(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の閾値のバラツキが輝度ムラとして視認されることがある。【解決手段】アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するＥＬ表示パネルの配線を駆動する配線駆動装置として、ＥＬ発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を配線に印加する機能を有するものを提案する。【選択図】図５
2009037083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するＥＬ表示パネルであって、
ＥＬ発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を印加する配線駆動部
を有することを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項２】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルにおいて、
発光色毎に固有の前記基準電位は、発光色に対応するＥＬ発光素子の閾値に応じて設定する
ことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項３】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルにおいて、
発光色毎に固有の前記基準電位は、発光色に対応するＥＬ発光素子の閾値と、信号電位の書き込み時における前記トランジスタのソース電位の変化幅とに基づいて設定される
ことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項４】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルにおいて、
ＥＬ発光素子の閾値が低い発光色用の基準電位は、ＥＬ発光素子の閾値が高い発光色用の基準電位よりも低く設定される
ことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項５】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルにおいて、
発光効率の低い発光色用の前記基準電位を、発光効率の高い発光色用の前記基準電位よりも低く設定する
ことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項６】
請求項１に記載のＥＬ表示パネルにおいて、
ＥＬ発光素子を駆動する前記トランジスタは、一方の主電極が給電線に接続され、他方の主電極がＥＬ発光素子に直列に接続されるＮチャネル型のトランジスタである
ことを特徴とするＥＬ表示パネル。
【請求項７】
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するＥＬ表示パネルの配線を駆動する配線駆動装置であって、
ＥＬ発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を前記配線に印加する
ことを特徴とする配線駆動装置。
【請求項８】
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するＥＬ表示パネルと、
ＥＬ発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を印加する配線駆動部と、
システム全体の動作を制御するシステム制御部と、
前記システム制御部に対する操作入力を受け付ける操作入力部と
を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この明細書で説明する発明は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬ表示パネルの配線駆動技術に関する。なお発明は、ＥＬ表示パネル、配線駆動装置及び電子機器としての側面を有する。
【背景技術】
【０００２】
現在、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を発光素子に用いたフラットパネルディスプレイの実用化が近づいている。有機ＥＬ素子は１０Ｖ以下の電圧で駆動でき、消費電力が少なく済むという特性を有するのに加え、軽量かつ薄型化が容易であるという特性を有している。また、応答速度が数μｓ程度と非常に高速であり、動画表示性能に優れるという特性も有している。
【０００３】
図１に、アクティブマトリクス駆動方式に対応するＥＬ表示パネルの構造例を示す。図１に示すＥＬ表示パネル１は、画素アレイ部３と、その駆動回路であるライトスキャナ５、電源スキャナ７及び水平セレクタ９で構成される。これらの駆動回路は、製造プロセスによっては、画素アレイ部３と同じプロセスで形成される。勿論、駆動回路を独立した集積回路として製造し、画素アレイ部３に外付けすることも可能である。
【０００４】
因みに、画素アレイ部３には、有機ＥＬ素子と画素回路とで構成されるサブ画素がマトリクス状に配置される。因みに、サブ画素は１画素を構成する画素構造の最小単位であり、１画素は有機ＥＬ材料の異なる３つのサブ画素（Ｒ、Ｇ、Ｂ）で構成される。なお、図１は、発光色の配置が垂直方向に同じ場合を表している。勿論、発光色の配置パターンには周知の通り、他にも様々な種類がある。
【０００５】
図２に、サブ画素と駆動回路との接続関係を示す。図２に示すサブ画素は、画素回路が２つの薄膜トランジスタと１つの保持容量Ｃｓとで構成される場合の構成例である。勿論、図２以外にも様々な構成の回路構成が従来より提案されている。この回路構成の場合、ライトスキャナ５は、ゲート線ＷＳＬを通じてスキャントランジスタＴ１をオン・オフ制御し、保持容量Ｃｓへの電位の書き込みを制御する。
【０００６】
また、電源スキャナ７は、給電線ＤＳＬを通じて駆動トランジスタＴ２の一方の主電極に印加される電源電位を２値的に制御し、他の駆動回路と共に画素回路内の特性バラツキの補正動作を制御する。具体的には、駆動トランジスタＴ２の閾値バラツキや移動度バラツキに基づくユニフォーマティの劣化を補正する。
【０００７】
また、水平スキャナ９は、信号線ＤＴＬに各画素データに対応する信号電位Ｖsig 又は閾値補正用のオフセット電圧Ｖofs を印加する動作を実行する。
なお、図中のＣoledは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに寄生する容量成分である。
【０００８】
図３に、図２に示す画素回路の駆動動作例を示す。なお、図３は、２水平走査期間を利用して閾値補正を実行する場合の駆動動作例である。因みに、図３では、給電線ＤＳＬに印加する２種類の電位のうち高電位の方をＶccで表し、低電位の方をＶini で表す。
【０００９】
以下では、給電線ＤＳＬの電位を高電位から低電位に切り換えて発光動作を終了した時点から説明を開始する。このとき、駆動トランジスタＴ２のソース電位ＶｓはＶini となる。この時点から閾値補正動作の準備期間Ｔ１が開始される。
【００１０】
次に、信号線ＤＴＬにオフセット電圧Ｖofs が印加されている状態でゲート線ＷＳＬがオンされると、駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇはオフセット電圧Ｖofs になる。この動作により、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖgs（＝Ｖofs −Ｖini ）はその閾値Ｖthより大きく値に初期化される。
【００１１】
やがて、給電線ＤＳＬの電位が高電位に切り替わり、閾値補正期間Ｔ２が開始される。この開始時点で、駆動トランジスタＴ２のゲート・ソース間電圧Ｖgsは初期化されている。従って、駆動トランジスタＴ２のドレイン・ソース間に電流が流れ、ソース電位Ｖｓの上昇が開始される（図３の波形参照）。
【００１２】
なお、信号線ＤＴＬの電位は、他の水平ラインへの信号電位の書き込みのために再び信号電位Ｖsig に切り換えられる。従って、この切り換え前にゲート線ＷＳＬはオフ状態に制御され、スキャントランジスタＴ１をフローティング状態に制御する。図３では、この期間をＴ３で示す。この期間Ｔ３が１回目の閾値補正休止期間である。
【００１３】
因みに、１回目の閾値補正期間Ｔ２における補正が不十分であった場合（Ｖgs＞Ｖth）、期間Ｔ３の間も駆動トランジスタＴ２のドレイン・ソース間に電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。この際、保持容量Ｃｓのカップリングにより、ゲート電位Ｖｇも上昇する。
【００１４】
この後、再び信号線ＤＴＬの電位がオフセット電圧Ｖofs に切り替わると共に、ゲート電位Ｖｇが高電位に切り替わると、２回目の閾値補正期間Ｔ４が開始される。２回目の閾値補正期間Ｔ４の開始後、ソース電位Ｖｓは徐々に上昇し、保持容量Ｃｓの保持電位が閾値Ｖthになった時点で駆動トランジスタＴ２は自動的にカットオフする。すなわち、閾値補正動作が終了する。
【００１５】
この後、信号電位の書き込みに備えて信号線ＤＴＬの電位が再び信号電位Ｖsig に切り換えられる。なお、この切り換え前にゲート線ＷＳＬは再びオフ状態に制御される。この期間Ｔ５が２回目の閾値補正休止期間である。なお、駆動トランジスタＴ２はカットオフ状態にあるので、駆動トランジスタＴ１のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓに変化は生じない。
【００１６】
そして、１水平走査期間の終了前にゲート線ＷＳＬがオン状態に制御され、信号線ＤＴＬに印加されている信号電位Ｖsig の保持容量Ｃｓへの書き込みが開始される。この開始後の期間Ｔ６が、信号電位Ｖsig
の書き込み兼移動度補正期間として使用される。すなわち、期間Ｔ６では、信号電位Ｖsig の書き込みに伴うゲート・ソース間電圧Ｖgsの閾値電圧Ｖthより大きくなり、駆動トランジスタＴ２のドレイン・ソース間に電流が流れ始める。
【００１７】
もっとも、最初のうち、この電流は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには流れず、寄生容量Ｃoledを充電するように流れる。この充電により、ソース電位Ｖｓが上昇するが、この電位の上昇は移動度μに比例する。すなわち、駆動トランジスタＴ２の移動度μが大きいほど、ソース電位Ｖｓを持ち上げるように作用する。これが移動度補正である。
【００１８】
この補正動作の終了後、ゲート線ＷＳＬがオフ制御されると、スキャントランジスタＴ１がフローティング状態に切り替わる。この時点で寄生容量Ｃoledの充電は完了しているので、駆動電流は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れ込み、発光期間Ｔ７が開始される。
以上が、図２に示す回路構成を有する画素アレイ部３の一般的な駆動動作である。
【００１９】
参考までに、アクティブマトリクス駆動方式を採用する有機ＥＬパネルの文献例を示す。
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
ところで、従来の駆動方法では、全ての画素（サブ画素）について同じ駆動方式を適用する。すなわち、サブ画素を構成する有機ＥＬ材料の違いによらず、同じオフセット電圧Ｖofs を使用する。
ところが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性は一般に、有機ＥＬ材料（発光色）毎に異なっている。
【００２１】
図４を用いて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性の違いがユニフォーミティに与える影響を説明する。因みに、図４（Ａ）は閾値の高い有機ＥＬ素子を有するサブ画素の閾値補正期間から発光期間までの駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの電位変化を示す。また、図４（Ｂ）は閾値の低い有機ＥＬ素子を有するサブ画素の閾値補正期間から発光期間までの駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの電位変化を示す。
【００２２】
図４（Ａ）に示すように有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値が高ければ、信号電位Ｖsig の書き込み時にも、ソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値を越えることはない。結果的に、保持容量Ｃｓには所望の信号電位Ｖsig を書き込みことができる。
【００２３】
一方、図４（Ｂ）に示すように有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値が低ければ、信号電位Ｖsig
の書き込み中にソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値に達してしまう。すなわち、信号電位Ｖsig の書き込み中のソース電位Ｖｓ（図４（Ｂ）に実線で示す。）の上昇は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値で頭打ちになる。
【００２４】
ところが、ゲート電位Ｖｇは、信号線ＤＴＬの印加電位で与えられる。このため、保持容量Ｃｓには、本来の信号電位Ｖsig よりも大きい電圧が書き込まれることになる。
結果的に、発光色によって本来の信号電位Ｖsig とは異なる電圧が書き込まれてしまう現象が発生する。この書き込み電圧のズレに起因する輝度バラツキが、人間の視覚特性上無視できない大きさに達すると、有機ＥＬ素子の閾値のバラツキを反映した輝度ムラや色ズレが発生する。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
そこで、発明者らは、アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するＥＬ表示パネルの配線を駆動する配線駆動装置として、ＥＬ発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を配線に印加する機能を有するものを提案する。
【発明の効果】
【００２６】
発明者らの提案する発明の場合、発光色に応じて設定基準電位（ゲート電位）を対応する画素回路に与えることができる。例えば有機ＥＬ素子の閾値電圧が低い発光色に対応する画素回路には低い基準電位を与えることができる。また例えば有機ＥＬ素子の閾値電圧が高い発光色に対応する画素回路には高い基準電位を与えることができる。
【００２７】
結果的に、信号電位の書き込み中に、駆動トランジスタのソース電位が、発光色に対応する有機ＥＬ素子の閾値に達しないようにできる。このことは、信号電位の書き込み中に有機ＥＬ素子がターンオンするのを防ぎ、保持容量に本来の信号電圧を書き込むことができることを意味する。結果的に、輝度ムラや色ズレのないＥＬ表示パネルを実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、発明を、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルに適用する場合について説明する。
なお、本明細書で特に図示又は記載されない部分には、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する形態例は、発明の一つの形態例であって、これらに限定されるものではない。
【００２９】
（Ａ）形態例１
（Ａ−１）パネル構造
図５に、形態例に係る有機ＥＬパネルの構造例を示す。図５に示す有機ＥＬパネル１１の基本的な構造は、図１に示す有機ＥＬパネル１の構造と同じである。すなわち、ＥＬ表示パネル１１は、画素アレイ部３と、その駆動回路であるライトスキャナ５、電源スキャナ７及び水平セレクタ１３で構成される。
【００３０】
このうち、この形態例に特有な部分は、水平セレクタ１３である。もっとも、水平セレクタ１３が、サブ画素に対応する信号線ＤＴＬを信号電位Ｖsig 又はオフセット電圧Ｖofs で駆動制御する点では従来技術と同じである。
【００３１】
違いは、オフセット電圧Ｖofs が発光色毎に設定されている点である。すなわち、Ｒ画素用のオフセット電圧ＶofsRと、Ｇ画素用のオフセット電圧ＶofsGと、Ｂ画素用のオフセット電圧ＶofsBとがそれぞれ独立に与えられる点が異なっている。
この水平セレクタ１３が特許請求の範囲の配線駆動部又は配線駆動装置に対応する。
【００３２】
ここで、電圧が独立に与えられるということは、対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値が同じであれば、同じ値のオフセット電圧が与えられることを意味する。もっとも、出願時点で一般的な有機ＥＬ材料を用いて有機ＥＬ素子を構成すると、そのターンオン閾値は異なるのが通常である。従って、各発光色に対応する３種類のオフセット電圧ＶofsR、ＶofsG、ＶofsBはそれぞれ異なる値になる。
【００３３】
なお、各発光色に対して適切なオフセット電圧Ｖofs の値は、使用する有機ＥＬ材料に応じて決定される。従って、この形態例では、発光色間でのオフセット電圧Ｖofs の大小関係は特定せず、一般的な表現により説明する。
【００３４】
以下の説明では、各発光色に対応する３種類のターンオン閾値のうち中間値を基準に、基準値より閾値の大きい有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを「閾値の高い有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ」と表現し、基準値より閾値の小さい有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを「閾値の低い有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ」と表現する。
【００３５】
図６に、水平セレクタ１３の内部構成例を示す。図６は、１本の信号線ＤＴＬに対応する発光色が１種類で固定されている場合の構成例である。従って、Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素の配置位置が垂直方向で入れ替わる場合には、駆動対象時の発光色に対応するオフセット電圧を選択するためのスイッチＳＷが新たに必要となる。この場合、図７に示すように、１本の信号線ＤＴＬに３種類のオフセット電圧のうちのいずれか１つが供給される。
【００３６】
なお、図６では信号線毎に使用するオフセット電圧が固定であるので、各画素データに対応する信号電位Ｖsig とオフセット電圧とを選択的に信号線ＤＴＬに印加するスイッチＳＷのみを配置する。もっとも、スイッチによる信号電位Ｖsig とオフセット電位Ｖofs の切り替え回路は、水平セレクタ１３に電位を供給する回路側に配置しても良い。
【００３７】
因みに、ここでの信号電位Ｖsig は、オフセット電圧Ｖofs を基準電位として与えられる。従って、水平セレクタ１３の内部又は前段には、オフセット電圧Ｖofs に画素データに対応する電圧分を加算した電位を発生する不図示の回路が実装されているものとする。例えば下位基準電圧をオフセット電圧とするＤ／Ａ変換器やディジタルポテンショメータ等を使用する。
【００３８】
（Ａ−２）駆動動作例
前述したように、オフセット電圧Ｖofs の値が発光色毎に異なること以外の駆動動作は、図３で説明した動作と同じである。以下では、発光色に対応する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値に応じて最適なオフセット電圧Ｖofs を設定する場合について、関連する動作部分を説明する。図８に、図４に対応する電位波形を示す。
【００３９】
因みに、図８（Ａ）はターンオン閾値の高い有機ＥＬ素子を有するサブ画素の閾値補正期間から発光期間までの駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの電位変化を示す。また、図８（Ｂ）は閾値の低い有機ＥＬ素子を有するサブ画素の閾値補正期間から発光期間までの駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓの電位変化を示す。
【００４０】
まず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値が高い場合を説明する。この場合、信号電位Ｖsig の書き込み時にもソース電位Ｖｓは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値を常に下回る。結果的に、保持容量Ｃｓには所望の信号電位Ｖsig を書き込みことが可能になる。
【００４１】
次に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値が低い場合を説明する。図８（Ｂ）では、オフセット電圧Ｖofs が高い場合の電位変化を破線で表し、オフセット電圧Ｖofs を閾値に応じて下げる場合の電位変化を実線で示す。
【００４２】
破線で示す電位変化を見て分かるように、オフセット電圧ＶofsHが高い場合には、書き込み開始時点のソース電位Ｖｓも高いので、信号電位Ｖsig の書き込み中にソース電位Ｖｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値に到達してしまう。
【００４３】
一方、実線で示す電位変化の場合には、オフセット電圧ＶofsL自体が低いので、閾値補正後のソース電位Ｖｓ（＝ＶofsL−Ｖth）も低くなる。この後、信号電位Ｖsig の書き込みが開始に伴ってソース電位Ｖｓは上昇を開始する。しかし、上昇開始時点のソース電位Ｖｓは十分低いので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値との間には十分なマージンが確保される。
【００４４】
結果的に、信号電位Ｖsig の書き込みに伴ってソース電位Ｖｓが上昇しても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値に達することはなく、任意の信号電圧を保持容量Ｃｓに書き込むことができる。
【００４５】
勿論、駆動トランジスタＴ２が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給する電流値の大きさは、保持容量Ｃｓに書き込まれた電圧によって確定する。従って、相対的に駆動トランジスタＴ２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓが低下しても、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光輝度には影響しない。
【００４６】
（Ａ−３）形態例の効果
以上の通り、各サブ画素の発光輝度は、サブ画素が対応する発光色の違い（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値の違い）によって、書き込まれる信号電圧がばらつくのを確実に回避できる。これにより、サブ画素の構造の違いがパネル面での輝度ムラや色ズレとして知覚されるおそれのない、表示性能の高い有機ＥＬパネルを実現できる。
【００４７】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値が低い又は発光効率が低い発光色に対してはオフセット電圧Ｖofs が低く設定されるので、信号書き込み時のソース電位Ｖｓの許容変化幅を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値に達しない範囲で拡大することができる。すなわち、信号電位Ｖsig の許容可変幅を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値が高い又は発光効率が高い発光色よりも拡大することができる。
【００４８】
すなわち、ダイナミックレンジを拡大することができる。このようにダイナミックレンジの拡大が可能になれば、対応発光色のピーク輝度レベルを拡大でき、有機ＥＬパネルのコントラスト比の改善にも利用できる。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのターンオン閾値が高い又は発光効率の高い発光色について閾値補正用のオフセット電圧Ｖofs を低く設定すれば、一層、信号電位Ｖsig のダイナミックレンジを拡大でき、コントラスト比を拡大することができる。
【００４９】
（Ｂ）他の形態例
（Ｂ−１）オフセット電圧の他の供給例
前述の形態例では、信号線ＤＴＬを駆動制御する水平セレクタ１３が信号電位Ｖsig
とオフセット電圧Ｖofs＊ （＊は、Ｒ、Ｇ、Ｂ）とを選択的に供給する機能を搭載する場合について説明した。
【００５０】
しかし、信号電位Ｖsig を供給する水平セレクタとオフセット電圧Ｖofs＊ （＊は、Ｒ、Ｇ、Ｂ）を供給する水平セレクタとを別々に用意する場合にも適用できる。
図９に、この種の駆動方式に対応するサブ画素と駆動回路との接続関係を示す。なお、図９には、図２との対応部分に同一符号を付して示す。
【００５１】
図９の場合、信号線ＤＴＬは、水平セレクタ２３で駆動する。水平セレクタ２３は、画素データに対応する信号電位Ｖsig を水平ライン単位で信号線ＤＴＬに印加する動作を実行する。なお、水平セレクタ２３は、図２３の信号電位Ｖsig の供給タイミングでのみスキャントランジスタＴ１をオン制御し、その他の期間ではスキャントランジスタＴ１をオフ制御する。
【００５２】
また、サブ画素には、スキャントランジスタＴ１の主電極と駆動トランジスタＴ２のゲート電極との中間に一方の主電極が接続される閾値補正トランジスタＴ３を配置する。この閾値補正トランジスタＴ３の他方の主電極がオフセット電圧Ｖofs＊ （＊は、Ｒ、Ｇ、Ｂ）の供給線と接続されている。
【００５３】
図９の場合、各発光色に対応する３本の供給線を水平ラインに沿って配置し、そのうちで対応する一本だけを閾値補正トランジスタＴ３の他方の主電極に接続する。もっとも、水平ラインと直交する方向（すなわち、信号線ＤＴＬと同様に垂直方向）に配線する場合には、１本の供給線にサブ画素の発光色に応じたオフセット電圧Ｖofs＊ を印加すれば良い。
【００５４】
なお、前述した形態例の場合と同様、垂直方向に隣り合うサブ画素の発光色の配置が同じ場合には、供給線単位で供給するオフセット電圧Ｖofs＊ を固定する。一方、垂直方向に隣り合うサブ画素の発光色の配置が異なる場合には、１本の供給線に供給するオフセット電圧Ｖofs＊ を水平ライン単位で変更すれば良い。
【００５５】
因みに、閾値補正トランジスタＴ３のオン・オフ制御は、オフセットスキャナ（ＯＳＣＮ）２５が実行する。オフセットスキャナ２５は、オフセット電圧Ｖofs の印加タイミングで閾値補正トランジスタＴ３をオン制御し、その他の期間では閾値補正トランジスタＴ３をオフ制御する。このオフセットスキャナ２５が、特許請求の範囲の配線駆動部又は配線駆動装置の一例に対応する。
【００５６】
（Ｂ−２）製品例
（ａ）ドライブＩＣ
前述の説明では、画素アレイ部と駆動回路（水平セレクタ、ライトスキャナ、電源スキャナ）とが１つの基体上に形成されている有機ＥＬパネルモジュールについて説明した。
【００５７】
しかし、画素アレイ部と駆動回路等とは別々に製造し、それぞれ独立した製品として流通することもできる。例えば、駆動回路はそれぞれ独立したドライブＩＣ（integrated circuit）として製造し、画素アレイ部とは独立に流通することもできる。
【００５８】
（ｂ）表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ＥＬパネルは、図１０に示す構成のパネルモジュール３１の形態により流通することができる。
パネルモジュール３１は、ガラス基板上に形成された有機ＥＬパネル３３を基体とし、画素アレイ部３の周辺にライトスキャナ５、電源スキャナ７、水平セレクタ９及び信号処理部３５等を形成又は実装することで構成される。
【００５９】
（ｃ）電子機器
前述の形態例では、発光色別のオフセット電圧Ｖofs の設定機能を実装する表示装置について説明した。しかし、前述した設定機能は、その他の電子機器に実装した商品形態でも流通される。以下、他の電子機器への実装例を示す。
【００６０】
図１１に、その他の電子機器がテレビジョン受像機の場合の外観例を示す。図１１に示すテレビジョン受像機４１は、フロントパネル４３の正面にパネルモジュール３１を配置した構造を有している。なお、パネルモジュール３１のうち画素アレイ部３以外は、フロントパネル４３に隠れている。
【００６１】
図１２に、その他の電子機器がデジタルカメラの場合の外観例を示す。なお、図１２（Ａ）はデジタルカメラの正面側（被写体側）外観例であり、図１２（Ｂ）はデジタルカメラの背面側（撮影者側）外観例である。
【００６２】
デジタルカメラ５１は、保護カバー５３、撮像レンズ部５５、パネルモジュール３１、コントロールスイッチ５７、シャッターボタン５９その他で構成される。パネルモジュール３１のうち画素アレイ部３以外は筐体の下に隠れている。
【００６３】
図１３に、その他の電子機器がビデオカメラの場合の外観例を示す。ビデオカメラ６１は、本体６３の前方に被写体を撮像する撮像レンズ６５、撮影のスタート／ストップスイッチ６７及びパネルモジュール３１が配置される。なお、パネルモジュール３１のうち画素アレイ部３以外は筐体の下に隠れている。
【００６４】
図１４に、その他の電子機器が携帯電話機の場合の外観例を示す。図１４に示す携帯電話機７１は折りたたみ式であり、図１４（Ａ）が筐体を開いた状態の外観例であり、図１４（Ｂ）が筐体を折りたたんだ状態の外観例である。
【００６５】
携帯電話機７１は、上側筐体７３、下側筐体７５、連結部（この例ではヒンジ部）７７、表示モジュール７９（３１）、補助表示モジュール８１（３１）、ピクチャーライト８３、撮像レンズ８５で構成される。なお、表示モジュール７９及び補助表示モジュール８１のうち画素アレイ部３以外は筐体の下に隠れている。
【００６６】
図１５に、その他の電子機器がコンピュータの場合の外観例を示す。コンピュータ９１は、下型筐体９３、上側筐体９５、キーボード９７及びパネルモジュール３１で構成される。なお、パネルモジュール３１のうち画素アレイ部３以外は筐体の下に隠れている。
【００６７】
これらの他、パネルモジュール３１は、オーディオ再生装置、ゲーム機、電子ブック、電子辞書その他の電子機器にも搭載できる。
【００６８】
（Ｂ−３）他の表示デバイス例
前述の形態例においては、発明を有機ＥＬパネルモジュールに適用する場合について説明した。
しかし、前述したレイアウト構成は、その他のＥＬ表示装置に対しても適用することができる。例えば無機ＥＬディスプレイ装置、ＬＥＤを配列する表示装置その他のダイオード構造を有する発光素子を画面上に配列した表示装置に対しても適用できる。
【００６９】
（Ｂ−４）その他
前述した形態例には、発明の趣旨の範囲内で様々な変形例が考えられる。また、本明細書の記載に基づいて創作される又は組み合わせられる各種の変形例及び応用例も考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬパネルの構造例を示す図である。
【図２】サブ画素と駆動回路との接続関係を示す図である。
【図３】サブ画素の駆動動作例を示す図である。
【図４】有機ＥＬ素子の閾値が信号電位の書き込みに与える影響を与える場合を説明する図である。
【図５】形態例に係る有機ＥＬパネルの構造例を示す図である。
【図６】水平セレクタの内部構成例を示す図である。
【図７】サブ画素と駆動回路との形態例に係る接続関係を示す図である。
【図８】有機ＥＬ素子の閾値が低い場合にも信号電位の書き込みが正常に実行される様子を説明する図である。
【図９】サブ画素と駆動回路との他の接続関係を示す図である。
【図１０】パネルモジュールの回路構成例を示す図である。
【図１１】電子機器の商品例を示す図である。
【図１２】電子機器の商品例を示す図である。
【図１３】電子機器の商品例を示す図である。
【図１４】電子機器の商品例を示す図である。
【図１５】電子機器の商品例を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１          有機ＥＬパネル
３          画素アレイ部
５          ライトスキャナ
７          水平セレクタ
９          電源線スキャナ
１１        有機ＥＬパネル
１３        水平セレクタ
１７Ａ      画素回路
２１        有機ＥＬパネル
２３        水平セレクタ
２５        水平セレクタ
【図１】
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【図２】
2009037083.tif 000004
【図３】
2009037083.tif 000005
【図４】
2009037083.tif 000006
【図５】
2009037083.tif 000007
【図６】
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【図７】
2009037083.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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