(57)【要約】【課題】ウエハを破損してしまうのを防ぎ、貼り付け作業の効率化を図ることができるチップ保護用フィルムを提供する。【解決手段】ウエハ１００の回路形成面の裏面１０１に貼り付けられているチップ保護用フィルム２であって、常温（室温〜６０℃）で、チップ保護用フィルム２の引っ張りによる破断強度が、１．０Ｎ以下であり、かつ前記チップ保護用フィルムの引っ張りによる破断伸度が３００％以下であり、たとえばチップ保護用フィルムは、剥離シートに形成された保護膜形成層がウエハに貼り付けされた後に転写されてなる。【選択図】図１
2009130320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハの回路形成面の裏面に貼り付けられているチップ保護用フィルムであって、  前記チップ保護用フィルムの引っ張りによる破断強度が、常温（室温〜６０℃）で１．０Ｎ以下であり、かつ前記チップ保護用フィルムの引っ張りによる破断伸度が３００％以下であることを特徴とするチップ保護用フィルム。
【請求項２】
前記チップ保護用フィルムは、剥離シートに形成された保護膜形成層がウエハに貼り付けされた後に当該ウエハに転写されてなるものであることを特徴とする請求項１記載のチップ保護用フィルム。
【請求項３】
前記保護膜形成層は前記ウエハに加熱して貼り付けられるものであって、貼り付け後の常温（室温〜６０℃）での前記ウエハからの剥離力が、常温における前記剥離シートからの剥離力よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のチップ保護用フィルム。
【請求項４】
前記保護膜形成層は、少なくとも熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、無機粒子又はフィラー、硬化剤の何れかを含むことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１つの項に記載のチップ保護用フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ保護用フィルムに関し、特にウエハの回路形成面とは反対側のウエハの裏面に形成されて、ウエハをダイシングしてチップ化するために用いられるチップ保護用フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、いわゆるフェースダウン（Ｆａｃｅ  ｄｏｗｎ）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。このフェースダウン方式では、バンプと呼ばれる突起電極が半導体チップの回路面側に対して電気的導通を確保するために形成されている。ここのバンプは、半導体チップとマザーボードなどの実装基板側に対して電気的に接続される。半導体ウエハの回路形成面とは反対側の裏面には、薄膜ウエハのような半導体ウエハをダイシングによりチップ化して半導体チップを製造する際に、半導体チップが欠けることを防ぐために、ウエハにチップ保護フィルムが貼り合わせられる。このチップ保護フィルムには、チップ化した後における半導体チップの保護の機能もある。
【０００３】
例えば、薄膜ウエハのような半導体ウエハをダイシングによりチップ化して半導体チップを製造する際に、半導体ウエハの各半導体チップを保護するために、半導体ウエハの回路形成面とは反対側の裏面には、チップ保護フィルムが貼り合わせられる。この半導体ウエハの裏面に保護フィルムを貼り合わせた後に、チップ保護フィルムは半導体ウエハの外周縁に沿って倣い切りをすることで、半導体ウエハの裏面からはみ出ているチップ保護フィルムの余分な部分を除去している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平６−１７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、特に、近年の半導体ウエハの薄膜化の傾向に伴って、半導体ウエハの破壊強度が極端に低下してきており、半導体ウエハの裏面に保護フィルムを貼り合わせる時に生じる応力や、保護フィルム貼り付け後に保護フィルムを上述したように半導体ウエハの外周縁に沿って倣い切りをする作業中に、半導体ウエハの破壊が生じるおそれがある。つまり、このように半導体ウエハの裏面からはみ出ているチップ保護フィルムの余分な部分を除去すると、半導体ウエハ自体を破損してしまうおそれがある。
【０００５】
また、半導体ウエハの外周縁に沿って倣い切りをする作業を行うと、作業が１工程増加してしまい、半導体ウエハに対してチップ保護フィルムを貼り付ける作業の効率化が図れない。
そこで、本発明は上記課題を解消するために、ウエハを破損してしまうのを防ぎ、貼り付け作業の効率化を図ることができるチップ保護用フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解消するために、本発明のチップ保護用フィルムは、ウエハの回路形成面の裏面に貼り付けられているチップ保護用フィルムであって、  前記チップ保護用フィルムの引っ張りによる破断強度が、常温（室温〜６０℃）で１．０Ｎ以下であり、かつ前記チップ保護用フィルムの引っ張りによる破断伸度が３００％以下であることを特徴とする。
これにより、チップ保護用フィルムは、ウエハの回路形成面の裏面に対して貼り付けて半導体ウエハの外周縁に沿って転写することができるので、倣い切りが不要となるのでウエハを破損してしまうのを防ぎ、貼り付け作業の効率化を図ることができる。
【０００７】
本発明のチップ保護用フィルムは、好ましくは前記チップ保護用フィルムは、剥離シートに形成された保護膜形成層がウエハに貼り付けされた後に当該ウエハに転写されてなるものであることを特徴とする。
これにより、チップ保護用フィルムは、剥離シートから剥がしてウエハの回路形成面の裏面に対して貼り付けて転写することができる。
【０００８】
本発明のチップ保護用フィルムは、好ましくは前記保護膜形成層は前記ウエハに加熱して貼り付けられるものであって、貼り付け後の常温（室温〜６０℃）での前記ウエハからの剥離力が、常温における前記剥離シートからの剥離力よりも大きいことを特徴とする。
これにより、チップ保護用フィルムは、ウエハの回路形成面の裏面に対して貼り付けて転写することができる。
【０００９】
本発明のチップ保護用フィルムは、好ましくは前記保護膜形成層は、少なくとも熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、無機粒子又はフィラー、硬化剤の何れかを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、チップ保護用フィルムをウエハに沿って切断する際にウエハを破損してしまうのを抑制すると共に、チップ保護用フィルムの張り合わせ及びその切断作業の効率化を可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に、図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。  
図１は、本発明のチップ保護用フィルムを有するチップ保護用フィルム形成用シートの第１実施形態を示す断面図であり、図２は、本発明のチップ保護用フィルムを有するチップ保護用フィルム形成用シートの第２実施形態を示す断面図である。
【００１２】
図１に示すチップ保護用フィルム形成用シート１０は、第１剥離シート１Ａと、第２剥離シート１Ｂと、１層の硬化性保護膜形成層（保護膜形成層の一例）２を有する。この硬化性保護膜形成層２はチップ保護用フィルムに相当する。硬化性保護膜形成層２の一方の面１１上には、第１剥離シート１Ａが配置されており、硬化性保護膜形成層２の他方の面１２上には、第２剥離シート１Ｂが配置されている。
【００１３】
また、図２に示すチップ保護用フィルム形成用シート１０Ａは、剥離シート１Ｃと、１層の硬化性保護膜形成層２を有する。この硬化性保護膜形成層２はチップ保護用フィルムに相当する。硬化性保護膜形成層２の他方の面１２上には、剥離シート１Ｃが配置されている。
このように、図１と図２に示すチップ保護用フィルム形成用シート１０，１０Ａは、剥離シートと、剥離シート上に形成されたチップ保護用フィルムとしての硬化性保護膜形成層を有している。
【００１４】
以下に、チップ保護用フィルム形成用シートの剥離シートと硬化性保護膜形成層の構成について順に説明する。さらに、チップ保護用フィルムである硬化性保護膜形成層の製造方法とチップ保護用フィルムの使用方法についても順に説明する。
【００１５】
まず、硬化性保護膜形成層の構成を説明する前に、剥離シートを説明する。
＜剥離シート＞
図１に示す第１剥離シート１Ａと第２剥離シート１Ｂおよび図２に示す剥離シート１Ｃは、硬化性保護膜形成層２を保護するために、硬化性保護膜形成層２に対して剥離可能に配置される。
【００１６】
剥離シートは、好ましくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが用いられる。このポリエチレンテレフタレートフィルム厚さは、例えば５０μｍあるが、材質や厚みは特に限定されない。例えば剥離シートの材質としては、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、フッ素樹脂フィルムなどが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらのフィルムの積層フィルムであってもよい。
剥離シートの膜厚は、通常は例えば５μｍ〜３００μｍであるが、好ましくは１０μｍ〜２００μｍであり、さらに好ましくは２０μｍ〜１５０μｍである。
【００１７】
次に、チップ保護用フィルムである硬化性保護膜形成層について説明する。
＜硬化性保護膜形成層＞
硬化性保護膜形成層は、少なくとも（Ａ）熱可塑性樹脂、（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）硬化剤、（Ｄ）無機フィラーとしてのシリカの何れかを含むが、さらに必要に応じて（Ｅ）染料および顔料を含有している。更に、必要に応じて（Ａ）〜（Ｅ）成分の他の成分を含ませることができる。
【００１８】
（Ａ）熱可塑性樹脂
本発明のチップ保護用フィルムが、フィルムとしての可撓性や操作性を向上できるようにするために熱可塑性樹脂を用いるが、この熱可塑性樹脂としては、例えばポリアミド系ブロック共重合体を用いることができる。
【００１９】
（Ｂ）熱硬化性樹脂
熱硬化性樹脂としては、熱を受けると重合硬化する化合物や紫外線や電子線などのエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは熱を受けると重合硬化するエポキシ樹脂を用いる。
【００２０】
（Ｃ）硬化剤
熱硬化性樹脂を硬化させるのに用いられる。
（Ｄ）無機フィラーとしてのシリカ
シリカは、硬化後の硬化性保護膜形成層の熱膨張係数をウエハの熱膨張係数に近づける機能を有し、これにより加工途中のウエハの反りを低減することができる。
このようなシリカは、特に限定されないが、平均粒径が、０．１〜１０μｍの球状合成シリカが好ましい。
【００２１】
シリカの添加量は、一般に、（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性樹脂の合計１００質量部に対して、好ましくは５０〜３５０質量部、より好ましくは１００〜３００質量部が適当である。５０質量部以下であるとフィルム破断強度が増加しフィルムの破断が出来なくなり、３５０質量部以上であるとフィルムの可撓性が確保できないので望ましくない。
【００２２】
（Ｅ）染料および顔料
染料および／または顔料は、主として硬化被膜（保護膜）に形成されるレーザマーキングの印字の認識性を向上するために添加される。この顔料としては、例えばアゾ系の黒色の有機顔料が用いられるが、これに限定されず顔料としては、カーボンブラックや、各種の無機顔料が挙げられる。また、顔料としては、インダスレン系、インドフェノール系、フタロシアニン系などの各種有機顔料が挙げられる。
【００２３】
染料と顔料の添加量は、その種類により様々であるが、一般に、（Ａ）熱可塑性樹脂と（Ｂ）熱硬化性樹脂の合計１００質量部に対して、好ましくは０．１〜１０質量部、より好ましくは０．５〜５質量部が適当である。０．１質量部以下であるとフィルムの遮光性を確保できなくなり、１０質量部以上であるとレーザマーキングの印字視認性が低下するので望ましくない。
【００２４】
＜製造方法＞
次に、本発明のチップ保護用フィルムである硬化性保護膜形成層の製造方法を説明する。
本発明のチップ保護用フィルムは、剥離シートの剥離面上に、上述した硬化性保護膜形成層を構成させる各成分を含む組成物を、ロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなどの一般に公知の方法に準じて直接または転写により塗工して、乾燥させることで得ることができる。
【００２５】
上記の硬化性保護膜形成層を構成させる各成分を含む組成物は、必要に応じて、溶剤に溶解しまたは分散させて塗布しても良い。
硬化性保護膜形成層の厚さは、好ましくは５〜３００μｍとする。硬化性保護膜形成層の厚さが５μｍよりも薄すぎると、保護と補強効果が得にくく、３００μｍを超えるとロール形状に加工できなくなる。
【００２６】
＜使用方法例＞
次に、本発明のチップ保護用フィルムを有するチップ保護用フィルム形成用シートの使用方法例を説明する。
本発明のチップ保護用フィルム形成用シートの使用用途しては、チップ保護用途であれば特に限定されないが、本発明のチップ保護用フィルムは、例えばウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）用のチップ裏面保護用に用いることができる。
【００２７】
本発明のチップ保護用フィルム（硬化性保護膜形成層）の引っ張りによる破断強度（破断荷重）が、常温（室温〜６０℃）で１．０Ｎ以下であり、かつ引っ張りによる破断伸度が３００％以下である。引っ張りによる破断強度が、１．０Ｎを超えると、ウエハの破損がおきやすくなるので、好ましくない。また、引っ張りによる破断伸度が、３００％を超えると、フィルムの切断が容易でなくなり、ウエハ外周部に沿ってバリが発生してしまうので望ましくない。
【００２８】
本発明では、半導体ウエハに加熱して貼り付けられた後の常温（例えば６０℃）での半導体ウエハからのチップ保護用フィルム（硬化性保護膜形成層）の剥離力は、チップ保護用フィルムの常温における剥離シートからの剥離力よりも大きい。
【００２９】
このようにチップ保護用フィルムの破断強度と破断伸度を適切な値に設定することで、剥離シート（セパレータ）を剥離するときには、半導体ウエハに密着した箇所の硬化性保護膜形成層のみが剥離シートから剥離する。このため、従来と異なり、本発明のチップ保護用フィルム（硬化性保護膜形成層）は、半導体ウエハの外周縁（エッジ）部分に対応して倣い切り（カット）をする工程が不要になる。このため、半導体ウエハの裏面に対する硬化性保護膜形成層の形成が容易になる。
【００３０】
図３は、チップ保護用フィルムである硬化性保護膜形成層２が、ウエハレベルパッケージ２０の裏面４０に対して貼り付けて配置されている例を示す断面図である。
図３に示すウエハレベルパッケージ２０は、半導体素子２１と電気絶縁用の樹脂層２２を有している。半導体素子２１の回路形成面３０には、複数の電極パッド３３を有している。樹脂層２２は、複数の再配線部３１とＣｕポスト３２を有している。各Ｃｕポスト３２には、電気接続用の半田ボール（突起電極）３４が設けられている。このウエハレベルパッケージ２０は、半田ボール３４を介して、マザーボードのような回路基板の回路配線部に対して、フェースダウン方式で実装されることで電気的に接続される。
【００３１】
半導体素子２１の回路形成面３０とは反対側の裏面４０には、チップ保護用フィルム（硬化性保護膜形成層２）が貼り付けられている。この裏面４０は、図４〜図６に示す半導体ウエハ１００の裏面１０１に相当する。
【００３２】
図４〜図６は、例えば図２に示すチップ保護用フィルム形成用シート１０Ａのチップ保護用フィルム（硬化性保護膜形成層２）が、半導体ウエハ１００の裏面１０１に対して貼り付けられる様子を示している。
【００３３】
図４（Ａ）に示すように、チップ保護用フィルム形成用シート１０Ａの硬化性保護膜形成層２が半導体ウエハ１００の裏面１０１に対面して配置され、図４（Ｂ）と図５（Ａ）に示すように、チップ保護用フィルム形成用シート１０Ａの硬化性保護膜形成層２が半導体ウエハ１００の裏面１０１に対して貼り付けられる。この際に、チップ保護用フィルム形成用シート１０Ａの硬化性保護膜形成層２は、半導体ウエハ１００の裏面１０１に対して、ローラ１０２を用いて、例えば４０℃以上で加熱して圧力をかけて貼り合わせる。その後チップ保護用フィルム形成用シート１０Ａは冷却される。
【００３４】
そして、図５（Ｂ）に示すように、チップ保護用フィルム１０Ａが持ち上げられると、硬化性保護膜形成層２が半導体ウエハ１００の外周縁に沿って剥離される。従って、図６に示すように、硬化性保護膜形成層２が剥離シート１Ｃから剥離される。
本発明の実施例では、成分Ａ２としてポリアミド系ブロック共重合体を用いているが、ポリアミド系樹脂は、他の種類の樹脂、例えばアクリル酸エステル共重合体、ゴム系ポリマー等、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂に比べて、破断伸度が小さく、且つ裂け易いという性質がある。従って、成分Ａ２としてポリアミド系ブロック共重合体を用いることで、硬化性保護膜形成層２が剥離シート１Ｃから剥離し易い。
【００３５】
すなわち、図６に示すように、硬化性保護膜形成層２が半導体ウエハ１００の裏面に貼り付けられた後にチップ保護用フィルム形成用シート１０Ａを剥がすと、硬化性保護膜形成層２が半導体ウエハ１００の裏面１０１に残った状態で、剥離シート１Ｃは、半導体ウエハ１００の円形状に対応した部分の硬化性保護膜形成層２を、半導体ウエハ１００の裏面１０１に残したまま、簡単に剥がすことができる。
【００３６】
チップ保護用フィルム形成用シート１０Ａを剥がすと、チップ保護用フィルム形成用シート１０Ａ側に残った硬化性保護膜形成層２には円形穴２Ｈが形成され、半導体ウエハ１００の裏面１０１のみに硬化性保護膜形成層２を転写することができる。
これにより、チップ保護用フィルムである硬化性保護膜形成層２は、半導体ウエハのウエハサイズに合わせて倣い切りをする必要が無くなり、倣い切りによる半導体ウエハの破損を防ぐことができる。
【００３７】
そして、得られたチップ保護用フィルム付きの半導体ウエハは、ダイシングにより個片化して、図３に示すような個片化したウエハレベルパッケージ２０が得られる。ウエハレベルパッケージ２０の裏面４０はチップ保護用フィルムである硬化性保護膜形成層２により保護され、ウエハレベルパッケージ２０がダイシングにより損傷を受けることを防げる。
【００３８】
チップ保護用フィルム付きの半導体ウエハ１００がダイシングにより個片化されると、図３に示すようにウエハレベルパッケージ２０の裏面４０には、硬化性保護膜形成層２が転写により貼り付けられている。裏面４０は回路形成面３０とは反対側の面である。この硬化性保護膜形成層２がウエハレベルパッケージ２０の裏面４０に貼り付けられていることにより、ウエハレベルパッケージ２０の裏面４０は保護されている。
【実施例】
【００３９】
次に、本発明を本発明の実施例に基づいてさらに詳細に説明するが、本発明は、以下に説明する実施例に限定されない。
＜実施例１〜３および比較例１〜４＞について
表１は、硬化性保護膜形成層の塗布液の組成１〜４を示している。
表２は、本発明の実施例１〜３の組成、使用した剥離シートの種類、硬化性保護膜形成層の厚み、引張破断強度（引張破断荷重）、引張破断伸度、対ウエハ剥離力、剥離シート剥離力、そしてチップ保護用フィルム転写性を示している。
【００４０】
さらに、表３は、比較例１〜４の組成、使用した剥離シートの種類、硬化性保護膜形成層の厚み、引張破断強度（引張破断荷重）、引張破断伸度、対ウエハ剥離力、剥離シート剥離力、そしてチップ保護用フィルム転写性を示している。
【００４１】
表１に示した各組成１〜４の数値の単位は、いずれも質量部である。また、表１における各成分Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２，Ｄ，Ｅと、表２と表３における剥離シート（１）Ｆ１および剥離シート（２）Ｆ２は、下記の通りである。
【００４２】
Ａ１：アクリル系ポリマー
［重量平均分子量８０万、ガラス転移温度−１０℃のアクリル系共重合体］
Ａ２：ポリアミド系ブロック共重合体
［フェノール性水酸基含有芳香族ポリアミドオリゴマーＡ１とポリブタジエン／アクリロニトリル共重合体Ａ２とから形成される共重合体（Ａ１に対するＡ２の質量比が５／５）（Ａ）成分中のフェノール成分の含有量が、フェノール当量で４０００ｇ／ｅｑ］
Ｂ１：エポキシ樹脂（１）
［エポキシ当量１８０〜２００の液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂］
Ｂ２：エポキシ樹脂（２）
［エポキシ当量２１０〜２３０のビフェニル型エポキシ樹脂］
Ｃ１：硬化剤（１）
［ジシアンジアミド］
Ｃ２：硬化剤（２）
［イミダゾール化合物（２―フェニル４，５―ジヒドロキシメチルイミダゾール）］
Ｄ：シリカ
［平均粒径２μｍの合成シリカ］
Ｅ：染料および顔料
［黒色顔料（アゾ系）］
Ｆ１：剥離シート（１）
［ポリエチレンテレフタレート、離型面テープ剥離力０．２５Ｎ／５０ｍｍ］
Ｆ２：剥離シート（２）
［ポリエチレンテレフタレート、離型面テープ剥離力１．４Ｎ／５０ｍｍ］
【００４３】
表２と表３における引張破断強度、引張破断伸度、対ウエハ剥離力、剥離シート剥離力、そしてチップ保護用フィルム転写性の内容は、次の通りである。
【００４４】
＜引張破断強度＞
引張破断強度試験は、ＪＩＳ（日本工業規格）Ｚ  ０２３７に準拠して行った。ダンベル形状の一号型（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１）で硬化前の硬化性保護膜形成層（３０μｍ厚）を打ち抜いたものを試験片とする。引張試験機（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用し、引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎで切断時の荷重（Ｎ）を測定した。
【００４５】
＜引張破断伸度＞
引張破断伸度試験は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して行った。ダンベル形状の一号型（ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１）で硬化前の硬化性保護膜形成層（３０μｍ厚）を打ち抜いたものを試験片とする。４０ｍｍとなるように印を付け、引張試験機（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用し、引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎで切断時の伸び率（％）を測定した。
【００４６】
＜対ウエハ剥離力＞
予め２５ｍｍ幅の短冊状に形成した硬化性保護膜形成層をシリコンウエハ（＃２０００研削、３５０μｍ厚、８インチ）に対して６０℃の加熱温度にて貼り合わせた。その後、対ウエハ剥離力試験は、ＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して行い、引張試験機（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用し、９０度引き剥がし法で引張速さ５０ｍｍ／ｍｉｎにて剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。
【００４７】
＜剥離シート剥離力＞
予め２５ｍｍ幅の短冊状に形成した硬化性保護膜形成層を引張試験機（ＪＩＳ  Ｂ  ７７２１）を使用し、１８０度引き剥がし法で引張速さ３００ｍｍ／ｍｉｎにて剥離力（Ｎ／２５ｍｍ）を測定した。
【００４８】
＜チップ保護用フィルム転写性＞
硬化性保護膜形成層をシリコンウエハ（＃２０００研削、３５０μｍ厚、８インチ）に対して６０℃の加熱温度にて貼り合わせた。その後、剥離シートおよび硬化性保護膜形成層を剥離した時のウエハ面への硬化性保護膜形成層の転写性およびウエハ円周部のバリの有無を確認した。
【００４９】
表１に示している各成分の配合により、硬化性保護膜形成層用の塗布液を調整し、各硬化性保護膜形成層用の塗布液を、表２と表３に示した構成にて厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムからなる剥離シートの上に、乾燥膜厚が３０μｍになるように、１３０℃の温度で、３０分で塗布乾燥した。この乾燥塗布後に、その剥離シートの上には上述したのと同様の別の剥離シートを貼り合わせて、剥離シート／硬化性保護膜形成層／剥離シートからなる３層構成のチップ保護用フィルム形成用シートを作製した。
【００５０】
剥離シートには、剥離強度の異なる２種類の剥離シートを用い、これらの２種類の剥離シート（１）との剥離強度と剥離シート（２）の剥離強度は、日東電工株式会社製の３１Ｂテープ（５０ｍｍ幅）を用いたテープ剥離力試験により、それぞれ０．２５Ｎ／５０ｍｍと、１．４Ｎ／５０ｍｍである。
【００５１】
表１に示す組成１〜組成４では、成分Ｃ１：硬化剤（１）、成分Ｃ２：硬化剤（２）、そして成分Ｅ：顔料の値はそれぞれ同じである。その他の成分は、組成１〜組成４によって異なる。
【００５２】
表２は、本発明の実施例１〜実施例３を示している。
表２の実施例１〜実施例２では、半導体ウエハの裏面に対する硬化性保護膜形成層の密着性と、硬化性保護膜形成層が半導体ウエハの外周囲の縁に沿って切断・転写されるカット性が良好であった。
【００５３】
実施例１〜実施例３のいずれにおいても、剥離シート剥離力は、対ウエハ剥離力よりも小さくなっている。すなわち、ウエハに加熱して貼り付けられた後の常温でのウエハからの硬化性保護膜形成層（チップ保護用フィルム）の剥離力は、硬化性保護膜形成層（チップ保護用フィルム）の常温における剥離シートからの剥離力よりも大きい。このため、硬化性保護膜形成層は、半導体ウエハの裏面から剥がれる前に剥離シートから剥がすことができ、硬化性保護膜形成層は半導体ウエハの裏面に対して確実に転写できる。
【００５４】
実施例３の硬化性保護膜形成層の厚みは、実施例１の硬化性保護膜形成層の厚みの２倍であり、実施例３の引張破断強度は実施例１の引張破断強度の２倍にしている。しかし、実施例３は、半導体ウエハの割れを生じることなく、半導体ウエハの裏面に対して硬化性保護膜形成層を転写することができた。
【００５５】
表３に示す比較例１〜比較例４において、フィルム転写性に問題がある。
比較例１は、剥離シートの剥離力が対ウエハ剥離力に比べて大きすぎるために、半導体ウエハが破壊してしまった。比較例２は、チップ保護用フィルム形成用シートの破断強度が大きすぎるために、硬化性保護膜形成層は半導体ウエハの外周囲のエッジ部で切断することができなかった。
【００５６】
比較例３では、硬化性保護膜形成層の半導体ウエハの裏面に対する剥離強度（対ウエハ剥離強度）が小さいために、剥離フィルムが硬化性保護膜形成層から剥離してしまった。  比較例４では、破断伸度が大きいために、半導体ウエハの外周囲の円周部（エッジ部）において、硬化性保護膜形成層の切断面にはバリが発生した。
【００５７】
【表１】
2009130320.tif 000003
【００５８】
【表２】
2009130320.tif 000004
【００５９】
【表３】
2009130320.tif 000005
【００６０】
本発明のチップ保護用フィルムとしての硬化性保護膜形成層は、ウエハの回路形成面の裏面に貼り付けられ、その後熱または紫外線などのエネルギー線により硬化後にウエハをダイシングしてチップ化するために用いられる。チップ保護用フィルムとしての硬化性保護膜形成層の破断強度と破断伸度を適切な値に設定することで、硬化性保護膜形成層から剥離シートを剥離する際に、硬化性保護膜形成層の半導体ウエハに密着した部分のみが剥離シートから剥離することができる。半導体ウエハの外周囲のエッジ部では、硬化性保護膜形成層をカットする工程が不要であるので、半導体ウエハ、特に薄膜ウエハに対する硬化性保護膜形成層の形成が確実で容易になる。
ところで、本発明は、上記実施形態と実施例に限定されず種々の変形例を採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明のチップ保護用フィルムを有するチップ保護用フィルム形成用シートの第１実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明のチップ保護用フィルムを有するチップ保護用フィルム形成用シートの第２実施形態を示す。
【図３】チップ保護用フィルム形成用シートの硬化性保護膜形成層が、ウエハレベルパッケージの裏面に対して貼り付けて配置されている例を示す断面図である。
【図４】チップ保護用フィルム形成用シートの硬化性保護膜形成層が半導体ウエハの裏面に貼り付けられる前の様子を示す斜視図である。
【図５】チップ保護用フィルム形成用シートの硬化性保護膜形成層が半導体ウエハの裏面に貼り付けられた後に、剥離シートから硬化性保護膜形成層を剥がして、硬化性保護膜形成層が半導体ウエハの裏面に残っている様子を示す斜視図である。
【図６】硬化性保護膜形成層が半導体ウエハと、剥がした残りのチップ保護用フィルム形成用シートを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１Ａ、１、１Ｃ    剥離シート
２                硬化性保護膜形成層（チップ保護用フィルム：保護膜形成層の一例））
１０，１０Ａ      チップ保護用フィルム形成用シート
１１              一方の面
１２              他方の面
２０              ウエハレベルパッケージ
２１              半導体素子
２２              樹脂層
３０              回路形成面
３１              再配線部
３２              Ｃｕ
３４              半田ボール（突起電極）
１００            半導体ウエハ
１０１            裏面
１０２            ローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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