(57)【要約】【課題】十分な保護能力を持つ静電保護回路を搭載し、且つ、額縁の小さいパネルを提供することを目的とする。【解決手段】表示装置は、しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、該電流に応じた明るさで発光する発光素子と、該発光素子を駆動する駆動回路と、該駆動回路に電圧及び電気信号を供給する配線と、該配線を外部回路に接続するための端子とを有する。配線と駆動回路の接地電位及び電源電位との間に、端子に生じる異常電圧を一定値以下に抑えるための、発光素子と同じ積層構造を有する素子を回路要素とする保護回路が設けられる。【選択図】図１
2009037124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、該電流に応じた明るさで発光する発光素子と、該発光素子を駆動する駆動回路と、該駆動回路に電圧及び電気信号を供給する配線と、該配線を外部回路に接続するための端子とを有する表示装置であって、
前記配線と前記駆動回路の接地電位及び電源電位との間に、前記端子に生じる異常電圧を一定値以下に抑えるための、前記発光素子と同じ積層構造を有する素子を回路要素とする保護回路が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記発光素子は、有機発光層を有する有機ＥＬ素子で構成され、
前記保護回路は、前記有機ＥＬ素子と同じ積層構造を有するダイオードを回路要素とするものであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記保護回路は、前記接地電位の電源配線と、前記電源電位の電源配線とを有し、
前記ダイオードは、アノード電極が前記接地電位の電源配線に、カソード電極が前記配線にそれぞれ接続される第１のダイオードと、アノード電極が前記配線に、カソード電極が前記電源電位の電源配線にそれぞれ接続される第２のダイオードとを有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記保護回路は、前記配線上または前記駆動回路上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、該電流に応じた明るさで発光する発光素子と、該発光素子を駆動する駆動回路と、該駆動回路に電圧及び電気信号を供給する配線と、該配線を外部回路に接続するための端子とを有する表示装置の製造方法であって、
基板上に前記発光素子を形成する際に、前記配線と前記駆動回路の接地電位及び電源電位との間に、前記端子に生じる異常電圧を一定値以下に抑えるための、前記発光素子と同じ積層構造を有する素子を回路要素とする保護回路を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に保護回路を有する有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）に比べ薄型化が可能であり、液晶表示装置に比べ広い視野角が得られ、軽量、低コスト化が容易な有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置の開発が盛んとなっている。有機ＥＬ表示装置で用いられる発光素子は、一般的に有機発光層がアノード電極とカソード電極間に挟まれた構造であり、外部駆動回路により電極間に電流を流すことで発光する。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、このような発光素子を、複数の走査線と、複数のデータ線との交差部に設け、発光素子に電流を供給する電流供給線と、電流供給線から発光素子への電流経路に設けられ発光素子への電流を制御する駆動トランジスタとから構成される。この構成において、少なくとも発光素子と駆動トランジスタを含む単位回路は、一列に、もしくは、マトリクス状に複数形成され、走査線からの選択信号、及びデータ線からのデータ信号に応じて発光素子はそれぞれ発光する。
【特許文献１】特開平１０−２９４３８３号公報
【特許文献２】特開２００３−３０８０５０号公報
【特許文献３】特開２０００−９８３３８号公報
【特許文献４】特開平９−８０４６９号公報
【特許文献５】特開平１０−３９３２５号公報
【特許文献６】特開平１１−７２８０６号公報
【特許文献７】特開２０００−８９６８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような発光装置において、選択信号を走査線に供給する走査線駆動回路やデータ信号をデータ線に供給するデータ線駆動回路などの駆動回路の一部もしくは全部が、発光素子と同じ基板内に作りこまれることが多い。その結果、基板を製造する際、静電気によりトランジスタが劣化したり破壊したりするといった静電破壊の問題があった。このような静電破壊は、低温ポリシリコン（Low Temperature Poly-Silicon：ＬＴＰＳ）薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）の場合に特に顕著である。
【０００５】
また、走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方の駆動回路を基板上に内蔵し、これらに電源を供給する駆動電源回路やタイミング制御回路などの回路を外付けＩＣ回路（集積回路）として構成する場合がある。この場合、基板の走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方と外付けＩＣ回路とを接続する。このような場合には、基板と外付けＩＣ回路とを接続する製造工程において静電気が、基板上に形成した走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方の回路に流入して、これらの回路を破壊することがあった。
【０００６】
さらに、基板の走査線駆動回路もしくはデータ線駆動回路の少なくとも一方と外付けＩＣ回路とを接続する接続端子が基板に設けられている場合がある。この場合には、特に発光基板を製造する際に発生した静電気がこの接続端子を通じて発光装置内に流入しやすく、駆動回路が劣化又は破壊されることがある。
【０００７】
そこで、このような静電気による駆動回路の劣化又は破壊を防止するために、特許文献１及び２では、図６に示すような保護回路が、駆動回路の信号入出力に関係する信号経路に設けられている。図６において、駆動回路に接続される信号配線４０１には、トランジスタ４０４、４０５と電源配線４０２、４０３が接続されている。
【０００８】
また、特許文献３では、絶縁ゲート型トランジスタ回路装置の内部において、フローティング状態の回路部分に蓄積された静電気を効果的に放電することによって、静電気による素子の破壊を防止する技術も提案されている。
【０００９】
さらに、上述の内容の技術に限定されず、各種表示装置を静電気から保護するための技術が、特許文献４〜７に数多く提案されている。
【００１０】
ところが、静電気を効果的に保護するためには、放電時の保護素子の抵抗として数ｋΩ以下が必要であり、ポリシリコンＴＦＴでこの保護回路を構成すると、チャネル幅が１ｍｍ以上必要となって、そのためにパネルの額縁が広くなるといった問題があった。
【００１１】
本発明は、上述の問題に鑑み、十分な保護能力を持つ静電保護回路を搭載し、且つ、額縁の小さいパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明に係る表示装置は、しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、該電流に応じた明るさで発光する発光素子と、該発光素子を駆動する駆動回路と、該駆動回路に電圧及び電気信号を供給する配線と、該配線を外部回路に接続するための端子とを有する表示装置であって、前記配線と前記駆動回路の接地電位及び電源電位との間に、前記端子に生じる異常電圧を一定値以下に抑えるための、前記発光素子と同じ積層構造を有する素子を回路要素とする保護回路が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
前記発光素子は、有機発光層を有する有機ＥＬ素子で構成され、前記保護回路は、前記有機ＥＬ素子と同じ積層構造を有するダイオードを回路要素とするものであることが好ましい。この場合、前記保護回路は、前記接地電位の電源配線と、前記電源電位の電源配線とを有し、前記ダイオードは、アノード電極が前記接地電位の電源配線に、カソード電極が前記配線にそれぞれ接続される第１のダイオードと、アノード電極が前記配線に、カソード電極が前記電源電位の電源配線にそれぞれ接続される第２のダイオードとを有してもよい。
【００１４】
前記保護回路は、前記配線上または前記駆動回路上に配置されていることが好ましい。
【００１５】
本発明に係る表示装置の製造方法は、しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、該電流に応じた明るさで発光する発光素子と、該発光素子を駆動する駆動回路と、該駆動回路に電圧及び電気信号を供給する配線と、該配線を外部回路に接続するための端子とを有する表示装置の製造方法であって、基板上に前記発光素子を形成する際に、基板上に前記発光素子を形成する際に、前記配線と前記駆動回路の接地電位及び電源電位との間に、前記端子に生じる異常電圧を一定値以下に抑えるための、前記発光素子と同じ積層構造を有する素子を回路要素とする保護回路を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、発光素子と同じ積層構造を有する素子を回路要素とする保護回路を設ける構成としたため、基板上の駆動回路や配線上に保護回路を形成することができる。そのため、従来、ポリシリコンＴＦＴで構成していた保護回路が不要になるので、額縁幅を狭くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。また、以下に説明する実施の形態は、本発明の一つの実施形態であって、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１８】
本実施の形態に係る表示装置は、半導体装置により構成される。半導体装置は、基板上に複数の半導体回路と、複数の半導体回路に電気的に接続された配線と、電気信号を供給するために配線に電気的に接続された端子と、静電気やノイズから配線や半導体回路を保護するための配線に接続された保護回路とを有する。保護回路は、有機ＥＬ素子で構成される。
【００１９】
これによれば、静電保護回路を有機ＥＬ素子で構成するので、基板上の有機ＥＬ素子の駆動回路や配線上に保護回路を形成することができる。そのため、従来、ポリシリコンＴＦＴで構成していた保護回路が不要になるので、額縁幅を狭くすることができる。
【実施例】
【００２０】
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。本実施例は、本発明に係る表示装置を有機ＥＬ表示装置に適用したものである。
【００２１】
図１（ａ）は、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の保護回路部の断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）における保護回路の等価回路図である。図２及び図３は、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の構成を模式的に示した図である。
【００２２】
図２に示すように、本実施例の有機ＥＬ表示装置は、駆動回路内蔵型の有機ＥＬパネル１００を備える。この有機ＥＬパネル１００は、基板１０１上に、各画素の単位回路１２０が配置される表示領域１０５のほか、信号線駆動回路１０２及び走査線駆動回路１０３が設けられ、併せて保護回路１０４が設けられている。
【００２３】
信号線駆動回路１０２、走査線駆動回路１０３、表示領域１０５の各画素の単位回路１２０は、ポリシリコンＴＦＴ及び配線で構成されている。これらには、駆動用信号配線及び電源配線が接続されている。駆動用信号配線には、複数の走査線１１１と、複数の信号線（データ線）１１３とが含まれる。走査線１１１は、表示領域１０５の各行の単位回路１２０と走査線駆動回路１０３との間に接続されている。信号線１１３は、表示領域１０５の各列の単位回路１２０と信号線駆動回路１０２との間に接続されている。電源配線には、これら回路１０２、１０３、１２０の電源電位Ｖｃｃの電流を供給する複数の電流供給線１１２と、これら回路１０２、１０３、１２０の接地電位Ｖｃｏｍの接地配線１１４とが含まれる。電流供給線１１２は、表示領域１０５の各列の単位回路１２０に接続されている。接地配線１１４は、表示領域１０５のすべての単位回路１２０に共通に接続されている。
【００２４】
有機ＥＬパネル１００には、非図示の外付けＩＣ回路（外部回路）と接続するための複数の駆動回路用接続端子（端子）１０６が設けられている。図２の例では、６つの駆動回路用接続端子１０６が示され、これらと走査線駆動回路１０３、信号線駆動回路１０２、表示領域１０５の各画素の単位回路１２０との間の配線上に保護回路１０４が配置されている。
【００２５】
図２中の左側２つの駆動回路用接続端子１０６には、それぞれ走査線駆動回路１０３のシフトレジスタのクロックやスタートパルスなどの制御信号を供給する制御線が接続されている。同様に、図２中の中央２つの駆動回路用接続端子１０６には、それぞれ信号線駆動回路１０２のシフトレジスタのクロックやスタートパルスなどの制御信号を供給する制御線が接続されている。また、図２中の右側２つの駆動回路用接続端子１０６には、電源電位Ｖｃｃの電流供給線１１２と、接地電位Ｖｃｏｍの接地配線１１４とにそれぞれ接続されている。
【００２６】
保護回路１０４は、これらの制御線などの配線上に配置され、駆動回路用接続端子１０６からの制御信号などが入力される入力端子ＩＮと、その制御信号などが出力される出力端子ＯＵＴとを有する。保護回路１０４の詳細については後述する。
【００２７】
表示領域１０５には、各画素の単位回路１２０がマトリクス状に複数配列されて設けられている。単位回路１２０は、図３に示すように、スイッチング用ＴＦＴ１０７、駆動ＴＦＴ１０８、蓄積容量１０９、及び有機ＥＬ素子１１０を備えて構成される。有機ＥＬ素子１１０は、しきい値を越える電圧を印加したときに電流が流れ、その電流に応じた明るさで発光する発光素子である。
【００２８】
駆動ＴＦＴ１０８のゲートは、蓄積容量１０９の一端に電気的に接続されると共に、スイッチング用ＴＦＴ１０７のドレインと電気的に接続されている。駆動ＴＦＴ１０８のソースは、電源電位Ｖｃｃの電流供給線１１２に、ドレインは有機ＥＬ素子１１０のアノード電極に各々接続されている。有機ＥＬ素子１１０のカソード電極は、接地電位Ｖｃｏｍの接地配線１１４に接続されている。スイッチング用ＴＦＴ１０７のゲートは、走査線１１１に、ソースは、信号線１１３に各々接続されている。
【００２９】
走査線１１１は、走査線駆動回路１０３から供給される書き込み選択信号をスイッチング用ＴＦＴ１０７のゲートに供給し、スイッチング用ＴＦＴ１０７をオフ状態からオン状態に切り換える。ここで、オン状態とは、スイッチング用ＴＦＴ１０７のソース及びドレイン間が導通可能な状態を意味する。
【００３０】
オン状態に切り換えられたスイッチング用ＴＦＴ１０７は、信号線１１３から供給されるデータ信号を、スイッチング用ＴＦＴ１０７のソース及びドレイン間に流し、蓄積容量１０９に電荷を蓄積する。蓄積容量１０９に蓄積された電荷によって、駆動ＴＦＴ１０８のゲートにデータ電圧が印加され、駆動ＴＦＴ１０８は、ゲートに印加されたデータ電圧に応じた動作状態となる。
【００３１】
駆動ＴＦＴ１０８は、電流供給線１１２から有機ＥＬ素子１１０にデータ電位に応じた駆動電流を供給し、有機ＥＬ素子１１０を所定の輝度で発光させる。信号線駆動回路１０２及び走査線駆動回路１０３を同期させて、各単位回路１２０に含まれる有機ＥＬ素子１１０を発光させることによって、有機ＥＬ表示装置は画像を表示することができる。なお、図３に示す有機ＥＬ表示装置の画素部の構成及び動作については、公知技術であるため、その詳細については省略する。
【００３２】
次に、図１を参照しながら、保護回路１０４について詳細に説明する。図２における保護回路１０４の等価回路は、図１（ｂ）に示すとおりで、保護回路１０４の断面図の一例を図１（ａ）に示す。
【００３３】
図１（ａ）において、絶縁性基板２１１上に層間絶縁膜２１２が形成され、その上に、前述した制御線等の駆動用信号配線２０１と、電源電位Ｖｃｃの電源配線２０２と、接地電位Ｖｃｏｍの電源配線２０３とが形成されている。駆動用信号配線２０１は、電源配線２０２、２０３間に形成されている。電源配線２０２、２０３は、絶縁層（平坦化膜）２０４で覆われており、スルーホール２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃを介してそれぞれアノード電極２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃに接続されている。アノード電極２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃの端部とスルーホール２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃは、素子分離膜２０７で覆われている。その上に有機ＥＬ層２０８ａ、２０８ｂとカソード電極２０９ａ、２０９ｂが所定の箇所に形成されている。素子分離膜２０７により、有機ＥＬ層２０８ａ、２０８ｂを挟むアノード電極２０６ａ、２０６ｂとカソード電極２０９ａ、２０９ｂ間のショートを防止している。
【００３４】
一方、カソード電極２０９ａとアノード電極２０６ｂ、及びカソード電極２０９ｂとアノード電極２０６ｃがそれぞれ接続され、図１（ｂ）の等価回路を構成している。ここで、図１（ｂ）に示すように、有機ＥＬ層２０８ａ、２０８ｂがそれぞれダイオード（第１のダイオード、第２のダイオード）として働く。すなわち、有機ＥＬ層２０８ａは、アノード電極２０６ａが接地電位Ｖｃｏｍの電源配線２０２に、カソード電極２０９ａが駆動用信号配線２０１にそれぞれ接続される第１のダイオードとして動作する。一方、有機ＥＬ層２０８ｂは、アノード電極２０６ｂが駆動用信号配線２０１に、カソード電極２０９ｂが電源電位Ｖｃｃの電源配線２０２にそれぞれ接続される第２のダイオードとして動作する。
【００３５】
このため、駆動回路用接続端子１０６から駆動用信号配線２０１に静電気が流入して異常電圧が生じた場合、有機ＥＬ層２０８ａ、２０８ｂを介して、電源配線２０２、２０３に効果的に放電することができる。これにより、駆動用信号配線２０１に生じる異常電圧が一定値以下（本実施例では電源電位Ｖｃｃ以下）に抑えられる。
【００３６】
このような構成の保護回路１０４は、図２に示すように、駆動回路用接続端子１０６に接続される他の配線にも同様に適用することが可能である。すなわち、保護回路１０４を有機ＥＬパネル１００のすべての接続端子１０６に設けることによって、静電気によってトランジスタが破壊されにくいパネルを構成することが可能である。本実施例においては、配線上または駆動回路上に保護ダイオードを形成することができるので、従来、ポリシリコンＴＦＴで構成していた保護回路が不要になり、額縁幅を狭くすることができる。
【００３７】
これに対し、従来の表示装置で用いられる保護ダイオードは、ポリシリコンＴＦＴで構成されることが多い。例えば、保護ダイオードのトランジスタをチャネル長１０μｍ、チャネル幅１０００μｍ、ゲート絶縁膜の膜厚２００ｎｍ、ゲート絶縁膜の比誘電率４．３、移動度６０ｃｍ２／Ｖｓで形成する。すると、ゲートソース間電圧５Ｖ、閾値２Ｖの条件で、放電可能な電流値は、０．５ｍＡである。
【００３８】
一方、有機ＥＬ素子の発光部の面積が２ｍｍ２の緑色に発光する素子を作成したところ、５Ｖを印加して、流れる電流量は４ｍＡであった。この結果から、従来の保護ダイオードと同等の放電特性を得るためには、面積０．４ｍｍ２以上であれば良いことがわかる。
【００３９】
一方、電源配線は、表示領域の広さと画素数に依存するが、３インチ程度のディスプレイでは、およそ幅０．３ｍｍ×長さ６０ｍｍ（面積１８ｍｍ２）で形成される。ポリシリコンで保護ダイオードを形成する場合は、この電源配線とは別の場所に形成されるので、配線スペースを考慮して、約０．０２ｍｍ２の領域が別途必要になる。
【００４０】
これに対し、本実施例のように有機ＥＬ素子で保護ダイオードを形成する場合は、電源配線（面積１８ｍｍ２）の上に形成することができるので、領域増加がない。
【００４１】
保護回路１０４を配線部の上に形成したときのレイアウト例を図４に示す。
【００４２】
図４は、有機ＥＬ表示装置の額縁部の平面図であり、電源配線２０２、２０３及び駆動用信号配線２０１が平行に配置されている。これら電源配線２０２、２０３及び駆動用信号配線２０１上にはスルーホール（コンタクトホール）２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃが形成され、アノード電極２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃが形成されている。さらに、素子分離膜２０７で覆われ、所定の領域が除去されている。保護ダイオードが形成される箇所には、有機ＥＬ層２０８ａ、２０９ｂが形成され、カソード電極２０９ａ、２０９ｂが形成されている。
【００４３】
このようにして有機ＥＬ層２０８ａ、２０９ｂで構成された保護ダイオードは、図１（ａ）に示すような等価回路となり、駆動用信号配線２０１に流入した静電気を、保護ダイオードを介して電源配線２０２、２０３に効果的に放電することができる。
【００４４】
また、図４に示すように有機ＥＬ層２０８ａ、２０９ｂで構成される保護ダイオードは、配線上に形成することができるため、電源配線２０２、２０３及び駆動用信号配線２０１の間隔を広げる必要がなく、保護ダイオードを配置することによる領域増加がない。
【００４５】
以上説明したように、本実施例によれば、走査線駆動回路や信号線駆動回路、または、配線上に十分な大きさの保護ダイオードを形成することができる。その結果、額縁を広げることなく、十分な放電特性を有する保護回路をパネルの額縁内に形成することができる。
【００４６】
次に、図５の断面図を用いて、本実施例の有機ＥＬ表示装置の作製方法について説明する。図５は、本実施例の有機ＥＬ表示装置の画素部を示す断面図である。
【００４７】
図５に示すように、ガラス基板などの絶縁性基板３０１上にポリシリコン層３０２が形成され、その上に例えばＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜３０３が形成される。ゲート絶縁膜３０３の厚さとしては、１００ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、駆動能力を向上させるためにＴａ２Ｏ５などの酸化物でも良い。
【００４８】
この上に、トランジスタのゲート電極３０４が形成されており、例えば、Ｃｒ、ＭｏＷ、Ａｌなどの金属材料をスパッタ法により成膜し、フォトエッチング法などによりパターン形成される。ゲート電極３０４の膜厚としては、１５０ｎｍ〜３５０ｎｍが好ましい。
【００４９】
これらを覆うようにＳｉＯ２などからなる層間絶縁膜３０５が形成され、その上に、図示しない信号線とアノード接続用電極３０６が形成されている。信号線材料としては、Ｃｒ、ＭｏＷ、ＡｌまたはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏなどの積層膜が用いられ、配線抵抗を低くするために膜厚３００ｎｍ〜８００ｎｍが好ましい。
【００５０】
さらに、トランジスタや配線の凹凸を緩和するためにアクリル樹脂等の平坦化膜（絶縁層）３０７がスピンコート法などにより基板上に形成され、アノード電極３０８とアノード接続用電極３０６を接続するためのスルーホール３０９が形成される。平坦化膜３０７の膜厚としては、十分な平坦性を得るため、１μｍ〜３μｍが好ましい。アノード電極３０８としては、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料からなることが好ましい。これは、反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。
【００５１】
このように形成されたスルーホール３０９及びアノード電極３０８のエッジを覆うように素子分離膜３１０が形成される。このような基板に対して、公知の手段により、有機発光層３１１、カソード電極３１２を堆積して有機ＥＬ素子を作製する。本実施例では、この有機ＥＬ素子を形成する際に、前述した配線上に有機ＥＬ素子と同じ積層構造を有するダイオードを回路要素とする保護回路を形成する。
【００５２】
有機発光層３１１は、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、及び電子輸送材料より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、又は電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機発光層は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００５３】
各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できる。本発明の構成としては、例示の材料に限定されるものではない。
【００５４】
有機発光層３１１は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。有機発光層３１１の膜厚は、０．０５μｍ〜０．３μｍ程度が良く、好ましくは０．０５〜０．１５μｍ程度である。
【００５５】
正孔注入及び正孔輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。電子注入及び電子輸送材料としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。
【００５６】
なお、上記実施例では有機ＥＬ表示装置に適用した場合を説明したが、本発明は必ずしもこれに限定されるものでなく、有機ＥＬ素子以外の発光素子（無機ＥＬ素子等）を有する表示装置でも適用可能である。
【００５７】
本発明は、上記実施例に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、表示装置に適用され、特に保護回路を有する有機ＥＬ表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】（ａ）は、本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の保護回路部の断面図、（ｂ）は、その等価回路図である。
【図２】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を模式的に示した図である。
【図３】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の構成を示した回路図である。
【図４】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置に用いられる保護回路のレイアウト例を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係る有機ＥＬ表示装置の画素部の断面図である。
【図６】従来例の保護回路の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００  有機ＥＬパネル
１０１  基板
１０２  信号線駆動回路
１０３  走査線駆動回路
１０４  保護回路
１０５  表示領域
１０６  駆動回路用接続端子
１０７  スイッチング用ＴＦＴ
１０８  駆動ＴＦＴ
１０９  蓄積容量
１１０  有機ＥＬ素子
１１１  走査線
１１２  電流供給線
１１３  信号線
１１４  接地配線
１２０  単位回路
２０１  駆動用信号配線
２０２、２０３  電源配線
２０４  絶縁層
２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ  スルーホール
２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃ  アノード電極
２０７  素子分離膜
２０８ａ、２０８ｂ  有機ＥＬ層（保護ダイオード）
２０９ａ、２０９ｂ  カソード電極
３０１  絶縁性基板
３０２  ポリシリコン層
３０３  ゲート絶縁膜
３０４  ゲート電極
３０５  層間絶縁膜
３０６  アノード接続用電極
３０７  平坦化膜
３０８  アノード電極
３０９  スルーホール
３１０  素子分離膜
３１１  有機発光層
３１２  カソード電極
４０１  信号配線
４０２、４０３  電源線
４０４、４０５  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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