(57)【要約】【課題】マイクロマシンの振動を収まりやすくすることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置を提供する。【解決手段】マイクロマシン装置１は、主面上に信号線が設けられた基板１１と、前記基板１１の前記主面上に前記信号線１５を跨いで設けられ、梁形状部分を構成し、前記信号線１５側の寸法が前記信号線１５と反対側の寸法よりも大きい開口１６ｂが形成され、電界の作用により前記梁形状部分が前記信号線１５に対して接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシン１６と、前記基板１１の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体２１，２２と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に信号線が設けられた基板と、
前記基板の前記主面上に前記信号線を跨いで設けられ、梁形状部分を構成し、前記信号線側の寸法が前記信号線と反対側の寸法よりも大きい開口が形成され、電界の作用により前記梁形状部分が前記信号線に対して接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、
前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置。
【請求項２】
前記マイクロマシンの開口の寸法は前記信号線側から前記反対側に向かって連続的に小さくなることを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン装置。
【請求項３】
信号線が設けられた基板の主面上に、梁形状を成し、前記信号線側の寸法が前記信号線と反対側の寸法よりも大きい開口が形成され、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と
前記マイクロマシン上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【請求項４】
信号線が設けられた基板の主面上に、第１の犠牲層を形成する工程と、
前記第１の犠牲層上に、レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜上に所定形状のマスクを配置して前記信号線と反対側から露光し、前記信号線側の寸法が前記信号線と反対側の寸法よりも大きくなるように前記レジスト膜をパターニングする工程と、
前記第１の犠牲層及び前記レジスト膜上に、導電材を成膜し、前記レジストを除去することで、梁形状を成し、前記信号配線側の寸法が前記信号配線と反対側の寸法よりも大きい開口を備え、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを形成する工程と、
前記マイクロマシン上に第２の犠牲層を成膜する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば微小電気機械部品のパッケージング等のマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシン装置の一例として、図１５及び図１６に示されるように、基板１０２上に動作を伴うマイクロマシンとしてのＭＥＭＳ素子１０４が搭載され、中空に封止された、微小電気機械部品（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ）１０１が知られている（例えば、特許文献１または２参照）。微小電気機械部品１０１は、基板１０２、絶縁層１０３、ＭＥＭＳ素子１０４、信号用配線１０５、駆動電極１０６、下部電極１０７、第１封止体１０８および第２封止体１０９で構成され、内部に中空部１１０を構成する。ＭＥＭＳ素子１０４は両持ちの梁構造であり、梁の中央部分が信号用配線１０５と数μｍ程度のギャップを持って成形されている。ＭＥＭＳ素子１０４の直下の絶縁層１０３には、信号用配線１０５がＡｕなどで形成されている。ＭＥＭＳ素子１０４は、ばね特性の高いＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）もしくはＡｌ（アルミニウム）などで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線１０５の方へ近接する。また、この駆動力を除荷すると、ＭＥＭＳ素子１０４は自身のばね特性により、再び信号用配線１０５とギャップを持った位置に戻る。このようにＭＥＭＳ素子１０４と信号用配線１０５との間のギャップを変化させることで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
【０００３】
ＭＥＭＳ素子１０４の動作と保護のため、これを中空に封止する必要がある。製造コストの低減や小型化を目的として成膜プロセスによるマイクロマシン装置の製造方法が提供されている。図１７に示すように、まずＭＥＭＳ素子１０４と基板間にギャップを持たせるために、後の工程で完全に除去する犠牲層１１１を基板１０２上に形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１０４を、犠牲層１１１上に形成する。この犠牲層１１１上に形成されたＭＥＭＳ素子１０４に、第２の犠牲層１１２を形成する。第２の犠牲層１１２上に、第１封止体１０８を形成する。第１封止体１０８に、成膜中もしくは成膜後に、ＭＥＭＳ素子１０４の周囲の犠牲層１１１，１１２を除去する際にエッチング材を導入するための開口形状部１０８ａを形成する。犠牲層除去用エッチング材を開口形状部１０８ａより導入し、全ての犠牲層１１１，１１２を完全に除去する。最後に第２封止体１０９を、開口形状部１０８ａが完全に閉口するまで第１封止体１０８上に形成する。
【０００４】
以上により、図１４に示すように、第１および第２封止体１０８，１０９で構成された封止体によって、ＭＥＭＳ素子１０４を中空に封止することが可能となる。中空部１１０は減圧された雰囲気となっている。
【０００５】
このような微小電気機械部品１０１において、静電力を印荷したときに、両持ち梁状のＭＥＭＳ素子１０４の変形特性を向上させて少ない電力で信号用配線１０５との相対位置関係を変化させるために、ＭＥＭＳ素子１０４に上下方向、すなわちＭＥＭＳ素子１０４の厚み方向に貫通する開口が設けられたものがある。この開口は、通常、変形方向において一様の径を有している。
【特許文献１】特開２００５−２０７９５９号公報
【特許文献２】米国特許第７００８８１２Ｂ１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の技術では、以下のような問題があった。すなわち、左右対称形状の両持ち梁状のＭＥＭＳ素子は、そのばね特性により、静電力を除荷したときの振動が静定しにくいため、出力信号にノイズを含む原因となる。特に、中空部内の減圧された雰囲気では流体抵抗が小さいため、ＭＥＭＳ素子の振動を静定することが困難である。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、マイクロマシンの振動を収まりやすくすることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置は、主面上に信号線が設けられた基板と、前記基板の前記主面上に前記信号線を跨いで設けられ、梁形状部分を構成し、前記信号線側の寸法が前記信号線と反対側の寸法よりも大きい開口が形成され、電界の作用により前記梁形状部分が前記信号線に対して接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置の製造方法は、信号線が設けられた基板の主面上に、梁形状を成し、前記信号線側の寸法が前記信号線と反対側の寸法よりも大きい開口が形成され、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、前記マイクロマシン上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、前記第１封止体上に、第２封止体を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、出力信号のノイズが低減されたマイクロマシン装置の提供を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の第１実施形態にかかるマイクロマシン装置１について、図１乃至図４を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中Ｘ，Ｙ，Ｚは、互いに直交する三方向を示している。
【００１２】
マイクロマシン装置１は例えば微小電気機械部品（ＭＥＭＳ）であり、基板を構成するベース基板１１及び絶縁層１２と、ＭＥＭＳ素子１６（マイクロマシン）と、信号用配線１５（信号線）等を備えるとともに、封止体２０が基板と結合して、内部に常圧の気体が封入された雰囲気が形成される中空部１７を形成した状態で、気密に封止されている。封止体２０は、中空部１７を規定する第１封止体２１と第２封止体２２とが順次積層されて構成されている。
【００１３】
ベース基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス基板、またはサファイア基板であり、所定の板形状に形成されている。  
絶縁層１２は、ベース基板１１上に形成され、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる。これらベース基板１１及び絶縁層１２により基板が構成される。
【００１４】
絶縁層１２の上面には、下部電極１３、駆動電極１４、信号用配線１５及びＭＥＭＳ素子１６が形成されている。信号用配線１５はＡｕ（金）などで形成され、図２中Ｙ方向に延びて形成されている。駆動電極１４は、絶縁層１２上であって、信号用配線１５を挟んで図２中Ｘ方向における両側に設けられている。
【００１５】
絶縁層１２の上面には、ＭＥＭＳ素子１６が形成されている。ＭＥＭＳ素子１６は封止体２０の外部に通じる下部電極１３に接続されている。ＭＥＭＳ素子１６の直下の絶縁層１２の表面に信号用配線１５が配置されている。
【００１６】
ＭＥＭＳ素子１６はマイクロマシンの可動機構部であり、両持ちの梁形状部を成し、その両端部分は下部電極１３に接続され、梁形状部分である中央部位は、信号用配線１５と数μｍ程度のギャップを持って離間して配されている。例えば、後述するように数μｍ程度の厚さをもつ犠牲層１８ａ（第１の犠牲層）上にＭＥＭＳ素子１６を形成するような製造プロセスを経ることでギャップ構造を確保することが可能である。
【００１７】
ＭＥＭＳ素子１６は、例えばＰｏｌｙ−ＳｉやＡｌ等の導電材で構成され、梁形状部分を構成する矩形の板状部材１６ａが、ＳｉＯ２等の絶縁材料で矩形の板状に構成された接続継手１９を介して接続されて両持ち梁状に構成されている。この梁状のＭＥＭＳ素子１６は、ばね特性を有し、その中央部分が上下方向に変位するように厚み方向に弾性的に曲げ変形可能であり、弾性復元力を有する。ここでは、信号用配線１５直上の板状の部材と、信号用配線１５を跨ぐ方向における両側の片持ち梁状の部材とが、その上面側、すなわち信号用配線１５と反対側、に配置された接続継手１９を介して接続され、両持ち梁状に構成されている。このように、分離した複数の部材をその上面側において接続継手１９を介して接続する構成により、プルインの際の下方への変形をしやすく、かつ、プルアウト時に上方への変形を規制することができる。
【００１８】
ＭＥＭＳ素子１６は、例えば、電界の作用として駆動電極１４から静電力等の駆動力が与えられると、弾性変形して中央部分が信号用配線１５の方へ近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、静電力等の駆動力が印加、除荷されることにより、ＭＥＭＳ素子１６が駆動力に応じて信号用配線１５との間隔を変化させるように変形することで、マイクロマシン装置１の電気特性を変える。その変え方に応じて、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
【００１９】
ＭＥＭＳ素子１６の板状部材１６ａには、厚み方向に貫通された複数の開口１６ｂが形成されている。すなわち、変形時の動作方向を軸方向として開口１６ｂを設ける。開口１６ｂは、信号配線１５の直上を避けてその左右両側にそれぞれ複数形成されている。例えばここでは左右それぞれに６つの開口１６ｂが形成されている。
【００２０】
これらの開口１６ｂの径を、図３に示すように、上方の径Ｗ１よりも下方の径Ｗ２が大きくなるように設定する。すなわち、信号配線１５に近いほど径が大きくなるようにテーパ状に構成されている。この構成により、プルイン時の圧損よりもプルアウト時の圧損が大きくなり、リンギング現象が抑制される。すなわち、板状部材１６ａは、開口１６ｂにより、プルイン時に下方へ変形しやすく、プルアウト時の上方に変形し難くなっている。また、犠牲層除去用のドライエッチングガスがこの開口１６ｂを通ることにより短時間で犠牲層１８をエッチングすることが可能となる。
【００２１】
第１封止体２１は、その辺縁部分がＭＥＭＳ素子１６と離間した位置で周囲の絶縁層１２の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を上方から覆うように形成されている。すなわち、第１封止体２１はＭＥＭＳ素子１６から離間している。
【００２２】
第１封止体２１は、厚さ１〜２μｍ程度の膜であり、ＭＥＭＳ素子１６と数〜数十μｍ程度距離を保って設置される。例えば、後述するように、数十μｍ程度の厚さをもつ犠牲層１８ｂ（第２の犠牲層）を形成した後に第１封止体２１を形成し、犠牲層１８ｂを除去することにより、中空部１７の形成が可能となる。
【００２３】
第１封止体２１は、製造工程において、犠牲層除去用のドライエッチングガス（Ｏ２プラズマガス等）の導入のために設けられた開口であった第１開口形状部２１ａが複数設けられている。第１開口形状部２１ａは、ＭＥＭＳ素子１６の上方を避けて、ＭＥＭＳ素子１６の周囲において、例えば５０μｍの間隔で並列されて形成されている。
【００２４】
この開口部を含む第１封止体２１の外側は、第２封止体２２に覆われている。第２封止体２２は、１〜２μｍ程度の厚みを有する膜であり、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）等の無機材料から構成されている。第２封止体２２は第１開口形状部２１ａを気密に閉塞して、中空部１７を密封するように成膜される。
【００２５】
このような構成のマイクロマシン装置１において、駆動電流が印加されたプルイン時には、図５に示すように、の中央部分が下方に向かって変位するように板状部材１６ａが変形し、信号用配線１５に接触するとともに、中央部分の左右近傍が駆動電極１４にそれぞれ接触する。
【００２６】
駆動電流を除荷したプルアウトの際には、図６に示すように、プルイン時の変形が元に戻るよう弾性復元力が生じ、これにより中央部分が信号用配線１５及び駆動電極１４から離れる方向すなわち上方に向かって変位するように板状部材１６ａが変形する。この弾性復元力により板状部材１６ａが厚み方向に振動する。この際、開口１６ｂの径が下方に向かって大きくなっているため、プルイン時の下方への弾性変形がしやすく、かつ、プルアウト時の上方への変形が抑制される。
【００２７】
したがって、開口１６ｂの形状が上下に一様である構造を有するＭＥＭＳ素子に比べて、電力除荷後の減衰時間が短い。
【００２８】
次に、本実施形態にかかるマイクロマシン装置１の製造方法について図７乃至図１４を参照して説明する。  
まず、図７に示すように、ベース基板１１上に絶縁層１２を形成し、絶縁層１２上に信号用配線１５を形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１６として、例えば、Ａｕを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。
【００２９】
まず信号用配線１５とＭＥＭＳ素子１６との間にギャップを持たせるために、信号用配線１５上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層１８ａを形成して段差を形成してから、この犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成する。
【００３０】
この際、まず、図７及び拡大した図８に示すように、犠牲層１８ａ上に後でリフトオフするポジ型のレジスト膜２４を形成する。レジスト膜２４として、例えばスクイーズフィルム効果のある感光性の有機材料を用いる。
【００３１】
ついで、レジスト膜２４の上に所定形状、ここでは円形状の複数のマスク２５を配置し、上方からの露光により、レジスト膜２４をパターニングする。
【００３２】
この結果、図９に示すように、レジスト膜２４が、上方の径が小さい円錐状に形成される。すなわち、この段階で、犠牲層１８ａ上には複数の円錐状のレジスト膜２４が配置される。なお、この円錐状のレジスト膜２４はＭＥＭＳ素子１６に形成したい開口１６ｂの形状及び配置となるようにパターニングされる。
【００３３】
ついで、図１０に示すように、スパッタ法等により金属等の導電材からなる膜を形成する。この結果、レジスト膜２４の周囲に導電材の膜が形成され、これがＭＥＭＳ素子１６となる。すなわち、後に円錐形状のレジスト２４を除去すると、図１１に示すように、円錐形状の開口１６ｂが複数配された梁状のＭＥＭＳ素子１６となる。
【００３４】
以上により、テーパ状の開口１６ｂを有するＭＥＭＳ素子１６が、その中央部分が信号用配線１５から離間する所定の両持ち梁形状に形成される。
【００３５】
さらに、図１２に示すように、ＭＥＭＳ素子１６が形成された状態の上に、ＭＥＭＳ素子１６を覆うように犠牲層１８ｂを形成する。
【００３６】
犠牲層１８ａ、１８ｂは、例えば、スピンコート法によりポリイミド膜が成膜され、パターニングにより所定形状に形成され、硬化される。
【００３７】
犠牲層１８ａ，１８ｂの形成後、図１３に示すように、第１封止体２１として、プラズマＣＶＤ装置により、ＳｉＯ２を、所定厚さで形成する。
【００３８】
さらに、フォトリソグラフィ処理等により、第１封止体２１に、成膜中もしくは成膜後にＭＥＭＳ素子１６の周囲の犠牲層１８ａ，１８ｂを除去する際に除去材を導入するための犠牲層除去用の開口であり、犠牲層除去の後で閉塞される開口形状部２１ａを複数形成する。
【００３９】
ついで、犠牲層除去用のエッチング材を開口形状部２１ａより導入し、図１４に示すように、全ての犠牲層１８ａ，１８ｂを完全に除去する。例えば、多結晶シリコンを選択的に除去するＸｅＦ２ガスを、開口形状部２１ａから導入することにより、全ての犠牲層が除去される。この結果、第１封止体２１及び第２封止体２２で覆われる内部に中空部１７が形成される。なお、レジスト２４はこの段階で除去しても良いし、第２犠牲層１８ｂを形成する前に予め除去しておいても良い。
【００４０】
ついで、第１封止体２１上に、例えば、プラズマＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置により、第１封止体２１を覆うように、第２封止体２２として、例えばＳｉＮ等を数μｍ以上の厚さで成膜する。この第２封止体２２が薄膜プロセスによって形成されることで、第１封止体２１の開口形状部２１ａが密封されることにより、中空部１７の気密性が保たれ、内気の漏れが防止される。
【００４１】
以上により、図１及び図２に示すマイクロマシン装置１が完成する。このようにして構成されたマイクロマシン装置１としてのパッケージは、例えばドライバＩＣチップ等に用いることができる。
【００４２】
本実施形態にかかる及びマイクロマシン装置１及びマイクロマシン装置１の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６に、信号配線１５側が大きい径を有するテーパ状の開口を形成したため、プルイン時に下方に変形しやすく、プルアウト時には上方に変形し難い構成とし、弾性復元力により生じる振動を抑制することができる。
【００４３】
例えば、図２で示す板状部材１６ａの振動は、開口を接離方向に一様な形状とした場合と比べ、その減衰率を３倍以上とすることが可能である。したがって、出力信号のノイズを抑え、部品としての精度を向上することができる。
【００４４】
さらに、ＭＥＭＳ素子１６の板状部材１６ａを貫通する開口１６ｂを多数設けたことにより、犠牲層１８除去の際のエッチングガスの流動を可能として除去時間を短縮することが可能となる。また、信号配線１５の直上を避けて開口１６ｂを配置したことにより、プルイン時の接触面積を確保して電気的な性能を維持することができる。
【００４５】
さらに、封止体２０は、ＳｉＯ２、ＳｉＮなどの絶縁性を有する材料で構成されているため、導電性をもつＭＥＭＳ素子１６との間に電気容量を形成しない。したがって、ＭＥＭＳ素子１６と周囲の導体とでの容量形成を回避し可変電気容量を用途とした電気機械部品において、高い容量変化をもつ性能を実現できる。
【００４６】
なお、本発明の具体的な構成及び製造方法は上記実施形態に限られるものではない。例えば、上記実施形態ではポジ型のレジストを用いて円錐状の開口１６ｂを形成する場合について例示したが、これに代えてネガ型のレジストを用いても良い。この場合、熱により反転する性質を有するイメージリバースレジストを適用しても良い。例えばこのようなレジストを用いると、特にリフトオフをする場合に都合が良い場合がある。さらに、開口１６ｂの形状は連続的に径が変化するテーパ状の錐形状としたが、これに限られるものではなく、例えば段階的に径が変化するものであっても良い。
【００４７】
また、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。また、複数の犠牲層１８ａ，１８ｂは同一材料であっても異なる材料であっても良い。また、基板として、ベース基板１１上に絶縁層１２を備えた構造について説明したが絶縁層１２を省略してベース基板１１のみで基板を構成し、このベース基板１１上にＭＥＭＳ素子１６、信号用配線１５を形成してもよい。また、ＭＥＭＳ素子１６は接続継手１９を介して接続されている場合について説明したが、梁状部材が一体に板状に形成されている場合も同様である。
【００４８】
この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の１実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す平面図。
【図２】同マイクロマシン装置の断面図。
【図３】同マイクロマシン装置の要部を示す断面図。
【図４】同マイクロマシン装置のＭＥＭＳ素子の構成を示す平面図。
【図５】同マイクロマシン装置のプルイン時の動作を示す断面図。
【図６】同マイクロマシン装置のプルアウト時の動作を示す断面図。
【図７】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図８】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図９】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１０】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１１】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１２】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１３】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１４】同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。
【図１５】マイクロマシン装置の一例を一部切欠して示す斜視図。
【図１６】マイクロマシン装置の一例を示す断面図。
【図１７】マイクロマシン装置の一例の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１、１８…マイクロマシン装置、１１…ベース基板（基板）、１２…絶縁層（基板）、１３…下部電極、１４…駆動電極、１５…信号配線（信号線）、１６…ＭＥＭＳ素子（マイクロマシン）、１６ａ…板状部材、１６ｂ…開口、１７…中空部、１８ａ．１８ｂ…犠牲層、１９…接続継手、２０…封止体、２１…第１封止体、２１ａ…開口形状部、２２…第２封止体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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