(57)【要約】【課題】検査対象物との高い導通性を安定して得ることができるコンタクトプローブを提供する。【解決手段】片持ち梁構造を有するビーム部１を備え、検査対象物に接触させるコンタクト部４がビーム部１上に形成されたコンタクトプローブ１１であって、コンタクト部４が、ビーム部１上に一部が互いに重複して積層形成された第１パターン５と第２パターン６とからなり、第２パターン６が、ビーム部の長手方向に沿って、第１パターン５よりもビーム部の固定端側に形成されている。そして、第１パターン５の固定端側の端部と第２パターン６の自由端側の端部とが、第１パターン５上に第２パターン６が積層されるように重複して形成されている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
片持ち梁構造を有するビーム部を備え、検査対象物に接触させるコンタクト部が上記ビーム部上に形成されたコンタクトプローブにおいて、
上記コンタクト部は、上記ビーム部上に積層形成された第１パターンと第２パターンとからなり、
第１パターン及び第２パターンは、一部が互いに重複し、一方のパターンが、上記ビーム部の長手方向に沿って、他方のパターンよりも上記ビーム部の自由端側に形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
第１パターンが第２パターンよりも上記長手方向の自由端側に形成され、第１パターン及び第２パターンの重複領域において、第２パターンが第１パターン上に形成され、
第１パターンは、上記ビーム部の固定端側の端部が第２パターンと重複し、
第２パターンは、上記ビーム部の自由端側の端部が第１パターンと重複することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項３】
第１パターンが第２パターンよりも上記長手方向の自由端側に形成され、第１パターン及び第２パターンの重複領域において、第２パターンが第１パターン上に形成され、
第１パターンは、積層方向から見た平面視において、上記ビーム部の固定端側に凸形状の端部を有し、当該端部が第２パターンと重複し、
第２パターンは、積層方向から見た平面視において、上記ビーム部の自由端側に凸形状の端部を有し、当該端部が第１パターンと重複することを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項４】
第１パターンが第２パターンよりも上記長手方向の自由端側に形成され、第１パターン及び第２パターンの重複領域において、第２パターンが第１パターン上に形成され、
第１パターン及び第２パターンのいずれか一方は、積層方向から見た平面視において、上記重複領域が形成される上記長手方向の端部に、上記重複領域における上記長手方向と直交する方向の大きさを規定する重複規定部を有し、当該重複規定部が他方のパターンと重複し、
他方のパターンは、積層方向から見た平面視において、上記重複領域が形成される上記長手方向端部の上記長手方向と直交する方向の長さが上記重複規定部の長さよりも長くなっていることを特徴とする請求項１に記載のコンタクトプローブ。
【請求項５】
第２パターンは、上記重複領域の端部に、上記長手方向と直交する方向と平行で、かつ、第２パターンにおける検査対象物との対向面に対し垂直な側面を有することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブ。
【請求項６】
上記重複規定部は、上記長手方向に平行な２つの側面を有することを特徴とする請求項４に記載のコンタクトプローブ。
【請求項７】
第１パターンは柱状に形成され、第２パターンは、第１パターンにおける検査対象物との対向面及び側面のそれぞれ一部を覆うように形成されていることを特徴とする請求項４から６の何れかに記載のコンタクトプローブ。
【請求項８】
上記重複規定部は、第１パターンに形成されていることを特徴とする請求項４から６の何れかに記載のコンタクトプローブ。
【請求項９】
上記重複規定部は、第２パターンに形成されていることを特徴とする請求項４から６の何れかに記載のコンタクトプローブ。
【請求項１０】
第１パターン及び第２パターンは、上記ビームの長手方向の中心線に関し、いずれも対称に形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のコンタクトプローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプローブに係り、さらに詳しくは、半導体ウエハなどの検査対象物上の微細な電極パッドに接触して導通させることにより検査対象物の電気的特性試験を行うためのコンタクトプローブの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ上に形成された電子回路に対して電気的特性試験が行われている。この様な検査対象物に対する電気的特性試験にはプローブカードが用いられる。プローブカードは、プローブ基板上に多数のコンタクトプローブが形成された装置であり、これらのコンタクトプローブを検査対象物上の多数の電極パッドにそれぞれ接触させることによって、コンタクトプローブ及び電極パッドを導通させて電気的特性試験が行われる。各コンタクトプローブは、片持ち梁構造を有するビーム部を備え、このビーム部上に検査対象物上の電極パッドに接触させるためのコンタクト部が形成されている。
【０００３】
一般に、コンタクトプローブは、電極パッドとの接触抵抗が低く導通性の良好なものであることが望ましい。そのためには、接触部分の面積を小さくすることによって、上記コンタクト部の電極パッドに接触する接触部分の面圧を増大させ、電極パッドに対して効果的なスクラブ動作を行わせることが重要となる。しかしながら、接触部分の面積を小さくするために、単純にコンタクト部を細くしたのでは、コンタクト部の機械的強度が低下してしまうという問題があった。
【０００４】
そこで、本願発明者らは、先の特許出願において、ホームプレート型のコンタクト部を備えたコンタクトプローブを提案している（特許文献１）。この特許文献１では、コンタクト部が、矩形領域とこの矩形領域に向かって幅が広がっている三角形領域とを組み合わせたホームプレート型の断面を有する柱状体として形成される。そして、矩形領域をビーム部の自由端側に、三角形領域をビーム部の固定端側に配置することによって、オーバードライブ時には三角形領域の頂点によって良好なスクラブ動作が行われる一方、幅の広い矩形領域によってコンタクト部の機械的強度を確保することができる。
【０００５】
しかしながら、コンタクト部の接触部分の面積を更に小さくし、導通性を更に向上させようとした場合、従来のコンタクト部の形成方法では限界があった。コンタクト部は、フォトリソグラフィ技術を用いて、ビーム部上に形成したレジスト膜をパターニングし、その開口部に電気メッキ法によって導電性材料を積層して形成される。このような従来の方法では、形成可能なパターンの大きさに限界があった。
【０００６】
また、本願発明者らの実験によれば、コンタクト部の接触部分の面積を更に小さくしていった場合、検査対象物に接触させるごとに接触抵抗が激しく変化することが判明した。つまり、接触部の面積を更に小さくしていくと、コンタクトプローブの特性が安定しなくなるということが明らかとなった。
【特許文献１】特願２００７−７６８０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、検査対象物との接触部分の面積が小さいコンタクトプローブを提供することを目的としている。また、検査対象物との接触部分の面圧を増加させ、導通性を向上させたコンタクトプローブを提供することを目的としている。さらに、安定的に導通性を向上させたコンタクトプローブを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の本発明によるコンタクトプローブは、片持ち梁構造を有するビーム部を備え、検査対象物に接触させるコンタクト部が上記ビーム部上に形成されたコンタクトプローブであって、上記コンタクト部が、上記ビーム部上に積層形成された第１パターンと第２パターンとからなり、第１パターン及び第２パターンは、一部が互いに重複し、一方のパターンが、上記ビーム部の長手方向に沿って、他方のパターンよりも上記ビーム部の固定端側に形成されている。
【０００９】
この様な構成によれば、コンタクト部が、一部を互いに重複させた第１パターン及び第２パターンにより形成され、両パターンの重複領域における上層側のパターンが、検査対象物に向けて突出し、この突出部分が検査対象物への接触部分となる。第１及び第２パターンの重複領域の面積は、第１パターン及び第２パターンのアライメント精度によって決まる。このため、重複領域を小さくすることは、パターン自体を小さくする場合に比べて容易であり、第１パターン及び第２パターンの位置を調整するだけで、より小さな接触部分を形成することができる。また、断面積の小さな柱状体としてコンタクト部を形成する場合に比べて、機械的強度を向上させることができる。
【００１０】
第２の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、第１パターンが第２パターンよりも上記長手方向の自由端側に形成され、第１パターン及び第２パターンの重複領域において、第２パターンが第１パターン上に形成され、第１パターンは、上記ビーム部の固定端側の端部が第２パターンと重複し、第２パターンは、上記ビーム部の自由端側の端部が第１パターンと重複するように構成される。
【００１１】
この様な構成によれば、第１パターン上に第２パターンを積層して第１及び第２パターンの重複領域が形成されるので、この重複領域における第２パターンのビーム部の自由端側の端部は、フォトリソグラフィ処理によるパターニングによって端辺が明瞭に形成される。一方、上記重複領域における第２パターンのビーム部の固定端側では、第１パターンの明瞭な端辺上に更に第２パターンが積層形成されることにより、滑らかな曲面として重複領域の端部が形成され、明瞭な端辺は形成されない。
【００１２】
このような接触部分を有するコンタクトプローブを用いれば、検査対象物に近づけるタッチダウン時には、自由端側の端部によってスクラブ動作が効果的に行われ、検査対象物から遠ざけるリリース時には、スクラブがほとんど行われない。このため、リリース時のスクラブ動作によって削り取られた検査対象物の表面の微細粒子が、検査対象物の表面上や、コンタクトプローブの接触部分上に散乱するのを抑制することができる。
【００１３】
第３の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、第１パターンが第２パターンよりも上記長手方向の自由端側に形成され、第１パターン及び第２パターンの重複領域において、第２パターンが第１パターン上に形成され、第１パターンが、積層方向から見た平面視において、上記ビーム部の固定端側に凸形状の端部を有し、当該端部が第２パターンと重複し、第２パターンが、積層方向から見た平面視において、上記ビーム部の自由端側に凸形状の端部を有し、当該端部が第１パターンと重複する。この様な構成によれば、第１パターン及び第２パターンのアライメント精度が同じであれば、第１パターン及び第２パターンの重複部分の面積をより小さくすることができる。
【００１４】
第４の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、第１パターンが第２パターンよりも上記長手方向の自由端側に形成され、第１パターン及び第２パターンの重複領域において、第２パターンが第１パターン上に形成され、第１パターン及び第２パターンのいずれか一方は、積層方向から見た平面視において、上記重複領域が形成される上記長手方向の端部に、上記重複領域における上記長手方向と直交する方向の大きさを規定する重複規定部を有し、当該重複規定部が他方のパターンと重複し、他方のパターンは、積層方向から見た平面視において、上記重複領域が形成される上記長手方向端部の上記長手方向と直交する方向の長さが上記重複規定部の長さよりも長くなるように構成されている。
【００１５】
この様な構成によれば、他方のパターンの位置が上記長手方向と直交する方向にずれた場合でも、上記重複領域における上記長手方向と直交する方向の大きさは常に一定にできる。その結果、一方のパターンのアライメント精度を高くしておけば、他方のパターンのアライメント精度を緩和でき、しかも、上記重複領域の面積を安定させてコンタクトプローブを形成することができる。
【００１６】
第５の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、第２パターンは、上記重複領域の端部に、上記長手方向と直交する方向と平行で、かつ、第２パターンにおける検査対象物との対向面に対し垂直な側面を有するように構成されている。
【００１７】
この様な構成によれば、第２パターンにおける上記重複領域の端部に直角の角部が形成され、しかも、この角部の端辺が長手方向と直交する方向と平行に形成されるので、検査対象物に近づけるタッチダウン時には、この角部により安定したスクラブ動作を行うことができる。特に、第２パターンにおける自由端側に上記重複領域の端部が形成される場合には、さらに、良好なスクラブ動作を行うことができる。この場合、第２パターンの重複領域における固定端側の端部には、滑らかな曲面が形成されるので、検査対象物から遠ざけるリリース時には、スクラブ動作によって削り取られた検査対象物の表面の微細粒子が、検査対象物の表面上や、コンタクトプローブの接触部分上に散乱するのを抑制することができる。
【００１８】
第６の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記重複規定部が、上記長手方向に平行な２つの側面を有するように構成されている。
【００１９】
この様な構成によれば、他方のパターンの位置が上記長手方向にずれた場合でも、上記重複領域は、接触面積は変化するが、上記長手方向と直交する方向の大きさは常に一定にできる。その結果、一方のパターンのアライメント精度を高くしておけば、上記重複領域で形成される第２パターンにおける自由端側の端部により安定したスクラブ動作を行うことができる。さらに、上記重複規定部の側面間の長さは自由に定めることができるので、スクラブ動作時における第２パターンの検査対象物への接触面積をより小さくすることができる。
【００２０】
第７の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、第１パターンは柱状に形成され、第２パターンは、第１パターンにおける検査対象物との対向面及び側面のそれぞれ一部を覆うように形成されて構成されている。
【００２１】
この様な構成によれば、この第１パターンが柱状に形成されているので、上記コンタクト部全体の強度を所定の強度に維持することができ、しかも、両パターンの重複領域による検査対象物との接触面積できるだけ小さくできる。
【００２２】
また、第８の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記重複規定部が第１パターンに形成されて構成されている。このような構成によれば、検査対象物と接触する第２パターンの面積を大きくすることができるので、第２パターンの位置決めが行い易く、しかも、積層方向の厚みを薄くできるので積層形成が行い易くなる。
【００２３】
第９の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、上記重複規定部が第２パターンに形成されて構成されている。このような構成によれば、上記重複規定部の自由端側端部が検査対象物と接触することになるので、検査対象物との接触面積をフォトリソグラフィ処理によるパターニングによって常に一定にすることができる。
【００２４】
第１０の本発明によるコンタクトプローブは、上記構成に加え、第１パターン及び第２パターンは、上記ビームの長手方向の中心線に関し、いずれも対称に形成されている。この様な構成によれば、第１パターン及び第２パターンの重複部分の面積をより小さくすることができるとともに、検査対象物との当接時に、コンタクトプローブが傾き、効果的なスクラブが行われず、あるいは、隣接するコンタクトプローブと短絡するのを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、検査対象物への接触部分が小さいコンタクトプローブを提供することができる。また、検査対象物への接触部分の面圧を増加させ、導通性を向上させたコンタクトプローブを提供することができる。さらに、安定的に導通性を向上させたコンタクトプローブを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
実施の形態１．
＜プローブカード＞
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の実施の形態によるプローブカード１０の一例を示した図であり、図中の（ａ）は、検査対象物側から見た平面図であり、図中の（ｂ）は、側面図である。プローブカード１０は、ガラスエポキシなどにより形成されたプローブ基板１２と、プローブ基板１２上に固着された複数のコンタクトプローブ１１により構成される。各コンタクトプローブ１１は、コンタクト基板１２における一方の主面上に設けられている。なお、検査対象物がシリコン基板からなる半導体装置である場合、コンタクトプローブ１１も、プローブ基板１２に支持されたシリコン基板上に形成し、両者の熱膨張率を一致させておくことが望ましい。
【００２７】
このプローブカード１０は、コンタクトプローブ１１が直線上に所定のピッチで配置され、その様なコンタクトプローブ１１の列が、ビーム先端を対向させて２列に形成されている。通常、プローブカード１０は、水平に保持され、コンタクトプローブ１１が形成されたプローブ基板１２の主面を鉛直方向の下側に向けて配置されている。検査対象物は、コンタクト基板１２の上記主面と対向するように、プローブカードの下方に配置されている。
【００２８】
検査対象物の電気的特性試験を行う際には、各コンタクトプローブ１１がそれぞれ検査対象物上の電極パッドと対向するように、検査対象物及びプローブカード１０のアライメント、すなわち、検査対象物に対するプローブ基板１２の位置合わせが行われる。検査対象物及びプローブカード１０が適切に位置合わせされた状態で、プローブ基板１２及び検査対象物を互いに近づけることにより、コンタクトプローブ１１の先端を当該検査対象物上の電極パッド１に当接させることができる。
【００２９】
プローブ基板１２は、円形形状からなり、テスター装置との間で信号入出力を行うための多数の外部端子１３が周縁部に形成されている。このプローブ基板１２は、その周辺部がプローブ装置の筐体によって把持され、筐体内において水平となるように支持される。
【００３０】
コンタクトプローブ１１は、検査対象物上に形成された微細な電極パッドに対し、弾性的に接触させるプローブ（探針）であり、プローブ基板１２上には、多数のコンタクトプローブ１１が整列配置されている。各コンタクトプローブ１１は、プローブ基板１２の各配線を介して外部端子１３と導通しており、コンタクトプローブ１１を当接させることによって、微小な電極パッドをテスター装置と導通させることができる。
【００３１】
＜コンタクトプローブ＞
図２は、図１のプローブカード１０の要部の一構成例を示した側面図であり、プローブ基板１２上に形成されるコンタクトプローブ１１が示されている。コンタクトプローブ１１は、片持ち梁構造を有するビーム部１と、プローブ基板１２上に固着されたベース部２と、検査対象物上の電極パッドに接触させるためのコンタクト部４とにより構成される。
【００３２】
ビーム部１は、図２の左右方向を長手方向とする構造体からなり、ベース部２を介してプローブ基板１２上に固着される固定端と、コンタクト部４が形成される自由端を有している。コンタクト部４は、ビーム部２における検査対象物と対向する面から突出させて形成された構造体であり、ビーム部２の先端側に配置されている。
【００３３】
このコンタクトプローブ１１は、ビーム部１の長手方向が、コンタクト部４と電極パッドとが接触した状態で検査対象物及びプローブ基板１２をさらに近づける際の電極パッドに対するコンタクト部４のスクラブ方向となっている。
【００３４】
ここで、スクラブとは、コンタクト部４と電極パッドとが接触した状態で検査対象物及びプローブ基板１２をさらに近づけた際に、コンタクト部４上の接触部分が電極パッド表面を引っ掻く動作を意味し、このスクラブによって、電極パッド表面に形成されている酸化膜などの絶縁物を除去し、良好な導通性を確保することができる。この場合、ビーム部１の撓みに応じて、コンタクト部４がビーム部１の固定端側から自由端側へわずかに移動することによってスクラブが行われる。この場合、固定端から自由端への方向をスクラブ方向と呼ぶことにする。
【００３５】
図３は、図２のコンタクトプローブ１１の要部の一構成例を示した図であり、ビーム部１の自由端側に形成されたコンタクト部４を拡大して示している。図中の（ａ）は、側面図であり、図中の（ｂ）は、検査対象物側から見た平面図であり、図中の（ｃ）は、検査対象物側から見た斜視図である。このコンタクト部４は、検査対象物に対向するビーム部１の側面から突出した柱状体からなる第１パターン５と、第１パターン５及びビーム部１上に形成された第２パターン６からなる。
【００３６】
第１パターン５は、ビーム部１上に導電層を積層することにより形成される。この例では、平面視において、ビーム部１の長手方向に沿って等幅に延びる矩形領域と、この矩形領域に向かって幅が広がっている三角形領域とを組み合わせた５角形形状の領域を有するように第１パターン５が形成されている。上記矩形領域はビーム部１の自由端側に配置されている。三角形領域はビーム部１の固定端側に配置され、ビーム部１の自由端側に向かって幅が広がっている領域となっている。つまり、第１パターン５は、平面視において、ビーム１の固定端側の端部に面積の小さい凸形状部分を有するように野球のホームプレートと同様の形状からなる。この第１パターン５の平面視の形状が第１パターン５を積層形成する際のレジストパターンとなる。
【００３７】
ここでいう幅は、ビーム部１の長手方向に交差する方向、具体的には、長手方向に垂直な方向の長さのことである。この例では、コンタクト部４が隣接配置されたコンタクトプローブと接触するのを防止するという観点から、第１パターン５における矩形領域の幅がビーム部１の幅よりも小さくなっている。
【００３８】
第１パターン５を構成する導電性材料は、ビーム部１を構成する導電性材料と同じであっても良いし、異なっていても良い。ここでは、ビーム部１がニッケル−コバルト合金からなるのに対し、第１パターン５は、ニッケル（Ｎｉ）からなるものとする。
【００３９】
第２パターン６は、第１パターン５の形成後に、第１パターン５における固定端側の一部の上面及び側面と、ビーム部１における検査対象物との対向面の一部とに薄肉の導電層を積層することにより形成される。第２パターン６は、ビーム部の長手方向に沿って第１パターン５よりも固定端側に形成されている。この例では、図３（ｂ）に示す平面図のように、ビーム部１の長手方向に沿って等幅に延びる矩形領域と、この矩形領域に向かって幅が広がっている三角形領域とを組み合わせた５角形形状の領域を有するように第２パターン６が形成されている。第２パターン６における上記矩形領域は、ビーム部１の固定端側に配置されている。三角形領域は、ビーム部１の自由端側に配置され、ビーム部１の固定端側に向かって幅が広がっている領域となっている。つまり、第２パターン６は、ビーム１の自由端側の端部に面積の小さい凸形状部分を有するように野球のホームプレートと同様の形状となっている。この第２パターン６の平面視の形状が第２パターン６を積層形成する際のレジストパターンとなる。
【００４０】
第１パターン５及び第２パターン６は、それぞれの一部が互いに重複するパターンとして形成されている。ここでは、第１パターン５の固定端側の端部が、第２パターン６の領域内に配置され、第２パターン６の自由端側の端部が、第１パターン５の領域内に配置されている。
【００４１】
第２パターン６は、立体的に見ると、図３の（ａ）及び（ｃ）に示すように、第１パターン５の先端面における凸形状部分を覆う第１積層部６１と、第１パターン５における凸形状部分の側面を覆う第２積層部６２と、ビーム部１における検査対象物との対向面の一部を覆う第３積層部６３により構成されている。そして、第２パターン６は、これらの第１積層部６１から第３積層部６３が連続する単一の膜として同時に形成される。
【００４２】
第２パターン６を構成する導電性材料は、第１パターン５を構成する導電性材料と同じであっても良いが、第１パターン５よりも耐摩耗性が良好な材料であることが望ましい。ここでは、第１パターン５がニッケルＮｉからなるのに対し、第２パターン６は、ロジウム（Ｒｈ）などの耐摩耗性が優れている硬質材料からなるものとする。また、第２パターン６を構成する導電性材料としては、酸化しにくく、電気伝導度が高いものが好ましい。
【００４３】
第１パターン５及び第２パターン６は、ビーム部１の長手方向に延びる中心線Ａ１に対して、いずれも対称な形状となるように形成されている。
【００４４】
検査時には、第１パターン５及び第２パターン６の重複領域における第２パターン６の先端面が電極パッドと当接することになる。この重複領域の面積は、第１パターン及び第２パターンを積層形成する際のレジストパターンを調整することによって自在に調整することができる。すなわち、上記レジストパターンを露光する際のマスクパターンのアライメント精度に応じて、重複領域の面積を制御することができる。一般に、高さに比べて底面積の小さな柱状体、例えば、底面の外周が高さに比べて短い柱状体を積層形成することは容易ではない。これに対し、露光用マスクパターンを位置合わせする際のアライメント精度は高く、２つのパターンの重複部分として、同様の面積の領域を形成することは容易である。このため、第１パターン５及び第２パターン６の位置を調整することにより、その重複部分の面積を第１パターン５及び第２パターン６の面積よりも十分小さくすることができる。
【００４５】
図４（ａ）及び（ｂ）は、図２のコンタクトプローブ１１を検査対象物に接触させた際の様子を示した側面図であり、コンタクト部４が拡大して示されている。図４（ａ）には、コンタクト部４が検査対象物上の電極パッドＡ２に当接し始めたときの様子が示され、図４（ｂ）には、オーバードライブ時の様子が示されている。
【００４６】
コンタクト部４が検査対象物上の電極パッドＡ２に当接し始めた状態では、第１パターン５及び第２パターン６の重複部分における第２パターン６の先端面が電極パッドＡ２と接触する接触面となっている。また、第２パターン６における重複部分の自由端側の端面の前方には、第２パターン６の第１積層部６１の厚みに相当する隙間が、第１パターン５及び電極パッドＡ２間に生じている。
【００４７】
電極パッドＡ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）との合金（Ａｌ−Ｃｕ合金）からなる。この様な電極パッドＡ２にコンタクト部４を接触させた際に、接触抵抗の小さな導通を得ようとすると、電極パッドＡ２の表面に形成されている酸化膜を突き破って、酸化膜下にある電極パッドＡ２にコンタクト部４を接触させる必要がある。
【００４８】
第２パターン６は、パターニングされたレジスト膜の壁面に密着するように積層形成されている。第２パターン６を形成するためのレジスト膜の壁面は、第１パターン５上にも形成されるため、第２パターン６における電極パッドＡ２との接触面の自由端側の端部、すなわち、自由端側端部側面と接触面とにより形成される角部Ｂ１はほぼ直角に形成される。これに対して、接触面の固定端側の端部は、第１パターン５の固定端側のほぼ直角に形成されている角部を第２パターン６が覆って形成されているため、緩やかな曲面を有する形状（いわゆるＲ形状）の角部Ｂ２が形成される。
【００４９】
コンタクト部４が電極パッドＡ２に当接し始めたときよりもさらにコンタクトプローブ１１を検査対象物に近づけるオーバードライブ時には、第２パターン６の角張った角部Ｂ１によって電極パッドＡ２上の酸化膜が削り取られるので、電極パッドＡ２内部の酸化されていない部分に第２パターン６の先端面を接触させることができる。
【００５０】
この様な構成によれば、コンタクトプローブ１１の先端にかかる力が１ｇｆ以下であっても、１Ω（オーム）以下の接触抵抗を確保することができるコンタクトプローブ１１を実現することができる。
【００５１】
なお、ここでは、第１パターン５及び第２パターン６がいずれもビーム部１の中心線Ａ１に関して対称なパターンとして形成されているので、オーバードライブ時にビーム部１がねじれるのを防止することができる。従って、スクラブを効果的に行うことができ、また、隣接するコンタクトプローブと短絡するのを防止することができる。
【００５２】
図５（ａ）及び（ｂ）は、本発明によるコンタクトプローブの２つの異なる実施の形態について比較して示した図である。図５（ａ）には、図４に示したコンタクトプローブの場合が示され、図５（ｂ）には、コンタクト部４を構成する第１パターン５が固定端側に形成され、第２パターン６ａが自由端側に形成されたコンタクトプローブの場合が示されている。
【００５３】
ここでは、コンタクト部４が電極パッドＡ２に当接し始めてからオーバードライブに到るまでの一連の動作をタッチダウン（ＴＤ）と呼ぶことにする。一方、コンタクトプローブ１１を検査対象物から遠ざけて、オーバードライブ状態からコンタクト部４が非接触状態となるまでの一連の動作をリリースと呼ぶことにする。
【００５４】
図５（ａ）に示す本実施の形態の場合、ＴＤ時には、自由端側の角部Ｂ１が電極パッドＡ２に当接しながらスクラブ方向に移動して電極パッドＡ２表面を削り取り、良好な導通性が得られる。一方、リリース時に電極パッドＡ２に当接する角部Ｂ２は、緩やかな曲線形状からなるので、電極パッド上を移動しても電極パッドＡ２表面を削り取ることはほとんどない。ＴＤ時のスクラブによって微細な異物が生じるが、この異物は、オーバードライブにより接触面に十分な面圧が生じ、かつ、接触面よりも自由端側に空間が形成されていることから、接触面に回り込むことなく、接触面の自由端側の壁面近くにかき集められ、散乱しないと考えられる。
【００５５】
次に、図５（ｂ）に示されたコンタクトプローブの場合について説明する。このコンタクトプローブは、第１パターン５が固定端に形成され、第２パターン６ａが自由端側に形成されており、図５（ａ）のコンタクトプローブと比較すれば、第１パターン５及び第２パターン６ａの配置が逆になっている。このため、第１パターン５及び第２パターン６ａの重複領域に形成される第２パターン６ａの接触面も、図５（ａ）のコンタクトプローブとは逆に、自由端側の角部が緩やかな曲面となり、固定端側の角部が角張った形状に形成されている。
【００５６】
このため、ＴＤ時には、緩やかな曲線形状からなる自由端側の角部が、電極パッドＡ２に当接しながら移動するため、電極パッドＡ２表面を削り取ることはほとんどない。一方、リリース時には、角張った固定端側の角部が電極パッドＡ２に当接しながら、スクラブ方向とは反対側に移動して、電極パッドＡ２表面を削り取ることになる。しかも、リリース時には、接触部分の面圧が小さくなっており、また、その直後にコンタクト部が電極パッドから離れることから、削り取られた異物がコンタクトプローブの接触面や、電極パッド上に散らばって、安定した導通性が確保できないと考えられる。
【００５７】
図６は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１１の自由端側を拡大して観察した様子を示した図であり、図６（ａ）には図５（ａ）に示されたコンタクト部４の構成が、図６（ｂ）には、図５（ｂ）に示されたコンタクト部４の構成がそれぞれ示されている。
【００５８】
図６（ａ）のビーム部１では、ＴＤ時に接触面の自由端側の端部が電極パッドＡ２表面を削り取ることにより生じた異物Ａ３が、端面近くにかき集められている様子が観測された。これに対して、図６（ｂ）のビーム部１では、リリース時に接触面の固定端側の端部が電極パッドＡ２表面を削り取ることによって生じた異物Ａ３が第１パターン５上に撒き散らされている様子が観測された。
【００５９】
図５（ａ）及び図６（ａ）に示したコンタクトプローブを用いた実験では、１０００回のＴＤ動作後であっても、コンタクト部４への削りかすなどの異物Ａ３の付着が少なく、図５（ｂ）に示したコンタクトプローブに比べて安定した導通性を得ることができた。また、図５（ｂ）及び図６（ｂ）に示したコンタクトプローブも、ＴＤごとの接触抵抗がばらついているが、従来のコンタクトプローブに比べれば、接触抵抗が大幅に低減されている。
【００６０】
＜コンタクトプローブ形成工程＞
図７から図９は、図２のコンタクトプローブ１１の形成工程を模式的に示した断面図である。図７（ａ）には、コンタクトプローブ１１形成前の基板４０が示されている。この基板４０に平行な層を積層する積層処理によりコンタクトプローブ１１が形成される。なお、この基板４０は、プローブ基板１２と同じ基板であってもよいし、後述する犠牲層４１、４３と同様の材料からなる基板であってもよい。
【００６１】
図７（ｂ）には、図７（ａ）の基板４０に対し、パターニングされた犠牲層４１が形成された様子が示されている。この犠牲層４１は、基板４０上にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、犠牲層４１を形成する領域のレジスト膜のみをフォトリソグラフィ処理によって除去した後、レジスト膜が除去された基板４０上に銅などの導電層をメッキ処理（電気メッキ）によって積層することによって形成される。
【００６２】
図７（ｃ）には、図７（ｂ）の露出している基板４０上に導電層４２が形成され、その後、導電層４２及び犠牲層４１の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層４１が形成されていない基板４０上の領域に積層される導電層４２としては、例えば、ニッケル合金からなる層がメッキ処理により形成される。余分に形成された導電層４２は、表面を研磨することによって除去され、コンタクトプローブ１１のベース部２となる部分が形成される。
【００６３】
図７（ｄ）には、図７（ｃ）の犠牲層４１上に、パターニングされた犠牲層４３が形成された様子が示されている。犠牲層４１上に積層される犠牲層４３として、犠牲層４１と同一の導電層がメッキ処理により形成される。この犠牲層４３は、犠牲層４１及び導電層４２上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ処理によってその一部を除去した後に形成される。
【００６４】
図７（ｅ）には、図７（ｄ）の露出している犠牲層４１及び導電層４２上に導電層４４が形成され、その後、導電層４４及び犠牲層４３の表面が研磨された様子が示されている。犠牲層４３が形成されていない基板４０上の領域に積層される導電層４４として、導電層４２と同一の金属からなる層がメッキ処理により形成される。余分に形成された導電層４４は、表面を研磨することによって除去され、ベース部２に接合されたビーム部１となる部分が形成される。
【００６５】
図８（ａ）には、図７（ｅ）の犠牲層４３及び導電層４４上に、レジスト膜４５が形成され、その後、レジスト膜４５の一部が除去された様子が示されている。犠牲層４３及び導電層４４上に積層されるレジスト膜４５は、フォトレジストを塗布することにより形成される。レジスト膜４５を形成した後、マスキング工程を経てレジスト膜４５の一部が除去される。これにより、第１パターン５の形成領域を非マスク領域とするレジストパターンが形成される。
【００６６】
図８（ｂ）には、図８（ａ）の露出している導電層４４上に、導電層４６が形成された様子が示されている。レジスト膜４５の一部を除去した後に積層される導電層４６として、導電層４４と同一の金属からなる層がメッキ処理により形成される。
【００６７】
図８（ｃ）には、図８（ｂ）の基板４０に対し、レジスト膜４５が除去された様子が示されている。レジスト膜４５を完全に除去することにより、導電層４４からなるビーム部１上に導電層４６からなる第１パターン５が形成される。
【００６８】
図９（ａ）には、図８（ｃ）の犠牲層４３、導電層４４及び導電層４６上に、レジスト膜４７が形成され、その後、レジスト膜４７の一部が除去された様子が示されている。犠牲層４３、導電層４４及び４６上に積層されるレジスト膜４７は、フォトレジストを塗布することにより形成される。レジスト膜４７を形成した後、導電層４６の固定側端部と、これに隣接する導電層４４の一部が露出するようにマスキング工程を経てレジスト膜４７の一部が除去される。これにより、第２パターン６の形成領域を非マスク領域とするレジストパターンが形成される。
【００６９】
図９（ｂ）には、図９（ａ）の露出している導電層４４及び導電層４６上に、導電層４８が形成された様子が示されている。レジスト膜４７の一部を除去した後に積層される導電層４８として、導電層４６とは異なる金属からなる層がメッキ処理により形成される。
【００７０】
図９（ｃ）には、図９（ｂ）の基板４０に対し、レジスト膜４７、犠牲層４１及び４３が除去された様子が示されている。レジスト膜４７を完全に除去した後、全ての犠牲層４１及び４３を除去すると、コンタクトプローブ１１が完成する。
【００７１】
本実施の形態によれば、第１パターン５及び第２パターン６の一部を互いに重複させて形成することにより、第２パターン６の重複部分を積層方向に突出させて、面積の小さな接触面とすることができるので、検査対象物上の電極パッドＡ２にコンタクト部４を接触させた際の接触部分の面圧を増加させることができる。また、第１パターン５のサイズ自体を変えることなく、第１パターン５及び第２パターン６の重複部分の面積を小さくすることができるので、検査対象物に接触させるごとに接触抵抗が変化するのを抑制しつつ、導通性を向上させることができる。
【００７２】
実施の形態２．
実施の形態１では、第１パターン５及び第２パターン６の、積層方向から見た平面視の形状が、野球のホームプレートと同様の形状からなる例を示した。実施の形態２では、第１パターン７１における積層方向から見た平面視の形状が幅の異なる２つの矩形が組み合わされた形状からなり、第２パターン８１の平面視の形状が１つの矩形である例を説明する。
【００７３】
図１０から図１２は、実施の形態２のコンタクトプローブ１１ａの要部の一構成例を示した図であり、ビーム部１の自由端に形成されたコンタクト部４ａを拡大して示している。図１０はビーム部１の自由端側の側面図であり、図１１はビーム部１の自由端側を検査対象物側から見た平面図であり、図１２はビーム部１の自由端側の部分斜視図である。なお、このコンタクトプローブ１１ａは、図２に示すビーム部１及びベース部２と同様の構成からなるビーム部１とベース部（図示せず）とを備えている。
【００７４】
図１０及び図１１に示すように、第１パターン７１は所定の高さを有する平面視がＴ字状の柱状体により構成されている。第１パターン７１は平面視において、ビーム部１の長手方向に沿って等幅に延びる第１矩形領域７１aと、この矩形領域７１aよりも幅が広く、ビーム部１の長手方向に沿って等幅に延びる第２矩形領域７１ｂとが組み合わされて形成されている。第１パターン７１において、第１矩形領域７１aはビーム部１の固定端側に配置され、第２矩形領域７１ｂはビーム部１の自由端側に配置されている。本実施の形態では、第１パターン７１における第１矩形領域７１ａが重複規制部となる。
【００７５】
図１１に示すように、第２パターン８１は、長手方向に沿って第１パターン７１よりも固定端側に形成されており、平面視の形状において、長手方向と直交する方向（幅方向）の長さが、第１パターン７１の第２矩形領域７１ｂにおける幅方向の長さと等しく、長手方向の長さがこの幅方向の長さよりも長い矩形に形成されている。この第２パターン８１は、長手方向両端の側面が長手方向と直交する方向と平行するように形成されている。
【００７６】
そして、第１パターン７１の第１矩形領域７１aの固定側端部と第２パターン８１の自由端側端部の一部とが互いに重複するように第１パターン７１及び第２パターン８１がビーム部１上に形成されている。第２パターン８１における第１パターン７１との重複部分が、検査対象物上の電極パッドと接触する接触面となる。第１パターン７１及び第２パターン８１は、ビーム部１の長手方向に延びる中心線Ａ１に対して、いずれも対称となるパターンに形成されている。
【００７７】
第１パターン７１がＴ字状の柱状に積層形成された後、第２パターン８１は、矩形にパターニングされたレジスト膜の壁面に密着するように、第１パターン７１の第１矩形領域７１aの固定側端部及びビーム部１における検査対象物との対向面とに連続するように積層形成される。このため、第２パターン８１における接触面の自由端側の端部は、レジスト膜の壁面によりほぼ直角に角張って形成され、接触面の固定端側の端部は、第１パターン７１の固定端側端部に形成されるほぼ直角の角部を覆って形成されるため、接触面の固定端側の角部は緩やかな曲面を有する形状（いわゆるＲ形状）に形成される。
【００７８】
この様な構成によれば、コンタクトプローブ１１ａを検査対象物に近づけるタッチダウン時には、第２パターン８１における検査対象物との接触面の自由端側端部に形成されるほぼ直角の角部によってスクラブ動作が効果的に行うことができる。また、コンタクトプローブ１１ａを検査対象物から遠ざけるリリース時には、曲面からなる角部によりスクラブ動作によって削り取られた検査対象物の表面の微細粒子が、コンタクト部４ａの先端に付着するのを抑制することができる。
【００７９】
実施の形態２によれば、重複規制部となる第１パターン７１の第１矩形領域７１ａは、長手方向と直交する方向の長さが、常に両パターンの重複領域における長手方向と直交する方向の大きさとなる。従って、第２パターン８１の位置が長手方向と直交する方向にずれた場合でも、重複領域における長手方向と直交する方向の大きさは常に一定にできる。
【００８０】
さらに、実施の形態２によれば、第１パターン７１の固定端側の端部と第２パターン８１の自由端側の端部に形成される端辺とが、いずれもビーム部１の長手方向と直交する直線として形成される。従って、第１パターン７１の固定端側の端部の端辺と第２パターン８１の自由端側の端辺は、互いに平行な直線となるので、第１パターン７１に対する第２パターン８１のレジストパターンの位置決めを容易に行うことができる。
【００８１】
本実施の形態においては、第１パターン７１が平面視Ｔ字状に形成され、第２パターン８１が矩形によって形成されている例を示した。しかし、本発明はこれに限らない。例えば、第１パターン７１の第１矩形領域７１ａの固定端側先端が多角形形状や円弧状になっていてもよい。また、第１パターン７１を第１矩形領域７１ａのみで形成してもよい。さらに、第１パターン７１の第２矩形領域７１ｂが、多角形形状や円状になっていてもよい。また、第２パターン８１の固定端側の端部が多角形形状や円弧状になっていてもよい。
【００８２】
実施の形態３．
実施の形態２では、積層方向から見た平面視の形状において、第１パターン７１の形状が幅の異なる２つの矩形によって形成され、第２パターン８１の形状が矩形によって形成された例を説明した。実施の形態３では、第１パターン７２が矩形の柱状に形成され、第２パターン８２の積層方向から見た平面視の形状が、幅の異なる２つの矩形が組み合わされた形状からなる例を説明する。
【００８３】
図１３から図１５は、実施の形態３のコンタクトプローブ１１ｂの要部の一構成例を示した図であり、ビーム部１の自由端に形成されたコンタクト部４ｂを拡大して示している。図１３はビーム部１の自由端側の側面図であり、図１４はビーム部１の自由端側を検査対象物側から見た平面図であり、図１５はビーム部１の自由端側の部分斜視図である。なお、このコンタクトプローブ１１ｂは、図２に示すビーム部１及びベース部２と同様の構成からなるビーム部１とベース部（図示せず）とを備えている。
【００８４】
図１３及び図１４に示すように、第１パターン７２は所定の高さを有する平面視が長方形の柱状体により構成されている。この第１パターン７２は、長手方向両端の側面が長手方向と直交する方向と平行するように形成されている。
【００８５】
図１３から図１５に示すように、第２パターン８２は、長手方向に沿って、第１パターン７２よりも固定端側に形成され、平面視がＴ字状の薄膜により構成されている。第２パターン８２は平面視において、ビーム部１の長手方向に沿って等幅に延びる第１矩形領域８２aと、この矩形領域８２aよりも幅が広く、ビーム部１の長手方向に沿って等幅に延びる第２矩形領域８２ｂとが組み合わされて形成されている。第２パターン８２において、第１矩形領域８２aはビーム部１の自由端側に配置され、第２矩形領域８２ｂはビーム部１の固定端側に配置されている。本実施の形態では、第２パターン８２における第１矩形領域８２ａが重複規制部となる。
【００８６】
そして、第１パターン７２の固定端側端部と、第２パターン８２の第１矩形領域８２aにおける自由端側端部との一部とが互いに重複するように第１パターン７２及び第２パターン８２がビーム部１上に形成されている。第２パターン８２の第１矩形領域８２aにおける第１パターン７２との重複部分が、検査対象物上の電極パッドと接触する接触面となる。第１パターン７２及び第２パターン８２は、ビーム部１の長手方向に延びる中心線Ａ１に対して、いずれも対称となるパターンに形成されている。
【００８７】
第１パターン７２が矩形の柱状に積層形成された後、第２パターン８２は、Ｔ字形にパターニングされたレジスト膜の壁面に密着するように、第１パターン７２の固定側端部の一部及びビーム部１における検査対象物との対向面とに連続するように積層形成される。このため、第２パターン８２の第１矩形領域８２aにおける接触面の自由端側の端部は、レジスト膜の壁面によりほぼ直角に角張って形成され、接触面の固定端側の端部は、第１パターン７２の固定端側端部に形成されるほぼ直角の角部を覆って形成されるため、接触面の固定端側の角部は緩やかな曲面を有する形状（いわゆるＲ形状）に形成される。
【００８８】
この様な構成によれば、コンタクトプローブ１１ｂを検査対象物に近づけるタッチダウン時には、第２パターン８２における検査対象物との接触面の自由端側端部に形成されるほぼ直角の角部によってスクラブ動作が効果的に行うことができる。また、コンタクトプローブ１１ｂを検査対象物から遠ざけるリリース時には、曲面からなる角部によりスクラブ動作によって削り取られた検査対象物の表面の微細粒子が、コンタクト部４ｂの先端に付着するのを抑制することができる。
【００８９】
実施の形態３によれば、重複規制部となる第２パターン８２の第１矩形領域８２ａは、長手方向と直交する方向の長さが、常に両パターンの重複領域における長手方向と直交する方向の大きさとなる。従って、第２パターン８２の位置が長手方向と直交する方向にずれた場合でも、重複領域における長手方向と直交する方向の大きさは常に一定にできる。
【００９０】
さらに、実施の形態３によれば、第１パターン７２の固定端側の端部と第２パターン８２の自由端側の端部に形成される端辺とが、いずれもビーム部１の長手方向と直交する直線として形成される。従って、第１パターン７２の固定端側の端部の端辺と第２パターン８２の自由端側の端辺は、互いに平行な直線となるので、第１パターン７２に対する第２パターン８２のレジストパターンの位置決めを容易に行うことができる。
【００９１】
本実施の形態においては、第２パターン８２が平面視Ｔ字状に形成され、第１パターン７２が矩形によって形成されている例を示した。しかし、本発明はこれに限らない。例えば、第２パターン８２の第２矩形領域８２ｂが、多角形形状や円状になっていてもよい。また、第２パターン８２を第１矩形領域８２ａのみで形成してもよい。さらに、第１パターン７２が、多角形形状や円状になっていてもよい。
【００９２】
図１６及び図１７は、本発明によるコンタクトプローブの２つの異なる実施の形態について比較して示した図であり、自由端側に形成されたコンタクト部を拡大して観察した様子が示されている。図１６には、図３に示すコンタクトプローブ１１のコンタクト部４が示され、図１７には、図１０から図１２に示すコンタクトプローブのコンタクト部４ａが示されている。図１２及び図１３において、（ａ）〜（ｃ）の各図には、異なるアライメント精度で形成されたコンタクト部４，４ａの様子が示されている。
【００９３】
図１６（ａ）及び図１７（ａ）には、第１パターン５，７１と第２パターン６，８１のアライメントが良好な場合が示されている。一方、図１６（ｂ）及び図１７（ｂ）には、第１パターン５，７１と第２パターン６，８１とがビーム部の幅方向（ここではＸ方向とする）に位置ずれを起こした場合が示されている。また、図１６（ｃ）及び図１７（ｃ）には、第１パターン５，７１と第２パターン６，８１とがビーム部の長手方向（ここではＹ方向とする）に位置ずれを起こした場合が示されている。この例では、Ｙ方向の位置ずれは、第１パターンと第２パターンとが接近する方向に起こっている場合が示されている。
【００９４】
第１パターンと第２パターンとのアライメントの精度が良好であれば、図１６（ａ）及び図１７（ａ）で示すように、第１パターンと第２パターンの重複領域の面積として所望量のものを得ることができる。ここでは、図１６（ａ）の重複領域の面積をＳ１、図１７（ａ）の重複領域の面積をＳ２とする。そして、第１パターン５，７１に対して第２パターン６，８１の位置にずれが生じると、重複領域の面積に変化が生じる。
【００９５】
図１６（ｂ）に示すコンタクト部４は、第１パターン５と第２パターン６とがＸ方向に位置ずれを起こすことにより、第１パターン５と第２パターン６との重複領域の面積は、所望量の面積Ｓ１よりも減少する。
【００９６】
これに対して、図１７（ｂ）に示すコンタクト部４ａは、第１パターン７１と第２パターン８１とがＸ方向に位置ずれを起こしても、第１パターン７１と第２パターン８１との重複領域の面積は、所望量の面積Ｓ２から変化しない。これは、第１パターン７１の第１矩形領域７１ａがＹ方向に平行な２つの側面を有し、第２パターン８１の自由端側端面がＸ方向と平行に形成され、しかも、第２パターン８１の面積が第１矩形領域７１ａよりも大きいので、第１パターン５に対して第２パターン６がＸ方向に位置ずれを起こしても、重複領域の面積Ｓ２は変化しない。
【００９７】
したがって、第１パターンと第２パターンのＸ方向への位置ずれに対して、図１６のコンタクトプローブに比べて、図１７のコンタクトプローブは、第１パターンと第２パターンとの重複領域の面積の変化を抑制することができる。
【００９８】
また、図１６（ｃ）に示すコンタクト部４は、第１パターン５と第２パターン６とが互いに近づくＹ方向に位置ずれを起こしている。そのため、第１パターン５と第２パターン６との重複領域の面積は、所望量の面積Ｓ１よりも増加している。図１６（ａ）の場合における第１パターン５と第２パターン６との重複部分の面積Ｓ１、及び、図１６（ｃ）の場合における第１パターン５と第２パターン６との重複部分の面積Ｔ１は、次式で表される。ただし、ｓは図１６（ａ）における第１パターンと第２パターンの重複部分のＹ方向の長さを表し、ｙはＹ方向へのずれ量を表している。
【００９９】
Ｓ１＝ｓ２／２
Ｔ１＝（ｓ＋ｙ）２／２
【０１００】
したがって、この場合における面積の変化率Ｔ１／Ｓ１は、次式で表される。
Ｔ１／Ｓ１＝（１＋ｙ/ｓ）２
【０１０１】
一方、図１７（ｃ）でも、第１パターン７１と第２パターン８１とがＹ方向に位置ずれを起こしており、第１パターン７１と第２パターン８１との重複領域の面積は、所望量の面積Ｓ２よりも増加している。図１７（ａ）の場合における第１パターン７１と第２パターン８１との重複領域の面積Ｓ２、図１７（ｃ）の場合における第１パターン７１と第２パターン８１との重複領域の面積Ｔ２は、次式で表される。ただし、ｓ及びｕは、図１７（ａ）における第１パターンと第２パターンの重複領域のＹ方向及びＸ方向の長さを表し、ｙはＹ方向へのずれを表している。
【０１０２】
Ｓ２＝ｓ×ｕ
Ｔ２＝（ｓ＋ｙ）×ｕ
【０１０３】
したがって、この場合における面積の変化率Ｔ２／Ｓ２は、次式で表される。
Ｔ２／Ｓ２＝１＋ｙ／ｓ
【０１０４】
図１６（ｃ）及び図１７（ｃ）における第１パターンと第２パターンとの重複領域の面積の変化率Ｔ１／Ｓ１とＴ２／Ｓ２とを比較すると、Ｙ方向にｙ位置ずれした場合、図１６（ｃ）の場合よりも図１７（ｃ）の場合の方が、面積の変化率が少ない。これは、第１パターン７１の第１矩形領域７１ａが等幅となるようにＹ方向に平行な２つの側面を有し、重複領域を形成する第２パターン８１の自由端側端面がＸ方向と平行に形成され、これら各側面により重複領域を形成しているからである。したがって、第１パターンと第２パターンのＹ方向への位置ずれに対して、図１６のコンタクトプローブに比べて、図１７のコンタクトプローブは、第１パターンと第２パターンとの重複面積の変化率を抑制することができる。
【０１０５】
また、第１パターンと第２パターンとがＹ方向に離れるように位置ずれした場合においても、上記の場合と同様に、図１６（ａ）の場合に比べて、図１７（ａ）の場合の方が面積の変化率が少ない。したがって、第１パターンと第２パターンのＹ方向への位置ずれに対して、図１６のコンタクトプローブに比べて、図１７のコンタクトプローブは、第１パターンと第２パターンとの重複面積の変化率を抑制することができる。
【０１０６】
この様に、図１６のコンタクトプローブに比べて、図１７のコンタクトプローブは、第１パターンと第２パターンとの位置ずれが生じた場合でも、第１パターン及び第２パターンの重複領域の面積の変化率をできるだけ小さくすることができる。そのため、検査対象物への接触部分の面積をアライメント精度を高くすることなく所望の大きさにすることが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の実施の形態１によるプローブカード１０の一例を示した図である。
【図２】図１のプローブカード１０の要部の一構成例を示した側面図であり、プローブ基板１２上に形成されるコンタクトプローブ１１が示されている。
【図３】図２のコンタクトプローブ１１の要部の一構成例を示した図であり、ビーム部１の自由端側に形成されたコンタクト部４が示されている。
【図４】図２のコンタクトプローブ１１を検査対象物に接触させた際の様子を示した側面図である。
【図５】本発明によるコンタクトプローブの２つの異なる実施の形態について比較して示した図である。
【図６】本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１１の自由端側を拡大して観察した様子を示した図である。
【図７】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、基板４０上にビーム部１が形成されるまでの工程が示されている。
【図８】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、ビーム部１上に第１パターン５が形成されるまでの工程が示されている。
【図９】図２のコンタクトプローブ１１の形成過程を模式的に示した断面図であり、ビーム部１上に第２パターン６が形成されるまでの工程が示されている。
【図１０】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１１ａの要部の一構成例を示した図であり、コンタクト部４ａの側面図が示されている。
【図１１】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１１ａの要部の一構成例を示した図であり、コンタクト部４ａの平面図が示されている。
【図１２】本発明の実施の形態２によるコンタクトプローブ１１ａの要部の一構成例を示した図であり、コンタクト部４ａの外観図斜視図が示されている。
【図１３】本発明の実施の形態３によるコンタクトプローブ１１ｂの要部の一構成例を示した図であり、コンタクト部４ｂの側面図が示されている。
【図１４】本発明の実施の形態３によるコンタクトプローブ１１ｂの要部の一構成例を示した図であり、コンタクト部４ｂの平面図が示されている。
【図１５】本発明の実施の形態３によるコンタクトプローブ１１ｂの要部の一構成例を示した図であり、コンタクト部４ｂの外観図斜視図が示されている。
【図１６】図３のコンタクトプローブ１１の要部の一構成例を示した図であり、第１パターン５と第２パターン６とのアライメントが示されている。
【図１７】図１１から図１３のコンタクトプローブ１１ａの要部の一構成例を示した図であり、第１パターン７１と第２パターン８１とのアライメントが示されている。
【符号の説明】
【０１０８】
１    ビーム部
２    ベース部
４，４ａ，４ｂ  コンタクト部
５，７１，７２  第１パターン
７１ａ  第１矩形領域
７１ｂ  第２矩形領域
６，６ａ，８１，８２  第２パターン
６１  第１積層部
６２  第２積層部
６３  第３積層部
８２ａ  第１矩形領域
８２ｂ  第２矩形領域
１０  プローブカード
１１，１１ａ，１１ｂ  コンタクトプローブ
１２  プローブ基板
１３  外部端子
４０  基板
４１，４３  犠牲層
４５，４７  レジスト膜
４２，４４，４６，４８  導電層
【図１】
2009036763.tif 000003
【図２】
2009036763.tif 000004
【図３】
2009036763.tif 000005
【図４】
2009036763.tif 000006
【図５】
2009036763.tif 000007
【図６】
2009036763.tif 000008
【図７】
2009036763.tif 000009
【図８】
2009036763.tif 000010
【図９】
2009036763.tif 000011
【図１０】
2009036763.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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