(57)【要約】【課題】  半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１上に搭載される半導体装置（図示省略）に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板１上に形成された配線２と、前記配線２に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプ５とを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記バンプ５が、前記配線２と連続した同一の導体材料からなり、前記配線２の厚さよりも厚く形成してなるものであり、かつ前記配線２の線幅が、当該配線２に接続されたバンプ５における当該配線２の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小であるものとなっている。【選択図】  図１
2009238925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板上に形成された配線と、前記配線に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプとを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、
前記バンプが、前記配線と連続した同一の導体材料からなり、前記配線の厚さよりも厚く形成してなるものであり、
かつ前記配線の線幅が、当該配線に接続されたバンプにおける当該配線の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小である
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプおよび前記配線は、それぞれ複数配設してなるものであり、前記バンプ同士の配列間隔が、前記配線同士の配列間隔の１／２以上である
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプが、前記導体材料からなる導体箔または導体板をエッチングによりパターン加工してなるものであり、
前記配線は、前記導体材料からなる導体箔または導体板をハーフエッチングにより前記バンプの厚さよりも薄く加工し、かつエッチングによりパターン加工してなるものであることを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項４】
請求項１ないし３のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプの厚さが、前記配線の厚さよりも４μｍ以上厚い
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアにおいて、
前記バンプは、複数配設してなるものであり、それぞれの上面が平坦でありかつ厚さが均一に揃えられている
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリア。
【請求項６】
絶縁性基板上に配置された導体箔または導体板をエッチング法によりパターン加工して、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定された配線のパターンを形成すると共に、当該配線に連なり前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプのパターンを形成する工程を有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法であって、
前記導体箔または導体板における、前記バンプのパターンが設けられる予定の位置を被覆し、かつ前記配線のパターンが設けられる予定の位置は露出するように、エッチングレジストパターンを形成する工程と、
前記エッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて、前記配線のパターンが設けられる位置にハーフエッチングを施し、当該配線のパターンが設けられる予定の位置の厚さを前記バンプが設けられる予定の位置の厚さよりも薄くする工程と、
前記ハーフエッチングを行った後、レジストを用いたエッチング法によるパターン加工を行って、前記配線の線幅が当該配線に接続されたバンプにおける当該配線の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小さくなるように前記配線のパターンおよび前記バンプのパターンを形成して、前記配線と当該配線よりも相対的に厚さが厚くかつ当該配線の線幅よりも
バンプ幅が大きいバンプとを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記エッチング法によるパターン加工を行う際に、前記配線のパターンを形成するためのレジストとして、前記バンプのパターンを形成するためのレジストよりも厚いものを用いる
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【請求項８】
請求項６または７記載の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法において、
前記バンプを、個々の上面が平坦であり、かつ均一な厚さを有するように複数個配設する
ことを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路のような半導体装置が搭載されて、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）の主要部として用いられる、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用ＴＡＢテープキャリア（ＴＡＢテープキャリア、あるいは単にＴＡＢテープ、もしくはキャリアテープ等とも云う）は、図５、図７（ｇ）に一例を示すような構造を有しており、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display；液晶表示）装置用の半導体実装パッケージのような小型化、薄型化が強く要請される用途に好適なものとして用いられている。
このようなＴＡＢテープキャリアでは、近年、半導体装置（図示省略）との物理的接続を行う技術として、キャリアテープ側には、配線１０２の端部など所定の位置に、金めっきなどによってバンプ１０５を形成する一方、半導体装置側には、アルミニウム等で接合用パッド（図示省略）を形成しておき、それらを直接に接合する、という技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
より詳細には、従来のＴＡＢテープキャリアにおいては、絶縁性基板１０１上に、銅箔のような導体材料をパターン加工してなる配線１０２が形成されている。その配線１０２の表面ほぼ全面は、保護用めっき層１０３によって被覆されている。また、保護用めっき層１０３の上には、さらに絶縁性保護膜１０４が設けられている。
半導体装置搭載エリア１０６内には、半導体装置接合用のバンプ１０５が形成されている。図６は、図５に示すＴＡＢテープキャリアにおける断面図である。このバンプ１０５は、例えば金めっきのようなボンディングに適した材料からなるめっきによって形成されたもので、その概形は、いわゆる団子状のような曲面状であり、平面視では、ほぼ楕円形となっている。
【０００４】
図７は、そのような従来提案されているＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
まず、絶縁性基板１０１上に銅箔のような金属箔１１１を貼り合わせてなる、いわゆる銅張基板を用意し、その金属箔１１１の表面上ほぼ全面に、配線パターン加工用の感光性レジスト１１２を塗付またはラミネートする（図７（ａ））。
【０００５】
続いて、フォトマスクを用いて感光性レジスト１１２を露光し、それを現像して、所定の配線パターンに対応したレジストパターン１１３を形成する（図７（ｂ））。引き続いて、レジストパターン１１３で覆われていない（露出した部分の）金属箔１１１を、エッチング処理により蝕刻除去して、配線１０２を形成する。その後、レジストパターン１１３を除去する（図７（ｃ））。
そして、バンプ形成用の感光性レジストを塗付またはラミネートし、露光、現像を行って、半導体装置搭載エリア１０６内の所定位置に開口を有するレジストパターン１１５を形成する。そして、そのレジストパターン１１５で覆われていない（露出した）部分の配線１０２上に、金めっきのようなめっき法により、めっき金属からなるバンプ１０５を形成する（図７（ｄ））。
【０００６】
その後、レジストパターン１１５を除去し（図７（ｅ））、配線１０２およびバンプ１０５の表面全面を覆うようにめっきを施して、保護用めっき層１０３を形成する（図７（ｆ））。
そして最後に、絶縁性保護膜１０４を形成して配線１０２を被覆し、ＴＡＢテープキャリアの主要部が作製される（図７（ｇ））。
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１３６０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の技術による半導体装置用ＴＡＢテープキャリアでは、次のような問題がある。
【０００９】
第１に、配線上の端部など所定位置に、めっき法によってバンプを形成しているので、バンプは配線の表面を底面として放射状に成長形成される。このため、出来上がったバンプの外形は、いわゆる団子状となり、その頂点部分（上面）が平坦にならず、半導体装置との接合に物理的な接触不良等が生じやすいという問題がある。そして、延いては複数配列形成されるバンプや配線の配列間隔やパターン寸法のさらなるファイン化の著しい妨げとなる。
【００１０】
第２に、バンプを形成するに際して、めっき金属を分厚く成長させなければならないが、そのように分厚いめっき金属の成長には、比較的大きなばらつきが不可避的に存在する。その成長のばらつきに起因して、出来上がったバンプの高さには、許容範囲を逸脱したばらつきが生じる傾向にある。このため、半導体装置との接合に接触不良等が生じやすいという問題がある。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、上面が平坦であり、高さが均一なバンプを備えて、半導体装置との接合不良の発生およびバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することを可能とし、またファインピッチ化に対応することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアは、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように前記絶縁性基板上に形成された配線と、前記配線に連なりかつ前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプとを有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアであって、前記バンプが、前記配線と連続した同一の導体材料からなり、前記配線の厚さよりも厚く形成してなるものであり、かつ前記配線の線幅が、当該配線に接続されたバンプにおける当該配線の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小であることを特徴としている。
また、本発明の半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法は、絶縁性基板上に配置された導体箔または導体板をエッチング法によりパターン加工して、前記絶縁性基板上に搭載される半導体装置に対して電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定された配線のパターンを形成すると共に、当該配線に連なり前記半導体装置の電気的接合部に対して物理的に接続されるように設定されたバンプのパターンを形成する工程を有する半導体装置用ＴＡＢテープキャリアの製造方法であって、前記導体箔または導体板における、前記バンプのパターンが設けられる予定の位置を被覆し、かつ前記配線のパターンが設けられる予定の位置は露出するように、エッチングレジストパターンを形成する工程と、前記エッチングレジストパターンをエッチングレジストマスクとして用いて、前記配線のパターンが設けられる位置にハーフエッチングを施し、当該配線のパターンが設けられる予定の位置の厚さを前記バンプが設けられる予定の位置の厚さよりも薄くする工程と、前記ハーフエッチングを行った後、レジストを用いたエッチング法によるパターン加
工を行って、前記配線の線幅が当該配線に接続されたバンプにおける当該配線の線幅方向と同方向のバンプ幅よりも小さくなるように前記配線のパターンおよび前記バンプのパターンを形成して、前記配線と当該配線よりも相対的に厚さが厚くかつ当該配線の線幅よりもバンプ幅が大きいバンプとを形成する工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、めっき法によってバンプを形成するのではなく、導体箔または導体板をエッチング法によってパターン加工して配線のパターンを形成すると共にバンプのパターンを形成し、かつその配線の厚さをハーフエッチングによってバンプの厚さよりも薄くして、相対的にバンプの厚さが配線の厚さよりも厚くなるようにした（つまり上方へと突出するようにした）ので、作製されるバンプは、上面が基本的に導体箔または導体板と同様に平坦なものとなる。また、形成されたバンプは厚さ（絶縁性基板表面からの高さ）も均一なものとなる。これにより、バンプと半導体装置の接合部との接合不良の発生やバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することが可能となり、またファインピッチ化に対応することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る一実施の形態の半導体装置用ＴＡＢテープキャリア（以下、ＴＡＢテープキャリアと簡略化して呼ぶ）およびその製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す平面図であり、図２は、図１に示したＴＡＢテープキャリアにおける断面図である。また図３は、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図であり、図４は、図１に示したＴＡＢテープキャリアにおける配線およびそれに接続されるバンプが形成された部分を抽出し拡大して示す図である。
このＴＡＢテープキャリアは、絶縁性基板１と、配線２と、保護用めっき層３と、絶縁性保護膜４と、バンプ５と、半導体装置搭載エリア６とを備えている。
【００１５】
絶縁性基板１としては、例えばポリイミド樹脂、ＢＴレジン、ＬＣＰ等からなる、長尺のフィルムテープ状のものが用いられる。
この絶縁性基板１には、後述するように、長尺のフィルムテープの長手方向に多数の半導体装置のそれぞれに対応した多数組の配線が設けられ、その一つ一つの半導体装置搭載エリア６に各々、半導体装置（図示省略）が搭載されて、ボンディング、ポッティング等が行われた後、一つ一つが切り離されることで、個々の半導体装置が実装されパッケージ内に組み込まれることとなる。図１は、その個々のパッケージごとに切り離された状態を示している。但し、図示の簡潔化を図るために、半導体装置が搭載されていない状態を示すものとした。
【００１６】
配線２は、絶縁性基板１上に搭載される半導体装置に対して、電気的に接続されて所定の配線回路系を構成するように設定されたものである。この配線２は、絶縁性基板１の表面上にラミネートまたは接着された銅箔１１（または銅系金属薄板）のような導体材料からなる導体箔（または導体板）におけるこの配線２の形成予定の領域をハーフエッチングによってバンプ５の厚さよりも薄くなるように加工し、かつその薄くした領域にエッチング法によるパターン加工を施すことにより、その主要部が形成されている。
この配線２における、バンプ５の配列方向と同方向での線幅は、それと同方向でのバンプ５におけるバンプ幅よりも小さな（狭い幅の）ものとなっている。
【００１７】
保護用めっき層３は、Ｓｎ系金属材料またはＡｕなどのめっき金属からなり、配線２およびバンプ５の表面ほぼ全面を覆うことで、それら配線２およびバンプ５を保護するように設けられたものである。
【００１８】
絶縁性保護膜４は、配線２が形成された領域の主要部を覆うように形成されており、配線２、保護用めっき層３、バンプ５等を外部からの機械的衝撃や外部または半導体装置に対する電気的短絡などから保護するためのものである。この絶縁性保護膜４の形成材料としては、例えばエポキシ系樹脂材料やウレタン系樹脂材料等からなる、いわゆるソルダーレジストなどを好適に用いることができる。
【００１９】
バンプ５は、半導体装置搭載エリア６内における配線２の端部に配置されて、その配線２に連なり、半導体装置の接続パッドのような電気的接合部（図示省略）に対して物理的に直接または間接に接続されるように設定されており、配線２と連続した同一の銅箔１１のような導体材料を、エッチング法などによりパターン加工してなるものである。
このバンプ５の厚さ（絶縁性基板１の表面からバンプ５の上面までの高さ）は、配線２の厚さ（絶縁性基板１の表面から配線２の上面までの高さ）よりも、少なくとも４μｍ以上、厚いものとなっている。これは、配線２の厚さをハーフエッチング法などによりバンプ５の厚さよりも薄くすることで、相対的に、バンプ５が配線２よりも厚くなるようにすることにより実現されている。また、そのようにして形成することにより、このバンプ５の上面は極めて平坦性の良好なものとなっており、かつその高さ（換言すればこのバンプ５の厚さ）が均一に揃ったものとなっている。
また、このバンプ５の配列方向における、いわゆるバンプ幅は、それと同方向での配線２の線幅よりも大きな（広い幅の）ものとなっている。
隣り合うバンプ５同士の配列間隔は、バンプ５同士の間での電気的短絡の防止や、配線２の設計ルールとの整合性等を主眼として総合的に判断すると、バンプ5の配列方向と同
方向での隣り合う配線２同士の配列間隔の１／２以上とすることが望ましい。
【００２０】
次に、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造方法について、図３を参照しつつその主要な流れを説明する。
【００２１】
まず、絶縁性基板１上に銅箔１１をラミネートしてなる、いわゆる銅張基材を用意し（図３（ａ））、その銅箔１１における、バンプ５のパターンが設けられる予定の位置を被覆し、かつ配線２のパターンが設けられる予定の位置を含む領域一帯（いわゆる配線領域）は露出するように、ハーフエッチング用のレジストパターン１２を形成する（図３（ｂ））。
【００２２】
引き続いて、上記のレジストパターン１２をエッチングレジストマスクとして用いて、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯にハーフエッチングを施すことで、その配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯の厚さを、バンプ５が設けられる予定の位置の厚さよりも薄くする（図３（ｃ））。その形成後、使用済みのレジストパターン１２を除去する。
ここで、バンプ５が設けられる予定の位置の厚さは、その配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯の厚さよりも少なくとも４μｍ以上厚くなるように形成することが望ましい。これは、配線２の厚さに対するバンプ５の厚さの差が４μｍ未満のように余りにも薄いと、このバンプ５が実質的に十分なバンプ機能を発揮できなくなる虞があるからである。但し、材質やその他各種寸法設定等の兼ね合いから、厚さの差が４μｍ未満でも斯様なバンプ機能を損う虞が少ない場合には、厚さの差は４μｍ未満の適宜な厚さとしても構わないことは勿論である。
【００２３】
続いて、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯とバンプ５が設けられる予定の位置とに、感光性レジスト膜１３を塗布またはラミネートする。このとき、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯の感光性レジスト膜１３の厚さを、バンプ５が設けられる予定の位置よりも厚くする（図３（ｄ））。
このようにすることにより、次工程であるエッチング法によるパターン加工工程で、銅箔１１の厚さが薄いためにエッチングの進行が速くなる傾向にある、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯におけるエッチングの進行速度を調節して、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯とバンプ５が設けられる予定の位置とでの、いわゆるエッチングファクタを揃えるようにすることができ、その結果、形状再現性の良好なパターン加工を行うことができる。
あるいは、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯とバンプ５が設けられる予定の位置とでの、銅箔１１の厚さの相異に起因したエッチングファクタの相異を、むしろ逆手に取って利用して、バンプ５の望ましいバンプ幅を確保しつつ、配線２のさらなる微細線幅化を達成することも可能である。
すなわち、配線２のパターンが設けられる予定の領域一帯とバンプ５が設けられる予定の位置とでの、感光性レジスト膜１３の厚さをそれぞれ適宜に調節することで、ファインパターン対応の要請に対応するために線幅をより細く形成することが望まれる傾向にある配線２については、その配線２が形成される予定の領域の銅箔１１の薄さを利用して、線幅のさらなる微細化を実現すると共に、半導体装置との確実な接続を行うためにバンプ幅をできるだけ広く形成することが望まれる傾向にあるバンプ５については、そのバンプ５が形成される予定の領域の銅箔１１の厚さによるエッチングの進行の遅さを利用して、所望のバンプ幅の確保あるいはそのさらなる広幅化を実現することも可能である。
感光性レジスト膜１３としては、液状、フィルム状どちらでも使用が可能であるが、配線２やバンプ５の段差部分に気泡やボイドが発生するのを防ぐためには、柔軟性に優れており凹凸形状の影響を受けにくいドライフィルムレジストを用いることが好ましい。また、一定の厚みのレジストを簡易かつ確実に設けることができるという観点からも、ドライフィルムを用いることが好ましい。
【００２４】
続いて、フォトマスクおよび露光装置等（何れも図示省略）を用いて感光性レジスト膜１３を露光し、それを現像して所定の配線パターンに対応したレジストパターン１４を形成する（図３（ｅ））。
引き続いて、エッチング処理により、レジストパターン１４で覆われていない（露出した）部分の金属箔を蝕刻除去して、配線２およびバンプ５をパターン加工する（図３（ｆ））。
このパターン加工により、図４に示したように、配線２の線幅を、その配線２に接続されているバンプ５の配列方向におけるバンプ幅よりも小さなものとすることができる。また、バンプ５の配列間隔（配列方向で隣り合ったバンプ５同士のパターン間隔）を、配線２の配列間隔（配列方向で隣り合った配線２同士のパターン間隔）の１／２以上にすることができる。
【００２５】
その後、レジストパターン１４を除去し、配線２およびバンプ５の表面全面を覆うように、金めっきのようなめっきを施して、保護用めっき層３を形成する（図３（ｇ））。
そして最後に、絶縁性保護膜４を形成して配線２の主要部を被覆し、このＴＡＢテープキャリアの主要部が完成する（図３（ｈ））。
【００２６】
以上のようにして形成されるバンプ５の厚さおよびパターン形状ならびに寸法は、高い自由度を以て任意の幅に設定することができ、かつ高い寸法精度で形成することができる。また、バンプ５の厚さは、基本的に銅箔１１の厚さによって決まるので、従来のようなめっき法等によってめっき金属を成長させることで形成していたバンプと比較して、その厚さを極めて高い精度で任意の寸法に設定することができる。
【００２７】
このように、本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアおよびその製造方法によれば、従来の製造方法の場合のようなめっき法によってめっき金属を成長させてバンプを形成するのではなく、銅箔１１をハーフエッチングして相対的にバンプ５を配線２より
も厚くしておき、その部分をパターン加工することで、バンプ５を配線２の上に（配線２よりも上方向に突出させて）形成し、かつそのハーフエッチングによって薄くした領域の銅箔１１をエッチング法によりパターン加工して配線２を形成するようにしたので、配線２の厚さをバンプ５の厚さよりも薄くすることで相対的にバンプ５の厚さを配線２の厚さよりも厚くすることができ、十分なバンプ機能を発揮できるようなバンプ５を形成することができると共に、そのバンプ５の上面を、基本的に銅箔１１の平坦さを維持して極めて平坦なものとすることができる。また、バンプ５の高さは基本的に銅箔１１の厚さと同等のままに保たれるので、このバンプ５の高さの均一性を、銅箔１１の厚さの精度に対応した極めて良好なものとすることができる。
【００２８】
また、バンプ５は、その配列方向にバンプ幅が広がることなく、かつ上記のように高さが均一であるため、半導体装置の接合部との接合不良の発生やバンプ同士の短絡不良の発生を抑止ないし解消することが可能となる。
さらには、バンプ５は、寸法設計および形状設計に関して高い自由度を以て、かつ高精度に、エッチングによりパターン形成することができる。すなわち、バンプ５における配列方向でのバンプ幅は、配線２およびバンプ５をエッチングによってパターン加工する際の、バンプ５のパターンに対応したレジストパターン１４のパターン幅よりも大きくなることがないので、電気的短絡が発生する虞のない範囲内でバンプ５のパターンに対応した適切な寸法にレジストパターン１４のパターン幅を設定しておくだけで、従来の製造方法の場合のようなバンプ幅が許容誤差を超えて広がることや許容範囲を逸脱した形状不良となることなどを、煩雑なプロセス管理等を要することなく確実に回避することができる。
【００２９】
そして、上記のような作用が相まって、バンプ５と半導体装置の接合部との接合不良の発生や、隣り合うバンプ５同士での短絡不良の発生を、抑止ないし解消することが可能となり、延いてはバンプ５や配線２のさらなるファインピッチ化に対応することが可能となる。
【００３０】
しかも、配線２の形成予定の部分（配線領域）の銅箔１１の厚さを、ハーフエッチングによって予め薄くしているので、エッチング法によって銅箔１１をパターン加工して配線２をパターン形成する際の加工精度を、さらに高いものとすることが可能となり、さらなるファインピッチ化が可能となる。
【実施例】
【００３１】
上記の一実施の形態で説明したようなＴＡＢテープキャリアを製造した。
絶縁性基板１としては、２０〜５０μｍの厚さのポリイミドテープを複数種類用いた。
銅箔１１としては、厚さ９〜２５μｍのレンジ内の値のものを用いた。
配線２は、ライン（線幅）／スペース（パターン間ギャップ）＝１０〜２０μｍ／１０〜２０μｍのレンジ内の値にそれぞれ設定した。配線の厚さは、５〜１５μｍのレンジ内の値とした。
絶縁性保護膜４は、いわゆるソルダーレジストとし、その厚さを２０〜５０μｍのレンジ内の値とした。
バンプ５は、配列方向でのバンプ幅を、それと同方向での配線２の線幅以上とし、かつ長さを２０〜３０μｍとして、平面視でほぼ矩形状のパターンに設定した。その厚さは、配線２との厚さの差（つまり段差）が５〜１０μｍとなるように設定し、これに使用するのに好適な厚さの銅箔として上記のような厚さの銅箔１１を選択した。このバンプ５の厚さの出来上がり精度は約１μｍであった。
パターン加工時のエッチングプロセス条件それ自体は、基本的に、一般的な設定を踏襲した。ハーフエッチングのプロセス条件については、酸系エッチング液である塩化第二鉄系エッチング液を用いて、３０〜６０℃の温度で、レジストパターン１４における配線２の部分を厚さ方向に３〜１０μｍに亘って蝕刻が進むように設定した。
【００３２】
このような本実施例の製造方法によれば、極めて高い精度でバンプ５を配線２よりも厚く形成することができた。また、バンプ５のバンプ幅を、極めて高い精度で、配線２の所望の線幅よりも広いものとすることができた。
また、バンプ５の形状を、平面視でほぼ矩形とすることができ、従来のめっき法によって形成されたバンプのような幅方向に広がった楕円形等とは明らかに異なった、所望のパターン形状とすることが可能であることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの主要部の構成を示す平面図である。
【図２】図１に示したＴＡＢテープキャリアにおける断面図である。
【図３】本発明に係る一実施の形態のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【図４】図１に示したＴＡＢテープキャリアにおけるバンプおよび配線が形成された部分を抽出し拡大して示す図である。
【図５】従来のＴＡＢテープキャリアの一例を示す図である。
【図６】図５に示したＴＡＢテープキャリアにおける断面図である。
【図７】従来のＴＡＢテープキャリアの製造方法における主要な工程の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１    絶縁性基板
２    配線
３    保護用めっき層
４    絶縁性保護膜
５    バンプ
６    半導体装置搭載エリア
１１  銅箔
１２  レジストパターン
１３  感光性レジスト膜
１４  レジストパターン
【図１】
2009238925.tif 000003
【図２】
2009238925.tif 000004
【図３】
2009238925.tif 000005
【図４】
2009238925.tif 000006
【図５】
2009238925.tif 000007
【図６】
2009238925.tif 000008
【図７】
2009238925.tif 000009