(57)【要約】【課題】TFT基板と対向基板との各対向面に形成されている配向膜に施すラビング処理が不均一であっても、両基板に吸着する不純物イオンの偏りを少なくして、表示むらの発生を抑制する。【解決手段】TFT基板10と対向基板20とに薄膜層を形成し(S1,S11)、両基板10,20の薄膜層上に配向膜16,22をそれぞれ形成し(S2,S12)、この各配向膜16,22をラビング処理する(S3,S13)。次いで予め完成された液晶装置1で測定した共通電圧の変動による電位差ΔVcomに基づき、電位差ΔVcomがプラス値を示している場合は、TFT基板10に形成されている配向膜16を、所定温度で所定時間加熱処理する(S5)。その後両基板10,20を、シール材31を介して貼り合わせて、両基板10,20とシール材とで区画された領域に液晶32を封止する(S21)。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とに薄膜層を形成する薄膜形成工程と、
前記両基板の前記薄膜層上に配向膜をそれぞれ形成する配向膜形成工程と、
前記各配向膜を配向処理する配向処理工程と、
配向処理後の前記配向膜の一方を加熱処理する加熱処理工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを前記両配向膜を対向させてシール材を介して貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
前記両基板と前記シール材とで区画された領域に液晶を封止する液晶封止工程と
を備え、
前記加熱処理工程では、完成された液晶装置で測定した共通電圧の変動による電位差に基づき、前記第１の基板に形成されている配向膜と前記第２の基板に形成されている配向膜との一方を選択して加熱処理する
ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理工程で実行される加熱処理は２００〜２３０℃の範囲内で行なわれる
ことを特徴とする請求項１記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の基板に形成されている薄膜層が画素電極を有し、前記第２の基板に形成されている薄膜層が対向電極を有しており、
前記加熱処理工程は、前記電位差がプラス値の場合は前記第１の基板に形成されている配向膜を加熱処理し、前記電位差がマイナス値の場合は前記第２基板に形成されている配向膜を加熱処理する
ことを特徴とする請求項１或いは２記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配向処理後の配向膜を加熱処理して、共通電圧の変動による電位差を縮小するようにした液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、液晶装置は、ガラス基板、石英基板等からなる第１の基板と第２の基板との２枚の基板間に液晶を封入して構成されており、第１の基板に、例えば薄膜トランジスタ(ＴＦＴ：Thin Film Transistor)等のスイッチング素子及び画素電極をマトリクス状に配置し、第２の基板に対向電極を配置して、両基板間に介装されている液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能としている。尚、以下においては、便宜的に、第１の基板をＴＦＴ基板、第２の基板を対向基板と称する。
【０００３】
又、ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、このＴＦＴ基板に相対して配置される対向基板とは、別々に製造される。ＴＦＴ基板及び対向基板は、例えばガラス又は石英基板上に、所定のパターンを有する半導体薄膜、絶縁性薄膜又は導電性薄膜が、成膜工程とフォトリソグラフィ工程とを繰り返すことで層状に形成される。その後、ＴＦＴ基板及び対向基板の互いに対向する面、すなわち、液晶と接触する面に、液晶の分子を基板面に沿って配向させるための配向膜を形成し、この配向膜に、電圧無印加時の液晶分子の配列を決定させるための配向処理（ラビング処理）を施す。
【０００４】
次いで、一方の基板上の周縁に接着剤となるシール材を設けた後、真空注入方式では、このシール材を介してＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせた後、シール材の一部に設けた切欠き部から、両基板とシール材とで囲まれた領域に液晶を注入し、最後に切欠き部を封止材で封止させて液晶装置を完成させる。又、液晶滴下方式（ＯＤＦ：One Drop Fill）では、一方の基板上の周縁に接着剤となるシール材を設けた後、他方の基板を貼り合わせる前に、このシール材で囲まれた領域に、予め決められた量の液晶を滴下し、その上に他方の基板を貼り合わせることで、両基板とシール材とで囲まれた領域に液晶を封入させて液晶装置を完成させる。
【０００５】
ところで、封止材やシール材からは未硬化の成分や硬化した生成物等の不純物イオンが発生しており、この不純物イオンが液晶に混入すると、この不純物イオンが画素電極や対向電極に配向膜を介して吸着され、不純物イオンが吸着した部分に電界が集中する。その結果、画素電極と対向電極との間の電界に乱れが生じ、不純物イオンが吸着していない他の画素との輝度差が大きくなり、表示むらが発生してしまう。
【０００６】
一般的には、液晶に直流成分を印加させないように、正極性画像信号と負極性画像信号の実効値が相互に一致するレベルに、対向電極に印加する所定の共通電圧（以下、最適共通電圧という）を設定する。ところが、不純物イオンの影響によって、実際に液晶容量に印加される電圧実効値が正極性書込と負極性書込とで異なってしまい、実質的な共通電圧は最適共通電圧に対して変動する。
【０００７】
このため、交流駆動にも拘わらず、液晶容量には直流成分が印加されることになり、焼き付き現象が発生すると共に、正極性書込み時と負極性書込み時とで明滅（フリッカ）が発生して、表示品位が著しく低下する。
【０００８】
この対策として、例えば特許文献１（特開２００１−１８３６８３号公報）には、真空注入方式で液晶を注入する切欠き部（注入口）に突起部を形成し、この切欠き部を経て液晶を、基板とシール材とで囲まれた領域に注入するに際し、この突起部により液晶の流れを遅くし、乱流の発生により流れを分散させ、液晶中に混入する不純物イオンを均一に分散させることで、表示不良の発生を抑制し、良好な表示品位を得るようにした技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１８３６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ＴＦＴ基板と対向基板とに各々形成されている配向膜に施す配向処理（ラビング処理）に起因して、不純物イオンの吸着量に差が生じることが知られている。すなわち、両基板の配向膜に施す配向処理（ラビング処理）が不均一の場合、両基板間で不純物イオンの吸着量に差が生じ、最適共通電圧が変動することにより電位差ΔVcom（Vcomシフト）が生じる。
【００１０】
ＴＦＴ基板と対向基板とは製造プロセスが相違しているため、両基板に形成されている配向膜に施すラビング処理を均一に行うことは困難であり、ある程度の電位差ΔVcomが発生する。そして、この電位差ΔVcomが大きくなると、不純物イオンの吸着が加速されて表示むらが発生してしまう。
【００１１】
しかし、上述した文献に開示されている技術では、液晶を注入する際に乱流を発生させて、液晶中に混入する不純物イオンを均一に分散させるようにしているに過ぎないため、ＴＦＴ基板と対向基板とに各々形成されている配向膜に施す配向処理が不均一の場合は、両基板に対する不純物イオンの吸着量に差が生じてしまい、表示むらの発生を抑制することはできない。
【００１２】
又、上述した文献に開示されている技術は、真空注入方式には適用できるが、液晶滴下方式には適用することはできず、汎用性に欠ける問題がある。
【００１３】
本発明は、上記事情に鑑み、第１の基板と第２の基板との各対向面に形成されている配向膜に施す配向処理（ラビング処理）が不均一であっても、両基板に対する不純物イオンの吸着量の偏りを少なくし、共通電圧の変動による電位差を小さくして、表示むらの発生を抑制することができ、良好な表示品位を得ることのできる液晶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため本発明による第１の液晶装置の製造方法は、第１の基板と第２の基板とに薄膜層を形成する薄膜形成工程と、前記両基板の前記薄膜層上に配向膜をそれぞれ形成する配向膜形成工程と、前記各配向膜を配向処理する配向処理工程と、配向処理後の前記配向膜の一方を加熱処理する加熱処理工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記両配向膜を対向させてシール材を介して貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、前記両基板と前記シール材とで区画された領域に液晶を封止する液晶封止工程とを備え、前記加熱処理工程では、完成された液晶装置で測定した共通電圧の変動による電位差に基づき、前記第１の基板に形成されている配向膜と前記第２の基板に形成されている配向膜との一方を選択して加熱処理することを特徴とする。
【００１５】
このような構成では、完成された液晶装置で測定した共通電圧の変動による電位差に基づき、第１の基板に形成されている配向膜と第２の基板に形成されている配向膜との一方を選択して加熱処理することで、液晶に混入されている不純物イオンの前記第１の基板と前記第２の基板とに対する吸着量の偏りが少なくなり、第１の基板と第２の基板との各対向面に形成されている配向膜に施す配向処理が不均一であっても、電位差が小さなるため、表示むらの発生が抑制され、良好な表示品位を得ることができる。
【００１６】
第２の液晶装置の製造方法は、第１の液晶装置の製造方法において、前記加熱処理工程で実行される加熱処理は２００〜２３０℃の範囲内で行なわれることを特徴とする。
【００１７】
実験によれば、配向膜を２００〜２３０℃の範囲で加熱することで、電位差を縮小させることができることが解明された。そのため、この温度範囲で配向膜を加熱処理することで、表示むらの発生が抑制され、良好な表示品位を得ることができる。
【００１８】
第３の液晶装置の製造方法は、第１或いは第２の液晶装置の製造方法において、前記第１の基板に形成されている薄膜層が画素電極を有し、前記第２の基板に形成されている薄膜層が対向電極を有しており、前記加熱処理工程は、前記電位差がプラス値の場合は前記第１の基板に形成されている配向膜を加熱処理し、前記電位差がマイナス値の場合は前記第２基板に形成されている配向膜を加熱処理することを特徴とする。
【００１９】
実験によれば、電位差がプラス値の場合、第１の基板に形成されている画素電極側に不純物イオンが偏って吸着され、電位差がマイナス値の場合、第２の基板に形成されている対向電極側に不純物イオンが偏って吸着されることが解明された。そして、電位差がプラス値の場合は第１の基板の配向膜を加熱処理し、電位差がマイナス値の場合は第２基板の配向膜を加熱処理することで電位差が縮小されことも解明された。従って、電位差がプラス値の場合は第１の基板の配向膜を加熱処理し、電位差がマイナス値の場合は第２基板の配向膜を加熱処理することで、表示むらの発生が抑制されて、良好な表示品位を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面に基づいて本発明の一実施形態を説明する。図１は液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図、図２はＴＦＴ基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置であって、図１のＨ−Ｈ'断面図である。
【００２１】
図１、図２に示すように、液晶装置１は、第１の基板としての透明なＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される第２の基板としての透明な対向基板２０とを有し、両基板１０，２０の対向面間の画像表示領域１０ａの周囲に設けたシール領域が、シール材３１を介して貼り合わされている。尚、図示しないが両基板１０，２０の外表面に偏光板（図示せず）が配設されている。
【００２２】
又、この両基板１０，２０の対向面間とシール材３１とで囲まれた領域内に液晶３２が挟持されている。本実施形態では、液晶３２が、周知の液晶滴下方式（ＯＤＦ）を用いて供給されている。液晶３２を封止する方法としては、液晶滴下方式以外に、両基板１０，２０をシール材３１を介して貼り合わせた後に、このシール材３１に形成されている注入口から液晶３２を注入し、所定に注入した後、注入口を封止する真空注入方式が知られている。液晶滴下方式（ＯＤＦ）では、両基板１０，２０を貼り合わせる前に、液晶３２をシール材３１で囲まれた領域に予め滴下しておくため、真空注入方式のようにシール材３１に液晶を注入するための切欠きを形成する必要がない。
【００２３】
又、対向基板２０の４隅には、上下導通材５６が設けられており、ＴＦＴ基板１０に設けられた上下導通端子５７と対向基板２０に設けられた対向電極２１との間で電気的に導通されている。又、シール材３１が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の周辺遮光膜５８が対向基板２０側に設けられている。又、画像表示領域の周辺に広がる周辺領域のうち、シール材３１が配置されたシール領域の外側部分には、データ線駆動回路６１及び外部回路接続端子６２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路６３が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更に、ＴＦＴ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路６３間を電気的に接続するための複数の配線６４が設けられている。尚、走査線駆動回路６３、及び配線６４は、シール材３１の内側の周辺遮光膜５８に対向する位置に配設されている。
【００２４】
更に、ＴＦＴ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に配向膜１６が形成され、他方、対向基板２０の最上層部分に配向膜２２が形成されており、この両配向膜１６，２２間で、所定の配向状態が設定される。この配向膜１６，２２は、ポリイミド樹脂等の配向性高分子からなり、印刷等により塗布されて形成された後、ラビング処理が施されて電圧無印加時の液晶分子の配列が整えられる。
【００２５】
又、外部回路接続端子６２には、図示しないフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）が電気的に接続されており、このフレキシブル基板から外部回路接続端子６２を介して供給される画像情報に基づいて、画像表示領域１０ａに画像が表示される。
【００２６】
本実施形態では、ロット生産するに際し、最初の液晶装置１の最適共通電圧の変動値である電位差ΔVcom[V]を調べる。すなわち、図３（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａと対向基板２０の対向電極２１との間に封止されている液晶３２に、この液晶３２を封止する工程で、シール材３１から流れる微量の不純物イオンＩが混入される。液晶３２に不純物イオンＩが混入されても、両基板１０，２０に形成されている配向膜１６，２２に対してラビング処理が均一に施されていれば、設定通りの交流電圧が両電極９ａ，２１間に印加されるため不純物イオンＩが各電極９ａ，２１上に吸着することはない。
【００２７】
しかし、両配向膜１６，２２に対するラビング処理が不均一の場合、両電極９ａ，２１間に印加される交流電圧のバランスが崩れ、図３（ｂ）に示すように、不純物イオンＩがそのイオンの性質によって何れかの電極（図においては画素電極９ａ）に偏って吸着される。何れかの電極（図においては画素電極９ａ）に不純物イオンＩが偏って吸着され、その偏りが大きくなると、電極９ａ，２１間に映像信号に応じた交流電圧を印加しても、液晶３２に印加される電圧は電極（図においては画素電極９ａ）上に吸着された不純物イオンＩの影響を受けるため、実際とは異なる電圧によって液晶分子の配向が制御されてしまう。
【００２８】
図４に示すように、実験によれば、ＴＦＴ基板１０側に不純物イオンＩが偏って吸着されると、電位差ΔVcomの測定値がプラスとなり、対向基板２０側に不純物イオンＩが偏って吸着されると、電位差ΔVcomの測定値がマイナスとなる。又、電位差ΔVcomがプラス値の場合、ＴＦＴ基板１０に形成されている配向膜１６を加熱処理することで、不純物イオンＩの偏った吸着が改善され、同図（ａ）に示すように、電位差ΔVcomが、予め設定されているプラス側許容レベル内に収められる。又、電位差ΔVcomがマイナス値の場合、対向基板２０に形成されている配向膜２２を加熱処理することで、不純物イオンＩの偏った吸着が改善され、同図（ｂ）に示すように、電位差ΔVcomが、予め設定されているマイナス側許容レベルに納められる。
【００２９】
又、図４に示すように、配向膜１６，２２を２００[℃]以上の温度で１時間で加熱することで、電位差ΔVcomが許容レベル内に収まるように改善される。更に、加熱温度が２３０[℃]以上では、電位差ΔVcomはほぼ横ばいとなっている。以上のことから、加熱温度は、加熱時間を１時間とした場合、２００〜２３０[℃]が好ましいと考えられる。尚、この加熱温度（２００〜２３０[℃]）は、各基板１０，２０に熱害を及ぼすことのない温度範囲である。
【００３０】
従って、予め液晶装置１で測定した電位差ΔVcomと、この電位差ΔVcomに対して、配向膜１６或いは２２を、どの程度の温度及び時間で加熱すれば良いかのデータを予め実験などで取得しておくことで、液晶装置１をロット生産するに際し、最初の液晶装置１から電位差ΔVcomを計測するだけで、基板１０，２０に形成されている配向膜１６，２２の何れかを加熱処理する必要があるか否かを判断できると共に、加熱処理する場合には、その加熱温度と加熱時間とを一義的に設定することができる。
【００３１】
例えば、図４（ａ）に示すように、測定した電位差ΔVcomが＋0.14[V]の場合、ＴＦＴ基板１０の配向膜１６を２００〜２３０[℃／１ｈ]で加熱することで、電位差ΔVcomをプラス側許容レベル内に収めることができる。又、同図（ｂ）に示すように、測定した電位差ΔVcomが−0.14[V]の場合、対向基板２０の配向膜２２を２００〜２３０[℃／１ｈ]で加熱することで、電位差ΔVcomをマイナス側許容レベル内に収めることができる。
【００３２】
このＴＦＴ基板１０と対向基板２０は、複数枚取りできる大型基板１００，２００（図７参照）の状態で、別々の処理工程（前処理工程）を経て製造される。最初の液晶装置１で測定した電位差ΔVcomがプラス側許容レベルよりもブラス値の場合、その値に応じた加熱温度、及び加熱時間を設定し、前処理工程において、ＴＦＴ基板１０が形成される側の大型基板１００に形成されている配向膜１６を加熱処理する。一方、最初の液晶装置１で測定した電位差ΔVcomがマイナス側許容レベルよりもマイナス値の場合、その値に応じた加熱温度、及び加熱時間を設定し、前処理工程において、対向基板２０が形成される側の大型基板２００に形成されている配向膜２２を加熱処理する。従って、電位差ΔVcomが許容レベル内のときは、両大型基板１００，２００に形成されている配向膜１６，２２を加熱処理する必要はない。
【００３３】
以下、液晶装置１の製造工程について説明する。ロット生産を行なうに際し、最初に完成した液晶装置１の電位差ΔVcomを測定し、この電位差ΔVcomがプラス側許容レベルよりもプラス値を示している場合、図５に示すフローチャートに従って、液晶装置１を製造する。一方、電位差ΔVcomがマイナス側許容レベルよりもマイナス値を示している場合、図６に示すフローチャートに従って、液晶装置１を製造する。尚、電位差ΔVcomが許容レベル以内の場合は、加熱処理が不要であり、通常の製造工程で液晶装置１を製造することができるため、説明を省略する。
【００３４】
先ず、電位差ΔVcomがプラス側許容レベルよりもプラス値を示した場合の製造工程について、図５のフローチャートを参照して説明する。
【００３５】
前処理工程では、ステップＳ１で大型基板１００（図７参照）の表面に、複数に分割することでＴＦＴ基板１０となる多層薄膜層を成膜する（薄膜形成工程）。
【００３６】
次いで、ステップＳ２で、大型基板１００の表面に配向膜１６を全面に亘って形成し（配向膜形成工程）、続く、ステップＳ３で、この配向膜１６に対してラビング処理を施す（配向処理工程）。そして、ステップＳ４で、大型基板１００を洗浄して、ラビング処理によって生じた塵埃を除去する。
【００３７】
その後、ステップＳ５へ進み、大型基板１００の表面に形成されている配向膜１６を加熱処理する（加熱処理工程）。図７に示すように、この加熱処理は、クリーンオーブン等の加熱手段を用いて配向膜１６の表面を、予め設定されている加熱温度、及び加熱時間に従い加熱することで行なう。尚、上述したように、この加熱時間、及び加熱温度は、最初の液晶装置１から測定した電位差ΔVcomに基づいて設定されている。
【００３８】
次いで、ステップＳ６へ進み、大型基板１００の外周、及びＴＦＴ基板１０となる領域にシール材３１を、印刷などの手段により塗布する。このシール材３１は接着剤であり、後述する他方の大型基板２００を貼り合わせた際に、このシール材３１を介して両基板１００，２００の貼り合わせが保持される。
【００３９】
以上により、ＴＦＴ基板１０を複数枚有する大型基板１００の前処理工程が完了する。次に、対向基板２０となる他の大型基板２００の前処理工程について説明する。
【００４０】
この大型基板２００を製造する前処理工程では、先ず、ステップＳ１１で、大型基板２００の表面に、周知の成膜工程により対向電極２１等の対向基板２０の構成要素となる薄膜層を全面に亘って成膜する（薄膜形成工程）。
【００４１】
次いで、ステップＳ１２で大型基板２００の対向面全体に配向膜２２を形成し（配向膜形成工程）、ステップＳ１３で、この配向膜２２にラビング処理を施す（配向処理工程）。そして、ステップＳ１４へ進み、この大型基板２００を洗浄して、ラビング処理によって生じた塵埃を除去する。
【００４２】
次いで、ステップＳ１６へ進み、対向基板２０の表示領域となる部位のほぼ中央に液晶３２を適量滴下する。以上により、対向基板２０を複数枚有する大型基板２００の前処理工程が完了する。
【００４３】
次に、後処理工程が行なわれる。後処理工程では、先ず、ステップＳ２１で、前処理工程の終了した両大型基板１００，２００を真空チャンバ内で、両基板１００，２００に形成されたアライメントマークを基準に位置合わせし、真空環境下で貼り合わせる（基板貼り合わせ工程）。すると、液晶３２がシール材３１で囲まれた領域に広がり液晶層が形成される。
【００４４】
次いで、所定に貼り合わされた大型基板１００，２００を真空チャンバから取出す。すると、シール材３１で囲まれた領域、すなわち液晶層は真空状態が保持されているため、両大型基板１００，２００は大気圧により加圧され、液晶層内に液晶３２が均一に分布された状態で封止される（液晶封止工程）。その後、シール材３１を所定に硬化させた後、貼り合わされている大型基板１００，２００を、液晶装置１毎に分断して、後処理工程を修了する。
【００４５】
一方、ロット生産を行なうに際し、最初に完成した液晶装置１の電位差ΔVcomがマイナス側許容レベルよりもマイナス値を示している場合は、図６に示すフローチャートに従って、液晶装置１を製造する。
【００４６】
尚、前処理工程におけるＴＦＴ基板１０を複数枚取りする大型基板１００の製造工程は、ステップＳ１〜Ｓ４までは上述と同じ処理が行なわれ、その後、配向膜１６を加熱処理することなく、ステップＳ６へ進み、シール材３１を所定に形成して、大型基板１００の前処理工程を終了する。
【００４７】
次に、対向基板２０となる他の大型基板２００の前処理工程について説明する。この大型基板２００を製造する前処理工程のステップＳ１１〜Ｓ１４は、上述と同じ処理が行なわれ、ステップＳ１５へ進み、大型基板２００の表面に形成されている配向膜２２を加熱処理する（加熱処理工程）。
【００４８】
図７に示すように、この加熱処理は、クリーンオーブン等の加熱手段を用いて配向膜２２の表面を所定に加熱する。尚、上述したように、加熱処理に要する時間、及び温度は、最初の液晶装置１から測定した電位差ΔVcomに基づいて設定される。
【００４９】
次いで、ステップＳ１６へ進み、対向基板２０の表示領域となる部位のほぼ中央に液晶３２を適量滴下して、対向基板２０を複数枚有する大型基板２００の前処理工程が完了する。尚、ステップＳ２１，Ｓ２２で行なわれる後処理工程は、上述した通りであるため、説明を省略する。
【００５０】
このように、本実施形態では、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０の各対向面にそれぞれ形成されている配向膜１６，２２に施されたラビング処理が不均一であっても、予め測定した電位差ΔVcomに基づき、ＴＦＴ基板１０に形成されている配向膜１６と対向基板２０に形成されている配向膜２２との一方を所定に加熱処理することで、両基板１０，２０の電極９ａ，２１に吸着される不純物イオンの偏りが改善されて、この電位差ΔVcomを許容レベル内に収めることができるようになるため、表示むらの発生が抑制され、良好な表示品位を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明による液晶装置は、ＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置以外に、パッシブマトリックス型の液晶装置、ＴＦＤ（薄型ダイオード）をスイッチング素子として備えた液晶装置であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図
【図２】図１のＨ−Ｈ'断面図
【図３】不純物イオンと表示むらとの関係を示す説明図
【図４】（ａ）は電位差がプラス値を示した場合のＴＦＴ基板の加熱温度と電位差の変化との関係を示す特性図、（ｂ）は電位差がマイナス値を示した場合の対向基板の加熱温度と電位差の変化との関係を示す特性図
【図５】電位差がプラス値を示した場合の液晶装置の製造工程を示すフローチャート
【図６】電位差がマイナス値を示した場合の液晶装置の製造工程を示すフローチャート
【図７】大型基板に形成されている配向膜の加熱処理を説明する側面図
【符号の説明】
【００５３】
１…液晶装置、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴ基板、１６，２２…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、３１…シール材、３２…液晶、１００，２００…大型基板、Ｉ…不純物イオン、ΔVcom…電位差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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