(57)【要約】【課題】  垂直磁気異方性を有する磁性層を備えた磁気転写用マスター担体の提供。【解決手段】本発明は、垂直磁気記録媒体に磁気転写する情報に対応した凹凸パターンを表面に有する基板と、該凹凸パターンの表面に形成される垂直磁気異方性磁性層２０４とを備える磁気転写用マスター担体２０の製造方法であって、前記凹凸パターンが反転した反転凹凸パターン３５を有する原盤３６の該反転凹凸パターン３５の表面に機能層を形成する機能層形成工程と、該機能層の表面に、垂直磁気異方性磁性層２０４を形成する垂直磁気異方性磁性層形成工程と、該垂直磁気異方性磁性層２０４が形成された原盤３６を母型として、前記基板２０２を電鋳により形成する電鋳工程と、を有する磁気転写用マスター担体の製造方法において、前記剥離層形成工程で形成される機能層が、剥離層３７及び垂直磁気異方性付与層３８を有することを特徴とする。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンを有する原盤の表面に、垂直磁気異方性磁性層を形成し、形成後の該垂直磁気異方性磁性層に対して基材を設置し、該基板を剥離することで製造されることを特徴とする磁気転写用マスター担体。
【請求項２】
垂直磁気異方性磁性層を形成する前に、予め機能層を原盤の表面に形成する請求項１に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項３】
垂直磁気異方性磁性層の垂直磁気異方性を制御する請求項２に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項４】
垂直磁気異方性磁性層が、微結晶粒構造を有する請求項３に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項５】
機能層の内部応力の絶対値が１ＧＰａ以下である請求項３又は４に記載の磁気転写用マスター担体。
【請求項６】
垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる初期磁化工程と、
前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、請求項１から５の何れかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する工程と、を備えることを特徴とする磁気転写方法。
【請求項７】
垂直磁気記録媒体に磁気転写する情報に対応した凹凸パターンを表面に有する基板と、該凹凸パターンの表面に形成される垂直磁気異方性磁性層とを備える磁気転写用マスター担体の製造方法であって、
前記凹凸パターンが反転した反転凹凸パターンを有する原盤の該反転凹凸パターンの表面に機能層を形成する機能層形成工程と、
該機能層の表面に、垂直磁気異方性磁性層を形成する垂直磁気異方性磁性層形成工程と、
該垂直磁気異方性磁性層が形成された原盤を母型として、前記基板を電鋳により形成する電鋳工程と、を有する磁気転写用マスター担体の製造方法において、
前記剥離層形成工程で形成される機能層が、剥離層及び垂直磁気異方性付与層を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項８】
電鋳工程後、原盤から引き剥がされた磁気転写用マスター担体の表面に残存する機能層を除去する機能層除去工程を、更に備える請求項７に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【請求項９】
機能層の内部応力の絶対値が１ＧＰａ以下である請求項７又は８に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写用マスター担体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を高密度で記録可能な磁気記録媒体として、垂直磁気記録媒体が知られている。この垂直磁気記録媒体の情報記録領域は、狭トラックで構成されている。そのため、垂直磁気記録媒体では、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査し、高いＳ／Ｎ比で信号を記録、再生するためのトラッキングサーボ技術が重要となる。このトラッキングサーボを行うためには、トラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を、所定間隔で垂直磁気記録媒体に、いわゆるプリフォーマットとして記録しておく必要がある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体に、サーボ情報をプリフォーマットする方法としては、例えば、サーボ情報に対応した、表面に磁性層を有する凹凸パターンが形成されたマスター担体を、該磁気記録媒体に密着させた状態で記録用磁界（転写磁界）を印加し、マスター担体のパターンを磁気記録媒体に磁気転写する方法がある（例えば、特許文献１〜３参照）。
【０００４】
この方法において、該磁気記録媒体にマスター担体を密着させた状態で転写磁界が印加されると、磁束がマスター担体の磁化状態に基づきパターン状の磁性層に吸収され、磁界がパターンの凹凸形状に対応し変調される。このパターン状に変調された磁界によって、磁気記録媒体の所定箇所のみが磁界印加方向に磁化される。従来、この種のマスター担体の磁性層の材料としては、高飽和磁化を有する磁性材料が使用されていた。
【０００５】
上記マスター担体は、例えば、該マスター担体の凹凸形状が反転した、反転凹凸形状を有する原盤（シリコン円板）を母型として用い、電鋳により製造される（特許文献４参照）。この種の製造方法においては、マスター担体の磁性層の一部となる導電性を有する磁性膜が先ず、該原盤の反転凹凸形状上に形成される。該磁性膜の材料としては、例えば、ニッケルが用いられている。
【０００６】
ところで、マスター担体の磁性層は、数十ナノメータ程度であり、非常に薄い。そのため転写磁界を印加すると、該磁性層内に強い反磁界が発生する。反磁界が強くなると、高飽和磁化を有する磁性材料を使用しても、実効的な磁性層からの磁界が減少する。これまでは、転写磁界強度を確保するために外部印加磁界をより高めた。しかし、印加磁界を高めることによる磁性層磁化増加率は、印加磁界強度と比例関係にあるため、実質的に低飽和磁化材料に強磁界を印加した状態と同等な状況となる。凸部上だけでなく、凹部上の転写磁界強度も強くなり、凹凸間の転写磁界強度差が小さくなる。凹凸間の転写磁界強度差が小さい状態でサーボ情報を磁気記録媒体に転写すると、磁化されるべきでない箇所（凹部）で磁化反転が発生し、その記録信号の品位が劣化し、問題となる。
【０００７】
上記問題の発生を抑制するためには、少なくとも転写磁界を印加した状態においては、マスター担体の磁性層自身が所望の転写磁界強度にて必要量磁化した状態となり、磁化値が大きくなっている必要がある。特に、磁気記録媒体を磁化するのに最低限必要な強さの転写磁界によって、マスター担体の磁性層自身の磁化値を充分に大きくすることができれば、凹凸間の転写磁界強度差を大きくすることができ、好ましいと言える。
【０００８】
このような事情等により、該磁性層の材料として、磁性層の面に対し、垂直な方向に磁気異方性を有する材料を用いることが検討されている。このような垂直磁気異方性を有する材料をマスター担体の磁性層に用いれば、印加する転写磁界の強さを最低限に抑えつつ、該転写磁界によって該磁性層の磁化値を容易に大きくできるものと考えられた。
【０００９】
しかしながら、垂直磁気異方性が高い磁性層を有するマスター担体を形成することは容易ではない。例えば、引用文献４等において示される、ニッケル導電膜を用いた電鋳法によって該マスター担体を製造しても、得られるマスター担体の磁性層の垂直磁気異方性は低く、このようにして得られたマスター担体を用いて、垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写すると、磁気転写後の１／０／１信号間にブリッジが発生し、アドレス信号をデコード出来ないことがあり、問題となっている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−２０３３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４８号公報
【特許文献３】米国特許第７２１８４６５号明細書
【特許文献４】特開２００５−１００６０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、垂直磁気異方性を有する磁性層を備えた磁気転写用マスター担体の製造方法等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞凹凸パターンを有する原盤の表面に、垂直磁気異方性磁性層を形成し、形成後の該垂直磁気異方性磁性層に対して基材を設置し、該基板を剥離することで製造されることを特徴とする磁気転写用マスター担体である。
＜２＞垂直磁気異方性磁性層を形成する前に、予め機能層を原盤の表面に形成する前記＜１＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜３＞垂直磁気異方性磁性層の垂直磁気異方性を制御する前記＜２＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜４＞垂直磁気異方性磁性層が、微結晶粒構造を有する前記＜３＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜５＞機能層の内部応力の絶対値が１ＧＰａ以下である前記＜３＞又は＜４＞に記載の磁気転写用マスター担体である。
＜６＞垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる初期磁化工程と、前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、前記＜１＞から＜５＞の何れかに記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する工程と、を備えることを特徴とする磁気転写方法である。
＜７＞垂直磁気記録媒体に磁気転写する情報に対応した凹凸パターンを表面に有する基板と、該凹凸パターンの表面に形成される垂直磁気異方性磁性層とを備える磁気転写用マスター担体の製造方法であって、前記凹凸パターンが反転した反転凹凸パターンを有する原盤の該反転凹凸パターンの表面に機能層を形成する機能層形成工程と、該機能層の表面に、垂直磁気異方性磁性層を形成する垂直磁気異方性磁性層形成工程と、該垂直磁気異方性磁性層が形成された原盤を母型として、前記基板を電鋳により形成する電鋳工程と、を有する磁気転写用マスター担体の製造方法において、前記剥離層形成工程で形成される機能層が、剥離層及び垂直磁気異方性付与層を有することを特徴とする磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜８＞電鋳工程後、原盤から引き剥がされた磁気転写用マスター担体の表面に残存する機能層を除去する機能層除去工程を、更に備える前記＜７＞に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜９＞機能層の内部応力の絶対値が１ＧＰａ以下である＜７＞又は＜８＞に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜１０＞剥離層が、ＮｉＷからなる前記＜７＞から＜９＞のいずれかに記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜１１＞垂直磁気異方性付与層が、少なくともＰｔ及びＲｕの何れか１つを含む前記＜７＞から＜１０＞に記載の磁気転写用マスター担体の製造方法である。
＜１２＞前記＜７＞から＜１１＞のいずれかに記載のマスター担体の製造方法によって製造された磁気転写用マスター担体である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、垂直磁気異方性を有する磁性層を備えた磁気転写用マスター担体の製造方法等を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
先ず、垂直磁気記録の磁気転写技術の概要を説明する。図１は、垂直磁気記録における磁気転写方法を示す説明図である。図１において、符号１０は垂直磁気記録媒体であるスレーブディスクを表し、符号２０は磁気転写用マスター担体としてのマスターディスクを表す。
【００１５】
図１（ａ）は、初期磁化工程を示す説明図である。図１（ａ）に示されるように、スレーブディスク１０のディスク平面に対し、垂直方向から、直流磁界（Ｈｉ）を印加して、該スレーブディスク１０を初期磁化する。
【００１６】
図１（ｂ）は、密着工程を示す説明図である。図１（ｂ）に示されるように、前記初期磁化後のスレーブディスク１０と、マスターディスク２０とを密着させる。
【００１７】
図１（ｃ）は、磁気転写工程を示す説明図である。図１（ｃ）に示されるように、初期磁化の際に印加する磁界（Ｈｉ）とは、逆向きの磁界（Ｈｄ）を印加して、該スレーブディスク１０にマスターディスク２０の有する情報を磁気転写する。
【００１８】
〔磁気転写用マスター担体〕
図２（ａ）は、マスターディスク（磁気転写用マスター担体）２０の部分断面図である。このマスターディスク２０は、基材２０２と、該基材２０２の表面上に形成される垂直磁気異方性磁性層２０４とを備える。該基材２０２は、その表面に、凸部２０６及び凹部２０７からなる凹凸パターン２１０を有する。
該凹凸パターン２１０は、スレーブディスク（垂直磁気記録媒体）１０に転写される磁気情報に対応している。該磁気情報としては、例えば、サーボ信号等のサーボ情報がある。
該凹凸パターン２１０において、少なくとも凸部２０６は、その表面（頂面）に垂直磁気異方性磁性層２０４を有する。なお、本実施形態においては、製造容易等の理由により、凹部２０７の表面にも磁性層２０８を有する。
基材２０２の凸部２０６の表面（頂面）に形成される垂直磁気異方性磁性層２０４は、転写信号に対応するビット部となる。このビット部は、垂直磁気記録媒体（スレーブディスク１０）の初期磁化を反転させる部分であり、転写部に相当する。なお、凹部２０７は、磁化反転に寄与しない非転写部に相当する。
【００１９】
（基材）
前記基材２０２の材料としては、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料を用いられる。
なお、本発明の磁気転写用マスター担体を、電鋳工程を含む製造方法を用いて製造する場合は、ニッケル等の電鋳可能な材料が用いられる。
【００２０】
（垂直磁気異方性磁性層）
前記垂直磁気異方性磁性層は、垂直磁気異方性を有する磁性層である。該垂直磁気異方性磁性層に用いられる材料は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち、少なくとも１つの強磁性金属と、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｂ、Ｔａ、Ｏのうち、少なくとも１つの非磁性物質と、から構成される合金、或いは化合物である。
【００２１】
該垂直磁気異方性磁性層が、ＣｏＰｔからなる場合、主として、磁性層形成時のスパッタ圧、Ｐｔ濃度で、垂直磁気異方性を制御出来る。
スパッタ圧は、０．２Ｐａ〜５０Ｐａが好ましく、０．２Ｐａ〜１０Ｐａが更に好ましい。Ｐｔ濃度は、５〜５０原子％が好ましく、１０〜２５原子％が更に好ましい。
【００２２】
本実施形態において、磁気転写用マスター担体の磁性層が「垂直磁気異方性を有する」とは、以下の方法により求められる、面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、及び垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）の比（Ｍｐｅ／Ｍｉｎ）が、０．４〜２．０の範囲にある場合である。Ｍｉｎ及びＭｐｅを求める方法は、以下の通りである。
【００２３】
＜Ｍｉｎ及びＭｐｅの求め方＞
マスター担体（マスターディスク）の磁性層、及び機能層（剥離層、垂直磁気異方性付与層）と同じものを、マスター担体の製造時と同じ条件で、ガラス基板（２．５インチ）上に形成する。該ガラス基板上に形成された試料を、５ｍｍ×８ｍｍのサイズに切り出し、その切り出した試料に対し、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を用いて、面内方向及び垂直方向に磁界を印加して、その試料の磁化曲線の測定を行う。
得られた磁化曲線に基づいて、転写磁界と同値の外部印加磁界強度での面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）を算出する。
【００２４】
＜粒子状態＞
前記垂直磁気異方性磁性層は、微結晶構造であることが好ましい。該結晶構造は、更に、緻密状態であることが好ましい。
該垂直磁気異方性磁性層が、微結晶構造を有し、かつ、その微結晶構造が緻密状態にあると、転写用垂直磁界を印加させた際、マスター担体の凸部から、均一な幅の磁束を発生させることができる。
【００２５】
該垂直磁気異方性磁性層の粒子状態は、以下の方法に基づいて判断される。
マスター担体を製造する工程において、原盤上に、剥離層等の機能層及び磁性層を形成した後、該磁性層に対し、収束イオンビーム（ＦＩＢ）（セイコーインスツル社製、ＦＩＢ−２０００）を照射して、超薄切片を得た。該切片を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日立製作所製  Ｈ−９０００）用いて、観察する。
ＴＥＭで観察画像を撮影し、その観察画像を、画像処理ソフトを用いて処理して、磁性層の結晶柱径（ＭＣＤ）、及び結晶柱間の距離（ＭＩＤ）を算出する。
ＭＣＤが３０ｎｍ以下であれば、磁性層が微結晶構造を取っていると判断し、ＭＩＤが２ｎｍ以下であれば、磁性層が緻密状態にあると判断する。
【００２６】
（下地層）
前記垂直磁気異方性磁性層の垂直磁気異方性、磁気異方性エネルギー、飽和磁化、核生成磁界等を調整するために、該磁性層の下（該磁性層と、基材との間）に下地層を形成してもよい。
該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｉｒ、Ｍｎのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、化合物で構成される。該下地層の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ等の白金属の金属、合金が好ましい。該下地層は、単層でもよく、多層でもよい。
該下地層は、スパッタリング法等の公知の方法により、形成できる。
該下地層の厚みは、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が更に好ましい。
該下地層の厚みが３０ｎｍを超えると、マスターディスクのパターン上に形成された垂直磁気異方性磁性層の形状が劣化して、転写磁界の分布が悪化し、記録信号の信号品位が劣化する場合がある。
該下地層の厚みが、１ｎｍ未満であると、該磁性層の垂直磁気異方性、磁気異方性エネルギー、飽和磁化、核生成磁界等を制御出来ない場合がある。
【００２７】
（保護層等）
前記垂直磁気異方性磁性層の上に、ダイヤモンドライクカーボン等の保護層を形成してもよい。該保護層の厚みは、通常、１０ｎｍ以下である。更に、該保護層の上に、潤滑剤層を形成してもよい。
【００２８】
〔磁気転写用マスター担体の製造方法〕
本実施形態に係る磁気転写用マスター担体（マスターディスク１０）の製造には、原盤が用いられる。該原盤は、その表面に反転凹凸パターンを有する。該反転凹凸パターンは、磁気転写用マスター担体の凹凸パターンが反転したパターンである。該原盤は、シリコン等の公知の材料からなる。以下、原盤の一製造方法を説明する。
【００２９】
（原盤の製造方法）
図３は、磁気転写用マスター担体の製造に用いられる原盤の製造工程を示す説明図である。
図３（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板（Ｓｉ基板）３０を用意し、この原板３０上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成し（図３（ｂ）参照）、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００３０】
次いで、高精度な回転ステージ、又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板３０をセットし、原板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層３２の略全面に所定のパターン３３、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光（電子線描画）する（図３（ｃ）参照）。
【００３１】
次いで、図３（ｄ）に示されるように、レジスト層３２を現像処理し、露光（描画）部分を除去して、残ったレジスト層３２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。なお、原板３０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光（描画）パターンが反転することになる。この現像処理後、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためのベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００３２】
次いで、図３（ｅ）に示されるように、レジスト層３２の開口部３４より原板３０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましく採用できる。
【００３３】
次いで、図３（ｆ）に示されるように、レジスト層３２を除去する。レジスト層３２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法も採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型（反転凹凸パターン３５）が形成された原盤３６が作製される。
【００３４】
（磁気転写用マスター担体の製造工程）
本実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法は、少なくとも、（１）機能層形成工程、（２）垂直磁気異方性磁性層形成工程、及び（３）電鋳工程、を有する。
【００３５】
＜機能層形成工程＞
前記機能層形成工程は、原盤の反転凹凸パターンの表面に、機能層を形成する工程である。
該機能層とは、磁気転写用マスター担体の製造工程において、原盤の反転凹凸パターンの表面と、垂直磁気異方性磁性層との間に形成される層の総称である。該機能層としては、剥離層、及び垂直磁気異方性付与層がある。
【００３６】
図４は、一実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法を示す説明図である。図４（ｇ）は、原盤３６の反転凹凸パターン３５の表面に、機能層の１種である剥離層３７を形成する工程を示す説明図である。
該剥離層３７は、ＮｉＷからなる。該剥離層３７は、少なくとも反転凹凸パターン３５の凹部表面に形成される。なお、本実施形態においては、反転凹凸パターン３５の凸部表面にも剥離層が形成されている。
該剥離層３７の厚みは、一般的に、２ｎｍ〜２０ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍがより好ましい。
該剥離層３７を形成する方法としては、例えば、スパッタリング法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、イオンプレーティング法等の種々の金属成膜法がある。
【００３７】
図４（ｈ）は、機能層の１種である剥離層３７の上に、更に他の機能層である垂直磁気異方性付与層３８を形成する工程を示す説明図である。
該垂直磁気異方性付与層３８は、磁性層に垂直磁気異方性を付与する層である。
該垂直磁気異方性付与層３８は、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｉのうち、少なくとも１つを含有する金属、合金、化合物で構成される。特に、該垂直磁気異方性付与層３８の材料としては、Ｐｔ、Ｒｕ等の白金属の金属、合金が好ましい。該垂直磁気異方性付与層３８は、単層でもよく、多層でもよい。
該垂直磁気異方性付与層３８の厚みは、１ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲が更に好ましい。
該垂直磁気異方性付与層３８を形成する方法としては、上記剥離層３７を形成する方法と同様、種々の金属成膜法がある。
【００３８】
該機能層は、内部応力（σ）の絶対値が１ＧＰａ以下であることが好ましい。該機能層の内部応力（σ）の絶対値が１Ｇｐａを超えると、該機能層に亀裂等が生じ、破壊が生じることがある。
該内部応力（σ）は、以下の方法により求めることができる。
【００３９】
短冊状（２５ｍｍ×５ｍｍ）に加工した石英超薄片（厚み：５０μｍ）上に、機能層を１００ｎｍ形成する。該機能層形成前後における石英超薄片の変形量から機能層内部応力σを求める。内部応力σは、以下に示されるＳｔｏｎｅｙの式を用いて算出できる。
【００４０】
【数１】
2009238288.tif 000003
【００４１】
Ｓｔｏｎｅｙの式において、Ｅは石英超薄片のヤング率を表し、ｂは該薄片の厚さを表し、Ｘは該薄片の変形量を表し、νは該薄片のポアソン比を表し、ｄは機能層の厚さを表し、λは該薄片の長さを表す。
なお、上記内部応力は１００ｎｍ形成時の値であるため、実際の機能層厚（ｄＦｕ）を用い、σｄＦｕ／１００にて実際の内部応力を算出する。
【００４２】
＜垂直磁気異方性磁性層形成工程＞
垂直磁気異方性磁性層形成工程は、垂直磁気異方性付与層３８の上に、垂直磁気異方性磁性層２０４を形成する工程である。該磁性層２０４は、スパッタリング法等により形成される。図４（ｉ）は、垂直磁気異方性付与層３８の上に、垂直磁気異方性磁性層２０４を形成する工程を示す説明図である。
【００４３】
＜電鋳工程＞
電鋳工程は、垂直磁気異方性磁性層２０４が形成された原盤３６を母型として、凹凸パターン２１０を表面に有する基材を電鋳により形成する工程である。図４（ｊ）は、垂直磁気異方性磁性層２０４が形成された原盤３６を母型として、凹凸パターン２１０を表面に有する基材２０２を電鋳により形成する工程を示す説明図である。
この工程では、電鋳装置の電解液中に原盤３６を浸し、原盤３６を陽極とし、該陽極と陰極（不図示）との間で通電される。通電すると、該母型上に、金属板（基材２０２）が形成される。なお、電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、該金属板に歪みが生じない最適条件で実施されることが求められる。
なお、金属板（基材２０２）が積層された原盤３６は、電解液から取り出され、剥離槽（不図示）内の純水に浸される。該剥離槽内において、金属板を母型である原盤３６から剥離して、原盤３６の凹凸パターン（反転凹凸パターン３５）が反転した、凹凸パターン２１０を有する磁気転写用マスター担体２０が得られる（図４（ｋ）参照）。なお、所定形状の磁気転写用マスター担体２０を得るために、該金属板（基材２０２）は、適宜、円形に加工される。該加工は、後述する機能層除去工程後に行ってもよい。
【００４４】
＜機能層除去工程＞
上記電鋳工程後、母型から引き剥がされた磁気転写用マスター担体２０には、垂直磁気異方性磁性層２０４の他に、垂直磁気異方性付与層３８及び剥離層３７（機能層）が付着している。この機能層は、除去されることが好ましい。
そのため、本実施形態に係る磁気転写用マスター担体の製造方法は、更に、機能層除去工程を有することが好ましい（図５（ｌ）参照）。機能層の除去は、エッチング等により行われる。機能層が除去されると、磁気転写用マスター担体の表面に、非磁性のスペーシングが残らず、明瞭な磁気転写を行うことができる。
【００４５】
＜保護層等形成工程＞
機能層除去工程後、磁気転写用マスター担体の表面に、カーボン等の保護層４０を形成してもよい（図５（ｍ）参照）。該保護層４０の厚みは、一般的に、１０ｎｍ以下とされる。更に、該保護層の上に、潤滑剤層を形成してもよい。
【００４６】
図６は、磁気転写用マスター担体であるマスターディスク２０の上面図である。上記マスター担体の製造方法によれば、図６に示されるような、マスターディスク２０を製造出来る。図６に示されるマスターディスク２０の表面には、凹凸パターンからなるサーボパターン５２が形成されている。
【００４７】
〔垂直磁気記録媒体〕
本発明の磁気転写用マスター担体は、垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写するものである。
図１において示される、スレーブディスク１０は、円盤状の基板の表面の片面、或いは両面に磁性層が形成されたものである。具体的には、高密度ハードディスク等である。このスレーブディスクを例に挙げて、以下、垂直磁気記録媒体の説明を行う。
【００４８】
図７は、スレーブディスク１０の断面を示す説明図である。図７に示されるように、スレーブディスク１０は、ガラス等の非磁性の基板１２上に、軟磁性層（軟磁性下地層：ＳＵＬ）１３、非磁性層（中間層）１４、磁性層（垂直磁気記録層）１６が順次積層形成された構造からなる。該磁性層１６の上には、更に保護層１８及び潤滑層１９が形成されている。
なお、ここでは、基板１２の片面に磁性層１６を形成した例を示したが、基板１２の表裏両面に磁性層を形成する態様も可能である。
【００４９】
円盤状の基板１２は、ガラス、Ａｌ（アルミニウム）等の非磁性材料から構成されている。この基板１２上に軟磁性層１３を形成した後、非磁性層１４及び磁性層１６が形成される。
【００５０】
軟磁性層１３は、磁性層１６の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させるために有益である。軟磁性層１３に用いられる材料としては、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイ等のＦｅＮｉ合金、パーメンジュール等のＦｅＣｏ合金等の軟磁性材料がある。該軟磁性層１３は、ディスクの中心から外側に向かって半径方向に（放射状に）磁気異方性が付けられている。
【００５１】
軟磁性層１３の厚さは、２０ｎｍ〜２，０００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜４００ｎｍであることが更に好ましい。
【００５２】
非磁性層１４は、後に形成する磁性層１６の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の理由により設けられる。非磁性層１４に用いられる材料は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｔａ、Ｐｔ等が好ましい。非磁性層１４は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。非磁性層１４の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが更に好ましい。
【００５３】
磁性層１６は、垂直磁化膜（磁性膜内の磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向したもの）により形成されており、この磁性層１６に情報が記録される。磁性層１６に用いられる材料は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ、ＣｏＰｔ等）、Ｃｏ合金-ＳｉＯ２、Ｃｏ合金-ＴｉＯ２、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が好ましい。これらの材料は、磁束密度が大きく、成膜条件や組成を調整することにより垂直の磁気異方性を有している。磁性層１６は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。磁性層１６の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【００５４】
本実施形態では、スレーブディスク１０の基板１２として、外形６５ｍｍの円盤状のガラス基板を用い、スパッタリング装置のチャンバー内にガラス基板を設置し、１．３３×１０−５Ｐａ（１．０×１０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧した後、チャンバー内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入し、チャンバー内にあるＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、同じくチャンバー内の基板の温度を室温として、８０ｎｍ厚のＳＵＬ第１層をスパッタリング成膜する。次にその上に、チャンバー内にあるＲｕターゲットを用いて０.８ｎｍのＲｕ層をスパッタリング成膜する。さらにその上に、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、８０ｎｍ厚のＳＵＬ第２層をスパッタリング成膜する。こうしてスパッタ成膜されたＳＵＬを、半径方向に５０Ｏｅ以上の磁場を印加した状態で２００℃まで昇温し室温に冷却する。
【００５５】
次に、Ｒｕターゲットを用い、基板温度が室温の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＲｕからなる非磁性層１４を６０ｎｍ成膜する。
【００５６】
この後、上記と同様にＡｒガスを導入し、加えて酸素ガスも導入し、同じチャンバー内にあるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２ターゲットを用い、同じく基板温度が室温の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＣｏＣｒＰｔ-ＳｉＯ２からなるグラニュラー構造の磁性層１６を２５ｎｍ成膜する。
【００５７】
以上のプロセスにより、ガラス基板に、軟磁性層、非磁性層と磁性層が成膜された転写用磁気ディスク（スレーブディスク）１０を作製できる。
【００５８】
〔磁気転写方法〕
以下、磁気転写用マスター担体を用いて、垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する方法を説明する。
本発明の磁気転写方法は、初期化工程、密着工程、及び磁気転写工程を有する。以下、図１等を用いて、一実施形態に係る磁気転写方法を説明する。
【００５９】
＜初期磁化工程＞
図１（ａ）に示されるように、スレーブディスク１０の初期磁化（直流磁化）は、スレーブディスク１０の表面に対し垂直に直流磁界を印加できる装置（不図示の磁界印加手段）により初期化磁界Ｈｉを発生させることにより行う。具体的には、初期化磁界Ｈｉとしてスレーブディスク１０の保磁力Ｈｃ以上の強度の磁界を発生させることにより行う。この初期磁化工程により、図８に示されるように、スレーブディスク１０の磁性層１６について、ディスク面と垂直な一方向に初期磁化Ｐｉさせる。なお、この初期磁化工程は、スレーブディスク１０を磁界印加手段に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
【００６０】
＜密着工程＞
次に、マスターディスク２０と、初期磁化工程後のスレーブディスク１０とを図１（ｂ）のように重ね合わせて両者を密着させる工程（密着工程）を行う。図１（ｂ）に示されるように、密着工程では、マスターディスク２０の突起状パターン（凹凸パターン）の形成されている面と、スレーブディスク１０の磁性層１６の形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。
【００６１】
スレーブディスク１０には、マスターディスク２０に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００６２】
なお、密着工程は、図１（ｂ）に示すように、スレーブディスク１０の片面のみにマスターディスク２０を密着させる場合と、両面に磁性層が形成された転写用磁気ディスクについて、両面からマスターディスクを密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００６３】
＜磁気転写工程＞
次に、図１（ｃ）に基づき磁気転写工程を説明する。上記密着工程によりスレーブディスク１０とマスターディスク２０とを密着させたものについて、不図示の磁界印加手段により初期化磁界Ｈｉの向きと反対方向に記録用磁界Ｈｄを発生させる。記録用磁界Ｈｄを発生させることにより生じた磁束がスレーブディスク１０とマスターディスク２０に進入することにより磁気転写が行われる。
【００６４】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄの大きさは、スレーブディスク１０の磁性層１６を構成する磁性材料のＨｃと略同じ値である。
【００６５】
磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０を密着させたものを不図示の回転手段により回転させつつ、磁界印加手段によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク２０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写する。なお、この構成以外にも、磁界印加手段を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００６６】
磁気転写工程における、スレーブディスク１０とマスターディスク２０の断面の様子を図９に示す。図９に示されるように、凹凸パターンを有するマスターディスク２０をスレーブディスク１０が密着させた状態で、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束Ｇは、マスターディスク２０の凸領域とスレーブディスク１０が接触している領域では強く、記録用磁界Ｈｄにより、マスターディスク２０の磁性層４８の磁化向きが記録用磁界Ｈｄの方向に揃い、スレーブディスク１０の磁性層１６に磁気情報が転写される。一方、マスターディスク２０の凹領域は、記録用磁界Ｈｄの印加によって生じる磁束Ｇが凸領域に比べて弱く、スレーブディスク１０の磁性層１６の磁化の向きが変わることはなく、初期磁化の状態を保ったままである。
【００６７】
図１０は、磁気転写に用いられる磁気転写装置について詳細に示したものである。磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有するものであり、このコイル６３に電流を流すことによりギャップ６４において、密着させたマスターディスク２０とスレーブディスク１０の磁性層１６に対し垂直に磁界を発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、この磁気転写装置によって、スレーブディスク１０の初期磁化を行うことも、磁気転写を行うことも可能である。
【００６８】
この磁気転写装置により初期磁化させた後、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段６０のコイル６３に、初期磁化したときにコイル６３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。これにより、初期磁化の際の磁化向きとは反対の向きに記録用磁界を発生させることができる。磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段６０によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク２０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写するため、不図示の回転手段が設けられている。なお、この構成以外にも、磁界印加手段６０を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００６９】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄは、本実施の形態に用いられるスレーブディスク１０の磁性層１６の保磁力Ｈｃの４０〜１３０％、好ましくは、５０〜１２０％の強度の磁界を印加することにより磁気転写を行う。
【００７０】
これにより、スレーブディスク１０の磁性層１６には、サーボ信号等の磁気パターンの情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となる記録磁化Ｐｄとして記録される（図１１参照）。
【００７１】
なお、上述した本発明の実施形態に係る方法により製造された垂直磁気記録媒体は、例えば、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に組み込まれて使用される。これにより、サーボ精度が高く、良好な記録再生特性の高記録密度磁気記録再生装置を得ることができる。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００７３】
〔実施例１〕
〔磁気転写用マスター担体（マスターディスク）の作製〕
（原盤作製）
【００７４】
８インチのＳｉウェハー（シリコン基板）上に、電子線レジストをスピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、基板上の該レジストを、回転式電子線露光装置を用いて露光し、露光後の該レジストを現像して、凹凸パターンを有するレジストＳｉ基板を作製した。
その後、該レジストをマスクとして用い、該基板に対して、反応性エッチング処理を行い、凹凸パターンの凹部を掘り下げた。該エッチング処理後、該基板上に残存するレジストを可溶溶剤で洗浄し、除去した。除去後、該基板を乾燥したものを、磁気転写用マスター担体を調製するための原盤とした。
なお、本実施例１で用いたパターンは、基準信号長：８０ｎｍ、総セクタ数：１２０、プリアンブル（４０ｂｉｔ）／ＳＡＭ（６ｂｉｔ）／ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ（８ｂｉｔ）／ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ（３２ｂｉｔ）／Ｂｕｒｓｔパターンで構成されている。該ＳＡＭ部は、“００１０１０”であり、ＳｅｃｔｏｒがＢｉｎａｒｙ、ＣｙｌｉｎｄｅｒはＧｒａｙ変換を用いている。Ｂｕｒｓｔ部は一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。マンチェスター変換を使用した。
【００７５】
（メッキ法によるマスター担体の作製）
上記原盤上に、スパッタリング法を用いて、ＮｉＷ１０ａｔ％の層（剥離層）をアルゴン圧力１Ｐａ条件下、５ｎｍ形成した。該剥離層上に、スパッタリング法を用いて、Ｐｔ層（垂直磁気異方性付与層）をアルゴン圧力１Ｐａ条件下、５ｎｍ形成し、更に、該Ｐｔ層上に、スパッタリング法を用いて、Ｒｕ層（垂直磁気異方性付与層）をアルゴン圧力２Ｐａ条件下、１０ｎｍ形成した。Ｒｕ層を形成した後、スパッタリング法を用いて、該Ｒｕ層上に、ＣｏＰｔ２０ａｔ％の層（磁性層）を４０ｎｍ形成した。その後、剥離層、Ｐｔ層、Ｒｕ層及び磁性層が形成された原盤を、スルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、２００μｍの厚みのＮｉ膜を形成した。その後、原盤より、Ｎｉ膜を引き剥がした。原盤より、Ｎｉ膜を引き剥がした際、該Ｎｉ膜の表面には、磁性層の他に、Ｐｔ層、Ｒｕ層及び剥離層が付着している。そのため、Ｎｉ膜を引き剥がした後、エッチング、洗浄して、剥離層等の他の層を除去した。以上のようにして、表面に磁性層を有するＮｉ膜（マスター担体）を得た。
【００７６】
〔垂直磁気記録媒体の作製〕
２．５インチのガラス基板上に、スパッタリング法を用いて、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層及び保護層を、この順に形成した。更に、該保護層の上に、ディップ法により潤滑剤層を形成した。
軟磁性層の材料として、ＣｏＺｒＮｂを用いた。該軟磁性層の厚みは、１００ｎｍであった。ガラス基板をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．６Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１５００Ｗで成膜した。
第１非磁性配向層としてＴｉ：５ｎｍ、第２非磁性配向層としてＲｕ：６ｎｍを形成した。
第１非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるように、Ｔｉシード層を成膜した。第１非磁性配向層形成後にＲｕターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．８Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ９００Ｗで放電し、６ｎｍの厚さになるように第２非磁性配向層を成膜した。
磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ：１８ｎｍを形成した。ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、Ｏ２を０．０６％含むＡｒガスを１４Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ２９０Ｗで放電し磁気記録層を作製した。
磁気記録層を形成した後に、Ｃ（カーボン）ターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１０００Ｗで放電し、１０００Ｗで放電し、Ｃ保護層（４ｎｍ）を形成した。この記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
更に、該媒体にディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布した。
以上のようにして、垂直磁気記録媒体を調製した。
【００７７】
（磁気転写工程）
上記垂直磁気記録媒体に対して、初期化を行った。初期化の際に印加する磁界の強度（初期磁界強度）は１０ｋＯｅであった。
初期化済み垂直磁気記録媒体に対して、上記マスター担体を対向して配置し、これらを０．７ＭＰａの圧力にて密着させた。互いに密着した状態で、磁界を印加して、磁気転写を行った。磁気転写に用いた磁界強度は４．６ｋＯｅであった。磁界印加終了後、マスター担体を、垂直磁気記録媒体から剥離した。
【００７８】
〔評価〕
（垂直磁気異方性）
実施例１のマスター担体の剥離層、Ｐｔ層、Ｒｕ層及び磁性層と同じものを、実施例１と同じ条件で、ガラス基板（２．５インチ）上に形成した。該ガラス基板上に形成された試料を、５ｍｍ×８ｍｍのサイズに切り出した。その切り出した試料に対し、振動試料型磁力計（東英工業社製、ＶＳＭ−Ｃ７）を用いて、面内方向及び垂直方向に磁界を印加し、その試料の磁化曲線の測定を行った。得られた磁化曲線に基づいて、転写磁界と同値の外部印加磁界強度での面内磁化曲線の磁化値（Ｍｉｎ）、垂直磁化曲線の磁化値（Ｍｐｅ）を算出した。Ｍｐｅ／Ｍｉｎが０．４〜２．０の範囲であれば、垂直磁気異方性を有していると判断した。
実施例１の結果は、１．９であり、垂直磁気異方性を有するものであった。結果を、表１に示した。
【００７９】
（磁性層の粒子状態）
磁気転写用マスター担体を製造する工程において、原盤上に、剥離層、Ｐｔ層、Ｒｕ層及び磁性層を形成した後、該磁性層に対し、収束イオンビーム（ＦＩＢ）（セイコーインスツル社製、ＦＩＢ−２０００）を照射して、超薄切片を得た。該切片を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）（日立製作所製  Ｈ−９０００）用いて、観察した。
ＴＥＭで観察画像を撮影し、その観察画像を、画像処理ソフトを用いて処理して、磁性層の結晶柱径（ＭＣＤ）、及び結晶柱間の距離（ＭＩＤ）を算出した。ＭＣＤが３０ｎｍ以下であれば、磁性層が微結晶構造を取っていると判断し、ＭＩＤが２ｎｍ以下であれば、磁性層が緻密状態にあると判断した。
実施例１の結果は、ＭＣＤが１５ｎｍであり、ＭＩＤが０．５ｎｍであった。結果を、表１に示した。
【００８０】
（機能層内部応力）
短冊状（２５ｍｍ×５ｍｍ）に加工した石英超薄片（厚み：５０μｍ）上に、機能層を１００ｎｍ形成した。該機能層形成前後における石英超薄片の変形量から機能層内部応力σを求めた。内部応力σは、以下に示されるＳｔｏｎｅｙの式を用いて算出した。
【００８１】
【数１】
2009238288.tif 000004
【００８２】
Ｓｔｏｎｅｙの式において、Ｅは石英超薄片のヤング率を表し、ｂは該薄片の厚さを表し、Ｘは該薄片の変形量を表し、νは該薄片のポアソン比を表し、ｄは機能層の厚さを表し、λは該薄片の長さを表す。
なお、上記内部応力は１００ｎｍ形成時の値であるため、実際の機能層厚（ｄＦｕ）を用い、σｄＦｕ／１００にて実際の内部応力を算出した。
実施例１の結果、内部応力は、０．５ＧＰａであった。結果を、表１に示した。
【００８３】
（マスターディスク耐久性）
同一のマスターディスク（磁気転写用マスター担体）及びスレーブディスクを用い、１０，０００回の疑似転写密着試験を行った。疑似密着試験の密着圧力は、１Ｐａに設定した。
疑似密着試験後のマスターディスクを用い、１００枚の垂直磁気記録媒体に対して磁気転写を実施した。磁気転写後の媒体表面を光学式検査装置（日立電子エンジニアリング社製  ＲＳ−１３５０）を用いて、表面欠陥数を計測した。
１枚の磁気転写媒体において欠陥計測数が３個以上であれば、欠陥品であると判断し、欠陥品判断の媒体が５／１００枚以上であれば、耐久性がない（×）と判断し、２〜４／１００枚であれば、耐久性がある（△）と判断し、１／１００枚以下であれば、耐久性に優れる（○）と判断した。
実施例１のマスターディスクの耐久性の評価は、○であった。結果は表１に示した。
【００８４】
（サーボ信号品位）
磁性層加工後の垂直磁気記録媒体において、プリアンブル部のＴＡＡ（Ｔｒａｃｋ  Ａｖｅｒａｇｅ  Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ）再生出力を全セクタ分検出した。評価装置としては、協同電子社製ＬＳ−９０を用いた。磁気ヘッドとして、リード巾１２０ｎｍ、ライト巾２００ｎｍのＧＭＲヘッドを用いた。
半径２０ｍｍ〜３２ｍｍの領域を、１ｍｍ間隔で測定し、プリアンブル部の全平均Ｓ／Ｎ（ＰＳ／Ｎ）を算出した。同様な半径位置において、同一ビット長の信号を記録し、参照用のＳ／Ｎを算出した（ＨＳ／Ｎ）。（ＰＳ／Ｎ）／（ＨＳ／Ｎ）の比率を算出し、この比率が９５％以上であれば、サーボ信号品位に優れる（○）と判断し、８５％以上９５％未満であれば、サーボ信号品位がある（△）と判断し、８５％未満であれば、サーボ信号品位がない（×）と判断して、サーボ信号品位を評価した。
実施例１の該比率は１０５％であり、サーボ信号品位に優れるものであった。結果は表１に示した。
【００８５】
（サーボＰＥＳ）
上記サーボ信号品位の評価と併せて、サーボＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｅｒｒｏｒ  Ｓｉｇｎａｌ）評価を行った。評価装置としては、アイメス社製ＢｉｔＦｉｎｄｅｒを用いた。評価の際、ＶＣＭモードに設定し、該装置に上記ＧＭＲヘッドを装着して、サーボフォローイングの評価を行った。サーボＰＥＳの評価は、サーボフォロー状態でのＰＥＳを測定することにより行った。５０周分の各セクタのＰＥＳ測定値から標準偏差（σ）を算出し、３σ値がトラックピッチ（ＴＰ）の１５％未満であれば、サーボＰＥＳに優れる（○）と判断し、１５％以上であれば、サーボＰＥＳが劣る（×）と判断した。
実施例１の結果、３σ値が６％であり、サーボＰＥＳに優れるものであった。結果は表１に示した。
【００８６】
〔実施例２〕
機能層をＴａに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。
作製した実施例２のマスター担体について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１に示した。
【００８７】
〔実施例３〕
機能層をＮｉＡｌに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。
作製した実施例３のマスター担体について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１に示した。
【００８８】
〔実施例４〕
機能層形成時のアルゴン圧力を０．０５Ｐａに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。
作製した実施例４のマスター担体について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１に示した。
【００８９】
〔実施例５〕
機能層をＰｔに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。
作製した実施例５のマスター担体について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１に示した。
【００９０】
〔実施例６〕
磁性層を、（ＣｏＰｔ２０ａｔ％）＿８８−ＳｉＯ２＿１２ｖｏｌ％に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。
作製した実施例６のマスター担体について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１に示した。
【００９１】
〔比較例１〕
剥離層及び垂直磁気異方性付与層を形成せず、原盤上に磁性層（ＦｅＣｏ２０ａｔ％）を４０ｎｍ、直接形成したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。
作製した比較例１のマスター担体について、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１に示した。
【００９２】
〔比較例２〕
剥離層をＮｉに変更したこと以外は、実施例１と同様にして、マスター担体を作製した。評価結果は、表１に示した。
【００９３】
【表１】
2009238288.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】図１は、垂直磁気記録転写方法の工程を示す説明図である。
【図２】図２は、マスターディスクの部分断面図である。
【図３】図３は、マスターディスクの製造方法を示す説明図である。
【図４】図４は、マスターディスクの製造方法を示す説明図
【図５】図５は、マスターディスクの製造方法を示す説明図である。
【図６】図６は、マスターディスクの上面図である。
【図７】図７は、スレーブディスクの断面を示す説明図である。
【図８】図８は、初期磁化工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示す説明図である。
【図９】図９は、磁気転写工程を示す説明図である。
【図１０】図１０は、磁気転写工程に用いる磁気印加装置の概略構成図である。
【図１１】図１１は、磁気転写工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９５】
１０  スレーブディスク（垂直磁気記録媒体）
２０  マスターディスク（磁気転写用マスター担体）
３５  反転凹凸パターン
３６  原盤
３７  剥離層（機能層）
３８  垂直磁気異方性付与層（機能層）
２０２  基材
２０４  垂直磁気異方性磁性層  
２１０  凹凸パターン
【図１】
2009238288.tif 000006
【図２】
2009238288.tif 000007
【図３】
2009238288.tif 000008
【図４】
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【図５】
2009238288.tif 000010
【図６】
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【図７】
2009238288.tif 000012
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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