(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｓｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】プラズマエッチング装置の真空容器１の内壁面に単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは柱状晶シリコンからなるＳｉコーティング８を施したプラズマエッチング装置であって、前記Ｓｉコーティングは、Ｓｉタイルを貼り付けてなるＳｉコーティングであることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチング装置の真空容器の内壁面にＳｉコーティングを施したことを特徴とするＳｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記Ｓｉコーティングは、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは柱状晶シリコンからなることを特徴とする請求項１記載のＳｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置。
【請求項３】
前記Ｓｉコーティングは、Ｓｉタイルを貼り付けてなるＳｉコーティングであることを特徴とする請求項１または２記載のＳｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、Ｓｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路を製造する際のＳｉウエハをエッチングするための装置として、プラズマエッチング装置が知られている。この従来のプラズマエッチング装置は、図２の断面説明図に示されるように、真空容器１内に貫通細孔５を有する電極板２と架台３が間隔をおいて設けられており、このプラズマエッチング装置を用いてＳｉウエハをエッチングするには、前記架台３の上にＳｉウエハ４を載置し、Ａｒの他にＣＨＦ3 またはＣＦ3 等を含むエッチングガス７を電極板２に設けられた貫通細孔５を通してＳｉウエハ４に向って流しながら高周波電源６により電極板２と架台３の間に高周波電圧を印加し、この高周波電圧を印加することにより、供給されたエッチングガス７は電極板２と架台３の間の空間でプラズマ９となり、このプラズマ９がＳｉウエハ４に当ってＳｉウエハ４の表面がエッチングされるようになっている。
【０００３】
前記真空容器１は、通常、ＮｉおよびＣｒを含むステンレス鋼で作製されているが、ＡｌまたはＡｌ合金で作製されることもある。
また、前記電極板２は、通常、カーボン、アモルファスカーボン、炭化シリコンなどで作製されていたが、近年は、単結晶シリコン、柱状晶シリコンまたは多結晶シリコン、さらにドーピングされた単結晶シリコン、柱状晶シリコンまたは多結晶シリコンなどで構成されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６―１９６４９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体集積回路の高精密化に伴って、プラズマエッチングする際に生じるＳｉウエハの汚染が問題となってきた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明者らは、Ｓｉウエハをプラズマエッチングするに際してＳｉウエハの汚染を一層少なくするべく研究を行った。その結果、
（イ）Ｓｉウエハの汚染の原因の一つとして真空容器壁面が微量ではあるがエッチングされ、真空容器を構成するステンレス鋼に含まれるＮｉ、Ｃｒ、Ｆｅなどの元素やＡｌなどがＳｉウエハに付着し、プラズマエッチング中のＳｉウエハを汚染する、
（ロ）そのために、真空容器の壁面をＳｉでコーティングすると、このコーティングはＳｉウエハと同じ成分で構成されているので、真空容器の壁面のＳｉコーティングがエッチングされてもＳｉウエハが汚染されたと認識されない、
（ハ）前記Ｓｉコーティングは単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは柱状晶シリコンからなり、このＳｉコーティングは真空蒸着、溶射などいかなる方法で形成しても良いが、Ｓｉタイルを真空容器の壁面に貼り付けることにより形成することが最も好ましい、などの研究結果が得られたのである。
【０００６】
この発明は、かかる研究結果に基づいてなされたものであって、
（１）プラズマエッチング装置の真空容器の内壁面にＳｉコーティングを施したＳｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置、
（２）前記Ｓｉコーティングは、単結晶シリコン、多結晶シリコンまたは柱状晶シリコンからなる前記（１）記載のＳｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置、
（３）前記Ｓｉコーティングは、Ｓｉタイルを貼り付けてなるＳｉコーティングである前記（１）記載のＳｉウエハを汚染することのないプラズマエッチング装置、に特徴を有するものである。
【０００７】
この発明のプラズマエッチング装置は、図１の断面説明図に示されるように、真空容器１の内壁面にＳｉコーティング８が形成されている。真空容器１内に貫通細孔５を有する電極板２と架台３が間隔をおいて設けられており、このプラズマエッチング装置を用いてＳｉウエハをエッチングするには、前記架台３の上にＳｉウエハ４を載置し、Ａｒの他にＣＨＦ3 またはＣＦ3 等を含むエッチングガス７を電極板２に設けられた貫通細孔５を通してＳｉウエハ４に向って流しながら高周波電源６により電極板２と架台３の間に高周波電圧を印加し、この高周波電圧を印加することにより、供給されたエッチングガス７は電極板２と架台３の間の空間でプラズマ９となり、このプラズマ９がＳｉウエハ４に当ってＳｉウエハ４の表面がエッチングされるようになっていることは従来のプラズマエッチング装置と同じである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明のプラズマエッチング装置を用いてプラズマエッチングすると、真空容器を構成する部材の成分によってＳｉウエハが汚染されることが無いので不良品の発生もないことから、従来よりも効率よくＳｉウエハのプラズマエッチングを行うことができ、半導体装置産業の発展に大いに貢献しうるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施例
縦：１２０ｍｍ、横：１２０ｍｍ、厚さ：０．１ｍｍの寸法を有する単結晶Ｓｉタイル、多結晶シリコンタイルおよび柱状晶シリコンタイルを用意し、この単結晶Ｓｉタイル、多結晶シリコンタイルおよび柱状晶シリコンタイルをＳＵＳ３０４ステンレス鋼からなる真空容器の内壁全面に接着剤により貼り付けてこの発明のプラズマエッチング装置を３基作製した。さらに直径：３００ｍｍの単結晶シリコンインゴットを用意し、このインゴットをダイヤモンドバンドソーにより厚さ：９ｍｍに輪切り切断して単結晶シリコン円板を作製し、この単結晶シリコン板の片面にダイヤモンドドリルにより直径：０．５ｍｍを有する単結晶シリコン板プラズマエッチング装置にセットし、さらに直径：８インチＳｉウエハを先に作製した３基のプラズマエッチング装置にセットし、
チャンバー内圧力：９-1Ｔｏｒｒ、
エッチングガス組成：９０sccmＣＨＦ3 ＋４sccmＯ2 ＋１５０sccmＨｅ、
高周波電力：２ｋＷ、
周波数：２０ｋＨｚ、
の条件で、Ｓｉウエハ表面のプラズマエッチングを４００時間行い、Ｓｉウエハ表面に付着したＮｉ、ＣｒおよびＦｅの有無を二次イオン質量分析装置により測定した結果、Ｎｉ、ＣｒおよびＦｅの付着が見られないことから、プラズマエッチング中に汚染されることがないことがわかった。
【００１０】
従来例
実施例において用意したＳＵＳ３０４ステンレス鋼からなる真空容器の内壁全面に単結晶Ｓｉタイル、多結晶シリコンタイルおよび柱状晶シリコンタイルを貼り付けることなく実施例と同じ条件でプラズマエッチングを行なったところ、Ｓｉウエハ表面にＮｉ、ＣｒおよびＦｅの付着が見られ、プラズマエッチング中にＳｉウエハが汚染されていることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明のプラズマエッチング装置の断面図である。
【図２】従来のプラズマエッチング装置の断面説明図である。
【符号の説明】
【００１２】
１  真空容器
２  電極板
３  架台
４  Ｓｉウエハ
５  貫通細孔
６  高周波電源
７  プラズマエッチングガス
８  Ｓｉコーティング
９  プラズマ
【図１】
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【図２】
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