(57)【要約】【課題】  製造時のレーザ光照射によって形成される貫通孔の壁面に残留物が生成されてしまうのを抑制された導通不良のない多層配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の多層配線基板は、主結晶粒子として平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す（ｄ８４％−ｄ１６％）／２が１．０以下である粒度分布のクォーツ粒子を有する複数のガラスセラミック絶縁層が積層されており、前記ガラスセラミック絶縁層の内部にレーザ光の照射により形成された貫通孔に、貫通導体が設けられていることを特徴とするものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主結晶粒子として平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す下記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有するクォーツ粒子を含む複数のガラスセラミック絶縁層が積層されており、前記ガラスセラミック絶縁層にレーザ光の照射により形成された貫通孔に、貫通導体が設けられていることを特徴とする多層配線基板。
【数１】
2009238883.tif 000008
【請求項２】
ガラス粉末と、平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す下記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有するクォーツ粉末とを含むガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記ガラスセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導体ペーストを充填する工程と、前記貫通孔に前記導体ペーストが充填された複数のガラスセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【数２】
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【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｃｕ、Ａｇ等の低融点金属による配線の形成が可能で、プリント樹脂基板等の外部回路基板との実装信頼性に優れた熱膨張係数の高い多層配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、多層配線基板を構成する絶縁基体としてアルミナやムライト等の焼結体が用いられていたが、これらの焼結体は１２００℃以上の温度で焼成しなければならないため、１０５０℃程度で溶融するＣｕ、Ａｇ等の低抵抗の金属を主成分としたメタライズ配線層と同時焼成することができなかった。そこで、Ｃｕ、Ａｇ等の低抵抗の金属を主成分としたメタライズ配線層を絶縁基体と同時焼成して使用するために、１０５０℃以下の低温での焼結が可能であるガラスセラミックスが絶縁基体として用いられるようになってきている。
【０００３】
また、上記多層配線基板が搭載される外部回路基板としてはプリント配線基板が用いられることが多く、この外部回路基板（プリント配線基板）の０〜１５０℃における熱膨張係数は１４〜２０×１０−６／℃である。ここで、多層配線基板と外部回路基板（プリント配線基板）との接続信頼性を高めるために、多層配線基板の熱膨張係数と外部回路基板（プリント配線基板）の熱膨張係数との差を小さくすることが要求されており、一般に多層配線基板を構成する絶縁基体の熱膨張係数は外部回路基板（プリント配線基板）の熱膨張係数よりも小さいことから、多層配線基板を構成する絶縁基体の熱膨張係数を大きくすることが要求されている。
【０００４】
そこで、全量中にＳｉをＳｉＯ２換算で５５〜７０質量％、ＢａをＢａＯ換算で２０〜４０質量％、ＢをＢ２Ｏ３換算で１〜５質量％、ＡｌをＡｌ２Ｏ３換算で１〜８質量％、ＺｒをＺｒＯ２換算で０質量％より多く７質量％以下の割合で含有し、クォーツ結晶を３０質量％以上の割合で含有する低温焼成磁器組成物からなり、４０〜４００℃における熱膨張係数が９〜１８×１０−６／℃である低温焼成磁器で絶縁基体を形成した配線基板が提案されている（特許文献１を参照。）。なお、特許文献１には、低温焼成磁器中にクォーツ結晶を含有せしめるために、フィラー成分としてクォーツを必須として含有すること、フィラー成分の平均粒径が０．２〜１５μｍであることが記載されています。
【０００５】
一方、電子機器等の小型化が進んでいくことに伴い、使用される多層配線基板も７０μｍといった細い配線幅および小さな径の貫通孔（貫通導体）が要求されている。ここで、小さな径の貫通孔を形成するためにはセラミックグリーンシートにレーザ光を照射する方法が挙げられるが、この方法で貫通孔を形成すると、貫通孔の壁面にガラス成分等が直径数μｍ〜約３０μｍの球状に析出し、この析出物（残留物）が障害となって電極材料を十分に充填することが困難となり、結果として貫通導体の十分な導通が得られなくなるという問題があった。
【０００６】
この問題に対し、レーザ光の出力を上げたり、出力を抑えてレーザ光の照射回数（ショット数）を増やしたりする方法が挙げられる。
【０００７】
また、複数の貫通ビア（貫通孔に相当）を形成したポリエチレンテレフタレートフィルム付きセラミックグリーンシートに、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴフィルムという）側より粉末（アルミナ粒子、ジルコニア粒子、マグネシア粒子またはセラミックグリーンシートのセラミック粒子）を高圧で吹き付けて、球状の析出物（残留物）を除去する方法が提案されている（特許文献２を参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１３７９６０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、レーザ光の出力を上げると貫通孔の周囲への悪影響が大きく、また出力を抑えてショット数を増やすと製造時間が増加してしまう。
【０００９】
また、特許文献２に記載の製造方法では、ＰＥＴフィルムを剥離する工程が必要となり、製造工程が増えてしまう。
【００１０】
また、粉末の付着したＰＥＴフィルムを剥離しようとすると、ＰＥＴフィルムに付着していた粉末がＰＥＴフィルムから落ちてセラミックグリーンシートに付着してしまう。このとき、セラミックグリーンシートに付着した粉末のうちの一部は貫通孔の内部に付着する。そこで、粉末がＰＥＴフィルムから落ちて貫通孔に付着することがないようにするには、ＰＥＴフィルムを剥離する前にＰＥＴフィルムに付着した粉末を水スプレー洗浄などにより取り除く必要があるが、これではさらに製造工程が増えてしまう。
【００１１】
したがって、レーザ光の照射によっても、セラミックグリーンシートに形成された貫通孔に残留物が生成されないようにするのが望ましい。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、製造時のレーザ光照射によって形成される貫通孔の壁面に残留物が生成されてしまうのを抑制された導通不良のない多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、主結晶粒子として平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す下記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有するクォーツ粒子を含む複数のガラスセラミック絶縁層が積層されており、前記ガラスセラミック絶縁層にレーザ光の照射により形成された貫通孔に、貫通導体が設けられていることを特徴とする多層配線基板である。  
【００１４】
【数３】
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【００１５】
また本発明は、ガラス粉末と、平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す下記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有するクォーツ粉末とを含むガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記ガラスセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔に導体ペーストを充填する工程と、前記貫通孔に前記導体ペーストが充填された複数のガラスセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。  
【００１６】
【数４】
2009238883.tif 000004
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、貫通導体の設けられる貫通孔の壁面に残留物が存在しないことから、導通不良のない多層配線基板を実現することができる。
【００１８】
また、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、レーザ光照射によって形成される貫通孔に残留物が生成されるのを抑制することができ、導通不良のない多層配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態について説明する。
【００２０】
図１は本発明の多層配線基板の一実施形態の概略縦断面図であって、図１に示す多層配線基板は、複数のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが積層されてなる絶縁基体１と、絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２および絶縁基体１の内部に形成された内部配線層３と、内部配線層３同士または表面配線層２と内部配線層３とを電気的に接続する貫通導体４とを備えている。
【００２１】
複数のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが積層されてなる絶縁基体１は、主結晶粒子として熱膨張係数の大きな（４０〜４００℃における熱膨張係数１４×１０−６／℃〜１６×１０−６／℃）のクォーツ粒子を有するガラスセラミック焼結体で形成されている。このクォーツ粒子は、後述するように原料にフィラー（クォーツ粉末）として混合されたものである。ここで、絶縁基体１を高熱膨張係数を有するものにするとともに低空隙率なものにするために、クォーツ粒子の含有量は３７〜４３質量％であるのが好ましい。
【００２２】
また、複数のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが積層されてなる絶縁基体１は、クォーツ粒子の他にセルシアンを２３〜２７質量％有しており、エンスタタイトを４．５〜５．５質量％有しているのが好ましい。セルシアンは針状の結晶を含むことから、セルシアンが２３〜２７質量％含まれていることにより、絶縁基体１の抗折強度を強くすることができる。また、エンスタタイトはクォーツ粒子には劣るものの比較的大きな熱膨張係数を有していることから、エンスタタイトが４．５〜５．５質量％含まれていることにより、絶縁基体１の熱膨張係数を高めることができる。なお、クォーツ粒子が原料にフィラー（クォーツ粉末）として混合されたものであるのに対し、これらの結晶がガラス粉末から析出したものである。質量比はＸ線回折によるメインピーク強度からリートベルト解析を用いて求めることができる。
【００２３】
複数のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの内部には、それぞれ貫通孔が形成されていて、それぞれの貫通孔に貫通導体４が設けられている。貫通孔は、焼成によりガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄとなるガラスセラミックグリーンシートの段階でレーザ光の照射により形成されたものである。レーザ光の照射により形成されたものは、パンチングで形成されたものとは形状が異なっており、その縦断面形状がテーパー状になっている。
【００２４】
また、貫通導体４は、製造上の点から、貫通孔に導体ペーストが充填され焼成されてなるものが望ましい。本発明によれば、後述するように、貫通孔の壁面に残留物が存在していないことから、貫通孔の内部に導体ペーストがきれいに充填され、導通不良のない良好な形状の貫通導体４となっている。
【００２５】
そして、複数のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄが積層されてなる絶縁基体１に含まれる主結晶粒子としてのクォーツ粒子は、平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す下記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有していることが重要である。
【００２６】
【数５】
2009238883.tif 000005
【００２７】
ここで、クォーツ粒子は、ほとんどその原料粉末であるクォーツ粉末の粒子径のままの粒子径で存在する。クォーツ粒子の平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有していることで、後述するように、焼成によりガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄとなるガラスセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する際に、貫通孔の壁面に残留物を生成させることがなく、また焼成後のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄにおける貫通孔の壁面に残留物が存在しなくなる。
【００２８】
クォーツ粒子の平均粒子径および粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値は、絶縁基体１（ガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ）を形成するガラスセラミック焼結体を回転式ダイヤモンドカッターで切り出した後に断面を研磨し、電子顕微鏡にて研磨面の反射電子像を撮影する。そして、反射電子像から粒子の色調が暗いものをマークし、２値化する。これを市販の画像解析ソフトウェアにて粒度と頻度に数値化することで、全粒子の体積を１００％とした累積カーブを求めたうえで、算出できる。
【００２９】
なお、本発明の多層配線基板は、絶縁基体１の４０〜４００℃における熱膨張係数が９〜１８×１０−６／℃、特に１２〜１４×１０−６／℃となる。なお、熱膨張係数はＪＩＳ  Ｒ３１０２に準拠して測定できるが、測定対象物からＪＩＳ  Ｒ３１０２に定められた寸法の試験片が作成できない場合は、長さを測定する部分の寸法と定められた寸法との差が小さくなるように直方体、または、円柱を測定対象物から切り出し、長さを測定する部分の両端面を研磨により平行にして試験片とすればよい。
【００３０】
次に、本発明の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、ガラス粉末とクォーツ粉末とを含むガラスセラミックグリーンシートを作製する。
【００３２】
ガラスセラミックグリーンシートは、ガラス粉末とフィラー（クォーツ粉末）とを含んでいる。具体的には、ガラス粉末が５７〜６３質量％に対してクォーツ粉末が３７〜４３質量％という比率となっている。ガラス粉末とクォーツ粉末とからなる原料粉末に、適当な有機樹脂バインダー、溶媒等を添加し混合して、スラリーを得る。得られたスラリーから、所望の成形手段、例えば金型プレス、冷間静水圧プレス、射出成形、押し出し成形、ドクターブレード法、カレンダーロール法、圧延法等によりガラスセラミックグリーンシートを作製する。
【００３３】
ガラス粉末は、ガラスセラミックグリーンシートの１０００℃以下の温度での焼結性を良好なものとするために、原料粉末に含まれている。その含有量は、クォーツ粉末の含有量との関係から、全原料粉末（クォーツ粉末およびガラス粉末）１００質量％に対して５７〜６３質量％である。
【００３４】
このガラス粉末としては、例えば平均粒子径０．５〜１０μｍのホウケイ酸亜鉛系ガラス、ホウケイ酸鉛系ガラス、リチウム珪酸系ガラス、ＰｂＯ系ガラス、ＺｎＯ系ガラス、ＢａＯ系ガラス等が用いられる。特に、焼成後の絶縁基体１を構成するガラスセラミック焼結体において、全質量のうちの２３〜２７質量％がセルシアンとなり、全質量のうちの４．５〜５．５質量％がエンスタタイトとなるように、これらの結晶を析出させるガラスであるのが好ましい。
【００３５】
そして、クォーツ粉末は、多層配線基板と外部回路基板（プリント配線基板）との熱膨張係数差をできるだけ少なくするため、すなわち多層配線基板の熱膨張係数を高くするために、原料粉末に含まれている。その含有量は、全原料粉末（クォーツ粉末およびガラス粉末）１００質量％に対して３７〜４７質量％である。
【００３６】
このクォーツ粉末は、平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有していることが重要である。
【００３７】
後述のガラスセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する工程において、クォーツ粉末の平均粒子径および粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が上記の範囲を満たさないと、貫通孔の壁面に残留物が生成されてしまうからである。
【００３８】
例えば平均粒子径が１．９〜３．４μｍであり粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．７〜２．５μｍである粒度分布を有するクォーツ粉末を含むガラスセラミックグリーンシートに、レーザ光を照射して貫通孔を形成すると、レーザ光のエネルギーでガラスセラミックグリーンシート中のバインダーや可塑剤といった有機成分が分解する。
【００３９】
このとき、有機成分は気化して体積が膨張する。この膨張しようとするときの気体の圧力によって、クォーツ粉末およびガラス粉末がガラスセラミックグリーンシートから除去され、貫通孔が形成される。
【００４０】
ここで、ガラスセラミックグリーンシート中に粗いクォーツ粉末（粗粉）が含まれていると、この粗粉１個の質量が重いため、ガラスセラミックグリーンシート中の有機成分が気化したときの体積膨張による圧力では粗粉を完全に除去しきれなくなり、貫通孔の壁面に残留物として残る。
【００４１】
一方、ガラスセラミックグリーンシート中に細かいクォーツ粉末（微粉）が含まれていると、微粉は凝集力が強いことから、微粉と微粉とが凝集して粗粉と同様の状態になってしまう。このような状態であると、粗いクォーツ粉末（粗粉）の場合と同様にガラスセラミックグリーンシート中の有機成分が気化したときの体積膨張による圧力では微粉の凝集体を完全に除去しきれなくなり、貫通孔の壁面に残留物として残る。
【００４２】
また、ガラス粉末もレーザ光の熱により気化するが、クォーツ粉末に付着して冷やされることで、残留物として残る。
【００４３】
したがって、原料粉末としてクォーツ粉末の粗粉および微粉が含まれていないガラスセラミックグリーンシートを作製することが重要であり、具体的には、ガラスセラミックグリーンシートに含まれるクォーツ粉末として、平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有していることが重要である。
【００４４】
クォーツ粉末の平均粒子径が３．０μｍよりも大きいと、大きな径のクォーツ粉末が多くなりすぎて粗粉が増加することとなってしまい、クォーツ粉末の平均粒子径が０．１μｍよりも小さいと、小さな径のクォーツ粉末が多くなりすぎて微粉（凝集体）が増加することとなってしまう。また、クォーツ粉末の粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０を超えると、クォーツ粉末の粒子径にバラツキがあり、粗粉と微粉とが混在していることになる。
【００４５】
ガラスセラミックグリーンシートに含まれるクォーツ粉末は、平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり、かつ粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０以下である粒度分布を有していることで、後述するガラスセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する際に貫通孔の壁面に残留物を生成させることがなくなる。
【００４６】
ここでいうクォーツ粉末の平均粒子径とは、クォーツ粉末の集団の全体積を１００％として累積カーブを求めたときの累積カーブが５０％となる点の粒子径のことであり、クォーツ粉末の粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値とは、クォーツ粉末の集団の全体積を１００％として累積カーブを求めたときの、累積カーブが８４％となる点の粒子径と累積カーブが１６％となる点の粒子径との差を２で除した値のことを意味する。なお、クォーツ粉末は焼結によってもほとんどその粒子径を維持することから、クォーツ粉末の平均粒子径とクォーツ結晶の平均粒子径とは同じであり、クォーツ粉末の粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値とクォーツ結晶の粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値とは同じである。
【００４７】
クォーツ粉末の平均粒子径が０．１〜３．０μｍであり粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０以下の粒度分布となるようにするには、ガラス粉末とともに調合する際のクォーツ粉末の平均粒子径を２〜１０μｍ、特に３〜６μｍとし、ボールミル、ビーズミル等を用いて、メディア径、メディア量、回転速度および回転時間などの混合、粉砕条件を調整する。
【００４８】
次に、ガラスセラミックグリーンシートにレーザ光を照射して貫通孔を形成する。
用いられるレーザとしては、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザなどが挙げられ、それぞれのレーザにより出力やショット数は異なる、なお、レーザ光の照射により形成される貫通孔の孔径は５０〜７０μｍであることが望ましい。
【００４９】
そして、ガラスセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に、銅、銀などを主成分とする導体ペーストを充填する。一方、ガラスセラミックグリーンシートの表面には、導体ペーストを用いてスクリーン印刷やグラビア印刷により配線導体を形成する。その厚みは１０〜２０μｍとすることが望ましい。
【００５０】
次に、貫通孔に導体ペーストが充填され、表面に配線導体が形成された複数のガラスセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する。具体的には、複数のガラスセラミックグリーンシートを位置合わせして、熱圧着法や積層助剤を用いて加圧し積層する。
【００５１】
最後に、得られた積層体を焼成する。
【００５２】
積層体中から成形のために配合した有機樹脂バインダー成分を除去するため、貫通導体用ペーストの導体成分として金または銀を用いた場合には、大気中で５００℃前後まで積層体の積層界面の剥離がないように昇温し、必要に応じて５００℃前後にて保持し、続いて大気中で９００℃前後まで再度昇温し、焼成の最高温度にて０．２〜１０時間、特に０．５〜５時間焼成することにより本発明の多層配線基板を得る。
【００５３】
一方、貫通導体用ペーストの導体成分として銅を用いた場合には、窒素雰囲気中で７００℃前後まで積層体の積層界面の剥離がないように昇温し、必要に応じて７００℃前後にて保持し、続いて窒素雰囲気中で９００℃前後まで再度昇温し、焼成の最高温度にて０．２〜１０時間、特に０．５〜５時間焼成することにより本発明の多層配線基板を得る。
【実施例】
【００５４】
原料として表１に示す組成のガラス粉末と、クォーツ粉末とを準備する。
【００５５】
ただし、ガラス粉末は原料の全組成の比率が表１のＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯの比率になるようにＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯからガラスを作製し、平均粒子径４μｍとなるように粉砕したものである。一方、クォーツ粉末もガラス粉末と同じ平均粒子径４μｍとしたものである。
【００５６】
そして、これらの原料粉末を表１に示す質量比で混合するとともに、有機樹脂バインダーとしてアクリルバインダー、溶剤としてトルエンを添加して、表２に示すクォーツ粉末の平均粒子径および粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値となるように、ビーズミルにて粉砕、混合した。なお、クォーツ粉末の平均粒子径および粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値を表２に示す数値にするために、メディア径、メディア量、回転速度および回転時間などの混合、粉砕条件を適宜調整した。
【００５７】
その後、得られたスラリーをドクターブレード成形により厚み７０μｍのガラスセラミックグリーンシートを作製した。
【００５８】
このガラスセラミックグリーンシートに炭酸ガスレーザを照射し、直径７０μｍの貫通孔を形成した。ここで、単に貫通孔形成のための照射回数（ショット数）は２回であり、貫通孔の壁面に残留物が生成されているものについてはこの残留物がなくなるまで、レーザ光を照射した。なお、貫通孔の壁面に残留物がなくなったかどうかは、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）にて測定した。具体的には、倍率１０００倍で反射電子像を撮影し、貫通孔１００個について貫通孔の上から見て貫通孔の壁面に残留物があるかどうか観察した。
【００５９】
【表１】
2009238883.tif 000006
【００６０】
【表２】
2009238883.tif 000007
【００６１】
表２の結果より、クォーツ粒子の平均粒子径が０．１〜３．０μｍであって、粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０以下である本発明範囲内の試料Ｎｏ．１〜５、７〜９は、貫通孔形成に要したショット数が２回であり、貫通孔の壁面に残留物がなく、レーザ加工性に優れていることがわかる。
【００６２】
これに対し、粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値が１．０を超える試料Ｎｏ．６、１０〜１４では、貫通孔の壁面に残留物が発生し、これを除去するためにショット数が３回以上となり、レーザ加工が難しいことがわかる。
【００６３】
なお、上記ガラスセラミックグリーンシートを、水蒸気含有窒素雰囲気中、７５０℃で１時間保持してバインダーを除去した後、９００℃で１時間保持して本焼成し、ガラスセラミック焼結体を得た。そして、得られたガラスセラミック焼結体の断面を研磨し、ＳＥＭで観察した反射電子像写真を２値化することによってガラス成分よりも暗い像となるクォーツ粒子を判別し、クォーツ粒子の平均粒子径および粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値を算出したところ、ガラスセラミックグリーンシートに含まれるクォーツ粉末の平均粒子径および粒子径の分布幅を示す上記（式１）の値と同じであることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の多層配線基板の一実施形態の概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１    絶縁基体
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ    ガラスセラミック絶縁層
２    表面配線層
３    内部配線層
４    貫通導体
【図１】
2009238883.tif 000010