(57)【要約】【課題】下側クラッド層、あるいは下側コンタクト層を厚膜化することなく、発光領域の全域に電流が広がるようにした高出力特性の発光素子を提供する。【解決手段】発光層となる半導体薄膜層を、絶縁部材４０８上に接合して成る発光素子４００において、下側電極４０２が、半導体薄膜層の発光領域内に配置されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層となる半導体薄膜層を絶縁部材上に接合して成る発光素子において、
下側電極が、前記半導体薄膜層の発光領域内に配置されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記半導体薄膜層が、少なくとも上側コンタクト層、上側クラッド層、活性層、下側クラッド層、および下側コンタクト層から成ることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光領域の中心部分と外周部分において、前記上側コンタクト層から前記下側コンタクト層に至る深さまでエッチングされており、エッチングにより露出した下側コンタクト層上に前記下側電極が形成されると共に、各々下側電極同士が下側電極ジャンパー配線により接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記発光領域の全域に亘る複数箇所に前記下側コンタクト層を露出させ、その領域に前記下側電極が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記上側コンタクト層から前記下側コンタクト層より成る前記発光領域を前記下側コンタクト層上の複数箇所に形成し、これら複数の発光領域にて単一の発光素子が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項２に記載の発光素子。
【請求項６】
前記下側コンタクト層の露出面に、前記下側電極が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
各発光領域上に設けられた上側電極同士が、上側電極ジャンパー配線により接続されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記上側電極、および前記下側電極ジャンパー配線が透明導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７までの何れかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記上側電極ジャンパー配線が、透明導電膜により形成されていることを特徴とする請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
透明導電膜から成る前記上側電極が、発光領域全体に形成されていることを特徴とする請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記発光層が選択拡散により形成されていると共に、その発光領域が発光領域の中心部分と外周部分を残して拡散されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項１２】
下側電極が、発光領域中心部の未拡散領域、および発光領域外周部の未拡散領域上に形成されていると共に、各々下側電極同士が下側電極ジャンパー配線により接続されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
拡散領域の全域に亘る複数箇所に未拡散領域が設けられ、各々未拡散領域に下側電極が形成されると共に、各々下側電極同士が下側電極ジャンパー配線により接続されていることを特徴とする請求項１１および請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記上側電極、および前記下側電極ジャンパー配線が透明導電膜により形成されていることを特徴とする請求項１１から請求項１３までの何れかに記載の発光素子。
【請求項１５】
透明導電膜により成る前記上側電極が、上側コンタクト層の全域に形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の発光素子。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５までの何れかに記載の発光素子が、絶縁部材上にアレイ状に形成されると共に、各々発光素子の上側電極と下側電極がマトリクス状に配線された上側電極共通配線と下側電極共通配線に接続されて成ることを特徴とするＬＥＤ発光装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載のＬＥＤ発光装置を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、ＬＥＤ発光装置、およびＬＥＤ発光装置を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、発光層となる半導体薄膜層を、任意の異種材料基板上に接合して成る発光素子が知られている。このような発光素子の一例として、特許文献１には、電子写真プリンタの光源などに用いられる発光ダイオードアレイ装置が開示されている。
【０００３】
ところで、半導体薄膜層との接合面に任意の異種材料基板として絶縁物を用いる場合は、半導体薄膜層の裏面に電気的コンタクト電極を形成することは不可であるため、図１３に示すように、発光素子の表面側に相異なる二つの電極を形成する必要がある。
【０００４】
すなわち、係る構造の発光素子は、図１３に示すように、上から、上側コンタクト層１０１、上側クラッド層１０２、活性層１０３、下側クラッド層１０４、および下側コンタクト層１０５で成る半導体薄膜層により構成される。
そして、上側コンタクト層１０１上に上側電極１０７が形成されると共に、ケミカルエッチングにより下側コンタクト層１０５の一部が露出され、その露出部分に下側電極１０８が形成されるという素子構造がとられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、図１３に記載の素子構造では、活性層１０３の下側に位置する下側コンタクト層１０５、或いは下側クラッド層１０４の層厚が薄く形成されているため、この領域での電気伝導性が悪くなり（抵抗成分が大）、電流が均一に流れ難いことから、バルク状態の素子構造と比べて電流の広がりが格段に劣るという問題を有していた。
【０００６】
その対策として、下側コンタクト層１０５、或いは下側クラッド層１０４の層厚を厚くすることが考えられるが、活性層から裏面方向に放出される光を反射させて表面側に取り出すことで、光量の増加を図るようにした発光素子構造の場合は、裏面放出光と、その反射光が厚膜化された上記半導体層に吸収されてしまうため、裏面放出光を有効に活用できなくなるという問題が生じてしまう。
【０００７】
発光素子のサイズが、例えば、一辺２０μｍ程の正方形と、比較的面積が小さい場合は良いが、一辺１００μｍ以上と比較的大きな面積の発光素子にあっては、発光領域の全域に亘って均一な電流広がりを得ようとすると、やはり、下側クラッド層、および下側コンタクト層を厚膜化しなければならず、よって、厚膜半導体層による光の吸収は、大面積発光素子を作製する上で克服すべき大きな課題となっていた。
【特許文献１】特開２０００−３１２０２７号公報
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑み、発光素子を絶縁基板や絶縁膜上に作製する場合、下側クラッド層、あるいは下側コンタクト層を厚膜化せずに、発光領域の全域に電流が広がるようにした高出力特性の発光素子、ＬＥＤ発光装置、および表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、発光層となる半導体薄膜層を絶縁部材上に接合して成る発光素子において、下側電極が、上記半導体薄膜層の発光領域内に配置されていることを特徴としている。
【００１０】
また、他の発明は、発光素子が絶縁部材上にアレイ状に形成されると共に、各々発光素子の上側電極と下側電極がマトリクス状に配線された上側電極共通配線と下側電極共通配線に接続されて成るＬＥＤ発光装置を特徴としている。
【００１１】
更に、他の発明は、上記ＬＥＤ発光装置を備える表示装置を特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、下側電極をエッチングにより発光領域の中心部分と外周部分に形成したので、発光領域の外周部と中心部の双方から電流を流すことが可能となる。これにより、大面積発光素子であっても、下側クラッド層、あるいは下側コンタクト層を厚膜化することなく、発光領域の全域に亘って、均一に電流を流すことができ、均一に発光させることができる。
【００１３】
また、他の発明によれば、上記構造の発光素子を絶縁部材上にアレイ状に配置したので、高出力のＬＥＤ発光装置を構成することができ、さらには、このＬＥＤ発光装置を用いることにより、表示品質に優れる高出力の表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明は、発光機能を有する半導体層（ＰＮ接合層）を、絶縁部材（絶縁基板、或いは絶縁膜）上に接合した構造の発光素子である。以下、図面に基づき、その実施の形態を説明する。本実施例では、上記発光素子として、発光ダイオードを示した。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本発明の実施例１による発光素子の構造を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
【００１６】
本実施例１において、上記半導体層は、図１（ｂ）に示すように、上から順に、上側コンタクト層４０３、上側クラッド層４０４、活性層４０５、下側クラッド層４０６、および下側コンタクト層４０７から構成されている。
半導体層の膜厚は、例えば、膜厚２μｍ程に薄膜化されており、該半導体薄膜層が絶縁部材４０８上にファンデルワールス力（分子間力）により接合されることにより、発光素子４００が構成されている。この発光素子４００は、一辺が１００μｍ以上の長さから成る比較的大きな発光領域を有する。尚、上記絶縁部材として、ガラス、或いは絶縁性ポリマー等が使用できる。
【００１７】
尚、上記半導体層の薄膜化は以下の工程により行われる。
すなわち、エピタキシャル成長する際の基板、例えば、ＧａＡｓ基板上にケミカルエッチングが可能な犠牲層、例えば、ＡｌＡｓ層を介在させ、この半導体層をエピタキシャル成長させると共に、上記犠牲層を選択的にケミカルエッチングすることにより、ＧａＡｓ基板上から発光機能を有する薄膜の半導体層（すなわち、発光層）のみを分離させることができる。
【００１８】
因みに、この半導体層は、公知の有機金属化学蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）、有機金属化学気相エピタキシー法（ＭＯＶＰＥ法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）等により作製することができる。
【００１９】
また、本実施例の発光素子４００では、発光領域の中心部分において、上側コンタクト層４０３から下側クラッド層４０６までエッチングされ、下側コンタクト層４０７が表面に露出した状態となっている。また、発光領域の外周部においても、上側コンタクト層４０３から下側クラッド層４０６までエッチングされており、下側コンタクト層４０７が表面に露出した状態となっている。そして、露出した下側コンタクト層４０７上に下側電極４０２が形成され、これら下側電極４０２が下側電極ジャンパー配線４１４により接続されている。
【００２０】
また、半導体層の全表面は、第１層間絶縁膜４１０により被覆されている。上側電極４０１は、上側コンタクト層４０３上に形成され、上側電極４０１と下側電極ジャンパー配線４１４が直接接触しないよう、層間に第２層間絶縁膜４１１が形成されている。
上側電極４０１は、上側電極接続配線４１２により上側電極共通配線４１５に接続され、下側電極４０２は、下側電極接続配線４１３により下側電極共通配線４０９に接続されている。そして、上側電極接続配線４１２と下側電極４０２が接触しないよう、下側電極４０２は、第２層間絶縁膜４１１にて被覆されている。
【００２１】
ところで、本実施例においては、活性層４０５から裏面方向に放出される光を反射させて表面側に取り出すことで光量の増加を図るようにした、発光素子構造を採用することができる。この場合、下側コンタクト層４０７および下側クラッド層４０６は、反射光の吸収を防止するため、層厚をそれぞれ５００ｎｍ以下にすることが望ましい。
【００２２】
図２は、絶縁部材２０２の裏面に反射メタル層２０１が形成された発光素子の構造を示し、図３は、絶縁部材３０３の表面に反射メタル層３０１が形成され、その上に絶縁膜３０２が膜成された発光素子の構造を示している。これら反射メタル層２０１、３０１は、蒸着やスパッタにより形成可能であり、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、ＡｕＧｅＮｉ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等の反射率の高い金属材料が用いられている。
また、図３中の絶縁膜３０２は、反射メタル層３０１の表面が、例えば、５ｎｍ以上の凹凸差がある場合の表面粗さを改善するために形成されており、スピンコーティングにより成膜されることが望しい。絶縁膜３０２の材料として、ポリイミド、ＳＯＧ、或いはノボラック系永久レジスト等が使用される。
【００２３】
上記反射メタル層を有する素子構造は、以下に述べる第２、実施例３の発光素子についても勿論適用可能である。
【００２４】
次ぎに、実施例１の変形例について説明する。
【００２５】
図４は、実施例１の発光素子の変形例（１）を示し、図４中、符号６０１は上側電極、符号６０２は下側電極、符号６０３は下側電極ジャンパー配線、符号６０４は上側電極共通配線、符号６０５は下側電極共通配線、符号６０６は上側電極接続配線、符号６０７は下側電極接続配線、符号６０８は絶縁部材である。
【００２６】
変形例（１）の発光素子６００は、発光領域中心部分６０９の半導体層が下側コンタクト層が露出するまでエッチングされて、その領域に下側電極６０２が形成される図１の素子構造に加え、発光領域の全域に亘り、周期的に下側コンタクト層を露出させた領域を複数形成し、それらの領域にそれぞれ下側電極６０２が形成される構造となっている。この場合、各々下側電極６０２同士は、下側電極ジャンパー配線６０３によって接続されている。
【００２７】
図５は、実施例１の発光素子の変形例（２）を示し、図５中、符号７０１は上側電極、符号７０２は下側電極、符号７０３は上側電極ジャンパー配線、符号７０４は上側コンタクト層、符号７０５は上側クラッド層、符号７０６は活性層、符号７０７は下側クラッド層、符号７０８は下側コンタクト層、符号７０９は絶縁部材、符号７１０は第１層間絶縁膜、符号７１１は第２層間絶縁膜、符号７１２は下側電極共通配線、符号７１３は下側電極接続配線、符号７１４は上側電極共通配線である。
【００２８】
変形例（２）の発光素子７００は、図１、図４の構造とは異なり、主に下側コンタクト層７０８を露出させ、そこにメサ状の発光層（半導体薄膜層）が周期的に形成される構造となっている。そして、各発光層の発光領域周辺の露出した下側コンタクト層７０８上に、下側電極７０２が形成されている。また、各々の発光層の上側電極７１３は、それぞれ上側電極ジャンパー配線７０３により接続されている。
【００２９】
上記実施例１による発光素子４００（或いは、６００、７００）で成る表示画素５０１が、図１０に示すように、絶縁部材５０４上に二次アレイ状に配置されると共に、配線間絶縁膜５０５を介してマトリクス状に配線された上側電極共通配線５０２と下側電極共通配線５０３に各発光素子４００（或いは、６００、７００）の上側電極、および下側電極が上側電極接続配線、および下側電極接続配線にて接続されることにより、本発明の発光装置５００が構成される。
【００３０】
そして、係る発光装置５００において、上側電極が接続されている上側電極共通配線５０２と下側電極が接続されている下側電極共通配線５０３を通して、その接続先である半導体素子に対して順方向となるように、上側電極と下側電極に電流を供給することにより、任意アドレスの表示画素５０１を発光させることができる。
【００３１】
以上、実施例１によれば、エッチングにより発光領域の中心部分と外周部分に下側電極を形成したので、発光領域の外周部と中心部の双方から電流を流すことが可能となる。これにより、半導体薄膜層を絶縁部材上に接合した発光素子構造の大面積発光素子であっても、下側クラッド層、あるいは下側コンタクト層を厚膜化することなく、発光領域の全域に亘って、均一に電流を流すことができ、均一に発光させることができる。
【００３２】
特に、変形例（１）の発光素子では、発光領域の大きさに合わせて、適宜下側電極コンタクト領域を設けることができ、発光素子の更なる大面積化に対しても、発光領域の全域に亘って均一に発光させることができる。
【００３３】
また、変形例（２）の発光素子では、下側電極を発光素子の面内において広く形成することができるため、下側クラッド層や下側コンタクト層の更なる薄膜化が可能となる。加えて、変形例（２）では、分割化された各発光層を囲むように下側電極を形成できるため、分割化された各発光素子の面内において、均一に発光させることが可能となる。
【実施例２】
【００３４】
図６は、本発明の実施例２による発光素子の構造を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
図６中、符号８０１は上側電極、符号８０３は上側コンタクト層、符号８０４は上側クラッド層、符号８０５は活性層、符号８０６は下側クラッド層、符号８０７は下側コンタクト層、符号８０８は絶縁部材、符号８０９は第１層間絶縁層、符号８１０は第２層間絶縁層、符号８１１は下側電極共通配線、符号８１２は上側電極共通配線、符号８１３は下側電極接続配線、符号８１４は上側電極接続配線、符号８１５は下側電極である。
【００３５】
実施例２の発光素子８００では、半導体層の構成、下側電極８１５、上側電極接続配線８１４、下側電極接続配線８１３、および第２層間絶縁膜８１０については、図１に示した実施例１と同様であるが、上側電極８０１、および発光領域上を覆うように形成される下側電極ジャンパー配線８０２が、それぞれ透明導電膜材料、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）を用いて形成されている点が実施例１と相違している。
【００３６】
次ぎに、実施例２の変形例について説明する。図７は実施例２の変形例（１）を示し、図８は変形例（２）を示す。
変形例（１）において、図７中、符号９０１は上側電極、符号９０２は下側電極、符号９０３は下側電極ジャンパー配線、符号９０４は下側電極共通配線、符号９０５は上側電極共通配線、符号９０８は下側電極接続配線、符号９０９は上側電極接続配線である。
また、変形例（２）において、図８中、符号１００１は上側電極、符号１００２は上側コンタクト層、符号１００３は上側クラッド層、符号１００４は活性層、符号１００５は下側クラッド層、符号１００６は下側コンタクト層、符号１００７は下側電極、符号１００８は絶縁部材、符号１００９は第１層間絶縁層、符号１０１０は第２層間絶縁層、符号１０１１は上側電極ジャンパー配線、符号１０１２は下側電極共通配線、符号１０１３は上側電極共通配線、符号１０１４は下側電極接続配線、符号１０１５は上側電極接続配線である。
【００３７】
本実施例２の変形例（１）、変形例（２）においても、各々発光素子９００、１０００の基本構造は実施例１の変形例（１）、変形例（２）と同様であるが、上側電極９０１、１００１、および下側電極ジャンパー配線９０３、上側電極ジャンパー配線１０１１に透明導電膜材料を使用している点が実施例１の変形例（１）、変形例（２）と相違している。尚、実施例２の変形例（２）の場合、下側電極ジャンパー配線は、発光領域を妨げず、下側電極１００７上に第２層間絶縁膜２を介在させることにより形成することができるため、透明導電膜材料を使用しなくても良い。
【００３８】
また、本実施例２による発光素子８００（或いは、９００、１０００）による表示画素５０１ついても、実施例１と同様、絶縁部材５０４上にそれぞれ発光素子を二次アレイ状に配置させることにより、図１０に示す発光装置５００を構成することができる。そして、上側電極が接続されている上側電極共通配線５０２と下側電極が接続されている下側電極共通配線５０３に、その接続先である半導体素子に対して順方向となるように電流を供給することにより、任意アドレスの表示画素５０１を発光させることができる。
【００３９】
以上、実施例２によれば、発光領域を覆うように形成されている、上側電極、および下側電極ジャンパー配線、上側電極ジャンパー配線等を透明導電膜で形成したので、活性層から上方に放出される光が、これら透明導電膜によって遮断されることはなく効率良く取り出すことができ、より高出力特性を得ることができる。
加えて、上記透明電極は光を遮断しないため、上側電極の面積を制限する必要はなくなり、発光領域の全域に亘って透明電極を形成することが可能である。これにより、発光領の域全域に亘って電流をより均一に流すことができ、発光領域が大面積化した際においても、均一に発光させることができる。
【実施例３】
【００４０】
図９は、本発明の実施例３による発光素子の構造を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
図９中、符号１１０１は上側電極、符号１１０２は下側電極、符号１１０３はコンタクト層、符号１１０４は拡散領域、符号１１０５は未拡散領域、符号１１０６は下側電極ジャンパー配線、符号１１０７は下側電極共通配線、符号１１０８は上側電極共通配線、符号１１０９は第１層間絶縁膜、符号１１１０は第２層間絶縁膜、符号１１１１は絶縁部材（絶縁基板、或いは絶縁層）である。
【００４１】
実施例３による発光素子２０００では、実施例１、２と相違し、半導体薄膜層（発光層）の形成に拡散法が用いられ、発光領域となる領域に対して選択的にドナー、或いはアクセプターを拡散することにより、独立したＰＮ接合の発光層を形成するようにしている。
【００４２】
本実施例では、上記選択拡散領域１１０４が、発光領域の中心部と発光領域の外周部を未拡散状態にして拡散されており、発光領域中心部の未拡散領域、および発光領域外周部の未拡散領域に、それぞれ上側電極１１０１と下側電極１１０２が形成される素子構造となっている。そして、発光領域中心部の下側電極１１０２と、発光領域外周部の下側電極１１０２同士が、下側電極ジャンパー配線１１０６により接続されている。
【００４３】
尚、上側電極１１０１と下側電極１１０２間においては、その下層のコンタクト層１１０３を経由して電流が流れてしまう現象を防止するため、その間のコンタクト層１１０３がエッチング加工１１１２により分離されている。
【００４４】
また、上記拡散法では、実施例１、２と同様、半導体薄膜の膜厚を２μｍ程度とすることが可能である。また、反射メタル層を形成した際の、半導体薄膜により吸収される光量を低減するため、拡散領域の底辺から半導体薄膜の裏面までの膜厚が１μｍ以下に薄膜化されることが望ましい。
【００４５】
また、本実施例では、実施例１、２と同様に、上側電極１１０１と下側電極ジャンパー配線１１０６に透明電極膜材料を用いることも勿論可能であり、また、拡散領域についても、発光領域の中心部と外周部を未拡散状態にする上記素子構造のみならず、拡散領域の全域に亘る複数箇所に周期的に未拡散領域１１０５が設けられ、各々未拡散領域１１０５に下側電極１１０２が形成される素子構造とすることも可能である。
【００４６】
上記構成の発光素子２０００についても、実施例１、２と同様、絶縁部材５０４上にそれぞれ発光素子を二次アレイ状に配置させることにより、図１０に示す発光装置５００を構成することができる。そして、上側電極が接続されている上側電極共通配線５０２と下側電極が接続されている下側電極共通配線５０３に、その接続先である半導体素子に対して順方向となるように電流を供給することにより、任意アドレスの表示画素５０１を発光させることができる。
【００４７】
以上、実施例３によれば、発光領域が選択拡散により形成されるので、下側電極直下の導通層を厚く残すことができる。これにより、導通層の抵抗分を低減させて、下側導通層における電流の広がりを均一化させることができる。
また、実施例１、２のように、半導体薄膜層の形成にエッチングを用いないため、素子表面の凹凸を小さくすることができ、配線の形成も容易となる。
【００４８】
次ぎに、本実施例による発光装置を用いて構成した表示装置について図１１に基づいて説明する。
【００４９】
図１１は本実施例による表示装置の回路構成を示し、外部駆動回路２０およびＬＥＤパネル２１で構成されている。
【００５０】
外部駆動回路２０は、パーソナルコンピュータ等の外部機器２２から送信される画像信号を受信し、受信した画像信号に基づいてＬＥＤパネル２１を駆動する制御信号（同期信号）を発生すると共に、画像信号のデジタル処理等を行うコントローラ部１１と、画像信号をデジタル／アナログ変換する複数のドライバ１２と、上記したコントローラ部１１、ドライバ１２、ＬＥＤパネル２１等への駆動用電源を発生する電源部１３により構成されている。
【００５１】
他方、ＬＥＤパネル２１は、信号線駆動回路１５、走査線駆動回路１６、および表示部１７により構成されている。
【００５２】
表示部１７は、複数の表示画素ＰＸをマトリクス状に配置することにより構成されており、複数の信号線Ｘ１〜Ｘｍが複数の表示画素ＰＸの行方向に配置され、複数の走査線Ｙ１〜Ｙｎが複数の表示画素ＰＸの列方向に配置されている。行方向に隣接するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色の表示画素ＰＸによりカラー表示の１画素が構成されている。
【００５３】
各々表示画素ＰＸは、それぞれ対応する信号線Ｘ１〜Ｘｍおよび走査線Ｙ１〜Ｙｎに割り当てられるスイッチング素子（例えば、Ｎチャンネル型薄膜トランジスタ）Ｎ１と、映像信号電圧保持用コンデンサＣ１と、ＬＥＤ素子ＬＤ１と、ＬＥＤ素子ＬＤ１の駆動用素子（例えば、Ｐチャンネル型薄膜トランジスタ）Ｐ１等で構成されている。符号ＶｄｄはＬＥＤ素子ＬＤ１への電流供給線である。
【００５４】
上記構成の表示装置は、例えば、図１２に示すように、携帯電話、モバイルコンピュータ、或いは携帯型情報端末、携帯書籍、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置（例えば、ＤＶＤプレイヤー、デジタルカメラ等）等、様々な電子装置の画像表示用として用いることができ、表示品質に優れる高出力の表示装置を提供することができる。
【００５５】
ここで、図１２（Ａ）は、携帯電話を示し、符号３１は表示装置、符号３２は操作キーである。
図１２（Ｂ）は、モバイルコンピュータ、或いは携帯型情報端末を示し、符号４１は表示装置、符号４２は受像部、符号４３は操作スイッチである。
図１２（Ｃ）は、携帯書籍を示し、符号５１は表示装置、符号５２は操作スイッチ、符号５３は記録媒体である。
図１２（Ｄ）は、ビデオカメラを示し、符号６１は表示装置、符号６２は操作スイッチ、符号６３は受像部、符号６４は音声入力部である。
図１２（Ｅ）は  パーソナルコンピュータを示し、符号７１は表示装置、符号７２はキーボードである。
図１２（Ｆ）は  ＤＶＤプレイヤーを示し、符号８１は表示装置、符号８２は記録媒体、符号８３は操作スイッチである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施例１による発光素子を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図２】反射メタル層が絶縁基板の裏面に付加された発光素子の断面図である。
【図３】反射メタル層が絶縁基板の表面に付加された発光素子の断面図である。
【図４】実施例１の発光素子の変形例（１）を示す上面図である。
【図５】実施例１の発光素子の変形例（２）を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図６】本発明の実施例２による発光素子を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図７】実施例２による発光素子の変形例（１）を示す上面図である。
【図８】実施例２による発光素子の変形例（２）を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図９】本発明の実施例３による発光素子を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図１０】本発明の発光装置の上面図である。
【図１１】本発明の表示装置の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の表示装置を用いた電子装置の具体例を示す図である。
【図１３】従来例として示した発光素子の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  表示装置
４００、６００、７００、８００、９００、２０００  発光素子
４０１、６０１、７０１、８０１、９０１、１００１、１１０１  上側電極
４０２、６０２、７０２、８１５、９０２、１００７、１１０２  下側電極
４０３、１００、４０３、７０４、８０３  上側コンタクト層
４０４、７０５  、８０４、１００３  上側クラッド層
４０５、  ７０６、８０５、１００４  活性層
４０６、７０７、８０６、１００５  下側クラッド層
４０７、７０８  、８０７、１００６  下側コンタクト層
４０８、５０４、６０７、７０９、８０８、１００８、１１１１  絶縁部材（絶縁基板あるいは絶縁膜）
４０９、５０３、６０５、７１２、８１１、９０４、１０１２、１１０７  下側電極共通配線
４１５、５０２  、６０４、７１３、８１２、９０５、１０１３、１１０８  上側電極共通配線
４１４、６０３、８０２、９０３、１１０６  下側電極ジャンパー配線
５００  発光装置
７０３、１０１１  上側電極ジャンパー配線
１１０４  拡散領域
１１０５  未拡散領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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