(57)【要約】【課題】ドレイン配線の幅を従来よりも大きくして、ドレイン配線を導通可能な最大電流量を大きくすること。【解決手段】高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置１０は、基板１０２に設けられたＰウエル領域１０３中に形成されており、２０Ｖ以上のソース−ドレイン間耐圧を有している。そして、Ｐウエル領域中のソース１０４ａ，１０４ｂ及びドレイン１０８の間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が反転するのを防止する導電性膜を備えている。この導電性膜は、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂと連続的に帯状層１２として一体形成されており、基板の表面を平面的に見たとき、帯状層は、ソース及びドレインの一方又は双方を囲んで設けられている。【選択図】図１
2009130099.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた一方の導電型のウエル領域中に形成された、２０Ｖ以上のソース−ドレイン間耐圧を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置であって、
前記ウエル領域中のソース及びドレイン間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が他の導電型に反転するのを防止する導電性膜を備えており、
前記導電性膜は、ゲート電極と、該ゲート電極と連続的に形成された部分とを含み、全体的に帯状層として形成されており、及び
前記基板の表面を平面的に見たとき、該帯状層は、前記ソース及びドレインの一方又は双方を囲んで設けられている
ことを特徴とする高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置。
【請求項２】
前記ゲート電極と連続的に形成された部分を、遮蔽用配線とすることを特徴とする請求項１に記載の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置。
【請求項３】
前記帯状層が、第１遮蔽用配線と第２遮蔽用配線とを備えており、
該第１遮蔽用配線は、前記ゲート電極と、該ゲート電極と一体に形成された遮蔽用配線とを含み、かつ、前記基板の表面を平面的に見たとき、Ｃ字形に前記ソース及びドレインの一方又は双方を囲んでおり、及び
前記第２遮蔽用配線は、前記基板の表面を平面的に見たとき、前記ウエル領域を囲むガードリング配線と、
前記第１遮蔽用配線とは異なる高さのメタルカバーであって、前記ガードリング配線から延びて、前記基板の表面を平面的に見たとき、前記第１遮蔽用配線と重複する当該メタルカバーと、
前記第１遮蔽用配線とは異なる高さであって、前記ゲート電極に電圧を供給するゲート配線とを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ソース−ドレイン間のリーク電流を抑制することができる高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の主面に形成された半導体装置では、主面の上方に設けられた配線層に由来する外部電界の影響により、主面近傍の基板の導電型が反転した反転層が形成されることがある。そして、この反転層は、半導体装置間のリークの原因となることがある。
【０００３】
外部電界の影響による反転層の形成を防止するために、配線層と基板の主面との間に導電層を設ける技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の技術では、この導電層に所定のバイアス電圧を印加することにより、配線層に由来する外部電界を遮蔽して、反転層の形成を防止している。
【０００４】
特許文献１に開示された技術の応用例として、例えば、図７〜図９に示すような高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置が知られている。ここで、図７は、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。図８は、層間絶縁膜、及び層間絶縁膜上の配線を除いた、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。図９（Ａ）は、図７のＡ−Ａ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。また図９（Ｂ）は、図７のＢ−Ｂ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。
【０００５】
図７〜図９を参照すると、トランジスタ装置１０１は、２個の高耐圧ＭＯＳトランジスタ（以下、単に「トランジスタ」とも称する。）１００ａ，１００ｂを備えている。トランジスタ装置１０１は、導電型がＰ型の基板１０２に形成されている。
【０００６】
より詳細には、トランジスタ１００ａ，１００ｂは、基板１０２の表面付近に形成された平面形状が矩形状のＰウエル領域１０３中に形成されている。トランジスタ１００ａは、両トランジスタ１００ａ及び１００ｂに共通に用いられる１個のドレイン１０８、ソース１０４ａ及びゲート１０６ａを備えている。同様に、トランジスタ１００ｂは、両トランジスタ１００ａ及び１００ｂに共通に用いられる１個のドレイン１０８、ソース１０４ｂ及びゲート１０６ｂを備えている。
【０００７】
Ｐウエル領域１０３は、基板１０２よりもＰ型不純物の濃度が高い領域である。また、Ｐウエル領域１０３の表面には、フィールド酸化膜１１８が形成されている。
【０００８】
より詳細には、フィールド酸化膜１１８は、後述するゲート酸化膜１２２ａ及び１２２ｂが形成された領域、ドレイン１０８の高濃度Ｎ型領域１１２、並びに、ソース１０４ａ及び１０４ｂの高濃度Ｎ型領域１２８ａ及び１２８ｂを除いたＰウエル領域１０３の表面領域に形成されている。
【０００９】
ガードリング１１０は、Ｐウエル領域１０３よりもＰ型不純物の濃度が高く形成された帯状体であり、Ｐウエル領域１０３の内周に沿って設けられている。
【００１０】
ガードリング１１０には、複数のコンタクト１３６，１３６，・・・が接続されている。ガードリング１１０は、これらのコンタクト１３６，１３６，・・・を介して、基板１０２の表面側に設けられた層間絶縁膜１０５を貫通してガードリング配線１３８と接続されている。
【００１１】
ガードリング配線１３８は、ガードリング１１０とほぼ対応する形状を有している。つまり、ガードリング配線１３８は、後述するドレイン配線１１６及びゲート配線１２６ａ，１２６ｂの領域を除いて、Ｐウエル領域１０３を囲むように形成されている。さらに、ガードリング配線１３８には、後に詳述するメタルカバー１４０ａ，１４０ｂが設けられている。
【００１２】
ドレイン１０８は、Ｐウエル領域１０３のほぼ中央部に形成されている、平面形状が矩形状の領域である。ドレイン１０８は、高濃度Ｎ型領域１１２と低濃度Ｎ型領域１１４ａ，１１４ｂとから形成されている。
【００１３】
高濃度Ｎ型領域１１２は、導電型がＮ型の領域である。高濃度Ｎ型領域１１２には、複数のコンタクト１１３，１１３，・・・が接続されている。高濃度Ｎ型領域１１２は、これらのコンタクト１１３，１１３，・・・を介して、基板１０２の厚み方向上方に設けられたドレイン配線１１６と接続されている。ドレイン配線１１６は、ガードリング配線１３８の切れ目から、Ｐウエル領域１０３の外側に引き出されている。
【００１４】
低濃度Ｎ型領域１１４ａ，１１４ｂは、高濃度Ｎ型領域１１２よりもＮ型不純物濃度が低い領域であり、高濃度Ｎ型領域１１２を囲って、ゲート長方向に延在している。低濃度Ｎ型領域１１４ａ及び１１４ｂは、ドレイン１０８端部の電界集中を緩和するために設けられるものである。低濃度Ｎ型領域１１４ａ及び１１４ｂの上方には、低濃度Ｎ型領域１１４ａ及び１１４ｂに接して、フィールド酸化膜１１８がそれぞれ形成されている。
【００１５】
ゲート１０６ａ，１０６ｂは、それぞれゲート電極１２０ａ及び１２０ｂと、ゲート酸化膜１２２ａ及び１２２ｂとを備えている。ゲート１０６ａ，１０６ｂは、Ｐウエル領域１０３中において、ドレイン１０８を挟んで対称的に配置されている。
【００１６】
ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂは、周知のように、ポリシリコンを材料として形成されており、ゲート幅方向に関して、ゲート幅よりも長く形成されている。そして、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂの長手方向の片方の端部は、コンタクト１２４ａ及び１２４ｂを介して、基板１０２の表面側の全面に設けられた層間絶縁膜１０５を貫通してゲート配線１２６ａ及び１２６ｂとそれぞれ接続されている。ゲート配線１２６ａ及び１２６ｂは、ガードリング配線１３８の切れ目から、Ｐウエル領域１０３の外側に引き出されている。
【００１７】
ソース１０４ａ，１０４ｂは、Ｐウエル領域１０３中において、ドレイン１０８を挟んで、ゲート１０６ａ，１０６ｂの外側に対称的に配置されている。ソース１０４ａ及び１０４ｂは、平面形状が矩形状の領域である。ソース１０４ａは、高濃度Ｎ型領域１２８ａ，１２８ｂと低濃度Ｎ型領域１３０ａ，１３０ｂとから形成されている。また、ソース１０４ｂは、高濃度Ｎ型領域１２８ｂと低濃度Ｎ型領域１３０ｂ，１３０ｂとから形成されている。
【００１８】
高濃度Ｎ型領域１２８ａ及び１２８ｂは、導電型がＮ型の領域である。高濃度Ｎ型領域１２８ａ及び１２８ｂには、複数のコンタクト１３２，１３２，・・・が接続されている。高濃度Ｎ型領域１２８ａ及び１２８ｂは、これらのコンタクト１３２，１３２を介して、層間絶縁膜１０５を貫通してガードリング配線１３８と接続されている。
【００１９】
低濃度Ｎ型領域１３０ａ，１３０ｂは、高濃度Ｎ型領域１２８ａ及び１２８ｂよりもＮ型不純物濃度が低い領域であり、高濃度Ｎ型領域１２８ａ及び１２８ｂを囲って、ゲート長方向に延在している。低濃度Ｎ型領域１３０ａ，１３０ｂの上方には、低濃度Ｎ型領域１３０に接してフィールド酸化膜１１８が形成されている。
【００２０】
ここで、図９（Ｂ）を参照して、メタルカバー１４０ａ，１４０ｂについて、より詳細に説明する。メタルカバー１４０ａ，１４０ｂは、ガードリング配線１３８が、Ｐウエル領域１０３の内側に突出した突出部として形成されている。基板１０２の表面側から見た場合、メタルカバー１４０ａ，１４０ｂは、それぞれ、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂとオーバーラップするようにそれぞれ形成されている（図中、破線で挟まれた領域）。
【００２１】
メタルカバー１４０ａ，１４０ｂは、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂ及びゲート配線１２６ａ，１２６ｂと相俟って、外部電界の影響により、Ｐウエル領域１０３に反転層の形成を防止する機能を有する。
【００２２】
つまり、メタルカバー１４０ａ，１４０ｂは、外部電界を遮蔽して、外部電界が直接Ｐウエル領域１０３の表面に印加されることを防ぐ。これにより、反転層の発生を抑え、反転層を介してのソース１０４ａ及び１０４ｂと、ドレイン１０８との間で生じるリークを防止する。
【００２３】
しかし、この技術では、図より明らかなように、ドレイン配線１１６が、ゲート配線１２６ａ，１２６ｂ間の間隙の幅Ｗによって規制されてしまう。つまり、ドレイン配線１１６を幅Ｗ以上に大きくすることができなかった。その結果として、ドレイン配線１１６を導通可能な最大電流量を大きくすることが困難であった。
【００２４】
また、ソース及びドレインの間で生じるリークを防止する技術としては、ドレインの周囲をゲート電極で切れ目無く囲む技術が知られている（例えば、特許文献２参照。）
しかし、特許文献２に開示された技術では、矩形状のドレインの４隅に電界集中が生じ、トランジスタの電圧耐性を十分に大きくすることが困難であった。
【特許文献１】特開２０００−３１１８９８号公報
【特許文献２】特開平９−１３４９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
発明者らは、鋭意検討の結果、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置において、ゲート電極と協働してソース及びドレインの一方又は双方を囲む導電性膜からなる帯状層を設ければ、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の電圧耐性を損なうことなく、ソース及びドレイン間のリークを防止できることに想到した。
【００２６】
したがって、この発明の目的は、
（１）電圧耐性を損なうことなく、
（２）ソース及びドレイン間のリーク電流を防止し、
（３）ドレイン配線の幅を従来よりも大きくして、ドレイン配線を導通可能な最大電流量を大きくすることができる高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
上述した目的の達成を図るために、この発明の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置は、基板に設けられた一方の導電型のウエル領域中に形成されており、２０Ｖ以上のソース−ドレイン間耐圧を有している。
【００２８】
そして、ウエル領域中のソース及びドレイン間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が反転するのを防止する導電性膜を備えており、この導電性膜は、ゲート電極と、ゲート電極と連続的に形成された部分とを含み、全体的に帯状層として形成されている。
【００２９】
そして、基板の表面を平面的に見たとき、帯状層は、ソース及びドレインの一方又は双方を囲んで設けられている。
【００３０】
ここで、該ゲート電極と連続的に形成された部分を、遮蔽用配線とすることが好ましい。
【００３１】
また、帯状層が、以下に記載するような第１遮蔽用配線と第２遮蔽用配線とを備えてることが好ましい。
【００３２】
第１遮蔽用配線は、ゲート電極と、ゲート電極と一体に形成された遮蔽用配線とを含み、かつ、基板の表面を平面的に見たとき、Ｃ字形に前記ソース及びドレインの一方又は双方を囲んでいる。
【００３３】
第２遮蔽用配線は、基板の表面を平面的に見たとき、ウエル領域を囲むガードリング配線と、第１遮蔽用配線とは異なる高さのメタルカバーであって、ガードリング配線から延びて、基板の表面を平面的に見たとき、第１遮蔽用配線と重複する当該メタルカバーと、第１遮蔽用配線とは異なる高さであって、ゲート電極に電圧を供給するゲート配線とを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００３４】
この発明の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置によれば、（１）電圧耐性を損なうことなく、（２）ソース及びドレイン間のリークを防止し、及び（３）ドレイン配線の幅を従来よりも大きくして、ドレイン配線を導通可能な最大電流量を大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。なお、構成要素の断面を表す各図は、各構成要素の形状、大きさ及び配置関係について、この発明が理解できる程度に概略的に示したものに過ぎない。また、以下、この発明の好適な構成例について説明するが、各構成要素の材質及び数値的条件などは、単なる好適例に過ぎない。したがって、この発明は、以下の実施の形態に何ら限定されない。
【００３６】
（実施の形態１）
図１〜図３を参照して、実施の形態１の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置について説明する。図１は、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。図２は図１に示した構成要素から、層間絶縁膜及び層間絶縁膜上の配線を除いた、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。図３は、図１のＡ−Ａ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。なお、図１〜図３において、図７〜図９に示した従来技術と同様の構成要素には同符号を付し、説明の必要がある場合を除き、その説明を省略する。
【００３７】
（構造）
まず、実施の形態１の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置１０の構造について説明する。なお、以下、「高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置」を単に、「トランジスタ装置」と称することもある。
【００３８】
高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置１０は、ソース−ドレイン間耐圧が２０Ｖ以上のものであって、基板１０２に設けられた一方の導電型領域、例えば、Ｐウエル領域１０３中に形成されている。この実施の形態で例示するトランジスタ装置１０は、共通の１つのドレイン１０８と、その両側にそれぞれ設けられたソース１０４ａ及び１０４ｂを備えるデュアルゲートタイプのものとする。
【００３９】
そして、Ｐウエル領域１０３中のソース１０４ａ，１０４ｂ及びドレイン１０８間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が他方の導電型へと反転するのを防止する導電性膜１２を備えている。
【００４０】
この導電性膜１２は、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂを含む帯状層として形成されている。さらに、帯状層１２は、基板１０２の表面の上側、すなわち一方の導電型のウエル領域、ここではＰウエル領域１０３の上側に設けられている。この帯状層１２は、基板１０２の表面を平面的に見たとき、ソース１０４ａ，１０４ｂ及びドレイン１０８の一方又は双方を囲んで設けられていてよいが、この実施の形態では、帯状層１２でドレインを囲んだ構成例を示している。
【００４１】
なお、図１は断面図ではないが、構成要素の領域を強調するために、帯状層１２にはハッチングを施して示してあり、特にゲート電極１２０ａ，１２０ｂの部分には、ハッチングの密度を高めて示してある。
【００４２】
この実施の形態においては、帯状層１２のゲート電極１２０ａ，１２０ｂと一体に形成された部分は、遮蔽用配線１４とする。この遮蔽用配線１４の幅は、設計に応じて好適な幅とすればよい。
【００４３】
図７及び図８に示した従来技術の構成と、図１及び図２に示した実施の形態の構成とを比較すると明らかなように、この実施の形態のトランジスタ装置１０は、以下の２点が従来技術のトランジスタ装置１０１と異なっている。
【００４４】
（１）ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂが、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂを介して接続されていて、あたかもゲート電極１２０ａ及び１２０ｂが一体となってドレイン１０８を囲んでいるように構成されている。
【００４５】
（２）ガードリング配線１６にメタルカバー１４０ａ及び１４０ｂが設けられていない。
【００４６】
以下、従来技術のトランジスタ装置１０１との相違点を中心に説明する。
【００４７】
この実施の形態のトランジスタ装置１０においては、遮蔽用配線１４ａをゲート電極１２０ａの周囲を囲むように、ゲート電極１２０ａと一体的に形成し、かつ、遮蔽用配線１４ｂをゲート電極１２０ｂの周囲を囲むように、ゲート電極１２０ｂと一体的に形成しているが、それぞれの遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂのゲート電極１２０ａ及び１２０ｂとの接続部分を、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂのゲート長方向の幅を一致させて、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂのソース及びドレイン側の辺とは一体的に形成されないように構成してもよい。
【００４８】
いずれの場合であっても、ゲート電極１２０ａとゲート電極１２０ｂとが遮蔽用配線１４ａで接続されている。同様に、ゲート電極１２０ａとゲート電極１２０ｂとが遮蔽用配線１４ｂで接続されている。
【００４９】
遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂは、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂを形成する工程において、導電性膜を帯状層１２としてパターニングすることによって、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂとともに同時に形成される。よって、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂは、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂと同様に、導電性材料すなわちポリシリコンが材料となっている。
【００５０】
図３に示す切断端面図から明らかなように、この遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂは、Ｐウエル領域１０３を覆うフィールド酸化膜１１８上に形成されている。
【００５１】
さらに、遮蔽用配線１４ａには、フィールド酸化膜１１８上にトランジスタ１００ａのソース１０４ａの側方に突出する端子部１４ｃが設けられている（図１及び図２）。この端子部１４ｃは、層間絶縁膜１０５上をＰウエル領域１０３の外側に向かって延びるゲート配線１８と、層間絶縁膜１０５を貫通して設けられたコンタクト２０，２０，・・・を介して、接続されている。
【００５２】
これにより、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂと、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂとで、基板１０２の表面を平面的に見たときに、ドレイン１０８を一周に渡って切れ目無く連続的に矩形状に囲む帯状層１２が形成されている。
【００５３】
また、トランジスタ装置１０においては、従来のトランジスタ装置１０１におけるガードリング配線１３８にメタルカバー１４０ａ，１４０ｂが設けられる構造に対して、ガードリング配線１６に従来のようなメタルカバーが設けられていない（図１，図７及び図９（Ｂ）参照）。この理由については、作用の説明の項において詳述する。
【００５４】
（作用）
次に、トランジスタ装置１０、特に、帯状層１２の作用について説明する。ドレイン１０８を囲む帯状層１２には、端子部１４ｃを介して、所望のゲート電圧が印加される。これにより、帯状層１２を構成するゲート電極１２０ａ及び１２０ｂは、ゲート電圧の高低により、トランジスタ１００ａ，１００ｂのオン／オフを制御する。
【００５５】
帯状層１２の遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂは、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂとは異なる働きをする。具体的には、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂは、導電性材料で形成されているので、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂの下側の領域への外部電界の影響を遮蔽する働きをする。
【００５６】
つまり、例えば、トランジスタ装置１０を遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂを設けていない構造とすると、トランジスタ装置１０の上方に設けられた配線が高電位（例えば、２０Ｖ以上）に帯電した場合、この配線から生じる電界（外部電界）により、Ｐウエル領域１０３の表面近傍のＰ導電型がＮ導電型へと反転してしまうことがある。
【００５７】
このように導電型が反転して反転層が形成されると、たとえ、トランジスタ１００ａ，１００ｂがオフ状態、すなわちゲート電極１２０ａ及び１２０ｂに電圧が印加されていない状態、であっても、反転層を介して、ソース−ドレイン間にリーク電流が流れてしまう。
【００５８】
しかしながら、この実施の形態の構成によれば、Ｐウエル領域１０３の上方に設けられた遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂの遮蔽効果により、外部電界が直接Ｐウエル領域１０３の表面に印加されることが防止される。したがって、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂの直下のＰウエル領域１０３の導電型が反転して、ソース−ドレイン間に導通路が形成されることはない。よって、ソース−ドレイン間のリーク経路が遮断される。
【００５９】
（効果）
次に、この実施の形態のトランジスタ装置１０の効果について説明する。
【００６０】
（１）この実施の形態のトランジスタ装置１０においては、ガードリング配線１６に、従来のようなメタルカバー１４０ａ，１４０ｂが設けられていない（図７及び図９（Ｂ）参照）。その結果、従来、メタルカバー１４０ａ，１４０ｂ間の距離により規制されていたドレイン配線１１６の幅、すなわちゲート長方向の長さを大きくすることができる。その結果、ドレイン配線１１６のドレイン配線１１６を導通可能な最大電流量を大きくすることができ、耐サージ特性を向上することができる。
【００６１】
（２）この実施の形態のトランジスタ装置１０においては、遮蔽用配線１４ａ及び１４ｂと、ゲート電極１２０ａ及び１２０ｂとからなる帯状層１２でドレイン１０８を囲んでいる。これにより、例えば、トランジスタ装置１０の上方に設けられた高電位に帯電した配線層からの外部電界の影響で、ソース−ドレイン間に反転層からなるリーク経路が形成されることを防止することができる。
【００６２】
（３）また、特許文献２に記載されている従来技術とは異なり、この実施の形態のトランジスタ装置１０では、ドレイン１０８の４隅に電界が集中することがない。その結果、トランジスタ装置１０の電圧耐性を、特許文献２の技術に比較して高くすることができる。
【００６３】
（実施の形態２）
次に、この実施の形態のトランジスタ装置１０の実施の形態２の構成について説明する。
【００６４】
実施の形態１においては、帯状体１２が、ドレイン１０８を囲むように設けられた場合について説明した。しかし、帯状体は、ソース１０４ａ及び１０４ｂのそれぞれを個別に囲むように設けてもよい。このようにすることによっても、ソース−ドレイン間のリーク電流を防止することができる。
【００６５】
図４〜図６を参照して、実施の形態２の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置について説明する。図４は、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。図５は図４に示した構成要素から、層間絶縁膜及び層間絶縁膜上の配線を除いた、高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。図６は、図４のＡ−Ａ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。なお、図４〜図６において、図７〜図９に示した従来技術と同様の構成要素には同符号を付し、説明の必要がある場合を除き、その説明を省略する。
【００６６】
（構造）
まず、実施の形態２の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置３０の構造について説明する。
【００６７】
この実施の形態においては、帯状層３２が、第１遮蔽用配線３６ａ，３６ｂ及び第２遮蔽用配線４０ａ，４０ｂを含む。
【００６８】
一方の第１遮蔽用配線３６ａは、ゲート電極１２０ａと、ゲート電極１２０ａと一体に形成された遮蔽用配線３４ａ及び３４ｂとを含む。この遮蔽用配線３４ａ及び３４ｂは、基板１０２の表面を平面的に見たとき、Ｃ字形にソース１０４ａ及びドレイン１０８の一方又は双方を囲んで形成できる。
【００６９】
他方の第１遮蔽用配線３６ｂは、ゲート電極１２０ｂと、ゲート電極１２０ｂと一体に形成された遮蔽用配線３４ｃ及び３４ｄとを含む。この遮蔽用配線３４ｃ及び３４ｄは、基板１０２の表面を平面的に見たとき、Ｃ字形にソース１０４ｂ及びドレイン１０８の一方又は双方を囲んで形成できる。
【００７０】
なお、図４及び図５に示す構成例では、第１遮蔽用配線３６ａ及び３６ｂは、それぞれソース１０４ａ及び１０４ｂを囲んで形成した例を示している。
【００７１】
第２遮蔽用配線４０ａ，４０ｂは、それぞれ、ガードリング配線３８と、メタルカバー１４０ａ及び１４０ｂと、ゲート配線１２６ａ及び１２６ｂとを含んでいる。
【００７２】
ガードリング配線３８は、基板１０２の表面を平面的に見たとき、Ｐウエル領域１０３を囲んで層間絶縁膜１０５上に形成されている。
【００７３】
メタルカバー１４０ａ及び１４０ｂは、それぞれ、第１遮蔽用配線３６ａ，３６ｂとは異なる高さで、ガードリング配線３８から延在させて層間絶縁膜１０５上に形成されていて、基板１０２の表面を平面的に見たとき、第１遮蔽用配線３６ａ，３６ｂと重複、すなわち、上側から重なり合うように設けられている。
【００７４】
ゲート配線１２６ａ及び１２６ｂは、層間絶縁膜１０５上にゲート電圧供給源側へと延在して設けられている。これらゲート配線１２６ａ及び１２６ｂは、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂに、電圧を供給する。
【００７５】
以下、トランジスタ装置３０につき、既に説明した実施の形態１のトランジスタ装置１０との相違点を中心に説明する。
【００７６】
図５に示すように、帯状層３２を構成する一方の第１遮蔽用配線３６ａは、ゲート電極１２０ａと、遮蔽用配線３４ａ，３４ｂとを備えている。第１遮蔽用配線３６ａは、平面形状がＣ字形であり、矩形状の一方のソース１０４ａの一つの長辺と２つの短辺を囲むように形成されている。
【００７７】
より詳細には、実施の形態１の場合と同様に、遮蔽用配線３４ａをゲート電極１２０ａの周囲を囲むように、ゲート電極１２０ａと一体に形成して、両者が接続されている。この遮蔽用配線３４ａは、ゲート電極１２０ａのゲート幅方向の一端部１２０ａ１側のソース１０４ａの一方の短辺に沿って延在している。
【００７８】
図５に示すように、この遮蔽用配線３４ａには、コンタクト２０ａ，２０ａ，２０ａが設けられている。これらのコンタクト２０ａ，２０ａ，２０ａは、層間絶縁膜１０５上をＰウエル領域１０３の外側に向かって延びるゲート配線１２６ａと接続されている。その結果、ゲート電極１２０ａには、ゲート配線１２６ａから、コンタクト２０ａ，２０ａ，２０ａを介して、所望のゲート電圧が供給される。
【００７９】
また、ゲート電極１２０ａのゲート幅方向の他端部１２０ａ２側に、一方の遮蔽用配線３４ａの場合と同様にして、他方の遮蔽用配線３４ｂが接続されている。遮蔽用配線３４ｂは、ソース１０４ａの他方の短辺に沿って延在している。
【００８０】
遮蔽用配線３４ａ及び３４ｂは、実施の形態１で説明した遮蔽用配線の場合と同様に、ゲート電極１２０ａを形成する工程において、ゲート電極１２０ａとともに同時に形成される。よって、遮蔽用配線３４ａ及び３４ｂは、ゲート電極１２０ａと同様に、導電性材料すなわちポリシリコンが材料となっている。
【００８１】
同様に、帯状層３２を構成する他方の第１遮蔽用配線３６ｂは、ゲート電極１２０ｂと、遮蔽用配線３４ｃ，３４ｄとを備えている。第１遮蔽用配線３６ｂは、平面形状がＣ字形であり、矩形状の他方のソース１０４ｂの一つの長辺と２つの短辺を囲むように形成されている。
【００８２】
第１遮蔽用配線３６ｂは、第１遮蔽用配線３６ａとドレイン１０８を挟んで線対称的に配置されている。したがって、第１遮蔽用配線３６ｂの構造の詳細については説明を省略する。
【００８３】
図４に示すように、帯状層３２を構成する一方の第２遮蔽用配線４０ａは、メタルカバー１４０ａと、ガードリング配線３８と、ゲート配線１２６ａとを備えている。
【００８４】
メタルカバー１４０ａは、層間絶縁膜１０５上に設けられたガードリング配線３８から、Ｐウエル領域１０３の上方をソース１０４ａの内側に向かって延在している。図６を参照すると、メタルカバー１４０ａと第１遮蔽用配線３６ａとは、層間絶縁膜１０５を介して互いに重複しあっている。つまり、基板１０２の表面側から見たときに、メタルカバー１４０ａと一方の第１遮蔽用配線３６ａ（遮蔽用配線３４ｂ）とは、オーバーラップしている。
【００８５】
従来技術の項で説明したように、ガードリング配線３８は、Ｐウエル領域１０３の内周に沿って設けられている。
【００８６】
また、実施の形態１で説明したと同様に、ゲート配線１２６ａは、コンタクト２０ａ，２０ａ，２０ａを介して、ゲート電極１２０ａと一体に形成された一方の遮蔽用配線３４ａに接続されている。
【００８７】
これらの構成要素により、一方の第２遮蔽用配線４０ａの平面形状は、開口が一方の第１遮蔽用配線３６ａと反対側を向いたＣ字形に形成されており、一方のソース１０４ａを囲んで設けられている。
【００８８】
帯状層３２を構成する他方の第２遮蔽用配線４０ｂは、他方のメタルカバー１４０ｂと、ガードリング配線３８と、他方のゲート配線１２６ｂとを備えている。
【００８９】
他方の第２遮蔽用配線４０ｂは、一方の第２遮蔽用配線４０ａとドレイン１０８を挟んで線対称的に配置されている。したがって、他方の第２遮蔽用配線４０ｂの構造の詳細については説明を省略する。
【００９０】
（作用）
続いて、トランジスタ装置３０、特に、帯状層３２の作用について説明する。
【００９１】
帯状層３２のメタルカバー１４０ａ及び１４０ｂと、第１遮蔽用配線３６ａ及び３６ｂは、外部電界の影響を遮蔽する作用を果たす。
【００９２】
つまり、例えば、トランジスタ装置３０の上方に設けられた配線が高電位に帯電した場合、この配線から生じる電界（外部電界）により、Ｐウエル領域１０３の表面近傍の領域の導電型が、反対の導電型に反転してしまうことがある。
【００９３】
このように導電型が反転した反転層が形成されると、たとえ、トランジスタ１００ａ及び１００ｂがオフ状態、すなわちゲート電極１２０ａ及び１２０ｂに電圧が印加されていない状態、であっても、反転層を介して、ソース−ドレイン間の導通路が形成されてしまうため、ソース−ドレイン間にリーク電流が流れてしまう。
【００９４】
Ｐウエル領域１０３の上方に設けられたメタルカバー１４０ａ，１４０ｂ及び第１遮蔽用配線３６ａ，３６ｂは、実施の形態１で既に説明したと同様な理由で外部電界が直接Ｐウエル領域１０３の表面に印加されることを防止する。そして、第１遮蔽用配線３６ａ及び３６ｂの直下のＰウエル領域１０３の導電型が反転することを防止する。つまり、ソース−ドレイン間のリーク経路を遮断する。
【００９５】
（効果）
次に、この実施の形態のトランジスタ装置３０の効果について説明する。
【００９６】
（１）この実施の形態のトランジスタ装置３０では、ゲート配線１２６ａ，１２６ｂが、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂではなく、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂよりも広い間隔を有する遮蔽用配線３４ａ，３４ｃにそれぞれ接続されている。また、メタルカバー１４０ａ，１４０ｂも、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂではなく、ゲート電極１２０ａ，１２０ｂよりも広い間隔を有する遮蔽用配線３４ｂ，３４ｄにそれぞれ接続されている。
【００９７】
その結果、従来、メタルカバー１４０ａ，１４０ｂ間の距離により規制されていたドレイン配線１１６の幅（ゲート長方向の長さ）を大きくすることができる。結果として、ドレイン配線１１６の、ドレイン配線１１６を導通可能な最大電流量を大きくすることができ、耐サージ特性を向上することができる。
【００９８】
（２）この実施の形態のトランジスタ装置３０においては、第１遮蔽用配線３６ａ，３６ｂ及び第２遮蔽用配線４０ａ，４０ｂとからなる帯状層３２でドレイン１０８を囲んでいる。これにより、例えば、トランジスタ装置１０の上方に設けられた高電位に帯電した配線層からの外部電界の影響で、ソース−ドレイン間に反転層からなるリーク経路が形成されることを防止することができる。
【００９９】
（３）また、特許文献２に記載されている従来技術とは異なり、この実施の形態のトランジスタ装置１０では、ドレイン１０８の４隅に電界が集中することがない。その結果、トランジスタ装置１０の電圧耐性を、特許文献２の技術に比較して高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】実施の形態１の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図２】層間絶縁膜、及び層間絶縁膜上の配線を除いた、実施の形態１の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図３】は、図１のＡ−Ａ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。
【図４】実施の形態２の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図５】層間絶縁膜、及び層間絶縁膜上の配線を除いた、実施の形態２の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図６】図４のＡ−Ａ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。
【図７】従来技術の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図８】層間絶縁膜、及び層間絶縁膜上の配線を除いた、従来技術の高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置の構造を模式的に示す平面図である。
【図９】（Ａ）は、図７のＡ−Ａ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。また（Ｂ）は、図７のＢ−Ｂ線に沿った切断面を模式的に示す端面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０，３０  高耐圧ＭＯＳトランジスタ装置
１２，３２  帯状層
１４ａ，１４ｂ  遮蔽用配線
１６，３８  ガードリング配線
１８  ゲート配線
２０，２０ａ，２０ｂ  コンタクト
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄ  遮蔽用配線
３６ａ，３６ｂ  第１遮蔽用配線
４０ａ，４０ｂ  第２遮蔽用配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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