(57)【要約】【課題】撥水性を有する基板を搬送しながら良好に洗浄、乾燥処理を施す。【解決手段】基板処理装置は、洗浄室１Ｃ及び乾燥室１Ｄを有し、撥水性を有する基板Ｓをその表面が傾斜した姿勢で搬送しながらその表面に洗浄、乾燥処理を施す。洗浄室１Ｃには、搬送方向に沿って連続する状態で、基板Ｓの上位側端部に対して洗浄水を供給する第１供給手段２０と、その下流側端部に近接され、かつ基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向に沿って設けられ、同方向に沿って連続する状態で洗浄水を基板Ｓに供給する第２供給手段２４とが設けられる。乾燥室１Ｄには、第２供給手段２４に近接し、かつ搬送基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向に設けられ、同方向に沿って連続する状態で搬送基板Ｓに対してエアを吹き付けるエアナイフ３０が設けられる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
撥水性を有する基板をその表面が傾斜した姿勢で支持し、かつ前記表面に沿って水平方向に搬送する搬送手段を有すると共に、基板の搬送方向に沿ってその上流側から順に、搬送基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板上の洗浄液を気体圧により除去する乾燥手段とを備えた基板処理装置であって、
前記洗浄液供給手段は、前記搬送方向に沿って設けられて同方向に洗浄液が連続する状態で、搬送基板の少なくとも上位側端部に対して洗浄液を供給する第１供給手段と、
この第１供給手段の下流側端部に近接され、かつ搬送基板をその上位側から下位側に亘って横断する第１の基板横断方向に沿って設けられ、この第１基板横断方向に沿って洗浄液が連続する状態で搬送基板に対して洗浄液を供給する第２供給手段と、を備え、
前記乾燥手段は、前記第２供給手段に近接され、かつ搬送基板をその上位側から下位側に亘って横断する第２の基板横断方向に沿って設けられ、この第２の基板横断方向に沿って連続する状態で搬送基板に対して気体を吹き付けることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記洗浄液供給手段は、基板搬送方向における前記第２供給手段よりも上流側であって、かつ前記第１供給手段が設けられる範囲内に設けられ、搬送基板の表面に対してシャワー状に処理液を供給する第３供給手段をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第２供給手段と乾燥手段との間に、第２供給手段よりも下流側への洗浄液の飛散を阻止する遮蔽部材が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記第２供給手段は、基板の下位側における洗浄液の供給位置が上位側の供給位置よりも下流側に位置するように、前記搬送方向と直交する方向に対して斜めに設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記乾燥手段は、基板の下位側における気体の吹き付け位置が上位側の吹き付け位置よりも下流側に位置するように、前記搬送方向と直交する方向に対して斜めに設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記第１供給手段は、前記搬送方向沿って設けられ、かつこの搬送方向と直交する方向に傾斜するスロープ部材と、前記搬送方向沿って当該スロープ部材の上方に配置されるノズル部材とを備え、このノズル部材から前記スロープ部材に洗浄液を吐出させることにより、前記搬送方向に連続する洗浄液の流れを形成しながら搬送基板に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記搬送基板に対して前記洗浄液と異なる処理液を搬送基板に対して供給することにより、前記洗浄液による洗浄処理に先立ち当該洗浄処理以外の所定の処理を基板に施す処理液供給手段を備え、
この処理液供給手段は、前記スロープ部材に沿ってその上方に配置されるノズル部材を備え、当該ノズル部材から前記スロープ部材に洗浄液を吐出させることにより、前記搬送方向に連続する処理液の流れを形成しながら搬送基板に供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
撥水性を有する基板をその表面が傾斜した姿勢で支持し、かつ前記表面に沿って水平方向に搬送しながら、この基板の上位側端部に沿って洗浄液を供給、流下させることにより、基板の表面に、その搬送方向先端部から順に当該搬送方向と直交する方向全体に亘って洗浄液の液層を形成する液層形成工程と、
前記液層が形成された基板の先端側から順に前記液層に対して気体を吹き付けることにより当該液層を除去する液層除去工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理方法において、
前記液層除去工程における気体の吹き付けに先立ち、前記基板の搬送方向先端であってその上位側端部に、前記液層から基板表面が露出する部分を形成する工程を有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、有機ＥＬ用ガラス基板、光ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、半導体ウエハ等の基板に対して主に洗浄、乾燥処理を施す基板処理装置等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤでは、ガラス基板上に薄膜トランジスタからなる高機能回路を設けて画質向上や視野角の拡大を図ることが行われており、近年では、電子の移動速度が高く、表示の応答性やコントラスト面で有利な多結晶シリコン（ポリシリコン）薄膜トランジスタを設けたものが多用されている。
【０００３】
この種のＬＣＤの製造では、例えばアモルファスシリコン層をガラス基板上に形成し、当該シリコン層表面の自然酸化膜を除去して（エッチング処理）、洗浄、乾燥処理を施し、レーザーを照射してアモルファスシリコン層を溶融再結晶化（ポリシリコン層を生成する）させることが行われる（レーザーアニール法）。この場合、エッチング〜乾燥の各工程は、従来、アモルファスシリコン層が形成されたガラス基板を水平に支持した状態でその中心位置を支点として鉛直軸回りに回転させ、当該基板上に順次処理液を供給してエッチングおよび洗浄処理を基板に施した後に、基板を高速回転させて洗浄液を振り切り乾燥（スピン乾燥）することにより行われている。
【０００４】
ところで、この種の基板の処理では、酸化膜が除去されたエッチング処理後の基板は強い撥水性を有するため、洗浄処理後、基板上に洗浄液が疎らに残り易く、これがいわゆるウォーターマークと称する不均一酸化膜を形成する原因の一つとなっている。ウォーターマークは、レーザーアニールにより生成されるポリシリコン層の特性を悪化させるため、極力発生を防止する必要があり、従来では、例えば特許文献１に開示されるように、基板を低速回転させつつ洗浄液を供給し、基板全面にその表面張力で洗浄液の液膜を形成した状態で洗浄処理を施した後、高速回転に切り換えて短時間で一気に洗浄液を除去、乾燥させることが行われている。つまり、基板表面（シリコン）に酸素及び洗浄液が共存するというウォーターマーク生成要因となる状態が長期的に生じるのを回避しつつ基板を洗浄、乾燥させることでウォーターマークの発生を防止するようにしている。
【特許文献１】特開２００３−１７４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、近年、被処理基板の大型化が進んでおり、特許文献１のように基板を回転させながら洗浄、乾燥処理を施すことが物理的に困難になりつつある。そのため、基板を回転させることなく基板の洗浄、乾燥処理を良好に行う必要が生じている。
【０００６】
そこで、一つの方法として、基板を傾斜姿勢で搬送しながら、図８（ａ）に示すように、搬送方向に沿って設けた液ノズル５０により基板Ｓの上位側の端部に沿って洗浄液を供給し、洗浄液を基板Ｓに沿って流下させることによって基板表面を洗浄液の液層で覆いながら洗浄処理を施し、その後、気体ノズル５２により基板に気体を吹き付けて当該液層を搬送方向の先端側から順に除去することが考えられている。
【０００７】
しかし、撥水性を有する基板Ｓに沿って洗浄液を流下させると、洗浄液がその表面張力によって基板の中央部分（搬送方向における中央部分）に集まりながら流下する傾向があり、その結果、同図中ハッチングで示すように、基板Ｓの先端（搬送方向先端）及び後端に洗浄液が流下しない部分（未流下部分）が発生する。しかも、このような状態は、基板の搬送が進んでも保たれるため、図８（ｂ）に示すように、洗浄処理が施されないまま乾燥処理に移行される部分が発生する（同図中のハッチング部分）。また、洗浄処理が施された部分であっても、基板の搬送に伴い、乾燥処理前に洗浄液が流下しなくなる部分（同図中点々で示す部分）が発生してしまい、例えば当該部分に洗浄液の液滴が付着する等してウォーターマークが形成されるという問題がある。従って、これらの問題を解決することが望まれる。
【０００８】
本発明は、上記のような事情に鑑みて成されたものであり、撥水性を有する基板を搬送しながら基板の洗浄、乾燥処理を良好に行うことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明は、撥水性を有する基板をその表面が傾斜した姿勢で支持し、かつ前記表面に沿って水平方向に搬送する搬送手段を有すると共に、基板の搬送方向に沿ってその上流側から順に、搬送基板に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板上の洗浄液を気体圧により除去する乾燥手段とを備えた基板処理装置であって、前記洗浄液供給手段は、前記搬送方向に沿って設けられて同方向に洗浄液が連続する状態で、搬送基板の少なくとも上位側端部に対して洗浄液を供給する第１供給手段と、この第１供給手段の下流側端部に近接され、かつ搬送基板をその上位側から下位側に亘って横断する第１の基板横断方向に沿って設けられ、この第１基板横断方向に沿って洗浄液が連続する状態で搬送基板に対して洗浄液を供給する第２供給手段と、を備え、前記乾燥手段は、前記第２供給手段に近接され、かつ搬送基板をその上位側から下位側に亘って横断する第２の基板横断方向に沿って設けられ、この第２の基板横断方向に沿って連続する状態で搬送基板に対して気体を吹き付けるように構成されたものである。
【００１０】
この基板処理装置によれば、第１供給手段から搬送基板の上位側端部に洗浄液を供給、流下させることで、基板表面に洗浄液の液層を形成しつつ当該基板に洗浄処理を施すことができる。しかも、第１供給手段の下流側端部に近接して第２供給手段を設け、この第２供給手段により第１の基板横断方向に沿って洗浄液を供給する構成としているため、搬送方向先端部及び後端部に洗浄液の未流下部分が生じても、これによる洗浄、乾燥処理への影響を良好に解消することができる。すなわち、上記のような未流下部分が生じても、第２供給手段の位置を基板が通過する際に当該未流下部分に対して洗浄液が供給される。従って、洗浄処理が施されない部分が生じたままで基板に乾燥処理が施されるといった事態の発生が防止される。また、基板の搬送に伴いその先端部が第２供給手段の位置に達すると、第２供給手段から供給される洗浄液と第１供給手段から供給される洗浄液とが基板上で合流し、その結果、基板先端側の未流下部分が消滅して、基板表面のうち第２供給手段の位置を含むその上流側が洗浄液の液層によって広く覆われることとなる。そして、このように液層によって覆われた状態の基板に対し、第２供給手段に近接する乾燥手段から気体が吹き付けられて当該液層が除去されることで、一旦洗浄液が流下して（洗浄液の液層が形成されて）洗浄処理が施された部分が、乾燥処理前に雰囲気中に露出するといったことが有効に防止され、その結果、当該露出部分に洗浄液が再付着することに起因したウォーターマークの形成が未然に防止されることとなる。
【００１１】
なお、この装置において、前記洗浄液供給手段は、基板搬送方向における前記第２供給手段よりも上流側であって、かつ前記第１供給手段が設けられる範囲内に設けられ、搬送基板の表面に対してシャワー状に処理液を供給する第３供給手段をさらに備えているのが好適である。
【００１２】
この構成によると、基板に沿って流下する洗浄液の液量を十分に確保でき、より確実に、かつ良好に、洗浄液の液層を基板表面に形成することが可能となる。
【００１３】
この場合、第３供給手段からシャワー状に洗浄液が供給されると、洗浄液のミストが乾燥処理後の基板に付着するなどしてウォーターマークの形成原因となることが考えられる。従って、第３供給手段を設ける場合には、第２供給手段と乾燥手段との間に、第２供給手段よりも下流側への洗浄液の飛散を阻止する遮蔽部材が設けられているのが好適である。
【００１４】
なお、上記装置において、前記第２供給手段は、前記搬送方向と直交する方向に設けられていてもよいが、乾燥手段による気体の吹き付けにより基板表面の液層を良好に除去する上では、基板の下位側における洗浄液の供給位置が上位側の供給位置よりも下流側に位置するように、搬送方向と直交する方向に対して斜めに設けられているのが好適である。
【００１５】
この構成によると、基板の先端が第２供給手段の位置を通過した直後に、当該先端の上位側の端部（つまり角部）に基板表面が露出した部分が生じ易くなる。そのため、第２供給手段の位置を通過する基板に対して乾燥手段から気体が吹き付けられると、当該露出部分を基点として洗浄液の液層がその層状態を良好に保ちながら基板の角部からその表面に沿って滑らかに、かつ速やかに除去されることとなる。従って、洗浄液の液層を除去する際の気体の吹き付けにより、液層の飛散や泡立ち（バブリング）等、ウォーターマークの形成原因となり得る現象の発生を良好に防止することができる。
【００１６】
また、前記乾燥手段についても、基板の下位側における気体の吹き付け位置が上位側の吹き付け位置よりも下流側に位置するように、前記搬送方向と直交する方向に対して斜めに設けられていているものであってもよい。
【００１７】
この構成によれば、基板の上位側の端部（角部）からその表面に沿って液層を除去することが可能となり、上記同様に、液層の飛散や泡立ち（バブリング）等を防止する上で有効となる。特に、第１供給手段を搬送方向と直交する方向に対して斜めに設ける上記構成と併用すれば、洗浄液の液層を円滑に除去する上で非常に有効となる。
【００１８】
また、上記装置において、前記第１供給手段は、前記搬送方向沿って設けられ、かつこの搬送方向と直交する方向に傾斜するスロープ部材と、前記搬送方向沿って当該スロープ部材の上方に配置されるノズル部材とを備え、このノズル部材から前記スロープ部材に洗浄液を吐出させることにより、前記搬送方向に連続する洗浄液の流れを形成しながら搬送基板に供給するものであるのが好適である。
【００１９】
この構成によれば、搬送方向に沿って連続する状態で良好に洗浄液を基板に対して供給することが可能となる。
【００２０】
この場合、前記搬送基板に対して前記洗浄液と異なる処理液を搬送基板に対して供給することにより、前記洗浄液による洗浄処理に先立ち当該洗浄処理以外の所定の処理を基板に施す処理液供給手段を備える構成であってもよく、その場合には、前記処理液供給手段は、前記スロープ部材に沿ってその上方に配置されるノズル部材を備え、当該ノズル部材から前記スロープ部材に洗浄液を吐出させることにより、前記搬送方向に連続する処理液の流れを形成しながら搬送基板に供給するように構成にしてもよい。
【００２１】
この構成によれば、スロープ部材を共用して処理液及び洗浄液を順次基板に供給することができるため、合理的な構成で処理液による所定の処理とその後の洗浄処理とを実施することが可能となる。
【００２２】
一方、本発明に係る基板処理方法は、撥水性を有する基板をその表面が傾斜した姿勢で支持し、かつ前記表面に沿って水平方向に搬送しながら、この基板の上位側端部に沿って洗浄液を供給、流下させることにより、基板の表面に、その搬送方向先端部から順に当該搬送方向と直交する方向全体に亘って洗浄液の液層を形成する液層形成工程と、前記液層が形成された基板の先端側から順に前記液層に対して気体を吹き付けることにより当該液層を除去する液層除去工程と、を有するものである。
【００２３】
この方法によれば、基板を搬送しながらその表面に沿って洗浄液を流下せることにより洗浄液の液層を形成した状態で当該基板に洗浄処理を施し、その後、当該液層をそのまま除去することにより乾燥させるので、一旦液層が形成されて洗浄処理が施された部分が、気体の吹き付けによる乾燥処理前に雰囲気中に露出することを有効に防止できる。
【００２４】
この方法においては、前記液層除去工程における気体の吹き付けに先立ち、前記基板の搬送方向先端であってその上位側端部に、前記液層から基板表面が露出する部分を形成する工程を有するのが好適である。
【００２５】
この方法によれば、気体の吹き付けに伴う液層の飛散や泡立ち（バブリング）等を伴うことなく、円滑に、かつ速やかに液層を除去することが可能となる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によると、撥水性を有する基板を搬送しながら洗浄、乾燥の各処理を順次基板に施すようにしながらも、洗浄処理が施されない部分が生じたままで基板に乾燥処理が施されるといった事態や、一旦洗浄液の液層が形成されて洗浄処理が施された部分が、乾燥処理前に雰囲気中に露出し、当該露出部分に洗浄液が再付着することに起因してウォーターマークが形成されるといった事態の発生を未然に防止することができる。従って、撥水性を有する基板を搬送しながら当該基板に対して良好に洗浄、乾燥の各処理を施すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２８】
図１は、本発明が適用される基板処理装置の一例を示している。この基板処理装置１（以下、装置１と略す）は、アモルファスシリコン層が表面に形成されたガラス基板Ｓ（以下、基板Ｓと略す）に対してレーザーアニールを行う為の前処理を施すものであり、具体的には、シリコン層表面に形成された酸化膜のエッチング（ライトエッチング）、洗浄及び乾燥の各処理を基板Ｓに対して順次施すものである。
【００２９】
装置１は、ローダ１Ａ、エッチング室１Ｂ、洗浄室１Ｃ、乾燥室１Ｄ及びアンローダ１Ｅを直列に備え、図外の搬送ロボットによりローダ１Ａに搬入される矩形の基板Ｓを、搬送ローラ２の駆動により各処理室１Ｂ〜１Ｄに亘って（図１中右方向に）搬送しながら当該基板Ｓに対して順次エッチング、洗浄及び乾燥の各処理を施した後、アンローダ１Ｅに搬送するように構成されており、アンローダ１Ｅに搬送された基板Ｓは、図外の搬送ロボットによりレーザーアニール装置に移載されるようになっている。なお、以下の説明においては、基板Ｓの搬送方向を単に「搬送方向」と称し、また「上流」、「下流」及び「先端」、「後端」というときには基板Ｓの搬送方向に基づくものとする。
【００３０】
各搬送ローラ２は、搬送方向と直交する方向に沿って傾斜して設けられており（図２参照）、これにより基板Ｓを、その表面が装置後側から前側に向かって先下がりに傾斜するように支持した状態でその表面に沿って水平方向に搬送するように構成されている。なお、同図中、符合３は各室１Ａ〜１Ｅを仕切る隔壁に形成された基板搬送用の開口部であり、当該開口部３は、細長い長方形の形状であって基板Ｓを通過させるのに必要かつ十分な大きさとされている。
【００３１】
エッチング室１Ｂには、基板Ｓに対してエッチング液を供給するためのエッチング液供給手段１０が設けられている。このエッチング液供給手段１０は、搬送ローラ２の上位側の端部上方に配置されている。
【００３２】
エッチング液供給手段１０は、図１及び図２に示すように、基板Ｓの搬送方向に延び、かつこの方向と直交する方向に沿って装置後側から前側に向かって先下がりに傾斜するスロープ面１３ａを有する長尺のスロープ部材１３と、このスロープ部材１３の上方にそれぞれ配置されて、該スロープ部材１３に沿って延びる長尺のノズル部材１１，１２とを有している。ノズル部材１１，１２は、複数の液吐出孔が長手方向に沿って所定の間隔で下向きに設けられた例えばスプレーノズルからなり、前記スロープ面１３ａに沿って前後に並んだ状態で互いに平行に配置されている。そしてこれらノズル部材１１，１２のうち、上位側（後側）のノズル部材１１は、開閉弁１６ａを備えた配管１６を通じてオゾン（Ｏ３）水の供給源に接続されており、他方、下位側（前側）のノズル部材１２は、開閉弁１７ａを備えた配管１７を通じてフッ化水素酸（ＨＦ；以下、フッ酸と略す）の供給源に接続されている。
【００３３】
つまり、エッチング液供給手段１０は、ノズル部材１１（又は１２）からスロープ面１３ａにオゾン水（又はフッ酸）を吐出させて当該スロープ面１３ａに沿って流下させ、これにより搬送方向に連続するオゾン水（又はフッ酸）の流れを作り出しながら当該オゾン水（又はフッ酸）を基板Ｓの上位側端部に供給するように構成されると共に、前記開閉弁１６ａ，１７ａの操作に応じて、基板Ｓに対して供給するエッチング液の種類（オゾン水、フッ酸）を切換え可能に構成されている。ここで、オゾン水は、後述する通り、基板Ｓの酸化促進を図るものであって正確にはエッチング液とは言えないが、エッチング室１Ｂで使用される処理液という意味で、便宜上エッチング液として説明する。
【００３４】
エッチング液供給手段１０は、基板Ｓの停止状態でその上位側端部全体に亘ってエッチング液を供給できるように、搬送方向の寸法が基板Ｓの同寸法よりも十分に長く設定されている。なお、ノズル部材１１及び／又はノズル部材１２を、さらに開閉弁を備えた配管を通じて洗浄水（純水）の供給源に接続しておき、エッチング処理後、洗浄水を基板Ｓに供給することにより、洗浄室１Ｃでの洗浄処理に先立ち、エッチング室１Ｂ内で洗浄処理を開始するようにしてもよい。
【００３５】
洗浄室１Ｃには、基板Ｓに対して洗浄水（純水）を供給するための洗浄水供給手段（本発明に係る洗浄液供給手段に相当する）が配置されている。この洗浄水供給手段は、図１〜図５に示すように、第１〜第３の３種類の供給手段２０，２４，２６から構成される。
【００３６】
第１供給手段２０は、搬送ローラ２の上位側の端部上方に配置されている。この第１供給手段２０は、基板Ｓの搬送方向に延び、かつ同搬送方向と直交する方向に沿って装置後側から前側に向かって先下がりに傾斜するスロープ面２２ａを有する長尺のスロープ部材２２と、このスロープ部材２２の上方に配置されて該スロープ部材２２に沿って延びる長尺のノズル部材２１とを有している。ノズル部材２１は、複数の液吐出孔が長手方向に沿って所定の間隔で下向きに設けられた例えばスプレーノズルからなり、開閉弁２７ａを備えた配管２７を通じて洗浄水の供給源に接続されている。つまり、第１供給手段２０は、上述したエッチング液供給手段１０と同様の構成を有しており、ノズル部材２１からスロープ部材２２に洗浄水を吐出させ、スロープ面２２ａに沿って洗浄水を流下させることで、搬送方向に連続する洗浄水の流れを作り出しながら当該洗浄水を基板Ｓの上位側端部に供給するように構成されている。
【００３７】
なお、第１供給手段２０の下流側端部は、洗浄室１Ｃと乾燥室１Ｄとを仕切る隔壁近傍の位置まで設けられている。
【００３８】
第２供給手段２４は、スリット状の液吐出孔を備えたいわゆるスリットノズルからなり、図３〜図５に示すように、第１供給手段２０の下流側に配置されている。
【００３９】
第２供給手段２４は、搬送基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向（本発明の第１の基板横断方向に相当する）で、かつ搬送基板Ｓとの間に一定隙間が形成され得るように装置の前後方向に沿って傾斜する姿勢で設けられると共に、開閉弁２８ａを備えた配管２８を通じて洗浄水の前記供給源に接続されている。これにより、第２供給手段２４の下方を通過する基板Ｓに対して装置前後方向に沿って連続する状態で洗浄水を供給するように構成されている。
【００４０】
より詳細に説明すると、第２供給手段２４は、基板表面に対して直交する方向に沿って洗浄水を吐出するようにその姿勢が設定されている。そしてさらに、図３及び図５に示すように、上位側（後側）端部が第１供給手段２０の下流側端部に近接する配置とされた上で、基板Ｓの下位側に対する洗浄水の供給位置が上位側の供給位置よりも下流側に位置するように、搬送方向と直交する方向に対して所定角度θ１だけ斜めになるように設けられている。この角度θ１は、当実施形態では、５°〜１０°の範囲内で設定さている。
【００４１】
第３供給手段２６は、搬送方向に沿って延び、かつ複数の液吐出孔が長手方向に沿って所定の間隔で下向きに設けられたスプレーノズルからなり、図５に示すように、基板Ｓの搬送経路上方に、搬送ローラ２の傾きに沿って一定の間隔で複数本配置されている。
【００４２】
これらの第３供給手段２６は、搬送方向において第１供給手段２０の両端より内側に位置するように設けられており、開閉弁２９ａを備えた共通の配管２９を通じて洗浄水の前記供給源に接続されている。これにより基板Ｓの表面広域に亘って洗浄水をシャワー状に供給するように構成されている。
【００４３】
なお、洗浄室１Ｃ内において第２供給手段２４とその下流側の隔壁（洗浄室１Ｃと乾燥室１Ｄとを仕切る隔壁）との間には遮蔽板２５が設けられている。この搬送ローラ２５は、前記第３供給手段２６による洗浄水の吐出に伴い発生したミスト（ミスト状の洗浄水）が第２供給手段２４の下流側に飛散して基板Ｓに付着するのを防止するものであり、当実施形態では、この遮蔽板２５及び隔壁（洗浄室１Ｃと乾燥室１Ｄとを仕切る隔壁）が本発明に係る遮蔽部材に相当する。
【００４４】
乾燥室１Ｄには、基板Ｓにエアを吹き付けて洗浄水を除去することにより基板Ｓを乾燥させるエアナイフ３０（本発明に係る乾燥手段に相当する）が設けられている。
【００４５】
このエアナイフ３０は、スリット状のエア吐出孔を備えたスリットノズルからなり、図３〜図５に示すように、洗浄室１Ｃと乾燥室１Ｄとを仕切る隔壁の近傍に配置されることにより、前記第２供給手段２４に近接して配置されている。エアナイフ３０は、搬送基板Ｓをその上位側から下位側に亘って横断する方向（本発明の第２の基板横断方向に相当する）で、かつ搬送基板Ｓとの間に一定隙間が形成され得るように装置の前後方向に沿って傾斜する姿勢で設けられると共に、開閉弁３２ａを備えた配管３２を通じてエア供給源に接続されている。これにより基板Ｓに対して装置前後方向に沿って連続する状態でエアを供給するように構成されている。
【００４６】
より詳細に説明すると、エアナイフ３０は、搬送方向下流側から上流側に向かって搬送基板Ｓのうち開口部３を通過する部分に対して斜め方向にエアを吹き付けるようにやや開口部３側を指向する姿勢で設けられている。そしてさらに、図３に示すように、基板Ｓの下位側に対するエアの供給位置が上位側の吹き付け位置よりも下流側に位置するように、搬送方向と直交する方向に対して所定角度θ２だけ斜めになるように設けられている。この角度θ２は、当実施形態では、５°〜３０°の範囲内で設定されている。
【００４７】
なお、この実施形態では、液層を除去するためにエアを用いているが窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを適用するようにしてもよい。
【００４８】
次に、この装置１における基板Ｓの処理動作と、その作用について説明する。
【００４９】
ローダ１Ａに基板Ｓが搬入され、搬送ローラ２の駆動により当該基板Ｓがエッチング室１Ｂ近傍の所定位置まで搬送されると、まずエッチング液供給手段１０によるオゾン水の供給が開始される。具体的には、開閉弁１６ａの操作によりノズル部材１１からスロープ部材１３にオゾン水が吐出され、当該オゾン水がスロープ面１３ａに沿って流下される。
【００５０】
従って、搬送ローラ２の駆動により基板Ｓがエッチング室１Ｂに搬入されてくると、先端側から順に、基板Ｓの上位側端部にオゾン水が供給される。基板Ｓに供給されたオゾン水は、基板Ｓの表面に沿って流下することにより基板Ｓの表面に液層を形成する。これにより基板表面の酸化が促進される。つまり、このように基板Ｓの酸化を促進させることによって基板Ｓの表面に付着したパーティクルを酸化膜中に封じ込める。
【００５１】
基板Ｓの先端がエッチング液供給手段１０の下流側端近傍まで搬送されると、基板Ｓの搬送が停止され、一定時間、基板Ｓへのオゾン水の供給が継続された後、開閉弁１６ａ，１７ａの操作により、エッチング液の種類がオゾン水からフッ酸に切換えられる。
【００５２】
基板Ｓに供給されたフッ酸は、同様に基板Ｓの表面に沿って流下することにより基板Ｓの表面に液層を形成する。これにより基板Ｓに形成された酸化膜が除去される。
【００５３】
そして、一定時間、基板Ｓへのフッ酸の供給が継続されると、搬送ローラ２が駆動されて基板Ｓの搬送が再開されると共に、開閉弁２７ａ，２８ａ，２９ａの操作により、洗浄室１Ｃにおいて第１〜第３の各供給手段２０，２４，２６による洗浄水の供給が開始される。この際、第１供給手段２０による洗浄水の供給は、ノズル部材２１からスロープ部材２２に吐出した洗浄水をスロープ面２２ａに沿って流下させることにより行われる。
【００５４】
従って、基板Ｓがエッチング室１Ｂから搬出されつつ洗浄室１Ｃに搬入されてくると、その先端側から順に洗浄水が基板Ｓに供給される。このように基板Ｓに供給された洗浄水は、基板Ｓの表面に沿って流下することにより基板Ｓの表面に液層を形成する。これにより基板表面のフッ酸と洗浄水とが置換されて基板Ｓが洗浄されると共に、洗浄後の基板表面が、雰囲気中に曝される（露出する）ことが防止される。
【００５５】
そして、さらに基板Ｓの搬送が進行すると、開閉弁３２ａの操作により、所定のタイミングで、乾燥室１Ｄにおいてエアナイフ３０からのエアの吐出が開始される。
【００５６】
こうして基板Ｓが第２供給手段２４の位置に到達すると、第２供給手段２４により装置前後方向に沿って連続的に洗浄水が供給され、さらに基板Ｓの搬送に伴い当該基板Ｓのうち第２供給手段２４を通過した部分に対してエアナイフ３０から吐出されるエアが吹き付けられる。これにより基板Ｓが洗浄室１Ｃから乾燥室１Ｄに搬送されるに伴い基板表面の洗浄水の液層がエア圧により除去され、基板Ｓに対して乾燥処理が施される。
【００５７】
そして、基板Ｓがさらに搬送され、乾燥室１Ｄを通過してアンローダ１Ｅに搬送されると、これにより当該装置１による基板Ｓの処理が終了する。
【００５８】
なお、エッチング処理が施された基板Ｓの表面は強い撥水性を有しているため、洗浄室１Ｃにおいてける洗浄処理では、基板Ｓに沿って流下する洗浄水の流れが搬送方向中央部に偏り易く、基板Ｓが第２供給手段２４に到達するまでは、基板Ｓの先端部及び後端部の下位側に洗浄水が流下しない部分（未流下部分という）が形成される（図８（ａ）参照）。しかし、このような未流下部分についても、基板Ｓが第２供給手段２４を通過する際に洗浄水が供給されることとなるため、洗浄処理が施されない部分が生じたままで基板Ｓに乾燥処理が施されることがない。
【００５９】
また、基板Ｓの先端が第２供給手段２４に達すると、当該第２供給手段２４から供給される洗浄水と、第１供給手段２０等から供給される洗浄水とが基板上で合流し、その結果、先端側の未流下部分が消滅して、図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｓのうち第２供給手段２４の位置を含むその上流側が洗浄水の液層によって広く覆われることとなる。そして、このように液層によって覆われた状態の基板Ｓに対し、第２供給手段２４に近接されたエアナイフ３０からエアが吹き付けられて当該液層が除去されることで、一旦洗浄水が流下して（洗浄水の液層が形成されて）洗浄処理が施された部分が、乾燥処理前に雰囲気中に露出するといった事態（図８（ｂ）参照）が有効に防止され、従って、当該露出部分に洗浄水が再付着することに起因したウォーターマークの形成が未然に防止される。
【００６０】
また、上述した通り第２供給手段２４及びエアナイフ３０が搬送方向と直交する方向に対して所定角度θ１，θ２だけ傾いた状態で設けられているため、エアの吹き付けによる液層の除去が円滑、かつ良好に行われる。すなわち、上記のように第２供給手段２４が傾いて設けられていることで、第２供給手段２４より下流側では、基板Ｓに吐出された洗浄水が搬送方向に広がることなく基板Ｓに沿って流下し、その結果、図６（ｂ）及び図７に示すように、第２供給手段２４を通過した基板先端の上位側端部（つまり角部）に液層から基板Ｓが露出した部分が生じる。従って、同様に傾いた状態で設けられるエアナイフ３０から基板Ｓにエアが吐出されると、図６（ｃ）に示すように、この露出部分を基点として洗浄水の液層がその層状態を良好に保ちながら基板の先端角部からその表面の傾斜に沿って滑らかに、かつ速やかに除去されることとなり、エアの吹き付けによる飛散や泡立ち（バブリング）等を伴うことなく良好に洗浄水の液層が除去されることとなる。
【００６１】
以上のように、この装置１では、エッチング処理後の撥水性を有する基板Ｓを搬送しながら洗浄、乾燥の各処理を順次基板Ｓに施すようにしながらも、洗浄処理が施されない部分が生じたままで基板Ｓに乾燥処理が施されるといった事態や、一旦洗浄水の液層が形成されて洗浄処理が施された部分が、乾燥処理前に雰囲気中に露出し、当該露出部分に洗浄水が再付着することに起因してウォーターマークが形成されるといった事態の発生を未然に防止することができる。従って、上記のようにアモルファスシリコン層が表面に形成された基板Ｓを搬送しながら、当該基板Ｓに対してエッチング処理、洗浄処理及び乾燥処理を良好に施すことができる。
【００６２】
特に、第２供給手段２４や乾燥室１Ｄのエアナイフ３０を所定角度θ１，θ２だけ傾けて設けることにより、乾燥処理の際には、エアの吹き付けによる洗浄水の飛散や泡立ち（バブリング）等を伴うことなく円滑、かつ良好に洗浄水の液層を除去し得るように構成されているので、乾燥処理に伴いウォーターマークの形成も有効に防止できる。つまり、ウォーターマークは、基板表面（シリコン）に酸素及び洗浄水が長期的に共存することがその発生要因とされ、従って、洗浄水が飛散して乾燥処理が施された部分に再付着し、あるいはエアの吹き付けにより洗浄水が泡立ち雰囲気（酸素）が洗浄水中に多量に取り込まれると、ウォーターマークが形成され易くなるが、上記装置１によれば、乾燥処理においてこのような状況が生じ難くなり、従って乾燥処理に伴うウォーターマークの形成を有効に防止することができるという利点もある。
【００６３】
なお、基板の表面に洗浄液の液層を形成して洗浄処理を施す方法としては、例えば基板を水平姿勢に支持し、その表面全体に、表面張力を利用して洗浄液の液層を形成して（液盛りをして）処理を行う、いわゆるパドル処理もあるが、このパドル処理の場合には、基板表面に形成される液層の厚みが厚く（液量が多く）、そのため、乾燥処理時にエアを吹き付けると液層に泡立ち（バブリング）が発生し易い。この点、上記装置１（洗浄室１Ｃ）のように、傾斜姿勢の基板Ｓに沿って洗浄液を流下させながら液層を形成する方法によれば、液層の厚みが薄く、エアの吹き付け時に、液層に泡立ち（バブリング）が発生し難くい。従って、この点でも乾燥処理に伴うウォーターマークの形成を有効に防止できるという利点がある。
【００６４】
ところで、以上説明した装置１は、本発明が適用された基板処理装置の一実施形態であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００６５】
例えば、上記装置１の洗浄室１Ｃでは、ノズル部材２１から吐出させた洗浄水をスロープ部材２２に沿って流下させることにより、搬送方向に連続した状態で洗浄水を基板Ｓに供給するように第１供給手段２０が構成されているが、勿論、第１供給手段２０として、搬送方向に延びるスリット状の液吐出口を有するいわゆるスリットノズルを適用することにより、当該スリットノズルから直接基板Ｓに洗浄水を供給する構成としてもよい。要は、搬送方向に連続した状態で洗浄水を基板Ｓの上位側端部に供給できる構成であれば、第１供給手段２０としては種々の構成が採用可能である。なお、上記のように第１供給手段２０をスリットノズルとして設ける場合には、第１供給手段２０と第２供給手段２４とを一体化したＬ字型の構成としてもよい。
【００６６】
また、この装置１の洗浄室１Ｃでは、基板Ｓに対してシャワー状に洗浄水を供給する第３供給手段２６を洗浄室１Ｃに設けているが、例えば第１供給手段２０及び第２供給手段２４からの洗浄水だけで十分な洗浄処理を基板Ｓに施し得る場合には、第３供給手段２６を省略した構成としてもよい。
【００６７】
また、第３供給手段２６によって基板Ｓに液層を形成可能な場合には、第１供給手段２０は、洗浄室１Ｃ内のうち下流側の一部分（角部）にのみ配置するようにしてもよい。
【００６８】
また、第２供給手段２４の傾き角度θ１やエアナイフ３０の傾き角度θ２も実施形態の数値に限定されるものではなく、より良好に液層の形成およびその除去を行えるように、基板Ｓのサイズ等の諸条件に応じて設定すればよい。また、第２供給手段２４の傾き角度θ１とエアナイフ３０の傾き角度θ２は同じであってもよいし異なっていてもよい。
【００６９】
また、この装置１では、エッチング室１Ｂと洗浄室１Ｃとを別個独立に設けているが、例えばオゾン水及びフッ酸を供給するためのノズル部材１１，１２を洗浄室１Ｃ内に設けることにより、具体的には、第１供給手段２０を構成するノズル部材２１の下方側に、前記ノズル部材１１，１２を並べて配置し、各ノズル部材１１，１２，２１から吐出する液種を開閉弁１６ａ等の操作により切換えるように構成してもよい。この構成によれば、エッチング室１Ｂと洗浄室１Ｃとを共通化できるため、装置全体をコンパクト化することが可能となる。なお、この場合、オゾン水及び洗浄水（純水）については、ノズル部材を共通化した上で、開閉弁の操作に応じて吐出させる液種を切り換えるように構成してもよい。
【００７０】
また、より大型の基板Ｓに対しても基板表面に洗浄水の液層を良好に形成できるように、前記洗浄室１Ｃにおいて、第１供給手段２０を上下二段（又は複数段）としてもよい。
【００７１】
なお、上記実施形態では、本発明の適用例として、エッチング（ライトエッチング）処理後の基板Ｓに洗浄及び乾燥処理を行う場合について説明したが、例えばアモルファスシリコン層が成膜された直後の基板表面は強い撥水性を有するため、当該成膜直後の基板に対して洗浄及び乾燥処理を施す装置についても本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明が適用される基板処理装置の概略を示す断面図である。
【図２】エッチング室内の構成を示す図１のII−II線断面図である。
【図３】洗浄室内の構成を平断面略図である。
【図４】洗浄室内の構成を示す断面略図（図５のIV−IV線断面図）である。
【図５】洗浄室内の構成を示す断面略図（図１のV−V線断面図）である。
【図６】洗浄室及び乾燥室における基板の洗浄、乾燥処理の状況を示す平面模式図である（（ａ）は基板の先端が第２供給手段に達した状態、（ｂ）は基板の先端が第２供給手段２４を通過した直後の状態、（ｃ）は基板の後端が第２供給手段の近傍に達した状態をそれぞれ示す）。
【図７】図６（ｂ）に示す基板先端部分の要部（図６（ｂ）中破線で囲んだ部分）拡大図である。
【図８】基板を傾斜姿勢で搬送しながら洗浄水を基板に供給、流下させながら洗浄、乾燥処理を施す場合の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  基板処理装置
１Ａ  ローダ
１Ｂ  エッチング室
１Ｃ  洗浄室
１Ｄ  乾燥室
１Ｅ  アンローダ
２  搬送ローラ
１０  エッチング液供給手段
２０  第１供給手段
２１  ノズル部材
２２  スロープ部材
２４  第２供給手段
２６  第３供給手段
３０  エアナイフ（乾燥手段）
Ｓ  基板
【図１】
2009248069.tif 000003
【図２】
2009248069.tif 000004
【図３】
2009248069.tif 000005
【図４】
2009248069.tif 000006
【図５】
2009248069.tif 000007
【図６】
2009248069.tif 000008
【図７】
2009248069.tif 000009
【図８】
2009248069.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、洗浄室１Ｃ内において第２供給手段２４とその下流側の隔壁（洗浄室１Ｃと乾燥室１Ｄとを仕切る隔壁）との間には遮蔽板２５が設けられている。この遮蔽板２５は、前記第３供給手段２６による洗浄水の吐出に伴い発生したミスト（ミスト状の洗浄水）が第２供給手段２４の下流側に飛散して基板Ｓに付着するのを防止するものであり、当実施形態では、この遮蔽板２５及び隔壁（洗浄室１Ｃと乾燥室１Ｄとを仕切る隔壁）が本発明に係る遮蔽部材に相当する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
なお、エッチング処理が施された基板Ｓの表面は強い撥水性を有しているため、洗浄室１Ｃにおける洗浄処理では、基板Ｓに沿って流下する洗浄水の流れが搬送方向中央部に偏り易く、基板Ｓが第２供給手段２４に到達するまでは、基板Ｓの先端部及び後端部の下位側に洗浄水が流下しない部分（未流下部分という）が形成される（図８（ａ）参照）。しかし、このような未流下部分についても、基板Ｓが第２供給手段２４を通過する際に洗浄水が供給されることとなるため、洗浄処理が施されない部分が生じたままで基板Ｓに乾燥処理が施されることがない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009248069.tif 000011
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2009248069.tif 000012
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2009248069.tif 000013