(57)【要約】【課題】半導体試験を高精度に実施する。【解決手段】プローブカード１は、プローブカード基板１０と、プローブカード基板１０の主面に配置された、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積層させた支持部材２０と、支持部材２０の少なくとも一つの支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに支持された、少なくとも一つのプローブピン３０と、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの何れかの主面の少なくとも一部に配設され、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに支持されたプローブピン３０の少なくとも一つと導通する導電層４０，４１と、を備えている。そして、導電層４０，４１がプローブカード基板１０の主面に配設されたグランド層と導通している。この様なプローブカード１を用いれば、半導体試験が高精度に実施される。【選択図】図１
2009236510.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブカード基板と、
前記プローブカード基板の主面に配置された、複数の支持層を積層させた支持部材と、
前記支持層の何れかに支持された、少なくとも一つのプローブピンと、
前記支持層の何れかの主面の少なくとも一部に配設され、前記支持層に指示された少なくとも一つの前記プローブピンと導通する導電層と、
を備えることを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記導電層が前記プローブカード基板の主面に配設されたグランド層と導通していることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項３】
前記導電層と前記支持層内に封止された前記プローブピンの少なくとも一部とが別の導電層を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載のプローブカード。
【請求項４】
前記導電層と前記支持層内に封止された前記プローブピンの少なくとも一部とが圧接により電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブカードに関し、特に被測定デバイスに接触させるプローブピンを複数搭載したプローブカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体試験に使用されている装置として、プローバ試験装置がある。当該プローバ試験装置には、プローブカードと呼称される測定部品が配置されている。
図６に、プローブカードの基本構成の要部図を示す。ここで、図６（ａ）には、プローブカードの上面側の要部図が示され、図６（ｂ）には、プローブカードの断面要部図が示されている。
【０００３】
図示するプローブカード１００は、略円板状のプローブカード基板１０１と、プローブカード基板１０１の下側に配置された複数のプローブピン１０２と、プローブピン１０２を固定・支持する支持層１０３と、を有している。プローブカード基板１０１には、プローブカード基板１０１を貫通する開口部１０４が設けられている。
【０００４】
また、支持層１０３により、複数のプローブピン１０２が支持された状態を、図７に示す。ここで、図７（ａ）には、支持層１０３により複数のプローブピン１０２が支持された状態の上面要部図が示され、図７（ｂ）には、図７（ａ）のＸ−Ｙ破線に沿った断面要部図が示されている。
【０００５】
図示する如く、支持層１０３を構成する、各々のモールド樹脂１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄ内に、少なくとも一本のプローブピン１０２が封止され、各々のモールド樹脂１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃ，１０３ｄを積層・配置することにより、複数のプローブピン１０２が立体的に配置された構成をなしている。
【０００６】
そして、半導体装置の製造工程中に行われるウェハ試験では、複数の半導体素子が形成されたウェハ状の被測定デバイスに、複数のプローブピン１０２の先端を同時に接触させ、当該半導体素子に関する種々の電気特性が検査される（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
ところで、試験中の被測定デバイスの接地（アース）は、グランド用のプローブピン１０２を被測定デバイスに接触させて、当該プローブピン１０２を通じて、測定デバイスの接地を図っている。
【特許文献１】特開２００４−０４５０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のグランド用のプローブピン１０２は、プローブカード基板１０１の主面に於いて、当該主面に配設されたグランド層に接続されている。従って、プローブ基板１０１上のグランド層からプローブピン１０２の先端部分までの線長が長くなってしまう。
【０００９】
これにより、プローブピン１０２には、半導体試験中にノイズが重畳してしまい、当該プローブピン１０２のグランド電位が変動し、半導体試験を正確に遂行することができないという問題があった。
【００１０】
本発明はこの様な点に鑑みてなされたものであり、半導体試験をより高精度に実施することができるプローブカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、プローブカード基板と、前記プローブカード基板の主面に配置された、複数の支持層を積層させた支持部材と、前記支持層の何れかに支持された、少なくとも一つのプローブピンと、前記支持層の何れかの主面の少なくとも一部に配設され、前記支持層に指示された少なくとも一つの前記プローブピンと導通する導電層と、を備えることを特徴とするプローブカードが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
上記手段によれば、半導体試験をより高精度に実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本実施の形態に係るプローブカード１を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は第１の実施の形態に係るプローブカードの要部図であり、図１（ａ）には、当該プローブカード１の裏面１０ｒ側の平面形状が示され、図１（ｂ）は、図１（ａ）に於けるＸ−Ｙ矢視図が表示されている。尚、上述したプローブカード１の裏面１０ｒとは、プローブカード基板１０の主面に於いて、プローブピン３０等が配置されている側の主面のことをいう。
【００１４】
当該プローブカード１にあっては、プローブカード基板１０と、当該プローブカード基板１０に接着部材（図示しない）を介して、固定・配置された支持部材（積層体）２０と、支持部材２０内に固定・支持された、複数のプローブピン３０と、を含む形態をなしている。
【００１５】
ここで、支持部材２０は、少なくとも一つの支持層を積層させたものであり、例えば、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積層させた積層体である。また、支持層２０ａとプローブカード基板１０間、または夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ間に、導電層４０を配置している。尚、上記支持層、支持層間に配設される導電層の数は、特に図示された数に限定されるものではなく、必要に応じて、その数が変更される。ここでは、一例として、４層の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に配置された導電層４０を有した支持部材２０が表示されている。
【００１６】
また、プローブカード基板１０の平面形状は、略円板状であり、その中心部に開口部１０ｈが形成されている。また、プローブカード基板１０の裏面１０ｒ側には、被測定デバイスに接触させるためのプローブピン３０が少なくとも一つ、配置されている。尚、被測定デバイスとは、例えば、デバイスＩＣ、ロジックＩＣ等の集積回路が配設された半導体装置（半導体素子）であり、ウェハ状の半導体装置に上記プローブピン３０を接触させて、半導体試験を遂行する（図示しない）。
【００１７】
また、プローブピン３０に於いては、上述した如く、その複数本が夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内に固定・支持されている。そして、プローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設された電極端子（図示しない）と、プローブピン３０の一方の端が半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄにより接合されている。
【００１８】
また、夫々の半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの位置から、プローブピン３０は所定の角度で斜めに延設し、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内にプローブピン３０の一部を封止させている。そして、プローブピン３０のもう一方の端、即ち、プローブピン３０の先端部分に於いては、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄから表出させている。更に、夫々のプローブピン３０の先端部分は大きく曲げられ、全てのプローブピン３０の先端部分が支持部材２０の上面より高く突き出た構造になっている。そして、プローブカード１にあっては、複数のプローブピン３０の先端部分をプローブカード基板１０の中心部に向かって、互いに対向させている。
【００１９】
この様なプローブピン３０は、図示されている本数とは限らず、被測定デバイスの形態に応じて、その本数が設定される。
また、プローブカード１にあっては、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に、接着部材（図示しない）を介して、導電層４０が配置・接合されている。当該導電層４０は、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃの上下の主面の全域上、或いは支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃの上下の主面の一部に配置されている。そして、夫々の導電層４０は、支持部材２０の側面に配設された導電層４１に導通している。当該導電層４１は、接着部材（図示しない）を介して、支持部材２０の側面に配設されている。
【００２０】
また、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに固定・支持された、少なくとも一つのプローブピン３０の一部と、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に位置する導電層４０とを、夫々、半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄにより接合させている。
【００２１】
また、導電層４１は、プローブカード基板１０の主面（例えば、裏面１０ｒ）に配設されたグランド層（図示しない）に導通させている。
この様な導電層４０，４１をプローブピン３０近傍の支持部材２０の内部或いは表面に配設することにより、グランド用のプローブピン３０に於いては、当該プローブピン３０からグランド電位までの距離が上記プローブピン３０の先端部分から導電層４０までの線長となる。従って、上記線長は、プローブピン３０の先端部分からプローブカード基板１０の主面に配置した上記グランド層までの線長より短くなる。これにより、被測定デバイスから発生するノイズが当該導電層４０に於いて確実に減衰し、プローブカード１に配設されたグランド用のプローブピン３０に於いては、当該ノイズを起因とする電位変動が抑制される。
【００２２】
この様に、プローブカード１にあっては、導電層４０が夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの何れかの上下の主面に配設され、当該導電層４０は、導電層４１を介して接地されている。これにより、グランド用のプローブピン３０の電位変動が抑制される。
【００２３】
尚、導電層４０は、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの何れかの上下の主面の全面に配設する他、必要に応じて、当該上下の主面の一部に配設してもよい。
尚、図１（ｂ）に於いては、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内に支持・固定させた、全てのプローブピン３０をグランド用のプローブピン３０としたが、本実施の形態に於いては、特に、この形態に限られるものではない。
【００２４】
即ち、被測定デバイスの形態に応じて、図１（ａ）に示す支持部材２０に固定・支持された、少なくとも一つのプローブピン３０に於いて、上記支持部材２０内に配設された導電層４０に導通させればよい。
【００２５】
また、グランド用のプローブピン３０以外のプローブピン３０に於いては、上記半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄを形成させない形態とし、グランド用のプローブピン３０とグランド用のプローブピン３０以外のプローブピン３０との絶縁が確保されている。
【００２６】
かかる形態のプローブカード１に於いて、プローブカード基板１０の材質は、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂、或いはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材が適用される。また、プローブカード基板１０の直径は、２０ｃｍ〜３０ｃｍ程度である。
【００２７】
また、プローブピン３０の材質は、例えば、タングステン（Ｗ）、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）等の金属材が適用される。また、プローブピン３０は、太さが１００μｍ〜２００μｍ径の上記金属線から作製され、先端部分が先鋭状になっている。
【００２８】
また、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの材質は、例えば、エポキシ樹脂、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂が適用される。
また、導電層４０，４１の材質は、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、或いはアルミニウム（Ａｌ）等の金属、或いは、これらの金属合金が適用される。特に、導電層４０，４１に於いては、その厚みを２００μｍ〜５００μｍとし、金属板シート（金属箔）が適用される。また、導電層４０，４１は、金属板シートの他、鍍金層、真空装置を用いて形成された被膜等より構成してもよい。
【００２９】
また、上記接着部材は、例えば、ポリイミド系樹脂、或いはエポキシ系樹脂を主体として構成されている。
また、半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの材質は、例えば、鉛（Ｐｂ）フリーの半田であり、具体的には、Ｓｎ３．５％Ａｇが適用される。または、鉛（Ｐｂ）を含有するＳｎ５％Ｐｂ、Ｓｎ６３％Ｐｂ、またはＳｎ３７％Ｐｂが適用される。
【００３０】
尚、半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄを形成せず、プローブピン３０と夫々の導電層４０とを、圧接により導通させてもよい。
次に、第１の実施の形態に係るプローブカード１の製造方法を説明する。
【００３１】
図２〜図４にはプローブカード１の製造方法を説明するための要部図が示されている。尚、以下の説明では、上記支持層２０ｂ，２０ｃに固定・支持されたプローブピン３０に、上記導電層４０を導通させる方法を一例として説明する。
【００３２】
先ず、図２に示す如く、プローブカード基板１０上に、支持層２０ａを接着部材（図示しない）を介して固着させる。当該支持層２０ａには、予め、グランド用のプローブピン３０以外のプローブピン３０が支持・固定されている。
【００３３】
次に、プローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設されている電極端子（図示しない）と、プローブピン３０の一方の端との半田付けを行い、上記電極端子と、プローブピン３０の一方の端とを半田層１１ａを介して接合する。
【００３４】
次に、当該支持層２０ａの上面に、金属板シートである導電層４０を接着部材（図示しない）を介して、固着させる。当該導電層４０には、支持層２０ｂの側面から外方へ突出する突出部４０ｂが設けられている。
【００３５】
次に、支持層２０ａの上面に固着させた導電層４０上に、上記支持層２０ｂを接着部材（図示しない）を介して固着させる。尚、当該固着前には、支持層２０ｂに固定・支持されているグランド用のプローブピン３０の下方に位置する導電層４０上に、半田材を配置しておく。当該半田材は、ペースト状のものでもよく、シート状のものでもよい。
【００３６】
そして、当該固着後に、必要に応じて加熱処理を施し、支持層２０ａの上面に固着させた導電層４０と、支持層２０ｂ内に固定・支持されているグランド用のプローブピン３０とを、半田層５０ｂを形成することにより電気的に接続する。
【００３７】
続いて、プローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設されている電極端子（図示しない）と、プローブピン３０の一方の端との半田付けを行い、上記電極端子と、プローブピン３０の一方の端とを半田層１１ｂを介して接合する。
【００３８】
そして、この様な作業を、上記支持層２０ｃについても実施する。そして、支持層２０ｂ上に配置した導電層４０とプローブピン３０とを半田層５０ｃを形成させることにより、導通させる。また、プローブピン３０とプローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設されている電極端子（図示しない）との半田付けを行い、上記電極端子と、プローブピン３０の一方の端とを半田層１１ｃを介して接合する。
【００３９】
また、支持層２０ｃ上に、支持層２０ｄを積層する。そして、プローブピン３０とプローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設されている電極端子（図示しない）との半田付けを行い、上記電極端子と、プローブピン３０の一方の端とを半田層１１ｄを介して接合する。
【００４０】
かかる状態を図３に示す。
尚、支持層２０ｃと接合させた導電層４０には、支持層２０ｃの側面から外方へ突出する突出部４０ｃが設けられている。
【００４１】
そして、上記突出部４０ｂ，４０ｃを、図４に示す如く、支持部材２０の側面方向に屈曲させ、支持部材２０の側面に、接着部材（不図示）を介して固着させる。これにより、上記突出部４０ｂ，４０ｃから構成される導電層４１が支持部材２０の側面に形成される。尚、導電層４１は、夫々の導電層４０と一体的に構成されていることから、導電層４０と導電層４１とは、導通している。
【００４２】
そして、導電層４１をプローブカード基板１０の主面（例えば、裏面１０ｒ）に配設されているグランド層に接続する。
この様な製造工程を以って、グランド用のプローブピン３０が支持層２０ｂ，２０ｃに固定・支持されたプローブカード１が製造される。
【００４３】
尚、半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの形成については、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを個々に配置する毎に実施する他、予め、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積層した後、半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄを一括で形成してもよい。
【００４４】
また、以上の説明では、上記支持層２０ｂ，２０ｃに固定・支持されたプローブピン３０に、上記導電層４０を導通させる方法を一例として説明したが、特にこの製造方法に限られるものでない。必要に応じて、上記支持部材２０に固定・支持された、少なくとも一つのプローブピン３０と、上記支持部材２０内に配設された導電層４０とを導通すればよい。
【００４５】
次に、第１の実施の形態に係るプローブカード１の変形例について説明する。また、以下の図に於いては、図１〜図４に例示した同一の部材には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００４６】
図５は第１の実施の形態に係るプローブカードの変形例の要部図である。ここで、図５には、図１（ａ）に於けるＸ−Ｙ矢視図が表示されている。
当該プローブカード２にあっては、プローブカード基板１０と、当該プローブカード基板１０に接着部材（図示しない）を介して、固定・配置された支持部材２０と、支持部材２０内に固定・支持された、複数のプローブピン３０と、を含む形態をなしている。
【００４７】
ここで、支持部材２０は、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積層させた積層体であり、支持層２０ａとプローブカード基板１０間、または夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ間に、導電層４０を配置している。尚、上記支持層、導電層の数は、特に図示された数に限定されるものではなく、必要に応じて、その数が変更される。ここでは、一例として、４層の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に配置された導電層４０を有した支持部材２０が表示されている。
【００４８】
また、プローブピン３０に於いては、上述した如く、その複数本が夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内に固定・支持されている。そして、プローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設された電極端子（図示しない）と、プローブピン３０の一方の端が半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄにより接合されている。
【００４９】
また、夫々の半田層１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄの位置から、プローブピン３０は所定の角度で斜めに延設し、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内にプローブピン３０の一部を封止させている。そして、プローブピン３０のもう一方の端、即ち、プローブピン３０の先端部分に於いては、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄから表出させている。更に、夫々のプローブピン３０の先端部分は大きく曲げられ、全てのプローブピン３０の先端部分が支持部材２０の上面より高く突き出た構造になっている。
【００５０】
この様なプローブピン３０は、図示されている本数とは限らず、被測定デバイスの形態に応じて、その本数が設定される。
また、プローブカード２にあっては、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に、接着部材（図示しない）を介して、導電層４０が配置・接合されている。当該導電層４０は、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃの上下の主面の全域上、或いは支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃの上下の主面の一部に配置されている。そして、夫々の導電層４０は、支持部材２０の側面に配設された導電層４１に導通している。当該導電層４１は、接着部材（図示しない）を介して、支持部材２０の側面に配設されている。
【００５１】
また、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに固定・支持されたプローブピン３０の全部分と、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に位置する導電層４０とを、夫々、半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄにより接合させている。
【００５２】
また、導電層４１は、プローブカード基板１０の主面（例えば、裏面１０ｒ）に配設されたグランド層（図示しない）に導通させている。
この様な導電層４０，４１をプローブピン３０近傍の支持部材２０の内部或いは表面に配設することにより、グランド用のプローブピン３０に於いては、当該プローブピン３０からグランド電位までの距離が上記プローブピン３０の先端部分から導電層４０までの線長となる。従って、上記線長は、プローブピン３０の先端部分からプローブカード基板１０の主面に配置した上記グランド層までの線長より短くなる。特に、当該実施の形態に於いては、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに固定・支持されたプローブピン３０の全部分と、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの下方に位置する導電層４０とを、夫々、半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄにより接合させている。従って、上記線長は、プローブピン３０の先端部分になる。
【００５３】
その結果、被測定デバイスから発生するノイズが当該導電層４０に於いて確実に減衰し、プローブカード２に配設されたグランド用のプローブピン３０に於いては、上記ノイズを起因とする電位変動が抑制される。
【００５４】
この様に、プローブカード２にあっては、導電層４０が夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの何れかの上下の主面に配設され、当該導電層４０は、導電層４１を介して接地されている。これにより、グランド用のプローブピン３０の電位変動が抑制される。
【００５５】
尚、導電層４０は、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの何れかの上下の主面の全面に配設する他、必要に応じて、当該上下の主面の一部に配設してもよい。
尚、図５に於いては、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ内に支持・固定させた、全てのプローブピン３０をグランド用のプローブピン３０としたが、本実施の形態に於いては、特に、この形態に限られるものではない。
【００５６】
即ち、被測定デバイスの形態に応じて、図５に示す支持部材２０に固定・支持された、少なくとも一つのプローブピン３０に於いて、上記支持部材２０内に配設された導電層４０に導通させればよい。
【００５７】
また、グランド用のプローブピン３０以外のプローブピン３０に於いては、上記半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄを形成させない形態とし、グランド用のプローブピン３０とグランド用のプローブピン３０以外のプローブピン３０との絶縁が確保されている。
【００５８】
また、半田層５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄを形成せず、プローブピン３０と夫々の導電層４０とを、圧接により導通させてもよい。
この様に、プローブカード１，２は、プローブカード基板１０と、プローブカード基板１０の主面に配置された、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積層させた支持部材２０と、支持部材２０の少なくとも一つの支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに支持された、少なくとも一つのプローブピン３０と、支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの何れかの主面の少なくとも一部に接合した導電層４０を有している。また、夫々の支持層２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄに支持された、少なくとも一つのプローブピン３０と導電層４０とが導通し、更に、導電層４０は、導電層４１を介してプローブカード基板１０の主面に配設されたグランド層と導通している。
【００５９】
これにより、プローブカード１，２にあっては、上記導電層４０，４１をプローブカード基板１０の裏面１０ｒ側に配設し、例えば、アースを被測定デバイスの直近に備えることができる。
【００６０】
かかる構成により、プローブピン３０に於いては、被測定デバイスから発せられるノイズの影響を受け難くなる。
例えば、グランド用のプローブピン３０の線長が影響して、被測定デバイスに供給するグランド電位が不安定となる現象が回避される。
【００６１】
また、プローブカード１，２にあっては、導電層４０，４１を支持部材２０内部或いは側面に配設することにより、シールド効果が向上し、グランド用のプローブピン３０以外のプローブピン３０に於いても、被測定デバイスからのノイズの影響を受け難い構造になっている。
【００６２】
この様に、上記プローブカード１，２を用いれば、より高精度に半導体試験を遂行することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の実施の形態に係るプローブカードの要部図である。
【図２】第１の実施の形態に係るプローブカードの製造方法を説明するための要部図である（その１）。
【図３】第１の実施の形態に係るプローブカードの製造方法を説明するための要部図である（その２）。
【図４】第１の実施の形態に係るプローブカードの製造方法を説明するための要部図である（その３）。
【図５】第１の実施の形態に係るプローブカードの変形例の要部図である。
【図６】プローブカードの基本構成の要部図である。
【図７】複数のプローブピンが支持された状態の要部図である。
【符号の説明】
【００６４】
１，２  プローブカード
１０  プローブカード基板
１０ｈ  開口部
１０ｒ  裏面
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ  半田層
２０  支持部材
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ  支持層
３０  プローブピン
４０，４１  導電層
４０ｂ，４０ｃ  突出部
【図１】
2009236510.tif 000003
【図２】
2009236510.tif 000004
【図３】
2009236510.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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