(57)【要約】【課題】パッケージへ封入される負荷容量の容量値や圧電部の周波数特性の精度が優れた圧電共振子の製造方法を提供する。【解決手段】圧電共振子の製造方法は、配置接合プロセスＳ８の前工程に、基体側ウェハ測定プロセスＳ３と負荷容量値演算プロセスＳ４と蓋体側ウェハ測定プロセスＳ５とエッチングプロセスＳ７とを含む。配置接合プロセスＳ８は、基体部と蓋体部とを接合する。基体側ウェハ測定プロセスＳ３は、圧電部の共振周波数ｆｒを測定する。負荷容量値演算プロセスＳ４は、圧電共振子の発振周波数ｆＯＳＣ．を設定するための負荷容量ＣＬの目標設定値を、圧電部の共振周波数ｆｒに基づいて取得する。蓋体側ウェハ測定プロセスＳ５とエッチングプロセスＳ７とは、負荷容量ＣＬの容量値を目標設定値に調整する。【選択図】図６
2009100328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電部と、前記圧電部に導通する第一の負荷容量用電極と、前記第一の負荷容量用電極に対向して負荷容量を構成する第二の負荷容量用電極と、を内部空間に封入して基体と蓋体とを接合する接合工程を含む圧電共振子の製造方法であって、
前記圧電部の固有特性を測定する測定工程と、
前記測定工程で測定された前記固有特性に基づいて、前記負荷容量の目標設定値を取得する目標設定値取得工程と、
前記目標設定値取得工程で取得した前記目標設定値に、前記負荷容量の実際の容量値を調整する容量値調整工程と、
を前記接合工程の前工程に含む圧電共振子の製造方法。
【請求項２】
前記容量値調整工程は、前記負荷容量の実際の容量値の測定および調整を繰り返す請求項１に記載の圧電共振子の製造方法。
【請求項３】
前記容量値調整工程は、電極の部分削除により第一・第二の負荷容量用電極の電極対向面積を調整する請求項１または２に記載の圧電共振子の製造方法。
【請求項４】
前記圧電部と前記負荷容量とは並列に接続されていて、
前記目標設定値取得工程は、以下の関係式に基づいて、前記目標設定値を算出する請求項１〜３のいずれかに記載の圧電共振子の製造方法。
【数１】
2009100328.tif 000006
ただし、式中の符号ｆＯＳＣ．は前記圧電共振子の発振周波数であり、式中の符号ｆｒは前記固有特性のうちの共振周波数であり、式中の符号Ｃ０は前記固有特性のうちの等価回路上の並列容量値であり、式中の符号Ｃ１は前記固有特性のうちの等価回路上の直列容量値であり、式中の符号ＣＬは前記目的容量値である。
【請求項５】
前記測定工程と、前記目標設定値取得工程と、前記容量値調整工程と、前記接合工程とが実施されたウェハ状態の基体及び蓋体を、分割して個別の前記圧電共振子とする分割工程を含む請求項１〜４のいずれかに記載の厚電共振子の製造方法。
【請求項６】
圧電部と、
前記圧電部に電気的に接続される第一の負荷容量用電極と、
前記第一の負荷容量用電極に対向して負荷容量を構成する第二の負荷容量用電極と、
を備え、
前記第一・第二の負荷容量用電極の少なくとも一方は、電極が部分削除されていて、
内部空間に前記圧電部と前記第一・第二の負荷容量用電極とが封入された状態で、基体と蓋体とが接合されている圧電共振子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電部をパッケージ内に封入した圧電共振子の製造方法および、圧電共振子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、温度補償や複数周波数の出力のために、コンデンサと圧電部とを単一のパッケージ内に封入した圧電共振子が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図１は、従来の圧電共振子の断面図である。
圧電共振子１０は、パッケージ部１２Ａと蓋部１２Ｂとを備える。パッケージ部１２Ａは、パッケージ体１１と圧電部である圧電セラミック素子１３と接続用電極膜１７，１８，１９とを備える。圧電セラミック素子１３は上面側電極膜１３Ｃを備える。蓋部１２Ｂは蓋板１６とコンデンサ用電極膜１６Ｃとを備える。パッケージ体１１と蓋板１６とがパッケージを構成する。パッケージ体１１に蓋板１６を装着することで、電極膜１６Ｃは上面側電極膜１３Ｃに対向し、コンデンサを構成する。圧電セラミック素子１３は接続用電極膜１７−１８間に接続され、コンデンサは接続用電極膜１８−１９間に接続される。このように、コンデンサと圧電部とがパッケージ内に封入される。
【特許文献１】特開平０７−２７３５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この圧電共振子では、コンデンサの容量値は設計時に設定される。そのため、パッケージ体への蓋板の装着時に装着誤差などが生じた場合に、コンデンサの容量値が設計値からずれることがあった。しかしながら、パッケージ体に蓋板を装着することでコンデンサの容量値が確定する構成であるため、コンデンサの容量値を予め校正することができなかった。
【０００５】
また、圧電部の周波数特性も設計時に設定されるが、製造誤差により所望の周波数特性を得られないことがあった。圧電部の電極のエッチングや電極付与により、この周波数特性は校正できるが、その場合、特性劣化が伴うという問題があった。
【０００６】
そこで本発明は、パッケージへ封入されるコンデンサの容量値の精度に優れ、また、周波数特性の精度が高く劣化のない圧電共振子の製造方法、および圧電共振子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の圧電共振子の製造方法は、接合工程の前工程に、測定工程と目標設定値取得工程と容量値調整工程とを含む。接合工程は、圧電部と第一の負荷容量用電極と第二の負荷容量用電極とを内部空間に封入して基体と蓋体とを接合する。第一の負荷容量用電極は、圧電部に導通する。第二の負荷容量用電極は、第一の負荷容量用電極に対向して負荷容量を構成する。測定工程は、圧電部の固有特性を測定する。目標設定値取得工程は、測定工程により測定された固有特性に基づいて、負荷容量の目標設定値を取得する。容量値調整工程は、目標設定値取得工程で取得した目標設定値に、負荷容量の実際の容量値を調整する。
【０００８】
このように、予め負荷容量の容量値を最適化した負荷容量を圧電部に接続することにより、圧電共振子の周波数特性の精度を高めることができる。即ち、コンデンサを周波数特性の校正に用いることができる。圧電部と第一・第二の負荷容量用電極とをそれぞれ設けるので、接合工程の前工程で、負荷容量の測定や調整が可能になる。
【０００９】
容量値調整工程では、負荷容量の実際の容量値の測定および調整を繰り返すことができ、圧電共振子の周波数特性の精度がさらに高まる。
【００１０】
容量値調整工程では、電極の部分削除により第一・第二の負荷容量用電極の電極対向面積を調整できる。
【００１１】
圧電部と負荷容量とが並列に接続されていれば、目標設定値取得工程にて、以下の関係式に基づいて、目標設定値を算出すると好適である。
【００１２】
【数１】
2009100328.tif 000003
【００１３】
ただし、式中の符号ｆＯＳＣ．は圧電共振子の発振周波数であり、式中の符号ｆｒは圧電部の固有特性のうちの共振周波数であり、式中の符号Ｃ０は圧電部の固有特性のうちの等価回路上の並列容量値であり、式中の符号Ｃ１は圧電部の固有特性のうちの等価回路上の直列容量値であり、式中の符号ＣＬは目的容量値である。
【００１４】
測定工程と目標設定値取得工程と容量値調整工程と接合工程とが実施されたウェハ状態の基体及び蓋体を、分割して個別の圧電共振子とする分割工程を含んでもよい。
【００１５】
以上のような製造方法により、内部空間に圧電部と第一・第二の負荷容量用電極とが封入された状態で基体と蓋体とが接合され、第一・第二の負荷容量用電極の少なくとも一方の電極が部分削除されて、周波数特性が校正された圧電共振子を製造できる。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、接合工程の前工程で容量値調整工程を行い、予め負荷容量の容量値を最適化することができる。そのため、パッケージへ封入される負荷容量の容量値や周波数特性を校正し、それらの精度が優れた圧電共振子を製造および提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
まず、本発明の実施により製造される圧電共振子の形態を説明する。
【００１８】
図２はこの圧電共振子の構成を説明する図である。同図（Ａ）は圧電共振子の平面図であり、同図（Ｂ）は圧電共振子の断面図であり、同図（Ｃ）はコンデンサの構造を説明する図であり、同図（Ｄ）は圧電部の構造を説明する図である。
【００１９】
圧電共振子１００は、基体部１０１と蓋体部１０２とを備える。基体部１０１は本発明の基体に相当し、蓋体部１０２は本発明の蓋体に相当する。基体部１０１は、基体側基板６０と圧電部５０と基体側封止部材８１と基体側導電部材９１とを備える。蓋体部１０２は蓋体側基板７０とコンデンサ５６Ａ，５６Ｂと蓋体側封止部材８２と蓋体側導電部材９２と外部接続端子７１Ａ，７１Ｂと接地端子７３とを備える。基体側封止部材８１と蓋体側封止部材８２とは封止部８０を構成する。基体側導電部材９１と蓋体側導電部材９２とは導電部９０Ａ，９０Ｂを構成する。基体側封止部材８１と蓋体側封止部材８２とは熱接着され、基体部１０１と蓋体部１０２との間に内部空間を構成する。この内部空間に、圧電部５０とコンデンサ５６Ａ，５６Ｂと導電部９０Ａ，９０Ｂとが封入される。基体側導電部材９１と蓋体側導電部材９２とは接触していて、圧電部５０およびコンデンサ５６Ａ，５６Ｂの電極と外部接続端子７１Ａ，７１Ｂとを導通させる。
【００２０】
ここでは、基体側基板６０と蓋体側基板７０とはそれぞれガラス基板である。なお、基板６０，７０は素子との間で絶縁されることが望ましく、他の材料からなる基板にＳｉＯ２層を形成したり、絶縁性の高い他の材料の絶縁基板や半導体基板、例えば、水晶基板、ＬｉＴａＯ３、ＬｉＮｂＯ３などのセラミック基板を採用することもできる。
【００２１】
封止部８０および導電部９０Ａ，９０Ｂは、ＣｕやＳｎ等の金属材料からなる。好ましくは、蓋体側と基体側との接触部分でＣｕとＳｎとが接触する積層構造とし、ＣｕとＳｎとを合金化して接着させるとよい。封止部８０および導電部９０Ａ，９０Ｂは、蓋体側基板７０に形成したコンタクトホールを介して外部接続端子７１Ａ，７１Ｂや接地端子７３に導通する。封止部８０は、基体側基板６０と蓋体側基板７０との外周から所定間隔へだてた内側に外周に沿って設けられ、内部空間を囲む。なお、封止部８０および導電部９０Ａ，９０Ｂは他の金属材料を主材としてもよく、樹脂材料などの主材に導電部を形成して構成しても良い。
【００２２】
コンデンサ５６Ａ，５６Ｂは、導電部９０Ａ，９０Ｂの間に直列に接続されている。また、圧電部５０も、導電部９０Ａ，９０Ｂの間に接続されている。したがって、コンデンサ５６Ａ，５６Ｂと、圧電部５０とは並列に接続されている。
【００２３】
コンデンサ５６Ａ，５６Ｂは、コンデンサ蓋体側電極５７Ａ，５７Ｂとコンデンサ誘電体膜５８とコンデンサ基体側電極５９とを備える。コンデンサ蓋体側電極５７Ａとコンデンサ誘電体膜５８とコンデンサ基体側電極５９とが積層されてコンデンサ５６Ａを構成し、コンデンサ蓋体側電極５７Ｂとコンデンサ誘電体膜５８とコンデンサ基体側電極５９とが積層されてコンデンサ５６Ｂを構成する。コンデンサ蓋体側電極５７Ａ，５７Ｂが、それぞれ第一の負荷容量用電極に相当し、コンデンサ基体側電極５９が第二の負荷容量用電極に相当する。
【００２４】
圧電部５０は、両端間でアーチ状に構成されていて、基体側基板６０との間、および蓋体側基板７０との間に空隙を介して中央部が保持される。また圧電部５０は積層構造を有し、基体側から蓋体側にかけて順に下部温度特性補償膜５１、下部電極膜５２、圧電薄膜５３、上部電極膜５４、および上部温度特性補償膜５５を備えている。下部温度特性補償膜５１および上部温度特性補償膜５５は、ＳｉＯ２を主成分とし、圧電部５０の絶縁と温度特性補償とを担う。下部電極膜５２および上部電極膜５４は、Ｐｔを主成分とする。圧電薄膜層５３は、ＡｌＮを主成分とする。
【００２５】
図３は、圧電部５０の振動モードを説明する図である。
外部接続端子７１Ａ，７１Ｂに、輪郭振動モードの共振周波数の交番電圧が入力されることで、圧電部５０は、輪郭振動モードを主モードとして振動する。輪郭振動モードの共振周波数は、圧電部５０の奥行き寸法と長さ寸法とに応じたものであり、この共振周波数で輪郭振動の振幅は最大になる。
【００２６】
図４（Ａ）は、圧電共振子１００の回路図である。同図（Ｂ）は、圧電共振子１００の等価回路図である
圧電部５０とコンデンサ５６Ａ，５６Ｂとは、外部接続端子７１Ａ，７１Ｂ間に並列に接続される。圧電部５０は、等価直列インダクタンスＬ１と等価直列抵抗Ｒ１と等価直列容量Ｃ１と等価並列容量Ｃ０とから構成される。また、コンデンサ５６Ａ，５６Ｂは、圧電部５０に並列接続された負荷容量ＣＬを構成している。このように、負荷容量ＣＬを圧電部５０に並列接続することで、圧電共振子１００の周波数特性、特に発振周波数は、圧電部５０の周波数特性から変化する。
【００２７】
具体的には、圧電共振子１００の発振周波数ｆＯＳＣ．は、圧電部５０の共振周波数ｆｒと、等価並列容量Ｃ０と、等価直列容量Ｃ１と、負荷容量ＣＬとにより次式のように定まる。
【００２８】
【数１】
2009100328.tif 000004
【００２９】
したがって、コンデンサ５６Ａ，５６Ｂを周波数特性の校正に用いることができる。なお、コンデンサ５６Ａ，５６Ｂに温度補償の機能を持たせても良く、複数周波数の出力のための別の外部接続端子を圧電共振子１００に設けても良い。
【００３０】
以上の構成の圧電共振子１００が、本発明の実施により製造される。
【００３１】
次に圧電共振子１００の製造方法を図５〜１０に基づいて説明する。
図５は、基体側基板と蓋体側基板それぞれの分割前のウェハ状態を説明する図である。
【００３２】
以下に説明する例では、基体側ウェハ１１１と蓋体側ウェハ１１２とに圧電共振子の構成部材を形成した後に、ウェハを分割して個別の圧電共振子１００を構成している。なお、予めウェハを分割して基体側基板６０と蓋体側基板７０とを形成してから、圧電共振子の構成部材を形成してもよい。
【００３３】
図６は、圧電共振子１００の製造工程のフローを示す図である。
ステップＳ１では、基体側ウェハ形成プロセスが実施され、複数の基体部１０１が基体側ウェハ１１１上に形成される。
【００３４】
図７は同プロセスでの基体部１０１の断面図である。ここでは、単一の基体部１０１のみを表示しているが、実際には、基体側ウェハ１１１上に複数の基体部が形成される。同プロセスでは、基体側ウェハ１１１上に、複数の所定形状の犠牲層を設けられる。そして、犠牲層上に圧電部５０の中央部分が配置されるように、複数の圧電部５０が形成される。そして、犠牲層の除去により各圧電部５０はアーチ状に形成される。また、封止部材８１や導電部材９１となる金属層が成膜される。犠牲層の材料としては、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕなどの金属やＳｉやＳｉＯ２やＺｎＯやリン酸シリケートガラス（ＰＳＧ）や有機性ポリマーを用いることができる。
【００３５】
各圧電部５０は以下のように形成される。即ち、犠牲層上には、スパッタ法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法などにより下部温度特性補償膜５１が形成される。この下部温度特性補償膜５１は、窒化珪素などの窒化物、または酸化珪素などの酸化物による誘電体膜である。下部温度特性補償膜５１上には、スパッタ法、メッキ法、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法などにより金属膜が成膜され、フォトレジスト膜がパターニングされ、エッチングやフォトレジスト膜の除去、リフトオフなどによるフォトリソグラフ法により、下部電極膜５２が形成される。下部電極膜５２はＭｏ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉなどの金属材料を主材とした電極であり、犠牲層上から基板上にかけて帯状に形成される。下部電極膜５２上には、スパッタ法などによる成膜やエッチングなどによるフォトリソグラフ法により、酸化亜鉛や窒化アルミなどの圧電薄膜５３が形成される。圧電薄膜５３上には、下部電極膜５２と同様にして、上部電極膜５４が形成される。下部電極膜５２と上部電極膜５４との材料は異なっていてもよい。上部電極膜５４上には、下部温度特性補償膜５１と同様にして、上部温度特性補償膜５５が形成される。下部温度特性補償膜５１と上部温度特性補償膜５５との材料は異なっていてもよい。
【００３６】
その後、犠牲層エッチホールが形成され、反応性イオンエッチングや、ウェットエッチングなどにより犠牲層が除去され、圧電部５０と基体側基板６０との間に空隙部が形成される。
【００３７】
ステップＳ２では、蓋体側ウェハ形成プロセスが実施され、複数の蓋体部１０２が蓋体側ウェハ１１２上に形成される。図８は同プロセスでの蓋体部１０２の断面図である。ここでは、単一の蓋体部１０２のみを表示しているが、実際には、蓋体側ウェハ１１２上に複数の蓋体部が形成される。同プロセスでは、蓋体側ウェハ１１２上に、複数のコンデンサ５６Ａ，５６Ｂが形成され、且つ、封止部材８２や導電部材９２となる金属層が印刷される。なお、コンデンサ５６Ａ，５６Ｂを構成する基体側電極（第二の負荷容量用電極）５９は、負荷容量ＣＬが設計許容範囲の上限値となるように、予め大面積で形成しておく。このステップＳ２は、ステップＳ１と並列して実施しても、ステップＳ１と逆順に実施しても良い。
【００３８】
ステップＳ３では、基体側ウェハ測定プロセスが実施され、基体側ウェハ１１１の複数の圧電部５０それぞれの周波数特性が測定される。具体的には、周波数特性のうち共振周波数や反共振周波数が取得される。この基体側ウェハ測定プロセスは測定工程に相当する。
【００３９】
ステップＳ４では、負荷容量値演算プロセスが実施され、コンデンサ５６Ａ，５６Ｂにより構成する負荷容量ＣＬの目標設定値が演算される。具体的には、負荷容量ＣＬの目標設定値は、基体側ウェハ測定プロセスで測定した圧電部５０の共振周波数ｆｒと、圧電共振子１００の発振周波数ｆＯＳＣ．の設計値と、圧電部５０の等価並列容量Ｃ０の設計値と、圧電部５０の等価直列容量Ｃ１の設計値と、に基づいて、次式により演算される。
【００４０】
【数２】
2009100328.tif 000005
【００４１】
この負荷容量値演算プロセスが目標設定値取得工程に相当する。なお、予め負荷容量ＣＬの目標設定値と、共振周波数ｆｒの対応関係をテーブルとして記憶部等に記憶しておき、負荷容量ＣＬの目標設定値を記憶部等から読み出すようにしてもよい。
【００４２】
ステップＳ５では、蓋体側ウェハ測定プロセスが実施され、複数のコンデンサ５６Ａ，５６Ｂそれぞれにより構成する複数の負荷容量ＣＬそれぞれの実容量値が測定される。
【００４３】
ステップＳ６では、ステップＳ４で演算した負荷容量ＣＬの目標設定値と、ステップＳ５で測定した各負荷容量ＣＬの実容量値とが比較され、圧電共振子ごとに差分が記録される。この差分が許容範囲に収まればステップＳ８に、収まらなければステップＳ７にプロセスが移行される。
【００４４】
ステップＳ７では、レーザやイオンビームを用いてエッチングプロセスが実施され、複数のコンデンサ５６Ａ，５６Ｂそれぞれを構成するコンデンサ基体側電極５９が部分削除される。削除量については、ステップＳ６で記録した差分に応じて決定される。
【００４５】
これらのステップＳ５〜Ｓ７は、全ての負荷容量ＣＬが目標設定値の許容範囲に収まるまで繰り返される。なお、蓋体側ウェハ測定プロセスとエッチングプロセスが、容量値調整工程に相当する。なお、ここでは、エッチングプロセスにより電極の部分削除を行うが、電極材料を付与することで負荷容量ＣＬを増加させるプロセスをさらに設けても良い。
【００４６】
ステップＳ８では、配置接合プロセスが実施され、基体側ウェハ１１１と蓋体側ウェハ１１２とがアライメントされてから接合される。図９は同プロセスでの圧電共振子１００の断面図である。ここでは、単一の圧電共振子１００のみを表示しているが、実際には、ウェハ１１１、１１２に複数の圧電共振子が形成される。
【００４７】
ステップＳ９では、端子形成プロセスが実施され、基体側ウェハ１１１と蓋体側ウェハ１１２とが分割され、複数の圧電共振子が構成される。
【００４８】
図１０は同プロセスでの圧電共振子１００の断面図である。ここでは、単一の圧電共振子１００のみを表示しているが、実際には、ウェハ１１１、１１２に複数の圧電共振子が形成される。同プロセスでは、同図（Ａ）に示すように蓋体側ウェハ１１２は研削、研磨、エッチング等の方法で加工され、薄くなる。次に、同図（Ｂ）に示すように蓋体側ウェハ１１２の所定箇所にエッチング、レーザ加工等の方法でスルーホールが形成される。次に、同図（Ｃ）に示すように蓋体側ウェハ１１２のスルーホールの内部にメッキなどにより導電膜を形成して、その上に外部接続端子７１などの電極が形成される。次に、同図（Ｄ）に示すように基体側ウェハ１１１は研削、研磨、エッチング等の方法で加工され、薄くなる。
【００４９】
ステップＳ１０では、ウェハ分割プロセスが実施され、基体側ウェハ１１１と蓋体側ウェハ１１２とが分割され、複数の圧電共振子が構成される。
【００５０】
以上の製造工程を経て圧電共振子１００は製造される。蓋体側ウェハ測定プロセスとエッチングプロセスとによって、負荷容量ＣＬが個別に最適化されるため、単一の基体側ウェハ１１１と蓋体側ウェハ１１２とから製造される全ての圧電共振子１００は、それらの周波数特性の精度が高まる。
【００５１】
次に本発明の他の製造方法を説明する。図１１は、同製造方法での製造フローを示す図である。
【００５２】
ステップＳ１１〜Ｓ１６では、上述のステップＳ１〜Ｓ６と同様のプロセスが実施される。本製造フローでは、ステップＳ１７のエッチングプロセスを何度も繰り返さずに、一度だけ行う。また、ステップＳ１８〜Ｓ２０では、上述のステップＳ８〜Ｓ１０と同様のプロセスが実施される。
【００５３】
このようにエッチングプロセスや蓋体側ウェハ測定プロセスを一度だけ行うようにしても本発明は好適に実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】従来の素子装置の断面図である。
【図２】本発明の実施により製造される圧電共振子の構成を説明する図である。
【図３】同圧電部の振動モードを説明する図である。
【図４】同圧電部の回路図である。
【図５】同圧電共振子の製造に用いるウェハを示す図である。
【図６】同圧電共振子の製造フローを示す図である。
【図７】同圧電共振子の製造段階での断面図である。
【図８】同圧電共振子の製造段階での断面図である。
【図９】同圧電共振子の製造段階での断面図である。
【図１０】同圧電共振子の製造段階での断面図である。
【図１１】同圧電共振子の他の製造フローを示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
５０…圧電部
５１…下部温度特性補償膜
５２…下部電極膜
５３…圧電薄膜
５４…上部電極膜
５５…上部温度特性補償膜
５６Ａ，５６Ｂ…コンデンサ
５７Ａ，５７Ｂ…コンデンサ蓋体側電極
５８…コンデンサ誘電体膜
５９…コンデンサ基体側電極
６０…基体側基板
７０…蓋体側基板
７１Ａ，７１Ｂ…外部接続端子
７３…接地端子
８０…封止部
９０Ａ，９０Ｂ…導電部
１００…圧電共振子
１０１…基体部
１０２…蓋体部
１１１…基体側ウェハ
１１２…蓋体側ウェハ
【図１】
2009100328.tif 000007
【図２】
2009100328.tif 000008
【図３】
2009100328.tif 000009
【図４】
2009100328.tif 000010
【図５】
2009100328.tif 000011
【図６】
2009100328.tif 000012
【図７】
2009100328.tif 000013
【図８】
2009100328.tif 000014
【図９】
2009100328.tif 000015
【図１０】
2009100328.tif 000016
【図１１】
2009100328.tif 000017