(57)【要約】【課題】外部から入射される光の量にしたがって放出される光の輝度が調節されるようにするためにフォトダイオードが具備された有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されて、ゲート、ソース及びドレインを含むトランジスターと連結されて、第1電極、有機薄膜層及び第2電極を含む有機電界発光ダイオード、前記基板上に形成されて、高濃度Pドーピング領域、低濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域に接合された半導体層を持つフォトダイオード及び前記フォトダイオードから出力される電圧によって前記第1電極及び前記第2電極に印加される電圧を調節することで前記有機電界発光ダイオードから放出される光の輝度を一定に調節する制御部と、を含む。【選択図】図2
2009016777.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されて、ゲート、ソース及びドレインを含むトランジスターと連結されて、第1電極、有機薄膜層及び第2電極を含む有機電界発光ダイオードと、
前記基板上に形成されて、高濃度Pドーピング領域、低濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域に接合された半導体層を持つフォトダイオードと、
前記フォトダイオードから出力される電圧によって前記第1電極及び前記第2電極に印加される電圧を調節することで、前記有機電界発光ダイオードから放出される光の輝度を一定に調節する制御部と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記フォトダイオードの下面に形成されて、外部から入射される光を前記フォトダイオードへ反射させる反射膜をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記反射膜がAg、Mo、Ti、Al及びNiを含む群より選ばれたいずれか一つで形成されたことを特徴とする請求項2記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記反射膜が100ないし5000Åの厚さに形成されたことを特徴とする請求項2記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記フォトダイオードは、高濃度Pドーピング領域、低濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域に接合された複数の半導体層が並列的に連結されて形成されたことを特徴とする請求項1記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
基板の上面にバッファー層を形成する段階と、
前記バッファー層上に第1及び第2半導体層を形成する段階と、
前記第1半導体層に高濃度Pドーピング領域、低濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域を具備したフォトダイオードを形成して、前記第2半導体層にソース及びドレイン領域とチャンネル領域を形成する段階と、
前記第1及び第2半導体層を含む全体面にゲート絶縁膜を形成した後、前記チャンネル領域上部の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極を含む全体面に層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜とゲート絶縁膜をパターニングして前記ソース及びドレイン領域が露出されるようにコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールを通じて前記ソース及びドレイン領域と連結されるようにソース及びドレイン電極を形成する段階と、
全体面に平坦化膜を形成した後、前記ソースまたはドレイン電極の所定部分が露出されるように前記平坦化膜にビアホールを形成し、前記ビアホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極と連結されるように第1電極を形成する段階と、
前記第1電極の一部領域が露出するように画素定義膜を形成した後、露出された前記第1電極上に有機薄膜層を形成する段階と、
前記有機薄膜層を含む前記画素定義膜上にカソード電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記基板の一定部分に反射膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項6記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記反射膜をAg、Mo、Ti、Al及びNiを含む群より選ばれた一つで形成することを特徴とする請求項7記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記反射膜を100ないし5000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項7記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記フォトダイオードは、高濃度Pドーピング領域、低濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域に接合された複数の半導体層が並列的に連結されて形成されたことを特徴とする請求項6記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子及びその製造方法に関し、より詳細には、低濃度Pドーピング領域が形成されたフォトダイオードを具備する有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子(Organicl  light  emitting  element)は、それ自体が発光特性を持つ次世代表示素子として、液晶表示素子(Liquid  Crystal  Display  Device；LCD)に比べて視野角、コントラスト、応答速度、消費電力などの側面で優秀な特性を持つ。
【０００３】
有機電界発光素子はアノード電極、有機薄膜層及びカソード電極で構成される有機電界発光ダイオードを含む。走査線と信号線の間に有機電界発光ダイオードがマトリックス方式で連結されて画素を構成するパッシブマトリックス方式と、各画素の動作がスィッチの役目をする薄膜トランジスターによって制御されるアクティブマトリックス方式で構成されることができる。
【０００４】
ところで、従来の有機電界発光素子は、光を放出する有機薄膜層が有機物質からなるから、時間が経つにつれて膜質、及び発光特性が劣化されて放出される光の輝度が低下されるという問題点があった。また、発光された光が外部に放出されるうちに有機電界発光素子には外部光源から光が入射されるが、外部から入射される光の反射によってコントラストが低下されるという問題点があった。
【特許文献１】韓国特許公開10-2005-0121090
【特許文献２】韓国特許公開10-2005-0009211
【特許文献３】特開2005-116681
【特許文献４】特開2006-080306
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記問題点を改善するためのもので、外部から入射される光の量にしたがって放出される光の輝度が調節されるようにするためにフォトダイオードが具備された有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供するのに第1目的がある。
【０００６】
また、フォトダイオードの収光効率を増大させられる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供するのに第2目的がある。
【０００７】
また、低濃度P濃度領域が形成されたフォトダイオードを提供することで、フォトダイオードの電流効率を増大させるのに第3目的がある。
【０００８】
さらに、フォトダイオードを並列式で連結して収光収光効果を増大させるのに第4目的がある。
【０００９】
本発明の目的は、上述した目的に制限されず、言及しなかった他の目的は以下の記載から当業者に明確に理解されうるのであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述したような目的を果たすための有機電界発光素子は、基板上に形成されて、ゲート、ソース及びドレインを含むトランジスターと連結されて、第1電極、有機薄膜層及び第2電極を含む有機電界発光ダイオードと、前記基板上に形成されて、高濃度Pドーピング領域、低濃度Pドーピング領域、真性領域及び高濃度Nドーピング領域に接合された半導体層を持つフォトダイオードと、前記フォトダイオードから出力される電圧によって前記第1電極及び前記第2電極に印加される電圧を調節することで前記有機電界発光ダイオードから放出される光の輝度を一定に調節する制御部とを含む。
【００１１】
また上述した目的を果たすための本発明の有機電界発光素子の製造方法は、基板の上面にバッファー層を形成する段階と、前記バッファー層上に第1及び第2半導体層を形成する段階と、前記第1半導体層に高濃度Pドーピング領域と、低濃度Pドーピング領域と、真性領域及び高濃度Nドーピング領域を具備したフォトダイオードを形成して、前記第2半導体層にソース及びドレイン領域とチャンネル領域を形成する段階と、前記第1及び第2半導体層を含む全体面にゲート絶縁膜を形成した後、前記チャンネル領域上部の前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、前記ゲート電極とを含む全体面に層間絶縁膜を形成した後、前記層間絶縁膜とゲート絶縁膜をパターニングして前記ソース及びドレイン領域が露出するようにコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトホールを通じて前記ソース及びドレイン領域と連結されるようにソース及びドレイン電極を形成する段階と、全体面に平坦化膜を形成した後前記ソースまたはドレイン電極の所定部分が露出されるように前記平坦化膜にビアホールを形成して、前記ビアホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極と連結されるように第1電極を形成する段階と、前記第1電極の一部領域が露出するように画素定義膜を形成した後、露出された前記第1電極上に有機薄膜層を形成する段階と、前記有機薄膜層を含む前記画素定義膜上にカソード電極を形成する段階とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
このように本発明によれば、外部から入射される光の量にしたがって放出される光の輝度が調節されるようにするためにフォトダイオードが具備された有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供し、フォトダイオードの収光効率を増大させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【００１３】
また、低濃度P濃度領域が形成されたフォトダイオードを提供することで、フォトダイオードの電流効率を増大され、フォトダイオードを並列式で連結して収光収光効果が増大される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下では、まず、添付図面を参照して本発明の望ましい実施例について説明する。
有機電界発光素子の発光層を構成する有機物質は、時間が経つにつれて膜質と特性が劣化されて放出される光の輝度が低下されるという問題点がある。このような問題点を解決するためにフォトダイオードを利用して外部から入射される光や内部から放出される光を感知して放出される光の輝度を一定に調節する方法が開発された。しかし、表示装置の大きさ及び厚さが徐々に減少されることによってフォトダイオードの大きさも減少されるから収光面積及び効率が低下されるという問題点がある。
【００１５】
本発明は外部から光が入射される時フォトダイオードを透過した光と基板方向へ進行する光が反射してフォトダイオードに入射されるようにすることで、収光効率が増大されるようにする。
【００１６】
図1は、薄膜トランジスターを含む一般的な有機電界発光素子を説明するための概略的な断面図である。
【００１７】
基板10上にバッファー層11が形成されて、バッファー層11上にソース及びドレイン領域12a及び12bとチャンネル領域12cを提供する半導体層12が形成される。半導体層12上部にはゲート絶縁膜13によって半導体層12と絶縁されるゲート電極14が形成されて、ゲート電極14を含む全体上部面にはソース及びドレイン領域12a及び12bが露出されるようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜15が形成される。
【００１８】
層間絶縁膜15上にはコンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域12a及び12bと連結されるソース及びドレイン電極16a及び16bが形成されて、ソース及びドレイン電極16a及び16bを含む全体上部面にはソースまたはドレイン電極16aまたは16bが露出されるようにビアホールが形成された平坦化膜17が形成される。そして、平坦化膜17上にはビアホールを通じてソースまたはドレイン電極16aまたは16bと連結されるアノード電極18、及び発光領域を定義（画定）するためにアノード電極18を所定部分露出させるための画素定義膜19が形成される。アノード電極18上には有機薄膜層20及びカソード電極21が形成される。
【００１９】
前記のようにアノード電極18、有機薄膜層20、及びカソード電極21で構成される有機電界発光素子は、アノード電極18とカソード電極21に所定の電圧が印加されれば、アノード電極18を通じて注入される正孔とカソード電極21を通じて注入される電子が有機薄膜層20で再結合するようになって、この過程で発生されるエネルギーの差によって光を放出する。
【００２０】
図1の有機電界発光素子の場合、有機薄膜層20が有機物質からなるから時間が経つにつれて膜質及び発光特性が劣化されるという短所がある。
【００２１】
図2は本発明によるフォトダイオードを具備する有機電界発光素子を説明するための断面図である。
【００２２】
基板100の所定部分に反射膜110が形成される。反射膜110は、発光領域と隣接した非発光領域にAg、Mo、Ti、AlまたはNiなどの金属で形成される。反射膜110を含む基板100の全体面にはバッファー層120が形成される。
【００２３】
反射膜110上部のバッファー層120上には、高濃度Pドーピング領域131a、低濃度Pドーピング領域131b、高濃度Nドーピング領域132と真性(intrinsic)領域133で構成された半導体層130aが形成される。
【００２４】
半導体層130aと隣接された部分のバッファー層120上にはソース及びドレイン領域134及び135とチャンネル領域136が具備された半導体層130bが形成される。半導体層130b上部にはゲート絶縁膜140によって半導体層130bと絶縁されるゲート電極150が形成されて、ゲート電極150を含む全体上部面にはソース及びドレイン領域134及び135が露出するようにコンタクトホールが形成された層間絶縁膜160が形成される。
【００２５】
層間絶縁膜160上にはコンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域134及び135と連結されるソース及びドレイン電極170a及び170bが形成されて、ソース及びドレイン電極170a及び170bを含む全体上部面にはソースまたはドレイン電極170aまたは170bが露出されるようにビアホールが形成された平坦化膜180が形成される。そして、平坦化膜180上にはビアホールを通じてソースまたはドレイン電極170aまたは170bと連結されるアノード電極190及び発光領域を定義するために、アノード電極190を所定部分露出させるための画素定義膜200が形成されて、アノード電極180上には有機薄膜層210及びカソード電極220が形成される。
【００２６】
有機薄膜層210は、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層が積層された構造で形成されて、正孔注入層と電子注入層がさらに含まれることができる。
【００２７】
前記のようにアノード電極180、有機薄膜層210及びカソード電極220で構成される有機電界発光ダイオードは、アノード電極180とカソード電極220に所定の電圧が印加されれば、アノード電極180を通じて注入される正孔とカソード電極220を通じて注入される電子が有機薄膜層210で再結合するようになって、この過程で発生されるエネルギーの差によって光を放出する。
【００２８】
このように光が外部へ放出されるうちに有機電界発光素子には外部の光源から光が入射されれば、高濃度Pドーピング領域131a、低濃度Pドーピング領域131b、高濃度Nドーピング領域132と真性領域133で構成された半導体層130aに形成されるフォトダイオードは外部から入射される光を収光して光の量による電気信号を発生する。
【００２９】
フォトダイオードは、光信号を電気信号に変換する半導体素子で、逆バイアス状態(すなわち、高濃度Pドーピング領域131aには陰(-)の電圧が印加されて、高濃度Nドーピング領域132には陽(+)の電圧が印加された状態で光が入射されれば、電子と正孔が真性領域133に形成される空乏領域(depletion region)に沿って移動することで電流が流れるようになる。
【００３０】
これによって、光の量に比例する電圧を出力するようになる。したがって、フォトダイオードから出力される電圧によって有機電界発光ダイオードのアノード電極180とカソード電極220に印加される電圧が調節されるようにすることで、外部から入射される光の量によって放出される光の輝度が一定に調節される。
【００３１】
このような半導体層130aに対しては後述する図3の説明で上述する事にする。
以上のように本発明は、外部から光がフォトダイオードに入射される時、フォトダイオードを透過した光と、入射されずに基板100方向へ進行する光が反射膜110に反射されてフォトダイオードに入射されるようにすることで収光効率が増大されるようにする。
【００３２】
一般に、フォトダイオードを構成する半導体層130aは、ポリシリコンで形成されるが、500Å程度に薄く形成されるから十分な収光効率を得にくい。また、表示装置の大きさ及び厚さが徐々に減少されることによってフォトダイオードの大きさも減少されるので、収光効率はさらに低くなる。しかし、本発明を適用すれば反射膜110によって収光効率が増大されるからフォトダイオードの大きさの減少が可能になって、これによって表示装置の大きさの減少が容易になる。
【００３３】
図3aは、本発明の一実施例によるフォトダイオードの半導体層を示す概路図である。
従来技術によれば、フォトダイオードの半導体層は高濃度Pドーピング領域、真性領域、高濃度Nドーピング領域で形成される。このような一般的なPIN構造のフォトダイオードの場合に電子-ホールペア(Electron-Hole  Pair)が半導体層の中央部である真性領域で主に発生する。
【００３４】
電子に比べて相対的に小さいモビリティー(Mobility)を持っているホールの場合にはまた他の電子とさらに早く再結合をする可能性が高いので、電子に比べて寿命(Life  time)が相対的にもっと短いと言える。
【００３５】
電流はホールの方向へ流れるものに定義される。もし、低濃度Pドーピング領域を真性領域と高濃度Pドーピング領域の間に配置して電子-ホールペアの発生地点を低濃度Pドーピング領域方へ移動させれば、対称形PIN構造のフォトダイオードに比べてさらに多くのホールが再結合されずに電極まで移動可能になる。これによって、ホールの平均的なライフタイムを増加させることができ、同じ入射光条件下でさらに多くの電流を流れるようにすることができる。
【００３６】
単に、高濃度Pドーピング領域を拡張させて真性領域とともに入射光を吸収するようにフォトダイオードを形成すれば、ホールが高濃度Pドーピング領域を通過する間にドーピング物質と衝突することによってホールの寿命が減少される。これを防止するために高濃度Pドーピング領域を拡張させる代わりに低濃度Pドーピング領域を形成させる。
【００３７】
図3aに示されたように、本発明の一実施例によるフォトダイオードは高濃度Pドーピング領域131a、低濃度Pドーピング領域131b、高濃度Nドーピング領域132と真性領域133が具備された半導体層130aで形成される。
【００３８】
真性領域133を中心に一側には高濃度Pドーピング領域131aと低濃度Pドーピング領域131bが、他側には高濃度Nドーピング領域132が非対称的に形成されている。電子-ホールペアが主に低濃度Pドーピング領域131bから発生するので、ホールの寿命が増大されて、対称的なPIN接合で構成された従来のフォトダイオードに比べて同じ入射光条件下でもさらに大量の電流が流れるようにすることができる。
【００３９】
図3bは、本発明の他の実施例による並列構造フォトダイオードを示す概路図である。図3bに示されたように並列的に連結されたフォトダイオードは、高濃度Pドーピング領域131a、低濃度Pドーピング領域131b、高濃度Nドーピング領域132と真性領域133が具備された半導体層130aと、これと同じ構造を持ついくつの半導体層130c、130dを並列的に連結させて形成される。このように半導体層130a、130c、130dを並列的に形成させることで、収光効果を増大させることができる。
【００４０】
以下では本発明の一実施例による有機電界発光素子の製造方法を図4aないし図4fを参照して説明する。
図4aを参照すれば、基板100上にAg、Mo、Ti、Al、Niなどの金属をスパッタリング(sputtering)方法などで蒸着した後、所定のマスクを利用した露光及び現象工程にパターニングして、所定部分に反射膜110を形成する。反射膜110を形成するための金属は光を反射させられる程度の厚さ、例えば、100ないし5000Åの厚さに蒸着する。
【００４１】
図4bを参照すれば、反射膜110を含む基板100の全体面にバッファー層120及び半導体層130を順次形成した後、半導体層130をパターニングして、反射膜110上部には半導体層130aが残留されるようにし、反射膜110と隣接された部分のバッファー層120上には半導体層130bが残留されるようにする。
【００４２】
バッファー層120は、熱による基板100の被害を防止するためのもので、シリコン酸化膜SiO2やシリコン窒化膜SiNxのような絶縁膜で形成する。半導体層130は非晶質シリコンやポリシリコンで形成するが、非晶質シリコンを使う場合、熱処理を通じて決定化させる。
【００４３】
図4cを参照すれば、N型及びP型不純物イオン注入工程によって半導体層130aには、高濃度Pドーピング領域131a、低濃度Pドーピング領域131b、高濃度Nドーピング領域132と真性領域133が具備された一つの半導体層130aを形成し、他の半導体層130bにはソース及びドレイン領域134及び135とチャンネル領域136を形成する。したがって、一つの半導体層130aには高濃度Pドーピング領域131a、低濃度Pドーピング領域131b、高濃度Nドーピング領域132と真性領域133が具備されたフォトダイオードが形成される。また、他の半導体層130bにはソース及びドレイン領域134及び135と、ソース及びドレイン領域134及び135間のチャンネル領域136からなるトランジスターが形成される。
【００４４】
図4dを参照すれば、半導体層130a及び130bを含む全体面にゲート絶縁膜140を形成した後、チャンネル領域136上部のゲート絶縁膜140上にゲート電極150を形成する。
【００４５】
図4eを参照すれば、ゲート電極150を含む全体面に層間絶縁膜160を形成する。そして、層間絶縁膜160とゲート絶縁膜140をパターニングして半導体層130bのソース及びドレイン領域134及び135が露出されるようにコンタクトホールを形成する。前記コンタクトホールを通じてソース及びドレイン領域134及び135と連結されるようにソース及びドレイン電極170a及び170bを形成する。
【００４６】
図4fを参照すれば、全体面に平坦化膜180を形成して表面を平坦化させた後、ソースまたはドレイン電極170aまたは170bの所定部分が露出するように平坦化膜180にビアホールを形成する。前記ビアホールを通じてソースまたはドレイン電極170a及び170bと連結されるようにアノード電極190を形成する。アノード電極190の一部領域が露出されるように平坦化膜180上に画素定義膜200を形成した後、露出されたアノード電極190上に有機薄膜層210を形成する。有機薄膜層210は正孔輸送層、有機発光層及び電子輸送層が積層された構造で形成し、正孔注入層と電子注入層がさらに含まれることができる。
【００４７】
図4gを参照すれば、有機薄膜層210を含む画素定義膜200上にカソード電極220を形成して、アノード電極190、有機薄膜層210及びカソード電極220からなる有機電界発光ダイオードを完成する。
【００４８】
上記実施例において、基板100方向へ進行する光を効果的に反射させるためには、反射膜110を半導体層130aより広く形成することが望ましい。また、上記実施例ではフォトダイオードが外部から入射される光を収光するように構成された場合を説明したが、これに限らない、例えば、内部から放出される光を収光して有機電界発光ダイオードのアノード電極180とカソード電極220に印加される電圧を調節するように構成することができ、フォトダイオードを利用して有機電界発光素子がタッチパネル(touch  panel)に動作されるように構成することもできる。
【００４９】
本発明の技術思想は、前述した望ましい実施例により具体的に記述されたが、前記実施例は、その説明のためのものであり、その制限のためではないことを注意しなければなない。また、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形例が可能であることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】薄膜トランジスターを含む一般的な有機電界発光素子を説明するための概略的な断面図である。
【図２】本発明によるフォトダイオードを具備する有機電界発光素子を説明するための断面図である。
【図３ａ】本発明の一実施例によるフォトダイオードの半導体層を示す概路図である。
【図３ｂ】本発明の他の実施例による並列構造フォトダイオードを示す概路図である。
【図４ａ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｂ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｃ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｄ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｅ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｆ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｇ】本発明による有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
10、100  基板
11、120バッファー層
12、130ａ、130ｂ  半導体層
12ａ、134  ソース領域
12ｂ、135  ドレイン領域
12ｃ、136  チャンネル領域
13、140  ゲート絶縁膜
14、150  ゲート領域
15、160  層間絶縁膜
16ａ、170ａ  ソース電極
16ｂ、170ｂ  ドレイン電極
17、180  平坦化膜
18、190  アノード電極
19、200  画素定義膜
20、210  有機薄膜層
21、220  カソード電極
110  反射膜
131ａ  高濃度Pドーピング領域
132ｂ  低濃度Pドーピング領域
133  真性領域
【図１】
2009016777.tif 000003
【図２】
2009016777.tif 000004
【図３ａ】
2009016777.tif 000005
【図３ｂ】
2009016777.tif 000006
【図４ａ】
2009016777.tif 000007
【図４ｂ】
2009016777.tif 000008
【図４ｃ】
2009016777.tif 000009
【図４ｄ】
2009016777.tif 000010
【図４ｅ】
2009016777.tif 000011
【図４ｆ】
2009016777.tif 000012
【図４ｇ】
2009016777.tif 000013