(57)【要約】【課題】製造条件の変更を行うことなく、感度低下を補正して光検出精度を向上させることができる光量検出回路及び電気光学装置を提供する。【解決手段】一対の光検知部ＬＳ１及びＬＳ２を設け、一方の光検知部ＬＳ１は外光の光量に応じた出力信号Ｉａを出力し、他方の光検知部ＬＳ２は減光手段で１／ｎに減光された外光の光量に応じた出力信号Ｉｂを出力する。そして、光検知部ＬＳ２の出力信号Ｉｂにｎを乗算する乗算部１１と、光検知部ＬＳ１の出力信号Ｉａに定数ａを乗算する乗算部１２と、乗算部１１の出力値を乗算部１２の出力値で除算する除算部１３と、除算部１３の出力値に定数ｂを加算する加算部１４と、乗算部１１の出力値を加算部１４の出力値で除算する除算部１５とを備え、除算部１５の出力値を外光の光量（照度Ｌ）とする。【選択図】図４
2009036607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外光を検知する光センサを有する一対の光検知部と、当該一対の光検知部からの出力信号を読み取る光センサ読み取り部と、を備え、
前記一対の光検知部は、入射光の積算光量の関数で表される当該光検知部の感度の劣化関数と、当該光検知部の初期感度と、入射光量との積となる出力信号を出力するものであって、
一方の光検知部は前記外光が入射光として入射され、当該外光の光量に応じた出力信号を出力し、他方の光検知部は外光を減光する減光手段を有し、該減光手段で減光された光が入射光として入射され、当該減光された光の光量に応じた出力信号を出力し、
前記一方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係、前記他方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係、及び前記一方の光検知部における感度の劣化関数と前記他方の光検知部における感度の劣化関数との相関関係をもとに、前記光センサ読み取り部で読み取った各出力信号に基づいて前記外光の光量を検出することを特徴とする光量検出回路。
【請求項２】
前記他方の光検知部の出力信号に、所定の第１の定数を乗算する第１の乗算回路と、前記一方の光検知部の出力信号を前記第１の乗算回路の出力値で除算する第１の除算回路と、前記第１の乗算回路の出力値を前記第１の除算回路の出力値で除算する第２の除算回路と、を備え、前記第２の除算回路の出力値を前記外光の光量とすることを特徴とする請求項１に記載の光量検出回路。
【請求項３】
前記第１の定数が、前記減光手段における透過率の逆数であることを特徴とする請求項２に記載の光量検出回路。
【請求項４】
前記一方の光検知部の出力信号に、所定の第２の定数を乗算する第２の乗算回路を備え、第１の除算回路は、前記第２の乗算回路の出力値を前記第１の乗算回路の出力値で除算することを特徴とする請求項２又は３に記載の光量検出回路。
【請求項５】
前記第１の除算回路の出力値に、所定の第３の定数を加算する第１の加算回路を備え、前記第２の除算回路は、前記第１の加算回路の出力値を前記第１の除算回路の出力値で除算することを特徴とする請求項２乃至４の何れか１項に記載の光量検出回路。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の光量検出回路と、
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素と、を有する表示パネルと、
前記表示パネル照光する照光部と、
前記光量検出回路の出力値に基づいて前記照光部を制御する調光回路と、を備えることを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外光の明るさを検出する光センサを有する光量検出回路、及びこれを備えた電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光量検出回路として、薄膜トランジスタの漏れ電流が受光量に比例することを利用し、この漏れ電流で電圧検出用コンデンサに電荷を充電あるいは放電させ、当該コンデンサの両端間の電圧変化を監視することによって光量を検出するというものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
ところで、薄膜トランジスタの漏れ電流は受光量に比例するが、その感度（受光量に対する電流値）は光暴露によって低下することがわかっている。そのため、上記特許文献１に記載の光量検出回路にあっては、この感度低下によって光量の検出精度が低下してしまう。
【０００３】
これを防止するために、トランジスタの生成方法を改良して、対劣化特性を向上させるという光電変換素子が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−２９８３２号公報
【特許文献２】特開平９−２３２６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献２に記載の光電変換素子においては、特別な製造条件が必要となり、例えばＴＦＴを用いた表示装置の内部に光センサを作り込んだり、同一装置で表示装置と光センサとを製造したりする場合に、表示用に適した特性とは異なった製造プロセスとなって、当該製造プロセスが長くなったり、製造装置の頻繁な条件設定の変更を余儀なくされたりする。
【０００５】
そこで、本発明は、製造条件の変更を行うことなく、感度低下を補正して光検出精度を向上させることができる光量検出回路及び電気光学装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明に係る光量検出回路は、外光を検知する光センサを有する一対の光検知部と、当該一対の光検知部からの出力信号を読み取る光センサ読み取り部と、を備え、
前記一対の光検知部は、入射光の積算光量の関数で表される当該光検知部の感度の劣化関数と、当該光検知部の初期感度と、入射光量との積となる出力信号を出力するものであって、
一方の光検知部は前記外光が入射光として入射され、当該外光の光量に応じた出力信号を出力し、他方の光検知部は外光を減光する減光手段を有し、該減光手段で減光された光が入射光として入射され、当該減光された光の光量に応じた出力信号を出力し、
前記一方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係、前記他方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係、及び前記一方の光検知部における感度の劣化関数と前記他方の光検知部における感度の劣化関数との相関関係をもとに、前記光センサ読み取り部で読み取った各出力信号に基づいて前記外光の光量を検出することを特徴としている。
【０００７】
これにより、感度低下を補正して外光の照度を高精度に検出することができる。
また、一方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係と、他方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係から成り立つ連立方程式を、一方の光検知部における感度の劣化関数と他方の光検知部における感度の劣化関数との相関関係を用いて解くことにより、積算光量が未知であっても感度補正を行うことができ、積算光量を検知するための回路が不要となって光量検知回路の簡易化を実現することができる。
【０００８】
さらに、光検知部自体の特性向上（製造条件の変更）を行うものではないため、例えば、同一製造装置で表示装置と光センサとを製造するような場合であっても、製造プロセスが長くなったり、製造装置の頻繁な条件設定の変更を余儀なくされたりすることがない。
【０００９】
また、本発明において、前記他方の光検知部の出力信号に、前記減光手段における透過率の逆数である第１の定数を乗算する第１の乗算回路と、前記一方の光検知部の出力信号に、第２の定数ａを乗算する第２の乗算回路と、該第２の乗算回路の出力値を前記第１の乗算回路の出力値で除算する第１の除算回路と、該第１の除算回路の出力値と第３の定数ｂとを加算する第１の加算回路と、前記第１の除算回路の出力値を前記第１の加算回路の出力値で除算する第２の除算回路とを備え、該除算回路の出力値を前記外光の光量とするのが望ましい。
【００１０】
これにより、一方の光検知部における感度の劣化関数ＲNon［ｐ］と他方の光検知部に
おける感度の劣化関数ＲCF［ｐ］との相関関係を、ＲCF［ｐ］＝ａ（ＲNon［ｐ］／ＲCF
［ｐ］）＋ｂ（ａ，ｂは定数）として、適正に感度低下を補正することができる。
また、第２の定数ａを“１”、第３の定数ｂを“０”と仮定することも可能であり、この場合、第２の乗算回路及び第１の加算回路を省略して前記外光の光量を検出することができ、光量検知回路をさらに簡易化することができる。
【００１１】
また、本発明に係る電気光学装置は、上記光量検出回路と、
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差に対応して設けられた複数の画素と、を有する表示パネルと、
前記表示パネル照光する照光部と、
前記光量検出回路の出力値に基づいて前記照光部を制御する制御回路と、を備えることを特徴としている。
【００１２】
これにより、光量検出回路の感度低下を補正して外光の照度を高精度に検出することができ、適正に照光部を制御することができる電気光学装置とすることができる。
また、光検知部自体の特性向上（製造条件の変更）を行うものではないため、同一製造装置で表示パネルと光センサとを製造するような場合であっても、製造プロセスが長くなったり、製造装置の頻繁な条件設定の変更を余儀なくされたりすることがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態の光量検出回路１の構成を示すブロック図である。
図１に示すように、この光量検出回路１は、一対の光検知部ＬＳ１及びＬＳ２と、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２から得られる２つのアナログ情報を取得すると共に、これらの読み取り値から算出される外光の照度Ｌを出力する読み取り部１０と、を備えている。
【００１４】
図２は、本実施形態の光検知部ＬＳ１及びＬＳ２の構成を示す回路図である。
この図２に示すように、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ光センサ）のドレイン電極ＤLとソース電極ＳLとの間にコンデンサＣが並列接続され、ソース電極ＳLとコンデンサＣの一方の端子とがスイッチ素子ＳＷを介して基準電圧源に接続さ
れ、更に、ＴＦＴ光センサのドレイン電極ＤL及びコンデンサＣの他方の端子が第２電圧
源（Ｖ２）に接続された構成となる。
【００１５】
このような構成により、所定期間毎にスイッチ素子ＳＷがオン状態となると、基準電圧源から所定の基準電圧Ｖｓ（例えば、＋２Ｖ）がコンデンサＣに印加されて充電される。この充電により、コンデンサＣの両端には基準電圧Ｖｓと第２電圧Ｖ２間の電位差が掛かって充電されるが、ゲート電極ＧLには逆極性のゲート電圧ＧＶが印加されてゲートオフ
されているので、スイッチ素子ＳＷをオフ状態とすると、ＴＦＴ光センサへ光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、この充電電圧が低下する。
【００１６】
そして、コンデンサＣへの充電タイミングから所定の読み取り時間後に、コンデンサＣに充電された電圧を読み取り（検知し）、読み取った充電電圧に基づいて外光の照度を検出することが可能となる。
なお、以下の説明においては、各光検知部ＬＳｉ（ｉ＝１，２）に設けられたスイッチ素子（図２のＳＷに相当）をＳＷｉ、コンデンサ（図２のＣに相当）をＣｉと称する。
【００１７】
図３は、光検知部ＬＳ１を構成する光センサ及びスイッチ素子の断面図である。
光検知部ＬＳ１を構成するＴＦＴ光センサ及びスイッチ素子ＳＷ１は、図３に示すように、いずれもＴＦＴからなりＴＦＴ基板２上に形成されている。すなわち、ＴＦＴ基板２は、その表面にＴＦＴ光センサのゲート電極ＧL、コンデンサＣ１の一方の端子Ｃａ及び
一方のスイッチ素子ＳＷ１を構成するゲート電極ＧSが形成され、これらの表面を覆うよ
うにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１７が積層されている。
【００１８】
また、ＴＦＴ光センサのゲート電極ＧLの上及びスイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴ
のゲート電極ＧSの上には、それぞれゲート絶縁膜１７を介して非晶質シリコンや多結晶
シリコンなどからなる半導体層１９L及び１９Sが形成されている。
また、ゲート絶縁体１７上には、アルミニウムやモリブデン等の金属からなるＴＦＴ光センサのソース電極ＳL及びドレイン電極ＤL、一方のスイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴのソース電極ＳS及びドレイン電極ＤSがそれぞれの半導体層１９L及び１９Sと接触するように設けられている。
【００１９】
このうち、ＴＦＴ光センサのソース電極ＳL及びスイッチ素子ＳＷ１を構成するＴＦＴ
のドレイン電極ＤSは、互いに延長されて接続されてコンデンサＣ１の他方の端子Ｃｂが
形成されている。更に、ＴＦＴ光センサ、コンデンサＣ１及びＴＦＴからなるスイッチ素子ＳＷ１の表面を覆うようにして、例えば、無機絶縁材料からなる保護絶縁膜１８が積層されており、また、ＴＦＴからなるスイッチ素子ＳＷ１の表面には、外部光の影響を受けないようにするために、ブラックマトリクス２１が被覆されている。
【００２０】
また、光検知部ＬＳ２は、図３に示す光検知部ＬＳ１において、ＴＦＴ光センサの表面に、減光手段として透過率１／ｎのカラーフィルタが被覆されていることを除いては、光検知部ＬＳ１と同様の構成を有し、一対の光検知部ＬＳ１及びＬＳ２は等しい光電変換特性を有する。ここで、上記カラーフィルタは、当該光検知部ＬＳ２の入射光量が、光検知部ＬＳ１の入射光量の１／ｎ（ｎ＞０）となるように減光するためのものである。
【００２１】
つまり、光検知部ＬＳ１のＴＦＴ光センサには、外光がそのまま入射光として入射され、光検知部ＬＳ２のＴＦＴ光センサには、カラーフィルタによって１／ｎに減光された外光が入射光として入射されることになる。
図１の読み取り部１０は、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２のスイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２のオン／オフ制御を行って、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２のコンデンサＣ１及びＣ２への充電を行う。このとき、光検知部ＬＳ１と光検知部ＬＳ２との充電タイミング及び１放電期
間は、それぞれ等しく設定されている。なお、１放電期間とは、コンデンサＣｉへの充電開始時点から次の充電開始時点までの期間である。また、充電開始時点からコンデンサＣｉの充電電圧を読み取るまでの読み取り時間は、光検知部ＬＳ１とＬＳ２とで等しく設定されている。
【００２２】
そして、このようにして光検知部ＬＳ１から取得した読み取り値Ｉａと、光検知部ＬＳ２から取得した読み取り値Ｉｂとに基づいて、後述する処理を行って照度Ｌを求めるようになっている。
図４は、読み取り部１０の構成を示すブロック図である。
この図４に示すように、読み取り部１０は、光検知部ＬＳ２の読み取り値Ｉｂと、透過率の逆数ｎとを乗算する乗算部１１と、光検知部ＬＳ１の読み取り値Ｉａと、所定の定数ａとを乗算する乗算部１２と、乗算部１２の出力値を乗算部１１の出力値で除算する除算部１３と、除算部１３の出力値と所定の定数ｂとを加算する加算部１４と、乗算部１１の出力値を加算部１４の出力値で除算して照度Ｌを出力する除算部１５と、から構成されている。
【００２３】
即ち、この読み取り部１０での処理は、各光検知部から取得した読み取り値Ｉａ，Ｉｂに基づいて、次式をもとに照度Ｌを算出する処理に相当する。
Ｌ＝ｎＩｂ／｛（ａＩａ／ｎＩｂ）＋ｂ｝  ………（１）
なお、上記（１）式において、定数ｎが第１の定数に対応し、定数ａが第２の定数に対応し、定数ｂが第３の定数に対応している。
【００２４】
次に、上記（１）式の算出原理について説明する。
前述したように、本実施形態では、２つの光検知部ＬＳ１，ＬＳ２を設け、光検知部ＬＳ２に、当該光検知部ＬＳ２の入射光量を光検知部ＬＳ１の入射光量の１／ｎにするための減光手段を設けている。
したがって、ある照度Ｌの光を照射したとき、各光検知部の読み取り値Ｉａ，Ｉｂと照度Ｌとの相関関係によって、以下の連立方程式が得られる。
【００２５】
Ｉａ＝ＲNon［ｐ］ＫＬ，
Ｉｂ＝ＲCF［ｐ］ＫＬ／ｎ  ………（２）
ここで、ＲNon［ｐ］は減光手段無しの場合における光センサの感度の劣化関数、ＲCF
［ｐ］は減光手段有りの場合における光センサの感度の劣化関数であって、それぞれ受光光量の時間積分である積算光量ｐの関数である。
【００２６】
これら劣化関数は、実験等による経験則で得られるものであり、本実施形態では、劣化関数ＲNon［ｐ］と劣化関数ＲCF［ｐ］とは、次式に示す関係式が成り立つものとする。
ＲCF［ｐ］＝ａ（ＲNon［ｐ］／ＲCF［ｐ］）＋ｂ  ………（３）
ここで、ａ，ｂは実験等により得られる定数であり、例えば、ａ＝１．０８、ｂ＝−０．０６といった値をとる。
【００２７】
ところで、前記（２）式より、
Ｉａ／Ｉｂ＝（ＲNon［ｐ］ＫＬ）／（ＲCF［ｐ］ＫＬ／ｎ）
＝ｎ（ＲNon［ｐ］／ＲCF［ｐ］）  ………（４）
となり、これにより、
ＲNon［ｐ］／ＲCF［ｐ］＝（１／ｎ）・（Ｉａ／Ｉｂ）  ………（５）
となるので、これを前記（３）式に代入すると、
ＲCF［ｐ］＝（ａ／ｎ）・（Ｉａ／Ｉｂ）＋ｂ  ………（６）
を得る。このように、減光手段有りの劣化関数ＲCF［ｐ］を、積算光量ｐを含まない形で表すことができ、この（６）式と前記（２）式とに基づいて、上記（１）式を得ることが
できる。なお、本実施形態では初期感度Ｋが定数であることから、定数ａ，ｂに初期感度Ｋを含めることにより、上記（１）式に初期感度Ｋが現れない形としている。
【００２８】
このようにして得られた照度Ｌの式には、積算光量ｐは含まれず、当該積算光量ｐが未知でも照度Ｌを算出することができる。
なお、図４において、乗算部１１が第１の乗算回路に対応し、乗算部１２が第２の乗算回路に対応し、除算部１３が第１の除算回路に対応し、加算部１４が第１の加算回路に対応し、除算部１５が第２の除算回路に対応している。
【００２９】
次に、本発明における実施形態の動作について説明する。
今、外光がＴＦＴ光センサに照射されているものとする。このとき、読み取り部１０が光検知部ＬＳ１及びＬＳ２のスイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２をオン状態とし、光検知部ＬＳ１及びＬＳ２のコンデンサＣ１及びＣ２に夫々基準電圧Ｖｓを充電する。そして、その後、読み取り部１０がスイッチ素子ＳＷ１及びＳＷ２をオフ状態に切り替え、ＴＦＴ光センサに上記外光が照射されることにより生じる漏れ電流によって、コンデンサＣ１及びＣ２に充電された充電電圧がそれぞれ同じ放電特性で低下する。
【００３０】
その後、読み取り部１０は、所定の読み取り時間が経過した時点で、コンデンサＣ１及びＣ２の充電電圧を読み取り、これらを読み取り値Ｉａ，Ｉｂとして図４に示す処理を行って照度Ｌを算出する。
ところで、薄膜トランジスタの漏れ電流が受光量に比例することを利用し、この漏れ電流で電圧検出用コンデンサに電荷を充電あるいは放電させ、このコンデンサの両端間の電圧変化によって光量を検出する光量検出回路は広く普及しているが、薄膜トランジスタの感度（受光量に対する電流値）は光暴露によって低下することがわかっており、この感度低下によって光量の検出精度が低下してしまう。
【００３１】
これを防止するために、トランジスタの生成方法を改良して、対劣化特性を向上させるという光電変換素子が知られているが、この場合、特別な製造条件が必要となり、例えばＴＦＴを用いた表示装置の内部に光センサを作り込んだり、同一装置で表示装置と光センサとを製造したりする場合に、表示用に適した特性とは異なった製造プロセスとなって、当該製造プロセスが長くなったり、製造装置の頻繁な条件設定の変更を余儀なくされたりする。
【００３２】
また、上記感度低下は、受光光量の時間積分である積算光量に依存することがわかっているため、積算光量で感度補正をすることも考えられるが、積算光量を知るには、装置が死ぬまで常に測光し続ける必要がある。これは、測光を必要としない場合や装置が作動しない場合も含めてであり、現実的ではない。
これに対して、本実施形態は、トランジスタ自体の特性向上（製造条件の変更）を行うことなく、感度低下を補正することができるので、精度良く光量検出を行うことができると共に、上記のように製造プロセスが長くなったり、製造装置の条件設定を頻繁に変更したりする必要がない。さらに、積算光量が未知であっても感度補正が可能となる。
【００３３】
このように、上記実施形態では、一対の光検知部のうち、一方の光検知部は外光の光量に応じた出力信号を出力し、他方の光検知部は減光手段で減光された入射光の光量に応じた出力信号を出力し、一方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係、他方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係、及び一方の光検知部における感度の劣化関数と他方の光検知部における感度の劣化関数との相関関係をもとに、各出力信号に基づいて外光の光量を検出する。
【００３４】
これにより、感度低下を補正して外光の照度を高精度に検出することができる。
また、一方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係と、他方の光検知部における入射光量と出力信号との相関関係から成り立つ連立方程式を、一方の光検知部における感度の劣化関数と他方の光検知部における感度の劣化関数との相関関係を用いて解くことにより、積算光量を含まない形で補正式を得ることができるので、積算光量が未知であっても感度補正を行うことができ、積算光量を検知するための回路が不要となって光量検知回路の簡易化を実現することができる。
さらに、光検知部自体の特性向上（製造条件の変更）を行うものではないため、例えば、同一製造装置で表示装置と光センサとを製造するような場合であっても、製造プロセスが長くなったり、製造装置の頻繁な条件設定の変更を余儀なくされたりすることがない。
【００３５】
また、他方の光検知部の出力信号に、減光手段における透過率の逆数である第１の定数を乗算する第１の乗算回路と、一方の光検知部の出力信号に、第２の定数ａを乗算する第２の乗算回路と、該第２の乗算回路の出力値を前記第１の乗算回路の出力値で除算する第１の除算回路と、該第１の除算回路の出力値と第３の定数ｂとを加算する第１の加算回路と、前記第１の除算回路の出力値を前記第１の加算回路の出力値で除算する第２の除算回路とを備え、該除算回路の出力値を前記外光の光量とするので、一方の光検知部における感度の劣化関数ＲNon［ｐ］と他方の光検知部における感度の劣化関数ＲCF［ｐ］との相
関関係を、ＲCF［ｐ］＝ａ（ＲNon［ｐ］／ＲCF［ｐ］）＋ｂ（ａ，ｂは定数）として、
適正に感度低下を補正することができる。
【００３６】
なお、上記実施形態においては、読み取り部１０で、図４に示す演算回路を用いて、実際に照度Ｌを計算する場合について説明したが、各光検知部の読み取り値Ｉａ，Ｉｂを入力変数とするルックアップテーブルを用意し、このテーブルを参照して照度Ｌを求めることもできる。また、各光検知部の読み取り値Ｉａ，Ｉｂを入力とし、上記（１）式をもとにＣＰＵで直接演算することもできる。
【００３７】
さらに、上記実施形態においては、前記（３）式で表される劣化関数ＲNon［ｐ］と劣
化関数ＲCF［ｐ］との関係において、ａ＝１，ｂ＝０と仮定することもできる。この場合、前記（３）式は、
ＲCF［ｐ］＝ＲNon［ｐ］／ＲCF［ｐ］  ………（７）
となり、前記（１）式は、
Ｌ＝ｎ2Ｉｂ2／Ｉａ  ………（８）
となって、この（８）式をもとに照度Ｌが得られることになる。
【００３８】
したがって、このときの読み取り部１０の構成は、図５に示すように、図４における乗算部１２及び加算部１４を省略した構成となる。すなわち、除算部１３が乗算部１１の出力値を読み取り値Ｉａで割る構成となると共に、除算部１５が乗算部１１の出力値を除算部１３の出力値を割る構成となる。このように、光量検知回路を簡易化することができる。
【００３９】
なお、ここでは初期感度Ｋを固定値としているが、当該初期感度Ｋを積算通電時間に応じて可変とすることもできる。
このとき、照度Ｌの補正式を、
Ｌ＝ｎＩｂ／Ｋ｛（ａＩａ／ｎＩｂ）＋ｂ｝  ………（９）
又は、ａ＝１，ｂ＝０と仮定して、
Ｌ＝ｎ2Ｉｂ2／ＫＩａ  ………（１０）
とする。このように、照度Ｌの補正式に初期感度Ｋが現れる形とし、例えば、書き換え可能な不揮発性メモリに逐次記憶された積算通電時間Ｔを読み出し、この積算通電時間Ｔに応じた初期感度Ｋを用いて、読み取り部１０で照度Ｌを求めるようにする。
【００４０】
上記（９）式に示す補正式を用いて照度検出を行う場合、読み取り部１０は、図４の乗算部１２で、定数ａに代えて定数ａＫを読み取り値Ｉａに乗じると共に、加算部１４で定数ｂに代えて定数ｂＫを除算部１３の出力値に加算する構成とすればよい。また、上記（１０）式に示す補正式を用いて照度検出を行う場合には、読み取り部１０は、図４の乗算部１２で、定数ａに代えて定数Ｋを読み取り値Ｉａに乗じると共に、加算部１４を省略し、除算部１５で乗算部１１の出力値を除算部１３の出力値で割る構成とすればよい。
【００４１】
ここで、初期感度Ｋは、積算通電時間Ｔの関数を用いて直接算出してもよく、また、積算通電時間Ｔを入力変数とするルックアップテーブルを用意し、そのテーブルを参照して算出してもよい。なお、初期感度Ｋは、積算通電時間Ｔが長いほど大きく算出されるようにする。このように、積算通電時間に応じて初期感度を変更することで、感度低下が測光時の積算通電時間に依存する場合であっても、照度検出値を適切に補正することができ、より高精度な照度検出を実現することができる。
【００４２】
なお、上記実施形態においては、光センサとしてＴＦＴ光センサを適用する場合について説明したが、周知のフォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＴＦＴ、フォトＳＣＲ、光導電体、光電池など、任意の光−電気変換素子を適用することができる。
次に、上述した光量検出回路１を適用した電気光学装置１００について説明する。
図６は、光量検出回路１を適用した電気光学装置１００の構成を示す図である。
【００４３】
この図６に示すように、この電気光学装置１００は、液晶パネル１０１、調光回路１０２、照光部としてのバックライト１０３、制御回路１０４を備える。液晶パネル１０１は、その素子基板上に画像表示領域Ａ、走査線駆動回路２０１、データ線駆動回路２０２、光量検出回路１を備える。
ここで、液晶パネル１０１は、一般にトランジスタが形成される素子基板とカラーフィルタが形成される対向基板の対が液晶層を挟持する構造となっているので、光量検出回路１を素子基板上に設けた場合、光量検出回路１における光検知部ＬＳ２の減光用フィルタを光検知部上ではなく、対向基板の対応する部分に設けることで、製造プロセスを増加させることなく、光検知部ＬＳ２に入射する光を減光させることが出来る。
【００４４】
制御回路１０４は、各種信号を生成して走査線駆動回路２０１及びデータ線駆動回路２０２に供給するものである。また、画像表示領域Ａには、複数の画素Ｐ１がマトリクス状に形成されており、画素Ｐ１ごとに透過率を制御することができる。バックライト１０３からの光は、画素Ｐ１を介して射出される。これによって、光変調による階調表示が可能となる。調光回路１０２は、光量検出回路１から出力される外光（環境光）の照度を示す照度データに応じた輝度でバックライト１０３が発光するように調整する。
【００４５】
表示画像の見え易さは環境の明るさによって左右される。したがって、調光回路１０２は、光量検出回路１から出力される環境光の照度と所定の照度閾値とを比較し、例えば、環境光の照度が日中の自然光に相当する場合には、バックライト１０３の発光輝度を高く設定し、明るい画面を表示するようにする。一方、環境光の照度が夜間の暗い環境下に相当する場合には、バックライト１０３の発光輝度を低く設定する。
【００４６】
なお、ここでは液晶を用いた電気光学装置に適用する場合について説明したが、液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置に適用することもできる。例えば、有機ＥＬや発光ポリマーなどのＯＬＥＤ素子を電気光学物質として用いた表示パネルや、着色された液体とこの液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示パネル、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイパネル、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイパネル、ヘリウムやネオン等の高圧ガスを電
気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルなど、各種の電気光学装置に対して適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明における実施形態の光量検出回路の構成を示すブロック図ある。
【図２】光検知部の回路図である。
【図３】ＴＦＴ基板上の光センサ及びスイッチ素子の断面図である。
【図４】読み取り部の詳細な構成を示すブロック図である。
【図５】読み取り部の他の例を示すブロック図である。
【図６】本発明の光量検出回路を適用した電気光学装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１…光量検出回路、１０…読み取り部、１１…乗算部、１２…乗算部、１３…除算部、１４…加算部、１５…除算部、１００…電気光学装置、ＬＳ１，ＬＳ２…光検知部、ＳＷ１，ＳＷ２…スイッチ素子、Ｃ１，Ｃ２…コンデンサ、Ｖｓ…基準電圧
【図１】
2009036607.tif 000003
【図２】
2009036607.tif 000004
【図３】
2009036607.tif 000005
【図４】
2009036607.tif 000006
【図５】
2009036607.tif 000007
【図６】
2009036607.tif 000008