(57)【要約】【課題】反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】反応室５１内の電極間のプラズマ放電を用いて複数の被処理体を順次処理する処理部２と、プラズマ放電時に電極にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するセルフバイアス判断部１２と、セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、プラズマ放電を断続的に繰り返し、そのプラズマ放電を繰り返したリトライ回数を複数の被処理体毎に記憶するリトライ回数記憶部３１と、複数の被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室５１のクリーニング時刻を予測する時刻予測部とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室、該反応室内に配置された一対の電極を備え、該一対の電極間のプラズマ放電を用いて複数の被処理体を順次処理する処理部と、
前記プラズマ放電時に前記一対の電極の一方にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するセルフバイアス判断部と、
前記セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、前記プラズマ放電を断続的に繰り返し、該プラズマ放電を繰り返したリトライ回数を前記複数の被処理体毎に記憶するリトライ回数記憶部と、
前記複数の被処理体毎の前記リトライ回数の変動から前記反応室のクリーニング時刻を予測する時刻予測部
とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記複数の被処理体毎のリトライ回数から前記処理部の異常を検知する異常検知部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記予測されたクリーニング時刻を出力する出力装置を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
反応室内の一対の電極間にかかるプラズマ放電を用いて複数の被処理体を順次処理するステップと、
前記プラズマ放電時の前記一対の電極の一方にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するステップと、
前記セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、前記プラズマ放電を繰り返すステップと、
該プラズマ放電を繰り返したリトライ回数を前記複数の被処理体毎にリトライ回数記憶部に記憶させるステップと、
前記複数の被処理体毎の前記リトライ回数の変動から前記反応室のクリーニング時刻を予測するステップ
とを含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記複数の被処理体毎のリトライ回数から前記処理部の異常を判断するステップを更に含むことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記予測されたクリーニング時刻を出力装置に出力させるステップを更に含むことを特徴とする請求項４又は５に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に係り、特に、プラズマ処理装置の反応室のクリーニング時期を正確に予測できるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）装置等のプラズマ処理装置において、高周波電圧によるプラズマ放電を用いてＣＶＤ処理が行われる。プラズマ放電時に、成膜物質、中間生成物、反応性生物等の生成物が反応室（チャンバ）内に付着し、正常にプラズマ放電が発生できなくなる場合がある。この付着した生成物を除去するため、反応室のクリーニング（メンテナンス）が行われる。従来、クリーニングが必要となる時期を正確に予測することは困難であるため、一般的には定期的又は製品の成膜状態に異常が発生した時点で反応室のクリーニングが行われている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかしながら、定期的なクリーニングを行う場合、実際には定期的なクリーニングの周期以上に生産が可能であっても定期的にクリーニングを行うため、装置の生産稼働時間が制限される。又、製品（被処理体）の成膜状態に異常が発生した時点でクリーニングを行う場合、異常の発生時点でその都度ラインを停止していたのでは、生産のスループットが低下するという問題がある。
【特許文献１】特開昭６３−２９７５６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願発明の一態様によれば、（イ）反応室、この反応室内に配置された一対の電極を備え、一対の電極間のプラズマ放電を用いて複数の被処理体を順次処理する処理部と、（ロ）プラズマ放電時に一対の電極の一方にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するセルフバイアス判断部と、（ハ）セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、プラズマ放電を断続的に繰り返し、そのプラズマ放電を繰り返したリトライ回数を複数の被処理体毎に記憶するリトライ回数記憶部と、（ニ）複数の被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室のクリーニング時刻を予測する時刻予測部とを備えるプラズマ処理装置が提供される。
【０００６】
本願発明の他の態様によれば、（イ）反応室内の一対の電極間にかかるプラズマ放電を用いて複数の被処理体を順次処理するステップと、（ロ）プラズマ放電時の一対の電極の一方にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するステップと、（ハ）セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、プラズマ放電を繰り返すステップと、（ニ）そのプラズマ放電を繰り返したリトライ回数を複数の被処理体毎にリトライ回数記憶部に記憶させるステップと、（ホ）複数の被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室のクリーニング時刻を予測するステップとを含むプラズマ処理方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、反応室のクリーニング時期を正確に予測でき、生産のスループットを向上可能なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【０００９】
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【００１０】
（プラズマ処理装置）
本発明の実施の形態においては、プラズマ処理装置の一例として、プラズマＣＶＤ装置を説明する。本発明の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、図１及び図２に示すように、反応室（チャンバ）５１、反応室（チャンバ）５１内に配置された一対の電極５３，５２を備え、一対の電極５３，５２間のプラズマ放電を用いて複数の被処理体（ワーク）を順次処理する処理部２と、プラズマ放電時に一対の電極５３，５２の一方（上部電極５２）にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するセルフバイアス判断部１２と、セルフバイアスの値が正常値であると判断されるまで、プラズマ放電を断続的に繰り返し、繰り返したリトライ回数を複数の被処理体毎に記憶するリトライ回数記憶部３１と、複数の被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室５１のクリーニング時刻を予測する時刻予測部１４とを備える。
【００１１】
セルフバイアス判断部１２及び時刻予測部１４は、ハードウェア資源であるモジュール（論理回路）として中央演算処理装置（ＣＰＵ）１に論理的に備えられている。ＣＰＵ１は、更にプロセス制御部１１及び異常検知部１３をハードウェア資源であるモジュール（論理回路）として備える。プロセス制御部１１は、処理部２による被処理体の処理を制御する信号を処理部２に出力する。異常検知部１３は、被処理体毎のリトライ回数からプロセス異常の発生の有無を判断する。ＣＰＵ１には、処理部２、記憶装置３、入力装置４１及び出力装置４２が接続されている。
【００１２】
図２に示すように、処理部２は、反応室（チャンバ）５１にそれぞれ設けられたガス導入部２１及び排気部２２、反応室（チャンバ）５１の内部に配置されたヒータ２３、反応室（チャンバ）５１の外部にそれぞれ配置された高周波電源２４、整合回路２５及びアナログ／デジタル（ＡＤ）変換器２６を備える。図２に示すように、電極（下部電極）５３は、被処理体（ワーク）５０を保持する基板保持台を兼ねている。電極５３の下面にはシャフト５４が接続されている。ガス導入部２１は反応室５１内にプロセスガスやパージガスを導入する。排気部２２としてはターボ分子ポンプやメカニカルブースタポンプ等が使用可能であり、反応室５１内を真空排気する。ヒータ２３としてはプレートヒータ等が使用可能であり、加熱により被処理体５０を所定温度に保つ。高周波電源２４は、電極（上部電極）５２に高周波電圧を印加する。整合回路２５は、図示を省略した可変コンデンサやコイルで構成され、電極５２，５３間でのプラズマ放電の自動インピーダンス整合を行う。整合回路２５は、プラズマ放電時に電極５２にかかるセルフバイアスの値を測定する測定回路２７を備える。測定回路２７は図示を省略した抵抗等で構成される。なお、測定回路２７は整合回路２５の外部に接続されていても良い。測定回路２７はＡＤ変換器２６に接続されている。ＡＤ変換器２６は、測定回路２７により測定されたセルフバイアスをＡＤ変換し、ＣＰＵ１に入力する。
【００１３】
本発明の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置を用いた成膜処理においては、電極５２，５３間でのプラズマ放電を用いて被処理体５０上に成膜を行う。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）、燐ガラス（ＰＳＧ）膜、硼素ガラス（ＢＳＧ）膜、硼素燐ガラス（ＢＰＳＧ）膜、シリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜）又はポリシリコン膜等を被処理体５０上に成膜することができる。
【００１４】
被処理体５０としては、半導体装置や太陽電池を製造する場合にはシリコン（Ｓｉ）等の半導体基板等が使用可能である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が被処理体５０として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板の上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【００１５】
図３に示すように、プラズマ放電により反応室５１の内壁や電極５２等に成膜物質、中間生成物、反応性生物等の生成物６１が付着して、適正な電極５２，５３間の距離を保てなくなったり、絶縁が劣化することにより正常にプラズマ放電ができなくなる場合がある。この状態において、高周波電源２４による高周波電圧の印加を一旦停止し、一定時間経過後に再度高周波電圧を印加すると、プロセスガスの流れの変化等により正常に放電する場合がある。又、プラズマ放電時間が長くなること等により反応室５１内部の付着物が多くなるほど、正常にプラズマ放電しにくくなる傾向がある。
【００１６】
そこで、プラズマ放電が正常に行われなかった場合、高周波電圧が印加された電極（上部電極）５２にかかるセルフバイアスの値が正常値とならないので、プラズマ放電毎にセルフバイアスの値が正常値か否かを判断し、セルフバイアスの値が正常値と判断されるまで、再度プラズマ放電させる（リトライする）ことを一定時間間隔をあけて断続的に繰り返す。
【００１７】
図１に示した記憶装置３は、リトライ回数記憶部３１、閾値記憶部３２及びプログラム記憶部３３を備える。リトライ回数記憶部３１は、セルフバイアスの値が正常値と判断されるまでに高周波電圧を印加しプラズマ放電を繰り返したリトライ回数を被処理体毎に記憶する。閾値記憶部３２は、リトライ回数に対する閾値を記憶する。閾値は、プラズマＣＶＤ装置の種類や成膜条件等により適宜設定可能である。
【００１８】
記憶装置３としては、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスクや磁気テープ等が採用可能である。半導体メモリとしては、例えば、ＲＯＭ及びＲＡＭが採用可能である。ＲＯＭは、ＣＰＵ１において実行されるプログラムを格納しているプログラム記憶部３３等として機能させることが可能である（プログラムの詳細は後述する。）。ＲＡＭは、ＣＰＵ１におけるプログラム実行処理中に利用されるデータ等を一時的に格納したり、作業領域として利用される一時的なデータメモリ等として機能させることが可能である。
【００１９】
セルフバイアス判断部１２は、ＡＤ変換器２６によりＡＤ変換されて入力されたセルフバイアスの値が正常値であるか否かを判断する。セルフバイアスの値が正常値か否かを判断するための基準値は、記憶装置３に記憶させておき、適宜読み出しても良い。セルフバイアスの値が正常値ではないと判断された場合、一定時間間隔をあけて高周波電圧を印加しプラズマ放電が繰り返される。プラズマ放電を行う間隔はプラズマＣＶＤ装置の仕様や成膜条件等により適宜設定可能である。
【００２０】
異常検知部１３は、リトライ回数記憶部３１から読み出したリトライ回数と、閾値記憶部３２から読み出した閾値とを比較し、被処理体毎のリトライ回数が閾値より多い場合、そのプロセス特有の異常が発生したことを検知し、出力装置４２にエラー表示させる。プラズマ放電時間が長くなるにつれて反応室５１内部の付着物が多くなる。このため、正常にプラズマが発生しにくくなり、セルフバイアスの値が正常にならずに結果として被処理体毎のリトライ回数が徐々に増加していくが、プロセス特有の異常が発生したときにはリトライ回数が急激に増加する場合がある。異常検知部１３によりプロセス特有の異常を検知して、これを除くことができる。なお、リトライ回数と比較する閾値は、プラズマＣＶＤ装置の仕様や成膜条件等により適宜設定可能である。
【００２１】
図４に被処理体毎のリトライ回数の一例を示す。仮に、閾値が現在処理している被処理体を含めた直近の３回分の被処理体毎のリトライ回数の合計であり１０回と設定されているとする。３番目の被処理体の処理時には、３番目のリトライ回数を含めた直近の１〜３番目の被処理体のリトライ回数がそれぞれ０回、１回、１回であり、その合計は２回となり、閾値の１０回と比較すると閾値以下であるので、再度高周波電圧を印加しプラズマ放電を繰り返す。一方、７番目の被処理体の処理時には、５番目のリトライ回数を含めた５〜７番目の被処理体のリトライ回数がそれぞれ３、５、６回であり、被処理体のリトライ回数の合計は１４回となり、閾値の１０回と比較すると閾値よりも大きいので、プロセス特有の異常が発生したと判断する。この場合、異常検知部１３は、出力装置４２のモニタにエラー表示させる等して、異常が発生したことを出力装置４２に出力させる。
【００２２】
時刻予測部１４は、リトライ回数記憶部３１から読み出した被処理体毎のリトライ回数の変動から、反応室５１のクリーニング時刻を予測する。図５に、前回のクリーニング後から積算した放電時間と、一定放電開通あたりのリトライ回数との関係を示すグラフを示す。図５に実線で示すように、生産限界、生産限界までの生産可能な放電時間、生産限界から生産余力分の放電時間を差し引いた反応室５１のクリーニング時刻を当初予測している。なお、生産余力分の放電時間をどれくらいとるかは適宜設定可能である。
【００２３】
プロセス条件や反応室５１の内部状態により生産限界や生産限界までの生産可能な放電時間は、実線で示した当初予測したモデルから変動する場合がある。例えば、当初予測されたよりも反応室５１内に付着した生成物が多いとき等には、被処理体毎のリトライ回数が当初予測されたリトライ回数よりも急激に増加するので、図５の右側の点線で示すように当初予測されたクリーニング時刻よりも時刻ΔＴ１だけ早いクリーニング時刻が時刻予測部１４によりリアルタイムに予測される。逆に、当初予測されたより反応室５１内に付着した生成物が少ない場合等には、被処理体毎のリトライ回数が当初予測されたリトライ回数よりも緩やかに増加するので、図５の左側の点線で示すように当初予測されたクリーニング時刻よりも時刻ΔＴ２だけ遅いクリーニング時刻が時刻予測部１４によりリアルタイムに予測される。
【００２４】
入力装置４１としては、例えばキーボード、マウス、ＯＣＲ等の認識装置、スキャナ、カメラ等の画像入力装置、マイク等の音声入力装置等が使用可能である。出力装置４２としては、液晶ディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ等の表示装置や、インクジェットプリンタ、レーザプリンタ等の印刷装置等を用いることができる。
【００２５】
（プラズマ処理方法）
次に、本発明の実施の形態に係るプラズマＣＶＤ装置の処理方法を図６のフローチャートを参照しながら説明する。
【００２６】
（イ）ステップＳ１１において、被処理体（ワーク）５０を反応室５１内に搬入する。ステップＳ１２において、反応室５１内を排気部２２により真空排気する。ステップＳ１３において、ガス導入部２１から反応室５１内にプロセスガスを導入する。ステップＳ１４において、反応室５１内を所定圧力に調整する。ステップＳ１５において、高周波電源２４により電極５２，５３間に高周波電圧を印加し、プロセスガスのプラズマを発生させる。ステップＳ１６において、整合回路２５が自動インピーダンス整合を行う。ステップＳ１７において測定回路２７が電極５２にかかるセルフバイアスの値を測定し、測定されたセルフバイアスの値をＡＤ変換器２６がＡＤ変換し、ＣＰＵ１に入力する。
【００２７】
（ロ）セルフバイアス判断部１２が、記憶装置３から読み出した基準値に基づいて、ＡＤ変換器２６により入力されたセルフバイアスの値が正常値であるか判断する。セルフバイアスの値が正常値と判断したら成膜プロセスを続行し、成膜プロセスが終了したらステップＳ１８に進み後処理を行う。ステップＳ１９において、被処理体５０を反応室５１内から搬出する。その後、次に処理を予定している所定のロット数の被処理体に対してステップＳ１１から繰り返す。
【００２８】
（ハ）一方、ステップＳ１７においてセルフバイアスの値が正常値ではないと判断された場合、ステップＳ２１において、異常検知部１３が、リトライ回数記憶部３１から読み出したリトライ回数と、閾値記憶部３２から読み出した閾値とを比較する。ステップＳ２１においてリトライ回数が閾値よりも多い場合には、プロセス特有の異常が発生したことを検知し、ステップＳ２２において異常検知部１３が出力装置４２にエラー表示させる。ステップＳ２３において成膜プロセスを中断し、異常処置を行う。
【００２９】
（ニ）一方、ステップＳ２１においてリトライ回数が閾値よりも少ない場合には、ステップＳ２４においてリトライ回数記憶部３１にリトライ回数を１増加させて記憶させる。ステップＳ２５において、再度高周波電圧を印加しプラズマ放電する（リトライする）ための準備を行う。ステップＳ２６において、時刻予測部１４が、リトライ回数記憶部３１から読み出した被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室５１のクリーニング時刻を予測する。ステップＳ２７において、時刻予測部１４が予測されたクリーニング時刻を出力装置４２に出力させ、使用者に通知する。ステップＳ１５に戻り、再び高周波電圧を印加しプラズマ放電する（リトライする）。このように、セルフバイアスの値が正常と判断されるまで断続的にプラズマ放電を繰り返す。
【００３０】
以上説明したように、本発明の実施の形態によれば、累積的な被処理体毎のリトライ回数の変動から生産限界、生産限界までの生産可能な放電時間及び反応室５１のクリーニング時刻がリアルタイムに予測できるため、生産計画を立てることが容易となる。又、正確な生産限界を予測できるので、生産限界の直前までプラズマＣＶＤ装置を稼働でき、生産余力を小さくすることができるため、生産のスループットを向上可能となる。
【００３１】
なお、ステップＳ２６のクリーニング時刻の予測及びステップＳ２７の予測されたクリーニング時刻の出力は、ステップＳ２５の高周波電圧を印加するための準備の後に行う場合を説明したが、ステップＳ２６のクリーニング時刻の予測及びステップＳ２７の予測されたクリーニング時刻の出力を行うタイミングは特に限定されず、例えばステップＳ１１〜Ｓ２５の処理と並行して行っても良い。
【００３２】
（プログラム）
又、図６に示した一連の手順、即ち：反応室５１内の電極５２，５３間のプラズマ放電時に電極５２にかかるセルフバイアスの値が正常値か否かを判断するステップ；セルフバイアスの値が正常値でないと判断した場合に高周波電源２４により高周波電圧を印加しプラズマ放電を繰り返すステップ；プラズマ放電を繰り返したリトライ回数を被処理体毎にリトライ回数記憶部３１に記憶させるステップ；被処理体毎のリトライ回数の変動から反応室５１のクリーニング時刻を予測するステップ；等は、図６と等価なアルゴリズムのプログラムにより、図１に示したプラズマＣＶＤ装置を制御して実行できる。
【００３３】
このプログラムは、本発明のプラズマＣＶＤ装置を構成するコンピュータシステムのプログラム記憶部３３に記憶させればよい。又、このプログラムは、コンピュータ読取り可能な記録媒体に保存し、この記録媒体をプラズマＣＶＤ装置のプログラム記憶部３３に読み込ませることにより、本発明の実施の形態の一連の手順を実行することができる。
【００３４】
ここで、「コンピュータ読取り可能な記録媒体」とは、例えばコンピュータの外部メモリ装置、半導体メモリ、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、磁気テープなどのプログラムを記録することができるような媒体などを意味する。具体的には、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＭＯディスクなどが「コンピュータ読取り可能な記録媒体」に含まれる。例えば、プラズマＣＶＤ装置の本体は、フレキシブルディスク装置（フレキシブルディスクドライブ）および光ディスク装置（光ディスクドライブ）を内蔵若しくは外部接続するように構成できる。
【００３５】
フレキシブルディスクドライブに対してはフレキシブルディスクを、また光ディスクドライブに対してはＣＤ−ＲＯＭをその挿入口から挿入し、所定の読み出し操作を行うことにより、これらの記録媒体に格納されたプログラムをプログラム記憶部３３にインストールすることができる。又、所定のドライブ装置を接続することにより、例えばＲＯＭや、磁気テープ装置を用いることもできる。さらに、インターネット等の情報処理ネット被処理体を介して、このプログラムをプログラム記憶部３３に格納することが可能である。
【００３６】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３７】
例えば、図１では平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を説明したが、プラズマＣＶＤ装置の種類は特に限定されない。又、プラズマ処理装置としてプラズマＣＶＤ装置を説明したが、プラズマエッチング装置等のプラズマ放電を用いて処理可能な装置であれば適用可能である。
【００３８】
又、閾値として直近の３つの被処理体毎のリトライ回数の合計が１０回以下という値を用いたが、特に限定されない。例えば、１つの被処理体のリトライ回数に対する閾値であっても良いし、２つ又は４つ以上の被処理体毎のリトライ回数の合計に対する閾値であっても良い。
【００３９】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の一例を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る処理部の構造の一例を示す概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る処理部の構造の一例を示す概略図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る被処理体毎のリトライ回数を表す表である。
【図５】本発明の実施の形態に係る放電時間とリトライ回数の関係を示すグラフである。
【図６】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００４１】
１…中央演算処理装置（ＣＰＵ）
２…処理部
３…記憶装置
１１…プロセス制御部
１２…セルフバイアス判断部
１３…異常検知部
１４…時刻予測部
２１…ガス導入部
２２…排気部
２３…ヒータ
２４…高周波（ＲＦ）電源
２５…整合回路
２６…アナログ／デジタル（ＡＤ）変換器
２７…測定回路
３１…リトライ回数記憶部
３２…閾値記憶部
３３…プログラム記憶部
４１…入力装置
４２…出力装置
５０…被処理体
５１…反応室
５２…電極
５３…基板保持台（電極）
５４…シャフト
６１…生成物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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