(57)【要約】【課題】応力により貫通電極が破損したり導電パターンが基板から剥離することのない電極構造、及び電子デバイスを提供する。【解決手段】基板２１の下面に配設された二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂに、基板２１の下面に向かって突出する突出部３０を設ける。突出部３０は、外部接続端子２８ａ、２８ｂと一体的に形成され、第三の絶縁層２７を貫通することで、そこに埋設された状態となっている。外部接続端子２８ａ、２８ｂに作用した応力は、貫通電極２４ａ、２４ｂと各突出部３０との間で分散されて貫通電極２４ａ、２４ｂに集中することはなく、それらの破損が防止されると共に、突出部３０が基板２１に対するアンカーとして機能することで、外部接続端子２８ａ、２８ｂの基板２１に対する密着力が高まり、それらの剥離が防止される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された二つの導電パターンが貫通電極を介して相互に接続された電極構造であって、
前記二つの導電パターンのうち少なくとも一つは、前記貫通電極と平面的に重ならない位置に、前記基板と直接的又は間接的に結合された突出部を有することを特徴とする電極構造。
【請求項２】
前記突出部は、前記基板に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項３】
前記突出部は、前記基板と前記導電パターンとの間に介在する中間層に埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の電極構造。
【請求項４】
前記突出部は、前記導電パターンの外周に沿って配置されていることを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項５】
前記突出部は、前記導電パターンの外周に沿った枠状に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電極構造。
【請求項６】
前記突出部は、筒状に形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項７】
前記突出部は、前記導電パターンと一体的に形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項８】
前記突出部は、前記導電パターンよりもヤング率が低い材料で、前記導電パターンとは別体に形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項９】
前記突出部と前記基板との結合面は、粗面化されていることを特徴とする請求項１〜８の何れか一つに記載の電極構造。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一つに記載の電極構造を備えた基板上に、前記電極構造の導電パターンと接続されるように電子部品を実装して成ることを特徴とする電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極構造、及び電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の表面に形成された少なくとも二つの導電パターンが基板の肉厚部に設けられた貫通電極を介して相互に接続された電極構造が知られている。（例えば、特許文献１、２参照）
【０００３】
図６は、従来の電極構造を備えた電子デバイスの一例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。尚、図６（ｂ）上面図においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、構成の一部（蓋部材、圧電振動片）を透かして見た状態を示してある。ここに示す従来の電子デバイスにおいては、シリコン（Ｓｉ）などの半導体材料から成る基板１の一主面側に箱型の凹部１ａが設けられ、その凹部１ａの内面全体と凹部１ａを囲繞する壁部１ｂの上端面にポリイミドやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）などから成る第一の絶縁層２が形成されている。第一の絶縁層２の表面には、圧電振動片３を実装するための二つの実装端子４ａ、４ｂが形成され、それら二つの実装端子４ａ、４ｂの上に互いに電気的極性の異なる図示しない二つの励振電極を備えた圧電振動片３が図示しない導電性接着剤を介して実装されている。
【０００４】
基板１の凹部１ａ底面上に配設された二つの実装端子４ａ、４ｂの直下には、凹部１ａ底面からそれと対向する基板１の下面に向かって直線的に貫通する二つの貫通電極５ａ、５ｂが設けられている。それら二つの貫通電極５ａ、５ｂは、基板１の凹部１ａ底面と下面との間の肉厚部に設けられた円柱状の貫通孔に、第一の絶縁層２を介して金（Ａｕ）などの導電材料が充填、又はその内面全体に薄膜状に堆積されることで形成されている。
【０００５】
基板１の下面には、ポリイミドやシリコン酸化物（ＳｉＯ2）などから成る第二の絶縁層６と第三の絶縁層７がその全面にわたって順次積層され、それらのうち第三の絶縁層７の表面には、圧電振動片３の励振電極を外部へ電気的に接続するための二つの外部接続端子８ａ、８ｂが形成され、また、第二の絶縁層６と第三の絶縁層７との間には、二つの外部接続端子８ａ、８ｂの間を跨ぐように延在する一筋の引回し配線９が形成されている。
【０００６】
また、二つの外部接続端子８ａ、８ｂのうち一方の外部接続端子８ａと一方の貫通電極５ａとの間には、第二の絶縁層６と第三の絶縁層７を貫通する接続電極１０ａが貫通電極５ａと一体的に形成され、一方で他方の外部接続端子８ｂと引回し配線９との間には、第三の絶縁層７を貫通する接続電極１０ｂが外部接続端子８ｂと一体的に形成されている。
【０００７】
基板１の下面に配設された二つの外部接続端子８ａ、８ｂのうち一方の外部接続端子８ａは、貫通電極５ａと接続電極１０ａを介して一方の実装端子４ａと接続され、他方の外部接続端子８ｂは、貫通電極５ｂと接続電極１０ｂと引回し配線９を介して他方の実装端子４ｂと接続されており、これにより圧電振動片３の二つの励振電極がそれぞれ対応する外部接続端子８ａ、８ｂと電気的に接続されている。
【０００８】
また、基板１の凹部１ａを囲繞する壁部１ｂ上端部には、シリコン（Ｓｉ）やガラスなどから成る平板状の蓋部材１１が接合され、これにより圧電振動片３が凹部１ａ内に気密封止された状態となっている。
【特許文献１】特開２００６−２７９８７２号公報
【特許文献２】特開２００７−２６７１０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
以上説明した従来の電極構造においては、基板の下面に配設された外部接続端子に応力（外部応力、内部応力）が作用すると、外部接続端子に接続された貫通電極にその応力が集中し、貫通電極が破損して断線したり、断線しないまでも貫通電極の電気的特性（電気抵抗等）が変化する虞、また、電子デバイスの内部が気密封止されたものである場合には、破損箇所でリークが発生して内部の気密性が保たれなくなる虞、更には、外部接続端子自体が基板から剥離する虞がある。
【００１０】
本発明は、以上の問題点を鑑みてなされたものであり、応力により貫通電極が破損したり導電パターンが基板から剥離することのない電極構造、及び電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
基板の表面に形成された二つの導電パターンが貫通電極を介して相互に接続された電極構造であって、前記二つの導電パターンのうち少なくとも一つは、前記貫通電極と平面的に重ならない位置に、前記基板と直接的又は間接的に結合された突出部を有する電極構造とする。
【００１２】
前記突出部は、前記基板に埋設され得る。
【００１３】
前記突出部は、前記基板と前記導電パターンとの間に介在する中間層に埋設され得る。
【００１４】
前記突出部は、前記導電パターンの外周に沿って配置され得る。
【００１５】
前記突出部は、前記導電パターンの外周に沿った枠状に形成され得る。
【００１６】
前記突出部は、筒状に形成され得る。
【００１７】
前記突出部は、前記導電パターンと一体的に形成され得る。
【００１８】
前記突出部は、前記導電パターンよりもヤング率が低い材料で、前記導電パターンとは別体に形成され得る。
【００１９】
前記突出部と前記基板との結合面は、粗面化され得る。
【００２０】
以上の何れか一つの電極構造を備えた基板上に、前記電極構造の導電パターンと接続されるように電子部品を実装して成る電子デバイスとする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、貫通電極と接続された導電パターンに基板と直接的又は間接的に結合された突出部を設けることで、導電パターンに作用した応力（外部応力、内部応力）が貫通電極と突出部との間で分散され、応力が貫通電極に集中して貫通電極が破損するのが防止されると共に、突出部が基板に対するアンカーとしての役割を果たし、導電パターンが基板から剥離するのが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
基板の表面に形成された二つの導電パターンが貫通電極を介して相互に接続された電極構造において、導電パターンのうち少なくとも一つに、貫通電極と平面的に重ならない位置に基板と直接的又は間接的に接続された突出部を設ける。
【実施例１】
【００２３】
図１は、本発明の電極構造を備えた電子デバイスの一実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、構成の一部（蓋部材、圧電振動片）を省略してある。ここに示す電子デバイスは、シリコン（Ｓｉ）から成る基板２１の一主面側に箱型の凹部２１ａが設けられ、その凹部２１ａの内面全体と凹部２１ａを囲繞する壁部２１ｂの上端面にシリコン酸化物（ＳｉＯ2）から成る第一の絶縁層２２が形成されている。第一の絶縁層２２の表面には、圧電振動片３を実装するための二つの実装端子２３ａ、２３ｂが形成され、それら二つの実装端子２３ａ、２３ｂの上に互いに電気的極性の異なる図示しない二つの励振電極を備えた圧電振動片３（図６参照）が図示しない導電性接着剤を介して実装されている。
【００２４】
基板２１の凹部２１ａ底面上に配設された二つの実装端子２３ａ、２３ｂには、凹部２１ａ底面の長手方向へ延びる引回し配線２５ａ、２５ｂがそれぞれ一体的に形成され、それら引回し配線２５ａ、２５ｂの先端部直下に基板２１の凹部２１ａ底面からそれと対向する下面に向かって直線的に貫通する貫通電極２４ａ、２４ｂがそれぞれ設けられている。
【００２５】
二つの貫通電極２４ａ、２４ｂは、基板２１の凹部２１ａ底面と下面との間の肉厚部に設けられた円柱状の貫通孔に、第一の絶縁層２２を介して金（Ａｕ）などの導電材料が充填、又はその内面全体に薄膜状に堆積されることで形成されている。
【００２６】
基板２１の下面には、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）から成る第二の絶縁層２６と、ポリイミドから成る第三の絶縁層２７が、その全面にわたって順次積層され、それらのうち第三の絶縁層２７の表面には、圧電振動片３の励振電極を外部へ電気的に接続するための二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂが形成されている。
【００２７】
二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂのうち一方の外部接続端子２８ａと一方の貫通電極２４ａとの間には、第二の絶縁層２６と第三の絶縁層２７を貫通する接続電極２９ａが外部接続端子２８ａと一体的に形成され、また、他方の外部接続端子２８ｂと他方の貫通電極２４ｂとの間には、同じく第二の絶縁層２６と第三の絶縁層２７を貫通する接続電極２９ｂが外部接続端子２８ｂと一体的に形成されている。
【００２８】
ここで、本実施例１においては、その最たる特徴として、二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂのそれぞれに、第三の絶縁層２７を貫通する四角柱状の突出部３０が一体的に形成されている。突出部３０は、外部接続端子２８ａ、２８ｂ外周の貫通電極２４ａ、２４ｂと平面的に重ならない位置にそれぞれ三つずつ設けられ、それら三つの突出部３０と各貫通電極２４ａ、２４ｂは、外部接続端子２８ａ、２８ｂを平面視した時に各々が一つの頂点（角部）となる正方形を成すように配置されている。
【００２９】
突出部３０は、外部接続端子２８ａ、２８ｂから基板２１の下面に向かって突出し、第三の絶縁層２７を貫通した上で、その先端が第二の絶縁層２６の表面に達しており、そこで第二の絶縁層２６と層間の密着力により結合されると共に、第三の絶縁層２７を貫通した領域において、それと同様に層間の密着力により第三の絶縁層２７と結合されている。
【００３０】
即ち、突出部３０は、第二の絶縁層２６と第三の絶縁層２７とで囲まれた四角柱状の凹部内に埋設された状態となっており、自身と一体的に形成された外部接続端子２８ａ、２８ｂを除く他の導電パターンや半導体材質の基板２１とは直接接しておらず、電気経路としての役割は果たしていない。
【００３１】
以上のように外部接続端子２８ａ、２８ｂに突出部３０が設けられていると、電子デバイスを外部の回路基板に実装する際などに外部接続端子２８ａ、２８ｂに応力が作用したとしても、その応力は突出部３０と貫通電極２４ａ、２４ｂとの間で分散されて貫通電極２４ａ、２４ｂに集中することがないため、貫通電極の２４ａ、２４ｂの破損が防止される。尚、外部接続端子２８ａ、２８ｂに熱膨張係数の差に起因する応力や残留応力などの内部応力が作用した場合も同様である。
【００３２】
特に突出部３０と各貫通電極２４ａ、２４ｂを、本実施例１のように平面的に正方形を成すような幾何学的な配置にしておけば、応力分散が各突出部３０と貫通電極２４ａ、２４ｂとの間で平均化されるため、そららのうち何れか一つに応力が集中して破損するようなこともなく、応力をより効果的に分散させることができる。尚、以上の幾何学的な配置は、正方形に限るものではなく、外部接続端子２８ａ、２８ｂの形状なども考慮したうえで、その他の多角形や円形などを適宜選択することが可能である。
【００３３】
また、突出部３０は、基板２１側に固着した第二の絶縁層２６と第三の絶縁層２７に結合されていることから、基板２１に対するアンカーとしての役割をも果たし、それによって外部接続端子２８ａ、２８ｂの基板２１に対する密着強度も高まる。特に外部接続端子２８ａ、２８ｂのような導電パターンは、その外周側から剥離し易いため、本実施例１のように突出部３０を外部接続端子２８ａ、２８ｂの外周に沿って配置しておけば、外部接続端子２８ａ、２８ｂの剥離をより効果的に防止することができる。
【００３４】
基板２１の下面に配設された二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂのうち一方の外部接続端子２８ａは、接続電極２９ａと貫通電極２４ａと引回し配線２５ａを介して一方の実装端子２３ａと接続され、他方の外部接続端子２８ｂは、接続電極２９ｂと貫通電極２４ｂと引回し配線２５ｂを介して他方の実装端子２３ｂと接続されており、これにより圧電振動片３の二つの励振電極がそれぞれ対応する外部接続端子２８ａ、２８ｂと電気的に接続されている。
【００３５】
また、基板２１の壁部２１ｂ上端部には、シリコン（Ｓｉ）やガラスなどから成る平板状の蓋部材１１が接合され、これにより圧電振動片３が凹部２１ａ内に気密封止された状態となっている（図６参照）。
【００３６】
図２は、図１に示した実施例１における電極構造の製造方法を示す工程毎のＡ−Ａ’断面図である。シリコン（Ｓｉ）から成る基板を用いて図１に示した電極構造を製造する際には、まず、図２（ａ）に示すように、予めエッチングなどにより一主面側に箱型の凹部２１ａが形成された基板２１の下面全体に、ＳｉＯ2から成る第二の絶縁層２６をＣＶＤ法により形成する。
【００３７】
その後、図２（ｂ）に示すように、第二の絶縁層２６の表面全体に感光性ポリイミドから成る絶縁材料をスピンコート法により塗布した上で露光及び現像処理を行い、二つの貫通電極２４ａ、２４ｂと各突出部３０を形成すべき位置に四角柱状の貫通孔３１を有する第三の絶縁層２７を形成する。
【００３８】
その後、図２（ｃ）に示すように、貫通孔３１の内面を含む第三の絶縁層２７の表面全体に金（Ａｕ）から成る導電層３２をスパッタ法により形成し、その導電層３２の表面全体に任意のフォトレジスト材料をスピンコート法により塗布した上で露光及び現像処理を行い、二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂを形成すべき位置に外部接続端子２８ａ、２８ｂの形状に対応した開口部を有するレジストパターン３３を形成する。
【００３９】
その後、図２（ｄ）に示すように、レジストパターン３３をメッキマスクとして、開口部から露出された領域にＡｕメッキ液を用いてＡｕメッキ層を堆積させ、外部接続端子２８ａ、２８ｂの肉厚部、各突出部３０、及び接続電極２９ａ、２９ｂの下端部を形成し、続いて、使用後のレジストパターン３３をアセトンなどにより剥離した上で、エッチャントにヨウ素又はヨウ化カリウムを用いたウェットエッチングにより、外部接続端子２８ａ、２８ｂの表層を含む導電層３２全体を、外部接続端子２８ａ、２８ｂを除く領域の導電層３２が完全に消滅するまで除去し、基板２１の下面に外部接続端子２８ａ、２８ｂを形成する。
【００４０】
尚、以上のようにして基板２１の下面に二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂを形成した後は、基板２１の上面に対して同様のフォトリソグラフィーを用いた任意のプロセスを実行し、基板２１の表面に第一の絶縁層２２を介して実装端子２３ａ、２３ｂ、貫通電極２４ａ、２４ｂ、接続電極２９ａ、２９ｂ、及び引回し配線２５ａ、２５ｂを形成し、次いで、実装端子２３ａ、２３ｂの上に導電性接着剤を用いて圧電振動片３を実装した上で、真空雰囲気中において基板２１の壁部２１ｂ上端部にシリコン（Ｓｉ）やガラスなどから成る蓋部材１１を接合して電子デバイスが完成する。
【００４１】
尚、以上の製造方法は、あくまで一つの実施例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。例えば、第三の絶縁膜２７に形成する突出部形成用の貫通孔３１を、エッチングのような化学的加工ではなく、切削などの機械的加工により形成することも可能である。
【実施例２】
【００４２】
図３は、本発明の電極構造を備えた電子デバイスの他の実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。尚、図３においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、構成の一部（蓋部材、圧電振動片）を省略してある。ここに示す電子デバイスは、前述の実施例１と同様の基本構成を備え、その最たる特徴として、二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂに設けられた各突出部３０は、基板２１の下面に形成された第三の絶縁層２７を貫通した上で、更にその先端が基板２１の下面に設けられた凹部２１ｃに第二の絶縁層２６を介して埋設された状態となっている。
【００４３】
突出部３０は、第三の絶縁層２７を貫通した領域においては、第三の絶縁層２７と層間の密着力により結合され、基板２１の下面に設けられた凹部２１ｃに埋設された領域においては、第二の絶縁層２６と層間の密着力により結合されている。ここで、突出部３０が第二の絶縁層２６と接する領域は、突出部３０先端の一平面のみならず、その外周面にまで及んでいるため、実施例１と比較して突出部３０と第二の絶縁層２６との接触面積が拡大し、それにより第二の絶縁層２６との結合力が高まって外部接続端子２８ａ、２８ｂの剥離がより効果的に防止される。
【００４４】
尚、本実施例２における電極構造を製造するに当たっては、突出部３０を形成する前に予め基板２１の下面にエッチングなどにより凹部２１ｃを形成しておけばよい。
【実施例３】
【００４５】
図４は、本発明の電極構造を備えた電子デバイスの他の実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。尚、図４においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、構成の一部（蓋部材、圧電振動片）を省略してある。ここに示す電子デバイスは、前述の実施例１と同様の基本構成を備え、その最たる特徴として、基板２１がガラスやセラミックスなどの絶縁材料で構成され、それに伴って、基板２１の表面に形成されていた各絶縁層（第一の絶縁層２２、第二の絶縁層２６、第三の絶縁層２７）が省略されており、外部接続端子２８ａ、２８ｂなどの各導電パターンが基板２１の表面に絶縁層を介さず直接形成されている。
【００４６】
基板２１がシリコン（Ｓｉ）などの半導体材料ではなく、本実施例３のように絶縁材料で構成されている場合には、基板と各導電パターンとを電気的に隔絶しておくための絶縁層は不要であり、このような場合、外部接続端子２８ａ、２８ｂに設けられた各突出部３０は、前述の実施例２において基板２１の下面に設けられた凹部２１ｃに絶縁層を介さず直接埋設されていてもよい。
【実施例４】
【００４７】
図５は、本発明の電極構造を備えた電子デバイスの他の実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。尚、図５においては、電子デバイス内部の構成を分かり易くするため、構成の一部（蓋部材、圧電振動片）を省略してある。ここに示す電子デバイスは、前述の実施例１と同様の構成を備え、その最たる特徴として、外部接続端子２８ａ、２８ｂに設けられた突出部３０が、実施例１のような四角柱状のものではなく、外部接続端子２８ａ、２８ｂの外周に沿って配置された枠状のものとされ、特にここでは、二つの外部接続端子２８ａ、２８ｂが互いに近接する側の一辺を一部切欠いた大略コ字状に形成されている。
【００４８】
以上のように突出部３０が枠状に形成されていると、突出部３０と第二の絶縁層２６及び第三の絶縁層２７との接触面積が拡大して相互間の結合力が高まり、外部接続端子２８ａ、２８ｂの基板２１に対する密着力が向上するだけでなく、三次元的に見て外部接続端子２８ａ、２８ｂ全体が突出部３０を壁部とする箱状になることから、突出部３０が補強リブのような役割を果たして構造的に堅牢となり、応力による歪みが生じ難くなる。
【００４９】
以上、幾つかの実施例を示して本発明について説明したが、本発明の電子デバイスは、凹部内に電子部品を気密封止したパッケージ部品に限らず単に平板状の基板に電子部品が実装されたものであってもよく、また、電子部品についても圧電振動片に限らずその他種々のものが対象となる。
【００５０】
また、本発明の電極構造において導電パターンに設けられる突出部は、実施例で示したような四角柱状のものや枠状のものに限らず、その他の角柱状や円柱状、錐状、筒状などが適宜選択可能である。尚、角柱状や角錐状は、円柱状や円錐状よりも断面２次モーメントが大きいため、応力の分散効果がより高く、また、筒状は、内部が空洞となっていることから、内部が充填された柱状や錘状よりも表面積が大きく、その分、基板側との結合力がより高いだけでなく、材料費も削減される。
【００５１】
また、突出部の配置個所や配置数についても適宜選択が可能であり、突出部を導電パターンの外周寄りに配置したり、突出部の数を増やすことで、導電パターンの基板に対する密着力や応力の分散効果がよりいっそう高まる。
【００５２】
また、突出部は、導電パターンと一体的に形成されたものに限らず、導電パターンに別体として接合されたものであってもよく、特にその場合、突出部の材質として導電パターンよりもヤング率の低い材質を選択すれば、応力の分散効果がより高まる。尚、外部接続端子との接合強度や生産性の観点からは、突出部は導電パターンと一体的に形成するのが好ましい。
【００５３】
また、突出部と基板側（絶縁層や基板自体）との結合面を予めエッチングなどにより粗面化しておくことで、突出部と基板側との結合力を高めるようなことも可能である。
【００５４】
また、突出部は、実施例で示したような絶縁層に限らず、導電パターンと基板との間に介在するその他の層（中間層）に埋設するようにしてもよい。
【００５５】
また、突出部は、外部接続端子に限らず、実装端子などの貫通電極と接続されたその他の導電パターンに設けてもよい。
【００５６】
また、本発明の電極構造は、貫通電極が基板の互いに対向する二面を直線的に繋ぐ場合にのみ有効なものではなく、基板の主面と側面や同一面内の異なる点を相互に繋ぐような場合にも有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の電極構造を備えた電子デバイスの一実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図（実施例１）
【図２】図１に示した電極構造の製造方法を示す工程毎のＡ−Ａ’断面図
【図３】本発明の電極構造を備えた電子デバイスの他の実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図（実施例２）
【図４】本発明の電極構造を備えた電子デバイスの他の実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図（実施例３）
【図５】本発明の電極構造を備えた電子デバイスの他の実施例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図（実施例４）
【図６】従来の電極構造を備えた電子デバイスの一例を示す図で、（ａ）下面図、（ｂ）上面図、（ｃ）（ｂ）のＡ−Ａ’断面図
【符号の説明】
【００５８】
１      基板
１ａ    凹部
１ｂ    壁部
２      第一の絶縁層
３      圧電振動片
４ａ    実装端子
４ｂ    実装端子
５ａ    貫通電極
５ｂ    貫通電極
６      第二の絶縁層
７      第三の絶縁層
８ａ    外部接続端子
８ｂ    外部接続端子
９      引回し配線
１０ａ  接続電極
１０ｂ  接続電極
１１    蓋部材
２１    基板
２１ａ  凹部
２１ｂ  壁部
２１ｃ  凹部
２２    第一の絶縁層
２３ａ  実装端子
２３ｂ  実装端子
２４ａ  貫通電極
２４ｂ  貫通電極
２５ａ  引回し配線
２５ｂ  引回し配線
２６    第二の絶縁層
２７    第三の絶縁層
２８ａ  外部接続端子
２８ｂ  外部接続端子
２９ａ  接続電極
２９ｂ  接続電極
３０    突出部
３１    貫通孔
３２    導電層
３３    レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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