(57)【要約】【課題】本発明の課題は、十分な化学収率・鏡像異性体過剰率を発現しかつ再使用可能なポリマー担持型不斉相間移動触媒（光学活性アンモニウムカチオン担持ポリマー）及びその製造方法、を提供することである。【解決手段】式（１）【化１】2009235393.tif 000056 （式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、置換基を有してもよいフェニレン等の２価基を表す。Ｚは、アルキレン等の２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表す。Ｒ１は、水素原子等を表す。）で表される繰り返し単位を、含有することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
2009235393.tif 000046
（式中、Ａ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。但し、Ｂと（Ｚ）ｎとの結合及び（Ｚ）ｎとＳＯ３−との結合は、光学活性４級アンモニウムカチオンを用いる反応条件下においても開裂することがない化学的に許容される範囲の結合を表す。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）
で表される繰り返し単位を、含有することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。
【請求項２】
式（１）が、式（２）
【化２】
2009235393.tif 000047
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を示し、ｍは０〜４の整数を示し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（１）と同一のものを表す。）で表される繰り返し単位であることを特徴とする請求項１に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。
【請求項３】
式（３）
【化３】
2009235393.tif 000048
（式中、Ｑは、水素原子、エステル、アミド又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。Ｒ３は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される繰り返し単位を、さらに含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。
【請求項４】
式（４）
【化４】
2009235393.tif 000049
（式中、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される単位を、さらに含有することを特徴とする請求項３に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。
【請求項５】
光学活性４級アンモニウムカチオン残基が、式（５）
Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ  （５）
（式中、Ｒａ〜Ｒｄは有機基であって、いずれも窒素原子と結合する有機基を表す。Ｒａ〜Ｒｄが全て同一である場合、Ｒａ〜Ｒｄのうち２個は互いに結合し、少なくとも１個の軸不斉を有する。Ｒａ〜Ｒｄのうち、全てが同一でないか、２個又は３個が同一である場合は、Ｒａ〜Ｒｄは互いに結合していてもよく、少なくとも１個の不斉炭素を有し、及び／又は、少なくとも１個の軸不斉を有する。）
で表される光学活性４級アンモニウムカチオン残基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。
【請求項６】
光学活性４級アンモニウムカチオン残基が、シンコナアルカロイドのアンモニウム誘導体、スピロアンモニウム誘導体、ビススピロアンモニウム誘導体、アゼピンのジアルキルオニウム誘導体又は４，５−ジ（アミノメチル）−［１，３］ジオキソランのジアンモニウム誘導体であることを特徴とする請求項５に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー。
【請求項７】
式（６）
【化５】
2009235393.tif 000050
（式中、Ａ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を示し、ｎは０〜１０の整数を示し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される光学活性４級アンモニウムスルホネート塩エチレン誘導体の単量体（Ａ）及び式（７）
【化６】
2009235393.tif 000051
（Ｑは、水素原子、エステル、アミド又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。Ｒ３は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表されるエチレン誘導体の単量体（Ｂ）を、共重合させることを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項８】
式（６）が、式（８）
【化７】
2009235393.tif 000052
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を示し、ｍは０〜４の整数を示し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（７）と同一のものを表す。）であることを特徴とする請求項７に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項９】
式（９）
【化８】
2009235393.tif 000053
（Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表されるジビニルベンゼン誘導体の単量体（Ｃ）をさらに含有させて、共重合させることを特徴とする請求項７又は８に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項１０】
式（１’）
【化９】
2009235393.tif 000054
（式中、Ｍ＋はアルカリ金属、アルカリ土類金属のイオンを表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を示し、ｎは０〜１０の整数を示し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜６アルキル基又はＣ２〜６アルケニル基を表す。）で表される繰り返し単位を含有するポリマーと、式（１０）
Ａ＋Ｘ−（１０）
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオンを表す。Ｘ−はハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表される光学活性４級アンモニウム塩を、溶媒中で混合することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項１１】
式（１’）が、式（２’）
【化１０】
2009235393.tif 000055
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜６アルキル基又はＣ１〜６アルコキシ基を示し、ｍは０〜４の整数を示し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ｍ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（１’）と同一のものを表す。）であることを特徴とする請求項１０に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項１２】
光学活性４級アンモニウムカチオンが、式（５）
Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ  （５）
（式中、Ｒａ〜Ｒｄは有機基であって、いずれも窒素原子と結合する有機基を表す。Ｒａ〜Ｒｄが全て同一である場合、Ｒａ〜Ｒｄのうち２個は互いに結合し、少なくとも１個の軸不斉を有する。Ｒａ〜Ｒｄのうち、全てが同一でないか、２個又は３個が同一である場合は、Ｒａ〜Ｒｄは互いに結合していてもよく、少なくとも１個の不斉炭素を有し、及び／又は、少なくとも１個の軸不斉を有する。）
で表される光学活性４級アンモニウムカチオンであることを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項１３】
光学活性４級アンモニウムカチオンが、シンコナアルカロイドのアンモニウム誘導体、スピロアンモニウム誘導体、ビススピロアンモニウム誘導体、アゼピンのジアルキルオニウム誘導体、又は４，５−ジ（アミノメチル）−［１，３］ジオキソランのジアンモニウム誘導体であることを特徴とする請求項１２に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜６に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーを含有してなることを特徴とする光学活性相間移動触媒。
【請求項１５】
Ｎ−置換−グリシン誘導体と、式（Ｑ）
Ｌ−Ｙ  （Ｑ）
（式中、Ｌは有機基を、Ｙは脱離基を表す。）で表される化合物を、請求項１〜６に記載のポリマーの存在下に処理することを特徴とする光学活性α−モノ置換−Ｎ−置換−グリシン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒の回収・再利用を容易にする触媒を担持したポリマーに関し、不斉相間移動触媒として有用な光学活性４級アンモニウム塩を担持したポリマー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆる不斉相間移動触媒として機能する様々な光学活性４級アンモニウム塩が開発され、相間移動反応による光学活性化合物の合成が可能になった。しかし、これらの光学活性アンモニウム塩は高価であり、その使用量も少なくなく、生成物との分離・回収・再使用は困難であり、実用化には課題があった。
【０００３】
このため、反応後反応系からの分離を容易にし、場合によっては再利用するため、ポリマーに担持された不斉相間移動触媒が発明されている。
例えば、特許文献１には、ポリエチレングリコールリンカーを有するポリスチレン担持光学活性アンモニウム塩、その製造方法、それから成るポリマー担持型光学活性相間移動触媒（以下、何らかのポリマーに担持された不斉相間移動触媒をポリマー触媒と呼称する場合がある）及びその触媒を用いる化学反応方法についての発明が開示されている。この文献法では、ポリエチレングリコールリンカーの末端のクロロメチルフェニル基を（−）−シンコニジンのキヌクリジン骨格の窒素原子に反応させて、光学活性４級アンモニウム塩を生成させると同時に高分子担持を行って、ポリマー触媒を得ている。
【０００４】
しかし、特許文献１記載のポリマー触媒では、生成物であるアミノ酸誘導体の鏡像異性体過剰率が十分でなく、ポリマー触媒が再使用可能であるとの記載もない。
【０００５】
また、非特許文献１では、特許文献１と類似の方法によってクロロメチル基を有する樹脂にシンコニジンを担持させたポリマー触媒を調製している。
【０００６】
しかし、非特許文献１記載のポリマー触媒は汎用性に乏しく（Ｔａｂｌｅ３．）、ポリマー触媒の再使用についてはこれに関する実験を化学収率・光学収率がいずれも中程度の実施例（Ｔａｂｌｅ２．Ｅｎｔｒｙ１１〜１３）を対象にして行っているため再使用可能であると明確な判断はできない。
【０００７】
さらに、非特許文献２には、樹脂末端のクロロメチルフェニル基の塩素と光学活性４級アンモニウム塩であるＮ−９−アントラセニルメチルシンコニジニウムクロリドの水酸基を反応させて形成させたエーテル結合によって該光学活性４級アンモニウム塩を樹脂に担持させ、ポリマー触媒を得ている。
【０００８】
非特許文献２記載のポリマー触媒は高い鏡像異性体過剰率（９３〜９４％ｅｅ）でアミノ酸誘導体を与えている。しかし、反応温度が低く（−４０〜−５０℃）、塩基には高価な水酸化セシウムを用いることから実用化には不利であり、またこのポリマー触媒が再使用可能であるとの記載もない。
【０００９】
また、従来技術では触媒能を発揮する分子を共有結合によって高分子に担持させるため、修飾し易い官能基を有するシンコナアルカロイド起源の４級アンモニウム塩誘導体の担持は可能であったが、近年開発された単分子で高い触媒能を発現するように立体的にデザインされた不斉相間移動触媒をその立体構造に影響せずにポリマー担持することは極めて困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−２６５５２６号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Tetrahedron Letters, 47(2006) 3239-3243
【非特許文献２】Synthesis, 2001, 1742-1746
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、十分な化学収率・鏡像異性体過剰率を発現し、かつ再使用可能なポリマー担持型不斉相間移動触媒である光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマー、その製造方法及びその使用方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、光学活性４級アンモニウム塩類を高分子化合物に効果的に担持させる方法を鋭意検討した結果、スルホネートを置換させた高分子化合物が光学活性４級アンモニウム塩類を安定に担持すること、及び、該高分子化合物は高い不斉誘起能を維持したまま再利用可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち本発明は、
１．式（１）
【化１】
2009235393.tif 000002
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。但し、Ｂと（Ｚ）ｎとの結合及び（Ｚ）ｎとＳＯ３−との結合は、光学活性４級アンモニウムカチオンを用いる反応条件下においても開裂することがない化学的に許容される範囲の結合を表す。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）
で表される繰り返し単位を、含有することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーや、
２．式（１）が、式（２）
【化２】
2009235393.tif 000003
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（１）と同一のものを表す。）で表される繰り返し単位であることを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーや、
３．式（３）
【化３】
2009235393.tif 000004
（Ｑは、水素原子、エステル、アミド又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。Ｒ３は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される繰り返し単位を、さらに含有することを特徴とする１．又は２．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーや、
４．式（４）
【化４】
2009235393.tif 000005
（Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される単位を、さらに含有することを特徴とする３．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーに関するものであり、
５．光学活性４級アンモニウムカチオン残基が、式（５）
Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ  （５）
（式中、Ｒａ〜Ｒｄは有機基であって、いずれも窒素原子と結合する有機基を表す。Ｒａ〜Ｒｄが全て同一である場合、Ｒａ〜Ｒｄのうち２個は互いに結合し、少なくとも１個の軸不斉を有する。  Ｒａ〜Ｒｄのうち、全てが同一でないか、２個又は３個が同一である場合は、Ｒａ〜Ｒｄは互いに結合していてもよく、少なくとも１個の不斉炭素を有し、及び／又は、少なくとも１個の軸不斉を有する。）
で表される光学活性４級アンモニウムカチオン残基であることを特徴とする１．〜４．のいずれかに記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーや、
６．光学活性４級アンモニウムカチオン残基が、シンコナアルカロイドのアンモニウム誘導体、スピロアンモニウム誘導体、ビススピロアンモニウム誘導体、アゼピンのジアルキルオニウム誘導体又は４，５−ジ（アミノメチル）−［１，３］ジオキソランのジアンモニウム誘導体であることを特徴とする５．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーに関する。
【００１５】
また、本発明は、
７．式（６）
【化５】
2009235393.tif 000006
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される光学活性４級アンモニウムスルホネート塩エチレン誘導体の単量体（Ａ）（以下、本明細書中で「エチレン誘導体単量体（Ａ）」ということがある。）及び式（７）
【化６】
2009235393.tif 000007
（Ｑは、水素原子、エステル、アミド又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。Ｒ３は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表されるエチレン誘導体の単量体（Ｂ）（以下、本明細書中で「エチレン誘導体単量体（Ｂ）」ということがある。）とを、共重合させることを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法や、
８．式（６）が、式（８）
【化７】
2009235393.tif 000008
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（７）と同一のものを表す。）であることを特徴とする７．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法や、
９．式（９）
【化８】
2009235393.tif 000009
（Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表されるジビニルベンゼン誘導体の単量体（Ｃ）（以下、本明細書中で「ジビニルベンゼン誘導体単量体（Ｃ）」ということがある。）をさらに含有させて、共重合させることを特徴とする７．又は８．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法に関するものである。
【００１６】
さらに、本発明は、
１０．式（１’）
【化９】
2009235393.tif 000010
（式中、Ｍ＋はアルカリ金属、アルカリ土類金属のイオンを表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜６アルキル基又はＣ２〜６アルケニル基を表す。）で表される繰り返し単位を含有するポリマーと、式（１０）
Ａ＋Ｘ−（１０）
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオンを表す。Ｘ−はハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表される光学活性４級アンモニウム塩を、溶媒中で混合することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法や、
１１．式（１’）が、式（２’）
【化１０】
2009235393.tif 000011
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜６アルキル基又はＣ１〜６アルコキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ｍ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（１’）と同一のものを表す。）であることを特徴とする１０．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法に関するものである。
【００１７】
さらに本発明は、
１２．光学活性４級アンモニウムカチオンが、式（５）
Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ  （５）
（式中、Ｒａ〜Ｒｄは有機基であって、いずれも窒素原子と結合する有機基を表す。Ｒａ〜Ｒｄが全て同一である場合、Ｒａ〜Ｒｄのうち２個は互いに結合し、少なくとも１個の軸不斉を有する。Ｒａ〜Ｒｄのうち、全てが同一でないか、２個又は３個が同一である場合は、Ｒａ〜Ｒｄは互いに結合していてもよく、少なくとも１個の不斉炭素を有し、及び／又は、少なくとも１個の軸不斉を有する。）
で表される光学活性４級アンモニウムカチオンであることを特徴とする７．〜１１．のいずれかに記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法や、
１３．光学活性４級アンモニウムカチオンが、シンコナアルカロイドのアンモニウム誘導体、スピロアンモニウム誘導体、ビススピロアンモニウム誘導体、アゼピンのジアルキルオニウム誘導体、又は４，５−ジ（アミノメチル）−［１，３］ジオキソランのジアンモニウム誘導体であることを特徴とする１２．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法に関する。
【００１８】
さらに本発明は、
１４．１．〜６．に記載の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーを含有してなることを特徴とする光学活性相間移動触媒、及び、
１５．Ｎ−置換−グリシン誘導体と、式（Ｑ）
Ｌ−Ｙ  （Ｑ）
（式中、Ｌは有機基を、Ｙは脱離基を表す。）で表される化合物を、１．〜６．に記載のポリマーの存在下に処理することを特徴とする光学活性α−モノ置換−Ｎ−置換−グリシン誘導体の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーは、高い不斉誘起能を有する光学活性４級アンモニウムカチオンを安定かつ反応時の自由度を保持して担持するため、該４級アンモニウムカチオンの触媒活性を維持したまま、反応・回収・再使用が可能であり、不斉合成において極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】［実施例１］の単量体Ａ−１の１Ｈ−ＮＭＲチャートである。
【図２】［実施例１］のポリマーＰ−１の１Ｈ−ＮＭＲチャートである。
【図３】［実施例２］の単量体Ａ−２の１Ｈ−ＮＭＲチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（１）ポリマー
本発明の第一は、式（１）
【化１１】
2009235393.tif 000012
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。但し、Ｂと（Ｚ）ｎとの結合及び（Ｚ）ｎとＳＯ３−との結合は、光学活性４級アンモニウムカチオンを用いる反応条件下においても開裂することがない化学的に許容される範囲の結合を表す。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）
で表される繰り返し単位を、含有することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーである。
【００２２】
本発明のポリマーは、上記式（１）で表される繰り返し単位を有するポリマーであれば、ランダム共重合体、グラフト共重合体、ブロック共重合体又はこれらの混合物のいずれでもよい。
【００２３】
＜繰り返し単位＞
上記式（１）で表される繰り返し単位において、Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。
置換基を有してもよいフェニレンの置換基としては、同一又は異なって置換数１〜４のフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、２−メチルシクロプロピル、シクロプロピルメチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等の直鎖、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル基；
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロプロポキシ、シクロブトキシ、２−メチルシクロプロポキシ、シクロプロピルメトキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ等の直鎖、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を挙げることができる。
【００２４】
Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。
「アルキレン」としては、Ｃ１〜Ｃ３の直鎖アルキレンが挙げられ、具体的にはメチレン、エチレン、トリメチレンが挙げられる。
「オキシアルキレン」としては、上記のアルキレンとオキソ基との結合したオキシメチレン、オキシエチレン、オキシプロピレンが挙げられる。
【００２５】
但し、Ｂと（Ｚ）ｎとの結合及び（Ｚ）ｎとＳＯ３−との結合は、光学活性４級アンモニウムカチオンを用いる反応条件下においても開裂することがない化学的に許容される範囲の結合を表す。そのため具体的には、ＢとＺとの結合は炭素原子と炭素原子、或いは炭素原子と酸素原子との結合が好ましく、ＺとＳＯ３−との結合は炭素原子と硫黄原子との結合が好ましい。
【００２６】
Ｒ１の「Ｃ１〜Ｃ６アルキル基」の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、２−メチルシクロプロピル、シクロプロピルメチル等が挙げられる。
【００２７】
Ｒ１の「Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基」の例としては、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、イソプロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−メチル−２−ブテニル、１−メチル−３−ブテニル、１，１−ジメチル−２−プロペニル、３−メチル−２−ブテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、２−メチル−１−ペンテニル、３−メチル−１−ペンテニル、４−メチルー１−ペンテニル、２−メチル−２−ペンテニル、３−メチル−２−ペンテニル、２−エチル−１−ブテニル、３，３−ジメチル−１−ブテニル等が挙げられる。
【００２８】
さらに、本発明は、好ましくは上記の式（１）で表される繰り返し単位が、式（２）
【化１２】
2009235393.tif 000013
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（１）と同一のものを表す。）であることを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーである。
【００２９】
式（２）中において、Ｒ２の「Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基」の例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロプロポキシ、シクロブトキシ、２−メチルシクロプロポキシ、シクロプロピルメトキシ、シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ等を挙げることができる。
【００３０】
また、本発明は、式（３）
【化１３】
2009235393.tif 000014
（Ｑは、水素原子、エステル、アミド又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。Ｒ３は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される繰り返し単位を、さらに含有することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーである。
【００３１】
式（３）中において、Ｑの「エステル」の例としては、メチルエステル、エチルエステル、ｎ−プロピルエステル等のＣ１〜Ｃ６アルキルエステルが挙げられる。
Ｑの「置換基を有してもよいフェニル基」の置換基としては、式（１）の置換基を有してもよいフェニレンの置換基と同様のものが挙げられる。
Ｒ３のＣ１〜Ｃ６アルキル基及びＣ２〜Ｃ６アルケニル基は、Ｒ１で例表したものと同様を表す。
【００３２】
また、本発明は、式（４）
【化１４】
2009235393.tif 000015
（式中、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される単位を、さらに含有することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーであることが好ましい。
【００３３】
式（４）中において、Ｒ４のＣ１〜Ｃ６アルキル基及びＣ２〜Ｃ６アルケニル基は、Ｒ１で例示したものと同様のものを表す。上記の式（４）で表される単位をさらに含有することで、分岐鎖を持つポリマーを形成する。
【００３４】
＜光学活性４級アンモニウムカチオン＞
本発明において、式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン又は光学活性４級アンモニウムカチオン残基であり、光学活性４級アンモニウムカチオンは、式（５）のように「Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ」で表すことができる。
【００３５】
Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ中、Ｒａ〜Ｒｄは有機基であって、いずれも窒素原子と結合する有機基を表す。Ｒａ〜Ｒｄが全て同一である場合、Ｒａ〜Ｒｄのうち２個は互いに結合し、少なくとも１個の軸不斉を有する。Ｒａ〜Ｒｄのうち、全てが同一でないか、２個又は３個が同一である場合は、Ｒａ〜Ｒｄは互いに結合していてもよく、少なくとも１個の不斉炭素を有し、及び／又は、少なくとも１個の軸不斉を有する。
Ｒａ〜Ｒｄの有機基としては、窒素原子と結合できるものであれば特に制限されず、例えば炭化水素基が挙げられ、炭化水素基としてはＲ１〜Ｒ４のＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基等の飽和又は不飽和鎖状脂肪族炭化水素基が挙げられるほか、環状脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、これらの基の複合基等があり、複合基としては例えば、環状脂肪族炭化水素基と芳香族炭化水素基が複合した多環基が挙げられる。また、有機基は炭素及び水素以外の原子を有する基であってもよく、例えば、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を含む基であってもよい。
さらに、有機基は置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；水酸基；チオール基；シアノ基；イソシアノ基；ニトロ基；イソシアナト基、イソチオシアナト基、シアナト基、チオシアナト基、アミノ基等が挙げられる。
【００３６】
光学活性４級アンモニウムカチオン源となる光学活性４級アンモニウム塩としては、具体的には、不斉相間移動触媒として公知の光学活性４級アンモニウム塩化合物が挙げられ、不斉炭素を有するもの、軸不斉を有するものがある。
このうち、軸不斉を有するものとしては、ビナフチル化合物やビフェニル化合物の誘導体があり、例えば、ビナフチル化合物としては、一般式（１０）
【化１５】
2009235393.tif 000016
【００３７】
（式中、ｎは０〜６を表し、Ｒｘは互いに同一でも異なっていてもよい有機基を表す。Ｒｘ同士は互いに結合して、炭素環或いは複素環を形成していてもよい。Ｘ−は、ハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表されるものがある。
【００３８】
具体的には、光学活性４級アンモニウムのなかで不斉相間移動触媒として高い機能を有するシンコナアルカロイド類のオニウム塩誘導体である下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物
【化１６】
2009235393.tif 000017
【００３９】
又は下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化１７】
2009235393.tif 000018
【００４０】
またビナフチル化合物としては、一般式（１１）
【化１８】
2009235393.tif 000019
【００４１】
（式中、ｎは０〜６を表す。Ｒｘは互いに同一でも異なっていてもよい有機基を表す。Ｒｘ同士は互いに結合して、炭素環或いは複素環を形成していてもよい。Ｘ−は、ハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表されるものがある。
【００４２】
具体的には、アゼピンのジアルキルオニウム塩誘導体である下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化１９】
2009235393.tif 000020
【００４３】
また、一般式（１２）
【化２０】
2009235393.tif 000021
【００４４】
（式中、ｎは０〜６を表し、ｎ’は０〜４を表す。Ｒｘは互いに同一でも異なっていてもよい有機基を表す。Ｒｘ同士は互いに結合して、炭素環或いは複素環を形成していてもよい。Ｘ−は、ハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表されるものがある。
【００４５】
具体的には、シンコナアルカロイド類のスピロアンモニウム塩誘導体である下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化２１】
2009235393.tif 000022
【００４６】
ビフェニル化合物としては、一般式（１３）
【化２２】
2009235393.tif 000023
【００４７】
（式中、ｎ’は０〜４を表す。Ｒｘは互いに同一でも異なっていてもよい有機基を表す。Ｒｘ同士は互いに結合して、炭素環或いは複素環を形成していてもよい。Ｘ−は、ハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表されるものがある。
【００４８】
アゼピンのジアルキルオニウム塩誘導体としては、具体的には、下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化２３】
2009235393.tif 000024
【００４９】
また、アゼピンのアンモニウム塩誘導体としては、具体的には、下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化２４】
2009235393.tif 000025
【００５０】
さらに、分子内に複数のアンモニウムカチオンを有する化合物としては、具体的には、下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化２５】
2009235393.tif 000026
【００５１】
その他、光学活性４級アンモニウムの不斉相間移動触媒として、次のものを挙げることができる。
【００５２】
シンコナアルカロイド類のアンモニウム塩誘導体としては、一般式（１４）
【化２６】
2009235393.tif 000027
【００５３】
（式中、ｎ”は０〜４を表す。Ｒｙは互いに同一でも異なっていてもよく、Ｃ１〜Ｃ８アルキル基、Ｃ２〜Ｃ８アルケニル基、Ｃ６〜Ｃ１４アリール基を表す。Ｘ−は、ハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表されるものがある。
式（１４）中のＣ１〜Ｃ６アルキル基、Ｃ２〜Ｃ６アルケニル基としては、Ｒ１〜Ｒ４における例示と同じものが挙げられる。Ｃ６〜Ｃ１４アリール基としては例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、１−アントリル、２−アントリル、９−アントリル、１−フェナントリル、２−フェナントリル、３−フェナントリル、４−フェナントリル、９−フェナントリル、１０−フェナントリル等を挙げることができる。
【００５４】
具体的には、下記に表す化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
【化２７】
2009235393.tif 000028
【００５５】
分子内に複数のアンモニウムカチオンを有する化合物である４，５−ジ（アミノメチル）−［１，３］ジオキソランのジアンモニウム塩誘導体としては、具体的には、
【化２８】
2009235393.tif 000029
【００５６】
で表される化合物とその誘導体ならびに関連化合物を挙げることができる。
これらに例表した以外にも、４級アンモニウム塩構造を有し、光学活性であるなら、もちろんこれら以外の構造の化合物も同様に用いることができる。
【００５７】
（２）光学活性４級アンモニウム担持ポリマーの製造方法１
本発明の第２は、光学活性４級アンモニウム担持ポリマーの製造方法に関するものである。
すなわち、式（６）
【化２９】
2009235393.tif 000030
（式中、Ａ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオン残基を表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表される光学活性４級アンモニウムスルホネート塩エチレン誘導体の単量体（Ａ）及び式（７）
【化３０】
2009235393.tif 000031
（Ｑは、水素原子、エステル、アミド又は置換基を有してもよいフェニル基を表す。Ｒ３は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表されるエチレン誘導体の単量体（Ｂ）を、共重合させることで、光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーを製造方法することができる。
【００５８】
＜エチレン誘導体単量体（Ａ）＞
上記式（６）で表されるエチレン誘導体単量体（Ａ）において、Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−又は置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。
式（６）における、Ｂの置換基を有してもよいフェニレンの置換基、Ｚのアルキレン、オキシアルキレン、Ｒ１のＣ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基の具体例としては、前記式（１）と同じものが挙げられる。
但し、Ｂと（Ｚ）ｎとの結合及び（Ｚ）ｎとＳＯ３−との結合は、光学活性４級アンモニウムカチオンを用いる反応条件下においても開裂することがない化学的に許容される範囲の結合を表す。そのため、ＺとＳＯ３−との結合は炭素原子と硫黄原子とで結合する。
【００５９】
＜エチレン誘導体単量体（Ｂ）＞
上記式（７）で表されるエチレン誘導体単量体（Ｂ）において、Ｑのエステル、Ｒ３のＣ１〜Ｃ６アルキル基及びＣ２〜Ｃ６アルケニル基の具体例としては、前記式（３）と同じものが挙げられる。
【００６０】
エチレン誘導体単量体（Ｂ）の具体例としては、
α−メチルスチレン、α−メチル−ｐ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ジビニルベンゼン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、ｐ−イソプロピルスチレン、２，４，６−トリイソプロピルスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−α−メチルスチレン、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン、ｐ−（１−エトキシエトキシ）スチレン等のスチレン誘導体；
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル等の（メタ）アクリル酸エステル誘導体を挙げることができる。
【００６１】
さらに、本発明は、好ましくは上記の式（６）で表されるエチレン誘導体単量体（Ａ）が、式（８）
【化３１】
2009235393.tif 000032
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基又はＣ１〜Ｃ６アルコキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ａ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（７）と同一のものを表す。）であることを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法である。
【００６２】
式（８）中において、Ｒ２のＣ１〜Ｃ６アルコキシ基の例としては、前記式（２）と同じものが挙げられる。
【００６３】
また、本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法は、上記のエチレン誘導体単量体（Ａ）及びエチレン誘導体単量体（Ｂ）の他に、式（９）
【化３２】
2009235393.tif 000033
（Ｒ４は、水素原子、Ｃ１〜Ｃ６アルキル基、又はＣ２〜Ｃ６アルケニル基を表す。）で表されるジビニルベンゼン誘導体の単量体（Ｃ）をさらに含有させて、共重合させることがより好ましい。
【００６４】
式（９）中において、Ｒ４のＣ１〜Ｃ６アルキル基及びＣ２〜Ｃ６アルケニル基は、Ｒ１で例表したものと同様を表す。上記の式（９）で表されるジビニルベンゼン誘導体単量体（Ｃ）をさらに含有することで、分岐鎖を持つポリマーを形成することができる。
【００６５】
＜重合方法＞
重合方法には特に限定はないが、ラジカル重合、懸濁重合が好ましい。使用する全単量体中のエチレン誘導体単量体（Ａ）は０．１〜３０モル％、単量体（Ｂ）は７０〜９９．９モル％であることが好ましい。これにさらに単量体（Ｃ）を含有させる場合には、単量体（Ｃ）は０．１〜２０モル％が好ましい。より好ましくは、エチレン誘導体単量体（Ａ）が０．５〜２０モル％、単量体（Ｂ）が７０〜９８．５モル％、単量体（Ｃ）が１〜１０モル％である。
【００６６】
共重合させる方法としては、例えば、重合開始剤等の触媒の存在下、単量体を溶媒に溶解させて行うことができる。
【００６７】
溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＭｅ、ＣＰＭＥ、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯ、水等が挙げられ、これらを適宜混合して用いることもできる。これらの中ではＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯが好ましい。溶媒の量は、特に限定されないが、通常、単量体混合物１００重量部に対して、５０〜５０００重量部程度であることが好ましい。
【００６８】
重合開始剤としては、ペルオキシピバル酸ｔｅｒｔ−ブチル、過酸化ベンゾイル、α, α'-アゾビスイソブチロニトリル、過硫酸カリウム等が挙げられる。重合開始剤の使用量は、通常、単量体混合物１００重量部に対して、０．０１〜５０重量部が好ましい。
【００６９】
反応温度は、通常、溶媒の融点〜溶媒の沸点の範囲であれば可能であるが、０℃〜８０℃が好ましく、反応雰囲気は、大気であってもよいが、適宜に窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気で行うこともできる。
【００７０】
反応の終了は、薄層クロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィー、１Ｈ−ＮＭＲ等により容易に確認することができる。反応終了後は、濾過、濃縮、抽出、精製等の公知の操作により、得られた光学活性４級アンモニウム担持ポリマーを単離することができる。
【００７１】
（３）光学活性４級アンモニウム担持ポリマーの製造方法２
また、別の製造方法として、本発明の光学活性４級アンモニウム担持ポリマーは、金属スルホネート塩が置換した繰り返し単位を含有する金属スルホネート塩ポリマーと光学活性４級アンモニウム塩を溶媒中で混合して得ることもできる。
【００７２】
すなわち、式（１’）
【化３３】
2009235393.tif 000034
（式中、Ｍ＋はアルカリ金属、アルカリ土類金属のイオンを表す。Ｂは、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び置換基を有してもよいフェニレンから選択される２価基を表す。Ｚは、アルキレン、フェニレン、オキシアルキレン及びオキシフェニレンから選択される２価基を表し、ｎは０〜１０の整数を表し、ｎが２以上である場合、Ｚは互いに同一でも異なっていてもよい。Ｒ１は、水素原子、Ｃ１〜６アルキル基又はＣ２〜６アルケニル基を表す。）で表される繰り返し単位を含有するポリマー（「金属スルホネート塩ポリマー」ということがある。）と、式（１０）
Ａ＋Ｘ−（１０）
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオンを表す。Ｘ−はハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表される光学活性４級アンモニウム塩を、溶媒中で混合することを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法である。
【００７３】
＜繰り返し単位＞
上記式（１’）で表される繰り返し単位において、Ｍ＋はアルカリ金属、アルカリ土類金属のイオンを表す。
アルカリ金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウムを、アルカリ土類金属としては、マグネシウム、カルシウムを挙げることができる。
Ｂにおける置換基を有してもよいフェニレンにおける置換基、Ｚにおけるアルキレン及びオキシアルキレン、Ｒ１におけるＣ１〜６アルキル基又はＣ２〜６アルケニル基としては、式（１）と同様のものが挙げられる。但し、Ｂと（Ｚ）ｎとの結合及び（Ｚ）ｎとＳＯ３−との結合も、式（１）と同様に、ＢとＺとの結合は炭素原子と炭素原子、或いは炭素原子と酸素原子との結合が好ましく、ＺとＳＯ３−との結合は炭素原子と硫黄原子との結合が好ましい。
【００７４】
また、本発明は、式（１’）が、式（２’）
【化３４】
2009235393.tif 000035
（式中、Ｒ２は、ハロゲン原子、Ｃ１〜６アルキル基又はＣ１〜６アルコキシ基を表し、ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上である場合、Ｒ２は互いに同一でも異なっていてもよい。Ｍ＋、Ｒ１、Ｚ及びｎは、前記式（１’）と同一のものを表す。）であることを特徴とする光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの製造方法であることが好ましい。
【００７５】
金属スルホネート塩ポリマーは、上記式（１’）もしくは式（２’）で表される繰り返し単位に対応するエチレン誘導体単量体（エチレン誘導体単量体（Ａ’）ということがある）及び、前述の単量体（Ｂ）及び／又は単量体（Ｃ）と共重合されてポリマーとなっていてもよく、さらに別の単量体と共重合されてポリマーとなっていてもよい。
【００７６】
単量体混合物中のエチレン誘導体単量体（Ａ’）の量は０．１〜３０モル％、単量体（Ｂ）は７０〜９９．９モル％が好ましく、これにさらに単量体（Ｃ）を含有させる場合には、単量体（Ｃ）は０．１〜２０モル％が好ましい。より好ましくは、エチレン誘導体単量体（Ａ’）、単量体（Ｂ）と単量体（Ｃ）の混合物中の、エチレン誘導体単量体（Ａ’）が０．５〜２０モル％、単量体（Ｂ）が７０〜９８．５モル％、単量体（Ｃ）が１〜１０モル％である。
【００７７】
共重合させる方法としては、例えば、重合開始剤等の触媒の存在下、単量体混合物を溶媒に溶解させて行うことができる。
【００７８】
溶媒としては、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯ、水、等が挙げられ、これらを適宜混合して用いることもできる。これらの中ではＤＭＦ、ＤＭＳＯ、水、あるいはこれらの混合溶媒が好ましい。溶媒の量は、特に限定されないが、通常、単量体混合物１００重量部に対して、５０〜５０００重量部程度であることが好ましい。
【００７９】
重合開始剤、反応温度、反応の終了の確認、生成物の単離の具体例としては、前記光学活性４級アンモニウム担持ポリマーの製造方法１と同じものが挙げられる。
【００８０】
＜アンモニウム塩置換反応＞
続いて、前記の操作により得られた金属スルホネート塩ポリマーと、式（１０）
Ａ＋Ｘ−（１０）
（式中のＡ＋は、光学活性４級アンモニウムカチオンを表す。Ｘ−はハロゲン原子、有機酸、リン酸、亜リン酸、硝酸、重炭酸又は炭酸のアニオンを表す。）で表された光学活性４級アンモニウム塩を溶媒中で混合することにより、本発明の光学活性４級アンモニウム担持ポリマーを製造することができる。
【００８１】
本発明においては、式（１０）で表された光学活性４級アンモニウム塩は、光学活性４級アンモニウムカチオン（Ａ＋）が、式（５）
Ｎ＋ＲａＲｂＲｃＲｄ  （５）
（式中、Ｒａ〜Ｒｄは有機基であって、いずれも窒素原子と結合する有機基を表す。Ｒａ〜Ｒｄが全て同一である場合、Ｒａ〜Ｒｄのうち２個は互いに結合し、少なくとも１個の軸不斉を有する。Ｒａ〜Ｒｄのうち、全てが同一でないか、２個又は３個が同一である場合は、Ｒａ〜Ｒｄは互いに結合していてもよく、少なくとも１個の不斉炭素を有し、及び／又は、少なくとも１個の軸不斉を有する。）
で表される光学活性４級アンモニウムカチオンであることが好ましい。
【００８２】
さらに、上記の光学活性４級アンモニウムカチオンは、シンコナアルカロイドのアンモニウム誘導体、スピロアンモニウム誘導体、ビススピロアンモニウム誘導体、アゼピンのジアルキルオニウム誘導体、又は４，５−ジ（アミノメチル）−［１，３］ジオキソランのジアンモニウム誘導体であることが好ましい。これらの具体例は、上述の＜光学活性４級アンモニウムカチオン＞で例表した化合物を挙げることができる。
【００８３】
アンモニウム塩置換反応に用いる溶媒は、特に制限はなく使用でき、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＭｅ、ＣＰＭＥ、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ＤＭＦ、ＮＭＰ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯ、水等が挙げられ、これらを適宜混合して用いることもできる。操作性の観点から、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＭｅ、ＣＰＭＥ等の非水溶性溶媒と水の混合溶媒が好ましい。溶媒の量は、特に限定されないが、通常、金属スルホネート塩ポリマー１００重量部に対して、５０〜５０００重量部程度であることが好ましい。
【００８４】
反応温度は、通常、溶媒の融点〜溶媒の沸点の範囲であれば可能であるが、０℃〜８０℃が好ましく、反応雰囲気は、大気であってもよいが、適宜に窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気で行うこともできる。
【００８５】
前記溶媒中で混合する際の、［金属スルホネート塩ポリマー］：［式（１０）で表される光学活性４級アンモニウム塩］のモル比は、制限無く可能であるが、操作性の観点から１，０００：１から１：１０が好ましく、実用的には２００：１から１：２が好ましい。
【００８６】
本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーは、前記のいずれの方法によっても製造でき、重合度（単量体Ａ又は単量体Ａ’を含む単量体の総数）は２０〜１００，０００であることが好ましく、５０〜５０，０００であることがより好ましい。アンモニウム塩化度（光学活性４級アンモニウムカチオン／単量体の総数）は０．００１〜０．３であることが好ましく、０．００５〜０．２であることがより好ましい。単量体（Ｃ）を含む場合には、架橋度（単量体（Ｃ）／モノマー総数）が０．００１〜０．２であることが好ましく、０．０１〜０．１であることがより好ましい。
前記以外の方法によって製造する場合も、これらの重合度、アンモニウム塩化度、架橋度を有していれば、本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーとして使用することができる。
【００８７】
（４）不斉触媒反応
本発明の第３は、上記の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーを含有してなることを特徴とする光学活性相間移動触媒である。本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーは、光学活性相間移動触媒として用いることで、各種の光学活性相間移動触媒反応を行うことができる。光学活性相間移動触媒反応としては、アルキル化、シクロプロパン化、マイケル付加、エポキシ化、酸化、還元、アルドール等の各不斉反応を挙げることができる。一般的に不斉アルキル化が好結果を与える場合が多い。
不斉アルキル化反応の具体例としては、本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの存在下に、グリシン誘導体にハロアルキルに代表される各種求電子試薬を作用させ光学活性アミノ酸類の前駆体として有用な光学活性α−モノ置換−Ｎ−置換−グリシン誘導体がある。
【００８８】
＜光学活性α−モノ置換−Ｎ−置換−グリシン誘導体の製造方法＞
光学活性α−モノ置換−Ｎ−置換−グリシン誘導体の製造方法としては、具体的には、Ｎ−置換−グリシン誘導体と、式（Ｑ）
Ｌ−Ｙ  （Ｑ）
（式中、Ｌは有機基を、Ｙは脱離基を表す。）で表される化合物を、上記の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーの存在下に処理する方法である。
【００８９】
Ｎ−置換−グリシン誘導体としては、Ｎ−（ジアリルメチレン）グリシンアルキルエステル、Ｎ−（ジアリルメチレン）グリシンアラルキルエステル等を挙げることができ、具体的には、Ｎ−（ジフェニルメチレン）グリシンｔｅｒｔ−ブチルエステルを例表することができる。
【００９０】
式（Ｑ）においてＬの有機基としては、グリシンに置換できる有機基であれば特に制限されないが、例えば炭化水素基や複素環基が挙げられ、炭化水素基としては例えば、置換基を有していてもよい直鎖、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル基、置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１４アリール基、置換基を有していてもよいＣ７〜Ｃ１６アラルキル基等を挙げることができ、複素環基としては置換基を有していてもよいＣ３〜Ｃ８ヘテロアリ−ル基等を挙げることができ、前記の有していてもよい置換基はＲ１〜Ｒ４のものと同様の置換基から選ぶことができる。
【００９１】
Ｙの脱離基としては、本発明の不斉アルキル化反応において脱離する基であれば特に制限されないが、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲン原子を表す。
【００９２】
置換基を有していてもよい直鎖、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル基の直鎖、分岐もしくは環状のＣ１〜Ｃ６アルキル基の例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、シクロプロピル、シクロブチル、２−メチルシクロプロピル、シクロプロピルメチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。
【００９３】
置換基を有していてもよいＣ６〜Ｃ１４アリール基のＣ６〜Ｃ１４アリール基の例としては、式（１４）中のＲｙのＣ６〜Ｃ１４アリール基と同じものを挙げることができる。
【００９４】
置換基を有していてもよいＣ３〜Ｃ８ヘテロアリ−ル基のＣ３〜Ｃ８ヘテロアリ−ル基としては、同一又は異なってＮ、Ｏ、Ｓ各原子の１〜４個を含む単環、多環又は縮合環である基が挙げられ、具体的例としては、２−ピリジル、３−ピリジル、４−ピリジル、２−キノニル、３−キノニル、４−キノニル、５−キノニル、６−キノニル、７−キノニル、８−キノニル、２−インドリル、３−インドリル、４−インドリル、５−インドリル、６−インドリル、７−インドリル、２−フリル、３−フリル、２−チエニル、３−チエニル、２−ピロリジル、３−ピロリジル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、５−イミダゾリル、２−オキサゾリル、４−オキサゾリル、５−オキサゾリル、２−チアゾリル、４−チアゾリル、５−チアゾリル等を挙げることができる。
【００９５】
置換基を有していてもよいＣ７〜Ｃ１６アラルキル基のＣ７〜Ｃ１６アラルキル基としては例えば、ベンジル、１−フェニルエチル、２−フェニルエチル、１−メチル１−フェニルエチル、１−ナフチルメチル、２−ナフチルメチル等を挙げることができる。
【００９６】
この反応は、溶媒にグリシン誘導体と式（Ｑ）で表される化合物及び本発明の光学活性４級アンモニウムカチオン担持ポリマーを添加して行う。
【００９７】
溶媒には特に制限は無いが、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ベンゼン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、塩化メチレン、クロロホルム、トリクロロエチレン、クロロベンゼン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ＢｕＯＭｅ、ＣＰＭＥ、水等を単独あるいは混合して使用される。溶媒量にも特に限定はないが、通常、式（Ｑ）の化合物及びポリマーの合計重量１００重量部に対して、５０〜５０００重量部程度であることが好ましい。
【００９８】
また、本反応系に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等のアルカリ性物質の１種類或いは２種類以上を添加して行うこともできる。アルカリ性物質の添加量は式（Ｑ）の化合物に対して０．５倍ｍｏｌ〜５０倍ｍｏｌ、好ましくは、１．０倍ｍｏｌ〜１０倍ｍｏｌである。また、これらのアルカリ性物質は結晶のまま加えるか、水で適宜に希釈して加えることができる。水で希釈して加える場合の濃度は１０％から７０％（ｗ／ｗ）の過飽和状態まで、好ましくは３０％から飽和濃度である。
【００９９】
反応温度は、−２０℃〜溶媒の沸点の範囲で行うことができるが、好ましくは、−１０℃〜８０℃程度である。一般に反応は２相系で行うため、ポリマーの破損による回収困難を招かない範囲の攪拌を与えることが好ましい。反応終了後は、通常の後処理により、目的物質を分離精製することができる。
【実施例】
【０１００】
次に、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれの実施例により限定されるものではない。なお化合物の分析には次の機器を使用した。
ＮＭＲ：ｖａｒｉａｎ  ＩＮＯＶＡ−４００（溶媒  ＣＤＣｌ３）
ＩＲ  ：日本電子      ＪＩＲ−７０００（試料調整  ＫＢｒ）
【０１０１】
［実施例１］
１）単量体Ａ−１（ｐ−ビニルフェニルスルホン酸  Ｎ−９−アントラセニルメチルシンコニジニウム塩）の合成
【化３５】
2009235393.tif 000036
Ｎ−９−アントラセニルメチルシンコニジニウム  クロリド（４１６．９ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）とｐ−ビニルフェニルスルホン酸ナトリウム（１８５．６ｍｇ、０．９００ｍｍｏｌ）を塩化メチレンと水の混合溶媒（３ｍｌ＋２ｍｌ）に溶解させ、室温で１０時間攪拌した。その後、反応溶液を分液し塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過・濃縮し、ｐ−ビニルフェニルスルホン酸  Ｎ−９−アントラセニルメチルシンコニジニウム塩（Ａ−１）を得た（４７６．２ｍｇ、０．７１２ｍｍｏｌ：収率８９％）。
【０１０２】
２）ポリマー触媒Ｐ−１（スルホン酸塩型ポリスチレン固定化型シンコニジニウム塩）の合成
【化３６】
2009235393.tif 000037
重合用アンプル管にｐ−ビニルフェニルスルホン酸  Ｎ−９−アントラセニルメチルシンコニジニウム塩（Ａ−１：２６８．０ｍｇ、０．４０ｍｍｏｌ）、スチレン（３６６．０ｍｇ、３．５０ｍｍｏｌ）、ジビニルベンゼン（１０．４ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）、ＡＩＢＮ（１３．２ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）を加え、ＤＭＦ６２０ｍｇに溶解させた。これを液体窒素に浸して内部の混合液を凍結させ、真空ポンプにより約１５分間減圧した後、管を水中に浸して解凍させることにより系を脱気した。この操作を３回繰り返した後、封管し、６０℃のオイルバス中で２４時間加熱攪拌した。反応終了後、これを濾過し、得られたゲルを塩化メチレン及びメタノールで洗浄した後、４０℃で１０時間真空乾燥させてポリマー触媒Ｐ−１を得た（４１９ｍｇ：収率６５％）。キラル第４級アンモニウム塩の導入率を１０．１％ と見積もった（０．６２ｍｍｏｌＮＲ４／ポリマーｇ）。
ここにおいて、「ｍｍｏｌＮＲ４／ポリマーｇ」とは、ポリマー１ｇ当りの４級アンモニウム塩を有する単量体部分のミリモル数を意味する。
【０１０３】
３）ポリマー触媒Ｐ−１による不斉アルキル化反応：光学活性Ｎ−(ジフェニルメチレン)フェニルアラニン  ｔｅｒｔ−ブチルエステルの製造
【化３７】
2009235393.tif 000038
トルエン２ｍｌに、ポリマー触媒Ｐ−１（５４．６ｍｇ、０．０３４ｍｍｏｌ）、Ｎ−(ジフェニルメチレン)グリシン  ｔｅｒｔ−ブチルエステル（１００ｍｇ、０．３４ｍｍｏｌ）、５０％水酸化カリウム水溶液０．５ｍｌを加え、０℃で１５分間攪拌させた。その後、臭化ベンジル（７０ｍｇ、０．４１ｍｍｏｌ）を加えて、同温でさらに１０時間攪拌した。反応終了後、飽和塩化ナトリウム水溶液を加えグラスフィルターを用いてろ過し、ポリマー触媒（Ｐ−１）をジクロロメタンで洗浄した。集めたろ液を分液し、水層をジクロロメタンで抽出した。分液した有機相と抽出ジクロロメタンを合わせて硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ｅｔｈｅｒ／ｈｅｘａｎｅ＝１：１０)で精製し、８４％収率で光学活性Ｎ−(ジフェニルメチレン)フェニルアラニンｔｅｒｔ−ブチルエステルを得た。ＨＰＬＣ測定（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ  ＯＤ）により、エナンチオマー過剰率は９４％ｅｅであった。
【０１０４】
４）ポリマー触媒Ｐ−１の回収・再使用実験
上記３）の反応後にグラスフィルター上から回収したポリマー触媒Ｐ−１を用いて、上記３）と同様の反応をさらに２回繰り返した。結果を表１に表した。
【表１】
2009235393.tif 000039
【０１０５】
［実施例２］
１）単量体Ａ−２（ｐ−ビニルフェニルスルホン酸  （Ｓ，Ｓ）−３，４，５−トリフロロフェニル−ＮＡＳ塩）の合成
【化３８】
2009235393.tif 000040
（Ｓ，Ｓ）−３，４，５−トリフロロフェニル−ＮＡＳ  ブロミド（４１６．９ｍｇ、０．８００ｍｍｏｌ）とｐ−ビニルフェニルスルホン酸ナトリウム（１８５．６ｍｇ、０．９００ｍｍｏｌ）を塩化メチレンと水の混合溶媒（３ｍｌ＋２ｍｌ）に溶解させ、室温で１０時間攪拌した。その後、反応溶液を分液し塩化メチレン層を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過・濃縮し、ｐ−ビニルフェニルスルホン酸  （Ｓ，Ｓ）−３，４，５−トリフロロフェニル−ＮＡＳ塩（Ａ−２）を得た（４７６．２ｍｇ、０．７１２ｍｍｏｌ：収率８９％）。
【０１０６】
２）ポリマー触媒Ｐ−２（スルホン酸塩型ポリスチレン固定化型ＮＡＳ塩）の合成
【化３９】
2009235393.tif 000041
重合用アンプル管にｐ−ビニルフェニルスルホン酸  （Ｓ，Ｓ）−３，４，５−トリフロロフェニル−ＮＡＳ塩（Ａ−２：４０７ｍｇ、０．４０ｍｍｏｌ）、スチレン（３６６．０ｍｇ、３．５０ｍｍｏｌ）、ジビニルベンゼン（１０．４ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）、ＡＩＢＮ（１３．２ｍｇ、０．０８ｍｍｏｌ）を加え、ＤＭＦ６２０ｍｇに溶解させた。これを液体窒素に浸して内部の混合液を凍結させ、真空ポンプにより約１５分間減圧した後、管を水中に浸して解凍させることにより系を脱気した。この操作を３回繰り返した後、封管し、６０℃のオイルバス中で２４時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を濾過し、得られたゲルを塩化メチレン及びメタノールで洗浄した後、４０℃で１０時間真空乾燥させてポリマー触媒Ｐ−２を得た（６８２ｍｇ：収率８７％）。ポリマー触媒Ｐ−２のキラル４級アンモニウム塩導入率は１０．１％と見積もった（０．５１ｍｍｏｌＮＲ４／ポリマーｇ）。
元素分析：Ｃ， ８２．７１； Ｈ， ５．９２； Ｎ， ０．６８（元素分析から見積もら
れるキラル４級アンモニウム塩の導入率：９．４％）
【０１０７】
３）ポリマー触媒Ｐ−２による不斉アルキル化反応：光学活性Ｎ−(ジフェニルメチレン)フェニルアラニン  ｔｅｒｔ−ブチルエステルの製造
実施例１のポリマー触媒Ｐ−１をポリマー触媒Ｐ−２（６６．７ｍｇ、０．０３４ｍｍｏｌ）に代えて、実施例１と同様に反応を行った。その結果、収率８０％収で光学活性Ｎ−(ジフェニルメチレン)フェニルアラニン  ｔｅｒｔ−ブチルエステルを得た。ＨＰＬＣ測定（Ｃｈｉｒａｌｃｅｌ  ＯＤ）により、エナンチオマー過剰率は９９％ｅｅ以上であった。
【０１０８】
［実施例３］
１）ナトリウムスルホネート基が置換した残基を有するスチレン単位を含有するポリマーＢ−１の合成
【化４０】
2009235393.tif 000042
ＤＭＳＯ（０．４５ｇ）にｐ−スチレンスルホン酸ナトリウム（８２．５ｍｇ，０．４ｍｍｏｌ）、スチレン（０．３６６ｇ，３．５２ｍｍｏｌ）、ジビニルベンゼン（１０．４ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）及びＡＩＢＮ（１３．２ｍｇ，０．０８ｍｍｏｌ）を溶解させて重合用のアンプル管に導入した後、液体窒素に浸して管内の溶液を凍結させた。凍結状態を保ったまま真空ポンプで減圧下、約１５分間保った後、液体窒素から取り出し、水中に浸し、融解させた。この操作を３回繰り返して系内を充分脱気した後、アンプル管を封管し、６０℃で攪拌した。数時間後に架橋反応によるゲル化が観察され、全体がゲル状になった。その後も６０℃を保ち４１時間後にアンプル管を開管した。得られたゲルをガラスフィルター上に取り出し、水とメタノールで十分に洗浄して真空乾燥させることにより白色固体のナトリウムスルホネート基が置換した残基を有するスチレン単位を含有するポリマーＢ−１を得た（０．４３ｇ，９５％）。ナトリウムスルホネート基の導入率を１０．１％ と見積もった（０．１１２ｍｍｏｌＳＯ３Ｎａ／ポリマーｇ）。
ここにおいて、「ｍｍｏｌＳＯ３Ｎａ／ポリマーｇ」とは、ポリマー１ｇ当りのナトリウムスルホネート基を有する単量体部分のミリモル数を意味する。
【０１０９】
２）ポリマー触媒Ｐ−３（スルホン酸塩型ポリスチレン固定化型４級アンモニウム塩）の合成
【化４１】
2009235393.tif 000043
ナトリウムスルホネート基が置換した残基を有するスチレン単位を含有するポリマーＢ−１（０．１２８ ｇ）と(Ｓ)−４，４−ジブチル−２，６−ビス(３，４，５−トリフルオロフェニル)−４，５−ジヒドロ−３Ｈ−ジナフト[２，１−ｃ：１’，２’−ｅ]アゼピニウムブロミド（０．１００ｇ，０．１３４ｍｍｏｌ）を水／塩化メチレン（２ｍｌ／５ｍｌ）中、室温で２２時間撹拌した。反応溶液を濾過して回収した固形物を塩化メチレン、水及びメタノールで十分に洗浄した後、真空乾燥させることによりポリマー触媒Ｐ−３を得た（０．１６６ｇ：収率５３％）。キラル４級アンモニウム塩の導入率は５．３％と見積もった (０．３５５ｍｍｏｌＮＲ４／ポリマーｇ)。
元素分析：Ｃ；８２．５５，Ｈ；６．７０，Ｎ；０．５２（元素分析から見積もられるキラル４級アンモニウム塩の導入率：５．６％）
【０１１０】
３）ポリマー触媒Ｐ−３による不斉アルキル化反応：光学活性Ｎ−(ジフェニルメチレン)フェニルアラニンｔｅｒｔ−ブチルエステルの製造
【化４２】
2009235393.tif 000044
トルエン（１０ｍｌ）にＮ−(ジフェニルメチレン)グリシンｔｅｒｔ−ブチルエステル（０．５３ｇ，１．７８ｍｍｏｌ）、ポリマー触媒Ｐ−３（０．０５ｇ，０．０１７８ｍｍｏｌ）及び水酸化カリウム（５０ｗｔ％水溶液２．５ｍｌ）を加えて０℃で１０分間攪拌し、さらに臭化ベンジル（０．２７ｇ，２．１４ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で２１時間攪拌した。反応溶液の一部をサンプリングし、１Ｈ−ＮＭＲを測定し、原料の消失と４級アンモニウムが溶出していないことを確認した。その後、反応混合液に水と塩化メチレンを加え、ガラスフィルターを用いて減圧濾過することによりポリマー触媒Ｐ−３を回収した。ろ液の有機相に硫酸マグネシウムを加えて脱水乾燥させ、これを濾別した。このろ液の溶媒を減圧除去して無色透明の液体を得た。１Ｈ−ＮＭＲにより収率を、ＨＰＬＣによりｅｅ％を算出した。
【０１１１】
４）ポリマー触媒Ｐ−３の回収・再使用実験
上記３）の反応後にグラスフィルター上から回収したポリマー触媒Ｐ−３を水、塩化メチレン、メタノールを用いて十分に洗浄し、減圧乾燥させた後、上記３）と同様の反応を繰り返した。結果を表２に表す。
【表２】
2009235393.tif 000045
【図１】
2009235393.tif 000057
【図２】
2009235393.tif 000058
【図３】
2009235393.tif 000059