(57)【要約】【課題】簡単な手段によりダイパッドとモールド樹脂の密着性を上げることができる半導体パッケージおよびその製造方法を得る。【解決手段】ダイパッド１の周りに複数のリード２が配置されている。ダイパッド１上に樹脂ペースト３を介して半導体チップ４がダイボンドされている。複数のリード２と半導体チップ４は、それぞれ複数のワイヤ５により接続されている。モールド樹脂６は、ダイパッド１の下面を露出させつつ、半導体チップ４及び複数のワイヤ５を封止している。モールド樹脂６は、例えばエポキシ樹脂に離型剤が入ったものである。ダイパッド１上において、半導体チップ４がダイボンドされていない領域にも樹脂ペースト３が点状に塗布されて突起７が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、
前記ダイパッドの周りに配置された複数のリードと、
前記ダイパッド上に樹脂ペーストを介してダイボンドされた半導体チップと、
前記複数のリードと前記半導体チップをそれぞれ接続する複数のワイヤと、
前記ダイパッドの下面を露出させつつ、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止するモールド樹脂とを備え、
前記ダイパッド上において、前記半導体チップがダイボンドされていない領域にも前記樹脂ペーストが塗布されて突起が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記突起は、前記半導体チップの外周から０．３ｍｍ以上離れた領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記突起の面積は、前記ダイパッド上の前記半導体チップの外周から０．３ｍｍ以上離れた領域の面積に対して３０％以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
ダイパッド上に樹脂ペーストを介して半導体チップをダイボンドする工程と、
前記ダイパッドの周りに配置された複数のリードと前記半導体チップをそれぞれ複数のワイヤにより接続する工程と、
前記ダイパッドの下面を露出させつつ、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤをモールド樹脂により封止する工程とを備え、
前記ダイパッド上において、前記半導体チップをダイボンドしない領域にも前記樹脂ペーストを塗布して突起を形成することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記突起を、前記半導体チップの外周から０．３ｍｍ以上離れた領域に形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記突起の面積を、前記ダイパッド上の前記半導体チップの外周から０．３ｍｍ以上離れた領域の面積に対して３０％以上にすることを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイパッド露出タイプの半導体パッケージおよびその製造方法に関し、特に簡単な手段によりダイパッドとモールド樹脂の密着性を上げることができる半導体パッケージおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パッケージ下面においてダイパッドがモールド樹脂から露出したダイパッド露出タイプの半導体パッケージが用いられている（例えば、特許文献１参照）。このタイプの半導体パッケージの場合、ダイパッドを介して半導体チップを接地し、半導体チップの放熱を行うことができる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０２６４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半田耐熱試験においてダイパッドとモールド樹脂の間で剥離が生じ、そこを起点にダイパッドとチップの間でも剥離が生じる場合があった。特に、ダイパッド露出タイプの半導体パッケージでは、パッケージ下面においてダイパッドが露出しているため、ダイパット側面とモールド樹脂界面の隙間から水分が浸入しやすくダイパッド上とモールド樹脂の間で剥離が生じやすい。これにより、ダイパッドを介しての半導体チップの接地や放熱が妨げられたり、剥離部分に水分が吸湿されたりして半導体チップの特性が低下するという問題があった。
【０００５】
そこで、ダイパッドとモールド樹脂の密着性を上げる方法として、フレーム表面をシランカップリング処理する方法や、ダイパッドに穴を開ける方法や、ダイパッドを小さくする方法や、モールド前にフレームをプラズマ処理する方法が考えられる。
【０００６】
しかし、シランカップリング処理は、フレームメーカーのコストアップにつながり、半導体メーカーのフレーム選定にも影響を与え、生産性の面でも制約を受ける。また、ダイパッドに穴を開ける方法は、ダイパッド露出タイプのパッケージでは用いることができない。また、ダイパッドを小さくすると、客先でダイパッド露出面を実装基板に半田付けする際の互換性が損なわれる。また、プラズマ処理を行うと工程追加により加工費が上がり、工期が延びる。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、簡単な手段によりダイパッドとモールド樹脂の密着性を上げることができる半導体パッケージおよびその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例に係る半導体パッケージは、ダイパッド上において、半導体チップがダイボンドされていない領域にも樹脂ペーストが塗布されて突起が形成されている。
【発明の効果】
【０００９】
この実施例によれば、簡単な手段によりダイパッドとモールド樹脂の密着性を上げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージを示す平面図であり、図２はその断面図である。この半導体パッケージは、ダイパッド露出タイプの薄型ＱＦＰ（Quad Flat Package）である。
【００１１】
ダイパッド１の周りに複数のリード２が配置されている。ダイパッド１及び複数のリード２の材質は例えば銅である。ダイパッド１上に樹脂ペースト３を介して半導体チップ４がダイボンドされている。樹脂ペースト３は、例えばポリイミドに銀ボールが混在したものである。ダイパッド１の大きさは例えば６．３ｍｍ×７．３ｍｍ、半導体チップ４の大きさは例えば３．１８ｍｍ×５．３ｍｍである。
【００１２】
複数のリード２と半導体チップ４は、それぞれ複数のワイヤ５により接続されている。モールド樹脂６は、ダイパッド１の下面を露出させつつ、半導体チップ４及び複数のワイヤ５を封止している。モールド樹脂６は、例えばエポキシ樹脂に離型剤が入ったものである。そして、本実施の形態では、ダイパッド１上において、半導体チップ４がダイボンドされていない領域にも樹脂ペースト３が点状に塗布されて突起７が形成されている。突起７の高さは例えば５０μｍ程度である。
【００１３】
上記の半導体パッケージの製造方法について説明する。まず、図３に示すように、ダイパッド１の周りに複数のリード２が配置されたリードフレームを用意する。
【００１４】
次に、図４に示すように、ダイパッド１上に樹脂ペースト３を塗布する。この際に、ダイパッド１上において、半導体チップ４をダイボンドしない領域にも樹脂ペースト３を塗布して突起７を形成する。
【００１５】
次に、図５に示すように、ダイパッド１上に樹脂ペースト３を介して半導体チップ４をダイボンドする。ダイボンド後に、樹脂ペースト３を硬化させるためにキュアを行う。
【００１６】
次に、図１，２に示すように、複数のリード２と半導体チップ４をそれぞれ複数のワイヤ５により接続する。そして、ダイパッド１の下面を露出させつつ、半導体チップ及び複数のワイヤをモールド樹脂６により封止する。その後、タイバーカット、リード２のめっき、リード加工などを行う。以上の工程により、本実施の形態に係る半導体パッケージが製造される。
【００１７】
上記のようにダイパッド１上に突起７を形成することで、モールド樹脂６との密着界面の面積が増える。そして、銅からなるダイパッド１とモールド樹脂６の接着力よりもポリイミドとモールド樹脂６の接着力の方が強い。さらに、ダイボンド用の樹脂ペースト３により突起７を形成することで、突起７を形成するための別段の工程を追加する必要がない。よって、簡単な手段によりダイパッドとモールド樹脂の密着性を上げることができる。
【００１８】
なお、半導体チップ４をダイボンドするための樹脂ペースト３が、半導体チップ４の外周から最大で０．２ｍｍ程度はみ出す場合がある。突起７は、このようなはみ出した樹脂ペースト３とは異なり、半導体チップ４の外周から０．３ｍｍ以上離れた領域（図１の斜線部）に形成されている。また、十分な密着性を確保するために、突起７の面積は、ダイパッド１上の半導体チップ４の外周から０．３ｍｍ以上離れた領域の面積に対して３０％以上であることが好ましい。ただし、全面（１００％）塗布は、濡れ性により難しく、突起７の面積の最大値は当該領域の面積に対して８０％程度となる。
【００１９】
実施の形態２．
図６は本発明の実施の形態２に係る半導体パッケージを示す平面図であり、図７はその断面図である。本実施の形態では、ダイパッド１上において、半導体チップ４がダイボンドされていない領域にも樹脂ペースト３が縦方向の線状に塗布されて突起７が形成されている。その他の構成は実施の形態１と同様である。これにより、実施の形態１と同様の効果を得ることができるだけでなく、個々の突起７が大きくなるため突起７の強度を上げることができる。
【００２０】
実施の形態３．
図８は本発明の実施の形態３に係る半導体パッケージを示す平面図であり、図９はその断面図である。本実施の形態では、ダイパッド１上において、半導体チップ４がダイボンドされていない領域にも樹脂ペースト３が横方向の線状に塗布されて突起７が形成されている。その他の構成は実施の形態１と同様である。これにより、実施の形態１と同様の効果を得ることができるだけでなく、個々の突起７が大きくなるため突起７の強度を上げることができる。
【００２１】
実施の形態４．
図１０は本発明の実施の形態４に係る半導体パッケージを示す平面図であり、図１１はその断面図である。本実施の形態では、ダイパッド１上において、半導体チップ４がダイボンドされていない領域にも樹脂ペースト３が平面状に塗布されて突起７が形成されている。その他の構成は実施の形態１と同様である。これにより、実施の形態１と同様の効果を得ることができるだけでなく、個々の突起７が大きくなるため突起７の強度を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの製造方法を説明するための平面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの製造方法を説明するための平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る半導体パッケージの製造方法を説明するための平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る半導体パッケージを示す平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係る半導体パッケージを示す断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  ダイパッド
２  リード
３  樹脂ペースト
４  半導体チップ
５  ワイヤ
６  モールド樹脂
７  突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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