(57)【要約】【課題】処理室でガス化学反応を伴う基板処理装置の、その装置を製造した時の、マニホールドフランジとガス導入ポートの溶接部に起因するパーティクルを抑止する。【解決手段】溶接部を、ガス化学反応から遮蔽する、その反応に耐性を有する素材からなる、溶接部をガス化学反応から遮蔽するカバー手段を、基板処理装置内に付設することで、運用コストを含め低コストにそのパーティクル発生およびウエハへの付着を防ぐ。カバー手段としては、例えば、石英によって、溶接部をガス化学反応から遮蔽する板状の遮蔽部と、処理室中へのガス導入開口に挿入する筒状の挿入部とを組合せて構成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも反応管と、ガス導入ポートを具備するマニホールドフランジとで排気可能な処理室を構成してガス化学反応を伴う基板処理装置であって、
前記ガス導入ポートが前記マニホールドフランジの側壁を貫通して前記処理室側壁面で開口するように前記側壁に溶接されることで、前記処理室内に表出している溶接部と、
前記溶接部を覆う溶接部カバー手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記溶接部カバー手段は、前記ガス化学反応に耐性を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記溶接部カバー手段は、前記溶接部の表面の前記ガス化学反応に曝露するのを遮蔽する遮蔽部と、
前記ガス導入ポートの開口に挿入する円筒状の挿入部とからなることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記挿入部は、弾性を有する材料からなることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記溶接部カバー手段は、石英、テフロン、ＳＵＳのいずれか、ないしそれらの組合せ材料からなることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種半導体デバイスなどの製作における、ポリシリコン膜などのＣＶＤ成膜あるいは反応ガスによるエッチングなどに用いる基板処理装置に関し、特に同装置の導入ガスの化学反応を行う処理室において、ガス導入配管の溶接部の劣化に起因するパーティクル（微細粉塵など）の基板への付着を回避するのに効果的な手段を有する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、特に前工程といわれるウエハ処理工程においては、基板処理装置を用いて、ウエハ基板をその装置の排気可能な処理室内に配し、その処理室内に様々なガスを導入して基板への成膜を含む各種プロセスを行っている。
【０００３】
この様な基板処理装置の構成やそれを用いたデバイス製造工程に関する各種検討が行われているが、中でも、この処理室内で発生する各種パーティクルの抑制やその排除に関して、様々な検討がなされている。
【０００４】
従来からなされているパーティクルに関する検討は、導入反応ガスによって生成される生成膜や副生成物などが、反応管内を含む処理室の内壁面などに累積的に形成され、この付着物の飛散・分解などに起因してウエハ基板上に付着するパーティクルに関してのものである。このように発生したパーティクルに対処するため、内壁面などの付着物を効率良く、物理的あるいは化学的な方法で処理室から除去すること、例えばクリーニングガスの導入によって付着物を分解し、処理室外に排気するなど、の検討がなされている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特許第３３５０５９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウエハプロセスに悪影響を与える、基板処理装置の処理室内に発生するパーティクルは、上記に起因するものだけでは無い。
【０００６】
図１は、われわれが検討を行った、Ｓｉ基板上にポリシリコン膜などの成膜を行うための、典型的な横型ＣＶＤ装置（基板処理装置）の断面模式図である。
【０００７】
図１において、例えば石英の円筒形をした反応管１の一方の端部にマニホールドフランジ２（材質はＳＵＳ；Ｓｐｅｃｉａｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ  Ｓｔｅａｌ）、他方の端部にフランジ３が取り付けられ、反応管１内に複数の基板が適宜配置される。マニホールドフランジ２は、その開口部にはキャップ４で密閉される一方、反応管１にはＯリング５を用いて密着接続される。またマニホールドフランジ２は二重管構造をなし、両管の空間は冷却水路６となっていて、冷却水をここに流すことでこのフランジの温度上昇を防ぐ。また、マニホールドフランジ２の側面にはガス導入ポート７（材質はＳＵＳ）が取り付けられ、これに接続するガス配管８を経由して成膜用反応ガスが、図中Ａに示すように、この処理室９内に導入される。フランジ３も反応管１にＯリング１０を用いて密着接続され、また冷却水路１１が取り付けられる。フランジ３の開口部に排気用配管１２が取り付けられ、図示されていない真空ポンプに接続されて反応ガスを図中Ｂで示すように、処理室９から外部へ排気する。そして、反応管１の周囲に、加熱のためにヒータ１３が配置される。
【０００８】
この様な、横型ＣＶＤ装置（基板処理装置）において、マニホールドフランジ２の筒状側面にガス導入ポート７を取り付ける場合、通常、筒状側面をフライス盤などよって開口し、例えば市販のガス導入ポートを適用してこれをその開口部に挿入して、フランジ側面の壁面とガス導入ポートのガス導入管部とを溶接して接合する。なお、図１の装置の場合、マニホールドフランジ２の筒は二重になっているため、各筒においてガス導入ポートの導入管との溶接を要する。
【０００９】
この様な装置を、ＣＶＤ装置として、数年（例えば、３〜５年）以上に亘って使用し続けたとき、成膜処理後の基板表面に、例えばウエハ上に、１０数個〜１００個（６インチウエア換算）以上の、ＦｅやＣｒなどのＳＵＳ構成元素を核としたパーティクルが存在していることが見出された。
【００１０】
この様なパーティクル付着が発生すると、例えば半導体装置の配線においてショートあるいは断線を、またコンタクトホール形成においては非導通あるいはコンタクトの高抵抗化を誘発し、結果として深刻な歩留低下を招くことになる。
【００１１】
溶接個所からの基板上へのパーティク付着発生を抑えるために、このパーティクルの発生個所に、適正な方法と頻度によるクリーニングを実施することが必要となる。しかし導入反応ガスによって生成される側壁などに積層した生成膜などから発生するパーティクルとは組成やその発生頻度など発生様相が異なり、生成膜に適用されるクリーニング方法ではこの種の溶接部起因のパーティクルの効果的な発生抑止は困難であった。
【００１２】
そこで本発明の課題は、溶接個所からのパーティクルの基板上への付着発生を効果的に抑制できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の基板処理装置は、
少なくとも反応管と、ガス導入ポートを具備するマニホールドフランジとで排気可能な処理室を構成してガス化学反応を伴う基板処理装置であって、
前記ガス導入ポートが前記マニホールドフランジの側壁を貫通して前記処理室側壁面で開口するように前記側壁に溶接されることで、前記処理室内に表出している溶接部と、
前記溶接部を覆う溶接部カバー手段とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、
前記溶接部カバー手段は、前記ガス化学反応に耐性を有することを特徴とする。
【００１５】
また、
前記溶接部カバー手段は、前記溶接部の表面の前記ガス化学反応に曝露するのを遮蔽する遮蔽部と、
前記ガス導入ポートの開口に挿入する円筒状の挿入部とからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
マニホールドフランジに溶接によって取り付けたガス入力ポートの処理室内の溶接部に、上記のように溶接部カバー手段を付設することで、溶接部からのパーティクル発生を抑止し、他の手段に比べ運用コストが低く、長期に安定した製造ラインでの稼動を可能とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
先ず、本発明が対象とするパーティクルの発生状況に関して検討する。
【００１８】
図２は、図１で述べた、基板処理装置のマニホールドフランジ２の筒状側面にガス導入ポート７を取り付けた構造の、ガス導入ポートも含んで、二重の筒の断面方向における模式図である。図２（１）は、全体概要を示し、図２（２）は要部拡大図である。マニホールドフランジ２は、処理室９を囲んで、外側筒部２０１と内側筒部２０２からなり、二重筒部間は循環式の冷却水路６となる。このマニホールドフランジ２は外側筒部２０１と内側筒部２０２とガス導入ポート７のガス導入管部７０１とが溶接される。溶接部１３は、図２（２）に図示したように、外側筒部２０１と内側筒部２０２夫々の開口部の内周縁部と、開口部を通過したガス導入管部７０１周囲とを溶接する。仕上げ加工として、溶接に伴う溶接個所での充填材料などによって生じた突起は、グラインダーなどを用いて平坦化を行い、実際は、図示されているように、平坦化処理は内側筒部２０２の処理室９側、外側筒部２０１の外側（大気側）に対して行う。
【００１９】
マニホールドフランジ２の筒部は、例えば、厚さ３ｍｍ、長さ５０ｍｍ、外側筒部２０１の半径１０８ｍｍ、内側筒部２０２の半径１００ｍｍ、何れも、素材としてＳＵＳ３１６を用いて製作する。この側壁を例えば直径１３ｍｍの穴をフライス盤で開口し、ここに、ガス導入ポートとして、例えば、内径１／４インチあるいは内径６．５ｍｍの、スウェジロックポートタイプ（素材ＳＵＳ３０４・スウェジロック社製）あるいはウルトラシールポートタイプ（素材ＳＵＳ３０４・スウェジロック社製）を用いることができる。
【００２０】
フランジ側壁とガス導入管部との溶接法に関しては、種々な方法が適用可能となるが、例えば、代表的な、ＴＩＧ（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｉｎｅｒｔ  Ｇａｓ）法を適用する場合、溶接される素材は、フランジ、ポート導入管いずれもＳＵＳ材であることから、この素材と同等の充填材料を用いて溶接される。いずれの溶接方法によっても、溶接個所は溶接時に高温に加熱される。アニーリング処理をされたとしても、その溶接個所は、フランジ側壁の処理室側部分、処理室外側部分のいずれ側においても、鋼材時と比べ熱的、物理的、また特に化学的ストレスに対する耐性の相対的な劣化は避けがたい。
【００２１】
このように製作された溶接加工物が、例えば、ポリシリコン膜の成膜時に行われる、反応ガスＳｉＨ４（シラン）・２００ｍＴｏｒｒ・６２０℃の条件下で、基板処理装置として、長期にわたり、繰り返し使用されることとなる。その結果、特に高温状態での化学反応ガスのストレスにより溶接部がミクロな金属疲労を起こし、例えば、減圧時、大気圧復帰時、基板挿入出時、その他、何らかの物理的なショックが生じたときなどに、溶接部表面からその組成物が、ミクロな形状のパーティクルとして欠落し、ウエハ上に落下・付着する可能性が想定される。
【００２２】
この様な基板処理装置を、多数、製造ライン等で継続使用する中で、導入反応ガスによって生成される積層膜や副生成物によるパーティクルの発生と、ウエハへの付着に対する抑制に関しては、定期的なクリーニングなどを導入することなどによって、製造工程・メンテナンス工程などにおいてその手順・方法が確立されている。
【００２３】
しかし、実際に、一定程度の長期間、例えば３〜５年ほど経過した装置において、成膜起因のパーティクルと様相の異なる円形・糸状・あるいは渦巻き状などの混在したパーティクルがウエハ上に、例えば、数μｍ径オーダーから１０ｍｍ長オーダーのサイズを持つ、１０数個〜１００個以上（６インチウエハ換算）付着するようになり、相当な数の不良ロットが発生する現象が見られた。そのパーティクルの組成を調査した結果、パーティクルの核となる部分に、Ｆｅ、Ｃｒ、ＮｉなどＳＵＳ部材に起因する元素が見出された。更に、先の溶接個所表面を仔細に観察したところ、微細な亀裂が発生しており、かつミクロな剥離も生じていたことから、このフランジ側壁とガス導入管部との溶接個所の劣化と一部表面の剥離に伴うパーティクルと判断した。
【００２４】
こうしたパーティクルの発生は、長期間使用している装置において、その発生予測が困難である。予測できないなかで、一旦微細なこの剥離が発生してしまうと処理室内に重金属を含むパーティクルが拡散し、それらが含んでいる元素が、装置中で形成される半導体デバイスの劣化や製造歩留の低下に大きな影響を及ぼし、正常状態を復元するための装置の入念なクリーニング措置の実施一つをとっても、多大な工数とコストを生じる結果となる。また、単なる溶接個所のクリーニングでは対処が不可能となり、溶接個所の再溶接を伴う基板処理装置部品の交換や装置の再製作に到ることになる。
【００２５】
従って、この様な場合、先ず溶接部が、特に高温で使用される化学反応ガスによって曝露されないように遮蔽することが重要である。即ち、溶接部を反応ガスに強い材料で効果的にカバーするような、溶接部を反応ガスに対して閉じ込める手段を設置することが最もシンプルかつ有効な方法である。
【００２６】
更に、こうすることで、長期間の装置使用により、反応ガスがカバーの隙間から溶接部に侵入し、仮に溶接部が化学的劣化により剥離が生じても、剥離物がカバー外に飛散して処理室内にパーティクルが拡散するようなことが無くなり、化学反応した剥離物を限定個所に閉じ込めておくことも可能な手段ともなる。その閉じ込め手段内の剥離物あるいはパーティクル発生起因物の有無を定期的に検査し、仮に剥離物などが確認されても、その剥離物等の発生量などとの兼ね合いで、そのまま継続的に製造装置として安定的に使用可能である。その検査した発生量がある限界量に達したとき、この基板処理装置の溶接部の再溶接を含む、抜本的な対処をとればよい。
【００２７】
この様に、溶接部における反応ガスに対する曝露遮断の手段であり、かつ剥離金属物等の閉じ込め手段である、溶接部カバー手段をこの基板処理装置に設置することで、突発的な重金属を含むパーティクルのウエハ付着・処理室内汚染を回避し、継続的に高歩留での安定的なデバイス製造を可能にする。
【００２８】
この様な機能を有する、溶接部のカバー手段について、以下に実施例を示す。
【００２９】
カバー手段としては、ガス化学反応に高い耐性を有する素材を用い、シンプルで基板処理装置自体の改造に依存しないために適用が容易であり、ガス導入ポートの処理室内へのガス噴出口に挿入可能な構造（インサート構造）をとることとした。以下に、その実施例を述べる。
【００３０】
（第１の実施例）
図３（１）、（２）、（３）に、いずれもガス噴出口への挿入部と溶接部を遮蔽する遮蔽部との組合せで構成する３種のインサート構造のカバー１５の例の断面模式図を示す。図３（１）は、反応ガスがガス噴射口から処理室内に導入可能で、かつガス導入管に挿入しＯリングなどで真空シール可能でポートに固定可能の外径を有する円筒形をした挿入部１６と、その外径の開口を有する遮蔽部１７とからなり、図示するように両者を組合せてカバー１５とした。図のように挿入部と遮蔽部との交差する領域周辺Ｘが、フランジとガス導入管部との溶接部と相対ないし接する場所となる。
【００３１】
挿入部１６は、例えば厚さｔを１．２ｍｍで、外径Ｄは１／４インチ、あるいは３／８インチとして、採用したガス導入ポート７のガス導入管部７０１に、適切な厚さのテフロン製シートやバイトン製Ｏリングなど介してインサートし、かつ固定可能なものとし、長さＰは、例えば３３．２ｍｍとする。遮蔽部１７は、図３（４）も参照して、平らな矩形板とし、厚さＴと長さＬと幅Ｗは、例えばそれぞれ２ｍｍ、６０ｍｍ、５０ｍｍとする。
【００３２】
図３（２）に示したカバー１５は、挿入部１６は図３（１）に示したものと同等とし、遮蔽部１７はマニホールドフランジ２の内側筒部２０２（参照、図２）の曲面と同じ曲面で挿入部１６側に凸に反った形を有する構造としていて、いわば、挿入部側の遮蔽部曲面がフランジの処理室側曲面に隙間の無いように密着し得るようにしている。このとき、挿入部側から見た遮蔽部１７の面は、図３（４）に示す様に、溝の無い平坦な板とする構成方法もあるし、図３（５）に示す様に、挿入部１６の取り付け開口部を囲むようにＯリング１８を組み込むことが可能のように相当する溝を加えて構成しても良い。Ｏリングを構成することで、カバー１５とマニホールドフランジ内側筒部２０２の処理室側内面との密着が向上し、反応ガスの溶接部１４への侵入がより回避できることとなる。
【００３３】
図３（３）は、遮蔽部１７の反りを図３（２）とは反対側に反るように構成したカバー１５の例である。これは、溶接部を比較的広範囲を接触でカバーしようとする場合であって、例えば、溶接部に突起などがある場合に適用される。
【００３４】
この様に例示したカバー１５の形成素材は、高温（例えば、１０００℃程度）かつ各種反応ガスに耐性の高い素材、例えば、代表的には石英を用いることが可能であるが、それ以外にテフロンやＳＵＳ等も適用可能である。勿論、挿入部１６と遮蔽部１７は、上記の様な素材でお互いに異なる素材で形成しても構わない。またＯリング１８は、例えば、バイトンあるいはカルレッツ(いずれもデュポン社製）などの素材のものを適用できる。
【００３５】
図４は、Ｏリング１８が遮蔽部１７に取り付け可能な、石英で製作した図３（２）のタイプのカバー１５を、マニホールドフランジ２に取り付けたガス導入ポート７(ウルトラシールポートタイプ；ＳＳ−４００−ＵＴ−Ａ−４ＢＴ、スウェジロック社製）のガス噴出口に、処理室９側から挿入して、取り付け固定した例の断面模式図である。
【００３６】
このタイプのガス導入ポートでは、挿入したカバー１５の挿入部１６をガス導入ポート７のポートエンド１９のナット部分でのＯリング２０で真空シールすることが可能であるので、カバーの取り付け、あるいは取り外しが容易である。勿論、ガス導入ポートとこれに挿入したカバーの挿入部との真空シール法についてはこれに限らず、またこのタイプのポートに限られることは無い。
【００３７】
遮蔽部１７は、その外形が図３で例示した様な矩形であることは、必ずしも必要ではないことは明らかで、例えば円形であっても良い。またＯリング１８に関し矩形形状を例示しているが、これも円形であっても良い。
【００３８】
（第２の実施例）
図５は、耐熱・耐薬品性があり、かつ弾性を有する素材（例えばテフロンなど）を用いた溶接部に対するカバー２１の例の断面模式図である。これも基本的に挿入部と遮蔽部からなり、ガス導入ポートの処理室内へのガス噴出口に挿入可能な構造（インサート構造）である。図５（１）は、ガス管に挿入する筒状の挿入部２２と溶接部を遮蔽する遮蔽部２３が上記の同一素材で一体形成、ないし組立一体化されたカバー２１である。これは、更にこのカバー２１のみで容易に装置への装着可能なように、挿入部２２の先端には素材の弾性を用いてガス管の内側の壁に固定可能とする、例えば断面が円錐台形の形状をしたガス管内壁固定部２２１と、遮蔽部２３の挿入部側の外縁の内側に、溶接部へのガスの流入や溶接部からの剥離物の放出の遮断レベルを向上する、例えば断面円錐形の円周状突起からなる突起遮断部２３１を備えている。
【００３９】
図５（２）は、遮蔽部２３が、挿入部２２側に凸に曲面をもち、その曲面はフランジ曲面（内側円筒部２０２）と同等にした場合を示す。図５（３）は、図５（１）、（２）それぞれのカバー２１の挿入部側からみた側面図である。勿論、弾性を有する素材を用いてのカバー２１に関しては、上記のようなものに限られず、遮蔽部２３は円盤状以外に、例えば矩形板上でも構わない。ガス管内壁固定部２２１は、例えば断面円筒状、球状なども可能であるし、また突起遮断部２３１は、円周状でなく矩形状も可能であり、その断面も三角形以外に。矩形、楕円などが適用できよう。更に突起遮断部２３１が無く、平坦な表面の遮蔽部とすることも可能であり、特に図５（２）の曲面のある遮蔽部において適用でき、更に平坦な表面の遮蔽部の場合はＯリングを取り付け可能の様にすることもできる。
【００４０】
図６は、弾性素材によるカバー２１（図５（１）記載のタイプ）を、外部筒部２０１と内部筒部２０２の二重筒部からなるマニホールドフランジ２側面に取り付けられたガス導入ポートのガス導入管部７０１に、処理室９側から挿入した状況を表した断面模式図である。挿入部２２の先端のガス管内壁固定部２２１がガス導入管部７０１の内壁に弾性力によって固定され、また遮蔽部２３の突起遮断部２３１によって溶接部１４（即ち、内部筒部２０２における処理室２側の溶接部）が反応ガスに曝されるのを防ぐ。
【００４１】
以上述べた、カバー２１の弾性を有する挿入部２２の先端のガス管内壁固定部２２１が、ガス管の内側の壁での固定が不十分な場合は、例えば遮蔽部２３の突起遮断部２３１外縁部に、例えば十字状に4個のネジ穴を形成し、それに対応する内側筒部２０２の位置に同様なネジ穴を形成して、反応ガスに耐性に高い材料でネジを用いて、カバー２１を固定するといった方法をとっても良い。
【００４２】
この弾性素材を用いる方法は、ガス導入ポートにおけるポートエンドのナット締め付け機能でＯリングシーリングをしてカバーを取り付けるといった、第1の実施例（図４）で述べた方法の様に、特定のガス導入ポート型式を選ぶ必要が無く、従来使用している通常のガス導入ポート（例えば、スウェジロックタイプ；ＳＳ−４００−１−４ＢＴ、スウェジロック社製）で十分対応可能となる。勿論、第１の実施例における様に、遮蔽部を例えば図３に示した石英ガラスで製作し、挿入部を例えば図５に示した弾性のあるテフロンなどでガス管内壁固定部を設けて製作し、この両者を組みあわせて溶接部のカバーを構成することも可能である。
【００４３】
以上のような、カバーを取り付けた本発明の基板処理装置を用い、Ｓｉ基板上にＣＶＤによるポリシリコン膜の積層プロセスを、従来と同様な稼働率で継続して長期間に亘って使用したが、先に述べたような溶接部に起因するようなパーティクルの発生は無く、長期に安定的に稼動が続けられている。この様な方法が導入されなかった場合、定期的な新規のマニホールドの交換、それに伴う装置停止期間の増大と、装置上の大きなコストアップが生じ、また重金属元素による汚染発生などによりデバイス歩留低下も起こり得ることにもなる。
【００４４】
また、本発明のような挿入タイプの溶接部のカバーは、他の溶接部の保護方法に比べ、大きなメリットを有している。処理装置内に露出する溶接部を反応ガスから保護するために、例えば、溶接部の表面をフッ素加工によるコーティングすることが考えられる。
【００４５】
一方、基板処理装置によって、ＣＶＤ成膜やエッチングプロセスを担う場合、所定の期間・枚数分のＳｉ基板上への成膜やエッチング後は処理室内の、反応管壁面、フランジ・キャップ壁面、各種処理室内設置のポート、治具等々あらゆる場所に付着形成される反応生成物を取り除くために、定期的な処理室内洗浄を行う必要があることは先述した。実際のこの洗浄においては、処理室の構成部材（ガラス管、フランジ他）や各種構成部品の大きさや重量などにより洗浄が困難を伴う個所のものや分解取り出し不可能なものも存在し、また洗浄の仕方にもその部材・部品の設置構成状況、大きさ、重量などにより、化学的分解処理方法や物理的なスクラブを伴うものがある。
【００４６】
マニホールドフランジの特に溶接部分は、洗浄が容易では無い、狭い設置領域を伴う個所の一つであり、ここに付着した反応生成物を丹念に除去する作業を、化学的あるいは特に物理的に行うと、当然ながらフッ素加工によるコーティング部分が相当量のダメージを受け、薄くなる、あるいは除去されてしまう。
【００４７】
その場合、マニホールドフランジを装置から分解して取り出し、溶接個所への再フッ素加工を実施することとなるが、この様なガスポートが接続されたフランジ部品などは一般に大形部品でかつ重量部品でもあり、これの分解取り出しを伴うと、一般的に装置停止期間が非常に長くなって、製造コストが増大することになる。
【００４８】
以上の様に、一見効果的かつ容易と思われるフッ素加工方式は、長期的に見るとメリットが少なく、かえってコストアップを招く。他方、本方法のカバー挿入方法は、反応生成物が付着したカバーは容易にフランジから取り出すことが可能で、カバー自体が小型であることから、化学的処理あるいは物理的処理いずれにおいても、洗浄は容易である。特に石英ガラス素材のカバーである場合、化学的洗浄は非常に容易である。更に、化学的・物理的に他の個所に比べ脆弱となっている溶接個所には、カバーによって反応生成物は全くといってよいほど付着しない。仮にこの部分に対し反応生成物対応の洗浄をするとしても、溶接個所にダメージを与えない程度の軽い洗浄を行えば十分である。
【００４９】
このように、本発明になる半導体処理装置は、処理室内溶接部に上記のようにカバーを付設することで、溶接部からのパーティクル発生を抑止し、他の手段に比べ運用コストが低く、長期に安定した製造ラインでの稼動を可能とすることができた。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】基板処理装置を説明する図
【図２】溶接部を説明する図
【図３】本発明の基板処理装置に適用するカバー手段を説明する図（その１）
【図４】本発明の基板処理装置に適用するカバー手段の付設を説明する図（その１）
【図５】本発明の基板処理装置に適用するカバー手段を説明する図（その２）
【図６】本発明の基板処理装置に適用するカバー手段の付設を説明する図（その２）
【符号の説明】
【００５１】
１    反応管
２    マニホールドフランジ
２０１  外側筒部
２０２  内側筒部
３    フランジ
４    キャップ
５、１０、１８、２０  Ｏリング
６、１１  冷却水路
７    ガス導入ポート
７０１  ガス導入管部
８    ガス配管
９    処理室
１２  排気用配管
１３  ヒータ
１４  溶接部
１５、２１  カバー
１６、２２  挿入部
２２１  ガス管内壁固定部
１７、２３  遮蔽部
２３１  突起遮断部
１９  ポートエンド
【図１】
2009130187.tif 000003
【図２】
2009130187.tif 000004
【図３】
2009130187.tif 000005
【図４】
2009130187.tif 000006
【図５】
2009130187.tif 000007
【図６】
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