(57)【要約】【課題】ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図る。【解決手段】表面（２１）にデバイスが形成されたウェーハ（２０）の裏面（２２）が露出するようにウェーハを保持し、ウェーハの裏面を研削して脆性破壊層（Ｚ）を裏面に形成し、ウェーハの裏面全体を研磨し、それにより、脆性破壊層を部分的に残すようにした、ことを特徴とするウェーハ処理方法が提供される。このとき、ウェーハの裏面における表層のみを除去するのが好ましい。また、ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つによりウェーハが研磨されるようにするのが好ましい。【選択図】図４
2009238853.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持し、
前記ウェーハの前記裏面を研削して脆性破壊層を前記裏面に形成し、
前記ウェーハの前記裏面全体を研磨し、それにより、前記脆性破壊層を部分的に残すようにした、ことを特徴とするウェーハ処理方法。
【請求項２】
前記ウェーハの前記裏面における表層のみを研磨により除去するようにした請求項１に記載のウェーハ処理方法。
【請求項３】
ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つにより前記ウェーハが研磨されるようにした請求項１または２に記載のウェーハ処理方法。
【請求項４】
表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持する保持手段と、
前記ウェーハの前記裏面を研削する研削手段と、
前記脆性破壊層を部分的に残すように前記ウェーハの前記裏面全体を研磨する研磨手段とを具備するウェーハ処理装置。
【請求項５】
前記研磨手段は、前記ウェーハの前記裏面における表層のみを研磨により除去するようにした請求項４に記載のウェーハ処理装置。
【請求項６】
前記研磨手段は、ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つを実施する請求項４または５に記載のウェーハ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にデバイスが形成されたウェーハを処理するウェーハ処理方法およびそのような方法を実施するウェーハ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄葉化が進んでいる。ウェーハを薄葉化するために、半導体ウェーハの裏面を研削するバックグラインドが行われている。バックグラインド時には、ウェーハ表面に形成された半導体素子を保護するために表面保護テープがウェーハの表面に貼付けられる。
【０００３】
バックグラインドによって、ウェーハの裏面の表層には脆性破壊層（機械的ダメージ層）が形成される。このような脆性破壊層はウェーハの強度を低下させ、また表面粗さを増大させる原因ともなりうる。このため、通常はバックグラインド後にウェーハの裏面を研磨して、脆性破壊層を除去し、それにより、ウェーハの強度が低下することおよび表面粗さが増大することを防止している。
【０００４】
ところで、バックグラインドにより形成される脆性破壊層は、ゲッタリング効果を生じさせるために利用される場合がある。ゲッタリング効果とは、半導体チップの製造工程において半導体ウェーハに含有された主に重金属を主とする不純物を、半導体チップに形成された電子回路等の素子の形成領域外の歪み場に集めて素子形成領域を清浄化することであり、歪み場として、機械的ダメージが形成された部分、例えば脆性破壊層が活用される。このゲッタリング効果によって素子形成領域に不純物が存在しにくくなり、結晶欠陥の発生や電気特性の劣化といった不具合が抑制され、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られるとされている。例えば特許文献１には、ゲッタリング効果を得るための手法が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２７７１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウェーハの強度が低下することなどを防止するためにウェーハを研磨して脆性破壊層を完全に除去すると、ゲッタリング効果が利用できない。つまり、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下と、ゲッタリング効果の利用とは、トレードオフの関係にある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図ることのできるウェーハ処理方法およびそのような方法を実施するウェーハ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持し、前記ウェーハの前記裏面を研削して脆性破壊層を前記裏面に形成し、前記ウェーハの前記裏面全体を研磨し、それにより、前記脆性破壊層を部分的に残すようにした、ことを特徴とするウェーハ処理方法が提供される。
【０００８】
すなわち１番目の発明においては、研削により生じた脆性破壊層を残しているのでゲッタリング効果を利用でき、従って、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られる。さらに、ウェーハの裏面を研磨しているので、ウェーハを研削した場合と比較して、ウェーハの強度を高められると共に、表面粗さを低下させられ、さらにウェーハの反りも低減できる。
【０００９】
２番目の発明によれば、１番目の発明において、前記ウェーハの前記裏面における表層のみを研磨により除去するようにした。
すなわち２番目の発明においては、表層のみを研磨しているので、脆性破壊層はそれほど除去されず、従って、ゲッタリング効果を有効に利用できる。
【００１０】
３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つにより前記ウェーハが研磨されるようにした。
すなわち３番目の発明においては、比較的簡易な方法で、ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図ることができる。
【００１１】
４番目の発明によれば、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持する保持手段と、前記ウェーハの前記裏面を研削する研削手段と、前記脆性破壊層を部分的に残すように前記ウェーハの前記裏面全体を研磨する研磨手段とを具備するウェーハ処理装置が提供される。
【００１２】
すなわち４番目の発明においては、研削により生じた脆性破壊層を残しているのでゲッタリング効果を利用でき、従って、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られる。さらに、ウェーハの裏面を研磨しているので、ウェーハを研削した場合と比較して、ウェーハの強度を高められると共に、表面粗さを低下させられ、さらにウェーハの反りも低減できる。
【００１３】
５番目の発明によれば、４番目の発明において、前記研磨手段は、前記ウェーハの前記裏面における表層のみを研磨により除去するようにした。
すなわち５番目の発明においては、表層のみを研磨しているので、脆性破壊層はそれほど除去されず、従って、ゲッタリング効果を有効に利用できる。
【００１４】
６番目の発明によれば、４番目または５番目の発明において、前記研磨手段は、ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つを実施する。
すなわち６番目の発明においては、比較的簡易な方法で、ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１は本発明に係るウェーハ処理方法が適用されるウェーハ処理装置の略平面図である。ウェーハ処理装置１０には、複数の回路パターン１９が形成された表面２１が保護フィルム３により保護されている複数のウェーハ２０がカセット１１ａにより供給されるものとする。
【００１６】
図１に示されるウェーハ処理装置１０は、四つのチャック部１２ａ〜１２ｄを備えていて矢印Ａ方向にインデックス回転するターンテーブル１３と、ウェーハ２０を洗浄する洗浄ユニット１４と、ウェーハ２０を搬送する搬送ロボット１５とを含んでいる。
【００１７】
さらに、図１に示されるように、ウェーハ処理装置１０においては、粗研削ユニット３１、仕上研削ユニット３２および研磨ユニット３３がターンテーブル１３の回転方向Ａに沿って順番に配置されている。なお、粗研削ユニット３１は粗研削砥石（図示しない）によりウェーハ２０の裏面２２を粗研削し、仕上研削ユニット３２は仕上研削砥石（図示しない）により裏面２２を仕上研削する。
【００１８】
図２は研磨ユニットの部分側面図である。図２に示されるように、研磨ユニット３３のアーム４１の先端には、モータ４２が懸架されている。そして、モータ４２の出力軸４２ａには、研磨ヘッド４３が回転可能に取付けられている。また、研磨ヘッド４３の研磨布４４はスラリーを必要に応じて吐出できる。
【００１９】
研磨時には、研磨ヘッド４３およびチャック部１２ａが互いに反対方向に回転し、次いで、研磨ヘッド４３がアーム４１と一体的にウェーハ２０の厚さ方向に下降する。これにより、チャック部１２ｄに保持されたウェーハ２０の裏面２２が全体的に均等に研磨される。なお、この研磨ユニット３３は、研磨布４４からスラリーを吐出してウェットエッチングを行うことができ、スラリーを利用しないドライエッチングを行うことも可能である。
【００２０】
再び図１を参照すると、ウェットエッチングユニット３４およびドライエッチングユニット３５が搬送ロボット１５と研磨ユニット３３との間に配置されている。ウェットエッチングユニット３４は、ウェーハ２０の裏面２２を化学薬品によりエッチングする。また、ドライエッチングユニット３５は、フッ素系のガスを用いて、ウェーハ２０の裏面２２をエッチングする。
【００２１】
以下、本発明のウェーハ処理装置１０の動作について説明する。はじめに、搬送ロボット１５によって、カセット１１ａから一つのウェーハ２０が取出されて、チャック部１２ａまで搬送される。
【００２２】
ウェーハ２０はその裏面２２が上方を向いた状態でチャック部１２ａに吸引保持される。次いで、ウェーハ２０は洗浄ユニット１４によりチャック部１２ａ上で洗浄される。その後、ターンテーブル１３がインデックス回転し、チャック部１２ａは粗研削ユニット３１まで移動される。このとき、別のチャック部１２ｄには別のウェーハ２０が搬送ロボット１５により搬送され、同様な処理が順次行われる。しかしながら、このことは公知であるので説明を省略する。
【００２３】
粗研削ユニット３１においてはウェーハ２０の裏面２２が粗研削砥石（図示しない）により公知の手法で粗研削される。次いで、ターンテーブル１３がインデックス回転して、チャック部１２ａは粗研削ユニット３１から仕上研削ユニット３２まで移動される。仕上研削ユニット３２においては、ウェーハ２０の裏面２２は仕上研削砥石（図示しない）により公知の手法で仕上研削される。
【００２４】
図３は研削後におけるウェーハの部分断面図である。粗研削ユニット３１および仕上研削ユニット３２による研削後においては、図３に示されるように、ウェーハ２０の裏面２２は比較的粗く、また裏面２２には脆性破壊層Ｚが形成される。脆性破壊層Ｚには多数の微細なクラック、割れまたは内部歪み（以下、「クラック等」と呼ぶ）が形成されており、これらクラック等を含む脆性破壊層Ｚはゲッタリング効果を得るのに使用される。すなわち、クラック等を含む脆性破壊層Ｚが、重金属を主とする不純物を集め、その結果、回路パターン１９に不純物が存在し難いようにできる。
【００２５】
再び図１を参照すると、研削後にターンテーブル１３は再びインデックス回転して、チャック部１２ａは仕上研削ユニット３２から研磨ユニット３３まで移動される。研磨ユニット３３においては、図２に示されるように研磨布４４からスラリーを吐出しつつ、ウェットポリッシュが行われる。ウェットポリッシュぼ終了後には、チャック部１２ａの保持作用が解除される。そして、搬送ロボット１５によってウェーハ２０がチャック部１２ａからカセット１１ｂまで搬送される。
【００２６】
図４は研磨後におけるウェーハの部分断面図である。図４に示されるように、本発明においては、裏面２２全体が平坦になる程度にまで、研磨ヘッド４３により裏面２２の表層のみが除去される。従って、脆性破壊層Ｚは完全には除去されず、脆性破壊層Ｚの一部は裏面２２に残るようになる。
【００２７】
このように本発明においては、研削により生じた脆性破壊層Ｚを残しているので、重金属を主とする不純物を脆性破壊層Ｚのクラック等に集め、それにより、回路パターン１９に不純物が存在し難いようにできる。その結果、回路パターン１９の特性の安定化や性能の向上が図られる。すなわち、本発明においては、ゲッタリング効果を活用できる。
【００２８】
さらに、本発明においては、ウェーハ２０の裏面２２を研磨しているので、脆性破壊層Ｚにおけるクラック等を少なくし、その結果、ウェーハ２０の強度を高めると共に、裏面２２の表面粗さを低下させられる。さらに、研削砥石により反ったウェーハを或る程度元に戻すことも可能である。なお、研磨布４４からスラリーを吐出することなしに、ウェーハ２０をドライポリッシュしてもよく、この場合でも、同様な効果が得られるのが分かるであろう。
【００２９】
あるいは、研磨ユニット３３の代わりに、ウェットエッチングユニット３４またはドライエッチングユニット３５を使用して、ウェーハ２０の裏面２２をエッチングしてもよい。このような場合には、裏面２２に対するエッチング作用が裏面２２を研磨するのと概ね同様となり、従って、前述したのと同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係るウェーハ処理方法が適用されるウェーハ処理装置の略平面図である。
【図２】研磨ユニットの部分側面図である。
【図３】本発明のウェーハ処理装置による研削後におけるウェーハの部分断面図である。
【図４】本発明のウェーハ処理装置による研磨後におけるウェーハの部分断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
３    保護フィルム
１０    ウェーハ処理装置
１１ａ、１１ｂ    カセット
１２ａ〜１２ｄ    チャック部
１３    ターンテーブル
１４    洗浄ユニット
１５    搬送ロボット
１９    回路パターン
２０    ウェーハ
２１    表面
２２    裏面
３１    粗研削ユニット
３２    仕上研削ユニット
３３    研磨ユニット
３４    ウェットエッチングユニット
３５    ドライエッチングユニット
４１    アーム
４２    モータ
４２ａ    出力軸
４３    研磨ヘッド
４４    研磨布
Ｚ    脆性破壊層
【図１】
2009238853.tif 000003
【図２】
2009238853.tif 000004
【図３】
2009238853.tif 000005
【図４】
2009238853.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成20年5月12日(2008.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にデバイスが形成されたウェーハを処理するウェーハ処理方法およびそのような方法を実施するウェーハ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄葉化が進んでいる。ウェーハを薄葉化するために、半導体ウェーハの裏面を研削するバックグラインドが行われている。バックグラインド時には、ウェーハ表面に形成された半導体素子を保護するために表面保護テープがウェーハの表面に貼付けられる。
【０００３】
バックグラインドによって、ウェーハの裏面の表層には脆性破壊層（機械的ダメージ層）が形成される。このような脆性破壊層はウェーハの強度を低下させ、また表面粗さを増大させる原因ともなりうる。このため、通常はバックグラインド後にウェーハの裏面を研磨して、脆性破壊層を除去し、それにより、ウェーハの強度が低下することを防ぎ、表面粗さも小さくする。
【０００４】
ところで、バックグラインドにより形成される脆性破壊層は、ゲッタリング効果を生じさせるために利用される場合がある。ゲッタリング効果とは、半導体チップの製造工程において半導体ウェーハに含有された主に重金属を主とする不純物を、半導体チップに形成された電子回路等の素子の形成領域外の歪み場に集めて素子形成領域を清浄化することであり、歪み場として、機械的ダメージが形成された部分、例えば脆性破壊層が活用される。このゲッタリング効果によって素子形成領域に不純物が存在しにくくなり、結晶欠陥の発生や電気特性の劣化といった不具合が抑制され、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られるとされている。例えば特許文献１には、ゲッタリング効果を得るための手法が開示されている。
【特許文献１】特開２００５−２７７１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウェーハの強度が低下することなどを防止するためにウェーハを研磨して脆性破壊層を完全に除去すると、ゲッタリング効果が利用できない。つまり、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下と、ゲッタリング効果の利用とは、トレードオフの関係にある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図ることのできるウェーハ処理方法およびそのような方法を実施するウェーハ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持し、前記ウェーハの前記裏面を研削して脆性破壊層を前記裏面に形成し、前記ウェーハの前記裏面全体を研磨し、それにより、前記脆性破壊層を部分的に残すようにした、ことを特徴とするウェーハ処理方法が提供される。
【０００８】
すなわち１番目の発明においては、研削により生じた脆性破壊層を残しているのでゲッタリング効果を利用でき、従って、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られる。さらに、ウェーハの裏面を研磨しているので、ウェーハを研削した場合と比較して、ウェーハの強度を高められると共に、表面粗さを低下させられ、さらにウェーハの反りも低減できる。
【０００９】
２番目の発明によれば、１番目の発明において、前記ウェーハの前記裏面における表層のみを研磨により除去するようにした。
すなわち２番目の発明においては、表層のみを研磨しているので、脆性破壊層はそれほど除去されず、従って、ゲッタリング効果を有効に利用できる。
【００１０】
３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つにより前記ウェーハが研磨されるようにした。
すなわち３番目の発明においては、比較的簡易な方法で、ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図ることができる。
【００１１】
４番目の発明によれば、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面が露出するようにウェーハを保持する保持手段と、前記ウェーハの前記裏面を研削する研削手段と、前記脆性破壊層を部分的に残すように前記ウェーハの前記裏面全体を研磨する研磨手段とを具備するウェーハ処理装置が提供される。
【００１２】
すなわち４番目の発明においては、研削により生じた脆性破壊層を残しているのでゲッタリング効果を利用でき、従って、半導体チップの特性の安定化や性能の向上が図られる。さらに、ウェーハの裏面を研磨しているので、ウェーハを研削した場合と比較して、ウェーハの強度を高められると共に、表面粗さを低下させられ、さらにウェーハの反りも低減できる。
【００１３】
５番目の発明によれば、４番目の発明において、前記研磨手段は、前記ウェーハの前記裏面における表層のみを研磨により除去するようにした。
すなわち５番目の発明においては、表層のみを研磨しているので、脆性破壊層はそれほど除去されず、従って、ゲッタリング効果を有効に利用できる。
【００１４】
６番目の発明によれば、４番目または５番目の発明において、前記研磨手段は、ウェットポリッシュ、ドライポリッシュ、ウェットエッチングおよびドライエッチングのうちの少なくとも一つを実施する。
すなわち６番目の発明においては、比較的簡易な方法で、ゲッタリング効果の利用を可能としつつ、ウェーハの強度の向上および表面粗さの低下を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１は本発明に係るウェーハ処理方法が適用されるウェーハ処理装置の略平面図である。ウェーハ処理装置１０には、複数の回路パターン１９が形成された表面２１が保護フィルム３により保護されている複数のウェーハ２０がカセット１１ａにより供給されるものとする。
【００１６】
図１に示されるウェーハ処理装置１０は、四つのチャック部１２ａ〜１２ｄを備えていてインデックス回転するターンテーブル１３と、四つのチャック部１２ａ〜１２ｄを洗浄する洗浄ユニット１４と、ウェーハ２０を搬送する搬送ロボット１５とを含んでいる。
【００１７】
さらに、図１に示されるように、ウェーハ処理装置１０においては、粗研削ユニット３１、仕上研削ユニット３２および研磨ユニット３３がターンテーブル１３に沿って順番に配置されている。なお、粗研削ユニット３１は粗研削砥石（図示しない）によりウェーハ２０の裏面２２を粗研削し、仕上研削ユニット３２は仕上研削砥石（図示しない）により裏面２２を仕上研削する。
【００１８】
図２は研磨ユニットの部分側面図である。図２に示されるように、研磨ユニット３３のアーム４１の先端には、モータ４２が懸架されている。そして、モータ４２の出力軸４２ａには、研磨ヘッド４３が回転可能に取付けられている。また、研磨ヘッド４３の研磨布４４はスラリーを必要に応じて吐出できる。
【００１９】
研磨時には、研磨ヘッド４３およびチャック部１２ａが互いに反対方向に回転し、次いで、研磨ヘッド４３がアーム４１と一体的にウェーハ２０の厚さ方向に下降する。これにより、チャック部１２ｄに保持されたウェーハ２０の裏面２２が全体的に均等に研磨される。なお、この研磨ユニット３３は、研磨布４４からスラリーを吐出してウェットエッチングを行うことができ、スラリーを利用しないドライエッチングを行うことも可能である。
【００２０】
再び図１を参照すると、ウェットエッチングユニット３４およびドライエッチングユニット３５が搬送ロボット１５と研磨ユニット３３との間に配置されている。ウェットエッチングユニット３４は、ウェーハ２０の裏面２２を化学薬品によりエッチングする。また、ドライエッチングユニット３５は、フッ素系のガスを用いて、ウェーハ２０の裏面２２をエッチングする。
【００２１】
以下、本発明のウェーハ処理装置１０の動作について説明する。はじめに、搬送ロボット１５によって、カセット１１ａから一つのウェーハ２０が取出されて、チャック部１２ａまで搬送される。
【００２２】
ウェーハ２０はその裏面２２が上方を向いた状態でチャック部１２ａに吸引保持される。次いで、ウェーハ２０は洗浄ユニット１４によりチャック部１２ａ上で洗浄される。その後、ターンテーブル１３がインデックス回転し、チャック部１２ａは粗研削ユニット３１まで移動される。このとき、別のチャック部１２ｄには別のウェーハ２０が搬送ロボット１５により搬送され、同様な処理が順次行われる。しかしながら、このことは公知であるので説明を省略する。
【００２３】
粗研削ユニット３１においてはウェーハ２０の裏面２２が粗研削砥石（図示しない）により公知の手法で粗研削される。次いで、ターンテーブル１３がインデックス回転して、チャック部１２ａは粗研削ユニット３１から仕上研削ユニット３２まで移動される。仕上研削ユニット３２においては、ウェーハ２０の裏面２２は仕上研削砥石（図示しない）により公知の手法で仕上研削される。
【００２４】
図３は研削後におけるウェーハの部分断面図である。粗研削ユニット３１および仕上研削ユニット３２による研削後においては、図３に示されるように、ウェーハ２０の裏面２２は比較的粗く、また裏面２２には脆性破壊層Ｚが形成される。脆性破壊層Ｚには多数の微細なクラック、割れまたは内部歪み（以下、「クラック等」と呼ぶ）が形成されており、これらクラック等を含む脆性破壊層Ｚはゲッタリング効果を得るのに使用される。すなわち、クラック等を含む脆性破壊層Ｚが、重金属を主とする不純物を集め、その結果、回路パターン１９に不純物が存在し難いようにできる。
【００２５】
再び図１を参照すると、研削後にターンテーブル１３は再びインデックス回転して、チャック部１２ａは仕上研削ユニット３２から研磨ユニット３３まで移動される。研磨ユニット３３においては、図２に示されるように研磨布４４からスラリーを吐出しつつ、ウェットポリッシュが行われる。ウェットポリッシュぼ終了後には、チャック部１２ａの保持作用が解除される。そして、搬送ロボット１５によってウェーハ２０がチャック部１２ａからカセット１１ｂまで搬送される。
【００２６】
図４は研磨後におけるウェーハの部分断面図である。図４に示されるように、本発明においては、裏面２２全体が平坦になる程度にまで、研磨ヘッド４３により裏面２２の表層のみが除去される。従って、脆性破壊層Ｚは完全には除去されず、脆性破壊層Ｚの一部は裏面２２に残るようになる。
【００２７】
このように本発明においては、研削により生じた脆性破壊層Ｚを残しているので、重金属を主とする不純物を脆性破壊層Ｚのクラック等に集め、それにより、回路パターン１９に不純物が存在し難いようにできる。その結果、回路パターン１９の特性の安定化や性能の向上が図られる。すなわち、本発明においては、ゲッタリング効果を活用できる。
【００２８】
さらに、本発明においては、ウェーハ２０の裏面２２を研磨しているので、脆性破壊層Ｚにおけるクラック等を少なくし、その結果、ウェーハ２０の強度を高めると共に、裏面２２の表面粗さを低下させられる。さらに、研削砥石により反ったウェーハを或る程度元に戻すことも可能である。なお、研磨布４４からスラリーを吐出することなしに、ウェーハ２０をドライポリッシュしてもよく、この場合でも、同様な効果が得られるのが分かるであろう。
【００２９】
あるいは、研磨ユニット３３の代わりに、ウェットエッチングユニット３４またはドライエッチングユニット３５を使用して、ウェーハ２０の裏面２２をエッチングしてもよい。このような場合には、裏面２２に対するエッチング作用が裏面２２を研磨するのと概ね同様となり、従って、前述したのと同様な効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係るウェーハ処理方法が適用されるウェーハ処理装置の略平面図である。
【図２】研磨ユニットの部分側面図である。
【図３】本発明のウェーハ処理装置による研削後におけるウェーハの部分断面図である。
【図４】本発明のウェーハ処理装置による研磨後におけるウェーハの部分断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
３    保護フィルム
１０    ウェーハ処理装置
１１ａ、１１ｂ    カセット
１２ａ〜１２ｄ    チャック部
１３    ターンテーブル
１４    洗浄ユニット
１５    搬送ロボット
１９    回路パターン
２０    ウェーハ
２１    表面
２２    裏面
３１    粗研削ユニット
３２    仕上研削ユニット
３３    研磨ユニット
３４    ウェットエッチングユニット
３５    ドライエッチングユニット
４１    アーム
４２    モータ
４２ａ    出力軸
４３    研磨ヘッド
４４    研磨布
Ｚ    脆性破壊層