(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性が高く、デバイスの抗折強度を低下させないウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されたウエーハをストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハの表面に保護部材を貼着する工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側からストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚さ未満で、ウエーハの裏面に至らない範囲でストリートに沿って変質層２３を形成する工程と、ウエーハの裏面側からストリートと対応する領域を切削し変質層に達する切削溝２４を形成する工程と、ウエーハに外力を付与しストリートに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する工程と、個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する工程とを含む。【選択図】図５
2009206162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面にデバイスを保護するための保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該ストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚さには達しないとともにウエーハの裏面に至らない範囲でストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
ストリートに沿って該変質層が形成されたウエーハの裏面側からストリートと対応する領域を切削し、該変質層に達する切削溝を形成する切削溝形成工程と、
ストリートに沿って該変質層と該切削溝が形成されたウエーハに外力を付与し、該変質層と該切削溝が形成されたストリートに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
【請求項２】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面にデバイスを保護するための保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハの裏面側からストリートと対応する領域を切削し、ウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚さに所定の厚さを加算した位置まで残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該切削溝を通して照射し、ウエーハの内部に該切削溝の底面からデバイスの仕上がり厚さには達しない範囲でストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
ストリートに沿って該変質層と該切削溝が形成されたウエーハに外力を付与し、該変質層と該切削溝が形成されたストリートに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って分割するウエーハの分割方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ、液晶ドライバー、フラッシュメモリ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。
【０００３】
上述した半導体ウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
【０００４】
しかるに、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が５０μｍ程度必要となり、ウエーハの面積に対するストリートが占める面積比率が大きく、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、被加工物を破断して分割するものであり、ストリートの幅を狭くすることが可能となる。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、ウエーハのストリートに沿って変質層を形成すると、分割されたデバイスの側面に変質層が残留するため、デバイスの抗折強度が著しく低下し、その後の製造工程および製品となった後にデバイスが破損するという問題が生ずる。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、生産性が高く、デバイスの抗折強度を低下させることなく分割することができるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面にデバイスを保護するための保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該ストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚さには達しないとともにウエーハの裏面に至らない範囲でストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
ストリートに沿って該変質層が形成されたウエーハの裏面側からストリートと対応する領域を切削し、該変質層に達する切削溝を形成する切削溝形成工程と、
ストリートに沿って該変質層と該切削溝が形成されたウエーハに外力を付与し、該変質層と該切削溝が形成されたストリートに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
【０００９】
また、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハの表面にデバイスを保護するための保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
ウエーハの裏面側からストリートと対応する領域を切削し、ウエーハの表面からデバイスの仕上がり厚さに所定の厚さを加算した位置まで残して切削溝を形成する切削溝形成工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該切削溝を通して照射し、ウエーハの内部に該切削溝の底面からデバイスの仕上がり厚さには達しない範囲でストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
ストリートに沿って該変質層と該切削溝が形成されたウエーハに外力を付与し、該変質層と該切削溝が形成されたストリートに沿ってウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明におけるウエーハの分割方法によれば、上記変質層形成工程によってウエーハの内部にストリートに沿って形成された変質層は、ウエーハが変質層に沿って個々のデバイスに分割された後に研削行程を実施することによって除去されるので、デバイスの側面に変質層が残らないため、抗折強度が低下することはない。
また、本発明におけるウエーハの分割方法によれば、変質層形成工程を実施した後に、ウエーハの裏面側からストリートと対応する領域を切削し、変質層に達する切削溝を形成するので、切削溝の底面に変質層を露出させることができ、この変質層が割断の起点となってウエーハはストリートに沿って容易に分割される。従って、変質層形成工程を複数回実施して変質層を複数積層することにより変質層をウエーハの裏面に露出させる必要がないため、生産性が良好となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明に従って分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ、液晶ドライバー、フラッシュメモリ等のデバイス２２が形成されている。
【００１３】
上述した半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割するウエーハの分割方法の第１の実施形態について、図２乃至図７を参照して説明する。
上述した半導体ウエーハ２の表面２ａには、デバイス２２を保護するために図２に示すように塩化ビニール等からなる保護部材３を貼着する（保護部材貼着工程）。
【００１４】
保護部材貼着工程を実施することにより半導体ウエーハ２の表面２ａに保護部材３を貼着したならば、半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を半導体ウエーハ２の裏面側からストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に半導体ウエーハ２の表面２ａからデバイス２２の仕上がり厚さには達しないとともに半導体ウエーハ２の裏面に至らない範囲でストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図示の実施形態においては図３に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置４は、被加工物を保持するチャックテーブル４１と、該チャックテーブル４１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２と、チャックテーブル４１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段４３を具備している。チャックテーブル４１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１５】
上記レーザー光線照射手段４２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング４２１を含んでいる。ケーシング４２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング４２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器４２２が装着されている。
【００１６】
上記レーザー光線照射手段４２を構成するケーシング４２１の先端部に装着された撮像手段４３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１７】
上述したレーザー加工装置４を用いて変質層形成工程を実施するには、図３に示すようにレーザー加工装置４のチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着された保護部材３側を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に半導体ウエーハ２を保護部材３を介して吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル４１上に吸引保持された半導体ウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。
【００１８】
上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、半導体ウエーハ２を形成するシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側からストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部に半導体ウエーハ２の表面２ａからデバイス２２の仕上がり厚さには達しないとともに半導体ウエーハ２の裏面に至らない範囲でストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。変質層形成工程を実施するには、先ず半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル４１は、図示しない移動機構によって撮像手段４３の直下に位置付けられる。そして、撮像手段４３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段４３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、このストリート２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される（アライメント工程）。このとき、半導体ウエーハ２のストリート２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段４３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かしてストリート２１を撮像することができる。
【００１９】
以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル４１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４２の集光器４２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２１の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段４２の集光器４２２の直下に位置付ける。そして、パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の表面２ａ（下面）からデバイス２２の仕上がり厚さ（t：例えば５０μm）より例えば２０μm上側の位置に合わせる。従って、パルスレーザー光線の集光点Ｐは、半導体ウエーハ２の表面２ａ（下面）から７０μm上側の位置となる。次に、レーザー光線照射手段４２を作動し集光器４２２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル４１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すように集光器４２２の照射位置がストリート２１の他端（図４の（b）において右端）に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル４１の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２の内部には、図４の（b）および（c）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａからデバイス２２の仕上がり厚さ（t：例えば５０μm）には達しないとともに半導体ウエーハ２の裏面２b（上面）に至らない範囲でストリート２１に沿って変質層２３が形成される。この変質層２３は、溶融再固化層として形成される。
【００２０】
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：１W
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００２１】
上述した加工条件においては１回に形成される変質層２３の厚さは約３０μｍ程度である。従って、上述した実施形態においては、半導体ウエーハ２にはデバイス２２の仕上がり厚さ（t：例えば５０μm）より数μm上側から厚さは約３０μｍ程度の変質層２３が形成される。
以上のようにして、半導体ウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２１に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル４１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２１に沿って上記変質層形成工程を実行する。
【００２２】
上述した変質層形成工程を実施したならば、ストリート２１に沿って変質層２３が形成された半導体ウエーハ２の裏面２ｂからストリート２１と対応する領域を切削し、変質層２３に達する切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は図５の(a)に示す切削装置５を用いて実施する。図５の(a)に示す切削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物を切削する切削ブレード５２１を備えた切削手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。なお、撮像手段５３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。このように構成された切削装置５を用いて切削溝形成工程を実施するには、チャックテーブル５１上に上述した変質層形成工程が実施された半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着された保護部材３側を載置する。従って、半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２を保護部材３を介してチャックテーブル５１上に保持する。このようにして、半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない切削送り機構によって撮像手段５３の直下に位置付けられる。
【００２３】
チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の切削加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２１と、切削ブレード５２１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、切削領域のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様に切削領域のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ２のストリート２１が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段５３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かしてストリート２１を撮像することができる。
【００２４】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されている半導体ウエーハ２の切削領域を検出するアライメントが行われたならば、半導体ウエーハ２を保持したチャックテーブル５１を切削領域の切削開始位置に移動する。そして、切削ブレード５２１を図５の(a)において矢印５２１aで示す方向に回転しつつ下方に移動して所定量の切り込み送りを実施する。この切り込み送り位置は、切削ブレード５２１の外周縁が半導体ウエーハ２の裏面２ｂ（上面）から上記変質層２３に達する深さ位置に設定されている。このようにして、切削ブレード５２１の切り込み送りを実施したならば、切削ブレード５２１を回転しつつチャックテーブル５１を図５の(a)において矢印Ｘで示す方向に切削送りすることにより、図５の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２には裏面２ｂからストリート２１に沿って変質層２３に達する切削溝２４が形成される（切削溝形成工程）。従って、切削溝２４の底面２４aには変質層２３が露出されることになる。
上述した切削溝形成工程を全てのストリート２１と対応する領域に実施する。
【００２５】
次に、ストリート２１に沿って変質層２３と切削溝２４が形成された半導体ウエーハ２に外力を付与し、変質層２３と切削溝２４が形成されたストリート２１に沿って半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割する分割工程を実施する。この分割工程は、例えば図６の（ａ）に示すように上述した切削溝形成工程が実施された半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着された保護部材３を上にして半導体ウエーハ２の裏面を柔軟なゴムシート６上に載置する。そして、保護部材３の上面を押圧ローラー６０によって押圧することによって、図６の（b）に示すように半導体ウエーハ２は変質層２３が形成され強度が低下したストリート２１に沿って割断部２５が形成され個々のデバイス２２に分割される。このとき、ストリート２１に沿って形成され切削溝２４の底面２４aに露出する変質層２３が割断の起点となって半導体ウエーハ２はストリート２１に沿って容易に分割される。なお、個々の分割された半導体ウエーハ２は、表面２ａに保護部材３が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
【００２６】
上述したように分割工程を実施したならば、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面を研削してデバイスの仕上がり厚さに形成する研削工程を実施する。
この研削工程は、図７の（ａ）に示す研削装置を用いて実施する。図７の（ａ）に示す研削装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１に保持された被加工物を研削する研削砥石７２１を備えた研削手段７２を具備している。このように構成された研削装置７によって研削工程を実施するには、チャックテーブル７１上に上述した分割工程が実施された半導体ウエーハ２の表面２ａに貼着された保護部材３側を載置する。従って、半導体ウエーハ２は、裏面２bが上側となる。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ２をチャックテーブル７１上に保持する。次に、チャックテーブル７１を矢印７１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段７２の研削砥石７２１を矢印７２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触することにより、半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削する。そして、個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２を所定の仕上がり厚さ（t：例えば５０μm）まで研削することにより、図７の（ｂ）に示すように変質層２３が除去される。
【００２７】
このように、変質層２３が除去された個々のデバイス２２は、側面に変質層が残らないので、抗折強度が低下することはない。
また、上述した実施形態においては、変質層形成工程を実施した後に、半導体ウエーハ２の裏面２ｂからストリート２１と対応する領域を切削し、変質層２３に達する切削溝２４を形成するので、切削溝２４の底面２４aに変質層２３を露出されることができ、この変質層２３が割断の起点となって半導体ウエーハ２はストリート２１に沿って容易に分割される。従って、変質層形成工程を複数回実施して変質層を複数積層することにより変質層を半導体ウエーハ２の裏面に露出させる必要がないため、生産性が良好となる。
【００２８】
次に、半導体ウエーハ２を個々のデバイス２２に分割する加工方法の第２の実施形態について説明する。
第２の実施形態は、上記第１の実施形態における上記変質層形成工程と切削溝形成工程の順序を逆にしたものである。即ち第２の実施形態は、上記保護部材貼着工程を実施した半導体ウエーハ２の裏面側からストリート２１と対応する領域を切削し、半導体ウエーハ２の表面からデバイス２２の仕上がり厚さに所定の厚さを加算した位置まで残して切削溝を形成する切削溝形成工程を実施する。この切削溝形成工程は、上記図５の(a)に示す切削装置５を用いて実施する。切削装置５を用いて上述した切削溝形成工程を実施することにより、図８に示すように半導体ウエーハ２には、表面２ａからデバイス２２の仕上がり厚さ（t：例えば５０μm）に所定の厚さ（t1：例えば３０μm）を加算した位置まで残して切削溝２４が形成される。なお、所定の厚さ（t1）は、後述する変質層形成工程によって形成される変質層の厚さに相当する。
【００２９】
上述した変質層形成工程を実施したならば、半導体ウエーハ２に対して透過性を有する波長のレーザー光線を半導体ウエーハ２の裏面２b側から切削溝２４を通して照射し、半導体ウエーハ２の内部に集光点を位置付けて切削溝２４の底面からデバイス２２の仕上がり厚さには達しない範囲でストリート２１に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置４を用いて実施する。レーザー加工装置４を用いて上述した変質層形成工程を実施することにより、図９に示すように半導体ウエーハ２には、切削溝２４の底面２４aからデバイス２２の仕上がり厚さ（t：例えば５０μm）には達しない範囲でストリート２１に沿って変質層２３が形成される。なお、切削溝形成工程および切削溝形成工程を実施した後は、第２の実施形態も上記第１の実施形態における分割工程および研削工程を同様に実行する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明によるウエーハの分割方法によって分割される半導体ウエーハの斜視図。
【図２】図１に示す半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図５】本発明によるウエーハの分割方法における切削溝形成工程の第１の実施形態を示す説明図。
【図６】本発明によるウエーハの分割方法における分割工程を示す説明図。
【図７】本発明によるウエーハの分割方法における研削工程を示す説明図。
【図８】本発明によるウエーハの分割方法における切削溝形成工程の第２の実施形態が実施された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図９】本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程の第２の実施形態が実施された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【符号の説明】
【００３１】
２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
２３：変質層
２４：切削溝
３：保護部材
４：レーザー加工装置
４１：レーザー加工装置のチャックテーブル
４２：レーザー光線照射手段
４３：撮像手段
５：切削装置
５１：切削装置のチャックテーブル
５２：切削手段
５３：撮像手段
６：ゴムシート
６０：押圧ローラー
７：研削装置
７１：研削装置のチャックテーブル
７２：研削手段
【図１】
2009206162.tif 000003
【図２】
2009206162.tif 000004
【図３】
2009206162.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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