(57)【要約】【課題】ＣＭＰ法を用いずに、配線部２６とコンタクト部２５とを同時に形成する。【解決手段】コンタクトホール２７及び配線溝２８を形成した層間絶縁膜２３の表面に第２膜２４を上記各表面に沿って所定の厚みで形成することにより、コンタクトホール２７内の第２膜２４によって穴部３１を形成すると共に、配線溝２８内の第２膜２４によって溝部３２を形成する。次に、穴部３１及び溝部３２の開口端を塞ぐように、レジストを第２膜２４上に形成した後に、エッチバックにより穴部３１及び溝部３２の周囲で露出した第２膜２４をエッチングして除去し、コンタクトホール２７にコンタクト部２５を形成すると共に、配線溝２８に配線部２６を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、
上記第１膜を覆うように上記基板上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
上記層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫通して上記第１膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成すると共に、上記層間絶縁膜の表面に配線溝を形成するパターニング工程と、
上記コンタクトホールの内部及び上記配線溝の内部を含む上記層間絶縁膜の表面と、上記コンタクトホールの内部で露出している上記第１膜の表面とに対し、導電膜である第２膜を上記各表面に沿って所定の厚みで形成することにより、上記コンタクトホール内の第２膜によって穴部を形成すると共に、上記配線溝内の第２膜によって溝部を形成する第２膜形成工程と、
上記穴部及び溝部にレジストを充填すると共に、該レジストを、該穴部及び溝部の開口端を塞ぐように上記第２膜上に形成するレジスト形成工程と、
上記穴部及び溝部の周囲で上記第２膜が露出するまで上記レジストをエッチバックするエッチバック工程と、
上記露出した第２膜をエッチングして除去することにより、上記コンタクトホールに残っている第２膜をコンタクト部とする一方、上記配線溝に残っている第２膜を配線部とするエッチング工程とを有する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された配線構造の製造方法において、
上記パターニング工程では、上記層間絶縁膜をハーフ露光するフォトリソグラフィによって、上記コンタクトホール及び配線溝を形成する
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載された配線構造の製造方法において、
上記第１膜は半導体層である
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載された配線構造の製造方法において、
上記コンタクトホールの内周面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載された配線構造の製造方法において、
上記配線溝の内側面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている
ことを特徴とする配線構造の製造方法。
【請求項６】
基板上に複数のスイッチング素子及び配線構造が形成された第１基板を、表示媒体層を介して第２基板に貼り合わせて表示装置を製造する方法であって、
上記基板上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、
上記第１膜を覆うように上記基板上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
上記層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫通して上記第１膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成すると共に、上記層間絶縁膜の表面に配線溝を形成するパターニング工程と、
上記コンタクトホールの内部及び上記配線溝の内部を含む上記層間絶縁膜の表面と、上記コンタクトホールの内部で露出している上記第１膜の表面とに対し、導電膜である第２膜を上記各表面に沿って所定の厚みで形成することにより、上記コンタクトホール内の第２膜によって穴部を形成すると共に、上記配線溝内の第２膜によって溝部を形成する第２膜形成工程と、
上記穴部及び溝部にレジストを充填すると共に、該レジストを、該穴部及び溝部の開口端を塞ぐように上記第２膜上に形成するレジスト形成工程と、
上記穴部及び溝部の周囲で上記第２膜が露出するまで上記レジストをエッチバックするエッチバック工程と、
上記露出した第２膜をエッチングして除去することにより、上記コンタクトホールに残っている第２膜をコンタクト部とする一方、上記配線溝に残っている第２膜を配線部とするエッチング工程とを有する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記パターニング工程では、上記層間絶縁膜をハーフ露光するフォトリソグラフィによって、上記コンタクトホール及び配線溝を形成する
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記第１膜は半導体層である
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記コンタクトホールの内周面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記配線溝の内側面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
上記表示媒体層は液晶層である
ことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板上に複数のスイッチング素子及び配線構造が形成された第１基板と、
上記第１基板に対向して配置された第２基板と、
上記第１基板及び上記第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置であって、
上記第１基板は、上記基板上に形成された第１膜と、該第１膜を覆う層間絶縁膜と、それぞれ上記層間絶縁膜に凹状に窪んで形成されると共に導電性の第２膜からなるコンタクト部及び配線部とを備え、
上記コンタクト部の第２膜は、上記層間絶縁膜に上記第１膜が露出するように貫通形成されたコンタクトホールの内周面と、上記露出した第１膜の表面とに、該各表面に沿って所定の厚みで形成され、
上記配線部の第２膜は、上記層間絶縁膜に形成された配線溝の内部表面に、該表面に沿って所定の厚みで形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載された表示装置において、
上記第１膜は半導体層である
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載された表示装置において、
上記コンタクトホールの内周面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載された表示装置において、
上記配線溝の内側面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１２に記載された表示装置において、
上記表示媒体層は液晶層である
ことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線構造の製造方法、並びに表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスは、高集積化によって、その内部配線の微細化及び多層化が進んでおり、これに伴い、配線形成時の平坦化技術や微細な配線の加工技術、並びに微細な配線の信頼性確保等に対する要求が厳しくなっている。また、内部配線の微細化及び多層化が進むに従い、これに伴うコストの増大も大きな問題となっている。
【０００３】
これに対し、配線を多層化する際に、単に配線と層間絶縁膜とを積層するのではなく、配線を層間絶縁膜に埋め込む、いわゆるダマシン（Damascene）法が検討されている（例えば特許文献１等参照）。そして、ダマシン法の中でも、配線を層間絶縁膜に埋め込む際に、上層配線と下層配線とを導通させる接続孔にも導電膜を埋め込むことにより、配線部とコンタクト部とを単一導電膜で同時に形成することを可能とした、いわゆるデュアルダマシン（Dual Damascene）法が特に注目を集めている。
【０００４】
ここで、デュアルダマシン法による配線形成について、断面図である図８〜図１１を参照して説明する。
【０００５】
まず、図８に示すように、絶縁基板１００上の下層配線１０１の上に形成された層間絶縁膜１０２をエッチングして、下層配線１０１に臨む接続孔１０２ａを形成し、更に、層間絶縁膜１０２をエッチングして、上層配線に対応した配線溝１０２ｂを形成する。このように、層間絶縁膜１０２に接続孔１０２ａと配線溝１０２ｂとが形成された構造は、デュアルダマシン構造と呼ばれる。
【０００６】
次に、図９に示すように、デュアルダマシン構造とされた層間絶縁膜１０２上に、Ｔｉ膜とＴｉＮ膜との積層膜等からなる下地バリアメタル１０３をスパッタ成膜するとともに、この下地バリアメタル１０３上にＡｌやＡｌ合金等の導電材料からなる導電膜１０４をスパッタ成膜する。
【０００７】
導電膜１０４は、通常、接続孔１０２ａや配線溝１０２ｂの内部を完全に埋め込むようには形成されず、図９に示すように、接続孔１０２ａや配線溝１０２ｂの部分に隙間１０４ａが生じてしまう。そこで、この隙間１０４ａを無くすように、導電膜１０４に対してリフロー処理を施す。すなわち、高真空中にて導電膜１０４を融点付近まで加熱することにより、導電膜１０４の流動性を高める。このことにより、図１０に示すように、導電膜１０４は、配線溝１０２ｂ及び接続孔１０２ａに隙間無く埋め込まれる。
【０００８】
次に、図１１に示すように、化学機械的研磨法（以下、ＣＭＰ法と称する。）によって、導電膜１０４の表面から層間絶縁膜１０２に至るまで研磨して、接続孔１０２ａ及び配線溝１０２ｂの内部に埋め込まれた導電膜１０４の表面を、下地バリアメタル１０３及び層間絶縁膜１０２と共に平坦化する。こうして、接続孔１０２ａ及び配線溝１０２ｂの内部に埋め込まれた導電膜１０４により、上層配線が形成される。
【０００９】
上記デュアルダマシン法では、配線の形成と接続孔の埋め込みとを同時に行うので、工程数を削減することが可能であり、低コスト化を図ることが可能である。
【特許文献１】特開平９−２２３７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、近年、液晶表示装置は、いわゆる液晶テレビに代表されるように、表示画面の大型化が進められている。それに伴って液晶表示装置の基板サイズも大型化しているため、ＣＭＰ法によって膜表面を基板全体に亘って高精度に平坦化することが難しい。したがって、上述のデュアルダマシン法を大型の液晶表示装置に適用することは極めて困難である。
【００１１】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その主たる目的とするところは、ＣＭＰ法を用いないにも拘わらず、配線部とコンタクト部とを同時に形成するようにして、製造コストの低減を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明に係る配線構造の製造方法は、基板上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、上記第１膜を覆うように上記基板上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、上記層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫通して上記第１膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成すると共に、上記層間絶縁膜の表面に配線溝を形成するパターニング工程と、上記コンタクトホールの内部及び上記配線溝の内部を含む上記層間絶縁膜の表面と、上記コンタクトホールの内部で露出している上記第１膜の表面とに対し、導電膜である第２膜を上記各表面に沿って所定の厚みで形成することにより、上記コンタクトホール内の第２膜によって穴部を形成すると共に、上記配線溝内の第２膜によって溝部を形成する第２膜形成工程と、上記穴部及び溝部にレジストを充填すると共に、該レジストを、該穴部及び溝部の開口端を塞ぐように上記第２膜上に形成するレジスト形成工程と、上記穴部及び溝部の周囲で上記第２膜が露出するまで上記レジストをエッチバックするエッチバック工程と、上記露出した第２膜をエッチングして除去することにより、上記コンタクトホールに残っている第２膜をコンタクト部とする一方、上記配線溝に残っている第２膜を配線部とするエッチング工程とを有する。
【００１３】
上記パターニング工程では、上記層間絶縁膜をハーフ露光するフォトリソグラフィによって、上記コンタクトホール及び配線溝を形成することが好ましい。
【００１４】
上記第１膜は半導体層であってもよい。
【００１５】
上記コンタクトホールの内周面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されていることが好ましい。
【００１６】
上記配線溝の内側面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されていることが好ましい。
【００１７】
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、基板上に複数のスイッチング素子及び配線構造が形成された第１基板を、表示媒体層を介して第２基板に貼り合わせて表示装置を製造する方法であって、上記基板上に第１膜を形成する第１膜形成工程と、上記第１膜を覆うように上記基板上に層間絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、上記層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫通して上記第１膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成すると共に、上記層間絶縁膜の表面に配線溝を形成するパターニング工程と、上記コンタクトホールの内部及び上記配線溝の内部を含む上記層間絶縁膜の表面と、上記コンタクトホールの内部で露出している上記第１膜の表面とに対し、導電膜である第２膜を上記各表面に沿って所定の厚みで形成することにより、上記コンタクトホール内の第２膜によって穴部を形成すると共に、上記配線溝内の第２膜によって溝部を形成する第２膜形成工程と、上記穴部及び溝部にレジストを充填すると共に、該レジストを、該穴部及び溝部の開口端を塞ぐように上記第２膜上に形成するレジスト形成工程と、上記穴部及び溝部の周囲で上記第２膜が露出するまで上記レジストをエッチバックするエッチバック工程と、上記露出した第２膜をエッチングして除去することにより、上記コンタクトホールに残っている第２膜をコンタクト部とする一方、上記配線溝に残っている第２膜を配線部とするエッチング工程とを有する。
【００１８】
上記パターニング工程では、上記層間絶縁膜をハーフ露光するフォトリソグラフィによって、上記コンタクトホール及び配線溝を形成することが好ましい。
【００１９】
上記第１膜は半導体層であってもよい。
【００２０】
上記コンタクトホールの内周面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されていることが好ましい。
【００２１】
上記配線溝の内側面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されていることが好ましい。
【００２２】
上記表示媒体層は液晶層であってもよい。
【００２３】
また、本発明に係る表示装置は、基板上に複数のスイッチング素子及び配線構造が形成された第１基板と、上記第１基板に対向して配置された第２基板と、上記第１基板及び上記第２基板の間に設けられた表示媒体層とを備えた表示装置であって、上記第１基板は、上記基板上に形成された第１膜と、該第１膜を覆う層間絶縁膜と、それぞれ上記層間絶縁膜に凹状に窪んで形成されると共に導電性の第２膜からなるコンタクト部及び配線部とを備え、上記コンタクト部の第２膜は、上記層間絶縁膜に上記第１膜が露出するように貫通形成されたコンタクトホールの内周面と、上記露出した第１膜の表面とに、該各表面に沿って所定の厚みで形成され、上記配線部の第２膜は、上記層間絶縁膜に形成された配線溝の内部表面に、該表面に沿って所定の厚みで形成されている。
【００２４】
上記第１膜は半導体層であってもよい。
【００２５】
上記コンタクトホールの内周面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されていることが好ましい。
【００２６】
上記配線溝の内側面は、少なくとも一部が、上記基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されていることが好ましい。
【００２７】
上記表示媒体層は液晶層であってもよい。
【００２８】
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
【００２９】
上記配線構造又は表示装置を製造する場合には、まず第１膜形成工程を行って、基板上に第１膜を形成する。第１膜には、例えば半導体層を適用することが可能である。次に、絶縁膜形成工程を行って、第１膜を覆うように基板上に層間絶縁膜を形成する。次に、パターニング工程を行って、層間絶縁膜に該層間絶縁膜を貫通して第１膜の一部を露出させるコンタクトホールを形成すると共に、層間絶縁膜の表面に配線溝を形成する。
【００３０】
このパターニング工程では、例えば、層間絶縁膜をハーフ露光するフォトリソグラフィによって、コンタクトホール及び配線溝を形成することが可能である。このことにより、一度の露光によってコンタクトホール及び配線溝は一括して形成される。
【００３１】
また、コンタクトホールの内周面及び配線溝の内側面の少なくとも一方を、その一部が基板と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成するようにすれば、後の第２膜形成工程において、スパッタ法等により第２膜が容易に堆積することとなる。
【００３２】
次に、第２膜形成工程を行って、層間絶縁膜の表面と、コンタクトホールの内部で露出している第１膜の表面とに対し、導電膜である第２膜を各表面に沿って所定の厚みで形成する。このことにより、コンタクトホール内の第２膜によって穴部を形成すると共に、配線溝内の第２膜によって溝部を形成する。次に、レジスト形成工程を行って、穴部及び溝部にレジストを充填すると共に、該レジストを、該穴部及び溝部の開口端を塞ぐように第２膜上に形成する。
【００３３】
次に、エッチバック工程を行って、穴部及び溝部の周囲で第２膜が露出するまでレジストをエッチバックする。次に、エッチング工程を行って、露出した第２膜をエッチングして除去することにより、コンタクトホールに残っている第２膜をコンタクト部とする一方、配線溝に残っている第２膜を配線部とする。
【００３４】
したがって、本発明によれば、ＣＭＰ法を用いないにも拘わらず、層間絶縁膜に配線部とコンタクト部とが同時に形成されることとなる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、層間絶縁膜に形成したコンタクトホール及び配線溝に対し、その表面に沿って第２膜を形成した後に、その第２膜上でレジストをエッチバックし、コンタクトホール及び配線溝の周囲で露出した第２膜をエッチングして除去するようにしたので、ＣＭＰ法を用いないにも拘わらず、配線部とコンタクト部とを同時に形成することができる。その結果、工程数を削減して、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３７】
《発明の実施形態１》
図１〜図７は、本発明の実施形態１を示している。
【００３８】
図１は、ＴＦＴ基板の断面構造を拡大して示す断面図である。図２は、層間絶縁膜上に形成されたレジストを示す断面図である。図３は、コンタクトホール及び凹溝が形成された層間絶縁膜を示す断面図である。図４は、層間絶縁膜等の表面に形成された第２膜を示す断面図である。図５は、第２膜上に形成されたレジストを示す断面図である。図６は、エッチバックにより一部が露出した第２膜を示す断面図である。図７は、液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。
【００３９】
液晶表示装置１は、図７に示すように、図示を省略するが、第１基板であるＴＦＴ基板１１と、ＴＦＴ基板１１に対向して配置された第２基板である対向基板１２と、上記対向基板１２及び上記ＴＦＴ基板１１の間に設けられた表示媒体層である液晶層１３とを備えている。液晶層１３は、シール部材１４によって上記各基板１１，１２の間に封入されている。対向基板１２には、図示省略のカラーフィルタ、共通電極及びブラックマトリクス等が形成されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１１は、いわゆるアクティブマトリクス基板に構成されている。ＴＦＴ基板１１には、図示を省略するが、表示の単位領域である画素が複数マトリクス状に配置されている。ＴＦＴ基板１１には、複数のゲート配線（図示省略）が互いに平行に延びて形成されている。また、ＴＦＴ基板１１には、複数のソース配線（図示省略）が互いに平行に形成されており、上記ゲート配線と直交するように配置されている。そのことにより、ＴＦＴ基板１１には、ゲート配線及びソース配線からなる配線が格子状にパターン形成されている。各画素は、上記ゲート配線とソース配線とによって区画される略矩形状の領域により形成されている。各画素には、液晶層を駆動するための画素電極（図示省略）が形成されている。各画素には、画素電極をスイッチング駆動するスイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１６がそれぞれ設けられている。すなわち、ＴＦＴ基板１１には、複数のＴＦＴ１６及び配線構造１０が形成されている。
【００４１】
図１に示すように、ＴＦＴ基板１１は、透明基板であるガラス基板１５を有し、ガラス基板１５には、ＴＦＴ１６を構成する第１膜である半導体層１７が島状にパターン形成されている。ガラス基板１５には、半導体層１７を覆うようにゲート絶縁膜１８が形成されている。さらに、ゲート絶縁膜１８の表面には、半導体層１７の一部に重なるようにゲート電極１９が形成されている。半導体層１７には、ゲート電極１９に対向するチャネル領域２０と、チャネル領域２０に隣接するソース領域２１及びドレイン領域２２が形成されている。
【００４２】
ゲート絶縁膜１８上には、ゲート電極１９及びその下方の半導体層１７を覆うように層間絶縁膜２３が形成されている。層間絶縁膜２３には、凹状に窪んで形成されると共に第２膜である導電膜２４からなるコンタクト部２５及び配線部２６が形成されている。これらコンタクト部２５及び配線部２６によって上記配線構造１０が構成されている。
【００４３】
上記層間絶縁膜２３には、半導体層１７のソース領域２１及びドレイン領域２２がそれぞれ露出するようにコンタクトホール２７が貫通形成されている。コンタクトホール２７は、図１に示すように、縦断面が二段の段差形状に形成されると共に、その内周面がガラス基板１５と反対側（つまり図１で上方）に向かって拡がるテーパ状に形成されている。
【００４４】
また、層間絶縁膜２３には、該層間絶縁膜２３の表面で上方に開口する凹溝形状の配線溝２８が複数形成されている。配線溝２８の内側面は、図１に示すように、ガラス基板１５と反対側に向かって拡がるテーパ状に形成されている。
【００４５】
コンタクト部２５の導電膜２４は、層間絶縁膜２３に形成されているコンタクトホール２７の内周面と、その内部で露出している半導体層１７の表面とに、該各表面に沿って所定の厚みで形成されている。一方、配線部２６の導電膜２４は、層間絶縁膜２３に形成されている配線溝２８の内部表面に、該表面に沿って所定の厚みで形成されている。
【００４６】
そうして、窪んだコンタクト部２５の表面によって穴部３１が形成される一方、窪んだ配線部２６の表面によって溝部３２が形成されている。これら穴部３１及び溝部３２には、図示を省略するが、絶縁膜が充填されている。
【００４７】
−製造方法−
次に、上記配線構造１０を含む液晶表示装置１の製造方法について説明する。
【００４８】
液晶表示装置１は、ガラス基板１５上に複数のＴＦＴ１６及び配線構造１０が形成されたＴＦＴ基板１１を、液晶層１３を介して対向基板１２に貼り合わせることによって製造する。
【００４９】
本発明に係る製造方法は、ＴＦＴ基板１１を製造する工程に特徴があるため、図１〜図６を参照して、以下に詳述する。
【００５０】
まず、第１膜形成工程を行って、第１膜である半導体層１７をガラス基板１５上に形成する。半導体層１７は、フォトリソグラフィによって島状にパターン形成する。
【００５１】
次に、絶縁膜形成工程を行って、半導体層１７を覆うようにガラス基板１５上に層間絶縁膜２３を形成する。
【００５２】
次に、パターニング工程を行って、まず、図２に示すように、コンタクトホール２７と同じ形状の貫通孔３７と、配線溝２８と同じ形状の凹溝３８とを有するレジストマスク３３を、図示しないマスクを用いて層間絶縁膜２３の表面に形成する。そうして、層間絶縁膜２３を上記レジストマスク３３によりハーフ露光するフォトリソグラフィを行う。このことにより、図３に示すように、層間絶縁膜２３を貫通して半導体層１７の一部を露出させるコンタクトホール２７を層間絶縁膜２３に転写して形成すると共に、配線溝２８を層間絶縁膜２３の表面に転写して形成する。
【００５３】
次に、図４に示すように、第２膜形成工程を行って、コンタクトホール２７の内部及び配線溝２８の内部を含む層間絶縁膜２３の表面と、コンタクトホール２７の内部で露出している半導体層１７の表面とに対し、導電性材料をスパッタ法により堆積させる。そのことにより、第２膜である導電膜２４を、上記層間絶縁膜２３の表面及び半導体層１７の露出表面のそれぞれに沿って、所定の厚みで形成する。その結果、コンタクトホール２７内の導電膜２４によって穴部３１が形成されると共に、配線溝２８内の導電膜２４によって溝部３２が形成されることとなる。
【００５４】
次に、図５に示すように、レジスト形成工程を行って、穴部３１及び溝部３２にレジスト４０を充填すると共に、該レジスト４０を、穴部３１及び溝部３２の開口端を塞ぐように導電膜２４上に形成する。
【００５５】
次に、図６に示すように、エッチバック工程を行って、穴部３１及び溝部３２の周囲で導電膜２４が露出するまで上記レジスト４０をエッチバックする。このとき、図６に示すように、穴部３１及び溝部３２の内部にはレジスト４０が充填されて残っている。
【００５６】
次に、図１に示すように、エッチング工程を行って、上記レジスト４０をマスクとして、上記露出している導電膜２４をエッチングして除去する。このことにより、コンタクトホール２７に残っている導電膜２４をコンタクト部２５とする一方、配線溝２８に残っている導電膜２４を配線部２６とする。続いて、上記穴部３１及び溝部３２の内部からレジスト４０を除去した後に、これら穴部３１及び溝部３２の内部に絶縁膜（図示省略）を充填する。そうして、配線構造１０を含むＴＦＴ基板１１を製造する。
【００５７】
−実施形態１の効果−
したがって、この実施形態１によると、層間絶縁膜２３にハーフ露光により形成したコンタクトホール２７及び配線溝２８に対し、その表面に沿って導電膜２４を形成した後に、その導電膜２４上でレジスト４０をエッチバックし、コンタクトホール２７及び配線溝２８の周囲で露出した導電膜２４をエッチングして除去するようにしたので、ＣＭＰ法を用いないにも拘わらず、配線部２６とコンタクト部２５とを同時に形成することができる。その結果、工程数を削減して、製造コストを低減することができる。
【００５８】
特に、本実施形態によれば、ＣＭＰ法を用いないので、大型の液晶表示装置に対しても低コストでありながらも高精度に配線構造１０を形成することができるという顕著な効果を奏する。
【００５９】
さらに、コンタクトホール２７及び配線溝２８を、ガラス基板１５と反対に向かって拡がるテーパ状に形成したので、これらコンタクトホール２７の内周面、及び配線溝２８の内側面に対し、導電性材料をスパッタ法でより確実に堆積させることができる。
【００６０】
《その他の実施形態》
本発明は、上記実施形態１について、以下のような構成としてもよい。
【００６１】
上記実施形態１では、コンタクトホール２７の内周面がテーパ状である例について説明したが、コンタクトホール２７の内周面の少なくとも一部がテーパ状であってもよい。そのことによっても、導電膜２４のスパッタ成膜を好適に促進させることができる。より効果的にスパッタ成膜を促進させる観点では、コンタクトホール２７の内周面全体がテーパ状であることが望ましい。また、同様に、配線溝２８についても、その内側面の少なくとも一部がテーパ状であればよい。
【００６２】
また、上記実施形態１では、第１膜が半導体層１７である例について説明したが、本発明はこれに限らず、第１膜が金属層等の他の導電層である配線構造についても、同様に適用することができる。
【００６３】
また、上記実施形態１では、表示媒体層が液晶層１３である液晶表示装置１を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、表示媒体層が有機発光層である有機ＥＬ表示装置等の表示装置についても、同様に適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
以上説明したように、本発明は、配線構造の製造方法、並びに表示装置及びその製造方法について有用であり、特に、ＣＭＰ法を用いずに、配線部とコンタクト部とを同時に形成する場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】図１は、ＴＦＴ基板の断面構造を拡大して示す断面図である。
【図２】図２は、層間絶縁膜上に形成されたレジストを示す断面図である。
【図３】図３は、コンタクトホール及び配線溝が形成された層間絶縁膜を示す断面図である。
【図４】図４は、層間絶縁膜等の表面に形成された第２膜を示す断面図である。
【図５】図５は、第２膜上に形成されたレジストを示す断面図である。
【図６】図６は、エッチバックにより一部が露出した第２膜を示す断面図である。
【図７】図７は、液晶表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図８】図８は、従来の接続孔及び配線溝が形成された層間絶縁膜を示す断面図である。
【図９】図９は、従来の層間絶縁膜上にスパッタ成膜された導電膜を示す断面図である。
【図１０】図１０は、従来のリフロー処理された導電膜を示す断面図である。
【図１１】図１１は、従来のＣＭＰ法により表面が研磨された導電膜を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１      液晶表示装置
１０      配線構造
１１      ＴＦＴ基板（第１基板）
１２      対向基板（第２基板）
１３      液晶層（表示媒体層）
１５      ガラス基板（基板）
１６      ＴＦＴ（スイッチング素子）
１７      半導体層（第１膜）
１９      ゲート電極
２３      層間絶縁膜
２４      導電膜（第２膜）
２５      コンタクト部
２６      配線部
２７      コンタクトホール
２８      配線溝
３１      穴部
３２      溝部
４０      レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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