(57)【要約】【課題】下地に対して剥がれにくく、成膜に時間がかかりすぎない薄膜の遮光膜を可能にする。【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を得るセンサ部１２上に開口部２５が形成された遮光膜２４を有する固体撮像装置１において、遮光膜２４はタンタルを含むルテニウム膜からなることを特徴する固体撮像装置１であり、上記遮光膜２４を形成する工程は、基板上にタンタルを含むルテニウム膜を形成する工程と、タンタルを含むルテニウム膜を熱処理してタンタルを含むルテニウム膜に含まれるタンタルの一部を膜表面に析出させる工程と、膜表面に析出されたタンタルを含む層を除去する工程とを有する。【選択図】図１
2009130112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を光電変換して電気信号を得るセンサ部上に開口部が形成された遮光膜を有する固体撮像装置において、
前記遮光膜はタンタルを含むルテニウム膜からなる
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
基板上に入射光を光電変換して電気信号を得るセンサ部を有し、
前記センサ部上に開口部を形成した遮光膜を有する固体撮像装置の製造方法において、
前記遮光膜を形成する工程は、
前記基板上にタンタルを含むルテニウム膜を形成する工程と、
前記タンタルを含むルテニウム膜を熱処理して前記タンタルを含むルテニウム膜に含まれるタンタルの一部を膜表面に析出させる工程と、
前記膜表面に析出されたタンタルを含む層を除去する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理は７００℃以上９５０℃以下で行う
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
タンタルを含むルテニウム膜の表面に析出させたタンタルを含む層をウエットエッチングにより除去する
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウエットエッチングはフッ酸を用いたウエットエッチングである
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記タンタルを含むルテニウム膜の表面に析出させたタンタルを含む層を除去した後、
前記センサ部上の前記タンタルを含むルテニウム膜に開口部を形成する
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置には、入射光を受光して光電変換するセンサ部上に開口部を設けた遮光膜が備えられている。この遮光膜を薄膜化する手段として、ルテニウム膜を用いる（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、遮光膜にルテニウム膜を用いた場合、下地との密着性が問題となる。
ルテニウム膜を成膜した直後の状態では、５０ｎｍ以上の厚膜にするとルテニウム膜が剥がれることが懸念されている。
【０００３】
また、ルテニウム膜をスパッタ法で成膜した場合、スパッタチャンバー内のシールドなどの部材にルテニウムが付着する。例えばスパッタチャンバー内のアルミニウム材質と付着したルテニウムとを分離することは難しい。このため、アルミニウム製シールドを薬液によって洗浄することが困難となり、物理的な洗浄方法を用いなければならならなくなる。その場合、物理的力によりシールドがダメージを受けるため、シールドの再利用が困難となる。
一方、ルテニウムをＣＶＤ法で成膜した場合、遮光膜として用いるには５０ｎｍ以上の厚膜を要するため、成膜時間が極端に長くなり、実用化が困難となる。
このような問題があり、ルテニウム（Ｒｕ）を遮光膜として実用化することは困難であった。
【０００４】
ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＩＳ（Contact Image sensor）等の固体撮像装置において、遮光膜として様々な金属が使用されている。近年素子の微細化が進められているが、その状況でも従来と同等以上のデバイス特性を得るためには、遮光膜の薄膜化が求められている。
アルミニウム、タングステンなどの従来使用していた遮光膜に比べてルテニウムは半分程度の膜厚で同等の遮光性が得られるため、今後の微細素子における遮光膜として有力な材料の一つである。
【０００５】
以下に、従来の技術による形成方法を示す。
図８（１）に示すように、シリコン基板１１１に、入射光を光電変換するセンサ部１１２、酸化膜１２１、リンまたはボロンをドープした多結晶シリコンなどで形成された配線１２２、層間絶縁膜１２３等を形成する。
【０００６】
その後、図８（２）に示すように、スパッタ法、ＣＶＤ法などを用いて、上記層間絶縁膜１２３上に遮光膜１２４を成膜する。この遮光膜１２４は、アルミニウム、タングステン、ルテニウムなどの金属膜で形成される。
【０００７】
次に、図８（３）に示すように、上記遮光膜１２４上に上記シリコン基板１１１に形成されたセンサ部１１２上に開口部１３２を有するハードマスク１３１を形成する。このハードマスク１３１には、ＣＶＤ法などを用いて成膜した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を用いる。
【０００８】
その後、図８（４）に示すように、上記ハードマスク１３１をエッチングマスクに用いてドライエッチングにより、上記センサ部１１２上の遮光膜１２４に開口部１２５を形成する。
【０００９】
その後、図８（５）に示すように、ＣＶＤ酸化膜１４１などを用いて、センサ部１１２上等の段差部を埋め込む。埋め込み後は、リフロー処理、ＣＭＰ、ドライエッチングなどにより平坦化を行う。
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−８８２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
解決しようとする問題点は、遮光膜として遮光性に優れたルテニウム膜を成膜速度の速いスパッタ法で成膜した用いた場合は下地に対して剥がれやすい点であり、またＣＶＤ法でルテニウム膜を成膜した場合には成膜時間がかかりすぎる点である。
【００１２】
本発明は、下地に対して剥がれにくく、成膜に時間がかかりすぎない薄膜の遮光膜を可能にする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の固体撮像装置は、入射光を光電変換して電気信号を得るセンサ部上に開口部が形成された遮光膜を有する固体撮像装置において、前記遮光膜はタンタルを含むルテニウム膜からなることを特徴とする。
【００１４】
本発明の固体撮像装置では、遮光膜はタンタルを含むルテニウム膜からなることから、ルテニウム単体の遮光膜よりも下地との密着性が高められる。また、タンタルを含むルテニウム膜はスパッタ法での成膜が可能であるため、短時間で成膜される。
【００１５】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に入射光を光電変換して電気信号を得るセンサ部を有し、前記センサ部上に開口部を形成した遮光膜を有する固体撮像装置の製造方法において、前記遮光膜を形成する工程は、前記基板上にタンタルを含むルテニウム膜を形成する工程と、前記タンタルを含むルテニウム膜を熱処理して前記タンタルを含むルテニウム膜に含まれるタンタルの一部を膜表面に析出させる工程と、前記膜表面に析出されたタンタルを含む層を除去する工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の固体撮像装置の製造方法では、遮光膜はタンタルを含むルテニウム膜からなることから、ルテニウム単体の遮光膜よりも下地との密着性が高められる。また、タンタルを含むルテニウム膜はスパッタ法での成膜が可能であるため、短時間で成膜される。さらに、タンタルを含むルテニウム膜を熱処理することによって、タンタルを含むルテニウム膜に含まれるタンタルの一部を膜表面に析出させ、その膜表面に析出されたタンタルを含む層を除去することから、タンタルを含むルテニウム膜中に満った屈折率成膜に必要なタンタルを残し、膜中の余剰なタンタルが除去されるので、タンタルを含むルテニウム膜のドライエッチング加工性がよくなる。すなわち、ドライエッチングしやすくなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の固体撮像装置は、遮光膜の剥がれの懸念がなく、従来用いていたアルミニウムやタングステンからなる遮光膜よりも薄膜な遮光膜になる。しかもルテニウムを用いた膜で、従来と同等の遮光性が確保できるという利点がある。
【００１８】
本発明の固体撮像装置の製造方法は、遮光膜の剥がれの懸念がなく、従来用いていたアルミニウムやタングステンからなる遮光膜よりも薄膜な遮光膜を形成することができ、しかもルテニウムを用いた膜で、従来と同等の遮光性を確保できる遮光膜を製造できるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態（実施例）を、図１の概略構成断面図によって説明する。図１は、一例として、ＣＣＤ型固体撮像装置を示す。
【００２０】
図１に示すように、固体撮像装置１は、以下のように構成されている。
【００２１】
半導体基板１１（例えばＮ型シリコン基板）にｐ型ウエル領域２１が形成され、そのｐ型ウエル領域２１に、受光部１２が形成されている。この受光部１２の一方側には、読み出しゲート部１３、垂直電荷転送部１５、チャネルストップ領域１４が形成され、さらに隣接する受光部１２が形成されている。他方側にもチャネルストップ領域１４が形成されている。
【００２２】
上記受光部１２は、ｎ型不純物領域３１と、その上部に形成されたｐ型正孔蓄積領域３２とから構成されている。
【００２３】
また、上記垂直電荷転送部１５は、上記ｐ型ウエル領域２０よりも高濃度のｐ型ウエル領域１６とその上部に形成されたｎ型チャネル領域１７で構成されている。また、ｎ型チャネル領域１７上にはゲート絶縁膜２１を介して配線（例えば転送電極）２２が形成されている。この配線２２は、垂直転送電極とともに読み出しゲート電極も兼ねる。
【００２４】
また、上記配線２２を被覆するように、第１層間絶縁膜２３が形成され、さらに遮光膜２４が形成されている。上記遮光膜２４は、例えばタンタルを含むルテニウム膜で形成されている。この遮光膜２４には受光部１２上に開口部２５が形成されている。
上記タンタルを含むルテニウム膜４１は、例えばルテニウムに２ａｔ％〜２０ａｔ％のタンタルを混ぜたターゲットを用いたスパッタ法によって、タンタルを含むルテニウム膜を成膜した後、７００℃〜９５０℃の熱処理を行ってタンタルを含むルテニウム膜中のタンタルを表面に析出させ、その表面に析出させたタンタルを含む層をエッチングにより除去したものである。
そのため、表面に析出させたタンタルを含む層をエッチングした後のタンタルを含むルテニウム膜４１には１ａｔ％〜２ａｔ％程度のタンタルが含まれる。このことから、下地に対してタンタルを含むルテニウム膜４１の密着性が改善され、膜剥がれを発生することがない十分な密着性が得られる。また、表面に析出させたタンタルを含む層をエッチングした後のタンタルを含むルテニウム膜４１中に含まれるタンタルが１ａｔ％〜２ａｔ％程度であることから、遮光性を著しく劣化させることはない。
【００２５】
なお、タンタルを含むルテニウム膜中に含まれるタンタルが１０％程度では、密着性はよいが、薄膜（例えば５０ｎｍ〜１００ｎｍ程度）では、可視光の遮光性が劣化することがわかっている。一方、例えばタンタルが含まれないルテニウムが１００％の遮光膜は、可視光の遮光性は高まるが、密着性が著しく劣化し、剥がれが発生することがわかっている。
【００２６】
さらにパッシベーション膜３１、平坦化膜３２等の第２層間絶縁膜３３で被覆され、上記第２層間絶縁膜３３上にカラーフィルター層３４が形成されている。そして、入射光が効率よく受光部１２に集光されるように、上記カラーフィルター層３４上に集光レンズ３５が設けられている。
【００２７】
上記固体撮像装置１では、遮光膜２４はタンタルを含むルテニウム膜からなることから、ルテニウム単体の遮光膜の遮光性をほぼ維持した状態で、ルテニウム単体の遮光膜よりも下地との密着性が高められる。また、タンタルを含むルテニウム膜はスパッタ法での成膜が可能であるため、短時間で成膜される。
【００２８】
次に、本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態（実施例）を、図２の製造工程断面図によって説明する。図２では、前記固体撮像装置１の製造工程における遮光膜の製造工程を示す。前記固体撮像装置１の遮光膜以外の製造工程は、従来の製造工程を適用することができる。
【００２９】
図２（１）に示すように、半導体基板１１（例えばＮ型シリコン基板）にｐ型ウエル領域２１が形成され、そのｐ型ウエル領域２０に、受光部１２が形成されている。この受光部１２の一方側には、読み出しゲート部１３、垂直電荷転送部１５、チャネルストップ領域１４が形成され、さらに隣接する受光部１２が形成されている。他方側にもチャネルストップ領域１４が形成されている。
また、上記センサ部１２は、例えばホール蓄積層が形成される構成のものであってもよい。
半導体基板１１上には、絶縁膜２１を介して配線（電極も含む）２２が形成されている。上記絶縁膜２１は、例えば酸化シリコン膜で形成され、上記配線２２は、例えばリンまたはボロンをドープした多結晶シリコンなどで形成されている。
上記絶縁膜２１は酸化シリコンに限定されず、ゲート絶縁膜に用いられる絶縁膜材料、例えば窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、金属酸化膜等も用いることができる。
上記配線２２は、ポリシリコン以外に金属配線を用いることもできる。
【００３０】
次に、図２（２）に示すように、上記半導体基板１１上に、上記配線２２、センサ部１２等を被覆する第１層間絶縁膜２３を被覆する。この第１層間絶縁膜２３には、例えば酸化シリコン膜を用いる。
続いて、上記第１層間絶縁膜２３上にタンタルを含むルテニウム膜４１を形成する。このタンタルを含むルテニウム膜４１は、例えばスパッタ法により成膜される。このときのスパッタリングに用いるターゲットには、ルテニウムタンタル合金を用いる。例えばタンタル量が１０ａｔ％のルテニウムタンタル合金を用いる。このターゲットを用いたスパッタリングによって、遮光膜の最終狙いの膜厚の１．１倍程度、例えば６０ｎｍの膜厚に成膜する。
上記タンタルを含むルテニウム膜４１を形成するときに用いるスパッタリングのターゲットには、例えばルテニウムに２ａｔ％〜２０ａｔ％のタンタルを混ぜたターゲットを用いることができる。
上記ターゲットのタンタルの含有量が２ａｔ％よりも少ないと、その後の熱処理によってタンタルを析出させたときに、タンタルを含むルテニウム膜４１中に残るタンタルの量が少なくなりすぎる可能性がある。膜中のタンタル量が少なくなりすぎると、タンタルを含むルテニウム膜４１の下地との密着性が劣化する。
一方、上記ターゲットのタンタルの含有量が２０ａｔ％よりも多いと、そのターゲットを用いて成膜したタンタルを含むルテニウム膜４１を熱処理したときに、膜中のタンタルが十分に表面側に析出されず、タンタルを含むルテニウム膜４１中に過剰なタンタルが残ることになる。このようになると、タンタルを含むルテニウム膜４１の遮光性が劣化する。
【００３１】
次に、図２（３）に示すように、上記タンタルを含むルテニウム膜４１を熱処理して、上記タンタルを含むルテニウム膜４１に含まれるタンタルの一部をその膜表面に析出させる。
上記熱処理は、一例として、８８０℃の雰囲気で３０分間行う。この熱処理の温度は、上記タンタルを含むルテニウム膜４１に含まれるタンタルの一部をその膜表面に析出されるように、７００℃以上の温度で行う。その熱処理温度の上限は、例えば９５０℃であり、上記半導体基板１１に形成された構成部品が熱によって異常を起こさないような温度以下とする。例えば上記９５０℃以下とする。
上記熱処理が７００℃未満では、タンタルを含むルテニウム膜４１中のタンタルを十分にその表面に析出させることはできない。また、９５０℃を超える温度では、例えば固体撮像装置に形成された拡散層等が異常拡散を起こすので好ましくない。よって、上記熱処理温度は上記温度範囲に設定される。
【００３２】
この結果、タンタルを含むルテニウム膜４１の表面にタンタルが析出する。表面に析出させたタンタルを含む層４２は、タンタルがリッチな膜となっている。例えばタンタルが９０％程度含まれる層になっている。
【００３３】
その後、図２（４）および図３に示すように、上記表面に析出させたタンタルを含む層４２（前記図２（３）参照）を除去する。この除去工程は、例えばウエットエッチングによる。このウエットエッチングは、例えば、フッ酸処理（例えば、濃縮フッ酸を用いる）による。このフッ酸処理では、ルテニウムはエッチングされないため、必要なルテニウムはそのまま残る。
このように、ウエットエッチングにより表面に析出させたタンタルを含む層４２を除去することから、その下地のタンタルを含むルテニウム膜４１に、ドライエッチングによってエッチングしたときのようなエッチングダメージを与えることはない。
したがって、タンタルを含むルテニウム膜４１が５０ｎｍ程度の薄い膜であっても、ダメージを受けることなく形成することができる。
また上記除去工程がフッ酸処理により行えることから、固体撮像装置の製造プロセスで用いるフッ酸エッチングで行えるという利点がある。これにより、既存のフッ酸処理装置により表面に析出させたタンタルを含む層４２を除去することができる。したがって、新規の装置コストがかからないという利点がある。
図面では、表面に析出させたタンタルを含む層４２を除去した後を示した。
【００３４】
また、上記タンタルを析出させる熱処理では、タンタルを含むルテニウム膜４１のタンタルはすべて表面析出するわけではない。タンタルを含むルテニウム膜４１の例えば半導体基板１１側には１ａｔ％〜２ａｔ％程度のタンタルが含まれる。
このように、半導体基板１１側のタンタルを含むルテニウム膜４１中の１ａｔ％〜２ａｔ％程度のタンタルが含まれる層が形成されることから、下地に対してタンタルを含むルテニウム膜４１の密着性が改善され、膜剥がれを発生することがない十分な密着性が得られる。
また２ａｔ％程度のタンタルが含まれるタンタルを含むルテニウム膜４１では、遮光性が劣化することはない。タンタルを含むルテニウム膜４１が５０ｎｍ程度の膜厚であっても、十分な遮光性を得ることができる。
また１ａｔ％程度のタンタルが含まれるタンタルを含むルテニウム膜４１では、下地との密着性が劣化することはない。１ａｔ％程度のタンタルが含まれるタンタルを含むルテニウム膜４１であっても、膜剥がれを起こすことなく十分な密着性を得ることができる。
【００３５】
次に、図２（５）に示すように、上記センサ部１２上の上記タンタルを含むルテニウム膜４１に開口部２５を形成する。
上記タンタルを含むルテニウム膜４１に開口部２５を形成するには、まず、表面に析出させたタンタルを含む層を除去したタンタルを含むルテニウム膜４１上にハードマスク層５１を形成する。このハードマスク層５１は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、もしくはそれらの積層膜で形成される。この形成方法は、例えばＣＶＤ法統の既存の成膜方法を用いる。
その後、リソグラフィー技術およびドライエッチング技術によって、上記センサ部１２上の上記ハードマスク層５１にハードマスク開口部５２を形成する。
このハードマスク層５１をエッチングマスクに用いて、上記タンタルを含むルテニウム膜４１に開口部２５を形成する。このようにして、タンタルを含むルテニウム膜４１からなる遮光膜２４に上記開口部２５が形成される。
【００３６】
このように、ルテニウム単体ではなく、遮光膜２４がタンタルを含むルテニウム膜４１からなることから、ドライエッチング性がよくなる。すなわち、ドライエッチングによって開口部２５を形成することが可能になるので、高精度に開口部２５を形成することができる。このため、センサ部１２上の開口を大きく取れるようになるので、センサ感度の向上が図れる。
【００３７】
次に、図２（６）に示すように、上記配線２２、遮光膜２４等による段差を埋め込むように、パッシベーション膜、平坦化膜等からなる第２層間絶縁膜３３を形成する。この第２層間絶縁膜３３は、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等で形成される。その成膜方法には、一例としてＣＶＤ法を用いる。
その後、第２層間絶縁膜３３表面を平坦化する。この平坦化方法は、リフロー処理、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）、エッチバック法等、適宜選択することができる。
【００３８】
その後、図示はしないが、第２層間絶縁膜３３上にカラーフィルター層、集光レンズ等を形成して、固体撮像装置を完成させる。
【００３９】
次に、上記熱処理を行った場合と行わなかった場合について、タンタルの析出状態を調べた。
評価サンプルは、図４に示すように、石英基板６１上に６０ｎｍのタンタルを含むルテニウム膜４１（ルテニウムタンタル合金膜）を形成した。組成比（ａｔ％）は、およそルテニウム：タンタル＝９：１である。
図５（１）に示すように、石英基板６１上のタンタルを含むルテニウム膜４１は、膜全体がほぼ均一な組成比になっている。
【００４０】
ここで、タンタルを含むルテニウム膜４１の成分比を分析した結果、図６（１）、（２）に示すように、表面側の組成比（ａｔ％）は、ルテニウム：タンタル＝８９：１１であった。他方、図６（３）、（４）に示すように、石英基板６１側の組成比（ａｔ％）は、ルテニウム：タンタル＝９０：１０であった。
この結果、熱処理を行わないタンタルを含むルテニウム膜４１の組成比（ａｔ％）は、ルテニウム：タンタル＝８９：１１〜９０：１０であることがわかった。
【００４１】
次に、上記タンタルを含むルテニウム膜４１を８８０℃で熱処理を行った。
その結果、図５（２）に示すように、タンタルを含むルテニウム膜４１は、石英基板６１側にルテニウムリッチ層４１Ｒが形成され、その上層にタンタルリッチ層４１Ｔが形成された。
【００４２】
ここで、タンタルを含むルテニウム膜４１の成分比を分析した結果、図７（１）、（２）に示すように、表面側の組成比（ａｔ％）は、ルテニウム：タンタル＝９：９１〜５：９５であった。他方、図７（３）、（４）に示すように、石英基板６１側の組成比（ａｔ％）は、ルテニウム：タンタル＝９８：２〜９９：１であった。
この結果、熱処理を行った場合、表面側に、ルテニウム：タンタル＝９：９１〜５：９５のタンタルリッチ層４１Ｔが形成されることがわかった。他方、石英基板６１側に、ルテニウム：タンタル＝９８：２〜９９：１のルテニウムリッチ層４１Ｒが形成されることがわかった。
【００４３】
したがって、上記説明したように、タンタルリッチ層４１Ｔをエッチングにより除去することで、組成比（ａｔ％）がルテニウム：タンタル＝９８：２〜９９：１のルテニウムリッチ層４１Ｒを残すことが可能になり、遮光膜２４として、遮光性に優れた、かつ密着性に優れたタンタルを含むルテニウム膜４１を形成することができる。
【００４４】
なお、上記組成比の分析はＴＥＭ−ＥＤＸ：Transimission Electron Microscope & Energy Dispersive X-ray Spectrometer（電界放射型透過電子顕微鏡とエネルギー分散型Ｘ線分析装置）による。
【００４５】
上記説明では、基板に石英基板６１を用いたが、上記固体撮像装置１におけるタンタルを含むルテニウム膜４１についても、熱処理によって、表面側にタンタルリッチ層４１Ｔが形成され、基板側にルテニウムリッチ層４１Ｒが形成されるという、同様な結果が得られる。
【００４６】
上記固体撮像装置の製造方法では、遮光膜２４はタンタルを含むルテニウム膜４１からなることから、ルテニウム単体の遮光膜よりも下地との密着性が高められる。また、タンタルを含むルテニウム膜４１はスパッタ法での成膜が可能であるため、短時間で成膜される。
さらに、タンタルを含むルテニウム膜４１を熱処理することによって、タンタルを含むルテニウム膜４１に含まれるタンタルの一部を膜表面に析出させ、その表面に析出させたタンタルを含む層４２を除去することから、タンタルを含むルテニウム膜４１中に密着性に必要なタンタルを残し、膜中の余剰なタンタルが除去されるので、タンタルを含むルテニウム膜４１のドライエッチング加工性がよくなる。
すなわち、ドライエッチングしやすくなる。
【００４７】
よって、遮光膜２４の剥がれの懸念がなく、従来用いていたアルミニウムやタングステンからなる遮光膜よりも薄膜な遮光膜を形成することができ、しかもルテニウムを用いた膜で、従来と同等の遮光性を確保できる遮光膜２４を製造できるという利点がある。
【００４８】
また、ルテニウム単体の膜はドライエッチング処理などが困難となるが、タンタルを含むルテニウム膜４１は、ドライエッチング処理を必要とする時点でタンタルはほとんど含まれていないため、容易にドライエッチング処理が可能となる。
よって、タンタルを含むルテニウム膜４１は、遮光膜として実用とすることが可能となる。
【００４９】
また、スパッタ装置のチャンバー内のシールドなどに付着したルテニウムタンタルは、ルテニウム単体の膜と異なり、薬液洗浄で簡単に取り除くことができる。このため、洗浄したシールドの再利用が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の固体撮像装置に係る一実施の形態（実施例）を示した概略構成断面図である。
【図２】本発明の固体撮像装置の製造方法に係る一実施の形態（実施例）を示した製造工程断面図である。
【図３】熱処理後のタンタルを含むルテニウム膜の断面写真である。
【図４】評価サンプルの模式的断面図である。
【図５】成膜後タンタルを含むルテニウム膜の断面写真と熱処理後のタンタルを含むルテニウム膜の断面写真である。
【図６】成膜後タンタルを含むルテニウム膜の組成比を分析した結果を示した図である。
【図７】熱処理後のタンタルを含むルテニウム膜の組成比を分析した結果を示した図である。
【図８】従来の固体撮像装置の製造方法に係る一例を示した製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…固体撮像装置、１２…センサ部、２４…遮光膜、２５…開口部
【図１】
2009130112.tif 000003
【図２】
2009130112.tif 000004
【図８】
2009130112.tif 000005
【図３】
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【図４】
2009130112.tif 000007
【図５】
2009130112.tif 000008
【図６】
2009130112.tif 000009
【図７】
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