(57)【要約】【課題】電源ラインノイズに対してより高い抑圧特性を有する積層コンデンサを提供する。【解決手段】第１外部電極１２に接続された第１引出部２２ａ及び第２外部電極１３に接続された第２引出部２２ｂを有する第１導体層２２と、第３外部電極１３に接続された第３引出部２３ａ及び第４外部電極１５に接続された第４引出部２３ｂを有する第２導体層２３とを、誘電体層２１を介して交互に積層して一体化した構造を有し、各第１導体層２２は２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２２ｄを介して連結させた形態を有し、各第２導体層２３は２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２３ｄを介して連結させた形態を有する。【選択図】図５
2009016807.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２外部電極と、第３及び第４外部電極と、を本体の表面に備えた積層コンデンサにおいて、
前記本体は、前記第１外部電極に接続された第１引出部及び前記第２外部電極に接続された第２引出部を有する第１導体層と、前記第３外部電極に接続された第３引出部及び前記第４外部電極に接続された第４引出部を有する第２導体層とを、誘電体層を介して交互に積層して一体化した構造を有し、
前記第１及び第２導体層のうち少なくとも一方は、２つ以上の部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して連結させた形態を有する、
ことを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第１導体層は２つの部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して連結させた形態を有し、
前記第２導体層は２つの部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して連結させた形態を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記第１及び第２導体層は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、前記第１引出部と前記第２引出部とは前記第１導体層の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられ、前記第３引出部と前記第４引出部とは前記第２導体層の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられていて、
前記第１導体層には前記第１引出部と前記第２引出部との間に設けた１つの幅方向のスリットによって、１つの狭幅部分が幅方向の他方の側に設けられ、
前記第２導体層には前記第３引出部と前記第４引出部との間に設けた１つの幅方向のスリットによって、１つの狭幅部分が幅方向の一方の側に設けられており、
前記第１導体層の前記幅方向のスリットの位置と前記第２導体層の前記幅方向のスリットの位置とは長さ方向でほぼ一致している、
ことを特徴とする請求項２に記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記第１導体層の前記１つの幅方向のスリットは前記第１引出部に近接した位置に設けられ、
前記第２導体層の前記１つの幅方向のスリットは前記第３引出部に近接した位置に設けられている、
ことを特徴とする請求項３に記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
前記第１及び第２導体層は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、前記第１引出部と前記第２引出部とは前記第１導体層の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられ、前記第３引出部と前記第４引出部とは前記第２導体層の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられていて、
前記第１導体層には前記第１引出部と前記第２引出部との間に設けた１つの幅方向のスリットによって、１つの狭幅部分が幅方向の一方の側に設けられ、
前記第２導体層には前記第３引出部と前記第４引出部との間に設けた１つの幅方向のスリットによって、１つの狭幅部分が幅方向の他方の側に設けられており、
前記第１導体層の前記幅方向のスリットの長さ方向の位置と前記第２導体層の前記幅方向のスリットの長さ方向の位置とは、ほぼ一致している、
ことを特徴とする請求項２に記載の積層コンデンサ。
【請求項６】
前記第１及び第２導体層は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、前記第１引出部と前記第２引出部とは前記第１導体層の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられ、前記第３引出部と前記第４引出部とは前記第２導体層の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられていて、
前記第１導体層には前記第１引出部と前記第２引出部との間に設けられた２つの幅方向のスリットを相対向させることによって、１つの狭幅部分が幅方向の中間に設けられ、
前記第２導体層には前記第３引出部と前記第４引出部との間に設けられた２つの幅方向のスリットを相対向させることによって、１つの狭幅部分が幅方向の中間に設けられており、
前記第１導体層の前記２つの幅方向のスリットの位置と前記第２導体層の前記２つの幅方向のスリットの位置は長さ方向でほぼ一致し、
前記第１導体層の前記狭幅部分の位置と前記第２導体層の前記狭幅部分の位置は長さ方向及び幅方向でほぼ一致している、
ことを特徴とする請求項２に記載の積層コンデンサ。
【請求項７】
前記第１及び第２導体層は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、前記第１引出部と前記第２引出部とは前記第１導体層の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられ、前記第３引出部と前記第４引出部とは前記第２導体層の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられていて、
前記第１導体層には前記第１引出部と前記第２引出部との間に設けられた１つの幅方向の孤立したスリットによって、幅方向の一方と他方の側のそれぞれに狭幅部分が設けられ、
前記第２導体層には前記第３引出部と前記第４引出部との間に設けられた１つの幅方向の孤立したスリットによって、幅方向の一方と他方の側のそれぞれに狭幅部分が設けられており、
前記第１導体層の前記幅方向のスリットの位置と前記第２導体層の前記幅方向のスリットの位置は長さ方向でほぼ一致し、
前記第１導体層の前記２つの狭幅部分の位置と前記第２導体層の前記２つの狭幅部分の位置は長さ方向及び幅方向でほぼ一致している、
ことを特徴とする請求項２に記載の積層コンデンサ。
【請求項８】
前記第１導体層は３つの部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して順に連結させた形態を有し、
前記第２導体層は３つの部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して順に連結させた形態を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項９】
前記第１及び第２導体層は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、前記第１引出部は長さ方向の一方の側の近傍位置で前記第１導体層の幅方向の一方の側に設けられ、前記第２引出部は長さ方向の他方の側の近傍位置で前記第１導体層の幅方向の他方の側に設けられ、前記第３引出部は長さ方向の一方の側の近傍位置で前記第２導体層の幅方向の他方の側に設けられ、前記第４引出部は長さ方向の他方の側の近傍位置で前記第２導体層の幅方向の一方の側に設けられて、
前記第１導体層には前記第１引出部と前記第２引出部との間に長さ方向に間隔をおいて設けた２つの幅方向のスリットによって、２つの狭幅部分が幅方向の一方の側及び幅方向の他方の側に設けられ、
前記第２導体層には前記第３引出部と前記第４引出部との間に長さ方向に間隔をおいて設けた２つの幅方向のスリットによって、２つの狭幅部分が幅方向の一方の側及び幅方向の他方の側に設けられており、
前記第１導体層の前記各幅方向のスリットの位置と前記第２導体層の前記各幅方向のスリットの位置は長さ方向でほぼ一致している、
ことを特徴とする請求項８に記載の積層コンデンサ。
【請求項１０】
前記第１導体層は４つの部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して順に連結させた形態を有し、
前記第２導体層は４つの部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して順に連結させた形態を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の積層コンデンサ。
【請求項１１】
前記第１及び第２導体層は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、前記第１引出部と前記第２引出部とは前記第１導体層の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられ、前記第３引出部と前記第４引出部とは前記第２導体層の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられていて、
前記第１導体層には前記第１引出部と前記第２引出部との間に長さ方向に間隔をおいて設けた３つの幅方向のスリットによって、３つの狭幅部分が幅方向の一方の側及び幅方向の他方の側に設けられ、
前記第２導体層には前記第３引出部と前記第４引出部との間に長さ方向に間隔をおいて設けた３つの幅方向のスリットによって、３つの狭幅部分が幅方向の一方の側及び幅方向の他方の側に設けられており、
前記第１導体層の前記各幅方向のスリットの位置と前記第２導体層の前記各幅方向のスリットの位置は長さ方向でほぼ一致している、
ことを特徴とする請求項１０に記載の積層コンデンサ。
【請求項１２】
基板電源パターンと、集積回路の電源端子が接続されたＩＣ電源パターンと、基板グラウンドパターンと、前記集積回路のグラウンド端子が接続されたＩＣグラウンドパターンと、を備えた回路基板と、
前記回路基板の前記基板電源パターンに第１外部電極を接続され、前記ＩＣ電源パターンに第２外部電極を接続され、前記基板グラウンドパターンに第３外部電極を接続され、前記ＩＣグラウンドパターンに第４外部電極を接続された請求項１〜１１の何れかに記載の積層コンデンサとを備えた、
ことを特徴とする集積回路を搭載した回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源ラインノイズの抑圧に適した積層コンデンサ及び集積回路を搭載した回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路が実装された回路基板には、集積回路の電源端子から漏れ出すノイズ電流等に起因した電源ラインノイズを抑圧するために積層コンデンサが用いられている。この積層コンデンサは高い周波数において低いインピーダンスとなるため、回路基板に漏れ出すノイズ電流を抑制する働き等をする。
【０００３】
図１及び図２はこの積層コンデンサの一例を示すもので、図１（Ａ）は積層コンデンサの外観斜視図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）に示した積層コンデンサの等価回路図、図２は図１（Ａ）に示した本体の内部構成の分解斜視図である。
【０００４】
同図に示した積層コンデンサ３００は、直方体形状の本体３０１と、本体３０１の表面に設けられ、且つ、電源ラインの一方の正電位ラインに接続するための第１，第２外部電極３０２，３０３と、電源ラインの他方の接地電位ラインに接続するための第３，第４外部電極３０４，３０５とを備えている。
【０００５】
本体３０１は、第１引出部３１２ａ及び第２引出部３１２ｂを有する第１導体層３１２と、第３引出部３１３ａ及び第４引出部３１３ｂを有する第２導体層３１３とを、誘電体層３１１を介して交互に積層して一体にした構造を有している。
【０００６】
各第１引出部３１２ａは第１外部電極３０２に接続され、各第２引出部３１２ｂは第２外部電極３０３に接続され、各第３引出部３１３ａは第３外部電極３０４に接続され、各第４引出部３１３ｂは第４外部電極３０５に接続されている。
【０００７】
図３は図１（Ａ）に示した積層コンデンサ３００の実装例を示すもので、ＳＢは回路基板、ＰＳＰ１は基板電源パターン、ＰＳＰ２はＩＣ電源パターン、ＳＢＧは基板グラウンドパターンである。因みに、図３は集積回路（図示省略）が実装された回路基板ＳＢの裏面を示しており、裏面のＩＣ電源パターンＰＳＰ２と導通する表面のＩＣ電源パターン（図示省略）には集積回路の電源端子が接続され、裏面の基板グラウンドパターンＳＢＧ２と導通する表面の基板グラウンドパターン（図示省略）には集積回路のグラウンド端子が接続されている。
【０００８】
積層コンデンサ３００の第１外部電極３０２は基板電源パターンＰＳＰ１に接続され、第２外部電極３０３はＩＣ電源パターンＰＳＰ２に接続され、第３，第４外部電極３０４，３０５は基板グラウンドパターンＳＢＧに接続されている。
【０００９】
このような積層コンデンサ３００の実装例では、集積回路の電源端子から漏れ出したノイズ電流がＩＣ電源パターンＰＳＰ２を介して積層コンデンサ３００の各第１導体層３１２に流れ込んで各第２導体層３１３から基板グラウンドパターンＳＢＧにバイパスされる。このため、基板電源パターンＰＳＰ１に流れ出すノイズ電流により生じる電源ラインのノイズが抑圧される。
【００１０】
一般に、積層コンデンサのノイズ抑圧特性は、該積層コンデンサのインピーダンス特性に依存する。つまり、積層コンデンサは、該積層コンデンサが有するキャパシタンスと、該積層コンデンサに寄生するインダクタンスとによる直列共振等化回路として作用する。また、直列回路が示すインピーダンスが小さいほど抑圧特性が向上する。要するに、積層コンデンサのインピーダンス特性は、共振点より低い周波数ではキャパシタンス成分によって支配され、共振点よりも高い周波数では等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）成分によって支配される。具体的には、キャパシタンスが大きくなるほど、或いは、ＥＳＬが小さくなるほどノイズの抑圧特性は大きくなる。特に共振点以上になる高い周波数ではＥＳＬの特性がノイズの抑圧特性を決定することになる。
【００１１】
図４は図３の実装例に依るノイズの抑圧特性を示すもので、積層コンデンサ３００が基板に実装された状態でのＥＳＬが通常の積層コンデンサに比べて小さい。しかも、積層コンデンサ３００の各外部電極３０２〜３０５の位置に合わせて各パターンが設計されることによって、確実にノイズ電流経路の途中にコンデンサが挿入されることで、基板パターンの引き回しによるＥＳＬ成分の増加を抑えることができる。
【００１２】
また、積層コンデンサ３００の第１及び第２外部電極３０２，３０３と第３及び第４外部電極３０４，３０５との間のインダクタンス成分により、該積層コンデンサ３００はＴ型のローパスフィルタ（ＬＰＦ）としての働きもする。そのため、通常の積層コンデンサを用いた場合（図４中の破線直線を参照）に比べてノイズの抑圧特性を高めることができる。また、第１及び第２外部電極３０２，３０３と第３及び第４外部電極３０４，３０５間の特性は通常の積層コンデンサと同様の特性を示し、電源端子電圧のリプルの抑圧を行っている。
【００１３】
先に述べたノイズの抑圧効果に係る共振点以上の周波数における特性は、実装された積層コンデンサ３００のＥＳＬにほぼ依存する。このＥＳＬは積層コンデンサの形状と実装される配線パターンで決まってしまうため、電源ラインノイズの抑圧特性にはおのずと上限ができることになる。
【００１４】
近年にあっては各種集積回路で使用される信号の周波数帯域が多様化し、且つ、高くなっている。このため、これら集積回路を内蔵した機器、例えばラジオやテレビや携帯電話等から発生するノイズが無線機器へ影響を与えることが問題となってきている。このノイズの低減による機器の共存のことを考えれば、電源ラインノイズに対してより高い抑圧特性を有する積層コンデンサと、該積層コンデンサを用いて成る集積回路を搭載した回路装置が要求される。
【特許文献１】特開平１０−１５４６３２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、電源ラインノイズに対してより高い抑圧特性を有する積層コンデンサと、該積層コンデンサを用いて成る集積回路を搭載した回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため、本発明の積層コンデンサは、第１及び第２外部電極と、第３及び第４外部電極と、を本体の表面に備えた積層コンデンサにおいて、前記本体は、前記第１外部電極に接続された第１引出部及び前記第２外部電極に接続された第２引出部を有する第１導体層と、前記第３外部電極に接続された第３引出部及び前記第４外部電極に接続された第４引出部を有する第２導体層とを、誘電体層を介して交互に積層して一体化した構造を有し、前記第１及び第２導体層のうち少なくとも一方は、２つ以上の部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して連結させた形態を有する。
【００１７】
また、本発明の集積回路を搭載した回路装置は、基板電源パターンと、集積回路の電源端子が接続されたＩＣ電源パターンと、基板グラウンドパターンと、前記集積回路のグラウンド端子が接続されたＩＣグラウンドパターンと、を備えた回路基板と、前記回路基板の前記基板電源パターンに第１外部電極を接続され、前記ＩＣ電源パターンに第２外部電極を接続され、前記基板グラウンドパターンに第３外部電極を接続され、前記ＩＣグラウンドパターンに第４外部電極を接続された前記積層コンデンサとを備えている。
【００１８】
前記積層コンデンサと前記集積回路を搭載した回路装置が備える積層コンデンサは、例えば回路基板に設けられた電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの一方に第１及び第２外部電極を接続され、且つ、電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの他方に第３及び第４外部電極を接続されて使用に供される。
【００１９】
この積層コンデンサにおける第１及び第２導体層のうち少なくとも一方は、２つ以上の部分導体層に区分され、且つ、前記部分導体層それぞれを少なくとも１つの狭幅部分を介して連結させた形態を有する。
【００２０】
この狭幅部分とは第１導体層，第２導体層等の導体層を区分するように形成されたスリット等の導体層のない部分を設ける手段により、導体層の電流通路を部分的に狭め、電流経路を長くする部分を言う。この狭幅部分を形成することにより、端子間のインダクタンス成分を増加させることができる。
【００２１】
要するに、この積層コンデンサは狭幅部分の存在によってπ型のローパスフィルタ（ＬＰＦ）的な特性を示す。この特性は、狭幅部分を有しない通常の積層コンデンサ等と比べて、高い周波数帯域で良好な電源ラインノイズの抑圧特性となる。依って、集積回路で使用される信号の周波数帯域が多様化し、且つ、高くなっても、所期の電源ラインノイズの抑圧を的確に行ってノイズを原因とした諸問題を未然に抑制できる。特に、無線機器の周波数におけるノイズ対策効果は大きい。また、この積層コンデンサは電源のリプル抑圧等のノイズ抑圧以外の特性に対してはほとんど変化がないため、従来のコンデンサの代わりとして置き換えて使用できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、電源ラインノイズに対してより高い抑圧特性を有する積層コンデンサと、該積層コンデンサを用いて成る集積回路を搭載した回路装置を提供することができる。
【００２３】
本発明の前記目的とそれ以外の目的と、構成の特徴と、作用効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
［第１実施形態］
図５及び図６は積層コンデンサを示すもので、図５（Ａ）は積層コンデンサの外観斜視図、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に示した積層コンデンサの等価回路図、図６は図５（Ａ）に示した本体の内部構成の分解斜視図である。
【００２５】
図５（Ａ）に示した積層コンデンサ１０は、所定の長さＬ，幅Ｗ及び高さＨを有する直方体形状の本体１１と、本体１１の表面の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔Ｐをおいて設けられた第１外部電極１２及び第２外部電極１３と、本体１１の表面の幅方向の他方の側に第１外部電極１２及び第２外部電極１３と向き合うように設けられた第３外部電極１４及び第４外部電極１５と、を備えている。
【００２６】
この積層コンデンサ１０は、例えば回路基板に設けられた電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの一方に第１外部電極１２及び第２外部電極１３を接続され、且つ、電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの他方に第３外部電極１４及び第４外部電極１５を接続されて使用に供される。
【００２７】
本体１１は、第１引出部２２ａ及び第２引出部２２ｂを有する第１導体層２２と、第３引出部２３ａ及び第４引出部２３ｂを有する第２導体層２３とを、誘電体層２１を介して交互に、且つ、縦方向（上下方向）に積層して一体化した構造を有している。第１導体層２２及び第２導体層２３の層数は例えば１００〜８００であり、該層数は積層コンデンサ１０に要求されるキャパシタンスに応じて予め設定される。
【００２８】
各第１導体層２２は所定の長さＬｃ及び幅Ｗｃを有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部２２ａ及び第２引出部２２ｂは第１導体層２２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔（第１外部電極１２及び第２外部電極１３の間隔Ｐに相当）をおいて設けられている。各第１導体層２２に設けられた第１引出部２２ａは第１外部電極１２に接続され、各第１導体層２２に設けられた第２引出部２２ｂは第２外部電極１３に接続されている。
【００２９】
また、第１導体層２２の第１引出部２２ａと第２引出部２２ｂとの間、具体的には長さ方向中央には矩形状を成す１つの幅方向のスリット２２ｃが設けられ、該幅方向のスリット２２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２２ｄが幅方向の他方の側に設けられている。幅方向のスリット２２ｃは所定の長さ方向の寸法Ｌｓ及び幅方向の寸法Ｗｓを有する矩形状を成し、狭幅部分２２ｄは所定の長さ方向の寸法Ｌｎ及び幅方向の寸法Ｗｎを有する矩形状を成している。第１導体層２２が矩形状であり、且つ、幅方向のスリット２２ｃが矩形状であることから、狭幅部分２２ｄの長さ方向の寸法Ｌｎ及び幅方向の寸法Ｗｎはスリット２２ｃの長さ方向の寸法Ｌｓ及び幅方向の寸法Ｗｓによって定めることができる。
【００３０】
要するに、第１導体層２２は幅方向のスリット２２ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１，Ａ２に区分され、且つ、該部分導体層Ａ１，Ａ２それぞれを１つの狭幅部分２２ｄを介して連結させた形態を有している。
【００３１】
各第２導体層２３は第１導体層２２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部２３ａ及び第４引出部２３ｂは第２導体層２３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔（第３外部電極１４及び第２外部電極１５の間隔Ｐに相当）をおいて設けられている。各第２導体層２３に設けられた第３引出部２３ａは第３外部電極１４に接続され、各第２導体層２３に設けられた第４引出部２３ｂは第４外部電極１５に接続されている。
【００３２】
また、第２導体層２３の第３引出部２３ａと第４引出部２３ｂとの間、具体的には各第１導体層２２の幅方向のスリット２２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット２２ｃと同一サイズの矩形状を成す１つの幅方向のスリット２３ｃが設けられ、該幅方向のスリット２３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２３ｄが幅方向の一方の側に設けられている。幅方向のスリット２３ｃは前記スリット２２ｃと同じ長さ方向の寸法Ｌｓ及び幅方向の寸法Ｗｓを有する矩形状を成し、狭幅部分２３ｄは前記狭幅部分２２ｄと同じ長さ方向の寸法Ｌｎ及び幅方向の寸法Ｗｎを有する矩形状を成している。第２導体層２３が矩形状であり、且つ、幅方向のスリット２３ｃが矩形状であることから、狭幅部分２３ｄの長さ方向の寸法Ｌｎ及び幅方向の寸法Ｗｎはスリット２３ｃの長さ方向の寸法Ｌｓ及び幅方向の寸法Ｗｓによって定めることができる。
【００３３】
要するに、第２導体層２３は幅方向のスリット２３ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２に区分され、且つ、該部分導体層Ｂ１，Ｂ２それぞれを１つの狭幅部分２３ｄを介して連結させた形態を有している。
【００３４】
第１導体層２２と第２導体層２３とを誘電体層２１を介して交互に積層した状態では、第１導体層２２の幅方向のスリット２２ｃと第２導体層２３の幅方向のスリット２３ｄとは誘電体層２１を介して積層方向で部分的に重なり合う。
【００３５】
第１導体層２２及び第２導体層２３のサイズを同じにし、且つ、各々の長さ方向中央に同一サイズの幅方向のスリット２２ｃ，２３ｃを設けた理由は、第１導体層２２と第２導体層２３とを誘電体層２１を介して交互に積層したときに第１導体層２２と第２導体層２３との対向面積を損失なく確保してより大きなキャパシタンスを得ることと、部分導体層Ａ１，Ｂ１によって得られる部分キャパシタンスと部分導体層Ａ２，Ｂ２によって得られる部分キャパシタンスを同じにすることにある。また、第１導体層２２及び第２導体層２３を例えば印刷によって形成する際に共通の印刷手段を用いることができ、且つ、製造コストの削減を図れることもその理由となっている。
【００３６】
但し、部分導体層Ａ１，Ｂ１によって得られる部分キャパシタンスと部分導体層Ａ２，Ｂ２によって得られる部分キャパシタンスを同じにする必要がない場合には、各幅方向のスリット２２ｃ，２３ｃの長さ方向位置は、互いが積層方向で部分的に重なり合うようになっていれば、長さ方向中央から外れた位置に変更することができる。また、第１導体層２２と第２導体層２３とを誘電体層２１を介して交互に積層したときに得られるキャパスタンスをより大きなものとするには、各幅方向のスリット２２ｃ，２３ｃの長さ方向の寸法Ｌｓ及び幅方向の寸法Ｗｓをできる限り小さくすることが好ましいが、該第１導体層２２及び第２導体層２３の長さＬｃ及び幅Ｗｃがキャパシタンスを確保するのに十分な寸法であるときには、各狭幅部分２２ｄ，２３ｄが果たす機能を損なわない範囲内で各幅方向のスリット２２ｃ，２３ｃの長さ方向の寸法Ｌｓ及び幅方向の寸法Ｗｓを任意に設定することができる。
【００３７】
また、各狭幅部分２２ｄ，２３ｄとは第１導体層２２及び第２導体層２３の幅Ｗｃよりも幅方向の寸法Ｗｎが小さな部分を意味するもので、該狭幅部分２２ｄ，２３ｄは第１導体層２２及び第２導体層２３の電流通路を部分的に狭めることによってインダクタンスを増加させる部分として機能すると共に、第１導体層２２及び第２導体層２３を流れる電流経路を長くする機能を有する。全ての狭幅部分２２ｄ，２３ｄによって得られるトータル的なインダクタンスの増分は、第１導体層２２及び第２導体層２３の層数や積層コンデンサ１０に流すことができる最大電流値等を考慮した上で、各狭幅部分２２ｄ，２３ｄの長さ方向の寸法Ｌｎ及び幅方向の寸法Ｗｎを変化させることによって所望値に調整することができる。
【００３８】
前記積層コンデンサ１０の等価回路は、先の説明から分かるように図５（Ｂ）のようになる。これは、４端子のＬＰＦと同等の特性を示すものであるが、第１外部電極１２と第３外部電極１４との間の特性と、第２外部電極１３と第４外部電極１５との間の特性は、通常の積層コンデンサと同等の特性を示す。
【００３９】
図７は図５（Ａ）に示した積層コンデンサ１０のノイズ抑圧特性を示す。特性評価に使用した積層コンデンサ１０は、キャパシタンスが２．２μＦ、長さＬが１．４ｍｍ、幅Ｗが１．０ｍｍ、外部電極間隔Ｐが０．６４ｍｍ、層数が２１４層（第１導体層２２が１０７層で第２導体層２３が１０７層）、各狭幅部分２２ｄ，２３ｄの幅方向の寸法Ｗｎが第１導体層２２及び第２導体層２３の幅Ｗｃの１／３である。特性評価には５０Ωの評価系を使用し、第１外部電極１２及び第２外部電極１３と第３外部電極１４及び第４外部電極１５との間の電流通過特性を評価した。
【００４０】
図７中の実線は前記積層コンデンサ１０（狭幅部分２２ｄ，２３ｄを有する積層コンデンサ１０）の特性を示し、図７中の破線は前記積層コンデンサ１０から狭幅部分２２ｄ，２３ｄを無くした比較用の積層コンデンサの特性を示す。図７から分かるように、前記積層コンデンサ１０（狭幅部分２２ｄ，２３ｄを有する積層コンデンサ１０）にあっては約１０ＭＨｚ以上の周波数帯域において減衰特性が向上している。インピーダンスが５０Ωよりも低い条件下では、より高い減衰特性が得られる。
【００４１】
図８は図５（Ａ）に示した積層コンデンサ１０の実装例を示すもので、ＳＢは回路基板、ＰＳＰ１は基板電源パターン、ＰＳＰ２はＩＣ電源パターン、ＳＢＧ１は基板グラウンドパターン、ＳＢＧ２はＩＣグラウンドパターンである。因みに、図８は集積回路ＩＣ（図示省略）が実装された回路基板ＳＢの裏面を示しており、裏面のＩＣ電源パターンＰＳＰ２と導通する表面のＩＣ電源パターン（図示省略）には集積回路の電源端子が接続され、裏面のＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２と導通する表面のＩＣグラウンドパターン（図示省略）には集積回路のグラウンド端子が接続されている。回路基板ＳＢ上の各パターンのみでは、ＰＳＰ１とＰＳＰ２、ＳＢＧ１とＳＢＧ２のそれぞれは電気的に接続されていない。
【００４２】
積層コンデンサ１０の第１外部電極１２は基板電源パターンＰＳＰ１に接続され、第２外部電極１３はＩＣ電源パターンＰＳＰ２に接続され、第３外部電極１４は基板グラウンドパターンＳＢＧ１に接続され、第４外部電極１５はＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２に接続されている。
【００４３】
図８に示す積層コンデンサ１０の実装例では、集積回路ＩＣの電源端子から漏れ出したノイズ電流がＩＣ電源パターンＰＳＰ２とＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２を介して積層コンデンサ１０の各第１導体層１２から各第２導体層２３に流れ込んで積層コンデンサ１０のフィルタ特性で抑圧される。この抑圧特性は、積層コンデンサ１０に意図的にインダクタンスを増加させる機能を設けたことにより、減衰特性を示すπ型ＬＣフィルタと同等の特性となる。さらに、図１に示した積層コンデンサでは電源側のみのノイズ電流がこのコンデンサに流れ込んでいるが、積層コンデンサ１０にはグラウンドに流れるノイズ電流も流れこむため、これを同時に抑圧する。このため、図１に示した積層コンデンサ２００よりも優れた特性を示す。このため、基板電源パターンＰＳＰ１と基板グラウンドパターンＳＢＧ１に流れ出すノイズ電流により生じる電源ラインノイズは抑圧できる。
【００４４】
図９は図８の実装例によるノイズ抑圧特性を示す。積層コンデンサ１０は、図５（Ｂ）の等価回路から分かるように各第１導体層２２がインダクタとして機能する１つの狭幅部分２２ｄを有し各第２導体層２３がインダクタとして機能する１つの狭幅部分２３ｄを有し、ＬＰＦと同等の特性を示す。また、第１外部電極１２〜第４外部電極１５の位置に合わせて各パターンが設計されることによって、確実にノイズ電流の経路途中に挿入されるため、通常の積層コンデンサを用いた場合（図９中の破線直線を参照）に比べて広い周波数帯域で良好なノイズ抑圧特性が得られる。
【００４５】
図１０〜図１２は図５（Ａ）に示した積層コンデンサ１０を用いて成る集積回路を搭載した回路装置の一例を示すもので、図１０は集積回路を搭載した回路装置の表面図、図１１は図１０に示した回路装置の裏面図、図１２は図１０及び図１１に示した回路装置の機能回路図である。この例の集積回路は、３つの電源端子と３つのグラウンド端子を持っている。
【００４６】
図１０に示すように、回路基板ＳＢの表面には集積回路ＩＣが実装されていて、該集積回路ＩＣの電源端子は回路基板ＳＢの表面に設けたＩＣ電源パターンＰＳＰ２に接続され、該集積回路ＩＣのグラウンド端子は回路基板ＳＢの表面に設けたＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２に接続されている。因みに、集積回路ＩＣの他の端子が接続される配線はその図示を省略してある。
【００４７】
図１１に示すように、回路基板ＳＢの裏面には、表面の基板電源パターンＰＳＰ１とスルーホール接続（図中の破線丸印を参照）された基板電源パターンＰＳＰ１と、表面の基板グラウンドパターンＳＢＧ１とスルーホール接続（図中の破線丸印を参照）された基板グラウンドパターンＳＢＧ１と、表面のＩＣ電源パターンＰＳＰ２とスルーホール接続（図中の破線丸印を参照）されたＩＣ電源パターンＰＳＰ２と、表面のＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２とスルーホール接続（図中の破線丸印を参照）されたＩＣグラウンドパターンＰＳＰ２と、が設けられている。
【００４８】
この集積回路を搭載した回路装置にあっては、積層コンデンサ１０は回路基板ＳＢの裏面に計３個実装されている。各積層コンデンサ１０の第１外部電極１２〜第４外部電極１５の接続対象は図８を用いて説明した接続対象と同じであるのでここでの説明を省略する。
【００４９】
このように、前述の積層コンデンサ１０及び該積層コンデンサ１０を用いて成る集積回路を搭載した回路装置によれば、各第１導体層２２にインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２２ｄが設けられ、各第２導体層２３にインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２３ｄが設けられているため、各狭幅部分２２ｄ，２３ｄの存在によって電源ラインノイズを良好に抑圧することができる。従って、集積回路ＩＣで使用される信号の周波数帯域が多様化し、且つ、高くなっても、所期の電源ラインノイズの抑圧を的確に行って該ノイズを原因とした諸問題を未然に抑制できる。
【００５０】
また、前述の集積回路を搭載した回路装置によれば、積層コンデンサ１０の第１外部電極１２〜第４外部電極１５に対応した基板電源パターンＰＳＰ１，ＩＣ電源パターンＰＳＰ２，基板グラウンドパターンＳＢＧ１及びＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２を設けているので、全てのノイズが流れ出る経路に確実に積層コンデンサ１０を挿入することが可能である。２端子の通常の積層コンデンサでは、ノイズ電流の経路以外にも配置することが可能であり、これによるノイズ抑圧特性の劣化の可能性がある。前述の集積回路を搭載した回路装置では、この劣化を回避できる。
【００５１】
なお、図１０〜図１２に示した集積回路を搭載した回路装置は、外部から電源を供給され動作する集積回路を用いたものであるが、図５（Ａ）に示した積層コンデンサ１０はＤＣ−ＤＣコンバータ等の集積回路を搭載した回路装置にも適用できる。
【００５２】
図１３及び図１４は図５（Ａ）に示した積層コンデンサ１０を用いて成る集積回路を搭載した回路装置の他の例を示すもので、図１２は集積回路を搭載した回路装置の表面図、図１４は図１３に示した回路装置の機能回路図である。この例は降圧のＤＣ−ＤＣコンバータに相当する集積回路ＩＣを回路基板ＳＢの表面に実装したもので、該回路基板ＳＢの裏面には回路は構成されていない。
【００５３】
図１３に示すように、回路基板ＳＢの表面には、集積回路（ＤＣ−ＤＣコンバータ）ＩＣと、出力側の積層インダクタＭＬＣＩと、入力側の積層コンデンサ１０と、出力側の積層コンデンサ１０とが実装されている。また、回路基板ＳＢには、５Ｖの電源が供給される第１の基板電源パターンＰＳＰ１と、集積回路ＩＣの５Ｖ入力端子に接続された第１のＩＣ電源パターンＰＳＰ２と、基板グラウンドパターンＳＢＧ１と、集積回路ＩＣのグラウンドが接続されたＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２と、１Ｖの電圧が取り出される第２の基板電源パターンＰＳＰ３と、積層インダクタＭＬＣＩと出力側の積層コンデンサ１０とを接続する中継パターンＰＳＰ４と、が設けられている。これらのパターンは、部品実装前には電気的には接続されていない。
【００５４】
この集積回路を搭載した回路装置にあっては、入力側の積層コンデンサ１０は、第１の基板電源パターンＰＳＰ１に第１外部電極１２を接続され、第１のＩＣ電源パターンＰＳＰ２に第２外部電極１３を接続され、基板グラウンドパターンＳＢＧ１に第３外部電極１４を接続され、ＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２に第４外部電極１５を接続されている。
また、出力側の積層コンデンサ１０は、第２の基板電源パターンＰＳＰ３に第１外部電極１２を接続され、中継パターンＰＳＰ４に第２外部電極１３を接続され、基板グラウンドパターンＳＢＧ１に第３外部電極１４を接続され、ＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２に第４外部電極１５を接続されている。
【００５５】
このように、前述の積層コンデンサ１０及び該積層コンデンサ１０を用いて成る集積回路を搭載した回路装置によれば、各第１導体層２２にインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２２ｄが設けられ、各第２導体層２３にインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２３ｄが設けられているため、各狭幅部分２２ｄ，２３ｄの存在によって集積回路（ＤＣ−ＤＣコンバータ）ＩＣが発生するスイッチングノイズを良好に抑圧することができる。このスイッチングノイズは広い周波数帯域に渡って発生するが、所期のスイッチングの抑圧を的確に行って該ノイズを原因とした諸問題を未然に抑制できる。
【００５６】
ここで、前述の積層コンデンサ１０の第１導体層２２及び第２導体層２２の代用となる第１導体層及び第２導体層の変形形態、特に狭幅部分とスリットの変形形態について図１５〜図２９を参照して説明する。
【００５７】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１変形形態］
図１５は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第１変形形態を示すもので、図１５（Ａ）は第１導体層の上面図、図１５（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【００５８】
第１導体層３２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部３２ａと第２引出部３２ｂとは第１導体層３２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層３２の第１引出部３２ａと第２引出部３２ｂとの間、具体的には長さ方向の中央には矩形状を成す１つの幅方向のスリット３２ｃが設けられ、該幅方向のスリット３２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分３２ｄが幅方向の一方の側に設けられている。
【００５９】
第２導体層３３は第１導体層３２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部３３ａと第４引出部３３ｂとは第２導体層３３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層３３の第３引出部と第４引出部３３ｂとの間、具体的には第１導体層３２の幅方向のスリット３２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット３２ｃと同一サイズの矩形状を成す１つの幅方向のスリット３３ｃが設けられ、該幅方向のスリット３３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分３３ｄが幅方向の他方の側に設けられている。
【００６０】
尚、各スリット３２ｃ，３３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分３２ｄ，３３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００６１】
つまり、第１導体層３２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する働く１つの狭幅部分３２ｄを介して連結させた形態を有し、第２導体層３３は矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分３３ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、３１は誘電体層を示す。
【００６２】
この第１導体層３２及び第２導体層３３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図５（Ｂ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【００６３】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第２変形形態］
図１６は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第２変形形態を示すもので、図１６（Ａ）は第１導体層の上面図、図１６（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【００６４】
第１導体層４２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部４２ａと第２引出部４２ｂとは第１導体層４２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層４２の第１引出部４２ａと第２引出部４２ｂとの間、具体的には長さ方向の中央には矩形状を成す２つの幅方向のスリット４２ｃが相対して設けられ、該幅方向スリット４２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分４２ｄが幅方向の中央に設けられている。
【００６５】
第２導体層４３は第１導体層４２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部４３ａと第４引出部４３ｂとは第２導体層４３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層４３の第３引出部４３ａと第４引出部４３ｂとの間、具体的には第１導体層４２の幅方向のスリット４２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット４２ｃと同一サイズの矩形状を成す２つの幅方向のスリット４３ｃが相対して設けられ、該幅方向のスリット４３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分４３ｄが幅方向の中央に設けられている。この狭幅部分４３ｄの長さ方向の位置及び幅方向の位置は第１導体層４２の狭幅部分４２ｄの長さ方向の位置及び幅方向の位置とほぼ一致している。
【００６６】
尚、各スリット４２ｃ，４３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分４２ｄ，４３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００６７】
つまり、第１導体層４２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分４２ｄを介して連結させた形態を有し、第２導体層４３は矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分４３ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、４１は誘電体層を示す。
【００６８】
この第１導体層４２及び第２導体層４３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図５（Ｂ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【００６９】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第３変形形態］
図１７は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第３変形形態を示すもので、図１７（Ａ）は第１導体層の上面図、図１７（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【００７０】
第１導体層５２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部５２ａと第２引出部５２ｂとは第１導体層５２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層５２の第１引出部５２ａと第２引出部５２ｂとの間、具体的には長さ方向の中央には矩形状を成す１つの幅方向のスリット５２ｃが設けられ、該幅方向のスリット５２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分５２ｄが幅方向の両側に設けられている。
【００７１】
第２導体層５３は第１導体層５２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部５３ａと第４引出部５３ｂとは第２導体層５３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層５３の第３引出部５３ａと第４引出部５３ｂとの間、具体的には第１導体層５２の幅方向のスリット５３ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット５２ｃと同一サイズの矩形状を成す１つの幅方向のスリット５３ｃが設けられ、該幅方向のスリット５２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分５３ｄが幅方向の両側に設けられている。
【００７２】
尚、各スリット５２ｃ，５３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分５２ｄ，５３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００７３】
つまり、第１導体層５２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分５２ｄを介して連結させた形態を有し、第２導体層５３は矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分５３ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、５１は誘電体層を示す。
【００７４】
この第１導体層５２及び第２導体層５３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図５（Ｂ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【００７５】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第４変形形態］
図１８は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第４変形形態を示すもので、図１８（Ａ）は第１導体層の上面図、図１８（Ｂ）は第２導体層の上面図、図１８（Ｃ）は図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示した第１導体層及び第２導体層を用いて得た積層コンデンサの等価回路図である。
【００７６】
第１導体層６２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部６２ａと第２引出部６２ｂとは第１導体層６２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層６２の第１引出部６２ａと第２引出部６２ｂとの間、具体的には第１引出部６２ａに近接した位置には略矩形状を成す１つの幅方向のスリット６２ｃが設けられ、該幅方向のスリット６２ｃによってインダクタスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分６２ｄが幅方向の他方の側に設けられている。
【００７７】
第２導体層６３は第１導体層６２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部６３ａと第４引出部６３ｂとは第２導体層６３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層６３の第３引出部６３ａと第４引出部６３ｂとの間、具体的には第１導体層６２の幅方向のスリット６２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット６２ｃと同一サイズの略矩形状を成す１つの幅方向のスリット６３ｃが設けられ、該幅方向のスリット６３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分６３ｄが幅方向の一方の側に設けられている。
【００７８】
尚、各スリット６２ｃ，６３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分６２ｄ，６３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００７９】
つまり、第１導体層６２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスの増加機能を有する１つの狭幅部分６２ｄを介して連結させた形態を有し、第２導体層６３は矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスの増加機能を有する１つの狭幅部分６３ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、６１は誘電体層を示す。
【００８０】
この第１導体層６２及び第２導体層６３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いた場合には、部分導体層Ａ１及び部分導体層Ｂ１が細長く対向面積が小さいことから、得られる積層コンデンサの等価回路は図１８（Ｃ）のようになるが、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。因みに、本変形形態におけるスリットの位置変更に係る思想は、前記第１実施形態と前記第１〜第３変形形態と後述の第５〜第１５変形形態にも適用可能である。
【００８１】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第５変形形態］
図１９は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第５変形形態を示すもので、図１９（Ａ）は第１導体層の上面図、図１９（Ｂ）は第２導体層の上面図、図１９（Ｃ）は図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示した第１導体層及び第２導体層を用いて得た積層コンデンサの等価回路図である。
【００８２】
第１導体層７２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部７２ａと第２引出部７２ｂとは第１導体層７２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層７２の第１引出部７２ａと第２引出部７２ｂとの間、具体的には長さ方向の中央には矩形状を成す１つの幅方向のスリット７２ｃが設けられ、該幅方向のスリット７２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分７２ｄが幅方向の他方の側に設けられている。
【００８３】
第２導体層７３は第１導体層７２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部７３ａと第４引出部７３ｂとは第２導体層７３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。この第２導体層７３には第１導体層７２のような幅方向のスリット及び狭幅部分は設けられていない。
【００８４】
つまり、第１導体層７２及び第２導体層７３のうち、第１導体層７２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分７２ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、７１は誘電体層を示す。
【００８５】
尚、スリット７２ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、狭幅部分７２のサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００８６】
この第１導体層７２及び第２導体層７３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いた場合には第２導体層７３にインダクタンスを増加させる機能を有する狭幅部分が設けられていないことから得られる積層コンデンサの等価回路は図１９（Ｃ）のようになるが、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【００８７】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第６変形形態］
図２０は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第６変形形態を示すもので、図２０（Ａ）は第１導体層の上面図、図２０（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【００８８】
第１導体層８２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部８２ａと第２引出部８２ｂとは第１導体層８２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層８２には、長さ方向の中央に設けられた幅方向のスリットと該幅方向のスリットの端から長さ方向に延びるスリットとを連続させたＬ字状のスリット８２ｃが設けられ、該スリット８２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分８２ｄが幅方向の他方の側に設けられている。
【００８９】
第２導体層８３は第１導体層８２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部８３ａと第４引出部８３ｂとは第２導体層８３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層８２には、長さ方向の中央に設けられた幅方向のスリットと該幅方向のスリットの端から長さ方向に延びるスリットとを連続させたＬ字状のスリット８３ｃが設けられ、該スリット８３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分８２ｄが幅方向の一方の側に設けられている。Ｌ字状のスリット８３ｃの幅方向のスリット部分の位置は、第１導体層８２のＬ字状のスリット８２ｃの幅方向のスリット部分の位置と長さ方向でほぼ一致している。
【００９０】
尚、各スリット８２ｃ，８３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分８２ｄ，８３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００９１】
つまり、第１導体層８２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分８２ｄを介して連結させた形態を有し、第２導体層８３は矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分８３ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、８１は誘電体層を示す。
【００９２】
この第１導体層８２及び第２導体層８３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図５（Ｂ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。また、狭幅部分８２ｄ，８３ｄを図６に示した狭幅部分２２ｄ，２３ｄよりも長く形成できるので、より大きなインダクタンスを得ることができる。
【００９３】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第７変形形態］
図２１は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第７変形形態を示すもので、図２１（Ａ）は第１導体層の上面図、図２１（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【００９４】
第１導体層９２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部９２ａと第２引出部９２ｂとは第１導体層９２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層９２には、長さ方向の中央に設けられた幅方向のスリットと該幅方向のスリットの端から長さ方向に延びるスリットとを連続させたＴ字状のスリット９２ｃが設けられ、該スリット９２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分９２ｄが幅方向の他方の側に設けられている。
【００９５】
第２導体層９３は第１導体層９２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部９３ａと第４引出部９３ｂとは第２導体層９３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層９２には、長さ方向の中央に設けられた幅方向のスリットと該幅方向のスリットの端から長さ方向に延びるスリットとを連続させたＴ字状のスリット９３ｃが設けられ、該スリット９３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分９２ｄが幅方向の一方の側に設けられている。Ｔ字状のスリット９３ｃの幅方向のスリット部分の位置は、第１導体層９２のＬ字状のスリット９２ｃの幅方向のスリット部分の位置と長さ方向でほぼ一致している。
【００９６】
尚、各スリット９２ｃ，９３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分９２ｄ，９３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【００９７】
つまり、第１導体層９２は矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１及びＡ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分９２ｄを介して連結させた形態を有し、第２導体層９３は矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１及びＢ２をインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分９３ｄを介して連結させた形態を有する。因みに、９１は誘電体層を示す。
【００９８】
この第１導体層９２及び第２導体層９３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図５（Ｂ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。また、狭幅部分９２ｄ，９３ｄを図６に示した狭幅部分２２ｄ，２３ｄよりも長く形成できるので、より大きなインダクタンスを得ることができる。
【００９９】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第８変形形態］
図２２は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第８変形形態を示すもので、図２２（Ａ）は第１導体層の上面図、図２２（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【０１００】
本変形形態の第１導体層１０２及び第２導体層１０３と図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３との違いは、第１導体層１０２においては、第１引出部１０２ａが第１導体層１０２の幅方向の一方の側、且つ、長さ方向の一方側に設けられ、第２引出部１０２ｂが第１導体層１０２の幅方向の他方の側、且つ、長さ方向の他方の側に設けられている点にあり、また、第２導体層１０３においては、第３引出部１０３ａが第２導体層１０３の幅方向の他方の側、且つ、長さ方向の一方の側に設けられ、第４引出部１０３ｂが第２導体層１０３の幅方向の一方の側、且つ、長さ方向の他方の側に設けられている点である。
【０１０１】
尚、各スリット１０２ｃ，１０３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１０２ｄ，１０３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１０２】
この第１導体層１０２及び第２導体層１０３を用いた場合には第２引出部１０２ｂの位置と第４引出部１０３ｂの位置が置換されることから、これに合わせて図２２（Ｃ）に示すように第２外部電極１３と第４外部電極１５の位置も置換される。このように、第１導体層１０２の第１引出部１０２ａ及び第２引出部２２ｂと、第２導体層１０３の第３引出部１０３ａ及び第４引出部１０３ｂは、互いに異なる面に形成しても良い。図２２においては、互いに相対向する側面に引出されるように形成されているが、例えば互いに隣接する側面に引出されるように形成しても良い。
【０１０３】
このような積層コンデンサであっても図５（Ｂ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。因みに、本変形形態における引出部の位置置換に係る思想は、前記第１〜第７変形形態と後述の第１０〜第１５変形形態にも適用可能である。
【０１０４】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第９変形形態］
図２３は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第９変形形態を示すもので、図２３（Ａ）は第１導体層の上面図、図２３（Ｂ）は第２導体層の上面図、図２３（Ｃ）は図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）に示した第１，第２導体層を用いて得た積層コンデンサの外観斜視図、図２３（Ｄ）は図２３（Ｃ）に示した積層コンデンサの等価回路図である。
【０１０５】
第１導体層１１２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部１１２ａは第１導体層１１２の幅方向の一方の側、且つ、長さ方向の一方側に設けられ、矩形状を成す第２引出部１１２ｂは第１導体層１１２の幅方向の他方の側、且つ、長さ方向の他方の側に設けられている。また、第１導体層１１２の第１引出部１１２ａと第２引出部１１２ｂとの間、具体的には長さ方向に間隔をおいた位置には矩形状を成す２つの幅方向のスリット１１２ｃが設けられ、該幅方向のスリット１１２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１１２ｄが、幅方向の他方の側、幅方向の一方の側、の順で設けられている。
【０１０６】
第２導体層１１３は第１導体層１１２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部１１３ａは第２導体層１１３の幅方向の他方の側、且つ、長さ方向の一方の側に設けられ、第４引出部１１３ｂは第２導体層１１３の幅方向の一方の側、且つ、長さ方向の他方の側に設けられている。また、第２導体層１１３の第３引出部１１３ａと第４引出部１１３ｂとの間、具体的には第１導体層１１２の各幅方向のスリット１１２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット１１２ｃと同一サイズの矩形状を成す２つの幅方向のスリット１１３ｃが設けられ、該幅方向のスリット１１３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１１３ｄが、幅方向の一方の側、幅方向の他方の側、の順で設けられている。
【０１０７】
尚、各スリット１１２ｃ，１１３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１１２ｄ，１１３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１０８】
つまり、第１導体層１１２は矩形状を成す３つの部分導体層Ａ１，Ａ２及びＡ３をインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１１２ｄを介して順に連結させた形態を有し、第２導体層１１３は矩形状を成す３つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２及びＢ３をインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１１３ｄを介して順に連結させた形態を有する。因みに、１１１は誘電体層を示す。
【０１０９】
この第１導体層１１２及び第２導体層１１３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いた場合には第２引出部１１２ｂの位置と第４引出部１１３ｂの位置が置換されることから、これに合わせて図２３（Ｃ）に示すように第２外部電極１３と第４外部電極１５の位置も置換される。また、この場合には第１導体層１１２及び第２導体層１１３が２つの狭幅部分１１２ｄ及び１１３ｄをそれぞれ有するため、得られる積層コンデンサの等価回路は図２３（Ｄ）のようになるが、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【０１１０】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１０変形形態］
図２４は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第１０変形形態を示すもので、図２４（Ａ）は第１導体層の上面図、図２４（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【０１１１】
第１導体層１２２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部１２２ａと第２引出部１２２ｂとは第１導体層１２２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層１２２の第１引出部１２２ａと第２引出部１２２ｂとの間、具体的には長さ方向に間隔をおいた位置には矩形状を成す２つの幅方向のスリット１２２ｃが設けられ、該幅方向のスリット１２２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１２２ｄが、幅方向の他方の側に設けられている。
【０１１２】
第２導体層１２３は第１導体層１２３と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部１２３ａと第４引出部１２３ｂとは第２導体層１２３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層１２３の第３引出部１２３ａと第４引出部１２３ｂとの間、具体的には第１導体層１２２の幅方向の各スリット１２２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット１２２ｃと同一サイズの矩形状を成す２つの幅方向のスリット１２３ｃが設けられ、該幅方向のスリット１２３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１２３ｄが、幅方向の一方の側に設けられている。
【０１１３】
尚、各スリット１２２ｃ，１２３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１２２ｄ，１２３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１１４】
つまり、第１導体層１２２は矩形状を成す３つの部分導体層Ａ１，Ａ２及びＡ３をインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１２２ｄを介して順に連結させた形態を有し、第２導体層１２３は矩形状を成す３つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２及びＢ３をインダクタンスを増加させる部分として機能する２つの狭幅部分１２３ｄを介して順に連結させた形態を有する。因みに、１２１は誘電体層を示す。
【０１１５】
この第１導体層１２２及び第２導体層１２３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いた場合には第１導体層１２２及び第２導体層１２３が２つの狭幅部分１２２ｄ及び１２２ｄをそれぞれ有するため、得られる積層コンデンサの等価回路は図２３（Ｄ）と同様になる。このような積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。尚、本変形形態では、狭幅部分１０２ｄが幅方向の他方の側に設けられ、狭幅部分１０３ｄが幅方向の一方の側に設けられているものを示したが、狭幅部分１０２ｄと狭幅部分１０３ｄをそれぞれ逆側に設けても良い。因みに、本変形形態におけるスリットの向き変更に係る思想は、前記第９変形形態と後述の第１１及び第１２変形形態にも適用可能である。
【０１１６】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１１変形形態］
図２５は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第１１変形形態を示すもので、図２５（Ａ）は第１導体層の上面図、図２５（Ｂ）は第２導体層の上面図、図２５（Ｃ）は図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示した第１導体層及び第２導体層を用いて得た積層コンデンサの等価回路図である。
【０１１７】
第１導体層１３１は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部１３２ａと第２引出部１３２ｂとは第１導体層１３２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層１３２の第１引出部１３２ａと第２引出部１３２ｂとの間、具体的には長さ方向に間隔をおいた位置には矩形状を成す３つの幅方向のスリット１３２ｃが設けられ、該幅方向のスリット１３２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１３２ｄが、幅方向の他方の側、幅方向の一方の側、幅方向の他方の側、の順で設けられている。
【０１１８】
第２導体層１３３は第１導体層１３２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部１３３ａと第４引出部１３３ｂとは第２導体層１３３の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層１３３の第３引出部１３３ａと第４引出部１３３ｂとの間、具体的には第１導体層１３２の各幅方向スリット１３２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット１３２ｃと同一サイズの矩形状を成す３つの幅方向のスリット１３３ｃが設けられ、該幅方向のスリット１３３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１３３ｄが、幅方向の一方の側、幅方向の他方の側、幅方向の一方の側、の順で設けられている。
【０１１９】
尚、各スリット１３２ｃ，１３３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１３２ｄ，１３３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１２０】
つまり、第１導体層１３２は矩形状を成す４つの部分導体層Ａ１，Ａ２，Ａ３及びＡ４をインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１３２ｄを介して順に連結させた形態を有し、第２導体層１３３は矩形状を成す４つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４をインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１３３ｄを介して順に連結させた形態を有する。因みに、１３１は誘電体層を示す。
【０１２１】
この第１導体層１３２及び第２導体層１３３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いた場合には第１導体層１３２及び第２導体層１３３が３つの狭幅部分１３２ｄ及び１３３ｄをそれぞれ有するため、得られる積層コンデンサの等価回路は図２５（Ｃ）のようになる。このような積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【０１２２】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１２変形形態］
図２６は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第１２変形形態を示すもので、図２６（Ａ）は第１導体層の上面図、図２６（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【０１２３】
第１導体層１４２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部１４２ａと第２引出部１４２ｂとは第１導体層１４２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層１４２の第１引出部１４２ａと第２引出部１４２ｂとの間、具体的には長さ方向に間隔をおいた位置には矩形状を成す３つの幅方向のスリット１４２ｃが設けられ、該幅方向のスリット１４２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１４２ｄが、幅方向の他方の側、幅方向の一方の側、幅方向の他方の側、の順で設けられている。
【０１２４】
第２導体層１４３は第１導体層１４２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部１４３ａと第４引出部１４３ｂとは第２導体層１４３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層１４３の第３引出部１４３ａと第４引出部１４３ｂとの間、具体的には第１導体層１４２の各幅方向のスリット１４２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット１４２ｃと同一サイズの矩形状を成す３つの幅方向のスリット１４３ｃが設けられ、該幅方向のスリット１４３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１４３ｄが、幅方向の他方の側、幅方向の一方の側、幅方向の他方の側、の順で設けられている。この３つの狭幅部分１４３ｄの長さ方向の位置及び幅方向の位置は第１導体層１４２の３つの狭幅部分１４２ｄの長さ方向の位置及び幅方向の位置とほぼ一致している。
【０１２５】
尚、各スリット１４２ｃ，１４３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１４２ｄ，１４３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１２６】
つまり、第１導体層１４２は矩形状を成す４つの部分導体層Ａ１，Ａ２，Ａ３及びＡ４をインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１４２ｄを介して順に連結させた形態を有し、第２導体層１４３は矩形状を成す４つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４をインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１４３ｄを介して順に連結させた形態を有する。因みに、１４１は誘電体層を示す。
【０１２７】
この第１導体層１４２及び第２導体層１４３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図２５（Ｃ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【０１２８】
［第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１３変形形態］
図２７は図６に示した第１導体層及び第２導体層の第１３変形形態を示すもので、図２７（Ａ）は第１導体層の上面図、図２７（Ｂ）は第２導体層の上面図である。
【０１２９】
第１導体層１５２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部１５２ａと第２引出部１５２ｂとは第１導体層１５２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第１導体層１５２には、長さ方向の中央に設けられた幅方向のスリットと該幅方向のスリットの略中央を通過するようにして長さ方向に延びるスリットとを連続させた十字状のスリット１５２ｃが設けられ、該スリット１５２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１５２ｄが、長さ方向の両側と幅方向の他方の側にそれぞれ設けられている。
【０１３０】
第２導体層１５３は第１導体層１５３と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部１５３ａと第４引出部１５３ｂとは第２導体層１５３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。また、第２導体層１５３には、長さ方向の中央に設けられた幅方向のスリットと該幅方向のスリットの略中央を通過するようにして長さ方向に延びるスリットとを連続させた十字状のスリット１５３ｃが設けられ、該スリット１５３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１５３ｄが、長さ方向の両側と幅方向の一方の側にそれぞれ設けられている。十字状のスリット１５３ｃの幅方向のスリット部分の位置は、第１導体層１５２のＬ字状のスリット１５２ｃの幅方向のスリット部分の位置と長さ方向でほぼ一致しており、また、十字状のスリット１５３ｃの長さ方向のスリット部分の位置は、第１導体層１５２のＬ字状のスリット１５２ｃの長さ方向のスリット部分の位置と幅方向でほぼ一致している。
【０１３１】
尚、各スリット１５２ｃ，１５３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１５２ｄ，１５３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１３２】
つまり、第１導体層１５２は矩形状を成す４つの部分導体層Ａ１，Ａ２，Ａ３及びＡ４をインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１５２ｄを介して順に連結させた形態を有し、第２導体層１５３は矩形状を成す４つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３及びＢ４をインダクタンスを増加させる部分として機能する３つの狭幅部分１５３ｄを介して順に連結させた形態を有する。因みに、１５１は誘電体層を示す。
【０１３３】
この第１導体層１５２及び第２導体層１５３を図６に示した第１導体層２２及び第２導体層２３の代わりに用いても図２５（Ｃ）と同じ等価回路の積層コンデンサを得ることができ、該積層コンデンサであっても先に述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置と同様の作用効果を得ることができる。
【０１３４】
［第２実施形態］
図２８及び図２９は積層コンデンサを示すもので、図２８（Ａ）は積層コンデンサの外観斜視図、図２８（Ｂ）は図２８（Ａ）に示した積層コンデンサの等価回路図、図２９は図２８（Ａ）に示した本体の内部構成の分解斜視図である。
【０１３５】
第２実施形態の積層コンデンサ１８０は、第１導体層及び第２導体層の積層方向を横方向（左右方向）とした点と、第１外部電極〜第４外部電極を同一側部に設けた点で、第１実施形態の積層コンデンサ１０と構成を異にする。
【０１３６】
同図に示した積層コンデンサ１８０は、所定の長さＬ，幅Ｗ及び高さＨを有する直方体形状の本体１８１と、本体１８１の表面の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられた第１外部電極１８２及び第２外部電極１８３と第３外部電極１８４及び第４外部電極１８５と、を備えている。
【０１３７】
この積層コンデンサ１８０は、例えば回路基板に設けられた電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの一方に第１外部電極１８２及び第２外部電極１８３を接続され、且つ、電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの他方に第３外部電極１８４及び第４外部電極１８５を接続されて使用に供される。
【０１３８】
本体１８１は、第１引出部１９２ａ及び第２引出部１９２ｂを有する第１導体層１９２と、第３引出部１９３ａ及び第４引出部１９３ｂを有する第２導体層１９３とを、誘電体層１９１を介して交互に、且つ、横方向（左右方向）に積層して一体した構造を有している。
【０１３９】
各第１導体層１９２は所定の長さ及び幅（高さ）を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部１９２ａと第２引出部１９２ｂとは第１導体層１９２の高さ方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。各第１導体層１９２に設けられた第１引出部１９２ａは第１外部電極１８２に接続され、各第１導体層１９２に設けられた第２引出部１９２ｂは第２外部電極１８３に接続されている。
【０１４０】
また、第１導体層１９２の第１引出部１９２ａと第２引出部１９２ｂとの間、具体的には長さ方向の中央には矩形状を成す１つの高さ方向のスリット１９３ｃが設けられ、該高さ方向のスリット１９２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分１９２ｄが高さ方向の他方の側に設けられている。
【０１４１】
要するに、第１導体層１９２は高さ方向のスリット１９２ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１，Ａ２に区分され、且つ、該部分導体層Ａ１，Ａ２それぞれを１つの狭幅部分１９２ｄを介して連結させた形態を有している。
【０１４２】
各第２導体層１９３は第１導体層１９２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部１９３ａと第４引出部１９３ｂとは第２導体層１９３の高さ方向の一方の側に、第１引出部１９２ａ及び第２引出部１９２ｂと長さ方向で交錯しないように、長さ方向に間隔をおいて設けられている。各第２導体層１９３に設けられた第３引出部１９３ａは第３外部電極１８４に接続され、各第２導体層１９３に設けられた第２引出部１９３ｂは第４外部電極１８５に接続されている。
【０１４３】
また、第２導体層１９３の第３引出部１９３ａと第４引出部１９３ｂとの間、具体的には各第１導体層１９２の幅方向のスリット１９３ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット１９３ｃと同一サイズの矩形状を成す１つの高さ方向のスリット１９３ｃが設けられ、該高さ方向のスリット１９３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分１９３ｄが高さ方向の他方の側に設けられている。
【０１４４】
要するに、第２導体層１９３は高さ方向のスリット１９３ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１，Ａ２に区分され、且つ、該部分導体層Ａ１，Ａ２それぞれを１つの狭幅部分１９３ｄを介して連結させた形態を有している。
【０１４５】
第１導体層１９２と第２導体層１９３とを誘電体層１９１を介して交互に積層した状態では、第１導体層１９２の高さ方向のスリット１９２ｃと第２導体層１９３の高さ方向のスリット１９３ｄとは誘電体層１９１を介して積層方向で部分的に重なり合う。また、前記積層コンデンサ１８０の等価回路は、先の説明から分かるように図２８（Ｂ）のようになる。
【０１４６】
尚、各スリット１９２ｃ，１９３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分１９２ｄ，１９３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１４７】
図３０は図２８（Ａ）に示した積層コンデンサ１８０の実装例を示すもので、ＳＢは回路基板、ＰＳＰ１は基板電源パターン、ＰＳＰ２はＩＣ電源パターン、ＳＢＧ１は基板グラウンドパターン、ＳＢＧ２はＩＣグラウンドパターンである。因みに、図３０は集積回路ＩＣ（図示省略）が実装された回路基板ＳＢの裏面を示しており、裏面のＩＣ電源パターンＰＳＰ２と導通する表面のＩＣ電源パターン（図示省略）には集積回路の電源端子が接続され、裏面のＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２と導通する表面のＩＣグラウンドパターン（図示省略）には集積回路のグラウンド端子が接続されている。回路基板ＳＢ上の各パターンのみでは、ＰＳＰ１とＰＳＰ２、ＳＢＧ１とＳＢＧ２のそれぞれは電気的に接続されていない。
【０１４８】
積層コンデンサ１８０の第１外部電極１８２は基板電源パターンＰＳＰ１に接続され、第２外部電極１８３はＩＣ電源パターンＰＳＰ２に接続され、第３外部電極１８４は基板グラウンドパターンＳＢＧ１に接続され、第４外部電極１８５はＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２に接続されている。
【０１４９】
図３０に示す積層コンデンサ１８０の実装例では、集積回路ＩＣの電源端子から漏れ出したノイズ電流がＩＣ電源パターンＰＳＰ２を介して積層コンデンサ１８０の各第１導体層１９２から各第２導体層１９３に流れ込んで積層コンデンサ１８０のフィルタ特性で抑圧され、図９に示したものとほぼ同じノイズ抑圧特性を発揮する。
【０１５０】
また、前記積層コンデンサ１８０を用いて図１０及び図１１と同様の回路装置や図１３と同様の回路装置を構成する場合には、図３０に示した接続関係が得られるように第１外部電極１８２〜第４外部電極１８５の位置に合わせて回路基板ＳＢにおける基板電源パターンＰＳＰ１，ＩＣ電源パターンＰＳＰ２，基板グラウンドパターンＳＢＧ１及びＩＣグラウンドパターンＳＢＧ２等の形状を変更すればよい。
【０１５１】
前述の積層コンデンサ１８０及び該積層コンデンサ１８０を用いて成る集積回路を搭載した装置で得られる作用効果は、第１実施形態で述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置で得られる作用効果と同様である。
【０１５２】
［第３実施形態］
図３１は積層コンデンサを示すもので、図３１（Ａ）は積層コンデンサの外観斜視図、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）に示した積層コンデンサの第１導体層の上面図、図３１（Ｃ）は図３１（Ａ）に示した積層コンデンサの第２導体層の上面図である。
【０１５３】
第３実施形態の積層コンデンサ２００は、第１外部電極〜第４外部電極をそれぞれ２つずつ設けた点と、これら第１外部電極〜第４外部電極に対応するように第１導体層及び第２導体層の引出部を増設した点で、第１実施形態の積層コンデンサ１０と構成を異にする。
【０１５４】
同図に示した積層コンデンサ２００は、所定の長さＬ，幅Ｗ及び高さＨを有する直方体形状の本体２０１と、本体２０１の表面の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられた２つの第１外部電極２０２及び２つの第２外部電極２０３と、本体２０１の表面の幅方向の他方の側に第１外部電極２０２及び第２外部電極２０３と向き合うように設けられた２つの第３外部電極２０４及び２つの第４外部電極２０５と、を備えている。
【０１５５】
２つの第１外部電極２０２及び２つの第２外部電極２０３は本体２０１の表面の幅方向の一方の側に、第１外部電極２０２，第１外部電極２０２，第２外部電極２０３，第２外部電極２０３の順に同一間隔をおいて並んでいる。２つの第３外部電極２０４及び２つの第４外部電極２０５は本体２０１の表面の幅方向の他方の側に、第３外部電極２０４，第３外部電極２０４，第４外部電極２０５，第４外部電極２０５の順に同一間隔をおいて並んでいる。
【０１５６】
この積層コンデンサ２００は、例えば回路基板に設けられた電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの一方に第１外部電極２０２及び第２外部電極２０３を接続され、且つ、電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの他方に第３外部電極２０４及び第４外部電極２０５を接続されて使用に供される。
【０１５７】
本体２０１は、第１引出部２１２ａ及び第２引出部２１２ｂを有する第１導体層２１２と、第３引出部２１３ａ及び第４引出部２１３ｂを有する第２導体層２１３とを、誘電体層２１１を介して交互に、且つ、縦方向（上下方向）に積層して一体化した構造を有している。
【０１５８】
各第１導体層２１２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す２つの第１引出部２１２ａ及び２つの第２引出部２１２ｂは、第１引出部２１２ａ，第１引出部２１２ａ，第２引出部２１２ｂ，第２引出部２１２ｂの順に並ぶように、第１導体層２１２の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。各第１導体層２１２に設けられた２つの第１引出部２１２ａはこれらに対応する２つの第１外部電極２０２にそれぞれ接続され、各第１導体層２１２に設けられた２つの第２引出部２１２ｂはこれらに対応する２つの第２外部電極２０３にそれぞれ接続されている。
【０１５９】
また、第１導体層２１２の２つの第１引出部２１２ａと２つの第２引出部２１２ｂとの間、具体的には長さ方向中央には矩形状を成す１つの幅方向のスリット２１２ｃが設けられ、該幅方向のスリット２１２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２１２ｄが幅方向の他方の側に設けられている。
【０１６０】
要するに、第１導体層２１２は幅方向のスリット２１２ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１，Ａ２に区分され、且つ、該部分導体層Ａ１，Ａ２それぞれを１つの狭幅部分２１２ｄを介して連結させた形態を有している。
【０１６１】
各第２導体層２１３は第１導体層２１２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す２つの第３引出部２１３ａ及び２つの第４引出部２１３ｂは、第３引出部２１３ａ，第３引出部２１３ａ，第４引出部２１３ｂ，第４２引出部２１４ｂの順に並ぶように、第２導体層２１３の幅方向の他方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられている。各第２導体層２１３に設けられた２つの第３引出部２１３ａはこれらに対応する２つの第３外部電極２０４にそれぞれ接続され、各第２導体層２１３に設けられた２つの第４引出部２１３ｂはこれらに対応する２つの第４外部電極２０５にそれぞれ接続されている。
【０１６２】
また、第２導体層２１３の２つの第３引出部２１３ａと２つの第４引出部２１３ｂとの間、具体的には各第１導体層２１２の幅方向のスリット２１２ｃと長さ方向でほぼ一致する位置には該スリット２１２ｃと同一サイズの矩形状を成す１つの幅方向のスリット２１３ｃが設けられ、該幅方向のスリット２１３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２１３ｄが幅方向の一方の側に設けられている。
【０１６３】
要するに、第２導体層２１３は幅方向のスリット２１３ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２に区分され、且つ、該部分導体層Ｂ１，Ｂ２それぞれを１つの狭幅部分２１３ｄを介して連結させた形態を有している。
【０１６４】
第１導体層２１２と第２導体層２１３とを誘電体層２１１を介して交互に積層した状態では、第１導体層２１２の幅方向のスリット２１２ｃと第２導体層２１３の幅方向のスリット２１３ｃとは誘電体層２１を介して積層方向で部分的に重なり合う。また、前記積層コンデンサ１８０の等価回路は、外部電極の数が倍になる他は図５（Ｂ）と同じ等価回路となる。
【０１６５】
尚、各スリット２１２ｃ，２１３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分２１２ｄ，２１３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１６６】
前述の積層コンデンサ２００及び該積層コンデンサ２００を用いて成る集積回路を搭載した装置で得られる作用効果は、第１実施形態で述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置で得られる作用効果と同様である。
【０１６７】
［第４実施形態］
図３２は積層コンデンサを示すもので、図３２（Ａ）は積層コンデンサの外観斜視図、図３２（Ｂ）は図３２（Ａ）に示した積層コンデンサの第１導体層の上面図、図３２（Ｃ）は図３２（Ａ）に示した積層コンデンサの第２導体層の上面図である。
【０１６８】
第４実施形態の積層コンデンサ２２０は、第１外部電極〜第４外部電極をそれぞれ２つずつ設けた点と、これら第１外部電極〜第４外部電極に対応するように第１導体層及び第２導体層をそれぞれ増設した点で、第１実施形態の積層コンデンサ１０と構成を異にする。
【０１６９】
同図に示した積層コンデンサ２２０は、所定の長さＬ，幅Ｗ及び高さＨを有する直方体形状の本体２２１と、本体２２１の表面の幅方向の一方の側に長さ方向に間隔をおいて設けられた２つの第１外部電極２２２及び２つの第３外部電極２２４と、本体２２１の表面の幅方向の他方の側に第１外部電極２２２及び第３外部電極２２４と向き合うように設けられた２つの第２外部電極２２３及び２つ第４外部電極２２５と、を備えている。
【０１７０】
２つの第１外部電極２２２及び２つの第３外部電極２２４は本体２２１の表面の幅方向の一方の側に、第１外部電極２２２，第３外部電極２２４，第１外部電極２２２，第３外部電極２２４の順に同一間隔をおいて並んでいる。２つの第２外部電極２２３及び２つの第４外部電極２２５は本体２２１の表面の幅方向の他方の側に、第２外部電極２２３，第４外部電極２２５，第２外部電極２２３，第４外部電極２２５の順に同一間隔をおいて並んでいる。
【０１７１】
この積層コンデンサ２００は、例えば回路基板に設けられた電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの一方に第１外部電極２０２及び第２外部電極２０３を接続され、且つ、電源ラインの正電位ライン及び接地電位ラインの他方に第３外部電極２０４及び第４外部電極２０５を接続されて使用に供される。
【０１７２】
本体２０１は、第１引出部２３２ａ及び第２引出部２３２ｂを有する２つの第１導体層２３２と、第３引出部２３３ａ及び第４引出部２３３ｂを有する２つの第２導体層２３３とを、誘電体層２３１を介して交互に、且つ、縦方向（上下方向）に積層して一体化した構造を有している。
【０１７３】
第１導体層２３２は、図３２（Ｂ）に示すように同一平面に長さ方向に間隔をおいて２つ並べられて配置されている。
【０１７４】
各第１導体層２３２は所定の長さ及び幅を有する矩形状を成し、矩形状を成す第１引出部２３２ａ及び第２引出部２３２ｂは第１導体層２３２の幅方向の両側に幅方向で向き合うように設けられている。
【０１７５】
同一平面に並設された２つの第１導体層２３２のうち、一方の第１導体層２１２それぞれに設けられた第１引出部２３２ａは一方の第１外部電極２２２に接続され、第２引出部２３２ｂは一方の第２外部電極２２３に接続されている。また、他方の第１導体層２３２それぞれに設けられた第１引出部２３２ａは他方の第１外部電極２２２に接続され、第２引出部２３２ｂは他方の第２外部電極２２３に接続されている。
【０１７６】
また、第１導体層２３２の第１引出部２３２ａと第２引出部２３２ｂとの間、具体的には幅方向中央には矩形状を成す１つの長さ方向のスリット２３２ｃが設けられ、該長さ方向のスリット２３２ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２３２ｄが長さ方向の他方の側に設けられている。
【０１７７】
要するに、第１導体層２３２は幅方向のスリット２３２ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ａ１，Ａ２に区分され、且つ、該部分導体層Ａ１，Ａ２それぞれを１つの狭幅部分２３２ｄを介して連結させた形態を有している。
【０１７８】
第２導体層２３３は、図３２（Ｃ）に示すように同一平面に長さ方向に間隔をおいて２つ並べられて配置されている。並設された２つの第２導体層２３３の位置は並設された２つの第１導体層２３２の位置と長さ方向及び幅方向でほぼ一致している。
【０１７９】
各第２導体層２３３は第１導体層２３２と同一サイズの矩形状を成し、矩形状を成す第３引出部２３３ａ及び第４引出部２３３ｂは第２導体層２３３の幅方向の両側に幅方向で向き合うように、且つ、第１導体層２３２の第１引出部２３２ａ及び第２引出部２３２ｂと積層方向で交錯しない位置に設けられている。
【０１８０】
同一平面に並設された２つの第２導体層２３３のうち、一方の第２導体層２３３それぞれに設けられた第３引出部２３３ａは一方の第３外部電極２２４に接続され、第４引出部２３３ｂは一方の第４外部電極２２５に接続されている。また、他方の第２導体層２３３それぞれに設けられた第３引出部２３３ａは他方の第３外部電極２２４に接続され、第２引出部２３３ｂは他方の第４外部電極２２５に接続されている。
【０１８１】
また、第２導体層２３３の第１引出部２３３ａと第２引出部２３３ｂとの間、具体的には幅方向中央には矩形状を成す１つの長さ方向のスリット２３３ｃが設けられ、該長さ方向のスリット２３３ｃによってインダクタンスを増加させる部分として機能する１つの狭幅部分２３３ｄが長さ方向の一方の側に設けられている。
【０１８２】
要するに、第２導体層２３３は幅方向のスリット２３３ｃによって矩形状を成す２つの部分導体層Ｂ１，Ｂ２に区分され、且つ、該部分導体層Ｂ１，Ｂ２それぞれを１つの狭幅部分２３３ｄを介して連結させた形態を有している。
【０１８３】
並設された２つの第１導体層２３２と並設された２つの第２導体層２３３とを誘電体層２３１を介して交互に積層した状態では、各第１導体層２３２の幅方向のスリット２３２ｃと各第２導体層２３３の幅方向のスリット２３３ｃとは誘電体層２３１を介して積層方向で部分的に重なり合う。また、前記積層コンデンサ１８０の等価回路は、図５（Ｂ）に示した等価回路を２つ並べたような等価回路となる。
【０１８４】
尚、各スリット２３２ｃ，２３３ｃのサイズ及び位置の変更、並びに、各狭幅部分２３２ｄ，２３３ｄのサイズの変更等に関しては第１実施形態で説明した内容と同様の変更が可能である。
【０１８５】
前述の積層コンデンサ２２０及び該積層コンデンサ２２０を用いて成る集積回路を搭載した装置で得られる作用効果は、第１実施形態で述べた積層コンデンサ１０及び集積回路を搭載した回路装置で得られる作用効果と同様である。
【０１８６】
以上説明した実施形態及び変形例はそれぞれ例示的なものであって限定的なものではない。要するに、本願発明の範囲は特許請求の範囲によって示されており、該特許請求の範囲に含まれる他の実施形態及び他の変形例は本願発明に包含される。
【図面の簡単な説明】
【０１８７】
【図１】従来例に係る、積層コンデンサの外観斜視図（図１（Ａ））と、積層コンデンサの等価回路図（図１（Ｂ））である。
【図２】図１（Ａ）に示した本体の内部構成の分解斜視図である。
【図３】図１（Ａ）に示した積層コンデンサの実装例を示す図である。
【図４】図３の実装例に依るノイズ抑圧効果を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る、積層コンデンサの外観斜視図（図５（Ａ））と、積層コンデンサの等価回路図（図５（Ｂ））である。
【図６】図５（Ａ）に示した本体の内部構成の分解斜視図である。
【図７】図５（Ａ）に示した積層コンデンサのノイズ抑圧特性を示す図である。
【図８】図５（Ａ）に示した積層コンデンサの実装例を示す図である。
【図９】図８の実装例に依るノイズ抑圧効果を示す図である。
【図１０】図５（Ａ）に示した積層コンデンサを用いて成る集積回路を搭載した回路装置の表面図である。
【図１１】図９に示した回路装置の裏面図である。
【図１２】図９及び図１０に示した回路装置の機能回路図である。
【図１３】図５（Ａ）に示した積層コンデンサを用いてい成る他の集積回路（ＤＣ−ＤＣコンバータ）を搭載した回路装置の表面図である。
【図１４】図１３に示した回路装置の機能回路図である。
【図１５】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１変形形態を示す、第１導体層の上面図（図１５（Ａ））と、第２導体層の上面図（図１５（Ｂ））である。
【図１６】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第２変形形態を示す、第１導体層の上面図（図１６（Ａ））と、第２導体層の上面図（図１６（Ｂ））である。
【図１７】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第３変形形態を示す、第１導体層の上面図（図１７（Ａ））と、第２導体層の上面図（図１７（Ｂ））である。
【図１８】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第４変形形態を示す、第１導体層の上面図（図１８（Ａ））と、第２導体層の上面図（図１８（Ｂ））と、図１８（Ａ）及び図１８（Ｂ）に示した第１，第２導体層を用いて得た積層コンデンサの等価回路図である。
【図１９】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第５変形形態を示す、第１導体層の上面図（図１９（Ａ））と、第２導体層の上面図（図１９（Ｂ））と、図１９（Ａ）及び図１９（Ｂ）に示した第１，第２導体層を用いて得た積層コンデンサの等価回路図である。
【図２０】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第６変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２０（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２０（Ｂ））である。
【図２１】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第７変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２０（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２０（Ｂ））である。
【図２２】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第８変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２２（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２２（Ｂ））と、図２２（Ａ）及び図２２（Ｂ）に示した第１，第２導体層を用いて得た積層コンデンサの外観斜視図（図２２（Ｃ））である。
【図２３】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第９変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２３（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２３（Ｂ））と、図２３（Ａ）及び図２３（Ｂ）に示した第１，第２導体層を用いて得た積層コンデンサの外観斜視図と、図２３（Ｃ）に示した積層コンデンサの等価回路図である。
【図２４】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１０変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２４（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２４（Ｂ））である。
【図２５】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１１変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２５（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２５（Ｂ））と、図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示した第１，第２導体層を用いて得た積層コンデンサの等価回路図である。
【図２６】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１２変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２６（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２６（Ｂ））である。
【図２７】第１実施形態で用いた第１，第２導体層の第１３変形形態を示す、第１導体層の上面図（図２７（Ａ））と、第２導体層の上面図（図２７（Ｂ））である。
【図２８】本発明の第２実施形態に係る、積層コンデンサの外観斜視図（図２８（Ａ））と、積層コンデンサの等価回路図（図２８（Ｂ））である。
【図２９】図２８（Ａ）に示した本体の内部構成の分解斜視図である。
【図３０】図２８（Ａ）に示した積層コンデンサの実装例を示す図である。
【図３１】本発明の第３実施形態に係る、積層コンデンサの外観斜視図（図３１（Ａ））と、図３１（Ａ）に示した積層コンデンサの第１導体層の上面図（図３１（Ｂ））と、図３１（Ａ）に示した積層コンデンサの第２導体層の上面図（図３１（Ｃ））である。
【図３２】本発明の第４実施形態に係る、積層コンデンサの外観斜視図（図３２（Ａ））と、図３２（Ａ）に示した積層コンデンサの第１導体層の上面図（図３２（Ｂ））と、図３２（Ａ）に示した積層コンデンサの第２導体層の上面図（図３２（Ｃ））である。
【符号の説明】
【０１８８】
１０，１８０，２００，２００…積層コンデンサ、１１，１８１，２０１，２２１…本体、１２，１８２，２０２，２２２…第１外部電極、１３，１８３，２０３，２２３…第２外部電極、１４，１８４，２０４，２２４…第３外部電極、１５，１８５，２０５，２２５…第４外部電極、２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９１，１０１，１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，１９１，２１１．２３１…誘電体層、２２，３２，４２，５２，６２，７２，８２，９２，１０２，１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１９２，２１２，２３２…第１導体層、２２ａ，３２ａ，４２ａ，５２ａ，６２ａ，７２ａ，８２ａ，９２ａ，１０２ａ，１１２ａ，１２２ａ，１３２ａ，１４２ａ，１５２ａ，１９２ａ，２１２ａ，２３２ａ…第１引出部、２２ｂ，３２ｂ，４２ｂ，５２ｂ，６２ｂ，７２ｂ，８２ｂ，９２ｂ，１０２ｂ，１１２ｂ，１２２ｂ，１３２ｂ，１４２ｂ，１５２ｂ，１９２ｂ，２１２ｂ，２３２ｂ…第２引出部、２２ｃ，３２ｃ，４２ｃ，５２ｃ，６２ｃ，７２ｃ，８２ｃ，９２ｃ，１０２ｃ，１１２ｃ，１２２ｃ，１３２ｃ，１４２ｃ，１５２ｃ，１９２ｃ，２１２ｃ，２３２ｃ…スリット、２２ｄ，３２ｄ，４２ｄ，５２ｄ，６２ｄ，７２ｄ，８２ｄ，９２ｄ，１０２ｄ，１１２ｄ，１２２ｄ，１３２ｄ，１４２ｄ，１５２ｄ，１９２ｄ，２１２ｄ，２３２ｄ…狭幅部分、２３，３３，４３，５３，６３，７３，８３，９３，１０３，１１３，１２３，１３３，１４３，１５３，１９３，２１３，２３３…第２導体層、２３ａ，３３ａ，４３ａ，５３ａ，６３ａ，７３ａ，８３ａ，９３ａ，１０３ａ，１１３ａ，１２３ａ，１３３ａ，１４３ａ，１５３ａ，１９３ａ，２１３ａ，２３３ａ…第３引出部、２３ｂ，３３ｂ，４３ｂ，５３ｂ，６３ｂ，７３ｂ，８３ｂ，９３ｂ，１０３ｂ，１１３ｂ，１２３ｂ，１３３ｂ，１４３ｂ，１５３ｂ，１９３ｂ，２１３ｂ，２３３ｂ…第４引出部、２３ｃ，３３ｃ，４３ｃ，５３ｃ，６３ｃ，７３ｃ，８３ｃ，９３ｃ，１０３ｃ，１１３ｃ，１２３ｃ，１３３ｃ，１４３ｃ，１５３ｃ，１９３ｃ，２１３ｃ，２３３ｃ…スリット、２３ｄ，３３ｄ，４３ｄ，５３ｄ，６３ｄ，７３ｄ，８３ｄ，９３ｄ，１０３ｄ，１１３ｄ，１２３ｄ，１３３ｄ，１４３ｄ，１５３ｄ，１９３ｄ，２１３ｄ，２３３ｄ…狭幅部分、ＳＢ…回路基板、ＩＣ…集積回路、ＰＳＰ１…基板電源パターン、ＰＳＰ２…ＩＣ電源パターン、ＳＢＧ１…基板グラウンドパターン、ＳＢＧ２…ＩＣグラウンドパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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