(57)【要約】【課題】複数の半田付け対象品に対して同時に半田付けを行う場合に、各半田付け対象品の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができ、かつ加熱のための消費エネルギーを抑制する。【解決手段】複数の半田付け対象品１６を支持する支持ステージ１４を浮揚状態に保持した状態で、支持ステージ１４を高周波加熱コイル３１を用いた誘導加熱で加熱して、複数の半田付け対象品１６の半田付けを同時に行う。支持ステージ１４は、第１の磁石１２及び第２の磁石１５の斥力を利用して浮揚状態に保持される。支持ステージ１４は、規制ピン１３により水平方向の移動が規制された状態で加熱が行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田付け対象品を支持する支持ステージと、
前記支持ステージを浮揚状態に保持する浮揚機構と、
前記浮揚状態の前記支持ステージ及び前記半田付け対象品を非接触状態で加熱する非接触加熱手段と
を備えることを特徴とする半田付け装置。
【請求項２】
前記浮揚機構は、前記支持ステージを支持する支持部に取り付けられた第１の磁石と、
前記支持ステージに前記第１の磁石に対向して配置され且つ前記第１の磁石と互いに反発しあう第２の磁石とを備える請求項１に記載の半田付け装置。
【請求項３】
前記非接触加熱手段は、前記支持ステージに対向して配置された加熱用コイルと、前記加熱用コイルに電流を供給する電流供給手段とを備え、
前記支持ステージは前記加熱用コイルの通電による電磁誘導作用を受けて発熱する請求項１又は請求項２に記載の半田付け装置。
【請求項４】
前記浮揚状態の前記支持ステージの水平方向への移動を規制する規制手段を備える請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の半田付け装置。
【請求項５】
前記規制手段は、前記支持ステージに取り付けられた第３の磁石と前記第３の磁石に対向して配置され且つ前記第３の磁石と互いに反発しあう第４の磁石とを備える請求項４に記載の半田付け装置。
【請求項６】
前記支持ステージは、前記半田付け対象品を収容する収容部を複数備える請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半田付け装置。
【請求項７】
半田付け用部品が半田を介して半田付け用基体に載置された複数の半田付け対象品を支持する支持ステージを浮揚状態に保持し、前記浮揚状態の支持ステージを非接触加熱手段により加熱して前記複数の半田付け対象品の半田付けを同時に行うことを特徴とする半田付け方法。
【請求項８】
前記支持ステージは、磁石の斥力を利用して浮揚状態に保持される請求項７に記載の半田付け方法。
【請求項９】
前記非接触加熱手段は、前記支持ステージと対向して配置される加熱用コイルに電流を流すことで前記支持ステージに電磁誘導作用を起し、前記支持ステージを発熱させる請求項７又は請求項８に記載の半田付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田付け装置及び半田付け方法に係り、詳しくは複数の半田付け対象品の半田付けを同時に行う半田付け装置及び半田付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半田付け対象品の半田付けを同時に行う場合、図４（ａ）に示すように、複数の半田付け対象品４１を支持治具４２上に支持し、その支持治具４２を加熱源であるホットプレート４３上に載置し、ホットプレート４３により支持治具４２を加熱して支持治具４２の熱を各半田付け対象品４１に伝えることで半田付けを行う方法がある。しかし、ホットプレート４３の表面は厳密には均一な平面ではないため、支持治具４２の裏面に対してホットプレート４３の表面全体が面接触している状態とはならず、図に矢印で示すように局所的に支持治具４２の加熱が行われることになる。また、繰り返し半田付けを行う場合に支持治具４２とホットプレート４３の表面との接触点が毎回異なる可能性があり、さらに、半田付けされる半田付け対象品４１の個体差、熱膨張、反り等の影響もあるため、支持治具４２の温度分布を均一にして複数の半田付け対象品４１の半田付けを同時に行うことは非常に難しい。
【０００３】
ホットプレート４３のような接触加熱方式を用いた半田付け方法以外に、支持治具４２に接触しない加熱手段により支持治具４２を加熱する非接触加熱方式を用いた半田付け方法もある。非接触加熱方式を用いた半田付け方法の一例を図４（ｂ）に示す。この方法では、支持治具４２を複数個の台座４４ａを有する支持台４４上に載置するとともに、位置決めピン４５により支持治具４２の支持台４４に対する位置決めを行い、支持治具４２の上方に配置した加熱用ランプ４６により支持治具４２及び複数の半田付け対象品４１の全体を加熱する。
【０００４】
また、半導体製造装置の露光装置におけるウエハの支持装置として、磁石の吸引力及び反発力（斥力）を利用してテーブルを浮上させた状態で支持する支持装置が提案されている（特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−５２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図４（ｂ）に示すような非接触加熱方式による半田付け方法では、複数の半田付け対象品４１を支持する支持治具４２を加熱するための加熱エネルギー、即ち、加熱用ランプ４６から支持治具４２に供給される投入エネルギーの面積密度を均一にすることができる。しかし、支持治具４２を支持している台座４４ａの部分から支持治具４２の熱が支持台４４へと逃げてしまうため、台座４４ａ付近の支持治具４２の温度が部分的に低くなり、支持治具４２の温度分布は均一にならない。即ち、投入エネルギーの面積密度を均一にするだけでは、複数の半田付け対象品４１を載置する支持治具４２の温度分布を均一にすることは難しい。
【０００６】
仮に、温度分布が不均一の状態で複数の半田付け対象品４１の半田付けを同時に行うと、適正な半田付け温度に達しない箇所に配置された半田付け対象品４１は不合格品になってしまうという虞がある。また、台座４４ａと接触する部分の温度が半田付けの適正温度になるように加熱温度を調整すると、消費エネルギーが多くなりエネルギーが無駄になるばかりでなく、台座４４ａとの接触部から離れた部分の温度が高くなり過ぎてその部分に配置された半田付け対象品４１の半田接合部の信頼性が悪くなるという虞もある。
【０００７】
一方、特許文献１には非接触状態でテーブルを保持する構成は開示されているが、その目的は精度良くテーブルの高さ及び水平方向の位置決めを行うことを目的としており、複数の半田付け対象品４１の半田付けを同時に行うためにテーブルを均一に加熱するということは全く想定されていない。
【０００８】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、複数の半田付け対象品に対して同時に半田付けを行う場合に、各半田付け対象品の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができ、かつ加熱のための消費エネルギーを抑制することができる半田付け装置及び半田付け方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、半田付け対象品を支持する支持ステージと、前記支持ステージを浮揚状態に保持する浮揚機構と、前記浮揚状態の前記支持ステージ及び前記半田付け対象品を非接触状態で加熱する非接触加熱手段とを備える。
【００１０】
この発明では、半田付け対象品を支持する支持ステージは、浮揚機構により浮揚状態に保持されたまま非接触加熱手段により加熱されるため、支持ステージから熱が逃げることがなくなる。即ち、支持ステージ上における温度分布に半田付けに支障を来すようなむらが生じることはない。したがって、非接触加熱手段により均一に支持ステージに加熱エネルギーを供給することにより、各半田付け対象品の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができ、かつ加熱のための消費エネルギーを抑制することができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記浮揚機構は、前記支持ステージを支持する支持部に取り付けられた第１の磁石と、前記支持ステージに前記第１の磁石に対向して配置され且つ前記第１の磁石と互いに反発しあう第２の磁石とを備える。この発明では、支持ステージは、磁石の斥力を利用して浮揚状態に保持される。磁石の斥力を利用して支持ステージを浮揚させているため装置の構成が簡単になるとともに、真空状態でも支持ステージを浮揚状態に保持することができる。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記非接触加熱手段は、前記支持ステージに対向して配置された加熱用コイルと、前記加熱用コイルに電流を供給する電流供給手段とを備え、前記支持ステージは前記加熱用コイルの通電による電磁誘導作用を受けて発熱する。
【００１３】
非接触加熱手段としてランプ方式や電熱ヒータ方式を採用した場合は、被加熱部である支持ステージは、ランプや電熱ヒータに近い部分の表面が温まり易くなる傾向にある。この発明では、非接触加熱手段として誘導加熱方式を採用しているため、電磁誘導作用により支持ステージ自体が均一に発熱するので、複数の半田付け対象品全体を均一に加熱することができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、前記浮揚状態の前記支持ステージの水平方向への移動を規制する規制手段を備える。単に支持ステージを浮揚状態で保持しているだけでは、支持ステージが水平方向の力を受けた際に所定の加熱位置からずれてしまい、加熱が良好に行われなくなる虞がある。この発明では、支持ステージが水平方向へ移動することを規制する規制手段を設けているので、支持ステージを一定の位置に規制した状態で加熱することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記規制手段は、前記支持ステージに取り付けられた第３の磁石と前記第３の磁石に対向して配置され且つ前記第３の磁石と互いに反発しあう第４の磁石とを備える。この発明では、第３の磁石と第４の磁石との斥力により、非接触の状態で支持ステージの水平方向への移動規制を行うことができる。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の発明において、前記支持ステージは、前記半田付け対象品を収容する収容部を複数備える。したがって、この発明では、半田付け対象品を収容部に収容すると自動的に位置決めがなされ、位置決め部を別に設ける必要がない。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、半田付け用部品が半田を介して半田付け用基体に載置された複数の半田付け対象品を支持する支持ステージを浮揚状態に保持し、前記浮揚状態の支持ステージを非接触加熱手段により加熱して前記複数の半田付け対象品の半田付けを同時に行う。この発明では、半田付け対象品を支持する支持ステージは、浮揚状態に保持されたまま非接触加熱手段により加熱されるため、各半田付け対象品の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができ、かつ加熱のための消費エネルギーを抑制することができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記支持ステージは、磁石の斥力を利用して浮揚状態に保持される。したがって、この発明では、支持ステージを浮揚状態に保持する構成が簡単になるとともに、真空状態でも支持ステージを浮揚状態に保持することができる。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、請求項７又は請求項８に記載の発明において、前記非接触加熱手段は、前記支持ステージと対向して配置される加熱用コイルに電流を流すことで前記支持ステージに電磁誘導作用を起し、前記支持ステージを発熱させる。したがって、この発明では、電磁誘導作用により支持ステージ自体が均一に発熱するので、複数の半田付け対象品全体を均一に加熱することができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、複数の半田付け対象品に対して同時に半田付けを行う場合に、各半田付け対象品の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができ、かつ加熱のための消費エネルギーを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１及び図２にしたがって説明する。
この実施形態では、加熱手段は誘導加熱方式を採用しており、複数の半田付け対象品を支持する支持ステージを浮揚状態で保持する浮揚機構は、磁石の斥力を利用している。
【００２２】
先ず、半田付けに使用する装置の構成を説明する。
半田付け装置は、密閉可能なチャンバを備え、チャンバ内に、半田付け対象品を支持する支持ステージと、前記支持ステージを浮揚状態に保持する浮揚機構と、前記浮揚状態の前記支持ステージ及び前記半田付け対象品を非接触状態で加熱する非接触加熱手段とを備える。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、支持プレート３０上に支持部としての支持台１１が載置されている。支持台１１は平面視長方形状に形成され、その周縁寄り上部に複数の第１の磁石１２が取り付けられている。第１の磁石１２は支持台１１の四隅にそれぞれ設けられている。第１の磁石１２には永久磁石が使用され、その着磁方向が支持台１１の厚さ方向（上下方向）になるように支持台１１に取り付けられている。また、支持台１１には規制手段としての規制ピン１３が、上下方向に延びる状態で固定されている。
【００２４】
支持台１１に浮揚状態で支持される支持ステージ１４は、支持台１１より一回り小さな平面視長方形状に形成されている。支持ステージ１４の下面には、支持台１１に設けられた第１の磁石１２と対向する位置に第２の磁石１５が取り付けられている。第２の磁石１５は、その着磁方向が、支持ステージ１４の厚さ方向（上下方向）になるように、かつ第１の磁石１２と対向する磁極が同じ磁極となるように支持ステージ１４に取り付けられている。第１の磁石１２及び第２の磁石１５は、支持ステージ１４を浮揚状態に保持する浮揚機構を構成する。即ち、浮揚機構は、支持ステージ１４を支持する支持台１１に取り付けられた第１の磁石１２と、支持ステージ１４に第１の磁石１２に対向して配置され且つ第１の磁石１２と互いに反発しあう第２の磁石１５とを備える。支持ステージ１４は、第１の磁石１２及び第２の磁石１５の斥力を利用して浮揚状態に保持されるようになっている。
【００２５】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、支持ステージ１４の上面には、半田付け対象品１６を支持する収容部１７が複数形成されている。支持ステージ１４の材質は、誘導加熱により加熱されるものであればよく、強磁性材料やカーボン等が用いられる。この実施形態では、例えばカーボンが使用されている。
【００２６】
半田付け対象品１６は、この実施形態では、図２（ａ），（ｂ）に示すように、半田付け用基体としてのセラミック基板２０と複数個の半田付け用部品としての半導体チップ２１からなる。セラミック基板２０は、表面に回路パターン２２を有し、裏面に金属層２３を有するセラミック板２４で構成されている。回路パターン２２及び金属層２３は、例えば、アルミニウムや銅等で形成されている。セラミック板２４は、例えば、窒化アルミニウム、アルミナ、窒化ケイ素等により形成されている。半導体チップ２１は回路パターン２２上の所定位置に半田２５を介して接合される。
【００２７】
チャンバは、還元ガス雰囲気で加熱を行う加熱装置を構成する。加熱装置は高周波誘導加熱で加熱を行う構成であり、図１（ａ）に示すように、支持ステージ１４の上方に加熱コイルとしての高周波加熱コイル３１が配置されている。支持プレート３０は図示しない昇降手段により昇降可能に構成されており、支持ステージ１４は支持台１１と共に支持プレート３０上に載置され、高周波加熱コイル３１による適正な加熱が行われる位置に配置された状態で加熱が行われる。高周波加熱コイル３１は、電流供給手段としての高周波発生装置３２により出力が制御されるようになっている。また、高周波加熱コイル３１は、パイプ状に形成されるとともに、冷却水タンク３３に接続されており、内部に冷却水を通して高周波加熱コイル３１自身の過熱が抑制されるようになっている。
【００２８】
次に半田付け方法を説明する。
先ず支持ステージ１４の各収容部１７に、半田付け対象品１６を収容する。詳述すると、セラミック基板２０を各収容部１７内に配置し、次に回路パターン２２上に半田２５としてクリーム半田を塗布し、半田２５上に半導体チップ２１を配置する。
【００２９】
次にその支持ステージ１４を支持台１１上に、規制ピン１３で水平方向の移動が規制された状態に配置する。支持ステージ１４は、第１の磁石１２及び第２の磁石１５の斥力により支持台１１から浮揚状態に保持される。支持台１１及び支持ステージ１４は、還元ガス雰囲気で加熱を行う加熱装置内に配置される。
【００３０】
図１（ａ）の状態で高周波加熱コイル３１に高周波電流を流すと、高周波加熱コイル３１の周囲には、支持ステージ１４及び半田付け対象品１６を通る高周波の磁束が発生し、支持ステージ１４等には磁束の通過によって渦電流が発生して、支持ステージ１４は発熱する。支持ステージ１４が発熱することにより、支持ステージ１４上に配置された複数の半田付け対象品１６が加熱される。その結果、半田２５が溶融温度以上の温度になって溶融する。半田２５が完全に溶融した後、高周波加熱コイル３１への高周波電流の供給を停止させる。なお、高周波電流の供給時間は予め試験によって適切な時間に設定されている。そして、溶融した半田２５は、溶融温度未満に冷却されることによって凝固し、セラミック基板２０と半導体チップ２１とを接合する。
【００３１】
その後、加熱装置内が大気と同じ雰囲気に戻された後、支持ステージ１４と共に半田付けが完了した半田付け対象品１６が加熱装置内から取り出され、収容部１７から半田付け対象品１６が取り出されて半田付けが完了する。
【００３２】
複数の半田付け対象品１６を支持する支持ステージ１４は浮揚状態に保持された状態で、非接触加熱手段により加熱されるため、非接触加熱手段から供給されたエネルギーで発生した熱が逃げ難い。なお、支持ステージ１４の水平方向への移動を規制する規制ピン１３と支持ステージ１４とは一部が線接触しているだけであるため、規制ピン１３を介して支持台１１へと逃げる熱はわずかである。このため、支持ステージ１４上における温度分布に、半田付けに支障を来すようなむらが生じることはない。したがって、非接触加熱手段により均一に支持ステージ１４に加熱エネルギーを供給することにより、各半田付け対象品１６の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができる。
【００３３】
この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）複数の半田付け対象品１６を支持する支持ステージ１４を浮揚状態に保持した状態で、支持ステージ１４を非接触加熱手段により加熱して、複数の半田付け対象品１６の半田付けを同時に行う。したがって、非接触加熱手段により均一に支持ステージ１４に加熱エネルギーを供給することにより、各半田付け対象品１６の温度分布を、半田付けを適正に行うことができる状態に均一にすることができ、かつ加熱に必要なエネルギーを抑制することができる。
【００３４】
（２）非接触加熱手段は誘導加熱で加熱を行う。ランプや電熱ヒータで非接触加熱を行う場合は、被加熱部はランプや電熱ヒータに近い部分の表面が温まり易くなる。しかし、非接触加熱手段は誘導加熱で加熱を行うため、被加熱部は表面から加熱されるのではなく、内部からも加熱されるため、全体が均一に加熱され易い。
【００３５】
（３）支持ステージ１４は、規制手段（規制ピン１３）により水平方向への移動が規制された状態で加熱が行われる。したがって、非接触加熱手段は加熱すべき箇所と対応する位置に配置しておけばよく、構成が簡単になる。
【００３６】
（４）支持ステージ１４は、第１の磁石１２及び第２の磁石１５の斥力を利用して浮揚状態に保持される。したがって、圧縮気体を噴射する方法や振動板を超音波振動させて発生する音圧で物体を浮揚させる超音波浮揚方法に比較して、構成が簡単になるとともに、真空状態でも支持ステージ１４を浮揚状態に保持することができる。
【００３７】
（５）支持ステージ１４の材質は、誘導加熱により加熱され、強磁性材料に比較して同じ電力使用量で誘導加熱による発熱量が小さな材質、例えばカーボンが使用されている。したがって、支持ステージ１４全体を均一に加熱するのが容易になる。
【００３８】
（６）支持ステージ１４は、半田付け対象品１６を収容する収容部１７を複数備えている。したがって、半田付け対象品１６を収容部１７に収容すると自動的に位置決めがなされ、位置決め部を別に設ける必要がない。
【００３９】
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○  浮遊状態の支持ステージ１４の水平方向の移動を規制する規制手段は規制ピン１３のように、支持ステージ１４と当接して規制する手段に限らず、非接触状態で移動を規制する構成としてもよい。例えば、図３（ａ）に示すように、支持ステージ１４の側面に第３の磁石１８を固定し、支持台１１には第３の磁石１８と対向する位置に取り付け片１９を介して第４の磁石１９ａを設ける。この構成では、支持ステージ１４は完全に非接触状態で浮揚されるため、支持ステージ１４から逃げる熱量が少なくなるとともに温度分布もより均一になる。
【００４０】
○  磁石を用いて支持ステージ１４の移動を規制する方法として、支持台１１及び支持ステージ１４に設けられた支持ステージ１４を浮揚させるための第１の磁石１２及び第２の磁石１５の固定状態を変更して、第１の磁石１２及び第２の磁石１５が規制手段の役割も果たすように構成してもよい。具体的には、例えば、図３（ｂ）に示すように、第１の磁石１２及び第２の磁石１５を斜めに配置した状態で固定し、第１の磁石１２及び第２の磁石１５の斥力が支持ステージ１４を上方向及び水平方向へ付勢するように作用する状態にする。この場合、磁石の数を増やすことなく、支持ステージ１４を浮揚させた状態で、かつ非接触の状態で移動規制を行うことができる。
【００４１】
○  非接触加熱手段は、誘導加熱を利用する方法に限らず、例えば、ランプで光や赤外線を照射して加熱を行う方法や、電気ヒータを使用して加熱を行う方法で非接触加熱を行うようにしてもよい。
【００４２】
○  支持台１１に固定される第１の磁石１２は永久磁石に限らず、電磁石を設けてもよい。
○  支持ステージを浮揚状態に保持する手段は、磁石の斥力を利用する手段に限らない。例えば、超音波浮揚、即ち振動板を超音波振動させて発生する音圧で物体を浮揚させる方法を利用して構成してもよい。
【００４３】
○  半田付けに使用する半田２５はクリーム半田に限らず、板状（シート状）半田を使用してもよい。
○  支持ステージ１４はカーボン製に限らない。
【００４４】
○  支持ステージ１４は、半田付け対象品１６を収容部１７に収容した状態で支持する構成に限らない。例えば、支持ステージ１４の上面が複数の半田付け対象品１６を支持する平面部に構成され、その平面部に各半田付け対象品１６に対応して位置決め用の凸部が形成された構成や、支持ステージ１４と別体の位置決め用治具を平面部の上に載置して、半田付け対象品１６の位置決めを行う構成にしてもよい。
【００４５】
○  半田付け対象品１６はセラミック基板２０と半導体チップ２１との組み合わせに限らない。例えば、金属板の上に絶縁樹脂層を介して金属回路（回路パターン２２）が形成された絶縁基板と半導体チップ２１との組み合わせであってもよい。
【００４６】
○  セラミック基板２０や絶縁基板に半田付けされる半導体チップ２１は同じ物だけに限らず、異なる種類の半導体チップ２１が混在してもよい。異なる種類の半導体チップ２１は、面積が異なるだけでなく形状や高さが異なるものであってもよい。
【００４７】
○  半田付け対象品１６はセラミック基板２０あるいは絶縁基板と半導体チップ２１に限らず、例えば、半導体チップ２１が実装されたセラミック基板２０を金属ベースに半田付けする場合や、プリント配線板と表面実装部品との組み合わせであってもよい。
【００４８】
○  半田付け装置は、密閉可能なチャンバを備える構成に限らない。大気中で半田付けを行う構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は一実施形態における支持台、支持ステージ及び非接触加熱手段との関係を示す模式図、（ｂ）は支持ステージの模式斜視図。
【図２】（ａ）は半田付け対象品の模式斜視図、（ｂ）は模式断面図。
【図３】（ａ），（ｂ）は別の実施形態の支持台及び支持ステージの模式断面図。
【図４】（ａ），（ｂ）は従来技術の模式断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１２…第１の磁石、１３…規制手段としての規制ピン、１４…支持ステージ、１５…第２の磁石、１６…半田付け対象品、１７…収容部、１８…規制手段としての第３の磁石、１９ａ…規制手段としての第４の磁石、２０…半田付け用基体としてのセラミック基板、２１…半田付け用部品としての半導体チップ、２５…半田、３１…非接触加熱手段を構成する加熱コイルとしての高周波加熱コイル、３２…電流供給手段としての高周波発生装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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