(57)【要約】【課題】本発明は、引出電極を構成する電極の発熱および損傷を低減させることができ、かつ電極のギャップ幅を狭くかつ精度良く形成でき、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電（ＥＳＤ）の抑制特性が安定している静電気対策部品を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明の静電気対策部品は、アルミナ基板１１の上面に設けられる一対の引出電極をチタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜で構成される第１の薄膜１２と、この第１の薄膜１２を覆うとともに第１の薄膜１２より厚く形成され、かつタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜で構成される第２の薄膜１３とを少なくとも含む積層膜で構成したものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミナ基板と、このアルミナ基板の上面に設けられた一対の引出電極と、この一対の引出電極間に位置するギャップと、このギャップを覆う過電圧保護材料層と、この過電圧保護材料層を覆う保護樹脂層とを備え、前記一対の引出電極を、チタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜で構成される第１の薄膜と、この第１の薄膜を覆うとともに第１の薄膜より厚く形成され、かつタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜で構成される第２の薄膜とを少なくとも含む積層膜で構成した静電気対策部品。
【請求項２】
第１の薄膜の厚みを０．０５μｍ以上０．２μｍ以下とし、かつ第２の薄膜の厚みを０．５μｍ以上２．０μｍ以下とし、さらに前記ギャップをレーザーカット工法で形成した請求項１記載の静電気対策部品。
【請求項３】
第２の薄膜を覆うように第３の薄膜を形成した請求項１記載の静電気対策部品。
【請求項４】
過電圧保護材料層と保護樹脂層との間にシリコーン系樹脂を主成分とする中間層を設けた請求項１記載の静電気対策部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器を静電気から保護する静電気対策部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等の電子機器の小型化、高性能化が急速に進み、それに伴い電子機器に用いられる電子部品の小型化も急速に進んでいる。しかしながら、その反面、この小型化に伴って電子機器や電子部品の耐電圧は低下するもので、これにより、人体と電子機器の端子が接触した時に発生する静電気パルスによって機器内部の電気回路が損傷するのが増えてきている。これは静電気パルスによって１ナノ秒以下の立ち上がり速度でかつ数百〜数キロボルトという高電圧が機器内部の電気回路に印加されるからである。
【０００３】
従来から、このような静電気パルスへの対策として、静電気が入るラインとグランド間に対策部品を設ける方法がとられているが、近年では信号ラインの伝送速度が数百Ｍｂｐｓ以上といった高速化が進んでおり、前記した対策部品の浮遊容量が大きい場合には信号品質が劣るため、より小さい方が好ましく、したがって、数百Ｍｂｐｓ以上の伝送速度になると１ｐＦ以下の低静電容量の対策部品が必要になってくるものである。
【０００４】
このような高速伝送ラインでの静電気対策として、従来においては、対向する一対の引出電極間に形成されたギャップと引出電極の一部を過電圧保護材料層で覆うタイプの静電気対策部品が提案されている。
【０００５】
図９は従来の静電気対策部品の断面図を示したもので、１はアルミナ基板、２は一対の引出電極、３はギャップ、４は過電圧保護材料層、５は保護樹脂層、６は端面電極、７はニッケルめっき層、８は錫めっき層である。
【０００６】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特表２００２−５３８６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した対向する一対の引出電極２間に形成されたギャップ３と引出電極２の一部を過電圧保護材料層４で覆うタイプの静電気対策部品における特性発現のメカニズムは、対向する一対の引出電極２間のギャップ３に静電気による過電圧が印加された際に、対向する一対の引出電極２間のギャップ３に位置する過電圧保護材料層４中に散在する導電粒子間あるいは半導体粒子間に放電電流のようなものが流れ、それを電流としてグランドにバイパスさせるというものである。このタイプの従来の静電気対策部品では、静電気印加を繰り返し実施することにより、静電気をグランドにバイパスさせる特性が徐々に劣化し、静電気対策部品が動作するピーク電圧が高くなる。静電気印加を繰り返した後に、静電気対策部品をＸ線透過顕微鏡などの非破壊分析手法で観察すると、対向する一対の引出電極２間のギャップ長が、初期状態と比較して拡大していることがわかる。これは、静電気印加時に流れる電流により対向する一対の引出電極２が発熱し、その熱によって一対の引出電極２自身が損傷を受けるためであると考えられる。
【０００８】
上記した一対の引出電極２自身の損傷を低減するには、２つの手法が考えられる。第１の手法は、一対の引出電極２を低抵抗化して発熱を抑制する方法であり、また、第２の手法は、一対の引出電極２に高融点材料を使用して熱による損傷を抑制する方法である。
【０００９】
第１の手法では、まず、一対の引出電極２の膜厚を厚くする方法が考えられる。しかしながら、引出電極２の膜厚をあまり厚くした場合には、対向する一対の引出電極２間のギャップ３を狭くかつ精度良く形成することが困難となるものである。一方、膜厚を固定した上で低抵抗化するためには、電極材料として比抵抗の小さいものを選択する必要がある。比抵抗の小さい電極材料の代表的なものとしては、金、銀、銅、アルミニウムがある。ところが、これらの比抵抗の差は１％未満に過ぎず、材料変更による抵抗値の低減効果は、上記の損傷レベルを抑制できるほどには大きくない。
【００１０】
また、第２の手法では、引出電極２にタングステンやモリブデンといった高融点金属を用いることが考えられる。このタングステンやモリブデンは、比抵抗が小さいため、損傷抑制効果は大きいものであるが、チタンやクロム等の比抵抗が比較的高い他の材料と比べた場合、アルミナ基板との密着性において劣るものである。また、タングステンやモリブデンは表面が酸化しやすいために、薄い膜厚では厚み方向における酸化膜の占める割合が多くなって抵抗値が極めて大きくなり、発熱量が増大するものである。これを防ぐためにタングステンやモリブデンの膜厚を厚くした場合には、前述したものと同様の理由により高精度のギャップ３を形成することが困難になるものである。
【００１１】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、引出電極を構成する電極の発熱および損傷を低減させることができ、かつ電極のギャップ幅を狭くかつ精度良く形成でき、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電（ＥＳＤ）の抑制特性が安定している静電気対策部品を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１３】
本発明の請求項１に記載の発明は、アルミナ基板と、このアルミナ基板の上面に設けられた一対の引出電極と、この一対の引出電極間に位置するギャップと、このギャップを覆う過電圧保護材料層と、この過電圧保護材料層を覆う保護樹脂層とを備え、前記一対の引出電極を、チタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜で構成される第１の薄膜と、この第１の薄膜を覆うとともに第１の薄膜より厚く形成され、かつタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜で構成される第２の薄膜とを少なくとも含む積層膜で構成したもので、この構成によれば、一対の引出電極を、アルミナ基板と密着性の良いチタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜で構成される第１の薄膜と、この第１の薄膜を覆うとともに第１の薄膜より厚く形成され、かつタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜で構成される第２の薄膜とを少なくとも含む積層膜で構成しているものであり、前記第１の薄膜を構成するチタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜はアルミナ基板との密着力に優れた材料であるため、引出電極とアルミナ基板との密着力を強固に保つことができるという効果を有し、また第２の薄膜を構成するタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜は、融点が極めて高く比抵抗も小さいものであり、このように性質の異なる第１の薄膜と第２の薄膜を組み合わせることによって、アルミナ基板との密着力が高く、かつ比抵抗の小さい引出電極を得ることができ、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるという作用効果を有するものである。
【００１４】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、第１の薄膜の厚みを０．０５μｍ以上０．２μｍ以下とし、かつ第２の薄膜の厚みを０．５μｍ以上２．０μｍ以下とし、さらに前記ギャップをレーザーカット工法で形成したもので、この構成によれば、第１の薄膜の厚みを０．０５μｍ以上としているため、表面の粗いアルミナ基板上において、アルミナ基板との密着力を高める下地薄膜としての機能を発揮するのに必要な厚みを確保することができ、また第２の薄膜は厚みを０．５μｍ以上としているため、第２の薄膜の抵抗値は低くなり、かつ高電圧の静電気パルスが繰り返し印加されてもそれに耐え得るのに十分な厚みを確保することができ、さらに前記第１の薄膜は厚みを０．２μｍ以下にするとともに、第２の薄膜は厚みを２．０μｍ以下としているため、第１の薄膜と第２の薄膜からなる積層膜にギャップをレーザーカット工法で形成する場合、低い出力のレーザーで容易に加工できるとともに、寸法精度の高いギャップを形成することができ、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるという作用効果を有するものである。
【００１５】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、第２の薄膜を覆うように第３の薄膜を形成したもので、この構成によれば、第２の薄膜を覆うように第３の薄膜を形成しているため、この第３の薄膜の存在によって第２の薄膜の酸化反応の進行が抑制されて第２の薄膜の抵抗値が増大するのを抑制することができ、かつ引出電極に要求される低抵抗でかつ高耐熱の性質も保持されることになり、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるという作用効果を有するものである。
【００１６】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、過電圧保護材料層と保護樹脂層との間にシリコーン系樹脂を主成分とする中間層を設けたもので、この構成によれば、過電圧保護材料層と保護樹脂層との間にシリコーン系樹脂を主成分とする中間層を設けているため、静電気の繰り返し印加によって引出電極が放電した場合でも、この放電による火花が最外層である保護樹脂層に直接達するということはなく、これにより、保護樹脂層の絶縁劣化を抑制することができるため、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるという作用効果を有するものである。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように本発明の静電気対策部品は、一対の引出電極を、チタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜で構成される第１の薄膜と、この第１の薄膜を覆うとともに第１の薄膜より厚く形成され、かつタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜で構成される第２の薄膜とを少なくとも含む積層膜で構成しているもので、第１の薄膜を構成するチタン、クロム、タンタルのいずれかからなるスパッタ膜はアルミナ基板との密着力に優れた材料であるため、引出電極とアルミナ基板との密着力を強固に保つことができるという効果を有し、また第２の薄膜を構成するタングステンまたはモリブデンからなるスパッタ膜は、融点が極めて高く比抵抗も小さいものであり、このように性質の異なる第１の薄膜と第２の薄膜を組み合わせることによって、アルミナ基板との密着力が高く、かつ比抵抗の小さい引出電極を得ることができ、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるという優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態における静電気対策部品について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
図１は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図を示したもので、１１はアルミナ基板、１２は一対の引出電極を構成する一対の第１の薄膜、１３は一対の引出電極を構成する一対の第２の薄膜、１４はギャップ、１５は再上面電極、１６は裏面電極、１７は過電圧保護材料層、１８は中間層、１９は保護樹脂層、２０は端面電極、２１はニッケルめっき層、２２は錫めっき層である。
【００２０】
上記図１に示すように、本発明の一実施の形態における静電気対策部品は、誘電率が５０以下、好ましくは１０以下のアルミナ基板１１の上面に引出電極を構成する第１の薄膜１２を形成するとともに、この第１の薄膜１２の上に第２の薄膜１３を形成し、そして、前記第１の薄膜１２と第２の薄膜１３の中央部をレーザーで切断してギャップ１４を形成することにより、一対の第１の薄膜１２と一対の第２の薄膜１３に分離し、その後、前記一対の第２の薄膜１３の上に一対の再上面電極１５を形成し、さらに前記アルミナ基板１１の裏面に一対の裏面電極１６を形成し、その後、前記ギャップ１４と一対の第２の薄膜１３の一部を覆うように少なくとも金属粉とシリコーン系樹脂からなる過電圧保護材料層１７を設け、さらにまた、この過電圧保護材料層１７の上に、少なくとも一種類以上の絶縁体粉とシリコーン系樹脂からなる中間層１８を形成し、その後、この中間層１８の上に、この中間層１８を完全に覆うとともに、前記一対の再上面電極１５の一部を覆うように保護樹脂層１９を形成し、さらにその後、前記アルミナ基板１１の両端部に前記一対の第１の薄膜１２、一対の第２の薄膜１３、一対の再上面電極１５および一対の裏面電極１６と電気的に接続される一対の端面電極２０を形成し、そして最後に、前記一対の端面電極２０の上に、バレルめっき法を用いて一対のニッケルめっき層２１と一対の錫めっき層２２を形成することによって構成しているものである。
【００２１】
次に、本発明の一実施の形態における静電気対策部品の製造方法について説明する。
【００２２】
図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜（ｄ）、図４（ａ）〜（ｅ）、図５（ａ）〜（ｄ）および図６（ａ）（ｂ）は本発明の一実施の形態における静電気対策部品の製造方法を示す製造工程図であり、以下、この製造方法について説明する。なお、図２、図３、図４、図５における（ａ）（ｃ）および図６（ａ）は個片状の基板の断面図を示し、また図２、図３、図５における（ｂ）（ｄ）、図４（ｄ）（ｅ）、図６（ｂ）は個片状の基板の上面図を示し、さらに図４（ｂ）は個片状の基板の裏面図を示しているものである。
【００２３】
まず、図２（ａ）（ｂ）に示すように、誘電率が５０以下、好ましくは１０以下のアルミナを９００〜１３００℃で焼成することにより得られるアルミナ基板１１を準備し、そしてこのアルミナ基板１１の上面に第１の薄膜１２を形成する。この図２（ａ）（ｂ）には、静電気対策部品の個片サイズである長辺がＬ（ｍｍ）で短辺がＷ（ｍｍ）の矩形状のアルミナ基板１１が示されているもので、以下の製造工程の説明でもこの個片サイズのアルミナ基板１１を用いて説明しているが、実際の製造工程では、この個片サイズのアルミナ基板１１を多数個縦横に得ることができるシート状のアルミナ基板を用いて、後述する端面電極の形成工程前に短冊状または個片状に分割するものである。上記した第１の薄膜１２は、図２（ｂ）に示すようなパターンで、アルミナ基板１１との密着性の良い材料であるチタンのスパッタ膜で形成する。ここで、第１の薄膜１２はアルミナ基板１１の長辺側に余白を残して形成しているが、アルミナ基板１１の短辺側に余白を残して形成してもよいものである。
【００２４】
次に、図２（ｃ）（ｄ）に示すように、前記第１の薄膜１２を覆うように第２の薄膜１３を、タングステンのスパッタ膜で形成する。第２の薄膜１３を形成する際には、第１の薄膜１２を形成するのに用いたマスクと同じマスクを用いて第１の薄膜１２と第２の薄膜１３をほぼ同じ大きさで形成すれば、製造工程が簡略化されるものである。
【００２５】
ここで、前記第１の薄膜１２の厚みは０．０５μｍ以上とし、かつ第２の薄膜１３の厚みは０．５μｍ以上とするものである。なぜならば、第１の薄膜１２の厚みが０．０５μｍより小さい場合には、第１の薄膜１２が表面の粗いアルミナ基板１１上において第２の薄膜１３の下地としての役割を発揮するのに十分な厚みが得られず、このため、第１の薄膜１２の上に第２の薄膜１３を形成した場合の第２の薄膜１３の密着力も十分確保されないものであり、また、第２の薄膜１３の厚みが０．５μｍより小さい場合には、第２の薄膜１３が薄く形成されすぎてその抵抗値が高くなり、そして高電圧の静電気パルスが繰り返し印加された場合の発熱量も増大するため、第１の薄膜１２と第２の薄膜１３の積層膜で構成される引出電極の信頼性が著しく低下するためである。
【００２６】
一方、第１の薄膜１２の厚みが０．２μｍを超える場合および／または第２の薄膜１３の厚みが２．０μｍを超える場合には、第１の薄膜１２と第２の薄膜１３の積層膜をレーザーで切削してギャップ１４を形成する場合に、高い出力のレーザーが必要となり、そしてギャップ１４を寸法精度良く形成することが困難となるため、静電気対策部品の動作電圧（ピーク電圧）のばらつきが大きくなるものである。
【００２７】
したがって、第１の薄膜１２は厚みを０．０５μｍ以上０．２μｍ以下とし、かつ第２の薄膜１３は厚みを０．５μｍ以上２．０μｍ以下とするのが好ましいものである。
【００２８】
上記したように、本発明の一実施の形態における静電気対策部品においては、第１の薄膜１２の厚みを０．０５μｍ以上としているため、表面の粗いアルミナ基板１１上において、第２の薄膜１３とアルミナ基板１１との密着力を高める下地薄膜としての機能を発揮するのに必要な厚みを確保することができ、また第２の薄膜１３は厚みを０．５μｍ以上としているため、第２の薄膜の抵抗値は低くなり、かつ高電圧の静電気パルスが繰り返し印加されてもそれに耐え得るのに十分な厚みを確保することができ、さらに前記第１の薄膜１２は厚みを０．２μｍ以下にするとともに、第２の薄膜１３は厚みを２．０μｍ以下としているため、第１の薄膜１２と第２の薄膜１３からなる積層膜に後述するギャップをレーザーカット工法で形成する場合、低い出力のレーザーで容易に加工できるとともに、寸法精度の高いギャップを形成することができ、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるものである。
【００２９】
なお、前記第１の薄膜１２および第２の薄膜１３をスパッタで形成するのに用いる装置としては、インライン方式のＤＣスパッタ装置を使用し、出力３ＫＷ、アルゴンガス圧０．５〜４．５ｍｍＴｏｒｒの成膜条件により３０〜６０分間成膜を行った。また、前記第２の薄膜１３の上に、第２の薄膜１３の酸化反応を抑制するために、０．１μｍ以上１．０μｍ以下の厚みで、アルミのスパッタ膜からなる第３の薄膜（図示せず）を形成してもよいものである。
【００３０】
次に、図３（ａ）（ｂ）に示すように、第１の薄膜１２および第２の薄膜１３の略中央部をＵＶレーザーを用いて切断することにより、幅約１０μｍのギャップ１４を形成する。ここでは、前述したように、第１の薄膜１２の厚みを０．０５μｍ以上０．２μｍ以下とし、かつ第２の薄膜１３の厚みを０．５μｍ以上２．０μｍ以下としているため、第１の薄膜１２と第２の薄膜１３を積層することによって構成される引出電極の厚みは薄いものである。したがって、比較的低い出力である０．２Ｗの出力のＵＶレーザーを用いて、引出電極のギャップ１４を確実に精度良く形成することが可能となるものである。
【００３１】
次に、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、一対の第２の薄膜１３の一部を覆うように、樹脂銀ペーストからなる一対の再上面電極１５をスクリーン印刷法を用いて３〜２０μｍの厚みで印刷し、かつ１００〜２００℃で５〜１５分間乾燥させることにより形成する。ここでは、再上面電極１５はアルミナ基板１１の両端部まで形成しているが、アルミナ基板１１の両端部にダイシング代に相当する余白を残して再上面電極１５を形成してもよいものである。
【００３２】
次に、図４（ａ）（ｂ）に示すように、アルミナ基板１１の裏面に、樹脂銀ペーストからなる一対の裏面電極１６をスクリーン印刷法を用いて３〜２０μｍの厚みで印刷し、かつ１００〜２００℃で５〜１５分間乾燥させることにより形成する。ここで裏面電極１６は、アルミナ基板１１の短辺側を跨ぐ部分の幅を他の部分よりも狭くしているもので、すなわち、シート状の絶縁基板の個片領域に着目した場合、その両端部をＴ字型に形成しているものである。このような構成にすれば、一次分割ラインに相当するアルミナ基板１１の短辺側に沿ってダイシングを行うことによりシート状基板を短冊状基板に分割した際にバリが発生しにくいという効果が得られるものである。
【００３３】
なお、上記した再上面電極１５および裏面電極１６は、後述する樹脂銀ペーストからなる端面電極の密着性を向上させるために形成するものであり、例えば、端面電極をスパッタで形成する場合には、必ずしも形成する必要はないものである。
【００３４】
次に、図４（ｃ）（ｄ）に示すように、ギャップ１４と第２の薄膜１３の一部を覆うように過電圧保護材料ペーストをスクリーン印刷法を用いて５〜５０μｍの厚みで印刷し、かつ１５０℃で５〜１５分間乾燥させることにより過電圧保護材料層１７を形成する。この過電圧保護材料層１７を構成する過電圧保護材料ペーストは、平均粒径が０．３〜１０μｍで球状のＮｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等のいずれかからなる金属粉とメチルシリコーン等のシリコーン系樹脂の混合物に適当な有機溶剤を加え、これらを３本ロールミルにより混練・分散させることによって作製するものである。
【００３５】
次に、図４（ｃ）（ｅ）に示すように、中間層用ペーストをスクリーン印刷法を用いて５〜５０μｍの厚みで前記過電圧保護材料層１７を覆うように、とりわけギャップ１４の上部に位置する過電圧保護材料層１７とほぼ同じ大きさで完全に覆うように印刷し、かつ１５０℃で５〜１５分間乾燥させることにより中間層１８を形成する。この中間層１８を形成する中間層用ペーストは、平均粒径が０．３〜１０μｍのＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｇＯあるいはこれらの複合酸化物等からなる絶縁体粉とメチルシリコーン等のシリコーン系樹脂の混合物に適当な有機溶剤を加え、これらを３本ロールミルにより混練・分散させることによって作製した。なお、ここでは十分な静電気耐量を得るために、過電圧保護材料層１７と中間層１８の乾燥後の厚みの和は３０μｍ以上としている。
【００３６】
次に、図５（ａ）（ｂ）に示すように、前記中間層１８を完全に覆い、かつ両端に再上面電極１５の端部が残った状態となるように、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等からなる保護樹脂ペーストをスクリーン印刷法を用いて印刷し、かつ１５０℃で５〜１５分間乾燥させ、その後、１５０〜２００℃で１５〜６０分間硬化させることにより、保護樹脂層１９を形成する。この場合、保護樹脂層１９の乾燥後の厚みは１５〜３５μｍとする。
【００３７】
上記のように前記中間層１８および過電圧保護材料層１７を保護樹脂層１９で完全に覆うようにすることにより、静電気パルス印加時に生じる最外層の保護樹脂層１９の絶縁劣化を防ぐことができるものである。すなわち、上記本発明の一実施の形態においては、過電圧保護材料層１７と保護樹脂層１９との間にシリコーン系樹脂を主成分とする中間層１８を設けているため、静電気の繰り返し印加によって引出電極が放電した場合でも、この放電による火花が最外層である保護樹脂層１９に直接達するということはなく、これにより、保護樹脂層１９の絶縁劣化を抑制することができるため、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるものである。なお、この場合、過電圧保護材料層１７の厚みが十分厚く、静電気耐量が所望の条件を満たす場合には、中間層１８は必ずしも形成する必要がないものである。
【００３８】
次に、図５（ｃ）（ｄ）に示すように、一次分割ラインに相当するアルミナ基板１１の短辺側に沿ってダイシングすることによって得られた短冊状基板の端面に、樹脂銀ペーストを塗布することによって第１の薄膜１２、第２の薄膜１３、再上面電極１５および裏面電極１６と電気的に接続される端面電極２０を形成する。
【００３９】
最後に、図６（ａ）（ｂ）に示すように、二次分割ラインに相当するアルミナ基板１１の長辺側に沿って分割することによって得られた個片状基板の端面に、バレルめっき法を用いてニッケルめっき層２１と錫めっき層２２を形成すれば、本発明の一実施の形態における静電気対策部品を得ることができるものである。
【００４０】
上記製造方法によって製造された本発明の一実施の形態における静電気対策部品は、通常使用時（定格電圧下）においては、第１の薄膜１２および第２の薄膜１３からなる積層膜に形成したギャップ１４を覆う過電圧保護材料層１７のシリコーン系樹脂が絶縁性を有するため、電気的にオープンになっている。しかしながら、静電気パルス等の高電圧が印加された場合には、過電圧保護材料層１７中のシリコーン系樹脂を介して存在する金属粒子間で放電電流が生じてインピーダンスが著しく減少するため、本発明の一実施の形態における静電気対策部品はその現象を利用して静電気パルス、サージ等の異常電圧をグランドにバイパスさせるものである。
【００４１】
次に、上記のように構成した本発明の一実施の形態における静電気対策部品について、以下に示すような試験を実施した。図７に示すように、本発明の一実施の形態における静電気対策部品２３の一方の端子をグランド２４に接地するとともに、他方の端子から引き出した静電気パルス印加部２５に静電気試験ガン２６を接触させて静電気パルスを印加した。静電気試験の条件は放電抵抗を３３０Ω、放電容量を１５０ｐＦ、印加電圧を８ｋＶとした。
【００４２】
図８は、図７に示す静電気試験の試験結果を示したグラフである。このグラフにおいて、横軸は静電気パルスを印加した繰り返し回数を示し、また縦軸はその際のピーク電圧を示す。なお、ピーク電圧の増加は電極の劣化を表すものである。
【００４３】
この図８は、（１）引出電極をレジネート金で構成した静電気対策部品（従来品）、（２）引出電極を厚み１．３μｍのタングステンのスパッタ膜で構成した静電気対策部品（参考例）、（３）引出電極を厚み０．０５μｍのチタンのスパッタ膜と厚み０．５μｍのタングステンのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品、（４）引出電極を厚み０．１０μｍのチタンのスパッタ膜と厚み１．３μｍのタングステンのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品、（５）引出電極を厚み０．２０μｍのチタンのスパッタ膜と厚み２．０μｍのタングステンのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品、（６）引出電極を厚み０．１０μｍのチタンのスパッタ膜と厚み１．３μｍのタングステンのスパッタ膜と厚み０．１０μｍのアルミのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品のそれぞれの試験結果を示したものである。
【００４４】
上記図８からも明らかなように、（１）の引出電極をレジネート金で構成した静電気対策部品（従来品）は、初期のピーク電圧は３００Ｖ程度で低いものの、静電気印加の繰り返し回数が１０回を超えると引出電極の劣化が進行してピーク電圧が６００Ｖを超えるようになり、静電気印加に対する繰り返し耐量が低いものである。また、（２）の引出電極を厚み１．３μｍのタングステンのスパッタ膜で構成した静電気対策部品（参考例）は、タングステンの融点が３３８２℃と高いため、レジネート金を引出電極に用いた従来品に比べると引出電極単体としての耐熱性には優れているものの、アルミナ基板との密着性においてレジネート金に比べて劣っているものである。このため、静電気を繰り返し印加することによって、タングステンのスパッタ膜からなる引出電極とアルミナ基板との接する部分が不安定になってギャップの間隔も広くなり、その結果、図８に示すように静電気印加の繰り返し回数が１０回を超えると、ピーク電圧が８００Ｖを超えるようになり、さらに静電気印加の繰り返し回数が１００回を超えると、（１）の従来品と同様に１０００Ｖの静電気が印加されても静電気対策部品が動作しなくなるもので、このように、（２）の静電気対策部品（参考例）は静電気印加に対する繰り返し耐量が低いものである。
【００４５】
一方、本発明の一実施の形態における（３）の引出電極を厚み０．０５μｍのチタンのスパッタ膜と厚み０．５μｍのタングステンのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品、（４）の引出電極を厚み０．１０μｍのチタンのスパッタ膜と厚み１．３μｍのタングステンのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品、（５）の引出電極を厚み０．２０μｍのチタンのスパッタ膜と厚み２．０μｍのタングステンのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品および（６）の引出電極を厚み０．１０μｍのチタンのスパッタ膜と厚み１．３μｍのタングステンのスパッタ膜と厚み０．１０μｍのアルミのスパッタ膜との組み合わせで構成した静電気対策部品においては、（１）の従来例や（２）の参考例と比べた場合、静電気印加の繰り返し回数の増加に伴ってピーク電圧が増加する傾向が緩やかであり、引出電極の劣化が抑えられていることがわかる。すなわち、本発明の一実施の形態においては、一対の引出電極を、アルミナ基板と密着性の良いチタンのスパッタ膜で構成される第１の薄膜１２と、この第１の薄膜１２を覆うとともに第１の薄膜１２より厚く形成され、かつタングステンのスパッタ膜で構成される第２の薄膜１３とを少なくとも含む積層膜で構成しているもので、この場合、第１の薄膜１２を構成するチタンのスパッタ膜はアルミナ基板との密着力に優れた材料であるため、引出電極とアルミナ基板との密着力を強固に保つことができるという効果を有し、また第２の薄膜１３を構成するタングステンのスパッタ膜は、融点が極めて高く比抵抗も小さいものであり、このように性質の異なる第１の薄膜１２と第２の薄膜１３を組み合わせることによって、アルミナ基板との密着力が高く、かつ比抵抗の小さい引出電極を得ることができ、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるものである。
【００４６】
特に、図８において（３）〜（５）のデータを比較すると、タングステンのスパッタ膜およびチタンのスパッタ膜の厚みが厚くなるほど静電気の繰り返し印加に伴うピーク電圧の上昇を抑制する効果が高くなる傾向が見られる。しかしながら、タングステンのスパッタ膜およびチタンのスパッタ膜の厚みが厚くなりすぎた場合、具体的にはチタンのスパッタ膜の厚みが０．２μｍを超える場合および／またはタングステンのスパッタ膜の厚みが２．０μｍを超える場合には、第１の薄膜１２と第２の薄膜１３からなる積層膜をレーザーで切削してギャップ１４を形成する場合、高い出力のレーザーが必要となり、ギャップ１４を寸法精度良く形成することが困難となるため、静電気対策部品の動作電圧（ピーク電圧）のばらつきが大きくなるものである。また、チタンのスパッタ膜の厚みが０．０５μｍより小さい場合には、チタンのスパッタ膜が表面の粗いアルミナ基板上においてタングステンのスパッタ膜の下地としての役割を果たすのに十分な厚みが得られず、このため、チタンのスパッタ膜上にタングステンのスパッタ膜を形成した場合、タングステンのスパッタ膜の密着力も十分確保されないものである。さらにまた、タングステンのスパッタ膜の厚みが０．５μｍより小さい場合には、タングステンのスパッタ膜が薄く形成されすぎて、チタンのスパッタ膜とタングステンのスパッタ膜の積層膜からなる引出電極の抵抗値が高くなり、これにより、高電圧の静電気パルスが繰り返し印加された場合の引出電極の発熱量も増大するため、引出電極の信頼性も著しく低下するものである。したがって、チタンのスパッタ膜の厚みは０．０５μｍ以上０．２μｍ以下とし、かつタングステンのスパッタ膜の厚みは０．５μｍ以上２．０μｍ以下とするのが好ましいものである。
【００４７】
一般に、タングステンのスパッタ膜は、結晶格子間にスパッタ時のアルゴン粒子が取り込まれることや、膜厚の薄い領域では格子欠陥が多く結晶性が低くなることによって、膜質がバルクのタングステンに比べて劣っており、このため、アルミナ基板に対する密着性も悪くなるものである。そこで、チタンのスパッタ膜をタングステンのスパッタ膜の下地に使用することにより、タングステンのスパッタ膜の結晶性を向上させることができるものである。このように、引出電極をチタンのスパッタ膜とタングステンのスパッタ膜の少なくとも２層構造で構成することにより、繰り返し回数１〜１０００回のすべての範囲において従来品よりも低いピーク電圧で静電気対策部品を動作させることができるため、電子回路を静電気から保護する効果が極めて高くなる効果が得られるものである。
【００４８】
また、図８において（６）のデータに注目すると、チタン、タングステン、アルミのスパッタ膜をそれぞれ０．１μｍ、１．３μｍ、０．１μｍの厚みで形成した場合、静電気の繰り返し印加に伴うピーク電圧の上昇を抑制する効果が最も高くなっている。その理由は、タングステンのスパッタ膜を覆うように第３の薄膜としてアルミのスパッタ膜を形成しているため、このアルミのスパッタ膜の存在によってタングステンのスパッタ膜の酸化反応の進行が抑制され、そして、これにより、タングステンのスパッタ膜の抵抗値の増加が抑制され、スパッタ膜の積層構造からなる引出電極の低抵抗で、かつ高耐熱の性質が安定して保持されるからである。ここで、アルミのスパッタ膜の厚みを０．１μｍ以上とすれば、タングステンのスパッタ膜の酸化反応抑制の効果があるが、アルミのスパッタ膜の厚みが１．０μｍを超えると、前述したようにレーザーでギャップ１４を形成する際に高い出力のレーザーが必要となり、ギャップ１４を寸法精度良く形成することが困難となるものである。したがって、第３の薄膜であるアルミのスパッタ膜の厚みは０．１μｍ以上１．０μｍ以下とするのが好ましいものである。
【００４９】
なお、上記本発明の一実施の形態においては、第１の薄膜にチタンのスパッタ膜を用い、かつ第２の薄膜にタングステンのスパッタ膜を用いた例について説明したが、この構成に限定されるものではなく、第１の薄膜にチタンのスパッタ膜以外のタンタルのスパッタ膜またはクロムのスパッタ膜を用いても良く、この場合、タンタルのスパッタ膜、クロムのスパッタ膜とも、チタンのスパッタ膜と同様にアルミナ基板への密着力に優れた材料であるため、本発明の一実施の形態と同様の作用効果が得られるものである。また、第２の薄膜は、タングステンのスパッタ膜以外のモリブデンのスパッタ膜を用いても良く、この場合、モリブデンのスパッタ膜もタングステンのスパッタ膜と同様に融点が高く、かつ抵抗値の低い材料であるため、本発明の一実施の形態と同様の作用効果が得られるものである。
【００５０】
そしてまた、上記本発明の一実施の形態においては、第３の薄膜のアルミのスパッタ膜を用いた例について説明したが、第３の薄膜は第２の薄膜の酸化反応を抑制する材料であれば良く、この場合、アルミのスパッタ膜に限定されるものではなく、これ以外の、例えばニッケル等の他の材料のスパッタ膜を用いても良いものである。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明に係る静電気対策部品は、引出電極を少なくとも第１の薄膜と第２の薄膜とで構成することによって引出電極の発熱および損傷を低減させることができ、これにより、静電気の繰り返し印加に対して耐性があり、かつ静電気対策部品にかかるピーク電圧が低く静電気放電（ＥＳＤ）の抑制特性が安定している静電気対策部品を得ることができるという効果を有するものであり、特に電子機器を静電気から保護する微小サイズの静電気対策部品に適用することにより有用となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態における静電気対策部品の断面図
【図２】（ａ）〜（ｄ）同静電気対策部品の製造方法を示す製造工程図
【図３】（ａ）〜（ｄ）同静電気対策部品の製造方法を示す製造工程図
【図４】（ａ）〜（ｅ）同静電気対策部品の製造方法を示す製造工程図
【図５】（ａ）〜（ｄ）同静電気対策部品の製造方法を示す製造工程図
【図６】（ａ）（ｂ）同静電気対策部品の製造方法を示す製造工程図
【図７】同静電気対策部品の静電気試験方法を示す模式図
【図８】同静電気対策部品の図７に示す静電気試験の試験結果を示す図
【図９】従来の静電気対策部品の断面図
【符号の説明】
【００５３】
１１  アルミナ基板
１２  第１の薄膜
１３  第２の薄膜
１４  ギャップ
１７  過電圧保護材料層
１８  中間層
１９  保護樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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