(57)【要約】【課題】  良好な反射特性を得ることができ、しかも、中心導体の加工性並びに中心導体とマイクロストリップ線路との組立性も良好なモード変換機能付同軸コネクタを提供する。【解決手段】  導体の内側に配置され、同軸線路とマイクロストリップ線路（ＭＳＬ）６とを相互に接続させるモード変換機能付同軸コネクタ１００である。中心導体１と、中心導体１における同軸線路側の部分に沿って配置されるインシュレータ２と、を備える。中心導体１においてインシュレータ２とＭＳＬ６との間に位置する部分に沿って配置されるモード変換用誘電体４を備える。モード変換用誘電体４は、モード変換用誘電体４の配置領域Ｒ２における電界分布を、ＭＳＬ６の配置領域Ｒ３における電界分布と、インシュレータ２の配置領域Ｒ１における電界分布と、の中間の電界分布とする。【選択図】    図１
2009238713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体の内側に配置され、同軸線路における伝送路である第１伝送路とマイクロストリップ線路における伝送路である第２伝送路とを相互に接続させる同軸コネクタにおいて、
前記第１伝送路と前記第２伝送路とを相互に接続し、該第１及び第２伝送路の相互間で高周波信号を伝送する中心導体と、
前記中心導体における前記同軸線路側の部分に沿って配置されるインシュレータと、
前記中心導体において、前記インシュレータと前記マイクロストリップ線路との間に位置する部分に沿って配置されるモード変換用誘電体と、
を備え、
前記モード変換用誘電体は、該モード変換用誘電体の配置領域における電界分布を、前記マイクロストリップ線路の配置領域における電界分布と、前記インシュレータの配置領域における電界分布と、の中間の電界分布とするものであることを特徴とするモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項２】
前記モード変換用誘電体は、前記中心導体の長手方向に対して直交する面で切断した断面形状が半月状のものであり、
前記モード変換用誘電体の断面における弦状の部分が前記中心導体に近い側に、前記モード変換用誘電体の断面における弧状の部分が前記中心導体から遠い側に、それぞれ配置され、かつ、前記モード変換用誘電体は、前記中心導体を基準として前記マイクロストリップ線路側の位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項３】
前記モード変換用誘電体を構成する誘電性材料の、前記モード変換用誘電体の単位体積当たりにおける充填率は、
前記モード変換用誘電体において前記中心導体を基準として前記マイクロストリップ線路側に位置する第１部分の充填率よりも、その反対側に位置する第２部分の充填率が小さく設定されていることを特徴とする請求項１に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項４】
前記モード変換用誘電体の前記第２部分は、開口が形成されたことにより、前記充填率が小さく設定されていることを特徴とする請求項３に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項５】
前記モード変換用誘電体の前記第２部分は、前記中心導体の周囲に沿って複数の開口が形成されたことにより、前記充填率が小さく設定されていることを特徴とする請求項３に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項６】
前記モード変換用誘電体は、前記中心導体を保持して位置決めする機能を兼ね備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項７】
当該モード変換機能付同軸コネクタは、導体シャシを介して前記マイクロストリップ線路の基板と接続されるものであり、
前記モード変換用誘電体は、前記導体シャシに形成された開口内に固定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項８】
前記モード変換用誘電体の誘電率は、前記インシュレータの誘電率よりも高いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【請求項９】
前記モード変換用誘電体は、該モード変換用誘電体に塗装を施すか、又は、該モード変換用誘電体に着色剤を混入することにより、着色が施されているか、
或いは、
前記モード変換用誘電体には、色付きシールが添付されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のモード変換機能付同軸コネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モード変換機能を有する同軸コネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯およびミリ波帯における高周波信号の伝送路として、同軸線路やマイクロストリップ線路（以下、ＭＳＬ（Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  Ｌｉｎｅ）と称する）が広く使用されている。
【０００３】
一般に、同軸線路は機器間の接続に、ＭＳＬは機器内部の伝送路に、それぞれ使用されることが多い。
【０００４】
このため、同軸線路とＭＳＬとの変換器がしばしば必要とされ、実用もされている。
【０００５】
ところで、同軸線路の断面における電界は、中心導体から外導体に向かう放射状の分布となるのに対し、ＭＳＬの断面における電界は線路導体と地導体との間に集中的に分布している。
【０００６】
このため、両者の電磁界分布（以下、モードと称する）は一致していない。
【０００７】
従って、同軸線路とＭＳＬの特性インピーダンスが一致していても、両者の接続箇所では、モードの不一致がある。
【０００８】
使用周波数帯がマイクロ波帯からミリ波帯におよぶ高周波帯では、特に反射特性が悪化するという問題がある。
【０００９】
このような問題を解決する従来技術としては、同軸線路とＭＳＬとの間のモード変換機能を有する同軸コネクタが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
特許文献１に記載の同軸コネクタは、同軸線路とＭＳＬとの接続箇所において、同軸線路の中心導体を傾けることにより、同軸線路の電界分布を徐々にＭＳＬの電界分布に近似させている。
【００１１】
これによってモードの不一致をほとんど解消し、反射特性を広帯域に亘り良好にしている。
【特許文献１】米国特許第４２８０１１２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に記載の同軸コネクタは、同軸線路とＭＳＬとの接続箇所における特性インピーダンスを、同軸線路の長手方向において一定に保つため、傾けた中心導体は、その長手方向において徐々に直径を変化させる必要がある。
【００１３】
従って、中心導体の加工性が悪く、コスト高になるという問題があった。しかも、中心導体とマイクロストリップ線路との組立性が悪く、これによってもコスト高になるという問題があった。
【００１４】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、同軸線路とマイクロストリップ線路との接続箇所に設けられるモード変換機能付同軸コネクタであって、良好な反射特性を得ることができ、しかも、中心導体の加工性並びに中心導体とマイクロストリップ線路との組立性も良好なモード変換機能付同軸コネクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、本発明のモード変換機能付同軸コネクタは、導体の内側に配置され、同軸線路における伝送路である第１伝送路とマイクロストリップ線路における伝送路である第２伝送路とを相互に接続させる同軸コネクタにおいて、前記第１伝送路と前記第２伝送路とを相互に接続し、該第１及び第２伝送路の相互間で高周波信号を伝送する中心導体と、前記中心導体における前記同軸線路側の部分に沿って配置されるインシュレータと、前記中心導体において、前記インシュレータと前記マイクロストリップ線路との間に位置する部分に沿って配置されるモード変換用誘電体と、を備え、前記モード変換用誘電体は、該モード変換用誘電体の配置領域における電界分布を、前記マイクロストリップ線路の配置領域における電界分布と、前記インシュレータの配置領域における電界分布と、の中間の電界分布とするものであることを特徴としている。
【００１６】
本発明のモード変換機能付同軸コネクタにおいては、前記モード変換用誘電体は、前記中心導体の長手方向に対して直交する面で切断した断面形状が半月状のものであり、前記モード変換用誘電体の断面における弦状の部分が前記中心導体に近い側に、前記モード変換用誘電体の断面における弧状の部分が前記中心導体から遠い側に、それぞれ配置され、かつ、前記モード変換用誘電体は、前記中心導体を基準として前記マイクロストリップ線路側の位置に配置されることが好ましい一例である。
【００１７】
或いは、本発明のモード変換機能付同軸コネクタにおいては、前記モード変換用誘電体を構成する誘電性材料の、前記モード変換用誘電体の単位体積当たりにおける充填率は、前記モード変換用誘電体において前記中心導体を基準として前記マイクロストリップ線路側に位置する第１部分の充填率よりも、その反対側に位置する第２部分の充填率が小さく設定されていることも好ましい。
【００１８】
この場合、前記モード変換用誘電体の前記第２部分は、開口が形成されたことにより、前記充填率が小さく設定されていることが好ましい。
【００１９】
更に、この場合、前記モード変換用誘電体の前記第２部分は、前記中心導体の周囲に沿って複数の開口が形成されたことにより、前記充填率が小さく設定されていることが好ましい。
【００２０】
また、本発明のモード変換機能付同軸コネクタにおいては、前記モード変換用誘電体は、前記中心導体を保持して位置決めする機能を兼ね備えることが好ましい。
【００２１】
本発明のモード変換機能付同軸コネクタは、導体シャシを介して前記マイクロストリップ線路の基板と接続されるものであり、前記モード変換用誘電体は、前記導体シャシに形成された開口内に固定されることが好ましい。
【００２２】
前記モード変換用誘電体は、該モード変換用誘電体に塗装を施すか、又は、該モード変換用誘電体に着色剤を混入することにより、着色が施されているか、或いは、前記モード変換用誘電体には、色付きシールが添付されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、同軸線路とＭＳＬ線路との接続部分において、広帯域に亘って反射特性を良好にすることができる。しかも、同軸線路とＭＳＬとの接続部分において、反射特性の劣化を抑えながら、加工性及び組立性の良い接続構造を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
【００２５】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係るモード変換機能付同軸コネクタ１００を用いた高周波伝送路の接続構造を示す側断面図、図２は図１に示す高周波伝送路の接続構造の上面図、図３は図１に示す高周波伝送路の接続構造の斜視図である。
【００２６】
図１乃至図３に示すモード変換機能付同軸コネクタ１００は、導体の内側に配置され、図示しない同軸線路における伝送路（第１伝送路）とＭＳＬ（マイクロストリップ線路）６における伝送路である線路導体（第２伝送路）６２とを相互に接続させるものである。
【００２７】
なお、モード変換機能付同軸コネクタ１００の周囲に配置される導体は、例えば、導体シャシ５の一部と、外導体３である。
【００２８】
図１に示すように、モード変換機能付同軸コネクタ１００は、中心導体１と、インシュレータ２と、モード変換用誘電体４と、を備えて構成されている。
【００２９】
モード変換機能付同軸コネクタ１００は、後述する結合構造により、図示しない同軸線路と接続されて、その中心導体１が該同軸線路の伝送路と接続されるようになっている。
【００３０】
また、図１に示すように、モード変換機能付同軸コネクタ１００は、導体シャシ５に対して組み付けられることにより、その中心導体１がＭＳＬ６と接続されるようになっている。
【００３１】
導体シャシ５には外導体３が組み付けられ、該導体シャシ５は、外導体３とＭＳＬ６の後述する基板６１とを相互に接続する接続導体として機能する。
【００３２】
この導体シャシ５は、例えば、図１に示すように、側面視においてＬ字状の形状をなしており、ＭＳＬ６が配置される台状のＭＳＬ配置部５１と、このＭＳＬ配置部５１の端部より起立する起立壁状部５２と、を備える。
【００３３】
ＭＳＬ６は、誘電体からなる基板６１と、この基板６１の一方の面に設けられ高周波信号の伝送路として機能する線路導体６２と、基板６１の他方の面に設けられた地導体６３と、を備えて構成されている。
【００３４】
ＭＳＬ６は、線路導体６２を上、地導体６３を下（ＭＳＬ配置部５１側）にして、ＭＳＬ配置部５１上に配置されている。
【００３５】
なお、ＭＳＬ６は、その一端部が、導体シャシ５の起立壁状部５２の近傍に位置している。
【００３６】
また、導体シャシ５の起立壁状部５２における外側の面、すなわち、ＭＳＬ載置部５１上のＭＳＬ６とは反対側の面には、外導体３が固定されている。
【００３７】
導体シャシ５の起立壁状部５２には、その表裏を貫通する貫通穴５２ａが形成されている。この貫通穴５２ａの形状は、例えば円筒状である。
【００３８】
次に、モード変換機能付同軸コネクタ１００の構成について詳述する。
【００３９】
モード変換機能付同軸コネクタ１００の中心導体１は、図示しない同軸線路における伝送路（第１伝送路）と、ＭＳＬ６の線路導体（第２伝送路）６２と、を相互に接続し、これら２つの伝送路の相互間で高周波信号を伝送する。すなわち、中心導体１も、高周波信号の伝送路として機能する導体である。
【００４０】
中心導体１は、インシュレータ２により被覆されている。
【００４１】
インシュレータ２は、例えば円筒状の絶縁体からなり、その中心に中心導体１を内包している。インシュレータ２の材質としては、例えばテフロン（登録商標）やポリエチレンなどの低誘電率の樹脂材が好ましい。
【００４２】
外導体３は、インシュレータ２の外側を覆う導体である。すなわち、外導体３の中心部は中空部とされ、該中空部内にインシュレータ２が嵌入されている。
【００４３】
なお、外導体３の中空部の内径と、導体シャシ５の貫通穴５２ａの内径とは、互いに等しく設定されている。
【００４４】
また、外導体３は、図示しない同軸線路が接続されるレセプタクル部３１を一端部に備えている。
【００４５】
レセプタクル部３１には、図示しない同軸線路の伝送路の端部が挿入される挿入穴３１ａと、該同軸線路の端部が結合される結合部３１ｂと、が形成されている。
【００４６】
挿入穴３１ａ内において、インシュレータ２の端面、並びに、インシュレータ２の内部に位置する中心導体１の端面は、挿入穴３１ａの開口端よりも奥まった位置に配置されている。
【００４７】
レセプタクル部３１の結合部３１ｂは、例えば、その外周が雄ねじとなっており、上記図示しない同軸線路の端部に形成された雌ねじと螺合することにより、該同軸線路とモード変換機能付同軸コネクタ１００とを相互に結合させ、該同軸線路の伝送路とモード変換機能付同軸コネクタ１００の中心導体１とを接続させるようになっている。
【００４８】
なお、モード変換機能付同軸コネクタ１００に同軸線路を結合させるための構造は、このような螺合構造に限らない。
【００４９】
また、外導体３は、該外導体３を導体シャシ５に好適に取り付けできるように、該外導体３の他端部に、フランジ状のフランジ部３２を備えている。
【００５０】
このフランジ部３２には、止着材としてのボルト９をフランジ部３２を介して導体シャシ５に通すための穴（図示せず）が形成され、フランジ部３２は、ボルト９により導体シャシ５の起立壁状部５２に固定されている。
【００５１】
ここで、インシュレータ２における起立壁状部５２側の端面は、フランジ部３２における起立壁状部５２側の端面と面一に設定されている。
【００５２】
中心導体１の長さは、インシュレータ２よりも長く設定され、中心導体１は、インシュレータ２における起立壁状部５２側の端面よりもＭＳＬ６側に突出している。
【００５３】
更に言えば、インシュレータ２からの中心導体１の突出長さは、例えば、起立壁状部５２の厚みよりも長く設定されており、外導体３を導体シャシ５に取り付けた状態において、起立壁状部５２よりもＭＳＬ６側に突出する。
【００５４】
そして、外導体３を起立壁状部５２に固定した状態において、中心導体１におけるＭＳＬ６側の端部は、ＭＳＬ６の端部における上面に当接されている。
【００５５】
モード変換用誘電体４は、中心導体１において、インシュレータ２とＭＳＬ６との間に位置する部分に沿って配置されている。
【００５６】
また、モード変換用誘電体４は、起立壁状部５２の貫通穴５２ａ内に配置されている。
【００５７】
図３に示すように、モード変換用誘電体４は、中心軸が中心導体１の中心と一致する円柱を、その中心線に沿って２分割したような形状のものである。
【００５８】
従って、モード変換用誘電体４を中心導体１の長手方向に対して直交する面で切断した断面形状は半月状である。
【００５９】
なお、モード変換用誘電体４の断面における弦状の部分が中心導体１に近い側に、モード変換用誘電体４の断面における弧状の部分が中心導体１から遠い側に、それぞれ位置する。
【００６０】
また、モード変換用誘電体４の配置は、中心導体１を基準とすると、ＭＳＬ６側とされている。すなわち、図１では、モード変換用誘電体４は、中心導体１の下側に配置されている。
【００６１】
また、モード変換用誘電体４は、中心導体１を保持して位置決めする機能を兼ね備える。具体的には、例えば、モード変換用誘電体４の図１における上面には、中心導体１の外周に沿うような半円筒状の溝状の凹曲面４１が形成され、該凹曲面内に中心導体１の図１における下半分が収められている。
【００６２】
このようにモード変換用誘電体４により中心導体１を位置決めすることは、中心導体１が偏心してしまうことによる寸法誤差に起因して、インピーダンスの劣化が生じてしまうことを防ぐ役目も果たす。
【００６３】
モード変換用誘電体４の直径は、導体シャシ５の貫通穴５２ａの内径とほぼ同じに設定されている。
【００６４】
そして、モード変換用誘電体４は、例えば、接着材により、導体シャシ５の貫通穴５２ａの内周面に対して接着固定されている。
【００６５】
なお、導体シャシ５の貫通穴５２ａ内の領域は、同軸線路からＭＳＬ６側、並びに、ＭＳＬ６から同軸線路側へのモード変換をスムーズにさせるモード変換部１０として機能する。
【００６６】
次に、以上のような構成の高周波伝送路の接続構造における電界の分布について説明する。
【００６７】
図４は図１のＡ−Ａ矢視断面における誘電体（インシュレータ２）の形状を示す図、図５は図１のＡ−Ａ矢視断面における電界分布を示す模式図、図６は図１のＢ−Ｂ矢視断面における誘電体（モード変換用誘電体４）の形状を示す図、図７は図１のＢ−Ｂ矢視断面における電界分布を示す模式図、図８は図１のＣ−Ｃ矢視断面における誘電体（基板６１）の形状を示す図、図９は図１のＣ−Ｃ矢視断面における電界分布を示す模式図である。
【００６８】
電界は、誘電体が存在する範囲に集中的に分布する。
【００６９】
よって、インシュレータ２の配置領域（図１の領域Ｒ１）においては、誘電体（インシュレータ２）が図４に示す断面形状であることから、図５に示すような電界分布となる。
【００７０】
また、モード変換用誘電体４の配置領域（図１の領域Ｒ２）、すなわち、モード変換部１０においては、誘電体（モード変換用誘電体４）が図６に示す断面形状であることから、図７に示すような電界分布となる。
【００７１】
また、ＭＳＬ６の配置領域（図１の領域Ｒ３）においては、誘電体（基板６１）が図８に示す断面形状であることから、図９に示すような電界分布となる。
【００７２】
図５、図７及び図９の比較から明らかなように、図７に示す電界分布（モード変換用誘電体４の配置領域における電界分布）は、図５に示す電界分布（インシュレータ２の配置領域における電界分布）と図９に示す電界分布（ＭＳＬ６の配置領域における電界分布）の中間的な分布であると言える。
【００７３】
図７に示す電界分布は、図９に示す電界分布よりは図５に示す電界分布に近いと同時に、図５に示す電界分布よりは図９に示す電界分布に近い。
【００７４】
このため、同軸線路からの高周波信号は、ＭＳＬ６へ、反射無く伝送することができる。無論、ＭＳＬ６側から伝送される高周波信号も、同軸線路側へ、反射無く伝送することができる。
【００７５】
従来の一般的な同軸コネクタは、モード変換用誘電体４を備えていない。このため、図５に示す電界分布と図９に示す電界分布とが隣接しており、それらの境界においては、電界分布が甚だしく急峻に変化するために反射が生じてしまう。
【００７６】
これに対し、本実施形態では、上述のような半月状のモード変換用誘電体４をインシュレータ２とＭＳＬ６との中間位置に備えるため、モード変換部１０において誘電体は全体に分布せず、断面半月状に分布する。
【００７７】
このため、領域Ｒ２における実効誘電率は（モード変換部１０において誘電体が全体に分布している場合よりも）低下する。
【００７８】
従って、モード変換用誘電体４の材質をインシュレータ２と同様の誘電率のものにしてしまうと、領域Ｒ２におけるインピーダンスが特性インピーダンスに比較して高くなり、領域Ｒ１と領域Ｒ２との境界、並びに、領域Ｒ２と領域Ｒ３との境界において、インピーダンスの不連続を生じてしまう。
【００７９】
そこで、本実施形態においては、このようなインピーダンスの不連続を防ぐため、インシュレータ２よりも誘電率が大きい材質によりモード変換用誘電体４を構成することによって、誘電体の分布の差によるインピーダンスの不連続を解消する。
【００８０】
＜実施例１＞
ここで、第１の実施形態に即した実施例１を説明するとともに、モード変換用誘電体４の好適な材質について説明する。
【００８１】
本実施例では、上述のようなインピーダンスの不連続を防ぐため、モード変換用誘電体４の材質としては、通常使用されるテフロン（登録商標）（誘電率＝約２．０）よりも誘電率が大きいもの（例えば、エポキシ樹脂：誘電率＝約４．０）を用いることによって、誘電体の分布の差によるインピーダンスの不連続を解消する。
【００８２】
同軸伝送路のインピーダンスは、以下の数式（１）で表される。
【００８３】
【数１】
2009238713.tif 000003
【００８４】
ここで、εｒは誘電率、ａは同軸線路の外導体の内径（外導体３の内径、並びに、導電シャシ５の貫通穴５２ａの内径）、ｂは同軸線路の中心導体（中心導体１）の外径である。
【００８５】
例えば、特性インピーダンス（Ｚ０）＝５０Ωを実現するには、外導体の内径（ａ）を４ｍｍ、中心導体の外径（ｂ）を１．２７ｍｍとすれば、必要な誘電率（ｅ）は２．０となる。
【００８６】
このため、通常の同軸コネクタのインシュレータは、誘電率が約２．０のテフロン（登録商標）により構成しており、本実施形態の場合も、例えば、同様にテフロンによりインシュレータ２を構成することができる。
【００８７】
また、本実施形態の場合、モード変換用誘電体４は、図３、図６及び図１に示すように、断面形状が半月状になっており、これらの各図における中心導体１よりも下側にのみ位置し、上側には存在しない。
【００８８】
つまり、モード変換部１０の上半分の領域には、誘電体が存在しない。
【００８９】
従って、モード変換部１０の上半分の領域におけるインピーダンスも、上記の数式（１）で表せる。
【００９０】
この場合、同軸線路の外導体の内径（ａ）、同軸線路の中心導体の外径（ｂ）を、前述と同様に、それぞれ、４ｍｍ、１．２７ｍｍとすれば、インピーダンスは６８．８Ωになる。
【００９１】
しかし、インシュレータ２の配置領域Ｒ１における特性インピーダンス、並びに、ＭＳＬ６の配置領域Ｒ３における特性インピーダンスは、それぞれ、例えば５０Ωである。
【００９２】
従って、モード変換部１０の上半分の領域とインシュレータ２の配置領域Ｒ１との境界、並びに、モード変換部１０の上半分の領域とＭＳＬ６の配置領域Ｒ３との境界において、インピーダンスの不連続が生じてしまう。
【００９３】
このインピーダンスの不連続をなくすには、モード変換部１０の下半分のインピーダンス（つまりモード変換用誘電体４におけるインピーダンス）を低く（具体的には、例えば、３１．２Ωに）設定して、等価的に５０Ωになるようにすればよい。
【００９４】
インピーダンスを求める数式（１）を用いて、インピーダンスが３１．２Ωになるようなモード変換用誘電体４の誘電率を求めると、約４．０になる。
【００９５】
つまり、断面が半月状のモード変換用誘電体４は、例えば、誘電率約４．０の材質（たとえばエポキシ樹脂など）により構成すればよいことになる。
【００９６】
このようにモード変換部１０の上半分のインピーダンスを６８．８Ω、モード変換部１０の下半分のインピーダンスを３１．２Ωにすることにより、モード変換部１０のインピーダンスは総合で５０Ωとなり、前後の同軸線路やＭＳＬ６との境界でのインピーダンスの不連続をなくすことができる。
【００９７】
また、モード変換用誘電体４の誘電率を大きく（約４．０に）することにより、図７に示すような電界分布を実現し、無理なくモード変換を行うことができる。
【００９８】
以上のような第１の実施形態によれば、インシュレータ２とＭＳＬ６との間に、上記のような断面半月状のモード変換用誘電体４を備えるので、モード変換用誘電体４の配置領域Ｒ２における電界分布を、ＭＳＬ６の配置領域Ｒ３における電界分布と、インシュレータ２の配置領域Ｒ１における電界分布と、の中間の電界分布とすることができる。よって、同軸線路（図示略）とＭＳＬ線路６との接続部分において、広帯域に亘って反射特性を良好にすることができる。
【００９９】
しかも、特許文献１とは異なり、中心導体１を傾けたり、中心導体１の直径をその長手方向において変化させたりする必要がない。よって、同軸線路とＭＳＬ６との接続部分において、反射特性の劣化を抑えながら、加工性及び組立性の良い接続構造を得ることができる。
【０１００】
〔第２の実施形態〕
図１０は第２の実施形態に係るモード変換機能付同軸コネクタ２００を用いた高周波伝送路の接続構造を示す側断面図である。
【０１０１】
本実施形態に係るモード変換機能付同軸コネクタ２００は、モード変換用誘電体４（図１）に代えてモード変換用誘電体８を備えている点でのみ、上記の第１の実施形態に係るモード変換機能付同軸コネクタ１００と相違し、その他の点では、モード変換機能付同軸コネクタ１００と同様に構成されている。また、図１０に示す接続構造を構成するその他の構成要素（導体シャシ５及びＭＳＬ６）についても、図１と同様である。
【０１０２】
図１１は図１０のＢ−Ｂ矢視断面における誘電体（モード変換用誘電体８）の形状を示す図である。
【０１０３】
本実施形態におけるモード変換用誘電体８は、該モード変換用誘電体８を構成する誘電性材料（例えば、上記の第１の実施形態と同様に、エポキシ樹脂など）の、該モード変換用誘電体８の単位体積当たりにおける充填率が、上部と下部で互いに異なる。
【０１０４】
すなわち、モード変換用誘電体８において、モード変換部１０の下部に位置する部分である第１部分８ａの充填率よりも、モード変換部１０の上部に位置する部分である第２部分８ｂの充填率が、小さく設定されている。
【０１０５】
具体的には、例えば、図１１及び図１０に示すように、第２部分８ｂに開口８２を形成したことにより、第２部分８ｂは第１部分８ａよりも充填率が小さくされている。
【０１０６】
より具体的には、第２部分８ｂには、中心導体１の周囲に沿って複数の開口が蓮根状に形成されている。
【０１０７】
本実施形態の場合、モード変換用誘電体８に開口８２が形成されている分、モード変換部１０の上部における実行誘電率が小さくなるので、モード変換部１０の下部よりも上部の方が電界分布は疎になる。
【０１０８】
なお、モード変換用誘電体８の中心には、中空部８１が形成され、該中空部８１内に中心導体１が配設されている。
【０１０９】
図１２は図１０のＢ−Ｂ矢視断面における電界分布を示す模式図である。
【０１１０】
本実施形態の場合、領域Ｒ２における電界分布は、図１２に示すように、上記の第１の実施形態とほぼ同様となる。
【０１１１】
よって、本実施形態の場合も、第１の実施形態と同様に、良好なモード変換を行うことができる。
【０１１２】
なお、モード変換用誘電体８は、開口８２が形成された分、実効誘電率が小さくなるので、誘電率をインシュレータ２（例えば、誘電率が２．０）よりも大きく設定する（例えば、２．５〜３．０にする）。
【０１１３】
＜実施例２＞
ここで、第２の実施形態に即した実施例２を説明する。
【０１１４】
モード変換用誘電体８以外の構成要素の寸法や材質が、上記の実施例１と同様である場合に、モード変換用誘電体８の開口８２の内径を１ｍｍ、開口８２の数を５個とした場合、モード変換用誘電体８の誘電率は約３．３とすればよい。
【０１１５】
以上のような第２の実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる他に、モード変換用誘電体８の中空部８１内において中心導体１をより安定的に保持できるので、ミリ波帯に使用する場合により精密加工できるといった利点がある。
【０１１６】
なお、上記の第２の実施形態では、モード変換用誘電体８の第２部分８ｂを貫通する開口８２を形成したことにより、第１部分８ａの充填率よりも第２部分８ｂの充填率を小さく設定した例を説明したが、その他にも、例えば、第２部分８ｂにおけるインシュレータ２側の端部は閉塞した開口（図示略：この開口は、凹部と称することもできる）を第２部分８ｂに形成しても良い。或いは、第２部分８ｂを全体に亘って多孔質状に形成しても良い。
【０１１７】
〔第３の実施形態〕
本実施形態では、モード変換機能付同軸コネクタ（上記の第１の実施形態におけるモード変換機能付同軸コネクタ１００や、上記の第２の実施形態におけるモード変換機能付同軸コネクタ２００）を、その他の同軸コネクタと容易に判別できるようにするため、モード変換部１０のモード変換用誘電体（上記の第１の実施形態におけるモード変換用誘電体４や、上記の第２の実施形態におけるモード変換用誘電体８）に、例えば赤や緑の色を付ける。
【０１１８】
色の付け方としては、モード変換部１０のモード変換用誘電体に塗装を施すか、又は、該モード変換用誘電体を着色剤を混入して成型することにより、着色を施すことが挙げられる。
【０１１９】
或いは、色付きシールをモード変換部１０のモード変換用誘電体に添付しても良い。
【０１２０】
以上のような第３の実施形態によれば、モード変換部１０のモード変換用誘電体に塗装を施すことにより、組立時や試験調整時に、一般の同軸コネクタと容易に判別できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】第１の実施形態に係るモード変換機能付同軸コネクタを用いた高周波伝送路の接続構造を示す側断面図である。
【図２】図１に示す高周波伝送路の接続構造の上面図である。
【図３】図１に示す高周波伝送路の接続構造の斜視図である。
【図４】図１のＡ−Ａ矢視断面における誘電体（インシュレータ）の形状を示す図である。
【図５】図１のＡ−Ａ矢視断面における電界分布を示す模式図である。
【図６】図１のＢ−Ｂ矢視断面における誘電体（モード変換用誘電体）の形状を示す図である。
【図７】図１のＢ−Ｂ矢視断面における電界分布を示す模式図である。
【図８】図１のＣ−Ｃ矢視断面における誘電体（ＭＳＬ基板）の形状を示す図である。
【図９】図１のＣ−Ｃ矢視断面における電界分布を示す模式図である。
【図１０】第２の実施形態に係るモード変換機能付同軸コネクタを用いた高周波伝送路の接続構造を示す側断面図である。
【図１１】図１０のＢ−Ｂ矢視断面における誘電体（モード変換用誘電体）の形状を示す図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ矢視断面における電界分布を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１      中心導体
２      インシュレータ
３      外導体
４      モード変換用誘電体
５      導体シャシ
６      ＭＳＬ（マイクロストリップ線路）
６２    線路導体（第２伝送路）
８      モード変換用誘電体
８ａ    第１部分
８ｂ    第２部分
８２    開口
１０    モード変換部
１００  モード変換機能付同軸コネクタ
２００  モード変換機能付同軸コネクタ
【図１】
2009238713.tif 000004
【図２】
2009238713.tif 000005
【図３】
2009238713.tif 000006
【図４】
2009238713.tif 000007
【図５】
2009238713.tif 000008
【図６】
2009238713.tif 000009
【図７】
2009238713.tif 000010
【図８】
2009238713.tif 000011
【図９】
2009238713.tif 000012
【図１０】
2009238713.tif 000013
【図１１】
2009238713.tif 000014
【図１２】
2009238713.tif 000015