(57)【要約】【課題】層間接続を簡易かつ高信頼性化が可能な電子回路装置の提供。【解決手段】本発明の電子回路装置は、上面に第１ランド１０６を有する第１配線層１０１と、第１配線層１０１の上面に実装された電子部品１０５と、第１配線層１０１の上に配置されて下面に第２ランド１１５を有する第２配線層１０４と、第１配線層１０１と第２配線層１０４との間であって電子部品１０５の周囲に配置されて第１ランド１０６と第２ランド１１５との間を貫通する貫通孔を有する絶縁性樹脂からなる接着層１０８と、貫通孔に充填されると共に第１ランド１０６と第２ランド１１５とを電気的に接続する導電性ペースト１１８とを備え、第１ランド１０６の外縁と第２ランド１１５の外縁の少なくとも一方は、貫通孔の内周より小さい構成である。【選択図】図１
2009016413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に第１ランドを有する第１配線層と、
前記第１配線層の上面に実装された電子部品と、
前記第１配線層の上に配置されて下面に第２ランドを有する第２配線層と、
前記第１配線層と前記第２配線層との間であって前記電子部品の周囲に配置されて前記第１ランドと前記第２ランドとの間を貫通する貫通孔を有する絶縁性樹脂からなる接着層と、
前記貫通孔に充填されると共に前記第１ランドと前記第２ランドとを電気的に接続する導電性ペーストとを備え、
前記第１ランドの外縁と前記第２ランドの外縁の少なくとも一方は、前記貫通孔の内周より小さい電子回路装置。
【請求項２】
前記第２配線層は、前記電子部品の上面を露出させる開口部を有する請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項３】
前記第２配線層は、前記電子部品の上面を覆うように配置された請求項１に記載の電子回路装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電子回路装置と、
この電子回路装置に接続された表示装置とが搭載された電子機器。
【請求項５】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記第１配線層上の第１ランドに導電性ペーストを塗布する工程と、
前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙と前記第１ランドの形状より大きな第２空隙を設けた未硬化状態の絶縁性樹脂を含む接着層を準備する工程と、
前記第１配線層上の所望の位置に前記接着層と第２配線層を前記導電性ペーストが前記第１配線層と前記第２配線層の内側になるように順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して前記接着層内の前記絶縁性樹脂を硬化して一体化すると共に前記第１配線層上の前記導電性ペーストと前記第２配線層の下面に形成している第２ランドとを直接接触させながら前記導電性ペーストを硬化して電気的に接続する工程とを備えた電子回路装置の製造方法。
【請求項６】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
第２配線層下面の第２ランドに導電性ペーストを塗布する工程と、
前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙と前記第２ランドの形状より大きな第２空隙を設けた未硬化状態の絶縁性樹脂を含む接着層を準備する工程と、
前記第１配線層上の所望の位置に前記接着層と前記第２配線層を前記導電性ペーストが前記第１配線層と前記第２配線層の内側になるように順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して前記接着層内の前記絶縁性樹脂を硬化して一体化すると共に前記第２配線層下面の前記第２ランドに形成している前記導電性ペーストと前記第１配線層上面の第１ランドとを直接接触させながら前記導電性ペーストを硬化して電気的に接続する工程とを備えた電子回路装置の製造方法。
【請求項７】
第１配線層上に電子部品を実装する工程と、
前記電子部品の実装エリアより大きな第１空隙と前記第１空隙の周囲に第２空隙を設けた未硬化状態の絶縁性樹脂を含む接着層を準備する工程と、
前記第２空隙に導電性ペーストを充填する工程と、
前記第１配線層上の所望の位置に前記第２空隙に導電性ペーストを充填した接着層と前記第２配線層を順に重ね合わせる工程と、
前記第１配線層と前記接着層と前記第２配線層とを加熱しながら加圧して前記接着層内の前記絶縁性樹脂を硬化して一体化すると共に前記第１配線層上面の第１ランドと前記第２配線層下面の前記第２ランドを前記導電性ペーストを直接前記導電性ペーストに接触させながら前記導電性ペーストを硬化して電気的に接続する工程とを備えた電子回路装置の製造方法において、
前記第１ランドの外縁および前記第２ランドの外縁は共に前記第２空隙の内周より小さい電子回路装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２配線層は、前記電子部品の上面を露出させる開口部を有する請求項５から請求項７のいずれか１つに記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２配線層は、前記電子部品の上面を覆うように配置された請求項５から請求項７のいずれか１つに記載の電子回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電子部品の周囲には前記接着層から流出して硬化形成された前記絶縁性樹脂が存在する請求項５から請求項７のいずれか１つに記載の電子回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の電子回路装置について、図７を用いて説明する。図７は、従来の電子回路装置の断面図である。
【０００３】
図７において、従来の電子回路装置は、上面に第１ランド２０６を有する第１配線層２０１と、第１配線層２０１の上面に実装された電子部品２０５と、第１配線層２０１の上に配置されて下面に第２ランド２１５を有する第２配線層２０４と、第１配線層２０１と第２配線層２０４との間であって電子部品２０５の周囲に配置されて第１ランド２０６と第２ランド２１５との間を貫通する貫通孔２３５を有する絶縁性樹脂からなる接着層２０８と、貫通孔２３５に充填されると共に第１ランド２０６と第２ランド２１５とを電気的に接続する導電性ペースト２１８とを備え、第１ランド２０６の外縁および第２ランド２１５の外縁は、貫通孔２３５の内周より大きい構成であった。
【０００４】
なお、この技術の先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特許第３６１９３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような従来の電子回路装置の製造工程において、第１配線層２０１と第２配線層２０４とを接着層を介して加熱圧着させる際、第１ランド２０６と第２ランド２１５との接続信頼性が低下するという問題があった。これは、第１ランド２０６の外縁及び第２ランド２１５の外縁が貫通孔２３５の内周より大きいので、加熱・加圧工程により第１ランド２０６と第２ランド２１５に挟まれた状態で導電性ペースト２１８を硬化する際に、第１ランド２０６および第２ランド２１５が接着層２０８に接触するため、導電性ペースト２１８を接着層２０８の厚みより薄く押し込むことができないので、導電性ペースト２１８に十分に圧力を加えることができないからである。
【０００６】
そこで、本発明は、第１配線層の第１ランドと第２配線層の第２ランドとの接続信頼性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の電子回路装置は、第１ランドの外縁と第２ランドの外縁の少なくとも一方は、前記貫通孔の内周より小さい構成とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
上記構成により、第１ランドと第２ランドとを用いて導電性ペーストをプレスする際、第１ランドと第２ランドとの間で接着層がストッパーとならず、貫通孔内に第１ランドと第２ランドの少なくとも一方が侵入し、導電性ペーストに十分圧力を加えることができる。その結果、本発明の電子回路装置の製造工程において、第１配線層と第２配線層とを接着層を介して加熱圧着させる際、第１配線層の第１ランドと第２配線層の第２ランドとの接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（実施の形態１）
以下に、本発明の電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１０】
図１は本発明の実施の形態１による電子回路装置の断面図である。
【００１１】
実施の形態１の電子回路装置１００は、図１（ａ）に示すように、第１配線層１０１と、この第１配線層１０１上に設けられた第２配線層１０４および電子部品１０５とを備える。第１配線層１０１の上面には第１導電性パターン１０２及び第１ランド１０６が設けられている。この第１配線層１０１は、絶縁層が熱硬化性樹脂からなる多層配線基板である。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはＢＴレジン（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。第１導電性パターン１０２や第１ランド１０６は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においては、第１導電性パターン１０２や第１ランド１０６として、Ｃｕ箔を用いている。また、第１配線層１０１に含まれるインナービア１１３は、例えば、Ｃｕめっきによる金属材料や、金属粒子と熱硬化性樹脂とを混合した導電性樹脂組成物などの熱硬化性の導電性物質から成る。導電性物質中の金属粒子としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどを用いることができる。Ａｕ、ＡｇまたはＣｕは導電性が高いために好ましく、Ｃｕは導電性が高くマイグレーションも少なく、また、低コストであるため特に好ましい。また、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために特に好ましい。
【００１２】
第１配線層１０１の上面にある第１導電性パターン１０２上にはＡｕめっき膜を形成している。このＡｕめっき膜の形成方法は、例えば、下地金属に無電解めっき法によってＮｉめっきを行い、Ｎｉめっき上に同じく無電解めっき法によってＡｕめっき膜を形成する方法である。なお、Ａｕめっき膜形成方法については、上述した方法に限らず種々の方法によって実現することが可能であるが、後に電子部品１０５を実装した際の電気的導通を安定化するためには、第１導電性パターン１０２の最表層にはＡｕめっき膜が形成されていることが重要である。
【００１３】
このＡｕめっき膜が形成された第１導電性パターン１０２上に、電子部品１０５が実装されている。電子部品１０５としては、ＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品や半導体部品を用いることができる。半導体部品としては、例えばバンプ１１０が形成された半導体ベアチップＩＣがフリップ・チップ実装されたものである。バンプ１１０の材料としては、Ａｕ線によるＡｕスタッドバンプ、めっきによるＡｕまたははんだバンプ、導電性ペーストによるＡｇバンプ等簡易な方法で形成可能なバンプを用いることができる。なお上述した方法に限らず種々の方法でバンプ１１０を形成しても良い。半導体ベアチップＩＣのフリップ・チップ実装方法については、実装時に補助材料を用いないＡｕ−Ａｕ直接接続方式やはんだバンプによるはんだ接続方式を用いることができるが、上記した方法に限らず半導体ベアチップＩＣをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるならいずれの方法も使用可能である。また、実装補助材１１１として、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；異方性導電フィルム）やＮＣＦ（Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ；絶縁性フィルム）を用いるＡｕバンプによる圧接接続方式や、フリップ・チップ実装後に半導体ベアチップＩＣと第１配線層１０１の間にアンダーフィルを充填する方式を用いることができる。なお、上記した方法に限らず、実装補助材１１１を用いて半導体ベアチップＩＣをフェイスダウンで実装するフリップ・チップ実装方式であるならいずれの方法も使用可能である。
【００１４】
なお、電子部品１０５としてチップ部品を使用した場合には、実装材料としては、はんだや導電性接着剤を用いることができる。はんだとしては、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｚｎ系、Ａｕ−Ｚｎ系などの材料が使用可能であるが、これらの材料に限らず電子部品１０５を実装できる材料であるならいずれの材料も使用可能である。ただし、はんだは、環境汚染物質であるＰｂを含有しない材料であることが重要である。また、導電性接着剤としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属粒子とエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂とを混合した材料を使用することができる。その中でもＡｇとエポキシ樹脂の組み合わせは、導電性が高いと共に耐熱性が高いため特に好ましい。
【００１５】
第１配線層１０１上には、接着層１０８を介して第２配線層１０４が積層されている。接着層１０８としては、ガラス織布に熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシプリプレグ、ガラス織布に熱硬化性のビスマレイミド・トリアジン樹脂を含浸させたＢＴレジンプリプレグ、アラミド不織布に熱硬化性のエポキシ樹脂を含浸させたアラミドプリプレグ等を使用することが可能であるが、織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させた構造であれば、様々な材料を使用することが可能である。また、接着層１０８として、織布または不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグ以外にも、二酸化珪素やアルミナ等の無機フィラーと熱硬化性樹脂との混合物を用いる事も可能である。
【００１６】
第２配線層１０４は、接着層１０８側に第２ランド１１５を有し、絶縁層が熱硬化性樹脂からなる配線基板である。第１配線層１０１と同様に、熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂またはＢＴレジンを用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高いために熱硬化性樹脂として特に好ましい。第２ランド１１５は電気導電性を有する物質から成り、例えば、Ｃｕ箔や導電性樹脂組成物から成る。本発明においてはＣｕ箔を用いている。なお、本発明において第２配線層１０４は２層構成としているが、２層構成に限らず多層配線基板を用いてもよい。また、第２配線層１０４内の層間接続を行う方法としては、インナービア構造、スルーホール構造等一般的なプリント配線板の接続方法を用いることができる。なお、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４の材料選択は任意に行うことが可能であるが、同種の材料で構成する方が熱膨張係数の差が大きくならず、また、反り防止に対しても効果的に働き、高信頼性を保つ上で特に好ましい。
【００１７】
第１配線層１０１と第２配線層１０４間の電気的接続は、第１ランド１０６と第２ランド１１５間に形成した導電性ペースト１１８によって行われる。第１ランド１０６および第２ランド１１５は、導電性ペースト１１８との接続を良好に行うため表面にＡｕめっき膜を形成している。なお、Ａｕめっき膜の代わりにパターン表面を粗化する手法を用いてもよい。導電性ペースト１１８としては、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属粒子とエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂とを混合した材料を使用することができる。また、導電性ペースト１１８として、第１ランド１０６および第２ランド１１５の表面に形成しているＡｕめっき膜と接触して、第１ランド１０６および第２ランド１１５と、導電性ペースト１１８に含まれる金属材料とがその界面において合金を形成することが可能な材料であることが好ましい。
【００１８】
尚、図１においては、第２配線層１０４は第１配線層１０１上の電子部品１０５に位置する部分を開口した構造としている。更に、第２配線層１０４の開口部は電子部品１０５の形状より大きく設定し、第２配線層１０４と電子部品１０５は互いに接しないように配置していると共に、第１配線層１０１上に積層した第２配線層１０４の上面の第１配線層１０１からの高さは、第１配線層１０１上に実装した電子部品１０５の上面の第１配線層１０１からの高さより高く設定している。
【００１９】
図１（ａ）の構造完成後、図１（ｂ）に示すように、第１配線層１０１の電子部品１０５実装面の反対面に、ＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品や半導体部品からなる表層部品１２０および金属ケース１２１を実装して電子回路装置１００とすることができる。この電子回路装置１００は第２導電性パターン１１６によりマザーボード（図示せず）へ実装することが可能である。
【００２０】
以上の構成により、第２配線層１０４を第１配線層１０１に接続することで、第１配線層１０１の両面を電子部品１０５および表層部品１２０の実装面として使用することが可能となり、片面実装構造と比べて、電子回路装置１００の小型化を実現することができる。このとき、第１配線層１０１と第２配線層を電気的に接続する手段として、導電性ペースト１１８を用いると共に、第１ランド１０６および第２ランド１１５は少なくともどちらか一方のランドが導電性ペースト１１８内に埋め込まれた構造とすることで、接続信頼性の高い電子回路装置１００とすることが可能となるものである。
【００２１】
次に本発明の電子回路装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態１による電子回路装置の製造工程断面図である。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、多層配線基板からなる第１配線層１０１の上面に配置した第１導電性パターン１０２にはＡｕめっき膜が形成されている。その後、図２（ｂ）に示すように、電極上にバンプ１１０を形成した半導体ベアチップＩＣからなる電子部品１０５を第１導電性パターン１０２上へフリップ・チップ実装する。本発明においては、バンプ１１０の高さは２０μｍ、電子部品１０５の厚さは１５０μｍとしている。ただし、あくまでこれらのサイズは一例を示すものであって、このサイズに限定するものではない。
【００２４】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１配線層１０１上の第１ランド１０６上に導電性ペースト１１８を形成する。導電性ペースト１１８は、例えば、スクリーン印刷法、ディスペンス法、転写法等により所望の形状を形成する。ただし、例示した手法に限らず、様々な手法を用いることが可能である。第１ランド１０６上の導電性ペースト１１８の形成面積は、第１ランド１０６の上面の面積より小さくし、導電性ペースト１１８が第１ランド１０６上に載っている状態とすることが重要である。なお、第１ランド１０６の表面は、導電性ペースト１１８との電気的導通を良好に行うために、Ａｕめっき膜を形成しておくことや、Ａｕめっき膜を形成する代わりにパターン表面をエッチング等により粗化する手法を用いてもよい。
【００２５】
次に、図２（ｄ）に示すように、２層基板からなり、表裏面に第２ランド１１５および第２導電性パターン１１６を有すると共に開口部１３１を有する第２配線層１０４を準備する。なお、第２配線層１０４は２層基板に限定するものではなく、当然多層基板であっても構わない。また別の工程で、図２（ｅ）に示すように、未硬化状態の熱硬化性樹脂からなる絶縁性樹脂を含む接着層１０８を準備し、この接着層１０８について、後に第１配線層１０１と重ね合わせた際に電子部品１０５と導電性ペースト１１８に対応する位置に、第１空隙１３４および第２空隙１３５を形成しておく。本発明においては、６０μｍ厚のガラス織布にエポキシ樹脂を含浸させた初期厚８０μｍのプリプレグを使用している。ただし、あくまでこれらの材料やサイズは一例を示すものであって、この材料やサイズに限定するものではない。なお、電子部品１０５に対応する第１空隙１３４は電子部品１０５のサイズより大きな空間としておくことが重要である。電子部品１０５のサイズより大きな空間とすることで、後の積層時に接着層１０８と電子部品１０５が直接接触して電子部品１０５を破壊するという問題を回避することができる。また、第２空隙１３５についても導電性ペースト１１８より大きな空間としておくと共に、第２ランド１１５より大きな空間としておくことが重要である。更に、第１ランド１０６より大きな空間としておく方がなお良い。何故なら、第２空隙１３５が導電性ペースト１１８のサイズより小さい場合、後の積層時に、導電性ペースト１１８のすべてが第２空隙１３５内に入りきらず、接着層１０８と第２配線層１０４間に挟まれることになり、その結果、隣接する電極間に導電性ペースト１１８が広がり、積層後にショート不良を引き起こす場合があるからである。また、第２ランド１１５より小さい場合には、後の積層時に、第２ランド１１５が導電性ペースト１１８と接触する前に接着層１０８と接触することになり、その状態で接着層１０８が硬化されるため、導電性ペースト１１８と接触しにくくなり接続信頼性を低下させることになる。従って、第２空隙１３５は積層時に導電性ペースト１１８および第２ランド１１５が触れないように大きく設定しておかなければならない。
【００２６】
次に、図２（ｆ）に示すように、電子部品１０５および導電性ペースト１１８を形成した第１配線層１０１上に、第１空隙１３４、第２空隙１３５を形成した接着層１０８と、第２配線層１０４を、導電性ペースト１１８と第２ランド１１５が対向するように順に重ね合わせる。なお、第１配線層１０１、接着層１０８、第２配線層１０４は積層後の基板の反りや変形を防止するために、同一組成の材料であることが望ましいが、異種材料を使用する場合には、熱膨張係数差の小さい材料を選択することが重要である。
【００２７】
次に、図２（ｇ）に示すように、重ね合わせたそれぞれの構成材料をプレス機（図示せず）により、例えば２００℃で加熱しながら４ＭＰａの圧力で加圧を行うことで、導電性ペースト１１８を第１ランド１０６と第２ランド１１５にそれぞれ押し当てながら硬化させる。この時、加熱・加圧することで接着層１０８に含まれる熱硬化性樹脂が押し流されながら硬化して第１配線層１０１と第２配線層１０４を固定するため、加熱・加圧工程完了後の接着層１０８の厚みは８０μｍからガラス織布の厚みの６０μｍまで薄くなるのであるが、第２空隙１３５を第２ランド１１５より大きく形成しているため、第１ランド１０６から第２ランドまでの距離はガラス織布の厚みの６０μｍより短い距離となり、この短い第１ランド１０６と第２ランド１１５の間に導電性ペースト１１８が押し固められるため、第１ランド１０６と第２ランド１１５間の接続信頼性の高い電気的導通を実現することができるものである。また、加熱・加圧工程によって接着層１０８を薄くしながら硬化させ、第２配線層１０４を第１配線層１０１上に固定するのであるが、加熱・加圧工程終了後に電子部品１０５の実装高さより第２配線層１０４の高さの方が高くなるようにそれぞれの材料の厚みを考慮して設計することが重要である。このことにより、電子部品１０５実装後の第１配線層１０１上へ、接着層１０８を用いて第２配線層１０４を積層する工程をプレス機による加熱・加圧工程により実現することができるものである。
【００２８】
その後、図２（ｈ）に示すように、第１配線層１０１の電子部品１０５実装面の反対面に、ＬＣＲ等のチップ部品からなる受動部品や半導体部品からなる表層部品１２０および金属ケース１２１を実装して電子回路装置１００とすることができる。この電子回路装置１００は第２導電性パターン１１６によりマザーボード（図示せず）へ実装することが可能である。
【００２９】
以下、実施の形態１に示す電子回路装置およびその製造方法の特徴について説明する。
【００３０】
本発明の電子回路装置およびその製造方法においては、独立した第１配線層１０１と第２配線層１０４間の接続を導電性ペースト１１８を用いて行う際に、第１ランド１０６上に形成した導電性ペースト１１８と第２ランド１１５の電気的接続に対して、接着層１０８に設けた第２空隙１３５の形状が第２ランド１１５の形状より大きい。そのため、積層時に第２ランド１１５が接着層１０８に接触して第２ランド１１５と導電性ペースト１１８との接触が妨げられるということが起こらず、確実に第２ランド１１５と導電性ペースト１１８とが直接接触することができるため、接続信頼性の高い電気的導通を実現することができるものである。更に、通常凹部を形成した配線基板を準備し、この凹部内に電子部品を実装して電子回路装置を作製する手法を用いることに対して、平坦な第１配線層１０１上に電子部品１０５を実装してから第２配線層１０４を積層することで、凹部内への電子部品の実装と比較して、電子部品１０５の実装を非常に容易に行うことが可能となると共に、第１配線層１０１の両面を有効に使って電子部品１０５や表層部品１２０を実装することが可能となるので、片面実装構造と比べて、電子回路装置１００の小型化を実現することができるものである。
【００３１】
以上に示すように、本実施の形態１によれば、電子回路装置１００を例えば電子機器のマザーボード（図示せず）に実装すべくリフロー炉に入れて加熱する際、電子回路装置１００が膨張しても、第１配線層１０１と第２配線層１０４は導電性ペースト１１８によって電気的導通が取られているので、接続信頼性が劣化することを抑制することができる。
【００３２】
（実施の形態２）
以下、本発明に係る実施の形態２について図を用いて説明する。図３は本発明の実施の形態２による電子回路装置の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００３３】
実施の形態２における実施の形態１との主な相違点は、導電性ペースト１１８の形成を、第１配線層１０１の第１ランド１０６上ではなく、図３（ｃ）に示すように、第２配線層１０４の第２ランド１１５上にしていることである。実施の形態１と比較して、第２配線層１０４上には電子部品１０５が実装されていないので、凹凸が無く導電性ペースト１１８を形成することが非常に容易になる。この時、実施の形態１と同様に、導電性ペースト１１８を良好に押し固めるために、接着層１０８に形成している第２空隙１３５は、第１ランド１０６より大きく加工しておくことが重要である。なお、その他の構造については実施の形態１と同一の特性を有するものである。
【００３４】
（実施の形態３）
以下、本発明に係る実施の形態３について図を用いて説明する。図４は本発明の実施の形態３による電子回路装置の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１および実施の形態２と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００３５】
実施の形態３における実施の形態１および実施の形態２との主な相違点は、図４（ｄ）に示すように、接着層１０８に形成した第２空隙１３５内に導電性ペースト１１８を充填しておき、図４（ｅ）、（ｆ）に示すように積層時に第１ランド１０６と第２ランド１１５とで第２空隙１３５内の導電性ペースト１１８を挟み込み、接着層１０８および導電性ペースト１１８を硬化させて第１ランド１０６と第２ランド１１５間の電気的導通を行うというものである。この時最も重要なことは、第２空隙１３５は第１ランド１０６および第２ランド１１５の形状よりも大きな形状であり、積層時に第１ランド１０６および第２ランド１１５はそれぞれ接着層１０８には接触せずに導電性ペースト１１８の中に全体が食い込むようにして積層されることである。この構成にすることにより、第１ランド１０６と第２ランド１１５との間の間隔は、接着層１０８の厚みより狭くなるため、確実に導電性ペースト１１８を押し固めることができるものである。
【００３６】
（実施の形態４）
以下、本発明に係る実施の形態４について図を用いて説明する。図５は本発明の実施の形態４による電子回路装置２００の製造工程断面図である。なお、特に説明しない限りは実施の形態１〜３と同一の構造については、同一番号を付与して説明を省略する。
【００３７】
実施の形態４における実施の形態１〜３との主な相違点は、図５（ｄ）に示すように、開口部を有さない第２配線層１０４を使用し、この第２配線層１０４と第１配線層１０１との間に接着層１０８を介在させて、電子部品１０５を内蔵する構造としているところである。この時、図５（ｇ）に示すように、加熱・加圧工程により第１配線層１０１と接着層１０８と第２配線層１０４を一体化させる際に、接着層１０８から絶縁性樹脂１０３を流出させて電子部品１０５の周囲を絶縁性樹脂１０３で覆うと共に、接着層１０８に形成した第１空隙１３４内に絶縁性樹脂１０３を充満している。従って、本実施の形態４によれば、電子部品内蔵基板を製造することも可能である。なお、本実施の形態４による電子部品内蔵基板構造において、図５（ｈ）に示す表層部品１２０や金属ケース１２１を第１配線層１０１側に形成するだけでなく、第２配線層１０４側に形成することも可能である。また、第１配線層１０１と第２配線層１０４間にあって両者の電気的接続を実現する導電性ペースト１１８の形成方法は、実施の形態１〜３に記載する電子回路装置の製造方法と同種の手法を用いることが可能である。即ち、図５に示す導電性ペースト１１８の位置関係はあくまで一例として図示しているものである。
【００３８】
（実施の形態５）
本実施の形態５では、図６に示すように、本発明の電子回路装置１００または２００を用い、アンテナ３０１と表示装置３０２をそれぞれ接続することによって、電子機器３００とすることができることを示している。なお、本発明の電子回路装置１００または２００は上述した構成に留まらず、様々な部品、装置と接続することによって各種電子機器とすることができるものである。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明における電子回路装置とこれを用いた電子機器、およびその製造方法は、電子部品実装後の第１配線層上に、別の第２配線層を電気的導通を取りながら貼り付けることで３次元実装構造を容易に作製することが可能となるため、例えば、超小型の３次元実装モジュールの製造に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）（ｂ）は、本発明の実施の形態１における電子回路装置の断面図
【図２】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態１における電子回路装置の製造工程断面図
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態２における電子回路装置の製造工程断面図
【図４】（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態３における電子回路装置の製造工程断面図
【図５】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の実施の形態４における電子回路装置の製造工程断面図
【図６】本発明の電子回路装置を用いた電子機器の一例を示す図
【図７】従来の電子回路装置の断面図
【符号の説明】
【００４１】
１００  電子回路装置
１０１  第１配線層
１０２  第１導電性パターン
１０４  第２配線層
１０５  電子部品
１０６  第１ランド
１０８  接着層
１１０  バンプ
１１１  実装補助材
１１３  インナービア
１１５  第２ランド
１１６  第２導電性パターン
１１８  導電性ペースト
１２０  表層部品
１２１  金属ケース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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