(57)【要約】【課題】基板の分割を所望の外形精度を得ながら分割することができる基板分割方法及び基板分割装置を提供する。【解決手段】割断しようとする基板１の表裏の一方の面に、メカニカルスクライブ装置によってローラ刃を押圧させてスクライブ溝４を形成し、基板の他方の面に、レーザスクライブ装置によってレーザ光を照射してスクライブ溝４に対向する改質領域５を形成し、スクライブ溝４及び改質領域５の形成部に外力を加えて前記基板を分割する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面に、ローラ刃を押圧させてスクライブ溝を形成し、レーザ光を照射して前記基板の前記スクライブ溝に対向する位置に複数の改質領域を形成して、前記スクライブ溝及び前記改質領域の形成部に外力を加えて前記基板を分割するとともに、前記基板を分割する際の前記外力を前記スクライブ溝と前記改質領域との間の距離を調整することにより制御することを特徴とする基板分割方法。
【請求項２】
前記スクライブ溝と前記改質領域との間の距離は、前記スクライブ溝の深さ、前記スクライブ溝に対する前記改質領域の積み上げ高さ及び隣接する前記改質領域間の間隔の少なくとも１つを調整することにより調整されることを特徴とする請求項１に記載の基板分割方法。
【請求項３】
前記スクライブ溝の深さは、前記ローラ刃の径、前記ローラ刃の押圧力及び前記ローラ刃の刃先角度の少なくとも１つを変更することにより調整されることを特徴とする請求項２に記載の基板分割方法。
【請求項４】
前記レーザ光がフェムト秒からナノ秒の何れかのパルス幅を有するパルスレーザであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の基板分割方法。
【請求項５】
基板の一方の面にローラ刃を押圧させてスクライブ溝を形成するメカニカルスクライブ装置と、レーザ光を照射して前記基板の前記スクライブ溝に対向する位置に複数の改質領域を形成するレーザスクライブ装置とを少なくとも備え、前記メカニカルスクライブ装置又は前記レーザスクライブ装置は、前記スクライブ溝の深さ、前記スクライブ溝に対する前記改質領域の積み上げ高さ及び隣接する前記改質領域間の間隔の少なくとも１つを調整する調整手段を有していることを特徴とする基板分割装置。
【請求項６】
前記調整手段は、前記ローラ刃の径、前記ローラ刃の押圧力及び前記ローラ刃の刃先角度の少なくとも１つを変更することにより前記スクライブ溝の深さを調整することを特徴とする請求項５に記載の基板分割装置。
【請求項７】
前記レーザ光がフェムト秒からナノ秒の何れかのパルス幅を有するパルスレーザであることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板分割装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方の面にローラ刃によるスクライブ溝を形成し、基板のスクライブ溝に対向する位置にレーザ光による複数の改質領域を形成することにより基板を分割する基板分割方法及び基板分割装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置などに使用するガラス基板を分割する基板分割方法としては、従来、ローラ刃を使用して基板の一方の面にスクライブ溝を形成した後、割断装置で外力を与えることにより割断するようにした基板分割方法（例えば、特許文献１参照）と、レーザ光を照射して基板内部に改質領域を形成し、改質領域が形成されている部分に外力を加えて基板を分割するようにした基板分割方法（例えば、特許文献２参照）とが知られている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３２００６９号公報
【特許文献１】特開２００２−１９２３６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の従来例にあっては、ローラ刃によって基板にスクライブ溝を形成するので、基板断面に削げが大きく発生し、所望の外形精度が得られないという未解決の課題がある。
また、上記特許文献２に記載の従来例にあっては、基板にレーザ光を照射することにより、基板表面に熱歪みを発生させ、この熱歪みを割れの起因にして分割を行うようにしていたので、表面のみにしか割れのきっかけがないため、割れ方向が真下に伸展せず、蛇行し、分割後の外形精度が得られないという未解決の課題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、上記従来例の未解決の課題に着目してなされたものであり、基板の分割を所望の外形精度を得ながら分割することができる基板分割方法及び基板分割装置を提供することを目的としている
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、第１の形態に係る基板分割方法は、基板の一方の面に、ローラ刃を押圧させてスクライブ溝を形成し、レーザ光を照射して基板のスクライブ溝に対向する位置に複数の改質領域を形成して、スクライブ溝及び改質領域の形成部に外力を加えて基板を分割するとともに、基板を分割する際の外力をスクライブ溝と改質領域との間の距離を調整することにより制御することを特徴としている。
【０００７】
この第１の形態によれば、基板の一方の面にローラ刃を押圧してスクライブ溝を形成し、基板のスクライブ溝と対向する位置にレーザ光によって複数の改質領域を形成した状態で、スクライブ溝及び改質領域に外力を加えて分割するので、改質領域が亀裂伸展のガイドとなって亀裂が蛇行することなく伸展するため、基板断面の削げの発生を抑制するとともに、外形精度を確保して容易に基板を分割することができる。
【０００８】
また、スクライブ溝と改質領域との間の距離を調整することにより、基板を分割する際の外力を所望値に制御することができ、例えば基板を搬送する場合に割れを生じることを抑制して任意の基板剛性を確保することができる。
また、第２の形態に係る基板分割方法は、第１の形態において、スクライブ溝と改質領域との間の距離は、スクライブ溝の深さ、スクライブ溝に対する改質領域の積み上げ高さ及び隣接する改質領域間の間隔の少なくとも１つを調整することにより調整されることを特徴としている。
【０００９】
この第２の形態によれば、スクライブ溝と改質領域との間の距離が、スクライブ溝の深さ、スクライブ溝に対する改質領域の積み上げ高さ及び隣接する改質領域間の間隔の何れか１つを調整することにより調整されるので、スクライブ溝の深さを浅くして改質領域との距離を長くすれば基板を分割するためには大きな外力を必要とし、基板剛性を大きくすることができるが、スクライブ溝の深さを深くして改質領域との距離を短くすれば基板を分割するためには大きな外力を必要とせず、基板の分割が容易となる。
【００１０】
また、スクライブ溝に対する改質領域の積み上げ高さを長くしてスクライブ溝との距離を短くすればする程、小さな外力で基板を分割することができるし、隣接する改質領域間の間隔が短くなればなる程、小さな外力で基板を分割することができる。
さらに、第３の形態に係る基板分割方法は、スクライブ溝の深さは、ローラ刃の径、ローラ刃の押圧力及びローラ刃の刃先角度の少なくとも１つを変更することにより調整されるようにしたことを特徴としている。
【００１１】
この第３の形態によれば、ローラ刃の径を短くするか、ローラ刃の押圧力を大きくするか、ローラ刃の刃先角度を鋭角とすることにより、スクライブ溝の深さを深くすることができる。
さらにまた、第４の形態に係る基板分割方法は、レーザ光がフェムト秒からナノ秒の何れかのパルス幅を有するパルスレーザであることを特徴としている。
【００１２】
この第４の形態によれば、レーザ光がフェムト秒からナノ秒の何れかのパルス幅を有するパルスレーザであることとしたため、基板の分割に適したレーザ光を用いて基板を分割することができる。
また、第５の形態に係る基板分割装置は、基板の一方の面にローラ刃を押圧させてスクライブ溝を形成するメカニカルスクライブ装置と、レーザ光を照射して基板のスクライブ溝に対向する位置に複数の改質領域を形成するレーザスクライブ装置とを少なくとも備え、メカニカルスクライブ装置又はレーザスクライブ装置は、スクライブ溝の深さ、スクライブ溝に対する改質領域の積み上げ高さ及び隣接する改質領域間の間隔の何れか１つを調整する調整手段を有していることを特徴としている。
【００１３】
この第５の形態によれば、前記第１及び第２の形態と同様の作用効果を得ることができる。
さらに、第６の形態に係る基板分割装置は、調整手段は、ローラ刃の径、ローラ刃の押圧力及びローラ刃の刃先角度の少なくとも１つを変更することによりスクライブ溝の深さを調整することを特徴としている。
【００１４】
この第６の形態では、前述した第３の形態と同様の作用効果を得ることができる。
さらにまた、第７の形態に係る基板分割装置は、レーザ光がフェムト秒からナノ秒の何れかのパルス幅を有するパルスレーザであることを特徴としている。
この第７の形態では、前述した第４の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の基板分割方法及び基板分割装置の実施形態について、図面を用いて説明する。
本実施形態は、耐熱ガラス基板、石英基板、半導体ウェハ等の脆性材料で形成された基板を所望の外形精度を保ちながら分割するようにしたものである。
すなわち、本実施形態では、図１に示すように、上記脆性材料で形成された例えば１．２ｍｍ程度の薄い分割対象基板１を分割するに際し、例えば分割対象基板１の表面１ａ側に後述するメカスクライブ装置１０でローラ刃１２を所定押圧力で押圧させながら分割方向に移動させることにより、スクライブライン２とこれに続くリブマーク（垂直クラック）３とでなる所定深さのスクライブ溝４を形成する。
【００１６】
一方、分割対象基板１の裏面１ｂでは、スクライブライン２と対向する位置に、後述するレーザスクライブ装置２０によって裏面１ｂ側からリブマーク３に向かって改質領域５を積み上げ、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間隔（距離）Ｘ（図６、９参照）によって分割装置で分割対象基板１を分割する場合の分割力（外力）を調整する。
ここで、メカスクライブ装置１０は、図２に示すように、分割対象基板１を載置するＸＹテーブル１１と、このＸＹテーブル１１に載置された分割対象基板１に対して断面形状が図３に示すように所定刃先角θを有する算盤玉状のローラ刃１２を設定された押圧力で分割対象基板１に押圧させる昇降機構を備えたローラヘッド１３とを備えている。このメカスクライブ装置１０は、リブマーク３の深さを、ローラ刃１２の径を変更したり、ローラ刃１２の分割対象基板１への押圧力を変更したり、ローラ刃１２の刃先角度θを変更したりすることにより、調整可能とされている。
【００１７】
ここで、ローラ刃１２の径が短い程リブマーク３の深さを深くすることができ、ローラ刃１２の基板１への押圧力が大きい程リブマーク３の深さを深くすることができ、ローラ刃１２の刃先角度θは通常は１２０度程度であるが、この刃先角度θを小さくする、即ち鋭角にするにつれてリブマーク３の深さを深くすることができる。
したがって、分割装置で必要とする分割力に応じてローラ刃１２の径、ローラ刃１２の基板１への押圧力及びローラ刃１２の刃先角度θの少なくとも１つを選択することにより、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間隔Ｘを調整することができ、この間隔Ｘが大きいと基板１を分割するためには大きな分割力を必要とし、間隔Ｘが小さいと基板１を分割するためには小さな分割力で済む。
【００１８】
一方、レーザスクライブ装置２０は、図４に示すように、レーザ光（ビーム）を出射するレーザ光源２１と、出射されたレーザビームを反射するダイクロイックミラー２２と、反射したレーザビームを集光する集光レンズ２３とを備えている。集光レンズ２３の内部には、複数のレンズが配置されている。また、このレーザスクライブ装置２０は、前述した分割対象基板１を載置するステージ２７と、ステージ２７を集光レンズ２３に対して水平面直交２軸方向、即ち図４に記載のＸ軸及びＹ軸方向に移動させるＸ軸スライド部３０及びＹ軸スライド部３１と、ステージ２７に載置された分割対象基板１に対して、集光レンズ２３の高さ方向、即ち図４に記載のＺ軸方向の位置を変えてレーザビームの集光点の位置を調整するＺ軸スライド機構２４と、集光レンズ２３の一端に設けられ、レーザビームの収差を補正する補正環２６と、ダイクロイックミラー２２を挟んで集光レンズ２３と反対側に位置する撮像装置３２とを備えている。
【００１９】
また、このレーザスクライブ装置２０は、前記各構成を制御するメインコンピュータ４０を備えており、メインコンピュータ４０にはＣＰＵや各種メモリの他に、撮像装置３２で撮像した画像情報を処理する画像処理部４４を備えている。撮像装置３２は、同軸落射型光源とＣＣＤ（固体撮像素子）とが組み込まれており、同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ２３を透過して焦点を結ぶ。また、このメインコンピュータ４０には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部４５と、レーザ加工時の各種情報を表示する表示部４６とが接続されている。また、レーザ光源２１の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部４１と、Ｚ軸スライド機構２４を駆動して集光レンズ２３のＺ軸方向の位置を制御するレンズ制御部４２と、Ｘ軸スライド部３０とＹ軸スライド部３１を夫々レール２８，２９に沿って移動させるサーボモータ（不図示）を駆動するステージ制御部４３とが接続されている。
【００２０】
集光レンズ２３をＺ軸方向に移動させるＺ軸スライド機構２４には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部４２は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ２３のＺ軸方向の位置を制御可能となっている。従って、撮像装置３２の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が分割対象基板１の表面に一致するように集光レンズ２３をＺ軸方向に移動させれば、分割対象基板１の厚さを計測することが可能である。
【００２１】
レーザ光源２１としては、例えばチタンサファイヤを固体光源とするレーザビームをフェムト秒のパルス幅で出射する、所謂フェムト秒レーザが用いられる。この場合、パルスレーザビームは、波長分散特性を有しており、中心波長が８００ｎｍ、パルス幅は凡そ３００ｆｓ（フェムト秒）、パルス周期は５ｋＨｚ、出力は凡そ１０００ｍＷである。レーザ光源２１には、これに代えて、ピコ秒レーザ（中心波長：８００ｎｍ、パルス幅：３ｐｓ、平均出力：１Ｗ）やナノ秒レーザ（波長：３５５ｎｍ、パルス幅：３５ｎｓ、平均出力：１０Ｗ）を用いることも可能である。
【００２２】
集光レンズ２３は、例えば倍率１００倍、開口数（ＮＡ）０．８、ＷＤ（Working Distance）３ｍｍの対物レンズである。特に、集光レンズの開口数は０．１以上であればよく、上記に限定されるものではない。集光レンズ２３は、Ｚ軸スライド機構２４から延設されたスタンドアーム２４ａによって支持されている。また、Ｚ軸スライド機構２４と共に移動するモータ２５には回転アーム２５ａが延設され、この回転アーム２５ａの端部に補正環２６が取付けられている。従って、レンズ制御部４２は、Ｚ軸スライド機構２４を駆動すると共に、モータ２５を駆動して回転アーム２５ａをＺ軸回りに回転させることにより、集光レンズ２３の補正環２６が回転し、集光レンズ２３の内部に配置された複数のレンズを移動させて収差を補正することが可能となっている。
【００２３】
また、本実施形態のレーザスクライブ装置２０には、レーザビームを用いた反射型距離計測装置９が搭載されている。この反射型距離計測装置９は、例えば複数の石英基板を積層した分割対象基板１であっても、各石英基板の上下面までの距離を計測することにより、各石英基板の厚さを検出することができる。図５には、この反射型距離計測装置９の計測原理を示す。この反射型距離計測装置９では、例えば一枚の分割対象基板１の上下面（両表面）からのレーザビームの反射光の光スポットをＣＣＤなどの位置検出素子で捉え、これを分割面に沿って走査したときの光スポットの位置変化量から分割対象基板１の反射面、即ち上下面の高さ変動を求め、それを予め検出した分割対象基板１の上下面高さに加減算して分割対象基板１の上下面の位置、即ち厚さを検出する。
【００２４】
なお、本実施形態では、ステージ２７は、Ｙ軸スライド部３１に支持されているが、Ｘ軸スライド部３０とＹ軸スライド部３１との位置関係を逆転させてＸ軸スライド部３０にステージ２７が支持される形態としてもよい。また、θテーブルを介してステージ２７をＹ軸スライド部３１に支持することが好ましい。これによれば、分割対象基板１を光軸に対してより垂直な状態とすることが可能となる。
【００２５】
このレーザスクライブ装置２０では、前述したように、分割対象基板１にレーザビームを照射し、その集光部分に改質領域５を形成して裏面１ｂ側から順次積み上げ、積み上げ高さが予め設定された所定の積み上げ高さＹ（例えば分割対象基板１の板厚の２／３程度の高さ、図６、９参照）となるまで繰り返し改質領域５を形成する。
このようにして、レーザスクライブ装置２０で、分割対象基板１に対して裏面１ｂ側から改質領域５を所定積み上げ高さＹまで積み上げることが完了すると、この改質領域５が形成された分割対象基板１をメカスクライブ装置１０の載置テーブル１１上に載置し、改質領域５の延長線上の表面１ａにローラ刃１２を所定押圧力で押圧しながらローラ刃１２を分割方向に移動させることにより、スクライブライン２及びリブマーク３でなるスクライブ溝４を形成する。
【００２６】
このとき、リブマーク３の深さは、分割装置で分割対象基板１に要求される外力の所望分割力に応じて制御される。
すなわち、改質領域５及びスクライブ溝４を形成した分割対象基板１を分割装置に搬送する際に、搬送時の振動によって分割対象基板１が割れることのない必要十分な強度を確保しながら分割装置ではより小さい分割力で分割することが要求されるので、両者の要求を満足するようにリブマーク３の深さを制御する。この場合のリブマーク３の深さは、前述したように、ローラ刃１２の径の変更、ローラ刃１２の分割対象基板１への押圧力の変更及びローラ刃１２の刃先角度θの変更の何れか１つ又は２つ以上を組み合わせることにより、正確に制御することができる。特に、リブマーク３の深さの制御は、大まかにはローラ刃１２の径の変更やローラ刃１２の刃先角度θの変更で対応し、細かな深さの調整はローラ刃１２の分割対象基板１への押圧力を調整することにより制御することが好ましい。
【００２７】
このようにして、分割対象基板１に対してレーザスクライブ装置２０による改質領域５の形成とメカスクライブ装置１０によるリブマーク３の深さの調整を行なうことにより、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間の間隔Ｘを所望の長さに制御することができる。そして、この間隔Ｘが短い場合には、分割装置により付加する外力の分割力が小さくて済み、逆に間隔Ｘが長い場合には、分割装置により付加する外力の分割力を大きくする必要がある。
【００２８】
したがって、メカスクライブ装置１０と分割装置との間の分割対象基板１の搬送を分割対象基板１に大きな振動を与えることなく行なえる場合には、間隔Ｘを短くして分割装置で付加する外力の分割力を小さくして分割効率を向上させることができる。
逆に、メカスクライブ装置１０と分割装置との間の分割対象基板１の搬送時に分割対象基板１に大きな振動が伝達される場合には、この搬送時の分割対象基板１の割れを防止するために、間隔Ｘを長くして分割対象基板１のスクライブ溝４及び改質領域５の位置での剛性を上げ、分割装置での外力の分割力も大きくすることで、搬送途中での不用意な割れを確実に防止しながら必要最小限の分割力で分割対象基板１を分割することができる。
【００２９】
しかも、分割対象基板１の分割位置に沿ってスクライブ溝４及び改質領域５をそれぞれ形成するので、分割装置で外力を付加して分割対象基板１を分割する際に、改質領域５が亀裂伸展のガイドとなって亀裂が蛇行することなく伸展するため、分割対象基板１断面の削げの発生を抑制するとともに、外形精度を確保して容易に分割対象基板１を分割することができ、分割後の製品の歩留りを大幅に向上させることができる。
【００３０】
また、分割対象基板１にレーザスクライブ装置２０によって改質領域５を形成した後に、メカスクライブ装置１０でスクライブ溝４を形成するので、リブマーク３に近い改質領域５を形成する際に、改質領域５のふくらみによる内部応力でリブマーク３の深さが長くなることを確実に防止することができ、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間の間隔Ｘを正確に制御することができる。
【００３１】
実際の加工例を図６（ａ）及び（ｂ）について説明する。
図６（ａ）及び（ｂ）では、分割対象基板１の厚みを１．２ｍｍとし、レーザスクライブ装置２０によって形成される改質領域５を隣接する改質領域５間で隙間を生じないように順次積み上げ、積み上げ高さを０．８ｍｍに設定した。この状態で、図６（ａ）についてはメカスクライブ装置１０によって形成されるリブマーク３の深さを０．１１ｍｍとし、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間隔Ｘを０．２９ｍｍとし、このときのレーザスクライブ装置２０の動作条件としてパワーを５０μＪ、走査速度を１００ｍｍ／ｓ、積み上げパス数を１０パスとしたとき、分割装置で分割対象基板１を分割するのに必要とする分割力は３．７６Ｎ（３８４ｇｆ）であった。これに対して、図６（ｂ）に示すように、リブマーク３の深さを０．１６ｍｍとし、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間隔Ｘを０．２４ｍｍとした場合には、レーザスクライブ装置２０の動作条件を同一とした場合、分割装置で分割対象基板１を分割するのに必要とする分割力は１．３５Ｎ（１３８ｇｆ）で済み、小さな分割力で分割対象基板１を分割することができ、分割時に分割対象基板１に生じる歪みや欠損を確実に防止することができる。
【００３２】
このように、分割対象基板１の分割位置に沿ってスクライブ溝４及び改質領域５をそれぞれ形成するので、分割装置で外力を付加して分割対象基板１を分割する際に、改質領域５が亀裂伸展のガイドとなって亀裂が蛇行することなく伸展するため、図７に示すように、分割対象基板１断面の削げの発生を抑制して切断面の外形精度を７０μｍ程度に抑制することができる。因みに、分割対象基板１にメカスクライブ装置１０によるスクライブ溝４のみを形成して分割する場合には、図８に示すように分割対象基板１断面に大きな削げが発生することから外形精度が１００μｍ程度に悪化する。
【００３３】
なお、上記実施形態においてはメカスクライブ装置１０のローラ刃１２の径、ローラ刃１２の刃先角度θ及びローラ刃１２の分割対象基板１に対する押圧力の何れか１つ又は２つ以上を調整することにより、スクライブ溝４を構成するリブマーク３の深さを制御することにより、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間隔Ｘを制御する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、メカスクライブ装置１０によって形成されるリブマーク３の深さを一定とし、これに代えてレーザスクライブ装置２０によって形成される改質領域５の積み上げ高さＹを調整することにより、リブマーク３の下端と改質領域５の上端との間隔Ｘを制御するようにしてもよく、メカスクライブ装置１０によって形成されるリブマーク３の深さの制御とレーザスクライブ装置２０によって形成される改質領域５の積み上げ高さＹの制御とを同時に行なうようにしてもよい。
【００３４】
また、上記実施形態においては、レーザスクライブ装置２０で形成する改質領域５の隣接する改質領域５間の間隔を無くして連続した改質領域５を形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、リブマーク３の深さを一定とし、レーザスクライブ装置２０のパワーを２５μＪ及び５０μＪに設定することにより、図９（ａ）では隣接する改質領域５間に隙間が形成されて、分割装置での外力の分割力が約５．６Ｎ（５７３ｇｆ）と高くなるものの、図９（ｂ）では隣接する改質領域５間の隙間を無くして連続して改質領域５を形成しているので、分割装置での外力の分割力が約２．７８Ｎ（２８２ｇｆ）となる。
【００３５】
したがって、レーザスクライブ装置２０で形成する改質領域５の間隔を調整することによっても、分割装置で必要とする分割力を制御することができる。
さらに、上記実施形態においては、分割対象基板１にレーザスクライブ装置２０で改質領域５を形成した後に、メカスクライブ装置１０でスクライブ溝４を形成する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、メカスクライブ装置１０でスクライブ溝４を形成した後にレーザスクライブ装置２０で改質領域５を形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明を適用した分割対象基板の断面図である。
【図２】本発明に適用し得るメカスクライブ装置を示す概略構成図である。
【図３】本発明に適用し得るローラ刃の概略断面図である。
【図４】本発明に適用し得るレーザスクライブ装置の概略構成図である。
【図５】レーザビーム反射型距離計測装置の説明図である。
【図６】本発明の実施例を示す分割対象基板の断面図である。
【図７】本発明の分割後の分割端面を示す断面図である。
【図８】メカスクライブ装置によるスクライブ溝のみを形成した場合の分割後の分割端面を示す断面図である。
【図９】本発明の他の実施例を示す分割対象基板の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…分割対象基板、２…スクライブライン、３…リブマーク、４…スクライブ溝、５…改質領域、１０…メカスクライブ装置、２０…レーザスクライブ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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