(57)【要約】【課題】書込みパルス電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させる。【解決手段】走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネル１０と、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、初期化期間において下降する下り傾斜波形電圧を発生させて走査電極に印加する走査電極駆動回路４３と、プラズマディスプレイパネル１０の全放電セルに対する点灯させるべき放電セルの割合を点灯率としてサブフィールド毎に検出する点灯率検出回路４７とを備え、走査電極駆動回路４３は、現サブフィールドの初期化期間において発生させる下り傾斜波形電圧の最低電圧を、点灯率検出回路４７により検出された直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更する。【選択図】図３
2009236989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、前記初期化期間において下降する下り傾斜波形電圧を発生させて前記走査電極に印加する走査電極駆動回路と、
前記プラズマディスプレイパネルの全放電セルに対する点灯させるべき放電セルの割合を点灯率としてサブフィールド毎に検出する点灯率検出回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、
現サブフィールドの前記初期化期間において発生させる前記下り傾斜波形電圧の最低電圧を、前記点灯率検出回路により検出された直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記走査電極駆動回路は、１フィールド期間内に、
前記プラズマディスプレイパネルの全放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行うサブフィールドと、直前のサブフィールドの書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルにのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行うサブフィールドとを有し、
前記全セル初期化動作を行うサブフィールドにおいては、直前のサブフィールドの点灯率にかかわらず、前記下り傾斜波形電圧の最低電圧を一定にすることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、前記初期化期間において下降する下り傾斜波形電圧を発生させ前記走査電極に印加して駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記プラズマディスプレイパネルの全放電セルに対する点灯させるべき放電セルの割合を点灯率としてサブフィールド毎に検出し、現サブフィールドの前記初期化期間において発生させる前記下り傾斜波形電圧の最低電圧を、直前のサブフィールドの前記点灯率に応じて変更することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
１フィールド期間内に、前記プラズマディスプレイパネルの全放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行うサブフィールドと、直前のサブフィールドの書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルにのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行うサブフィールドとを設け、
前記全セル初期化動作を行うサブフィールドにおいては、直前のサブフィールドの点灯率にかかわらず、前記下り傾斜波形電圧の最低電圧を一定にすることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている（例えば、特許文献１参照）。サブフィールド法では、１フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルを発光または非発光させることにより階調表示を行う。各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
【０００４】
初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。それにより、各放電セルにおいて、続く書込み動作のために必要な壁電荷を形成する。
【０００５】
書込み期間では、走査電極に順次走査パルスを印加（以下、この動作を「走査」とも記す）するとともに、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを印加する（以下、これらの動作を総称して「書込み」とも記す）。それにより、走査電極とデータ電極との間で選択的に書込み放電を発生させ、選択的に壁電荷を形成する。
【０００６】
続く維持期間では、表示させるべき輝度に応じた所定の回数の維持パルスを走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に印加する。それにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで選択的に放電を起こし、その放電セルを発光させる。これにより画像表示を行う。
【０００７】
複数の走査電極は走査電極駆動回路により駆動され、複数の維持電極は維持電極駆動回路により駆動され、複数のデータ電極はデータ電極駆動回路により駆動される。
【特許文献１】特開２００６−１８２９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年においては、パネルの更なる高精細化が進められているが、パネルの高精細化にともない微細化された放電セルでは、初期化放電によって放電セル内に形成された壁電荷が失われる電荷抜けと呼ばれる現象が生じやすいことが確認されている。また、壁電荷は時間の経過とともに徐々に失われていくことがわかっており、さらに、壁電荷は、他の放電セルに書込み放電を発生させるためにデータ電極に印加される書込みパルスの影響を受けて減少することも確認されている。そのため、初期化放電が起こってから書込み期間で走査パルスが印加される順番が遅い放電セルでは、その放電セルに走査パルスおよび書込みパルスが印加されるまでにより多くの壁電荷が失われやすく、書込み動作時の放電不良が発生しやすい。特に、高精細化されたパネルでは、走査電極数の増加により走査に費やす時間がさらに長くなってしまうため、書込み期間の最後の方に書込みがなされる放電セルにおける壁電荷の減少はさらに大きくなりやすく、書込み放電が不安定になりやすい。
【０００９】
したがって、安定した書込み放電を発生させるためには、初期化動作において壁電荷の調整を適正に行うことが重要である。しかし、初期化放電は、放電セルの点灯状態に影響を受けてばらつきを生じることがあるため、放電セルの点灯状態によらず壁電荷の調整を適正に行うことは困難であった。
【００１０】
本発明は、これらの課題に鑑みなされたものであり、放電セルの点灯状態に応じて初期化放電を制御することで壁電荷の調整を適正に行うことができるので、安定した書込み放電を発生させることが可能なプラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、初期化期間において下降する下り傾斜波形電圧を発生させて走査電極に印加する走査電極駆動回路と、パネルの全放電セルに対する点灯させるべき放電セルの割合を点灯率としてサブフィールド毎に検出する点灯率検出回路とを備え、走査電極駆動回路は、現サブフィールドの初期化期間において発生させる下り傾斜波形電圧の最低電圧を、点灯率検出回路により検出された直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更することを特徴とする。
【００１２】
これにより、直前のサブフィールドの点灯率に応じて現サブフィールドの初期化放電を制御し壁電荷の調整を適正に行うことができるので、書込みパルス電圧を大きくすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【００１３】
また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、１フィールド期間内に、パネルの全放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行うサブフィールドと、直前のサブフィールドの書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルにのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行うサブフィールドとを有し、全セル初期化動作を行うサブフィールドにおいては、直前のサブフィールドの点灯率にかかわらず、下り傾斜波形電圧の最低電圧を一定にする構成であってもよい。
【００１４】
また、本発明のパネルの駆動方法は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド期間内に複数設けるとともに、初期化期間において下降する下り傾斜波形電圧を発生させ走査電極に印加して駆動するパネルの駆動方法であって、パネルの全放電セルに対する点灯させるべき放電セルの割合を点灯率としてサブフィールド毎に検出し、現サブフィールドの初期化期間において発生させる下り傾斜波形電圧の最低電圧を、直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更することを特徴とする。
【００１５】
これにより、直前のサブフィールドの点灯率に応じて現サブフィールドの初期化放電を制御し壁電荷の調整を適正に行うことができるので、書込みパルス電圧を大きくすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【００１６】
また、本発明のパネルの駆動方法は、１フィールド期間内に、パネルの全放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行うサブフィールドと、直前のサブフィールドの書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルにのみ初期化放電を発生させる選択初期化動作を行うサブフィールドとを設け、全セル初期化動作を行うサブフィールドにおいては、直前のサブフィールドの点灯率にかかわらず、下り傾斜波形電圧の最低電圧を一定にしてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、放電セルの点灯状態に応じて初期化放電を制御することで壁電荷の調整を適正に行うことができるので、安定した書込み放電を発生させることが可能なプラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００１９】
（実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。
【００２０】
また、保護層２６は、放電セルにおける放電開始電圧を下げるために、パネルの材料として使用実績があり、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）ガスを封入した場合に２次電子放出係数が大きく耐久性に優れたＭｇＯを主成分とする材料から形成されている。
【００２１】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００２２】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００２３】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００２４】
図２は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に延長されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に延長されたｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００２５】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図３は、本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、点灯率検出回路４７、メモリ４８および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００２６】
画像信号処理回路４１は、パネル１０の画素数に応じて、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【００２７】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎の画像データを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００２８】
点灯率検出回路４７は、サブフィールド毎の画像データにもとづき、全放電セル数に対する点灯させるべき放電セル数の割合、すなわち点灯率をサブフィールド毎に検出する。そして、検出した点灯率をあらかじめ定めた複数の点灯率しきい値（本実施の形態においては、４０％、７０％）と比較し、その結果を表す信号をタイミング発生回路４５に出力する。なお、点灯率検出回路４７から出力される信号は、メモリ４８において１サブフィールド期間分だけ遅延されて、タイミング発生回路４５に入力される。なお、この点灯率しきい値は何らこれらの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづいて最適な値に設定することが望ましい。
【００２９】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖおよび点灯率検出回路４７からの出力にもとづき各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００３０】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生するための初期化波形発生回路（図示せず）、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路（図示せず）、複数の走査ＩＣを備え書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生するための走査パルス発生回路５２を有する。そして、タイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎをそれぞれ駆動する。
【００３１】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２を発生するための回路（図示せず）を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００３２】
なお、本実施の形態における走査電極駆動回路４３は、初期化期間に走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を、点灯率検出回路４７において検出された点灯率にもとづき変化させている。これにより、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置１では、初期化動作における壁電荷の調整を適正に行い、書込み放電の安定化を実現しているが、この詳細については後述する。
【００３３】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細について説明する。図４は、本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路４３の回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５１、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５２を備え、走査パルス発生回路５２の各出力端子はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。なお、図４には、負の電圧Ｖａを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５４）を動作させているときに、その回路と維持パルス発生回路５０および電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ４を用いた分離回路を示している。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００３４】
維持パルス発生回路５０は、一般に用いられている電力回収回路（図示せず）とクランプ回路（図示せず）とを備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルスを発生させる。なお、図４では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。また、上昇する傾斜波形電圧を発生させるためのミラー積分回路（図示せず）を備え、維持期間の最後に、後述する消去ランプ波形を発生させる。
【００３５】
初期化波形発生回路５１は、スイッチング素子Ｑ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し走査パルス発生回路５２の基準電位Ａをランプ状に上昇させるミラー積分回路５３、スイッチング素子Ｑ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し走査パルス発生回路５２の基準電位Ａをランプ状に降下させるミラー積分回路５４を備えている。そして、ミラー積分回路５３は初期化動作時に上昇する傾斜波形電圧を発生させ、ミラー積分回路５４は初期化動作時に下降する傾斜波形電圧を発生させる。なお、図４には、ミラー積分回路５３の入力端子を入力端子ＩＮ１、ミラー積分回路５４の入力端子を入力端子ＩＮ２として示している。
【００３６】
なお、本実施の形態では、初期化波形発生回路５１に、実用的であり比較的構成が簡単なＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたミラー積分回路を採用しているが、本実施の形態は何らこの構成に限定されるものではなく、基準電位Ａをランプ状に上昇または降下させることができる回路であればどのような回路であってもよい。
【００３７】
走査パルス発生回路５２は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを出力する複数の走査ＩＣ５５（本実施の形態では、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２））と、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するためのスイッチング素子Ｑ５と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｃｎを重畳した電圧Ｖｃを走査ＩＣ５５の高電圧側に印加するためのダイオードＤ３１およびコンデンサＣ３１と、２つの入力端子に入力される入力信号の大小を比較する比較器ＣＰ１と、比較器ＣＰ１の一方の入力端子に電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）を印加するためのスイッチング素子ＳＷ１と、比較器ＣＰ１の一方の入力端子に電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）を印加するためのスイッチング素子ＳＷ２と、比較器ＣＰ１の一方の入力端子に電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）を印加するためのスイッチング素子ＳＷ３とを備えている。なお、比較器ＣＰ１の他方の入力端子は基準電位Ａに接続されている。
【００３８】
走査ＩＣ５５は、低電圧側の入力端子である入力端子ＩＮａと高電圧側の入力端子である入力端子ＩＮｂとの２つの入力端子を有し、制御信号にもとづき、２つの入力端子に入力される信号のいずれかを出力する。そして、走査ＩＣ５５のそれぞれには、制御信号として、タイミング発生回路４５から出力される制御信号ＯＣ１、比較器ＣＰ１から出力される制御信号ＯＣ２が入力される。また、書込み期間において最初に走査を行う走査ＩＣ（１）には、書込み期間の開始直後にタイミング発生回路４５から出力される走査開始信号ＳＩＤ（１）が入力される。また、全ての走査ＩＣ５５（本実施の形態では、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２））には、信号処理動作の同期をとるための同期信号であるクロック信号が共通して入力されるが、図４ではその経路は省略している。
【００３９】
なお、走査パルス発生回路５２は、初期化期間では初期化波形発生回路５１の電圧波形を出力し、維持期間では維持パルス発生回路５０の電圧波形を出力するように、タイミング発生回路４５によって制御される。
【００４０】
図５は、本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路４３の走査ＩＣ５５と走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとの接続の様子を示す概略図である。なお、図５では、走査ＩＣ５５（走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２））以外の回路は省略している。
【００４１】
走査パルス発生回路５２は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルス電圧を印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣ５５である。
【００４２】
なお、本実施の形態では、９０本の出力分のスイッチング素子を１つのモノリシックＩＣとして集積し、パネル１０は１０８０本の走査電極２２を備えているものとする。すなわち、１２個の走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）を用いて走査パルス発生回路５２を構成し、ｎ＝１０８０本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動するものとする。このように多数のスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをＩＣ化することにより部品点数を削減し、実装面積を低減することができる。ただし、本実施の形態で示した数値は単なる一例であり、本発明は何らこれらの数値に限定されるものではない。
【００４３】
そして、書込み動作時には、まず、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣ９０に接続された走査ＩＣ（１）を動作させ、その後に、走査電極ＳＣ９１〜走査電極ＳＣ１８０に接続された走査ＩＣ（２）を動作させ、以降、走査ＩＣ（３）から走査ＩＣ（１２）までを順次動作させる。
【００４４】
なお、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎの切換えは、上述したように、走査開始信号ＳＩＤ、制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２により行われる。
【００４５】
次に、走査ＩＣ５５の動作について説明する。図６は、本発明の一実施の形態における制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２と走査ＩＣ５５の動作状態との対応関係を示す図である。
【００４６】
図６に示すように、制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２がともにハイレベル（以下、「Ｈｉ」と記す）のとき、走査ＩＣ５５は、「Ａｌｌ−Ｈｉ」の状態、すなわち、走査ＩＣ５５の出力端子の全てが高電圧側の入力端子ＩＮｂと電気的に接続されるように走査ＩＣ５５の内部に備えられた全てのスイッチング素子が切換えられた状態となる。
【００４７】
制御信号ＯＣ１が「Ｈｉ」、制御信号ＯＣ２がローレベル（以下、「Ｌｏ」と記す）のとき、走査ＩＣ５５は、「Ａｌｌ−Ｌｏ」の状態、すなわち、走査ＩＣ５５の出力端子の全てが低電圧側の入力端子ＩＮａと電気的に接続されるように走査ＩＣ５５の内部に備えられた全てのスイッチング素子が切換えられた状態となる。例えば、初期化波形発生回路５１または維持パルス発生回路５０を動作させているときは、制御信号ＯＣ１を「Ｈｉ」、制御信号ＯＣ２を「Ｌｏ」にして、走査ＩＣ５５を「Ａｌｌ−Ｌｏ」の状態にする。これにより、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎがオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎがオンになり、走査ＩＣ５５の出力端子の全てが入力端子ＩＮａと電気的に接続され、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを経由して各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに初期化波形または維持パルスを印加することができる。
【００４８】
また、制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２がともに「Ｌｏ」のとき、走査ＩＣ５５は、「ハイインピーダンス」（以下、「ＨｉＺ」と記す）の状態となる。この「ＨｉＺ」の状態では、走査ＩＣ５５の各出力端子からは、走査ＩＣ５５が「ＨｉＺ」の状態になった時点の出力電圧がそのまま保持されて出力される。
【００４９】
また、制御信号ＯＣ１が「Ｌｏ」、制御信号ＯＣ２が「Ｈｉ」のとき、走査ＩＣ５５は、「ＤＡＴＡ」状態、すなわち、走査ＩＣ５５に入力される走査開始信号ＳＩＤにもとづきあらかじめ定められた一連の動作を行う状態となる。
【００５０】
具体的には、走査ＩＣ５５が「ＤＡＴＡ」状態のときに走査ＩＣ５５に走査開始信号ＳＩＤが入力される（本実施の形態では、走査開始信号ＳＩＤが「Ｈｉ」から「Ｌｏ」に変化する）ことで、走査ＩＣ５５は次の動作を行う。まず最初に、走査ＩＣ５５の最初の出力端子だけが低電圧側の入力端子ＩＮａと電気的に接続され、残りの全ての出力端子は高電圧側の入力端子ＩＮｂと電気的に接続される。その状態が所定時間（例えば、１μｓｅｃ）継続された後、次に、走査ＩＣ５５の２番目の出力端子だけが低電圧側の入力端子ＩＮａと電気的に接続され、残りの全ての出力端子は高電圧側の入力端子ＩＮｂと電気的に接続される。そして、その状態が所定時間継続された後、続いて、走査ＩＣ５５の３番目の出力端子だけが低電圧側の入力端子ＩＮａと電気的に接続される。このようにして、走査ＩＣ５５の各出力端子が、順番に、所定時間ずつ、低電圧側の入力端子ＩＮａと電気的に接続されていく。書込み期間においては、走査ＩＣ５５をこの動作状態にすることで、走査ＩＣ５５の各出力端子から走査パルス電圧Ｖａを順次発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの走査を行うことができる。
【００５１】
なお、本実施の形態では、書込み期間の最初に走査を行う走査ＩＣ（１）に用いる走査開始信号ＳＩＤ（１）だけをタイミング発生回路４５で発生させており、残りの走査開始信号、すなわち走査ＩＣ（２）に用いる走査開始信号ＳＩＤ（２）から走査ＩＣ（１２）に用いる走査開始信号ＳＩＤ（１２）までの各走査開始信号は、各走査ＩＣ５５で発生させている。
【００５２】
例えば、走査ＩＣ（１）は、走査ＩＣ（１）に接続された全ての走査電極２２への走査が終了した後、シフトレジスター等を使って走査開始信号ＳＩＤ（１）を所定時間遅延させて作成した走査開始信号ＳＩＤ（２）を出力し、次段の走査ＩＣ（２）に供給する。走査ＩＣ（２）は、同様に、走査開始信号ＳＩＤ（２）を所定時間遅延させて作成した走査開始信号ＳＩＤ（３）を次段の走査ＩＣ（３）に供給する。以下、同様に、各走査ＩＣ５５は、入力された走査開始信号ＳＩＤ（ｉ）を所定時間遅延させて新たな走査開始信号ＳＩＤ（ｉ＋１）を作成し、次段の走査ＩＣ５５に供給する。このような構成とすることで、走査開始信号ＳＩＤ（２）〜走査開始信号ＳＩＤ（１２）をタイミング発生回路４５で発生させなくともよくなり、タイミング発生回路４５と走査電極駆動回路４３とを結ぶ制御信号のための配線の数を削減することができる。
【００５３】
また、制御信号ＯＣ２を出力する比較器ＣＰ１は、図４に示すように、スイッチング素子ＳＷ１がオン、スイッチング素子ＳＷ２およびスイッチング素子ＳＷ３がオフのときには電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）と基準電位Ａとを比較し、スイッチング素子ＳＷ２がオン、スイッチング素子ＳＷ１およびスイッチング素子ＳＷ３がオフのときには電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）と基準電位Ａとを比較し、スイッチング素子ＳＷ３がオン、スイッチング素子ＳＷ１およびスイッチング素子ＳＷ２がオフのときには電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）と基準電位Ａとを比較する。そして、基準電位Ａの方が高い場合には「Ｌｏ」を、それ以外では「Ｈｉ」を出力し、走査ＩＣ（１）〜走査ＩＣ（１２）に供給する。
【００５４】
そして、走査ＩＣ５５では、この制御信号ＯＣ２により、下降する傾斜波形電圧の最低電圧を電圧値の異なる複数の電圧で切換えている。なお、スイッチング素子ＳＷ１〜スイッチング素子ＳＷ３のオン／オフは、タイミング発生回路４５によって制御されるものとする。
【００５５】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について図７を用いて説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールド期間を時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行うものとする。
【００５６】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ（１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８）の輝度重みを有する構成とすることができる。また、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては全ての放電セルに初期化放電を発生させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては直前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を発生させる選択初期化動作を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００５７】
そして、本実施の形態では、第１ＳＦの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第２ＳＦ〜第８ＳＦの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける全セル初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなって、コントラストの高い画像表示が可能となる。また、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００５８】
なお、本発明は、本実施の形態のように、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００５９】
図７は、本発明の一実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【００６０】
なお、図７には、書込み期間において最初に走査を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において最後に走査を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００６１】
また、図７には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド（「全セル初期化サブフィールド」と呼称する）の第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化動作を行うサブフィールド（「選択初期化サブフィールド」と呼称する）の第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。なお、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形は、維持期間における維持パルス数が異なる以外は第２ＳＦの駆動電圧波形とほぼ同様である。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中から画像データにもとづき選択された電極を表す。
【００６２】
まず、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００６３】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、０（Ｖ）から維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下の電圧Ｖｉ１を印加し、さらに電圧Ｖｉ１から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧（以下、「上りランプ波形」と呼称する）Ｌ１を印加する。
【００６４】
この上りランプ波形Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００６５】
初期化期間後半部では、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅ１を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに対して放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ３から放電開始電圧を超える負の電圧に向かって緩やかに下降する下り傾斜波形電圧（以下、「下りランプ波形」と呼称する）Ｌ２を印加する。なお、本実施の形態では、下りランプ波形Ｌ２における最低電圧を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）としている。
【００６６】
この間に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとの間、および走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎとデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
【００６７】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては順次走査パルス電圧を印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００６８】
この書込み期間では、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃ（Ｖｃ＝Ｖａ＋Ｖｓｃｎ）を印加する。
【００６９】
そして、１行目の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ２を印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（Ｖｅ２−Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅ２を、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００７０】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作を行う。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００７１】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００７２】
この維持期間では、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
【００７３】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【００７４】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
【００７５】
そして、維持期間の最後には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを０（Ｖ）に戻した後、ベース電位となる０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって上昇する傾斜波形電圧（以下、「消去ランプ波形」と呼称する）Ｌ３を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間で微弱な放電（以下、「消去放電」と呼称する）が発生する。この消去放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電荷を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、すなわち（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。
【００７６】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００７７】
第２ＳＦの初期化期間では、第１ＳＦにおける初期化期間の前半部を省略した駆動電圧波形を各電極に印加する。すなわち、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅ１を、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加し、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する下りランプ波形Ｌ４を印加する。
【００７８】
これにより直前のサブフィールド（図７では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。一方、前のサブフィールドで維持放電が起こらなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷の状態がそのまま保たれる。このように第２ＳＦにおける初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して初期化放電を行う選択初期化動作となる。
【００７９】
なお、図７には、下りランプ波形Ｌ４における最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）とする一例を示しているが、本実施の形態では、下りランプ波形Ｌ４における最低電圧Ｖｉ４の電圧値は可変であり、直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更する構成としている。
【００８０】
第２ＳＦの書込み期間においては、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を印加する。
【００８１】
第２ＳＦの維持期間においては、第１ＳＦの維持期間と同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとにあらかじめ定められた数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み期間において書込み放電を発生させた放電セルで維持放電を発生させる。
【００８２】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対して、維持期間における維持パルス数が異なる以外は第２ＳＦと同様の駆動波形を印加する。
【００８３】
以上が、パネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００８４】
次に、本実施の形態における下りランプ波形の最低電圧Ｖｉ４と点灯率との関係について説明する。
【００８５】
図８は、本発明の一実施の形態における下りランプ波形の最低電圧Ｖｉ４と直前のサブフィールドの点灯率との関係の一例を示す図である。なお、図８（ａ）には、１フィールドを８つのサブフィールドで構成し、第１ＳＦを全セル初期化サブフィールドとし、残りを選択初期化サブフィールドとした場合の、最低電圧Ｖｉ４を可変とするサブフィールドの一構成例を示し、図８（ｂ）には、直前のサブフィールドにおける点灯率の検出値を３つの範囲に区分けした場合の一構成例を示している。
【００８６】
本実施の形態では、図８（ａ）に示すように、選択初期化サブフィールド（第２ＳＦから第８ＳＦ）における下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を可変とし、直前のサブフィールドの点灯率に応じて、複数の異なる電圧値、例えば、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）の３つの異なる電圧値のいずれかに切換えている。
【００８７】
そして、図８（ｂ）に示すように、直前のサブフィールドの点灯率を、例えば、４０％未満、４０％以上７０％未満、７０％以上の３つの範囲に区分けし、直前のサブフィールドの点灯率が７０％以上であれば、現サブフィールドにおいて、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）（例えば、Ｖｓｅｔ４＝１０（Ｖ））にして下りランプ波形Ｌ４を発生させる。また、直前のサブフィールドの点灯率が４０％以上７０％未満であれば、現サブフィールドにおいて、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）よりも低い電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）（例えば、Ｖｓｅｔ３＝８（Ｖ））にして下りランプ波形Ｌ４を発生させる。また、直前のサブフィールドの点灯率が４０％未満であれば、現サブフィールドにおいて、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）よりもさらに低い電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）（例えば、Ｖｓｅｔ２＝６（Ｖ））にして下りランプ波形Ｌ４を発生させる。
【００８８】
このように、本実施の形態では、選択初期化サブフィールドにおいて、直前のサブフィールドの点灯率に応じて、現サブフィールドの下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を変更するものとする。これにより、本実施の形態では安定した書込み放電を実現しているが、これは、次のような理由による。
【００８９】
なお、本実施の形態において、最低電圧Ｖｉ４の変更は、下りランプ波形Ｌ４における電圧降下の継続時間の変更を目的としたものである。そのため、最低電圧Ｖｉ４の変更にかかわらず、下りランプ波形Ｌ４の傾斜は一定（例えば、−１．３Ｖ／μｓｅｃ）に保つものとするが、最低電圧Ｖｉ４の変更にともない発生する傾斜のばらつきは許容されるものとする。
【００９０】
図９は、本発明の一実施の形態における点灯率と初期化放電との関係を概略的に示す図である。図９には、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルス、消去ランプ波形Ｌ３、下りランプ波形Ｌ４の概略波形と、そのときの発光波形の概略を示しているが、点灯率が高いときと点灯率が低いときとの差を比較して示すために、図９の上図には点灯率が高いときの各概略波形を示し、下図には点灯率が低いときの各概略波形を示している。
【００９１】
放電セルの点灯率と維持放電の放電強度とには関連性があり、例えば、点灯率が高いときには、図９の上図に示すように維持放電の放電強度は比較的弱くなり、逆に、点灯率が低いときには、図９の下図に示すように、維持放電の放電強度は比較的強くなることが確認された。これは、駆動回路から見たパネル１０の駆動負荷が、放電セルの点灯・非点灯の組み合わせによって変動し、維持パルスの立ち上がり傾斜および立ち上がり波形の波形歪み、維持パルスの到達電位等に、点灯率に応じた違いが発生するためと考えられる。
【００９２】
一方、維持動作においては、維持パルスの立ち下がりにおいて微弱な放電（以下、この放電を「自己消去放電」と呼称する）が発生することがあることが確認された。そして、この自己消去放電は、維持パルスの放電強度に依存して放電強度が変化し、維持パルスの立ち上がりで強い放電が発生すると、図９の下図に示すように、比較的強い自己消去放電が発生することが確認された。このような自己消去放電は、維持放電で形成された壁電荷を減少させるため、続く放電に必要な壁電荷を不足させるおそれがある。例えば、消去放電の直前の維持パルスにおいて、この自己消去放電が発生すると、消去放電に必要な壁電荷が不足することがある。そして、消去放電に必要な壁電荷が不足すると、図９の下図に示すように、消去ランプ波形Ｌ３において消去放電の発生するタイミングが、消去放電に必要な壁電荷が十分にある上図の場合と比較して、遅くなる。
【００９３】
消去ランプ波形Ｌ３において消去放電の発生するタイミングが遅いと、消去放電が十分に行われず、その結果、図９の下図に示すように、下りランプ波形Ｌ４において初期化放電の発生するタイミングが、十分に消去放電が行われた上図の場合と比較して遅くなる。そして、下りランプ波形Ｌ４において初期化放電の発生するタイミングが遅くなると、初期化放電の持続時間が不十分なまま、すなわち壁電荷の調整時間が不足したまま、初期化動作が終了してしまう。
【００９４】
壁電荷の調整が不十分なまま続く書込み期間が開始されると、書込み放電を安定に発生させることが難しくなる。また、高精細化されたパネルでは、走査電極数の増加により走査に費やす時間が長くなってしまうため、書込み期間の最後の方に書込みがなされる放電セルにおいて壁電荷がさらに不足するおそれがあり、書込み放電がより不安定になりやすい。
【００９５】
このような場合に書込み放電を安定に発生させるためには、壁電荷の調整時間、すなわち下りランプ波形Ｌ４における初期化放電の持続時間の長さが適切に確保されるように調整すればよく、そのためには、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧をより小さくし、下りランプ波形Ｌ４において電圧降下が継続される時間を延長してやればよい。
【００９６】
しかしながら、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧を単に小さくすることは、図９の上図に示すような、直前のサブフィールドの点灯率が比較的高く、下りランプ波形Ｌ４において比較的早いタイミングで初期化放電が発生するような場合に、初期化放電の持続時間を必要以上に長くしてしまい、壁電荷の調整を過剰にするだけでなく、消費電力の増加の原因ともなるため、望ましくない。
【００９７】
そこで、本実施の形態では、上述したように、現サブフィールドの下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を、直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更する構成とする。すなわち、直前のサブフィールドの点灯率が低く現サブフィールドの初期化期間における初期化放電が比較的遅く発生すると判断されるようなときには、直前のサブフィールドの点灯率が高い場合と比較して、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を小さくし、下りランプ波形Ｌ４において電圧降下が継続される時間が延長されるようにする。これにより、初期化動作において初期化放電の持続時間を最適に制御し、壁電荷の調整を過不足なく行うことができるようになるので、放電セル内の壁電荷を適正な状態にすることができ、続く書込み動作を安定に発生させることが可能となる。
【００９８】
図１０は、本発明の一実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄと直前のサブフィールドの点灯率との関係を示す特性図である。なお、図１０において、縦軸は安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを表し、横軸は直前のサブフィールドの点灯率を表す。また、図１０において、破線で示す特性は、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）で一定にしたときの測定結果であり、実線で示す特性は、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を直前のサブフィールドの点灯率に応じて図８（ｂ）に示したように可変させたときの測定結果である。
【００９９】
そして、図１０に示すように、現サブフィールドの下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を直前のサブフィールドの点灯率に応じて制御することで、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減できることが確認された。図１０に示す測定結果では、例えば、直前のサブフィールドの点灯率が１０％のときには、現サブフィールドにおいて安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを、破線に示す特性と比較して約５（Ｖ）低減できる。
【０１００】
このように、本実施の形態によれば、現サブフィールドの下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を、直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更する構成とすることで、下りランプＬ４による初期化放電の持続時間を最適に制御して放電セル内の壁電荷を適正な状態にすることができるようになり、書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを大きくすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となる。
【０１０１】
なお、本実施の形態では、全セル初期化サブフィールドである第１ＳＦでは、下りランプ波形Ｌ２の最低電圧を可変ではなく固定にする例を説明しているが、これは、全セル初期化サブフィールドでは、上りランプ波形Ｌ１により全ての放電セルに初期化放電を発生させているので、下りランプ波形Ｌ２によって初期化放電を発生させるときに、直前のサブフィールドの点灯率の影響を考慮する必要がないためである。また、下りランプ波形Ｌ２における最低電圧を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）としているが、これは、設定可能な最低電圧のうち最も小さい電圧値に設定することで、第１ＳＦの初期化放電、すなわち１フィールド期間において最初に発生させる初期化放電による壁電荷調整をより確実に行わせるためである。
【０１０２】
なお、ここに挙げた各数値は単なる一例に過ぎず、本発明は何らこれらの数値に限定されるものではない。最低電圧Ｖｉ４や点灯率のしきい値に関してはパネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等にもとづいて最適な値に設定することが望ましい。
【０１０３】
次に、走査電極駆動回路４３の動作と下りランプ波形の発生について、図１１から図１３を用いて説明する。まず、図１１を用いて全セル初期化期間における初期化波形および下りランプ波形Ｌ２を発生する場合の動作を説明し、次に、図１２、図１３を用いて下りランプ波形Ｌ４を発生する場合の動作を説明する。
【０１０４】
なお、図１１から図１３では、電圧Ｖｉ１、電圧Ｖｉ３は電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｒに等しいものとして説明する。
【０１０５】
図１１は、本発明の一実施の形態における全セル初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、ここでは、全セル初期化動作を行う駆動電圧波形を期間Ｔ１、期間Ｔ２、期間Ｔ３、期間Ｔ４１で示した４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。
【０１０６】
（期間Ｔ１）
まず、維持パルス発生回路５０の電力回収回路を動作させ走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧を上昇させる。その後、維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電位を電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１と等しい）にする。
【０１０７】
（期間Ｔ２）
次に、上りランプ波形を発生するミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、所定の定電流を入力する。すると、抵抗Ｒ１からコンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１のソース電圧がランプ状に上昇し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に上昇し始める。そしてこの電圧上昇は、入力端子ＩＮ１が「Ｈｉ」の間継続する。
【０１０８】
この出力電圧が電圧Ｖｒ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ２と等しい）まで上昇したら、その後、入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、例えば０（Ｖ）を印加する。
【０１０９】
このようにして、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ１と等しい）から、放電開始電圧を超える電圧Ｖｒ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ２と等しい）に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１１０】
（期間Ｔ３）
入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にすると走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧が電圧Ｖｓ（本実施の形態では、電圧Ｖｉ３と等しい）まで低下する。
【０１１１】
（期間Ｔ４１）
次に、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、所定の定電流を入力する。すると、抵抗Ｒ２からコンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し、走査電極駆動回路４３の出力電圧もランプ状に下降し始める。
【０１１２】
なお、下りランプ波形Ｌ２を発生させるときには、比較器ＣＰ１では、基準電位Ａ、すなわち初期化波形発生回路５１から出力される下りランプ波形と、電圧Ｖａに電圧Ｖｓｅｔ２が加えられた電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）との比較を行わせ、その比較結果を制御信号ＯＣ２として用いる。そのために、期間Ｔ４１では、スイッチング素子ＳＷ１はオンにし、スイッチング素子ＳＷ２、スイッチング素子ＳＷ３はオフにする。これにより、比較器ＣＰ１からの出力信号、すなわち制御信号ＯＣ２は、基準電位Ａにおける下りランプ波形が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）以下となる時刻ｔ４１において「Ｌｏ」から「Ｈｉ」に切換わる。
【０１１３】
したがって、時刻ｔ４１で、制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２はともに「Ｈｉ」となり、走査ＩＣ５５は「Ａｌｌ−Ｈｉ」状態となる。すなわち、走査ＩＣ５５からの出力電圧は、入力端子ＩＮｂに入力される電圧（図４に示した構成では、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧）となり、それまでの電圧降下が時刻ｔ４１で電圧上昇に切換わる。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される下りランプ波形は最低電圧が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）の下りランプ波形Ｌ２となる。
【０１１４】
そして、初期化期間が終了する直前に、入力端子ＩＮ２に、例えば０（Ｖ）を印加して、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。
【０１１５】
以上のようにして、走査電極駆動回路４３は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対して、放電開始電圧以下となる電圧Ｖｉ１から放電開始電圧を超える電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する上りランプ波形を発生させ、その後、電圧Ｖｉ３から電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）に向かって緩やかに下降する下りランプ波形Ｌ２を発生させて走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加することができる。
【０１１６】
次に、図１２を用いて下りランプ波形Ｌ４を発生させる場合の動作を説明する。図１２は、本発明の一実施の形態における選択初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートであり、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）にして下りランプ波形Ｌ４を発生させるときの動作を説明するタイミングチャートである。
【０１１７】
（維持期間）
詳細は省略するが維持パルス発生回路５０の電力回収回路およびクランプ回路を交互に動作させ、あらかじめ定められた回数の維持パルスを発生させる。そして、維持期間の最後に、消去ランプ波形Ｌ３を発生させる。こうして、維持期間が終了する。
【０１１８】
（初期化期間）
続く初期化期間Ｔ４２では、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。これにより、走査電極駆動回路４３の出力電圧がランプ状に下降し始める。
【０１１９】
なお、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）にして下りランプ波形Ｌ４を発生させるときには、比較器ＣＰ１では、基準電位Ａにおける下りランプ波形と電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）との比較を行わせ、その比較結果を制御信号ＯＣ２として用いる。そのために、期間Ｔ４２では、スイッチング素子ＳＷ２はオンにし、スイッチング素子ＳＷ１、スイッチング素子ＳＷ３はオフにする。これにより、比較器ＣＰ１からの出力信号、すなわち制御信号ＯＣ２は、基準電位Ａにおける下りランプ波形が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）以下となる時刻ｔ４２において「Ｌｏ」から「Ｈｉ」に切換わる。
【０１２０】
したがって、時刻ｔ４２で、制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２はともに「Ｈｉ」となり、走査ＩＣ５５は「Ａｌｌ−Ｈｉ」状態となる。すなわち、走査ＩＣ５５からの出力電圧は、入力端子ＩＮｂに入力される電圧（基準電位Ａに電圧Ｖｓｃｎが重畳された電圧）となり、それまでの電圧降下が時刻ｔ４２で電圧上昇に切換わるので、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加される下りランプ波形は、最低電圧Ｖｉ４が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）の下りランプ波形Ｌ４となる。
【０１２１】
図１３は、本発明の一実施の形態における選択初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の他の一例を説明するためのタイミングチャートであり、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）にして下りランプ波形Ｌ４を発生させるときの動作を説明するタイミングチャートである。なお、維持期間における動作は、図１２と同様であるので、説明は省略する。
【０１２２】
（初期化期間）
期間Ｔ４３では、期間Ｔ４２と同様に、下りランプ波形電圧を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。これにより、走査電極駆動回路４３の出力電圧がランプ状に下降し始める。
【０１２３】
なお、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）にして下りランプ波形Ｌ４を発生させるときには、比較器ＣＰ１において、基準電位Ａにおける下りランプ波形と、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）との比較を行わせる。そのために、期間Ｔ４３では、スイッチング素子ＳＷ３はオンにし、スイッチング素子ＳＷ１、スイッチング素子ＳＷ２はオフにする。これにより、比較器ＣＰ１からの出力信号、すなわち制御信号ＯＣ２は、基準電位Ａにおける下りランプ波形が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）以下となる時刻ｔ４３において「Ｌｏ」から「Ｈｉ」に切換わる。
【０１２４】
したがって、時刻ｔ４３で、制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２はともに「Ｈｉ」となり、走査ＩＣ５５は「Ａｌｌ−Ｈｉ」状態となる。すなわち、走査ＩＣ５５から出力される下りランプ波形は、電圧降下が時刻ｔ４３で電圧上昇に切換わり、最低電圧Ｖｉ４が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）となる下りランプ波形Ｌ４となる。
【０１２５】
なお、図面を用いての説明は省略するが、選択初期化期間においてスイッチング素子ＳＷ１をオンにし、スイッチング素子ＳＷ２、スイッチング素子ＳＷ３をオフにすることで、比較器ＣＰ１において、基準電位Ａにおける下りランプ波形と、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）との比較を行わせることができる。これにより、基準電位Ａにおける下りランプ波形が電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）以下になるときに制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２をともに「Ｈｉ」にすることができるので、最低電圧Ｖｉ４を電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）にした下りランプ波形Ｌ４を走査ＩＣ５５から出力させることができる。
【０１２６】
以上説明したように、本実施の形態においては、現サブフィールドの下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を、直前のサブフィールドの点灯率に応じて変更することにより、下りランプＬ４による初期化放電の持続時間を最適に制御して放電セル内の壁電荷を適正な状態にすることができるので、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Ｖｄを低減することが可能となり、安定した書込み動作を行うことが可能となる。
【０１２７】
なお、本実施の形態では、下りランプ波形Ｌ２、下りランプ波形Ｌ４を、下りランプ波形の電圧が最低電圧に到達した後、すぐに電圧上昇に切換わるような波形形状として示した。しかし、これは、走査電極駆動回路４３の回路構成上、このような波形形状になったものに過ぎず、本実施の形態は何らこの波形形状に限定されるものではない。例えば、下りランプ波形の電圧が最低電圧に到達した後、その電圧を一定期間保持するような波形形状であってもかまわない。
【０１２８】
なお、本実施の形態では、電圧Ｖｓｅｔ２を６（Ｖ）とし、電圧Ｖｓｅｔ３を８（Ｖ）とし、電圧Ｖｓｅｔ４を１０（Ｖ）としたが、これらの数値は単なる一例に過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適な電圧値に設定すればよい。
【０１２９】
また、図１１から図１３に示したタイミングチャートは実施の形態における一例を示したものに過ぎず、何らこれらのタイミングチャートに限定されるものではない。
【０１３０】
なお、本実施の形態では、選択初期化期間において、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４を、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ２）、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ３）、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ４）の異なる３つの電圧値で切換える構成を説明したが、本発明は何らこの構成に限定されるものではない。例えば、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ５）、電圧（Ｖａ＋Ｖｓｅｔ６）といった電圧値を設けるとともに、点灯率を４つ、あるいはそれ以上の領域に分けて、下りランプ波形Ｌ４の最低電圧Ｖｉ４をより細かく制御する構成としてもよい。
【０１３１】
なお、本実施の形態において示した点灯率のしきい値や下りランプ波形の最低電圧、サブフィールド数、書込みパルス電圧等の具体的な数値は単なる一例であり、本発明は、何らこれらの数値に限定されるものではない。
【０１３２】
なお、本発明における実施の形態の他の例としては、下りランプ波形の最低電圧を変更するサブフィールド、あるいは下りランプ波形の最低電圧の電圧値、または点灯率のしきい値等を決定する際に、所定の条件を用いて重み付けする構成としてもよい。この重み付けの例としては、例えば、パネルの温度分布を検出しその検出結果を反映させるといったことが考えられる。
【０１３３】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板２１に設けられる電極の配列が、「・・・走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造（「ＡＢＢＡ電極構造」と呼称する）のパネルにおいても、有効である。
【０１３４】
なお、本発明の一実施の形態において示した具体的な各数値は、５０インチ、表示電極対数１０８０対のパネルの特性にもとづき設定したものであって、実施の形態における一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。また、走査ＩＣ５５の動作を説明する際に示した各制御信号の極性は、単なる一例であり、説明で示した極性とは逆の極性であってもかまわない。
【０１３５】
なお、本発明の一実施の形態では、消去ランプ波形電圧を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する構成を説明したが、消去ランプ波形電圧を維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに印加する構成とすることもできる。あるいは、消去ランプ波形電圧ではなく、いわゆる細幅消去パルスにより消去放電を発生させる構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３６】
本発明は、放電セルの点灯状態に応じて初期化放電を制御することで壁電荷の調整を適正に行うことができるので、書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることが可能となり、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の一実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図
【図２】同パネルの電極配列図
【図３】本発明の一実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図
【図４】本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路の回路図
【図５】本発明の一実施の形態における走査電極駆動回路の走査ＩＣと走査電極との接続の様子を示す概略図
【図６】本発明の一実施の形態における制御信号ＯＣ１、制御信号ＯＣ２と走査ＩＣの動作状態との対応関係を示す図
【図７】本発明の一実施の形態におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図
【図８】本発明の一実施の形態における下りランプ波形の最低電圧と直前のサブフィールドの点灯率との関係の一例を示す図
【図９】本発明の一実施の形態における点灯率と初期化放電との関係を概略的に示す図
【図１０】本発明の一実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧と直前のサブフィールドの点灯率との関係を示す特性図
【図１１】本発明の一実施の形態における全セル初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート
【図１２】本発明の一実施の形態における選択初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャート
【図１３】本発明の一実施の形態における選択初期化期間の走査電極駆動回路の動作の他の一例を説明するためのタイミングチャート
【符号の説明】
【０１３８】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル（プラズマディスプレイパネル）
２１    （ガラス製の）前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
４７    点灯率検出回路
４８    メモリ
５０    維持パルス発生回路
５１    初期化波形発生回路
５２    走査パルス発生回路
５３，５４    ミラー積分回路
５５    走査ＩＣ
ＣＰ１    比較器
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３１    コンデンサ
ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，Ｑ１，Ｑ２，Ｑ４，Ｑ５，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｒ１，Ｒ２    抵抗
Ｄ３１    ダイオード
【図１】
2009236989.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2009236989.tif 000009
【図８】
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【図９】
2009236989.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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