(57)【要約】【課題】複数種の半導体素子の特性試験を効率よく実施し、低コスト化を実現させる。【解決手段】プローブカード基板２０と、プローブカード基板２０に複数個、搭載されるプローブカード基板３０と、プローブカード基板３０に支持された、複数のプローブピン３１と、を備えたことを特徴とするプローブカード１０が提供される。更に、プローブカード１０のプローブカード基板２０を回転させることにより、プローブ試験で使用するプローブカード基板３０が選択され、選択されたプローブカード基板３０に支持されたプローブピン３１の先端をプローブカード基板２０の主面から突出させることができる。【選択図】図１
2009236511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプローブカード基板と、
前記第１のプローブカード基板に搭載された複数の第２のプローブカード基板と、
前記複数の第２のプローブカード基板それぞれに支持された複数のプローブピンと、
を備えたことを特徴とするプローブカード。
【請求項２】
前記第２のプローブカード基板は、前記第１のプローブカード基板に対して着脱可能に搭載されていることを特徴とする請求項１記載のプローブカード。
【請求項３】
前記複数の第２のプローブカード基板は、それぞれ前記第１のプローブカード基板に形成された複数の開口部に収容されていることを特徴とする請求項２記載のプローブカード。
【請求項４】
前記開口部内に設けられたガイドピンに嵌合する貫通孔が、前記第２のプローブカード基板に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のプローブカード。
【請求項５】
第１のプローブカード基板と、前記第１のプローブカード基板に搭載された複数の第２のプローブカード基板と、前記複数の第２のプローブカード基板それぞれに支持された複数のプローブピンと、を含むプローブカードと、
前記第１のプローブカード基板を回転させることにより、プローブ試験で使用する前記第２のプローブカード基板を選択する選択手段と、
選択された前記第２のプローブカード基板に支持された前記複数のプローブピンの先端を、前記第１のプローブカード基板の主面から突出させる押圧手段と、
を備えたことを特徴とする半導体試験装置。
【請求項６】
前記第２のプローブカード基板の主面が前記第１のプローブカード基板の主面より小なることを特徴とする請求項５記載の半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブカード及びプローブカードを備えた半導体試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体試験に使用されている装置として、プローバ試験装置がある。当該プローバ試験装置には、プローブカードと呼称される測定部品が配置されている。
図７に、プローブカードの基本構成の要部図を示す。ここで、図７（ａ）には、プローブカードの平面要部図が示され、図７（ｂ）には、プローブカードの断面要部図が示されている。
【０００３】
図示するプローブカード１００は、略円板状のプローブカード基板１０１と、プローブカード基板１０１の下側に配置されたプローブピン１０２と、プローブピン１０２を固定する固定部１０３と、を有している。また、プローブカード基板１０１の中央部に設けられた開口部１０４の周囲には、配線層領域１０５が形成されている。
【０００４】
また、図８に、プローブカード１００を備えた半導体試験装置の要部図を示す。
更に、上記プローブカード１００は、プローブカード１００を支持する支持部材１０６により固定され、当該支持部材１０６は、測定用ボード１０７に装着されている。更に、測定用ボード１０７は、テストヘッド１０８に接続・支持されている。尚、支持部材１０６内には、接続端子用の複数のポゴピン等が配設されている（図示しない）。
【０００５】
そして、半導体装置の製造工程中に行われるウェハ試験では、複数の半導体素子が形成されたウェハ基板１０９に、プローブピン１０２の先端を接触させる。そして、半導体素子に関する種々の電気特性が検査される。
【０００６】
このような構成のプローブカード１００が半導体試験に使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−０４５０８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、構造が異なる複数種の半導体素子にプローブカード１００をプロービング（探針）する場合は、それぞれの半導体素子の構成に対応させたプローブカード１００を複数個、準備する必要がある。そして、半導体試験に於いては、ウェハ基板１０９に形成された、個々の半導体素子に応じて、プローブカード１００を交換しなければならないという、作業性の悪さが問題となっていた。
【０００８】
また、プローブカード基板１０１は、近年、大型形状をなし、複雑な電気回路等が形成されている。これにより、プローブカード１００の単価は、高額となっている。
従って、個々の半導体素子に対応したプローブカード１００を複数個、準備してしまうと、半導体試験に於いて、コスト高を招来していた。例えば、デバイスの試作品の特性試験に於いては、デバイスを試作する毎に、プローブカードを新規に作製する必要がある。これにより、デバイスの試作段階からコスト高を招来してしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、半導体試験に使用するプローブカード及びプローブカードを備えた半導体試験装置であって、複数種の半導体素子の特性試験を効率よく実施し、低コスト化を実現する、プローブカード及び半導体試験装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、第１のプローブカード基板と、前記第１のプローブカード基板に搭載された複数の第２のプローブカード基板と、前記複数の第２のプローブカード基板それぞれに支持された複数のプローブピンと、を備えたことを特徴とするプローブカードが提供される。
【００１１】
また、第１のプローブカード基板と、前記第１のプローブカード基板に搭載された複数の第２のプローブカード基板と、前記複数の第２のプローブカード基板それぞれに支持された複数のプローブピンと、を含むプローブカードと、前記第１のプローブカード基板を回転させることにより、プローブ試験で使用する前記第２のプローブカード基板を選択する選択手段と、選択された前記第２のプローブカード基板に支持された前記複数のプローブピンの先端を、前記第１のプローブカード基板の主面から突出させる押圧手段と、を備えたことを特徴とする半導体試験装置が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
上記手段によれば、複数種の半導体素子の特性試験を効率よく実施し、低コスト化を実現する、プローブカード及び半導体試験装置が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜第１の実施の形態＞
以下、第１の実施の形態に係る半導体試験装置を、図面を参照して詳細に説明する。
図１に、第１の実施の形態に係る半導体試験装置のプローブカードの要部図を例示する。ここで、図１（ａ）には、プローブカードの上面形状が示され、図１（ｂ）は、図１（ａ）の破線Ｘ−Ｙの矢印の方向に矢視する断面が示されている。
【００１４】
プローブカード１０にあっては、プローブカード基板２０と、当該プローブカード基板２０に複数個、搭載可能な小型のプローブカード基板３０とを具備している。
プローブカード基板２０の平面形状は、直径が２０ｃｍ〜３０ｃｍ程度の略円板状に構成され、上記プローブカード基板３０を受容するための開口部１１を複数個、形成している。例えば、プローブカード基板２０には、４個の開口部１１がプローブカード基板２０の中心部に対して、点対称に配置されている。また、当該開口部１１は、プローブカード基板２０内を貫通し、プローブカード基板２０の上下の主面が開口部１１を通じて開口された構成をなしている。
【００１５】
ここで、開口部１１にあっては、プローブカード基板２０の上方、或いは下方から眺めた場合、その開口形を四角状としている。また、開口部１１は、幅が広い開口部１１ｗと、幅の狭い開口部１１ｎとにより構成された２段構造となっている（図１（ｂ）参照）。即ち、上段の開口部１１ｗにより、プローブカード基板２０の上面側が開口され、下段の開口部１１ｎにより、プローブカード基板２０の下面側が開口されている。そして、上段の開口部１１ｗの底面１１ｗｂの四隅には、ガイドピン１２が配置されている。
【００１６】
また、プローブカード基板３０に於いては、上段の開口部１１ｗの内幅より、若干、縮小された形状をなし、プローブカード基板３０の四隅に、上記ガイドピン１２を挿通するための貫通孔３０ｈが設けられている。そして、貫通孔３０ｈ内にガイドピン１２を挿通することにより、プローブカード基板３０が当該開口部１１ｗ内に収納される。
【００１７】
また、プローブカード基板３０の下側には、被測定デバイスに接触させるためのプローブピン３１が配置されている。それぞれのプローブピン３１は、プローブカード基板３０の上面側に配設された端子（電極パッド）３０ｐに導通している。また、プローブピン３１は、プローブカード基板３０の下面から所定の角度で斜め下方に延設され、上記固定部３２に封止されている。そして、固定部３２の下部に於いては、更に大きな角度で曲げられ、プローブピン３１の先端を固定部３２から表出させている。
【００１８】
また、このようなプローブピン３１は、図示する本数とは限らず、実際には、複数のプローブピン３１が固定部３２により固定・支持されている。そして、当該複数のプローブピン３１は、互いにプローブカード基板３０の中心部に向かって対向する構成をなしている（図示しない）。
【００１９】
また、それぞれのガイドピン１２には、金属製のスプリング１３が通されている。そして、上述した如く、上記プローブカード基板３０の貫通孔３０ｈに、ガイドピン１２を挿通させ、開口部１１ｗ内にプローブカード基板３０を設置すると、スプリング１３の反発力により、プローブカード基板３０全体が開口部１１ｗの底面１１ｗｂから浮遊する。
【００２０】
尚、それぞれの開口部１１ｗに配設されたガイドピン１２に於いては、その何れか一つをプローブカード基板３０の位置決め用ピンとしてもよい。例えば、プローブカード基板２０の中心部近傍に位置するガイドピン１２を、位置決め用ピンとしてもよい。具体的には、プローブカード基板２０の中心部近傍に位置するガイドピン１２を、他のピンに比べ、その太さを変えてもよく、断面形状等を変えてもよい。これにより、開口部１１に装着されるプローブカード基板３０の向きが常に同じになる。
【００２１】
また、プローブカード１０にあっては、プローブカード基板２０の主面の外周部に、歯状の切込み２０ｇが設けられている。
このように、プローブカード１０にあっては、プローブカード基板３０の貫通孔３０ｈに、上記ガイドピン１２を挿通させることにより、プローブカード基板３０をプローブカード基板２０に簡便に装着することができ、また、ガイドピン１２から貫通孔３０ｈを外すことにより、プローブカード基板３０をプローブカード基板２０から簡便に取り外すことができる。また、プローブカード基板２０には、開口部１１が複数個形成されていることから、複数のプローブカード基板３０を搭載することもできる。
【００２２】
かかる構成のプローブカード１０に於いて、プローブカード基板２０，３０の材質は、例えば、ガラス−エポキシ樹脂、ガラス−ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、あるいはポリイミド等の有機絶縁性樹脂、あるいはセラミック、ガラス等の無機絶縁材料から形成された絶縁性基材が適用される。
【００２３】
また、プローブピン３１の材質は、例えば、タングステン（Ｗ）、ベリリウム銅（ＢｅＣｕ）等が適用される。
また、端子３０ｐは、例えば、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）で構成されている。また、その下層からニッケル（Ｎｉ）／金（Ａｕ）をコーティングしてもよい。
【００２４】
また、固定部３２の材質は、例えば、エポキシ樹脂、或いはポリイミド等の有機絶縁性樹脂が適用される。
また、プローブカード１０に於いては、上記スプリング１３に代えて、ゴム等で構成された円筒状の弾性部材を使用してもよい。
【００２５】
次に、図２に、上記プローブカード１０を備えた半導体試験装置の要部図を例示する。
当該半導体試験装置１にあっては、テストヘッド４０と、テストヘッド４０に装着されたマザーボード５０と、当該マザーボード５０に、支柱６０を介して設置された回転板７０ａ，７０ｂと、を有している。また、回転板７０ａ，７０ｂの端面には、歯状の切込み７０ａｇ，７０ｂｇが形成されている。また、半導体試験装置１にあっては、上記プローブカード１０が取り付けられている。そして、当該切込み７０ａｇ，７０ｂｇに、プローブカード基板２０の切込み２０ｇを嵌合させている。これにより、回転板７０ａ，７０ｂを回転させると、プローブカード基板２０を水平方向に回転させることができる。
【００２６】
尚、回転板７０ａ，７０ｂの回転速度、回転数は、自動制御がなされている。
また、プローブカード基板３０の上方には、複数のコンタクトピン（ポゴピン）５１ｐが配設された、コンタクト部５１が設置されている。当該コンタクト部５１は、上記マザーボード５０内に装着されたシリンダ５２に連結し、当該シリンダ５２が駆動することにより、コンタクト部５１を上下に移動させることができる。例えば、コンタクト部５１を下方に移動させると、コンタクトピン５１ｐとプローブカード基板３０の端子３０ｐとを接触させることができる。
【００２７】
そして、このような接触が図られることにより、外部試験装置（図示しない）からテストヘッド４０、マザーボード５０、並びにコンタクト部５１を介して、プローブカード基板３０のプローブピン３１に、グランド電位（Ｇｎｄ）、電源電位（Ｖｄｄ）、或いは信号（Ｓｉｇ）等が供給可能になる。
【００２８】
尚、コンタクト部５１の上下の移動は、自動制御がなされている。
更に、コンタクト部５１を下方へ移動させると、コンタクト部５１の押圧によって、プローブカード基板３０全体を下方に移動させることができる。この場合、上記接触は、維持される（後述）。
【００２９】
また、プローブカード基板３０のプローブピン３１の下方には、プローバステージ９０が配置されている。当該プローバステージ９０は、モータ等からなるステージ駆動部（図示しない）により、上下方向、或いは回転方向の自動制御がなされている。
【００３０】
また、半導体試験装置１にあっては、マザーボード５０に、プローブカード基板２０の端を支えるホルダ８０が取り付けられている。また、当該ホルダ８０により、回転板７０ａ，７０ｂがホルダ８０で覆われ、回転板７０ａ，７０ｂによって引き起こされる巻き込みの危険性が防止される。
【００３１】
次に、上記のように構成された半導体試験装置１の作用を含めた、半導体試験装置１による被測定デバイスの試験方法について説明する。尚、以下に例示する図では、図１並びに図２と同一の部材には、同一の符号を付し、その説明の詳細については省略する。
【００３２】
図３〜図５は半導体試験装置１の作用並びに試験方法を説明する要部図である。
図３では、コンタクト部５１をプローブカード基板３０に接触する前の状態が示されている。
【００３３】
先ず、被測定デバイスである、ウェハ状態の半導体基板９１をプローバステージ９０上に載置する。当該半導体基板９１には、複数種の半導体素子が複数個、形成されている。例えば、図示はしないが、半導体基板９１は、シリコン（Ｓｉ）或いはガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等で構成される半導体を基材とし、半導体素子Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄという４種の半導体素子のそれぞれが、縦横に多数配列されている。
【００３４】
次いで、半導体素子Ａに対応するプローブカード基板３０、半導体素子Ｂに対応するプローブカード基板３０、半導体素子Ｃに対応するプローブカード基板３０、半導体素子Ｄに対応するプローブカード基板３０という４種のプローブカード基板３０を準備し、それぞれのプローブカード基板３０をプローブカード基板２０に装着する。
【００３５】
そして、半導体基板９１に配置された半導体素子Ａを評価する場合は、コンタクト部５１をマザーボード５０側に位置させた状態で、プローブカード基板２０を回転させ、コンタクト部５１の下方に、素子Ａに対応するプローブカード基板３０を位置させる。
【００３６】
図３では、素子Ａに対応するプローブカード基板３０がコンタクト部５１の下方に位置している状態が示されている。
尚、プローブカード基板２０を回転させる際には、コンタクト部５１と、全てのプローブカード基板３０とが離反している状態が維持されるので、コンタクト部５１と、それぞれのプローブカード基板３０とが接触することはない。
【００３７】
続いて、図４では、コンタクト部５１をプローブカード基板３０に接触させた後の状態が示されている。
図示する如く、コンタクト部５１を下方へ移動させ、コンタクト部５１のコンタクトピン５１ｐとプローブカード基板３０の端子３０ｐとを接触させる。更に、上記スプリング１３の反発力に逆らって、コンタクト部５１の押圧により、プローブカード基板３０全体を下方に押し下げる。
【００３８】
ここで、コンタクトピン５１ｐ並びに端子３０ｐに於いては、プローブカード基板３０が上記スプリング１３の反発力を受けることにより、強固に接触する状態が維持される。
また、プローバステージ９０に於いては、その位置を上方へ移動させることにより、半導体基板９１を上方に移動させる。
【００３９】
尚、プローブピン３１並びに半導体素子Ａの位置合わせの微調整は、テストヘッド４０及びプローバステージ９０の回転機構、並びにテストヘッド４０及びプローバステージ９０の水平方向の移動機構により自動的に調整される。
【００４０】
そして、図５に示す如く、半導体基板９１の半導体素子Ａに設けられている試験用パッド（図示しない）に、プローブピン３１先端を当接させた後、半導体試験装置１によって、半導体素子Ａの電気的特性を評価する。例えば、外部試験装置（図示しない）からテストヘッド４０、マザーボード５０、並びにコンタクト部５１を介して、プローブカード基板３０のプローブピン３１に、グランド電位（Ｇｎｄ）、電源電位（Ｖｄｄ）、或いは信号（Ｓｉｇ）等を供給し、半導体素子Ａの電気的特性を評価する。
【００４１】
続いて、半導体素子Ａの試験が完了したら、プローブピン３１と半導体基板９１とを離反させ、プローブピン３１と半導体素子Ａに設けられている試験用パッドとの接触を解除する。
【００４２】
また、コンタクト部５１を、マザーボード５０側に位置させることにより、コンタクトピン５１ｐとプローブカード基板３０の端子３０ｐとの接触を解除する。この際、プローブカード基板３０は、上記スプリング１３の反発力により、上方に押し上げられ、半導体素子Ａに対応するプローブカード基板３０は、他のプローブカード基板３０の高さと同じになる（図示しない）。
【００４３】
そして、次に測定する被測定デバイスが半導体素子Ｂならば、半導体素子Ｂについても、上記の如く、試験を実施する。この場合、半導体素子Ｂに対応するプローブカード基板３０が既に、プローブカード基板２０に搭載されていることから、当該半導体素子Ｂの試験への移行が迅速に行われる。続いて、半導体素子Ｃ，Ｄについても、同様の方法で試験を行う。
【００４４】
尚、半導体基板９１に形成されている素子が、半導体素子Ａのみにより構成されている場合には、半導体素子Ａに対応するプローブカード基板３０のみを、プローブカード基板２０に装着して、上記の如く、半導体素子Ａの試験をすればよい。
【００４５】
このように、半導体試験装置１は、プローブカード基板２０を回転させることにより、プローブ試験で使用する、プローブカード基板３０を選択する選択手段と、当該選択されたプローブカード基板３０に固定・支持されたプローブピン３１の先端を、プローブカード基板２０の主面から突出させる押圧手段と、を備えている。
【００４６】
次に、上述したプローブカード１０、或いは半導体試験装置１にもたらされる具体的な効果について説明する。
上述した如く、半導体試験装置１は、マルチチップ対応のプローブカード１０を搭載し、半導体基板に配置された、複数種の半導体素子の試験を迅速に実施することができる。
【００４７】
即ち、個々に種類が異なる半導体素子に応じて、その度、プローブカード１０を交換する必要はなく、半導体試験の作業効率を大きく向上させることができる。
また、半導体試験装置１に備えられるプローブカード１０は、共通に使用するプローブカード基板２０と、プローブピン３１を固定・支持するプローブカード基板３０と、を分離させた構成としている。更に、プローブカード基板３０に於いては、その主面の面積をプローブカード基板２０の主面の面積よりも小なる構成としている。
【００４８】
即ち、第１の実施の形態では、大型のプローブカード基板２０を一個のみ配置する構成とし、複数種の半導体素子に対応したプローブカード基板３０を、個別に準備することができる。このような構成であれば、プローブカード基板３０を新規に作製しても、そのサイズが小型形状であることから、半導体試験に於いて、コストを大きく低減させることができる。
【００４９】
また、プローブカード基板３０の貫通孔３０ｈを、プローブカード基板２０に設けられた、ガイドピン１２に挿通するだけで、プローブカード基板３０をプローブカード基板２０に、簡便に取り付けることができる。また、ガイドピン１２を貫通孔３０ｈから外すことにより、プローブカード基板３０をプローブカード基板２０から簡便に取り外すことができる。このように、プローブカード１０に於いては、プローブカード基板３０の簡便な脱着機能を有している。
【００５０】
＜第１の実施の形態の変形例＞
次に、第１の実施の形態の変形例に係る半導体試験装置２を説明する。図６に、当該半導体試験装置の要部図を例示する。
【００５１】
当該半導体試験装置２にあっては、テストヘッド４０と、テストヘッド４０に装着されたマザーボード５０と、当該マザーボード５０に、支柱６１を介して設置された回転板７１と、を有している。また、回転板７１の端面には、歯状の切込み７１ｇが形成されている。また、半導体試験装置２にあっては、上記プローブカード１０が取り付けられている。
【００５２】
但し、当該プローブカード１０にあっては、プローブカード基板２０の側面に、歯状の切込み２０ｇが設けられている。
そして、当該切込み７１ｇに、プローブカード基板２０の切込み２０ｇを嵌合させている。これにより、回転板７１を回転させると、プローブカード基板２０を水平方向に回転させることができる。
【００５３】
尚、回転板７１の回転速度、回転数は、自動制御がなされている。
また、プローブカード基板３０の上方には、複数のコンタクトピン（ポゴピン）５１ｐが配設された、コンタクト部５１が設置されている。当該コンタクト部５１は、上記マザーボード５０内に装着されたシリンダ５２に連結し、当該シリンダ５２が駆動することにより、コンタクト部５１を上下に移動させることができる。例えば、コンタクト部５１を下方に移動させると、コンタクトピン５１ｐとプローブカード基板３０の端子３０ｐとを接触させることができる。
【００５４】
そして、このような接触が図られることにより、外部試験装置（図示しない）からテストヘッド４０、マザーボード５０、並びにコンタクト部５１を介して、プローブカード基板３０のプローブピン３１に、グランド電位（Ｇｎｄ）、電源電位（Ｖｄｄ）、或いは信号（Ｓｉｇ）等が供給可能になる。
【００５５】
尚、コンタクト部５１の上下の移動は、自動制御がなされている。
更に、コンタクト部５１を下方へ移動させると、コンタクト部５１の押圧によって、プローブカード基板３０全体を下方に移動させることができる。この場合、上記接触は、維持される。
【００５６】
また、プローブカード基板３０のプローブピン３１の下方には、プローバステージ９０が配置されている。当該プローバステージ９０は、モータ等からなるステージ駆動部（図示しない）により、上下方向、或いは回転方向の自動制御がなされている。
【００５７】
また、半導体試験装置２にあっては、マザーボード５０に、プローブカード基板２０の端を支えるホルダ８０が取り付けられている。また、当該ホルダ８０により、回転板７１がホルダ８０で覆われ、回転板７１によって引き起こされる巻き込みの危険性が防止される。
【００５８】
このような半導体試験装置２であっても、上述した半導体試験装置１と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体試験装置のプローブカードの要部図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体試験装置の要部図である。
【図３】半導体試験装置の作用並びに試験方法を説明する要部図である（その１）。
【図４】半導体試験装置の作用並びに試験方法を説明する要部図である（その２）。
【図５】半導体試験装置の作用並びに試験方法を説明する要部図である（その３）。
【図６】第１の実施の形態の変形例に係る半導体試験装置の要部図である。
【図７】プローブカードの基本構成を説明する要部図である。
【図８】プローブカードを備えた半導体試験装置の要部図である。
【符号の説明】
【００６０】
１，２  半導体試験装置
１０  プローブカード
１１，１１ｗ，１１ｎ  開口部
１１ｗｂ  底面
１２  ガイドピン
１３  スプリング
２０，３０  プローブカード基板
２０ｇ，７０ａｇ，７０ｂｇ，７１ｇ  切込み
３０ｈ  貫通孔
３０ｐ  端子
３１  プローブピン
３２  固定部
４０  テストヘッド
５０  マザーボード
５１  コンタクト部
５１ｐ  コンタクトピン
５２  シリンダ
６０，６１  支柱
７０ａ，７０ｂ，７１  回転板
８０  ホルダ
９０  プローバステージ
９１  半導体基板
【図１】
2009236511.tif 000003
【図２】
2009236511.tif 000004
【図３】
2009236511.tif 000005
【図４】
2009236511.tif 000006
【図５】
2009236511.tif 000007
【図６】
2009236511.tif 000008
【図７】
2009236511.tif 000009
【図８】
2009236511.tif 000010