(57)【要約】【課題】バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰにおいて用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、ＴＥＯＳ層とＳｉＯＣ層との研磨速度を独立的に調整し得る研磨液を提供すること。【解決手段】（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオン、（Ｂ）アルミナ、及び（Ｃ）コロイダルシリカを含み、ｐＨが２．０〜６．０であることを特徴とする研磨液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオン、（Ｂ）アルミナ、及び（Ｃ）コロイダルシリカを含み、ｐＨが２．０〜６．０であることを特徴とする研磨液。
【請求項２】
前記（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオンが、下記一般式（１）で表される２価のカチオンであることを特徴とする請求項１に記載の研磨液。
【化１】
2009206316.tif 000021
［一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、又は、アラルキル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｘは、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基を表す。］
【請求項３】
前記（Ｂ）アルミナと、（Ｃ）コロイダルシリカとの質量比が１：９から９：１であることを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の研磨液。
【請求項４】
前記（Ｂ）アルミナと（Ｃ）コロイダルシリカとの濃度の和が、研磨液の全質量に対して０．５〜１５質量％であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか1項に記載の研磨液。
【請求項５】
前記（Ｂ）アルミナの一次平均粒径が５〜３０ｎｍの範囲で、かつ前記（Ｃ）コロイダルシリカの一次平均粒径が１０〜５０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の研磨液。
【請求項６】
さらに、腐食抑制剤として、１，２，３−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、及び１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含むことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の研磨液。
【請求項７】
さらに、カルボキシル基を有する化合物を含有し、該カルボキシル基を有する化合物が、下記一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の研磨液。
【化２】
2009206316.tif 000022
［一般式（２）中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に炭化水素基を表す。Ｒ７とＲ８とは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造工程において用いられる研磨液に関し、詳細には、半導体デバイスの配線工程での平坦化において主としてバリア金属材料からなるバリア層の研磨に好適に用いられる研磨液に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（以下ＬＳＩと記す）で代表される半導体デバイスの開発においては、小型化・高速化のため、近年配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このための技術として化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下、ＣＭＰと記す）等の種々の技術が用いられてきている。このＣＭＰは層間絶縁膜等の被加工膜の表面平坦化、プラグ形成、埋め込み金属配線の形成等を行う場合に必須の技術であり、基板の平滑化や配線形成時の余分な金属薄膜の除去や絶縁膜上の余分なバリア層の除去を行っている。
【０００３】
ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基板（ウエハ）の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力（研磨圧力）を加えた状態で、研磨定盤及び基板の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基板の表面を平坦化するものである。
ＬＳＩなどの半導体デバイスを製造する際には、微細な配線を多層に形成することが行われており、その各層においてＣｕなどの金属配線を形成する際には層間絶縁膜への配線材料の拡散を防止することや、配線材料の密着性を向上させることを目的として、ＴａやＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮなどのバリアメタルを前もって形成することが行われている。
【０００４】
各配線層を形成するためには、まず、メッキ法などで盛付けられた余分な配線材を除去する金属膜のＣＭＰ（以下、金属膜ＣＭＰと呼ぶ）を１段若しくは多段に亘って行い、次に、これによって表面に露出したバリア金属材料（バリアメタル）を除去するＣＭＰ（以下、バリアメタルＣＭＰと呼ぶ）を行うことが一般的になされている。しかしながら、金属膜ＣＭＰによって、配線部が過研磨されてしまういわゆるディッシングや、更にエロージョンを引き起こしてしまうことが問題となっている。
このディッシングを軽減するため、金属膜ＣＭＰの次に行うバリアメタルＣＭＰでは、金属配線部の研磨速度とバリアメタル部の研磨速度とを調整して、最終的にディッシングやエロージョンなどの段差が少ない配線層を形成することが求められている。即ち、バリアメタルＣＭＰでは、金属配線材に比較してバリアメタルや層間絶縁膜の研磨速度が相対的に小さい場合は、配線部が早く研磨されるなどディッシングや、その結果としてのエロージョンが発生してしまうため、バリアメタルや絶縁膜層の研磨速度は適度に大きい方が望ましい。これはバリアメタルＣＭＰのスループットを上げるメリットがあることに加え、実際的には金属膜ＣＭＰによってディッシングが発生していることが多く、前述の理由からバリアメタルや絶縁膜層の研磨速度を相対的に高くすることが求められている点においても望ましいからである。
【０００５】
ＣＭＰに用いる金属用研磨溶液は、一般には砥粒（例えば、アルミナ、シリカ）と酸化剤（例えば、過酸化水素、過硫酸）とが含まれる。基本的なメカニズムは、酸化剤によって金属表面を酸化し、その酸化皮膜を砥粒で除去することで研磨していると考えられている。
しかしながら、このような固体砥粒を含む研磨液を用いてＣＭＰを行うと、研磨傷（スクラッチ）、研磨面全体が必要以上に研磨される現象（シニング）、研磨金属面が皿状にくぼむ現象（ディッシング）、金属配線間の絶縁体が必要以上に研磨された上、複数の配線金属面が皿状にくぼむ現象（エロージョン）などが発生することがある。
また、固体砥粒を含有する研磨液を用いることによって、研磨後に、半導体面に残留する研磨液を除去するために通常行なわれる洗浄工程が複雑となり、更に、その洗浄後の液（廃液）を処理するには、固体砥粒を沈降分離する必要があるなどコスト面での問題点が存在する。
【０００６】
このような固体砥粒を含有する研磨液については、以下のような種々の検討がなされている。
例えば、研磨傷をほとんど発生させずに高速研磨することを目的としたＣＭＰ研磨剤及び研磨方法（例えば、特許文献１参照。）、ＣＭＰにおける洗浄性を向上させた研磨組成物及び研磨方法（例えば、特許文献２参照。）、及び、研磨砥粒の凝集防止を図った研磨用組成物（例えば、特許文献３参照。）がそれぞれ提案されている。
しかしながら、上記のような研磨液においても、バリア層を研磨する際に各種被研磨膜に対して高速研磨速度を実現し、且つ各々の研磨速度を独立的に制御しうる技術は未だ得られていないのが現状である。
【特許文献１】特開２００３−１７４４６公報
【特許文献２】特開２００３−１４２４３５公報
【特許文献３】特開２０００−８４８３２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、バリア金属材料からなるバリア層を研磨するバリアＣＭＰに用いられる固体砥粒を用いた研磨液であって、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、各種被研磨対象膜に対して研磨速度を各々独立的に制御しうる研磨液を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は鋭意検討した結果、下記研磨液を用いることによって上記問題を解決できることを見出して課題を達成するに至った。
本発明の研磨液は、半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオン、（Ｂ）アルミナ、及び（Ｃ）コロイダルシリカを含み、ｐＨが２．０〜６．０であることを特徴とする。
【０００９】
本発明において、（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオンが、下記一般式（１）で表される２価のカチオンであることを特徴とする請求項１記載の研磨液。
【００１０】
【化１】
2009206316.tif 000002
【００１１】
一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６のうち２つが互いに結合して環を形成してもよい。Ｘは、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基を表す。
【００１２】
また、本発明において、（Ｂ）アルミナと（Ｃ）コロイダルシリカとの質量比が１：９から９：１であることが好ましい。
さらに、（Ｂ）アルミナと（Ｃ）コロイダルシリカとの濃度の和が研磨液の全質量に対して０．５〜１５質量％であることが好ましい態様である。
【００１３】
本発明において、（Ｂ）アルミナの一次平均粒径が５〜３０ｎｍの範囲で、かつ（Ｃ）コロイダルシリカの一次平均粒径が１０〜５０ｎｍの範囲であることが好ましい態様である。
【００１４】
さらに、腐食抑制剤として、１，２，３−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、及び１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾールからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物を含む研磨液であることが好ましい態様である。
【００１５】
さらに、カルボキシル基を有する化合物を含有し、該カルボキシル基を有する化合物が、下記一般式（２）で表される化合物を含む研磨液であることが好ましい態様である。
【００１６】
【化２】
2009206316.tif 000003
一般式（２）中、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に炭化水素基を表す。Ｒ７とＲ８とは互いに結合して環状構造を形成していてもよい。
【００１７】
さらに、本発明の研磨液は、陰イオン系界面活性剤、又は陽イオン界面活性剤を含有することが好ましい。
【００１８】
本発明の作用は明確ではないが、以下のように推測される。
異なる２種の研磨粒子が相互作用せず研磨に寄与することで、２種の研磨粒子の研磨特性を利用することができると考えられる。研磨液中に４級アンモニウムカチオンを含むことにより、アルミナとコロイダルシリカとの研磨粒子同士の凝集を引き起こす静電相互作用を緩和でき、その結果、二種の研磨粒子がそれぞれの性能を十分に発揮できるためではないかと考えられる。これによって、各被研磨膜種に対する研磨速度を研磨粒子の混合比を用いて制御できたものと考えられる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、バリア層に対する優れた研磨速度が得られ、且つ、各種被研磨対象膜に対して研磨速度を各々独立的に制御しうる研磨液を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的態様について説明する。
本発明の研磨液は、半導体集積回路のバリア層を研磨するための研磨液であって、（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオン、（Ｂ）アルミナ、及び（Ｃ）コロイダルシリカを含み、ｐＨが２．０〜６．０であることを特徴とし、更に必要に応じて、任意の成分を含んでいてもよい。
本発明の研磨液が含有する上記の各成分は１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２１】
本発明において「研磨液」とは、研磨に使用する際の研磨液（即ち、必要により希釈された研磨液）のみならず、研磨液の濃縮液をも包含する意である。濃縮液又は濃縮された研磨液とは、研磨に使用する際の研磨液よりも、溶質の濃度が高く調製された研磨液を意味し、研磨に使用する際に、水又は水溶液などで希釈して、研磨に使用されるものである。希釈倍率は、一般的には１〜２０体積倍である。本明細書において「濃縮」及び「濃縮液」とは、使用状態よりも「濃厚」及び「濃厚な液」を意味する慣用表現にしたがって用いており、蒸発などの物理的な濃縮操作を伴う一般的な用語の意味とは異なる用法で用いている。
以下、本発明の研磨液を構成する各成分について詳細に説明する。
【００２２】
〔（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオン〕
本発明の研磨液は、ジ４級アンモニウムカチオン（以下、単に、「特定カチオン」と称する場合がある。）を含有する。
本発明における（Ａ）ジ４級アンモニウムカチオンは、化学構造中に２つの４級窒素を含む構造であれば、特に限定されない。中でも、十分な研磨速度の向上を達成する観点から、下記一般式（１）で表されるカチオンであることが好ましい。
【００２３】
【化３】
2009206316.tif 000004
【００２４】
上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。なお、前記一般式（１）におけるＲ１〜Ｒ６のうち２つが互いに結合してもよい。
前記アルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基であればよく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられ、中でも、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
また、前記アルケニル基としては、炭素数２〜１０のアルケニル基であればよく、具体的には、エチニル基、プロピル基等が挙げられる。
【００２５】
前記シクロアルキル基としては、炭素数３〜１２の脂環式アルキル基であればよく、具体的には、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられ、中でも、シクロヘキシル基が好ましい。
前記アリール基としては、炭素数３〜１２のアリール基であればよく、具体的には、ブチニル基、ペンチニル基、ヘキシニル基、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、中でも、フェニル基が好ましい。
前記アラルキル基としては、具体的には、ベンジル基、フェネチル基などが挙げられ、中でも、ベンジル基が好ましい。
【００２６】
上記の各基は、更に置換基を有していてもよく、導入しうる置換基としては、水酸基、アルキル基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、イミノ基、チオール基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。
【００２７】
上記一般式（１）におけるＸは、炭素数１〜１０のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、又はこれらの基を２以上組み合わせた基を表す。
なお、Ｘで表される連結基は、上記の有機連結基の他に、その鎖中に、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−を含んでいてもよい。
【００２８】
前記炭素数１〜１０のアルキレン基としては、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基等が挙げられ、中でも、エチレン基、ペンチレン基が好ましい。
前記アルケニレン基としては、具体的には、エチニレン基、プロピニレン基等が挙げられ、中でも、プロピニレン基が好ましい。
前記シクロアルキレン基としては、具体的には、シクロヘキシレン基、シクロペンチレン基等が挙げられ、中でも、シクロヘキシレン基が好ましい。
前記アリーレン基としては、具体的には、フェニレン基、ナフチレン基が挙げられ、中でも、フェニレン基が好ましい。
【００２９】
上記の各連結基は更に置換基を有していてもよく、導入しうる置換基としては、水酸基、アルキル基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、イミノ基、チオール基、スルホ基、ニトロ基等が挙げられる。
【００３０】
以下、本発明における特定カチオンの具体例（例示化合物Ａ１〜Ａ３２）を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３１】
【化４】
2009206316.tif 000005
【００３２】
【化５】
2009206316.tif 000006
【００３３】
上述のようなジ４級アンモニウムカチオンの中でも、スラリー中の分散安定性の点から、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０、Ａ１１、Ａ１２、Ａ１３、Ａ１２、Ａ１４、Ａ１５、Ａ１８、Ａ１９、Ａ２３、Ａ２４、Ａ２９、Ａ３０、Ａ３１、Ａ３２が好ましい。
【００３４】
本発明におけるジ４級アンモニウムカチオンは、例えば、アンモニアや各種アミンなどが求核剤として働く置換反応により合成することができる。
また、一般の販売試薬も使用可能である。
【００３５】
本発明の特定カチオンの対イオンとしては、１価のアニオンでも、２価のアニオンでもよく、例えば、硝酸イオン、硫酸イオン、ハロゲン化物イオン（例えば、臭化物イオン、塩化物イオン、フッ化物イオン及びヨウ化物イオン）、クエン酸イオン、リン酸イオン、シュウ酸イオン、フタル酸イオン、マレイン酸イオン、グルコン酸イオン、フマル酸イオン、酒石酸イオン、リンゴ酸イオン、グリコール酸イオン、水酸化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ホウ酸イオン、乳酸イオン、チオシアン酸イオン、シアン酸イオン、硫酸イオン、ケイ酸イオン、過ハロゲン化物イオン（たとえば過臭素酸イオン、過塩素酸イオン及び過ヨウ素酸イオン）、クロム酸イオン等、ｐ-トルエンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ジグリコール酸イオン、２、５−フランジカルボン酸イオン、２−テトラヒドロフランカルボン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンが挙げられる。
【００３６】
これらの中でも特に、研磨後の腐食を抑制する観点から、硝酸イオン、クエン酸イオン、リン酸イオン、シュウ酸イオン、フタル酸イオン、マレイン酸イオン、フマル酸イオン、酒石酸イオン、リンゴ酸イオン、グリコール酸イオン、水酸化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、乳酸イオン、硫酸イオン、ケイ酸イオン、ｐ-トルエンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、エタンスルホン酸イオン、ジグリコール酸イオン、２、５−フランジカルボン酸イオン、２−テトラヒドロフランカルボン酸イオン、ホウ酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオンが好ましい。
【００３７】
本発明における特定カチオンの添加量は、研磨に使用する際の研磨液（即ち、水又は水溶液で希釈する場合は希釈後の研磨液。以降の「研磨に使用する際の研磨液」も同意である。）に対して、０．０００１質量％以上１質量％以下が好ましく、０．００１質量％以上０．３質量％以下が更に好ましい。即ち、このような特定カチオンの添加量は、研磨速度を十分に向上させる観点で、０．００００１質量％以上が好ましく、十分なスラリーの安定性の観点で、１質量％以下が好ましい。
【００３８】
〔（Ｂ）アルミナ〕
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、（Ｂ）アルミナを含有する。このアルミナはフュームドアルミナ、溶融アルミナ等など製造法に関わらず結晶相としてＡｌ２Ｏ３を持つものを指し、α相、γ相、δ相、κ相のいずれでもよい。
【００３９】
アルミナの一次粒径は、砥粒の使用目的に応じて適宜選択されるが、研磨傷を発生させない観点から、５〜１００ｎｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは５〜３０ｎｍである。一次粒径が小さすぎると、研磨能力が極端に落ち、一次粒径が大きすぎると、研磨粒子が沈降してしまうことがある。
【００４０】
二次粒径においては、５ｎｍ〜１μｍが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ〜５００ｎｍである。研磨粒子の二次粒径が大きくなるほど研磨能力は高くなるが、その一方で研磨傷を発生しやすくなり研磨表面が粗くなる。二次粒径が１μｍ以下の粒子を用いることで、研磨表面の状態が良好なままで、高い研磨速度を示すことができる。
【００４１】
本発明の研磨液中の（Ｂ）アルミナの含有量（濃度）は、研磨に使用する際の研磨液の溶剤を含む全質量に対して、好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下であり、更に好ましくは０．５質量％以上１５質量％以下である。即ち、（Ｂ）アルミナの含有量は、充分な研磨速度でバリア層を研磨する点で０．５質量％以上が好ましく、保存安定性の点で１５質量以下が特に好ましい。
【００４２】
〔（Ｃ）コロイダルシリカ〕
本発明の研磨液は、砥粒の少なくとも一部として、コロイダルシリカを含有する。
（Ｃ）コロイダルシリカとしては、粒子内部にアルカリ金属などの不純物を含有しない、アルコキシシランの加水分解により得たコロイダルシリカであることが好ましい。一方、ケイ酸アルカリ水溶液からアルカリを除去する方法で製造したコロイダルシリカも用いることができるものの、この場合、粒子の内部に残留するアルカリ金属が徐々に溶出し、研磨性能に影響を及ぼす懸念がある。このような観点からは、アルコキシシランの加水分解により得られたものが原料としてはより好ましい。
【００４３】
（Ｃ）コロイダルシリカの一次粒径は、砥粒の使用目的に応じて適宜選択されるが、一般的には１０〜２００ｎｍ程度であるが、研磨傷を発生させない観点から、1０〜１００ｎｍの範囲であることが好ましい、より好ましくは１０〜５０ｎｍの範囲である。
【００４４】
（Ｂ）アルミナと（Ｃ）コロイダルシリカとを併用する本発明では、アルミナの一次粒径が５〜３０ｎｍの範囲で、且つコロイダルシリカの一次粒径が１０〜５０ｎｍの範囲にあるとき、被研磨物の選択性が良好で、且つ研磨速度が大きい。
【００４５】
本発明の研磨液中の（Ｃ）コロイダルシリカの含有量（濃度）は、研磨に使用する際の研磨液の溶剤を含む全質量に対して、好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下であり、更に好ましくは０．５質量％以上１５質量％以下である。即ち、（Ｃ）コロイダルシリカの含有量は、充分な研磨速度でバリア層を研磨する点で０．５質量％以上が好ましく、保存安定性の点で１５質量以下が特に好ましい。
【００４６】
本発明の研磨液中には（Ｂ）アルミナ、および（Ｃ）コロイダルシリカの二種の研磨粒子が含まれる。その研磨粒子の含有量比は質量比で、１：９から９：１が好ましい。更に好ましくは３：７〜７：３である。
この研磨粒子の含有量比により、ＴＥＯＳ膜とＳｉＯＣ膜との研磨速度を調整できることを特徴とする。
【００４７】
〔腐食抑制剤〕
本発明の研磨液には、腐食抑制剤を添加し、使用することが好ましい。腐食抑制剤は被研磨表面に吸着して皮膜を形成し、金属表面の腐食を制御するものと考えられる。
【００４８】
本発明における腐食抑制剤としては、分子内に３以上の窒素原子を有し、且つ、縮環構造を有する複素芳香環化合物を含有することが好ましい。ここで、「３以上の窒素原子」は、縮環を構成する原子であることが好ましく、このような複素芳香環化合物としては、ベンゾトリアゾール、及び該ベンゾトリアゾールに種々の置換基が導入されてなる誘導体であることが好ましい。
【００４９】
本発明に用いうる腐食抑制剤としては、ベンゾトリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾール、１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１，２，３，４−テトラゾール、５−メチル−１，２，３，４−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−コハク酸、１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１，２，３，４−テトラゾール、５−メチル−１，２，３，４−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−コハク酸、１，２，３−トリアゾール、４−アミノ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジアミノ−１，２，３−トリアゾール、４−カルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、４，５−ジカルボキシ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−酢酸、４−カルボキシ−５−カルボキシメチル−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−カルボキシ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジカルボキシ−１，２，４−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール−３−酢酸、１Ｈベンゾトリアゾール、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸等が挙げられる。
【００５０】
これらの中でも、１，２，３−ベンゾトリアゾール、５，６−ジメチル−１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、及び１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾールから選ばれることがより好ましい。
【００５１】
このような腐食抑制剤の添加量は、研磨に使用する際の研磨液の質量に対して、０．０１質量％以上０．２質量％以下が好ましく、０．０５質量％以上０．２質量％以下が更に好ましい。即ち、このような腐食抑制剤の添加量は、ディッシングを拡大させない点で、０．０１質量％以上が好ましく、保存安定性の点から、０．２質量％以下が好ましい。
【００５２】
〔カルボキシル基を有する化合物〕
本発明の研磨液には、カルボキシル基を有する化合物（以下、適宜「有機酸」と称する。）を含有することが好ましい。カルボキシル基を有する化合物としては、分子内に少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物であれば特に制限はないが、研磨速度構造の観点から、下記一般式（２）で表される化合物を選択することが好ましい。
なお、分子内に存在するカルボキシル基は、１〜４個であることが好ましく、安価に使用できる観点からは、１〜２個であることがより好ましい。
【００５３】
【化６】
2009206316.tif 000007
【００５４】
上記一般式（２）において、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に炭化水素基を表し、好ましくは、炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。
Ｒ７は、１価の炭化水素基である、例えば、炭素数１〜１０のアルキル基（例えば、メチル基、シクロアルキル基等）、アリール基（例えば、フェニル基等）、アルコキシ基、アリールオキシ基などが好ましい。
Ｒ８は、２価の炭化水素基である。例えば、炭素数１〜１０のアルキレン基（例えば、メチレン基、シクロアルキレン基等）、アリーレン基（例えば、フェニレン基等）、アルキレンオキシ基などが好ましい。
【００５５】
Ｒ７及びＲ８で表される炭化水素基は更に置換基を有していてもよく、導入可能な置換基としては、例えば、炭素数１〜３のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、カルボキシル基、などが挙げられ、置換基としてカルボキシル基を有する場合、この化合物は複数のカルボキシル基を有することになる。
また、Ｒ７とＲ８は互いに結合して、環状構造を形成していてもよい。
【００５６】
前記一般式（２）で表される化合物としては、例えば、２−フランカルボン酸、２，５−フランジカルボン酸、３−フランカルボン酸、２−テトラヒドロフランカルボン酸、ジグリコール酸、メトキシ酢酸、メトキシフェニル酢酸、フェノキシ酢酸などが挙げられ、中でも、被研磨面を高速で研磨する観点から、２，５−フランジカルボン酸、２−テトラヒドロフランカルボン酸、ジグリコール酸、メトキシ酢酸、フェノキシ酢酸が好ましい。
【００５７】
本発明の研磨液において、カルボキシル基を有する化合物（好ましくは、一般式（２）で表される化合物）の添加量は、研磨に使用する際の研磨液の質量に対して、０．１質量％以上５質量％以下が好ましく、０．５質量％以上２質量％以下が更に好ましい。即ち、このようなカルボキシル基を有する化合物（有機酸）の含有量は、十分な研磨速度を達成する点で、０．１質量％以上が好ましく、過剰なディッシングを発生させない点から、５質量％以下が好ましい。
【００５８】
（一般式（３）で示される化合物）
さらに、本発明の研磨液には、下記一般式（３）で示される化合物、または下記一般式（３）で示される構造単位を含む高分子の少なくとも一方を含むことが好ましい。
【００５９】
【化７】
2009206316.tif 000008
【００６０】
上記一般式（３）中、Ｒ９はエチレンオキサイド単位もしくはプロピレンオキサイド単位であり、Ｒ１０〜Ｒ１５は、各々独立に水素原子、水酸基、アルキル基、スルホ基、カルボキシル基及びそれらを含む炭化水素基のうちのいずれかを表す。
【００６１】
このような一般式（３）で示される化合物、または一般式（３）で示される構造単位を含む高分子化合物を研磨液中に含有させることにより、ＳｉＯＣ膜と砥粒の相互作用が大きくなり、ＳｉＯＣ膜などのＬｏｗ−ｋ膜の研磨性を向上させることができる。
【００６２】
前記一般式（３）におけるＲ９はエチレンオキサイド単位もしくはプロピレンオキサイド単位である。すなわち、これらのエチレンオキサイド単位等は１単位であってもよいし、複数の単位（（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎにおいてｎが２以上）であってもよい。複数の単位である場合、ｎは２以上１０以下の範囲であることが望ましい。
【００６３】
また、前記「一般式（３）で示される構造単位を含む高分子」とは、一般式（３）におけるフェニル基が主鎖の一部となるように構成されたものであれば特に制限されず、例えば、下記一般式（４）で示されるように、Ｒ１０及びＲ１４を介して重合した高分子が望ましい。この場合、ｍは、２以上１０以下であることが望ましく、２以上５以下であることがより好適である。
【００６４】
【化８】
2009206316.tif 000009
一般式（４）のＲ９、Ｒ１１〜Ｒ１３、Ｒ１５は一般式（３）のそれと同義である。
【００６５】
以下、本発明における一般式（３）で示される化合物、及び一般式（４）で示される構造単位を含む高分子の具体例〔例示化合物（Ｐ−１）〜（Ｐ−２８）〕を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の例示化合物中、ｎ、ｍは１〜５であり、また、例示化合物Ｐ−１５におけるｘ、ｙは、ｘ＋ｙ＝１０であり、ｘは１〜５である。−ＳＯ３Ｈ・Ｎａ、−ＳＯ３Ｈ・Ｋの表記は、それぞれ−ＳＯ３Ｈまたは−ＳＯ３Ｎａの両方の化合物、−ＳＯ３Ｈまたは−ＳＯ３Ｋの両方の化合物を意味する。
【００６６】
【化９】
2009206316.tif 000010
【００６７】
【化１０】
2009206316.tif 000011
【００６８】
【化１１】
2009206316.tif 000012
【００６９】
【化１２】
2009206316.tif 000013
【００７０】
【化１３】
2009206316.tif 000014
【００７１】
【化１４】
2009206316.tif 000015
【００７２】
本発明の研磨液において、一般式（３）で示される化合物、及び一般式（３）で示される構造単位を含む高分子の添加量は、研磨に使用する際の研磨液の質量に対して、０．０００１質量％以上１０質量％以下が好ましく、０．００１質量％以上１質量％以下が更に好ましい。即ち、前記化合物の添加量を上記範囲とすることにより、ＳｉＯＣ研磨速度を向上させることができる。
【００７３】
さらに、本発明の研磨液には、酸化剤、ｐＨ調整剤、キレート剤などを添加することが好ましい。以下に説明する。
（酸化剤）
本発明の研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物（酸化剤）を含有することができる。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水、及び銀（II）塩、鉄（III）塩が挙げられ、中でも、過酸化水素が好ましく用いられる。
鉄（III）塩としては、例えば、硝酸鉄（III）、塩化鉄（III）、硫酸鉄（III）、臭化鉄（III）など無機の鉄（III）塩の他、鉄（III）の有機錯塩が好ましく用いられる。
【００７４】
酸化剤の添加量は、バリアＣＭＰ初期のディッシング量によって調整できる。バリアＣＭＰ初期のディッシング量が大きい場合、即ち、バリアＣＭＰにおいて配線材をあまり研磨したくない場合には酸化剤を少ない添加量にすることが望ましく、ディッシング量が十分に小さく、配線材を高速で研磨したい場合は、酸化剤の添加量を多くすることが望ましい。このように、バリアＣＭＰ初期のディッシング状況によって酸化剤の添加量を変化させることが望ましいため、研磨に使用する際の研磨液の１Ｌ中に、０．０１ｍｏｌ〜１ｍｏｌとすることが好ましく、０．０５ｍｏｌ〜０．６ｍｏｌとすることが特に好ましい。
【００７５】
（ｐＨ調整剤）
本発明の研磨液は、ｐＨ２．０〜６．０であることを要し、ｐＨ３.０〜４.５の範囲であることが好ましい。研磨液のｐＨをこの範囲に制御することで、層間絶縁膜の研磨速度調整がより顕著に行うことが可能にある。
ｐＨを上記好ましい範囲に調整するために、アルカリ／酸又は緩衝剤を用いることができる。本発明の研磨液は、ｐＨがこの範囲において優れた効果を発揮する。
【００７６】
アルカリ／酸又は緩衝剤としては、アンモニア、水酸化アンモニウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドなどの有機水酸化アンモニウム、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミンなどのようなアルカノールアミン類などの非金属アルカリ剤、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウムなどのアルカリ金属水酸化物、硝酸、硫酸、りん酸などの無機酸、炭酸ナトリウムなどの炭酸塩、リン酸三ナトリウムなどのリン酸塩、ホウ酸塩、四ホウ酸塩、ヒドロキシ安息香酸塩等を好ましく挙げることができる。特に好ましいアルカリ剤として水酸化アンモニウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム及びテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドである。
【００７７】
アルカリ／酸又は緩衝剤の添加量としては、ｐＨが好ましい範囲に維持される量であればよく、研磨に使用する際の研磨液の１Ｌ中、０．０００１ｍｏｌ〜１．０ｍｏｌとすることが好ましく、０．００３ｍｏｌ〜０．５ｍｏｌとすることがより好ましい。
【００７８】
（キレート剤）
本発明の研磨液は、混入する多価金属イオンなどの悪影響を低減させるために、必要に応じてキレート剤（すなわち硬水軟化剤）を含有することが好ましい。
キレート剤としては、カルシウムやマグネシウムの沈澱防止剤である汎用の硬水軟化剤やその類縁化合物であり、例えば、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ−（２−カルボキシラートエチル）−Ｌ−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、２−ホスホノブタン−１，２，４−トリカルボン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジ酢酸、１，２−ジヒドロキシベンゼン−４，６−ジスルホン酸等が挙げられる。
【００７９】
キレート剤は必要に応じて２種以上併用してもよい。
キレート剤の添加量は混入する多価金属イオンなどの金属イオンを封鎖するのに充分な量であれば良く、例えば、研磨に使用する際の研磨液の１Ｌ中、０．０００３ｍｏｌ〜０．０７ｍｏｌになるように添加する。
【００８０】
本発明の研磨液は、一般に、銅金属及び／又は銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に存在する、銅の拡散を防ぐためのバリア金属材料からなるバリア層の研磨に適する。
【００８１】
〔バリア金属材料〕
本発明の研磨液の研磨対象のバリア層を構成する材料としては、一般に低抵抗のメタル材料がよく、特に、ＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｔａ、ＴａＮ、Ｗ、ＷＮが好ましく、中でも、Ｔａ、ＴａＮが特に好ましい。
【００８２】
〔層間絶縁膜〕
本発明の研磨液の研磨対象の層間絶縁膜としては、ＴＥＯＳ等の通常用いられる層間絶縁膜の他、例えば、比誘電率が３．５〜２．０程度の低誘電率の材料（例えば、有機ポリマー系、ＳｉＯＣ系、ＳｉＯＦ系、等が挙げられ、通常、Ｌｏｗ−ｋ膜と略称される）を含む層間絶縁膜が挙げられる。
具体的には、低誘電率の層間絶縁膜の形成に用いる材料として、ＳｉＯＣ系ではＨＳＧ−Ｒ７（日立化成工業）、ＢＬＡＣＫＤＩＡＭＯＮＤ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ）などがある。
【００８３】
〔配線金属原材料〕
本発明においては、研磨対象である被研磨体は、例えば、ＬＳＩ等の半導体デバイスに適用されるような、銅金属及び／又は銅合金からなる配線を有することが好ましい。特にこの配線の原材料としては、銅合金が好ましい。更に、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。
なお、銅合金に含有される銀含量は、４０質量％以下が好ましく、特には１０質量％以下、更には１質量％以下が好ましく、０．００００１〜０．１質量％の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
【００８４】
〔配線の太さ〕
本発明においては、研磨対象である被研磨体が、例えば、ＤＲＡＭデバイス系に適用される場合、ハーフピッチで０．１５μｍ以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは０．１０μｍ以下、更に好ましくは０．０８μｍ以下である。
一方、被研磨体が、例えば、ＭＰＵデバイス系に適用される場合、０．１２μｍ以下である配線を有することが好ましく、より好ましくは０．０９μｍ以下、更に好ましくは０．０７μｍ以下である。
このような配線を有する被研磨体に対して、上述の本発明における研磨液は特に優れた効果を発揮する。
【００８５】
〔研磨方法〕
本発明の研磨液は、１．濃縮液であって、使用する際に水又は水溶液を加えて希釈して使用液とする場合、２．各成分が次項に述べる水溶液の形態で準備され、これらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、３．使用液として調製されている場合がある。
本発明の研磨液を用いた研磨方法にはいずれの場合の研磨液も適用可能である。
この研磨方法は、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨体の被研磨面と接触させて、被研磨面と研磨パッドを相対運動させる方法である。
【００８６】
研磨に用いられる装置としては、被研磨面を有する被研磨体（例えば、導電性材料膜が形成されたウエハ等）を保持するホルダーと、研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）研磨定盤と、を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は被研磨体が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨面（被研磨膜）を有する被研磨体の研磨パッドへの押しつけ圧力は、０．６８〜３４．５ＫＰａであることが好ましく、研磨速度の被研磨体の面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、３．４０〜２０．７ＫＰａであることがより好ましい。
【００８７】
研磨している間、研磨パッドには、研磨液をポンプ等で連続的に供給する。
研磨終了後の被研磨体は、流水中でよく洗浄された後、スピンドライヤ等を用いて被研磨体上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。
【００８８】
本発明において、前記１．の方法のように、濃縮液を希釈する際には、下記に示す水溶液を用いることができる。水溶液は、予め、酸化剤、有機酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも１つ以上を含有した水であり、この水溶液中に含有している成分と、希釈される濃縮液中に含有している成分と、を合計した成分が、研磨する際に使用する研磨液（使用液）の成分となるようにする。
このように、濃縮液を水溶液で希釈して使用する場合には、溶解しにくい成分を水溶液の形で後から配合することができることから、より濃縮した濃縮液を調製することができる。
【００８９】
また、濃縮液に水又は水溶液を加え希釈する方法としては、濃縮された研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを途中で合流させて混合し、混合し希釈された研磨液の使用液を研磨パッドに供給する方法がある。濃縮液と水又は水溶液との混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。
【００９０】
研磨液の供給速度は１０〜１０００ｍｌ／ｍｉｎが好ましく、研磨速度の被研磨面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、１７０〜８００ｍｌ／ｍｉｎであることがより好ましい。
【００９１】
更に、濃縮液を水又は水溶液などにより希釈しつつ、研磨する方法としては、研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管とを独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法がある。また、１つの容器に、所定量の濃縮液と水又は水溶液とを入れ混合してから、研磨パッドにその混合した研磨液を供給し、研磨をする方法を用いることもできる。
【００９２】
また、別の研磨方法としては、研磨液が含有すべき成分を少なくとも２つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水又は水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法がある。
例えば、酸化剤を構成成分（Ａ）とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水又は水溶液で、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）を希釈して使用することができる。
また、溶解度の低い添加剤を２つの構成成分（Ａ）と（Ｂ）に分け、例えば、酸化剤、添加剤、及び界面活性剤を構成成分（Ａ）とし、有機酸、添加剤、界面活性剤、及び水を構成成分（Ｂ）とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え、構成成分（Ａ）及び構成成分（Ｂ）を希釈して使用する。
【００９３】
上記のような例の場合、構成成分（Ａ）と構成成分（Ｂ）と水又は水溶液とをそれぞれ供給する３つの配管が必要であり、希釈混合は、３つの配管を、研磨パッドに供給する１つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、２つの配管を結合してから他の１つの配管を結合することも可能である。具体的には、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、更に、水又は水溶液の配管を結合する方法である。
その他の混合方法は、上記したように直接に３つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法や、１つの容器に３つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液を供給する方法がある。
【００９４】
上記した研磨方法において、酸化剤を含む１つの構成成分を４０℃以下にし、他の構成成分を室温から１００℃の範囲に加温し、１つの構成成分と他の構成成分とを混合する際、又は、水若しくは水溶液を加え希釈する際に、液温を４０℃以下とするようにすることができる。この方法は、温度が高いと溶解度が高くなる現象を利用し、研磨液の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。
【００９５】
上記の他の構成成分を室温から１００℃の範囲で加温することで溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、低温状態の他の構成成分を用いる場合は、予め加温して析出した原料を溶解させる必要がある。これには、加温し、原料が溶解した他の構成成分を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し、配管を加温して溶解させる手段と、を採用することができる。加温した他の構成成分が、酸化剤を含む１つの構成成分の温度を４０℃以上に高めると酸化剤が分解する恐れがあるので、この加温した他の構成成分と酸化剤を含む１つの構成成分とを混合した場合、４０℃以下となるようにすることが好ましい。
【００９６】
このように、本発明においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と有機酸を含有する成分とに分割して供給することが好ましい。また、研磨液を濃縮液とし、希釈水を別にして被研磨面に供給してもよい。
本発明において、本発明においては、研磨液の成分を二分割以上に分割して、被研磨面に供給する方法を適用する場合、その供給量は、各配管からの供給量の合計を表すものである。
【００９７】
〔パッド〕
本発明の研磨方法に適用しうる研磨用の研磨パッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体（乾式発泡系）、連続発泡体（湿式発泡系）、２層複合体（積層系）の３つがあり、特には２層複合体（積層系）が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に、一般的に研磨に用いる砥粒（例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など）を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては、不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、被研磨面と接触する面には、格子溝／穴／同心溝／らせん状溝などの加工を施してもよい。
【００９８】
〔ウエハ〕
本発明における研磨液でＣＭＰを行なう対象の被研磨体としてのウエハは、径が２００ｍｍ以上であることが好ましく、特には３００ｍｍ以上が好ましい。３００ｍｍ以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
【００９９】
〔研磨装置〕
本発明の研磨液を用いて研磨を実施できる装置は、特に限定されないが、Ｍｉｒｒａ  Ｍｅｓａ  ＣＭＰ、Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ  ＣＭＰ（アプライドマテリアルズ）、ＦＲＥＸ２００、ＦＲＥＸ３００（荏原製作所）、ＮＰＳ３３０１、ＮＰＳ２３０１（ニコン）、Ａ−ＦＰ−３１０Ａ、Ａ−ＦＰ−２１０Ａ（東京精密）、２３００  ＴＥＲＥＳ（ラムリサーチ）、Ｍｏｍｅｎｔｕｍ（Ｓｐｅｅｄｆａｍ  ＩＰＥＣ）などを挙げることができる。
【実施例】
【０１００】
以下、実施例によって本発明をより詳しく説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
【０１０１】
〔実施例１〕
下記に示す組成で研磨液を調製した。
＜組成（１）＞
・ジ４級アンモニウムカチオン：塩化ヘキサメトニウム            ０．２ｇ／Ｌ
・腐食抑制剤：ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）                    １．０ｇ／Ｌ
・コロイダルシリカ                                              ２５ｇ／Ｌ
・アルミナ                                                      ２５ｇ／Ｌ
・カルボキシル基を有する化合物：ジグリコール酸                    １ｇ／Ｌ
・純水を加えて全量                                            １０００ｍＬ
ｐＨ（アンモニア水と硝酸で調整）                                  ３．５
過酸化水素                                                        １０ｍｌ
【０１０２】
調製した上記研磨液を用いて、下記の研磨評価を行った。
（評価方法）
研磨装置としてムサシノ電子社製装置「ＭＡ−３００Ｄ」を使用し、下記の条件で、スラリーを供給しながら、下記に示すウエハを研磨した。
テ−ブル回転数：  １１２ｒｐｍ
ヘッド回転数：    １１３ｒｐｍ
研磨圧力：        ９．１９ｋＰａ
研磨パッド：ロデール・ニッタ株式会社製ＩＣ１４００  ＸＹ−Ｋ−Ｐａｄ
研磨液供給速度：  ５０ｍｌ／ｍｉｎ
【０１０３】
＜研磨速度評価＞
研磨速度評価用のウエハとして、Ｓｉ基板上に各研磨対象のＴＥＯＳ膜（テトラエトキシシラン膜）、ＳｉＯＣ膜（ＢＬＡＣＫＤＩＡＭＯＮＤ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ）を成膜した８インチウエハを６ｃｍ×６ｃｍにカットしたウエハを使用した。
【０１０４】
＜研磨速度＞
研磨速度は、ＣＭＰ前後におけるＴＥＯＳ膜、ＳｉＯＣ膜の膜厚をそれぞれ測定し、以下の式から換算することで求めた。
研磨速度（ｎｍ／ｍｉｎ．）＝（研磨前の各種膜厚−研磨後の各種膜厚）／研磨時間
得られた結果を表１に示す。
【０１０５】
＜研磨液の分散性評価＞
上記研磨液に含まれる研磨粒子の分散性の評価を、下記評価基準に基づいて行った。研磨液調製後、室温にて１時間静置し、目視にて研磨粒子が沈降もしくはゲル化しているかを判断した。なお、○は、実用上問題の無いレベルと判断する。
−評価基準−
○：研磨粒子の沈降、もしくはゲル化が目視で確認できない。
×：研磨粒子が沈降、もしくはゲル化していることが目視にて確認できる。
【０１０６】
〔実施例２〜３２、及び比較例１〜５〕
実施例１における組成（１）を、下記表１〜表３に記載の組成に変更して調製した研磨液を用い、実施例１と同様の研磨条件で、研磨実験を行った。結果を表１〜表３に示す。
【０１０７】
【表１】
2009206316.tif 000016
【０１０８】
【表２】
2009206316.tif 000017
【０１０９】
【表３】
2009206316.tif 000018
【０１１０】
上記表１〜表３に記載された特定カチオンＡ１〜Ａ３２は、前述の例示化合物を指す。
更に、上記表１〜表３に記載されたアルミナＢ１、Ｂ２、およびコロイダルシリカＣ１〜Ｃ５の平均一次粒径、平均二次粒径を、表４に示す。なお、平均粒径は光子相関法により求めた。また比較例で用いたセリア、およびチタニアの平均一次粒径も表４に記載した。
【０１１１】
【表４】
2009206316.tif 000019
【０１１２】
また、上記表１〜表３中において使用した腐食防止剤は以下の通りである。
ＢＴＡ：１，２，３−ベンゾトリアゾール
ＤＢＴＡ：５，６−ジメチル−１，２，３−ベンゾトリアゾール
ＤＣＥＢＴＡ：１−（１，２−ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール
ＨＥＡＢＴＡ：１−［Ｎ，Ｎ−ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール
ＨＭＢＴＡ：１−（ヒドロキシメチル）ベンゾトリアゾール
【０１１３】
さらに、表１〜表３で用いたカルボキシル基を有する化合物（表１〜表３では「有機酸」と表記）を、表５に示す。
【０１１４】
【表５】
2009206316.tif 000020
【０１１５】
表１〜表３によれば、実施例１〜３２の研磨液を用いた場合は、比較例１〜３で見られた研磨粒子の沈降もしくはゲル化が見られなかった。このことから二種の研磨粒子を含む研磨液においては、シリカとアルミナの組み合わせが適しており、かつジ４級アンモニウムカチオンを含むことが必要とされることが分かる。
また、実施例１〜３２の研磨液では二種の研磨粒子の組成比および濃度により、ＴＥＯＳ膜研磨速度とＳｉＯＣ膜研磨速度との比を調製できることが分かり、ＴＥＯＳ膜、およびＳｉＯＣ膜の両方の膜の研磨速度が同時に高いことが分かる。また、比較例４，５はいずれも、片方の膜を研磨することはできるが、ＴＥＯＳ膜とＳｉＯＣ膜との双方を研磨するには適していないことが分かる。