(57)【要約】【課題】  ポリイミドフィルムを積層したセラミック多層基板において、ポリイミドフィルムの剥がれなどが少ない多層基板を提供する。【解決手段】  耐熱性フィルムがセラミック層に積層された構成を有する多層基板であって、該耐熱性フィルムがベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドからなるフィルムであって、線膨張係数が−２〜１０ｐｐｍ／℃のフィルムである多層基板。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性フィルムが接着剤を介してセラミック層に積層された構成を有する多層基板であって、該耐熱性フィルムがベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドからなるフィルムであって、線膨張係数が−２〜１０ｐｐｍ／℃のフィルムであることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
耐熱性フィルムと接着剤が複数回積層されており、該耐熱性フィルムと該接着剤を併せた層の厚さが、多層基板全体に占める厚さの割合が、５％〜５５％である請求項１記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック層をコアなどに用いた多層構造を有する多層基板に関し、さらに詳しくは、セラミック層基板と耐熱性フィルムを、接着剤を用いて積層する事により絶縁層を形成してなる多層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多層構造を有するプリント配線板としては、ガラスクロス補強エポキシ樹脂と銅箔を順次積層し、貫通スルーホールにて導体による層間の接続を行うＭＬ−ＰＷＢと言われる多層プリント配線板が知られている。貫通スルーホールでは、層間導通接続の自由度が低く、また、特に必要のない層にも接続のための無駄なスペースが取られるために配線密度を十分に高めることができないという問題点がある。
また、前述の多層プリント配線板をコアに用い、その表面に微細な回路層を積み上げ式に形成した、いわゆるビルドアップ多層配線板とが知られている。感光性のエポキシ樹脂を用いて層間導通接続用のビアホールを形成するフォト法、あるいはレーザー加工を用いたレーザービアホールを開け、メッキにより層間導通接続と導体形成を行う技術である。かかる多層配線板を第一世代のビルドアップ多層配線板という。第一世代のビルドアップ多層配線板は、ビアホールの真上にビアホールを作ることが出来ないため、配線の自由度に、やや制約があるものであった。
一方で、層間導通接続に導電ペーストを用いる多層プリント配線板が知られている。導電ペーストにより尖り山を作り、プリプレグを貫通させて層間導通接続を行うＢ２ｉｔ（Ｒ）法、アラミド不織布補強の半硬化エポキシシートにレーザーにより孔開けを行い、導電ペーストを詰め込んで層間導通接続を行うＡＬＩＶＨ（Ｒ）法などは、任意の位置にビアホールを作ることが出来るため、第一世代のビルドアップ多層配線板に比較して配線自由度が高くなっている。しかしながら層間導通接続に導電ペーストを使用するため、層間の導通抵抗が高くなり、またマイグレーション発生による絶縁信頼性が下がるなどの新たな問題点を持つ物であった。これらの方法も、導体層を順次、一層ずつ形成し、積み上げて行くという意味でビルドアップ法に分類することが出来る。
第一世代のビルドアップ配線板において、ビアホールを電気メッキで埋め込んでしまうことにより、ビアホールの真上にビアホールを作製できるように改良された技術も提案されている。その他、ビルドアップ多層配線板には多種多様な材料プロセスが提案されている。ビルドアップ法においては従来の多層配線板に比較すれば、配線密度を高くすることが可能であるが、導体層の段数だけ加工サイクルを回す必要があるため工程が非常に煩雑で長くなるという欠点がある。
ビルドアッププリント配線板の問題点である加工プロセスが長いという点を解決するべく、ビルドアップ多層プリント配線板の各導電層に相当する回路を、あらかじめ独立に形成し、一括で積層してプリント配線板を作製する、いわゆる一括積層法に関する研究開発が盛んに行われている（特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
かかるビルドアッププリント配線板ないし一括積層法において、層間の絶縁層の厚さは伝送線路の特性インピーダンスに関与し、絶縁層の厚さが一定に保てないと、特に高周波領域においては信号の伝送を阻害をすることになる。また一括積層法においては絶縁基材の寸法安定性が層間の位置あわせ精度に直結する。これらの問題は従来用いられてきたガラス繊維、ないしアラミッド繊維補強のエポキシ樹脂シートでは解決することが難しく、高精度を求められる分野に置いて、従来の層間絶縁材料であるエポキシ樹脂に代わる素材としてポリイミドフィルム等の耐熱性高分子フィルムが注目されている。
ポリイミドフィルムは、その卓越した耐熱性や電気特性・機械的物性・寸法安定性などを有しているために、フレキシブルプリント配線板、ＴＡＢテープ、半導体実装のための基材をはじめとする各種電子材料や産業機器、航空機などの高性能部品として広範な分野で用いられている。特に、昨今の高密度実装に伴う回路基板や半導体パッケージ用基材においては、信号伝送の高速化を図るために誘電率の低い絶縁樹脂を層間絶縁膜と使用することが主流となってきているが、ポリイミドはその代表的な絶縁材料の一つである。
【０００４】
通常、ポリイミドフィルムは、接着剤を用いて銅箔と貼り合わせたり、蒸着法、メッキ法、スパッタ法、又はキャスト法によりフィルム層と銅箔からなる積層板（銅箔付きポリイミドフィルム）に加工されたりして、フレキシブルプリント多層回路基板のベースフィルム（外層材や内層材）として使用される。
多層基板の層間絶縁材として用いられる場合には、ポリイミドフィルム自体は、エポキシの半硬化シートのように接着性を持たないため、なんらかの接着剤と組み合わせて用いられる。
従来のポリイミドフィルムの表面の接着性に乏しいことが問題となっており、そのために接着剤を介して多層積層を行う場合、層間の接着信頼性が乏しく、そのままでは製品の不良が生じる原因となっていた。このため、ポリイミドフィルム表面の接着性を改善することを目的に、コロナ処理やプラズマ処理を施して使用することが提案されてきた。また、接着剤の選択が重要であり、ポリアミド樹脂とエポキシ樹脂を主構成成分とした接着剤を用いた技術が開示されている（特許文献３〜８参照）。
【０００５】
上記技術により、ポリイミドフィルムと銅箔との接着性は実用レベルが確保されたが、近年は、かかる多層基板の半導体パッケージ用基材用途への要求特性が高くなっており、従来のリードフレームを用いたＩＣパッケージ同様の信頼性が求められるようになってきている。半導体パッケージの信頼性試験では高温高湿試験や冷熱衝撃試験など過酷な環境下での安定性が要求され、従来のポリイミドフィルム使用ではこれらの要求をクリアできないことが問題になってきている。
かかる問題に対処するために、温度による寸法変化を抑えた特定のポリイミドフィルムに関する提案がなされている（特許文献９参照）。
また、温度変化に対して安定した多層基板を提供することを目的とした、複数の樹脂基板層とセラミック基板層とが積層された多層基板も提案されている（特許文献１０参照）。
いずれの従来提案技術においても、温度変化に対して安定な多層基板は充分に到達されたものではなく、多層基板そのものの温度変化に対する安定と、温度変化による多層基板間の線膨張係数の相互乖離による剥がれなどに対する耐性が共に満足するものは得られていない。
【特許文献１】特開２００１−１６０６８６号公報
【特許文献２】特開２０００−３３２３６９号公報
【特許文献３】特開平  ０９−２８９２２９号公報
【特許文献４】特開平  ０９−２８９２３１号公報
【特許文献５】特開平  ０９−２９８２２０号公報
【特許文献６】特開平  ０９−３２１０９４号公報
【特許文献７】特開平  １０−０８４０１８号公報
【特許文献８】特開平  １０−１０９０７０号公報
【特許文献９】特表平  １１−５０５１８４号公報
【特許文献１０】特開２００２−１１１２２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、絶縁層の厚さ精度が高く、ひいては、伝送線路の特性インピーダンスが安定しており、温度サイクルが加えられた後も良好な高温高湿度下での信頼性を兼ね備え、さらにセラミック基板との線膨張係数差が小さく、ベアチップ実装時の接続信頼性が高い多層基板を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
すなわち本発明は、下記の構成によるものである。
１．  耐熱性フィルムが接着剤を介してセラミック層に積層された構成を有する多層基板であって、該耐熱性フィルムがベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを反応させて得られるポリイミドからなるフィルムであって、線膨張係数が−２〜１０ｐｐｍ／℃のフィルムであることを特徴とする多層基板。
２．  耐熱性フィルムと接着剤が複数回積層されており、該耐熱性フィルムと該接着剤を併せた層の厚さが、多層基板全体に占める厚さの割合が、５〜５５％である１．の多層基板。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、耐熱性フィルムとセラミック層とが積層された多層基板におけるフィルムとして、線膨張係数の低い特定構造のポリイミドフィルムを用いており、多層基板を構成した場合の層間の位置精度が高く、高密度の配線を形成可能であり、またフィルムの弾性率が高く、通常のプロセス温度範囲内では熱変形を起こさないことから、プレスにより積層した場合でも、層間の厚さ精度を一定に保つことが可能であり、結果として特性インピーダンスのバラツキが少ない良好な伝送線路を形成可能である。さらに多層基板そのものの温度変化に対する安定と、温度変化による多層基板間の線膨張係数の相互乖離による剥がれなどに対する耐性が共に満足するものとなる。
セラミック基板では、一般に微細な配線を作製することは困難であった。多層の一括積層は一般的に行なわれ、複雑な配線を実現することに適していた。セラミックスは環境安定性、低線膨張係数、高い信頼性があり、これを利用した基板においてこれらの性能を実現できていた。しかし、今日半導体チップの配線は微細化しており、セラミック基板と接続する場合微細パターンの描ける再配線層があることが望まれていた。しかし、セラミック層と物性の違う材料を貼りあわせた場合、この貼り合わせ部分での接続信頼性の低下、剥がれや浮き上がりなどが生じ実用となるものは無かった。
本発明における低線膨張係数フィルムをセラミック基板と張り合わせた多層基板は、接続信頼性の高い基板を作製でき、セラミック基板上でのビルドアップ工法により従来回路基板より高い耐熱性を持つ充分な接着力も得られ、微細な配線、環境安定性、高信頼性を有する多層基板となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明において使用されるポリイミドフィルムは、具体的にはベンゾオキサゾール構造を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸無水物類の縮合により得られるポリイミドからえられるフィルムである。
一般にポリイミドは、溶媒中でジアミン類とテトラカルボン酸無水物を反応して得られるポリアミド酸溶液を、支持体に塗布・乾燥してグリーンフィルム（ポリイミド前駆体フィルム、又はポリアミド酸フィルムともいう）と成し、さらに支持体上で、あるいは支持体から剥がした状態でグリーンフィルムを高温熱処理することにより脱水閉環反応を行うことによって得られる。
本発明におけるベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類としては、具体的には以下のものが挙げられ、該ジアミンは、単独であっても二種以上を用いることも可能である。
ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類として、下記の化合物が例示できる。
【００１０】
【化１】
2009016645.tif 000002
【００１１】
【化２】
2009016645.tif 000003
【００１２】
【化３】
2009016645.tif 000004
【００１３】
【化４】
2009016645.tif 000005
これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノ（アミノフェニル）ベンゾオキサゾールの各異性体が好ましい。ここで、「各異性体」とは、アミノ（アミノフェニル）ベンゾオキサゾールが有する２つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である（例；上記「化１」〜「化４」に記載の各化合物）。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、前記ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミンを７０モル％以上使用することが好ましい。
【００１４】
本発明は、前記事項に限定されず下記の芳香族ジアミンを使用してもよいが、好ましくは全芳香族ジアミン類の３０モル％未満であれば下記に例示される前記ベンゾオキサゾール構造を有しないジアミン類を一種又は二種以上、併用してのポリイミドフィルムである。全ジアミン類の３０モル％未満であれば下記に例示されるジアミン類を併用してのポリイミドフィルムであってもよい。
そのようなジアミン類としては、例えば、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、
【００１５】
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
【００１６】
１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノシ）フェニル］ブタン、２，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−２−［４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチルフェニル］プロパン、２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−２−［４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
【００１７】
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフォン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、
【００１８】
２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルフォン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−トリフルオロメチルフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−フルオロフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−メチルフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−シアノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、
【００１９】
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４，５’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５−フェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−５’−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４，５’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５−ビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−５’−ビフェノキシベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノ−４−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−５−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−５−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−５−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−５−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、２，６−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾニトリル及び上記芳香族ジアミンにおける芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基又はアルコキシル基、シアノ基、又はアルキル基又はアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基又はアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。
【００２０】
本発明で用いられる芳香族テトラカルボン酸類は例えば芳香族テトラカルボン酸無水物類である。芳香族テトラカルボン酸無水物類としては、具体的には、以下のものが挙げられるが、ポリイミド中で７０モル％以上使用することが好ましく、特にピロメリット酸を７０モル％以上使用することが好ましい。
【００２１】
【化５】
2009016645.tif 000006
【００２２】
【化６】
2009016645.tif 000007
【００２３】
これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、全テトラカルボン酸二無水物の３０モル％未満であれば前記限定に係らず下記に例示される非芳香族のテトラカルボン酸二無水物類を一種又は二種以上、併用しても構わない。そのようなテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−１−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３−エチルシクロヘキサ−１−エン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−メチル−３−エチルシクロヘキサン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−メチル−３−エチルシクロヘキサ−１−エン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−エチルシクロヘキサン−１−（１，２），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１−プロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジプロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３−（２，３）−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−３，４，３’，４’−テトラカルボン酸二無水物、
【００２４】
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−プロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジプロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３−（２，３）−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−３，４，３’，４’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
【００２５】
前記芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸（無水物）類とを反応（重合）させてポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマー及び生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。  これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの質量が、通常５〜４０質量％、好ましくは１０〜３０質量％となるような量が挙げられる。
【００２６】
本発明のポリイミド又は線状ポリアミド酸の分子末端を炭素−炭素二重結合を有する末端基で封止するために無水マレイン酸等を用いることが出来る。無水マレイン酸の使用量は、芳香族ジアミン成分１モル当たり０．００１〜１．０モル比である。
本発明のポリアミド酸の合成時に使用する極性有機溶剤としては、原料モノマー及び生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられ，これらの溶媒は，単独あるいは混合して使用することができる。極性有機溶媒の使用量は，仕込みモノマーを溶解するのに十分な量であればよく，通常は５〜５０質量％であり，好ましくは１０〜２０質量％の固形分を含むものであればよい。
本発明で用いるポリアミド酸の有機溶媒溶液は、固形分を好ましくは５〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量％を含有するものであって、またその粘度はブルックフィールド粘度計による測定で１０〜２０００Ｐａ・ｓ、好ましくは１００〜１０００Ｐａ・ｓのものが、安定した送液が可能であることから好ましい。重合反応は、有機溶媒中で撹拌及び／又は混合しながら、０〜８０℃の温度範囲で、１０分〜３０時間連続して進められるが、必要により重合反応を分割したり、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両反応体の添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸無水物類を添加するのが好ましい。
【００２７】
本発明のポリイミドフィルムは、ポリアミド酸溶液を支持体にフィルム状に連続的に押し出し又は塗布し、次いで乾燥することにより得たグリーンフィルムを、前記支持体から剥離し、延伸、乾燥、熱処理することにより製造されるが、ポリアミド酸の有機溶媒からポリイミドフィルムを製造する代表的な方法としては、閉環触媒及び脱水剤を含有しないポリイミド酸の有機溶媒溶液をスリット付き口金から支持体上に流延してフィルムに成形し、支持体上で加熱乾燥することにより自己支持性を有するグリーンフィルムにした後、支持体よりフィルムを剥離し、更に高温下で乾燥熱処理することによりイミド化する熱閉環法、及び閉環触媒及び脱水剤を含有せしめたポリド酸の有機溶媒をスリット付き口金から支持体上に流延してフィルム状に成形し、支持体上でイミド化を一部進行させて自己支持性を有するフィルムとした後、支持体よりフィルムを剥離し、加熱乾燥／イミド化し、熱処理を行う化学閉環法が挙げられる。
本発明における支持体とは、ポリアミド酸溶液をフィルム状に成形する際に用いられるドラム又はベルト状回転体である。ポリアミド酸溶液は支持体上に塗布され、加熱乾燥により自己支持性を与えられる。支持体の表面は金属、プラスチック、ガラス、磁器などが挙げられ、好ましくは金属であり、更に好ましくは錆びなくて耐腐食に優れるＳＵＳ材である。また、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｎなどの金属メッキをしても良い。本発明における支持体表面は必要に応じて鏡面にすることや、あるいは梨地状に加工することができる。
【００２８】
本発明におけるポリイミドフィルムは前記したようにして製造することができるが、これらのフィルムの線膨張係数が−２〜１０ｐｐｍ／℃であることが前記した理由により必須であり、より好ましくは、−２〜５ｐｐｍ／℃、さらにこのましくは−２〜３ｐｐｍ／℃である。
【００２９】
本発明における耐熱性フィルムが接着剤を介してセラミック層に積層された構成を有する多層基板に使用される接着剤としては、耐熱性の接着剤であれば特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性ポリアミドイミド、熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ポリイミドシロキサン、熱可塑性ポリアミドイミドシロキサン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、ポリフェニレンオキシド、エポキシ系樹脂などが挙げられ、またこれら樹脂の一種以上の樹脂ブレンドが挙げられ、これらには必要に応じて有機、無機のフィラー、難燃剤などを添加することが出来る。またこれらの接着剤は、Ｔｇ（ガラス転移点）が１３０℃以上で４００℃未満が好ましく、１３０℃未満の場合はポリイミドフィルム層の耐熱性を損なう場合が多くなり好ましくなく、またＴｇ（ガラス転移点）が４００℃以上になる場合は、ポリイミドフィルム層との積層時における取扱い難いなどの課題が多くなり好ましくない。
【００３０】
本発明で使用できるエポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を持つもので、具体的にはビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、クレゾールノボラックグリシジルエーテル、フェノールノボラックグリシジルエーテル、ブロム化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル等のグリシジルエーテルタイプ、ヘキサヒドロフタル酸グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステルタイプ、トリグリシジルイソシアヌレート、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等のグリシジルアミン、あるいは３，４−エポキシシクロヘキシルメチルカルボキシレート、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化大豆油等の脂環族あるいは脂肪族エポキサイドが挙げられる。また、テトラカルボン酸として、４，４’−オキシジフタル酸や３，３’，４，４’ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ジアミンとしてＴＰＥＲ：１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ＴＰＥＱ：１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、ＡＰＢ：１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼンの一種以上とを反応させてポリアミド酸を得て、このポリアミド酸をイミド化させたポリイミドが接着剤として挙げられる。
【００３１】
耐熱性フィルムが接着剤を介してセラミック基板に積層される際の積層方法は、特に限定されるものではないが、例えば、共押し出しによる方法、一方の層であるポリイミドフィルム上に接着剤層のポリイミド前駆体のポリアミド酸溶液を流延してこれをイミド化する方法、一方の層であるポリイミドフィルムの前駆体フィルム上に他方のポリイミド前駆体フィルムを積層し共にイミド化する方法、ポリイミドフィルム層上に、接着剤としてのポリイミド前駆体のポリアミド酸溶液をスプレーコートなどで塗布してイミド化する方法などして得た接着剤付き耐熱性フィルム層を使用してもよく、セラミック層にこれらの接着剤を設けて後に耐熱性フィルム層を積層してもよい。
【００３２】
本発明におけるセラミック層としては、従来公知のセラミック基板に使用されているセラミックが使用でき、例えばアルミナセラミック基板、低温焼成セラミック基板などが使用できる。またアルミナセラミック層に導体回路や抵抗やインダクタ、コンデンサを設けたものであってもよい。
ここにセラミック層は、単なるセラミック板でもよく、また片面ないし両面に銅、銀、銀パラジウム、金、モリブデン、タングステンなどの焼成型導電ペースト、あるいは湿式ないし乾式のメタライズ法により形成された導電層による回路パターンがけいせいされたものでもよい。両面に回路パターンを有する場合にはスルホール、サイドホール等により両者が導通接続されていても良い。セラミック層の層数は特に限定されず、セラミック回路の特性である高い層方向の実装密度を発揮すべく３層以上、４０層程度までの層数とすることができる。さらにセラミック層には抵抗ペースト、誘電体ペーストなどにより、抵抗体、キャパシタなどを作り込むことが出来る。
なお、本発明における、耐熱性フィルム層を接着剤を用いてセラミック層に積層した多層基板の作製方法は、限定されるものではなく、ビルドアップ、一括積層などの方法が好ましい例として挙げられる。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明の有効性について実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は以下の通りである。
１．ポリアミド酸の還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）
ポリマー濃度が０．２ｇ／ｄｌとなるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により３０℃で測定した。
２．ポリイミドフィルムのフィルム厚さ
フィルムの厚さは、マイクロメーター（ファインリューフ社製、ミリトロン１２５４Ｄ）を用いて測定した。
【００３４】
３．ポリイミドフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）
下記条件で伸縮率を測定し、３０〜３００℃までを１５℃間隔で分割し、各分割範囲の伸縮率／温度の平均値より求めた。
装置名  ；  ＭＡＣサイエンス社製ＴＭＡ４０００Ｓ
試料長さ  ；  ２０ｍｍ
試料幅  ；  ２ｍｍ
昇温開始温度  ；  ２５℃
昇温終了温度  ；  ４００℃
昇温速度  ；  ５℃／ｍｉｎ
雰囲気  ；  アルゴン
【００３５】
（ポリアミド酸の重合−１）
＜ベンゾオキサゾール構造を有するジアミンからなるポリアミド酸の重合＞
窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、５−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾオキサゾール５００質量部を仕込んだ。次いで、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド８０００質量部を加えて完全に溶解させた後，ピロメリット酸二無水物４８５質量部を加え，２５℃の反応温度で４８時間攪拌すると，淡黄色で粘調なポリアミド酸溶液（Ａ）が得られた。得られた溶液のηｓｐ／Ｃは４．０ｄｌ／ｇであった。
【００３６】
（ポリアミド酸の重合−２）
ピロメリット酸無水物５４５質量部、４，４’ジアミノジフェニルエーテル５００質量部を８０００質量部のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアミドに溶解し、温度を２０℃以下に保ちながら同様に反応させてポリアミド酸溶液（Ｂ）を得た。得られた溶液のηｓｐ／Ｃは２．２でｄｌ／ｇあった。
【００３７】
（ポリイミドフィルムの作製例−１）
ポリアミド酸溶液（Ａ）を、ポリエチレンテレフタレート製フィルムＡ−４１００（東洋紡績株式会社製）の無滑剤面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、１１０℃にて５分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。ポリアミド酸フィルムを３つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目１５０℃×２分間、２段目２２０℃×２分間、３段目４７５℃×４分間の熱処理を行い、５００ｍｍ幅にスリットして、厚さ２０μｍのポリイミドフィルム−Ａを得た。
【００３８】
（ポリイミドフィルムの作製例−２）
ポリアミド酸溶液（Ｂ）を、ポリエチレンテレフタレート製フィルムＡ−４１００（東洋紡績株式会社製）の無滑剤面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、１１０℃にて５分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。ポリアミド酸フィルムを３つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目１５０℃×２分間、２段目２２０℃×２分間、３段目４６０℃×４分間の熱処理を行い、５００ｍｍ幅にスリットして、厚さ２０μｍのポリイミドフィルム−Ｂを得た。
【００３９】
（接着剤及び接着剤フィルムの作製１）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０質量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製  エピクロンＮ−６７３）４０質量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製、フェノライトＫＡ−７０５２）３０質量部をエチルジグリコールアセテート２０質量部、ソルベントナフサ２０質量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製、デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５質量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５質量部、微粉砕シリカ２質量部、シリコン系消泡剤０．５質量部を添加し樹脂複合体の溶液を調製した。
得られた樹脂複合体の溶液を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが２０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、接着剤Ｃ（接着剤フィルム）を作製した。
（接着剤及び接着剤フィルムの作製２）
窒素導入管，温度計，攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル３６８．４ｇ（１．０モル）、無水フタル酸５９．２４ｇ（０．４モル）、無水ピロメリット酸１７４．５ｇ（０．８モル）及びｍ−クレゾール２，１７２ｇを装入し、攪拌下２００℃まで加熱し、２００℃にて６時間保温した。次いで反応溶液にトルエンを装入し、析出物を濾別し、さらにトルエンにて洗浄を数回行った後、窒素雰囲気下２５０℃で６時間乾燥を行い、５１０ｇ（収率９０．１％）のポリイミド粉（Ｄ）を得た。ポリイミド粉（Ｄ）を、二軸押出機を用いて３８０〜４１０℃において混練、溶融して押出して造粒しペレットとした。得られたペレットを径５０ｍｍの単軸押出機（成形温度４２０℃）に供給し、Ｔダイ前部に装着した１０μｍのリーフディスクタイプのフィルターを通過させ、１１００ｍｍ幅Ｔダイより押出し、厚さ２０μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム（Ｄ）を得た。
（接着剤及び接着剤フィルムの作製３）
反応容器に無水トリメリット酸１９２ｇ、ｏ−トリジンジイソシアネート２１１ｇ（８０モル％）、２，４−トリレンジイソシアネート３５ｇ、トリエチレンジアミン１ｇ、及びＮ−メチル−２−ピロリドン２．５ｋｇを加え、攪拌しながら１３０℃まで１時間で昇温し、さらに１３０℃で５時間反応させ対数粘度が１．６ｄｌ／ｇのポリアミド酸溶液（Ｅ）を得た。
ポリアミド酸溶液（Ｅ）を、ポリエチレンテレフタレート製フィルムＡ−４１００（東洋紡績株式会社製）の無滑剤面上に、コンマコーターを用いてコーティングし、１２０℃にて３分間乾燥後、支持体から剥がさずにポリアミド酸フィルムを巻き取った。ポリアミド酸フィルムを３つの熱処理ゾーンを有するピンテンターに通し、一段目３２０℃×２分間、２段目３２０℃×２分間、３段目３２０℃×２分間の熱処理を行い、５００ｍｍ幅にスリットして、２０μｍのポリアミドイミドフィルム（Ｅ）を得た。
【００４０】
（スパッタめっきＣＣＬの作製例１）
上記のフィルム作製例１に示すフィルム（２５０ｍｍ幅のもの）をスパッタリング装置に入れ、真空引きした後巻き返しを行い、フィルムからのガス出しを行った。その後、酸素のグロー放電でポリイミドフィルムの表面を処理した。この後、表面処理装置より取り出し、フィルムの片面上に、ＮｉＣｒ合金をターゲットとしてアルゴンガスによるＤＣマグネトロンスパッタリング法により厚さ１５ｎｍのＮｉＣｒ下地薄膜層を形成させた。薄膜層作製時の真空度は３×１０−３Ｔｏｒｒである。その後、直ちに銅をターゲットとして、アルゴンガスによるＤＣマグネトロンスパッタリング法により厚さ２５０ｎｍの銅薄膜層を形成させた。ターゲットのＮｉＣｒ合金の組成は、Ｎｉ８０質量％、Ｃｒ２０質量％純度３Ｎのものを用いた。ターゲットのＣｕは純度４Ｎのものを用いた。各ターゲットのフィルム送り方向の幅は１２ｃｍ、フィルム送り方向の幅は２７ｃｍの矩形である。この矩形のターゲットがフィルム送り方向に、４ケ設置されている。
Ｃｕのために使用したターゲットの間隔は離れている為、ＮｉＣｒのスパッタリングされた原子と、Ｃｕの原子が、真空中で混合されてからフィルムに到達することはなく、下地のＮｉＣｒ薄膜とＣｕ薄膜は交じり合うことなくそれぞれの薄膜が形成され２層の薄膜となる。
スパッタ装置はロールツウロール方式の装置であり、巻き出し室、スパッタ室、予備室、巻き取り室へとロールからフィルムが移動されながら、順次、表面処理、ＮｉＣｒ層作製、Ｃｕ層作製が行われ、その後に、ロールに巻き取られる。
各室の間は、スリットによって概略仕切られている。スパッタ室ではフィルムはチルロールに接しており、チルロールの温度（−５℃）によって冷やされながら、巻きだし側に近い、ＮｉＣｒターゲット１ケ、１ケのターゲットを使わず、その後Ｃｕターゲット２ケからの金属粒子によって薄膜が形成される。
めっきは、ロールツウロールの電解めっき装置により、スパッタリング金属層に電極を接触させて片面めっきを実施した。これにより金属化ポリイミドフィルムであるＣＣＬ（Ａ）が得られた。
【００４１】
（スパッタめっきＣＣＬの作製例２）
上記のフィルム作製例２に示すフィルムを使う以外の条件、手順は全てスパッタめっき作製例１と同じでスパッタめっきを実施した。これにより金属化ポリイミドフィルムであるＣＣＬ（Ｂ）が得られた。
【００４２】
（パターン作成）
得られたＣＣＬ（Ａ）とＣＣＬ（Ｂ）とを使用し、別々に、フォトレジスト：ＦＲ−２００、シプレー社製を塗布・乾燥後にガラスフォトマスクで密着露光し、さらに１．２質量％ＫＯＨ水溶液にて現像した。次に、ＨＣｌと過酸化水素を含む塩化第二銅のエッチングラインで、４０℃、２ｋｇｆ／ｃｍ２のスプレー圧でエッチングし、評価試験に必要な「くし形パターン」である、導体幅と導体間隔は４０μｍ／４０μｍ、パターン本数は片側２０本のテストパターンを形成後、洗浄を行い、１２５℃、１時間のアニール処理を行った。これによりパターン付きフィルム（Ａ）とパターン付きフィルム（Ｂ）とが得られた。
なお必要に応じてパターン付きフィルムを作製するに際しては、スルーホールの穴開け、穴開けにはＹＡＧレーザーを用い、穴開け後、デスミア処理を行い、水洗後の基板全面のプラズマ処理、コンディショニング、触媒付与、活性化、ホルマリン還元浴での無電解銅メッキ、硫酸銅メッキ浴にての電気厚付けメッキ、ビアフィルメッキ、メッキ表面のバフ研磨などを適宜採用実施してもよい。またパターン形成はドライフィルムレジストを、ラミネート、露光、現像し、塩化第二銅溶液にてエッチングした後にレジスト剥離、希硫酸洗浄し、導体パターンを形成、貫通電極を設けるなどの処方を採用してもよい。
【００４３】
〔実施例１〕
（接着剤による貼付け１）
セラミック基板（厚さ０．５ｍｍ）上に熱可塑ポリイミド（Ｄ）を載せ更にその上にパターン付きフィルム（Ａ）載せ位置決めして、２５０℃にて１０分間のプレスを行った。このときの圧力は１０ＭＰａとした。プレス後に、更に、Ｎ２フローしたマッフル炉にて４００℃３０分間入れ、テスト用多層基板（ＡＤ）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表１に示す。
【００４４】
〔実施例２〕
（接着剤による貼付け２）
セラミック基板（厚さ０．５ｍｍ）上に熱可塑ポリイミド（Ｄ）を載せ更にその上にパターン付きフィルム（Ａ）載せ、更にその上に熱可塑ポリイミド（Ｄ）を載せ更にその上にパターン付きフィルム（Ａ）位置決めして、２５０℃にて１０分間のプレスを行った。このときの圧力は１０ＭＰａとした。プレス後に、更に、Ｎ２フローしたマッフル炉にて４００℃で３０分間入れ、テスト用多層基板（ＡＤ２）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表１に示す。
【００４５】
〔比較例１〕
（接着剤による貼付け３）
パターン付きフィルム（Ｂ）を使う以外は接着剤による貼り付け２と同様にしてテスト用多層基板（ＢＤ２）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表１に示す。
【００４６】
〔比較例２〕
（接着剤による貼付け４）
ポリアミドイミドフィルム（Ｅ）を使う以外は接着剤による貼り付け１と同様にしてテスト用多層基板（ＥＤ）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表１に示す。
【００４７】
〔実施例３〕
（接着剤による貼付け５）
表面に銅箔厚さ２０μｍの導体回路が形成されたアルミナセラミック基板層（厚さ０．５ｍｍ）を使用し、このアルミナセラミック基板層上に、パターン付きフィルム（Ａ）のパターンが設けられていない面に接着剤（Ｃ）を重ね真空度７５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で貼り合せ、次いで、１５０℃に加熱した熱板プレスにて実加重２０ｋｇｆ／ｃｍ２に３０分間プレスした。さらにこの操作を繰り返し、セラミック層に３層のパターン付きフィルム（Ａ）が積層されたテスト用多層基板（ＡＣ）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表１に示す。
【００４８】
〔実施例４〕
（接着剤による貼り付け６）
セラミック基板（厚さ０．５ｍｍ）上にポリアミドイミドフィルム（Ｅ）を載せ更にその上にパターン付きフィルム（Ａ）載せ、更にその上にポリアミドイミドフィルム（Ｅ）を載せ更にその上にパターン付きフィルム（Ａ）を位置決めして、３５０℃にて１０分間の真空プレスを行った。このときの真空度は１５０Ｐａ程度であった。このときの圧力は１０ＭＰａとした。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表２に示す。
【００４９】
〔比較例３〕
（接着剤による貼付け７）
パターン付きフィルム（Ａ）の代わりにパターン付きフィルム（Ｂ）を使用する以外は接着剤による貼付け５と同様にして、テスト用多層基板（ＢＣ）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表１に示す。
【００５０】
〔実施例５〕
熱可塑ポリイミド（Ｄ）を載せ更にその上にパターン付きフィルム（Ａ）載せる繰り返しを１０回行う以外は実施例２と同様にして、テスト用基板（ＡＤ１０）を作製した。得られたテスト用多層基板を下記に従って評価した。その結果を表２に示す。
【００５１】
（基板評価）
《高温度後の信頼性》
得られたセラミック／ポリイミド複合多層プリント配線板を、相対湿度８５％、温度８５℃の雰囲気下、１０００時間放置する条件で行った。その後、長期使用状態の評価として、得られたセラミック／ポリイミド複合多層プリント配線板を、ダイヤモンドカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察し、素子の歪みや剥がれの全く見られないものを○、素子の歪みや剥がれが僅か見られるものを△、素子の歪みや剥がれが見られるものを×とした。
【００５２】
《ヒートサイクル試験》
得られた多層基板（多層プリント配線板）を、−６５℃の雰囲気下に３分間維持した後、１３０℃の雰囲気下に３分間維持するサイクルを１０００回繰り返した。その後、内蔵状態の評価として、得られたセラミック／ポリイミド複合多層基板を、ダイヤモンドカッターで切断し、その断面を顕微鏡で観察し、歪みや剥がれの全く見られないものを○、歪みや剥がれが僅か見られるものを△、素子の歪みや剥がれが見られるものを×とした。
【００５３】
【表１】
2009016645.tif 000008
【００５４】
【表２】
2009016645.tif 000009
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の多層基板は、特定物性の耐熱性ポリイミドフィルム層とセラミック層とが積層された多層基板であって、前記セラミック層にはインピーダンス素子などが形成されるとともに、前記耐熱性ポリイミドフィルム層には導体回路や電子部品が装着される多層基板であり、セラミック層にインピーダンス素子などが形成されているので、温度変化に対して安定するとともに正確な値を維持することができ、ポリイミドフィルム層に導体回路が形成できるため細密回路が形成できるので、基板の実装密度が向上し小型化が可能となり、セラミック層をその内部に有しているため多層基板としての湾曲が抑えられかつ、セラミック層とポリイミドフィルム層との線膨張係数の乖離がなくそのために多層基板の反りや基板内での剥がれなどが少ないため多層基板として極めて有用である。
さらに温度サイクルが加えられた後も良好な高温高湿度下での接着信頼性を兼ね備え、さらにセラミック層との線膨張係数差が小さく、ベアチップ実装時の接続信頼性が高いインターポーザ用多層基板を作製することが可能であり、産業上極めて有意義な物である。