(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】第１電極層１３と、第１電極層１３と間を空けて併設されるコンタクト電極層１１と、第１電極層１３の端部上からコンタクト電極層１１の端部上にかけて形成され、コンタクト電極層１１との間に隙間Ｇを有する絶縁物１７と、を備えた基板２を準備する工程と、第１電極層１３上から絶縁物１７上にかけて電荷注入層１４を形成する工程と、電荷注入層１４に熱を加えて、電荷注入層１４の一部を流動させ、隙間Ｇに電荷注入層１４を充填する工程と、第１電極層１３上に位置する電荷注入層１４上に、有機発光層１５を形成する工程と、有機発光層１５上から絶縁物１７上を介してコンタクト電極層１１上にかけて、第２電極層１６を形成する工程と、を備えた有機ＥＬディスプレイ１の製造方法。【選択図】図３
2009110776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記コンタクト電極層の一部を露出し、前記コンタクト電極層との間に隙間を有する絶縁物と、を備えた基板を準備する工程と、
前記第１電極層上から前記絶縁物上にかけて電荷注入層を形成する工程と、
前記電荷注入層に熱を加えて、前記電荷注入層の一部を流動させ、前記隙間に前記電荷注入層を充填する工程と、
前記第１電極層上に位置する前記電荷注入層上に、有機発光層を形成する工程と、
前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて、第２電極層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
前記電荷注入層は、前記電荷注入層を構成する材料を蒸発する蒸着源を用いて蒸着法によって形成されるものであって、
前記電荷注入層を形成する工程の前に、
前記第１電極層及び前記コンタクト電極層の周囲を取り囲む絶縁体を形成する工程を備え、
前記電荷注入層を形成する工程にて、前記絶縁体が、前記蒸着源から蒸発する前記電荷注入層を構成する材料から、前記コンタクト電極層を遮蔽した状態で、前記蒸着源から前記電荷注入層を構成する材料を蒸発させて、前記第１電極層上に前記電荷注入層を形成することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
前記絶縁体は、上部よりも下部が幅狭に形成されており、
前記絶縁体の上面が前記蒸着源から蒸発した前記電荷注入層を構成する材料から前記コンタクト電極層を遮蔽することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法において、
前記電荷注入層を形成する工程では、前記絶縁体が、前記蒸着源と前記コンタクト電極層との間に配置されていること特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項５】
第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層及び前記コンタクト電極層の周囲を取り囲むように形成される絶縁体と、を備えた基板と準備する工程と、
前記第１電極層上に電荷注入層を形成する工程と、
を備えた有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
前記電荷注入層は、前記電荷注入層を構成する材料を蒸発する蒸着源を用いて蒸着法によって形成されるものであり、
前記電荷注入層を形成する工程は、前記絶縁体が前記蒸着源と前記コンタクト電極層との間に配置されており、前記絶縁体が前記蒸着源から蒸発する前記電荷注入層を構成する材料から前記コンタクト電極層上を遮蔽した状態で、前記蒸着源が前記電荷注入層を構成する材料を蒸発し、前記第１電極層上に前記電荷注入層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイは、薄型、広視野角、低消費電力、優れた動画表示特性などの特色を有しており、複数個の画素をマトリックス状に配列して構成されたものが従来から知られている。
【０００３】
かかる画素には、有機ＥＬ素子が設けられており、有機ＥＬ素子は、素子基板上に形成される第１電極層と、第１電極層上に形成される有機発光層と、有機発光層上に形成される第２電極層と、から構成されている。なお、有機発光層は、有機材料から成る電荷注入層等の複数の層から構成されているものが一般的に用いられている。
【０００４】
有機発光層は、第１電極層及び第２電極層に電圧を加えて、第１電極層及び第２電極層から有機発光層に正孔及び電子を注入し、有機発光層中で正孔と電子が再結合することで、放出されるエネルギーの一部が有機発光層中の発光分子を励起する。そして、有機発光層は、その励起された発光分子が基底状態に戻るときにエネルギーを放出して光を発する。
【０００５】
また、第２電極層は、第１電極層と間を空けて形成されるコンタクト電極層と電気的に接続されたものが開示されている（下記特許文献１参照）。特許文献１に示すように、第１電極層とコンタクト電極層との間には、両者が電気的に短絡しないように絶縁物が形成されている。さらに、その後、有機ＥＬ素子を形成するために、第１電極層上に有機発光層を、蒸着マスクを用いて塗り分けて形成している。
【特許文献１】特開２００４−１１９２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、絶縁物とコンタクト電極層との間には隙間が形成されることがあり、第２電極層が絶縁物上からコンタクト電極層上に形成されると、その隙間による段差によって第２電極層が断線することがある。その結果、コンタクト電極層と第２電極層との間の電気的接続が不安定になり、有機ＥＬ素子が発光しないことがある。
【０００７】
また、有機ＥＬ素子を形成するために、第１電極層上に電荷注入層を形成する工程が存在するが、コンタクト電極層上に電荷注入層を構成する材料が被着しないように蒸着マスクを用いており、製造工程が煩雑化している。
【０００８】
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、製造工程を単純化することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層の端部上から前記コンタクト電極層の端部上にかけて形成され、且つ前記第１電極層の一部と前記コンタクト電極層の一部を露出し、前記コンタクト電極層との間に隙間を有する絶縁物と、を備えた基板を準備する工程と、前記第１電極層上から前記絶縁物上にかけて電荷注入層を形成する工程と、前記電荷注入層に熱を加えて、前記電荷注入層の一部を流動させ、前記隙間に前記電荷注入層を充填する工程と、前記第１電極層上に位置する前記電荷注入層上に、有機発光層を形成する工程と、前記有機発光層上から前記絶縁物上を介して前記コンタクト電極層上にかけて、第２電極層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記電荷注入層が、前記電荷注入層を構成する材料を蒸発する蒸着源を用いて蒸着法によって形成されるものであって、前記電荷注入層を形成する工程の前に、前記第１電極層及び前記コンタクト電極層の周囲を取り囲む絶縁体を形成する工程を備え、前記電荷注入層を形成する工程にて、前記絶縁体が、前記蒸着源から蒸発する前記電荷注入層を構成する材料から、前記コンタクト電極層を遮蔽した状態で、前記蒸着源から前記電荷注入層を構成する材料を蒸発させて、前記第１電極層上に前記電荷注入層を形成することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記絶縁体が、上部よりも下部が幅狭に形成されており、前記絶縁体の上面が前記蒸着源から蒸発した前記電荷注入層を構成する材料から前記コンタクト電極層を遮蔽することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、前記電荷注入層を形成する工程では、前記絶縁体が、前記蒸着源と前記コンタクト電極層との間に配置されていること特徴とする。
【００１３】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、第１電極層と、前記第１電極層と間を空けて併設されるコンタクト電極層と、前記第１電極層及び前記コンタクト電極層の周囲を取り囲むように形成される絶縁体と、を備えた基板と準備する工程と、前記第１電極層上に電荷注入層を形成する工程と、を備えた有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、前記電荷注入層は、前記電荷注入層を構成する材料を蒸発する蒸着源を用いて蒸着法によって形成されるものであり、前記電荷注入層を形成する工程は、前記絶縁体が前記蒸着源と前記コンタクト電極層との間に配置されており、前記絶縁体が前記蒸着源から蒸発する前記電荷注入層を構成する材料から前記コンタクト電極層上を遮蔽した状態で、前記蒸着源が前記電荷注入層を構成する材料を蒸発し、前記第１電極層上に前記電荷注入層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁物とコンタクト電極層との間にて、第２電極層が断線するのを抑制することによって、コンタクト電極層と第２電極層との電気的接続を安定にすることができる有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。また、製造工程を単純化することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の平面図である。図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の平面図である。また、図３（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの画素の拡大断面図である。図３（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁物とコンタクト電極層との間の拡大断面図である。
【００１６】
有機ＥＬディスプレイ１は、図１に示すように、テレビ等の家電機器、携帯電話又はコンピュータ機器等の電子機器に用いるものであり、基板としての素子基板２と、素子基板２上に複数の画素３と、かかる画素３の発光を制御する駆動ＩＣ４と、を含んで構成されている。
【００１７】
素子基板２は、例えばガラスやプラスチックから成り、素子基板２の中央に位置する表示領域Ｄ１には、マトリックス状に配列された複数の画素３が形成されている。また、素子基板２の端部に位置する非表示領域Ｄ２には、駆動ＩＣ４が実装されている。
【００１８】
画素３は、図２に示すように、発光領域Ｒ１とコンタクト領域Ｒ２とを含んで構成されており、発光領域Ｒ１に発光可能な有機ＥＬ素子５が設けられている。なお、各画素３は、絶縁体６によって仕切られている。絶縁体６は、後述する絶縁物１７上に形成され、画素３を取り囲むように配置されている。絶縁体６は、上部よりも下部が幅狭であって、例えばフェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料から成る。
【００１９】
また、画素３は、赤色、緑色、青色のいずれかの色を発光することができる。このことは、後述するように有機ＥＬ素子５を構成する有機材料を選択することによって、発光する色を決定することができる。
【００２０】
また、素子基板２上には、素子基板２に対して対向するように配置された封止基板７が形成されている。封止基板７は透明の基板から成り、例えばガラスやプラスチックを用いることができる。
【００２１】
さらに、素子基板２の表示領域Ｄ１には、表示領域Ｄ１を被覆するようにシール材８が形成されており、素子基板２と絶縁体６と封止基板７とシール材８によって各画素３を密封している。なお、シール材８は、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂又はシリコン樹脂等の光硬化性又は熱硬化性の樹脂を用いることができる。好ましくは、紫外線の照射により硬化する光硬化性のエポキシ樹脂を採用する。
【００２２】
次に、図３に示すように、素子基板２と封止基板７との間に形成される各種層について説明する。素子基板２上には、ＴＦＴや電気配線が形成されている回路層９と、回路層９上に回路層９を外部と電気的に絶縁するための窒化珪素等から成る絶縁層１０が形成されている。なお、回路層９の一部と、後述するコンタクト電極層１１とが電気的に接続されている。また、絶縁層１０上には、回路層９や絶縁層１０の凹凸を低減するための平坦化膜１２が形成されている。かかる平坦化膜１２は、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂等の絶縁性を有する有機材料を用いることができる。なお、平坦化膜１２の厚みは、例えば２μｍ以上、５μｍ以下に設定されている。
【００２３】
また、平坦化膜１２には、平坦化膜１２を貫通するコンタクトホールＳが形成されている。かかるコンタクトホールＳは、上部よりも下部が幅狭に形成されている。さらにコンタクトホールＳの内周面から平坦化膜１２の上面にかけて、例えば銅やアルミニウム等の導電材料から成るコンタクト電極層１１が形成されている。
【００２４】
さらに、平坦化膜１２上には、有機ＥＬ素子５が形成されている。有機ＥＬ素子５は、第１電極層１３と、第１電極層１３上に形成された電荷注入層１４と、電荷注入層１４上に形成された有機発光層１５と、有機発光層１５上に形成された第２電極層１６と、を含んで構成されている。
【００２５】
第１電極層１３は、平坦化膜１２上に形成されるとともに、コンタクト電極層１１と間を空けて併設されている。第１電極層１３は、例えばアルミニウム、銀、銅、金又はロジウム等の金属、又はこれらの合金等の光反射率の大きい材料から成る。このように、第１電極層１３を光反射率の大きい材料から構成することにより、トップエミッション型の有機ＥＬ素子５においては光取り出し効率を向上させることができる。なお、第１電極層１３の厚みは、例えば５０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下に設定されている。
【００２６】
絶縁物１７は、平面視してコンタクト領域Ｒ２を取り囲むように形成されている。また、絶縁物１７は、断面視して第１電極層１３の端部上からコンタクト電極層１１の端部上にかけて形成されている。絶縁物１７は、その絶縁物１７の端部の一部が第１電極層１３と第２電極層１６との間に介在され、両者の短絡を防止している。なお、第１電極層１３の端部及びコンタクト電極層１１の端部とは、絶縁物１７の少なくとも一部が形成されうる箇所をいう。なお、絶縁物１７は、フェノール樹脂、アクリル樹脂又はポリイミド樹脂等の有機絶縁材料や、窒化珪素等の無機絶縁材料から成る。
【００２７】
また、絶縁物１７には、図３（Ｂ）に示すように、コンタクト電極層１１と間を空けるように隙間Ｇが形成されることがある。隙間Ｇは、例えば、絶縁物１７とコンタクト電極層１１との接着性が十分でない場合に発生すると考えられる。隙間Ｇの高さは、コンタクト電極層１１と絶縁物１７との間が最も空いている箇所においては、例えば５０ｎｍ以上空いていることがある。隙間Ｇが、絶縁物１７上からコンタクト電極層１１上にかけて形成される第２電極層１６の厚みよりも大きいと、第２電極層１６が断線することがある。後述するように、本発明の実施形態によれば、コンタクト電極層１１上に被着する電荷注入層１５を構成する材料を隙間Ｇに流入させることによって、第２電極層１６が断線するのを効果的に抑制することができる。
【００２８】
電荷注入層１４は、第１電極層１３の中央領域上から絶縁物１７上にかけて形成されている。第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みは、有機ＥＬ素子が発する光が屈折率や厚みに依存するため、所定の厚みに設計されている。また、コンタクト電極層１１上に電荷注入層１４が厚く形成されると、電荷注入層１４は有機材料から成るため電気抵抗が大きく、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間に印加する電圧が大きくなり、消費電力が増加してしまう。そのため、後述するような異方性蒸着法を用いて、コンタクト電極層１１の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みを、第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みよりも薄く形成することもできる。なお、第１電極層１３の中央領域とは、有機発光層１５が形成される領域をいう。また、コンタクト電極層１１の中央領域とは、コンタクト電極層１１と第２電極層１６とが電気的に接続される流域をいう。なお、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間に被着する電荷注入層の厚みは、例えば３０ｎｍ以下に形成されている。また、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗は、例えば１×１０７Ω以下に設定されている。
【００２９】
かかる電荷注入層１４は、例えばＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス[Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ]ビフェニル（α−ＮＰＤ）等 の芳香族ジアミン化合物、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、テトラヒドロイミダゾール、 ポリアリールアルカン、ブタジエン、および４，４’，４”−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等のスターバースト芳香族やアミン化合物を用いることができる。なお、第１電極層１３の中央領域上に形成される電荷注入層１４の厚みは、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下に設計されている。
【００３０】
有機発光層１５は、例えばＣＢＰ、Ａｌｑ３又はＳＤＰＶＢｉ等の発光樹脂、またはこれらにＤＣＪＴＢ、クマリン、キナクリドン、スチリルアミン又はペルリン等の添加物を含有したものを用いることができる。なお、有機発光層１５と第２電極層１６との間に、例えばα‐ＮＰＤ又はＴＰＤ等の輸送層、酸化ニッケル、酸化チタン、フッ化炭素又はＣｕＰｃ等の注入層を、介在させることができる。
【００３１】
第２電極層１６は、光と透過する導電材料から、有機発光層１５上から絶縁物１７上まで延在されており、該延在部がコンタクト電極層１１と直接接続されている。第２電極層１６は、例えばＩＴＯ又はＩＺＯ等の透明電極や、プラチナ、金、ニッケル、銀又は銅や、これらの合金から成る。
【００３２】
以下に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１の製造方法について、図４から図９を用いて詳細に説明する。なお、図７（Ｂ）、図８（Ｂ）及び図９（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイ１を製造するための工程を説明するために、簡略化した図面を用いている。
【００３３】
まず、回路層９と、絶縁層１０とを上面に有する素子基板２を準備する。なお、回路層９及び絶縁層１０は、従来周知のＣＶＤ法、スパッタリング法やフォトリソグラフィー法等の薄膜加工技術を用いて、所定パターンに形成される。
【００３４】
そして、図４（Ａ）に示すように、回路層９及び絶縁層１０を被覆するように例えば従来周知のスピンコート法を用いて、有機樹脂膜１２ａを形成する。なお、有機樹脂膜１２ａは、硬化後に平坦化膜１２となる。
【００３５】
次に、有機樹脂膜１２ａ上に露光マスクを用いて有機樹脂膜１２ａを露光し、さらに現像、ベーキング処理を行い、図４（Ｂ）に示すように、回路層９の一部を露出させて、上部よりも下部が幅狭なコンタクトホールＳを有する平坦化膜１２を形成する。その後、平坦化膜１２上に、例えばアルミニウムから成る金属膜を形成する。そして、図４（Ｃ）に示すように、露出した金属膜に対して、従来周知のエッチング方法を行うことで、パターニングして、第１電極層１３及びコンタクト電極層１１を同時に形成することができる。
【００３６】
次に、図５（Ａ）に示すように、例えばスピンコート法を用いて、第１電極層１３、コンタクト電極層１１及び露出した平坦化膜１２上に、絶縁物１７となりうる有機絶縁材料を被着し、有機絶縁材料層１７ａを形成する。そして、図５（Ｂ）に示すように、有機絶縁材料層１７ａに対してフォトマスクＭ１を対向させるとともに、フォトマスクＭ１の開口Ｈ１箇所が、平面視してエッチングする有機絶縁材料層１７ａの領域と重なるように配置する。そして、フォトマスクＭ１の開口Ｈ１を介して、有機絶縁材料層１７ａに光を照射する。なお、光が照射された有機絶縁材料層１７ａの露光箇所は、１７ｍとする。そして、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）等の現像液によって、有機絶縁材料層１７ａの露光箇所１７ｍを取り除く。その結果、図６（Ａ）に示すように、素子基板２上に絶縁体１７を形成することができる。次に、図６（Ｂ）に示すように、絶縁物１９上に、従来周知の薄膜加工技術を用いて、上部よりも下部が幅狭な絶縁体６を形成する。かかる絶縁体６は、各画素３を取り囲むように形成される。
【００３７】
絶縁体１７を形成する際、例えば、現像液によって、絶縁体１７とコンタクト電極層１１との間に、現像液が滲みこんで隙間が形成されることがある。また、環境温度の変化によって、絶縁体１７が収縮して、絶縁体１７とコンタクト電極層１１との間で、隙間が生じることがある。さらに、コンタクト電極層１１と絶縁体１７との間に、コンタクト電極層１１の表面を保護するためのモリブデン等の保護膜を介在させていた場合、保護膜と絶縁体１７との密着力が弱く、絶縁体１７の端部に隙間が形成されることがある。上述したように、かかる隙間によって、絶縁体１７上からコンタクト電極層１１上にかけて形成される第２電極層１６が断線する虞がある。そこで、図７（Ａ）に示すように、第１電極層１３上に形成される電荷注入層１４を、絶縁体１７上からコンタクト電極層上１１にかけて形成し、電荷注入層１４の一部を隙間に充填することによって、第２電極層１６の断線の問題を事前に防止することができる。具体的な問題解決方法としては、まずは、第１電極層１３上から絶縁体１７上を介してコンタクト電極層１１上にかけて電荷注入層１４を形成する。さらに、電荷注入層１４に対して、電荷注入層１４を構成する材料のガラス転移点以上の温度であって、素子基板２上に形成されるその他の構成物が劣化することがない温度未満の熱を加えて、電荷注入層１４を流動させる。なお、電荷注入層１４に対して加える熱の温度は、例えば１００度以上、２００度以下である。そして、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１４の一部が、絶縁体１７とコンタクト電極層１１との間の隙間に進入して、隙間を電荷注入層１４の一部によって充填することができる。そうすることで、絶縁体１７上からコンタクト電極層１１上にかけて形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２電極層１６の断線を抑制することができる。
【００３８】
また、電荷注入層１４を形成する方法は、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗を小さくするために、異方性蒸着法が好ましい。つまり、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間に被着する電荷注入層１４の厚みを薄くすることで、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との間の電気抵抗を抑制し、電圧降下を小さくして、それにより電源電圧も下げることが可能となるので、結果として消費電力を抑制することができる。電荷注入層１４の具体的な形成方法を、図７（Ｂ）を用いて説明する。ここで、電荷注入層１４を構成する材料を蒸発させる蒸着源を蒸着源Ｖ１とする。また、絶縁体６が形成されており、電荷注入層１４を形成する前の素子基板２を用いる。まず、素子基板２上のコンタクト領域Ｒ２上に電荷注入層１４を構成する材料が薄く被着するように、素子基板２と蒸着源Ｖ１とを正対しない位置に配置して、絶縁体６を蒸着源Ｖ１とコンタクト領域Ｒ２との間に介在されるようにする。そして、蒸着源Ｖ１から電荷注入層１４を構成する材料を蒸発させると、絶縁体６が蒸着源Ｖ１から蒸発する材料を遮蔽して、コンタクト領域Ｒ２上に材料が被着するのを抑制する。そうすることによって、発光領域Ｒ１に対応する第１電極層１３上に、所望の膜厚の電荷注入層１４を形成するとともに、絶縁体１７上からコンタクト電極層１１上にかけて、発光領域Ｒ１に比べ薄い膜厚の電荷注入層１４を構成することができる。絶縁体６は、上部よりも下部が幅狭であるため、絶縁体６の上面によって蒸着物を効果的に遮蔽することができ、コンタクト領域Ｒ２に電荷注入層１４を構成する材料が被着するのを有効に抑制することができる。その結果、第２電極層１６とコンタクト電極層１１との間の電気抵抗を小さくすることができる。さらに、上述したように、電荷注入層１４に熱を加えて、絶縁体１７上に被着した電荷注入層１４の一部を流動させ、隙間Ｇに電荷注入層１４の一部を充填させることができる。また、コンタクト電極層１１上に被着した電荷注入層１４の一部を流動させて、隙間Ｇに充填することもある。
【００３９】
次に、図８（Ａ）に示すように、電荷注入層１４上に、有機発光層１５を形成する。具体的には、図８（Ｂ）に示すように、素子基板２に対して有機発光層１５を構成する材料を蒸発させる蒸着源Ｖ２を対向配置する。そして、素子基板２に蒸着マスクＭ２の開口部Ｈ２を介して、素子基板２上に有機発光層１５を形成する。なお、蒸着マスクＭ２を用いて、有機発光層１５が、赤色、緑色、青色と発光する色に応じた有機材料を塗り分けることができる。
【００４０】
次に、図９（Ａ）に示すように、有機発光層１５上からコンタクト電極層１１上にかけて、第２電極層１６を形成する。具体的には、図９（Ｂ）に示すように、素子基板２に対して第２電極層１６を構成する材料を蒸発させる蒸着源Ｖ３を対向配置する。第２電極層１６を構成する際は、蒸着マスクを用いることなく、有機発光層１５上及びコンタクト電極層１１上に第２電極層１６を形成することができる。そして、コンタクト電極層１１と第２電極層１７とが接続することができ、コンタクト電極層１１と第２電極層１７との間の電気的接続を安定にすることができる。
【００４１】
このようにして、有機ＥＬ素子５を形成することができる。そして、図３（Ａ）に示すように、有機ＥＬ素子５が形成された素子基板２に対して、封止基板７を対向配置し、両者をシール材８を介して接着する。なお、封止基板７をシール材８によって、素子基板２に固定する作業は、例えば窒素ガス又はアルゴンガス等の不活性ガス中や、高真空中で行うことによって、素子基板２と封止基板７との間に酸素や水分が含まれるのを抑制することができる。
【００４２】
そして、非表示領域Ｄ２に駆動ＩＣ４を実装することで、有機ＥＬディスプレイ１を作製することができる。
【００４３】
上述したように、本発明の実施形態によれば、絶縁物１７とコンタクト電極層１１との間の隙間Ｇに、電荷注入層１４の一部を充填させることができる。そのため、絶縁物１７とコンタクト電極層１１上に形成する第２電極層１６のステップカバレッジを良好にすることができ、第２絶縁層１６の断線を抑制することができ、コンタクト電極層１１と第２電極層１６との電気的接続を安定にすることができる。
【００４４】
また、従来技術である図１０に示すように、電荷注入層１４を形成する際に、コンタクト領域Ｒ２をマスクｍにて被覆するマスキング工程が必要であったが、本発明の実施形態に係る電荷注入層１４の形成方法によれば、マスキング工程を省略することができる。従来技術によれば、微細なコンタクト電極層のみをマスキングするのは、位置合わせが難しく、画素が小さくなるにつれさらにコンタクト電極層も小さくなり、マスキングすることは困難な作業となる。また、マスキングの位置合わせがずれると、コンタクト電極層の表面を被覆するように有機材料が被着することがある。その結果、コンタクト電極層と第２電極層との間の電気的接続が不安定になることがある。一方、本発明の実施形態に係る電荷注入層１４の形成方法によれば、製造工程を単純化することによって、生産性を向上させることができる。
【００４５】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る画素の拡大平面図である。
【図３】図３（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の拡大断面図であって、図３（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る絶縁体とコンタクト電極層との間の隙間を示す拡大断面図である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図であって、図７（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る電荷注入層の形成方法を説明する断面配置図である。
【図８】図８（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図であって、図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る有機発光層の形成方法を説明する断面配置図である。
【図９】図９（Ａ）は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する一画素の断面図であって、図９（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る第２電極層の形成方法を説明する断面配置図である。
【図１０】従来技術を説明する図面であって、従来の電荷注入層の形成方法を説明する平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    有機ＥＬディスプレイ
２    素子基板
３    画素
４    駆動ＩＣ
５    有機ＥＬ素子
６    絶縁体
７    封止基板
８    シール材
９    回路層
１０    絶縁層
１１    コンタクト電極層
１２    平坦化膜
１３    第１電極層
１４    電荷注入層
１５    有機発光層
１６    第２電極層
１７    絶縁物
Ｄ１  表示領域
Ｄ２  非表示領域
Ｒ１  発光領域
Ｒ２  コンタクト領域
Ｓ    コンタクトホール
Ｇ    隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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