(57)【要約】【課題】めっき液等に浸漬してもクラックや膨潤等の問題が生じ難いセラミック生成形体を提供すること。【解決手段】セラミック生成形体は、熱硬化された熱硬化性樹脂中にセラミック粉末とガラス粉末とが含まれたセラミックグリーンシート２と、このセラミックグリーンシート２の表面にめっきされた回路配線１０とを具備する。バインダーとして熱硬化性樹脂を用いることによって、液相中の処理においても液がセラミックグリーンシート２に侵入し難いものとすることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱硬化された熱硬化性樹脂中にセラミック粉末とガラス粉末とが含まれたセラミックグリーンシートと、該セラミックグリーンシートの表面にめっきされた回路配線とを具備するセラミック生成形体。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂もしくはエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１記載のセラミック生成形体。
【請求項３】
前記セラミックグリーンシートには、さらにビア導体が形成されており、該ビア導体は前記熱硬化性樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１または２記載のセラミック生成形体。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂は、前記セラミックグリーンシートに１０乃至１６質量％含まれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のセラミック生成形体。
【請求項５】
セラミック粉末，ガラス粉末および熱硬化樹脂プレポリマーを混合してセラミックスラリーを得る工程と、支持体上に前記セラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させてセラミックグリーンシートを得る工程と、該セラミックグリーンシートの表面に回路配線をめっきする工程とを具備することを特徴とするセラミック生成形体の製造方法。
【請求項６】
前記セラミックグリーンシートを得る工程の後に、前記セラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、該貫通孔に導体ペーストを設ける工程をさらに有する請求項５記載のセラミック生成形体の製造方法。
【請求項７】
セラミック粉末，ガラス粉末および熱硬化樹脂プレポリマーを混合してセラミックスラリーを得る工程と、支持体上に前記セラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させてセラミックグリーンシートを得る工程と、該セラミックグリーンシートの表面に回路配線をめっきする工程と、該回路配線が形成された前記セラミックグリーンシート上に、さらに前記セラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させる工程と、熱硬化された前記セラミックグリーンシート表面にめっきを形成する工程とを所定回数繰り返すことを特徴とするセラミック生成形体の製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれかに記載のセラミック生成形体を、真空雰囲気もしくは炭酸ガス雰囲気で仮焼して前記熱硬化性樹脂を除去した後に、酸化雰囲気もしくは窒素雰囲気にて焼成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミック配線基板に用いられるセラミック生成形体と、積層セラミック配線基板の製造方法に関わるものである。
【背景技術】
【０００２】
積層型セラミック基板は、例えば、セラミックグリーンシート上に内部配線となる導電膜をスクリーン印刷し、導電膜が形成された複数枚のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を得、このセラミック積層体を焼成することによってセラミック基板を製造していた。
【０００３】
しかし、最近では内部電極配線のさらなる微細化が求められている。スクリーン印刷方法にて微細な内部電極を形成すると、スクリーン製版のメッシュ痕による断線や、導体膜が流動して配線間のショートが発生するなどの問題が生じ、微細化程度に限度があった。
【０００４】
このような問題を克服するために、液相めっき法によって導電膜を形成する方法が提案されている。例えば、セラミックグリーンシートの表面に親水性の光活性化触媒液を付与することによって感光膜を形成し、この感光膜に光を照射してめっき析出用活性化触媒を析出させる。その後、このセラミックグリーンシートを無電解めっき液に浸漬して、活性化触媒が析出した部分に無電解めっきを施すことによって導電膜を形成する方法が示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３３３１９００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の無電解めっきにより導電膜を形成する方法によれば、セラミックグリーンシートをめっき液に浸漬する必要があるために、めっき液中の水分がセラミックグリーンシート内に侵入する虞があり、セラミックグリーンシートが脆くなったり、クラックが入ったり、さらにはセラミックグリーンシートが膨潤することによって寸法が変動したりするという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記の問題点を解決するために完成されたものであり、セラミックグリーンシートをめっき液に浸漬してもクラックが生じたり、脆くなったり、膨潤による寸法変動が生じたりし難いセラミック生成形体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のセラミック生成形体は、上記課題を解決するために、熱硬化された熱硬化性樹脂中にセラミック粉末とガラス粉末とが含まれたセラミックグリーンシートと、このセラミックグリーンシートの表面にめっきされた回路配線とを具備する。
【０００８】
また、前記セラミック生成形体に含まれる熱硬化性樹脂は、フェノール樹脂もしくはエポキシ樹脂であることが好ましい。
【０００９】
また、前記セラミックグリーンシートに、さらにビア導体が形成される場合に、このビア導体は前記熱硬化性樹脂を含んでいることが好ましい。
【００１０】
また、前記熱硬化性樹脂は、前記セラミックグリーンシートに１０乃至１６質量％含まれていることが好ましい。
【００１１】
また、セラミック生成形体の製造方法としてセラミック粉末，ガラス粉末および熱硬化樹脂プレポリマーを混合してセラミックスラリーを得る工程と、支持体上に前記セラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させてセラミックグリーンシートを得る工程と、このセラミックグリーンシートの表面に回路配線をめっきする工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
また、前記セラミック生成形体の製造方法は、前記セラミックグリーンシートを得る工程の後に、前記セラミックグリーンシートに貫通孔を形成し、この貫通孔に導体ペーストを充填する工程をさらに有することを特徴とする。
【００１３】
また、前記セラミック生成形体の製造方法は、セラミック粉末，ガラス粉末および熱硬化樹脂プレポリマーを混合してセラミックスラリーを得る工程と、支持体上に前記セラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させてセラミックグリーンシートを得る工程と、このセラミックグリーンシートの表面に回路配線をめっきする工程と、この回路配線が形成された前記セラミックグリーンシート上に、さらに前記セラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させる工程と、熱硬化された前記セラミックグリーンシート表面にめっきを形成する工程とを所定回数繰り返すことを特徴とする。
【００１４】
また、前記セラミック生成形体の製造方法は、前記セラミック生成形体を、真空雰囲気もしくは炭酸ガス雰囲気で仮焼して前記熱硬化性樹脂を除去した後に、酸化雰囲気もしくは窒素雰囲気にて焼成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のセラミック生成形体によれば、熱硬化された熱硬化性樹脂中にセラミック粉末とガラス粉末とが含まれたセラミックグリーンシートの表面にめっきされた回路配線を具備することから、グリーンシートをめっき液に浸漬した場合でも、クラック等が発生し難いセラミック生成形体を得ることができる。
【００１６】
さらに本発明のセラミック基板の製造方法によれば、セラミック粉末，ガラス粉末および熱硬化樹脂プレポリマーを混合してセラミックスラリーを得る工程と、支持体上にセラミックスラリーを所定厚みに塗付した後に熱硬化樹脂プレポリマーを熱硬化させてセラミックグリーンシートを得る工程と、このセラミックグリーンシートの表面に回路配線をめっきする工程とを具備することから、クラック等の少ないセラミック生成形体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明のセラミック生成形体およびその製造方法について以下に詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明のセラミック生成形体の製造方法の一例を示す工程毎の断面図であり、１は支持体、２はセラミックグリーンシート、３は貫通孔、４はビア導体、５はセラミック生成形体、６は第１の導体層、７はレジストパターン、８は第２の導体層、９はセラミックグリーンシート２と回路配線１０とを備えたセラミック生成形体５が複数枚積層されたセラミック生成形体である。
【００１９】
以下、本発明のセラミック生成形体５の製造方法から説明する。
【００２０】
最初に支持体１を用意する。支持体１は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム，エポキシフィルム，ポリイミドフィルム等から成るフィルム状または板状のものである。支持体１の表面には、セラミックグリーンシート２を成形後、支持体１からセラミックグリーンシートを剥がし易くするため、離型層等の表面処理層を形成しておくのが好ましい。
【００２１】
離型層の種類としては、大別してシリコーン系の離型剤と非シリコーン系の離型剤があり、非シリコーン系の離型剤としてはフッ素系のものなどを用いることができる。この離型剤としては、商品形態別にいえば無溶剤型，エマルジョン型または溶剤型のいずれでも使用し得る。また、離型層の厚みは、用いられる離型剤の種類等により異なるが、セラミックグリーンシート２を支持体１から剥がすことができる程度の適度な厚みに調整すればよい。
【００２２】
次に、セラミックグリーンシート２を形成するためのセラミックスラリーを準備する。セラミックスラリーは、セラミック粉末、ガラス粉末、熱硬化性樹脂、溶剤等を混合して作製される。また、セラミック粉末およびガラス粉末のスラリー中での分散性を調整するために分散剤や可塑剤を添加してもよい。
【００２３】
セラミック粉末としては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはガラスセラミック粉末（ガラス粉末とフィラー粉末との混合物）等が用いられる。以下、ガラスセラミック粉末を用いた場合を例にして説明するが、アルミナまたは窒化アルミニウムを用いてアルミナ質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックスの積層基板を得る場合も、同様にして行なうことができる。
【００２４】
ガラスセラミック粉末のガラス成分としては、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２）−酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系，ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（ただし、Ｍはカルシウム（Ｃａ），ストロンチウム（Ｓｒ），マグネシウム（Ｍｇ），バリウム（Ｂａ）または亜鉛（Ｚｎ）を示す），ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は同じまたは異なってＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（ただし、Ｍ１およびＭ２は上記と同じである），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３はリチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ）またはカリウム（Ｋ）を示す），ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（ただし、Ｍ３は上記と同じである），鉛（Ｐｂ）系ガラス，ビスマス（Ｂｉ）系ガラス等から選択して用いられる。
【００２５】
また、ガラスセラミック粉末のフィラー粉末としては、例えばＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ジルコニア（ＺｒＯ２）とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，チタニア（ＴｉＯ２）とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物，Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等のセラミック粉末等から選択して用いられる。
【００２６】
熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂もしくはエポキシ樹脂が用いられる。熱硬化性樹脂の添加量が、セラミックグリーンシート２の全重量に対して、１０質量％乃至１６質量％となるように熱硬化性樹脂プレポリマーを配合し、スラリーに添加することが好ましい。熱硬化性樹脂の添加量が１０質量％以下であると、セラミックスラリーの粘度が５０Ｐ以上となり、塗工性および成型性が悪くなる傾向がある。上記範囲で熱硬化性樹脂を添加することで、セラミックスラリーの粘度が２０Ｐ乃至４０Ｐとなり、成型性が良好である。さらに１６質量％以上添加すると脱バイ性が悪くなる場合がある。
【００２７】
セラミックスラリーに配合される溶剤としては、上記のセラミック粉末とバインダーとを良好に分散させて混合できるようなものであればよく、トルエン，ケトン類またはアルコール類等の有機溶媒や水等が挙げられる。これらの中で、トルエン，メチルエチルケトン，イソプロピルアルコール等の蒸発係数の高い溶剤はスラリー塗布後の乾燥工程が短時間で実施できるので好ましい。
【００２８】
そして、これらセラミック粉末、ガラス粉末、熱硬化樹脂プレポリマー、溶剤を添加し、混合して液状のセラミックスラリーを得る。
【００２９】
また、ビア導体４を形成するための導体ペーストを準備する。導体ペーストは、銅または銀等の金属粉末と上記セラミックスラリーに用いた熱硬化樹脂プレポリマー、ガラス粉末および溶剤とを添加し、攪拌脱泡装置にて混合して作製する。
【００３０】
導体ペーストに用いる熱硬化樹脂プレポリマーは、セラミックグリーンシートとの密着適合性をよくするために、セラミックスラリーに添加する熱硬化樹脂プレポリマーと同じものを用いるのが好ましい。
【００３１】
次に、図1（ａ）に示すように、支持体１を水平面に載置した上に、ドクターブレード法、リップコーター法、ダイコーター法等を用いてセラミックスラリーを所定厚みに塗工する。
【００３２】
その後、支持体１および塗工したセラミックスラリーを６０度程度の環境中で乾燥させることによって、セラミックスラリーがガム状の軟らかいグリーンシート２になる。このようにして支持体１上に形成されたセラミックグリーンシート２を得る。
【００３３】
次に、図１（ｂ）に示すように金型打ち抜き、または炭酸レーザーやYAGレーザーを用いたレーザー穿孔によって、前記セラミックグリーンシート２に貫通孔３を設ける。
【００３４】
そして、貫通孔３にビア導体４となる上記導体ペーストを充填する。充填方法としてはスキージ法、カートリッジ法が用いられる。これら方法のいずれを用いても良いが、φ５０μｍ以下の微細貫通孔に充填するためにはカートリッジ法を用いることがより好ましい。
【００３５】
次に、図１（ｃ）に示すように支持体１をグリーンシート２から剥離する。そして、この剥離したグリーンシート２に約２５０度の熱を加えることで、セラミックグリーンシート２中の熱硬化樹脂プレポリマーを架橋反応させ、セラミックグリーンシート２を硬化させる。
【００３６】
次にセラミックグリーンシート２の表面に回路配線１０を形成する。回路配線１０は、以下の手順によって形成される。
【００３７】
先ず、図1（ｄ）に示すように、セラミックグリーンシート２の表面に第1の導電体層６を、例えば真空蒸着法によって形成する。第1導体層６の材料にはＣｕ，銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），金（Ａｕ），ニッケル（Ｎｉ），白金（Ｐｔ）またはパラジウム（Ｐｄ）等の金属やこれらの合金等が用いられる。抵抗を小さくするという観点からはＣｕを用いるのが好ましい。
【００３８】
次に第1導体層６上にレジスト剤を例えばスピンコートすることによって、厚み１０μｍ乃至１５μmに形成する。
【００３９】
次に図１（ｅ）に示すように、レジスト剤を露光し、現像して、所望の回路配線１０の形状を得るための開口部７ａを有するレジストパターン７を形成する。
【００４０】
現像方法としては、浸漬法でもスプレー方式でも良く、また両手法を併用しても良い。現像液としては、アルカリ水溶液や有機アルカリ溶液等が使用できる。アルカリ水溶液の具体例としては、水酸化ナトリウムや水酸化カルシウム水溶液等の金属アルカリ水溶液が挙げられる。また、有機アルカリ溶液の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド等が挙げられる。
【００４１】
次に、図１（ｆ）に示すように、レジストパターン７の開口部７ａの第１の導電体層６上に電解めっき法によって例えば銅から成る第２の導電体層８を１０μｍ乃至１５μｍの厚みに形成する。なお、電解めっき法の代わりに無電解めっき法を用いてもよいが、以下では電解めっき法による方法を例に説明する。
【００４２】
セラミックグリーンシート２に熱硬化性樹脂をバインダーとして用い、熱硬化させたセラミックグリーンシート２を用いているので、回路配線１０の形成工程で電解めっき液またはフォトレジスト現像液に浸漬させた際に、めっき液または現像液に含まれる水分がセラミックグリーンシート２内へ浸入するのを少なくすることが可能となり、従来の課題であったセラミックグリーンシートのクラックや膨潤による寸法変動を抑制することが可能となっている。
【００４３】
電界銅めっきは、例えば硫酸銅等の銅（Ｃｕ）の供給源となる銅化合物と硫酸、塩酸と所定の添加剤を主成分とする電界Ｃｕめっき液中に所定時間浸漬し、電流密度０．５乃至５Ａ／ｄｍ２で通電することにより、第１の導電体層６上に所定厚みで形成される。電流密度が０．５Ａ／ｄｍ２以下であると、析出速度が遅く生産性が低下する。また、電流密度が５Ａ／ｄｍ２を超えると、電流密度が大きすぎてＣｕめっき皮膜に焼けが発生しやすくなる。電界銅めっきによって１０μｍ以上の第２の導電体層８を形成させるためには、めっき液に浸漬させる時間は８００秒乃至１２００秒であることが好ましい。
【００４４】
硫酸銅めっき液は、例えば、銅化合物として硫酸銅五水和物が２５０ｇ／リットル、硫酸銅が５０ｇ／リットル、添加剤としてチオ尿酸が０．４ｇ／リットル以上添加された組成の水溶液である。なお、特に均一なめっき膜を形成させるためには、めっき液の温度を３０℃乃至４０℃に設定するのが好ましい。
【００４５】
次に、アセトンや酢酸ブチル等の有機溶剤を用いて不要となったレジストパターン７を除去する。さらにレジストパターン７を除去することによって露出した第１の導電体層６を、例えば、硫酸，過酸化水素水あるいは硫酸銅等の硫酸系水溶液によるエッチングにて除去する。このように図１（ｄ）から図１（ｇ）に示す工程によって回路配線１０を形成する。
【００４６】
こうして、図１（ｇ）に示すようなビア導体４と回路配線１０がセラミックグリーンシート２に形成された本発明のセラミック生成形体５を得る。
【００４７】
また、図１（ｇ）に示す工程に続けて図１（ｈ）に示すように、上記工程で得られたセラミック生成形体５の表面上にセラミックスラリーをさらに塗工し、乾燥させてセラミックグリーンシート２を形成し、以下、このグリーンシート２に図１（ｂ）以降の工程を繰り返し行なうことで、図１（ｉ）に示すような多積層のセラミック生成形体９を得ることもできる。
【００４８】
その後、上記セラミック生成形体５または多積層のセラミック生成形体９を真空雰囲気、もしくは炭酸ガス雰囲気にて５００℃乃至７００℃で仮焼成し、熱硬化性樹脂を分解気散させて除去する。セラミック生成形体５またはセラミック生成形体９の仮焼成を、真空雰囲気または炭酸ガス雰囲気で行なうことによって、熱硬化性樹脂をバインダーとして用いても良好に分解気散させることができる。
【００４９】
次に仮焼したセラミック生成形体５または９を第１の導電体層６と第２の導電体層１０、およびビア導体４の金属材料に応じて、酸化雰囲気もしくは窒素雰囲気にて８５０℃乃至１０００℃の温度で焼成して、セラミック基板を得る。
【００５０】
以上の方法で作製されたセラミック生成形体５を用いれば、めっき液に浸漬した場合でも、セラミック生成形体５に水分が浸入しないのでクラック等の問題が発生し難い。
【００５１】
さらに以上のセラミック基板の製造方法を用いれば、めっきされた回路配線を具備したセラミック生成形体５の表面上に、さらにセラミックスラリーを塗付してセラミックグリーンシートを形成するために、セラミックグリーンシート上の回路配線の形成面（上表面）が、裏面に配置されている回路配線によって生じる凹凸に影響されない平坦面とできるので、回路配線１０の厚みの増加やグリーンシート２の積層数の増加を可能にし、その場合においてもデラミネーション（層間剥離）の問題が生じ難いセラミック基板を製造することができる。
【実施例】
【００５２】
以下、実施例を挙げて本発明のセラミック生成形体５を用いたセラミック積層基板の製造方法を説明するが、本発明は以下の実施例にのみ限定されるものではない。
【００５３】
まず、セラミックグリーンシート２を形成するために、セラミック粉末として平均粒径１μｍのアルミナを９０質量％、焼結助剤としてシリカ，マグネシアおよびカルシアと、着色顔料として遷移金属の酸化物（三酸化クロム）とを合わせて１０質量％となる割合で調合し、セラミック粉末１００質量部に対してフェノール樹脂プレポリマーを１４質量部、溶媒としてのトルエン３０質量部を外添加し、ボールミルにより４０時間混合し、セラミックスラリーを作製した。
【００５４】
次に、平均粒径２．５μｍの銅粉末を７０質量％、ガラス粉末を１０質量％、フェノール樹脂プレポリマーを１４質量％、溶剤を６質量％添加し、攪拌脱泡装置により混合させることでビア導体４となる導体ペーストを作製した。
【００５５】
次に、ＰＥＴフィルムを支持体１として、図１（ａ）に示すように、支持体１の表面にセラミックスラリーをダイコーター法により厚さ１００μｍで塗付し、次に、６０度の温風によってセラミックスラリーを乾燥させて、ガム状のセラミックグリーンシート２を得た。
【００５６】
次に、ＹＡＧレーザーを用いることで、図１（ｂ）に示すように、穴径φ４０μｍの貫通孔３を形成し、この貫通孔３にカートリッジ法により、上記導体ペーストを充填した。
【００５７】
次に、図１（ｃ）に示すように支持体１をグリーンシート２から剥離し、剥離したセラミックグリーンシート２に２５０度の熱を加えて熱硬化樹脂を硬化させて、セラミック生成形体５を得た。
【００５８】
次に、図１（ｄ）に示すように、セラミック生成形体５の表面に真空蒸着法を用いてセラミック生成形体５の表面全面に第１の導体層６をサブミクロンの厚みで形成した。
【００５９】
次に、上記第１の導体層６の表面にフォトレジスト膜をスピンコーターにて形成した。フォトレジストはネガ型あるいはポジ型のいずれでも良いが、ポジ型の方が３０μｍ以下の微細配線を形成する際には解像度が優れているのでポジ型を用いた。
【００６０】
次に、フォトレジスト膜上にフォトマスクパターンを載置し、フォトマスクパターン側から光を照射してフォトレジストを露光した。
【００６１】
次に、露光によって現像液に可溶となった部分のフォトレジスト膜を水酸化ナトリウム水溶液によって現像して除去することにより、図１（ｅ）に示すような所望する回路パターン状の開口部７ａを有するレジストパターン７を形成した。
【００６２】
次に図１（ｆ）に示すように、レジストパターン７の開口部７ａに電界めっき法により、第２の導電体層８を析出させた。第２の導電体層８は、銅めっきによって形成した。
【００６３】
次に、不要となったレジストパターン７を、アセトンを用いて溶解除去した。さらにレジストパターン７を除去することによって露出した第１の導電体層６を２５℃の硫酸により１分間エッチングして除去した。このようにして、図１（ｇ）に示すようなセラミック生成形体５を作製した。
【００６４】
次に、図１（ｈ）に示すように、第１の導電体層６と第２の導電体層８によって所望の回路パターンが形成されたセラミック生成形体５上に、さらにセラミックスラリーを塗工し、図１（ｂ）以下の処理を繰り返すことによって、図１（ｉ）に示す積層体９を作製した。
【００６５】
次に、セラミック生成形体５の積層体９を５．３×１０−３Ｐａ以下の真空度を保った真空雰囲気にて６００度で仮焼成し、熱硬化性樹脂成分を除去させた。
【００６６】
次に、仮焼したセラミック生成形体５の積層体９を窒素雰囲気にて９５０度の温度で焼成することでセラミック基板を得た。
【００６７】
そして、電気導通検査を行なったところ、従来の印刷法で形成した場合と比較すると配線抵抗が低いという結果を得ることができ、焼結されたセラミック基板の性能として消費電力の削減効果を得ることができることを確認できた。また、焼成前の本発明のセラミック生成形体５を超音波探傷法によって検査したところ、クラックおよび膨潤は生じていないことが確認できた。
【００６８】
なお、本発明は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施の形態の一例ではビア導体４をセラミックグリーンシート２の表裏両面を貫通する貫通導体として説明したが、ビア導体４はいわゆるブラインドビア導体４であってもよい。
【００６９】
また、上記実施の形態の説明において上下左右という用語は、単に図面上の位置関係を説明するために用いたものであり、実際の使用時における位置関係を意味するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明のセラミック生成形体の製造方法の実施の形態の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１：支持体
２：セラミックグリーンシート
３：貫通孔
４：ビア導体
５：セラミック生成形体
６：第１の導体層
７：レジストパターン
８：第２の導体層
９：積層体
１０：回路配線
【図１】
2009206232.tif 000003