(57)【要約】【課題】レーザーダイシングにより半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができ、かつ、レーザーダイシング後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離することができるダイシング・ダイボンディングテープを提供する。【解決手段】レーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルム３と、ダイボンディングフィルム３の一方面３ａに貼付された非粘着フィルム４とを有し、ダイボンディングフィルム３が、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、非粘着フィルム４は、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であるダイシング・ダイボンディングテープ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハをレーザーダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープであって、
ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、
前記ダイボンディングフィルムが、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、
前記非粘着フィルムは、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項２】
前記樹脂架橋体が、（メタ）アクリル樹脂架橋体、又はオレフィン系樹脂架橋体である、請求項１に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項３】
前記樹脂架橋体が、（メタ）アクリル樹脂架橋体である、請求項２に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項４】
前記（メタ）アクリル樹脂架橋体が、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーを含む、請求項２または３に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項５】
前記（メタ）アクリル酸エステルポリマーが、アクリル酸ブチルとアクリル酸エチルとの内の少なくとも一方を重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーである、請求項４に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項６】
前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率が、１０６〜１０９Ｐａの範囲にある、請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項７】
前記ダイボンディンフィルムが、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項８】
前記エポキシ樹脂の分子量が１０００以下である、請求項７に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項９】
前記ダイボンディングフィルムが、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含む、請求項７または８に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１０】
前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載のダイシング・ダイボンディングテープ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、
ダイシング・ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、
ダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、
ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする、半導体チップの製造方法。
【請求項１２】
前記個々の半導体チップに分割する工程において、レーザー光の照射により、前記非粘着フィルムが切断されることなく、かつ前記非粘着フィルムに切り込みが形成されることなく、前記半導体ウェーハ及び前記ダイボンディングフィルムを切断することを特徴とする、請求項１１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
前記半導体チップを取り出す工程において、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップを取り出すことを特徴とする、請求項１１または１２に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップの製造に用いられるダイシング・ダイボンディングテープに関し、より詳細には、半導体ウェーハが接合され、該半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられるダイシング・ダイボンディグテープ、並びに該ダイシング・ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出すに際しては、半導体ウェーハをダイシングテープに接合した後、半導体ウェーハをレーザーダイシングしていた。
【０００３】
上記ダイシングテープの一例として、下記の特許文献１には、支持シートを含む基材と、該基材の片面に積層された粘着剤層とを備えるダイシングテープが開示されている。この粘着剤層は、レーザー光吸収性付与剤等を含むため、レーザー光の照射により切断され得る。一方、支持シートは、レーザー光の照射により切断されないように構成されている。
【０００４】
また、近年、半導体チップを基板等に実装する作業を容易とするために、ダイシングフィルムにダイボンディングフィルムが積層されているダイシング・ダイボンディングテープが用いられてきている。
【０００５】
上記ダイシング・ダイボンディングテープの一例として、下記の特許文献２には、基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。この基材フィルムは、３５５ｎｍでの全光線透過率が７０％以上、かつ平行光線透過率が３０％以上とされている。そのため、基材フィルムを介してダイボンディングフィルムにレーザー光を照射すると、レーザー光が基材フィルムを透過する。従って、基材フィルムが切断されることなく、ダイボンディングフィルムを切断することができる。
【０００６】
また、下記の特許文献３には、基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての粘着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。ここでは、エッチング速度をエネルギーフルエンスで割った値をエッチング率としたときに、粘着剤層のエッチング率よりも基材フィルムのエッチング率の方が小さくされている。基材フィルムはエッチング率が小さいので、レーザー光の照射により切断され難い。
【０００７】
また、特許文献３には、上記エッチング率が「０」である基材フィルムとして、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、又はエチレン・ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材フィルムが記載されている。
【０００８】
一方、下記の特許文献４には、ポリプロピレン樹脂を含有する樹脂組成物からなる表面を有する基材フィルム上に、ダイボンディングフィルムとしての粘接着剤層が積層されたダイシング・ダイボンディングテープが開示されている。ここでは、ダイボンディングフィルムは、アクリル系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系もしくはポリエステル系などの各種の粘着剤、または放射線硬化性粘着剤からなる粘着剤層を有する。
【特許文献１】特開２００２−３４３７４７号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６３０５号公報
【特許文献３】特開２００５−２５２０９４号公報
【特許文献４】特開２００７−３３５４６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１に記載のダイシングテープは、ダイボンディングフィルムを有していなかった。半導体ウェーハをダイシングテープの粘着剤層に接合し、半導体ウェーハをレーザーダイシングした後に、半導体チップは粘着剤層から剥離されていた。すなわち、粘着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられていなかった。
【００１０】
一方、特許文献２では、予め切り込みが形成された半導体ウェーハをダイシング・ダイボンディングテープのダイボンディングフィルムに接合し、半導体ウェーハを切り込み部分まで研削することにより、半導体ウェーハが切断されていた。そして、半導体ウェーハの切断工程とは別の工程で、ダイボンディングフィルムがレーザーダイシングされていた。従って、特許文献２に記載のダイシング・ダイボンディングテープは、半導体ウェーハをレーザーダイシングするのに用いられていなかった。
【００１１】
また、特許文献３には、レーザー光の照射により切断され難い上記エッチング率が「０」である基材フィルムとして、ポリエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、又はエチレン・ビニルアルコール共重合体（ＥＶＡ）からなる基材フィルムが記載されている。しかしながら、これらの基材フィルムを用いた場合であっても、基材フィルムの種類やその貯蔵弾性率、あるいはレーザー光の出力等によっては、レーザー光の照射により基材フィルムに切り込みが容易に形成されることがあった。切り込みが形成されると、基材フィルムのエキスパンド性が確保できないことがあり、半導体チップを好適にピックアップできない場合があった。さらに、基材フィルムにレーザー光が照射された際に、局所的に加熱されて基材フィルムが溶融することがあり、基材フィルムが溶融することによっても、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度良く切断することができないことがあった。
【００１２】
また、特許文献４に記載のダイシング・ダイボンディングテープでも、基材フィルムの種類やその貯蔵弾性率、あるいはレーザー光の出力等によっては、レーザー光の照射により基材フィルムに切り込みが容易に形成されることがあった。
【００１３】
さらに、特許文献４では、ダイボンディングフィルムは、アクリル系、ゴム系、ポリウレタン系、シリコーン系もしくはポリエステル系などの各種の粘着剤、または放射線硬化性粘着剤からなる粘着剤層を有する。
【００１４】
ダイボンディングフィルムが上記各種の粘着剤からなる粘着剤層を有する場合には、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルムが基材フィルムから容易に剥離しないことがあった。また、ダイボンディングフィルムが放射線硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する場合には、レーザー光の照射によりダイボンディングフィルムが変質したり、溶融したりすることがあった。そのため、ダイボンディングフィルムを精度良く切断することができないことがあった。
【００１５】
近年、半導体装置の小型化・薄型化が進行している。それに伴って、半導体チップを製造するのに、小型かつ薄型の半導体ウェーハが用いられてきている。この場合、特に、高い精度でレーザーダイシングすることが必要であり、従って、高い精度でレーザーダイシングすることが可能なダイシング・ダイボンディングテープが強く求められていた。
【００１６】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、レーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープであって、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができ、かつ、レーザーダイシングした後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと容易に剥離して、取り出すことを可能とするダイシング・ダイボンディングテープ、並びに該ダイシング・ダイボンディングテープを用いた半導体チップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明によれば、半導体ウェーハをレーザーダイシングし、半導体チップを得、半導体チップをダイボンディングするのに用いられるレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープであって、ダイボンディングフィルムと、前記ダイボンディングフィルムの一方の面に貼付された非粘着フィルムとを有し、前記ダイボンディングフィルムが、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含み、前記非粘着フィルムは、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上であることを特徴とする、ダイシング・ダイボンディングテープが提供される。
【００１８】
なお、上記非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面には、例えば、ダイシングフィルムが貼付されて、レーザーダイシングが行われてもよい。あるいは、上記非粘着フィルム自体がダイシングフィルムとして用いられてもよい。上記のように、本発明の「ダイシング・ダイボンディングテープ」とは、レーザーダイシング及びダイボンディングに用いられるテープであり、上記ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとを必須の構成として含み、ダイシングフィルムを別途有していてもよく、有していなくともよい。ダイシング・ダイボンディングテープがダイシングフィルムを有しない場合には、ダイシングに際しダイシングフィルムが別途用意される。該ダイシングフィルムが非粘着フィルムのダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に貼付され、レーザーダイシングが行われる。この場合、ダイシング・ダイボンディングテープはダイシングフィルムを有しないが、ダイシング時においても用いられるものであるため、ダイシング・ダイボンディングテープである。
【００１９】
本発明では、前記樹脂架橋体は、（メタ）アクリル樹脂架橋体、又はオレフィン系樹脂架橋体であることが好ましく、（メタ）アクリル樹脂架橋体であることがより好ましい。この場合、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みがより一層形成され難い。従って、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムをより一層精度良く切断することができる。
【００２０】
また、上記（メタ）アクリル樹脂架橋体は、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーを含む。該（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、アクリル酸ブチルと、アクリル酸エチルとの内の少なくとも一方を重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることがより好ましい。
【００２１】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープのある特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムの熱硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０６〜１０９Ｐａの範囲にある。
【００２２】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープの他の特定の局面では、前記ダイボンディングフィルムは、前記熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、前記熱硬化剤とを含む。前記エポキシ樹脂の分子量は、１０００以下であることが好ましい。
【００２３】
また、前記ダイボンディングフィルムは、前記エポキシ樹脂１００重量部に対して、前記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましい。
【００２４】
本発明のダイシング・ダイボンディングテープのさらに他の特定の局面では、前記非粘着フィルムの前記ダイボンディングフィルムが貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムが貼付されている。
【００２５】
本発明の半導体チップの製造方法は、本発明のレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープと、半導体ウェーハとを用意する工程と、ダイシング・ダイボンディングテープの前記ダイボンディングフィルムの前記非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面に半導体ウェーハを接合する工程と、ダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハを前記ダイボンディングフィルムごとレーザー光の照射により切断し、個々の半導体チップに分割する工程と、ダイシング後に、前記半導体チップが接合された前記ダイボンディングフィルムを前記非粘着フィルムから剥離し、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを取り出す工程とを備えることを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る半導体チップの製造方法のある特定の局面では、前記個々の半導体チップに分割する工程において、レーザー光の照射により、前記非粘着フィルムが切断されることなく、かつ前記非粘着フィルムに切り込みが形成されることなく、前記半導体ウェーハ及び前記ダイボンディングフィルムが切断される。
【００２７】
また、本発明の半導体チップの製造方法では、好ましくは、前記半導体チップを取り出す工程において、前記ダイボンディングフィルムと前記非粘着フィルムとの間の剥離力を変化させることなく、半導体チップが取り出される。
【００２８】
なお、本明細書において剥離力を変化させないとは、例えば、光の照射や加熱によりダイシング・ダイボンディングテープのいずれかの層を硬化させて粘着力を下げることにより剥離力を変化させる工程、または、いずれかの層を収縮させて剥離力を変化させる工程、あるいは、いずれかの層を発泡させて剥離力を変化させる工程等の剥離力を変化させる処理を実施しないことを意味する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係るダイシング・ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルムに非粘着フィルムが貼付されており、該非粘着フィルムが樹脂架橋体を主成分として含み、かつ２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあるので、レーザーダイシングに際し、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みが形成されるのを抑制することができる。従って、レーザー光の照射により半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができる。
【００３０】
さらに、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルムを非粘着フィルムから、容易に剥離することができる。そのため、ダイシング後に、半導体チップをダイボンディングフィルムごと取り出す際に、ダイボンディングフィルムが欠けたり、半導体チップが破損したりするのを抑制することができる。
【００３１】
本発明に係る半導体チップの製造方法では、本発明のダイシング・ダイボンディングテープが接合された半導体ウェーハをダイボンディングフィルムごとレーザーダイシングにより個々の半導体チップに分割するので、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度よく切断することができる。さらに、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルムを、非粘着フィルムから容易に剥離して取り出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３３】
図１（ａ），（ｂ）に、本発明の一実施形態に係るレーザーダイシング用のダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図で示す。
【００３４】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１は、長尺状の離型フィルム２を有する。離型フィルム２の上面２ａに、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５がこの順に積層されている。ダイボンディングフィルム３の離型フィルム２が貼付された表面３ａは、半導体ウェーハが接合される面である。
【００３５】
ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５は、円形の平面形状を有する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有する。なお、ダイボンディングフィルム３の径は、非粘着フィルム４の径と等しくされている。もっとも、両者の径は異なっていてもよい。
【００３６】
ダイシングフィルム５は、基材５ａと、基材５ａの片面に塗布された粘着剤５ｂとを有する。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付された表面４ａとは反対側の表面４ｂに、粘着剤５ｂ側から貼付されている。ダイシングフィルム５は、非粘着フィルム４を介して、ダイボンディングフィルム３に間接的に貼付されている。
【００３７】
ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するので、図１（ｂ）に示すように、ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁を超えるように延ばされている延長部５ｃを有する。該延長部５ｃの一面が、粘着剤５ｂにより離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。すなわち、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側の領域において、ダイシングフィルム５が離型フィルム２の上面２ａに貼付されている。
【００３８】
ダイシングフィルム５がダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４よりも大きな径を有するのは、ダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハを接合する際に、延長部５ｃに位置している粘着剤５ｂにダイシングリングを貼付するためである。
【００３９】
図１（ｂ）に示すように、長尺状の離型フィルム２の長さ方向において、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５からなる複数の積層体が等間隔に配置されている。なお、ダイシングフィルム５の側方の領域において、必ずしも設ける必要はないが、離型フィルム２の上面２ａに保護シート６，７が設けられている。保護シート６，７が設けられている場合には、ダイシング・ダイボンディングテープ１が例えばロール状に巻回されることによってダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５に加わる圧力が、保護シート６，７の存在により軽減される。
【００４０】
なお、離型フィルム２の厚みや形状は特に限定されない。例えば正方形の形状の離型フィルムが用いられてもよい。その場合には、離型フィルム上にダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムからなる１つの積層体のみが配置されていてもよい。また、上記積層体は、該離型フィルムと共に、上述のようにロール状に巻回されていなくてもよい。また、ダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムの厚みや形状も特に限定されない。
【００４１】
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、ダイボンディングフィルム３付き半導体チップを取り出す際に、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離力は、非粘着フィルム４とダイシングフィルム５との剥離力よりも小さくされていることが好ましい。この場合、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から両者の界面で剥離し易くなる。従って、ダイボンディングフィルム３ごと半導体チップを、非粘着フィルム４からより一層容易に剥離して、取り出すことができる。
【００４２】
ダイボンディングフィルム３ごと半導体チップを、非粘着フィルム４から剥離して、取り出す際には、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との剥離強度は、１５Ｎ／ｍ以下が好ましく、７Ｎ／ｍ以下がより好ましく、５Ｎ／ｍ以下がさらに好ましい。剥離強度が大きすぎると、非粘着フィルム４からのダイボンディングフィルム３の剥離が困難となることがある。剥離強度の好ましい下限は、１Ｎ／ｍである。剥離強度が小さすぎると、ダイシングの際に半導体チップが剥離してしまう（チップ飛びという）ことがある。
【００４３】
（非粘着フィルム）
上記非粘着フィルム４は、ダイボンディングフィルム３と非粘着フィルム４との界面で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するために設けられている。
【００４４】
非粘着フィルム４は、非粘着性を有する。なお、本明細書において、「非粘着性フィルム」とは、表面が粘着性を有しないフィルムだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかないフィルムをも含むものとする。具体的には、「非粘着性フィルム」における「非粘着」とは、非粘着フィルムをステンレス板に貼り付けて、非粘着フィルムを３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、剥離力が５ｇ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００４５】
本実施形態の特徴は、非粘着フィルム４が、樹脂架橋体を主成分として含み、さらに非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である。
【００４６】
非粘着フィルム４が樹脂架橋体を主成分として含むことにより、レーザー光が照射された際に、非粘着フィルム４が溶融し難くなり、かつアブレーションが生じ難くなる。そのため、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルム４に切り込みが形成され難くなる。さらに、非粘着フィルム４が樹脂架橋体を主成分として含むことにより、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を高めることができる。
【００４７】
また、非粘着フィルム４の２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあることによっても、室温及び加熱時の両方において適度な硬さを有するため、レーザーダイシングするに際し、非粘着フィルム４に切り込みが形成され難くなり、かつ、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３のダイシングフィルムからの剥離性を高めることができる。
【００４８】
非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率が、１ＭＰａ未満であると、レーザー光の照射により局所的に加熱された場合に非粘着フィルムが柔らかくなりすぎて溶融し、切り込みが形成され易くなり、１０００ＭＰａを超えると、非粘着フィルムが硬すぎて、エキスパンド性が不足し、ピックアップ性に劣ることがある。非粘着フィルム４の２５℃における貯蔵弾性率の好ましい上限は６００ＭＰａ、更に好ましい上限は４００ＭＰａであり、好ましい下限は３ＭＰａである。
【００４９】
非粘着フィルム４の６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、レーザー光の照射により局所的に加熱された場合に非粘着フィルムが柔らかくなりすぎて溶融し、切り込みが形成され易くなったり、切断面においてダイボンディング層と融着して切断面が汚染されたりすることがある。好ましい上限は、５００ＭＰａである。５００ＭＰａを超えると、材料の選択性に劣り、結果、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。
好ましい下限は１．５ＭＰａである。
【００５０】
非粘着フィルム４は、樹脂架橋体を主成分として含む。この場合、非粘着フィルム４は、樹脂架橋体を５０重量％以上含む。非粘着フィルム４に主成分として含まれている上記樹脂架橋体としては、（メタ）アクリル樹脂架橋体、又はポリオレフィン樹脂架橋体等が挙げられる。なかでも、レーザーダイシング後のエキスパンド性を高めることができるので、（メタ）アクリル樹脂架橋体またはポリオレフィン樹脂架橋体が好ましい。
【００５１】
上記樹脂架橋体としては、（メタ）アクリル樹脂架橋体がより好ましい。樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合、表面エネルギーや弾性率を容易に調整することができ、さらにレーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みがより一層形成され難く、従って半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムをより一層精度良く切断することができる。
【００５２】
また、上記樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合には、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。特に、薄型の半導体チップを用いた場合に、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性を大きく高めることができる。さらに、上記樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合、該（メタ）アクリル樹脂架橋体を適宜選択することにより、非粘着フィルム４の極性を低めたり、弾性率を低めたり、破断伸度を容易に制御したりすることができる。
【００５３】
さらに、樹脂架橋体が（メタ）アクリル樹脂架橋体である場合には、樹脂架橋体がポリオレフィン系樹脂架橋体である場合に比べて、非粘着フィルム４とダイボンディングフィルム３との界面の融合を防ぐことができるので、レーザーダイシング後のダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。
【００５４】
なお、本明細書において、「架橋体」とは、３次元的に架橋された状態を意味する。架橋体としては、化学的架橋に加えて、紫外線、電子線、又は加熱等により後架橋処理された架橋体が好ましい。高架橋体が得られるためである。
【００５５】
樹脂架橋体の架橋度としては、以下の方法で測定されるゲル分率が９０％以上であることが好ましい。９０％未満であると、架橋が不充分となり、上述の弾性率挙動が得られなかったり、ピックアップ性が劣ったりする場合がある。より好ましくは、９５％以上である。
【００５６】
上記ゲル分率の測定方法としては、樹脂架橋体を非粘着フィルムと同じ厚みのフィルム状にし、そこから５０ｍｍ×１００ｍｍの平面長方形状の試験片を切り出し、この試験片を酢酸エチル中に２３℃にて２４時間浸漬する。その後、試験片を酢酸エチルから取り出して、１１０℃の条件下で１時間乾燥させる。そして、乾燥後の試験片の重量を測定し、下記式を用いてゲル分率を算出する。
【００５７】
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ２／Ｗ１）
（Ｗ１：浸漬前の試験片の重量、Ｗ２：浸漬、乾燥後の試験片の重量）
また、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、「メタクリル酸又はアクリル酸」を意味する。
【００５８】
非粘着フィルム４を構成する材料としては、特に限定されないが、光硬化性樹脂であってもよく、あるいは熱硬化性樹脂であってもよい。上記光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いた場合、光硬化もしくは熱硬化させることにより、非粘着フィルム４が形成される。形成された非粘着フィルム４においては、これらの樹脂の硬化は既に完了していることが望ましい。樹脂の硬化が完了していない場合には、例えばレーザー光が照射された際に、非粘着フィルム４が溶融し、溶融した非粘着フィルム４がダイシングフィルム３に付着するおそれがある。
【００５９】
また、半導体チップの製造に際しては、好ましくは、レーザーダイシング後に非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離力を変化させずにピックアップが行われる。この場合、光の照射等によって非粘着フィルム４が硬化されないことが望ましく、従って、上記光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いて形成された非粘着フィルム４においては、これらの硬化性樹脂はすでに硬化されていることが望ましい。
【００６０】
非粘着フィルム４を構成する材料としては、樹脂架橋体に加えて、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂またはポリイミド樹脂等の他の合成樹脂を用いてもよい。
【００６１】
上記（メタ）アクリル樹脂架橋体は、例えば架橋剤を用いて、（メタ）アクリル樹脂を架橋させることにより得ることができる。また、上記ポリオレフィン系樹脂架橋体は、例えば光ラジカル重合剤を配合した樹脂組成物に、電子線を照射し、半ば強制的に架橋可能な基を架橋させることにより得ることができる。
【００６２】
上記（メタ）アクリル樹脂架橋体としては、特に限定されないが、（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。非粘着フィルム４の主成分が（メタ）アクリル酸エステルポリマーである場合には、レーザーダイシング後に、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離するに際し、ダイボンディングフィルム３の欠けをより一層生じ難くすることができる。さらに、（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いた場合、貯蔵弾性率と破断伸度とを容易に制御することができる。
【００６３】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーを用いた場合には、極性が充分に低められ、非粘着フィルム４の表面エネルギーを低くすることができ、ダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム４からの剥離性をより一層高めることができる。アルキル基の炭素数が１８を超えると、溶液重合が困難となり、非粘着フィルム４の製造が困難となることがある。アルキル基の炭素数は、より好ましくは６以上であり、それによって極性がより一層低められる。
【００６４】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。この場合、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーのアルキル基の炭素数は２以上がより好ましく、６以上が特に好ましい。
【００６５】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの重量平均分子量は、２０万〜２００万の範囲が好ましい。２０万未満では、塗工成形時に外観欠点を多量に生じることがあり、２００万を超えると、製造時に増粘しすぎてポリマー溶液を取り出すことが出来なくなることがある。
【００６６】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーとしては、ガラス転移温度が比較的低く、かつ柔軟性に優れているので、アクリル酸ブチルとアクリル酸エチルとの内の少なくとも一方を含む成分を架橋させて得られた（メタ）アクリル酸エステルポリマーが好ましい。この場合、非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３に対する密着性を高めることができる。
【００６７】
上記改質用モノマーとしては特に限定はされないが、カルボキシル基を含有するモノマーではないことが好ましい。カルボキシル基を含有するモノマーを使用すると、非粘着フィルム４の極性が高くなり、ピックアップ性に悪影響を及ぼす場合がある。
【００６８】
上記改質用モノマーとして使用し得るモノマーとしては、例えば、二重結合を有するブタジエン、スチレン、イソプレン、またはアクリロニトリルなどが挙げられる。
【００６９】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、特に限定されないが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する一級又は二級のアルキルアルコールと、（メタ）アクリル酸とのエステル化反応により得られた（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが好ましい。
【００７０】
上記（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、具体的には、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、または（メタ）アクリル酸ラウリル等が挙げられる。なかでも、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが特に好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００７１】
上記（メタ）アクリル酸エステルポリマーの酸価は、２以下であることが望ましい。酸価が２以下であると、表面エネルギーを小さくすることができ、剥離性をより一層高めることができる。
【００７２】
上記酸価を２以下に調整する方法としては特に限定はされないが、上記改質用モノマーとして、カルボキシル基を含有するモノマーを使用しない方法、または重合反応過程においてエステルの加水分解が生じないように反応を調整する方法が好ましい。
【００７３】
尚、本明細書において酸価とは、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１ｇ中に含まれる遊離酸を中和するのに要する水酸化カリウムのミリグラム数である。
【００７４】
非粘着フィルム４は、上記主成分としての（メタ）アクリル樹脂架橋体の他に、アクリル基と反応可能な二重結合性基を有し、重量平均分子量が５００〜５００００の範囲にあり、ガラス転移点Ｔｇが２５℃以下であるオリゴマーをさらに含むことが好ましい。このオリゴマーを用いた場合には、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性がより一層高められる。また、非粘着フィルム４の破断伸度を５〜１００％の範囲に容易に設計することができる。上記オリゴマーの重量平均分子量が５００未満であると、オリゴマーの配合による効果が充分に得られないことがあり、５００００を超えると、非粘着フィルム４に対するダイボンディングフィルム３の剥離性が低下することがある。
【００７５】
上記オリゴマーは、特に限定されないが、柔軟性を有する骨格、例えば、ポリエーテル骨格、ポリエステル骨格、ブタジエン骨格、ポリウレタン骨格、シリケート骨格またはジシクロペンタジエン骨格を有することが好ましい。柔軟性を有する骨格とは、上記オリゴマーのＴｇが２５℃以下となる骨格をいうものとする。
【００７６】
また、上記オリゴマーとしては、ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーがより好ましい。上記ポリエーテル骨格またはポリエステル骨格を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレート、またはポリエーテル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、Ｍ−２２５（東亜合成社製）、ＵＮ−７６００（根上工業社製）などが挙げられる。
【００７７】
上記オリゴマーのアクリル基と反応可能な二重結合性基としては特に限定はされず、アクリル基、メタクリル基、ビニル基またはアリル基等が挙げられる。中でも、アクリル基が好ましい。上記オリゴマーは、アクリル基と反応可能な二重結合性基を２以上有することが好ましい。
【００７８】
また、上記アクリル基と反応可能な二重結合性基は、分子の両末端に２個存在してもよく、分子鎖の途中に存在していてもよい。中でも、分子の両末端のみに上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が２個存在することが好ましく、分子の両末端のみにアクリル基が２個存在することがより好ましい。また、分子の両末端及び分子鎖中に上記アクリル基と反応可能な二重結合性基が存在することも好ましい。
【００７９】
上記ポリエーテル骨格としては、例えばポリプロピレンオキシド骨格またはポリエチレンオキシド骨格などが挙げられる。
【００８０】
上記ポリエーテル骨格を有し、かつ分子の両末端のみにアクリル基を有するアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシドジアクリレートまたはポリエステル系ウレタンアクリルオリゴマーが挙げられる。その市販品としては、ＵＡ３４０Ｐ、ＵＡ４２００（以上、いずれも中村化学工業社製）；アロニックスＭ−１６００、アロニックスＭ−２２０（以上、いずれも東亜合成社製）などが挙げられる。
【００８１】
また、上記アクリルオリゴマーとして、３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーが好適に用いられる。ウレタンアクリルオリゴマーが３〜１０官能であると、骨格が適度な柔軟性を有するものとなる。ウレタンアクリルオリゴマーが３官能未満であると、柔軟性が低くなりすぎることがあり、１０官能を超えると、柔軟性が高くなりすぎることがある。
【００８２】
上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーとしては、ポリプロピレンオキシド主鎖のウレタンアクリルオリゴマー等が挙げられる。上記３〜１０官能のウレタンアクリルオリゴマーの市販品としては、Ｕ−２ＰＰＡ、Ｕ−４ＨＡ、Ｕ−６ＨＡ、Ｕ−１５ＨＡ、ＵＡ−３２Ｐ、Ｕ−３２４Ａ  Ｕ−１０８Ａ、Ｕ−２００ＡＸ、ＵＡ−４４００、ＵＡ−２２３５ＰＥ、ＵＡ−１６０ＴＭ、ＵＡ−６１００（以上、いずれも新中村化学工業社製）；ＵＮ−７６００、ＵＮ−７７００、ＵＮ−３３３、ＵＮ−１２５５（以上、いずれも根上工業社製）などが挙げられる。
【００８３】
上記オリゴマーの配合割合は、特に限定されないが、オリゴマーを配合した効果を得るには、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１重量部以上が望ましい。好ましい上限は５０重量部である。上記オリゴマーが多すぎると、原料が溶解せず、非粘着フィルム４の製造が不可能となることがある。
【００８４】
両末端にアクリル基を有するオリゴマーを用いる場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜１００重量部が好ましく、１〜５０重量部がより好ましい。多官能のウレタンアクリルオリゴマーの場合には、該オリゴマーの配合割合は、（メタ）アクリル酸エステルポリマー１００重量部に対して、１〜５０重量部が好ましく、１〜３０重量部がより好ましい。
【００８５】
上記樹脂架橋体を得るのに用いられる架橋剤としては特に限定されず、光重合架橋剤を用いてもよく、熱重合架橋剤を用いてもよい。なかでも、光重合架橋剤が好ましく、それによって、モノマーを含む溶液の塗膜を形成した後、モノマーを室温で重合させることにより、樹脂架橋体を主成分として含む非粘着フィルムを容易に得ることができる。特に、非粘着フィルム４に、該非粘着フィルム４とは別にダイシングフィルム５を積層する場合には、光重合架橋剤を用いることが好ましい。
【００８６】
上記光重合架橋剤としては特に限定されず、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を用いることができる。
【００８７】
上記光ラジカル発生剤の市販品としては、例えば、イルガキュア１８４、イルガキュア２９５９、イルガキュア９０７、イルガキュア８１９、イルガキュア６５１、イルガキュア３６９、又はイルガキュア３７９（以上、いずれもチバ・スペシャリティーケミカルズ社製）；ベンゾインメチルエーテル；ベンゾインエチルエーテル；ベンゾインイソプロピルエーテル；ルシリンＴＰＯ（ＢＡＳＦ  Ｊａｐａｎ社製）等が挙げられる。
【００８８】
上記光カチオン発生剤としては、例えば芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩、又は芳香族スルホニウム塩等のオニウム塩類；鉄−アレン錯体、チタノセン錯体、又はアリールシラノール−アルミニウム錯体等の有機金属錯体類等が挙げられる。
【００８９】
上記熱重合架橋剤としては、例えば、熱ラジカル発生剤等が挙げられる。
【００９０】
上記熱ラジカル発生剤としては、例えばクメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、又はｔ−アミルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート等の有機過酸化物；２，２’−アゾビス（イソブチロニトリル）、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、又はジメチル−２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）等のアゾ化合物等が挙げられる。
【００９１】
非粘着フィルム４は、フィラーをさらに含むことが好ましい。フィラーを含むことにより、ピックアップ性をより一層高めることができる。
【００９２】
上記フィラーの平均粒径は、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍである。平均粒径が大きすぎると、非粘着フィルム４の面内厚みがばらつくことがあり、小さすぎると、ピックアップ性を充分に高めることができないことがある。
【００９３】
上記フィラーとしては、特に限定されないが、シリカまたはアルミナ等が用いられる。フィラーの配合割合は、フィラーを除く非粘着フィルム４を構成する材料の合計１００重量部に対して、０．１〜１５０重量部が好ましい。フィラーの配合割合が多すぎると、非粘着フィルム４がエキスパンド時に破断してしまうことがあり、少なすぎると、ピックアップ性を充分に高めることができないことがある。
【００９４】
非粘着フィルム４の作製方法としては特に限定されないが、非粘着フィルム４を構成する材料を離型フィルム上に塗布し、光の照射及び／又は加熱を行い、離型フィルム上に非粘着フィルム４を形成した後、離型フィルムを剥離する方法が挙げられる。
【００９５】
非粘着フィルム４の厚みは特に限定されないが、３０〜１００μｍが好ましい。厚みが３０μｍ未満であると、充分なエキスパンド性が得られないことがあり、厚みが１００μｍを超えると、均一な厚みとすることが困難なことがある。厚みにばらつきがあると、半導体チップを製造する際にレーザーダイシングを適切に行えないことがある。
【００９６】
非粘着フィルム４のダイボンディングフィルム３が貼付されている表面４ａの表面エネルギーは、４０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。非粘着フィルム４が非粘着性を有し、かつ表面４ａの表面エネルギーが４０Ｎ／ｍ以下であると、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４からより一層容易に剥離することができる。さらに、剥離の際に、ダイボンディングフィルムの一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が非粘着フィルム４に付着し難い。よって、ダイボンディングフィルム３の欠けが生じ難いので、ダイボンディングをより一層確実に行うことができる。
【００９７】
非粘着フィルム４の表面４ａの表面エネルギーは、３０〜３５Ｎ／ｍの範囲がより好ましい。表面エネルギーが高すぎると、ピックアップ時に剥離不良が生じることがあり、低すぎると、ダイシング時の水圧によってチップ飛びが発生することがある。
【００９８】
上記表面エネルギーは、例えば濡れ性試薬を用いて、ＪＩＳ  Ｋ６７９８に準拠して測定することができる。
【００９９】
非粘着フィルム４は、２３℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあることが好ましい。貯蔵弾性率が１ＭＰａ未満であると、エキスパンド性が低下することがあり、１０００ＭＰａを超えると、ピックアップ性が低下することがある。より好ましくは１０〜１０００ＭＰａである。
【０１００】
非粘着フィルム４の破断点での伸度、すなわち破断伸度の好ましい下限は５％、より好ましい下限は１０％である。破断伸度が５％以上であると、エキスパンド性が高められ、半導体チップのピックアップ性がより一層高められる。非粘着フィルム４の破断伸度の好ましい上限は１００％である。破断伸度が１００％を超えると、ピックアップ性が劣ることがある。非粘着フィルム４の破断伸度のより好ましい上限は６０％である。
【０１０１】
（ダイボンディングフィルム）
上記ダイボンディングフィルム３は、レーザーダイシングに際し、半導体ウェーハごと切断される。ダイボンディングフィルム３は、レーザーダイシング後に半導体チップごと取り出され、半導体チップのダイボンディングに用いられる。
【０１０２】
上記ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性化合物と、熱硬化剤とを含む熱硬化性樹脂組成物を用いて形成される。熱硬化前の上記熱硬化性組成物は十分に柔らかく、従って外力により容易に変形する。もっとも、半導体チップを得た後に、ダイボンディングフィルム３に熱や光のエネルギーを与えて硬化させることで、基板等の被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【０１０３】
上記熱硬化性化合物としては、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂、またはポリウレタン樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０１０４】
また、ダイボンディングフィルム３は、熱硬化性化合物としてエポキシ樹脂と、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーと、熱硬化剤とを含むことが好ましい。この場合、ダイボンディングフィルム３を用いて接合された半導体チップと基板との間、あるいは複数の半導体チップ間における接合信頼性をより一層高めることができる。なお、エポキシ樹脂とは、一般的には、１分子中にエポキシ基を２個以上もつ分子量３００〜８０００程度の比較的低分子のポリマー（プレポリマー）、およびそのエポキシ基の開環反応によって生じた熱硬化性樹脂を示す。
【０１０５】
ダイボンディングフィルム３は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーを１０〜１００重量部の割合で含むことが好ましい。上記高分子ポリマーの配合割合は、さらに好ましくは１５〜５０重量部である。上記高分子ポリマーが多すぎると、流動性が不足して、ダイボンディングフィルム３と半導体ウェーハとの密着性が低下することがある。高分子ポリマーが少なすぎると、ダイボンディングフィルム３の成形時に外観不良を引き起こすことがある。
【０１０６】
上記エポキシ樹脂としては特に限定されないが、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂が好ましい。多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂を用いた場合、剛直となり、分子の運動が阻害されるので、硬化物の機械的強度や耐熱性が高められるとともに、耐湿性も高められる。
【０１０７】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ジシクロペンタジエンジオキシド、ジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシ樹脂等のジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂」と記す）、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリジジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等のナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（以下、「ナフタレン型エポキシ樹脂」と記す）、テトラヒドロキシフェニルエタン型エポキシ樹脂、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン、または３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキサンカルボネート等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂やナフタレン型エポキシ樹脂が好適に用いられる。
【０１０８】
これらの多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。また、上記ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及びナフタレン型エポキシ樹脂は、それぞれ単独で用いられてもよいし、両者が併用されてもよい。
【０１０９】
上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は５００であり、好ましい上限は１０００である。重量平均分子量が５００未満であると、硬化後の硬化物の機械的強度、耐熱性及び／又は耐湿性等が十分に向上しないことがあり、重量平均分子量が１０００を超えると、硬化物が剛直になりすぎて、脆くなることがある。
【０１１０】
上記エポキシ基と反応する官能基を有する高分子ポリマーとしては特に限定されないが、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、またはエポキシ基等を有するポリマーが挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子ポリマーが好ましい。エポキシ基を有する高分子ポリマーを用いた場合、硬化物の可撓性が高められる。
【０１１１】
また、多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂と、エポキシ基を有する高分子ポリマーとを用いた場合、硬化物では、上記多環式炭化水素骨格を主鎖に有するエポキシ樹脂により機械的強度、耐熱性、及び耐湿性が高められるとともに、上記エポキシ基を有する高分子ポリマーにより可撓性も高められる。
【０１１２】
上記エポキシ基を有する高分子ポリマーの分子量は、重量平均分子量で１０万〜２００万の範囲のものが用いられる。該エポキシ基を有する高分子ポリマーとしては、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子ポリマーであれば良く、特に限定されないが、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、またはエポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、硬化物の機械的強度や耐熱性を高め得ることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する高分子ポリマーは、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１３】
上記熱硬化剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤、ジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、またはカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。これらの熱硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１４】
上記熱硬化剤のなかでも、常温で液状の加熱硬化型硬化剤や、多官能であり、当量的に添加量が少量で良いジシアンジアミド等の潜在性硬化剤が好適に用いられる。このような硬化剤を用いることにより、硬化前のダイボンディングフィルムの常温での柔軟性が高められ、かつハンドリング性が高められる。
【０１１５】
上記常温で液状の加熱硬化型硬化剤の代表的なものとしては、例えば、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルナジック酸無水物、またはトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の酸無水物系硬化剤が挙げられる。なかでも、疎水化されていることから、メチルナジック酸無水物やトリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸が好適に用いられる。これらの酸無水物系硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１６】
上記熱硬化性樹脂組成物においては、硬化速度や硬化物の物性等を調整するために、上記熱硬化剤とともに、硬化促進剤を併用してもよい。
【０１１７】
上記硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール系硬化促進剤、３級アミン系硬化促進剤等が挙げられる。なかでも、硬化速度や硬化物の物性等の調整をするための反応系の制御をしやすいことから、イミダゾール系硬化促進剤が好ましい。これらの硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１８】
上記イミダゾール系硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾールや、イソシアヌル酸で塩基性を保護した商品名「２ＭＡＯＫ−ＰＷ」（四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール系硬化促進剤は、単独で用いられてもよいし、２種類以上が併用されてもよい。
【０１１９】
酸無水物系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合は、酸無水物系硬化剤の添加量をエポキシ基の当量に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。酸無水物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、水分により、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが４〜５程度まで低くなり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【０１２０】
また、アミン系硬化剤と例えばイミダゾール系硬化促進剤等の硬化促進剤とを併用する場合には、アミン系硬化剤の添加量をエポキシ基に対して理論的に必要な当量以下とすることが好ましい。アミン物系硬化剤の添加量が必要以上に過剰であると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物から水分により塩素イオンが溶出しやすくなるおそれがある。例えば、熱水を用いて、硬化後の硬化物から溶出成分を抽出した際に、抽出水のｐＨが高く塩基性となり、エポキシ樹脂から引き抜かれた塩素イオンが多量に溶出してしまうことがある。
【０１２１】
上記熱硬化性樹脂組成物をフィルム状に成形し、ダイボンディングフィルム３を得る方法としては、特に限定されないが、ダイコーター、リップコーター、コンマコーター、またはグラビアコーター等が用いられる。なかでも、ダイボンディングフィルムの厚み精度が高められ、異物が混入したとしても筋状のむらなどが形成され難いので、グラビアコーターが好ましい。
【０１２２】
ダイボンディングフィルム３の硬化前の２５℃における貯蔵弾性率は、１０６〜１０９Ｐａの範囲が好ましい。ダイボンディングフィルム３の貯蔵弾性率が低すぎると、自己形状保持性能が低下し、ピックアップ時にダイボンディングフィルムの欠けが生じることがあり、大きすぎると、ダイボンディングフィルム３が非粘着フィルム４に充分に密着せず、ダイシング・ダイボンディングテープ１を作製することが出来ないことがある。
【０１２３】
（ダイシングフィルム）
上記ダイシングフィルム５は、ダイシングリングに貼り付けるために用いられている。また、ダイシングフィルム５は、ダイシングが行われた後のエキスパンド性を高めるために、あるいはダイボンディングフィルム３付き半導体チップのピックアップ性を高めるために用いられている。上記ダイシングフィルム５は、基材５ａと、該基材５ａの片面に粘着剤が塗布されて構成された粘着剤５ｂとを有する。ダイシング・ダイボンディングテープ１は、ダイシングフィルム５を備えているが、ダイシングフィルム５は必ずしも備えられていなくてもよい。
【０１２４】
上記基材５ａとしては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またはポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。なかでも、エキスパンド性に優れ、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン系フィルムが好適に用いられる。
【０１２５】
上粘着剤５ｂとしては、特に限定されないが、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプとしてのアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤を用いた場合には、非粘着フィルム４に対する貼着力およびダイシングリングからの剥離性を高めることができ、かつコストを低減することができる。なお、粘着剤５ｂは、例えばダイシングリングを貼付し得るように構成されていることが好ましい。
【０１２６】
上記基材５ａを構成する材料としては、ポリオレフィンまたはポリ塩化ビニル等が特に好ましく、粘着剤５ｂとしては、アクリル系粘着剤またはゴム系粘着剤が好ましい。これらの好ましい材料を用いることにより、半導体チップのピックアップに際し、適度なエキスパンド性が得られる。
【０１２７】
（離型フィルム）
上記離型フィルム２は、半導体ウェーハが貼付されるダイボンディングフィルム３の表面３ａを保護するために用いられている。ダイシング・ダイボンディングテープ１は、離型フィルム２を備えているが、離型フィルム２は必ずしも備えられている必要はない。
【０１２８】
離型フィルム２としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム等のポリオレフィン系フィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、またはポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等の片面をシリコンなどで離型処理したものが挙げられる。なかでも、平滑性、厚み精度などに優れているため、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどの合成樹脂フィルムが好ましい。
【０１２９】
上記離型フィルムは、一層の上記フィルムで構成されていてもよく、上記フィルムが積層されて２層以上の積層フィルムで構成されていてもよい。離型フィルムが、複数のフィルムが積層された積層フィルムである場合、異なる２種以上の上記フィルムが積層されていてもよい。
【０１３０】
図２に、本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。
【０１３１】
図２に示すダイシング・ダイボンディングテープ１１では、上述した離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４がこの順で積層されている。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープ１１は、ダイシングフィルム５が別途設けられていないこと以外はダイシング・ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。このように、ダイシングフィルム５は必ずしも設けられていなくてもよい。ダイシング・ダイボンディングテープ１１では、非粘着フィルム４をダイシングフィルムとして用いてもよい。
【０１３２】
図３に、本発明の別の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを部分切欠正面断面図で示す。
【０１３３】
図３に示すダイシング・ダイボンディングテープ１５は、非粘着フィルムの構成が異なることを除いては、ダイシング・ダイボンディングテープ１と同様に構成されている。ダイシング・ダイボンディングテープ１５では、離型フィルム２、ダイボンディングフィルム３、非粘着フィルム１６及びダイシングフィルム５がこの順で積層されている。
【０１３４】
非粘着フィルム１６は、非粘着性を有する。すなわち、第１の層１７及び第２の層１８は非粘着性を有する。また、非粘着フィルム１６は、樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率が１〜１０００ＭＰａの範囲にあり、かつ６０℃における貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である。
【０１３５】
非粘着フィルム１６のダイボンディングフィルム３が貼付された表面１６ａ、すなわち第１の層１７のダイボンディングフィルムが貼付された表面の表面エネルギーは、４０Ｎ／ｍ以下が好ましい。この場合、ピックアップ時に、ダイボンディングフィルムの一部が欠けてフィルム片が分離し、該フィルム片が非粘着フィルム１６に付着し難い。従って、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム１６から容易に剥離することができる。また、ダイボンディングフィルム３の欠けが生じない場合には、ダイボンディングを確実に行うことができる。
【０１３６】
ダイシング・ダイボンディングテープ１５では、非粘着フィルム１６が２つの層１７，１８が積層された２層構造を有するので、第１，第２の層１７，１８にそれぞれ異なる機能を持たせることができる。例えば、第１の層１７にダイボンディングフィルム３の非粘着フィルム１６からの剥離性を高める機能を持たせ、かつ第２の層１８にエキスパンド機能を持たせることができる。よって、非粘着フィルム１６が２層構造を有することで、ダイシング・ダイボンディングテープとして最適な物性を容易に設計することができる。
【０１３７】
（半導体チップの製造方法）
次に、上述したダイシング・ダイボンディングテープ１を用いた場合の半導体チップの製造方法を図４〜図９を用いて以下説明する。
【０１３８】
先ず上述したダイシング・ダイボンディングテープ１と、図４に平面図で示す半導体ウェーハ２１とを用意する。
【０１３９】
上記半導体ウェーハ２１は、円形の平面形状を有する。半導体ウェーハ２１の表面２１ａには、図示しないが、ストリートによってマトリックス状に区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ２１は、所定の厚みとなるように裏面２１ｂが研磨されている。
【０１４０】
半導体ウェーハ２１の厚みは、好ましくは３０μｍ以上である。半導体ウェーハ２１の厚みが３０μｍよりも薄いと、研削時やハンドリング時に、クラック等が発生し、破損することがある。
【０１４１】
なお、後述するダイシング時に、マトリックス状に区画された各領域ごとに半導体ウェーハ２１が分割される。
【０１４２】
図５に示すように、用意した半導体ウェーハ２１を、裏返しされた状態でステージ２２上に載置する。すなわち、半導体ウェーハ２１の表面２１ａがステージ２２に接するように、半導体ウェーハ２１をステージ２２上に載置する。ステージ２２上には、半導体ウェーハ２１の外周側面２１ｃから一定間隔を隔てられて、円環状のダイシングリング２３が設けられている。ダイシングリング２３の高さは、半導体ウェーハ２１と、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との合計厚みと等しいか、もしくはわずかに低くされている。
【０１４３】
次に、図６に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１のダイボンディングフィルム３の表面３ａに半導体ウェーハ２１を接合する。ダイシングフィルム５は、ダイボンディングフィルム３及び非粘着フィルム４の外周縁よりも外側に至るように延ばされている延長部５ｃを有する。図６に示すように、ダイシング・ダイボンディングテープ１の離型フィルム２を剥離しながら、露出したダイシングフィルム５の延長部５ｃの粘着剤５ｂを、ダイシングリング２３上に貼付する。さらに、露出したダイボンディングフィルム３を、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂに接合する。
【０１４４】
図７に、ダイボンディングフィルム３に半導体ウェーハ２１を接合した状態を正面断面図で示す。半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ全体に、ダイボンディングフィルム３が接合されている。半導体ウェーハ２１に余計な力が加わらないように、ダイシングフィルム５の延長部５ｃは、ダイシングリング２３に支持されている。
【０１４５】
次に、図８に正面断面図で示すように、ステージ２２からダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１を取り出し、裏返しにする。このとき、ダイシングリング２３がダイシングフィルム５に貼付された状態で取り出される。表面２１ａが上方になるように、取り出された半導体ウェーハ２１を別のステージ２４上に載置する。
【０１４６】
次に、ダイボンディングフィルム３が接合された半導体ウェーハ２１をレーザーダイシングし、個々の半導体チップに分割する。図８に矢印Ｘを付して示す方向すなわち半導体ウェーハ２１側から、レーザー光を照射することにより、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３がレーザーダイシングされる。
【０１４７】
図９に示すように、レーザーダイシング後には、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３は完全に切断されており、半導体ウェーハ２１及びダイボンディングフィルム３に切断面３１が形成される。また、レーザー光の照射により、非粘着フィルム４は切断されておらず、かつ非粘着フィルム４には切り込みが形成されていない。
【０１４８】
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、非粘着フィルム４が樹脂架橋体を主成分として含み、２５℃における貯蔵弾性率及び６０℃における貯蔵弾性率が上記特定の範囲にあるため、レーザーダイシングに際し、レーザー光の照射により非粘着フィルムに切り込みが形成され難く、半導体ウェーハとダイボンディングフィルムとを精度良く切断することができる。また、ダイシング・ダイボンディングテープ１では、非粘着フィルム４が、光の照射により粘着力が低減されるものではなく、かつ樹脂架橋体を主成分として含むため、レーザー光が照射されても溶着が生じ難い。
【０１４９】
半導体ウェーハ２１をダイシングし、個々の半導体チップに分割した後、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。ダイシング・ダイボンディングテープ１はダイシングフィルム５を有するため、エキスパンド性に優れ、非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を容易に引き延ばすことができる。
【０１５０】
非粘着フィルム４及びダイシングフィルム５を引き伸ばした後に、半導体チップが接合された状態で、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離して取り出すことにより、半導体チップを得ることができる。ダイシング・ダイボンディングテープ１を用いた場合には、ダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から、容易に剥離することができる。そのため、半導体チップをダイボンディングフィルム３ごと取り出す際に、半導体チップが破損するのを抑制することができる。また、ダイボンディングフィルム３の一部が欠けてフィルム片として分離し、該フィルム片が非粘着フィルム４に付着するのを抑制することができる。よって、得られた半導体チップには、欠けのないダイボンディングフィルムが接合されているので、ダイボンディンをより一層確実に行うことができる。
【０１５１】
なお、半導体チップが接合されたダイボンディングフィルム３を非粘着フィルム４から剥離する方法としては、半導体ウェーハ２１の裏面２１ｂ側から、多数のピンを用いて突き上げる方法や多段ピンを用いて突き上げる方法、半導体ウェーハ２１の表面２１ａ側から真空ピールする方法、または超音波振動を利用する方法等が挙げられる。
【０１５２】
半導体チップの破損をより一層防止することができるので、半導体ウェーハ２１とダイボンディングフィルム３との接合面に対して略直交する方向に作用する力を付与することにより、ダイボンディングフィルム３が接合された状態で半導体チップを非粘着フィルム４から剥離することが好ましい。
【０１５３】
ダイシング・ダイボンディングテープ１では、ダイボンディングフィルム３と、非粘着フィルム４との剥離性が高められている。従って、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくても、ダイボンディングフィルムごと半導体チップを容易に取り出すことができる。すなわち、ダイシング・ダイボンディングテープ１では、例えば光の照射等により剥離力が低下するように非粘着フィルムを構成する必要はない。非粘着フィルムは、光照射等により剥離力が低下するものではないことが好ましい。非粘着フィルムが光照射等により剥離力が低下するものでない場合には、光照射等により剥離力を低下させる作業を行わなくてもよく、半導体チップの製造効率が高められる。なお、光の照射とは、自然光下に晒される場合を含まず、紫外線などを意図的に照射することをいう。
【０１５４】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【０１５５】
ダイシング・ダイボンディングテープの作製に際し、以下のダイボンディングフィルム、非粘着フィルム及びダイシングフィルムを用意した。
【０１５６】
（１）ダイボンディングフィルムの形成
（ダイボンディングフィルムＡ）
Ｇ−２０５０Ｍ（日本油脂社製、エポキシ基含有アクリル系高分子ポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＥＸＡ−７２００ＨＨ（大日本インキ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）８０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（大日本インキ社製、ナフタレン型エポキシ樹脂）５重量部と、ＹＨ−３０９（ジャパンエポキシレジン社製、酸無水物系硬化剤）３５重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール）８重量部と、Ｓ３２０（チッソ社製、アミノシラン）２重量部とを配合し、配合物を得た。この配合物を溶剤としてのメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。これを離型フィルムに塗布し、１１０℃で３分間オーブン中で加熱乾燥し、離型フィルム上に厚み４０μｍのダイボンディングフィルムＡを形成した。
【０１５７】
（ダイボンディングフィルムＢ）
日立化成工業社製ＤＦ４０２
（２）非粘着フィルムの形成
先ず、以下のアクリルポリマーを合成した。
【０１５８】
（ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー１）を得た。ポリマー１は、重量平均分子量が７０万であり、酸価が０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１５９】
（ポリマー２）
２−エチルヘキシルアクリレート９４重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、アクリル酸１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を３．５重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー２）を得た。ポリマー２は、重量平均分子量が７６万であり、酸価が６．７３（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１６０】
（ポリマー３）
２−エチルヘキシルアクリレート９９重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を０．９重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー３）を得た。ポリマー３は、重量平均分子量が７３万であり、酸価が０．３４（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１６１】
（ポリマー４）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させ、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、カレンズＭＯＩ）を７重量部反応させて、（メタ）アクリル樹脂架橋体であるアクリル共重合体（ポリマー４）を得た。ポリマー４は、重量平均分子量が９２万であり、酸価が１．００（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【０１６２】
（非粘着フィルムＬ１〜Ｌ６）
得られたポリマー１〜４のいずれか１つのポリマーと、Ｕ−３２４Ａ（新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー）と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製）と、フィラーとしてのＳＥ４０５０（アドマテックス社製、シリカフィラー）とを下記表１に示す割合で配合し、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射した。このようにして架橋された非粘着フィルムＬ１〜Ｌ６を得た。
【０１６３】
（３）ダイシングフィルム
（ダイシングフィルムＤＣ１）
ＰＥテープ＃６３１８−Ｂ：積水化学社製、ポリエチレン基材の片面にゴム系粘着剤からなる粘着剤層が形成されたＰＥテープ、基材の厚み６０μｍ、粘着剤層の厚み１０μｍ
【０１６４】
（実施例１）
離型フィルム上のダイボンディングフィルムＡの表面に、非粘着フィルムＬ１を６０℃でラミネートした。次に、非粘着フィルムＬ１のダイボンディングフィルムＡに貼付された面とは反対側の面に、ダイシングフィルムＤＣ１を粘着剤側から貼り付けた。このようにして、離型フィルム／ダイボンディングフィルム／非粘着フィルム／ダイシングフィルムがこの順で積層されたダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１６５】
（実施例２〜５、及び比較例１）
非粘着フィルムを、下記の表１に示すフィルムにそれぞれ代えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンディングテープを作製した。なお、貼り付けに際して、ダイシングフィルムが粘着剤層を有する場合には、ダイシングフィルムは粘着剤側から、非粘着フィルムに貼り付けた。
【０１６６】
（実施例６）
ダイボンディングフィルムＡを、ダイボンディングフィルムＢに代えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンディングテープを作製した。
【０１６７】
（ダイシング・ダイボンディングテープの評価）
（１）ダイボンディングフィルムの硬化前の２５℃における貯蔵弾性率
加熱により硬化される前のダイボンディングフィルムを、厚さ０．５ｍｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍの大きさに切り出し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルについて、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で２５℃における貯蔵弾性率を測定した。
【０１６８】
（２）ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの剥離強度
ダイボンディングフィルムの一方の面に、非粘着フィルムを６０℃でラミネートした。次に、ダイボンディングフィルムの非粘着フィルムが貼付された面とは反対側の面にステンレス板を貼り付けて、ダイボンディングフィルムとステンレス板とを接着し、評価サンプルを得た。その後、非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの界面で剥離が生じるように評価サンプルを固定した状態で、３００ｍｍ／分の剥離速度で、ダイボンディングフィルムと非粘着フィルムとの界面に対して１８０度方向に、非粘着フィルムをダイボンディングフィルムから剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所製ＡＧＳ−１００Ｄを用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を剥離強度とした。
【０１６９】
（３）非粘着フィルムの２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率
非粘着フィルムを厚さ０．５ｍｍ、幅５ｍｍ及び長さ３ｃｍの大きさに切り出し、評価サンプルを得た。得られた評価サンプルについて、アイティ計測社製ＤＶＡ−２００を用いて、１０Ｈｚ及び歪み０．１％の条件で、２５℃及び６０℃における貯蔵弾性率を測定した。
【０１７０】
（４）樹脂架橋体のゲル分率
得られたポリマー１〜４と、光ラジカル発生剤としてのイルガキュア６５１（チバガイギ社製）とを下記表１に示す割合で配合し、その他の配合物は配合せず、酢酸エチルに溶解し、溶液を得た。この溶液を、離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムの上にアプリケーターを用いて塗工した。さらに１１０℃のオーブン中で３分間加熱乾燥し、厚み５０μｍのフィルムを形成した。このフィルムに、高圧水銀灯下で、３６５ｎｍの紫外線を１０００ｍＪで照射し、ポリマーを架橋させた。
【０１７１】
フィルムを離型ＰＥＴから剥離し、得られたフィルムを用いて、上述の方法によりゲル分率を求めた。結果を表１に示す。
【０１７２】
（５）非粘着フィルムの破断伸度
非粘着フィルム（厚さ０．５ｍｍ×幅５ｍｍ×長さ７ｃｍ）を、引張試験機ＡＧ−ＩＳ（島図製作所製）を用いて、３００ｍｍ／分の条件で引っ張り、破断に至った際の伸度を破断伸度とした。
【０１７３】
（６）非粘着フィルムの表面エネルギー
濡れ性試薬（ナカライテスク社製）を用いて、非粘着フィルムのダイボンディングフィルムに貼付される面の表面エネルギーを、ＪＩＳ  Ｋ６７９８に準拠して測定した。
【０１７４】
（７）レーザーダイシング性評価
ダイシング・ダイボンディングテープの離型フィルムを剥離し、露出したダイボンディングフィルムを、直径８ｉｎｃｈ、厚み８０μｍのシリコンウェーハの一方の面に６０℃の温度でラミネートし、評価サンプルを作製した。
【０１７５】
レーザーダイシング装置（ディスコ社製、品番ＤＦＬ７１６０）を用いて、周波数５０ｋＨｚ、出力０．５Ｗ、焦点径６μｍ及び送り速度１００ｍｍ／秒の各条件で、波長３５５ｎｍのレーザー光をシリコンウェーハの上方から照射し、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにレーザーダイシングした。
【０１７６】
レーザーダイシング後に、ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２（キャノンマシーナリー社製）を用いて、コレットサイズ８ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、及びエキスパンド４ｍｍの各条件で、分割された半導体チップの連続ピックアップを行った。
【０１７７】
上記のようにして、レーザーダイシング性、及びレーザーダイシング後のピックアップの可否を評価した。さらに、ピックアップ後に、ピックアップされた５個の半導体チップについて４辺ずつ、計２０辺においてダイボンディングフィルムの一部が欠けているか否かを観察した。辺に沿った長さが５０μｍより大きい欠けが存在しない辺の数を数えた。
【０１７８】
なお、レーザーダイシング性は、下記の評価基準で評価した。
【０１７９】
〔レーザーダイシング性の評価基準〕
○：非粘着フィルムに切り込みが形成されておらず、切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムとの間の融着が見られず、半導体ウェーハ及びダイボンディングフィルムを精度良く切断することができた。
【０１８０】
△：非粘着フィルムにごく浅いが切り込みが形成されているか、又は切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムの界面に若干融着が見られた。
【０１８１】
×：非粘着フィルムに切り込みが形成されおり、かつ、切断面において非粘着フィルムとダイボンディングフィルムの界面に融着が見られ、平面視した際に切断線がきれいな直線ではなかった。
【０１８２】
結果を下記表１に示す。
【０１８３】
【表１】
2009239190.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０１８４】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図及び部分切欠平面図である。
【図２】図２は、本発明の他の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。
【図３】図３は、本発明の別の実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを示す部分切欠正面断面図である。
【図４】図４は、半導体チップの製造に用いられる半導体ウェーハを示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、半導体ウェーハがステージ上に載置された状態を示す正面断面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合するときの状態を示す正面断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムに半導体ウェーハを接合した状態を示す正面断面図である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体チップを製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルム付き半導体ウェーハが裏返されて別のステージ上に載置された状態を示す正面断面図である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンディングテープを用いて半導体装置を製造する方法を説明するための図であり、ダイボンディングフィルムが接合された半導体ウェーハをレーザーダイシングし、個々の半導体チップに分割した状態を示す部分切欠正面断面図である。
【符号の説明】
【０１８５】
１…ダイシング・ダイボンディングテープ
２…離型フィルム
２ａ…上面
３…ダイボンディングフィルム
３ａ…表面
４…非粘着フィルム
４ａ，４ｂ…表面
５…ダイシングフィルム
５ａ…基材
５ｂ…粘着剤
５ｃ…延長部
６，７…保護シート
１１…ダイシング・ダイボンディングテープ
１５…ダイシング・ダイボンディングテープ
１６…非粘着フィルム
１６ａ，１６ｂ…表面
１７…第１の層
１８…第２の層
２１…半導体ウェーハ
２１ａ…表面
２１ｂ…裏面
２１ｃ…外周側面
２２…ステージ
２３…ダイシングリング
２４…ステージ
３１…切断面
【図１】
2009239190.tif 000004
【図２】
2009239190.tif 000005
【図３】
2009239190.tif 000006
【図４】
2009239190.tif 000007
【図５】
2009239190.tif 000008
【図６】
2009239190.tif 000009
【図７】
2009239190.tif 000010
【図８】
2009239190.tif 000011
【図９】
2009239190.tif 000012