(57)【要約】【課題】光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができ、さらには、光信号が漏れることを防止することのできる、回路付サスペンション基板を提供すること。【解決手段】金属支持基板１１、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層するとともに、５つの屈曲部分を有するコア層２３を形成し、次いで、各屈曲部分の表面を被覆する金属薄膜２５を形成して、光導波路１９を形成する。その後、発光素子２０を、光導波路１９と光学的に接続するように設置することにより、回路付サスペンション基板１を得る。この回路付サスペンション基板１に、磁気ヘッド２８が実装されたヘッドスライダ２７を搭載し、これらをハードディスクドライブに搭載させて、光アシスト法により、ハードディスク２６に情報を記録する。【選択図】図１
2009037678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、
前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、
前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、
屈曲部分を有するコア層、および、前記屈曲部分の表面を被覆する金属薄膜を含む光導波路と
を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
【請求項２】
前記金属薄膜が、前記屈曲部分の上面および側面を被覆することを特徴とする、請求項１に記載の回路付サスペンション基板。
【請求項３】
前記金属薄膜が、銀からなることを特徴とする、請求項１または２に記載の回路付サスペンション基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、光アシスト法が採用されるハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクなどに対する磁気記録方式として、情報の記録時において、ハードディスクを光照射により加熱して、その保磁力を低下させた状態で、磁気ヘッドによって記録することにより、情報を小さな記録磁界で高密度に記録できる光アシスト法（光アシスト磁気記録方式）が知られている。
例えば、光アシスト法を採用する光アシスト磁気記録装置では、ヘッドスライダの側面に、磁気再生素子および磁気記録素子（磁気ヘッド）と光導波路と光源とを形成することにより、磁気記録再生素子を設け、このヘッドスライダをサスペンションに支持させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−１９５００２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ヘッドスライダは、小型化の要求に対応すべく、比較的小さく形成されており、しかも、磁気ヘッドが設けられているため、それ以外の部品を設置することは、スペース的に困難である。そのため、光アシスト法に用いられる光導波路および光源を、磁気ヘッドと一緒にヘッドスライダに設けようとすると、レイアウト上の制限を受け、製造に手間がかかり、製造コストが増大するという不具合がある。
【０００４】
さらに、かかるレイアウト上の制限から、光導波路が屈曲部分を有する場合には、光信号が屈曲部分に沿って屈曲せず、そのまま直進するなど漏れ易く、光信号が光アシスト法に必要な光量で伝送されにくいという不具合がある。
本発明の目的は、光アシスト法を採用できながら、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができ、さらには、光信号が漏れることを防止することのできる、回路付サスペンション基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の回路付サスペンション基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成されるベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、前記ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆するように形成されるカバー絶縁層と、屈曲部分を有するコア層、および、前記屈曲部分の表面を被覆する金属薄膜を含む光導波路とを備えることを特徴としている。
【０００６】
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属薄膜が、前記屈曲部分の上面および側面を被覆することが好適である。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、前記金属薄膜が、銀からなることが好適である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の回路付サスペンション基板では、光アシスト法に用いられる光導波路を、ヘッドスライダよりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。そのため、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
さらに、屈曲部分の表面が金属薄膜に被覆されているので、屈曲部分内において、光信号が金属薄膜により反射されて、コア層に閉じ込められながら屈曲部分に沿って伝送される。そのため、屈曲部分における光信号の漏れを防止して、光信号を光アシスト法に必要な光量で伝送させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１は、本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図、図２は、図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における長手方向に直交する方向（以下、幅方向という。）に沿う断面図であって、左側図は屈曲部分における断面図、右側図は、直線部分における断面図を示す。なお、図１および図２において、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、省略している。
【０００９】
図１において、この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブにおける磁気ヘッド２８（図６参照）を実装して、その磁気ヘッド２８を、磁気ヘッド２８とハードディスク２６（図６参照）とが相対的に走行するときの空気流に抗して、ハードディスク２６との間に微小な間隔を保持しながら支持するための金属支持基板１１に、外部回路基板（例えば、リード・ライト基板など）２と磁気ヘッド２８とを接続するための導体パターン１３が一体的に形成されている。
【００１０】
この回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平帯状に形成されており、長手方向一方側（以下、後側という。）に配置される配線部３と、配線部３の長手方向他方側（以下、先側という。）に配置されるジンバル部４とを一体的に備えている。
配線部３は、長手方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。
ジンバル部４は、配線部３の先端から連続して形成され、配線部３に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。また、ジンバル部４には、平面視において先側に向かって開く略Ｕ字状のスリット部５が形成されている。また、ジンバル部４は、スリット部５に幅方向において挟まれるタング部６と、スリット部５の幅方向両外側およびタング部６の先端側に配置されるアウトリガー部８とを一体的に備えている。
【００１１】
タング部６は、平面視略矩形状に形成されており、搭載部９と端子形成部１０とを備えている。
搭載部９は、ヘッドスライダ２７を搭載するための領域であって、タング部６の後側に配置され、平面視略矩形状に形成されている。
端子形成部１０は、後述する磁気ヘッド側接続端子部１７が形成されている領域であって、搭載部９の先側に配置されている。また、端子形成部１０には、平面視略矩形状の開口部７が形成されている。
【００１２】
開口部７は、金属支持基板１１を厚み方向に貫通するように平面視略矩形状に形成されており、搭載部９の近傍であって、端子形成部１０における幅方向中央に形成されている。
導体パターン１３は、外部側接続端子部１６と、磁気ヘッド側接続端子部１７と、これら外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７を接続するための信号配線１５とを、一体的に連続して備えている。
【００１３】
各信号配線１５は、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って複数（４本）設けられ、幅方向において互いに間隔を隔てて並列配置されている。
複数の信号配線１５は、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄから形成されており、これら第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって、順次配置されている。
【００１４】
より具体的には、第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、配線部３において、互いに並行して延びるように形成されている。ジンバル部４において、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、アウトリガー部８の幅方向一方側において、その幅方向一方側端縁と並行するように配置され、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、アウトリガー部８の幅方向他方側において、その幅方向他方側端縁と並行するように配置されている。第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄは、アウトリガー部８の先端側に至った後、幅方向内側に屈曲した後、幅方向内側に向かって延び、さらに後側に折り返されるように屈曲して、磁気ヘッド側接続端子部１７の先端部に至るように配置されている。
【００１５】
なお、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂは、配線部３において後述する発光素子２０を幅方向内側に迂回するように、配置されている。
外部側接続端子部１６は、配線部３の後端部に配置され、各配線１５の後端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。また、この外部側接続端子部１６は、幅方向に間隔を隔てて配置されている。また、外部側接続端子部１６は、外部側接続端子部１６に接続する第１配線１５ａ、第２配線１５ｂ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第１外部側接続端子部１６ａ、第２外部側接続端子部１６ｂ、第３外部側接続端子部１６ｃおよび第４外部側接続端子部１６ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この外部側接続端子部１６には、破線で示す外部回路基板２の図示しない端子部が接続される。
【００１６】
磁気ヘッド側接続端子部１７は、ジンバル部４に配置され、より具体的には、タング部６の端子形成部１０の後端部に配置されている。磁気ヘッド側接続端子部１７は、各信号配線１５の先端部がそれぞれ接続されるように、複数（４つ）設けられている。
より具体的には、磁気ヘッド側接続端子部１７は、端子形成部１０の後端縁（搭載部９の先端縁）に沿うように、幅方向において互いに間隔を隔てて配置されている。また、磁気ヘッド側接続端子部１７は、これに接続する第２配線１５ｂ、第１配線１５ａ、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄに対応して、第２磁気ヘッド側接続端子部１７ｂ、第１磁気ヘッド側接続端子部１７ａ、第３磁気ヘッド側接続端子部１７ｃおよび第４磁気ヘッド側接続端子部１７ｄが、幅方向一方側から幅方向他方側に向かって順次配置されている。この磁気ヘッド側接続端子部１７には、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が接続される。
【００１７】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図３に示すように、金属支持基板１１と、金属支持基板１１の上に形成されるベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成される導体パターン１３と、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
金属支持基板１１は、図１および図３に示すように、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して形成されている。
【００１８】
ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１の周端縁が露出するように、配線部３およびジンバル部４における導体パターン１３およびコア層２３（後述）が形成される位置に対応するように形成されている。より具体的には、ベース絶縁層１２は、金属支持基板１１より長手方向および幅方向がやや短くなる平帯状に形成されている。
導体パターン１３は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７と、信号配線１５とを、一体的に連続して備える配線回路パターンとして形成されている。また、導体パターン１３は、ベース絶縁層１２の上において、後述するコア層２３が形成される領域が確保されるように配置されている。
【００１９】
カバー絶縁層１４は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、信号配線１５およびコア層２３が形成される位置に対応するように配置されている。カバー絶縁層１４は、外部側接続端子部１６および磁気ヘッド側接続端子部１７が露出し、信号配線１５およびコア層２３を被覆するように形成されている。
そして、この回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、光アシスト法に用いられる光アシスト部１８を備えている。
【００２０】
光アシスト部１８は、光導波路１９と、発光素子２０とを備えている。
光導波路１９は、配線部３およびジンバル部４にわたって配置され、導体パターン１３が延びる方向に沿って配置されている。
より具体的には、光導波路１９は、配線部３において、幅方向一方側、つまり、第１配線１５ａと幅方向最外側に間隔を隔てて配置されており、第１配線１５ａと並行して延びるように設けられている。また、光導波路１９は、アウトリガー部８における幅方向一方側および先端側と端子形成部１０とにおいて、第１配線１５ａに対する第２配線１５ｂの反対側に間隔を隔てて配置され、第１配線１５ａと並行して延びるように設けられている。すなわち、光導波路１９は、第１配線１５ａと並行して延び、アウトリガー部８の先端側で後側に折り返した後、ジンバル部４の幅方向中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。
【００２１】
より具体的には、光導波路１９は、発光素子２０から開口部７に至るまでにおいて、複数の直線部分と、これらの間および端部に設けられる５つの屈曲部分（第１屈曲部分４１、第２屈曲部分４２、第３屈曲部分４３、第４屈曲部分４４および第５屈曲部分４５）とを備えている。
第１屈曲部分４１は、配線部３の後端において、発光素子２０の先側に発光素子２０と隣接配置されている。また、第１屈曲部分４１は、先側に向かうに従って幅方向一方側（外側）に屈曲するように形成されている。より具体的には、第１屈曲部分４１は、幅方向他方側（内側）に出張る略Ｓ字状の湾曲状に屈曲している。
【００２２】
第２屈曲部分４２は、配線部３とジンバル部４との間に跨るように、第１屈曲部分４１と幅方向において略同一位置に配置されている。また、第２屈曲部分４２は、先側に向かうに従って幅方向一方側（外側）に屈曲するように形成されている。より具体的には、第２屈曲部分４２は、幅方向他方側（内側）に出張る略Ｓ字状の湾曲状に屈曲している。
第３屈曲部分４３は、アウトリガー部８の幅方向一方側（外側）の後端であって、第２屈曲部４２より先側および幅方向一方側（外側）に配置されている。また、第３屈曲部分４３は、後側に向かうに従って幅方向他方側（内側）に屈曲するように形成されている。より具体的には、第３屈曲部分４３は、幅方向一方側（外側）に出張る略Ｓ字状の湾曲状に屈曲している。
【００２３】
第４屈曲部分４４は、アウトリガー部８の幅方向一方側（外側）の先端であって、第３屈曲部４３と幅方向において略同一位置に配置されている。第４屈曲部分４４は、第３屈曲部４３から先端に向かって延びる直線部分から幅方向他方側（内側）に屈曲するように形成されている。より具体的には、第４屈曲部分４４は、幅方向一方側（外側）および先端側に出張る略Ｌ字の湾曲状に屈曲している。
【００２４】
第５屈曲部分４５は、アウトリガー部８の先端および幅方向中央であって、第４屈曲部分４４と長手方向において略同一位置に配置されている。第５屈曲部分４５は、第４屈曲部分４４から幅方向他方側（内側）に向かって延びる直線部分から後側に屈曲するように形成されている。より具体的には、第５屈曲部分４５は、幅方向他方側および先端側に出張る略Ｌ字の湾曲状に屈曲している。
【００２５】
また、光導波路１９は、発光素子２０と光学的に接続されている。より具体的には、光導波路１９は、その後端（第１屈曲部分４１の後端）が、発光素子２０と接続されるとともに、その先端が、開口部７に臨むように形成されている。
発光素子２０は、光導波路１９に光を入射させるための光源であって、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換して、高エネルギーの光を出射する光源である。この発光素子２０は、金属支持基板１１の後端側に配置されており、より具体的には、配線部３の後端側であって、外部側接続端子部１６と先端側に間隔を隔てて配置されており、信号配線１５（第１配線１５ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、この発光素子２０は、ベース絶縁層１２の上に形成されている。
【００２６】
また、この発光素子２０には、発光素子２０に電気エネルギーを供給するための供給配線３０が接続されており、この供給配線３０には、外部回路基板２の図示しない端子部と接続されるための供給端子部３１が接続されている。なお、供給配線３０は、発光素子２０の後端側において、信号配線１５（第１配線１５ａ）に沿って延び、供給端子部３１は、外部側接続端子部１６（第１外部側接続端子部１６ａ）と幅方向一方側に間隔を隔てて配置されている。また、供給配線３０は、カバー絶縁層１４に被覆されており、供給端子部３１は、カバー絶縁層１４から露出している。
【００２７】
この光アシスト部１８では、発光素子２０において、外部回路基板２から供給端子部３１および供給配線３０を介して供給される電気エネルギーが光エネルギーに変換され、その光が光導波路１９に出射される。出射された光は光導波路１９を通過して、次に述べる端面２１において、反射されて、ハードディスク２６に照射される。
また、光導波路１９は、図６に示すように、その先端部の端面２１が、例えば、光導波路１９の長手方向と所定の角度（傾斜角）αで交差するように形成されている。これにより、光導波路１９は、その端面２１が傾斜角αを有するミラー面となるように形成されるので、光導波路１９に入射した光は、端面２１によって所定の角度で光路変換されて、光路変換された光が所望の位置に向けて、散乱しながら照射される。このような傾斜角αは、特に限定されず、例えば、３５〜５５°、好ましくは、４０〜５０°であり、より具体的には、４５°である。
【００２８】
そして、図３に示すように、この回路付サスペンション基板１では、光導波路１９は、金属支持基板１１の上に設けられている。
通常の光導波路は、アンダークラッド層およびオーバークラッド層を、コア層を挟むように設けている。しかしながら、この光導波路１９は、ベース絶縁層１２がアンダークラッド層を兼ね、カバー絶縁層１４がオーバークラッド層を兼ねており、光導波路１９は、ベース絶縁層１２と、カバー絶縁層１４と、これらに挟まれるコア層２３とから形成されている。
【００２９】
より具体的には、この光導波路１９は、図３の右側図に示すように、直線部分においては、ベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成されるコア層２３と、ベース絶縁層１２の上に、コア層２３を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
また、この光導波路１９は、図３の左側図に示すように、第１屈曲部分４１、第２屈曲部分４２、第３屈曲部分４３、第４屈曲部分４４および第５屈曲部分４５においては、ベース絶縁層１２と、ベース絶縁層１２の上に形成されるコア層２３と、コア層２３の表面およびコア層２３から露出するベース絶縁層１２の表面の一部（コア層２３の周辺部分）に形成される金属薄膜２５と、ベース絶縁層１２の上に、金属薄膜２５の表面を被覆するように形成されるカバー絶縁層１４とを備えている。
【００３０】
金属薄膜２５は、第１屈曲部分４１、第２屈曲部分４２、第３屈曲部分４３、第４屈曲部分４４および第５屈曲部分４５において、コア層２３の上面と、コア層２３の両側面と、コア層２３の両側面の下端部から幅方向両外側に向かってわずかに延びるベース絶縁層１２の上面とに、連続して一体的に形成されている。
なお、コア層２３は、図６に示すように、開口部７に臨む先側半分においても、ベース絶縁層１２の上に形成されている。すなわち、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４は、コア層２３と対応して、平面視において略同一位置となるように、開口部７に臨んでいる。
【００３１】
図４および図５は、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３の左側図に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４および図５を参照して、説明する。
【００３２】
まず、この方法では、図４（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
金属支持基板１１は、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属支持基板１１の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層１２を形成する。
【００３３】
アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層１２を形成する樹脂材料としては、通常の回路付サスペンション基板のベース絶縁層を形成する樹脂材料または通常の光導波路のアンダークラッド層を形成する樹脂材料が用いられる。このようなベース絶縁層を形成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料が用いられる。好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。また、アンダークラッド層を形成する樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂（脂環式エポキシ樹脂など）、アクリル樹脂、または、フルオレン誘導体樹脂、さらには、フルオレン誘導体樹脂と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂、これら樹脂と脂環式エーテル化合物（例えば、オキセタン化合物など）との混合樹脂が用いられる。これら樹脂材料は、好ましくは、感光剤を配合して、感光性樹脂として用いられる。好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。また、感光剤としては、例えば、公知のオニウム塩などが用いられ、より具体的には、４，４-ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネートなどが用いられる。
【００３４】
ベース絶縁層１２を形成するには、例えば、金属支持基板１１の上面に、感光性の上記した絶縁材料のワニスを塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光し、現像後、必要により硬化させる。
このようにして形成されるベース絶縁層１２の屈折率は、例えば、１．５００〜１．６００である。また、ベース絶縁層１２の厚みは、例えば、１〜３５μｍ、好ましくは、６〜１５μｍである。
【００３５】
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３を上記したパターンで形成する。
導体パターン１３を形成する導体材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられる。
導体パターン１３を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法を用いる。好ましくは、アディティブ法を用いる。
【００３６】
このようにして形成される導体パターン１３では、厚みが、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。また、各信号配線１５の幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍであり、各信号配線１５間の間隔は、例えば、１０〜１０００μｍ、好ましくは、２０〜１００μｍである。また、各外部側接続端子部１６および各磁気ヘッド側接続端子部１７の幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、各外部側接続端子部１６間の間隔および各磁気ヘッド側接続端子部１７間の間隔は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
【００３７】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、ベース絶縁層１２の上に、コア層２３を形成する。
コア層２３を形成する材料としては、ベース絶縁層１２の樹脂材料よりも、屈折率が高い樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、例えば、アンダークラッド層を形成する樹脂材料と同様の樹脂材料が用いられ、好ましくは、感光性フルオレン誘導体樹脂（原料としては、感光性フルオレン系エポキシ樹脂）と脂環式エポキシ樹脂との混合樹脂が用いられる。
【００３８】
コア層２３を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、導体パターン１３を含むベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。また、感光性樹脂が用いられる場合には、ワニスの塗布および乾燥後に、フォトマスクを介して露光して、公知の有機溶剤などにより未露光部分を溶解させることにより、現像して、その後、必要により硬化させる。
【００３９】
このようにして形成されるコア層２３の屈折率は、ベース絶縁層１２の屈折率より若干高く設定されており、例えば、１．５０５〜１．６０５である。また、コア層２３の厚みは、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、３〜１０μｍであり、幅は、例えば、１〜３０μｍ、好ましくは、３〜１０μｍである。また、各屈曲部分の曲率半径は、例えば、０．０１〜１０ｍｍ、好ましくは、０．５〜５ｍｍである。
【００４０】
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、金属薄膜２５を、各屈曲部分におけるコア層２３の表面およびコア層２３から露出するベース絶縁層１２の上面の一部（コア層２３の周辺部分）を被覆するように、形成する。
金属薄膜２５を形成する金属材料としては、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、クロム、銅などの金属材料が用いられる。好ましくは、光の反射率が高いことから、銀が用いられる。
【００４１】
金属薄膜２５を形成するには、まず、金属薄膜２５のパターンの逆パターンのレジストを形成して、金属薄膜２５を形成する部分の周辺をマスキングする。その後、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの蒸着法、例えば、電解めっき法、無電解めっき法などのめっき法などの薄膜形成法により、レジストから露出するコア層２３の表面およびベース絶縁層１２の表面に、金属薄膜２５を形成する。好ましくは、スパッタリング法により形成する。
【００４２】
スパッタリング法では、例えば、上記した金属材料をターゲットとして、アルゴンなどの不活性ガスを導入してスパッタリングすることにより、金属薄膜２５を形成する。
その後、エッチングや剥離などにより、レジストを除去する。
このようにして形成される金属薄膜２５の厚みは、例えば、０．１〜１μｍ、好ましくは、０．２〜０．５μｍである。また、コア層２３の周辺部分のベース絶縁層１２に形成される金属薄膜２５の幅は、例えば、０．１〜１μｍである。
【００４３】
次いで、この方法では、図５（ｆ）に示すように、オーバークラッド層を兼ねるカバー絶縁層１４を、ベース絶縁層１２の上に、導体パターン１３、コア層２３および金属薄膜２５を被覆するように形成する。
オーバークラッド層を兼ねるカバー絶縁層１４を形成するには、例えば、通常の回路付サスペンション基板に使用されるカバー絶縁層の樹脂材料または通常の光導波路のオーバークラッド層に使用される樹脂材料が用いられる。このような樹脂材料としては、上記したアンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層１２を形成する樹脂材料と同様のものが用いられる。
【００４４】
オーバークラッド層を兼ねるカバー絶縁層１４を形成するには、上記と同様の樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、各屈曲部分においては、導体パターン１３および金属薄膜２５を含むベース絶縁層１２の上面に、直線部分においては、導体パターン１３およびコア層２３を含むベース絶縁層１２の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。
【００４５】
これによって、カバー絶縁層１４は、外部側接続端子部１６、磁気ヘッド側接続端子部１７および供給端子部３１が露出し、信号配線１５、コア層２３（直線部分）、金属薄膜２５（屈曲部分）および供給端子部３１を被覆するように形成される。
このようにして形成されるカバー絶縁層１４の屈折率は、コア層２３の屈折率より若干低く設定されており、例えば、１．５００〜１．６００である。また、カバー絶縁層１４の厚み（コア層２３の表面からの厚み）は、例えば、１〜４０μｍ、好ましくは、５〜１２μｍである。
【００４６】
次いで、この方法では、図５（ｇ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成する。
開口部７を形成するには、例えば、ドリルなどの穿孔、例えば、ドライエッチング、ウエットエッチングなどのエッチングなどにより、形成する。好ましくは、エッチングにより、形成する。
【００４７】
この開口部７は、光導波路１９の先端部と厚み方向において重なるように、より具体的には、幅方向においては、光導波路１９の先端部が中央に配置され、長手方向においては、光導波路１９の先端部が先側半分に配置されるように形成されている。
このようにして形成される開口部７は、幅が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍであり、長さ（長手方向長さ）が、例えば、５０〜５００μｍ、好ましくは、１００〜２００μｍである。
【００４８】
次いで、この方法では、図５（ｈ）に示すように、ベース絶縁層１２、コア層２３およびカバー絶縁層１４の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、コア層２３の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。
レーザ加工では、図５（ｈ）の破線で示すように、開口部７を通過するレーザ光を、長手方向と所定の角度で交差するように、開口部７側（厚み方向下側）から、ベース絶縁層１２、コア層２３およびカバー絶縁層１４に照射することにより、これらベース絶縁層１２、コア層２３およびカバー絶縁層１４を一度に切削する。
【００４９】
これにより、ベース絶縁層１２、コア層２３およびカバー絶縁層１４を、開口部７側から、レーザ加工により、コア層２３の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削することができる。
その後、配線部３の後端側において、コア層２３の第１屈曲部分４１の後端と光学的に接続され、供給配線３０の先端と電気的に接続されるように、発光素子２０を、ベース絶縁層１２の上に設置する。これにより、回路付サスペンション基板１を得る。
【００５０】
そして、このようにして得られた回路付サスペンション基板１では、図１および図２の破線で示すように、配線部３において、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が、外部回路基板２の図示しない端子部と接続される。また、この外部回路基板２には、磁気ヘッド２８（図６参照）および発光素子２０を制御するためのＩＣ３２が実装されており、このＩＣ３２が、ＩＣ配線３３を介して、外部側接続端子部１６および供給端子部３１が接続される端子部と電気的に接続されている。
【００５１】
また、回路付サスペンション基板１には、図１および図６に示すように、ジンバル部４の搭載部９にヘッドスライダ２７が搭載される。このヘッドスライダ２７には、磁気ヘッド２８が実装されており、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８の図示しない端子部が、磁気ヘッド側接続端子部１７と電気的に接続される。また、上記したヘッドスライダ２７の実装によって、磁気ヘッド２８は、開口部７を臨むように、光導波路１９の先端部の端面２１の近傍に対向配置されている。
【００５２】
そして、このような磁気ヘッド２８、ヘッドスライダ２７、回路付サスペンション基板１および外部回路基板２が搭載されるハードディスクドライブでは、光アシスト法を採用することができる。
このハードディスクドライブでは、例えば、ハードディスク２６が、光導波路１９の先端部の端面２１および磁気ヘッド２８に対して、相対的に走行している。そして、発光素子２０から出射された光が、光導波路１９を通過して、その端面２１において、光路が上方に変換または散乱され、端面２１の上側に対向するハードディスク２６の表面に照射される。光導波路１９の端面２１からの光の照射により、ハードディスク２６の表面が加熱され、この状態で、磁気ヘッド２８からの磁界の照射により、ハードディスク２６に情報が記録される。そうすると、ハードディスク２６の保磁力が低下されているので、このハードディスク２６に情報を、小さな磁界の照射によって、高密度で記録することができる。
【００５３】
そして、この回路付サスペンション基板１では、光アシスト法に用いられる光導波路１９を、回路付サスペンション基板１より小さく形成されるヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕を持って形成することができる。
とりわけ、コア層２３が、ヘッドスライダ２７よりも、スペース的に余裕のあるベース絶縁層１２の上に設けられているので、設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
【００５４】
しかも、この回路付サスペンション基板１では、ベース絶縁層１２がアンダークラッド層を兼ね、カバー絶縁層１４がオーバークラッド層を兼ねており、導体パターン１３およびコア層２３が、ともに、ベース絶縁層１２の上面において、カバー絶縁層１４によって被覆される。
そのため、回路付サスペンション基板１の薄型化、構成の簡略化および製造工数の低減化を図ることができ、製造効率を向上させて、コストの低減化を図ることができる。
【００５５】
さらに、５つの屈曲部分、つまり、第１屈曲部分４１、第２屈曲部分４２、第３屈曲部分４３、第４屈曲部分４４および第５屈曲部分４５の表面が金属薄膜２５に被覆されているので、各屈曲部分内において、光信号が金属薄膜２５により反射されて、コア層２３に閉じ込められながら各屈曲部分に沿って伝送される。そのため、各屈曲部分における光信号の漏れを防止して、光信号を光アシスト法に必要な光量で伝送させることができる。
【００５６】
なお、上記した説明では、各屈曲部分において、金属薄膜２５をコア層２３の上面および両側面を被覆するように形成したが、例えば、図示しないが、金属薄膜２５を、コア層２３の上面および両側面に加え、さらに、金属薄膜２５の下面に形成することもできる。金属薄膜２５をコア層２３の上面、両側面および下面に形成すれば、光をコア層２３に効率的に閉じこめることができる。好ましくは、金属薄膜２５の製造（例えば、スパッタリングなどの薄膜形成法）の容易の観点から、コア層２３の上面および両側面に形成する。
【００５７】
また、上記した説明では、金属薄膜２５をコア層２３の周辺部分のベース絶縁層１２の表面に形成したが、例えば、図示しないが、コア層２３の周辺部分のベース絶縁層１２の表面に形成することなく、コア層２３の上面および両側面のみに形成することもできる。好ましくは、金属薄膜２５によってコア層２３の表面、とりわけ、両側面を確実に被覆する観点から、金属薄膜２５をコア層２３の周辺部分のベース絶縁層１２の表面にも形成する。
【００５８】
また、コア層２３の各屈曲部分の形状は特に限定されず、例えば、平面視において、上記したＬ字状やＳ字状以外に、Ｕ字状などの適宜の屈曲状に形成することもできる。
また、上記した説明では、開口部７をジンバル部４における幅方向中央に形成したが、その配置はこれに限定されず、例えば、幅方向一端部または幅方向他端部に形成することもできる。好ましくは、ヘッドスライダ２７の幅方向中央部分と光導波路１９の先端部とを、長手方向において対向配置させるために、開口部７をジンバル部４における幅方向中央に形成する。
【００５９】
図７は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態の断面図、図８および図９は、図７に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図７に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。なお、上記した各部に対応する部材については、以降の各図面において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００６０】
上記した説明では、アンダークラッド層を独立して設けず、ベース絶縁層１２をアンダークラッド層として兼用させ、かつ、オーバークラッド層を独立して設けず、カバー絶縁層１４をオーバークラッド層として兼用させたが、例えば、図７に示すように、ベース絶縁層１２とは別に、アンダークラッド層２２を設け、さらに、カバー絶縁層１４とは別に、オーバークラッド層２４を設けることができる。
【００６１】
図７に示すように、この光導波路１９は、第１屈曲部分４１、第２屈曲部分４２、第３屈曲部分４３、第４屈曲部分４４および第５屈曲部分４５においては、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２２の上に形成されるコア層２３と、コア層２３の上面および両側面とコア層２３の周辺部のアンダークラッド層２２の上面に形成される金属薄膜２５と、アンダークラッド層２２の上に、金属薄膜２５を被覆するように形成されるオーバークラッド層２４とを備えている。また、この光導波路１９は、図示しないが、直線部分においては、アンダークラッド層２２と、アンダークラッド層２２の上に形成されるコア層２３と、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３を被覆するように形成されるオーバークラッド層２４とを備えている。
【００６２】
カバー絶縁層１４は、ベース絶縁層１２の上において、光導波路１９が形成される領域が確保されるように配置されている。より具体的には、カバー絶縁層１４は、ベース絶縁層１２の上において、ベース絶縁層１２の幅方向一方側の領域が露出するように配置されている。
アンダークラッド層２２は、ベース絶縁層１２の上において、カバー絶縁層１４の幅方向一方側に間隔を隔てて隣接配置されている。
【００６３】
オーバークラッド層２４は、その幅方向両外側端縁が、アンダークラッド層２２の幅方向両外側端縁と平面視において同一位置となるように形成されている。
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図８および図９を参照して、説明する。
まず、この方法では、図８（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意する。
【００６４】
次いで、この方法では、図８（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。
次いで、この方法では、図８（ｃ）に示すように、アンダークラッド層２２を、ベース絶縁層１２の上に形成する。アンダークラッド層２２を形成する樹脂材料としては、上記と同様の樹脂材料が用いられる。
【００６５】
アンダークラッド層２２を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスをベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。
このようにして形成されるアンダークラッド層２２の屈折率は、例えば、１．４５〜１．５５である。また、アンダークラッド層２２の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍであり、幅は、例えば、２０〜２００μｍ、好ましくは、３０〜１００μｍである。
【００６６】
次いで、この方法では、図８（ｄ）に示すように、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上に形成する。コア層２３を形成する材料としては、上記と同様の樹脂材料が用いられる。
コア層２３を上記したパターンで形成するには、例えば、上記した樹脂のワニス（樹脂溶液）を、公知の希釈剤を用いて調製して、そのワニスを、アンダークラッド層２２およびカバー絶縁層１４を含むベース絶縁層１２の表面に塗布後、乾燥し、必要により硬化させる。
【００６７】
次いで、この方法では、図９（ｅ）に示すように、金属薄膜２５を、各屈曲部分におけるコア層２３の表面およびコア層２３から露出するアンダークラッド層２２の上面の一部（コア層２３の周辺部分）を被覆するように、形成する。
金属薄膜２５を形成する金属材料としては、上記と同様の金属材料が用いられる。
金属薄膜２５を形成するには、まず、金属薄膜２５のパターンの逆パターンのレジストを形成して、金属薄膜２５を形成する部分の周辺をマスキングする。その後、上記した薄膜形成法により、レジストから露出するコア層２３の表面およびアンダークラッド層２２の表面に、金属薄膜２５を形成する。
【００６８】
次いで、この方法では、図９（ｆ）に示すように、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３および金属薄膜２５を被覆するように形成する。
オーバークラッド層２４を形成する樹脂材料としては、上記と同様の樹脂材料が用いられる。
オーバークラッド層２４を形成するには、上記と同様の樹脂材料のワニス（樹脂溶液）を調製し、そのワニスを、屈曲部分においては、カバー絶縁層１４および金属薄膜２５を含むベース絶縁層１２の上面に、直線部分においては、カバー絶縁層１４およびコア層２３を含むベース絶縁層１２の上面に、塗布し、乾燥後、必要によりフォトマスクを介して露光および現像して、必要により硬化させる。
【００６９】
次いで、この方法では、図９（ｇ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成する。
次いで、この方法では、図９（ｈ）に示すように、ベース絶縁層１２および光導波路１９の先端部を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。
【００７０】
これにより、回路付サスペンション基板１を製造することができる。
そして、このようにして形成される回路付サスペンション基板１では、アンダークラッド層２２およびオーバークラッド層２４を設けるので、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の屈折率を、コア層２３の屈折率より低く設定する必要がなく、ベース絶縁層１２およびカバー絶縁層１４の樹脂材料の選択性を高めることができる。
【００７１】
図１０は、図１に示す回路付サスペンション基板の配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態の断面図、図１１および図１２は、図１０に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図１０に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図を示す。
【００７２】
上記した説明では、光導波路１９を、ベース絶縁層１２の上に設けたが、例えば、カバー絶縁層１４の上に設けることもできる。
図１０において、この回路付サスペンション基板１では、カバー絶縁層１４は、その周端縁が、ベース絶縁層１２の周端縁と平面視において略同一位置となるように形成されている。
【００７３】
光導波路１９は、配線部３およびジンバル部４のアウトリガー部８において、信号配線１５（より具体的には、第１配線１５ａ）の上に形成されている。また、光導波路１９のコア層２３は、配線部３およびジンバル部４のアウトリガー部８において、第１配線１５ａと平面視において重複するように形成されている。
また、光導波路１９は、ジンバル部４の端子形成部１０において、カバー絶縁層１４の上に形成されており、端子形成部１０の第１配線１５ａと幅方向他方側にずれるように配置されており、より具体的には、第１配線１５ａと間隔を隔てて、第１配線１５ａと並行して延びるように配置されている。すなわち、光導波路１９は、端子形成部１０において、端子形成部１０の中央に沿って延び、開口部７に至るように配置されている。
【００７４】
発光素子２０は、カバー絶縁層１４の上に形成されている。
この回路付サスペンション基板１を製造するには、まず、図１１（ａ）に示すように、金属支持基板１１を用意して、次いで、図１１（ｂ）に示すように、金属支持基板１１の上に、ベース絶縁層１２、導体パターン１３およびカバー絶縁層１４を順次積層する。次いで、図１１（ｃ）に示すように、アンダークラッド層２２を、カバー絶縁層１４の上に形成し、次いで、図１１（ｄ）に示すように、コア層２３を、アンダークラッド層２２の上に形成し、次いで、図１１（ｅ）に示すように、金属薄膜２５を、各屈曲部分におけるコア層２３の表面およびコア層２３から露出するアンダークラッド層２２の上面の一部（コア層２３の周辺部分）を被覆するように、形成する。次いで、図１２（ｆ）に示すように、オーバークラッド層２４を、アンダークラッド層２２の上に、コア層２３および金属薄膜２５を被覆するように形成する。次いで、図１２（ｇ）に示すように、端子形成部１０における金属支持基板１１に開口部７を形成して、次いで、図１２（ｈ）に示すように、ベース絶縁層１２、カバー絶縁層１４および光導波路１９を、開口部７側から、レーザ加工により、光導波路１９の先端部の端面２１が長手方向と交差するように、切削する。これにより、回路付サスペンション基板１を製造することができる。
【００７５】
このように、光導波路１９をカバー絶縁層１４の上に形成することにより、ベース絶縁層１２がスペース的に余裕のない場合にも、光導波路１９の設計上の自由を確保でき、製造効率を向上させることができるとともに、製造コストの低減を図ることができる。
なお、上記した説明では、光導波路１９を、第１配線１５ａの幅方向一方側に設けたが、その配置は限定されず、例えば、図示しないが、第４配線１５ｄの幅方向他方側に設けることができる。また、第２配線１５ｂに対する第１配線１５ａの反対側（すなわち、第３配線１５ｃに対する第４配線１５ｄの反対側）、第１配線１５ａおよび第２配線１５ｂの間、第３配線１５ｃおよび第４配線１５ｄの間に、光導波路１９を設けることもできる。好ましくは、スペースの観点、および、光導波路１９の先端部をジンバル部４の幅方向中央に配置させる観点から、光導波路１９を、第１配線１５ａの幅方向一方側、または、第４配線１５ｄの幅方向他方側に設ける。
【００７６】
また、上記した説明では、回路付サスペンション基板１に、１本の光導波路１９を設けたが、その本数は特に限定されず、例えば、回路付サスペンション基板１の用途および目的に応じて、複数本の光導波路１９を設けることもできる。
また、上記の説明では、コア層２３を被覆するように、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設けたが、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設けず、コア層２３を露出、すなわち、空気に曝させて、いわゆるエアクラッドとすることもできる。好ましくは、コア層２３の外的要因による損傷防止の観点から、オーバークラッド層２４またはカバー絶縁層１４を設ける。
【実施例】
【００７７】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
実施例１（屈曲部分に金属薄膜が形成される形態）
厚み２０μｍのステンレスからなる金属支持基板を用意した（図４（ａ）参照）。
次いで、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層を、金属支持基板の上に、上記したパターンで形成した（図４（ｂ）参照）。このベース絶縁層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５３２であった。また、ベース絶縁層の厚みは６μｍであった。
【００７８】
次いで、ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、銅からなる、導体パターンと供給配線および供給端子部とを、同時に形成した（図４（ｃ）参照）。これらの厚みは、１０μｍであった。
次いで、ベース絶縁層の上に、第１屈曲部分、第２屈曲部分、第３屈曲部分、第４屈曲部分および第５屈曲部分を有するコア層を形成した。
【００７９】
コア層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレ
ンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３０重量部、２，２’−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（脂環式エポキシ樹脂、ＥＨＰＥ３１５０、ダイセル化学社製）７０重量部、４，４−ビス［ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液０．５重量部、乳酸エチル（希釈剤）２８重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、導体パターンを含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、コア層を形成した（図４（ｄ）参照）。
【００８０】
コア層（硬化後のコア層）の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５３５であった。また、コア層の厚みは５μｍ、幅は５μｍであった。また、第１屈曲部分の曲率半径は５ｍｍ、第２屈曲部分および第３屈曲部分の曲率半径は１０ｍｍ、第４屈曲部分および第５屈曲部分の曲率半径は２．５ｍｍであった。
次いで、金属薄膜を、屈曲部分におけるコア層の表面およびコア層から露出するベース絶縁層の上面の一部（コア層の周辺部分）を被覆するように、形成した。
【００８１】
金属薄膜を形成するには、まず、金属薄膜のパターンの逆パターンのレジストを形成して、金属薄膜を形成する部分の周辺をマスキングした。その後、銀スパッタリングにより、レジストから露出するコア層の表面およびベース絶縁層の表面に、銀からなる厚み０．１５μｍの金属薄膜を形成した。その後、レジストをエッチングにより除去した（図５（ｅ）参照）。
【００８２】
次いで、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターン、コア層および金属薄膜を被覆するように、上記したパターンで形成した。
カバー絶縁層を上記したパターンで形成するには、まず、ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル（フルオレン誘導体、エポキシ当量３００ｇ／ｅｑ．）３０重量部、（３，４−エポキシシクロヘキサン）メチル３´，４´−エポキシシクロヘキシル−カルボキシレート４５重量部、シクロヘキセンオキシド骨格を有する脂環式エポキシ樹脂（セロキサイド２０８１、ダイセル化学社製）２５重量部、４，４−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ］フェニルスルフィド−ビス−ヘキサフルオロアンチモネート（感光剤）の５０％プロピオンカーボネート溶液１重量部を配合してワニスを調製した。次いで、このワニスを、導体パターン、コア層および金属薄膜を含むベース絶縁層の表面に塗布し、８０℃で１５分間加熱することにより、乾燥した。その後、フォトマスクを介して露光して、ガンマブチロラクトン系の有機溶剤によって未露光部分を溶解させることにより、現像した。その後、１００℃で１５分間、加熱して硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、外部側接続端子部、磁気ヘッド側接続端子部および供給端子部を露出させ、信号配線、コア層、金属薄膜および供給端子部を被覆するように、カバー絶縁層を形成した（図５（ｆ）参照）。
【００８３】
カバー絶縁層の波長８３０ｎｍにおける屈折率は１．５３２であった。また、カバー絶縁層の厚み（コア層の表面からの厚み）は１０μｍであった。
次いで、端子形成部における金属支持基板に、ウエットエッチングによって、平面視矩形状の開口部を形成した（図５（ｇ）参照）。この開口部の幅は１００μｍ、長さは１００μｍであった。
【００８４】
次いで、ベース絶縁層、コア層およびカバー絶縁層を、開口部側からレーザ加工により、それらの先端部の端面が長手方向と交差するように、一度に切削した（図５（ｈ）参照）。この切削により形成された端面の傾斜角は４５°であった。
その後、この回路付サスペンション基板の配線部の後端側において、光導波路の後端と光学的に接続され、供給配線の先端と電気的に接続されるように、発光素子を、ベース絶縁層の上に設置した。
【００８５】
比較例１（屈曲部分に金属薄膜が形成されない形態）
コア層の各屈曲部分に金属薄膜を形成しなかった以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得て、発光素子を設置した。
すなわち、カバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に、導体パターンおよびコア層を被覆するように、上記したパターンで形成した。
【００８６】
（評価）
（光の漏れ）
実施例１および比較例１において得られた回路付サスペンション基板において、発光素子を発光させた。
実施例１では、コア層の先端の端面から、光アシスト法に使用するのに十分な光量が出射された。
【００８７】
一方で、比較例１では、コア層の先端の端面から出射された光量が十分でなく、光アシスト法に使用できなかった。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の回路付サスペンション基板の一実施形態を示す平面図を示す。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板における光導波路に沿う断面図を示す。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部における幅方向に沿う断面図であって、左側図は屈曲部分における断面図、右側図は、直線部分における断面図を示す。
【図４】図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３の左側図に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、アンダークラッド層を兼ねるベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、コア層を形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図３に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図３の左側図に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ｅ）は、金属薄膜を、屈曲部分におけるコア層の表面を被覆するように形成する工程、（ｆ）は、オーバークラッド層を兼ねるカバー絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｇ）は、端子形成部における金属支持基板に開口部を形成する工程、（ｈ）は、ベース絶縁層、コア層およびカバー絶縁層の先端部を、レーザ加工により、コア層の先端部の端面が長手方向と交差するように、切削する工程を示す。
【図６】ヘッドスライダ、磁気ヘッドおよび図１に示す回路付サスペンション基板が搭載されたハードディスクドライブが、光アシスト法を採用して、ハードディスクに情報を記録する状態の説明図である。
【図７】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がベース絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。
【図８】図７に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図７に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次積層する工程、（ｃ）は、アンダークラッド層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、コア層を、アンダークラッド層の上に形成する工程を示す。
【図９】図８に続いて、図７に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図７に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ｅ）は、金属薄膜を、屈曲部分におけるコア層の表面を被覆するように、形成する工程、（ｆ）は、オーバークラッド層を、アンダークラッド層の上に、金属薄膜を被覆するように形成する工程、（ｇ）は、端子形成部における金属支持基板に開口部を形成する工程、（ｈ）は、ベース絶縁層および光導波路の先端部を、レーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように、切削する工程を示す。
【図１０】図１に示す回路付サスペンション基板の配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図であって、光導波路がカバー絶縁層の上に設けられる形態の断面図を示す。
【図１１】図１０に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図１０に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層を順次積層する工程、（ｃ）は、アンダークラッド層を、カバー絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、コア層を、アンダークラッド層の上に形成する工程、（ｅ）は、金属薄膜を、屈曲部分におけるコア層の表面を被覆するように、形成する工程を示す。
【図１２】図１１に続いて、図１０に示す回路付サスペンション基板の製造工程を示す断面図であって、左側図は、図１０に対応する配線部の屈曲部分における幅方向に沿う断面図、右側図は、端子形成部における長手方向に沿う拡大断面図であり、（ｆ）は、オーバークラッド層を、アンダークラッド層の上に、金属薄膜を被覆するように形成する工程、（ｇ）は、端子形成部における金属支持基板に開口部を形成する工程、（ｈ）は、ベース絶縁層、カバー絶縁層および光導波路を、レーザ加工により、光導波路の先端部の端面が長手方向と交差するように、切削する工程を示す。
【符号の説明】
【００８９】
１    回路付サスペンション基板
１１  金属支持基板
１２  ベース絶縁層
１３  導体パターン
１４  カバー絶縁層
１９  光導波路
２３  コア層
２５  金属薄膜
４１  第１屈曲部分
４２  第２屈曲部分
４３  第３屈曲部分
４４  第４屈曲部分
４５  第５屈曲部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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