(57)【要約】【課題】成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。【解決手段】チャンバ１内で原料ガス５と銅製の噴射板９により前駆体３０を生成し、前駆体３０からＣｌを還元除去しＣｕ活性種にして基板１２に当てることでＣｕ薄膜３３を生成し、クリーニング時に噴射板９を冷却すると共にＣｌ2ガスをプラズマ化してチャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分を離脱させ、成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化し、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とするクリーニング方法。
【請求項２】
チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給すると共にチャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とするクリーニング方法。
【請求項３】
チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化すると共に、チャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とするクリーニング方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、金属膜作製装置で基板上に生成される金属膜は、揮発性を有し塩化物を生成する金属であることを特徴とするクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長法により基板の表面に金属膜を作製することができ、装置内に付着した金属成分を容易に除去することができる金属膜作製装置及びクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、気相成長法により金属膜、例えば、銅の薄膜を作製する場合、例えば、銅・ヘキサフロロアセチルアセトナト・トリメチルビニルシラン等の液体の有機金属錯体を原料として用い、固体状の原料を溶媒に溶かし、熱的な反応を利用して気化して基板に成膜を実施している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の技術では、熱的反応を利用した成膜のため、成膜速度の向上を図ることが困難であった。また、原料となる金属錯体が高価であり、しかも、銅に付随しているヘキサフロロアセチルアセトナト及びトリメチルビニルシランが銅の薄膜中に不純物として残留するため、膜質の向上を図ることが困難であった。
【０００４】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない状態で基板の表面に金属膜を作製することができ、装置内に付着した金属成分を容易に除去することができる金属膜作製装置及びクリーニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段をと備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。尚、ここで、活性種とは、イオンやラジカルそのもの、もしくはこれらの混合状態をいう。
【０００６】
また、上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化すると共に、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【０００８】
また、上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するための本発明の金属膜作製装置の構成は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化すると共に加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【００１１】
そして、噴射板または金属フィラメントを揮発性を有し塩化物を生成する金属製としたことを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントを銅製とすることにより、前記前駆体としてＣｕｘＣｌｙを生成することを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントをタングステン製とすることにより、前記前駆体としてＷｘＣｌｙを生成することを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントをチタン製とすることにより、前記前駆体としてＴｉｘＣｌｙを生成することを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントをタンタル製とすることにより、前記前駆体としてＴａｘＣｌｙを生成することを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するための本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化し、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とする。
【００１３】
また、上記目的を達成するための本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給すると共にチャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するための本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化すると共に、チャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とする。
【００１５】
そして、金属膜作製装置で基板上に生成される金属膜は、揮発性を有し塩化物を生成する金属であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の金属膜作製装置は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段をと備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができる。
【００１７】
また、本発明の金属膜作製装置は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を均一に除去することができる。
【００１８】
また、本発明の金属膜作製装置は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化すると共に、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を確実に除去することができる。
【００１９】
また、本発明の金属膜作製装置は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバの内壁に付着した金属膜を除去することができる。
【００２０】
また、本発明の金属膜作製装置は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバの内壁に付着した金属膜を均一に除去することができる。
【００２１】
また、本発明の金属膜作製装置は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化すると共に加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバの内壁に付着した金属膜を確実に除去することができる。
【００２２】
本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化し、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させるようにしたので、成膜時にチャンバの内壁に付着した金属膜を除去することができる。
【００２３】
また、本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給すると共にチャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させるようにしたので、成膜時にチャンバの内壁に付着した金属膜を均一に除去することができる。
【００２４】
また、本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化すると共に、チャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させるようにしたので、成膜時にチャンバの内壁に付着した金属膜を確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図２】本発明の第２実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図３】本発明の第３実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図４】本発明の第４実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１に基づいて本発明の金属膜作製装置及びクリーニング方法の第１実施形態例を説明する。図１には本発明の第１実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。
【００２７】
図に示すように、例えば、アルミニウム製のチャンバ１の上部には第１プラズマ発生手段２が備えられ、チャンバ１の下部には第２プラズマ発生手段３が備えられている。第１プラズマ発生手段２は、チャンバ１の上面に設けられた第１絶縁板２１と、第１絶縁板２１に設けられた第１プラズマアンテナ２２と、第１プラズマアンテナ２２に給電を行う第１電源２３によって構成されている。また、第２プラズマ発生手段３は、チャンバ１の下面に設けられた第２絶縁板２４と、第２絶縁板２４に設けられた第２プラズマアンテナ２５と、第２プラズマアンテナ２５に給電を行う第２電源２６によって構成されている。
【００２８】
チャンバ１の内部の第１絶縁板２１に下部には導入容器６が配置され、導入容器６には原料ガス５である塩素ガス（Ｃｌ2ガス）が供給される。導入容器６の側部には流量制御器７及びノズル８が接続され、導入容器６の底部には銅（Ｃｕ）製の噴射板（金属板）９が設けられている。噴射板９には多数の噴射穴１０が穿孔されている。チャンバ１の底部近傍には支持台１１が設けられ、支持台１１には基板１２が載置される。支持台１１は、図示しないヒータ手段により所定温度に昇温されている。また、チャンバ１の下端部には還元ガス１３である水素ガス（Ｈ2ガス）をチャンバ１の内部に供給する還元ガス流量制御器１４及び還元ガスノズル１５が設けられている。更に、チャンバ１の底部には排気口２７が穿設されている。
【００２９】
上述した金属膜作製装置では、導入容器６にＣｌ2ガスを導入し、第１プラズマ発生手段２の第１プラズマアンテナ２２から電磁波を導入容器６内に入射することで、導入容器６内のＣｌ2ガスが活性種化されてＣｌ2ガスプラズマ（原料ガスプラズマ）３１が発生する。このＣｌ2ガスプラズマ３１により、Ｃｕ製の噴射板９にエッチング反応が生じ、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０が生成される。前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、噴射穴１０を通って下方に噴射される。
【００３０】
一方、チャンバ１内にＨ2ガスを導入し、第２プラズマ発生手段３の第２プラズマアンテナ２５から電磁波をチャンバ１内に入射することで、チャンバ１内のＨ2ガスが活性種化されてＨ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）３２が発生する。Ｈ2ガスプラズマ３２は、基板１２の表面近傍に高密度で均一に分布する。
【００３１】
噴射穴１０を通って下方に噴射された前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、基板１２に到達する直前にＨ2ガスプラズマ３２を通過する。還元ガスプラズマであるＨ2ガスプラズマ３２を通過する前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、原子状水素による還元反応により塩素が還元除去されてＣｕ活性種のみにされて基板１２に当てられ、基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００３２】
尚、上記構成の金属膜作製装置では、原料ガス５として塩素ガス（Ｃｌ2ガス）を例に挙げて説明してあるが、ＨＣｌガスを適用することも可能であり、この場合、原料ガスプラズマはＨＣｌガスプラズマが生成されるが、Ｃｕ製の噴射板９のエッチングにより生成される前駆体３０はＣｕｘＣｌｙである。従って、原料ガス５は塩素を含有するガスであればよく、ＨＣｌガスとＣｌ2ガスとの混合ガスを用いることも可能である。
【００３３】
上記構成の金属膜作製装置は、Ｃｌ2ガスプラズマ（原料ガスプラズマ）３１とＨ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）３２の２つのプラズマを用いているため、反応効率が大幅に向上して成膜速度が大きくなる。また、原料ガス５として塩素ガス（Ｃｌ2ガス）を用い、還元ガス１３として水素を含有したガスを用いているため、コストを大幅に減少させることができる。また、還元反応を独立に高めることができるので、Ｃｕ薄膜３３中に塩素等の不純物の残留を少なくすることができ、高品質なＣｕ薄膜３３を生成することが可能になる。
【００３４】
一方、所定枚数の基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われた後、もしくは、基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われる度に、チャンバ１の内壁及び導入容器６の内壁等に成膜されたＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材を除去するクリーニングが実施される。導入容器６の内壁及びＨ2ガスプラズマ３２が発生する部位のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕが成膜され、Ｈ2ガスプラズマ３２が発生する部位以外のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕＣｌ系が成膜される。
【００３５】
このため、チャンバ１及び導入容器６内に塩素を含有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段及びクリーニング時に噴射板９を冷却する冷却手段が備えられている。本実施形態例では、原料ガスを供給するノズル８からクリーニングガスとして原料ガスと同じＣｌ2ガスを導入するようになっている。また、冷却手段は、噴射板９の周囲に冷却水パイプ１６が設けられ、冷却水パイプ１６に冷却水が流通されて噴射板９が１００℃以下程度に冷却される。尚、冷却手段としては、噴射板９の周囲に冷却水を流通させる構成に限定されず、噴射板９の内部に冷却媒体を流通させる等の他の構成を適用することも可能である。
【００３６】
クリーニングを実施する場合、冷却水パイプ１６に冷却水を流通させて噴射板９を冷却すると共に、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３によりチャンバ１及び導入容器６内にＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させる。Ｃｌ2ガスプラズマ３１により、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が反応してＣｕＣｌのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＣｕ成分が離脱して除去される。
【００３７】
尚、上述した実施形態例では、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３によりＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させるようにしたが、どちらか一方の発生手段によりＣｌ2ガスをプラズマ化することも可能である。
【００３８】
図２に基づいて本発明の金属膜作製装置及びクリーニング方法の第２実施形態例を説明する。図２には本発明の第２実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００３９】
本実施形態例の金属膜作製装置は、図１に示した金属膜作製装置の構成に加えて、チャンバ１の側壁にはチャンバ加熱手段としてのフィラメント状の加熱ヒータ２８が設けられ、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の側壁が所定温度、例えば、２００℃〜３００℃に加熱されるようになっている。尚、所定温度の上限温度は、チャンバ１の耐久温度以下が好ましい。本実施形態例では、チャンバ１がアルミニウム製である場合について説明しているので、上限温度を３００℃としている。このため、所定温度の上限温度はチャンバ１の材質により適宜設定される。本実施形態例の金属膜作製装置では、第１実施形態例と同様に基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００４０】
クリーニングを実施する場合、冷却水パイプ１６に冷却水を流通させて噴射板９を冷却すると共に、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の内部を所定温度に昇温させる。Ｃｌ2ガスを加熱することにより、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が均一に反応してＣｕＣｌのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＣｕ成分が均一に離脱して除去される。
【００４１】
また、加熱ヒータ２８によりチャンバ１の側壁を加熱することで、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付いても蒸気圧力が高くなり気化しやすくなり、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付着することを防止することができる。このため、チャンバ１内のクリーニング処理を減らすことができ、原料歩留りが向上すると共にランニングコストを低減することが可能になる。
【００４２】
図２に示した金属膜作製装置でクリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８を通電してチャンバ１の内部を昇温させると同時に、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３、もしくはいずれか一方によりチャンバ１及び導入容器６内にＣｌ２ガスプラズマ３１を発生させるようにすることも可能である。この場合、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＣｕ成分がより確実に離脱して除去される。また、加熱ヒータ２８によりチャンバ１の内部を所定温度に昇温させた際に、噴射板９の温度が所定温度以下に保たれる場合、必ずしも冷却手段を設けなくてもよい。
【００４３】
上述した第１実施形態例及び第２実施形態例では、噴射板９としてＣｕ製のものを用いた例を示したが、噴射板９の材質は、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａを用いることが可能である。この場合、前駆体３０はＴｉ，Ｗ，Ｔａの塩化物となり、基板１２の表面に生成される薄膜はＴｉ，Ｗ，Ｔａになる。そして、クリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、壁面に付着したＴｉやＴｉＣｌ系、ＷやＷＣｌ系の成膜材またはＴａやＴａＣｌ系とＣｌ2が反応してＴｉｘＣｌｙ、ＷｘＣｌｙもしくはＴａｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＴｉ、ＷもしくはＴａ成分が離脱して除去される。
【００４４】
図３に基づいて本発明の第３実施形態例に係る金属膜作製装置及び金属膜作製方法を説明する。図３には発明の第３実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００４５】
図３に示した第３実施形態例に係る金属膜作製装置は、図１に示した金属膜作製装置に対して、導入容器６内でＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させて前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を生成させる代わりに、原料ガス加熱手段６１のノズル８から前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０をチャンバ１内に噴射させるようにしたものである。このため、第１プラズマ発生手段２も設けられていない。原料ガス加熱手段６１は、流量制御器７にノズル８を設け、ノズル８の内部に複数回巻いた状態の銅フィラメント６２を設け、銅フィラメント６２の端部を直流電源６３に接続したものである。直流電源６３により銅フィラメント６２は３００℃〜８００℃に加熱される。
【００４６】
上述した金属膜作製装置では、原料ガスであるＣｌ2ガスを流量制御器７で流量制御してノズル８に導入する。ノズル８の内部には直流電源６３により３００℃〜８００℃に加熱された銅フィラメント６２が設けられているため、Ｃｌ2ガスを加熱された銅フィラメント６２に接触させることにより前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を生成させる。ノズル８からチャンバ１内に前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を導入すると、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は下方に移動する。
【００４７】
一方、チャンバ１内にＨ2ガスを還元ガスノズル１５から導入し、第２プラズマ発生手段３の第２プラズマアンテナ２５から電磁波をチャンバ１内に入射することで、チャンバ１内のＨ2ガスがイオン化されてＨ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）３２が発生する。Ｈ2ガスプラズマ３２は、基板１２の表面近傍に高密度で均一に分布する。下方に移動した前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は基板１２に到達する直前にＨ2ガスプラズマ３２を通過する。還元ガスプラズマであるＨ2ガスプラズマ３２を通過する前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、原子状水素による還元反応により塩素が還元除去されてＣｕ活性種のみにされて基板１２に当てられ、基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００４８】
上記構成の金属膜作製装置は、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を比較的柔軟な配置が可能なノズル８のみで供給し、原子状水素を比較的柔軟な配置が可能な還元ガスノズル１５のみで供給することができるので、面積の極めて安定した（例えば、１００ｍｍ×１００ｍｍ）成膜に対応することができる。
【００４９】
一方、所定枚数の基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われた後、もしくは、基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われる度に、チャンバ１の内壁等に成膜されたＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材を除去するクリーニングが実施される。Ｈ2ガスプラズマ３２が発生する部位のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕが成膜され、Ｈ2ガスプラズマ３２が発生する部位以外のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕＣｌ系が成膜される。
【００５０】
このため、チャンバ１内に塩素を含有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段が備えられている。本実形態例では、銅フィラメント６２を加熱することなく原料ガスを供給するノズル８からクリーニングガスとして原料ガスと同じＣｌ2ガスを導入するようになっている。
【００５１】
クリーニングを実施する場合、銅フィラメント６２を加熱することなくノズル８からＣｌ2ガスを供給し、第２プラズマ発生手段３によりチャンバ１内にＣｌ2ガスプラズマを発生させる。Ｃｌ2ガスプラズマにより、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が反応してＣｕｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分が離脱して除去される。
【００５２】
図４に基づいて本発明の金属膜作製装置及びクリーニング方法の第４実施形態例を説明する。図４には本発明の第４実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。尚、図３に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００５３】
本実施形態例の金属膜作製装置は、図３に示した金属膜作製装置の構成に加えて、チャンバ１の側壁には加熱手段としてのフィラメント状の加熱ヒータ２８が設けられ、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の側壁が所定温度、例えば、２００℃〜３００℃に加熱されるようになっている。尚、所定温度の上限温度は、チャンバ１の耐久温度以下が好ましい。本実施形態例では、チャンバ１がスアルミニウム製である場合について説明しているので、上限温度を３００℃としている。このため、所定温度の上限温度はチャンバ１の材質により適宜設定される。本実施形態例の金属膜作製装置では、第３実施形態例と同様に基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００５４】
クリーニングを実施する場合、銅フィラメント６２を加熱することなくノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の内部を所定温度に昇温させる。Ｃｌ2ガスを加熱することにより、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が均一に反応してＣｕｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分が均一に離脱して除去される。
【００５５】
また、加熱ヒータ２８によりチャンバ１の側壁を加熱することで、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付いても蒸気圧力が高くなり気化しやすくなり、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付着することを防止することができる。このため、チャンバ１内のクリーニング処理を減らすことができ、原料歩留りが向上すると共にランニングコストを低減することが可能になる。
【００５６】
図４に示した金属膜作製装置でクリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８を通電してチャンバ１の内部を昇温させると同時に、第２プラズマ発生手段３によりチャンバ１内にＣｌ2ガスプラズマを発生させるようにすることも可能である。この場合、チャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分がより確実に離脱して除去される。
【００５７】
上述した第３実施形態例及び第４実施形態例では、チャンバ１内にＣｌ2ガスプラズマを発生させる場合、図１、図２に示した第１プラズマ発生手段２を設け、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３によりＣｌ2ガスプラズマを発生させるようにすることも可能であり、第１プラズマ発生手段２だけでＣｌ2ガスプラズマを発生させるようにすることも可能である。
【００５８】
また、第３実施形態例及び第４実施形態例では、加熱された銅フィラメント６２にＣｌ2ガスを接触させることにより前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を生成させる例を示したが、フィラメントの材質は、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａを用いることが可能である。この場合、前駆体３０はＴｉ，Ｗの塩化物となり、基板１２の表面に生成される薄膜はＴｉ，Ｗ，Ｔａになる。この場合、前駆体３０はＴｉ，Ｗ，Ｔａの塩化物となり、基板１２の表面に生成される薄膜はＴｉ，Ｗ，Ｔａになる。そして、クリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、壁面に付着したＴｉやＴｉＣｌ系、ＷやＷＣｌ系の成膜材またはＴａやＴａＣｌ系とＣｌ2が反応してＴｉｘＣｌｙ、ＷｘＣｌｙもしくはＴａｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１の内壁に付着したＴｉ、ＷもしくはＴａ成分が離脱して除去される。
【符号の説明】
【００５９】
１  チャンバ
２  第１プラズマ発生手段
３  第２プラズマ発生手段
４  磁場コイル
５  原料ガス
６  導入容器
７  流量制御器
８  ノズル
９  噴射板
１０  噴射穴
１１  支持台
１２  基板
１３  還元ガス
１４  還元ガス流量制御器
１５  還元ガスノズル
２１  第１絶縁板
２２  第１プラズマアンテナ
２３  第１電源
２４  第２絶縁板
２５  第２プラズマアンテナ
２６  第２電源
２７  排気口
２８  加熱ヒータ
２９  電源
３０  前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）
３１  Ｃｌ2ガスプラズマ（原料ガスプラズマ）
３２  Ｈ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）
３３  Ｃｕ薄膜
６１  原料ガス加熱手段
６２  銅フィラメント
６３  直流電源
【図１】
2009179881.tif 000003
【図２】
2009179881.tif 000004
【図３】
2009179881.tif 000005
【図４】
2009179881.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長法により基板の表面に金属膜を作製することができ、装置内に付着した金属成分を容易に除去することができる金属膜作製装置のクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、気相成長法により金属膜、例えば、銅の薄膜を作製する場合、例えば、銅・ヘキサフロロアセチルアセトナト・トリメチルビニルシラン等の液体の有機金属錯体を原料として用い、固体状の原料を溶媒に溶かし、熱的な反応を利用して気化して基板に成膜を実施している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の技術では、熱的反応を利用した成膜のため、成膜速度の向上を図ることが困難であった。また、原料となる金属錯体が高価であり、しかも、銅に付随しているヘキサフロロアセチルアセトナト及びトリメチルビニルシランが銅の薄膜中に不純物として残留するため、膜質の向上を図ることが困難であった。
【０００４】
本発明は上記状況に鑑みてなされたもので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない状態で基板の表面に金属膜を作製することができ、装置内に付着した金属成分を容易に除去することができる金属膜作製装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するための本発明に係る金属膜作製装置の構成は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段をと備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。尚、ここで、活性種とは、イオンやラジカルそのもの、もしくはこれらの混合状態をいう。
【０００６】
また、上記目的を達成するための本発明に係る金属膜作製装置の構成は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【０００７】
また、上記目的を達成するための本発明に係る金属膜作製装置の構成は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化すると共に、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【０００８】
また、上記目的を達成するための本発明に係る金属膜作製装置の構成は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明に係る金属膜作製装置の構成は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するための本発明に係る金属膜作製装置の構成は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化すると共に加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする。
【００１１】
そして、噴射板または金属フィラメントを揮発性を有し塩化物を生成する金属製としたことを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントを銅製とすることにより、前記前駆体としてＣｕｘＣｌｙを生成することを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントをタングステン製とすることにより、前記前駆体としてＷｘＣｌｙを生成することを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントをチタン製とすることにより、前記前駆体としてＴｉｘＣｌｙを生成することを特徴とする。また、噴射板または金属フィラメントをタンタル製とすることにより、前記前駆体としてＴａｘＣｌｙを生成することを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するための本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化し、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とする。
【００１３】
また、上記目的を達成するための本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給すると共にチャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とする。
【００１４】
また、上記目的を達成するための本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化すると共に、チャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させることを特徴とする。
【００１５】
そして、金属膜作製装置で基板上に生成される金属膜は、揮発性を有し塩化物を生成する金属であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る金属膜作製装置は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段をと備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができる。
【００１７】
また、本発明に係る金属膜作製装置は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を均一に除去することができる。
【００１８】
また、本発明に係る金属膜作製装置は、多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第１プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第２プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第１プラズマ発生手段または第２プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化すると共に、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を確実に除去することができる。
【００１９】
また、本発明に係る金属膜作製装置は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバの内壁に付着した金属膜を除去することができる。
【００２０】
また、本発明に係る金属膜作製装置は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバの内壁に付着した金属膜を均一に除去することができる。
【００２１】
また、本発明に係る金属膜作製装置は、塩素を含有する原料ガスを高温の金属フィラメントに接触させて金属フィラメントに含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を基板が収容されるチャンバ内に生成する前駆体供給手段と、水素を含有する還元ガスを高温に加熱して原子状還元ガスをチャンバ内の基板と噴射板との間に発生させる還元ガス加熱手段と、チャンバ内で前駆体が原子状還元ガス中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成され、更に、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段と、クリーニング用のガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを備え、チャンバを加熱してチャンバの内壁を昇温させる加熱手段とを備え、クリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、プラズマ発生手段により塩素ガスをプラズマ化すると共に加熱手段によりチャンバの内壁を昇温させることで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去するようにしたので、成膜速度が速く、安価な原料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜作製装置とすることができ、しかも、チャンバの内壁に付着した金属膜を確実に除去することができる。
【００２２】
本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化し、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させるようにしたので、成膜時にチャンバの内壁に付着した金属膜を除去することができる。
【００２３】
また、本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給すると共にチャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させるようにしたので、成膜時にチャンバの内壁に付着した金属膜を均一に除去することができる。
【００２４】
また、本発明のクリーニング方法は、チャンバ内で基板上に金属膜を生成する金属膜作製装置において、チャンバ内に塩素を含有するガスを供給してプラズマ化すると共に、チャンバの内壁を昇温させ、チャンバの内壁に付着した金属成分を離脱させるようにしたので、成膜時にチャンバの内壁に付着した金属膜を確実に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図２】本発明の第２実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図３】本発明の第３実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【図４】本発明の第４実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１に基づいて本発明に係る金属膜作製装置及び本発明のクリーニング方法の第１実施形態例を説明する。図１には本発明の第１実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。
【００２７】
図に示すように、例えば、アルミニウム製のチャンバ１の上部には第１プラズマ発生手段２が備えられ、チャンバ１の下部には第２プラズマ発生手段３が備えられている。第１プラズマ発生手段２は、チャンバ１の上面に設けられた第１絶縁板２１と、第１絶縁板２１に設けられた第１プラズマアンテナ２２と、第１プラズマアンテナ２２に給電を行う第１電源２３によって構成されている。また、第２プラズマ発生手段３は、チャンバ１の下面に設けられた第２絶縁板２４と、第２絶縁板２４に設けられた第２プラズマアンテナ２５と、第２プラズマアンテナ２５に給電を行う第２電源２６によって構成されている。
【００２８】
チャンバ１の内部の第１絶縁板２１の下部には導入容器６が配置され、導入容器６には原料ガス５である塩素ガス（Ｃｌ2ガス）が供給される。導入容器６の側部には流量制御器７及びノズル８が接続され、導入容器６の底部には銅（Ｃｕ）製の噴射板（金属板）９が設けられている。噴射板９には多数の噴射穴１０が穿孔されている。チャンバ１の底部近傍には支持台１１が設けられ、支持台１１には基板１２が載置される。支持台１１は、図示しないヒータ手段により所定温度に昇温されている。また、チャンバ１の下端部には還元ガス１３である水素ガス（Ｈ2ガス）をチャンバ１の内部に供給する還元ガス流量制御器１４及び還元ガスノズル１５が設けられている。更に、チャンバ１の底部には排気口２７が穿設されている。
【００２９】
上述した金属膜作製装置では、導入容器６にＣｌ2ガスを導入し、第１プラズマ発生手段２の第１プラズマアンテナ２２から電磁波を導入容器６内に入射することで、導入容器６内のＣｌ2ガスが活性種化されてＣｌ2ガスプラズマ（原料ガスプラズマ）３１が発生する。このＣｌ2ガスプラズマ３１により、Ｃｕ製の噴射板９にエッチング反応が生じ、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０が生成される。前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、噴射穴１０を通って下方に噴射される。
【００３０】
一方、チャンバ１内にＨ2ガスを導入し、第２プラズマ発生手段３の第２プラズマアンテナ２５から電磁波をチャンバ１内に入射することで、チャンバ１内のＨ2ガスが活性種化されてＨ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）３２が発生する。Ｈ2ガスプラズマ３２は、基板１２の表面近傍に高密度で均一に分布する。
【００３１】
噴射穴１０を通って下方に噴射された前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、基板１２に到達する直前にＨ2ガスプラズマ３２を通過する。還元ガスプラズマであるＨ2ガスプラズマ３２を通過する前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、原子状水素による還元反応により塩素が還元除去されてＣｕ活性種のみにされて基板１２に当てられ、基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００３２】
尚、上記構成の金属膜作製装置では、原料ガス５として塩素ガス（Ｃｌ2ガス）を例に挙げて説明してあるが、ＨＣｌガスを適用することも可能であり、この場合、原料ガスプラズマはＨＣｌガスプラズマが生成されるが、Ｃｕ製の噴射板９のエッチングにより生成される前駆体３０はＣｕｘＣｌｙである。従って、原料ガス５は塩素を含有するガスであればよく、ＨＣｌガスとＣｌ2ガスとの混合ガスを用いることも可能である。
【００３３】
上記構成の金属膜作製装置は、Ｃｌ2ガスプラズマ（原料ガスプラズマ）３１とＨ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）３２の２つのプラズマを用いているため、反応効率が大幅に向上して成膜速度が大きくなる。また、原料ガス５として塩素ガス（Ｃｌ2ガス）を用い、還元ガス１３として水素を含有したガスを用いているため、コストを大幅に減少させることができる。また、還元反応を独立に高めることができるので、Ｃｕ薄膜３３中に塩素等の不純物の残留を少なくすることができ、高品質なＣｕ薄膜３３を生成することが可能になる。
【００３４】
一方、所定枚数の基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われた後、もしくは、基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われる度に、チャンバ１の内壁及び導入容器６の内壁等に成膜されたＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材を除去するクリーニングが実施される。導入容器６の内壁及びＨ2ガスプラズマ３２が発生する部位のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕが成膜され、Ｈ2ガスプラズマ３２が発生する部位以外のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕＣｌ系が成膜される。
【００３５】
このため、チャンバ１及び導入容器６内に塩素を含有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段及びクリーニング時に噴射板９を冷却する冷却手段が備えられている。本実施形態例では、原料ガスを供給するノズル８からクリーニングガスとして原料ガスと同じＣｌ2ガスを導入するようになっている。また、冷却手段は、噴射板９の周囲に冷却水パイプ１６が設けられ、冷却水パイプ１６に冷却水が流通されて噴射板９が１００℃以下程度に冷却される。尚、冷却手段としては、噴射板９の周囲に冷却水を流通させる構成に限定されず、噴射板９の内部に冷却媒体を流通させる等の他の構成を適用することも可能である。
【００３６】
クリーニングを実施する場合、冷却水パイプ１６に冷却水を流通させて噴射板９を冷却すると共に、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３によりチャンバ１及び導入容器６内にＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させる。Ｃｌ2ガスプラズマ３１により、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が反応してＣｕＣｌのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＣｕ成分が離脱して除去される。
【００３７】
尚、上述した実施形態例では、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３によりＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させるようにしたが、どちらか一方の発生手段によりＣｌ2ガスをプラズマ化することも可能である。
【００３８】
図２に基づいて本発明の金属膜作製装置及びクリーニング方法の第２実施形態例を説明する。図２には本発明の第２実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００３９】
本実施形態例の金属膜作製装置は、図１に示した金属膜作製装置の構成に加えて、チャンバ１の側壁にはチャンバ加熱手段としてのフィラメント状の加熱ヒータ２８が設けられ、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の側壁が所定温度、例えば、２００℃〜３００℃に加熱されるようになっている。尚、所定温度の上限温度は、チャンバ１の耐久温度以下が好ましい。本実施形態例では、チャンバ１がアルミニウム製である場合について説明しているので、上限温度を３００℃としている。このため、所定温度の上限温度はチャンバ１の材質により適宜設定される。本実施形態例の金属膜作製装置では、第１実施形態例と同様に基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００４０】
クリーニングを実施する場合、冷却水パイプ１６に冷却水を流通させて噴射板９を冷却すると共に、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の内部を所定温度に昇温させる。Ｃｌ2ガスを加熱することにより、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が均一に反応してＣｕＣｌのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＣｕ成分が均一に離脱して除去される。
【００４１】
また、加熱ヒータ２８によりチャンバ１の側壁を加熱することで、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付いても蒸気圧力が高くなり気化しやすくなり、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付着することを防止することができる。このため、チャンバ１内のクリーニング処理を減らすことができ、原料歩留りが向上すると共にランニングコストを低減することが可能になる。
【００４２】
図２に示した金属膜作製装置でクリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８を通電してチャンバ１の内部を昇温させると同時に、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３、もしくはいずれか一方によりチャンバ１及び導入容器６内にＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させるようにすることも可能である。この場合、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＣｕ成分がより確実に離脱して除去される。また、加熱ヒータ２８によりチャンバ１の内部を所定温度に昇温させた際に、噴射板９の温度が所定温度以下に保たれる場合、必ずしも冷却手段を設けなくてもよい。
【００４３】
上述した第１実施形態例及び第２実施形態例では、噴射板９としてＣｕ製のものを用いた例を示したが、噴射板９の材質は、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａを用いることが可能である。この場合、前駆体３０はＴｉ，Ｗ，Ｔａの塩化物となり、基板１２の表面に生成される薄膜はＴｉ，Ｗ，Ｔａになる。そして、クリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、壁面に付着したＴｉやＴｉＣｌ系、ＷやＷＣｌ系の成膜材またはＴａやＴａＣｌ系とＣｌ2が反応してＴｉｘＣｌｙ、ＷｘＣｌｙもしくはＴａｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１及び導入容器６の内壁に付着したＴｉ、ＷもしくはＴａ成分が離脱して除去される。
【００４４】
図３に基づいて本発明の第３実施形態例に係る金属膜作製装置及び金属膜作製方法を説明する。図３には発明の第３実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。尚、図１に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００４５】
図３に示した第３実施形態例に係る金属膜作製装置は、図１に示した金属膜作製装置に対して、導入容器６内でＣｌ2ガスプラズマ３１を発生させて前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を生成させる代わりに、原料ガス加熱手段６１のノズル８から前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０をチャンバ１内に噴射させるようにしたものである。このため、第１プラズマ発生手段２も設けられていない。原料ガス加熱手段６１は、流量制御器７にノズル８を設け、ノズル８の内部に複数回巻いた状態の銅フィラメント６２を設け、銅フィラメント６２の端部を直流電源６３に接続したものである。直流電源６３により銅フィラメント６２は３００℃〜８００℃に加熱される。
【００４６】
上述した金属膜作製装置では、原料ガスであるＣｌ2ガスを流量制御器７で流量制御してノズル８に導入する。ノズル８の内部には直流電源６３により３００℃〜８００℃に加熱された銅フィラメント６２が設けられているため、Ｃｌ2ガスを加熱された銅フィラメント６２に接触させることにより前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を生成させる。ノズル８からチャンバ１内に前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を導入すると、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は下方に移動する。
【００４７】
一方、チャンバ１内にＨ2ガスを還元ガスノズル１５から導入し、第２プラズマ発生手段３の第２プラズマアンテナ２５から電磁波をチャンバ１内に入射することで、チャンバ１内のＨ2ガスがイオン化されてＨ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）３２が発生する。Ｈ2ガスプラズマ３２は、基板１２の表面近傍に高密度で均一に分布する。下方に移動した前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は基板１２に到達する直前にＨ2ガスプラズマ３２を通過する。還元ガスプラズマであるＨ2ガスプラズマ３２を通過する前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０は、原子状水素による還元反応により塩素が還元除去されてＣｕ活性種のみにされて基板１２に当てられ、基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００４８】
上記構成の金属膜作製装置は、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を比較的柔軟な配置が可能なノズル８のみで供給し、原子状水素を比較的柔軟な配置が可能な還元ガスノズル１５のみで供給することができるので、面積の極めて安定した（例えば、１００ｍｍ×１００ｍｍ）成膜に対応することができる。
【００４９】
一方、所定枚数の基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われた後、もしくは、基板１２に対するＣｕ薄膜３３の成膜が行われる度に、チャンバ１の内壁等に成膜されたＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材を除去するクリーニングが実施される。Ｈ2ガスプラズマ３２が発生する部位のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕが成膜され、Ｈ2ガスプラズマ３２が発生する部位以外のチャンバ１の内壁には、主に成膜材としてＣｕＣｌ系が成膜される。
【００５０】
このため、チャンバ１内に塩素を含有するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段が備えられている。本実形態例では、銅フィラメント６２を加熱することなく原料ガスを供給するノズル８からクリーニングガスとして原料ガスと同じＣｌ2ガスを導入するようになっている。
【００５１】
クリーニングを実施する場合、銅フィラメント６２を加熱することなくノズル８からＣｌ2ガスを供給し、第２プラズマ発生手段３によりチャンバ１内にＣｌ2ガスプラズマを発生させる。Ｃｌ2ガスプラズマにより、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が反応してＣｕｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分が離脱して除去される。
【００５２】
図４に基づいて本発明の金属膜作製装置及びクリーニング方法の第４実施形態例を説明する。図４には本発明の第４実施形態例に係る金属膜作製装置の概略側面を示してある。尚、図３に示した部材と同一部材には同一符号を付して重複する説明は省略してある。
【００５３】
本実施形態例の金属膜作製装置は、図３に示した金属膜作製装置の構成に加えて、チャンバ１の側壁には加熱手段としてのフィラメント状の加熱ヒータ２８が設けられ、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の側壁が所定温度、例えば、２００℃〜３００℃に加熱されるようになっている。尚、所定温度の上限温度は、チャンバ１の耐久温度以下が好ましい。本実施形態例では、チャンバ１がアルミニウム製である場合について説明しているので、上限温度を３００℃としている。このため、所定温度の上限温度はチャンバ１の材質により適宜設定される。本実施形態例の金属膜作製装置では、第３実施形態例と同様に基板１２の表面にＣｕ薄膜３３が生成される。
【００５４】
クリーニングを実施する場合、銅フィラメント６２を加熱することなくノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８が通電されることで、チャンバ１の内部を所定温度に昇温させる。Ｃｌ2ガスを加熱することにより、壁面に付着したＣｕやＣｕＣｌ系の成膜材とＣｌ2が均一に反応してＣｕｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分が均一に離脱して除去される。
【００５５】
また、加熱ヒータ２８によりチャンバ１の側壁を加熱することで、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付いても蒸気圧力が高くなり気化しやすくなり、前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０がチャンバ１の側壁に付着することを防止することができる。このため、チャンバ１内のクリーニング処理を減らすことができ、原料歩留りが向上すると共にランニングコストを低減することが可能になる。
【００５６】
図４に示した金属膜作製装置でクリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、電源２９により加熱ヒータ２８を通電してチャンバ１の内部を昇温させると同時に、第２プラズマ発生手段３によりチャンバ１内にＣｌ2ガスプラズマを発生させるようにすることも可能である。この場合、チャンバ１の内壁に付着したＣｕ成分がより確実に離脱して除去される。
【００５７】
上述した第３実施形態例及び第４実施形態例では、チャンバ１内にＣｌ2ガスプラズマを発生させる場合、図１、図２に示した第１プラズマ発生手段２を設け、第１プラズマ発生手段２及び第２プラズマ発生手段３によりＣｌ2ガスプラズマを発生させるようにすることも可能であり、第１プラズマ発生手段２だけでＣｌ2ガスプラズマを発生させるようにすることも可能である。
【００５８】
また、第３実施形態例及び第４実施形態例では、加熱された銅フィラメント６２にＣｌ2ガスを接触させることにより前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）３０を生成させる例を示したが、フィラメントの材質は、Ｔｉ，Ｗ，Ｔａを用いることが可能である。この場合、前駆体３０はＴｉ，Ｗの塩化物となり、基板１２の表面に生成される薄膜はＴｉ，Ｗ，Ｔａになる。この場合、前駆体３０はＴｉ，Ｗ，Ｔａの塩化物となり、基板１２の表面に生成される薄膜はＴｉ，Ｗ，Ｔａになる。そして、クリーニングを実施する場合、ノズル８からＣｌ2ガスを供給し、壁面に付着したＴｉやＴｉＣｌ系、ＷやＷＣｌ系の成膜材またはＴａやＴａＣｌ系とＣｌ2が反応してＴｉｘＣｌｙ、ＷｘＣｌｙもしくはＴａｘＣｌｙのガスとなって排気口２７から排気される。これにより、チャンバ１の内壁に付着したＴｉ、ＷもしくはＴａ成分が離脱して除去される。
【符号の説明】
【００５９】
１  チャンバ
２  第１プラズマ発生手段
３  第２プラズマ発生手段
４  磁場コイル
５  原料ガス
６  導入容器
７  流量制御器
８  ノズル
９  噴射板
１０  噴射穴
１１  支持台
１２  基板
１３  還元ガス
１４  還元ガス流量制御器
１５  還元ガスノズル
２１  第１絶縁板
２２  第１プラズマアンテナ
２３  第１電源
２４  第２絶縁板
２５  第２プラズマアンテナ
２６  第２電源
２７  排気口
２８  加熱ヒータ
２９  電源
３０  前駆体（ＣｕｘＣｌｙ）
３１  Ｃｌ2ガスプラズマ（原料ガスプラズマ）
３２  Ｈ2ガスプラズマ（還元ガスプラズマ）
３３  Ｃｕ薄膜
６１  原料ガス加熱手段
６２  銅フィラメント
６３  直流電源