(57)【要約】【課題】残存金属層に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合を抑制できる画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスクを提供する。【解決手段】  露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第１露光工程の後、前記露光マスクを前記第１露光工程における前記素子基板との位置関係とは異なる位置に配置して露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第２露光工程を備えており、前記第４工程において、前記レジストのうち、各画素部の外形または各パターンの外形に対応する部分には、前記第１露光工程及び前記第２露光工程のうち、いずれか一方でのみ光が照射されるとともに、前記平坦化膜のエッジ部に対応する部分には、前記第１露光工程および前記第２露光工程のいずれでも光が照射されることを特徴とする。【選択図】  図１
2009110793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に回路層及び平坦化膜を順次形成する第１工程と、
前記平坦化膜上に、導電性膜を形成する第２工程と、
前記導電性膜上に、レジストを塗布する第３工程と、
前記レジストが塗布された前記素子基板に、露光マスクを介して光を照射し、その後、前記レジストを所定形状に現像する第４工程と、
前記第４工程の後、前記導電性膜に対してエッチングを施すことにより、前記導電性膜を少なくとも複数の画素部または周期的なパターンに加工する第５工程と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
前記第４工程は、露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第１露光工程の後、
前記露光マスクを前記第１露光工程における前記素子基板との位置関係とは異なる位置に配置して露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第２露光工程を備えており、
前記第４工程において、前記レジストのうち、各画素部の外形または各パターンの外形に対応する部分には、前記第１露光工程及び前記第２露光工程のうち、いずれか一方でのみ光が照射されるとともに、前記平坦化膜のエッジ部に対応する部分には、前記第１露光工程および前記第２露光工程のいずれでも光が照射されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記露光マスクは、前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する第１パターンと、該第１パターンよりも面積が広い第２パターンを備えており、
前記第４工程において、前記第１パターン及び前記第２パターンのいずれか一方を前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射した後、他方のパターンを当該1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射することにより、前記レジストの画素部の外形または周期的なパターンの外形に対応する部分に、前記第１露光工程又は前記第２露光工程のいずれか一方でのみ光が照射されることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
素子基板上に回路層及び平坦化膜を順次形成する第１工程と、
前記平坦化膜上に、導電性膜を形成する第２工程と、
前記導電性膜上に、レジストを塗布する第３工程と、
前記レジストが塗布された前記素子基板に、露光マスクを介して光を照射し、その後、前記レジストを所定形状に現像する第４工程と、
前記第４工程の後、前記導電性膜に対してエッチングを施すことにより、前記導電性膜を少なくとも複数の画素部または周期的なパターンに加工する第５工程と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
前記第４工程は、露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第１露光工程の後、
前記露光マスクを前記第１露光工程における前記素子基板との位置関係とは異なる位置に配置して露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第２露光工程を備えており、
前記露光マスクは、前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する第１パターンと、該第１パターンよりも面積が広い第２パターンを備えており、
前記第４工程において、前記第１パターン及び前記第２パターンのいずれか一方を前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射した後、他方のパターンを当該1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射することにより、前記レジストの画素部の外形または周期的なパターンの外形に対応する部分に、前記第１露光工程又は前記第２露光工程のいずれか一方でのみ光が照射されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第３工程において、前記レジストは、前記平坦化膜のエッジ部に対応する部分が他の部分よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第４工程において、前記露光マスクを上面視において、前記第１露光工程の後に、縦および／または横に前記画素部または周期的パターンのピッチの整数倍、平行に移動させて配置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記レジストが他の箇所より厚く形成されている部分は、第１露光工程および第２露光工程のどちらも光が照射される箇所に位置することを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記回路層と前記平坦化膜との間には、下部絶縁膜が形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７に記載の画像表示装置の製造方法に用いる露光マスクであって、
前記レジストの最終の形状よりも被覆面積が広いとともに、第１配置で露光した後に、第２配置で露光することにより、前記レジストが最終形状となるように設計されていることを特徴とする露光マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストを所定形状に形成する露光工程において、複数の露光マスクを使用することなく、平坦化膜上における不要な金属層の残存を抑制する画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ表示装置は、発光素子を多数形成した素子基板に封止基板を被せて、封止材を用いて素子基板と封止基板とを接着し、これによって形成されたマザー基板を個々の表示装置に切断することにより作製している。そして、有機ＥＬ表示装置においては、個々の表示装置の素子基板における少なくとも１辺の周辺部に、ドライブＩＣが実装される回路層、あるいはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部接続部材等が電気的に接続される回路層が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、このような有機ＥＬ表示装置においては、発光素子の下部電極は平坦であることが望まれている。しかし、発光素子の下側（素子基板側）には種々の画像回路が設けられた回路が設けられてれおり、該回路層の表面は平坦ではない。そこで回路基板上に例えば、有機感光剤等の平坦化膜を設けて、該平坦化膜上に下部電極を形成している。
【０００４】
ここで、従来の有機ＥＬ装置について図面を参照して簡単に説明する。まず、図２０に示すように、素子基板２１２上に回路層２１８を形成し、該回路層２１８を絶縁するために該回路層２１８を覆うように下部絶縁膜２２０を形成する。次に、下部絶縁膜２２０上に有機膜からなる絶縁性膜を形成し、該絶縁性膜を露光マスクを用いて露光し、さらに現像、ベークを行って所定形状の平坦化膜２２２を形成する。
【０００５】
さらに、図２１に示すように、下部電極２２４となる導電性膜２２４ａを素子基板２１２上の一面に形成し、該導電性膜２２４ａ上にレジスト３０２を塗布する。次いで露光マスク３０４を用いて該レジスト３０２を露光し、さらに現像、ベークを行って図２２に示すような所定の形状のパターニングしたレジスト３０２を得る。
【０００６】
そして、図２３に示すように、このパターニングしたレジスト３０２をエッチングマスクとして用いて導電性膜２２４ａのエッチングを行い、平坦化膜２２２上に所定の形状の下部電極２２４を形成する。その後、図２４に示すように、レジスト３０２を除去する。
【０００７】
上記の製造方法においては、平坦化膜２２２は、その後のフォトリソグラフィー工程で用いられるレジスト３０２と同じオーダーの膜厚であるため、その後の工程でレジストの露光残りやそれによる残膜が生じることがある。そして、平坦化膜２２２の側面におけるエッジ部３１０にレジスト残３０２ａが発生することにより、該レジストパターンによってエッチングされる発光素子の下部電極用である導電性膜において、意図しない金属残存層２２４ｂが発生するという問題があった。
【０００８】
そこで、出願人は、上記問題を解決する方法として、平坦化膜のエッジ部の上端部と下端部とを結んだ斜線と素子基板との上面とのなす角度を４５°以下とすることにより、平坦化膜上における不要な金属層の残存を抑制し、該残存金属層に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合が抑制された画像表示装置を提案した（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００５−７８９４６号
【特許文献２】特開２００７−１７２８７３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記特許文献２の方法の他に、上記問題を解決する方法として、露光マスクで前記エッジ部のレジスト残が除去されるまでの時間露光する方法が考えられる。しかしながら、この方法では、露光時間が長くなることにより、精度の求められる画素部において露光の入り込みにより設計していた平坦化膜よりも小さくなってしまうという問題があった。
【００１０】
また、第１の露光マスクで露光した後に、前記エッジ部に対応した箇所を露光する第２の露光マスクを取り付けて露光を行う、いわゆる二重露光により前記エッジ部におけるレジスト残を除去することが考えられる。しかしながら、当該方法においては、異なる露光マスクが必要となるため、コストが向上してしまう。さらに、回路層や電極層のパターンは数μｍ単位の大きさであり、第１露光工程と第２露光工程において、露光マスクの位置ずれが数μｍあるため、精度の求められる画素部の輪郭が小さくなってしまうという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記問題点に鑑み、複数の露光マスクを使用することなく、平坦化膜上における不要な金属層の残存を抑制することにより、該残存金属層に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合を抑制できる画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る画像表示装置の製造方法は、素子基板上に回路層及び平坦化膜を順次形成する第１工程と、前記平坦化膜上に、導電性膜を形成する第２工程と、前記導電性膜上に、レジストを塗布する第３工程と、前記レジストが塗布された前記素子基板に、露光マスクを介して光を照射し、その後、前記レジストを所定形状に現像する第４工程と、前記第４工程の後、前記導電性膜に対してエッチングを施すことにより、前記導電性膜を少なくとも複数の画素部または周期的なパターンに加工する第５工程と、を備えた画像表示装置の製造方法において、前記第４工程は、露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第１露光工程の後、前記露光マスクを前記第１露光工程における前記素子基板との位置関係とは異なる位置に配置して露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第２露光工程を備えており、前記第４工程において、前記レジストのうち、各画素部の外形または各パターンの外形に対応する部分には、前記第１露光工程及び前記第２露光工程のうち、いずれか一方でのみ光が照射されるとともに、前記平坦化膜のエッジ部に対応する部分には、前記第１露光工程および前記第２露光工程のいずれでも光が照射されることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明に係る他の画像表示装置の製造方法は、素子基板上に回路層及び平坦化膜を順次形成する第１工程と、前記平坦化膜上に、導電性膜を形成する第２工程と、前記導電性膜上に、レジストを塗布する第３工程と、前記レジストが塗布された前記素子基板に、露光マスクを介して光を照射し、その後、前記レジストを所定形状に現像する第４工程と、前記第４工程の後、前記導電性膜に対してエッチングを施すことにより、前記導電性膜を少なくとも複数の画素部または周期的なパターンに加工する第５工程と、を備えた画像表示装置の製造方法において、前記第４工程は、露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第１露光工程の後、前記露光マスクを前記第１露光工程における前記素子基板との位置関係とは異なる位置に配置して露光マスクを介して前記レジストに光を照射する第２露光工程を備えており、前記露光マスクは、前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する第１パターンと、該第１パターンよりも面積が広い第２パターンを備えており、前記第４工程において、前記第１パターン及び前記第２パターンのいずれか一方を前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射した後、他方のパターンを当該1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射することにより、前記レジストの画素部の外形または周期的なパターンの外形に対応する部分に、前記第１露光工程又は前記第２露光工程のいずれか一方でのみ光が照射されることを特徴とするものである。
【００１４】
また、上記発明において前記露光マスクは、第４工程において、前記露光マスクを上面視において、前記第１露光工程の後に、縦および／または横に前記画素部または周期的パターンのピッチの整数倍、平行に移動させて配置することが好ましい。
【００１５】
さらに、本発明における露光マスクは、上記本発明の画像表示装置用いるものであり、前記レジストの最終の形状よりも被覆面積が広いとともに、第１配置で露光した後に、第２配置で露光することにより、前記レジストが最終形状となるように設計されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明を用いることにより、開口形状の異なる２種類以上の露光マスクを用いることなく平坦化膜のエッジ部に形成されてしまうレジスト残を効果的に除去することができる。そのため、露光マスクの製作コストを増加させることなく、残存金属層に起因した短絡、誤動作、電圧低下等の不具合を抑制できる画像表示装置を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に本発明にかかる画像表示装の製造方法の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、図面は本発明の理解を容易にするための概略図であり、実際の寸法および縮尺とは異なる場合がある。
【００１８】
図１〜図３は、本発明にかかる画像表示装置の製造方法により作製された画像表示装置であり、例えば携帯情報端末などの表示部に用いられる有機ＥＬ表示装置の概略構成を示すものである。図１は、有機ＥＬ表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。また、図３は有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【００１９】
図１〜図３に示すように、有機ＥＬ表示装置は、素子基板１２と、有機ＥＬ素子を素子基板１２上にマトリクス状に配列してなる表示領域１０と、ガラス等からなるとともに基板に対向して設けられた封止基板１４と、を備えている。
【００２０】
封止基板１４は透明の基板からなり、例えばプラスチックやガラスを用いることができる。素子基板１２も、例えばプラスチックやガラスを用いることができるが、トップエミッションの有機ＥＬ表示装置においては、素子基板１２は透明性の基板でなくても良い。
【００２１】
また、素子基板１２と封止基板１４との間には、表示領域１０を取り込み、素子基板１２を封止基板１４とを接合（接着）するための封止材１６が備えられている。これにより、表示領域１０は、素子基板１２と封止材１６とにより外気から遮断される形で封止されている。封止材１６としては、例えば光硬化性または熱硬化性のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂等をそれぞれ用いることができる。
【００２２】
素子基板１２上には、各種回路（図示せず）が形成された第１回路層１８が形成されている。また、素子基板１２の周囲辺のうちの一辺側には、封止基板１４よりも外方に突出した突出領域が設けられ、有機ＥＬ素子を点灯駆動するためのドライバＩＣが実装され、ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される第２回路層３２が該突出領域に設けられている。
【００２３】
また、第１回路層１８と第２回路層３２を絶縁するために第１回路層１８上および第２回路層３２上に下部絶縁膜２０が形成されている。そして、第１回路層１８上の平坦化を行うために第１回路層１８上の下部絶縁膜２０を覆って平坦化膜２２が形成され、該平坦化膜２２の上に有機ＥＬ素子２３が形成されている。
【００２４】
次に本発明に係る画像表示装置の製造方法として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて、図面を参照して以下に説明する。
【００２５】
まず、図４に示すように、素子基板１２および封止基板１４を準備する。素子基板１２および封止基板１４としては、例えばガラスなどの光透過性の基板を準備する。そして、各種回路（図示せず）が形成された第１回路層１８を素子基板１２上に形成する。また、素子基板１２の周囲辺のうちの一辺には、有機ＥＬ素子２３を点灯駆動さえるためのドライバが実装される。ＦＰＣ等の外部接続部材が電気的に接続される第２回路層３２を形成する。次に、第１回路層１８および第２回路層３２を絶縁するために第１回路層１８および第２回路層３２を覆うように、第１回路層１８上および第２回路層３２上に下部絶縁膜２０を形成する。そして、第１回路層１８上、第２回路層３２上および下部絶縁膜２０上に有機膜からなる絶縁性膜２２ａを形成する。
【００２６】
そして、図５に示すように露光マスク１００を用いて有機膜からなる絶縁性膜２２ａに対して露光及び現像を行う。これにより、露光マスク１００に覆われていない絶縁性膜２２ａが除去される。次に、露光工程を終えた素子基板に対して、ベークを行って、図６に示すような平坦化膜２２を形成する。
【００２７】
次に、図７に示すように、下部電極２４となる導電性膜２４ａを形成し、該導電性膜２４ａ上にレジスト１０２を塗布する。そして、図８に示すように、露光マスク１０４を取付け、レジスト１０２に対して光を照射する（第１露光工程）。これにより、前記露光マスク１０４に覆われていないレジスト１０２が感光される。このとき、図９に示すように、感光部１０２ｂが形成されるが、平坦化膜２２のエッジ部４０に対応する位置にレジスト１０２が感光されずに残ってしまった残レジスト１０２ａ部分が発生する可能性がある。
【００２８】
その後、図１０に示すように、第１露光工程で用いた露光マスク１０４を所定幅移動させて取付け、再度レジスト１０２に対して光を照射する（第２露光工程）。これにより、レジスト残１０２ａも感光させることができ、現像することにより前記レジスト残１０２ｂを除去することができる。これにより、図１１に示すように、前記第１露光工程でレジスト残１０２ａが発生した場合であっても、当該レジスト残１０２ａを効果的に除去することができる。なお、一実施形態においては、前記露光マスク１０４を移動させたが、露光マスク１０４を固定した状態で素子基板１２を移動させても良い。即ち、露光マスク１０４と素子基板１２を第１露光工程における位置関係から相対的に移動させれば良い。
【００２９】
上述の第１露光工程、第２露光工程およびこれらの工程で使用する露光マスク１０４について、図１７〜図１９を用いて詳細に説明する。図１７は、本発明にかかる露光マスクの上面図であり、図１８は、本発明における、第１露光工程および第２露光工程による光の当たり方を示す上面図であり、図１９は、第１露光工程および第２露光工程を経て作成されたレジスト１０２の上面図である。
【００３０】
図１７に示すように、本発明にかかる露光マスクは１０４、図１９に示すレジストの最終の形状よりも面積が広く形成されている。具体的には、複数の画素部を形成できる形状を有しており、１つの画素部の外形を模る第１パターン４５と、該第１パターン４５と隣合うと共に第１パターン４５よりも面積の広い第２パターン４６とを有している。また、これら第１画素マスク４５及び第２画素マスクが交互に配列されている。そして、露光マスクを用いて、第１露光工程を行った後に、上面視において、露光マスクを平行に１画素部分移動させて露光することにより、前記レジストが最終形状となるように設計されている。
【００３１】
当該工程では、レジスト１０２の上方に露光マスク１０４を配置して、レジストに対して光を照射すると、図１７に記載の露光マスク１０４と略同一の形状のレジスト１０２が形成されることとなる。次に、同一の露光マスク１０４を所定の位置、具体的には、図１８における右側方向に平行に移動させて取付け、レジスト１０２に対して露光を行う。これにより、レジスト１０２およびレジスト１０２の下に形成された導電性膜２４ａにおいて、レジスト１０２は、第１露光工程のみ光が照射される箇所（図１８におけるＡ）、第２露光工程のみ光が照射される箇所（図１８におけるＢ）、第１露光工程および第２露光工程のどちらとも光が照射されない箇所（図１８におけるＣ）、第１露光工程および第２露光工程のどちらも光が照射される箇所（図１８におけるＤ）を有することとなる。
【００３２】
また、レジスト残１０２ａが発生する箇所、すなわち、レジスト１０２が他の箇所より厚く形成されているエッジ部４０を、第１露光工程および第２露光工程のどちらも光が照射される箇所（図１８におけるＤ）に配置することにより、異なる露光マスクを用いることなく、レジスト残を除去することが可能となる。また、レジストの精度が求められる画素部の外形に対応する箇所においては、第１露光工程のみ光が照射される箇所（図１８におけるＡ）、第２露光工程のみ光が照射される箇所（図１８におけるＢ）のどちらかに位置させることにより、長時間の露光工程による光の入り込みを抑制することができ、所望の形状よりもレジスト１０２が小さくなるという問題がなくなる。
【００３３】
上述のような第１露光工程および第２露光工程を経ることにより、図１９に示すような所定のレジスト形状を容易に作製することができる。
【００３４】
なお、前記露光マスク１０４の第１パターンおよび第２パターンは、画素部に対応するもの以外として、周期的なパターンに対応するものにも応用することができる。即ち、前記第１パターン及び前記第２パターンのいずれか一方を前記1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射した後、他方のパターンを当該1つの画素部または周期的なパターンに対応する位置に配置して光を照射することにより、前記レジストの画素部または周期的なパターンに対応する部分の外形に、前記第１露光工程又は前記第２露光工程のいずれか一方でのみ光が照射される
また、上記のように、前記露光マスク１０４を上面視において、１画素分平行に移動させるもののみならず、第１露光工程の後に、前記画素部または周期的パターンのピッチ整数倍、平行に移動させて配置してもよい。
【００３５】
次に、図１１に示すように、上記第１露光工程および第２露光工程によりパターニングしたレジスト１０２をエッチングマスクとして用い、導電性膜２４ａに対してエッチングを行い、図１２に示すように、所定形状の下部電極２４を形成する。次いで、図１３に示すように下部電極２４上のレジスト１０２を除去する。
【００３６】
このとき、上述したように、本発明によれば平坦化膜２２のエッジ部４０を含む位置に不要なレジスト残１０２ａが残らないため、導電性膜２４ａのエッチング時に、レジスト残に起因した金属残存層（残存導電性膜）が発生しない。そのため、所定形状の下部電極２４が得られる。
【００３７】
その後、図１４に示すように、下部絶縁膜２０上、平坦化膜２２上および下部電極２４上に、上部絶縁膜２６となる絶縁膜２６ａを形成する。そして、露光マスク１０６を取付けて絶縁膜２６ａに対して光を照射した後に現像を行い、露光マスク１０６に覆われていない絶縁膜２６ａを除去する。そしてベークを行って図１５に示すように、所定形状にパターニングした上部絶縁膜２６を形成する。
【００３８】
続いて、図１６に示すように、下部電極２４上および上部絶縁膜２６上に有機層２８を形成し、さらに上部絶縁膜２６上および有機層２８上に上部電極３０を形成し、有機ＥＬ素子を形成する。上述した有機ＥＬ素子２３の各層は、例えば周知の真空蒸着によって形成することができる。
【００３９】
さらに、素子基板１２の有機ＥＬ素子２３と封止基板１４の一面とが対向するように、略同等の大きさの素子基板１２と封止基板１４とを対向させ、素子基板１２と封止基板１４の周縁部に封止材１６を設けて有機ＥＬ素子２３を封止する。なお、当該封止材１６は、素子基板１２と封止基板１４の間に充填し、全面を覆うように封止を行っても良い。
【００４０】
封止は、真空中または不活性ガス中で行うことが好ましい。なお、不活性ガスとしては、例えば窒素ガスやアルゴンガスを用いることができる。不活性ガス中で封止を行うことにより、有機ＥＬ素子の酸化や水分によって劣化するのを防止することができる。
【００４１】
そして、マザー基板である素子基板１２を個々の表示装置に切断することにより図１〜図３に示す有機ＥＬ素子が製造される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、本発明にかかる画像表示装置の製造方法によれば、コストを増加させることなく、短絡、誤動作、電圧低下等の不具合を抑制することができ、生産性および信頼性に優れた画像表示装置の製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の製造方法により作製された有機ＥＬ表示装置の周辺部における概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の製造方法により作製された有機ＥＬ表示装置の画素部における概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の製造方法により作製された有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
【図４】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図７】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図９】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１０】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１１】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１２】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１３】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１４】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１５】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１６】本発明の製造方法にかかる画像表示装置の周辺部における製造工程を説明する断面図である。
【図１７】本発明の露光マスクの上面図である。
【図１８】本発明の製造方法にかかる第１露光工程および第２露光工程を説明するレジストの上面図である。
【図１９】本発明の製造方法にかかる露光工程終了後のレジストの形状を示す上面図である。
【図２０】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２１】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２２】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２３】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【図２４】従来の画像表示装置の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  表示領域
１２  素子基板
１４  封止基板
１６  封止材
１８  第１回路層
２０  下部絶縁膜
２２  平坦化膜
２２ａ  絶縁性膜
２３  有機ＥＬ素子
２４  下部電極
２４ａ  導電性膜
２６  上部絶縁層
２６ａ  絶縁膜
２８  有機層
３０  上部電極
３２  回路層
４０  エッジ部
４５  第１パターン
４６  第２パターン
５０  レジストの画素部対応部分
１００  露光マスク
１０２  レジスト
１０２ａ  レジスト残
１０２ｂ  感光部
１０４  露光マスク
１０６  露光マスク
２１２  素子基板
２１８  回路層
２２０  下部絶縁層
２２２  平坦化膜
２２４  下部電極
３０２  レジスト
３０２ａ  レジスト残
３０４  露光マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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