(57)【要約】【課題】オーバーレイによって臨界寸法が不良になる問題を除去すると共に、ＤＥＥＴ方法で全形態の微細パターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法の提供。【解決手段】半導体基板上にエッチング対象膜、第１補助膜、分離膜および第２補助膜を形成する段階と、第１補助膜に焦点を合わせて第１露光工程を行う段階と、第２補助膜に焦点を合わせて第２露光工程を行う段階と、第２補助膜を現像して第２補助パターンを形成する段階と、第２補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程によって分離膜および第１補助膜をエッチングして第１補助パターンを形成する段階と、第１補助パターンを現像して第３補助パターンを形成する段階と、第３補助パターンを用いてエッチング対象膜をエッチングする段階とを含む、半導体素子の微細パターン形成方法を提供する。【選択図】    図１ｉ
2009016789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にエッチング対象膜、第１補助膜、分離膜、および第２補助膜を形成する段階と、
前記第１補助膜に焦点を合わせて第１露光工程を行う段階と、
前記第２補助膜に焦点を合わせて第２露光工程を行う段階と、
前記第２補助膜を現像して第２補助パターンを形成する段階と、
前記第２補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程によって前記分離膜および第１補助膜をエッチングして第１補助パターンを形成する段階と、
前記第１補助パターンを現像して第３補助パターンを形成する段階と、
前記第３補助パターンを用いて前記エッチング対象膜をエッチングする段階とを含むことを特徴とする、半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２】
半導体基板上にエッチング対象膜、ハードマスク膜、第１補助膜、分離膜、および第２補助膜を形成する段階と、
前記第１補助膜に第１露光工程を行って第１露光領域と非露光領域を形成する段階と、
前記第２補助膜に第２露光工程を行って第２露光領域と非露光領域を形成する段階と、
前記第２補助膜を現像して第２補助パターンを形成する段階と、
前記第２補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程によって前記分離膜および第１補助膜をエッチングして第１補助パターンを形成する段階と、
前記第１補助パターンを現像して第３補助パターンを形成する段階と、
前記第３補助パターンを用いて前記ハードマスク膜とエッチング対象膜をエッチングする段階とを含むことを特徴とする、半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項３】
前記エッチング対象膜は絶縁物質または導電物質からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項４】
前記エッチング対象膜と前記第１補助膜との間にハードマスク膜をさらに形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項５】
前記ハードマスク膜はカーボンで形成することを特徴とする、請求項４に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項６】
前記カーボンはスピンコーティング方法で形成することを特徴とする、請求項５に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項７】
前記第１補助膜は、前記分離膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項８】
前記第１補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項９】
前記第１補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有の下部反射防止膜とフォトレジスト膜が積層された構造で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１０】
前記分離膜は、前記第１補助膜および第２補助膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１１】
前記分離膜は、有機膜および有機反射防止膜（Organic Anti Reflective Coating、ＯＡＲＣ）が積層された構造で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１２】
前記有機膜は、現像液に溶ける有機物質で形成することを特徴とする、請求項１１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１３】
前記有機膜は、エマルジョン用トップコーティング物質で形成することを特徴とする、請求項１１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１４】
前記分離膜は、前記第１補助膜に焦点が合わせられるように前記第１露光工程を行うとき、前記第２補助膜には焦点がぼけるように厚さを調節することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１５】
前記第２補助膜は、前記分離膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１６】
前記第２補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１７】
前記第２補助膜の露光領域は前記第１補助膜の露光領域の間に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１８】
前記第１補助膜の露光領域と前記第２補助膜の露光領域は、一定の間隔で互いに離れるように形成することを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項１９】
前記第２補助膜の前記第２露光領域は、前記第１補助膜の前記第１露光領域の間に形成されることを特徴とする、請求項２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２０】
前記第１補助膜の前記第１露光領域と前記第２補助膜の前記第２露光領域は、同一の位置に形成せず、一定の間隔で互いに離れるように形成することを特徴とする、請求項２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２１】
前記第１露光工程と前記第２露光工程の際に、前記第１露光工程と前記第２露光工程の順序を入れ替えて行うことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２２】
前記第１露光工程の際に、前記第１補助膜にのみ露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して前記第１補助膜に焦点が合わせられるようにすることを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２３】
前記第２露光工程の際に、前記第２補助膜にのみ露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して前記第２補助膜に焦点が合わせられるようにすることを特徴とする、請求項１に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２４】
前記第１露光工程の際に、前記第１補助膜にのみ前記第１露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して前記第１補助膜に焦点が合わせられるようにすることを特徴とする、請求項２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２５】
前記第２露光工程の際に、前記第２補助膜にのみ前記第２露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して前記第２補助膜に焦点が合わせられるようにすることを特徴とする、請求項２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２６】
前記分離膜は、Ｏ２プラズマガスを用いたドライエッチング工程によって行うことを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【請求項２７】
前記第１補助膜のエッチング工程の際に、前記第２補助パターンは完全に除去され、前記分離膜は一部残留することを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体素子の微細パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の微細パターン形成方法に係り、特に、露光工程の解像度よりさらに微細なパターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子の高集積化に伴い、実現すべき最小線幅の大きさは縮小化しつつある。ところが、このような素子の高集積化により要求される微細線幅を実現するための露光装備の発展は技術の発展を満足させていない実情である。
【０００３】
素子の高集積化により要求される微細線幅を実現するためには、いろいろの工程段階が必要である。具体的に説明すると、微細パターンの形成のためのハードマスクパターンを形成するためには、ＤＥＥＴ(Double Exposure Etch Tech)方法またはスペーサ(spacer)形成工程などを行わなければならない。ＤＥＥＴ方法を用いる場合、隣接したパターン間のオーバーレイ(overlay)によって臨界寸法（Critical Dimension、ＣＤ）が不良になる。また、スペーサを用いる場合、臨界寸法は均一であるが、単純な形態の微細パターンのみを形成することができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、本発明の目的は、オーバーレイによって臨界寸法が不良になる問題を除去すると共に、ＤＥＥＴ方法で全形態の微細パターンを形成することが可能な半導体素子の微細パターン形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の第１実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法は、半導体基板上にエッチング対象膜、第１補助膜、分離膜、および第２補助膜を形成する段階と、第１補助膜に焦点を合わせて第１露光工程を行う段階と、第２補助膜に焦点を合わせて第２露光工程を行う段階と、第２補助膜を現像して第２補助パターンを形成する段階と、第２補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程によって分離膜および第１補助膜をエッチングして第１補助パターンを形成する段階と、第１補助パターンを現像して第３補助パターンを形成する段階と、第３補助パターンを用いてエッチング対象膜をエッチングする段階とを含む。
【０００６】
前記において、エッチング対象膜は、絶縁物質または導電物質からなる。エッチング対象膜と第１補助膜との間にハードマスク膜をさらに形成する。ハードマスク膜はカーボンで形成する。カーボンはスピンコーティング方法で形成する。第１補助膜は分離膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成する。第１補助膜はシリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成する。第１補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有の下部反射防止膜とフォトレジスト膜が積層された構造で形成する。
【０００７】
分離膜は、第１補助膜および第２補助膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成する。分離膜は、有機膜および有機反射防止膜（Organic Anti Reflective Coating、ＯＡＲＣ）が積層された構造で形成する。有機膜は、現像液によく溶ける有機物質で形成する。有機膜は、エマルジョン用トップコーティング物質で形成する。分離膜は、第１補助膜に焦点が合わせられるように第１露光工程を行うとき、第２補助膜には焦点がぼけるように厚さを調節する。
【０００８】
第２補助膜は、分離膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成する。第２補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成する。第２補助膜の露光領域は、第１補助膜の露光領域の間に形成される。第１補助膜の露光領域と第２補助膜の露光領域は、一定の間隔で互いに離れるように形成する。
【０００９】
第１露光工程と第２露光工程の際に、第１露光工程と第２露光工程の順序を入れ替えて行う。第１露光工程の際に、第１補助膜にのみ露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して第１補助膜に焦点が合わせられるようにする。第２露光工程の際に、第２補助膜にのみ露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して第２補助膜に焦点が合わせられるようにする。
【００１０】
分離膜は、Ｏ２プラズマガスを用いたドライエッチング工程によってエッチングする。第１補助膜のエッチング工程の際に、第２補助パターンは完全に除去され、分離膜は一部残留する。
【００１１】
本発明の第２実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法は、半導体基板上にエッチング対象膜、ハードマスク膜、第１補助膜、分離膜、および第２補助膜を形成する段階と、前記第１補助膜に第１露光工程を行って第１露光領域と非露光領域を形成する段階と、前記第２補助膜に第２露光工程を行って第２露光領域と非露光領域を形成する段階と、前記第２補助膜を現像して第２補助パターンを形成する段階と、第２補助パターンをエッチングマスクとして用いるエッチング工程によって分離膜および第１補助膜をエッチングして第１補助パターンを形成する段階と、第１補助パターンを現像して第３補助パターンを形成する段階と、第３補助パターンを用いてハードマスク膜とエッチング対象膜をエッチングする段階とを含む。
【００１２】
前記において、エッチング対象膜は絶縁物質または導電物質からなる。ハードマスク膜はカーボンで形成する。カーボンはスピンコーティング方法で形成する。第１補助膜は分離膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成する。第１補助膜はシリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成する。第１補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有の下部反射防止膜とフォトレジスト膜が積層された構造で形成する。
【００１３】
分離膜は、第１補助膜および第２補助膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成する。分離膜は、有機膜および有機反射防止膜が積層された構造で形成する。有機膜は、現像液によく溶ける有機物質で形成する。有機膜は、エマルジョン用トップコーティング物質で形成する。分離膜は、第１補助膜に焦点が合わせられるように第１露光工程を行うとき、第２補助膜には焦点がぼけるように厚さを調節する。
【００１４】
第２補助膜は、分離膜とはエッチング選択比の異なる物質で形成する。第２補助膜は、シリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成する。第２補助膜の第２露光領域は、第１補助膜の第１露光領域の間に形成される。第１補助膜の第１露光領域と第２補助膜の第２露光領域は、同一の位置に形成せず、一定の間隔で互いに離れるように形成する。
【００１５】
第１露光工程と第２露光工程の際に、第１露光工程と第２露光工程の順序を入れ替えて行う。第１露光工程の際に、第１補助膜にのみ第１露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して第１補助膜に焦点が合わせられるようにする。第２露光工程の際に、第２補助膜にのみ第２露光領域が形成されるようにマスクとウエハー間の距離を調節して第２補助膜に焦点が合わせられるようにする。
【００１６】
分離膜は、Ｏ２プラズマガスを用いたドライエッチング工程によってエッチングする。第１補助膜のエッチング工程の際に、第２補助パターンは完全に除去され、分離膜は一部残留する。
【発明の効果】
【００１７】
上述したように、本発明による効果は次の通りである。
【００１８】
第一に、露光工程を行って第１補助膜と第２補助膜それぞれに相異なる露光領域と非露光領域が形成されるように焦点(focus)を調節した後、エッチング工程によって第３補助パターンを形成することにより、目標のピッチを持つ微細パターンを形成することができるうえ、工程段階を既存に比べて短縮することができる。
【００１９】
第二に、工程段階を短縮することにより、素子量産費用を減少させることができる。
【００２０】
第三に、露光工程を行って第１補助膜と第２補助膜それぞれに相異なる露光領域と非露光領域が形成されるように焦点を調節した後、エッチング工程によって第３補助パターンを形成することにより、オーバーレイによって臨界寸法が不良になるという問題を除去すると共に、全ての形態の微細パターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００２２】
図１ａ〜図１ｉは本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示した断面図であって、フラッシュメモリ素子またはＤＲＡＭの微細パターン形成工程の際に全て適用可能である。
【００２３】
図１ａを参照すると、半導体基板１００の上部にエッチング対象膜１０２を形成する。この際、エッチング対象膜１０２は絶縁物質または導電物質からなる。エッチング対象膜１０２の上部にハードマスク膜１０４を形成する。この際、ハードマスク膜１０４はスピンコーティング方法によるカーボンで形成する。
【００２４】
その後、ハードマスク膜１０４の上部に第１補助膜１０６を形成する。この際、第１補助膜１０６はシリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成し、或いはシリコン（Ｓｉ）含有の下部反射防止膜（Bottom Anti Reflective Coating；ＢＡＲＣ）とフォトレジスト膜が積層された構造で形成する。ここで、積層された構造は、シリコン（Ｓｉ）含有の下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）をまず形成した後、フォトレジスト膜を形成した構造である。第１補助膜１０６の上部に分離膜１０８を形成する。この際、分離膜１０８は有機膜１０８ａおよび有機反射防止膜（Organic Anti Reflective Coating、ＯＡＲＣ）１０８ｂが積層された構造で形成するが、第１補助膜１０６とはエッチング選択比の異なる物質で形成することが好ましい。ここで、有機膜１０８ａは現像液によく溶ける有機物質で形成するが、好ましくはエマルジョン用トップコーティング物質で形成し、有機反射防止膜（ＯＲＡＣ）１０８ｂは有機膜１０８ａを保護するために形成する。分離膜１０８は、光が通過して第１補助膜１０６に露光領域と非露光領域が構成されるように焦点を調節して露光工程を行う過程で、分離膜１０８の上部に形成される第２補助膜１１０には露光領域が構成されない程度の厚さで形成する。また、後続の工程として、第２補助膜１１０に露光領域と非露光領域が構成されるように焦点を調節して露光工程を行う過程で、第１補助膜１０６には露光領域が構成されない程度の厚さで分離膜１０８を形成する。結局、分離膜１０８は、露光工程の際に、第１補助膜１０６にエネルギーが到達されて焦点が合わせられるときに第２補助膜１１０には焦点がぼけると、逆に第２補助膜１１０に焦点が合わせられるときに第１補助膜１０６には焦点がぼけるようにする役割を果たす。
【００２５】
その後、分離膜１０８の上部に第２補助膜１１０を形成する。この際、第２補助膜１１０は、分離膜１０８とはエッチング選択比の異なる物質で形成するが、好ましくはシリコン（Ｓｉ）含有のフォトレジスト膜で形成する。
【００２６】
図１ｂを参照すると、石英基板１１２にクロムパターン１１４が一定の間隔で形成された第１マスク１１６を用いて第１露光工程を行う。第１露光工程は、第１補助膜１０６にのみ露光領域１１８が形成されるように第１マスク１１６とウエハー間の距離ｄを調節して第１補助膜１０６に焦点を合わせて行う。これにより、第１補助膜１０６は、第１マスク１１６のクロムパターン１１４によって露光領域１１８と非露光領域１２０に区分される。第１露光工程の際に、分離膜１０８の厚さおよび第１マスク１１６とウエハー間の距離ｄの調節によって第２補助膜１１０には焦点がぼけるため、第１補助膜１０６のような露光領域が形成されない。
【００２７】
図１ｃを参照すると、石英基板１２２にクロムパターン１２４が一定の間隔で形成された第２マスク１２６を用いて第２露光工程を行う。第２露光工程は、第２補助膜１１０にのみ露光領域１２８が形成されるように第２マスク１２６とウエハー間の距離ｄを調節して第２補助膜１１０に焦点を合わせて行う。これにより、第２補助膜１１０は第２マスク１２６のクロムパターン１２４によって露光領域１２８と非露光領域１３０に区分される。第２露光工程の際に、分離膜１０８の厚さおよび第２マスク１２６とウエハー間の距離ｄの調節によって第１補助膜１０６には焦点がぼけるため、第２補助膜１１０のような露光領域が形成されない。第２補助膜１１０の露光領域１２８は第１補助膜１０６の露光領域１１８の間に形成され、第１補助膜１０６の露光領域１１８と第２補助膜１１０の露光領域１２８は同一の位置に形成せず、一定の間隔で互いに離れるように形成する。露光工程の際に、第１露光工程と第２露光工程の順序を入れ替えて行ってもよい。
【００２８】
図１ｄを参照すると、現像工程によって第２補助膜の露光領域１２８を除去して第２補助パターン１１０ａを形成する。この際、第２補助パターン１１０ａを形成するための現像工程の際に、分離膜１０８中の上部に形成された有機反射防止膜（ＯＡＲＣ）１０８ｂが現像液によって溶けないので、分離膜１０８中の有機膜１０８ａが有機反射防止膜（ＯＡＲＣ）１０８ｂによって保護される。このように、有機膜１０８ａが保護されることにより、第１補助膜１０６も保護することができる。
【００２９】
図１ｅを参照すると、第２補助パターン１１０ａをエッチングマスクとして分離膜１０８をエッチングする。この際、分離膜１０８は、Ｏ２プラズマガスを用いたドライエッチング工程によってエッチングする。分離膜１０８をエッチングする間に、第２補助パターン１１０ａの上部が一部除去される。
【００３０】
図１ｆを参照すると、残留する第２補助パターン１１０ａとエッチングされた分離膜１０８をエッチングマスクとして第１補助膜をエッチングして第１補助パターン１０６ａを形成する。この際、第２補助パターン１１０ａは、第１補助膜と同一のエッチング選択比を持つことにより、第１補助膜のエッチング工程の際に、第２補助パターン１１０ａが完全に除去され、分離膜１０８中の有機反射防止膜（ＯＡＲＣ）１０８ｂも完全に除去され、分離膜１０８中の有機膜１０８ａのみが一部残留する。
【００３１】
図１ｇを参照すると、現像液を用いて残留する有機膜１０８ａと第１補助パターンの露光領域を現像して第３補助パターン１０６ｂを形成する。このように第２補助パターンを用いた第１補助膜エッチング工程によって第１補助パターンを形成した後、第１補助パターンに露光した領域を現像して第３補助パターン１０６ｂを形成することにより、目標のピッチを持つパターンが形成される。
【００３２】
図１ｈを参照すると、目標のピッチを持つパターンとしての第３補助パターン１０６ｂをエッチングマスクとしてハードマスク膜１０４をエッチングして、所望のラインおよびスペーサを持つハードマスクパターン１０４ａを形成する。
【００３３】
図１ｉを参照すると、所望のラインおよびスペーサを持つハードマスクパターン１０４ａをエッチングマスクとしてエッチング対象膜１０２をエッチングして目標のパターン１０２ａを形成する。その後、残留する第３補助パターン１０６ｂおよびハードマスクパターン１０４ｃを除去する。
【００３４】
前述したように、露光工程を行って第１補助膜１０６と第２補助膜１１０それぞれに相異なる露光領域１１８および１２８と非露光領域１２０および１３０が形成されるように焦点を調節した後、エッチング工程によって第３補助パターン１０６ｂを形成することにより、目標のピッチを持つ微細パターンを形成することができるうえ、工程段階を既存に比べて短縮することができる。これにより、素子量産費用を減少させることができる。
【００３５】
また、露光工程を行って第１補助膜１０６と第２補助膜１１０それぞれに相異なる露光領域１１８および１２８と非露光領域１２０および１３０が形成されるように焦点を調節した後、エッチング工程によって第３補助パターン１０６ｂを形成することにより、オーバーレイによって臨界寸法が不良になるという問題を除去すると共に、全ての形態の微細形態を形成することができる。
【００３６】
本発明の技術思想は、前記好適な実施例によって具体的に述べられたが、前述した実施例は、発明を説明するためのもので、制限するものではないことに留意すべきである。また、本発明の技術分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術思想の範囲内において多様な変形を加え得ることを理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１ａ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｂ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｃ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｄ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｅ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｆ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｇ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｈ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【図１ｉ】本発明の実施例に係る半導体素子の微細パターン形成方法を説明するために示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１００    半導体基板
１０２    エッチング対象膜
１０２ａ    目標パターン
１０４    ハードマスク膜
１０４ａ    ハードマスクパターン
１０６    第１補助膜
１０６ａ    第１補助パターン
１０６ｂ    第３補助パターン
１０８    分離膜
１０８ａ    有機膜
１０８ｂ    有機反射防止膜
１１０    第２補助膜
１１０ａ    第２補助パターン
１１２、１２２    石英基板
１１４、１２４    クロムパターン
１１６    第１マスク
１１８、１２８    露光領域
１２０、１３０    非露光領域
１２６  第２マスク
【図１ａ】
2009016789.tif 000003
【図１ｂ】
2009016789.tif 000004
【図１ｃ】
2009016789.tif 000005
【図１ｄ】
2009016789.tif 000006
【図１ｅ】
2009016789.tif 000007
【図１ｆ】
2009016789.tif 000008
【図１ｇ】
2009016789.tif 000009
【図１ｈ】
2009016789.tif 000010
【図１ｉ】
2009016789.tif 000011