(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子２００ａとヒートシンク１００ａの接合時の熱応力を低減するとともに、放熱効率を向上させる。【解決手段】ヒートシンク１００ａは、表面に、半田と合金化しない非合金化電極層４と、この非合金化電極層４を挟むように形成される半田層３と、を有している。非合金化電極層４は、半導体レーザ素子２００ａの発光部８の直下において、半導体レーザ素子２００ａの下面に形成された合金化電極層１０と電気的に接続し、非合金化電極層４の周辺において半田層３は、合金化電極層１０と合金化することにより半導体レーザ素子と接合する構造を備えている。【選択図】図１
2009206390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子とヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置において、
前記半導体レーザ素子は、内部に形成された発光部と、下面に形成された、半田と合金化する合金化電極層と、を有し、
前記ヒートシンクは表面に、前記発光部の直下に形成される、半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層を挟むように形成される半田層と、を有し、
前記非合金化電極層が前記合金化電極層と電気的に接続し、前記半田層が前記合金化電極層と合金化することにより前記半導体レーザ素子と接合することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
前記半田層は、平面視で矩形である前記非合金化電極層の長手方向に平行な方向に沿って延在することを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
前記発光部の直下の領域は、平面視において、前記非合金化電極層が形成された領域に包含されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれかに記載の半導体レーザ装置において、
前記ヒートシンクの表面において、前記非合金化電極層と前記半田層とは、互いに離間して設けられることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体レーザ装置において、
前記合金化電極層と前記非合金化電極層とは、第２の電極層を介して接続されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれかに記載の半導体レーザ装置において、
前記非合金化電極層は、前記半田層よりも融点が高い金属を用いて形成されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項７】
半導体レーザ素子とヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置に用いられるヒートシンクにおいて、
前記ヒートシンクは表面に、半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層を挟むように形成される半田層と、を有することを特徴とするヒートシンク。
【請求項８】
請求項７に記載のヒートシンクにおいて、
前記半田層は、平面視で矩形である前記非合金化電極層の長手方向に平行な方向に沿って延在することを特徴とするヒートシンク。
【請求項９】
請求項７または８に記載のヒートシンクにおいて、
前記非合金化電極層と前記半田層とは、互いに離間して設けられることを特徴とするヒートシンク。
【請求項１０】
請求項７乃至９いずれかに記載のヒートシンクにおいて、
前記非合金化電極層は、さらに第２の電極層を備えることを特徴とするヒートシンク。
【請求項１１】
請求項１０に記載のヒートシンクにおいて、
前記非合金化電極層と前記第２の電極層との高さの和は、前記半田層の高さ以上であることを特徴とするヒートシンク。
【請求項１２】
請求項７乃至１１いずれかに記載のヒートシンクにおいて、
前記非合金化電極層は、前記半導体レーザ素子の発光部の直下において、前記半導体レーザ素子の下面に形成された合金化電極層と電気的に接続し、前記半田層は、前記合金化電極層と合金化することにより前記半導体レーザ素子と接合することを特徴とするヒートシンク。
【請求項１３】
請求項７乃至１２いずれかに記載のヒートシンクにおいて、
断面視において、前記非合金化電極層の幅は、前記半導体レーザ素子の発光部の幅よりも長いことを特徴とするヒートシンク。
【請求項１４】
半導体レーザ素子とヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置の製造方法において、
発光部を内部に備え、半田と合金化する合金化電極層が下面に形成された前記半導体レーザ素子と、
半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層を挟むように形成された半田層と、が表面に形成された前記ヒートシンクを準備する工程と、
前記半田層と前記合金化電極層とを圧着し、前記半田層を加熱溶融して前記半田層と前記合金化電極層とを合金化させつつ、前記非合金化電極層と前記半田層と合金化されない前記合金化電極層とを電気的に接続する工程と、
加熱溶融した前記半田層を再固化することにより、前記半導体レーザ素子と前記ヒートシンクとを接合する工程と、
を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
前記非合金化電極層と前記半田層とは、互いに離間して前記ヒートシンクに形成されたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の半導体レーザ装置の製造方法において、
前記非合金化電極層は、さらに第２の電極層を備え、
前記非合金化電極層と前記合金化電極層とは、前記第２の電極層を介して電気的に接続することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置、ヒートシンク、および半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、ヒートシンクを介してステム上に搭載される。ヒートシンク上には、Ａｕメッキなどの上に接合のための半田材（ＡｕＳｎ等）が設けられている。半導体レーザの下面のヒートシンクとの接合面にはＡｕ層が形成されている。半田材が融解する温度までヒートシンクを加熱し、半導体レーザ側のＡｕ層からＡｕを取り込んで半田材と合金化することにより、半導体レーザとヒートシンクは接合される。
【０００３】
この半導体レーザとヒートシンクの接合の際に、半田材の溶融温度から常温まで冷却される過程で、半導体レーザおよびヒートシンクに熱膨張率に応じた収縮が生じる。この熱膨張率に応じた熱応力が半導体レーザの活性層に機械的なストレスを与え、半導体レーザ装置の特性に影響を与えるといった問題があった。
【０００４】
特に、記録用光ピックアップ用可視高出力半導体レーザは、共振器長が長くかつ活性層に近いｐ側をヒートシンクとの接合面とするため、この熱応力による影響が大きくなりやすい。また、モードの安定性に影響が出るため、半導体レーザ装置の製品特性としては、光出力の電流に対する線形性や偏光特性（偏光比・偏光角）などを低下させる要因となる。
【０００５】
特許文献１には、半導体レーザとヒートシンクの接合によるこれらの問題を解決する方法が開示されている。その方法ついて図２乃至５を用いて説明する。
【０００６】
図２（ａ）に示すように、半導体レーザ素子２００ｂは、合金化電極層１０、キャップ層９、活性層７、基板６、および電極層１１が積層された構造を有している。一方、ヒートシンク１００ｂは、電極層１２、ヒートシンク部１、および電極層２が積層され、その表面には、活性層７の発光部８直下の領域に低融点半田層１５、その周囲に低融点半田層１５よりも融点が高いＡｕＳｎ半田層３が形成されている。
図２（ｂ）に示すように、上記ヒートシンク１００ｂ上に半導体レーザ素子２００ｂをマウントして接合する際、半田層３および低融点半田層１５が加熱溶融し、合金化電極層１０に含まれるＡｕを取り込んで合金化する。これにより、発光部８の直下の領域を含む半導体レーザ素子２００ｂの下面の全領域が半田接合される。
【０００７】
特許文献１には、図２において、発光部８の直下の領域に低融点半田層１５を形成することにより、ＡｕＳｎ半田層３による接合と比較して、凝固点から室温までの温度差（ΔＴ）が小さくなるため、熱膨張率差に起因する内部ストレスを低減することが記載されている。
【０００８】
また、図３（ａ）に示すように、半導体レーザ素子２００ｃは、合金化電極層１０、非合金化電極層４、オーミック電極層１４、キャップ層９、活性層７、基板６、および電極層１１が積層された構造を有している。合金化電極層１０は、発光部８直下の領域を除く領域に形成されている。一方、ヒートシンク１００ｃは、電極層１２、ヒートシンク部１、および電極層２が積層され、その表面には、連続に形成された半田層３が形成されている。
図３（ｂ）に示すように、半田層３が溶融して発光部８直下の領域に入り込むと同時に半田層３と合金化電極層１０とが接触する部分が合金化され、接合される。
【０００９】
また、図４（ａ）に示すように、半導体レーザ素子２００ｄは、合金化電極層１０、キャップ層９、活性層７、基板６、および電極層１１が積層された構造を有している。一方、ヒートシンク１００ｄは、電極層１２、ヒートシンク部１、および電極層２が積層され、その表面には、連続に形成された半田層３、非合金化層１６が順に形成されている。非合金化層１６は、発光部８直下の領域において、半田層３を介して、ヒートシンク１００ｄ上に形成されている。
図４（ｂ）に示すように、非合金化層１６が半田層３に沈み込むようにして半田層３と合金化電極層１０とが合金化して、半田接合される。
【００１０】
また、図５（ａ）に示すように、半導体レーザ素子２００ｅは、合金化電極層１０、キャップ層９、活性層７、基板６、および電極層１１が積層された構造を有している。一方、ヒートシンク１００ｅは、電極層１２、ヒートシンク部１、および電極層２が積層され、その表面には、発光部８直下の領域を除く領域で、互いに離間した半田層３が形成されている。
図５（ｂ）に示すように、半導体レーザ素子２００ｅの発光部８直下の領域に空間が形成され、発光部８直下の領域を除く領域において半田層３と合金化電極層１０との接触部分が合金化して、半田接合される。
【００１１】
これに関連する技術として、特許文献２記載の技術が挙げられる。
【特許文献１】特開平９−６４４７９号公報
【特許文献２】特開２００３−２３２００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、図２で説明した方法では、半導体レーザ素子２００ｂの発光部８直下の領域には低融点半田層１５が存在してしまい、低融点半田層１５が溶融状態から固化する際の熱応力を排除するのに改善の余地があった。
【００１３】
また、図３で説明した方法では、半導体レーザ素子２００ｃの発光部８直下の領域の半田層３は、その周囲で加熱溶融される半田層３と連続して形成されているため、その熱応力の影響を受けやすい。また、半導体レーザ素子２００ｃ側に非合金化電極層４を設けるため、半導体レーザ素子２００ｃの製造プロセスが複雑化してしまう。このことにより、半導体レーザ装置製造プロセスでの応力などにより、半導体レーザ装置の製品特性への影響が生じるといった問題がある。
【００１４】
また、図４で説明した方法では、非合金化層１６とヒートシンク１００ｄとの間に接合時に加熱溶融される半田層３が存在する。すなわち、半導体レーザ素子２００ｄの発光部８直下の領域の半田層３は、その周囲で加熱溶融される半田層３と連続して形成されているため、その熱応力の影響を受けやすい。
【００１５】
また、図５で説明した方法では、半導体レーザ素子２００ｅとヒートシンク１００ｅ間に形成された空間によって、半導体レーザ素子２００ｅの発光部８からの発熱の放熱効率が低下するといった問題があった。そのため、半導体レーザ素子２００ｅの温度が上昇し、半導体レーザ装置の製品特性（発光効率や発振しきい値など）が低下する場合があった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明による半導体レーザ素子とヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置は、
前記半導体レーザ素子は、内部に形成された発光部と、下面に形成された、半田と合金化する合金化電極層と、を有し、
前記ヒートシンクは表面に、前記発光部の直下に形成される、半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層を挟むように形成される半田層と、を有し、
前記非合金化電極層が前記合金化電極層と電気的に接続し、前記半田層が前記合金化電極層と合金化することにより前記半導体レーザ素子と接合することを特徴とする。
【００１７】
この半導体レーザ装置においては、ヒートシンクは表面に、半導体レーザ素子の発光部の直下に形成される、半田と合金化しない非合金化電極層と、この非合金化電極層を挟むように形成される半田層と、を有している。半導体レーザ素子の発光部の直下においては、この非合金化電極層と、半導体レーザ素子側の合金化電極層とが電気的に接続し、その周辺において、半田層と合金化電極層とが合金化することにより接合される構造を備えている。
【００１８】
本発明による半導体レーザ素子とヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置に用いられるヒートシンクは、表面に、半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層を挟むように形成される半田層と、を有することを特徴とする。
【００１９】
このヒートシンクにおいては、表面に、半田と合金化しない非合金化電極層と、この非合金化電極層を挟むように形成される半田層と、を有している。非合金化電極層は、半導体レーザ素子の発光部の直下において、半導体レーザ素子の下面に形成された合金化電極層と電気的に接続し、半田層は、合金化電極層と合金化することにより半導体レーザ素子と接合することができる。
【００２０】
本発明による半導体レーザ素子とヒートシンクとを備えた半導体レーザ装置の製造方法は、
発光部を内部に備え、半田と合金化する合金化電極層が下面に形成された前記半導体レーザ素子と、
半田と合金化しない非合金化電極層と、前記非合金化電極層を挟むように形成された半田層と、が表面に形成された前記ヒートシンクを準備する工程と、
前記半田層と前記合金化電極層とを圧着し、前記半田層を加熱溶融して前記半田層と前記合金化電極層とを合金化させつつ、前記非合金化電極層と前記半田層と合金化されない前記合金化電極層とを電気的に接続する工程と、
加熱溶融した前記半田層を再固化することにより、前記半導体レーザ素子と前記ヒートシンクとを接合する工程と、
を含むことを特徴とする。
【００２１】
この半導体レーザ装置の製造方法においては、半導体レーザ素子の発光部の直下においては、この非合金化電極層と、半導体レーザ素子側の合金化電極層とが電気的に接続し、その周辺において、半田層と合金化電極層とが合金化することにより接合される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、半導体レーザ素子とヒートシンクの接合時の熱応力を低減するとともに、放熱効率を向上させるのに適した構造の半導体レーザ装置、ヒートシンクおよび半導体レーザ装置の製造方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体レーザ装置、ヒートシンクおよび半導体レーザ装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２４】
（第１実施形態）
図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１実施形態における半導体レーザ装置３００ａの製造方法を示す断面図である。半導体レーザ装置３００ａは、ヒートシンク１００ａと半導体レーザ素子２００ａとを備えている。
【００２５】
半導体レーザ素子２００ａは、下面の合金化電極層１０と、キャップ層９と、活性層７と、ＧａＡｓ基板６と、上面の電極層１１と、が順に積層された構造を有している。活性層７の層中には、発光部８が形成されている。
【００２６】
一方、ヒートシンク１００ａは、下面の電極層１２と、ヒートシンク部１と、上面の電極層２と、が順に積層された構造を有している。さらに、ヒートシンク１００ａの表面は、電極層２を介して、半田層３および非合金化電極層４が形成されている。さらに、非合金化電極層４の上には、電極層５（第２の電極層）が積層されている。
非合金化電極層４と電極層５の積層体の高さの和は、半田層３より高い。
【００２７】
ヒートシンク部１の上面は、電極層２により全面を一様に被覆されている。ヒートシンク１００ａの表面には、電極層２を介して、半田層３および非合金化電極層４が形成されている。半田層３および非合金化電極層４とは、互いに離間して設けられている。すなわち、半田層３および非合金化電極層４との間は、空隙になっていてもよい。いいかえると、平面視において、非合金化電極層４の両側に、半田層３が間隔をあけて沿うようにして配置されている。半田層３および非合金化電極層４との離間距離は、特に限定されないが、２０μｍ以上２５μｍ以下が好ましい。これにより、接合時に加熱溶融した半田層３の一部が、非合金化電極層４または電極層５に拡散することを抑制できる。
【００２８】
半田層３は、非合金化電極層４を除くヒートシンク１００ａの表面を占める領域であって、非合金化電極層４を挟むように形成されている。すなわち、非合金化電極層４の両側に半田層３が設けられている。また、半田層３は、平面視で矩形である非合金化電極層４の長手方向に平行な方向に沿って延在している。いいかえると、平面視において、非合金化電極層４と、非合金化電極層４の両側にそれぞれ設けられた半田層３とが、ストライプ状に配置されている。半田層３は、ヒートシンク１００ａと半導体レーザ素子２００ａの接合時に加熱溶融されることによって半導体レーザ素子２００ａの下面の合金化電極層１０と合金化するための層である。半田層３の材料としては、半田材ＡｕＳｎが用いられる。
【００２９】
非合金化電極層４は、半田層３が形成されていない領域であって、発光部８の直下の領域において形成されている。また、断面視において、非合金化電極層４の幅は、発光部８の幅よりも長い。発光部８の幅が数μｍである場合、非合金化電極層４の幅としては、例えば、２００μｍとすることができる。これにより、接合時の熱応力によるストレスを充分低減できる。非合金化電極層４は、蒸着によりヒートシンク１００ａの表面に形成される。非合金化電極層４は、半田と合金化しない材料からなる。非合金化電極層４の材料としては、Ａｕ、および半田材ＡｕＳｎなどと合金化しにくい材料、または融点が半田層３よりも高い材料、すなわち半田材ＡｕＳｎよりも高い材料を用いることができる。より、具体的には、Ｐｔなどが挙げられる。これにより、接合時の加熱によるストレスを軽減し、半田層３よりも融点が高いため溶融することなく、ヒートシンク１００ａと半導体レーザ素子２００ａとを電気的に接続できる。
【００３０】
発光部８の直下の領域とは、発光部８が形成された領域の鉛直方向に占める領域であって、少なくとも発光部８の中心を含む領域であればよい。発光部８の端部が、非合金化電極層４の形成領域の内側にあってもよい。すなわち、平面視において、発光部８の直下の領域が、前記非合金化電極層４が形成された領域に含まれてもよい。これにより、発光部８への接合時の熱応力の影響がさらに抑制されつつ、高い放熱効果が得られる。
【００３１】
電極層５は、非合金化電極層４上にさらに形成されている。電極層５としては、軟らかくて展性があり熱伝導のよい材料を用いることができる。具体的には、Ａｕなどが挙げられる。これにより、接合時の圧力による衝撃を緩和すると同時に、合金化電極層１０と密着し、ヒートシンク１００ａによる高い放熱効果を得ることができる。
電極層５の高さは、特に限定されないが、半田層３から間隙を埋めるように流れ込む溶融半田との反応を避けるために、低いことが好ましい。具体的には、溶融半田が間隙に流れ込むことによって生じる半田層３の高さの減少分と同等の高さであって、約０．２μｍ程度が好ましい。
【００３２】
合金化電極層１０は、半田と合金化する材料であって、軟らかくて展性があり熱伝導のよい材料を用いることができる。具体的には、Ａｕなどが挙げられる。これにより。接合時の圧力による衝撃を緩和し、半田層と合金化して半田接合を可能とする。また、半田層３と合金化される部分と、非合金化電極層４と電気的に接続する部分と、を有する。
【００３３】
図１を参照しつつ、本発明による半導体レーザ装置の製造方法の一例を説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、発光部８を内部に備え、半田と合金化する合金化電極層１０が下面に形成された半導体レーザ素子２００ａと、
半田と合金化しない非合金化電極層４と、非合金化電極層４を挟むように形成された半田層３と、が表面に形成されたヒートシンク１００ａを準備する。
非合金化電極層４の上にはさらに電極層５が形成されており、非合金化電極層４および電極層５の積層体の高さは、半田層３よりも高くなっている。また、非合金化電極層４および電極層５の積層体と半田層３とは、互いに離間して形成されている。
【００３４】
次に、図１（ｂ）に示すように、半田層３と合金化電極層１０とを圧着し、半田層３を加熱溶融して半田層３と合金化電極層１０とを合金化させつつ、非合金化電極層４と半田層３と合金化されない合金化電極層１０とを電気的に接続する。
【００３５】
この際、半田層３は、発光部８の直下の領域には形成されていないため、発光部８の直下の領域を除く領域のみが加熱されることとなる。また、発光部８の直下の領域の合金化電極層１０は合金化されず、電極層５を介して、非合金化電極層４と電気的に接続される。
【００３６】
さらに、非合金化電極層４および電極層５の積層体の高さは、半田層３よりも高いため、圧着により、電極層５と合金化電極層１０とが密着される。さらに、加熱溶融によっても半田層３の高さが低くなるため、電極層５と合金化電極層１０とがより密着される。
【００３７】
また、非合金化電極層４および電極層５の積層体と半田層３とが互いに離間しているため、加熱溶融した半田層３が、電極層５まで拡散することが抑制される。
【００３８】
続けて、加熱溶融した半田層３を再固化することにより、半導体レーザ素子２００ａとヒートシンク１００ａとを接合して、半導体レーザ装置３００ａが得られる（図１（ｂ））。
【００３９】
本実施形態の効果を説明する。
ヒートシンク１００ａは、表面に、半田と合金化しない非合金化電極層４と、この非合金化電極層４を挟むように形成される半田層３と、を有している。非合金化電極層４は、半導体レーザ素子２００ａの発光部８の直下において、半導体レーザ素子２００ａの下面に形成された合金化電極層１０と電気的に接続し、非合金化電極層４の周辺において半田層３は、合金化電極層１０と合金化することにより半導体レーザ素子と接合する構造を備えている。
このため、半導体レーザ素子２００ａとヒートシンク１００ａの接合時の熱応力を低減するとともに、放熱効率を向上させることができる。またこのようなヒートシンク１００ａと半導体レーザ素子２００ａとが接合した半導体レーザ装置３００ａおよびその製造方法を実現できる。
【００４０】
合金化電極層１０と非合金化電極層４とは、電極層５を介して接続されている。これにより、合金化電極層１０と電極層５とが密着して電気的接続を良好にしつつ、圧着時のストレスを軽減できる。また、高い放熱性が確保できる。
【００４１】
非合金化電極層４と電極層５との高さの和は、半田層３の高さ以上である。これにより、電極層５と合金化電極層１０とがより密着される。
【００４２】
また、半田層３、非合金化電極層４、および電極層５は、ヒートシンク１００ａ側に形成されている。これにより、半導体レーザ素子２００ａの製造ラインの設計を変更することなく、接合時の熱応力を低減するとともに、高い放熱効率を維持できる半導体レーザ装置３００ａを製造することができる。
【００４３】
また、図４に示した技術では、半田層３が溶融した際に非合金化電極層１６の上に流れ出し、半導体レーザ素子２００ｄの下面の合金化電極層１０との間に入って半田結合を起こす可能性がある。これに対し、本実施形態においては、非合金化電極層４と半田層３とは、互いに離間して設けられている。これにより、加熱溶融した半田層３が、電極層５まで拡散することが抑制され、接触時の物理的応力が最小限に抑えられる。
【００４４】
本発明による半導体レーザ装置およびその製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。非合金化電極層４と電極層５の積層体の高さは、半田層３より高い場合について説明したが、同じ高さでもよい。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。
図１（ａ）に示すように、半導体レーザ素子２００ａは、下面の合金化電極層１０と、キャップ層９と、活性層７と、ＧａＡｓ基板６と、上面の電極層１１と、が順に積層された構造を有する。
【００４６】
半導体レーザ素子２００ａは、ＤＶＤ記録用高出力品であり、共振器長は１１００μｍ、幅が３００μｍであった。活性層７が存在するｐ側を接合する下面となっており、層中に発光部８を有する。また、応力による影響を受けやすいリッジ構造である。
【００４７】
一方、ヒートシンク１００ａは、電極層１２と、ヒートシンク部１と、電極層２と、が順に積層された構造を有する。さらに、ヒートシンク１００ａの表面は、電極層２を介して、半田層３、および非合金化電極層４と電極層５（第２の電極層）からなる積層体を形成した。合金化電極層４と電極層５は、半導体レーザ素子２００ａの発光部８の直下において、合金化電極層１０と電気的に接続できるように配置した。一方、半田層３は、合金化電極層４と電極層５を挟むように形成し、半導体レーザ素子２００ａの発光部８の直下の領域を除く領域で合金化電極層１０と合金化するように配置した。
【００４８】
ヒートシンク１００ａは、長さ１０７０μｍ、幅８００μｍであり、非合金化電極層４および電極層５の積層体の幅は２００μｍであり、両側に２０μｍずつ離間して半田層３を形成した。半田層の幅は１００μｍずつであった。また、非合金化電極層４および電極層５の積層体の高さは、半田層３の高さはいずれも２．４μｍとした。
【００４９】
電極層５および合金化電極層１０は、Ａｕ、非合金化電極層４は、Ｐｔを材料として形成した。
【００５０】
図１（ｂ）に示すようにしてヒートシンク１００ａと半導体レーザ素子２００ａを接着し、半田層３が溶融するまで加熱した。加熱された半田層３は、その上面の合金化電極層１０と合金化し、また非合金化電極層４と半田層３との隙間に溶融した半田層３が流れ込んだ。これにより、半田層３の高さが加熱前よりも約０．２μｍ低くなった。
非合金化電極層４は軟らかい金属から形成されているため、非合金化電極層４および電極層５上をさらに圧着でき、これにより電極層５と合金化電極層１０（半田層３と合金化されていない部分）との接触部分をより密着できた。さらに、この圧着によって、非合金化電極層４および電極層５の積層体の高さが低くなり、半田層３の高さの差異を小さく（０．２μｍ以下）とした。
その後、半田層３の加熱を停止し、再固化させて、半導体レーザ装置３００ａを得た。
【００５１】
半導体レーザ装置３００ａにおいても、接合時の熱応力による発光部へのストレスを低減しつつ、高い放熱効果が得られた。また、モードの安定性が確保され、ＤＶＤ記録用に用いられる長共振器長で活性層が存在するｐ側を接合面とし、応力による影響を受けやすいリッジ構造を有する半導体レーザ装置３００ａでも、安定した光出力の電流に対する線形性や偏光特性（偏光比・偏光角）などの製品特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明による半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図２】従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図４】従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】従来の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１    ヒートシンク部
２    電極層
３    半田層
４    非合金化電極層
５    電極層
６    基板
７    活性層
８    発光部
９    キャップ層
１０    合金化電極層
１１    電極層
１２    電極層
１４    オーミック電極層
１５    低融点半田層
１６    非合金化層
１００ａ    ヒートシンク
１００ｂ    ヒートシンク
１００ｃ    ヒートシンク
１００ｄ    ヒートシンク
１００ｅ    ヒートシンク
２００ａ    半導体レーザ素子
２００ｂ    半導体レーザ素子
２００ｃ    半導体レーザ素子
２００ｄ    半導体レーザ素子
２００ｅ    半導体レーザ素子
３００ａ    半導体レーザ装置
【図１】
2009206390.tif 000003
【図２】
2009206390.tif 000004
【図３】
2009206390.tif 000005
【図４】
2009206390.tif 000006
【図５】
2009206390.tif 000007