(57)【要約】【課題】比較部の安定性に優れるとともに、化学的・物理的耐久性にも優れることにより、測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサを提供する。【解決手段】ゲート部にイオン感応膜が設けてある第１及び第２のＩＳＦＥＴを備えていて、前記ＩＳＦＥＴの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、前記ＩＳＦＥＴの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ＩＳＦＥＴの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるようにした。【選択図】図１
2009236687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート部にイオン感応膜が設けてある第１及び第２のＩＳＦＥＴを備えていて、
前記ＩＳＦＥＴの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、
前記ＩＳＦＥＴの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ＩＳＦＥＴの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであるイオンセンサ。
【請求項２】
前記ＩＳＦＥＴの一方は、そのゲート部に、アルキル基、又は、フルオロアルキル基を有する有機シラン化合物と、アミノ基、カルボキシル基、又は、クロロアルキル基を有する有機シラン化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆された金属酸化物からなるイオン感応膜を有している請求項１記載のイオンセンサ。
【請求項３】
前記ＩＳＦＥＴの一方は、比較ＦＥＴとして機能する請求項１又は２記載のイオンセンサ。
【請求項４】
前記ＩＳＦＥＴの他方は、そのゲート部に、金属酸化物のみからなるイオン感応膜を有していて、測定ＦＥＴとして機能する請求項１、２又は３記載のイオンセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、比較部の安定性に優れるとともに、化学的・物理的耐久性にも優れることにより、測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のイオンセンサには、イオン濃度に対する感度（ネルンスト応答性）の異なる２種類のＩＳＦＥＴ（Ｉｏｎ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：イオン感応型電界効果型トンジスタ）を設け、それらの出力信号の差である差動出力からイオン濃度を測定するものがある。
【０００３】
このようなイオンセンサとして、特許文献１には、第１及び第２のＩＳＦＥＴのうち、一方のＩＳＦＥＴのゲート部に設けられたプロトン感応膜表面をプロトンと反応しないポリシリコン膜で部分的に被覆しプロトン感応性を低下させ、これを比較部とし、プロトン感応膜表面が被覆されていない他方のＩＳＦＥＴとの出力信号の差である差動出力からｐＨを測定するｐＨセンサが記載されている。
【０００４】
しかし、ポリシリコン膜は、被験液中では酸化されやすく、酸化されて酸化シリコンになるとプロトンに対して反応するようになる。このため、特許文献１記載のｐＨセンサは測定結果の再現性、安定性が低く、実用化に至っていない。
【０００５】
また、特許文献２乃至４には、比較部に用いる有機単分子膜としてフッ化アルキル基等を有する非官能性の有機シラン単分子膜を用いる半導体センシングデバイスが示されている。しかし、プロトン感応膜の表面全体がフッ化アルキル基のようなプロトン不感応基で修飾されると、被験液に含まれるプロトン以外のイオン種の影響を受けやすく、測定結果が被験液のイオン強度やイオン種の分布に依存して変動しやすくなるため、再現性・安定性が低下する問題がある。
【特許文献１】特開平５−８００２６
【特許文献２】特開２００４−１１７０７３
【特許文献３】特開２００４−４００７
【特許文献４】特開２００７−２３２６８３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで本発明は、比較部の安定性に優れるとともに、化学的・物理的耐久性にも優れることにより、測定結果の再現性及び安定性が良好であり、かつ、小型化及び固体化が可能なイオンセンサを提供すべく図ったものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち本発明に係るイオンセンサは、ゲート部にイオン感応膜が設けてある第１及び第２のＩＳＦＥＴを備えていて、前記ＩＳＦＥＴの一方は、そのゲート部に、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆されたイオン感応膜を有し、かつ、前記ＩＳＦＥＴの一方の当該測定対象イオンに対する感度が、前記ＩＳＦＥＴの他方の当該測定対象イオンに対する感度よりも低いものであることを特徴とする。
【０００８】
このようなものであれば、前記ＩＳＦＥＴの一方のゲート部に設けられたイオン感応膜を、測定対象イオンに対して不感応なイオン不感応基を有する原料化合物と当該測定対象イオンに対して感応するイオン感応基を有する原料化合物とを組み合わせてなる自己組織化単分子膜により被覆することにより、イオン感応膜の表面をポリシリコン膜で被覆した場合のように、使用途中でイオン感応性を獲得したりすることがなく、また、イオン感応膜の表面全体をフッ化アルキル基のようなイオン不感応基で修飾した場合のように、被験液に含まれる測定対象イオン以外のイオン種の影響を受けて、測定結果が被験液のイオン強度やイオン種の分布に依存して変動するようなことが起こりにくくなるため、前記ＩＳＦＥＴの一方の電位応答を安定化することができ、測定結果の再現性及び安定性に優れたものとすることができる。
【０００９】
また、自己組織化単分子膜は化学的・物理的安定性に優れているので、耐久性の面からも本発明に係るイオンセンサの測定結果の再現性及び安定性を確保することができる。
【００１０】
また、本発明によれば、前記ＩＳＦＥＴの一方の測定対象イオンに対する感度を、前記ＩＳＦＥＴの他方のものよりも低く設定して、第１及び第２のＩＳＦＥＴのイオン濃度に対する感度を異ならしめ、第１及び第２のＩＳＦＥＴの差動出力からイオン濃度を測定することができるので、液絡式の比較電極を用いずとも、金属電極からなる擬似参照電極を用いてイオン濃度の測定を行うことが可能である。また、このため、ＫＣｌ溶液等の内部液が不要で内部液を収容する支持管を設ける必要もないので、センサ全体を完全に固体化できるとともに、小型化することができる。
【００１１】
このような本発明に係るイオンセンサとして、より具体的には、前記ＩＳＦＥＴの一方が、そのゲート部に、アルキル基、又は、フルオロアルキル基を有する有機シラン化合物と、アミノ基、カルボキシル基、又は、クロロアルキル基を有する有機シラン化合物とからなる自己組織化単分子膜により表面が被覆された金属酸化物からなるイオン感応膜を有しているものが挙げられる。
【００１２】
なお、前記自己組織化単分子膜が、イオン不感応基を有する原料化合物のみからなるものである場合も、原料化合物の密度を調節して、イオン感応膜表面にイオン不感応基を有する原料化合物が吸着していない部分を残すことにより、第１及び第２のＩＳＦＥＴのイオン濃度に対する感度を異ならしめ、それらの差動出力から感度良くイオン濃度を測定することが可能である。
【００１３】
このような前記ＩＳＦＥＴの一方は、比較ＦＥＴとして機能するものであることが好ましい。ここで、比較ＦＥＴとは、比較電極として使用可能なＦＥＴを意味する。
【００１４】
一方、前記ＩＳＦＥＴの他方は、そのゲート部に、金属酸化物のみからなるイオン感応膜を有していて、測定ＦＥＴとして機能することが好ましい。ここで、測定ＦＥＴとは、作用電極として使用可能なＦＥＴを意味する。
【発明の効果】
【００１５】
このように本発明によれば、比較部の安定性が高く、測定結果の安定性及び再現性、更に耐久性に優れ、液絡式の比較電極を必要としないミクロンオーダの小型固体イオンセンサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１７】
本実施形態に係るｐＨセンサ１は、図１に示すように、測定ＦＥＴとして機能する高感度な第１のＩＳＦＥＴ２と、比較ＦＥＴとして機能する低感度な第２のＩＳＦＥＴ３と、を備えている。
【００１８】
第１のＩＳＦＥＴ２は、ｎ型シリコン層２１と、ｎ型シリコン層２１の表面側に形成されたｐ型シリコン層２２と、ｐ型シリコン層２２の表面側に形成されたｎ＋型ソース拡散領域２３及びｎ＋型ドレイン拡散領域２４と、を備えている。
【００１９】
第２のＩＳＦＥＴ３は、第１のＩＳＦＥＴ２と略同一構造を有しており、ｎ型シリコン層３１と、ｎ型シリコン層３１の表面側に形成されたｐ型シリコン層３２と、ｐ型シリコン層３２の表面側に形成されたｎ＋型ソース拡散領域３３及びｎ＋型ドレイン拡散領域３４と、を備えている。
【００２０】
第１のＩＳＦＥＴ２及び第２のＩＳＦＥＴ３は、更に、ｎ型シリコン層２１、３１と、ｐ型シリコン層２２、２３と、ｎ＋型ソース拡散領域２３、３３及びｎ＋型ドレイン拡散領域２４、３４の全体を覆うＳｉＯ２層４と、ＳｉＯ２層４の表面上に形成されたプロトン感応膜５と、を備えており、ＳｉＯ２層４及びプロトン感応膜５によって各ゲート部２５、３５が構成されている。
【００２１】
第１のＩＳＦＥＴ２と第２のＩＳＦＥＴ３とは同一のシリコン基板６上に並列に形成されている。
【００２２】
そして、並列に形成された第１のＩＳＦＥＴ２と第２のＩＳＦＥＴ３との中間のプロトン感応膜５上には、擬似参照電極７が設けられている。
【００２３】
プロトン感応膜５としては、例えば、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物からなるものが挙げられる。これらは、プロトン感応性が高く、測定結果の再現性、安定性に優れている。
【００２４】
擬似参照電極７としては、例えば、白金、金等からなる金属電極を用いることができる。
【００２５】
第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５の表面は、プロトン不感応基を有する有機シラン化合物とプロトン感応基を有する有機シラン化合物とからなる自己組織化単分子膜（Ｓｅｌｆ  Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ、以下ＳＡＭ膜という。）３６により表面が被覆されていて、プロトン感応度が低減されている。
【００２６】
第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５の表面に、ＳＡＭ膜３６を形成する方法の一例について、図２を参照して、以下に説明する。
【００２７】
まず、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５を、例えば、硫酸と過酸化水素の混合溶液でＳＰＭ洗浄し、プロトン感応膜５の表面にヒドロキシル基を終端させる（ステップＳ１）。
【００２８】
次いで、ゲート部３５以外はマスクしたｐＨセンサ１を、ＳＡＭ膜成膜装置の成膜室内に入れて、一旦真空引きを行ない、その後成膜室の排気バルブを閉じる（ステップＳ２）。
【００２９】
引き続いて、ＳＡＭ膜３６の材料として、例えばオクタデシルトリメトキシシラン（ＯＤＳ）を成膜室に供給する（ステップＳ３）。これにより、ＯＤＳがプロトン感応膜５表面のヒドロキシル基の一部と置換反応をして、プロトン感応膜５表面にＯＤＳが吸着する（ステップＳ４）。
【００３０】
ステップＳ４に続いて、成膜室に水蒸気量を適量供給すると（ステップＳ５）、プロトン感応膜５表面に吸着したＯＤＳのメトキシ基の一部が加水分解され、立体障害が減少し、それにより生じた隙間に成膜室内の気相中に残存していたＯＤＳが入り、プロトン感応膜５表面に吸着する（ステップＳ６）。
【００３１】
次いで、一旦、成膜室内を真空引きして気相中の残存ＯＤＳを除去してから（ステップＳ７）、再度、水蒸気を供給し、プロトン感応膜５表面に吸着したＯＤＳのメトキシ基を全て加水分解させ、立体障害をなくしプロトン感応膜５表面に隙間を作る（ステップＳ８）。
【００３２】
次いで、例えば、末端にアミノ基を有するオクタデシルトリメトキシアミノシラン（ＯＤＡＳ）を供給し、プロトン感応膜５表面にできた隙間に吸着させる（ステップＳ９）。
【００３３】
最後に熱処理を行ない、プロトン感応膜５表面に吸着したＯＤＳ及びＯＤＡＳを脱水縮合することによりＯＤＳ及びＯＤＡＳ間にネットワークが形成されて、綿密なＳＡＭ膜３６が形成される（ステップＳ１０）。
【００３４】
このような成膜工程が終了したゲート部３５のプロトン感応膜５表面には、ＯＤＳ由来のオクタデシル基と、ＯＤＡＳ由来のアミノ基とが並存することになる。
【００３５】
これにより、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５表面を、プロトン感応基であるアミノ基と、プロトン不感応基であるオクタデシル基とにより修飾することができる。
【００３６】
アミノ基とオクタデシル基との比率は、ステップＳ５で成膜室に水蒸気を供給する際に、その水蒸気量を制御することにより調整することができ、水蒸気量を増やすと、オクタデシル基が増え、水蒸気量を減らすと、アミノ基が増える。このようにして、プロトン感応膜５表面のオクタデシル基とアミノ基の比率を調整することにより、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５のプロトン感応性を制御することができる。
【００３７】
また、アミノ基の比率をより高めたいときは、ステップＳ４に続いて、一旦、成膜室内を真空引きして気相中の残存ＯＤＳを除去する（ステップＳ１１）。
【００３８】
次いで、成膜室に水蒸気を供給し、プロトン感応膜５表面に吸着したＯＤＳのメトキシ基を全て加水分解させ、立体障害をなくしプロトン感応膜５表面に隙間を作る（ステップＳ１２）。
【００３９】
次いで、末端にアミノ基を有するＯＤＡＳを供給し、プロトン感応膜５表面にできた隙間に吸着させる（ステップＳ１３）。
【００４０】
最後に熱処理を行ない、プロトン感応膜５表面に吸着したＯＤＳ及びＯＤＡＳを脱水縮合することによりＯＤＳ及びＯＤＡＳ間にネットワークが形成されて、綿密なＳＡＭ膜３６が形成される（ステップＳ１４）。
【００４１】
このようにしてプロトン感応膜５表面を修飾することにより、アミノ基の比率を高めることができる。
【００４２】
このようなＳＡＭ膜３６の成膜方法によれば、水蒸気量を制御することにより、プロトン感応基とプロトン不感応基の比率を調節して、第２のＩＳＦＥＴ３の感度を変えて、擬似参照電極７を基準とした第１のＩＳＦＥＴ２と第２のＩＳＦＥＴ３との電圧の出力信号の差である差動出力を調節することができるので、所望の感度をもつｐＨセンサ１を再現性良く作製することができる。
【００４３】
なお、ステップＳ４に引き続いて熱処理を行ない、プロトン感応膜５表面に吸着したＯＤＳを脱水縮合すると、ＯＤＳ間にネットワークが形成されて、ＯＤＳのみからなるＳＡＭ膜３６が形成される。
【００４４】
このようなＳＡＭ膜３６が形成されたプロトン感応膜５表面には、ＯＤＳのメトキシ基の立体障害により、ＯＤＳにより置換されなかったヒドロキシル基も残存するので、ゲート部３５のプロトン感応膜５表面には、ＯＤＳ由来のオクタデシル基とヒドロキシル基が並存することになる。
【００４５】
これにより、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５表面を、プロトン感応基であるヒドロキシル基と、プロトン不感応基であるオクタデシル基とにより修飾することができるので、ＳＡＭ膜３６が、プロトン不感応基を有する原料化合物のみからなるものである場合も、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２，３のプロトンに対する感度を異ならしめ、それらの差動出力から感度良くｐＨを測定することが可能である。
【００４６】
オクタデシル基とヒドロキシル基の比率は、ステップＳ３で成膜室にＯＤＳを供給する際に、そのＯＤＳ量を増減させることにより調整することができ、これにより、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５のプロトン感応性を制御することができる。
【００４７】
なお、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５表面全体がプロトン不感応基で修飾されると、被験液に含まれるプロトン以外のイオン種の影響を受けやすくなり、測定結果が被験液のイオン強度やイオン種の分布に依存して変動しやすくなるため、再現性及び安定性が低下してしまう。
【００４８】
かかるｐＨセンサ１の使用態様について、以下に説明する。
【００４９】
まず、各ｎ＋型ドレイン拡散領域２４、３４をアース状態とする一方、各ｎ＋型ソース拡散領域２３、３３に正の電位を印加して、ソースフォロア回路を構成した状態で、ｐＨセンサ１を被験液に浸漬する。
【００５０】
次に、プロトン感応膜５を被験液と接触させた状態で、擬似参照電極７にゲート電位を印加することにより、被験液を介して第１及び第２のＩＳＦＥＴ５，６の各ゲート部２５、３５にゲート電位を印加する。
【００５１】
そして、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３に対する各ソース−ドレイン間電流を一定値に保持した状態で、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３のｎ＋型ソース拡散領域２３、３３及びｎ＋型ドレイン拡散領域２４、３４の間の各ソース−ドレイン電圧間をそれぞれ検出する。そして、ソース−ドレイン間の電圧の差、すなわち、差動出力からｐＨを測定する。
【００５２】
このように構成したｐＨセンサ１によれば、原料化合物の使用量や水蒸気量等のＳＡＭ膜３６の成膜条件を変えることにより、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５表面の、プロトン感応基とプロトン不感応基の比率を調整して、当該プロトン感応膜５のイオン感応性を制御して、第２のＩＳＦＥＴ３の感度を制御することができる。これにより、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３のｐＨに対する感度を異ならしめ、それらの差動出力から良好にｐＨを測定することができる。
【００５３】
更に、ｐＨセンサ１によれば、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５を、プロトン不感応基を有する原料化合物とプロトン感応基を有する原料化合物とを組み合わせてなるＳＡＭ膜３６により被覆することにより、プロトン感応膜の表面をポリシリコン膜で被覆した場合のように、使用途中でプロトン感応性を獲得したりすることがない。また、第２のＩＳＦＥＴ３のゲート部３５のプロトン感応膜５表面にはプロトン感応基も存在しているので、プロトン感応膜の表面全体をフッ化アルキル基のようなプロトン不感応基で修飾した場合とは異なり、プロトン感応膜５表面にはプロトン選択性が僅かに残っており、被験液に含まれるプロトン以外のイオン種の影響を受けにくいので、測定結果が被験液のイオン強度やイオン種の分布に依存して変動することが起こりにくい。このため、第２のＩＳＦＥＴ３の電位応答が安定化されて、測定結果の再現性及び安定性に優れたものとなる。
【００５４】
なお、プロトン不感応基だけによりプロトン感応膜５表面を修飾した場合も、修飾率を調節して、プロトン感応膜５表面にプロトン不感応基により修飾されていない部分を残すことにより、プロトン選択性を残して、被験液に含まれるプロトン以外のイオン種の影響を受けにくくすることが可能である。
【００５５】
また、ＳＡＭ膜３６は化学的・物理的安定性に優れているので、耐久性の面からもｐＨセンサ１の測定結果の再現性及び安定性を確保することができる。
【００５６】
また、ｐＨセンサ１では、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３の差動出力からｐＨを測定することができるので、液絡式の比較電極を用いずとも、金属電極からなる擬似参照電極７を用いてｐＨの測定を行うことが可能である。また、ＫＣｌ溶液等の内部液が不要で内部液を収容する支持管を設ける必要もないので、センサ全体を完全に固体化できるとともに、小型化することができる。
【００５７】
また、ｐＨセンサ１においては、第１のＩＳＦＥＴ２と第２のＩＳＦＥＴ３とは同一のシリコン基板６上に並列に形成されているので、センサ全体を小型化して取扱いの利便性向上及び製造コストの低減を図ることができる。
【００５８】
また、ｐＨセンサ１においては、並列に形成された第１のＩＳＦＥＴ２と第２のＩＳＦＥＴ３との中間に擬似参照電極７を配置しているので、センサ全体のより一層の薄型化、小型化が図れるとともに、製造も容易である。
【００５９】
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
【００６０】
本発明において、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３の配置関係、更に擬似参照電極７の配置関係は特に限定されず、並列に配置されていなくともよい。
【００６１】
また、本発明において、第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３は同一のシリコン基板６上に形成されていなくともよく、別個の基板上に形成された第１及び第２のＩＳＦＥＴ２、３を組み合わせてｐＨセンサ１を構成してもよい。
【００６２】
本発明に係るイオンセンサはｐＨセンサ１に限定されず、適宜、各種イオンを測定対象とするイオンセンサを構成することができる。
【００６３】
イオン感応膜表面にＳＡＭ膜３６を形成する際の原料化合物としては、ＯＤＳやＯＤＡＳに限定されず、イオン不感応基を有する化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン（ＴＭＭＯＳ）、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロ−デシル−１−トリメトキシシラン（ＦＡＳ１７）、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（ＦＡＳ３）等の有機シラン化合物を用いることもでき、イオン感応基を有する化合物としては、例えば、ｎ−（６−アミノヘキシル）アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＨＡＰＳ）、ｐ−クロロメチルトリメトキシシラン（ＣＨＰｈＳ）、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン（ＡＰｈＳ）等の有機シラン化合物を用いることもできる。
【００６４】
ＳＡＭ膜３６の原料化合物として有機シラン化合物を使用する場合は、予めヒドロキシル基で修飾したイオン感応膜表面にシランカップリング反応を用いて有機シラン化合物を結合すればよいが、その反応形態は気相反応に限定されず、液相反応であってもよい。
【００６５】
第１のＩＳＦＥＴと第２のＩＳＦＥＴのゲート部を被覆するイオン感応膜は異なる金属酸化物からなる膜であってもよい。
【００６６】
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてもよく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明を適用することにより、自己組織化単分子膜の成膜条件を制御して、ＩＳＦＥＴの感度を適宜所望の感度に調節することができる。このため、本発明によれば、種々の用途に応じたイオンセンサを得ることができ、例えば、生体内挿入や多検体同時測定等のイオンセンサの小型化及び固体化が要求される分野で、精度の高い小型固体イオンセンサを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態に係るｐＨセンサの模式的縦断面図。
【図２】同実施形態においてプロトン感応膜を修飾するためのＳＡＭ膜形成方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００６９】
１・・・ｐＨセンサ
２・・・第１のＩＳＦＥＴ
３・・・第２のＩＳＦＥＴ
５・・・プロトン感応膜
２５、３５・・・ゲート部
【図１】
2009236687.tif 000003
【図２】
2009236687.tif 000004