(57)【要約】【目的】可視光域にて高い反射機能を有す回路基板、ＬＥＤモジュールを提供する。【解決の手段】回路基板を、金属箔からなる基材と、基材の一方又は双方の面に形成された絶縁層と、絶縁層の露出面に金属箔にて形成された回路で形成する。回路を銅箔で形成し、銅箔上の一部又は全体にニッケル層又はアルミニウム層を積層する。他の発明にあっては、回路をアルミニウム箔で形成し、アルミニウム箔上の一部又は全体にニッケル層又は銅層を積層する。【選択図】図１
2009130234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属箔からなる基材と、この基材の一方又は双方の面に形成された絶縁層と、この絶縁層の露出面に金属箔にて形成された回路を有する回路基板であって、該回路が銅箔からなり、該銅箔上の一部又は全体にニッケル層又はアルミニウム層が積層されている回路基板。
【請求項２】
金属箔からなる基材と、この基材の一方又は双方の面に形成された絶縁層と、この絶縁層の露出面に金属箔にて形成された回路を有する回路基板であって、該回路がアルミニウム箔からなり、該アルミニウム箔上の一部又は全体にニッケル層又は銅層が積層されている回路基板。
【請求項３】
絶縁層が白色である請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
絶縁層及び回路上に形成した白色膜を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項５】
可視光の４５０ｎｍ、５５５ｎｍ、６６０ｎｍの反射率がいずれも８０％以上である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項６】
絶縁層の白色顔料が、酸化亜鉛、ルチル型の二酸化チタネートの一方又は双方を含有する請求項３乃至５のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項７】
請求項６記載の白色顔料の表面が「水酸化アルミニウム」、又は、「水酸化アルミニウム及び二酸化珪素」のいずれかにて被覆されている回路基板。
【請求項８】
絶縁層の熱伝導率が０．５Ｗ／ｍＫ以上４．０Ｗ／ｍＫ以下である請求項１乃至７のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項９】
基材の厚みが１８μｍ以上４．０ｍｍ以下である請求項１乃至８のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１０】
基材がアルミニウム、銅、鉄の中から選ばれる一種の素材である請求項１乃至９のいずれか一項記載の回路基板。
【請求項１１】
白色膜が白色顔料としてルチル型の二酸化チタネート乃至酸化亜鉛を含有する請求項４乃至９のいずれか一項に記載の回路基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の白色顔料が酸化アルミニウム、又は「水酸化アルミニウム及び二酸化珪素」にて被覆されている回路基板。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の回路基板を有するＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源としてＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）を使用した直下型バックライト用の回路基板及びＬＥＤモジュールに関するものであり、詳しくは光反射シート及び高反射塗膜代替の高反射率の金属箔を有する高反射率の回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶表示装置は、様々の分野で使用されており、特にパーソナルコンピューターやテレビ等の電子産業分野では数多く使用されてきた。これらの液晶表示装置のなかで、特に直下型のバックライトシステムを採用しているものは、液晶パネルの背面にバックライトを配置しており、該バックライトは光源からの出射光を導光板に入射させ、その伝播した光を導光板の表面側からプリズムシート等を介して出射させることによって、液晶パネルの背面を全体的に照射するようにしている。バックライトの光源としては、ＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp：冷陰極管）といわれる小型の蛍光管やＬＥＤを使用したものが多い。しかし、近年環境面への配慮から、水銀を使用しているＣＣＦＬに替わってＬＥＤを光源としたバックライトが広がりつつある。
【０００３】
加えて、テレビ向けの液晶表示装置のさらなる大面積化が望まれており、このためには大光量が必要である。従って、可能な限り多くの光量を液晶部分に供給する必要がある。このため、バックライトから供給する光量を最大化するためには、ＬＥＤからの出射光のみならず反射光を有効利用する必要がある。反射光を有効利用するためには、光反射シートを用いることが一般的である。
【０００４】
また、最近では可視光域で高い反射率を有す無機フィラーの二酸化チタネート及び硫酸バリウム、酸化亜鉛等を含有する樹脂をコーティングし、光反射シートを用いずに高い反射光を得ようとする方式も提案されている。
【０００５】
尚、回路部に高反射率の金属である銀を鍍金し、より高い反射光を得ようとする方法は従来から用いられている。
【特許文献１】特開２００６−３１００１４号公報
【特許文献２】特開平８−２３１４６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来、直下型バックライト用のＬＥＤパッケージ実装用プリント回路基板には、光反射機能がないため、バックライト用のプリント回路基板として使用する場合は、ＬＥＤパッケージ実装後に光反射シートを貼り付ける必要があった。このため、製造時の工数及び必要部材の増加により、製造プロセス上取り扱いが煩雑になり、不便であるという問題があった。
【０００７】
また、高反射率の塗膜をコーティングすると言った手法も下地（絶縁層及び銅回路箔）の反射率の影響を強く受ける為、満足の行く反射率は得られていなかった。そこで、下地の影響を低減させる為、膜厚を厚くすることなどが提案されているが、当該材料は高反射率の無機フィラーを用いている為、厚くなると塗膜の硬化性が著しく低下するといったプロセス上の問題があった。
【０００８】
高反射率の金属である銀を鍍金する手法は、高温高湿下においての使用（直流電圧印加）時にイオンマイグレーションを発生させる懸念が高く、絶縁信頼性が低くなるという問題があった。
【０００９】
従来、絶縁層の接着側に接着信頼性の高い電解銅箔を用いると表面粗さに起因する導体損失が発生し、高周波帯域では使用することができなかった。また、表面粗さの少ない圧延銅箔では、十分な接着信頼性が得られず、此方も使用するには問題があった。
【００１０】
本発明は、以上の様な課題を解決するまったく新しい回路基板及びＬＥＤモジュールの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち、本発明は、金属箔からなる基材と、この基材の一方又は双方の面に形成された絶縁層と、この絶縁層の露出面に金属箔にて形成された回路を有する回路基板であって、該回路が銅箔からなり、該銅箔上の一部又は全体にニッケル層又はアルミニウム層が積層されている回路基板である。
【００１２】
本願にかかる他の発明は、金属箔からなる基材と、この基材の一方又は双方の面に形成された絶縁層と、この絶縁層の露出面に金属箔にて形成された回路を有する回路基板であって、該回路がアルミニウム箔からなり、該アルミニウム箔上の一部又は全体にニッケル層又は銅層が積層されている回路基板である。
【００１３】
本発明にあっては、絶縁層を白色とするのが好ましく、絶縁層及び回路上に形成した白色膜を有することが好ましい。また、本発明にかかる回路基板における可視光の４５０ｎｍ、５５５ｎｍ、６６０ｎｍの反射率がいずれも８０％以上であることが好ましい。
【００１４】
絶縁層の白色顔料には、酸化亜鉛、ルチル型の二酸化チタネートの一方又は双方を含有することが好ましく、白色顔料の表面が「水酸化アルミニウム」、又は、「水酸化アルミニウム及び二酸化珪素」のいずれかにて被覆されていることが好ましい。
【００１５】
絶縁層の熱伝導率は０．５Ｗ／ｍＫ以上４．０Ｗ／ｍＫ以下であることが好ましく、金属箔からなる基材の厚みが１８μｍ以上４．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
金属箔からなる基材は、アルミニウム、銅、鉄の中から選ばれる一種の素材であることが好ましく、白色膜が白色顔料としてルチル型の二酸化チタネート乃至酸化亜鉛を含有するものであることが好ましい。この白色顔料が酸化アルミニウム、又は「水酸化アルミニウム及び二酸化珪素」にて被覆されていることも好ましい。
【００１７】
また、他の発明にあっては、これら回路基板を有するＬＥＤモジュールである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の回路基板は、ＬＥＤ実装後に光反射シートを貼り付けなくても、回路基板のみで反射光を有効利用することができる。言い換えれば、電子部品の実装という従来のプリント回路基板の機能に加えて、光反射機能という新しい機能を持った回路基板である。光反射機能を持った本発明の回路基板を、例えば、ＬＥＤを用いた直下型バックライト用のプリント回路基板として使用するときは、回路基板上の高反射率の白色塗膜を光反射シートとして使用すればよいので、高価な光反射シートを使用せずともよく、バックライト製造時の工数及び必要部材の低減することができ、コストダウンにつながる。
【００１９】
本発明の回路基板は、従来用いていた高反射率を有す銀の代わりに、アルミニウム若しくはニッケルを用いることにより、安価に高反射率を実現する。また、銀はイオン化傾向が強いため、イオンマイグレーションを発生し易い材料であるが、本発明においてはイオンマイグレーションの発生が抑制でき、絶縁信頼性の向上につながる。
【００２０】
本発明のＬＥＤモジュールは、上述の回路基板を用いているので、この回路基板の特徴を示して、反射率及び熱伝導性、電気特性、生産性に優れるので、これを用いて信頼性の高いモジュールを容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図を用いて本発明を説明する。
【００２２】
図１は、本発明の回路基板の一例である。本発明の回路基板においては、基材１と絶縁層２及び回路箔３（銅）、回路箔４（アルミニウム又はニッケル）とからなる回路基板６上に高反射率の白色膜５を形成したものであり、複数のＬＥＤ９が半田接合部７などにより接合搭載されている。本発明に於いては、回路箔４（アルミニウム又はニッケル）及び該回路箔上の白色膜５が高反射率を有することが特徴であり、４００ｎｍから８００ｎｍの可視光領域に対して８０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（赤色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して８０％以上の反射率を持つことが好ましい。
【００２３】
本発明の回路基板は、上記構成を有しており、しかも絶縁層の熱伝導率が１．０Ｗ／ｍＫから１６．０Ｗ／ｍＫで、導体回路と基材（金属箔製）との間の耐電圧が１．５ｋＶ以上、望ましく２ｋＶ以上という、高い放熱性と耐電圧特性を有しており、ＬＥＤ光源から発生する熱を、効率よく回路基板裏面側に放熱し、さらに、外部に放熱することにより、ＬＥＤパッケージ実装回路基板の蓄熱を低減し、ＬＥＤの温度上昇を小さくすることにより、ＬＥＤの発光効率低下を抑制することができる。このため、光反射機能を持つ回路箔４（アルミニウム又はニッケル）と該回路箔４との相乗効果が期待される高反射率の白色膜５の効果とあわせて、明るく且つ長寿命のバックライトを提供することができる。
【００２４】
本発明において、基材１としては、良好な熱伝導性を持つ銅および銅合金、アルミニウムおよびアルミニウム合金、鉄ならびにステンレスなどが使用可能である。また、基材１の厚みとしては、１８μｍ以上４．０ｍｍ以下のものが好ましい。基材１の厚みがあまりに薄いと回路基板の剛性が低下するために実使用に適さなくなる傾向にあり、厚みがあまりに厚いと小型化や薄型化に好ましくなくなる傾向にあるためである。
【００２５】
本発明において、絶縁層の厚さは、５０μｍ以上４００μｍ以下が好ましく、更に好ましくは８０μｍ以上２００μｍ以下である。絶縁層が薄いと電気絶縁性が低下してしまい、厚すぎると放熱特性が十分に得られない。
【００２６】
絶縁層は通常熱硬化性樹脂を用いるが、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂などが使用できる。中でも、無機フィラーを含みながらも、硬化状態において、基材１と回路箔（銅）３との接合力及び絶縁性に優れた後述する二官能性エポキシ樹脂と重付加型硬化剤とを主成分としたものが好ましい。重付加型硬化剤としては、機械的及び電気的性質に優れた酸無水物類やフェノール類が好ましく、熱硬化性樹脂に含まれるエポキシ樹脂のエポキシ当量に対して活性水素等量が０．８倍から１倍となるように添加することが絶縁層の機械的及び電気的性質を確保するため好ましい。  
【００２７】
エポキシ樹脂としては、２官能性エポキシ樹脂であるビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネロペンチルグリコールジグリシジルエーテル、フタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等を使用したものが望ましい。
【００２８】
重付加型硬化剤としては、酸無水物類の無水フタル酸、テトラヒドロメチル無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水メチルナジック酸、フェノール類であるフェノールノボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂等が望ましい。
【００２９】
また、上記エポキシ樹脂と重付加型硬化剤の硬化反応を促進するため硬化触媒を加えても良い。硬化触媒としてはイミダゾール系が好ましく、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−メチルー４―メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニルー４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジルー２−フェニルイミダゾール、２，３ージヒドロー１Ｈ―ピロロ〔１，２―ａ〕ベンズイミダゾール、２−フェニルー４，５―ジヒドロキシメチルイミダゾール、２，４―ジアミノー６−〔２’―メチルイミダゾリルー（１’）〕―エチルーｓ―トリアジン、２，４―ジアミノー６−〔２’―ウンデシルイミダゾリルー（１’）〕―エチルーｓ―トリアジン、１−シアノメチルー２―メチルイミダゾール等が好ましい。その添加量は、所望の硬化速度を得るために任意に変更してよい。
【００３０】
絶縁層２を構成する熱硬化性樹脂中の塩化物イオン濃度は、１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。硬化性樹脂組成物中の塩化物イオン濃度があまりに低いと、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。
【００３１】
絶縁層２に含有される無機フィラーとしては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましく、例えば、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などが用いられる。絶縁層２中の無機フィラーの含有量は、３０体積％から８０体積％が好ましく、更に好ましくは５０体積％から７５体積％である。無機フィラーの粒度は平均粒径が０．６μｍから２．４μｍ及び５μｍから２０μｍの２種類のものを含有していることが好ましい。平均粒径が大きい粗粒子と平均粒径が小さい微粒子を混合することにより各々を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、良好な熱伝導性を得ることが可能となる。また、粒子形状は破砕、球状、鱗片状のものがある。無機フィラー含有量はあまりに少ないとＬＥＤパッケージを使用したバックライト用の回路基板として必要な熱伝導性を得ることが困難になる傾向にあり、あまりに多いと絶縁材が高粘度化し絶縁材の塗工が困難となり、機械的性質及び電気的性質の問題が生じ易くなる傾向にある。また、無機フィラー中のナトリウムイオン濃度は、５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。無機フィラー中のナトリウムイオン濃度が多くなると、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。
【００３２】
絶縁層２に白色顔料を使用する場合には、酸化亜鉛及び/又は二酸化チタンが好適に用いることができる。二酸化チタンではルチル型が安定性の面から好ましい。更に前記顔料の表面には水酸化アルミニウム、又は水酸化アルミニウム及び二酸化珪素にて被覆されていることがより好ましい。また、前記白色顔料が、１重量部から３０重量部含まれることが好ましい。あまりに少ないと、反射率向上効果が期待できない。あまりに多いと、樹脂粘度の上昇が大きく、塗工時に欠陥を内包し易くなってしまい、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。
【００３３】
絶縁層２は多層化することも可能であり、この場合前記白色顔料は回路化面の最外層にあたる層に含有していればよい。
【００３４】
回路箔３の厚みは、５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましく、あまりに薄いと回路としての機能が十分達成されず、厚くなると大電流用途にも対応が可能となるが、あまりに厚くなると費用対効果から好ましくない。回路箔３としては銅又はアルミニウムとこれらを含有する合金を使用することが可能である。
【００３５】
回路箔４の厚みは、０．１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましい。回路箔３として銅を用いた場合には回路箔４としてはアルミニウム又はニッケルが好適に用いることができ、高反射率を得る為の被覆層の機能を有し、あまりに薄いと十分な反射率の効果が得難くなる傾向にあり、あまりに厚くなると費用対効果から好ましくない。また、回路箔３としてアルミニウムを用いた場合には回路箔４としては銅又はニッケルが好適に用いることができ、回路上に部品を実装する際の半田ぬれ性の向上の効果を有し、あまりに薄いと十分は半田ぬれ性の向上が図られなくなる傾向にあり、あまりに厚いと費用対効果から好ましくない。
【００３６】
回路箔３上に回路箔４を設ける手法としては予め積層した箔を絶縁層上に設けることも可能であるし、回路箔３を絶縁層上に設けた後に、回路箔４を別途設けることも可能である。これらを積層する方法に特に制限はなく、圧延による積層、メッキ、蒸着等公知の方法を用いることができ、また回路箔３と回路箔４の間に別の金属箔層を複数層設けることも可能である。
【００３７】
白色膜５としては、４００ｎｍから８００ｎｍの可視光領域に対して７０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（赤色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して７０％以上の反射率と持つことが好ましい。このような材料として、白色のソルダーレジストが好ましく使用できる。
【００３８】
白色のソルダーレジストとしては、熱硬化型白色ソルダーレジスト、紫外線硬化型白色ソルダーレジスト、紫外線・熱併用型白色ソルダーレジスト等を用いることができる。
【００３９】
上記白色ソルダーレジストに含まれる白色顔料としては、二酸化チタンが好ましく、中でもルチル型のものがより好ましい。ルチル型のものは安定性に優れるため光触媒作用が弱く、他の構造のものに比べ樹脂成分の劣化が抑制される。このような二酸化チタンよりなる白色顔料は、二酸化珪素又は水酸化アルミニウム等で被覆したものがより好ましい。このような処理を施した二酸化チタンは光触媒作用がより抑制され、樹脂成分の劣化を抑えることが出来る。また、二酸化チタンの含有量としては白色膜中３０質量％から６０質量％であることが好ましい。二酸化チタンは単独で用いることも可能であるし、酸化亜鉛や硫酸バリウム等に代表される他の白色顔料と併称することも可能である。
【００４０】
ソルダーレジストに使用される樹脂としては熱硬化型白色ソルダーレジストの場合はエポキシ樹脂、紫外線硬化型白色ソルダーレジストの場合はアクリル樹脂、紫外線・熱併用型白色ソルダーレジストの場合はエポキシ樹脂とアクリル樹脂との併用が望ましい。
【００４１】
図２は、本発明の回路基板の一例である。本発明の回路基板においては、基材１と絶縁層２及び回路箔３（アルミニウム）、回路箔４（銅又はニッケル）とからなる回路基板６上に高反射率の白色膜５を形成したものであり、複数のＬＥＤ９が半田接合部７などにより接合搭載されている。本発明に於いては、回路箔３（アルミニウム）及び該回路箔上の白色膜５が高反射率を有することが特徴であり、４００ｎｍから８００ｎｍの可視光領域に対して８０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（赤色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して８０％以上の反射率を持つことが好ましい。
【００４２】
上記回路箔３（アルミニウム）は、表面の１０点平均粗さ（Ｒz）が１．０μｍ以下であることが好ましい。１０点平均粗さ（Ｒz）の値を小さくすれば、高周波対応時に導体損失の影響が小さく、絶縁層との接着強度も十分に確保できるので好ましい。
【００４３】
図３は、本発明の回路基板の一例である。本発明の回路基板においては、基材１と絶縁層２及び回路箔３（アルミニウム）、回路箔４（銅又はニッケル）とからなる回路基板６を示したものであり、複数のＬＥＤ９が半田接合部７などにより接合搭載されている。本発明に於いては、回路箔３（アルミニウム）が高反射率を有することが特徴であり、４００ｎｍから８００ｎｍの可視光領域に対して８０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（赤色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して８０％以上の反射率を持つことが好ましい。
【００４４】
図４は、本発明の回路基板の一例である。本発明の回路基板においては、基材１と絶縁層２及び回路箔３（銅）、回路箔４（アルミニウム又はニッケル）とからなる回路基板６を示したものであり、複数のＬＥＤ９が半田接合部７などにより接合搭載されている。本発明に於いては、回路箔４（アルミニウム又はニッケル）が高反射率を有することが特徴であり、４００〜８００ｎｍの可視光領域に対して８０％以上の反射率、さらに好ましい実施態様においては、４６０ｎｍ（青色）と５２５ｎｍ（赤色）及び６２０ｎｍ（赤色）に対して８０％以上の反射率を持つことが好ましい。
【実施例】
【００４５】
（実施例１）
まず、無機フィラーの粗粉として結晶質二酸化珪素（龍森社製、Ａ−１；最大粒径が９６μｍ（１００μｍ以下）で、５μｍから５０μｍの粒子を６０質量％（５０質量％以上）含有し、平均粒子径が１２μｍ）５５質量部と、無機フィラーの微粉として結晶質二酸化珪素（龍森社製、５Ｘ；０．７μｍ以下が７０質量％、２．０μｍ以上が７０質量％で、平均粒子径が１．２μｍ）１４質量部とを混合して、原料無機フィラーとした。
【００４６】
表面を水酸化アルミ及び二酸化ケイ素にて処理されている二酸化チタネート（石原産業社製、ＣＰ−５０：平均粒径３００ｎｍ）を白色無機顔料として５重量部添加した。
【００４７】
ビスフェノールＡ型液状エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製、ＥＰ８２８）２０質量部、シランカップリング剤（日本ユニカー社製、Ａ−１８７）１質量部を添加して、加熱温度９０℃で混練機により混練しながら、前記原料無機フィラー及び前記無機顔料、前記添加剤を混合して、回路基板用の樹脂組成物（ａ）を作製した。
【００４８】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２０質量部に対して、硬化剤としてフェノール系硬化樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＴＤ−２１３１）を６質量部加え、樹脂組成物（ｂ）を得た。
【００４９】
厚み１．５ｍｍのアルミニウム板上に、前記樹脂組成物（ｂ）を、硬化後の厚みが１００μｍとなるように塗布し、１００℃０．１時間加熱して半硬化状態にした後、樹脂組成物（ｂ）上に厚さ９μｍの銅と厚さ４０μｍのアルミニウムがクラッドされた箔を積層し、更に１８０℃２時間加熱して硬化を完了させ、混成集積回路用の基板を作製した。
【００５０】
白色ソルダーレジストとしては、熱及び紫外線硬化型のアクリル及びエポキシ樹脂併用系（山栄化学社製、ＳＳＲ−６３００Ｓ）を前記混成集積回路基板に塗工し、回路基板を得た。これら配合の結果を表１に示した。
【００５１】
【表１】
2009130234.tif 000003
【００５２】
得られた回路基板について、後述する通りに、各種の特性を調べ、その結果を表２に示した。
【００５３】
【表２】
2009130234.tif 000004
【００５４】
耐電圧：測定用試料として銅箔及びアルミニウム箔の周囲をエッチングし、直径２０ｍｍの円形部分を残し試料とした。温度８５℃、湿度８５％ＲＨ、ＤＣ１０００Ｖ、１０００時間の条件下に暴露した前後及び温度１２１℃、湿度１００％ＲＨ、２ａｔｍ、９６時間の条件下に暴露した前後の耐電圧について、試験片を絶縁油中に浸漬し、室温で交流電圧を銅箔とアルミニウム板間に印加させ、ＪＩＳ  Ｃ  ２１１０に基づき測定した。測定器には、菊水電子工業株式会社製ＴＯＳ−８７００を用いた。
【００５５】
絶縁抵抗値：測定用試料として銅箔及びアルミニウム箔の周囲をエッチングし、ＪＩＳ  Ｃ６４８１に基づく櫛型及び電極状に残し試料とした。温度８５℃、湿度８５％ＲＨ、ＤＣ１０００Ｖ、１０００時間の条件下に暴露した前後及び温度１２１℃、湿度１００％ＲＨ、２ａｔｍ、９６時間の条件下に暴露した前後の絶縁抵抗値について、室温で直流電圧１００Ｖを銅箔とアルミニウム板間に印加させ、ＪＩＳ  Ｃ６４８１に基づき測定した。測定器には、株式会社アドバンテスト製Ｒ８３４０Ａを用いた。
【００５６】
（反射率）
測定用試料として、作製した回路基板を用いた。測定箇所として、（１）回路間（２）回路箔（＋レジスト）上の二カ所を測定した。測定器は株式会社島津製作所製分光光度計ＵＶ−２５５０を用いた。
【００５７】
（実施例２）
回路箔の構成が変わること以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。この結果を表２に示す。
【００５８】
（実施例３）
白色ソルダーレジストを塗工しなかったこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００５９】
（実施例４）
白色顔料の添加量を変えたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００６０】
（比較例１）
回路箔が銅のみであること以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
【００６１】
（比較例２）
回路箔として銅に電解銀メッキしたこと以外は実施例１と同様にして回路基板を得た。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の回路基板は、ＬＥＤパッケージを実装する基板表面に高反射率の白色塗膜を形成しているので、通常のプリント回路基板と類似の構成のまま光反射機能を有している。このため、高価な光反射シートを使用しなくてもＬＥＤ光源の反射光を液晶部分に供給することができる。また、液晶バックライト製造時の工数を削減することもでき、効率的であり、ＬＥＤ用の回路基板として産業上極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、本発明に係る回路基板の一例を示す説明図である。
【図２】図２は、本発明に係る回路基板の一例を示す説明図である。
【図３】図３は、本発明に係る回路基板の一例を示す説明図である。
【図４】図４は、本発明に係る回路基板の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６４】
１    基材
２    絶縁層
３    回路箔
４    回路箔
５    白色膜（ソルダーレジスト）
６    回路基板
７    はんだ接合部
８    ＬＥＤ電極端子
９    ＬＥＤ
【図１】
2009130234.tif 000005
【図２】
2009130234.tif 000006
【図３】
2009130234.tif 000007
【図４】
2009130234.tif 000008