(57)【要約】【課題】小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置を提供する。【解決手段】回転体１の外周に近接して配置され、回転体１の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体１の回転状態を検出する回転検出装置１００であって、回転体１の外周に近接して配置される多層配線基板５０を有してなり、該多層配線基板５０における回転体１の外周に近接する端部に、多層配線によるコイルＬａ，Ｌｂが埋め込み形成されてなる回転検出装置１００とする。【選択図】図１
2009222524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体の外周に近接して配置され、前記回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、
前記回転体の外周に近接して配置される多層配線基板を有してなり、
該多層配線基板における前記回転体の外周に近接する端部に、多層配線によるコイルが埋め込み形成されてなることを特徴とする回転検出装置。
【請求項２】
前記多層配線基板が、
シリコン基板上に層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンが多層に形成され、
異なる層にある前記配線パターン同士がビアホール内に埋め込み形成された接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、
前記コイルが、
前記配線パターンと前記接続導体とで形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項３】
前記多層配線基板が、
表面に金属箔からなる配線パターンが形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて前記配線パターンが多層に形成され、
異なる層にある前記配線パターン同士が導電ペーストの焼結体からなる接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、
前記コイルが、
前記配線パターンと前記接続導体とで形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の回転検出装置。
【請求項４】
前記コイルが、前記多層配線基板に複数形成されてなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項５】
前記コイル内に、軟磁性体が挿入配置されてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項６】
前記コイルが、前記バイアス磁界を発生するために用いられてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項７】
前記コイルが、前記バイアス磁界の変化を計測するために用いられてなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【請求項８】
前記回転検出装置が、車載用であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の回転検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置が、例えば、特開平１１−２３７２５６号公報（特許文献１）と特開２００７−１０１２３０号公報（特許文献２）に開示されている。
【０００３】
図７は、特許文献１に開示された回転検出装置８０の主要部の斜視模式図である。
【０００４】
図７に示す回転検出装置８０は、歯車形状（ギア歯１ａ）のギア１、バイアス磁石２及びＩＣチップ３を備えている。ギア１は、その外周面がバイアス磁石２に対向するように配置されており、ギア１の外周面に向けてバイアス磁石２がバイアス磁界を発生するようになっている。
【０００５】
中空形状をなすバイアス磁石２は、ギア１に近い端面がＮ極、遠い端面がＳ極となるように着磁されており、かつ中空形状の中心軸（図中の２点鎖線）上に概ねギア１の回転軸（図中の１点鎖線）が位置するように配置されている。
【０００６】
ＩＣチップ３の表面上には、２つの磁気抵抗素子（ＭＲＥ、Magneto Resistive Element）４、５がそれぞれ異なった方向性を有して形成されている。２つのＭＲＥ４、５はそれぞれ、長手方向がバイアス磁界の磁気的中心（バイアス磁石２の中心軸）に対して４５度と−４５度の角度を成すように、すなわち互いに直交するハの字状になるように配置されている。ＩＣチップ３は、バイアス磁石２が発生するバイアス磁界の方向の検出を行うべく、バイアス磁石２とギア１の外周面との間に配置されている。また、ＩＣチップ３は、ギア１の両端面１ｂが形成する平面の間に２つのＭＲＥ４、５が位置するように配置されている。
【０００７】
ＭＲＥ４、５には、それぞれの長手方向に電流が流れるように配線処理がなされている。そして、これら２つのＭＲＥ４、５が互いに直列接続されて１組のＭＲＥブリッジ６を成している。このＭＲＥブリッジ６に対して、ＭＲＥ５からＭＲＥ４に向けて電流が流れるようになっており、直列接続された２つのＭＲＥ４、５の中点電位をＭＲＥブリッジ６の出力として、バイアス磁石２が発生するバイアス磁界の変化、すなわちギア１の回転を検出するようになっている。
【０００８】
図８は、特許文献２に開示された車載エンジンのクランク角センサ等の回転検出に用いられる回転検出装置で、図８（ａ）は、回転検出装置９０の断面構造を模式的に示した図であり、図８（ｂ）は、回転検出装置９０の構成部品を模式的に示した分解斜視図である。
【０００９】
図８（ａ）に示す回転検出装置９０においては、ベアチップからなるチップ１０および磁石（バイアス磁石）３０が、ケース２０およびキャップ（部材）４０により構成されるハウジング内に密閉されて、外部雰囲気から保護される構造となっている。
【００１０】
このうち、チップ１０は、磁気抵抗素子対を有するセンシングチップ１１と、集積回路化されて前記磁気抵抗素子対により検出される信号の各種処理を行う処理回路チップ１２とから構成されている。また、ケース２０は、樹脂等の非磁性体材料からなり、円盤状の基盤部２５と、該基盤部２５の一面から突き出るように一体形成された板状の舌状保持部（舌部）２１とを備えている。舌状保持部２１には、リードフレーム１３をはじめ、センシングチップ１１や処理回路チップ１２の実装面が一体に鋳込まれている。そしてこの舌状保持部２１に、これらセンシングチップ１１および処理回路チップ１２が、リードフレームと電気的に接続されるかたちでそれぞれ実装（搭載）されている。
【００１１】
一方、上記磁石３０は、例えば円柱の長手方向内部に四角形状の中空部３１を有する筒状に形成されており、上記チップ１０共々、ケース２０の舌状保持部２１を覆う態様で挿入されている。この磁石３０は、センシングチップ１１に組み込まれている上記磁気抵抗素子対に対してバイアス磁界を付与するものである。
【００１２】
また、有底筒状の非磁性体材料からなるキャップ４０は、その開口端部４１が円錐状に開いた内面からなるテーパ面４１ｔを有しており、該テーパ面４１ｔが、対向するケース２０の基盤部２５の継ぎ手面２５ｔに当接し、該基盤部２５にレーザ溶接される。これによって、センサチップ１１共々舌状保持部２１および磁石３０が外部雰囲気から保護される。
【００１３】
当該回転検出装置９０においては、図７に示した回転検出装置８０と同様に、先端部（図８（ａ）の右端）に対向して配置される回転体の回転時に、上記バイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が、上記磁気抵抗素子対の抵抗値変化として感知される。
【特許文献１】特開平１１−２３７２５６号公報
【特許文献２】特開２００７−１０１２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
図７と図８に示した回転検出装置８０，９０は、いずれも、回転体の回転に伴い筒状磁石が発生するバイアス磁界の変化を、半導体チップに形成されたＭＲＥ等の磁気検出素子により測定し、前記回転体の回転状態を検出する回転検出装置である。従来の回転検出装置８０，９０において回転体の回転状態の検出精度を高めるためには、回転検出装置８０，９０を、できるだけ回転体（ギア１）に近接させるる必要がある。しかしながら、従来の回転検出装置８０，９０は、いずれも磁気検出素子６，１０と磁石２，３０を共にケース内に収容しており、ＡＳＳＹが大型化してしまうため、近接配置するには制約が大きい。
【００１５】
そこで本発明は、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１に記載の発明は、回転体の外周に近接して配置され、前記回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、前記回転体の外周に近接して配置される多層配線基板を有してなり、該多層配線基板における前記回転体の外周に近接する端部に、多層配線によるコイルが埋め込み形成されてなることを特徴としている。
【００１７】
上記回転検出装置におけるコイルは、電磁石としての利用や例えばフラックスゲート型の磁気検出素子としての利用が可能であり、従来の回転検出装置における永久磁石に代えてバイアス磁界を発生するために用いたり、磁気抵抗素子（ＭＲＥ）に代えてバイアス磁界の変化を計測するために用いたりすることができる。また、該コイルは、多層配線基板に埋め込み形成されているため、上記回転検出装置のＡＳＳＹの小型化が可能である。従って、上記回転検出装置は、従来の回転検出装置に較べて、回転体に対する配置の自由度が高く、回転体に対してより近接して配置することができるため、より高精度で回転体の回転状態の検出することができる。
【００１８】
以上のようにして、上記回転検出装置は、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置とすることができる。
【００１９】
上記回転検出装置は、例えば請求項２に記載のように、前記多層配線基板が、シリコン基板上に、層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンが多層に形成され、異なる層にある前記配線パターン同士がビアホール内に埋め込み形成された接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、前記コイルが、前記配線パターンと前記接続導体で形成されてなる構成とすることができる。該回転検出装置のコイルを製造するにあたっては、一般的な半導体製造技術を利用することができるため、高い寸法精度で該コイルを製造することができる。
【００２０】
また、上記回転検出装置は、請求項３に記載のように、前記多層配線基板が、表面に金属箔からなる配線パターンが形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて、前記配線パターンが多層に形成され、異なる層にある前記配線パターン同士が導電ペーストの焼結体からなる接続導体で層間接続されてなる多層配線基板であり、前記コイルが、前記配線パターンと前記接続導体で形成されてなる構成とすることも可能である。該回転検出装置の多層配線基板を製造するにあたっては、加熱加圧により上記配線パターンが形成された樹脂フィルムの貼り合わせと上記導電ペーストの焼結を一括して行うことができるため、該多層配線基板を安価に製造することができる。
【００２１】
上記回転検出装置における前記コイルは、請求項４に記載のように、前記多層配線基板に複数形成されてなることが好ましい。
【００２２】
ＭＲＥ等の磁気検出素子を回転体の外周に近接して配置し、該磁気検出素子により前記回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して回転体の回転状態を検出する一般的な回転検出装置にあっては、磁気検出素子を複数とすることで、例えば該複数の磁気検出素子の差動出力を判定することができ、１個の場合より高精度な回転状態の検出が可能である。従って、上記回転検出装置において多層配線基板に埋め込み形成された前記コイルを例えば磁気検出素子として用いる場合も、前記コイルを複数とすることで、１個の場合より高精度な回転状態の検出が可能となる。また、前記コイルを永久磁石の代わりにバイアス磁界を発生するための電磁石として用いる場合についても、上記複数の磁気検出素子のそれぞれに前記コイルを配置することで、より高精度な回転状態の検出が可能となる。
【００２３】
上記回転検出装置は、請求項５に記載のように、前記コイル内に、軟磁性体が挿入配置されてなる構成とすることも可能である。
【００２４】
請求項２に記載したように、シリコン基板上の層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンとビアホール内に埋め込み形成された接続導体で前記コイルを形成する場合には、例えば前記軟磁性体も薄膜で形成する。また、請求項３に記載したように、複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて形成される多層配線基板において異なる層にある配線パターンと導電ペーストの焼結体からなる接続導体で前記コイルを形成する場合には、例えば前記軟磁性体をチップ部品として、相互に貼り合わされた複数枚の樹脂フィルム中に埋め込み形成することができる。いずれにおいても、上記軟磁性体をコイル内に挿入配置することで、コイルが発生するバイアス磁界またはコイルが検出するバイアス磁界を上記軟磁性体で収束し（フラックスゲート型の磁気検出素子）、回転体の回転状態の検出に効果的に利用することができる。
【００２５】
請求項６に記載のように、上記回転検出装置における前記コイルは、前述したように永久磁石の代わりとして、前記バイアス磁界を発生するために用いることが可能である。当該回転検出装置は、従来の回転検出装置におけるバイアス磁界を発生するための永久磁石をなくすことができるため、大幅な小型化が可能となる。
【００２６】
また、請求項７に記載のように、上記回転検出装置における前記コイルは、前述したようにＭＲＥの代わりとして、前記バイアス磁界の変化を計測するために用いることも可能である。このように、前記コイルを磁気検出素子として利用する場合、該コイルの径や長さを回転体の形状や回転速度に合わせて適宜設定することができるため、ＭＲＥ等の他の磁気検出素子に較べて設計自由度が高く、測定対象である回転体に合わせた最適設計が可能となる。
【００２７】
以上のようにして、上記回転検出装置は、いずれも、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置となっている。
【００２８】
従って、上記回転検出装置は、請求項８に記載のように、小型で高精度な回転状態の検出が要求される車載用の回転検出装置として特に好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
【００３０】
図１は、本発明の回転検出装置の一例で、図１（ａ）は、回転検出装置１００の模式的な上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における一点鎖線Ａ−Ａでの断面図である。尚、以下に示す各例においては、被検出対象である回転体（ギア）１を、図７と同じ符号を用いて示した。
【００３１】
図１に示す回転検出装置１００は、回転体１の外周に近接して配置され、回転体１の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体１の回転状態を検出する回転検出装置である。回転検出装置１００は、回転体１の外周に近接して配置される多層配線基板５０を有している。また、該多層配線基板５０における回転体１の外周に近接する端部には、図中に二点差線で示した中心軸が回転体１の外周に向うようにして、多層配線によるコイルＬａ，Ｌｂが埋め込み形成されている。
【００３２】
回転検出装置１００の多層配線基板５０は、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板５１上に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜等の層間絶縁膜５２を介して、金属薄膜からなる配線パターン５３が多層に形成されてなる多層配線基板である。多層配線基板５０では、異なる層にある配線パターン５３同士がビアホール内に埋め込み形成された接続導体５４で層間接続されており、コイルＬａ，Ｌｂが該配線パターン５３と接続導体５４で形成されている。回転検出装置１００のコイルＬａ，Ｌｂを製造するにあたっては、一般的な半導体製造技術を利用することができるため、高い寸法精度で該コイルＬａ，Ｌｂを製造することができる。
【００３３】
上記回転検出装置１００におけるコイルＬａ，Ｌｂは、後述するように、電磁石としての利用や例えばフラックスゲート型の磁気検出素子としての利用が可能であり、図７および図８に示した従来の回転検出装置８０，９０における永久磁石２，３０に代えてバイアス磁界を発生するために用いたり、磁気抵抗素子（ＭＲＥ）４〜６，１１に代えてバイアス磁界の変化を計測するために用いたりすることができる。また、該コイルＬａ，Ｌｂは、多層配線基板５０に埋め込み形成されているため、該回転検出装置１００のＡＳＳＹの小型化が可能である。従って、該回転検出装置１００は、図７および図８に示した従来の回転検出装置８０，９０に較べて、回転体１に対する配置の自由度が高く、回転体１に対してより近接して配置することができるため、より高精度で回転体１の回転状態の検出することができる。
【００３４】
図２は、上記した図１の回転検出装置１００のコイルＬａ，Ｌｂをバイアス磁界の発生に用いる場合の例である。図２（ａ）は、回転検出装置１０１の模式的な上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）における一点鎖線Ｂ−Ｂでの断面図である。
【００３５】
図２に示す回転検出装置１０１は、図１に示した回転検出装置１００と同様で、回転体１の外周に近接して配置される多層配線基板５０ａを有しており、該多層配線基板５０ａにおける回転体１の外周に近接する端部には、多層配線によるコイルＬｃ，Ｌｄが埋め込み形成されている。回転検出装置１０１におけるコイルＬｃ，Ｌｄは、電磁石としての利用され、それぞれ、図２（ａ）中に細線矢印で示したバイアス磁界Ｂｃ，Ｂｄを発生するために用いられている。また、図２の回転検出装置１０１における多層配線基板５０ａには、回転体１に対向するコイルＬｃ，Ｌｄの前方に、磁気検出素子Ｓｃ，Ｓｄが形成されている。該磁気検出素子Ｓｃ，Ｓｄによって、回転体１の回転に伴うバイアス磁界Ｂｃ，Ｂｄの変化を計測し、回転体１の回転状態を検出する。コイルＬｃ，Ｌｄが発生するバイアス磁界Ｂｃ，Ｂｄの強度は、１００〜２００Ｇ程度に設定される。
【００３６】
このように、図２の回転検出装置１０１におけるコイルＬｃ，Ｌｄは、図７および図８に示した回転検出装置８０，９０の永久磁石２，３０に代えて、バイアス磁界を発生するために用いたものである。従って、図２の回転検出装置１０１では、図７および図８の回転検出装置８０，９０にあったバイアス磁界を発生するための永久磁石２，３０をなくすことができるため、図７および図８の回転検出装置８０，９０に較べて大幅な小型化が可能である。
【００３７】
図３は、図１の回転検出装置１００のコイルＬａ，Ｌｂをバイアス磁界の変化の検出に用いる場合の例で、回転検出装置１０２の模式的な上面図である。
【００３８】
図３に示す回転検出装置１０２も、図１に示した回転検出装置１００と同様で、回転体１の外周に近接して配置される多層配線基板５０ｂを有しており、該多層配線基板５０ｂにおける回転体１の外周に近接する端部には、多層配線によるコイルＬｅ，Ｌｆが埋め込み形成されている。図３の回転検出装置１０１におけるコイルＬｅ，Ｌｆは、図７および図８に示した回転検出装置８０，９０の磁気抵抗素子（ＭＲＥ）４〜６，１１に代えて、図中に細線矢印で示したバイアス磁界Ｂ０の変化を計測するために用いられている。すなわち、図３の回転検出装置１０１では、コイルＬｅ，Ｌｆが、図７および図８に示した永久磁石２，３０と同様の永久磁石（図示省略）が発生する、バイアス磁界Ｂ０の回転体１の回転に伴う変化を計測する。このように、図３に示す回転検出装置１０２は、多層配線基板５０ｂに埋め込み形成されたコイルＬｅ，Ｌｆを磁気検出素子として利用するものである。
【００３９】
図４（ａ）〜（ｃ）は、コイルを磁気検出素子として利用する場合において、径ｄと長さｘの異なるコイルＬｇ〜Ｌｉの出力特性を比較して示した図である。図４（ａ）〜（ｃ）の各出力特性を比較してわかるように、コイルの径ｄが小さくなるほど回転に対してシャープな出力時間特性が得られ、コイルの長さｘが大きくなるほど高い感度が得られる。
【００４０】
従って、図３の回転検出装置１０２では、コイルＬｅ，Ｌｆの径や長さを回転体１の形状や回転速度に合わせて、出力特性を適宜設定することができる。このため、ＭＲＥ等の他の磁気検出素子に較べて設計自由度が高く、測定対象である回転体１に合わせた最適設計が可能である。
【００４１】
図５は、別の回転検出装置の例で、図５（ａ）は、回転検出装置１０３の模式的な上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）における一点鎖線Ｃ−Ｃでの断面図である。
【００４２】
図１の回転検出装置１００の多層配線基板５０は、シリコン基板５１上に層間絶縁膜５２を介して金属薄膜からなる配線パターン５３が多層に形成され、コイルＬａ，Ｌｂが、異なる層にある配線パターン５３とビアホール内に埋め込み形成された接続導体５４とで形成されていた。
【００４３】
これに対して、図５の回転検出装置１０３の多層配線基板５０ｃは、表面に金属箔からなる配線パターン５６が形成された熱可塑性樹脂からなる複数枚の樹脂フィルム５５ａ〜５５ｆが相互に貼り合わされて、配線パターン５６が多層に形成されてなる多層配線基板である。多層配線基板５０ｃでは、異なる層にある配線パターン５６同士が導電ペーストの焼結体からなる接続導体５７で層間接続されており、コイルＬｊ，Ｌｋが該配線パターン５６と該接続導体５７で形成された構造となっている。回転検出装置１０３の多層配線基板５０ｃを製造するにあたっては、加熱加圧により配線パターン５６が形成された樹脂フィルム５５ａ〜５５ｆの貼り合わせと上記導電ペーストの焼結を一括して行うことができるため、該多層配線基板５０ｃを安価に製造することができる。
【００４４】
尚、図５に示す回転検出装置１０３も、図１に示した回転検出装置１００と同様で、回転体１の外周に近接して配置される多層配線基板５０ｃを有しており、該多層配線基板５０ｃにおける回転体１の外周に近接する端部には、多層配線によるコイルＬｊ，Ｌｋが埋め込み形成されている。従って、図５に示す回転検出装置１０３も、図１に示した回転検出装置１００と同様に、電磁石としての利用や磁気検出素子としての利用が可能であり、バイアス磁界を発生するために用いたり、バイアス磁界の変化を計測するために用いたりすることが可能であることは言うまでもない。
【００４５】
図６も、別の回転検出装置の例で、図６（ａ），（ｂ）は、それぞれ、回転検出装置１０４，１０５の断面図であり、図６（ｃ）は、回転検出装置１０４の模式的な上面図である。図６（ａ）に示す回転検出装置１０４の断面図は、図６（ｃ）の一点鎖線Ｄ−Ｄにおける断面図に相当する。
【００４６】
図６（ａ），（ｂ）に示す回転検出装置１０４，１０５は、それぞれ、図２と図４に示した回転検出装置１０１，１０３の構造と比較してわかるように、多層配線基板５０ｄ，５０ｅに埋め込み形成されたコイルＬｌ，Ｌｍ，Ｌｎ，Ｌｏ内に、軟磁性体５８，５９が挿入配置された構造となっている。図６（ａ）の回転検出装置１０４のように、シリコン基板上の層間絶縁膜を介して金属薄膜からなる配線パターンとビアホール内に埋め込み形成された接続導体でコイルＬｌ，Ｌｍを形成する場合には、例えば軟磁性体５８も薄膜で形成する。また、図６（ａ）の回転検出装置１０４のように、複数枚の樹脂フィルムが相互に貼り合わされて形成される多層配線基板５０ｅにおいて異なる層にある配線パターンと導電ペーストの焼結体からなる接続導体でコイルＬｎ，Ｌｏを形成する場合には、例えば軟磁性体５９をチップ部品として、相互に貼り合わされた複数枚の樹脂フィルム中に埋め込み形成することができる。いずれにおいても、上記軟磁性体５８，５９をコイルＬｌ，Ｌｍ，Ｌｎ，Ｌｏ内に挿入配置することで、図６（ｃ）のコイルＬｌ，Ｌｍが発生するバイアス磁界Ｂｌ，Ｂｍで例示したように、コイルＬｌ，Ｌｍ，Ｌｎ，Ｌｏが発生するバイアス磁界またはコイルＬｌ，Ｌｍ，Ｌｎ，Ｌｏが検出するバイアス磁界を上記軟磁性体５８，５９で収束し（フラックスゲート型の磁気検出素子）、回転体１の回転状態の検出に効果的に利用することができる。
【００４７】
以上に例示した回転検出装置１００〜１０５においては、いずれも、多層配線基板５０ａ〜５０ｅに、コイルＬａ〜Ｌｏが２個ずつ形成されていた。これに限らず、コイルは、多層配線基板に１個形成するだけであってもよいが、複数形成するほうがより好ましい。
【００４８】
ＭＲＥ等の磁気検出素子を回転体の外周に近接して配置し、該磁気検出素子により回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して回転体の回転状態を検出する一般的な回転検出装置にあっては、磁気検出素子を複数とすることで、例えば該複数の磁気検出素子の差動出力を判定することができ、１個の場合より高精度な回転状態の検出が可能である。従って、本発明の回転検出装置において多層配線基板に埋め込み形成されたコイルを例えば磁気検出素子として用いる場合も、コイルを複数とすることで、１個の場合より高精度な回転状態の検出が可能となる。また、コイルを永久磁石の代わりにバイアス磁界を発生するための電磁石として用いる場合についても、上記複数の磁気検出素子のそれぞれにコイルを配置することで、より高精度な回転状態の検出が可能となる。
【００４９】
以上のようにして、上記した回転検出装置は、いずれも、回転体の外周に近接して配置され、回転体の回転に伴うバイアス磁界の変化を計測して該回転体の回転状態を検出する回転検出装置であって、小型化が可能で回転体に対する配置自由度が高く、高精度な回転状態の検出が可能な回転検出装置となっている。
【００５０】
従って、上記回転検出装置は、小型で高精度な回転状態の検出が要求される車載用の回転検出装置として特に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の回転検出装置の一例で、（ａ）は、回転検出装置１００の模式的な上面図であり、（ｂ）は、（ａ）における一点鎖線Ａ−Ａでの断面図である。
【図２】図１の回転検出装置１００のコイルＬａ，Ｌｂをバイアス磁界の発生に用いる場合の例で、（ａ）は、回転検出装置１０１の模式的な上面図であり、（ｂ）は、（ａ）における一点鎖線Ｂ−Ｂでの断面図である。
【図３】図１の回転検出装置１００のコイルＬａ，Ｌｂをバイアス磁界の変化の検出に用いる場合の例で、回転検出装置１０２の模式的な上面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、コイルを磁気検出素子として利用する場合において、径ｄと長さｘの異なるコイルＬｇ〜Ｌｉの出力特性を比較して示した図である。
【図５】別の回転検出装置の例で、（ａ）は、回転検出装置１０３の模式的な上面図であり、（ｂ）は、（ａ）における一点鎖線Ｃ−Ｃでの断面図である。
【図６】別の回転検出装置の例で、（ａ），（ｂ）は、それぞれ、回転検出装置１０４，１０５の断面図であり、（ｃ）は、回転検出装置１０４の模式的な上面図である。
【図７】特許文献１に開示された回転検出装置８０の主要部の斜視模式図である。
【図８】特許文献２に開示された車載エンジンのクランク角センサ等の回転検出に用いられる回転検出装置で、（ａ）は、回転検出装置９０の断面構造を模式的に示した図であり、（ｂ）は、回転検出装置９０の構成部品を模式的に示した分解斜視図である。
【符号の説明】
【００５２】
８０，９０，１００〜１０５  回転検出装置
５０，５０ａ〜５０ｅ  多層配線基板
Ｌａ〜Ｌｏ  コイル
５８，５９  軟磁性体
１  回転体（ギア）
【図１】
2009222524.tif 000003
【図２】
2009222524.tif 000004
【図３】
2009222524.tif 000005
【図４】
2009222524.tif 000006
【図５】
2009222524.tif 000007
【図６】
2009222524.tif 000008
【図７】
2009222524.tif 000009
【図８】
2009222524.tif 000010