、基板処理装置２１を構成する各部の動作はコントローラ４１により制御される。
【００５３】
先ず、前記ポッドステージ２３に複数枚のウェーハ９を収容したポッド２４が載置されると、前記ポッド搬送装置２５により前記ポッド２４を前記ポッドステージ２３から前記ポッド棚２６へ搬送し、該ポッド棚２６に収納する。次に、前記ポッド搬送装置２５により、前記ポッド棚２６に収納されたポッド２４を前記ポッドオープナ２７に搬送してセットし、該ポッドオープナ２７によりポッド２４の蓋を開き、前記基板枚数検知器２８により前記ポッド２４に収容されているウェーハ９の枚数を検知する。
【００５４】
次に、前記基板移載機３０により、前記ポッドオープナ２７の位置にあるポッド２４からウェーハ９を取出し、前記ノッチアライナ３１に移載する。該ノッチアライナ３１に於いては、ウェーハ９を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚のウェーハ９のノッチを同じ位置に整列させる。次に、前記基板移載機３０により、前記ノッチアライナ３１からウェーハ９を取出し、前記ボート８に移載する。
【００５５】
同様にして、１バッチ分のウェーハ９を前記ボート８に移載すると、例えば６００℃程度の温度に設定された前記熱処理炉１内（処理室７）にウェーハ９が装填された前記ボート８を装入し、前記シールキャップ１０により前記処理室７を密閉する。次に、炉内温度を熱処理温度迄昇温させて、前記ガス導入管３７から前記ガス供給口５、前記ガス導入経路３９、及び前記ガスノズル１６を介して前記処理室７に処理ガスを導入する。
【００５６】
処理ガスには、窒素（Ｎ2 ）、アルゴン（Ａｒ）、水素（Ｈ2 ）、酸素（Ｏ2 ）等が含まれる。ウェーハ９を熱処理する際、ウェーハ９は、例えば１２００℃程度以上の温度に加熱される。
【００５７】
ウェーハ９の熱処理が終了すると、例えば炉内温度を６００℃程度の温度に降温した後、熱処理後のウェーハ９を支持した前記ボート８を前記熱処理炉１からアンロードし、前記ボート８に支持された全てのウェーハ９が冷却される迄、前記ボート８を所定位置で待機させる。
【００５８】
次に、ウェーハ９が所定温度迄冷却されると、前記基板移載機３０により、前記ボート８からウェーハ９を取出し、前記ポッドオープナ２７にセットされている空のポッド２４に搬送する。次に、前記ポッド搬送装置２５により、ウェーハ９が収納されたポッド２４を前記ポッド棚２６、又は前記ポッドステージ２３に搬送して一連の処理が完了する。
【００５９】
尚、上記実施の形態の説明に於いては、一度に所定枚数のウェーハを熱処理するバッチ式の基板処理装置を用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【００６０】
本発明の基板処理装置は、ウェーハの製造工程にも適用することができる。
【００６１】
ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）ウェーハの一種であるＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ  Ｏｘｙｇｅｎ）ウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用する例について説明する。
【００６２】
先ずイオン注入装置等により単結晶シリコンウェーハ内へ酸素イオンをイオン注入する。その後、酸素イオンが注入されたウェーハを上記実施の形態の基板処理装置を用いて、例えばＡｒ、Ｏ2 雰囲気の下、１３００℃〜１４００℃、例えば１３５０℃以上の高温でアニールする。これらの処理により、ウェーハ内部にＳｉＯ2 層が形成された（ＳｉＯ2 層が埋込まれた）ＳＩＭＯＸウェーハが作製される。
【００６３】
又、ＳＩＭＯＸウェーハの他、水素アニールウェーハやＡｒアニールウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。この場合、ウェーハを本発明の基板処理装置を用いて、水素雰囲気中若しくはＡｒ雰囲気中で１３００℃程度以上の高温でアニールすることとなる。これによりＩＣ（集積回路）が作られるウェーハ表面層の結晶欠陥を低減することができ、結晶の完全性を高めることができる。又、この他、エピタキシャルウェーハの製造工程の一工程に本発明の基板処理装置を適用することも可能である。
【００６４】
以上の様なウェーハの製造工程の一工程として行う高温アニール処理を行う場合であっても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００６５】
本発明の基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造工程に適用することも可能である。
【００６６】
特に、比較的高い温度で行う熱処理工程、例えば、ウェット酸化、ドライ酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、ＨＣｌ酸化等の熱酸化工程や、硼素（Ｂ）、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等の不純物（ドーパント）を半導体薄膜に拡散する熱拡散工程等に適用するのが好ましい。
【００６７】
この様な半導体デバイスの製造工程の一工程としての熱処理工程を行う場合に於いても、本発明の基板処理装置を適用することができる。
【００６８】
次に、図３により、前記反応管２と前記アダプタ１５との境界部について説明する。
【００６９】
前記フランジ部１５ａの上面に内縁に沿って凸段差４３を形成し、前記接合面１５ｃは前記凸段差４３の外周部の低くなった位置に形成され、少なくとも前記接合面１５ｃが焼仕上げ等の表面処理がなされる。又、前記接合面１５ｃに前記溝４２が環状に刻設される。
【００７０】
前記フランジ部２ａの下面には内縁に沿って凹段差４４が形成され、該凹段差４４に前記凸段差４３が嵌合する様に形成される。又、前記凹段差４４の深さは、前記凸段差４３の高さより若干大きく、前記接合面１５ｃが確実に前記フランジ部２ａの下面に接合する様になっている。前記凸段差４３、前記凹段差４４が形成されることで、屈曲した境界部が形成され、反応室内外へのシールガスのリーク量が減少する。又、前記凸段差４３と前記凹段差４４との嵌合で前記反応管２と前記アダプタ１５との位置合せが容易となる。
【００７１】
尚、前記フランジ部１５ａの上面に凹段差を形成し、前記フランジ部２ａの下面に凸段差を形成する様にしてもよいが、上記した様に前記凹段差４４は、前記反応管２に形成することが好ましい。該反応管２の材質はＳｉＣ製であり、前記アダプタ１５の材質は石英製であり、ＳｉＣの方が熱膨張係数が大きく、前記反応管２、前記アダプタ１５が熱膨張した際に前記凸段差４３の外側側壁と前記凹段差４４の内側側壁との間で寸詰りすることがない。この為、前記凸段差４３と前記凹段差４４の嵌合隙間を小さく設定できる。
【００７２】
又、図４は他の境界部を示すものであり、図４に示す様に、段差は前記溝４２を挾んで内径側、外径側に２段に設けてもよい。即ち、前記フランジ部１５ａの上面に内径側から、第１凸段差４３ａ、該第１凸段差４３ａより低い第２凸段差４３ｂを形成し、前記フランジ部２ａの下面に第１凹段差４４ａ、該第１凹段差４４ａより浅い第２凹段差４４ｂを形成し、前記第１凸段差４３ａが前記第１凹段差４４ａに嵌合し、前記第２凸段差４３ｂが前記第２凹段差４４ｂに嵌合する様にする。
【００７３】
図４に示される境界部では、更に屈曲することになり、シールガスのリーク量が一層減少する。
【００７４】
段差を形成することで径方向の位置合せが容易となったが、図５、図６に示す様に所要箇所に、フランジ部２ａ、フランジ部１５ａのいずれか一方に凸部４５を突設し、又いずれか他方に該凸部４５と嵌合する凹部４６を凹設する。
【００７５】
前記凸部４５、前記凹部４６を形成することで、反応管２の周方向の位置決めが行え、組立性が向上すると共に再現性が向上し、万一リークした場合も、リーク箇所が同じとなり、ウェーハ処理の再現性が増大する。
【００７６】
尚、前記凸部４５、前記凹部４６を設ける場合、熱膨張を考慮して前記凹部４６は前記反応管２側に設けることが好ましい。
【００７７】
尚、上記実施の形態に於いては、シールガスを供給する溝４２は、境界部に設ける様に説明した。然し、溝４２より若干加工し難さ、シール性等の面で劣るものの溝４２に替えて、前記フランジ部２ａより内径側に前記フランジ部１５ａを突出させた突出部を設け、前記フランジ部２ａの外径側に該フランジ部２ａの外周全周に亘って覆い部を設ける様にしてもよい。又、溝４２に加えて、前記覆い部を設ける様にしてもよい。
【００７８】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００７９】
（付記１）反応室がフランジ状のアダプタと該アダプタに立設される反応管とで形成され、該反応管と前記アダプタとの境界部にシール溝を設け、該シール溝にシールガスを供給する様に構成した基板処理装置に於いて、前記アダプタは前記反応管との境界部に面した接合面が機械加工された面で形成され、少なくとも前記反応室側の面が表面処理された面で形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【００８０】
（付記２）前記表面処理は、熱処理である付記１の基板処理装置。
【００８１】
（付記３）前記表面処理は、焼仕上げである付記１の基板処理装置。
【００８２】
（付記４）前記表面処理は、機械加工後なされる付記１の基板処理装置。
【００８３】
（付記５）前記アダプタは接合面を除き、少なくとも処理室に立設する部分が焼仕上げされた付記１の基板処理装置。
【００８４】
（付記６）前記境界部に段差が形成された付記１の基板処理装置。
【００８５】
（付記７）前記段差は、前記反応管側が凹、前記アダプタ側が凸である付記６の基板処理装置。
【００８６】
（付記８）前記段差は、前記シール溝と前記反応室との間に形成された付記６の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の概略斜視図である。
【図２】該基板処理装置に使用される処理炉の一例を示す概略断面図である。
【図３】該処理炉に於ける反応管とアダプタとの境界部の一例を示す部分断面図である。
【図４】該処理炉に於ける反応管とアダプタとの境界部の他の例を示す部分断面図である。
【図５】該処理炉に於ける反応管とアダプタとの境界部の更に他の例を示す部分断面図である。
【図６】図５のＡ矢視図である。
【図７】従来の熱処理炉を示す概略断面図である。
【図８】従来の他の熱処理炉を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１              熱処理炉
２              反応管
２ａ            フランジ部
４              加熱装置
７              処理室
８              ボート
１５            アダプタ
１５ａ          フランジ部
１８            シールガス供給管
２１            基板処理装置
４２            溝
４３            凸段差
４４            凹段差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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