(57)【要約】【課題】レーザの偏光角を小さくすることができる半導体発光装置及びその製造方法を得る。【解決手段】半導体レーザチップ１１をＡｌＮサブマウント１２上にジャンクションダウンで接合し、そのＡｌＮサブマウント１２をＣｕステム１３（パッケージ）上に接合する。半導体レーザチップ１１のレーザ光の照射方向に対して垂直な方向をＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗの方向とする。半導体レーザチップ１１のＡｌＮサブマウント１２と接合している面の中心に加わる相当応力とＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗ方向の応力を掛け合わせた数量Σが、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨと幅Ｗを変えて得られる数量Σの最大値の７０％以下となるように、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨと幅Ｗを設定する。【選択図】図２
2009130206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザチップをサブマウント上にジャンクションダウンで接合し、そのサブマウントをパッケージ上に接合した半導体発光装置であって、
前記半導体レーザチップのレーザ光の照射方向に対して垂直な方向が前記サブマウントの幅の方向であり、
前記半導体レーザチップの前記サブマウントと接合している面の中心に加わる相当応力と前記サブマウントの幅方向の応力を掛け合わせた数量が、前記サブマウントの厚みと幅を変えて得られる前記数量の最大値の７０％以下となるように、前記サブマウントの厚みと幅が設定されていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記数量が、前記サブマウントの厚みと幅を変えて得られる前記数量の最大値の１７％以下となるように、前記サブマウントの厚みと幅が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記サブマウントは、ＡｌＮからなり、幅が６００μｍ〜７５０μｍ、厚みが３５０μｍ以上又は１９０μｍ以下であることを特徴とする請求項１の半導体発光装置。
【請求項４】
前記サブマウントは、ＡｌＮからなり、幅が９５０μｍ以上、厚みが約２４０μｍ、３５０μｍ以上又は１９０μｍ以下であることを特徴とする請求項２の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体レーザチップは、波長が異なる複数の半導体レーザをモノリシックに集積したレーザを有することを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
半導体レーザチップをサブマウント上にジャンクションダウンで接合し、そのサブマウントをパッケージ上に接合した半導体発光装置の製造方法であって、
前記半導体レーザチップのレーザ光の照射方向に対して垂直な方向を前記サブマウントの幅の方向とし、
前記半導体レーザチップの前記サブマウントと接合している面の中心に加わる相当応力と前記サブマウントの幅方向の応力を掛け合わせた数量が、前記サブマウントの厚みと幅を変えて得られる前記数量の最大値の７０％以下となるように、前記サブマウントの厚みと幅を設定することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記数量が、前記サブマウントの厚みと幅を変えて得られる前記数量の最大値の１７％以下となるように、前記サブマウントの厚みと幅を設定することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザチップをサブマウント上にジャンクションダウンで接合し、そのサブマウントをパッケージ上に接合した半導体発光装置に関し、特にレーザの偏光角を小さくすることができる半導体発光装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザの基板の材料としてＧａＡｓが用いられ、半導体レーザが搭載されるパッケージの材料としてＦｅや高放熱のＣｕが用いられる。ここで、ＧａＡｓの線膨張係数は６（×１０−６／℃）、Ｆｅの線膨張係数は１１（×１０−６／℃）、Ｃｕの線膨張係数は１７（×１０−６／℃）である。従って、ＧａＡｓ基板の半導体レーザを直接Ｆｅパッケージに半田等で接着すると、線膨張係数の違いにより残留応力が生じ、半導体レーザが破壊される場合がある。また、Ｃｕパッケージを用いると、線膨張係数の差がさらに大きくなり、残留応力もさらに大きくなる。
【０００３】
そこで、パッケージと半導体レーザの間にＡｌＮ等からなるサブマウントが挿入される。ここで、ＡｌＮは、線膨張係数が４（×１０−６／℃）であってＧａＡｓ基板に近く、機械強度が大きい。従って、ＡｌＮサブマウントを挿入することで、パッケージの残留応力が低減される。
【０００４】
しかし、サブマウントを挿入しても、組み立てられた状態で半導体レーザチップに加わる残留応力を０にすることはできない。そこで、従来は、残留応力を低減させるために、接合に用いる半田の組成やサブマウント材料を変更し、組立条件を調整し、又は半田を厚くしていた。また、発光点近傍の応力を緩和するため、レーザチップをサブマウントから突出させる構造も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１５６３７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の半導体発光装置では、十分に残留応力を低減することができなかった。また、特許文献１の装置では、Ｓｉからなるサブマウントを用いているため、ＡｌＮからなるサブマウントを用いた場合に比べて、残留応力が大きかった。この残留応力によりレーザ光が伝播する導波路の半導体結晶に歪が加わり、レーザの偏光角が大きくなる。
【０００７】
ここで、光ピックアップの光学系には、ディスクに記録されたデータの読み取り精度を向上するため、偏光素子が用いられ、レーザ光は偏光素子を通過してレンズと結合する。偏光素子を通過したレーザ光の強度は偏光角が大きいほど低下するため、偏光角が小さいことが必要とされる。
【０００８】
また、光ピックアップにおいて、半導体レーザの動作環境温度の変化に対する偏光角の変動が大きくなると、光学部品とレーザ光との結合効率が低下し、データ書き込み時により多くの光出力が必要となり、消費電力が増加する。従って、半導体レーザの動作環境温度の変化に対する偏光角の変動が小さいことも必要とされる。
【０００９】
しかし、従来の半導体発光装置は、残留応力の影響でレーザの偏光角が大きく、半導体レーザの動作環境温度の変化に対する偏光角の変動が大きかった。このため、検査歩留が悪く、半導体レーザの動作が安定しないという問題があった。
【００１０】
さらに、ＤＶＤレーザとＣＤレーザを集積化した２波長レーザのように、波長が異なる複数の半導体レーザをモノリシックに集積したレーザにおいては、各レーザの偏光角が異なる場合、一枚の偏光板では調整しきれないという問題もあった。
【００１１】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、レーザの偏光角を小さくすることができる半導体発光装置及びその製造方法を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る半導体発光装置は、半導体レーザチップをサブマウント上にジャンクションダウンで接合し、そのサブマウントをパッケージ上に接合した半導体発光装置であって、半導体レーザチップのレーザ光の照射方向に対して垂直な方向がサブマウントの幅の方向であり、半導体レーザチップのサブマウントと接合している面の中心に加わる相当応力とサブマウントの幅方向の応力を掛け合わせた数量が、サブマウントの厚みと幅を変えて得られる数量の最大値の７０％以下となるように、サブマウントの厚みと幅が設定されている。
【００１３】
本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、半導体レーザチップをサブマウント上にジャンクションダウンで接合し、そのサブマウントをパッケージ上に接合した半導体発光装置の製造方法であって、半導体レーザチップのレーザ光の照射方向に対して垂直な方向をサブマウントの幅の方向とし、半導体レーザチップのサブマウントと接合している面の中心に加わる相当応力とサブマウントの幅方向の応力を掛け合わせた数量が、サブマウントの厚みと幅を変えて得られる数量の最大値の７０％以下となるように、サブマウントの厚みと幅を設定する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、レーザの偏光角を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体発光装置を示す平面図である。この半導体発光装置は、半導体レーザチップ１１をＡｌＮサブマウント１２上にジャンクションダウンで接合し、そのＡｌＮサブマウント１２（サブマウント）をＣｕステム１３（パッケージ）上に接合したステムパッケージである。なお、Ｃｕステム１３の代わりに、Ｆｅからなるステムを用いてもよい。
【００１６】
図２は、実施の形態１に係る半導体発光装置の半導体レーザチップとサブマウントの接合部を示す斜視図である。半導体レーザチップ１１は、ＧａＡｓ基板１４上にリッジ型のＣＤレーザ１５とリッジ型のＤＶＤレーザ１６を集積化した２波長レーザである。ＣＤレーザ１５とＤＶＤレーザ１６のリッジ部がそれぞれ発光点１７である。半導体レーザチップ１１の上面には表面電極１８が形成され、裏面には裏面電極１９が形成され、表面電極１８上にＡｕメッキ２０が形成されている。半導体レーザチップ１１は、ＡｌＮサブマウント１２上に厚み５μｍのＡｕＳｎ半田２１を介してジャンクションダウンで接合されている。ＡｌＮサブマウント１２は、Ｃｕステム１３上に厚み５μｍのＡｕＳｎ半田２２を介して接合されている。
【００１７】
本実施の形態では、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを調整してレーザの偏光角を小さくする。この調整のやり方について以下に詳細に説明する。
【００１８】
発明者は、熱応力弾塑性解析と実験結果から、レーザの偏光角が、単純に残留応力に対応する相当応力が小さくなるほど小さくなるものではなく、下記の数式（１）で定義する数量Σに依存していることを見出した。
Σ＝相当応力×サブマウント幅Ｗの方向の応力・・・（１）
ここで、半導体レーザチップのレーザ光の照射方向に対して垂直な方向をサブマウントの幅Ｗの方向とする。相当応力とサブマウント幅Ｗ方向の応力は、どちらも半導体レーザチップのサブマウントと接合している面の中心に加わる応力である。
【００１９】
次に、熱応力弾塑性解析について説明する。半導体レーザチップをＡｌＮサブマウント上に厚み５μｍのＡｕＳｎ半田を介してジャンクションダウンで接合し、そのサブマウントをＦｅステム上に接合した半導体発光装置について、半導体レーザチップのサブマウントと接合している面の中心に加わる応力を計算した結果を表１に示す。一般的な単体ＤＶＤレーザの場合、この中心部は光導波路部に相当する。ここで、半導体レーザチップは、ＧａＡｓからなる長さ２２００μｍ×幅１５０μｍ×厚み１００μｍの直方体とした。ただし、半導体レーザチップの厚みは製造ばらつきにより±１０μｍ程度ばらつく。表１中で＊印を付した数値は、サブマウント幅３４０μｍと５４０μｍの値から補間して求めた値である。
【００２０】
【表１】
2009130206.tif 000003
【００２１】
仕様１〜仕様６に示すように、数量Σはサブマウント厚２４０μｍで最大となり、サブマウント厚Ｈを２４０μｍより厚くしても薄くしても数量Σは小さくなる。また、仕様３，仕様７〜仕様８に示すように、サブマウント幅を広くすると数量Σは小さくなる。
【００２２】
なお、上記の熱応力弾塑性解析では、半導体レーザチップとしてＧａＡｓからなる直方体を用いたが、他の構造のＧａＡｓ系レーザでも同様の結果が得られる。Ｆｅ材料のパッケージを用いたが、熱膨張係数がＦｅで１１（×１０−６／℃），Ｃｕで１７（×１０−６／℃）と近いため、Ｃｕ材料のパッケージを用いた場合でも同様の結果が得られる。サブマウント材料としてＡｌＮを用いたが、熱膨張係数がＡｌＮで４〜６（×１０−６／℃），ＳｉＣで４〜５（×１０−６／℃）と近いため、ＳｉＣを用いた場合でも同様の結果が得られる。また、応力を主に支配する材料定数が熱膨張係数であり、熱膨張係数がＧａＮで５．６（×１０−６／℃），ＩｎＰで４．５（×１０−６／℃）と近いため、窒化物系又はＩｎＰ系の一般の半導体レーザでも同様の結果が得られる。
【００２３】
次に、サブマウント厚Ｈを変えて、実施の形態１に係る２波長レーザのＣＤレーザとＤＶＤレーザの偏光角を測定した結果を表２に示す。ここで、半導体レーザチップの寸法は、長さ２１５０μｍ×幅２４０μｍ×厚み１００μｍである。ただし、半導体レーザチップの厚みは製造ばらつきにより±１０μｍ程度ばらつく。表２より、サブマウント厚Ｈが２４０μｍの場合にＣＤレーザの偏光角が最大になり、サブマウント厚Ｈを２４０μｍより厚くするか、薄くすることで偏光角を小さくなることが分かる。
【００２４】
【表２】
2009130206.tif 000004
【００２５】
偏光角を測定した２波長レーザのサブマウント幅Ｗは７５０μｍであり、表１の仕様１〜６のサブマウント幅６００μｍと異なる。そこで、サブマウント幅７５０μｍの場合に補正したΣの値と、補正後のΣをサブマウント厚２４０μｍの値で規格化した値と、測定されたＣＤ，ＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚２４０μｍでの値で規格化したものを表３に示す。ここで、サブマウント幅７５０μｍへの補正は、表１の仕様６と仕様８のΣの変化から直線近似でサブマウント幅７５０μｍでのΣを求め、サブマウント幅６００μｍと７５０μｍの比率を係数として掛けることで行った。表３中の＊印を付けた数値は図３から求めた値である。表３から、Σの減少に伴い、レーザの偏光角の絶対値が小さくなることが分かる。
【００２６】
【表３】
2009130206.tif 000005
【００２７】
図３は、実施の形態１に係る２波長レーザのＣＤレーザの規格化された偏光角と規格化されたΣの変化率をサブマウント厚に対してプロットした図であり、図４は、実施の形態１に係る２波長レーザのＤＶＤレーザの規格化された偏光角と規格化されたΣの変化率をサブマウント厚に対してプロットした図である。両者ともにサブマウント厚に対するΣの変化率と偏光角の変化率がほぼ一致していることが分かる。なお、ＤＶＤレーザの偏光角の変化率とΣの変化率との一致が若干悪いが、Σの変化量から推定される偏光角の変化量は後で表４に示すように１°以下と小さいため、この差異は偏光角分布の範囲内と考えられる。
【００２８】
次に、サブマウント厚２４０μｍでの偏光角を基準に、下記の数式（２）を用いて計算した偏光角と、計測された偏光角を表４に示す。
ＰＡ（ｄ）＝ＰＡ０×Ｉ・・・（２）
ここで、ＰＡ（ｄ）はサブマウント厚ｄμｍでの偏光角、ＰＡ０はサブマウント厚２４０μｍでの偏光角、Ｉは規格されたサブマウント厚ｄμｍのΣである。表４から、レーザの偏光角が数量Σに依存していることが分かる。
【００２９】
【表４】
2009130206.tif 000006
【００３０】
図５は、実施の形態１に係る２波長レーザのＣＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図であり、図６は、実施の形態１に係る２波長レーザのＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。ＣＤレーザの偏光角は、サブマウント厚２００μｍ以下で−１０°以内、３５０μｍ以上で−８°以内、さらに１６０μｍ以下又は５２０μｍ以上で偏光角は−４°以内になることが分かる。また、ＤＶＤレーザの偏光角は、サブマウント厚１９０μｍ以下又は３５０μｍ以上で４°以下、１６０μｍ以下又は５２０μｍ以上で２°以下になることが分かる。
【００３１】
歩留の観点からＣＤレーザとＤＶＤレーザの偏光角は共に−８°〜＋８°の範囲であることが要求される。従って、サブマウント厚Ｈは３５０μｍ以上又は１９０μｍ以下とする必要がある。このサブマウント厚Ｈの範囲は、図３と図５を対比させると、数量Σがサブマウントの厚みＨと幅Ｗを変えて得られる数量の最大値の７０％以下となる範囲である。
【００３２】
よって、実施の形態１では、数量Σが、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを変えて得られる数量Σの最大値の７０％以下となるように、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを設定する。具体的には、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを３５０μｍ以上又は１９０μｍ以下とする。これにより、レーザの偏光角を−８°〜＋８°まで小さくすることができる。
【００３３】
実施の形態２．
図７は、実施の形態２に係る半導体発光装置の半導体レーザチップとサブマウントの接合部を示す斜視図である。半導体レーザチップ１１は、ＧａＡｓ基板１４上に形成された単体のＤＶＤレーザ１６である。そして、実施の形態１と同様にＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを調整してレーザの偏光角を小さくする。この調整のやり方について以下に詳細に説明する。
【００３４】
まず、サブマウント厚Ｈを変えて実施の形態２に係る単体のＤＶＤレーザの偏光角を測定した結果を表５に示す。半導体レーザチップ１１の寸法は、２２００μｍ×幅１８０μｍ×厚み１００μｍである。ただし、半導体レーザチップ１１の厚みは製造ばらつきにより±１０μｍ程度ばらつく。
【００３５】
【表５】
2009130206.tif 000007
【００３６】
次に、実施の形態１と同様にΣをサブマウント厚２４０μｍの値で規格化した値と、サブマウント厚２４０μｍでの偏光角を基準に数式（２）を用いて計算した偏光角を表６に示す。
【００３７】
【表６】
2009130206.tif 000008
【００３８】
また、図８は、実施の形態２に係る単体ＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。単体ＤＶＤレーザの偏光角はもともと小さく、サブマウントの厚みＨの変化に伴う偏光角の変化が−１°以下と小さい。従って、特性バラツキの影響を受けるため、サブマウント厚４００μｍにおいて、計算された偏光角と測定値が一致しない。しかし、偏光角の変化傾向は同じである。従って、単体ＤＶＤレーザにおいても、実施の形態１と同様に、レーザの偏光角は数量Σ及びサブマウント厚Ｈに依存している。
【００３９】
よって、実施の形態２でも実施の形態１と同様に、数量Σが、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを変えて得られる数量Σの最大値の７０％以下となるように、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを設定する。具体的には、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを３５０μｍ以上又は１９０μｍ以下とする。これにより、レーザの偏光角を小さくすることができる。
【００４０】
実施の形態３．
実施の形態３において、半導体レーザチップは、実施の形態２と同様に単体のＤＶＤレーザである。ただし、実施の形態２ではサブマウント厚Ｈを調整することで偏光角を小さくしていたが、実施の形態３ではサブマウント幅Ｗを調整することで偏光角を小さくする。この調整のやり方について以下に詳細に説明する。
【００４１】
まず、サブマウント幅Ｗを変えて実施の形態２に係る単体のＤＶＤレーザの偏光角を測定した結果と、測定された偏光角を表７に示す。なお、半導体レーザチップ１１の寸法は、２２００μｍ×幅１８０μｍ×厚み１００μｍである。ただし、半導体レーザチップ１１の厚みは製造ばらつきにより±１０μｍ程度ばらつく。
【００４２】
【表７】
2009130206.tif 000009
【００４３】
次に、Σをサブマウント幅６００μｍの値で規格化した値と、サブマウント幅６００μｍでの偏光角を基準に下記の数式（３）を用いて計算した偏光角と、計測された偏光角を表８に示す。
ＰＡ（ｗ）＝ＰＡ０×Ｉ・・・（３）
ここで、ＰＡ（ｗ）はサブマウント幅Ｗμｍでの偏光角、ＰＡ０はサブマウント幅６００μｍでの偏光角、Ｉは規格されたサブマウント幅ＷμｍのΣである。なお、表８中で＊印が付された数値は図９より求められた値である。
【００４４】
【表８】
2009130206.tif 000010
【００４５】
図９は、実施の形態３に係る単体ＤＶＤレーザの規格化された偏光角と規格化されたΣの変化率をサブマウント幅に対してプロットした図であり、図１０は、実施の形態３に係る単体ＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント幅に対してプロットした図である。単体ＤＶＤレーザの偏光角はもともと小さく、サブマウント幅Ｗの変化に伴う偏光角の変化が−１°以下と小さい。従って、特性バラツキの影響を受けるため、サブマウント幅８００μｍにおいて、計算された偏光角と測定値が一致しない。しかし、偏光角の変化傾向は同じである。従って、単体ＤＶＤレーザにおいて、レーザの偏光角は数量Σ及びサブマウント幅Ｗに依存している。そして、サブマウント幅９５０μｍ以上で偏光角がほぼ０°になることが分かる。
【００４６】
よって、実施の形態３では、数量Σが、ＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗを変えて得られる数量Σの最大値の１７％以下となるように、ＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗを設定する。具体的には、ＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗを９５０μｍ以上にする。これにより、レーザの偏光角をほぼ０°にまで小さくすることができる。
【００４７】
実施の形態４．
実施の形態４において、半導体レーザチップは、実施の形態１と同様に２波長レーザである。ただし、実施の形態１ではサブマウント厚Ｈを調整することで偏光角を小さくしていたが、実施の形態４ではサブマウント幅Ｗを調整することで偏光角を小さくする。この調整のやり方について以下に詳細に説明する。
【００４８】
まず、サブマウント幅Ｗと、Σをサブマウント幅６００μｍの値で規格化した値と、２波長レーザのＣＤレーザとＤＶＤレーザの偏光角を表９に示す。ここで、サブマウント幅７５０μｍでの偏光角のみ測定値であり、幅６００μｍ，８００μｍ，９５０μｍでの偏光角は実施の形態３と同様に数式（３）を用いてΣの変化率から計算した値である。半導体レーザチップ１１の寸法は、２１５０μｍ×幅２４０μｍ×厚み１００μｍである。ただし、半導体レーザチップ１１の厚みは製造ばらつきにより±１０μｍ程度ばらつく。ＡｌＮサブマウント１２の寸法は、長さ２１２０μｍ×厚み２４０μｍで、幅が６００μｍ，７５０μｍ，８００μｍ，９５０μｍの４通りである。表９中で＊が付いた値は図１０から求められた値である。表９より、サブマウント幅Ｗを広げることでＣＤレーザとＤＶＤレーザともに偏光角が小さくなることが分かる。
【００４９】
【表９】
2009130206.tif 000011
【００５０】
よって、実施の形態４では、数量Σが、ＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗを変えて得られる数量Σの最大値の１７％以下となるように、ＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗを設定する。具体的には、ＡｌＮサブマウント１２の幅Ｗを９５０μｍ以上にする。これにより、レーザの偏光角を−３°〜＋３程度まで小さくすることができる。
【００５１】
実施の形態５．
図１１は、実施の形態５に係る半導体発光装置を示す平面図である。この半導体発光装置は、半導体レーザチップ１１をＡｌＮサブマウント１２上にジャンクションダウンで接合し、そのＡｌＮサブマウント１２をＣｕフレーム２３（パッケージ）上に接合し、Ｃｕフレーム２３の一部をモールド樹脂２４で封止したフレームパッケージである。半導体レーザチップ１１は実施の形態１と同様に２波長レーザである。
【００５２】
本実施の形態では、実施の形態１と同様にＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを調整してレーザの偏光角を小さくする。この調整のやり方について以下に詳細に説明する。
【００５３】
まず、サブマウントの寸法と、２波長レーザのＣＤレーザとＤＶＤレーザの偏光角を表１０に示す。ここで、半導体レーザチップ１１の寸法は、２１７０μｍ×幅２４０μｍ×厚み１００μｍである。ただし、半導体レーザチップ１１の厚みは製造ばらつきにより±１０μｍ程度ばらつく。ＡｌＮサブマウント１２の寸法は、長さ２１２０μｍ×幅７５０μｍで、厚みは２４０μｍ，４００μｍの２通りである。
【００５４】
【表１０】
2009130206.tif 000012
【００５５】
次に、Σをサブマウント厚２４０μｍの値で規格化した値と、サブマウント厚２４０μｍでの偏光角を基準に数式（２）を用いて計算した偏光角と、計測された偏光角を表１１に示す。表１０，１１より、実施の形態１と同様にサブマウント厚Ｈを２４０μｍより厚くするか、薄くすると数量Σは小さくなることが分かる。
【００５６】
【表１１】
2009130206.tif 000013
【００５７】
図１２は、実施の形態５に係る２波長レーザのＣＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図であり、図１３は、実施の形態５に係る２波長レーザのＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。計測された偏光角と計算で求めた偏光角の変化傾向は同じである。そして、表１１及び図１２，１３から、実施の形態１と同様に、サブマウントの厚みＨを調整することで偏光角を小さくできることが分かる。
【００５８】
よって、実施の形態５では、実施の形態１と同様に、数量Σが、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを変えて得られる数量Σの最大値の７０％以下となるように、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを設定する。具体的には、ＡｌＮサブマウント１２の厚みＨを３５０μｍ以上又は１９０μｍ以下とする。これにより、レーザの偏光角を小さくすることができる。
【００５９】
なお、上記の実施の形態ではサブマウントの厚みと幅の一方を設定したが、これに限らず、数量Σが、サブマウントの厚みと幅を変えて得られる数量Σの最大値の７０％以下又は１７％以下となるように、サブマウントの厚みと幅の両方を設定してもよい。
【００６０】
また、数量Σが、サブマウントの厚みを変えて得られる数量Σの最大値の７０％以下となるように、サブマウントの厚みを設定し、かつ数量Σが、サブマウントの幅を変えて得られる数量Σの最大値の１７％以下となるように、サブマウントの幅を設定してもよい。
【００６１】
また、サブマウントの厚みを変える前後で発光点の位置が変わるのを防ぐため、サブマウントの下のステム、ブロック又はフレームなどのパッケージの形状を調整してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】実施の形態１に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体発光装置の半導体レーザチップとサブマウントの接合部を示す斜視図である。
【図３】実施の形態１に係る２波長レーザのＣＤレーザの規格化された偏光角と規格化されたΣの変化率をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【図４】実施の形態１に係る２波長レーザのＤＶＤレーザの規格化された偏光角と規格化されたΣの変化率をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【図５】実施の形態１に係る２波長レーザのＣＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【図６】実施の形態１に係る２波長レーザのＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【図７】実施の形態２に係る半導体発光装置の半導体レーザチップとサブマウントの接合部を示す斜視図である。
【図８】実施の形態２に係る単体ＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【図９】実施の形態３に係る単体ＤＶＤレーザの規格化された偏光角と規格化されたΣの変化率をサブマウント幅に対してプロットした図である。
【図１０】実施の形態３に係る単体ＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント幅に対してプロットした図である。
【図１１】実施の形態５に係る半導体発光装置を示す平面図である。
【図１２】実施の形態５に係る２波長レーザのＣＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【図１３】実施の形態５に係る２波長レーザのＤＶＤレーザの偏光角をサブマウント厚に対してプロットした図である。
【符号の説明】
【００６３】
１１  半導体レーザチップ
１２  ＡｌＮサブマウント（サブマウント）
１３  Ｃｕステム（パッケージ）
２３  Ｃｕフレーム（パッケージ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
2009130206.tif 000016
【図４】
2009130206.tif 000017
【図５】
2009130206.tif 000018
【図６】
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【図７】
2009130206.tif 000020
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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