(57)【要約】【課題】励起イオンとしてＮｅイオンに加えてＸｅイオンも作用させることができ、二次電子放出係数が高く封入ガスからの紫外線発光の効率が良好であり、加えて放電電圧が低く省電力が可能であるＰＤＰの提供。【解決手段】放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、前記前面基板の背面側表面に形成されたＸ電極およびＹ電極からなる放電電極対と、前記放電電極対を被覆する誘電体層と、前記誘電体層の背面側に形成された保護層とを有するプラズマディスプレイパネルであって、さらに前記保護層が、背面基板に対向する面であって特定の位置に導電性マイエナイト型化合物を含有する二次電子放出部を有するプラズマディスプレイパネル。【選択図】図１
2009238620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、
前記前面基板の前記背面基板と対向する面に形成され、共に一定方向に延びるＸ電極およびＹ電極からなる放電電極対と、
前記放電電極対を被覆する誘電体層と、
前記誘電体層を被覆する保護層と、
前記背面基板の前記前面基板と対向する面に形成され、前記放電電極対と直交する方向に延びるアドレス電極と、
前記放電空間内のキセノンを含む放電ガスと
を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層の前記背面基板と対向する面における前記放電電極対と前記アドレス電極とが交差する領域であって、放電を開始する領域である放電開始領域の内側に、電子密度が１．０×１０１５〜２．３×１０２１ｃｍ−３であるマイエナイト型化合物を含有する二次電子放出部を有する、プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記放電電極対の各々は、互いに相手側へ張り出すＴ字型の突出電極部を有し、
前記Ｘ電極の突出電極部である突出電極部Ｘと、前記Ｙ電極の突出電極部である突出電極部Ｙとは放電ギャップを介して対向し、前記突出電極部Ｘにおける前記突出電極部Ｙと対向する辺Ｘと、前記突出電極部Ｙにおける前記突出電極部Ｘと対向する辺Ｙとは共に前記一定方向に略平行で、前記一定方向に直交する方向において離隔して前記放電ギャップを形成しており、
前記保護層は、その前記背面基板と対向する面における前記放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる前記放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる前記放電開始領域をＹ領域とした場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に、前記二次電子放出部を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記放電電極対の各々は、互いに相手側へ張り出す矩形型の突出電極部を有し、
前記Ｘ電極の突出電極部である突出電極部Ｘと、前記Ｙ電極の突出電極部である突出電極部Ｙとは放電ギャップを介して対向し、前記突出電極部Ｘにおける前記突出電極部Ｙと対向する辺Ｘと、前記突出電極部Ｙにおける前記突出電極部Ｘと対向する辺Ｙとは共に前記一定方向に略平行で、前記一定方向に直交する方向において離隔して前記放電ギャップを形成しており、
前記保護層は、その前記背面基板と対向する面における前記放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる前記放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる前記放電開始領域をＹ領域とした場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に、前記二次電子放出部を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記放電電極はストライプ型であり、
前記放電電極の前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは放電ギャップを介して対向し、前記Ｘ電極の前記Ｙ電極と対向する辺Ｘと、前記Ｙ電極の前記Ｘ電極と対向する辺Ｙとは共に前記一定方向に略平行で、前記一定方向に直交する方向において離隔して前記放電ギャップを形成しており、
前記保護層は、その前記背面基板と対向する面における前記放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる前記放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる前記放電開始領域をＹ領域とした場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に、前記二次電子放出部を有する、請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記保護層が、各々の放電セルにおける前記一定方向の中心部分に前記二次電子放出部を有する、請求項２〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記放電ガスにおけるキセノン濃度が１５体積％以上である、請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記マイエナイト型化合物の被覆率が２５％以下である、請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」という。）は、例えば図１に示すように、放電ガスが封入されている放電空間を挟んで互いに対向される二枚のガラス基板のうち、一方のガラス基板２１の所定の一定方向である行方向に延びる放電電極対（２５ａ、２５ｂ）が列方向に並設され、他方のガラス基板２２に列方向に延びるアドレス電極２７が行方向に並設されていて、放電空間の放電電極対（２５ａ、２５ｂ）とアドレス電極２７とがそれぞれ交差する部分に、マトリックス状に放電セル（単位発光領域）が形成されている。
そして、放電セル内に可視発光が少なく紫外線発光効率が高いＨｅ＋Ｘｅ、Ｎｅ＋Ｘｅなどのペニング混合ガスを封入し、放電セル内でプラズマ放電を発生させ、セル内壁の蛍光体層３０を発光させて表示画面上に画像を形成させる（例えば非特許文献１参照）。
【０００３】
このような従来のＰＤＰでは、誘電体層を保護するため酸化マグネシウムからなる保護層が形成される。この場合、放電確率や放電遅れなどの放電特性を改善して良好な放電特性を得ることができる。
【０００４】
しかしながら、従来のＰＤＰは、誘電体層の保護層がアルカリ土類酸化物であるＭｇＯによって形成されているために、この保護層の電子放出層としての機能が小さく、特に、放電空間内に高キセノン分圧の放電ガスが封入される場合には、十分な放電電圧の低減効果や発光効率の改善効果を得ることができない。
【０００５】
このような課題を解決することを目的として、放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、この前面基板と背面基板の間に配置されるとともに互いに直交する方向に延びて交差する部分の放電空間にそれぞれ単位発光領域を形成する複数の行電極対および列電極対とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、結晶格子中の一部の負イオンが電子によって置換された電子化化合物（１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３等）が、前記前面基板と背面基板の間の単位発光領域に面する部分に配置されて、各単位発光領域に露出されているプラズマディスプレイが提案された（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００８−４１４３８号公報
【非特許文献１】内田龍雄、内池平樹著、「フラットパネルディスプレイ大辞典」工業調査会、２００１年１２月２５日、ｐ．５８３−５８５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このようなＰＤＰの場合、導電性のマイエナイト型化合物はＸｅイオンの入射によっても二次電子を放出するので、Ｎｅイオン等に加えてＸｅイオンも励起イオンとして作用し好ましい。また、マイエナイト型化合物は化学的に安定であるので、真空中で熱処理を行う活性化処理を行う必要もなく好ましい。
【０００７】
しかし、本発明者は、導電性マイエナイト型化合物の中でも、特定の性質を具備するものが、特に放電電圧の低下に寄与することを見出した。また、保護層上の導電性のマイエナイト型化合物を形成する位置によっては放電電圧は低下しないか、または低下幅が小さくなることを見出した。
【０００８】
本発明はこのような問題を解決することを目的とする。
すなわち、励起イオンとしてＮｅイオン等に加えてＸｅイオンも作用させることができ、二次電子放出係数が高く封入ガスからの紫外線発光の効率が良好であり、加えて放電電圧が低く省電力が可能であるＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の（１）〜（７）である。
（１）放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、
前記前面基板の前記背面基板と対向する面に形成され、共に一定方向に延びるＸ電極およびＹ電極からなる放電電極対と、
前記放電電極対を被覆する誘電体層と、
前記誘電体層を被覆する保護層と、
前記背面基板の前記前面基板と対向する面に形成され、前記放電電極対と直交する方向に延びるアドレス電極と、
前記放電空間内のキセノンを含む放電ガスと
を有するプラズマディスプレイパネルであって、
前記保護層の前記背面基板と対向する面における前記放電電極対と前記アドレス電極とが交差する領域であって、放電を開始する領域である放電開始領域の内側に、電子密度が１．０×１０１５〜２．３×１０２１ｃｍ−３であるマイエナイト型化合物を含有する二次電子放出部を有する、プラズマディスプレイパネル。
（２）前記放電電極対の各々は、互いに相手側へ張り出すＴ字型の突出電極部を有し、
前記Ｘ電極の突出電極部である突出電極部Ｘと、前記Ｙ電極の突出電極部である突出電極部Ｙとは放電ギャップを介して対向し、前記突出電極部Ｘにおける前記突出電極部Ｙと対向する辺Ｘと、前記突出電極部Ｙにおける前記突出電極部Ｘと対向する辺Ｙとは共に前記一定方向に略平行で、前記一定方向に直交する方向において離隔して前記放電ギャップを形成しており、
前記保護層は、その前記背面基板と対向する面における前記放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる前記放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる前記放電開始領域をＹ領域とした場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に、前記二次電子放出部を有する、上記（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。
（３）前記放電電極対の各々は、互いに相手側へ張り出す矩形型の突出電極部を有し、
前記Ｘ電極の突出電極部である突出電極部Ｘと、前記Ｙ電極の突出電極部である突出電極部Ｙとは放電ギャップを介して対向し、前記突出電極部Ｘにおける前記突出電極部Ｙと対向する辺Ｘと、前記突出電極部Ｙにおける前記突出電極部Ｘと対向する辺Ｙとは共に前記一定方向に略平行で、前記一定方向に直交する方向において離隔して前記放電ギャップを形成しており、
前記保護層は、その前記背面基板と対向する面における前記放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる前記放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる前記放電開始領域をＹ領域とした場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に、前記二次電子放出部を有する、上記（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。
（４）前記放電電極はストライプ型であり、
前記放電電極の前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とは放電ギャップを介して対向し、前記Ｘ電極の前記Ｙ電極と対向する辺Ｘと、前記Ｙ電極の前記Ｘ電極と対向する辺Ｙとは共に前記一定方向に略平行で、前記一定方向に直交する方向において離隔して前記放電ギャップを形成しており、
前記保護層は、その前記背面基板と対向する面における前記放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる前記放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる前記放電開始領域をＹ領域とした場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に、前記二次電子放出部を有する、上記（１）に記載のプラズマディスプレイパネル。
（５）前記保護層が、各々の放電セルにおける前記一定方向の中心部分に前記二次電子放出部を有する、上記（２）〜（４）のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
（６）前記放電ガスにおけるキセノン濃度が１５体積％以上である、上記（１）〜（５）のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
（７）前記マイエナイト型化合物の被覆率が２５％以下である、上記（１）〜（６）のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、励起イオンとしてＮｅイオン等に加えてＸｅイオンを作用させることができ、二次電子放出係数が高く封入ガスからの紫外線発光の効率が良好であり、加えて放電電圧が低く省電力が可能であるＰＤＰを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のＰＤＰについて説明する。
本発明のＰＤＰは、放電空間を介して対向する前面基板および背面基板と、前記前面基板の前記背面基板と対向する面の表面に形成され、共に一定方向（以下、「行方向」ともいう。）に延びるＸ電極およびＹ電極からなる放電電極対と、前記放電電極対を被覆する誘電体層と、前記誘電体層を被覆する保護層と、前記背面基板の前記前面基板と対向する面に形成され、前記放電電極対と直交する方向（以下、「列方向」ともいう。）に延びるアドレス電極と、前記放電空間内のキセノンを含む放電ガスとを有する。
【００１２】
本発明のＰＤＰにおいて前面基板、背面基板および誘電体層は特に限定はなく、材質、大きさ、形状、それらの配置、製造方法等、通常のＰＤＰと同様であってよい。
【００１３】
また、Ｘ電極およびＹ電極からなる放電電極対も、従来公知のＴ字型の突出電極部を有するもの、矩形型の突出電極部を有するもの、またはストライプ型のもの等であれば特に限定はなく、材質、大きさ、それらの配置、製造方法等、通常のＰＤＰと同様であってよい。
【００１４】
ここで、Ｔ字型の突出電極部を有する放電電極対の各々は、Ｔ字型の突出電極部が互いに相手側へ張り出しており、前記Ｘ電極の突出電極部である突出電極部Ｘと、前記Ｙ電極の突出電極部である突出電極部Ｙとは放電ギャップを介して対向し、前記突出電極部Ｘにおける前記突出電極部Ｙと対向する辺（「辺Ｘ」とする）と、前記突出電極部Ｙにおける前記突出電極部Ｘと対向する辺（「辺Ｙ」とする）とは共に行方向に略平行（完全な平行でなくてよく、通常のＰＤＰにおけるＸ電極とＹ電極との平行度と同等でよいことを意味する。）で、列方向において離隔して前記放電ギャップを形成しているものである。
【００１５】
また、矩形型の突出電極部を有する放電電極対の各々は、矩形型の突出電極部が互いに相手側へ張り出しており、前記Ｘ電極の突出電極部である突出電極部Ｘと、前記Ｙ電極の突出電極部である突出電極部Ｙとは放電ギャップを介して対向し、前記突出電極部Ｘにおける前記突出電極部Ｙと対向する辺Ｘと、前記突出電極部Ｙにおける前記突出電極部Ｘと対向する辺Ｙとは共に行方向に略平行で、列方向において離隔して前記放電ギャップを形成しているものである。
【００１６】
また、ストライプ型の放電電極は、前記Ｘ電極と前記Ｙ電極とが放電ギャップを介して対向し、前記Ｘ電極の前記Ｙ電極と対向する辺Ｘと、前記Ｙ電極の前記Ｘ電極と対向する辺Ｙとは共に行方向に略平行で、列方向において離隔して前記放電ギャップを形成しているものである。
【００１７】
このような本発明のＰＤＰにおいて保護層は、後述する特定の部位に、電子密度が１．０×１０１５〜２．３×１０２１〜ｃｍ−３であるマイエナイト型化合物を含有する二次電子放出部を有する。
詳細は後述するが、例えば前記誘電体層を被覆するように形成されたＭｇＯ等からなる皮膜上の特定の部位に、前記マイエナイト型化合物からなる皮膜が形成されている態様が挙げられる。この場合、前記保護層は、前記マイエナイト型化合物からなる皮膜とＭｇＯ等からなる皮膜とからなっている。
前記保護層において前記二次電子放出部以外の部分については特に限定されず、例えば通常のＰＤＰと同様であってよい。例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる皮膜状のものであってよい。また、例えば後述する導電性を有さないマイエナイト型化合物からなる皮膜状のものであってもよい。また、このような材質であって、誘電体層の全面を被覆するものであってよい。
【００１８】
次に、マイエナイト型化合物について説明する。
本発明においてマイエナイト型化合物とは、１２ＣａＯ・７Ａｌ２Ｏ３（以下、「Ｃ１２Ａ７」という。）およびＣ１２Ａ７と同等の結晶構造を有する化合物を意味する。
Ｃ１２Ａ７は、Ｃ１２Ａ７結晶格子の骨格とこの骨格により形成されるケージ（籠）とを有し、さらにケージの中に酸素イオンを包接している結晶構造を有している。
よって、「Ｃ１２Ａ７結晶と同等の結晶構造を有する化合物」とは、このような構造が保持される範囲で、骨格またはケージ中のＣａ、Ａｌ、Ｏの一部または全てが他の原子によって置換された化合物を意味する。
【００１９】
具体的に「Ｃ１２Ａ７結晶と同等の結晶構造を有する化合物」としては、骨格またはケージ中のＣａおよびＡｌの一部または全てが、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａおよびＢからなる群から選ばれる少なくとも１つで置換された化合物、Ｌｉ、ＮａおよびＫからなる群から選ばれる少なくとも１つで置換された化合物、ＭｇおよびＢａからなる群から選ばれる少なくとも１つで置換された化合物、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂからなる群から選ばれる少なくとも１つの希土類元素で置換された化合物、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕからなる群から選ばれる少なくとも１つの遷移金属元素または典型金属元素で置換された化合物が挙げられる。
【００２０】
より具体的に「Ｃ１２Ａ７結晶と同等の結晶構造を有する化合物」としては、Ｃ１２Ａ７化合物の骨格の一部または全てのＣａがＳｒで置換された化合物、すなわち、ストロンチウムアルミネートＳｒ１２Ａｌ１４Ｏ３３や、ＣａとＳｒの混合比が任意に変化された混晶であるカルシウムストロンチウムアルミネートＣａ１２−ｘＳｒｘＡｌ１４Ｏ３３（ここでｘは０超１２未満である。）が挙げられる。また、シリコン置換型マイエナイトであるＣａ１２Ａｌ１０Ｓｉ４Ｏ３５が挙げられる。
【００２１】
前記マイエナイト型化合物としては、ケージ中の酸素イオンがＯＨ−、Ｆ−、Ｓ２−、Ｃｌ−などの陰イオンによって置換された化合物も含まれる。より具体的には、Ｃａ１２Ａｌ１４Ｏ３２：２ＯＨ−、Ｃａ１２Ａｌ１４Ｏ３２：２Ｆ−が挙げられる。また、ＡｌがＳｒで置換され、さらに酸素が陰イオンによって置換された化合物、より具体的には、ワダライトＣａ１２Ａｌ１０Ｓｉ４Ｏ３２：６Ｃｌ−が挙げられる。
【００２２】
本発明のＰＤＰでは、このようなマイエナイト型化合物において、ケージ中の酸素イオンまたはこれに置換した陰イオンの一部または全てを電子で置換し、ケージ中に電子を包接させることで、電子密度を１．０×１０１５〜２．３×１０２１ｃｍ−３とした化合物（以下、「導電性マイエナイト」という。）を二次電子放出部に含む。
この包接された電子はケージに緩く束縛されていて、結晶中を自由に動くことができるので、マイエナイト型化合物に導電性が付与される。
【００２３】
導電性マイエナイトは二次電子放出能が高い。従来、保護層として用いられてきたＭｇＯ膜と異なり、Ｎｅイオン等だけでなくＸｅイオンも励起イオンとなるからである。二次電子放出能が高いとペニング混合ガスの紫外線発光効率が向上し、あわせて放電電圧が低下するという効果も奏するので、ＰＤＰの省電力化を達成することができる。
なお、本発明において、導電性マイエナイトが放出する二次電子には、イオン励起による二次電子以外に、熱、電子、イオン、光、機械的刺激による二次電子または一次電子も含まれるものとする。したがって、本発明のＰＤＰで用いる導電性マイエナイトからの電子放出としては、γ効果による電子放出の他に、電界効果電子放出、熱電子放出、熱刺激電子放出、オージェ電子放出、帯電した表面からの電子放出等が挙げられる。
【００２４】
また、本発明のＰＤＰにおいては、Ｘｅイオンが励起イオンとなるので、ペニング混合ガス中のＮｅイオン等の濃度を低下させ、従来４体積％程度であったＸｅ濃度を高めることができる。具体的には１１体積％以上とすることができ、１５体積％以上であることが好ましい。その結果、二次電子放出能をさらに高めることができる。ただしペニング混合ガス中のＸｅ濃度が高すぎると、発生した紫外線をＸｅが吸収する作用が顕著になり、かえって効果が抑制されてしまう可能性がある。よって、ペニング混合ガス中のＸｅ濃度は６０体積％以下であることが好ましい。このようにペニング混合ガス中のＸｅ濃度を最適化することで、本発明の効果をより顕著にすることができる。
なお、本発明のＰＤＰにおいてペニング混合ガスは、実質的にＨｅ、Ｎｅ、ＡｒおよびＫｒの群から選ばれる少なくとも１つとＸｅとからなるものである。よって、それ以外の不純物は実質的には含有しないが、通常のＰＤＰにおいて用いられるペニング混合ガスと同程度に不純物を含んでいてもよい。
【００２５】
前記導電性マイエナイトの電子密度は１．０×１０１５〜２．３×１０２１ｃｍ−３である。
このような範囲とする理由について説明する。
Ｘｅ励起の二次電子放出係数γＸｅと放電開始電圧との間には負の直線的な相関関係があることが知られている。また、二次電子放出係数γＸｅの変化幅に対する放電開始電圧の変化幅は、放電ガス中のＸｅ分圧が高いほど大きいことが知られている。これはＸｅ分圧が高まると、その分圧増大分以上に放電空間中でのＸｅイオン濃度が高くなるからである。
例えば、放電ガスにおけるＸｅ濃度が２０％であるＰＤＰの場合、γＸｅが０．０２である場合と０．０５の場合と比較すると、γＸｅが０．０５の場合、相対的に放電開始電圧は概略４０Ｖ低減する。また、同様に、Ｘｅ濃度が４％であるＰＤＰの場合、γＸｅが０．０２である場合と比較すると、γＸｅが０．０５の場合、放電開始電圧は概略１５Ｖ低減する。
すなわち、ＰＤＰにおいて放電開始電圧を低減するためには、二次電子放出係数γＸｅをより高くすることが好ましく、放電ガスにおけるＸｅ濃度が高いほど、その効果が高くなることが知られていた。
【００２６】
しかしながら、具体的に、どのような手段で、どの程度にまで二次電子放出係数γＸｅを高めること好ましいのか、さらに、その上限はあるのか、あるならば具体的にはどの程度であるのかについては知られていなかった。
本発明者は、導電性マイエナイトの電子密度を調整するという手段によって、Ｘｅ励起の二次電子放出係数γＸｅを調整できることを見出した。また、具体的に、電子密度が１．０×１０１５ｃｍ−３未満ではＭｇＯと同程度のγＸｅ（０．０２程度）であるものの、１．０×１０１５ｃｍ−３を境にして、マイエナイト化合物のケージ中の酸素イオンがすべて電子に置換された場合の電子密度である、２．３×１０２１ｃｍ−３まで、急激にγＸｅが高まることを見出した。
より具体的には導電性マイエナイトの電子密度を１０１５／ｃｍ３とすると、０．０２超のγＸｅが得られるため、ＰＤＰの放電開始電圧を１５Ｖ以上低減することができる。また、電子密度を１０１９／ｃｍ３とすると、γＸｅを０．１とすることができ、Ｘｅ濃度が２０％の放電ガスを含むＰＤＰの放電開始電圧を、ＭｇＯのみを備えた場合と比較して、概略４０Ｖ以上低減させることができるので好ましい。また、電子密度を１０２１／ｃｍ３とするとγＸｅを０．１５とすることができ、Ｘｅ濃度が２０％の放電ガスを含むＰＤＰの放電開始電圧を、ＭｇＯのみを備えた場合と比較して、概略５０Ｖ以上低減させることができるので好ましい。一方、電子密度が１０１５／ｃｍ３未満、例えば１０１３／ｃｍ３であるときは、０．０２超のγＸｅが得られないため、ＰＤＰの放電開始電圧の低減効果は小さい。
【００２７】
前記導電性マイエナイトの電子密度は１０１６／ｃｍ３以上、１０１８／ｃｍ３以下とすることが好ましい。０．０２超の良好な二次電子放出係数γＸｅとした上で、さらに帯電性を改善することができるからである。また、これに加えて、プラズマの放電効率を改善することができるからである。
また、前述のように放電電圧低減の効果はＸｅ濃度が高いほうが顕著となるため、放電ガス(ぺニング混合ガス)のＸｅ濃度は、１５体積％以上とすることが好ましい。
前記導電性マイエナイトの電子密度の調整方法については後述する。
【００２８】
なお、導電性マイエナイトの電子密度は、電子スピン共鳴装置を用いて測定したスピン密度の測定値を意味する。ただし、ここでのスピン密度の測定値が１０１９ｃｍ−３を超えた場合は、導電性マイエナイトのケージ中の電子による光吸収の強度を分光光度計を用いて測定し、２．８ｅＶでの吸収係数を求めたのち、この吸収係数が電子密度に比例することを利用して、導電性マイエナイトの電子密度を定量した値とする。また、導電性マイエナイトが粉末等であり、光度計によって透過スペクトルを測定し難い場合、積分球を使用して光拡散スペクトルを測定し、クベルカムンク法によって求めた値から導電性マイエナイトの電子密度を定量した値とする。
【００２９】
前記導電性マイエナイトは、その表面が清浄化されたものであることが好ましい。例えば、前記導電性マイエナイトが粒子状または粉体状である場合はその粒子または粉体の表面、前記導電性マイエナイトが皮膜状である場合は、二次電子放出部の表面が清浄されていることが好ましい。二次電子放出能がより高くなるからである。
【００３０】
例えば導電性マイエナイトのバルク体（粒子状、粉体状、皮膜状等のもの）を真空中でへき開したり、研削することによって、その表面を清浄化することができる。ここで清浄化とは、表面の変質層や有機物などの不純物を除去することをいう。前記導電性マイエナイトを超高真空中で約６５０℃以上に保持することによっても清浄化することができる。一般に、仕事関数の低い化合物は二次電子放出能が高いが、このような清浄化がなされた表面を有する導電性マイエナイトの仕事関数は約２ｅＶと低い。
【００３１】
また、前記導電性マイエナイトの表面を清浄化した後、さらに表面改質処理を施すことで、前記導電性マイエナイトの二次電子放出能をさらに高めることができる。
ここで表面改質処理は、バルク体の表面部分の導電性マイエナイトのケージ中の電子をＨ−、Ｈ２−、Ｈ２−、Ｏ−、Ｏ２−、Ｏ２−、ＯＨ−、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｓ２−、Ａｕ−等で置換する処理である。このような処理をすると前記導電性マイエナイトの表面部分にケージ中の電子の一部が消滅した層（以下、「表面改質層」という。）が形成される。そうすると、二次電子放出能はさらに高くなる。このような表面改質処理を施し表面改質層を有する導電性マイエナイトは、実効的な仕事関数（表面改質以外の影響を含めた実測上の仕事関数）が１ｅＶ以下となる。
【００３２】
前記表面改質層の厚みは１ｎｍ以下であることが好ましい。厚みが厚すぎると仕事関数が低下し難いからである。
【００３３】
前記導電性マイエナイトの製造方法を例示する。
初めに炭酸カルシウムと酸化アルミニウムとを、ＣａＯおよびＡｌ２Ｏ３の酸化物換算のモル比で１２：７程度（例えば１１．８：７．２〜１２．２：６．８）となるように調合し、常温、常圧の空気中で１２００〜１３５０℃程度の温度で６時間程度保持し、固相反応させた後室温まで冷却する。そして得られた焼結物をタングステンカーバイド製遊星ミルなどを用いて粉砕した後、加圧成形してペレット状にし、再び１２００〜１３５０℃に加熱して焼結体を得る。次に得られた焼結体をカーボン、金属チタン、金属カルシウム、金属アルミニウム等の粉末または破片状の還元剤と共に蓋付き容器に入れ、容器内を低酸素分圧に保った状態で、６００〜１４１５℃に保持し、その後冷却すると導電性マイエナイト粒子を得ることができる。この温度が１４１５℃以下であるとマイエナイト型化合物が溶融し難く、安価な装置で処理できるので好ましい。６００℃以上であると、マイエナイト型化合物のケージ中から酸素イオンを引き抜く反応の速度が比較的速く、導電性マイエナイトを比較的早く得られるので好ましい。カーボン、金属チタン、金属カルシウム、金属アルミニウム等の還元剤からなる蓋付き容器（例えばカーボン製の蓋付き容器）に前記焼結体を入れて処理しても、同様に導電性マイエナイトを得ることができる。また、ここで容器内の酸素分圧を調整することで、得られる導電性マイエナイトの電子密度を調整することができる。
【００３４】
具体的には、例えばマイエナイト型化合物の焼結体を蓋付きのカーボン容器に入れ、１３００℃まで昇温させ、２時間保持する熱処理が挙げられる。この方法では、カーボン容器自体が酸素を吸収するので、熱処理中のカーボン容器内の酸素分圧（ＰＯ２）は１０−１２Ｐａ程度となる。そして、電子密度が１．６×１０２０／ｃｍ３程度の導電性マイエナイトを得ることができる。また、ここで１３００℃とした熱処理温度を１０００℃、１１００℃および１２００℃とすると、熱処理時の酸素分圧（ＰＯ２）は、それぞれ１０−１３Ｐａ、１０−１３．５Ｐａおよび１０−１４Ｐａ程度となり、得られる導電性マイエナイトの電子密度は、それぞれ１．４×１０１７／ｃｍ３、８．７×１０１７／ｃｍ３および７．３×１０１８／ｃｍ３程度となる。また、他の方法として、還元剤としての金属アルミニウムをマイエナイト型化合物とともに蓋付きアルミナ容器に入れ、当該容器内をロータリーポンプで真空引きしつつ１３００℃で熱処理すると、熱処理中の容器内の酸素分圧は１０−２１Ｐａ程度の低酸素分圧となり、電子密度が１．４×１０２１／ｃｍ３程度の導電性マイエナイトを得ることができる。
【００３５】
さらに、導電性マイエナイトを熱処理、物理蒸着処理、ウェットコーティング、イオン注入、プラズマ照射処理等することで、前記表面改質層を有する導電性マイエナイトを製造することができる。
例えば導電性マイエナイトのケージ中の電子をＯ２−で置換する場合は、処理温度をＴとした場合に、下記式（Ａ）から算出される酸素分圧ＰＯ２（Ｐａ単位）よりも高い酸素分圧下で熱処理して、前記表面改質層を有するバルク体の導電性マイエナイトを得ることができる。
【００３６】
［数１］
式（Ａ）：ＰＯ２＝１０５×ｅｘｐ［｛−７．９×１０４／（Ｔ＋２７３）｝＋１４．４］
【００３７】
次に二次電子放出部について説明する。
本発明のＰＤＰにおいて二次電子放出部は前記保護層の一部分であり、前記保護層における前記導電性マイエナイトを含有する部分である。
【００３８】
前記二次電子放出部としては、前記導電性マイエナイトが二次電子放出部中で粒子状や粉体状で存在している場合が好適例として挙げられる（後に図２を用いて説明する。）。
前記二次電子放出部の前記導電性マイエナイト以外の部分は、前記保護層における前記二次電子放出部以外の部分と同様の材質であってよい。
【００３９】
また、二次電子放出部の全てが前記導電性マイエナイトからなっている場合も、前記導電性マイエナイトが二次電子放出部中に含有される態様とする。例えば、二次電子放出部が前記導電性マイエナイトからなる皮膜であってよい。また、後述するように、二次電子放出部は特定の位置に存在するが、当該位置であって、前記誘電体層を被覆するように形成されたＭｇＯ等からなる皮膜上に、前記導電性マイエナイトからなる皮膜が付けられたような場合や、当該位置に粉体状の前記導電性マイエナイトが吹き付けられたような場合であっても、それら前記導電性マイエナイトは二次電子放出部を形成しているものとする。すなわち、このような場合は、前記導電性マイエナイトからなる皮膜およびＭｇＯ等からなる皮膜が前記保護層を形成しているものとする。ここでいうＭｇＯ等からなる皮膜としては、パターニングされた薄膜が挙げられる。パターニングする方法としては、マスク蒸着、リソグラフィー、リフトオフ等の従来公知の方法が挙げられる。
【００４０】
前記二次電子放出部は、Ｘｅ励起の二次電子放出係数γが０．０２以上であることが好ましく、０．０５以上であることがより好ましく、０．１以上であることがさらに好ましい。二次電子によってＸｅ原子がＸｅイオンとなり、そのＸｅイオンから紫外線放出が行われ、Ｘｅからの紫外線発光の効率が向上するためである。そして、ＰＤＰの放電効率が高く放電遅れが小さいなど、良好な放電特性のＰＤＰが得られるためである。
二次電子放出係数は、導電性マイエナイトの電子密度を調整することで調整することができる。例えば電子密度を１０１９／ｃｍ３とすると、イオンのエネルギーを６００ｅＶとしたときに、Ｘｅイオンの二次電子放出係数γを０．１５とすることができる。また、例えば電子密度を１０２１／ｃｍ３とすると、二次電子放出係数γを０．１８とすることができる。
【００４１】
ここで二次電子放出とは、固体表面に電子などの励起源を衝突させたとき，その表面から別の電子（二次電子）が放出される現象をいう。本発明において二次電子放出とは、主にイオン衝突により放出される電子、すなわちイオン励起二次電子放出をいう。また、二次電子放出係数γは、衝突イオンに対する放出された二次電子の数の割合である。
前記二次電子放出部の二次電子放出係数は、前記二次電子放出部をターゲットとして真空容器内に設置し、その後イオン銃を用いてＮｅイオンまたはＸｅイオンを照射し、ターゲットである二次電子放出部の近傍に置かれた二次電子捕集コレクタを用いて二次電子を捕集することにより測定して求める値を意味するものとする。
また、二次電子捕集コレクタによって二次電子を捕捉する電圧（二次電子捕集コレクタ電圧）は７０Ｖとする。
通常、ターゲットとなる材料の二次電子放出係数を測定する場合の二次電子捕集コレクタ電圧は、充分に二次電子を捕捉できる電圧である必要があり、その値はターゲットの種類によって異なる。ここでコレクタ電圧が高くなれば捕捉できる二次電子の数は増加し、さらに電圧を高くすると次第に捕捉できる二次電子の数量は飽和する。よって、飽和状態となる電圧であれば二次電子を充分に捕捉できるので、ターゲットとなる各種材料の二次電子は、このように飽和状態となる電圧で測定することが必要である。
電子密度が１．０×１０１５ｃｍ−３以上であるマイエナイト型化合物の場合は、二次電子捕集コレクタ電圧が７０Ｖで、二次電子の放出量はほぼ飽和する。
【００４２】
粒子状の前記導電性マイエナイトが、二次電子放出部中に含有されている態様を、図２を用いて説明する。
本発明のＰＤＰは、例えば図２に示すような皮膜を前記保護層の一部として後述する特定部位に有する。
【００４３】
図２は、二次電子放出部が皮膜状であり、その内部に粒子状の前記導電性マイエナイトが分散している態様を示す概略断面図である。
図２において二次電子放出部１００は、皮膜層１０２と導電性マイエナイト粒子１０４とからなっており、皮膜層１０２が導電性マイエナイト粒子１０４を含んでいる。
各々の導電性マイエナイト粒子１０４は皮膜層１０２に完全に含まれていてもよく、図２に示すように粒子１０４の一部または全部が皮膜層１０２の表面から露出していてもよい。また、マイエナイト粒子１０４の一部が皮膜層１０２の表面に存在してもよい。
【００４４】
ここで皮膜層を形成する物質は、プラズマ耐性を有するものであれば特に限定されない。例えばＭｇＯなどのアルカリ土類金属酸化物が挙げられる。また、例えば電子密度が１．０×１０１５ｃｍ−３未満のマイエナイト型化合物であってもよい。
このような中でもアルカリ土類金属酸化物が好ましく、ＭｇＯがより好ましい。放電電圧が比較的低くなるからである。
【００４５】
また、導電性マイエナイト粒子１０４の粒径は特に限定されないが、平均粒径で５ｎｍ以上であることが好ましく、５０μｍ以下のものであることが好ましい。また、０．０１〜５０μｍであることがより好ましく、０．０２〜２０μｍであることがより好ましく、０．０５〜５μｍであることがさらに好ましい。平均粒径が５ｎｍ未満であると導電性マイエナイト粒子１０４を製造することが比較的難しい。また、５０μｍ以下のものであると、導電性マイエナイト粒子１０４を比較的均一に分散して含む二次電子放出部１００が得られるので好ましい。
なお、本発明のＰＤＰおいて導電性マイエナイト粒子の平均粒径とは、レーザ回折散乱法によって測定した平均粒径（５０％粒径）を意味するものとする。
【００４６】
また、図２に示されるように、二次電子放出部が皮膜状である場合、導電性マイエナイト粒子１０４を含む二次電子放出部１００の厚さは特に限定されない。例えば０．０１〜５０μｍでよく、０．０２〜２０μｍであることが好ましく、０．０５〜５μｍであることがより好ましい。
この厚さは、光学干渉式の表面形状計測装置を用いて測定した場合の厚さを意味するものとする。
なお、前記二次電子放出部が導電性マイエナイトからなる皮膜の場合、その厚さは、ここでいう二次電子放出部１００の厚さと同様であってよい。
【００４７】
このような導電性マイエナイト粒子を含む皮膜層を形成する方法は特に限定されない。例えば次に説明する方法で形成することができる。
初めに、皮膜層を形成する物質（以下、「絶縁性化合物」ともいう。）をタングステンカーバイド製遊星ミルなどを用いて粉砕し、平均粒径が１〜５μｍの粒子を得る。次に、得られた絶縁性化合物と、導電性マイエナイト粒子とを分散媒に添加する。分散媒としては、例えば、１−プロパノール１リットルに対して１００ｇの割合で結晶性ゼオライト（モレキュラーシーブなど）を加え、数回攪拌した後に２４時間静置したものを用いることができる。このような分散媒と増粘剤としてテルピネオールとを混合したのち、導電性マイエナイト粒子および絶縁性化合物の粒子を添加して、混合物を混練することにより、マイエナイト粒子および絶縁性化合物の粒子を含むスラリー（または懸濁液、ペースト）を得る。分散媒および増粘剤と導電性マイエナイト粒子と絶縁性化合物の粒子との混合比（質量比）は、１５：８０：５とすることが好ましい。
【００４８】
次に、このようにして得たスラリーを後述する二次電子放出部が位置すべき特定の位置に塗布した後焼成すれば、二次電子放出部を形成することができる。ここで、塗布方法としては、スプレー塗布、ダイ塗布、ロール塗布、ディップ塗布、カーテン塗布、スピン塗布、グラビア塗布などが挙げられるが、スピン塗布が塗布厚みをより簡便かつ的確に操作できる点から特に好ましい。
また、好ましい焼成条件は、分散媒または増粘剤の有機分子が分解し、導電性マイエナイト粒子が誘電体層や保護層と十分に固着され、かつ導電性マイエナイト粒子の酸化作用が促進されないような温度が好ましい。一般的には、２００℃〜６００℃の範囲が好ましい。また、焼成時間は１０分程度が好ましい。
【００４９】
また、帯電性の観点から、導電性マイエナイト型化合物の被覆率が２５％以下であることが好ましい。
ここで被覆率とは、前記導電性マイエナイト型化合物および前記放電開始領域を前記前面基板の主面へ正投影した場合の面積（正投影面積）（ｃｍ２）の比（百分率）を意味するものとする。すなわち、［前記導電性マイエナイト型化合物の正投影面積／前記放電開始領域の正投影面積×１００］を意味する。
【００５０】
次に、前記二次電子放出部の位置について説明する。
上記のように本発明のＰＤＰには放電電極対が、Ｔ字型の突出電極部を有する場合、矩形型の突出電極部を有する場合、またはストライプ型の場合が好ましいが、前記二次電子放出部の位置は、いずれの場合であっても同様である。
すなわち、前記二次電子放出部は、前記保護層の前記背面基板と対向する面における前記放電電極対と前記アドレス電極とが交差する領域であって、放電を開始する領域である放電開始領域の内側に存在する。
また、好ましくは、前記二次電子放出部は、前記保護層の前記背面基板と対向する面の表面における放電開始領域であって、その領域の輪郭と前記辺Ｘと前記辺Ｙとを前記前面基板の主面へ正投影すると前記辺Ｘを内側に含むことになる放電開始領域をＸ領域とし、前記辺Ｙを内側に含むことになる放電開始領域をＹ領域した場合の前記Ｘ領域および／または前記Ｙ領域の内側に存在する。
ここで「正投影」とは、前記前面基板の主面に垂直な方向への投影を意味する。
このような放電開始領域に二次電子放出部が存在すると、イオンのフラックスが多く、また電界強度が大きいため、良好な電子放出特性が得られるので好ましい。
また、このような中でも前記Ｘ領域と前記Ｙ領域との両方に各々二次電子放出部が存在することが好ましい。本発明の効果がより顕著に奏されるからである。
【００５１】
ここで、前記Ｘ領域の内側に存在する前記二次電子放出部を放出部Ｘ、前記Ｙ領域の内側に存在する前記二次電子放出部を放出部Ｙとする。
前記放出部Ｘと前記放出部Ｙとの両方が存在する場合は、これらは１μｍ以上離隔して存在する。ここで２μｍ以上離隔していることが好ましく、５μｍ以上離隔していることがより好ましい。このような範囲であると帯電性が低下し難いからである。
【００５２】
放電開始領域であるＸ領域およびＹ領域について具体的に説明する。
なお、Ｘ領域とＹ領域とは同様であるので、以下ではＸ領域についてのみ説明する。
前記Ｘ領域は、前記保護層の前記背面基板と対向する主面の表面における矩形領域であり、上記のように、その領域の矩形の輪郭線と前記辺Ｘとを前記前面基板の主面へ正投影した場合、矩形領域の内側に前記辺Ｘを含む。以下、前記前面基板の主面へ正投影した場合の矩形の輪郭線と前記辺Ｘとの位置関係について説明すると、矩形の輪郭線を構成する４辺のうち、２つの対辺と前記辺Ｘとは行方向に平行であり、当該対辺の各々の中心点と前記辺Ｘの中心点とは全て列方向に平行な直線上に存在する。さらに、ここでいう２つの対辺のうち、前記辺Ｙに近い方の辺を構成する線分を線分Ｘ１、遠い方の辺を構成する線分を線分Ｘ２とすると、線分Ｘ１を正投影した線分は、前記辺Ｘを正投影した線分を、前記辺Ｙを正投影した線分の側へ列方向に５μｍ平行移動した線分Ｘ１１と重なる。さらにその線分Ｘ１１の両端において各々５μｍずつ延ばした線分が線分Ｘ１となる。つまり、線分Ｘ１の長さは辺Ｘより両端において５μｍずつ長く全長で１０μｍ長い。また、線分Ｘ２を正投影した線分は、前記辺Ｘを正投影した線分を、前記辺Ｙを正投影した線分と反対側方向へ、前記Ｘ電極の列方向の幅の５０％に相当する長さ分、列方向に平行移動した線分Ｘ２１と重なる。さらにその線分Ｘ２１の両端において各々５μｍずつ延ばした線分が線分Ｘ２となる。つまり、線分Ｘ２の長さは辺Ｘより両端において５μｍずつ長く全長で１０μｍ長い。線分Ｘ１と線分Ｘ２との長さは同じである。
このような放電開始領域であるＸ領域およびＹ領域については、後に図４、図７、図９等を用いて、再度、より具体的に説明する。
【００５３】
前記放出部Ｘおよび前記放出部Ｙの少なくとも一方は、このようなＸ領域およびＹ領域に各々存在する。
【００５４】
次に本発明のＰＤＰをＴ字型の突出電極部を有する放電電極対を有するもの、矩形型の突出電極部を有する放電電極対を有するもの、およびストライプ型の放電電極対を有するものに分類し、各態様ごとに図を用いて説明する。
Ｔ字型の突出電極部を有する放電電極対を有するもの、矩形型の突出電極部を有する放電電極対を有するもの、およびストライプ型の放電電極対を有するものを、以下では本発明の第１、第２および第３態様のＰＤＰとする。以下、単に「本発明のＰＤＰ」を記した場合、第１〜第３態様の全ての場合を指す。
【００５５】
本発明の第１態様のＰＤＰについて説明する。
図３〜５は、放電電極対がＴ字型の突出電極部を有する本発明の第１態様のＰＤＰを示しており、図３は模式的に示す正面図（前面基板側から見た図）、図４は図３の一部分の拡大図、図５は図３のＶ−Ｖ線における断面図である。
正面図は各要素を前面基板の主面へ正投影したものを示す図と考えることもできる。
【００５６】
この図３〜５に示される本発明の第１態様のＰＤＰは、表示面である前面基板１の背面基板２と対向する面に、放電電極対である複数のＸ電極およびＹ電極（以下、「放電電極対（Ｘ、Ｙ）」ともいう。）が、前面基板１の一定方向（行方向）に延びるように平行に配列されている。
【００５７】
放電電極対（Ｘ、Ｙ）は、Ｔ字型のスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）などの透明導電膜からなる突出電極部Ｘａ、Ｙａと、前面基板１の行方向に延びて突出電極部Ｘａ、Ｙａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂ、Ｙｂとによって構成されている。
【００５８】
そして、放電電極対（Ｘ、Ｙ）は、前面基板１の列方向（行方向に垂直な方向）に交互に配列されており、図３、図４に示すように、バス電極ＸｂおよびＹｂに沿って並列されたそれぞれの突出電極部ＸａとＹａが、互いに対となる相手の電極側に張り出して延びて、突出電極部ＸａとＹａとの幅広部の頂辺である辺Ｘ（１０Ｘ）と辺Ｙ（１０Ｙ）とが、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向している。図３、図４に示すように、辺Ｘ（１０Ｘ）と辺Ｙ（１０Ｙ）とは共に行方向において略平行である。
【００５９】
また、図３に示すように前面基板１の背面基板６と対向する面には、列方向において隣接するＸ電極およびＹ電極の互いに背中合わせになったバス電極ＸｂとＹｂとの間に、このバス電極Ｘｂ、Ｙｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）２が形成されている。
【００６０】
さらに、図５に示すように、前面基板１の背面基板２に対向する面の側には、放電電極対（Ｘ、Ｙ）を被覆するように誘電体層３が形成されており、この誘電体層３の背面基板６に対向する面には、互いに隣接するＸ電極およびＹ電極の背中合わせに隣り合うバス電極ＸｂおよびＹｂに対向する位置およびこの隣り合うバス電極ＸｂとＹｂの間の領域部分に対向する位置に、誘電体層３の背面基板側に突出する嵩上げ誘電体層３Ａが、バス電極Ｘｂ、Ｙｂと平行に延びるように形成されている。
【００６１】
そして、この誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面基板２に対向する面には、保護層４が形成されていて、誘電体層３と嵩上げ誘電体層３Ａの背面の全面を被覆している。
【００６２】
一方、前面基板１と平行に配置された背面基板６の前面基板１側の表面には、放電電極である列電極Ｄが、放電電極対（Ｘ、Ｙ）の互いに対となった突出電極部ＸａおよびＹａに対向する位置において放電電極対（Ｘ、Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
【００６３】
背面基板６の前面基板１と対向する面には、さらに、列電極Ｄを被覆する白色の誘電体層７が形成され、この誘電体層７上に隔壁８が形成されている。
【００６４】
この隔壁８は、放電電極対（Ｘ、Ｙ）のバス電極ＸｂとＹｂに対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる一対の横壁８Ａと、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において一対の横壁８Ａ間を列方向に延びる縦壁８Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁８が、隣接する他の隔壁８の互いに背中合わせに対向する横壁８Ａの間において行方向に延びる隙間ＳＬを挟んで、列方向に並設されている。
【００６５】
そして、この梯子状の隔壁８によって、前面基板１と背面基板６との間の放電空間Ｓが、放電電極対（Ｘ、Ｙ）において互いに対になっている突出電極部ＸａとＹａに対向する部分に形成される放電セルＣ毎に、それぞれ方形に区画されている。放電空間Ｓ内にはペニング混合ガスを含む放電ガスが封入される。
【００６６】
放電空間Ｓに面する隔壁８の横壁８Ａおよび縦壁８Ｂの側面と誘電体層７の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層９が形成されており、この蛍光体層９の色は、各放電セルＣ毎に赤、緑、青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
なお、蛍光体層の放電空間Ｓに面を覆うように、保護層が形成されていてもよい。
【００６７】
嵩上げ誘電体層３Ａは、この嵩上げ誘電体層３Ａを被覆している保護層４が隔壁８の横壁８Ａの前面基板１側の面に当接されることによって、放電セルＣと隙間ＳＬの間をそれぞれ閉じているが、縦壁８Ｂの前面基板１側の面には当接されておらず、その間に隙間が形成されて、行方向において隣接する放電セルＣ間がこの隙間を介して互いに連通されている。
【００６８】
このようなＰＤＰにおいて、図４において点線ＸＣで示される矩形領域がＸ領域である。
すなわち、Ｘ領域は、その矩形の輪郭線（点線ＸＣ）を構成する４辺のうち、２つの対辺と辺Ｘ（１０Ｘ）とは行方向に平行である。そして、２つの対辺のうち、辺Ｙ（１０Ｙ）に近い方の辺を構成する線分Ｘ１を正投影した線分は、辺Ｘ（１０Ｘ）を正投影した線分を、辺Ｙ（１０Ｙ）を正投影した線分の側へ列方向にｔ２（≦５μｍ）平行移動した線分Ｘ１１（図示していない）と重なる。さらにその線分Ｘ１１の両端において各々ｔ１１、ｔ１２（ｔ１１≦５μｍ、ｔ１２≦５μｍ）ずつ延ばした線分が線分Ｘ１となる。
また、線分Ｘ２を正投影した線分は、辺Ｘ（１０Ｘ）を正投影した線分を、辺Ｙ（１０Ｙ）を正投影した線分と反対側方向へ、ｔ３（突出電極部Ｘａの幅広部の頂辺１０ｘと幅広部で対向する辺１１ｘの間隔１３ｘの５０％以下の長さ）、列方向に平行移動した線分Ｘ２１（図示していない）と重なる。さらにその線分Ｘ２１の両端において各々ｔ１１、ｔ１２（ｔ１１≦５μｍ、ｔ１２≦５μｍ）ずつ延ばした線分が線分Ｘ２となる。
【００６９】
ここで、ｔ２は３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることがさらに好ましい。ｔ２が３０μｍ以上であると、帯電性が低下する場合がある。
また、ｔ１１およびｔ１２は、３０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることがさらに好ましい。ｔ１１およびｔ１２は、３０μｍ以上であると、帯電性が低下する場合がある。
また、ｔ３はＸ電極の列方向の幅の５０％の長さであることが好ましく、４０％の長さであることがより好ましく、３０％の長さであることがさらに好ましい。ｔ３が１３ｘの長さの５０％を超えると、前面板の光透過性が低下する場合がある。
さらに、ｔ３は２５μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１５μｍ以下であることがさらに好ましい。ｔ３が２５μｍを超える場合は、前面板の光透過性が低下する場合がある。
【００７０】
また、Ｙ領域についても同様であり、図４に示す点線ＹＣで示される矩形領域がＹ領域である。
【００７１】
また、ここに示した本発明の第１態様のＰＤＰでは、放電セルＣにおける行方向の中心部分（縦壁８Ｂ間の中心を含む部分。また、通常は辺１０Ｘ、辺１０Ｙの中心を含む部分となる。）に二次電子放出部である放出部Ｘ（１２Ｘ）および放出部Ｙ（１２Ｙ）が存在している。
このように放出部Ｘ、放出部Ｙは、放電セルＣの行方向の中心部分に存在することが好ましい。本発明の効果がより高まるからである。
本発明のＰＤＰでは、Ｘ領域の全てに放出部Ｘが存在してもよい。同様に、Ｙ領域の全てに放出部Ｙが存在してもよい。
【００７２】
次に、本発明の第２態様のＰＤＰの場合を説明する。
図６、７は、放電電極対が矩形型の突出電極部を有する本発明の第２態様のＰＤＰを示しており、図６は模式的に示す正面図、図７は図６の拡大図である。なお、断面図は第１態様の場合に示した図５と同様であるので、ここでは省略する。
【００７３】
突出電極部が矩形型であっても、上記に説明したＴ字型の場合と同様である。
Ｔ字型の突出電極部が矩形型に変わることで、図７に示すように辺Ｘ（１０Ｘ）が短くなり、それに伴って線分Ｘ１および線分Ｘ２が短くなり、その結果矩形領域（ＸＣ）が狭くなるが、その他については同様である。ｔ１（ｔ１１、ｔ１２）、ｔ２、ｔ３の好ましい値についても同様である。放出部Ｘ、放出部Ｙの好ましい位置等についても同様である。
【００７４】
次に、本発明の第３態様のＰＤＰの場合を説明する。
図８、９は、放電電極対がストライプ型である本発明のＰＤＰの一例を示しており、図８はこの一例におけるＰＤＰを模式的に示す正面図、図９は図８の拡大図である。なお、断面図は第１態様の場合に示した図５と同様であるので、ここでは省略する。
【００７５】
突出電極部がストライプ型であっても、上記に説明したＴ字型および矩形型の場合と同様である。
放電電極がストライプ型に変わることで、図９に示すように辺Ｘ（１０Ｘ）が長くなり、それに伴って線分Ｘ１および線分Ｘ２の長さが変化し、矩形領域（ＸＣ）が変化するが、その他については同様である。ｔ２、ｔ３の好ましい値についても同様である。放出部Ｘ、放出部Ｙの好ましい位置等についても同様である。なお、この態様の場合、Ｔ字型および矩形型においてｔ１（ｔ１１、ｔ１２）で示された部分は、前面基板に形成された全ての放電電極対における行方向の最端部にのみ形成される。なお、図８、図９にｔ１（ｔ１１、ｔ１２）は示していない。
【００７６】
放出部Ｘまたは放出部Ｙの各々の正投影面積は、前記保護層（前記二次電子放電部を含む）の全体を前記前面基板の主面へ正投影した場合の面積に対して５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましい。前面基板の光透過率が向上するからである。
【００７７】
導電性マイエナイト粒子は、放電開始領域の内側以外の場所に配置されていても、放電には影響しない。
【００７８】
次に、本発明のＰＤＰの製造方法について説明する。
本発明のＰＤＰにおける二次電子放出部以外の部分の製造方法は特に限定されず、例えば従来公知の方法で製造することができる。
前記二次電子放出部は、上記で説明したように、マイエナイト粒子を含むスラリーを得た後、上記のような特定の位置に塗布した後焼成すれば、二次電子放出部となる保護層を形成することができる。また、従来公知の物理蒸着法、化学蒸着法、ウエットコーティング法等によっても形成することができる。処理条件も特に限定されず、例えば従来公知の通常の処理条件で形成することができる。
【００７９】
例えば、スパッタリング法により皮膜状の前記二次電子放出部となる保護層を形成する方法としては、例えばカソード側に前記導電性マイエナイトを含むターゲットを設置し、１〜１０−２Ｐａ程度の反応雰囲気ガス中で電極間にグロー放電を起こし、この反応雰囲気ガスをイオン化させ、ターゲットから導電性マイエナイトを叩き出して、アノード側に設置した誘電体層を有する基板上に導電性マイエナイトからなる層を形成する方法が挙げられる。ここで、反応雰囲気ガスはアルゴンなどの不活性ガスや、アルゴンなどにＮ２、ＣＯ２、ＣＨ４などを混合させたガスを用いることができる。また、アノード側の基板温度を１００〜７００℃とすると形成される導電性マイエナイトからなる皮膜層の表面の凹凸がより少なくなる傾向があるので好ましい。皮膜層形成後に熱処理を施すと、結晶性が向上するため好ましい。
導電性マイエナイトからなる皮膜層の厚さは、物理蒸着法、化学蒸着法、ウエットコーティング法における反応時間などの処理条件を制御することで調整可能である。
【実施例】
【００８０】
以下、実施例および比較例によって本発明を説明する。これらは本発明をより明確に示すためのものであり，本発明の内容は実施例に限られない。
【００８１】
＜実施例１＞
炭酸カルシウムと酸化アルミニウムとをモル比で１２：７となるように混合し、大気中において１３００℃で６時間保持して粉末体を得た。次にこの粉末体を１軸プレス機（Ｔ１０Ｓ１５、ＯＳＡＫＡ  ＪＡＣＫ社製）を用いて成型体（２ｃｍ×２ｃｍ×１ｃｍ）とした後、空気中で１３５０℃で３時間保持して、焼結密度が９９％超の焼結体を作製した。この焼結体は白色で絶縁体であった。
次に、この焼結体を金属アルミニウムと一緒に蓋付きアルミナ容器に入れ、真空炉中で１３００℃まで昇温し１０時間保持した後、室温まで徐冷した。
ここで得られた熱処理物を以下では「試料Ａ」という。この試料Ａは黒茶色を呈していた。
【００８２】
次に、このようにして得た試料Ａの性状測定をした。
この試料ＡをＸ線回折装置（理学電機ＲＩＮＴ２５００）に供し、マイエナイト型構造のピークをもつことを確認した。また、分光光度計（日立製作所社製、Ｕ３５００）を用いて試料Ａの光吸収スペクトルを測定したところ、電子密度が１．４×１０２１／ｃｍ３であることが分かった。
また、ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗの方法により１２０Ｓ／ｃｍの電気伝導率を有することを確認した。
また、試料Ａを電子スピン共鳴装置（ＪＥＯＬ社製、ＪＥＳ−ＴＥ３００）に供したところ、ＥＳＲシグナルは、１．０×１０２１／ｃｍ３超の高い電子濃度の導電性マイエナイトに特徴的なｇ値１．９９４を有する非対称形であることがわかった。
以上により、試料Ａは導電性マイエナイトであることを確認した。
【００８３】
次に試料Ａを用いて、図８、９で示した態様の本発明のＰＤＰを製造した。
試料Ａをボールミルを用いて粉砕して粉末とし、テルピネオールと混合してペーストとした後、スクリーン印刷機を用いてＭｇＯからなる皮膜層上であって図８、９で１２Ｘおよび１２Ｙで示した位置に塗布した。なお、図８、９では二次電子放出部（１２Ｘ、１２Ｙ）は矩形で示されているが、本実施例ではこの矩形に内接する略円形とした。
次に、前面基板、放電電極対、誘電体および保護層と共に３５０℃で２０分間焼成し、試料Ａからなる二次電子放出部を保護層上に形成した。この二次電子放出部の厚さは１０μｍとし、直径が５０μｍの略円形とした。また、放電ギャップｇ＝７５μｍ、列方向におけるＸ電極の幅＝５０μｍ、列方向におけるＹ電極の幅＝５０μｍとした。なお、辺Ｘ（１０Ｘ）および辺Ｙ（１０Ｙ）の長さは、二次電子放出部の行方向の長さ（５０μｍ）に対して充分に長い。
そして、この二次電子放出部の二次電子放出係数γを測定したところ、０．０５超であった。なお、ＭｇＯからなる保護層の二次電子放出係数を測定したところ０．０５未満であった（コレクタ電圧は７０Ｖとした。）。
【００８４】
次にこれらと背面基板等とを用いてＰＤＰを作製した。放電ガスの組成はＸｅ＝２０％、残部Ｎｅとした。また放電ガスの圧力を５００Ｔｏｒｒとした。
【００８５】
そして、得られたＰＤＰに交流電圧を印加して放電特性を調べたところ、放電開始電圧は約２７０Ｖであった。
【００８６】
＜比較例１＞
試料Ａ（導電性マイエナイト）からなる二次電子放出部を形成しないこと以外は、実施例１と同様のプラズマディスプレイパネルを作製し、同様の方法で放電開始電圧を測定したところ、約３００Ｖであった。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】図１は、従来のＰＤＰの概略構成を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明のＰＤＰの二次電子放出部の概略断面図である。
【図３】図３は、本発明のＰＤＰの概略正面図である。
【図４】図４は、図３の拡大図である。
【図５】図５は、図３のＶ−Ｖ線における概略断面図である。
【図６】図６は、本発明の別のＰＤＰの概略正面図である。
【図７】図７は、図６の拡大図である。
【図８】図８は、本発明の別のＰＤＰの概略正面図である。
【図９】図９は、図８の拡大図である。
【符号の説明】
【００８８】
１００    二次電子放出部
１０２    皮膜層
１０４    導電性マイエナイト粒子
１        前面基板
１０ｘ    辺Ｘ
１０Ｙ    辺Ｙ
１１ｘ    １０ｘと幅広部で対向する辺
１３ｘ    １０ｘと１１ｘの間隔
２        光吸収層（遮光層）
３        誘電体層
３Ａ      嵩上げ誘電体層
４        保護層
６        背面基板
７        誘電体層
８        隔壁
８Ａ      横壁
８Ｂ      縦壁
９        蛍光体層
Ｃ        放電セル
Ｄ        列電極
Ｓ        放電空間
ＳＬ      隙間
Ｘ、Ｘａ、Ｘｂ    突出電極部
Ｘ１、Ｘ２    線分
ＸＣ        矩形領域（Ｘ領域）
Ｙ、Ｙａ、Ｙｂ    バス電極
Ｙ１、Ｙ２    線分
ＹＣ      矩形領域（Ｙ領域）
ｇ        放電ギャップ
２１      ガラス基板
２２      ガラス基板
２３      隔壁
２４      ブラックストライプ
２５ａ、２５ｂ    放電電極対
２６      バス電極
２７      アドレス電極
２８      誘電体層
２９      保護層（ＭｇＯ膜）
３０      蛍光体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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