(57)【要約】【課題】フォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを精度良く形成可能な、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】基材１上に形成された膜２上に第１の金属膜３を形成する。第１の金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて第１の金属膜３をドライエッチングして開口部５ａを有する金属パターン５を形成する。そして、レジストマスク４を除去し、開口部５ａ内に露出する膜２及び金属パターン５の表面を覆うように第１の金属膜３とは異なる第２の金属膜６を成膜する。第１の金属膜３を露出させるように第２の金属膜６を異方性エッチングして金属マスク３０を形成する。金属マスク３０を用いてドライエッチングすることで、基材１上に形成された導電部２６を露出させる孔７を形成し、金属マスク３０を除去するコンタクトホールの形成方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に形成された膜上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて前記第１の金属膜をドライエッチングして開口部を有する金属パターンを形成する工程と、
前記レジストマスクを除去する工程と、
前記開口部内に露出する前記膜及び前記金属パターンの表面を覆うように前記第１の金属膜とは異なる第２の金属膜を成膜する工程と、
前記第１の金属膜を露出させるように前記第２の金属膜を異方性エッチングして金属マスクを形成する工程と、
該金属マスクを用いて前記膜をドライエッチングすることで、前記基材上に形成された導電部を露出させる孔を形成する工程と、
前記金属マスクを除去する工程と、
を備えることを特徴とするコンタクトホールの形成方法。
【請求項２】
前記第１の金属膜に対する選択比の高いガスを用いて、前記第２の金属膜のドライエッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項３】
前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の形成材料として、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、及びＣｒのいずれか２つを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載のコンタクトホールの形成方法。
【請求項４】
一対の基板間に電気光学層を挟持してなる電気光学層の製造方法において、
前記基板の一方に形成されたスイッチング素子を構成する半導体層における能動領域を覆う層間絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記第１の金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて前記第１の金属膜をドライエッチングして開口部を有する金属パターンを形成する工程と、
前記レジストマスクを除去する工程と、
前記開口部内に露出する前記膜及び前記金属パターンの表面を覆うように前記第１の金属膜とは異なる第２の金属膜を成膜する工程と、
前記第１の金属膜を露出させるように前記第２の金属膜を異方性エッチングして金属マスクを形成する工程と、
該金属マスクを用いてドライエッチングすることで、前記能動領域を露出させる孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
前記金属マスクを除去する工程と、
前記孔を介して前記能動領域に接続される導電部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属膜に対する選択比の高いガスを用いて、前記第２の金属膜のドライエッチングを行うことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜として、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、及びＣｒのいずれか２つを用いることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンタクトホールはレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行うことで形成される。そのため、コンタクトホールの径をどこまで小さくできるかは、レジストパターンの寸法（解像度）に起因する。そのため、この方法では、フォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを形成することができない。そこで、フォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを形成するために以下のような方法が提案されている。
特許文献１中には、孔の内壁に多結晶シリコン膜が成膜された絶縁膜をマスクとして用い、ドライエッチングを行うことでコンタクトホールを形成することが開示されている。
【特許文献１】特開平７−１５３８４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来技術においては、コンタクトホール形成時のマスクとなる多結晶シリコンと被エッチング膜である絶縁膜は、ドライエッチング時のエッチングレート差が小さいため、孔の内壁に成膜された多結晶シリコンはドライエッチング時に目減りし、結果的にコンタクトホールの径が大きくなる可能性がある。そのため、形成されるコンタクトホールの精度が得られないといった問題がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、フォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを精度良く形成可能な、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明のコンタクトホールの形成方法は、基材上に形成された膜上に第１の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて前記第１の金属膜をドライエッチングして開口部を有する金属パターンを形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、前記開口部内に露出する前記膜及び前記金属パターンの表面を覆うように前記第１の金属膜とは異なる第２の金属膜を成膜する工程と、前記第１の金属膜を露出させるように前記第２の金属膜を異方性エッチングして金属マスクを形成する工程と、該金属マスクを用いて前記膜をドライエッチングすることで、前記基材上に形成された導電部を露出させる孔を形成する工程と、前記金属マスクを除去する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明のコンタクトホールの形成方法によれば、異方性エッチングにより開口部の内壁面における第２の金属膜は除去されることがないので、金属マスクは開口部の内壁面に第２の金属膜が形成されたものとなる。この金属マスクを用いれば、第２の金属膜がドライエッチング時に目減りすることがないので、第２の金属膜の膜厚分だけ小さいコンタクトホールを形成できる。よって、例えば金属パターンをフォトリソ技術における解像度の限界程度で形成した場合、本発明を採用することでフォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを精度良く形成することが可能となる。また、第１の金属膜と第２の金属膜とは異なる金属膜で構成されているため、例えばエッチング工程が第２の金属膜から第１の金属膜に到達した際、エッチング時に生じるプラズマ発光の色が変化する。よって、このようなプラズマ発光の変化を検出することで第１の金属膜がエッチングストッパーとして機能し、金属マスクを形成する際のエッチング制御性を簡便なものとすることができる。
【０００７】
また、上記コンタクトホールの形成方法においては、前記第１の金属膜に対する選択比の高いガスを用いて、前記第２の金属膜のドライエッチングを行うのが好ましい。
この構成によれば、金属マスクを形成する際のエッチングストッパーとして第１の金属膜を用いた場合において、第１の金属膜の目減りを低減できる。
【０００８】
また、上記コンタクトホールの形成方法においては、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜の形成材料として、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、及びＣｒのいずれか２つを用いるのが好ましい。
このような材料を用いれば、上述したようにフォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを良好にすることが可能となる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の基板間に電気光学層を挟持してなる電気光学層の製造方法において、前記基板の一方に形成されたスイッチング素子の一部を構成する半導体層における能動領域を覆う層間絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程と、前記第１の金属膜上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて前記第１の金属膜をドライエッチングして開口部を有する金属パターンを形成する工程と、前記レジストマスクを除去する工程と、前記開口部内に露出する前記膜及び前記金属パターンの表面を覆うように前記第１の金属膜とは異なる第２の金属膜を成膜する工程と、前記第１の金属膜を露出させるように前記第２の金属膜を異方性エッチングして金属マスクを形成する工程と、該金属マスクを用いてドライエッチングすることで、前記能動領域を露出させる孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、前記金属マスクを除去する工程と、前記孔を介して前記能動領域に接続される導電部を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、異方性エッチングにより開口部の内壁面における第２の金属膜は除去されることがないので、金属マスクは開口部の内壁面に第２の金属膜が形成されたものとなる。この金属マスクを用いれば、第２の金属膜がドライエッチング時に目減りすることがないので、第２の金属膜の膜厚分だけ小さいコンタクトホールを形成できる。よって、例えば金属パターンをフォトリソ技術における解像度の限界程度で形成した場合、本発明を採用することでフォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを精度良く形成することが可能となる。したがって、微細に配置されたスイッチング素子においてもコンタクトホールを精度良く形成することができる。
【００１１】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記第１の金属膜に対する選択比の高いガスを用いて、前記第２の金属膜のドライエッチングを行うのが好ましい。
この構成によれば、金属マスクを形成する際のエッチングストッパーとして第１の金属膜を用いた場合において、第１の金属膜の目減りを低減できる。
【００１２】
また、上記電気光学装置の製造方法においては、前記第１の金属膜及び前記第２の金属膜として、Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、及びＣｒのいずれか２つを用いるのが好ましい。
この構成によれば、このような材料を用いれば、上述したようにフォトリソ技術の解像度より小さいコンタクトホールを良好にすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は、コンタクトホールの形成工程を示すものである。本説明では、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程を例に挙げる。この工程は、後述する電気光学装置としての液晶表示装置を製造する工程に適用される。
【００１４】
図１（ａ）に示すように基材１上に形成された層間絶縁膜（膜）２上に第１の金属膜３を形成する。ここで、基材１とは、基板、又は表面が絶縁層で覆われた基板若しくは表面に金属配線が形成された基板等の種々のものを含むものである。本実施形態では、上記層間絶縁膜２は基材１の表面に形成された導電部２６を覆った状態に形成されている。層間絶縁膜２は、ＳｉＯ２膜等の酸化シリコンからなるものである。
【００１５】
本実施形態では、上記第１の金属膜３として、Ａｌ膜を例えばスパッタ法により２０００Å成膜する。なお、第１の金属膜３の形成材料としては、Ａｌ膜の他に、Ｔｉ膜、Ｍｏ膜、又はＣｒ膜を用いることができる。また、層間絶縁膜２は、例えば、７０００Åに厚さに成膜する。
【００１６】
続いて、図１（ｂ）に示すように、第１の金属膜３上にレジストを成膜し、レジストをフォトリソグラフィ法によりパターニングしてレジストマスク４を形成する。そして、レジストマスク４を用いて第１の金属膜３をドライエッチングする。このとき、エッチングガスとしては、層間絶縁膜２（ＳｉＯ２膜）との選択比が高いもの、例えばＣｌ２が用いられる。第１の金属膜３をドライエッチングすることにより、図１（ｃ）に示されるように層間絶縁膜２上に金属パターン５が形成される。なお、金属パターン５は、基材１上に形成されている導電部２６に対応した位置に層間絶縁膜２の上面に対し、略９０度のテーパ角を有する開口部５ａが形成される。この開口部の径は、フォトリソグラフィ技術の解像度の限界程度に相当する。
【００１７】
続いて、図１（ｄ）に示すように金属パターン５上のレジストマスク４を溶液で剥離する。
ここで、第１の金属膜３（Ｍｏ膜）のドライエッチング処理時は、被エッチング膜の膜厚が小さいので、層間絶縁膜２の処理時間に比べて約３分の１と短くて済み、さらにエッチングガスとして用いるＣｌ２がデポ膜（重合膜）を形成し難いものとなっているので、レジストマスク４を剥離する際にレジスト残りが生じ難くなっている。よって、レジストマスク４を良好に剥離することができる。
【００１８】
続いて、図２（ａ）に示すように、上記開口部５ａ内に露出する層間絶縁膜２及び金属パターン５の表面を覆うように第１の金属膜３（金属パターン５）と異なる第２の金属膜６を成膜する。具体的に本実施形態では、ＣＶＤ法によりＭｏ膜を２０００Å成膜する。なお、第２の金属膜６の形成材料としては、Ｍｏ膜の他に、Ｔｉ膜、Ａｌ膜（上記第１の金属膜３がＡｌ膜以外から構成される場合）、又はＣｒ膜のいずれかを用いることができる。
【００１９】
このとき、第２の金属膜６は、層間絶縁膜２及び金属パターン５の表面形状に倣うように形成される。ここで、金属パターン５により生じる段差部２７に成膜された第２の金属膜６における膜厚Ｘ１は、平坦部２８（層間絶縁膜２及び金属パターン５上）に形成された第２の金属膜６における膜厚Ｘ２に比べて大きくなっている。
【００２０】
続いて、上記第２の金属膜６をエッチングして金属マスク３０を形成する。具体的には、図２（ｂ）に示すように、第１の金属膜３（金属マスク３０）の上面が露出させるように第２の金属膜６を異方性ドライエッチングする。
【００２１】
金属パターン５（第１の金属膜３）と第２の金属膜６とは、異なる金属膜で構成されているため、エッチング工程が第２の金属膜６から金属パターン５に到達した際、エッチング時に生じるプラズマ発光の色が変化する。よって、このようなプラズマ発光の変化を検出することで金属パターン５をエッチングストッパーとして機能させることができ、金属マスク３０の形成時のけるエッチング制御性を簡便化することができる。
【００２２】
また、エッチングガスとしては、金属パターン５（第１の金属膜３）に対する選択比が高いもの、例えばＣ２ＨＦ５を用いた。なお、エッチングガスとしては、Ｃ２ＨＦ５の他に、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２を用いることができる。このように金属マスク３０を形成する際のエッチングストッパーとして上記金属パターン５を用いた場合であっても、金属パターン５における目減りを低減することができる。
【００２３】
異方性エッチングは第２の金属膜６における縦方向（膜厚方向）のみに進行する。よって、第１の金属膜３が露出した際（平坦部２８における第２の金属膜が無くなった際）、膜厚の大きい段差部２７には第２の金属膜６（Ｍｏ膜）が残される。
【００２４】
続いて、図２（ｃ）に示すように、上記金属マスク３０を用いて層間絶縁膜２をドライエッチングする。このとき、エッチングガスとしては、金属マスク３０を構成する金属パターン５（Ａｌ膜）及び第２の金属膜６（Ｍｏ膜）との選択比が高いもの、例えばＣ２ＨＦ５を用いることができる。なお、エッチングガスとしては、Ｃ２ＨＦ５の他に、ＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２を用いることができる。
【００２５】
上記金属マスク３０は、金属パターン５を主体として構成され、開口部５ａの内壁面に第２の金属膜６（Ｍｏ膜）が成膜されている。上記開口部５ａは、上述したようにフォトリソ技術における解像度の限界程度の径を有している。一方、上記金属マスク３０は、第２の金属膜６の分だけ開口径が小さくされており、第２の金属膜６は層間絶縁膜２のエッチング時に目減りすることが防止される。したがって、上記金属マスク３０を用いることでフォトリソ技術の解像度より小さい穴（コンタクトホール）を形成することができる。
【００２６】
続いて、図２（ｄ）に示すように、金属マスク３０を溶液により除去する。金属マスク３０を除去する溶液としては、金属パターン５及び第２の金属膜６の構成材料によって適宜選択される。例えば、金属パターン５及び第２の金属膜６の構成材料として、上述のようにＭｏが用いられる場合、リン酸、硝酸、若しくは酢酸、又はこれらの混合液を用いることができる。また、金属パターン５及び第２の金属膜６の構成材料として、Ａｌが含まれる場合、リン酸、硝酸、若しくは酢酸、又はこれらの混合液を用いることができる。また、金属パターン５及び第２の金属膜６の構成材料として、Ｔｉが含まれる場合、弗酸若しくは硝酸、又はこれらの混合液を用いることができる。また、金属パターン５及び第２の金属膜６の構成材料として、Ｃｒが含まれる場合、硝酸セリウムアンモニウムを用いることができる。
このようにして金属マスク３０を除去することで、層間絶縁膜２には導電部２６を露出させるコンタクトホール（孔）７が形成される。
【００２７】
以上述べたように、本実施形態によれば、異方性エッチングにより開口部５ａの内壁面における第２の金属膜が除去されず、開口部５ａの内壁面に第２の金属膜６が形成された金属マスク３０が製造される。この金属マスク３０は、第２の金属膜６がドライエッチング時に目減りすることがないので、フォトリソ技術の解像度に比べて、第２の金属膜６の膜厚分だけ径が小さいコンタクトホール７を精度良く形成できる。
【００２８】
（電気光学装置の製造方法）
続いて、本発明の電気光学装置の製造方法の一実施形態として、液晶表示装置の製造プロセスに適応した場合について説明する。まず、本発明の製造方法は、スイッチング素子としてのＴＦＴ素子が形成されたＴＦＴアレイ基板を形成する点に特徴を有しているため、ＴＦＴアレイ基板の製造工程を主体に説明する。このＴＦＴアレイ基板の製造工程の一部には、上述のコンタクトホールの形成工程が用いられる。
【００２９】
まず、本方法により製造された液晶表示装置について説明する。
図３は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図４は図３のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図５は、液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００３０】
図３及び図４において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２５とが光硬化性の封止材であるシール材５４によって貼り合わされ、このシール材５４によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５４は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。
【００３１】
シール材５４の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５４の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２５のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２５との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００３２】
なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００は、対向基板２５における、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタ（不図示）が設けられており、これによりフルカラー表示が可能となっている。
【００３３】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図５に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００３４】
画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図４に示す対向基板２５の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。３ｂは対向電極２１に接続される補助容量線である。
【００３５】
図７は、液晶表示装置１００におけるＴＦＴアレイ基板１０のＴＦＴ３０周辺の部分拡大図を示すものである。図６に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１０は、半導体層１２と、ゲート電極１４と、ドレイン電極１９と、ソース電極２２と、を有するＴＦＴ３０を備えている。
【００３６】
ＴＦＴアレイ基板１０は、基板本体１０Ａ上にシリコン酸化膜からなる下地絶縁膜１１を介して形成されたポリシリコンかなる半導体層１２を備えている。そして、半導体層１２上には、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１３を介して、ゲート電極１４が設けられている。ゲート電極１４を覆って酸化シリコン等からなる第１層間絶縁膜１５が形成されている。
【００３７】
また、第１層間絶縁膜１５及びゲート絶縁膜１３には、上記半導体層１２のドレイン領域（能動領域）１２Ａを露出させるコンタクトホール１７と、半導体層１２のソース領域（能動領域）１２Ｂを露出させるコンタクトホール２０とが形成されている。また、第１層間絶縁膜１５上には、コンタクトホール１７を介してドレイン領域１２Ａに接続されるドレイン電極（導電部）１９と、コンタクトホール２０を介してソース領域１２Ｂに接続されるソース電極（導電部）２２が設けられている。これらドレイン電極１９及びソース電極２２を覆うようにして酸化シリコンからなる第２層間絶縁膜１６が形成されている。また、第２層間絶縁膜１６には、上記ドレイン電極１９を露出させるコンタクトホール２３が形成されている。第２層間絶縁膜１６上には画素電極９が形成されており、この画素電極９はコンタクトホール２３を介してドレイン電極１９に接続されている。
【００３８】
本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法は、基板本体１０Ａ上のＴＦＴ３０を覆う層間絶縁膜（第１層間絶縁膜１５及びゲート絶縁膜１３）に上述したコンタクトホールの形成方法を適応することで、上記コンタクトホール１７，１９を形成し、コンタクトホール１７，１９内に上記ソース電極２２及びドレイン電極１９を形成する工程を有している。
なお、液晶表示装置の製造方法における基板本体１０Ａは、図１、２に示したコンタクトホールの形成方法における基材１に対応し、液晶表示装置の製造方法における第１層間絶縁膜１５及びゲート絶縁膜１３は、図１、２に示した層間絶縁膜２に対応し、液晶表示装置の製造方法におけるドレイン領域１２Ａ及びソース領域１２Ｂは、図１、２に示した導電部２６に対応する。
【００３９】
したがって、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においても、上記金属マスク３０を用いることでソース領域１２Ｂ又はドレイン領域１２Ａに接続するソース電極２２及びドレイン電極１９を形成するためのコンタクトホール１７，１９としてフォトリソ技術の解像度より小さいものを精度良く形成できる。したがって、微細に配置されたＴＦＴ３０においてもコンタクトホール１７，１９を精度良く形成することができる。
また、本実施形態に係る液晶表示装置１００は、携帯電話およびＰＣ（パーソナルコンピュータ）などの電子機器に用いることが可能である。携帯電話においては、その表示画面に本実施形態における液晶表示装置１００が用いられる。また、ＰＣにおいては、キーボードなどの入力部および表示画面などに用いることが可能である。また、周辺回路を液晶パネル内の基板に内蔵することにより部品点数を大幅に減らすとともに、装置本体の軽量化および小型化を行うことが可能になる。
【００４０】
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されることは無く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、電気光学装置として液晶表示装置について説明したが、ＴＦＴを構成する半導体層のソース・ドレイン領域に上記方法により製造されたコンタクトホールを介して導通するソース・ドレイン電極を有する電気光学装置用基板を備える有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置などにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】コンタクトホールの形成工程について説明する図である。
【図２】図１に続くコンタクトホールの形成工程について説明する図である。
【図３】液晶表示装置の平面構成図である。
【図４】液晶表示装置の図４のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【図５】液晶表示装置の等価回路図である。
【図６】液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す拡大図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…基材、２…層間絶縁膜（膜）、３…第１の金属膜、４…レジストマスク、５…金属パターン、５ａ…開口部、６…第２の金属膜、７…コンタクトホール、１２…半導体層、１３…ゲート絶縁膜（層間絶縁膜）、１５…第１層間絶縁膜（層間絶縁膜）、１７，２０…コンタクトホール、１９…ドレイン電極（導電部）、２２…ソース電極（導電部）、２６…導電部、３０…金属マスク、１００…液晶表示装置（電気光学装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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