(57)【要約】【課題】ウエハの周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャックと、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１８と、このブラシ１８を回転させるブラシ自転機構とを備えている。ブラシ１８は、ブラシ自転機構により回転させられながらウエハＷの周縁部に当接される。ウエハＷは、回転中のブラシ１８が当接された状態で、その回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、ウエハＷの周縁部に付着している汚染物質に互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。【選択図】図８
2009238860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構に保持された基板の周縁部に当接される１または複数のブラシと、
基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、当該基板の周縁部を洗浄するための第１洗浄手段と、
基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、当該基板の周縁部を洗浄するための第２洗浄手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄には、同一の前記ブラシが用いられ、
前記基板保持機構に保持された基板を回転させる基板回転機構と、
前記ブラシを回転させるブラシ回転機構と、
前記ブラシ回転機構および前記基板回転機構を制御する制御手段とをさらに含み、
前記第１洗浄手段は、基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、前記ブラシ回転機構および前記基板回転機構を制御する、前記制御手段により実現され、
前記第２洗浄手段は、基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、前記ブラシ回転機構および前記基板回転機構を制御する、前記制御手段により実現される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄は、交互に繰り返され、
前記制御手段は、前記第１洗浄手段による洗浄時には、前記ブラシが所定のブラシ回転方向に回転するように、前記ブラシ回転機構を制御するとともに、基板が所定の基板回転方向に所定の第１回転角だけ回転するように、前記基板回転機構を制御し、前記第２洗浄手段による洗浄時には、前記ブラシが前記ブラシ回転方向に回転するように、前記ブラシ回転機構を制御するとともに、基板が前記基板回転方向と逆方向に前記第１回転角とは異なる第２回転角だけ回転するように、前記基板回転機構を制御する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄には、互いに異なる前記ブラシが用いられ、
前記基板保持機構に保持された基板を一方向に回転させる基板回転機構をさらに含み、
前記第１洗浄手段は、当該第１洗浄手段による洗浄に用いられる前記ブラシを所定のブラシ回転方向に回転させる第１ブラシ回転機構を含み、
前記第２洗浄手段は、当該第２洗浄手段による洗浄に用いられる前記ブラシを前記ブラシ回転方向と逆方向に回転させる第２ブラシ回転機構を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
基板保持機構に基板を保持させる工程と、
前記基板保持機構により保持された基板の周縁部にブラシを当接させて、当該基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、基板の周縁部を洗浄するための第１洗浄工程と、
前記基板保持機構により保持された基板の周縁部に前記第１洗浄工程に用いられる前記ブラシと同一または異なるブラシを当接させて、当該基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、基板の周縁部を洗浄するための第２洗浄工程とを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板をブラシで洗浄処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の周縁部の汚染が、ウエハの処理品質に対して無視できない影響を与える場合がある。そのため、最近では、ウエハの周縁部の洗浄に対する要求が高まっている。
ウエハの周縁部の洗浄に関する先行技術としては、たとえば、ウエハの周縁部に円筒状のブラシの外周面を当接させるとともに、ウエハおよびブラシをそれぞれの中心軸線まわりに回転させつつ、ウエハの周縁部とブラシとの接触部分に向けて、処理液ノズルから、純水などの処理液を吐出させることにより、ウエハの周縁部に付着している汚染物質を除去する構成が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００７−２７３６１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、この提案にかかる装置では、ウエハの周縁部に付着している汚染物質を確実に除去できないおそれがある。すなわち、前記の提案にかかる装置では、ウエハおよびブラシの回転方向が一定であるため、当該ウエハの周縁部に付着している汚染物質には一定方向の力しか加わらず、当該汚染物質が除去され難い場合があった。
そこで、この発明の目的は、基板（ウエハ）の周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持機構（３）と、前記基板保持機構に保持された基板の周縁部に当接される１または複数のブラシ（１８，１８ａ，１８ｂ）と、基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、当該基板の周縁部を洗浄するための第１洗浄手段（６,６ａ，２６ａ，）と、基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、当該基板の周縁部を洗浄するための第２洗浄手段（６,６ｂ，２６ｂ）とを含む、基板処理装置（１，１００）である。
【０００５】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
この発明によれば、第１洗浄手段による洗浄において、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、当該基板および当該ブラシが回転させられる。また、第２洗浄手段による洗浄において、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、当該基板および当該ブラシが回転させられる。したがって、基板の周縁部に付着している汚染物質に対して、互いに逆方向となる二方向の力が与えられる。これにより、基板の周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる。
【０００６】
請求項２記載の発明は、前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄には、同一の前記ブラシが用いられ、前記基板保持機構に保持された基板を回転させる基板回転機構（９）と、前記ブラシを回転させるブラシ回転機構（２６）と、前記ブラシ回転機構および前記基板回転機構を制御する制御手段（４５）とをさらに含み、前記第１洗浄手段は、基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、前記ブラシ回転機構および前記基板回転機構を制御する、前記制御手段により実現され、前記第２洗浄手段は、基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、前記ブラシ回転機構および前記基板回転機構を制御する、前記制御手段により実現される、請求項１に記載の基板処理装置（１）である。
【０００７】
この発明によれば、制御手段が、ブラシ回転機構および基板回転機構を制御して、基板およびブラシを回転させることにより、前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄が基板の周縁部に対して行われる。
すなわち、制御手段が、ブラシ回転機構および基板回転機構を制御して、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように当該基板および当該ブラシを回転させることにより、前記第１洗浄手段による洗浄が基板の周縁部に対して行われる。
【０００８】
また、制御手段が、ブラシ回転機構および基板回転機構を制御して、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように当該基板および当該ブラシを回転させることにより、前記第２洗浄手段による洗浄が基板の周縁部に対して行われる。これにより、基板の周縁部に付着している汚染物質に複数方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。
【０００９】
請求項３記載の発明は、前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄は、交互に繰り返され、前記制御手段は、前記第１洗浄手段による洗浄時には、前記ブラシが所定のブラシ回転方向に回転するように、前記ブラシ回転機構を制御するとともに、基板が所定の基板回転方向に所定の第１回転角（α）だけ回転するように、前記基板回転機構を制御し、前記第２洗浄手段による洗浄時には、前記ブラシが前記ブラシ回転方向に回転するように、前記ブラシ回転機構を制御するとともに、基板が前記基板回転方向と逆方向に前記第１回転角とは異なる第２回転角（β）だけ回転するように、前記基板回転機構を制御する、請求項２に記載の基板処理装置である。
【００１０】
この発明によれば、制御手段が、基板回転機構を制御して、基板の回転方向を交互に切り換えることにより、前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄が基板の周縁部に対して行われる。
すなわち、制御手段は、ブラシ回転機構を制御してブラシを所定のブラシ回転方向に回転させるとともに、基板回転機構を制御して基板を所定の基板回転方向に回転させる。これにより、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となり、前記第１洗浄手段による洗浄が基板の周縁部に対して行われる。
【００１１】
また、制御手段は、ブラシを前記ブラシ回転方向に回転させるとともに、基板の回転方向を切り換えて、当該基板を前記基板回転方向と逆方向に回転させる。これにより、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となり、前記第２洗浄手段による洗浄が基板の周縁部に対して行われる。
前記基板回転方向への基板の回転角度である第１回転角と、前記基板回転方向と逆方向への基板の回転角度である第２回転角とは、互いに異なる大きさに設定されている。したがって、第１洗浄手段による洗浄および第２洗浄手段による洗浄が交互に繰り返されることにより、基板が、前記基板回転方向およびその逆方向に交互に揺動しながら、基板の周縁部に対するブラシの当接位置が基板の周方向に徐々に移動する。これにより、基板の周縁部の全域に対してブラシによる洗浄が行われ、当該周縁部の全域から汚染物質が確実に除去される。
【００１２】
請求項４記載の発明は、前記第１洗浄手段による洗浄および前記第２洗浄手段による洗浄には、互いに異なる前記ブラシが用いられ、前記基板保持機構に保持された基板を一方向に回転させる基板回転機構（９）をさらに含み、前記第１洗浄手段は、当該第１洗浄手段による洗浄に用いられる前記ブラシ（１８ａ）を所定のブラシ回転方向に回転させる第１ブラシ回転機構（６ａ）を含み、前記第２洗浄手段は、当該第２洗浄手段による洗浄に用いられる前記ブラシ（１８ｂ）を前記ブラシ回転方向と逆方向に回転させる第２ブラシ回転機構（６ｂ）を含む、請求項１に記載の基板処理装置（１００）である。
【００１３】
この発明によれば、基板回転機構によって一方向に回転させられている基板の周縁部に、互いに異なるブラシが当接される。
具体的には、前記一方向に回転中の基板の周縁部に、第１ブラシ回転機構によって所定のブラシ回転方向に回転させられているブラシが当接させられる。また、前記一方向に回転中の基板の周縁部に、前記第１ブラシ回転機構によって回転させられているブラシとは異なるブラシであって、第２ブラシ回転機構によって前記ブラシ回転方向と逆方向に回転させられているブラシが当接させられる。
【００１４】
すなわち、第１ブラシ回転機構によって回転させられているブラシにおける基板に当接する部分の移動方向と、当該基板における当該ブラシに当接する部分の移動方向とが同一方向にされている。また、第２ブラシ回転機構によって回転させられているブラシにおける基板に当接する部分の移動方向と、当該基板における当該ブラシに当接する部分の移動方向とが逆方向にされている。したがって、基板の周縁部に付着している汚染物質に複数方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、基板保持機構に基板を保持させる工程（Ｓ１０２、Ｓ２０２）と、前記基板保持機構により保持された基板の周縁部にブラシを当接させて、当該基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、基板の周縁部を洗浄するための第１洗浄工程（Ｓ１０７、Ｓ１０９、Ｓ１１５、Ｓ１１６、Ｓ２０６、Ｓ２０７）と、前記基板保持機構により保持された基板の周縁部に前記第１洗浄工程に用いられる前記ブラシと同一または異なるブラシを当接させて、当該基板における前記ブラシに当接する部分の移動方向と前記ブラシにおける前記基板に当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、当該基板および前記ブラシを回転させることにより、基板の周縁部を洗浄するための第２洗浄工程（Ｓ１０７、Ｓ１０９、Ｓ１１５、Ｓ１１６、Ｓ２０６、Ｓ２０７）とを含む、基板処理方法である。
【００１６】
この発明によれば、第１洗浄工程において、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが同一方向とされ、第２洗浄工程において、基板におけるブラシに当接する部分の移動方向とブラシにおける基板に当接する部分の移動方向とが逆方向とされる。したがって、基板の周縁部に付着している汚染物質に対して、互いに逆方向となる二方向の力が与えられる。これにより、基板の周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置１の内部の図解的な側面図である。
この基板処理装置１は、基板の一例としての半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）を１枚ずつ処理する枚葉型の装置である。基板処理装置１は、隔壁で区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック３（基板保持機構）と、ウエハＷの表面（デバイスが形成される側の面：本実施形態においては上面）に処理液を供給するための表面ノズル４と、ウエハＷの裏面（本実施形態においては下面）に処理液を供給するための裏面ノズル５と、ウエハＷを洗浄するためのブラシ機構６とを備えている。
【００１８】
スピンチャック３は、たとえば、真空吸着式のチャックが用いられている。このスピンチャック３は、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸７と、このスピン軸７の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する吸着ベース８と、スピン軸７と同軸に結合された回転軸を有するスピンモータ９（基板回転機構）とを備えている。ウエハＷの裏面が吸着ベース８に吸着保持された状態で、スピンモータ９が駆動されると、ウエハＷがスピン軸７の中心軸線まわりに回転する。
【００１９】
スピンチャック３は、吸着ベース８に保持されたウエハＷを、水平面に沿って時計回りおよび反時計回りに回転（一回転以上）させることができる。また、スピンチャック３は、吸着ベース８に保持されたウエハＷを、水平面に沿って任意の角度（３６０度未満の任意の角度）で時計回りおよび反時計回りに回転させることができる。
表面ノズル４および裏面ノズル５には、それぞれ処理液供給管１０および処理液供給管１１が接続されている。これらの処理液供給管１０，１１には、処理液バルブ１２を介して、図示しない処理液供給源からの処理液が供給される。表面ノズル４は、処理液供給管１０を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の中央に向けて吐出する。また、裏面ノズル５は、処理液供給管１１を通して供給される処理液を、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面の周端縁と吸着ベース８との間に向けて吐出する。
【００２０】
ノズル４,５に供給される処理液としては、たとえば純水が用いられている。処理液は、純水に限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水であってもよいし、アンモニア水またはアンモニア水と過酸化水素水との混合液などの薬液であってもよい。
ブラシ機構６は、スピンチャック３によるウエハＷの保持位置よりも上方で略水平に延びる揺動アーム１６と、ウエハＷの回転範囲外に設定されて、揺動アーム１６を支持するアーム支持軸１７と、揺動アーム１６の先端に保持されて、ウエハＷの周縁部を洗浄するためのブラシ１８とを備えている。
【００２１】
ウエハＷの周縁部とは、ウエハＷの表面の周縁領域１３、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５を含む部分をいう。また、周縁領域１３，１４とは、たとえば、ウエハＷの周端縁から幅数ミリメートル程度の環状の領域をいう。
アーム支持軸１７は、鉛直方向に延びている。アーム支持軸１７の上端部は、揺動アーム１６の一端部（基端部）の下面に結合されている。アーム支持軸１７には、昇降駆動機構１９が結合されている。アーム支持軸１７には、昇降駆動機構１９の駆動力が入力される。昇降駆動機構１９により、アーム支持軸１７を上下動させて、このアーム支持軸１７と一体的に揺動アーム１６を上下動させることができる。
【００２２】
また、アーム支持軸１７には、揺動駆動機構２０が結合されている。アーム支持軸１７には、揺動駆動機構２０の駆動力が入力される。揺動駆動機構２０の駆動力をアーム支持軸１７に入力して、アーム支持軸１７を往復回転させることにより、アーム支持軸１７を支点に揺動アーム１６を揺動させることができる。
具体的には、ブラシ１８が、ウエハＷの周縁部に当接して当該ウエハＷを洗浄する基板処理位置と、前記基板処理位置から退避して待機するときの待機位置との間で移動するように、揺動アーム１６を揺動させることができる。図１に、ブラシ１８が基板処理位置にあるときの揺動アーム１６の位置を二点鎖線で示し、ブラシ１８が待機位置にあるときの揺動アーム１６の位置を実線で示す。
【００２３】
揺動アーム１６の先端部には、鉛直方向に延びるブラシ回転軸２５が回転可能に設けられている。ブラシ回転軸２５の下端部には、ホルダ取付部３１を介して、ブラシホルダ３２が取り付けられている。ブラシ１８は、ブラシホルダ３２の下方に取り付けられている。
また、ブラシ回転軸２５には、揺動アーム１６の内部において、ブラシ１８を回転させるためのブラシ自転機構２６（ブラシ回転機構）が結合されている。ブラシ自転機構２６は、たとえば、ブラシ回転軸２５と一体回転可能に連結されたプーリ２７と、モータ２９により駆動されるプーリ２８と、この一対のプーリ２７，２８間に掛け渡されたベルト３０とを含む。ブラシ自転機構２６は、ブラシ１８の中心軸線を回転軸線として、時計回りおよび反時計回りにブラシ１８を回転させることができる。
【００２４】
図３は、ホルダ取付部３１、ブラシホルダ３２およびブラシ１８の正面図である。
ホルダ取付部３１は、ブラシ回転軸２５が挿通されて、ブラシ回転軸２５に固定された円板状の上面部３３と、この上面部３３の周縁から下方に向けて延びる円筒状の側面部３４とを一体的に備えている。側面部３４の内周面には、ねじが切られた雌ねじ部３５が一体的に形成されている。
【００２５】
ブラシホルダ３２は、略円柱状の樹脂ブロック３６と、樹脂ブロック３６の中心軸線上に配置され、上端部が樹脂ブロック３６の下面に挿入されて固定された芯材３７と、この芯材３７の下端に取り付けられたプレート３８とを備えている。芯材３７の下端部には、ねじ孔が形成されており、このねじ孔にプレート３８の中心を貫通するボルト３９がねじ込まれることによって、プレート３８が芯材３７に着脱可能に取り付けられている。また、樹脂ブロック３６の上面には、周面にねじが切られた雄ねじ部４０が一体的に形成されている。この雄ねじ部４０とホルダ取付部３１の雌ねじ部３５とを螺合させることにより、ブラシホルダ３２がホルダ取付部３１に取り付けられている。
【００２６】
ブラシ１８は、たとえば、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）などのスポンジ材からなり、鉛直軸線まわりに回転対称な略鼓状に形成されている。ブラシ１８は、芯材３７に外嵌されて、樹脂ブロック３６とプレート３８との間に挟持されている。ブラシ１８は、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５を洗浄するための第１洗浄部４１と、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５を洗浄するための第２洗浄部４２とを上下に一体的に備えている。
【００２７】
第１洗浄部４１は、その上部４１ａが略円筒状をなし、下部４１ｂが下方に向けて狭まる略倒立円錐台状をなしている。第１洗浄部４１の下部４１ｂの側面は、上端縁が上部４１ａの側面の下端縁に連続し、その中心軸線に対して４５度の傾斜角度を有して、下方ほど中心軸線に近づくように傾斜している。この第１洗浄部４１において、下部４１ｂの側面がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に当接する第１洗浄面４３となっている。
【００２８】
第２洗浄部４２は、第１洗浄部４１の下端に一体的に結合されて、第１洗浄部４１と中心軸線を共有するように配置されている。この第２洗浄部４２は、上部４２ａが下方に向けて拡がる略円錐台状をなし、下部４２ｂが略円筒状をなしている。第２洗浄部４２の上部４２ａの側面は、上端縁が第１洗浄部４１の下部４１ｂの側面の下端縁に連続し、その中心軸線に対して４５度の傾斜角度を有して、下方ほど中心軸線から離れるように傾斜している。また、上部４２ａの側面の下端縁は、下部４２ｂの側面の上端縁に連続している。この第２洗浄部４２において、上部４２ａの側面がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接する第２洗浄面４４となっている。
【００２９】
図４は、第１実施形態に係る基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む制御部４５（制御手段）を備えている。この制御部４５には、使用者によって処理レシピ（ウエハＷの処理のための各種条件）を入力するためのレシピ入力キー４６が接続されている。さらに、制御部４５には、スピンモータ９、処理液バルブ１２、昇降駆動機構１９、揺動駆動機構２０、ブラシ自転機構２６などが制御対象として接続されている。
【００３０】
図５は、第１実施形態に係る基板処理装置１によるウエハＷの処理の第１実施例を説明するための工程図である。また、図６および図７は、前記第１実施例におけるブラシ１８の状態を示す側面図である。また、図８は、前記第１実施例におけるウエハＷおよびブラシ１８の回転方向を示す模式的な平面図である。
ウエハＷの処理に先立ち、使用者によって、レシピ入力キー４６が操作されて、ウエハＷの周端面１５に対するブラシ１８の押し付け量が設定されている（ステップＳ１０１）。押し付け量とは、ウエハＷの周端面１５にブラシ１８の洗浄面（第１洗浄面４３または第２洗浄面４４）を押し付けたときのブラシ１８の弾性変形量をいう。
【００３１】
処理室２内に、ウエハＷが搬入され、そのウエハＷがスピンチャック３に保持されると（ステップＳ１０２）、制御部４５によりスピンモータ９が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ１０３）。次いで、制御部４５により処理液バルブ１２が開かれて、表面ノズル４および裏面ノズル５からそれぞれウエハＷの表面および裏面への処理液の供給が開始される（ステップＳ１０４）。また、制御部４５によりブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ１８が、たとえばウエハＷの回転方向と同一方向に回転される（ステップＳ１０５）。
【００３２】
本実施例では、たとえばφ３００ｍｍの円板状の半導体ウエハが、ウエハＷとして用いられており、このウエハＷは、スピンチャック３により、たとえば５０〜１５０ｒｐｍ（好ましくは、１００ｒｐｍ）の回転速度で回転される。また、ウエハＷの回転速度が５０〜１５０ｒｐｍである場合に、ブラシ１８は、ブラシ自転機構２６によりたとえば１２５ｒｐｍ程度の回転速度で回転される。ウエハＷおよびブラシ１８の回転速度をこのように設定したのは、ウエハＷに供給された処理液に十分な遠心力を作用させて、ウエハＷの周縁部に処理液を十分に供給するとともに、ウエハＷの周縁部に対してブラシ１８による良好な洗浄処理を行うためである。
【００３３】
ウエハＷおよびブラシ１８の回転が開始されると、制御部４５により昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０が制御されて、ブラシ１８の第２洗浄面４４がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接される（ステップＳ１０６）。
具体的には、まず、昇降駆動機構１９が制御されて、ブラシ１８がレシピ入力キー４６から設定された押し付け量に応じた高さの位置に移動され、ブラシ１８の第２洗浄面４４がウエハＷの周端面１５に対向する。次に、揺動駆動機構２０が制御されて、揺動アーム１６が旋回し、ブラシ１８が水平移動することにより、ブラシ１８の第２洗浄面４４にウエハＷの周縁部が食い込み、図６に示すように、ブラシ１８の第２洗浄面４４がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に押し付けられる。これにより、ブラシ１８の第２洗浄面４４が、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に摺接し、当該周縁領域１４および周端面１５が洗浄される。
【００３４】
制御部４５は、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５にブラシ１８の第２洗浄面４４を当接させた状態で、ウエハＷを時計回りおよび反時計回りに交互に回転させて（ステップＳ１０７）、当該周縁領域１４および周端面１５を洗浄させる。
具体的には、図８に示すように、制御部４５によりスピンモータ９およびブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ１８が所定の回転方向(図８では反時計回り)に回転させられたまま、たとえば２秒ごとにウエハＷの回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、数回転ごとにウエハＷの回転方向が切り換えられ、当該ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５が洗浄される。
【００３５】
ウエハＷおよびブラシ１８の回転方向が互いに逆となるとき、当該ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５におけるブラシ１８に当接する部分の移動方向と、ブラシ１８における当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが同一方向となる。一方、ウエハＷおよびブラシ１８の回転方向が同一であるとき、当該ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５におけるブラシ１８に当接する部分の移動方向と、ブラシ１８における当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが逆方向となる。
【００３６】
したがって、ウエハＷを時計回りおよび反時計回りに交互に回転させることにより、その裏面の周縁領域１４および周端面１５に付着している汚染物質に対して、互いに逆方向となる二方向の力を与えることができる。そのため、前記汚染物質に対して一定方向の力を与えた場合と異なり、当該汚染物質をウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５から確実に除去することができる。
【００３７】
本実施形態では、制御部４５が、スピンモータ９およびブラシ自転機構２６を制御して、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５におけるブラシ１８に当接する部分の移動方向と、ブラシ１８における当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが同一方向となるように、すなわち、ウエハＷおよびブラシ１８の回転方向を互いに逆にさせることにより、第１洗浄手段によるウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の洗浄が実現されている。
【００３８】
また、本実施形態では、制御部４５が、スピンモータ９およびブラシ自転機構２６を制御して、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５におけるブラシ１８に当接する部分の移動方向と、ブラシ１８における当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが逆方向となるように、すなわち、ウエハＷおよびブラシ１８の回転方向を同一にさせることにより、第２洗浄手段によるウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の洗浄が実現されている。
【００３９】
本実施形態では、第１洗浄手段によるウエハＷの洗浄および第２洗浄手段によるウエハＷの洗浄に、同一のブラシ（ブラシ１８）が用いられている。
ブラシ１８の第２洗浄面４４がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４５により昇降駆動機構１９が制御されて、ブラシ１８が所定の高さまで下降される。これにより、ブラシ１８の第１洗浄面４３にウエハＷの周縁部が食い込み（ステップＳ１０８）、図７に示すように、ブラシ１８の第１洗浄面４３がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に押し付けられる。その結果、ブラシ１８の第１洗浄面４３が、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に摺接し、当該周縁領域１３および周端面１５が洗浄される。
【００４０】
制御部４５は、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５にブラシ１８の第１洗浄面４３を当接させた状態で、ウエハＷを時計回りおよび反時計回りに交互に回転させて（ステップＳ１０９）、当該周縁領域１３および周端面１５を洗浄させる。
すなわち、制御部４５によりスピンモータ９およびブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ１８が所定の回転方向に回転させられたまま、たとえば２秒ごとにウエハＷの回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、数回転ごとにウエハＷの回転方向が切り換えられ、当該ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５が洗浄される。
【００４１】
ウエハＷおよびブラシ１８の回転方向が互いに逆となるとき、当該ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５におけるブラシ１８に当接する部分の移動方向と、ブラシ１８における当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが同一方向となり、第１洗浄手段によるウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５の洗浄が実現される。
一方、ウエハＷおよびブラシ１８の回転方向が同一であるとき、当該ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５におけるブラシ１８に当接する部分の移動方向と、ブラシ１８における当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが逆方向となり、第２洗浄手段によるウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５の洗浄が実現される。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に付着している汚染物質に対して、互いに逆方向となる二方向の力が与えられ、当該汚染物質が当該周縁領域１３および周端面１５から確実に除去される。
【００４２】
ブラシ１８の第１洗浄面４３がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４５により昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０が制御されて、ブラシ１８が待機位置に退避される（ステップＳ１１０）。また、ブラシ１８が待機位置に戻される間に、ブラシ自転機構２６が停止されて、ブラシ１８の回転が停止される（ステップＳ１１１）。さらに、制御部４５により処理液バルブ１２が閉じられて、表面ノズル４および裏面ノズル５からの処理液の供給が停止される。
【００４３】
その後は、制御部４５によりスピンモータ９が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ１１２）。これにより、ウエハＷに付着している処理液が振り切られ、ウエハＷが乾燥させられる。
ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、スピンモータ９が停止されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される（ステップＳ１１３）。そして、ウエハＷが静止した後、その処理済みのウエハＷが処理室２から搬出されていく（ステップＳ１１４）。
【００４４】
図９は、第１実施形態に係る基板処理装置１によるウエハＷの処理の第２実施例を説明するための工程図である。また、図１０は、前記第２実施例におけるウエハＷおよびブラシ１８の回転方向を示す模式的な平面図である。この図９において、図５を参照して説明した工程と同等の工程については、図５と同一の参照符号を付してその説明を省略する。また、以下では、主として、前述のウエハＷの処理の第１実施例と、ウエハＷの処理の第２実施例との相違点を説明する。
【００４５】
前述のウエハＷの処理の第１実施例と、このウエハＷの処理の第２実施例との主要な相違点は、第１実施例では、数回転ごとにウエハＷの回転方向が交互に切り換えられるのに対し、第２実施例では、所定の角度（３６０度未満の所定の角度）ごとにウエハＷの回転方向が切り換えられることにある。
すなわち、ブラシ１８の第２洗浄面４４がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接されると（図６参照。ステップＳ１０６）、制御部４５が、スピンモータ９を制御して、ウエハＷを時計回りおよび反時計回りに交互に回転させる。（ステップＳ１１５）。
【００４６】
具体的には、図１０に示すように、制御部４５によりスピンモータ９およびブラシ自転機構２６が制御されて、ブラシ１８が所定のブラシ回転方向（図１０では、反時計回り）に回転させられたまま、ウエハＷが、所定の基板回転方向（図１０では、時計回り）に所定の第１回転角α（たとえば１０度）回転される。その後、ブラシ１８が前記ブラシ回転方向に回転させられたまま、ウエハＷが、前記基板回転方向と逆方向（図１０では、反時計回り）に第１回転角αとは異なる第２回転角β（たとえば２０度）回転される。
【００４７】
制御部４５は、スピンモータ９を制御して、前記基板回転方向への第１回転角αでのウエハＷの回転と、前記基板回転方向と逆方向への第２回転角βでのウエハＷの回転を交互に実施させる。したがって、ウエハＷは、前記基板回転方向およびその逆方向に交互に揺動しながら、当該基板回転方向または当該逆方向に（図１０では、反時計回りに）徐々に回転していく。これにより、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５におけるブラシ１８の当接位置が、ウエハＷの周方向に徐々に移動する。その結果、ブラシ１８の第２洗浄面４４が、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の全域に擦り付けられ、当該周縁領域１４および周端面１５の全域が洗浄される。ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に付着している汚染物質には、互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質は、当該周縁領域１４および周端面１５から確実に除去される。
【００４８】
ブラシ１８の第２洗浄面４４がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４５により昇降駆動機構１９が制御されて、ブラシ１８が所定の高さまで下降される。これにより、ブラシ１８の第１洗浄面４３にウエハＷの周縁部が食い込み（ステップＳ１０８）、ブラシ１８の第１洗浄面４３がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に押し付けられる（図７参照）。そして、制御部４５は、スピンモータ９を制御して、ウエハＷを時計回りおよび反時計回りに交互に回転させる。（ステップＳ１１６）。
【００４９】
すなわち、制御部４５が、ブラシ１８の回転方向を一定にしたまま、スピンモータ９を制御して、前記基板回転方向への第１回転角αでのウエハＷの回転と、前記基板回転方向と逆方向への第２回転角βでのウエハＷの回転を交互に実施させる。これにより、ウエハＷは、前記基板回転方向およびその逆方向に交互に揺動しながら、当該基板回転方向または当該逆方向に徐々に回転していく。そのため、ブラシ１８の第１洗浄面４３が、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５の全域に擦り付けられ、当該周縁領域１３および周端面１５の全域が洗浄される。ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に付着している汚染物質には、互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質は、当該周縁領域１３および周端面１５から確実に除去される。
【００５０】
図１１は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１００の概略構成を示す平面図である。また、図１２は、第２実施形態に係る基板処理装置１００の電気的構成を説明するためのブロック図である。この図１１および図１２において、前述の図１〜図１０に示された各部と同等の構成部分については、図１〜図１０と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５１】
この第２実施形態に係る基板処理装置１００と、前述の第１実施形態に係る基板処理装置１との主要な相違点は、基板処理装置１では、ウエハＷを洗浄するためのブラシが１つ設けられているのに対し、基板処理装置１００では、複数のブラシが設けられていることにある。
基板処理装置１００は、処理室２内に、複数（たとえば２つ）のブラシ機構６を備えている。各ブラシ機構６の揺動アーム１６には、ブラシ１８が保持されている。また、各ブラシ機構６の揺動アーム１６内には、当該揺動アーム１６に保持されたブラシ１８を回転させるためのブラシ自転機構２６が内蔵されている。
【００５２】
また、各ブラシ機構６のアーム支持軸１７には、昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０が結合されている。昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０の駆動力が、各ブラシ機構６のアーム支持軸１７に入力されることにより、各ブラシ機構６の揺動アーム１６が当該ブラシ機構６のアーム支持軸１７を支点として揺動される。これにより、各揺動アーム１６に保持されたブラシ１８が、基板処理位置と待機位置との間で移動させられる。図１１に、ブラシ１８が基板処理位置にあるときの揺動アーム１６の位置を二点鎖線で示し、ブラシ１８が待機位置にあるときの揺動アーム１６の位置を実線で示す。
【００５３】
以下では、一方のブラシ機構６を「第１ブラシ機構６ａ」といい、他方のブラシ機構６を「第２ブラシ機構６ｂ」という。また、第１ブラシ機構６ａの揺動アーム１６に内蔵されたブラシ自転機構２６を「第１ブラシ自転機構２６ａ」といい、第２ブラシ機構６ｂの揺動アーム１６に内蔵されたブラシ自転機構２６を「第２ブラシ自転機構２６ｂ」という。さらに、第１ブラシ機構６ａの揺動アーム１６に保持されたブラシ１８を「第１ブラシ１８ａ」といい、第２ブラシ機構６ｂの揺動アーム１６に保持されたブラシ１８を「第２ブラシ１８ｂ」という。
【００５４】
本実施形態では、第１ブラシ自転機構２６ａが、ブラシを所定のブラシ回転方向に回転させる第１ブラシ回転機構として機能する。また、第２ブラシ自転機構２６ｂが、ブラシを前記ブラシ回転方向と逆方向に回転させる第２ブラシ回転機構として機能する。図１２に示すように、第１ブラシ自転機構２６ａおよび第２ブラシ自転機構２６ｂは、制御部４５に制御対象として接続されている。また、第１ブラシ機構６ａおよび第２ブラシ機構６ｂのそれぞれに対応する昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０も、制御部４５に制御対象として接続されている。
【００５５】
図１３は、第２実施形態に係る基板処理装置１００によるウエハＷの処理の第３実施例を説明するための工程図である。また、図１４は、前記第３実施例におけるブラシ１８の状態を示す側面図である。また、図１５は、前記第３実施例におけるブラシ１８の状態を示す模式的な平面図である。この図１３〜図１５において、前述の図１〜図１０に示された各部と同等の構成部分については、図１〜図１０と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００５６】
ウエハＷの処理に先立ち、使用者によって、レシピ入力キー４６が操作されて、ウエハＷの周端面１５に対するブラシ１８の押し付け量が設定されている（ステップＳ２０１）。その後、処理室２内にウエハＷが搬入され、そのウエハＷがスピンチャック３に保持されると（ステップＳ２０２）、制御部４５によりスピンモータ９が制御されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される（ステップＳ２０３）。次いで、制御部４５により処理液バルブ１２が開かれて、表面ノズル４および裏面ノズル５からそれぞれウエハＷの表面および裏面への処理液の供給が開始される（ステップＳ２０４）。
【００５７】
また、制御部４５により第１ブラシ自転機構２６ａが制御されて、図１５に示すように、第１ブラシ１８ａが、ブラシ回転方向（ウエハＷの回転方向と逆方向。図１５では、反時計回り）に回転される（ステップＳ２０５）。一方、制御部４５により第２ブラシ自転機構２６ｂが制御されて、第２ブラシ１８ｂが、前記ブラシ回転方向と逆方向（ウエハＷの回転方向と同一方向。図１５では、時計回り）に回転される（ステップＳ２０５）。
【００５８】
その後、制御部４５により昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０が制御されて、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第２洗浄面４４がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に当接される（ステップＳ２０６）。これにより、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第２洗浄面４４にウエハＷの周縁部が食い込み、図１４に示すように、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第２洗浄面４４がウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に押し付けられる。その結果、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第２洗浄面４４が、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に摺接し、当該周縁領域１４および周端面１５が洗浄される。
【００５９】
本実施例では、第１ブラシ１８ａがウエハＷの回転方向と逆方向に回転させられているので、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５における第１ブラシ１８ａに当接する部分の移動方向と、第１ブラシ１８ａにおける当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが同一方向となる。一方、第２ブラシ１８ｂがウエハＷの回転方向と同一方向に回転させられているので、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５における第２ブラシ１８ｂに当接する部分の移動方向と、第２ブラシ１８ｂにおける当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが逆方向となる。
【００６０】
したがって、ウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に付着している汚染物質には、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂから互いに逆方向となる二方向の力が与えられる。そのため、前記汚染物質に対して一定方向の力を与えた場合と異なり、当該汚染物質をウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５から確実に除去することができる。
本実施形態では、第１ブラシ自転機構２６ａが、第１ブラシ１８ａをウエハＷの回転方向と逆方向に回転させつつ、回転しているウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に、当該第１ブラシ１８ａを当接させることにより、第１洗浄手段によるウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の洗浄が実現されている。
【００６１】
また、本実施形態では、第２ブラシ自転機構２６ｂが、第２ブラシ１８ｂをウエハＷの回転方向と同一方向に回転させつつ、回転しているウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５に、当該第２ブラシ１８ｂを当接させることにより、第２洗浄手段によるウエハＷの裏面の周縁領域１４および周端面１５の洗浄が実現されている。
第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第２洗浄面４４がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４５により昇降駆動機構１９が制御されて、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂが所定の高さまで下降される。これにより、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第１洗浄面４３にウエハＷの周縁部が食い込み（ステップＳ２０７）、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第１洗浄面４３がウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に押し付けられる。その結果、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第１洗浄面４３が、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に摺接し、当該周縁領域１３および周端面１５が洗浄される。
【００６２】
本実施形態では、第１ブラシ１８ａがウエハＷの回転方向と逆方向に回転させられているので、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５における第１ブラシ１８ａに当接する部分の移動方向と、第１ブラシ１８ａにおける当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが同一方向となる。一方、第２ブラシ１８ｂがウエハＷの回転方向と同一方向に回転させられているので、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５における第２ブラシ１８ｂに当接する部分の移動方向と、第２ブラシ１８ｂにおける当該ウエハＷに当接する部分の移動方向とが逆方向となる。
【００６３】
したがって、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に付着している汚染物質には、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂから互いに逆方向となる二方向の力が与えられる。これにより、ウエハＷの表面の周縁領域１３および周端面１５に付着している汚染物質が、当該周縁領域１３および周端面１５から確実に除去される。
第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの第１洗浄面４３がウエハＷに当接してから所定時間が経過すると、制御部４５により昇降駆動機構１９および揺動駆動機構２０が制御されて、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂが待機位置に退避される（ステップＳ２０８）。また、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂが待機位置に戻される間に、第１および第２ブラシ自転機構２６ａ，２６ｂが停止されて、第１および第２ブラシ１８ａ，１８ｂの回転が停止される（ステップＳ２０９）。さらに、制御部４５により処理液バルブ１２が閉じられて、表面ノズル４および裏面ノズル５からの処理液の供給が停止される。
【００６４】
その後は、制御部４５によりスピンモータ９が制御されて、ウエハＷが高速（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転される（ステップＳ２１０）。これにより、ウエハＷに付着している処理液が振り切られ、ウエハＷが乾燥させられる。
ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、スピンモータ９が停止されて、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止される（ステップＳ２１１）。そして、ウエハＷが静止した後、その処理済みのウエハＷが処理室２から搬出されていく（ステップＳ２１２）。
【００６５】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第１〜第２実施形態および第１〜第３実施例の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述のウエハＷの処理の第１実施例では、ウエハＷの回転方向を切り換えることにより、第１洗浄手段による洗浄および第２洗浄手段による洗浄が実現される例について説明したが、これに限らない。すなわち、ウエハＷを一定の方向に回転させつつ、ブラシ１８の回転方向を切り換えることにより、第１洗浄手段による洗浄および第２洗浄手段による洗浄が実現されてもよい。
【００６６】
また、前述の第１〜第２実施形態において、ブラシ１８、１８ａ、１８ｂは各ブラシを保持するアーム１６を揺動させることによって、各ブラシを基板処理位置と待機位置との間で移動させているが、基板処理位置と待機位置との間で移動させるための機構としては、ブラシを保持するアームをリニア駆動させる構成であってもよい。
また、前述の第１〜第２実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の内部の図解的な側面図である。
【図３】ホルダ取付部、ブラシホルダおよびブラシの正面図である。
【図４】第１実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図５】第２実施形態に係る基板処理装置によるウエハの処理の第１実施例を説明するための工程図である。
【図６】前記第１実施例におけるブラシの状態を示す側面図である。
【図７】前記第１実施例におけるブラシの状態を示す側面図である。
【図８】前記第１実施例におけるウエハおよびブラシの回転方向を示す模式的な平面図である。
【図９】第１実施形態に係る基板処理装置によるウエハＷの処理の第２実施例を説明するための工程図である。
【図１０】前記第２実施例におけるウエハおよびブラシの回転方向を示す模式的な平面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
【図１２】第２実施形態に係る基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図１３】第２実施形態に係る基板処理装置によるウエハの処理の第３実施例を説明するための工程図である。
【図１４】前記第３実施例におけるブラシの状態を示す側面図である。
【図１５】前記第３実施例におけるブラシの状態を示す模式的な平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      基板処理装置
３      スピンチャック（基板保持機構）
６      ブラシ機構（第１洗浄手段、第２洗浄手段）
６ａ    第１ブラシ機構（第１洗浄手段）
６ｂ    第２ブラシ機構（第２洗浄手段）
９      スピンモータ（基板回転機構）
１８    ブラシ
１８ａ  第１ブラシ
１８ｂ  第２ブラシ
２６    ブラシ自転機構（ブラシ回転機構）
２６ａ  第１ブラシ自転機構（第１洗浄手段、第１ブラシ回転機構）
２６ｂ  第２ブラシ自転機構（第２洗浄手段、第２ブラシ回転機構）
４５    制御部（制御手段）
１００  基板処理装置
Ｗ      ウエハ（基板）
α      第１回転角
β      第２回転角
【図１】
2009238860.tif 000003
【図２】
2009238860.tif 000004
【図３】
2009238860.tif 000005
【図４】
2009238860.tif 000006
【図５】
2009238860.tif 000007
【図６】
2009238860.tif 000008
【図７】
2009238860.tif 000009
【図８】
2009238860.tif 000010
【図９】
2009238860.tif 000011
【図１０】
2009238860.tif 000012
【図１１】
2009238860.tif 000013
【図１２】
2009238860.tif 000014
【図１３】
2009238860.tif 000015
【図１４】
2009238860.tif 000016
【図１５】
2009238860.tif 000017