(57)【要約】      （修正有）【課題】貫通孔には高放熱性を確保可能な厚みの銅めっきを形成し、非貫通孔には銅めっきを充填したフィルドビアを形成しつつ、表層の銅の厚みばらつきを低減することにより、高放熱性で、高密度構造を形成可能であり、しかも、表層回路を高精度で形成することが可能なプリント配線板を提供する。【解決手段】表層回路２２と、内層回路１６と、これらの層間接続孔として非貫通孔１７と貫通孔１５の両者を有し、これらの層間接続孔内に無電解銅めっき１９と電気銅めっき２４の両めっきが形成されるプリント配線板１であって、前記非貫通孔１７は、前記両めっきにより充填され、前記貫通穴１５は、前記無電解銅めっき１９の厚みが、前記電気銅めっき２４の厚みと同等以上に形成されるプリント配線板１である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層回路と、内層回路と、これらの層間接続孔として非貫通孔と貫通孔の両者を有し、これらの層間接続孔内に無電解銅めっきと電気銅めっきの両めっきが形成されるプリント配線板であって、
前記非貫通孔は、前記両めっきにより充填され、
前記貫通穴は、前記無電解銅めっきの厚みが、前記電気銅めっきの厚みと同等以上に形成されるプリント配線板。
【請求項２】
請求項１において、
表層回路の無電解銅めっきの厚みが、貫通孔の無電解銅めっきの厚みより小さいプリント配線板。
【請求項３】
請求項１又は２において、
貫通孔に孔埋め樹脂が充填され、この孔埋め樹脂の表層に露出した部分にふためっきが形成されたプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に関し、詳細には、高放熱性と、フィルドビアによる高密度構造とを備え、しかも高精度な表層回路を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を搭載するプリント配線板は、高密度が進むとともに、搭載する半導体素子も高性能となり、より発熱を伴うものとなっている。このため、高放熱性を有するプリント配線板が要求されている。高放熱性を実現する手段としては、貫通孔にめっきを形成し、基板表面に搭載した半導体素子の熱を、貫通孔を通して裏面に設けたヒートシンクへ放熱するものが知られている（特許文献１、２）。
【０００３】
他方、高性能な半導体素子を搭載するために、より高密度なプリント配線板が要求されている。高密度化の要求に応えるプリント配線板としては、表層回路と内層回路とを、非貫通孔や貫通孔で層間接続するプリント配線板がある。このようなプリント配線板では、非貫通孔の上下に他の層の非貫通孔を積み重ねて形成することを可能にすることにより、より高密度化に対応できる、いわゆるフィルドビアを備えたプリント配線板が考案されている（特許文献３）。フィルドビアとは、銅めっきを充填した非貫通孔を言い、非貫通孔に銅めっきを充填するためのめっきを、フィルドビアめっきと言う。
【０００４】
上記のプリント配線板では、貫通孔を介した高放熱化や、フィルドビアによる高密度化を図るためには、貫通孔や非貫通孔に銅めっきを厚く形成する必要があり、基板表面も同時にめっきされるため、基板表面の銅厚も厚くなってしまう。また、電気めっきで厚付けするため、表層のめっき厚のばらつきがどうしても大きくなってしまい、エッチングによって形成される表層回路の精度が確保し難い問題がある。
【０００５】
このため、フィルドビアを形成する方法としては、基板表面の銅箔上に保護フィルムを貼っておき、この上からレーザ加工で非貫通孔を形成し、この非貫通孔に電気銅めっきでフィルドビアを形成し、その後、表面の保護フィルムを剥離することで、基板表層に電気銅めっきを形成しないようにして、表層めっきの厚みとそのばらつきを抑制したものがある（特許文献４）。また、非貫通孔を形成後、非貫通孔とそのランド以外にはめっきが着かないように、めっきレジストを形成した上で、電気銅めっきだけでフィルドビアめっきを行うものがある（特許文献５）。
【特許文献１】特開２００５−１５８７９２号公報
【特許文献２】特開平１１−１４５３３４号公報
【特許文献３】特開２００３−４６２４６号公報
【特許文献４】特開２００２−３４４１４４号公報
【特許文献５】特開２００７−３３５８１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献４では、非貫通孔と保護フィルムの開口が同等の大きさなので、非貫通孔以外にはほとんどめっきされない。このため、非貫通孔のめっきと表層銅箔との接続は、表層銅箔の端面のみとなり、接続信頼性の確保が難しい問題がある。特許文献５では、ランドとなる表層までめっきは形成されるものの、ランドとそれ以外の表層との間に段差が生じるため、フォトリソグラフ法により回路を形成する際に、フォトレジストが追従、密着し難く、表層回路の仕上り精度に支障が生じる問題がある。
【０００７】
本願発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、貫通孔には高放熱性を確保可能な厚みの銅めっきを形成し、非貫通孔には銅めっきを充填したフィルドビアを形成しつつ、表層の銅の厚みばらつきを低減することにより、高放熱性で、高密度構造を形成可能であり、しかも、表層回路を高精度で形成することが可能なプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、次のものに関する。
（１）  表層回路と、内層回路と、これらの層間接続孔として非貫通孔と貫通孔の両者を有し、これらの層間接続孔内に無電解銅めっきと電気銅めっきの両めっきが形成されるプリント配線板であって、前記非貫通孔は、前記両めっきにより充填され、前記貫通穴は、前記無電解銅めっきの厚みが、前記電気銅めっきの厚みと同等以上に形成されるプリント配線板。
（２）  上記（１）において、表層回路の無電解銅めっきの厚みが、貫通孔の無電解銅めっきの厚みより小さいプリント配線板。
（３）  上記（１）又は（２）において、貫通孔に孔埋め樹脂が充填され、この孔埋め樹脂の表層に露出した部分にふためっきが形成されたプリント配線板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、貫通孔には高放熱性を確保可能な厚みの銅めっきを形成し、非貫通孔には銅めっきを充填したフィルドビアを形成しつつ、表層の銅の厚みばらつきを低減することにより、高放熱性で、高密度構造を形成可能であり、しかも、表層回路を高精度で形成することが可能なプリント配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１に、本発明のプリント配線板の一例の断面図を示す。本願発明のプリント配線板は、表層回路２２と、内層回路１６と、これらの層間に層間接続孔（貫通孔１８、非貫通孔１７）を有し、この層間接続孔１８、１７内に無電解銅めっき１９と電気銅めっき２４の両者が形成されるプリント配線板１であって、前記貫通孔１８内の無電解銅めっき１９の厚みが、電気銅めっき２４の厚み以上に形成される。
【００１１】
本発明のプリント配線板は、半導体素子を搭載して一般の半導体パッケージを構成する用途に使用することができるが、特には、搭載する半導体素子の発熱が大きいために高放熱性を要求され、しかも、表層回路には高い精度が要求される用途に使用するのが望ましい。これにより、層間接続孔を介した放熱性が高く、しかも表層回路を高精度で形成可能なメリットをより発揮できる。
【００１２】
本発明における表層回路は、多層プリント配線板において、最表面に形成された導体回路である。本発明のプリント配線板の表層回路は、例えば、表層の銅厚が３５μｍの場合、ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍの設計値に対して、約±２０μｍ以下（設計値に対するばらつきが約±２０％以下）の精度に形成される。また、例えば、表層の銅厚が２２μｍの場合、ライン／スペース＝１００μｍ／１００μｍの設計値に対して、約±１５μｍ以下（設計値に対するばらつきが約±１５％以下）の精度に形成される。ここで、本発明におけるばらつきとは、標準偏差に３を乗じた値をいい、設計値に対する割合（％）で表わす。
【００１３】
本発明における内層回路は、多層プリント配線板において、最表面ではない内部の層の導体部に形成された回路のことである。
【００１４】
本発明で用いる層間接続孔は、プリント配線板の層間を電気的に接続するために形成される孔であり、貫通孔と非貫通孔とがある。本発明のプリント配線板の層間接続孔は、これらの両者を有する。貫通孔は、プリント配線板を厚さ方向に貫通する孔であり、この貫通孔にめっき等を行うことにより、表裏の表層同士、表層と内層、内層と他の内層とを電気的に接続することができる。非貫通孔は、プリント配線板を厚さ方向に開けられるが、貫通はせず途中で行き止まりとなる孔である。この非貫通孔にめっき等を行うことにより、表層と内層、内層と他の内層とを電気的に接続することができる。
【００１５】
本発明で用いる貫通孔は、例えば、プリント配線板の貫通孔を形成するのに一般的に用いられるような、ＮＣ加工機によるドリル穴あけによって形成することができる。貫通孔の孔径は直径０．１５〜０．２５ｍｍ、穴あけ直後のアスペクト比は１．５〜２．５とするのが、後述する無電解銅めっきと電気銅めっきとを組み合わせためっきを行う際のつきまわりを確保する上で望ましい。
【００１６】
本発明で用いる非貫通孔は、例えば、プリント配線板の非貫通孔を形成するのに一般的に用いられるコンフォーマル工法により形成することができる。すなわち、エッチングにより表層の銅箔に開口を設けて絶縁層を露出させておき、この絶縁層が露出した部分を狙ってレーザを照射し、内層回路に達する深さまで孔を形成することで形成することができる。非貫通孔の孔径は直径８０〜１５０μｍ、深さは３０〜１００μｍとするのが、後述する無電解銅めっきと電気銅めっきとを組み合わせためっきを行う際のビアの充填性を確保する上で望ましい。
【００１７】
本発明における無電解銅めっきは、外部から電流を供給することなく、めっき液中の銅イオンを、化学還元剤を用いた還元反応によって析出させるものである。本発明では、めっき液をコントロールすることで、１０μｍ以上の厚みまでめっき可能な、いわゆる厚付け用の無電解銅めっきを使用する。このような無電解銅めっきとしては、硫酸銅、錯化剤、ホルマリン、水酸化ナトリウムを主成分とする、厚付け用の一般的な無電解銅めっき液を用いることができる。
【００１８】
本発明における電気めっきは、一般の電気銅めっきと同様に外部から電流を供給して行うものであるが、非貫通孔と貫通孔とが混在する状態で、これらを一括してめっきした場合に、非貫通孔には銅めっきを充填したフィルドビアめっきが可能であって、貫通孔には銅めっきを充填しない通常のスルーホールめっきが同時に形成可能なものである。このような電気めっきとしては、硫酸銅と添加剤を含む、いわゆる一般的なフィルドビアめっきを挙げることができる。
【００１９】
本発明においては、層間接続孔内に無電解銅めっきと電気銅めっきの両めっきが形成される。つまり、貫通孔および非貫通孔の何れについても、孔内への銅めっきは、無電解銅めっきと電気銅めっきの両者を組み合わせて行う。これにより、貫通孔や非貫通孔内のつきまわりを確保しつつ、貫通孔と非貫通孔が混在する場合でも、貫通孔にはスルーホールめっきを形成し、非貫通孔にはフィルドビアを形成することが可能になる。ここで、スルーホールめっきとは、貫通孔内に形成されるめっきであり、貫通孔がめっきで充填されないめっきである。フィルドビアとは、銅めっきを充填した非貫通孔をいい、非貫通孔に銅めっきを充填するためのめっきを、フィルドビアめっきという。
【００２０】
本発明においては、非貫通孔が、無電解銅めっきと電気銅めっきの両めっきにより充填される。これにより、非貫通孔にはフィルドビアを形成することができ、また貫通孔には、放熱性を満足する十分な厚みの銅めっきを形成することができる。このため、高密度構造と高放熱性を備えたプリント配線板を提供することができる。このように、非貫通孔が、無電解銅めっきと電気銅めっきの両めっきにより充填されるようにするためには、例えば、以下のような方法が挙げられる。
【００２１】
めっき前の層間接続孔の内壁は何れも絶縁物である基材が露出した状態となっている。このため、まず、この基材上にもめっきが可能な無電解銅めっきを行う。無電解銅めっきを形成する方法は、一般的な方法と同様に、触媒を付与した後、無電解銅めっき液に浸漬し、触媒上で生じた還元反応を継続させ、銅を所定の厚みまで析出させる。外部から電流を供給しないので、電流分布によるめっき厚のばらつきが生じにくく、均一な厚みのめっきが形成可能である。このため、無電解銅めっきは、層間接続孔の内壁につきまわりの良い銅めっきを形成でき、表層に対しても、厚みのばらつきが小さい銅めっきを形成することができる。
【００２２】
しかしながら、無電解銅めっきは、電気銅めっきに比べて析出速度が遅く、またコストがかかる上、厚く形成していくと非貫通孔内ではボイド等が発生することがある。また、めっき厚が均一なため、同時に表層の銅めっきも厚くなるので、たとえ厚みのばらつきが小さくても、エッチングでの高精度回路の形成が難しくなる。このため、非貫通孔の孔径や深さにもよるが、非貫通孔の孔径が直径８０〜１２０μｍで深さが３０〜１００μｍの場合、無電解銅めっきの厚さは、貫通孔の内壁において１５〜２５μｍとするのが望ましい。特には、１７〜２０μｍが望ましい。これにより、非貫通孔内へのボイドの発生がなく、かつ、この後で行う電気めっきによるフィルドビアの形成が容易になる。
【００２３】
そこで、無電解銅めっきを所定の厚みまで形成した後に、この無電解銅めっきの上に重ねて、電気銅めっきを行う。電気銅めっきは、銅の析出速度が速く、無電解銅めっきに比べて低コストであり、さらに、めっき液中に添加剤を加えたり、めっき条件を調整することにより、非貫通孔内には銅めっきを充填しつつ、貫通孔内には通常のスルーホールめっきを形成し、一方で比較的、表層には銅めっきを付き難くすることができる。つまり、表層や貫通孔内に比べて、非貫通孔内に優先的に銅めっきが析出するようにすることができる。このため、非貫通孔にフィルドビアを形成しつつ、同時に貫通孔内のスルーホールめっきの厚みを稼ぐことができる。これにより、非貫通孔ではフィルドビアを形成することにより、高密度構造に対応可能となる。また、貫通孔では、スルーホールめっきが厚くなることにより、放熱性を確保することが可能となる。
【００２４】
しかしながら、電気銅めっきは、電流分布によるめっき厚のばらつきが生じやすく、均一な厚みのめっきが形成困難である。このため、特に、表層においては、めっき厚のばらつきが大きくなることにより、回路形成の際のエッチング量が部位によって異なるため、高精度回路の形成が困難になる傾向がある。このため、非貫通孔の孔径や深さ、電気銅めっきの添加剤や条件等にもよるが、非貫通孔の孔径が直径８０〜１２０μｍで深さが３０〜１００μｍの場合、電気銅めっきの厚さは、貫通孔の内壁において、１５〜３０μｍとするのが望ましい。
【００２５】
本発明においては、貫通穴内は、無電解銅めっきの厚みが、電気銅めっきの厚みと同等以上に形成される。このとき、貫通孔と同時にめっきされる表層の銅箔上に形成される無電解銅めっきの厚みが、電気銅めっきの厚みと同等以上になる。つまり、高密度構造を有する高放熱プリント配線板では、非貫通孔へのフィルドビアの形成と貫通孔の放熱性を考慮して、必要な銅めっき厚が設定されるが、このような層間接続孔への銅めっきを行うと、同時に、表層の銅箔上にも銅めっきが形成される。
【００２６】
このように、層間接続孔に必要な厚さの銅めっきを行った時でも、表層に形成される銅めっきの厚さのうち、無電解めっきによって形成される銅めっき厚が、電気めっきによって形成される銅めっき厚と同等以上であるため、表層の銅めっき厚のばらつきをなるべく小さく抑えることが可能になる。このため、貫通孔では高放熱性を確保可能な厚みの銅めっきを形成し、非貫通孔には高密度構造のためのフィルドビアを形成しつつ、表層にはエッチングでの高精度回路を形成することが可能なプリント配線板を提供することが可能となる。
【００２７】
なお、本発明において、無電解銅めっきの厚みが電気銅めっきの厚みと同等以上とは、無電解銅めっきの厚さが電気銅めっきの厚さの約７０％以上の場合も含まれる。コストや生産効率の点から、一般のプリント配線板では、例えば必要なめっき厚が２０〜３５μｍの場合に、無電解銅めっきは約１μｍ以下で残りの厚みは電気銅めっきで形成される。つまり、無電解銅めっきの厚みは、電気銅めっきの厚みの５％以下である。本発明においては、無電解銅めっきの厚さが電気銅めっきの厚さの約７０％以上に形成されるが、この比率は従来のプリント配線板に比べて各段に大きいことから、無電解銅めっきの厚さと電気銅めっきの厚さは同等と扱う。このため、例えば必要なめっき厚が２０μｍの場合に、無電解銅めっきが約８μｍで電気銅めっきが１２μｍである場合や、必要なめっき厚が３５μｍの場合に、無電解銅めっきが約１４μｍで電気銅めっきが２１μｍの場合が、無電解銅めっきの厚みが電気銅めっきの厚みと同等に含まれる。
【００２８】
本発明においては、貫通穴は、無電解銅めっきの厚みが電気銅めっきの厚みと同等以上に形成されているが、さらに、表層回路の無電解銅めっきの厚みが、貫通孔の無電解銅めっきの厚みより小さくなるようにするのが望ましい。上述したように、貫通孔内において、無電解銅めっきの厚さは、電気銅めっきの厚さと同等以上の場合、この貫通孔と同時にめっきされる表層の銅箔上においても、やはり無電解銅めっきの厚みは、電気銅めっきの厚みと同等以上になるのが通常である。しかしながら、高精度回路の形成にとっては、表層の銅の厚さは、薄い方が有利である。そこで、表層の銅を表面からハーフエッチングして表層の銅厚を減少させるが、本発明は、このハーフエッチングを行った後の表層の無電解銅めっきの厚さが、貫通孔内の無電解銅めっきの厚さよりも小さくなるようにするのが望ましい。つまり、表層回路は、最上面が電気銅めっきであり、その下側に無電解銅めっき、さらにその下側に銅箔という構造であるが、ハーフエッチングは、最上面の電気銅めっきを完全に除去し、さらにその下側の無電解銅めっきまで達するように行われるのが望ましい。これにより、表層回路の構造が３層から２層になり、単純化できるため、サブトラクト法による回路形成の際に、層ごとのエッチング特性の差異によるエッチング精度の変動を抑制することができる。このように、貫通穴は、無電解銅めっきの厚みが電気銅めっきの厚みと同等以上に形成されていることにより、表層の銅厚のばらつきを低減しておくことができ、一方で、表層は、表層回路の無電解銅めっきの厚みが、貫通孔の無電解銅めっきの厚みより小さくなるまでハーフエッチングすることにより、表層の銅厚をばらつきの小さい状態のまま薄くすることが可能となり、しかも、表層回路の構造を単純化することができる。このため、表層に形成する回路の精度が向上する。
【００２９】
本発明においては、貫通孔に孔埋め樹脂が充填され、この孔埋め樹脂の表層に露出した部分にふためっきが形成されるのが望ましい。これにより、貫通孔の直上に半導体素子を配置することができるので高密度化に対応でき、また高放熱の貫通孔の近傍に発熱素子を搭載するので放熱効率がよい。このため、高密度で高放熱の要求に対応可能なプリント配線板を提供することができる。なお、本発明におけるふためっきは、プリント配線板で一般的に用いられる薄付用の無電解銅めっきと電気銅めっきにより形成することができる。
【００３０】
本発明のプリント配線板は、一例として、以下のように製造することができる。まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、コア層２と銅箔４からなる銅張積層板にＮＣ穴明けにより貫通孔１５を設ける。つぎに図２（ｃ）、（ｄ）に示すように、貫通孔１５および銅箔４に電解銅めっき層５を設け、エッチング等により内層回路１６を形成して内層基板を作製する。つぎに、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、内層回路１６の上に絶縁層６を設け、絶縁層６の上に表層２０となる銅箔７を設ける。つぎに、図３（ｂ）に示すように、表層２０の銅箔７にエッチングにより開口を設けて絶縁層６を露出させた後、非貫通孔１７をレーザにより形成する。また、貫通孔１８をＮＣ穴明けにより形成する。つぎに、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、貫通孔１８、および表層２０の銅箔７に無電解銅めっき層１９および電気銅めっき層２４を設けると同時に、フィルドビア２３を形成する。つぎに、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、貫通孔１８内に孔埋め樹脂２５を充填後、ハーフエッチングにより表層２０の銅厚を減少させる。つぎに、図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、突出した孔埋め樹脂２５を機械研磨機で除去し、孔埋め樹脂２５の表面、およびハーフエッチ後に残った表層２０に、電気めっきによってふためっき２６を形成し、その後エッチングにより表層回路２２を形成する。つぎに、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、表層回路２２にソルダレジスト層２７を形成し、表層回路２２の露出した部分にニッケル・金めっき層２８を設ける。
【００３１】
本発明のプリント配線板は、一例として、図６に示すような携帯電話用のパワーアンプモジュールとして使用することができる。つまり、貫通孔１８の直上に半導体素子２９を配置し、その裏面側にはヒートシンク３０を配置する。これにより、貫通孔１８の直上のスペースを使用できるため高密度化に対応でき、また高放熱の貫通孔１８の直上に発熱する半導体素子２９を搭載するので放熱効率がよい。このため、高密度で高放熱の要求に対応可能なプリント配線板を提供することができる。
【実施例】
【００３２】
以下に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は本実施例に限定されない。
【００３３】
（実施例１）
１２μｍの銅箔を有した厚さ０．１ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製  商品名）の銅張積層板を準備し、銅箔を１２μｍから５μｍまでハーフエッチングした後、直径０．１５ｍｍのドリルを用いてＮＣ穴明けで貫通孔を設ける。
【００３４】
貫通孔を設けた銅張積層板に、電解銅めっきで約１５μｍの銅めっきを施し、サブトラクティブ法により内層回路を形成して内層基板を作製する。
【００３５】
内層回路を形成した内層基板の両面に、厚さ０．０６ｍｍのＧＥＡ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製  商品名）のプリプレグを重ね、さらにその両面に厚さ５μｍのＭＴ１８Ｓ５ＤＨ（三井金属鉱業株式会社製  商品名）の銅箔を重ね、１８５℃、９０分間積層プレスを行い、４層基板を得る。
【００３６】
この４層基板の表層の銅箔に、サブトラクティブ法により、直径約１００μｍの円形の開口を形成し、そこにレーザを照射することにより直径約１００μｍの非貫通孔を形成する。さらに直径０．１５ｍｍと直径０．２５ｍｍの２種類のドリルを用い貫通孔を形成する。
【００３７】
貫通孔および非貫通孔を形成した４層基板に、無電解銅めっきで約１５μｍの銅めっきを施し、さらに電気銅めっきで約２０μｍの銅めっきを施した。これらのめっき厚は、貫通孔内で測定した値である。これにより、貫通孔には内壁上で約３５μｍの厚みの銅めっきが形成され、非貫通孔にはフィルドビアが形成された。このときの貫通孔内の銅めっきの断面積は、直径０．１５ｍｍでは約０．０１２６ｍｍ２、直径０．２５ｍｍでは約０．０２３６ｍｍ２であった。この銅めっきの断面積は、貫通孔の水平断面を観察し、貫通孔内壁のめっき厚、めっきの外側の径、めっきの内側の径を測定することにより算出した（以下、同様。）。
【００３８】
ＰＨＰ９００ＩＲ１０Ｆ（三栄化学株式会社製  商品名）の孔埋めインクを使用し、貫通孔内に孔埋めインクを充填し、１６０℃、４０分間で孔埋めインクを硬化した後、表層の銅厚（約４０μｍ）を約２５μｍになるまで除去し、表層銅厚を減少させた後に突出した孔埋めインクをバフ研磨機にて除去する。
【００３９】
表層銅厚を減少させた後に残った表層、および表面に露出した孔埋めインクに、薄付用無電解銅めっきと電気銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、ふためっきを形成した後、サブトラクティブ法により表層回路を形成する。このとき表面回路の銅厚は、設計値３５μｍに対してばらつきが約±１７％であり、表層回路のライン／スペースの寸法精度は、設計値１００μｍに対してばらつきが約±２０％であった。めっき厚およびライン／スペースの測定は、ロット毎に１枚ずつ抜き取った５００×４００ｍｍサイズの基板６枚に対して、表裏の各９箇所について行った（以下、同様。）。
【００４０】
表層回路を形成した両面に、ロールコート法にてＰＳＲ−４０００ＡＵＳ３０８（太陽インキ製造株式会社製  商品名）の現像型ソルダーレジストインクを塗布し、現像後１６０℃で約１２０分間熱処理を施し、インクを硬化させ、レジスト形成をする。
【００４１】
表層に露出している銅表面上に、無電解ニッケルめっきを約５μｍ施し、その後、無電解金めっきを約０．３μｍ施し、本発明のプリント配線板を得る。
【００４２】
（実施例２）
実施例１と同様に、４層基板を作製し、非貫通孔と貫通孔を設け、無電解銅めっきと電気めっきを行った。
【００４３】
ＰＨＰ９００ＩＲ１０Ｆ（三栄化学株式会社製  商品名）の孔埋めインクを使用し、貫通孔内に孔埋めインクを充填し、１６０℃４０分間で孔埋めインクを硬化した後、表層の銅厚（約４０μｍ）を約１２μｍになるまで除去し、表層銅厚を減少させた後に突出した孔埋めインクをバフ研磨機にて除去する。このとき、このハーフエッチングを行った後の表層の無電解銅めっきの厚さは、貫通孔内の無電解銅めっきの厚さよりも小さくなる。つまり、ハーフエッチングは、最上面の電気銅めっきを完全に除去し、さらにその下側の無電解銅めっきまで達するように行われる。
【００４４】
表層銅厚を減少させた後に残った表層、および表面に露出した孔埋めインクに、電気銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、ふためっきを形成した後、サブトラクティブ法により表層回路を形成する。このとき表面回路の銅厚は、設計値２２μｍに対してばらつきが約±２４％であり、表層回路のライン／スペースの寸法精度は、設計値１００μｍ対してばらつきが約±１５％であった。
【００４５】
（比較例１）
貫通孔および非貫通孔を形成した４層基板に、無電解銅めっきで約５μｍの銅めっきを施し、さらに電気銅めっきで約３０μｍの銅めっきを施した。これらのめっき厚は、貫通孔内で測定した値である。これにより、貫通孔には内壁上で約３５μｍの厚みの銅めっきが形成され、非貫通孔にはフィルドビアが形成された。これ以外の工程は、実施例１と同様に行った。このときの貫通孔内の銅めっきの断面積は、直径０．１５ｍｍでは約０．０１２６ｍｍ２、直径０．２５ｍｍでは約０．０２３６ｍｍ２であった。
【００４６】
表層銅厚を減少させた後に残った表層、および表面に露出した孔埋めインクに、電気銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、ふためっきを形成した後、サブトラクティブ法により表層回路を形成する。このとき表面回路の銅厚は、設計値３５μに対してばらつきが約±２９％であり、表層回路のライン／スペースの寸法精度は、設計値１００μｍに対してばらつきが約±２４％であった。
【００４７】
（比較例２）
貫通孔および非貫通孔を形成した４層基板に、無電解銅めっきで約５μｍの銅めっきを施し、さらに電気銅めっきで約３０μｍの銅めっきを施した。これらのめっき厚は、貫通孔内で測定した値である。これにより、貫通孔には内壁上で約３５μｍの厚みの銅めっきが形成され、非貫通孔にはフィルドビアが形成された。これ以外の工程は、実施例２と同様に行った。このときの貫通孔内の銅めっきの断面積は、直径０．１５ｍｍでは約０．０１２６ｍｍ２、直径０．２５ｍｍでは約０．０２３６ｍｍ２であった。
【００４８】
表層銅厚を減少させた後に残った表層、および表面に露出した孔埋めインクに、電気銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、ふためっきを形成した後、サブトラクティブ法により表層回路を形成する。このとき表面回路の銅厚は、設計値２２μに対してばらつきが約±２８％であり、表層回路のライン／スペースの寸法精度は、設計値１００μｍに対してばらつきが約±１９％であった。
【００４９】
（比較例３）
貫通孔および非貫通孔を形成した４層基板に、無電解銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、さらに電気銅めっきで約２５μｍの銅めっきを施した。これらのめっき厚は、貫通孔内で測定した値である。これにより、貫通孔には内壁上で約３５μｍの厚みの銅めっきが形成され、非貫通孔にはフィルドビアが形成された。これ以外の工程は、実施例１と同様に行った。このときの貫通孔内の銅めっきの断面積は、直径０．１５ｍｍでは約０．０１２６ｍｍ２、直径０．２５ｍｍでは約０．０２３６ｍｍ２であった。
【００５０】
表層銅厚を減少させた後に残った表層、および表面に露出した孔埋めインクに、電気銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、ふためっきを形成した後、サブトラクティブ法により表層回路を形成する。このとき表面回路の銅厚は、設計値３５μｍに対してばらつきが約±２３％であり、表層回路のライン／スペースの寸法精度は、設計値１００μｍに対してばらつきが約±２２％であった。
【００５１】
（比較例４）
貫通孔および非貫通孔を形成した４層基板に、無電解銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、さらに電気銅めっきで約２５μｍの銅めっきを施した。これらのめっき厚は、貫通孔内で測定した値である。これにより、貫通孔には内壁上で約３５μｍの厚みの銅めっきが形成され、非貫通孔にはフィルドビアが形成された。これ以外の工程は、実施例２と同様に行った。このときの貫通孔内の銅めっきの断面積は、直径０．１５ｍｍでは約０．０１２６ｍｍ２、直径０．２５ｍｍでは約０．０２３６ｍｍ２であった。
【００５２】
表層銅厚を減少させた後に残った表層、および表面に露出した孔埋めインクに、電気銅めっきで約１０μｍの銅めっきを施し、ふためっきを形成した後、サブトラクティブ法により表層回路を形成する。このとき表面回路の銅厚は、設計値３５μに対してばらつきが約±２６％であり、表層回路のライン／スペースの寸法精度は、設計値１００μｍに対してばらつきが約±１７％であった。
【００５３】
（比較例５）
貫通孔および非貫通孔を形成した４層基板に、無電解銅めっきで約５μｍの銅めっきを施し、さらに電気銅めっきで約１５μｍの銅めっきを施した。これらのめっき厚は、貫通孔内で測定した値である。これにより、貫通孔には内壁上で約２０μｍの厚みの銅めっきが形成され、非貫通孔にはフィルドビアが形成された。これ以外の工程は、実施例１と同様に行った。このときの貫通孔内の銅めっきの断面積は、直径０．１５ｍｍでは約０．００８２ｍｍ２、直径０．２５ｍｍでは約０．０１４５ｍｍ２であった。
【００５４】
表１は、上記の実施例１、２、および比較例１〜３をまとめた結果を示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表層の銅厚が３５μｍ仕様である実施例１、比較例１、３についてみると、実施例１（無電解銅めっき／電気銅めっき＝約７５％）では、ライン／スペースの精度は±２０％であった。他方、比較例１（無電解銅めっき／電気銅めっき＝約１７％）では±２４％、比較例２（無電解銅めっき／電気銅めっき＝約４０％）では±２２％であった。このように、無電解銅めっきと電気銅めっきの厚みを同等とすることで、ライン／スペースの精度が向上した。
【００５７】
表層の銅厚が２２μｍ仕様である実施例２、比較例３、４についてみると、実施例２（無電解銅めっき／電気銅めっき＝約７５％）では、ライン／スペースの精度は±１５％であった。他方、比較例２（無電解銅めっき／電気銅めっき＝約１７％）では±１９％、比較例４（無電解銅めっき／電気銅めっき＝約４０％）では±１７％であった。このように、無電解銅めっきと電気銅めっきの厚みを同等とすることで、ライン／スペースの精度が向上した。
【００５８】
貫通孔内の銅厚が３５μｍである実施例１と、２２μｍである比較例５についてみてみると、実施例１では、貫通孔内の銅めっきの断面積が、φ０．１５ｍｍで０．０１２６ｍｍ２、φ０．２５ｍｍ０．０２３６ｍｍ２であるのに対して、比較例５では、φ０．１５ｍｍで０．００８２ｍｍ２、φ０．２５ｍｍ０．０１４５ｍｍ２であった。このように、貫通孔内の銅めっきの断面積が大きく、貫通孔を介する放熱性が向上することがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明のプリント配線板の一例の断面図である。
【図２】図１に示したプリント配線板の製造方法の説明図である。
【図３】図１に示したプリント配線板の製造方法の説明図である。
【図４】図１に示したプリント配線板の製造方法の説明図である。
【図５】図１に示したプリント配線板の製造方法の説明図である。
【図６】図１に示したプリント配線板の使用状況の説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…プリント配線板、２…コア層、４…銅箔、５…（内層の）電解銅めっき（層）、６…絶縁層、７…銅箔、１５…（内層の）貫通孔、１６…内層回路、１７…非貫通孔、１８…（プリント配線板の）貫通孔、１９…無電解銅めっき（層）、２０…表層、２２…表層回路、２３…フィルドビア、２４…電気銅めっき（層）、２５…孔埋め樹脂、２６…ふためっき（層）、２７…ソルダレジスト層、２８…ニッケル・金めっき（層）、２９…半導体素子、３０…ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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