(57)【要約】  【課題】高い表面処理能力と高いスループットを発揮するプラズマ処理装置の提供。  【解決手段】処理容器３７の外周に逆Ｕ字形状のアンテナ６１を４個、９０度置きに配置する。各アンテナ６１には交流電源６２を整合器６３を介して接続し、アンテナ６１と交流電源６２との間には直流電圧電源６４を接続する。各アンテナ６１の中央部に第一磁石６６を、アンテナ６１の両脇に一対の第二磁石６７、６７を配置する。第一磁石６６と一対の第二磁石６７、６７とは、アンテナ６１により誘導される縦方向のプラズマ電流に対して垂直な方向に外部磁場を印加するように配置する。ウエハ１を下から保持する円形リング形状のウエハホルダ５５を複数枚、ボート５０に配置する。強いプラズマ・フローを発生し、粒子の流れをウエハ面方向へと導き、ウエハ間へ高フラックスのプラズマを流入させることができるので、高い表面処理能力を発揮できる。  【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を上面で保持する保持部材と、
前記保持部材に保持された前記基板の被処理面に垂直方向に沿ってプラズマを生成するアンテナと、
前記アンテナの両脇に設けられた磁石と、
を備える基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に表面処理を施すのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においては、ウエハに表面処理を施すのにプラズマ処理装置を使用する場合がある。
従来のこの種のプラズマ処理装置においては、ウエハ面に対して処理の一様性を確保するために、枚葉方式が一般的に採用されている。
枚葉式プラズマ処理装置は、プラズマ源を反応炉（容器）の上部または側部に配置して低エネルギーの活性化粒子（電子、イオン、ラジカル) を生成し、それらの粒子によりウエハを一枚ずつ処理する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、枚葉式プラズマ処理装置であると、スループットの向上に限界がある。
そこで、複数のプラズマ源を配置することにより、枚葉方式をバッチ処理可能な方式へ拡張することが考えられる。
ところが、複数のプラズマ源を配置しただけでは、ウエハ表面に表面処理の高い一様性を与えることは困難である。
【０００４】
本発明の目的は、高い表面処理能力および高いスループットを発揮することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
基板を上面で保持する保持部材と、
前記保持部材に保持された前記基板の被処理面に垂直方向に沿ってプラズマを生成するアンテナと、
前記アンテナの両脇に設けられた磁石と、
を備える基板処理装置。
【発明の効果】
【０００６】
前記手段によれば、プラズマ・スラスターにより、強いプラズマ・フローを生じさせることができるので、高い表面処理能力および高いスループットを発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００８】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、ＩＣの製造方法において、ウエハに各種の表面処理を施すバッチ式縦型プラズマ式熱処理装置（以下、プラズマ処理装置という。）として構成されている。
【０００９】
図１および図２に示されているように、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１０においては、被処理基板であるウエハ１を収納して搬送するためのウエハキャリアとしては、ＦＯＵＰ（以下、ポッドという。）２が使用されている。
【００１０】
本実施の形態に係るプラズマ処理装置１０は筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１２が開設され、この正面メンテナンス口１２を開閉する正面メンテナンス扉１３、１３がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１の正面壁１１ａにはポッド搬入搬出口１４が筐体１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１４はフロントシャッタ１５によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１４の正面前方側にはロードポート１６が設置されており、ロードポート１６はポッド２を載置されて位置合わせするように構成されている。
ポッド２はロードポート１６上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１６上から搬出されるようになっている。
【００１１】
筐体１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚１７が設置されており、回転式ポッド棚１７は複数個のポッド２を保管するように構成されている。
すなわち、回転式ポッド棚１７は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１８と、支柱１８に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板１９とを備えており、複数枚の棚板１９はポッド２を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１２】
筐体１１内におけるロードポート１６と回転式ポッド棚１７との間には、ポッド搬送装置２０が設置されている。ポッド搬送装置２０はポッド２を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ２０ａとポッド搬送機構２０ｂとで構成されている。
ポッド搬送装置２０はポッドエレベータ２０ａとポッド搬送機構２０ｂとの連続動作により、ロードポート１６と回転式ポッド棚１７とポッドオープナ２１との間でポッド２を搬送するように構成されている。
【００１３】
ポッドオープナ２１はポッド２を載置する載置台２２、２２と、ポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構２３、２３とを備えている。ポッドオープナ２１は載置台２２に載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構２３によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１４】
筐体１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体２４が後端にわたって構築されている。サブ筐体２４の正面壁２４ａにはウエハ１をサブ筐体２４内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口２５が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口２５、２５には一対のポッドオープナ２１、２１がそれぞれ設置されている。
【００１５】
サブ筐体２４はポッド搬送装置２０や回転式ポッド棚１７の設置空間から流体的に隔絶された移載室２６を構成している。移載室２６の前側領域にはウエハ移載機構２７が設置されている。
ウエハ移載機構２７はウエハ１を水平面内において回転ないし直動可能なウエハ移載装置２７ａと、ウエハ移載装置２７ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ２７ｂとで構成されている。
図１に想像線で示されているように、ウエハ移載装置エレベータ２７ｂは筐体１１の右側端部とサブ筐体２４の移載室２６の前方領域右端部との間に設置されている。
ウエハ移載装置エレベータ２７ｂおよびウエハ移載装置２７ａの連続動作により、ウエハ移載装置２７ａのツィーザ２７ｃをウエハ１の載置部として後記するボートに対してウエハ１を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１６】
移載室２６の後側領域にはボートを収容して待機させる待機部２８が構成されている。待機部２８の天井面には炉口シャッタ２９が設けられており、炉口シャッタ２９は後記する処理炉の炉口を開閉するように構成されている。
【００１７】
図１に想像線で示されているように、筐体１１の右側端部とサブ筐体２４の待機部２８の右端部との間には、ボートエレベータ３０が設置されている。ボートエレベータ３０の昇降台に連結された連結具としてのアーム３１には蓋体としてのシールキャップ３２が水平に据え付けられている。
【００１８】
図１に示されているように、移載室２６のウエハ移載装置エレベータ２７ｂ側およびボートエレベータ３０側と反対側である左側端部には、供給フアンおよび防塵フィルタによって構成されたクリーンユニット３３が設置されている。クリーンユニット３３は清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア３４（図１の矢印参照）を供給するように構成されている。
図示はしないが、ウエハ移載装置２７ａとクリーンユニット３３との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させるノッチ合わせ装置が設置されている。
クリーンユニット３３から吹き出されたクリーンエア３４は、ノッチ合わせ装置およびウエハ移載装置２７ａ、待機部２８にあるボートに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット３３の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット３３によって、移載室２６内に吹き出される。
【００１９】
図１および図２に示されているように、筐体１１の後側上部には処理炉３５が垂直に設置されている。
図３および図４に示されているように、処理炉３５は複数枚のウエハ１を収容する処理室３６を形成した処理容器３７を備えており、処理容器３７は上蓋３７ａ、本体３７ｂ、 炉口フランジ３８によって構成されている。上蓋３７ａ絶縁材料（石英、アルミナ等）によって円板形状に形成されており、本体３７ｂは絶縁材料（石英、アルミナ等）によって円筒形状に形成されている。
炉口フランジ３８はアルミニウム等によって円形リング形状に形成されている。炉口フランジ３８がサブ筐体２４に支持されることにより処理容器３７は垂直に据え付けられた状態になっている。炉口フランジ３８は処理炉３５の炉口３９を形成している。
【００２０】
処理容器３７の本体３７ｂ下端部には排気管４０の一端が接続されており、排気管４０の他端は真空ポンプ４１に接続されている。排気管４０の途中には排気調節バルブ４２およびコック（止め弁）４３が介設されている。真空ポンプ４１、排気調節バルブ４２およびコック４３はコントローラ７０に信号線４４によって通信可能に接続されている。
他方、処理容器３７の上蓋３７ａにはガス供給管４５の一端が接続されており、ガス供給管４５の他端には反応ガスや不活性ガスを供給するガス供給供給装置（図示せず）に接続されている。ガス供給管４５の途中にはコック（止め弁）４６および流量調節器４７が介設されている。ガス供給装置、コック４６および流量調節器４７はコントローラ７０に信号線４８によって通信可能に接続されている。
【００２１】
図３に示されているように、処理炉３５の真下近傍に設置されたボートエレベータ３０のアーム３１には、処理に際して炉口３９を閉塞するシールキャップ３２が水平に支持されている。
シールキャップ３２は炉口フランジ３８の外径と略等しい円盤形状に形成されており、ボートエレベータ３０によって上昇されることにより、炉口３９を気密シールして閉塞するように構成されている。
【００２２】
シールキャップ３２の上にはボート５０が垂直に立脚されている。ボート５０は、複数枚のウエハ１を保持して処理室３６の内外に搬送する搬送治具を、構成している。
ボート５０は上下で一対の端板５１、５２と、両端板５１、５２間に架設されて垂直に配設された３本の保持柱５３とを備えている。３本の保持柱５３には保持溝５４が複数段（例えば、５０段）、上下方向に等間隔に配されて形成されており、同一段の保持溝５４は互いに同一平面を構成するように配置されている。
各段の保持溝５４はウエハ１を保持するウエハホルダ５５を下から水平に支持している。すなわち、ウエハホルダ５５下面外周縁部は３箇所の保持溝５４の上面にそれぞれ係合している。
ウエハホルダ５５は円形リング形状に形成されている。円形リングは外径がウエハ１の直径よりも大径で、内径がウエハ１の直径よりも小径である。ウエハホルダ５５上面の内周縁部には段差部５６が、一定深さで同心円に没設されている。ウエハ１は段差部５６の底面上に載置される。ウエハホルダ５５上面の外周辺部にはフロー部５７が、外周側に行くに従って低くなる傾斜面に形成されている。
シールキャップ３２の下面の中央にはロータリーアクチュエータ５８が設置されており、ロータリーアクチュエータ５８の回転軸５８ａの上端には支持台５９が水平に設置されている。支持台５９は上面でボート５０を支持している。つまり、ロータリーアクチュエータ５８はボート５０を回転させることができる。
ロータリーアクチュエータ５８はコントローラ７０に信号線５８Ａによって通信可能に接続されている。
【００２３】
図５および図６に示されているように、プラズマ処理装置１０はプラズマ・スラスタ（以下、スラスタという。）６０を具備する。スラスタ６０は誘導電流をつくるためのアンテナと、ローレンツ力を生むための第一磁石および第二磁石によって構成されている。
アンテナ６１は逆Ｕ字形状に形成されており、複数のアンテナ（本実施の形態では４個）が処理容器３７の本体３７ｂの外周において周方向に等間隔（本実施の形態では９０度置き）に配置されている。アンテナ６１は反応ガスのプラズマを励起する。
アンテナ６１には交流電源６２が、インピーダンスの整合を行う整合器６３を介して接続されており、交流電源６２は高周波電力をアンテナ６１に供給する。アンテナ６１と交流電源６２との間には直流電圧電源６４が接続されており、直流電圧電源６４がアンテナ６１をバイアス制御することにより、アンテナ６１近くで励起されたイオンによる処理容器３７の本体３７ｂへのダメージ（スパッタ等）を抑えることができる。 
交流電源６２、整合器６３および直流電圧電源６４はコントローラ７０に信号線６５によって接続されている。
第一磁石６６は永久磁石または電磁石によって構成されており、アンテナ６１の中央部に配置されている。第一磁石６６は極性が中心方向にＳＮになるように構成されている。第二磁石６７も永久磁石または電磁石によって構成されており、一対がアンテナ６１の両脇にそれぞれ配置されている。一対の第二磁石６７、６７は極性が中心方向にＮＳとなるように構成されている。すなわち、第一磁石６６と一対の第二磁石６７、６７とは、アンテナ６１により誘導される縦方向のプラズマ電流Ｊに対して、垂直な方向に外部磁場Ｂ（磁力線６８）を印加するように配置されている。
これにより、Ｊ×Ｂローレンツ力を利用してプラズマを加速させ、強いプラズマフローを作り出すことができる。このような作用でウエハ１、１間に注入されたプラズマは、ウエハ１の中心位置に到達することができる。
【００２４】
次に、前記構成に係るプラズマ処理装置１０を用いて、ＩＣの製造工程の一工程としてウエハ１に表面処理を施す方法について説明する。
なお、コントローラ７０はプラズマ処理装置１０の各部を制御する。
【００２５】
図１および図２に示されているように、ポッド２がロードポート１６に供給されると、ポッド搬入搬出口１４がフロントシャッタ１５によって開放され、ロードポート１６の上のポッド２はポッド搬送装置２０によって筐体１１の内部へポッド搬入搬出口１４から搬入される。
搬入されたポッド２は回転式ポッド棚１７の指定された棚板１９へポッド搬送装置２０によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後に、棚板１９から一方のポッドオープナ２１に搬送されて載置台２２に移載されるか、もしくは、ポッドオープナ２１に直接搬送されて、載置台２２に移載される。
この際、ポッドオープナ２１のウエハ搬入搬出口２５はキャップ着脱機構２３によって閉じられており、移載室２６にはクリーンエア３４が流通され、循環されている。
例えば、移載室２６にはクリーンエア３４として窒素ガスが循環することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２６】
載置台２２に載置されたポッド２はその開口側端面がサブ筐体２４の正面壁２４ａにおけるウエハ搬入搬出口２５の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド２がポッドオープナ２１によって開放されると、ウエハ１はポッド２からウエハ移載装置２７ａのツィーザ２７ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置にてノッチ合わせされた後に、移載室２６の後方にある待機部２８へ搬入され、ボート５０に装填（チャージング）される。すなわち、ウエハ移載装置２７ａはウエハ１をボート５０のウエハホルダ５５上に移載する。
ボート５０にウエハ１を受け渡したウエハ移載装置２７ａはポッド２に戻り、次のウエハ１をボート５０に装填する。
【００２７】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ２１におけるウエハ移載機構２７によるウエハのボート５０への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ２１には回転式ポッド棚１７から別のポッド２がポッド搬送装置２０によって搬送されて移載され、ポッドオープナ２１によるポッド２の開放作業が同時進行される。
【００２８】
所定の枚数のウエハ１が移載されたボート５０は、ボートエレベータ３０によって上昇されて、図４に示されているように、処理炉３５の処理室３６に搬入（ボートローディング）される。
ボート５０が上限に達すると、シールキャップ３２が炉口３９をシール状態に閉塞するために、処理室３６は気密に閉じられた状態になる。
気密に閉じられると、処理室３６は真空ポンプ４１によって排気される。処理室３６のベース圧力は０．０５Ｐａ以下に到達している。
コントローラ７０は反応ガスを処理室３６内にガス供給管４５から供給する。この際、流量調節器４７はガス流量を１０ｓｃｃｍから２０００ｓｃｃｍの範囲内の所定流量に調節する。
但し、真空ポンプ４１および排気調節バルブ４２は、処理室３６の圧力を０．１Ｐａから１００Ｐａの範囲内で所定圧力に維持する。
ロータリーアクチュエータ５８はボート５０を回転させる。この際の回転数は１ｒｐｍから３０ｒｐｍの範囲内で所定の回転数を維持する。
【００２９】
交流電源６２は高周波電力を整合器６３を介してアンテナ６１に印加して、誘導結合プラズマを励起させる。このときの電力は５０Ｗから１ｋＷ範囲内で所定値を維持する。
第一磁石６６および第二磁石６７、６７は、５０ガウスから２０００ガウスの範囲内で所定の磁場強度を与える。 
直流電圧電源６４は処理容器３７の本体３７ｂに入射する荷電粒子（特にイオン) を所望のフラツクスに制限する。
これにより、強力に活性化（高エネルギー化）された反応粒子（電子、イオン、ラジカル等）は、複数枚のウエハ１に対し表面処理を施す。
【００３０】
予め設定された処理時間が経過すると、ボート５０の回転、ガスの供給、高周波電力の印加および排気が停止された後に、ボートエレベータ３０によってシールキャップ３２が下降されることにより、炉口３９が開口されるとともに、ボート５０が炉口３９から処理室３６の外部に搬出（ボートアンローディング）される。
【００３１】
処理室３６の外部に搬出されたウエハ１は、前述したウエハ移載機構２７の作動とは逆の手順により、ポッド２内に収納される。
以上の作動が繰り返されることにより、複数枚のウエハ１がバッチ処理される。
【００３２】
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
【００３３】
1)  プラズマ・スラスタにより、強いプラズマフローを生じさせることができるので、高い表面処理能力を発揮することができる。
【００３４】
2)  粒子の流れをウエハ面方向へと導くフロー部をウエハホルダに設けることにより、狭いウエハ間へ高フラックスのプラズマを流入させることができるので、より一層高い表面処理能力を発揮することができる。
【００３５】
3)  ウエハのボート全長および各ウエハ面内で高い表面処理能力を発揮することができるので、ウエハの表面処理状況をウエハ面内および各ウエハ相互間のいずれにおいても均一化することができる。
【００３６】
4)  複数枚のウエハを一括してバッチ処理することにより、ウエハを一枚ずつ枚葉処理する場合に比べて、スループットを大幅に向上させることができる。
【００３７】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３８】
本発明に係るプラズマ処理装置は、エッチングや膜形成等のプラズマ加工全般に使用することができる。
【００３９】
また、基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００４０】
好適な実施態様を付記する。
（１）基板を上面で保持する保持部材と、
前記保持部材に保持された前記基板の被処理面に垂直方向に沿ってプラズマを生成するアンテナと、
前記アンテナの両脇に設けられた磁石と、
を備える基板処理装置。
（２）前記アンテナおよび前記磁石の組み合わせは、複数組が処理室を囲むように設けられる前記（１）記載の基板処理装置。
（３）前記保持部材は、傾斜面を形成したフロー部を外周縁部に有する前記（１）または前記（２）の基板処理装置。
（４）基板を支持するボートと、
該ボートを回転させるロータリーアクチュエータと、
粒子を活性化させるアンテナと、
荷電粒子に対し運動作用を与える磁石と、
粒子の流れを面方向へと導く保持部材と、
前記基板と前記ボートと保持部材とロータリーアクチュエータとを収容し粒子を留める処理容器と、
該処理容器内の粒子を排気する排気管と、
前記処理容器内にガスを導入するガス供給管と、
を備える基板処理装置。
（５）前記保持部材は、粒子の流れを平面方向へと導くための傾斜面を形成したフロー部を有する前記（４）記載の基板処理装置。
（６）前記ロータリーアクチュエータは、回転軸と支持台とを有し、前記ボートを前記支持台に乗せて回転させる前記（４）記載の基板処理装置。
（７）前記アンテナは、交流電源と整合器とを用いて、粒子に対し解離作用や電離作用を与え、荷電粒子に対し誘導電流を生じさせることで、高エネルギーに活性化された粒子を生成する前記（４）記載の基板処理装置。
（８）前記磁石は、誘導電流に対し、磁場による物理作用を与えることで、荷電粒子に加速や流れを与える前記（４）記載の基板処理装置。
（９）前記（４）記載の基板処理装置を使用する半導体装置の製造方法であって、
前記ボートに基板を装填するステップと、
前記基板を装填した前記ボートを前記処理容器に搬入するステップと、
前記ロータリーアクチュエータにより前記基板と前記ボートを回転させるステップと、  前記ガスを前記処理容器内に供給するステップと、
前記処理容器内を排気するステップと、
前記アンテナにより高エネルギーに活性化された粒子を生成するステップと、
前記磁石により荷電粒子に対し物理的な運動作用を与えるステップと、
前記保持部材によって粒子の流れを前記基板面方向へと導くステップと、
前記ボートと前記保持部材と前記アンテナとにより前記基板を前記処理容器内で処理するステップと、
前記基板と前記ボートを前記処理容器から搬出するステップと、
前記ボートから基板を回収するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施の形態であるプラズマ処理装置を示す一部省略斜視図である。
【図２】側面断面図である。
【図３】処理炉を通る正面断面図である。
【図４】処理ステップにおける処理炉部分を示す正面断面図である。
【図５】その平面断面図である。
【図６】処理炉の正面図である。
【図７】プラズマフローを示しており、（ａ）は平面断面図、（ｂ）は正面断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…ウエハ（基板）、２…ポッド、
１０…プラズマ処理装置（基板処理装置）、１１…筐体、１１ａ…正面壁、１２…正面メンテナンス口、１３…正面メンテナンス扉、１４…ポッド搬入搬出口、１５…フロントシャッタ、１６…ロードポート、１７…回転式ポッド棚、１８…支柱、１９…棚板、
２０…ポッド搬送装置、２０ａ…ポッドエレベータ、２０ｂ…ポッド搬送機構、
２１…ポッドオープナ、２２…載置台、２３…キャップ着脱機構、
２４…サブ筐体、２４ａ…正面壁、２５…ウエハ搬入搬出口、２６…移載室、
２７…ウエハ移載機構、２７ａ…ウエハ移載装置、２７ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、２７ｃ…ツィーザ、２８…待機部、２９…炉口シャッタ、
３０…ボートエレベータ、３１…アーム、３２…シールキャップ、
３３…クリーンユニット、３４…クリーンエア、
３５…処理炉、３６…処理室、３７…処理容器、３７ａ…上蓋、３７ｂ…本体、３８…炉口フランジ、３９…炉口、
４０…排気管、４１…真空ポンプ、４２…排気調節バルブ、４３…コック（止め弁）、４４…信号線、４５…ガス供給管、４６…コック（止め弁）、４７…流量調節器、４８…信号線、
５０…ボート（搬送治具）、５１、５２…端板、５３…保持柱、５４…保持溝、５５…ウエハホルダ、５６…段差部、５７…フロー部、
５８…ロータリーアクチュエータ、５８ａ…回転軸、５８Ａ…信号線、５９…支持台、  ６０…スラスタ（プラズマ・スラスタ）、６１…アンテナ、６２…交流電源、６３…整合器、６４…直流電圧電源、６５…信号線、６６…第一磁石、６７…第二磁石、６８…磁力線、
７０…コントローラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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