(57)【要約】【課題】十分な耐久性、信頼性を有する垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】基体１１０上に、磁気記録層１２２、媒体保護層１２６および潤滑層１２８をこの順に備える垂直磁気記録媒体１００の製造方法において、潤滑剤を塗布した磁気ディスクに、１０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験を行う押し込み硬さ試験工程と、押し込み硬さ試験によって求められた弾性変形比が５０〜８５％である場合に潤滑剤で潤滑層を成膜する潤滑層成膜工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図３
2009238326.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、
前記媒体保護層の最表面を、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理して成膜する媒体保護層成膜工程と、
さらに潤滑層を成膜した当該垂直磁気記録媒体に、１０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験を行う押し込み硬さ試験工程と、
前記押し込み硬さ試験によって求められた弾性変形比が５０〜８５％である場合に当該垂直磁気記録媒体を合格品と判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、
前記媒体保護層の最表面を、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理して成膜する媒体保護層成膜工程と、
さらに潤滑層を成膜した当該垂直磁気記録媒体に、５０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験を行う押し込み硬さ試験工程と、
前記押し込み硬さ試験によって求められた弾性変形比が４０〜８０％である場合に当該垂直磁気記録媒体を合格品と判定する判定工程と、
を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体において、
前記媒体保護層は、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理することにより成膜されていて、
当該垂直磁気記録媒体は、１０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験によって求められる弾性変形比が５０〜８５％であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体において、
当該垂直磁気記録媒体は、５０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験によって求められる弾性変形比が４０〜８０％であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記潤滑剤はパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）であることを特徴とする３または４に記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきていて、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて磁性粒が微細化するほど反磁界（Ｈｄ）が大きくなって保磁力Ｈｃが向上し、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
従来の磁気記録用磁気ディスクは、アルミニウムやガラスなどの基板と、磁気記録を行う磁気記録層と、磁気ディスクの信頼性を確保する目的で、カーボン製の媒体保護層（カーボン保護層）と潤滑層とで構成されている。
【０００５】
近年の高記録密度化にともない、磁気ヘッド・ディスク間の浮上量は低下している。例えば、磁気ヘッド浮上量の制御を安定化し、更なる低浮上量化を図るための技術の１つとして、ＤＦＨ（Dynamic Flying Height）という技術が開発されている（例えば、非特許文献１）。ＤＦＨによれば、磁気ヘッドにヒータ素子を埋め込み、磁気ヘッドの動作時に、ヒータ素子を発熱させ、その熱によって磁気ヘッドが熱膨張し、磁気ディスクに向かってわずかに突出する。これにより、磁気ヘッドと磁気ディスク主表面との間に磁気的な間隙である磁気的スペーシングをその時にのみ小さくすることが可能である。すなわち、ＤＦＨとは、磁気ヘッドの磁気ディスクからの浮上量を低浮上量化することが可能な技術である。
【非特許文献１】明官、「モバイル２．５インチＨＤＤ」、雑誌ＦＵＪＩＴＳＵ、富士通株式会社、２００７年１月、第５８巻、第１号、ｐ．１０−１５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＤＦＨヘッドなどの技術により、更なる低浮上量化が図れたが、磁気ヘッドにはＭＲ素子が搭載されていて、その固有の障害としてヘッドクラッシュ障害やサーマルアスペリティ障害を引き起こすという問題がある。
【０００７】
加えて、ＨＤＤ装置が採用される環境も、乗用車への搭載（車載）に代表されるように、高温・高湿など、非常に厳しくなっている。かかる環境では、上記のような障害を引き起こさないまでも、間欠的な磁気ヘッド・ディスクの接触は、今後増大するものと想定される。
【０００８】
このような接触のダメージによって磁気ディスクに生じる変形は、その領域でのデータの読み込みを不能にし、信頼性にも重大な影響を与えてしまう。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑み、磁気ヘッド・ディスクの接触が生じても、十分な耐久性、信頼性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、発明者らは、垂直磁気記録媒体に微小な荷重がかかった場合における弾性・塑性変形に関する情報に着目した。かかる荷重を、接触の衝撃によって生じるものと仮定した場合、弾性変形する、すなわち、衝撃を受けても元に戻る性質を垂直磁気記録媒体が強く有していれば、上述のようなデータ読み込みエラーを生じないからである。一方、一旦変形すると元に戻らない、塑性変形する性質を垂直磁気記録媒体が強く有している場合は、媒体保護層、磁気記録層にも変形が生じ、読み込みエラーが生じるおそれが大きく、記録媒体の信頼性を損なうものと考えられる。
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の代表的な構成は、基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、媒体保護層の最表面を、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理して成膜する媒体保護層成膜工程と、さらに潤滑層を成膜した垂直磁気記録媒体に、１０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験を行う押し込み硬さ試験工程と、押し込み硬さ試験によって求められた弾性変形比が５０〜８５％である場合に、その垂直磁気記録媒体を合格品と判定する判定工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
上記のような媒体保護層の処理条件によって、弾性変形比が向上すると考えられている。そして、かかる微小な押し込み深さの押し込み硬さ試験において、弾性変形比が５０〜８５％であれば、製造上問題になるマイクロスクラッチに対する耐性を十分に有するものとみなせるからである。
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の他の代表的な構成は、基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、媒体保護層の最表面を、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理して成膜する媒体保護層成膜工程と、さらに潤滑層を成膜した垂直磁気記録媒体に、５０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験を行う押し込み硬さ試験工程と、押し込み硬さ試験によって求められた弾性変形比が４０〜８０％である場合に、その垂直磁気記録媒体を合格品と判定する判定工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
上記のような媒体保護層の処理条件によって、弾性変形比が向上すると考えられている。しかし、このような、より多くの押し込み深さの押し込み硬さ試験を行った場合、通常、塑性変形の比率が多くなる。それにも拘らず、依然として弾性変形比４０〜８０％を保つ垂直磁気記録媒体であれば、強い弾性を有し、読込みエラーを生じない、信頼性が高いものとみなすことができる。
【００１５】
本発明の他の代表的な構成は、基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体において、媒体保護層は、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理することにより成膜されていて、当該垂直磁気記録媒体は、１０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験によって求められる弾性変形比が５０〜８５％であることを特徴とする。
【００１６】
本発明の他の代表的な構成は、基体上に、磁気記録層、媒体保護層および潤滑層をこの順に備える垂直磁気記録媒体において、媒体保護層は、３Ｐａ以上の処理圧力で窒素プラズマ処理することにより成膜されていて、当該垂直磁気記録媒体は、５０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験によって求められる弾性変形比が４０〜８０％であることを特徴とする。
【００１７】
上述した垂直磁気記録媒体の製造方法における技術的思想に対応する構成要素やその説明は、当該垂直磁気記録媒体にも適用可能である。
【００１８】
上記の潤滑剤はパーフロロポリエーテルとしてよい。パーフロロポリエーテルは、Ｃ−Ｆ２を基本として、間にＯをはさんだフッ素系合成油であり、耐熱性、耐薬品性に優れ、高い粘度指数を有する。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明によれば、ＤＦＨが採用されるなどの低浮上量化された垂直磁気記録媒体において、耐久性、信頼性が十分な垂直磁気記録媒体を製造可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００２１】
（実施形態）
本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の実施形態について説明する。図１は本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、基体としてのディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラー層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、連続層１２４、媒体保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂとはあわせて磁気記録層１２２を構成する。
【００２２】
ディスク基体１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得ることができる。
【００２３】
なお、ディスク基体１１０としてガラスに代えて、アルミニウムを用いてもよい。
【００２４】
ディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行い、媒体保護層１２６はＣＶＤ法により成膜することができる。この後、潤滑層１２８をディップコート法により形成することができる。
【００２５】
以下、各層の構成および製造方法について説明する。本実施形態では、生産性が高いインライン型成膜方法を用いている。
【００２６】
付着層１１２は非晶質の下地層であって、ディスク基体１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１１４とディスク基体１１０との剥離強度を高める機能と、この上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層１１２は、ディスク基体１１０がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。
【００２７】
付着層１１２としては、例えばＣｒＴｉ系非晶質層、ＣｏＷ系非晶質層、ＣｒＷ系非晶質層、ＣｒＴａ系非晶質層、ＣｒＮｂ系非晶質層から選択することができる。なかでもＣｒＴｉ系合金膜は、微結晶を含むアモルファス金属膜を形成するので特に好ましい。付着層１１２は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばＣｒＴｉ層の上にＣｏＷ層またはＣｒＷ層を形成してもよい。またこれらの付着層１１２は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。
【００２８】
軟磁性層１１４は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層１１４は第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することができる。第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＣｒＦｅＢなどのＣｏ−Ｆｅ系合金、［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造のようなＮｉ−Ｆｅ系合金などを用いることができる。
【００２９】
前下地層１１６は非磁性の合金層であり、軟磁性層１１４を防護する作用と、この上に成膜される下地層１１８に含まれる六方細密充填構造（ｈｃｐ構造）の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層１１６は面心立方構造（ｆｃｃ構造）の（１１１）面がディスク基体１１０の主表面と平行となっていることが好ましい。また前下地層１１６は、これらの結晶構造とアモルファスとが混在した構成としてもよい。前下地層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００３０】
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のＣｏのｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層１１８の結晶の（０００１）面がディスク基体１１０の主表面と平行になっているほど、磁気記録層２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としてはＲｕが代表的であるが、その他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００３１】
下地層１１８をＲｕとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりＲｕからなる２層構造とすることができる。具体的には、上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くする。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００３２】
非磁性グラニュラー層１２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。非磁性グラニュラー層１２０の組成は、Ｃｏ系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、グラニュラー構造とすることができる。特にＣｏＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ２を好適に用いることができ、さらにＲｕに代えてＲｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｕ（金）も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００３３】
磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラー層１２０を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本実施形態では組成および膜厚の異なる第１磁気記録層１２２ａと、第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂは、いずれも非磁性物質としてはＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物や、ＢＮ等の窒化物、Ｂ４Ｃ３等の炭化物を好適に用いることができる。
【００３４】
連続層１２４はグラニュラー構造を有する磁気記録層１２２の上に、面内方向に磁気的に連続した層（連続層とも呼ばれる）である。連続層１２４は必ずしも必要ではないが、これを設けることにより磁気記録層１２２の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を図ることができる。
【００３５】
なお連続層１２４として、単一の層ではなく、高い垂直磁気異方性かつ高い飽和磁化ＭＳを示す薄膜（連続層）を形成するＣＧＣ構造（Coupled Granular Continuous）としてもよい。なおＣＧＣ構造は、グラニュラー構造を有する磁気記録層と、ＰｄやＰｔなどの非磁性物質からなる薄膜のカップリング制御層と、ＣｏＢとＰｄとの薄膜を積層した交互積層膜からなる交換エネルギー制御層とから構成することができる。
【００３６】
媒体保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる。媒体保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層１２２を防護することができる。媒体保護層１２６の最表面には窒素処理を施した。
【００３７】
媒体保護層１２６は、ＣＶＤ法に代えて、ＦＣＶＡ（Filtered Cathodic Vacuum Arc）方式、ＩＢＤ（Ion Beam Deposition）方式で成膜してもよい。
【００３８】
潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、媒体保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、媒体保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。
【００３９】
潤滑層１２８の素材として、より具体的には、Fomblin Z（「フォンブリン」は登録商標）系潤滑剤（Fomblin Z DOL、Fomblin Z TETRAOLなど）を用いた。図２は図１の潤滑層として用いることのできるFomblin Z系潤滑剤の化学構造式を示す図である。その潤滑剤分子に含まれる２種類の主鎖ユニット（ｎ，ｍと添字のついた部分）の数により分子量（典型的には１０００〜２０００）が決定される。
【００４０】
図３は図１の垂直磁気記録媒体１００に対し、押し込み深さ（変位量）による押し込み硬さ試験（押し込み硬さ試験工程）を行った結果得られた、負荷・除荷曲線を示すグラフである。図３において、負荷を加えると、右上方向の矢印で示すように、変位が生じ、負荷を除くと、左下方向の矢印で示すように、ある程度まで変位したものが元に戻る。押し込み深さが小さいほど、つまり、微小な負荷であるほど、２つの曲線は接近し、元に戻る度合いが強く、弾性変形の比率が大きくなる。
【００４１】
ここで、除荷曲線（左下方向の矢印）と、除荷曲線の最大押し込み深さ点から横軸に垂直に下ろした直線と、横軸（変位量）とで囲まれた、ハッチングされた領域の面積Ｗelastを、弾性変形量（弾性変形仕事量）とする。一方、負荷曲線（右上方向の矢印）と、除荷曲線と、横軸とで囲まれた、クロスハッチングされた領域の面積Ｗplastを、塑性変形量（塑性変形仕事量）とする。
【００４２】
そして、弾性変形比＝{Ｗelast／（Ｗplast＋Ｗelast）}×１００（％）と定義する。すなわち、弾性変形比とは、変形仕事量全体に対する弾性変形仕事量の割合を意味する。１０ｎｍ以下の押し込み深さによる押し込み硬さ試験を行い、この弾性変形比が５０〜８５％であれば、その垂直磁気記録媒体を合格品と判定してよい（判定工程）。
【００４３】
上記のような媒体保護層の処理条件によって、弾性変形比が向上すると考えられている。そして、かかる微小な押し込み深さの押し込み硬さ試験において、弾性変形比が５０〜８５％であれば、製造上問題になるマイクロスクラッチに対する耐性を十分に有するものとみなせるからである。
【００４４】
また、図示しないが、５０ｎｍ以下の、より大きな押し込み深さによる押し込み硬さ試験において、弾性変形比が４０〜８０％であれば、その垂直磁気記録媒体を合格品と判定してもよい（判定工程）。
【００４５】
このような、より多くの押し込み深さの押し込み硬さ試験を行った場合、通常、塑性変形の比率が多くなる。それにも拘らず、依然として弾性変形比４０〜８０％を保つ垂直磁気記録媒体であれば、強い弾性を有し、読込みエラーを生じない、信頼性が高いものとみなすことができるからである。
【００４６】
以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体１００を得ることができる。以下に、実施例と比較例を用いて本発明の有効性について説明する。
【００４７】
（実施例）
実施例として、ディスク基体１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行った。付着層１１２は、ＣｒＴｉとした。軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成はＣｏＣｒＦｅＢとし、スペーサ層１１４ｂの組成はＲｕとした。前下地層１１６の組成はｆｃｃ構造のＮｉＷ合金とした。下地層１１８は、第１下地層１１８ａは高圧Ａｒ下でＲｕを成膜し、第２下地層１１８ｂは低圧Ａｒ下でＲｕを成膜した。非磁性グラニュラー層１２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。磁気記録層１２２の組成は図１に示す通りとした。連続層１２４の組成はＣｏＣｒＰｔＢとした。媒体保護層１２６はＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４およびＣＮを用いて成膜し、媒体保護層の最表面には窒素処理を施した。潤滑層１２８はディップコート法によりＰＦＰＥを用いて成膜した。用いた潤滑剤は、Fomblin Z系の潤滑剤である。成膜後、一定温度で加熱処理を行った。
【００４８】
図４は、図１の媒体保護層１２６の最表面を窒素化した際、窒素化条件を様々に変更した結果、得られた弾性変形比（押し込み深さ１０ｎｍの押し込み硬さ試験による）を示すグラフである。すなわち、窒素化条件は、窒素プラズマでの処理圧力をそれぞれ１、３、５Ｐａとし、処理電力をそれぞれ１００、２００Ｗに変化させた。
【００４９】
この結果、図４に示す通り、窒素プラズマでの処理圧力が高いほうが弾性変形が顕著であり、外部から加わった力に対して元通りに戻る傾向が強く、良好であることが判明した。とりわけ、処理圧力を３Ｐａ以上とすると、５０％以上の弾性変形比が得られている。一方、処理電力の高低と、得られる弾性変形比との間には、相関が認められなかった。すなわち、処理圧力が変化すると、処理電力が高いほうが弾性変形が顕著である場合もあれば、その逆の場合もあった。
【００５０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５１】
例えば、本実施形態では垂直磁気記録方式のディスクを用いたが、本発明は、面内磁気記録方式のディスクに用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】図１の潤滑層として用いられるFomblin Z系潤滑剤の化学構造式を示す図である。
【図３】図１の磁気ディスクに、押し込み深さ（変位量）による押し込み硬さ試験を行った結果得られた、負荷・除荷曲線を示すグラフである。
【図４】図１の媒体保護層の最表面を窒素化した際、窒素化条件を様々に変更した結果、得られた弾性変形比を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５４】
１００  …垂直磁気記録媒体
１１０  …ディスク基体
１１２  …付着層
１１４ａ  …第１軟磁性層
１１４ｂ  …スペーサ層
１１４ｃ  …第２軟磁性層
１１６  …前下地層
１１８  …下地層
１１８ａ  …第１下地層
１１８ｂ  …第２下地層
１２０  …非磁性グラニュラー層
１２２  …磁気記録層
１２２ａ  …第１磁気記録層
１２２ｂ  …第２磁気記録層
１２４  …連続層
１２６  …媒体保護層
１２８  …潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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