(57)【要約】【課題】出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さいスピントルクダイオード効果を利用した磁気デバイス、及び、このような磁気デバイスを利用した周波数検出器を提供する。【解決手段】  磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とに挟まれた非磁性層４を有する磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４に対して、その積層方向に交流信号ｉを流すための入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、磁気抵抗効果素子１４から出力電圧を取り出す出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２とを備え、非磁性層４は、絶縁体からなる絶縁層部４ｂと、絶縁層部４ｂをその膜厚方向に貫通する導電体からなる電流狭窄層部４ａとを含むことを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化固定層、磁化自由層、及び前記磁化固定層と前記磁化自由層とに挟まれた非磁性層を有する磁気抵抗効果素子と、
前記磁気抵抗効果素子に対して、その積層方向に交流信号を流すための入力端子と、
前記磁気抵抗効果素子から出力電圧を取り出すための出力端子と、
を備え、
前記非磁性層は、絶縁体からなる絶縁層部と、前記絶縁層部をその膜厚方向に貫通する導電体からなる電流狭窄層部と、を含むことを特徴とする磁気デバイス。
【請求項２】
前記磁化自由層に磁界を印加するように設けられた磁界印加部をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の磁気デバイス。
【請求項３】
前記電流狭窄部は、その膜厚方向と垂直な面についての断面積が、０．００００１〜０．０１μｍ２であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気デバイス。
【請求項４】
前記磁化固定層と前記磁化自由層の少なくとも一方は、ハーフメタル層を含んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁気デバイス。
【請求項５】
前記ハーフメタル層は、ホイスラー合金からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁気デバイス。
【請求項６】
前記交流信号が含む周波数成分のうち、前記磁化自由層の磁化方向の固有振動数に対応する周波数成分と、前記磁化自由層の磁化方向とが共振し、
前記固有振動数に対応する周波数成分を変動させて直流電圧を出力することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気デバイス。
【請求項７】
前記固有振動数がそれぞれ異なる複数の前記磁気抵抗効果素子と、前記複数の前記磁気抵抗効果素子から出力電圧を取り出すための複数の前記出力端子と、を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁気デバイス。
【請求項８】
前記交流信号を発生させるための信号発生装置をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁気デバイス。
【請求項９】
前記信号発生装置がアンテナであることを特徴とする請求項８に記載の磁気デバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁気デバイスと、
前記出力端子から出力される電圧をモニタするモニタ回路と、
を備えることを特徴とする周波数検出器。
【請求項１１】
前記モニタ回路と前記磁気抵抗効果素子との間に介在するローパスフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の周波数検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気デバイス及び周波数検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果素子として、磁化の向きが固定された固定層と、磁化の向きが自由に変化する磁化自由層（磁化自由層）との間に非磁性導電層を介在させてなるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子が知られている。また、別の磁気抵抗効果素子として、固定層と磁化自由層との間に非磁性絶縁層を介在させてなるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ  Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子が知られている。これらの磁気抵抗効果素子に電流を流すと、スピン偏極電流が流れ、磁化自由層内に蓄積されたスピンとの相互作用によりトルクが発生し、スピン偏極電流の極性に応じて、磁化自由層の磁化の向きが変更する。一定の磁場内に配置された磁化自由層では、その磁化の向きを変更しようとしても、磁場によって拘束される安定な方向へ復元するように、磁化の向きにトルクが働く。この磁化の向きの運動は、重力によって引っ張られた振り子の重りが、特定の力で揺らされると、ゆらゆらと振動するのに似ており、歳差運動と呼ばれる。
【０００３】
近年、この磁化の向きの歳差運動の固有振動数と、磁化自由層に流れる交流電流の周波数とが一致すると、共振が生じる現象が発見された（非特許文献１参照）。ＴＭＲ素子の抵抗値は、磁化自由層の磁化の向きと、固定層の磁化の向きとが成す角度に依存する。磁化自由層において磁化の向きの共振が生じると、磁化自由層の磁化の向きは大きく振動し、ＴＭＲ素子の抵抗値が周期的に大きく変動する。一方、入力される交流電流に同期してＴＭＲ素子の抵抗値が大きく変動すると、ＴＭＲ素子の両端間を流れる交流電流がゼロレベルに対して非対称に変動して直流成分を有するようになり、変動分を出力として取り出すことができる（スピントルクダイオード効果）。
【非特許文献１】Nature, Vol.438, 17 November, 2005, pp.339-342
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述のように磁気抵抗効果素子がスピントルクダイオード効果を発揮する場合、出力直流電圧は、入力される交流電圧の特定の周波数領域においてピークを有することとなる。そして、スピントルクダイオード効果を応用した磁気デバイスにおいては、このような出力直流電圧のピークの半値幅は小さい程好ましい。
【０００５】
しかしながら、従来のスピントルクダイオード効果を発揮する磁気抵抗効果素子においては、出力される直流電圧のピークの半値幅が十分に小さいとは言えず、また、出力直流電圧のピークの半値幅を小さくする素子構成も知られていなかった。
【０００６】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さいスピントルクダイオード効果を利用した磁気デバイス、及び、このような磁気デバイスを利用した周波数検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するため、本発明に係る磁気デバイスは、磁化固定層、磁化自由層、及び磁化固定層と磁化自由層とに挟まれた非磁性層を有する磁気抵抗効果素子と、磁気抵抗効果素子に対して、その積層方向に交流信号を流すための入力端子と、磁気抵抗効果素子から出力電圧を取り出す出力端子とを備え、非磁性層は、絶縁体からなる絶縁層部と、絶縁層部をその膜厚方向に貫通する導電体からなる電流狭窄層部とを含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の磁気デバイスによれば、磁気抵抗効果素子に電流を流すとスピン偏極電流が流れ、磁化自由層と磁化自由層内に蓄積されたスピンとの相互作用によりトルクが発生し、スピン偏極電流の極性に応じて、磁化自由層の磁化の向きが変更する。そして、磁気抵抗効果素子の磁化自由層の磁化の向きの固有振動数と、磁気抵抗効果素子を流れる交流電流の周波数が一致した場合、磁化自由層の磁化の向きの振動が共振する。この際、磁気抵抗効果素子の抵抗値は磁化自由層の磁化の向きと磁化固定層の磁化の向きの相対的な角度に依存する。その結果、磁気抵抗効果素子の抵抗値はその周波数で急激に変動することとなり、出力電圧はゼロレベルに対して非対称に変動して直流成分を有することとなる。
【０００９】
そして、本発明の磁気デバイスでは、入力された交流信号の電流は、磁気抵抗効果素子の非磁性層を通過する際、非磁性層の絶縁層部を通過することはできず、電流狭窄層部のみを通過することとなる。そのため、出力直流電圧のピークの半値幅は十分に小さくなる。
【００１０】
さらに、磁気デバイスは、磁化自由層に磁界を印加するように設けられた磁界印加部をさらに備えていることが好ましい。
【００１１】
これにより、磁化自由層に所定の大きさの磁場を印加することができる。そして、磁化自由層の磁化の向きの固有振動数（共振周波数）は、磁化自由層に印加される磁場の大きさに依存して決定される。そのため、入力された交流信号のうち、決定された共振周波数の成分に対応する特定の周波数の信号の電圧を選択的に変動させて直流成分を出力する磁気デバイスが得られる。
【００１２】
さらに、電流狭窄部は、その膜厚方向と垂直な面についての断面積が、０．００００１〜０．０１μｍ２であることが好ましい。
これにより、磁気デバイスの出力直流電圧のピークの半値幅は特に小さくなる。
【００１３】
さらに、磁化固定層と磁化自由層の少なくとも一方は、ハーフメタル層を含んでいることが好ましい。さらに、ハーフメタル層は、ホイスラー合金であることが好ましい。
【００１４】
これにより、磁気デバイスの出力直流電圧を増大させることができる。即ち、ホイスラー合金等のハーフメタルは室温でのスピン分極率が略１００％であるため、磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果率が増大する。そのため、磁化自由層の磁化の向きが磁気抵抗効果素子を流れる交流電流と共振した際、磁気抵抗効果素子の抵抗値はその周波数でさらに急激に変動することとなる。その結果、磁気デバイスの出力直流電圧は増大することとなる。
【００１５】
さらに、交流信号が含む周波数成分のうち、磁化自由層の磁化の向きの固有振動数に対応する周波数成分と、磁化自由層の磁化方向とが共振し、固有振動数に対応する周波数成分を変動させて直流電圧を出力することが好ましい。これにより、磁化自由層の固有振動数が所定の大きさになるように磁気デバイスを製造すれば、交流信号が含む周波数成分のうちの所定の周波数成分を選択的に変動させて直流電圧を出力する磁気デバイスを得ることができる。
【００１６】
さらに、磁気デバイスは、固有振動数がそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子と、複数の磁気抵抗効果素子から出力電圧を取り出すための複数の出力端子とを備えることが好ましい。これにより、交流信号が複数の周波数成分を含んでいる場合に、複数の固有振動数に対応した複数の周波数成分を変動させ、それに対応して複数の直流電圧をそれぞれ出力する磁気デバイスを得ることができる。
【００１７】
さらに、磁気デバイスは、交流信号を発生させるための信号発生装置をさらに備えることが好ましい。これにより、信号発生装置から発生する信号を処理する磁気デバイスを得ることができる。
【００１８】
さらに、信号発生装置がアンテナであることが好ましい。これにより、アンテナで受信した信号を処理する磁気デバイスを得ることができる。
【００１９】
本発明に係る周波数検出器は、上述のいずれかの磁気デバイスと、出力端子から出力される電圧をモニタするモニタ回路とを備える。本発明によれば、入力された交流信号のうち、特定の周波数の信号の電圧がモニタ回路によって検出される。そのため、この装置は周波数検出器として機能する。さらに、上述のような出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さい磁気デバイスを利用しているため、周波数分解能の高い周波数検出器が得られる。
【００２０】
さらに、モニタ回路と磁気抵抗効果素子との間に介在するローパスフィルタを更に備えることが好ましい。これにより、磁気抵抗効果素子からの直流成分のみを透過させてモニタ回路に入力させることができる。即ち、磁気抵抗効果素子の両端間には交流信号が印加されているため、ローパスフィルタを設けることにより、交流信号のうち選択的に変動した特定の周波数の信号の直流電圧のみを取り出すことができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の磁気デバイス及び周波数検出器によれば、出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さいスピントルクダイオード効果を利用した磁気デバイス、及び、このような磁気デバイスを利用した周波数検出器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、実施の形態に係る磁気デバイス及び周波数検出器について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００２３】
図１は、本発明に係る磁気デバイス３０を備えた周波数検出器１００の斜視図である。なお、図１においては、図面の見易さのため、後述のシリコン基板１０、離間層１６及び保護層２２の図示を省略している（図２参照）。
【００２４】
磁気デバイス３０は、磁気抵抗効果素子１４と、磁気抵抗効果素子１４に静磁界を印加するように設けられた磁界印加部としての一対のバイアス磁界印加層１８と、磁気抵抗効果素子１４の両端間に交流信号ｉを供給する一対の入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、磁気抵抗効果素子１４の両端間出力電圧Ｖを取り出す一対の出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２とを備えている。なお、入力端子ＩＮＰＵＴ２及び出力端子ＯＵＴＰＵＴ２は、基準端子ＶＲＥＦであり、グランドに接続されている。
【００２５】
磁気抵抗効果素子１４の積層方向をＺ軸方向とし、これに直交する２軸をそれぞれＸ軸及びＹ軸とする。磁気抵抗効果素子１４に対して、磁気抵抗効果素子１４の膜面方向（ＸＹ平面方向）の一つであるＸ軸方向に離間した位置に、磁気抵抗効果素子１４を挟むように一対のバイアス磁界印加層１８が設けられている。磁気抵抗効果素子１４のＺ軸方向の両端には、それぞれ上部電極層２０及び下部電極層１２が接触し、磁気抵抗効果素子１４に電気的に接続されている。上部電極層２０及び下部電極層１２は、突部を有する板状の電極であり、それぞれの突部間に磁気抵抗効果素子１４が配置されている。なお、上部及び下部なる用語は、それぞれＺ軸の正側の位置及び負側の位置を意味するものであり、重力の方向とは無関係である。
【００２６】
上部電極層２０及び下部電極層１２には、それぞれ一対の上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４が電気的に接続されている。なお、上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４の一部は、それぞれ保護層２２（図１においては図示せず。図２参照）内に埋設されているが、図１においては、上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４のうち、保護層２２内に埋設されている部分を破線で示している。
【００２７】
一方の上部電極層用パッド２８と一方の下部電極層用パッド２４間には、入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２を介して信号源Ｓから交流信号ｉが印加される。即ち、交流信号ｉは、磁気抵抗効果素子１４内をその積層方向に流れる。また、一方の上部電極層用パッド２８と一方の下部電極層用パッド２４間に直流が印加されないように、一方の入力端子ＩＮＰＵＴ１と一方の上部電極層用パッド２８との間の配線には、キャパシタＣが直列に挿入されている。
【００２８】
図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った磁気デバイス３０の端面図である。図２に示すように、下部電極層１２、磁気抵抗効果素子１４及び上部電極層２０は、この順にシリコン基板１０上に積層されている。また、一対のバイアス磁界印加層１８は、磁気抵抗効果素子１４に対して、Ｘ軸方向に離間した位置に磁気抵抗効果素子１４を挟むように設けられている。そして、一対のバイアス磁界印加層１８と磁気抵抗効果素子１４との間、及び一対のバイアス磁界印加層１８と下部電極層１２との間には、絶縁体からなる離間層１６が設けられている。これにより、上部電極層２０と下部電極層１２とは、電気的には磁気抵抗効果素子１４のみを介して接続されている。さらに、上部電極層２０、一対のバイアス磁界印加層１８及び離間層１６を覆うように、保護層２２が形成されている。
【００２９】
図３、図５及び図６を用いて、磁気抵抗効果素子１４、離間層１６及び一対のバイアス磁界印加層１８の詳細について説明する。図３は、図２の磁気抵抗効果素子１４付近の拡大端面図であり、図５は図３のＶ−Ｖ線に沿った磁気抵抗効果素子１４の端面図であり、図６は図３のＶＩ−ＶＩ線に沿った磁気抵抗効果素子１４の端面図である。
【００３０】
図３に示すように、磁気抵抗効果素子１４は、磁化固定層３、磁化自由層５、及び磁化固定層３と磁化自由層５とに挟まれた非磁性層４を有している。具体的には、磁気抵抗効果素子１４は、下地層１と、反強磁性層２と、反強磁性層２と交換結合して磁化の向き３ＡＭがＹ軸の正方向に固定された下部強磁性層３Ａと、Ｒｕなどの導電性金属からなる非磁性中間層３Ｂと、非磁性中間層３Ｂを介して磁化の向き３ＣＭが下部強磁性層３Ａの磁化の向き３ＡＭと反対向き（Ｙ軸の負方向）に固定された上部強磁性層３Ｃと、非磁性層４と、強磁性体からなる磁化自由層５と、キャップ層９とがこの順に積層された構成を有している。ここで、下部強磁性層３Ａと非磁性中間層３Ｂと上部強磁性層３Ｃとで磁化固定層３となるが、磁化固定層３の磁化の向きとは、磁化固定層３の２つの強磁性層のうち磁化自由層５に近い方である上部強磁性層３Ｃの磁化の向き３ＣＭを意味するものとする。なお、磁気抵抗効果素子１４は、下地層１又は／及びキャップ層９を有していなくてもよい。
【００３１】
強磁性とは、隣り合うスピンが同一の方向を向いて整列し、全体として大きな磁気モーメントを持つ物質の磁性であり、強磁性体は外部磁場が無い場合においても自発磁化を有する。室温で強磁性を示す物質としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＧｄがある。下部強磁性層３Ａ、上部強磁性層３Ｃ、及び磁化自由層５を構成する強磁性体としては、例えば、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金等を用いることができるが、下部強磁性層３Ａ、上部強磁性層３Ｃ、及び磁化自由層５のうちの少なくとも一つは、ハーフメタルで構成された層であることが好ましい。ハーフメタルとしては、例えば、Ｃｏ２ＭｎＳｉ等のホイスラー合金、ＣｒＡｓやＣｒＳｂ等の閃亜鉛鉱型化合物、及びＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３等のペロブスカイト型Ｍｎ酸化物等を用いることができる。ホイスラー合金としては、Ｘ２ＹＺ（ただし、ＸはＦｅ，Ｃｏ及びＮｉのいずれか、ＹはＶ，Ｃｒ及びＭｎのいずれか、ＺはＡｌ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｇｅ及びＳｎのいずれか）で表される合金が好適である。また、ハーフメタルとして、規則構造であるＬ２１又はＢ２構造のホイスラー合金はキュリー温度が室温以上であるため実用化の観点から好適である。
【００３２】
ハーフメタルとは、スピン分極率が略１００％となる材料である。図４に通常の強磁性材料（ＣｏＦｅ合金等）の状態密度図（図４（Ａ））、及びハーフメタルの状態密度図（図４（Ｂ））を示す。図４において、縦軸はエネルギー、横軸は電子の状態密度を表しており、縦軸よりも左側にアップスピンの状態密度を、縦軸よりも右側にダウンスピンの状態密度を表している。通常の強磁性材料の場合、図４（Ａ）に示すように、フェルミ準位Ｅｆ近傍におけるアップスピンの状態密度Ｄｕｐとダウンスピンの状態密度Ｄｄｏｗｎに差がある。そのため、Ｐ＝（Ｄｕｐ−Ｄｄｏｗｎ）／（Ｄｕｐ＋Ｄｄｏｗｎ）×１００[％]で定義されるスピン分極率Ｐは、０＜Ｐ＜１００[％]となる。一方、ハーフメタルの場合、図４（Ｂ）に示すように、フェルミ準位Ｅｆ近傍において、アップスピンのみが状態密度Ｄｕｐを有し、ダウンスピンは状態密度を有していない。そのため、上記のように定義されるスピン分極率Ｐは１００[％]となる。
【００３３】
反強磁性層２を構成する反強磁性体としては、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ等を用いることができる。
【００３４】
また、磁化自由層５の膜厚は、例えば１〜１０ｎｍとすることができ、磁気抵抗効果素子１４全体の膜厚は、例えば１０〜１００ｎｍとすることができる。
【００３５】
また、図３及び図５に示すように、非磁性層４は導電体からなる複数の電流狭窄層部４ａと、絶縁体からなる絶縁層部４ｂとで構成されている。そして、電流狭窄層部４ａは、絶縁層部４ｂをその膜厚方向（Ｚ軸に沿った方向）に貫通している。そのため、磁気抵抗効果素子１４内をその積層方向に流れる交流信号ｉ（図１参照）は、非磁性層４を通過する際、絶縁層部４ｂを通過することはできず、電流狭窄層部４ａのみを通過する。そのため、磁気抵抗効果素子１４の非磁性層４が全て導電性金属で形成されている場合と比較して、即ち磁気抵抗効果素子１４が通常のＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）型のＧＭＲ素子である場合と比較して、非磁性層４を通過する電流の経路は電流狭窄層部４ａが形成された特定の領域に制限されている。この電流狭窄層部４ａは、その膜厚方向（Ｚ軸に沿った方向）と垂直な面（ＸＹ平面）についての一つの断面積４ａＳが０．００００１〜０．０１μｍ２であることが好ましい。また、非磁性層４の膜厚は、例えば０．５〜３ｎｍとすることができる。電流狭窄層部４ａを構成する材料としては、例えばＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕを用いることができ、絶縁層部４ｂを構成する材料としては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＭｇＯを用いることができる。
【００３６】
また、図３に示すように、磁気抵抗効果素子１４に対してＸ軸方向に離間した位置に、磁化自由層５を挟むように磁界印加部としての一対のバイアス磁界印加層１８が設けられている。バイアス磁界印加層は、ＣｏＣｒＰｔ等の硬磁性材料で構成されており、その残留磁化１８Ｍ１の方向が図３のＸ軸方向に向くように着磁されている。そのため、バイアス磁界印加層１８は、自発的に静磁界１８Ｍ２を図３のＸ軸方向に発生し、この静磁界１８Ｍ２はバイアス磁界として磁化自由層５に印加される。その結果、磁化自由層５の磁化の方向５Ｍは、静磁界１８Ｍ２の磁化自由層５内における向き、即ち、Ｘ軸の方向を向くことになる。また、バイアス磁界印加層１８の厚さは、後述するように共振周波数ｆ０が所定の値になるように調整されるが、例えば１〜１００ｎｍとすることができる。
【００３７】
また、図６に示すように、静磁界１８Ｍ２の磁化自由層５内における向きと、磁化固定層３の磁化方向３ＣＭとが磁化固定層３の膜面内において成す角度θは、本実施形態の場合９０度となっている。この角度θは、９０度以外の角度であってもよいが、後述のように磁化自由層５の磁化の向き５Ｍを容易に振動させる観点から、この角度θは５度以上であることが好ましい。
【００３８】
次に、磁気デバイス及び周波数検出器の動作について、図１〜図３を用いて説明する。
【００３９】
交流信号ｉを磁気抵抗効果素子１４に供給すると、磁気抵抗効果素子１４の磁化自由層５内に特定の極性のスピンが注入され、この注入量に応じて、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍが変化する。磁化自由層５の磁化の向き５Ｍは、交流信号ｉが供給されていないときには、バイアス磁界印加層１８から発生する静磁界１８Ｍ２の磁化自由層５内での方向に一致している。磁気抵抗効果素子１４の磁化固定層３側から磁化自由層５に偏極スピンが注入される場合、上部強磁性層３Ｃの磁化の向き３ＣＭに、その磁化の向きが揃う向きの極性のスピンが磁化自由層５に注入され、磁化自由層５は、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍを上部強磁性層３Ｃの磁化の向き３ＣＭと平行になる方向に回転させるようなトルクを受ける。これとは逆向きに磁化自由層５に電子を注入した場合には、上部強磁性層３Ｃの磁化の向き３ＣＭに揃った極性のスピンは磁化自由層５内には注入されないので、上記とは逆の極性のスピンが磁化自由層５に注入され、磁化自由層５は、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍを上部強磁性層３Ｃの磁化の向き３ＣＭと反平行になる方向に回転させるようなトルクを受ける。
【００４０】
交流信号ｉの極性は時間と共に変化するので、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍは、交流信号ｉの大きさと周波数に影響を受けて振動する。磁気抵抗効果素子１４の磁化自由層５の磁化の向き５Ｍの固有振動数ｆＦと、磁気抵抗効果素子１４を流れる交流信号ｉの周波数ｆが一致した場合（ｆ０＝ｆＦ＝ｆ）、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍの振動が共振する。この際、磁気抵抗効果素子１４の抵抗値は磁化自由層５の磁化の向き５Ｍと磁化固定層３の磁化の向き３ＣＭの相対的な角度に依存する。その結果、磁気抵抗効果素子１４の素子の抵抗値はその周波数で急激に変動することとなり、交流信号ｉの電圧が変動して直流成分を有し、他方の上部電極層用パッド２８と他方の下部電極層用パッド２４にそれぞれ接続された出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖとして出力される。
【００４１】
共振周波数ｆ０（固有振動数ｆＦ）は、磁気抵抗効果素子１４の磁化自由層５に印加される静磁界１８Ｍ２の大きさに依存し、静磁界１８Ｍ２が大きくなるに従って上昇する。この静磁界１８Ｍ２の大きさは、バイアス磁界印加層１８の材質、膜厚等に依存する。これらの条件を調節して静磁界１８Ｍ２の大きさを増大させると（１８Ｍ２ａ＜１８Ｍ２ｂ＜１８Ｍ２ｃ）、共振（共鳴）周波数ｆ０が上昇する(図７参照）。すなわち、バイアス磁界印加層１８の材質、膜厚等に依存して共振周波数ｆ０が決定され、入力された交流信号ｉのうち、決定された共振周波数ｆ０の成分に対応する電圧Ｖが選択的に変動して直流成分を有し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間に現れる（図８参照）。
【００４２】
また、本実施形態の周波数検出器１００は、磁気デバイス３０を備えており、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２から出力される電圧Ｖをモニタするモニタ回路４０を更に備えている。交流信号ｉを磁気抵抗効果素子１４に供給すると、磁化自由層５の固有振動数ｆＦに対応した特定の共振周波数ｆ０の電圧Ｖがモニタ回路４０によって検出される（図８参照）。すなわち、本実施形態の周波数検出器１００は交流信号ｉに含まれる特定の周波数を検出する周波数検出器として機能する。
【００４３】
また、周波数検出器１００は、モニタ回路４０と磁気抵抗効果素子１４との間に介在するローパスフィルタＬを更に備えている。これは、磁気抵抗効果素子１４の両端間には、一対の入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２と、一対の出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２が接続されているが、入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２には交流信号ｉが印加されているため、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２から磁化自由層５の磁化の向き５Ｍの固有振動数ｆＦに対応した特定の周波数の信号電圧の直流電圧のみを選択的に取り出すためである。ローパスフィルタＬは、磁気抵抗効果素子１４からの直流成分のみを透過させてモニタ回路４０に入力させる。本実施形態においては、ローパスフィルタＬは、上部電極層用パッド２８と出力端子ＯＵＴＰＵＴ１との間に介在するコイルから構成されている。
【００４４】
次に、本実施形態に係る磁気デバイス３０の製造方法を、図９〜図１９を用いて説明する。図９〜図１５の（Ａ）は磁気デバイス３０の中間体の平面図である。また、図９〜図１４の（Ｂ）及び図１５の（Ｂ）（Ｃ）は、各図の平面図（Ａ）における所定の線に沿った磁気デバイス３０の中間体の端面図である。
【００４５】
まず、図９に示すように、シリコン基板１０上に所定形状にパターニングされたＣｕ等の導電性材料からなる下部電極層１２を形成し、全面に磁気抵抗効果素子１４を形成し、将来磁気抵抗効果素子１４を残す部分にパターニングされたレジストマスク１５を形成する。ここで、下部電極層１２及び磁気抵抗効果素子１４は、例えばスパッタリング装置を用いて成膜することができる。磁気抵抗効果素子１４の形成方法の詳細は、後述する。
【００４６】
続いて、図１０に示すように、磁気抵抗効果素子１４のうちレジストマスク１５によってマスクされていない部分を、イオンミリング等によって除去する。これにより、磁気抵抗効果素子１４のパターンが形成される。
【００４７】
次に、図１１に示すように、磁気抵抗効果素子１４の側面と、下部電極層１２とシリコン基板１０の露出表面に、ＳｉＯ２等からなる離間層１６を形成した後、磁気抵抗効果素子１４の両側面に磁気抵抗効果素子１４と離間するようにパターニングされた一対のバイアス磁界印加層１８を形成する。ここで、離間層１６は、例えばＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を用いたＣＶＤ装置によって形成することができる。
【００４８】
そして、図１２に示すように、Ｔａ等からなる保護層２２aを全面に成膜した後、磁気抵抗効果素子１４及びバイアス磁界印加層１８が露出するまでＣＭＰ等によって表面をラッピングすることにより、凹部に保護層２２aを埋め、全面を平坦にする。
【００４９】
続いて、図１３に示すように、所定形状にパターニングされたＣｕ等の導電性材料からなる上部電極層２０を、磁気抵抗効果素子１４と電気的に接触するように形成する。
【００５０】
次に、図１４に示すように、全体にＳｉＯ２等からなる保護層２２ｂを形成した後に、表面をＣＭＰ等によってラッピングして平坦化する。
【００５１】
そして、図１５に示すように、保護層２２（＝保護層２２ａ＋保護層２２ｂ）の表面の将来上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４を形成する領域以外をレジストでマスクし、マスクされていない領域の保護層２２を、例えばＣ４Ｆ８等を用いた反応性イオンエッチング装置等によって除去して上部電極層２０及び下部電極層１２に達するスルーホールを形成し、このスルーホール内にスパッタ装置等によってＡｕ等の導電性材料を成膜して一対の上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４を形成する。
【００５２】
そして、図１に示すように、一対の上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４の一方に一対の入力端子ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２を接続し、一対の上部電極層用パッド２８及び下部電極層用パッド２４の他方に一対の出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２を接続することにより、磁気デバイス３０が完成する。
【００５３】
次に、磁気抵抗効果素子１４の形成方法の詳細について、図１６〜図１９を用いて説明する。
【００５４】
まず、図１６に示すように、シリコン基板１０上に形成された下部電極層１２上に、例えばスパッタリング法によって、Ｔａ、Ｔａ／ＮｉＦｅ、又はＮｉＣｒ等からなる下地層１と、ＦｅＭｎ、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、又はＮｉＭｎ等からなる反強磁性層２と、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金やハーフメタルからなる下部強磁性層３Ａと、Ｒｕ等からなる非磁性中間層３Ｂと、下部強磁性層３Ａと同様の材料からなる上部強磁性層３Ｃと、酸化され易さの異なる２種類の金属（例えば、ＣｕとＡｌ）からなる合金層４Ｘをこの順に形成する。この合金層４Ｘは、スパッタリング法を用いる場合、２種類の金属の合金ターゲットを用いて形成してもよいし、２種類の金属についての別個のターゲットを用いて同時スパッタリングによって形成してもよい。
【００５５】
次に、図１７に示すように、合金層４Ｘを構成する金属のうち酸化され易い金属（例えば、Ａｌ）のみを選択的に酸化させることにより、Ｃｕ等の導電体からなる複数の電流狭窄層部４ａと、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁体からなる絶縁層部４ｂとからなる非磁性層４を形成する。この選択的な酸化は、例えば、スパッタリング法によって合金層４Ｘを形成した後に、成膜チャンバー内に所定流量の酸素を所定時間導入して自然酸化を行うことによって実現することができる。また、この自然酸化は、合金層４ＸにＡｒイオンを照射しながら行うことが好ましい。これにより、酸化されにくい金属（例えばＣｕ）の一部が酸化されてしまった場合においても、酸化された金属をＡｒイオンビームによって還元し、金属状態に戻すことが可能となる。このようにして、絶縁層部４ｂと、絶縁層部４ｂをその膜厚方向に貫通する電流狭窄層部４ａとからなる非磁性層４が形成される。このような方法で発明者らが非磁性層４を形成したところ、電流狭窄層部４ａの一つの断面積４ａＳ（図５参照）を、１．０×１０−４μｍ２とすることができた。
【００５６】
次に、図１８に示すように、非磁性層４上に、Ｃｏ−Ｆｅ合金やＮｉ−Ｆｅ合金等、或いはこれらの積層体等からなる磁化自由層５と、Ｔａ等からなるキャップ層９を順次形成する。このようにして、磁気抵抗効果素子１４が形成される。
【００５７】
続いて、磁気抵抗効果素子１４に対して、図１８のＹ軸の正方向に磁場を印加しながら、アニール処理を行う。このアニール処理における最高到達温度は、反強磁性層２のブロッキング温度程度とする。すると、図１９に示すように、下部強磁性層３Ａと反強磁性層２は交換結合し、下部強磁性層３Ａの磁化の向き３ＡＭはアニール処理時の磁場印加方向であるＹ軸の正方向に固定される。そして、上部強磁性層３Ｃの磁化の向き３ＣＭは、非磁性中間層３Ｂを介して下部強磁性層３Ａの磁化の向き３ＡＭと反対向き（Ｙ軸の負方向）に固定される。また、その後、Ｘ軸方向に磁場を印加しながらアニール処理を行い、磁化自由層５の磁化容易軸をＸ軸方向に設定するのが好ましい。この際、磁化固定層３の磁化方向３ＣＭを変化させないように、上述の磁化固定層３の磁化方向３ＣＭの固定のためのアニール処理の場合と比較して、印加磁場を弱く、加熱温度を低くするのが好ましい。なお、これらのアニール処理を行うのは、磁気抵抗効果素子１４の形成直後でなくてもよい。例えば、保護層２２を形成した後にこれらのアニール処理を行ってもよい（図１４参照）。
【００５８】
上述のような本実施形態に係る磁気デバイス３０及び周波数検出器１００によってスピンデバイスの共振を用いれば、通常のＳｉ半導体技術では得られないＧＨｚ帯の周波数解析を行うことができるため、通信技術の更なる発展を期待することができる。
【００５９】
また、本実施形態に係る磁気デバイス３０では、入力された交流信号ｉの電流は、磁気抵抗効果素子１４の非磁性層１４を通過する際、非磁性層１４の絶縁層部１４ｂを通過することはできず、電流狭窄層部１４ａのみを通過することとなる（図３参照）。磁気抵抗効果素子１４の非磁性層１４をこのような構成にすることにより、磁気デバイス３０の出力直流電圧のピークの半値幅が十分に小さくなることを発明者らは新たに見出した。このような現象について、推測される原理を図２０を用いて説明する。
【００６０】
図２０（Ａ）は、従来の磁気デバイスの磁気抵抗効果素子が有する非磁性層近傍の断面図であり、図２０（Ｂ）は、本実施形態に係る磁気デバイスの磁気抵抗効果素子が有する非磁性層近傍の断面図である。図２０（Ａ）に示すように、従来の磁気デバイスの磁気抵抗効果素子が有する非磁性層４Ｃは、Ｃｕ等の導電性材料のみで形成されている。そのため、上部強磁性層３Ｃから磁化自由層５に向かって電子ｅが移動する際、電子ｅは、非磁性層４Ｃの全体を通過することになる。そして、磁化自由層５に到達した電子ｅは、磁化自由層５の磁化と相互作用して、磁化自由層５内に磁化の共振５ｈを多数生じさせる。その際、電子ｅは非磁性層４Ｃの全体を通過しているため、磁化自由層５内の比較的広い領域の磁化を共振させる電子ｅと、磁化自由層５内の比較的狭い領域の磁化を共振させる電子ｅがある。その結果、磁化自由層５内に生じた磁化の共振５ｈの共振の大きさはばらつくことになり、これが原因で磁気デバイスの出力直流電圧のピーク形状が鈍くなると考えられる。
【００６１】
それに対して、図２０（Ｂ）に示すように、本実施形態に係る磁気デバイス３０の磁気抵抗効果素子１４が有する非磁性層４は、絶縁体からなる絶縁層部４ｂと、絶縁層部４ｂをその膜厚方向に貫通する電流狭窄層部４ａとで構成されている。そのため、上部強磁性層３Ｃから磁化自由層５に向かって電子ｅが移動する際、電子ｅは、非磁性層４の電流狭窄層部４ａ内のみを通過する。そして、磁化自由層５に到達した電子ｅは、磁化自由層５の磁化と相互作用して、磁化自由層５内に磁化の共振５ｈを多数生じさせる。その際、電子ｅは非磁性層４の電流狭窄層部４ａ内のみを通過しているため、磁化自由層５内の電流狭窄層部４ａ近傍の領域の磁化のみが電子ｅによって共振する。そのため、共振する磁化自由層５内の領域の大きさのばらつきは従来と比較して小さくなる。その結果、磁化自由層５内に生じた磁化の共振５ｈの共振の大きさのばらつきは抑制され、磁気デバイスの出力直流電圧のピーク形状は鋭くなると考えられる。
【００６２】
さらに、本実施形態に係る磁気デバイス３０は、磁化自由層５に静磁界１８Ｍ２を印加するように設けられた磁界印加部としての一対のバイアス磁界印加層１８を備えている（図３参照）。そのため、磁化自由層５の材料や膜厚等を適切に選択すれば、磁化自由層５に所定の大きさの静磁場１８Ｍ２を印加することができる。そして、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍの固有振動数ｆＦ（共振周波数ｆ０）は、磁化自由層５に印加される静磁場５Ｍの大きさに依存して決定される。そのため、入力された交流信号ｉ（図１参照）のうち、決定された共振周波数ｆ０の成分に対応する特定の周波数の信号の電圧を選択的に変動させて直流成分を出力することが可能な磁気デバイス３０となっている。
【００６３】
さらに、本実施形態の係る磁気デバイス３０は、電流狭窄部４ａのその膜厚方向と垂直な面についての一つの断面積４ａＳが、好ましくは、０．００００１〜０．０１μｍ２としている（図３、図５参照）。このため、磁気デバイス３０の出力直流電圧のピークの半値幅が特に小さくなっている。
【００６４】
さらに、本実施形態の係る磁気デバイス３０は、好ましくは下部強磁性層３Ａ、上部強磁性層３Ｃ、及び磁化自由層５のうちの少なくとも一つは、ハーフメタルで構成された層
としている（図３参照）。  そのため、磁気デバイス３０の出力直流電圧を増大させることができる。即ち、ホイスラー合金等のハーフメタルは室温でのスピン分極率が略１００％であるため、磁気抵抗効果素子１４の磁気抵抗効果率が増大する。そのため、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍが磁気抵抗効果素子１４を流れる交流信号ｉと共振した際、磁気抵抗効果素子１４の抵抗値はその周波数でさらに急激に変動することとなる。その結果、磁気デバイス３０の出力直流電圧は増大することとなる。
【００６５】
さらに、本実施形態に係る磁気デバイス３０は、交流信号ｉが含む周波数成分のうち、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍの固有振動数ｆＦに対応する周波数成分と、磁化自由層５の磁化の向き５Ｍとが共振し、固有振動数ｆＦに対応する周波数成分を変動させて直流電圧を出力している。そのため、磁化自由層５の固有振動数ｆＦが所定の大きさになるように磁気デバイス３０を製造すれば、交流信号ｉが含む周波数成分のうちの所定の周波数成分を選択的に変動させて直流電圧を出力することが可能な磁気デバイス３０とすることができる。
【００６６】
また、本実施形態の周波数検出器１００は、上述の磁気デバイス３０と、一対の出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２から出力される電圧をモニタするモニタ回路４０とを備えている（図１参照）。このため、入力された交流信号ｉのうち、特定の周波数の信号の電圧がモニタ回路４０によって検出されるような周波数検出器１００が実現されている。
【００６７】
また、本実施形態の周波数検出器１００は、モニタ回路４０と磁気抵抗効果素子１４との間に介在するローパスフィルタＬを更に備えている（図１参照）。このため、磁気抵抗効果素子１４からの直流成分のみを透過させてモニタ回路４０に入力させることができる。即ち、磁気抵抗効果素子１４の両端間には交流信号ｉが印加されているため、ローパスフィルタＬを設けることにより、交流信号ｉのうち選択的に変動した特定の周波数の信号の直流電圧のみを取り出すことが可能となっている。
【実施例１】
【００６８】
以下、本発明の効果をより一層明らかなものとするため、実施例および比較例を用いて説明する。図２１〜図２４は実施例１〜４に係る磁気デバイスに関して入力信号の周波数対出力電圧の関係を示す図である。また、図２５は比較例１に係る磁気デバイスに関して入力信号の周波数対出力電圧の関係を示す図である。
【００６９】
実施例１〜４に係る磁気デバイスについては、磁気抵抗効果素子が有する非磁性層を、絶縁体からなる絶縁層部４ｂと、絶縁層部４ｂをその膜厚方向に貫通する電流狭窄層部４ａとで構成した（図３、図５参照）。また、実施例１及び実施例２に係る磁気デバイスについては、下部強磁性層３Ａ、上部強磁性層３Ｃ、及び磁化自由層５を構成する強磁性体として、ハーフメタル以外の強磁性体を用いた。また、実施例１及び実施例２は、非磁性層４の製造方法、特に電流狭窄部４ａの形成方法の点において相違する。実施例１に係る磁気デバイスは、上述の実施形態における製造方法により非磁性層４を形成し（図１６及び図１７参照）、導電性狭窄部４ａの断面積４aＳ（図５参照）は約０．００００３μｍ２となった。
【００７０】
一方、実施例２に係る磁気デバイスは、非磁性層４を次の製造方法を用いて形成した。即ち、まず、磁化固定層３上に、例えばＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４を用いたＣＶＤ装置によってＳｉＯ２層を形成した（図１７参照）。そして、電流狭窄層部４ａ形成予定領域に開口を有するレジストパターンをＳｉＯ２層上に形成し、例えばＣ４Ｆ８ガスを用いた反応性イオンエッチング装置によってマスクされていない領域のＳｉＯ２層を除去した。そして、スパッタ装置等によってＣｕ等の導電性金属を成膜し、ＣＭＰ装置等によってＳｉＯ２層が露出するまで表面を平坦化することにより、図１７に示されるような電流狭窄層部４ａ及び絶縁層部４ｂからなる非磁性層４を形成した。このような方法で発明者らが非磁性層４を形成したところ、電流狭窄層部４ａの厚さ方向に垂直な一つの断面積４ａＳ（図５参照）は、０．００４μｍ２となった。
【００７１】
また、実施例３は、固定層３の上部磁性層３Ｃを形成する材料として、ハーフメタルであるＣｏ２ＭｎＧｅを用いたものである。その他の構成は、実施例１と同一である。また、比較例１は、非磁性層をＣｕのみで形成したものであり、その他の構成は、実施例１と同一である。
【００７２】
図２１に示すように、実施例１の出力電圧は、入力信号の周波数に対して鋭いピーク形状を示した。そして、出力電圧の最大値は、５１μＶとなり、出力電圧のピークの半値幅は０．３０[ＧＨｚ]となった。また、図２２に示すように、実施例２の出力電圧は、入力信号の周波数に対して鋭いピーク形状を示した。そして、出力電圧の最大値は、５７μＶとなり、出力電圧のピークの半値幅は０．５５[ＧＨｚ]となった。
【００７３】
また、図２３に示すように、実施例３の出力電圧は、入力信号の周波数に対して鋭いピーク形状を示した。そして、出力電圧の最大値は、１５０μＶとなり、出力電圧のピークの半値幅は０．２８[ＧＨｚ]となった。実施例３においては、上述のように、出力電圧のピークが鋭くなったのに加え、出力電圧の最大値が大きくなった。
【００７４】
一方、図２４に示すように、比較例１の出力電圧は、入力信号の周波数に対して緩やかなピーク形状を示した。そして、出力電圧の最大値は、５０μＶとなり、出力電圧のピークの半値幅は１．３０[ＧＨｚ]となった。
【００７５】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形態様が可能である。
【００７６】
例えば、上述の実施形態においては、磁界印加部としての一対のバイアス磁界印加層１８が磁気抵抗効果素子１４の両側面に設けられているが（図３参照）、磁界印加部はこのような態様に限られない。例えば、バイアス磁界印加層１８の代わりに、磁気抵抗効果素子１４内において、磁化自由層５上に非磁性層を介して硬磁性層を設けてもよい。この場合、硬磁性層が磁界印加部となり、そこから発生する静磁界が磁化自由層５に印加される。また、磁化自由層５上に非磁性層を介して、又は直接反強磁性層を設けてもよい。この場合、反強磁性層が磁界印加部となり、そこから発生する交換結合磁界が磁化自由層５に印加される。
【００７７】
さらに、磁界印加部の別の態様として、図２５に示すような構成も可能である。即ち、磁気抵抗効果素子１４に近接して、磁界印加部としての電流磁界発生部１８ａを設けることも可能である。電流磁界発生部は、図２５のＹ軸方向に沿って延びる導電体で形成されており、これに電流を流すことによって電流磁界１８Ｍ２が発生し、この電流磁界１８Ｍ２が磁化自由層５に印加される。
【００７８】
なお、磁界印加部を特に設けない構成であっても、本発明の実施は可能である。
【００７９】
また、上述の実施形態においては、磁気抵抗効果素子１４の磁化固定層３及び磁化自由層５の間には非磁性層として非磁性層４のみが設けられているが、非磁性層４と磁化固定層３との間、又は／及び非磁性層４と磁化自由層５との間にさらにＣｕ層等の非磁性層を設けてもよい。
【００８０】
また、上述の実施形態においては、磁化固定層３を下部強磁性層３Ａ、非磁性中間層３Ｂ、及び上部強磁性層３Ｃによって構成しているが、磁化固定層３は上部強磁性層３Ｃのみで構成してもよい。
【００８１】
また、交流信号を発生させるための信号発生装置を信号源Ｓとしてさらに備える構成も可能である。これにより、信号発生装置から発生する信号を処理する磁気デバイスを得ることができる。信号発生装置としてＶＣＯ（Voltage Controlled Oscillator）を用いれば、送信機として用いることができる。また、信号発生装置としてアンテナを用いることもできる。この場合、アンテナで受信した信号を処理する磁気デバイスを得ることができる。
【００８２】
また、図２６に示すように、固有振動数ｆＦがそれぞれ異なる複数の磁気抵抗効果素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃと、複数の磁気抵抗効果素子３０ａ、３０ｂ、３０ｃから出力電圧を取り出すための複数の出力端子ＯＵＴＰＵＴ１a、ＯＵＴＰＵＴ２ａ、ＯＵＴＰＵＴ１ｂ、ＯＵＴＰＵＴ２ｂ、ＯＵＴＰＵＴ１ｃ、ＯＵＴＰＵＴ２ｃとを備える周波数検出器１００ａも可能である。ここで、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１a、ＯＵＴＰＵＴ１ｂ及びＯＵＴＰＵＴ１ｃは、それぞれ上述の実施形態における出力端子ＯＵＴＰＵＴ１に対応し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ２ａ、ＯＵＴＰＵＴ２ｂ及びＯＵＴＰＵＴ２ｃは、それぞれ上述の実施形態における出力端子ＯＵＴＰＵＴ２に対応し、磁気デバイス３０ａ、３０ｂ及び３０ｃは、それぞれ上述の実施形態における磁気デバイス３０に対応する（図１参照）。これにより、交流信号ｉが複数の周波数成分を含んでいる場合に、複数の固有振動数ｆＦに対応した複数の周波数成分を変動させ、それに対応して複数の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃをそれぞれ出力する周波数検出器１００ａを得ることができる。ここで、直流電圧Ｖａ、Ｖｂ及びＶｃは、上述の実施形態における出力電圧Ｖに対応し、周波数検出器１００ａは、上述の実施形態における周波数検出器１００に対応する（図１参照）。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明に係る磁気デバイス３０を備えた周波数検出器１００の斜視図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線に沿った磁気デバイス３０の端面図である。
【図３】図２の磁気抵抗効果素子１４付近の拡大端面図である。
【図４】通常の強磁性材料とハーフメタルの状態密度図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線に沿った磁気抵抗効果素子１４の端面図である。
【図６】図３のＶＩ−ＶＩ線に沿った磁気抵抗効果素子１４の端面図である。
【図７】交流信号ｉの周波数ｆと出力電圧Ｖとの関係を示すグラフである。
【図８】静磁場１８Ｍ２と電圧Ｖとの関係を示すグラフである。
【図９】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１０】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１１】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１２】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１３】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１４】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１５】磁気デバイス３０の中間体の平面図及び端面図である。
【図１６】磁気デバイス３０の中間体の端面図である。
【図１７】磁気デバイス３０の中間体の端面図である。
【図１８】磁気デバイス３０の中間体の端面図である。
【図１９】磁気デバイス３０の中間体の端面図である。
【図２０】出力電圧のピークの半値幅が小さくなる原理を示す図である。
【図２１】実施例に係る磁気デバイスの入力信号の周波数対出力電圧の関係を示す図である。
【図２２】実施例に係る磁気デバイスの入力信号の周波数対出力電圧の関係を示す図である。
【図２３】実施例に係る磁気デバイスの入力信号の周波数対出力電圧の関係を示す図である。
【図２４】比較例に係る磁気デバイスの入力信号の周波数対出力電圧の関係を示す図である。
【図２５】実施形態の変形例を示す端面図である。
【図２６】実施形態の変形例の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００８４】
３・・・磁化固定層、４・・・非磁性層、４ａ・・・電流狭窄層部、４ｂ・・・絶縁層部、１４・・・磁気抵抗効果素子、ＩＮＰＵＴ１，ＩＮＰＵＴ２・・・入力端子、ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２・・・出力端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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