(57)【要約】【課題】  発光特性に優れたエレクトロルミネッセンス材料を提供する。【解決手段】  繰り返し単位が下記式（１）【化１】2009040857.tif 000010〔式中、Ｒ１はアルキル基または下記式（２）【化２】2009040857.tif 000011｛式中、Ｒ２はアルキル基であり、ｌは０〜５の整数である。｝であり、＋は単結合を示し、繰り返し単位数が１０〜１００の正数である。〕で示されるポリチオフェン、および該ポリチオフェンを有機エレクトロルミネッセンス素子用のエレクトロルミネッセンス材料として使用することにより、発光特性に優れたエレクトロルミネッセンス材料を得ることができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し単位が下記式（１）
【化１】
2009040857.tif 000006
〔式中、Ｒ１はアルキル基または下記式（２）
【化２】
2009040857.tif 000007
｛式中、Ｒ２はアルキル基であり、ｌは０〜５の整数である。｝
であり、＋は単結合を示し、繰り返し単位数が１０〜１００の正数である。〕
で示されるポリチオフェン。
【請求項２】
下記式（３）
【化３】
2009040857.tif 000008
〔式中、Ｒ３はアルキル基または下記式（４）
【化４】
2009040857.tif 000009
｛式中、Ｒ４はアルキル基であり、ｍは０〜５の整数である。｝
であり、ｎは５〜５０の正数である。〕
で示されるポリビチオフェン。
【請求項３】
請求項１に記載のポリチオフェンよりなるエレクトロルミネッセンス材料。
【請求項４】
請求項２に記載のポリビチオフェンよりなるエレクトロルミネッセンス材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なポリチオフェンおよび該化合物よりなるエレクトロルミネッセンス材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」と称する）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、現在、盛んに開発が行われている。一般に有機ＥＬ素子は、発光層及び該層を挟んだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。更に、この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【０００３】
低電圧駆動、高効率、高輝度の有機ＥＬ素子を実現する手法として、タング（Ｔａｎｇ）らにより、陽極に正孔輸送性化合物からなる正孔輸送層、電子輸送性の発光化合物からなる電子輸送層を積層した多層構造を有する素子が提案されている。この中で、正孔輸送層は、陽極から正孔を注入させやすくする機能と、大きな正孔ドリフト移動度により正孔を容易に輸送し、また小さい電子ドリフト移動度により電子をブロックして、発光層での再結合確率を増やす機能とを有している。しかしながら、発光層への電荷注入効率が不充分である場合には、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入材料を用いた正孔注入層を設けることが行われる。
【０００４】
この様な正孔注入材料として、様々な材料が検討されており、チオフェン系材料の検討もなされている。例えば、チオフェン６量体からなるオリゴチオフェン材料（非特許文献１）が検討されているが未だ十分なレベルではなく、α−６Ｔ（α−ｓｅｘｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を用いて作成したＥＬ素子の最大発光強度は、約４ｃｄ／ｍ２（印可電圧１８Ｖ）であった。
【０００５】
【非特許文献１】Ｓｕｎｇ−Ｔａｅｋ  Ｌｉｍら、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ、１１７巻、２２９頁、２００１年。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、優れた発光特性を与えるエレクトロルミネッセンス材料、その中でも特に正孔注入材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは上記の課題を解決するために鋭意検討を進めた結果、特定の構造を有するポリチオフェンが、高発光特性を与える正孔注入能を有することを見出し、本発明を提供するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、
繰り返し単位が下記式（１）
【０００９】
【化１】
2009040857.tif 000002
【００１０】
〔式中、Ｒ１はアルキル基または下記式（２）
【００１１】
【化２】
2009040857.tif 000003
【００１２】
｛式中、Ｒ２はアルキル基であり、ｌは０〜５の整数である。｝
であり、＋は単結合を示し、繰り返し単位数が１０〜１００の正数である。〕
で示されるポリチオフェンである。
【００１３】
また、本発明は、下記式（３）
【００１４】
【化３】
2009040857.tif 000004
【００１５】
〔式中、Ｒ３はアルキル基または下記式（４）
【００１６】
【化４】
2009040857.tif 000005
【００１７】
｛式中、Ｒ４はアルキル基であり、ｍは０〜５の整数である。｝
であり、ｎは５〜５０の正数である。〕
で示されるポリビチオフェンである。
【００１８】
さらに、他の本発明は、前記ポリチオフェン、またはポリビチオフェンよりなるエレクトロルミネッセンス材料である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のポリチオフェンは、特に正孔注入材料として用いた時に、高い電流密度で作動するため、有機ＥＬ素子を構成するエレクトロルミネッセンス材料として極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明のポリチオフェンは、前記式（１）で示される。式（１）中、Ｒ１はアルキル基または前記式（２）で示される基である。アルキル基としては、直鎖または分岐していても良く、炭素数が１〜８である。アルキル基として好適な基を例示すればメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等を挙げることができる。前記式（２）で示される基としては、ｌは０〜５の整数であり、Ｒ２はＲ１と同等である。
【００２１】
本発明のポリチオフェンの繰り返し単位数は、１０〜１００の正数であり、成膜性の点から、特に、１０〜８０の正数であることが好ましい。ここで繰り返し単位数とは、ポリチオフェンにおけるチオフェン単位の繰り返し数であり、ポリチオフェンの重量平均分子量をチオフェンの単位分子量で除した値を指す。
【００２２】
本発明のポリチオフェンは、繰り返し単位数が上記範囲を満足すれば、規則正しく同じ向きにチオフェンが結合されていてもよいし、交互の向きにチオフェンが結合されていてもよい。また、本発明のポリチオフェンは、不規則な向きにチオフェンが結合されていてもよい。つまり、本発明のポリチオフェンは、繰り返し単位が前記式（１）のチオフェンであって、繰り返し単位数が上記範囲であれば、チオフェンの結合の向きは特定されるものではない。
【００２３】
本発明のポリチオフェンの製造方法は、特に限定されるものではなく、如何なる合成方法であってもよく、例えば、チオフェンを塩化鉄等の酸化剤で処理する方法等を挙げることができる。
【００２４】
このようにして得られた本発明のポリチオフェンは、シリカゲルカラム精製、再結晶、再沈殿等の処理を行うことによって、単離精製することができる。
【００２５】
本発明のポリビチオフェンは、前記式（３）で示される。式（３）中、Ｒ３はアルキル基または前記式（４）で示される基である。アルキル基としては、直鎖または分岐していても良く、炭素数が１〜８である。アルキル基として好適な基を例示すればメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、２−ブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基等を挙げることができる。前記式（４）で示される基としては、ｍは０〜５の整数であり、Ｒ４はＲ２と同等である。
【００２６】
本発明のポリビチオフェンの重合度（ｎ）は、５〜５０の正数であり、成膜性の点から、特に１０〜５０の正数であることが好ましい。ここで重合度（ｎ）とは、ポリビチオフェンにおけるビチオフェン単位の繰り返し数であり、ポリビチオフェンの重量平均分子量をビチオフェン単位分子量で除した値を指す。
【００２７】
本発明のポリビチオフェンの製造方法は、特に限定されるものではなく、如何なる合成方法であってもよく、例えば、次のような方法を挙げることができる。
【００２８】
即ち、３−アルコキシチオフェンを、ｎ−ブチルリチウム、リチオ化ジイソプロピルアミド等のリチオ化剤と処理することにより、２−リチオ−３−アルコキシチオフェンを得、続いて塩化第二銅等のカップリング剤と処理することにより、３，３’−ジアルコキシ−２，２’−ビチオフェンを得ることが出来る。さらに、得られた３，３’−ジアルコキシ−２，２’−ビチオフェンを酸化剤と処理することにより、本発明のポリビチオフェンを得ることが出来る。
【００２９】
このようにして得られた本発明のポリビチオフェンは、シリカゲルカラム精製、再結晶、再沈殿等の処理を行うことによって、単離精製することができる。
【００３０】
本発明のポリチオフェン及びポリチオフェン（以下、本発明のポリマーと称する場合もある）は、一般に常温常圧下で無色又は淡黄色の固体として存在し、その構造はプロトン核磁気共鳴スペクトル（１Ｈ−ＮＭＲ）、分子量測定（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）、元素分析等の分析手法によって確認することができる。
【００３１】
本発明のポリチオフェン及びポリビチオフェン（以下、本発明のポリマーと称す）は、オリゴチオフェンより優れた正孔注入特性を示すという特徴を有し、エレクトロルミネッセンス材料、特に正孔注入材料として好適に使用でき、本発明のポリマーよりなる正孔注入材料（エレクトロルミネッセンス材料）を用いて有機ＥＬ素子を作成することができる。本発明のポリマーの中でもポリビチオフェンが、ポリチオフェンと比較して優れた特性を示す。その理由は定かではないが、ポリビチオフェンの方が分子量を高くすることが容易であるためと推察している。
【００３２】
本発明のポリマーからなる正孔注入材料を用いた有機ＥＬ素子の構造については、少なくとも一方が透明または半透明である一対の電極間に、本発明の正孔注入材料を含む正孔注入層、正孔輸送性材料を含む正孔輸送層、発光層もしくは発光層及び電荷輸送層とが組み合わされた層とが形成されておれば特に制限されず、公知の構造を採用することができる。例えば、陽極上に本発明の正孔注入材料を含む正孔注入層、続いて正孔輸送性材料を含む正孔輸送層を設けその上に発光層を、そしてその上に電子輸送体を含む電子輸送層を積層したものを挙げることができる。また、発光層や電荷輸送層は１層であってもよく、また、複数の層を組み合わせることもできる。
【００３３】
本発明のポリマーよりなる正孔注入材料と共に使用できる公知の発光体としては、特に限定されないが、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。具体的には、例えば、特開昭５７−５１７８１号公報、特開昭５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【００３４】
また、上記した本発明のポリマーよりなる正孔注入材料と共に使用できる公知の電荷輸送体を例示すれば、正孔輸送体としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体などを挙げることができ、電子輸送体としてはオキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体などを挙げることができる。
【００３５】
これらの化合物の具体例は、特開昭６３―７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報等に記載されている。
【００３６】
上記した電荷輸送体の中でも正孔輸送体としては、トリフェニルジアミン誘導体またはポリビニルカルバゾール誘導体、電子輸送体としてはオキサジアゾール誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体が好ましく、特に、正孔輸送体としては、４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル及びポリビニルカルバゾール誘導体が、電子輸送体としては２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−ル、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好ましい。
【００３７】
これらのうち、正孔輸送体と電子輸送体のいずれか一方、または両方を同時に使用することができる。これらの各材料は一種を用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
次に、本発明のポリマーよりなる正孔注入材料を用いた有機ＥＬ素子の代表的な作製方法について述べる。まずは、ガラス、透明プラスチック等の透明基板の上に透明または半透明な金属酸化物あるいは金属薄膜を用いて陽極を形成する。その材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的にはインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ等が用いられる。作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などが用いられる。
【００３９】
次にこの陽極上に、本発明のポリマーよりなる正孔注入材料を含む正孔注入層を形成する。形成方法としては、これら材料の真空蒸着塗布法または溶融液、溶液または混合液を使用するスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコード法、ロールコート法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、スプレーコート法、インクジェット印刷法などの塗布法により成膜することができる。
【００４０】
正孔注入層の膜厚としては、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは２〜５００ｎｍである。電流密度を上げて発光効率を上げるためには５〜２００ｎｍの範囲が好ましい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、好ましくは溶媒を除去するため、減圧下または不活性雰囲気下、好ましくは３０〜３００℃、さらに好ましくは６０〜２６０℃の温度で加熱乾燥することが望ましい。
【００４１】
続いて、正孔輸送性材料を含む正孔輸送層を形成する。形成方法としては、正孔注入層と同様な方法を用いることが出来る。
【００４２】
正孔輸送層の膜厚としては、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは２〜５００ｎｍである。電流密度を上げて発光効率を上げるためには５〜２００ｎｍの範囲が好ましい。なお、塗布法により薄膜化した場合には、好ましくは溶媒を除去し、ホール注入特性を上げる点で、減圧下または不活性雰囲気下、好ましくは３０〜３００℃、さらに好ましくは１００〜２６０℃の温度で加熱乾燥することが望ましい。
【００４３】
公知の発光体または電荷輸送体の成膜方法としては特に限定されないが、粉末状態からの真空蒸着法、または溶液に溶かした後のスピンコーティング法、キャスティング法、ディッピング法、バーコード法、ロールコート法などの塗布法を使用できる。
【００４４】
発光層または電荷輸送層の厚さについては、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であるが、あまり厚いと、素子の抵抗が増加し、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。したがって、それぞれの層の厚さは独立に、好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、さらに好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍ、特に好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４５】
次いで、陰極を設ける。この電極は電子注入陰極となる。その材料としては、特に限定されないが、イオン化エネルギーの小さい材料が好ましい。例えば、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｉｎ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金、Ｍｇ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｌｉ合金、Ａｌ−Ｃａ合金、グラファイト薄膜等が用いられる。陰極の作製方法としては真空蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。
【００４６】
また、本材料は電荷輸送材料、単層エレクトロルミネッセンス材料、さらには電位感応型のスイッチング素子としても、用いることが可能である。
【実施例】
【００４７】
以下に実施例を記載して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４８】
実施例１
以下の要領で３,３’−ジヘキシロキシ−２,２’−ビチオフェンを合成した。還流冷却管、２０ｍｌ滴下ロート、磁気攪拌器を備えた５０ｍｌ二口フラスコにジエチルエーテル２８．６ｍｌ、ジイソプロピルアミン１．５４ｇ（１１．９ｍｍｏｌ）を入れた。０℃でｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．５７Ｍ）７．５８ｍｌ（１１．９ｍｍｏｌ）を滴下し、室温に戻し１時間攪拌し、リチウムジイソプロピルアミド （ＬＤＡ）を調製した。還流冷却管、５０ｍｌ滴下ロート、磁気攪拌器を備えた２００ｍｌ三口フラスコにジエチルエーテル３８．２ｍｌと３−ヘキシロキシチオフェン２．０ｇ（１０．９ｍｍｏｌ）を入れた。５０ｍｌ滴下ロートに先程調製したＬＤＡをキャヌラーで移し、滴下した後１時間還流した。これを−７８℃に冷却し、塩化銅（II）１．６０ｇ（１１．９ｍｍｏｌ）を入れゆっくりと室温に戻し一晩攪拌した。吸引ろ過により塩を除去後、ロータリーエバポレーターにより溶媒を留去した。ヘキサン：クロロホルム（９：１）を展開溶媒としてこの残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することで原料である３−ヘキシロキシチオフェンを０．５８ｇ（回収率２９％）、白色の針状結晶を０．７４ｇ（収率３７％）で得た。白色の針状結晶は、下記分析結果より目的生成物である３，３’−ジヘキシロキシ−２，２’−ビチオフェンであることを確認した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，δ  ｉｎ  ＣＤＣｌ３）０．９０（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．７Ｈｚ，ＣＨ３），１．３５（８Ｈ，ｍ，ＣＨ２ＣＨ２），１．５２（４Ｈ，ｑ，ＣＨ２），１．８４（４Ｈ，ｑ，ＣＨ２），４．０８（４Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，ＯＣＨ２），６．８３（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ），７．０６（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）；１３Ｃ−ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，δ  ｉｎ  ＣＤＣｌ３）１４．０５，２２．５９，２５．７３，２９．６５，３１．５６（ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２），７１．９７（ＯＣＨ２），１１４．０９,１１６．０３,１２１．５９，１５１．９２（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）；ＭＳ  ｍ／ｚ  ３６６（Ｍ＋）；Ａｎａｌ.Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ（Ｃ２０Ｈ３０Ｏ２）：Ｃ  ６５．５３：Ｈ  ８．２５、Ｆｏｕｎｄ：Ｃ  ６５．５３：  Ｈ  ８．１５。
【００４９】
続いて、以下の要領でポリ（３,３’−ジヘキシロキシ−２,２’−ビチオフェン）を合成した。１０ｍｌ滴下ロート、磁気攪拌器を備えた５０ｍｌ二口フラスコに無水塩化鉄（III）０．５３４ｇ（３．２９ｍｍｏｌ）とクロロホルム３．２ｍｌを入れた。１０ｍｌ滴下ロートに３，３’−ジヘキシロキシ−２，２’−ビチオフェン０．３０２ｇ（０．８２３ｍｍｏｌ）とクロロホルム２．０ｍｌを入れ、０℃で３０分かけて滴下後、４時間攪拌した。この反応溶液に５０％ヒドラジン水溶液５０ｍｌを注ぎ、室温に戻し、一晩攪拌して反応混合物を脱ドープした。これをセライトろ過することにより塩などの不溶物を取り除きクロロホルムで抽出後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去し、クロロホルム−ヘキサンで再沈殿することによって、下記物性を示す、ポリ（３，３'−ジヘキシロキシ−２，２’−ビチオフェン）を暗紫色のフィルムとして０．１１０ｇ（収率３７％）得た。
分子量（ＧＰＣ）：重量平均分子量（Ｍｗ）＝６２００，数平均分子量（Ｍｎ）＝４３００；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，δ  ｉｎ  ＣＤＣｌ３）０．９１−１．８８（１１Ｈ，ｍ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２），４．１３（２Ｈ，ｍ，ＯＣＨ２），６．８４−７．０８（１Ｈ，ｍ，ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）、重量平均分子量をビチオフェン単位分子量（３６６）で除した値、即ち重合度（ｎ）は、１６．９であった。
【００５０】
実施例２
＜ＥＬ発光特性＞
実施例１において得られたポリ（３，３’−ジヘキシロキシ−２，２’−ビチオフェン）のクロロホルム溶液（１ｇ／１Ｌ）を、エッジングしたＩＴＯ基板上にスピンコーターを用い、毎分３０００ 回転で一滴、滴下することにより約１０ｎｍ膜厚の薄膜を作製した。得られた膜を窒素気流下２５０℃で２０分間加熱処理を行った。その上に、ポリビニルカルバゾールのクロロホルム溶液（３．６ｇ／１Ｌ）を、エッジングしたＩＴＯ基板上にスピンコーターを用い、毎分３０００ 回転で一滴、滴下することにより約６０ｎｍ膜厚の薄膜を作製した。続いてＡｌｑ３薄膜を１×１０−５Ｐａの減圧度で真空蒸着することにより、膜厚６０ｎｍで作製した。また、陰極であるＭｇ−Ａｇ合金薄膜を２×１０−５Ｐａの減圧度で電子ビーム法により真空蒸着することにより、膜厚１７０ｎｍで作製した。
【００５１】
この素子に電圧を印可したところ、約６Ｖより電流が流れ始め発光が見られた。この素子の最大発光強度は約１２０００ｃｄ／ｍ２（印可電圧１２．５Ｖ）であった。
【００５２】
実施例３
以下の要領で、ポリ（３−ヘキシロキシチオフェン）を合成した。磁気攪拌器を備えた１００ｍｌ二口フラスコに無水塩化鉄（III）０．７７７ｇ（４．７９ｍｍｏｌ）とクロロホルム２４ｍｌを入れ、−４５℃で３−ヘキシロキシチオフェン０．２０１ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）を加え、７２時間攪拌した。この反応溶液に５０％ヒドラジン水溶液５０ｍｌを注ぎ、室温に戻し、一晩攪拌して反応混合物を脱ドープした。これをセライトろ過することにより塩などの不溶物を取り除きクロロホルムで抽出後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去し、クロロホルム‐メタノールで再沈殿することによってポリ（３−ヘキシロキシチオフェン）をやや粘性のある暗紫色の固体として０．０７２０ｇ（収率３６％）得た。得られた暗紫色の固体の分析データを以下に示す。
分子量（ＧＰＣ）：重量平均分子量（Ｍｗ）＝２６００，数平均分子量（Ｍｎ）＝２０００；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，δ  ｉｎ  ＣＤＣｌ３）０．９１−１．８８（１１Ｈ，ｍ，ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２），４．１３（２Ｈ，ｍ，ＯＣＨ２），６．８４−７．０４（１Ｈ，ｍ，ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）；  Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ  ｆｏｒ（Ｃ２０Ｈ３０Ｏ２）：Ｃ  ６５．８９：  Ｈ  ７．７４、  Ｆｏｕｎｄ：Ｃ  ６４．１８：  Ｈ  ７．６３、重量平均分子量をチオフェン単位分子量（１８３）で除した値、即ち、繰り返し単位数は、１４．２であった。
【００５３】
ＩＴＯ陽極基板上にポリ（３，３’−ジヘキシロキシ−２，２’−ビチオフェン）の代わりに、前記方法で得られたポリ（３−ヘキシロキシチオフェン）を１０ｎｍ真空蒸着した以外は、実施例２と同様にして素子を作成した。この素子に電圧を印可したところ、約６Ｖより電流が流れ始め発光が見られた。この素子の最大発光強度は約７０００ｃｄ／ｍ２（印可電圧１２．５Ｖ）であった。
【００５４】
実施例４
以下の要領で、ポリ（３−メトキシエトキシエトキシチオフェン）を合成した。１０ｍｌ滴下ロート、磁気攪拌器を備えた５０ｍｌ二口フラスコに無水塩化鉄（III）０．７７６ｇ（４．７８ｍｍｏｌ）とクロロホルム４．３ｍｌを入れた。１０ｍｌ滴下ロートに３−メトキシエトキシエトキシチオフェン０．２４２ｇ（１．２０ｍｍｏｌ）とクロロホルム１．５ｍｌを入れ、０℃で３０分かけて滴下後、１２時間攪拌した。この反応溶液に５０％ヒドラジン水溶液５０ｍｌを注ぎ、室温に戻し、一晩攪拌して反応混合物を脱ドープした。これをセライトろ過することにより塩などの不溶物を取り除きクロロホルムで抽出後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。ロータリーエバポレーターで溶媒を留去し、クロロホルム−ヘキサンで再沈殿することによってポリ（３−メトキシエトキシエトキシチオフェンをやや粘性のある暗紫色の固体として０．０９０ｇ（収率３８％）得た。得られた暗紫色の固体の分析データを以下に示す。
分子量（ＧＰＣ）：重量平均分子量（Ｍｗ）＝３２００，数平均分子量（Ｍｎ）＝２５００；１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，δ  ｉｎ  ＣＤＣｌ３）３．３６−４．２９（１１Ｈ，ｍ，ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ），  ６．７７−７．０３（１Ｈ，ｍ，ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ  ｒｉｎｇ）  Ａｎａｌ．Ｃａｌｄ  ｆｏｒ（Ｃ２０Ｈ３０Ｏ２）：Ｃ  ５３．９８：  Ｈ  ６．０４、  Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，  ５３．４２：  Ｈ  ５．８８、重量平均分子量をチオフェン単位分子量（２０２）で除した値、即ち、繰り返し単位数は、１５．８であった。
【００５５】
ＩＴＯ陽極基板上にポリ（３，３’−ジヘキシロキシ−２，２’−ビチオフェン）の代わりに、前記方法で得られたポリ（３−メトキシエトキシエトキシチオフェン）を１０ｎｍ真空蒸着した以外は、実施例２と同様にして素子を作成した。この素子に電圧を印可したところ、約６Ｖより電流が流れ始め発光が見られた。この素子の最大発光強度は約７０００ｃｄ／ｍ２（印可電圧１２．５Ｖ）であった。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明のポリマーは、大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視されている有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）のエレクトロルミネッセンス材料、特に正孔注入材料として利用できる。