(57)【要約】【課題】光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置を提供する。【解決手段】基板と、基板の第１の表面上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、を備え、基板の第１の表面に対向する第２の表面上に、入射光を光電変換層の方向に集光するための集光部材を備えている光センサ、その光センサを含む光センサアレイ、撮像素子および撮像装置である。【選択図】図１
2009267025.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の第１の表面上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、前記光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、を備え、
前記基板の第１の表面に対向する第２の表面上に、入射光を前記光電変換層の方向に集光するための集光部材を備えている、光センサ。
【請求項２】
前記基板の第１の表面上に補助容量部が設けられており、前記光電変換層における静電容量が前記補助容量部における静電容量よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の光センサ。
【請求項３】
前記画素電極が前記基板の第１の表面上に直接形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の光センサ。
【請求項４】
前記光電変換層の厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の光センサ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の光センサが格子状に配列されていることを特徴とする、光センサアレイ。
【請求項６】
請求項５に記載の光センサアレイを含む、撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像素子を含む、撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
グレッツェルらは酸化チタン等の透明電極上に光電変換機能を有する有機色素の膜を形成することにより、アモルファスシリコン光電変換素子に近い性能を有する色素増感型光電変換素子（グレッツェルセル）を報告している（たとえば、非特許文献１参照）。
【０００３】
また、近年、ナノテクノロジーの手法を用いて、フラーレンを有する単分子膜を用いた色素増感型光電変換素子についても報告されている（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。
【０００４】
これらの色素増感型光電変換素子は、対電極との電気的接合を液体レドックス電解質等の電解液によって行なう湿式の光電変換素子であるため、長期にわたって使用した場合には、上記の電解液の枯渇により光電変換機能が著しく低下してしまい、光電変換素子として機能しなくなることが懸念される。
【０００５】
また、電解液を用いない有機色素による光電変換素子として、透明電極と対電極との間に電子供与体と電子受容体とを混合した層を形成したバルクヘテロ接合型光電変換素子、あるいは透明電極と対電極との間に電子供与体層と電子受容体層とを挟んだスタック型（積層型）光電変換素子が提案されている（たとえば、特許文献３参照）。
【０００６】
この光電変換素子の動作原理は、光励起により電子供与体（あるいは電子供与体層）から電子受容体（あるいは電子受容体層）への電子の移動により正孔と電子とが発生し、内部電界により正孔は電子供与体間（あるいは電子供与体層間）を通り、一方の電極に運ばれ、電子は電子受容体間（あるいは電子受容体層間）を通り、もう一方の電極へ運ばれ、光電流が観測されるというものである。
【０００７】
次に、上記の構成の光電変換素子を応用したＸ線画像検出器について説明する。アモルファスシリコン光電変換素子は、太陽電池や複写機の感光ドラムとしての用途以外にも、フラットパネル型の放射線ディテクタ（ＦＰＤ）として医療分野でも応用されている。また、有機色素による光電変換素子においても、ＦＰＤへの応用が提案されている（たとえば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２０００−２６１０１６号公報
【特許文献２】特開２００２−９４１４６号公報
【特許文献３】特表２００２−５０２１２９号公報
【特許文献４】特開２００３−５０２８０号公報
【非特許文献１】Journal of the American Chemical Society 115 (1993) 6382
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＦＰＤとは、デジタル式のＸ線画像検出器の一種で、放射線画像をデジタル信号として読み出し、放射線写真フィルム（レントゲンフィルム等）を用いずに、パソコン等のモニターで診断することができるといったシステムである。ＦＰＤには、光電変換素子がＸ線を直接に吸収し、光電変換するもの（直接型ＦＰＤ）と、蛍光体によってＸ線を蛍光に変換し、その蛍光を光電変換素子が吸収して光電変換するもの（間接型ＦＰＤ）とがあり、アモルファスシリコン光電変換素子や有機色素による光電変換素子は、後者の間接型ＦＰＤに用いられる。
【０００９】
アモルファスシリコン光電変換素子を用いた間接型ＦＰＤの利点は、従来のアナログシステムに匹敵するほどの高画質の画像が得られることであるが、アモルファスシリコン光電変換素子は、アモルファスシリコン等の無機半導体物質を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）上に微細加工する必要があり、非常に高度な技術と設備とを要するため、製品価格が非常に上昇してしまうという問題があった。
【００１０】
一方、有機色素による光電変換素子を用いた間接型ＦＰＤは、有機物を用いるため加工が非常に容易であり、製品価格が非常に安くなるといった利点がある。
【００１１】
しかしながら、有機色素による光電変換素子を用いた場合には、光電変換層におけるリーク電流（暗電流）が大きくなってしまい、暗く表示されるべき箇所が明るく表示されてしまうという問題があった。
【００１２】
このようなリーク電流の影響を小さくする方法としては、補助容量部を設けて、補助容量部の静電容量を利用するという方法がある。
【００１３】
しかしながら、光電変換層について工夫せずに、補助容量部の静電容量を大きくするだけでは、読み出し時定数が増大して、情報の読み出しが遅くなるという問題があった。また、光電変換素子の構成上の制限から補助容量部を大きくすることができないという問題もあった。
【００１４】
また、図１８に、従来のＣＣＤデバイスの画素部の一例の模式的な断面図を示す。このＣＣＤデバイスの画素部は、数百μｍの厚さのシリコン基板２３１上の光電変換素子２３０の受光面の面積が画素部の面積よりも小さい構成となっている。また、シリコン基板２３１上にはポリシリコン膜２３２も形成されており、ポリシリコン膜２３２および光電変換素子２３１の表面の一部には遮光膜２３３が形成されている。
【００１５】
また、遮光膜２３３の上方にはインナーレンズ２３４が設置されており、インナーレンズ２３４の上方にはカラーフィルタ２３５が設置されている。さらに、カラーフィルタ２３５の上方にはマイクロレンズ２３６が設置されている。
【００１６】
そして、マイクロレンズ２３６の上方からの入射光２３７はマイクロレンズ２３６によって屈折し、カラーフィルタ２３５を通って、さらにインナーレンズ２３６によって屈折した後に、光電変換素子２３０に集光される。
【００１７】
しかしながら、このＣＣＤデバイスにおいては、画素部の面積が小さいために、光電変換素子２３０の上方にマイクロレンズ２３６およびインナーレンズ２３４を設置せざるを得なくなっており、これらのレンズによる入射光の吸収によるロスが生じるという問題があった。
【００１８】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、基板と、基板の第１の表面上に、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層と、光電変換層で生じた電荷を集電するための画素電極と、を備え、基板の第１の表面に対向する第２の表面上に、入射光を光電変換層の方向に集光するための集光部材を備えている光センサである。
【００２０】
ここで、本発明の光センサにおいては、基板の第１の表面上に補助容量部が設けられており、光電変換層における静電容量が補助容量部における静電容量よりも小さいことが好ましい。
【００２１】
また、本発明の光センサにおいては、画素電極が基板の第１の表面上に直接形成されていてもよい。
【００２２】
また、本発明の光センサにおいては、光電変換層の厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
また、本発明は、上記のいずれかの光センサが格子状に配列されている光センサアレイである。
【００２４】
また、本発明は、上記の光センサアレイを含む撮像素子である。
さらに、本発明は、上記の撮像素子を含む撮像装置である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００２７】
図１に、本発明の光センサの一例の模式的な断面図を示す。ここで、光センサは、基板１の一方の表面上に補助容量電極９およびゲート電極１１が形成されており、補助容量電極９を覆うようにして絶縁膜１５が形成されており、基板１の一部の表面および絶縁膜１５の一部の表面を覆うようにして画素電極７が形成されている。また、画素電極７の一部の表面上には絶縁膜１６が形成されている。
【００２８】
また、ゲート電極１１を覆うようにしてゲート絶縁膜１０が形成されている。そして、ゲート絶縁膜１０上には、信号線２１２に電気的に接続するソース電極１９と、画素電極７に電気的に接続するドレイン電極１２とが所定の間隔を空けて向かい合うようにして形成されており、ドレイン電極１２に電気的に接続するように画素電極７が形成されている。さらに、ソース電極１９とドレイン電極１２を覆ってゲート絶縁膜１０に接するように活性層１３が形成されている。そして、ゲート絶縁膜１０、ゲート電極１１、ドレイン電極１２、ソース電極１９および活性層１３から能動素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が構成されている。
【００２９】
また、このＴＦＴと画素電極７の一部を覆うようにしてパッシベーション膜２が形成されており、パッシベーション膜２、画素電極７および絶縁膜１６上には光の入射により電荷を生じさせる有機化合物である光電変換層６、共通電極５および保護膜３がこの順序で積層されている。
【００３０】
また、基板１の画素電極７の形成側とは反対側の表面上には球面凸状の集光部材４が設置されている。本実施の形態においては、集光部材４は、集光部材４に入射する入射光を画素電極７を通して光電変換層６に集光する機能を有している。
【００３１】
以上のような構成の光センサにおいては、集光部材４に入射した光は集光部材４で集光されて光電変換層６に入射し、当該光の入射によって光電変換層６で電荷が生じる。そして、共通電極５と画素電極７との間に印加されているバイアス電圧によって、画素電極７から電荷が取り出される。そして、画素電極７からＴＦＴのドレイン電極１２に電荷が転送される。
【００３２】
そして、ゲート電極１１への電圧の印加により、ＴＦＴのドレイン電極１２に保持されている電荷のソース電極１９への転送が行なわれて信号線２１２から外部に取り出される。すなわち、ゲート電極１１への電圧の印加の有無により、ＴＦＴの電荷の放出が制御される。
【００３３】
以上のような構成の本発明の光センサにおいては、基板１の画素電極７の形成側とは反対側の表面上に集光部材４が形成されており、この集光部材４に入射した光は集光して光電変換層６に入射させることができるため、光電変換層６に入射する光量を多くすることができる。
【００３４】
したがって、本発明の光センサにおいては、光電変換層６の受光面の面積を小さくすることができるため、光電変換層６で発生するリーク電流（暗電流）の絶対量を低減することができることから、従来と比べて、光電変換層６に有機化合物を用いた場合でも光電変換層６におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる。
【００３５】
すなわち、光電変換層６の受光面の面積を小さくすることにより、光電変換層６で発生するリーク電流（暗電流）の絶対量を低減することができるが、この場合には、光電変換層６の受光面の面積が小さくなる分だけ入射光の光量のロスが大きくなる。そこで、上記のように光電変換層６の受光面に集光することができる集光部材４を設置することにより入射光の光量のロスを抑えることができるようになる。
【００３６】
たとえば、本発明の光センサにおいては、光電変換層６の表面の面積は１画素の画素エリアの面積の約２０％程度まで小さくすることができ、これにより、光電変換層６で発生するリーク電流（暗電流）の絶対量を低減することができる。
【００３７】
このような構成とすることにより、本発明の光センサにおいては、従来の光特性を維持しながら、光電変換層６におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる。
【００３８】
なお、集光部材４の直径ｄをたとえば１００μｍ程度とし、集光部材４の高さｈをたとえば４０μｍ程度とした場合には、集光部材４を設けなかった場合には画素電極７の幅（たとえば３０μｍ）よりも広い範囲に入射する光を画素電極７に集光することができる。
【００３９】
ここで、本発明の光センサにおいては、光電変換層６における静電容量がＴＦＴの補助容量部における静電容量よりも小さいことが好ましい。この場合には、光電変換層６におけるリーク電流（暗電流）の発生量をより低減することができる傾向にある。
【００４０】
なお、光電変換層６における静電容量Ｃ１は下記の式（１）により算出することができ、補助容量部における静電容量Ｃ２は下記の式（２）により算出することができる。
【００４１】
Ｃ１＝（光電変換層６の比誘電率ε１）×（真空誘電率ε0）×（画素電極７の光電変換層６と接触している表面の面積Ｓ１）／（画素電極７上の光電変換層６の厚さＤ１）  …（１）
Ｃ２＝（補助容量電極９の表面を覆うゲート絶縁膜１５の比誘電率ε２）×（真空誘電率ε0）×（補助容量電極９の表面の面積Ｓ２）／（補助容量電極９の表面を覆うゲート絶縁膜１５の厚さＤ２）  …（２）
また、光電変換層６の厚さＤ１は２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。光電変換層６の厚さＤ１が２０ｎｍ未満である場合には光電変換層６中の凝集物が原因となって、リーク電流（暗電流）が急激に増大するおそれがある。光電変換層６の厚さＤ１が２００ｎｍを超える場合には光電変換層６において電流が流れる領域が大きくなってリーク電流（暗電流）が急激に増大するおそれがある。
【００４２】
図１３（ａ）に実験装置の一例の模式的な上面構成図を示し、図１３（ｂ）に図１３（ａ）に示す実験装置の模式的な断面構成図を示す。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、この実験装置は、ガラス基板１８３上に、ＩＴＯからなる下部電極１８２、Ｐ３ＨＴ（Poly(3-hexylthiophene））とＰＣＢＭ（phenyl C61-butyric acid methyl ester）との混合物からなるバルクヘテロ接合型の光電変換層６、およびＡｌからなる上部電極１８１を順次積層した素子を１０個並列に接続した構成となっている。なお、図１３（ａ）および図１３（ｂ）においては、説明の便宜のため、２個の素子のみを示している。
【００４３】
ここで、上部電極１８１は１辺が１８０μｍの正方形状に形成されており、光電変換層６および下部電極１８２はそれぞれ１辺が４００μｍの正方形状に形成されている。
【００４４】
この実験装置は以下のようにして作製されたものである。まず、ＩＴＯ付きガラス基板のＩＴＯの表面上にフォトリソグラフィ技術を用いて下部電極１８２の形状となるレジストパターンを形成し、レジストパターンにより覆われていないＩＴＯをエッチングすることによってガラス基板１８３上にＩＴＯからなる下部電極１８２を形成する。
【００４５】
次に、ＣＦ4ガスを用いた減圧プラズマ法によって下部電極１８２が形成されたガラス基板１８３の全体を撥液処理する。そして、ガラス基板１８３の表面の下部電極１８２以外の部分をメタルマスクで遮蔽した後にＵＶオゾン照射することによって下部電極１８２の親液処理をする。
【００４６】
その後、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭとの混合液をガラス基板１８３の表面の全体にスピンコート法により塗布する。これにより、上記の親液処理がされた下部電極１８２の部分のみに光電変換層６が形成される。最後にメタルマスクを用いてＡｌを上部電極１８１の形状に真空蒸着法により光電変換層６の表面上に蒸着させることによって、図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示す構成の実験装置を作製した。
【００４７】
なお、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭとの混合液は、図１４に示すようにして作製された。まず、メルク社製のＰ３ＨＴを１重量％添加したクロロホルムに超音波を５分間印加した溶液１９２を第１の容器１９０に収容し、フロンティアカーボン社製のＰＣＢＭを１重量％添加したクロロホルムに超音波を５分間印加した溶液１９３を第２の容器１９１に収容した。そして、第１の容器１９０に収容された溶液１９２と第２の容器１９１に収容された溶液１９３とを混合比率（重量比）が１：１の割合で混合するように第３の容器１９４中に収容し、その後、超音波を５分間印加することによってＰ３ＨＴとＰＣＢＭとの混合液１９５を作製した。
【００４８】
そして、上記のようにして、光電変換層６の厚さ（上部電極１８１と下部電極１８２との間の最短距離）の異なる（１０ｎｍ〜１０００ｎｍ）実験装置をそれぞれ作製し、それぞれの実験装置の上部電極１８１に０ボルトの電圧を印加するとともに、下部電極１８２に−２ボルトの電圧を印加して、電流密度を測定した。その結果を表１に示す。なお、電流密度の測定時には、実験装置を構成する素子は暗箱内に設置された。
【００４９】
【表１】
2009267025.tif 000003
【００５０】
表１に示すように、光電変換層６の厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である場合には測定した電流密度は０．１μＡ／ｃｍ2となって、光電変換層６の厚さが１８ｎｍ以下の場合および２０５ｎｍ以上の場合と比べて電流密度が低減できていることが確認された。
【００５１】
これは、光電変換層６の厚さが１８ｎｍ以下である場合には、未溶解のＰ３ＨＴおよび／またはＰＣＢＭが凝集物となってリークパスを生じていると考えられるためである。確認のために、図１４に示すようにして作製したＰ３ＨＴとＰＣＢＭとの混合液１９５をガラス基板の表面上に塗布し、顕微鏡観察を行なったところ、粒径が１０〜２０ｎｍ弱程度の凝集物が多く観察された。
【００５２】
また、光電変換層６の厚さが２００ｎｍを超えている場合には、光電変換層６において電流が流れる領域が大きく、すなわち、電界が広がるためと考えられる。また、光電変換層６が厚く形成されることによる光電変換層６のムラに起因する電界集中も考えられる。
【００５３】
なお、上記において、基板１の材料としては、入射光を透過させることが可能な絶縁性材料であれば特に限定なく用いることができ、たとえば、ガラス基板またはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム基板を用いることができる。
【００５４】
また、上記において、パッシベーション膜２および保護膜３の材料としてはそれぞれ、たとえばポリイミド等を用いることができる。
【００５５】
また、上記において、集光部材４の材料としては、入射光を透過することが可能な材料であれば特に限定なく用いることができ、たとえば、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、ポリイミド系等の樹脂を用いることができる。樹脂には、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂等のいずれも用いることが可能である。
【００５６】
また、上記において、共通電極５、補助容量電極９、ゲート電極１１、ドレイン電極１２、信号線２１２およびソース電極１９としては、それぞれ導電性材料であれば特に限定なく用いることができ、たとえば、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等の金属、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＳｎＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜または従来から公知の導電性有機材料等を用いることができる。また、画素電極７は、入射光を透過させるために上記の透明導電膜等の入射光を透過させる導電性材料を用いることが好ましい。
【００５７】
また、上記において、光電変換層６としては、光の入射により電荷を生じさせる従来から公知の有機化合物を用いることができ、たとえば、電子供与体として機能する有機化合物と電子受容体として機能する有機化合物とを混合した層からなるバルクヘテロ接合型または電子供与体として機能する有機化合物からなる層と電子受容体として機能する有機化合物からなる層とを積層したスタック型の光電変換層等を用いることができる。ここで、電子供与体として機能する有機化合物としてはＰ３ＨＴ等を用いることができ、電子受容体として機能する有機化合物としてはＰＣＢＭ等を用いることができる。
【００５８】
また、上記においては、光電変換層６と画素電極７との間に、たとえば、ＰＥＤＯＴ（Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)）とＰＳＳ（Poly(4-styrenesulfonate)）との混合物からなるバッファ層等が形成されていてもよい。
【００５９】
また、上記において、ゲート絶縁膜１０、絶縁膜１５および絶縁膜１６としては、絶縁性材料であれば特に限定なく用いることができるが、たとえば、アクリル系、ウレタン系、エポキシ系、ポリイミド系等の可塑性樹脂、熱硬化性樹脂または紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。
【００６０】
また、上記において、活性層１３としては、絶縁性有機材料に限定されるものではないが、印刷や塗布等の方法により活性層１３を形成することができる点で絶縁性有機材料を用いることが好ましい。活性層１３に用いられる絶縁性有機材料としては、たとえば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）等のポリチオフェン類、チオフェンの６量体を基本に側鎖を有するオリゴチオフェン等の芳香族オリゴマー類、ペンタセンに置換基を持たせ溶解性を高めたペンタセン類、フルオレンとバイチオフェンとの共重合体（Ｆ８Ｔ２）、ポリチエニレンビニレンまたはフタロシアニン等を用いることができる。
【００６１】
以下に、上記の構成を有する本発明の光センサの製造方法の一例について説明する。まず、図２の模式的断面図に示すように、基板１上に帯状にパターンニングされたゲート電極１１および補助容量電極９を形成する。
【００６２】
ここで、ゲート電極１１および補助容量電極９は、たとえば、フォトリソグラフィ技術を利用して、基板１の表面上に、ゲート電極１１および補助容量電極９の形成領域以外の領域を被覆するようにレジストパターンを形成し、真空蒸着法等によって金属等を積層した後に、リフトオフによって積層した金属等とともにレジストパターンを除去することにより形成することができる。
【００６３】
なお、ゲート電極１１および補助容量電極９の形成方法は上記の方法に限定されず、ゲート電極１１および補助容量電極９を所望の形状にパターンニングできる形成方法であれば特に限定なく用いることができ、たとえば、上記以外にもマスク蒸着法または各種印刷法等を用いることもできる。
【００６４】
次に、図３の模式的断面図に示すように、ゲート電極１１を覆うようにしてゲート絶縁膜１０を形成し、そのゲート絶縁膜１０上に、信号線２１２に電気的に接続するソース電極１９と、ソース電極１９と所定の間隔を空けて向かい合うドレイン電極１２と、ドレイン電極１２に電気的に接続する画素電極７と、を所定の間隔を空けて向かい合うようにして形成した後に、ソース電極１９とドレイン電極１２とを覆ってゲート絶縁膜１０に接する活性層１３を形成する。また、画素電極７は、補助容量電極９上に絶縁膜１５を形成した後に絶縁膜１５を覆うようにして形成される。
【００６５】
ここで、ゲート絶縁膜１０、絶縁膜１５および絶縁膜１６の形成方法としては、ゲート絶縁膜１０を所望の形状にパターンニングできる形成方法であれば特に限定なく用いることができ、たとえば、ゲート絶縁膜１０、絶縁膜１５および絶縁膜１６を構成する樹脂を塗布する方法等を用いることができる。
【００６６】
また、画素電極７、信号線２１２、ソース電極１９およびドレイン電極１２の形成方法は、画素電極７、ソース電極１９およびドレイン電極１２を所望の形状にパターンニングできる形成方法であれば特に限定なく用いることができ、たとえば上記のゲート電極１１および補助容量電極９の形成方法と同様の方法で形成することができる。
【００６７】
また、活性層１３の形成方法も特に限定されず、たとえば、活性層１３を構成する絶縁性有機材料を印刷または塗布する方法により形成することができる。
【００６８】
以上により、ゲート絶縁膜１０、ゲート電極１１、ドレイン電極１２、ソース電極１９および活性層１３からなるＴＦＴが形成される。
【００６９】
次に、ＴＦＴと画素電極７の一部を覆うようにしてパッシベーション膜２および絶縁膜１６を形成する。その後、図４の模式的断面図に示すように、パッシベーション膜２、画素電極７および絶縁膜１６上に光電変換層６および共通電極５をこの順序で積層する。
【００７０】
ここで、パッシベーション膜２の形成方法は特に限定されないが、たとえば、ポリイミド等の樹脂をスピンコート法等で塗布する方法等を用いることができる。
【００７１】
また、光電変換層６の形成方法も特に限定されないが、たとえば、光の入射により電荷を生じさせる有機化合物の液状前駆体をスピンコート法等で塗布した後に乾燥する方法等を用いることができる。
【００７２】
また、共通電極５の形成方法も特に限定されないが、たとえば真空蒸着法等によって金属等を積層する方法等を用いることができる。
【００７３】
次に、図５の模式的断面図に示すように、共通電極５の表面上に保護膜３を形成するとともに、基板１の画素電極７の形成側とは反対側の表面上に集光部材４を形成する。
【００７４】
ここで、保護膜３の形成方法も特に限定されないが、たとえば、ポリイミド等の樹脂をスピンコート法等で塗布する方法等を用いることができる。
【００７５】
また、集光部材４は、たとえば、別途形成した集光部材４を基板１の表面に接着剤等を用いて貼り付けることにより設置することができる。
【００７６】
以上により、図１に示す構成の本発明の光センサを作製することができる。
なお、本発明に用いられる集光部材４は、たとえば以下のようにして作製することができる。ここで、集光部材の作製方法の一例を図６〜図８に図解する。
【００７７】
まず、図６の模式的構成図に示すように、片面が易接着処理された２軸延伸ＰＥＴで厚さが７５μｍのフィルム基材１４０をプライマーの塗布ロール１４３と圧胴ロール１４４との間を通過させる。ここで、インキパン１４２に収容されたプライマー１４１は、塗布ロール１４３に転写され、塗布ロール１４３に転写されたプライマーは、フィルム基材１４０が塗布ロール１４３と圧胴ロール１４４との間を通過する時にフィルム基材１４０に転写される。
【００７８】
次に、プライマーの転写後のフィルム基材１４０は乾燥ゾーン１４５で乾燥された後に、フィルム基材１４０のプライマー塗布側の表面を、ノズル塗工装置１４１０から排出された紫外線硬化性樹脂１４１１が凹部に充填されたロール凹版１４９の表面上にニップロール１４６によって密着させる。
【００７９】
続いて、紫外線照射装置１４７から紫外線を紫外線硬化性樹脂１４１１に照射することによって、紫外線硬化性樹脂１４１１を硬化させてフィルム基材１４０と一体化させる。
【００８０】
その後、フィルム基材１４０がニップロール１４８を通過する時に、ロール凹版１４９からフィルム基材１４０を剥離することによって賦型フィルムシート１４１２を得る。
【００８１】
ここで、上記において、紫外線硬化性樹脂１４１１としては、たとえば、ウレタンアクリル系多官能プレポリマーを主成分とするもの等を用いることができる。
【００８２】
図７に、上記のようにして作製した賦型フィルムシート１４１２の一例の模式的な斜視図を示す。ここで、図７（ａ）に示す構成の賦型フィルムシート１４１２においては、紫外線硬化性樹脂１４１１が三角プリズム形状に形成されている。また、図７（ｂ）に示す賦型フィルムシート１４１２においては、紫外線硬化性樹脂１４１１が波形状に形成されている。また、図７（ｃ）に示す賦型フィルムシート１４１２においては、紫外線硬化性樹脂１４１１がピラミッド形状に形成されている。
【００８３】
次に、図８（ａ）の模式的断面図に示すように、たとえば図７（ａ）に示す賦型フィルムシート１４１２を射出成形機の金型内にセットする。ここで、賦型フィルムシート１４１２は、平板状の雌型１６６と口の字状の雌型１６５との間に挟まれ、口の字状の雌型１６５側に開口部１６３を有する雄型１６４が設置されている。
【００８４】
続いて、図８（ｂ）の模式的断面図に示すように、口の字状の雌型１６５の表面上に雄型１６４が接するようにして設置される。そして、図８（ｃ）の模式的断面図に示すように、雄型１６４の開口部１６３から樹脂１６７を注入する。その後、樹脂１６７を冷却等することによって樹脂１６７を硬化させる。
【００８５】
次に、図８（ｄ）の模式的断面図に示すように、口の字状の雌型１６５、平板状の雌型１６６および雄型１６４をそれぞれ互いに引き離すことによって脱型を行なう。そして、樹脂１６７が硬化された後の賦型フィルムシート１４１２を射出成形機の金型から取り出し、図８（ｅ）の模式的断面図に示すように、賦型フィルムシート１４１２から樹脂１６７を脱離させる。その後、賦型フィルムシート１４１２から脱離させた樹脂１６７から集光部材４が形成される。
【００８６】
また、集光部材の作製方法の他の一例を図９（ａ）〜（ｃ）の模式的断面図に図解する。
【００８７】
まず、図９（ａ）に示すように、たとえば図７（ｂ）に示す構成の賦型フィルムシート１４１２を加熱プレス機の金型内にセットする。ここで、賦型フィルムシート１４１２は、上部加熱板１７０と下部加熱板１７４との間に樹脂１６７とともに設置する。
【００８８】
次に、図９（ｂ）に示すように、上部加熱板１７０を下部加熱板１７４側にプレスすることによって樹脂１６７を加熱して溶融させるとともに賦型フィルムシート１４１２の紫外線硬化性樹脂１４１１の形状に樹脂１６７を成形する。
【００８９】
続いて、成形された樹脂１６７を冷却等することによって樹脂１６７を硬化させた後に、図９（ｃ）に示すように、賦型フィルムシート１４１２から樹脂１６７を脱離させる。そして、樹脂１６７が硬化された後の賦型フィルムシート１４１２を加熱プレス機から取り出し、その後、賦型フィルムシート１４１２から脱離させた樹脂１６７から集光部材４が形成される。
【００９０】
さらに、集光部材の作製方法のさらに他の一例を図１０および図１１の模式的断面図ならびに図１２の模式的構成図に図解する。
【００９１】
まず、図１０に示すように、基板１の表面上にたとえば樹脂をスピンコート法で塗布する方法等によってレンズ材層１０１を積層し、そのレンズ材層１０１の表面上にレジスト１０２を積層した積層体を形成する。
【００９２】
ここで、レジスト１０２としては、ノボラック系ポジ型レジスト等を用いることができ、レジスト１０２は、たとえばレンズ材層１０１の全面に形成された後にフォトリソグラフィ技術を利用して所定の形状にパターンニングされ、加熱されることによって軟化させて半球状に形成される。
【００９３】
次に、図１１に示すように、半球状のレジスト１０２およびレンズ材層１０１をエッチングする。このエッチングは、たとえばＣＦ4およびＯ2の混合ガスをエッチングガス１０３として用いた異方性の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）とすることができる。また、このＲＩＥは、レジスト１０２とレンズ材層１０１とのエッチング選択比がほぼ１となるような条件で行なうことができる。これにより、レジスト１０２の半球状の形状がレンズ材層１０１に転写されて、半球状のレンズ材層１０１からなる集光部材４が形成される。
【００９４】
図１２に、上記のＲＩＥに用いることができる装置の一例としてマグネトロンＲＩＥ装置の模式的な構成を示す。図１２に示すように、マグネトロンＲＩＥ装置１０７は、チャンバー１０６内に互いに平行に配置された上部電極１０９および下部電極１０８を有している。上部電極１０９には磁石１０４が設けられており、磁界が形成される。また、下部電極１０８には上記の積層体１１０が設置されており高周波電源１０５から下部電極１０８に高周波電圧が印加される。ここで、高周波電源１０５の電力を変化させることにより積層体１１０に入射するイオンのエネルギが制御される。
【００９５】
なお、集光部材４の形成方法は上記の方法に限定されず、たとえば、フォトリソグラフィ技術、マイクロコンタクトプリント、ダイシング（切削）加工、電気鋳造法等を利用して適宜作製することが可能である。
【００９６】
また、上記構成の本発明の光センサは、格子状に配列させられることによって光センサアレイを構成し、そのように構成された光センサはたとえば撮像素子に好適に用いることができる。また、本発明の光センサを含む撮像素子は、たとえばＦＰＤ等の撮像装置に好適に用いることができる。
【００９７】
図１５に、本発明の光センサが格子状に配列させられることによって形成された光センサアレイを含む撮像素子の一例である放射線画像検出器の模式的な斜視透視図を示す。
【００９８】
ここで、放射線画像検出器には、撮像パネル２０１、放射線画像検出器の動作を制御する制御回路２０５、書き換え可能な読み出し専用メモリ（たとえばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル２０１から出力された画像信号を記憶し、記憶した画像信号の読み出しが可能なメモリ部２０６、放射線画像検出器の動作を切り換えるための操作部２０３、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部２０６に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部２０２、撮像パネル２０１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電源部２０９、放射線画像検出器とその放射線画像検出器を含む撮像装置の画像処理部との間で通信を行うための通信用のコネクタ２０４およびこれらを収納する筐体２００が設けられている。
【００９９】
また、撮像パネル２０１は、照射された放射線の強度に応じて蓄積された電荷を読み出す走査駆動回路２０８および蓄積された電荷を画像信号として出力する信号選択回路２０７を有している。
【０１００】
図１６に、図１５に示す放射線画像検出器の回路構成を示す。撮像パネル２０１にはたとえば図１に示される本発明の光センサが設置されており、本発明の光センサの１つの画素電極７が放射線画像の１画素に対応する。なお、この放射線画像検出器においては、画素電極７は本発明の光センサに照射された放射線の強度に応じて蓄積された電荷を読み出すために用いられる。
【０１０１】
ここで、画素間には走査線２１３−１、２１３−２、２１３−３・・・２１３−ｍと信号線２１２−１、２１２−２、２１２−３、・・・２１２−ｎとがたとえば直交するように配設されている。
【０１０２】
また、撮像パネル２０１には、図１に示される本発明の光センサのゲート絶縁膜１０、ゲート電極１１、ドレイン電極１２、ソース電極１９および活性層１３から構成されているＴＦＴ２１１−（１，１）が設置されている。
【０１０３】
なお、上記で説明したように、画素電極７およびＴＦＴ２１１−（１，１）は電気的に接続されている。また、撮像パネル２０１に設置された本発明の光センサのＴＦＴのゲート電極１１は走査線２１３−１に接続されており、ソース電極１９は信号線２１２−１に接続されている。
【０１０４】
また、本発明の光センサのＴＦＴのドレイン電極１２は画素電極７に接続されている。また、本発明の光センサの共通電極５は図示しないバイアス電源に接続されており、共通電極５には負のバイアス電圧が印加されている。ここでは、１つの画素に注目して説明したが、他の画素についても同様に、画素電極、ＴＦＴ、走査線および信号線が接続されている。
【０１０５】
また、撮像パネル２０１には、信号線２１２−１、２１２−２、２１２−３、・・・２１２−ｎに、たとえばドレイン電極が接続された初期化用のトランジスタ２１５−１、２１５−２、２１５−３、・・・２１５−ｎが設けられている。この初期化用のトランジスタ２１５−１、２１５−２、２１５−３、・・・２１５−ｎのソース電極は接地されている。また、この初期化用のトランジスタ２１５−１、２１５−２、２１５−３、・・・２１５−ｎのゲート電極はリセット線２１４と接続されている。
【０１０６】
また、撮像パネル２０１の走査線２１３−１、２１３−２、２１３−３・・・２１３−ｍとリセット線２１４は走査駆動回路２０８に接続されている。
【０１０７】
このような回路構成を有する放射線画像検出器においては、走査駆動回路２０８から走査線２１３−１、２１３−２、２１３−３・・・２１３−ｍのうちの１つ走査線２１３−ｐ（ｐは１〜ｍのいずれか１つの値）に読出信号ＲＳが供給されると、この走査線２２３−ｐに接続されたＴＦＴ２１１−（ｐ，１）〜２１１−（ｐ，ｎ）がオン状態にされて、蓄積された電荷が信号線２１２−１、２１２−２、２１２−３〜２１２−ｎにそれぞれ読み出される。信号線２１２−１、２１２−２、２１２−３〜２１２−ｎは、信号選択回路２０７の信号変換器２１６−１、２１６−２、２１６−３、・・・２１６−ｎに接続されており、信号変換器２１６−１、２１６−２、２１６−３、・・・２１６−ｎでは信号線２１２−１、２１２−２、２１２−３〜２１２−ｎ上に読み出された電荷量に比例する電圧信号ＳＶ−１、ＳＶ−２、ＳＶ−３、・・・ＳＶ−ｎを生成する。この信号変換器２１６−１、２１６−２、２１６−３、・・・２１６−ｎから出力された電圧信号ＳＶ−１、ＳＶ−２、ＳＶ−３、・・・ＳＶ−ｎはレジスタ２１７に供給される。
【０１０８】
レジスタ２１７では、供給された電圧信号が順次選択されて、Ａ／Ｄ変換器２１８で（たとえば、１２ビットないし１４ビットの）１つの走査線に対するディジタルの画像信号ＤＰとされて制御回路２０５に供給される。また、制御回路２０５は、走査駆動回路２０８に読出信号ＲＣを供給して、走査線２１３−１、２１３−２、２１３−３・・・２１３−ｍの各々について順次、走査駆動回路２０８を介して読出信号ＲＳを供給して画像走査を行い、上記と同様にして走査線毎のディジタルの画像信号を取り込む。そして、放射線画像の画像信号の生成を行う。なお、制御回路２０５は、制御信号ＳＣを信号選択回路２０７に供給して、信号選択回路２０７の制御を行なう。
【０１０９】
なお、走査駆動回路２０８からリセット信号ＲＴをリセット線２１４に供給してトランジスタ２１５−１〜２１５−ｎをオン状態とするとともに、走査線２１３−１〜２１３−ｍに読出信号ＲＳを供給してＴＦＴ２１１−（１，１）〜２１１（ｍ，ｎ）をオン状態とすると、蓄えられた電荷が初期化用のトランジスタ２１５−１、２１５−２、２１５−３、・・・２１５−ｎを介して放出して撮像パネル２０１の初期化を行なうことができる。
【０１１０】
また、制御回路２０５には、表示部２０２、操作部２０３、コネクタ２０４およびメモリ部２０６が接続されており、これらは電源部２０９からの電力の供給により駆動する。ここで、制御回路２０５においては、操作部２０３からの操作信号ＰＳに基づいて放射線画像検出器の動作が制御される。操作部２０３には複数のスイッチが設けられており、操作部２０３からのスイッチ操作に応じた操作信号ＰＳが制御回路２０５に供給されることにより、制御回路２０５にて撮像パネル２０１の初期化や放射線画像の画像信号の生成が行われる。また、放射線画像の画像信号の生成は、放射線発生器から放射線照射終了信号ＤFEがコネクタ２０４を介して供給されたときに行うものとすることもできる。さらに、制御回路２０５で生成した画像信号ＤＴをメモリ部２０６に記憶させる処理等も行うことができる。また、制御回路２０５から表示信号ＤＳを表示部２０２に供給することによって、表示部２０２は放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部２０６に所定量の画像信号が書き込まれたことを表示する。
【０１１１】
図１７に、図１５に示す構成の放射線画像検出器を含む撮像装置の一例の模式的な構成を示す。ここで、この撮像装置においては、放射線発生器２２２から放射された放射線は、被写体（医療施設ではたとえば患者）２２０を通して図１５に示す構成の放射線画像検出器２２１に照射される。そして、放射線画像検出器２２１では、照射された放射線の強度に基づいて画像信号ＤFEを生成する。この生成された画像信号ＤFEは、放射線画像検出器２２１に接続されている画像処理部２２３によって読み出される。または、放射線画像検出器２２１に装着されたたとえば半導体メモリカード等の携帯可能な記録媒体に蓄積された後、この記録媒体を放射線画像検出器２２１から取り外して画像処理部２２３に装着することによって画像処理部２２３に供給される。
【０１１２】
画像処理部２２３においては、放射線画像検出器２２１で生成された画像信号ＤFEに対してシェーディング補正やゲイン補正、階調補正、エッジ強調処理、ダイナミックレンジ圧縮処理等を施して、診断等に適した画像信号となるように処理を行なうことができる。また、画像処理部２２３には、陰極管や液晶表示素子あるいはプロジェクタ等を用いて構成された画像表示部２２５が接続されており、この画像表示部２２５においては、画像処理中の画像信号や画像処理完了後の画像信号に基づく画像を表示することができる。
【０１１３】
また、画像処理部２２３においては、画像の拡大や縮小を行うとともに画像信号の蓄積や転送を容易とするために画像信号の圧縮や伸長処理も行なうことができる。このため、画像表示部２２５に表示されている画像を拡大したり縮小することで、撮影部位の確認や処理状態を容易に行うことができる。また、表示された画像や表示された画像の領域を指定させて、指定された画像や指定された領域に対して適切な画像処理を自動的に行うことも可能となる。
【０１１４】
また、画像処理部２２３には、キーボード、マウス、ポインターなどを用いて構成された情報入力部２２４が接続されており、この情報入力部２２４によって患者情報等を入力し、付加情報を画像信号に付け加えることができる。また、画像処理の指定や画像信号の保存や読み出し、ネットワークを介した画像信号の送受信を行う際の指示等も情報入力部２２４から行なわれる。
【０１１５】
また、画像処理部２２３には、さらに、画像出力部２２８、画像保存部２２６およびコンピュータ支援画像自動診断部(ＣＡＤ)２２７がそれぞれ接続されている。
【０１１６】
また、画像出力部２２８では、記録紙やフイルム等に放射線画像を表示させて出力する。たとえば、銀塩写真フィルムを用いるものとして、画像信号に基づき露光を行ない、この露光された銀塩写真フィルムの現像処理を行なうことで放射線画像を銀画像として描き出して出力することができる。
【０１１７】
また、記録紙に放射線画像を印刷して出力する場合には、画像信号に基づいてインクに圧力をかけて細いノズルの先端からインクを記録紙に吹き付けて印刷するインクジェットプリンタ、画像信号に基づいてインクを溶融あるいは昇華させて記録紙に画像を転写するサーマルプリンタ、画像信号に基づきレーザ光で感光体上を走査して、感光体上に付着したトナーを紙に転写してから熱と圧力で定着させることにより記録紙に画像を形成するレーザプリンタ等を用いて画像出力部２２８を構成することができる。
【０１１８】
また、画像保存部２２６においては、放射線画像の画像信号を必要に応じて適宜読み出すことができるように保存することができる。この画像保存部２２６は、たとえば磁気的、ホログラム素子、穿孔、色素分布変化等を利用することにより画像信号を保存することができる。
【０１１９】
また、ＣＡＤ２２７は、たとえば、撮影された放射線画像のコンピュータ処理やコンピュータ解析を行い、診断に必要な情報を医師に提供することで病変の見落としがないように診断支援を行なうことができる。また、ＣＡＤ２２７は、たとえば、コンピュータ処理やコンピュータ解析結果に基づいて、診断を自動的に行なうことができる。
【０１２０】
また、放射線画像の画像信号は、上述の画像出力部２２８、画像保存部２２６およびＣＡＤ２２７だけでなく、いわゆるＬＡＮ、インターネットおよびＰＡＣＳ(医療画像ネットワーク)等のネットワーク２２１４を介して、病院施設内の他の部署あるいは遠隔地にも送付することができる。
【０１２１】
また、このネットワーク２２１４を介して、ＣＴ（Computed Tomography）２２９やＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging）２２１０から得られた画像信号、ＣＲ（Computed Radiography）や他のＦＰＤ２２１１から得られた画像信号、およびその他の検査情報等も送付可能とされており、放射線画像検出器２２１で得られた放射線画像と比較検討するために、ネットワーク２２１４を介して送付されてきた画像信号や検査情報等を画像表示部２２５で表示したり画像出力部２２８から出力させることもできる。
【０１２２】
また、送付されてきた画像信号や検査情報等を画像保存部２２６に保存させることもできる。また、放射線画像検出器２２１で得られた放射線画像の画像信号等を外部画像保存装置２２１２に保存させるものとしたり、外部画像表示装置２２１３の表示画面上に、放射線画像検出器２２１で得られた放射線画像を表示することも行なうこともできる。
【０１２３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明によれば、光電変換層に有機化合物を用いた場合でも光電変換層におけるリーク電流（暗電流）の発生量を低減することができる光センサ、光センサアレイ、撮像素子および撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の光センサの一例の模式的な断面図である。
【図２】図１に示す構成を有する本発明の光センサの製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図３】図１に示す構成を有する本発明の光センサの製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図４】図１に示す構成を有する本発明の光センサの製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図５】図１に示す構成を有する本発明の光センサの製造方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図６】本発明に用いられる集光部材の作製方法の一例を図解する模式的な構成図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明に用いられる賦型フィルムシートの一例の模式的な斜視図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は本発明に用いられる集光部材の作製方法の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は本発明に用いられる集光部材の作製方法の他の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１０】本発明に用いられる集光部材の作製方法のさらに他の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１１】本発明に用いられる集光部材の作製方法のさらに他の一例の工程の一部を図解する模式的な断面図である。
【図１２】本発明に用いられる集光部材の作製方法に用いられる装置の一例の模式的な構成図である。
【図１３】（ａ）は実験装置の一例の模式的な上面構成図であり、（ｂ）は（ａ）に示す実験装置の模式的な断面構成図である。
【図１４】実験で用いられた光電変換層を作製するための混合液の調製方法を図解する模式図である。
【図１５】本発明の光センサが格子状に配列させられることによって形成された光センサアレイを含む撮像素子の一例である放射線画像検出器の模式的な斜視透視図である。
【図１６】図１５に示す放射線画像検出器の回路構成図である。
【図１７】図１５に示す構成の放射線画像検出器を含む撮像装置の一例の模式的な構成図である。
【図１８】従来のＣＣＤデバイスの画素部の一例の模式的な断面図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１  基板、２  パッシベーション膜、３  保護膜、４  集光部材、５  共通電極、６  光電変換層、７  画素電極、９  補助容量電極、１０  ゲート絶縁膜、１１  ゲート電極、１２  ドレイン電極、１３  活性層、１４  領域、１５，１６  絶縁膜、１９  ソース電極、１０１  レンズ材層、１０２  レジスト、１０３  エッチングガス、１０４  磁石、１０５  高周波電源、１０６  チャンバー、１０７  マグネトロンＲＩＥ装置、１０８  下部電極、１０９  上部電極、１１０  積層体、１４０  フィルム基材、１４１  プライマー、１４２  インキパン、１４３  塗布ロール、１４４  圧胴ロール、１４５  乾燥ゾーン、１４６，１４８  ニップロール、１４７  紫外線照射装置、１４９  ロール凹版、１６３  開口部、１６４  雄型、１６５，１６６  雌型、１６７  樹脂、１７０  上部加熱板、１７４  下部加熱板、１８１  上部電極、１８２  下部電極、１８３  ガラス電極、１９０  第１の容器、１９１  第２の容器、１９２，１９３  溶液、１９４  第３の容器、１９５  混合液、２００  筐体、２０１  撮像パネル、２０２  表示部、２０３  操作部、２０４  コネクタ、２０５  制御回路、２０６  メモリ部、２０７  信号選択回路、２０８  走査駆動回路、２０９  電源部、２１１  ＴＦＴ、２１２  信号線、２１３  走査線、２１４  リセット線、２１５  トランジスタ、２１６  信号変換器、２１７  レジスタ、２１８  Ａ／Ｄ変換器、２２０  被写体、２２１  放射線画像検出器、２２２  放射線発生器、２２３  画像処理部、２２４  情報入力部、２２５  画像表示部、２２６  画像保存部、２２７  ＣＡＤ、２２８  画像出力部、２２９  ＣＴ、１４１０  ノズル塗工装置、１４１１  紫外線硬化性樹脂、１４１２  賦型フィルムシート、２２１０  ＭＲＩ、２２１１  ＦＰＤ、２２１２  外部画像保存装置、２２１３  外部画像表示装置、２２１４  ネットワーク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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