(57)【要約】【課題】マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築する方法に関し、ライブラリに含まれる個々の材料の組成範囲を任意に設定できる命令セット生成方法を提供する。【解決手段】マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットの生成方法であって、（ａ）コンピューターが、材料を構成する３つの成分群の堆積速度を入力等されるステップ、（ｂ）コンピューターが、３つの成分群のそれぞれを頂点とする三角組成図３０において、ライブラリを構築する組成範囲を、三角組成図における所定形状３１の位置及び大きさとして入力されるステップ、及び（ｃ）コンピューターが、三角組成図における所定形状の位置及び大きさ等に基づいて、マスクの移動速度に関する命令セットを生成するステップ、を含む。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットの生成方法であって、下記のステップ（ａ）〜（ｃ）を含む、命令セットの生成方法：
（ａ）コンピューターが、前記材料を構成する３つの成分群の堆積速度を入力されるステップ、又はコンピューターが、前記材料を構成する３つの成分群を入力され、そして入力された前記３つの成分群の堆積速度を、複数の成分群の堆積速度を有するデータ記録手段から抽出するステップ、
（ｂ）コンピューターが、前記３つの成分群のそれぞれを頂点とする三角組成図において、前記ライブラリを構築する組成範囲を、前記三角組成図における所定形状の位置及び大きさとして入力されるステップであって、前記所定形状が、前記堆積において使用される前記マスクの形状、前記基材に対して前記マスクが移動可能な軌道、及びライブラリに含まれる個々の材料の前記基材上における配置に依存している、ステップ、及び
（ｃ）コンピューターが、前記３つの成分群の堆積速度、前記三角組成図における前記所定形状の位置及び大きさ、並びにライブラリに含まれる個々の材料の基材上における配置に基づいて、前記マスクの移動速度に関する命令セットを生成するステップ。
【請求項２】
前記堆積が、パルスレーザー堆積、スパッタリング、又は電子ビーム堆積によって行われる、請求項１に記載の命令セットの生成方法。
【請求項３】
ステップ（ｃ）が、コンピューターは、ライブラリを構築する組成範囲を、ライブラリに含まれる個々の材料の数に合わせて分割し、個々の材料の組成を得るサブステップを含む、請求項１又は２に記載の命令セットの生成方法。
【請求項４】
マスクを用いた堆積を含む方法によって材料の組み合わせライブラリを基材上に構築する方法であって、
請求項１〜３のいずれかに記載の方法によって得られる命令セットに従って前記マスクを移動させて、前記３つの成分群によって構成される材料の層を、前記基材上に堆積させることを含む、材料の組み合わせライブラリを基材上に構築する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットを生成する方法に関し、特にマスクを用いた堆積を含む方法によって材料の組み合わせライブラリを基材上に構築するための命令セットを生成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の成分を含有する材料の開発は、組成を変えた材料を１種類ずつ作製し、そして試験することによって行われてきた。しかしながら特に、望まれる材料の組成が複雑であり、また広い範囲の組成について検討しなければならない場合、この方法は、長い期間を有するようになり、また高いコストを伴うようになってきた。
【０００３】
この問題を解決するために、コンビナトリアルケミストリー（Ｃｏｍｂｉｎａｔｏｒｉａｌ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）と呼ばれる分野が存在する。コンビナトリアルケミストリーは、多様な化合物又は材料の集合体又はライブラリを一度に構築し、且つ／又は所望の性質を有する化合物又は材料を、このライブラリから選別する技術である（特許文献１及び２）。このような多数な化合物又は材料のライブラリの構築は、研究者に多様な化合物又は材料についての情報を提供し、それによって開発の速度を増加させる。また、コンビナトリアルケミストリーは広義には、実際に化合物又は材料を作らずに、コンピューター上で作製した構造式に基づいて化合物の特性を評価すること、材料を構成する個々の成分の特性に基づいて、材料の特性をコンピューターで評価すること等も含む。
【０００４】
このようなコンビナトリアルケミストリーの使用に関し、全ての可能な化合物又は材料についてのライブラリを構築すること、又はコンピューター上で評価することは一般的ではなく、化合物の構造又は材料の組成の範囲を予め定めておくことが一般に行われる（特許文献１〜４）。
【０００５】
上記のようなコンビナトリアルケミストリーの適用範囲は多岐にわたり、例えば特許文献２では、堆積を含む方法のためにコンビナトリアルケミストリーによるライブラリ構築方法を適用することを提案している。
【０００６】
【特許文献１】特許３６６５７４１号
【特許文献２】特許３８９３１５２号
【特許文献３】特開２００４−８６８９２号
【特許文献４】特開２００４−１５８００８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２で示されているように、コンビナトリアルケミストリーと呼ばれる多様な化合物又は材料の集合体又はライブラリを一度に構築する技術を、スパッタリング等の堆積を含む方法によって製造される材料に適用することが知られている。しかしながら、ライブラリを構築する範囲の指定、及び指定された範囲の材料の製造に関し、従来技術は完全に満足のできるものではなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は下記の第（１）項〜第（４）項に示すようなものである：
【０００９】
（１）マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットの生成方法であって、下記のステップ（ａ）〜（ｃ）を含む、命令セットの生成方法：
（ａ）コンピューターが、上記材料を構成する３つの成分群の堆積速度を入力されるステップ、又はコンピューターが、上記材料を構成する３つの成分群を入力され、そして入力された上記３つの成分群の堆積速度を、複数の成分群の堆積速度を有するデータ記録手段から抽出するステップ、
（ｂ）コンピューターが、上記３つの成分群のそれぞれを頂点とする三角組成図において、上記ライブラリを構築する組成範囲を、三角組成図における所定形状の位置及び大きさとして入力されるステップであって、上記所定形状が、上記堆積において使用される上記マスクの形状、上記基材に対して上記マスクが移動可能な軌道、及びライブラリに含まれる個々の材料の基材上における配置に依存している、ステップ、及び
（ｃ）コンピューターが、上記３つの成分群の堆積速度、上記三角組成図における上記所定形状の位置及び大きさ、並びにライブラリに含まれる個々の材料の基材上における配置に基づいて、上記マスクの移動速度に関する命令セットを生成するステップ。
【００１０】
（２）上記堆積が、パルスレーザー堆積、スパッタリング、又は電子ビーム堆積によって行われる、上記第（１）項に記載の命令セットの生成方法。
【００１１】
（３）ステップ（ｃ）が、コンピューターは、ライブラリを構築する組成範囲を、ライブラリに含まれる個々の材料の数に合わせて分割し、個々の材料の組成を得、これを出力するサブステップを含む、上記第（１）又は（２）項に記載の命令セットの生成方法。
【００１２】
（４）マスクを用いた堆積を含む方法によって材料の組み合わせライブラリを基材上に構築する方法であって、
上記第（１）項〜第（３）項のいずれかに記載の方法によって得られる命令セットに従って上記マスクを移動させて、上記３つの成分群によって構成される材料の層を、上記基材上に堆積させることを含む、材料の組み合わせライブラリを基材上に構築する方法。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜ライブラリを構築するための命令セットを生成する本発明の方法＞
マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットを生成する本発明の方法によれば、３成分又はそれよりも多くの成分からなる材料に関して、ライブラリに含まれる個々の材料の組成範囲を任意に設定することができる。したがって例えば、三角組成図における所定形状の大きさを大きくすることによって、広い組成範囲にわたって大まかな組成変化についてのライブラリを構築することができ、また三角組成図における所定形状の大きさを小さくすることによって、狭い組成範囲にわたって詳細な組成変化についてのライブラリを構築することができる。また、三角組成図における所定形状の位置を移動させることによって、異なる組成範囲についてのライブラリを構築することができる。
【００１４】
マスクを用いた堆積を含む方法によって基材上に材料の組み合わせライブラリを構築するための命令セットを生成する本発明の方法に関して、マスクを用いた堆積を含む材料の製造方法としては、基材上の所望の位置に、所望の化合物又は元素の薄膜を堆積させることができる任意の物理的マスキング法を挙げることができる。したがってマスクを用いた堆積を含む材料の製造方法としては例えば、マスクを用いた物理的気相堆積法、化学的気相堆積法、及び化学的液相堆積法を挙げることができ、より具体的にはスパッター法、スパッタリング法、パルスレーザー堆積法、電子ビーム堆積法、熱堆積法、イオン注入又はドーピング法等、特にパルスレーザー堆積法、スパッタリング法、又は電子ビーム堆積法を挙げることができる。
【００１５】
このうちパルスレーザー堆積法では、真空チャンバー内にセットしたターゲット材料に、パルスレーザーを照射することによって、ターゲット材料を瞬時に超高温にして蒸発させ、この蒸気を基材表面で凝縮させて堆積させる。このパルスレーザー堆積法は、様々なターゲット材料に適用でき、例えば複数の成分を含有するターゲット材料に適用して、ターゲット材料と同じ組成の膜を基材上に堆積させることができる点で好ましいことがある。
【００１６】
マスクを用いた堆積において材料を堆積させる基材は、所望の材料を堆積させることができる任意の基材であり、堆積工程及びライブラリを用いた材料の評価工程が可能となるように選択することができる。またこの基材は、堆積によって得られたライブラリに含まれる個々の材料が互いに混じらないようにするために、格子状の領域を有することができる。
【００１７】
命令セットを生成する本発明の方法のステップ（ａ）では、コンピューターが、材料を構成する３つの成分群の堆積速度を入力され、又はコンピューターが、材料を構成する３つの成分群を入力され、そして入力された３つの成分群の堆積速度を、複数の成分群の堆積速度を有するデータ記録手段から抽出する。
【００１８】
すなわち、材料を構成する３つの成分群の堆積速度は、その場でコンピューターに入力すること、又は予めコンピューターに備えられたデータ記録手段に記録しておき、材料を構成する３つの成分群の堆積速度をデータ記録手段から必要に応じて抽出することができる。
【００１９】
命令セットを生成する本発明の方法のステップ（ｂ）では、コンピューターが、３つの成分群のそれぞれを頂点とする三角組成図において、ライブラリを構築する組成範囲を、三角組成図における所定形状の位置及び大きさとして入力される。ここで、この所定形状は、堆積において使用されるマスクの形状、基材に対してマスクが移動可能な軌道、及びライブラリに含まれる個々の材料の基材上における配置に依存している。
【００２０】
３つの成分群は、ライブラリに含まれる材料の組成に応じて決定される。
【００２１】
例えば、ライブラリに含まれる材料が、成分Ａ、Ｂ及びＣの３成分の材料である場合、３つの成分群はそれぞれ、成分Ａ、Ｂ及びＣとなる。この場合、図１に示すように、成分Ａ、Ｂ及びＣはそれぞれ、三角組成図３０の３つの頂点として定義される。またこの三角組成図３０における中心Ｐの組成は、Ａが３３％、Ｂが３３％、及びＣが３３％となる。
【００２２】
また例えば、ライブラリに含まれる材料が、成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの４成分の材料である場合、３つの成分群はそれぞれ、成分Ａ及びＢの組み合わせ、単独の成分Ｃ、並びに単独のＤであってよい。この場合、図２に示すように、成分Ａ及びＢの組み合わせ、単独の成分Ｃ、並びに単独のＤはそれぞれ、三角組成図３１の３つの頂点として定義される。またこの三角組成図３１における中心Ｐの組成は、Ａ及びＢの組み合わせが３３％、単独のＣが３３％、及び単独のＤが３３％となる。
【００２３】
また更に、例えばライブラリに含まれる材料が、成分Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥの５成分の材料である場合、３つの成分群はそれぞれ、成分Ａ及びＢの組み合わせ、成分Ｃ及びＤの組み合わせ、並びに単独の成分Ｅであってよく、又は成分Ａ、Ｂ及びＣの組み合わせ、単独の成分Ｄ、並びに単独の成分Ｅであってよい。
【００２４】
すなわち、ライブラリに含まれる材料は、３成分の材料に限定されず、堆積が可能な範囲で３よりも多くの成分を含有している材料であってよい。したがってライブラリに含まれる材料は、３〜１０、例えば３〜６の成分を含有する材料であってよい。
【００２５】
堆積を含む方法によって製造される材料は、例えば特許文献２でのようにＹＢＣＯタイプ（ＹＢａＣｕＯタイプ）の酸化物導電体として使用される材料であってよく、この場合には、３つの成分群はそれぞれ、Ｙ2Ｏ3、Ｂａ2Ｏ及びＣｕＯであってよい。
【００２６】
ライブラリを構築する組成範囲の形状は、堆積において使用されるマスクの形状、基材に対してマスクが移動可能な軌道、及びライブラリに含まれる個々の材料の基材上における配置に依存している。
【００２７】
例えば三角組成図における所定形状が、図３に示すように三角組成図３２の１つの辺に対して平行な辺を有する長方形３５である場合、図４に示すようなライブラリに含まれる個々の材料（１〜１５）の基材４０上における配置、図５に示すような開口部５１を有するマスク５０の形状、及び図６で示すようなマスク軌道（６１〜６３）に対応している。なお、図３及び４における数字１〜１５は、それぞれ対応する個々の材料を示している。また、図６において、図６（１）は、成分Ａを堆積させる工程でのマスク軌道６１を示しており、図６（２）は、成分Ｂを堆積させる工程でのマスク軌道６２を示しており、且つ図６（３）は、成分Ｃを堆積させる工程でのマスク軌道６３を示している。すなわち例えば、図６（１）で示される成分Ａを堆積させる工程では、マスク５０を、基材４０に対して、図７の（１）〜（３）、そして図８の（４）〜（５）で示す順に移動させる。
【００２８】
また、例えば三角組成図における所定形状が、図９に示すように三角組成図９０の３つの辺のそれぞれに対して平行な辺を有する三角形９１である場合、図１０に示すようなライブラリに含まれる個々の材料（１〜１０）の基材１００上における配置に対応している。ここでは、成分Ａを堆積させる工程では、マスク軌道１０１ａで示すようにしてマスク１０１を移動させ、成分Ｂを堆積させる工程では、マスク軌道１０２ａで示すようにしてマスク１０２を移動させ、且つ成分Ｃを堆積させる工程では、マスク軌道１０３ａで示すようにしてマスク１０３を移動させる。
【００２９】
コンピューターは、上記のようにして決定される所定形状の位置及び大きさとして、組成範囲を入力される。すなわち例えば、この所定形状によって規定される組成範囲は、図１１に示すようにして、三角組成図１１０において組成範囲１１１から組成範囲１１１ａ、組成範囲１１１ｂ等へと移動させること、且つ／又は図１２に示すようにして、三角組成図１２０において組成範囲１１２から組成範囲１１２ａ等へとその大きさを変更することができる。
【００３０】
コンピューターが、３つの成分群のそれぞれを頂点とする三角組成図において、ライブラリを構築する組成範囲を所定形状の位置及び大きさとして入力されるステップでは、コンピューターが、三角組成図を表示しているグラフィカルインターフェイスを提供することもできる。これは、ユーザーが感覚的に組成範囲の位置及び大きさを決定するために好ましいことがある。
【００３１】
その後、コンピューターは、３つの成分群の堆積速度、三角組成図における所定形状の位置及び大きさ、並びにライブラリに含まれる個々の材料の基材上における配置に基づいて、マスクの移動速度に関する命令セットを生成する。このステップでは、個々の材料の組成を算出及び出力することは必須ではなく、直接にマスクの移動速度に関する命令セットを生成することもできる。
【００３２】
また、このステップでは、コンピューターは、ライブラリを構築する組成範囲を、ライブラリに含まれる個々の材料の数に合わせて分割し、個々の材料の組成を得、随意にこれを出力することもできる。例えば図４に示すように、ライブラリに含まれる材料（１〜１５）が、３行×５列のマトリクス状で基材４０上に配置されている場合、図３に示すように、三角組成図３２上に規定された長方形の所定形状３５の領域を縦に２等分且つ横に４等分して、この所定形状の辺と線分との交点及び線分同士の交点である１５箇所の点で示される組成を得る。この組成に基づいて、各材料のためのそれぞれの成分群の供給量を決定することができる。
【００３３】
このステップで得られる命令セットは例えば、マスクを基材に対して移動させる動作の量、所定位置でのそれぞれの成分群の供給量等を含む。
【００３４】
＜ライブラリを基材上に構築する本発明の方法＞
マスクを用いた堆積を含む方法によって材料の組み合わせライブラリを基材上に構築する本発明の方法は、本発明の方法によって得られる命令セットに従ってマスクを移動させて、３つの成分群によって構成される材料の層を、基材上に堆積させることを含む。またこの方法では、堆積させた層を更に熱処理することによって、３つの成分群を層内で拡散及び／又は反応させることもできる。
【実施例】
【００３５】
実施例では、Ｍｇ−Ｓｉ−Ｇｅの３成分系のライブラリを、パルスレーザー堆積法を用いて構築した。
【００３６】
（ａ）堆積速度の入力
Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅのそれぞれの堆積速度の値として、０．２Å／パルス、０．０７Å／パルス及び０．０７Å／パルスを、コンピューターに入力した。
【００３７】
（ｂ）組成範囲の位置及び大きさの入力
図１３（１）で示すように、Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅのそれぞれを頂点とする三角組成図１３０において、組成範囲を規定する長方形１３１の左上の点１３２を、Ｍｇ：５５％、Ｓｉ：２０％、及びＧｅ：２５％の点とし、また右下の点１３３を、Ｍｇ：２０％、Ｓｉ：４３％、及びＧｅ：３７％の点として、ライブラリを構築する組成範囲の位置及び大きさを、コンピューターに入力した。
【００３８】
この実施例では、図１４に示すように、４行×６列でライブラリに含まれる個々の材料（１〜２４）を基材１４０上に配置した。したがって、図１３（１）の組成範囲を規定する長方形１３１を、縦に３等分且つ横に５等分することによって、図１３（ｂ）に示すような４×６個、すなわち２４個の点（１〜２４）を得た。それぞれの点で規定される組成を計算した結果を、下記の表１に示す。
【００３９】
【表１】
2009179877.tif 000003
【００４０】
なお、図１３に示すような長方形の組成範囲１３１、及び図１４に示すような基材１４０上における個々の材料（１〜２４）の配置は、図５に示すような形状のマスク５０を用い、且つ図６に示すような軌道（６１、６２及び６３）でマスク５０を移動させることに対応している。
【００４１】
（ｃ）命令セットの生成
基材上に堆積させる個々の材料（１〜２４）の厚さ、すなわちＭｇ、Ｓｉ及びＧｅの合計の厚さを５０ｎｍとすると、表１の材料番号１の材料（Ｍｇ：５５％、Ｓｉ：２０％、及びＧｅ：２５％）の各成分の厚さは、Ｍｇ：２８ｎｍ、Ｓｉ：９ｎｍ、及びＧｅ：１３ｎｍである。同様にして、材料番号１〜２４の全ての材料について、各成分の厚さを計算した。Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅについての結果をそれぞれ、表２〜４、及び図１５〜１７に示す。ここで図１５〜１７におけるそれぞれの材料の位置は、図１４の基材１４０上におけるそれぞれの材料の位置に対応しており、従って左奥が材料番号１番の材料であり、右手前側が材料番号２４番の材料である。
【００４２】
【表２】
2009179877.tif 000004
【００４３】
【表３】
2009179877.tif 000005
【００４４】
【表４】
2009179877.tif 000006
【００４５】
Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅを、表２〜４及び図１５〜１７に示したように堆積させるために、マスクを固定する座標、所定量の成分を堆積させるためのパルス照射回数を指示する命令セットを、コンピューターによって生成する。パルスレーザー堆積法では、１つのパルスレーザーにより堆積する膜厚が一定であるので、パルス照射回数を制御して、膜厚を制御することができる。１つのライブラリを構築するための命令セットは、自動合成装置の動作を記述する命令コードの集合体である。命令セットの一部の例を下記に示す：
【００４６】
Ｓｅｌｅｃｔ  ｔａｒｇｅｔ  Ｄ
Ｓｈｏｏｔ  ｌａｓｅｒ  ２００  ｐｕｌｓｅｓ  ｆ＝２０［Ｈｚ］
Ｓｅｔ  Ｍａｓｋ  Ｐｏｔｉｔｉｏｎ  Ｌｅｆｔ＝１６３．４７
Ｓｅｔ  Ｍａｓｋ  Ｐｏｔｉｔｉｏｎ  Ｒｉｇｈｔ＝１．５
Ｓｈｏｏｔ  ｌａｓｅｒ  ６２１９  ｐｕｌｓｅｓ  ｆ＝２０［Ｈｚ］
Ｓｅｔ  Ｍａｓｋ  Ｐｏｔｉｔｉｏｎ  Ｌｅｆｔ＝１６７．２
Ｓｅｔ  Ｍａｓｋ  Ｐｏｔｉｔｉｏｎ  Ｒｉｇｈｔ＝１．５
Ｓｈｏｏｔ  ｌａｓｅｒ  ５２  ｐｕｌｓｅｓ  ｆ＝２０［Ｈｚ］
Ｓｅｔ  Ｍａｓｋ  Ｐｏｔｉｔｉｏｎ  Ｌｅｆｔ＝１７１．２
Ｓｅｔ  Ｍａｓｋ  Ｐｏｔｉｔｉｏｎ  Ｒｉｇｈｔ＝−１
Ｓｈｏｏｔ  ｌａｓｅｒ  ５３  ｐｕｌｓｅｓ  ｆ＝２０［Ｈｚ］
【００４７】
（ｄ）ライブラリの構築方法
自動合成装置の記憶部に、上記（ｃ）で生成した命令セットを記憶させ、それによって自動合成装置を命令セットに従って動作させて、ライブラリを構築する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】ライブラリに含まれる材料が、成分Ａ、Ｂ及びＣの３成分の材料である場合の三角組成図である。
【図２】ライブラリに含まれる材料が、成分Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの４成分の材料である場合の三角組成図である。
【図３】所定形状が長方形である場合の三角組成図である。
【図４】図３の所定形状に関してライブラリに含まれる個々の材料が配置されている基材を示す図である。
【図５】使用可能なマスクの形状を示す図である。
【図６】ライブラリに含まれる個々の材料が配置されている基材に対するマスクの軌道を示す図である。
【図７】マスクの軌道の例を示す詳細な図である。
【図８】マスクの軌道の例を示す詳細な図である（図７の続き）。
【図９】所定形状が三角形である場合の三角組成図である。
【図１０】図９の所定形状に関してライブラリに含まれる個々の材料が配置されている基材、及びマスクを示す図である。
【図１１】三角組成図において所定形状の組成範囲を移動させる例を示す図である。
【図１２】三角組成図において所定形状の大きさを変更する例を示す図である。
【図１３】（１）Ｍｇ、Ｓｉ及びＧｅのそれぞれを頂点とする三角組成図、及び（２）所定形状によって規定される組成範囲の２４個の点を示す図である。
【図１４】図１３の所定形状に関してライブラリに含まれる個々の材料が配置されている基材を示す図である。
【図１５】材料番号１〜２４の材料のＭｇ膜厚さを示す図である。
【図１６】材料番号１〜２４の材料のＳｉ膜厚さを示す図である。
【図１７】材料番号１〜２４の材料のＧｅ膜厚さを示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１〜２４    ライブラリに含まれる個々の材料
３０、３１、３２、９０、１１０、１２０、１３０    三角組成図
Ｐ    三角組成図の中心点
３５、９１、１１１、１１１ａ、１１１ｂ、１１２、１１２ａ、１３１    三角組成図における所定形状
４０、１００、１４０    基材
５０、１０１、１０２、１０３    マスク
５１    マスク開口部
６１、６２、６３、１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ    マスク軌道
【図１】
2009179877.tif 000007
【図２】
2009179877.tif 000008
【図３】
2009179877.tif 000009
【図４】
2009179877.tif 000010
【図５】
2009179877.tif 000011
【図６】
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【図７】
2009179877.tif 000013
【図８】
2009179877.tif 000014
【図９】
2009179877.tif 000015
【図１０】
2009179877.tif 000016
【図１１】
2009179877.tif 000017
【図１２】
2009179877.tif 000018
【図１３】
2009179877.tif 000019
【図１４】
2009179877.tif 000020
【図１５】
2009179877.tif 000021
【図１６】
2009179877.tif 000022
【図１７】
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