(57)【要約】【課題】３次元磁気センサの小型化、薄型化を図るために、高さの小さいＺ軸用マグネトインピーダンスセンサ素子を提供すること。【解決手段】Ｚ軸用マグネトインピーダンスセンサ素子は、非磁性体からなる基板と磁性アモルファスワイヤと磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体と磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体の周囲に形成された検出コイルと、これらを被覆する矩形状の素子絶縁体とを有し、素子絶縁体の端面に電極端子を有するものである。【選択図】図１
2009236803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性体からなる基板と、
前記基板上に保持され、その長手方向両端に導電パターンが設けられた磁性アモルファスワイヤと、
前記磁性アモルファスワイヤを内包するように形成した磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体と、
前記磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体の周囲に形成された箔状の導電性平面パターンと箔状の導電性立体パターンとからなり、その両端に導電パターンが設けられた検出コイルと、
前記基板上に前記磁性アモルファスワイヤ、前記磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体及び前記検出コイルを覆うように形成した矩形状の素子絶縁体と、
前記素子絶縁体は、その外表面のうちの前記磁性アモルファスワイヤの軸方向に直交する面に、前記磁性アモルファスワイヤの前記導電パターン及び前記検出コイルの前記導電パターンからそれぞれ延設された電極とを有することを特徴とするマグネトインピーダンセンサ素子。
【請求項２】
請求項１において、前記磁性アモルファスワイヤワイヤ被覆絶縁体は、
前記平面パターンと前記磁性アモルファスワイヤとの間に形成される第１絶縁体と、
前記磁性アモルファスワイヤを前記第１絶縁体の上面に固定する第２絶縁体と、
前記立体パターンと前記磁性アモルファスワイヤとの間に形成される第３絶縁体とからなり、
前記第２絶縁体は、前記磁性アモルファスワイヤを前記平面パターン上に表面張力により定着し、固定できる液状樹脂からなることを特徴とするマグネトインピーダンセンサ素子。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２において、
前記磁性アモルファスワイヤは少なくとも２個以上、並列配置されてなり、かつ、前記それぞれの磁性アモルファスワイヤは互いに電気的に直列接続されていることを特徴とするマグネトインピーダンセンサ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに用いられるアモルファスワイヤを組み込んだマグネトインピーダンスセンサ素子（以下、ＭＩ素子という。）、特に３次元磁気センサおいてＸ軸およびＹ軸よりなる平面に直交するＺ軸用ＭＩ素子の小型化に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＭＩ素子の構造として、基板上の中心部にアモルファスワイヤを固定し、その基板周辺を検出コイルが巻きつけられているボビン型素子がある（特許文献１、特許文献２など）。
ＭＩ素子の磁性体コアであるアモルファスワイヤは加熱によるはんだ接合では結晶化がおこるために、アモルファスワイヤの両端と電極との間には超音波ボンディングなどによる電気的結合を行っている。
また、アモルファスワイヤの磁気的性質は外部応力による歪みの影響を受けやすいのでアモルファスワイヤをゲル状物質で被覆している。
【特許文献１】特開２０００−８１４７１号公報
【特許文献２】特開２００１−２９６１２７号公報
【０００３】
他のＭＩ素子の構造として、基板のある方向に延在溝を切削加工し、延在溝内にアモルファスワイヤ、絶縁体および第1検出コイル部を埋設し、溝上面に第2検出コイル部を形成する溝型ＭＩ素子がある（特許文献３）。
【特許文献３】再公表特許ＷＯ２００３／０７１２９９号公報
【０００４】
さらにＭＩ素子の構造として、アモルワイヤを用いずに基板上に薄膜磁気コアを設けた薄膜型ＭＩ素子が提案されている（特許文献４、特許文献５など）。
【特許文献４】特開２０００−２９２５０６号公報
【特許文献５】特開２００２−２７０９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のＭＩ素子では、次のような問題がある。
この上記ボビン型ＭＩ素子は、基板上にアモルファスワイヤを配置し、ゲル上物質で覆うため小型化には適さず、また、アモルファスワイヤの両端と電極との間には超音波ボンディングによる電気的結合のために長いアモルファスワイヤを必要とするので小型化ができない上に磁気センサのＺ軸用ＭＩ素子として用いると、高さが大きくなるので３次元磁気センサの体格が大きくなるという問題があった。
また、上記溝型ＭＩ素子は、基板に延在加工を行うので延在溝加工時における破損や切削性の良い材質への制限という問題がある。さらに、特許文献３の図８に記載のように磁気センサのＺ軸用ＭＩ素子の高さは小さくすることは難しい。
また、上記薄膜型ＭＩ素子は、１次元または二次元の磁気センサに適した平面型構造からなるので磁気センサのＺ軸用ＭＩ素子として用いると上記溝型ＭＩ素子よりも高さを小さくすることはさらに難しい。
【０００６】
本発明は、３次元ＭＩセンサとして磁気インピーダンス効果の優れているアモルファスワイヤを組み込んだＺ軸用ＭＩ素子について、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、Ｚ軸用ＭＩ素子の高さを小さくすることにより、３次元ＭＩセンサの小型化、薄型化を図り、また基板材質の選択の自由度を図ること、基板用ウェハの大きさの自由度を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のマグネトインピーダンスセンサ素子は、非磁性体からなる基板と、前記基板上に保持され、その長手方向両端に導電パターンが設けられた磁性アモルファスワイヤと、前記磁性アモルファスワイヤを内包するように形成した磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体と、前記磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体の周囲に形成された箔状の導電性平面パターンと箔状の導電性立体パターンとからなり、その両端に導電パターンが設けられた検出コイルと、前記基板上に前記磁性アモルファスワイヤ、前記磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体及び前記検出コイルを覆うように形成した矩形状の素子絶縁体と、前記素子絶縁体は、その外表面のうちの前記磁性アモルファスワイヤの軸方向に直交する面に、前記磁性アモルファスワイヤの前記導電パターン及び前記検出コイルの前記導電パターンからそれぞれ延設された電極を有することを特徴とする（請求項１）。
【０００８】
上記構成のように基板上において、バルク状の磁性アモルファスワイヤ（断面形状は円形である。）は磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体により磁性アモルファスワイヤに応力がかかることなく基板上に保持される。これにより平面型構造において磁性アモルファスワイヤには何らの応力もかからないので応力歪みが発生しないため、アモルファスワイヤが有している磁気インピーダンス効果は害されることはない。
また、磁性アモルファスワイヤの外周面は磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体により被覆される。そして、箔状の導電性平面パターンと箔状の導電性立体パターンとからなる螺旋状の検出コイルは絶縁体の周囲に形成される。これにより、Ｚ軸用ＭＩ素子の出力および感度は向上することができる。
【０００９】
また、基板上に磁性アモルファスワイヤ、磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体及び検出コイルを覆うように矩形状の素子絶縁体が形成され、素子絶縁体の外表面のうちの磁性アモルファスワイヤの軸方向に直交する面に磁性アモルファスワイヤの導電パターン及び検出コイルの導電パターンからそれぞれ延設された電極が形成される。これにより、Ｚ軸用ＭＩ素子を構成する基板上の磁性アモルファスワイヤ、磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体及び検出コイルを保護することができ、また、一定の厚さを有する矩形状の平坦面となるので３次元センサの製造時におけるＺ軸用ＭＩ素子の上部へのボンディングを可能とする。さらに、Ｚ軸用ＭＩ素子の高さを小さくすることができる。
【００１０】
また、上記発明のマグネトインピーダンスセンサ素子においては、前記磁性アモルファスワイヤワイヤ被覆絶縁体は、
前記平面パターンと前記磁性アモルファスワイヤとの間に形成される第１絶縁体と、
前記磁性アモルファスワイヤを前記第１絶縁体の上面に固定する第２絶縁体と、
前記立体パターンと前記磁性アモルファスワイヤとの間に形成される第３絶縁体とからなり、
前記第２絶縁体は、前記磁性アモルファスワイヤを前記平面パターン上に表面張力により定着し、固定できる液状樹脂からなることが好ましい（請求項２）。
【００１１】
すなわち、第１絶縁体の上面に真っ直ぐなアモルファスワイヤを載置して第１絶縁体と磁性アモルファスワイヤとの間に液状樹脂を滴下する。液状樹脂は磁性アモルファスワイヤの長手方向に磁性アモルファスワイヤと第１絶縁体の間を濡らして、液状樹脂の表面張力により磁性アモルファスワイヤは第１絶縁体の上面に定着する。その後、液状樹脂が硬化すると磁性アモルファスワイヤは第１絶縁体の上面に固定する。
このように微小径の磁性アモルファスワイヤが液体に濡れて、液体の表面張力でもって基板に形成した絶縁体表面に定着し、さらに乾燥させてそのまま固定するために、この微小径磁性アモルファスワイヤは何らの応力もかからずにＺ軸用ＭＩ素子に組み込むことができる。これにより、磁性アモルファスワイヤをＺ軸用ＭＩ素子に組み込むときに生ずる外部応力による磁性アモルファスワイヤへの歪みを防止できるのでＺ軸用ＭＩ素子の出力および感度の低下を解消することができる。
【００１２】
また、上記発明のマグネトインピーダンスセンサ素子においては、前記磁性アモルファスワイヤは少なくとも２個以上、並列配置されてなり、かつ、前記それぞれの磁性アモルファスワイヤは互いに電気的に直列接続されていることが好ましい（請求項３）。
【００１３】
この構成により、磁性アモルファスワイヤに巻回する検出コイルの捲数を増加することができるので、Ｚ軸用ＭＩ素子の高さを大きくせずに出力および感度は向上することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のマグネトインピーダンスセンサ素子は、３次元ＭＩセンサにおけるＺ軸用ＭＩ素子の高さを低くすることができるので、３次元ＭＩセンサの小型化、特に薄型化を達成することができる。
また、表面張力を利用して微小径の磁性アモルファスワイヤを応力がかかっていない状態で基板の検出コイルパターン上に配置することを可能とする。これにより、マグネトインピーダンスセンサ素子は、磁気インピーダンス効果を害されることなく、基板にバルク状の磁性アモルファスワイヤ、絶縁体および第1検出コイル部を埋設するための延在溝（凹型構造）を省略することができる。
また、延在溝のための切削加工がなくなるので基板の破損のおそれが解消する。微細加工性の問題が解消して基板材質の選択肢が拡がる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の３次元ＭＩセンサにおけるＺ軸用ＭＩ素子は、微細加工にて基板上にバルクの磁性アモルファスワイヤをコアとして磁性アモルファスワイヤ絶縁体、検出コイル、素子絶縁体および電極の形成を順次行うという平面型構造からなるものである。
【００１６】
基板としては、凹形状からなる延在溝を必要としないので基板は薄くてもよいが、Ｚ軸用に用いることから一定の厚さがあった方が好ましい。例えば、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍの厚さの基板が使用できる。０．１ｍｍ未満では基板上に平面型構造にてアモルファスワイヤ、絶縁体及び検出コイルの形成が難しくなり、また、Ｚ軸用として３次元センサの組み立ても難しくなる。０．５ｍｍを超えるとＭＩ素子の小型化を図ることができない。シリコンウェハを用いる場合には、シリコンウェハの大きさと薄型化の点から０．２５ｍｍ〜０．３５ｍｍの厚さが好ましい。
【００１７】
また、基板上の延在溝を形成するための切削加工が不要となり基板材質の制限がなくなるので、絶縁性のアルミナ系セラミックス、半導体のシリコンウェハ、導体の金属などが使用できる。さらに、基板用としてシリコンウェハの場合には、その大きさは直径６インチから直径１２インチまで可能となる。
【００１８】
Ｚ軸用ＭＩ素子に用いられるバルクの磁性アモルファスワイヤは、ＭＩ効果を発揮できるゼロ磁歪のアモルファスワイヤである。ＭＩセンサのヒステリシスはない方が好ましいために磁性アモルファスワイヤの直径は２０μｍ以下とすることがよい。
そして、このＭＩ効果は磁性アモルファスワイヤに外部応力がかかると十分に発揮できなくなり、磁界の強さに対して検出される出力電圧の直線性、感度の低下など磁気特性が劣化する。
【００１９】
したがって、磁性アモルファスワイヤを内包する磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体としては、励磁電流が通電される磁性アモルファスワイヤと磁界の強さを検出する検出コイルとを絶縁する機能と、微小径かつ短い磁性アモルファスワイヤを基板上に固定する機能が必要である。
ここで、検出コイルの下部を構成する平面パターンと磁性アモルファスワイヤとを電気的に絶縁する第１絶縁体および磁性アモルファスワイヤと検出コイルの上部を構成する立体パターンとを被覆する第３絶縁体は、少なくとも電気的な絶縁機能が必要である。絶縁体の例として、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機質の絶縁材料やエポキシ系樹脂などの有機質の絶縁材料である。
磁性アモルファスワイヤを第１絶縁体の上面に固定する第２絶縁体は、電気的な絶縁機能と固定機能の両者の機能が必要である。両者の機能を有する絶縁体であれば、有機質の絶縁性材料でも無機の絶縁性材料でもよい
【００２０】
両者の機能を有する有機質の絶縁性材料として液状のエポキシ系樹脂がよい。基板上において、検出コイルの下部を構成する複数の導体膜からなる平面パターン上に絶縁体（ＣＶＤ法によるＳｉＯ2膜でも、塗布方法によるエポキシ系樹脂膜でもよい。）からなる絶縁層を形成する。次いで、その絶縁層の上面に真っ直ぐなアモルファスワイヤを応力がかからない状態で載置し、絶縁層とアモルファスワイヤとの間に溶剤希釈により濡れ性が向上した液状のエポキシ樹脂を滴下する。すると、アモルファスワイヤの下方部分を含むアモルファスワイヤ表面と絶縁層がエポキシ系樹脂に濡れる。そして、絶縁層とアモルファスワイヤの間には表面張力が作用して真っ直ぐな状態のままでアモルファスワイヤは絶縁体の上面、すなわち基板の平面パターン上にアモルファスワイヤのＭＩ効果に影響を与えるようななんらの外部応力も与えずに表面張力のみで定着する。
【００２１】
次に、エポキシ樹脂の表面張力により定着されている磁性アモルファスワイヤは、そのまま放置したり、ベークすることによりエポキシ樹脂が硬化するため基板上に固定される。
これにより、直径５〜２０μｍの磁性アモルファスワイヤは応力がかかることなく基板の平面パターン上に配設することができる。
【００２２】
さらに、平面パターン上に固定された磁性アモルファスワイヤに表面張力を活用した液状樹脂を塗布すると磁性アモルファスワイヤの外周面の形状に沿って膜状に絶縁体が形成されるため、磁性アモルファスワイヤは磁性アモルファスワイヤの断面形状に似ている円周形状からなる薄膜の絶縁体に内包される。
【００２３】
また、平面パターン上に固定された磁性アモルファスワイヤの外周面にＣＶＤ法によるＳｉＯ2膜を生成すると、膜状の絶縁層が形成されるとともに磁性アモルファスワイヤの断面形状に似ている円周形状の絶縁層となる。
これにより、絶縁体の外周面に形成する検出コイルも円形状となって、磁性アモルファスワイヤと検出コイルとが絶縁体を介して近接した円形状となるため、外部磁場の検出感度の向上が図れる。
【００２４】
また、磁性アモルファスワイヤの外周の一部又は全部にガラス皮膜による絶縁を行うこともできる。これにより、円形状の絶縁体の厚さは一層薄くすることができ、さらに外部磁場の検出感度の向上が図れる。
【００２５】
さらに、絶縁性のガラス皮膜を有する磁性アモルファスワイヤを直接平面パターン上に載置しても両者の間はガラスにより絶縁性は確保されているので、磁性アモルファスワイヤを平面パターン上に定着・固定するための材料の機能は固定する機能のみ必要となる。すなわち、絶縁性の材料に限られることなく、上記のように磁性アモルファスワイヤを基板の平面パターン上に磁性アモルファスワイヤのＭＩ効果に影響を与えるようななんらの外部応力も与えずに固定するための材料選択の自由度が拡がる。
【００２６】
次に検出コイルは、検出コイルの下部を構成するリボン状導体膜が複数個からなる箔状の導電性平面パターンと、検出コイルの上部を構成するリボン状導体膜が複数個からなる箔状の導電性立体パターンとを有する。そして、検出コイルは、平面パターンよりなる一方のコイル部と、隣り合う平面パターンの端部を電気的に接続する立体パターンよりなる他方のコイル部とを組み合わせて構成することができる。
これらのリボン状導体膜は、金属蒸着やエッチング処理等により精度よく形成することができる。したがって、精度のよい検出コイルが形成される。
【００２７】
また、素子絶縁体は、基板上の磁性アモルファスワイヤ、磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体及び検出コイルを保護するため覆うように０．１０〜０．２０ｍｍの厚さを有する矩形状の絶縁性樹脂から構成されている。
Ｚ軸用ＭＩ素子の上部からのボンディングのためには０．１０ｍｍ以下の厚さではボンディング加工面が小さくなり、一方、０．２０ｍｍを超える厚さの場合にはボンディング加工面の大きさとして、保護膜厚として不要となるのみでなく素子絶縁体の形成に時間がかかり過ぎとなる。
【００２８】
そして、磁性アモルファスワイヤの軸方向に直交する素子絶縁体の平坦面には磁性アモルファスワイヤ用の電極と検出コイル用の電極が構成され、電極と磁性アモルファスワイヤおよび電極と検出コイルがそれぞれ電気的に接続するように導電パターンが形成されている。そして、素子絶縁体の外表面に電極と導電パターンは、金属蒸着による方法や金属箔膜（Ｃｕメッキ）をエッチングにより除去する方法などにより形成される。
【００２９】
（実施例）
本発明のＺ軸用の平面型ＭＩ素子の実施例について、図１〜図４を用いて説明する。図１は、平面型ＭＩ素子１の正面を示す概念図であり、図２は、第１図のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す概念図である。図３は、第１図のＢ方向からの側面図であり、図４は第１図からのＣ方向からの側面図である。
【００３０】
基板１１は、非磁性かつ絶縁性を有するアルミナ基板にて幅０．７ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ、長さ０．７ｍｍの大きさからなる。
ここで、三次元ＭＩセンサのＺ軸用ＭＩ素子として用いるときには、上記長さ０．７ｍｍが高さ方向となる。
【００３１】
磁性アモルファスワイヤ２は、零磁歪アモルファスのＣｏＦｅＳｉＢ系合金からなる直径１０μｍ、長さ０．４８ｍｍで、２本用いられている。そして、それぞれのアモルファスワイヤ２は、リボン状導体膜が複数個からなる箔状の導電性平面パターン３１の上面に形成された第１絶縁体４１の上面に並列配設されている。
【００３２】
検出コイル３は、平面パターン３１と立体パターン３２とからなり螺旋状に形成されている。
平面パターン３１は、基板１１の平坦面上に導電性を有する幅１５μｍ、厚さ２μｍのリボン状導体膜を７本配列されている。
【００３３】
一方、立体パターン３２はアモルファスワイヤ２を内包するように形成された第３絶縁体４３の外表面と平面パターン３１の表面に渡って形成され、７本の導電性を有する幅１５μｍ、厚さ２μｍのリボン状導体膜からなる。
【００３４】
すなわち、平面パターン３１と立体パターン３２とは、それぞれのリボン状導体膜の端部どうしを積層した状態で接合してなる積層結合部を磁性アモルファスワイヤ２の両脇に形成することにより、平面パターン３１と立体パターン３２とが一体となって７回の巻数からなる螺旋状の検出コイル３を、並列して２個形成する。
【００３５】
ここで、平面パターン３１を構成するリボン状導体膜は、基板１１の平坦面上に 下部コイルの平面パターニングを行い、次に銅メッキ処理して、エッチングより下部Ｔｉ／Ｃｕシード層を除去することにより形成される。
また、立体パターン３２を構成するリボン状導体膜は、上記の絶縁体４３の外表面と平面パターン３１の表面に立体パターパターニングを行い、次に銅メッキ処理して、エッチングにより上部Ｔｉ／Ｃｕシード層を除去することにより形成される。
【００３６】
絶縁体４は、基板片１１の平坦面上に形成された平面パターン３１と磁性アモルファスワイヤ２との絶縁のために平面パターン３１の上面に形成する第１絶縁体４１と、第１絶縁体の上面に磁性アモルファスワイヤ２を固定する第２絶縁体４２と、第２絶縁体４２の上面に配設した磁性アモルファスワイヤ２と立体パターン３２との絶縁のためにアモルファスワイヤ２を内包するように第３絶縁体４３とから形成されている。
【００３７】
すなわち、基板１１の平坦面上に平面パターン３１を形成した後に、平面パターン３１の上面に感光性エポキシ樹脂により厚さ２μｍの第１絶縁体４１を形成する。
次いで、第１絶縁体４１の上面に磁性アモルファスワイヤ２を長手方向に真っ直ぐに載置し、第１絶縁体４１と磁性アモルファスワイヤ２との間に第２絶縁体４２となる溶剤希釈した液状のエポキシ樹脂を滴下する。磁性アモルファスワイヤ２の表面と第１絶縁体４１との間隙に沿っている長手方向がエポキシ樹脂に濡れ、磁性アモルファスワイヤ２は第１絶縁体４１の上面に表面張力の作用によって定着する。定着後に、溶剤希釈したエポキシ樹脂を１００℃にて約３０分間ベーキングすると、磁性アモルファスワイヤ２は第１絶縁体４１の上面に第２絶縁体４２により固定する。
【００３８】
磁性アモルファスワイヤ２が第１絶縁体の上面に固定した後、磁性アモルファスワイヤ２を内包するように感光性エポキシ樹脂により厚さ約２μｍの絶縁層からなる第３絶縁体４３が形成される。この第３絶縁体４３は、表面張力を活用した液状樹脂を塗布することにより磁性アモルファスワイヤの外周面の形状に沿って膜状に絶縁体が形成される。この絶縁体は磁性アモルファスワイヤの断面形状に似ている円周形状からなる薄膜の絶縁層からなる。
【００３９】
次に、上述のようにこの第３絶縁体４３の外表面から平面パターン３１の表面に渡ってリボン状導体膜を形成する。
すると、立体パターン３１は薄膜の第３絶縁体４３を介して磁性アモルファスワイヤの断面形状に似ているリング形状部分が多く形成される。
【００４０】
検出コイルが形成された後に、磁性アモルファスワイヤ２を直列に電気的な接続するための導電パターン６０を、検出コイル３を直列に電気的な接続するための導電性パターン６０を、また後工程で形成する電極６と磁性アモルファスワイヤ２および検出コイル３とを電気的な接続のための導電パターン６０を、それぞれ上記平面パターン３１の形成方法と同様の方法で形成する。
【００４１】
次に、基板上の磁性アモルファスワイヤ２、磁性アモルファスワイヤ被覆絶縁体４、検出コイル３および導電パターン６０を覆うように幅０．７ｍｍ、長さ０．６ｍｍ、厚さ０．１０ｍｍの矩形状の絶縁性レジンからなる素子絶縁体５を形成する。
【００４２】
磁性アモルファスワイヤ２から延設されている基板上の２個の導電パターン６０と電気的に接続する電極６１および検出コイル３から延設されている基板上の２個の導電パターン６０と電気的に接続する電極６２は、素子絶縁体４の長さ方向の平坦面に厚さ３μｍの銅金属の蒸着により形成される。
【００４３】
前記のように構成されているＺ軸用のＭＩ素子の大きさは、高さ０．７ｍｍ、幅０．７ｍｍ、厚さ０．４ｍｍとなる。これにより、高さは０．７ｍｍと従来の溝型よりも低くすることができ、三次元ＭＩセンサの薄型化が図られる。また、厚さは０．４ｍｍもあることから三次元ＭＩセンサに組み込んでも安定し、電極の幅０．１ｍｍは配線時のボンディングに十分である。
【００４４】
次に、本発明のＺ軸用ＭＩ素子の特性を評価し、図５及び図６により説明する。
図５の特性については、軸回りの回転角度を横軸に規定し、磁気センサの出力信号の大きさは回転角度０°のときに０ｍＶとして縦軸に規定している。なお、図６にはＺ軸用磁気センサの回路図を示す。
Ｘ−Ｙ平面上にて、Ｚ軸方向、アモルファスワイヤ２を鉛直方向にＭＩ素子を組み込んだＺ軸用磁気センサについて、Ｘ軸周りに３６０度回転させたときの出力信号の変化を示している。
【００４５】
図５より、Ｚ軸方向の磁気センシングを精度良く検出することができる。
したがって、本発明のＭＩ素子を組み込んだ磁気センサを３軸磁気センサのＺ軸に用いることにより、Ｚ軸用磁気センサの高さを低くすることができるので、３軸磁気センサの薄型化、小型化を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明によるマグネトインピーダンスセンサ素子は、３次元磁気センサのＺ軸用としての高さを低くできるので３次元磁気センサの薄型化、小型化を実現できるため、携帯電話をはじめとする小型電子機器用の小型磁気センサに適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の平面型のＺ軸用ＭＩ素子の正面を示す概念図である。
【図２】実施例における図１のＡ−Ａ’線に沿う断面を示す概念図である。
【図３】実施例における図１のＢ方向の断面を示す概念図である。
【図４】実施例における図１のＣ方向の面を示す概念図である。
【図５】実施例における特性を示す線図である。
【図６】実施例における回路図である。
【符号の説明】
【００４８】
１      Ｚ軸用ＭＩ素子
１１    基板
２      アモルファスワイヤ
３      検出コイル
３１    平面パターン
３２    立体パターン
４      絶縁体
４１    第１絶縁体
４２    第２絶縁体
４３    第３絶縁体
５      素子絶縁体
６      端子
６０    導電パターン
６１    検出コイル用端子
６２    アモルファスワイヤ用端子
【図１】
2009236803.tif 000003
【図２】
2009236803.tif 000004
【図３】
2009236803.tif 000005
【図４】
2009236803.tif 000006
【図５】
2009236803.tif 000007
【図６】
2009236803.tif 000008